(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層基材上に形成された配線層における互いに隣接する各配線間に部位により異なる誘電率の絶縁層を形成することにより、前記各配線層の信号線、電源線、グランド線等の各々電気的な役割に応じて、前記絶縁層の誘電率をそれぞれ相対的に高誘電率、もしくは低誘電率に形成する電気配線板の製造方法において、各配線間に第一の誘電率の絶縁層を形成し、次いで配線の上部を覆った絶縁層を配線が露出するまで除去し、次いで除去しない部位の絶縁層上に配線層の一部も覆うように保護膜を設け、次いで保護膜の無い部位の絶縁層をエッチングにより除去し、次いで保護膜を除去した後、全面に第二の誘電率の絶縁層を形成することを特徴とする電気配線板の製造方法。
【請求項２】
前記第二の誘電率の絶縁層の一部を除去し、除去した部位に第三の誘電率の絶縁層を設けることを特徴とする請求項１に記載の電気配線板の製造方法。
【請求項３】
前記第二の誘電率の絶縁層及び／または前記第三の誘電率の絶縁層上に配線層を形成し、多層の配線層からなる電気配線板を得ることを特徴とする請求項２に記載の電気配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、駆動周波数が高速な半導体チップや半導体パッケージ、もしくは無線ＬＡＮや、Bluetooth対応のアナログ高周波素子を実装し、それらを高速動作させることが可能な高周波対応の電気配線板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の技術は、電気信号の高速化に伴う半導体チップや、半導体パッケージの軽薄短小化に対応するために、半導体の電気配線板の製造では、高密度で微細な配線を形成することが可能な製造プロセスが提案されている。図１０は、従来の技術を説明する代表的な製造プロセスであるセミアディティブ法の手順を示したものである。
【０００３】
まず図１０（ａ）は、絶縁層１の片面に導体層２が形成された基材上に無電解メッキ法や、スパッタ法で１μｍ程度の極薄い下地配線層３を形成する。
【０００４】
（ｂ）は、前記下地配線層３の上部を感光性のレジスト層１４をコーティング形成する。
【０００５】
（ｃ）と（ｄ）は、予め準備した配線パターン形成用のマスク１５を通して露光現像を行い、配線を形成させたい部分に下地配線層３を露出させる。
【０００６】
（ｅ）と（ｆ）は、電解メッキ法によって、露出する下地配線層３上に導体を析出させて配線層４を形成した後に、レジスト層１４のみをエッチングによって完全に剥膜除去する。
【０００７】
（ｇ）は、更に、ソフトエッチングによって、下地配線層３のうちで配線層４を短絡させている露出部分を除去し、それぞれの配線を電気的に独立させる。
【０００８】
次に、（ｈ）は、配線層４を覆うように絶縁層８を形成する。この場合の形成方法は、液体状の絶縁樹脂をコーティングした後に加熱して、架橋固化させてもよいし、シート状の絶縁材料を加熱加圧のラミネートさせる方法もある。多層配線基板の場合には、以上のプロセスを必要とする配線層数分だけ繰り返して、絶縁層８上に配線層４を順番に形成していくことになる。
【０００９】
又高密度で微細な配線を形成することが可能な製造プロセスは、この他にサブトラクティブ法もあるが、高精細な配線を作成する場合には、セミアディティブ法が適している。高速な半導体チップや、半導体パッケージは、デザインルールが微細化しているので、それを実装する電気配線板の製造方法としては、セミアディティブ法が主体となっている。
【００１０】
しかしながら、従来の電気配線板では、配線層４を多層化した場合の配線層間の絶縁層８は、液体状の絶縁樹脂をコーティングした後に加熱架橋固化させるか、もしくはシート状の絶縁材料を加熱ラミネートさせる方法で一括に形成しているだけなので、単一の絶縁層内では誘電率は一定となっていた。
【００１１】
電気信号の周波数が低い場合には、配線パターンによらず誘電率は一定でも信号の伝送特性を確保し、かつ不要電磁輻射を基準以下に抑えることはできるが、周波数がギガヘルツ帯になってくると、配線パターンに応じて誘電率を変化させ、伝送特性とEMI特性を確保する必要性が生じる。
【００１２】
配線層４は、電気的な役割として信号線、電源線、グランド線に大別され、それぞれの配置の組み合わせによって、絶縁層８の誘電率を変化させた方が、伝送特性、ＥＭＩ特性ともに向上する。たとえば、電源線と、電源線とペアとなり閉ループを構成するようなグランド線は、互いに近接して配置される場合が多く、この場合には電源線とグランド線の間に存在する絶縁層８は誘電率が高い方が、電気特性が向上する。
【００１３】
信号線とグランド線、もしくは信号線と電源線との間に存在する絶縁層８に関しては、高誘電率とすると特性インピーダンスが低下し、低誘電率にすると伝播遅延が減少する傾向にあるので、この場合の適した誘電率は、そのときの電気配線板に求められる機能によって選択する必要がある。
【００１４】
これに対して、リファレンシャルモードで信号を伝送する場合を除けば、2本の信号線間に存在する絶縁層は，誘電率を低くした方が，遅延の原因となる浮遊線間容量を低減させることができる。
【００１５】
以上の議論は，同一配線層４内での面内方向の配線の位置関係だけでなく、異なる配線層４における上下方向の配線の位置関係にも適用される。したがって配線層４を取り囲む絶縁層８の誘電率は、配線パターンのデザインによって変化させなければ，良好な高周波電気信号に対する電気特性を確保することができない。
【００１６】
従来の電気配線板では，絶縁層８の誘電率は配線パターンのデザインによらず一定であるので、良好な高周波電気特性が得られないという大きな問題点があった。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、配線層を取り囲む絶縁層の誘電率を、配線パターンのデザインに応じて変化させることができ、良好な高周波伝送特性ならびにＥＭＩ特性を得ることが可能な電気配線板を製造する方法を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１に係る発明は、絶縁層基材上に形成された配線層における互いに隣接する各配線間に部位により異なる誘電率の絶縁層を形成することにより、前記各配線層の信号線、電源線、グランド線等の各々電気的な役割に応じて、前記絶縁層の誘電率をそれぞれ相対的に高誘電率、もしくは低誘電率に形成する電気配線板の製造方法において、各配線間に第一の誘電率の絶縁層を形成し、次いで配線の上部を覆った絶縁層を配線が露出するまで除去し、次いで除去しない部位の絶縁層上に配線層の一部も覆うように保護膜を設け、次いで保護膜の無い部位の絶縁層をエッチングにより除去し、次いで保護膜を除去した後、全面に第二の誘電率の絶縁層を形成することを特徴とする電気配線板の製造方法である。
【００１９】
本発明の請求項２に係る発明は、前記第二の誘電率の絶縁層の一部を除去し、除去した部位に第三の誘電率の絶縁層を設けることを特徴とする請求項１に記載の電気配線板の製造方法である。
【００２０】
本発明の請求項３に係る発明は、前記第二の誘電率の絶縁層及び／または前記第三の誘電率の絶縁層上に配線層を形成し、多層の配線層からなる電気配線板を得ることを特徴とする請求項２に記載の電気配線板の製造方法である。
【００２１】
【作用】
従来の電気配線板では、単一の絶縁層内の誘電率を配線パターンの電気的な役割に関係なく一定となっていたが、本発明の電気配線板では、同一配線層内での面内方向の配線の位置関係だけでなく、異なる配線層における上下方向の配線の位置関係においても、各配線層を取り囲む絶縁層の誘電率を配線パターンの電気的な役割に応じて変化させる。
【００２２】
【発明の実態の形態】
本発明を図示の実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００２３】
図２、図３は、本発明に係る電気配線板の基本となる製造プロセスを示しており、図２（ａ）〜（ｈ）は、従来の技術のセミアディティブ法と同一であるのでここでは説明を省略する。
【００２４】
図２（ａ）〜（ｇ）は、絶縁層１の片面に導体層２が形成された基材の絶縁層１上には下地配線層３と、配線層４が順次形成されている。
【００２５】
図２（ｈ）の配線層４は、その電気的な役割から電源配線４ｖ、グランド配線４ｇ、信号配線４ｓａと、４ｓｂで構成されている。このような配線構造体の配線層４の上部に，高誘電率絶縁層５を形成する。形成方法としては，液状の絶縁樹脂をコーティングするか，もしくはシート状の絶縁樹脂を加熱加圧ラミネートし，配線層４の上部を覆う。配線層４の上部を覆った高誘電率絶縁層５は，導体層４が露出するまで研磨やエッチングなどを施される。
【００２６】
図３（ｉ）〜（ｌ）に付いて説明する。
【００２７】
図３（ｉ）は、配線層４間に存在する高誘電率絶縁層５のうちで，所定部分のみをエッチングによって除去する。除去すべき高誘電率絶縁層５は，ディファレンシャルモードで信号を伝送しない2本の信号線４ｓａと、信号線４ｓｂの間に存在する部分である。
【００２８】
信号線間であってもディファレンシャルモードで信号を伝送する場合には，高誘電率絶縁層５は除去の対象とならない。また、電源線同士もしくはグランド線同士が隣り合う配置となる場合には、その間に存在する高誘電率絶縁層５を除去する。通常、電源線同士，もしくはグランド線同士が隣り合う配置の場合には、２本の配線は１本の幅広な配線に統合されてしまうことがほとんどなので、あまりこういうデザインは多くはみられない。複数の電源、グランド系を持つ電気配線板において、電源、グランド系の異なる電源線同士，もしくはグランド線同士が隣り合う配置の場合には、互いに電磁結合がないようにしっかりと分離する必要があるので、高誘電率絶縁層５は除去されなければならない。また、信号線と電源線、もしくは信号線とグランド線の間の高誘電率絶縁層５は、特性インピーダンスを低減させたい場合にはそのまま残すが、伝搬遅延を低減させたい場合には除去する。すなわち、そのときの電気配線板の仕様によって高誘電率絶縁層５を除去するかどうか決定することになる。
【００２９】
高誘電率絶縁層５をエッチングしないで残す部分には保護膜６を形成して，エッチングされるのを防止する。保護膜６は，配線層４の上部を一部分覆ってしまっても問題がないので，厳しい寸法精度による膜形成は不要である。
【００３０】
図３（ｊ）は、高誘電率絶縁層５をエッチングによって除去した。
【００３１】
図３（ｋ）は、このようにして所定配線間にのみ高誘電率絶縁層５を残存させた後に，低誘電率絶縁層７を配線層４の上部に形成する。形成方法としては，液状の絶縁樹脂をコーティングするか，もしくはシート状の絶縁樹脂を加熱加圧ラミネートし，配線層４の上部を覆う。高誘電率絶縁層５と低誘電率絶縁層７の誘電率の値は、絶対値を規定するものではなく、あくまで相対的な大小関係が成立していることをさしている。
【００３２】
図３（ｌ）は、以上のプロセスの繰り返しによって，配線層の多層化を行い、多層の電気配線板を構成する。
【００３３】
このような構成の電気配線板においては、配線層４内では信号線、電源線、グランド線の配置に応じて、その線間に存在する絶縁層を高誘電率にするか低誘電率にするかを選択することができる。
【００３４】
図４は，本発明の基本構造から２本の配線Ｌ１、Ｌ２部分を取り出した電気特性評価基板１の断面である。絶縁層１の厚さを２０μｍ、配線Ｌ１、Ｌ２、の幅を１０μｍ、その厚さを８μｍ、線間スペースを１０μｍ、絶縁層７の厚さを２８μmとしている。配線Ｌ１、Ｌ２はＣｕ材とし、絶縁層１と、７の比誘電率は２．０としてある。配線Ｌ１、Ｌ２の間の絶縁層８の比誘電率を２．０と、又は４．０にした場合の線間のクロストークに関するＳ−ｐａｒａｍｅｔｅｒはＳ３１とＳ４１は，第９図のようになる。
【００３５】
このとき，配線Ｌ１の入力側をポート１、出力側をポート２、配線Ｌ２の入力側をポート３、出力側をポート４、としている。この結果から絶縁層８の比誘電率が低い方がクロストークが小さいことがわかる。したがって、配線Ｌ１、Ｌ２がディファレンシャルモードで伝送しない信号線であれば、絶縁層８の誘電率は低い方が伝送特性が良好である。
【００３６】
逆に，ディファレンシャルモードで伝送する信号線であれば、線間の結合を強くするために誘電率を高くした方が特性が良くなる。たとえば，絶縁層１の厚さを２０μｍ、配線Ｌ１、Ｌ２の幅を２０μｍ、その厚さを８μｍ、線間スペースを２０μｍ絶縁層７の厚さを２８μｍとする。配線Ｌ１、Ｌ２はＣｕ材とし、絶縁層１、絶縁層７の比誘電率は２．０とする。このときの単位長さ当たりのキャパシタンスは、絶縁層８の比誘電率が２．０のときには３４ｐＦ／ｍ、比誘電率が４．０のときには４１ｐＦ／ｍとなる。同様に配線Ｌ１とＬ２が閉ループを形成する電源線とグランド線のペアである場合にも、キャパシタンスが大きくなる方が電源やグランド電位が安定するため，絶縁層８は比誘電率が大きい方が電気特性が良くなる。
【００３７】
配線Ｌ１、Ｌ２が信号線と電源線，もしくは信号線とグランド線の組み合わせの場合には，絶縁層８が高誘電率だと、特性インピーダンスが低減し、低誘電率だと伝搬遅延が低減するので、電気配線板の仕様上どちらがより重要であるかに応じて、絶縁層８の誘電率を大小を選択することになる。
【００３８】
たとえば、図５は、コプレーナーマイクロストリップラインの線路形態をとった電気特性評価基板２の断面である。
【００３９】
絶縁層１の厚さを２０μｍ、配線Ｇ１、Ｇ２、Ｓ１の幅を２０μｍ、その厚さを８μｍ、線間スペースを２０μｍ、絶縁層７の厚さを２８μｍとしている。配線Ｇ１、Ｇ２、Ｓ１はＣｕ材とし、絶縁層１、絶縁層７の比誘電率は２．０としてある。グランド線Ｇ１、Ｇ２と信号線Ｓ１との間の絶縁層８の比誘電率を２．０、４．０にした場合の単位長さ当たりのキャパシタンスは，それぞれ５５ｐＦ／ｍと７０ｐＦ／ｍとなる。絶縁層８の比誘電率を変えることによってキャパシタンスを変えることができるので、電気配線板の仕様に合致した電気特性を得ることができる。
【００４０】
また、図４において、配線Ｌ１、Ｌ２が電源線同士、もしくはグランド線同士の場合には、特に互いの電源、グランド系が異なるとき、絶縁層８の比誘電率を低くして電磁結合しないようにすることが、不要電磁放射を低減させ電気特性を向上させる。
【００４１】
このように配線が、信号線、電源線、グランド線のいずれかによって、電気特性を向上させるのに線間の絶縁層に求められる誘電率の大小関係が異なる。したがって、任意の線間に大小いずれかの誘電率を有する絶縁層を配置できることは、電気特性の厳しい高周波信号を伝送させる場合に非常に有利である。
【００４２】
次に、図２、図３に示した基本製造プロセスにおける高誘電率絶縁層５と低誘電率絶縁層７の作成順序を入れ換えた第２の製造プロセスを図６（a）〜（ｆ）に示す。
【００４３】
図６（ａ）は、絶縁層１の片面に導体層２が形成された基材の絶縁層１上には、下地配線層３と配線層４が順次形成されている。配線層４は，その電気的な役割から電源配線４ｖ、グランド配線４ｇ、信号配線４ｓａ、４ｓｂで構成されている。
【００４４】
図６（ｂ）は、このような配線構造体の配線層４の上部に，低誘電率絶縁層７を形成する。形成方法としては、液状の絶縁樹脂をコーティングするか、もしくはシート状の絶縁樹脂を加熱加圧ラミネートし、配線層４の上部を覆う。配線層４の上部を覆った低誘電率絶縁層8は、導体層４が露出するまで研磨やエッチングなどを施される。
【００４５】
図６（ｃ）は、次に、配線層４間に存在する低誘電率絶縁層７のうちで、所定部分のみをエッチングによって除去する。除去すべき低誘電率絶縁層７は、電源線４ｖと、グランド線４ｇの間に存在する部分である。また、信号線と電源線、もしくは信号線とグランド線の間の低誘電率絶縁層７は、伝搬遅延を低減させたい場合にはそのまま残すが、特性インピーダンスを低減させたい場合には除去する。すなわち、そのときの電気配線板の仕様によって低誘電率絶縁層７を除去するかどうか決定することになる。図６の実施例では、信号線４ｓａとグランド線４ｇの間に存在する低誘電率絶縁層７は、特性インピーダンスの低減を優先させるために、エッチングによって除去している。低誘電率絶縁層７のエッチングしないで残す部分には保護膜６を形成して、エッチングされるのを防止する。
【００４６】
図６（ｄ）は、低誘電率絶縁層７をエッチングによって除去した。
【００４７】
図６（ｅ）は、このようにして所定配線間にのみ低誘電率絶縁層７を残存させた後に、高誘電率絶縁層9を配線層４の上部に形成する。形成方法としては、液状の絶縁樹脂をコーティングするか、もしくはシート状の絶縁樹脂を加熱ラミネートし、配線層４の上部を覆う。
【００４８】
図６（ｆ）は、以上のプロセスの繰り返しによって、配線層の多層化を行い、多層の電気配線板を構成する。
【００４９】
図２、図３に示した基本製造プロセスだと、例えば、図３（ｋ）にしめすように配線層４の上部には必ず低誘電率絶縁層7が存在する。この場合には、配線層４と上部配線層１０との間の絶縁層は低誘電率となるため、配線層４と上部配線層１０が主に信号線で構成されている場合には、層間の線間容量が低減される。結果として伝搬遅延を減少させることができるという利点がある。
【００５０】
一方、図６記載の製造プロセスによる層構成だと、例えば、図６（ｅ）にしめすように配線層４の上部には必ず高誘電率絶縁層9が存在する。この場合には、配線層4と上部配線層１０との間の絶縁層は高誘電率となるため、配線層4と上部配線層１０が主にペアとなる電源線とグランド線で構成されている場合には、層間の線間容量を増加させることができる。結果として半導体デバイスの同時スイッチング時などにおいて、電源やグランドの電位の変動を低減させることができるという利点がある。このようなことから、配線層4と上部配線層１０が主に担う役割に応じて、図２、図３の基本製造プロセスと、図６の製造プロセスとから、適切なプロセスを選択することができる。
【００５１】
今まで述べた製造プロセスは、同一配線層内において、隣り合う配線間の絶縁層の誘電率を選択できるものであった。ここでは、更に電気配線板の上下に隣り合う配線層間の絶縁層の誘電率を選択できる第３の製造プロセスに関して、図７（ａ）〜（ｅ）に基づいて説明する。
【００５２】
図７（ａ）は、絶縁層１の片面に導体層２が形成された基材の絶縁層１上には、下地配線層３と配線層４が順次形成されている。配線層４は、その電気的な役割から電源配線４ｖ、グランド配線４ｇ、信号配線４ｓａ、４ｓｂで構成されている。電源配線４ｖとグランド配線４ｇ、グランド配線４ｇと信号配線４ｓａ間のには、高誘電率絶縁層5が形成されている。このような配線構造体の配線層４の上部には，低誘電率絶縁層7が形成されている。以上の構成は、基本製造プロセスによって作成できる。又、低誘電率絶縁層7の表面の所定の位置に保護層１１が形成されている。
【００５３】
次に、図７（ｂ）は、配線層４の上部を覆った低誘電率絶縁層7の所定部分を、導体層４が露出するまでエッチングする。除去すべき低誘電率絶縁層７は、配線層４と上部配線層１０において、厚さ方向上下に隣接する各配線の役割に応じて決定される。ディファレンシャルモードで信号を伝送しない2本の信号線４ｓａと１０ｓａ、４ｓｂと１０ｓｂの間に存在する低誘電率絶縁層7は，エッチング除去しないで残す。信号線間であってもディファレンシャルモードで信号を伝送する場合には，低誘電率絶縁層7を除去する。一方、ペアとなる電源線４ｖとグランド線１０ｇ、グランド線４ｇと電源線１０ｖの間に存在する低誘電率絶縁層7は，エッチング除去する。また，電源線同士，もしくはグランド線同士が上下にする配置となる場合には，その間に存在する低誘電率絶縁層7は除去しない。更に、信号線と電源線、もしくは信号線とグランド線が上下に隣接する場合において、線間の低誘電率絶縁層7は、伝搬遅延を低減させたい場合にはそのまま残すが、特性インピーダンスを低減させたい場合には除去する。すなわち、そのときの電気配線板の仕様によって低誘電率絶縁層7を除去するかどうか決定することになる。低誘電率絶縁層7をエッチングしないで残す部分には保護膜１１を形成して，エッチングされるのを防止する。
【００５４】
図７（ｃ）は、低誘電率絶縁層7をエッチング除去する。次に保護膜１１を薄膜処理により除去した。
【００５５】
図７（ｄ）は、このようにして所定配線層間にのみ低誘電率絶縁層7を残存させた後に，高誘電率絶縁層１２を配線層４の上部に形成する。形成方法としては，液状の絶縁樹脂をコーティングするか，もしくはシート状の絶縁樹脂を加熱ラミネートし，配線層４の上部を覆う。低誘電率絶縁層7が露出するまで研磨とエッチングを施す。
【００５６】
図７（ｅ）は、上部配線層１０は通常のセミアディティブプロセスで作成される。以上のプロセスの繰り返しによって，配線層の多層化を行い、多層の電気配線板を構成する。
【００５７】
以上のように構成した場合には、同一配線層内だけでなく、異なる配線層間に対しても、隣接する配線間に存在する絶縁層の誘電率を選択することが可能となる。
【００５８】
たとえば、第７図に示したような電気特性評価基板３を作成することが可能となる。次に図８において、配線Ｌｂと、上部配線層Ｌｕ の間の絶縁層１３の誘電率を２．０、４．０とした場合の線間容量は、それぞれ単位長さ当たりの５４ｐＦ／ｍ、 ８９ｐＦ／ｍとなる。但し、絶縁層１の厚さを20μm，配線Ｌｂ、Ｌｕの幅を４０μｍ、その厚さを８μｍ、低誘電率絶縁層７の厚さを２８μｍとする。配線Ｌｂ、ＬｕはＣｕ材とし、絶縁層１、７の比誘電率は２．０とする。配線Ｌｂ、Ｌｕがともにディファレンシャルモードで伝送しない信号線であれば、誘電率を低くした方がキャパシタンスが低減され、クロストークや伝搬遅延が低減する。一方、配線Ｌｂ、Ｌｕがペアとなる電源線とグランド線である場合には、誘電率を高くした方がキャパシタンスが増加して、電源とグランドの電位が安定する。
【００５９】
【発明の効果】
以上説明したように本発明に係る電気配線板は，同一配線層内に形成されている配線の信号線、電源線、グランド線などといった電気的な役割に応じて、隣接する配線間に存在する絶縁層の誘電率を変化させることができる。また、電気配線板の厚さ方向上下に隣接する配線層に形成されている配線の信号線、電源線、グランド線などといった電気的な役割に応じて、上下配線層間に存在する絶縁層の誘電率を変化させることもできる。このように、配線の電気的な役割に応じて、配線間に存在する絶縁層の誘電率の相対的な大小を任意に設定することができるので、高周波信号を伝送させる場合における伝搬遅延、クロストークなどを低減させたり、電源やグランドの電位の変動を抑制することができる。良好な高周波伝送特性ならびにＥＭＩ特性を得ることが可能な電気配線板を提供できる。又結果として高周波電気信号の波形の歪みや反射を抑え、良好な波形の信号を伝送できるとともに、不要電磁輻射の低減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る電気配線板の一例の構造を示す側断面図。
【図２】（ａ）〜（ｈ）は、本発明の製造プロセスを説明する側断面図。
【図３】（ｉ）〜（ｌ）は、本発明の製造プロセスを説明する側断面図。
【図４】電気特性評価基板１の構造を示す側断面図。
【図５】電気特性評価基板２の構造を示す側断面図。
【図６】本発明の第２の製造プロセスを説明する工程側断面図。
【図７】本発明の第３の製造プロセスを説明する工程側断面図。
【図８】本発明の第３の製造プロセスの電気特性評価基板３の構造を示す側断面図。
【図９】電気特性評価基板１のクロストーク特性グラフ。
【図１０】（ａ）〜（ｈ）は、従来の技術であるセミアディティブ法の製造プロセスを説明する側断面図。
【符号の説明】
１…絶縁層
２…導体層
３…下地配線層
４…配線層
４ｖ…電源線
４ｇ…グランド線
４ｓａ…信号線
４ｓｂ…信号線
５…高誘電率絶縁層
６…保護膜
７…低誘電率絶縁層
８…絶縁層
９…高誘電率絶縁層
１０…上部配線層
１０ｖ…電源線
１０ｇ…グランド線
１０ｓａ…信号線
１０ｓｂ…信号線
１１…保護膜
１２…高誘電率絶縁層
１３…絶縁層
１４…レジスト層
１５…マスク
Ｌ１…配線
Ｌ２…配線
Ｇ１…グランド線
Ｇ２…グランド線
Ｓ１…信号線
Ｌｂ…配線
Ｌｕ…配線
【図１】
0004161577.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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