(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）：
0004066139.tif 000005
（式中、ｔ−Ｃ８Ｈ１７は１，１，３，３−テトラメチルブチルを表す）
で表されることを特徴とする１，２−ビス（メチル（１，１，３，３−テトラメチルブチル）ホスフィノ）エタン。
【請求項２】
請求項１記載の一般式（１）で表される１，２−ビス（メチル（１，１，３，３−テトラメチルブチル）ホスフィノ）エタンの光学活性体。
【請求項３】
下記一般式（２）：
0004066139.tif 000006
（式中、Ａ１、Ａ２はメチル基、１，１，３，３−テトラメチルブチル基を示し、Ａ１、Ａ２はお互いに異なる基を示す。）で表されるホスフィンオキシドカルボン酸をコルベ電解カップリング反応させて、下記一般式（３）：
0004066139.tif 000007
（式中、Ａ１、Ａ２は前記と同義であり、Ａ１、Ａ２はお互いに異なる基を示す）で表される１，２−ビス（メチル（１，１，３，３−テトラメチルブチル）ホスフィノイル）エタンを得る工程、次いで、得られた１，２−ビス（メチル（１，１，３，３−テトラメチルブチル）ホスフィノイル）エタンを還元剤により還元することを特徴とする、請求項１又は２記載の１，２−ビス（メチル（１，１，３，３−テトラメチルブチル）ホスフィノ）エタンの製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の前記一般式（２）で表されるホスフィンオキシドカルボン酸は、光学活性体を用いるものである、請求項２記載の１，２−ビス（メチル（１，１，３，３−テトラメチルブチル）ホスフィノ）エタンの光学活性体の製造方法。
【請求項５】
請求項１又は２記載の前記一般式（１）で表される１，２−ビス（メチル（１，１，３，３−テトラメチルブチル）ホスフィノ）エタン又はその光学活性体を配位子とすることを特徴とする遷移金属錯体。
【請求項６】
請求項５記載の遷移金属錯体を触媒として、下記一般式（４）
0004066139.tif 000008
［式中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、水素原子、置換アルキル、アリールもしくはアラルキル基を示し、Ｒ４は置換アルキル、アリールもしくはアラルキル基または式−ＣＨ２ＣＯＯＲ５（式中Ｒ５は水素原子、置換アルキル、アリールもしくはアラルキル基を示す。）また−ＮＨＲ６（式中Ｒ６はホルミル基または置換アルキル、アリールもしくはアラルキル基を示す。）で表される基を示す。］で表される不飽和カルボン酸またはそのエステル類を不斉水素化することを特徴とする下記一般式（５）
0004066139.tif 000009
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、前述と同一の意義を示す。）で表される飽和カルボン酸またはそのエステル類の製造方法。
【請求項７】
触媒として用いる遷移金属錯体は、ロジウム金属錯体である請求項７記載の飽和カルボン酸またはそのエステル類の製造方法。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、不斉水素化反応の不斉触媒の配位子として有用なリン原子上に不斉中心を有する新規なビスホスフィン化合物及びその製造方法、それを配位子とする遷移金属錯体、並びに該遷移金属錯体を不斉水素化反応の不斉触媒として使用する不飽和カルボン酸およびそのエステル類の不斉水素化方法に関するものである。
背景技術
農薬、医薬品をはじめとする光学活性なファインケミカル製品の製造方法として、触媒的不斉合成は非常に重要である。光学活性なホスフィン配位子は、遷移金属錯体のリガンドとして大きな役割を果たしてきており、今までに多種多様な配位子が報告されてきた。例えば、Ｊ．Ｄ．Ｍｏｒｒｉｓｏｎ著の「Ａｓｙｍｍｅｔｒｉｃ  Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ」第５巻（１９８５年発行、Ａｃａｄｅｍｉｃ  Ｐｒｅｓｓ  Ｉｎｃ．、）、阿知波一雄著「キラルテクノロジーの基礎と応用」（１９９９年発行、アイピーシー）、野依良治著「Ａｓｙｍｍｅｔｒｉｃ  Ｃａｔａｌｙｓｉｓ  Ｉｎ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ」などに記載されている。
これまで、Ｃ−キラリティーや軸不斉が、リン原子上のフェニル基など置換基の非等価性を誘導するものが、合成し易いので積極的に検討されてきが、しかし、リン原子上に直接不斉中心を有するホスフィン化合物が最も優れた不斉能を有することが報告されている。このような配位子のうち最も初期に検討されたものとして、１，２−ビス（（Ｏ−メトキシフェニル）フェニルホスフィノ）エタン（ＤＩＰＡＭＰと呼ばれている。）が知られている（米国特許４、００８、２８１号、特開昭５０−１１３４８９号）。また、１，２−ビス（ホスフィノ）エタンを骨格とする新規なビスホスフィン配位子も今本らによって提案されている（Ｊ．Ａｍ．ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１９９８，１２０，１６３５〜１６３６頁、特開平１１−８０１７９号）。
このように１，２−ビス（ホスフィノ）エタンを骨格とするビスホスフィンが、不斉配位子として重要なことが知られおり、この不斉中心となるリン原子上には、高い不斉反応を起こさせるため、置換基を有する芳香族基や嵩高いアルキル基を有することが必須条件である。しかし、この１，２−ビス（ホスフィノ）エタンを骨格とするＰ原子上に結合する嵩高いアルキル基としては、１，１−ジエチルプロピル基、ｔ−ブチル基の低級アルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、１−アダマンチル基のシクロアルキル基しか知られておらず、また、他のビスホスフィン配位子においても、通常、不斉中心となるリン原子上に結合する嵩高いアルキル基として、ｔ−ブチル基で代表される炭素数２〜４の鎖状アルキル基、それ以上の炭素数のアルキル基となるとシクロペンチル基、シクロヘキシル基で代表されるシクロアルキル基を用いることは定説となっており、鎖状アルキル基において炭素数が８以上の嵩高いアルキル基は全く知られておらず、本発明者らが知る限りでは、本発明の１，１，３，３−テトラメチルブチル基を有するビスホスフィン化合物は、全くの新規な化合物と言える。
また、特開平１１−８０１７９号記載の方法は、（−）−スパルテインを等モル用いて、−７８℃という極低温でＳ−ブチルリチウムで立体選択的に脱プロトンさせ、光学活性なビスホスフィン−ボラン錯体を得ているが、このように極低温を工業的に実施することは、実質的に非常に困難な方法で実用性に乏しく、また、Ｓ−ブチルリチウムは空気中の酸素、水分に対して極めて活性な化合物で工業的に取り扱うことは難しい。しかも、得られる光学活性体は、絶対配置が、（Ｓ，Ｓ）体のものしか得えることが出来ず、工業的には優位性に乏しい等の問題がある。
これまで上記のように光学活性なビスホスフィン配位子の開発が行われてきたが、選択性、触媒活性など十分とは言えない。今までにないホスフィン配位子化合物を提供することは、基質、不斉条件など検討する上で非常に重要なことである。
本発明者らは、上記課題を達成するために鋭意研究を行った結果、前記一般式（１）で表される炭素数８の嵩高い置換基である、１，１，３，３−テトラメチルブチル基を有する新規なビスホスフィン化合物を配位子とする遷移金属錯体が、高い不斉触媒活性を有していること、さらに絶対配置が（Ｓ，Ｓ）体、（Ｒ，Ｒ）体の両方とも提供できることを見出し、本発明を完成させた。
即ち、本発明は、従来の触媒に比べて高い不斉触媒活性を与えることが出来る配位子として有用な新規なビスホスフィン化合物及びその製造方法、従来の触媒に比べて高い不斉触媒活性を有する該ビスホスフィン化合物を配位子とする遷移金属錯体、並びに該遷移錯体を触媒として使用する不飽和カルボン酸およびそのエステル類の不斉水素化方法を提供することを目的とする。
発明の開示
本発明が提供しようとする新規なビスホスフィン化合物は、下記一般式（１）
0004066139.tif 000002
（式中、ｔ−Ｃ８Ｈ１７は１，１，３，３−テトラメチルブチルを表す）
で表される１，２−ビス（メチル（１，１，３，３−テトラメチルブチル）ホスフィノ）エタンであることを構成上の特徴とする。
また、その製造方法は、下記一般式（２）
0004066139.tif 000003
（式中、Ａ１、Ａ２はメチル基、１，１，３，３−テトラメチルブチル基を示し、Ａ１、Ａ２はお互いに異なる基を示す。）で表されるホスフィンオキシドカルボン酸をコルベ電解カップリング反応させて下記一般式（３）
0004066139.tif 000004
（式中、Ａ１、Ａ２は前記と同義であり、Ａ１、Ａ２はお互いに異なる基を示す。）で表される１，２−ビス（メチル（１，１，３，３−テトラメチルブチル）ホスフィノイル）エタンを得る工程、次いで、得られた１，２−ビス（メチル（１，１，３，３−テトラメチルブチル）ホスフィノイル）エタンを還元剤により還元することを構成上特徴とする。
更に、その用途として、該ビスホスフィン化合物を配位子する遷移金属錯体を触媒として用いて、不飽和カルボン酸およびそのエステル類を不斉水素化することを構成上の特徴とする。
発明を実施するための最良の形態
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の前記一般式（１）で表される１，２−ビス（メチル（１，１，３，３−テトラメチルブチル）ホスフィノ）エタンは、ラセミ体及び光学活性体を含むものであり、光学活性体としては、（Ｓ，Ｓ）−体、（Ｒ，Ｒ）−体、メソ体が存在するが、本発明はこれらすべてを含むものである。
次いで、本発明に係る前記一般式（１）で表される光学活性な１，２−ビス（メチル（１，１，３，３−テトラメチルブチル）ホスフィノ）エタンの製造方法について説明する。
本発明の前記一般式（１）で表される１，２−ビス（メチル（１，１，３，３−テトラメチルブチル）ホスフィノ）エタンは、基本的に前記一般式（２）で表されるホスフィンオキシドカルボン酸をコルベ電解カップリング反応さて、前記一般式（３）で表される１，２−ビス（メチル（１，１，３，３−テトラメチルブチル）ホスフィノイル）エタンを得る第一工程、次いで得られた１，２−ビス（メチル（１，１，３，３−テトラメチルブチル）ホスフィノイル）エタンを還元剤により還元する第一工程を行うことにより容易に製造することが出来る。
＜第一工程＞
第一工程は、前記一般式（２）で表されるホスフィンオキシドカルボン酸をコルベ電解カップリング反応さて、前記一般式（３）で表される１，２−ビス（メチル（１，１，３，３−テトラメチルブチル）ホスフィノイル）エタンを得る工程である。
反応原料の前記一般式（２）で表されるホスフィンオキシドカルボン酸の式中、Ａ１及びＡ２は、メチル基、１，１，３，３−テトラメチルブチル基であり、Ａ１及びＡ２は、異なる基である。
コルベ電解カップリング反応は、本発明者らが先に提案した特開平１１−２２８５８６号公報の方法に従って反応を行えばよく、具体的には、この反応は、電解において溶媒を使用し、用いる溶媒としては、メタノール、含水メタノールが挙げられ、このメタノールは、含水量は４％以下のものを用いることが好ましい。また、水溶液中やアセトニトリルのような非プロトン性極性溶媒では、出発原料がオレフィンやアルコール（Ｈｏｆｅｒ−Ｍｏｅｓｔ  Ｒｅａｃｔｉｏｎ）のような異常コルベ反応生成物が副生してしまい、あまり好ましくない。
電解液のｐＨは、中性か弱酸性が好ましい。また、通電を安定化するために、必要に応じて支持塩を添加する。支持塩として、過塩素酸ナトリウム、ソジウムメチラートなどのナトリウム塩や過塩素酸リチウムなどのリチウム塩が好ましいが、支持塩の量が多くなると、目的とするビスホスフィンオキシドの収率が低下するので、なるべく用いない方がよいが、用いる場合には原料１重量当たり５重量％以下が好ましい。
使用する電極は、電極単位面積当たりのラジカル発生濃度を高めるために、白金電極を用いて高電流密度（高電位）で電解するのが好ましく、工業的にはチタン板上に白金メッキした電極も使用できる。白金電極の代わりに、イリジウム、金、パラジウム、二酸化鉛などの電極も用いることができる。電解容量が大きくなると、電解溶液の温度が上昇するので、水浴に浸して温度を一定に保つことが好ましい。電解温度は、比較的低温が好ましく、特に０〜２０℃が望ましい。また、温度を均一に保つために、電解液は撹拌するのが望ましい。
電解は、通常定電流電解で行われ、電流量は、０．１〜３Ａ、好ましくは０．５〜２Ａである。電極間距離は、通常１〜５ｍｍ程度で、１０〜１００ｍＡ／ｃｍ２の電流密度がとれるようにする。通電時間は、出発原料や電解条件により異なるが、通常０．５〜３６時間、好ましくは、１〜１０時間程度である。
反応終了後、反応溶媒を留去して、前記一般式（３）で表される１，２−ビス（メチル（１，１，３，３−テトラメチルブチル）ホスフィノイル）エタンが得られるが、本発明では、再結晶法等の常法の手段により精製することが出来る。
本発明において、前記一般式（１）で表される１，２−ビス（メチル（１，１，３，３−テトラメチルブチル）ホスフィノ）エタンの光学活性体を製造するには、予め反応原料となる前記一般式（２）で表されるホスフィンオキシドカルボン酸を光学分割して、上記のコルベ電解カップリング反応を行い、次いで、下記の第二工程を行うことによりＰ原子上の軸不斉を維持したまま容易に得ることが出来る。
前記一般式（２）で表されるホスフィンオキシドカルボン酸を光学分割する方法としては、特に限定されないが、その一例を示せば、本発明者らが先に提案した、前記一般式（２）で表されるホスフィンオキシドカルボン酸のラセミ混合物を、光学活性な１−フェニルエチルアミンなどのアミンを用いて、ジアステレオマー塩を形成させ、溶媒への溶解度差を利用して、光学活性体に分割する方法が好適に用いられる（特願平１０−２９８０３号）。
＜第二工程＞
第二工程は、上記で得られた前記一般式（３）で表される１，２−ビス（メチル（１，１，３，３−テトラメチルブチル）ホスフィノイル）エタンを還元剤により還元して目的とする前記一般式（１）で表される１，２−ビス（メチル（１，１，３，３−テトラメチルブチル）ホスフィノ）エタンを得る工程である。
前記一般式（３）で表される１，２−ビス（メチル（１，１，３，３−テトラメチルブチル）ホスフィノイル）エタンを還元するための還元剤としては、特に限定されないが、一般的にシラン化合物が用いられる。シラン化合物としては、例えば、トリクロロシラン、ジクロロシラン、メチルジクロロシラン、ジメチルクロロシラン、フェニルジクロロシラン、フェニルメチルクロロシラン、ジフェニルクロロシラン、フェニルシラン等が挙げられ、この中、フェニルシランが好ましい。
この還元剤の添加量は、前記一般式（３）で表される１，２−ビス（メチル（１，１，３，３−テトラメチルブチル）ホスフィノイル）エタン１モルに対して、通常１〜１００モル、好ましくは５〜５０モルである。反応温度は通常室温〜１５０℃、好ましくは５０〜１２０℃、反応時間は通常１〜４８、好ましくは５〜２４時間である。
かくして、前記一般式（１）で表される１，２−ビス（メチル（１，１，３，３−テトラメチルブチル）ホスフィノ）エタンのラセミ体又は光学活性体が得られるが、該光学活性体は、出発原料となる前記一般式（２）で表されるホスフィンオキシドカルボン酸の（Ｓ）−体、（Ｒ）−体に依存し、所望のものを出発原料として用いて、前記の第一工程及び第二工程の反応を行うことにより、本発明の前記一般式（１）で表される１，２−ビス（メチル（１，１，３，３−テトラメチルブチル）ホスフィノ）エタンの光学活性体を（Ｓ，Ｓ）−体、（Ｒ，Ｒ）−体、メソ体を自由に選択し合成することが出来る。
本発明の前記一般式（１）で表される１，２−ビス（メチル（１，１，３，３−テトラメチルブチル）ホスフィノ）エタンは、配位子として遷移金属と共に錯体を形成することが出来る。錯体を形成することが出来る遷移金属としては、例えば、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、パラジウム、ニッケル等が挙げられ、好ましくはロジウム金属である。
以下に示す遷移金属錯体の式中において、ｃｏｄは１，５−シクロオクタジエン、ｎｄｂはノルボルナジエン、Ｐｈはフェニル、Ａｃはアセチルをそれぞれ示し、Ｌは前記一般式（１）で表される光学活性な１，２−ビス（メチル（１，１，３，３−テトラメチルブチル）ホスフィノイル）エタンを示す。
＜ロジウム錯体＞
前記一般式（１）で表される光学活性な１，２−ビス（メチル（１，１，３，３−テトラメチルブチル）ホスフィノ）エタンを配位子としてロジウム金属と共に錯体を形成させる方法としては、例えば実験化学講座  第４版（日本化学会編、丸善株式会社発行  第１８巻  ３２７〜３５３頁）に記載されている方法、例えば、ビス（シクロオクタ−１，５−ジエン）ロジウム（Ｉ）テトラフルオロホウ酸塩と本発明の前記一般式（１）で表される光学活性な１，２−ビス（メチル（１，１，３，３−テトラメチルブチル）ホスフィノ）エタンとを反応させればよい。
得られる具体的な化合物としては、例えば以下のものを挙げることができる。
Ｒｈ（ＣＯ）（ａｃａｃ）（Ｌ）、［Ｒｈ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＣｌＯ４、［Ｒｈ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＰＦ６、［Ｒｈ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＢＦ４、［Ｒｈ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＣｌＯ４、［Ｒｈ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＰＦ６、［Ｒｈ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＢＦ４、Ｒｈ（ｃｏｄ）（Ｌ）Ｃｌ、Ｒｈ（ｎｂｄ）（Ｌ）Ｃｌ、Ｒｈ（ｃｏｄ）（Ｌ）Ｂｒ、Ｒｈ（ｎｂｄ）（Ｌ）Ｂｒ。
＜パラジウム錯体＞
パラジウム錯体は、魚住および林ら（Ｙ．Ｕｏｚｕｍｉ  ａｎｄ  Ｔ．Ｈａｙａｓｈｉ，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１９９１，１１３，９８８７．）に記載の方法に従って、例えば、Ｌとπ−アリルパラジウムクロリドを反応させることにより調製できる。得られるパラジウム錯体の具体例としては、例えば以下のものを挙げることができる。
ＰｄＣｌ２（Ｌ）、（π−アリル）Ｐｄ（Ｌ）、［Ｐｄ（Ｌ）］ＣｌＯ４、［Ｐｄ（Ｌ）］ＰＦ６、［Ｐｄ（Ｌ）］ＢＦ４。
＜ルテニウム錯体＞
ルテニウム錯体を製造するには、真島ら（Ｋ．Ｍａｓｈｉｍａ，Ｋ．Ｋｕｓａｎｏ，Ｔ．Ｏｈｔａ，Ｒ．Ｎｏｙｏｒｉ，Ｈ．Ｔａｋａｙａ，Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，１２０８（１９８９））に記載の方法に従い、例えば［Ｒｕ（ｐ−シメン）Ｉ２］２とＬとを塩化メチレンとエタノール中で加熱撹拌することにより調製することができる。得られるロジウム錯体の具体例としては、例えば以下のものを挙げることができる。
［ＲｕＣｌ（ベンゼン）（Ｌ）］Ｃｌ、［ＲｕＢｒ（ベンゼン）（Ｌ）］Ｂｒ、［ＲｕＩ（ベンゼン）（Ｌ）］Ｉ、［ＲｕＣｌ（ｐ−シメン）（Ｌ）］Ｃｌ、［ＲｕＢｒ（ｐ−シメン）（Ｌ）］Ｂｒ、［ＲｕＩ（ｐ−シメン）（Ｌ）］Ｉ、［ＲｕＣｌ（メシチレン）（Ｌ）］Ｃｌ、［ＲｕＢｒ（メシチレン）（Ｌ）］Ｂｒ、［ＲｕＩ（メシチレン）（Ｌ）］Ｉ、［ＲｕＣｌ（ヘキサメチルベンゼン）（Ｌ）］Ｃｌ、［ＲｕＢｒ（ヘキサメチルベンゼン）（Ｌ）］Ｂｒ、［ＲｕＩ（ヘキサメチルベンゼン）（Ｌ）］Ｉ。
＜イリジウム錯体＞
イリジウム錯体は、真島ら（Ｋ．Ｍａｓｈｉｍａ，Ｔ．Ａｋｕｔａｇａｗａ，Ｘ．ｚｈａｎｇ，Ｔ．Ｔａｋｅｔｏｍｉ，Ｈ．Ｋｕｍｏｂａｙａｓｈｉ，Ｓ．Ａｋｕｔａｇａｗａ，Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．ｃｈｅｍ．，１９９２，４２８，２１３．）に記載の方法に従って、例えばＬと［Ｉｒ（ｃｏｄ）（ＣＨ３ＣＮ）２］ＢＦ４とを、テトラヒドロフラン中にて撹拌下に反応させることにより調製できる。得られるイリジウム錯体の具体例としては、例えば以下のものを挙げることができる。
［Ｉｒ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＣｌＯ４、［Ｉｒ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＰＦ６、［Ｉｒ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＢＦ４、［Ｉｒ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＣｌＯ４、［Ｉｒ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＰＦ６、［Ｉｒ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＢＦ４、Ｉｒ（ｃｏｄ）（Ｌ）Ｃｌ、Ｉｒ（ｎｂｄ）（Ｌ）Ｃｌ、Ｉｒ（ｃｏｄ）（Ｌ）Ｂｒ、Ｉｒ（ｎｂｄ）（Ｌ）Ｂｒ。
本発明の前記一般式（１）で表される光学活性な１，２−ビス（メチル（１，１，３，３−テトラメチルブチル）ホスフィノ）エタンと遷移金属化合物から得られた遷移金属錯体、好ましくはロジウム金属錯体は不斉合成用触媒として利用することができる。
次いで、本発明の遷移金属錯体を用いた不斉水素化反応について説明する。
本発明の遷移金属錯体を触媒として用いる前記一般式（４）で表される不飽和カルボン酸またはそのエステル類を不斉水素化して前記一般式（５）で表される飽和カルボン酸またはそのエステル類を製造する工程は、常法にしたがって行うことができる。すなわち、前記一般式（４）で表される不飽和カルボン酸またはそのエステル類と本発明の遷移金属錯体触媒とを窒素雰囲気下で耐圧容器に入れ、水素ガスを充填して反応を行えばよい。
不斉化反応を行わせる前記一般式（４）で表される不飽和カルボン酸またはそのエステル類の式中、置換基Ｒ１〜Ｒ６は、炭素数１〜１０の直鎖もしくは分岐鎖のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数１〜６のアルキル基を置換基として有する炭素数６〜１２のアリール基である。これらのアルキル基、アリール基、アラルキル基には、水素化に対して不活性な置換基、例えばアルキル基、ハロゲン、アルコキシ基、エステル基などが置換していても構わない。アルキル基の例としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、オクチル、デシル、ドデシルなどが、アリール基の例としては、フェニル基、ナフチル基などが、アラルキル基の例としては、ベンジル、フェネチル、ナフチルメチルなどが挙げられる。
本発明の遷移金属錯体の触媒としての使用量は、前記一般式（４）で表される不飽和カルボン酸またはそのエステル類１モルに対して、通常０．０２〜０．００００１モル、好ましくは０．００５〜０．０００１モルである。溶媒は、反応原料および生成物に対して不活性な溶媒であれば特に限定はなく、例えばメタノール、エタノール、イソプロピルアルコールなどのアルコール類、ＴＨＦ、ベンゼン、トルエンなどを単独もしくは混合溶媒で用いることができる。溶媒の使用量は、前記一般式（３）で表される不飽和カルボン酸またはそのエステル１モルに対して、通常０．５〜２００モルであり、好ましくは５〜１００モルである。水素ガスの圧力は、０．１〜１００ａｔｍで行うが、一般的に圧力が高いほど不斉水素化反応の選択性が低下して、不斉収率は悪くなる傾向があることから、好ましくは、０．１〜５ａｔｍである。反応温度は、０〜１００℃、好ましくは２０〜５０℃である。
本発明の前記一般式（１）で表される光学活性な１，２−ビス（メチル（１，１，３，３−テトラメチルブチル）ホスフィノ）エタンの絶対配置は、（Ｒ，Ｒ）体、（Ｓ，Ｓ）体両方とも提供され、該ビスホスフィンの（Ｒ，Ｒ）体、（Ｓ，Ｓ）体のもののいずれか一方を選択し、これを配位子とした遷移金属錯体を触媒として用いることにより、所望する絶対配置の目的物を高い光学純度でかつ収率よく得ることができる。
実施例
次に実施例を示して本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
実施例１
＜（−）−（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビス［メチル（１，１，３，３−テトラメチルブチル）ホスフィノ］エタン−ロジウム金属錯体の合成＞
（［メチル（１，１，３，３−テトラメチルブチル）ホスフィノイル］酢酸の合成）
容量１リットルのステンレス製のオートクレーブを窒素置換した後、溶媒としてｎ−ヘキサン３００ｍｌとイソブチレンズ（２，４，４−トリメチル−１−ペンテン７５％、２，４，４−トリメチル−２−ペンテン２２％の混合物）１１２．２ｇ（１．０モル）とホスフィン３４．０ｇ（１．０モル）を室温にて添加した。反応温度を、８０℃に昇温し、メタンスルホン酸９６．１ｇ（１．０モル）を圧入ポンプで約３時間かけて添加した。オートクレーブ内の圧力は、１２．５気圧から４．５気圧まで低下した。さらに、８０℃に保ちながら４時間熟成させた。反応終了後、室温まで冷却させ、未反応のホスフィンを排気し、窒素で系内を十分に置換した。反応生成物をオートクレーブより抜き取り、一昼夜室温にて静置後、分液し下層のメタンスルホン酸を除去した。このｎ−ヘキサン層を減圧蒸留することにより、無色透明の液体９８．３ｇ（収率６７．２％）を得た。沸点７９〜８０℃（６２ｍｍＨｇ）の１，１，３，３−テトラメチルブチルホスフィンであった。このもののＮＭＲ等による分析結果を以下に示す。
１Ｈ  ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ３）；１．０２（ｓ，９Ｈ），１．３２（ｄ，６Ｈ，Ｊ＝１０．８Ｈｚ），１．６３（ｓ，２Ｈ），２．９４（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝１９０．２Ｈｚ）
３１Ｐ  ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ３）；−６８．２（ｔ，Ｊ＝１９０．２Ｈｚ）
ＦＴ−ＩＲ（ｎｅａｔ，ｃｍ−１）；２９５０，２８８０，２２７５，１４６５，１３６０，１０６５
ＧＣ−ＭＳ（Ｐｏｓ．，ｍ／ｅ）；１４６［Ｍ］＋
容量１０００ｍｌの四つ口フラスコを十分に窒素置換し、１，１，３，３−テトラメチルブチルホスフィン７３．１ｇ（０．５モル）、沃化メチル２１２．９ｇ（１．５モル）を室温にて仕込んだ。還流温度まで昇温すると、白濁し結晶が析出し、攪拌が困難になるまで加熱した。ｎ−ヘキサン３００ｍｌを添加して、結晶をろ別し、さらにヘキサンで洗浄した。これを、３００ｍｌの純水に溶解させ、抽出溶媒としてヘキサン４００ｍｌも添加した。これに、１．１倍モルの苛性ソーダ水溶液を添加し、窒素雰囲気下で分液し、ヘキサン層は濃縮後、減圧蒸留することにより、無色透明液体６３．９ｇ（収率７９．８％）を得た。沸点６３〜６６℃（１６ｍｍＨｇ）の（１，１，３，３−テトラメチルブチル）メチルホスフィンであった。このもののＮＭＲ等による分析結果を以下に示す。
１Ｈ  ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ３）；０．９９（ｓ，９Ｈ），１．０１（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝３．１Ｈｚ），１．２０（ｄ，６Ｈ，Ｊ＝１１．８Ｈｚ），１．４２（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝９．２Ｈｚ），３．００（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝１８１．７Ｈｚ）
３１Ｐ  ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ３）；−３３．８０（ｄ，Ｊ＝１８１．１Ｈｚ）ＦＴ−ＩＲ（ｎｅａｔ，ｃｍ−１）；２９６５，２２８０，１４７０，１３６４，１２９６，１２３６，９７２
ＧＣ−ＭＳ（Ｐｏｓ．，ｍ／ｅ）；１６０［Ｍ］＋
容量１０００ｍｌの四つ口フラスコを十分に窒素置換し、（１，１，３，３−テトラメチルブチル）メチルホスフィン４８．０ｇ（０．３モル）、エタノール１５０ｍｌを仕込み、ブロム酢酸エチル１００．２ｇ（０．９モル）を滴下した。滴下後、還流温度で３時間熟成し、エバポレーターで濃縮して、溶媒を除去した。純水２００ｍｌを添加し、２．２倍モルの水酸化ナトリウム水溶液を室温にて滴下した。さらに、還流温度で３時間熟成させた。ジクロロメタンで２回抽出し、得られた有機層は０．１Ｎの塩酸水溶液で洗浄し、さらに純水で洗浄した。有機層は、無水硫酸ナトリウムで脱水し、一昼夜静置し、濾別後エバポレーターで濃縮すると白色固体を得た。アセトンで再結精製することにより、融点９９〜１００℃の白色結晶１７．１ｇ（収率２４．３％）を得た。分析の結果、［メチル（１，１，３，３−テトラメチルブチル）ホスフィノイル］酢酸であった。このもののＮＭＲ等による分析結果を以下に示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（ｐｐｍ，ＣＤＣｌ３）；１．０６（ｓ，９Ｈ），１．３４（ｄ，６Ｈ，Ｊ＝１７．９Ｈｚ），１．５２（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．８Ｈｚ），１．７１（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝１２．３Ｈｚ），２．７１（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝９．２Ｈｚ，Ｊ＝１３．４Ｈｚ），３．００（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１４．３Ｈｚ，Ｊ＝１３．４Ｈｚ），１０．７８（ｓ，１Ｈ）
ＦＡＢ−ＭＡＳＳ（Ｐｏｓ．）；ｍ／ｚ＝２３５［Ｍ＋Ｈ＋］
ＦＴ−ＩＲ（ＫＢｒ，ｃｍ−１）；２９５５，２８７２，１７１４，１２７０，１１５８，１１０３，９７０，８９６
（［メチル（１，１，３，３−テトラメチルブチル）ホスフィノイル］酢酸の光学分割）
３００ｍｌのフラスコに、得られた［メチル（１，１，３，３−テトラメチルブチル）ホスフィノイル］酢酸１６．７ｇ（７１．５ｍモル）、メチルエチルケトン２００ｍｌを入れ、（−）−（Ｓ）−１−フェニルエチルアミン８．７ｇ（７１．５ｍモル）を添加した。室温で一昼夜静置させ結晶を析出させた。結晶を濾別し、真空乾燥させて、２０．５ｇの白色結晶を得た。続けて、アセトン２２０ｍｌで２回再結晶化させて、白色結晶２．６ｇを得た。塩酸で遊離させ、ジクロロメタンで抽出することにより１．２ｇの白色結晶を得た。融点９９〜１００℃、光学純度  ９８．６％ｅｅ、旋光度［α］２５Ｄ＝−１５．８（Ｃ  １．０４、ＣＨＣｌ３）で、（−）−（Ｓ）−［メチル（１，１，３，３−テトラメチルブチル）ホスフィノイル］酢酸であった。このもののＮＭＲ等による分析結果を以下に示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（ｐｐｍ，ＣＤＣｌ３）；１．０６（ｓ，９Ｈ），１．３４（ｄ，６Ｈ，Ｊ＝１８．０Ｈｚ），１．５３（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．７Ｈｚ），１．６９（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝１２．０Ｈｚ），２．７１（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝９．６Ｈｚ，Ｊ＝１３．２Ｈｚ），３．０４（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１５．３Ｈｚ，Ｊ＝１３．２Ｈｚ），１１．３２（ｓ，１Ｈ）
ＦＡＢ−ＭＡＳＳ（Ｐｏｓ．）；ｍ／ｚ＝２３５［Ｍ＋Ｈ＋］
（１，２−ビス［メチル（１，１，３，３−テトラメチルブチル）ホスフィノイル］エタンの合成）
容量５０ｍｌの円筒形ガラス容器に、旋光度［α］２５Ｄ＝−１５．８（Ｃ  １．０４、ＣＨＣｌ３），光学純度  ９８．６％ｅｅ、融点９９〜１００℃である（−）−（ｓ）−［メチル（１，１，３，３−テトラメチルブチル）ホスフィノイル］酢酸０．９５ｇ（０．００４モル）を３０ｍｌのメタノールに溶解させ、電解質としてナトリウムメトキシド０．０２ｇ添加した。プラチナ電極（２ｃｍ×４ｃｍ×１ｍｍ）を電極間距離１ｍｍに設置し、０．７アンペアで直流定電流電解した。ほぼ一定温度に保つように氷水で冷却し、均一にするために攪拌させた。３時間通電させた後に、反応液を高速液体クロマトグラフィーで分析したところ、原料は９８．７％減少していた。
エバポレーターで溶媒を留去させ、１００ｍｌのジクロロメタンに溶解させ、１Ｎ水酸化ナトリウム水溶液で、未反応の原料を抽出し、有機層を純水で洗浄した。無水硫酸ナトリウムで一昼夜脱水させ、溶媒をエバポレーターで除去することにより、白色結晶０．５４ｇを得た。（粗収率；７０．４％）さらに、アセトンで再結精製することにより、融点１１７〜１１９℃の白色結晶０．４７ｇを得た。（晶析収率；６１．０％）。
生成物は、（−）−（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビス［メチル（１，１，３，３−テトラメチルブチル）ホスフィノイル］エタンで、旋光度［α］２５Ｄ＝−２．８５（Ｃ  １．０５、ＣＨＣｌ３）であった。このもののＮＭＲ等による分析結果を以下に示す。
ＦＡＢ−ＭＳ（Ｐｏｓ．）；３７９［Ｍ＋Ｈ］＋
１Ｈ−ＮＭＲ（ｐｐｍ，ＣＤＣｌ３）；１．０６（ｓ，１８Ｈ），１．３１−１．４１（ｍ，１８Ｈ），１．４９−１．６２（ｍ，４Ｈ），１．７０−１．８１（ｍ，２Ｈ），２．１７−２．２９（ｍ，２Ｈ）
（（−）−（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビス［メチル（１，１，３，３−テトラメチルブチル）ホスフィノ］エタンの合成）
容量３０ｍｌのなす型フラスコに、（−）−（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビス［メチル（１，１，３，３−テトラメチルブチル）ホスフィノイル］エタン０．４ｇ（０．００１モル）、フェニルシラン５ｍｌを添加し、窒素気流下１２０℃で１２時間反応させた。冷却後、過剰のフェニルシランは減圧除去し、０．５６ｇ（１０ｍモル）の水酸化カリウムを溶解させたエタノール：水（１０：１）の脱気溶媒３ｍｌを添加し、５ｍｌの脱気エーテルで３回抽出した。エーテル層は、無水硫酸ナトリウムで脱水し、減圧で溶媒を除去することによりオイル物０．３５ｇを得た。このもののＮＭＲによる分析結果を以下に示す。
３１Ｐ  ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ３）；−４．５３（ｓ）
（ロジウム錯体の合成）
この（−）−（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビス［メチル（１，１，３，３−テトラメチルブチル）ホスフィノ］エタン０．３５ｇ（０．００１モル）を窒素気流下で脱水ＴＨＦに溶解させ、［Ｒｈ（ｎｂｄ）２］ＢＦ４  ０．３７ｇ（０．００１モル）の脱水ＴＨＦスラリーを窒素雰囲気で混合した。すぐに均一なオレンジ色の溶液となった。減圧でＴＨＦを粗方除去し、ヘキサンを添加するとオレンジ色の結晶が析出した。収量；０．５６ｇ、収率；８８．８％であった。
実施例２
＜（＋）−（Ｒ，Ｒ）−１，２−ビス［メチル（１，１，３，３−テトラメチルブチル）ホスフィノ］エタン−ロジウム金属錯体の合成＞
実施例１で（−）−（Ｓ）−［メチル（１，１，３，３−テトラメチルブチル）ホスフィノイル］酢酸を分離した後の濾過母液である、（＋）−（Ｒ）−［メチル（１，１，３，３−テトラメチルブチル）ホスフィノイル］酢酸がリッチな母液を、室温で一昼夜静置させ結晶を析出させた。
結晶を濾別し、真空乾燥させて、２．６ｇの白色結晶を得た。さらに、アセトン１００ｍｌで再結晶化させ、白色結晶１．５ｇを得た。塩酸で遊離させ、ジクロロメタンで抽出することにより１．５ｇの白色結晶を得た。融点９８〜９９℃、光学純度９３．７％ｅｅ、旋光度［α］２５Ｄ＝＋１４．８（Ｃ  １．２８、ＣＨＣｌ３）で、（＋）−（Ｒ）−［メチル（１，１，３，３−テトラメチルブチル）ホスフィノイル］酢酸であった。このもののＮＭＲ等による分析結果を以下に示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（ｐｐｍ，ＣＤＣｌ３）；１．０６（ｓ，９Ｈ，ＣＨ３），１．３５（ｄ，６Ｈ，ＪＰＣＣＨ＝１７．９Ｈｚ，ＣＨ３），１．５６（ｄ，２Ｈ，ＣＨ２，ＪＰＣＣＨ＝８．３Ｈｚ），１．６７（ｄ，３Ｈ，Ｐ−ＣＨ３，ＪＰＣＨ＝１０．９Ｈｚ），２．８４（ｄｄ，１Ｈ，ＪＰＣＨ＝９．２Ｈｚ，Ｊｑｅｍ＝１３．４Ｈｚ，Ｐ−ＣＨ−），３．０２（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１４．３Ｈｚ，Ｊｇｅｍ＝１３．４Ｈｚ，Ｐ−ＣＨ’−），１０．３６（ｓ，１Ｈ，ＣＯＯＨ）
ＦＡＢ−ＭＡＳＳ（Ｐｏｓ．）；ｍ／ｚ＝２３５［Ｍ＋Ｈ＋］
（１，２−ビス［メチル（１，１，３，３−テトラメチルブチル）ホスフィノイル］エタンの合成）
容量５０ｍｌの円筒形ガラス容器に、旋光度［α］２５Ｄ＝＋１４．８（Ｃ  １．２８、ＣＨＣｌ３）、光学純度９３．７％ｅｅ、融点９８〜９９℃、である（＋）−（Ｒ）−［メチル（１，１，３，３−テトラメチルブチル）ホスフィノイル］酢酸１．００ｇ（０．００４２モル）を３０ｍｌのメタノールに溶解させ、電解質としてナトリウムメトキシド０．０２ｇ添加した。プラチナ電極（２ｃｍ×４ｃｍ×１ｍｍ）を電極間距離１ｍｍに設置し、０．７アンペアで直流定電流電解した。ほぼ一定温度に保つように氷水で冷却し、均一にするために攪拌させた。３時間通電させた。
エバポレーターで溶媒を留去させ、１００ｍｌのジクロロメタンに溶解させ、１Ｎ水酸化ナトリウム水溶液で、未反応の原料を抽出し、有機層を純水で洗浄した。無水硫酸ナトリウムで一昼夜脱水させ、溶媒をエバポレーターで除去することにより、白色結晶０．５７ｇを得た。（粗収率；７０．４％）さらに、アセトンで再結精製することにより、融点１１８〜１１９℃の白色結晶０．４７ｇを得た。（晶析収率；５９．０％）
生成物は、（＋）−（Ｒ，Ｒ）−１，２−ビス［メチル（１，１，３，３−テトラメチルブチル）ホスフィノイル］エタンで、旋光度［α］２５Ｄ＝＋２．３６（Ｃ  １．０４、ＣＨＣｌ３）であった。このもののＮＭＲ等による分析結果を以下に示す。
ＦＡＢ−ＭＳ（Ｐｏｓ．）；３７９［Ｍ＋Ｈ］＋
１Ｈ−ＮＭＲ（ｐｐｍ，ＣＤＣｌ３）；１．０６（ｓ，１８Ｈ），１．３１−１．４１（ｍ，１８Ｈ），１．４９−１．６２（ｍ，４Ｈ），１．７０−１．８１（ｍ，２Ｈ），２．１７−２．２９（ｍ，２Ｈ）
（（＋）−（Ｒ，Ｒ）−１，２−ビス［メチル（１，１，３，３−テトラメチルブチル）ホスフィノ］エタンの合成）
容量３０ｍｌのなす型フラスコに、（＋）−（Ｒ，Ｒ）−１，２−ビス［メチル（１，１，３，３−テトラメチルブチル）ホスフィノイル］エタン０．４ｇ（０．００１モル）、フェニルシラン５ｍｌを添加し、窒素気流下１２０℃で１２時間反応させた。冷却後、過剰のフェニルシランは減圧除去し、０．５６ｇ（１０ｍモル）の水酸化カリウムを溶解させたエタノール：水（１０：１）の脱気溶媒３ｍｌを添加し、５ｍｌの脱気エーテルで３回抽出した。エーテル層は、無水硫酸ナトリウムで脱水し、減圧で溶媒を除去することによりオイル物０．３５ｇを得た。このもののＮＭＲによる分析結果を以下に示す。
３１Ｐ  ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ３）；−４．５３（ｓ）
（ロジウム錯体の合成）
この（＋）−（Ｒ，Ｒ）−１，２−ビス［メチル（１，１，３，３−テトラメチルブチル）ホスフィノ］エタン０．３５ｇ（０．００１モル）を窒素気流下で脱水ＴＨＦに溶解させ、［Ｒｈ（ｎｂｄ）２］ＢＦ４  ０．３７ｇ（０．００１モル）の脱水ＴＨＦスラリーを窒素雰囲気で混合した。すぐに均一なオレンジ色の溶液となった。減圧でＴＨＦを粗方除去し、ヘキサンを添加するとオレンジ色の結晶が析出した。収量；０．５５ｇ、収率；８４．２％であった。
＜不斉水素化反応＞
実施例３
容量１００ｍｌのガラス製オートクレーブに、２−アセトアミドアクリル酸メチルエステル１４３．１ｍｇ（１．０ｍモル）、実施例１で得られたロジウム錯体１．３ｍｇ（０．００２ｍモル）を仕込み、水素ガスで真空置換３回行った。氷水で冷却しながら、脱水メタノール５ｍｌを添加し、水素ガスを２ａｔｍまで圧入し、室温にして７０分間攪拌した。反応液を取り出し、光学活性ＧＣカラム（クロムパック  Ｃｈｉｒａｌ−Ｌ−Ｖａｌ、２５ｍ×０．２５ｍｍＩＤ、１２０℃）で分析した結果、水素化生成物である（Ｒ）−Ｎ−アセチルアラニンメチルエステルが９６．３％ｅｅの光学純度で得られていることが認められた。
実施例４
実施例３と同様に、実施例２で得られたロジウム錯体触媒に変えて実施した。水素化生成物である（Ｓ）−Ｎ−アセチルアラニンメチルエステルが９７．３％ｅｅの光学純度で得られていることが認められた。
実施例５
実施例３と同様に、α−アセトアミド桂皮酸２０５．２ｍｇ（１．０ｍモル）に変えて実施した。反応液を取り出し、トリメチルシリルジアゾメタンを１ｍｌ添加し、室温で３０分攪拌して、メチルエステル化させた。これを、光学活性ＨＰＬＣカラム（キラルセル  ＯＤ−Ｈ、１０ｍｌ／分、１０％  ２−イソプロパノール／ヘキサン）で分析した結果、水素化生成物である（Ｒ）−Ｎ−アセチルフェニルアラニンメチルエステルが９５．９％ｅｅの光学純度で得られていることが認められた。
実施例６
実施例４と同様に、実施例２で得られたロジウム錯体触媒に変えて実施した。水素化生成物である（Ｓ）−Ｎ−アセチルフェニルアラニンメチルエステルが９６．４％ｅｅの光学純度で得られていることが認められた。
産業上の利用の可能性
本発明は、１，２−ビス［メチル（１，１，３，３−テトラメチルブチル）ホスフィノイル］エタンを配位子とするロジウム錯体を提供するものである。本発明のロジウム錯体は、不斉水素化反応における触媒として有用であり、その絶対配置は、（Ｒ，Ｒ）体、（Ｓ，Ｓ）体両方とも提供されるので、（Ｓ）体のみならず（Ｒ）体の絶対配置のアミノ酸などを効率よく、高選択的に製造することができる。また、本発明のホスフィン化合物のアルキル基は、炭素数８と非常に親油性基の性質を有するもので、このようなアルキル基を持つホスフィン配位子は全く知られておらず、今までにない基質に対する特徴的な不斉反応の可能性がある。