(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々が第１及び第２の出力を有する、用いられるべき該第１又は該第２のどちらか一方のタイプのフォトダイオード回路に依存して、予め決められた極性のフォト電圧を第１の電極と第２の電極との間に与える順方向又は逆方向にバイアスされたフォトダイオード回路を自動的に識別するための方法であって、
前記第１の出力をグランドに接続する段階と、
予め決められた電流値の電流源を前記第２の出力に接続する段階と、
前記第２の出力の電圧と、予め決められたリファレンス電圧とを比較する段階と、
少なくとも前記フォトダイオード回路の第２のタイプの識別を可能にする前記比較する段階の結果を示す信号を出力する段階と、
前記第１の出力をグランドから、及び前記第２の出力を前記電流源から切断する段階と、
前記第１及び前記第２の出力を前記第１及び前記第２の電極のそれぞれに接続する段階と、
前記第２の出力におけるバイアス電圧値とリファレンスバイアス電圧値とを比較することによって、さらにこの比較の結果に応じて前記第１の出力に可変電流を印加することによって、フォトダイオード回路の前記第２のタイプであると決定された場合に、前記第２の出力を一定の逆方向バイアス電圧に維持する段階と
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
光源の強度を調整する方法であって、
テスト回路を、第１又は第２のどちらか一方のタイプのフォトダイオード回路に接続する段階と、
少なくとも、前記第２のタイプのフォトダイオード回路が前記テスト回路に接続されたかどうかを決定する段階と、
前記テスト回路を切断する段階と、
前記第１又は前記第２のタイプのフォトダイオード回路を、検出回路に接続する段階と、
前記検出回路に接続された前記第１又は前記第２のタイプのフォトダイオード回路に該検出回路を適応させる段階と、
前記光源から放射された光を、前記第１又は前記第２のフォトダイオード回路の少なくとも一方のフォトダイオードで受信する段階と、
予め決められた極性のフォト電圧を、前記検出回路の出力において得る段階と、
前記フォト電圧をリファレンスフォト電圧値に維持するように、前記光源の強度を調整する段階と
を含むことを特徴とする方法。
【請求項３】
順方向又は逆方向にバイアスされたフォトダイオード回路を自動的に適応して検出する回路であって、
フォトダイオード回路を接続するための第１及び第２の入力と、電圧評価手段と、第１のスイッチング手段と、第２のスイッチング手段と、調整手段とを備えており、
前記第１の入力は、第１のスイッチを介してグランドに接続されており、前記第２の入力は、第２のスイッチを介して電流源に且つ第３のスイッチを介して電圧評価手段に接続されており、前記第１のスイッチング手段は、前記第１、第２及び第３のスイッチを同時にオープンにし又はクローズにするものであり、前記調整手段は、第４のスイッチを介して前記第２の入力に接続された入力と、前記第２の入力のバイアス電圧を予め決められた逆方向バイアス電圧に調整するために前記第１の入力に第５のスイッチを介して接続された出力とを有しており、前記第２のスイッチング手段は、前記第４及び第５のスイッチを同時にオープンにし又はクローズにし且つ前記電圧評価手段の出力と前記第１のスイッチング手段とに接続されていることを特徴とするフォトダイオード検出回路。
【請求項４】
前記電圧評価手段は、電圧源と、電圧比較器と、メモリ装置とを備えており、前記電圧源は、予め決められたリファレンス電圧を発生するものであり、前記電圧比較器は、その一方の入力が前記電圧源に接続されていて、その他方の入力が前記第３のスイッチに接続されており、前記メモリ装置は、前記電圧比較器の出力に伝えられた比較の結果を記憶することを特徴とする請求項３に記載のフォトダイオード検出回路。
【請求項５】
前記調整手段は、更なる電圧源と、増幅器とを備えており、前記更なる電圧源は、前記予め決められた逆方向バイアス電圧を発生するものであり、前記増幅器は、その一方の入力が前記更なる電圧源に接続されていて、その他方の入力が前記第４のスイッチに接続されており、その出力が前記第５のスイッチに接続されていることを特徴とする請求項３又は４に記載のフォトダイオード検出回路。
【請求項６】
前記第２のスイッチング手段は、論理ＡＮＤ回路を備えていることを特徴とする請求項３から５のいずれか１項に記載のフォトダイオード検出回路。
【請求項７】
請求項３から６のいずれか１項に記載された、順方向又は逆方向にバイアスされたフォトダイオードを自動的に適応して検出する回路と、更なる電圧評価手段と、第３のスイッチング手段と、電力調整手段とを備えた光強度モニタリング及び制御回路であって、前記更なる電圧評価手段は、前記第１の入力と前記第２の入力との間の電圧のフォト電圧値を決定するためのものであり、前記更なる電圧評価手段は、第６及び第７のスイッチをそれぞれ介して前記第１及び前記第２の入力へ接続された第１及び第２の評価入力を有しており、前記フォト電圧値は、１つの評価出力で出力されており、前記第３のスイッチング手段は、前記第６及び前記第７のスイッチを同時にオープンにし又はクローズにすることを可能にし、その入力は前記第２のスイッチング手段に接続されており、前記電力調整手段は、前記フォト電圧値の作用として光源の強度を調整することを可能にするものであり、前記電力調整手段は前記評価出力に接続されていることを特徴とする光強度モニタリング及び制御回路。
【請求項８】
前記電力調整手段は、予め決められたリファレンス電圧を発生するリファレンスフォト電圧源と、前記予め決められたリファレンス電圧及び前記フォト電圧を比較するフォト電圧比較手段とを備えており、そのフォト電圧の比較の結果が前記強度を調整するために用いられることを特徴とする請求項７に記載の光強度モニタリング及び制御回路。
【請求項９】
前記光源は半導体レーザダイオードであり、光学ディスクが前記レーザダイオードによって放射された光を用いて読み出し及び／又は記録されており、前記フォトダイオード回路に備えられた少なくとも一つのフォトダイオードが、同時に読み出し及び／又は記録を行っている間に前記光学ディスクによって反射された光又は転送された光を受信する、請求項７又は８のいずれか１項に記載の光強度モニタリング及び制御回路を備えていることを特徴とする光ディスクプレーヤ及び／又はレコーダ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、自動的に順方向又は逆方向にバイアスされたフォトダイオードの検出装置を得ることを可能にする方法及び回路に関する。本発明は、例えば光ディスクプレーヤ及び／又はレコーダに用いられる。
【０００２】
【従来の技術】
例えば、媒体に作用するツールとして又は情報媒体に記憶された情報をスキャンする手段として光が用いられている多くの用途において、それ故、光源を含む用途において、処理動作のある段階で、光の強度を予め決められたレベルで一定に維持する必要性が生じる。一般に、光の強度はフォト検出器を用いて測定されるが、この測定の結果はリファレンス値と比較され、光源に供給される電力がそれに従って調整される。
【０００３】
幾つかの用途について、光の強度を測定するためにはフォトダイオードを用いることが一般的である。これらは、順方向にバイアスされ又は逆方向にバイアスされたタイプのフォトダイオード回路において実際に使用される種類のフォトダイオードである。順方向又は逆方向にバイアスされたフォトダイオード回路のどちらか一方を使用することは、一般に、市場においてどちらか一方のタイプのフォトダイオード回路が利用可能かどうかにゆだねられる。市場の状況に柔軟に対応するため、フォトダイオードを用いる光強度測定回路は、順方向にバイアスされた又は逆方向にバイアスされたフォトダイオード回路のいずれをも用いることができるようにすべきである。
【０００４】
従来から公知で且つ図１に表された構成は、光源１から出力された光の強度を調整するために用いられる。逆方向にバイアスされたフォトダイオード回路２又は順方向にバイアスされたフォトダイオード回路３のどちらか一方は、光源１から出力された光の強度を決定するために用いられる。フォトダイオード回路２又は３のどちらか一方は、（破線で表された）検出装置５の入力４に接続される。検出装置は、適する信号がスイッチング制御入力８に印加される際に、同時に切り換られるスイッチ６及び７を含む。順方向にバイアスされたフォトダイオード回路３が入力４に接続された場合、スイッチ６及び７は状態Ｈに切り換えられ、入力４のフォト電圧は、電力調整手段９に直接転送される。電力調整手段９は、フォト電圧とリファレンスフォト電圧とを比較することを可能にし、従って、リファレンスされたフォト電圧の値にフォト電圧の値を維持するために、光源１に供給された電力の大きさを調整する。他の実施形態として、逆方向にバイアスされたフォトダイオード回路２が入力４に接続される場合、スイッチ６及び７は、位置Ｌに切り換えられる。入力４のフォト電圧は、電力調整手段９に送られる前に、インバータ１０によって反転される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
図１の公知の構成の欠点は、フォトダイオード回路２又は３のどちらか一方が入力４に接続された際に、スイッチング制御入力８において外部からの介在によって、例えばスイッチング制御入力８をグランドに半田付けする（又はグランドからスイッチング制御入力８の半田付けをはずす）ことによって、スイッチング制御入力８に適する信号を印加しなければならない。公知の構成は集積回路の一部分として一般に実現されているが、この場合、スイッチング制御入力８はこの集積回路の多数のピンの１つである。この集積回路における１つのスイッチング制御入力ピンをグランドに半田付けすることは、エラーになりやすい繊細な製造工程である。
【０００６】
本発明の目的は、順方向にバイアスされているか又は逆方向にバイアスされているかのどちらか一方のフォトダイオード回路が用いられる場合に、検出回路に接続されたフォトダイオード回路のタイプに検出回路を適応させるために検出回路において外部から介在を行うことが不要となるという検出方法又は回路を得る解決策を発見することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明による方法の段階は、例えば順方向又は逆方向にバイアスされるフォトダイオードタイプの回路のようなフォトダイオード回路の第１又は第２のどちらか一方のタイプを自動的に識別することを実施可能とする。
【０００９】
前述に説明された問題に対する解決策は、本発明によれば、各々が第１及び第２の出力を有する該第１又は該第２のどちらか一方のタイプのフォトダイオード回路に依存して、予め決められた極性のフォト電圧を第１の電極と第２の電極との間に与える順方向又は逆方向にバイアスされたフォトダイオード回路を自動的に得るための方法である。該方法は、
・第１の出力をグランドに接続する段階と、
・予め決められた電流値の電流源を第２の出力に接続する段階と、
・第２の出力の電圧と、予め決められたリファレンス電圧とを比較する段階と、
・少なくともフォトダイオード回路の第２のタイプの識別を可能にする比較する手段の結果を示す信号を出力する段階と、
・第１の出力をグランドから、及び第２の出力を電流源から切断する段階と、
・第１及び第２の出力を第１及び第２の電極のそれぞれに接続する段階と、
・第２の出力におけるバイアス電圧値とリファレンスバイアス電圧値とを比較することによって、さらにこの比較の結果に応じて第１の出力に可変電流を印加することによって、フォトダイオード回路の前記第２のタイプであると決定された場合に、前記第２の出力を一定の逆方向バイアス電圧に維持する段階と
を含んでいる。
【００１０】
前述された問題に対する他の解決策は、本発明によれば、以下の段階を含む光源の強度を制御するための方法であって、
・第１又は第２のどちらか一方のタイプのフォトダイオード回路を、検出回路に接続する段階と、
・検出回路に接続された第１又は第２のタイプのフォトダイオード回路に検出回路を適応する段階と、
・光源から放射された光を、第１又は第２のフォトダイオード回路の少なくとも一方のフォトダイオードで受信する段階と、
・予め決められた極性のフォト電圧を、検出回路の出力において得る段階と、
・フォト電圧をリファレンスフォト電圧値に維持するように、光源の強度を調整する段階と
を含むものである。
【００１１】
前記方法は、更に、
・検出回路を、第１又は第２のタイプのフォトダイオード回路から切断する段階と、
・テスト回路を、第１又は第２のタイプのフォトダイオード回路に接続する段階と、
・少なくとも、第２のタイプのフォトダイオード回路がテスト回路に接続されたかどうかを決定する段階と、
・決定段階が第２のタイプのフォトダイオード回路とみなすならば、肯定の結果を記憶する段階と、
・テスト回路を切断する段階と、
・記憶された結果が肯定であるならば第２のタイプのフォトダイオード回路に対して、そうでなければ第１のタイプのフォトダイオード回路に対して、適応を行う段階と
を含んでいる。
【００１２】
前述の問題に対する他の解決策は、本発明によれば、フォトダイオード回路を接続するための第１及び第２の入力と、電圧評価手段と、第１のスイッチング手段と、第２のスイッチング手段と、調整手段とを含む、順方向又は逆方向にバイアスされたフォトダイオードを自動的に検出して検出する回路である。第１の入力は、第１のスイッチを介してグランドに接続されており、第２の入力は、第２のスイッチを介して電流源に且つ第３のスイッチを介して電圧評価手段に接続されている。第１のスイッチング手段は、第１、第２及び第３のスイッチを同時にオープンにし又はクローズにするものである。調整手段は、第４のスイッチを介して第２の入力に接続された入力と、第２の入力のバイアス電圧を予め決められた逆方向バイアス電圧に調整するために第１の入力に第４のスイッチを介して接続された出力とを有している。更に、第２のスイッチング手段は、第４及び第５のスイッチを同時にオープンにし又はクローズにし且つ電圧評価手段の出力と第１のスイッチング手段とに接続されている。
【００１３】
本発明による検出回路は、順方向又は逆方向にバイアスされるフォトダイオード装置を自動的に得るための方法を実現する簡単な方法である。
【００１４】
検出回路の好ましい実施形態において、電圧評価手段は、電圧源と、電圧比較器と、メモリ装置とを含んでおり、電圧源は、予め決められたリファレンス電圧を発生するものであり、電圧比較器は、その一方の入力が電圧源に接続され、その他方の入力が第３のスイッチに接続されており、メモリ装置は、電圧比較器の出力で伝えられた比較の結果を記憶する。
【００１５】
検出回路の他の好ましい実施形態において、調整手段は、更なる電圧源と、増幅器とを含んでおり、更なる電圧源は、予め決められた逆方向にバイアス電圧を発生するものであり、増幅器は、その一方の入力が更なる電圧源に接続されており、その他方の入力が第４のスイッチに接続されており、その出力が第５のスイッチに接続されている。
【００１６】
前述の問題に対する他の解決策は、本発明によれば、順方向又は逆方向にバイアスされたフォトダイオードを自動的に適応して検出する回路と、更なる電圧評価手段と、第３のスイッチング手段と、電力調整手段とを含む光強度モニタリング及び制御回路であって、更なる電圧評価手段は、第１の入力と第２の入力との間の電圧のフォト電圧値を決定するためのものであり、第６及び第７のスイッチをそれぞれ介して第１及び第２の入力へ接続された第１及び第２の評価入力を有し、フォト電圧値は１つの評価出力で出力されており、第３のスイッチング手段は、第６及び第７のスイッチを同時にオープンにし又はクローズにすることを可能にし、その入力は第２のスイッチング手段に接続されており、電力調整手段は、フォト電圧値の作用として光源の強度を調整することを可能にするものであり、電力調整手段は評価出力に接続されている。
【００１７】
光強度モニタリング及び制御回路の好ましい実施形態において、電力調整手段は、予め決められたリファレンス電圧を発生するリファレンスフォト電圧源と、予め決められたリファレンス電圧及びフォト電圧を比較するフォト電圧比較手段とを含んでおり、そのフォト電圧の比較の結果が強度を調整するために用いられる。
【００１８】
光強度のモニタリング及び制御回路は、本発明によれば光源の強度を制御するための方法の簡単な実現を可能にする。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下に詳細に説明された実施する方法において、本発明は、図１から図１１を例として及び参考として用いている。
【００２０】
至る所で説明する同一参照符号は、同一対象物を示すために用いられている。
【００２１】
図２のフローチャートは、各々が第１の出力と第２の出力とを有するボックス１１の第１又は第２のタイプのフォトダイオード回路から出発することを表している。第１の出力は段階１２においてグランドに接続され、第２の出力は段階１３において予め決められた電流値の電流源に接続される。結果的に、電圧Ｖ２が第２の出力で得られる。電圧Ｖ２は、段階１４において予め決められたリファレンス電圧ＶＴと比較される。続いて段階１４において、比較結果を示し、且つボックス１１のフォトダイオードの第１又は第２のどちらか一方のタイプの識別を可能にする信号ＴＰＣが出力される。ここで、ボックス１１からのフォトダイオードがテストされ且つ識別される。
【００２２】
図３のフローチャートは、ボックス１１の第１又は第２のタイプのフォトダイオードから出発し、ボックス１５の順方向にバイアスされた回路か又はボックス１６の逆方向にバイアスされた回路を得ることが可能であり、そのどちらか一方がフォト電圧ＶＰを伝える方法を説明する。図２のフローチャートに説明されたものと類似する方法において、ボックス１１からのフォトダイオード回路の第１又は第２のタイプのどちらか一方の識別を可能にする信号ＴＰＣは、段階１２、１３及び１４を介して得られる。信号ＴＰＣは、記憶段階１８の結果としてメモリ１７に記憶される。段階１９において、第１の出力がグランドから切断され、第２の出力が電流源から切断される。ここで、ボックス２０の切断された第１又は第２のフォトダイオード回路は、ボックス１１と同様の初期状態にあるが、第１又は第２のフォトダイオードが提供されてもされなくてもメモリ１７に記憶された信号が示される。判断２１に続いて、メモリ１７に記憶された信号が第２のタイプのフォトダイオード回路を識別するならば、第２の出力は、段階２１１において逆方向にバイアスされた電圧源に接続され、一定の逆方向にバイアスされた電圧ＶＢに維持される。逆方向バイアスフォトダイオード回路１６が得られ、フォトダイオード回路の第１及び第２の出力が、段階２２において、フォト電圧ＶＰにある間、第１及び第２の電極に接続される。
【００２３】
判断２１において、メモリ１７に記憶された信号ＴＰＣは、フォトダイオード回路の第２のタイプとみなさないならば、順方向にバイアスされたフォトダイオード回路１５が得られ、第１及び第２の出力は、段階２２において第１及び第２の電極へそれぞれ接続される。
【００２４】
図４のフローチャートは、ボックス１１の第１又は第２のタイプのどちらか一方のフォトダイオード回路から出発し、光源１の強度がどのように制御されるかを説明している。第１に、段階２３において、フォトダイオード回路は、フォトダイオード回路を用いるフォト電圧ＶＰを得るために用いられる任意の検出回路から切断される。段階２４において、ボックス１１からの第１又は第２のフォトダイオード回路は、テスト回路に接続される。該テスト回路は、段階２５において、テスト回路に接続されたフォトダイオード回路のタイプを決定し、従って信号ＴＰＣを出力することを可能にする。段階１８は、メモリ１７の信号ＴＰＣを記憶し、識別されたフォト回路は、段階２６においてテスト回路から切断される。段階２３において切断された検出回路は、段階２７においてフォトダイオード回路に再接続される。
【００２５】
判断２８はメモリ１７の内容を見て、メモリ１７に記憶された信号がフォトダイオード回路の第２のタイプを識別するならば、検出回路は、段階２９において第２のタイプのフォトダイオード回路との組み合わせに用いられるべく適応される。逆の場合、判断段階２８は、変更されない検出回路を出る。検出回路が適応されることなく第１のタイプのフォトダイオード回路に用いられるように導かれる。ボックス３０の検出回路は、１つの状態でそれに接続されたタイプのフォトダイオード回路で用いられる。
【００２６】
検出段階３１において、ボックス３２によって表され、且つ光源１から発する光は、少なくとも接続されたフォトダイオード回路のフォトダイオード上に落とされ、フォト電圧ＶＰを得ることが可能となる。段階３３において、フォト電圧ＶＰはリファレンスフォト電圧ＶＰＲと比較され、光源１の強度はフォト電圧ＶＰをリファレンスフォト電圧ＶＰＲの値に維持するように比較の結果を用いて調整される。
【００２７】
図５に表された検出回路は、第１の入力３４と第２の入力３５とに接続された（図５に表された）フォトダイオード回路のタイプにそれ自身を自動的に適応することができ、結果として、順方向又は逆方向にバイアスされるフォトダイオードを用いるフォトダイオード検出回路となる。
【００２８】
図６は、フォトダイオード回路の一例を表しており、その第１の出力３６及び第２の出力３７は、図５に表された回路の第１及び第２の出力３４及び３５にそれぞれ接続される。フォトダイオード回路は、一方の側で第１の出力３６に接続され、且つ他方の側でグランドに接続されたフォトダイオード３８を含む。レジスタ３９は、フォトダイオード３８に並列に接続される。第２の出力３７は、グランドに接続される。
【００２９】
図７は、第１の出力４０及び第２の出力４１を介して、図５に表された回路の第１及び第２の入力３４及び３５それぞれに接続できるフォトダイオード回路の他の例を表している。フォトダイオード回路は、一方のポールでグランドに、及び他方のポールで第２の出力４１に接続されたフォトダイオード４２を含む。第１の出力４０は、レジスタ４３を介して第２の出力４１に接続される。
【００３０】
図５に表された検出回路に戻って、第１の入力３４は、スイッチＳ１１を介してグランドに接続される。第２の入力３５は、予め決められた値を有する電流ＩＴを伝える電流源４４に、スイッチＳ１２を介して接続される。第２の入力３５は、また、スイッチＳ１３を介して電圧評価手段４５に接続される。スイッチＳ１１、Ｓ１２及びＳ１３は、第１のスイッチング手段４６によって同時にクローズにされ又はオープンにされる。電圧評価手段４５の出力及び第１の切換手段４６の出力は、同時にオープンにされ又はクローズにされるスイッチＳ２１及びＳ２２に用いられる第２のスイッチング手段４７に接続される。スイッチＳ２１及びＳ２２がクローズにされた場合、第２の入力３５の電圧が調整手段４８に印加される。調整手段４８は、第１の入力３４に信号を印加する。該調整手段４８は、調整手段４８の入力で受信された信号で作用し、第２の入力３５で電圧の値を調整しようとする。
【００３１】
例として、図６に表されたフォトダイオード回路が図５の検出回路に接続された際に、この検出回路がどのように動作するかを説明する。第１のスイッチＳ２１及びＳ２２は、オープン状態にすべきである。これは、例えば第２のスイッチング手段４７によって保証されるべきである。次に、第１のスイッチング手段４６は、スイッチＳ１１、Ｓ１２及びＳ１３を同時にクローズにする。電流源４４によって生じた電流ＩＴは、フォトダイオード回路の第２の出力３７を介してグランドに直接流れる。その結果、電圧評価手段４５の入力において評価された電圧は、電流ＩＴがグランドに至る経路において実質上抵抗を受けないので、零に近い値となることが明らかになる。電圧評価手段４５は、その入力において電圧を評価しており、スイッチング手段４６は、同時にスイッチＳ１１、Ｓ１２及びＳ１３をオープンにする。同時に、第１のスイッチング手段４６は、スイッチＳ１１、Ｓ１２及びＳ１３のオープン状態を示す第２のスイッチング手段４７に信号を送る。第２のスイッチング手段４７は、電圧評価手段４５によって行われた評価の結果を受信し、結果としてスイッチＳ２１及びＳ２２をオープン状態のままとしておく。検出回路は、順方向にバイアスされたフォトダイオードで用いられるべく適応される。フォトダイオード３８上に光が照射されると、第１の入力３４及びグランドの間に電流が生じ、ここでレジスタ３９の両極において電圧が発生する。第２の入力３５は、第２の出力３７を介してグランドに接続され、第１及び第２の入力３４及び３５の間に提供された電圧は、フォトダイオード３８によって受信された光強度を表している。
【００３２】
他の例において、図７のフォトダイオード回路は、図５の検出回路に接続されている。最初に、スイッチＳ２１及びＳ２２は、両方ともオープンにされる必要がある。これは、第２のスイッチング手段４７によって保証される。次に、第１のスイッチング手段４６は、スイッチＳ１１、Ｓ１２及びＳ１３を同時にクローズにする。電流源４４によって生じた電流ＩＴは、フォトダイオード４２を介してグランドに流れない。その代わりに、電流ＩＴは、レジスタ４３とクローズにしたスイッチＳ１１とを介してグランドに流れる。電圧評価手段４５は、電流ＩＴと抵抗４３の値との積に等しい電圧を受信する。電圧評価手段４５が自身の入力において電圧を評価する時間の経過後、第１のスイッチング手段４６は、スイッチＳ１１、Ｓ１２及びＳ１３を同時にオープンにし、第２のスイッチング手段４７の入力にこの状態を示す。電圧評価手段４５の出力を受けて、第２のスイッチング手段４７は、スイッチＳ２１及びＳ２２を同時にクローズにする。調整手段４８は、第２の入力３５からの電圧を受け取るが、この電圧は逆方向バイアス電圧となる。調整手段４８は、第１の入力３４へ適する信号を出力することによって、自身の入力において受け取った逆方向バイアス電圧を、予め決められた逆方向バイアス電圧ＶＢに調整する。第２の入力３５と同じ電圧である第２の出力４１は、正の値をとる逆方向バイアス電圧ＶＢを、フォトダイオード４２の一方の極において形成する。フォトダイオード４２によって受信された光はいずれも、結果としてグランドに流れる電流となる。同時に、電流は、調整手段４８によって供給され、抵抗４３を介して流れる。抵抗４３の両極間の電圧は、第１の入力及び第２の入力３４及び３５の間で測定でき、フォトダイオード４２によって受信された光強度に比例する。
【００３３】
第２のスイッチング手段４７は、（表されていない）論理及び回路を含んでもよい。「スイッチＳ１１、Ｓ１２及びＳ１３のオープン」及び「抵抗４３の値によって電流ＩＴの積に等しい電圧評価手段４５の出力」を示す２つの状態は、Ｓ２１及びＳ２２をクローズにする第２のスイッチング手段４７に対してその入力で要求される。図８において、電圧評価手段４５を実現する一例は、概略的に表されている。比較器４９は、予め決められたリファレンス電圧ＶＴをその入力の一方で受信し、且つスイッチＳ１３をオープンにするか又はクローズにするかどうかに依存する信号を他方の入力で受信する。図６に表されたフォトダイオード回路は、図５からの検出回路に接続された例を参照して、ＶＴは、クローズスイッチＳ１３を介して受信された電圧よりも大きい値を選択する。他方で、ＶＴは、図７からのフォトダイオード回路が検出回路に接続された際に、抵抗４３を介して流れる電流ＩＴに起因する電圧の値よりも小さい値を有するようにも選択できる。電圧比較器４９は、後で用いるためにメモリデバイス５０内に比較の結果を記憶してもよい。
【００３４】
図９は、調整手段４８を実現する一例を表す。差動増幅器５１は、他方の入力で与えられた、スイッチＳ２２のその出力と、予め決められた逆方向バイアス電圧ＶＢでのスイッチＳ２１のその入力との間の電圧を維持することが可能である。
【００３５】
図１０は、第１及び第２の入力３４及び３５に接続されたフォトダイオード回路を用いて測定された光強度をモニタし、光源１によって出力された光強度を制御することを可能にする回路を概略的に表す。検出回路５２及び第２のスイッチング手段４７は、第１及び第２の入力３４及び３５に接続されたフォトダイオード回路のタイプにそれらを自動的に適応させる。検出回路５２及び第２のスイッチング手段４７は、図５で前述したように実現されてもよい。第２のスイッチング手段４７は、スイッチＳ３１及びＳ３２を同時にオープンにし又はクローズにすることを可能にする第３のスイッチング手段５３に接続される。
【００３６】
第１及び第２の電極５４及び５５の間の電圧は、スイッチＳ３１及びＳ３２をクローズにする場合に、出力でフォト電圧ＶＰを伝える更なる評価手段５６によって評価される。フォト電圧ＶＰの値は、接続されたフォトダイオード回路のフォトダイオードによって受信された光の強度に比例する。受信された光の強度は、光源１から提供される。フォト電圧は、光源１に接続されたその出力を、電力調整手段５７の入力へ印加される。電力調整手段５７は、フォト電圧ＶＰが一定の値に維持されるように光源１の光度を調整する。
【００３７】
図１１は、電力調整手段５７をどのように実現するかの一例を概略的に表している。比較器５８は、入力のフォト電圧ＶＰと、他方の入力の予め決められたリファレンスフォト電圧ＶＰＲとを比較する。この比較の結果は、当業者に公知な方法で、光源１に与えられた電力を、レギュレータ６０で調整するために用いられることができる。
【００３８】
検出回路及び／又は光強度をモニタリングし及び制御する回路の説明された複数の例を、光学ディスクプレーヤ及びレコーダ（図示なし）に用いることができる。一般に、半導体レーザダイオードは、光源１として用いられる。半導体レーザダイオードによって出力された光は、ディスクに記憶された情報をスキャンするために光学ディスクに向けられる。反射され及び／又は光学ディスクによって反射された光は、フォトダイオード回路のフォトダイオードによって受信される。
【００３９】
本発明による検出回路は、集積回路において実現され得る。光強度モニタ及び制御回路については同一のものが当てはまる。第１及び第２の入力３４及び３５は、フォトダイオード回路の第１及び第２の出力が例えば半田付けできるような集積回路のピンである。第１のスイッチング手段４６は、それらにテストイネーブル信号を与えることによってスイッチＳ１１、Ｓ１２及びＳ１３を同時にクローズにするために初期化される。その時間の経過後、その入力において電圧を評価し且つメモリデバイス内に評価結果を記憶するために、それを教える電圧評価手段４５に信号が供給される。テストイネーブル信号が印加されている間、フォトダイオード回路のフォトダイオードは、いずれの光も受信すべきでなく、即ち光源をスイッチオフにすべきである。テストイネーブル信号がひとたび供給されなくなると、第１のスイッチング手段４６は、第２のスイッチング手段４７がスイッチＳ２１及びＳ２２をクローズにすること又はしないことをイネーブルにする。この時点で、光源１は、切り替えられ、検出されたフォトダイオード回路のフォトダイオードによって光が受信される。
【００４０】
本願発明及び説明された実施例の変更態様を実現する他の方法は、当業者によれば特許請求の範囲に記載された発明の範囲内において見出されるものであろう。
【図面の簡単な説明】
【図１】  公知の従来技術として光強度を調整するために用いるブロック図である。
【図２】  フォトダイオード回路の第１又は第２のタイプを自動的に識別するための方法を説明するフローチャートである。
【図３】  順方向又は逆方向バイアスフォトダイオード回路装置を自動的に得るための方法を説明するフローチャートである。
【図４】  光源の強度を制御するための方法を説明するフローチャートである。
【図５】  自動的に適応する順方向又は逆方向バイアスフォトダイオード検出回路の概略的にブロック図である。
【図６】  第１のフォトダイオード回路の概略的なブロック図である。
【図７】  第２のフォトダイオード回路の概略的なブロック図である。
【図８】  電圧評価手段の概略図である。
【図９】  調整手段の概略図である。
【図１０】  光強度モニタリング及び制御回路の概略図である。
【図１１】  電力調整手段の概略図である。
【符号の説明】
１  光源
２  逆方向にバイアスされたフォトダイオード回路
３  順方向にバイアスされたフォトダイオード回路
４  検出装置の入力
５  検出装置
６、７  スイッチ
８  スイッチング制御入力
９  電力調整手段
１０  インバータ
１１  第１又は第２のタイプのフォトダイオード回路
１２  第１の出力をグランドに接続する段階
１３  予め決められた電流値の電流源を第２の出力に接続する段階
１４  第２の出力の電圧と、予め決められたリファレンス電圧とを比較する段階
１５  順方向にバイアスされた回路
１６  逆方向にバイアスされた回路
１７  メモリ
１８  信号を記憶する段階
１９  第１の出力をグランドから、及び第２の出力を電流源から切断する段階
２０  切断された第１又は第２のフォトダイオード回路
２１  判断
２１１  逆方向にバイアスされた電圧源に接続され、一定の逆方向にバイアスされた電圧ＶＢに維持される段階
２２  第１及び第２の出力がそれぞれ第１及び第２の電極へ接続される段階
２３  検出回路を、第１又は第２のタイプのフォトダイオード回路から切断する段階
２４  テスト回路を、第１又は第２のタイプのフォトダイオード回路に接続する段階
２５  少なくとも、第２のタイプのフォトダイオード回路がテスト回路に接続されることを決定する段階
２６  テスト回路を切断する段階
２７  切断された検出回路をフォトダイオード回路に再接続する段階
２８  記憶された結果が肯定であるかどうかを判断する段階
２９  第１又は第２のタイプのフォトダイオード回路の検出回路に適応する段階
３０  検出回路
３１  光を、第１又は第２のフォトダイオード回路の少なくとも１つのフォトダイオードで受信する段階
３２  光源によって出力された光
３３  フォト電圧ＶＰがリファレンスフォト電圧ＶＰＲと比較され、光源の強度がフォト電圧ＶＰをリファレンスフォト電圧ＶＰＲの値に維持するように比較結果を用いて調整される段階
３４  第１の入力
３５  第２の入力
３６、４０  フォトダイオード回路の第１の出力
３７、４１  フォトダイオード回路の第２の出力
３８、４２  フォトダイオード回路のフォトダイオード
３９、４３  フォトダイオード回路のレジスタ
４４  電流源
４５  電圧評価手段
４６  第１のスイッチング手段
４７  第２のスイッチング手段
４８  調整手段
４９  電圧比較器
５０  メモリ
５１  増幅器
５２  検出回路
５３  第３のスイッチング手段
５４  第１の電極
５５  第２の電極
５６  更なる電圧評価手段
５７  電力調整手段
５８  比較器
６０  レギュレータ
【図１】
0004144089.tif 000002
【図２】
0004144089.tif 000003
【図３】
0004144089.tif 000004
【図４】
0004144089.tif 000005
【図５】
0004144089.tif 000006
【図６】
0004144089.tif 000007
【図７】
0004144089.tif 000008
【図８】
0004144089.tif 000009
【図９】
0004144089.tif 000010
【図１０】
0004144089.tif 000011
【図１１】
0004144089.tif 000012