(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基体上にグレーズ層を形成する工程と、
前記グレーズ層をエッチング加工して凸部状の発熱部を複数形成する工程と、
基板上面全体に発熱抵抗体膜および電極膜を順に形成する工程と、
前記電極膜をパターンニングして、前記発熱部を挟んで一方の側に前記発熱部すべてに共通に接続される共通電極を形成し、かつ、他方の側に前記発熱部それぞれに個別に接続される複数の個別電極を形成する工程と、
基板上面全体に保護膜を形成する工程と、
基板上面全体に第１のレジスト膜を形成してフォトリソグラフィ法により前記保護膜をパターンニングして、前記共通電極の一部と前記複数の個別電極の一部とを露出させる工程と、
露出された前記複数の個別電極周辺の上面に第２のレジスト膜を形成する工程と、
基板上面全体に帯電防止用の導電層を形成し、前記共通電極と前記導電層とを界面接触させる工程と、
前記第２のレジスト膜上面の前記導電層をリフトオフ法により除去する工程と、を備えることを特徴とするサーマルヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記第１のレジスト膜は、ドライフィルム・レジスト膜であることを特徴とする請求項１に記載のサーマルヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ビデオプリンタやカード印刷機、製版機等に用いられるサーマルヘッドに関し、特に、表面に帯電防止用の導電層が設けられたサーマルヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】
図６は従来のサーマルヘッドの構造を示す上面図である。サーマルヘッドには、凸部状の発熱部３ａが複数形成されており、発熱部３ａを挟んで一方の側に共通電極４が形成され、他方に個別電極５が形成されている。個別電極５上にはパッド部８が形成され、このパッド部８と保護層６の境界との間には、キズ等を防止する目的でソルダーレジスト２１等がスクリーン印刷法で形成されている。パッド部８とサーマルヘッドを駆動制御するドライバＩＣ１１とは、ボンディングワイヤ１０により接続されている。
【０００３】
最近のサーマルヘッドは、小型化や高画質化の要求により、電極配線パターンを高密度実装する傾向にあり、高密度実装により電極間の距離が縮小するとともに、ボンディングパッド周辺のパターンが複雑化する傾向にある。
【０００４】
例えば、図７に示すように、ボンディングパッドを３列に配置する場合には、パッド間に多数の個別電極５用のパターンを配置しなければならず、パターンの形状が複雑かつ長くなる。
【０００５】
また、ボンディングワイヤ１０の数も増えるため、ボンディングワイヤ１０がねじれたり、垂れたり、ステッチ形状になったりする。これにより、ボンディングワイヤ１０が電極配線パターンに接触したり、隣接するボンディングワイヤ１０同士が接触したりし、配線不良が起きやすくなる。
【０００６】
さらに、ボンディングワイヤ１０の結線部をシリコン樹脂で封止する際にも、断線や短絡等の配線不良が起きやすくなる。
【０００７】
また、電極配線パターンの破損を防止するため、従来は、図６のようなソルダーレジスト等電極配線パターンで覆っていたが、スクリーン印刷法を用いていたため、高精度で再現性の高い塗布を行うのは困難であり、耐蝕性に劣るという問題もある。
【０００８】
また、発熱抵抗体層の発熱部３ａを保護する保護層６は通常、マスクスパッタ法により形成されるが、マスク治具を使用する際に電極配線パターンにキズができやすく、パーティクルの原因になる。その上、品種ごとに異なったマスク治具を用いなければならず、メンテナンスが煩わしく、コストアップが避けられない。また、マスクスパッタ法では一般に成膜レートが３割程度減少するため、生産性が低下し、ターゲット材料費が余計にかかってしまう。
【０００９】
そこで、図８に示すように、ボンディングパッド開口部以外を全面的に、無機の保護層６、例えばSiＯＮ系のスパッタ膜で被覆する構造が提案されている（特開平11-48514号公報参照）。
【００１０】
図８のサーマルヘッドは、基板全面に例えばSiＯＮ保護膜を形成するため、マスク治具が不要になる。また、SiＯＮ膜は、遮蔽性および耐摩耗性などの点で非常に優れているため、信頼性が向上する。
【００１１】
ところで、最近、ビデオプリンタ用のサーマルヘッドが普及しており、それに伴い、熱転写型リボンの利用頻度も増えてきた。熱転写型リボンは通常、ポリエチレンテレフタレート(PET)等より成るトナーフイルムの上に、熱転写される塗料を塗布して形成される。
【００１２】
図９は従来のサーマルヘッドの感熱記録部周辺の構造を示す断面図である。アルミナ等の支持基体１上に、保温および平滑層としてグレーズ層２が形成され、その上面に発熱抵抗体層３が形成される。発熱抵抗体層３は、TaSiOやNbSiO等からなり、アレイ状に配列されている。
【００１３】
発熱抵抗体層３の上面には、凸部状の発熱部３ａを挟んで一方の側に共通電極４が形成され、他方に個別電極５が形成される。発熱抵抗体層３の発熱部３ａ周辺は、保護層６で覆われている。
【００１４】
また、サーマルヘッドに対向配置されるプラテン２２には、熱転写用インクシート２３と、このインクシート２３が転写される受像紙２４とが巻き付けられる。プラテン２２をサーマルヘッドの発熱部３ａに圧接してプラテン２２を回転させることにより、受像紙２４への印画が行われる。
【００１５】
インクシート２３と保護層６はいずれも電気絶縁材料で形成されており、常時摩擦動しているため、静電気が生じる。この静電気は、誘電体である保護層６に帯電し、電極層３や発熱抵抗体層２に異符号の電荷を誘起させる。その結果、保護層６内に高電界が発生する。この電界は、保護層６の絶縁耐圧を容易に上回るため、絶縁破壊を起こし、保護層６は本来の機能を失い、サーマルヘッドが破壊するおそれがある。
【００１６】
そこで、本出願人は、特開平10-34990号公報に記載されているように、保護層６上に、3A〜7A族から選択された１種以上の金属元素、珪素および酸素を主成分とするサーメット層を帯電防止用の導電層７として形成することを起案し、実用化して期待通りの効果を得ている。
【００１７】
サーメット層は、具体的には、例えばTaSiOやNbSiOなどの、高融点金属、珪素および酸素を主成分とし、帯電防止層として機能するのに必要な導電性と、優れた耐磨耗性を備えることが可能であり、従ってその層厚を増さずとも実用的な期間摩耗せず、サーマルヘッドの静電破壊を招かない。
【００１８】
また、発熱抵抗体と材料を共有できるから、生産性およびコスト面でも有利である。当該導電層７のパターニングは、保護膜のエッチング開口工程後にマスクスパッタ法によってなされる。また帯電防止効果の信頼性を高めるために、前記導電層７と共通電極４とを接続する場合も多い。
【００１９】
サーマルヘッドの製造コストを削減し、かつ小型化を図るには、支持基体を小型化するのが望ましい。特に、ビデオプリンタ用のサーマルヘッドは、製造コスト削減と小型化が必須である。具体的には、アルミナ支持基体の短手方向長あるいは副走査方向長を、従来の6.5mm以上から３mm以下にするのが望ましい。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来は、導電層７のパターンニング精度が低かったため、アルミナ支持基体の短手方向長あるいは副走査方向長を３mm以下にすると、導電層７による帯電防止機能が不十分になるという問題があった。この問題に対処するために、以下の２案が試みられている。
【００２１】
第１案は、保護層６と導電層７を、それぞれ別々の写真食刻法によりパターンニングするものである。具体的には、基板全面に保護層６を形成した後、その表面にドライフィルム・レジストをラミネートして露光現像を行い、リアクティブ・イオンエッチング（ＲＩＥ）法にて、保護層６を選択的に開口してボンディングパッドや共通電極４を形成する。次に、剥離液を用いて、保護層６上のドライフィルムを除去する。
【００２２】
ところが、第１案は、▲１▼工程数が極端に増加する、▲２▼二度のエッチングにより、特に保護層６の開口部のダメージが深刻で、ボンディング不良（不着やプル強度低下など）が増発する、▲３▼二度のエッチングにより、露光現像不良やエッチング過不足に伴う歩留まり低下が顕著になる、という問題がある。
【００２３】
第２案は、保護層６と導電層７を一括してエッチングし、後にAuボールや半田で両者の接続を図るものである。例えば、基板全面に保護層６を形成した後、さらに基板全面に導電層７を着膜し、その表面にドライフィルム・レジストをラミネートし、露光現像を行った後、リアクティブ・イオンエッチング（ＲＩＥ）法により、ボンディングパッド部８や共通電極４部分の保護層６と導電層７を一括して選択除去する。次に、剥離液を用いて保護層６上のドライフィルム・レジストを除去した後、Auボールや半田で保護層６と導電層７とを接合する。
【００２４】
しかしながら、導電層７には、TaやNbといったフッ化物の蒸気圧の低い金属元素が含まれているため、本質的にエッチングレートは低い。したがって、一括エッチングの際にレジストの耐久性が不足し、エッチング禁止領域までもがエッチングされるおそれがある。また、レジストの耐久性を確保するためにレジストを厚くすると、パターンニングの解像度が低下し、所望のパターンが得られなくなる。
【００２５】
さらに、保護層６と導電層７とを接合する際、保護層６と導電層７を密着させるのが難しく、ショットキーバリアにより、両者の接触抵抗が高くなって、コンタクト不良が起きやすくなる。また、ボンディングパッド間の保護層６の上面にも導電層７が残存するため、パッドに接続されたボンディングワイヤ１０が接触して短絡不良が起きるおそれがある。
【００２６】
本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、その目的は、小型化が可能で、信頼性の高いサーマルヘッドの製造方法を提供することにある。
【００２７】
本発明の一態様によれば、支持基体上にグレーズ層を形成する工程と、
前記グレーズ層をエッチング加工して凸部状の発熱部を複数形成する工程と、
基板上面全体に発熱抵抗体膜および電極膜を順に形成する工程と、
前記電極膜をパターンニングして、前記発熱部を挟んで一方の側に前記発熱部すべてに共通に接続される共通電極を形成し、かつ、他方の側に前記発熱部それぞれに個別に接続される複数の個別電極を形成する工程と、
基板上面全体に保護膜を形成する工程と、
基板上面全体に第１のレジスト膜を形成してフォトリソグラフィ法により前記保護膜をパターンニングして、前記共通電極の一部と前記複数の個別電極の一部とを露出させる工程と、
露出された前記複数の個別電極周辺の上面に第２のレジスト膜を形成する工程と、
基板上面全体に帯電防止用の導電層を形成し、前記共通電極と前記導電層とを界面接触させる工程と、
前記第２のレジスト膜上面の前記導電層をリフトオフ法により除去する工程と、を備えることを特徴とするサーマルヘッドの製造方法が提供される。
【００２８】
請求項１の発明では、マスク治具を使用することなく、保護層と導電層を形成するため、製造工程を簡略化できるとともに、保護層と導電層のパターンニングの精度向上が図れる。
【００２９】
請求項２の発明では、保護膜をパターンニングするためにドライフィルム・レジスト膜を用いるため、均一な膜を形成できるとともに、少ない露光量で感度よく現像を行うことができる。
【００３０】
また、本発明は、支持基体と、この支持基体上に形成され、それぞれ発熱部を有する複数の発熱抵抗体と、前記複数の発熱抵抗体上に形成され、前記発熱部すべてに共通に接続される共通電極と、前記複数の発熱抵抗体上に形成され、前記発熱部それぞれに個別に接続される複数の個別電極と、前記複数の発熱抵抗体の少なくとも発熱部を被覆するように形成される電気絶縁性の保護層と、前記保護層上に形成される耐電防止用の導電層と、を備えたサーマルヘッドであって、前記共通電極および前記導電層は、互いに界面接触される。
【００３１】
本発明では、共通電極と導電層とを互いに界面接触させるため、共通電極と導電層との接触抵抗を低くすることができ、コンタクト不良が起きにくくなる。
【００３２】
また、本発明では、発熱抵抗体が並ぶ方向と略直交する方向、あるいは発熱抵抗体の短手方向長、あるいは副走査方向長を４mm以下にしたため、多数の発熱部を形成でき、解像度の向上が図れる。
【００３３】
さらに、本発明では、パッド周辺の保護層上面に導電層を形成しないようにしたため、ボンディングワイヤ１０の短絡不良を確実に防止できる。
【００３４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係るサーマルヘッドについて、図面を参照しながら具体的に説明する。
【００３５】
図１は本発明に係るサーマルヘッドの一実施形態の上面図、図２は図１のＡ−Ａ線断面図である。
【００３６】
本実施形態のサーマルヘッドは、図２に示すように、支持基体１上に形成されるグレーズ層２と、グレーズ層２の上面に帯状に形成される複数の発熱抵抗体層３と、発熱抵抗体層３それぞれの上面に形成される共通電極４および複数の個別電極５と、発熱抵抗体層３の凸部状の発熱部３ａ周辺を覆う保護層６と、保護層６の上面に形成される帯電防止用の導電層７と、保護層６の一部を除去して個別電極５を露出させたボンディングパッド部８とを備えている。
【００３７】
ボンディングパッド部８は、図１に示すように、例えば三列に形成されており、各パッド部８はボンディングワイヤ１０を介してドライバＩＣ１１に接続されている。これにより、ドライバＩＣ１１からの電圧が個別電極５に供給される。
【００３８】
図１のサーマルヘッドは、支持基体１の短手方向長あるいは副走査方向長が４mm以下の小型のものであり、構造的には、保護層６と導電層７とを界面接触させる点に特徴がある。また、製法的には、リフトオフ法によりボンディングパッド部８を形成する点と、マスク治具を用いずに保護層６と導電層７を形成する点に特徴がある。
【００３９】
図３および図４は図１のサーマルヘッドの製造工程を順に示す断面図である。以下、これらの図に基づいて、本実施形態の製造方法を説明する。
【００４０】
まず、アルミナ板を材料とする支持基体１上に、厚さ200μｍのグレーズ層２を形成し（図３（ａ））、HFを用いたエッチング・プロセスと、これに続く焼成プロセスを経て、幅1000μｍで高さ40μｍの凸部を形成する（図３（ｂ））。
【００４１】
次に、厚さ0.07μｍの発熱抵抗体層(TaSiＯ)３を形成した後、厚さ0.8μｍの電極膜Alをスパッタリング法により形成する。次に、写真食刻法によるパターンニングを行い、共通電極４および個別電極５の材料となる電極配線パターンを形成するとともに、その一部を除去して発熱抵抗体層３を凸部状に露出させて、発熱部３ａを形成する（図３（ｃ））。
【００４２】
次に、マスク治具を用いずに、スパッタリング法にて、基板全面にSiＯＮ保護層６を形成する（図３（ｄ））。このとき、ターゲットとしてSiＯＮ焼結体を用いるが、微量のMgＯ等を焼結助材としてターゲットに添加してもよい。
【００４３】
発熱部３ａに所定の耐摩耗性や耐酸化性を持たせるには、ある程度厚く保護層６を設ける必要がある。SiＯＮ系の場合だと、その膜厚はビデオプリンタ用で典型的には６μｍ程度が要求される。
【００４４】
ただし、６μｍもの厚さの保護層６を写真食刻法でエッチングするのは容易ではない。エッチングは通常、ＣＦ4等の雰囲気で、リアクティブ・イオンエッチング（ＲＩＥ）が用いられるが、ＲＩＥは保護層６だけでなく、有機物を基本成分とするレジストもエッチングしてしまう。
【００４５】
SiＯＮやSiＯ2の対レジストエッチングレート比は、0.7〜1.3程度に留まる。実際には、この対レジストエッチングレート比に保護層６の層厚やレジスト厚のばらつきを考慮に入れて、マージンを取ってボンディングパッド部８の開口を行わなければならないので、実質的な比率は３〜４倍にも及ぶ。
【００４６】
すなわち、６μｍの保護層６をエッチングするには、24μｍものレジストを塗布する必要があり、到底量産レベルにはならない。レジスト塗布法には、ロールコート法、スピンコート法、スプレーコート法などが知られているが、いずれの方法も、24μｍのレジストを均一に塗布するのは非常に困難である。
【００４７】
それに加えて、露光、現像およびＲＩＥにも膨大な時間と手間がかかり、また、ボンディングパッド群を精度よく形成できなくなる。
【００４８】
そこで、本実施形態では、通常の液状レジストに替えて、ドライフィルム・レジストを利用する。ここで、ドライフィルム・レジストとは、フィルム状のレジストのことで、一般には、バインダー高分子、モノマー、重合開始剤（促進剤等も含む）、および着色剤からなる。バインダー高分子としては、例えば、メタクリル酸メチル・アクリル酸共重合体、塩素化ポリエチレンとポリメタクリル酸メチルとの混合物、スチレン・マイレン共重合体等が用いられる。モノマーとしては、テトラ・エチレン・グリコール・ジアクリレート、ペンタ・エリトリトール・アクリレート、トリメチレン・プロパン・アクリレートなどのアクリル系モノマーなどが用いられる。重合開始剤としては、2,4−ジエチル・オキサントン、過酸化ベンゾイル、置換トリフェニル・ビイミダゾール等が用いられる。
【００４９】
ドライフィルム・レジストを用いることにより、基板全面にわたって40〜50μｍ厚の均一なラミネートコーティングが可能になる。また、感光性がきわめて高いため、200〜300mj程度の露光量で迅速な現像が可能になる。
【００５０】
しかしながら、ドライフィルム・レジストは、基本的にSiＯＮ系との密着性に劣る上、フィルム形態であるため、発熱抵抗体層３の40μｍ程度の凸部状発熱部３ａの形状に追従させるのが困難である。すなわち、凸部状発熱部３ａの裾野部分にドライフィルム・レジストの浮きが生じやすく、この浮き部分を起点として、現像時にドライフィルム・レジストが剥がれたり、浮き部分に閉じこめられたエアーがＲＩＥ時に破裂して、ドライフィルム・レジストに欠損が生じ、サーマルヘッド保護層６の所望外部位をエッチング破損させたり、破裂片のマスク効果により保護層６のエッチングが部分的に阻害され、ボンディングパッドの開口不良を招くおそれがある。ただし、ラミネートロールの硬度、温度および圧力等の諸条件を最適化することにより、量産に耐えうるプロセスが実現できる。
【００５１】
本実施形態では、最適条件で保護層６上にドライフィルム・レジストをラミネートし、所定のネガマスクを用いて300mjで露光し、0.5wt％のNaＯＨ水溶液で現像し、ボンディングパッド部８と共通電極４の一部以外のレジストを残存させた。
【００５２】
次に、ＣＦ4＝13Pa/100sccm、かつRFパワー密度3.0W/cm2の条件でＲＩＥを実施した。実エッチング時間は、95分とした。
【００５３】
ＲＩＥを行うことにより、図４（ａ）に示すように、ボンディングパッド部８上と一部分の共通電極４上の保護層６が除去されて開口部８ａが形成され、開口部８ａには電極配線パターンの材料であるＡｌが露出する。この開口部８ａがボンディングパッド部８として用いられる。
【００５４】
次に、ＲＩＥで変質したドライフィルム・レジストを、モノエタノール・アミンとジメチル・スルホシキドの混合液を加温した溶液を用いて剥離する。
【００５５】
次に、帯電防止用の導電層７をリフトオフする目的で、再びレジストコーティングを行う。この導電層７は、0.3μｍとそれほど厚くないため、ドライフィルム・レジストではなく、通常の液状レジスト(2.5μｍ）９を用いた。
【００５６】
次に、所定のポジマスクを用いて200mjで露光し、0.5wt%のNaＯＨ水溶液で現像し、ボンディングパッド部８およびその周辺部分のみ選択的にレジスト９を残存させる。
【００５７】
次に、スパッタリング法により、帯電防止用の導電層７（例えば、TaSiＯ膜）を基板全面に0.3μｍ形成する。この導電層７は、発熱抵抗体層３と同じ材料を用いてもよく、その場合、発熱抵抗体層３を形成するのに用いたスパッタ装置や治具がそのまま利用できる。
【００５８】
このように、導電層７を形成することにより、共通電極４上の保護層６の開口部を介して、共通電極４と帯電防止用の導電層７とが界面接触される。
【００５９】
次に、上述した工程を経た基板を、モノエタノール・アミンとジメチル・スルホシキドの混合液を加温した槽の中に投じ、レジスト９を剥離する。このとき、リフトオフ法により、ボンディングパッド部８周辺の導電層７がレジスト９とともに除去され、ボンディングパッド部８にはＡｌが露出する。
【００６０】
以上の工程で、サーマルヘッドの主要部分が出来上がる。その後の工程を簡単に説明すると、デバイス単位で支持基体１をダイシングし、不図示の放熱板とＰＣＢとを合体させた後、ドライバＩＣ１１を実装して、ドライバＩＣ１１とサーマルヘッドのボンディングパッド部８とをボンディングワイヤ１０で結線し、ボンディングワイヤ１０周辺をシリコン樹脂等で封止し、所定の実装工程を経て、サーマルヘッドが完成する。
【００６１】
このように、本実施形態では、帯電防止用の導電層７と共通電極４とを界面接触させるため、導電層７と共通電極４との接触抵抗を低くすることができ、コンタクト不良が起きにくくなる。
【００６２】
また、基板全面に導電層７を形成した後、リフトオフ法によりボンディングパッド部８周辺の導電層７を除去するため、ボンディングパッド部８周辺の導電層７を簡易な製法で確実に除去できる。したがって、ボンディング不良が起きにくくなる。
【００６３】
さらに、マスクスパッタ法を用いずに、基板全面に保護層６や導電層７を形成した後、それぞれ別々のＲＩＥにより保護層６や導電層７をパターンニングするため、精度よくパターンニングを行うことができ、サーマルヘッドの小型化が可能になる。具体的には、支持基体１の短手方向長を４mm以下にすることができる。
【００６４】
【実施例】
本出願人は、図３および図４に示した製法を利用してビデオフォトプリンタ用のサーマルヘッド（解像度300dpi、すなわち118dot per cm）を試作した。図５は、試作したサーマルヘッドを、従来の製法で製造した同品種のサーマルヘッドと歩留まりを比較した図である。
【００６５】
なお、試作したサーマルヘッドは、支持基体１の短手方向長が3.0mm、ボンディングパッドの開口部寸法が主走査方向は50μm、副走査方向は150μｍである。
【００６６】
従来は、マスクスパッタ法により導電層７を形成していたため、導電層７境界の位置精度が低く（約±0.7mm）、回り込みによりボンディングパッド部８上に導電層７が残存し、ボンディングワイヤ１０との短絡不良などがボンディング不良が多発していたが、図３および図４の製法でサーマルヘッドを製造すると、ボンディングパッド部８周辺には導電層７が残存しなくなるため、ボンディング不良は起きなくなる。
【００６７】
上述した実施形態では、ボンディングパッド部８を三列に配置する例を説明したが、ボンディングパッド部８の配置列数は三列に限らない。
【００６８】
【発明の効果】
以上本発明によれば、基板全面に導電層を形成した後、リフトオフ法により第２のレジスト膜上面の導電層を除去するため、ボンディングワイヤ周辺の導電層を簡易な製法で確実に除去できる。したがって、ボンディング不良が起きにくくなる。
【００６９】
また、共通電極と導電層とを互いに界面接触させるため、導電層と共通電極との接触抵抗を低くすることができ、コンタクト不良が起きにくくなる。また、保護層と導電層を形成する際にマスク治具を用いる必要がないため、製造工程を簡略化できるとともに、保護層や導電層のパターンの形状誤差が少なくなり、サーマルヘッドを小型化できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るサーマルヘッドの一実施形態の上面図。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図。
【図３】図１のサーマルヘッドの製造工程を順に示す断面図。
【図４】図３に続く製造工程を示す断面図。
【図５】試作したサーマルヘッドを、従来の製法で製造した同品種のサーマルヘッドと歩留まりを比較した図。
【図６】従来のサーマルヘッドの構造を示す上面図。
【図７】ボンディングパッドを３列に配置した従来例を示す上面図。
【図８】ボンディングパッド開口部以外を全面的に無機の保護層６で被覆した従来のサーマルヘッドの上面図。
【図９】従来のサーマルヘッドの感熱記録部周辺の構造を示す断面図。
【符号の説明】
１  支持基体
２  グレーズ層
３  発熱抵抗体層
３ａ  発熱部
４  共通電極
５  個別電極
６  保護層
７  導電層
８  ボンディングパッド部
９  レジスト膜
１０  ボンディングワイヤ
１１  ドライバＩＣ
【図１】
0004131895.tif 000002
【図２】
0004131895.tif 000003
【図３】
0004131895.tif 000004
【図４】
0004131895.tif 000005
【図５】
0004131895.tif 000006
【図６】
0004131895.tif 000007
【図７】
0004131895.tif 000008
【図８】
0004131895.tif 000009
【図９】
0004131895.tif 000010