(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の電極層を有する基板上に、内部に一導電形を呈し、外郭に逆導電形を呈し、シリコンから成る粒状結晶半導体を多数配設して基板に接合する工程と、この粒状結晶半導体間に、１μｍ以下の粒子が全粒径分布の５％以上で５μｍ以上の粒子が全粒径分布の２０％以上であるガラス組成物粉末のペーストを充填する工程と、前記ペーストから４０〜４００℃における熱膨張係数が４０〜８０×１０−７／℃のガラス組成物である絶縁体を作製する工程と、前記外郭に他方の電極を接続して設ける工程と、を含む光電変換装置の製造方法。
【請求項２】
前記絶縁体のガラス転移点が５１５℃以下である請求項１に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項３】
前記基板の一方の電極層がアルミニウムから成る請求項１または２に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項４】
前記粒状結晶半導体の平均粒径が０．２〜０．６ｍｍである請求項１乃至３のいずれかに記載の光電変換装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は太陽光発電などに使用される光電変換装置の製造方法に関し、特に粒状結晶半導体を用いた光電変換装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の粒状結晶半導体を用いた光電変換装置を図３〜図５に示す。例えば図３に示すように、第１のアルミニウム箔１０に開口を形成し、その開口にｐ形の上にｎ形表皮部９を持つシリコン球２を挿着し、このシリコン球２の裏側のｎ形表皮部９を除去し、第１のアルミニウム箔１０の裏面側に酸化物絶縁層３を形成し、シリコン球２の裏側の酸化物絶縁層３を除去し、シリコン球１と第２のアルミニウム箔８とを接合する光電変換装置が開示されている（例えば特開昭６１−１２４１７９号公報参照）。
【０００３】
また、図４に示すように、基板１上に低融点金属層１１を形成し、この低融点金属層１１上に第１導電形の粒状結晶半導体２を配設し、この粒状結晶半導体２上に第２導電形のアモルファス半導体層７を上記低融点金属層１１との間に絶縁層３を介して形成する光電変換装置が開示されている（例えば特許第２６４１８００号公報参照）。
【０００４】
また、図５に示すように、基板１上に高融点金属層１２と低融点金属層１１と半導体微小結晶粒とを堆積し、半導体の微小結晶粒を融解させて飽和させた上で徐々に冷却して半導体を液相エピタキシャル成長させることによって多結晶薄膜１３を形成する方法が開示されている（例えば特公平８−３４１７７号公報参照）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図３に示すような光電変換装置では、第１のアルミニウム箔１０に開口を形成し、その開口にシリコン球２を押し込んでシリコン球を第１のアルミニウム箔１０に接合させる必要があるため、シリコン球２の球径に均一性が要求され、高コストになるという問題点があった。また、接合させるときの処理温度がアルミニウムとシリコンとの共晶温度である５７７℃以下であるため、接合が不安定になるという問題があった。
【０００６】
また、図４に示すような光電変換装置によれば、第１導電形の粒状結晶半導体２上に第２導電形のアモルファス半導体層７を設けるため、安定なｐｎ接合を形成するにはアモルファス半導体層７を形成する前に粒状結晶半導体２の表面を十分にエッチングおよび洗浄する必要があった。また、アモルファス半導体層７の光吸収が大きいことに起因して膜厚を薄くしなければならず、アモルファス半導体層７の膜厚が薄い場合、欠陥に対する許容度も小さくなり、洗浄工程や製造環境の管理を厳しくする必要があり、その結果、高コストになるという問題があった。
【０００７】
また、図５に示すような光電変換装置によれば、低融点金属層１１が第１導電形の液相エピタキシャル多結晶層１３中に混入するために性能が落ち、絶縁体がないために下部電極１２との間にリークが発生するという問題があった。
【０００８】
また、絶縁体として従来のガラス組成物を用いた場合、粒状結晶半導体との反応によって発泡現象や信頼性試験によってマイクロクラックが発生することが判明した。
【０００９】
本発明は上記従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、低コストで高性能な信頼性の高い光電変換装置の製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１に係る光電変換装置の製造方法は、一方の電極層を有する基板上に、内部に一導電形を呈し、外郭に逆導電形を呈し、シリコンから成る粒状結晶半導体を多数配設して基板に接合する工程と、この粒状結晶半導体間に、１μｍ以下の粒子が全粒径分布の５％以上で５μｍ以上の粒子が全粒径分布の２０％以上であるガラス組成物粉末のペーストを充填する工程と、前記ペーストから４０〜４００℃における熱膨張係数が４０〜８０×１０−７／℃のガラス組成物である絶縁体を作製する工程と、前記外郭に他方の電極を接続して設ける工程と、を含む。
【００１１】
また、前記絶縁体のガラス転移点が５１５℃以下であることを特徴とする。
【００１２】
また、前記基板の一方の電極層がアルミニウムから成ることを特徴とする。
【００１３】
また、前記粒状結晶半導体の平均粒径が０．２〜０．６ｍｍであることを特徴とする。
【００１４】
本発明の光電変換装置によれば、基板上に粒状結晶半導体を多数配置して加熱して両者の溶融した合金部によって接合し、この多数の粒状結晶半導体の間に絶縁体を充填した構造において、絶縁体が露出している基板の全面を欠陥なく覆い、なお且つ絶縁体に１μｍ以下の粒径と５μｍ以上の粒径を含む低温焼成用ガラス組成物粉末のペーストから作製して成るガラス組成物を用いることで、絶縁体及び粒状結晶半導体におけるクラック発生を防止することにより、従来の特開昭６１−１２４１７９号公報、特許第２６４１８００号公報、特公平８−３４１７７号公報で開示されている光電変換装置と比較して製造マージンが大きく、低コストの製造が可能となる。つまり、粒状結晶半導体をより低い粒径精度で製造すればよく、絶縁体によって正電極と負電極の分離を確実に行うことができ、その結果低コストの製造が可能となる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づいて本発明を詳細に説明する。
図１は、請求項１に係る光電変換装置の一実施形態を示す図である。図１において、１は基板、２は粒状結晶半導体、３はガラス材料から成る絶縁体、４は半導体層、５は保護層、１５は基板１と粒状結晶半導体の合金層である。
【００１６】
基板１はアルミニウムの融点以上の融点を有する金属やセラミックを下地基板とし、例えば鉄、ステンレス、インバー、コバール等の鉄合金、ニッケル、アルミナ等のセラミックが用いられる。そして、下地基板上にアルミニウムから成る電極層１’を形成した構成とし、アルミニウムから成る層１’には更に第２の添加元素としてシリコン、マグネシウム、マンガン、クロム、チタン、ニッケル、亜鉛、銀、銅から選ばれた１種もしくは複数種の元素を添加してもよく、結晶半導体粒子２の接合時の溶融過多の防止を維持することができる。アルミニウムから成る層１’の膜厚は２０μｍ以上とする。２０μｍ未満では結晶半導体粒子２との接合を行う際に膜厚が不足して十分な接合ができなくなる。
【００１７】
基板１上には、第一導電型の結晶半導体粒子２を多数配設する。この結晶半導体粒子２は、Ｓｉにｐ形を呈するＢ、Ａｌ、Ｇａ等、又はｎ形を呈するＰ、Ａｓ等が微量元素含まれているものである。結晶半導体粒子２の形状としては多角形を持つもの、曲面を持つもの等があり、粒径分布としては均一、不均一を問わないが、均一の場合は粒径を揃えるための工程が必要になるため、より安価にするためには不均一の方が有利である。更に凸曲面を持つことによって光の光線角度の依存性も小さい。
【００１８】
結晶半導体粒子２の粒径としては、０．２〜０．８ｍｍがよく、０．８ｍｍを越えると切削部も含めた従来の結晶板型の光電変換装置のシリコン使用量と変わらなくなり、結晶半導体粒子を用いるメリットがなくなる。また、０．２ｍｍよりも小さいと基板１へのアッセンブルがしにくくなるという別の問題が発生する。より好適にはシリコン使用量の関係から０．２〜０．６ｍｍがよい。
【００１９】
結晶半導体粒子２を基板１上に多数配設する方法としては、結晶半導体粒子２を基板１の表面に接着して固定する働きを持つ接合助層を形成した後、その上から結晶半導体粒子２を散布し、余分な結晶半導体粒子２を落とすことによって、結晶半導体粒子２を粒径の大小によらずに安定して密に配置し、その後、一定の荷重を結晶半導体粒子２上に掛けて、基板１のアルミニウムと結晶半導体粒子２のシリコンとの共晶温度５７７℃以上に加熱することによって、接合助層を焼飛しながら基板と結晶半導体粒子の合金層１５を介して基板１と結晶半導体粒子２を接合させる。このとき、基板１又は電極層１’のアルミニウムは全て合金層１５となる。
【００２０】
なお、合金層１５に接触している第１導電形の領域では、基板１の材料であるアルミニウムが拡散してｐ+層を形成している。しかしながら、単に導電性拡散領域を形成するのであれば、ＡｌとＳｉとの共晶温度である５７７℃以下でもできるが、基板１と粒状結晶半導体２の接合が弱いために基板１から粒状結晶半導体２が離脱し、太陽電池としての構造を維持できなくなる。
【００２１】
前述の接合助層の材質としては３００℃以上で、基板１と結晶半導体粒子２との接合温度以下で焼飛するものであればよく、酸化雰囲気で処理する場合には、例えばブチラール樹脂、メチルセルロース、エチルセルロース、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）等の樹脂を溶媒で溶解させた有機系の樹脂が上げられ、形成方法は、スクリーン印刷法、ドクターブレード法、スプレー法、ディッピング法等で基板１の表面上に１０〜１００μｍの厚みに塗布形成する。
【００２２】
絶縁体３は、正極と負極の分離を行うための絶縁材料からなり、ＳｉＯ2、Ｂ2Ｏ3、ＺｎＯ、Ａｌ2Ｏ3を主な成分とし、Ｌｉ2Ｏ、Ｎａ2Ｏ、Ｋ2Ｏの１種以上のアルカリ金属酸化物等を添加した低温焼成用ガラス組成物を用いて形成する。またシリコンとガラスとの反応を抑制するためにＳｎＯ2またはＳｎＯを含有してもよい。上記材料の粉末を溶媒或いはバインダーを用いてペーストとし、基板１に配設された粒状結晶半導体２の上から塗布後、アルミニウムとシリコンの共晶温度である５７７℃以下の温度で加熱することによってガラス材料を溶融して絶縁体３を形成する。
【００２３】
加熱温度が５７７℃を越えると、アルミニウムとシリコンの合金層１５が溶融し始めるために、基板１と粒状結晶半導体２との接合が不安定となり、場合によっては粒状結晶半導体２が基板１から離脱してしまい、発電電流を取り出せなくなる。
【００２４】
また、熱膨張係数が４０〜４００℃の温度範囲で４０〜８０×１０-7／℃の材料を用いる。熱膨張係数が４０×１０-7／℃以下だとアルミニウムを用いた基板（Ａｌの熱膨張係数：２４０×１０-7／℃）との熱膨張係数差が大きくなるために、絶縁体３を形成した後に絶縁体表面にクラックが発生し、８０×１０-7／℃を越えると、粒状結晶半導体２（例えばＳｉの熱膨張係数：２６×１０-7／℃）との熱膨張係数差が大きくなるために、粒状結晶半導体２及びその周辺の絶縁体３にクラックが発生する。熱膨張係数のさらに望ましい範囲は、４０〜４００℃の温度範囲において、特に７５×１０-7／℃以下、最適には７０×１０-7／℃以下である。更に、ガラス転移点が５１５℃よりも高い場合には、基板１と粒状結晶半導体２の接合温度である５７７℃近辺の温度において材料が溶けずに粒状結晶半導体間を埋めることができなくなり、絶縁体としての機能が果たせなくなる。ガラス転移点は５１５℃以下、特に望ましい範囲は５１０℃以下である。
【００２５】
また、本発明における前記絶縁体３は、１μｍ以下の粒径と５μｍ以上の粒径を含む低温焼成用ガラス組成物粉末のペーストから作製して成るガラス組成物である。前記ペーストを基板１に配設された粒状結晶半導体２の上から塗布後静置し、大きな粒径成分を下方に小さな粒径成分を上方に分離させた後、アルミニウムとシリコンの共晶温度である５７７℃以下の温度で加熱することによってガラス材料を溶融し絶縁体３を形成する。温度上昇の過程で最初に、乾燥したガラスペーストのうち小さな粒径成分の多い表面が溶解しはじめ、粒状結晶半導体２の側面とガラスがよく濡れた状態の粘稠なガラス膜が表面に形成される。さらなる温度上昇でガラス全体が溶融収縮し、最終的にクラック等の欠陥のない絶縁体３が形成される。
【００２６】
この欠陥のない絶縁体を得るためには、前記低温焼成用ガラス組成物粉末材料の粒径分布において、１μｍ以下の粒子が全粒径分布の５％以上、好適には７％以上であり、５μｍ以上の粒子が全粒径分布の２０％以上、好適には３０％以上であることが必要である。１μｍ以下の粒子が全粒径分布の５％より少ないと、ガラス溶融の初期段階で、粒状結晶半導体２の側面とよく濡れた状態の粘稠な膜が表面に形成され難く、さらなる温度上昇でガラス全体が溶融収縮した時、最終的に粒状結晶半導体２とガラスとが剥がれたり、ガラス表面にクラック等の欠陥が発生する。また５μｍ以上の粒子が全粒径分布の２０％より少ないと、このガラスペーストを基板１に配設された粒状結晶半導体２の上から塗布後静置した時、大きな粒径成分と小さな粒径成分が十分に分離されないため、ガラス溶融の初期段階で、ガラス表面だけでなく内部でも溶融化が始まり、粒状結晶半導体２の側面とよく濡れた状態の粘稠な膜が形成される前にガラス全体が溶融収縮し、最終的に粒状結晶半導体２とガラスとが剥がれたり、ガラス表面にクラック等の欠陥が発生するためである。
【００２７】
絶縁体３を形成した後、粒状結晶半導体２の表面を洗浄するために、弗酸を含む洗浄液で洗浄するが、絶縁体３中にＰｂ成分が含有していると、この洗浄のときにＰｂ成分が還元されて金属Ｐｂが絶縁体３の表面に析出して、リークの原因となることから、絶縁体３は酸化鉛を含まないガラス材料を用いることがよい。
【００２８】
絶縁体３の材料は上記条件を満たすものであればよい。なお、絶縁体３の形成はここでは基板１上に少なくとも粒状結晶半導体２を接合した後に形成する方法で説明したが、基板１上に少なくとも粒状結晶半導体２を多数配置して基板と接合するときに同時に形成してもよい。
【００２９】
半導体層４は例えばＳｉから成り、気相成長法等で例えばシラン化合物の気相にｎ形を呈するリン系化合物の気相、又はｐ形を呈するホウ素系化合物の気相を微量導入して形成する。膜質としては結晶質、非晶質、結晶質と非晶質とが混在するのどちらでもよいが、光線透過率を考慮すると結晶質又は結晶質と非晶質とが混在するものがよく、光線透過率については、粒状結晶半導体２がない部分で入射光の一部が半導体層４を透過し、下部の基板１で反射して粒状結晶半導体２に照射されることで、光電変換装置全体に照射される光エネルギーを効率よく粒状結晶半導体２に照射することが可能となる。
【００３０】
導電性については、層中の微量元素の濃度は高くてもよく、例えば１×１０16〜１０21ａｔｍ／ｃｍ3台程度である。
【００３１】
更に、半導体層４は粒状結晶半導体２の表面に沿って形成し、粒状結晶半導体２の凸曲面形状に沿って形成することが望ましい。粒状結晶半導体２の凸曲面状の表面に沿って形成することによってｐｎ接合の面積を広く稼ぐことができ、粒状結晶半導体２の内部で生成したキャリアを効率よく収集することが可能となる。なお、その外郭にｎ形を呈するＰ、Ａｓ等、又はｐ形を呈するＢ、Ａｌ、Ｇａ等が微量含まれている粒状結晶半導体２を用いる場合には、半導体層４はなくてもよく、その上に導電層（不図示）を形成してもよい。
【００３２】
半導体層４上には導電層（他方の電極層）を形成してもよい。導電層はスパッタリング法や気相成長法等の成膜方法あるいは塗布焼成等によって形成し、ＳｎＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ2等から選ばれる１種又は複数の酸化物系膜、又はＴｉ、Ｐｔ、Ａｕ等から選ばれる１種又は複数の金属系膜を形成する。なお、このような導電層は透明であることが必要であり、粒状結晶半導体２がない部分で入射光の一部が導電層を透過し、下部の基板１で反射して粒状結晶半導体２に照射されることで、光電変換装置全体に照射される光エネルギーを効率よく粒状結晶半導体２に照射することが可能となる。透明導電層は膜厚を選べば反射防止膜としての効果も期待できる。更に、導電層は半導体層４あるいは粒状結晶半導体２の表面に沿って形成し、粒状結晶半導体２の凸曲面形状に沿って形成することが望ましい。粒状結晶半導体２の凸曲面状の表面に沿って形成することによってｐｎ接合の面積を広く稼ぐことができ、粒状結晶半導体２の内部で生成したキャリアを効率よく収集することが可能となる。
【００３３】
半導体層４あるいは導電層上に保護層５を形成してもよい。このような保護層５としては透明誘電体の特性を持つものがよく、ＣＶＤ法やＰＶＤ法等で例えば酸化珪素、酸化セシウム、酸化アルミニウム、窒化珪素、酸化チタン、ＳｉＯ2−ＴｉＯ2、酸化タンタル、酸化イットリウム等を単一組成又は複数組成で単層又は組み合わせて半導体層４又は導電層上に形成する。保護層５は、光の入射面に接しているために、透明性が必要であり、また半導体層４又は導電層と外部との間のリークを防止するために、誘電体であることが必要である。なお、保護層５の膜厚を最適化すれば反射防止膜としての機能も期待できる。
【００３４】
また、直列抵抗値を低くするために、半導体層４又は導電層の上に一定間隔のフィンガーやバスバーといったパターン電極を設けて直接的又は間接的に半導体層４と接続し、変換効率を向上させることも可能である。
【００３５】
【実施例】
次に、本発明の光電変換装置の実施例を説明する。
〔例１〕
実施例として以下のようにして作製した試料を用いた。
アルミニウム合金をステンレス基材上に５０μｍの厚みで冷間圧着で形成した基板を用い、接合助層としてブチラール樹脂を有機溶媒で溶解させ、スクリーン印刷又はドクターブレードで塗布して形成した。その上に直径約０．２〜０．６ｍｍのｐ形シリコン粒子を数回散布して接合助層にｐ形シリコン粒子を十分に接着させ、その後基板を傾けて余分なｐ形シリコン粒子を取り除いた。その後、ｐ形シリコン粒子が動かないように一定の荷重をかけて押し付けた状態で、大気中でアルミニウムとシリコンの共晶温度である５７７℃以上の温度で５〜３０分加熱してシリコン粒子をアルミニウム合金に接合させた。その上に絶縁体３を形成するためのＢ2Ｏ3、ＺｎＯ、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ、ＳｎＯ、ＳｎＯ2を成分とする表１に示す低温焼成用ガラス組成物粉末（１μｍ以下の粒子が全粒径分布の５％以上であり５μｍ以上の粒子が全粒径分布の２０％以上）をペースト化したものを焼成した後のガラス厚みがシリコン粒子２の粒径の半分近くになるように塗布して形成し、１時間静置した後大気中でアルミニウムとシリコンの共晶温度である５７７℃以下の温度で５〜３０分加熱して絶縁体３を形成した。なお、比較例８、９には１μｍ以下の粒子が全粒径分布の５％未満のもの、および５μｍ以上の粒子が全粒径分布の２０％未満のものを用いた。
【００３６】
以上の方法で絶縁体３の材料を変えて作製した試料（ｎ＝５）のシリコン粒子２と絶縁体３のクラック及び絶縁体３が溶けて層を形成する融解状態等を確認した結果も表に示す。その後ｐ形シリコン粒子の上部表面をクリーニングするために弗酸水溶液（ＨＦ：純水＝１：１００）で２〜５分洗浄した外観結果も表に示す。次に、シリコン粒子２と絶縁体３の上にｎ形結晶質シリコンと非晶質シリコンとの混晶の半導体層４を３００ｎｍの厚みに形成し、更に保護層５として窒化珪素膜を６００ｎｍの厚みに形成した。そして、保護層５の一部をエッチング除去したところにパターン電極を設けて半導体層４と接続させて他方の電極とした。以上の試料を−４０℃〜９０℃の温度サイクル試験５００サイクル後のマイクロクラックの発生状況も表に示す。
【００３７】
【表１】
0004132019.tif 000002
【００３８】
実施例１〜３および比較例１、２は、同一の低温焼成用ガラス組成物を用い、概粉末の粒径分布を変化させた例である。比較例１、２ではシリコン粒子２と絶縁体３との境界で剥がれやクラックが見られたのに対し、実施例１〜３では良好な結果が得られた。このことから、低温焼成用ガラス組成物粉末の粒径分布において、１μｍ以下の粒子が全粒径分布の５％以上であり、かつ５μｍ以上の粒子が全粒径分布の２０％以上であればよいことが分かった。比較例３ではシリコン粒子２間に隙間があり絶縁体３が比較的広く基板を覆っている部分でクラックが見られた。これは絶縁体３と基板との熱膨張差が大きくなったためと考えられる。比較例４ではシリコン粒子２と絶縁体３との境界面から、その法線方向にクラックが発生した。また弗酸処理後もクラックが新たに発生することから、絶縁体３とシリコン粒子２との熱膨張差のため、大きな残存応力が存在することが考えられる。一方、４０〜４００℃における熱膨張係数を４０〜８０×１０-7／℃に調整した実施例１〜１０では、シリコン粒子２と絶縁体３との境界および絶縁体３が比較的広く基板を覆っている部分でクラックは見られず、絶縁体３はシリコン粒子２間の隙間を埋めることができ、温度サイクル試験後もマイクロクラックは発生せず、良好な結果が得られたことから、絶縁体３の熱膨張係数は上記の値の範囲にすればよいことが分かった。また実施例１０では絶縁体３の透明度がやや低くなったが、これはガラス転移点が５１８℃と高くなったことにより、十分なガラス化ができなかったためと考えられる。ガラス転移点は５１５℃以下で、ガラス粒子が完全に溶けてシリコン粒子２間を埋めることができていることから、ガラス転移点としては５１５℃以下がよいことがわかった。
【００３９】
実施例８、９ではシリコン粒子２の粒子径を０．２ｍｍと０．６ｍｍに変えて試料を作製したが、実施例１〜７と同様の変換効率が得られた。
【００４０】
以上のことより、本発明の光電変換装置によれば、シリコン粒子２間を埋め、クラック、発泡及び異常析出等の欠陥の発生を防止し、信頼性として安定した良好な絶縁体を形成できることが確認できた。
【００４１】
【発明の効果】
以上のように、請求項１に係る光電変換装置の製造方法によれば、シリコンから成る粒状結晶半導体間に設けられる絶縁体は、１μｍ以下の粒子が全粒径分布の５％以上で５μｍ以上の粒子が全粒径分布の２０％以上であるガラス組成物粉末のペーストから作製されて成り、かつ４０〜４００℃における熱膨張係数が４０〜８０×１０−７／℃のガラス組成物を用いることから、粒状結晶半導体間を埋め、クラック、剥がれ等の欠陥の発生を防止し、安定した信頼性を有する良好な絶縁体を形成でき、よって信頼性の高い光電変換装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光電変換装置の実施の形態の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の光電変換装置の実施の形態の他の例を示す断面図である。
【図３】従来例１の光電変換装置を示す断面図である。
【図４】従来例２の光電変換装置を示す断面図である。
【図５】従来例３の光電変換装置を示す断面図である。
【符号の説明】
１・・・・基板
１’・・・アルミニウムから成る電極層
２・・・・第一導電形の粒状結晶半導体
３・・・・絶縁体
４・・・・逆導電形の半導体層
５・・・・保護層
６・・・・透明導電膜
７・・・・アモルファス半導体層
８・・・・第２のアルミニウム箔
９・・・・ｎ形表皮部
１０・・・第１のアルミニウム箔
１１・・・低融点金属層
１２・・・高融点金属層
１３・・・第一導電形の液相エピタキシャル多結晶層
１４・・・第二導電形の多結晶あるいはアモルファス層
１５・・・基板のアルミニウムと粒状結晶半導体のシリコンとの合金層
【図１】
0004132019.tif 000003
【図２】
0004132019.tif 000004
【図３】
0004132019.tif 000005
【図４】
0004132019.tif 000006
【図５】
0004132019.tif 000007