(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）式（Ｉ）：
Ｒ1 −〔Ｏ（ＡＯ）n Ｘ 〕m  （Ｉ）
〔式中、Ｒ1 は鎖状の炭素数３〜50のｍ価の多価アルコール残基、ＡＯは炭素数２のオキシアルキレン基、Ｘは水素原子、炭素数4〜18の炭化水素基又は炭素数１〜24のアシル基、ｍは３〜30の整数、ｎは0〜100 の整数を示し、ｍ個のｎ及びｍ個のＸはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。但し、ｍ個のｎがすべて０の場合を除く。〕で表される化合物、（Ｂ）アルミナ及び（Ｃ）水を含有することを特徴とする磁気記録媒体基板用研磨液組成物。
【請求項２】
Ｒ1 を形成する多価アルコールが、グリセリン、エリスリトール、エリトリトール、リビトール、ｐ−アラビニトール、キシリトール、アリトール、ソルビトール、マンニトール、ｐ−イジトール、ガラクチトール、Ｄ−タリトール、トリメチロールプロパン、トリメチロールエタン、１，２，４−ブタントリオール、１，２，６−ヘキサントリオール、１，１，１−ヘキサントリオール、ジトリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール、ポリビニルアルコール、ジグリセリン、及びポリグリセリンからなる群より選ばれる、請求項１記載の研磨液組成物。
【請求項３】
式（Ｉ）で表される化合物が、式(II):
Ｒ2 −〔Ｏ（ＡＯ）n Ｘ〕3  (II)
〔式中、Ｒ2 は炭素数３〜50の３価の多価アルコール残基、ＡＯ、Ｘ及びｎは前記と同じ、３個のＸは同一であっても異なっていてもよい。但し、３個のｎがすべて０の場合を除く。〕で表される化合物、式(III):
ＨＯ−Ｒ2 −〔Ｏ（ＡＯ）n Ｘ〕2  (III)
〔式中、Ｒ2 、ＡＯ、Ｘ及びｎは前記と同じ、２個のＸは同一であっても異なっていてもよい。但し、２個のｎがすべて０の場合を除く。〕で表される化合物、及び式(IV):
Ｘ（ＡＯ）n Ｏ−Ｒ2 −（ＯＨ）2  (IV)
〔式中、Ｒ2 、ＡＯ、Ｘ及びｎは前記と同じである。但し、ｎが０の場合を除く。〕で表される化合物からなる群より選ばれた少なくとも１種である請求項１又は２記載の研磨液組成物。
【請求項４】
式（Ｉ）で表される化合物の含有量が、0.01〜10重量％である、請求項１〜３いずれか記載の研磨液組成物。
【請求項５】
アルミナの含有量が、１〜１０重量％である、請求項１〜４いずれか記載の研磨液組成物。
【請求項６】
アルミナの二次粒子の平均粒径が、０．１〜１．５μｍである、請求項1〜５いずれか記載の研磨液組成物。
【請求項７】
アルミナと式（Ｉ）で表される化合物の濃度比［アルミナの濃度（重量％）／式（Ｉ）で表される化合物の濃度（重量％）］が、１以上200以下である、請求項1〜６いずれか記載の研磨液組成物。
【請求項８】
研磨液組成物のｐＨが２〜１０である、請求項1〜７いずれか記載の研磨液組成物。
【請求項９】
磁気記録媒体用の被研磨基板が、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金からなる基板である、請求項1〜８いずれか記載の研磨液組成物。
【請求項１０】
請求項１〜９いずれか記載の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨することを特徴とする磁気記録媒体基板の研磨方法。
【請求項１１】
請求項１〜９いずれか記載の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する工程を有することを特徴とする磁気記録媒体基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、研磨液組成物に関する。さらに詳しくは、表面粗さを低減し得る研磨液組成物、並びに該研磨液組成物を用いた被研磨基板の研磨方法及び精密部品用基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ハードディスクの高密度化が進み、磁気ヘッドの浮上量はますます小さくなってきている。その結果、ハードディスク基板の研磨工程で、表面の粗さの低減が求められている。また、半導体分野においても、高集積化、高速化が進み、それに伴い半導体装置のデザインルールは年々微細化が進み、デバイス製造プロセスでの焦点深度は浅くなり、パターン形成面の平坦性がより一層求められている。従って、被研磨物の表面にスクラッチやピット等の欠陥を生じさせずに、表面粗さを低減させ得る精密部品用研磨液組成物の開発が待ち望まれている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、前記従来技術に鑑みてなされたものであり、被研磨物の表面にスクラッチやピット等の欠陥を生じさせることなく、表面粗さを低減し得る研磨液組成物、該研磨液組成物を用いた被研磨基板の研磨方法及び精密部品用基板の製造方法を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明の要旨は
〔１〕  （Ａ）式（Ｉ）：
Ｒ1 −〔Ｏ（ＡＯ）n Ｘ  〕m                         （Ｉ）
〔式中、Ｒ1 は鎖状の炭素数３〜500 のｍ価の多価アルコール残基、ＡＯは炭素数２〜４のオキシアルキレン基、Ｘは水素原子、炭素数１〜24の炭化水素基又は炭素数１〜24のアシル基、ｍは３〜200 の整数、ｎは０〜200 の整数を示し、ｎ個のＡＯは同一であっても異なっていてもよく、ｍ個のｎ及びｍ個のＸはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。但し、ｍ個のｎがすべて０の時、ｍ個のＸは同時に水素原子ではない〕で表される化合物、（Ｂ）研磨材及び（Ｃ）水を含有することを特徴とする研磨液組成物、
〔２〕  前記研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨することを特徴とする被研磨基板の研磨方法、並びに
〔３〕  前記研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する工程を有することを特徴とする精密部品用基板の製造方法
に関する。
【０００５】
【発明の実施の形態】
式（Ｉ）で表される化合物（以下、化合物（Ｉ）という）において、Ｒ1 は鎖状の炭素数3 〜500 のｍ価の多価アルコール残基を示す。多価アルコールの炭素数は、研磨表面粗さの低減、研磨材の分散性向上及び研磨粉の排出性向上の観点から３以上であり、また化合物（Ｉ）の水への溶解性向上及び研磨粉の排出性向上の観点から500 以下、好ましくは300 以下、より好ましくは100 以下、さらに好ましくは50以下、特に好ましくは30以下である。また、ｍは、研磨表面粗さ低減及び研磨材の分散性向上の観点から３以上であり、化合物（Ｉ）の水への溶解性向上及び研磨粉の排出性向上の観点から200 以下、より好ましくは100 以下、さらに好ましくは50以下、特に好ましくは30以下である。Ｒ1 を形成する多価アルコールの具体的としては、グリセリン、エリスリトール、エリトリトール、リビトール、ｐ−アラビニトール、キシリトール、アリトール、ソルビトール、マンニトール、ｐ−イジトール、ガラクチトール、Ｄ−タリトール、トリメチロールプロパン、トリメチロールエタン、１，２，４−ブタントリオール、１，２，６−ヘキサントリオール、１，１，１−ヘキサントリオール、ジトリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール、ポリビニルアルコール、ジグリセリン、ポリグリセリン等が挙げられる。また、該多価アルコールは、−ＣＯＯＨ基、−ＣＯＯＡ基〔Ａはナトリウム、カリウム等のアルカリ金属原子、アンモニウム、テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド、アルカノールアンモニウム等を示す〕、−ＣＯＯＲ3 基〔Ｒ3 は炭素数１〜24の炭化水素基を示す〕等の官能基を有していてもよく、それらの代表例としては、グルコン酸、オキシ酸等が挙げられる。
【０００６】
化合物（Ｉ）において、ＡＯはオキシアルキレン基を示し、その炭素数は、化合物（Ｉ）の水への溶解性向上の観点から２〜４が好ましく、特に２が好ましい。ＡＯの具体例としては、オキシエチレン基、オキシプロピレン基、オキシブチレン基等が挙げられる。このようなオキシアルキレン基を有する化合物は、多価アルコールにアルキレンオキサイドを付加することにより得られる。アルキレンオキサイドの付加モル数（ｎ）は、研磨材の分散性向上及び研磨粉の排出性向上の観点から、通常、多価アルコールの水酸基１個に対して、200 モル以下、好ましくは150 モル以下、より好ましくは100 モル以下、さらに好ましくは50モル以下である。また、アルキレンオキサイドの総付加モル数も、研磨材の分散性向上及び研磨粉の排出性向上の観点から、200 モル以下、好ましくは150 モル以下、さらに好ましくは100 モル以下である。アルキレンオキサイドとしては、エチレンオキサイド、プロピレンオキサイド、ブチレンオキサイド等が挙げられ、これらのアルキレンオキサイドは単独で用いてもよいし、２種以上を混合して用いてもよい。２種以上を混合して用いる場合には、ランダム付加でもブロック付加でもよい。なお、ｎが２以上の場合、ｎ個のＡＯは同一であっても異なってもいてもよい。また、ｍ個のｎは同一であっても異なってもいてもよい。
【０００７】
また、Ｘは、水素原子、炭素数１〜24の炭化水素基又は炭素数１〜24のアシル基を示す。なお、炭化水素基及びアシル基の炭素数は、研磨材の分散性向上、研磨粉の排出性向上及び研磨表面粗さの低減の観点から、１以上、好ましくは２以上、さらに好ましくは３以上、特に好ましくは４以上であり、化合物（Ｉ）の水への溶解性向上、研磨粉の排出性向上の観点から、24以下、好ましくは22以下、さらに好ましくは18以下である。炭化水素基及びアシル基は、脂肪族及び芳香族のいずれであってもよいが、研磨表面の表面粗さを低減させる観点から脂肪族が好ましい。また、脂肪族においては、飽和及び不飽和のいずれの基であってもよく、直鎖及び分岐鎖のいずれの基であってもよい。
【０００８】
ｍは３〜200 の整数、ｎは０〜200 の整数を示す。ｍ個のｎ及びｍ個のＸはそれぞれ同一であっても異なっていてもよいが、ｍ個のｎがすべて０の時、ｍ個のＸは同時に水素原子ではない。また、一分子中に炭化水素基及び／又はアシル基を２つ以上有する場合、Ｘは同一の炭化水素基若しくは同一のアシル基、２種以上の炭化水素基若しくは２種以上のアシル基、又は１種以上のアシル基と１種以上の炭化水素基であってもよい。
【０００９】
このような炭化水素基及び／又はアシル基を持つ化合物は、多価アルコールや多価アルコールのアルキレンオキサイド付加体を通常のエーテル化反応やエステル化反応することにより得られる。例えば、エーテル化物は、水酸基をアルカリ金属等によりアルコキサイドにかえ、アルキルハライド等と反応させることにより得られる。エステル化物はカルボン酸やカルボン酸誘導体と反応させることにより得られる。
【００１０】
化合物（Ｉ）のうち、Ｒ1 が鎖状の炭素数４〜500 のｍ価の多価アルコール残基であり、ｍが４〜200 の整数である化合物は、精密部品基板の研磨において、水への溶解性及び研磨材の排出性向上の点で、好適に使用しうる化合物である。該化合物の代表例としては、例えば、ソルビトールのエチレンオキサイド付加物とオレイン酸やラウリン酸等のカルボン酸のエステル化合物やペンタエリスリトールのエチレンオキサイド付加物とカプリル酸やオレイン酸等のカルボン酸のエステル化合物などが挙げられる。
【００１１】
化合物（Ｉ）の具体例としては、式(II):
Ｒ2 −〔Ｏ（ＡＯ）n Ｘ〕3                           (II)
〔式中、Ｒ2 は炭素数３〜50の３価の多価アルコール残基、ＡＯ、Ｘ及びｎは前記と同じ、ｎ個のＡＯは同一であっても異なっていてもよく、3 個のｎ及び３個のＸはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。但し、少なくとも１個のｎが０の時、そのｎが０の時のＸは水素原子ではない〕で表される化合物、式(III):
ＨＯ−Ｒ2 −〔Ｏ（ＡＯ）n Ｘ〕2                       (III)
〔式中、Ｒ2 、ＡＯ、Ｘ及びｎは前記と同じ、２個のｎ及び２個のＸはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。但し、２個のｎが０の時、２つのＸは同時に水素原子ではない〕で表される化合物、及び式(IV):
Ｘ（ＡＯ）n Ｏ−Ｒ2 −（ＯＨ）2                       (IV)
〔式中、Ｒ2 、ＡＯ、Ｘ及びｎは前記と同じ、ｎ個のＡＯは同一であっても異なっていてもよい。但し、ｎが０の時、Ｘは水素原子ではない〕で表される化合物からなる群より選ばれた少なくとも１種が挙げられる。従って、式(II)〜(IV)で表される化合物は、単独で又は２種以上を混合して用いることができる。なお、式（Ｉ）〜(IＶ）において、Ｘは水素原子ではないとは、Ｘは炭素数１〜２４の炭化水素基又は炭素数１〜２４のアシル基であることを意味する。
【００１２】
式(II)〜(IV)において、Ｒ2 は、鎖状の炭素数３〜50の３価のアルコール残基であり、式（Ｉ）におけるＲ1 の３価のアルコール残基のうち炭素数が３〜50ののものと同一である。
【００１３】
ＡＯ及びｎは、式（Ｉ）で示したものと同一であるが、アルキレンオキサイドの総付加モル数は、研磨材の分散性向上及び研磨粉の排出性向上の観点から、200 モル以下、好ましくは150 モル以下、さらに好ましくは100 モル以下である。また、Ｘも式（Ｉ）で示したものと同一である。
【００１４】
式(II)で表される化合物の例としては、例えば、ヤシ油やパーム油等の油脂とグリセリンとエチレンオキサイドの混合物をアルカリ触媒化で反応させた化合物、グリセリンのエチレンオキサイド付加物とオレイン酸やラウリン酸等のカルボン酸と反応させた化合物などが挙げられる。
【００１５】
式(III) で表される化合物の例としては、例えば、オレイン酸ジグリセライドなどが挙げられる。
【００１６】
式(IV)で表される化合物の例としては、オレイン酸モノグリセライド、オレイルグリセリルエーテルなどが挙げられる。
【００１７】
式(II)〜(IV)で表される化合物は、いずれも、炭化水素基又はアシル基を有していても有していなくてもよい。しかしながら、研磨表面粗さの低減、研磨材の分散性向上及び研磨粉の排出性向上の観点から、炭化水素基及び／又はアシル基を有することが好ましい。エステル化率及びエーテル化率〔多価アルコールや多価アルコールのアルキレンオキサイド付加体の全水酸基及び全カルボキシル基の総数に対する割合、以下同様〕は、平均して５％以上、好ましくは10％以上であることが望ましい。なお、化合物（Ｉ）を２種以上混合して用いる場合には、この混合物のエステル化又はエーテル化前の多価アルコールや多価アルコールのアルキレンオキサイド付加体のエステル化率及びエーテル化率は、平均して５％以上、好ましくは10％以上であることが好ましい。
【００１８】
式(II)〜(IV)で表される化合物の分子量は、いずれも、水への溶解性及び研磨材の排出性向上の観点から、10000 以下が好ましく、より好ましくは8000以下であり、研磨表面粗さの低減及び研磨材の分散性向上の観点から、好ましくは100 以上、さらに好ましくは150 以上である。
【００１９】
化合物（Ｉ）の研磨液組成物中における含有量は、研磨表面粗さの低減及び研磨材の分散性向上の観点から、0.01重量％以上、好ましくは0.05重量％以上、さらに好ましくは0.1 重量％以上であることが望ましく、研磨粉の排出性向上及び経済性の観点から30重量％以下、好ましくは20重量％以下、さらに好ましくは10重量％以下であることが望ましい。
【００２０】
研磨材としては、一般に研磨用に使用されている砥粒を使用することができる。該砥粒としては、金属、金属又は半金属の炭化物、金属又は半金属の窒化物、金属又は半金属の酸化物、金属又は半金属のホウ化物、ダイヤモンド等が挙げられる。金属又は半金属元素は周期律表の３Ａ、４Ａ、５Ａ、３Ｂ、４Ｂ、５Ｂ、６Ｂ、７Ｂ又は８Ｂ族由来のものである。具体的には、アルミナ粒子、ＳｉＣ粒子、ダイヤモンド粒子、ＭｇＯ粒子、酸化セリウム粒子、酸化ジルコニウム粒子、コロイダルシリカ粒子及びヒュームドシリカ粒子から選ばれた１種以上は、研磨速度をより一層速くする観点から、好適に使用しうるものである。特に、アルミナ粒子、酸化セリウム粒子、酸化ジルコニウム粒子、コロイダルシリカ粒子及びヒュームドシリカ粒子は、半導体ウェハや半導体素子、磁気記録媒体用基板等の精密部品の研磨に適しており、中でもアルミナ粒子は磁気記録媒体用基板の研磨に適している。また、アルミナ粒子の中では、中間アルミナ粒子は、被研磨物の表面粗さを極めて低くするので、好適に使用しうるものである。尚、本発明において、中間アルミナ粒子とは、α―アルミナ粒子以外のアルミナ粒子の総称であり、具体的には、γ―アルミナ粒子、δ―アルミナ粒子、θ―アルミナ粒子、η―アルミナ粒子、無定型アルミナ粒子等が挙げられる。また、本発明の研磨液組成物を機械的に攪拌したり、研磨時には、二次粒子が一次粒子に再分散するアルミナ系粒子を用いることも好ましい。
【００２１】
研磨材は、水を媒体としたスラリー状態で使用することができる。研磨液組成物における研磨材の含有量は、研磨液組成物の粘度や被研磨物の要求品質などに応じて種々選択することができるが、通常、生産効率よく表面粗さを低減させる観点から、30重量％以下、好ましくは20重量％以下、さらに好ましくは10重量％以下であることが望ましく、また0.01重量％以上、好ましくは0.02重量％以上、特に好ましくは0.05重量％以上であることが望ましい。なお、研磨速度を上げたい場合には、研磨材の含有量は、１重量％以上、好ましくは２重量％以上、さらに好ましくは５重量％以上であることが望ましい。
【００２２】
また、研磨材と化合物（Ｉ）の濃度の関係においては、研磨除去効率（設定取り代に対する実際の取り代の比）を低下させない観点と化合物（Ｉ）を配合した効果を十分に発現させる観点から、該研磨材と該化合物（Ｉ）との濃度比〔研磨材の濃度（重量％）／化合物（Ｉ）の濃度（重量％）〕は、好ましくは0.001 以上、より好ましくは0.01以上、さらに好ましくは0.1 以上、特に好ましくは１以上であり、また好ましくは200 以下、より好ましくは100 以下、さらに好ましくは50以下、特に好ましくは25以下、最も好ましくは10以下である。
【００２３】
研磨材の一次粒子の平均粒径は、研磨効率（研磨速度）を向上させる観点から、好ましくは0.002 μｍ以上、より好ましくは0.01μｍ以上、さらに好ましくは0.02μｍ以上、特に好ましくは0.05μｍ以上である。また、該平均粒径は、被研磨物の表面粗さを低くする観点から、好ましくは３μｍ以下、より好ましくは１μｍ以下、さらに好ましくは0.8 μｍ以下、特に好ましくは0.5 μｍ以下、最も好ましくは0.3 μｍ以下である。特に、研磨材としてアルミナ系粒子を用いた場合には、その一次粒子の平均粒径が0.01〜0.5 μｍ、特に0.02〜0.3 μｍであることが好ましく、とりわけかかる平均粒径を有する一次粒子が凝集した二次粒子の平均粒径が0.1 〜1.5 μｍが好ましく、0.3 〜1.2 μｍであることがさらに望ましい。研磨材の一次粒子の平均粒径は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察して画像解析を行い、二軸平均径を測定することによって求めることができる。また、二次粒子の平均粒径は、レーザー光回折法を用いて屈折率を考慮することにより測定することができる。
【００２４】
研磨材のヌープ硬度(JIS Z-2251)は、充分な研磨速度を得るという観点及び被研磨物の表面に加工ダメージ層（マイクロクラックやピッチングの層）を発生させないという観点から、700 〜9000であることが好ましく、1000〜5000であることがさらに好ましく、1500〜3000であることが一層好ましい。
【００２５】
研磨材の比重は、分散性及び研磨装置への供給性や回収再利用性の観点から、２〜６であることが好ましく、２〜４であることがさらに好ましい。
【００２６】
本発明の研磨液組成物を磁気記録媒体用被研磨基板の研磨に用いる場合、化合物（Ｉ）の添加効果を高め、表面粗さを低減する観点から、特に好ましく用いられる研磨材は、ヌープ硬度が1500〜3000、純度が98重量％以上、好ましくは99重量％以上、特に好ましくは99.9重量％以上であるα−Ａｌ2 Ｏ3 粒子又はγ−Ａｌ2 Ｏ3 粒子である。かかる研磨材は、高純度アルミニウム塩を用いた結晶成長法（ベルヌーイ法等）によって製造することができる。
【００２７】
なお、研磨材の純度は、研磨材１〜３ｇを酸又はアルカリ水溶液に溶かし、ＩＣＰ（プラズマ発光分析）法により、アルミニウムイオンを定量することによって測定することができる。
【００２８】
本発明において、水は媒体として用いられるものである。研磨液組成物における水の含有量は、被研磨物を生産効率よく研磨することができる観点から、好ましくは60重量％以上、さらに好ましくは70重量％以上、一層好ましくは90重量％以上であり、また好ましくは99.8重量％以下、さらに好ましくは99.4重量％以下、より一層好ましくは99.0重量％以下である。
【００２９】
本発明の研磨液組成物には、さらに、必要に応じて他の成分を含有することができる。該他の成分としては、例えば、単量体型の酸化合物の金属塩・アンモニウム塩や過酸化物、増粘剤、分散剤、防錆剤、キレート剤、塩基性物質、前記化合物（Ｉ）以外の界面活性剤等が挙げられる。単量体型の酸化合物の金属塩・アンモニウム塩や過酸化物の具体例としては、特開昭62-25187号公報２頁右上欄３〜11行、特開平1-205973号公報３頁左上欄４行〜右上欄２行、特開平3-115383号公報２頁右下欄16行〜３頁左上欄11行、特開平4-275387号公報２頁右欄27行〜３頁左欄12行、特開平5-59351 号公報２頁右欄23〜37行に記載されているもの等が挙げられる。これらの成分の研磨液組成物中における含有量は、通常、それぞれ、0.1 〜5.0 重量％程度であることが好ましい。
【００３０】
本発明の研磨液組成物は、化合物（Ｉ）、研磨材、水及び必要により他の成分を混合することによって容易に調製することができる。
【００３１】
本発明の研磨液組成物のｐＨは、基板の洗浄性、加工機械の腐食防止性及び人体への安全性の観点から、１〜13であることが好ましく、２〜11であることがさらに好ましく、２〜10であることが一層好ましい。ｐＨは、必要に応じて、前記単量体型の酸化合物の金属塩・アンモニウム塩や過酸化物、ＫＯＨ、ＮａＯＨ、アミン等の塩基性物質を所定量配合することにより、調整することができる。
【００３２】
本発明の研磨液組成物を適用しうる被研磨材の材質は、例えば、シリコン、アルミニウム、タングステン、銅のような半金属又は金属、ガラス、ガラス状カーボン、アモルファスカーボンのようなガラス状物質、Ａｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣ、二酸化ケイ素のようなセラミック材料、ポリイミド樹脂のような樹脂等が挙げられる。これらのうち、アルミニウムやシリコン等の延性材料からなる被研磨物、特にＮｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板の研磨を行う際に、本発明の研磨液組成物を用いた場合、スクラッチやピット等の表面欠陥の発生を抑えて表面粗さをより低減させながら高速で研磨できる。
【００３３】
被研磨物の形状には特に制限がない。被研磨物の形状としては、例えば、ディスク状、プレート状、スラブ状、プリズム状等の平面部を有する形状、レンズ等の曲面部を有する形状等が挙げられる。それらの中でも、ディスク状は、特に研磨に好ましい。
【００３４】
本発明の研磨液組成物は、精密部品基板、例えば、ハードディスク、光ディスク、光磁気ディスク等の磁気記録媒体の基板や半導体ウェハや半導体素子等の半導体基板、光学レンズ、光学ミラー、ハーフミラー、光学プリズム等の研磨に適している。それらの中でも、本発明の研磨液組成物は、磁気記録媒体基板や半導体基板の研磨に適しており、特にハードディスク基板の研磨に適している。なお、半導体素子の研磨には、例えば、層間絶縁膜の平坦化工程、埋め込み金属配線の形成工程、埋め込み素子分離膜の形成工程、埋め込みキャパシタ形成工程等において行われる研磨がある。
【００３５】
以上のようにして被研磨基板を研磨する工程により、精密部品用基板を製造することができる。
【００３６】
なお、本発明の研磨液組成物は、ポリッシング工程において特に効果があるが、これ以外の研磨工程、例えば、ラッピング工程等にも同様に適用することができる。
【００３７】
【実施例】
実施例及び比較例（但し、実施例２３、２４は参考例である）
研磨材としてヌープ硬度約2000のα−Ａ１2 Ｏ3 10重量％と、表２に示す化合物（Ｉ）と、残部水とを混合、攪拌し、表１に示す組成からなる研磨液組成物を得た。
【００３８】
得られた研磨液組成物を用い、下記の方法に従って測定した中心線平均粗さＲａを0.1 μｍとした直径2.5 インチのＮｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板の表面を両面加工機により、以下の両面加工機の設定条件でポリッシングした。
【００３９】
＜両面加工機の設定条件＞
使用両面加工機：共立精機（株）製、６Ｂ型両面加工機
加工圧力：１００ｇｆ／ｃｍ2 
研磨パッド：ポリテックスＤＧ（ロデールニッタ社製）
定盤回転数：４０ｒｐｍ
研磨液組成物の供給流量：３０ｃｃ／ｍｉｎ
研磨時間：７分間
【００４０】
研磨後、各基板の表面の中心線平均粗さＲａ及びスクラッチを以下の方法に従って測定した。なお、中心線平均粗さＲａは、実施例１〜２及び比較例２〜３においては比較例１を基準とし、また実施例３〜２４及び比較例５〜６においては比較例４を基準として相対値（相対粗さ）を求めた。その結果を表１に示す。
【００４１】
〔中心線平均粗さＲａ〕
ランク・テーラーホブソン社製のタリーステップを用いて測定した。
【００４２】
〔スクラッチ〕
光学顕微鏡観察（微分干渉顕微鏡）を用いて倍率×50倍で各基板の表面状態を60度おきに６ヵ所観察した。スクラッチの深さはＺｙｇｏ（Ｚｙｇｏ社製）により測定した。評価基準は以下のとおりである。
【００４３】
〔評価基準〕
Ｓ：深さ500 Åを越えるスクラッチが０本／１視野
Ａ：深さ500 Åを越えるスクラッチが平均0.5 本未満／１視野
Ｂ：深さ500 Åを越えるスクラッチが平均0.5 本以上１本未満／１視野
Ｃ：深さ500 Åを越えるスクラッチが平均１本以上／１視野
【００４４】
【表１】
0004092006.tif 000002
【００４５】
【表２】
0004092006.tif 000003
【００４６】
表１に示された結果から、実施例で得られた研磨液組成物を用いた場合には、比較例で得られたものを用いた場合と対比して、表面粗さが小さく、スクラッチも少なく、良好な研磨表面を有する被研磨基板を得ることができることがわかる。
【００４７】
【発明の効果】
本発明によれば、被研磨物の表面にスクラッチやピット等の欠陥を生じさせずに、表面粗さを低減させることができるという効果が奏される。