(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応性ロングスロースパッタリング方法を用いて形成する位相シフトマスクに用いられる位相シフタ膜の製造方法であって、
前記反応性ロングスロースパッタリング方法は、
反応ガスと不活性ガスとを、それぞれ分離して導入するとともに、
圧力が、７．５×１０-4Ｔｏｒｒ以下、
前記ターゲットと前記基板との距離が、１００ｍｍ以上であり、
前記反応ガスと前記不活性ガスとの流量比が、５０％≦反応ガス／不活性ガス≦８０％であることを特徴とする、位相シフタ膜の製造方法。
【請求項２】
前記反応ガスは基板側へ導入され、前記不活性ガスはターゲット側へ導入されることを特徴とする、請求項１に記載の位相シフタ膜の製造方法。
【請求項３】
前記位相シフタ膜を形成する工程は、
前記位相シフタ膜を形成した後に、２００℃以上の熱処理を行なう工程をさらに含む、請求項１または２に記載の位相シフタ膜の製造方法。
【請求項４】
前記位相シフタ膜は、モリブデンシリサイドの酸化窒化物からなる、請求項１から３のいずれかに記載の位相シフタ膜の製造方法。
【請求項５】
反応性ロングスパッタリング法を用いて透明基板の上に位相シフタ膜形成工程を有する位相シフトマスク用ブランクスの製造方法であって、
前記反応性ロングスロースパッタリング方法は、
反応ガスと不活性ガスとを、それぞれ分離して導入するとともに、
圧力が、７．５×１０-4Ｔｏｒｒ以下、
前記ターゲットと前記基板との距離が、１００ｍｍ以上であり、
前記反応ガスと前記不活性ガスとの流量比が、５０％≦反応ガス／不活性ガス≦８０％であることを特徴とする、位相シフトマスク用ブランクスの製造方法。
【請求項６】
前記反応ガスは基板側へ導入され、前記不活性ガスはターゲット側へ導入されることを特徴とする、請求項５に記載の位相シフトマスク用ブランクスの製造方法。
【請求項７】
前記位相シフトマスク用ブランクスを形成する工程は、
前記位相シフタ膜をスパッタリング法を用いて形成した後に、２００℃以上の熱処理を行なう工程を含む、請求項５または６に記載の位相シフトマスク用ブランクスの製造方法。
【請求項８】
前記位相シフタ膜は、モリブデンシリサイドの酸化窒化物からなる、請求項５から７のいずれかに記載の位相シフトマスク用ブランクスの製造方法。
【請求項９】
前記位相シフタ膜を形成する工程の後に金属膜を形成する工程をさらに含む、請求項５から８のいずれかに記載の位相シフトマスク用ブランクスの製造方法。
【請求項１０】
前記金属膜は、モリブデン、クロム、タングステン、タンタル、チタン、シリコン、アルミのいずれかの材料からなる膜、または、これらのいずれかの組合わせからなる合金膜である、請求項９に記載の位相シフトマスク用ブランクスの製造方法。
【請求項１１】
前記位相シフタ膜を形成する工程の後にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜を形成する工程の後に前記レジスト膜の上に帯電防止膜を形成する工程と、
をさらに含む、請求項５から１０のいずれかに記載の位相シフトマスク用ブランクスの製造方法。
【請求項１２】
前記帯電防止膜は、導電性の高分子材料からなる、請求項１１に記載の位相シフトマスク用ブランクスの製造方法。
【請求項１３】
反応性ロングスロースパッタリング方法を用いて透明基板の上に位相シフタ膜を形成する工程と、前記位相シフタ膜の上に所定のパターンを有するレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜をマスクにして前記位相シフタ膜のパターニングを行なう工程と、を含む位相シフトマスクの製造方法であって、
前記反応性ロングスロースパッタリング方法は、
反応ガスと不活性ガスとを、それぞれ分離して導入するとともに、
圧力が、７．５×１０-4Ｔｏｒｒ以下、
前記ターゲットと前記基板との距離が、１００ｍｍ以上であり、
前記反応ガスと前記不活性ガスとの流量比が、５０％≦反応ガス／不活性ガス≦８０％であることを特徴とする、位相シフトマスクの製造方法。
【請求項１４】
前記反応ガスは基板側へ導入され、前記不活性ガスはターゲット側へ導入されることを特徴とする、請求項１３に記載の位相シフトマスクの製造方法。
【請求項１５】
前記位相シフタ膜を形成する工程は、
前記位相シフタ膜を形成した後に、２００℃以上の熱処理を行なう工程を含む、請求項１３または１４に記載の位相シフトマスクの製造方法。
【請求項１６】
前記位相シフタ膜は、モリブデンシリサイドの酸化窒化物からなる、請求項１３から１５のいずれかに記載の位相シフトマスクの製造方法。
【請求項１７】
前記位相シフタ膜を形成する工程と、前記レジスト膜を形成する工程との間に、金属膜を形成する工程をさらに含む、請求項１６に記載の位相シフトマスクの製造方法。
【請求項１８】
前記金属膜は、モリブデン、クロム、タングステン、タンタル、チタン、シリコン、アルミのいずれかの材料からなる膜、または、これらのいずれかの組合わせからなる合金膜である、請求項１７に記載の位相シフトマスクの製造方法。
【請求項１９】
前記位相シフタ膜のパターニングを行なう工程は、
フッ化炭素と酸素との混合ガスを用いてドライエッチング法により行なう工程を含む、請求項１７または１８に記載の位相シフトマスクの製造方法。
【請求項２０】
前記レジスト膜を形成する工程の後に、
前記レジスト膜の上に帯電防止膜を形成する工程をさらに含む、
請求項１３から１９のいずれかに記載の位相シフトマスクの製造方法。
【請求項２１】
前記帯電防止膜は、導電性の高分子材料からなる、請求項２０に記載の位相シフトマスクの製造方法。
【請求項２２】
前記帯電防止膜は、モリブデン系の金属材料からなる、請求項２０に記載の位相シフトマスクの製造方法。
【請求項２３】
所定のパターンを有する前記レジスト膜を形成する工程は、
前記レジスト膜を露光する工程と、
前記レジスト膜の現像前に前記帯電防止膜を除去する工程と、
前記レジスト膜を現像する工程と、
を含む、請求項２０から２２のいずれかに記載の位相シフトマスクの製造方法。
【請求項２４】
前記帯電防止膜を除去する工程は、水を用いて前記帯電防止膜を除去することを特徴とする、請求項２３に記載の位相シフトマスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、位相シフトマスクに関し、特に、露光波長の光を減衰させる減衰型の位相シフタ膜の製造方法、位相シフトマスク用ブランクスの製造方法、および、位相シフトマスクの製造方法に関するものである。
【０００２】
【背景の技術】
半導体集積回路における高集積化および微細化には目ざましいものがある。それに伴い、半導体基板（以下、単にウェハと称す）上に形成される回路パターンの微細化も急速に進んできている。
【０００３】
中でも、フォトリソグラフィ技術が、パターン形成における基本技術として広く認識されるところである。よって、今日までに種々の開発、改良がなされてきている。しかし、パターンの微細化は止まるところをしらず、パターンの解像度向上への要求もさらに強いものとなってきている。
【０００４】
そこで近年、これらの要求を満足させる技術として、位相シフトマスクによる位相シフト露光法が提案されており、この位相シフトマスクに関連する技術として、特願平５−２８５３２７号公報に開示される「位相シフトマスクおよびその製造方法ならびにその位相シフトマスクを用いた露光方法」（以下、背景技術１と称す。）、特開平８−７４０３１号公報に開示される「位相シフトフォトマスクブランクス製造方法、位相シフトフォトマスクブランクス、および位相シフトフォトマスク」（以下、背景技術２と称す。）、および特開平８−１２７８７０号公報に開示される「窒化チタン薄膜成膜方法」（以下、背景技術３と称す。）、等が挙げられる。
【０００５】
背景技術１および２には、モリブデンシリサイド系のハーフトーン位相シフトマスクおよびその製造方法が具体的に開示されており、位相シフタ膜の成膜方式は、直流マグネトロン放電を用いた反応性スパッタが採用されている。
【０００６】
また、背景技術１においては、供給ガスとしては、不活性ガスにＡｒ、反応性ガスにＯ2または（Ｏ2＋Ｎ2）が用いられ、ガスの供給方式としては、混合ガス方式が採用されている。
【０００７】
また、背景技術２においては、供給ガスとしては、不活性ガスにＡｒ、反応性ガスにＮＯが用いられ、ガスの供給方式としては、背景技術１と同様に、混合ガス方式が採用されている。
【０００８】
また、背景技術３には、直流マグネトロン放電による反応性の低圧スパッタ方法およびその装置が具体的に開示されており、この背景技術１の目的は、微細孔内部の良好な埋込特性を維持したまま、基板表面上の薄膜の膜厚分布が均一である窒化チタン薄膜成膜方法を提供することにある。
【０００９】
この目的を達成するために、背景技術３においては、いわゆるロングスロースパッタリング法（以下、ＬＴＳ法と称する。）が採用され、Ａｒ＋Ｎ2ガス雰囲気下、圧力を１×１０-1Ｐａ（７．５×１０-4Ｔｏｒｒ）以下に保ち、均一な窒化チタン薄膜分布を得るために、混合ガス組成を流量比で、１／８≦Ａｒ／Ｎ2≦１／３としている。なお、ターゲットと基板との距離（Ｔ／Ｓ）は，１４０ｍｍ、１７０ｍｍ、２００ｍｍが選択されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記背景技術１〜３に示す技術に基づき、位相シフトマスク、特に位相シフタ膜として用いられる薄膜を成膜した場合においても、十分な光学特性（特に、透過率）を有する薄膜を成膜することができない。
【００１１】
特に、背景技術１および２に基づき成膜された、モリブデンシリサイド系の位相シフタ膜は、ＡｒＦレーザ露光波長（１９３ｎｍ）におけるハーフトーン位相シフトマスクの透過率が非常に小さいため、実用に供することができない。
【００１２】
また、ＫｒＦレーザ露光波長（２４８ｎｍ）におけるハーフトーン位相シフトマスクの透過率は、８％未満のものしか成膜できないため、実用上問題となることがあった。
【００１３】
したがって、この発明は、上記問題点を解決するためになされたもので、ＡｒＦレーザまたはＫｒＦレーザに適用可能なハーフトーン型の位相シフトマスクをモリブデンシリサイド系の材料を用いて提供することにある。また、この位相シフトマスクに関連して、その位相シフトマスクを得るための製造方法、さらに、位相シフタ膜およびその製造方法、位相シフトマスク用ブランクスおよびその製造方法、その位相シフトマスクを用いた露光方法、その位相シフトマスクを用いて製造される半導体装置、その位相シフトマスクの欠陥検査方法、その位相シフトマスクの欠陥修正方法を提供することも、さらなる目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
この発明に基づけば、上述の目的に示すように、ＡｒＦレーザまたはＫｒＦレーザに適用可能なハーフトーン位相シフトマスクをモリブデンシリサイド系の材料で作成できるようにすることにある。モリブデンシリサイド系の材料であれば、背景の技術１または２において用いられる装置と同一の製造プロセスと製造装置をそのまま活用することができるため、新規の大規模な設備投資を回避することができる。また、新しい、製造プロセス開発のための労力・時間・開発コストを節約することが可能になる。
【００１５】
具体的には、ＬＴＳ法、すなわち直流マグネトロン放電による反応性スパッタリング法によりモリブデンシリサイド系の薄膜を成膜し、この膜を位相シフタ膜に適用することで優れた透過率を有する薄膜の成膜が可能となり、背景の技術に示すスパッタ方式では、不可能であったＡｒＦレーザ露光用のハーフトーン型の位相シフトマスクの製造が可能になる。
【００１６】
この発明の主要な構成を詳述に述べると以下のようになる。
ＬＴＳ法を用いたスパッタリング方式において、
▲１▼圧力は、７．５×１０-4Ｔｏｒｒ以下、
▲２▼ターゲットと基板との距離（以下、Ｔ／Ｓ間距離と称する。）が、１００ｍｍ以上、好ましくは４００ｍｍ以上、
▲３▼反応ガスと不活性ガスとの流量比が、５０％≦反応ガス／不活性ガス≦８０％であり、好ましくは、反応ガスとしてＮ2Ｏ、不活性ガスとしてＡｒを用いる。
【００１７】
▲４▼ガスの供給方式としては、背景の技術１〜３と同様に、反応ガスと不活性ガスとを混合し、真空槽内に供給する混合ガス供給方式、および反応ガスを基板側にに吹きつけ、不活性ガスをスパッタターゲット近傍に供給するガス分離方式のいずれも採用可能であるが、好ましくは、ガス分離方式の法が良好な結果を得ることができる。
【００１８】
ここで、ガス分離方式を用い、Ｔ／Ｓ間距離を４００ｍｍ以上とした理由を以下に示す。
【００１９】
まず、ガス分離方式が好ましい理由を以下に述べる。混合ガス供給方式は、どうしても反応性ガスがスパッタターゲット表面に到達し、ターゲットの表面を酸化させる作用を有する。モリブデンシリサイドのターゲットの表面に形成されるモリブデンシリサイド酸化膜、あるいは、モリブデンシリサイド酸化窒化膜は、電気的絶縁性を有するので、反応性ガスを所定の値以上供給すると、膜の基板への堆積速度が急激に低下し、成膜不能におちいる。
【００２０】
ハーフトーン型の位相シフタ膜では、高い透過率が要求されるので、この反応性ガスの供給量の制約は、大変不都合な現象であり、この混合ガス供給方式では、ＬＴＳ方式の長所を十分に活かすことができない。無論、背景の技術に比べれば、かなりの改良結果を得ることはできるが、さらなる改良が望まれる。
【００２１】
次に、Ｔ／Ｓ間距離を４００ｍｍ以上とした理由を以下に示す。Ｔ／Ｓ間距離を４００ｍｍ以上とし、ガス分離方式を採用することにより、基板とスパッタターゲットとが十分離れているため、基板に向けて供給した反応性ガスのうち、スパッタターゲットに到達する量は、少なくなり、混合ガス供給方式に見られる上述の問題は、回避される。
【００２２】
そのため、反応性ガス比率を高くすることが可能になり、基板にはよりモリブデンシリサイドの酸化窒化度の高い位相シフタ膜が形成されるようになり、ＡｒＦレーザや、ＫｒＦレーザを用いた露光波長において、高い透過率を有する位相シフタ膜を得ることが可能になる。
【００２３】
Ｔ／Ｓ間距離を４００ｍｍ未満にすると、ガス分離の効果が十分でなくなり、基板に供給した反応性ガスの大部分がスパッタターゲットに到達し、好ましくない作用をおよぼすようになる。
【００２４】
スパッタターゲット表面のモリブデンシリサイド酸化窒化膜は、異常放電を引起こし、薄膜欠陥の発生原因ともなるので、これを避けることは、低欠陥位相シフトマスクを得ることにも通じる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、この発明に基づいた各実施の形態について説明する。
【００２６】
（実施の形態１）
まず、図１を参照して、ＬＴＳ法を用いて本発明に基づく位相シフト膜を形成するためのスパッタリング装置について説明する。
【００２７】
図１に示すスパッタリング装置は、ＬＴＳ法が実現可能なスパッタリング装置１０００の構成を示す概略図である。
【００２８】
このスパッタリング装置５００は、低圧の真空槽３を備えている。真空槽３は、反応ガス導入口１４ａ、不活性ガス導入口１４ｂ、および混合ガス導入口１４ｃを有する。また、２つの真空排気口１４ｄ、および、真空排気口１４ｅを有する。さらに、ターゲット電極５と、基板ホルダ７とを有する。
【００２９】
真空排気口１４ｄ、および、真空排気口１４ｅには、図示していないが、真空ポンプが接続されていおり、ターゲット電極５の裏面には、２重の同心円上に配置された磁石１０を有するマグネットプレート９が設けられ、基板ホルダ７の裏面にはヒータ１１が設けられている。膜の形成時においては、ターゲットとして、モリブデンシリサイドを用いる。
【００３０】
（実施例１）
次に、モリブデンシリサイド酸化窒化膜の成膜の実施例１として、具体的な成膜条件を下記に示す。
【００３１】
Ｔ／Ｓ距離：４００ｍｍ
スパッタ電流：１．７Ａ〜３．２Ａ
スパッタ電圧：５３０Ｖ〜５７０Ｖ
スパッタ電力：１ｋＷ
基板温度：５０℃〜１２０℃
膜厚：７４０Å〜３３００Å
スパッタ時間：７ｍｉｎ〜１２ｍｉｎ（静止成膜）
２８ｍｉｎ〜５６ｍｉｎ（回転成膜）
ガス分離方式：基板に反応ガスを吹きつける
ターゲットには不活性ガスを供給する
上記条件の下、ガス流量比（％：Ａｒ／Ｎ2Ｏ）、ガス流量（ｓｃｃｍ）、圧力（×１０-4Ｔｏｒｒ）、堆積速度（Å／ｍｉｎ）、成膜方式、ガス供給方式を適宜選択し、成膜したサンプルであるＴＯ１〜ＴＯ９、ＴＲ３，４，６、ＴＡ１〜ＴＡ４を、下記表１に示す。
【００３２】
【表１】
0004163331.tif 000002
【００３３】
（実施例２）
次に、モリブデンシリサイド酸化窒化膜の成膜の実施例２として、具体的な成膜条件を下記に示す。
【００３４】
Ｔ／Ｓ距離：４００ｍｍ
スパッタ電流：１．７Ａ〜３．２Ａ
スパッタ電圧：５３０Ｖ〜５７０Ｖ
スパッタ電力：１ｋＷ
基板温度：５０℃〜１２０℃
膜厚：７４０Å〜３３００Å
スパッタ時間：７ｍｉｎ〜１２ｍｉｎ（静止成膜）
混合ガス方式：反応ガスと不活性ガスとを混合して、真空槽内に供給する
上記条件の下、ガス流量比（％：Ａｒ／Ｎ2Ｏ）、ガス流量（ｓｃｃｍ）、圧力（×１０-4Ｔｏｒｒ）、堆積速度（Å／ｍｉｎ）、成膜方式、ガス供給方式を適宜選択し、成膜したサンプルであるＴＭＸ１〜ＴＭＸ３の結果を、下記表２に示す。
【００３５】
【表２】
0004163331.tif 000003
【００３６】
（実施例３）
次に、モリブデンシリサイド酸化窒化膜の成膜の実施例３として、具体的な成膜条件を下記に示す。
【００３７】
Ｔ／Ｓ距離：４００ｍｍ
スパッタ電流：１．９２Ａ〜２．１３Ａ
スパッタ電圧：４６５Ｖ〜５２４Ｖ
スパッタ電力：１ｋＷ
基板温度：３０℃〜１３０℃
膜厚：８３０Å〜１３００Å
スパッタ時間：４ｍｉｎ〜１０ｍｉｎ（静止成膜）
ガス分離方式：基板に反応ガスを吹きつける
ターゲットには不活性ガスを供給する
上記条件の下、ガス流量比（％：Ａｒ／Ｎ2Ｏ）、ガス流量（ｓｃｃｍ）、圧力（×１０-4Ｔｏｒｒ）、堆積速度（Å／ｍｉｎ）、成膜方式、ガス供給方式を適宜選択し、成膜したサンプルであるＴＳ１〜ＴＳ４，ＴＳ６，ＴＳ７の結果を、下記表３に示す。
【００３８】
【表３】
0004163331.tif 000004
【００３９】
（実施例４）
次に、モリブデンシリサイド酸化窒化膜の成膜の実施例４として、具体的な成膜条件を下記に示す。なお、本実施例は、モリブデンシリサイド酸化窒化膜を、図７で説明したように、２層構造としたものである。
【００４０】
Ｔ／Ｓ距離：４００ｍｍ
スパッタ電流：（上層）１．９１Ａ〜１．９５Ａ
（下層）２．０５Ａ〜２．１９Ａ
スパッタ電圧：（上層）５１５Ｖ〜５２６Ｖ
（下層）４５４Ｖ〜４９５Ｖ
スパッタ電力：（上層：下層）１ｋＷ
基板温度：（上層：下層）７９℃〜１３９℃
全膜厚：９００Å〜１１００Å
スパッタ時間：（上層）１．５ｍｉｎ（静止成膜）
（下層）３ｍｉｎ〜７ｍｉｎ（静止成膜）
ガス分離方式：基板に反応ガスを吹きつける
ターゲットには不活性ガスを供給する
上記条件の下、ガス流量比（％：Ａｒ／Ｎ2Ｏ）、ガス流量（ｓｃｃｍ）、圧力（×１０-4Ｔｏｒｒ）、堆積速度（Å／ｍｉｎ）、成膜方式、ガス供給方式を適宜選択し、成膜したサンプルであるＴＭ１〜ＴＭ４の結果を、下記表４に示す。
【００４１】
【表４】
0004163331.tif 000005
【００４２】
(実施例５）
なお、参考までに、実施例５として背景の技術におけるモリブデンシリサイド酸化窒化膜の成膜条件を下記に示す。
【００４３】
Ｔ／Ｓ距離：８０ｍｍ
ガス分離方式：基板に反応ガスを吹きつける
ターゲットには不活性ガスを供給する
上記条件の下、ガス流量比（％：Ａｒ／Ｎ2Ｏ）、ガス流量（ｓｃｃｍ）、圧力（×１０-4Ｔｏｒｒ）、堆積速度（Å／ｍｉｎ）、成膜方式、ガス供給方式を適宜選択し、成膜したサンプルであるＱ１−１〜Ｑ１−４、および、Ｑ３−１〜Ｑ３−３の結果を、下記表５に示す。
【００４４】
【表５】
0004163331.tif 000006
【００４５】
次に、上記実施例１〜４（表１〜４）に示した各サンプルの、ＡｒＦレーザ（１９３ｎｍ）、ＫｒＦレーザ（２４８ｎｍ）、および、ｉ−線（３６５ｎｍ）に対する光学特性を、下記表６「ＡｒＦレーザ（１９３ｎｍ）」、下記表７「ＫｒＦレーザ（２４８ｎｍ）」、および、下記表８「ｉ−線（３６５ｎｍ）」に示す。なお、この各サンプルは、全て「成膜したまま（ａｓ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）」の状態のものである。
【００４６】
【表６】
0004163331.tif 000007
【００４７】
【表７】
0004163331.tif 000008
【００４８】
【表８】
0004163331.tif 000009
【００４９】
次に、上記実施例２で成膜したサンプルＴＳ１〜ＴＳ４，ＴＳ６，ＴＳ７の、ＡｒＦレーザ（１９３ｎｍ）、ＫｒＦレーザ（２４８ｎｍ）、および、ｉ−線（３６５ｎｍ）に対する光学定数を、下記表９に示す。なお、このサンプルは、３５０℃、３ｈｒの熱処理を施した焼鈍品である。
【００５０】
【表９】
0004163331.tif 000010
【００５１】
次に、上記実施例４で成膜したサンプルＴＭ１〜ＴＭ４の、ＡｒＦレーザ（１９３ｎｍ）、および、検査波長（２４８ｎｍ，３６５ｎｍ）に対する光学特性を、下記表１０に示す。なお、このサンプルは、３５０℃、３ｈｒの熱処理を施した焼鈍品である。
【００５２】
【表１０】
0004163331.tif 000011
【００５３】
次に、上記背景の技術で成膜したサンプルＱ１−１〜Ｑ１−４の、ＡｒＦレーザ（１９３ｎｍ）、および、検査波長（３６５ｎｍ）に対する光学特性を、下記表１１に示す。なお、このサンプルは、成膜したままの状態である。また、サンプルＱ３−１〜Ｑ３−３のデータは得ることができなかった。
【００５４】
【表１１】
0004163331.tif 000012
【００５５】
次に、上記背景の技術で成膜したサンプルＱ１−１〜Ｑ１−４、および、Ｑ３−１〜Ｑ３−３の、ＫｒＦレーザ（２４８ｎｍ）、および、検査波長（３６５ｎｍ）に対する光学特性を、下記表１２に示す。なお、このサンプルは、成膜したままの状態である。
【００５６】
【表１２】
0004163331.tif 000013
【００５７】
次に、上記背景の技術で成膜したサンプルＱ１−１〜Ｑ１−４、および、Ｑ３−１〜Ｑ３−３の、ｉ−線（３６５ｎｍ）、および、検査波長（３６５ｎｍ）に対する光学特性を、下記表１３に示す。なお、このサンプルは、成膜したままの状態である。
【００５８】
【表１３】
0004163331.tif 000014
【００５９】
次に、上記成膜条件を示した表１〜表１２の内容に基づき、モリブデンシリサイド酸化窒化膜からなる位相シフト膜の評価を以下に示す。
【００６０】
（評価１）
上記実施例１で示した、反応ガスが分離状態で導入される場合のモリブデンシリサイド酸化窒化膜からなる位相シフト膜の評価について説明する。
【００６１】
まず、光学定数（ｎ−ｉ×ｋ）のｎ値を横軸、ｋ値を縦軸に示した図表に、表１、表６および表７に示すサンプルＴＯ１〜ＴＯ９、ＴＲ３，４，６、ＴＡ１〜ＴＡ４の光学特性をプロットしたものを図２および図３に示す。なお、図２は、ＡｒＦレーザ（１９３ｎｍ）に対するもの、図３ＫｒＦレーザ（２４８ｎｍ）に対するものである。
【００６２】
表６、表７、図２および図３に示されるように、ＡｒＦレーザ（１９３ｎｍ）に対しては、サンプルＴＯ８、ＴＲ４、ＴＡ１、ＴＡ２、およびＴＡ４において、透過率が８％以上の高い品質を有する位相シフト膜が得られている。
【００６３】
また、ＫｒＦレーザ（２４８ｎｍ）に対しても、サンプルＴＯ６〜ＴＯ９、ＴＡ１〜ＴＡ３において、透過率が８％以上の高い品質を有する位相シフト膜が得られている。
【００６４】
（評価２）
上記実施例２で示した、反応ガスが混合状態で導入される場合のモリブデンシリサイド酸化窒化膜からなる位相シフト膜の評価について説明する。
【００６５】
評価１と同様に、光学定数（ｎ−ｉ×ｋ）のｎ値を横軸、ｋ値を縦軸に示した図表に、表２、表６および表７に示すサンプルＴＭＸ１〜ＴＭＸ３の光学特性をプロットしたものを図２および図３に示す。なお、図２は、ＡｒＦレーザ（１９３ｎｍ）に対するもの、図３はＫｒＦレーザ（２４８ｎｍ）に対するものである。
【００６６】
表６、表７、図２および図３に示されるように、反応ガスが混合状態で導入される場合は、評価１ほど高い品質を有する位相シフト膜を得ることはできないが、ＡｒＦレーザ（１９３ｎｍ）に対しては、サンプルＴＭＸ３が透過率４．７４１％、ＫｒＦレーザ（２４８ｎｍ）に対しては、サンプルＴＭＸ３が透過率５．３２７％と、比較的高い透過率の位相シフト膜の成膜が可能である。
【００６７】
（評価３）
上記、実施例３で示した、表３、表９に示すサンプルＴＳ１〜ＴＳ４、ＴＳ６、ＴＳ７に示されるモリブデンシリサイド酸化窒化膜からなる位相シフト膜の評価について説明する。
【００６８】
表９に示すサンプルＴＳ１〜ＴＳ４、ＴＳ６、ＴＳ７は、２層構造が採用され、上層には、吸収が高いが耐薬品性に優れた膜、下層には、吸収が小さいが耐薬品性は劣る膜が成膜されている。２層構造とすることで、検査波長（３６５ｎｍ）で透過率が約４０％未満になるように設計されている。この原理は、背景の技術２と同じである。
【００６９】
表３に示す２層膜の各層についての成膜条件は、表３に示す成膜条件のいずれかを採用している。その対応関係は、表３に示すＮ2Ｏガス流量と表４の上層や下層のＮ2Ｏガス流量が同じになるならば、その他の成膜条件も同じであることを意味している。
【００７０】
（評価４）
上記、実施例４で示した、表４、表１０に示すサンプルＴＭ１〜ＴＭ４、および表９に示すサンプルＴＳ１〜ＴＳ６、ＴＳ７に示されるモリブデンシリサイド酸化窒化膜からなる位相シフト膜の評価について説明する。
【００７１】
表９に示すサンプルＴＳ１〜ＴＳ６、ＴＳ７のｎ値、ｋ値は、表１０の特性を保証する光学特性を有している。表１０は表４の膜構成と成膜条件とによって形成した２層について、３５０℃、３ｈｒの焼鈍処理を施したサンプルＴＭ１〜ＴＭ４の光学特性をＡｒＦレーザ露光用フォトマスク用のハーフトーン位相シフトマスク用ブランクスとして適用可能かどうかを見るために評価したものである。
【００７２】
表１０に見られるようにＡｒＦ露光波長における位相差１７５°〜１８０°であって、透過率が２％〜９％のものが得られており、欠陥検査波長３６５ｎｍにおいても、透過率４２．５％未満であるため、十分実用に供せるものであることを示している。
【００７３】
（実施の形態２）
次に、上記位相シフタ膜を備える位相シフトマスクおよびその製造方法について、以下説明する。まず、図４を参照して、この実施の形態２におけるハーフトーン型の位相シフトマスクの構造について説明する。このハーフトーン型の位相シフトマスク２００は、露光光を透過する石英からなる透明基板１と、この透明基板１の主表面上に形成された位相シフトパターン３０とを備えている。この位相シフトパターン３０は、透明基板１が露出する第１光透過部１０と、透過する露光光の位相と透過率とが、第１光透過部１０を透過する露光光の位相に対して略１８０°変換し、かつ、必要な透過率（例えば、１％〜４０％）を有し、単一の材料からなる第２光透過部４とから構成されている。
【００７４】
次に、図５（ａ），（ｂ），（ｃ）を参照して、上記構造よりなる位相シフトマスク２００を通過する露光光のマスク上の電場およびウェハ上の光強度について説明する。
【００７５】
図５（ａ）を参照して、上述した位相シフトマスク２００の断面図である。図５（ｂ）を参照して、マスク上の電場は、露光パターンのエッジで位相が反転しているために、露光パターンのエッジ部での電場が必ず０となる。よって、図５（ｃ）を参照して、露光パターンの光透過部１０と位相シフタ部４とのウェハ上における電場の差が十分となり高い解像度を得ることが可能となる。
【００７６】
次に、位相シフトマスク２００の製造方法について、位相シフタ膜としてモリブデンシリサイド酸化窒化膜を用いた場合について説明する。
【００７７】
図６〜図９は、図３に示す位相シフトマスク２００の断面に従った製造工程を示す断面構造図である。
【００７８】
まず、図６を参照して、透明基板１の上に、ＬＴＳ法を用いて、モリブデンシリサイド酸化窒化膜よりなる位相シフタ膜４を形成する。ここで、上記表１のサンプルＴＯ３と同じ成膜条件で、単層のモリブデンシリサイド酸化窒化膜からなる位相シフタ膜４を、膜厚約１１３４Å成膜する。この場合、２４８ｎｍの波長で、位相シフト量約１８０°の位相シフトマスク用ブランクスを得ることができた。このように、透明基板１の上に位相シフタ膜４が形成されたものを位相シフトマスク用ブランクスと呼ぶ。
【００７９】
その後、この位相シフタ膜４の透過率を安定させるために、クリーンオーブンなどを用いて２００℃以上の加熱処理を行なう。
【００８０】
これにより、従来位相シフタ膜の成膜のレジスト塗布プロセスなどの加熱処理（約１８０℃）による透過率の変動（０．５〜１．０％）を防止することができる。
【００８１】
次に、この位相シフタ膜４の上に、電子ビーム用レジスト膜５（日本ゼオン製：ＺＥＰ−８１０Ｓ（登録商標））などを膜厚約５０００Å形成する。その後、モリブデンシリサイド酸化窒化膜は導電性を有しないため、電子ビームによる露光時の帯電を防止するために、帯電防止膜６（昭和電工製  エスペーサ１００（登録商標））などを約１００Å形成する。
【００８２】
次に、図７を参照して、電子ビーム用レジスト膜５に、電子ビームを露光し帯電防止膜６を水洗で除去する。その後、レジスト膜５を現像することにより、所定のレジストパターンを有するレジスト膜５を形成する。
【００８３】
次に、図８を参照して、上記レジスト膜５をマスクとして、位相シフタ膜４のエッチングを行なう。このときのエッチング装置は、平行平板型のＲＦイオンエッチング装置を用い、電極基板間距離を６０ｍｍ、作動圧力０．３Ｔｏｒｒ、反応ガスＣＦ４＋Ｏ２を用いてそれぞれの流量を約９５ｓｃｃｍおよび約５ｓｃｃｍにより、エッチング時間約１１分によりエッチングを行なう。
【００８４】
次に、図９を参照して、レジスト膜５を除去する。以上により、この実施の形態２における位相シフトマスクが完成する。
【００８５】
（実施の形態３）
次に、上記表４に示すサンプルＴＭ３と同一成膜条件でＡｒＦレーザ露光用ハーフトーン位相シフトマスクブランクスを作成した場合について説明する。
【００８６】
図１０を参照して、表４のＴＭ３の成膜条件で番号６０２５石英基板上に、膜厚約８１８Åのモリブデンシリサイド酸化窒化膜からなる下層位相シフタ膜４Ｌを形成する。
【００８７】
その後、この下層位相シフタ膜４Ｌの上に、膜厚約３００Åのモリブデンシリサイド酸化窒化膜からなる上層位相シフタ膜４Ｕ形成する。この下層位相シフタ膜４Ｌおよび上層位相シフタ膜４Ｕにより位相シフタ膜４を構成する。
【００８８】
次に、この２層構造からなる位相シフタ膜４に対して、大気中で３５０℃、３ｈｒの焼鈍処理を行い、位相シフトマスクブランクスを完成させる。
【００８９】
このようにして得られた位相シフトマスクブランクスの光学特性は、表１０のサンプルＴＭ３に対応して、１９３ｎｍの波長で、透過率約６％、位相差約１８０℃であった。
【００９０】
位相差の評価は、レーザテック社製のＡｒＦ波長用位相差計と、光学定数からの計算によって行なった。欠陥検査波長３６５ｎｍにおける透過率は、３６％であった。
【００９１】
得られたＡｒＦレーザ露光用ハーフトーン位相シフトマスクブランクスを用いて、上述した実施の形態１と同様のステップにより、位相シフタ膜４に所定のパターンが形成される。また、位相シフト膜の評価は、上記（評価３）と同じ評価が得られる。
【００９２】
なお、上記実施の形態１〜３においては、Ｔ／Ｓ間距離が４００ｍｍの場合について説明しているが、適用分野によっては、１００ｍｍ〜６００ｍｍの範囲で適用可能である。
【００９３】
また、上記実施の形態１〜３においては、反応ガスとしてＮ2Ｏを使用しているが、ＮＯ、Ｎ2＋Ｏ2、または、これらの混合ガスを使用することも可能である。また、不活性ガスとしてＡｒを使用しているが、その他の不活性ガス（周期律表０族の属するガス）Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒ等を用いることも可能である。
【００９４】
また、上記各実施の形態においては、ＬＴＳ法をモリブデンシリサイド系ハーフトーン位相シフタ膜に適用したが、他のハーフトーン位相シフタ膜の材料として、ＣｒＦｘなどの金属フッ化物、ＺｒＳｉＯｘなどの金属シリサイド酸化物、ＺｒＳｉＯｘＮｙなどの金属シリサイド酸窒化物が挙げられる。
【００９５】
（実施の形態４）
次に、この発明に基づいた実施の形態４について説明する。この実施の形態３は、位相シフトマスクの製造工程において、位相シフタ膜の上に電子ビームまたはレーザ光による露光時の帯電防止のための金属膜を形成するようにしたものである。
【００９６】
以下、図１１〜図１５を参照して、位相シフタ膜製造工程について説明する。図１１〜図１５は、図１に示す位相シフトマスクの断面構造に対応する断面構造図である。
【００９７】
まず、図１１を参照して、透明基板１の上に、実施の形態１または実施の形態２と同様にモリブデンシリサイドの酸化窒化膜からなる位相シフタ膜４を形成する。
【００９８】
その後、この位相シフタ膜４の上に、膜厚約１００〜５００Å程度の帯電防止膜６を形成する。この帯電防止膜６の膜質としては、位相シフタ膜の膜質が、Ｍｏ系であるのでモリブデン膜を形成する。これは、上述した方法によって形成される、モリブデンシリサイドの酸化窒化物からなる位相シフタ膜４が導電性を有しないためである。その後、この帯電防止膜６の上に、電子線用レジスト膜５膜厚約５０００Å形成する。
【００９９】
次に、図１２を参照して、電子ビーム用レジスト膜５の所定の箇所に、電子ビームを露光して、現像することにより、所望のレジストパターンを有するレジスト膜５を形成する。
【０１００】
次に、図１３を参照して、帯電防止膜６がＭｏ系の場合は電子ビーム用レジスト膜５をマスクとして、帯電防止膜６および位相シフタ膜４をＣＦ４＋Ｏ２ガスを用いて、ドライエッチングにより連続的にエッチングする。
【０１０１】
次に、図１４を参照して、Ｏ２プラズマ等を用いて、レジスト膜５を除去する。その後、図１５を参照して、エッチング液（硝酸第２セリウムアンモニウム／過塩素酸混合液）等を用いて、停電防止膜６をエッチングし除去する。
【０１０２】
これにより、位相シフトマスクが完成する。
なお、上記位相シフトマスクのエッチングにおいて、位相シフトマスクがＭｏＳｉ系の場合は、モリブデン膜からなる帯電防止膜を形成しているが、これに限られることなく、位相シフトマスクがＣｒ系に対し、帯電防止膜としてＭｏＳｉ膜を用いてもかまわないし、また、Ｍｏ系の位相シフタ膜に対して、Ｃｒ系の帯電防止膜を用いるようにしても同様の作用効果を得ることができる。
【０１０３】
以上説明したように、位相シフトマスクの製造工程時に、モリブデン膜を設けることにより、電子線露光時の帯電防止を図ることが可能となり、また光学式位置検出器の光反射膜としての役目をも果たすことが可能となる。
【０１０４】
なお、本実施の形態においては、帯電防止膜としてモリブデン膜を用いたが、同様の効果が得られる金属膜、たとえばＷ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ａｌなどやそれらの合金からなる膜でもかまわない。
【０１０５】
（実施の形態５）
上記実施の形態に用いられる位相シフトマスク用ブランクスの構造について、実施の形態５として、以下図を参照しながら説明する。
【０１０６】
上記実施の形態に用いられる位相シフトマスク用ブランクスの構造は、図１６（ａ）および（ｂ）に示す２種類の構造が挙げられる。（ａ）に示す構造は、透明基板１の上に位相シフタ膜４が形成されたものであり、（ｂ）に示す構造は、透明基板１の上に位相シフタ膜４が形成され、さらに、この位相シフタ膜４の上に、金属膜６が形成されているものである。
【０１０７】
これらの位相シフトマスク用ブランクスを用いて、位相シフトマスクを作成する場合、レジスト膜４を露光する描画装置によっては、その作成手順が異なる。たとえば、（１）電子ビームを使用してレジスト膜を露光する場合、（２）レーザを使用してレジスト膜を露光する場合は、作成手順が異なる
（１）電子ビームを使用してレジスト膜を露光する場合
まず、電子ビームを使用してレジスト膜を露光する場合について、図１７（ａ）および（ｂ）を参照して説明する。
【０１０８】
電子ビームを使用してレジスト膜を露光する場合、加速電圧が１０ｋｅＶと２０ｋｅＶ以上の場合とでも、作成手順が異なる。
【０１０９】
▲１▼１０ｋｅＶの場合
図１７（ａ）に示すように、透明基板１の上に、位相シフト膜４が形成され、この位相シフト膜４の上にレジスト膜５が形成され、このレジスト膜５の上に導電性高分子からなる帯電防止膜６が形成される。
【０１１０】
次に、電子ビームにより、レジスト膜５の露光が行なわれる。その後、水洗により、帯電防止膜６が除去される。
【０１１１】
次に、レジスト膜５が現像される。その後、位相シフタ膜のエッチングが行なわれる。その後、レジスト膜が除去される。
【０１１２】
または、図１７（ｂ）に示すように、透明基板１の上に、位相シフト膜４が形成され、この位相シフト膜４の上に金属膜６ｂが形成され、この金属膜６ｂの上にレジスト膜５が形成され、このレジスト膜５の上に導電性高分子からなる帯電防止膜６ａが形成される。
【０１１３】
次に、電子ビームにより、レジスト膜５の露光が行なわれる。その後、水洗により、帯電防止膜６が除去される。
【０１１４】
次に、レジスト膜５が現像される。その後、金属膜６ｂのエッチングが行なわれる。
【０１１５】
次に、位相シフタ膜のエッチングが行なわれる。その後、レジスト膜が除去される。その後、金属膜が除去される。
【０１１６】
または、図１７（ｂ）に示す場合において、レジスト膜が除去された後に、発展的製造方法として、以下の製造方法を採用することもできる。
【０１１７】
レジスト膜が除去された後に、レジスト膜を形成する。その後、このレジスト膜の上に、導電膜を形成する。
【０１１８】
次に、電子ビームにより、レジスト膜を露光する（基板の露光時に、光を透過させたくない部分にレジストを残す）。
【０１１９】
次に、水洗で、帯電防止膜を除去する。その後、レジスト膜を現像する。その後、金属膜のエッチングを行なう。その後、レジスト膜の除去を行なう。
【０１２０】
▲２▼２０ｋｅＶ以上の場合
図１７（ａ）に示す位相シフトマスク用ブランクス構造の場合、上記１０ｋｅＶの場合同様の手順により、位相シフトマスクが形成される。
【０１２１】
また、図１７（ｂ）に示す位相シフトマスク用ブランクス構造の場合は、金属膜６ｂが帯電防止膜として機能するため、導電性高分子からなる帯電防止膜６ａの形成が不要になる。ただし、上記発展的製造方法の場合は、導電性高分子からなる帯電防止膜６ａは必要である。
【０１２２】
（２）レーザを使用してレジスト膜を露光する場合
図１７（ａ）に示す位相シフトマスク用ブランクス構造の場合は、導電性高分子からなる帯電防止膜６の形成は不要である。
【０１２３】
図１７（ｂ）に示す位相シフトマスク用ブランクス構造の場合は、導電性高分子からなる帯電防止膜６ｂの形成は不要である。また、この場合には、上記発展的製造方法の場合においても、帯電防止膜６の形成は不要である。
【０１２４】
（実施の形態６）
次に、上記実施の形態１〜実施の形態５おける位相シフトマスクにおいて、図１８に示すように、残り欠陥（黒欠陥）５０やピンホール欠陥（白欠陥）５１が生じた場合の欠陥検査方法および欠陥修正方法について説明する。
【０１２５】
まず、製作した位相シフトマスクについて、光透過型欠陥検査装置（ＫＬＡ社製  ２３９ＨＲ型）を用いて、チップ比較方式の欠陥検査を行なう。
【０１２６】
この欠陥検査装置は、水銀ランプを光源とする光で検査を行なう。
検査の結果、パターンがエッチングされるべきところに位相シフタ膜が残る残り欠陥と、位相シフタ膜が残るべきところがピンホールや欠けの形状でなくなってしまうピンホール欠陥を検出する。
【０１２７】
次に、これらの欠陥を修正する。残り欠陥については、従来のフォトマスクで用いられている、ＹＡＧレーザによるレーザブロー修正装置を用いて行なう。
【０１２８】
また、他の方法として、ＦＩＢによるスパッタエッチのガス導入によるアシストエッチによっても除去することができる。
【０１２９】
また、上記における欠陥検査装置は、水銀ランプを光源とする光で検査を行なっているが、レーザを光源とする光で検査を行なう場合でも同様の方法により残り欠陥の修正を行なうことができる。
【０１３０】
次に、ピンホール欠陥については、従来のフォトマスクに用いられている、ＦＩＢアシストデポジション方法によるカーボン系膜５２のデポジションにより、ピンホール欠陥部分を埋め込む修正を行なう。
【０１３１】
このようにして、修正された位相シフトマスクを洗浄した場合においても、カーボン系膜５２が剥がれることなく、良好な位相シフトマスクを得ることができる。
【０１３２】
次に、上述した位相シフトマスクを用いた露光方法について説明する。
この位相シフトマスクを用いた場合、位相シフタ膜の膜厚は、表６〜表８の膜厚寸法（ｄｓ）に示されるように、約６８０Å〜２６００Å程度の膜厚で形成されている。このため、従来の位相シフタ膜の膜厚よりも約半分程度で形成されているために、図１９に示すように、露光光に含まれる斜め成分の露光光に対しても、１８０°の位相差を与えることが可能となる。
【０１３３】
その結果、図２０に示すように、たとえば０．２５μｍのコンタクトホールを開口しようとした場合、１．２μｍの焦点ずれを許容することが可能となる。また、従来用いられているフォトマスクの場合、図２１に示すように、同じ０．２５μｍのコンタクトホールを開口する場合は、０．６μｍの焦点ずれしか許容することはできなかった。
【０１３４】
さらに、コーヒーレンシが０．３〜０．７、好ましくは０．６〜０．７の露光装置においては、図２２に示すように、焦点深度を従来のフォトマスクに比べて大きく向上させることが可能となる。
【０１３５】
なお、図２０〜図２２は、５：１の縮小投影露光装置を用いた場合についての結果を示しているが、縮小倍率が４：１，２．５：１の縮小投影露光装置や１：１の投影露光装置を用いても同様の作用効果を得ることができる。また、投影露光装置に限らず、密着露光、プロキシミティ露光を用いても同様の効果を得ることができる。さらに上記露光方法は、ｇ線，ｉ線，ＫｒＦレーザ等のいずれを用いても同様の作用効果を得ることができる。
【０１３６】
以上、この実施の形態における位相シフトマスクを用いた露光方法によれば、露光不良の発生を防止することが可能となるために、半導体装置の製造工程における歩留りの向上を図ることが可能となる。この露光方法は、６４Ｍ，１２８Ｍ，２５６Ｍ，１ＧのＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＡＳＩＣ、マイコン、ＧａＡｓなどの半導体装置の製造工程において有効に用いることができ、さらには単体の半導体デバイスや、液晶ディスプレイの製造工程においても十分用いることが可能となる。
【０１３７】
以上、今回開示した実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の技術的範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって画定され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【０１３８】
【発明の効果】
この発明に基づいた、位相シフトマスクおよびその製造方法等によれば、ＡｒＦレーザ露光波長（１９３ｎｍ）や、ＫｒＦレーザ露光波長（２４８ｎｍ）において高い透過率が得られる。また、低欠陥のハーフトーン位相シフトマスクが得られる。これは、ＬＴＳ方式を採用した低圧スパッタ成膜であるため、活性ガスや反応ガスの密度が低くなるため、スパッタターゲットからスパッタされるモリブデンシリサイドの粒子が、直進性良く基板に到達し、密度の高い膜すなわち屈折率の高い膜が得られる。
【０１３９】
また、Ｌ／Ｓ距離が十分大きいため、反応性ガスがスパッタターゲットに到達する効果が小さくなりターゲットの酸窒化が少なくなり、マスクのパーティクル、ピンホールなどの欠陥発生の要因に一つを回避することができる。
【０１４０】
また、反応性ガスを多く供給しても、スパッタターゲットに余り到達しないので、基板において十分酸窒化が行なわれ、高い透過率の膜を得ることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  ＬＴＳ法が採用されたスパッタリング装置の構成を示す模式図である。
【図２】  ＡｒＦレーザにおける各サンプルの位相シフタ膜を、その光学特性に基づき、プロットした図である。
【図３】  ＫｒＦレーザにおける各サンプルの位相シフタ膜を、その光学特性に基づき、プロットした図である。
【図４】  この発明に基づいた実施の形態２における位相シフトマスクの断面構造図である。
【図５】  この発明に基づいた位相シフトマスクを用いた場合のマスク上の電場およびウェハ上の電場を示す模式図である。
【図６】  この発明に基づいた実施の形態２における位相シフトマスクの製造方法の第１製造工程を示す断面図である。
【図７】  この発明に基づいた実施の形態２および３における位相シフトマスクの製造方法の第２製造工程を示す断面図である。
【図８】  この発明に基づいた実施の形態２および３における位相シフトマスクの製造方法の第３製造工程を示す断面図である。
【図９】  この発明に基づいた実施の形態２および３における位相シフトマスクの製造方法の第４製造工程を示す断面図である。
【図１０】  この発明に基づいた実施の形態３における位相シフトマスクの製造方法の第１製造工程を示す断面図である。
【図１１】  この発明に基づいた実施の形態４における位相シフトマスクの製造方法の第１製造工程を示す断面図である。
【図１２】  この発明に基づいた実施の形態４における位相シフトマスクの製造方法の第２製造工程を示す断面図である。
【図１３】  この発明に基づいた実施の形態４における位相シフトマスクの製造方法の第３製造工程を示す断面図である。
【図１４】  この発明に基づいた実施の形態４における位相シフトマスクの製造方法の第４製造工程を示す断面図である。
【図１５】  この発明に基づいた実施の形態４における位相シフトマスクの製造方法の第５製造工程を示す断面図である。
【図１６】  （ａ）および（ｂ）は、この発明に基づいた実施の形態５における位相シフトマスク用ブランクスの断面図である。
【図１７】  （ａ）および（ｂ）は、この発明に基づいた実施の形態５における位相シフトマスク用ブランクスの製造方法を示す断面図である。
【図１８】  この発明に基づいた位相シフトマスクの欠陥修正方法を示す断面図である。
【図１９】  この発明に基づいた位相シフトマスクを用いた露光方法の状態を示す模式図である。
【図２０】  この発明に基づいた位相シフトマスクを用いた露光方法における焦点ずれとコンタクトホールサイズとの関係を示す図である。
【図２１】  従来技術におけるフォトマスクを用いた露光方法における焦点ずれとコンタクトホールサイズとの関係を示す図である。
【図２２】  この発明に基づいた位相シフトマスクを用いた露光方法と従来技術における位相シフトマスクを用いた露光方法とのコーヒーレンシと焦点深度との関係を比較する図である。
【符号の説明】
１  透明基板、４  第２光透過部、１０  第１光透過部、３０  位相シフトパターン、２００  位相シフトマスク。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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