(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面に光電変換素子を搭載する搭載部と前記搭載部に向かって延在する光ファイバを案内する溝を有する支持基板と、前記搭載部上に固定される光電変換素子と、一端が前記溝に嵌め込まれ最先端部分を除く部分が前記支持基板に固定される光ファイバとを有する光電子装置であって、前記溝に嵌め込まれる光ファイバは光ファイバ下の溝を満たすように充填されかつ前記光ファイバを前記支持基板に仮固定する第１接合体と、前記光ファイバと前記支持基板の一部を被って光ファイバを支持基板に本固定する第２接合体で固定され、かつ前記支持基板の一面側の前記光電変換素子や光ファイバの一端側を含む部分は前記光ファイバで伝送される光に対して透明である保護体で被われており、
前記第１接合体は紫外線硬化接着剤で構成され、前記第２接合体は熱硬化性樹脂で構成されていることを特徴とする光電子装置。
【請求項２】
前記支持基板は前記光ファイバをガイドするガイド付きのプラスチック製のケース内に固定され、前記ケース内には前記支持基板，光電変換素子および光ファイバの一端側を被うように前記保護体が充填され、前記ケースはプラスチック製のキャップで塞がれかつ接着剤で前記支持基板に固定されていることを特徴とする請求項１に記載の光電子装置。
【請求項３】
前記支持基板，前記光電変換素子および前記光ファイバの一端側は樹脂モールドによって形成された絶縁性樹脂からなるパッケージで被われているとともに、前記パッケージ内には前記光電変換素子にパッケージ外から浸入する水分の経路を断つように前記保護体が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の光電子装置。
【請求項４】
請求項１に記載の光電子装置であって、
前記支持基板，前記光電変換素子および前記光ファイバの一端側は絶縁性樹脂からなるパッケージで被われており、前記保護体は耐湿性を有することを特徴とする光電子装置。
【請求項５】
請求項４に記載の光電子装置であって、
前記光ファイバの外周面に接触する前記溝の二点間の距離の半分以上の径の保護膜または気泡が、前記光ファイバと前記溝とによって形成され、かつ前記第１接合体が充填された領域には存在していないことを特徴とする光電子装置。
【請求項６】
前記光ファイバの一端側の前記第１接合体で固定される部分から前記光電変換素子に至る間には前記溝に交差して延在する窪みまたは溝からなる気泡発生抑止部が設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の光電子装置。
【請求項７】
前記光ファイバの一端側の最先端部分は前記気泡発生抑止部上に位置していることを特徴とする請求項６に記載の光電子装置。
【請求項８】
前記光ファイバの一端側の最先端面部分は前記気泡発生抑止部の縁に一致または数百μｍ以下と近接していることを特徴とする請求項７に記載の光電子装置。
【請求項９】
前記光ファイバの一端側は前記気泡発生抑止部を越えて延在し最先端部分は前記溝に支持されていることを特徴とする請求項６に記載の光電子装置。
【請求項１０】
前記気泡発生抑止部の前記溝に沿う方向の長さは百数十μｍ以上となっていることを特徴とする請求項６乃至請求項９のいずれか１項に記載の光電子装置。
【請求項１１】
前記第１接合体の存在領域の全体または一部を前記第２接合体が被っていることを特徴とする請求項１に記載の光電子装置。
【請求項１２】
前記保護体はシリコーンゲル，シリコーンゴム，低応力エポキシ樹脂，アクリル樹脂，ウレタン樹脂のいずれかで形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項１１のいずれか１項に記載の光電子装置。
【請求項１３】
前記支持基板はシリコン基板であり、前記光電変換素子は半導体レーザチップであることを特徴とする請求項１乃至請求項１２のいずれか１項に記載の光電子装置。
【請求項１４】
絶縁性樹脂からなるパッケージ内に、光ファイバと、一面に光電変換素子を搭載しかつ前記光電変換素子に向かって延在する前記光ファイバを案内する溝を有する支持基板と、前記光ファイバで伝送される光に対して透明でありかつ耐湿性の保護膜と、を有する光電子装置の製造方法であって、
前記支持基板の溝の一部に第１接着剤を塗布する工程と、
前記支持基板の溝に光ファイバの一端側を嵌め込みかつ光ファイバ下の溝を前記第１接着剤で満たす状態にして前記光電変換素子と光ファイバとの光結合調整をする工程と、
前記第１接着剤を硬化させて、前記光ファイバを前記支持基板に仮固定する工程と、
前記光ファイバで伝送される光に対して透明でありかつ耐湿性の保護膜を形成する工程とからなり、
前記第１接着剤は、紫外線を照射して硬化する紫外線硬化接着剤であり、さらに、
前記光ファイバと前記支持基板の一部を熱硬化性樹脂で覆うとともにこの熱硬化性樹脂を硬化処理して光ファイバを支持基板に本固定する工程を有することを特徴とする光電子装置の製造方法。
【請求項１５】
前記紫外線硬化接着剤による固定部の全体または一部を前記熱硬化性樹脂による固定部が被うように仮固定および／または本固定の位置を決めて固定を行うことを特徴とする請求項１４に記載の光電子装置の製造方法。
【請求項１６】
前記紫外線硬化接着剤による固定部の一部を前記熱硬化性樹脂による固定部が被いかつ熱硬化性樹脂による固定部は前記紫外線硬化接着剤による固定部の前記光電変換素子から遠ざかる部分側に位置するように固定を行うことを特徴とする請求項１５に記載の光電子装置の製造方法。
【請求項１７】
前記熱硬化性樹脂の硬化処理はバッチ処理で行うことを特徴とする請求項１４乃至請求項１６のいずれか１項に記載の光電子装置の製造方法。
【請求項１８】
前記保護体として、シリコーンゲル，シリコーンゴム，低応力エポキシ樹脂，アクリル樹脂，ウレタン樹脂のいずれかを用いて形成することを特徴とする請求項１４乃至請求項１７のいずれか１項に記載の光電子装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は光電子装置（半導体光モジュール）およびその製造方法に関し、特に、表面に溝を設けたシリコンプラットフォームと呼称されるシリコン基板に光ファイバを熱硬化性樹脂や紫外線硬化接着剤等の接合体を用いて接着固定する技術に適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
情報処理装置用光源や光通信用光源として、半導体レーザ（半導体レーザチップ）を組み込んだ光電子装置が使用されている。
【０００３】
光電子装置の一つとして、たとえば、特開昭63- 316010号公報に記載されているように、箱型パッケージ構造の光電子装置（半導体レーザ装置）が知られている。
【０００４】
また、シリコンプラットフォームを用いたパッシブアライメント実装については、工業調査会発行「電子材料」1997年７月号、 P65〜P69 に記載されている。同文献には、リード付きのパッケージとフタの内部に、シリコンプラットフォームを取り付け、シリコンプラットフォームにはレーザダイオード，モニタフォトダイオードおよびピッグテイル光ファイバが取り付けられ、さらに押さえ板が取り付けられる構造のパッシブアライメント形光モジュールが開示されている。
【０００５】
一方、電子情報通信学会発行「１９６６年電子情報通信学会総合大会予稿集Ｃ−２１６」には、パッシブアライメント光学結合方式を採用した平面実装型ＬＤモジュールにおいて、光ファイバを紫外線硬化樹脂で固定した技術が開示されている。同文献には、パッケージ(PKG) としては中空の樹脂モールドPKG とセラミックPKG の両構造について検討された旨記載されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
半導体レーザを組み込んだ光電子装置（パッシブアライメント形光モジュール）において、本出願人にあっては、光ファイバをシリコンプラットフォームに短時間に固定する技術、およびパッケージコストを低減できる技術を検討している。
【０００７】
光ファイバをシリコンプラットフォームに短時間に固定する技術については、既に提案（特願平9-78602,平成９年３月28日出願, 光電子装置およびその製造方法) してある。
【０００８】
すなわち、従来のシリコンプラットフォーム（支持基板）を用いた半導体光モジュールでは、シリコンプラットフォームの溝に這うように嵌め込んだ光ファイバの先端を、シリコンプラットフォームの表面に固定した半導体レーザチップとの光結合調整を行った後、シリコンプラットフォームに嵌め込んだ光ファイバを固定するが、その固定は、（１）熱硬化性樹脂（熱硬化性エポキシ樹脂）や紫外線硬化接着剤等の接着剤で固定する技術、（２）押さえ板で光ファイバをシリコンプラットフォームに押さえ付けて固定する技術、が採用されている。
【０００９】
熱硬化性樹脂で光ファイバを固定する場合、光結合調整を行った後光ファイバをシリコンプラットフォームに押さえ付けて静止させ、この状態で熱硬化性樹脂の塗布および硬化処理を行う必要がある。
【００１０】
しかし、この方法では、熱硬化性樹脂の硬化時間が長いため、光ファイバの固定作業能率が低くなる。たとえば、熱硬化性樹脂として用いられるエポキシ樹脂の場合、硬化処理は光ファイバ保証温度を越える１５０℃でも約２分となる。
【００１１】
また、光結合調整はファイバ組込装置で行うため、光結合調整に多くの時間を費やすことはファイバ組込装置の稼働率の低下を引き起こす。また、ファイバ組込装置は高価であり、結果的に光結合調整コストを増大させる。
【００１２】
また、光結合調整後の熱硬化性樹脂の硬化処理をファイバ組込装置上で行う方法では、熱硬化性樹脂の硬化処理のバッチ処理化ができず、さらにファイバ組込装置の稼働率を低下させるという問題があった。
【００１３】
これらのことから従来の熱硬化性樹脂による光ファイバ固定作業は、その能率が低くなり、光電子装置（光モジュール）の製造コストの低減が妨げられる。
【００１４】
一方、従来の熱硬化性樹脂による光ファイバの固定技術では、熱硬化性樹脂が確実に固まる間に光ファイバが動くと光結合状態が変化するため光軸合わせ歩留りが低下する。
【００１５】
また、光ファイバとシリコンプラットフォーム部分に紫外線硬化接着剤を塗布した後、紫外線硬化接着剤に紫外線を照射して紫外線硬化接着剤を硬化させて光ファイバをシリコンプラットフォームに固定する技術では、紫外線照射による硬化処理であることから光ファイバ固定は短時間固定が可能になるが、紫外線照射できない部分は硬化せず、光ファイバ固定の信頼性が低くなる。
【００１６】
これを解決すべく紫外線硬化，加熱硬化併用型の紫外線硬化接着剤を使用し、紫外線照射による硬化と、加熱硬化の二段処理形態も考えられる。この場合、加熱処理による硬化処理は時間が長いため、光ファイバの固定作業の能率（ターンアラウンドタイム：ＴＡＴ）が低くなる。この種の紫外線硬化接着剤の一例としては、加熱処理は１２０℃で６０分になる。
【００１７】
また、前記のように加熱硬化処理の処理温度が１２０℃と高くかつ処理時間が長い場合は、光ファイバを覆う樹脂（ファイバケーブル部分）が劣化するおそれがある。
【００１８】
他方、コアとクラッドとからなる光ファイバ（光ファイバ芯線）の表面にメタライズ層を設け、このメタライズ層を利用して半田で光ファイバをシリコンプラットフォームや光ファイバを案内する筒状のファイバガイドに固定する構造では、光ファイバをシリコンプラットフォームの溝に嵌め込んだ際、前記メタライズ層の厚さのばらつきから、光ファイバ芯線と半導体レーザチップとの光結合調整作業がし難くなる場合もある。
【００１９】
そこで、本出願人にあっては、前述のように、光ファイバをシリコンプラットフォームに短時間に固定する技術を提案（特願平9-78602 ）している。この技術では、表面に溝を有するシリコンプラットフォーム（支持基板）を用意した後、前記溝の一端側の支持基板表面上に光電変換素子（半導体レーザチップ）を固定するとともに前記溝に光ファイバを這うように嵌め込むみ、その後、前記光電変換素子と前記光ファイバとの光の授受状態を調整するとともに前記光ファイバを前記支持基板に熱硬化性樹脂で固定する従来の方法において、前記光ファイバを前記支持基板に押さえ付けた状態で前記熱硬化性樹脂の硬化時間よりも固定処理時間が短い固定手段で仮固定を行った後、前記押さえ付けを解除して熱硬化性樹脂で光ファイバを本固定する技術である。
【００２０】
そして、たとえば、一例としては、紫外線硬化接着剤を前記光ファイバおよび支持基板部分に塗布した後、前記紫外線硬化接着剤に紫外線を照射して硬化させて前記光ファイバを前記支持基板に仮固定し、その後、前記半導体レーザチップからの距離が前記仮固定位置よりも遠くなる光ファイバ部分を熱硬化性樹脂で覆う。
【００２１】
この技術では、紫外線硬化接着剤によって仮固定が終了していることから、熱硬化性樹脂を塗布した後、熱硬化性樹脂が硬化する前でも支持基板等を動かすことができるため、短時間でファイバ組込装置から支持基板等を外すことができ、前記熱硬化性樹脂の硬化処理（本固定）はバッチ処理で行うことができる。このバッチ処理により、１支持基板当たりの光ファイバの固定時間の短縮が達成できる。また、光結合の信頼性も高い。
【００２２】
本出願人においては、この技術を採用するとともにパッケージコストの低減技術について検討した。そして、パッケージコストの低減化を図るために、パッケージを構成するパッケージ本体（ケース）と蓋体（キャップ）をプラスチック製とし、ケースとキャップは樹脂で接着する構造とすることにした。また、プラスチックはセラミックに比較して耐湿性が低いことから、ケース内にシリコーンゲルを封入して支持基板上の半導体レーザチップ等を始めとする各部品の表面をシリコーンゲルで被い、耐湿性の向上を図ることを考えた。
【００２３】
しかし、このシリコーンゲル封入構造では、光ファイバの固定強度の低下や固定の信頼性が低くなるとともに、耐湿性が低下することが本発明者によってあきらかにされた。この原因は、シリコーンゲル内に発生する気泡にあることが判明した。
【００２４】
また、気泡の発生メカニズムについて実験検討した結果、最初に発生した気泡は、その後の温度サイクル、すなわち使用環境温度によって増大することもあることが判明した。
【００２５】
図２５はシリコンプラットフォーム（支持基板）１の溝２に光ファイバ３が紫外線硬化接着剤４による仮固定と熱硬化性樹脂５による本固定とで固定され、かつシリコンプラットフォーム１の上面側がシリコーンゲル６で被われた部分を模式的に示す図である。光ファイバ３はクラッド３ｂと、この中心に位置するコア３ａとで形成されている。また、二点鎖線で示されるものは半導体レーザチップ７である。気泡１０は図２５に示すように、シリコンプラットフォーム１の溝２を形成する溝面と光ファイバとによって形成される囲まれた領域９内のシリコーンゲル中に発生し易い。
【００２６】
気泡の存在はシリコンプラットフォーム１への光ファイバ３の固定強度の低下や固定の信頼性を低下させることになる。
【００２７】
また、気泡１０の存在自体によって耐湿性が低下するとともに、水分が浸入した場合、気泡部分が核になり水分がトラップされ、水分が外部に逃げ難くなり耐湿性が低下する。光ファイバの先端延長側には半導体レーザチップや受光素子等が配置されるとともに、周囲には配線層やワイヤ等が存在するため、気泡１０に水分がトラップされることは、前記各部の酸化や腐食のおそれもあり、光モジュールの耐湿性が低下する。
【００２８】
また、気泡部分に水分がトラップされた状態では、光モジュールが氷点下の温度に晒されるような場合前記水分が氷となり、この体積変化に起因するトラブルの発生も危惧される。
【００２９】
実験では、図２６および図２７に示すように、容器１５の底に金属フレーム１６を置き、その上に２本のガラス製のキャピラリ１７（内径０．１３ｍｍ）を平行にかつ接触するように並べ、かつ容器１５内にシリコーンゲル６を充填し、両キャピラリ１７を表面および内部にわたり気泡を巻き込まぬようにしてシリコーンゲル６で被うようにした。その後、キュア処理条件（処理温度１２０℃，処理時間６０分）のもとに前記容器１５を置いた。図２６はキュア処理条件でシリコーンゲルが硬化した状態での気泡１０の分布状態を示す模式図であり、図２６（ａ）は平面図、図２６（ｂ）は断面図である。
【００３０】
また、シリコーンゲルが硬化した後、温度サイクル等環境試験（▲１▼温度範囲；−４０〜＋８５℃で１サイクル３５分程度を４０サイクル、▲２▼高温高湿度（８５℃，相対湿度８５％）１３６時間、▲３▼高温ベーク（１２０℃）３０分、▲４▼低温放置（−５５℃）１．５時間、をこの順に行う）を行った。図２７は温度サイクル等環境試験によってシリコーンゲル内に発生した気泡１０の分布を示す模式図であり、図２７（ａ）は平面図、図２７（ｂ）は断面図である。
【００３１】
図２６および図２７における気泡１０は写真を基にして描いたものであり、形状は実際のものと多少異なることがあってもその位置は正確である。
【００３２】
図２６に示すように、気泡１０はキャピラリ１７の内径部分に散在しているが、両端側には存在していない。これはキャピラリ１７の両端側の内径部分では、シリコーンゲルがキャピラリ１７の内外に亘って自由に移動できること（開かれた領域）によるものと考えられ、キャピラリ１７の内部の内径部分では収縮による体積減少を補うためのシリコーンゲルの移動が不十分なため、空隙、すなわち気泡１０が発生するものと考えられる。
【００３３】
また図２７に示すように、環境試験では変動する温度および湿度に繰り返し晒されることから、シリコーンゲルの移動に伴い空隙が新たに発生して気泡１０が多くなり、また、近在の空隙同士の一体化または分離によって気泡１０の形状が変化するものと考えられる。１２０℃の高温では気泡の形状は大きくなり、位置も大きくずれ、一方、−５５℃の低温では小さな気泡が多数発生した。
【００３４】
図２７に示すように、図２６では気泡１０が存在しなかった領域、すなわち金属フレーム１６と２本のキャピラリ１７で囲まれる領域（囲まれた領域９）にも新たに気泡１０が発生していることが分かる。
【００３５】
一方、プラスチック製のケース内にシリコーンゲルを封入して支持基板１上の半導体レーザチップ７等を始めとする各部品の表面をシリコーンゲルで被った場合、図２８に示すように、光ファイバ３の下の溝２内に充填されたシリコーンゲル６内に気泡１０が発生する場合ばかりでなく、図２９および図３０に示すように、光ファイバ３の先端面（前方入射面）と半導体レーザチップ７との間に気泡１０が発生する場合があることが判明した。
【００３６】
これは、光ファイバ３の先端面と半導体レーザチップ７の前方出射面との間隔が４０〜５０μｍ以下と狭いことから、この部分が開かれた領域と作用せず、特に繰り返して熱を受ける場合に発生し易いと思われる。すなわち、組み立てを行いシリコーンゲル６を充填し、かつシリコーンゲル６の硬化処理を行った初期の状態では、光ファイバ３の先端面と半導体レーザチップ７の前方出射面との間での気泡１０の発生は見られなかったが、熱サイクル試験後には光ファイバ３の先端面と半導体レーザチップ７の前方出射面との間に気泡１０が発生する現象があるものがたまに発生していた。
【００３７】
光ファイバ３の先端面と半導体レーザチップ７との間に気泡１０が発生した場合で、半導体レーザチップ７の出射面から出射されたレーザ光１１の光路に気泡１０が掛かった状態（図２９，図３０参照）では、前記気泡１０がレンズとして作用するため、半導体レーザチップ７から出射されたレーザ光１１の方向が変化（ケラレ）し、光ファイバ３との間で光結合がなされない場合や、光結合効率が低下する。光ファイバ３のコア３ａが１０μｍ直径前後と細いシングルモードファイバの場合、光結合がなされない場合が多い。なお、図２８乃至図３０における３１は半導体レーザチップ７の後方の出射面から出射されるレーザ光１１を受光する受光素子３１である。また、図３０では、支持基板１の上面全域にシリコーンゲル６が存在しているものである。
【００３８】
本発明の目的は、光結合効率の高い光電子装置およびその製造方法を提供することにある。
【００３９】
本発明の他の目的は、光ファイバの固定強度および固定の信頼性が高い光電子装置およびその製造方法を提供することにある。
【００４０】
本発明の他の目的は、耐湿性の優れた光電子装置およびその製造方法を提供することにある。
【００４１】
本発明の他の目的は、光ファイバの固定作業時間の短縮が図れる光電子装置およびその製造方法を提供することにある。
【００４２】
本発明の他の目的は、製造コストの低減が達成できる光電子装置およびその製造方法を提供することにある。
【００４３】
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであろう。
【００４４】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【００４５】
（１）一面に光電変換素子（半導体レーザチップ）を搭載する搭載部と前記搭載部に向かって延在する光ファイバを案内する溝を有するシリコン基板からなる支持基板（シリコンプラットフォーム）と、前記搭載部上に固定される光電変換素子と、一端が前記溝に嵌め込まれ最先端部分を除く部分が前記支持基板に固定される光ファイバとを有する光電子装置であって、前記溝に嵌め込まれる光ファイバは光ファイバ下の溝を満たすように充填されかつ前記光ファイバを前記支持基板に仮固定する第１接合体と、前記光ファイバと前記支持基板の一部を被って光ファイバを支持基板に本固定する第２接合体で固定され、かつ前記支持基板の一面側の前記光電変換素子や光ファイバの一端側を含む部分は前記光ファイバで伝送される光に対して透明である保護体で被われている。前記第１接合体の存在領域の全体または一部を前記第２接合体が被っている。前記第１接合体は紫外線硬化接着剤で構成され、前記第２接合体は熱硬化性樹脂で構成されている。前記支持基板は前記光ファイバをガイドするガイド付きのプラスチック製のケース内に固定され、前記ケース内には前記支持基板，光電変換素子および光ファイバ等を被うように前記保護体が充填され、前記ケースはプラスチック製のキャップで塞がれかつ接着剤で前記支持基板に固定されている。前記保護体はシリコーンゲル，シリコーンゴム，低応力エポキシ樹脂，アクリル樹脂，ウレタン樹脂のいずれかで形成されている。たとえばシリコーンゲルで形成されている。前記光ファイバの外周面に接触する前記溝の二点間の距離の半分以上の気泡が前記光ファイバと前記溝とによって形成された領域および前記光ファイバの一端面と前記半導体レーザチップとの間の領域には存在していない構成になっている。
【００４６】
この構成上の特徴を、仮固定を第１の固定、本固定を第２の固定として、ある限定された局面から記せば、光ファイバは支持基板に固定速度の異なる第１および第２の固定手法（手段）で固定され、その固定速度は第１の固定手段の方が第２の固定手段より速いといえよう。
【００４７】
このような光電子装置は以下の方法で製造される。
【００４８】
一面に光電変換素子を搭載しかつ前記光電変換素子に向かって延在する光ファイバを案内する溝とを有する支持基板を用意する工程と、前記支持基板の溝の一部に紫外線硬化接着剤を塗布するとともに支持基板の溝に光ファイバの一端側を嵌め込みかつ光ファイバ下の溝を前記紫外線硬化接着剤で満たす状態にして前記光電変換素子と光ファイバとの光結合調整をする工程と、前記紫外線硬化接着剤に紫外線を照射して硬化させて前記光ファイバを前記支持基板に仮固定する工程と、前記光ファイバと前記支持基板の一部を熱硬化性樹脂で被うとともにこの熱硬化性樹脂を硬化処理して光ファイバを支持基板に本固定する工程とを有する。
【００４９】
具体的には、光ファイバをガイドするガイド付きのプラスチック製のケースおよび前記ケースを塞ぎ接着剤によってケースに取り付けられるプラスチック製のキャップからなるパッケージと、前記ケース内に固定され一面に光電変換素子を搭載しかつ前記光電変換素子に向かって延在する光ファイバを案内する溝とを有する支持基板と、前記ガイドによってパッケージの内外に亘って案内される光ファイバとを有し、前記パッケージ内に延在する光ファイバの一端側は前記支持基板の溝に嵌め込まれているとともに紫外線硬化接着剤による仮固定と熱硬化性樹脂による本固定によって支持基板に固定されてなる光電子装置の製造方法であって、前記支持基板の溝の一部に紫外線硬化接着剤を塗布するとともに支持基板の溝に光ファイバの一端側を嵌め込みかつ光ファイバ下の溝を前記紫外線硬化接着剤で満たす状態にして前記光電変換素子と光ファイバとの光結合調整をする工程と、前記紫外線硬化接着剤に紫外線を照射して硬化させて前記光ファイバを前記支持基板に仮固定する工程と、前記光ファイバと前記支持基板の一部を熱硬化性樹脂で被うとともにこの熱硬化性樹脂を硬化処理して光ファイバを支持基板に本固定する工程と、前記ケースの取り付け前にケース内に前記光ファイバで伝送される光に対して透明である保護体を充填硬化させる工程とを有する。前記保護体として、シリコーンゲル，シリコーンゴム，低応力エポキシ樹脂，アクリル樹脂，ウレタン樹脂のいずれかを用いて形成する。たとえば、シリコーンゲルを用いる。前記仮固定部の全体または一部を前記本固定部が被うように仮固定および／または本固定の位置を決めて固定を行う。前記本固定における熱硬化性樹脂の硬化処理はバッチ処理で行う。
【００５０】
なお、光ファイバを支持基板に第１接合体のみで固定する構造でもよい。すなわち、一面に光電変換素子を搭載する搭載部と前記搭載部に向かって延在する光ファイバを案内する溝を有する支持基板と、前記搭載部上に固定される光電変換素子と、一端が前記溝に嵌め込まれ最先端部分を除く部分が前記支持基板に固定される光ファイバとを有する光電子装置であって、前記溝に嵌め込まれる光ファイバは光ファイバ下の溝を満たすように充填されかつ前記光ファイバを前記支持基板に固定する第１接合体で固定され、かつ前記支持基板の一面側の前記光電変換素子や光ファイバの一端側を含む部分は前記光ファイバで伝送される光に対して透明である保護体で被われている構造になっている。この場合、前記第１接合体は紫外線硬化接着剤または熱硬化性樹脂で構成されている。
【００５１】
（２）前記手段（１）の構成において、前記支持基板，前記光電変換素子および前記光ファイバの一端側は樹脂モールドによって形成された絶縁性樹脂からなるパッケージで被われているとともに、前記パッケージ内には前記光電変換素子にパッケージ外から浸入する水分の経路を断つように前記保護体が設けられている。
【００５２】
このような光電子装置は以下の方法で製造される。
【００５３】
絶縁性樹脂からなるパッケージと、前記パッケージ内に位置する支持部と、前記支持部に固定され一面に光電変換素子を搭載しかつ前記光電変換素子に向かって延在する光ファイバを案内する溝とを有する支持基板と、前記支持基板に搭載された光電変換素子と、前記支持基板の溝に嵌め込まれ一端を前記光電変換素子に対面されかつ他端は前記パッケージ外にジャケットで保護されて案内またはスリーブ付きのフェルールで案内される光ファイバとを有し、前記パッケージ内に延在する光ファイバの一端側は前記支持基板の溝に嵌め込まれているとともに紫外線硬化接着剤による仮固定と熱硬化性樹脂による本固定によって支持基板に固定されてなる光電子装置の製造方法であって、前記支持部を有するリードフレームおよび前記光電変換素子を固定した前記支持基板を用意する工程と、前記支持基板を前記リードフレームの支持部に固定する工程と、前記支持基板の溝の一部に紫外線硬化接着剤を塗布するとともに支持基板の溝に、ジャケットで保護されて案内またはスリーブ付きのフェルールで案内される光ファイバの一端側を嵌め込みかつ光ファイバ下の溝を前記紫外線硬化接着剤で満たす状態にして前記光電変換素子と光ファイバとの光結合調整をする工程と、前記紫外線硬化接着剤に紫外線を照射して硬化させて前記光ファイバを前記支持基板に仮固定する工程と、前記光ファイバと前記支持基板の一部を熱硬化性樹脂で被うとともにこの熱硬化性樹脂を硬化処理して光ファイバを支持基板に本固定する工程と、前記光ファイバを前記支持基板に固定する前または後に前記支持基板の配線と前記リードフレームのリードを導電性のワイヤで接続する工程と、前記光電変換素子，前記光ファイバの一端側，前記ワイヤ，前記ワイヤが接続されるリード部分を含む部分を前記光ファイバで伝送される光に対して透明である保護体で被う工程と、前記ジャケットまたは前記スリーブの途中部分までを含む部分を絶縁性樹脂でモールドして前記パッケージを形成する工程と、前記パッケージから突出する不要リードフレーム部分を切断除去する工程とを有する。
【００５４】
（３）前記手段（１）または手段（２）の構成において、前記仮固定部の一部を前記本固定部が被いかつ本固定部は前記仮固定部の前記光電変換素子から遠ざかる部分側に位置するように固定を行う。
【００５５】
（４）前記手段（１）乃至手段（３）のいずれかの構成において、前記光ファイバの一端側の前記第１接合体で固定される部分から前記光電変換素子に至る間には前記溝に交差して延在する窪みまたは溝からなる気泡発生抑止部が設けられている。前記気泡発生抑止部の前記溝に沿う方向の長さは５０μｍ以上となっている。
【００５６】
このような光電子装置は以下の方法が採用される。すなわち、一面に光電変換素子を搭載するとともに前記光電変換素子に向かって延在する光ファイバを案内する溝を有しかつ前記溝に交差する窪みや溝からなる気泡発生抑止部を前記光ファイバの接合体による固定部よりも光ファイバの一端側に設けた支持基板を用意した後、前記光ファイバと前記光電変換素子との光結合調整を行いかつ前記気泡発生抑止部から外れた前記溝部分に前記紫外線硬化接着剤で光ファイバを仮固定する。
【００５７】
（５）前記手段（４）の構成において、前記光ファイバの一端側の最先端部分は前記気泡発生抑止部上に位置している。
【００５８】
（６）前記手段（５）の構成において、前記光ファイバの一端側の最先端面部分は前記気泡発生抑止部の縁に一致または数百μｍ以下と近接している。
【００５９】
（７）前記手段（４）の構成において、前記光ファイバの一端側は前記気泡発生抑止部を越えて延在し最先端部分は前記溝に支持されている。
【００６０】
前記（１）の手段によれば、（ａ）パッケージはプラスチック製のケースとキャップによって構成されているが、ケース内にはシリコーンゲルが充填されているため、耐湿性の向上が図れる。
【００６１】
（ｂ）シリコンプラットフォーム（支持基板）の溝に光ファイバを嵌め込んだ際、光ファイバの下には溝によって空間が発生するが、本実施形態ではこの空間を紫外線硬化接着剤で満たすようになっている。したがって、キャップ封止の前にケース内にシリコーンゲルが充填されても、仮固定部分に対応する光ファイバの下にシリコーンゲルが入り込むことがなく、シリコーンゲルの硬化収縮に起因する気泡が発生することもない。この結果、気泡に起因する光ファイバの固定強度や固定の信頼性の低下を引き起こすことがないとともに、気泡に起因する耐湿性の低下、気泡にトラップされた水分の結氷化等の不具合の発生を防止することができる。
【００６２】
すなわち、光ファイバに沿って外部から水分が浸入して来ても、仮固定部分では光ファイバと溝との間も仮固定を行う紫外線硬化接着剤が充填されていることから、水分はその浸入をこの仮固定部分で阻止されるとともに、シリコーンゲル内の気泡のような水分をトラップする核が存在しないため水分のトラップも発生しなくなり、耐湿性の向上が図れるとともに、低温使用時の水分の結氷化のおそれもなくなる。
【００６３】
なお、光ファイバを支持基板に紫外線硬化接着剤や熱硬化性樹脂からなる第１接合体のみで固定する構造でも、光ファイバ下の溝は第１接合体が充填されていることから、この光ファイバ下の溝部分にシリコーンゲルが浸入せず、シリコーンゲルの硬化収縮に起因する気泡の発生がなくなる。
【００６４】
また、第１接合体による固定部から突出する光ファイバの先端部分は数百μｍ以下と短いため、先端部分下の溝内に入るシリコーンゲルの量は少なくかつ光ファイバの先端延長側は大気に向かう開かれた領域であることから、硬化収縮時にシリコーンゲルの移動が生じて気泡が発生し難くなる。したがって、光ファイバの先端側および下方のシリコーンゲル中には気泡が発生しなくなり、水分のトラップの核がなくなるばかりでなく、半導体レーザチップと光ファイバとの間にも気泡が存在しなくなることから、気泡によるレーザ光のケラレも発生しなくなり、光ファイバに高効率で光結合が行える。
【００６５】
一方、仮に光ファイバ下の溝内のシリコーンゲル中に気泡が発生するようなことがあっても、その気泡は直径が小さい。
【００６６】
（ｃ）光結合調整された光ファイバはシリコンプラットフォームの溝部分に紫外線硬化接着剤によって仮固定された後熱硬化性樹脂で本固定されることから、光結合の信頼性が高くなる。
【００６７】
（ｄ）熱硬化性樹脂は接合強度が高いため、光ファイバは熱硬化性樹脂による本固定によってシリコンプラットフォームに確実に固定され、光ファイバの固定の信頼性が高くなる。仮固定部では半導体レーザチップと光ファイバとの光結合状態を損なわないように固定し、本固定部では光ファイバの固定強度の向上が図られている。
【００６８】
（ｅ）前記（ｃ），（ｄ）により、仮固定と本固定によるため、光ファイバはシリコンプラットフォームに高い光結合性と高い接合信頼性を有して固定されることになる。
【００６９】
（ｆ）シリコンプラットフォームの溝に光ファイバを固定する場合、半導体レーザチップと光ファイバとの光結合調整を行った後、光ファイバをシリコンプラットフォームに押さえ付け、その状態で紫外線硬化接着剤を塗布するとともに紫外線を照射して紫外線硬化接着剤を硬化させて光ファイバの仮固定を行うことから、仮固定の時間が数十秒と短くできる。
【００７０】
（ｇ）紫外線硬化接着剤による仮固定は短期の固定信頼性があることから、その後続いて行う本固定までの間、光ファイバと半導体レーザチップの光結合状態を損なうことがない。したがって、その後に熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）で光ファイバを本固定する場合、熱硬化性樹脂の塗布後の熱硬化処理はバッチ処理で行うことができるため、光ファイバ固定作業能率が向上し、光電子装置の製造コストの低減が達成できる。
【００７１】
（ｈ）紫外線硬化接着剤による仮固定は、半導体レーザチップと光ファイバとの光軸合わせを行うファイバ組込装置上で行われるため、光ファイバの仮固定時間は短縮（数十秒）され、ファイバ組込装置の稼働率の向上が図れる。
【００７２】
（ｉ）ファイバ組込装置は高価であることから、ファイバ組込装置の稼働率の低下は光電子装置の製造コストの増加に繋がる。
【００７３】
前記（２）の手段によれば、前記手段（１）が有する効果に加えて下記の効果を有することになる。すなわち、この手段によれば、パッケージは絶縁性樹脂のモールドによって形成されるため、生産性が高く光電子装置の製造コストの低減が達成できる。
【００７４】
前記（３）の手段によれば、前記手段（１）および手段（２）が有する効果に加えて下記の効果を有することになる。すなわち、この手段によれば、前記仮固定部の一部を前記本固定部が被いかつ本固定部は前記仮固定部の前記光電変換素子から遠ざかる部分側に位置するように固定を行うことから、本固定作業時の熱硬化性樹脂の塗布時、熱硬化性樹脂が流れ出るようなことがあっても、紫外線硬化接着剤の縁を越えて光電変換素子側に流出するようなことがなく、熱硬化性樹脂で光ファイバと光電変換素子との間の光の授受を低下させるようなことがない。
【００７５】
前記（４）の手段によれば、光ファイバの一端側の前記第１接合体で固定されない部分から前記光電変換素子に至る間には前記溝に交差して延在する窪みまたは溝からなる気泡発生抑止部が設けられていることから、光ファイバの真下の溝部分は光ファイバの両側に開かれた領域である気泡発生抑止部分が存在することになり、シリコーンゲルの硬化収縮時にシリコーンゲルの移動が発生して気泡が発生しなくなる。
【００７６】
前記（５）の手段によれば、光ファイバの一端側の最先端部分は前記気泡発生抑止部上に位置していることから、光ファイバの真下の溝部分は光ファイバの両側に開かれた領域である気泡発生抑止部分が存在することになり、シリコーンゲルの硬化収縮時にシリコーンゲルの移動（動き）が発生して気泡が発生しなくなる。
【００７７】
前記（６）の手段によれば、光ファイバの一端側の最先端部分は前記気泡発生抑止部上に位置しかつ最先端面部分は前記気泡発生抑止部の縁に一致または数百μｍ以下と近接していることから、この光ファイバの真下および光ファイバの先端側には気泡が発生しなくなる。
【００７８】
前記（７）の手段によれば、前記光ファイバの一端側は前記気泡発生抑止部を越えて延在し最先端部分は前記溝に支持されていることから、光ファイバと光電変換素子との光結合率が良くなる。
【００７９】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００８０】
（実施形態１）
図１乃至図１２は本発明の一実施形態（実施形態１）である光電子装置およびその製造方法に係わる図である。
【００８１】
本実施形態１の光電子装置（半導体光モジュール）２０は、図２および図３に示すように、外観的にはプラスチック製のケース２１と、このケース２１上に固定されたプラスチック製のキャップ２２とでパッケージ（封止体）２３が形成されている。ケース２１およびキャップ２２はともに矩形状の本体部２１ａ，２２ａと、この本体部２１ａ，２２ａの一端中央から長細く突出するガイド部２１ｂ，２２ｂとからなっている。
【００８２】
前記ガイド部２１ｂ，２２ｂには、光ファイバケーブル２５が案内され、ガイド部２１ｂ，２２ｂの先端から光ファイバケーブル２５が突出している。光ファイバケーブル２５のガイド部２１ｂ，２２ｂからの突出部分は紫外線硬化接着剤２６によって固定されている。
【００８３】
ケース２１の両側からは複数のリード２７が突出している。本実施形態１ではこれらのリード２７はデュアルインライン型に成形されている。また、ケース２１およびキャップ２２は、たとえばエポキシ樹脂等の絶縁性樹脂で構成される。すなわち、パッケージ２３は、絶縁性樹脂からなるプラスチックパッケージで構成される。
【００８４】
図６は半導体光モジュール２０のキャップ２２を外した状態の拡大平面図であり、図４は半導体光モジュール２０の光ファイバの延在方向に沿う拡大断面図、図５は半導体光モジュール２０の光ファイバの直交方向に沿う拡大断面図である。これらの図に示すように、ケース２１の内底には金属板からなるベース板３０が設けられている。また、ベース板３０の周囲には、リード２７の内端がそれぞれ位置している。ベース板３０およびリード２７はケース２１の成形時にケース２１に組み込まれる。
【００８５】
前記ケース２１のガイド部２１ｂには光ファイバケーブル２５が案内されるが、この光ファイバケーブル２５の光ファイバ軸の延長線上の前記ベース板３０上にはシリコンプラットフォーム（シリコン単結晶からなる支持基板）１が接合材２９、たとえば銀ペーストによって固定されている。
【００８６】
光ファイバケーブル２５は保護チューブとしての例えばナイロンからなるジャケット（ファイバジャケット）で被われている。ケース２１のガイド部２１ｂの途中まではこのファイバジャケットが存在するが、その先端側はファイバジャケットが剥がされ、コアとクラッドとからなる光ファイバ３が露出させている。この光ファイバ３部分は、前記シリコンプラットフォーム１に設けられている溝２に這うように嵌め込まれている。そして、その延長上のシリコンプラットフォーム１上には、光電変換素子としての半導体レーザチップ７と受光素子（ホトダイオード）３１が直列に並んで固定される構造になっている。
【００８７】
前記半導体レーザチップ７の前方出射面から出射したレーザ光は光ファイバ３の先端（一端）から光ファイバ内に取り込まれ、後方出射面から出射したレーザ光は受光素子３１によってその光出力強度をモニタされるようになっている。
【００８８】
半導体レーザチップ７および受光素子３１は、図７に示すように、シリコンプラットフォーム１の一面に設けた導電性のメタライズ層からなる搭載部３２，３３に固定されている。半導体レーザチップ７および受光素子３１は共に電極が上面と下面に設けられていることから、この接合構造によって下面の電極はそれぞれ搭載部３２，３３と電気的に接続されることになる。この搭載部３２，３３に連なるメタライズ層の一部と前記所定のリード２７の内端部分は導電性のワイヤ３４で接続されている。
【００８９】
また、半導体レーザチップ７および受光素子３１の上面電極は導電性のワイヤ３４を介してそれぞれ独立したメタライズ層に固定されるとともに、このメタライズ層の一部はワイヤ３４を介して前記所定のリード２７の内端部分に電気的に接続されている。
【００９０】
また、シリコンプラットフォーム１の一面に設けられた溝２に交差して排出溝３５が設けられている。光ファイバ３はこの排出溝３５を通り越した状態になるが、通り越して突出する長さは極めて短い。たとえば、その突出長さは１００μｍ程度である。また、光ファイバ３の直径は、たとえば１２５μｍ程度である。
【００９１】
光ファイバ３は前記排出溝３５の近傍に、図７および図８に示すように、仮固定部４０と本固定部４１の二種類の接着剤による固定によってシリコンプラットフォーム１に固定されている。仮固定部４０は紫外線硬化接着剤４によるものであり、本固定部４１は熱硬化性樹脂５によるものである。図４乃至図６では本固定部４１のみを示してあり、詳細は他の図にて説明する。
【００９２】
そして、これが本発明の特徴の一つであるが、仮固定部４０を構成する紫外線硬化接着剤４は、図１に示すように、光ファイバ３の下側に位置するものであり（図７では仮固定部４０および本固定部４１の領域を示すものであり、その上下は明確に図示してない）、シリコンプラットフォーム１の溝２と光ファイバ３によって形成される囲まれた領域９を隙間なく満たすように充填されている。
【００９３】
また、本固定部４１は仮固定部４０全体を被うように設けられている。しかしながら、本固定部４１は目安として排出溝３５を越えないようにし、光ファイバ３の先端と半導体レーザチップ７との間の空間に流れ込まないようにしてある。これは、本固定部４１によって光の授受を阻害しないためである。
【００９４】
仮固定部４０は紫外線硬化接着剤４の使用により短時間で固定を行うようにし、本固定部４１は熱硬化性樹脂５の使用で固定強度の向上を図るようにしている。また、製造においては、仮固定後に本固定を行い、かつ仮固定後はケース２１を移動させることも可能であることから、本固定のための熱硬化性樹脂５の塗布後はバッチ処理で熱硬化性樹脂の硬化を行うものである。これにより、ファイバ組込装置から短時間でケース２１を取り外し、ファイバ組込装置の稼働率の向上を図るものであり、バッチ処理で熱硬化性樹脂の硬化の作業性を向上させるものである。
【００９５】
また、光ファイバケーブル２５や光ファイバ３は紫外線硬化接着剤や熱硬化性樹脂等によって各部に固定されている。たとえば、光ファイバケーブル２５はガイド部２１ｂに熱硬化性樹脂４５で固定されている。また、光ファイバ３は半田でベース板３０等に固定するような場合、光ファイバ３の表面にメタライズ層を設ける等の手法がとられる。
【００９６】
一方、ケース２１内には前記光ファイバ３で伝送される光に対して透明でありかつ耐湿性の保護体（保護膜）であるシリコーンゲル６が充填され、ベース板３０，シリコンプラットフォーム１，光ファイバ３，半導体レーザチップ７，受光素子３１等はシリコーンゲル６で被われ、耐湿性向上が図られている。また、ケース２１にはキャップ２２が接着剤によって固定される。この接着剤は、前記光ファイバケーブル２５をガイド部２１ｂ，２２ｂに固定する熱硬化性樹脂４５である。なお、保護膜６は、シリコーンゲルに限らずシリコーンゴム，低応力エポキシ樹脂，アクリル樹脂，ウレタン樹脂であっても良い。
【００９７】
つぎに、半導体光モジュール２０の製造方法について説明する。
【００９８】
最初に、光ファイバ３をガイドするガイド付きのプラスチック製のケース２１および前記ケース２１を塞ぐように取り付けられるプラスチック製のキャップ２２ならびに一面に半導体レーザチップ７や受光素子３１を搭載しかつ半導体レーザチップ７に向かって延在する光ファイバ３を案内する溝２を有するシリコンプラットフォーム１とを用意する。前記ケース２１，キャップ２２は前述のような構造になっている。
【００９９】
シリコンプラットフォーム１はその一面に所定パターンのメタライズ層が設けられ、一部は搭載部３２，３３になっている。この搭載部３２，３３には半導体レーザチップ７や受光素子３１が固定されている。半導体レーザチップ７および受光素子３１は共に電極が上面と下面に設けられていることから、この接合構造によって下面の電極はそれぞれ搭載部３２，３３と電気的に接続されることになる。これら搭載部３２，３３の一部は後述するリードの内端に一端が接続されるワイヤの他端が接続されるパッドを形成している。また、半導体レーザチップ７および受光素子３１の上面電極は導電性のワイヤ３４を介してそれぞれ独立したメタライズ層に固定されている。この独立したメタライズ層にも後述するリードの内端に一端が接続されるワイヤの他端が接続されるパッドを有している。
【０１００】
また、シリコンプラットフォーム１の一面に設けられた溝２に交差して排出溝３５が設けられている。この排出溝３５は光ファイバ３を固定する際流入する接着剤を外部に案内して、接着剤が半導体レーザチップ７側に行かせないようにする役割を果たす。
【０１０１】
つぎに、ケース２１内のベース板３０に接合材２９、たとえば銀ペーストによって前記シリコンプラットフォーム１を固定する。
【０１０２】
つぎに、前記メタライズ層のパッド部分とリード２７の内端部分を導電性のワイヤ３４で接続する（図５および図６参照）。
【０１０３】
つぎに、先端を所定長さに亘ってジャケット部分を剥がして光ファイバ３を露出させた光ファイバケーブル２５をガイド部２１ｂに挿入し、かつ半導体レーザチップ７を動作させてレーザ光を出射させ、この出射光を光ファイバ３の先端から光ファイバ３内に取り込み、かつ光出力を検出しながら光結合調整を行い、光結合調整が終了した時点でガイド部２１ｂに熱硬化性樹脂（たとえば、エポキシ樹脂）を塗布して接着を行う。光結合調整はレーザ光を出射させない周知のパッシブアライメントでもかまわない。
【０１０４】
つぎに、紫外線硬化接着剤を溝２に部分的に塗布し、光ファイバ３の仮固定を行う。すなわち、図９（ａ）および図１０に示すように、シリコンプラットフォーム１の溝２上に紫外線硬化接着剤４を塗布した後、光ファイバ３を紫外線硬化接着剤４に押し付けるようにして溝２の底に押し付ける。
【０１０５】
この押し付けは、図９（ｂ）に示すように、押付片５０に所定の荷重を加えることによって行う。たとえば、１００ｇの荷重を加える。また、半導体レーザチップ７を動作させてレーザ光を出射させ、この出射光を光ファイバ３の先端から光ファイバ３内に取り込み、かつ光出力を検出しながら光結合調整を行う。
【０１０６】
この際、図９（ｂ）に示すように、シリコンプラットフォーム１の溝２に光ファイバ３の一端側を嵌め込みかつ光ファイバ下の溝２を前記紫外線硬化接着剤４で満たす状態にして光結合調整をする。
【０１０７】
つぎに、光ファイバ３の両側の紫外線硬化接着剤４に紫外線照射ファイバ５１，５２を使用して紫外線を照射させ、紫外線硬化接着剤４を硬化させる。これにより硬化した紫外線硬化接着剤４によって仮固定部４０が形成され、図１１に示すように、光ファイバ３は動くことなくシリコンプラットフォーム１に固定されることになる。そして、ガイド部２１ｂと光ファイバ３の接触部およびガイド部２１ｂからの光ファイバケーブル２５の突出部分を紫外線硬化接着剤２６で固定する。
【０１０８】
つぎに、図９（ｃ）に示すように、熱硬化性樹脂５を光ファイバ３の上からシリコンプラットフォーム１の一面に亘るように塗布し、かつ熱硬化処理して熱硬化性樹脂５による本固定部４１を形成する（図７・図８参照）。本固定部４１は仮固定部４０を完全に被う構造となり、光ファイバ３を強固にシリコンプラットフォーム１に固定することになる。
【０１０９】
この結果、光ファイバ３は前記排出溝３５の近傍に、図７および図８に示すように、仮固定部４０と本固定部４１の二種類の接着剤による固定によってシリコンプラットフォーム１に固定されることになる。仮固定部４０は紫外線硬化接着剤４によるものであり、本固定部４１は熱硬化性樹脂５によるものである。図４乃至図６では本固定部４１のみを示してある。
【０１１０】
つぎに、図１２に示すように、ケース２１内にシリコーンゲル６を充填してシリコンプラットフォーム１，光ファイバ３，半導体レーザチップ（図示せず），受光素子（図示せず）等を被う。これは耐湿性向上を図るために行われる。この際、紫外線硬化接着剤４による固定部分において、光ファイバ３の下の溝２部分には紫外線硬化接着剤４が満たされることから、この部分にはシリコーンゲル６が入り込むことはない。
【０１１１】
つぎに、ケース２１にキャップ２２を接着剤で接着しかつ接着剤をベークしてケース２１にキャップ２２を固定する（図５参照）。この場合、ケース２１およびキャップ２２のガイド部２１ｂ，２２ｂに熱硬化性樹脂４５を充填し、この熱硬化性樹脂４５を硬化させることによってケース２１とキャップ２２の固定がなされる。
【０１１２】
また、特に詳細には説明しないが、光ファイバ３は所定箇所に他の接合材を用いて固定するようにしてもよい。
【０１１３】
前記キャップ２２をケース２１に固定する熱処理時に、紫外線硬化接着剤４による固定部分の光ファイバ３の下にはシリコーンゲル６が存在しないことから、シリコーンゲル６内での気泡の発生はない。
【０１１４】
シリコンプラットフォーム１の溝２に光ファイバ３を嵌め込んだ際、光ファイバ３の下には溝２によって空間が発生するが、本実施形態ではこの空間を紫外線硬化接着剤４で満たすようになっている。したがって、キャップ封止の前にケース内にシリコーンゲル６が充填されても、仮固定部分に対応する光ファイバ３の下にシリコーンゲル６が入り込むことがなく、シリコーンゲル６の硬化収縮に起因する気泡が発生することもない。この結果、気泡に起因する光ファイバ３の固定強度や固定の信頼性の低下を引き起こすことがないとともに、気泡に起因する耐湿性の低下、気泡にトラップされた水分の結氷化等の不具合の発生を防止することができる。
【０１１５】
すなわち、光ファイバ３に沿って外部から水分が浸入して来ても、仮固定部分では光ファイバ３と溝２との間も仮固定を行う紫外線硬化接着剤４が充填されていることから、水分はその浸入をこの仮固定部分で阻止されるとともに、シリコーンゲル内の気泡のような水分をトラップする核が存在しないため水分のトラップも発生しなくなり、耐湿性の向上が図れるとともに、低温使用時の水分の結氷化のおそれもなくなる。
【０１１６】
なお、光ファイバ３を支持基板１に紫外線硬化接着剤や熱硬化性樹脂からなる第１接合体のみで固定する構造でも、光ファイバ３下の溝２内は第１接合体が充填されていることから、この光ファイバ下の溝部分にシリコーンゲルが浸入せず、シリコーンゲルの硬化収縮に起因する気泡の発生がなくなる。
【０１１７】
また、第１接合体による固定部から突出する光ファイバ３の先端部分は数百μｍと短いため、先端部分下の溝２内に入るシリコーンゲル６の量は少なくかつ光ファイバ３の先端延長側は大気に向かう開かれた領域（開放空間）であることから、硬化収縮時にシリコーンゲル６の移動（動き）が生じて気泡が発生し難くなる。したがって、光ファイバ３の先端側および下方のシリコーンゲル中には気泡が発生しなくなり、水分のトラップの核がなくなるばかりでなく、半導体レーザチップ７と光ファイバ３との間にも気泡が存在しなくなることから、気泡によるレーザ光のケラレも発生しなくなり、光ファイバに高効率で光結合が行える。
【０１１８】
一方、本製造方法によれば仮に光ファイバ下の溝内のシリコーンゲル中に気泡が発生するようなことがあっても、その気泡は直径が小さく、たとえば、光ファイバの外周面に接触する溝の二点間の距離（図１で示すｘ：ｘは１０２μｍ程度）の半分以上の気泡は発生せず、前記二点間の距離の半分よりも小さい気泡となり、水分をトラップする核とはなり難くなる。すなわち、光ファイバ下の溝の紫外線硬化接着剤４の部分に、空洞が生じ、その空洞にシリコーンゲルが入っても、そのシリコーンゲルの直径φが前記ｘの半分以下（φ＜ｘ／２）であれば、シリコーンゲル中に発生する気泡の径φも前記ｘの半分以下となり、水分をトラップする核とはなり難いことを本発明者は見出した。すなわち、光ファイバ下の溝の紫外線硬化接着剤４の部分には、前記ｘの半分以下の径の気泡およびシリコーンゲルは存在しないので、水分をトラップする核は生じない。
【０１１９】
本実施形態１によれば以下の効果を有する。
【０１２０】
（１）パッケージ２３はプラスチック製のケース２１とキャップ２２によって構成されているが、ケース２１内にはシリコーンゲル６が充填され、半導体レーザチップ７，光ファイバ３，受光素子３１，シリコンプラットフォーム１等を被って保護するため、耐湿性の向上が図れる。
【０１２１】
（２）光結合調整された光ファイバ３はシリコンプラットフォーム１の溝２部分に紫外線硬化接着剤４によって仮固定された後、熱硬化性樹脂５で本固定されることから光結合の信頼性が高くなる。
【０１２２】
（３）熱硬化性樹脂５は接合強度が高いため、光ファイバ３は熱硬化性樹脂５による本固定によってシリコンプラットフォーム１に確実に固定され、光ファイバ３の固定の信頼性が高くなる。仮固定部４０では半導体レーザチップ７と光ファイバ３との光結合状態を損なわないように固定し、本固定部４１では光ファイバ３の固定強度の向上が図られている。
【０１２３】
（４）前記（２），（３）により、仮固定と本固定によるため、光ファイバ３はシリコンプラットフォーム１に高い光結合性と高い接合信頼性を有して固定されることになる。
【０１２４】
（５）シリコンプラットフォーム１の溝２に光ファイバ３を固定する場合、半導体レーザチップ７と光ファイバ３との光結合調整を行った後、光ファイバ３をシリコンプラットフォーム１に押さえ付け、その状態で紫外線硬化接着剤４を塗布するとともに紫外線を照射して紫外線硬化接着剤４を硬化させて光ファイバ３の仮固定を行うことから、仮固定の時間が数十秒と短くできる。
【０１２５】
（６）紫外線硬化接着剤４による仮固定は短期の固定信頼性があることから、その後続いて行う本固定までの間、光ファイバ３と半導体レーザチップ７の光結合状態を損なうことがない。したがって、その後に熱硬化性樹脂５で光ファイバ３を本固定する場合、熱硬化性樹脂５の塗布後の熱硬化処理はバッチ処理で行うことができるため、光ファイバ固定作業能率が向上し、半導体光モジュール（光電子装置）２０の製造コストの低減が達成できる。
【０１２６】
（７）紫外線硬化接着剤４による仮固定は、半導体レーザチップ７と光ファイバ３との光軸合わせを行うファイバ組込装置上で行われるが、光ファイバ３の仮固定時間は数十秒と短縮されるため、ファイバ組込装置の稼働率の向上が図れる。
【０１２７】
（８）ファイバ組込装置は高価であることから、ファイバ組込装置の稼働率の低下は半導体光モジュール２０の製造コストの低減に繋がる。
【０１２８】
（実施形態２）
図１３乃至図１５は本発明の他の実施形態（実施形態２）である半導体光モジュールに係わる図であり、図１３はシリコンプラットフォーム部分の模式的平面図、図１４はシリコンプラットフォーム部分の模式的断面図、図１５はシリコンプラットフォームに固定される光ファイバの模式的斜視図である。
【０１２９】
本実施形態２では、前記実施形態１において、前記仮固定部４０の一部を前記本固定部４１が被い、かつ本固定部４１は前記仮固定部４０の前記半導体レーザチップ７（光電変換素子）から遠ざかる部分側に位置するように固定を行ったものである。
【０１３０】
このような構造によれば、前記仮固定部４０の一部を前記本固定部４１が被いかつ本固定部４１は前記仮固定部４０の前記半導体レーザチップ７から遠ざかる部分側に位置するように固定を行うことから、本固定作業時の熱硬化性樹脂５の塗布時、熱硬化性樹脂５が流れ出るようなことがあっても、仮固定部４０を形成する紫外線硬化接着剤４の縁を越えて半導体レーザチップ７側に流出するようなことがなく、光路に支障を来さなくなり、熱硬化性樹脂５で光ファイバ３と半導体レーザチップ７との間の光の授受を低下させるようなことがない。
【０１３１】
本実施形態２においても前記実施形態１と同様の効果を有する。
【０１３２】
（実施形態３）
図１６は本発明の他の実施形態（実施形態３）である光電子装置のシリコンプラットフォーム部分を示す模式的拡大断面図であり、半導体レーザチップ７と光ファイバ３との光結合部分を示す図である。
【０１３３】
本実施形態３では、光ファイバ３の一端側の第１接合体（紫外線硬化接着剤４）で固定される部分から前記光電変換素子（半導体レーザチップ）７に至る間には前記溝２に交差して延在する窪みまたは溝からなる気泡発生抑止部６０が設けられている。前記気泡発生抑止部６０の前記溝２に沿う方向（光ファイバ３の延在方向）の長さは５０μｍ以上と長くなり、開かれた領域を形成している。
【０１３４】
また、光ファイバ３の一端側の最先端部分は前記気泡発生抑止部６０上に位置している。
【０１３５】
また、絶縁性光ファイバ３の一端側の最先端面部分は前記気泡発生抑止部６０の縁に近接している。たとえば、光ファイバ３の先端面は気泡発生抑止部６０上に位置し、かつ気泡発生抑止部６０の縁から数百μｍ以下の長さで突出している。
【０１３６】
このような光電子装置は以下の方法で組み立てられる。すなわち、一面に半導体レーザチップ７を搭載するとともに半導体レーザチップ７に向かって延在する光ファイバ３を案内する溝２を有しかつ前記溝２に交差する窪みや溝からなる気泡発生抑止部６０を前記光ファイバ３の接合体（第１接合体）による固定部よりも光ファイバ３の一端側に設けた支持基板（シリコンプラットフォーム）１を用意する。
【０１３７】
つぎに、光ファイバ３と半導体レーザチップ７との光結合調整を行いかつ前記気泡発生抑止部６０から外れた前記溝２部分に前記紫外線硬化接着剤４で光ファイバ３を仮固定する。
【０１３８】
前記気泡発生抑止部６０は、光結合された場合、光ファイバ３の先端面が気泡発生抑止部６０の上に僅かに突出する状態で位置するようにあらかじめ形成されている。
【０１３９】
本実施形態３によれば、（１）光ファイバ３の一端側の第１接合体（紫外線硬化接着剤４）で固定される部分から前記半導体レーザチップ７に至る間には前記溝２に交差して延在する窪みまたは溝からなる気泡発生抑止部６０が設けられていることから、光ファイバ３の真下の溝２部分は光ファイバ３の両側に開かれた領域である気泡発生抑止部分６０が存在することになり、溝２内に入ったシリコーンゲル６の硬化収縮時にシリコーンゲルの移動が発生して気泡が発生しなくなる。
【０１４０】
（２）光ファイバ３の一端側の最先端部分は前記気泡発生抑止部６０上に位置しかつ最先端面部分は前記気泡発生抑止部６０の縁に数百μｍ以下と近接していることから、この光ファイバ３の真下および光ファイバの先端側には気泡が発生しなくなる。すなわち、気泡発生抑止部６０は開かれた領域となり、シリコーンゲル６の硬化収縮時、シリコーンゲル６が動き、気泡が発生しなくなる。
【０１４１】
なお、本実施形態では、光ファイバ３の先端面が気泡発生抑止部６０の縁に一致する構成でもよい。すなわち、この場合には、光ファイバ３の真下は紫外線硬化接着剤４が存在し、気泡の発生する余地はない。
【０１４２】
また、本実施形態では光ファイバ３を溝２内に充填される熱硬化性樹脂によってシリコンプラットフォーム１に固定する構造、すなわち１種類の接着剤による固定構造でも気泡発生の効果を得ることができる。
【０１４３】
（実施形態４）
図１７は本発明の他の実施形態（実施形態４）である光電子装置のシリコンプラットフォーム部分を示す模式的拡大断面図、図１８はシリコンプラットフォーム部分を示す模式的拡大平面図である。
【０１４４】
本実施形態４では、光ファイバ３の一端側は気泡発生抑止部６０を越えて延在し最先端部分は前記溝２に支持されている。
【０１４５】
本実施形態４によれば、光ファイバ３の一端側は気泡発生抑止部６０を越えて延在し最先端部分は前記溝２に支持（ガイド）されていることから、光ファイバ３と半導体レーザチップ７の光結合率が良くなる。
【０１４６】
また、光ファイバ３の下にシリコーンゲル６が入るが、この部分には気泡発生抑止部６０が設けられ開かれた領域になっていることから気泡は発生し難くなり、水分のトラップが抑止できるとともに、気泡によるレーザ光１１のケラレも発生しなくなる。
【０１４７】
また、気泡発生抑止部６０は窪みとなっていて、端がシリコンプラットフォーム１の端に開口する溝ではないので、シリコーンゲルが外に流出しない。このため、シリコーンゲルの硬化収縮時にも光ファイバ３の真下側にシリコーンゲルが動き易くなり、気泡の発生を抑止できることになる。ただし、気泡発生抑止部６０が溝であっても、溝幅が広く気泡の発生を抑止できる充分な量のシリコーンゲルが存在するならば、前記気泡発生抑止部６０は溝でもよい。
【０１４８】
なお、本実施形態では光ファイバ３を溝２内に充填される熱硬化性樹脂によってシリコンプラットフォーム１に固定する構造、すなわち１種類の接着剤による固定構造でも気泡発生の効果を得ることができる。
【０１４９】
（実施形態５）
図１９は本発明の他の実施形態（実施形態５）である光電子装置のシリコンプラットフォーム部分を示す模式的拡大断面図である。
【０１５０】
本実施形態５では紫外線硬化接着剤４による固定部から半導体レーザチップ７の搭載部分に亘って広く気泡発生抑止部６０を設けた例であり、光ファイバ３の先端は気泡発生抑止部６０上に位置する構造になっている。
【０１５１】
本実施形態５では、光ファイバ３の一端側の最先端部分は前記気泡発生抑止部６０上に位置していることから、光ファイバ３の真下の溝２部分は光ファイバの両側に開かれた領域である気泡発生抑止部分が存在することになり、シリコーンゲルの硬化収縮時にシリコーンゲルの移動が発生して気泡が発生しなくなる。
【０１５２】
（実施形態６）
図２０乃至図２２は本発明の他の実施形態（実施形態６）である光電子装置に係わる図であり、図２０は光電子装置の一部を切り欠いた平面図、図２１は光電子装置の断面図、図２２は光電子装置の製造の一工程での状態を示すリードフレームの一部の平面図である。
【０１５３】
本実施形態６では、支持基板（シリコンプラットフォーム）１，半導体レーザチップ７，リード２７先端，ワイヤ３４，光ファイバ３の一端側等は、樹脂モールドによって形成されたエポキシ樹脂等の絶縁性樹脂からなるパッケージ６１で被われている。
【０１５４】
また、光ファイバ３は一般にナイロン等からなるジャケット６２で被覆されて光ケーブル６６となっている。本実施形態６では光ケーブル６６の一端側でジャケット６２を剥がし、光ファイバ３を裸状態（光ファイバ芯線）にしてある。裸状態の光ファイバ３およびジャケット６２の先端部分が前記パッケージ６１内に位置して封止されている。そして、ジャケット６２の先端部分はシリコンプラットフォーム１に設けられた一段低い支持部６３に接着剤６４で固定されている。
【０１５５】
また、パッケージ６１はジャケット６２部分をガイドする細い光ファイバガイドを有する構造になっている。このパッケージ６１は、特に限定はされないが、トランスファモールドによって形成されている。
【０１５６】
本実施形態６でも、シリコンプラットフォーム１の半導体レーザチップ７と光ファイバ３の光学的接続部分では、前記各実施形態のシリコンプラットフォーム１が採用される。すなわち、図では図１７に示される実施形態４の構造のシリコンプラットフォーム１が採用されている。
【０１５７】
また、図２０および図２１に示すように、光電子装置の信頼性（耐湿性）を高めるために、シリコンプラットフォーム１の部品搭載面側，ワイヤ３４，リード２７の内端側，ジャケット６２の内端側等を含む部分がシリコーンゲル６で被われている。
【０１５８】
なお、前記シリコンプラットフォーム１は、一部のリード２７の先端間に配置される平坦な支持部（タブ）７０上に固定されている。パッケージ６１は前記タブ７０の裏側をも封止する構造になっている。
【０１５９】
このような光電子装置は、たとえば以下の方法で製造される。
【０１６０】
すなわち、絶縁性樹脂からなるパッケージ６１と、前記パッケージ６１内に位置する支持部７０と、前記支持部７０に固定され一面に光電変換素子を搭載しかつ前記光電変換素子（半導体レーザチップ７）に向かって延在する光ファイバ３を案内する溝２とを有する支持基板（シリコンプラットフォーム）１と、前記支持基板１に搭載された光電変換素子と、前記支持基板１の溝２に嵌め込まれ一端を前記光電変換素子に対面されかつ他端は前記パッケージ外にジャケット６２で保護されて案内される光ファイバ３とを有し、前記パッケージ内に延在する光ファイバ３の一端側は前記支持基板１の溝２に嵌め込まれているとともに紫外線硬化接着剤による仮固定と熱硬化性樹脂による本固定によって支持基板１に固定されてなる光電子装置の製造方法であって、前記支持部７０を有するリードフレーム７１および前記光電変換素子を固定した前記支持基板１を用意する工程と、前記支持基板１を前記リードフレーム７１の支持部７０に固定する工程と、前記支持基板１の溝２の一部に紫外線硬化接着剤を塗布するとともに支持基板１の溝２に、ジャケット６２で保護されて案内される光ファイバ３の一端側を嵌め込みかつ光ファイバ下の溝２を前記紫外線硬化接着剤で満たす状態にして前記光電変換素子と光ファイバ３との光結合調整をする工程と、前記紫外線硬化接着剤に紫外線を照射して硬化させて前記光ファイバ３を前記支持基板１に仮固定する工程と、前記光ファイバ３と前記支持基板１の一部を熱硬化性樹脂で被うとともにこの熱硬化性樹脂を硬化処理して光ファイバ３を支持基板１に本固定する工程と、前記光ファイバ３を前記支持基板１に固定する前または後に前記支持基板１の配線と前記リードフレームのリード２７を導電性のワイヤ３４で接続する工程と、前記光電変換素子，前記光ファイバ３の一端側，前記ワイヤ３４，前記ワイヤが接続されるリード部分を含む部分を前記光ファイバ３で伝送される光に対して透明である保護体（シリコーンゲル６）で被う工程と、前記ジャケット６２の途中部分までを含む部分を絶縁性樹脂でモールドして前記パッケージ６１を形成する工程と、前記パッケージ６１から突出する不要リードフレーム部分を切断除去する工程と、前記パッケージ６１から突出するリード２７を所定の形状に成形する工程とによって製造される。
【０１６１】
本実施形態６の光電子装置の製造においては、図２２に示すようなリードフレーム７１が使用される。リードフレーム７１は短冊型となり、一枚のリードフレーム７１で複数の光電子装置を製造することが可能になっている。すなわち、リードフレーム７１の長手方向に沿って一定間隔で光電子装置を製造するためのリードパターン７２が配置されている。図２２では単一のリードパターン７２が示されている。
【０１６２】
また、図２２ではトランスファモールドによってパッケージ６１を形成する状態を示してある。
【０１６３】
光電子装置の製造においては、その作業手順は種々あるが、たとえば、溝２，気泡発生抑止部６０，支持部（図示せず）等が設けられたシリコンプラットフォーム１に半導体レーザチップ７や受光素子３１等を固定し、その後、シリコンプラットフォーム１に前記各実施形態で説明した手法によって光ファイバ３を固定する。
【０１６４】
つぎに、リードフレーム７１のタブ７０上にシリコンプラットフォーム１を固定する。
【０１６５】
つぎに、前記リード２７の内端部分を含む矩形領域にシリコーンゲル６を塗布した後、シリコーンゲル６を所定の温度で熱処理して硬化させる。本実施形態ではこのシリコーンゲル６の硬化時、前述のように気泡は光ファイバ３の近辺は勿論のこととして他のシリコーンゲル６部分にも発生しなくなる。
【０１６６】
つぎに、トランスファモールド装置の図示しないモールド金型に前記リードフレーム７１を型閉めしてモールドを行いパッケージ６１を形成する。図２２では、溶けた樹脂が流れるサブランナ７７とゲート７８部分を示してある。
【０１６７】
モールド後は、図示はしないが不要のリードフレーム部分を切断除去するとともに、パッケージ６１から突出するリード２７を成形する。本実施形態ではデュアルインライン型に成形する。
【０１６８】
本実施形態６によれば、パッケージ６１は絶縁性樹脂のモールドによって形成されるため、生産性が高く光電子装置の製造コストの低減が達成できる。
【０１６９】
（実施形態７）
図２３は本発明の他の実施形態（実施形態７）である光電子装置の一部を切り欠いた平面図、図２４は光電子装置の断面図である。
【０１７０】
本実施形態７では、スリーブ８０付きのフェルール８１で支持した光ファイバ３（光ファイバ芯線）をシリコンプラットフォーム１に固定した構造になっている。スリーブ８０の一端側はパッケージ６１から突出し光コネクタが取り付けられるようになっている。
【０１７１】
光コネクタは光ファイバの一端に固定されている。本実施形態では、前記スリーブ８０に嵌合させた光コネクタをロックするための弾力的に作用する一対のラッチ８２が、パッケージ６１に設けられている。
【０１７２】
本実施形態７においてもパッケージ６１は絶縁性樹脂のモールドによって形成されるため、生産性が高く光電子装置の製造コストの低減が達成できる。また、光コネクタの取り付けがワンタッチで行え容易である。
【０１７３】
以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない、たとえば、ケースやキャップはプラスチック製以外のものであってもケース内にシリコーンゲルを封入する構造の物の場合には同様に適用でき前記実施形態同様の効果を有する。
【０１７４】
また、実施形態では、溝に嵌め込まれた光ファイバと半導体レーザチップとの光結合構造について説明したが、溝に嵌め込まれた光ファイバと受光素子（ホトダイオード）や発光ダイオード等他の光電変換素子の光結合構造についても同様に本発明は適用でき、前記実施形態と同様の効果を有することができる。
【０１７５】
本発明は少なくともＶ字溝等の溝に光ファイバを接着剤で固定し、かつシリコーンゲル等熱硬化収縮によって内部に気泡が発生する物質で前記光ファイバ等を被う構造のものには同様に適用できる。
【０１７６】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【０１７７】
（１）パッケージはいずれも安価なプラスチック製のケースとキャップで構成されていることから半導体光モジュール（光電子装置）の製造コストの低減が達成できる。
【０１７８】
（２）パッケージはプラスチックからなるが、ケース内にはシリコーンゲルが充填され、半導体レーザチップ，光ファイバ，受光素子，シリコンプラットフォーム等を被って保護するため、耐湿性の向上が図れる。
【０１７９】
（３）シリコンプラットフォームの溝に光ファイバを嵌め込んだ際、光ファイバの下には溝によって空間が発生するが、この空間は仮固定部を形成する紫外線硬化接着剤で満たすようになっている。したがって、キャップ封止の前にケース内にシリコーンゲルが充填されても、仮固定部分に対応する光ファイバの下にシリコーンゲルが入り込むことがなく、シリコーンゲル内に気泡が発生するようなことがなくなる。この結果、気泡に起因する光ファイバの固定強度や固定の信頼性の低下を引き起こすことがないとともに、気泡に起因する耐湿性の低下、気泡にトラップされた水分の結氷化等の不具合の発生を防止することができる。
【０１８０】
（４）光結合調整された光ファイバはシリコンプラットフォームの溝部分に紫外線硬化接着剤によって仮固定された後、熱硬化性樹脂で本固定されることから光結合の信頼性が高くなる。
【０１８１】
（５）光ファイバの固定はファイバ組込装置を使用して光結合調整をしながら行うが、紫外線硬化接着剤によって仮固定すれば、その後はファイバ組込装置からシリコンプラットフォームを外し、別の場所で熱硬化性樹脂による本固定が可能となるため、ファイバ組込装置の稼働率の向上を図ることができる。
【０１８２】
（６）熱硬化性樹脂による本固定においても、仮固定が終了していることから、熱硬化性樹脂の塗布後、ベーク処理をバッチ処理で行うことができ、作業性の向上から光電子装置の製造コストの低減を図ることができる。
【０１８３】
（７）パッケージが絶縁性樹脂のモールドによって形成した構造では、そのパッケージの製造において生産性を高めることができるため光電子装置の製造コストの低減が達成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態（実施形態１）である光電子装置におけるシリコンプラットフォーム部分を示す拡大断面図である。
【図２】本実施形態１の光電子装置の正面図である。
【図３】本実施形態１の光電子装置の平面図である。
【図４】本実施形態１の光電子装置の光ファイバ延在方向に沿う拡大断面図である。
【図５】本実施形態１の光電子装置の光ファイバに直交する方向に沿う拡大断面図である。
【図６】本実施形態１の光電子装置のキャップを外した状態の拡大平面図である。
【図７】本実施形態１の光電子装置におけるシリコンプラットフォーム部分を示す拡大平面図である。
【図８】本実施形態１の光電子装置におけるシリコンプラットフォーム部分の拡大断面図である。
【図９】本実施形態１の光電子装置の製造におけるシリコンプラットフォームに光ファイバを固定する方法を示す模式的断面図である。
【図１０】前記光ファイバの固定に先立って溝に接着剤を塗布した状態を示す模式的斜視図である。
【図１１】前記溝に光ファイバを仮固定した状態を示す模式的斜視図である。
【図１２】本実施形態１の光電子装置の製造においてケース内にシリコーンゲルを入れた状態を示す拡大断面図である。
【図１３】本発明の他の実施形態（実施形態２）である光電子装置におけるシリコンプラットフォーム部分を示す拡大平面図である。
【図１４】本実施形態２の光電子装置におけるシリコンプラットフォーム部分の拡大断面図である。
【図１５】シリコンプラットフォームの溝に光ファイバを本固定した状態を示す模式的斜視図である。
【図１６】本発明の他の実施形態（実施形態３）である光電子装置のシリコンプラットフォーム部分を示す模式的拡大断面図である。
【図１７】本発明の他の実施形態（実施形態４）である光電子装置のシリコンプラットフォーム部分を示す模式的拡大断面図である。
【図１８】本実施形態４の光電子装置のシリコンプラットフォーム部分を示す模式的拡大平面図である。
【図１９】本発明の他の実施形態（実施形態５）である光電子装置のシリコンプラットフォーム部分を示す模式的拡大断面図である。
【図２０】本発明の他の実施形態（実施形態６）である光電子装置の一部を切り欠いた平面図である。
【図２１】本実施形態６の光電子装置の断面図である。
【図２２】本実施形態６の光電子装置の製造の一工程での状態を示すリードフレームの一部の平面図である。
【図２３】本発明の他の実施形態（実施形態７）である光電子装置の一部を切り欠いた平面図である。
【図２４】本実施形態７の光電子装置の断面図である。
【図２５】本発明者によって検討した光ファイバの固定において、光ファイバと溝とによって閉じられた空間に気泡が発生した状態を示す模式的拡大断面図である。
【図２６】本発明者による実験のデータであり、シリコーンゲル硬化の初期に発生した気泡の分布を示す模式図である。
【図２７】本発明者による実験のデータであり、温度サイクル等環境試験によってシリコーンゲル内に発生した気泡の分布を示す模式図である。
【図２８】本発明者によって確認された現象を示す図であり、光ファイバ下の溝内のシリコーンゲル内に発生した気泡を示す模式的断面図である。
【図２９】本発明者によって確認された現象を示す図であり、光ファイバ下の溝内および光ファイバ先端と半導体レーザチップ間のシリコーンゲル内に発生した気泡を示す模式的断面図である。
【図３０】本発明者によって確認された現象を示す図であり、光ファイバ先端と半導体レーザチップ間のシリコーンゲル内に発生した気泡を示す模式的平面図である。
【符号の説明】
１…支持基板（シリコンプラットフォーム）、２…溝、３…光ファイバ、３ａ…コア、３ｂ…クラッド、４…紫外線硬化接着剤、５…熱硬化性樹脂、６…シリコーンゲル、７…半導体レーザチップ、９…囲まれた領域、１０…気泡、１１…レーザ光、１５…容器、１６…金属フレーム、１７…キャピラリ、２０…光電子装置（半導体光モジュール）、２１…ケース、２１ａ，２２ａ…本体部、２１ｂ，２２ｂ…ガイド部、２３…パッケージ（封止体）、２５…光ファイバケーブル、２６…紫外線硬化接着剤、２７…リード、２９…接合材、３０…ベース板、３１…受光素子、３２，３３…搭載部、３４…ワイヤ、３５…排出溝、４０…仮固定部、４１…本固定部、４５…熱硬化性樹脂、５０…押付片、５１，５２…紫外線照射ファイバ、６０…気泡発生抑止部、６１…パッケージ、６２…ジャケット、６３…支持部、６４…接着剤、６６…光ケーブル、７０…支持部（タブ）、７１…リードフレーム、７２…リードパターン、７７…サブランナ、７８…ゲート、８０…スリーブ、８１…フェルール、８２…ラッチ。
【図１】
0004050402.tif 000002
【図２】
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【図３】
0004050402.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
0004050402.tif 000017
【図１７】
0004050402.tif 000018
【図１８】
0004050402.tif 000019
【図１９】
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【図２０】
0004050402.tif 000021
【図２１】
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【図２２】
0004050402.tif 000023
【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
0004050402.tif 000028
【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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