(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ線源と試料照射位置とを結ぶ直線を中心軸とし、少なくとも前記中心軸に対向するターゲット面に二次ターゲット材を設けた複数のターゲット部材を、前記中心軸からの距離を異ならせて径方向に配置して形成するターゲット本体と、
前記中心軸上に配置し、Ｘ線源から試料照射位置に対する一次Ｘ線の照射を阻止するＸ線阻止部材とを備え、
前記ターゲット部材の中心軸方向の長さ及び隣接するターゲット部材間の径方向の配置間隔は、ターゲット面を一次Ｘ線源から見込む有効立体角と該ターゲット面側で隣接するターゲット部材との間を一次Ｘ線源から見込む有効立体角とが一致する第１の条件と、ターゲット面を試料照射位置から見込む有効立体角と該ターゲット面側で隣接するターゲット部材との間を試料照射位置から見込む有効立体角とが一致する第２の条件を満足することを特徴とする二次ターゲット装置。
【請求項２】
Ｘ線を発生するＸ線源と、
Ｘ線源からのＸ線により蛍光Ｘ線を発生する二次ターゲット装置と、
試料から発生する蛍光Ｘ線を検出するＸ線検出器とを備え、
前記二次ターゲット装置は、Ｘ線源と試料照射位置とを結ぶ直線を中心軸とし、少なくとも前記中心軸に対向するターゲット面に二次ターゲット材を設けた複数のターゲット部材を、前記中心軸から距離を異ならせて径方向に配置して形成するターゲット本体と、
前記中心軸上に配置し、Ｘ線源から試料照射位置に対する一次Ｘ線の照射を阻止するＸ線阻止部材とを備え、
前記ターゲット部材の中心軸方向の長さ及び隣接するターゲット部材間の径方向の配置間隔は、ターゲット面を一次Ｘ線源から見込む有効立体角と該ターゲット面側で隣接するターゲット部材との間を一次Ｘ線源から見込む有効立体角とが一致する第１の条件と、ターゲット面を試料照射位置から見込む有効立体角と該ターゲット面側で隣接するターゲット部材との間を試料照射位置から見込む有効立体角とが一致する第２の条件を満足することを特徴とする蛍光Ｘ線分析装置。
【請求項３】
二次ターゲット装置と試料照射位置との間に遮蔽材を備え、前記遮蔽材は前記中心軸上に開口部を有し、該開口部は試料上における二次Ｘ線の照射領域を限定することを特徴とする請求項２記載の蛍光Ｘ線分析装置。
【請求項４】
一次Ｘ線を直接試料に照射するコリメータと一次Ｘ線の一部を吸収するフィルタのいずれか一方あるいは両方を備え、
二次ターゲット装置、コリメータ、フィルタのいずれか一つを中心軸上に配置する駆動装置を備えることを特徴とする請求項２、又は３記載の蛍光Ｘ線分析装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、Ｘ線源からの発生したＸ線（一次Ｘ線）に照射によって蛍光Ｘ線と呼ばれる二次Ｘ線を発生する二次ターゲット装置、及び二次ターゲット装置から発生する蛍光Ｘ線を試料に照射して、試料から発生する蛍光Ｘ線を用いて試料の定性・定量分析を行う蛍光Ｘ線分析装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
蛍光Ｘ線分析では、試料にＸ線を照射することによって、試料から発生する特性Ｘ線の波長及び強度を測定することによって、試料中の元素の定性・定量分析を行う。蛍光Ｘ線分析において、Ｘ線源からの発生したＸ線（一次Ｘ線）を試料に直接照射する直接照射法、及び二次ターゲットを用いた二次ターゲット法が知られている。
直接照射法は、Ｘ線管から発生した一次Ｘ線を試料に直接照射し、試料から発生する蛍光Ｘ線を半導体検出器等のＸ線検出器を用いて検出するものであり、分析する元素範囲を広くとることができるため、未知の微量元素の検出に適している。
【０００３】
一方、二次ターゲット法は、励起Ｘ線を単色化することによって微量元素の検出限界を向上させる方法であり、Ｘ線管の陽極ターゲットと異なる物質で形成された二次ターゲットに対して一次Ｘ線を照射し、二次ターゲット固有の特性Ｘ線を含む蛍光Ｘ線を発生させることによって、一次Ｘ線に含まれる連続Ｘ線を低減させ、試料からの蛍光Ｘ線のＳ／Ｎを向上させることによって微量元素の検出限界を向上させることができる。
蛍光Ｘ線分析装置では、未知の微量元素の検出と試料中の特定微量元素の高感度分析との両分析に対応した適用範囲の広いものが求められており、直接照射法による分析及び二次ターゲット法による分析の両分析を切替えて行うことができる分析装置が提案されている。
【０００４】
従来、直接照射法による分析と二次ターゲット法による分析との切替えを行う構成として、二次ターゲット装置において、二次ターゲットをＸ線源と試料とを結ぶ直線上からずれた位置に配置することによって、Ｘ線管からの一次Ｘ線が試料を直接照射しないようにし、二次ターゲットからの二次Ｘ線のみを試料に照射させる構成とし、一次Ｘ線を直接試料に照射する場合には、Ｘ線源の向きを変えて照射Ｘ線を切替える二次ターゲット装置及び蛍光Ｘ線分析装置が用いられている。
【０００５】
上記の二次ターゲット装置及び蛍光Ｘ線分析装置では、直接照射法と二次ターゲット法を一つの装置で実現するために、Ｘ線源を回転させる移動機構が必要となって装置の大型化するという問題や、直接照射法によるＸ線照射条件（照射角度、照射位置）と二次ターゲット法によるＸ線照射条件が必ずしも一致しないため、両方法による測定データの対応の正確性の点で問題がある。
また、Ｘ線源と試料を結ぶ直線上に二次ターゲットを配置し、二次ターゲットを用いる場合及び直接一次Ｘ線を照射する場合の両場合において、Ｘ線源の向きを固定したまま照射Ｘ線を切替える構成のものが提案されている（例えば、特開平１０−３２５８１４号公報）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
従来の二次ターゲット装置及び蛍光Ｘ線分析装置では、前記したように、装置の大型化や、照射するＸ線を切替えた場合に、試料に対するＸ線照射条件が異なることによる測定データの対応の正確性等の問題がある。
また、提案される装置では、Ｘ線源の向きを固定したままで照射Ｘ線を切替え可能とするために、二次ターゲットの中空部を、Ｘ線源側の開口部を広く試料側の開口部を狭めたテーパー状に形成している。そのため、Ｘ線源からの一次Ｘ線は大きな有効立体角で二次ターゲットを照射することができるが、試料から見た二次ターゲットの有効立体角は小さくなり、また、二次ターゲットから試料を見たときの角度も浅くなるため、試料に対して十分な二次Ｘ線を照射することができず、高い測定感度を得ることが難しいという問題がある。
【０００７】
また、従来の装置及び提案されている装置は、共に、試料表面において二次Ｘ線が比較的に広い範囲で広がるため、二次Ｘ線による試料表面上の照射領域を微小領域に限定することが困難であり、微小部分の分析に適用することができないという問題がある。
そこで、本発明は前記した従来の問題点を解決し、二次ターゲット装置において、照射Ｘ線の切替えにおいてＸ線照射条件を一定に保持すると共に、試料に対して十分な二次Ｘ線を照射することを目的とし、また、二次Ｘ線を試料の微小部分に照射することを目的とする。また、蛍光Ｘ線分析装置において、照射Ｘ線の切替えにおいてＸ線照射条件を一定に保持すると共に、試料に照射する十分な二次Ｘ線を確保して検出感度を向上させることを目的とし、また、試料の微小部分の分析感度を高めることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、Ｘ線源とターゲット装置と試料とを直線状に配置することによって照射Ｘ線を切替えた場合のＸ線照射条件を一定に保持し、さらに、該配置構成において、Ｘ線源からターゲット面を見た有効立体角及び試料照射位置から見た有効立体角を実質的に拡大することによって、試料に対して十分な二次Ｘ線を照射する。また、これによって、蛍光Ｘ線分析装置において高い検出感度を得る。
また、有効立体角の実質的な拡大において、複数のターゲット面から照射される二次Ｘ線を試料の照射領域に集中させ、照射領域以外への二次Ｘ線の照射を制限することによって、試料の微小部分に対して二次Ｘ線を照射する。これによって、蛍光Ｘ線分析装置において微小部分の分析感度を高める。なお、有効立体角はある一点から所定の領域面を見込む立体角であり、本発明の二次ターゲット装置及び蛍光Ｘ線分析装置では、ターゲット面を所定の領域面として有効立体角が形成される。
【０００９】
そこで、本発明のターゲット装置は、Ｘ線源と、試料照射位置と、複数のターゲット部材を配置したターゲット本体と、試料照射位置への一次Ｘ線の照射を阻止するＸ線阻止部材を直線上に配置する。
ターゲット本体は、Ｘ線源と試料照射位置とを結ぶ直線を中心軸とし、その中心軸から異なる距離に複数のターゲット部材を配置して構成し、各ターゲット部材は、少なくとも中心軸に対向する面に二次ターゲット材を設け、該面をターゲット面とする。なお、二次ターゲット材は中心軸と対向しない背面に設けることもでき、ターゲット部材全体を二次ターゲット材で形成することも、あるいは下地のＸ線遮蔽材に表面に二次ターゲット材を設けた構成とすることもできる。
【００１０】
ターゲット部材は、Ｘ線源と試料照射位置とを結ぶ直線を中心軸とする同心円の各円周上に複数配置する円筒形状の構成とすることができる他、中心軸から異なる距離であれば、円筒形状に限らず多角形の形状や、中心軸から所定の径方向にのみターゲット部材を配置する構成とすることもできる。また、連続して配置する構成、あるいは分離・分散させて配置する構成のいずれの構成とすることもできる。
Ｘ線源と試料照射位置とを結ぶ直線を中心軸とし、ターゲット部材を中心軸の径方向の周囲に複数配置することによって、照射Ｘ線を切替えた場合において、直接照射法によるＸ線照射条件と二次ターゲット法によるＸ線照射条件とを同一とすることができる。なお、同心円の各円周上への複数配置は、中心軸の径方向の周囲への複数配置の一例である。
【００１１】
この構成において、Ｘ線源あるいは試料照射位置からターゲット部材のターゲット面を見込む有効立体角が形成される。なお、ターゲット部材が、中心軸から法線方向にそれぞれ所定間隔で配置される場合には、有効立体角は中心点から所定の距離範囲で形成される同心円状に広がる面をある一点から見込む立体角となるが、本発明では必ずしも同心円に限るものものではなく、ターゲット部材及びターゲット面の形状や配置位置に応じたものとなる。
本発明の二次ターゲットにおいて、一次Ｘ線の試料への照射を防ぐと共に二次Ｘ線を試料に有効的に照射するには、Ｘ線源からの一次Ｘ線は、二次ターゲットの隙間を通過せずに二次ターゲットのターゲット面のみを照射し、かつ、ターゲット面からの二次Ｘ線は、二次ターゲットの隙間を通過して試料照射位置に到達することが必要である。
【００１２】
本発明の二次ターゲットは、上記の要件を満たすために、各ターゲット部材の中心軸方向の長さ及び隣接するターゲット部材間の径方向の配置間隔が、一次Ｘ線についての第１の条件と二次Ｘ線についての第２の条件とを満足する構成とする。ここで、第１の条件は、ターゲット面を一次Ｘ線源から見込む有効立体角と、該ターゲット面側で隣接するターゲット部材との間を一次Ｘ線源から見込む有効立体角とが一致する条件であり、第２の条件は、ターゲット面を試料照射位置から見込む有効立体角と該ターゲット面側で隣接するターゲット部材との間を試料照射位置から見込む有効立体角とが一致する条件である。
【００１３】
ターゲット部材を上記構成とすることによって、一次Ｘ線をターゲット部材で遮られることなくターゲット面に照射させ、また、ターゲット面で発生した二次Ｘ線をターゲット部材で遮られることなく試料照射位置に到達させることができ、各ターゲット部材の有効立体角を有効なものとすることができる。また、上記のように複数のターゲット部材を配置することによって、各有効立体角を総合して全体として拡大した大きな有効立体角を形成することができる。
また、本発明は、中心軸上にＸ線阻止部材を配置する構成とする。このＸ線阻止部材は、Ｘ線源から発生する一次Ｘ線が試料照射位置を照射するのを阻止するものであり、二次Ｘ線による試料照射位置の照射を確保する。
【００１４】
また、本発明の蛍光Ｘ線分析装置は、本発明のターゲット装置を用いて蛍光Ｘ線分析装置を構成するものであり、Ｘ線を発生するＸ線源と、本発明の二次ターゲット装置と、試料から発生する蛍光Ｘ線を検出するＸ線検出器とを備える。
本発明の蛍光Ｘ線分析装置は、本発明のターゲット装置を用いることによって、照射Ｘ線の切替えにおいてＸ線照射条件を一定に保持すると共に、試料に照射する十分な二次Ｘ線を確保して検出感度を向上させることができる。
【００１５】
また、本発明のターゲット装置によって、試料位置に対して二次Ｘ線を集中させることによって微小部分の分析感度を高めることができる。
この微小部分の分析において、二次ターゲット装置と試料照射位置との間に、中心軸上において、試料上における二次Ｘ線の照射領域を限定する開口部を有した遮蔽材を設ける構成とすることによって、照射領域以外への二次Ｘ線の照射を制限して試料位置に対して二次Ｘ線を集中させ、微小部分の分析感度を高める。
【００１６】
また、一次Ｘ線を直接試料に照射するコリメータと一次Ｘ線の一部を吸収するフィルタのいずれか一方あるいは両方を備えると共に、二次ターゲット装置、コリメータ、フィルタのいずれか一つを中心軸上に配置する駆動装置を備える構成とし、この駆動装置によって、Ｘ線源と試料とを結ぶ直線上に、直接試料にコリメータ、フィルタ、あるいは二次ターゲット装置を交換可能に配置する。これによって、コリメータを配置した場合には一次Ｘ線を直接試料に照射することができ、フィルタを配置した場合には一次Ｘ線中の特定波長のＸ線を照射することができる。また、二次ターゲット装置を配置した場合には、二次ターゲット固有の特性Ｘ線を含む蛍光Ｘ線を発生させることによって、一次Ｘ線に含まれる連続Ｘ線を低減させ、試料からの蛍光Ｘ線のＳ／Ｎを向上させ、微量元素の高感度の検出を行うことができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を、図を参照しながら詳細に説明する。
図１は本発明のターゲット装置及び蛍光Ｘ線分析装置の概略を説明するための図である。
二次ターゲット装置２は、ターゲット本体１０とＸ線阻止部材２０とを備え、Ｘ線源３と試料照射位置４とを結ぶ中心軸Ｃ（図中の一点鎖線で示す）上に配置する。二次ターゲット装置２は、Ｘ線源３から一次Ｘ線３１を受けて二次Ｘ線３２を発生し、試料照射位置４に配置した試料Ｓ上を照射する。また、蛍光Ｘ線分析装置１は、ターゲット装置２とＸ線検出器６とを備え、照射された二次Ｘ線３２によって試料Ｓから発生した特性Ｘ線３３をＸ線検出器６で検出し、特性Ｘ線の波長及び強度を測定することによって、試料Ｓ中の元素の定性・定量分析を行う。
【００１８】
ターゲット本体１０は複数のターゲット部材１１ａ〜１１ｆを備え、該ターゲット部材１１ａ〜１１ｆを中心軸Ｃからの距離を異ならせて径方向に配置し、各ターゲット部材１１ａ〜１１ｆの少なくとも中心軸Ｃに対向するターゲット面には二次ターゲット材を設ける。中心軸Ｃ上にはＸ線阻止部材２０を配置し、Ｘ線源３で発生した一次Ｘ線が試料照射位置４に到達することを阻止し、ターゲット面で発生した二次Ｘ線３２のみを試料Ｓに照射させる。
なお、Ｘ線源３は、例えば、熱電子を放射するヒータと熱電子の衝突によって一次Ｘ線３１を発生する陽極ターゲットで構成され、陽極ターゲットはＲｈ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｍｏ，Ｗ等の材料で形成することができる。また、ターゲット部材１１は、所望の特性Ｘ線ｗに対応した物質、例えばＡｌ，Ｃｕ，Ｇｅ，Ｙ，Ｓｎ等の材料で形成することができる。
【００１９】
また、Ｘ線源３及びターゲット本体１０には、一次Ｘ線３１及び二次Ｘ線３２を遮蔽する遮蔽材５を備える。Ｘ線源３が備える遮蔽材５は、Ｘ線源３で発生した一次Ｘ線３１を試料Ｓ側に向けて放出するために、中心軸Ｃが通る開口部５ａを備える。また、ターゲット本体１０が備える遮蔽材５は、ターゲット部材１１にのみ一次Ｘ線３１を照射して一次Ｘ線３１が試料Ｓを照射しないようにし、また、ターゲット部材１１で発生した二次Ｘ線３２を試料照射位置４に集中させると共に、二次Ｘ線３２がＸ線検出器６に達しないよう遮蔽するものであり、中心軸Ｃが通る開口部５ｂ、５ｃを備える。
なお、Ｘ線阻止部材２０及び遮蔽材５は、Ｐｂ等のＸ線遮蔽材料で形成することができる。
【００２０】
図２はターゲット体の第一の構成例を示す概略図である。第一の構成例のターゲット本体１０は、径を異にする円筒形状のターゲット部材１１ａ〜１１ｆを中心軸Ｃを中心として同心円状に配置して備え、中心位置にはＸ線阻止部材２０を配置する。
ターゲット部材１１ａ〜１１ｆは、一次Ｘ線及び二次Ｘ線を有効的に照射するために、所定の配置関係を満足する必要がある。以下、この配置関係について図３を用いて説明する。
【００２１】
図３はターゲット部材１１の概略断面図であり、隣接する２つのターゲット部材１１ｍ，１１ｎを一例として示している。ターゲット部材１１ｍ、１１ｎは中心軸Ｃ方向に長さｌを有し、ターゲット面１０Ａを中心軸Ｃから径方向にｄｍ及びｄｎの位置に、径方向に配置間隔ｄmnだけ離して配置する。また、ターゲット部材１１ｍ、１１ｎはその両端の位置を、中心軸Ｃ上においてＸ線源３の中心点３ａ及び試料照射位置４の中心点４ａからそれぞれＤ１及びＤ２の距離とし、ターゲット部材１１ｍ、１１ｎのターゲット面１１Ａは、中心軸Ｃと平行に配置するものとする。
【００２２】
Ｘ線源３の中心点３ａからターゲット部材１１ｍのターゲット面Ａを見込んだときの中心軸を含む断面上における角αは、ターゲット部材１１ｍのＸ線源３側の端部と試料照射位置４側の端部間の角度で定まり、該角αは中心軸Ｃの回りの見こみ面に対して有効立体角ａを形成する。ここで、Ｘ線源３で発生した一次Ｘ線３１がターゲット面を有効に照射するには、隣接するターゲット部材１１ｎを角α（有効立体角ａ）の外側に配置し、ターゲット部材１１ｎが一次Ｘ線３１を遮らないことが必要である。また、一次Ｘ線３１が直接に試料Ｓに達しないことが必要である。
【００２３】
また、試料照射位置４の中心点４ａからターゲット部材１１ｍのターゲット面を見込んだときの中心軸を含む断面上における角βも、各αと同様にターゲット部材１１ｍのＸ線源３側の端部と試料照射位置４側の端部間の角度で定まり、該角βは中心軸Ｃの回りの見こみ面に対して有効立体角ｂを形成する。
ここで、ターゲット面Ａで発生した二次Ｘ線３２が試料照射位置４を有効に到達するには、隣接するターゲット部材１１ｎを角β（有効立体角ｂ）の外側に配置し、ターゲット部材１１ｎが二次Ｘ線３２を遮らないことが必要である。
【００２４】
ターゲット部材１１の中心軸Ｃ方向の長さｌ、ターゲット部材１１ｍ，１１ｎ間の配置間隔ｄmnは、上記条件を満足するよう設定される。なお、上記角α（有効立体角ａ），β（有効立体角ｂ）は、長さｌ、配置間隔ｄmn、距離Ｄ１，Ｄ２により幾何学的に定めることができる。
Ｘ線源３からターゲット部材１１を見込んだ有効立体角Ａは、隣接するターゲット部材間で形成される有効立体角ａを複数のターゲット部材１１ａ〜１１ｆで組み合わせることによって形成される。ここで、各ターゲット面を見込む角αの外側となるように隣接するターゲット部材を配置することによって、有効立体角Ａは中心軸Ｃ上に配置されたＸ線阻止部材２０の立体角分は除いて、最外周に設けられたターゲット部材１１ａの径を見込む立体角とすることができる。
【００２５】
また、試料照射位置４からターゲット部材１１を見込んだ有効立体角Ｂは、隣接するターゲット部材間で形成される有効立体角ｂを複数のターゲット部材１１ａ〜１１ｆで組み合わせることによって形成される。ここで、各ターゲット面を見込む角βの外側となるように隣接するターゲット部材を配置することによって、有効立体角Ｂは中心軸Ｃ上に配置されたＸ線阻止部材２０の立体角分は除いて、最外周に設けられたターゲット部材１１ａの径を見込む立体角とすることができる。
【００２６】
次に、図４を用いて、一次Ｘ線及び二次Ｘ線が通る経路について説明する。
Ｘ線源３は、ある強度分布（例えば図中の３１ａ）で一次Ｘ線３１を発生し、遮蔽材５の開口部５ａから二次ターゲット装置２側に向けて放出される。なお、Ｘ線源３の遮蔽材５は、二次ターゲット装置２側以外への一次Ｘ線の漏洩を防止する。Ｘ線源３から放出された一次Ｘ線３１は、ターゲット部材１１の周囲を囲む遮蔽材５の開口部５ｂを通ってターゲット部材１１のターゲット面１１Ａを照射する。
開口部５ｂを通過した一次Ｘ線３１は、隣接するターゲット部材１１ｍ、１１ｎ間を通ってターゲット部材１１ｍのターゲット面１１Ａを照射する。ターゲット面１１Ａは、ターゲット部材の長さｌや配置間隔ｄ等を前記条件を満足するように設定することによって、ターゲット部材１１ｎで遮られることなく有効的に照射される。
【００２７】
ターゲット面１１Ａでは、照射された一次Ｘ線３１による励起によって、ある強度分布（例えば図中の３２ａ、３２ｃ）で二次ターゲット材に特有のスペクトルの二次Ｘ線３２を発生する。発生した二次Ｘ線３２の内で試料照射位置４に向かうものは、ターゲット部材の長さｌや配置間隔ｄ等を前記条件を満足するように設定することによって、ターゲット部材１１ｎで遮られることなく試料照射位置４に向かう。
【００２８】
さらに、ターゲット面１１Ａで発生した二次Ｘ線３２は、試料照射位置４方向に向かって内径が狭められた遮蔽材５によって絞られ、開口部５ｃを通して試料照射位置４に照射される。図４中の右端部に示す分布曲線は、試料照射位置４に達する二次Ｘ線の強度分布を模式的に示しており、内径が狭められた遮蔽材５を用いて小径の開口部５ｃを通すことによって二次Ｘ線３２の照射領域の範囲を狭めることができ、分析感度を高めることができる。なお、分布曲線中に示す破線及び矢印は、遮蔽材５による制限範囲及び照射領域を示している。遮蔽材５を備えない構成では、試料照射位置４において広い範囲で二次Ｘ線が照射され、分析感度が低下することになる。
【００２９】
したがって、ターゲット部材１１の遮蔽材５は、二次ターゲット装置２側以外への一次Ｘ線の照射の防止すると共に、試料照射位置４に対する二次Ｘ線３２を集中化させる作用を奏する。
【００３０】
次に、ターゲット部材の構成例を図５を用いて説明する。図５（ａ）は第一の構成例であり、Ｘ線遮蔽材からなる下地１１Ｂの両面に二次ターゲット材１１Ｃを接着や蒸着によって形成される。下地１１Ｂの厚みは、一次Ｘ線が透過しない厚みとする。また、二次ターゲット材１１Ｃの膜厚は、一次Ｘ線によって二次ターゲット材から励起される蛍光Ｘ線が十分に確保される厚さであって、最大の蛍光Ｘ線が得られる厚さが好ましく、また、下地のＸ線遮蔽材から発生する蛍光Ｘ線が十分に吸収される厚さが確保されることが望ましい。また、該膜厚はバルクと見なせる厚さであることが望ましい。
【００３１】
二次ターゲット材１１Ｃは、ターゲット部材１１において少なくとも一次Ｘ線が照射される面に設けられれば良く、一次Ｘ線が照射されない面は下地面とすることができる。図５（ｂ）に示す第二の構成例は、ターゲット部材１１の一方の面にのみに二次ターゲット材１１Ｃを設ける構成である。
【００３２】
また、図５（ｃ）に示す第三の構成例のように、下地を用いずに二次ターゲット材１１Ｃのみの構成とすることもできる。
二次ターゲット材の保持例について図６を用いて説明する。図６（ａ）に示す保持例は、複数の二次ターゲット部材１１を一本の支持部材２１で保持するものであり、Ｘ線遮蔽材で形成された支持部材２１を各二次ターゲット部材１１の中心を通して設ける。図６（ｂ）に示す保持例は、複数の二次ターゲット部材１１を二本の支持部材２１ａ，２１ｂで保持するものであり、Ｘ線遮蔽材で形成された支持部材２１ａ，２１ｂを各二次ターゲット部材１１の中心を通し、かつ所定の角度を有して設ける。支持部材２１，２１ａ，２１ｂは細径のワイヤ状に形状とすることができ、一次Ｘ線のターゲット面への照射の妨げは無視できる程度にわずかなものすることができる。
【００３３】
また、図６（ｃ）に示す保持例は、複数の二次ターゲット部材１１を板状の支持部材２２で保持するものであり、Ｘ線遮蔽材で形成された板状の支持部材２２の一方の辺に二次ターゲット部材１１の配置間隔で溝２３を形成し、該溝２３に二次ターゲット部材１１を中心を通る位置で差し込むことによって保持を行う。支持部材２２の厚さは有効立体角に対して十分薄くすることができ、また、一次Ｘ線の照射方向に対してほぼ平行となるため、一次Ｘ線のターゲット面への照射の妨げは無視できる程度にわずかなものすることができる。なお、複数枚の支持部材２２を用い、二次ターゲット部材１１の中心位置で交差する構成とすることもできる。
【００３４】
次に、本発明のＸ線蛍光分析装置は、二次Ｘ線と一次Ｘ線とを切替えて試料に照射する構成とすることができる。図７は、照射Ｘ線の切替え機構を説明するための概略図である。図７において、本発明の二次ターゲット装置２に加えて、一次Ｘ線を直接試料に照射するコリメータ７と一次Ｘ線の一部を吸収するフィルタ８を駆動機構９で切替え可能に備える。なお、コリメータ７とフィルタ８はいずれか一方あるいは両方を備えることができる。
駆動機構９は、二次ターゲット装置２，コリメータ７，及びフィルタ８を、Ｘ線源３と試料照射位置４とを結ぶ中心軸Ｃ上に移動する。一次Ｘ線を直接試料Ｓに照射して一次Ｘ線による直接励起を行う場合にはコリメータ７を中心軸Ｃ上に配置する。また、一次Ｘ線中の一部を吸収して特定波長のＸ線を試料Ｓに照射したり、目的元素のバックグラウンドを低下させる一次Ｘ線フィルタ法を用いる場合には、フィルタ８を中心軸Ｃ上に配置する。
【００３５】
また、二次ターゲット装置を配置した場合には、二次ターゲット固有の特性Ｘ線を含む蛍光Ｘ線を発生させることによって、一次Ｘ線に含まれる連続Ｘ線を低減させ、試料からの蛍光Ｘ線のＳ／Ｎを向上させ、微量元素の高感度の検出を行うことができる。
【００３６】
次に、本発明の二次ターゲット装置に適用するターゲット体の他の構成例について図８〜図１０を用いて説明する。なお、図２に示すターゲット体を第１の構成例とする。
ターゲット体の第２の構成例は、図８に示すように、二次ターゲット部材１２の形状を多角形とするものである。二次ターゲット部材１２ａ〜１２ｆを辺の寸法を異ならせた多角形形状で形成し、各中心位置を中心軸Ｃに合わせて配置する。
【００３７】
ターゲット体の第３〜第７の構成例は、分割した二次ターゲット部材を組み合わせる構成である。図９（ａ）に示す第３の構成例は、円周を所定角度で分割して扇状に形成した二次ターゲット部材１３を組み合わせた構成例であり、図９（ｂ）、（ｃ）に示す第４，５の構成例は、矩形状に形成した二次ターゲット部材１４、１５を中心軸から放射状に組み合わせた構成例である。
また、図９（ｄ），（ｅ）は第６，７の構成例において、二次ターゲット部材１６、１７をＸ線源側から見た状態を示している。第６の構成例は、断面が円形形状の二次ターゲット部材１６を中心軸の周囲に配列する構成例であり、第７の構成例は、断面が矩形形状の二次ターゲット部材１７を中心軸の周囲に配列する構成例である。
【００３８】
ターゲット体の第８，９の構成例は、二次ターゲット部材１８，１９によってを横方向（縦方向）、または縦及び横方向に区切る構成である。
第３〜第７の構成例に示す分割した各二次ターゲット部材、及び第８，９の構成例に示す分割した各二次ターゲット部材は、第１の構成例と同様に、中心軸方向の長さ及び隣接するターゲット部材間の径方向の配置間隔を、ターゲット面を一次Ｘ線源から見込む有効立体角と該ターゲット面側で隣接するターゲット部材との間を一次Ｘ線源から見込む有効立体角とが一致する第１の条件と、ターゲット面を試料照射位置から見込む有効立体角と該ターゲット面側で隣接するターゲット部材との間を試料照射位置から見込む有効立体角とが一致する第２の条件を満足するよう形成する。
【００３９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のターゲット装置によれば、照射Ｘ線の切替えにおいてＸ線照射条件を一定に保持すると共に、試料に対して十分な二次Ｘ線を照射することができ、また、二次Ｘ線を試料の微小部分に照射することができる。
【００４０】
また、本発明の蛍光Ｘ線分析装置によれば、照射Ｘ線の切替えにおいてＸ線照射条件を一定に保持すると共に、試料に照射する十分な二次Ｘ線を確保して検出感度を向上させることができ、また、試料の微小部分の分析感度を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のターゲット装置及び蛍光Ｘ線分析装置の概略を説明するための図である。
【図２】本発明のターゲット体の第一の構成例を示す概略図である。
【図３】本発明のターゲット部材の概略断面図である。
【図４】一次Ｘ線及び二次Ｘ線が通る経路を説明するための概略図である。
【図５】本発明のターゲット部材の第１の構成例を説明するための概略図である。
【図６】本発明の二次ターゲット材の保持例を説明するための概略図である。
【図７】照射Ｘ線の切替え機構を説明するための概略図である。
【図８】本発明の二次ターゲット装置に適用するターゲット体の他の構成例を説明するための概略図である。
【図９】本発明の二次ターゲット装置に適用するターゲット体の他の構成例を説明するための概略図である。
【図１０】本発明の二次ターゲット装置に適用するターゲット体の他の構成例を説明するための概略図である。
【符号の説明】
１…蛍光Ｘ線分析装置、２…二次ターゲット装置、３…Ｘ線源、４…試料照射位置、５…遮蔽材、５ａ，５ｂ，５ｃ…開口部、６…検出器、７…コリメータ、８…フィルタ、９…駆動装置、１０…ターゲット本体、１１〜１９，１１ａ〜１１ｎ…ターゲット部材、１１Ａ…ターゲット面、１１Ｂ…下地、１１Ｃ…二次ターゲット材、２０…Ｘ線阻止部材、３１…一次Ｘ線、３２…二次Ｘ線、Ａ，Ｂ…有効立体角、Ｃ…中心軸、Ｓ…試料。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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