(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
中央に円形穴（１ａ）を有するドーナツ状のガラス基板（１）の外周部と内周部の端面加工とこれを挟む斜面の面取加工をチャンファリングする方法であって、
外周部の端面と斜面を同時に加工するメタルボンド外面砥石（１２）と、内周部の端面と斜面を同時に加工するメタルボンド内面砥石（１４）と、を備え、外面砥石と内面砥石により、ガラス基板の外周部と内周部の端面と斜面を同時に研削加工し、かつ研削加工中に外面砥石を電解ドレッシングして目立てし、ガラス基板を交換する非加工中に内面砥石を電解ドレッシングして目立し、
ガラス基板（１）を吸着させる真空吸着ヘッド（３３ａ）と、ガラス基板を真空吸着ヘッドとの間に挟持する挟持ヘッド（３３ｂ）とを備え、
前記真空吸着ヘッド（３３ａ）と挟持ヘッド（３３ｂ）の間に挟持される放電ツルーイング用電極（１６）を着脱可能に備え、
単一の前記放電ツルーイング用電極は、研削加工対象であるドーナツ状のガラス基板の外周部と整合する外周部と、当該ガラス基板の内周部と整合する内周部と、を有するドーナツ形状であり、
前記外面砥石（１２）と内面砥石（１４）を研削加工位置に位置決めして、前記真空吸着ヘッド（３３ａ）と挟持ヘッド（３３ｂ）の間に挟持された放電ツルーイング用電極（１６）で成形する、ことを特徴とするガラス基板のチャンファリング方法。
【請求項２】
前記ガラス基板（１）をその軸心を中心に回転駆動する基板駆動装置（３２）を備え、該基板駆動装置に前記真空吸着ヘッド（３３ａ）と前記挟持ヘッド（３３ｂ）が備えられる、ことを特徴とする請求項１に記載のガラス基板のチャンファリング方法。
【請求項３】
中央に円形穴（１ａ）を有するドーナツ状のガラス基板（１）の外周部と内周部の端面加工とこれを挟む斜面の面取加工をチャンファリングする装置であって、
外周部の端面と斜面を同時に加工するメタルボンド外面砥石（１２）と、内周部の端面と斜面を同時に加工するメタルボンド内面砥石（１４）と、外面砥石を研削加工中に電解ドレッシングするための外面電極（１８）と、内面砥石を非研削加工中に電解ドレッシングするための内面電極（２０）と、外面砥石と外面電極の間および内面砥石と内面電極の間に導電性研削液を供給する研削液供給装置（２２）と、外面砥石と外面電極の間および内面砥石と内面電極の間に電解ドレッシングの電圧を印加する電圧印加手段（２４）とを備え、外面砥石によりガラス基板の外周部の端面と斜面を研削加工中に外面砥石を電解ドレッシングし、ガラス基板を交換する非加工中に内面砥石を電解ドレッシングし、
ガラス基板（１）を吸着させる真空吸着ヘッド（３３ａ）と、ガラス基板を真空吸着ヘッドとの間に挟持する挟持ヘッド（３３ｂ）とを備え、
前記真空吸着ヘッド（３３ａ）と挟持ヘッド（３３ｂ）の間に挟持される放電ツルーイング用電極（１６）を着脱可能に備え、
単一の前記放電ツルーイング用電極は、研削加工対象であるドーナツ状のガラス基板の外周部と整合する外周部と、当該ガラス基板の内周部と整合する内周部と、を有するドーナツ形状であり、
前記外面砥石（１２）と内面砥石（１４）を研削加工位置に位置決めして、前記真空吸着ヘッド（３３ａ）と挟持ヘッド（３３ｂ）の間に挟持された放電ツルーイング用電極（１６）で成形できるようになっている、ことを特徴とするガラス基板のチャンファリング装置。
【請求項４】
前記メタルボンド外面砥石（１２）とメタルボンド内面砥石（１４）は、外周部が円筒面であり、かつその円筒面に端面と斜面に当接する台形溝（１２ａ，１４ａ）を有する、ことを特徴とする請求項３に記載のガラス基板のチャンファリング装置。
【請求項５】
前記メタルボンド外面砥石（１２）及び／又はメタルボンド内面砥石（１４）は、同軸上に間隔を隔てて複数の台形溝（１２ａ，１４ａ）を有する、ことを特徴とする請求項４に記載のガラス基板のチャンファリング装置。
【請求項６】
前記メタルボンド外面砥石（１２）及び／又はメタルボンド内面砥石（１４）は、同軸上に間隔を隔てて粗加工用と仕上加工用の台形溝（１２ａ，１４ａ）を有する、ことを特徴とする請求項４に記載のガラス基板のチャンファリング装置。
【請求項７】
ガラス基板（１）をその軸心を中心に回転駆動する基板駆動装置（３２）と、メタルボンド外面砥石（１２）をその軸心を中心に回転駆動する外面砥石駆動装置（３４）と、メタルボンド内面砥石（１４）をその軸心を中心に回転駆動する内面砥石駆動装置（３６）とを備え、基板駆動装置、外面砥石駆動装置及び／又は内面砥石駆動装置は、ガラス基板を加工する加工位置と、ガラス基板から外面砥石及び内面砥石を離脱させてガラス基板の交換を可能にする非加工位置との間を移動可能に構成されている、ことを特徴とする請求項４に記載のガラス基板のチャンファリング装置。
【請求項８】
前記基板駆動装置（３２）は、前記真空吸着ヘッド（３３ａ）と、前記挟持ヘッド（３３ｂ）とを備える、ことを特徴とする請求項７に記載のガラス基板のチャンファリング装置。
【請求項９】
前記ガラス基板（１）をその軸心を中心に回転駆動する基板駆動装置（３２）を備え、該基板駆動装置に前記真空吸着ヘッド（３３ａ）と前記挟持ヘッド（３３ｂ）が備えられる、ことを特徴とする請求項３に記載のガラス基板のチャンファリング装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ハードディスク用ガラス基板のエッジ部を加工するチャンファリング方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ハードディスクは、コンピュータの記憶装置の１つであり、薄いドーナツ状の円板表面に磁性体を塗布し、この磁性体にデータを記憶させるものである。この円板（ハードディスク基板と呼ぶ）の材料は、従来は主にアルミニウムであるが、剛性、耐久性、記憶容量等の性能を向上させるため、近年、化学強化ガラスや結晶性ガラスからなるハードディスク基板（ガラス基板）が用いられている。
【０００３】
図５は、ガラス基板の模式図であり、（Ａ）は全体形状、（Ｂ）は外周部と内周部の断面図である。例えば呼称２．５インチのガラス基板は、外径／内径が２．５インチ／１インチ（約６３ｍｍ／約２５ｍｍ）、厚さが約１．６ｍｍである。また、外周部と内周部（エッジ部）は、外周面又は内周面である端面（幅０．６ｍｍ）とこれを挟む１対の斜面（角度約４５°）とからなる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上述したガラス基板は、ハードディスクのアクセスタイムを短くするため、数万ＲＰＭの高速回転で使用される。そのため、全体を高精度に加工し高い動バランスを実現する必要がある。また、ガラス基板の両面は、磁性体を高密度に塗布し記憶容量を極限まで高めるために、Ｒｚ１μｍ以下の鏡面に仕上げられている。
【０００５】
更に、エッジ部（端面及び斜面）も、ガラス基板の両面と同程度の精度と高品質の鏡面に仕上げる必要がある。エッジ部を鏡面に仕上げる理由は、以下の通りである。
（１）面粗さが大きい「梨地」の表面には、微細なマイクロクラックが存在する。そのため、ガラスの強化処理が不均一となったり、使用時の高速回転によりクラックが進展して破損するおそれがある。
（２）マイクロクラックの微細な凹みにゴミが残留して洗浄が不完全となり、後工程でのコンタミネーションの要因となる。
【０００６】
上述したガラス基板のエッジ部は、従来、総型の電着砥石を用いてエッジ部の形状を高精度に加工し、次いで、バフ研磨によりエッジ部を鏡面に仕上げていた。
【０００７】
しかし、アルミニウムに比べてガラス基板の加工性は悪いため、電着砥石による加工能率が低い問題点があった。すなわち、実用的な加工性を確保するため、＃５００（粒径約３０μｍ）〜＃６００（粒径約２５μｍ）の比較的粗い砥粒を用いるが、その場合でも、砥粒の剥離が激しく、電着砥石を頻繁に交換する必要があり、加工装置の連続使用時間が短く稼働率が低くなる。また、得られる加工面は、面粗さの大きい「梨地」状態であるので、後工程として長時間（約１時間程度）のバフ研磨を行う必要があり、結果として生産性が低い問題点があった。
【０００８】
本発明は、かかる問題点を解決するために創案されたものである。すなわち、本発明の目的は、ハードディスク用ガラス基板のエッジ部を高精度かつ高品質に高能率で加工でき、これにより後工程の必要性を大幅に低減し或いはなくすことができるチャンファリング方法及び装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、中央に円形穴（１ａ）を有するドーナツ状のガラス基板（１）の外周部と内周部の端面加工とこれを挟む斜面の面取加工をチャンファリングする方法であって、
外周部の端面と斜面を同時に加工するメタルボンド外面砥石（１２）と、内周部の端面と斜面を同時に加工するメタルボンド内面砥石（１４）と、を備え、外面砥石と内面砥石により、ガラス基板の外周部と内周部の端面と斜面を同時に研削加工し、かつ研削加工中に外面砥石を電解ドレッシングして目立てし、ガラス基板を交換する非加工中に内面砥石を電解ドレッシングして目立し、
ガラス基板（１）を吸着させる真空吸着ヘッド（３３ａ）と、ガラス基板を真空吸着ヘッドとの間に挟持する挟持ヘッド（３３ｂ）とを備え、
前記真空吸着ヘッド（３３ａ）と挟持ヘッド（３３ｂ）の間に挟持される放電ツルーイング用電極（１６）を着脱可能に備え、
単一の前記放電ツルーイング用電極は、研削加工対象であるドーナツ状のガラス基板の外周部と整合する外周部と、当該ガラス基板の内周部と整合する内周部と、を有するドーナツ形状であり、
前記外面砥石（１２）と内面砥石（１４）を研削加工位置に位置決めして、前記真空吸着ヘッド（３３ａ）と挟持ヘッド（３３ｂ）の間に挟持された放電ツルーイング用電極（１６）で成形する、ことを特徴とするガラス基板のチャンファリング方法が提供される。
【００１０】
また、本発明によれば、中央に円形穴（１ａ）を有するドーナツ状のガラス基板（１）の外周部と内周部の端面加工とこれを挟む斜面の面取加工をチャンファリングする装置であって、
外周部の端面と斜面を同時に加工するメタルボンド外面砥石（１２）と、内周部の端面と斜面を同時に加工するメタルボンド内面砥石（１４）と、外面砥石を研削加工中に電解ドレッシングするための外面電極（１８）と、内面砥石を非研削加工中に電解ドレッシングするための内面電極（２０）と、外面砥石と外面電極の間および内面砥石と内面電極の間に導電性研削液を供給する研削液供給装置（２２）と、外面砥石と外面電極の間および内面砥石と内面電極の間に電解ドレッシングの電圧を印加する電圧印加手段（２４）とを備え、外面砥石によりガラス基板の外周部の端面と斜面を研削加工中に外面砥石を電解ドレッシングし、ガラス基板を交換する非加工中に内面砥石を電解ドレッシングし、
ガラス基板（１）を吸着させる真空吸着ヘッド（３３ａ）と、ガラス基板を真空吸着ヘッドとの間に挟持する挟持ヘッド（３３ｂ）とを備え、
前記真空吸着ヘッド（３３ａ）と挟持ヘッド（３３ｂ）の間に挟持される放電ツルーイング用電極（１６）を着脱可能に備え、
単一の前記放電ツルーイング用電極は、研削加工対象であるドーナツ状のガラス基板の外周部と整合する外周部と、当該ガラス基板の内周部と整合する内周部と、を有するドーナツ形状であり、
前記外面砥石（１２）と内面砥石（１４）を研削加工位置に位置決めして、前記真空吸着ヘッド（３３ａ）と挟持ヘッド（３３ｂ）の間に挟持された放電ツルーイング用電極（１６）で成形できるようになっている、ことを特徴とするガラス基板のチャンファリング装置が提供される。
【００１１】
上記本発明の方法および装置によれば、外面砥石（１２）と内面砥石（１４）により、ガラス基板（１）の外周部と内周部の端面と斜面を同時に研削加工することができる。また、この研削加工中に外面砥石を外面電極（１８）との間に導電性研削液を供給して電圧印加手段（２４）で電解ドレッシング（インプロセスドレッシング）し、微細な砥粒を用いた場合でも外面砥石を目立てして高能率を維持しながら高精度かつ高品質に加工できる。更に、ガラス基板を交換する非加工中に内面砥石を内面電極（２０）との間に導電性研削液を供給して同一の電圧印加手段で電解ドレッシング（インターバルドレッシング）し、同様に微細な砥粒を用いた場合でも内面砥石を目立てして高能率を維持しながら高精度かつ高品質に加工できる。更に、外面砥石を研削加工中にインプロセスドレッシングし、内面砥石を非加工中にインターバルドレッシングするので、電圧印加手段（２４）の負荷を平滑化でき、同時に両方を電解ドレッシングする場合に比較して電源設備を小型化できる。また、ガラス基板（１）の代わりに放電ツルーイング用電極（１６）をセットするだけで、外面砥石（１２）又は内面砥石（１４）が長時間の使用により形状精度が悪化した場合でも、砥石の取外し／再取付けによる取付誤差を回避し、機上で放電ツルーイングして高精度に成形することができる。
【００１２】
なお、本発明の好ましい実施形態によれば、前記ガラス基板（１）の代わりに放電ツルーイング用電極（１６）を取付け、前記外面砥石（１２）と内面砥石（１４）を研削加工位置に位置決めし、前記電極（１６）をプラスに砥石（１２，１４）をマイナスに印加して、両砥石を放電ツルーイングして成形できる。この方法により、外面砥石（１２）又は内面砥石（１４）が長時間の使用により形状精度が悪化した場合でも、砥石の取外し／再取付けによる取付誤差を回避し、機上で放電ツルーイングして高精度に成形することができる。また、単に極性の変更だけで、放電ツルーイングに電解ドレッシング用の電源（電圧印加手段）を用いることができ、電源設備の大型化を回避することができる。
【００１３】
また、前記メタルボンド外面砥石（１２）とメタルボンド内面砥石（１４）は、外周部が円筒面であり、かつその円筒面に端面と斜面に当接する台形溝（１２ａ，１４ａ）を有する。
この構成により、台形溝（１２ａ，１４ａ）を総型砥石としてガラス基板（１）のエッジ部（外周部と内周部）に当接させるだけで、ガラス基板のエッジ部を高精度かつ高品質に加工できる。
【００１４】
前記メタルボンド外面砥石（１２）及び／又はメタルボンド内面砥石（１４）は、同軸上に間隔を隔てて複数の台形溝（１２ａ，１４ａ）を有する。この構成により、加工による摩耗により形状精度が規定値を外れた段階で軸方向にシフトして順に使用することにより、工程を止めずに進行でき、連続使用時間を大幅に延ばすことができる。
【００１５】
また、前記メタルボンド外面砥石（１２）及び／又はメタルボンド内面砥石（１４）は、同軸上に間隔を隔てて粗加工用と仕上加工用の台形溝（１２ａ，１４ａ）を有する。
この構成により、粗加工用の台形溝（１２ａ，１４ａ）で粗加工後に、軸方向にシフトして同一の砥石の仕上加工用の台形溝（１２ａ，１４ａ）で仕上加工ができ、別の砥石に交換する場合に比較して、無駄時間を大幅に低減でき、かつ回転中心のズレ（芯ズレ）による加工精度の悪化を回避することができる。
【００１６】
更に、本発明の好ましい実施形態によれば、ガラス基板（１）をその軸心を中心に回転駆動する基板駆動装置（３２）と、メタルボンド外面砥石（１２）をその軸心を中心に回転駆動する外面砥石駆動装置（３４）と、メタルボンド内面砥石（１４）をその軸心を中心に回転駆動する内面砥石駆動装置（３６）とを備え、基板駆動装置、外面砥石駆動装置及び／又は内面砥石駆動装置は、ガラス基板を加工する加工位置と、ガラス基板から外面砥石及び内面砥石を離脱させてガラス基板の交換を可能にする非加工位置との間を移動可能に構成されている。
この構成により、メタルボンド外面砥石（１２）とメタルボンド内面砥石（１４）を加工位置に位置決めした状態で、外面砥石を電解ドレッシング（インプロセスドレッシング）しながら研削加工でき、かつ両砥石を非加工位置に位置決めした状態で、ガラス基板を交換すると共に、内面砥石を電解ドレッシング（インターバルドレッシング）することができる。
【００１７】
前記基板駆動装置（３２）は、前記真空吸着ヘッド（３３ａ）と、前記挟持ヘッド（３３ｂ）とを備える。この構成により、破損しやすいガラス基板（１）を真空吸着ヘッド（３３ａ）と挟持ヘッド（３３ｂ）で挟持して保護しながら、精度よく回転駆動することができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好ましい実施形態を図面を参照して説明する。なお、各図において共通する部分には同一の符号を付し、重複した説明を省略する。
【００２０】
従来の研削技術では不可能とされる高能率・超精密な鏡面研削を実現する研削手段として、本願出願人等により電解インプロセスドレッシング研削法（以下、ＥＬＩＤ研削法）が開発され、発表されている。このＥＬＩＤ研削法は、メタルボンド砥石の導電性結合部を電解ドレッシングにより溶解させて目立てを行いながら研削するものである。本研削法により、微細な砥粒を有するメタルボンド砥石により、超硬材料に対して効率的な鏡面加工が可能であり、高能率化・超精密化が図れる特徴がある。
【００２１】
一方、本願発明の発明者等は、先に「電解インターバルドレッシング研削方法」を創案し、出願している（特開平４−１１５８６７号）。この方法は、図６に模式的に示すように、被研削材１（ワーク）と間隔をおいて電極５を設け、ワーク１と電極５間で電圧が印加された導電性砥石４を反復駆動させ、また導電性砥石４と電極５間に導電性研削液を介在させ、電解ドレッシングと研削加工とを交互に行うものである。
【００２２】
本発明は、上述したインプロセスドレッシング（ＥＬＩＤ研削）とインターバルドレッシングを組合せ、更にガラス基板のチャンファリング用に種々の創意を加えたものである。
【００２３】
図１は本発明のチャンファリング装置の全体構成を示す平面図である。また、図２は図１のＡ部拡大図、図３は図１のＢ部拡大図である。本発明のチャンファリング装置は、図５に示した中央に円形穴１ａを有するドーナツ状のガラス基板１の外周部と内周部の端面とこれを挟む斜面の端面加工及び面取加工を行う装置である。
図１に示すように、このチャンファリング装置１０は、メタルボンド外面砥石１２、メタルボンド内面砥石１４、外面電極１８、内面電極２０、研削液供給装置２２及び電圧印加手段２４を備えている。
【００２４】
メタルボンド外面砥石１２とメタルボンド内面砥石１４は、砥粒（例えば、ダイヤモンド又はＣＢＮ）とこれを固定する導電性結合部（メタルボンド部）とからなる。メタルボンド部は、鋳鉄、青銅、その他の金属を溶融固化したものである。
また、図１〜図３に示すように、メタルボンド外面砥石１２とメタルボンド内面砥石１４は、外周部が円筒面であり、かつその円筒面に端面と斜面に当接する台形溝１２ａ，１４ａを有している。この台形溝１２ａ，１４ａは、総型砥石としてガラス基板１のエッジ部（外周部と内周部）に当接させるだけで、ガラス基板のエッジ部を高精度かつ高品質に加工できるように成形されている。
【００２５】
更に、図２、図３に示すように、台形溝１２ａ，１４ａは、メタルボンド外面砥石１２及びメタルボンド内面砥石１４の同軸上に一定の間隔を隔てて複数（この例では、それぞれ１０個）設けられている。また、この例では、１０個のうち、半分の台形溝１２ａ，１４ａが粗加工用に残りの半分が仕上加工用に成形されている。
この構成により、メタルボンド外面砥石１２により、ガラス基板１の外周部の端面と斜面を同時に加工でき、かつメタルボンド内面砥石１４により、ガラス基板１の内周部の端面と斜面を同時に加工することができる。
【００２６】
図１に示すように、本発明のチャンファリング装置１０は、更に、基板駆動装置３２、外面砥石駆動装置３４及び内面砥石駆動装置３６を備える。
【００２７】
基板駆動装置３２は、ガラス基板１を吸着させる真空吸着ヘッド３３ａと、ガラス基板１を真空吸着ヘッド３３ａとの間に挟持する挟持ヘッド３３ｂとを有する。真空吸着ヘッド３３ａはガラス基板１の軸心を中心に回転駆動されるドライブ軸３７に連結ロッド３７ａのネジ部の螺合により着脱可能になっている。また、真空吸着ヘッド３３ａに設けられた排気通路を介してガラス基板１との接触面を減圧してガラス基板１を真空吸着ヘッド３３ａの端面（この図で左側）に垂直に吸着・保持するようになっている。挟持ヘッド３３ｂは、ガラス基板１の反対側（この図で左側）に接触する挟持部３８ａとこれを軸受３８ｂを介して支持する支持部３８ｃとからなる。
【００２８】
基板駆動装置３２は、ガラス基板１を加工する加工位置Ｗと、ガラス基板１から外面砥石１２及び内面砥石１４を離脱させてガラス基板１の交換を可能にする非加工位置Ｒ（図１の状態）との間を図で左右方向（Ｘ方向）に移動可能に構成されている。
また、前述の支持部３８ｃは、ガラス基板１の加工位置Ｗにおいて、図示しない付勢装置により、所定の圧力で図で右方向に付勢され、ガラス基板１を真空吸着ヘッド３３ａとの間で十分な圧力で挟持する。
この構成により、基板駆動装置３２により、ガラス基板１の外周部と内周部の研削加工時の加工負荷に抗して、ガラス基板１をその軸心を中心に回転駆動することができる。
【００２９】
外面砥石駆動装置３４は、メタルボンド外面砥石１２を図で右端に固定するドライブ軸３４ａを有する。このドライブ軸３４ａは、ガラス基板１の軸心と平行な軸であり、図示しない駆動装置により回転駆動される。また、この外面砥石駆動装置３４は、図で左右方向（Ｘ方向）とこれに垂直な前後方向（Ｙ方向）にＮＣ制御により自由に移動できるようになっている。この構成により、図１に示す非加工位置Ｒから、外面砥石１２をＸ方向へ移動させてガラス基板１を加工する特定の台形溝１２ａを加工位置Ｗにあるガラス基板１に合わせて位置決めし、更に外面砥石１２をＹ方向に移動させてガラス基板１の外周部に接触させてエッジ部を加工することができる。
【００３０】
内面砥石駆動装置３６も、外面砥石駆動装置３４と同様に、メタルボンド内面砥石１４を図で右端に固定するドライブ軸３６ａを有する。このドライブ軸３６ａは、ガラス基板１の軸心と平行な軸であり、図示しない駆動装置により回転駆動される。また、この内面砥石駆動装置３６も、図で左右方向（Ｘ方向）とこれに垂直な前後方向（Ｙ方向）にＮＣ制御により自由に移動できるようになっている。この構成により、図１に示す非加工位置Ｒから、内面砥石１４をＸ方向へ移動させてガラス基板１を加工する特定の台形溝１２ａをガラス基板１に合わせて位置決めし、更に内面砥石１２をＹ方向に移動させてガラス基板１の内周部に接触させてエッジ部を加工することができる。
【００３１】
外面電極１８は、外面砥石駆動装置３４の本体３４ｂに絶縁部材(図示せず)を介して取付けられ、外面砥石駆動装置３４と共に移動するようになっている。また、この外面電極１８は、メタルボンド外面砥石１２の複数の台形溝１２ａから一定の間隔を隔てた対向面１８ａを有している。
【００３２】
内面電極２０は、図１に示す非加工位置Ｒから、メタルボンド内面砥石１４に近接する位置まで、図で前後方向（Ｙ方向）に移動できるようになっている。また、この内面電極２０は、メタルボンド内面砥石１４の複数の台形溝１４ａから一定の間隔を隔てた対向面２０ａを有している。
【００３３】
研削液供給装置２２は、外面砥石１２と外面電極１８の間および内面砥石１４と内面電極２０の間に導電性研削液を供給するようになっている。すなわち、研削液供給装置２２は、外面砥石駆動装置３４の本体３４ｂに固定されたノズル２２ａを有し、外面砥石駆動装置３４がどの位置にあっても常に外面砥石１２と外面電極１８の間に導電性研削液を供給できるようになっている。
また、研削液供給装置２２は、内面電極２０と共に移動する別のノズル２２ａを有し、内面電極２０が内面砥石１４に近接する位置で、内面砥石１４と内面電極２０との間に導電性研削液を供給できるようになっている。
【００３４】
電圧印加手段２４は、電源２４ａ、砥石１２，１４の回転軸と接触するブラシ２４ｂ、ブラシ２４ｂ及び電極１８，２０と電源２４ａを電気的に接続する電源ライン２４ｃとからなり、砥石１２，１４を＋に電極１８，２０を−に印加するようになっている。電源２４ａは、直流電圧をパルス状に供給できる定電流型ＥＬＩＤ電源が好ましい。
【００３５】
上述した装置を用い、本発明の方法によれば、外面砥石１２と内面砥石１４により、ガラス基板１の外周部と内周部の端面と斜面を同時に研削加工する。また、この研削加工中に外面砥石１２を電解ドレッシングして目立てする。更に、１枚のガラス基板１の加工が完了しガラス基板１を交換する非加工中に、内面砥石１４を電解ドレッシングして目立する。
【００３６】
上述した本発明の方法および装置によれば、外面砥石１２と内面砥石１４により、ガラス基板１の外周部と内周部の端面と斜面を同時に研削加工することができる。また、この研削加工中に外面砥石１２を外面電極１８との間に導電性研削液を供給して電圧印加手段２４でインプロセスドレッシング（ＥＬＩＤ研削）し、微細な砥粒、例えば、＃１２００（粒径約１５μｍ）〜＃２０００（粒径約８μｍ）を用いた場合でも外面砥石を目立てして高能率を維持しながら高精度かつ高品質に加工できる。更に、ガラス基板１を交換する非加工中に内面砥石を内面電極２０との間に導電性研削液を供給して同一の電圧印加手段で電解ドレッシング（インターバルドレッシング）し、同様に微細な砥粒を用いた場合でも内面砥石を目立てして高能率を維持しながら高精度かつ高品質に加工できる。
更に、外面砥石１２を研削加工中にインプロセスドレッシングし、内面砥石１４を非加工中にインターバルドレッシングするので、電圧印加手段２４の負荷を平滑化でき、同時に両方を電解ドレッシングする場合に比較して電源設備を小型化できる。
【００３７】
また、外面砥石１２と内面砥石１４の外周部が円筒面であり、かつその円筒面に端面と斜面に当接する台形溝１２ａ，１４ａを有する構成により、台形溝１２ａ，１４ａを総型砥石としてガラス基板１のエッジ部（外周部と内周部）に当接させるだけで、ガラス基板のエッジ部を高精度かつ高品質に加工できる。
【００３８】
更に、外面砥石１２と内面砥石１４の同軸上に間隔を隔てて複数の台形溝１２ａ，１４ａを有する構成により、加工による摩耗により形状精度が規定値を外れた段階で軸方向にシフトして順に使用することにより、工程を止めずに進行でき、連続使用時間を大幅に延ばすことができる。
【００３９】
また、外面砥石１２と内面砥石１４の同軸上に間隔を隔てて粗加工用と仕上加工用の台形溝１２ａ，１４ａを有する構成により、粗加工用の台形溝１２ａ，１４ａで粗加工後に、軸方向にシフトして同一の砥石の仕上加工用の台形溝１２ａ，１４ａで仕上加工ができ、別の砥石に交換する場合に比較して、無駄時間を大幅に低減でき、かつ回転中心のズレ（芯ズレ）による加工精度の悪化を回避することができる。
【００４０】
図４は、放電ツルーイング時のヘッド部の拡大図である。図４に示すように、本発明のチャンファリング装置１０は、真空吸着ヘッド３３ａと挟持ヘッド３３ｂの間に挟持される着脱自在な放電ツルーイング用電極１６を備えている。この電極１６は、ガラス基板１の外周部と内周部と形状が同一の外周部と内周部を有している。
また、上述した電圧印加手段２４は、結線を切り換えることにより、放電ツルーイング用電極１６をプラスに砥石１２，１４をマイナスに印加できるようになっている。
【００４１】
上述した装置を用い、本発明の方法によれば、ガラス基板１の代わりに放電ツルーイング用電極１６を真空吸着ヘッド３３ａと挟持ヘッド３３ｂの間に取付け、外面砥石１２と内面砥石１４を研削加工位置に位置決めし、両砥石を放電ツルーイングして成形する。また、この放電ツルーイング時に、導電性ミストを利用することによって、効率的かつ高精度な放電成形が可能となる。
【００４２】
この方法により、外面砥石１２又は内面砥石１４が長時間の使用により形状精度が悪化した場合でも、砥石の取外し／再取付けによる取付誤差を回避し、機上で放電ツルーイングして高精度に成形することができる。また、単に極性の変更だけで、放電ツルーイングに電解ドレッシング用の電源（電圧印加手段）を用いることができ、電源設備の大型化を回避することができる。
【００４３】
なお、本発明は上述した実施形態及び実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変更できることは勿論である。
【００４４】
【発明の効果】
上述したように、本発明によれば、インプロセスドレッシング（ＥＬＩＤ研削）とインターバルドレッシングを併用しているので、例えば、＃１２００（粒径約１５μｍ）〜＃２０００（粒径約８μｍ）の微細な砥粒を用いた場合でも砥石を目立てして高能率を維持しながら高精度かつ高品質に加工できる。また、研削加工中にインプロセスドレッシングし、非加工中にインターバルドレッシングするので、電圧印加手段２４の負荷を平滑化でき、電源設備を小型化できる。更に、砥石１２，１４の同軸上に間隔を隔てて複数の台形溝１２ａ，１４ａを有するので、加工による摩耗により形状精度が規定値を外れた段階で軸方向にシフトして順に使用することにより、工程を止めずに進行でき、連続使用時間を大幅に延ばすことができる。また、同軸上に粗加工用と仕上加工用の台形溝を有することにより、粗加工後に、軸方向にシフトして仕上加工ができ、無駄時間を大幅に低減でき、かつ芯ズレによる加工精度の悪化を回避することができる。更に、ガラス基板１の代わりに放電ツルーイング用電極１６を取付けて両砥石を放電ツルーイングすることができ、砥石の取外し／再取付けによる取付誤差を回避し、機上で放電ツルーイングして高精度に成形することができる。
【００４５】
従って、本発明のガラス基板のチャンファリング方法及び装置は、ハードディスク用ガラス基板のエッジ部を高精度かつ高品質に高能率で加工でき、これにより後工程の必要性を大幅に低減し或いはなくすことができる、等の優れた効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のチャンファリング装置の全体構成図である。
【図２】図１のＡ部拡大図である。
【図３】図１のＢ部拡大図である。
【図４】放電ツルーイング時のヘッド部の拡大図である。
【図５】ガラス基板の模式図である。
【図６】従来の電解インターバルドレッシング研削方法の模式図である。
【符号の説明】
１  ガラス基板（被研削材，ワーク）
１ａ  中央円形穴
４  導電性砥石
５  電極
１０  チャンファリング装置
１２  メタルボンド外面砥石
１２ａ  台形溝
１４  メタルボンド内面砥石
１４ａ  台形溝
１６  放電ツルーイング用電極
１８  外面電極
２０  内面電極
２２  研削液供給装置
２４  電圧印加手段
３２  基板駆動装置
３３ａ  真空吸着ヘッド
３３ｂ  挟持ヘッド
３４  外面砥石駆動装置
３６  内面砥石駆動装置
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【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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