(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
密閉された真空槽内にプラズマを励起させてプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、
角型基板を載置する四隅の角部を有する電極は角部がＲ３以上の面取り量となる面取り部を形成しており、前記電極の周囲は、複数に分割形成された絶縁ブロックで被覆されており、前記絶縁ブロックの接合箇所は前記電極の角部を除く領域に位置するように形成されると共に前記絶縁ブロックは接合箇所に凹凸部を有する構造であり、かつ、前記絶縁ブロックは相面するブロックの凹凸部を嵌め合せて配置されることを特徴とするプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の技術分野】
本発明は、プラズマ処理装置に係り、特に、液晶のガラス基板等、角型基板にエッチングなどの表面処理を施すプラズマ処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ディスプレイ用として、液晶パネルあるいは有機ＥＬパネル等、角型基板の需要が増大しており、中でもこれらの角型基板の大型化は進む一方である。
【０００３】
このような角型基板を用いた液晶パネルあるいは有機ＥＬパネル等の製造工程に使用される各種プラズマ処理装置は、その一例を図１に示すように、この内部でプラズマ処理のなされる真空処理槽２と、次工程への搬送を行うための搬送室3とを具備し、これらの間はゲート弁４を介して接続されている。
【０００４】
そしてこのような各種プラズマ処理装置１の真空処理槽内２には、図７に示すように角型基板の形状に対応して角型の下部電極１０７を設けている。下部電極の多くが母材にアルミニウムプレートを用い、表面の絶縁性保持及び耐食性等の面からアルマイト処理を施すようにしているため、この下部電極１０７の四隅の角部（コーナー部）は、角部でアルマイト被膜が薄くなるのを防止し、アルマイト処理を確実にするために、図８に示すように四隅の角部は円弧状もしくは球状の面取り、大きさとしてはＲ２以下のわずかな面取りを施している。また、この面取りは、鋭い角部における放電の集中による異常放電を防ぐという効果もあった。
【０００５】
また、図７に示すように前記下部電極１０７の周囲には、アルミナブロック等の絶縁カバー１１２を設置しているが、昨今の基板の大型化により、コスト面、取扱いの面からリング状の一体物ではなく、２分割以上、多くの場合４つに分割し、下部電極１０７の四隅部に設けられた接合部１１２ｋで各絶縁ブロック１１２ａ−ｄが当接するように設置されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、昨今の微細デバイス処理に用いられる低圧プロセス、例えば１０Ｐａ以下のプロセスにおいて、上記の程度のＲ２以下の面取りでは、下部電極の角部に放電の集中が生じてしまうことがあった。
【０００７】
このように従来のような小さな面取りでは、エッジ部における放電の集中を防ぐには不十分であり、プラズマの不安定化を招く原因となっていた。
【０００８】
また、アルミナブロックを用いた絶縁カバーで周囲を被覆した構造でも、前記下部電極１０７の周囲に設置している絶縁カバー１１２の分割箇所が、下部電極の四隅部に接しているため、この接合部１１２ｋから、放電が角部に入り込みやすくなり、この角部への放電の回り込みにより、放電が集中しやすい状態となっている。
【０００９】
このため、下部電極の角部がダメージを受け易くなり、特に角部では面取りがなされているとはいえ、わずかな面取りであるため、アルマイト被膜の密着性が充分ではない。このように、アルマイトの母材への密着性が悪いため、放電の回り込みに対しては大きな効力はなく、放電の集中により角部のアルマイト被膜が絶縁破壊し、剥離してしまうという現象が起こる。
【００１０】
このように、アルマイト被膜が剥離してしまうとその部分のみ絶縁性が失われるために集中的に電流が流れ、プラズマの状態に悪影響を及ぼすことになる。このため、エラーにより装置が停止し、大きく稼働率を下げてしまうという問題があった。
【００１１】
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、上記問題を解決し、液晶等のように角型基板を用いてエッチング等のプラズマ処理を行う際、いかなるプロセス圧力領域にあっても、角型基板を設置する下部電極の角部において異常放電の発生を防ぎ、安定なプラズマ処理を行うことのできるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明では、密閉された真空槽内にプラズマを励起させてプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、角型基板を載置する四隅の角部を有する電極は角部がＲ３以上の面取り量となる面取り部を形成しており、前記電極の周囲は、複数に分割形成された絶縁ブロックで被覆されており、前記絶縁ブロックの接合箇所は前記電極の角部を除く領域に位置するように形成されると共に前記絶縁ブロックは接合箇所に凹凸部を有する構造であり、かつ、前記絶縁ブロックは相面するブロックの凹凸部を嵌め合せて配置されることを特徴とする。
かかる構成によれば、分割箇所から放電の回り込みがあったとしても、下部電極の角部ではなく、直線状の部分であるため、直接角部へは到達しにくく、異常放電は防止される。また、放電の集中し易い下部電極の角部の面取り量あるいは面取り半径がＲ３以上の面取り量であって、被処理基板の角部の面取り量よりも大きくなるように形成されているため、放電が集中したとしても、下部電極よりも、角部がより尖っている被処理基板の方に向かって集中することになり、下部電極への放電の集中の可能性は激減する。そしてさらに、被処理基板は下部電極よりも導電性が低いため、異常放電は起こりにくくなる。このため、異常放電を防止し、安定で信頼性の高い放電を行うことが可能となる。
【００２１】
また本発明の第２では、密閉された真空槽内にプラズマを励起させてプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、被処理基板を載置する下部電極の周囲が、複数に分割形成された絶縁ブロックの集合体で被覆されており、前記絶縁ブロックは、その接合箇所が前記下部電極の角部を除く領域に位置するように形成されていることを特徴とする。
【００２２】
かかる構成によれば、分割箇所から放電の回り込みがあったとしても、下部電極の角部ではなく、直線状の部分であるため、直接角部へは到達しにくく、異常放電は防止され得る。
【００２３】
のぞましくは、前記下部電極は、その角部の面取り量が前記被処理基板の角部の面取り量よりも大きくなるように構成されたことを特徴とする。
【００２４】
かかる構成によれば、上記効果に加え、さらに異常放電の抑制を図ることが可能となる。
【００２５】
本発明の第３は、密閉された真空容器内にプラズマを励起させて、前記真空容器内に配設された下部電極上に設置された被処理基板表面にプラズマ処理を行うプラズマ処理方法において、前記下部電極は表面の少なくとも一部を導電性表面領域として残した状態で絶縁化処理が施された導電性電部材で構成されており、前記真空容器内に前記被処理基板を設置し、所望の圧力となるように排気する排気工程と、前記被処理基板へのプラズマ処理を抑制する非処理条件下で、前記下部電極と、前記真空容器内に配設された上部電極との間に、電圧を印加し、前記下部電極および前記上部電極との間にプラズマを励起するプラズマ励起開始工程と、前記プラズマ励起開始工程後、前記下部電極の前記導電性表面領域を絶縁化する絶縁化処理工程と、前記絶縁化処理工程の後、前記被処理基板に所望のプラズマ処理がなされ得る処理条件下で前記被処理基板へのプラズマ処理を実行するプラズマ処理工程とを含むことを特徴とする。
【００２６】
かかる構成によれば、もっとも異常放電の発生し易いプラズマ励起時に、一部導電性表面を残しておき、電流の逃げ道を形成することにより、極めて有効に異常放電を防止することが可能となる。
【００２７】
望ましくは、前記絶縁化処理工程は、前記真空容器内に酸化性ガスを導入し前記導電性表面領域を絶縁化する絶縁化処理工程であることを特徴とする。
【００２８】
かかる構成によれば、ガスの切り替えのみにより、効率よく絶縁化を行うことが可能であり、作業効率が高く、安定で信頼性の高いプラズマ処理を行うことが可能となる。
【００２９】
また望ましくは、前記導電性部材はアルミニウムで構成され、前記絶縁化処理工程は、前記導電性表面領域にアルマイト処理を施す工程を含むことを特徴とする。
【００３０】
かかる構成によれば、容易に効率よくアルマイト処理がなされ、付加装置を要することなく、ガスの切り替えのみで効率よく絶縁化を行うことが可能であり、作業効率が高く、安定で信頼性の高いプラズマ処理を行うことが可能となる。
【００３１】
望ましくは、密閉された真空槽内にプラズマを励起させてエッチング等の処理をする際、被処理物である角型基板を設置する下部電極の四隅部を、角型基板の四隅の面取りの大きさ以上、少なくともＲ３以上の面取りを行う。
【００３２】
かかる構成によれば、特に角型基板を設置する下部電極の角部において異常放電の発生を防ぐことができる。
【００３３】
また本発明の第４では、前記下部電極は表面の少なくとも一部を導電性表面領域として残した状態で絶縁化処理が施された導電性電部材で構成されており、前記真空容器内に前記被処理基板を設置し、所望の圧力となるように排気する排気工程と、前記被処理基板へのプラズマ処理を抑制する非処理条件下で、前記下部電極と、前記真空容器内に配設された上部電極との間に、電圧を印加し、前記下部電極および前記上部電極との間にプラズマを励起するプラズマ励起開始工程と、前記プラズマ励起開始工程後、前記下部電極の前記導電性表面領域を絶縁性部材で被覆する被覆工程と、前記被覆工程の後、前記被処理基板に所望のプラズマ処理がなされ得る処理条件下で前記被処理基板へのプラズマ処理を実行するプラズマ処理工程とを含むことを特徴とする。
【００３４】
かかる方法によれば、放電が安定化したのち絶縁性部材で被覆するのみでよく、異常放電を防止し、信頼性の高いプラズマ処理を行うことが可能となる。
【００３５】
なおここで面取りとは、Ｒ加工のみならず、図６に説明図を示すように、直線状に面取り幅Ａと面取り幅Ｂ（Ａ≦Ｂ）とからなる直線状の除去領域を形成したようなものも含むものとする。ここでは面取り加工の面取り量とは、除去領域の長辺Ｂの大きさあるいは、Ｒ加工の場合は除去領域の半径Ｒをさすものとする。
【００３６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。
実施形態１
本発明の第1の実施形態では、図３に示すように、密閉された真空槽内にプラズマを励起させてプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、被処理基板を載置する下部電極７は、その基板載置面の角部の面取り半径が前記被処理基板１１の角部１１ｅの面取り量よりも大きくなるように構成されたことを特徴とするものである。そしてさらにこの下部電極の周囲が、複数に分割形成された絶縁ブロック１２ａ乃至ｄからなる絶縁カバー１２で被覆されており、前記絶縁ブロックは、接合箇所１２ｋが前記下部電極７の角部を除く領域に位置するように形成されている。
【００３７】
図１は、前述したように、プラズマ処理装置１の真空処理槽２の外観を示すものであって、外部より移載された液晶用ガラス基板等の角型基板は、搬送室３を介して真空処理槽２内へ搬送され、ゲート弁４により密閉された内部でエッチング等のプラズマ処理を施される。
【００３８】
図２は、本発明の第1の実施形態の真空処理槽２の内部構造を示す図であり、開閉可能な蓋体５に上部電極６が取り付けられており、その対極に被処理基板であるガラス製の角型基板が設置される下部電極７が配設されている。そして、下部電極７はアルミニウムプレートで構成されており、その表面には、絶縁性保持及び耐食性等を考慮してアルマイト処理が施されている。
【００３９】
また、この下部電極７は水冷板８上に設置されており、水冷板８内に冷却水を循環させることで、被処理基板を間接的に冷却している。また、下部電極７には高周波整合器９と高周波電源１０が取り付けられており、下部電極７にＲＦ高周波（１３．５６ＭＨｚ）を印加することにより、真空処理槽２内にプラズマを励起しエッチングあるいは成膜等の表面処理を行う構造となっている。
【００４０】
図３において、下部電極７の角型基板１１が設置される面の四隅の角部７ｅは、放電の集中による異常放電を防ぐために円弧状の面取りが施してあるのは従来例と同じであるが、本実施形態では、下部電極７の面取り量は、角型基板１１の四隅の角部のもっとも大きい面取り量以上の大きさをとっており、Ｒ３以上の面取りを施している。
【００４１】
ここで面取り寸法の上限は、基板上のパターンが全て等しくエッチング等のプラズマ処理を施される環境にあれば、特に規定するものではない。これは、昨今の微細デバイス処理に用いられる低圧プロセス、例えば１０Ｐａ以下のプロセスにおいて、異常放電を防ぐのに十分となるようにするためである。また、下部電極７の周囲には、アルミナ製の４個の絶縁ブロック１２ａ乃至ｄからなる絶縁カバー１２が設置されており、コスト、取扱いの面から２つ以上に分割、ここでは、４つに分割されているのも従来例と同じであるが、その接合箇所１２ｋが前記下部電極７の角型基板１１が設置される面の四隅の角部を避け、角型基板の各辺上に相当する位置にくるように配設されていることが特徴である。分割する位置については角部に接していなければ、特に制限するものではない。これは、接合箇所からの放電の入り込みを考慮したもので、仮に放電の回り込みがあったとしても、下部電極の角部のエッジからは遠く、しかもエッジはＲ加工が施されているため、放電集中が生じることはない。
【００４２】
これに対し、従来例では、接合箇所がコーナー部に位置していたため、接合箇所からの放電の入り込みにより下部電極の角部で異常放電を発生しやすいものとなっていた。
【００４３】
このように、本発明の第１の実施形態のプラズマ処理装置によれば、放電の集中し易い下部電極の角部の面取り量が被処理基板の角部の面取り量よりも大きくなるように形成されているため、放電が集中したとしても、下部電極よりも、角部がより尖っている被処理基板の方に向かって集中することになり、下部電極への放電の集中の可能性は激減する。
【００４４】
そしてさらに、被処理基板は下部電極よりも導電性が低いため、異常放電は起こりにくくなる。このため、異常放電を防止し、安定で信頼性の高い放電を行うことが可能となる。
【００４５】
また、被処理基板を載置する下部電極の周囲を被覆する絶縁ブロックの接合箇所が前記下部電極の角部を除く領域に位置するように形成されているため、接合箇所から放電の回り込みがあったとしても、下部電極の角部ではなく、直線状の部分であるため、直接角部へは到達しにくく、異常放電は発生しにくい。
【００４６】
しかもこの構造では図３（ａ）からあきらかなように、接合線が直線とならないように、折れ部を構成しており、湿気などの侵入経路が長くなるようにし、侵入防止をはかっている。図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ−Ａ断面を示す図である。
【００４７】
なお面取り量はＲ３以上であるのが望ましいが、被処理基板の面取り量よりも大きければよい。
【００４８】
また、絶縁カバーで被覆している場合は、必ずしも下部電極の面取り量は被処理基板の面取り量よりも大きくなくてもよい。
【００４９】
なお、前記第１の実施形態では、絶縁ブロックの集合体からなる絶縁カバーによって下部電極の周縁が被覆されているものについて説明したが、絶縁カバーが形成されていないものについても適用可能である。
実施形態２
本発明第２の実施形態として、下部電極１７上に、下部電極よりも小さい角型基板からなる被処理基板をエッチング処理するためのプラズマ処理装置について説明する。
【００５０】
この例では、要部拡大説明図を図４に示すように、下部電極の方が大きくなるような場合、前記下部電極の角部が前記被処理基板の外端よりも内側に位置するように面取り量を大きくすることにより多く構成されたことを特徴とする。ここでは、絶縁カバーを設けていないものとする。
【００５１】
かかる構成によれば、下部電極の角部が前記被処理基板の外端よりも内側に位置するように構成されているため、下部電極の角部のエッジはプラズマにさらされることがなく、被処理基板で被覆保護されているため、放電の集中は防止されることになる。
【００５２】
なお被処理基板は通常位置決めのために１つの角部を大きく面取りしオリフラ面を構成しているが、その面取り量のもっとも大きい角部よりも角部が大きくなるように、形成すればよい。
実施形態３
次に本発明の第３の実施形態として、下部電極７の表面の一部には、あらかじめアルマイト処理を施さず導電性領域を残しておき、プラズマ励起後に絶縁物でありアルマイト層１８で被覆するようことにより、プラズマ励起時の異常放電を抑制するようにしたプラズマ処理方法について説明する。
【００５３】
下部電極の角部での異常放電は、プラズマ放電中のピーク電圧が角部表面のアルマイト層の耐電圧値を超えてしまい、アルマイトが絶縁破壊、剥離してしまうために発生するものであり、そのピーク電圧はプラズマ励起開始直後に非常に大きい値を示すことが判明している。
【００５４】
そこで、この実施形態では、下部電極１７の任意の表面の一部にはアルマイト処理を施さず導電性領域１７ｓとして残しておき、電気的に導通部をつくり、プラズマ励起直後のピーク電圧下で積極的に電流をリークさせることで、角部への放電集中による異常放電を防ぐようにしたものである。
【００５５】
プラズマ処理装置については前記第１の実施形態で説明したものを用い、図５（ａ）に示すように、真空処理槽（図１参照）内に前記被処理基板を設置し、所望の圧力となるように排気する。ここでは絶縁カバー１２に穴１２ｈを形成しており、この穴１２ｈに相当する領域にアルマイト処理を施さない導電性領域１７ｓを形成している。
【００５６】
次に、図５（ｂ）に示すように、前記被処理基板へのプラズマ処理を抑制する非処理条件例えば、下部電極の温度を所定の値以下に保つなど、被処理基板表面がエッチングされないような条件とし、上部電極６と下部電極１７との間に高周波電圧を印加し前記下部電極と、前記真空処理槽内に配設された上部電極との間に、電圧を印加し、前記下部電極および前記上部電極との間にプラズマを励起する。時間的にはほんのわずかであり、下部電極１７の任意の表面の一部にアルマイト処理を施さず導電性表面領域１７ｓとして残された領域が、電気的に導通部を構成するため、プラズマ励起直後のピーク電圧下で積極的に電流をリークさせることができる。このため、角部への放電集中による異常放電を防ぐようにしたものである。
【００５７】
そしてピーク電圧が下がったところで、わずかに酸素などの酸化性ガスを導入し、前記導電性表面領域１７ｓを酸化し、アルマイト層１８ｓを形成する。これにより、下部電極表面全体がアルマイト層で被覆される。
【００５８】
そして、再度真空排気し、酸化性ガスを真空処理槽外に排出するとともに、不活性ガスを導入して置換し、さらに所望の真空度となるまで真空排気し、下部電極の温度を昇温し、図５（ｃ）に示すように、被処理基板である角型基板１１へのプラズマ処理を開始する。
【００５９】
この方法によれば、もっとも異常放電の発生し易いプラズマ励起時に、一部導電性表面を残しておき、電流の逃げ道を形成することにより、極めて有効に異常放電を防止することが可能となる。時間的にはほんのわずかであり、ピーク電圧が下がったところで、酸化性ガスを導入して導電性表面を酸化するのみで、下部電極表面全体が絶縁化され、後は通常のプラズマ処理を行うことが可能となる。
【００６０】
この方法によれば、容易に効率よくアルマイト処理がなされ、付加装置を要することなく、ガスの切り替えのみで効率よく下部電極表面に残る導電性領域の絶縁化を行うことが可能であり、作業効率が高く、安定で信頼性の高いプラズマ処理を行うことが可能となる。
実施形態４
次に本発明の第４の実施形態として、下部電極７の表面の一部に、あらかじめ絶縁膜を形成せず導電性表面領域を残しておき、プラズマ励起後に絶縁物１３で被覆するようことにより、プラズマ励起時の異常放電を抑制するようにしたプラズマ処理方法について説明する。
【００６１】
前記第３の実施形態と同様であるが、放電安定化後に下部電極表面の導電性領域を絶縁被覆するに際し、本実施形態では、絶縁膜を形成する前記第３の実施形態の方法に代えて、プラズマの安定化後、絶縁物を載置することにより、導電性表面領域を被覆するようにしたことを特徴とする。
【００６２】
すなわち、この実施形態では、前記第３の実施形態と同様に、下部電極１７の任意の表面の一部にはアルマイト処理を施さず導電性表面領域１７ｓとして残しておき、電気的に導通部をつくり、プラズマ励起直後のピーク電圧下で積極的に電流をリークさせることで、角部への放電集中による異常放電を防ぐようにしたものである。
【００６３】
プラズマ処理装置については前記第３の実施形態と同様、前記第１の実施形態で説明したものを用い、図６（ａ）に示すように、真空処理槽（図１参照）内に前記被処理基板を設置し、所望の圧力となるように排気する。ここでは絶縁カバー１２を下部電極の外周部を露呈させる程度に小さく形成しており、この外周部に相当する領域にアルマイト処理を施さない導電性領域１７ｐを形成している。
【００６４】
次に、図６（ｂ）に示すように、上部電極６と下部電極１７との間に高周波電圧を印加し前記下部電極と、前記真空処理槽内に配設された上部電極との間に、電圧を印加し、前記下部電極および前記上部電極との間にプラズマを励起する。時間的にはほんのわずかであり、下部電極１７の任意の表面の一部にアルマイト処理を施さず導電性表面領域１７ｐとして残された領域が、電気的に導通部を構成するため、プラズマ励起直後のピーク電圧下で積極的に電流をリークさせることができる。このため、角部への放電集中による異常放電を防ぐようにしたものである。
【００６５】
そしてピーク電圧が下がったところで、外側絶縁ブロック１３を内側に動かし絶縁カバー１２の外周部を覆うように接合する。これにより、下部電極表面の導電性表面領域が外側絶縁ブロック１３で被覆される。
【００６６】
そして、図５（ｃ）に示すように、被処理基板である角型基板１１へのプラズマ処理を開始する。
【００６７】
この方法によれば、もっとも異常放電の発生し易いプラズマ励起時に、一部導電性表面を残しておき、電流の逃げ道を形成することにより、極めて有効に異常放電を防止することが可能となる。時間的にはほんのわずかであり、ピーク電圧が下がったところで、絶縁ブロックを動かし導電性領域表面を被覆するのみで、下部電極表面全体が絶縁化され、後は通常のプラズマ処理を行うことが可能となる。
【００６８】
この方法によれば、酸化膜あるいは窒化膜などの絶縁膜を容易に形成し得ないような材料を下部電極として用いた場合にも適用可能であり、前記第３の実施形態に比べ、下部電極材料の選択範囲が広がるという利点もある。
【００６９】
また、ガスの供給排出回数を低減することができ、作業効率が高く、安定で信頼性の高いプラズマ処理を行うことが可能となる。
【００７０】
このように、本発明によれば、前記任意表面における導通部をアルミナ等の絶縁物で被覆し、放電の安定を図ることが可能となる。
【００７１】
かかる構成によれば、いかなる圧力領域にあっても、角型基板を設置する下部電極の角部において異常放電の発生を防ぐことができる。
【００７２】
【発明の効果】
以上説明してきたように、本発明によれば、下部電極の角型基板を、被処理基板を載置する下部電極の角部の面取り量が前記被処理基板の角部の面取り量よりも大きくなるように構成しているため、いかなる圧力下にあっても、異常放電を防止し、安定で信頼性の高い放電を行うことが可能となる。
【００７３】
また本発明によれば、被処理基板を載置する下部電極の周囲を覆う絶縁ブロックは、その接合箇所が前記下部電極の角部を除く領域に位置するように形成されているため、接合箇所から放電の回り込みがあったとしても、下部電極の角部ではなく、直線状の部分であるため、直接角部へは到達しにくく、異常放電は防止され得る。
【００７４】
また本発明の方法によれば、下部電極表面の任意の一部には、アルマイト処理を施さず電気的に導通部をつくり、プラズマ励起後に絶縁物で被覆する構造にすることによって、いかなる圧力領域にあっても、角型基板を設置する下部電極の角部において異常放電の発生を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態のプラズマ処理装置を示す説明図
【図２】本発明の実施形態のプラズマ処理装置１の真空処理槽２の構造を示す断面図
【図３】本発明の第１の実施形態のプラズマ処理装置を説明する説明図
【図４】本発明の第２の実施形態のプラズマ処理装置を説明する説明図
【図５】本発明の第３の実施形態のプラズマ処理方法を示す工程説明図
【図６】本発明の第４の実施形態のプラズマ処理方法を示す工程説明図
【図７】従来例の下部電極と絶縁カバーの構成を示す斜視図
【図８】角型基板の上面図
【符号の説明】
１  プラズマ処理装置
２  真空処理槽
３  真空移載室
４  ゲート弁
５  蓋体
６  上部電極
７  下部電極
８  水冷板
９  高周波整合器
１０  高周波電源
１１  角型基板
１２  絶縁カバー
１２ｋ  接合箇所
１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ  絶縁ブロック
１３  絶縁ブロック
１７  下部電極
１８  アルマイト層
１１１  角型基板
１１２  絶縁カバー
１１２ｋ  接合箇所
【図１】
0004112822.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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