(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
パラジウムと、シュウ酸と、重合度が300〜1500のポリビニルアルコールを反応させた化合物であり、前記シュウ酸と前記パラジウムがモル比で0.3〜4.5、前記ポリビニルアルコールと前記パラジウムが重量比で0.5〜12であることを特徴とする感光性パラジウム高分子キレート化合物。
【請求項２】
請求項１記載の感光性パラジウム高分子キレート化合物を感光成分として含有することを特徴とする無電解メッキ用塗布液。
【請求項３】
請求項２記載の無電解メッキ用塗布液を基板上に塗布して前記無電解メッキ用塗布液の塗布膜を前記基板上に形成する工程と、所定のパターンを有するマスクを介して前記塗布膜を露光し、現像する工程と、前記基板を無電解メッキ浴に浸漬しパラジウム含有微細線パターンを触媒核として無電解メッキを施す工程とを少なくとも備えることを特徴とする金属微細線パターンの形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体デバイス、半導体デバイス実装部品、各種フラットパネル表示装置、電子部品評価用テスタ、プローブカード、ＩＣカード、光デバイス等に形成される金属微細線や、金属電極、非接触カード等で形成される平面コイル等の金属微細線パターンの形成に使用されて好適な感光性パラジウム高分子キレート化合物、無電解メッキ用塗布液、および金属微細線パターンの形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、基板上に金属微細線を形成する方法として、金属パラジウム等の無電解メッキ触媒成分を感光性樹脂に混合したペーストを用い、フォトリソ法で触媒層のパターンを形成させ、無電解メッキにより触媒パターン上に金属を析出させる方法が提案されていた。
【０００３】
一方、最近では、感光性パラジウム化合物を利用した金属微細線形成法も提案されている。
この提案では、感光性パラジウム化合物としてパラジウム有機錯体が用いられており、その具体例として、ジチオシュウ酸パラジウム、パラジウムカルボン酸塩、パラジウム−ＥＤＴＡ（エチレンジアミン４酢酸）等のアミン錯体、パラジウム−ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）キレート化合物等が例示されている。
【０００４】
〔問題点〕
これらのうち、前者の方法では、無電解メッキ触媒成分が感光性樹脂中に混入しているため、触媒活性が良好でなく、無電解メッキ速度が著しく遅いために、得られる電解メッキ層の厚みは薄いものしか得ることができないので、電解メッキ層の導電性が充分でなく、触媒層を中間に挟む構造であるため、触媒層を介した上下の金属微細線間の導通性（以下、単に「導電性」と称する）が良好でないという問題点があった。
【０００５】
また、後者の方法では、使用材料の感光性が充分でなく、露光に１時間もの長時間を要したり、現像性が良好でなかったり、前記パラジウム化合物を溶解させた溶液を基板上に塗布すると、乾燥時に前記パラジウム化合物が結晶状に析出するため、無電解メッキ時にメッキムラが発生したり、無電解メッキ時にパラジウム化合物が基材から脱離するためメッキ不良が発生し、またメッキ液汚染が発生する等の問題点があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、従来の技術における問題点に鑑みて成されたものであり、これを解決するため具体的に設定した課題は、紫外線等の励起エネルギに対する高い露光感度を有し、現像性、解像性、触媒活性、無電解メッキ性等に優れた感光性パラジウム高分子キレート化合物、この感光性パラジウム高分子キレート化合物を用いた無電解メッキ用塗布液、およびこの無電解メッキ用塗布液を用いた金属微細線パターンの形成方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
前記課題を効果的に解決できる具体的に構成された手段としての本発明における請求項１に係る感光性パラジウム高分子キレート化合物は、パラジウムと、シュウ酸と、重合度が300〜1500のポリビニルアルコールを反応させた化合物であり、前記シュウ酸と前記パラジウムがモル比で0.3〜4.5、前記ポリビニルアルコールと前記パラジウムが重量比で0.5〜12であることを特徴とするものである。
【０００８】
また、請求項２に係る無電解メッキ用塗布液は、請求項１記載の感光性パラジウム高分子キレート化合物を感光成分として含有することを特徴とする。
【０００９】
また、請求項３に係る金属微細線パターンの形成方法は、請求項２記載の無電解メッキ用塗布液を基板上に塗布して前記無電解メッキ用塗布液の塗布膜を前記基板上に形成する工程と、所定のパターンを有するマスクを介して前記塗布膜を露光し、現像する工程と、前記基板を無電解メッキ浴に浸漬しパラジウム含有微細線パターンを触媒核として無電解メッキを施す工程とを少なくとも備えることを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を具体的に説明する。
なお、この実施の形態は、発明の趣旨をより良く理解させるため具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、発明内容を限定するものではない。
【００１１】
「感光性パラジウム高分子キレート化合物」
この実施の形態における感光性パラジウム高分子キレート化合物は、図１に示す構造を有するパラジウム、シュウ酸、ポリビニルアルコールの３成分より構成された高分子キレート化合物である。
【００１２】
そして、この感光性パラジウム高分子キレート化合物の赤外線吸収スペクトルを、図２の横軸をＮｗ（波数＝１／λ（波長））、縦軸をＴ（透過率）とした座標中に示す。
この図２には、感光性パラジウム高分子キレート化合物をＰｄ−Ｏｘａ−ＰＶＡキレートと表示して示し、比較のため、シュウ酸パラジウムキレート化合物（図中、Ｐｄ−Ｏｘａと表示）と、ポリビニルアルコールとパラジウムとシュウ酸との混合物（図中、Ｐｄ−Ｏｘａ−ＰＶＡ混合物と表示）の赤外線吸収スペクトルも合わせて示す。
【００１３】
図２の結果より、感光性パラジウム高分子キレート化合物の赤外線吸収スペクトルは、シュウ酸パラジウムキレート化合物や、ポリビニルアルコールとパラジウムとシュウ酸との混合物の赤外線吸収スペクトルとは異なった赤外線吸収スペクトルを有する。
【００１４】
感光性パラジウム高分子キレート化合物は、末端基に水酸基を有するため水溶性であり、また 300〜400 ｎｍの紫外領域に吸収域を有し、紫外線に対して高い感光性を有し、従来の感光性パラジウム化合物、例えば塩化パラジウム、シュウ酸パラジウム等よりも紫外線等の励起エネルギに対して高感度である。
【００１５】
励起エネルギに対して高感度である理由は、必ずしも明らかではないが、シュウ酸パラジウム等の従来のこの種の化合物は、パラジウム原子１個に対して２個の酸素原子が配位しているのに対して、感光性パラジウム高分子キレート化合物はパラジウム原子１個に対し、シュウ酸による２個の酸素原子と、ポリビニルアルコールの水酸基による２個の酸素原子との合計４個の酸素原子が配位しているためと推定される。
【００１６】
この感光性パラジウム高分子キレート化合物は、例えば、硝酸パラジウム等のパラジウム塩水溶液にシュウ酸溶液を添加して、パラジウム−シュウ酸キレート化合物を生成させた後、ポリビニルアルコール水溶液を添加し、 40 〜 80 ℃程度の温度下で反応させることにより合成することができる。
【００１７】
用いることができるパラジウム塩は特に制限されず、例えば、硝酸パラジウム、塩化パラジウム、酢酸パラジウム等の水溶性塩等を例示することができる。
また、用いることができるポリビニルアルコールは、重合度が 1500 以下であり、かつ水溶性であれば特に制限はなく、通常、重合度 300〜1000、鹸化度 65 〜 99 のポリビニルアルコールが好適に用いられる。
もし、用いるポリビニルアルコールの重合度が 1500 を超えると、形成させようとするメッキパターンの解像度が低下し、無電解メッキ時にメッキ膜の剥がれが発生しやすくなる。
【００１８】
また、感光性パラジウム高分子キレート化合物においては、シュウ酸とパラジウムとの割合はモル比で（シュウ酸／Ｐｄ＝） 0.3〜4.5 であり、かつ、ポリビニルアルコールとパラジウムとの割合は重量比で（ＰＶＡ／Ｐｄ＝） 0.5〜 12 であり、これらの配合について、好ましくは、シュウ酸／Ｐｄ＝ 1〜2 、ＰＶＡ／Ｐｄ＝ 1〜3 である。
【００１９】
シュウ酸とパラジウムとの割合（シュウ酸／Ｐｄ）が 0.3より小さい場合には、励起エネルギに対する感光性が低下するばかりでなく、励起エネルギ非照射部の水やアルカリ性水溶液あるいは酸性水溶液に対する溶解性が低下するため、露光現像後に残渣が発生し、金属の無電解メッキ後に絶縁不良等の不具合が生じやすい。また、同上割合が 4.5を超える場合には、基板上に塗布成膜したときに遊離シュウ酸の粗大結晶が析出し、無電解メッキ性が低下する。
【００２０】
ポリビニルアルコールとパラジウムとの割合（ＰＶＡ／Ｐｄ）が 0.5よりも小さい場合には、基板との密着性が低下し、水やアルカリ性水溶液あるいは酸性水溶液で現像する際に励起エネルギ照射部、励起エネルギ非照射部とも溶出し、基板より剥離しやすくなる。また、同上割合が 12 より大きい場合には、現像性が低下し、また、パラジウム含有量が相対的に低下するため無電解メッキ時の触媒性が低下し、ポリビニルアルコール量が相対的に増加するため、触媒層を介した上下の金属微細線間の導通性が低下しやすい。
【００２１】
「無電解メッキ用塗布液」
この実施の形態における無電解メッキ用塗布液は、前記感光性パラジウム高分子キレート化合物と、塗布膜の塗布ムラ、厚みムラ、弾きムラ等の防止のための溶剤とを少なくとも含有する。
【００２２】
塗布液中の感光性パラジウム高分子キレート化合物の配合量（金属パラジウム換算量）は、 0.1〜5 重量％、特に、 0.2〜0.5 重量％が好適である。
この配合量が 0.1〜5 重量％の範囲を外れると、均質な感光性パラジウム高分子キレート化合物の塗布膜を基板上に形成することが困難となり、露光後に微細な薄膜パターンを形成することができない。
【００２３】
用いられる溶剤としては、感光性パラジウム高分子キレート化合物が溶解し、揮発性に優れるものであれば特に限定されないが、通常、水が好適に用いられる。また、塗布時の乾燥速度等を制御するため、アルコール類、セロソルブ類、グリコール類を塗布液中に 5〜 50 重量％添加するのが好適である。
【００２４】
用いられるアルコール類としてはメタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等を、セロソルブ類としてはメチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、プロピレングリコールモノメチルエーテル等を、またグリコール類としてはエチレングリコール、ジエチレングリコール等を例示することができる。
【００２５】
「金属微細線パターンの形成方法」
この実施の形態における金属微細線パターンの形成方法は、前記無電解メッキ用塗布液を基板上に塗布して塗布膜を形成する工程と、所定のパターンを有するマスクを介して前記塗布膜を露光し現像する工程と、現像した前記基板を無電解メッキ浴に浸漬して無電解メッキを施す工程とを少なくとも備える。
【００２６】
前記無電解メッキ用塗布液を基板上に塗布する手段は、特に制限されるものではなく、スピンコータ、ロールコータ、ディップコータ、スプレーコータ等を例示することができる。
また、用いる基板も特に制限はなく、ガラス、ガラスエポキシ等のガラス系基板や、アルミナ、チタン酸バリウム等の誘電体セラミックス基板、またはアクリル、ＰＥＴ、ポリカーボネート等の樹脂基板を例示することができる。
【００２７】
塗布膜の厚みは、特に制限されないが、乾燥後の厚みで 5〜100 ｎｍ程度が好適である。
乾燥後の厚みが 100ｎｍを超えると現像時の触媒層のパターン解像度が低下する虞れがあり、また 5ｎｍ未満となるとメッキ時間が長時間となる虞れがあり、いずれも好ましくない。
【００２８】
このような感光性パラジウム高分子キレート化合物は、 400ｎｍより短い波長の紫外線領域に吸収ピークを有するため、通常の露光操作に使用されるｉ線やｈ線に対して優れた感光性を有する。
したがって、通常の露光装置を用いて、従来よりも短時間の露光により、パラジウムを含有する触媒微細線パターンを基板上に形成することができる。
このための露光エネルギは 0.1〜0.5 Ｊ／ｃｍ2 程度のエネルギ照射で充分である。
【００２９】
塗布膜に励起エネルギが照射されると、感光性パラジウム高分子キレート化合物が架橋重合し、水やアルカリ性水溶液あるいは酸性水溶液に対する溶解性が低下し、非水溶性となる。
【００３０】
その結果、前記塗布液により形成された被膜は、所定のパターンマスクを介して紫外線等の励起エネルギを用いて露光処理した後、水、炭酸ソーダ等の無機アルカリ性水溶液、有機アミン等を含有する有機アルカリ性水溶液、硫酸、硝酸、塩酸等の酸性水溶液で現像処理することにより、選択的に励起エネルギ非照射部のみを溶解除去させることが可能であり、一方、励起エネルギ照射部には非水溶性、多孔質状の触媒膜が所定のパターン状に形成される。
【００３１】
現像方法は、特に限定されるものではなく、シャワー現像法や現像液中に浸漬し、揺動する方法等を採用できる。なお、現像液を加熱する必要はなく、 20 〜 30 ℃の温度で充分である。
【００３２】
また、感光性パラジウム高分子キレート化合物は、水、アルカリ性水溶液あるいは酸性水溶液への溶解性が高く、一方、架橋重合後の感光性パラジウム高分子キレート化合物は水、アルカリ性水溶液あるいは酸性水溶液への溶解性が極めて低いため、短時間での現像時間でも現像残渣が生じない。したがって、１μｍ程度のパターン解像度を達成でき、微細で精緻なパラジウム含有微細線パターンの形成が可能となる。
【００３３】
そして、前記パラジウム含有微細線パターンを触媒核として、化学メッキ液を用いて無電解メッキを行うことにより、金属微細線パターンの形成が可能となる。この無電解メッキ工程では、前記パラジウム含有微細線パターン以外の部分に金属含有成分が析出しないので、パターン間の絶縁性に優れた金属微細線パターンの形成が可能となる。
【００３４】
化学メッキ液に含有される金属は、特に限定されるものではなく、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｎｉ等を含む通常の化学メッキ液を用いることができる。また、無電解メッキの条件についても特に制限はないが、化学メッキ液の触媒汚染を防止し、現像後の触媒パターン層の基板との付着力を高めるため、無電解メッキ処理前にパラジウム含有微細線パターン付き基板を 40 〜200 ℃程度に加熱してプレベークしておくのが好適である。
【００３５】
また、前記パラジウム含有微細線パターンは、微細孔が形成された多孔質状のものであるため、無電解メッキ時には金属が微細孔内にも析出して微細線パターン自体の導電性が向上する。したがって、この金属微細線パターンの上下にも微細線回路を形成することができる。さらに、この金属微細線パターン上に電気メッキを施して金属微細線パターンの導電性を向上させることもできる。
【００３６】
【実施例】
〔実施例１〕
「感光性パラジウム高分子キレート化合物の製造」
2ｇの硝酸パラジウムが溶解した硝酸パラジウム水溶液 100ｇに、 0.39 ｇの無水シュウ酸が溶解したシュウ酸水溶液 20 ｇを添加し、室温下で 30 分間攪拌して、シュウ酸パラジウムキレート化合物を形成させた後、さらに 0.924ｇのポリビニルアルコール（クラレ社製、PVA205、重合度500 、鹸化度 88 ）が溶解したポリビニルアルコール水溶液 40 ｇを添加し、温度 70 ℃の下で２時間攪拌して、パラジウム、シュウ酸、ポリビニルアルコールから構成された感光性パラジウム高分子キレート化合物を製造した。
この感光性パラジウム高分子キレート化合物のシュウ酸／Ｐｄのモル比、ＰＶＡ／Ｐｄの重量比をそれぞれ表１に示す。
【００３７】
「無電解メッキ用塗布液の製造」
また、感光性パラジウム高分子キレート化合物水溶液に、２−プロパノールをその含有量が 30 重量％となるように添加して、無電解メッキ用塗布液を製造した。
この無電解メッキ用塗布液は感光性パラジウム高分子キレート化合物を 0.25 重量％（金属パラジウム換算）含有するものであった。
【００３８】
「金属微細線パターン付き基板の製造」
スピンコータ法（回転数 500ｒｐｍ）により、透明導電膜付きガラス板上に前記無電解メッキ用塗布液を塗布し、温度 60 ℃の乾燥機中にて 10 分間プレベークして、感光性塗布膜を形成した。
【００３９】
ついで、ライン／スペース比が 0.5〜 20 μｍのテストパターンフォトマスクを介して、ｉ線露光機（露光エネルギ 0.4Ｊ／ｃｍ2 、具体的には 125Ｗ高圧水銀灯照射 5分）により紫外線を照射し、引き続き、イオン交換水を用いることによりシャワー現像処理を施して非露光部を溶解除去し、温度 150℃で 10 分間乾燥してパラジウム含有微細線パターン付き基板を製造した。
【００４０】
その後、化学メッキ液（奥野製薬社製、 OPC750 無電解銅メッキ液、液温 25 ℃）に 10 分間浸漬し、上記パラジウム含有微細線パターン上に銅の微細線パターンが形成された金属微細線パターン付き基板を製造した。
【００４１】
「メッキパターン解像性等の評価」
このようにして得られた金属微細線パターンのメッキパターン解像性を光学顕微鏡を用いて評価し、その結果を表１に示す。
また、メッキ膜厚を接触指針型膜厚計で測定し、さらに透明導電膜と銅メッキ層との間の抵抗を測定し、その結果を表１に示す。
【００４２】
〔実施例２〜７〕
「感光性パラジウム高分子キレート化合物の製造」
実施例１に準じ、シュウ酸／Ｐｄのモル比およびＰＶＡ／Ｐｄの重量比を変えて、パラジウム、シュウ酸、ポリビニルアルコールから構成された感光性パラジウム高分子キレート化合物を製造した。
製造した感光性パラジウム高分子キレート化合物のシュウ酸／Ｐｄのモル比およびＰＶＡ／Ｐｄの重量比をそれぞれ表１に示す。
【００４３】
「無電解メッキ用塗布液の製造」
また、これらの感光性パラジウム高分子キレート化合物水溶液を用い、実施例１に準じて、無電解メッキ用塗布液を製造した。
これらの無電解メッキ用塗布液はいずれも感光性パラジウム高分子キレート化合物をそれぞれ 0.25 重量％（金属パラジウム換算）含有するものであった。
【００４４】
「金属微細線パターン付き基板の製造」
実施例１に準じて金属微細線パターン付き基板を製造した。
「メッキパターン解像性等の評価」
実施例１に準じて評価した。その結果を表１に示す。
【００４５】
〔実施例８〜９〕
「感光性パラジウム高分子キレート化合物の製造」
重合度 300、 1000 のポリビニルアルコールを用いた他は、実施例１に準じてパラジウム、シュウ酸、ポリビニルアルコールから構成された感光性パラジウム高分子キレート化合物を製造した。
製造した感光性パラジウム高分子キレート化合物のシュウ酸／Ｐｄのモル比およびＰＶＡ／Ｐｄの重量比をそれぞれ表２に示す。
【００４６】
「無電解メッキ用塗布液の製造」
また、これらの感光性パラジウム高分子キレート化合物水溶液を用い、実施例１に準じて、無電解メッキ用塗布液を製造した。
これらの無電解メッキ用塗布液はいずれも感光性パラジウム高分子キレート化合物をそれぞれ 0.25 重量％（金属パラジウム換算）含有するものであった。
【００４７】
「金属微細線パターン付き基板の製造」
実施例１に準じて金属微細線パターン付き基板を製造した。
「メッキパターン解像性等の評価」
実施例１に準じて評価し、その結果を表２に示す。
【００４８】
〔比較例１〕
「感光性パラジウム−ポリビニルアルコールキレート化合物の製造」
1ｇの硝酸パラジウムが溶解した硝酸パラジウム水溶液 100ｇに、 0.924ｇのポリビニルアルコール（実施例１と同一物）が溶解した水溶液 60 ｇを添加して、温度 70 ℃、 2時間加熱攪拌して、パラジウム−ポリビニルアルコールキレート化合物を含む水溶液を製造した。
【００４９】
「無電解メッキ用塗布液の製造」
このパラジウム−ポリビニルアルコールキレート化合物を含む水溶液を用い、実施例１に準じて、無電解メッキ用塗布液を製造した。
この無電解メッキ用塗布液は感光性パラジウム高分子キレート化合物を 0.25 重量％（金属パラジウム換算）含有するものであった。
【００５０】
「金属微細線パターン付き基板の製造」
実施例１に準じて金属微細線パターン付き基板の製造を試みたところ、非露光部は溶解除去されず現像することができなかった。
【００５１】
〔比較例２〕
「感光性パラジウム高分子キレート化合物の製造」
実施例１に準じてシュウ酸／Ｐｄ（モル比）＝ 0.2、ＰＶＡ／Ｐｄ（重量比）＝2 の感光性パラジウム高分子キレート化合物を製造した。
【００５２】
「無電解メッキ用塗布液の製造」
この感光性パラジウム高分子キレート化合物水溶液を用い、実施例１に準じて無電解メッキ用塗布液を製造した。
この無電解メッキ用塗布液は感光性パラジウム高分子キレート化合物を 0.25 重量％（金属パラジウム換算）含有するものであった。
【００５３】
「金属微細線パターン付き基板の製造」
実施例１に準じて金属微細線パターン付き基板の製造を試みたが、いずれのライン／スペース比のパターンであっても、シャワー現像処理時に非露光部が溶解除去されず、金属細線パターンが作成できなかった。
【００５４】
〔比較例３〕
「感光性パラジウム高分子キレート化合物の製造」
実施例１に準じてシュウ酸／Ｐｄ（モル比）＝ 5.0、ＰＶＡ／Ｐｄ（重量比）＝2 の感光性パラジウム高分子キレート化合物を製造した。
【００５５】
「無電解メッキ用塗布液の製造」
この感光性パラジウム高分子キレート化合物水溶液を用い、実施例１に準じて無電解メッキ用塗布液を製造した。
この無電解メッキ用塗布液は感光性パラジウム高分子キレート化合物を 0.25 重量％（金属パラジウム換算）含有するものであった。
【００５６】
「金属微細線パターン付き基板の製造」
実施例１に準じて感光性塗布膜を基板上に形成したところ、粒状の粒子が不均質に基板上に析出した膜であった。ついで、実施例１に準じて露光・現像したところ、パターン部においても前記粒状の粒子が抜け出た。引き続き、実施例１に準じて無電解メッキ処理したところ、得られた金属微細線パターン付き基板は、金属メッキ部に抜けが発生しており、またライン切れ等の欠陥を有するものであった。
【００５７】
「メッキパターン解像性等の評価」
実施例１に準じて評価し、その結果を表１に示す。
【００５８】
〔比較例４〕
「感光性パラジウム高分子キレート化合物の製造」
実施例１に準じてシュウ酸／Ｐｄ（モル比）＝ 1.0、ＰＶＡ／Ｐｄ（重量比）＝ 15 の感光性パラジウム高分子キレート化合物を製造した。
【００５９】
「無電解メッキ用塗布液の製造」
この感光性パラジウム高分子キレート化合物水溶液を用い、実施例１に準じて無電解メッキ用塗布液を製造した。
この無電解メッキ用塗布液は感光性パラジウム高分子キレート化合物を 0.25 重量％（金属パラジウム換算）含有するものであった。
【００６０】
「金属微細線パターン付き基板の製造」
実施例１に準じて金属微細線パターン付き基板の製造を試みたが、シャワー現像処理時に非露光部が溶解除去されず、基板上にパラジウムを含むパターン膜を形成することができなかった。
【００６１】
〔比較例５〕
「感光性シュウ酸パラジウムキレート化合物の製造」
1ｇの硝酸パラジウムが溶解した硝酸パラジウム水溶液 100ｇに、 0.390ｇの無水シュウ酸が溶解したシュウ酸水溶液 20 ｇを添加して、室温下で 30 分間攪拌して、シュウ酸−パラジウムキレート化合物を含む水溶液を製造した。
【００６２】
「無電解メッキ用塗布液の製造」
このシュウ酸−パラジウムキレート化合物を含む水溶液を用い、実施例１に準じて、無電解メッキ用塗布液を製造した。
この無電解メッキ用塗布液は感光性パラジウム高分子キレート化合物を 0.25 重量％（金属パラジウム換算）含有するものであった。
【００６３】
「金属微細線パターン付き基板の製造」
実施例１に準じて金属微細線パターン付き基板の製造を試みたところ、露出部も同時に溶解除去され、基板上にパラジウムを含むパターン膜を形成することができなかった。
【００６４】
〔比較例６〕
「感光性パラジウム高分子キレート化合物の製造」
重合度が 2000 のポリビニルアルコールを用いた他は、実施例１に準じてパラジウム、シュウ酸、ポリビニルアルコールから構成された感光性パラジウム高分子キレート化合物を製造した。
製造した感光性パラジウム高分子キレート化合物のシュウ酸／Ｐｄのモル比およびＰＶＡ／Ｐｄの重量比を表２に示す。
【００６５】
「無電解メッキ用塗布液の製造」
この製造された感光性パラジウム高分子キレート化合物を含む水溶液を用い、実施例１に準じて、無電解メッキ用塗布液を製造した。
この無電解メッキ用塗布液は感光性パラジウム高分子キレート化合物を 0.25 重量％（金属パラジウム換算）含有するものであった。
【００６６】
「金属微細線パターン付き基板の製造」
実施例１に準じて金属微細線パターン付き基板を製造した。
「メッキパターン解像性等の評価」
実施例１に準じて評価し、その結果を表２に示す。
【００６７】
【表１】
0004132311.tif 000002
【００６８】
【表２】
0004132311.tif 000003
【００６９】
〔評価結果〕
以上の各実施例及び各比較例における評価結果より、シュウ酸／Ｐｄが 0.3より小さい場合は、感光性、現像性が低下し、非露光部の水やアルカリ性水溶液あるいは酸性水溶液に対する溶解性が低下し、また、シュウ酸／Ｐｄが 4.5を超える場合は、基板上に塗布成膜したときに遊離シュウ酸の粗大結晶が析出し、無電解メッキ性が低下することが判明した。
【００７０】
一方、ＰＶＡ／Ｐｄが 0.5より小さい場合は、水やアルカリ性水溶液あるいは酸性水溶液で現像する際に露光部、非露光部とも溶出し、また、ＰＶＡ／Ｐｄが 12 より大きい場合は、現象性が低下することが判明した。
さらに、用いるポリビニルアルコールの重合度が 1500 を超えると、メッキパターンの解像度が低下し、無電解メッキ時にメッキ膜の剥がれが発生することが判明した。
【００７１】
【発明の効果】
以上のように本発明では、請求項１に係る感光性パラジウム高分子キレート化合物では、パラジウムと、シュウ酸と、重合度が300〜1500のポリビニルアルコールを反応させた化合物であり、前記シュウ酸と前記パラジウムがモル比で0.3〜4.5、前記ポリビニルアルコールと前記パラジウムが重量比で0.5〜12であるから、励起エネルギに対する高い露光感度を有し、現像性、解像性、触媒活性、無電解メッキ性等に優れた感光性材料を得ることができる。
【００７２】
また、請求項２に係る無電解メッキ用塗布液では、請求項１記載の感光性パラジウム高分子キレート化合物を感光成分として含有するから、均質な感光性材料の膜を形成させることができる。
【００７３】
また、請求項３に係る金属微細線パターンの形成方法では、請求項２記載の無電解メッキ用塗布液を基板上に塗布して前記無電解メッキ用塗布液の塗布膜を前記基板上に形成する工程と、所定のパターンを有するマスクを介して前記塗布膜を露光し、現像する工程と、前記基板を無電解メッキ浴に浸漬してパラジウム含有微細線パターンを触媒核として無電解メッキを施す工程とを少なくとも備えることから、各パターン間の絶縁性に優れた極く微細な金属微細線パターンが容易に形成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態における感光性パラジウム高分子キレート化合物を示す化学構造式である。
【図２】本発明の実施の形態における感光性パラジウム高分子キレート化合物の赤外線吸収スペクトル線図である。
【図１】
0004132311.tif 000004
【図２】
0004132311.tif 000005