(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板間に垂直配向型液晶を封入した垂直配向型液晶表示装置の製造方法において、
一方の基板上にフォトレジスト膜を形成するフォトレジスト膜形成工程と、
スペーサパターン及び突起パターンを有するマスクを使用し、前記フォトレジスト膜に、現像後の残膜厚さが異なる条件で前記スペーサパターン及び前記突起パターンを転写する露光工程と、
前記フォトレジスト膜を現像して、前記スペーサパターンに対応するセルギャップ調整用スペーサと、前記突起パターンに対応するドメイン規制用突起部とを同時に形成する現像工程と
を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
基板上に複数色のカラーフィルタを形成する工程と、
前記カラーフィルタの上に透明導電体からなるコモン電極を形成する工程と、
前記コモン電極の上にフォトレジスト膜を形成する工程と、
スペーサパターン及び突起パターンを有するマスクを使用し、前記フォトレジスト膜に、現像後の残膜厚さが異なる条件で前記スペーサパターン及び前記突起パターンを転写する工程と、
前記フォトレジスト膜を現像して、前記スペーサパターンに対応するセルギャップ調整用スペーサと、前記突起パターンに対応するドメイン規制用突起部とを同時に形成する工程と
を有することを特徴とする液晶表示装置用カラーフィルタ基板の製造方法。
【請求項３】
一対の基板間に垂直配向型液晶を封入した垂直配向型液晶表示装置の製造方法において、
一方の基板上にフォトレジスト膜を形成するフォトレジスト膜形成工程と、
スペーサパターンと、該スペーサパターンよりも幅が狭い突起パターンとを有するマスクを使用し、前記フォトレジスト膜に前記スペーサパターン及び前記突起パターンを転写する露光工程と、
前記フォトレジスト膜を現像して、前記スペーサパターンに対応するセルギャップ調整用スペーサと、前記突起パターンに対応するドメイン規制用突起部とを同時に形成する現像工程と、
現像後のフォトレジスト膜をポストベークして、ドメイン規制用突起部の高さを前記セルギャップ調整用スペーサの高さよりも低くするポストベーク工程と
を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
基板上に複数色のカラーフィルタを形成する工程と、
前記カラーフィルタの上に透明導電体からなるコモン電極を形成する工程と、
前記コモン電極の上にフォトレジスト膜を形成する工程と、
スペーサパターンと、該スペーサパターンよりも幅が狭い突起パターンとを有するマスクを使用し、前記フォトレジスト膜に前記スペーサパターン及び前記突起パターンを転写する工程と、
前記フォトレジスト膜を現像して、前記スペーサパターンに対応するセルギャップ調整用スペーサと、前記突起パターンに対応するドメイン規制用突起部とを同時に形成する工程と、
現像後のフォトレジスト膜をポストベークして、ドメイン規制用突起部の高さを前記セルギャップ調整用スペーサの高さよりも低くする工程と
を有することを特徴とする液晶表示装置用カラーフィルタ基板の製造方法。
【請求項５】
第１の基板上にカラーフィルタを形成する工程と、
前記第１の基板上に透明導電体からなる電極を形成する工程と、
前記透明導電体の上にフォトレジスト膜を形成する工程と、
前記フォトレジスト膜を露光し、その後現像処理を施して、セルギャップ調整用スペーサと、該セルギャップ調整用スペーサよりも高さが低いドメイン規制用突起部とを同時に形成する工程と、
前記第１の基板の上面側に第１の配向膜を形成する工程と、
画素電極及び第２の配向膜を有する第２の基板と前記第１の基板とを接合し、前記第１の基板と前記第２の基板との間に垂直配向型液晶を封入する工程と
を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、カラー表示が可能であり、表示品質が優れた液晶表示装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
アクティブマトリクス型液晶表示装置は、非選択時にオフ状態となって信号を遮断するスイッチ素子を各画素に設けることによってクロストークを防止するものであり、単純マトリクス方式の液晶表示装置に比べて優れた表示特性を示す。特に、スイッチ素子としてＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）を使用した液晶表示装置は、ＴＦＴの駆動能力が高いので、ＣＲＴ（Cathode-Ray Tube）に匹敵するほど優れた表示特性を示す。
【０００３】
一般的に、液晶表示装置は２枚の透明基板の間に液晶を封入した構造を有している。それらの透明基板の相互に対向する２つの面（対向面）のうち、一方の面側にはコモン電極、カラーフィルタ及び配向膜等が形成され、また他方の面側にはＴＦＴ、画素電極及び配向膜等が形成されている。更に、各透明基板の対向面と反対側の面には、それぞれ偏光板が貼り付けられている。これらの２枚の偏光板は、例えばＴＮ（Twisted Nenatic ）型液晶表示装置の場合、偏光板の偏光軸が互いに直交するように配置され、これによれば、電界をかけない状態では光を透過し、電界を印加した状態では遮光するモード、すなわちノーマリーホワイトモードとなる。また、２枚の偏光板の偏光軸が平行な場合には、ノーマリーブラックモードとなる。以下、ＴＦＴ及び画素電極等が形成された基板をＴＦＴ基板と呼び、コモン電極及びカラーフィルタ等が形成された基板をＣＦ基板と呼ぶ。
【０００４】
近年、液晶表示装置のより一層の高性能化が要求されており、特に視角特性の改善及び表示品質の向上が強く要求されている。このような要求を満たすものとして、垂直配向（Vertically Aligned：ＶＡ）型液晶表示装置、特にＭＶＡ（Multi-domein Vartical Alignment ）型液晶表示装置が有望視されている。
図７３は従来のＭＶＡ型液晶表示装置の一例を示す断面図である。
【０００５】
この液晶表示装置は、ＴＦＴ基板５１０と、ＣＦ基板５２０と、これらの基板５１０，５２０間に封入された垂直配向型液晶５２９とにより構成されている。また、ＴＦＴ基板５１０の下及びＣＦ基板５２０の上には、それぞれ偏光板（図示せず）が、例えば偏光軸を直交させて配置されている。
ＴＦＴ基板５１０は、以下のように形成されている。すなわち、透明ガラス基板５１１の上には、マトリクス状に配列された複数の画素電極５１６と、画素電極５１６に接続されたＴＦＴ（図示せず）と、そのＴＦＴを介して画素電極５１６に画像データを供給するデータバスライン及びゲートバスライン（いずれも図示せず）とが形成されている。画素電極５１６は、ＩＴＯ（indium-tin oxide：インジウム酸化スズ）等の透明導電体により形成されている。
【０００６】
また、画素電極５１６の上にはドメイン規制用突起部５１７が形成されている。更に、画素電極５１６及び突起部５１７の表面はポリイミド等からなる配向膜（図示せず）に覆われている。
一方、ＣＦ基板５２０は以下のように構成されている。すなわち、ガラス基板５２１の下面側には、Ｃｒ（クロム）等からなるブラックマトリクス５２２が形成されており、このブラックマトリクス５２２により画素間の領域が遮光されるようになっている。また、ガラス基板５２１の下面側には、各画素毎に、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）のいずれか１色のカラーフィルタ５２３が形成されている。カラーフィルタ５２３の下にはＩＴＯ等の透明導電体からなるコモン電極５２４が形成されている。コモン電極５２４の下にはドメイン規制用突起部５２５が形成されている。また、コモン電極５２４及び突起部５２５の表面はポリイミド等からなる配向膜（図示せず）に覆われている。
【０００７】
このように構成された液晶表示装置において、電圧を印加しない状態では、液晶分子５２９ａは配向膜に垂直な方向に配向する。この場合は、ＴＦＴ基板５１０の下側から偏光板を通って入射した光は、ＣＦ基板５２０の上に配置された偏光板により遮断されるため、暗表示となる。一方、画素電極５１６とコモン電極５２４との間に十分な電圧を印加すると、図７４に示すように、液晶分子５２９ａは電界に垂直な方向に配列する。この場合に、突起部５１７，５２５の両側では液晶分子５２９の倒れる方向が異なり、いわゆる配向分割（マルチドメイン）が達成される。この状態では、ＴＦＴ基板５１０の下側から偏光板を通って入射した光は、ＣＦ基板５２０の上に配置された偏光板を通過するため、明表示となる。各画素毎に印加電圧を制御することにより、液晶表示装置に所望の画像を表示することができる。また、上述した配向分割により斜め方向の光の漏れが抑制され、視角特性が改善される。
【０００８】
なお、上記の例ではＴＦＴ基板５１０及びＣＦ基板５２０にいずれも突起部を形成する場合について説明したが、図７５に示すように、一方の基板の電極（図７５ではＴＦＴ基板側の画素電極）にスリット５１６ａを設けても、同様に配向分割を達成することができる。
ところで、一般的に、従来の液晶表示装置では、画素電極とコモン電極との間の隙間（セルギャップ）を一定に維持するために、直径が均一な球形又は棒状のスペーサが使用されている。スペーサは樹脂又はセラミック等により形成されており、ＴＦＴ基板５１０とＣＦ基板５２０とを貼り合わせるときに、いずれか一方の基板の上に散布される。従って、画素電極とコモン電極との間のセルギャップは、スペーサの直径により決定される。
【０００９】
なお、特開平１０−６８９５５公報及び特開平１１−２６４９６８号公報には、球形又は棒状のスペーサに起因するセルギャップの不均一等の不具合の発生を回避するために、フォトレジストを使用して形成した柱状の部材をスペーサとして使用することが記載されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
従来の液晶表示装置では、表示品質が十分でなく、より一層の改善が望まれている。
本発明は、従来に比べてより良好な表示品質が得られる液晶表示装置の製造方法及びカラーフィルタ基板の製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、一対の基板間に垂直配向型液晶を封入した垂直配向型液晶表示装置の製造方法において、一方の基板上にフォトレジスト膜を形成するフォトレジスト膜形成工程と、スペーサパターン及び突起パターンを有するマスクを使用し、前記フォトレジスト膜に、現像後の残膜厚さが異なる条件で前記スペーサパターン及び前記突起パターンを転写する露光工程と、前記フォトレジスト膜を現像して、前記スペーサパターンに対応するセルギャップ調整用スペーサと、前記突起パターンに対応するドメイン規制用突起部とを同時に形成する現像工程とを有することを特徴とする。
【００１２】
本発明においては、例えば基板上にフォトレジスト膜を形成し、そのフォトレジスト膜のスペーサ形成領域と突起部形成領域とを異なる光量で露光した後、現像処理することにより、セルギャップを一定に維持するためのスペーサと、該スペーサよりも高さが低いドメイン規制用突起部とを形成する。この場合、スペーサ形成領域と突起部形成領域との露光量が異なるので、レジスト膜厚が相互に異なるスペーサ及び突起部を同時に形成することができる。
【００１３】
また、スペーサ形成用パターンの幅に比べて突起部形成用パターンの幅を狭くし、露光後にポストベークを行ってレジスト（樹脂）をリフローさせることによっても、スペーサと、該スペーサよりも高さが低い突起部とを同時に形成することもできる。
【００３５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。
（第１の実施の形態）
図１は本発明の第１の実施の形態の液晶表示装置の断面図、図２は同じくその液晶表示装置のスペーサ形成部を拡大して示す図、図３は同じくその液晶表示装置のＴＦＴ基板を示す平面図、図４は同じくその液晶表示装置のＣＦ基板を示す平面図である。なお、図１，図２は、図４の矢印Ａで示す線の位置における断面である。
【００３６】
本実施の形態の液晶表示装置は、ＴＦＴ基板１０とＣＦ基板２０との間に垂直配向型液晶（ネガ型液晶）２９を封入した構造を有している。また、ＴＦＴ基板１０の下側及びＣＦ基板２０の上側にはそれぞれ偏光板（図示せず）が配置されている。これらの偏光板は、偏光軸が相互に直交するように配置されている。
ＴＦＴ基板１０は、ガラス又はプラスチック等の透明材料からなる基板（以下、単に「ガラス基板」という）１１と、このガラス基板１１の上面側に形成された画素電極１６ａ、絶縁膜１３，１５及び配向膜１７等により構成される。すなわち、ガラス基板１１の下面側には、図３に示すように、複数本のゲートバスライン１２ａが相互に平行に形成されている。また、各ゲートバスライン１２ａの間には、それぞれ補助容量バスライン１２ｂが形成されている。これらのゲートバスライン１２ａ及び補助容量バスライン１２ｂは、ガラス基板１１の上面側に形成された絶縁膜（ゲート絶縁膜）１３に被覆されている（図２参照）。この絶縁膜１３の上には、ＴＦＴ１８の活性層となるシリコン膜１８ａが選択的に形成されている。このシリコン膜１８ａは、アモルファスシリコン又はポリシリコンからなる。
【００３７】
シリコン膜１８ａは図示しない絶縁膜により覆われており、その絶縁膜の上には複数本のデータバスライン１４ａ、ＴＦＴ１８のソース電極１８ｂ及びドレイン電極１８ｃが形成されている。データバスライン１４ａは、ゲートバスライン１２ａと直角に交差するように配置されている。また、ゲートバスライン１２ａとデータバスライン１４ａとにより区画された矩形の領域がそれぞれ画素となる領域である。
【００３８】
これらのデータバスライン１４ａ、ソース電極１８ｂ及びドレイン電極１８ｃは、絶縁膜（最終保護膜）１５により覆われている。そして、この絶縁膜１５の上には、ＩＴＯからなる画素電極１６ａが、画素毎に１つずつ形成されている。この画素電極１６ａは、絶縁膜１５に形成されたコンタクトホールを介してソース電極１８ｂと電気的に接続されている。
【００３９】
画素電極１６ａには、図３に示すジグザグ状の一点鎖線に沿ってスリット１６ｂが形成されている。また、ガラス基板１１の上側全面には垂直配向膜１７が形成されており、この垂直配向膜１７により画素電極１６ａの表面が覆われている。
一方、ＣＦ基板２０は、ガラス基板２１と、ガラス基板２１の下面側に形成されたブラックマトリクス２２、カラーフィルタ２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂ、コモン電極２４、スペーサ２５ａ、突起部２５ｂ及び垂直配向膜２６等により構成される。すなわち、図２に示すように、ガラス基板２１の下面上には、クロム（Ｃｒ）の薄膜からなるブラックマトリクス２２が形成されている。このブラックマトリクス２２は、図４に示すように、ＴＦＴ基板２０のゲートバスライン１２ａ、データバスライン１４ａ、補助容量バスライン１２ｂ及びＴＦＴ１８を覆う形状に形成されている。
【００４０】
また、ガラス基板２１の下面側には、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）のカラーフィルタ２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂが形成されている。これらのカラーフィルタ２３Ｒ，２３Ｇ，２３ＢはＴＦＴ基板１０の画素電極１６ａに対向する位置に配置され、１つの画素電極１６ａに赤、緑又は青のカラーフィルタ２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂのうちのいずれか１つが対応している。
【００４１】
ブラックマトリクス２２及びカラーフィルタ２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂの下側には、ＩＴＯからなるコモン電極２４が形成されている。また、このコモン電極２４の下側には、セルギャップ調整用のスペーサ２５ａとドメイン規制用の突起部２５ｂとが形成されている。突起部２５ｂは、図４に示すようにジグザグ形状に形成されており、スペーサ２５ａはゲートバスライン１２ａとデータバスライン１４ａとが交差する位置の近傍に配置されている。スペーサ２５ａの高さ（コモン電極表面からの高さ）は約４．０μｍであり、絶縁性樹脂により形成されている。また、突起部２５ｂの高さ（コモン電極表面からの高さ）は約１．５μｍであり、後述するように、スペーサ２５ａと同一材料により同時に形成される。なお、図４において、一点鎖線はＴＦＴ基板１０の画素電極１６ａに設けられたスリット１６ｂの位置を示している。コモン電極２４の下には垂直配向膜２６が形成されており、スペーサ２５ａ及び突起部２５ｂの表面はこの垂直配向膜２６に覆われている。
【００４２】
本実施の形態においては、ＣＦ基板２０側の突起部２５ｂは約１．５μｍの高さに形成されており、スペーサ２５ａは約４．０μｍの高さに形成されている。そして、図１に示すように、スペーサ２５ａの先端部分がＴＦＴ基板１０に接触し、セルギャップを一定に維持している。このため、本実施の形態では、従来必要とされていた球形又は棒状のスペーサが不要であり、スペーサを散布する工程を削減できる。また、所定の位置に形成されたスペーサ２５ａによりＴＦＴ基板１０側の画素電極１６ａとＣＦ基板２０側のコモン電極２４との間隔を一定に維持できるので、 画素電極１６ａとコモン電極２４との短絡を確実に回避することができる。更に、従来の液晶表示装置のように球形又は棒状のスペーサを使用した場合は、スペーサの近傍では液晶分子がスペーサの表面に沿って配向してしまうため、配向が乱れて表示不良の原因となることがあるが、本実施の形態では、球形又は円柱形のスペーサを使用しないので、良好な表示品質が得られる。
【００４３】
更にまた、本実施の形態においては、ＴＦＴ基板１０側の画素電極１６ａに設けられたスリット１６ｂとＣＦ基板２０側に設けられた突起部２５ｂとにより配向分割が達成されるので、良好な視角特性及びコントラスト特性が得られる。
また、本実施の形態においては、ＣＦ基板２０側に設けられたスペーサ２５ａによりセルギャップを一定に維持する。このスペーサ２５ａはコモン電極２４上に固定されており、振動や衝撃によりセルギャップが変化することがない。従って、スペーサの移動に起因する表示品質の劣化が回避される。
【００４４】
以下、第１の実施の形態の液晶表示装置の製造方法について説明する。
図５〜図９は本実施の形態の液晶表示装置のＣＦ基板の製造方法を工程順に示す図である。
まず、図５（ａ）に示すように、透明基板２１の一方の面（図では上面）に低反射Ｃｒ（クロム）膜を形成し、その上にノボラック系のポジ型フォトレジストを塗布する。そして、このフォトレジストを所定のマスクを用いて選択的に露光した後、現像処理を施して所定の領域にのみＣｒ膜を残す。これにより、Ｃｒ膜からなるブラックマトリクス２２が形成される。
【００４５】
次に、基板２１の上側全面に感光性の顔料分散タイプの赤色レジストを塗布し、露光及び現像処理を施して、図５（ｂ）に示すように、赤色画素部に厚さが約１．５μｍの赤色カラーフィルタ２３Ｒを形成する。
次に、基板２１の上側全面に感光性の顔料分散タイプの緑色レジストを塗布し、露光及び現像処理を施して、図５（ｃ）に示すように、緑色画素部に厚さが約１．５μｍの緑色カラーフィルタ２３Ｇを形成する。
【００４６】
次に、基板２１の上側全面に感光性の顔料分散タイプの青色レジストを塗布し、露光及び現像処理を施して、図６（ａ）に示すように、青色画素部に厚さが約１．５μｍの青色カラーフィルタ２３Ｂを形成する。
次に、図６（ｂ）に示すように、基板２１の上側全面にＩＴＯを約０．１５μｍの厚さに成膜して、コモン電極２４を形成する。
【００４７】
次に、図６（ｃ）に示すように、スピンコート法により、コモン電極２４の上にポジ型感光性ノボラック系レジスト２５を約４．０μｍの厚さに塗布した後、プリベークする。
次に、図７（ａ）の模式図に示すように、スペーサ形成部及び突起形成部を遮光する大型マスク２７を使用して、レジスト２５をプロキシミティー露光する。このときの露光量は、レジスト２５の露光部分が、現像処理後に残らない程度とすることが必要である。なお、図７（ａ）において、レジスト２５中の網掛けは露光された部分を示す。また、図７（ａ）においては、ブラックマトリクス２２及びカラーフィルタ２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂの図示を省略している。
【００４８】
次に、図７（ｂ）の模式図で示すように、スペーサ形成部を遮光する大型マスク２８を使用して、レジスト２５をプロキシミティー露光する。このときの露光量は、レジスト２５の露光部分（突起形成部）が、現像処理後に１．５μｍの厚さに残る程度とする。
次いで、濃度が２．２％のＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）アルカリ現像液を使用してレジスト２５をシャワー現像する。これにより、図８（ａ）に示すように、レジスト２５から、高さが異なるスペーサ２５ａ及び突起部２５ｂが同時に形成される。その後、基板２１をクリーンオーブンに入れて、２００℃の温度で１時間程度ポストベークする。これにより、レジスト樹脂が軟化して、図８（ｂ）に示すように、スペーサ２５ａ及び突起部２５ｂの形状が若干変化する。ポストベーク後のＣＦ基板２０の断面を図９に示す。
【００４９】
その後、基板２１の上側全面に配向膜２６（図２参照）を形成し、この配向膜２６によりコモン電極２４、スペーサ２５ａ及び突起部２５ｂの表面を覆う。これにより、ＣＦ基板が完成する。
一方、ＴＦＴ基板１０は、公知の方法により形成する。すなわち、ガラス基板１１上にゲートバスライン１２ａ及び蓄積容量バスライン１２ｂを形成し、その上に絶縁膜（ゲート絶縁膜）１３を形成する。その後、絶縁膜１３上に、ＴＦＴ１８の活性層となるシリコン膜１８ａを形成し、更にデータバスライン１４ａ、ＴＦＴ１８のソース電極１８ｂ及びドレイン電極１８ｃを形成する（図２，図３参照）。
【００５０】
次いで、ガラス基板１１の上側全面に絶縁膜（最終保護膜）１５を形成し、その上にＩＴＯからなる画素電極１６ａを形成する。このとき、画素電極１６ａには、図３に示すようにジグザグ状の線に沿ってスリット１６ｂを形成する。その後、基板１１の上側全面に配向膜１７を形成し、この配向膜１７により画素電極１６ａの表面を覆う。これにより、ＴＦＴ基板１０が完成する。
【００５１】
このようにして形成したＴＦＴ基板１０及びＣＦ基板２０を、図１，図２に示すように、配向膜１７，２６が形成された面を相互に対向させ、スペーサ２５ａの先端部が画素間の領域（ゲートバスラインとデータバスラインとが交差する部分）に接触するように配置する。そして、ＴＦＴ基板１０又はＣＦ基板２０の少なくとも一方の基板の表示領域の外側にシール材を塗布し、このシール材によりＴＦＴ基板１０とＣＦ基板２０とを接合する。その後、ＴＦＴ基板１０とＣＦ基板２０との間の空間内に液晶を注入し、液晶注入口を樹脂で封止する。これにより、液晶表示装置が完成する。
【００５２】
本実施の形態では、図７に示すように、フォトレジスト２５を露光及び現像処理してスペーサ２５ａを形成するので、スペーサ２５ａの高さが均一であり、かつ所定の位置に配置することができる。従って、本実施の形態では、球形又は棒状のスペーサを散布する従来の方法に比べて、ドメイン規制用突起部２５ｂを有するにもかかわらず、表示領域の全体にわたってセルギャップを一定に維持することができるという利点がある。このため、従来に比べて表示品質が向上する。また、本実施の形態においては、コモン電極２４がスペーサ２５ａよりも基板２１側に形成されているので、コモン電極２４と画素電極１６ａとの間隔が大きく、短絡不良のおそれが少ない。
【００５３】
更に、本実施の形態においては、２種類のマスク２７，２８を使用し、レジスト２５を２回露光することにより、高さが異なるスペーサ２５ａと突起部２５ｂとを同時に形成するので、製造工程数の増加が回避される。これにより、視角特性が優れた液晶表示装置を容易に製造することができる。
なお、上記のように、スペーサ２５ａ及び突起部２５ｂの形成にポジ型レジストを用いる場合は、露光エネルギー（露光時間）に対するレジスト現像時の膜減りを緩やかにするために、露光時間（必要露光量）や分子量の大きいポジレジストを用いることが好ましい。また、プリベーク温度を上げたり、現像液の濃度を下げることも、現像時の膜減り（単位時間当りのレジスト膜厚の減少率）を緩やかにするために効果的である。
【００５４】
更に、上記の例ではスペーサ２５ａ及び突起部２５ｂを形成するための材料としてノボラック系レジストを使用したが、これに限定されるものではなく、スペーサ２５ａ及び突起部２５ｂの材料として、アクリル系樹脂レジスト又はエポキシ系樹脂レジストを使用してもよい。また、ポジ型ではなく、ネガ型感光性レジストを使用してもよい。
【００５５】
更にまた、上記の例ではＣＦ基板２０側にスペーサ２５ａ及び突起部２５ｂを形成する場合について説明したが、ＴＦＴ基板側にスペーサ及び突起部を形成してもよい。この場合は、ＣＦ基板２０側のコモン電極２４にスリット又は突起を形成する。
（第２の実施の形態）
以下、本発明の第２の実施の形態について説明する。なお、第２の実施の形態が第１の実施の形態と異なる点は、ＣＦ基板２０のスペーサ２５ａ及び突起部２５ｂの形成方法が異なることにあり、その他の構成は基本的に第１の実施の形態と同様であるので、重複する部分の説明は省略する。
【００５６】
図１０〜図１４は第２の実施の形態の液晶表示装置のＣＦ基板の製造方法を示す図である。図１０はマスクの遮光パターンと画素との位置関係を示す図であり、図１１は形成後のスペーサ２５ａ及び突起部２５ｂのパターンを示す図、図１２（ａ）はスペーサ２５ａの形成部（図１１のＢ−Ｂ線）における断面図、図１２（ｂ）は突起部２５ｂの形成部（図１１のＣ−Ｃ線）における断面図である。また、図１３は図１１のＣ−Ｃ線の位置で製造方法を示す断面図、図１４は図１１のＢ−Ｂ線の位置で製造方法を示す断面図である。これらの図１２〜図１４において、第１の実施の形態と同一物には同一符号を付している。
【００５７】
まず、図１３，図１４に示すように、第１の実施の形態と同様にしてガラス基板２１上にブラックマトリクス２２、カラーフィルタ２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂ及びコモン電極２４を形成した後、スピンコート法により、コモン電極２４の上にポジ型ノボラック系レジスト２５を約４．０μｍの厚さに塗布し、プリベークする。
【００５８】
次に、レジスト２５をプロキシミティー露光するが、ここでは、図１０（ａ）に示すように、突起部用遮光パターン（ジグザグパターン）３１ａ及びスペーサ用遮光パターン（矩形パターン）３１ｂが形成されているマスク３１を使用する。このマスク３１には、横方向に並ぶＲＧＢの３画素を１つの単位とし、横方向に並ぶ３単位分の画素領域のうち、２単位分の画素領域に対応する部分に６本の同一形状の突起部用遮光パターン３１ａが設けられており、残りの１単位分の画素領域に対応する部分（図１０に破線で示す部分）には突起部用遮光パターン３１ａが設けられていない。また、スペーサ用遮光パターン３１ｂは、３画素に１つの割合で、データバスラインとゲートバスラインとが交差する領域に対応する部分に配置されている。
【００５９】
まず、図１０（ａ），図１３（ａ），図１４（ａ）に示すように、マスク３１を位置決めして、１回目の露光を行う。このとき、レジスト膜厚４μｍに対する通常の露光量の１／３で露光する。図１３，図１４中の網掛けは、露光された部分を示している。なお、通常の露光量とは、露光部分が現像処理後に残らない露光量をいう。
【００６０】
次に、図１０（ｂ），図１３（ｂ），図１４（ｂ）に示すように、所定の方向（図１０（ｂ）中に矢印で示す方向）にマスク３１を３画素分ずらして、通常の露光量の１／３で２回目の露光を行う。この場合、スペーサ形成部はいずれもマスク３１の遮光パターン３１ｂにより遮光されている。
更に、図１０（ｃ），図１３（ｃ），図１４（ｃ）に示すように、所定の方向（図１０（ｃ）中に矢印で示す方向）にマスク３１を３画素分ずらして、通常の露光量の１／３で３回の露光を行う。この場合も、スペーサ形成部はいずれもマスク３１の遮光パターン３１ｂにより遮光されている。また、突起部を形成する部分には、いずれも通常の露光量の１／３が照射される。
【００６１】
次いで、レジスト２５に現像処理を施する。このとき、突起部を形成する領域には通常の露光量の１／３の光量で露光され、スペーサを形成する領域は露光されていないので、図１２（ａ），（ｂ）に示すように、現像後の厚さ（高さ）に差が生じる。このようにして、ガラス基板２１の上に、高さが異なるスペーサ２５ａ及び突起部２５ｂを同時に形成することができる。現像処理後は、第１の実施の形態と同様に、ポストベーキングを行う。その後、ガラス基板２１の上側全面に配向膜を形成する。これにより、ＣＦ基板２０が完成する。
【００６２】
本実施の形態においては、第１の実施の形態と同様の効果が得られるのに加えて、スペーサ２５ａ及び突起部２５ｂを形成するためのマスクが１枚ですむという利点がある。
なお、上記の例では、厚さが４．０μｍの場合に、現像後の膜厚が１．５μｍとなる露光量が通常の露光量の１／３となるレジストを用いた場合について説明したが、例えば通常の露光量の１／２で現像後の膜厚が１．５μｍとなるレジストの場合は、図１５に示すように、２単位分の画素領域のうち１単位分の画素領域に対応する領域に突起部形成用の遮光パターン３１ａが設けられており、他方の画素領域に対応する領域には遮光パターンが設けられていないマスクを使用すればよい。そして、１回目の露光を行った後、マスクを３画素分移動させて２回目の露光を行い、その後現像処理を施す。このように、本実施の形態においては、使用するレジストの特性に応じて、使用するマスクと露光回数とを適宜設定する。
【００６３】
（第３の実施の形態）
以下、本発明の第３の実施の形態について説明する。なお、第３の実施の形態が第１の実施の形態と異なる点は、ＣＦ基板２０のスペーサ２５ａ及び突起部２５ｂの形成方法が異なることにあり、その他の構成は基本的に第１の実施の形態と同様であるので、重複する部分の説明は省略する。
【００６４】
図１６〜図１８は第３の実施の形態の液晶表示装置のＣＦ基板の製造方法を示す模式図である。図１６は露光工程における模式的断面図、図１７は突起部形成用パターンの平面図、図１８は露光工程における突起部形成領域の模式的断面拡大図である。なお、図１６，図１８においては、基板２１上に形成されたブラックマトリクス２２、カラーフィルタ２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂ及びコモン電極２４の図示を省略している。
【００６５】
まず、第１の実施の形態と同様にしてガラス基板２１上にブラックマトリクス２２、カラーフィルタ２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂ及びコモン電極２４を形成した後、スピンコート法により、コモン電極２４の上にポジ型ノボラック系レジスト２５を約４．０μｍの厚さに塗布し、プリベークする。
次に、レジスト２５をプロキシミティー露光するが、ここでは、図１６に示すように、スペーサ形成部と突起形成部とで光透過率（遮光量）が異なる遮光パターンを有するマスク３２を使用する。すなわち、マスク３２には、光をほぼ１００％遮光するスペーサ形成用パターンと、光を１／２〜１／１０程度透過する突起部形成用パターンとが設けられている。例えば、スペーサ形成用パターン及び突起部形成用パターンは、いずれもＣｒ膜をパターニングして形成されており、突起部形成用パターンには、図１７に示すように、解像度の限界値以下の小さな開口部３２ａが多数設けられている。この場合、開口部３２ａの密度や開口面積を調整することにより、光透過率を制御することができる。
【００６６】
このようなマスク３２を使用してレジスト２５を露光した後、現像処理を施すと、スペーサ形成部ではレジスト２５が露光されていないため、レジストが厚く残る。一方、突起形成部では、レジスト２５が通常の露光量よりも少ない露光量で露光されているので、基板２１上にレジストは残るものの、スペーサ形成部よりもレジスト２５の厚さは小さくなる。
【００６７】
このようにして、１回の露光及び現像処理により、高さが異なるスペーサ２５ａと突起部２５ｂとを同時に形成することができる。
その後、第１の実施の形態と同様にポストベーキングを行った後、ガラス基板２１の上側全面に配向膜を形成する。これによりＣＦ基板２０が完成する。
本実施の形態においては、第１の実施の形態と同様の効果が得られるのに加えて、スペーサ２５ａ及び突起部２５ｂを形成するための露光工程及び現像処理工程がいずれも１回ですむので、製造時間の短縮化が図れるという利点がある。
【００６８】
なお、上記の実施の形態では突起部形成用パターンとして開口部３２ａを有するパターンを使用するので、現像後に残ったレジスト（突起部２５ｂ）の表面に凹凸が生じることが考えられる。しかしながら、現像後に実施するポストベーク工程時の熱によりレジストが軟化（リフロー）して表面がなだらかになる。これにより、突起部２５ｂの表面の凹凸に起因する液晶分子の配向異常が回避される。
【００６９】
また、上記の実施の形態では突起部形成用パターンとして微細な開口部３２ａを有するパターンを使用したが、図１９に示すように、マスク３３の上又は下側に、ＵＶ耐性のある透過率の低い材料からなる突起部形成用パターン３３ａを形成し、突起形成部の露光量を調整するようにしてもよい。突起部形成用パターン３３ａの材料としては、例えばカラーフィルタの形成に使用するものと同様の感光性アクリル樹脂に顔料を混ぜて、ｉ線（波長：３６５ｎｍ）透過率を２５％にコントロールしたものを使用することができる。
【００７０】
この場合は、以下のようにしてマスク３３を形成する。すなわち、Ｃｒ膜をエッチングしてスペーサ用遮光パターン３３ｂを形成したマスク３３の表面に、顔料を含有した感光性アクリル樹脂を塗布する。そして、突起部形成用パターンが設けられたマスクを使用して感光性アクリル樹脂を露光して突起部形成用パターンを転写する。その後、露光、現像及びポストベークを実施することにより、スペーサ形成用パターン３３ｂ及び突起部形成用パターン３３ａを有するマスク３３を形成する。このようにして、光をほぼ１００％遮光するスペーサ形成用パターン３３ｂと、ｉ線透過率が２５％のレジストからなる突起部形成用パターン３３ａとを有するマスク３３を形成することができる。
【００７１】
ここでは、突起部形成用パターン３３ａの光透過率を２５％としたが、レジストの種類や突起部の高さ等に応じて突起形成用パターン３３ａの光透過率は適宜調整する。
（第４の実施の形態）
以下、本発明の第４の実施の形態について説明する。なお、第４の実施の形態が第１の実施の形態と異なる点は、ＣＦ基板２０のスペーサ２５ａ及び突起部２５ｂの形成方法が異なることにあり、その他の構成は基本的に第１の実施の形態と同様であるので、重複する部分の説明は省略する。
【００７２】
図２０，図２１は、第４の実施の形態の液晶表示装置のＣＦ基板の製造方法を示す図である。図２０は露光工程における模式的断面図、図２１は同じくその突起部形成領域の拡大図である。なお、図２０，図２１において、 ガラス基板２１上に形成されたブラックマトリクス２２、カラーフィルタ２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂ及びコモン電極２４の図示を省略している。
【００７３】
まず、第１の実施の形態と同様にしてガラス基板２１上にブラックマトリクス２２、カラーフィルタ２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂ及びコモン電極２４を形成した後、スピンコート法により、コモン電極２４の上にポジ型ノボラック系レジスト２５を約４．０μｍの厚さに塗布し、プリベークする。
次に、マスク３４を用いてプロキシミティー露光を行う。マスク３４には、幅が１０μｍの突起部形成用パターン３４ａと、幅が２０〜３５μｍのスペーサ形成用パターン３４ｂとが設けられている。
【００７４】
本実施の形態では、回折光により回り込み量が多くなるように、プロキシミティーギャップを１５０μｍとし、更に露光量を通常の１．５倍で露光する。これにより、線幅の細い突起部形成用パターン３４ｂ側では回折光により遮光部分も弱く露光されるため、現像後の厚さが未露光部よりも薄くなる。これに対してスペーサ形成用パターン３４ａ側では、突起部形成用パターン３４ａに比べて寸法が大きいため、回折光の影響が小さい。従って、パターン３４ａの縁部では現像後の膜厚が未露光部分よりも薄くなるものの、中心部では未露光部分と同じ厚さとなる。従って、高さが低い突起部と高さが高いスペーサとを同時に形成することができる。
【００７５】
その後、第１の実施の形態と同様にポストベーキングを行った後、ガラス基板２１の上側全面に配向膜を形成する。これにより、ＣＦ基板２０が完成する。
本実施の形態においても、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができるのに加えて、スペーサ及び突起部を形成するための露光工程及び現像工程が１回だけでよく、製造時間の短縮化が図れるという利点がある。
【００７６】
なお、突起部の高さ及び幅は、レジスト２５の膜厚、突起部形成用パターン３４の幅、プロキシミティー露光機から出射される光の平行度、プロキシミティーギャップ（マスクとレジスト膜との間隔）及び露光量により変化する。従って、所望の突起部の高さ及び幅に応じて、これらの条件を適宜設定することが必要である。
【００７７】
（第５の実施の形態）
以下、本発明の第５の実施の形態について説明する。なお、第５の実施の形態が第１の実施の形態と異なる点は、ＣＦ基板のスペーサ２５ａ及び突起部２５ｂの形成方法が異なることに有り、その他の構成は基本的に第１の実施の形態と同様であるので、重複する部分の説明は省略する。
【００７８】
図２２は第５の実施の形態の液晶表示装置の断面図である。
本実施の形態においては、スペーサ形成部に、３色のカラーフィルタ２３Ｂ，２３Ｒ，２３Ｇを３層に積層し、その上（図２２では下側）にセルギャップ調整用のスペーサ４１ａを形成している。また、本実施の形態においては、青色カラーフィルタ２３Ｂと赤色カラーフィルタ２３Ｒとを積層してブラックマトリクスとしている。また、
このように、カラーフィルタ２３Ｂ，２３Ｒを積層してブラックマトリクスを形成することにより、Ｃｒ膜の成膜工程及びエッチング工程が不要となり、製造時間を短縮することができる。また、スペーサ形成部には、カラーフィルタ２３Ｂ，２３Ｒ，２３Ｇを３層に積層しているので、スペーサ４１の高さを低くしても、所定のセルギャップを維持することができる。
【００７９】
なお、カラーフィルタ２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂの積層体と、その上を通るドメイン規制用突起部とによりスペーサを構成することも考えられる。しかし、スペーサ形成部の面積は小さく、またカラーフィルタとして一般的に使用されているノボラック樹脂やアクリル樹脂では、平坦性がよいため、例えばカラーフィルタ２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂの厚さをそれぞれ１．５μｍとし、突起部の高さを１．５μｍとしても、セルギャップは４．０μｍよりも小さくなってしまう。
【００８０】
通常、スペーサ形成部にカラーフィルタを積層する際には、樹脂が乾燥するまでの間に、上に重なった２層目、 ３層目の樹脂部分ではレベリングが発生し、２層目のカラーフィルタの厚さは１層目の約７０％、３層目のカラーフィルタの厚さは１層目の約５０％と薄くなってしまう。
仮に、スペーサ４１ａがないとすると、セルギャップはカラーフィルタの積層厚さにより決まるので、カラーフィルタの積層部分における各カラーフィルタの厚さを厚くする必要がある。２層目及び３層目のカラーフィルタの厚さを厚くするためには、例えば真空乾燥により乾燥を早めてレベリングを少なくする方法や、樹脂の塗布膜厚を厚くする方法が考えられる。しかし、これらの方法では、塗布むらや乾燥むらが発生し、製造歩留まりが低下してしまう。
【００８１】
図２３は横軸に画素領域におけるカラーフィルタの厚さをとり、縦軸にスペーサ（カラーフィルタの重なり）の高さをとって、両者の関係を示した図である。但し、▲印は各カラーフィルタの厚さと突起部の高さが同じ場合、□は突起部の高さが２．０μｍの場合を示している。この図からわかるように、セルギャップを４μｍとするためには、各カラーフィルタの画素領域における厚さ及び突起部の高さをいずれも３μｍとする必要がある。ただし、突起部の高さがセルギャップの３０％以下又は５０％以上となると、透過率の低下やコントラストの低下を招く。このため、突起部の高さは、１．２〜２．０μｍとすることが好ましく、そうするとカラーフィルタの厚さを更に厚くする必要がある。
【００８２】
一般に、カラーフィルタの材料となる顔料分散型レジストは、厚さが３μｍを超えると微細なパターニングが困難になる。また、塗布後の乾燥速度が遅くなり、生産性が低下するという問題も発生する。従って、カラーフィルタの厚さを３μｍ以上とすることは現実的ではない。
カラーフィルタの材料として、ポリイミドのように平坦性が悪い材料を使用することも考えられる。しかし、ポリイミドは非感光性であるので、パターニングにはエッチング工程が必要になり、工程数の増加によって製造コストが上昇するという難点がある。また、仮にカラーフィルタを厚く形成したとしても、スペーサ部のコモン電極とＴＦＴ基板側の画素電極とが極めて接近することとなり、短絡不良が発生しやすくなる。
【００８３】
本実施の形態では、前述の如く、カラーフィルタ２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂの積層部分の上にスペーサ４１ａを形成し、このスペーサ４１ａでセルギャップを調整できるので、カラーフィルタ２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂの厚さを３μｍ以下としても、十分なセルギャップを確保することができる。
以下、図２４，図２５を参照して、本実施の形態のＣＦ基板４０の製造方法について説明する。
【００８４】
まず、図２４（ａ）に示すように、ガラス基板２１の上に感光性顔料分散タイプの青色レジストを塗布し、このレジストを露光及び現像処理して、青色画素領域、ブラックマトリクス形成領域、スペーサ形成領域（ＴＦＴ基板側のゲートバスラインとデータバスラインとが交差する部分に対応する領域）及び各マーク（位置合わせマーク等）の形成領域の上に、 厚さが約１．５μｍの青色カラーフィルタ２３Ｂ（青色レジスト）を形成する。
【００８５】
次に、図２４（ｂ）に示すように、ガラス基板２１の上に感光性顔料分散タイプの赤色レジストを塗布し、このレジストを露光及び現像処理して、赤色画素領域、ブラックマトリクス形成領域及びスペーサ形成領域の上に、 厚さが約１．５μｍの赤色カラーフィルタ２３Ｒ（赤色レジスト）を形成する。
次に、図２４（ｃ）に示すように、ガラス基板２１の上に感光性顔料分散タイプの緑色レジストを塗布し、このレジストを露光及び現像処理して、緑色画素領域及びスペーサ形成領域の上に、 厚さが約１．５μｍの緑色カラーフィルタ２３Ｇ（緑色レジスト）を形成する。
【００８６】
次に、図２４（ｄ）に示すように、ガラス基板２１の上側全面に、ＩＴＯを約０．１５μｍの厚さに形成して、コモン電極２６とする。
本実施の形態では、ブラックマトリクス形成領域では２色のカラーフィルタを重ね、スペーサ形成領域では３色のカラーフィルタを重ねている。この場合、画素部（カラーフィルタが一層の部分）ではカラーフィルタの厚さは１．５μｍであるが、２層目、３層目のカラーフィルタの厚さはこれよりも薄くなる。ここまでの工程で、スペーサ形成部での３層のカラーフィルタの積層体の高さ（画素部のカラーフィルタ表面からの高さ）は、約１．８μｍであり、ブラックマトリクス形成領域での２層のカラーフィルタの積層体の高さ（画素部のカラーフィルタ表面からの高さ）は、約１．１μｍである。
【００８７】
次に、ガラス基板２１の上側全面に、ポジ型ノボラック系レジストを２．５μｍの膜厚でスピンコート法等で塗布する。その後、スペーサ形成用パターンの幅が３０μｍ、突起部形成用パターンの幅が６μｍのレチクルを用いてレジストを所定の露光量でステッパー露光した後、現像を行う。これにより、図２５に示すように、セルギャップ調整用スペーサ４１ａ及びドメイン規制用突起部４１ｂが形成される。現像後のレジスト膜厚はスペーサ形成領域で約２．０μｍ、突起部形成領域で約２．３μｍとなる。
【００８８】
次に、オーブンを用いて２２０℃で１時間程度ポストベークする。スペーサ形成部では、ベーク後の膜厚が約２．０μｍ、線幅が約３０μｍとなる。一方、突起部形成領域では、ポストベーク時の熱によりレジストがリフローして、膜厚が約１．５μｍ、線幅が約１０μｍとなり、所望のプロファイルが得られる。
本実施の形態においては、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができるのに加えて、赤色カラーフィルタと青色カラーフィルタとを積層してブラックマトリクスとするので、第１の実施の形態に比べてＣｒ膜の成膜工程及びエッチング工程が不要になり、製造コストを低減できるという効果が得られる。
【００８９】
なお、上記の例ではステッパ露光によりスペーサ４１ａ及び突起部４１ｂを形成しているが、所望の解像度を得ることが可能であれば、プロキシミティー露光やミラープロジェクション法等で露光することも可能である。
また、上記の例では、スペーサ形成部に３色のカラーフィルタを重ねて形成したが、これに限定するものではなく、スペーサ形成部のカラーフィルタの層数は、１層又は２層でもよい。
【００９０】
（第６の実施の形態）
以下、本発明の第６の実施の形態について説明する。なお、第６の実施の形態が第１の実施の形態と異なる点は、ＣＦ基板２０のスペーサ及び突起部の形成方法が異なることに有り、その他の構成は基本的に第１の実施の形態と同様であるので、重複する部分の説明は省略する。
【００９１】
図２６は第６の実施の形態の液晶表示装置のＣＦ基板の製造方法を示す図である。
まず、図２６（ａ）に示すように、ガラス基板２１の上にＣｒ膜を形成し、該Ｃｒ膜をパターニングして、ブラックマトリクス２２を形成する。その後、ガラス基板２１の上に、カラーフィルタ２３Ｂ，２３Ｒ，２３Ｇを順次形成する。このとき、スペーサ形成部のブラックマトリクス２２の上には、カラーフィルタ２３Ｂ，２３Ｒ，２３Ｇを重ね合わせて形成する。
【００９２】
その後、基板２１の上側全面に、ＩＴＯからなるコモン電極２４を形成する。そして、このコモン電極２４の上に、スピンコート法等により、ポジ型ノボラック系レジスト４２を塗布する。
次に、スペーサ形成用パターンの幅が３０μｍ、突起部形成用パターンの幅が６μｍのレチクルを使用してレジスト４２を露光した後、現像処理を行って、図２６（ｂ）に示すように、スペーサ４２ａ及び突起部４２ｂを形成する。
【００９３】
次に、２２０℃の温度で１時間程度ポストベークする。突起部４２ｂの幅が狭いので、ポストベーク時の熱によってレジストがリフローして、図２６（ｃ）に示すように、突起部４２ｂの高さがスペーサ４２ａ高さよりも低くなる。このようにして、高さが異なるスペーサ４２ａと突起部４２ｂとを同時に形成することができる。本実施の形態においても、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００９４】
なお、上記の実施の形態では、ブラックマトリクス２２がＣｒ膜からなる場合について説明したが、ブラックマトリクス２２を黒色樹脂により形成することもできる。また、上記の例では、スペーサ形成部にカラーフィルタ２３Ｂ，２３Ｒ，２３Ｇを３層に重ねたが、これに限定するものではなく、スペーサ領域のカラーフィルタの層数は、１層又は２層でもよい。但し、スペーサ領域での段差が大きくなると、コモン電極とＴＦＴ基板側の画素電極との距離が小さくなり、短絡不良が発生しやすくなるので、スペーサ領域の段差があまり大きくならないようにすることが好ましい。
【００９５】
（第７の実施の形態）
以下、本発明の第７の実施の形態について説明する。
従来、一般的に、ブラックマトリクスは、Ｃｒ等の金属膜や黒色樹脂により形成されていた。ブラックマトリクスに必要なＯＤ値は、ノーマリーホワイトの液晶表示装置では２．５以上、ノーマリーブラックの液晶表示装置では２．０以上といわれている。但し、液晶の種類、セルギャップ及びＴＦＴ基板の構造等により、ブラックマトリクスに必要なＯＤ値は変化する。
【００９６】
一方、カラーフィルタの形成方法としては、染色法、顔料分散法、電着法及び印刷法等がある。しかし、染色法では工程数が多いという欠点があり、電着法では電着液の管理が煩雑であるとともに、成膜状態もばらつきやすいという欠点がある。印刷法では、膜厚分布やパターン精度が十分ではなく、実用段階に至っていない。従って、現在は、カラーフィルタの形成方法としては顔料分散法が主流である。
【００９７】
顔料分散法では、顔料を分散したフォトレジストを使用し、フォトリソグラフィ技術によりレジストをパターニングする。従って、従来、ＣＦ基板の形成には、ブラックマトリクスの形成とＲＧＢの各カラーフィルタの形成とで合計４回のフォトリソグラフィ工程を必要とし、製造歩留まりの低下や、設備コスト及び材料コストの上昇の原因となっていた。
【００９８】
そこで、ＲＧＢの３色のカラーフィルタのうち少なくとも２色のカラーフィルタを重ね合わせてブラックマトリクスとすることにより、Ｃｒ膜や黒色樹脂の成膜工程及びパターニング工程を削減することが提案されている。しかし、この場合は、フォトレジストをパターニングする際に、露光機のステージに設けられた溝からの反射光に起因してカラーフィルタのエッジの位置が微妙に変化し、表示むらの原因となる。
【００９９】
図２７は、カラーフィルタとなるフォトレジストの露光工程を示す模式図である。この図２７に示すように、ガラス基板１０１の上に顔料を分散したフォトレジスト１０２を塗布し、基板１０１を露光機のステージ１０６の上に載置して、所定のパターンが設けられたマスクを介して紫外線（ＵＶ）を照射する。
露光機のステージ１０６には、基板１０１を吸着固定するための孔やその他の溝（以下、単に「溝」という）１０６ａが設けられている。光源から出力されて基板１０１を透過した光は、ステージ１０６の平坦部では垂直方向に反射されるのに対し、溝１０６ａでは斜め方向に反射される。これにより、溝１０６ａの近傍の露光量が変化し、現像後に溝１０６ａの形状がレジストパターンに転写されてしまう。以下、レジストパターンに転写された溝１０６ａの形状をステージ跡という
通常、位置決め用のマーク等を形成する都合上やブラックマトリクスの遮光能力の関係で、青色カラーフィルタ又は赤色カラーフィルタを最初に形成する。一般的にカラーフィルタのＯＤ値は、単色の場合は青色（Ｂ）フィルタが最も大きく、緑色（Ｇ）フィルタのＯＤ値は赤色（Ｒ）フィルタのＯＤ値と同じか、それよりも小さい値となる（Ｂ＞Ｒ≧Ｇ）。また、カラーフィルタを積層した場合は、赤色、緑色及び青色の３色のカラーフィルタを積層した場合のＯＤ値が最も大きく、次に、赤色及び青色の２色のカラーフィルタを積層した場合のＯＤ値が大きく、次に、赤色及び緑色の２色のカラーフィルタを積層した場合のＯＤ値が大きく、青色及び緑色の２色のカラーフィルタを積層した場合のＯＤ値は、赤色及び緑色の２色のカラーフィルタを積層した場合のＯＤ値と同じかそれよりも小さい（ＲＧＢ＞ＲＢ＞ＲＧ≧ＢＧ）。下記表１に、一般的な透過型カラーフィルタを２層以上に積層したときのＯＤ値及び透過率を示す。
【０１００】
【表１】
0004132528.tif 000002
【０１０１】
図２８は、カラーフィルタを積層して構成されたブラックマトリクスの一般的な例を示す図である。このように、ガラス基板１０１上に青色カラーフィルタ１０２Ｂを形成し、次に赤色カラーフィルタ１０２Ｒを形成し、その後緑色カラーフィルタ１０２Ｇを形成している。この場合、青色画素部のエッジは赤色カラーフィルタ１０２Ｒのエッジで決まり、赤色画素部のエッジは青色カラーフィルタ１０２Ｂのエッジで決まり、緑色画素部のエッジも青色カラーフィルタ１０２Ｂのエッジで決まる。
【０１０２】
青色カラーフィルタ１０２Ｂを基板１０１上に最初に形成する場合は、前述したように露光機のステージ１０６の溝１０６ａの影響を青色カラーフィルタ１０２Ｂが受ける。図２８に示す液晶表示装置では、青色カラーフィルタ１０２Ｂのエッジにより赤色画素部及び緑色画素部のエッジが決まるので、赤色画素部及び緑色画素部にステージ跡が発生する。この場合、青色カラーフィルタ１０２Ｂと赤色カラーフィルタ１０２Ｒとの積層体のＯＤ値のほうが青色カラーフィルタ１０２Ｂと緑色カラーフィルタ１０２Ｇとの積層体のＯＤ値よりも大きいので、赤色画素部にステージ跡がより強く発生する。青色画素部では、２層目の赤色カラーフィルタ１０２Ｒにより画素のエッジを決めているので、ステージ跡の影響は殆ど受けない。なお、ステージ跡は、個々の画素ではわかりにくいが、液晶パネル全体で見たときにはっきり見える。
【０１０３】
従来から、ステージ１０６の表面処理を工夫したり、溝位置を工夫することによりステージ跡が残らないようにしているが、基板吸着用の孔等を形成する必要上、ステージ１０６に溝１０６ａを完全になくすことは不可能である。
そこで、本実施の形態においては、露光機のステージ跡が発生しにくい液晶表示装置の製造方法を提供する。
【０１０４】
図２９は第７の実施の形態の液晶表示装置のＣＦ基板の製造方法を示す断面図、図３０は同じくそのＣＦ基板の製造方法を示す平面図である。但し、図３０において、破線は赤色画素部となる領域（以下、単に「赤色画素部」という）、緑色画素部となる領域（以下、単に「緑色画素部」という）及び青色画素部となる領域（以下、単に「青色画素部」という）を示している。
【０１０５】
まず、図２９（ａ），図３０（ａ）に示すように、ガラス基板１０１上に青色顔料を含有したフォトレジストを約１．５μｍの厚さに塗布し、露光及び現像処理を施して、青色画素部（Ｂ）とその周囲、赤色画素部（Ｒ）の周囲、緑色画素部（Ｇ）の周囲、及びマーク形成部（図示せず）の上に青色カラーフィルタ１０２Ｂを形成する。但し、図３０（ａ）に示すように、緑色画素部（Ｇ）の縁部から一定の範囲には青色カラーフィルタ１０２Ｂを形成しない。
【０１０６】
次に、図２９（ｂ），図３０（ｂ）に示すように、ガラス基板１０１上に赤色顔料を含有したフォトレジストを約１．５μｍの厚さに塗布し、露光及び現像処理を施して、赤色画素部（Ｒ）とその周囲、青色画素部（Ｂ）の周囲及び緑色画素部（Ｇ）の上に赤色カラーフィルタ１０２Ｒを形成する。この場合、図２９（ｂ）に示すように、緑色画素部（Ｇ）の周囲では、赤色カラーフィルタ１０２Ｒが青色カラーフィルタ１０２Ｂよりも内側に位置するようにする。
【０１０７】
次に、図２９（ｃ），図３０（ｃ）に示すように、ガラス基板１０１上に緑色顔料を含有したフォトレジストを約１．５μｍの厚さに塗布し、露光及び現像処理を施して、緑色画素部（Ｇ）とその周囲の上に緑色カラーフィルタ１０２Ｇを形成する。これにより、図２９（ｃ）に示すように緑色画素部（Ｇ）の周囲ではカラーフィルタ１０２Ｂ，１０２Ｒ，１２０Ｇが３層に積層され、青色画素部（Ｂ）及び赤色画素部（Ｒ）の周囲ではカラーフィルタ１０２Ｂ，１０２Ｒが２層に積層される。
【０１０８】
次いで、図２９（ｄ）に示すように基板１０１の上側全面にＩＴＯからなるコモン電極１０３を約０．１５μｍの厚さに形成する。また、必要に応じて、第１の実施の形態のようにＣＦ基板上に突起部及びスペーサを形成した後、基板１０１の上側全面に配向膜（図示せず）を形成する。これにより、ＣＦ基板が完成する。
【０１０９】
このようにして形成したＣＦ基板と、ＴＦＴ基板とを接合し、両者の間に液晶を封入する。これにより、液晶表示装置が完成する。
本実施の形態では、図３１に示すように、赤色画素部（Ｒ）のエッジが１層目の青色カラーフィルタ１０２Ｂのエッジで決まるものの、青色画素部（Ｂ）のエッジ及び緑色画素部（Ｇ）のエッジがいずれも２層目の赤色カラーフィルタ１０２Ｒのエッジにより決まる。青色画素部（Ｂ）のエッジは、露光機のステージに溝があったとしても、光が１層目の青色カラーフィルタ１０２Ｂを通過する際に減衰されてしまうため、赤色カラーフィルタ１０２Ｒのパターニング時に溝からの反射光の影響を殆ど受けない。また、緑画素部（Ｇ）のエッジは、赤色カラーフィルタ１０２Ｒのパターニング時に露光機のステージ溝の影響を受けるものの、赤色フィルタ１０２Ｒと緑色フィルタ１０２Ｇとの積層体のＯＤ値が小さく、赤色画素部（Ｒ）のエッジを決めている１層目の青色カラーフィルタ１０２Ｂとは色が異なるため、ステージ跡は目立ちにくい。
【０１１０】
本実施の形態によれば、カラーフィルタを積層してブラックマトリクスを形成するので、Ｃｒ膜や黒色樹脂によりブラックマトリクスを形成する場合に比べて、製造時間の短縮及び製造コストの低減が実現される。また、本実施の形態によれば、画素のエッジを決めるカラーフィルタのパターニング時に、露光機のステージからの反射光の影響を殆ど受けないため、露光機のステージに溝があってもステージ跡が低減した、良好な表示品質の液晶表示装置を製造することができる。
【０１１１】
なお、上記の実施の形態では青色カラーフィルタ１０２Ｂ、赤色カラーフィルタ１０２Ｒ、緑色カラーフィルタ１０２Ｇの順番でカラーフィルタを形成したが、上記のように３色の画素部のうち２色以上の画素部のエッジを２層目のカラーフィルタのエッジで決めるようにすれば、カラーフィルタの形成順序は上記の順番でなくともよい。
【０１１２】
また、 本実施の形態では、請求項８に記載の発明を垂直配向型液晶表示装置に適用した場合について説明したが、これにより本発明の適用範囲が垂直配向型液晶表示装置に限定されるものではなく、本発明は２色以上のカラーフィルタを積層してブラックマトリクスを形成した構造を有するその他の液晶表示装置にも適用することができる。
【０１１３】
更に、本実施の形態では基板１０１としてガラス板を用いた場合について説明したが、アクリル等のようにフォトレジストの感光波長である紫外線（ＵＶ）の吸収率が高い有機材料の板を基板１０１として用いると、基板１０１を通過する光が基板１０１で減衰されるため、溝の影響をより一層低減することができる。また、図３２に示すように、ガラス基板１０１の上にアクリル等のように基板１０１に比べて紫外線を吸収しやすい材料からなるＵＶ吸収膜１０１ａを形成しても、同様の効果が得られる。
【０１１４】
（第８の実施の形態）
図３３は本発明の第８の実施の形態の液晶表示装置のＣＦ基板の製造方法を示す断面図、図３４は同じくそのＣＦ基板の製造方法を示す平面図である。但し、図３４において、破線は赤色画素部、緑色画素部及び青色画素部を示している。まず、図３３（ａ），図３４（ａ）に示すように、ガラス基板１０１上に緑色顔料を含有したフォトレジストを約１．５μｍの厚さに塗布し、露光及び現像処理を施して、緑色画素部（Ｇ）とその周囲、赤色画素部（Ｒ）の周囲、及び青色画素部（Ｂ）の周囲の上に緑色カラーフィルタ１０２Ｇを形成する。但し、図３４（ａ）に示すように、赤色画素部（Ｒ）の縁部から一定の範囲には緑色カラーフィルタ１０２Ｇを形成しない。
【０１１５】
次に、図３３（ｂ），図３４（ｂ）に示すようにガラス基板１０１の上に赤色顔料を含有したフォトレジストを約１．５μｍの厚さに塗布し、露光及び現像処理を施して、赤色画素部（Ｒ）とその周囲、青色画素部（Ｂ）の周囲及び緑色画素部（Ｇ）の上に赤色カラーフィルタ１０２Ｒを形成する。この場合に、図３４（ｂ）に示すように、青色画素部（Ｂ）の縁部から一定の範囲には赤色カラーフィルタ１０２Ｒを形成しない。
【０１１６】
次に，図３３（ｃ），図３４（ｃ）に示すようにガラス基板１０１の上に青色顔料を含有したフォトレジストを約１．５μｍの厚さに塗布し、露光及び現像処理を施して、青色画素部（Ｂ）とその周囲、緑色画素部（Ｇ）の周囲及び赤色画素部（Ｒ）の上に青色カラーフィルタ１０２Ｂを形成する。この場合に、図３４（ｃ）に示すように、緑色画素部（Ｇ）の縁部から一定の範囲には青色カラーフィルタ１０２Ｂを形成しない。
【０１１７】
次いで、第７の実施の形態と同様にしてガラス基板１０１の上側全面にＩＴＯからなるコモン電極を形成する。その後、必要に応じてスペーサ及び突起部を形成した後、ガラス基板１０１の上側全面に配向膜を形成する。これにより、ＣＦ基板が完成する。そして、ＣＦ基板と、 別個に形成したＴＦＴ基板とを接続し、両者の間に液晶を封入する。これにより，液晶表示装置が完成する。
【０１１８】
本実施の形態では、図３５に示すように、緑色画素部（Ｇ）のエッジが２層目の赤色カラーフィルタ１０２Ｒのエッジで決まり、赤色画素部（Ｒ）のエッジが２層目の青色カラーフィルタ１０２Ｂのエッジで決まり、青色画素部（Ｂ）のエッジが１層目の緑色カラーフィルタ１０２Ｇのエッジで決まる。このように、緑色画素部（Ｇ）及び赤色画素部（Ｒ）では２層目のカラーフィルタのエッジにより画素部のエッジが決まるので、露光機のステージからの反射光の影響が少なく、ステージの溝からの反射光に起因するステージ跡が回避される。また、青色画素部では１層目の緑色カラーフィルタ１０２Ｇにより画素部のエッジが決まるが、第７の実施の形態で述べたように、緑色フィルタ１０２Ｇと青色フィルタ１０２Ｂとの積層体のＯＤ値は小さいので、ステージ跡が目立ちにくい。
【０１１９】
なお、緑色カラーフィルタ及び赤色カラーフィルタの材料となるレジスト中にＵＶを吸収する材料（例えば、ＨＡＬＳ（ヒンダードアミンライトスタビライザー等）を添加することにより、ステージからの反射光の影響をより一層低減することができる。また、第７の実施の形態で述べたように、基板１０１としてアクリル樹脂の板を使用してもよく、ガラス基板の上にアクリル等の樹脂を塗布したもの用いてもよい。
【０１２０】
また、上記の実施の形態では緑色カラーフィルタ、赤色カラーフィルタ及び青色カラーフィルタの順にカラーフィルタを形成したが、赤色カラーフィルタと青色カラーフィルタの形成順を入れ替えてもよい。
更に、ノーマリーブラック型液晶表示装置のようにブラックマトリクスに要求されるＯＤ値が比較的低くてもよい液晶表示装置では、画素部のエッジを図３５の（ｉ）で示す位置とし、ノーマリーホワイト型液晶表示装置のようにブラックマトリクスに要求されるＯＤ値が比較的高い液晶表示装置では、画素部のエッジを図３５の（ii）で示す位置とすることで、種々の液晶パネルに対応することができる。
【０１２１】
更にまた、 図３６に示すように、緑色画素部のエッジ部まで青色カラーフィルタ１０２Ｂを延び出すようにしてもよい。
（第９の実施の形態）
以下、本発明の第９の実施の形態について説明する。液晶表示装置内に封入された液晶は、温度変化による熱膨張又は熱収縮により体積が変化する。例えば、液晶表示装置を常温から−２０℃の環境下におき、更に６０℃の温度に変化させる環境試験を実施すると、液晶の体積は、±０．１μｍのセルギャップに相当する分だけ変化する。
【０１２２】
スペーサの弾性力が液晶の熱収縮に追従できない場合は液晶の圧力が低下し、極端な場合は液晶表示装置（液晶パネル）内に気泡が発生する。また、一般的に液晶を注入した直後はセル内の圧力が大気圧よりも低いためスペーサが圧縮されるが、液晶が熱膨張したときにスペーサの弾性力がセルギャップの変化に追従できないと、スペーサと基板との間に隙間が生じて、セルギャップにばらつきが発生する。従って、スペーサには圧力に応じて変形する弾性力が要求される。
【０１２３】
一方、液晶表示装置の製造工程において、オートクレーブにより液晶パネルの全体に約５気圧の圧力が印加される。また、液晶表示装置の使用時にユーザが指等で部分的に高い圧力を印加する（いわゆる面押し）ことが考えられる。このように、液晶表示装置に高い圧力が印加されると、スペーサが塑性変形して、元の形状に戻らなくなってしまう。更に、液晶表示装置に高い圧力が加えられると、ＴＦＴ基板側の画素電極とＣＦ基板側のコモン電極とが短絡することも考えられる。従って、スペーサの過剰な変形を防止することが必要である。
【０１２４】
そこで、本実施の形態では、温度変化による液晶の圧力変化及びセルギャップのばらつきを回避し、かつ、高い圧力を加えられてもスペーサの過剰な変形を防止できて、良好な表示品質を得ることができる液晶表示装置を提供する。
図３７は第９の実施の液晶表示装置のＣＦ基板の平面図、図３８は同じくそのブラックマトリクス２２２に沿った位置における断面図である。なお、図３７において、□印は高さが高いスペーサ２２５ａ、○印は高さが低いスペーサ２２５ｂの位置を示している。
【０１２５】
本実施の形態の液晶表示装置は、ＴＦＴ基板２１０と、ＣＦ基板２２０と、これらのＴＦＴ基板２１０及びＣＦ基板２２０の間に封入された液晶２１９とにより構成されている。
ＴＦＴ基板２１０は、以下のように構成されている。すなわち、ガラス基板２１１の上には、第１の実施の形態と同様に、ゲートバスライン（図示せず）、データバスライン（図示せず）及びＴＦＴ（図示せず）が形成されており、それらの上には絶縁膜（図示せず）を介して、ＩＴＯからなる画素電極２１６が形成されている。また、ガラス基板２１１の上側には配向膜２１７が形成されており、この配向膜２１７により画素電極２１６の表面が覆われている。
【０１２６】
一方、ＣＦ基板２２０は、以下のように構成されている。すなわち、ガラス基板２２１の下面側には、ブラックマトリクス２２２が形成されており、ブラックマトリクス２２２の開口部、すなわち各画素領域に対応してＲＧＢのカラーフィルタ２２３Ｒ，２２３Ｇ，２２３Ｂが形成されている。また、カラーフィルタ２２３Ｒ，２２３Ｇ，２２３Ｂの下には、ＩＴＯからなるコモン電極２２４が形成されている。コモン電極２２４の下側には、樹脂からなるスペーサ２２５ａ，２２５ｂが形成されている。これらのスペーサ２２５ａ，２２５ｂは、ＴＦＴ基板２１０側のゲートバスラインとデータバスラインとが交差する位置に対応する位置に配置されている。また、この例では、図３７，図３８に示すように、高さが高いスペーサ２２５ａと、高さが低いスペーサ２２５ｂとが交互に配置されている。更に、基板２２１の下面側には配向膜２２６が形成されており、この配向膜２２６によりコモン電極２２４及びスペーサ２２５ａ，２２５ｂの表面が覆われている。
【０１２７】
本実施の液晶表示装置では、図３８に示すように、常温の状態で、スペーサ２２５ａの先端部分がＴＦＴ基板２１０に接触し、スペーサ２２５ｂの先端部分がＴＦＴ基板２１０から離れている。この例では、スペーサ２２５ａの高さ（コモン電極２２４の表面からの高さ）が４μｍ、スペーサ２２５ｂの高さ（コモン電極２２４の表面からの高さ）が３．８μｍである。
【０１２８】
以下、温度変化及び圧力に印加によるスペーサの変形について説明する。
セル内の圧力が１気圧よりも低い場合は、スペーサ２２５ａに圧縮荷重がかかる。圧縮荷重が小さい場合は、スペーサ２２５ａにのみ荷重がかかり、スペーサ２２５ｂには荷重がかからない。従って、スペーサ２２５ａのみが弾性的に変形し、圧力の変化に対応する。この場合、スペーサ２２５ａの分布密度、断面積及び材質を適宜選択することにより、圧力に対するスペーサ２２５ａの変形量を調整することができる。
【０１２９】
液晶表示装置に部分的に大きな圧力が加えられた場合や、オートクレーブで液晶表示装置の全体に大きな圧力が変えられた場合は、セルギャップが小さくなり、スペーサ２２５ａに加えてスペーサ２２５ｂもＴＦＴ基板２１０に接触する。これにより、圧力がスペーサ２２５ａ及び２２５ｂに分散されるので、スペーサ２２５ａ，２２５ｂの過度の変形が防止される。
【０１３０】
図３９は、横軸に圧縮荷重（気圧）をとり、縦軸にセルギャップをとって、圧縮荷重に対するセルギャップの変化を示す図である。但し、図３９には、高さが均一（４μｍ）のスペーサが３画素に１つの割合で設けられている場合（密度＝１／３と表記）の例、高さが均一（４μｍ）のスペーサが２４画素に１つの割合で設けられている場合（密度＝１／２４と表記）の例、及び高さが４μｍのスペーサが２４画素に１つの割合が設けられており、かつ高さが３．８μｍのスペーサが３画素に１つの割合で設けられている場合の例（密度＝１／２４＋１／３と表記）を示している。この図３９からわかるように、密度＝１／２４＋１／３の場合は、圧縮荷重が１気圧以下の範囲では密度＝１／２４の場合と同様に、セルギャップの変化に柔軟に追従することができる。また、圧縮荷重が大きい範囲（１気圧以上）では、密度＝１／３の場合と同様に、圧力変化に対するセルギャップの変化の割合が小さくなる。
【０１３１】
以下、本実施の形態の液晶表示装置の製造方法について説明する。
図４０，図４１は、本実施の形態の液晶表示装置のＣＦ基板の製造方法を示す断面図である。
まず、図４０（ａ）に示すように、ガラス基板２２１の上側全面にＣｒ膜を０．１５μｍの厚さに形成し、フォトリソグラフィ法により該Ｃｒ膜をパターニングして、ブラックマトリクス２２２を形成する。
【０１３２】
次に，図４０（ｂ）に示すように、ガラス基板２２１の上側全面に青色顔料を分散したアクリル系レジスト（ネガ型フォトレジスト）をスピンコート法により塗布し、露光及び現像工程を経て、青色画素部及びその周囲のブラックマトリクス２２２の上に青色（Ｂ）カラーフィルタ２２３Ｂを形成する。
次に、図４０（ｃ）に示すように、ガラス基板２２１の上側全面に赤色顔料を分散したアクリル系レジスト（ネガ型フォトレジスト）をスピンコート法により塗布し、露光及び現像工程を経て、赤色画素部及びその周囲のブラックマトリクス２２２の上に赤色（Ｒ）カラーフィルタ２２３Ｒを形成する。
【０１３３】
次に、図４０（ｄ）に示すように、ガラス基板２２１の上側全面に緑色顔料を分散したアクリル系レジスト（ネガ型フォトレジスト）をスピンコート法により塗布し、露光及び現像工程を経て、緑色画素部及びその周囲のブラックマトリクス２２２の上に緑色（Ｇ）カラーフィルタ２２３Ｇを形成する。
次に、図４１（ａ）に示すように、スパッタ法により、ガラス基板２２１の上側全面にＩＴＯからなるコモン電極２２４を約０．１５μｍの厚さに形成し、このコモン電極２２４によりカラーフィルタ２２３Ｒ，２２３Ｇ，２２３Ｂの表面を覆う。
【０１３４】
次に、図４１（ｂ）に示すように、スピンコート法によりガラス基板２２１の上にアクリル系ネガ型フォトレジストを塗布し、露光及び現像工程を経て、高さが約４μｍのスペーサ２２５ａを形成する。図４１（ｂ）では、スペーサ２２５ａが３画素に１つの割合で形成されている場合を図示しているが、前述のように、２４画素に１つの割合で形成してもよい。但し、スペーサ２２５ａは、ＴＦＴ基板側のゲートバスラインとデータバスラインとが交差する部分に対応する位置に形成する。
【０１３５】
次に、図４１（ｃ）に示すように、スピンコート法によりガラス基板２２１の上側にアクリル系ネガ型フォトレジストを塗布し、露光及び現像工程を経て、高さが約３．８μｍのスペーサ２２５ａを形成する。図４１（ｃ）では、スペーサ２２５ｂが３画素に２つの割合で形成されている場合を図示しているが、前述したように、３画素に１つの割合で形成してもよい。但し、スペーサ２２５ｂは、ＴＦＴ基板側のゲートバスラインとデータバスラインとが交差する部分に対応する位置であって、かつ、スペーサ２２５ａが形成されていない位置に形成する。この場合、スペーサ２２５ａとスペーサ２２５ｂとを同じ材料により形成してもよいし、スペーサ２２５ａを圧縮強度が比較的低い（すなわち、弾力性が大きい）樹脂により形成し、スペーサ２２５ｂを圧縮強度が比較的高い樹脂により形成してもよい。また、スペーサ２２５ａの分布密度とスペーサ２２５ｂの分布密度は、要求される仕様に応じて適宜設定する。
【０１３６】
その後、全面にポリイミドからなる配向膜を形成し、その配向膜によりコモン電極２２４及びスペーサ２２５ａ，２２５ｂの表面を覆う。これにより、ＣＦ基板が完成する。
一方、ＴＦＴ基板は、例えば第１の実施の形態と同様に形成することができる（図１〜図３参照）。すなわち、ガラス基板２１１上に金属膜を形成し、その金属膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングして、ゲートバスライン及び蓄積容量バスラインを形成する。その後、全面に絶縁膜を形成し、その上にＴＦＴの活性層となるシリコン膜を形成する。
【０１３７】
次に、全面に絶縁膜を形成する。その後、絶縁膜上に金属膜を形成し、その金属膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングして、データバスライン、ソース電極及びドレイン電極を形成する。
次いで、基板２１１の上側全面に絶縁膜を形成し、その絶縁膜上にＩＴＯ膜を形成する。そして、ＩＴＯ膜をパターニングし、画素電極２１６を形成する。その後、全面に配向膜２１７を形成する。これにより、ＴＦＴ基板が完成する。
【０１３８】
このようにして形成したＣＦ基板２２０とＴＦＴ基板２１０とを貼り合わせ、両者の間に液晶２２９を封入する。これにより、本実施の形態の液晶表示装置が完成する。
なお、上記の例では、スペーサ２２５ａ，２２５ｂの材料としてアクリル樹脂を使用した場合について説明したが、スペーサ２２５ａ，２２５ｂの材料はこれに限定されるものではなく、ポリイミド系樹脂、シリカ系樹脂、エポキシ系樹脂又はノボラック樹脂等により形成してもよい。ポリイミドのように非感光性樹脂を使用する場合は、ガラス基板２２１上に非感光性樹脂膜を形成した後、該非感光性樹脂膜をフォトレジスト法を用いてパターニングする。
【０１３９】
また、上記の例ではスペーサ２２５ａ，２２５ｂをいずれもＣＦ基板側に形成する場合について説明したが、ＴＦＴ基板側にスペーサ２２５ａ，２２５ｂを形成してもよく、スペーサ２２５ａ，２２５ｂのいずれか一方をＴＦＴ基板側に形成し、他方をＣＦ基板側に形成してもよい。
更に、本実施の形態においてはＴＮ型液晶表示装置について説明したが、これにより本発明の適用範囲がＴＮ型液晶表示装置に限定されるものではない。本発明は、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic ）型液晶表示装置、ＭＶＡ（Multi Vartical Alignment）型液晶表示装置及びＩＰＳ（In-Panel Switching）型液晶表示装置、強誘電型液晶表示装置及び反強誘電型液晶表示装置等に適用することもできる。
【０１４０】
以下、スペーサの好適な分布密度について考察した結果について説明する。
図４２に示すようにポリイミドからなる３色のカラーフィルタ２２３Ｒ，２２３Ｇ，２２３Ｂ、ＩＴＯからなるコモン電極２２４、及びノボラック樹脂膜２２８が積層されてなるスペーサに対して、圧縮変位を測定すると図４３に示すようになる。ここで、スペーサ上部の面積は５００μｍ2 であり、ブラックマトリクスは３色のカラーフィルタ２２３Ｒ，２２３Ｇ，２２３Ｂを積層して形成している。
【０１４１】
このような構造の場合、最大荷重が５０ｍＮ程度では変位ヒステリシスが小さいとして液晶パネルの圧縮荷重に対する変異量を計算すると、図４４の曲線が得られる。
液晶注入量をコントロールして液晶パネルのセル内圧を０．７気圧とした場合、スペーサには通常状態で０．３気圧程度の荷重がかかっている。外部温度が２５℃から−２５℃、又は２５℃から６０℃に変化したときの液晶の体積の変化をセルギャップに換算すると、約０．１μｍとなる。つまり、荷重が小さい初期変位では、圧縮荷重が０．３気圧での変位を中心に±０．１μｍ程度変位可能でなければならない。このように，荷重が小さいときは、スペーサが変位しやすい傾向がよく、上記のスペーサでは図４４よりスペーサの密度が１／６（６画素に１つの割合）以下に密度の上限が制限される。
【０１４２】
一方、荷重が大きい面押しに対する耐性をもたせるためには、樹脂の変位ヒステリシスが最大変位の１０％程度であるため、荷重が大きい領域では変位を抑える必要がある。実際の面押し加圧は２気圧程度であり，表示むらを起こさないためには圧縮荷重が０．３から２気圧までの変化で、０．５μｍ以下の変位量であればよい。これにより、スペーサ密度の下限が制限され、図４４により密度１／１２（１２画素に１つの割合）以上となる。
【０１４３】
これに対し、オートクレーブでは、セル内の体積を５％減少させて気泡を消去するために，スペーサは０．２μｍ程度圧縮されなければならない。オートクレーブでは、５気圧程度の荷重を液晶パネルにかけるが、液晶が密閉されていることや表示部周辺にシール材があることから、実際にスペーサにかかる荷重は１／２程度であると考えられる。そうすると、変位量を０．５μｍ以下とするためには、スペーサの密度を１／６（６画素の１つの割合）以下とすることが必要である。
【０１４４】
以上から、スペーサには、荷重の小さい領域では変位しやすく、荷重が大きい領域では変位しにくいことが求められる。
本実施の形態のように、高さが異なるスペーサを形成することによりこの要求を満たすことができる。高さが４．０μｍ、密度が１／１２の第１のスペーサと、高さが３．７μｍ、密度が１／６の第２のスペーサとを形成したときの変位を、図４４に「Hybrid」で示す。このように、スペーサの構造によって圧縮荷重が０〜１気圧までは変位が大きく、１気圧以上の荷重では変位量が比較的小さくなり、スペーサとして好ましい特性を実現することができる。
【０１４５】
（第１０の実施の形態）
図４５は本発明の第１０の実施の形態の液晶表示装置の断面図である。なお，本実施の形態が第９の実施の形態と異なる点はスペーサの構造が異なることにあり、その他の構成は基本的に第９の実施の形態と同様であるので、図４５において、図３８と同一物には同一符号を付してその詳しい説明は省略する。
【０１４６】
ガラス基板２２１の下面側にはブラックマトリクス２２２が形成されており、ブラックマトリクス２２２の開口部、すなわち各画素領域に対応してＲＧＢのカラーフィルタ２２３Ｒ，２２３Ｇ，２２３Ｂが形成されている。また、カラーフィルタ２２３Ｒ，２２３Ｇ，２２３Ｂの下には、ＩＴＯからなるコモン電極２２４が形成されている。コモン電極２２４の下側には、樹脂膜２２５ｃ，２２５ｄからなる２層構造のスペーサ２２５が形成されている。樹脂膜２２５ｃ，２２５ｄは、弾性力が相互に異なる材料からなる。例えば、樹脂膜２２５ｃは比較的圧縮強度が高い（弾性力が小さい）アクリル樹脂からなり、樹脂膜２２５ｄは比較的圧縮強度が小さい（弾性力が大きい）アクリル樹脂からなる。また、スペーサ２２５は、ＴＦＴ基板２１０側のゲートバスラインとデータバスラインとの交差する部分に形成されている。この図４５では、スペーサ２２５が１画素に１つの割合で形成されている場合を示しているが、数画素毎に１つの割合で形成されていてもよい。
【０１４７】
また、基板２２１の下面側には配向膜２２６が形成されており、この配向膜２２６によりコモン電極２２４及びスペーサ２２５の表面が覆われている。スペーサ２２５の先端部分がＴＦＴ基板２１０に接触して、ＴＦＴ基板２１０とＣＦ基板２２０との間のセルギャップが均一の厚さに保持される。
本実施の形態では、スペーサ２２５が、弾性力が小さい樹脂膜２２５ｃと弾性力が大きい樹脂膜２２５ｄとの２層構造からなる。従って、圧縮応力が比較的小さいときは主に樹脂膜２２５ｄが弾性変形し、セルギャップの変化に追従する。また、大きな圧縮応力が印加されると、樹脂膜２２５ｄだけでなく樹脂膜２２５ｃにも応力が印加される。しかしながら、樹脂膜２２５ｄは弾性力が小さいので、圧縮応力に対する変形量が少ない。これにより、過剰な応力によりスペーサ２２５が過度の変形されることが回避される。この例でも、第９の実施の形態と同様の効果が得られる。
【０１４８】
図４６，図４７は本実施の形態の液晶表示装置のＣＦ基板２２０の製造方法を示す断面図である。
まず、図４６（ａ）に示すように、ガラス基板２２１の上側全面にＣｒ膜を０．１５μｍの厚さに形成し、フォトリソグラフィ法により該Ｃｒ膜をパターニングして、ブラックマトリクス２２２を形成する。
【０１４９】
次に，図４６（ｂ）に示すように、ガラス基板２２１の上側全面に青色顔料を分散したアクリル系レジスト（ネガ型フォトレジスト）をスピンコート法により塗布し、露光及び現像工程を経て、青色画素部及びその周囲のブラックマトリクス２２２の上に青色（Ｂ）カラーフィルタ２２３Ｂを形成する。
次に、図４６（ｃ）に示すように、ガラス基板２２１の上側全面に赤色顔料を分散したアクリル系レジスト（ネガ型フォトレジスト）をスピンコート法により塗布し、露光及び現像工程を経て、赤色画素部及びその周囲のブラックマトリクス２２２の上に赤色（Ｒ）カラーフィルタ２２３Ｒを形成する。
【０１５０】
次に、図４６（ｄ）に示すように、ガラス基板２２１の上側全面に緑色顔料を分散したアクリル系レジスト（ネガ型フォトレジスト）をスピンコート法により塗布し、露光及び現像工程を経て、緑色画素部及びその周囲のブラックマトリクス２２２の上に緑色（Ｇ）カラーフィルタ２２３Ｇを形成する。
次に、図４７（ａ）に示すように、スパッタ法により、ガラス基板２２１の上側全面にＩＴＯからなるコモン電極２２４を約０．１５μｍの厚さに形成し、このコモン電極２２４でカラーフィルタ２２３Ｒ，２２３Ｇ，２２３Ｂの表面を覆う。
【０１５１】
次に，図４７（ｂ）に示すように、スピンコート法によりガラス基板２２１の上にアクリル系ネガ型フォトレジスト膜を形成し、露光及び現像工程を経て、高さが約２．０μｍの樹脂膜２２５ｃを形成する。図４７（ｂ）では、樹脂膜２２５ｃが１画素に１つの割合で形成されている場合を図示しているが、数画素に１つの割合で形成してもよい。但し、樹脂膜２２５ｃは、ＴＦＴ基板側のゲートバスラインとデータバスラインとが交差する部分に対応する位置に形成する。
【０１５２】
次に、図４７（ｃ）に示すように、スピンコート法によりガラス基板２２１の上側にアクリル系ネガ型フォトレジスト膜を形成し、露光及び現像工程を経て、樹脂膜２２５ｃの上に高さが約２．０μｍの樹脂膜２２５ｄを形成する。これにより、樹脂膜２２５ｃ，２２５ｄの積層構造からなるスペーサ２５５が形成される。この場合、樹脂膜２２５ｄは樹脂膜２２５ｃに比べて弾力性が大きい材料からなる。また、樹脂膜２２５ｃ，２２５ｄの弾力性及び各樹脂膜２２５ｃ，２２５ｄの厚さ及びスペーサ２２５の分布密度は、要求される仕様に応じて適宜設定する。
【０１５３】
その後、ガラス基板２２１の上側全面にポリイミドからなる配向膜を形成し、その配向膜によりコモン電極２２４及びスペーサ２２５の表面を覆う。これにより、ＣＦ基板が完成する。
なお、上記の例では樹脂膜２２５ｃ，２２５ｄをいずれもＣＦ基板側に形成する場合について説明したが、樹脂膜２２５ｃ，２２５ｄをＴＦＴ基板側に形成してもよく、樹脂膜２２５ｃ，２２５ｄの一方をＣＦ基板側に形成し、他方をＴＦＴ基板側に形成してもよい。
【０１５４】
（第１１の実施の形態）
図４８は本発明の第１１の実施の形態の液晶表示装置（ＭＶＡ型液晶表示装置）の平面図、図４９は同じくその液晶表示装置の断面図である。
本実施の形態の液晶表示装置は、ＴＦＴ基板２３０と、ＣＦ基板２４０と、これらの基板２３０，２４０間に封入された垂直配向型液晶２５９とにより構成されている。
【０１５５】
ＴＦＴ基板２３０は、第１の実施の形態と同様に形成されている（図１参照）。すなわち、ガラス基板２３１の上には、ゲートバスライン（図示せず）、データバスライン（図示せず）、蓄積容量バスライン（図示せず）及びＴＦＴ（図示せず）が形成されており、それらの上には絶縁膜（図示せず）を介してＩＴＯからなる画素電極２３６が形成されている。この画素電極２３６には、第１の実施の形態と同様にスリット（図示せず）が設けられている。また、ガラス基板２３１の上側には配向膜２３７が形成されており、この配向膜２３７により画素電極２３６の表面が覆われている。
【０１５６】
一方、ＣＦ基板２４０は、以下のように構成されている。すなわち、ガラス基板２４１の下面側には、ブラックマトリクス２４２が形成されている。このブラックマトリクス２４２は、ＴＦＴ基板２３０側のゲートバスライン、データバスライン及び蓄積容量バスラインに対応する領域に形成されている。
また、ガラス基板２４１の下面側には、ブラックマトリクス２４２の開口部、すなわち各画素領域に対応してＲＧＢのカラーフィルタ２４３Ｒ，２４３Ｇ，２４３Ｂが形成されている。この実施の形態では、図４９に示すように、ブラックマトリクス２４２に下側に、カラーフィルタ２４３Ｒ，２４３Ｇ，２４３Ｂがそれぞれ３層に積層されている。
【０１５７】
更に、カラーフィルタ２４３Ｒ，２４３Ｇ，２４３Ｂの下側には、ドメイン規制用突起部２４６ａが図４８に示すようにジグザグに形成されている。また、ゲートバスラインとデータバスラインとが交差する部分には、３画素に１つの割合で樹脂膜２４６ｂが設けられている。この樹脂膜２４６ｂは、後述するように、突起部２４６ａと同一のレジスト膜から同時に形成されたものである。
【０１５８】
更にまた、ゲートバスラインとデータバスラインとが交差する部分には、それぞれ樹脂膜２４７が形成されている。図４８に示すスペーサ２５１は、ブラックマトリクス２４２の下方に積層されたカラーフィルタ２４３Ｒ，２４３Ｇ，２４３Ｂと、樹脂膜２４ｂと樹脂膜２４７とにより構成される。また、図４８に示すスペーサ２５２は、ブラックマトリクス２４２の下方に積層されたカラーフィルタ２４３Ｒ，２４３Ｇ，２４３Ｂと、樹脂膜２４７とにより構成される。
【０１５９】
ガラス基板２４１の下面側には配向膜２４８が形成されており、この配向膜２４８によりコモン電極２４５、突起部２４６ａ及びスペーサ２５１，２５２の表面が覆われている。また、本実施の形態においては、常温の状態で、スペーサ２５１の先端部分がＴＦＴ基板２３０に接触しており、スペーサ２５２の先端部分はＴＦＴ基板２３０から離れている。
【０１６０】
本実施の形態においても、高さが異なる２種類のスペーサ２５１，２５２によりセルギャップの変化に対応するので、第９の実施の形態と同様の効果が得られる。
図５０，図５１は本実施の形態の液晶表示装置のＣＦ基板の製造方法を示す図である。
【０１６１】
まず、図５０（ａ）に示すように、ガラス基板２４１の上に低反射Ｃｒ膜を０．１５μｍの厚さに形成し、その上にポジ型ノボラック系レジスト（図示せず）を約１．５μｍの厚さに形成する。そして、露光工程及び現像工程を経てレジストをパターニングし、このレジストをマスクとしてＣｒ膜をエッチングすることによりブラックマトリクス２４２を形成する。その後、レジストを除去する。
【０１６２】
次に、図５０（ｂ）に示すように、ガラス基板２４１の上側全面に青色の顔料分散型レジストをスピンコート法により塗布し、露光及び現像工程を経て、青色画素部及びスペーサ形成部に、厚さが１．５μｍの青色（Ｂ）カラーフィルタ２４３Ｂを形成する。
次に、図５０（ｃ）に示すように、ガラス基板２４１の上側全面に赤色の顔料分散型レジストをスピンコード法により塗布し、露光及び現像工程を経て、赤色画素部及びスペーサ形成部に、厚さが１．５μｍの赤色（Ｒ）カラーフィルタ２４３Ｒを形成する。但し、スペーサ形成部では、カラーフィルタ２４３Ｒの厚さはこれよりも薄くなる。
【０１６３】
次に、図５０（ｄ）に示すように、ガラス基板２４１の上側全面に緑色の顔料分散型レジストをスピンコート法により塗布し、露光及び現像工程を経て、緑色画素部及びスペーサ形成部に、厚さが約１．５μｍの緑色（Ｇ）カラーフィルタ２４３Ｇを形成する。但し、スペーサ形成部では、カラーフィルタ２４３Ｇの厚さはこれよりも薄くなる。
【０１６４】
次に、図５１（ａ）に示すように、ガラス基板２４１の上側全面にＩＴＯをスパッタして、約０．１５μｍの厚さのコモン電極２４５を形成する。
その後、スピンコート法により、コモン電極２４５の上にポジ型ノボラック系レジストを約１．５μｍの厚さに塗布する。そして、このレジストを露光及び現像処理して、所定のパターン（突起部２４６ａのパターン及びスペーサ２５１のパターン）にレジストを残す。その後レジストパターンを２００℃の温度でポストベークする。このようにして、図５１（ｂ）に示すように、基板２４１の上側に突起部２４６ａ及び樹脂膜２４６ｂが形成される。この場合、カラーフィルタ２４３Ｂ，２４３Ｒ，２４３Ｇの積層分の高さ（画素部のカラーフィルタの表面からの高さ）は、１．７μｍ程度となり、その上に形成される樹脂膜２４６ｂの高さ（厚さ）は、レベリングにより０．４μｍ程度となる。
【０１６５】
次いで、スピンコート法により、基板２４１の上側全面にポジ型ノボラック系レジストを約３μｍの厚さに塗布する。そして、このレジストを露光及び現像処理して、所定のパターン（スペーサ２５１，２５２のパターン）にレジストを残す。このようにして、図５１（ｃ）に示すように、ガラス基板２４１の上側に樹脂膜２４７が形成される。
【０１６６】
その後、基板２４１の上側全面に配向膜２４８を形成する。これにより、ＣＦ基板が完成する。
ＴＦＴ基板２３０の製造方法は第１の実施の形態と同様であるので、ここでは説明を省略する。
上記の方法によれば、高さが約０．４μｍ異なる２種類のスペーサ２５１，２５２を比較的容易に形成することができる。
【０１６７】
なお、上記の例ではブラックマトリクス２４２を低反射Ｃｒ膜により形成した場合について説明したが、黒色樹脂（厚さ約１．０μｍ）によりブラックマトリクスを形成してもよい。また、上記の例ではスペーサ形成部にいずれもカラーフィルタ２４３Ｂ．２４３Ｒ，２４３Ｇを３層に積層した場合について説明したが、所定のセルギャップを確保することができるのであれば、スペーサ部のフィルタは１層でも２層でもよい。
【０１６８】
また、カラーフィルタの積層数を変えることにより、高さが異なる２種類のスペーサを形成してもよい。この方法は、ドメイン規制用突起部を有しないＴＮ型液晶表示装置等に適用することができる。
（第１２の実施の形態）
以下、本発明の第１２の実施の形態の液晶表示装置の製造方法について説明する。但し、本実施の形態が第９の実施の形態と異なる点はＣＦ基板の製造方法が異なることにあるので、重複する部分の説明は省略する。
【０１６９】
図５２，図５３は第１２の実施の形態の液晶表示装置のＣＦ基板の製造方法を示す断面図である。また、図５４はＣＦ基板の模式的平面図である。図５４において、□印は通常時にＴＦＴ基板と接触するスペーサ（高さが高いスペーサ）、○印は通常時にＴＦＴ基板に接触しないスペーサ（高さが低いスペーサ）の位置を示している。
【０１７０】
まず、図５２（ａ）に示すように、ガラス基板２６１の上側全面にＣｒ膜を０．１５μｍの厚さに形成し、フォトリソグラフィ法により該Ｃｒ膜をパターニングして、ブラックマトリクス２６２を形成する。
次に，図５２（ｂ）に示すように、ガラス基板２６１の上側全面に青色顔料を分散したアクリル系レジスト（ネガ型フォトレジスト）をスピンコート法により塗布し、露光及び現像工程を経て、青色画素部に青色（Ｂ）カラーフィルタ２６３Ｂを形成する。このとき、３画素に１つの割合で、ブラックマトリクス２６２の上にもカラーフィルタ２６３Ｂを形成しておく。この例では、青色画素部と赤色画素部との間のブラックマトリクス２６２の上にカラーフィルタ２６３Ｂを形成している。
【０１７１】
次に、図５２（ｃ）に示すように、ガラス基板２２１の上側全面に赤色顔料を分散したアクリル系レジスト（ネガ型フォトレジスト）をスピンコート法により塗布し、露光及び現像工程を経て、赤色画素部に赤色（Ｒ）カラーフィルタ２６３Ｒを形成する。この場合、ブラックマトリクス２６２の上にはカラーフィルタ２６３Ｒが残らないようにする。
【０１７２】
次に、図５２（ｄ）に示すように、ガラス基板２６１の上側全面に緑色顔料を分散したアクリル系レジスト（ネガ型フォトレジスト）をスピンコート法により塗布し、露光及び現像工程を経て、緑色画素部に緑色（Ｇ）カラーフィルタ２６３Ｇを形成する。この場合も、ブラックマトリクス２６２の上にはカラーフィルタ２６３Ｇが残らないようにする。
【０１７３】
次に、図５３（ａ）に示すように、スパッタ法により、ガラス基板２６１の上側全面にＩＴＯを約０．１５μｍの厚さに堆積して、コモン電極２６４を形成する。
次に、図５３（ｂ）に示すように、スピンコート法によりガラス基板２６１の上に、厚さが例えば４μｍのフォトレジスト膜２６５を形成する。この場合、青色画素部と赤色画素部との間のブラックマトリクス２６２の上にはカラーフィルタ２６３Ｂが形成されているのに対し、赤色画素部と緑色画素部との間のブラックマトリクス２６２及び緑色画素部と青色画素部との間のブラックマトリクス２６２の上にはカラーフィルタが形成されていないので、レジスト膜２６２の表面には段差が生じる。
【０１７４】
その後、露光及び現像工程を経てレジスト膜２６５をパターニングし、図５３（ｃ）に示すように、ブラックマトリクス２６２の上方にスペーサ２６５ａを形成する。この場合、青色画素部と赤色画素部との間のスペーサ２６５ａは、赤色画素部と緑色画素部との間、及び緑色画素部と青色画素部との間のスペーサ２６５ａに比べて、カラーフィルタ２２３Ｒ，２２３Ｇとブラックマトリクス２６２との間の段差に相当する分だけ高さが異なる。このようにして、高さが異なるスペーサを同一材料から同時に形成することができる。
【０１７５】
その後、基板２６１の上側全面に配向膜（図示せず）を形成し、この配向膜によりＣＦ基板２６４及びスペーサ２６５ａの表面を覆う。本実施の形態においても、第９の実施の形態と同様の効果が得られる。
（第１３の実施の形態）
以下、本発明の第１３の実施の形態について説明する。本実施の形態では、スペーサの分布密度がｎ（個／ｃｍ2 ）、前記スペーサ１つあたりに９．８／ｎ（Ｎ）の力を加えたときの変位量をｘとし、前記一対の基板間の平均間隔をｄとし、６０℃における前記液晶の密度をｑ60（ｇ／ｃｍ3 ）、−２０℃における前記液晶の密度をｑ-20 （ｇ／ｃｍ3 ）としたときに、荷重に対する変位量が下記式（１）で示す不等式を満たすように、スペーサを形成する。
【０１７６】
ｘ／ｄ＞（１／ｑ60−１／ｑ-20 ）／（１／ｑ60）  …（１）
また、−２０℃における液晶の密度が確定できず、２０℃における液晶の密度が確定できるときは、下記式（２）で示す不等式を満たすように、スペーサを形成してもよい。
ｘ／ｄ＞２×（１／ｑ60−１／ｑ20）／（１／ｑ60）  …（２）
以下、その理由について説明する。
【０１７７】
従来の球形又は棒状のスペーサを散布する方式では、画素領域内に存在するスペーサにより液晶分子の配向が乱れるのに対し、第１の実施の形態のようにＴＦＴ基板とＣＦ基板との間に柱状のスペーサを形成した場合は、画素領域内での配向の乱れがないため、高品質の画像を得ることができる。
しかしながら、柱状のスペーサに弾力性がないとすると、高温の環境下に液晶表示装置を放置したときに、液晶が熱膨張してスペーサと基板との間が離れてしまうことがある。以下、この現象を高温だぶつきという。また、逆に低温の環境下に液晶表示装置を放置したときに、液晶が熱収縮して発泡が生じることがある。以下、この現象を低温発泡という。
【０１７８】
これらの高温だぶつき及び低温発泡を防止するために、柱状のスペーサには、液晶の熱膨張及び熱収縮に追従できるある程度の弾力性が要求される。
スペーサをフォトレジスト樹脂で形成した場合は、スペーサ自体が弾力性を有する。図５５は、横軸に押し込み変位量（圧縮変位）をとり、縦軸に押し込み荷重（圧縮荷重）をとって、フォトレジスト樹脂から形成したスペーサ１つ当りの変位量と荷重との関係を調べた結果の一例を示す図である。図５５に示すように、フォトレジスト樹脂から形成したスペーサに場合は荷重に応じて変形するが、スペーサの分布密度を調整することによって、スペーサ１つあたりに印加される荷重と変位量を調整することができる。
【０１７９】
本願発明者らは、ＸＧＡ（１０２４×７６８ピクセル）の１５型液晶表示装置について、スペーサの分布密度を変えて高温だぶつき及び低温発泡の有無を調べた。図５６にその結果を示す。なお、セルギャップの間隔の平均値ｄは４μｍである。また、密度１４１個／ｃｍ2 が２４画素に１つの割合でスペーサを形成した場合に相当し、密度２８３個／ｃｍ2 が１２画素に１つの割合でスペーサを形成した場合に相当し、密度５６７個／ｃｍ2 が６画素に１つの割合でスペーサを形成した場合に相当し、密度１１３３個／ｃｍ2 が３画素に１つの割合でスペーサを形成した場合に相当し、密度３４００個／ｃｍ2 が１画素に１つの割合でスペーサを形成した場合に相当する。
【０１８０】
液晶の６０℃における密度ｑ60は約０．９７ｇ／ｃｍ3 、−２０℃における密度ｑ-20 は１．０３ｇ／ｃｍ3 である。従って、前記式（１）のおける右辺は０．０５８となる。
図５６に示すように、ｘ／ｄの値が０．０５８よりも大きい場合（Ｎｏ１，Ｎｏ２，Ｎｏ３）は、高温だぶつき及び低温発泡のいずれも発生しないが、それよりも小さい場合（Ｎｏ４，Ｎｏ５）は高温だぶつき及び低温発泡が発生している。
【０１８１】
従って、本実施の形態においては、式（１）又は式（２）を満たすように、スペーサの材質及び密度を設定する。例えば、図５７（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板１０及びＣＦ基板２０のいずれか一方（図５７（ａ）ではＣＦ基板２０側）に柱状のスペーサ２５ａを形成した液晶表示装置、又は図５７（ｂ）に示すように、ＴＦＴ基板１０及びＣＦ基板２０の両方にそれぞれ柱状のスペーサ２５ｃ，２５ｄを形成した液晶表示装置の場合、スペーサ２５ａ，２５ｃ，２５ｄの材質及び密度を、式（１）又は式（２）を満たすように設定する。
【０１８２】
なお、図５７（ａ），（ｂ）において、ＴＦＴ基板１０は、ガラス基板１１とその上に形成された画素電極１６ａ、ＴＦＴ（図示せず）、ゲートバスライン（図示せず）及びデータバスライン（図示せず）等からなり、ＣＦ基板２０は、ガラス基板２１とその下面側に形成されたブラックマトリクス２２、カラーフィルタ２３及びコモン電極２４等からなる。また、ＴＦＴ基板１０とＣＦ基板２０との間には液晶２９が封入されている。
【０１８３】
本実施の形態においては、スペーサの材質は特に限定されるものではないが、例えばポリイミド樹脂、フェノール系樹脂、ノボラック系樹脂及びアクリル系樹脂等を使用することができる。
（第１４の実施の形態）
以下、本発明の第１４の実施の形態について説明する。
【０１８４】
図５８は第１４の実施の形態の液晶表示装置のＴＦＴ基板の断面図、図５９は同じくそのＴＦＴ形成部近傍を拡大して示す図である。なお、図５８においては図５９に示す絶縁膜３１８の上にスペーサとなる樹脂膜（突起）を選択的に形成し、 その突起の先端部をＣＦ基板に接触させることによってセルギャップを一定に維持している例を示している。
【０１８５】
この液晶表示装置は、ＴＦＴ基板３１０と、ＣＦ基板３２０と、これらのＴＦＴ基板３１０とＣＦ基板３２０との間に封入された液晶３２９とにより構成されている。
ＴＦＴ基板３１０は、以下のように構成されている。すなわち、ガラス基板３１１の上には、ゲートバスライン３１２が形成されており、ゲートバスライン３１２の上には絶縁膜（ゲート絶縁膜）３１３が形成されている。但し、本実施の形態では、図５８，図５９に示すように、画素領域には絶縁膜３１３が形成されていない。
【０１８６】
絶縁膜３１３の上にはＴＦＴの活性層となるシリコン膜３１４が選択的に形成されている。また、シリコン膜３１４の上には、ゲートバスライン３１２と同じ幅のチャネル保護膜（絶縁膜）３１５が形成されている。このチャネル保護膜３１５の両端部からシリコン膜３１４の両端部までのそれぞれの領域上には、ｎ型不純物を高濃度にドープしたｎ+ 型シリコン膜３１６が形成されている。そして、シリコン膜３１６の上には、Ｔｉ（チタン）膜３１７ａ、Ａｌ（アルミニウム）膜３１７ｂ及びＴｉ膜３１７ｃの３層構造の導電膜（データバスライン、ソース電極及びドレイン電極）３１７が形成されている。
【０１８７】
これらのシリコン膜３１４、チャネル保護膜３１５、ｎ+ 型シリコン膜３１６及び導電膜３１７は、絶縁膜（最終保護膜）３１８に覆われている。この絶縁膜３１８も、画素領域の上には形成されていない。
絶縁膜３１８には、ＴＦＴのソース電極（導電膜３１７）に到達するコンタクト孔３１８ａが形成されている。画素電極３１９は、コンタクト孔３１８ａからガラス基板３１１上の画素領域にわたる領域に形成されており、コンタクト孔３１８ａを介してＴＦＴのソース側の導電膜３１７に電気的に接続されている。なお、画素電極３１９はＩＴＯからなる。
【０１８８】
また、ガラス基板３１１上の全面には配向膜（図示せず）が形成されており、この配向膜により画素電極３１９及び絶縁膜３１８の表面が覆われている。
一方、ＣＦ基板３２０は以下のように形成されている。すなわち、ガラス基板３２１の下面側の青色画素領域には青色カラーフィルタ３２３Ｂが形成され、赤色画素領域には赤色カラーフィルタ３２３Ｒが形成され、緑色画素領域には緑色カラーフィルタ３２３Ｇが形成されている。また、ガラス基板３２１の下面側の画素間の領域にはカラーフィルタ３２３Ｂ，３２３Ｒ，３２３Ｇが３層に積層されて、ブラックマトリクスとなっている。
【０１８９】
これらのカラーフィルタ３２３Ｂ，３２３Ｒ，３２３Ｇの下には、ＩＴＯからなるコモン電極３２４が形成されている。また、コモン電極３２４の下には、配向膜（図示せず）が形成されている。
本実施の形態においては、画素領域には絶縁膜３１３，３１８が形成されていないので、絶縁膜３１８と対向するセルギャップ調整用スペーサの高さを高くしなくても、所定のセルギャップを確保することができる。これにより、セルギャップ調整用スペーサの形成が容易になる。また、絶縁膜３１３，３１８の厚さ分だけ、液晶表示装置（液晶パネル）の厚さを薄くすることができる。
【０１９０】
以下、本実施の形態の液晶表示装置の製造方法について説明する。但し、ＣＦ基板の製造方法は基本的に従来と同様であり、また図５８に示すＣＦ基板に替えて第１の実施の形態等で説明したＣＦ基板等を使用することもできるので、ここではＣＦ基板の製造方法は省略する。
図６０，図６１は、本実施の形態の液晶表示装置のＴＦＴ基板の製造方法を示す断面図である。
【０１９１】
まず、図６０（ａ）に示すように、ガラス基板３１１の上に、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）若しくはそれらの積層体又はＣｒなどからなる厚さが０．１５μｍの導電膜を形成し、フォトリソグラフィ法により該導電膜をパターニングして、ゲートバスライン３１２及び蓄積容量バスライン（図示せず）等を形成する。その後、ガラス基板３１１の上にＳｉＮx を約０．３５μｍの厚さに堆積させて、絶縁膜（ゲート絶縁膜）３１３を形成する。
【０１９２】
次に、絶縁膜３１３の上にＴＦＴの活性層となるアモルファスシリコン膜３１４を約０．０３μｍの厚さに形成する。更に、アモルファスシリコン膜３１４の上にＳｉＮx を約０．１５μｍの厚さに堆積する。そして、このＳｉＮx 膜の上にフォトレジストを塗布し、該フォトレジストをガラス基板３１１の下面側から露光する。その後、現像処理を施して、ゲートバスライン３１２の上方にのみレジスト膜を残す。このレジスト膜をマスクとしてＳｉＮx 膜をエッチングすることにより、図６０（ｂ）に示すように、シリコン膜３１４の上にチャネル保護膜３１５を選択的に形成する。その後、チャネル保護膜３１５上のレジスト膜を除去する。
【０１９３】
次に、ガラス基板３１１の上側に、ｎ型不純物をドープしたｎ+ 型アモルファスシリコン膜を約０．０３μｍの厚さに形成する。その後、ｎ+ アモルファスシリコン膜の上に厚さが約０．０２μｍのＴｉ膜、厚さが約０．０８μｍのＡｌ膜、厚さが約０．０５μｍのＴｉ膜を順次形成し、これらのＴｉ膜、Ａｌ及びＴｉ膜の積層構造からなる導電膜を形成する。そして、フォトリソグラフィ法により、図６０（ｃ）に示す形状に、導電膜３１７、ｎ+ 型アモルファスシリコン膜３１６及びアモルファスシリコン膜３１４をパターニングする。
【０１９４】
次に、図６１（ａ）に示すように、ガラス基板３１１の上側全面に、ＳｉＮx からなる絶縁膜（最終保護膜）３１８を、約０．３３μｍの厚さに形成する。
その後、フォトリソグラフィ法により、絶縁膜３１８にＴＦＴのソース電極（導電膜３１７）に到達するコンタクトホールを形成するとともに、各画素領域上の絶縁膜３１８，３１３を除去する。コンタクトホールの形成及び画素領域上の絶縁膜の除去には、例えばドライエッチングを使用することができる。ドライエッチング時の条件としては、例えば、使用するガス及びその流量としてＳＦ6 ／Ｏ2 ＝１５０／２５０（sccm）、圧力が８．０Ｐａ、パワーが６００Ｗとする。
【０１９５】
次いで、図６１（ｂ）に示すように、基板３１１の上側にＩＴＯをスパッタ成膜し、フォトリソグラフィ法によりＩＴＯ膜をパターニングして、画素電極３１９を形成する。その後、基板３１１の上側全面にポリイミドからなる配向膜を０．０５〜０．１μｍの厚さに形成する。これにより、ＴＦＴ基板３１０が完成する。
【０１９６】
なお、上記の例では赤色画素領域、緑色画素領域及び青色画素領域の上の絶縁膜３１３，３１８をいずれも完全に除去する場合について説明したが、図６２に示すように、赤色画素領域、緑色画素領域及び青色画素領域のうちのいずれか１つ又は２つの画素領域に絶縁膜３１３，３１８を残してもよい。これにより、色毎にセルギャップを調整した、いわゆるマルチセルギャップの液晶表示装置を実現することができる。例えば、図６２に示す例では、青色画素領域に絶縁膜３１３，３１８を残し、赤色画素領域及び緑色画素領域の絶縁膜３１３，３１８を除去しているので、青色画素と赤色画素及び緑色画素とのセルギャップの差が約０．６８μｍとなる。マルチセルギャップの液晶表示装置では、色画素毎にセルギャップを調整して光学特性を最適化するので、表示品質がより一層向上するという利点がある。このとき、図６３に示すように、ＴＦＴのソース電極と画素領域との間の絶縁膜３１８を除去してもよい。これにより、ソース電極から画素領域までの間の画素電極３１９の段差が小さくなり、段切れ（接続不良）を防止することが好ましい。
【０１９７】
また、絶縁膜３１３，３１８をドライエッチングする際にエッチング条件を制御して、画素領域に所望の厚さだけ絶縁膜３１３，３１８を残してもよい。
更に、上記の例では絶縁膜３１３，３１８をいずれも無機材料（ＳｉＮx ）により形成する場合について説明したが、絶縁性の有機材料により形成してもよい。例えば、絶縁膜３１８をアクリル、ポリイミド及びエポキシ等の樹脂材料で形成する場合は、スピンコート法等により約１μｍの厚さに形成し、その後コンタクトホール３１８ａの形成と同時に画素領域の上の樹脂材料を選択的に除去する。このようにすることで、上記の例と同様に、画素領域におけるセルギャップの確保や、マルチセルギャップ化に対応することができる。更に、この場合は、色間の段差は絶縁膜３１８の膜厚で変化するため、絶縁膜３１８をスピンコート法等で塗布する際に膜厚を変化させることで、セルギャップを簡単に調整することができる。
【０１９８】
本実施の形態では、セルギャップが同じであるとすると、画素領域に絶縁膜３１３，３１８がない分だけ従来の液晶表示装置に比べてガラス基板３１１，３２１間の間隔が狭くなる。従って、ＴＦＴ基板３１０とＣＦ基板３２０とをシール材で接合した後、基板３１０，３２０間に液晶を注入する方法では、時間がかかってしまうことが考えられる。しかしながら、例えばＴＦＴ基板３１０の上に液晶を滴下し、その後ＣＦ基板３２０をＴＦＴ基板３１０上に配置して、ＴＦＴ基板３１０とＣＦ基板３２０とを接合する、いわゆる滴下注入法を用いることにより、製造に要する時間を短縮することができる。
【０１９９】
（第１５の実施の形態）
図６４は本発明の第１５の実施の形態の液晶表示装置を示す断面図である。
この液晶表示装置は、ＴＦＴ基板３１０と、ＣＦ基板３２０と、これらのＴＦＴ基板３１０とＣＦ基板３２０との間に封入された液晶３２９とにより構成されている。
【０２００】
ＴＦＴ基板３１０は、最終保護膜３３１が感光性のアクリル樹脂を材料として形成されていることを除けば、基本的に第１４の実施の形態と同じように構成されている。すなわち、ガラス基板３１１の上にはゲートバスライン３１２が形成されており、ゲートバスライン３１２の上及び画素領域の上には絶縁膜（ゲート絶縁膜３１３が形成されている。
【０２０１】
絶縁膜３１３の上には、第１４の実施の形態と同様に、ＴＦＴの活性層となるシリコン膜や、データバスライン、ソース電極及びドレイン電極となる導電層等が形成されている（図５９参照）。そして、ＴＦＴの上方には樹脂からなる最終保護膜３３１が形成されており、この最終保護膜３３１がスペーサとしても作用するようになっている。すなわち、最終保護膜３３１の先端部分がＣＦ基板３４０に接触し、セルギャップを一定に維持するようになっている。
【０２０２】
ＴＦＴのソース電極の端部側の最終保護膜は除去されており、ソース電極の端部上から画素領域の絶縁膜３１３の上までの領域上に、ＩＴＯからなる画素電極３１９が形成されている。これらの最終保護膜３３１及び画素電極３１９の表面は、配向膜（図示せず）により覆われている。
一方、ＣＦ基板３４０は以下のように形成されている。すなわち、ガラス基板３４１の下面側にはＣｒ等の金属又は黒色樹脂からなるブラックマトリクス３４２が形成されており、このブラックマトリクス３４２によりＴＦＴ基板３１０側のゲートバスライン、データバスライン及びＴＦＴが覆われるようになっている。また、ＣＦ基板３４０の下面側の画素領域には、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）のカラーフィルタ３４３Ｒ，３４３Ｇ，３４３Ｂが、ＴＦＴ基板３１０側の画素電極に対応して形成されている。
【０２０３】
更に、ブラックマトリクス３４３及びカラーフィルタ３４３Ｒ，３４３Ｇ，３４３Ｂの下側にはＩＴＯからなるコモン電極３４４が形成されている。更にまた、コモン電極３４４の下には、配向膜（図示せず）が形成されている。
図６５は、上記のＴＦＴ基板の製造方法を示す断面図である。
まず、第１４の実施の形態と同様にして、ガラス基板３１１の上に、ゲートバスライン３１２、ゲート絶縁膜３１３、シリコン膜３１４、チャネル保護膜３１５、ｎ+ 型シリコン膜３１６、導電膜３１７を形成する（図６０（ａ）〜（ｃ）参照）。
【０２０４】
次に、図６５（ａ）に示すように、スピンコート法により、基板３１１の上側全面に感光性アクリル樹脂を約４μｍの厚さに塗布して、感光性アクリル樹脂膜３３０を形成する。
次いで、図６５（ｂ）に示すように、感光性アクリル樹脂を露光及び現像処理して、導電膜３１７及びシリコン膜３１４、３１６を被覆する最終保護膜３３１を形成する。このとき、ＴＦＴのソース側の導電膜３１７の上及び画素領域の上の最終保護膜３３１も除去する。
【０２０５】
その後、ガラス基板３１１の上側全面にＩＴＯ膜を形成した後、このＩＴＯ膜をパターニングして、画素電極３１９を形成する。そして、ガラス基板３１１の上側全面に配向膜（図示せず）を形成し、この配向膜により画素電極３１９及び最終保護膜３３１の表面を覆う。これにより、ＴＦＴ基板３１０が完成する。
ＣＦ基板は、公知の方法により製造することができるので、ここでは説明を省略する。
【０２０６】
本実施の形態においては、最終保護膜３３１を感光性アクリル樹脂により形成するので、約４μｍと厚く形成することが容易である。そして、この厚く形成した最終保護膜３３１の先端部分がＣＦ基板３４０に接触するようにしてセルギャップを一定（約４μｍ）に維持する。すなわち、最終保護膜３３１がスペーサとしても作用する。セルギャップは、感光性アクリル樹脂膜の膜厚で決まり、感光性アクリル樹脂膜の膜厚は塗布条件を調整することにより任意に設定することができる。また、画素の色に応じて画素領域のゲート絶縁膜３１３を選択的に除去することにより、マルチセルギャップに対応することもできる。
【０２０７】
従って、本実施の形態によれば、第１４の実施の形態と同様の効果が得られるのに加えて、最終保護膜３３１をスペーサとしても使用するので、製造工程が簡略化され、製造コストを削減できるという利点がある。また、上述したように、マルチセルギャップにも対応することが可能であり、色度、透過率及びコントラスト等の光学特性が最適化された液晶表示装置を製造することができる。
【０２０８】
（第１６の実施の形態）
以下、本発明の第１６の実施の形態について説明する。
図６６は第１６の実施の形態の液晶表示装置（液晶パネル）の液晶注入前の状態を示す平面図、図６７は図６６のＤ−Ｄ線による断面図である。なお、図６７において、ゲートバスライン及びゲート絶縁膜等の図示を省略するとともに、図１と同一物には同一符号を付している。
【０２０９】
本実施の形態の液晶表示装置のＣＦ基板４２０は、以下のように構成されている。すなわち、ガラス基板４２１の一方の面側（図６７では下面側）には赤色カラーフィルタ４２３Ｒ、緑色カラーフィルタ４２３Ｇ及び青色カラーフィルタ４２３Ｂがそれぞれ所定のパターンで形成されている。
また、本実施の形態では、図６７に示すように、カラーフィルタ４２３Ｒ，４２３Ｇ，４２３Ｂのうちの２色のカラーフィルタを積層して、画素間の領域を遮光するブラックマトリクスを形成している。更に、表示領域４０１の外側の遮光領域４０２には、青色カラーフィルタ４２３Ｂと赤色カラーフィルタ４２３Ｒとの積層体からなるブラックマトリクスが形成されている。更にまた、液晶注入口４０４の近傍の遮光領域４０２の上には、ギャップ保持用スペーサ４２５ｃが複数形成されている。更にまた、液晶注入口４０４には、カラーフィルタ４２３Ｒ，４２３Ｇ，４２３Ｂが３層に積層されてなる柱が複数形成されており、その下にギャップ保持用スペーサ４２５ｄが形成されている。そして、これらのスペーサ４２５ｃ，４２５ｄの先端部分がＴＦＴ基板４１０に接触して、液晶注入口４０４及びその近傍の遮光領域４０２におけるギャップを一定に維持している。
【０２１０】
ＴＦＴ基板４１０とＣＦ基板４２０は、表示領域４０１よりも外側に塗布されたシール材４０３で接合され、その後、液晶注入口４０４を介してＴＦＴ基板４１０とＣＦ基板４２０との間に液晶が注入される。
一般的に、液晶の注入には真空チャンバを使用される。すなわち、ＴＦＴ基板とＣＦ基板とをシール材で接合して液晶パネルとした後、その液晶パネルを、液晶を入れた容器とともに真空チャンバ内に入れる。そして、チャンバ内を真空にした後、液晶注入口を液晶中に浸し、チャンバ内を大気圧に戻す。そうすると、圧力の差により液晶パネル内の空間に液晶が注入される。液晶パネル内に液晶が十分に注入された後、液晶注入口を樹脂で封止する。
【０２１１】
例えば、前述した図２２に示すような液晶表示装置では、カラーフィルタを積層してブラックマトリクスを形成するので、Ｃｒ等でブラックマトリクスを形成する方法に比べて製造工程が簡略化される。また、フォトレジストを使用して所定の位置にセルギャップ調整用スペーサを形成するので、表示領域内のセルギャップを一定に維持できる。しかしながら、表示領域外側の遮光領域では、Ｃｒ等によりブラックマトリクスを形成した液晶表示装置に比べて、ＴＦＴ基板とＣＦ基板との間の隙間が小さくなる。そのため、液晶パネル毎の液晶注入速度のばらつきが大きくなり、その結果、注入に要する時間が長くなるだけでなく、注入不足による気泡の発生や、注入過剰によるセルギャップの増大等の不具合が発生するおそれがある。
【０２１２】
これを回避するために、液晶パネル毎に注入時間を調整することも考えられる。しかしながら、液晶パネル毎に注入時間を調整するとなると、製造効率が著しく低下し、製造コストの増大を招いてしまう。
一方、本実施の形態では、図６７に示すように、液晶注入口４０４及びその近傍の遮光領域４０２にスペーサ４２５ｄ，４２５ｃを設けて、これらのスペーサ４２５ｄ，４２５ｃによりＴＦＴ基板４１０とＣＦ基板４２０との間の隙間を一定に保持するので、液晶注入に要する時間のばらつきが回避され、上述した不具合の発生を防止することができる。
【０２１３】
図６８〜図７０は第１６の実施の形態の液晶表示装置のＣＦ基板の製造方法を示す断面図、図７１，図７２は同じくその平面図である。なお、図７１，図７２においては、形成すべきブラックマトリクスの形状も合わせて示している。また、図６８〜図７０では、カラーフィルタ形成面を上側としている。
まず、ガラス基板４２１の上側全面に青色フォトレジストを塗布する。その後、所定のパターンのマスクを用いてフォトレジストを露光した後、現像処理を施して、図６８（ａ），図７１（ａ）に示すように、青色画素部と、青色画素部の周囲及び赤色画素部の周囲のブラックマトリクス形成部と、表示領域内のスペーサ形成部（図２２参照）と、表示領域外側の遮光領域と、液晶注入口のスペーサ形成部との上に、青色カラーフィルタ４２３Ｂを１．７μｍの厚さに形成する。
【０２１４】
次に、ガラス基板４２１の上側全面に赤色フォトレジストを塗布する。その後、所定のパターンのマスクを用いてフォトレジストを露光した後、現像処理を施して、図６８（ｂ），図７１（ｂ）に示すように、赤色画素部と、各画素部の周囲のブラックマトリクス形成部と、表示領域内のスペーサ形成部と、表示領域外側の遮光領域と、液晶注入口のスペーサ形成部との上に、赤色カラーフィルタ４２３Ｒを１．７μｍの厚さに形成する。
【０２１５】
この場合、表示領域４０１内で青色カラーフィルタ４２３Ｂの上に積層された赤色カラーフィルタ４２３Ｒの厚さは、積層部分の幅（ブラックマトリクスの幅）が狭い（１０〜４０μｍ）ので、プリベーク及びポストベーク時のレベリングにより、１．７μｍよりも薄くなる。一方、遮光領域４０２及び液晶注入口４０４のスペーサ形成部で青色カラーフィルタ４２３Ｂの上に積層された赤色カラーフィルタ４２３Ｒの厚さは、パターンの幅が十分大きいので、画素部の赤色カラーフィルタ４２３Ｒとほぼ同じ厚さになる。
【０２１６】
次に、ガラス基板４２１の上側全面に緑色フォトレジストを塗布する。その後、所定のパターンのマスクを用いてフォトレジストを露光した後、現像処理を施して、図６９（ａ），図７２（ａ）に示すように、緑色画素部と、緑色画素部の周囲のブラックマトリクス形成部と、表示領域４０１内のスペーサ形成部と、液晶注入口４０４のスペーサ形成部との上に、緑色カラーフィルタ４２３Ｇを１．７μｍの厚さに形成する。
【０２１７】
この場合も、表示領域４０１内で青色カラーフィルタ４２３Ｂ又は赤色カラーフィルタ４２３Ｇの上に積層された緑色カラーフィルタ４２３Ｇの厚さは、積層部分の幅が狭いので、プリベーク及びポストベークによるレベリングにより、１．７μｍよりも薄くなる。一方、液晶注入口４０４の赤色カラーフィルタ４２３Ｒの上に形成された緑色カラーフィルタ４２３Ｇの厚さは、パターンの幅が大きいので、画素部の緑色カラーフィルタ４２３Ｇと同じ厚さとなる。
【０２１８】
次に、図６９（ｂ）に示すように、ガラス基板４２１の上側に、ＩＴＯからなるコモン電極４２４を約０．１μｍの厚さに形成し、このコモン電極４２４により表示領域４０１のカラーフィルタ４２３Ｒ，４２３Ｇ，４２３Ｂの表面及び遮光領域４０２のカラーフィルタ４２３Ｒの表面を被覆する。但し、液晶注入口４０４の部分にはコモン電極を形成しない。
【０２１９】
次いで、ガラス基板４２１の上側全面にフォトレジストを塗布する。そして、所定のパターンのマスクを用いて露光した後、現像処理を施して、図７０，図７２（ｂ）に示すように、表示領域４０１内のカラーフィルタ４２３Ｒ，４２３Ｇ，４２３Ｂの上にドメイン規制用の突起部４２５ａを形成するとともに、表示領域４０１内の所定の位置にセルギャップ調整用スペーサ４２５ｂを形成し、遮光領域４０２の所定の位置にギャップ保持用スペーサ４２５ｃを形成し、液晶注入口４０４の３層のカラーフィルタ４２３Ｂ，４２３Ｒ，４２３Ｇからなる柱の上にギャップ保持用スペーサ４２５ｄを形成する。
【０２２０】
この場合に、表示領域４０１内のドメイン規制用突起部４２５ａ、及び表示領域４０１内のセルギャップ調整用スペーサ４２５ｂのパターン幅、並びに遮光領域４０２のギャップ保持用スペーサ４２５ｃ及び液晶注入口４０４のギャップ保持用スペーサ４２５ｄのパターン幅を調整することにより、スペーサ４２５ｃ，４２５ｄの高さ（基板４２１の表面からの高さ）を、ドメイン規制用突起部４２５ａ及びセルギャップ調整用スペーサ４２５ｂよりも高く形成することができる。例えば、表示領域４０１内のセルギャップ調整用スペーサ４２５ｂの高さが５．６μｍ、表示領域外側の遮光領域４０２のスペーサ４２５ｃの高さが５．８μｍ、液晶注入口４０４のスペーサ４２５ｄの高さが６．０μｍというように、スペーサ４２５ｂ，４２５ｃ，４２５ｄの高さがそれぞれ異なるようにする。
【０２２１】
その後、ガラス基板４２１の上側に、配向膜（図示せず）を８００Åの厚さに形成し、この配向膜によりカラーフィルタ４２３Ｒ，４２３Ｇ，４２３Ｂ、ドメイン規制用突起部４２５ａ及びスペーサ４２５ｂ，４２５ｃの表面を覆う。これにより、ＣＦ基板４２０が完成する。
ＴＦＴ基板４１０は第１の実施の形態と同様であるので、ここではＴＦＴ基板４１０の製造方法の説明を省略する。
【０２２２】
このようにして形成したＣＦ基板４２０の縁部に沿ってシール材を塗布し、スペーサ４２５ｂ，４２５ｃ，４２５ｄの先端部分をＴＦＴ基板４１０に接触させて、ＴＦＴ基板４１０とＣＦ基板４２０とを接合し、液晶パネル４００とする。但し、液晶注入口４０４の部分にはシール材を塗布せず、接合後のＴＦＴ基板４１０とＣＦ基板４２０との間の内部空間が液晶注入口４０４を介して外部と連絡した状態とする。
【０２２３】
その後、真空チャンバ内に、液晶パネル４００とともに液晶の入った容器を入れて、チャンバ内を真空にする。そして、液晶注入口４０４を液晶中に浸し、チャンバ内を大気圧に戻す。そうすると、圧力の差により、液晶が液晶パネル４００の内部空間に注入される。このとき、本実施の形態では、液晶注入口４０４及びその近傍の遮光領域４０２ではスペーサ４２５ｄ，４２５ｃが形成されているので、ＴＦＴ基板４１０とＣＦ基板４２０との間の隙間が比較的大きく、カラーフィルタを積層してブラックマトリクスとしているにもかかわらず、液晶の注入速度が比較的速い。
【０２２４】
次いで、液晶パネル内に液晶が十分注入された後、液晶注入口４０４にＵＶ硬化性樹脂を充填し、ＵＶ照射して液晶注入口４０４を封止する。
このとき、ＵＶ硬化性樹脂が収縮して液晶注入口４０４及び遮光領域４０２におけるギャップが狭められる。これにより、液晶パネルの全体にわたってギャップが均一化される。
【０２２５】
このようにして、セルギャップが約４．０μｍで液晶パネル全体にわたって均一な液晶パネルが得られる。その後液晶パネルの上側及び下側に偏光板をクロスニコルに配置して貼り付ける。これにより、液晶表示装置が完成する。
上記の方法により液晶表示装置を実際に製造し、液晶注入に要する時間を測定したところ、遮光領域４０２及び液晶注入口４０４にスペーサを形成しない場合に比べて、液晶注入時間を約２０％短縮することができた。
【０２２６】
（付記）
（１）請求項２に記載の液晶表示装置の製造方法において、前記現像工程の後に、ポストベークする工程を有することが好ましい。
（２）請求項２に記載の液晶表示装置の製造方法において、前記露光工程において、前記スペーサを形成する領域と前記突起部を形成する領域との露光量を異なるものとしてもよい。。
【０２２７】
（３）請求項２に記載の液晶表示装置の製造方法において、前記マスクの前記スペーサパターンの光透過率と、前記突起パターンの光透過率とが異なることが好ましい。
（４）請求項２に記載の液晶表示装置の製造方法において、前記露光工程において、前記マスクを前記フォトレジスト膜に対し平行な方向にずらしながら複数回露光することにより、前記スペーサを形成する領域と前記突起部を形成する領域との露光量を異なるものとしてもよい。
【０２２８】
（５）請求項２に記載の液晶表示装置の製造方法において、前記露光工程において、回折光を利用して前記スペーサを形成する領域と前記突起部を形成する領域との露光量を異なるものとしてもよい。
（６）請求項８に記載の液晶表示装置において、前記緑色画素のエッジが、緑色カラーフィルタの上に形成された赤色カラーフィルタのエッジで決定され、前記赤色画素のエッジが、赤色カラーフィルタの上に形成された青色カラーフィルタのエッジで決定され、前記青色画素のエッジが、１層目の緑色カラーフィルタのエッジにより決定されることが好ましい。
【０２２９】
（７）請求項８に記載の液晶表示装置において、前記緑色画素のエッジが、緑色カラーフィルタの上に形成された青色カラーフィルタのエッジで決定され、前記赤色画素のエッジが、赤色カラーフィルタの上に形成された青色カラーフィルタのエッジで決定され、前記青色画素のエッジが、１層目の緑色カラーフィルタのエッジにより決定されていてもよい。
【０２３０】
（８）請求項１０に記載の液晶表示装置の製造方法において、前記基板が、ガラスよりも紫外線吸収能力が高い材料からなることが好ましい。
（９）請求項１０に記載の液晶表示装置の製造方法において、前記第１のカラーフィルタ及び前記第２のカラーフィルタの少なくとも一方に、紫外線吸収材が添加されていることが好ましい。
【０２３１】
（１０）請求項１０に記載の液晶表示装置の製造方法において、前記基板の表面上に、前記基板の材料に比べて紫外線吸収能力が優れた材料からなる皮膜が形成されていてもよい。
（１１）請求項１７に記載の液晶表示装置の製造方法において、前記ブラックマトリクスは、２色以上のカラーフィルタを積層して形成することが好ましい。
【０２３２】
（１２）請求項２３又は請求項２４に記載の液晶表示装置において、画素の色に応じて、前記画素領域上に介在する前記最終保護膜の厚さが異なるようにしてもよい。
（１３）請求項２３又は請求項２４に記載の液晶表示装置において、前記最終最終保護膜が、絶縁性の無機材料により形成されていてもよい。
【０２３３】
（１４）請求項２３又は請求項２４に記載の液晶表示装置において、前記最終最終保護膜が、絶縁性の有機材料により形成されていてもよい。
（１５）請求項２５に記載の液晶表示装置の製造方法において、前記エッチング工程において、画素の色に応じて、前記画素領域上に残す前記第１の絶縁膜、又は前記第２の絶縁膜の厚さを変化させてもよい。
【０２３４】
（１６）請求項２５に記載の液晶表示装置の製造方法において、前記第２の絶縁膜のうち、前記薄膜トランジスタの上方の部分を、セルギャップを維持するためのスペーサとして用いることができる。
（１７）請求項２５に記載の液晶表示装置の製造方法において、前記第２の絶縁膜を無機材料により形成することができる。
【０２３５】
（１８）請求項２５に記載の液晶表示装置の製造方法において、前記第２の絶縁膜を有機材料により形成してもよい。
（１９）請求項２８に記載の液晶表示装置の製造方法において、前記表示領域内の所定の領域に、前記赤色、青色及び緑色のカラーフィルタを３層に積層し、その上に、前記ドメイン規制用突起部と同時にセルギャップ調整用スペーサを形成して、前記第１の基板と前記第２の基板とを接合するときに、該セルギャップ調整用スペーサの先端を前記第２の基板に接触させることが好ましい。
【０２３６】
（２０）請求項２８に記載の液晶表示装置の製造方法において、前記第１のギャップ保持用スペーサの形成と同時に、前記表示領域外側のブラックマトリクスの上に第２のギャップ保持用スペーサを形成することが好ましい。
（２１）請求項２８に記載の液晶表示装置の製造方法において、前記第１のギャップ保持用スペーサを、前記セルギャップ調整用スペーサよりも高く形成することが好ましい。
【０２３７】
【発明の効果】
以上説明したように、セルギャップを一定に維持するためのスペーサと、該スペーサよりも高さが低いドメイン規制用突起部とを、フォトレジスト膜を使用して同時に形成することにより、視角特性が良好な液晶表示装置を容易に形成することができる。
【０２３８】
また、赤色、緑色及び青色のうちの２色以上のカラーフィルタを積層してブラックマトリクスとする液晶表示装置において、上層のカラーフィルタのエッジにより赤色画素、緑色画素及び青色がそのうちのいずれか２以上の画素のエッジを決定する構造とすることにより、露光装置のステージからの反射光による画素のエッジの位置ずれを回避することができる。これにより、液晶表示装置の表示品質が向上する。
【０２３９】
更に、相互に高さが異なる第１のスペーサ及び第２のスペーサを形成し、通常時においては第１のスペーサのみでセルギャップを維持し、高い圧力が加えられたときに第１スペーサ及び第２のスペーサでセルギャップを維持することにより、温度変化による液晶の熱膨張及び熱収縮に起因する表示品質の劣化を回避することができるとともに、オートクレーブ等による高い圧力の印加に起因するスペーサの塑性変形や画素電極とコモン電極との短絡を回避することができる。スペーサが、圧縮変位が異なる複数の膜を積層して構成されている場合も、同様の効果が得られる。
【０２４０】
更にまた、荷重に対する変位量が所定の不等式を満足するようにスペーサの材質及び密度を設定することにより、温度による液晶の熱膨張及び熱収縮に応じて適度にスペーサが伸縮する。これにより、液晶の熱膨張及び熱収縮に起因する表示品質の劣化を回避することができる。
更に、複数色のうちの少なくとも１色の画素領域で、画素電極と透明基板との間に最終保護膜が介在しない構造、又は画素電極と透明基板との間に介在する最終保護膜の厚さが薄膜トランジスタ上の最終保護膜の厚さよりも薄い構造とすることにより、セルギャップ調整用スペーサの高さを低くしても、所定のセルギャップを確保することができる。これにより、セルギャップ調整用スペーサの形成が容易になる。
【０２４１】
更にまた、液晶注入口の部分にカラーフィルタを２層以上に積層した柱を形成するとともに、この柱の上にスペーサを形成して、これにより液晶注入口の部分のギャップを確保することにより、液晶時間のばらつきが回避され、液晶の注入不足による気泡の発生や、注入過多によるセルギャップの不均一に起因する表示品質の低下が防止される。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は本発明の第１の実施の形態の液晶表示装置の断面図である。
【図２】図２は同じくその液晶表示装置のスペーサ形成部を拡大して示す図である。
【図３】図３は同じくその液晶表示装置のＴＦＴ基板を示す平面図である。
【図４】図４は同じくその液晶表示装置のＣＦ基板を示す平面図である。
【図５】図５は第１の実施の形態の液晶表示装置のＣＦ基板の製造方法を示す図（その１）である。
【図６】図６は第１の実施の形態の液晶表示装置のＣＦ基板の製造方法を示す図（その２）である。
【図７】図７は第１の実施の形態の液晶表示装置のＣＦ基板の製造方法を示す図（その３）である。
【図８】図８は第１の実施の形態の液晶表示装置のＣＦ基板の製造方法を示す図（その４）である。
【図９】図９は第１の実施の形態の液晶表示装置のＣＦ基板の製造方法を示す図（その５）である。
【図１０】図１０は第２の実施の形態の液晶表示装置のＣＦ基板の製造方法を示す図であり、マスクの遮光パターンと画素との位置関係を示す図である。
【図１１】図１１は第２の実施の形態の液晶表示装置のＣＦ基板の製造方法を示す図であり、形成後のスペーサ及び突起部のパターンを示す図である。
【図１２】図１２（ａ）は図１１のＢ−Ｂ線の位置における断面図、図１２（ｂ）は図１１のＣ−Ｃ線の位置における断面図である。
【図１３】図１３は第２の実施の形態の液晶表示装置のＣＦ基板の製造方法を示す図であり、突起部形成領域における断面図である。
【図１４】図１４は第２の実施の形態の液晶表示装置のＣＦ基板の製造方法を示す図であり、スペーサ形成領域における断面図である。
【図１５】図１５は第２の実施の形態の液晶表示装置のＣＦ基板の製造方法を示す図であり、現像後の膜厚が１．５μｍとなる露光量が通常の露光量の１／２となるレジストを使用する場合のパターン露光を示す図である。
【図１６】図１６は第３の実施の形態の液晶表示装置のＣＦ基板の製造方法を示す図であり、露光工程における模式図である。
【図１７】図１７は第３の実施の形態の液晶表示装置のＣＦ基板の製造方法を示す図であり、突起部形成用パターンを示す図である。
【図１８】図１８は第３の実施の形態の液晶表示装置のＣＦ基板の製造方法を示す図であり、露光工程における突起部形成領域の模式的断面図である。
【図１９】図１９は第３の実施の形態の液晶表示装置のＣＦ基板の製造方法を示す図であり、透過率の低い材料からなるパターンを用いて突起部を形成する方法を示す図である。
【図２０】図２０は第４の実施の形態の液晶表示装置のＣＦ基板の製造方法を示す図であり、露光工程における模式的断面図である。
【図２１】図２１は図２０の突起部形成領域を拡大して示す図である。
【図２２】図２２は第５の実施の形態の液晶表示装置の断面図である。
【図２３】図２３はカラーフィルタの厚さとスペーサの高さとの関係を示す図である。
【図２４】図２４は第５の実施の形態のＣＦ基板の製造方法を示す図（その１）である。
【図２５】図２５は第５の実施の形態のＣＦ基板の製造方法を示す図（その２）である。
【図２６】図２６は第６の実施の形態の液晶表示装置のＣＦ基板の製造方法を示す図である。
【図２７】図２７はカラーフィルタとなるフォトレジストの露光工程を示す模式図である。
【図２８】図２８はカラーフィルタを積層して構成されたブラックマトリクスの一般的な例を示す図である。
【図２９】図２９は第７の実施の形態の液晶表示装置のＣＦ基板の製造方法を示す断面図である。
【図３０】図３０は同じくそのＣＦ基板の製造方法を示す平面図である。
【図３１】図３１は第７の実施の形態を示す図であり、画素部のエッジを決めるカラーフィルタのエッジを示す図である。
【図３２】図３２は第７の実施の形態のうち、紫外線吸収膜を形成した基板を用いた例を示す図である。
【図３３】図３３は第８の実施の形態の液晶表示装置のＣＦ基板の製造方法を示す断面図である。
【図３４】図３４は同じくそのＣＦ基板の製造方法を示す平面図である。
【図３５】図３５は第８の実施の形態を示す図であり、画素部のエッジを決めるカラーフィルタのエッジを示す図（その１）である。
【図３６】図３６は第８の実施の形態を示す図であり、画素部のエッジを決めるカラーフィルタのエッジを示す図（その２）である。
【図３７】図３７は第９の実施の形態の液晶表示装置の模式的平面図である。
【図３８】図３８は同じくその液晶表示装置のブラックマトリクスに沿った位置における断面図である。
【図３９】図３９は圧縮荷重に対するセルギャップの変化を計算した結果を示す図である。
【図４０】図４０は第９の実施の形態の液晶表示装置のＣＦ基板の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図４１】図４１は第９の実施の形態の液晶表示装置のＣＦ基板の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図４２】図４２はカラーフィルタの上にノボラック樹脂膜を形成してスペーサとした液晶表示装置を示す図である。
【図４３】図４３は図４２の構造のスペーサの圧縮変位曲線を示す図である。
【図４４】図４４は圧縮荷重に対する樹脂スペーサの変位量を計算した結果を示す図である。
【図４５】図４５は第１０の実施の形態の液晶表示装置の断面図である。
【図４６】図４６は第１０の実施の形態の液晶表示装置のＣＦ基板の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図４７】図４７は第１０の実施の形態の液晶表示装置のＣＦ基板の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図４８】図４８は第１１の実施の形態の液晶表示装置の平面図である。
【図４９】図４９は同じくその液晶表示装置の断面図である。
【図５０】図５０は第１１実施の形態の液晶表示装置のＣＦ基板の製造方法を示す図（その１）である。
【図５１】図５１は第１１実施の形態の液晶表示装置のＣＦ基板の製造方法を示す図（その２）である。
【図５２】図５２は第１２の実施の形態の液晶表示装置のＣＦ基板の製造方法を示す図（その１）である。
【図５３】図５３は第１２の実施の形態の液晶表示装置のＣＦ基板の製造方法を示す図（その２）である。
【図５４】図５４は第１２の実施の形態の液晶表示装置のＣＦ基板を示す平面図（模式図）である。
【図５５】図５５はスペーサの荷重変位特性を示す図である。
【図５６】図５６はスペーサの分布密度を変えて高温だぶつき及び低温発泡の有無を調べた結果を示す図である。
【図５７】図５７は第１３の実施の形態の液晶表示装置のセルギャップ保持用スペーサの例を示す図である。
【図５８】図５８は第１４の実施の形態の液晶表示装置のＴＦＴ基板の断面図である。
【図５９】図５９は同じくそのＴＦＴ形成部近傍を拡大して示す図である。
【図６０】図６０は第１４の実施の形態の液晶表示装置のＴＦＴ基板の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図６１】図６１は第１４の実施の形態の液晶表示装置のＴＦＴ基板の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図６２】図６２は第１４の実施の形態の変形例を示す図であり、青色画素の画素電極の下に絶縁膜を残し、赤色画素領域及び緑色画素領域の画素電極の下の絶縁膜を除去した例を示す図である。
【図６３】図６３は第１４の実施の形態において、ＴＦＴのソース側の導電膜が露出するように絶縁膜をエッチングした例を示す図である。
【図６４】図６４は第１５の実施の形態の液晶表示装置を示す断面図である。
【図６５】図６５は第１５の実施の形態の液晶表示装置のＴＦＴ基板の製造方法を示す断面図である。
【図６６】図６６は第１６の実施の形態の液晶表示装置の液晶注入前の状態を示す平面図である。
【図６７】図６７は図６６のＤ−Ｄ線による断面図である。
【図６８】図６８は第１６の実施の形態の液晶表示装置の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図６９】図６９は第１６の実施の形態の液晶表示装置の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図７０】図７０は第１６の実施の形態の液晶表示装置の製造方法を示す断面図（その３）である。
【図７１】図７１は第１６の実施の形態の液晶表示装置の製造方法を示す平面図（その１）である。
【図７２】図７２は第１６の実施の形態の液晶表示装置の製造方法を示す平面図（その２）である。
【図７３】図７３は従来のＭＶＡ型液晶表示装置の一例を示す断面図（模式図）である。
【図７４】図７４は図７３に示すＭＶＡ型液晶表示装置の電圧印加時の状態を示す断面図（模式図）である。
【図７５】図７５は従来のＭＶＡ型液晶表示装置の他の例を示す断面図（模式図）である。
【符号の説明】
１０，１０１，２１０，２２０，２３０，３１０，３２１，４１０，５１０…ＴＦＴ基板、
１１，２１，２２１，２３１，２４１，２６１，３１１，４２１，５１１，５２１…ガラス基板、
１２ａ，３１２…ゲートバスライン、
１３，３１３…絶縁膜（ゲート絶縁膜）、
１４ａ…データバスライン、
１５，３１８，３３１…絶縁膜（最終保護膜）、
１６ａ，２１６，２３６，３１９，５１６…画素電極、
１６ｂ，５１６ａ…スリット（画素電極のスリット）
１７，２６，２１７，２２６，２３７，２４８…配向膜、
１８…ＴＦＴ、
１８ａ，３１４，３１６…シリコン膜、
１８ｂ…ソース電極、
１８ｃ…ドレイン電極、
２０，２２０，２４０，３２０，４２０，５２０…ＣＦ基板、
２２，２２２，２４２，２６２，３４２，５２２…ブラックマトリクス、
２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂ，１０２Ｒ，１０２Ｇ，１０２Ｂ，２２３Ｒ，２２３Ｇ，２２３Ｂ，２４３Ｒ，２４３Ｇ，２４３Ｂ，２６３Ｒ，２６３Ｇ，２６３Ｂ，３２３Ｒ，３２３Ｇ，３２３Ｂ，３４３Ｒ，３４３Ｇ，３４３Ｂ，４２３Ｒ，４２３Ｇ，４２３Ｂ，５２３…カラーフィルタ、
２４，１０３，２２４，２４５，２６４，３２４，３４４，４２４，５２４…コモン電極、
２５，４２，１０２…レジスト、
２５ａ，２５ｃ，２５ｄ，４１ａ，４２ａ，２２５ａ，２２５ｂ，２２５，２５１，２５２，２６５ａ，４２５ｃ，４２５ｄ…スペーサ、
２５ｂ，４１ｂ，４２ｂ，２４６ａ，２４７ａ…突起部、
２７，２８，３１，３２，３３，３４…マスク、
２９，２１９，２５９，３２９，５２９…液晶、
３２ａ…開口部、
１０６…露光機のステージ、
２２８…ノボラック樹脂膜、
２２５ｃ，２２５ｄ，２４６ｂ，２４７…樹脂膜、
２６５…レジスト膜、
３１８…絶縁膜、
３１４…チャネル保護膜、
３１７…導電膜
４０１…表示領域、
４０２…遮光領域、
４０３…シール材、
４０４…液晶注入口、
４２５ｂ…セルギャップ調整用スペーサ、
４２５ｃ，４２５ｄ…ギャップ保持用スペーサ、
４２５ａ，５１７…ドメイン規制用突起部。
【図１】
0004132528.tif 000003
【図２】
0004132528.tif 000004
【図３】
0004132528.tif 000005
【図４】
0004132528.tif 000006
【図５】
0004132528.tif 000007
【図６】
0004132528.tif 000008
【図７】
0004132528.tif 000009
【図８】
0004132528.tif 000010
【図９】
0004132528.tif 000011
【図１０】
0004132528.tif 000012
【図１１】
0004132528.tif 000013
【図１２】
0004132528.tif 000014
【図１３】
0004132528.tif 000015
【図１４】
0004132528.tif 000016
【図１５】
0004132528.tif 000017
【図１６】
0004132528.tif 000018
【図１７】
0004132528.tif 000019
【図１８】
0004132528.tif 000020
【図１９】
0004132528.tif 000021
【図２０】
0004132528.tif 000022
【図２１】
0004132528.tif 000023
【図２２】
0004132528.tif 000024
【図２３】
0004132528.tif 000025
【図２４】
0004132528.tif 000026
【図２５】
0004132528.tif 000027
【図２６】
0004132528.tif 000028
【図２７】
0004132528.tif 000029
【図２８】
0004132528.tif 000030
【図２９】
0004132528.tif 000031
【図３０】
0004132528.tif 000032
【図３１】
0004132528.tif 000033
【図３２】
0004132528.tif 000034
【図３３】
0004132528.tif 000035
【図３４】
0004132528.tif 000036
【図３５】
0004132528.tif 000037
【図３６】
0004132528.tif 000038
【図３７】
0004132528.tif 000039
【図３８】
0004132528.tif 000040
【図３９】
0004132528.tif 000041
【図４０】
0004132528.tif 000042
【図４１】
0004132528.tif 000043
【図４２】
0004132528.tif 000044
【図４３】
0004132528.tif 000045
【図４４】
0004132528.tif 000046
【図４５】
0004132528.tif 000047
【図４６】
0004132528.tif 000048
【図４７】
0004132528.tif 000049
【図４８】
0004132528.tif 000050
【図４９】
0004132528.tif 000051
【図５０】
0004132528.tif 000052
【図５１】
0004132528.tif 000053
【図５２】
0004132528.tif 000054
【図５３】
0004132528.tif 000055
【図５４】
0004132528.tif 000056
【図５５】
0004132528.tif 000057
【図５６】
0004132528.tif 000058
【図５７】
0004132528.tif 000059
【図５８】
0004132528.tif 000060
【図５９】
0004132528.tif 000061
【図６０】
0004132528.tif 000062
【図６１】
0004132528.tif 000063
【図６２】
0004132528.tif 000064
【図６３】
0004132528.tif 000065
【図６４】
0004132528.tif 000066
【図６５】
0004132528.tif 000067
【図６６】
0004132528.tif 000068
【図６７】
0004132528.tif 000069
【図６８】
0004132528.tif 000070
【図６９】
0004132528.tif 000071
【図７０】
0004132528.tif 000072
【図７１】
0004132528.tif 000073
【図７２】
0004132528.tif 000074
【図７３】
0004132528.tif 000075
【図７４】
0004132528.tif 000076
【図７５】
0004132528.tif 000077