(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力光を第１及び第２の出力光に変換する光導波構造と、
上記入力光が上記第１の出力光に変換される第１のモードと上記入力光が上記第２の出力光に変換される第２のモードとを切り替えるために上記光導波構造に電界を与えるための電極と、
上記第１の出力光から分岐された光を受けパワーを検出する第１のフォトディテクタと、
上記第２の出力光を直接受けパワーを検出する第２のフォトディテクタと、
上記第１のフォトディテクタと第２のフォトディテクタの出力をそれぞれ電圧信号に変換する第１及び第２の電流／電圧変換器と、
上記第１及び第２の電流／電圧変換器にて変換した電圧信号の比が一定になるように上記電極にバイアスを与えるバイアス回路において、
上記第１のフォトディテクタの出力レベルと第２のフォトディテクタの出力レベルが、上記第１の出力光と第２の出力光のパワー関係に対応し、変調信号の振幅がＶπの場合は収束点が特性曲線の中点に、変調信号の振幅がＶπ未満の場合は収束点が特性曲線の中点からボトムに近づく点になるよう上記第１及び第２のフォトディテクタの少なくとも一方の光結合効率を調整する構成を有すること事を特徴とする光変調器。
【請求項２】
請求項１に記載の光変調器であって、
上記光導波構造はマッハツェンダ型干渉器により提供される光変調器。
【請求項３】
請求項１に記載の光変調器であって、
上記光導波構造はリチウムナイオベート基板上に形成される光変調器。
【請求項４】
請求項１に記載の光変調器であって、
上記光導波構造は、上記入力光を受ける入力ポートと、上記第１及び第２の出力光をそれぞれ出力する第１及び第２の出力ポートと、
上記入力ポートに光学的に接続されるＹ分岐と、上記第１及び第２の出力ポートに光学的に接続されるＸ分岐と、上記Ｙ分岐及び上記Ｘ分岐を光学的に接続する第１及び第２のパスとを有する光変調器。
【請求項５】
請求項４に記載の光変調器であって、
上記電極は上記第１及び第２のパスの少なくとも一方に沿って設けられる光変調器。
【請求項６】
請求項５に記載の光変調器であって、
上記第１及び第２のモードを切り替えるための変調信号は上記電極の上記Ｙ分岐側の端部に供給され、上記バイアスは上記電極の上記Ｘ分岐側の端部に供給される光変調器。
【請求項７】
請求項１に記載の光変調器であって、
上記光導波構造は、上記入力光を受ける入力ポートと、上記入力ポートに光学的に接続される第１のＹ分岐と、上記第１のＹ分岐に第１及び第２のパスにより光学的に接続される第２のＹ分岐と、上記第２のＹ分岐に光学的に接続される出力ポートとを有し、
上記第１の出力光は上記出力ポートから出力され、上記第２の出力光は上記第２のＹ分岐の漏洩光によって提供される光変調器。
【請求項８】
請求項７に記載の光変調器であって、
上記光導波構造は導波路基板によって提供され、上記漏洩光は上記導波路基板の端面から放射される光変調器。
【請求項９】
請求項７に記載の光変調器であって、
上記電極は上記第１及び第２のパスの少なくとも一方に沿って設けられる光変調器。
【請求項１０】
請求項９に記載の光変調器であって、
上記第１及び第２のモードを切り替えるための変調信号は上記電極の上記第１のＹ分岐側の端部に供給され、上記バイアスは上記電極の上記第２のＹ分岐側の端部に供給される光変調器。
【請求項１１】
請求項１に記載の光変調器であって、
上記第１及び第２のモードを切り替えるための変調信号を上記電極に供給するための駆動回路を更に備えた光変調器。
【請求項１２】
請求項１１に記載の光変調器であって、
上記第１及び第２のモードはそれぞれ上記変調信号のローレベル及びハイレベルに対応する光変調器。
【請求項１３】
請求項１１に記載の光変調器であって、
上記第１及び第２のモードはそれぞれ上記変調信号のハイレベル及びローレベルに対応する光変調器。
【請求項１４】
変調信号のローレベル及びハイレベルの一方に対応して入力光が第１の出力光に変換される第１のモードと上記ローレベル及び上記ハイレベルの他方に対応して上記入力光が第２の出力光に変換される第２のモードとを切り替える光変調器のバイアス制御回路であって、
上記第１の出力光から分岐された光を受けパワーを検出する第１のフォトディテクタと、
上記第２の出力光を直接受けパワーを検出する第２のフォトディテクタと、
上記第１のフォトディテクタと第２のフォトディテクタの出力をそれぞれ電圧信号に変換する第1及び第２の電流／電圧変換器と、
上記第1及び第２の電流／電圧変換器にて変換した電圧信号の比が一定になるように上記電極にバイアスを与えるバイアス制御回路において、
上記第１のフォトディテクタの出力レベルと第２のフォトディテクタの出力レベルが、上記第１の出力光と第２の出力光のパワー関係に対応し、変調信号の振幅がＶπの場合は収束点が特性曲線の中点に、変調信号の振幅がＶπ未満の場合は収束点が特性曲線の中点からボトムに近づく点になるよう上記第１及び第２のフォトディテクタの少なくとも一方の光結合効率が調整される事を特徴とするバイアス制御回路。
【請求項１５】
入力光を与える光源と、
上記入力光を第１及び第２の出力光に変換する光導波構造と、
上記入力光が上記第１の出力光に変換される第１のモードと上記入力光が上記第２の出力光に変換される第２のモードとを切り替えるために上記光導波構造に電界を与えるための電極と、
上記第１の出力光から分岐された光を受けパワーを検出する第１のフォトディテクタと、
上記第２の出力光を直接受けパワーを検出する第２のフォトディテクタと、
上記第１及び第２のフォトディテクタの出力レベルの比が一定になるように上記電極にバイアスを与えるバイアス回路とを備え、
上記第１のフォトディテクタの出力レベルと第２のフォトディテクタの出力レベルが、上記第１の出力光と第２の出力光のパワー関係に対応し、変調信号の振幅がＶπの場合は収束点が特性曲線の中点に、変調信号の振幅がＶπ未満の場合は収束点が特性曲線の中点からボトムに近づく点になるよう上記第１及び第２のフォトディテクタの少なくとも一方の光結合効率が調整される事を特徴とする光送信機。
【請求項１６】
請求項１５に記載の光送信機であって、
上記第１及び第２のモードを切り替えるための変調信号を上記電極に提供するための駆動回路を更に備えた光送信機。
【請求項１７】
請求項１６に記載の光送信機であって、
上記第１及び第２のモードはそれぞれ上記変調信号のローレベル及びハイレベルに対応する光送信機。
【請求項１８】
請求項１６に記載の光送信機であって、
上記第１及び第２のモードはそれぞれ上記変調信号のハイレベル及びローレベルに対応する光送信機。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は光変調器及びそのバイアス制御回路並びに該光変調器を備えた光送信機に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光ファイバ通信システムの大容量化に伴い、変調速度が増大している。レーザダイオードの直接強度変調では、波長チャーピングが問題である。チャーピングは、光信号が波長分散を有する光ファイバを通過するときに波形の歪みを引き起こす。ファイバ損失の観点からは、シリカファイバに適用されるのに最も望ましい波長は１．５５μｍである。この波長では、ノーマルなファイバは大体１８ｐｓ／ｋｍ／ｎｍの波長分散を有する。これは伝送距離を制限する。この問題を避けるために、外部変調器に対する期待が高まっている。
【０００３】
実用的な外部変調器として、ＬｉＮｂＯ3 （リチウムナイオベート）を基本材料としたマッハツェンダ型の光変調器（ＬＮ変調器）が開発されている。光源からの一定強度の連続波光（ＣＷ光）がＬＮ変調器に供給され、光の干渉を用いたスイッチング動作によって、強度変調された光信号が得られる。
【０００４】
しばしば指摘されるＬＮ変調器の欠点は、動作点ドリフトを生じさせることである。動作点ドリフトに対処するために、ＬＮ変調器から出力される光がモニタリングされ、その結果得られる電気信号に基づいて動作点安定化のための制御が行われる。
【０００５】
図１は従来のＬＮ変調器の変調器チップの平面図である。この変調器チップは、誘電体チップ２により提供される光導波構造４を有している。誘電体チップ２はリチウムナイオベートからなり、この場合Ｔｉ（チタン）の熱拡散によって光導波構造４が得られる。
【０００６】
光導波構造４は、図示しない光源からの入力ビームを受ける入力ポート６と、出力ポート８とを有している。光導波構造４は、更に、入力ポート６及び出力ポート８にそれぞれ光学的に接続される第１のＹ分岐１０及び第２のＹ分岐１２と、Ｙ分岐１０及び１２間を接続する第１及び第２のパス１４及び１６とを有している。
【０００７】
入力ポート６に供給された入力ビームは、第１のＹ分岐１０で光パワーが実質的に２等分される第１及び第２のビームに分岐される。第１及び第２のビームはそれぞれパス１４及び１６により導波され、第２のＹ分岐１２で干渉する。
【０００８】
第２のＹ分岐１２における第１及び第２のビーム間の位相差に応じて、出力ポート８において出力ビームが得られる結合モードと、Ｙ分岐１２から誘電体チップ２内に漏洩ビームが放射される漏洩モードとが切り替えられ、それにより強度変調された光信号が出力ポート８から出力される。
【０００９】
第１及び第２のビーム間の位相差を変化させるために、第１のパス１４上には接地電極１８が設けられており、第２のパス１６上には信号電極２０が設けられている。
【００１０】
信号電極２０は進行波型に構成されており、その入力端２０Ａはコネクタ２２の内部導体に接続され、出力端２０Ｂはコネクタ２４の内部導体に接続されている。また、コネクタ２２及び２４のシールド並びに接地電極１８は接地されている。
【００１１】
電極１８及び２０は例えばＡｕ（金）の蒸着により形成される。図示はしないが、誘電体チップ２と電極１８及び２０との間にＳｉ及び／又はＳｉＯ2 からなる安定化用の単一又は複数のバッファ層が設けられていてもよい。
【００１２】
次に図２を参照して動作点ドリフトについて説明する。一般にＬＮ変調器においては、温度変化や経時変化により動作特性曲線がドリフトする（動作点ドリフト）。図２において、符号２６及び２８はそれぞれ動作点ドリフトが生じていない場合における動作特性曲線及び出力光信号波形を表しており、符号３０及び３２はそれぞれ正電圧の方向に動作点ドリフトが生じた場合における動作特性曲線及び出力光信号波形を表している。符号３４は入力信号又は変調信号（駆動電圧）の波形である。
【００１３】
動作特性曲線は、出力光パワーが電圧の増加に対して周期的に増減するものとして表される。図示された例では、その周期性は正弦波によって与えられている。従って、バイナリ信号としての入力信号の各論理値（ハイレベル及びローレベル）に対応して光パワーの極小値及び極大値がそれぞれ得られる電圧Ｖ0 及びＶ1 を用いて前述の結合モードと漏洩モードの有効な切り替えを行うことによって、効率的なバイナリ変調を行うことができる。
【００１４】
動作点ドリフトが生じたときに、電圧Ｖ0 及びＶ1 が一定であると、動作特性曲線の周期性により符号３２で示されるように出力光信号の消光比が劣化すると共に波形歪みが生じる。従って、動作点ドリフトが生じたときにそのドリフト量をｄＶとすると、電圧Ｖ0 及びＶ1 をそれぞれ（Ｖ0 ＋ｄＶ）及び（Ｖ1 ＋ｄＶ）として動作点ドリフトを補償することが要求される。
【００１５】
図３は動作点安定化が施されている従来の光送信機（光変調器）のブロック図である。レーザダイオード（ＬＤ）３６からの入力ビームとしてのＣＷ光は例えば図２に示される変調器チップ２の入力ポート６に供給される。変調器チップ２の出力ポート８からの出力ビームは、光カプラ３８により２分岐され、その一方は図示しない光ファイバ伝送路に送出され他方はフォトディテクタ（ＰＤ）４０に供給される。フォトディテクタ４０は例えばフォトダイオードにより提供され、この場合電流出力となるので、フォトディテクタ４０の出力は電流／電圧（Ｉ／Ｖ）変換器４２により電圧信号に変換された後、帯域通過フィルタ４４を介して位相比較回路４６に供給される。
【００１６】
動作点安定化のために、発振器４８から出力される低周波信号（パイロット信号）が用いられる。パイロット信号は位相比較回路４６及び駆動回路５０に供給されている。駆動回路５０は、例えば、データ入力信号を増幅する可変増幅器と、その出力に接続される低域通過フィルタとから構成され得る。この場合、低周波信号により可変利得増幅器の利得が変化させられ、それにより低周波信号がデータ入力信号に重畳される。低域通過フィルタの採用により、低周波信号は、データ入力信号のローレベル及びハイレベルの両方に互いに逆相に重畳される。その結果得られた信号は変調信号として変調器チップ２のコネクタ２２に供給される。
【００１７】
位相比較回路４６は例えば同期検波回路により提供される。位相比較回路４６は、発振器４８からの低周波信号とフォトディテクタ４０からの低周波成分との位相比較を行う。その位相比較の結果は位相比較回路４６の出力信号のＤＣ成分に現れるので、そのＤＣ成分に従ってバイアス回路５２が変調器チップ２のコネクタ２４に供給するバイアス電圧をフィードバック制御する。このフィードバックループにおいては、フォトディテクタ４０からの低周波成分が最小となるようにバイアス電圧が調節される。
【００１８】
図４を参照すると、図３に示される光変調器における動作点安定化の原理が示されている。符号５４は入力電気信号の波形、即ち駆動回路５０が出力する変調信号の波形を示している。
【００１９】
最適な動作点は、符号５６で示されるように、入力電気信号５４の両レベルが最大及び最小の出力光パワーを与える動作特性曲線によって決定される。
【００２０】
今、温度変動等により特性曲線が符号５８又は６０で示されるように電圧軸方向にシフトすると、出力光信号には低周波成分が生ずるようになり、シフトの方向は低周波成分の位相に反映される。即ち、特性曲線５８及び６０がそれぞれ与える出力光信号の包絡線の位相は１８０°異なる。従って、図３に示されるように位相比較回路４６を用いて例えば同期検波を行うことによって、動作点が安定化される。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】
図３及び図４により説明した従来の動作点安定化のためのバイアス制御技術によると、データ入力信号に低周波信号を重畳する必要があるので、主信号に関して符号間干渉が発生する可能性がある。また、入力電気信号の両レベルを光出力パワーの最小値及び最大値に対応させる必要上、入力電気信号の振幅が、動作特性曲線において最大光パワーを与える電圧と最小光パワーを与える電圧との間の差によって与えられる電圧（Ｖπ電圧）に対応していることで限定される。即ち、入力電気信号の振幅がＶπ電圧より小さい場合、出力光信号の消光比が劣化する。変調速度を高速化する上では、入力電気信号の小さい振幅が適しているので、この問題は高速動作に適した光変調器を提供する上で重要である。
【００２２】
よって、本発明の目的は、符号間干渉が生じにくい光変調器及びそのバイアス制御回路並びにその光変調器を備えた光送信機を提供することにある。
【００２３】
本発明の他の目的は、入力電気信号の振幅に係わらず良好な消光比を得ることができる光変調器及びそのバイアス制御回路並びにその光変調器を備えた光送信機を提供することにある。
【００２４】
【課題を解決するための手段】
本発明のある側面によると、光導波構造と電極と第１及び第２のフォトディテクタとバイアス回路とを備えた光変調器が提供される。光導波構造は入力光を第１及び第２の出力光に変換する。電極は、入力光が上記第１の出力光に変換される第１のモードと入力光が上記第２の出力光に変換される第２のモードとを切り替えるために光導波構造に電界を与える。第１のフォトディテクタは、上記第１の出力光から分岐された光を受けパワーを検出する。第２のフォトディテクタは、第２の出力光を直接受けパワーを検出する。第1及び第２の電流／電圧変換器は、第１のフォトディテクタと第２のフォトディテクタの出力をそれぞれ電圧信号に変換する。バイアス回路は、第１及び第２の電流／電圧変換器にて変換した電圧信号の比が一定になるように上記電極にバイアスを与える。そして、上記第１のフォトディテクタの出力レベルと第２のフォトディテクタの出力レベルが、上記第１の出力光と第２の出力光のパワー関係に対応し、変調信号の振幅がＶπの場合は収束点が特性曲線の中点に、変調信号の振幅がＶπ未満の場合は収束点が特性曲線の中点からボトムに近づく点になるよう第１及び第２のフォトディテクタの少なくとも一方の光結合効率を調整する構成を有する。
【００２５】
この構成によると、低周波信号を入力電気信号に重畳することなしに動作点を安定化することができるので（動作原理は後で詳述）、符号間干渉が生じにくくなる。
【００２６】
光導波構造は、例えば、入力ビームを受ける入力ポートと、第１及び第２の出力ビームをそれぞれ出力する第１及び第２の出力ポートと、入力ポートに光学的に接続されるＹ分岐と、第１及び第２の出力ポートに光学的に接続されるＸ分岐と、Ｙ分岐及びＸ分岐を光学的に接続する第１及び第２のパスとを有している。
【００２７】
あるいはまた、光導波構造は、入力ビームを受ける入力ポートと、入力ポートに光学的に接続される第１のＹ分岐と、第１のＹ分岐に第１及び第２のパスにより光学的に接続される第２のＹ分岐と、第２のＹ分岐に光学的に接続される出力ポートとを有する。この場合、第１の出力ビームは出力ポートから出力され、第２の出力ビームは第２のＹ分岐の漏洩ビームによって提供される。
【００２８】
望ましくは、第１及び第２のフォトディテクタの少なくとも一方の検出感度が調節可能にされる。これにより、入力電気信号の振幅が前述したＶπ電圧に限定されなくなるので、入力電気信号の振幅に係わらず良好な消光比を得ることができるようになる。
【００２９】
本発明の他の側面によると、光変調器のバイアス制御回路が提供される。光変調器は、変調信号のローレベル及びハイレベルの一方に対応して入力光が第１の出力光に変換される第１のモードと上記ローレベル及び上記ハイレベルの他方に対応して上記入力光が第２の出力光に変換される第２のモードとを切り替える光変調器のバイアス制御回路であって、上記第１の出力光から分岐された光を受けパワーを検出する第１のフォトディテクタと、上記第２の出力光を直接受けパワーを検出する第２のフォトディテクタと、上記第１のフォトディテクタと第２のフォトディテクタの出力をそれぞれ電圧信号に変換する第1及び第２の電流／電圧変換器と、上記第1及び第２の電流／電圧変換器にて変換した電圧信号の比が一定になるように上記電極にバイアスを与えるバイアス制御回路を備え、バイアス制御回路は、上記第１の出力光と第２の出力光のパワー関係に対応し、変調信号の振幅がＶπの場合は収束点が特性曲線の中点に、変調信号の振幅がＶπ未満の場合は収束点が特性曲線の中点からボトムに近づく点になるよう上記第１及び第２のフォトディテクタの少なくとも一方の光結合効率が調整される。
【００３０】
本発明の更に他の側面によると、入力光を与える光源と、上記入力光を第１及び第２の出力光に変換する光導波構造と、上記入力光が上記第１の出力光に変換される第１のモードと上記入力光が上記第２の出力光に変換される第２のモードとを切り替えるために上記光導波構造に電界を与えるための電極と、上記第１の出力光から分岐された光を受けパワーを検出する第１のフォトディテクタと、上記第２の出力光を直接受けパワーを検出する第２のフォトディテクタと、上記第１及び第２のフォトディテクタの出力レベルの比が一定になるように上記電極にバイアスを与えるバイアス回路とを備え、上記第１のフォトディテクタの出力レベルと第２のフォトディテクタの出力レベルが、上記第１の出力光と第２の出力光のパワー関係に対応し、変調信号の振幅がＶπの場合は収束点が特性曲線の中点に、変調信号の振幅がＶπ未満の場合は収束点が特性曲線の中点からボトムに近づく点になるよう上記第１及び第２のフォトディテクタの少なくとも一方の光結合効率が調整される事を特徴とする光送信機が提供される。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の望ましい実施の形態を詳細に説明する。従来技術を説明した図面に示されるものと実質的に同一の部分には同一の符号が付されている。
【００３２】
図５は本発明による光送信機（光変調器）の第１実施形態を示すブロック図である。この実施形態では、図１に示される変調器チップ２の光導波構造４と若干異なる光導波構造４′を有する変調器チップ２′が用いられており、また、低周波信号の重畳が不要なバイアス制御が行われている。
【００３３】
光導波構造４′は、レーザダイオード３６からの入力ビームを受ける入力ポート６と、各々変調出力である第１の出力ビームＰ１及び第２の出力ビームＰ２をそれぞれ出力する第１及び第２の出力ポート６４及び６６と、入力ポート６に光学的に接続されるＹ分岐１０と、第１及び第２の出力ポート６４及び６６に光学的に接続されるＸ分岐６２と、Ｙ分岐１０及びＸ分岐６２を光学的に接続する第１及び第２のパス１４及び１６とを有している。
【００３４】
第２のパス１６に沿って信号電極２０が設けられている。信号電極２０は、入力ビームが第１の出力ビームＰ１に変換される第１のモードと入力ビームが第２の出力ビームＰ２に変換される第２のモードとを切り替えるために光導波構造４′に電界を与える。信号電極２０と協働する接地電極（図１に示される接地電極１８に対応）の図示は省略されている。
【００３５】
第１及び第２の出力ビームＰ１及びＰ２のパワーをそれぞれ検出するために、第１及び第２のフォトディテクタ６８及び７０が用いられている。第１のフォトディテクタ６８は第１の出力ビームＰ１から光カプラ７２により分岐されたモニタビームを受け、第２のフォトディテクタ７０は第２の出力ビームＰ２を直接受ける。フォトディテクタ６８及び７０の各々はフォトダイオードにより提供され、この場合各フォトダイオードの出力信号は電流信号により与えられるので、後述するバイアス電圧に適合させるために、フォトディテクタ６８及び７０の出力信号は電流／電圧変換器７４及び７６によりそれぞれ電圧信号ＶＰ１及びＶＰ２に変換される。
【００３６】
電圧信号ＶＰ１及びＶＰ２はバイアス制御回路７７としてのコンパレータ７８のそれぞれ−入力ポート及び＋入力ポートに供給される。バイアス回路７７はフォトディテクタ６８及び７０の出力レベルの比が一定になるように信号電極２０にバイアス電圧を与える。特にこの実施形態では、電圧信号ＶＰ１及びＶＰ２のレベルが等しくなるようにコンパレータ７８の出力電圧がバイアス電圧として信号電極２０にフィードバックされる。
【００３７】
第１及び第２のモードを切り替えて変調を行うために、信号電極２０には駆動回路８０が接続されている。駆動回路８０は直列接続されたキャパシタ８２及び抵抗８４を含み、データ入力信号はキャパシタ８２及び抵抗８４の接続点に供給される。それにより、第１及び第２のモードを切り替えるための変調信号が信号電極２０に供給される。
【００３８】
図６は本発明における動作特性の例を示す図である。符号８６で示される特性曲線は電圧信号ＶＰ１とバイアス電圧（信号電極２０の電位）との関係を表しており、符号８８で示される特性曲線は電圧信号ＶＰ２とバイアス電圧（信号電極２０の電位）との関係を表している。この例では、特性曲線８６及び８８は互いに逆相であり、各々の最大値は等しい。つまり、電圧信号ＶＰ１及びＶＰ２の大小関係が出力ビームＰ１及びＰ２のパワーの大小関係に対応するように、フォトディテクタ６８及び７０における光結合効率等が調整されているのである。具体的には、光カプラ７２（図５参照）における損失分だけ、フォトディテクタ６８における光結合効率等が高くされているのである。
【００３９】
今、符号８６で示されるような変調信号が与えられたとし、その平均レベルがＰ２＜Ｐ１の領域にあるＶｂに一致しているとすると、第１の出力ビームＰ１の波形は符号８８で示される波形に対応し、第２の出力ビームＰ２の波形は符号９０で示される波形に対応するので、これらはアンバランスであり、最適な動作点は得られていない。尚、ここでは変調信号８６の振幅は無視するものとし、振幅の最適化については後述する。
【００４０】
この実施形態では、最適なバイアス電圧は、特性曲線８６及び８８の交点によって与えられる。従って、ＶＰ１＝ＶＰ２となるようにバイアス電圧を制御することによって動作点の最適化が図られる。
【００４１】
この実施形態では、ＶＰ２＜ＰＶ１の場合、即ちＰ２＜Ｐ１の場合には、コンパレータ７８の出力電圧は−になり、一方、ＶＰ１＜ＶＰ２の場合、即ちＰ１＜Ｐ２の場合には、コンパレータ７８の出力電圧は＋になるので、バイアス電圧の制御の結果、図６に示される収束点Ｂで安定化する。従って、変調信号８６の両レベルがそれぞれ特性曲線８６又は８８の最小値及び最大値を与える電位に一致するように変調信号８６の振幅を設定することによって、波形歪みがなくしかも消光比の高い出力光信号を得ることができる。また、この実施形態では、低周波信号の重畳が行われていないので、符号間干渉が生じにくい。
【００４２】
この実施形態では、光導波構造４′はマッハツェンダ型（分布干渉型）干渉器により提供されており、また、光導波構造４′はリチウムナイオベート基板上に形成されているので、平面電極により効果的に第１及び第２パス１４及び１６間に電界を印加することができ、高い位相変調効率を得ることができる。また、第１及び第２のモードを切り替えるための電極は第１及び第２のパス１４及び１６の少なくとも一方に沿って設けられているので、各パスへの効果的な電界の印加が可能になる。
【００４３】
図５に良く示されるように、駆動回路８０からの変調信号は、信号電極２０のＹ分岐１０側の端部に供給され、バイアス回路７７からのバイアス電圧は信号電極２０のＸ分岐６２側の端部に供給されている。一般的には、信号電極２０はバイアス電圧の供給側端部にて終端されるので、この信号電極２０は進行波型となり、高速の変調が可能になる。
【００４４】
図７は本発明による光送信機（光変調器）の第２実施形態を示すブロック図である。この実施形態では、電流／電圧変換器７４及び７６とコンパレータ７８との接続関係が図５に示される第１実施形態における接続関係と逆である。即ち、第１の出力ビームＰ１に関連する電流／電圧変換器７４はコンパレータ７８の＋入力ポートに接続されており、第２の出力ビームＰ２に関連する電流／電圧変換器７６はコンパレータ７８の−入力ポートに接続されている。
【００４５】
従って、ＶＰ２＜ＶＰ１の場合、即ちＰ２＜Ｐ１の場合には、コンパレータ７８の出力電圧は＋になり、一方、ＶＰ１＜ＶＰ２の場合、即ちＰ１＜Ｐ２の場合には、コンパレータ７８の出力電圧は−になる。従って、図７に示される第２実施形態では、図６に示される収束点Ａに安定化される。
【００４６】
図５に示される第１実施形態では、収束点Ｂに安定化されるので、特性曲線８６の傾斜が正である部分によって変調信号と出力光信号とが対応付けられる。従って、第１及び第２のモードはそれぞれ変調信号のハイレベル及びローレベルに対応する。これに対して、図７に示される第２実施形態では、収束点Ａで安定化されるので、特性曲線８６の傾斜が負の部分によって変調信号と出力光信号とが対応付けられ、第１及び第２のモードはそれぞれ変調信号のローレベル及びハイレベルに対応する。
【００４７】
第１及び第２実施形態で結果的に異なるのは、データ入力信号（変調信号）の極性と、これが重要であるが、出力光信号のチャープパラメータが異なるところにある。具体的には次の通りである。
【００４８】
マッハツェンダ型光変調器のように干渉により光スイッチングを行う光デバイスにおいては、干渉により本質的に生じる波長変動（チャーピング）を利用してプリチャーピングを行うことができる。プリチャーピングとは、送信光信号の１パルス内に波長（周波数）の変動を予め与えておくことにより、波長分散及び非線形効果による伝送波形の劣化を抑制するための方法である。
【００４９】
図８の８Ａを参照すると、マッハツェンダ型光変調器の動作特性曲線が示されている（図６に示される特性曲線８６に本質的に対応）。印加電圧として１つの安定点Ｖｂ１の近傍の領域９２を使用して、８Ｂの左側に示されるような正のパルスを与えると、領域９２においては印加電圧（Ｖ）の増大に従って光パワー（Ｐ）が増大するので、８Ｃの左側に示すように電圧パルスと同じ極性で正の光パルスが出力される。このとき、８Ｄの左側に示すように、光パルスの立ち上がり部分では波長が平均値よりも短くなり立ち下がり部分では長くなる。即ち、１つの光パルスにおいて波長が時間（ｔ）と共に短波長（青側）から長波長（赤側）へシフトする。この現象はレッドシフトと称される。
【００５０】
一方、他の安定点Ｖｂ２の近傍の領域９４を使用して、８Ｂの右側に示されるような負の電圧パルスを与えると、領域９４においては印加電圧（Ｖ）の増大に従って光パワー（Ｐ）が減少することから、８Ｃの右側に示すように、電圧パルスとは逆極性で正の光パルスが出力される。このとき、８Ｄの右側に示すように、光パルスの立ち上がり部分では波長が長波長側にシフトし、立ち下がり部分では短波長側にシフトする。即ち、１つの光パルスにおいて波長が時間（ｔ）と共に長波長（赤側）から短波長（青側）へシフトする。この現象はブルーシフトと称される。
【００５１】
光パルスのチャープパラメータαは、
α＝２（ｄφ／ｄｔ）／（ｄＳ／ｄｔ）／Ｓ
で与えられる。ここで、φは光位相、Ｓは光強度である。
【００５２】
レッドシフトの場合、チャープパラメータαは正の値をとり、ブルーシフトの場合、チャープパラメータαは負の値をとる。
【００５３】
光信号の波長が伝送路として使用される光ファイバの零分散波長よりも短くて正常分散の領域にあるとき、長波長の光は短波長の光よりも光ファイバ中を速く進むので、予め０＜α（レッドシフト）のプリチャーピングを与えておくことによりパルスの圧縮が生じ、アイ開口度が大きくなる。
【００５４】
逆に、異常分散の領域にあるときには、短波長の光は長波長の光よりも光ファイバ中を速く進むので、予めα＜０（ブルーシフト）のプリチャーピングを与えておくことによって、アイ開口度が大きくなる。
【００５５】
また、光ファイバ伝送路の条件に合わせてチャープパラメータαの値を調節することによって、システム全体の伝送条件を最適化することができる。
【００５６】
図９は本発明による光送信機（光変調器）の第３実施形態を示すブロック図である。この実施形態では、図６に示される収束点Ａ及びＢのいずれか一方を選択的に得て所望のチャープパラメータを設定し得るようになっている。
【００５７】
そのために、出力ビームＰ１に関連する電圧信号ＶＰ１及び出力ビームＰ２に関連する電圧信号ＶＰ２がそれぞれ−入力ポート及び＋入力ポートに供給されるコンパレータ７８（＃１）と、電圧信号ＶＰ１及びＶＰ２がそれぞれ＋入力ポート及び−入力ポートに供給されるコンパレータ７８（＃２）とが用いられ、スイッチ９６によりコンパレータ７８（＃１及び＃２）のいずれか一方が選択されて信号電極２０にバイアス電圧が供給されるようになっている。
【００５８】
コンパレータ７８（＃１）が選択されているときには、図５の第１実施形態に準じて収束点Ｂで安定化するので、出力光信号にはレッドシフトが与えられてチャープパラメータαは正の値となる。一方、コンパレータ７８（＃２）が選択されているときには、図７の第２実施形態に準じて収束点Ａで安定化されるので、出力光信号にはブルーシフトが与えられ、チャープパラメータαは負の値となる。
【００５９】
この実施形態では、スイッチ９６に連動して動作する符号反転回路９８が設けられている。図８の８Ｂで説明したとおり、チャープパラメータの切り替えにより必要とされる変調信号の極性が反転するので、これに対処するために、スイッチ９６に連動して、駆動回路８０に供給されるデータ入力信号の極性を反転させるものである。
【００６０】
このように、図９に示される第３実施形態では、第１及び第２のモードがそれぞれ変調信号のローレベル及びハイレベルに対応する第１の状態と、第１及び第２のモードがそれぞれ変調信号のハイレベル及びローレベルに対応する第２の状態とを切り替えるようにしているので、得られる光信号について正のチャープパラメータと負のチャープとを択一的に得ることができ、選択されたチャープパラメータを光ファイバ伝送路に適合させることによって、伝送後の波形劣化を少なくすることができる。
【００６１】
特に、図９に示されるような符号反転回路９８を採用することによって、チャープパラメータの正負に係わらず同じ極性のデータ入力信号を用いることができ、光変調器を駆動するための回路の簡素化を図ることができる。
【００６２】
以上説明した各実施形態においては、望ましくは、フォトディテクタ６８及び７０の少なくとも一方の検出感度が調節可能である。それにより、変調信号（入力電気信号）の振幅の自由度が増す。具体的には次の通りである。
【００６３】
図１０は本発明における動作特性の他の例を示す図である。符号１００及び１０２により表されている特性曲線はそれぞれ図６において符号８６及び８８により表されている特性曲線に対応している。この場合、特性曲線１００及び１０２における最大値は等しいので、収束点Ａ１又はＢ１で安定化する。即ち、特性曲線１００及び１０２の各々において最大値及び最小値を与える電圧の中点が安定点となる。従って、符号１０４で示されるように、その平均レベルが収束点Ａ１を与える電圧に等しい変調信号を用いることによって、符号１０６で示されるような出力光信号が得られる。
【００６４】
この場合、出力光信号の消光比を高めるために変調信号の振幅をＶπに一致させる必要があることは前述した通りである。
【００６５】
符号１０８は、第２のフォトディテクタ７０の変換効率を調節して、最大値が特性曲線１００における最大値の１／２になるようにした特性曲線を示している。特性曲線１００及び１０８の組み合わせにおいては、図５に示される第１実施形態では収束点Ｂ２で安定し、図７に示される第２実施形態では収束点Ａ２で安定する。即ち収束点は特性曲線１００におけるボトムに近付くのである。
【００６６】
従って、例えば図７に示される第２実施形態においては、符号１１０で示されるような変調信号を与えることによって、符号１１２で示されるような出力光信号を得ることができる。この場合、出力光信号の消光比が最も高くなるための変調信号の最適振幅はＶπよりも小さくなり、高速化に適した光変調器又は光送信機の提供が可能になる。
【００６７】
あるいはまた、第１のフォトディテクタ６８の変換効率を調節して、特性曲線１００における最大値よりも小さい最大値を有する特性曲線を電圧信号ＶＰ１について得、その特性曲線と特性曲線１０２との組み合わせにおいて本発明によるバイアス制御を行うことによって、収束点を特性曲線１０２におけるボトムに近づけることもできる。
【００６８】
このように、本発明では、第１及び第２のフォトディテクタの少なくとも一方の検出感度を調節可能にしておくことによって、入力電気信号の振幅に係わらず良好な消光比を得ることができるようになる。
【００６９】
尚、本発明を実施する場合、第１及び第２のフォトディテクタがそれぞれ第１及び第２の出力ビームのパワーを検出する、という場合、各パワーは各パワーの平均値としても理解することができる。従って、各フォトディテクタとしては、応答速度が主信号に追従し得ない程度に低速なものを用いることができる。
【００７０】
また、各フォトディテクタの変換効率の調節は、フォトディテクタの受光部における光結合効率の調節により行うことができる。更に、各実施形態では、変調器チップ２′の出力ポート６４又は６６における光結合効率あるいはＸ分岐６２における分配比によって各フォトディテクタの変換効率を調節してもよい。フォトディテクタがアバランシェフォトダイオードにより提供される場合には、そのバイアス電圧を調節することによっても変換効率を調節することができる。
【００７１】
以上説明した実施形態では、Ｘ分岐６２を有する変調器チップ２′について本発明を説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば図１に示されるような２つのＹ分岐１０及び１２を有する従来の変調器チップ２を用いて本発明を実施することもできる。具体的には次の通りである。
【００７２】
図１１は図１に示される変調器チップ２における漏洩ビームの説明図である。ここでは、変調器チップ２の破断斜視図が示されている。チップ２は、出力ポート８と実質的に同一平面上に端面２Ａを有している。
【００７３】
Ｙ分岐１２からチップ２内に放射された漏洩ビームは、ＬＢで示されるように、更に端面２Ａから空気中に放射される。また、Ｙ分岐１２における干渉の結果生じた出力ビームは、ＯＢで示されるように出力ポートから空気中に放射される。
【００７４】
従って、出力ビームＯＢ及び漏洩ビームＬＢをそれぞれ各実施形態における第１の出力ビームＰ１及び第２の出力ビームＰ２に対応させることによって、この変調器チップ２についてのバイアス制御を、低周波信号を用いることなしに実施することができる。
【００７５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によると、符号間干渉が生じにくい光変調器及びそのバイアス制御回路並びにその光変調器を備えた光送信機の提供が可能になるという効果が生じる。
【００７６】
また、本発明の特定の実施形態によると、入力電気信号の振幅に係わらず良好な消光比を得ることができる光変調器及びそのバイアス制御回路並びにその光変調器を備えた光送信機の提供が可能になるという効果が生じる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は従来の変調器チップの平面図である。
【図２】図２は図１に示される変調器チップにおける動作点ドリフトの説明図である。
【図３】図３は動作点安定化が適用される従来の光送信機（光変調器）のブロック図である。
【図４】図４は図３に示される光送信機（光変調器）における動作点安定化の原理を説明するための図である。
【図５】図５は本発明による光送信機（光変調器）の第１実施形態を示すブロック図である。
【図６】図６は本発明における動作特性の例を示す図である。
【図７】図７は本発明による光送信機（光変調器）の第２実施形態を示すブロック図である。
【図８】図８の８Ａ乃至８Ｄはチャープパラメータの切り替えを説明するための図である。
【図９】図９は本発明による光送信機（光変調器）の第３実施形態を示すブロック図である。
【図１０】図１０は本発明における動作特性の他の例を示す図である。
【図１１】図１１は漏洩ビームの説明図である。
【符号の説明】
２，２′  変調器チップ
４，４′  光導波構造
６  入力ポート
８，６４，６６  出力ポート
１０  Ｙ分岐
１４  第１のパス
１６  第２のパス
１８  接地電極
２０  信号電極
３６  レーザダイオード
６２  Ｘ分岐
６８，７０  フォトディテクタ
７２  光カプラ
７７  バイアス制御回路
７８  コンパレータ
８０  駆動回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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