(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性の基板上にアルミニウムを成膜するアルミニウム成膜工程と、
前記アルミニウム上に保護膜を成膜する保護膜形成工程と、
所定位置の前記保護膜を除去して前記アルミニウムを露出させる露出工程と、
前記所定位置の前記アルミニウムを陽極酸化して多孔質体から成るフォトニック結晶を形成する陽極酸化工程と、
前記保護膜及び前記アルミニウムを除去して前記フォトニック結晶を突出させる除去工程と、
前記基板上に下部クラッド層を成膜する下部クラッド形成工程と、
前記下部クラッド層上にコア層を成膜するコア形成工程と、
前記コア層を所定形状にパターニングして経路中に前記フォトニック結晶が配されるように導波路を形成する導波路形成工程と、
前記導波路を覆う上部クラッド層を成膜する上部クラッド形成工程とを備え、
前記陽極酸化工程よりも前に、露出された前記所定位置の前記アルミニウム上に所定の周期配列のピットを形成するピット形成工程を備えたことを特徴とする光モジュールの製造方法。
【請求項２】
アルミニウムから成る基板上に保護膜を成膜する保護膜形成工程と、
所定位置の前記保護膜を除去して前記アルミニウムを露出させる露出工程と、
前記保護膜が除去され露出した前記アルミニウム基板を陽極酸化して多孔質体から成るフォトニック結晶を形成する陽極酸化工程と、
前記保護膜及び前記アルミニウムの上層を除去して前記フォトニック結晶を突出させる除去工程と、
前記基板上に下部クラッド層を成膜する下部クラッド形成工程と、
前記下部クラッド層上にコア層を成膜するコア形成工程と、
前記コア層を所定形状にパターニングして経路中に前記フォトニック結晶が配されるように導波路を形成する導波路形成工程と、
前記導波路を覆う上部クラッド層を成膜する上部クラッド形成工程とを備え、
前記陽極酸化工程よりも前に、露出された前記所定位置の前記アルミニウム上に所定の周期配列のピットを形成するピット形成工程を備えたことを特徴とする光モジュールの製造方法。
【請求項３】
前記ピットを電子ビーム描画法により形成したことを特徴とする請求項１または２に記載の光モジュールの製造方法。
【請求項４】
前記下部クラッド層を堆積する前に、前記フォトニック結晶の上部にマスキングを施す工程を備えていることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の光モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光信号を合波および分波するための、フォトニック結晶を使った光モジュールの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、光ファイバを用いて、各家庭と通信センターを結ぶ通信システム（以下、「ＦＴＴＨ」（Fiber To The Home）という）が一般化しつつある。このＦＴＴＨにおいては、光信号を合波や分波するための光モジュールを搭載した光ネットワークユニット（Optical Network Unit）が必要となる。
【０００３】
各家庭に設置された光ネットワークユニットは、例えば、１本の光ファイバで配信された多チャンネル映像信号をのせた下り用の波長１．５μｍの光と、双方向通信のための低速ディジタル信号をのせた上り用及び下り用の波長１．３μｍの光とを、波長１．５μｍの映像信号と波長１．３μｍの下り用ディジタル信号に分波するとともに、家庭からの１．３μｍの上り用ディジタル信号を合波し、送出する。
【０００４】
従来、このような機能を有する光モジュールとして、図１に示すような光カプラを用いた光モジュールが用いられている。端子１より入力した光信号は、導波路２上に挿入されたフィルタ３によって、波長１．５μｍの光と波長１．３μｍの光に分波される。
【０００５】
波長１．５μｍの光はフィルタ３で反射されて端子４から出力し、一方、波長１．３μｍの光は端子５に向かって出力する。他方の端子６は、波長１．３μｍの上りディジタル信号の入力の端子となり、ここに入力された上りディジタル信号は、フィルタ３を通過して逆方向に進み、端子１から出力される。
【０００６】
図１で示したような光モジュールは、まず、基板７上に所望の形状の導波路２を形成する。続いて、リアクティブイオンエッチング（以下「ＲＩＥ」という）や機械的切削法により、導波路２に対して所望の角度になるように、スリット３８を形成する。このスリット３８にフィルタ３を挿入し、接着固定して製造されている。
【０００７】
フィルタ３は、通常、誘電体多層膜で形成されており、理想的には波長１．５μｍ以上の光の反射率１００％、波長１．５μｍ未満の光の透過率１００％のものが使用される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のような構造の光モジュールでは、その製造工程においてフィルタ３の取り付け時に非常に微妙な調整が必要である。そのため、精度にむらが出る等、信頼性に問題が生じる場合があった。さらに、フィルタ３と導波路２を別工程で作るので工程進行の調整が必要となり、また、装置の数が多くなるなど、製造コストが高くなるという欠点を有している。
【０００９】
本発明は、このような問題を解決するためになされたものであり、信頼性が高く、製造コストの安い光モジュールの製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
【００１３】
請求項１に記載された発明は、導電性の基板上にアルミニウムを成膜するアルミニウム成膜工程と、前記アルミニウム上に保護膜を成膜する保護膜形成工程と、所定位置の前記保護膜を除去して前記アルミニウムを露出させる露出工程と、前記所定位置の前記アルミニウムを陽極酸化して多孔質体から成るフォトニック結晶を形成する陽極酸化工程と、前記保護膜及び前記アルミニウムを除去して前記フォトニック結晶を突出させる除去工程と、前記基板上に下部クラッド層を成膜する下部クラッド形成工程と、前記下部クラッド層上にコア層を成膜するコア形成工程と、前記コア層を所定形状にパターニングして経路中に前記フォトニック結晶が配されるように導波路を形成する導波路形成工程と、前記導波路を覆う上部クラッド層を成膜する上部クラッド形成工程とを備え、前記陽極酸化工程よりも前に、露出された前記所定位置の前記アルミニウム上に所定の周期配列のピットを形成するピット形成工程を備えたことを特徴としている。
【００１４】
この方法によると、基板上にアルミニウムが成膜され、その上に保護膜が成膜される。次に、フォトニック結晶が作成される所定位置の保護膜を除去し、陽極酸化法により該所定位置のアルミニウムから細孔より成る多孔質のアルミナが生成される。次に保護膜とアルミニウムを除去してアルミナから成るフォトニック結晶を露出させる。そして、基板上に形成された下部クラッド上に導波路が形成され、上部クラッドで覆われて光モジュールが製造される。これにより、従来の半導体技術である微細加工技術で、一体的に光モジュールが製造できるので、信頼性の向上が図れるとともに、製造コストの低減が可能となる。また、陽極酸化工程において形成される細孔はピットをきっかけとして成長するため、所望の周期配列の細孔を有する多孔質体が得られる。
【００１５】
請求項２に記載された発明は、アルミニウムから成る基板上に保護膜を成膜する保護膜形成工程と、所定位置の前記保護膜を除去して前記アルミニウムを露出させる露出工程と、前記保護膜が除去され露出した前記アルミニウム基板を陽極酸化して多孔質体から成るフォトニック結晶を形成する陽極酸化工程と、前記保護膜及び前記アルミニウムの上層を除去して前記フォトニック結晶を突出させる除去工程と、前記基板上に下部クラッド層を成膜する下部クラッド形成工程と、前記下部クラッド層上にコア層を成膜するコア形成工程と、前記コア層を所定形状にパターニングして経路中に前記フォトニック結晶が配されるように導波路を形成する導波路形成工程と、前記導波路を覆う上部クラッド層を成膜する上部クラッド形成工程とを備え、前記陽極酸化工程よりも前に、露出された前記所定位置の前記アルミニウム上に所定の周期配列のピットを形成するピット形成工程を備えたことを特徴としている。
【００１６】
この方法によると、アルミニウム基板上に保護膜が成膜され、フォトニック結晶が作成される所定位置の保護膜を除去し、陽極酸化法により該所定位置のアルミニウムから、細孔より成る多孔質のアルミナが生成される。次に保護膜とアルミニウムの上層を除去してアルミナから成るフォトニック結晶を露出させる。そして、基板上に形成された下部クラッド上に導波路が形成され、上部クラッドで覆われて光モジュールが製造される。これにより、従来の半導体技術である微細加工技術で、一体的に光モジュールが製造できる。従って、信頼性の向上が図れ、アルミニウム基板を使うことより工程が簡単化でき、より一層の製造コストの低減が可能となる。また、陽極酸化工程において形成される細孔はピットをきっかけとして成長するため、所望の周期配列の細孔を有する多孔質体が得られる。
【００２０】
請求項３に記載された発明は、請求項１または２に記載された光モジュールの製造方法において、前記ピットを電子ビーム描画法により形成したことを特徴としている。この方法によると、フォトニック結晶の媒質の周期を電子ビーム描画により精密に決定できるので、分波および合波の性能が向上する。従って、光モジュールとしての精度の向上が図れる。
請求項４に記載された発明は、前記下部クラッド層を堆積する前に、前記フォトニック結晶の上部にマスキングを施す工程を備えていることを特徴としている。この方法によると、下部クラッド層を形成する例えばガラス粒子の細孔への充填を防ぎ、細孔に空気を充填してアルミナとの屈折率差を大きくできる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態を図を参照して説明する。図２は、本実施形態で使用しているフォトニック結晶を光の進行方向に垂直な方向から見た図である。フォトニック結晶８は、図に示すように、例えば、屈折率の異なる媒質９と媒質１０を２次元方向に周期的に配列して形成した結晶であり、屈折率分散の異方性が生じるという性質を持つ。
【００２２】
この性質により、同一方向から入射した、波長λ１〜λｎの光が多重された光１１は、光１２のように波長λ１〜λ５に応じて異なる方向に伝播したり、光１３（波長λｎ）のようにフォトニック結晶８内に侵入できずに反射されたりする。この性質を積極的に利用することで、波長多重された光信号を容易に分波できるようになる。
【００２３】
次に、フォトニック結晶の製造方法を説明する。図３は、陽極酸化により得られる多孔質アルミナ２８の斜視図である。アルミニウム基板１４を、シュウ酸等の酸性電解溶液中で陽極酸化すると、アルミナ１７が生成され、直径数ｎｍ〜数百ｎｍの細孔であるポア１５が数ｎｍ〜数百ｎｍの間隔で格子状に規則正しく並んだ多孔質アルミナ層１６が形成される。
【００２４】
ポア１５は、非常に垂直性がよく、アスペクト比の極めて高い細孔である。ここで、ポア１５が図２の媒質９、アルミナ１７が図２の媒質１０となり、異なる屈折率の媒質を有する２次元周期構造が得られ、フォトニック結晶として作用するようになる。
【００２５】
また、ポア１５の直径および間隔は、陽極酸化の際の電流や電圧を調整したり、電解溶液の種類や濃度を選択することによって制御が可能である。さらに、ポア１５の制御は、図４（ａ）〜（ｃ）に示す方法によって精度良く行うことが可能である。
【００２６】
即ち、図４（ａ）に示すように、陽極酸化を行う前に、アルミニウム基板１４上に電子ビーム描画等の微細加工手段でポア生成のきっかけとなるピット１８を形成する。このピット１８は、ポアの直径や周期間隔が所望の大きさになるように形成する。
【００２７】
その後、陽極酸化を行うと、図４（ｂ）を経て図４（ｃ）のように、ピット１８の位置にポア１５が成長して多孔質アルミナ層１６が形成される。このように形成された多孔質アルミナ層１６は、方位や周期性が制御されており、分波や合波において所望の特性が得られる。
【００２８】
図５から図１１に、本発明の第１実施形態の光モジュールの製造方法を示す。これらの図において、（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面図である。図５のアルミニウム成膜工程において、低抵抗シリコン等の導電性基板２０に、スパッタ法や真空蒸着法によって、アルミニウム薄膜２１を成膜する。
【００２９】
アルミニウム薄膜２１の膜厚は、後述の下部クラッド層２５とコア層２６（図９参照）の両方の厚みを加えた厚みにしておく。導電性基板２０を使用するのは、陽極酸化を行う際、導電性基板２０を電極として用いることにより、アルミニウム薄膜２１の電気的なコンタクトを確実にするためである。
【００３０】
図６に示すように、保護膜形成工程において、アルミニウム薄膜２１上に、レジスト２２を塗布する。このレジスト２２のフォトニック結晶を形成したい部位にのみ露出工程により窓２３を開け、アルミニウム薄膜２１を露出させる。レジスト２２によって、陽極酸化時に用いる酸性電解溶液からアルミニウム薄膜２１の表面を保護するようになっている。
【００３１】
次に、ピット形成工程で窓２３を介してアルミニウム薄膜２１の表面に、電子ビーム描画等の微細加工手段で前述の図４で示したようなピット１８を所定の周期で形成する。その後、陽極酸化工程で露出したアルミニウム薄膜２１の陽極酸化を行うと、図７に示すように、多孔質アルミナから成るフォトニック結晶２４が形成される。
【００３２】
次に、除去工程でレジスト２２を剥離し、ＨｇＣｌ2の飽和水溶液もしくはＢｒ2の飽和メタノール溶液等に浸漬して、アルミニウム薄膜２１を除去すると、図８に示すように、フォトニック結晶２４のみが導電性基板２０上に突出して残る。
【００３３】
下部クラッド形成工程では図９に示すように、石英等のガラス微粒子をＣＶＤ法などを用いて堆積して下部クラッド層２５を形成する。続いて、コア形成工程で、下部クラッド層２５と屈折率の異なるコア層２６を同様の方法で形成する。このとき、フォトニック結晶２４の上部にも、下部クラッド層２５およびコア層２６が積層される。
【００３４】
図１０に示すように導波路形成工程おいて、コア層２６を所望の導波路形状にパターニングし、実際の導波路２７以外の部分は、ＲＩＥ等の方法により除去する。ここで、フォトニック結晶２４上部のコア層２６も除去される。その上に、上部クラッド形成工程で図１１のように、上部クラッド層２８を下部クラッド層２５と同様の方法で堆積後、ダイシングなどで不要な部分を切り落として光モジュールを得ることができる。
【００３５】
前記の下部クラッド層２５、コア層２６および上部クラッド層２８は、石英に限らず、導波路２７を形成するコア層２６の屈折率を上下両層の屈折率より高くして形成すればよい。
【００３６】
このような製造方法においては、図９で下部クラッド層２５を形成する際、フォトニック結晶２４のポア１５（図２参照）に下部クラッド層２５を形成するガラス粒子が充填される。この場合も、ポア１５に充填されたガラス粒子とアルミナ１７とで屈折率の差が生じるので、フォトニック結晶として機能する。但し、ポア１５に空気を充填し、屈折率の差を大きくしたい場合は、下部クラッド層２５を堆積する前に、フォトニック結晶２４の上部にマスキングを施す工程を追加して、ポア１５へのガラス粒子の充填を防げばよい。
【００３７】
フォトニック結晶２４の上部には、図１０で示すように、下部クラッド層２５が残る。しかし、この後、上部クラッド層２８を形成するので（図１１）、表面に小さな突起ができるが、フォトニック結晶および光モジュールの実用上の支障はない。
【００３８】
図１２から図１７に、本発明の第２実施形態の光モジュールの製造方法を示す。これらの図において、（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面図である。本実施形態は、図５〜図１１の第１実施形態に対して、導電性基板に替えてアルミニウム基板を使用している点が異なっている。これにより、アルミニウム薄膜を成膜するアルミニウム成膜工程が省略できる。
【００３９】
図１２において、保護膜形成工程でアルミニウム基板３０上に、レジスト３１を塗布する。このレジスト３１のフォトニック結晶を形成したい部位のみ露出工程で窓３２を開け、アルミニウム基板３０を露出させる。レジスト３１によって、陽極酸化時に用いる酸性電解溶液から表面を保護できる。
【００４０】
アルミニウム基板３０の表面が露出した部分に、ピット形成工程において電子ビーム描画等の微細加工手段で、前述の図４で示したようなピット１８を形成後、陽極酸化工程において陽極酸化を行うと、図１３に示すように、フォトニック結晶３３が形成される。
【００４１】
その後、除去工程でレジスト３１を剥離し、ＨｇＣｌ2の飽和水溶液もしくはＢｒ2の飽和メタノール溶液等に浸漬して、アルミニウム基板３０の上層を除去すると、図１４に示すように、フォトニック結晶３３のみがアルミニウム基板３０上に突出して残る。
【００４２】
そして、図１５に示すように下部クラッド形成工程において、石英等のガラス微粒子をＣＶＤ法などを用いて堆積して下部クラッド層３４を形成する。続いてコア形成工程で、下部クラッド層３４と屈折率の異なるコア層３５を同様の方法で形成する。このとき、フォトニック結晶３３の上部にも、下部クラッド層３４およびコア層３５が積層される。
【００４３】
図１６に示すように導波路形成工程において、コア層３５を所望の導波路形状にパターニングし、実際の導波路３６以外の部分は、ＲＩＥ等の方法により除去する。ここで、フォトニック結晶３３上部のコア層３５も除去される。その上に、図１７のように、上部クラッド形成工程で上部クラッド層３７を下部クラッド層３４と同様の方法で堆積後、ダイシングなどで不要な部分を切り落として光モジュールが得られる。
【００４４】
前記の下部クラッド層３４、コア層３５および上部クラッド層３７は、石英に限らず、導波路３６を形成するコア層３５の屈折率を上下両層の屈折率より高くして形成すればよい。
【００４５】
第１の実施形態と同様に、このような製造方法においては、図１５で下部クラッド層３４を形成する際、フォトニック結晶３３の孔であるポア１５（図２参照）に下部クラッド層３４即ちガラス粒子が充填される。この場合も、ポア１５に充填されたガラス粒子とアルミナで屈折率の差が生じるので、フォトニック結晶として機能する。但し、ポア１５に空気を充填し、屈折率の差を大きくしたい場合は、下部クラッド層３４を堆積する前に、フォトニック結晶３３の上部にマスキングを施す工程を追加して、ポア１５へのガラス粒子の充填を防げばよい。
【００４６】
フォトニック結晶３３の上部には、図１６で示すように、下部クラッド層３４が残る。しかし、この後、上部クラッド層３７を形成するので（図１７）、表面に小さな突起ができるが、フォトニック結晶およびモジュールの実用上の支障はない。
【００４７】
次に図１８から図２２に、本発明の第３実施形態の光モジュールの製造方法を示す。これらの図において（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面図である。まず、図１８に示すように、下部クラッド形成工程おいて、低抵抗シリコン等の導電性基板４０上に、石英等のガラス微粒子をＣＶＤ法などを用いて堆積して下部クラッド層４１を形成する。
【００４８】
続いてコア形成工程で、下部クラッド層４１と屈折率の異なるコア層を同様の方法で形成する。導波路形成工程でコア層を所望の導波路形状にパターニングし、実際の導波路４２以外の部分は、ＲＩＥ等の方法により除去する。その上に上部クラッド形成工程で、上部クラッド層４３を下部クラッド層４１と同様の方法で堆積して形成する。
【００４９】
前記の下部クラッド層４１、コア層および上部クラッド層４３は、石英に限らず、導波路４２を形成するコア層の屈折率を上下両層の屈折率より高くして形成すればよい。
【００５０】
図１９に示すように保護膜形成工程において、上部クラッド層４３上に、レジスト４４を塗布する。このレジスト４４のフォトニック結晶を形成したい部位のみ窓４５を開ける。その後、図２０に示すように、除去工程においてＲＩＥ等の方法により、窓４５部分の上部クラッド層４３、導波路４２および下部クラッド層４１を、導電性基板４０の表面まで除去する。
【００５１】
導電性基板を使用するのは、陽極酸化を行う際、導電性基板４０を電極として用いることにより、後述のアルミ膜の電気的なコンタクトを確実にするためである。レジスト４４を剥離した後、アルミニウム充填工程で図２１に示すように、スパッタ法や真空蒸着法によって、アルミニウム膜４６を全体に成膜し、除去工程で除去した部分にアルミニウムを充填する。
【００５２】
アルミニウム膜４６の表面のフォトニック結晶を形成したい部分（図２０の窓４５部分）に、ピット形成工程において電子ビーム描画等の微細加工手段によりピット１８（図４参照）を形成後、陽極酸化工程で陽極酸化を行うと、図２２に示すように、アルミニウム膜４６は多孔質のアルミナ４７となり、導波路４２の経路上にフォトニック結晶４８が形成される。最後に、ダイシングなどで不要な部分を切り落として光モジュールを得る。
【００５３】
第１、第２、第３実施形態の製造方法による光モジュールは、いずれも導波路の経路上に、分波合波素子としてフォトニック結晶を一体的に形成した構造を有している（図１１、図１７、図２２参照）。いずれの製造方法も、従来から半導体の製造で使用されているフォトリソグラフィー技術により連続的に工程が実現できる。
【００５４】
【発明の効果】
【００５６】
請求項１、２の発明によると、従来の半導体技術である微細加工技術で、一体的に光モジュールが製造できる。フォトニック結晶の形成には、アルミニウムの陽極酸化を用いるので特性が安定した素子が得られる。従って、このような方法で製造された光モジュールにおいて、信頼性の向上が図れるとともに、製造コストの低減が可能となる。また、導電性基板を使うことで、フォトニック結晶形成の陽極酸化の際、導電性基板を電極として用いることによりアルミニウムの電気的なコンタクトを確実にできるという利点もある。更に、アルミニウム基板を使用すると更に電気的なコンタクトを確実になるとともに、工程が簡単化できより一層製造コストが削減できる。
【００５７】
また、アルミニウムの表面にアルミナの細孔が生成されるきっかけとなるピットを形成することで、所望の周期の細孔を精度良く得ることができ、より精密に所望の特性が得られる。
【００５８】
請求項３の発明によると、フォトニック結晶の媒質の周期を電子ビーム描画によって精密に決定できる。これにより、分波および合波において、意図した性能が安定して実現できるので、高い信頼性を有する光モジュールが得られる。
請求項４の発明によると、下部クラッド層を形成する例えばガラス粒子の細孔への充填を防ぎ、細孔に空気を充填してアルミナとの屈折率差を大きくできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】        従来の光カプラを使用した光モジュールを示す斜視図である。
【図２】        フォトニック結晶の特性を説明する図である。
【図３】        陽極酸化により得られる多孔質アルミナを示す斜視図である。
【図４】        第１実施形態の光モジュールの製造方法のピット形成工程及び陽極酸化工程を説明する図である。
【図５】        第１実施形態の光モジュールの製造方法のアルミニウム成膜工程を示す図である。
【図６】        第１実施形態の光モジュールの製造方法の保護膜形成工程及び露出工程を示す図である。
【図７】        第１実施形態の光モジュールの製造方法の陽極酸化工程を示す図である。
【図８】        第１実施形態の光モジュールの製造方法の除去工程を示す図である。
【図９】        第１実施形態の光モジュールの製造方法の下部クラッド形成工程及びコア形成工程を示す図である。
【図１０】      第１実施形態の光モジュールの製造方法の導波路形成工程を示す図である。
【図１１】      第１実施形態の光モジュールの製造方法の上部クラッド形成工程を示す図である。
【図１２】      第２実施形態の光モジュールの製造方法の保護膜形成工程及び露出工程を示す図である。
【図１３】      第２実施形態の光モジュールの製造方法の陽極酸化工程を示す図である。
【図１４】      第２実施形態の光モジュールの製造方法の除去工程を示す図である。
【図１５】      第２実施形態の光モジュールの製造方法の下部クラッド形成工程及びコア形成工程を示す図である。
【図１６】      第２実施形態の光モジュールの製造方法の導波路形成工程を示す図である。
【図１７】      第２実施形態の光モジュールの製造方法の上部クラッド形成工程を示す図である。
【図１８】      第３実施形態の光モジュールの製造方法の下部クラッド形成工程、コア形成工程、導波路形成工程及び上部クラッド形成工程を示す図である。
【図１９】      第３実施形態の光モジュールの製造方法の保護膜形成工程を示す図である。
【図２０】      第３実施形態の光モジュールの製造方法の除去工程を示す図である。
【図２１】      第３実施形態の光モジュールの製造方法のアルミニウム充填工程を示す図である。
【図２２】      第３実施形態の光モジュールの製造方法の陽極酸化工程を示す図である。
【符号の説明】
１、４、５、６  端子
２    導波路
３    フィルタ
７    基板
８    フォトニック結晶
９、１０  媒質
１１、１２、１３    光
１４    アルミニウム基板
１５    ポア
１６    多孔質アルミナ層
１７    アルミナ
１８    ピット
２０、４０  導電性基板
２１    アルミニウム薄膜
２２、３１、４４  レジスト
２３、３２、４５  窓
２４、３３、４８  フォトニック結晶
２５、３４、４１  下部クラッド層
２６、３５  コア層
２７、３６、４２  導波路
２８、３７、４３  上部クラッド層
３０    アルミニウム基板
４６    アルミニウム膜
４７    アルミナ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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