(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｚｎ：０．１〜２０質量％、Ａｌ：０．１〜３質量％を含有し、さらにＣａ，Ｂｅ，Ｓｉから選ばれる１種または２種以上の合計：０．００５〜０．０５質量％を含有し、残部がＡｇである組成の銀合金からなることを特徴とする光記録媒体の全反射層または半透明反射層形成用銀合金スパッタリングターゲット。
【請求項２】
Ｚｎ：０．１〜２０質量％、Ａｌ：０．１〜３質量％を含有し、さらにＤｙ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｔｂ，Ｇｄから選ばれる１種または２種以上の合計：０．１〜３質量％を含有し、残部がＡｇである組成の銀合金からなることを特徴とする光記録媒体の全反射層または半透明反射層形成用銀合金スパッタリングターゲット。
【請求項３】
Ｚｎ：０．１〜２０質量％、Ａｌ：０．１〜３質量％を含有し、さらにＣａ，Ｂｅ，Ｓｉから選ばれる１種または２種以上の合計：０．００５〜０．０５質量％を含有し、さらにＤｙ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｔｂ，Ｇｄから選ばれる１種または２種以上の合計：０．１〜３質量％を含有し、残部がＡｇである組成の銀合金からなることを特徴とする光記録媒体の全反射層または半透明反射層形成用銀合金スパッタリングターゲット。
【請求項４】
Ｚｎ：１〜２０質量％、Ａｌ：０．５〜３質量％を含有し、さらにＣａ，Ｂｅ，Ｓｉから選ばれる１種または２種以上の合計：０．００５〜０．０５質量％を含有し、残部がＡｇである組成の銀合金からなることを特徴とする光記録媒体の全反射層形成用銀合金スパッタリングターゲット。
【請求項５】
Ｚｎ：１〜２０質量％、Ａｌ：０．５〜３質量％を含有し、さらにＤｙ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｔｂ，Ｇｄから選ばれる１種または２種以上の合計：０．１〜３質量％を含有し、残部がＡｇである組成の銀合金からなることを特徴とする光記録媒体の全反射層形成用銀合金スパッタリングターゲット。
【請求項６】
Ｚｎ：１〜２０質量％、Ａｌ：０．５〜３質量％を含有し、さらにＣａ，Ｂｅ，Ｓｉから選ばれる１種または２種以上の合計：０．００５〜０．０５質量％を含有し、さらにＤｙ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｔｂ，Ｇｄから選ばれる１種または２種以上の合計：０．１〜３質量％を含有し、残部がＡｇである組成の銀合金からなることを特徴とする光記録媒体の全反射層形成用銀合金スパッタリングターゲット。
【請求項７】
Ｚｎ：０．１〜１質量％未満、Ａｌ：０．１〜０．５質量％未満を含有し、さらにＣａ，Ｂｅ，Ｓｉから選ばれる１種または２種以上の合計：０．００５〜０．０５質量％を含有し、残部がＡｇである組成の銀合金からなることを特徴とする光記録媒体の半透明反射層形成用銀合金スパッタリングターゲット。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体レーザーなどのレーザービームを用いて音声、映像、文字などの情報信号を再生あるいは記録・再生・消去を行う光記録ディスク（ＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＡＭ）などの光記録媒体における全反射層および半透明反射層 (以下、両者を含めて反射層と総称する)をスパッタリング法にて形成するための銀合金スパッタリングターゲットに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
光記録媒体の中でも、基板の片面に２つの記録層を有し、記録層に相変化記録材料を用い、繰り返し記録・再生・消去を行う光記録ディスクなどの光記録媒体においては、高記録密度化のためにレーザービームとして短波長の青紫レーザーを用いる研究が盛んに行なわれている。２つの記録層を有する光記録媒体を機能させるためには、レーザー入射側の第２の記録層に記録し、記録信号を再生し、さらに記録信号を消去するためには、レーザー入射側の第１の半透明反射層は効率良くレーザーを透過させる必要がある。一方、レーザー入射側の第１の記録層に記録し、記録信号を再生し、さらに記録信号を消去するためには、半透明反射層に十分な冷却効率を付与すると共に、十分な反射率が必要となる。
かかる条件を満たす光記録ディスク（ＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＡＭ）などの光記録媒体における全反射層および半透明反射層などの反射層として、従来、ＡｇまたはＡｇ合金層が使用されており、このＡｇまたはＡｇ合金層は４００〜８３０ｎｍの幅広い波長域での反射率が高く、特に光記録媒体の高密度化記録に用いられる短波長のレーザー光に対して反射率が大きいので好適であるとされている。前記ＡｇまたはＡｇ合金層の形成には、ＡｇまたはＡｇ−Ｚｎ合金からなるターゲットをスパッタすることにより形成されることが知られている（特開２００１−３５０１４号公報参照）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来のＡｇまたはＡｇ合金層を全反射層として用いた場合、記録・再生・消去の繰り返し回数が増大するにつれて反射率が低下し、長期に亘る十分な記録再生耐性が得られなかった。この原因の一つとして光記録媒体に繰り返し記録・再生・消去を行うと、レーザー光の照射により全反射層の加熱・冷却が繰り返され、それによってＡｇまたはＡｇ合金層が再結晶化し、結晶粒が粗大化することによって反射率が低下することによるものと考えられている。
さらに、従来のＡｇまたはＡｇ合金層を半透明反射層として用いた場合、レーザー光の透過・反射の効率が十分でなく、半透明反射層でレーザーエネルギーを消費するという問題を抱えていた。また記録・再生・消去の繰り返し回数が増大するにつれて反射率・透過率が変化して十分な記録再生耐性が得られなかった。この原因の一つとして光記録媒体に繰り返し記録・再生・消去を行うと、レーザー光の照射により半透明反射層の加熱・冷却が繰り返され、それによって半透明反射層の結晶粒子間で拡散に伴う凝集による再結晶化が進行し、さらに半透明反射層の膜厚が薄いため、拡散により原子が移動すると、原子の供給源が無いために膜に欠落が生じ、膜に穴が開くことによるものと考えられている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
そこで本発明者らは、記録・再生・消去の繰り返し回数が増大しても全反射層の反射率が低下することの少なく、さらに記録・再生・消去の繰り返し回数が増大しても半透明反射層の透過・反射の効率が低下することの少ない銀合金層を得るべく研究を行った。その結果、
（イ）ＡｇにＺｎ：０．１〜２０質量％を添加し、さらにＡｌ：０．１〜３質量％を添加したＡｇ−Ｚｎ合金に、さらにＣａ，Ｂｅ，Ｓｉから選ばれる１種または２種以上の合計：０．００５〜０．０５質量％を含有せしめた組成の銀合金ターゲットを用いてスパッタリングすることにより得られた銀合金層は、従来のＡｇまたはＡｇ−Ｚｎ合金からなるターゲットを用いてスパッタすることにより得られた銀または銀合金層に比べて、レーザービームの繰り返し照射に伴う繰り返し加熱冷却を受けても結晶粒が粗大化することが一層少なく、したがって、長期間使用しても反射率の低下が極めて少ない、
（ロ）ＡｇにＺｎ：０．１〜２０質量％、Ａｌ：０．１〜３質量％を添加したＡｇ−Ｚｎ合金に、さらにＤｙ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｔｂ，Ｇｄから選ばれる１種または２種以上の合計：０．１〜３質量％を含有させた組成の銀合金ターゲットを用いてスパッタリングすることにより得られた銀合金層は、従来のＡｇまたはＡｇ−Ｚｎ合金からなるターゲットを用いてスパッタすることにより得られた銀または銀合金層に比べて、レーザービームの繰り返し照射に伴う繰り返し加熱冷却を受けても結晶粒が粗大化することが一層少なく、したがって、長期間使用しても反射率の低下が極めて少ない、
（ハ）ＡｇにＺｎ：０．１〜２０質量％、Ａｌ：０．１〜３質量％を添加したＡｇ−Ｚｎ合金に、さらにＣａ，Ｂｅ，Ｓｉから選ばれる１種または２種以上の合計：０．００５〜０．０５質量％とＤｙ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｔｂ，Ｇｄから選ばれる１種または２種以上の合計：０．１〜３質量％とを共に含有せしめた銀合金ターゲットを用いてスパッタリングすることにより得られた銀合金層でも同じ効果が得られる、という研究結果が得られたのである。
【０００５】
この発明は、かかる研究結果に基づいて成されたものであって、
（１）Ｚｎ：０．１〜２０質量％、Ａｌ：０．１〜３質量％を含有し、さらにＣａ，Ｂｅ，Ｓｉから選ばれる１種または２種以上の合計：０．００５〜０．０５質量％を含有し、残部がＡｇである組成の銀合金からなる光記録媒体の全反射層または半透明反射層形成用銀合金スパッタリングターゲット、
（２）Ｚｎ：０．１〜２０質量％、Ａｌ：０．１〜３質量％を含有し、さらにＤｙ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｔｂ，Ｇｄから選ばれる１種または２種以上の合計：０．１〜３質量％を含有し、残部がＡｇである組成の銀合金からなる光記録媒体の全反射層または半透明反射層形成用銀合金スパッタリングターゲット、
（３）Ｚｎ：０．１〜２０質量％、Ａｌ：０．１〜３質量％を含有し、さらにＣａ，Ｂｅ，Ｓｉから選ばれる１種または２種以上の合計：０．００５〜０．０５質量％を含有し、さらにＤｙ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｔｂ，Ｇｄから選ばれる１種または２種以上の合計：０．１〜３質量％を含有し、残部がＡｇである組成の銀合金からなる光記録媒体の全反射層または半透明反射層形成用銀合金スパッタリングターゲット、に特徴を有するものである。
【０００５】
前記（１）〜（３）記載の銀合金スパッタリングターゲットを用いると、光記録媒体の全反射膜または半透明反射膜を形成することができるが、光記録媒体の特に全反射膜を形成するには、Ｚｎを１質量％以上含有し、Ａｌを０．５質量％以上含有するように調整した銀合金スパッタリングターゲットを用いることが一層好ましく、したがって、この発明は、
（４）Ｚｎ：１〜２０質量％、Ａｌ：０．５〜３質量％を含有し、さらにＣａ，Ｂｅ，Ｓｉから選ばれる１種または２種以上の合計：０．００５〜０．０５質量％を含有し、残部がＡｇである組成の銀合金からなる光記録媒体の全反射層形成用銀合金スパッタリングターゲット、
（５）Ｚｎ：１〜２０質量％、Ａｌ：０．５〜３質量％を含有し、さらにＤｙ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｔｂ，Ｇｄから選ばれる１種または２種以上の合計：０．１〜３質量％を含有し、残部がＡｇである組成の銀合金からなる光記録媒体の全反射層形成用銀合金スパッタリングターゲット、
（６）Ｚｎ：１〜２０質量％、Ａｌ：０．５〜３質量％を含有し、さらにＣａ，Ｂｅ，Ｓｉから選ばれる１種または２種以上の合計：０．００５〜０．０５質量％を含有し、さらにＤｙ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｔｂ，Ｇｄから選ばれる１種または２種以上の合計：０．１〜３質量％を含有し、残部がＡｇである組成の銀合金からなる光記録媒体の全反射層形成用銀合金スパッタリングターゲット、に特徴を有するものである。
【０００６】
一方、光記録媒体の半透明反射膜を形成するには、Ｚｎを１質量％未満含有し、Ａｌを０．５質量％未満含有するように調整し、さらに、Ｃａ，Ｂｅ，Ｓｉから選ばれる１種または２種以上の合計：０．００５〜０．０５質量％を含有した銀合金スパッタリングターゲットを用いることが一層好ましい。したがって、この発明は、
（７）Ｚｎ：０．１〜１質量％未満、Ａｌ：０．１〜０．５質量％未満％を含有し、さらにＣａ，Ｂｅ，Ｓｉから選ばれる１種または２種以上の合計：０．００５〜０．０５質量％を含有し、残部がＡｇである組成の銀合金からなる光記録媒体の半透明反射層形成用銀合金スパッタリングターゲット、に特徴を有するものである。
【０００７】
この発明のスパッタリングターゲットは、原料としていずれも純度：９９.９９質量％以上の高純度Ａｇ、ＺｎおよびＡｌ、並びにいずれも純度：９９.９質量％以上のＤｙ，Ｌａ，Ｎｄ，ＴｂおよびＧｄを用意し、これら原料を高真空または不活性ガス雰囲気中で溶解し、得られた溶湯を真空または不活性ガス雰囲気中で鋳造してインゴットを作製し、これらインゴットを熱間加工したのち機械加工することにより製造することができる。
【０００８】
Ａｇへの固溶が殆どないＣａ，ＢｅおよびＳｉについては、それぞれの各元素の濃度が０.２０質量％となるようにＡｇを配合した後、高周波真空溶解にて溶解し、溶解後炉内圧力が大気圧となるまでＡｒガスを充填したのち黒鉛製鋳型に鋳造してＣａ，ＢｅおよびＳｉを含むＡｇの母合金を予め作製し、この母合金をＺｎおよびＡｌと共にＡｇに添加して溶解し鋳造することによりインゴットを作製し、得られたインゴットを熱間加工したのち機械加工することにより製造することができる。
【０００９】
次に、この発明のＡｇ合金層を形成するためのスパッタリングターゲットにおける成分組成を前記の如く限定した理由を説明する。
【００１０】
Ｚｎ：
Ｚｎは、Ａｇに固溶して結晶粒の強度を高め、結晶粒の再結晶粒化を防止し、スパッタにより形成された反射層の反射率の低下を抑制する効果があるが、Ｚｎを０．１質量％未満含んでも十分な結晶粒の再結晶粒化を防止することができないので反射層の反射率の低下を抑止することができず、一方、Ｚｎが２０質量％を越えて含有すると、スパッタにより形成されたＡｇ合金反射層の内部応力が大きくなり、ターゲットの製造時に結晶粒内および／または結晶粒界に金属間化合物を形成し、割れが生じやすくなるので好ましくない。したがって、Ａｇ合金反射層およびこのＡｇ合金反射層を形成するためのスパッタリングターゲットに含まれるこれらＺｎの含有量は０．１〜２０質量％に定めた。特に全反射層を形成するためのＺｎ含有量の一層好ましい範囲は１〜２０質量％（さらに一層好ましい範囲は５〜１５質量％）であり、特に半透明反射層を形成するためのＺｎ含有量の一層好ましい範囲は０．１〜１質量％未満（さらに一層好ましい範囲は０．５〜０．９質量％）である。
【００１１】
Ａｌ：
Ａｌは、Ａｇに固溶して結晶粒の強度を高め、結晶粒の再結晶粒化を防止し、スパッタにより形成された反射層の反射率の低下を抑制する効果があるが、Ａｌを０．１質量％未満含んでも十分な結晶粒の再結晶粒化を防止することができないので反射層の反射率の低下を抑止することができず、一方、Ａｌが３質量％を越えて含有すると、スパッタにより形成されたＡｇ合金反射層の内部応力が大きくなり、反射層が剥がれやすくなるので好ましくない。したがって、Ａｇ合金反射層およびこのＡｇ合金反射層を形成するためのスパッタリングターゲットに含まれるこれらＡｌの含有量は０.１〜３質量％に定めた。特に全反射層を形成するためのＡｌ含有量の一層好ましい範囲は０．５〜３質量％（さらに一層好ましい範囲は１．０〜２．０質量％）であり、特に半透明反射層を形成するためのＡｌ含有量の一層好ましい範囲は０．１〜１質量％未満（さらに一層好ましい範囲は０．１〜０．５質量％）である。
【００１２】
Ｃａ，Ｂｅ，Ｓｉ：
これら成分は、Ａｇに殆ど固溶せず、結晶粒界に析出することにより結晶粒同士の結合を防止し、Ａｇ合金反射層の再結晶化防止をさらに促進する成分であるが、これら成分の１種または２種以上を合計で０．００５質量％未満含んでも格段の効果が得られず、一方、これら成分の１種または２種以上を合計で０．０５質量％を越えて含有すると、ターゲットが著しく硬化し、ターゲットの作製が困難になるので好ましくない。したがって、Ａｇ合金反射層およびこのＡｇ合金反射層を形成するためのスパッタリングターゲットに含まれるこれら成分の含有量は０.００５〜０．０５質量％(一層好ましくは０．０１０〜０．０３５質量％)に定めた。
【００１３】
Ｄｙ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｔｂ，Ｇｄ：
これら成分は、Ａｇとの反応により金属間化合物を結晶粒界に形成して結晶粒同士の結合を防止し、Ａｇ合金反射層の再結晶化防止をさらに促進する成分であるが、これら成分の内の１種または２種以上を合計で０．１質量％未満含んでも格段の効果が得られず、一方、これら成分の１種または２種以上を合計で３質量％を越えて含有すると、ターゲットが著しく硬化し、ターゲットの作製が困難になるので好ましくない。したがって、Ａｇ合金反射層およびこのＡｇ合金反射層を形成するためのスパッタリングターゲットに含まれるこれら成分の含有量は０．１〜３質量％(一層好ましくは０．２〜１．５質量％)に定めた。
【００１４】
【発明の実施の形態】
実施例１
原料としていずれも純度：９９.９９質量％以上の高純度Ａｇ、ＺｎおよびＡｌを用意した。さらに純度：９９.９質量％以上Ｃａ，ＢｅおよびＳｉを用意した。Ｃａ，ＢｅおよびＳｉはＡｇへの固溶が殆どないので、それぞれの各元素の濃度が０.２０質量％となるようにＡｇを配合した後、高周波真空溶解炉にて溶解し、溶解後炉内圧力が大気圧となるまでＡｒガスを充填したのち黒鉛製鋳型に鋳造することにより予めＣａ，ＢｅおよびＳｉを含むＡｇの母合金を作製した。
これら母合金を高純度Ａｇ、ＺｎおよびＡｌと共に添加しまたは添加せずに高周波真空溶解炉にて溶解し、鋳造することによりインゴットを作製し、得られたインゴットを６００℃、２時間加熱した後、圧延し、次いで機械加工することにより直径：１２５ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有し、表１〜２に示される成分組成を有する本発明ターゲット１〜１８、比較ターゲット１〜５および従来ターゲット１〜２を製造した。
【００１５】
これら本発明ターゲット１〜１８および比較ターゲット１〜５をそれぞれ無酸素銅製のバッキングプレートにはんだ付けし、これを直流マグネトロンスパッタ装置に装着し、真空排気装置にて直流マグネトロンスパッタ装置内を１×１０-4Ｐａまで排気した後、Ａｒガスを導入して１．０Ｐａのスパッタガス圧とし、続いて直流電源にてターゲットに１００Ｗの直流スパッタ電力を印加し、前記ターゲットに対抗しかつ７０ｍｍの間隔を設けてターゲットと平行に配置した直径：３０ｍｍ、厚さ：０．５ｍｍのガラス基板と前記ターゲットの間にプラズマを発生させ、厚さ：１００ｎｍのＡｇおよびＡｇ合金全反射膜を形成した。
【００１６】
このようにして形成したＡｇおよびＡｇ合金全反射膜の成膜直後の反射率を分光光度計により測定した。その後、形成したＡｇおよびＡｇ合金全反射膜を温度：８０℃、相対湿度：８５％の恒温恒湿槽にて２００時間保持したのち、再度同じ条件で反射率を測定した。得られた反射率データから、波長：４００ｎｍおよび６５０ｎｍにおける各反射率を求め、その結果を表１〜２に示して光記録媒体の反射膜として記録再生耐性を評価した。
【００１７】
【表１】
0004069660.tif 000002
【００１８】
【表２】
0004069660.tif 000003
【００１９】
表１〜２に示される結果から、この発明の本発明ターゲット１〜１８を用いてスパッタリングを行うことにより得られた全反射層は、従来ターゲット１〜２を用いてスパッタリングを行うことにより得られた全反射層に比べて、温度：８０℃、相対湿度：８５％の恒温恒湿槽にて２００時間保持後の反射率の低下が少ないことがわかる。さらにこの発明の範囲から外れてＣａ，ＢｅおよびＳｉを多く含む比較ターゲット３〜５は硬くなって成形できなくなることが分かる。
【００２０】
実施例２
純度：９９.９質量％以上のＤｙ，Ｌａ，Ｎｄ，ＴｂおよびＧｄを用意し、これら原料を実施例１で用意した高純度Ａｇ、ＺｎおよびＡｌと共に添加して高周波真空溶解炉で溶解し、得られた溶湯をＡｒガス雰囲気中で黒鉛鋳型に鋳造してインゴットを作製し、得られたインゴットを６００℃、２時間加熱した後、圧延し、次いで機械加工することにより直径：１２５ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有し、表３〜５に示される成分組成を有する本発明ターゲット１９〜４３および比較ターゲット６〜１１を製造した。
【００２１】
これら本発明ターゲット１９〜４３および比較ターゲット６〜１１をそれぞれ無酸素銅製のバッキングプレートにはんだ付けし、これを直流マグネトロンスパッタ装置に装着し、真空排気装置にて直流マグネトロンスパッタ装置内を１×１０-4Ｐａまで排気した後、Ａｒガスを導入して１．０Ｐａのスパッタガス圧とし、続いて直流電源にてターゲットに１００Ｗの直流スパッタ電力を印加し、前記ターゲットに対抗しかつ７０ｍｍの間隔を設けてターゲットと平行に配置した直径：３０ｍｍ、厚さ：０．５ｍｍのガラス基板と前記ターゲットの間にプラズマを発生させ、厚さ：１００ｎｍのＡｇ合金全反射膜を形成した。
【００２２】
このようにして形成した各Ａｇ合金全反射膜の成膜直後の反射率を分光光度計により測定した。その後、形成した各Ａｇ合金全反射膜を温度：８０℃、相対湿度：８５％の恒温恒湿槽にて２００時間保持したのち、再度同じ条件で反射率を測定した。得られた反射率データから、波長：４００ｎｍおよび６５０ｎｍにおける各反射率を求め、その結果を表３〜５に示して光記録媒体の全反射膜として記録再生耐性を評価した。
【００２３】
【表３】
0004069660.tif 000004
【００２４】
【表４】
0004069660.tif 000005
【００２５】
【表５】
0004069660.tif 000006
【００２６】
表３〜５に示される結果から、この発明の本発明ターゲット１９〜４３を用いてスパッタリングを行うことにより得られた全反射層は、実施例１の表２に示される従来ターゲット１〜２を用いてスパッタリングを行うことにより得られた反射層に比べて、温度：８０℃、相対湿度：８５％の恒温恒湿槽にて２００時間保持後の反射率の低下が少ないことがわかる。また、比較ターゲット６〜１１に見られるように、Ｄｙ，Ｌａ，Ｎｄ，ＴｂおよびＧｄの合計が３質量％より多く含有すると、圧延中に割れが発生するなどして成形できなくなることが分かる。
【００２７】
実施例３
実施例１で用意した高純度Ａｇ、ＺｎおよびＡｌ、Ｃａ，ＢｅおよびＳｉを含むＡｇの母合金、並びに実施例２で用意したＤｙ，Ｌａ，Ｎｄ，ＴｂおよびＧｄを高周波真空溶解炉で溶解し、得られた溶湯をＡｒガス雰囲気中で黒鉛鋳型に鋳造してインゴットを作製し、得られたインゴットを６００℃、２時間加熱した後、圧延し、次いで機械加工することにより直径：１２５ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有し表６に示される成分組成を有する本発明ターゲット４４〜５５を作製し、これらターゲットについて実施例１と同様にしてガラス基板表面に厚さ：１００ｎｍのＡｇ合金全反射膜を形成し、各Ａｇ合金全反射膜の成膜直後の反射率を分光光度計により測定した。その後、形成した各Ａｇ合金全反射膜を温度：８０℃、相対湿度：８５％の恒温恒湿槽にて２００時間保持したのち、再度同じ条件で反射率を測定した。得られた反射率データから、波長：４００ｎｍおよび６５０ｎｍにおける各反射率を求め、その結果を表６に示して光記録媒体の全反射膜として記録再生耐性を評価した。
【００２８】
【表６】
0004069660.tif 000007
【００２９】
表６に示される結果から、この発明の本発明ターゲット４４〜５５を用いてスパッタリングを行うことにより得られた全反射層は表２の従来ターゲット１〜２を用いてスパッタリングを行うことにより得られた全反射層に比べて、波長：４００ｎｍおよび６５０ｎｍにおける温度：８０℃、相対湿度：８５％の恒温恒湿槽にて２００時間保持後の反射率の低下が少ないことがわかる。
【００３０】
実施例４
実施例１と同様にして、表７〜８に示される成分組成を有する本発明ターゲット５６〜７３および比較ターゲット１２〜１４を作製した。さらに実施例１で作製した従来ターゲット１〜２を用意した。
本発明ターゲット５６〜７３、比較ターゲット１２〜１４および従来ターゲット１〜２をそれぞれ無酸素銅製のバッキングプレートにはんだ付けし、これを直流マグネトロンスパッタ装置に装着し、真空排気装置にて直流マグネトロンスパッタ装置内を１×１０-4Ｐａまで排気した後、Ａｒガスを導入して１．０Ｐａのスパッタガス圧とし、続いて直流電源にてターゲットに１００Ｗの直流スパッタ電力を印加し、前記ターゲットに対抗しかつ７０ｍｍの間隔を設けてターゲットと平行に配置した直径：３０ｍｍ、厚さ：０．５ｍｍのガラス基板と前記ターゲットの間にプラズマを発生させ、厚さ：１０ｎｍのＡｇおよびＡｇ合金半透明反射膜を形成した。
【００３１】
このようにして形成したＡｇおよびＡｇ合金半透明反射膜について、成膜直後の反射率および透過率を波長範囲：３００〜８００ｎｍの範囲にて分光光度計により測定した分光反射率曲線および分光透過率曲線から、波長：４０５ｎｍにおける反射率および透過率を求め、その結果を表７〜８に示した。
その後、形成したＡｇおよびＡｇ合金半透明反射膜を温度：８０℃、相対湿度：８５％の恒温恒湿槽にて２００時間保持したのち、再度同じ条件で反射率および透過率を求め、その結果を表７〜８に示した。得られた反射率および透過率のデータから成膜直後の波長：４０５ｎｍのレーザーの半透明反射膜における吸収率を求め、さらに温度：８０℃、相対湿度：８５％の恒温恒湿槽にて２００時間保持した後に反射率および透過率から２００時間経過後の波長：４０５ｎｍのレーザーの半透明反射膜における吸収率を求め、それらの結果を表７〜８に示した。
【００３２】
【表７】
0004069660.tif 000008
【００３３】
【表８】
0004069660.tif 000009
【００３４】
表７〜８に示される結果から、この発明の本発明ターゲット５６〜７３を用いてスパッタリングを行うことにより得られた半透明反射層は、従来ターゲット１〜２を用いてスパッタリングを行うことにより得られた半透明反射層に比べて、温度：８０℃、相対湿度：８５％の恒温恒湿槽にて２００時間保持後の反射率および透過率の低下が少なく、かつ反射率および透過率から求めた膜によるレーザー吸収率についても温度：８０℃、相対湿度：８５％の恒温恒湿槽にて２００時間保持後の吸収率の増加が少ないことがわかる。しかし、この発明の範囲から外れてＺｎおよびＡｌを含む比較ターゲット１２〜１４は、光記録媒体の半透明反射膜の反射率および透過率として記録再生耐性が低下したりして好ましくなく、さらに温度：８０℃、相対湿度：８５％の恒温恒湿槽にて２００時間保持後の吸収率の増加が著しいことが分かる。
【００３５】
【発明の効果】
上述のように、この発明の光記録媒体の反射層形成用銀合金スパッタリングターゲットを用いて作製した反射層は、従来の光記録媒体の反射層形成用銀合金スパッタリングターゲットを用いて作製した反射層に比べて、経時変化による劣化が少なく、長期にわたって使用できる光記録媒体を製造することができ、メディア産業の発展に大いに貢献し得るものである。