(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ａ）  
【化１】
0004188401.tif 000025
（Ａ）
（式中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数５〜２５のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数３〜１０のシクロアルキル基を表わす。
Ａ1、Ａ2、Ａ3及びＡ4は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜２５のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数３〜１０のシクロアルキル基を表わす。
ただし、Ｒ1、Ｒ2、Ａ1、Ａ2、Ａ3及びＡ4の示す各基における置換基がビニル基を含む基である場合はない。
ｐ、ｑ、ｒ及びｓはそれぞれ１〜５の整数である。ｐが２以上の場合、複数のＡ1は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、互いに連結して飽和もしく不飽和の環を形成してもよい。ｑが２以上の場合、複数のＡ2は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、互いに連結して飽和もしく不飽和の環を形成してもよい。ｒが２以上の場合、複数のＡ3は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、互いに連結して飽和もしく不飽和の環を形成してもよい。ｓが２以上の場合、複数のＡ4は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、互いに連結して飽和もしく不飽和の環を形成してもよい）
で表される芳香族アミン誘導体。
【請求項２】
ｐ、ｑ、ｒ及びｓのうちの少なくとも一つは２以上〔ただし、Ａ1、Ａ2、Ａ3及びＡ4が水素原子である場合を除く〕である請求項１に記載の芳香族アミン誘導体。
【請求項３】
下記一般式（Ａ'）  
【化２】
0004188401.tif 000026
（Ａ'）
（式中、Ｒ1'及びＲ2'は、水素原子又は炭素数１〜２０のアルキル基を表わす。ただし、Ｒ1'及びＲ2'が共に水素原子となる場合はない。
Ａ1、Ａ2、Ａ3及びＡ4は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜２５のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数３〜１０のシクロアルキル基を表わす。
ただし、Ａ1、Ａ2、Ａ3及びＡ4の水素原子以外のいずれか一つの置換基は、Ｎ原子の結合位置に対してメタ位に結合する。
また、Ｒ1'、Ｒ2'、Ａ1、Ａ2、Ａ3及びＡ4の示す各基における置換基がビニル基を含む基である場合はない。
ｐ、ｑ、ｒ及びｓはそれぞれ１〜５の整数である。ｐが２以上の場合、複数のＡ1は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、互いに連結して飽和もしく不飽和の環を形成してもよい。ｑが２以上の場合、複数のＡ2は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、互いに連結して飽和もしく不飽和の環を形成してもよい。ｒが２以上の場合、複数のＡ3は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、互いに連結して飽和もしく不飽和の環を形成してもよい。ｓが２以上の場合、複数のＡ4は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、互いに連結して飽和もしく不飽和の環を形成してもよい）
で表される芳香族アミン誘導体。
【請求項４】
下記一般式（Ａ"）  
【化３】
0004188401.tif 000027
（Ａ"）
（式中、Ｒ1'及びＲ2'は、水素原子又は炭素数１〜２０のアルキル基を表わす。ただし、Ｒ1'及びＲ2'が共に水素原子となる場合はなく、かつ、Ｒ1'及びＲ2'がいずれもｔ‐ブチル基またはいずれも３−ペンチル基の場合はない。
Ａ1、Ａ2、Ａ3及びＡ4は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜２５のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数３〜１０のシクロアルキル基を表わす。
ただし、Ａ1、Ａ2、Ａ3及びＡ4がアルキル基の場合、Ａ1、Ａ2、Ａ3及びＡ4の炭素数の総和は１０以下である。
また、Ｒ1'、Ｒ2'、Ａ1、Ａ2、Ａ3及びＡ4の示す各基における置換基がビニル基を含む基である場合はない。
ｐ、ｑ、ｒ及びｓはそれぞれ１〜５の整数である。ｐが２以上の場合、複数のＡ1は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、互いに連結して飽和もしく不飽和の環を形成してもよい。ｑが２以上の場合、複数のＡ2は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、互いに連結して飽和もしく不飽和の環を形成してもよい。ｒが２以上の場合、複数のＡ3は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、互いに連結して飽和もしく不飽和の環を形成してもよい。ｓが２以上の場合、複数のＡ4は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、互いに連結して飽和もしく不飽和の環を形成してもよい）
で表される芳香族アミン誘導体。
【請求項５】
有機エレクトロルミネッセンス素子用のドーピング材料である請求項１〜４のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体。
【請求項６】
陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも１層が、請求項１〜４のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体を単独又は混合物の成分として含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項７】
前記陽極と前記発光層との間に前記芳香族アミン誘導体を主成分とする有機層を有する請求項６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項８】
前記発光層が、前記芳香族アミン誘導体を０．１〜２０重量％含有する請求項６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】  本発明は壁掛テレビの平面発光体やディスプレイのバックライト等の光源として使用され、寿命が長く、高発光効率な有機エレクトロルミネッセンス素子、それを実現する新規な芳香族アミン誘導体、及び中心骨格に立体的に嵩高い置換基を有する芳香族アミン誘導体を効率良く製造する方法に関するものである。
【背景技術】  有機物質を使用した有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子としての用途が有望視され、多くの開発が行われている。一般にＥＬ素子は、発光層及び該層をはさんだ一対の対向電極から構成されている。発光は、両電極間に電界が印加されると、陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入される。さらに、この電子が発光層において正孔と再結合し、励起状態を生成し、励起状態が基底状態に戻る際にエネルギーを光として放出する現象である。
従来の有機ＥＬ素子は、無機発光ダイオードに比べて駆動電圧が高く、発光輝度や発光効率も低かった。また、特性劣化も著しく実用化には至っていなかった。最近の有機ＥＬ素子は徐々に改良されているものの、さらなる高発光効率、長寿命が要求されている。
例えば、単一のモノアントラセン化合物を有発光材料として用いる技術が開示されている（特開平１１−３７８２号公報）。しかしながら、この技術においては、例えば電流密度１６５ｍＡ／ｃｍ２において、１６５０ｃｄ／ｍ２の輝度しか得られておらず、効率は１ｃｄ／Ａであって極めて低く、実用的ではない。また、単一のビスアントラセン化合物を有機発光材料として用いる技術が開示されている（特開平８−１２６００号公報）。しかしながら、この技術においても、効率は１〜３ｃｄ／Ａ程度で低く、実用化のための改良が求められていた。また、モノもしくはビスアントラセン化合物とジスチリル化合物を有機発光媒体層として用いた技術が開示されている（国際公開ＷＯ００／０６４０２号公報）。しかしながら、この素子は、半減寿命が十分長くなく、さらなる改良が求められていた。
また、芳香族ジアミン化合物は、電子写真感光体の電荷輸送材料や、有機ＥＬ素子用材料として用いられている。特に有機ＥＬ素子においては、正孔注入層、正孔輸送層、発光層用材料として使用されるため、近年盛んに開発されている。
有機ＥＬ材料として用いられる場合、材料のガラス転移温度が高い材料でないと有機ＥＬ素子にした際の耐熱性が発揮できないため、ベンゼン環や複素環等の芳香族環を分子内に多数有する芳香族ジアミン誘導体が盛んに開発されている。
一方、多環芳香族環であるピレン誘導体は、発光材料として有用である（例えば、特開平４−６８０７６号公報、特開２００２−６３９８８号公報及び特開２００２−３２９５７８号公報）が、ピレン骨格は平面性が高いので結晶性が高く、アモルファス薄膜状態や、素子駆動中において結晶化が進行し易い。結晶化による薄膜の破壊は輝度の低下あるいは非発光状態をもたらしてしまう。また、平面性が高い場合、分子会合体を生成し易く、それにより薄膜にすると単分子での蛍光スペクトルに比べて長波長化してしまう。
以上の問題点を解決するためには、ピレン誘導体自身が立体的に嵩高いか、ピレン骨格あるいは他の置換基との立体反発を有することで嵩高くなる置換基を導入することで、結晶化やエキシマーの生成を抑えることが必要である。さらには、互いに異なる置換基を導入することにより、一層結晶化を抑制することができる。
このような例として、特開平４−１７５３９５号公報には、１，６−置換体、１，８−置換体等の２置換ジアミノピレン誘導体が、特開平０７−１０１９１１号公報及び特開平０７−２４９４９０号公報には、モノアミノピレン誘導体が開示されている。また、特開平１０−８８１２２号公報には、１，３，６，８−テトラアミノピレン誘導体が開示されている。
しかしながら、２置換誘導体では分子会合を招き易く、４置換誘導体は置換基が同一なため、結晶化抑制には十分でない。
さらに、特開平４−１７５３９５号公報に記載のジアミノピレン誘導体をドーピング材料として有機ＥＬ素子を作製すると、発光効率の高い有機ＥＬ素子が得られるものの、寿命が十分長くなく、さらなる改良が求められていた。また、特開平１０−２５１６３３号公報に、１，６−置換ジアミノピレン化合物が例示されているが、この化合物を発光材料として用いた場合、分子量が大きく、蒸着時に分解しやすくなる。
【発明の開示】
本発明は、前記の課題を解決するためになされたもので、寿命が長く、高発光効率な有機ＥＬ素子、それを実現する芳香族アミン誘導体及び中心骨格に立体的に嵩高い置換基を有する芳香族アミン誘導体を効率良く製造する方法を提供することを目的とするものである。
本発明者らは、前記の好ましい性質を有する芳香族アミン誘導体及びそれを使用した有機ＥＬ素子を開発すべく鋭意研究を重ねた結果、下記一般式（Ａ）、（Ａ’）又は（Ａ”）で表される置換ピレン構造に置換基を有するジフェニルアミノ基が結合した芳香族アミン誘導体を利用することによりその目的を達成し得ることを見出した。また、出発原料として１，６−置換ピレンの３，８−位をハロゲン化し、それをアミノ化して芳香族アミン誘導体を製造することにより前記の目的を達成することを見出した。本発明は、かかる知見に基づいて完成したものである。
すなわち、本発明は、下記一般式（Ａ）、（Ａ’）及び（Ａ”）のいずれかで表される芳香族アミン誘導体を提供するものである。
0004188401.tif 000002
（式中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数５〜２５のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数６〜２５のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜２５のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜２５のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜２０のアリールアミノ基又は置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルアミノ基又はシアノ基を表わす。
Ａ１、Ａ２、Ａ３及びＡ４は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜２５のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数６〜２５のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜２５のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜２５のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜２５のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルアミノ基又はシアノ基を表わす。
ただし、Ｒ１、Ｒ２、Ａ１、Ａ２、Ａ３及びＡ４の示す各基における置換基がビニル基を含む基である場合はない。
ｐ、ｑ、ｒ及びｓはそれぞれ１〜５の整数である。ｐが２以上の場合、複数のＡ１は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、互いに連結して飽和もしく不飽和の環を形成してもよい。ｑが２以上の場合、複数のＡ２は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、互いに連結して飽和もしく不飽和の環を形成してもよい。ｒが２以上の場合、複数のＡ３は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、互いに連結して飽和もしく不飽和の環を形成してもよい。ｓが２以上の場合、複数のＡ４は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、互いに連結して飽和もしく不飽和の環を形成してもよい。）
0004188401.tif 000003
（式中、Ｒ１’及びＲ２’は、水素原子又は炭素数１〜２０のアルキル基を表わす。ただし、Ｒ１’及びＲ２’が共に水素原子となる場合はない。
Ａ１、Ａ２、Ａ３及びＡ４は前記と同じである。
ただし、Ａ１、Ａ２、Ａ３及びＡ４のいずれか一つの置換基は、Ｎ原子の結合位置に対してメタ位に結合する。
また、Ｒ１’、Ｒ２’、Ｒ１、Ｒ２、Ａ１、Ａ２、Ａ３及びＡ４の示す各基における置換基がビニル基を含む基である場合はない。
ｐ、ｑ、ｒ及びｓは前記と同じである。）
0004188401.tif 000004
（式中、Ｒ１’及びＲ２’は前記と同じである。
Ａ１、Ａ２、Ａ３及びＡ４は前記と同じである。
ただし、Ａ１、Ａ２、Ａ３及びＡ４がアルキル基の場合、Ａ１、Ａ２、Ａ３及びＡ４の炭素数の総和は１０以下である。
また、Ｒ１’、Ｒ２’、Ａ１、Ａ２、Ａ３及びＡ４の示す各基における置換基がビニル基を含む基である場合はない。
ｐ、ｑ、ｒ及びｓは前記と同じである。）
また、本発明は、陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機ＥＬ素子において、該有機薄膜層の少なくとも１層が、前記芳香族アミン誘導体を単独又は混合物の成分として含有する有機ＥＬ素子を提供するものである。
さらに、本発明は、下記一般式（１）で表される３，８−ジハロゲノ−１，６−置換ピレンをアミノ化して、下記一般式（２）で表される芳香族アミン誘導体を製造する方法を提供するものである。
0004188401.tif 000005
（一般式（１）及び（２）中、Ｒ５及びＲ６は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリールオキシ基、ハロゲン原子、シアノ基又はシリル基である。
一般式（１）中、Ｘはハロゲン原子である。
一般式（２）中、Ｒ５及びＲ６は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基である。）
【図面の簡単な説明】  図１は、本発明の芳香族アミン誘導体である化合物（Ｄ−３）のＮＭＲスペクトルを示す図である。
図２は、本発明の芳香族アミン誘導体である化合物（Ｄ−３８）の中間原料である１，６−ジイソプロピル−３，８−ジブロモピレンのＮＭＲスペクトルを示す図である。
図３は、本発明の芳香族アミン誘導体である化合物（Ｄ−３８）のＮＭＲスペクトルを示す図である。
図４は、本発明の芳香族アミン誘導体である化合物（Ｄ−３９）のＮＭＲスペクトルを示す図である。
図５は、本発明の芳香族アミン誘導体である化合物（Ｄ−４０）のＮＭＲスペクトルを示す図である。
図６は、本発明の芳香族アミン誘導体である化合物（Ｄ−７７）のＮＭＲスペクトルを示す図である。
図７は、本発明の芳香族アミン誘導体である化合物（Ｄ−７８）のＮＭＲスペクトルを示す図である。
図８は、本発明の芳香族アミン誘導体である化合物（Ｄ−８３）の中間原料である１，６−ジシクロヘキシル−３，８−ジブロモピレンのＮＭＲスペクトルを示す図である。
図９は、本発明の芳香族アミン誘導体である化合物（Ｄ−８３）のＮＭＲスペクトルを示す図である。
図１０は、本発明の芳香族アミン誘導体である化合物（Ｄ−１０１）のＮＭＲスペクトルを示す図である。
図１１は、本発明の芳香族アミン誘導体である化合物（Ｄ−１０９）の中間原料である１，６−ジ（２−ビフェニル）−３，８−ジブロモピレンのＮＭＲスペクトルを示す図である。
図１２は、本発明の芳香族アミン誘導体である化合物（Ｄ−１０９）のＮＭＲスペクトルを示す図である。
図１３は、本発明の芳香族アミン誘導体である化合物（Ｄ−１１０）のＮＭＲスペクトルを示す図である。
図１４は、本発明の芳香族アミン誘導体である化合物（Ｄ−１１５）のＮＭＲスペクトルを示す図である。
図１５は、本発明の芳香族アミン誘導体である化合物（Ｄ−１２２）の中間原料である１，６−ジ（４−シアノフェニル）−３，８−ジブロモピレンのＮＭＲスペクトルを示す図である。
図１６は、本発明の芳香族アミン誘導体である化合物（Ｄ−１２２）のＮＭＲスペクトルを示す図である。
図１７は、本発明の芳香族アミン誘導体である化合物（Ｄ−１４８）の中間原料である１，６−ジ（２−ナフチル）−３，８−ジブロモピレンのＮＭＲスペクトルを示す図である。
図１８は、本発明の芳香族アミン誘導体である化合物（Ｄ−１４８）のＮＭＲスペクトルを示す図である。
【発明を実施するための最良の形態】  本発明の芳香族アミン誘導体は、下記一般式（Ａ）、（Ａ’）又は（Ａ”）で表される芳香族アミン誘導体からなるものである。
0004188401.tif 000006
一般式（Ａ）において、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数５〜２５（好ましくは、炭素数５〜１０）のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数６〜２５（好ましくは、炭素数６〜１０）のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜２５（好ましくは、炭素数３〜１０）のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０（好ましくは、炭素数１〜６）のアルコキシル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜２５（好ましくは、炭素数５〜１０）のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜２０（好ましくは、炭素数５〜１０）のアリールアミノ基又は置換もしくは無置換の炭素数１〜２０（好ましくは、炭素数１〜６）のアルキルアミノ基又はシアノ基を表わす。
前記Ｒ１及びＲ２のアリール基としては、例えば、フェニル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、４−エチルフェニル基、３，４−ジメチルフェニル基、３，５−ジメチルフェニル基、３，４，５−トリメチルフェニル基、ｏ−ビフェニル基、ｍ−ビフェニル基、ｐ−ビフェニル基、４−シアノフェニル基、３−シアノフェニル基、４−メチルビフェニル基、４−エチルビフェニル基、４−シクロヘキシルビフェニル基、ターフェニル基、３，５−ジクロロフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、５−メチルナフチル基、アントリル基、ピレニル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフチル基、２，３−ジヒドロインダニル基、フルオレニル基、ジュロリジニル基等が挙げられ、フェニル、１−ナフチル基、２−ナフチル基、４−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、３，４−ジメチルフェニル基、３，５−ジメチルフェニル基、３，４，５−トリメチルフェニル基、ｏ−ビフェニル基、ｍ−ビフェニル基、ｐ−ビフェニル基、４−シアノフェニル基、３−シアノフェニル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフチル基、２，３−ジヒドロインダニル基、フルオレニル基、ジュロリジニル基が好ましく、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基がさらに好ましい。
前記Ｒ１及びＲ２のアラルキル基としては、例えば、ベンジル基、１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、１−フェニルイソプロピル基、２−フェニルイソプロピル基、フェニル−ｔ−ブチル基、α−ナフチルメチル基、１−α−ナフチルエチル基、２−α−ナフチルエチル基、１−α−ナフチルイソプロピル基、２−α−ナフチルイソプロピル基、β−ナフチルメチル基、１−β−ナフチルエチル基、２−β−ナフチルエチル基、１−β−ナフチルイソプロピル基、２−β−ナフチルイソプロピル基、１−ピロリルメチル基、２−（１−ピロリル）エチル基、ｐ−メチルベンジル基、ｍ−メチルベンジル基、ｏ−メチルベンジル基、ｐ−クロロベンジル基、ｍ−クロロベンジル基、ｏ−クロロベンジル基、ｐ−ブロモベンジル基、ｍ−ブロモベンジル基、ｏ−ブロモベンジル基、ｐ−ヨードベンジル基、ｍ−ヨードベンジル基、ｏ−ヨードベンジル基、ｐ−ヒドロキシベンジル基、ｍ−ヒドロキシベンジル基、ｏ−ヒドロキシベンジル基、ｐ−アミノベンジル基、ｍ−アミノベンジル基、ｏ−アミノベンジル基、ｐ−ニトロベンジル基、ｍ−ニトロベンジル基、ｏ−ニトロベンジル基、ｐ−シアノベンジル基、ｍ−シアノベンジル基、ｏ−シアノベンジル基、１−ヒドロキシ−２−フェニルイソプロピル基、１−クロロ−２−フェニルイソプロピル基等が挙げられる。
前記Ｒ１及びＲ２のシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルネン基、アダマンチル基等が挙げられる。
前記Ｒ１及びＲ２のアルコキシル基としては、例えば、メトキシ基，エトキシ基，プロポキシ基，イソプロポキシ基，ブトキシ基，イソブトキシ基，ｓｅｃ−ブトキシ基，ｔｅｒｔ−ブトキシ基、各種ペンチルオキシ基，各種ヘキシルオキシ基等が挙げられる。
前記Ｒ１及びＲ２のアリールオキシ基としては、例えば、フェノキシ基，トリルオキシ基，ナフチルオキシ基等が挙げられる。
前記Ｒ１及びＲ２のアリールアミノ基としては、例えば、ジフェニルアミノ基，ジトリルアミノ基，イソプロピルジフェニルアミノ基，ｔ−ブチルジフェニルアミノ基，ジイソプロピルジフェニルアミノ基，ジ−ｔ−ブチルジフェニルアミノ基，ジナフチルアミノ基，ナフチルフェニルアミノ基等が挙げられる。
前記Ｒ１及びＲ２のアルキルアミノ基としては、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジヘキシルアミノ基等が挙げられる。
一般式（Ａ）において、Ａ１〜Ａ４は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０（好ましくは、炭素数１〜６）のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜２５（好ましくは、炭素数５〜１０）のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数６〜２５（好ましくは、炭素数６〜１０）のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜２５（好ましくは、炭素数３〜１０）のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０（好ましくは、炭素数１〜６）のアルコキシル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜２５（好ましくは、炭素数５〜１０）のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜２５（好ましくは、炭素数５〜１０）のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０（好ましくは、炭素数１〜６）のアルキルアミノ基又はシアノ基を表わす。
前記Ａ１〜Ａ４のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ステアリル基、２−フェニルイソプロピル基、トリクロロメチル基、トリフルオロメチル基、ベンジル基、α−フェノキシベンジル基、α，α−ジメチルベンジル基、α，α−メチルフェニルベンジル基、α，α−ジトリフルオロメチルベンジル基、トリフェニルメチル基、α−ベンジルオキシベンジル基等が挙げられ、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基が好ましい。
前記Ａ１〜Ａ４のアリール基、アラルキル基、シクロアルキル基、アルコキシル基、アリールオキシ基、アリールアミノ基及びアルキルアミノ基の具体例としては、前記Ｒ１及びＲ２で挙げたものと、それぞれ同様のものが挙げられる。
一般式（Ａ）において、Ｒ１、Ｒ２、Ａ１、Ａ２、Ａ３及びＡ４の示す各基における置換基がビニル基を含む基である場合はない。
一般式（Ａ）において、ｐ、ｑ、ｒ及びｓはそれぞれ１〜５の整数であり、長寿命になり色純度が高くなるため、ｐ、ｑ、ｒ及びｓのうちの少なくとも一つは２以上であると好ましく、３以上であるとさらに好ましい。
また、ｐが２以上の場合、複数のＡ１は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、互いに連結して飽和もしく不飽和の環を形成してもよい。ｑが２以上の場合、複数のＡ２は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、互いに連結して飽和もしく不飽和の環を形成してもよい。ｒが２以上の場合、複数のＡ３は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、互いに連結して飽和もしく不飽和の環を形成してもよい。ｓが２以上の場合、複数のＡ４は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、互いに連結して飽和もしく不飽和の環を形成してもよい。
この飽和もしく不飽和の環の例としては、前記アリール基及びシクロアルキル基で挙げたものと、それぞれ同様のものが挙げられる。
0004188401.tif 000007
一般式（Ａ’）において、Ｒ１’及びＲ２’は、水素原子又は炭素数１〜２０（好ましくは、炭素数１〜６）のアルキル基を表わす。ただし、Ｒ１’及びＲ２’が共に水素原子となる場合はない。
前記Ｒ１’及びＲ２’のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ステアリル基、２−フェニルイソプロピル基、トリクロロメチル基、トリフルオロメチル基、ベンジル基、α−フェノキシベンジル基、α，α−ジメチルベンジル基、α，α−メチルフェニルベンジル基、α，α−ジトリフルオロメチルベンジル基、トリフェニルメチル基、α−ベンジルオキシベンジル基等が挙げられ、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基が好ましい。
一般式（Ａ’）において、Ａ１、Ａ２、Ａ３及びＡ４は前記と同じであり、具体例も同様である。
ただし、一般式（Ａ’）において、Ａ１、Ａ２、Ａ３及びＡ４のいずれか一つの置換基は、Ｎ原子の結合位置に対してメタ位に結合する。これにより、無置換基体に比べて発光色を大きく長波長化させることなく、さらなる長寿命化が図られる。
一般式（Ａ’）において、Ｒ１’、Ｒ２’、Ｒ１、Ｒ２、Ａ１、Ａ２、Ａ３及びＡ４の示す各基における置換基がビニル基を含む基である場合はない。
一般式（Ａ’）において、ｐ、ｑ、ｒ及びｓは前記と同じである。
0004188401.tif 000008
一般式（Ａ”）において、Ｒ１’及びＲ２’は、水素原子又は炭素数１〜２０（好ましくは、炭素数１〜５）のアルキル基を表わす。ただし、Ｒ１’及びＲ２’が共に水素原子となる場合はない。
前記Ｒ１’及びＲ２’のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ステアリル基、２−フェニルイソプロピル基、トリクロロメチル基、トリフルオロメチル基、ベンジル基、α−フェノキシベンジル基、α，α−ジメチルベンジル基、α，α−メチルフェニルベンジル基、α，α−ジトリフルオロメチルベンジル基、トリフェニルメチル基、α−ベンジルオキシベンジル基等が挙げられ、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基のような炭素数５以下のものが好ましい。
一般式（Ａ”）において、Ａ１、Ａ２、Ａ３及びＡ４は前記と同じであり、具体例も同様である。
ただし、一般式（Ａ”）において、Ａ１、Ａ２、Ａ３及びＡ４がアルキル基の場合、Ａ１、Ａ２、Ａ３及びＡ４の炭素数の総和は１０以下である。
一般式（Ａ”）において、Ｒ１’、Ｒ２’、Ａ１、Ａ２、Ａ３及びＡ４の示す各基における置換基がビニル基を含む基である場合はない。
一般式（Ａ”）において、ｐ、ｑ、ｒ及びｓは前記と同じである。
本発明の一般式（Ａ）（Ａ’）又は（Ａ”）で表される芳香族アミン誘導体の具体例を以下の表に示すが、これら例示化合物に限定されるものではない。なお、Ｍｅはメチル基を示す。
0004188401.tif 000009
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本発明の一般式（Ａ）（Ａ’）又は（Ａ”）で表される芳香族アミン誘導体は、化合物同士の会合防止のため、特にアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基を有するピレン構造に、置換基を有するジフェニルアミンが連結することで、寿命が長くなる。また、固体状態で強い蛍光性を持ち、電場発光性にも優れ、蛍光量子効率が０．３以上である。さらに、金属電極又は有機薄膜層からの優れた正孔注入性及び正孔輸送性、金属電極又は有機薄膜層からの優れた電子注入性及び電子輸送性を併せて持ち合わせているので、有機ＥＬ素子用発光材料、特にドーピング材料として有効に用いられ、さらに、他の正孔輸送性材料、電子輸送性材料又はドーピング材料を使用してもさしつかえない。
本発明の有機ＥＬ素子は、陽極と陰極間に一層又は多層の有機薄膜層を形成した素子である。一層型の場合、陽極と陰極との間に発光層を設けている。発光層は、発光材料を含有し、それに加えて陽極から注入した正孔、又は陰極から注入した電子を発光材料まで輸送させるために、正孔注入材料又は電子注入材料を含有しても良い。一般式（Ａ）（Ａ’）又は（Ａ”）の芳香族アミン誘導体は、高い発光特性を持ち、優れた正孔注入性、正孔輸送特性及び電子注入性、電子輸送特性を有しているので、発光材料又はドーピング材料として発光層に使用することができる。
本発明の有機ＥＬ素子においては、発光層が、本発明の芳香族アミン誘導体を０．１〜２０重量％含有すると好ましく、１〜１０重量％含有するとさらに好ましい。また、本発明の一般式（Ａ）（Ａ’）又は（Ａ”）の芳香族アミン誘導体は、極めて高い蛍光量子効率、高い正孔輸送能力及び電子輸送能力を併せ持ち、均一な薄膜を形成することができるので、この芳香族アミン誘導体のみで発光層を形成することも可能である。
また、本発明の有機ＥＬ素子は、陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む二層以上からなる有機薄膜層が挟持されている有機ＥＬ素子において、陽極と発光層との間に一般式（Ａ）（Ａ’）又は（Ａ”）で表される芳香族アミン誘導体を主成分とする有機層を有すると好ましい。この有機層としては、正孔注入層、正孔輸送層等が挙げられる。
多層型の有機ＥＬ素子としては、（陽極／正孔注入層／発光層／陰極）、（陽極／発光層／電子注入層／陰極）、（陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極）等の多層構成で積層したものが挙げられる。
発光層には、必要に応じて、本発明の芳香族アミン誘導体に加えてさらなる公知の発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料や電子注入材料を使用することもできる。有機ＥＬ素子は、多層構造にすることにより、クエンチングによる輝度や寿命の低下を防ぐことができる。必要があれば、発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料や電子注入材料を組み合わせて使用することができる。また、ドーピング材料により、発光輝度や発光効率の向上、赤色や青色の発光を得ることもできる。また、正孔注入層、発光層、電子注入層は、それぞれ二層以上の層構成により形成されても良い。その際には、正孔注入層の場合、電極から正孔を注入する層を正孔注入層、正孔注入層から正孔を受け取り発光層まで正孔を輸送する層を正孔輸送層と呼ぶ。同様に、電子注入層の場合、電極から電子を注入する層を電子注入層、電子注入層から電子を受け取り発光層まで電子を輸送する層を電子輸送層と呼ぶ。これらの各層は、材料のエネルギー準位、耐熱性、有機層又は金属電極との密着性等の各要因により選択されて使用される。
本発明の芳香族アミン誘導体と共に発光層に使用できる発光材料又はドーピング材料としては、例えば、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、テトラセン、コロネン、クリセン、フルオレセイン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ペリノン、フタロペリノン、ナフタロペリノン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、オキサジアゾール、アルダジン、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、ピラジン、シクロペンタジエン、キノリン金属錯体、アミノキノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、イミン、ジフェニルエチレン、ビニルアントラセン、ジアミノカルバゾール、ピラン、チオピラン、ポリメチン、メロシアニン、イミダゾールキレート化オキシノイド化合物、キナクリドン、ルブレン及び蛍光色素等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
正孔注入材料としては、正孔を輸送する能力を持ち、陽極からの正孔注入効果、発光層又は発光材料に対して優れた正孔注入効果を有し、発光層で生成した励起子の電子注入層又は電子注入材料への移動を防止し、かつ薄膜形成能力の優れた化合物が好ましい。具体的には、フタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、イミダゾロン、イミダゾールチオン、ピラゾリン、ピラゾロン、テトラヒドロイミダゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ヒドラゾン、アシルヒドラゾン、ポリアリールアルカン、スチルベン、ブタジエン、ベンジジン型トリフェニルアミン、スチリルアミン型トリフェニルアミン、ジアミン型トリフェニルアミン等と、それらの誘導体、及びポリビニルカルバゾール、ポリシラン、導電性高分子等の高分子材料が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
本発明の有機ＥＬ素子において使用できる正孔注入材料の中で、さらに効果的な正孔注入材料は、芳香族三級アミン誘導体及びフタロシアニン誘導体である。
芳香族三級アミン誘導体としては、例えば、トリフェニルアミン、トリトリルアミン、トリルジフェニルアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−（４−メチルフェニル）−１，１’−フェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−（４−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−（メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−（４−ｎ−ブチルフェニル）−フェナントレン−９，１０−ジアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ジ−４−トリルアミノフェニル）−４−フェニル−シクロヘキサン等、又はこれらの芳香族三級アミン骨格を有したオリゴマーもしくはポリマーであるが、これらに限定されるものではない。
フタロシアニン（Ｐｃ）誘導体としては、例えば、Ｈ２Ｐｃ、ＣｕＰｃ、ＣｏＰｃ、ＮｉＰｃ、ＺｎＰｃ、ＰｄＰｃ、ＦｅＰｃ、ＭｎＰｃ、ＣｌＡｌＰｃ、ＣｌＧａＰｃ、ＣｌＩｎＰｃ、ＣｌＳｎＰｃ、Ｃｌ２ＳｉＰｃ、（ＨＯ）ＡｌＰｃ、（ＨＯ）ＧａＰｃ、ＶＯＰｃ、ＴｉＯＰｃ、ＭｏＯＰｃ、ＧａＰｃ−Ｏ−ＧａＰｃ等のフタロシアニン誘導体及びナフタロシアニン誘導体があるが、これらに限定されるものではない。
また、本発明の有機ＥＬ素子は、発光層と陽極との間に、これらの芳香族三級アミン誘導体及び／又はフタロシアニン誘導体を含有する層、例えば、前記正孔輸送層又は正孔注入層を形成してなると好ましい。
電子注入材料としては、電子を輸送する能力を持ち、陰極からの電子注入効果、発光層又は発光材料に対して優れた電子注入効果を有し、発光層で生成した励起子の正孔注入層への移動を防止し、かつ薄膜形成能力の優れた化合物が好ましい。具体的には、フルオレノン、アントラキノジメタン、ジフェノキノン、チオピランジオキシド、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、ペリレンテトラカルボン酸、フレオレニリデンメタン、アントラキノジメタン、アントロン等とそれらの誘導体が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、正孔注入材料に電子受容物質を、電子注入材料に電子供与性物質を添加することにより増感させることもできる。
本発明の有機ＥＬ素子において、さらに効果的な電子注入材料は、金属錯体化合物及び含窒素五員環誘導体である。
金属錯体化合物としては、例えば、８−ヒドロキシキノリナートリチウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）亜鉛、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）銅、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）マンガン、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）ガリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）ベリリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリナート）クロロガリウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）（ｏ−クレゾラート）ガリウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）（１−ナフトラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）（２−ナフトラート）ガリウム等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
また、含窒素五員誘導体としては、例えば、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、トリアゾール誘導体が好ましい。具体的には、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサゾール、ジメチルＰＯＰＯＰ、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−チアゾール、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（４”−ビフェニル）１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、１，４−ビス［２−（５−フェニルオキサジアゾリル）］ベンゼン、１，４−ビス［２−（５−フェニルオキサジアゾリル）−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン］、２−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（４”−ビフェニル）−１，３，４−チアジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−チアジアゾール、１，４−ビス［２−（５−フェニルチアジアゾリル）］ベンゼン、２−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（４”−ビフェニル）−１，３，４−トリアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−トリアゾール、１，４−ビス［２−（５−フェニルトリアゾリル）］ベンゼン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
本発明の有機ＥＬ素子においては、発光層中に、一般式（Ａ）（Ａ’）及び（Ａ”）から選ばれる少なくとも一種の芳香族アミン誘導体の他に、発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料及び電子注入材料の少なくとも１種が同一層に含有されてもよい。また、本発明により得られた有機ＥＬ素子の、温度、湿度、雰囲気等に対する安定性の向上のために、素子の表面に保護層を設けたり、シリコンオイル、樹脂等により素子全体を保護することも可能である。
有機ＥＬ素子の陽極に使用される導電性材料としては、４ｅＶより大きな仕事関数を持つものが適しており、炭素、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバルト、ニッケル、タングステン、銀、金、白金、パラジウム等及びそれらの合金、ＩＴＯ基板、ＮＥＳＡ基板に使用される酸化スズ、酸化インジウム等の酸化金属、さらにはポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性樹脂が用いられる。陰極に使用される導電性物質としては、４ｅＶより小さな仕事関数を持つものが適しており、マグネシウム、カルシウム、錫、鉛、チタニウム、イットリウム、リチウム、ルテニウム、マンガン、アルミニウム、フッ化リチウム等及びそれらの合金が用いられるが、これらに限定されるものではない。合金としては、マグネシウム／銀、マグネシウム／インジウム、リチウム／アルミニウム等が代表例として挙げられるが、これらに限定されるものではない。合金の比率は、蒸着源の温度、雰囲気、真空度等により制御され、適切な比率に選択される。陽極及び陰極は、必要があれば二層以上の層構成により形成されていても良い。
有機ＥＬ素子では、効率良く発光させるために、少なくとも一方の面は素子の発光波長領域において充分透明にすることが望ましい。また、基板も透明であることが望ましい。透明電極は、上記の導電性材料を使用して、蒸着やスパッタリング等の方法で所定の透光性が確保するように設定する。発光面の電極は、光透過率を１０％以上にすることが望ましい。基板は、機械的、熱的強度を有し、透明性を有するものであれば限定されるものではないが、ガラス基板及び透明性樹脂フィルムがある。透明性樹脂フィルムとしては、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−ビニルアルコール共重合体、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリメチルメタアクリレート、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ナイロン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリサルホン、ポリエーテルサルフォン、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、ポリビニルフルオライド、テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリビニリデンフルオライド、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリプロピレン等が挙げられる。
本発明に係わる有機ＥＬ素子の各層の形成は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ、イオンプレーティング等の乾式成膜法やスピンコーティング、ディッピング、フローコーティング等の湿式成膜法のいずれの方法を適用することができる。膜厚は特に限定されるものではないが、適切な膜厚に設定する必要がある。膜厚が厚すぎると、一定の光出力を得るために大きな印加電圧が必要になり効率が悪くなる。膜厚が薄すぎるとピンホール等が発生して、電界を印加しても充分な発光輝度が得られない。通常の膜厚は５ｎｍ〜１０μｍの範囲が適しているが、１０ｎｍ〜０．２μｍの範囲がさらに好ましい。
湿式成膜法の場合、各層を形成する材料を、エタノール、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の適切な溶媒に溶解又は分散させて薄膜を形成するが、その溶媒はいずれであっても良い。また、いずれの有機薄膜層においても、成膜性向上、膜のピンホール防止等のため適切な樹脂や添加剤を使用しても良い。使用の可能な樹脂としては、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、セルロース等の絶縁性樹脂及びそれらの共重合体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等の光導電性樹脂、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂を挙げられる。また、添加剤としては、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤等を挙げられる。
以上のように、有機ＥＬ素子の有機薄膜層に本発明の芳香族アミン誘導体を用いることにより、寿命が長く、高発光効率な有機ＥＬ素子を得ることができる。
本発明の有機ＥＬ素子は、壁掛けテレビのフラットパネルディスプレイ等の平面発光体、複写機、プリンター、液晶ディスプレイのバックライト又は計器類等の光源、表示板、標識灯等に利用できる。また、本発明の材料は、有機ＥＬ素子だけでなく、電子写真感光体、光電変換素子、太陽電池、イメージセンサー等の分野においても使用できる。
次に、本発明の芳香族アミン誘導体の製造方法について説明する。
本発明の製造方法に用いられる３，８−ジハロゲノ−１，６−置換ピレンの製造方法は、特に限定されず公知の方法で製造すればよく、例えば、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，２０００，１０，３１５−３１９（Ｋｅｎ−ｉｃｈｉ  Ｓｕｇｉｕｒａら）に記載された方法などから誘導することができる。
すなわち、下記一般式（０）で表される１，６−置換ピレンをハロゲン化して、下記一般式（１）で表される３，８−ジハロゲノ−１，６−置換ピレンを製造する。
0004188401.tif 000018
前記ハロゲン化に用いる、ハロゲン原子、すなわち一般式（１）におけるＸのハロゲン原子としては、例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられ、臭素（Ｂｒ）、ヨウ素（Ｉ）が好ましい。
一般式（０）及び（１）中、Ｒ５及びＲ６は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数７〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリールオキシ基、ハロゲン原子、シアノ基又はシリル基である。
前記Ｒ５及びＲ６のアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシイソブチル基、１，２−ジヒドロキシエチル基、１，３−ジヒドロキシイソプロピル基、２，３−ジヒドロキシ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、２−クロロイソブチル基、１，２−ジクロロエチル基、１，３−ジクロロイソプロピル基、２，３−ジクロロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、１−ブロモエチル基、２−ブロモエチル基、２−ブロモイソブチル基、１，２−ジブロモエチル基、１，３−ジブロモイソプロピル基、２，３−ジブロモ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、１−ヨードエチル基、２−ヨードエチル基、２−ヨードイソブチル基、１，２−ジヨードエチル基、１，３−ジヨードイソプロピル基、２，３−ジヨード−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、１−アミノエチル基、２−アミノエチル基、２−アミノイソブチル基、１，２−ジアミノエチル基、１，３−ジアミノイソプロピル基、２，３−ジアミノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、１−シアノエチル基、２−シアノエチル基、２−シアノイソブチル基、１，２−ジシアノエチル基、１，３−ジシアノイソプロピル基、２，３−ジシアノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、１−ニトロエチル基、２−ニトロエチル基、２−ニトロイソブチル基、１，２−ジニトロエチル基、１，３−ジニトロイソプロピル基、２，３−ジニトロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリニトロプロピル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、１−ノルボルニル基、２−ノルボルニル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のパーフルオロアルキル基等が挙げられる。
前記Ｒ５及びＲ６のアリール基の例としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４’−メチルビフェニルイル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イル基等が挙げられる。
前記Ｒ５及びＲ６のアラルキル基の例としては、ベンジル基、１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、１−フェニルイソプロピル基、２−フェニルイソプロピル基、フェニル−ｔ−ブチル基、α−ナフチルメチル基、１−α−ナフチルエチル基、２−α−ナフチルエチル基、１−α−ナフチルイソプロピル基、２−α−ナフチルイソプロピル基、β−ナフチルメチル基、１−β−ナフチルエチル基、２−β−ナフチルエチル基、１−β−ナフチルイソプロピル基、２−β−ナフチルイソプロピル基、１−ピロリルメチル基、２−（１−ピロリル）エチル基、ｐ−メチルベンジル基、ｍ−メチルベンジル基、ｏ−メチルベンジル基、ｐ−クロロベンジル基、ｍ−クロロベンジル基、ｏ−クロロベンジル基、ｐ−ブロモベンジル基、ｍ−ブロモベンジル基、ｏ−ブロモベンジル基、ｐ−ヨードベンジル基、ｍ−ヨードベンジル基、ｏ−ヨードベンジル基、ｐ−ヒドロキシベンジル基、ｍ−ヒドロキシベンジル基、ｏ−ヒドロキシベンジル基、ｐ−アミノベンジル基、ｍ−アミノベンジル基、ｏ−アミノベンジル基、ｐ−ニトロベンジル基、ｍ−ニトロベンジル基、ｏ−ニトロベンジル基、ｐ−シアノベンジル基、ｍ−シアノベンジル基、ｏ−シアノベンジル基、１−ヒドロキシ−２−フェニルイソプロピル基、１−クロロ−２−フェニルイソプロピル基等が挙げられる。
前記Ｒ５及びＲ６のシクロアルキル基の例としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
前記Ｒ５及びＲ６のアルコキシル基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、各種ペンチルオキシ基、各種ヘキシルオキシ基等が挙げられる。
前記Ｒ５及びＲ６の置換基を有していてもよいアリールオキシ基としては、例えば、フェノキシ基，トリルオキシ基，ナフチルオキシ基等が挙げられる。
前記Ｒ５及びＲ６のハロゲン原子の例としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。
これらＲ５及びＲ６の示す各基の置換基としては、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシル基、炭素数５〜１８のアリールオキシ基、炭素数７〜１８のアラルキルオキシ基、炭素数５〜１６のアリールアミノ基、ニトロ基、シアノ基、炭素数１〜６のエステル基、ハロゲン原子等が挙げられる。
前記一般式（０）で表される１，６−置換ピレンの製造方法は、特に限定されず公知の方法で製造すればよく、例えば、１，６−ジブロモピレン（ジャーナル  オブ  ケミカルソサイエティ  パーキン  １  １６２２頁（１９７２）等）から誘導することができる。
一般式（０）で表される１，６−置換ピレンのハロゲン化に用いられる試薬としては、例えば、ハロゲン化に用いるハロゲン原子が臭素である場合には、臭素、ＮＢＳ（Ｎ−ブロモスクシンイミド）、ＫＢｒ，ＫＢｒＯ３，ＡｌＢｒ３，ＰＢｒ３，ＳｂＢｒ３，ＦｅＢｒ２，ＰｙＨＢｒＣｌ２，Ｂｕ４ＮＢｒ３等が挙げられ、好ましくは臭素、ＮＢＳである。ハロゲン化に用いるハロゲン原子が臭素以外の場合には、これらの例において、臭素を該当するハロゲン原子に置き換えたものが挙げられる。
また、ハロゲン化は、四塩化炭素、クロロホルム、塩化メチレン、酢酸、ピリジン、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）等の有機溶媒や硫酸中で行うことが好ましい。また、反応系中に、過酸化ベンゾイル（ＢＰＯ）、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ），ｍ−クロロ過安息香酸（ｍＣＰＢＡ）等の過酸化物や、重金属塩を添加してもよく、光照射を行ってもよい。
ハロゲン化する際の反応温度は、通常室温〜１５０℃であり、室温〜１００℃が好ましく、反応時間は、通常１〜１２０時間であり、６〜１８時間が好ましい。
本発明の芳香族アミン誘導体の製造方法は、下記一般式（１）で表される３，８−ジハロゲノ−１，６−置換ピレンをＨ−ＮＲ３Ｒ４によりアミノ化して、下記一般式（２）で表される芳香族アミン誘導体を製造する。
0004188401.tif 000019
一般式（１）及び（２）中、Ｒ５及びＲ６は、それぞれ独立に、前記と同じである。
一般式（１）中、Ｘは前記と同じである。
一般式（２）中、Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基であり、置換もしくは無置換のアリール基が好ましい。
前記Ｒ３及びＲ４のアリール基の例としては、前記Ｒ１及びＲ２と同様のものが挙げられる。
前記Ｒ３及びＲ４のアルキル基の例としては、前記Ｒ１及びＲ２と同様のものが挙げられる。
前記一般式（２）は、下記一般式（３）で表される芳香族アミン誘導体であると好ましい。
0004188401.tif 000020
一般式（３）中、Ｒ５及びＲ６は、それぞれ独立に、前記と同じである。
一般式（３）中、Ａ５及びＡ６は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数７〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜２０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルコキシル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキルアミノ基、又はハロゲン原子である。これら各基の具体例としては、前記Ｒ１及びＲ２で挙げたもののうち炭素数が適合するものが挙げられる。
一般式（３）中、ｍ及びｎは、それぞれ１〜５の整数であり、ｍ、ｎが２以上の場合、複数のＡ５、Ａ５は、それぞれ同一でも異なっていてもよく、互いに連結して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。
この飽和もしく不飽和の環の例としては、前記アリール基及びシクロアルキル基で挙げたものと、それぞれ同様のものが挙げられる。
本発明においては、前記一般式（１）で表される３，８−ジハロゲノ−１，６−置換ピレンをアミノ化する際に、触媒として遷移金属を用いると好ましい。
この遷移金属としては、例えば、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、モリブデン（Ｍｏ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、バナジウム（Ｖ）、クロム（Ｃｒ）、白金（Ｐｔ）又はイリジウム（Ｉｒ）等が挙げられ、これらの中でも、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕが好ましく、Ｐｄ、Ｃｕがさらに好ましい。
それらの遷移金属は、遷移金属単体を微粉末等として用いる他、遷移金属錯体又は遷移金属化合物等として用いられると好ましい。
前記遷移金属を遷移金属錯体として用いる場合には、遷移金属錯体の種類としては、アセチルアセトン錯体、アセテート錯体、ホスフィン錯体、ジホスフィン錯体、シッフ塩基錯体、ポルフィリン錯体等が挙げられ、ホスフィン錯体、ジホスフィン錯体が好ましい。
以下、遷移金属を遷移金属錯体として用いた場合の反応条件について説明する。
触媒となる錯体は、予め調製したものを用いてもよいし、反応系中で生成させてもよい。遷移金属錯体の添加量としては、原料となる３，８−ジハロゲノ−１，６−置換ピレンに対し、通常０．００１〜１当量であり、０．０１〜０．１当量添加することが好ましい。
遷移金属錯体を用いた場合のアミノ化反応は塩基を用いて行われるが、ナトリウム−ｔ−ブトキシド、炭酸セシウム、リン酸カリウム等が好ましく用いられる。特に、ナトリウム−ｔ−ブトキシド、炭酸セシウムが好ましい。
塩基の添加量としては、３，８−ジハロゲノ−１，６−置換ピレンに結合したハロゲン原子に対し１〜２当量、好ましくは１〜１．２当量添加することが好ましい。
反応溶媒としては、エーテル、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジオキサン、ジメチルホルムアミド（ＤＭＥ）、トルエン、キシレン等を用いることができる。好ましくはトルエン、キシレンである。これらの溶媒は、脱水・不活性ガス置換されたものが好ましい。
溶媒の脱水・不活性ガス置換の方法は通常有機合成で用いられている方法で処理できる。例えば、塩化カルシウム等の乾燥剤を入れたり、さらに水素化カルシウムや金属ナトリウムの存在下で窒素やアルゴン等の気流中で蒸留して得られる。
アミノ化する際の反応温度は、通常室温〜１５０℃であり、５０〜１００℃が好ましく、反応時間は、通常１〜４８時間であり、６〜１８時間が好ましい。
反応は、触媒の調製から含めて不活性ガス雰囲気中で行われることが好ましい。
また、前記遷移金属を遷移金属化合物として用いる場合には、ハロゲン化物、酸化物、カルコゲナイド化合物等が挙げられ、ハロゲン化物が好ましい。ハロゲン化物としては、フッ素化物、塩素化物、臭素化物、ヨウ素化物が挙げられるが、特に臭素化物、ヨウ素化物が好ましい。遷移金属化合物は０価又は１価のものが好ましい。
以下、遷移金属を遷移金属化合物として用いた場合の反応条件について説明する。
遷移金属化合物の添加量としては、原料となる３，８−ジハロゲノ−１，６−置換ピレンに対し０．０１〜１当量、好ましくは０．１〜０．５当量添加することが好ましい。
アミノ化反応は塩基を用いて行われるが、塩基としてはアルカリ金属、又はアルカリ土類金属の水酸化物及び塩が好ましく用いられ、水酸化物、炭酸塩、炭酸水素塩、酢酸塩が好ましく、水酸化物がより好ましい。
塩基の添加量としては、３，８−ジハロゲノ−１，６−置換ピレンに結合したハロゲン原子に対し、通常２〜５当量であり、２〜３当量添加することが好ましい。
反応溶媒としては、高沸点の溶媒が好ましく、キシレン、デカリン、ジオキサン、ＤＭＦ、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）等を用いることができる。好ましくはキシレン、デカリンである。これらの溶媒は脱水・不活性ガス置換されたものが好ましい。
溶媒の脱水・不活性ガス置換の方法は通常有機合成で用いられている方法で処理できる。例えば、塩化カルシウム等の乾燥剤を入れたり、さらに水素化カルシウムや金属ナトリウムの存在下で窒素やアルゴン等の気流中で蒸留して得られる。
アミノ化する際の反応温度は、通常室温〜１５０℃であり、１００〜１５０℃が好ましく、反応時間は、通常１〜４８時間であり、６〜１８時間が好ましい。
反応は、触媒の調製から含めて不活性ガス雰囲気中で行われることが好ましい。
本発明の製造方法によって得られた一般式（２）で表される芳香族アミン誘導体は、電子写真感光体の電荷輸送材料や有機ＥＬ素子用材料として好適であり、特に、有機ＥＬ素子用の正孔輸送材料、発光材料及びドーピング材料として好適である。
次に、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定されるものではない。
なお、合成実施例において、１Ｈ−ＮＭＲスペクトルはＢｒｕｃｋｅｒ  社製  ＤＲＸ−５００を使用して測定した。
合成実施例１（化合物（Ｄ−３）の合成）
アルゴン気流下冷却管付き３００ｍＬ三口フラスコ中に、１，６−ジメチル−３，８−ジブロモピレン３．０ｇ（７．７ｍｍｏｌ）、ｍ，ｍ’−ジトリルアミン３．４ｇ（１８．５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム  ０．０３ｇ（１．５ｍｏｌ％）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン  ０．０５ｇ（３ｍｏｌ％）、ナトリウム−ｔ−ブトキシド  １．８ｇ（１８．７ｍｍｏｌ）、乾燥トルエン５０ｍＬを加えた後、１１０℃にて８時間加熱攪拌した。反応終了後、シリカゲルショートカラムに通し、減圧濃縮後、析出した結晶を濾取し、トルエン５０ｍＬ、メタノール１００ｍＬにて洗浄し、淡黄色粉末４．５ｇを得た。このものは、１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（図１）及びＦＤ−ＭＳ（フィールドディソープションマススペクトル）の測定により、化合物（Ｄ−３）と同定した（収率９８％）。
［最大吸収波長  ４３０ｎｍ，最大蛍光波長  ４６０ｎｍ（トルエン溶液）］
合成実施例２（化合物（Ｄ−３８）の合成）
（１）中間原料（１，６−ジイソプロピルピレン）の合成
アルゴン気流下冷却管付き５００ｍＬ三口フラスコ中に、１，６−ジブロモピレン２０ｇ（５５．６ｍｍｏｌ）、イソプロピルマグネシウムブロミド１１７ｍＬ（１１７ｍｍｏｌ、１ｍｏｌ／Ｌ（ＴＨＦ））、（ジフェニルホスフィノフェロセン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド２．２７ｇ（５ｍｏｌ％）、乾燥ジオキサン１３０ｍＬを加えた後、９０℃にて８時間加熱攪拌した。反応終了後、希塩酸１００ｍＬを加え、有機層を分液、減圧濃縮した後、シリカゲルショートカラムに通し、減圧濃縮後、析出した結晶を濾取し、１，６−ジイソプロピルピレン（淡黄色粉末）７．４ｇを得た（収率３１％）。
（２）中間原料（１，６−ジイソプロピル−３，８−ジブロモピレン）の合成
アルゴン気流下冷却管付き１Ｌナスフラスコ中に、１，６−ジイソプロピルピレン７．４ｇ（２５．９ｍｍｏｌ）、Ｎ−ブロモスクシンイミド１１ｇ（６２．１ｍｍｏｌ）、乾燥ＤＭＦ２５０ｍＬを加えた後、５０℃にて４時間加熱攪拌した。反応終了後、水２５０ｍＬを加えた後、結晶を濾取し、水５０ｍＬ、メタノール１００ｍＬにて洗浄し、淡黄色粉末３．２ｇを得た（収率２８％）。このものは、１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（図２）及びＦＤ−ＭＳの測定により、１，６−ジイソプロピル−３，８−ジブロモピレンと同定した。
（３）化合物（Ｄ−３８）の合成
アルゴン気流下冷却管付き３００ｍＬ三口フラスコ中に、１，６−ジイソプロピル−３，８−ジブロモピレン３．０ｇ（６．７ｍｍｏｌ）、４−メチルジフェニルアミン３．０ｇ（１６．５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム０．０２ｇ（１．５ｍｏｌ％）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン０．０４ｇ（３ｍｏｌ％）、ナトリウム−ｔ−ブトキシド１．６ｇ（１６．６ｍｍｏｌ）、乾燥トルエン５０ｍＬを加えた後、１１０℃にて８時間加熱攪拌した。反応終了後、シリカゲルショートカラムに通し、減圧濃縮後、析出した結晶を濾取し、トルエン５０ｍＬ、メタノール１００ｍＬにて洗浄し、淡黄色粉末４．３ｇを得た。このものは、１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（図３）及びＦＤ−ＭＳの測定により、化合物（Ｄ−３８）と同定した（収率９８％）。
［最大吸収波長  ４２７ｎｍ，最大蛍光波長  ４５９ｎｍ（トルエン溶液）］
合成実施例３（化合物（Ｄ−３９）の合成）
アルゴン気流下冷却管付き３００ｍＬ三口フラスコ中に、１，６−ジイソプロピル−３，８−ジブロモピレン３．０ｇ（６．７ｍｍｏｌ）、ｍ，ｍ’−ジトリルアミン３．２ｇ（１６．２ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム０．０２ｇ（１．５ｍｏｌ％）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン０．０４ｇ（３ｍｏｌ％）、ナトリウム−ｔ−ブトキシド１．６ｇ（１６．６ｍｍｏｌ）、乾燥トルエン７５ｍＬを加えた後、１１０℃にて８時間加熱攪拌した。反応終了後、シリカゲルショートカラムに通し、減圧濃縮後、析出した結晶を濾取し、トルエン５０ｍＬ、メタノール１００ｍＬにて洗浄し、淡黄色粉末４．５ｇを得た。このものは、１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（図４）及びＦＤ−ＭＳの測定により、化合物（Ｄ−３９）と同定した（収率９８％）。
［最大吸収波長  ４２９ｎｍ，最大蛍光波長  ４６３ｎｍ（トルエン溶液）］
合成実施例４（化合物（Ｄ−４０）の合成）
アルゴン気流下冷却管付き３００ｍＬ三口フラスコ中に、１，６−ジイソプロピル−３，８−ジブロモピレン２．５ｇ（５．６ｍｍｏｌ）、ビス（３，５−ジメチルフェニル）アミン３．０ｇ（１３．４ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム０．０２ｇ（１．５ｍｏｌ％）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン０．０４ｇ（３ｍｏｌ％）、ナトリウム−ｔ−ブトキシド１．３ｇ（１３．５ｍｍｏｌ）、乾燥トルエン５０ｍＬを加えた後、１１０℃にて８時間加熱攪拌した。反応終了後、析出した結晶を濾取し、塩化メチレン５０ｍＬ、メタノール１００ｍＬにて洗浄し、淡黄色粉末３．９ｇを得た。このものは、１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（図５）及びＦＤ−ＭＳの測定により、化合物（Ｄ−４０）と同定した（収率９５％）。
［最大吸収波長  ４３４ｎｍ，最大蛍光波長  ４６５ｎｍ（トルエン溶液）］
合成実施例５（化合物（Ｄ−７７）の合成）
アルゴン気流下冷却管付き３００ｍＬ三口フラスコ中に、１−エチル−３，８−ジブロモピレン２．５ｇ（６．４ｍｍｏｌ）、ｍ，ｍ’−ジトリルアミン３．０ｇ（１５．２ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム０．０２ｇ（１．５ｍｏｌ％）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン０．０４ｇ（３ｍｏｌ％）、ナトリウム−ｔ−ブトキシド１．５ｇ（１５．６ｍｍｏｌ）、乾燥トルエン５０ｍＬを加えた後、１１０℃にて８時間加熱攪拌した。反応終了後、シリカゲルショートカラムに通し、減圧濃縮後、析出した結晶を濾取し、トルエン５０ｍＬ、メタノール１００ｍＬにて洗浄し、淡黄色粉末  ３．９ｇを得た。このものは、１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（図６）及びＦＤ−ＭＳの測定により、化合物（Ｄ−７７）と同定した（収率９７％）。
［最大吸収波長  ４３０ｎｍ，最大蛍光波長  ４６０ｎｍ（トルエン溶液）］
合成実施例６（化合物（Ｄ−７８）の合成）
アルゴン気流下冷却管付き３００ｍＬ三口フラスコ中に、１−エチル−３，８−ジブロモピレン２．５ｇ（６．４ｍｍｏｌ）、ビス（３，５−ジメチルフェニル）アミン３．５ｇ（１５．５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム０．０２ｇ（１．５ｍｏｌ％）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン０．０４ｇ（３ｍｏｌ％）、ナトリウム−ｔ−ブトキシド１．５ｇ（１５．６ｍｍｏｌ）、乾燥トルエン５０ｍＬを加えた後、１１０℃にて８時間加熱攪拌した。反応終了後、析出した結晶を濾取し、トルエン５０ｍＬ、メタノール１００ｍＬにて洗浄し、淡黄色粉末  ２．７ｇを得た。このものは、１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（図７）及びＦＤ−ＭＳの測定により、化合物（Ｄ−７８）と同定した（収率６２％）。
［最大吸収波長  ４３５ｎｍ，最大蛍光波長  ４６６ｎｍ（トルエン溶液）］
合成実施例７（化合物（Ｄ−８３）の合成）
（１）中間原料（１，６−ジシクロヘキシルピレン）の合成
アルゴン気流下冷却管付き５００ｍＬ三口フラスコ中に、１，６−ジブロモピレン２０ｇ（５５．６ｍｍｏｌ）、シクロヘキシルゼグネシウムブロミド１１７ｍＬ（１１７ｍｍｏｌ、１ｍｏｌ／Ｌ（ＴＨＦ））、（ジフェニルホスフィノフェロセン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド２．２７ｇ（５ｍｏｌ％）、乾燥ジオキサン  ８０ｍＬ、乾燥ＴＨＦ７０ｍＬを加えた後、９０℃にて８時間加熱攪拌した。反応終了後、希塩酸１００ｍＬを加え、有機層を分液、減圧濃縮した後、シリカゲルショートカラムに通し、減圧濃縮後、析出した結晶を濾取し、１，６−ジシクロヘキシルピレン（淡黄色粉末）７．０ｇを得た（収率７１％）。
（２）中間原料（１，６−ジシクロヘキシル−３，８−ジブロモピレン）の合成
アルゴン気流下冷却管付き１Ｌナスフラスコ中に、１，６−ジシクロヘキシルピレン１０．４ｇ（２８．４ｍｍｏｌ）、Ｎ−ブロモスクシンイミド１２．１ｇ（６８．２ｍｍｏｌ）、乾燥ＤＭＦ３００ｍＬを加えた後、５０℃にて７時間加熱攪拌した。反応終了後、水３００ｍＬを加えた後、結晶を濾取し、水５０ｍＬ、メタノール１００ｍＬにて洗浄し、淡黄色粉末６．２ｇを得た（収率４２％）。このものは、１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（図８）及びＦＤ−ＭＳの測定により、１，６−ジシクロヘキシル−３，８−ジブロモピレンと同定した。
（３）化合物（Ｄ−８３）の合成
アルゴン気流下冷却管付き３００ｍＬ三口フラスコ中に、１，６−ジシクロヘキシル−３，８−ジブロモピレン３．０ｇ（５．７ｍｍｏｌ）、ビス（３，５−ジメチルフェニル）アミン３．１ｇ（１３．７ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム０．０２ｇ（１．５ｍｏｌ％）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン０．０４ｇ（３ｍｏｌ％）、ナトリウム−ｔ−ブトキシド  １．３ｇ（１３．５ｍｍｏｌ）、乾燥トルエン  ７５ｍＬを加えた後、１１０℃にて８時間加熱攪拌した。反応終了後、シリカゲルショートカラムに通し、減圧濃縮後、析出した結晶を濾取し、トルエン５０ｍＬ、メタノール  １００ｍＬにて洗浄し、淡黄色粉末４．５ｇを得た。このものは、１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（図９）及びＦＤ−ＭＳの測定により、化合物（Ｄ−８３）と同定した（収率９７％）。
［最大吸収波長  ４３４ｎｍ，最大蛍光波長  ４６５ｎｍ（トルエン溶液）］
合成実施例８（化合物（Ｄ−１０１）の合成）
アルゴン気流下冷却管付き３００ｍＬ三口フラスコ中に、１，６−ジフェニル−３，８−ジブロモピレン３．０ｇ（５．８ｍｍｏｌ）、ビス（３，４，５−トリメチルフェニル）アミン３．６ｇ（１４．２ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム０．０２ｇ（１．５ｍｏｌ％）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン０．０４ｇ（３ｍｏｌ％）、ナトリウム−ｔ−ブトキシド１．４ｇ（１４．５ｍｍｏｌ）、乾燥トルエン５０ｍＬを加えた後、１１０℃にて８時間加熱攪拌した。反応終了後、析出した結晶を濾取し、トルエン５０ｍＬ、メタノール１００ｍＬにて洗浄し、淡黄色粉末５．０ｇを得た。このものは、１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（図１０）及びＦＤ−ＭＳの測定により、化合物（Ｄ−１０１）と同定した（収率９９％）。
［最大吸収波長  ４６０ｎｍ，最大蛍光波長  ４９８ｎｍ（トルエン溶液）］
合成実施例９（化合物（Ｄ−１０９）の合成）
（１）中間原料（１，６−ジ（２−ビフェニル）ピレン）の合成
アルゴン気流下冷却管付き２００ｍＬ三口フラスコ中に、１，６−ジブロモピレン９．７ｇ（２７．０ｍｍｏｌ）、２−ビフェニルボロン酸１２．８ｇ（６４．８ｍｍｏｌ）、（テトラキストリフェニルホスフィン）パラジウム（０）１．２５ｇ（４ｍｏｌ％）、炭酸ナトリウム水溶液６１ｍＬ（１２２ｍｍｏｌ、２Ｍ）、ＤＭＥ１２０ｍＬを加えた後、９０℃にて８時間加熱攪拌した。反応終了後、水５０ｍＬを加え後、結晶を濾取し、水５０ｍＬ、エタノール１００ｍＬにて洗浄し、１，６−ジ（２−ビフェニル）ピレン（白色粉末）１３．３ｇを得た（収率９７％）。
（２）中間原料（１，６−ジ（２−ビフェニル）−３，８−ジブロモピレン）の合成
アルゴン気流下冷却管付き１Ｌナスフラスコ中に、１，６−ジ（２−ビフェニル）ピレン１３．２ｇ（２６．１ｍｍｏｌ）、Ｎ−ブロモスクシンイミド９．８ｇ（５５ｍｍｏｌ）、乾燥ＤＭＦ５５０ｍＬを加えた後、５０℃にて８時間加熱攪拌した。反応終了後、水３００ｍＬを加えた後、結晶を濾取し、水５０ｍＬ、メタノール１００ｍＬにて洗浄し、淡黄色粉末  １０．５ｇを得た。（収率６１％）。このものは、１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（図１１）及びＦＤ−ＭＳの測定により、１，６−ジ（２−ビフェニル）−３，８−ジブロモピレンと同定した。
（３）化合物（Ｄ−１０９）の合成
アルゴン気流下３００ｍＬ三つ口フラスコに、１，６−ジ（２−ビフェニル）−３，８−ジブロモピレン３．５ｇ（５．２ｍｍｏｌ）、ｍ，ｍ’−ジトリルアミン２．５ｇ（１２．６ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム２０ｍｇ（１．５ｍｏｌ％）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン３６ｍｇ（３ｍｏｌ％）、ナトリウム−ｔ−ブトキシド１．３ｇ（１３．５ｍｍｏｌ）、乾燥トルエン７５ｍＬを加え、１１０℃で８時間攪拌した。反応終了後、シリカゲルショートカラムに通し、溶液をトルエン−メタノール再沈処理をして、黄色結晶３．９ｇを得た。このものは、１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（図１２）及びＦＤ−ＭＳの測定により、化合物（Ｄ−１０９）と同定した（収率８２％）。
［最大吸収波長  ４４２ｎｍ，最大蛍光波長  ４７４ｎｍ（トルエン溶液）］
合成実施例１０（化合物（Ｄ−１１０）の合成）
アルゴン気流下３００ｍＬ三つ口フラスコに、１，６−ジ（２−ビフェニル）−３，８−ジブロモピレン３．０ｇ（４．５ｍｍｏｌ）、ビス（３，４−ジメチルフェニル）アミン２．４ｇ（１０．８ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム２０ｍｇ（１．５ｍｏｌ％）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン２７ｍｇ（３ｍｏｌ％）、ナトリウム−ｔ−ブトキシド１．３ｇ（１３．５ｍｍｏｌ）、乾燥トルエン５０ｍＬを加え、１１０℃で８時間攪拌した。反応終了後、反応終了後、析出した結晶を濾取し、塩化メチレン５０ｍＬ、メタノール１００ｍＬにて洗浄し、黄色結晶３．９ｇを得た。このものは、１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（図１３）及びＦＤ−ＭＳの測定により、化合物（Ｄ−１１０）と同定した（収率９４％）。
［最大吸収波長  ４５５ｎｍ，最大蛍光波長  ４８８ｎｍ（トルエン溶液）］
合成実施例１１（化合物（Ｄ−１１５）の合成）
アルゴン気流下３００ｍＬ三つ口フラスコに、１，６−ジ（４−メチルフェニル）−３，８−ジブロモピレン３．０ｇ（５．５ｍｍｏｌ）、ビス（３，４，５−トリメチルフェニル）アミン３．４ｇ（１３．４ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム０．０２ｇ（１．５ｍｏｌ％）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン０．０３ｇ（３ｍｏｌ％）、ナトリウム−ｔ−ブトキシド１．３ｇ（１３．５ｍｍｏｌ）、乾燥トルエン７５ｍＬを加え、１１０℃で８時間攪拌した。反応終了後、反応終了後、析出した結晶を濾取し、塩化メチレン５０ｍＬ、メタノール１００ｍＬにて洗浄し、黄色結晶４．４ｇを得た。このものは、１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（図１４）及びＦＤ−ＭＳの測定により、化合物（Ｄ−１１５）と同定した（収率８９％）。
［最大吸収波長  ４５９ｎｍ，最大蛍光波長  ４９４ｎｍ（トルエン溶液）］
合成実施例１２（化合物（Ｄ−１２２）の合成）
（１）中間原料（１，６−ジ（４−シアノフェニル）ピレン）の合成
アルゴン気流下冷却管付き２００ｍＬ三口フラスコ中に、１，６−ジブロモピレン７．１ｇ（１９．８ｍｍｏｌ）、４−シアノフェニルボロン酸７．０ｇ（４７．５ｍｍｏｌ）、（テトラキストリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．４６ｇ（２ｍｏｌ％）、炭酸ナトリウム水溶液３０ｍＬ（５９．４ｍｍｏｌ、２Ｍ）、ＤＭＥ６０ｍＬ、乾燥ＴＨＦ７０ｍＬを加えた後、９０℃にて８時間加熱攪拌した。反応終了後、水５０ｍＬを加え後、結晶を濾取し、水５０ｍＬ、エタノール１００ｍＬにて洗浄し、淡黄色粉末７．８ｇを得た（収率９８％）。
（２）中間原料（１，６−ジ（４−シアノフェニル）−３，８−ジブロモピレン）の合成
アルゴン気流下冷却管付き１Ｌナスフラスコ中に、１，６−ジ（４−シアノフェニル）ピレン１２．８ｇ（３１．７ｍｍｏｌ）、Ｎ−ブロモスクシンイミド１３．５ｇ（７６ｍｍｏｌ）、乾燥ＤＭＦ４５０ｍＬを加えた後、５０℃にて８時間加熱攪拌した。反応終了後、水３００ｍＬを加えた後、結晶を濾取し、水５０ｍＬ、メタノール１００ｍＬにて洗浄し、淡黄色粉末１６．３ｇを得た（収率４１％）。このものは、１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（図１５）及びＦＤ−ＭＳの測定により、１，６−ジ（４−シアノフェニル）−３，８−ジブロモピレンと同定した。
（３）化合物（Ｄ−１２２）の合成
アルゴン気流下３００ｍＬ三つ口フラスコに、１，６−ジ（４−シアノフェニル）−３，８−ジブロモピレン３．０ｇ（５．３ｍｍｏｌ）、ビス（３，４−ジメチルフェニル）アミン３．０ｇ（１３．３ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム０．０２ｇ（１．５ｍｏｌ％）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン０．０３ｇ（３ｍｏｌ％）、ナトリウム−ｔ−ブトキシド１．２ｇ（１２．８ｍｍｏｌ）、乾燥トルエン５０ｍＬを加え、１１０℃で８時間攪拌した。反応終了後、析出した結晶を濾取し、塩化メチレン５０ｍＬ、メタノール１００ｍＬにて洗浄し、黄色結晶３．４ｇを得た。このものは、１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（図１６）及びＦＤ−ＭＳの測定により、化合物（Ｄ−１２２）と同定した（収率７４％）。
［最大吸収波長  ４７５ｎｍ，最大蛍光波長  ５２６ｎｍ（トルエン溶液）］
合成実施例１３（化合物（Ｄ−１４８）の合成）
（１）中間原料（１，６−ジ（２−ナフチル）ピレン）の合成
アルゴン気流下冷却管付き２００ｍＬ三口フラスコ中に、１，６−ジブロモピレン１０．３ｇ（２８．６ｍｍｏｌ）、２−ナフチルボロン酸１１．８ｇ（６８．７ｍｍｏｌ）、（テトラキストリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．６６ｇ（２ｍｏｌ％）、炭酸ナトリウム水溶液４３ｍＬ（５９．４ｍｍｏｌ、２Ｍ）、ＤＭＥ１００ｍＬ、乾燥ＴＨＦ７０ｍＬを加えた後、９０℃にて８時間加熱攪拌した。反応終了後、水５０ｍＬを加え後、結晶を濾取し、水５０ｍＬ、エタノール１００ｍＬにて洗浄し、１，６−ジ（２−ナフチル）ピレン（淡黄色粉末）１３．２ｇを得た（収率９９％）。
（２）中間原料（１，６−ジ（２−ナフチル）−３，８−ジブロモピレン）の合成
アルゴン気流下冷却管付き１Ｌナスフラスコ中に、１，６−ジ（２−ナフチル）ピレン１３ｇ（２８．６ｍｍｏｌ）、Ｎ−ブロモスクシンイミド１１．８ｇ（６８．７ｍｍｏｌ）、乾燥ＤＭＦ４５０ｍＬを加えた後、５０℃にて８時間加熱攪拌した。反応終了後、水３００ｍＬを加えた後、結晶を濾取し、水５０ｍＬ、メタノール１００ｍＬにて洗浄し、淡黄色粉末７．０ｇを得た（収率４０％）。このものは、１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（図１７）及びＦＤ−ＭＳの測定により、１，６−ジ（２−ナフチル）−３，８−ジブロモピレンと同定した。
（３）化合物（Ｄ−１４８）の合成
アルゴン気流下３００ｍＬ三つ口フラスコに、１，６−ジ（２−ナフチル）−３，８−ジブロモピレン２．０ｇ（３．３ｍｍｏｌ）、ビス（３，４，５−トリメチルフェニル）アミン２．０ｇ（７．９ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム０．０１ｇ（１．５ｍｏｌ％）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン０．０２ｇ（３ｍｏｌ％）、ナトリウム−ｔ−ブトキシド０．７５ｇ（７．８ｍｍｏｌ）、乾燥トルエン５０ｍＬを加え、１１０℃で８時間攪拌した。反応終了後、反応終了後、析出した結晶を濾取し、塩化メチレン５０ｍＬ、メタノール１００ｍＬにて洗浄し、黄色結晶２．９ｇを得た。このものは、１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（図１８）及びＦＤ−ＭＳの測定により、化合物（Ｄ−１４８）と同定した（収率９６％）。
［最大吸収波長  ４６６ｎｍ，最大蛍光波長  ５０６ｎｍ（トルエン溶液）］
【実施例】実施例１
（１）有機ＥＬ素子の作製
２５×７５×１．１ｍｍサイズのガラス基板上に、膜厚１３０ｎｍのインジウムスズ酸化物からなる透明電極を設けた。このガラス基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、紫外線及びオゾンを照射して洗浄した。
次いで、透明電極付きガラス基板を、真空蒸着装置の蒸着槽内の基板ホルダーに装着するとともに、真空槽内の真空度を１×１０−３Ｐａに減圧した後、以下の蒸着条件で、陽極層上に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層及び陰極層を順次積層して、有機ＥＬ素子を作製した。
正孔注入層：材料としてＮ’，Ｎ’’−ビス［４−（ジフェニルアミノ）フェニル］−Ｎ’，Ｎ’’−ジフェニルビフェニル−４，４’−ジアミン；蒸着条件２ｎｍ／ｓｅｃ；膜厚６０ｎｍ
正孔輸送層：材料としてＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−ビフェニル）−４，４’−ベンジジン；蒸着条件２ｎｍ／ｓｅｃ；膜厚２０ｎｍ
発光層：発光材料として、１，４−ビス［１０−（２−ビフェニル）アントラセン−９−イル］ベンゼン（Ｈ−１）を用い、ドーピング材料として化合物（Ｄ−３）を用い、（Ｈ−１）・蒸着条件２ｎｍ／ｓｅｃと化合物（Ｄ−３）・蒸着条件０．２ｎｍ／ｓｅｃを同時蒸着（化合物（Ｈ−１）と化合物（Ｄ−３）を４０：２（重量比））；膜厚４０ｎｍ
電子輸送層：材料としてトリス（８−ヒドロキシキノリノ）アルミニウム；蒸着条件２ｎｍ／ｓｅｃ；膜厚２０ｎｍ
電子注入層：材料としてフッ化リチウム；蒸着条件０．１ｎｍ／ｓｅｃ；膜厚１ｎｍ
陰極層：材料としてアルミニウム；蒸着条件２ｎｍ／ｓｅｃ；膜厚２００ｎｍ
（２）有機ＥＬ素子の評価
次に（１）で得られた素子に通電試験を行ったところ、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ２、電圧６．７Ｖにて発光輝度が８２１ｃｄ／ｍ２であり、発光色は青色（発光主波長：４６８ｎｍ）であることを確認した。また、初期発光輝度を２０００ｃｄ／ｍ２として定電流駆動させたところ、輝度半減時間は２８００時間以上であった。
実施例２〜８
実施例１おいて、発光層で用いた発光材料の化合物（Ｈ−１）の代わりに１０−（４−（ナフタレン−１−イル）フェニル）−９−（ナフタレン−３−イル）アントラセン（Ｈ−２）を用い、ドーピング材料の化合物（Ｄ−３）の代わりに以下の材料を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
［実施例２］化合物（Ｈ−２）と化合物（Ｄ−３８）を４０：２（重量比）
［実施例３］化合物（Ｈ−２）と化合物（Ｄ−３９）を４０：２（重量比）
［実施例４］化合物（Ｈ−２）と化合物（Ｄ−４０）を４０：２（重量比）
［実施例５］化合物（Ｈ−２）と化合物（Ｄ−７７）を４０：２（重量比）
［実施例６］化合物（Ｈ−２）と化合物（Ｄ−７８）を４０：２（重量比）
［実施例７］化合物（Ｈ−２）と化合物（Ｄ−８２）を４０：２（重量比）
［実施例８］化合物（Ｈ−２）と化合物（Ｄ−８３）を４０：２（重量比）
得られた素子について、実施例１の（２）と同様にして通電試験を行った結果を表１に示す。
【表１】
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表１に示すように、実施例１〜８の全ての有機ＥＬ素子で青色発光が観察され、発光輝度は７００ｃｄ／ｍ２以上、最大で１０００ｃｄ／ｍ２以上であり、輝度劣化加速条件での半減時間は２０００時間以上、最大で５０００時間以上であった。
比較例１〜４
実施例１おいて、発光層で用いた発光材料の化合物（Ｈ−１）とドーピング材料の化合物（Ｄ−３）の代わりに、以下の材料を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
［比較例１］：化合物（Ｈ−１）のみ
［比較例２］：化合物（Ｈ−１）と１，６−ビス（ジフェニルアミノ）ピレン（化合物（Ａ））を４０：２（重量比）
［比較例３］：化合物（Ｈ−１）とＮ，Ｎ’−ビス−ｍ−トリル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，６−ジアミノピレン（化合物（Ｂ））を４０：２（重量比）
［比較例４］：化合物（Ｈ−１）と２，５，８，１１−テトラキス（ｔ−ブチル）ペリレン（化合物（Ｃ））を４０：２（重量比）
得られた素子について、実施例１の（２）と同様にして通電試験を行った結果を表２に示す。
【表２】
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実施例９〜１３
実施例１おいて、発光層で用いた発光材料の化合物（Ｈ−１）とドーピング材料の化合物（Ｄ−３）の代わりに以下の材料を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
［実施例９］化合物（Ｈ−１）と化合物（Ｄ−９７）を４０：２（重量比）
［実施例１０］化合物（Ｈ−１）と化合物（Ｄ−１０１）を４０：３（重量比）
［実施例１１］化合物（Ｈ−２）と化合物（Ｄ−１０１）を４０：３（重量比）
［実施例１２］化合物（Ｈ−１）と化合物（Ｄ−１４８）を４０：３（重量比）
［実施例１３］化合物（Ｈ−２）と化合物（Ｄ−１４８）を４０：３（重量比）
［実施例１４］化合物（Ｈ−２）と化合物（Ｄ−１４８）を４０：４（重量比）
［実施例１５］化合物（Ｈ−１）と化合物（Ｄ−９３）を４０：２（重量比）
得られた素子について、実施例１の（２）と同様にして通電試験を行った結果を表３に示す。
【表３】
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表３に示すように、実施例９〜１５の全ての有機ＥＬ素子で緑色発光が観察され、発光輝度は１２００ｃｄ／ｍ２以上、最大で１９００ｃｄ／ｍ２以上であり、輝度劣化加速条件での半減時間は５０００時間以上、最大で２００００時間以上と十分実用領域に達している。
比較例５〜６
実施例１おいて、発光層で用いた発光材料の化合物（Ｈ−１）とドーピング材料の化合物（Ｄ−３）の代わりに、以下の材料を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
［比較例５］：化合物（Ｈ−１）と９，１０−ビス（ジフェニルアミノ）アントラセン（化合物（Ｄ））を４０：３（重量比）
［比較例６］：トリス（８−ヒドロキシキノリノ）アルミニウム（Ｈ−３）と１０−（２−ベンゾチアゾイル）−１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ，１１Ｈ−ベンゾ［ｌ］ピラノ［６，７，８−ｉｊ］キノリジン−１１−オン（化合物（Ｅ））を４０：０．５（重量比）
得られた素子について、実施例１の（２）と同様にして通電試験を行った結果を表４に示す。
【表４】
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以上の実施例及び比較例の結果より、ジアミノピレンのピレン骨格に置換基を導入することで、特に半減寿命が大幅に改善させることが分かる。これは、ピレン骨格上の置換、およびアミノ置換基により、ドーパント同士の会合による濃度消光を抑えることができたことを示している。
【産業上の利用可能性】  本発明の一般式（Ａ）（Ａ’）又は（Ａ”）で表される芳香族アミン誘導体を使用した有機ＥＬ素子は、低い印加電圧で実用上充分な発光輝度が得られ、発光効率が高く、長時間使用しても劣化しづらく寿命が長い。このため実用性能が高い有機ＥＬ素子として極めて有用である。
また、本発明の芳香族アミン誘導体の製造方法によると、中心ピレン骨格に立体的に嵩高い置換基を有する芳香族アミン誘導体を効率良く製造することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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