(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁材料の領域と、
銅またはアルミニウムを含む導電材料の領域と、
前記絶縁材料の領域と前記導電材料の領域間の障壁膜と
を含み、
前記障壁膜は、窒素及び酸素とタンタルを含む化合物であり、
前記窒素の原子含有率は、前記絶縁材料の領域近傍における３０％〜６０％から前記導電材料の近傍領域における０％まで変化し、
前記酸素の原子含有率は、前記絶縁材料の領域近傍における１％〜１０％から前記導電材料の近傍領域における０％まで変化することを特徴とする、
半導体素子構造。
【請求項２】
前記障壁膜が炭素を含み、前記炭素の濃度が前記障壁膜内において、前記導電材料の近傍の障壁膜の領域が、前記障壁膜の他の領域に比較して低濃度の前記炭素を有するように変化する、請求項１記載の半導体素子構造。
【請求項３】
前記障壁膜の窒素又は酸素の含有量が前記障壁膜全体を通じて一定の割合で変化する、請求項１記載の半導体素子構造。
【請求項４】
前記障壁膜の窒素又は酸素の含有量が障壁膜全体を通じて異なる割合で変化する、請求項１記載の半導体素子構造。
【請求項５】
前記障壁膜の炭素含有量が前記障壁膜全体を通じて一定の割合で変化する、請求項２記載の半導体素子構造。
【請求項６】
前記障壁膜の炭素含有量が前記障壁膜全体を通じて異なる割合で変化する、請求項２記載の半導体素子構造。
【請求項７】
前記絶縁材料が、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、ダイヤモンド・ライク・カーボン、炭素ドープ・ケイ酸塩ガラス、フルオロケイ酸塩ガラス、バルク状ＳｉＯ、多孔質ＳｉＯ、低誘電率のＳｉＯ、エーロゲル、ＦＳＧ、ＦＯＸ、ＳｉＬＫ、ＳｉＣＯＨ、有機ポリマ、ポリイミド、三二シロキサン、ポリ・アリーレン・エーテル、及びフルオロポリマを含むグループから選択される少なくとも１つの材料を含む、請求項１記載の半導体素子構造。
【請求項８】
前記障壁膜がＴａＮを含む、請求項１記載の半導体素子構造。
【請求項９】
前記障壁膜の炭素含有量が、前記絶縁材料の近傍において原子百分率で１０％から、前記導電材料の近傍において０％に変化する、請求項１記載の半導体素子構造。
【請求項１０】
半導体素子構造を形成する方法であって、
窒素及び酸素とタンタルを含む化合物からなる障壁膜を、絶縁材料の領域上に付着するステップと、
前記障壁膜の少なくとも一部上に銅またはアルミニウムを含む導電材料を付着するステップとを含み、
前記障壁膜を付着するステップは、
前記窒素の原子含有率は、前記絶縁材料の領域近傍における３０％〜６０％から前記導電材料の近傍領域における０％まで変化させ、
前記酸素の原子含有率は、前記絶縁材料の領域近傍における１％〜１０％から前記導電材料の近傍領域における０％まで変化させることを特徴とする、方法。
【請求項１１】
前記障壁層が炭素を含み、スパッタリングにより付着され、炭素がスパッタリング・ターゲットに組み込まれる、請求項１０記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体素子に関し、特に、導電材料を基板内のまたは基板上の導電フィーチャにめっきするプロセスに関する。より詳細には、本発明は基板内に形成されるサブミクロン構造を充填するための、金属の電気めっきに関する。本発明はまた、金属充填型サブミクロン構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
マイクロ電子デバイスの生産において、半導体構造内及び上に、様々な目的で金属がめっきされる。金属が付着されて、配線構造などのバイア及び導電路が形成される。通常、金属はめっき溶液を保持するセルまたは貯蔵庫内でめっきされ、こうした溶液は基板上にめっきされる少なくとも１つの金属または合金を含む。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は半導体素子構造のための障壁膜（barrier film）を提供する。
【０００４】
本発明はまた、絶縁材料の領域、導電材料の領域、及び導電材料の領域と絶縁材料の領域間の障壁膜を含む半導体素子構造を提供する。
【０００５】
本発明はまた、半導体素子構造を形成する方法を提供する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
障壁膜が、窒素とチタンまたはタンタルの少なくとも１つを含む化合物を含む。障壁膜はまた、障壁膜内で可変の濃度を有する窒素と、障壁膜内で可変の濃度を有する酸素を含む。
【０００７】
障壁膜は、窒素とチタンまたはタンタルの少なくとも１つを含む化合物と、障壁膜内で可変の濃度を有する窒素と、障壁膜内で可変の濃度を有する酸素とを含む。
【０００８】
この方法は、障壁膜を絶縁材料の領域上に付着する。障壁膜は、窒素とチタンまたはタンタルの少なくとも１つを含む化合物と、障壁膜内で可変の濃度を有する窒素と、障壁膜内で可変の濃度を有する酸素とを含む。導電材料が、障壁膜の少なくとも一部上に付着される。
【０００９】
【発明の実施の形態】
半導体素子構造では、導電構造から周囲の材料への金属の流動（migration）を防止するために、導電構造を形成する前に、障壁構造が形成され得る。例えば、チップ配線アプリケーションでは、配線構造から配線構造を囲む誘電材料などの周囲の材料への金属の流動を防止するために、金属を付着する前に障壁が付着されて、導電構造を形成する。障壁膜は一般に、金属を付着する前に、ダマシーン・プロセスにおいて付着される。
【００１０】
一般に、障壁は金属の流動に対する障壁を提供し、導電材料または周囲の材料とは反応しない。また、障壁が低い比抵抗を有し、導電材料、及びチップ配線構造を囲む誘電材料などの周囲の材料の両方に対して、良好な接着性を有することが望ましい。障壁の他の特性もまた重要である。結果的に、障壁膜の選択において、とりわけ接着性、比抵抗、接触抵抗、及び集積化のバランスを保つことが必要である。
【００１１】
障壁膜内で一般に使用される２つの材料の例は、タンタルとチタンである。一般に、チタン及びタンタルのいずれも、それらの純粋な形態では、銅またはアルミニウムに対する良好な障壁ではない。しかしながら、タンタルまたはチタンと窒素との反応から生まれる化合物は、純粋なチタンまたは純粋なタンタルよりも良好な拡散障壁として作用する傾向がある。
【００１２】
タンタルの場合、タンタルの窒化物は異なる化学量論を有する材料の形態としてだけでなく、異なる同素体としても存在する。例えば、それらは立方窒化タンタルまたは六方窒化タンタルである。異なる同位体及び同素体の特性は異なり得る。これらの方針に従い、窒化タンタルによれば、ほとんどの基板への膜接着性は、窒素含有量の増加と共に向上する傾向がある。その反面、高い窒素含有量は膜の比抵抗を増加し得る。しかしながら、前述のように、膜が高い比抵抗を有することは好ましくない。
【００１３】
窒化タンタルに関して、窒素含有量の単位増加当たりの膜の比抵抗の増加は、線形でない。例えば、３６％以上の窒素含有量を有する立方窒化タンタルでは、窒素含有量の最低限の増加は膜を抵抗性にする。前述のことを鑑み、場合によっては、低い比抵抗及び最低限の接着性を有する膜と、優れた接着性を有する一方、非常に高い比抵抗を有する膜との間の選択が必要である。
【００１４】
特定の障壁材料は、障壁材料の間の特性のバランスを例証する。例えば、窒素が豊富な窒化チタンは、銅及びアルミニウムに対する良好な障壁である。それにひきかえ、窒化タンタルは銅に不十分に、またはかろうじて接着する。別の例によれば、窒素が豊富な窒化チタン及びＷＮＰの比抵抗は、１ｃｍ当たり約２５０μΩよりも大きい。他方、窒素が豊富な窒化タンタルの比抵抗は、８００μΩ／ｃｍよりも大きい。
【００１５】
本発明は、障壁及び膜の電気特性を最適化する障壁膜を提供することにより、前述の問題及び他の問題に対する解決策を提供する。一般に、本発明による障壁膜は、窒素とチタンまたはタンタルの少なくとも１つを含む化合物を含む。換言すると、本発明による障壁膜は、窒化チタンまたは窒化タンタルを含む。化合物の正確な構成は変化し得る。換言すると、障壁膜を構成する化合物内のチタンまたはタンタル及び窒素の原子の数が変化し得る。
【００１６】
窒素及びチタンまたはタンタルを含有する化合物に加えて、本発明による障壁膜は更に、酸素または窒素を含む。障壁膜内の窒素及び酸素の濃度は、障壁膜内で変化する。換言すると、障壁膜内の特定の位置では、窒素含有量が障壁膜内の他の位置よりも高い。同時に、障壁膜内の特定位置での酸素の濃度は、障壁膜内の他の位置よりも高い。これらの方針に従い、障壁膜上にめっきされる金属の近傍において、または障壁膜の下に横たわる材料の近傍において、高い窒素含有量を有することが有利である。これは少なくとも部分的には、前述のように、酸素または窒素が障壁膜材料上で有し得る効果（即ち接着性を高める効果）に起因する。
【００１７】
障壁膜の窒素または酸素の含有量を変化することにより、膜内の異なる位置において有利な特性を提供するように、膜の特性が制御される。例えば、障壁膜の下に横たわる材料の近傍では、障壁膜が良好な接着性を有することが好ましい。障壁膜の電気特性は、これらの領域では余り重要でない。結果的に、障壁膜の下に横たわる材料の近傍では、組成は障壁膜と下側の材料との接着性を強化する傾向を示すように選択される。
【００１８】
それにひきかえ、障壁膜上に横たわる領域に付着される金属の近傍においては、障壁膜が改善された電気特性を有することが好ましい。従って、金属など、上に横たわる導電材料の近傍での組成は、この目的のために変化される。これは特に、障壁膜上に横たわる導電材料内において、十分な導電率を保証するために重要である。しかしながら、上に横たわる金属の近傍では、障壁が更に、上に横たわる金属の接着性を強化する傾向を示す特性を有することも好ましい。
【００１９】
前述のように、障壁膜の接着性及び電気特性は、障壁材料内の酸素または窒素の濃度を制御することにより影響される。酸素または窒素の含有量はまた、膜の微構造を安定化し、膜の障壁特性を最適化するように、障壁膜内の様々な位置において最適化され得る。
【００２０】
前述の方針に従い、チップ配線アプリケーションのために障壁膜上に付着される金属など、障壁膜上に横たわる少なくとも１つの金属または合金の近傍の障壁膜の領域は、下側の絶縁性または誘電性材料の近傍の領域などの、障壁膜の他の領域に比較して、低濃度の窒素または酸素を有する。下側の絶縁材料の近傍の障壁膜内の窒素濃度は約５０％であり、タンタルが約５０％である。この比率は重量比ではなく、原子百分率である。比率はＳＩＭＳ（Secondary Ion Mass Spectrometer：２次イオン質量分析計）またはオージェ電子分光法（Auger Electron Spectroscopy）により定量化され得る。それにひきかえ、少なくとも１つの金属または合金から成る上側領域の近傍では、障壁膜の窒素含有量が約２０％である。
【００２２】
前述の説明から明らかなように、膜内の酸素または窒素濃度は、下側の絶縁材料の近傍において最も高く、上側の金属または合金の近傍において最も低くなる。障壁膜が酸素及び窒素の両方を含む場合、酸素濃度は、窒素濃度が最も高いところで最も高くなる。逆に、窒素濃度は酸度濃度が最も高いところで最も高くなる。
【００２３】
酸度濃度及び窒素濃度の両方は、下側の絶縁材料の近傍において最も高くなる。障壁膜が酸素及び窒素の両方を含む場合、酸素濃度は障壁膜の窒素濃度が最も低いところで最も低い。逆に、障壁膜が酸素及び窒素の両方を含む場合、障壁膜内の窒素濃度は、酸素濃度が最も低いところで最も低い。
【００２４】
障壁膜内の窒素はＮ2の形態であるのに対し、障壁膜内の酸素の形態はＯ2である。酸素及び窒素は元素Ｏ及びＮの形態であってもよい。元素酸素及び窒素は、Ｔａと結びつき得る。換言すると、この場合、膜はＴａＮまたはＴａＯである。他の形態にはＴａ2Ｎ及びＴａ2Ｏ2が含まれる。当業者であれば、過度な実験無しに、他の化学量論も決定できよう。
【００２５】
障壁膜はまた、炭素を含み得る。炭素濃度は障壁の特性を可変するために、障壁内で変化し得る。障壁膜が炭素に加え、酸素または窒素を含む場合、酸素、窒素または炭素の濃度は全て、障壁膜の同じ領域において最も低く、障壁膜の同じ領域において最も高い。
【００２６】
障壁膜内の酸素、窒素または炭素の濃度は、様々な理由で変化し得る。上側の導電材料の近傍では、障壁膜の酸度、窒素または炭素含有量は一般に、膜の低い比抵抗を保証するのに十分である。これらの方針に従い、上側の導電材料の少なくとも近傍では、障壁膜の比抵抗が少なくとも約２５０μΩ／ｃｍである。或いは、この領域における障壁膜の比抵抗は、少なくとも約８００μΩ／ｃｍである。
【００２７】
障壁膜の酸素、窒素または炭素含有量はまた、障壁膜が少なくとも１つの上側の金属または合金の流動に対して有効な障壁となるように、変化し得る。一般に、酸素及び炭素のドーピングは、原子百分率で約１％乃至約１０％以下である。他方、窒素含有量の典型的な範囲は、原子百分率で約３０％乃至約６０％である。酸素及び炭素含有量は一般に、障壁膜の比抵抗の好ましくない上昇により制限される。一般に、良好な障壁を提供するＴａＮ膜では、最小比抵抗は約２００μΩ／ｃｍである。しかしながら、障壁膜は最大約１０００μΩ／ｃｍの比抵抗を有し得る。
【００２８】
障壁膜の酸素、窒素または炭素含有量が変化する割合は、可変であり得る。例えば、障壁膜の酸素、窒素または炭素含有量は、障壁膜全体を通じて、下側の絶縁領域の近傍のある値から、上側の導電領域の近傍の別の値に向けて、一定の割合で変化する。一定の割合は線形または非線形であってよい。
【００２９】
障壁膜の酸素、窒素または炭素含有量は、障壁膜全体を通じて、異なる割合で変化し得る。換言すると、障壁膜内のある領域では、酸素、窒素または炭素の含有量がある割合で変化し、障壁膜内の他の位置では、障壁膜の酸素、窒素または炭素含有量が、異なる割合で変化し得る。割合変化は障壁膜のある部分では一定であり、他の部分では可変であり得る。異なる割合は線形または非線形であってよい。これらの方針に従い、障壁膜の酸素、窒素または炭素含有量は、障壁膜のある部分では線形的に変化し、障壁膜の別の領域では非線形に変化し得る。
【００３０】
障壁内の窒素、酸素または炭素の含有量は、制御されて変化し得る。導電材料を障壁膜に適切に結合し、障壁膜の接着性及び障壁膜の好適な電気特性を保証するように、上側の導電材料または障壁膜の組成が制御され得る。
【００３１】
本発明はまた、絶縁材料領域、導電材料領域、及び絶縁材料領域と導電材料領域間の障壁膜を含む半導体素子構造を含む。ここで障壁膜は実質的に前述の通りである。従って、障壁膜、導電材料、及び絶縁材料の内容物は、前述の組成及び特性を有する。絶縁材料は任意の好適な絶縁材料である。本発明に従い使用される絶縁材料の例には、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、ダイヤモンド・ライク・カーボン、炭素ドープ・ケイ酸塩ガラス、フルオロケイ酸塩ガラス、バルク状若しくは多孔質または低誘電率のＳｉＯ、エーロゲル、ＦＳＧ、ＦＯＸ、ＳｉＬＫ、ＳｉＣＯＨ、及び有機ポリマ、例えばポリイミド、三二シロキサン（silsesquioxanes）、ポリ・アリーレン・エーテル、フルオロポリマなどが含まれる。障壁膜は前述の濃度の酸素、窒素または炭素の他に、窒化タンタル、窒化チタン、及びＷＮＰの少なくとも１つを含み得る。
【００３２】
本発明はまた、半導体素子構造を形成する方法を含む。この方法は、絶縁材料の領域上に障壁膜を付着する。障壁膜は実質的に前述の通りである。次に、導電材料が障壁膜の少なくとも一部上に付着される。障壁膜の付着のために、窒素とチタンまたはタンタルの少なくとも１つを含む化合物を付着し、次に化合物をＯ2ガスまたはＮ2ガスにさらす。
【００３３】
炭素が障壁膜内に単独で、または酸素または窒素と同時に導入され得る。ことによると、炭素を膜内に導入する最も直接的な方法は、同時スパッタリングにより行われ、所望の量の炭素がタンタルまたはチタン・スパッタリング・ターゲットに組み込まれる。或いは、酸素も所望される場合、例えば一般に使用されるＡｒ及びＮ2ガスと共に、約１×１０-6トルの小分圧のＣＯ2、ＣＯまたはＣＮガスにより、酸素及び炭素が反応性スパッタリングにより導入される。メタンまたはＣＦ4などの炭化水素またはフッ化炭素ガスは、好ましくない。なぜなら、ことによると水素またはフッ素は、所望の障壁膜の脆化、膨張、腐食、及び剥離の原因となり得るからである。前述のように、Ｃ及びＯの典型的な範囲は、原子百分率で、約０％乃至約１０％である。
【００３４】
こうした材料の接着性は、剥離強度により表現され得る。一般に、剥離強度が全ての界面において、約１０００ジュール／ｍ2よりも大きいことが望ましい。ことによると、剥離強度が約４００ジュール／ｍ2乃至約５００ジュール／ｍ2よりも大きいことが望ましい。
【００３５】
障壁膜の他の重要な特性には、約数１００μΩ／ｃｍまたはそれ以下の比抵抗、相互接続欠陥の存在の下で、過度なジュール過熱に対処する非常に高いまたは耐火性の融点、エッチングまたは化学機械式研磨（絶縁物及び銅などの相互接続主金属の存在の下でのＣＭＰ）のために適切な選択及び除去速度、ＣＭＰの間の腐食につながる、銅相互接続への有害な電気機械的またはガルバニック（すなわち電気化学的）結合の不在性、熱サイクル後の銅相互接続の合金化または有害化の不在性、下側の相互接続との間の例えば約２ｘ１０-9Ω／ｃｍ2以下の低い接触抵抗、例えば約４００℃を超える一般的な温度でのクラックの不在性などの、良好な熱機械安定性、及び、連続層が深く狭いまたは高アスペクト比のバイア及び相互接続トレンチ内で付着されるような、良好なステップ・カバレージが含まれる。
【００３６】
障壁膜は様々なプロセスに従い形成され得る。障壁膜形成のための典型的なプロセスは、Ａｒ、Ｎ2及びことによると前述の分圧範囲内のＯ2、ＣＯ2またはＣＯガスを使用する、純粋なまたはＣドープＴａまたはＴｉターゲットからの反応性スパッタリングまたはイオン化反応性スパッタリング（ＰＶＤ、Ｉ−ＰＶＤ、物理蒸着）を含み得る。これらはことによると、従来の市販のＤＣマグネトロンまたはＲＦイオン化ＤＣマグネトロン・スパッタリング・システムを使用する。これらのシステムでは、付着の最善の条件を見いだすために、ガス種、個々のガス流速、ＤＣ及びＲＦパワー、及び基板温度が一般に全て可変である。
【００３７】
図１は、既知の半導体素子構造の横断面図を示す。図１に示される構造は、絶縁材料層１、導電材料層３、及びそれらの間の障壁膜５を含む。障壁膜は全体に渡って一定レベルの窒素、または他の材料を含み得る。
【００３８】
図２は、既知の半導体素子構造の別の実施例の横断面図を示す。図２に示される構造は、絶縁材料層７、導電材料層９、及びそれらの間の障壁膜１１を含む。障壁膜１１は２つの部分、すなわち第１の部分１３及び第２の部分１４を含む。２つの障壁膜の組成は、絶縁材料の近傍及び導電材料の近傍において異なる特性を提供するために、異なり得る。
【００３９】
図３は、本発明に従う半導体素子構造の実施例の横断面図を示す。図３に示される構造は、絶縁材料層１７、導電材料層１９、及びそれらの間の障壁膜２１を含む。層２３及び層２５により示されるように、障壁膜内の窒素、炭素及び酸素の含有量は、障壁膜内で変化し得る。障壁膜内に２つの一様な領域を含む図２に示される構造と異なり、図３に示される実施例では、障壁膜内の炭素、酸素及び窒素の含有量が、障壁膜全体に渡って変化し得る。
【００４０】
本発明の前述の説明は、本発明を例証するものである。更に、本開示は本発明の好適な実施例を示すだけであって、前述のように、本発明は様々な他の組み合わせ、変更、及び環境において使用可能であり、前述の教示または関連技術の知識に従い、ここで述べた概念の範囲内で変更可能である。前述の実施例は更に、本発明を実現する最善のモードを説明するもので、当業者がこうしたまたは他の実施例において、及び本発明の特定のアプリケーションまたは使用により要求される様々な変更を伴い、本発明を使用できるように意図するものである。従って、本説明は本発明をここで開示された態様に制限するものではなく、別の実施例を含むように解釈されるべきである。
【００４１】
まとめとして、本発明の構成に関して以下の事項を開示する。
【００４２】
（１）絶縁材料の領域と、
銅またはアルミニウムを含む導電材料の領域と、
前記絶縁材料の領域と前記導電材料の領域間の障壁膜と
を含み、
前記障壁膜は、窒素及び酸素とタンタルを含む化合物であり、
前記窒素の原子含有率は、前記絶縁材料の領域近傍における３０％〜６０％から前記導電材料の近傍領域における０％まで変化し、
前記酸素の原子含有率は、前記絶縁材料の領域近傍における１％〜１０％から前記導電材料の近傍領域における０％まで変化することを特徴とする、
半導体素子構造。
（２）前記障壁膜が炭素を含み、前記炭素の濃度が前記障壁膜内において、前記導電材料の近傍の障壁膜の領域が、前記障壁膜の他の領域に比較して低濃度の前記炭素を有するように変化する、前記（１）記載の半導体素子構造。
（３）前記障壁膜の窒素又は酸素の含有量が前記障壁膜全体を通じて一定の割合で変化する、前記（１）記載の半導体素子構造。
（４）前記障壁膜の窒素又は酸素の含有量が障壁膜全体を通じて異なる割合で変化する、前記（１）記載の半導体素子構造。
（５）前記障壁膜の炭素含有量が前記障壁膜全体を通じて一定の割合で変化する、前記（２）記載の半導体素子構造。
（６）前記障壁膜の炭素含有量が前記障壁膜全体を通じて異なる割合で変化する、前記（２）記載の半導体素子構造。
（７）前記絶縁材料が、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、ダイヤモンド・ライク・カーボン、炭素ドープ・ケイ酸塩ガラス、フルオロケイ酸塩ガラス、バルク状ＳｉＯ、多孔質ＳｉＯ、低誘電率のＳｉＯ、エーロゲル、ＦＳＧ、ＦＯＸ、ＳｉＬＫ、ＳｉＣＯＨ、有機ポリマ、ポリイミド、三二シロキサン、ポリ・アリーレン・エーテル、及びフルオロポリマを含むグループから選択される少なくとも１つの材料を含む、前記（１）記載の半導体素子構造。
（８）前記障壁膜がＴａＮを含む、前記（１）記載の半導体素子構造。
（９）前記障壁膜の炭素含有量が、前記絶縁材料の近傍において原子百分率で１０％から、前記導電材料の近傍において０％に変化する、前記（１）記載の半導体素子構造。
（１０）半導体素子構造を形成する方法であって、
窒素及び酸素とタンタルを含む化合物からなる障壁膜を、絶縁材料の領域上に付着するステップと、
前記障壁膜の少なくとも一部上に銅またはアルミニウムを含む導電材料を付着するステップとを含み、
前記障壁膜を付着するステップは、
前記窒素の原子含有率は、前記絶縁材料の領域近傍における３０％〜６０％から前記導電材料の近傍領域における０％まで変化させ、
前記酸素の原子含有率は、前記絶縁材料の領域近傍における１％〜１０％から前記導電材料の近傍領域における０％まで変化させることを特徴とする、方法。
（１１）前記障壁層が炭素を含み、スパッタリングにより付着され、炭素がスパッタリング・ターゲットに組み込まれる、前記（１０）記載の方法。
【図面の簡単な説明】
【図１】既知の半導体素子構造の横断面図である。
【図２】既知の半導体素子構造の別の実施例の横断面図である。
【図３】本発明に従う半導体素子構造の実施例の横断面図である。
【符号の説明】
１、７、１７  絶縁材料層
３、９、１９  導電材料層
５、１１、２１  障壁膜
１３  第１の部分
１５  第２の部分
２３、２５  層
【図１】
0004126148.tif 000002
【図２】
0004126148.tif 000003
【図３】
0004126148.tif 000004