(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ型基板における下面に，マトリックス状に並ぶ多数個の外部接続用端子電極を，当該チップ型基板の上面に形成した導体パターンに当該チップ型基板を貫通する導体を介して電気的に接続するように設け，このチップ型基板の上面に，上面に多数個の電極パッドを備えたＩＣチップを搭載し，更に，前記チップ型基板の上面のうち前記ＩＣチップより外側の部分に，当該ＩＣチップにおける各電極パッドに対応する多数個のボンディングパッドを配設し，この各ボンディングパッドと，前記ＩＣチップにおける各電極パッドとの間を金属線にてワイヤボンディングして成る半導体装置において，
前記チップ型基板の上面のうち前記ＩＣチップより外側の部分に，合成樹脂による板状の隆起部を，前記ＩＣチップにおける周囲を囲うように積層状に設け，この板状隆起部の上面に，前記多数個のボンディングパッドを形成し，この各ボンディングパッドと，前記チップ型基板の下面における各外部接続用端子電極とを，前記チップ型基板の上面における前記導体パターンと，前記板状隆起部にその上面から下面に貫通するように設けた導体とを介して電気的に接続するように構成したことを特徴とする半導体装置の構造。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，ＩＣチップを，下面に多数個の外部接続用端子電極をマトリックス状に設けたチップ型基板の上面に，当該ＩＣチップにおける多数個の電極パッドが前記チップ型基板の下面における各端子電極の各々に電気的に接続するように搭載して成るいわゆるエリアアレイパッケージ型半導体装置の構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来，この種の半導体装置の一つに，チップ型基板の上面のうちＩＣチップの周囲の部分に，当該チップ型基板の下面における各外部接続用端子電極の各々に電気的に導通する多数個のボンディングパッドを設けて，この各ボンディングパッドと，前記ＩＣチップにおける各電極パッドとの間の各々を細い金属線のワイヤボンディングにて電気的に接続すると言う構成にしているものがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし，このものは，パッケージ基板の上面に搭載したＩＣチップを，ペーストにてチップ型基板に対して固着するようにしているが，この固着に際し，前記ペーストが，チップ型基板の上面のうち前記ＩＣチップの周囲に設けられているボンディングパッドに向かって流れ広がってこれに付着することになるから，この各ボンディングパッドに対してワイヤボンディングにおける金属線を接合することができないと言うワイヤボンディングミスが多発するおそれが大きいのである。
【０００４】
また，このペーストの広がりに起因するワイヤボンディングミスを低減することのために，前記ＩＣチップの外周面から前記各ボンディングパッドでの距離を大きくすることにより，ペーストが各ボンディングパッドに対して付着しないように構成することは，前記チップ型基板の大型化，ひいては，半導体装置の大型化及び重量のアップを招来すると言う問題があった。
【０００５】
本発明は，この問題を解消し，小型・軽量化を確実に達成できるようにした構造を提供することを技術的課題とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
この技術的課題を達成するため本発明は，
「チップ型基板における下面に，マトリックス状に並ぶ多数個の外部接続用端子電極を，当該チップ型基板の上面に形成した導体パターンに当該チップ型基板を貫通する導体を介して電気的に接続するように設け，このチップ型基板の上面に，上面に多数個の電極パッドを備えたＩＣチップを搭載し，更に，前記チップ型基板の上面のうち前記ＩＣチップより外側の部分に，当該ＩＣチップにおける各電極パッドに対応する多数個のボンディングパッドを配設し，この各ボンディングパッドと，前記ＩＣチップにおける各電極パッドとの間を金属線にてワイヤボンディングして成る半導体装置において，
前記チップ型基板の上面のうち前記ＩＣチップより外側の部分に，合成樹脂による板状の隆起部を，前記ＩＣチップにおける周囲を囲うように積層状に設け，この板状隆起部の上面に，前記多数個のボンディングパッドを形成し，この各ボンディングパッドと，前記チップ型基板の下面における各外部接続用端子電極とを，前記チップ型基板の上面における前記導体パターンと，前記板状隆起部にその上面から下面に貫通するように設けた導体とを介して電気的に接続する。」
と言う構成にした。
【０００７】
【発明の作用・効果】
このように構成することにより，ＩＣチップを，チップ型基板の上面に対してペーストにて固着するに際して，前記ペーストがＩＣチップより外側に位置する各ボンディングパッドに向かって流れ広がることを，前記板状の隆起部にて確実に阻止することができる。
【０００８】
従って，本発明によると，ペーストに起因するワイヤボンディングミスの発生を確実に防止できると共に，ＩＣチップの外側面から各ボンディングパッドまでの距離を狭くできて，チップ型基板の小型化，ひいては，半導体装置の小型・軽量化を達成できる効果を有する。
しかも，チップ型基板の上面に，板状隆起部を積層し，この板状隆起部の上面に各ボンディングパッドを形成したことで，前記各ボンディングパッドと，ＩＣチップにおける各電極パッドとの間の段差を小さくできるから，ワイヤボンディングに際して，金属線の使用量を少なくできる。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下，本発明の実施の形態を，図１〜図３の図面について説明する。
この図において符号１は，ＩＣチップを示し，このＩＣチップ１の上面には，その中央の部分に能動回路又は従動回路等のような各種の回路素子が設けられ，また，その周囲の部分に前記各種の回路素子に対する接続用電極パッド２の多数個が，四つの各辺に沿って適宜ピッチの間隔で設けられている。
【００１０】
符号３は，前記ＩＣチップ１が搭載されるチップ型基板を示し，このチップ型基板３は，ガラスエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂等のような合成樹脂製で，その上面における周囲の部分には，合成樹脂にて適宜厚さの板状にした隆起部４が，前記ＩＣチップ１の周囲を囲うように，積層して設けられ，この板状隆起部４の上面に，少なくとも前記ＩＣチップ１における各電極パッド２と同数個のボンディングパッド５が，四つの各辺に沿って適宜ピッチの間隔で設けられる。
【００１１】
また，前記チップ型基板３の下面には，本発明における外部接続用端子電極としての半田又は金等のような金属製バンプ６の多数個が，縦方向及び横方向の両方について適宜ピッチ間隔のマトリックス状に並べて設けられ，この各バンプ６は，前記チップ型基板３の上面に形成した銅膜による配線パターン７に対して，前記チップ型基板３に貫通して設けた導体（スルーホール）を介して電気的に接続されている。
更にまた，前記チップ型基板３における上面の前記各ボンディングパッド５と，その下面における各外部接続用端子電極としての各バンプ６との相互間は，当該チップ型基板３における上面に形成した前記配線パターン７，及び，前記板状隆起部４にその上面から下面に貫通して設けた導体１１を介して電気的に接続されている。
【００１２】
そして，前記ＩＣチップ１を，前記チップ型基板３の上面に，その間にペースト８を塗布して搭載したのち，このペースト８を乾燥・硬化することにより，前記ＩＣチップ１をチップ型基板３に対して固着するのである。
この場合において，前記チップ型基板３の上面には，隆起部４が，前記ＩＣチップ１の周囲を囲うように設けられていることにより，前記ペースト８が，ＩＣチップ１より外側に位置する各ボンディングパッド５に向かって流れ広がることを，前記隆起部４にて確実に阻止することができるのである。
【００１３】
このようにして，ＩＣチップ１をチップ型基板３に対して固着すると，このＩＣチップ１の上面における各電極パッド２と，チップ型基板３の上面に積層した板状隆起部４の上面における各ボンディングパッド５との相互間の各々を，細い金属線９によるワイヤボンディングにて電気的に接続したのち，前記ＩＣチップ１及び各金属線９の部分の全体を，合成樹脂製のモールド部にて密封することにより，半導体装置の完成品にするのである。
【００１４】
この場合において，前記した実施の形態のように，チップ型基板３の上面に，板状隆起部４を積層し，この板状隆起部４の上面に各ボンディングパッド５を形成したことにより，前記各ボンディングパッド５と，ＩＣチップ１における各電極パッド２との間の段差を小さくできるから，ワイヤボンディングに際して，金属線９の使用量を少なくできる等の利点を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施の形態を示す分解斜視図である。
【図２】  図１の拡大縦断正面図である。
【図３】  本発明の実施の形態を示す拡大縦断正面図である。
【符号の説明】
１                    ＩＣチップ
２                    電極パッド
３                    チップ型基板
４                    隆起部
５                    ボンディングパッド
６                    外部接続用端子電極としてのバンプ
７                    配線パターン
８                    ペースト
９                    金属線
１０                  モールド部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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