(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
インク滴を吐出するノズル孔が連通する液室の壁面を形成する振動板を有し、
前記振動板の液室側壁面にはインクに対して耐腐食性を有する１又は複層の薄膜が形成され、
前記耐腐食性を有する１又は複層の薄膜は酸素原子が含まれている窒化チタン薄膜を含む
ことを特徴とするインクジェット記録ヘッド。
【請求項２】
請求項１又は２に記載のインクジェット記録ヘッドにおいて、前記窒化チタン薄膜は、酸素原子の濃度が１％以上含まれていることを特徴とするインクジェット記録ヘッド。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のインクジェット記録ヘッドにおいて、前記窒化チタン薄膜は積層構造で形成されていることを特徴とするインクジェット記録ヘッド。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載のインクジェット記録ヘッドを備えていることを特徴とするインクジェット記録装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はインクジェット記録ヘッド及びインクジェット記録装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
静電型のアクチュエータの応用製品には、静電型マイクロポンプやオンデマンド型インクジェット記録ヘッドがある。
液体輸送の為のマイクロポンプの駆動方式は圧電効果を用いたピエゾ方式や熱による液体の膨張を利用したサーマル方式、静電引力を利用した静電駆動方式等の方式が開示されている。その中でも、静電駆動方式はシリコンデバイス加工技術を利用した加工技術による微細化が容易であって、静電力を利用するために低消費電力には有利である。
しかしながら、構成部品材にシリコンを用いるため、アルカリ性、又は、酸性等、輸送する液の性質によっては、構成部品のシリコンが溶出し、マイクロポンプの破壊の原因となっていた。この為、液が接するシリコン表面には液に対する耐腐食性膜を形成するのが一般的である。この耐腐食性薄膜を形成した例を以下に示す。
インク液滴をノズル孔から直接記録媒体上に噴射して記録する静電型のアクチュエータを用いたインクジェット記録装置用のインクジェット記録ヘッドの駆動方法が種々提案されている。
オンデマンド方式のインクジェット記録装置に用いられる印字ヘッドのインクジェット記録ヘッドであって、インクに圧力を与えて吐出するためのインク液室の圧力室を構成している振動板の表面にインクに耐腐食性を持つ、Ｔｉ、Ｔｉ化合物、Ａｌ2Ｏ3の耐インク性の耐腐食性薄膜を形成することは公知である（国際公開０９８／４２５１３号の公報を参照）。
又は、インクに圧力を与えて吐出するためのインク液室の圧力室を構成している振動板の表面に酸化シリコン膜を形成した後、積層して耐インク性を有する酸化物、窒化物、金属等の薄膜を形成して、振動板のピンホールを塞ぐことも公知である（特開平１０−２９１３２２号公報を参照）。
【０００３】
このようなＴｉ、Ｔｉ化合物、Ａｌ2Ｏ3や酸化シリコン膜からなる耐インク性の耐腐食性薄膜を単層又は積層して形成した静電型のアクチュエータの振動版は、座屈して生ずる撓みによる作動不良、腐食、その製造方法においてはハンドリングする際の破損等により歩留まりが低下してコスト高になっていた。
このようなＴｉ、Ｔｉ化合物、Ａｌ2Ｏ3や酸化シリコン膜からなる耐インク性の耐腐食性薄膜を単層又は積層して形成した静電型のアクチュエータを静電型マイクロポンプやインクジェット記録ヘッド及びインクジェット記録装置に利用した場合、その耐腐食性薄膜の内部応力や振動板上の膜厚分布によって振動板が座屈することにより、撓みを生じており、この振動板の撓みは、駆動電圧が上昇するために駆動回路コストの上昇や駆動電圧のバラツキが増大し消費電力も大きく、液やインクの吐出時の噴射特性のビット間のバラツキ、液やインク吐出不良、液やインクの種類によっては多少ながら腐食し万能ではなかった。
このような、例えば、従来の静電型マイクロポンプやインクジェット記録ヘッド及びインクジェット記録装置の製造方法は、厚さ２００μｍ程度のシリコン基板に液やインク液室と数μｍの振動板を形成した第一のシリコン基板とｎ+又はｐ+型の不純物拡散駆動電極を形成した第二のシリコン基板を各々別々に作製し直接接合する、第一のシリコン基板をハンドリングする際の破損等により歩留まりが低下していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、従来のインクジェット記録ヘッドにあっては、耐インク性の耐腐食性薄膜が形成されているが、耐腐食性薄膜が形成された振動板が、座屈して生ずる撓みによる作動不良やその腐食が発生するという課題がある。
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、振動板の撓みを防止するために形成される耐腐食性薄膜の耐腐食性を優れたものとすることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、本発明に係るインクジェット記録ヘッドは、インク滴を吐出するノズル孔が連通する液室の壁面を形成する振動板を有し、前記振動板の液室側壁面にはインクに対して耐腐食性を有する１又は複層の薄膜が形成され、前記耐腐食性を有する１又は複層の薄膜は酸素原子が含まれている窒化チタン薄膜を含む構成とした。
【０００６】
ここで、前記窒化チタン薄膜は、酸素原子の濃度が１％以上含まれている構成とできる。また、前記窒化チタン薄膜は積層構造で形成されている構成とできる。
【０００７】
本発明に係るインクジェット記録装置は、本発明に係るインクジェット記録ヘッドを備えた構成とした。
【０００９】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
図１乃至図４は本発明の一実施形態の平面図、Ｗ−Ｗ線断面図、Ｘ−Ｘ線断面図、及びＹ−Ｙ線断面図である。静電力により振動して作動する静電アクチュエータ０は、静電力により振動して作動する振動板１と、上記振動板１に対向する電極基板２と、上記電極基板２上に形成されて上記振動板１に空隙６を介して対向する電極３と、上記振動板１を振動して作動するための電圧を印加する上記電極３と対向する上記振動板１上に耐腐食性の薄膜が形成された耐腐食性薄膜４と、上記耐腐食性薄膜４の上記振動板１の撓みの発生を防止する振動板撓み発生防止手段５とからなり、上記耐腐食性薄膜４の形成された上記振動板１の座屈して撓む作動不良の発生を防止して、耐腐食に優れ、歩留まりが向上して低コストにすることが出来るようになった。
液滴やインク滴を静電力による圧力波で吐出する静電型マイクロポンプ１０やインクジェット記録ヘッド２０は、液滴やインク液滴を図示の矢印Ａ方向又は図示の矢印Ｂ方向に吐出するノズル孔１１やノズル孔２１と、上記ノズル孔１１やノズル孔２１が連通する液流路やインク流路の液室１２やインク液室２２と、上記液室１２や上記インク液室２２の壁面を形成する上記静電アクチュエータ０の上記振動板１に形成された上記耐腐食性薄膜４の上記振動板１の撓みの発生を防止する上記振動板撓み発生防止手段５からなる。
振動板基板１ａは、面方位（１１０）の単結晶シリコン基板で、上記振動板１、個々の上記ノズル孔１１や上記ノズル孔２１に対応して液やインク液滴が加圧される上記液室１２や上記インク液室２２、共通液室１３や共通インク液室２３、液流路１４やインク液流路２４が異方性エッチングにより形成され、上記インク液室１２や上記インク液室２２と上記共通液室１３や上記共通インク液室２３は上記液流路１４や上記インク液流路２４によって連通されている。
ノズル板１１ａやノズル板２１ａは、ガラス板，金属板又はシリコン板で、上記ノズル孔１１や上記ノズル孔２１と液供給路１５やインク液供給路２５が形成されている。
更に、上記振動板１の表面上、上記振動板基板１ａの表面上、上記インク液室１２の表面上、上記共通液室１３の表面上、上記インク液流路１４の表面上にはインク液滴に対する耐腐食性の膜の上記耐腐食性薄膜４が形成されている。
【００１０】
上記振動板撓み発生防止手段５は、上記耐腐食性薄膜４を成膜時のボトムカバレージが良く制御性も良く酸素原子を含有させることが出来るスパッタ法、ＣＶＤ法，酸化法により形成され、応力で上記振動板１の撓みの発生を緩和又は防止する、内部応力が少なくとも引っ張り応力（tensile stress）、又は、１．０Ｅ１０ｄｙｎｅ／ｃｍ2以下の圧縮応力（compressive stress）をもつ単層の薄膜、或いは、微少穴のピンホール等によるインク液滴漏洩等による作動不良を防止するため順次積層された積層膜等であって、作動不良が抑制出来るように好ましくは抵抗率が１．０Ｅ−３Ωｃｍ以上の量産性に優れた窒化チタン薄膜４ａ、又は、量産性に優れた酸化シリコン薄膜４ｂ、又は、耐腐食性に優れ膜応力の制御が容易なジルコニウム薄膜４ｃ、又は、耐腐食性に優れ膜応力の制御が容易な窒化ジルコニウム等のジルコニウム化合物薄膜４ｄ、又は、圧縮応力と引っ張り応力の応力方向の異なる２層以上の異応力複数層薄膜４ｅ、又は、上記振動板１上に形成した上記耐腐食性薄膜４と同等の応力を有して上記振動板１下に形成した同等応力薄膜４ｆ、又は、上記耐腐食性薄膜４の膜厚分布が均一で引っ張り応力の膜厚均一薄膜４ｇである。
上記電極基板２は、ｎ型、又は、ｐ型の単結晶シリコン基板である。通常は，面配向（１００）の単結晶シリコン基板を用いられるが、プロセスに応じて面方位（１１０）、又は、面方位（１１１）の単結晶シリコン基板を用いても何ら問題は無い。
上記電極３は、単結晶シリコン基板の上記電極基板２上の酸化シリコン膜２ａの凹部２ｂ内に形成された高融点金属からなり、上記振動板１を振動して作動するための電圧が印加される。
上記電極３は、上記電極基板２と互いに絶縁分離されており、反応性スパッタ法、ＣＶＤ法等によって形成したチタン、タングステン、タンタル等の高融点金属とその窒化物、或いはそれらの化合物、或いはそれらの積層構造、望ましくは窒化チタン又は、酸化シリコン膜２ａ上に順次形成されるチタン、窒化チタンの積層構造からなる振動して作動させる電極であって、単結晶シリコン基板の上記電極基板２を熱酸化することにより形成した上記シリコン酸化膜２ａの上記凹部２ｂ内に配置されている。
【００１１】
上記凹部２ｂは、上記振動板１と上記電極３間に上記空隙６を形成するためのものであって、上記空隙６を介して上記振動板１と対向した上記電極３に電圧を印加することで静電引力を発生させる。
パッド部２ｃは、上記電極３の電極パッド３ａに対して外部から電圧を印加する図示しないＰＰＣやワイヤーボンデイング等の実装を行うためのものである。従って、簡単な応力の構成で、駆動中に充放電電流のみの省資源で低消費電力で、上記振動板撓み発生防止手段５により上記耐腐食性薄膜４の形成された上記振動板１の座屈して撓む作動不良の発生を防止して、耐腐食に優れ、歩留まりが向上して低コストの上記静電アクチュエータ０及びそれを具備する上記静電型マイクロポンプ１０やそれを具備する上記インクジェット記録ヘッド２０を提供することが出来るようになった。
【００１２】
図５乃至図２２は、本発明の実施形態に係る、上記静電アクチュエータ０及びその上記静電アクチュエータ０を具備する上記静電型マイクロポンプ１０やその上記静電アクチュエータ０を具備する上記インクジェット記録ヘッド２０の製造方法を示す図である。
静電力により振動して作動する上記耐腐食性薄膜４からなる上記静電アクチュエータ０及びその上記静電アクチュエータ０を具備する上記静電型マイクロポンプ１０やその上記静電アクチュエータ０を具備する上記インクジェット記録ヘッド２０は、
図５と図６において、最初に、面配向（１００）、（１１１）、又は、（１１０）のｐ型、又は、ｎ型の単結晶シリコン基板の上記電極基板２上に熱酸化法により上記酸化シリコン膜２ａを形成する酸化シリコン膜形成工程（ａ）と、
図７と図８において、次に、通常のフォトリソグラフィとドライエッチング法、又は、ウェットエッチング法で行うエッチングは、上記酸化シリコン膜２ａに上記電極３の領域と上記パッド３ａの領域を規定するパターニング工程（ｂ）と、
図９と図１０において、上記パターニング工程（ｂ）でパターニングされた上記酸化シリコン膜２ａ上に反応性スパッタ法、ＣＶＤ法等によって形成したチタン、タングステン、タンタル等の高融点金属とその窒化物、或いはそれらの化合物、或いはそれらの積層構造、望ましくは窒化チタンを順次形成される窒化チタンを全面に成膜して上記電極３を形成する電極形成工程（ｃ）と、
図１１と図１２において、高融点金属の上記電極３上にＣＶＤ法、スパッタ法、蒸着法等によって形成した絶縁物３ｂ、望ましくは酸化シリコンを形成する絶縁物形成工程（ｄ）と、
図１３と図１４において、上記絶縁物３ｂをエッチングマスクとして高融点金属の上記電極３をエッチングしパターニングして上記電極基板２を完成する電極基板完成工程（ｅ）と、
図１５と図１６において、次に，伝導型がｐ型、又は、ｎ型、面方位（１１０）の単結晶シリコン基板の上記振動板基板１ａの片面に上記振動板１の膜厚に等しくなる深さまでｐ型、或いは、ｎ型の伝導型を示す不純物を１Ｅ１９／ｃｍ3以上拡散させた拡散領域１ａ1と、更に、上記拡散領域１ａ1と反対の面に、上記静電アクチュエータ０を具備する上記静電型マイクロポンプ１０や上記静電アクチュエータ０を具備する上記インクジェット記録ヘッド２０の上記ノズル孔１１や上記ノズル孔２１と上記液室１２上記インク液室２２とを規定する酸化シリコン或いは，窒化シリコン，五酸化タンタル等の単結晶シリコンのエッチングマスタパターンを形成した上記振動板基板１ａと上記電極基板２とアライメントして５００℃前後の温度で接合した後、８００℃以上の熱処理を行う接合精度が良い直接接合法で接合する接合工程（ｆ）と、
又は、上記振動板基板１ａと上記電極基板２とをアライメント接合した後にエッチングマスクパターンを形成しても良い。
更に、面方位（１１０）単結晶シリコン基板の上にシリコン酸化膜を介し，上記振動板１の膜厚に等しい単結晶薄膜シリコンが形成されているＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板と上記電極基板２を直接接合しても良い。この場合においても，単結晶シリコン薄膜と反対の面に、上記静電アクチュエータ０を具備する上記静電型マイクロポンプ１０や上記静電アクチュエータ０を具備する上記インクジェット記録ヘッド２０の上記ノズル孔１１や上記ノズル孔２１と上記液室１２や上記インク液室１２を規定する酸化シリコン膜，窒化シリコン膜，五酸化タンタル等の単結晶シリコンエッチングマスタパターンをあらかじめ形成した後に上記電極基板２と直接接合しても良い。
【００１３】
図１７と図１８において、次に、上記接合工程（ｆ）で上記振動板基板１ａと上記電極基板２を直接接合して、単結晶シリコンエッチングマスタパターンが形成された側からＫＯＨ、ＴＭＡＨ等によって異方性エッチングして、この時、高濃度に不純物を含む上記拡散領域１ａ1でエッチングは自発的に停止して上記振動板１を形成する振動板形成工程（ｇ）と、
ＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板を用いて異方性エッチングした場合は、酸化シリコン膜上でエッチングは停止する。尚、この時，前記、酸化シリコン膜を除去しても何ら問題はない。
【００１４】
図１９と図２０において、次に、上記振動板基板１ａ表面と上記振動板１の全面にわたり同時にインク液滴に対する耐腐食性の上記耐腐食性薄膜４を形成する耐腐食性薄膜形成工程（ｈ）と、
上記振動板撓み発生防止手段５は、上記耐腐食性薄膜４を成膜時のボトムカバレージが良く制御性も良く酸素原子を含有させることが出来る、且つ、安価に形成できるスパッタ法、ＣＶＤ法，酸化法により形成され、応力で上記振動板１の撓みの発生を緩和又は防止する、内部応力が少なくとも引っ張り応力（tensile stress）、又は、１．０Ｅ１０ｄｙｎｅ／ｃｍ2以下の圧縮応力（compressive stress）をもつ単層の薄膜、或いは、順次積層された積層膜であって、好ましくは抵抗率が１．０Ｅ−３Ω・ｃｍ以上の上記窒化チタン薄膜４ａ、又は、上記酸化シリコン薄膜４ｂ、又は、上記ジルコニウム薄膜４ｃ、又は、窒化ジルコニウム等の上記ジルコニウム化合物薄膜４ｄ、又は、応力を緩和する上記応力緩和薄膜４ｅ、又は、同等の応力を有する上記同等応力薄膜４ｆである。
【００１５】
図２１と図２２において、上記ノズル板１１ａや上記ノズル板２１ａは、ガラス板や金属板からなる基板上部にサンドブラスト加工やレーザー加工で、インク液供給用の上記インク液供給路１５が形成されて張り付けられ、上記電極パッド３ａの上部領域の上記耐腐食性薄膜４、上記振動板１、上記絶縁物３ｂをエッチング除去するノズル板形成工程（ｉ）で製造される。
従って、取り扱い中の上記振動板１の破壊が防止され、上記耐腐食性薄膜４が形成された上記振動板１の座屈して撓む作動不良の発生を防止して、耐腐食に優れ、歩留まりが大幅に向上して低コストの上記静電アクチュエータ０及び上記静電アクチュエータ０を具備する上記静電型マイクロポンプ１０や上記静電アクチュエータ０を具備する上記インクジェット記録ヘッド２０の製造方法を提供することが出来るようになった。
上記振動板基板１ａは、各上記ノズル孔１１や各上記ノズル孔２１に対応して、異方性エッチングにより形成される上記液室１２や上記インク液室２２と、上記液室１２や上記インク液室２２へ液体やインク液を供給するための上記共通液室１３や上記共通インク液室２３が形成され，両者は異方性エッチングで形成した上記液流路１４や上記インク液流路２４で連通され、各々の表面には上記耐腐食性薄膜４が形成された構造となる。
静電力により振動して作動する上記耐腐食性薄膜４からなる上記静電アクチュエータ０及び上記静電アクチュエータ０を具備する上記静電型マイクロポンプ１０や上記静電アクチュエータ０を具備する上記インクジェット記録ヘッド２０の上記電極３に上記電極パッド３ａを介して電圧を印加すると、上記振動板１と上記電極３との間に静電力が働き、上記振動板１は上記電極３方向に撓み、上記液室１２や上記インク液室２２は引圧となり液体やインク液を供給のための上記液流路１４や上記インク液流路２４を経て上記共通液室１３や上記共通インク液室２３から液体やインク液が供給される。
上記電極３への上記電極パッド３ａを介しての電圧を切ると、上記振動板１の剛性によって元の位置へ戻り、この時、上記液室１２や上記インク液室２２内は加圧され上記ノズル孔１１や上記ノズル孔２１を経て、上記振動板基板１ａに対して法線方向の図示の矢印Ａ方向、又は、上記ノズル孔１１や上記ノズル孔２１の方向を変更する事で上記振動板基板１ａに対して水平方向の図示の矢印Ｂ方向に液滴やインク液滴は吐出される。
【００１６】
図２３において、静電力により振動して作動する上記耐腐食性薄膜４からなる上記静電アクチュエータ０及び上記静電アクチュエータ０を具備する上記静電型マイクロポンプ１０や上記静電アクチュエータ０を具備する上記インクジェット記録ヘッド２０において、上記振動板撓み発生防止手段５は、液滴やインク液滴に対する上記耐腐食性薄膜４を上記窒化チタン薄膜４ａと上記ジルコニウム薄膜４ｃを用いて内部応力を種々変化させた時、１Ｅ１９／ｃｍ3以上ボロン不純物が導入された厚さ２μｍの上記振動板１が挫屈し撓みが発生するかどうかと液体やインク液滴吐出噴射特性を評価した。
その結果、上記振動板撓み発生防止手段５は、応力で上記振動板１の撓みの発生を緩和又は防止する、上記耐腐食性薄膜４の上記窒化チタン薄膜４ａや上記ジルコニウム薄膜４ｃの内部応力が少なくとも引っ張り応力（tensile stress）、若しくは、１Ｅ１０ｄｙｎｅ／ｃｍ2以下の圧縮応力（compressive stress）であれば、上記振動板１は挫屈による撓みは発生せず噴射特性も良好であった。
一方、２Ｅ１０ｄｙｎｅ／ｃｍ2以上もの圧縮応力では、上記振動板１は挫屈を生じ撓みが発生し、インク液滴が吐出しないといった噴射不良が発生した。
【００１７】
図２４において、上記耐腐食性薄膜４として上記窒化チタン薄膜４ａを用いた時に、上記窒化チタン薄膜４ａの抵抗率とインク液滴に対する耐腐食性を評価した。
その結果は、上記耐腐食性薄膜４の上記窒化チタン薄膜４ａの抵抗率が１Ｅ−３Ω・ｃｍ以上ではインク液滴に対して耐腐食性を示すのに対して、それ未満の抵抗率ではインク液滴に対して腐食が観察された。
【００１８】
図２５乃至図２８において、静電力により振動して作動する振動板撓み発生防止手段１０５である単層の耐腐食性薄膜１０４の窒化チタン薄膜１０４ａからなる静電アクチュエータ００及び上記静電アクチュエータ００を具備する静電型マイクロポンプ１１０や上記静電アクチュエータ００を具備するインクジェット記録ヘッド１２０は、上記酸化シリコン膜形成工程（ａ）〜上記ノズル板形成工程（ｉ）で製造される（図５乃至図２２を参照）。
電極基板１０２は、面方位（１００）、抵抗率１０〜３０Ω・ｃｍのｐ単結晶シリコン基板である。
電極１０３は、上記電極基板１０２の単結晶シリコン基板上の厚さ2μｍの熱酸化法によって形成した酸化シリコン膜１０２ａに形成した深さ０．４μｍの凹部１０２ｂ内に配置され、更に、反応性スパッタ法によって順次上記酸化シリコン膜１０２ａ上に形成した窒化チタンであって互いに絶縁分離されている。
上記電極１０３である上記窒化チタン上には、プラズマＣＶＤ法により形成した厚さ１５０ｎｍの酸化シリコン膜の絶縁物１０３ｂを形成し、酸化シリコン膜の上記絶縁物１０３ｂは、振動板１０１と上記電極１０３の絶縁を確保するための物である。
上記電極基板１０２のパッド部１０２ｃは、酸化シリコン膜の上記絶縁物１０３ｂをエッチング除去されている領域であって，上記電極１０３に電極パッド１０３ａを介して、上記振動板１０１を振動して作動させる電圧を印加する領域である。
振動板基板１０１ａは、面方位（１１０）の単結晶シリコン基板をＫＯＨで異方性エッチングして形成した、ボロン不純物原子を１Ｅ２０／ｃｍ3以上含む膜厚２μｍの上記振動板１０１が、空隙１０６内にある酸化シリコン膜の上記絶縁物１０３ｂを介して上記電極１０３に対向して配置されている。
上記振動板基板１０１ａは、面方位（１１０）の単結晶シリコン基板をＫＯＨで異方性エッチングして形成した、液室１１２やインク液室１２２と、上記液室１１２や上記インク液室１２２へインク液体を供給する共通液室１１３や共通インク液室１２３が形成され、上記液室１１２や上記インク液室１２２と上記共通液室１１３や上記共通インク液室１２３の両者が液流路１１４やインク液流路１２４によって連通されている。
上記振動板基板１０１ａの表面上、上記振動板１０１の表面上、上記液室１１２の表面上や上記インク液室１２２の表面上、上記共通液室１１３の表面上や上記共通インク液室１２３の表面上、上記液流路１１４の表面上や上記インク液流路１２４の表面上には液体やインク液に対する耐腐食性の薄膜である上記耐腐食性薄膜１０４である上記窒化チタン薄膜１０４ａが、成膜時のボトムカバレージが良く制御性も良く酸素原子を含有させることが出来るスパッタ法、ＣＶＤ法，酸化法により厚さ１０００Åで形成されている。
【００１９】
上記振動板撓み発生防止手段１０５は、上記耐腐食性薄膜１０４である上記窒化チタン薄膜１０４ａであって、内部応力は１Ｅ０８ｄｙｎｅ／ｃｍ２、引っ張り応力（tensile stress）で、抵抗率が６．０Ｅ−３Ω・ｃｍの薄膜である。ノズル板１１１ａやノズル板１２１ａは、ガラス板からなり、サンドブラスト加工でインク液供給用の液供給路１１５やインク液供給路１２５とノズル孔１１１やノズル孔１２１が形成されて、上記液室１１２や上記インク液室１２２の上に張り付けられている。静電力により振動して作動する上記振動板撓み発生防止手段１０５である単層の上記耐腐食性薄膜１０４の上記窒化チタン薄膜１０４ａからなる上記静電アクチュエータ００及び上記静電アクチュエータ００を具備する上記静電型マイクロポンプ１１０や上記静電アクチュエータ００を具備する上記インクジェット記録ヘッド１２０においては、上記振動板１０１を電気的に接地し、更に，上記電極パッド１０３ａを介して、上記電極１０３に電圧を印加すると、一定周波数で上記振動板１０１が振動して作動した。上記電極パッド１０３ａを介して上記電極１０３に電圧を印加すると、電圧を印加した時、上記振動板１０１と上記電極１０３間に静電引力が働き、上記振動板１０１は上記電極１０３方向に引かれた。この時、上記振動板撓み発生防止手段１０５は、上記耐腐食性薄膜１０４である上記窒化チタン薄膜１０４ａによる上記振動板１０１の挫屈による撓みは発生せず、静電引力により上記電極１０３側に十分引かれた。その結果、上記液室１１２や上記インク液室１２２は引圧となり、液体やインク液供給のための上記液流路１１４や上記インク液流路１２４を経て上記共通液室１１３や上記共通インク液室１２３から上記液室１１２や上記インク液室１２２へ液体やインク液が供給された。上記電極パッド１０３ａを介して上記電極１０３に印加される電圧の周波数に対応して、上記振動板１０１はシリコンの剛性により元の位置へと戻り、この時上記液室１１２や上記インク液室１２２は加圧され，上記ノズル孔１１１や上記ノズル孔１２１を経て液滴やインク滴が、図示の矢印Ｂ方向へ安定して吐出した。更に、この状態で液滴やインク滴による信頼性試験を行った結果、抵抗率を制御した上記耐腐食性薄膜１０４である上記窒化チタン薄膜１０４ａは耐腐食性が十分あることが確認された。
【００２０】
図２９乃至図３２において、静電力により振動して作動する振動板撓み発生防止手段２０５である単層の耐腐食性薄膜２０４のジルコニウム薄膜２０４ｃからなる静電アクチュエータ２００及び上記静電アクチュエータ２００を具備する静電型マイクロポンプ２１０や上記静電アクチュエータ２００を具備する上記インクジェット記録ヘッド２２０は、上記酸化シリコン膜形成工程（ａ）〜上記ノズル板形成工程（ｉ）で製造される（図５乃至図２２を参照）。
電極基板２０２は、面方位（１００）、抵抗率１０〜３０Ω・ｃｍのｐ単結晶シリコン基板である。
電極２０３は、上記電極基板２０２の単結晶シリコン基板上の厚さ2μｍの熱酸化法によって形成した酸化シリコン膜２０２ａに形成した深さ０．４μｍの凹部２０２ｂ内に配置され、更に、反応性スパッタ法によって順次上記酸化シリコン膜２０２ａ上に形成した窒化チタンであって互いに絶縁分離されている。
上記電極２０３である窒化チタン上には、プラズマＣＶＤ法により形成した厚さ１５０ｎｍの酸化シリコン膜の絶縁物２０３ｂを形成し、酸化シリコン膜の上記絶縁物２０３ｂは、振動板２０１と上記電極２０３の絶縁を確保するためのものである。
上記電極基板２０２のパッド部２０２ｃは、酸化シリコン膜の上記絶縁物２０３ｂをエッチング除去されている領域であって，上記電極２０３に電極パッド２０３ａを介して、上記振動板２０１を振動して作動させる電圧を印加する領域である。
振動板基板２０１ａは、面方位（１１０）の単結晶シリコン基板をＫＯＨで異方性エッチングして形成した、ボロン不純物原子を１Ｅ２０／ｃｍ3以上含む膜厚２μｍの上記振動板２０１が、空隙２０６内にある酸化シリコン膜の上記絶縁物２０３ｂを介して上記電極２０３に対向して配置されている。
上記振動板基板２０１ａは、面方位（１１０）の単結晶シリコン基板をＫＯＨで異方性エッチングして形成した、液室２１２やインク液室２２２と、上記液室２１２や上記インク液室２２２へ液体やインク液を供給する共通液室２１３や共通インク液室２２３が形成され、上記液室２１２や上記インク液室２２２と上記共通液室２１３や上記共通インク液室２２３の両者が液流路２１４やインク液流路２２４によって連通されている。
上記振動板基板２０１ａの表面上、上記振動板２０１の表面上、上記液室２１２や上記インク液室２２２の表面上、上記共通液室２１３のや上記共通インク液室２２３の表面上、上記液流路２１４や上記インク液流路２２４の表面上には液体やインク液に対する耐腐食性の薄膜である上記耐腐食性薄膜２０４である上記ジルコニウム薄膜２０４ｃがスパッタ法により厚さ１０００Åで形成されている。
【００２１】
上記振動板撓み発生防止手段２０５は、上記耐腐食性薄膜２０４である上記ジルコニウム薄膜２０４ｃの内部応力は−５．０E０９ｄｙｎｅ／ｃｍ2圧縮応力（compressive stress）である。
ノズル板２１１ａやノズル板２２１ａは、ガラス板からなり、サンドブラスト加工で液体やインク液供給用の液供給路２１５やインク液供給路２２５とノズル孔２１１やノズル孔２２１が形成されて、上記インク液室２１２の上に張り付けられている。
静電力により振動して作動する上記振動板撓み発生防止手段２０５である単層の上記耐腐食性薄膜２０４の上記ジルコニウム薄膜２０４ｃからなる上記静電アクチュエータ２００及び上記静電アクチュエータ２００を具備する上記静電型マイクロポンプ２１０や上記静電アクチュエータ２００を具備する上記インクジェット記録ヘッド２２０においては、上記振動板２０１を電気的に接地し、更に、上記電極パッド２０３ａを介して、上記電極２０３に電圧を印加すると、一定周波数で上記振動板２０１が振動して作動した。
上記電極パッド２０３ａを介して上記電極２０３に電圧を印加すると、電圧を印加した時、上記振動板２０１と上記電極２０３間に静電引力が働き、上記振動板２０１は上記電極２０３方向に引かれた。
この時、上記振動板撓み発生防止手段２０５は、上記耐腐食性薄膜２０４である上記ジルコニウム薄膜２０４ｃによる上記振動板２０１の挫屈による撓みは発生せず、静電引力により上記電極２０３側に十分引かれた。
その結果、上記液室２１２や上記インク液室２２２は引圧となり、液体やインク液供給のための上記液流路２１４や上記インク液流路２２４を経て上記共通液室２１３や上記共通インク液室２２３から上記液室２１２や上記インク液室２２２へ液体やインク液が供給された。
上記電極パッド２０３ａを介して上記電極２０３に印加される電圧の周波数に対応して、上記振動板２０１はシリコンの剛性により元の位置へと戻り、この時上記液室２１２や上記インク液室２２２は加圧され，上記ノズル孔２１１や上記ノズル孔２２１を経て液滴やインク液滴が、図示の矢印Ｂ方向へ安定して吐出した。更に、この状態で液滴やインク液滴による信頼性試験を行った結果、抵抗率を制御した上記耐腐食性薄膜２０４である上記ジルコニウム薄膜２０４ｃは耐腐食性が十分あることが確認された。
【００２２】
図３３乃至図３６において、静電力により振動して作動する振動板撓み発生防止手段３０５である積層の耐腐食性薄膜３０４の酸化シリコン薄膜３０４ｂと窒化チタン３０４ａからなる静電アクチュエータ３００及び上記静電アクチュエータ３００を具備する静電型マイクロポンプ３１０や上記静電アクチュエータ３００を具備するインクジェット記録ヘッド３２０は、上記酸化シリコン膜形成工程（ａ）〜上記ノズル板形成工程（ｉ）で製造される（図５乃至図２２を参照）。電極基板３０２は、面方位（１００）、抵抗率１０〜３０Ω・ｃｍのｐ単結晶シリコン基板である。
電極３０３は、上記電極基板３０２の単結晶シリコン基板上の厚さ2μｍの熱酸化法によって形成した酸化シリコン膜３０２ａに形成した深さ０．４μｍの凹部３０２ｂ内に配置され、更に、反応性スパッタ法によって順次上記酸化シリコン膜３０２ａ上に形成した窒化チタンであって互いに絶縁分離されている。
上記電極３０３である窒化チタン上には、プラズマＣＶＤ法により形成した厚さ１５０ｎｍの酸化シリコン膜の絶縁物３０３ｂを形成し、酸化シリコン膜の上記絶縁物３０３ｂは、振動板３０１と上記電極３０３の絶縁を確保するための物である。
上記電極基板３０２のパッド部３０２ｃは、酸化シリコン膜の上記絶縁物３０３ｂをエッチング除去されている領域であって，上記電極３０３に電極パッド３０３ａを介して、上記振動板３０１を振動して作動させる電圧を印加する領域である。
振動板基板３０１ａは、面方位（１１０）の単結晶シリコン基板をＫＯＨで異方性エッチングして形成した、ボロン不純物原子を１Ｅ２０／ｃｍ3以上含む膜厚２μｍの上記振動板３０１が、空隙３０６である酸化シリコン膜の上記絶縁物３０３ｂを介して上記電極３０３に対向して配置されている。
【００２３】
上記振動板基板３０１ａは、面方位（１１０）の単結晶シリコン基板をＫＯＨで異方性エッチングして形成した、液室３１２やインク液室３２２と、上記液室３１２や上記インク液室３２２へ液体やインク液を供給する共通液室３１３や共通液室３２３が形成され、上記液室３１２や上記インク液室３２２と上記共通液室３１３や上記共通インク液室３２３の両者が液流路３１４やインク液流路３２４によって連通されている。上記振動板基板３０１ａの表面上、上記振動板３０１の表面上、上記液室３１２や上記インク液室３２２の表面上、上記共通液室３１３や上記共通インク液室３２３の表面上、上記液流路３１４や上記インク液流路３２４の表面上には液体やインク液に対する耐腐食性の薄膜である上記耐腐食性薄膜３０４である熱酸化法によって形成した厚さ５００Åの上記酸化シリコン薄膜３０４ｂと、スパッタ法により形成した１０００Åの上記窒化チタン薄膜３０４ａが順次に形成されている。この時、上記振動板撓み発生防止手段３０５である積層の上記耐腐食性薄膜３０４は上記酸化シリコン薄膜３０４ｂと上記窒化チタン薄膜３０４ａであって、共に引っ張り応力（tensile stress）を有している。各々の膜応力については、上記酸化シリコン薄膜３０４ｂが１．０Ｅ０８ｄｙｎｅ／ｃｍ２で、上記窒化チタン薄膜３０４ａが１．０Ｅ０９ｄｙｎｅ／ｃｍ２である。又、このときの上記窒化チタン薄膜３０４ａの抵抗率は１．０Ｅ−２Ω・ｃｍである。ノズル板３１１ａやノズル板３２１ａは、ガラス板からなり、サンドブラスト加工で液体やインク液供給用の液供給路３１５やインク液供給路３２５とノズル孔３１１やノズル孔３２１が形成されて、上記液室３１２や上記インク液室３２２の上に張り付けられている。
【００２４】
静電力により振動して作動する上記振動板撓み発生防止手段３０５である積層の上記耐腐食性薄膜３０４の上記酸化シリコン薄膜３０４ｂと上記窒化チタン薄膜３０４ａからなる上記静電アクチュエータ３００及び上記静電アクチュエータ３００を具備する静電型マイクロポンプ３１や上記静電アクチュエータ３００を具備する上記インクジェット記録ヘッド３２０においては、上記振動板３０１を電気的に接地し、更に、上記電極パッド３０３ａを介して、上記電極３０３に電圧を印加すると、一定周波数で上記振動板３０１が振動して作動した。
上記電極パッド３０３ａを介して上記電極３０３に電圧を印加すると、電圧を印加した時、上記振動板３０１と上記電極３０３間に静電引力が働き、上記振動板３０１は上記電極３０３方向に引かれた。
この時、上記振動板撓み発生防止手段３０５は、上記耐腐食性薄膜３０４である上記酸化シリコン薄膜３０４ｂと順次形成された上記窒化チタン薄膜３０４ａによる上記振動板３０１の挫屈による撓みは発生せず、静電引力により上記電極３０３側に十分引かれた。
その結果、上記液室３１２や上記インク液室３２２は引圧となり、液体やインク液供給のための上記液流路３１４や上記インク液流路３２４を経て上記共通液室３１３や上記共通インク液室３２３から上記液室３１２や上記インク液室３２２へ液体やインク液が供給された。
上記電極パッド３０３ａを介して上記電極３０３に印加される電圧の周波数に対応して、上記振動板３０１はシリコンの剛性により元の位置へと戻り、この時上記液室３１２や上記インク液室３２２は加圧され，上記ノズル孔３１１や上記ノズル孔３２１を経て液滴やインク滴が、図示の矢印Ｂ方向へ安定して吐出した。
更に、この状態で液滴やインク滴による信頼性試験を行った結果、上記耐腐食性薄膜３０４である上記酸化シリコン薄膜３０４ｂと上記窒化チタン薄膜３０４ａは耐腐食性が十分あることが確認された。
【００２５】
図３７乃至図４０において、静電力により振動して作動する振動板撓み発生防止手段４０５である積層の耐腐食性薄膜４０４の酸化シリコン薄膜４０４ｂとジルコニウム薄膜４０４ｃからなる静電アクチュエータ４００及び上記静電アクチュエータ４００を具備する静電型マイクロポンプ４１０や上記静電アクチュエータ４００を具備するインクジェット記録ヘッド４２０は、上記酸化シリコン膜形成工程（ａ）〜上記ノズル板形成工程（ｉ）で製造される（図５乃至図２２を参照）。
電極基板４０２は、面方位（１００）、抵抗率１０〜３０Ω・ｃｍのｐ単結晶シリコン基板である。
電極４０３は、上記電極基板４０２の単結晶シリコン基板上の厚さ2μｍの熱酸化法によって形成した酸化シリコン膜４０２ａに形成した深さ０．４μｍの凹部４０２ｂ内に配置され、更に、反応性スパッタ法によって順次上記酸化シリコン膜４０２ａ上に形成した窒化チタンであって互いに絶縁分離されている。
上記電極４０３である窒化チタン上には、プラズマＣＶＤ法により形成した厚さ１５０ｎｍの酸化シリコン膜の絶縁物４０３ｂを形成し、酸化シリコン膜の上記絶縁物４０３ｂは、振動板４０１と上記電極４０３の絶縁を確保するためのものである。
上記電極基板４０２のパッド部４０２ｃは、酸化シリコン膜の上記絶縁物４０３ｂをエッチング除去されている領域であって，上記電極４０３に電極パッド４０３ａを介して、上記振動板４０１を振動して作動させる電圧を印加する領域である。
【００２６】
振動板基板４０１ａは、面方位（１１０）の単結晶シリコン基板をＫＯＨで異方性エッチングして形成した、ボロン不純物原子を１Ｅ２０／ｃｍ3以上含む膜厚２μｍの上記振動板４０１が、空隙４０６である酸化シリコン膜の上記絶縁物４０３ｂを介して上記電極４０３に対向して配置されている。
上記振動板基板４０１ａは、面方位（１１０）の単結晶シリコン基板をＫＯＨで異方性エッチングして形成した、液室４１２やインク液室４２２と、上記液室４１２や上記インク液室４２２へ液体やインク液を供給する共通液室４１３や共通インク液室４２３が形成され、上記液室４１２や上記インク液室４２２と上記共通液室４１３や上記共通インク液室４２３の両者が液流路４１４やインク液流路４２４によって連通されている。
上記振動板基板４０１ａの表面上、上記振動板４０１の表面上、上記液室４１２や上記インク液室４２２の表面上、上記共通液室４１３や上記共通インク液室４２３の表面上、上記液流路４１４や上記インク液流路４２４の表面上には液体やインク液に対する耐腐食性の薄膜である上記耐腐食性薄膜４０４である熱酸化法によって形成した厚さ５００Åの上記酸化シリコン薄膜４０４ｂと、スパッタ法により形成した１０００Åの上記ジルコニウム薄膜４０４ｃが順次に形成されている。
この時、上記振動板撓み発生防止手段４０５である積層の上記耐腐食性薄膜４０４の上記酸化シリコン薄膜４０４ｂと上記ジルコニウム薄膜４０４ｃは引っ張り応力（tensile stress）であって、上記酸化シリコン薄膜４０４ｂが１．０Ｅ０８ｄｙｎｅ／ｃｍ2で、上記ジルコニウム薄膜４０４ｃが５．０Ｅ０９ｄｙｎｅ／ｃｍ2であった。
ノズル板４１１ａやノズル板４２１ａは、ガラス板からなり、サンドブラスト加工でインク液供給用の液供給路４１５やインク液供給路４２５とノズル孔４１１やノズル孔４２１が形成されて、上記液室４１２や上記インク液室４２２の上に張り付けられている。
【００２７】
静電力により振動して作動する上記振動板撓み発生防止手段４０５である積層の上記耐腐食性薄膜４０４の上記酸化シリコン薄膜４０４ｂと上記ジルコニウム薄膜４０４ｃからなる上記静電アクチュエータ４００及び上記静電アクチュエータ４００を具備する上記静電型マイクロポンプ４１０や上記静電アクチュエータ４００を具備する上記インクジェット記録ヘッド４２０においては、上記振動板４０１を電気的に接地し、更に、上記電極パッド４０３ａを介して、上記電極４０３に電圧を印加すると、一定周波数で上記振動板４０１が振動して作動した。上記電極パッド４０３ａを介して上記電極４０３に電圧を印加すると、電圧を印加した時、上記振動板４０１と上記電極４０３間に静電引力が働き、上記振動板４０１は上記電極４０３方向に引かれた。
この時、上記振動板撓み発生防止手段４０５は、上記耐腐食性薄膜４０４である上記酸化シリコン薄膜４０４ｂと順次形成された上記ジルコニウム薄膜４０４ｃによる上記振動板４０１の挫屈による撓みは発生せず、静電引力により上記電極４０３側に十分引かれた。
その結果、上記液室４１２や上記インク液室４２２は引圧となり、液体やインク液供給のための上記液流路４１４や上記インク液流路４２４を経て上記共通液室４１３や上記共通インク液室４２３から上記液室４１２や上記インク液室４２２へ液体やインク液が供給された。
上記電極パッド４０３ａを介して上記電極４０３に印加される電圧の周波数に対応して、上記振動板４０１はシリコンの剛性により元の位置へと戻り、この時上記液室４１２や上記インク液室４２２は加圧され、上記ノズル孔４１１や上記ノズル孔４２１を経て液滴やインク滴が、図示の矢印Ｂ方向へ安定して吐出した。
更に、この状態で液滴やインク滴による信頼性試験を行った結果、上記耐腐食性薄膜４０４である上記酸化シリコン薄膜４０４ｂと上記ジルコニウム薄膜４０４ｃは耐腐食性が十分あることが確認された。
【００２８】
図４１乃至図４４において、静電力により振動して作動する振動板撓み発生防止手段５０５である積層の耐腐食性薄膜５０４の窒化チタン薄膜５０４ａとジルコニウム薄膜５０４ｃからなる静電アクチュエータ５００及び上記静電アクチュエータ５００を具備する静電型マイクロポンプ５１０や上記静電アクチュエータ５００を具備するインクジェット記録ヘッド５２０は、上記酸化シリコン膜形成工程（ａ）〜上記ノズル板形成工程（ｉ）で製造される（図５乃至図２２を参照）。
電極基板５０２は、面方位（１００）、抵抗率１０〜３０Ω・ｃｍのｐ単結晶シリコン基板である。
電極５０３は、上記電極基板５０２の単結晶シリコン基板上の厚さ2μｍの熱酸化法によって形成した酸化シリコン膜５０２ａに形成した深さ０．４μｍの凹部５０２ｂ内に配置され、更に、反応性スパッタ法によって順次上記酸化シリコン膜５０２ａ上に形成した窒化チタンであって互いに絶縁分離されている。
上記電極５０３である窒化チタン上には、プラズマＣＶＤ法により形成した厚さ１５０ｎｍの酸化シリコン膜の絶縁物５０３ｂを形成し、酸化シリコン膜の上記絶縁物５０３ｂは、振動板５０１と上記電極５０３の絶縁を確保するためのものである。
上記電極基板５０２のパッド部５０２ｃは、酸化シリコン膜の上記絶縁物５０３ｂをエッチング除去されている領域であって，上記電極５０３に電極パッド５０３ａを介して、上記振動板５０１を振動して作動させる電圧を印加する領域である。
振動板基板５０１ａは、面方位（１１０）の単結晶シリコン基板をＫＯＨで異方性エッチングして形成した、ボロン不純物原子を１Ｅ２０／ｃｍ3以上含む膜厚２μｍの上記振動板５０１が、空隙５０６である酸化シリコン膜の上記絶縁物５０３ｂを介して上記電極５０３に対向して配置されている。
上記振動板基板５０１ａは、面方位（１１０）の単結晶シリコン基板をＫＯＨで異方性エッチングして形成した、液室５１２やインク液室５２２と、上記液室５１２や上記インク液室５２２へ液体やインク液を供給する共通液室５１３や共通インク液室５２３が形成され、上記液室５１２や上記インク液室５２２と上記共通液室５１３や上記共通インク液室５２３の両者が液流路５１４やインク液流路５２４によって連通されている。
【００２９】
上記振動板基板５０１ａの表面上、上記振動板５０１の表面上、上記液室５１２や上記インク液室５２２の表面上、上記共通液室５１３や上記共通インク液室５２３の表面上、上記液流路５１４や上記インク液流路５２４の表面上には液体やインク液に対する耐腐食性の薄膜である上記耐腐食性薄膜５０４であるスパッタ法によって形成した厚さ５００Åの上記窒化チタン薄膜５０４ａと、スパッタ法により順次に形成した厚さ５００Åの上記ジルコニウム薄膜５０４ｃが形成されている。
この時、上記振動板撓み発生防止手段５０５である積層の上記耐腐食性薄膜５０４の上記窒化チタン薄膜５０４ａが７．０Ｅ０８ｄｙｎｅ／ｃｍ2圧縮応力（compressive stress）であって、順次に形成された上記ジルコニウム薄膜５０４ｃが５．０Ｅ０９ｄｙｎｅ／ｃｍ2圧縮応力（tensile stress）であった。上記窒化チタン薄膜５０４ａの抵抗率は、１．３Ｅ−３Ω・ｃｍであった。
ノズル板５１１ａやノズル板５２１ａは、ガラス板からなり、サンドブラスト加工で液体やインク液供給用の液供給路５１５やインク液供給路５２５とノズル孔５１１やノズル孔５２１が形成されて、上記液室５１２や上記インク液室５２２の上に張り付けられている。
静電力により振動して作動する上記振動板撓み発生防止手段５０５である積層の上記耐腐食性薄膜５０４の上記窒化チタン薄膜５０４ａと順次に形成された上記ジルコニウム薄膜５０４ｃからなる上記静電アクチュエータ５００及び上記静電アクチュエータ５００を具備する上記静電型マイクロポンプ５１０や上記静電アクチュエータ５００を具備する上記インクジェット記録ヘッド５２０においては、上記振動板５０１を電気的に接地し、更に、上記電極パッド５０３ａを介して、上記電極５０３に電圧を印加すると、一定周波数で上記振動板５０１が振動して作動した。
【００３０】
上記電極パッド５０３ａを介して上記電極５０３に電圧を印加すると、電圧を印加した時、上記振動板５０１と上記電極５０３間に静電引力が働き、上記振動板５０１は上記電極５０３方向に引かれた。
この時、上記振動板撓み発生防止手段５０５は、上記耐腐食性薄膜５０４である上記窒化チタン薄膜５０４ａと順次に形成された上記ジルコニウム薄膜５０４ｃによる上記振動板５０１の挫屈による撓みは発生せず、静電引力により上記電極５０３方向に十分引かれた。
その結果、上記液室５１２や上記インク液室５２２は引圧となり、液体やインク液供給のための上記液流路５１４や上記インク液流路５２４を経て上記共通液室５１３や上記共通インク液室５２３から上記液室５１２や上記インク液室５２２へ液体やインク液が供給された。
上記電極パッド５０３ａを介して上記電極５０３に印加される電圧の周波数に対応して、上記振動板５０１はシリコンの剛性により元の位置へと戻り、この時上記液室５１２あ上記インク液室５２２は加圧され，上記ノズル孔５１１や上記ノズル孔５２１を経てインク液滴が、図示の矢印Ｂ方向へ安定して吐出した。更に、この状態で液滴やインク滴による信頼性試験を行った結果、上記耐腐食性薄膜５０４である上記窒化チタン薄膜５０４ａと順次に形成された上記ジルコニウム薄膜５０４ｃは耐腐食性が十分あることが確認された。
【００３１】
図４５乃至図４８において、静電力により振動して作動する静電アクチュエータ６００は、静電力により振動して作動する振動板６０１と、上記振動板６０１に対向する電極基板６０２と、上記電極基板６０２上に形成されて上記振動板６０１に空隙６０６を介して対向する電極６０３と、上記振動板６０１を振動して作動するための電圧を印加する上記電極６０３と対向する上記振動板６０１上に耐腐食性の薄膜が形成された耐腐食性薄膜６０４と、上記耐腐食性薄膜６０４の上記振動板６０１の撓みの発生を防止する振動板撓み発生防止手段６０５とからなり、上記振動板撓み発生防止手段６０５は上記耐腐食性薄膜６０４が形成された上記振動板６０１が平坦になるようにして、インク液滴噴射特性等の作動特性のバラツキや不良が抑制され、上記耐腐食性薄膜６０４の形成された上記振動板６０１の座屈して撓む作動不良の発生を防止して、耐インク腐食に優れ、歩留まりが向上して低コストにすることが出来るようになった。
液滴やインク滴を静電力による圧力波で吐出する静電型マイクロポンプ６１０やインクジェット記録ヘッド６２０は、インク液滴を図示の矢印Ｃ方向又は図示の矢印Ｄ方向に吐出するノズル孔６１１やノズル孔６２１と、上記ノズル孔６１１や上記ノズル孔６２１が連通するインク流路の液室６１２やインク液室６２２と、上記液室６１２や上記インク液室６２２の壁面を形成する上記静電アクチュエータ６００の上記振動板６０１に形成された上記耐腐食性薄膜６０４とからなる。
振動板基板６０１ａは、面方位（１１０）の単結晶シリコン基板で、上記振動板６０１、個々の上記ノズル孔６１１や上記ノズル孔６２１に対応して液滴やインク滴が加圧される上記液室６１２や上記インク液室６２２、共通液室６１３や共通インク液室６２３、液流路６１４やインク液流路６２４が異方性エッチングにより形成され、上記液室６１２や上記インク液室６２２と上記共通液室６１３や上記共通液室６２３は上記液流路６１４や上記インク液流路６２４によって連通されている。
ノズル板６１１ａやノズル板６２１ａは、ガラス板、金属板又はシリコン板で、上記ノズル孔６１１や上記ノズル孔６２１と液供給路６１５やインク液供給路６２５が形成されている。
更に、上記振動板６０１の表面上、上記振動板基板６０１ａの表面上、上記液室６１２や上記インク液室６２２の表面上、上記共通液室６１３や上記共通インク液室６２３の表面上、上記液流路６１４や上記インク液流路６２４の表面上には液滴やインク滴に対する耐腐食性の膜の上記耐腐食性薄膜６０４が形成されている。
【００３２】
上記振動板撓み発生防止手段６０５は、上記耐腐食性薄膜６０４を成膜時のボトムカバレージが良く制御性も良く酸素原子を含有させることが出来るスパッタ法、ＣＶＤ法，酸化法により形成された厚さ１０Åから２０００Å、好ましくは１００Å〜１０００Åであって、上記耐腐食性膜６０４を上記振動板６０１上に平坦に形成されて、上記振動板６０１に撓みを生ずることを防止している。
上記振動板撓み発生防止手段６０５の上記耐腐食性薄膜６０４は、単層、或いは、微少穴のピンホール等による液滴やインク滴漏洩等による作動不良を防止しするために、順次積層された積層膜、少なくとも酸素原子を含み、好ましく酸素原子を濃度１％以上含む耐液体や耐インク腐食に優れ、量産性に優れた窒化チタン６０４ａである。
上記電極基板６０２は、ｎ型、又は、ｐ型の単結晶シリコン基板である。通常は，面配向（１００）の単結晶シリコン基板を用いられるが、プロセスに応じて面方位（１１０）、又は、面方位（１１１）の単結晶シリコン基板を用いても何ら問題は無く、又は、シリコン基板の代わりにガラス基板を用いてもよい。
【００３３】
上記電極６０３は、単結晶シリコン基板の上記電極基板６０２上の酸化シリコン膜６０２ａの凹部６０２ｂ内に形成された高融点金属からなり、上記振動板６０１を振動して作動するための電圧が印加される。
上記電極６０３は、上記電極基板６０２と互いに絶縁分離されており、反応性スパッタ法、ＣＶＤ法等によって形成したチタン、タングステン、タンタル等の高融点金属とその窒化物、或いはそれらの化合物、或いはそれらの積層構造、望ましくは窒化チタン又は、上記酸化シリコン膜６０２ａ上に順次形成されるチタン、窒化チタンの積層構造からなる振動して作動させる電極であって、単結晶シリコン基板の上記電極基板６０２を熱酸化することにより形成した上記酸化シリコン膜６０２ａの上記凹部６０２ｂ内に配置されている。上記電極６０３上にＣＶＤ法、スパッタ法、蒸着法等によって絶縁物６０３ｂが形成されている。
上記凹部６０２ｂは、上記振動板６０１と上記電極６０３間に上記空隙６０６を形成するためのものであって、上記空隙６０６を介して上記振動板６０１と対向した上記電極６０３に電圧を印加することで静電引力を発生させる。
パッド部６０２ｃは、上記電極６０３の電極パッド６０３ａに対して外部から電圧を印加する図示しないＰＰＣやワイヤーボンデイング等の実装を行うためのものである。
従って、上記振動板撓み発生防止手段６０５により上記耐腐食性薄膜６０４の形成された上記振動板６０１の座屈して撓む作動不良の発生を防止して、耐液体や耐インク腐食に優れ、歩留まりが向上して低コストの上記静電アクチュエータ６００及び上記静電アクチュエータ６００を具備する上記静電型マイクロポンプ６１０や上記静電アクチュエータ６００を具備する上記インクジェット記録ヘッド６２０を提供することが出来るようになった。
【００３４】
図４９乃至図６６において、上記静電アクチュエータ６００及び上記静電アクチュエータ６００を具備する上記静電型マイクロポンプ６１０や上記静電アクチュエータ６００を具備する上記インクジェット記録ヘッド６２０の製造方法を説明する。
静電力により振動して作動する上記耐腐食性薄膜６０４からなる上記静電アクチュエータ６００及び上記静電アクチュエータ６００を具備する上記静電型マイクロポンプ６１０や上記静電アクチュエータ６００を具備する上記インクジェット記録ヘッド６２０は、
図４９と図５０において、最初に、面配向（１００）、（１１１）、又は、（１１０）のｐ型、又は、ｎ型の単結晶シリコン基板の上記電極基板６０２上に熱酸化法により上記酸化シリコン膜６０２ａを形成する酸化シリコン膜形成工程（ｋ）と、
図５１と図５２において、次に、通常のフォトリソグラフィとドライエッチング法、又は、ウェットエッチング法で行うエッチングは、上記酸化シリコン膜６０２ａに上記電極６０３の領域と上記パッド６０３ａの領域を規定するパターニング工程（ｌ）と、
図５３と図５４において、上記パターニング工程（ｌ）でパターニングされた上記酸化シリコン膜６０２ａ上に反応性スパッタ法、ＣＶＤ法等によって形成したチタン、タングステン、タンタル等の高融点金属とその窒化物、或いはそれらの化合物、或いはそれらの積層構造、望ましくは窒化チタンを順次形成される窒化チタンを全面に成膜して上記電極６０３を形成する電極形成工程（ｍ）と、
図５５と図５６において、高融点金属の上記電極６０３上にＣＶＤ法、スパッタ法、蒸着法等によって形成した上記絶縁物６０３ｂ、望ましくは酸化シリコンを形成する絶縁物形成工程（ｎ）と、
図５７と図５８において、上記絶縁物６０３ｂをエッチングマスクとして高融点金属の上記電極６０３をエッチングしパターニングして上記電極基板６０２を完成する電極基板完成工程（ｏ）と、
図５９と図６０において、次に，伝導型がｐ型、又は、ｎ型、面方位（１１０）の単結晶Ｓｉ基板の上記振動板基板６０１ａの片面に上記振動板６０１の膜厚に等しくなる深さまでｐ型、或いは、ｎ型の伝導型を示す不純物を１Ｅ１９／ｃｍ3以上拡散させた拡散領域６０１ａ1と、更に、上記拡散領域６０１ａ1と反対の面に、上記静電アクチュエータ６００を具備する上記静電型マイクロポンプ６１０や上記静電アクチュエータ６００を具備する上記インクジェット記録ヘッド６２０の上記ノズル孔６１１や上記ノズル孔６２１と上記液室６１２や上記インク液室６２２とを規定する酸化シリコン或いは，窒化シリコン，五酸化タンタル等の単結晶シリコンのエッチングマスタパターンを形成した上記振動板基板６０１ａと上記電極基板６０２とアライメントして５００℃前後の温度で接合した後、８００℃以上の熱処理を行う接合精度が良い直接接合法で接合する接合工程（ｐ）と、
【００３５】
又は、上記振動板基板６０１ａと上記電極基板６０２とをアライメント接合した後にエッチングマスクパターンを形成しても良い。
更に、面方位（１１０）単結晶シリコン基板の上にシリコン酸化膜を介し，上記振動板６０１の膜厚に等しい単結晶薄膜シリコンが形成されているＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板と上記電極基板６０２を直接接合しても良い。
この場合においても，単結晶シリコン薄膜と反対の面に、上記静電アクチュエータ６００を具備する上記静電型マイクロポンプ６１０や上記静電アクチュエータ６００を具備する上記インクジェット記録ヘッド６２０の上記ノズル孔６１１や上記ノズル孔６２１と上記液室６１２や上記インク液室６２２を規定する酸化シリコン膜，窒化シリコン膜，五酸化タンタル等の単結晶シリコンエッチングマスタパターンをあらかじめ形成した後に上記電極基板６０２と直接接合しても良い。ガラス基板を用いた場合は、陽極接合で行う。
【００３６】
図６１と図６２において、次に、上記接合工程（ｐ）で上記振動板基板６０１ａと上記電極基板６０２を直接接合して、単結晶シリコンエッチングマスタパターンが形成された側からＫＯＨ、ＴＭＡＨ等によって異方性エッチングして、この時，高濃度に不純物を含む上記拡散領域６０１ａ1でエッチングは自発的に停止して上記振動板６０１を形成する振動板形成工程（ｑ）と、
ＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板を用いて異方性エッチングした場合は、酸化シリコン膜上でエッチングは停止する。尚、この時，前記、酸化シリコン膜を除去しても何ら問題はない。
【００３７】
図６３と図６４において、次に、上記振動板基板６０１ａ表面と上記振動板６０１の全面にわたり同時にインク液滴に対する耐腐食性の上記耐腐食性薄膜６０４を形成する耐腐食性薄膜形成工程（ｒ）と、
上記振動板撓み発生防止手段６０５は、上記耐腐食性薄膜６０４を成膜時のボトムカバレージが良く制御性も良く酸素原子を含有させることが出来るスパッタ法、ＣＶＤ法、酸化法により上記振動板６０１に形成された単層、或いは、積層膜であって少なくとも酸素原子を含む、望ましくは１．０％以上酸素原子を含む量産性に優れた上記窒化チタン薄膜６０４ａで上記振動板６０１は平坦である。ここで上記耐腐食性薄膜６０４は、液滴やインク滴等に対して耐腐食性を持つ薄膜であれば何れでも良い。
【００３８】
図６５と図６６において、上記ノズル板６１１ａや上記ノズル板６２１ａは、ガラス板や金属板からなる基板上部にサンドブラスト加工やレーザー加工で、液体やインク液供給用の上記液供給路６１５や上記インク液供給路６２５が形成されて張り付けられ、上記電極パッド６０３ａの上部領域の上記耐腐食性薄膜６０４、上記振動板６０１、上記絶縁物６０３ｂをエッチング除去するノズル板形成工程（ｓ）で製造される。
従って、取り扱い中の上記振動板６０１の破壊が防止され、上記耐腐食性薄膜６０４が形成された上記振動板６０１の座屈して撓む作動不良の発生を防止して、耐液体や耐インク腐食に優れ、歩留まりが大幅に向上して低コストの上記静電アクチュエータ６００及び上記静電アクチュエータ６００を具備する上記静電型マイクロポンプ６１０や上記静電アクチュエータ６００を具備する上記インクジェット記録ヘッド６２０の製造方法を提供することが出来るようになった。
上記振動板基板６０１ａは、各上記ノズル孔６１１や上記ノズル孔６２１に対応して、異方性エッチングにより形成される上記液室６１２や上記インク液室６２２と、上記液室６１２や上記インク液室６２２へ液体やインク液体を供給するための上記共通液室６１３や上記共通インク液室６２３が形成され，両者は異方性エッチングで形成した上記液流路６１４や上記インク液流路６２４で連通され、各々の表面には上記耐腐食性薄膜６０４が形成された構造となる。
静電力により振動して作動する上記耐腐食性薄膜６０４からなる上記静電アクチュエータ６００及び上記静電アクチュエータ６００を具備する上記静電型マイクロポンプ６１０や上記静電アクチュエータ６００を具備する上記インクジェット記録ヘッド６２０の上記電極６０３に上記電極パッド６０３ａを介して電圧を印加すると、上記振動板６０１と上記電極６０３との間に静電力が働き、上記振動板６０１は上記電極６０３方向に撓み、上記液室６１２や上記インク液室６２２は引圧となり液体やインク液供給のための上記液流路６１４や上記インク液流路６２４を経て上記共通液室６１３や上記共通インク液室６２３から上記液室６１２や上記インク液室６２２へと液体やインク液が供給される。
上記電極６０３への上記電極パッド６０３ａを介しての電圧を切ると、上記振動板６０１の剛性によって元の位置へ戻り、この時、上記液室６１２や上記インク液室６２２内は加圧され上記ノズル孔６１１や上記ノズル孔６２１を経て、上記振動板基板６０１ａに対して法線方向の図示の矢印Ｃ方向、又は、上記ノズル孔６１１や上記ノズル孔６２１の方向を変更する事で上記振動板基板６０１ａに対して水平方向の図示の矢印Ｄ方向にインク液滴は吐出される。
【００３９】
図６７において、静電力により振動して作動する上記耐腐食性薄膜６０４からなる上記静電アクチュエータ６００及び上記静電アクチュエータ６００を具備する上記静電型マイクロポンプ６１０や上記静電アクチュエータ６００を具備する上記インクジェット記録ヘッド６２０において、液滴やインク滴に対する上記耐腐食性薄膜６０４として窒化チタンを用いた時の１Ｅ１９／ｃｍ3以上ボロン不純物が導入された厚さ２μｍの上記振動板６０１の撓み量とインク液滴の噴射スピードやインク液滴の量の噴射特性のビット間のバラツキを評価した。
その結果、上記耐腐食性薄膜６０４を上記振動板６０１上に形成した時に、上記振動板６０１が平坦でなく撓みが見られた場合、噴射特性のビット間にバラツキを生じ実用上大きな問題となることがわかった。この為、上記耐腐食性薄膜６０４を上記振動板６０１上に順次形成した場合、少しでも上記振動板６０１上に撓みが生じることは好ましくない。この傾向は、液滴やインク滴に対して耐腐食性を持つ薄膜の何れを用いた場合でも同様の結果を示した。
【００４０】
図６８において、次に、上記耐腐食性薄膜６０４として上記窒化チタン薄膜６０４ａを用いた時に、上記窒化チタン薄膜６０４ａ中に含まれる酸素原子濃度と液滴やインク滴に対する耐腐食性を評価した。
その結果は、上記窒化チタン薄膜６０４ａ中に酸素原子が含有していない場合には実用上大きな問題とはならなかったが、液滴やインク滴に対して多少の腐食がみられたのに対し、酸素原子が少なくとも含まれた上記窒化チタン薄膜６０４ａの場合には耐腐食性が向上すことがわかった。更に、１％以上含有している上記窒化チタン薄膜６０４ａの場合には耐腐食性がより向上する事が分かった。このことから、上記耐腐食性薄膜６０４に上記窒化チタン薄膜６０４ａを用いた場合には、少なくとも酸素原子が含まれることが望ましく、酸素原子が１％以上含有された上記窒化チタン薄膜６０４ａの場合には、更に、望ましいことがわかる。
【００４１】
図６９乃至図７２において、静電力により振動して作動する振動板撓み発生防止手段７０５である単層の耐腐食性薄膜７０４の窒化チタン薄膜７０４ａからなる静電アクチュエータ７００及び上記静電アクチュエータ７００を具備する静電型マイクロポンプ７１０や上記静電アクチュエータ７００を具備するインクジェット記録ヘッド７２０は、上記酸化シリコン膜形成工程（ｋ）〜上記ノズル板形成工程（ｓ）で製造される（図４９乃至図６６を参照）。
電極基板７０２は、面方位（１００）、抵抗率１０〜３０Ω・ｃｍのｐ単結晶シリコン基板である。
電極７０３は、上記電極基板７０２の単結晶シリコン基板上の厚さ2μｍの熱酸化法によって形成した酸化シリコン膜７０２ａに形成した深さ０．４μｍの凹部７０２ｂ内に配置され、更に、反応性スパッタ法によって順次上記酸化シリコン膜７０２ａ上に形成した窒化チタンであって互いに絶縁分離されている。
上記電極７０３である上記窒化チタン上には、プラズマＣＶＤ法により形成した厚さ１５０ｎｍの酸化シリコン膜の絶縁物７０３ｂを形成し、酸化シリコン膜の上記絶縁物７０３ｂは、振動板７０１と上記電極７０３の絶縁を確保するための物である。
【００４２】
上記電極基板７０２のパッド部７０２ｃは、酸化シリコン膜の上記絶縁物７０３ｂをエッチング除去されている領域であって，上記電極７０３に電極パッド７０３ａを介して、上記振動板７０１を振動して作動させる電圧を印加する領域である。
振動板基板７０１ａは、面方位（１１０）の単結晶シリコン基板をＫＯＨで異方性エッチングして形成した、ボロン不純物原子を１Ｅ２０／ｃｍ3以上含む膜厚２μｍの上記振動板７０１が、空隙７０６である酸化シリコン膜の上記絶縁物７０３ｂを介して上記電極７０３に対向して配置されている。
上記振動板基板７０１ａは、面方位（１１０）の単結晶シリコン基板をＫＯＨで異方性エッチングして形成した、液室７１２やインク液室７２２と、上記液室７１２や上記インク液室７２２へ液体やインク液を供給する共通液室７１３や共通インク液室７２３が形成され、上記液室７１２や上記インク液室７２２と上記共通液室７１３や上記共通インク液室７２３の両者が液流路７１４やインク液流路７２４によって連通されている。
上記振動板基板７０１ａの表面上、上記振動板７０１の表面上、上記液室７１２や上記インク液室７２２の表面上、上記共通液室７１３や上記共通インク液室７２３の表面上、上記液流路７１４や上記インク液流路７２４の表面上には液体やインク液に対する耐腐食性の薄膜である上記耐腐食性薄膜７０４である上記窒化チタン薄膜７０４ａが、成膜時のボトムカバレージが良く制御性も良く酸素原子を含有させることが出来るスパッタ法、ＣＶＤ法、酸化法により厚さ１０００Åで形成されている。
【００４３】
上記耐腐食性薄膜７０４である上記窒化チタン薄膜７０４ａ中には、酸素原子が約１０％含有している。この時、上記耐腐食性薄膜７０４である上記窒化チタン薄膜７０４が形成された状態で、上記振動板７０１座屈による撓みは全く発生していなかった。
ノズル板７１１ａやノズル板７２１ａは、ガラス板からなり、サンドブラスト加工でインク液供給用の液供給路７１５やインク液供給路７２５とノズル孔７１１やノズル孔７２１が形成されて、上記液室７１２や上記インク液室７２２の上に張り付けられている。
静電力により振動して作動する上記振動板撓み発生防止手段７０５である単層の上記耐腐食性薄膜７０４の上記窒化チタン薄膜７０４ａからなる上記静電アクチュエータ７００及び上記静電アクチュエータ７００を具備する上記静電型マイクロポンプ７１０や上記静電アクチュエータ７００を具備する上記インクジェット記録ヘッド７２０においては、上記振動板７０１を電気的に接地し、更に，上記電極パッド７０３ａを介して、上記電極７０３に電圧を印加すると、一定周波数で上記振動板７０１が振動して作動した。
上記電極パッド７０３ａを介して上記電極７０３に電圧を印加すると、電圧を印加した時、上記振動板７０１と上記電極７０３間に静電引力が働き、上記振動板７０１は酸素原子１０％含有する上記窒化チタン薄膜７０４ａによる上記振動板７０１が平坦で座屈による撓みが発生していないため、静電引力により上記電極７０３側に十分引かれた。
その結果、上記液室７１２や上記インク液室７２２は引圧となり、液体やインク液供給のための上記液流路７１４や上記インク液流路７２４を経て上記共通液室７１３や上記共通インク液室７２３から上記液室７１２や上記インク液室７２２へ液体やインク液が供給された。
上記電極パッド７０３ａを介して上記電極７０３に印加される電圧の周波数に対応して、上記振動板７０１はシリコンの剛性により元の位置へと戻り、この時上記液室７１２や上記インク液室７２２は加圧され、上記ノズル孔７１１や上記ノズル孔７２１を経て液滴やインク滴が、図示の矢印Ｄ方向へ安定して吐出した。
更に、この状態で噴射特性のビット間のバラツキを測定した結果は、非常に均一性の良い噴射特性を得ることが出来るようになった。又、インク液滴による信頼性試験を行った結果、耐腐食性が十分であることが確認された。
【００４４】
図７３乃至図７６において、静電力により振動して作動する振動板撓み発生防止手段８０５である積層の耐腐食性薄膜８０４の窒化チタン薄膜８０４ａの窒化チタン薄膜８０４ａ1と条件を変更した窒化チタン８０４ａ2からなる静電アクチュエータ８００及び上記静電アクチュエータ８００を具備する静電型マイクロポンプ８１０や上記静電アクチュエータ８００を具備するインクジェット記録ヘッド８２０は、上記酸化シリコン膜形成工程（ｋ）〜上記ノズル板形成工程（ｓ）で製造される（図４９乃至図６６を参照）。
電極基板８０２は、面方位（１００）、抵抗率１０〜３０Ω・ｃｍのｐ単結晶シリコン基板である。
電極８０３は、上記電極基板８０２の単結晶シリコン基板上の厚さ2μｍの熱酸化法によって形成した酸化シリコン膜８０２ａに形成した深さ０．４μｍの凹部８０２ｂ内に配置され、更に、反応性スパッタ法によって順次上記酸化シリコン膜８０２ａ上に形成した窒化チタンであって互いに絶縁分離されている。
上記電極８０３である窒化チタン上には、プラズマＣＶＤ法により形成した厚さ１５０ｎｍの酸化シリコン膜の絶縁物８０３ｂを形成し、酸化シリコン膜の上記絶縁物８０３ｂは、振動板８０１と上記電極８０３の絶縁を確保するためのものである。
上記電極基板８０２のパッド部８０２ｃは、酸化シリコン膜の上記絶縁物８０３ｂをエッチング除去されている領域であって，上記電極８０３に電極パッド８０３ａを介して、上記振動板８０１を振動して作動させる電圧を印加する領域である。
【００４５】
振動板基板８０１ａは、面方位（１１０）の単結晶シリコン基板をＫＯＨで異方性エッチングして形成した、ボロン不純物原子を１Ｅ２０／ｃｍ3以上含む膜厚２μｍの上記振動板８０１が、空隙８０６である酸化シリコン膜の上記絶縁物８０３ｂを介して上記電極８０３に対向して配置されている。
上記振動板基板８０１ａは、面方位（１１０）の単結晶シリコン基板をＫＯＨで異方性エッチングして形成した、液室８１２やインク液室８２２と、上記液室８１２や上記インク液室８２２へ液体やインク液を供給する共通液室８１３や共通インク液室８２３が形成され、上記液室８１２や上記インク液室８２２と上記共通液室８１３や共通インク液室８２３の両者が液流路８１４やインク液流路８２４によって連通されている。
上記振動板基板８０１ａの表面上、上記振動板８０１の表面上、上記液室８１２や上記インク液室８２２の表面上、上記共通液室８１３や上記共通インク液室８２３の表面上、上記液流路８１４や上記インク液流路８２４の表面上には液体やインク液に対する耐腐食性の薄膜である上記耐腐食性薄膜８０４である上記窒化チタン薄膜８０４ａの、成膜時のボトムカバレージが良く制御性も良く酸素原子を含有させることが出来るスパッタ法、ＣＶＤ法、酸化法により形成した酸素原子を５％含有する厚さ５００Åの上記窒化チタン薄膜８０４ａ1と、更に、引き続いて条件を変更して、成膜時のボトムカバレージが良く制御性も良く酸素原子を含有させることが出来るスパッタ法、ＣＶＤ法、酸化法により形成した酸素原子を１５％含有する厚さ５００Åの上記窒化チタン薄膜８０４ａ2とが順次に形成されている。
【００４６】
この時、上記振動板撓み発生防止手段８０５である積層の上記耐腐食性薄膜８０４の上記酸化窒化チタン薄膜８０４ａの上記窒化チタン薄膜８０４ａ1と上記窒化チタン薄膜８０４ａ2と形成された状態で、上記振動板８０１の座屈による撓みは全く発生していなかった。
ノズル板８１１ａやノズル板８２１ａは、ガラス板からなり、サンドブラスト加工で液体やインク液供給用の液供給路８１５やインク液供給路８２５とノズル孔８１１やノズル孔８２１が形成されて、上記液室８１２や上記インク液室８２２の上に張り付けられている。
静電力により振動して作動する上記振動板撓み発生防止手段８０５である積層の上記耐腐食性薄膜８０４の上記酸化窒化チタン薄膜８０４ａの上記窒化チタン薄膜８０４ａ1と上記窒化チタン薄膜８０４ａ2とからなる上記静電アクチュエータ８００及び上記静電アクチュエータ８００を具備する上記静電型マイクロポンプ８１０や上記静電アクチュエータ８００を具備する上記インクジェット記録ヘッド８２０においては、上記振動板８０１を電気的に接地し、更に、上記電極パッド８０３ａを介して、上記電極８０３に電圧を印加すると、一定周波数で上記振動板８０１が振動して作動した。
上記電極パッド８０３ａを介して上記電極８０３に電圧を印加すると、電圧を印加した時、上記振動板８０１と上記電極８０３間に静電引力が働き、上記振動板８０１は上記電極８０３方向に引かれた。
【００４７】
この時、上記振動板撓み発生防止手段８０５は、上記耐腐食性薄膜８０４である上記酸化窒化チタン薄膜８０４ａのスパッタ法により形成した酸素原子を５％含有する厚さ５００Åの上記窒化チタン薄膜８０４ａ1と条件を変更してスパッタ法により形成した酸素原子を１５％含有する厚さ５００Åの上記窒化チタン薄膜８０４ａ2による上記振動板８０１が平坦で挫屈による撓みは発生せず、静電引力により上記電極８０３側に十分引かれた。
その結果、上記液室８１２や上記インク液室８２２は引圧となり、液体やインク液供給のための上記液流路８１４や上記インク液流路８２４を経て上記共通液室８１３や上記共通液室８２３から上記液室８１２や上記インク液室８２２へ液体やインク液が供給された。
上記電極パッド８０３ａを介して上記電極８０３に印加される電圧の周波数に対応して、上記振動板８０１はシリコンの剛性により元の位置へと戻り、この時上記液室８１２や上記インク液室８２２は加圧され，上記ノズル孔８１１や上記ノズル孔８２１を経て液滴やインク滴が、図示の矢印D方向へ安定して吐出した。
更に、この状態で噴射特性のビット間のバラツキを測定した結果は、非常に均一性の良い噴射特性を得ることが出来るようになった。又、液滴やインク滴による信頼性試験を行った結果、上記耐腐食性薄膜８０４である上記酸化窒化チタン薄膜８０４ａのスパッタ法により形成した酸素原子を５％含有する厚さ５００Åの上記窒化チタン薄膜８０４ａ1と条件を変更してスパッタ法により形成した酸素原子を１５％含有する厚さ５００Åの上記窒化チタン薄膜８０４ａ2は、耐腐食性が十分あることが確認された。
【００４８】
図７７乃至図８０において、静電力により振動して作動する振動板撓み発生防止手段９０５である耐腐食性薄膜９０４が、簡単な応力の他の構成で、圧縮応力と引っ張り応力の応力方向の異なる２層以上の異応力複数層薄膜９０４ｅからなる静電アクチュエータ９００及び上記静電アクチュエータ９００を具備する静電型マイクロポンプ９１０や上記静電アクチュエータ９００を具備するインクジェット記録ヘッド９２０の上記異応力複数層薄膜９０４ｅは、スパッタ法により形成されて製造される。
上記静電アクチュエータ９００及び上記静電アクチュエータ９００を具備する上記静電型マイクロポンプ９１０や上記静電アクチュエータ９００を具備する上記インクジェット記録ヘッド９２０は、シリコンの振動板９０１、液体やインク液が加圧される液室や９１２やインク液室９２２、共通液室９１３や共通インク液室９２３、液流路９１４やインク液流路９２４が異方性エッチングにより形成された面方位（１１０）の単結晶シリコンの振動板基板９０１ａとノズル孔９１１やノズル孔９２２、液供給路９１５やインク液供給路９２５が形成されたガラス板，金属板、シリコン板等のノズル板９１１ａやノズル板９２１ａと電極基板９０２の部分で構成されている。
上記振動板基板９０１ａである単結晶シリコン基板には上記液室９１２や上記インク液室９２２と個々の上記ノズル９１１や上記ノズル９２１に対応して、静電引力によって駆動するシリコンの上記振動板９０１を形成し、そこへ液体やインク液を供給するための上記共通液室９１３や上記共通インク液室９２３が形成されている。
上記液室９１２や上記インク液室９２２と上記共通液室９１３や上記共通インク液室９２３は上記液流路９１４や上記インク液流路９２４によって連通されている。
更に、上記振動板基板９０１ａと、シリコンの上記振動板９０１表面と上記液室９１２や上記インク液室９２２と上記共通液室９１３や上記共通インク液室９２３と上記液流路９１４や上記インク液流路９２４の液体やインク液が接する表面には、液体やインク液に対して耐腐食性を有する上記異応力複数層薄膜９０４ｅの第１耐腐食性薄膜９０４ｅ1と第２耐腐食性薄膜９０４ｅ2が厚さ１０Åから５０００Å、好ましくは１００Å〜２０００Åであってスパッタ法、ＣＶＤ法，酸化法等により形成された窒化チタン等の金属である。
【００４９】
窒化チタン以外でも耐腐食性を持つ材料で有れば何れでも良い。上記異応力複数層薄膜９０４ｅの各上記第１耐腐食性薄膜９０４ｅ1と上記第２耐腐食性薄膜９０４ｅ2の応力は互いに逆の応力を有している。
つまり、各上記第１耐腐食性薄膜９０４ｅ1が圧縮応力の場合は上記第２耐腐食性薄膜９０４ｅ2の応力は引っ張り応力であって、上記第１耐腐食性薄膜９０４ｅ1が引っ張り応力の場合は上記第２耐腐食性薄膜９０４ｅ2の応力は圧縮応力である。
この様に、上記異応力複数層薄膜９０４ｅの各上記第１耐腐食性薄膜９０４ｅ1と上記第２耐腐食性薄膜９０４ｅ2の応力は互いに逆となるように設定されている。
又、上記異応力複数層薄膜９０４ｅを２層以上の複数層を積層した場合は、各上記第１耐腐食性薄膜９０４ｅ1、上記第２耐腐食性薄膜９０４ｅ2、・・・上記第２耐腐食性薄膜９０４ｅnの応力を各々制御し、ｎ層を積層された上記異応力複数層薄膜９０４ｅの全体として応力を緩和することにより上記振動板９０１の撓みを緩和させる。
又、各上記第１耐腐食性薄膜９０４ｅ1、上記第２耐腐食性薄膜９０４ｅ2、・・・上記第２耐腐食性薄膜９０４ｅnのｎ層した上記異応力複数層薄膜９０４ｅの全体として応力を緩和するばかりでなく、微少欠陥等によるピンホールを抑制することも出来るようになった。
【００５０】
図８１乃至図８４において、静電力により振動して作動する上記振動板撓み発生防止手段９０５である上記耐腐食性薄膜９０４が、簡単な応力の他の構成で、圧縮応力と引っ張り応力の応力方向の異なる２層以上の上記異応力複数層薄膜９０４ｅからなる上記静電アクチュエータ９００及び上記静電アクチュエータ９００を具備する上記静電型マイクロポンプ９１０や上記静電アクチュエータ９００を具備する上記インクジェット記録ヘッド９２０の上記異応力複数層薄膜９０４ｅの積層された互いに異なる応力を持つ耐腐食性薄膜としての窒化チタン薄膜９０４ｅ3の窒化チタン薄膜９０４ｅ31と窒化チタン薄膜９０４ｅ32は、内部応力の制御性に優れ、且つ、安価に形成できるスパッタ法により形成されて製造される。
上記電極基板９０２は、面方位（１００）、抵抗率10〜30Ω・ｃｍのｐ単結晶Ｓｉ基板である。
電極９０３は、上記電極基板９０２上の厚さ２μｍの酸化シリコン膜９０２ａに形成した深さ０．５μｍの凹部３０２ｂ内に配置され、反応性スパッタ法によって順次酸化膜上に形成した厚さ１５０ｎｍの窒化チタンであって互いに絶縁分離されている。
上記酸化シリコン膜９０２ａは、熱酸化法によって形成した。更に、上記電極９０３の窒化チタン上には、プラズマＣＶＤ法により形成した厚さ１５０ｎｍの酸化シリコン膜の絶縁物９０３ｂを形成した。上記絶縁物９０３ｂは、上記振動板９０１と上記電極９０３の絶縁を確保するためのものである。
パッド部９０２ｃは、上記絶縁物９０３ｂがエッチング除去されている領域であって，上記静電型マイクロポンプ９１０や上記インクジェット記録ヘッド９２０に駆動電圧を印加する上記電極９０３の電極パッド９０３ａが形成されたパッド領域である。
【００５１】
面方位（１１０）の単結晶Ｓｉ基板の上記振動板基板９０１ａをＫＯＨで異方性エッチングして形成したボロン不純物原子を１Ｅ２０／ｃｍ3以上含む膜厚２μｍのシリコンの上記振動板９０１が、ギャップスペーサである上記酸化シリコン膜９０２ａを介して空隙９０６を形成して上記電極９０３に対向して配置されている。
面方位（１１０）単結晶Ｓｉ基板の上記振動板基板９０１ａには，ＫＯＨの異方性エッチングで形成した上記液室９１２や上記インク液室９２２と、上記液室９１２や上記インク液室９２２へ液体やインク液を供給する上記共通液室９１３や上記共通インク液室９２３が形成され、上記液室９１２や上記インク液室９２２と上記共通液室９１３や上記共通インク液室９２３の両者が上記液流路９１４や上記インク液流路９２４によって連通されている。
上記振動板基板９０１ａ表面と、上記振動板９０１表面と上記液室９１２や上記インク液室９２２と上記共通液室９１３や上記共通インク液室９２３と上記液流路９１４や上記インク液流路９２４表面には、上記第１耐腐食性薄膜９０４ｅ1に相当する上記窒化チタン薄膜９０４ｅ3の上記窒化チタン薄膜９０４ｅ31をスパッタ法により形成した。上記窒化チタン薄膜９０４ｅ31は、シリコンの上記振動板９０１上での膜厚が５００Åであって、５Ｅ０８dyne/ｃｍ2の圧縮応力である。
更に、シリコンの上記振動板９０１上での厚さが５００Åであって５Ｅ０８dyne/ｃｍ2の引っ張り応力を有する上記第２耐腐食性薄膜９０４ｅ2に相当する上記窒化チタン薄膜９０４ｅ3の上記窒化チタン薄膜９０４ｅ32をスパッタ条件を変更し順次形成した。
この時、上記振動板９０１は、窒化チタン薄膜９０４ｅ31を積層しない場合に比較して、著しく抑制されている事を光干渉を利用した撓み量の観察で確認出来た。
更に、サンドブラスト加工で液体やインク液供給用の上記液供給路９１５や上記インク液供給路９２５と上記ノズル孔９１１や上記ノズル孔９２１が形成されたガラス板の上記ノズル板９１１ａや上記ノズル板９２１ａが上記液室９１２や上記インク液室９２２の上に張り付けられている。
【００５２】
上記静電アクチュエータ９００及び上記静電アクチュエータ９００を具備する上記静電型マイクロポンプ９１０や上記静電アクチュエータ９００を具備する上記インクジェット記録ヘッド９２０において，上記振動板９０１を電気的に接地し、更に，上記電極パッド９０３ａを介して上記電極９０３に駆動電圧を印加し一定周波数で駆動した。
上記電極９０３に駆動電圧を印加したとき、上記振動板９０１と上記電極９０３間には静電引力が働き、上記振動板９０１は撓みが発生していないため、静電引力により上記電極９０３側に十分引かれた。
その結果、上記液室９１２や上記インク液室９２２は、十分に引圧となり液体やインク液供給のための上記液流路９１４や上記インク液流路９２４を経て上記共通液室９１３や上記共通インク液室９２３から上記液室９１２や上記インク液室９２２へ液体やインク液が供給された。
駆動電圧の周波数に対応して上記振動板９０１は、Ｓｉの剛性により元の位置へと戻り、このとき上記液室９１２や上記インク液室９２２は加圧され，上記ノズル孔９１１や上記ノズル孔９２１を経て液体やインク液は図示の矢印Ｅ方向へ安定に吐出された。
更に、この状態で噴射特性のビット間のバラツキを測定した結果は、非常に均一性の良い噴射特性を得ることが出来た。また液体やインク液による信頼性試験を行った結果、耐腐食性が十分あることが確認された。
【００５３】
図８５乃至図８８において、上記振動板基板９０１ａ表面と、シリコンの上記振動板９０１表面と上記液室９１２や上記インク液室９２２と上記共通液室９１３や上記共通インク液室９２３と上記液流路９１４や上記インク液流路９２４の液体やインク液が接する表面には、液体やインク液に対して耐腐食性を有する上記異応力複数層薄膜９０４ｅの上記第１耐腐食性薄膜９０４ｅ1と、上記第１耐腐食性薄膜９０４ｅ1の応力を緩和する為の望ましくは柔軟性に優れる有機系樹脂からなる、簡単な応力の他の構成で、上記異応力複数層薄膜９０４ｅの上記応力緩和薄膜９０４ｅ4が形成されている。
この場合、上記応力緩和薄膜９０４ｅ4の応力は圧縮応力でも引っ張り応力でも何れでも良く、上記応力緩和薄膜９０４ｅ4により応力を緩和することにより上記振動板９０１の撓みを緩和させる。
又、積層した上記第１耐腐食性薄膜９０４ｅ1と上記応力緩和薄膜９０４ｅ4は、応力を緩和するばかりでなく、微少欠陥等によるピンホールを抑制することもできる。
更に、個々の上記ノズル孔９１１や上記ノズル孔９２１に対応して上記液室９１２や上記インク液室９２２を構成しているシリコンの上記振動板９０１は、上記酸化シリコン膜９０２ａをギャップスペーサーとして上記空隙９０６を形成して、上記静電アクチュエータ９００及び上記静電アクチュエータ９００を具備する上記静電型マイクロポンプ９１０や上記静電アクチュエータ９００を具備する上記インクジェット記録ヘッド９２０を駆動するための電圧を印加する上記電極９０３に対向して各々配置されている。
【００５４】
図示の矢印Ｅは、上記ノズル孔９１１や上記ノズル孔９２１の配置方向によって決まる液体やインク液の吐出方向である。
上記電極基板９０２は、ｎ型、又は、ｐ型の単結晶のシリコン基板であって、通常は，面配向（１００）の単結晶のＳｉ基板を用いるが、プロセスに応じて面方位（１１０）、又は、面方位（１１１）)の単結晶のシリコン基板を用いても何ら問題は無い。又は、シリコン基板の代わりにガラス基板を用いてもよい。
上記電極９０３は、単結晶のシリコン基板の上記電極基板９０２上の上記酸化シリコン膜９０２ａの上記凹部９０２ｂ内に形成された上記静電アクチュエータ９００及び上記静電アクチュエータ９００を具備する上記静電型マイクロポンプ９１０や上記静電アクチュエータ９００を具備する上記インクジェット記録ヘッド９２０を駆動するための電圧を印加するものであって、導体であれは何れでも良い。
上記電極９０３は、互いに絶縁分離されており、反応性スパッタ法、ＣＶＤ法等によって形成した望ましくはチタン、タングステン、タンタル等の高融点金属とその窒化物、或いは、それらの化合物、或いはそれらの積層構造、望ましくは窒化チタン、又は、上記酸化シリコン膜９０２ａ上に順次形成されるチタンと窒化チタンの積層構造であって単結晶シリコン基板の上記電極基板９０２を熱酸化することにより形成した上記酸化シリコン膜９０２ａのギャップスペーサ内に配置されている。
上記酸化シリコン膜９０２ａのギャップスペーサはシリコンの上記振動板９０１と上記電極９０３に上記空隙９０６を形成するためのものであって、上記酸化シリコン膜９０２ａのギャップスペーサーを介してシリコンの上記振動板９０１と対向した上記電極９０３に電圧を印加することで静電引力を発生させる。
上記パッド部９０２ｃは、上記電極９０３に対して導通するような駆動電圧印加パッド部であって、上記電極基板９０２に外部から電圧を印加し、更に、ＦＰＣやワイヤーボンデイング等の実装を行うための上記電極パッド９０３ａである。
【００５５】
静電力により振動して作動する上記振動板撓み発生防止手段９０５である上記耐腐食性薄膜９０４が圧縮応力と引っ張り応力の応力方向の異なる２層以上の上記異応力複数層薄膜９０４ｅからなる上記静電アクチュエータ９００及び上記静電アクチュエータ９００を具備する上記静電型マイクロポンプ９１０や上記静電アクチュエータ９００を具備する上記インクジェット記録ヘッド９２０の上記異応力複数層薄膜９０４ｅの積層された互いに異なる応力を持つ耐腐食性薄膜としての上記第１腐食性薄膜９０４ｅ1と上記応力緩和薄膜９０４ｅ4は、スパッタ法により形成されて製造される。
この構成は、上記第１腐食性薄膜９０４ｅ1としては窒化チタンを用い、上記振動板９０１の間に上記第１腐食性薄膜９０４ｅ1の応力を緩和する応力緩和層の上記応力緩和薄膜９０４ｅ4に柔軟性に優れる有機系樹脂の一つであるポリイミドを用いて形成した例である。
上記電極基板９０２は、面方位（１００）、抵抗率10〜30Ω・ｃｍのｐ単結晶のシリコン基板である。
上記電極９０３は、単結晶のシリコン基板の上記電極基板９０２上の厚さ２μｍの上記酸化シリコン膜９０２ａに形成した深さ０．５μｍの上記凹部９０２ｂ内に配置され、反応性スパッタ法によって順次上記酸化シリコン膜９０２ａ上に形成した厚さ１５０ｎｍの窒化チタンであって互いに絶縁分離されている。上記酸化シリコン膜９０２ａは、熱酸化法によって形成した。
更に、上記電極９０３である窒化チタン上にはプラズマＣＶＤ法により形成した厚さ１５０ｎｍの酸化シリコン膜の上記絶縁物９０３ｂを形成した。上記絶縁物９０３ｂは、上記振動板９０１と上記電極９０３の絶縁を確保するためのものである。
【００５６】
上記パッド部９０２ｃは、上記電極９０３の酸化シリコン膜の上記絶縁物９０３ｂがエッチング除去されている領域であって、上記静電アクチュエータ９００及び上記静電アクチュエータ９００を具備する上記静電型マイクロポンプ９１０や上記静電アクチュエータ９００を具備する上記インクジェット記録ヘッド９２０を駆動するための電圧を印加する上記電極９０３の上記電極パッド９０３ａが形成された領域である。
面方位（１１０）の単結晶のシリコン基板の上記振動板基板９０１ａをＫＯＨで異方性エッチング゛して形成したボロン不純物原子を１Ｅ２０/ｃｍ3以上含む膜厚２μｍのシリコンの上記振動板９０１が、ギャップスペーサである上記酸化シリコン膜９０２ａを介して上記電極９０３に対向して配置されている。
面方位（１１０）単結晶のシリコン基板の上記振動板９０１には、ＫＯＨの異方性エッチングで形成した上記液室９１２や上記インク液室９２２と、上記液室９１２や上記インク液室９２２へ液体やインク液を供給する上記共通液室９１３や上記共通インク液室９２３が形成され、上記液室９１２や上記インク液室９２２と上記共通液室９１３や上記共通インク液室９２３の両者が上記液流路９１４や上記インク液流路９２４によって連通されている。
上記振動板基板９０１ａ表面と、シリコンの上記振動板９０１表面と上記液室９１２や上記インク液室９２２と上記共通液室９１３や上記共通インク液室９２３と上記液流路９１４や上記インク液流路９２４表面には、上記応力緩和薄膜９０４ｅ4として厚さ５μｍのポリイミドを形成した。
更に、上記応力緩和薄膜９０４ｅ4としてのポリイミド上には、上記第１腐食性薄膜９０４ｅ1としては上記振動板９０１上の厚さ５００Åであって１Ｅ０９dyne/ｃｍ2圧縮応力を有する窒化チタンを順次形成した。
【００５７】
この時、光干渉を利用した上記振動板９０１の撓みを観察した結果、上記応力緩和薄膜９０４ｅ4としてのポリイミドを形成しない場合に比較して撓み量は著しく抑制されている事が確認出来た。
又、上記応力緩和薄膜９０４ｅ4を形成した場合は、上記応力緩和薄膜９０４ｅ4である窒化チタンの応力が圧縮応力でも、引っ張り応力でもシリコンの上記振動板９０１の撓みは抑制されることが確認できた。
更に，サンドブラスト加工で液体やインク液供給用の上記液流路９１５や上記インク液流路９２５と上記ノズル孔９１１や上記ノズル孔９２１が形成されたガラス板の上記ノズル板９１１ａや上記ノズル板９２１ａ上が、上記液室９１２や上記液室９２２の上に張り付けられている。
上記静電アクチュエータ９００及び上記静電アクチュエータ９００を具備する上記静電型マイクロポンプ９１０や上記静電アクチュエータ９００を具備する上記インクジェット記録ヘッド９２０において、上記振動板９０１を電気的に接地し、更に、上記電極パッド９０３ａを介して上記電極９０３に駆動電圧を印加して一定周波数で駆動した。
電圧を印加したとき、上記振動板９０１と上記電極９０３間には静電引力が働き、シリコンの上記振動板９０１は撓みが発生していないため、静電引力により上記電極９０３側に十分引かれた。
その結果、上記液室９１２や上記液室９２２は、十分に引圧となり液体やインク液供給のための上記液流路９１４や上記インク液流路９２４を経て上記共通液室９１３や上記共通インク液室９２３から上記液室９１２や上記インク液室９２２)へ液体やインク液が供給された。
駆動電圧の周波数に対応して、上記振動板９０１は、シリコンの剛性により元の位置へと戻り、このとき上記液室９１２や上記インク液室９２２は加圧され、上記ノズル孔９１１や上記ノズル孔９２１を経て液体やインク液は図示の矢印Ｅ方向へ安定に吐出された。
更に、この状態で噴射特性のビット間のバラツキを測定した結果非常に均一性の良い噴射特性を得ることが出来た。
又、液体やインク液による信頼性試験を行った結果、耐腐食性も十分あることが確認された。
【００５８】
図８９乃至図９２において、静電力により振動して作動する振動板撓み発生防止手段１１０５である耐腐食性薄膜１１０４が、簡単な応力の他の構成で、同等応力薄膜１１０４ｆの振動板１１０１上に形成した耐腐食性薄膜１１０４ｆ1と同等の応力を有して上記振動板１１０１下に形成した同等応力薄膜１１０４ｆ2からなる静電アクチュエータ１１００及び上記静電アクチュエータ１１００を具備する静電型マイクロポンプ１１１０や上記静電アクチュエータ１１００を具備するインクジェット記録ヘッド１１２０の上記同等応力薄膜１１０４ｆは、内部応力緩和の制御性に優れ、且つ、安価に形成できるスパッタ法により形成されて製造される。
上記静電アクチュエータ１１００及び上記静電アクチュエータ１１００を具備する上記静電型マイクロポンプ１１１０や上記静電アクチュエータ１１００を具備する上記インクジェット記録ヘッド１１２０は、シリコンの上記振動板１１０１、液体やインク液が加圧される液室１１１２やインク液室１１２２、共通液室１１１３や共通インク液室１１２３、液流路１１１４やインク液流路１１２４が異方性エッチングにより形成された面方位（１１０）の単結晶のシリコン基板の振動板基板１１０１ａと、ノズル孔１１１１やノズル孔１１２１、液供給路１１１５や液供給路１１２５が形成されたガラス板、金属板、シリコン板等のノズル板１１１１ａやノズル板１１２１ａと、電極基板１１０２等で構成されている。単結晶のシリコン基板である上記振動板基板１１０１ａには、上記液室１１１２や上記インク液室１１２２と個々の上記ノズル孔１１１１や上記ノズル孔１１２１に対応して、静電引力によって駆動する上記振動板１１０１を形成し、上記液室１１１２や上記インク液室１１２２へ液体やインク液を供給するための上記共通液室１１１３や上記共通インク液室１１２３が形成されている。
【００５９】
上記液室１１１２や上記インク液室１１２２と上記共通液室１１１３や上記共通インク液室１１２３は、上記液流路１１１４や上記インク液流路１１２４によって連通されている。
更に、上記振動板基板１１０１ａ表面と、上記振動板１１０１上表面と上記液室１１１２や上記インク液室１１２２と上記共通液室１１１３や上記共通インク液室１１２３と上記液流路１１１４や上記インク液流路１１２４の液体やインク液が接する表面には液体やインク液に対する耐腐食性を有する窒化チタン等の上記耐腐食性薄膜１１０４ｆ1が形成されている。上記耐腐食性薄膜１１０４ｆ1は、耐腐食性を持つ材料で有れば何れでも良い。
一方、シリコンの上記振動板１１０１を介して逆の下面には上記耐腐食性薄膜１１０４ｆ1の応力の方向と値が等しい応力を持つ層の上記同等応力薄膜１１０４ｆ2が形成されている。
つまり、上記耐腐食性薄膜１１０４ｆ1の応力が圧縮応力の場合は、上記振動板１１０１を介して形成した層の上記同等応力薄膜１１０４ｆ2も圧縮応力とする。
逆に、上記耐腐食性薄膜１１０４ｆ1が引っ張り応力の場合には、上記振動板１１０１を介して形成した層の上記同等応力薄膜１１０４ｆ2も引っ張り応力とする。
この様な構成では、上記耐腐食性薄膜１１０４ｆ1の応力を上記振動板１１０１を介した層でバランスをとり、応力緩和することにより上記振動板１１０１の撓みを緩和することが出来る。
【００６０】
上記耐腐食性薄膜１１０４ｆ1と上記振動板１１０１を介して形成した層の上記同等応力薄膜１１０４ｆ2は、厚さ１０Åから５０００Å、好ましくは１００Å〜２０００Åであってスパッタ法、ＣＶＤ法，酸化法等により形成する金属膜や酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等のシリコン化合物等であって応力を制御出来るのもで有れば何れでもよい。
微細欠陥によるピンホール防止のためには、上記耐腐食性薄膜１１０４ｆ1を積層してもよい。この時、上記振動板１１０１を介して形成した層の上記同等応力薄膜１１０４ｆ2で応力のバランスをとり、応力緩和を行うため上記振動板１１０１の撓みを緩和することが出来る。
更に、個々の上記ノズル孔１１１１や上記ノズル孔１１２１に対応して上記液室１１１２や上記インク液室１１２２を構成しているシ上記振動板１１０１は、酸化シリコン膜１１０２ａをギャップスペーサーとして、上記静電アクチュエータ１１００及び上記静電アクチュエータ１１００を具備する上記静電型マイクロポンプ１１１０や上記静電アクチュエータ１１００を具備する上記インクジェット記録ヘッド１１２０を駆動するための電圧を印加する電極１１０３に対向して各々配置されている。
【００６１】
図示の矢印Ｆ方向は、上記ノズル孔１１１１や上記ノズル孔１１２１の配置方向によって決まる液体やインク液の吐出方向である。
上記電極基板１１０２は、ｎ型、又は、ｐ型の単結晶シリコン基板であって、通常は，面配向（１００）の単結晶シリコン基板を用いるが、プロセスに応じて面方位（１１０）、又は、面方位（１１１）の単結晶シリコン基板を用いても何ら問題は無い。又は、シリコン基板の代わりにガラス基板を用いてもよい。
電極１１０３は、単結晶シリコン基板の上記電極基板１１０２上の上記酸化シリコン膜１１０２ａの凹部１１０２ｂ内に形成された、上記静電アクチュエータ１１００及び上記静電アクチュエータ１１００を具備する上記静電型マイクロポンプ１１１０や上記静電アクチュエータ１１００を具備する上記インクジェット記録ヘッド１１２０を駆動するための電圧を印加する駆動電極であって導体であれは何れでも良い。
上記電極１１０３は、互いに絶縁分離されており、反応性スパッタ法、ＣＶＤ法等によって形成した望ましくはチタン、タングステン、タンタル等の高融点金属とその窒化物、或いはそれらの化合物、或いはそれらの積層構造、望ましくは窒化チタン、又は、上記酸化シリコン膜１１０２ａ上に順次形成されるチタンと窒化チタンの積層構造からなる駆動電極であって、上記電極基板１１０２の単結晶シリコン基板を熱酸化することにより形成した上記酸化シリコン膜１１０２ａのギャップスペーサ内に配置されている。
上記酸化シリコン膜１１０２ａのギャップスペーサは、上記振動板１１０１と上記電極１１０３に空隙１１０６を形成するためのものであって、絶縁物１１０３ｂを介して上記振動板１１０１と対向した上記電極１１０３に電圧を印加することで静電引力を発生させる。
パッド部１１０２ｃは、上記電極１１０３に対して導通するような駆動電圧印加パッド部であって、上記電極基板１１０２に外部から電圧を印加し、更に、ＦＰＣやワイヤーボンデイン等の実装を行うための電極パッド１１０３ａからなるようになっている。
【００６２】
静電力により振動して作動する上記振動板撓み発生防止手段１１０５である上記耐腐食性薄膜１１０４が上記同等応力薄膜１１０４ｆの上記振動板１１０１上に窒化チタンを用いて形成した上記耐腐食性薄膜１１０４ｆ1と同等の応力を有して上記振動板１１０１下に酸化シリコンで形成した上記同等応力薄膜１１０４ｆ2からなる上記静電アクチュエータ１１００及び上記静電アクチュエータ１１００を具備する上記静電型マイクロポンプ１１１０や上記静電アクチュエータ１１００を具備する上記インクジェット記録ヘッド１１２０の上記同等応力薄膜１１０４ｆは、内部応力の制御性に優れ、且つ、安価に形成できるスパッタ法により形成されて製造される。
上記電極基板１１０２は、面方位（１００）、抵抗率10〜30Ω・ｃｍのｐ単結晶シリコン基板である。
上記電極１１０３は、単結晶シリコン基板の上記電極基板１１０２上の厚さ２μｍの上記酸化シリコン膜１１０２ａに形成した深さ０．５μｍの上記凹部１１０２ｂ内に配置され、反応性スパッタ法によって順次上記酸化シリコン膜１１０２ａに上に形成した厚さ１５０ｎｍの窒化チタンであって互いに絶縁分離されている。上記酸化シリコン膜１１０２ａは熱酸化法によって形成した。
更に、上記電極１１０３である窒化チタン上にはプラズマＣＶＤ法により形成した厚さ１５０ｎｍの上記絶縁物１１０３ｂを形成した。
【００６３】
上記絶縁物１１０３ｂは、上記振動板１１０１と上記電極１１０３の絶縁を確保するためのものである。
上記パッド部１１０２ｃは、酸化シリコン膜の上記絶縁物１１０３ｂがエッチング除去されている領域であって、上記静電アクチュエータ１１００及び上記静電アクチュエータ１１００を具備する上記静電型マイクロポンプ１１１０や上記静電アクチュエータ１１００を具備する上記インクジェット記録ヘッド１１２０に駆動電圧を印加する上記電極１１０３の上記パッド部１１０３ａが形成される領域である。
面方位（１１０）の単結晶シリコン基板の上記振動板基板１１０１ａをＫＯＨで異方性エッチングして形成したボロン不純物原子を１Ｅ２０/ｃｍ3以上含む膜厚２μｍのシリコンの上記振動板１１０１が、ギャップスペーサである上記酸化シリコン膜１１０２ａを介して上記電極１１０３に対向して配置されている。
面方位（１１０）の単結晶シリコン基板の上記振動板基板１１０１ａには、ＫＯＨの異方性エッチングで形成した上記液室１１１２や上記インク液室１１２２、上記液室１１１２や上記インク液室１１２２へ液体やインク液を供給する上記共通液室１１１３や上記共通インク液室１１２３が形成され、上記液室１１１２や上記インク液室１１２２と上記共通液室１１１３や上記共通インク液室１１２３の両者が上記液流路１１１４や上記インク液流路１１２４によって連通されている。
【００６４】
上記振動板基板１１０１ａ表面と、シリコンの上記振動板１１０１表面と上記液室１１１２や上記インク液室１１２２と上記共通液室１１１３や上記共通インク液室１１２３と上記液流路１１１４や上記インク液流路１１２４表面には、上記耐腐食性薄膜１１０４ｆ1である窒化チタンを、内部応力の制御性に優れ、且つ、安価に形成できるスパッタ法により形成した。
上記耐腐食性薄膜１１０４ｆ1である窒化チタンは、シリコンの上記振動板１１０１上での膜厚が５００Åであって５Ｅ０８dyne/ｃｍ2の圧縮応力である。
更に、上記振動板１１０１を介して反対の上記振動板１１０１下面には上記同等応力薄膜１１０４ｆ2として厚さ１０００Å、５Ｅ０８dyne/ｃｍ2の圧縮応力を有する酸化シリコン膜が形成されている。
この時、光干渉を利用した上記振動板１１０１の撓みを観察した結果、上記同等応力薄膜１１０４ｆ2として酸化シリコン膜を形成しない場合に比較して撓み量は著しく抑制されている事が確認出来た。
更に、サンドブラスト加工で液体やインク液供給用の上記液供給路１１１５や上記インク液供給路１１２５と上記ノズル孔１１１１や上記ノズル孔１１２１が形成されたガラス板の上記ノズル板１１１１ａや上記ノズル板１１１１ａが、上記液室１１１２や上記インク液室１１２２の上に張り付けられている。
上記静電アクチュエータ１１００及び上記静電アクチュエータ１１００を具備する上記静電型マイクロポンプ１１１０や上記静電アクチュエータ１１００を具備する上記インクジェット記録ヘッド１１２０において、上記振動板１１０１を電気的に接地し、更に，上記パッド部１１０２ｃの上記電極パッド１１０３ａを介して上記電極１１０３に駆動電圧を印加して一定周波数で駆動した。
駆動電圧を印加したとき、上記振動板１１０１と上記電極１１０３間には静電引力が働き、上記振動板１１０１は撓みが発生していないため、静電引力により上記電極１１０３側に十分引かれた。
その結果、上記液室１１１２や上記インク液室１１２２は、十分に引圧となり液体やインク液供給のための上記液流路１１１４や上記インク液流路１１２４を経て、上記共通液室１１１３や上記共通インク液室１１２３から上記液室１１１２や上記インク液室１１２２へ液体やインク液が供給された。
駆動電圧の周波数に対応して上記振動板１１０１は、シリコンの剛性により元の位置へと戻り、このとき上記液室１１１２や上記インク液室１１２２は加圧され、上記ノズル孔１１１１や上記ノズル孔１１２１を経て、液体やインク液は図示の矢印Ｆ方向へ安定に吐出された。
更に、この状態で噴射特性のビット間のバラツキを測定した結果も、非常に均一性の良い噴射特性を得ることが出来た。
又、液体やインク液による信頼性試験を行った結果、耐腐食性も十分あることが確認された。
【００６５】
図９３乃至図９６において、静電力により振動して作動する静電アクチュエータ１２００及び上記静電アクチュエータ１２００を具備する静電型マイクロポンプ１２１０や上記静電アクチュエータ１２００を具備するインクジェット記録ヘッド１２２０は、振動板撓み発生防止手段１２０５である耐腐食性薄膜１２０４の、簡単な応力の他の構成で、応力の設定範囲が広く形成が容易で、膜厚分布が均一で引っ張り応力の膜厚均一薄膜１２０４ｇからなる。
上記静電アクチュエータ１２００及び上記静電アクチュエータ１２００を具備する上記静電型マイクロポンプ１２１０や上記静電アクチュエータ１２００を具備する上記インクジェット記録ヘッド１２２０は、シリコンの振動板１２０１、液体やインク液が加圧される液室１２１２やインク液室１２２２、共通液室１２１３や共通インク液室１２２３、液流路１２１４やインク液流路１２２４が異方性エッチングにより形成された面方位（１１０）の単結晶シリコン基板の振動板基板１２０１ａと、ノズル孔１２１１やノズル孔１２２１、液供給路１２１５やインク液供給路１２２５が形成されたガラス板，金属板、シリコン板等のノズル板１２１１ａやノズル板１２２１ａと電極基板１２０２等の部分で構成されている。
単結晶シリコン基板の上記振動板基板１２０１ａには、上記液室１２１２や上記インク液室１２２２と個々の上記ノズル孔１２１１や上記ノズル孔１２２１に対応して、静電引力によって駆動するシリコンの上記振動板１２０１を形成し、上記液室１２１２や上記インク液室１２２２と個々の上記ノズル孔１２１１や上記ノズル孔１２２１へ液体やインク液を供給するための上記共通液室１２１３や上記共通インク液室１２２３が形成されている。
【００６６】
上記液室１２１２や上記インク液室１２２２と上記共通液室１２１３や上記共通インク液室１２２３は上記液流路１２１４や上記インク液流路１２２４によって連通されている。
更に、上記振動板基板１２０１ａ表面と、シリコンの上記振動板１２０１表面と上記液室１２１２や上記インク液室１２２２と上記共通液室１２１３や上記共通インク液室１２２３と上記液流路１２１４や上記インク液流路１２２４の液体やインク液が接する表面には液体やインク液に対する耐腐食性を有する上記耐腐食性薄膜１２０４の膜厚分布が均一で引っ張り応力の上記膜厚均一薄膜１２０４ｇが形成されており、少なくとも上記振動板１２０１上の膜厚分布は均一である。
この様に引っ張り応力を有し、且つ、均一な膜厚を持つ上記膜厚均一薄膜１２０４ｇは、シリコンの上記振動板１２０１上における平面的な応力の偏りが無くなるため、結果として応力が緩和されて、上記振動板１２０１の撓みが緩和される。
【００６７】
静電力により振動して作動する上記振動板撓み発生防止手段１２０５である上記耐腐食性薄膜１２０４の膜厚分布が均一で引っ張り応力の上記膜厚均一薄膜１２０４ｇは、窒化チタン等の金属であって、厚さ１０Åから５０００Å、好ましくは１００Å〜２０００Åであって、内部応力の制御性に優れ、且つ、安価に形成できるスパッタ法、ＣＶＤ法、酸化法等により形成する。上記膜厚均一薄膜１２０４ｇは耐腐食性を持つ材料で有れば何れでも良い。
微細欠陥によるピンホール防止のために上記膜厚均一薄膜１２０４ｇを積層してもよい。
更に、個々の上記ノズル孔１２１１や上記ノズル孔１２２１に対応して上記液室１２１２や上記インク液室１２２２を構成している上記振動板１２０１は、酸化シリコン膜１２０２ａをギャップスペーサーとして、上記静電アクチュエータ１２００及び上記静電アクチュエータ１２００を具備する上記静電型マイクロポンプ１２１０や上記静電アクチュエータ１２００を具備する上記インクジェット記録ヘッド１２２０を駆動するための電圧を印加する電極１２０３に対向して各々配置されている。
図示の矢印Ｇ方向は、上記ノズル孔１２１１や上記ノズル孔１２２１の配置方向によって決まる、液体やインク液の吐出方向である。
上記電極基板１２０２は、ｎ型、又は、ｐ型の単結晶シリコン基板であって、通常は，面配向（１００）の単結晶シリコン基板を用いるが、プロセスに応じて面方位（１１０）、又は、面方位（１１１）の単結晶シリコン基板を用いても何ら問題は無い。又は、シリコン基板の代わりにガラス基板を用いてもよい。
上記電極１２０３は、単結晶シリコン基板の上記電極基板１２０２上の上記酸化シリコン膜１２０２ａの凹部１２０２ｂ内に形成され、上記静電アクチュエータ１２００及び上記静電アクチュエータ１２００を具備する上記静電型マイクロポンプ１２１０や上記静電アクチュエータ１２００を具備する上記インクジェット記録ヘッド１２２０を駆動するための電圧を印加する駆動電極であって導体であれは何れでも良い。これらの上記電極１２０３は、互いに絶縁分離されており、反応性スパッタ法、ＣＶＤ法等によって形成した望ましくはチタン、タングステン、タンタル等の高融点金属とその窒化物、或い、はそれらの化合物、或いは、それらの積層構造、望ましくは窒化チタン、又は、上記酸化シリコン膜１２０２ａ上に順次形成されるチタンと窒化チタンの積層構造からなる駆動電極であって、単結晶シリコン基板の上記電極基板１２０２を熱酸化することにより形成した上記酸化シリコン膜１２０２ａのギャップスペーサ内に配置されている。
上記酸化シリコン膜１２０２ａのギャップスペーサは、シリコンの上記振動板１２０１と上記電極１２０３に空隙１２０６を形成するためのものであって、上記酸化シリコン膜１２０２ａのギャップスペーサを介して、上記振動板１２０１と対向した上記電極１２０３に電圧を印加することで静電引力を発生させる。
【００６８】
パッド部１２０２ｃは、上記電極１２０３に対して導通するような駆動電圧印加パッド部であって、上記電極基板１２０２に外部から電圧を印加し、更に、ＦＰＣやワイヤーボンデイン等の実装を行うための電極パッド１２０３ａからなる。
静電力により振動して作動する上記振動板撓み発生防止手段１２０５である上記耐腐食性薄膜１２０４の膜厚分布が均一で引っ張り応力の上記膜厚均一薄膜１２０４ｇからなる上記静電アクチュエータ１２００及び上記静電アクチュエータ１２００を具備する上記静電型マイクロポンプ１２１０や上記静電アクチュエータ１２００を具備する上記インクジェット記録ヘッド１２２０の耐腐食性薄膜の応力を引っ張り応力とし上記振動板１２０１上の膜厚分布を均一にして上記振動板１２０１上の応力の偏りを抑えて撓みを緩和する窒化チタンを用いた上記膜厚均一薄膜１２０４ｇは、内部応力の制御性に優れ、且つ、安価に形成できるスパッタ法により形成されて製造される。
上記電極基板１２０２は、面方位（１００）、抵抗率１０〜３０Ω・ｃｍのp単結晶シリコン基板である。
上記電極１２０３は、単結晶シリコン基板の上記電極基板１２０２上の厚さ２μｍの上記酸化シリコン膜１２０２ａに形成した深さ０．４μｍの上記凹部１２０２ｂ内に配置され、反応性スパッタ法によって順次上記酸化シリコン膜１２０２ａ上に形成した窒化チタンであって、互いに絶縁分離されている。上記酸化シリコン膜１２０２ａは、熱酸化法によって形成した。
更に、上記電極１２０３は、上記電極１２０３である窒化チタン上にはプラズマＣＶＤ法により形成した厚さ１５０ｎｍの酸化シリコン膜の絶縁物１２０３ｂを形成した。
【００６９】
上記絶縁物１２０３ｂは、上記振動板１２０１と上記電極１２０３の絶縁を確保するための物である。
上記パッド部１２０２ｃは、上記絶縁物１２０３ｂがエッチング除去されている領域であって、上記静電アクチュエータ１２００及び上記静電アクチュエータ１２００を具備する上記静電型マイクロポンプ１２１０や上記静電アクチュエータ１２００を具備する上記インクジェット記録ヘッド１２２０に駆動電圧を印加する上記電極１２０３の上記電極パッド１２０３ａが形成された領域である。
面方位（１１０）の単結晶シリコン基板の上記振動板基板１２０１ａをＫＯＨで異方性エッチングして形成したボロン不純物原子を１Ｅ２０/ｃｍ3以上含む上記振動板１２０１が、ギャップスペーサである上記酸化シリコン膜１２０２ａを介して上記電極１２０３に対向して配置されている。
面方位（１１０）の単結晶シルコン基板の上記振動板基板１２０１ａには、ＫＯＨの異方性エッチングで形成した上記液室１２１２や上記インク液室１２２２と、上記液室１２１２や上記インク液室１２２２へ液体やインク液を供給する上記共通液室１２１３や上記共通インク液室１２２３が形成され、上記液室１２１２や上記インク液室１２２２と上記共通液室１２１３や上記共通インク液室１２２３の両者が上記液流路１２１４や上記インク液流路１２２４によって連通されている。
上記振動板基板１２０１ａ表面と、シリコンの上記振動板１２０１表面と上記液室１２１２や上記液室１２１２と上記共通液室１２１３や上記共通インク液室１２２３と上記液流路１２１４や上記インク液流路１２２４表面には、スパッタ法により耐腐食性薄膜である上記耐腐食性薄膜１２０４の膜厚分布が均一で引っ張り応力の上記膜厚均一薄膜１２０４ｇが窒化チタンで形成されており、上記振動板１２０１上の厚さは５００Åである。
【００７０】
上記膜厚均一薄膜１２０４ｇは、窒化チタンで、８Ｅ０８dyne/ｃｍ2の引っ張り応力であり、シリコンの上記振動板１２０１上の膜厚分布は均一である。
この時、光干渉を利用した上記振動板１２０１の撓みを観察した結果、撓み量は著しく少ない事が確認出来た。
一方、シリコンの上記振動板１２０１上の上記膜厚均一薄膜１２０４ｇの窒化チタンの膜厚分布が均一でない場合、或いは、上記膜厚均一薄膜１２０４ｇの窒化チタン膜の応力が圧縮応力の場合は著しい上記振動板１２０１の撓みが観察された。
更に、サンドブラスト加工で液体やインク液供給用の上記液供給路１２１５や上記インク液供給路１２２５と上記ノズル孔１２１１や上記ノズル孔１２２１が形成されたガラス板の上記ノズル板１２１１ａや上記ノズル板１２２１ａが上記液室１２１２や上記インク液室１２２２の上に張り付けられている。
上記静電アクチュエータ１２００及び上記静電アクチュエータ１２００を具備する上記静電型マイクロポンプ１２１０や上記静電アクチュエータ１２００を具備する上記インクジェット記録ヘッド１２２０において、上記振動板１２０１を電気的に接地し、更に、上記電極パッド１２０３ａを介して上記電極１２０３に駆動電圧を印加して、一定周波数で駆動した。
駆動電圧を印加したとき、上記振動板１２０１と上記電極１２０３間)には、静電引力が働き、シリコンの上記振動板１２０１は撓みが発生していないため、静電引力により上記電極１２０３側に十分引かれた。
その結果、上記液室１２１２や上記インク液室１２２２は、十分に引圧となり、液体やインク液供給のための上記液流路１２１４や上記インク液流路１２２４を経て、上記共通液室１２１３や上記共通インク液室１２２３から上記液室１２１２や上記インク液室１２２２へ液体やインク液が供給された。
【００７１】
駆動電圧の周波数に対応して上記振動板１２０１は、シリコンの剛性により元の位置へと戻り、このとき、上記液室１２１２や上記インク液室１２２２は加圧され、上記ノズル孔１２１１や上記ノズル孔１２２１を経て、液体やインク液は、図示の矢印Ｇ方向へ安定に吐出された。
更に、この状態で噴射特性のビット間のバラツキを測定した結果も、非常に均一性の良い噴射特性を得ることが出来た。
又、液体やインク液による信頼性試験を行った結果、耐腐食性も十分あることが確認された。
【００７２】
図９７において、インクジェット記録装置５０は、インク画像を記録する被記録体（Ｐ）の記録紙を搬送する被記録体搬送手段５１と、上記被記録体搬送手段５１によって搬送される被記録体（Ｐ）の記録紙にインクを吐出してインク記録画像を形成する上記インクジェット記録ヘッド２０（１２０，〜，１２２０）からなる。
上記インクジェット記録ヘッド２０（１２０，〜，１２２０）は、キャリッジ５２に取り付けられ、上記キャリッジ５２はガイドレール５３に移動自在に取り付けられており、上記被記録体搬送手段５１のローラ５１ａによって搬送され送り出される被記録体（Ｐ）の記録紙の図示の矢印Ｈ方向の幅方向にその位置が制御されて、被記録体（Ｐ）の記録用紙にインク画像を記録するようになっている。
【００７３】
図９８と図９９において、他のインクジェット記録装置５０ａは、インク画像を記録する被記録体（Ｐ）の記録紙を搬送する上記被記録体搬送手段５１と、上記被記録体搬送手段５１によって搬送される被記録体（Ｐ）の記録紙にインクを吐出してインク記録画像を形成する上記インクジェット記録ヘッド２０（１２０，〜，１２２０）からなる。
上記他のインクジェット記録装置５０ａは、記録装置本体５０ａ1の内部において、図示の矢印Ｉ方向の主走査方向に移動可能なキャリッジ５２と、上記キャリッジ５２に搭載した上記インクジェット記録ヘッド２０（１２０，〜，１２２０）と、インクを供給するインクカートリッジ等で構成される印字機構部５４と、上記記録装置本体５０ａ1の下方部には前方側から多数枚の被記録体（Ｐ）の用紙を積載可能な給紙ユニット５１ｂの給紙カセット、或いは、給紙トレイを抜き差し自在に装着することができ、被記録体（Ｐ）の用紙を手差しで給紙するための手差しトレイ等からなる。
上記他のインクジェット記録装置５０ａは、上記給紙ユニット５１ｂから給送される被記録体（Ｐ）の記録紙を取り込み、上記印字機構部５４によって所要のインク画像を記録した後、後面側に装着された排紙トレイ５５に排紙されて収納される。
上記印字機構部５４は、図示しない左右の側板に横架したガイド部材である上記ガイドレール５３の主ガイドロッドと従ガイドロッドとで上記キャリッジ５２を、図示の矢印Ｉ方向の主走査方向に摺動自在に保持し、上記キャリッジ５２にはイエロー（Ｙ）、シアン（Ｃ）、マゼンタ（Ｍ）、ブラック（Ｂｋ）の各色のインク液滴を吐出する上記インクジェット記録ヘッド２０（１２０，〜，１２２０）を複数の図示しない上記ノズル孔のインク液滴の吐出口を図示の矢印Ｉ方向の主走査方向と交叉する方向に配列し、インク液滴吐出方向を下方に向けて装着している。
上記キャリッジ５２は、後方側を主ガイドロッドに摺動自在に嵌装し、前方側を従ガイドロッドに摺動自在に載置している。
そして、上記キャリッジ５２は、主走査方向に移動走査するため、主走査モータ５２ａで回転駆動される駆動プーリ５２ｂと従動プーリ５２ｃとの間にタイミングベルト５２ｄを張装し、上記タイミングベルト５２ｄを上記キャリッジ５２に固定しており、上記主走査モータ５２ａの正逆回転により上記キャリッジ５２が往復駆動される。
【００７４】
被記録体搬送手段５１において、一方、上記給紙ユニット５１ｂにセットした被記録体（Ｐ）の記録紙を上記インクジェット記録ヘッド２０（１２０，〜，１２２０）の下方側に搬送するために、上記給紙ユニット５１ｂから被記録体（Ｐ）の記録紙を分離給送する給紙ローラ５１ｃ、及び、フリクションパッド５１ｄと、被記録体（Ｐ）の記録紙を案内するガイド部材５１ｅと、給送された被記録体（Ｐ）の記録紙を反転させて搬送する搬送ローラ５１ｆと、上記搬送ローラ５１ｆの周面に押し付けられる搬送コロ５１ｇ、及び、上記搬送ローラ５１ｆからの被記録体（Ｐ）の記録紙の送り出し角度を規定する先端コロ５１ｈとを設けている。
上記搬送ローラ５１ｆは、副走査モータ５１ｉによって図示しない歯車列を介して回転駆動される。
そして、上記キャリッジ５２の図示の矢印Ｉ方向の主走査方向の移動範囲に対応して上記搬送ローラ５１ｆから送り出された被記録体（Ｐ）の記録紙を、上記インクジェット記録ヘッド２０（１２０，〜，１２２０）の下方側で案内する記録紙ガイド部材である印写受け部材５１ｊを設けている。
【００７５】
上記印写受け部材５１ｊの記録紙搬送方向下流側には、被記録体（Ｐ）の記録紙を排紙方向へ送り出すために回転駆動される搬送コロ５１ｋ、拍車５１ｌを設け、更に、被記録体（Ｐ）の記録紙を上記排紙トレイ５５に送り出す排紙ローラ５１ｍ及び拍車５１ｎと、排紙経路を形成するガイド部材５１ｏとガイド部材５１ｐとを配設している。
インク画像の記録時には、上記キャリッジ５２を移動させながらインク記録画像信号に応じて、上記インクジェット記録ヘッド２０（１２０，〜，１２２０）を駆動することにより、停止している被記録体（Ｐ）の記録紙にインク液滴を吐出して１行分を記録し、被記録体（Ｐ）の記録紙を所定量搬送後、次の行の記録を行う。
インク画像の記録終了信号、又は、被記録体（Ｐ）の記録紙の後端が記録領域に到達した信号を受けることにより、インク記録動作を終了させ被記録体（Ｐ）の記録紙を排紙する。
従って、耐腐食性薄膜が形成された振動板の座屈して撓む作動不良の発生を防止して、低消費電力で高精細な印字が出来る、耐インク腐食に優れ、歩留まりが向上して低コストの上記静電アクチュエータ０（１１０，〜，１２１０）からなる上記インクジェット記録ヘッド２０（１２０，〜，１２２０）を具備する上記インクジェット記録装置５０や上記インクジェット記録装置５０ａを提供することが出来るようになった。
【００７６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係るインクジェット記録ヘッドによれば、インク滴を吐出するノズル孔が連通する液室の壁面を形成する振動板を有し、振動板の液室側壁面にはインクに対して耐腐食性を有する１又は複層の薄膜が形成され、耐腐食性を有する１又は複層の薄膜は酸素原子が含まれている窒化チタン薄膜を含む構成としたので、耐腐食性薄膜膜の耐腐食性が向上する。
【００７７】
本発明に係るインクジェット記録装置によれば、本発明に係るインクジェット記録ヘッドを備えた構成としたので、高品質の画像を記録できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態例を示す静電アクチュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するインクジェット記録ヘッドを説明する上面図である。
【図２】図１におけるＷ−Ｗ線断面図である。
【図３】図１におけるＸ−Ｘ線断面図である。
【図４】図１におけるＹ−Ｙ線断面図である。
【図５】本発明の実施の形態例を示す静電アクチュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するインクジェット記録ヘッドの製造方法の主要部の工程を説明する説明図である。
【図６】図５におけるＺ−Ｚ線断面図である。
【図７】本発明の実施の形態例を示す静電アクチュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するインクジェット記録ヘッドの製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図である。
【図８】図７におけるＺ−Ｚ線断面図である。
【図９】本発明の実施の形態例を示す静電アクチュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するインクジェット記録ヘッドの製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図である。
【図１０】図９におけるＺ−Ｚ線断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態例を示す静電アクチュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するインクジェット記録ヘッドの製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図である。
【図１２】図１１におけるＺ−Ｚ線断面図である。
【図１３】本発明の実施の形態例を示す静電アクチュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するインクジェット記録ヘッドの製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図である。
【図１４】図１３におけるＺ−Ｚ線断面図である。
【図１５】本発明の実施の形態例を示す静電アクチュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するインクジェット記録ヘッドの製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図である。
【図１６】図１５におけるＺ−Ｚ線断面図である。
【図１７】本発明の実施の形態例を示す静電アクチュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するインクジェット記録ヘッドの製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図である。
【図１８】図１７におけるＺ−Ｚ線断面図である。
【図１９】本発明の実施の形態例を示す静電アクチュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するインクジェット記録ヘッドの製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図である。
【図２０】図１９におけるＺ−Ｚ線断面図である。
【図２１】本発明の実施の形態例を示す静電アクチュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するインクジェット記録ヘッドの製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図である。
【図２２】図２１におけるＺ−Ｚ線断面図である。
【図２３】本発明の実施の形態例を示す静電アクチュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するインクジェット記録ヘッドの耐腐食性薄膜４の内部応力と振動板１の撓みとインク液滴吐出噴射の特性を説明する表図である。
【図２４】本発明の実施の形態例を示す静電アクチュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するインクジェット記録ヘッドの耐腐食性薄膜４の抵抗率とインク液滴に対する耐腐食性の特性を説明する表図である。
【図２５】本発明の他の実施の形態例を示す静電アクチュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するインクジェット記録ヘッドを説明する上面図である。
【図２６】図２５におけるＷ−Ｗ線断面図である。
【図２７】図２５におけるＸ−Ｘ線断面図である。
【図２８】図２５におけるＹ−Ｙ線断面図である。
【図２９】本発明の他の実施の形態例を示す静電アクチュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するインクジェット記録ヘッドを説明する上面図である。
【図３０】図２９におけるＷ−Ｗ線断面図である。
【図３１】図２９におけるＸ−Ｘ線断面図である。
【図３２】図２９におけるＹ−Ｙ線断面図である。
【図３３】本発明の他の実施の形態例を示す静電アクチュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するインクジェット記録ヘッドを説明する上面図である。
【図３４】図３３におけるＷ−Ｗ線断面図である。
【図３５】図３３におけるＸ−Ｘ線断面図である。
【図３６】図３３におけるＹ−Ｙ線断面図である。
【図３７】本発明の他の実施の形態例を示す静電アクチュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するインクジェット記録ヘッドを説明する上面図である。
【図３８】図３７におけるＷ−Ｗ線断面図である。
【図３９】図３７におけるＸ−Ｘ線断面図である。
【図４０】図３７におけるＹ−Ｙ線断面図である。
【図４１】本発明の他の実施の形態例を示す静電アクチュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するインクジェット記録ヘッドを説明する上面図である。
【図４２】図４１におけるＷ−Ｗ線断面図である。
【図４３】図４１におけるＸ−Ｘ線断面図である。
【図４４】図４１におけるＹ−Ｙ線断面図である。
【図４５】本発明の他の実施の形態例を示す静電アクチュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するインクジェット記録ヘッドを説明する上面図である。
【図４６】図４５におけるＷ−Ｗ線断面図である。
【図４７】図４５におけるＸ−Ｘ線断面図である。
【図４８】図４５におけるＹ−Ｙ線断面図である。
【図４９】本発明の他の実施の形態例を示す静電アクチュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するインクジェット記録ヘッドの製造方法の主要部の工程を説明する説明図である。
【図５０】図４９におけるＺ−Ｚ線断面図である。
【図５１】本発明の他の実施の形態例を示す静電アクチュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するインクジェット記録ヘッドの製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図である。
【図５２】図５１におけるＺ−Ｚ線断面図である。
【図５３】本発明の他の実施の形態例を示す静電アクチュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するインクジェット記録ヘッドの製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図である。
【図５４】図５３におけるＺ−Ｚ線断面図である。
【図５５】本発明の他の実施の形態例を示す静電アクチュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するインクジェット記録ヘッドの製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図である。
【図５６】図５５におけるＺ−Ｚ線断面図である。
【図５７】本発明の他の実施の形態例を示す静電アクチュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するインクジェット記録ヘッドの製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図である。
【図５８】図５７におけるＺ−Ｚ線断面図である。
【図５９】本発明の他の実施の形態例を示す静電アクチュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するインクジェット記録ヘッドの製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図である。
【図６０】図５９におけるＺ−Ｚ線断面図である。
【図６１】本発明の他の実施の形態例を示す静電アクチュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するインクジェット記録ヘッドの製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図である。
【図６２】図６１におけるＺ−Ｚ線断面図である。
【図６３】本発明の他の実施の形態例を示す静電アクチュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するインクジェット記録ヘッドの製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図である。
【図６４】図６３におけるＺ−Ｚ線断面図である。
【図６５】本発明の他の実施の形態例を示す静電アクチュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するインクジェット記録ヘッドの製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図である。
【図６６】図６５におけるＺ−Ｚ線断面図である。
【図６７】本発明の他の実施の形態例を示す静電アクチュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するインクジェット記録ヘッドの振動板６０１の撓み量とインク液滴の噴射の特性を説明する表図である。
【図６８】本発明の他の実施の形態例を示す静電アクチュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するインクジェット記録ヘッドの窒化チタン薄膜６０４ａ中に含まれる酸素原子濃度とインク液滴に対する耐腐食性の特性を説明する表図である。
【図６９】本発明の他の実施の形態例を示す静電アクチュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するインクジェット記録ヘッドを説明する上面図である。
【図７０】図６９におけるＷ−Ｗ線断面図である。
【図７１】図６９におけるＸ−Ｘ線断面図である。
【図７２】図６９におけるＹ−Ｙ線断面図である。
【図７３】本発明の他の実施の形態例を示す静電アクチュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するインクジェット記録ヘッドを説明する上面図である。
【図７４】図７３におけるＷ−Ｗ線断面図である。
【図７５】図７３におけるＸ−Ｘ線断面図である。
【図７６】図７３におけるＹ−Ｙ線断面図である。
【図７７】本発明の他の実施の形態例を示す静電アクチュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するインクジェット記録ヘッドを説明する上面図である。
【図７８】図７７におけるＷ−Ｗ線断面図である。
【図７９】図７７におけるＸ−Ｘ線断面図である。
【図８０】図７７におけるＹ−Ｙ線断面図である。
【図８１】本発明の他の実施の形態例を示す静電アクチュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するインクジェット記録ヘッドを説明する上面図である。
【図８２】図８１におけるＷ−Ｗ線断面図である。
【図８３】図８１におけるＸ−Ｘ線断面図である。
【図８４】図８１におけるＹ−Ｙ線断面図である。
【図８５】本発明の他の実施の形態例を示す静電アクチュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するインクジェット記録ヘッドを説明する上面図である。
【図８６】図８５におけるＷ−Ｗ線断面図である。
【図８７】図８５におけるＸ−Ｘ線断面図である。
【図８８】図８５におけるＹ−Ｙ線断面図である。
【図８９】本発明の他の実施の形態例を示す静電アクチュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するインクジェット記録ヘッドを説明する上面図である。
【図９０】図８９におけるＷ−Ｗ線断面図である。
【図９１】図８９におけるＸ−Ｘ線断面図である。
【図９２】図８９におけるＹ−Ｙ線断面図である。
【図９３】本発明の他の実施の形態例を示す静電アクチュエータ及びその静電アクチュエータを具備する静電型マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するインクジェット記録ヘッドを説明する上面図である。
【図９４】図９３におけるＷ−Ｗ線断面図である。
【図９５】図９３におけるＸ−Ｘ線断面図である。
【図９６】図９３におけるＹ−Ｙ線断面図である。
【図９７】本発明の実施の形態例を示す静電アクチュエータからなるインクジェット記録ヘッドを具備するインクジェット記録装置を説明する斜視図である。
【図９８】本発明の他の実施の形態例を示す静電アクチュエータからなるインクジェット記録ヘッドを具備するインクジェット記録装置を説明する説明図である。
【図９９】本発明の他の実施の形態例を示す静電アクチュエータからなるインクジェット記録ヘッドを具備するインクジェット記録装置の主要部を説明する斜視図である。
【符号の説明】
０  静電アクチュエータ
１  振動板、１ａ  振動板基板、１ａ1  拡散領域
２  電極基板、２ａ  酸化シリコン膜、
２ｂ  凹部、
２ｃ  パッド部
３  電極、３ａ  電極パッド、
３ｂ  絶縁物
４  耐腐食性薄膜、４ａ  窒化チタン薄膜、
４ｂ  酸化シリコン薄膜、
４ｃ  ジルコニウム薄膜、
４ｄ  ジルコニウム化合物薄膜、
４ｅ  異応力複数層薄膜、４ｅ1  第１耐腐食性薄膜、
４ｅ2  第２耐腐食性薄膜、
４ｅ3  窒化チタン薄膜、
４ｅ4    応力緩和薄膜、
４ｆ  同等応力薄膜、４ｆ1  耐腐食性薄膜、
４ｆ2  同等応力薄膜、
４ｇ  膜厚均一薄膜
５  振動板撓み発生防止手段
６  空隙
１０  静電型マイクロポンプ
１１  ノズル孔、１１ａ  ノズル板
１２  液室
１３  共通液室
１４  液流路
１５  液供給路
２０  インクジェット記録ヘッド
２１  ノズル孔、２１ａ  ノズル板
２２  インク液室
２３  共通インク液室
２４  インク液流路
２５  インク液供給路
５０  インクジェット記録装置、５０ａ  他のインクジェット記録装置、
５０ａ1  記録装置本体
５１  被記録体搬送手段、５１ａ  ローラ、
５１ｂ  給紙ユニット、
５１ｃ  給紙ローラ、
５１ｄ  フリクションパッド、
５１ｅ  ガイド部材、
５１ｆ  搬送ローラ、
５１ｇ  搬送コロ、
５１ｈ  先端コロ、
５１ｉ  副走査モータ、
５１ｊ  印写受け部材、
５１ｋ  搬送コロ、
５１ｌ  拍車、
５１ｍ  排紙ローラ、
５１ｎ  拍車、
５１ｏ  ガイド部材、
５１ｐ  ガイド部材
５２  キャリッジ、５２ａ  主走査モータ、
５２ｂ  駆動プーリ、
５２ｃ  従動プーリ、
５２ｄ  タイミングベルト
５３  ガイドレール
５４  印字機構部
５５  排紙トレイ
１００  静電アクチュエータ
１０１  振動板、１０１ａ  振動板基板
１０２  電極基板、１０２ａ  酸化シリコン膜、
１０２ｂ  凹部、
１０２ｃ  パッド部
１０３  電極、１０３ａ  電極パッド、
１０３ｂ  絶縁物
１０４  耐腐食性薄膜、１０４ａ  窒化チタン薄膜
１０５  振動板撓み発生防止手段
１０６  空隙
１１０  静電型マイクロポンプ
１１１  ノズル孔、１１１ａ  ノズル板
１１２  液室
１１３  共通液室
１１４  液流路
１１５  液供給路
１２０  インクジェット記録ヘッド
１２１  ノズル孔、１２１ａ  ノズル板
１２２  インク液室
１２３  共通インク液室
１２４  インク液流路
１２５  インク液供給路
２００  静電アクチュエータ
２０１  振動板、２０１ａ  振動板基板
２０２  電極基板、２０２ａ  酸化シリコン膜、
２０２ｂ  凹部、
２０２ｃ  パッド部、
２０３  電極、２０３ａ  電極パッド、
２０３ｂ  絶縁物
２０４  耐腐食性薄膜、２０４ｃ  ジルコニウム薄膜
２０５  振動板撓み発生防止手段
２０６  空隙
２１０  静電型マイクロポンプ
２１１  ノズル孔、２１１ａ  ノズル板
２１２  液室
２１３  共通液室
２１４  液流路
２１５  液供給路
２２０  インクジェット記録ヘッド
２２１  ノズル孔、２２１ａ  ノズル板
２２２  インク液室
２２３  共通インク液室
２２４  インク液流路
２２５  インク液供給路
３００  静電アクチュエータ
３０１  振動板、３０１ａ  振動板基板
３０２  電極基板、３０２ａ  酸化シリコン膜、
３０２ｂ  凹部、
３０２ｃ  パッド部
３０３  電極、３０３ａ  電極パッド、
３０３ｂ  絶縁物
３０４  耐腐食性薄膜、３０４ａ  窒化チタン薄膜、
３０４ｂ  酸化シリコン薄膜
３０５  振動板撓み発生防止手段
３０６  空隙
３１０  静電型マイクロポンプ
３１１  ノズル孔、３１１ａ  ノズル板
３１２  液室
３１３  共通液室
３１４  液流路
３１５  液供給路
３２０  インクジェット記録ヘッド
３２１  ノズル孔、３２１ａ  ノズル板
３２２  インク液室
３２３  共通インク液室
３２４  インク液流路
３２５  インク液供給路
４００  静電アクチュエータ
４０１  振動板、４０１ａ  振動板基板
４０２  電極基板、４０２ａ  酸化シリコン膜、
４０２ｂ  凹部、
４０２ｃ  パッド部
４０３  電極、４０３ａ  電極パッド、
４０３ｂ  絶縁物
４０４  耐腐食性薄膜、４０４ｂ  酸化シリコン薄膜、
４０４ｃ  ジルコニウム薄膜
４０５  振動板撓み発生防止手段
４０６  空隙
４１０  静電型マイクロポンプ
４１１  ノズル孔、４１１ａ  ノズル板
４１２  液室
４１３  共通液室
４１４  液流路
４１５  液供給路
４２０  インクジェット記録ヘッド
４２１  ノズル孔、４２１ａ  ノズル板
４２２  インク液室
４２３  共通インク液室
４２４  インク液流路
４２５  インク液供給路
５００  静電アクチュエータ
５０１  振動板、５０１ａ  振動板基板
５０２  電極基板、５０２ａ  酸化シリコン膜、
５０２ｂ  凹部、
５０２ｃ  パッド部
５０３  電極、５０３ａ  電極パッド、
５０３ｂ  絶縁物
５０４  耐腐食性薄膜、５０４ａ  窒化チタン薄膜、
５０４ｃ  ジルコニウム薄膜
５０５  振動板撓み発生防止手段
５０６  空隙
５１０  静電型マイクロポンプ
５１１  ノズル孔、５１１ａ  ノズル板
５１２  液室
５１３  共通液室
５１４  液流路
５１５  液供給路
５２０  インクジェット記録ヘッド
５２１  ノズル孔、５２１ａ  ノズル板
５２２  インク液室
５２３  共通インク液室
５２４  インク液流路
５２５  インク液供給路
６００  静電アクチュエータ
６０１  振動板、６０１ａ  振動板基板、６０１ａ1  拡散領域
６０２  電極基板、６０２ａ  酸化シリコン膜、
６０２ｂ  凹部、
６０２ｃ  パッド部
６０３  電極、６０３ａ  電極パッド、
６０３ｂ  絶縁物
６０４  耐腐食性薄膜、６０４ａ  窒化チタン薄膜
６０５  振動板撓み発生防止手段
６０６  空隙
６１０  静電型マイクロポンプ
６１１  ノズル孔、６１１ａ  ノズル板
６１２  液室
６１３  共通液室
６１４  液流路
６１５  液供給路
６２０  インクジェット記録ヘッド
６２１  ノズル孔、６２１ａ  ノズル板
６２２  インク液室
６２３  共通インク液室
６２４  インク液流路
６２５  インク液供給路
７００  静電アクチュエータ
７０１  振動板、７０１ａ  振動板基板
７０２  電極基板、７０２ａ  酸化シリコン膜、
７０２ｂ  凹部、
７０２ｃ  パッド部
７０３  電極、７０３ａ  電極パッド、
７０３ｂ  絶縁物
７０４  耐腐食性薄膜、７０４ａ  窒化チタン薄膜
７０５  振動板撓み発生防止手段
７０６  空隙
７１０  静電型マイクロポンプ
７１１  ノズル孔、７１１ａ  ノズル板
７１２  液室
７１３  共通液室
７１４  液流路
７１５  液供給路
７２０  インクジェット記録ヘッド
７２１  ノズル孔、７２１ａ  ノズル板
７２２  インク液室
７２３  共通液室
７２４  インク液流路
７２５  インク液供給路
８００  静電アクチュエータ
８０１  振動板、８０１ａ  振動板基板
８０２  電極基板、８０２ａ  酸化シリコン膜、
８０２ｂ  凹部、
８０２ｃ  パッド部
８０３  電極、８０３ａ  電極パッド、
８０３ｂ  絶縁物
８０４  耐腐食性薄膜、８０４ａ  窒化チタン薄膜、
８０４ａ1  窒化チタン薄膜、
８０４ａ2  窒化チタン薄膜
８０５  振動板撓み発生防止手段
８０６  空隙
８１０  静電型マイクロポンプ
８１１  ノズル孔、８１１ａ  ノズル板
８１２  液室
８１３  共通液室
８１４  液流路
８１５  液供給路
８２０  インクジェット記録ヘッド
８２１  ノズル孔、８２１ａ  ノズル板
８２２  インク液室
８２３  共通インク液室
８２４  インク液流路
８２５  インク液供給路
９００  静電アクチュエータ
９０１  振動板、９０１ａ  振動板基板
９０２  電極基板、９０２ａ  酸化シリコン膜、
９０２ｂ  凹部、
９０２ｃ  パッド部
９０３  電極、９０３ａ  電極パッド、
９０３ｂ  絶縁物
９０４  耐腐食性薄膜、９０４ｅ  異応力複数層薄膜、
９０４ｅ1  第１耐腐食性薄膜、
９０４ｅ2  第２耐腐食性薄膜、
９０４ｅ3  窒化チタン薄膜、
９０４ｅ31  窒化チタン薄膜、９０４ｅ32  窒化チタン薄膜、９０４ｅ4    応力緩和薄膜
９０５  振動板撓み発生防止手段
９０６  空隙
９１０  静電型マイクロポンプ
９１１  ノズル孔、９１１ａ  ノズル板
９１２  液室
９１３  共通液室
９１４  液流路
９１５  液供給路
９２０  インクジェット記録ヘッド
９２１  ノズル孔、９２１ａ  ノズル板
９２２  インク液室
９２３  共通インク液室
９２４  インク液流路
９２５  インク液供給路
１１００  静電アクチュエータ
１１０１  振動板、１１０１ａ  振動板基板
１１０２  電極基板、１１０２ａ  酸化シリコン膜、
１１０２ｂ  凹部、
１１０２ｃ  パッド部
１１０３  電極、１１０３ａ  電極パッド、
１１０３ｂ  絶縁物
１１０４  耐腐食性薄膜、１１０４ｆ  同等応力薄膜、
１１０４ｆ1  耐腐食性薄膜、
１１０４ｆ2  同等応力薄膜、
１１０５  振動板撓み発生防止手段
１１０６  空隙
１１１０  静電型マイクロポンプ
１１１１  ノズル孔、１１１１ａ  ノズル板
１１１２  液室
１１１３  共通液室
１１１４  液流路
１１１５  液供給路
１１２０  インクジェット記録ヘッド
１１２１  ノズル孔、１１２１ａ  ノズル板
１１２２  インク液室
１１２３  共通インク液室
１１２４  インク液流路
１１２５  インク液供給路
１２００  静電アクチュエータ
１２０１  振動板、１２０１ａ  振動板基板
１２０２  電極基板、１２０２ａ  酸化シリコン膜、
１２０２ｂ  凹部、
１２０２ｃ  パッド部
１２０３  電極、１２０３ａ  電極パッド、
１２０３ｂ  絶縁物
１２０４  耐腐食性薄膜、１２０４ｇ  膜厚均一薄膜
１２０５  振動板撓み発生防止手段
１２０６  空隙
１２１０  静電型マイクロポンプ
１２１１  ノズル孔、１２１１ａ  ノズル板
１２１２  液室
１２１３  共通液室
１２１４  液流路
１２１５  液供給路
１２２０  インクジェット記録ヘッド
１２２１  ノズル孔、１２２１ａ  ノズル板
１２２２  インク液室
１２２３  共通インク液室
１２２４  インク液流路
１２２５  インク液供給路
（ａ）  酸化シリコン膜形成工程
（ｂ）  パターニング工程
（ｃ）  電極形成工程
（ｄ）  絶縁物形成工程
（ｅ）  電極基板完成工程
（ｆ）  接合工程
（ｇ）  振動板形成工程
（ｈ）  耐腐食性薄膜形成工程
（ｉ）  ノズル板形成工程
（ｋ）  酸化シリコン膜形成工程
（ｌ）  パターニング工程
（ｍ）  電極形成工程
（ｎ）  絶縁物形成工程
（ｏ）  電極基板完成工程
（ｐ）  接合工程
（ｑ）  振動板形成工程
（ｒ）  耐腐食性薄膜形成工程
（ｓ）  ノズル板形成工程
【図１】
0004159016.tif 000002
【図２】
0004159016.tif 000003
【図３】
0004159016.tif 000004
【図４】
0004159016.tif 000005
【図５】
0004159016.tif 000006
【図６】
0004159016.tif 000007
【図７】
0004159016.tif 000008
【図８】
0004159016.tif 000009
【図９】
0004159016.tif 000010
【図１０】
0004159016.tif 000011
【図１１】
0004159016.tif 000012
【図１２】
0004159016.tif 000013
【図１３】
0004159016.tif 000014
【図１４】
0004159016.tif 000015
【図１５】
0004159016.tif 000016
【図１６】
0004159016.tif 000017
【図１７】
0004159016.tif 000018
【図１８】
0004159016.tif 000019
【図１９】
0004159016.tif 000020
【図２０】
0004159016.tif 000021
【図２１】
0004159016.tif 000022
【図２２】
0004159016.tif 000023
【図２３】
0004159016.tif 000024
【図２４】
0004159016.tif 000025
【図２５】
0004159016.tif 000026
【図２６】
0004159016.tif 000027
【図２７】
0004159016.tif 000028
【図２８】
0004159016.tif 000029
【図２９】
0004159016.tif 000030
【図３０】
0004159016.tif 000031
【図３１】
0004159016.tif 000032
【図３２】
0004159016.tif 000033
【図３３】
0004159016.tif 000034
【図３４】
0004159016.tif 000035
【図３５】
0004159016.tif 000036
【図３６】
0004159016.tif 000037
【図３７】
0004159016.tif 000038
【図３８】
0004159016.tif 000039
【図３９】
0004159016.tif 000040
【図４０】
0004159016.tif 000041
【図４１】
0004159016.tif 000042
【図４２】
0004159016.tif 000043
【図４３】
0004159016.tif 000044
【図４４】
0004159016.tif 000045
【図４５】
0004159016.tif 000046
【図４６】
0004159016.tif 000047
【図４７】
0004159016.tif 000048
【図４８】
0004159016.tif 000049
【図４９】
0004159016.tif 000050
【図５０】
0004159016.tif 000051
【図５１】
0004159016.tif 000052
【図５２】
0004159016.tif 000053
【図５３】
0004159016.tif 000054
【図５４】
0004159016.tif 000055
【図５５】
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【図５６】
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【図５７】
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【図５８】
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【図５９】
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【図６０】
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【図６１】
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【図６２】
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【図６３】
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【図６４】
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【図６５】
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【図６６】
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【図６７】
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【図６８】
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【図６９】
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【図７０】
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【図７１】
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【図７３】
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【図７４】
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【図７５】
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【図７６】
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【図７９】
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【図８０】
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【図８１】
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【図８２】
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【図８３】
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【図８５】
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【図８９】
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【図９０】
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【図９８】
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【図９９】
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