(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部導体と、この内部導体の周囲に被覆される誘電体層と、この誘電体層の周囲に形成される半導電層と、この半導電層の周囲に形成される外部導体層と、この外部導体層の周囲に被覆されるジャケットを備える低雑音同軸ケーブルにおいて、前記誘電体層はポリテトラフルオロエチレンからなり、前記半導電層は、前記誘電体層の周囲に、塑性変形可能な未焼成もしくは半焼成の半導電性多孔質ポリテトラフルオロエチレンのテープを巻回して形成され、前記外部導体層が塑性変形可能な前記半導電層に埋設されて、前記外部導体層および前記半導電層が前記誘電体層に密着していることを特徴とする低雑音同軸ケーブル。
【請求項２】
内部導体を準備する工程と、この内部導体の周囲に誘電体層を被覆する工程と、この誘電体層の周囲に塑性変形可能な未焼成もしくは半焼成の半導電性多孔質ポリテトラフルオロエチレンのテープを巻回して半導電層を形成する工程と、この半導電層の周囲に外部導体層を形成する工程と、この外部導体層を外部からしごいて前記外部導体層を前記半導電層に埋設して前記外部導体層および前記半導電層を前記誘電体層に密着させる工程と、前記外部導体層の周囲にジャケットを被覆する工程とを備えることを特徴とする低雑音同軸ケーブルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、低雑音同軸ケ−ブルおよびその製造方法に係わり、特に良好な可撓性を有すると共に、端末処理が容易な低雑音同軸ケ−ブルおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、例えば、同軸ケ−ブルの屈曲あるいは機械的振動などによって同軸ケ−ブルの外部導体と誘電体との間に摺動が生じ、その結果、静電荷が発生して同軸ケ−ブルの伝送特性に悪影響を与えることがあった。この悪影響を防止するために、低雑音同軸ケーブルが提案されているが、この低雑音同軸ケーブルは、同軸ケ−ブルの外部導体層と誘電体層との間に半導電層を設け、さらにこれらの各層間で摺動が生じないように各層相互間を強固に密着して構成していたので同軸ケ−ブルの可撓性が悪く、しかもその強固な密着のために、同軸ケ−ブルの端末処理の際に行われる半導電層の除去作業も困難で時間がかかり、その端末処理作業が煩わしかった。
【０００３】
上記したような低雑音同軸ケ−ブルにおいて、例えば、これまで高速信号伝送が可能な同軸ケ−ブルが提案されているが、このような同軸ケーブルでは、内部導体を被覆する誘電体として、誘電率の低いポリテトラフルオロエチレンを用いて内部導体の周囲を被覆し、この誘電体と外部導体との間に設けられる半導電層としては、多孔質ポリテトラフルオロエチレン製テープの多孔部分に導電性の炭素粉末あるいは炭素繊維を混入して半導電性にしたテープを誘電体の周囲に巻回し、その後、焼結し完全に融着して低雑音同軸ケーブルを構成しているために、誘電体と半導電性にしたテープとの間が強固に固着し、その結果、このケーブルの可撓性が悪く、しかもその端末処理を行う際にも、半導電層を誘電体から削除するのに刃物あるいは切削具等を用いて時間がかかり、その作業も困難であった。特に、上記した低雑音同軸ケーブルの径が細いものでは、その端末処理に非常に時間がかかり、その作業も非常に困難となるという問題点を有していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、本発明は、上記した従来技術の問題点を解決するためになされたもので、その目的は、高速信号伝送が可能で、可撓性を損なうことなく、しかも端末処理が容易な低雑音同軸ケーブルを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、本願発明に係わる低雑音同軸ケーブルおよびその製造方法によって達成される。すなわち、要約すれば、本願発明は、内部導体と、この内部導体の周囲に被覆される誘電体層と、この誘電体層の周囲に形成される半導電層と、この半導電層の周囲に形成される外部導体層と、この外部導体層の周囲に被覆されるジャケットを備える低雑音同軸ケーブルにおいて、前記誘電体層はポリテトラフルオロエチレンからなり、前記半導電層は、前記誘電体層の周囲に、塑性変形可能な未焼成もしくは半焼成の半導電性多孔質ポリテトラフルオロエチレンのテープを巻回して形成され、前記外部導体層が塑性変形可能な前記半導電層に埋設されて、前記外部導体層および前記半導電層が前記誘電体層に密着していることを特徴とする低雑音同軸ケーブルであり、また、本願発明は、内部導体を準備する工程と、この内部導体の周囲に誘電体層を被覆する工程と、この誘電体層の周囲に塑性変形可能な未焼成もしくは半焼成の半導電性多孔質ポリテトラフルオロエチレンのテープを巻回して半導電層を形成する工程と、この半導電層の周囲に外部導体層を形成する工程と、この外部導体層を外部からしごいて前記外部導体層を前記半導電層に埋設して前記外部導体層および前記半導電層を前記誘電体層に密着させる工程と、前記外部導体層の周囲にジャケットを被覆する工程とを備えることを特徴とする低雑音同軸ケーブルの製造方法である。
【０００６】
【発明の実施の形態】
本発明による低雑音同軸ケーブル１では、半導電層を焼結させることなく、外部導体層を外部からしごいて、この外部導体層を、未焼成もしくは半焼成のＥＰＴＦＥ製テープのため塑性変形可能な半導電層に埋設させ、その結果、半導電層および外部導体層を誘電体層に密着させて、そこに維持しているので、その端末処理を行う場合には、テープ巻回により形成されている半導電層を誘電体層から巻きほどくことにより、特別な工具あるいは装置を必要とすることなく、容易に除去することができ、端末処理が極めて容易に行える。
さらに、この低雑音同軸ケーブルでは、上記したように、半導電層が誘電体層に融着する焼成が行われることなく、したがって可撓性も損なわれることがない。
【０００７】
【実施例】
本発明を、その一実施例に基づいて添付図面を参照しつつ以下に述べる。
図１は、本発明による低雑音同軸ケーブルの一実施例の断面図である。
図１を参照すると、この図１には、本発明による低雑音同軸ケーブル１０が示されており、この低雑音同軸ケーブル１０は、内部導体２（本実施例では、外径０．１７ｍｍの銀めっき銅被鋼線の７本撚り）の周囲に誘電率の低いポリテトラフルオロエチレンを押出し被覆して形成された誘電体層３を備えている（本実施例では、外径１．３ｍｍ）。
【０００８】
この誘電体層３の周囲には多孔質ポリテトラフルオロエチレン（ＥＰＴＦＥ）製テープの多孔部分に導電性の炭素粉末あるいは炭素繊維を混入して半導電性にした未焼成もしくは半焼成のＥＰＴＦＥ製テープ（本実施例では、幅５ｍｍ、厚さ０．１ｍｍ）を巻回することによって半導電層４（本実施例では、厚さ０．２ｍｍ）が形成され、この半導電層４の周囲には導体素線を横巻きにした横巻きシールドの外部導体層５（本実施例では、外径０．１２ｍｍの銀めっき軟銅線４３本を用い、外径１．８４ｍｍ）が形成されている。
【０００９】
その後、ダイス（図示せず）等を用いて、この形成された外部導体層５を外部からしごいて、この外部導体層５を、未焼成もしくは半焼成のＥＰＴＦＥ製テープのため塑性変形可能な半導電層４に埋設させ、その結果、半導電層４および外部導体層５を誘電体層３に密着させて、そこに維持し、その後、さらにこの外部導体層５の周囲にテトラフルオロエチレンーヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）を被覆してジャケット６（本実施例では、厚さ０．２ｍｍ）を形成することによって低雑音同軸ケーブル１０を構成している。
【００１０】
このようにして構成された上記低雑音同軸ケーブル１０において、その端末処理を行う場合には、ケーブル１０の端部から所望する所定長さのジャケット６を除去した後、半導電層４に埋設されている外部導体層５を半導電層４から取り除いて束ね、そして所定方向へ折り返し、その後、テープ巻回により形成されている半導電層４を巻きほどくことにより、埋設された外部導体５によって誘電体層３に押しつけられ密着していた、所謂生テープ、すなわち焼成されていない未焼成もしくは半焼成のＥＰＴＦＥ製テープの半導電層４を誘電体層３から、特別な工具あるいは装置を必要とすることなく、容易に除去することができ、端末処理が極めて容易に行える。
【００１１】
さらに、この低雑音同軸ケーブル１０では、未焼成もしくは半焼成のＥＰＴＦＥ製テープの半導電層４が、外部導体層５の外部からのしごきにより、外部導体層５と共に、誘電体層３に密着されて、そこに維持されるので、誘電体層３に融着する焼成が行われることなく、したがって可撓性も損なわれることがない。
【００１２】
なお、本願発明による上記構成の低雑音同軸ケーブルの雑音電荷量を測定するために、ケーブル長さ２ｍを試料として、これに振幅５ｍｍ、周波数２０Ｈｚの振動を加えたところ、雑音電荷量は７ｐＣ（ピコ  クーロン）であった。比較例として、本願発明の半導電層４を備えないものを、同条件下で雑音電荷量の測定を行ったところ、雑音電荷量は１０００ｐＣ（ピコ  クーロン）であり、本願発明による低雑音同軸ケーブルの雑音電荷量が充分低減されていることが理解されるであろう。
【００１３】
【発明の効果】
以上説明してきたように、本発明の低雑音同軸ケーブルによれば、誘電体層および半導電層に誘電率の低いポリテトラフルオロエチレンを用いているので高速信号伝送が可能であり、しかも半導電層を誘電体層に焼成することがないので、半導電層を誘電体層から、特別な工具あるいは装置を必要とすることなく、容易に除去することができ、端末処理が極めて容易に行えると共に、可撓性も損なわれることがないという効果を奏する。
【００１４】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による低雑音同軸ケーブルの一実施例の断面図である。
【符号の説明】
２：内部導体、                    ３：誘電体層、
４：半導電層、                    ５：外部導体層、
６：ジャケット、                １０：低雑音同軸ケーブル。
【図１】
0004136097.tif 000002