(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上に光の照射によって光学的特性の変わる複数層の薄膜を形成した多層膜からなる多層構造のメモリ媒体を作製し、上記多層膜に光を入射させたときの光の偏光状態の変化の仕方によって情報を記録する方法であって、
（１）上記多層構造は、一定角度の連続斜面を有する鋸状に面を加工した基板上に多層膜を形成し、かつ鋸状の各斜面の部分に上記多層膜を作製した構造であるか、あるいは、光学的異方性材料を方位を特定して薄膜化し、平板状の透明基板上に多層に形成した構造であり、（２）上記多層構造をｎ桁（ｎ層の場合）の少なくとも２進数（２種類の物質からなる場合）と対応させてｎビット数で表わし、（３）以下の数式１（下記式において、ρは複素反射係数比、ｒp とｒs はそれぞれｐ偏光とｓ偏光の複素反射係数である。）を用いて、上記多層構造のエリプソメトリックパラメータのΔとΨを、エリプソメーターで光が透過する際の透過光で測定し、その測定値を用いてｎビット数の光学的メモリを構成し、（４）上記多層膜に光を入射させたときの透過光の偏光状態の変化の仕方によって情報を記録することを特徴とする情報の記録方法。
【数１】
0004081542.tif 000011
【請求項２】
透明基板上に光の照射によって光学的特性の変わる複数層の薄膜を形成した多層膜からなる多層構造のメモリ媒体を作製し、上記多層膜に光を入射させたときの光の偏光状態の変化の仕方によって情報を記録するメモリ媒体であって、
（１）上記多層構造は、一定角度の連続斜面を有する鋸状に面を加工した基板上に多層膜を形成し、かつ鋸状の各斜面の部分に上記多層膜を作製した構造であるか、あるいは、光学的異方性材料を方位を特定して薄膜化し、平板状の透明基板上に多層に形成した構造であり、（２）上記多層構造をｎ桁（ｎ層の場合）の少なくとも２進数（２種類の物質からなる場合）と対応させてｎビット数で表わし、（３）以下の数式１（式中、ρは複素反射係数比、ｒp とｒs はそれぞれｐ偏光とｓ偏光の複素反射係数である。）を用いて、上記多層構造のΔとΨを、エリプソメーターで光が透過する際の透過光で測定し、その測定値を用いてｎビット数の光学的メモリを構成する、ことによって情報を記録するメモリ媒体としたことを特徴とするメモリ媒体。
【数２】
0004081542.tif 000012
【請求項３】
一定角度の連続斜面を有する鋸状に面を加工した基板上に多層膜を形成した多層構造を有し、鋸状の各斜面の部分に上記多層膜を作製した、請求項２に記載のメモリ媒体。
【請求項４】
光学的異方性材料を方位を特定して薄膜化し、平板状の透明基板上に多層に形成した、請求項２に記載のメモリ媒体。
【請求項５】
透明基板が、ガラス、シリコン、サファイア、又はプラスチックで構成される、入射光に対し透明性を有する材質からなる基板である、請求項２に記載のメモリ媒体。
【請求項６】
多層膜が、少なくとも２種類の物質からなる膜を含む多層構造を有する、請求項２に記載のメモリ媒体。
【請求項７】
多層膜が、各層で膜厚を変動させた構造を有する、請求項２に記載のメモリ媒体。
【請求項８】
多層膜に、保護基板を設けた構造を有する、請求項２に記載のメモリ媒体。
【請求項９】
多層膜が、半導体、金属、有機物、プラスチック、無機物、酸化物、又は窒化物で構成される、光の透過によって偏光状態に変化が生じる光学的異方性を有する材質からなる、請求項２に記載のメモリ媒体。
【請求項１０】
請求項２に記載の多層構造のメモリ媒体に記録された情報を読み取る方法であって、透明基板上に光の照射によって光学的特性の変わる複数層の薄膜を形成した多層膜からなる多層構造のメモリ媒体において、（１）上記多層構造は、一定角度の連続斜面を有する鋸状に面を加工した基板上に多層膜を形成し、かつ鋸状の各斜面の部分に上記多層膜を作製した構造であるか、あるいは、光学的異方性材料を方位を特定して薄膜化し、平板状の透明基板上に多層に形成した構造であり、（２）上記多層膜に光を入射させ、以下の数式１（式中、ρは複素反射係数比、ｒp とｒs はそれぞれｐ偏光とｓ偏光の複素反射係数である。）を用いて、上記多層構造のΔとΨを、エリプソメーターで光が透過する際の透過光で測定し、その測定値を用いることによって情報を読み取る、ことを特徴とする情報の読み取り方法。
【数３】
0004081542.tif 000013
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、透明基板上に光の照射によって光学的特性の変わる複数層の薄膜を形成して多層構造とすることにより得られる新しいタイプの大容量メモリ媒体の構造に関するものである。更に詳しくは、本発明は、従来の方法のような、多層膜に光を入射させ、その反射光を用いる方法ではなく、多層膜に光を入射させ、その透過光を用いる方法を採用することにより、例えば、入射光のビーム幅程度の大きさまでセルを小さくすることを可能とし、また、多層膜の膜数を増加することにより記録容量の飛躍的な増大を可能とする、新しい多層構造のメモリ媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、光学メモリは、基板上に反射膜を堆積させ、この反射膜に光を入射させ、その反射光の強度を計測してその情報を読み取る方法を用いている。そして、例えば、ＣＤのように、円形の回転基板上に多数の微小な構造（セル）を作製することにより、記憶容量を増大させる方法が用いられている。最近、このＣＤのような方法ではなく、多層膜を基板上に堆積させ、この多層膜に光を入射させ、その反射光の偏光状態を計測してその情報を読み取る方法が提案されている。光の偏光状態を表す一般的なパラメータは、エリプソメトリックパラメータと呼ばれる角度であり、ΔとΨという記号を用いて表し、その定義は、以下の数式を用いてなされている。
【０００３】
【数４】
0004081542.tif 000002
【０００４】
上記式において、ρは複素反射係数比、ｒp とｒs はそれぞれｐ偏光とｓ偏光の複素反射係数である。複素反射係数比、すなわち、Δ、Ψの値は、多層膜の構造によって決まるので、Δ、Ψを測定できれば、多層膜の構造を知ることができる。従って、予め必要な情報を多層膜の構造として基板上に作製しておけば、この多層膜の構造のメモリーとして機能することを意味し、情報の読み出し時にはΔとΨを測定し、適当な情報処理を行えば、多層膜の構造として作製した情報を読み取ることができる。この方法により、例えば、ＣＤのように円形の回転基板上に多数の微小な構造（セル）を作製することにより、大容量の記憶が可能となる。
【０００５】
図１に、基板上に多層膜を堆積させた従来の方法の多層膜の構造の一例を示す。これは、アルミニウムとモリブデンの厚さ５ｎｍの膜を、シリコン基板上に４層作製したものである。図中、濃い灰色はアルミニウム部分、薄い灰色はモリブデンの部分である。アルミニウムを二進数の１、モリブデンを二進数の０に対応させること、下層が上位ビットであることを、予め決めておくことにより、図の左方より（００００）、（０００１）、（００１０）、（００１１）、（０１００）、（０１０１）、（０１１０）、（０１１１）・・・のような情報を各セルが有することになる。
【０００６】
これらのセルの多層膜の構造によるΔとΨを、通常の薄膜光学の手法により計算すると、図２のようになる。ただし、横軸はΔ、縦軸はΨを表し、各点はその近くに記入した４桁の２進数の情報を有する。光の入射角を７０度、波長を６３２．８ｎｍとした。従って、情報の書き込み時には、この構造の薄膜を作製し、読み出し時には、ΔとΨを測定し、それぞれを４桁の２進数と対応させれば、４ビットの光学的メモリを構成することができる。一般的に、ｎ層にすれば２n の異なった状態が可能であり、それぞれのセルにｎビットワードを記録することができる。
【０００７】
次に、当該技術に関する先行技術文献を提示すると、R. Jansson, H. Arwin,I. Ludstrom, Applied Optics, 33, 6843 (1994), R. Jansson, R. Wigren, K.Jarrendahl, I. Lundstrom, H. Arwin, Optics Communications, 104, 277 (1994)、があげられる。なお、多層膜の作製は、例えば、スパッタリング法、ＭＢＥ法などで行うが、それらに限らず、他の薄膜作製法を適宜用いることができる。また、ΔとΨの測定法は、エリプソメトリーと呼ばれる技術において既知である（上記のR. Jansson, H. Arwin, I. Lundstrom, Applied Optics, 33, 6843(1994), R. Jansson, R. Wigren, K. Jarrendahl, I. Lundstrom, H. Arwin, Optics Communications, 104, 277(1994) を参照）。
【０００８】
しかしながら、従来の技術では、ΔとΨを計算するために、光を入射角７０度程度で入射させなければならない。そのために、メモリの面上では、入射光ビームの幅の約３倍となり、メモリセルの大きさをこれよりも小さくすることができず、これにより、単位面積当りの記録容量が制限されるという問題があった。このように、従来の技術によれば、上述したように、例えば、４層の多層膜を用いれば、一つのセルに１６の異なった状態を記録させることが可能であり、大容量化につながる。しかしながら、光の入射角を７０度程度と大きくとる必要があることから、セル自身の大きさを小さくできないという欠点があった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
このような状況の中で、本発明者らは、上記従来技術に鑑みて、上記従来技術の問題点を確実に克服し得る新しい技術を開発することを目標として鋭意研究を積み重ねた結果、従来の方法のような、多層膜に光を入射させ、その反射光を用いる方法に代えて、透過光を用いる方法を採用することにより所期の目的を達成し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１０】
すなわち、本発明は、多層膜に光を入射させ、その透過光の偏光状態を変化させ、その変化の仕方によって情報を記録する方法、及び当該方法によって情報を記録したメモリ媒体を提供することを目的とするものである。
また、本発明は、例えば、入射光を垂直入射とすることにより、セルの大きさを入射光のビーム幅程度の大きさまで小さくしたメモリ構造を提供することを目的とするものである。
また、本発明は、従来の方法と比べて、セルの大きさ及び層数換算で記録容量の飛躍的な増大を可能とする、新しいタイプの大容量メモリ媒体、及び情報の読み取り方法を提供することを目的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決する本発明は、以下の技術的手段から構成される。
（１）透明基板上に光の照射によって光学的特性の変わる複数層の薄膜を形成した多層膜からなる多層構造のメモリ媒体を作製し、上記多層膜に光を入射させたときの光の偏光状態の変化の仕方によって情報を記録する方法であって、
１）上記多層構造は、一定角度の連続斜面を有する鋸状に面を加工した基板上に多層膜を形成し、かつ鋸状の各斜面の部分に上記多層膜を作製した構造であるか、あるいは、光学的異方性材料を方位を特定して薄膜化し、平板状の透明基板上に多層に形成した構造であり、２）上記多層構造をｎ桁（ｎ層の場合）の少なくとも２進数（２種類の物質からなる場合）と対応させてｎビット数で表わし、３）以下の数式１（下記式において、ρは複素反射係数比、ｒp とｒs はそれぞれｐ偏光とｓ偏光の複素反射係数である。）を用いて、上記多層構造のエリプソメトリックパラメータのΔとΨを、エリプソメーターで光が透過する際の透過光で測定し、その測定値を用いてｎビット数の光学的メモリを構成し、４）上記多層膜に光を入射させたときの透過光の偏光状態の変化の仕方によって情報を記録することを特徴とする情報の記録方法。
（２）透明基板上に光の照射によって光学的特性の変わる複数層の薄膜を形成した多層膜からなる多層構造のメモリ媒体を作製し、上記多層膜に光を入射させたときの光の偏光状態の変化の仕方によって情報を記録するメモリ媒体であって、
１）上記多層構造は、一定角度の連続斜面を有する鋸状に面を加工した基板上に多層膜を形成し、かつ鋸状の各斜面の部分に上記多層膜を作製した構造であるか、あるいは、光学的異方性材料を方位を特定して薄膜化し、平板状の透明基板上に多層に形成した構造であり、２）上記多層構造をｎ桁（ｎ層の場合）の少なくとも２進数（２種類の物質からなる場合）と対応させてｎビット数で表わし、３）以下の数式１（式中、ρは複素反射係数比、ｒp とｒs はそれぞれｐ偏光とｓ偏光の複素反射係数である。）を用いて、上記多層構造のΔとΨを、エリプソメーターで光が透過する際の透過光で測定し、その測定値を用いてｎビット数の光学的メモリを構成する、ことによって情報を記録するメモリ媒体としたことを特徴とするメモリ媒体。
（３）一定角度の連続斜面を有する鋸状に面を加工した基板上に多層膜を形成した多層構造を有し、鋸状の各斜面の部分に上記多層膜を作製した、前記（２）に記載のメモリ媒体。
（４）  光学的異方性材料を方位を特定して薄膜化し、平板状の透明基板上に多層に形成した、前記（２）に記載のメモリ媒体。
（５）透明基板が、ガラス、シリコン、サファイア、又はプラスチックで構成される、入射光に対し透明性を有する材質からなる基板である、前記（２）に記載のメモリ媒体。
（６）多層膜が、少なくとも２種類の物質からなる膜を含む多層構造を有する、前記（２）に記載のメモリ媒体。
（７）多層膜が、各層で膜厚を変動させた構造を有する、前記（２）に記載のメモリ媒体。
（８（多層膜に、保護基板を設けた構造を有する、前記（２）に記載のメモリ媒体。
（９）多層膜が、半導体、金属、有機物、プラスチック、無機物、酸化物、又は窒化物で構成される、光の透過によって偏光状態に変化が生じる光学的異方性を有する材質からなる、前記（２）に記載のメモリ媒体。
（１０）前記（２）に記載の多層構造のメモリ媒体に記録された情報を読み取る方法であって、透明基板上に光の照射によって光学的特性の変わる複数層の薄膜を形成した多層膜からなる多層構造のメモリ媒体において、１）上記多層構造は、一定角度の連続斜面を有する鋸状に面を加工した基板上に多層膜を形成し、かつ鋸状の各斜面の部分に上記多層膜を作製した構造であるか、あるいは、光学的異方性材料を方位を特定して薄膜化し、平板状の透明基板上に多層に形成した構造であり、２）上記多層膜に光を入射させ、以下の数式１（式中、ρは複素反射係数比、ｒp とｒs はそれぞれｐ偏光とｓ偏光の複素反射係数である。）
【００１２】
【数５】
0004081542.tif 000003
【００１３】
を用いて、上記多層構造のΔとΨを、エリプソメーターで光が透過する際の透過光で測定し、その測定値を用いることによって情報を読み取ることを特徴とする情報の読み取り方法。
【００１４】
【発明の実施の形態】
次に、本発明について更に詳細に説明する。
本発明の光学的メモリ媒体は、透明基板上に２種類以上の物質からなる多層膜を堆積させ、この多層膜に光を入射させ、その透過光の偏光状態を変化させ、その変化の仕方によって情報を記録する方法を実現するものであり、また、当該方法によって、例えば、ＣＤ、ＤＶＤ−ＲＯＭ等よりも大幅に容量を大きくしたメモリ媒体を実現することを可能とするものであり、更に、この多層膜を光が透過するときの偏光状態を計測してその情報を読み取る方法を実現することを可能とするものである。すなわち、本発明では、多層薄膜の構造を２進数に対応させ、この多層膜に光を入射させ、多層膜を透過する光の偏光状態を変化させ、その変化の仕方によって情報を記録する方法、多層膜を透過する光の偏光状態を計測して、その情報を読み取る方法、が用いられる。
【００１５】
本発明の多層構造の構成の一例を図３に示す。図３に示されるように、この例は、一定角度の連続斜面を有する鋸状に面を加工した透明基板上に多層膜を形成した構造のものであり、それぞれの斜面の部分に上述した多層膜を作製し、光を照射することによって、情報が記録される。この場合、上記鋸状に面を加工する方法としては、例えば、回折格子を作製するように型をまず作製し、レプリカを作製する方法を用いることが例示できる。しかし、これらの方法に制限されるものではない。本発明では、上記一定角度の連続斜面を有する鋸状に面を加工した基板を用いる方法に限らず、同効のものであれば適宜の形態の基板を用いることが可能である。
【００１６】
例えば、平坦な基板上の薄膜であっても光学的異方性を有する材料からなる薄膜であれば平坦な薄膜による偏光状態の変化は可能であり、この場合、平坦な基板上の薄膜でも同様に使用することができる。上記光学的異方性材料として、好適には、例えば、延伸した高分子材料、炭酸カルシウム等の無機結晶などが例示される。この光学的異方性材料を方位を特定して薄膜化すれば平板状の基板上に用いても、同様の効果を得ることができる。ΔとΨの測定は、例えば、光を垂直に入射させ、その透過光を検出することにより測定する方法が用いられる。透過光の場合には、ΔとΨの定義式は、以下のようになる。
【００１７】
【数６】
0004081542.tif 000004
【００１８】
ただし、上記式において、ρt は複素透過係数比、ｔp とｔs はそれぞれｐ偏光とｓ偏光の複素透過係数である。
多層膜の上にその保護のために、適宜、ガラス、シリコン、サファイア、プラスチックなどの材質からなる基板を設けることができる。本発明では、透過光を用いるために、基板としては、入射光に対し透明性を有する材質を用いることが必要かつ重要であり、好適には、例えば、ガラス、シリコン、サファイア、プラスチック等の材質からなるもので、そのまま又は薄膜化することで、入射光に対し透明性を有するものが例示される。しかし、これらは、代表的な例を例示したものであり、本発明は、これらに制限されるものではない。
【００１９】
多層膜の作製は、好適には、例えば、スパッタリング法、ＭＢＥ法などで行うが、これらに限らず、適宜、他の薄膜作製法を用いることができる。また、多層膜の材質としては、光（紫外線又は短波長の可視光線）の照射によって光学的特性の変わる材料であって、薄膜化できるものであることが必要かつ重要である。従って、好適には、例えば、モリブデン、アルミニウム、金、パラジウム、チタン、白金等の金属、シリコン、ゲルマニウム等の半導体、ポリピロール等の有機物等が用いられる。しかし、これらの材料に制限されるものではない。
【００２０】
波長が異なる光により光学的特性の変化をもたらす物質を薄膜化して用いることにより、それぞれの波長の光を照射することにより情報を書き込むことが可能となる。多層膜は、２種類の物質に限らず、例えば、３種類以上の適宜の数の物質で多層膜を作製することも可能であり、本発明においては、上記物質を２種類以上用いて多層膜を作製することができる。本発明では、好適には、垂直入射による透過光が用いられるが、これに限らず、斜入射による透過光を用いることができることは云うまでもない。
【００２１】
次に、本発明の一実施例について更に説明すると、透明基板上に多層膜形成させた多層構造として、モリブデンとアルミニウムの膜を、入射光に対し透明性を有する図３に示したガラス基板上に作製した４層構造を用いた。この多層膜において、モリブデンを０、アルミニウムを１とし、膜厚は上方よりそれぞれ５、１０、１５、及び１０ｎｍとした。この多層膜に光を入射し、その透過光のΔとΨを前記定義式を用いて計測した。その結果を図４に示す。
【００２２】
この結果より、透過光を用いても、反射光を用いた場合と同様に、情報を記録させる効果が得られることがわかった。ただし、反射光を用いた場合と同じ情報量を記録するためには、膜厚を各層とも同じにするのではなく、例えば、本実施例のように、膜厚を５、１０、１５、及び１０ｎｍのように適当に変動させることが必要である。もちろん、各層とも同じ膜厚とすることも適宜可能である。一方、光学的異方性材料を方位を特定して薄膜化し、平板状のガラス基板上に形成した場合にも、同様の効果が得られることがわかった。
【００２３】
反射光を用いた場合には、入射光を基板面に対し、入射角７０度程度で斜入射させる必要がある。そのために、一つのセルの大きさとして、入射光のビーム幅の３倍程度が必要となる。これに対して、透過光を用いることにより、入射光のビーム幅程度の大きさまでセルを小さくすることが可能となり、結果的に、層数が同じであれば反射光による方法に比較して、３倍程度の容量の増大につながるものである。また、ＣＤやＤＶＤといった二次元的な光学メモリと比較すると、これらは、一つのメモリセルで０か１かの１ビットしか記録できない。
【００２４】
これに対して、本発明の方法では、層の数をｎとすれば２n ビットまで単一のセルに記録することが可能である。これにより、記録容量の飛躍的な増大が可能となる。更に、現在、研究が活発に行われている近接場を用いたメモリでは、これまでのＣＤ、ＤＶＤに用いられてきた技術を大きく変える必要があり、また、非常に微小な領域を走査するために、記録再生ヘッドの安定動作等の問題もある。本発明の方法では、これらの問題を一挙に克服できるとともに、セルの大きさも従来の方法のものと変わらないことから、従来の光学的方法をも用いることができるという利点がある。
【００２５】
【作用】
本発明は、多層膜に光を入射させ、その透過光の偏光状態を変化させ、その変化の仕方によって情報を記録し、読み取る方法、及び当該方法によって情報を記録したメモリ媒体に係るものである。本発明の方法は、従来の方法のような、多層膜に光を入射させ、その反射光を用いる方法に代えて、透過光を用いる方法を採用しているので、例えば、垂直入射の透過光を利用した場合には、セルを入射光のビーム幅程度の大きさまで小さくすることが可能となる。それにより、セルの大きさ当たりの記録容量を大幅に増大させることが可能となる。
【００２６】
本発明では、従来の反射光のΔとΨの定義式に代わって、透過光のΔとΨの定義式が用いられる。本発明では、透過光のΔとΨの値は、透過光の場合に適用されるΔとΨの新しい定義式を用いて計測されるので、光の偏光状態を表すパラメーターが従来の方法のものと本質的に相違する。
【００２７】
【実施例】
次に、実施例に基づいて本発明を具体的に説明するが、本発明は以下の実施例によって何ら限定されるものではない。
実施例１
透明基板としてサファイア基板を用いて、モリブデンとマグネシウムの二層構造膜をサファイア基板上にスパッタリング法によって作製した。作製した試料は、次の４種類である。
試料Ａ：サファイア基板上にマグネシウム膜を作製し、更に、その上にモリブデン膜を作製したもの。
試料Ｂ：サファイア基板上にモリブデン膜を作製し、更に、その上にマグネシウム膜を作製したもの。
試料Ｃ：サファイア基板上にマグネシウム膜を作製したもの。
試料Ｄ：サファイア基板上にモリブデン膜を作製したもの。
【００２８】
これらの共通の作製条件としては、基板温度は室温で、０．１Ｐａのアルゴンガス中で電力１００ＷでＲＦマグネトロンスパッタリングを行った。それぞれのスパッタリング時間は、試料ＡとＢはモリブデン膜及びマグネシウム膜ともに１分である。試料ＣとＤは２分である。スパッタリング時間をいろいろと変化させて行った予備的な実験から、推定される膜厚は、スパッタリング時間１分で、マグネシウム膜は１２ｎｍ、モリブデン膜は４．３ｎｍである。従って、スパッタリング時間２分では、それぞれ２４ｎｍと８．６ｎｍとなる。
【００２９】
以上の試料において、モリブデン膜を１、マグネシウム膜を０とし、上層より読むとすれば、試料Ａは１０、試料Ｂは０１となる。試料ＣとＤはそれぞれ上層も下層もマグネシウム膜とモリブデン膜であるとみなせるので、試料Ｃは００、試料Ｄは１１となり２ビットの数を表すことになる。これらの試料のΔとΨをエリプソメーター（Ｊ．Ａ．ウーラム社製、ＶＡＳＥ型）を用いて波長６００ｎｍ、入射角６０度の透過光で測定した。その結果を表１に示す。これをΔとΨの図に表せば、図５のようになり、図の中の点で２ビット数を表すことができる。なお、ΔとΨの測定誤差（ｄΔとｄΨ）は表１に示すとおりであり、各ΔとΨの測定値は容易に区別することができる。従って、上記薄膜を作製し、透過光によってΔとΨを読み出すことにより、記録媒体を構成できることが示された。
【００３０】
同じ試料を入射角７０度と８０度で同様に測定した結果を表２、３と、図６、７に示す。これによって、入射角を７０度や８０度とした場合にも、同様に記録媒体を構成できることが示された。更に、同じ試料を入射光の波長を７００ｎｍに変えて、入射角６０度、７０度、８０度で同様に測定した。その結果を表４、５、６と、図８、９、１０に示す。これによって、波長を７００ｎｍとした場合にも、同様に記録媒体を構成できることが示された。
【００３１】
0004081542.tif 000005
【００３２】
0004081542.tif 000006
【００３３】
0004081542.tif 000007
【００３４】
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【００３５】
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【００３６】
0004081542.tif 000010
【００３７】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明は、多層膜に光を入射させ、その透過光の偏光状態を変化させ、その変化の仕方によって情報を記録する方法、当該方法によって情報を記録したメモリ媒体、及びその読み取り方法に係るものである。本発明により、以下のような格別の効果が奏される。
（１）多層構造のメモリ媒体に情報を記録する方法において、従来の反射光を用いる方法に代えて、透過光を用いる方法を採用することにより、大容量のメモリを実現することができる。
（２）入射光を垂直入射とすることにより、セルの大きさを入射光のビーム幅程度の大きさまで小さくすることができる。
（３）多層膜の膜数を増加することにより、記録容量を飛躍的に増大させることが可能となる。
（４）近接場を用いたメモリに比べて、セルの微小化とメモリの大容量化を同時に実現することができる。
（５）従来の二次元的な光メモリに代わる、新しい多層構造のメモリ媒体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】複数層の薄膜を形成したメモリ媒体の模式図を示す。
【図２】４層の多層膜構造による反射光のΔとΨの関係を示す。
【図３】光を透過する際の透過光の偏光状態を変化させる、鋸状に面を加工した基板上に多層膜を形成したメモリ媒体を示す。
【図４】光がメモリ媒体を透過する際の透過光のΔとΨの関係を示す。
【図５】光が試料Ａ−Ｄを透過する際の透過光のΔとΨの関係を示す（入射角６０度、波長６００ｎｍ）。
【図６】光が試料Ａ−Ｄを透過する際の透過光のΔとΨの関係を示す（入射角７０度、波長６００ｎｍ）。
【図７】光が試料Ａ−Ｄを透過する際の透過光のΔとΨの関係を示す（入射角８０度、波長６００ｎｍ）。
【図８】光が試料Ａ−Ｄを透過する際の透過光のΔとΨの関係を示す（入射角６０度、波長７００ｎｍ）。
【図９】光が試料Ａ−Ｄを透過する際の透過光のΔとΨの関係を示す（入射角７０度、波長７００ｎｍ）。
【図１０】光が試料Ａ−Ｄを透過する際の透過光のΔとΨの関係を示す（入射角８０度、波長７００ｎｍ）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
0004081542.tif 000018
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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