(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
親水性ホスフィン化合物を配位子として有する水溶性パラジウム錯体の存在下、多相系溶媒中、オキシム又はそのＯ−置換化合物を水素と反応させて２級アミンを製造することを特徴とする２級アミンの製造方法。
【請求項２】
オキシム又はそのＯ−置換化合物が、アルデヒドを、ヒドロキシルアミン又はそのＯ−置換ヒドロキシルアミンと反応させて得られるアルドキシム又はそのＯ−置換化合物である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
オキシム又はそのＯ−置換化合物が、一般式（１）：
【化１】
0004126192.tif 000042
（式中、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は同じか又は異なってそれぞれ水素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルケニル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいシクロアルケニル基；置換基を有していてもよいアリール基を表すか又はＲ2及びＲ3が一緒になってそれらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよい基である。但し、Ｒ2及びＲ3が共に水素原子である場合を除く。）で示されるオキシム類であり、２級アミンが、一般式（２）：
【化２】
0004126192.tif 000043
（式中、Ｒ4及びＲ5はそれぞれ上記一般式（１）中のＲ2及びＲ3に対応する基であり、Ｒ2及びＲ3がエチレン性の不飽和結合を有さないときＲ4及びＲ5はそれぞれＲ2及びＲ3と同一であり、Ｒ2及びＲ3がエチレン性の不飽和結合を有するときＲ4及びＲ5はＲ2及びＲ3が有するエチレン性の不飽和結合が水素で飽和された基である。）で示される２級アミンである請求項１に記載の方法。
【請求項４】
多相系溶媒が、水、有機溶媒及びイオン性流体から選ばれる少なくとも２種類の互いに混和しない溶媒の組み合わせである請求項１、２又は３に記載の方法。
【請求項５】
多相系溶媒が、水及び水と混和しない有機溶媒の混合溶媒である請求項１、２又は３に記載の方法。
【請求項６】
親水性ホスフィン化合物を配位子として有する水溶性パラジウム錯体の存在下、水及び水と混和しない有機溶媒の混合溶媒中、オキシム又はそのＯ−置換化合物を水素と反応させ、反応終了後の反応混合物を、親水性ホスフィン化合物を配位子として有する水溶性パラジウム錯体を含有する水溶液である水層と２級アミンを含有する溶液である有機溶媒層に分液し、有機溶媒層から２級アミンを得て、水層に含まれる親水性ホスフィン化合物を配位子として有する水溶性パラジウム錯体を反応に再使用することを特徴とする２級アミンの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、医薬品或いはその合成中間体、農薬或いはその中間体、界面活性剤原料等として広く利用される２級アミンの製造方法に関する。詳しくは、オキシム又はそのＯ−置換化合物を出発原料とする２級アミンの製造方法であり、オキシム又はそのＯ−置換化合物の２分子を、還元的に分子間反応させて２級アミンを製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、オキシム又はそのＯ−置換化合物の２分子を、還元的に分子間反応させて２級アミンを製造する方法としては、例えば、メタノール溶媒中、塩化ニッケル及び金属亜鉛の存在下にベンズアルドキシムを反応させてジベンジルアミンを製造する方法が知られている［Ｃｈｅｍｉｃａｌ  ａｎｄ  Ｐｈａｒｍａｃｅｕｔｉｃａｌ  Ｂｕｌｌｅｔｉｎｅ，３８（８），２０９０（１９９０）］。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら上記従来の方法においては、ベンズアルドキシムの２〜３倍モルの塩化ニッケル及び８倍モルの金属亜鉛が必要であり、しかも反応生成物が１級アミン（モノベンジルアミン）３１％、２級アミン（ジベンジルアミン）３６％及びベンジルアルコール９％である。このように上記従来法は、出発原料の大量使用及び２級アミンの選択性から見ると、工業的に有利な方法とは言い難い。
【０００４】
本発明は、オキシム又はそのＯ−置換化合物から２級アミンを製造するにあたり、上記従来法の問題点を解決した工業的に有利な方法、即ち、オキシム又はそのＯ−置換化合物の２分子を、還元的に分子間反応させて２級アミンを製造する方法において、１級アミン及び３級アミン等の副生を抑制して２級アミンを選択的に製造できる経済的な方法を提供することを課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究を行った。その結果、オキシム又はそのＯ−置換化合物を、親水性ホスフィン化合物を配位子として有する水溶性のパラジウム錯体の存在下、多相系溶媒中で水素と反応させる方法によって、１級アミン及び３級アミン等の副生を抑制して目的とする２級アミンを選択的に容易に製造できることを見出した。さらに、多相系溶媒として水及び水と混和しない有機溶媒の混合溶媒を用いて反応を行うと、反応終了後の水層には親水性ホスフィン化合物を配位子として有する水溶性のパラジウム錯体が、そして有機溶媒層には２級アミンがそれぞれ溶解していることから、反応終了後に水層と有機溶媒層とに分液するだけで、目的物の２級アミンと親水性ホスフィン化合物を配位子として有する水溶性のパラジウム錯体を簡単に分離でき、しかも分液した水層に含まれる水溶性のパラジウム錯体はそのまま反応に再使用できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００６】
即ち本発明は、親水性ホスフィン化合物を配位子として有する水溶性パラジウム錯体の存在下、多相系溶媒中、オキシム又はそのＯ−置換化合物を水素と反応させて２級アミンを製造することを特徴とする２級アミンの製造方法に関する。
【０００７】
また本発明は、親水性ホスフィン化合物を配位子として有する水溶性パラジウム錯体の存在下、水及び水と混和しない有機溶媒の混合溶媒中、オキシム又はそのＯ−置換化合物を水素と反応させ、反応終了後の反応混合物を、親水性ホスフィン化合物を配位子として有する水溶性パラジウム錯体を含有する水溶液である水層と２級アミンを含有する溶液である有機溶媒層に分液し、有機溶媒層から２級アミンを得て、水層に含まれる親水性ホスフィン化合物を配位子として有する水溶性パラジウム錯体を反応に再使用することを特徴とする２級アミンの製造方法に関する。
【０００８】
【発明の実施の様態】
本発明を以下に詳しく説明する。
本発明に用いられるオキシム及びそのＯ−置換化合物（以下、これらを総称してオキシム類という。）は、具体的には、一般式（１）：
【０００９】
【化３】
0004126192.tif 000002
（式中、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は同じか又は異なってそれぞれ水素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルケニル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいシクロアルケニル基；置換基を有していてもよいアリール基を表すか又はＲ2及びＲ3が一緒になってそれらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよい基である。但し、Ｒ2及びＲ3が共に水素原子である場合を除く。）で示されるオキシム類である。本発明に用いるオキシム類は、一般に公知の方法によって製造でき、例えば、ケトン又はアルデヒドを、ヒドロキシルアミン又はＯ−置換ヒドロキシルアミンと反応させて製造することができる。
【００１０】
上記一般式（１）中、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3で表される置換基を有していてもよいアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等の炭素数１〜６の直鎖状及び分岐鎖状のアルキル基、並びに当該アルキル基が有する水素原子の１個以上を、水酸基、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の炭素数１〜４の直鎖状及び分岐鎖状のアルコキシ基）、後述する置換基を有していてもよいアルケニル基、後述する置換基を有していてもよいシクロアルキル基、後述する置換基を有していてもよいシクロアルケニル基及び後述する置換基を有していてもよいアリール基からなる群より選ばれる基に置換したものが挙げられる。置換基を有していてもよいアルケニル基としては、２−ブテニル基、３−ブテニル基、ビニル基等の炭素数２〜４の直鎖状及び分岐鎖状のアルケニル基並びに当該アルケニル基が有する水素原子の１個以上を、水酸基、前述のアルコキシ基、前述の置換基を有していてもよいアルキル基、後述する置換基を有していてもよいシクロアルキル基、後述する置換基を有していてもよいシクロアルケニル基及び後述する置換基を有していてもよいアリール基からなる群より選ばれる基に置換したものが挙げられる。置換基を有していてもよいシクロアルキル基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等の炭素数５〜８のシクロアルキル基、並びに当該シクロアルキル基が有する水素原子の１個以上を、水酸基、前述のアルコキシ基、前述の置換基を有していてもよいアルキル基、前述の置換基を有していてもよいアルケニル基、後述する置換基を有していてもよいシクロアルケニル基及び後述する置換基を有していてもよいアリール基からなる群より選ばれる基に置換したものが挙げられる。置換基を有していてもよいシクロアルケニル基としては、前述の炭素数５〜８のシクロアルキル基における隣接する炭素原子間の結合の少なくとも１つが二重結合であるシクロアルケニル基、並びに当該シクロアルケニル基が有する水素原子の１個以上を、水酸基、前述のアルコキシ基、前述の置換基を有していてもよいアルキル基、前述の置換基を有していてもよいアルケニル基、前述の置換基を有していてもよいシクロアルキル基及び後述する置換基を有していてもよいアリール基からなる群より選ばれる基に置換したものが挙げられる。また置換基を有していてもよいアリール基としては、例えば、フェニル基及びナフチル基並びにこれらが有する水素原子の１個以上を、水酸基、前述のアルコキシ基、前述の置換基を有していてもよいアルキル基、前述の置換基を有していてもよいアルケニル基、前述の置換基を有していてもよいシクロアルキル基及び前述の置換基を有していてもよいシクロアルケニル基からなる群より選ばれる基に置換したものが挙げられる。
【００１１】
また、Ｒ2とＲ3が一緒になってそれらが結合する炭素原子と共に環を形成する基としては、例えば、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基及びヘキサメチレン基等の炭素数２〜６のアルキレン基、当該アルキレン基において隣接する炭素原子間に二重結合を１個以上有するもの、当該アルキレン基のメチレン鎖が窒素原子及び／又は酸素原子によって中断されているもの（例えば、Ｒ2とＲ3が一緒になってそれらが結合する炭素原子と共にピペリジン環、モルホリン環等の複素環を形成するもの）、並びにこれらが有する水素原子の１個以上を、水酸基、前述のアルコキシ基、前述の置換基を有していてもよいアルキル基、前述の置換基を有していてもよいアルケニル基、前述の置換基を有していてもよいシクロアルキル基、前述の置換基を有していてもよいシクロアルケニル基、前述の置換基を有していてもよいアリール基等からなる群より選ばれる基に置換したもの等を挙げることができる。
【００１２】
本発明に用いられるオキシム類は、上記の例に限定されず、またシン型及びアンチ型の立体構造についても特に制限はない。
【００１３】
そして本発明により反応に用いたオキシム類に対応した２級アミンを製造することができる。例えば、上記一般式（１）で示されるオキシム類を出発原料として用いると、一般式（２）：
【００１４】
【化４】
0004126192.tif 000003
（式中、Ｒ4及びＲ5はそれぞれ上記一般式（１）中のＲ2及びＲ3に対応する基であり、Ｒ2及びＲ3がエチレン性の不飽和結合を有さないときＲ4及びＲ5はそれぞれＲ2及びＲ3と同一であり、Ｒ2及びＲ3がエチレン性の不飽和結合を有するときＲ4及びＲ5はＲ2及びＲ3が有するエチレン性の不飽和結合が水素で飽和された基である。）で示される２級アミンを製造することができる。
【００１５】
本発明においては、親水性ホスフィン化合物を配位子として有する水溶性パラジウム錯体（以下、単に水溶性パラジウム錯体という。）の存在下で反応行う。
【００１６】
水溶性パラジウム錯体が配位子として有する親水性ホスフィン化合物は、親水性であって、且つパラジウムの原子又はイオンに配位して錯体を形成し得るものであればいずれも用いることができ、遷移金属錯体の配位子として公知のものを広く適用することができる。親水性ホスフィン化合物は、分子中にリン原子を１個又は２個以上含むもののいずれであってもよく、好ましくは分子中にリン原子を１個又は２個含むものである。
【００１７】
分子中にリン原子を１個含む親水性ホスフィン化合物としては、例えば、一般式（３）：
【００１８】
【化５】
0004126192.tif 000004
〔式中、Ｒ6はスルホナト基（−ＳＯ3Ｍ1：Ｍ1はアルカリ金属イオン又はアンモニウムイオンを表す。以下、同様。）及びカルボキシラート基（−ＣＯＯＭ2：Ｍ2はアルカリ金属イオン又はアンモニウムイオンを表す。以下、同様。）からなる群より選ばれる置換基を１個以上有するアルキル基；スルホナト基及びカルボキシラート基からなる群より選ばれる置換基を１個以上有する炭素数１〜６のアリール基；炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基；又は以下の式（４）〜（８）から選ばれる基を表し、Ｒ7及びＲ8は互いに同じか又は異なってそれぞれ置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいアラルキル基；又は置換基を有していてもよいアルコキシ基を表す。〕で示される化合物等が代表的なものとして挙げられる。
【００１９】
【化６】
0004126192.tif 000005
（式中、Ｒ9は水素原子又は炭素数１〜１８のアルキル基を表し、ａは０〜３の整数、ｂは２〜１６の整数である。）
【００２０】
【化７】
0004126192.tif 000006
（式中、Ｍ3はアルカリ金属イオン又はアンモニウムイオンを表し、ｃは２〜１０の整数である。）
【００２１】
【化８】
0004126192.tif 000007
（式中、ｄは２〜１６の整数である。）
【００２２】
【化９】
0004126192.tif 000008
（式中、Ｒ10は炭素数１〜６のアルキレン基又はフェニレン基を表し、ｅは３〜７の整数である。）
【００２３】
【化１０】
0004126192.tif 000009
（式中、ｆは３〜７の整数である。）
【００２４】
上記一般式（３）においてＲ6で表されるスルホナト基及びカルボキシラート基からなる群より選ばれる置換基を１個以上有するアリール基は、好ましくはスルホナト基及びカルボキシラート基からなる群より選ばれる置換基を１個又は２個有するフェニル基、ナフチル基、ビフェニリル基及びビナフチリル基であり、スルホナト基及びカルボキシラート基からなる群より選ばれる置換基を１個以上有する炭素数１〜６のアルキル基は、好ましくはスルホナト基及びカルボキシラート基からなる群より選ばれる置換基を１個有する炭素数１〜４のアルキル基であり、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基は、好ましくはヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、３−ヒドロキシプロピル基、２−ヒドロキシプロピル基、４−ヒドロキシブチル基等の炭素数１〜４のヒドロキシアルキル基である。尚、スホナト基及びカルボキシラート基が有するアルカリ金属イオンとしては、具体的には、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン及びセシウムイオンが挙げられる。
【００２５】
一般式（３）のＲ6で表される上記式（４）で表される基において式中Ｒ9表でされる１〜１８のアルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよい。また上記式（５）で表される基において式中Ｍ3で表されるアルカリ金属イオンは、具体的には、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン及びセシウムイオンである。また式（７）で表される基において式中のＲ10で表される炭素数１〜６のアルキレン基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよい。
【００２６】
上記一般式（３）において、式中のＲ7及びＲ8で表される置換基を有していてもよいアルキル基及び置換基を有していてもよいアリール基には、上記Ｒ6で示される基が包含される。その他の置換基を有していてもよいアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｎ−ペンチル基及びｎ−ヘキシル基等の炭素数１〜６の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基並びに当該アルキル基が有する水素原子の１個以上を、水酸基、ニトロ基、アミノ基及びハロゲン原子からなる群より選ばれる置換基に置換したもの等が挙げられ、置換基を有していてもよいアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、フェニルナフチル基及びビナフチル基並びにこれらが前記置換基を有していてもよいアルキル基及びアルコキシ基並びに水酸基からなる群より選ばれる置換基を１個以上有するもの等（具体的には、例えば、置換基を有していてもよいフェニル基としては、フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、クミル基、メトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ヒドロキシトリル基等）が挙げられ、置換基を有していてもよいアラルキル基としては、例えば、前記置換基を有していてもよいアルキル基に前記置換基を有していてもよいアリール基が置換したもの等〔具体的には、例えば、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、トリルメチル基、キシリルメチル基、（ヒドロキシフェニル）メチル基等〕が挙げられ、置換基を有していてもよいアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ−ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基等の炭素数１〜６の直鎖状又は分岐鎖状のアルコキシ基並びに当該アルコキシ基が有する水素原子の１個以上を、水酸基、ニトロ基、アミノ基及びハロゲン原子等からなる群より選ばれる置換基を１個以上有するもの等が挙げられる。
【００２７】
分子中にリン原子を１個含む親水性ホスフィン化合物は上記式（２）で示される化合物に限定されない。
【００２８】
分子中にリン原子を１個含む親水性ホスフィン化合物の具体例としては、例えば、以下の化合物を挙げることができる。
【００２９】
【化１１】
0004126192.tif 000010
【００３０】
【化１２】
0004126192.tif 000011
【００３１】
【化１３】
0004126192.tif 000012
【００３２】
【化１４】
0004126192.tif 000013
（式中、ｈは１、２、４、５又は７である。）
【００３３】
【化１５】
0004126192.tif 000014
（式中、Ｒ11は炭素数４〜１８の直鎖状のアルキル基を表し、ｋは７〜１６の整数、ｍは０〜２の整数、ｎは１〜３の整数であり、ｍ＋ｎ＝３である。）
【００３４】
【化１６】
0004126192.tif 000015
【００３５】
【化１７】
0004126192.tif 000016
（式中、ｐは２〜１６の整数、ｑは０〜２の整数、ｒは１〜３の整数であり、ｑ＋ｒ＝３である。）
【００３６】
【化１８】
0004126192.tif 000017
【００３７】
【化１９】
0004126192.tif 000018
【００３８】
【化２０】
0004126192.tif 000019
【００３９】
【化２１】
0004126192.tif 000020
（式中、ｓは１又は２である。）
【００４０】
【化２２】
0004126192.tif 000021
（式中、ｆは上記と同じ。）
【００４１】
【化２３】
0004126192.tif 000022
（式中、ｔは２〜１６の整数である。）
【００４２】
【化２４】
0004126192.tif 000023
【００４３】
【化２５】
0004126192.tif 000024
【００４４】
【化２６】
0004126192.tif 000025
【００４５】
また、分子中にリン原子を２個含む親水性ホスフィン化合物としては、例えば、式（９）：
【００４６】
Ｒ12Ｒ13Ｐ−Ａ−ＰＲ14Ｒ15      （９）
［式中、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14及びＲ15は互いに同じか或いは異なってそれぞれ置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいアラルキル基；又は置換基を有していてもよいアルコキシ基を表し、Ａは置換基を有していてもよいアルキレン基；置換基を有していてもよいアリーレン基；又は式（１０）：
【００４７】
【化２７】
0004126192.tif 000026
（式中、ｕは１〜６の整数である。）で示される基を表し、Ａが置換基を有していてもよいアルキレン基又はアリーレン基の場合、当該アルキレン基及びアリーレン基はスルホナト基及びカルボキシラート基からなる群より選ばれる置換基を１個以上有し及び／又はＲ12、Ｒ13、Ｒ14及びＲ15の少なくとも１個は一般式（３）中のＲ6と同様である。］で示される化合物が挙げられる。
【００４８】
式（９）中のＲ12、Ｒ13、Ｒ14及びＲ15で表される置換基を有していてもよいアルキル基、アルコキシ基、アリール基及びアラルキル基は、上記式（３）におけるＲ7及びＲ8と同様である。
【００４９】
また式（９）中のＡで表される置換基を有していてもよいアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基及びヘキサメチレン基等の炭素数１〜６のアルキレン基、並びに当該アルキレン基の水素原子の１個以上を、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アラルキル基〔上記式（３）におけるＲ7及びＲ8のアルキル基、アルコキシ基、アリール基及びアラルキル基と同様〕、スルホナト基及びカルボキシラート基からなる群から選ばれる少なくとも１個の基に置換したもの等が挙げられる。置換基を有していてもよいアリーレン基としては、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニリレン基及びビナフチリレン基並びにこれらが有する水素原子の１個以上を、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アラルキル基〔上記式（３）におけるＲ7及びＲ8のアルキル基、アルコキシ基、アリール基及びアラルキル基と同様〕、スルホナト基及びカルボキシラート基からなる群から選ばれる少なくとも１個の基に置換したものが挙げられる。
【００５０】
分子中にリン原子を２個含む親水性ホスフィン化合物は、上記式（９）で示される化合物に限定されるものではない。分子中にリン原子を２個含む親水性ホスフィン化合物の具体例としては、例えば、以下の化合物を挙げることができる。
【００５１】
【化２８】
0004126192.tif 000027
【００５２】
【化２９】
0004126192.tif 000028
【００５３】
【化３０】
0004126192.tif 000029
【００５４】
【化３１】
0004126192.tif 000030
【００５５】
【化３２】
0004126192.tif 000031
【００５６】
【化３３】
0004126192.tif 000032
【００５７】
【化３４】
0004126192.tif 000033
【００５８】
【化３５】
0004126192.tif 000034
【００５９】
【化３６】
0004126192.tif 000035
【００６０】
【化３７】
0004126192.tif 000036
【００６１】
【化３８】
0004126192.tif 000037
【００６２】
【化３９】
0004126192.tif 000038
【００６３】
【化４０】
0004126192.tif 000039
【００６４】
【化４１】
0004126192.tif 000040
【００６５】
【化４２】
0004126192.tif 000041
【００６６】
尚、親水性ホスフィン化合物は、従来公知の方法に従って調製することができる。
【００６７】
また本発明の水溶性パラジウム錯体におけるパラジウムは、０価の原子又は陽イオンとして水溶性パラジウム錯体を構成する。当該水溶性パラジウム錯体は、上記親水性ホスフィン化合物を、パラジウムの化合物と反応させて調製することができる。水溶性パラジウム錯体の調製原料として用いられるパラジウムの化合物としては、例えば、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、ジクロロ（１，５−シクロオクタジエン）パラジウム（II）、トランスジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（II）等を挙げることができるが、これらに限定されない。
【００６８】
本発明の水溶性パラジウム錯体の調整方法は特に限定されず、従来公知の方法を適用することができ、例えば、上記親水性ホスフィン化合物を調整原料のパラジウムの化合物と溶媒中で反応させた後、溶媒を除去し、得られた固体を再結晶等により精製する方法が挙げられる。尚、こうして得られる水溶性パラジウム錯体は、水溶性である限りにおいて、上記親水性ホスフィン化合物以外に、他の配位子を含んでいてもよい。他の配位子としては、具体的には、例えば、トリフェニルホスフィン、１，５−シクロオクタジエン、ハロゲンイオン（塩素イオン、臭素イオン又はヨウ素イオン）、２，２‘−ジピリジル、ｐ−シメン、ＣＯ、トリシクロヘキシルホスフィン、シクロペンタジエン、ペンタメチルシクロペンタジエン、エチレンジアミン及びノルボルナジエン等、従来公知の遷移金属錯体に含まれる配位子を挙げることができる。
【００６９】
また、本発明においてオキシム類を水素と反応させる際に、水溶性パラジウム錯体に代えて親水性ホスフィン化合物及び調製原料のパラジウム化合物を反応系に加えて混合することにより、反応系内にて本発明の水溶性パラジウム錯体を形成させてもよい。
【００７０】
本発明における水溶性パラジウム錯体の使用量は、原料の オキシム類１モルに対して通常０．０００１〜０．２モル、好ましくは０．００１〜０．１モルとなるように用いられる。
【００７１】
本発明のオキシム類と水素との反応は、多相系溶媒中で行われる。多相系溶媒とは、互いに混和しない２種以上の溶媒の組み合わせからなり、静置状態でそれぞれの溶媒層に層分離する混合溶媒である。具体的には、水、有機溶媒及びイオン性流体から選ばれる少なくとも２種類の互いに混和しない溶媒を組み合わせて用いた混合溶媒である。有機溶媒としては、例えば、ｎ−ヘキサン等の脂肪族炭化水素、ベンゼン、トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素、ジクロロメタン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素、テトラリン等の脂環式炭化水素、ジエチルエーテル等のエーテル類等が挙げられ、イオン性流体としては、例えば、Ｎ，Ｎ’−ジアルキル置換イミダゾリウム＝テトラフロロボラート、Ｎ，Ｎ’−ジアルキル置換イミダゾリウム＝ヘキサフロロホスファート、Ｎ−アルキル置換ピリジニウム＝ヘキサフロロホスファート等が挙げられる。
【００７２】
本発明において、水、有機溶媒及びイオン性流体の組み合わせは、本発明の水溶性パラジウム錯体と目的物の２級アミン類のそれぞれを異なる溶媒層に溶解して容易に分離できるような組み合わせが好ましく、２級アミン類の溶解特性に応じて決定すればよい。特に好ましい多相系溶媒は、水及び水と混和しない有機溶媒の混合溶媒である。水及び水と混和しない有機溶媒の混合溶媒を用いると、目的物の２級アミン類の多くは有機溶媒の層に溶解するので、反応終了後、水層と有機溶媒層を分液すれば、水溶性パラジウム錯体を水層に、２級アミン類を有機溶媒層に、それぞれ溶解して分離、回収することができる。また２級アミン類が水及び有機溶媒のいずれにも溶解し得る場合には、水層と有機溶媒層を分液した後、さらに水層から不飽和アミン類を有機溶媒で抽出して分離してもよい。尚、こして得られる水溶性パラジウム錯体を含む水層は、そのまま、本発明のオキシム類と水素との反応に適用して当該水層に含まれる水溶性パラジウム錯体を触媒として再利用することができる。
【００７３】
多相系溶媒の使用量は特に限定されないが、オキシム類１重量部に対して通常０．５〜１００重量部、好ましくは２〜２０重量部である。
【００７４】
本発明の反応の水素圧力は、通常０．１〜１０ＭＰａ（約１〜１００ｋｇ／ｃｍ2）程度であり、好ましくは２〜６ＭＰａ（２０〜６０ｋｇ／ｃｍ2）である。また反応温度は、通常０〜２００℃の範囲でよく、好ましくは５０〜１５０℃である。反応時間は特に制限はない。
【００７５】
本発明の２級アミン類の製造法を実施するには、反応器にオキシム類、水溶性パラジウム錯体及び多相系溶媒を仕込んだ後、上記水素圧力、上記反応温度にて攪拌すればよい。尚反応は、低酸素状態もしくは酸素が存在しない条件下で実施するのが好ましく、反応に用いる出発原料等が液体であるときには脱気した後に反応に使用するのが好ましい。また、反応は窒素やアルゴン等の不活性な気体の雰囲気下で実施することが好ましい場合もある。
【００７６】
反応終了後、分液した後に抽出等の手段によって目的とする２級アミン類を得ることができる。また、必要によりカラムクロマトグラフィー或いは晶析等により精製することもできる。
【００７７】
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００７８】
尚、以下の実施例におけるガスクロマトグラフィーの分析条件は次の通りである。
＜ガスクロマトグラフィー分析条件＞
カラム：ＤＢ−１（Ｊ＆Ｗサイエンス社製）
キャリアガス及び流量：ヘリウム、４０ｍｌ／分
カラム温度：８０℃から２５０℃まで１０℃／分で昇温した後、２５０℃で３０分間保持。
【００７９】
参考例１
Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，４８９，１９９９に記載の方法に従って、次のようにしてパラジウム錯体を合成した。
トリ（ヒドロキシメチル）ホスフィン１．０９３ｇ（８．８１ミリモル、４．１倍モル）及び水５５ｍｌの溶液に、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）２．４６ｇ（２．１３ミリモル）及び塩化メチレン７３ｍｌの混合物を加えて１０分間攪拌し、静置した後、水層と有機層に分液した。水層を濃縮乾固し、残渣を無水の冷エーテルで洗浄し、乾燥した後、エタノールに溶解し、不溶物を濾別した。濾液にエーテルを加えて沈澱を生成させ、次いで濾過し、濾滓をエーテルで洗浄後、乾燥して、固形物０．９１２ｇを得た。得られた固形物は水溶性でありテトラキス［トリ（ヒドロキシメチル）ホスフィン］パラジウム（０）と1Ｈ−ＮＭＲが一致した。
【００８０】
参考例２
トリ（ヒドロキシメチル）ホスフィン０．５３３ｇ（４．３０ミリモル）、メタノール３７．４ｍｌ及びジクロロ（１，５−シクロオクタジエン）パラジウム（ＩＩ）０．５９ｇ（２．１０ミリモル）を混合した後、濃縮乾固した。得られた残渣をメタノール及び塩化メチレンで洗浄し、乾燥した後、エタノールに溶解し、不要物を濾別した。濾液にエーテルを加えて沈殿を生成させ、次いで濾過し、濾滓をエーテルで洗浄後、乾燥して固形物０．６４ｇを得た。得られた固形物は水溶性でありジクロロビス［トリ（ヒドロキシメチル）ホスフィン］パラジウム（II）と1Ｈ−ＮＭＲが一致した。
【００８１】
実施例１
２０ｍｌステンレス製オートクレーブ［ガラス内筒つき、耐圧ガラス工業（株）製］内をアルゴンガスで満たし、シンナムアルデヒドオキシム０．５６２ｇ（３．８２ミリモル）、水２．５ｍｌ及びベンゼン２．５ｍｌを仕込み、さらに参考例１で得たテトラキス［トリ（ヒドロキシメチル）ホスフィン］パラジウム（０）０．０１６４ｇ（０．００２７ミリモル）を加えた。次いでオートクレーブ内を水素で置換して密閉し、内圧が３．０ＭＰａとなるまで水素を導入した後、１００℃に昇温し、同温度で２４時間攪拌して反応させた。反応終了後、冷却し、オートクレーブ内の残存水素を除いた後、内容物を取り出し、水層と有機層に分液した。有機層をガスクロマトグラフィーにて分析した結果、反応生成物の割合はビス（３−フェニルプロピル）アミン：３−フェニルプロピルアミン：その他（ガスクロマトグラムのピーク面積比、以下ＧＣ面積比）＝８２：０．４：１７．６であった。原料のシンナムアルデヒドオキシムは残存しておらず、また３級アミンの生成は確認されなかった。
【００８２】
実施例２
実施例１においてテトラキス［トリ（ヒドロキシメチル）ホスフィン］パラジウム（０）に代えて参考例２で得たジクロロビス［トリ（ヒドロキシメチル）ホスフィン］パラジウム（II）０．０１２７ｇ（０．０３０ミリモル）を用いた以外は実施例１と同様に行った。その結果、反応生成物の割合は、ビス（３−フェニルプロピル）アミン：３−フェニルプロピルアミン：その他（ＧＣ面積比）＝８０：３．９：１６．１であった。原料のシンナミルアルデヒドオキシムは残存しておらず、また３級アミンの生成は確認されなかった。
【００８３】
実施例３
実施例１においてテトラキス［トリ（ヒドロキシメチル）ホスフィン］パラジウム（０）に代えて親水性のホスフィン化合物であるトリナトリウム＝トリ（３−スルホナトフェニル）ホスフィン・４水和物（ＳＴＲＥＭ社製）０．０６５８ｇ（０．１１６ミリモル）及びジクロロ（１，５−シクロオクタジエン）パラジウム（II）０．０２２５ｇ（０．０７８９ミリモル）を用いた以外は実施例１と同様に行った。その結果、反応生成物の割合はビス（３−フェニルプロピル）アミン：３−フェニルプロピルアミン：その他（ＧＣ面積比）＝４９：０．１：５０．９であった。原料のシンナムアルデヒドオキシムは残存しておらず、また３級アミンの生成は確認されなかった。
【００８４】
実施例４
実施例１と同様のオートクレーブ内をアルゴンガスで満たし、シンナムアルデヒドオキシム０．５６２ｇ（３．８２ミリモル）、ベンゼン２．５ｍｌ及び実施例１において反応終了後に分液して得られた水層〔テトラキス［トリ（ヒドロキシメチル）ホスフィン］パラジウム（０）含有水溶液〕２．５０ｇを仕込んだ後、実施例１と同様にして反応、後処理及び分析を行った。その結果、反応生成物の割合はビス（３−フェニルプロピル）アミン：３−フェニルプロピルアミン：その他（ＧＣ面積比）＝５６：３０：１４であった。原料のシンナムアルデヒドオキシムは残存しておらず、また３級アミンの生成は確認されなかった。