(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下地成長層と、
前記下地成長層上に設けられた第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上に形成された活性層と、
前記活性層上に形成された第２の半導体層と、を有する半導体発光素子であって、
光取り出し面となる前記下地成長層の裏面には、凹凸形状が形成され、
前記半導体発光素子は、六角錐形状である
ことを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
上記凹凸形状の最大高さは、半導体発光素子厚よりも小であることを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項３】
上記凹凸形状上に光透過膜が形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項４】
窒化物半導体材料により構成されることを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項５】
上記窒化物半導体材料はＧａＮ系材料であることを特徴とする請求項４記載の半導体発光素子。
【請求項６】
前記下地成長層の裏面側には、ｎ電極が形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項７】
前記第２の半導体層上には、ｐ型電極が形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項８】
基板上に、下地成長層、第１の半導体層、活性層及び第２の半導体層を有する半導体発光素子を形成し、
樹脂に埋め込んだ後に、前記半導体発光素子を前記基板から分離し、
光取り出し面となる前記下地成長層の裏面に凹凸形状を形成することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項９】
上記凹凸形状の最大高さを、半導体発光素子厚よりも小とすることを特徴とする請求項８記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１０】
上記凹凸形状は、前記基板の裏面側からエネルギービームを照射することにより形成することを特徴とする請求項８記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１１】
上記凹凸形状は、上記光取り出し面となる主面を擦ることにより形成されることを特徴とする請求項８記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１２】
上記半導体発光素子を上記基板から分離した後に当該半導体発光素子の光取り出し面となる前記下地成長層の裏面に凹凸形状を形成することを特徴とする請求項８記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１３】
上記半導体発光素子を上記基板から分離すると同時に当該半導体発光素子の光取り出し面となる前記下地成長層の裏面に凹凸形状を形成することを特徴とする請求項８記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１４】
窒化物半導体材料により構成することを特徴とする請求項８記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１５】
上記窒化物半導体材料はＧａＮ系材料であることを特徴とする請求項１４載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１６】
上記半導体発光素子は平板状の構造を有することを特徴とする請求項８載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１７】
上記半導体発光素子にエネルギービームを照射することにより当該半導体発光素子を上記基板から分離することを特徴とする請求項８載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１８】
信号に応じて発光する半導体発光素子が複数配列され、
前記半導体発光素子は、
下地成長層と、
前記下地成長層上に設けられた第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上に形成された活性層と、
前記活性層上に形成された第２の半導体層と、を有し、
光取り出し面となる前記下地成長層の裏面には、凹凸形状が形成され、
六角錐形状である
ことを特徴とする画像表示装置。
【請求項１９】
第１の基板上に、下地成長層、第１の半導体層、活性層及び第２の半導体層を有する半導体発光素子を形成し、
樹脂に埋め込んだ後に、前記半導体発光素子を前記基板から分離し、
光取り出し面となる前記下地成長層の裏面に凹凸形状を形成し、
前記半導体発光素子を第２の基板上に複数配列することを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【請求項２０】
信号に応じて発光する半導体発光素子が複数配列され、
前記半導体発光素子は、
下地成長層と、
前記下地成長層上に設けられた第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上に形成された活性層と、
前記活性層上に形成された第２の半導体層と、を有し、
光取り出し面となる前記下地成長層の裏面には、凹凸形状が形成され、
六角錐形状である
ことを特徴とする照明装置。
【請求項２１】
第１の基板上に、下地成長層、第１の半導体層、活性層及び第２の半導体層を有する半導体発光素子を形成し、
樹脂に埋め込んだ後に、前記半導体発光素子を前記基板から分離し、
光取り出し面となる前記下地成長層の裏面に凹凸形状を形成し、
前記半導体発光素子を第２の基板上に複数配列することを特徴とする照明装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体発光素子及びその製造方法に関するものであり、特に窒素ガリウム系化合物半導体を結晶層の材料とした半導体発光素子及びその製造方法に関するものである。また、これらを用いた画像表示装置及び照明装置、並びにその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在、半導体発光素子の輝度を上げるためには種々の方法が行なわれている。大きく分けて、素子自体の入力電流に対する発光効率を高める方法と、発生した光を効率良く素子外部に取り出す光取り出し効率を高める方法とに分けられる。ここで、前者は、結晶層を構成する材料、結晶構造、結晶成長性の良し悪しや、結晶層の組み合わせ及び製造プロセスに負うところが大きい。また、後者は、素子の構造やその素子を装置基板に搭載したときの構造による光の反射等を検討し、発生した光をいかに減衰させずに漏れなく素子外部に取り出すところが重要になる。
【０００３】
発光効率を高める方法の一例としては、窒化ガリウム系化合物半導体を結晶層の材料として用い、外形がいわゆるピラミッド型とされた半導体発光素子が挙げられる。このような半導体発光素子では、素子自体の入力電流に対する発光効率を高めると同時に、素子内部の電極による光の多重反射を利用して光取り出し効率の増強を実現している。
【０００４】
また、光取出し効率を高める方法としては、素子をパッケージングしたとき境界面で全反射される光をパッケージ内の内部ミラーで再度反射させて外部に取り出す方法や、半導体発光素子から発生した光を角度調整されたパッケージ内の内部ミラーで直接反射して外部に取り出す方法などが採られている。例えば、結晶成長基板に対して平行な面に結晶層を成長させたプレーナ型と呼ばれる構造を有する半導体発光素子では、全反射による光取り出し効率の低下を抑制するために、発生した光をパッケージに含まれる外部ミラーによって反射し光取り出し方向に揃える方法が採られる場合もある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したようなパッケージによる光取り出し効率の増強を図る方法では、パッケージの加工工程や追加の部品が必要となり、製造コストや部品コストが増加してしまう。さらに、パッケージを含む発光エレメントのサイズアップに繋がる。
【０００６】
また、半導体発光素子を成長基板から剥離する時には、成長基板側から短波長レーザーを照射して剥離するが、半導体発光素子の剥離だけならばレーザーは、シングルショットで剥離が可能であった。しかし、これでは半導体発光素子の裏面は均一なレーザー照射により均一な表面とされていた。この場合、半導体発光素子が微細化されたときには発光部が小さく見え視認性の低下が生じてしまい、画像装置等に使用した場合には、画像品質の低下につながる。
【０００７】
そこで、本発明は、従来の実情に鑑みて創案されたものであり、視野角が大きく、視認性の良好な半導体発光素子を提供することを目的とする。また、光取り出し効率が高く、視認性の良好な高品質の画像表示装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上述した目的を達成する本発明に係る半導体発光素子は、下地成長層と、前記下地成長層上に設けられた第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成された第２の半導体層と、を有する半導体発光素子であって、光取り出し面となる前記下地成長層の裏面には、凹凸形状が形成され、前記半導体発光素子は、六角錐形状であることを特徴とするものである。
【０００９】
また、上述した目的を達成する本発明に係る半導体発光素子の製造方法は、基板上に、下地成長層、第１の半導体層、活性層及び第２の半導体層を有する半導体発光素子を形成し、樹脂に埋め込んだ後に、この半導体発光素子を前記基板から分離し、光取り出し面となる前記下地成長層の裏面に凹凸形状を形成することを特徴とするものである。
【００１０】
以上のような本発明によれば、半導体発光素子の光取り出し面が凹凸形状を有しており、この凹凸形状により光取り出し面によって半導体発光素子から発生する光の全反射が抑制される。さらに、光は凹凸形状によってランダムに屈折、拡散されて素子外部に取り出される。これにより、光取り出し面が平坦である場合に比べ、半導体発光素子から発生する光の全反射が抑制され、且つ光取り出し面に対して広範囲の角度で光を取り出すことができる。
【００１１】
また、上述した目的を達成する本発明に係る画像表示装置は、信号に応じて発光する半導体発光素子が複数配列され、前記半導体発光素子は、下地成長層と、前記下地成長層上に設けられた第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成された第２の半導体層と、を有し、光取り出し面となる前記下地成長層の裏面には、凹凸形状が形成され、六角錐形状であることを特徴とする。
【００１２】
また、上述した目的を達成する本発明に係る画像表示装置の製造方法は、第１の基板上に、下地成長層、第１の半導体層、活性層及び第２の半導体層を有する半導体発光素子を形成し、樹脂に埋め込んだ後に、前記半導体発光素子を前記基板から分離し、光取り出し面となる前記下地成長層の裏面に凹凸形状を形成し、前記半導体発光素子を第２の基板上に複数配列することを特徴とするものである。
【００１３】
以上のような本発明によれば、上述した半導体発光素子を走査可能に配列して構成することにより、視野角が大きく、視認性の良好な高品質の画像表示装置が実現される。
【００１４】
また、上述した目的を達成する本発明に係る照明装置は、信号に応じて発光する半導体発光素子が複数配列され、前記半導体発光素子は、下地成長層と、前記下地成長層上に設けられた第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成された第２の半導体層と、を有し、光取り出し面となる前記下地成長層の裏面には、凹凸形状が形成され、六角錐形状であることを特徴とするものである。
【００１５】
また、上述した目的を達成する本発明に係る照明装置の製造方法は、第１の基板上に、下地成長層、第１の半導体層、活性層及び第２の半導体層を有する半導体発光素子を形成し、樹脂に埋め込んだ後に、前記半導体発光素子を前記基板から分離し、光取り出し面となる前記下地成長層の裏面に凹凸形状を形成し、前記半導体発光素子を第２の基板上に複数配列することを特徴とするものである。
【００１６】
以上のような本発明によれば、上述した半導体発光素子を走査可能に配列して構成することにより、視野角が大きく、視認性の良好な高品質の照明装置が実現される。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図面を参照しながら詳細に説明する。なお、本発明は以下の記述に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。
【００１８】
［第１の実施の形態］
第１の実施の形態では、本発明を適用したプレーナ型の半導体発光素子について説明する。図１は、本発明を適用して形成された光取り出し面に凹凸形状を有する半導体発光素子１を示す断面図である。半導体発光素子１は、接着層４により転写材層３を介して基板２上に接着されている。また、半導体発光素子１は基板２に略平行な方向において樹脂層５に埋め込まれている。
【００１９】
半導体発光素子１は、外形が略平板状の発光素子であり、窒化物半導体、特にＧａＮ系材料を主な材料として形成されている。平板状の発光素子だけでなく、窒化物半導体、特にＧａＮ系材料を主な材料とし、選択成長によって形成される尖頭部を有する略六角錐状の発光素子でも良い。また、尖頭部が形成されるまでに結晶層を構成する材料の濃度を調整し、素子形成基板の主面に対して傾斜した傾斜結晶面を持つ略六角錐台形状の発光素子などであっても良い。また、上述の外形や、材料、結晶面以外で構成される発光素子でも良い。なお、本実施の形態においては、半導体発光素子１の構成材料としてＧａＮを用いる。
【００２０】
半導体発光素子１には、基板２側の主面に金属を蒸着させた電極パッド６が形成されている。これら電極パッド６は全面に電極パッド６の材料となる金属や多結晶シリコン層などの導電層を形成し、フォトリソグラフィー技術により所要の電極形状にパターニングすることで形成されている。そして、これら電極パッド６は電極７及び半導体発光素子１のｐ電極とｎ電極とにそれぞれ接続されるように形成されている。
【００２１】
なお、本実施の形態における電極パッド６の配置は一例であり、例えば、本実施形態のように電極パッドを基板２側に形成しているが、電極パッド６は基板側に形成することもできる。そして、電極パッド６は、光透過性を有しない金属で形成した場合には、光取り出し領域を避けて形成されていれば良く、また、電極パッド６がＩＴＯなどの光透過性を有する材料で形成される場合には、光取り出し領域に電極パッドを形成することができる。
【００２２】
そして、この半導体発光素子１においては、光取り出し面Ｓが微小な凹凸形状８を有しており、この凹凸形状８により光取り出し面Ｓによって半導体発光素子１から発生する光Ｌの全反射が抑制される。さらに、光Ｌは微小な凹凸形状８によってランダムに屈折、拡散されて素子外部に取り出される。すなわち、この半導体発光素子１においては、光取り出し面Ｓが微小な凹凸形状８を有することにより、光取り出し面が平坦である場合に比べ、半導体発光素子１から発生する光Ｌの全反射が抑制され、且つ光取り出し面に対して広範囲の角度で光Ｌを取り出すことができる。これにより、本来微小な発光部である半導体発光素子１が実際の大きさよりも大きく見え、視野角が大きく、視認性の良好な発光素子が実現されている。
【００２３】
ここで、凹凸形状は特に限定されるものではなく、半導体発光素子１から発生する光Ｌの全反射が抑制され、且つ光取り出し面に対して広範囲の角度で光Ｌを取り出すことができれば、任意の形状とすることができる。このような形状としては例えば、断面形状がサインカーブを描くような形状が好適である。また、凹凸形状の高さも特に限定されるものではなく、凹凸の最大高さは、素子厚よりも小であればよい。すなわち、例えば素子厚が５μｍの場合には、高さ２μｍ、幅２μｍのサインカーブを描く形状とすることができる。
【００２４】
次に、半導体発光素子１の製造方法について説明する。半導体発光素子１を製造するには、まず、図２に示すように半導体発光素子１の供給源となる成長基板２１に例えばＧａＮからなる外形が略平板状の発光素子２２を密に形成する。成長基板２１は、ＧａＮからなる素子を成長可能なもので、且つ光透過性を有する材料で構成されていればよく、例えば、ガラス基板、石英ガラス基板、サファイア基板などを用いることができる。本実施の形態では、サファイア基板を用いる。
【００２５】
次に、発光素子２２の主面上に電極パッド６を形成する。電極パッド６は、発光素子２２の主面上に金属や多結晶シリコン層などの導電層を蒸着させて形成し、当該導電層をフォトリソグラフィー技術により所要の形状にパターニングすることで形成される。これら電極パッド６は発光素子２２のｐ電極とｎ電極にそれぞれ接続されるように形成される。
【００２６】
次に、後の工程で発光素子２２を成長基板から剥離する際にアブレーションにより剥離可能な樹脂材料を塗布して樹脂層５を形成し、発光素子２２を埋め込み平坦化する。本実施の形態においては、このような樹脂材料として好適なポリイミド（ＰＩ）を用いる。このとき、電極パッド６と外部回路とのコンタクトをとるための電極を形成するために電極パッド６の表面は樹脂層５から露出した状態にしておく。
【００２７】
次に、外部回路と電極パッド６のコンタクトを容易にするために、図２に示すように電極７を形成する。電極７は上述の電極パッド６と同様の方法で導電層が形成され、フォトリソグラフィー技術により所要の電極形状にパターニングすることで形成される。また、電極パッド６、電極７には、光透過性を有する材料（ＩＴＯ、ＺｎＯ系など）を用いても良い。
【００２８】
次に、図３に示すように、その上に接着層４を形成し、電極７を接着層４で覆う。そして、転写材層３が形成された基板２に接着する。接着層４は光透過性を有する紫外線硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、熱可塑性接着剤のいずれかからななる層を用いることができる。また、転写材層３は、フッ素コート、シリコーン樹脂、水溶性接着剤（例えばポリビニルアルコール：ＰＶＡ）、ポリイミドなどを用いることができる。
【００２９】
次に、発光素子２２を成長基板２１から剥離する工程について説明する。発光素子２２を成長基板２１から剥離するには、図４に示すように、成長基板２１の発光素子２２が形成されていない側から成長基板２１に向けてエネルギービームを照射する。成長基板２１は光透過性を有する石英ガラスによって構成されていることから、エネルギービームは成長基板２１でほとんど吸収されることなく、発光素子２２及び樹脂層５と、成長基板２１との境界面に到達する。ここで、エネルギービームとしては、例えば、エキシマレーザー光やＹＡＧレーザー光を用いることができる。
【００３０】
エネルギービームが発光素子２２と成長基板２１との境界面に到達すると、発光素子２２はＧａＮにより構成されているため、サファイアからなる成長基板２１との界面で金属のＧａと窒素に分解され、窒素が気化する現象に伴って成長基板２１と発光素子２２との間の界面で膜剥がれが生じる。
【００３１】
また、エネルギービームが樹脂層５と成長基板２１との境界面に到達すると、ポリイミドからなる樹脂層５はレーザーアブレーションによって分子結合鎖が切断され、成長基板２１との接着力が低下する。この結果、図４に示すように、発光素子２２は、樹脂層５とともに基板２に転写される。
【００３２】
ここで、発光素子２２及び樹脂層５の成長基板２１との剥離面においては、樹脂層５のレーザーアブレーションに起因してカーボン系生成物２３が発生している。そこで、図５に示すように、成長基板２１との剥離面を例えば繊維状のブラシ２４で擦ることによりこのカーボン系成生物２３を除去する。このとき、発光素子２２の成長基板２１との剥離面を擦ることにより、カーボン系成生物２３を除去するとともに、スクラッチ痕を形成して凹凸を形成する。これには、例えば液晶のラビング工程を流用することもできる。
【００３３】
次に、スクラッチ痕による凹凸を形成した発光素子２２の剥離面にＳｉＯ２などの光透過成膜を成膜することにより凹凸形状８を形成する。このとき、光透過成膜は、スクラッチ痕による凹凸に沿った形状に形成しても良く、光の分散が良好となるように、成膜後にパターニングし直しても良い。以上により、図１に示すように凹凸形状８を光取り出し面Ｓに有する半導体発光素子１を作製することができる。以上のような本発明を適用することにより、プロセス数を増やすことなく、半導体発光素子１から発生する光Ｌの全反射を抑制し、且つ光取り出し面に対して広範囲の角度で光Ｌを取り出すことが可能な半導体発光素子を作製することができる。すなわち、本発明によれば、プロセス数を増やすことなく、すなわちコストを上げることなく視野角が大きく、視認性の良好な発光素子を実現することができる。
【００３４】
なお、本発明の半導体発光素子１は、複数個を並べて画像表示装置や照明装置を構成することが可能である。各素子を３原色分揃え、走査可能に配列することで、画素が実際の大きさよりも大きく見え、視野角が大きく、視認性の良好な高品質の画像表示装置や照明装置を実現することができる。そして、高価な半導体発光素子の搭載数を増やすことなく、高品質の画像表示装置や照明装置を構成することができるため、画像表示装置や照明装置のコストを上げることなく、高品質の画像表示装置や照明装置を提供することが可能となる。
【００３５】
［第２の実施の形態］
第２の実施の形態では、エネルギービームを使用して発光素子２２の剥離面に凹凸形状を形成する場合について説明する。
【００３６】
図６は、エネルギービームを使用して光取り出し面に凹凸形状を形成した半導体発光素子２５を示す断面図である。なお、半導体発光素子２５において半導体発光素子１と同様の部分については、図１と同じ符号を付すことにより詳細な説明を省略する。
【００３７】
半導体発光素子２５は、接着層４により転写材層３を介して基板２上に接着されている。また、半導体発光素子１は基板２に略平行な方向において樹脂層５に埋め込まれている。
【００３８】
そして、この半導体発光素子２５においては、光取り出し面Ｓがエネルギービームを使用して形成された微小な凹凸形状２６を有しており、この凹凸形状２６により光取り出し面Ｓによって半導体発光素子２５から発生する光Ｌの全反射が抑制される。さらに、光Ｌは微小な凹凸形状２６によってランダムに屈折、拡散されて素子外部に取り出される。すなわち、この半導体発光素子２５においては、光取り出し面Ｓが微小な凹凸形状２６を有することにより、光取り出し面が平坦である場合に比べ、半導体発光素子２５から発生する光Ｌの全反射が抑制され、且つ光取り出し面に対して広範囲の角度で光Ｌを取り出すことができる。これにより、本来微小な発光部である半導体発光素子２５が実際の大きさよりも大きく見え、視野角が大きく、視認性の良好な半導体発光素子が実現されている。
【００３９】
次に、半導体発光素子２５の製造方法について説明する。半導体発光素子１を製造するには、第１の実施の形態と同様の手順により、図７に示すように、電極７を形成した発光素子２２を接着層４で覆い、転写材層３が形成された基板２に接着する。
【００４０】
次に、発光素子２２を成長基板２１から剥離する。発光素子２２を成長基板２１から剥離するには、第１の実施の形態と同様に、図８に示すように、成長基板２１の発光素子２２が形成されていない側から成長基板２１に向けてエネルギービームとして例えばエキシマレーザーを照射する。成長基板２１は光透過性を有する石英ガラスによって構成されていることから、エネルギービームは成長基板２１でほとんど吸収されることなく、発光素子２２及び樹脂層５と、成長基板２１との境界面に到達する。
【００４１】
エネルギービームが発光素子２２と成長基板２１との境界面に到達すると、発光素子２２はＧａＮにより構成されているため、サファイアからなる成長基板２１との界面で金属のＧａと窒素に分解され、窒素が気化する現象に伴って成長基板２１と発光素子２２との間の界面で膜剥がれが生じる。
【００４２】
また、エネルギービームが樹脂層５と成長基板２１との境界面に到達すると、ポリイミドからなる樹脂層５はレーザーアブレーションによって分子結合鎖が切断され、成長基板２１との接着力が低下する。この結果、図８に示すように、発光素子２２は、樹脂層５とともに基板２に転写される。
【００４３】
そして、このとき、発光素子２２の裏面において光取り出し面Ｓとなる領域に限り、エキシマレーザーの照射条件を発光素子２２の剥離に必要な閾値以上の条件に変動させ、スキャンしながらエキシマレーザーを照射する。これにより、発光素子２２が成長基板２１から剥離するとともに、剥離に必要な閾値以上のエキシマレーザーの照射により発光素子２２の剥離面に加工痕、すなわち凹凸が形成される。すなわち、発光素子２２の裏面において光取り出し面Ｓとなる領域のみ、照射条件を変えてエキシマレーザーを照射することにより、発光素子２２の剥離面に所望の凹凸を形成することができる。このとき、加工深さはエキシマレーザーのパワーにより異なり、パワーを大きくするほど加工深さを深くする、すなわち、凹凸の高さを大きくすることができる。
【００４４】
この場合においても、発光素子２２及び樹脂層５の成長基板２１との剥離面においては、樹脂層５のレーザーアブレーションに起因してカーボン系生成物２３が発生している。したがって、第１の実施の形態と同様にしてカーボン系成生物２３を除去し、その後、エキシマレーザーにより加工痕を形成した発光素子２２の剥離面にＳｉＯ２などの光透過成膜を成膜することにより凹凸形状２６を形成する。以上により、図６に示すように凹凸形状２６を光取り出し面Ｓに有する半導体発光素子２５を作製することができる。
【００４５】
上記においては、発光素子２２の剥離と加工痕、すなわち凹凸の形成を同時に行ったが、発光素子２２を成長基板２１から剥離した後に、再度エキシマレーザーを照射することにより凹凸の形成を行っても良い。
【００４６】
[第３の実施形態]
第３の実施の形態では、本発明を適用した他の半導体発光素子及び当該半導体発光素子を配列してなる画像表示装置の製造方法について説明する。先ず、本発明を適用した他の半導体発光素子の発光素子の構造について説明する。図９に本実施の形態で使用される素子の一例としての半導体発光素子の構造を示す。図９の（ａ）が素子断面図であり、図９の（ｂ）が平面図である。この発光素子はＧａＮ系の発光ダイオードであり、例えばサファイア基板上に結晶成長される素子である。このようなＧａＮ系の発光ダイオードでは、基板を透過するレーザー光の照射によってレーザーアブレーションが生じ、ＧａＮの窒素が気化する現象に伴ってサファイア基板とＧａＮ系の成長層の間の界面で膜剥がれが生じ、基板と素子の分離を容易なものにできる特徴を有している。
【００４７】
まず、その構造については、ＧａＮ系半導体層からなる下地成長層３１上に選択成長された六角錐形状のＧａＮ層３２が形成されている。尚、下地成長層３１上には図示しない絶縁膜が存在し、六角錐形状のＧａＮ層３２はその絶縁膜を開口した部分にＭＯＣＶＤ法などによって形成される。このＧａＮ層３２は、成長時に使用されるサファイア基板の主面をＣ面とした場合にＳ面（１−１０１面）で覆われたピラミッド型の成長層であり、シリコンをドープさせた領域である。このＧａＮ層３２の傾斜したＳ面を覆うように活性層であるＩｎＧａＮ層３３が形成されており、その外側にマグネシウムドープのＧａＮ層３４が形成される。このマグネシウムドープのＧａＮ層３４はクラッド層として機能する。
【００４８】
この発光ダイオードには、ｐ電極３５とｎ電極３６が形成される。ｐ電極３５はマグネシウムドープのＧａＮ層３４上に形成されるＮｉ／Ｐｔ／Ａｕ／またはＮｉ（Ｐｄ）／Ｐｔ／Ａｕなどの金属材料を蒸着して形成される。ｎ電極３６は前述の図示しない絶縁膜を開口した部分でＴｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕなどの金属材料を蒸着して形成される。尚、本実施形態では、下地成長層３１の裏面側に光取出し面を避けてｎ電極を形成し、ｎ電極３６の形成は下地成長層３１の表面には不用となる。
【００４９】
このような構造のＧａＮ系の発光ダイオードは、青色発光も可能な素子であって、特にレーザーアブレーションによって比較的簡単にサファイア基板から剥離することができ、レーザー光を選択的に照射することで選択的な剥離が実現される。なお、本実施形態の発光ダイオードでは、発生した光のほとんどがＧａＮ層３２から下地成長層３１を通じて下側から素子外部取り出される。また、ＧａＮ系の発光ダイオードとしては、平板上や帯状に活性層が形成される構造であっても良く、上端部にＣ面が形成された角錐構造のものであっても良い。また、他の窒化物系発光素子や化合物半導体素子などであっても良い。
【００５０】
そして、この発光ダイオードにおいては、光取り出し面Ｓが微小な凹凸形状３７を有しており、この凹凸形状８により光取り出し面Ｓによって発光ダイオードから発生する光Ｌの全反射が抑制される。さらに、光Ｌは微小な凹凸形状３７によってランダムに屈折、拡散されて素子外部に取り出される。すなわち、この発光ダイオードにおいては、光取り出し面Ｓが微小な凹凸形状３７を有することにより、光取り出し面が平坦である場合に比べ、発光ダイオードから発生する光Ｌの全反射が抑制され、且つ光取り出し面に対して広範囲の角度で光Ｌを取り出すことができる。これにより、本来微小な発光部である発光ダイオードが実際の大きさよりも大きく見え、視野角が大きく、視認性の良好な発光素子が実現されている。
【００５１】
次に、発光素子を形成する基板から発光素子を分離し、樹脂層で被覆する工程について説明する。図１０に示すように、第一基板４１の主面上には複数の発光ダイオード４２がマトリクス状に形成されている。発光ダイオード４２の大きさは約２０μｍ程度とすることができる。第一基板４１は、発光ダイオード４２を形成する結晶層を成長させる基板である。第一基板４１は基板に対して傾斜した傾斜結晶面を有する結晶層を形成しえるものであれば特に限定されず、種々のものを使用できる。本実施形態で用いる第一基板４１は、光透過性を有するサファイア基板であり、発光ダイオード４２に照射するレーザー光の波長に対し透過率の高い材料が用いられる。また、第一基板４１は窒化ガリウム（ＧａＮ）系化合物半導体の材料を成長させる場合に多く利用されているＣ面を主面としている。このＣ面は５乃至６度の範囲で傾いた面方位を含むものである。発光ダイオード４２にはｐ電極などまでは形成されているが最終的な配線は未だなされておらず、素子間分離の溝４２ｇが形成されており、個々の発光ダイオード４２は分離できる状態にある。この溝４２ｇの形成は例えば反応性イオンエッチングで行う。このような第一基板４１を一時保持用部材４３に向かい合わせ、選択的な転写を行う。
【００５２】
一時保持用部材４３の第一基板４１に向かう面には剥離層４４と接着剤層４５が二層になって形成されている。ここで、一時保持用部材４３の例としては、ガラス基板、石英ガラス基板などを用いることができ、一時保持用部材４３上の剥離層４４の例としては、フッ素コート、シリコーン樹脂、水溶性接着剤（例えばポリビニルアルコール：ＰＶＡ）、ポリイミドなどを用いることができる。一例としては、一時保持用部材４３として石英ガラス基板を用い、剥離層４４としてポリイミド膜を約１μｍから３μｍの膜厚に形成後、接着剤層４５としてのＵＶ硬化型接着剤を約２０μｍ厚で塗布する。
【００５３】
一時保持用部材４３の接着剤層４５は、硬化した領域４５ｓと未硬化領域４５ｙが混在するように調整され、未硬化領域４５ｙに選択転写にかかる発光ダイオード４２が位置するように位置合わせされる。硬化した領域４５ｓと未硬化領域４５ｙが混在するような調整は、例えばＵＶ硬化型接着剤を露光機にて選択的に２００μｍピッチでＵＶ露光し、発光ダイオード４２を転写するところは未硬化でそれ以外は硬化させてある状態にすればよい。このようなアライメントの後、転写対象位置の発光ダイオード４２を第一基板４１からレーザーアブレーションを利用して剥離する。ＧａＮ系の発光ダイオード４２はサファイアとの界面で金属のＧａと窒素に分解することから、比較的簡単に剥離できる。照射するレーザー光としてはエキシマレーザー光、高調波ＹＡＧレーザー光などが用いられる。
【００５４】
このレーザーアブレーションを利用した剥離によって、選択照射にかかる発光ダイオード４２はＧａＮ層と第一基板４１の界面で分離し、反対側の接着剤層４５にｐ電極を突き刺すようにして転写される。レーザー光が照射されない領域の他の発光ダイオード４２については、対応する接着剤層４５の部分が硬化した領域４５ｓであり、レーザー光も照射されていないために一時保持用部材４３側に転写されることはない。なお、図１０では１つの発光ダイオード４２だけが選択的にレーザー光を照射されているが、ｎピッチ分だけ離間した領域においても同様に発光ダイオード４２はレーザー光が照射されているものとする。このような選択的な転写によっては、発光ダイオード４２は第一基板４１に配列されている時よりも離間して一時保持用部材４３上に配列される。
【００５５】
そして、このとき、発光ダイオード４２の裏面において光取り出し面Ｓとなる領域に限り、レーザー光の照射条件を発光ダイオード４２の剥離に必要な閾値以上の条件に変動させ、スキャンしながらエキシマレーザーを照射する。これにより、発光ダイオード４２が第一基板４１から剥離するとともに、加工痕、すなわち凹凸が形成される。
【００５６】
発光ダイオード４２は一時保持用部材４３の接着剤４５に保持された状態で発光ダイオード４２の裏面がｎ電極側（カソード電極側）になっていて、発光ダイオード４２の裏面には樹脂（接着剤）がないように除去、洗浄することにより、図１１に示すように電極パッド４６を形成すれば、電極パッド４６は発光ダイオード４２の裏面と電気的に接続される。
【００５７】
接着剤層４５の洗浄の例としては酸素プラズマで接着剤用樹脂をエッチングし、ＵＶオゾン照射にて洗浄する。且つ、レーザー光にてＧａＮ系発光ダイオードをサファイア基板からなる第一基板４１から剥離したときには、その剥離面にＧａが析出しているため、そのＧａをエッチングすることが必要であり、ＮａＯＨ水溶液若しくは希硝酸で行うことになる。その後、電極パッド４６をパターニングする。このときのカソード側の電極パッドは約６０μｍ角とすることができる。電極パッド４６としては透明電極（ＩＴＯ、ＺｎＯ系等）若しくはＡｌ／Ｃｕ等の材料を用いる。透明電極の場合は発光ダイオードの裏面を大きく覆っても発光を遮ることがないので、パターニング精度が粗く、大きな電極形成ができ、パターニングプロセスが容易になる。そして、電極パッドを形成する部分を除いて凹凸部に光透過膜を成膜することにより光を分散する凹凸形状３７を形成する。
【００５８】
次に、第１の一時保持用部材４３から第２の一時保持用部材４７に発光ダイオード４２を転写する工程を説明する。発光ダイオード４２の転写先である第２の一時保持用部材４７上には剥離層４８と転写される発光ダイオード４２と剥離層４８が形成される。剥離層４８は例えばフッ素コート、シリコーン樹脂、水溶性接着剤（例えばＰＶＡ）、ポリイミドなどの光透過性を有する樹脂を用いて作成することができる。第２の一時保持用部材４７は一例としてガラス基板を用いることができる。
【００５９】
このような剥離層４８を形成した一時保持部材４７に一時保持用部材４３を向かい合わせ、接着剤層４５を剥離層４８に密着させる。この状態のままで、一時保持部材４３と剥離層４４を分離するために、図１２に示すように、剥離層４４が形成されている面の反対側から一時保持部材４３にエキシマレーザー光を照射する。このとき、一時保持部材４３に対して、剥離層４４が形成されている面の裏面からエキシマレーザー光を照射する。一時保持部材４３はガラス基板であることから、エキシマレーザー光が一時保持部材４３でほとんど吸収されることなく、剥離層４４と一時保持部材４３との界面近傍に照射され、レーザーアブレーションが起こる。その結果、図１３に示すように、剥離層４４と一時保持部材４３の接着力が低下し、一時保持部材４３のみが発光ダイオード４２を含み剥離層４４を最上部の層とする構造の部分から分離される。これにより、各発光ダイオード４２は第２の一時保持部材４７側に転写される。
【００６０】
このとき、剥離層４４は十分な膜厚を有しているので、一時保持部材４３を透過してきたエキシマレーザー光のエネルギーをすべて吸収する。よって、剥離層４４の下側の層にエキシマレーザー光が到達することはなく、接着剤層４５又は剥離層４８に変質は起こらない。
【００６１】
図１４は一時保持用部材４３から発光ダイオード４２を第２の一時保持用部材４７に転写して、アノード電極（ｐ電極）側のビアホール５０を形成した後、アノード側電極パッド４９を形成し、樹脂からなる接着剤層４５をダイシングした状態を示している。このダイシングの結果、素子分離溝５１が形成され、発光ダイオード４２は素子毎に区分けされたものとなり、一時保持用部材４７に接着された状態の樹脂形成素子１００が所要の形状を成す。素子分離溝５１はマトリクス状の各発光ダイオード４２を分離するために、平面パターンとしては縦横に延長された複数の平行線からなる。素子分離溝５１の底部では第２の一時保持用部材４７の表面が臨む。
【００６２】
発光ダイオード４２のアノード側電極パッド４９を形成し、素子分離溝５１を形成する工程を更に詳しく説明する。このプロセスの一例として、第二の一時保持用部材４７の表面を酸素プラズマで発光ダイオード４２の表面が露出してくるまでエッチングする。まず、ビアホール５０の形成はエキシマレーザー光、高調波ＹＡＧレーザー光、炭酸ガスレーザー光を用いることができる。このとき、ビアホールは例えば約３〜７μｍの径を開けることになる。アノード側電極パッドはＮｉ／Ｐｔ／Ａｕなどで形成する。ダイシングプロセスは通常のブレードを用いたダイシング、２０μｍ以下の幅の狭い切り込みが必要なときにはレーザー光を用いたレーザーによる加工を行う。レーザー光としては、エキシマレーザー光、高調波ＹＡＧレーザー光、炭酸ガスレーザー光等を用いることができる。その切りこみ幅は画像表示装置の画素内の樹脂からなる接着剤層４５で覆われた発光ダイオード４２の大きさに依存する。一例として、エキシマレーザーにて幅約４０μｍの溝加工を行い、樹脂形成素子１００が所要の形状を成す。
【００６３】
次に、発光ダイオード４２を内部に形成した樹脂形成素子１００を第２の一時保持用部材４７から剥離すると同時に樹脂層４８に凹凸を形成する工程を説明する。まず、図１５に示すように、樹脂形成素子１００を第２の一時保持用基板４７から分離し、移設するための吸着孔５５に位置合わせする。吸着孔５５は画像表示装置の画素ピッチにマトリクス状に開口していて、樹脂形成素子１００を多数個、一括で吸着できるようになっている。このときの開口径は、例えば約φ１００μｍで６００μｍピッチのマトリクスに開口され、一括で約３００個を吸着できる。このときの吸着孔５５の部材は例えば、Ｎｉ電鋳により作成したもの、若しくはＳＵＳ等の金属板５２をエッチングで穴加工したものが使用されている。
【００６４】
次に、図１６に示すように、吸着孔５５に位置合わせされた樹脂形成素子１００と第２の一時保持用部材４７の界面近傍に向けてエネルギービームを照射する。エネルギービームは第２の一時保持部材４７に対して樹脂形成素子１００が接着されている面の反対側から照射する。このとき、第２の一時保持部材４７は光透過性を有するガラス基板であることから、第２の一時保持部材４７によってエネルギービームはほとんど吸収されることがなく、樹脂形成素子１００と保持部材４７の界面近傍の剥離層４８に照射される。エネルギービームが照射された剥離層４８はレーザーアブレーションによって、一時保持部材４７との接着力が低下する。
【００６５】
本実施の形態では、吸着孔５５を密閉するように吸着孔５５の縁部と樹脂形成素子１００を隙間なく密着させているが、樹脂形成素子１００を吸着孔５５の縁部から僅かに隙間を空けて保持し、吸着チャンバを負圧に制御し、樹脂形成素子１００と一時保持用部材４７の接着力が低下した後、樹脂形成素子１００を吸着孔５５に吸着させるようにしても良い。
【００６６】
樹脂形成素子１００と保持部材４７の接着力が低下した状態で、吸着孔５５に繋がる吸着チャンバ５４を負圧に制御することで発光ダイオード４２の吸着が可能になる。次に、機械的手段を用いて発光ダイオード４２が第二の一時保持用部材４７から剥離される。図１７は、第二の一時保持用部材４７上に配列してある発光ダイオード４２を吸着装置５３でピックアップするところを示した図である。発光ダイオード４２はこの段階で樹脂からなる接着剤層４５で覆われており、吸着孔５５との密着する面は略平坦化されており、吸着装置５３による選択的な吸着を容易に進めることができる。
【００６７】
図１８は樹脂形成素子１００を、画像表示装置を構成する装置基板である第二基板６０に転写するところを示した図である。第二基板にはガラス基板などのような光透過性を有する材料を用いる。第二基板６０に樹脂形成素子１００を装着する際、第二基板６０にあらかじめ接着剤層５６を塗布しておき、発光ダイオード４２を装着する接着剤層５６の領域を硬化させ、発光ダイオード４２を第二基板６０に固着して配列させる。この装着時には、吸着装置５３の吸着チャック５４が正の圧力の高い状態、つまり、樹脂形成素子１００を吸着孔５５から離脱させる向きの力が作用するような圧力となり、吸着装置５３と発光ダイオード４２との吸着による結合状態は解放される。ここで、接着剤層５６は熱硬化性接着剤、熱可塑性接着剤などによって構成されている。発光ダイオード４２が配置される位置は、一時保持用部材４３、４７上での配列よりも離間したものとなる。そのとき接着剤層５６の樹脂を硬化させるエネルギー（レーザー光７３）は第二基板６０の裏面から供給される。
【００６８】
第二基板６０の裏面からレーザー光７３を照射し、転写する樹脂形成チップ（発光ダイオード４２及び接着剤層４５）に対応する部分の接着剤層５６のみを加熱する。これにより、接着剤層５６が熱可塑性接着剤の場合には、その部分の接着剤層５６が軟化し、その後、冷却硬化することにより樹脂形成チップが第二基板６０上に固着される。同様に、接着剤層５６が熱硬化性接着剤の場合にも、レーザー光７３が照射された部分の接着剤層５６のみが硬化し、樹脂形成素子１００が第二基板６０上に固着される。
【００６９】
また、第二基板６０上にシャドウマスクとしても機能する電極層５７を配設し、この電極層５７をレーザー光７３を照射することにより加熱し、間接的に接着剤層５６を加熱するようにしても良い。特に、電極層５７の画面側の表面すなわち当該画像表示装置を見る人がいる側の面に黒クロム層５８を形成すれば、画像のコントラストを向上させることができると共に、黒クロム層５８でのエネルギー吸収率を高くして、選択的に照射されるレーザー光７３によって接着剤層５６を効率的に加熱するようにすることができる。
【００７０】
図１９はＲＧＢの３色の発光ダイオード４２、６１、６２をそれぞれ内包する樹脂形成素子を第二基板６０に配列させ絶縁層５９を塗布した状態を示す図である。図１５乃至図１８で用いた吸着装置５３をそのまま使用して、第二基板６０にマウントする位置をその色の位置にずらすだけで、画素としてのピッチは一定のまま３色からなる画素を形成できる。絶縁層５９としては透明エポキシ接着剤、ＵＶ硬化型接着剤、ポリイミドなどを用いることができる。発光ダイオード４２、６１、６２は必ずしも同じ形状でなくとも良い。図１９では、赤色の発光ダイオード６１は六角錐のＧａＮ層を有しない構造とされ、他の発光ダイオード４２、６２とその形状が異なっているが、この段階では各発光ダイオードは既に樹脂形成素子として樹脂からなる接着剤層４５で覆われており、素子構造の違いにもかかわらず同一の取り扱いが実現される。
【００７１】
図２０は配線形成工程を示す図である。絶縁層５９に開口部６５、６６、６７、６８、６９、７０を形成し、発光ダイオード４２、６１、６２のアノード、カソードの電極パッドと第二基板６０の配線用の電極層５７を接続する配線６３、６４、７１を形成した図である。このときに形成する開口部すなわちビアホールは発光ダイオード４２、６１、６２の電極パッド４６、４９の面積を大きくしているのでビアホール形状は大きく、ビアホールの位置精度も各発光ダイオードに直接形成するビアホールに比べて粗い精度で形成できる。このときビアホールは約６０μｍ角の電極パッド４６、４９に対し、約φ２０μｍのものを形成できる。また、ビアホールの深さは配線基板と接続するもの、アノード電極と接続するもの、カソード電極と接続するものの３種類の深さがあるのでレーザーのパルス数で制御し、最適な深さを開口する。その後、保護層を配線上に形成し、画素表示装置のパネルは完成する。このときの保護層は絶縁層５９と透明エポキシ接着剤などの同様の材料が使用できる。この保護層は加熱硬化し配線を完全に覆う。この後、パネル端部の配線からドライバーＩＣを接続して駆動パネルを製作することになる。
【００７２】
以上の工程によって、光取出し効率が高く、且つ光散乱の効果による視野角の大きい画像表示装置が完成する。
【００７３】
【発明の効果】
本発明に係る半導体発光素子は、信号に応じて発光する半導体発光素子であって、光取り出し面となる主面に凹凸形状を有してなるものである。
【００７４】
また、本発明に係る半導体発光素子の製造方法は、光取り出し面となる主面に凹凸形状を有してなる半導体発光素子の製造方法であって、成長基板上に半導体発光素子を形成し、当該半導体発光素子を成長基板から分離するとともに当該半導体発光素子の光取り出し面となる主面に凹凸形状を形成するものである。
【００７５】
以上のような本発明によれば、光取り出し面によって半導体発光素子から発生する光の全反射が抑制することができ、さらに、光をランダムに屈折、拡散させて素子外部に取り出すことができる。これにより、視野角が大きく、視認性の良好な発光素子が実現することが可能となる。
【００７６】
本発明に係る画像表示装置は、信号に応じて発光する半導体発光素子であって光取り出し面となる主面に凹凸形状を有する複数の半導体発光素子を配列してなるものである。
【００７７】
また、本発明に係る画像表示装置の製造方法は、半導体発光素子をマトリクス状に配置した画像表示装置の製造方法において、成長基板上に半導体発光素子を形成し、当該半導体発光素子を上記成長基板から分離するとともに当該半導体発光素子の光取り出し面となる主面に凹凸形状を形成し、さらに当該半導体発光素子を基板上に複数配列するものである。
【００７８】
以上のような本発明によれば、上述した半導体発光素子を走査可能に配列して構成することにより、高価な半導体発光素子の搭載数を増やすことなく、高品質の画像表示装置や照明装置を構成することができるため、光取り出し効率が高く、視認性の良好な高品質の画像表示装置を安価に提供することが可能となる。
【００７９】
また、本発明に係る照明装置は、信号に応じて発光する半導体発光素子であって光取り出し面となる主面に凹凸形状を有する複数の半導体発光素子を配列してなるものである。
【００８０】
また、本発明に係る照明装置の製造方法は、半導体発光素子をマトリクス状に配置した画像表示装置の製造方法において、成長基板上に半導体発光素子を形成し、当該半導体発光素子を成長基板から分離するとともに当該半導体発光素子の光取り出し面となる主面に凹凸形状を形成し、さらに当該半導体発光素子を基板上に複数配列するものである。
【００８１】
以上のような本発明によれば、上述した半導体発光素子を走査可能に配列して構成することにより、高価な半導体発光素子の搭載数を増やすことなく、高品質の画像表示装置や照明装置を構成することができるため、光取り出し効率が高く、視認性の良好な高品質の照明装置を安価に提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用した半導体発光素子の一構成例を示す断面図である。
【図２】第１の実施の形態に係る半導体発光素子の製造工程における電極を形成する工程を示す断面図である。
【図３】第１の実施の形態に係る半導体発光素子の製造工程における発光素子を基板に接着する工程を示す断面図である。
【図４】第１の実施の形態に係る半導体発光素子の製造工程における発光素子を成長基板から剥離した状態を示す断面図である。
【図５】第１の実施の形態に係る半導体発光素子の製造工程におけるカーボン系成生物を除去して光取り出し面に凹凸を形成した状態を示す断面図である。
【図６】本発明を適用した半導体発光素子の他の構成例を示す断面図である。
【図７】第２の実施の形態に係る半導体発光素子の製造工程における発光素子を基板に接着する工程を示す断面図である。
【図８】第２の実施の形態に係る半導体発光素子の製造工程における発光素子を成長基板から剥離した状態を示す断面図である。
【図９】第３の実施の形態に係る半導体発光素子の構造を示す図であり、（ａ）は構造断面図、（ｂ）は構造平面図である。
【図１０】第３の実施の形態の画像表示装置の製造工程における半導体発光素子を一時保持用部材に転写する工程を示す断面図である。
【図１１】第３の実施の形態の画像表示装置の製造工程における半導体発光素子のｎ電極を形成する工程を示す断面図である。
【図１２】第３の実施の形態の画像表示装置の製造工程におけるエキシマレーザー照射する工程を示す断面図である。
【図１３】第３の実施の形態の画像表示装置の製造工程における一時保持用部材を剥離する工程を示す断面図である。
【図１４】第３の実施の形態の画像表示装置の製造工程における樹脂形成素子を形成する工程を示す断面図である。
【図１５】第３の実施の形態の画像表示装置の製造工程における吸着孔と樹脂形成素子の位置合わせを行う工程を示す断面図である。
【図１６】第３の実施の形態の画像表示装置の製造工程におけるエネルギービームを照射する工程を示す断面図である。
【図１７】第３の実施の形態の画像表示装置の製造工程における樹脂形成素子を剥離する工程を示す断面図である。
【図１８】第３の実施の形態の画像表示装置の製造工程における樹脂形成素子を装置基板に固着する工程を示す断面図である。
【図１９】第３の実施の形態の画像表示装置の製造工程における樹脂形成素子を装置基板に配列する工程を示す断面図である。
【図２０】第３の実施の形態の画像表示装置の製造工程における配線を形成する工程を示す断面図である。
【符号の説明】
１  半導体発光素子
２  基板
３  転写材層
４  接着層
５  樹脂層
６  電極パッド
７  電極
８  凹凸形状
【図１】
0004126913.tif 000002
【図２】
0004126913.tif 000003
【図３】
0004126913.tif 000004
【図４】
0004126913.tif 000005
【図５】
0004126913.tif 000006
【図６】
0004126913.tif 000007
【図７】
0004126913.tif 000008
【図８】
0004126913.tif 000009
【図９】
0004126913.tif 000010
【図１０】
0004126913.tif 000011
【図１１】
0004126913.tif 000012
【図１２】
0004126913.tif 000013
【図１３】
0004126913.tif 000014
【図１４】
0004126913.tif 000015
【図１５】
0004126913.tif 000016
【図１６】
0004126913.tif 000017
【図１７】
0004126913.tif 000018
【図１８】
0004126913.tif 000019
【図１９】
0004126913.tif 000020
【図２０】
0004126913.tif 000021