(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の誘電体基板と他方の誘電体基板から成る互いに積層された少なくとも２つの平板状の誘電体基板間に主線路及び副線路が設けられた方向性結合器であって、
前記一方の誘電体基板と前記他方の誘電体基板の積層方向における前記一方の誘電体基板の外面側に前記一方の誘電体基板と前記他方の誘電体基板の双方に積層させた状態で設けられ、少なくとも当該積層方向における側壁に自身の長さ方向にわたって傾斜面が形成されたグランド板と、
当該積層方向における前記他方の誘電体基板の外面側から被嵌し、前記一方の誘電体基板と前記他方の誘電体基板の各側面を覆うと共に周縁部の一部を前記グランド板の傾斜面に沿って該傾斜面と密着させるように折り曲げることにより係着可能に設けられた導体の筐体と、を備え、前記傾斜面は前記グランド板の外側角部を面取りすることにより形成されており、
前記筐体が前記傾斜面に係着することにより、前記グランド板を前記誘電体基板に密着させる方向に力が作用するように且つ前記グランド板と前記筐体の接触面積を増加させるように構成されていることを特徴とする方向性結合器。
【請求項２】
前記グランド板の側壁には、前記傾斜面に達するように前記グランド板の厚さ方向に溝が形成され、該溝に前記筐体を係着させることにより、該筐体が前記グランド板に固定されるように構成されている請求項１に記載の方向性結合器。
【請求項３】
前記筐体の周縁部に逃げ部が切欠され、該逃げ部は前記溝の間に位置するように設けられている請求項２に記載の方向性結合器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高周波デバイス、特に、マイクロ波帯で使用するマイクロ波結合器に関し、更に、トリプレート式方向性結合器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、マイクロ波結合器には種々の方式があるが、例えば、携帯電話の基地局等において使用されているものの１つに、トリプレート式方向性結合器がある。
【０００３】
図１０は、従来のトリプレート式方向性結合器１を示しており、該トリプレート式方向性結合器１は、中間誘電体基板２と、該中間誘電体基板２を挟装する第１誘電体基板３及び第２誘電体基板４と、前記第１誘電体基板３の外面に重合するグランド板５とを備え、前記中間誘電体基板２、第１誘電体基板３、第２誘電体基板４及びグランド板５は積層状に設けられている。前記中間誘電体基板２は一方の面６に銅箔製の主線路７を備え、該主線路７の両端に主線路用タブ８が接合され、また、他方の面９に銅箔製の副線路１０を備え、該副線路１０の両端に副線路用タブ１１が接合されている。前記主線路７及び前記副線路１０はそれぞれの結合部１２，１３が平面的に重合すると共に前記主線路用タブ８同士及び前記副線路用タブ１１同士がそれぞれ対角をなすように設けられている。
【０００４】
前記第２誘電体基板４の外面側には、箱状に成形された導体の筐体１４が被嵌され、該筐体１４は前記第２誘電体基板４の外面及び前記中間誘電体基板２、第１誘電体基板３、第２誘電体基板４の各側面を覆うと共に周縁部１５が前記グランド板５に接触可能なように形成されている。また、前記筐体１４の周壁の前記主線路用タブ８及び副線路用タブ１１に対応する位置にはそれぞれ切欠部１６が形成されている。
【０００５】
このような構成において、前記トリプレート式方向性結合器１を組立てるには、前記中間誘電体基板２を前記第１誘電体基板３と前記第２誘電体基板４で挟装し、前記第１誘電体基板３の外面側にグランド板５を重合した状態で、前記第２誘電体基板４の外面側から、前記筐体１４を被嵌する。そして。前記中間誘電体基板２、第１誘電体基板３、第２誘電体基板４、グランド板５及び筐体１４の各両端部に鳩目１７を貫通させ、該鳩目１７の先端をかしめ、さらに、前記筐体１４の周縁部１５の所要箇所を前記グランド板５の側壁にポンチで打ち付け、前記各構成部材２，３，４，５を結合させる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記した従来の高周波デバイスでは、前記鳩目１７により前記各構成部材２，３，４，５を互いに密着させるようになっているが、前記鳩目１７は両端部に設けられており、中央部分の密着性が十分に確保できないため、グランド取りを確実に行い、高周波特性を安定させることが困難であった。
【０００７】
本発明は、上記課題を解決すべくなされたものであり、各構成部材間の密着性を向上させ、グランド取りを確実に行い、高周波特性の安定化を図ることのできる高周波デバイスを提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、一方の誘電体基板と他方の誘電体基板から成る互いに積層された少なくとも２つの平板状の誘電体基板間に主線路及び副線路が設けられた方向性結合器であって、前記一方の誘電体基板と前記他方の誘電体基板の積層方向における前記一方の誘電体基板の外面側に前記一方の誘電体基板と前記他方の誘電体基板の双方に積層させた状態で設けられ、少なくとも当該積層方向における側壁に自身の長さ方向にわたって傾斜面が形成されたグランド板と、当該積層方向における前記他方の誘電体基板の外面側から被嵌し、前記一方の誘電体基板と前記他方の誘電体基板の各側面を覆うと共に周縁部の一部を前記グランド板の傾斜面に沿って該傾斜面と密着させるように折り曲げることにより係着可能に設けられた導体の筐体と、を備え、前記傾斜面は前記グランド板の外側角部を面取りすることにより形成されており、前記筐体が前記傾斜面に係着することにより、前記グランド板を前記誘電体基板に密着させる方向に力が作用するように且つ前記グランド板と前記筐体の接触面積を増加させるように構成されていることを特徴とする。
【００１０】
また、前記グランド板の側壁には、前記傾斜面に達するように前記グランド板の厚さ方向に溝が形成され、該溝に前記筐体を係着させることにより、該筐体が前記グランド板に固定されるように構成されている。
【００１１】
さらに、前記筐体の周縁部に逃げ部が切欠され、該逃げ部は前記溝の間に位置するように設けられている。
【００１３】
このような構成において、前記誘電体基板間に主線路及び副線路を挟装し、前記一方の誘電体基板の外面側に前記グランド板を重合した状態で、前記他方の誘電体基板側から前記筐体を被嵌し、該筐体を前記傾斜面に係着させると、前記グランド板を前記誘電体基板に密着させる方向に力が作用し、グランド取りを確実に行うことができ、高周波特性を安定させることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態を説明する。なお、説明の簡略化のため、従来と同様の構成については、図中、同符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【００１５】
図１から図６は、本発明の実施の形態に係る方向性結合器２１を示しており、該方向性結合器２１は、中間誘電体基板２と、第１誘電体基板３及び第２誘電体基板４と、グランド板２２とにより積層状に形成され、前記第２誘電体基板４の外面側から導体の筐体２３が被嵌されている。
【００１６】
前記グランド板２２は、図５及び６に最もよく示されているように、細長の平板状を成し、両端部に丸孔２４が穿設され、該各丸孔２４間の外側角部はそれぞれ面取りされ、傾斜面２５が形成されている。また、前記グランド板２２の両側壁２６には、それぞれ所要数、好ましくは、３個ずつ合計６個の溝２７が前記傾斜面２５に達するように前記グランド板２２の厚さ方向に沿って形成されている。このように、前記グランド板２２は、プレス加工に適した形状を成しており、板状の素材から一度のプレス加工で多数の前記グランド板２２を成形することができるため、量産性を向上させることができる。
【００１７】
前記筐体２３は、図７及び８に最もよく示されているように、金属板製で箱状を成し、前記第２誘電体基板４の外面及び前記中間誘電体基板２、第１誘電体基板３、第２誘電体基板４の各側面を覆うと共に前記グランド板２２に接触可能なように形成されている。前記筐体２３の周壁２８には、主線路用タブ８及び副線路用タブ１１に対応する位置にそれぞれ切欠部２９，３０が形成され、さらに、該各切欠部２９，３０の間の周縁部３１には、それぞれ２箇所ずつ合計４箇所、逃げ部３２が切欠され、該逃げ部３２は、前記方向性結合器２１を組立てた時に、前記各溝２７の間に位置するようになっている。また、前記筐体２３の両端部には、前記グランド板２２の丸孔２４に対応する位置にそれぞれ丸孔３３が穿設されている。
【００１８】
以下、前記方向性結合器２１の組立て手順を説明する。
【００１９】
前記中間誘電体基板２を前記第１誘電体基板３と前記第２誘電体基板４で挟装し、前記第１誘電体基板３の外面側にグランド板２２を重合した状態で、前記第２誘電体基板４の外面側から前記筐体２３を被嵌し、前記中間誘電体基板２、第１誘電体基板３、第２誘電体基板４、グランド板２２及び筐体２３の各丸孔２４，３３に鳩目（図示せず）を貫通させ、該鳩目の先端をかしめる。そして、前記筐体２３の周縁部３１を前記傾斜面２５に沿って内側へ折曲させ、前記周縁部３１の前記溝２７に対応する箇所を該溝２７の形成方向に沿ってポンチで打ち付ける。この結果、前記筐体２３は、前記溝２７に係着し、前記グランド板２２に固定される。前記溝２７は前記グランド板２２の厚さ方向に沿って形成され、また、前記各溝２７間には前記逃げ部３２が形成されているため、前記周縁部３１と前記グランド板２２との間に隙間が生じることがなく、前記筐体２３の周縁部３１は前記グランド板２２に堅固且つ確実に密着する。そして、前記傾斜面２５に前記周縁部３１が密着することにより、前記各構成部材２，３，４，２２を密着させる方向に力が作用するので、グランド取りを確実に行うことができ、高周波特性を安定させることができる。
【００２０】
なお、図９に示す方向性結合器４１のように、グランド板４２の側壁４３に長さ方向に沿ってＶ溝４４を設けることにより、前記筐体２３が係着可能な傾斜面４５を設けてもよい。この場合、前記筐体２３を前記第２誘電体基板４側から被嵌し、前記周縁部３１の所要箇所を前記Ｖ溝４４の傾斜面４５にポンチで打ち付け係着させると、前記周縁部３１は前記グランド板２２に堅固且つ確実に密着し、前記各構成部材２，３，４，４２を密着させる方向（図９中では下方）に力が作用する。したがって、グランド取りを確実に行うことができ、高周波特性を安定させることができる。
【００２１】
また、前記筐体２３の周縁部３１を前記グランド板２２，４２にポンチで打ち付ける代わりに、ビス止め等他の結合手段により前記筐体２３を前記グランド板２２，４２に係着させてもよい。
【００２２】
なお、上記実施の形態では、トリプレート式方向性結合器の例を説明したが、本発明は、分配合成器等他の高周波デバイスにも実施可能である。
【００２３】
【発明の効果】
以上述べた如く本発明によれば、傾斜面に筐体が係着することにより、グランド板を誘電体基板に密着させる方向に力が作用するように構成されているので、各構成部材間の密着性を向上させ、高周波特性の安定化を図ることができる。
【００２４】
また、傾斜面が前記グランド板の外側角部を面取りすることに形成されている場合には、筐体とグランド板の接触面積が増加し、両者の密着性が一層向上するので、グランド取りをより確実に行うことができ、また、高周波特性のより一層の安定化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態を示す斜視図である。
【図２】本発明の実施の形態を示す平面図である。
【図３】本発明の実施の形態を示す側面図である。
【図４】図２のＡ−Ａ断面図である。
【図５】本発明の実施の形態におけるグランド板を示す平面図である。
【図６】本発明の実施の形態におけるグランド板を示す側面図である。
【図７】本発明の実施の形態における筐体を示す平面図である。
【図８】本発明の実施の形態における筐体を示す側面図である。
【図９】本発明の実施の形態における別の実施例を示す部分斜視図である。
【図１０】従来例を示す分解斜視図である。
【符号の説明】
２１          方向性結合器
２２          グランド板
２３          筐体
２５          傾斜面
２７          溝
３２          逃げ部
４１          方向性結合器
４２          グランド板
４４          Ｖ溝
４５          傾斜面
【図１】
0004081243.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
0004081243.tif 000010
【図１０】
0004081243.tif 000011