(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
吸着電極と、ヒータとが誘電体内に配置され、前記誘電体上に処理対象物を配置し、前記吸着電極に電圧を印加すると、前記処理対象物が前記誘電体上に吸着されるように構成された静電吸着装置であって、
前記誘電体の温度と前記処理対象物の温度を測定する測定装置を有し、
前記測定装置は、前記ヒータによって昇温された前記誘電体上に前記処理対象物を配置した後、前記処理対象物の静電吸着をした時の前記誘電体の温度低下を測定し、前記温度低下が第一の基準値よりも小さかった場合は前記処理対象物が正常に吸着されていないと判断し、
前記処理対象物の静電吸着後の昇温速度が第二の基準値よりも小さかった場合は、前記処理対象物が正常に吸着されていないと判断するように構成され、
前記誘電体には貫通孔が設けられ、前記誘電体上に前記処理対象物を配置すると、前記貫通孔の一方の開口部分に前記処理対象物表面が露出するように構成され、
前記測定装置は、前記処理対象物の前記開口部分に露出する表面から放射された赤外線を検出し、前記処理対象物の温度を測定するように構成された静電吸着装置。
【請求項２】
前記貫通孔内に配置された光路体と、該光路体の端部に設けられ、前記処理対象物表面から放射され、前記光路体を通過した赤外線を検出する赤外線受光部とを有する請求項１記載の静電吸着装置。
【請求項３】
前記光路体の前記端部に設けられ、前記光路体を介して前記処理対象物表面に赤外線を照射する赤外線放射部を有する請求項２記載の静電吸着装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の静電吸着装置と真空槽とを有し、少なくとも前記静電吸着装置の前記誘電体が前記真空槽内に配置された真空処理装置。
【請求項５】
前記処理対象物と前記誘電体の温度差が、第三の基準値よりも小さくなった後、プラズマを生成させるように構成された請求項４記載の真空処理装置。
【請求項６】
吸着電極と、ヒータとが誘電体内に配置され、前記誘電体上に処理対象物を配置し、前記吸着電極に電圧を印加すると、前記処理対象物が前記誘電体上に吸着されるように構成された静電吸着装置上に配置された処理対象物を静電吸着し、前記処理対象物の温度制御を行う際に、前記処理対象物が正常に吸着されたか否かを判断する吸着状態判断方法であって、
前記ヒータによって昇温された前記誘電体上に前記処理対象物を配置した後、前記処理対象物の静電吸着をした時の前記誘電体の温度を測定し、前記誘電体の温度低下が第一の基準値よりも小さかった場合は前記処理対象物が正常に吸着されなかったと判断し、
前記処理対象物の静電吸着後の昇温速度が第二の基準値よりも小さかった場合は、前記処理対象物が正常に吸着されなかったと判断する静電吸着方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、処理対象物を吸着して温度制御を行う技術にかかり、特に、処理対象物の吸着状態を判断できる技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
真空雰囲気中で行われる薄膜形成やエッチングには、処理対象の基板の温度を精密に制御する必要があり、そのため、従来より図７の符号１１４で示すような静電吸着装置が用いられている。
【０００３】
図７の符号１１０は真空装置であり、真空槽１１１を有している。上述の静電吸着装置１１４は、その真空槽１１１内部の底壁上に配置されている。
【０００４】
静電吸着装置１１４は、誘電体材料１２１と、該誘電体材料１２１内に埋め込まれた正負の吸着電極１２２1、１２２2及びヒータ１２３とで構成されている。各吸着電極１２２1、１２２2は、真空槽１１１外に配置された電源１３１に接続されており、それぞれ正電圧と負電圧が印加されるように構成されている。
【０００５】
また、この真空装置１１０はエッチング装置であり、真空槽１１１の天井側に、カソード電極１２３が配置されている。
【０００６】
この静電吸着装置１１４上に基板１１２を配置し、真空槽１１１内を真空排気しながら電源１３１を起動し、吸着電極１２２1、１２２1に正負の電圧を印加すると、基板１１２と吸着電極１２２1、１２２2の間にクーロン力が生じると共に、吸着電極１２２1、１２２2間に、基板１１２を介して微小電流が流れ、ジョンソン・ラーベック効果による吸着力が生じる。
【０００７】
この状態では、クローン力及びジョンソン・ラーベック効果による吸着力により、基板１１２の裏面が静電吸着装置１１４表面に強く密着される。従って、基板１１２と静電吸着装置１１４との間の熱伝導性が非常に高くなっており、基板１１２を吸着しながらヒータ１２３に通電して発熱させると、基板１１２は真空槽内でも素早く昇温する。
【０００８】
次いで、真空槽１１３に接続されたガス導入系１１３からエッチングガスを導入し、カソード電極に電圧を印加してプラズマを生成し、基板１１２表面をエッチングする。
【０００９】
この場合、基板１１２が静電吸着装置１１４表面に正常に吸着されていないと、正常にエッチングすることができない。
【００１０】
そこで、上記真空装置１１０では、吸着電極１２２1、１２２2と電源１３１の間に、電流計１０６1、１０６2が挿入されており、基板１１２の処理中に吸着電極１２２1、１２２2と基板１１２の間に流れる電流を測定し、その値から、静電吸着が正常に行われたか否かを判断していた。
【００１１】
しかしながら、上記のように、電流を測定することで基板１１２の静電吸着の状態を検出しようとすると、処理温度や基板１１２の種類が異なると、流れる電流の大きさが変わってしまうという問題がある。
【００１２】
また、ジョンソン・ラーベック力を用いず、基板１１２に微小電流を流さずにクーロン力だけで吸着する場合には、電流測定では吸着状態が検出できないという問題がある。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、真空雰囲気で基板を静電吸着する際に、基板の吸着状態を判断できる技術を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明の発明者等は、高温に加熱された静電吸着装置上に比較的低温の処理対象物を配置し、静電吸着装置表面に静電吸着すると、静電吸着装置の熱が処理対象物側に移動し、静電吸着装置の温度が一時的に低下することを見出した。そして、処理対象物が正常に吸着された場合と、正常に吸着されなかった場合とでは、静電吸着装置の温度低下に差があることが分かった。
【００１５】
また、処理対象物が正常に吸着された場合と、正常に吸着されなかった場合とでは、静電吸着後の処理対象物の昇温速度に差があることが分かった。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明はこれらの知見に基いて創作されたものであり、請求項１記載の発明は、吸着電極と、ヒータとが誘電体内に配置され、前記誘電体上に処理対象物を配置し、前記吸着電極に電圧を印加すると、前記処理対象物が前記誘電体上に吸着されるように構成された静電吸着装置であって、前記誘電体の温度と前記処理対象物の温度を測定する測定装置を有し、前記測定装置は、前記ヒータによって昇温された前記誘電体上に前記処理対象物を配置した後、前記処理対象物の静電吸着をした時の前記誘電体の温度低下を測定し、前記温度低下が第一の基準値よりも小さかった場合は前記処理対象物が正常に吸着されていないと判断し、前記処理対象物の静電吸着後の昇温速度が第二の基準値よりも小さかった場合は、前記処理対象物が正常に吸着されていないと判断するように構成され、前記誘電体には貫通孔が設けられ、前記誘電体上に前記処理対象物を配置すると、前記貫通孔の一方の開口部分に前記処理対象物表面が露出するように構成され、前記測定装置は、前記処理対象物の前記開口部分に露出する表面から放射された赤外線を検出し、前記処理対象物の温度を測定するように構成された静電吸着装置である。
請求項２記載の発明は、前記貫通孔内に配置された光路体と、該光路体の端部に設けられ、前記処理対象物表面から放射され、前記光路体を通過した赤外線を検出する赤外線受光部とを有する請求項１記載の静電吸着装置である。
請求項３記載の発明は、前記光路体の前記端部に設けられ、前記光路体を介して前記処理対象物表面に赤外線を照射する赤外線放射部を有する請求項２記載の静電吸着装置である。
請求項４記載の発明は、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の静電吸着装置と真空槽とを有し、少なくとも前記静電吸着装置の前記誘電体が前記真空槽内に配置された真空処理装置である。
請求項５記載の発明は、前記処理対象物と前記誘電体の温度差が、第三の基準値よりも小さくなった後、プラズマを生成させるように構成された請求項４記載の真空処理装置である。
請求項６記載の発明は、吸着電極と、ヒータとが誘電体内に配置され、前記誘電体上に処理対象物を配置し、前記吸着電極に電圧を印加すると、前記処理対象物が前記誘電体上に吸着されるように構成された静電吸着装置上に配置された処理対象物を静電吸着し、前記処理対象物の温度制御を行う際に、前記処理対象物が正常に吸着されたか否かを判断する吸着状態判断方法であって、前記ヒータによって昇温された前記誘電体上に前記処理対象物を配置した後、前記処理対象物の静電吸着をした時の前記誘電体の温度を測定し、前記誘電体の温度低下が第一の基準値よりも小さかった場合は前記処理対象物が正常に吸着されなかったと判断し、前記処理対象物の静電吸着後の昇温速度が第二の基準値よりも小さかった場合は、前記処理対象物が正常に吸着されなかったと判断する静電吸着方法である。
【００１７】
本発明は上記のように構成されており、静電吸着装置の誘電体内に配置されたヒータに通電し、静電吸着装置を予め昇温させておき、その表面に処理対象物を吸着する前後で、誘電体の温度を測定し、誘電体の温度低下の程度から処理対象物の静電吸着状態を判断することができる。また、誘電体の温度とは別に処理対象物の温度を測定し、処理対象物の昇温速度や誘電体との温度差を監視することで、処理対象物の吸着状態や、真空処理の開始時期を判断することができる。
【００１８】
処理対象物や静電吸着装置の誘電体の温度測定は赤外線を用いて行うことが出来る。その測定原理を説明すると、測定対象物から放出される電磁波の波長は、測定対象物の温度と一定の関係があることが知られている。完全放射体(黒体)の場合、その表面から放出される電磁波は、下記プランクの公式で表される。
【００１９】
【数１】
0004159216.tif 000002
【００２０】
図４のグラフに黒体の分光放射輝度を示す。この図から以下のことが分かる。
(１)温度が低いほど熱放射エネルギーが減少する。
(２)温度が低くなるほど熱放射エネルギーの波長分布が長波長側にずれる。
【００２１】
実際の測定対象物は不完全放射体であり、測定対象の放射率をεとすると、放射温度形の見かけの指示温度Ｓと実温度Ｔは、下記式、
Ｌ(λ，Ｓ) ＝ ε・Ｌ(λ，Ｔ)
で関係付けられる。従って、波長λ、測定対象物の指示温度Ｓ、放射率εが分かれば、測定対象物の実温度Ｔを求めることができる。
【００２２】
他方、測定対象物の吸収率αと、反射率ρと、透過率τとの間には、次式の関係がある。
α ＋ ρ ＋ τ ＝ １
【００２３】
熱放射平衡状態でのKirchhoffの法則によれば、物質の放射率εは吸収率αに等しい。更に、測定対象物が不透明の場合、τ＝０であるから、放射率εは、下記式で表せる。
ε(＝α) ＝ １ − ρ
【００２４】
結局、測定に用いる赤外線波長に対し、測定対象物の透過率τがゼロであれば、測定対象物の反射率ρを測定すると放射率εを求められ、その結果、物体の実温度を求めることができる。
【００２５】
処理対象物には熱電対を取り付けることができないから、処理対象物の温度は上記のように赤外線を用いて測定することが望ましい。他方、静電吸着装置(誘電体)の温度は赤外線を用いて測定してもよいし、熱電対等を誘電体に取り付け、又は誘電体中に埋め込んで測定してもよい。
【００２６】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態を図面を用いて説明する。
図１を参照し、符号１０は、本発明の一例の真空処理装置を示しており、ここではエッチング装置が例示されている。
【００２７】
この真空処理装置１０は真空槽１１を有しており、該真空槽１１内部の天井側にはカソード電極２３が配置され、底壁上には本発明の一例の静電吸着装置３０が配置されている。
【００２８】
該静電吸着装置３０は、誘電体３１と、２枚の吸着電極３２1、３２2と、ヒータ３３とを有している。誘電体３１は電気絶縁性の材料(例えばアルミナ、アルミニウムナイトライド等)で構成されており、吸着電極３２1、３２2は、その内部の表面近傍位置に配置されている。また、ヒータ３３は、誘電体３１内部の吸着電極３２1、３２2よりも下方位置に配置されている。
【００２９】
誘電体３１は全体が板状に成形されており、その表面がカソード電極１３と平行に対向するように配置されている。
【００３０】
誘電体３１には、表面から裏面まで貫通する貫通孔１５が設けられている。また、誘電体３１には、その裏面側に開口部が配置され、底面に誘電体３１が露出する有底孔２５とが設けられている。
【００３１】
貫通孔１５と有底孔２５内には、誘電体３１の底面側から円柱状の石英から成る光路体１４、２４がそれぞれ挿入されている。
【００３２】
貫通孔１５内の光路体１４は、上端部分が誘電体３１表面よりも僅かに低い位置に配置されており、従って、静電吸着装置３０表面に基板１２を処理対象物として配置した場合には、光路体１４の上端部分と基板１２の裏面とが、非接触の状態で近接するようになっている。ここでは、基板１２裏面と光路体１４の上端部分の間の間隔(静電吸着装置３０の表面と光路体１４の上端部分との間の間隔)は、約０．２ｍｍ〜１．０ｍｍにされている。
【００３３】
また、有底孔２５内に挿入された光路体２４は、その先端部分が有底孔２５の底面に近接するように配置されている。
【００３４】
他方、各光路体１４、２４の全長は誘電体３１の厚みよりも大きくなっており、その下端部は、真空槽１１外部に気密に導出されている。各光路体１４、２４の下端部には、それぞれ赤外線装置１６、２６が取り付けられている。
【００３５】
真空槽１１外部には、測定装置７が配置されており、各赤外線装置１６、２６は、測定装置７に電気的に接続されている。
【００３６】
赤外線装置１６、２６は、それぞれ赤外線放射部１６1、２６1と赤外線受光部１６2、２６2とを有しており、赤外線放射部１６1、２６1は測定装置７によって制御され、赤外線を放射するようになっている。
【００３７】
第１、第２の孔１５、２５内の光路体１４、２４はいわゆる光ファイバーであり、赤外線放射部１６1、２６1が赤外線を放射すると、その赤外線は光路体１４、２４内を直進し、光路体１４、２４の先端部分から放射されるようになっている。
【００３８】
基板１２が静電吸着装置３０上に載置された状態では、貫通孔１５内の光路体１４から放射された赤外線は、基板１２裏面に照射され反射される。反射光は光路体１５中に入射し、内部を逆進して赤外線受光部１６2で受光される。
【００３９】
他方、有底孔２５内の光路体２４から放射された赤外線は、有底孔２５の底面を構成する誘電体３１で反射され、同様に、赤外線受光部２６2で受光されるようになっている。
【００４０】
赤外線受光部１６2、２６2はそれぞれ測定装置７に接続されており、各赤外線受光部１６2、２６2が受光した赤外線の光量は、電気信号に変換されて測定装置７に送信される。
【００４１】
赤外線放射部１６1、２６1が赤外線を射出していない状態では、赤外線受光部１６2、２６2は、ヒータ３３によって加熱された基板１２と誘電体３１とが自ら放射する赤外線をそれぞれ受光しており、基板１２と誘電体３１とで反射された赤外線の光量と、基板１２と誘電体３１とが放射する赤外線の光量とが、それぞれ測定装置７に送信されると、測定装置７は、それらの光量から、後述するように基板１２と誘電体３１の温度を算出するようになっている。
【００４２】
このような静電吸着装置３０を用い、基板１２をエッチング処理する場合には、先ず、真空槽１１内を予め真空雰囲気にし、ヒータ３３に通電して静電吸着装置３０を昇温させておく。
【００４３】
その状態で静電吸着装置３０上に基板１２を配置し、吸着電極３２1、３２2に電圧を印加せず、また、赤外線放射部１６1、２６1から赤外線を放射させずに、赤外線受光部１６2によって赤外線の光量を測定する(ここでは波長０．９５×１０-6ｍの赤外線の光量を測定した）。
【００４４】
この状態では、基板１２は静電吸着されておらず、昇温していないから、貫通孔１５内の光路体１４に設けられた赤外線受光部１６2では、貫通孔１５の壁面を構成する誘電体３１から放射された赤外線の光量が測定される。このときの赤外線の受光量をバックグラウンド量とする。
【００４５】
また、このときに有底孔２５内の光路体２４に取り付けられた赤外線受光部２６2により、光路体２４の先端部分と対向する誘電体３１(有底孔２５の底面を構成する部分の誘電体３１）から放射される赤外線の光量を測定し、誘電体３１の測定温度を求める(ここでは波長０．９５×１０-6ｍの赤外線の光量を測定して温度を求めた)。
【００４６】
次に、吸着電極３２1、３２2に電圧を印加し、基板１２を静電吸着装置３０表面に静電吸着すると、基板１２と誘電体３１表面の間の熱伝導性が向上し、その結果、誘電体３１の温度が基板１２に移り、基板１２が昇温する。
【００４７】
この場合、基板１２が昇温中でその温度が比較的低い状態では、基板１２が放射する赤外線の光量は少ない。従って、基板１２が放射する赤外線として測定される光量は、実際には、基板１２が放射する赤外線の光量と、貫通孔１５壁面を構成する誘電体３１が放射する赤外線の光量とが合計された値になる。
【００４８】
従って、赤外線受光部１６2が受光した光量から、基板１２の静電吸着前に測定した光量(バックグラウンド量)を差し引くと、基板１２が放射した赤外線(波長０．９５×１０-6ｍの赤外線)の光量を求めることができる。
【００４９】
次に、赤外線放射部１６1、２６1から、赤外線受光部１６2、２６2が受光したのと同じ波長の赤外線(波長０．９５×１０-6ｍの赤外線)を射出し、光路体１４、２４を直進させ、基板１２裏面と、有底孔２５の底面を構成する誘電体３１に照射する。
【００５０】
この赤外線は、基板１２裏面と誘電体３１とでそれぞれ反射され、返光された赤外光は光路体１４、２４を逆進し、赤外線受光部１６2、２６2でそれぞれ受光される。
【００５１】
ここで、赤外線放射部１６1、２６1が放射し、基板１２表面及び有底孔２５の底面を構成する誘電体３１に照射される赤外線の光量は予め分かっているから、反射赤外線の光量が分かると、(反射赤外光量)／(射出赤外光量)で定義される反射率ρが求められ、その結果、基板１２と誘電体３１の実温度が求められる。この計算は、測定装置１７によって自動的に行われる。
【００５２】
ところで、基板１２が静電吸着され、基板１２裏面が誘電体３１表面に密着されると、誘電体３１の熱が基板１２側に移動し、誘電体３１の温度が一時的に低下する。
【００５３】
図２は、基板１２を静電吸着装置３０上に配置した時刻をゼロとして基板１２と誘電体３１(静電吸着装置３０)の温度変化を表したグラフである。基板１２の配置後、１０秒経過した時に吸着電極３２1、３２2に電圧を印加しており、それにより、誘電体３１の温度が低下し、誘電体３１の温度を示すグラフの符号Ａで示す部分が凹んでいる。
【００５４】
上記のような赤外線放射量と反射率ρの測定とを繰り返し行い(例えば１秒間に数回〜３０回程度)、基板１２と誘電体３１の温度を測定し、監視することで、ヒータへの通電量を制御し、基板１２の温度を正確に制御することができる。
【００５５】
図２のグラフでは、誘電体３１の温度は再び上昇し、また、基板１２の温度は、吸着電極３２1、３２2に電圧を印加してから２０秒後には、誘電体３１の温度である３００℃程度まで昇温しており、基板１２がその温度で安定した後、真空槽１１に接続されたガス導入系１９からエッチングガスを導入すると共に、カソード電極２３に電圧を印加し、基板１２表面にプラズマを生成させ、基板１２のエッチングを行う。
【００５６】
以上は、基板１２が静電吸着装置３０上に正常に吸着された場合であったが、正常に吸着されなかった場合は、図２に示したグラフのような結果は得られない。例えば、静電吸着装置３０上にパーディクルが付着したため、基板１２裏面が誘電体３１表面に密着できず、基板１２へ加わる静電吸着力が弱かった場合、又は吸着電極３２1、３２2に電圧を印加しても、基板１２がほとんど吸着されなかった場合には、吸着時の誘電体３１の温度低下は僅かである。また、基板１２の昇温速度が遅く、誘電体３１の温度である３００℃まで達しない。
【００５７】
このように、基板１２が正常に静電吸着されなかった場合の基板１２及び誘電体３１の温度変化を図３、４に示す。図３のグラフは、静電吸着力が弱い場合であり、吸着開始時の誘電体３１の温度低下は正常な場合に比べると小さく、グラフ上のへこみは小さい(符号Ｂで示した部分)。
【００５８】
また、吸着開始後の基板１２の昇温速度は正常な場合に比べると小さく、吸着開始２０秒後には２１０℃までしか昇温しない。
【００５９】
また、基板１２がほとんど吸着されていない場合、図４のように、誘電体３１の温度低下はなく、基板１２の昇温速度は非常に遅い。このように、図４のグラフから分かるように、基板１２がほとんど吸着されていない場合には、凹みは観察されない。
【００６０】
本発明では、上記のように測定装置７が誘電体３１の温度を監視し、吸着時の誘電体３１の温度変化の大小で基板１２の吸着状態を判断している。即ち、吸着時の誘電体３１の温度低下が所定値よりも小さかった場合、基板１２が正常に吸着されなかったと判断し、警報を発してプロセスの進行を停止させる。
【００６１】
また、本発明では、上記のように測定装置７が基板１２の温度を監視し、吸着後の基板１２の昇温速度の大小で基板１２の吸着状態を判断している。即ち、吸着後の基板１２の昇温速度が所定値よりも小さかった場合は、基板１２が正常に吸着されなかったと判断し、警報を発してプロセスの進行を停止させる。
【００６２】
従って、本発明によれば、真空処理装置１０内に基板１２を搬入し、真空処理を行う前に基板１２の吸着状態を判断することができる。
【００６３】
また、基板１２と誘電体３１の温度を測定することで、基板１２と誘電体３１との間の温度差が分かる。この場合、基板１２と誘電体３１の間の温度差が、所定値よりも小さくなった後、プラズマを生成させるようにすると、基板１２のエッチング処理などの真空処理を確実に行うことができる。
【００６４】
また、真空処理中も基板１２と誘電体３１の温度を監視し、ヒータ３３への通電量を制御することで基板１２の温度低下や過熱を防止することができる。
【００６５】
なお、測定対象物の基板がシリコン単結晶の場合には、赤外線の波長が１．０×１０-6ｍ以上の場合と、１．０×１０-6ｍ未満の場合とでは、基板の透過率が大きく変化することが知られている。
【００６６】
図５に示したグラフは、シリコン基板の温度と放射率の関係である。波長が１．０×１０-6ｍよりも大きい赤外線に対しては、特に低温では基板が半透明の状態になっている。
【００６７】
つまり、波長が長い赤外線は基板を透過してしまうため、基板１２表面上にプラズマが生成されている状態で、赤外線受光部１６2によって基板１２の温度測定を行う場合には、波長の長い赤外線を用いると、プラズマが放射する赤外線も赤外線受光部１６2に到達してしまうため、基板１２の温度測定を正確に行うことができない。
【００６８】
従って、真空処理中に基板１２の温度を測定する場合には、波長１．０×１０-6ｍ未満、好ましくは波長０．９５×１０-6ｍ以下の赤外線を用いるとよい。赤外線放射部１６1が基板１２裏面に照射する赤外線の波長も、１．０×１０-6ｍ未満、好ましくは波長０．９５×１０-6ｍ以下のものを用いるとよい。
【００６９】
吸着前と吸着直後の基板１２の温度を測定する際にもその波長の赤外線を用いることができる。
【００７０】
測定対象物がガリウム・ひ素基板等の他の材料で構成されている場合には、用いる赤外線の波長は変えるとよい。
【００７１】
なお、上記実施例では、石英性の棒を光路体に用いたが、サファイヤの棒を用いてもよい。要するに、基板裏面が放射又は反射した赤外線を減衰させない材料であればよい。
【００７２】
また、上記実施例では、誘電体３１の温度を測定するために、赤外線測定装置２６を用いたが、誘電体内部に熱電対を埋め込み、熱電対の起電力によって温度測定を行ってもよい。
【００７３】
更にまた、上記の真空処理装置１０はエッチング装置であったが、本発明の真空処理装置は、スパッタリング装置、ＣＶＤ装置、蒸着装置等の真空雰囲気中で基板を処理する真空処理装置を広く含むものであり、本発明の静電吸着装置は、それらの真空処理装置に広く使用することができるものである。
【００７４】
【発明の効果】
真空雰囲気中で基板を静電吸着する場合に、処理対象物の吸着状態を正確に判断することができる。処理対象物の温度を測定すると、吸着状態の判断は一層正確になる。
また、処理対象物の昇温中や真空処理中でも、静電吸着装置と処理対象物の温度を測定できるので、処理対象物の状態を正確に判断することができる。
特に、処理対象物に流れる電流で吸着状態を判断するのではないから、処理対象物が絶縁性物質である場合にも吸着状態を判断することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の真空処理及び静電吸着装置を説明するための図
【図２】基板が正常に吸着された場合の基板及び静電吸着装置の温度変化を説明するためのグラフ
【図３】基板の吸着が弱かった場合の基板及び静電吸着装置の温度変化を説明するためのグラフ
【図４】基板がほとんど吸着されなかった場合の基板及び静電吸着装置の温度変化を説明するためのグラフ
【図５】シリコン基板の赤外線波長と放射率との関係を示すグラフ
【図６】黒体の赤外線波長と放射強度の関係を示すグラフ
【図７】基板の静電吸着状態を判断する従来技術の例
【符号の説明】
１２……処理対象物(基板)
１４……光路体
１５……貫通孔
１６1、２６1……赤外線放射部
１６2、２６2……赤外線受光部
３０……静電吸着装置
３１……誘電体
３２1、３２2……吸着電極
３３……ヒータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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