(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御ユニットと接続のための接続端子、入力フィルタ手段、制御回路を有する変換器、及び半導体光源と接続のための出力端子を具備する半導体光源を動作するための回路装置において、当該回路装置がさらに、前記制御ユニットが非導通状態の間、前記制御ユニット内に発生する漏れ電流を排出する自己調整電流導通ネットワークを具備することを特徴とする回路装置。
【請求項２】
請求項１に記載の回路装置において、前記変換器がスイッチオンされたとき、前記自己調整電流導通ネットワークを不活性にするための手段を有することを特徴とする回路装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の回路装置において、当該回路装置が安定した低電圧供給源を具備し、前記活性化状態で前記自己調整電流導通ネットワークが前記安定した低電圧供給のための供給源を形成することを特徴とする回路装置。
【請求項４】
半導体光源を含むハウジングを具備する信号灯において、当該信号灯が先行する請求項の何れかに記載の回路装置を具備することを特徴とする信号灯。
【請求項５】
請求項４に記載の信号灯において、前記回路装置が当該信号灯の前記ハウジングに組み込まれるハウジングを具備することを特徴とする信号灯。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、制御ユニットと接続するための接続端子、入力フィルタ手段、制御回路を有する変換器、及び半導体光源と接続するための出力端子を具備する半導体光源を動作させるための回路装置に関する。本発明はまた、このような回路装置を具備する信号灯にも関する。
背景技術
半導体光源の信号灯としての使用が増大している。このような応用としての半導体光源は、白熱ランプより非常に低消費電力であり且つ長寿命を有するので、通常の白熱ランプを超えて有利である。信号灯は、複雑なシグナルシステム、例えば信号機を具備する交通制御システムの一部を形成する。半導体光源の上述の利点が広範囲に実現されるならば、シグナルシステムが存在している点から回路装置が改造される可能性を提供する必要がある。
存在しているシグナルシステムの信号灯は、ソリッドステートリレーによりしばしば制御され、信号灯及びリレーの状態テストが接続された回路装置の接続端子で起こる。漏れ電流がリレーの非導通状態で起こることが、ソリッドステートリレーの一般的特性である。半導体光源の使用が、状態テストの不正確な結果を生じることがある。このことは、半導体光源の使用上の問題である。
発明の開示
本発明の目的は、上述の問題が排除される手段を提供することになる。
本発明によると、この目的は、回路装置がさらに自己調整電流導通ネットワークを具備することで達成される。制御ユニット、例えばソリッドステートリレーが非導通状態である、したがって状態テストの正しい結果を必要とするレベル以下の電圧を回路装置の接続端子で保持している間、制御ユニット内に発生する漏れ電流を排出することが、自己調整電流導通ネットワークのためにありがたいことに可能となる。回路装置が白熱ランプの特性に高度に対応する特性を接続端子で示すことは、これにより簡易で効果的なやり方で実現される。この点での白熱ランプの重要な特徴は、消光状態でランプが比較的低いインピーダンスとなることであり、この結果、白熱ランプを流れる漏れ電流の排除が制御回路の接続端子において低い電圧のみで導ける。
好ましくは、本発明による回路装置は、変換器がスイッチオンされるとき自己調整電流導通ネットワークを非活性化するための手段を有する。このことは不必要な電力消散が不活性となる利点がある。本発明による回路装置の有利な実施例では、回路装置は、安定した低電圧供給を具備し、活性化した状態の自己調整電流導通ネットワークが前記安定した低電圧供給のための供給源を形成する。この実施例は、安定した低電圧供給が、制御回路、例えばソリッドステートリレーにより変換器のスイッチオン状態に非常に早く必要とされる低電圧を送り、導通状態に入る。なぜならば、自己調整電流導通ネットワークがすでに活性化されているからである。
本願の説明及び特許請求の範囲では、「変換器」という用語は、電子（電気）回路を意味すると理解されたい、この回路により制御回路により供給された電力が半導体光源を動作させるために必要な電流−電圧の組み合わせに変換される。好ましくは、一つ又はいくつかの半導体スイッチと適合するスイッチモード電源がこの目的のために用いられる。最近のスイッチモード電力供給源はしばしばＤＣ−ＤＣ変換器であり、入力フィルタ手段は以前から知られているように、整流手段も具備することが好ましい。
好ましくは、信号灯が、本発明による半導体光源を含むハウジングを具備し、本発明による回路装置も具備する。存在する信号灯のための改造ユニットとして信号灯を使用する可能性は、これにより非常に増大する。改造された信号灯としての応用可能性は、回路装置が信号灯のハウジングに組み込まれるハウジングを具備するとき、最適化される。本発明の上述の及び他の特徴は、本発明による回路装置の実施例の図を参照して以下に詳細に説明されるだろう。
【図面の簡単な説明】
第１図は回路装置の図であり、第２図は自己調整電流導通ネットワークを示す図をより詳細に示し、第３図は安定した低電圧供給源の図である。
発明を実施するための最良の形態
第１図では、Ａ及びＢは例えばソリッドステートリレーを具備する制御ユニットＶＢと接続するための接続端子である。参照番号Ｉは、入力フィルタ手段を示し、IIIは制御回路を持つ変換器である。Ｃ及びＤは、半導体光源ＬＢと接続するための出力端子である。IIは自己調整電流導通ネットワークを示す。入力フィルタ手段Ｉは、正極＋及び負極−を具備する。
第２図に詳細に示されている、自己調整電流導通ネットワーク２は、ゲートｇ、ドレインｄ，及びソースｓを持つＭＯＳＦＥＴ１を有する。ＭＯＳＦＥＴ１のゲートｇは、抵抗Ｒ２を介して電圧分割ネットワークと接続され、この電圧分割ネットワークは入力フィルタ手段Ｉと電気的にパラレルに接続されていて、これは抵抗Ｒ１とキャパシタＣ１との直列部を有する。キャパシタＣ１は、ツエナー電圧Ｚ１により分路されている。ＭＯＳＦＥＴ１のドレインｄは、入力フィルタ１の正極＋に直接接続されている。ソースｓは、抵抗Ｒ１１とツエナーダイオードＺ１１との直列部を介して入力フィルタ手段１の負極−に接続されている。Ｅは、前記回路装置の一部を形成する安定した低電圧供給源と接続のための自己調整電流導通ネットワークの接続ポイントを示す。活性状態の自己調整電流導通ネットワークIIは、前記安定した低電圧供給のための供給源を接続ポイントＥを通して形成する。
第２図は、変換器IIIがスイッチオンされたとき、自己調整電流導通ネットワークIIを不活性にするために回路装置内に含まれる手段IVを示す。スイッチＳＲは、この目的のため一方が抵抗Ｒ１とキャパシタＣ１との共通接続ポイントと接続され、他方で補助電圧Ｖ−に接続されている。スイッチＳＲの制御電極は、電圧分割器により正極＋に接続される。前記制御ユニットがスイッチオンされたとき、すなわち変換器IIIをスイッチオンしたとき、正極＋での電圧が上昇し、この際、スイッチＳＲが導通するようになり、ＭＯＳＦＥＴ１がカットオフされるので、自己調整電流導通ネットワークが不活性となる。
示されている実施例では、好ましくは補助電圧Ｖ−は接続された半導体光源を流れる電流に比例する信号により変調される。このことは、スイッチオンした変換器IIIで自己調整電流導通ネットワークが、接続された制御ユニットの電圧がゼロクロスを持つ度に活性化されることが避けられるという利点がある。このことは、手段IVが例えば低電圧供給の端子Ｆ又は変換器の出力端子Ｃと接続される他の実施例が実現され、その上、例えば負極である定電圧を補助電圧Ｖ−は持つ。有利な実施例では、制御ユニットの電圧がゼロクロスを持つとき前記ネットワークのハザードが活性化されることなしに、変換器がスイッチオンされたときに半導体光源により供給された電流を基にして、自己調整電流導通ネットワークが、手段IVにより不活性化されることが実現される。
自己調整電流導通ネットワークを不活性化するための手段が図の分離手段IVのように示されているけれど、これらは好ましくは変換器IIIの制御回路の一部を形成する。第３図は、前記回路装置の一部を形成する安定した低電圧供給源を示す。前記安定した低電圧供給源Ｖは、自己調整電流導通ネットワークIIの接続ポイントＥへの入力部と接続されていて、したがってこれは活性化状態の時、前記安定した低電圧供給のための供給源を形成する。前記接続ポイントＥは、ダイオードＤ１と抵抗Ｒ３及びキャパシタＣ２のネットワークとを介して集積回路（ＩＣ）１００のピン１０１に接続されている。ＩＣ１００のピン１０３は、コネクタＦにより離れることが出来る安定した低電圧を運ぶ出力ピンを形成する。ピン１０３は、キャパシタＣ３を介してグランドに接続されている。ＩＣ１００のピン１０２もまたグランドに接続されている。
上述のように、本発明による回路装置の実施例の実際において、この回路装置は、最低で８０Ｖ、６０Ｈｚ、最大で１３５Ｖ、６０Ｈｚの導通状態で電圧を供給する制御ユニットに接続するのに適していて、これは２５度の雰囲気中で２５０ｍＡで定められた、２Ｖと３Ｖとの間の順電圧ＶFを持つヒューレットパッカード製の３ｘ６のＬＥＤマトリクスを有する半導体光源を動作させるのに適している。変換器が活性状態にあるとき、少なくとも８０Ｖ、最大で１３５Ｖの有効値を持つ整流電圧が、前記入力フィルタ手段の正極＋のところにある。前記自己調整電流導通ネットワーク２のＭＯＳＦＥＴ１は、ＩＲＦ８２０タイプ（ＩＲＦ製）である。ツエナーダイオードＺ１は１５Ｖのツエナー電圧を持ち、ツエナーダイオードＺ１１は５．６Ｖのツエナー電圧を持つ。キャパシタＣ１は３３０ｐＦの値を持ち、抵抗Ｒ１，Ｒ２及びＲ１１はそれぞれ２４０ｋ，１０ｋ，２２０ｋΩを持つ。前記制御ユニットが切り放されたとき、ＭＯＳＦＥＴ１を流れる最大電流が３１ｍＡとなり、これは入力端子Ａで最大で１０Ｖｒｍｓの電圧に対応する。これは、制御ユニットの状態テストの正しい結果にまさに導く切り放された状態での、当該制御ユニットに対する最大認容される電圧レベルに対応する。
このスイッチＳＲは、（フィリップス社製の）ＢＣＸ７０タイプである。ＩＣ１００は、（ナショナルセミコンダクタ社製）７８Ｌ０９タイプのものであり、精度が１％で９Ｖの安定した低電圧を供給する。抵抗Ｒ３は、１０Ωであり、キャパシタＣ２、Ｃ３は１μＦの容量を持つ。
ハウジングを具備する回路装置は、半導体光源を持つハウジングを具備する信号灯の一部を形成し、この回路装置の当該ハウジングは信号灯の前記ハウジングに組み込まれる。上述の実施例は、交通制御システムの交通信号として使用されるのに非常に適している。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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