(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式〔Ｉ〕、〔II〕、〔III〕又は〔IV〕で表されるビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物。
【化１】
0004164718.tif 000125
〔但し、前記一般式〔Ｉ〕において、Ｒ2及びＲ3は無置換のアリール基であり、Ｒ1及びＲ4は下記一般式（１）で表されるアリール基であり
【化２】
0004164718.tif 000126
（但し、前記一般式（１）において、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10及びＲ11は互いに同一の又は異なる基であって、それらの少なくとも１つが炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素オキシ基、炭化水素基、又は炭化水素アミノ基であり、残りが水素原子又は炭化水素基である。）、Ｒ5及びＲ6は互いに同一の又は異なる基であって、それらの１つがシアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基又はハロゲン原子であり、残りが水素原子、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基又はハロゲン原子である。〕
【化３】
0004164718.tif 000127
〔但し、前記一般式〔II〕において、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14及びＲ15は互いに同一の又は異なる基であって、下記一般式（２）で表されるアリール基であり
【化４】
0004164718.tif 000128
（但し、前記一般式（２）において、Ｒ18、Ｒ19、Ｒ20、Ｒ21及びＲ22は互いに同一の又は異なる基であって、それらの少なくとも１つが炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素オキシ基、炭化水素基、又は炭化水素アミノ基であり、残りが水素原子又は炭化水素基である。）、Ｒ16及びＲ17は互いに同一の又は異なる基であって、それらの１つがシアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基又はハロゲン原子であり、残りが水素原子、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基又はハロゲン原子である。〕
【化５】
0004164718.tif 000129
〔但し、前記一般式〔III〕において、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25及びＲ26は少なくとも１つが下記一般式（３）で表されるアリール基であり、残りが無置換のアリール基であり
【化６】
0004164718.tif 000130
（但し、前記一般式（３）において、Ｒ29、Ｒ30、Ｒ31、Ｒ32及びＲ33は互いに同一の又は異なる基であって、それらの少なくとも１つが炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素オキシ基、炭化水素基、又は炭化水素アミノ基であり、残りが水素原子又は炭化水素基である。）、Ｒ27及びＲ28は互いに同一の又は異なる基であって、それらの１つがシアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基又はハロゲン原子であり、残りが水素原子、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基又はハロゲン原子である。〕
【化７】
0004164718.tif 000131
〔但し、前記一般式〔IV〕において、Ｒ35及びＲ36は互いに同一の又は異なる基であって、下記一般式（４）で表されるアリール基であり
【化８】
0004164718.tif 000132
（但し、前記一般式（４）において、Ｒ40、Ｒ41、Ｒ42、Ｒ43及びＲ44は互いに同一の又は異なる基であって、水素原子、又はそれらの少なくとも１つが炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素オキシ基、炭化水素基、又は炭化水素アミノ基であり、残りが水素原子又は炭化水素基である。）、Ｒ34及びＲ37は互いに同一の又は異なる基であって、下記一般式（５）で表されるアリール基であり
【化９】
0004164718.tif 000133
（但し、前記一般式（５）において、Ｒ45、Ｒ46、Ｒ47、Ｒ48、Ｒ49、Ｒ50及びＲ51は互いに同一の又は異なる基であって、水素原子、又はそれらの少なくとも１つが炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素オキシ基、炭化水素基、又は炭化水素アミノ基であり、残りが水素原子又は炭化水素基である。）、Ｒ38及びＲ39は互いに同一の又は異なる基であって、それらの１つがシアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基又はハロゲン原子であり、残りが水素原子、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基又はハロゲン原子である。〕
【請求項２】
下記一般式（６）で表されるビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物。
【化１０】
0004164718.tif 000134
〔但し、前記一般式（６）において、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3及びＡｒ4はそれぞれ、置換基を有してもよい互いに同一の又は異なるアリール基であって、置換基を有する場合には下記一般式（７）、（８）、（９）、（１０）、（１１）、（１２）、（１２’）又は（１２”）で表されるアリール基から選ばれた基である。
【化１１】
0004164718.tif 000135
0004164718.tif 000136
0004164718.tif 000137
（但し、前記一般式（７）、（８）、（９）、（１０）、（１１）、（１２）、（１２’）及び（１２”）において、Ｒ52、Ｒ53及びＲ54は炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素基であり、Ｒ55、Ｒ56、Ｒ57、Ｒ58、Ｒ59及びＲ60は互いに同一の又は異なる炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素基であり、ｎは０〜６の整数であり、ｍは０〜３の整数であり、ｌは０〜４の整数である。）〕
【請求項３】
前記Ｒ52、Ｒ53、Ｒ54、Ｒ55、Ｒ56、Ｒ57、Ｒ58、Ｒ59及びＲ60の炭素数が１〜６である、請求項２に記載したビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物。
【請求項４】
下記一般式（１３）、（１３’）、（１４）、（１５）、（１６）、（１７）、（１８）、（１８’）、（１９−１）、（１９−２）又は（１９−３）で表される、請求項１又は２に記載したビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物。
【化１２】
0004164718.tif 000138
（但し、前記一般式（１３）において、Ｒ61は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化１３】
0004164718.tif 000139
（但し、前記一般式（１３’）において、Ｒ61は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化１４】
0004164718.tif 000140
（但し、前記一般式（１４）において、Ｒ62は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化１５】
0004164718.tif 000141
（但し、前記一般式（１５）において、Ｒ63は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化１６】
0004164718.tif 000142
（但し、前記一般式（１６）において、Ｒ64は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化１７】
0004164718.tif 000143
（但し、前記一般式（１７）において、Ｒ65は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化１８】
0004164718.tif 000144
（但し、前記一般式（１８）において、Ｒ66は水素原子又は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化１９】
0004164718.tif 000145
（但し、前記一般式（１８’）において、Ｒ66は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化２０】
0004164718.tif 000146
（但し、前記一般式（１９−１）、（１９−２）、（１９−３）において、Ｒ99は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【請求項５】
下記構造式（２０）−１、（２０）−２、（２０）−３、（２０）−４、（２０）−５、（２０）−６、（２０）−７、（２０）−８、（２０）−９、（２０）−１０、（２０）−１１、（２０）−１２、（２０）−１２’、（２０）−１３、（２０）−１５、（２０）−１６、（２０）−１７又は（２０）−１８で表される、請求項１又は２に記載したビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物。
【化２１】
0004164718.tif 000147
0004164718.tif 000148
0004164718.tif 000149
0004164718.tif 000150
0004164718.tif 000151
0004164718.tif 000152
0004164718.tif 000153
0004164718.tif 000154
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0004164718.tif 000158
0004164718.tif 000159
0004164718.tif 000160
0004164718.tif 000161
0004164718.tif 000162
【請求項６】
下記一般式（２１）で表されるビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物。
【化２２】
0004164718.tif 000163
〔但し、前記一般式（２１）において、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3及びＡｒ4はそれぞれ、置換基を有してもよい互いに同一の又は異なるアリール基であって、置換基を有する場合には下記一般式（７）、（８）、（９）、（１０）、（１１）、（１２）、（１２’）又は（１２”）で表されるアリール基から選ばれた基である。
【化２３】
0004164718.tif 000164
0004164718.tif 000165
0004164718.tif 000166
（但し、前記一般式（７）、（８）、（９）、（１０）、（１１）、（１２）、（１２’）及び（１２”）において、Ｒ52、Ｒ53及びＲ54は炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素基であり、Ｒ55、Ｒ56、Ｒ57、Ｒ58、Ｒ59及びＲ60は互いに同一の又は異なる炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素基であり、ｎは０〜６の整数であり、ｍは０〜３の整数であり、ｌは０〜４の整数である。）〕
【請求項７】
前記Ｒ52、Ｒ53、Ｒ54、Ｒ55、Ｒ56、Ｒ57、Ｒ58、Ｒ59及びＲ60の炭素数が１〜６である、請求項６に記載したビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物。
【請求項８】
下記一般式（２２）、（２３）、（２４）、（２５）、（２６）、（２７）、（２７’）、（２８−１）、（２８−２）又は（２８−３）で表される、請求項１又は６に記載したビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物。
【化２４】
0004164718.tif 000167
（但し、前記一般式（２２）において、Ｒ61は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化２５】
0004164718.tif 000168
（但し、前記一般式（２３）において、Ｒ62は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化２６】
0004164718.tif 000169
（但し、前記一般式（２４）において、Ｒ63は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基又は炭化水素オキシ基である。）
【化２７】
0004164718.tif 000170
（但し、前記一般式（２５）において、Ｒ64は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化２８】
0004164718.tif 000171
（但し、前記一般式（２６）において、Ｒ65は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化２９】
0004164718.tif 000172
（但し、前記一般式（２７）において、Ｒ66は水素原子又は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化３０】
0004164718.tif 000173
（但し、前記一般式（２７’）において、Ｒ66は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化３１】
0004164718.tif 000174
（但し、前記一般式（２８−１）、（２８−２）、（２８−３）において、Ｒ99は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【請求項９】
下記構造式（２９）−１、（２９）−２、（２９）−３、（２９）−４、（２９）−５、（２９）−６、（２９）−７、（２９）−８、（２９）−９、（２９）−１０、（２９）−１１、（２９）−１２、（２９）−１２’、（２９）−１３、（２９）−１５、（２９）−１６、（２９）−１７又は（２９）−１８で表される、請求項１又は６に記載したビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物。
【化３２】
0004164718.tif 000175
0004164718.tif 000176
0004164718.tif 000177
0004164718.tif 000178
0004164718.tif 000179
0004164718.tif 000180
0004164718.tif 000181
0004164718.tif 000182
0004164718.tif 000183
0004164718.tif 000184
0004164718.tif 000185
0004164718.tif 000186
0004164718.tif 000187
0004164718.tif 000188
0004164718.tif 000189
0004164718.tif 000190
【請求項１０】
下記一般式〔Ｖ〕又は〔VI〕で表される４−（Ｎ，Ｎ−ジアリールアミノ）ベンズアルデヒドの少なくとも１種と；下記一般式〔VII〕で表されるジホスホン酸エステル又は下記一般式〔VIII〕で表されるジホスホニウムと；を縮合させることによって、下記一般式〔Ｉ〕、〔II〕、〔III〕又は〔IV〕で表されるビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物を得る、ビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物の製造方法。
【化３３】
0004164718.tif 000191
（但し、前記一般式〔Ｖ〕及び〔VI〕において、Ｒ68及びＲ69はそれぞれ、下記Ｒ1、Ｒ2、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ34又はＲ35に相当するアリール基であり、Ｒ70及びＲ71はそれぞれ、下記Ｒ3、Ｒ4、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ25、Ｒ26、Ｒ36又はＲ37に相当するアリール基である。）
【化３４】
0004164718.tif 000192
（但し、前記一般式〔VII〕及び〔VIII〕において、Ｒ72及びＲ73はそれぞれ、互いに同一の又は異なる炭化水素基であり、Ｒ74及びＲ75はそれぞれ、下記Ｒ5、Ｒ6、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ27、Ｒ28、Ｒ38又はＲ39に相当する基であり、Ｘはハロゲン原子である。）
【化３５】
0004164718.tif 000193
〔但し、前記一般式〔Ｉ〕において、Ｒ2及びＲ3は無置換のアリール基であり、Ｒ1及びＲ4は下記一般式（１）で表されるアリール基であり
【化３６】
0004164718.tif 000194
（但し、前記一般式（１）において、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10及びＲ11は互いに同一の又は異なる基であって、それらの少なくとも１つが炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素オキシ基、炭化水素基、又は炭化水素アミノ基であり、残りが水素原子又は炭化水素基である。）、Ｒ5及びＲ6は互いに同一の又は異なる基であって、それらの１つがシアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基又はハロゲン原子であり、残りが水素原子、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基又はハロゲン原子である。〕
【化３７】
0004164718.tif 000195
〔但し、前記一般式〔II〕において、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14及びＲ15は互いに同一の又は異なる基であって、下記一般式（２）で表されるアリール基であり
【化３８】
0004164718.tif 000196
（但し、前記一般式（２）において、Ｒ18、Ｒ19、Ｒ20、Ｒ21及びＲ22は互いに同一の又は異なる基であって、それらの少なくとも１つが炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素オキシ基、炭化水素基、又は炭化水素アミノ基であり、残りが水素原子又は炭化水素基である。）、Ｒ16及びＲ17は互いに同一の又は異なる基であって、それらの１つがシアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基又はハロゲン原子であり、残りが水素原子、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基又はハロゲン原子である。〕
【化３９】
0004164718.tif 000197
〔但し、前記一般式〔III〕において、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25及びＲ26は、少なくとも１つが下記一般式（３）で表されるアリール基であり、残りが無置換のアリール基であり
【化４０】
0004164718.tif 000198
（但し、前記一般式（３）において、Ｒ29、Ｒ30、Ｒ31、Ｒ32及びＲ33は互いに同一の又は異なる基であって、それらの少なくとも１つが炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素オキシ基、炭化水素基、又は炭化水素アミノ基であり、残りが水素原子又は炭化水素基である。）、Ｒ27及びＲ28は互いに同一の又は異なる基であって、それらの１つがシアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基又はハロゲン原子であり、残りが水素原子、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基又はハロゲン原子である。〕
【化４１】
0004164718.tif 000199
〔但し、前記一般式〔IV〕において、Ｒ35及びＲ36は互いに同一の又は異なる基であって、下記一般式（４）で表されるアリール基であり
【化４２】
0004164718.tif 000200
（但し、前記一般式（４）において、Ｒ40、Ｒ41、Ｒ42、Ｒ43及びＲ44は互いに同一の又は異なる基であって、水素原子、又はそれらの少なくとも１つが炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素オキシ基、炭化水素基又は炭化水素アミノ基であり、残りが水素原子又は炭化水素基である。）、Ｒ34及びＲ37は互いに同一の又は異なる基であって、下記一般式（５）で表されるアリール基であり
【化４３】
0004164718.tif 000201
（但し、前記一般式（５）において、Ｒ45、Ｒ46、Ｒ47、Ｒ48、Ｒ49、Ｒ50及びＲ51は互いに同一の又は異なる基であって、水素原子、又はそれらの少なくとも１つが炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素オキシ基、炭化水素基、又は炭化水素アミノ基であり、残りが水素原子又は炭化水素基である。）、Ｒ38及びＲ39は互いに同一の又は異なる基であって、それらの１つがシアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基又はハロゲン原子であり、残りが水素原子、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基又はハロゲン原子である。〕
【請求項１１】
前記縮合をウイッティヒ−ホーナー（Wittig-Horner)反応又はウイッティヒ(Wittig)反応によって行い、前記ジホスホン酸エステル及び／又は前記ジホスホニウムを溶媒中で塩基で処理することによってカルボアニオンを生成させ、このカルボアニオンと前記４−（Ｎ，Ｎ−ジアリールアミノ）ベンズアルデヒドとを縮合させる、請求項１０に記載した、ビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物の製造方法。
【請求項１２】
下記一般式（６）で表されるビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物を得るに際し
【化４４】
0004164718.tif 000202
〔但し、前記一般式（６）において、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3及びＡｒ4はそれぞれ、置換基を有してもよい互いに同一の又は異なるアリール基であって、置換基を有する場合には下記一般式（７）、（８）、（９）、（１０）、（１１）、（１２）、（１２’）又は（１２”）で表されるアリール基から選ばれた基である。
【化４５】
0004164718.tif 000203
0004164718.tif 000204
0004164718.tif 000205
（但し、前記一般式（７）、（８）、（９）、（１０）、（１１）、（１２）、（１２’）及び（１２”）において、Ｒ52、Ｒ53及びＲ54は炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素基であり、Ｒ55、Ｒ56、Ｒ57、Ｒ58、Ｒ59及びＲ60は互いに同一の又は異なる炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素基であり、ｎは０〜６の整数であり、ｍは０〜３の整数であり、ｌは０〜４の整数である。）〕、
下記一般式（３９）又は（４０）で表される４−（Ｎ，Ｎ−ジアリールアミノ）ベンズアルデヒドの少なくとも１種と；下記一般式（４１）で表されるジホスホン酸エステル又は下記一般式（４２）で表されるジホスホニウムと；を縮合させる、請求項１０に記載したビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物の製造方法。
【化４６】
0004164718.tif 000206
0004164718.tif 000207
（但し、前記一般式（３９）、（４０）、（４１）及び（４２）において、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3、Ａｒ4、Ｒ72、Ｒ73及びＸは前記したものと同じである。）
【請求項１３】
前記Ｒ72及びＲ73を炭素数１〜４の飽和炭化水素基とする、請求項１２に記載したビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物の製造方法。
【請求項１４】
前記Ｒ52、Ｒ53、Ｒ54、Ｒ55、Ｒ56、Ｒ57、Ｒ58、Ｒ59及びＲ60の炭素数を１〜６とする、請求項１２に記載したビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物の製造方法。
【請求項１５】
下記一般式（１３）、（１４）、（１５）、（１６）、（１７）、（１８）、（１８’）、（１９）−１、（１９）−２又は（１９）−３で表されるビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物を得る、請求項１０又は１２に記載したビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物の製造方法。
【化４７】
0004164718.tif 000208
（但し、前記一般式（１３）において、Ｒ61は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化４８】
0004164718.tif 000209
（但し、前記一般式（１４）において、Ｒ62は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化４９】
0004164718.tif 000210
（但し、前記一般式（１５）において、Ｒ63は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基又は炭化水素オキシ基である。）
【化５０】
0004164718.tif 000211
（但し、前記一般式（１６）において、Ｒ64は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化５１】
0004164718.tif 000212
（但し、前記一般式（１７）において、Ｒ65は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化５２】
0004164718.tif 000213
（但し、前記一般式（１８）において、Ｒ66は水素原子又は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化５３】
0004164718.tif 000214
（但し、前記一般式（１８’）において、Ｒ66は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化５４】
0004164718.tif 000215
（但し、前記一般式（１９−１）、（１９−２）、（１９−３）において、Ｒ99は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【請求項１６】
下記構造式（２０）−１、（２０）−２、（２０）−３、（２０）−４、（２０）−５、（２０）−６、（２０）−７、（２０）−８、（２０）−９、（２０）−１０、（２０）−１１、（２０）−１２、（２０）−１２’、（２０）−１３、（２０）−１５、（２０）−１６、（２０）−１７又は（２０）−１８で表されるビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物を得る、請求項１０又は１２に記載したビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物の製造方法。
【化５５】
0004164718.tif 000216
0004164718.tif 000217
0004164718.tif 000218
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0004164718.tif 000230
0004164718.tif 000231
【請求項１７】
下記一般式（２１）で表されるビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物を得るに際し
【化５６】
0004164718.tif 000232
〔但し、前記一般式（２１）において、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3及びＡｒ4はそれぞれ、置換基を有してもよい互いに同一の又は異なるアリール基であって、置換基を有する場合には下記一般式（７）、（８）、（９）、（１０）、（１１）、（１２）、（１２’）又は（１２”）で表されるアリール基から選ばれた基である。
【化５７】
0004164718.tif 000233
0004164718.tif 000234
0004164718.tif 000235
（但し、前記一般式（７）、（８）、（９）、（１０）、（１１）、（１２）、（１２’）及び（１２”）において、Ｒ52、Ｒ53及びＲ54は炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素基であり、Ｒ55、Ｒ56、Ｒ57、Ｒ58、Ｒ59及びＲ60は互いに同一の又は異なる炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素基であり、ｎは０〜６の整数であり、ｍは０〜３の整数であり、ｌは０〜４の整数である。）〕、
下記一般式（３９）又は（４０）で表される４−（Ｎ，Ｎ−ジアリールアミノ）ベンズアルデヒドの少なくとも１種と；下記一般式（４３）で表されるジホスホン酸エステル又は下記一般式（４４）で表されるジホスホニウムと；を縮合させる、請求項１０に記載したビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物の製造方法。
【化５８】
0004164718.tif 000236
0004164718.tif 000237
（但し、前記一般式（３9 ）、（４０）、（４３）及び（４４）において、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3、Ａｒ4、Ｒ72、Ｒ73及びＸは前記したものと同じである。）
【請求項１８】
前記Ｒ72及びＲ73を炭素数１〜４の飽和炭化水素基とする、請求項１７に記載したビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物の製造方法。
【請求項１９】
前記Ｒ52、Ｒ53、Ｒ54、Ｒ55、Ｒ56、Ｒ57、Ｒ58、Ｒ59及びＲ60の炭素数を１〜６とする、請求項１７に記載したビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物の製造方法。
【請求項２０】
下記一般式（２２）、（２３）、（２４）、（２５）、（２６）、（２７）、（２７’）、（２８−１）、（２８−２）又は（２８−３）で表されるビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物、請求項１０又は１７に記載したビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物の製造方法。
【化５９】
0004164718.tif 000238
（但し、前記一般式（２２）において、Ｒ61は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化６０】
0004164718.tif 000239
（但し、前記一般式（２３）において、Ｒ62は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化６１】
0004164718.tif 000240
（但し、前記一般式（２４）において、Ｒ63は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基又は炭化水素オキシ基である。）
【化６２】
0004164718.tif 000241
（但し、前記一般式（２５）において、Ｒ64は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化６３】
0004164718.tif 000242
（但し、前記一般式（２６）において、Ｒ65は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化６４】
0004164718.tif 000243
（但し、前記一般式（２７）において、Ｒ66は水素原子又は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化６５】
0004164718.tif 000244
（但し、前記一般式（２７’）において、Ｒ66は水素原子又は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化６６】
0004164718.tif 000245
（但し、前記一般式（２８−１）、（２８−２）、（２８−３）において、Ｒ99は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【請求項２１】
下記構造式（２９）−１、（２９）−２、（２９）−３、（２９）−４、（２９）−５、（２９）−６、（２９）−７、（２９）−８、（２９）−９、（２９）−１０、（２９）−１１、（２９）−１２、（２９）−１２’、（２９）−１３、（２９）−１５、（２９）−１６、（２９）−１７又は（２９）−１８で表されるビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物を得る、請求項１０又は１７に記載したビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物の製造方法。
【化６７】
0004164718.tif 000246
0004164718.tif 000247
0004164718.tif 000248
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0004164718.tif 000260
0004164718.tif 000261
【請求項２２】
下記一般式〔VII〕又は〔VIII〕で表されるジホスホン酸エステル又はジホスホニウム。
【化６８】
0004164718.tif 000262
（但し、前記一般式〔VII〕及び〔VIII〕において、Ｒ72及びＲ73はそれぞれ、互いに同一の又は異なる炭化水素基であり、Ｒ74及びＲ75はそれぞれ、互いに同一の又は異なる基であって、それらの１つがシアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基又はハロゲン原子であり、残りが水素原子、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基又はハロゲン原子であり、Ｘはハロゲン原子である。）
【請求項２３】
前記Ｒ72及びＲ73が炭素数１〜４の飽和炭化水素基である、請求項２２に記載したジホスホン酸エステル又はジホスホニウム。
【請求項２４】
下記一般式（４１）又は（４２）で表される、請求項２２に記載したジホスホン酸エステル又はジホスホニウム。
【化６９】
0004164718.tif 000263
（但し、前記一般式（４１）及び（４２）において、Ｒ72、Ｒ73及びＸは前記したものと同じである。）
【請求項２５】
下記一般式（４３）又は（４４）で表される、請求項２２に記載したジホスホン酸エステル又はジホスホニウム。
【化７０】
0004164718.tif 000264
（但し、前記一般式（４３）及び（４４）において、Ｒ72、Ｒ73及びＸは前記したものと同じである。）
【請求項２６】
下記一般式〔IX〕で表されるハロゲン化アリール化合物と、下記一般式〔Ｘ〕で表される亜リン酸トリアルキル又はトリフェニルホスフィン（ＰＰｈ3）とを反応させることによって、下記一般式〔VII〕又は〔VIII〕で表されるジホスホン酸エステル又はジホスホニウムを得る、ジホスホン酸エステル又はジホスホニウムの製造方法。
【化７１】
0004164718.tif 000265
（但し、前記一般式〔IX〕において、Ｒ74及びＲ75はそれぞれ、互いに同一の又は異なる基であって、それらの１つがシアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基又はハロゲン原子であり、残りが水素原子、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基又はハロゲン原子であり、Ｘはハロゲン原子である。）
一般式  〔Ｘ〕:
Ｐ(ＯＲ76)3  又は  Ｐ(ＯＲ77)3
（但し、前記一般式〔Ｘ〕において、Ｒ76及びＲ77はそれぞれ、同一の又は異なる炭化水素基である。）
【化７２】
0004164718.tif 000266
（但し、前記一般式〔VII〕及び〔VIII〕において、Ｒ72及びＲ73はそれぞれ、互いに同一の又は異なる炭化水素基であり、Ｒ74、Ｒ75及びＸは前記したものと同じである。）
【請求項２７】
前記Ｒ72及びＲ73を炭素数１〜４の飽和炭化水素基とする、請求項２６に記載したジホスホン酸エステル又はジホスホニウムの製造方法。
【請求項２８】
下記一般式（４１）又は（４２）で表されるジホスホン酸エステル又はジホスホニウムを得る、請求項２６に記載したジホスホン酸エステル又はジホスホニウムの製造方法。
【化７３】
0004164718.tif 000267
（但し、前記一般式（４１）及び（４２）において、Ｒ72、Ｒ73及びＸは前記したものと同じである。）
【請求項２９】
下記一般式（４３）又は（４４）で表されるジホスホン酸エステル又はジホスホニウムを得る、請求項２６に記載したジホスホン酸エステル又はジホスホニウムの製造方法。
【化７４】
0004164718.tif 000268
（但し、前記一般式（４３）及び（４４）において、Ｒ72、Ｒ73及びＸは前記したものと同じである。）
【請求項３０】
発光領域を有する有機層が陽極と陰極との間に設けられている有機電界発光素子において、前記有機層に請求項１に記載したビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物の少なくとも１種が含まれていることを特徴とする、有機電界発光素子。
【請求項３１】
前記有機層が、正孔輸送層と電子輸送層とが積層された有機積層構造を有しており、前記正孔輸送層又は電子輸送層又は発光層の形成材料として前記ビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物の少なくとも１種が用いられている、請求項３０に記載した有機電界発光素子。
【請求項３２】
発光領域を有する有機層が陰極と陽極との間に設けられている有機電界発光素子において、前記有機層に請求項２又は６に記載したビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物の少なくとも１種が含まれていることを特徴とする、有機電界発光素子。
【請求項３３】
前記有機層が、正孔輸送層と電子輸送層とが積層された有機積層構造を有しており、前記正孔輸送層又は電子輸送層又は発光層の形成材料として前記ビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物の少なくとも１種が用いられている、請求項３２に記載した有機電界発光素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、所望の発光色を呈する有機発光材料として好適なビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物及びその合成中間体、これらの製造方法、並びに有機電界発光素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
自発光であって、応答速度が高速であり、視野角依存性の無いフラットパネルディスプレイの１候補として、有機電界発光素子（ＥＬ素子）等が近時注目されており、その構成材料として、有機発光材料への関心が高まっている。有機発光材料の第一の利点は、分子設計によって材料の光学的な性質をある程度コントロールできるところにあり、これによって赤、青、緑の３原色発光をすべてそれぞれの発光材料で作成したフルカラー有機発光素子の実現が可能である。
【０００３】
下記一般式〔Ａ〕で示されるビス（アミノスチリル）ベンゼン化合物は、導入される置換基に依存して、可視部領域に青〜赤の強い発光を呈することから、有機電界発光素子材料に限らず、さまざまな用途に利用可能である。さらに、これら材料は昇華性であり、真空蒸着等のプロセスによって、均一なアモルファス膜を形成しうる利点がある。今日では分子軌道計算等により、材料の光学的な性質がある程度までは予測可能であるが、実際には要求される材料を高効率に製造する技術が産業上もっとも重要であることは、いうまでもない。
【０００４】
【化１０４】
0004164718.tif 000002
（但し、前記一般式〔Ａ〕において、Ａｒは置換基を有してもよいアリール基であり、Ｒa 及びＲb はそれぞれ、水素原子、飽和又は不飽和の炭化水素基、置換基を有してもよいアリール基、シアノ基、ハロゲン原子、ニトロ基、トリフルオロメチル基、アミノ基、又はアルコキシ基を示し、これらは同一であっても異なってもよい。）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
これまで、有機発光材料として前記一般式〔Ａ〕に属する多くの化合物が製造されてきたが、これらの材料の発光は多くが青色〜緑色であり、黄色〜赤色の発光を呈するものはわずかに報告されているのみであり〔電子情報通信学会、技術研究報告書、有機エレクトロニクス，17,7(1992)、Inorganic and Organic Electroluminescence 96 Berlin, 101(1996)等〕、またその高効率な製造法も確立されていなかった。
【０００６】
本発明の目的は、上記のような現状に鑑み、強い発光を呈する特に黄色〜赤色の有機発光材料として好適な化合物及びその合成中間体と、これらを高効率に製造する方法、並びに有機電界発光素子を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、下記一般式〔Ｉ〕、〔II〕、〔III 〕又は〔IV〕で表されるビス( アミノスチリル）ナフタレン化合物が強い発光を呈し、黄色〜赤色の発光材料となりうることを見出し、かつその一般的かつ高効率な製造方法を確立し、本発明に到達したものである。
【０００８】
即ち、本発明はまず、下記一般式〔Ｉ〕、〔II〕、〔III 〕又は〔IV〕で表されるビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物（以下、本発明の化合物と称する。）に係るものである。
【化１０５】
0004164718.tif 000003
〔但し、前記一般式〔Ｉ〕において、Ｒ2及びＲ3は無置換のアリール基であり、Ｒ1及びＲ4は下記一般式（１）で表されるアリール基であり
【化１０６】
0004164718.tif 000004
（但し、前記一般式（１）において、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10及びＲ11は互いに同一の又は異なる基であって、それらの少なくとも１つが炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素オキシ基、炭化水素基、又は炭化水素アミノ基であり、残りが水素原子又は炭化水素基である。）、Ｒ5及びＲ6は互いに同一の又は異なる基であって、それらの１つがシアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基又はハロゲン原子（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ等：以下、同様）であり、残りが水素原子、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基又はハロゲン原子である。〕
【化１０７】
0004164718.tif 000005
〔但し、前記一般式〔II〕において、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14及びＲ15は互いに同一の又は異なる基であって、下記一般式（２）で表されるアリール基であり
【化１０８】
0004164718.tif 000006
（但し、前記一般式（２）において、Ｒ18、Ｒ19、Ｒ20、Ｒ21及びＲ22は互いに同一の又は異なる基であって、それらの少なくとも１つが炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素オキシ基、炭化水素基、又は炭化水素アミノ基であり、残りが水素原子又は炭化水素基である。）、Ｒ16及びＲ17は互いに同一の又は異なる基であって、それらの１つがシアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基又はハロゲン原子であり、残りが水素原子、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基又はハロゲン原子である。〕
【化１０９】
0004164718.tif 000007
〔但し、前記一般式〔III〕において、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25及びＲ26は少なくとも１つが下記一般式（３）で表されるアリール基であり、残りが無置換のアリール基であり
【化１１０】
0004164718.tif 000008
（但し、前記一般式（３）において、Ｒ29、Ｒ30、Ｒ31、Ｒ32及びＲ33は互いに同一の又は異なる基であって、それらの少なくとも１つが炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素オキシ基、炭化水素基、又は炭化水素アミノ基であり、残りが水素原子又は炭化水素基である。）、Ｒ27及びＲ28は互いに同一の又は異なる基であって、それらの１つがシアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基又はハロゲン原子であり、残りが水素原子、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基又はハロゲン原子である。〕
【化１１１】
0004164718.tif 000009
〔但し、前記一般式〔IV〕において、Ｒ35及びＲ36は互いに同一の又は異なる基であって、下記一般式（４）で表されるアリール基であり
【化１１２】
0004164718.tif 000010
（但し、前記一般式（４）において、Ｒ40、Ｒ41、Ｒ42、Ｒ43及びＲ44は互いに同一の又は異なる基であって、水素原子、又はそれらの少なくとも１つが炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素オキシ基、炭化水素基、又は炭化水素アミノ基であり、残りが水素原子又は炭化水素基である。）、Ｒ34及びＲ37は互いに同一の又は異なる基であって、下記一般式（５）で表されるアリール基であり
【化１１３】
0004164718.tif 000011
（但し、前記一般式（５）において、Ｒ45、Ｒ46、Ｒ47、Ｒ48、Ｒ49、Ｒ50及びＲ51は互いに同一の又は異なる基であって、水素原子、又はそれらの少なくとも１つが炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素オキシ基、炭化水素基、又は炭化水素アミノ基であり、残りが水素原子又は炭化水素基である。）、Ｒ38及びＲ39は互いに同一の又は異なる基であって、それらの１つがシアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基、又はハロゲン原子であり、残りが水素原子、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基又はハロゲン原子である。〕
【０００９】
本発明の化合物は、黄色〜赤色の発光を示す有機発光材料として有効に利用することができ、また、高いガラス転移点及び融点を有する化合物であり、電気的、熱的或いは化学的な安定性に優れている上、非晶質でガラス状態を容易に形成し得るので、蒸着等を行うことができる。
【００１０】
本発明の化合物は、下記一般式で表されるものが好ましい。
【化１１４】
0004164718.tif 000012
〔但し、前記一般式（６）において、Ａｒ1 、Ａｒ2 、Ａｒ3 及びＡｒ4 はそれぞれ、置換基を有してもよい互いに同一の又は異なるアリール基であって、置換基を有する場合には下記一般式（７）、（８）、（９）、（１０）、（１１）、（１２）、（１２’）又は（１２”）で表されるアリール基から選ばれた基である。
【化１１５】
0004164718.tif 000013
0004164718.tif 000014
0004164718.tif 000015
（但し、前記一般式（７）、（８）、（９）、（１０）、（１１）、（１２）、（１２’）及び（１２”）において、Ｒ52、Ｒ53及びＲ54は炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素基（特に炭素数が６以下がよい（炭素数０のときは無置換）：以下、同様）であり、Ｒ55、Ｒ56、Ｒ57、Ｒ58、Ｒ59及びＲ60は互いに同一の又は異なる炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素基（特に炭素数が６以下がよい（炭素数０のときは無置換）：以下、同様）であり、ｎは０〜６の整数であり、ｍは０〜３の整数であり、ｌは０〜４の整数である。）〕
【００１１】
本発明の化合物は、より具体的には、下記一般式（１３）、（１３’）、（１４）、（１５）、（１６）、（１７）、（１８）又は（１８’）で表されるものがよい。
【化１１６】
0004164718.tif 000016
（但し、前記一般式（１３）において、Ｒ61は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化１１７】
0004164718.tif 000017
（但し、前記一般式（１３’）において、Ｒ61は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化１１８】
0004164718.tif 000018
（但し、前記一般式（１４）において、Ｒ62は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化１１９】
0004164718.tif 000019
（但し、前記一般式（１５）において、Ｒ63は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化１２０】
0004164718.tif 000020
（但し、前記一般式（１６）において、Ｒ64は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化１２１】
0004164718.tif 000021
（但し、前記一般式（１７）において、Ｒ65は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化１２２】
0004164718.tif 000022
（但し、前記一般式（１８）において、Ｒ66は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化１２３】
0004164718.tif 000023
（但し、前記一般式（１８’）において、Ｒ66は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【００１２】
本発明の化合物は、下記構造式（２０）−１、（２０）−２、（２０）−３、（２０）−４、（２０）−５、（２０）−６、（２０）−７、（２０）−８、（２０）−９、（２０）−１０、（２０）−１１、（２０）−１２、（２０）−１２’、（２０）−１３又は（２０）−１５で表されるものが具体的に例示される。
【化１２５】
0004164718.tif 000024
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【００１３】
本発明の化合物は、下記一般式で表されるものも好ましい。
【化１２６】
0004164718.tif 000039
〔但し、前記一般式（２１）において、Ａｒ1 、Ａｒ2 、Ａｒ3 及びＡｒ4 はそれぞれ、置換基を有してもよい互いに同一の又は異なるアリール基であって、置換基を有する場合には下記一般式（７）、（８）、（９）、（１０）、（１１）、（１２）、（１２’）又は（１２”）で表されるアリール基から選ばれた基である。
【化１２７】
0004164718.tif 000040
0004164718.tif 000041
0004164718.tif 000042
（但し、前記一般式（７）、（８）、（９）、（１０）、（１１）、（１２）、（１２’）及び（１２”）において、Ｒ52、Ｒ53及びＲ54は炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素基であり、Ｒ55、Ｒ56、Ｒ57、Ｒ58、Ｒ59及びＲ60は互いに同一の又は異なる炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素基であり、ｎは０〜６の整数であり、ｍは０〜３の整数であり、ｌは０〜４の整数である。）〕
【００１４】
この本発明の化合物は、より具体的には、下記一般式（２２）、（２３）、（２４）、（２５）、（２６）、（２７）又は（２７’）で表されるものがよい。
【化１２８】
【化２４】
0004164718.tif 000043
（但し、前記一般式（２２）において、Ｒ61は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化２５】
0004164718.tif 000044
（但し、前記一般式（２３）において、Ｒ62は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化２６】
0004164718.tif 000045
（但し、前記一般式（２４）において、Ｒ63は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基又は炭化水素オキシ基である。）
【化２７】
0004164718.tif 000046
（但し、前記一般式（２５）において、Ｒ64は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化２８】
0004164718.tif 000047
（但し、前記一般式（２６）において、Ｒ65は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化２９】
0004164718.tif 000048
（但し、前記一般式（２７）において、Ｒ66は水素原子又は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化３０】
0004164718.tif 000049
（但し、前記一般式（２７’）において、Ｒ66は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【００１５】
本発明の化合物は、下記構造式（２９）−１、（２９）−２、（２９）−３、（２９）−４、（２９）−５、（２９）−６、（２９）−７、（２９）−８、（２９）−９、（２９）−１０、（２９）−１１、（２９）−１２、（２９）−１２’、（２９）−１３又は（２９）−１５で表されるものが具体的に例示される。
【化１３６】
0004164718.tif 000050
0004164718.tif 000051
0004164718.tif 000052
0004164718.tif 000053
0004164718.tif 000054
0004164718.tif 000055
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0004164718.tif 000061
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0004164718.tif 000063
0004164718.tif 000064
【００１６】
本発明の化合物の参考例として、下記一般式で表されるものが挙げられる。
【化１３７】
0004164718.tif 000065
〔但し、前記一般式（３０）において、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3及びＡｒ4はそれぞれ、置換基を有してもよい互いに同一の又は異なるアリール基であって、置換基を有する場合には下記一般式（７）、（８）、（９）、（１０）、（１１）、（１２）、（１２’）又は（１２”）で表されるアリール基から選ばれた基である。
【化１３８】
0004164718.tif 000066
0004164718.tif 000067
0004164718.tif 000068
（但し、前記一般式（７）、（８）、（９）、（１０）、（１１）、（１２）、（１２’）及び（１２”）において、Ｒ52、Ｒ53及びＲ54炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素基であり、Ｒ55、Ｒ56、Ｒ57、Ｒ58、Ｒ59及びＲ60は互いに同一の又は異なる炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素基であり、ｎは０〜６の整数であり、ｍは０〜３の整数であり、ｌは０〜４の整数である。）〕
【００１７】
この参考例の化合物は、より具体的には、下記一般式（３１）、（３２）、（３３）、（３４）、（３５）、（３６）、（３６’）又は（３７）で表されるものがある。
【化１３９】
0004164718.tif 000069
（但し、前記一般式（３１）において、Ｒ61は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化１４０】
0004164718.tif 000070
（但し、前記一般式（３２）において、Ｒ62は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化１４１】
0004164718.tif 000071
（但し、前記一般式（３３）において、Ｒ63は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基又は炭化水素オキシ基である。）
【化１４２】
0004164718.tif 000072
（但し、前記一般式（３４）において、Ｒ64は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化１４３】
0004164718.tif 000073
（但し、前記一般式（３５）において、Ｒ65は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化１４４】
0004164718.tif 000074
（但し、前記一般式（３６）において、Ｒ66は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化１４５】
0004164718.tif 000075
（但し、前記一般式（３６’）において、Ｒ66は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化１４６】
0004164718.tif 000076
（但し、前記一般式（３７）において、Ｒ67は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【００１８】
この参考例の化合物は、下記構造式（３８）−１、（３８）−２、（３８）−３、（３８）−４、（３８）−５、（３８）−６、（３８）−７、（３８）−８、（３８）−９、（３８）−１０、（３８）−１１、（３８）−１２、（３８）−１２’、（３８）−１３又は（３８）−１４で表されるものが具体的に例示される。
【化１４７】
0004164718.tif 000077
0004164718.tif 000078
0004164718.tif 000079
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0004164718.tif 000086
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0004164718.tif 000089
0004164718.tif 000090
0004164718.tif 000091
【００１９】
上記及び上記以外の本発明の化合物として、次の化合物も例示することができる。
0004164718.tif 000092
0004164718.tif 000093
0004164718.tif 000094
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以下は、参考例としての化合物の追加例である。
0004164718.tif 000100
0004164718.tif 000101
0004164718.tif 000102
0004164718.tif 000103
【００２０】
本発明はまた、本発明の化合物を高効率に製造する方法として、下記一般式〔Ｖ〕又は〔VI〕で表される４−（Ｎ，Ｎ−ジアリールアミノ）ベンズアルデヒドの少なくとも１種と；下記一般式〔VII 〕で表されるジホスホン酸エステル又は下記一般式〔VIII〕で表されるジホスホニウムと；を縮合させることによって、前記一般式〔Ｉ〕、〔II〕、〔III 〕又は〔IV〕で示されるビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物を得る、本発明の製造方法も提供するものである。
【化１４９】
0004164718.tif 000104
（但し、前記一般式〔Ｖ〕及び〔VI〕において、Ｒ68及びＲ69はそれぞれ、前記Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ34又はＲ35に相当するアリール基であり、Ｒ70及びＲ71はそれぞれ、前記Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ25、Ｒ26、Ｒ36又はＲ37に相当するアリール基である。）
【化１５０】
0004164718.tif 000105
（但し、前記一般式〔VII 〕及び〔VIII〕において、Ｒ72及びＲ73はそれぞれ、互いに同一の又は異なる炭化水素基（特に炭素数が１〜６の飽和炭化水素基：以下、同様）であり、Ｒ74及びＲ75はそれぞれ、前記Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ27、Ｒ28、Ｒ38又はＲ39に相当する基であり、Ｘはハロゲン原子である。）
【００２１】
本発明の化合物の製造方法は、具体的には、前記縮合をウィッティヒ−ホーナー（Wittig-Horner)反応又はウィッティヒ（Wittig) 反応によって行い、前記ジホスホン酸エステル及び／又は前記ジホスホニウムを溶媒中で塩基で処理することによってカルボアニオンを生成させ、このカルボアニオンと前記４−（Ｎ，Ｎ−ジアリールアミノ）ベンズアルデヒドとを縮合させるものである。
【００２２】
例えば、下記一般式（６）で表されるビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物を得るに際し
【化１５１】
0004164718.tif 000106
（但し、前記一般式（６）において、Ａｒ1 、Ａｒ2 、Ａｒ3 及びＡｒ4 はそれぞれ、前記したものと同じである。）、下記一般式（３９）又は（４０）で表される４−（Ｎ，Ｎ−ジアリールアミノ）ベンズアルデヒドの少なくとも１種と；下記一般式（４１）で表されるジホスホン酸エステル又は下記一般式（４２）で表されるジホスホニウムと；を縮合させる。
【化１５２】
0004164718.tif 000107
0004164718.tif 000108
（但し、前記一般式（３９）、（４０）、（４１）及び（４２）において、Ａｒ1 、Ａｒ2 、Ａｒ3 、Ａｒ4 、Ｒ72、Ｒ73及びＸは前記したものと同じである。）
【００２３】
この反応をスキームで表すと、例えば次の反応スキーム１のようになる。
【化１５３】
0004164718.tif 000109
【００２４】
この反応はまず、一般式（４１）又は（４２）の化合物を適当な溶媒中で塩基と処理することにより、カルボアニオンを発生させることから始まり、次にこのカルボアニオンを一般式（３９）のアルデヒドと縮合することにより完結する。塩基と溶媒の組み合わせとしては、以下のものが考えられる。
【００２５】
水酸化ナトリウム／水、炭酸ナトリウム／水、炭酸カリウム／水、ナトリウムエトキシド／エタノール又はジメチルホルムアミド、ナトリウムメトキシド／メタノール−ジエチルエーテル混合溶媒又はジメチルホルムアミド、トリエチルアミン／エタノール又はジグライム又はクロロホルム又はニトロメタン、ピリジン／塩化メチレン又はニトロメタン、１，５−ジアザビシクロ[4.3.0] ノン−５−エン／ジメチルスルホキシド、カリウムｔ−ブトキシド／ジメチルスルホキシド又はテトラヒドロフラン又はベンゼン又はジメチルホルムアミド、フェニルリチウム／ジエチルエーテル又はテトラヒドロフラン、ｔ−ブチルリチウム／ジエチルエーテル又はテトラヒドロフラン、ナトリウムアミド／アンモニア、水素化ナトリウム／ジメチルホルムアミド又はテトラヒドロフラン、トリチルナトリウム／ジエチルエーテル又はテトラヒドロフラン等。
【００２６】
この反応は比較的低温（−３０℃〜３０℃）で進行し、選択的であるため、クロマトグラフィーによる目的物の精製が容易であることに加え、一般式（６）の本発明の化合物は結晶性が高いため、再結晶により純度を向上させることができる。再結晶の方法については、特に問わないが、アセトンに溶解し、ヘキサンを添加する方法、或いはトルエンに加熱溶解し、濃縮、冷却する方法が簡便である。この反応は常圧で３〜２４時間で行ってよい。
【００２７】
本発明の化合物の製造方法によって、前記一般式（１３）、（１３’）、（１４）、（１５）、（１６）、（１７）、（１８）、（１８’）、（２１）、（２２）、（２３）、（２４）、（２５）、（２６）、（２７）、（２７’）、（３０）で表されるビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物を得ることができ、具体的には、前記構造式（２０）−１、（２０）−２、（２０）−３、（２０）−４、（２０）−５、（２０）−６、（２０）−７、（２０）−８、（２０）−９、（２０）−１０、（２０）−１１、（２０）−１２、（２０）−１２’、（２０）−１３、（２０）−１５、（２９）−１、（２９）−２、（２９）−３、（２９）−４、（２９）−５、（２９）−６、（２９）−７、（２９）−８、（２９）−９、（２９）−１０、（２９）−１１、（２９）−１２、（２９）−１２’、（２９）−１３、（２９）−１５で表されるビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物を得ることができる。
【００２８】
本発明はまた、本発明の化合物の合成中間体として好適な種々の化合物も提供するものである。
【００２９】
即ち、前記一般式〔Ｉ〕、〔II〕  〔III 〕又は〔IV〕で表されるビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物の合成中間体として用いられ、前記一般式〔VII 〕で表されるジホスホン酸エステル又は前記一般式〔VIII〕で表されるジホスホニウムである。
【００３０】
この合成中間体（以下、本発明の合成中間体１と称する。）は、下記一般式（４１）、（４２）、（４３）又は（４４）で表される。
【化１５４】
0004164718.tif 000110
0004164718.tif 000111
（前記一般式（４１）、（４２）、（４３）及び（４４）において、Ｒ72、Ｒ73及びＸは前記したものと同じである。）
【００３１】
本発明の合成中間体１は、その前駆体としての合成中間体から次のようにして導くことができる。
【００３２】
即ち、下記一般式〔IX〕で表される、ハロゲン化アリール化合物と、下記一般式〔Ｘ〕で表される亜リン酸トリアルキル又はトリフェニルホスフィン（ＰＰｈ3）とを反応させることによって、前記一般式〔VII〕で表されるジホスホン酸エステル、又は前記一般式〔VIII〕で表されるジホスホニウムを合成中間体として得る。この反応は、無溶媒又は１２０℃以上の沸点を有するキシレン等の溶媒中、又は大過剰の亜リン酸トリアルキル中で反応温度１２０℃〜１６０℃、常圧で反応時間３０分〜２４時間としてよい。
【化１５５】
0004164718.tif 000112
（但し、前記一般式〔IX〕において、Ｒ74及びＲ75はそれぞれ、互いに同一の又は異なる基であって、それらの少なくとも１つが水素原子、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基又はハロゲン原子であり（但し、Ｒ74及びＲ75が共に水素原子である場合を除く。）、Ｘはハロゲン原子である。）
一般式  〔Ｘ〕:
Ｐ(ＯＲ76)3  又は  Ｐ(ＯＲ77)3
（但し、前記一般式〔Ｘ〕において、Ｒ76及びＲ77はそれぞれ、同一の又は異なる炭化水素基、特に炭素数１〜４の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【００３３】
本発明はまた、合成中間体１を得るための合成中間体として、前記一般式〔IX〕で表されるハロゲン化アリール化合物（以下、合成中間体２と称する。）を用いるのがよい。
【００３４】
この合成中間体２は、下記一般式〔XI〕で表されるジメチルナフタレン化合物と、下記一般式〔XII〕で表されるＮ−ハロゲン化スクシンイミドとを光照射下に反応させることによって得ることができる。例えば、四塩化炭素、クロロホルム、ベンゼン、クロロベンゼン等の溶媒中、高圧水銀灯、低圧水銀灯、キセノン灯、ハロゲン灯、日光、蛍光灯等の光源を用いて２０〜１２０℃の温度、常圧で３０分〜４８時間の反応時間で反応させる。
【化１５６】
0004164718.tif 000113
（但し、前記一般式〔XI〕において、Ｒ74及びＲ75はそれぞれ、同一の又は異なる基であって、それらの少なくとも１つが水素原子、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基、又はハロゲン原子である（但し、Ｒ74及びＲ75が共に水素原子である場合を除く。）。）
【化１５７】
0004164718.tif 000114
（但し、前記一般式〔XII〕において、Ｘはハロゲン原子である。）
【００３５】
以上に述べた各合成中間体１、２をそれぞれ得る反応は、例えば次の反応スキーム２で示すことができる。
【００３６】
【化１５８】
0004164718.tif 000115
【００３７】
図６〜図９は、本発明の化合物を有機発光材料として用いる有機電界発光素子（ＥＬ素子）の例をそれぞれ示すものである。
【００３８】
図６は、陰極３を発光２０が透過する透過型有機電界発光素子Ａであって、発光２０は保護層４の側からも観測できる。図７は陰極３での反射光も発光２０として得る反射型有機電界発光素子Ｂを示す。
【００３９】
図中、１は有機電界発光素子を形成するための基板であり、ガラス、プラスチック及び他の適宜の材料を用いることができる。また、有機電界発光素子を他の表示素子と組み合わせて用いる場合には、基板を共用することもできる。２は透明電極（陽極）であり、ＩＴＯ（Indium tin oxide）、ＳｎＯ2 等を使用できる。
【００４０】
また、５は有機発光層であり、本発明の化合物を発光材料として含有している。この発光層について、有機電界発光２０を得る層構成としては、従来公知の種々の構成を用いることができる。後述するように、例えば、正孔輸送層と電子輸送層のいずれかを構成する材料が発光性を有する場合、これらの薄膜を積層した構造を使用できる。更に、本発明の目的を満たす範囲で電荷輸送性能を上げるために、正孔輸送層と電子輸送層のいずれかもしくは両方が、複数種の材料の薄膜を積層した構造、又は、複数種の材料を混合した組成からなる薄膜を使用するのを妨げない。また、発光性能を上げるために、少なくとも１種以上の蛍光性の材料を用いて、この薄膜を正孔輸送層と電子輸送層の間に挟持した構造、更に、少なくとも１種以上の蛍光性の材料を正孔輸送層若しくは電子輸送層、又はこれらの両方に含ませた構造を使用しても良い。これらの場合には、発光効率を改善するために、正孔又は電子の輸送を制御するための薄膜をその層構成に含ませることも可能である。
【００４１】
本発明の化合物が、電子輸送性能と正孔輸送性能の両方を持つ場合、素子構成中、電子輸送層を兼ねた発光層としても、或いは正孔輸送層を兼ねた発光層としても用いることが可能である。また、本発明の化合物を発光層として、電子輸送層と正孔輸送層とで挟み込んだ構成とすることも可能である。
【００４２】
なお、図６及び図７中、３は陰極であり、電極材料としては、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ等の活性な金属とＡｇ、Ａｌ、Ｉｎ等の金属との合金、或いはこれらを積層した構造を使用できる。透過型の有機電界発光素子においては、陰極の厚さを調節することにより、用途に合った光透過率を得ることができる。また、図中、４は封止・保護層であり、有機電界発光素子全体を覆う構造とすることにより、その効果が上がる。気密性が保たれれば、適宜の材料を使用することができる。また、８は電流注入用の駆動電源である。
【００４３】
この有機電界発光素子において、有機層が、正孔輸送層と電子輸送層とが積層された有機積層構造（シングルヘテロ構造）を有しており、正孔輸送層又は電子輸送層の形成材料として本発明の化合物が用いられてよい。或いは、有機層が、正孔輸送層と発光層と電子輸送層とが順次積層された有機積層構造（ダブルヘテロ構造）を有しており、発光層の形成材料として、本発明の化合物が用いられてよい。
【００４４】
このような有機積層構造を有する有機電界発光素子の例を示すと、図８は、透光性の基板１上に、透光性の陽極２と、正孔輸送層６と電子輸送層７とからなる有機層５ａと、陰極３とが順次積層された積層構造を有し、この積層構造が保護膜４によって封止されてなる、シングルヘテロ構造の有機電界発光素子Ｃである。
【００４５】
図８に示すように、発光素子を省略した層構造の場合には、正孔輸送層６と電子輸送層７の界面から所定波長の発光２０を発生する。これらの発光は基板１側から観測される。
【００４６】
また、図９は、透光性の基板１上に、透光性の陽極２と、正孔輸送層１０と発光層１１と電子輸送層１２とからなる有機層５ｂと、陰極３とが順次積層された積層構造を有し、この積層構造が保護膜４によって封止されてなる、ダブルヘテロ構造の有機電界発光素子Ｄである。
【００４７】
図９に示した有機電界発光素子においては、陽極２と陰極３の間に直流電圧を印加することにより、陽極２から注入された正孔が正孔輸送層１０を経て、また陰極３から注入された電子が電子輸送層１２を経て、それぞれ発光層１１に到達する。この結果、発光層１１においては電子／正孔の再結合が生じて一重項励起子が生成し、この一重項励起子から所定波長の発光を発生する。
【００４８】
上述した各有機電界発光素子Ｃ、Ｄにおいて、基板１は、例えば、ガラス、プラスチック等の光透過性の材料を適宜用いることができる。また、他の表示素子と組み合わせて用いる場合や、図８及び図９に示した積層構造をマトリックス状に配置する場合等は、この基板を共用してよい。、また、素子Ｃ、Ｄはいずれも、透過型、反射型のいずれの構造も採りうる。
【００４９】
また、陽極２は、透明電極であり、ＩＴＯ（indium tin oxide）やＳｎＯ2 等が使用できる。この陽極２と正孔輸送層６（又は正孔輸送層１０）との間には、電荷の注入効率を改善する目的で、有機物若しくは有機金属化合物からなる薄膜を設けてもよい。なお、保護層４が金属等の導電性材料で形成されている場合は、陽極２の側面に絶縁膜が設けられていてもよい。
【００５０】
また、有機電界発光素子Ｃにおける有機層５ａは、正孔輸送層６と電子輸送層７とが積層された有機層であり、これらのいずれか又は双方に上記した本発明の化合物が含有され、発光性の正孔輸送層６又は電子輸送層７としてよい。有機電界発光素子Ｄにおける有機層５ｂは、正孔輸送層１０と上記した本発明の化合物を含有する発光層１１と電子輸送層１２とが積層された有機層であるが、その他、種々の積層構造をとることができる。例えば、正孔輸送層と電子輸送層のいずれか若しくは両方が発光性を有していてもよい。
【００５１】
また、特に、正孔輸送層６又は電子輸送層７や発光層１１が本発明の化合物からなることが望ましいが、これらの層を本発明の化合物のみで形成してもよく、あるいは、本発明の化合物と他の正孔又は電子輸送材料（例えば、芳香族アミン類やピラゾリン類等）との共蒸着によって形成してもよい。さらに、正孔輸送層において、正孔輸送性能を向上させるために、複数種の正孔輸送材料を積層した正孔輸送層を形成してもよい。
【００５２】
また、有機電界発光素子Ｃにおいて、発光層は電子輸送性発光層７であってよいが、電源８から印加される電圧によっては、正孔輸送層６やその界面で発光される場合がある。同様に、有機電界発光素子Ｄにおいて、発光層は層１１以外に、電子輸送層１２であってもよく、正孔輸送層１０であってもよい。発光性能を向上させるために、少なくとも１種の蛍光性材料を用いた発光層１１を正孔輸送層１０と電子輸送層１２との間に挟持させた構造であるのがよい。又は、この蛍光性材料を正孔輸送層又は電子輸送層、或いはこれらの両層に含有させた構造を構成してよい。このような場合、発光効率を改善するために、正孔又は電子の輸送を制御するための薄膜（ホールブロッキング層やエキシトン生成層等）をその層構成に含ませることも可能である。
【００５３】
また、陰極３に用いる材料としては、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ等の活性な金属とＡｇ、Ａｌ、Ｉｎ等の金属との合金を使用でき、これらの金属層が積層した構造であってもよい。なお、陰極の厚みや材質を適宜選択することによって、用途に見合った有機電界発光素子を作製できる。
【００５４】
また、保護層４は、封止膜として作用するものであり、有機電界発光素子全体を覆う構造とすることにより、電荷注入効率や発光効率を向上できる。なお、その気密性が保たれれば、アルミニウム、金、クロム等の単金属又は合金等、適宜その材料を選択できる。
【００５５】
上記した各有機電界発光素子に印加する電流は通常、直流であるが、パルス電流や交流を用いてもよい。電流値、電圧値は、素子破壊しない範囲内であれば特に制限はないが、有機電界発光素子の消費電力や寿命を考慮すると、なるべく小さい電気エネルギーで効率良く発光させることが望ましい。
【００５６】
次に、図１０は、有機電界発光素子を用いた平面ディスプレイの構成図である。図示のごとく、例えばフルカラーディスプレイの場合は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の３原色を発光可能な有機層５（５ａ、５ｂ）が、陰極３と陽極２との間に配されている。陰極３及び陽極２は、互いに交差するストライプ状に設けることができ、輝度信号回路１４及びシフトレジスタ内蔵の制御回路１５により選択されて、それぞれに信号電圧が印加され、これによって、選択された陰極３及び陽極２が交差する位置（画素）の有機層が発光するように構成される。
【００５７】
即ち、図１０は例えば８×３ＲＧＢ単純マトリックスであって、正孔輸送層と、発光層及び電子輸送層のいずれか少なくとも一方とからなる積層体５を陰極３と陽極２の間に配置したものである（図８又は図９参照）。陰極と陽極は、ともにストライプ状にパターニングするとともに、互いにマトリックス状に直交させ、シフトレジスタ内蔵の制御回路１５及び１４により時系列的に信号電圧を印加し、その交差位置で発光するように構成されたものである。かかる構成のＥＬ素子は、文字・記号等のディスプレイとしてはもちろん、画像再生装置としても使用できる。また、陰極３と陽極２のストライプ状パターンを赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色毎に配し、マルチカラー或いはフルカラーの全固体型フラットパネルディスプレイを構成することが可能となる。
【００５８】
【実施例】
以下、本発明の実施例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００５９】
実施例１
＜ビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物（構造式（２０）−２）の合成例＞
【００６０】
【化１５９】
0004164718.tif 000116
【００６１】
反応容器に水素化ナトリウム（ミネラルオイル入り）１０．２ｍｍｏｌを計り取り、窒素雰囲気下で無水テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）１０ｍｌに懸濁させた。室温で攪拌しながら、ジホスホン酸エステル（（構造式（４１）−１）１．７２ｍｍｏｌの無水テトラヒドロフランと無水ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）の１：１混合溶液８０ｍｌを滴下し、続いて４−[ Ｎ−フェニル−Ｎ−（４−メトキシフェニル）アミノ] ベンズアルデヒド（構造式（３９）−１）１．２７ｇ（４．１９ｍｍｏｌ）の無水テトラヒドロフラン溶液３０ｍｌを滴下して、１０時間攪拌した。反応混合液を少量の氷でクエンチし、飽和食塩水で洗い、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。
【００６２】
シリカゲルクロマトグラフィー（ＷＡＫＯ−ｇｅｌ  Ｃ−３００、テトラヒドロフラン：ヘキサン＝１：８）により精製し、アセトン−ヘキサンから再結晶することにより、目的物であるビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物（構造式（２０）−２）の赤色結晶０．２７３ｇを得た。
【００６３】
0004164718.tif 000117
この1 ＨＮＭＲスペクトルは図１に示す通りであった。ガラス転移点は１２０℃、融点は２７２℃であった。
【００６４】
トルエン溶液の可視吸収極大は４９３ｎｍ、蛍光極大波長は５４５ｎｍであった。
【００６５】
実施例２
＜ビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物（構造式（２０）−３）の合成例＞
【化１６０】
0004164718.tif 000118
【００６６】
反応容器に水素化ナトリウム（ミネラルオイル入り）７．５０ｍｍｏｌを計り取り、ヘキサンで２度洗い、無水ＴＨＦとジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）の１：１混合溶液２０ｍｌに懸濁させ、氷浴上、窒素雰囲気下でホスホン酸エステル（（構造式（４１）−１）０．７２０ｇ（１．５１ｍｍｏｌ）と４−〔Ｎ，Ｎ−ジ（４−メトキシフェニル）アミノ〕ベンズアルデヒド（構造式（３９）−２）１．１６ｇ（３．６１ｍｍｏｌ）の無水ＴＨＦとＤＭＦの１：１混合溶液１００ｍｌを１５分かけて滴下し、その後、氷浴上で６時間攪拌し、室温にて更に６時間攪拌した。反応混合液を少量の氷でクエンチし、トルエンで抽出して飽和食塩水で洗った後、Ｎａ2 ＳＯ4 上で乾燥した。上澄みを濃縮して水を添加し、生じた沈殿をろ別し、エタノール（ＥｔＯＨ）で繰り返し洗った。
【００６７】
得られた固体をシリカゲルクロマトグラフィー（ＷＡＫＯ−ｇｅｌ  Ｃ−３００、トルエン：ＴＨＦ＝１０：１）により精製し、トルエンから再結晶して、目的物であるビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物（構造式（２０）−３）の赤色結晶０．７３１ｇを得た。
【００６８】
0004164718.tif 000119
この1 ＨＮＭＲスペクトルは図２に示す通りであった。ガラス転移点は１４０℃、融点は２２７℃であった。
【００６９】
トルエン溶液の可視吸収極大は５０２ｎｍ、蛍光極大波長は５６５ｎｍであった。
【００７０】
実施例３
＜ビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物（構造式（２０）−１３）の合成例＞
【化１６１】
0004164718.tif 000120
【００７１】
反応容器に水素化ナトリウム（ミネラルオイル入り）５．１５ｍｍｏｌを計り取り、ヘキサンで２度洗い、無水ＴＨＦとＤＭＦの３：１混合溶液５ｍｌに懸濁させ、氷浴上、窒素雰囲気下でホスホン酸エステル（構造式（４１）−１）０．４１０ｇ（０．８５８ｍｍｏｌ）と４−[ Ｎ，Ｎ−（４−メトキシフェニル−１−（２，３，４，５−テトラヒドロナフチルアミノ）〕ベンズアルデヒド（構造式（３９）−３）０．７００ｇ（２．０６ｍｍｏｌ）の無水ＴＨＦとＤＭＦの３：１混合溶液５０ｍｌを１５分かけて滴下し、その後、氷浴上で６時間攪拌し、室温にて更に１２時間攪拌した。反応混合液を少量の氷でクエンチし、トルエンで抽出して飽和食塩水で洗った後、Ｎａ2 ＳＯ4 上で乾燥した。
【００７２】
シリカゲルクロマトグラフィー（ＷＡＫＯ−ｇｅｌ  Ｃ−３００，トルエン）により精製し、トルエンから再結晶して目的物であるビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物（構造式（２０）−１３）の赤色結晶０．４６５ｇを得た。
【００７３】
0004164718.tif 000121
この1 ＨＮＭＲスペクトルは図３に示す通りであった。ガラス転移点は１３５℃、融点は２４５℃であった。
【００７４】
トルエン溶液の可視吸収極大は４９６ｎｍ、蛍光極大波長は５４０ｎｍであった。
【００７５】
実施例４
＜ジホスホン酸エステル（構造式（４１）−１）の合成例＞
【００７６】
【化１６２】
0004164718.tif 000122
【００７７】
２，６−ジ（ブロモメチル）ナフタレン−１，５−ジカルボニトリル（構造式〔IX〕−１）０．６２５ｇ（１．７２ｍｍｏｌ）をキシレン４０ｍｌに懸濁させ、亜リン酸トリエチル（構造式〔Ｘ〕−１）１．８０ｇ（１０．８ｍｍｏｌ）を滴下後、１２５℃で４時間攪拌した。反応溶液を室温まで冷却し、ヘキサン１００ｍｌを添加して静置し、生じた沈殿をろ別してヘキサンで繰り返し洗い、目的とするジホスホン酸エステル（構造式（４１）−１）を定量的に得た。
【００７８】
1 ＨＮＭＲ及びＦＡＢ−ＭＳ測定により、目的物と同定した。
0004164718.tif 000123
この1 ＨＮＭＲスペクトルは図４に示す通りであった。
【００７９】
参考例１
＜２，６−ジ（ブロモメチル）ナフタレン−１，５−ジカルボニトリル（構造式〔IX〕−１）の合成例＞
【００８０】
【化１６３】
0004164718.tif 000124
【００８１】
２，６−ジメチルナフタレン−１，５−ジカルボニトリル（構造式〔XI〕−１）２．００ｇ（９．７０ｍｍｏｌ）をクロロホルム２５０ｍｌに溶解し、窒素置換した後、還流しながらＮ−ブロモスクシンイミド（構造式〔XII 〕−１）１３．６ｇ（７６．６ｍｍｏｌ）を１２時間ごとに６回に分けて添加した。
【００８２】
反応溶液を濃縮してアルミナクロマトグラフィー（活性アルミナ３００メッシュ、クロロホルム）により精製し、生じた沈殿をろ別してヘキサンで繰り返し洗い、トルエンから再結晶して、目的物である２，６−ジ（ブロモメチル）ナフタレン−１，５−ジカルボニトリル（構造式〔IX〕−１）の黄色結晶１．３２ｇを得た。
【００８３】
1 ＨＮＭＲ及びＦＡＢ−ＭＳ測定により、目的物と同定した（収率３８％）。1 ＨＮＭＲ（ＣＤＣ13) δ(ppm):4.83(4H,s),7.86(2H,d),8.47(4H,d)
この1 ＨＮＭＲスペクトルは図５に示す通りであった。
【００８４】
【発明の作用効果】
本発明の化合物は、導入される置換基に依存して、黄色〜赤色の強い発光を示す有機発光材料として有効に利用することができ、高いガラス転移点及び融点を有する物質であり、耐熱性に優れると共に、電気的、熱的或いは化学的な安定性に優れ、また非晶質でガラス状態を容易に形成し得、昇華性もあって真空蒸着等によって均一なアモルファス膜を形成することもできる。また、本発明の化合物は、本発明の合成中間体を経て一般的かつ高効率な方法で製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物（構造式（２０）−２）の1 ＨＮＭＲスペクトル図である。
【図２】本発明のビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物（構造式（２０）−３）の1 ＨＮＭＲスペクトル図である。
【図３】本発明のビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物（構造式（２０）−１３）の1 ＨＮＭＲスペクトル図である。
【図４】本発明の合成中間体としてのジホスホン酸エステル（構造式（４１）−１）の1 ＨＮＭＲスペクトル図である。
【図５】  合成中間体としての２，６−ジ（ブロモメチル）ナフタレン−１，５−ジカルボニトリル（構造式〔IX〕−１）の1ＨＮＭＲスペクトル図である。
【図６】本発明に基づく有機電界発光素子の要部概略断面図である。
【図７】同、他の有機電界発光素子の要部概略断面図である。
【図８】同、他の有機電界発光素子の要部概略断面図である。
【図９】同、他の有機電界発光素子の要部概略断面図である。
【図１０】同、有機電界発光素子を用いたマルチ又はフルカラーの平面ディスプレイの構成図である。
【符号の説明】
１…基板、２…透明電極（陽極）、３…陰極、４…保護膜、
５、５ａ、５ｂ…有機層、６…正孔輸送層、７…電子輸送層、８…電源、
１０…正孔輸送層、１１…発光層、１２…電子輸送層、１４…輝度信号回路、
１５…制御回路、２０…発光光、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ…有機電界発光素子
【図１】
0004164718.tif 000269
【図２】
0004164718.tif 000270
【図３】
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【図４】
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【図５】
0004164718.tif 000273
【図６】
0004164718.tif 000274
【図７】
0004164718.tif 000275
【図８】
0004164718.tif 000276
【図９】
0004164718.tif 000277
【図１０】
0004164718.tif 000278