(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスクから信号を再生するヘッド手段と、
前記ヘッド手段の再生信号に応動した処理信号を出力する処理手段と、
界磁磁束を発生する界磁部を有し、前記ディスクを回転駆動する回転体と、
Ｑ相（ここに、Ｑは３以上の整数）のコイルと、
少なくとも２つの出力端子を有し、直流電圧を供給する電圧供給手段と、
前記電圧供給手段の一方の出力端子側と前記Ｑ相のコイルの一端との電流路を形成するＱ個の第１のパワートランジスタと、前記電圧供給手段の他方の出力端子側と前記Ｑ相のコイルの一端との電流路を形成するＱ個の第２のパワートランジスタと、を含んで構成された電力供給手段と、
前記回転体の回転に応動した位置信号を作成する位置検出手段と、
前記位置検出手段の出力信号に応動して前記電力供給手段の前記Ｑ個の第１のパワートランジスタと前記Ｑ個の第２のパワートランジスタの通電区間を制御し、各通電区間を３６０／Ｑ度相当よりも広くする通電動作手段と、
前記ディスクの回転速度に応動した指令信号を作成する指令手段と、
前記電力供給手段の前記Ｑ個の第１のパワートランジスタと前記Ｑ個の第２のパワートランジスタのうちで少なくとも１個を前記指令信号に応動して高周波スイッチング動作させるスイッチング動作手段と、
を具備するディスク装置であって、
前記スイッチング動作手段は、前記電圧供給手段から前記Ｑ相のコイルへの合成供給電流に応動した電流検出信号を作成する電流検出手段と、前記電流検出信号と前記指令信号に応動した高周波のスイッチングパルス信号を作成するスイッチング制御手段と、を含んで構成され、
前記通電動作手段は、高周波の前記スイッチングパルス信号に応動して変化するスルーレート・スイッチング信号であって、立ち上がり部分と立ち下がり部分のうちで少なくとも一方の部分において電圧傾斜を有する高周波の前記スルーレート・スイッチング信号を前記Ｑ個の第１のパワートランジスタと前記Ｑ個の第２のパワートランジスタのうちで少なくとも１個のパワートランジスタの通電制御端子側に作成し、前記少なくとも１個のパワートランジスタを前記スルーレート・スイッチング信号に応動してフォロア動作させ、前記少なくとも１個のパワートランジスタを前記スルーレート・スイッチング信号に応動して高周波スイッチング動作させ、前記電流検出信号と前記指令信号に応動した高周波スイッチングの駆動電圧を前記Ｑ相のコイルの一端に供給する構成にされた、ディスク装置。
【請求項２】
前記通電動作手段は、２個の前記第１のパワートランジスタによって前記Ｑ相のコイルへの電流路を切り換える場合に、前記スイッチングパルス信号に応動した２個の前記スルーレート・スイッチング信号を前記２個の前記第１のパワートランジスタの通電制御端子側に作成し、前記２個の前記第１のパワートランジスタを前記スイッチングパルス信号に応動して同時に高周波スイッチング動作させる構成にされた、請求項１に記載のディスク装置。
【請求項３】
前記通電動作手段は、２個の前記第１のパワートランジスタによって前記Ｑ相のコイルへの電流路を切り換える場合に、前記２個の前記第１のパワートランジスタを前記スイッチングパルス信号に応動して同時に高周波スイッチング動作させる構成にされた、請求項１に記載のディスク装置。
【請求項４】
前記スイッチング動作手段は、前記スイッチングパルス信号に応動したノイズ除去信号を作成する構成にされ、前記位置検出手段は、前記ノイズ除去信号に応動して前記Ｑ相のコイルの端子電圧の検出動作を実行または停止させ、前記Ｑ相のコイルの端子電圧に応動した前記位置信号を作成する構成にされた、請求項１から請求項３のいずれかに記載のディスク装置。
【請求項５】
前記位置検出手段は、少なくとも前記スルーレート・スイッチング信号のスロープ期間において、前記ノイズ除去信号に応動して前記Ｑ相のコイルの端子電圧の検出動作を停止させる構成にされた、請求項４に記載のディスク装置。
【請求項６】
前記スイッチング動作手段は、前記スイッチングパルス信号に応動して前記スルーレート・スイッチング信号と補助スイッチングパルス信号を作成する構成にされ、
前記通電動作手段は、前記スルーレート・スイッチング信号に応動して前記Ｑ個の第１のパワートランジスタのうちの少なくとも１個をオン・オフの高周波スイッチング動作させ、前記補助スイッチングパルス信号に応動して前記Ｑ個の第２のパワートランジスタのうちで少なくとも１個を補助的にオフ・オンの高周波スイッチング動作させる構成にされた、請求項１から請求項５のいずれかに記載のディスク装置。
【請求項７】
前記スイッチング動作手段は、前記スルーレート・スイッチング信号の有効期間と前記補助スイッチングパルス信号の有効期間の間にオフ期間を設ける構成にされた、請求項６に記載のディスク装置。
【請求項８】
前記通電動作手段は、コンデンサ容量を有するコンデンサ手段と、前記コンデンサ手段を充電または放電する充放電手段と、を含んで構成された、請求項１から請求項７のいずれかに記載のディスク装置。
【請求項９】
界磁磁束を発生する界磁部を有する回転体と、
Ｑ相（ここに、Ｑは３以上の整数）のコイルと、
少なくとも２つの出力端子を有し、直流電圧を供給する電圧供給手段と、
前記電圧供給手段の一方の出力端子側と前記Ｑ相のコイルの一端との電流路を形成するＱ個の第１のパワートランジスタと、前記電圧供給手段の他方の出力端子側と前記Ｑ相のコイルの一端との電流路を形成するＱ個の第２のパワートランジスタと、を含んで構成された電力供給手段と、
前記回転体の回転に応動した位置信号を作成する位置検出手段と、
前記位置検出手段の出力信号に応動して前記電力供給手段の前記Ｑ個の第１のパワートランジスタと前記Ｑ個の第２のパワートランジスタの通電区間を制御し、各通電区間を３６０／Ｑ度相当よりも広くする通電動作手段と、
前記回転体の回転速度に応動した指令信号を作成する指令手段と、
前記電力供給手段の前記Ｑ個の第１のパワートランジスタと前記Ｑ個の第２のパワートランジスタのうちで少なくとも１個を前記指令信号に応動して高周波スイッチング動作させるスイッチング動作手段と、を具備するモータであって、
前記スイッチング動作手段は、前記電圧供給手段から前記Ｑ相のコイルへの合成供給電流に応動した電流検出信号を作成する電流検出手段と、前記電流検出信号と前記指令信号に応動した高周波のスイッチングパルス信号を作成するスイッチング制御手段と、を含んで構成され、
前記通電動作手段は、高周波の前記スイッチングパルス信号に応動して変化するスルーレート・スイッチング信号であって、立ち上がり部分と立ち下がり部分のうちで少なくとも一方の部分において電圧傾斜を有する高周波の前記スルーレート・スイッチング信号を前記Ｑ個の第１のパワートランジスタと前記Ｑ個の第２のパワートランジスタのうちで少なくとも１個のパワートランジスタの通電制御端子側に作成し、前記少なくとも１個のパワートランジスタを前記スルーレート・スイッチング信号に応動してフォロア動作させ、前記少なくとも１個のパワートランジスタを前記スルーレート・スイッチング信号に応動して高周波スイッチング動作させ、前記電流検出信号と前記指令信号に応動した高周波スイッチングの駆動電圧を前記Ｑ相のコイルの一端に供給する構成にされた、モータ。
【請求項１０】
前記通電動作手段は、２個の前記第１のパワートランジスタによって前記Ｑ相のコイルへの電流路を切り換える場合に、前記スイッチングパルス信号に応動した２個の前記スルーレート・スイッチング信号を前記２個の前記第１のパワートランジスタの通電制御端子側に作成し、前記２個の前記第１のパワートランジスタを前記スイッチングパルス信号に応動して同時に高周波スイッチング動作させる構成にされた、請求項９に記載のモータ。
【請求項１１】
前記通電動作手段は、２個の前記第１のパワートランジスタによって前記Ｑ相のコイルへの電流路を切り換える場合に、前記２個の前記第１のパワートランジスタを前記スイッチングパルス信号に応動して同時に高周波スイッチング動作させる構成にされた、請求項９に記載のモータ。
【請求項１２】
前記スイッチング動作手段は、前記スイッチングパルス信号に応動したノイズ除去信号を作成する構成にされ、
前記位置検出手段は、前記ノイズ除去信号に応動して前記Ｑ相のコイルの端子電圧の検出動作を実行または停止させ、前記Ｑ相のコイルの端子電圧に応動した前記位置信号を作成する構成にされた、請求項９から請求項１１のいずれかに記載のモータ。
【請求項１３】
前記位置検出手段は、少なくとも前記スルーレート・スイッチング信号のスロープ期間において、前記ノイズ除去信号に応動して前記Ｑ相のコイルの端子電圧の検出動作を停止させる構成にされた、請求項１２に記載のモータ。
【請求項１４】
前記スイッチング動作手段は、前記スイッチングパルス信号に応動して前記スルーレート・スイッチング信号と補助スイッチングパルス信号を作成する構成にされ、
前記通電動作手段は、前記スルーレート・スイッチング信号に応動して前記Ｑ個の第１のパワートランジスタのうちの少なくとも１個をオン・オフの高周波スイッチング動作させ、前記補助スイッチングパルス信号に応動して前記Ｑ個の第２のパワートランジスタのうちで少なくとも１個を補助的にオフ・オンの高周波スイッチング動作させる構成にされた、請求項９から請求項１３のいずれかに記載のモータ。
【請求項１５】
前記スイッチング動作手段は、前記スルーレート・スイッチング信号の有効期間と前記補助スイッチングパルス信号の有効期間の間にオフ期間を設ける構成にされた、請求項１４に記載のモータ。
【請求項１６】
前記通電動作手段は、コンデンサ容量を有するコンデンサ手段と、前記コンデンサ手段を充電または放電する充放電手段と、を含んで構成された、請求項９から請求項１５のいずれかに記載のモータ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ディスクを回転駆動するモータを含んで構成されたディスク装置、および、モータに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、複数個のトランジスタを用いて電流路を切り換えるモータによりディスクを回転駆動させるハードディスク装置（ＨＤＤ）や光ディスク装置やフレキシブルディスク装置などが広く使用されている。従来、このようなモータでは、ＰＮＰ型パワートランジスタとＮＰＮ型パワートランジスタを用いてコイルへの電流路を切り換えている。
【０００３】
図３２に従来のモータを示し、その動作について簡単に説明する。ロータ２０１１は永久磁石による界磁部を有し、位置検出器２０４１はロータ２０１１の界磁部の磁界を３個の位置検出素子で検出する。すなわち、ロータ２０１１の回転に応動した３個の位置検出素子の３相の出力信号から、位置検出器２０４１は２組の３相の電圧信号Ｋｐ１，Ｋｐ２，Ｋｐ３とＫｐ４，Ｋｐ５，Ｋｐ６を発生する。第１の分配器２０４２は電圧信号Ｋｐ１，Ｋｐ２，Ｋｐ３に応動した３相の下側通電制御信号Ｌｐ１，Ｌｐ２，Ｌｐ３を作りだし、下側のＮＰＮ型パワートランジスタ２０２１，２０２２，２０２３のベースに供給し、ＮＰＮ型パワートランジスタ２０２１，２０２２，２０２３の通電を制御する。第２の分配器２０４３は電圧信号Ｋｐ４，Ｋｐ５，Ｋｐ６に応動した３相の上側通電制御信号Ｍｐ１，Ｍｐ２，Ｍｐ３を作りだし、上側のＰＮＰ型パワートランジスタ２０２５，２０２６，２０２７のベースに供給し、ＰＮＰ型パワートランジスタ２０２５，２０２６，２０２７の通電を制御する。これにより、３相のコイル２０１２，２０１３，２０１４への電流路を開閉制御する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
この従来の構成では、パワートランジスタにおける電力損失が大きく、モータの電力効率が著しく悪かった。ＮＰＮ型パワートランジスタ２０２１，２０２２，２０２３およびＰＮＰ型パワートランジスタ２０２５，２０２６，２０２７は、そのエミッタ−コレクタ間の電圧をアナログ的に制御し、コイル２０１２，２０１３，２０１４に必要な振幅の駆動電圧を供給している。そのため、パワートランジスタの残留電圧が大きく、残留電圧とコイルへの駆動電流の積によって大きな電力損失・発熱が生じていた。その結果、モータの電力効率が悪く、ディスク装置の電力消費は大きかった。また、ディスク装置の電力損失・発熱によりディスクの温度上昇が大きく、ディスクへの情報記録・再生においてビット誤りを生じることも多かった。
【０００５】
米国特許第５，９８２，１１８号明細書や米国特許第５，４７３，２３２号明細書には、パワートランジスタをＰＷＭ動作（ＰＷＭ：パルス幅変調）させ、消費電力を小さくしたモータが記載されている。しかし、米国特許第５，９８２，１１８号明細書や米国特許第５，４７３，２３２号明細書のモータ構成では、パワートランジスタのＰＷＭ動作に伴って非常に大きな高周波のスイッチングノイズが発生する。このスイッチングノイズはヘッドからの再生信号を乱し、ディスク装置の再生信号のビット誤り率を著しく悪化させる。
【０００６】
ＨＤＤなどの磁気ディスク装置やＤＶＤなどの光ディスク装置では、高密度ディスクからの再生動作を安定に行わせるために、高周波ノイズを極力小さくする必要がある。しかし、パワートランジスタをＰＷＭ動作させると、非常に大きな高周波のスイッチングノイズが発生する。そのため、ディスク装置の再生信号の信頼性が著しく劣化するので、パワートランジスタをＰＷＭ動作させることが難しかった。
本発明の目的は、上記の種々の問題点をそれぞれまたは同時に解決し、低消費電力で低ノイズの信頼性の高いディスク装置、およびディスクなどの回転駆動に適したモータを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の構成のディスク装置では、
ディスクから信号を再生するヘッド手段と、
前記ヘッド手段の再生信号に応動した処理信号を出力する処理手段と、
界磁磁束を発生する界磁部を有し、前記ディスクを回転駆動する回転体と、
Ｑ相（ここに、Ｑは３以上の整数）のコイルと、
少なくとも２つの出力端子を有し、直流電圧を供給する電圧供給手段と、
前記電圧供給手段の一方の出力端子側と前記Ｑ相のコイルの一端との電流路を形成するＱ個の第１のパワートランジスタと、前記電圧供給手段の他方の出力端子側と前記Ｑ相のコイルの一端との電流路を形成するＱ個の第２のパワートランジスタと、を含んで構成された電力供給手段と、
前記回転体の回転に応動した位置信号を作成する位置検出手段と、
前記位置検出手段の出力信号に応動して前記電力供給手段の前記Ｑ個の第１のパワートランジスタと前記Ｑ個の第２のパワートランジスタの通電区間を制御し、各通電区間を３６０／Ｑ度相当よりも広くする通電動作手段と、
前記ディスクの回転速度に応動した指令信号を作成する指令手段と、
前記電力供給手段の前記Ｑ個の第１のパワートランジスタと前記Ｑ個の第２のパワートランジスタのうちで少なくとも１個を前記指令信号に応動して高周波スイッチング動作させるスイッチング動作手段と、
を具備するディスク装置であって、
前記スイッチング動作手段は、前記電圧供給手段から前記Ｑ相のコイルへの合成供給電流に応動した電流検出信号を作成する電流検出手段と、前記電流検出信号と前記指令信号に応動した高周波のスイッチングパルス信号を作成するスイッチング制御手段と、を含んで構成され、
前記通電動作手段は、高周波の前記スイッチングパルス信号に応動して変化するスルーレート・スイッチング信号であって、立ち上がり部分と立ち下がり部分のうちで少なくとも一方の部分において電圧傾斜を有する高周波の前記スルーレート・スイッチング信号を前記Ｑ個の第１のパワートランジスタと前記Ｑ個の第２のパワートランジスタのうちで少なくとも１個のパワートランジスタの通電制御端子側に作成し、前記少なくとも１個のパワートランジスタを前記スルーレート・スイッチング信号に応動してフォロア動作させ、前記少なくとも１個のパワートランジスタを前記スルーレート・スイッチング信号に応動して高周波スイッチング動作させ、前記電流検出信号と前記指令信号に応動した高周波スイッチングの駆動電圧を前記Ｑ相のコイルの一端に供給する構成にされている。
【０００８】
このように構成することにより、Ｑ個の第１のパワートランジスタとＱ個の第２のパワートランジスタのうちの少なくとも１個は高周波スイッチング動作しているので、パワートランジスタの電力損失は極めて小さくなる。すなわち、パワートランジスタの発熱は非常に小さく、電力消費の小さいディスク装置を実現できる。また、パワートランジスタの各通電区間を３６０／Ｑ度相当の時間よりも大きくし、Ｑ相のコイルへの合成供給電流を指令信号に応動して電流制御しているので、発生駆動力の脈動が少なくなり、ディスクの騒音・振動を小さくできる。また、スイッチング動作手段のスイッチングパルス信号に応動してパワートランジスタを高周波スイッチング動作させるので、スルーレート・スイッチング信号の作成が容易になる。また、スルーレート・スイッチング信号に応動してパワートランジスタをフォロア動作させ、コイルに駆動電圧を供給している。従って、コイルへの駆動電圧はスルーレート・スイッチング信号に応動した所要の電圧傾斜を有する高周波電圧信号になるので、パワートランジスタの高周波スイッチング動作に伴う高周波ノイズの発生は著しく小さくなる。その結果、ディスク装置の再生信号の誤りは著しく少なくなる。従って、消費電力が小さく、再生信号の誤り率が小さく、騒音・振動の小さい高性能なディスク装置を実現できる。
【００１５】
本発明の構成のモータでは、
界磁磁束を発生する界磁部を有する回転体と、
Ｑ相（ここに、Ｑは３以上の整数）のコイルと、
少なくとも２つの出力端子を有し、直流電圧を供給する電圧供給手段と、
前記電圧供給手段の一方の出力端子側と前記Ｑ相のコイルの一端との電流路を形成するＱ個の第１のパワートランジスタと、前記電圧供給手段の他方の出力端子側と前記Ｑ相のコイルの一端との電流路を形成するＱ個の第２のパワートランジスタと、を含んで構成された電力供給手段と、
前記回転体の回転に応動した位置信号を作成する位置検出手段と、
前記位置検出手段の出力信号に応動して前記電力供給手段の前記Ｑ個の第１のパワートランジスタと前記Ｑ個の第２のパワートランジスタの通電区間を制御し、各通電区間を３６０／Ｑ度相当よりも広くする通電動作手段と、
前記回転体の回転速度に応動した指令信号を作成する指令手段と、
前記電力供給手段の前記Ｑ個の第１のパワートランジスタと前記Ｑ個の第２のパワートランジスタのうちで少なくとも１個を前記指令信号に応動して高周波スイッチング動作させるスイッチング動作手段と、
を具備するモータであって、
前記スイッチング動作手段は、前記電圧供給手段から前記Ｑ相のコイルへの合成供給電流に応動した電流検出信号を作成する電流検出手段と、前記電流検出信号と前記指令信号に応動した高周波のスイッチングパルス信号を作成するスイッチング制御手段と、を含んで構成され、
前記通電動作手段は、高周波の前記スイッチングパルス信号に応動して変化するスルーレート・スイッチング信号であって、立ち上がり部分と立ち下がり部分のうちで少なくとも一方の部分において電圧傾斜を有する高周波の前記スルーレート・スイッチング信号を前記Ｑ個の第１のパワートランジスタと前記Ｑ個の第２のパワートランジスタのうちで少なくとも１個のパワートランジスタの通電制御端子側に作成し、前記少なくとも１個のパワートランジスタを前記スルーレート・スイッチング信号に応動してフォロア動作させ、前記少なくとも１個のパワートランジスタを前記スルーレート・スイッチング信号に応動して高周波スイッチング動作させ、前記電流検出信号と前記指令信号に応動した高周波スイッチングの駆動電圧を前記Ｑ相のコイルの一端に供給する構成にされている。
【００１６】
このように構成することにより、Ｑ個の第１のパワートランジスタとＱ個の第２のパワートランジスタのうちの少なくとも１個は高周波スイッチング動作しているので、パワートランジスタの電力損失は極めて小さくなる。すなわち、パワートランジスタの発熱は非常に小さく、電力消費の小さいモータを実現できる。また、パワートランジスタの各通電区間を３６０／Ｑ度相当の時間よりも大きくし、Ｑ相のコイルへの合成供給電流を指令信号に応動して電流制御しているので、発生駆動力の脈動が少なくなり、回転体の騒音・振動を小さくできる。また、スイッチング動作手段のスイッチングパルス信号に応動してパワートランジスタを高周波スイッチング動作させるので、スルーレート・スイッチング信号の作成が容易になる。また、スルーレート・スイッチング信号に応動してパワートランジスタをフォロア動作させ、コイルに駆動電圧を供給している。従って、コイルへの駆動電圧はスルーレート・スイッチング信号に応動した所要の電圧傾斜を有する高周波電圧信号になるので、パワートランジスタの高周波スイッチング動作に伴う高周波ノイズの発生は著しく小さくなる。従って、消費電力が小さく、発生ノイズが少なく、騒音・振動の小さい高性能なモータを実現できる。
【００２４】
これらおよびその他の構成や動作については、実施の形態の説明において詳細に説明する。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係るディスク装置とモータの好適な実施の形態について、添付の図面を参照しながら説明する。
【００２６】
《実施の形態１》
図１から図１４に本発明の実施の形態１のモータを含んで構成されたディスク装置、および、モータを示す。図２にディスク装置の全体構成を示す。ディジタル情報を記録されたディスク８１は、モータ部アクチュエータ８２の回転軸８３に取り付けられ、回転軸８３と共に回転している。ディスク８１のディジタル情報を再生するヘッド部８７は、トラッキング部アクチュエータ８５の支承部８６に取り付けられ、支承部８６の回転移動動作によって位置決めされる。情報処理ブロック９３は、ヘッド部８７からの出力信号Ｃｈに応動した情報出力信号Ｅｈを出力し、ディスク８１のディジタル情報を再生する。また、ヘッド部８７の出力信号には、ディスク８１の再生トラック位置の情報も含まれている。モータ部駆動ブロック９１は、モータ部アクチュエータ８２に駆動電圧と駆動電流を供給し、ディスク８１の回転速度を制御している。トラッキング部駆動ブロック９２は、トラッキング部アクチュエータ８５に駆動電圧と駆動電流を供給し、ヘッド部８７の再生位置をトラッキング制御をしている。
【００２７】
モータ部駆動ブロック９１は、駆動電圧の高周波スイッチング動作を行って、オン・オフのスイッチングされた駆動電圧をモータ部アクチュエータ８２に供給する。トラッキング部駆動ブロック９２は、駆動電圧の高周波スイッチング動作を行って、オン・オフのスイッチングされた駆動電圧をトラッキング部アクチュエータ８５に供給する。
動作切換部９４は動作切換信号Ｄｈを出力する。まず、動作切換部９４の動作切換信号Ｄｈが”Ｌ”（低電位状態）の場合を説明する。モータ部駆動ブロック９１は、パワートランジスタを低速スルーレート・スイッチング動作させ、スイッチングノイズの小さい低速スルーレートの高周波スイッチング駆動電圧をモータ部アクチュエータ８２に供給する。トラッキング部駆動ブロック９２は、パワートランジスタを低速スルーレート・スイッチング動作させ、スイッチングノイズの小さい低速スルーレートの高周波スイッチング駆動電圧をトラッキング部アクチュエータ８５に供給する。情報処理ブロック９３は、その内部回路の回路動作を実行させ、ヘッド部８７からの出力信号の信号再生動作を実行し、情報出力信号Ｅｈを有効にする。
【００２８】
次に、動作切換部９４の動作切換信号Ｄｈが”Ｈ”（高電位状態）の場合を説明する。モータ部駆動ブロック９１は、パワートランジスタを高速スルーレート・スイッチング動作させ、スイッチング損失の少ない高速スルーレートの高周波スイッチング駆動電圧をモータ部アクチュエータ８２に供給する。トラッキング部駆動ブロック９２は、パワートランジスタを高速スルーレート・スイッチング動作させ、スイッチング損失の少ない高速スルーレートの高周波スイッチング駆動電圧をトラッキング部アクチュエータ８５に供給する。情報処理ブロック９３は、その内部回路の回路動作を全部もしくは一部停止させ、ヘッド部８７からの出力信号の信号処理動作を停止し、情報出力信号Ｅｈを無効にする。すなわち、情報処理ブロック９３への電源供給を全部もしくは一部停止し、その情報処理回路動作を停止させる。
なお、ハードディスク装置やフレキシブルディスク装置においてヘッド部８７は磁気記録再生ヘッド部分に相当し、光ディスク装置においてヘッド部８７はレーザー光による記録再生を行う光ヘッド部分に相当する。
【００２９】
図１にモータ部アクチュエータ８２とモータ部駆動ブロック９１の具体的な構成を示す。ディスク８１を回転駆動するモータ部アクチュエータ８２の回転体１１は、複数極の界磁磁束を発生する界磁部を取り付けられたロータである。この界磁部は、たとえば、永久磁石による２極もしくはそれ以上の磁極を有する構成にしている。ここでは、単一の永久磁石にＮ極とＳ極の２極を有する界磁部の構成を示したが、一般的に界磁部は単一の永久磁石または複数の磁極片によって２極以上の複数極を配設することにより構成される。３相のコイル１２，１３，１４は、固定体であるステータに配設され、回転体１１の界磁部との相対関係に関して、電気的に互いに１２０度または約１２０度ずらされて配置されている。ここに、回転体１１の２磁極分の角度が電気角の３６０度に相当する。３相のコイル１２，１３，１４は３相の駆動電流Ｉ１，Ｉ２，Ｉ３により３相の磁束を発生し、回転体１１の界磁部との相互作用によって駆動力を発生し、回転体１１およびディスク８１を回転駆動する。
【００３０】
図１の電力供給部２０は、通電動作部３１の３相の下側通電制御信号Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３と３相の上側通電制御信号Ｎ１，Ｎ２，Ｎ３に応動して電圧供給部２５から３相のコイル１２，１３，１４への電流路を形成し、コイル１２，１３，１４への電力供給を行っている。図３に電力供給部２０の具体的な構成を示す。
図３の電力供給部２０は、電圧供給部２５の負極出力端子側（アース側）とコイル１２，１３，１４の各電力供給端子側の間の電力供給路（電流路）を形成する３個の下側パワートランジスタ１０１，１０２，１０３と、電圧供給部２５の正極出力端子側（Ｖｍ側）とコイル１２，１３，１４の各電力供給端子側の間の電力供給路（電流路）を形成する３個の上側パワートランジスタ１０５，１０６，１０７を含んで構成されている。下側パワートランジスタ１０１，１０２，１０３には並列に下側パワーダイオード１０１ｄ，１０２ｄ，１０３ｄが逆接続され、上側パワートランジスタ１０５，１０６，１０７には並列に上側パワーダイオード１０５ｄ，１０６ｄ，１０７ｄが逆接続されている。これらのパワーダイオードは、必要に応じて接続されていれば良い。ここでは、上側パワートランジスタ１０５，１０６，１０７にＮチャンネルＭＯＳ構造の電界効果型パワートランジスタ（ＮＭＯＳ−ＦＥＴパワートランジスタ）を使用し、下側パワートランジスタ１０１，１０２，１０３にＰチャンネルＭＯＳ構造の電界効果型パワートランジスタを使用している。また、上側パワートランジスタ１０５，１０６，１０７の電流流出端子側から電流流入端子側に向けて逆接続されて形成された寄生ダイオードをそれぞれ、上側パワーダイオード１０５ｄ，１０６ｄ，１０７ｄとして使用している。また、下側パワートランジスタ１０１，１０２，１０３の電流流出端子側から電流流入端子側に向けて逆接続されて形成された寄生ダイオードをそれぞれ、下側パワーダイオード１０１ｄ，１０２ｄ，１０３ｄとして使用している。
【００３１】
上側パワートランジスタ１０５，１０６，１０７（上側ＮＭＯＳ−ＦＥＴパワートランジスタ）は、上側通電制御信号Ｎ１，Ｎ２，Ｎ３に応動してオン・オフの高周波スイッチング動作を行う。上側パワートランジスタ１０５，１０６，１０７は、コイル１２，１３，１４への駆動電流Ｉ１，Ｉ２，Ｉ３の正極側電流を供給する電流路を形成する。たとえば、上側パワートランジスタ１０５がオンのときにはコイル１２の端子電圧Ｖ１はＶｍまたは略Ｖｍになり、コイル１２に正極性の駆動電流Ｉ１を供給する。上側パワートランジスタ１０５がオフに変わると、下側パワーダイオード１０１ｄ（または下側パワートランジスタ１０１）が活性になり、コイル１２の端子電圧Ｖ１は０Ｖまたは略０Ｖになる。すなわち、コイル１２のインダクタンス作用によって、コイル１２に正極性の駆動電流Ｉ１を連続的に供給する。これにより、コイル１２の端子電圧Ｖ１は略Ｖｍと略０Ｖの間を実質的にディジタル的に変化する高周波スイッチング駆動電圧になる。従って、上側パワートランジスタ１０５，１０６，１０７のそれぞれの通電区間において、コイル１２，１３，１４の端子電圧Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３はそれぞれ高周波スイッチング駆動電圧（ＰＷＭ電圧）になる。なお、スイッチングの周波数は、たとえば２０ｋＨｚから２００ｋＨｚの間の比較的高周波が使用される。そのため、ここでは、高周波スイッチングに適した電界効果型パワートランジスタを使用している。
【００３２】
下側パワートランジスタ１０１，１０２，１０３（下側ＮＭＯＳ−ＦＥＴパワートランジスタ）は、下側通電制御信号Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３に応動して高周波スイッチング動作またはオン・オフ動作を行う。下側パワートランジスタ１０１，１０２，１０３は、コイル１２，１３，１４への駆動電流Ｉ１，Ｉ２，Ｉ３の負極側電流を供給する電流路を形成する。
なお、上側パワートランジスタにＮチャンネル電界効果型のトランジスタを使用する場合には、電圧供給部２５の正極出力端子側電位Ｖｍよりも所定値だけ高い高電位”Ｈｕ”を用いて、上側パワートランジスタを動作させる上側通電制御信号Ｎ１，Ｎ２，Ｎ３を作成する。また、下側パワートランジスタにＰチャンネル電界効果型のトランジスタを使用する場合には、電圧供給部２５の負極出力端子側電位０Ｖよりも所定値だけ低い低電位”Ｌｄ”を用いて、下側パワートランジスタを動作させる下側通電制御信号Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３を作成する。これにより、上側パワートランジスタや下側パワートランジスタをフルオン動作させることができる。なお、電界効果型パワートランジスタの動作には、フルオン状態とハーフオン状態とオフ状態がある。パワートランジスタは、フルオン状態とオフ状態の間に生じる駆動電圧の傾斜部分においてハーフオン状態にて動作する。なお、フルオン状態とハーフオン状態をあわせてオン状態とよぶ。
【００３３】
電流検出部２１は、電流検出用の抵抗１１１を含んで構成され、下側パワートランジスタ１０１，１０２，１０３を介して電圧供給部２５から３相のコイル１２，１３，１４に供給する通電電流または合成供給電流Ｉｇに応動した電流検出信号Ａｄを出力する。ここでは、電流検出信号Ａｄは通電電流Ｉｇに直接的に比例または略比例している。上側パワートランジスタはオン・オフの高周波スイッチング動作するので、合成供給電流Ｉｇや電流検出信号Ａｄはパルス信号になる。
図１の位置検出部３０は、回転体１１の界磁部の位置を検出し、検出位置に対応した下側位置信号Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３と上側位置信号Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３と検出パルス信号Ｄｔを出力する。一般に、界磁部の回転位置の検出には、磁電変換素子を用いる方法が広く用いられる。すなわち、界磁部の磁極が作用する固定体上にホール素子のごとき磁電変換素子を配置し、磁電変換素子の出力信号により界磁部の位置を検出する。しかし、ここでは、位置検出部３０は、３相のコイル１２，１３，１４の一端に生じる３相の端子電圧Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３を検出し、端子電圧の比較結果によって界磁部の回転位置の検出を行っている。これにより、位置検出素子を不要にしている。図４に位置検出部３０の具体的な構成を示す。
【００３４】
図４の位置検出部３０は、電圧検出器１２１と位置作成器１２２によって構成されている。電圧検出器１２１は、３相のコイル１２，１３，１４の一端に生じる３相の端子電圧Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３とコイル１２，１３，１４の共通接続された中性点端子の共通電圧Ｖｃを入力され、それらの比較結果に応動した検出パルス信号Ｄｔを出力する。位置作成器１２２は、検出パルス信号Ｄｔの発生に応動して内部状態を遷移させ、内部状態に対応した下側位置信号Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３と上側位置信号Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３を出力する。図５に電圧検出器１２１の具体的な構成を示し、図６に位置作成器１２２の具体的な構成を示す。
【００３５】
図５の電圧検出器１２１の３個のコンパレータ回路１５１，１５２，１５３は、３相の端子電圧Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３と共通電圧Ｖｃを比較し、比較結果に応動した３相の比較パルス信号ｂ１，ｂ２，ｂ３を出力する。信号選択回路１５５は、下側位置信号Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３と上側位置信号Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３による３相のコイルへの通電状態に応じて比較パルス信号ｂ１，ｂ２，ｂ３のうちのいずれか１個の立ち上がりエッジまたは立ち下がりエッジを選択検出し、その検出エッジを合成した検出パルス信号ｂ４を出力する。ノイズ除去回路１５６は、パワートランジスタの高周波スイッチングに伴って検出パルス信号ｂ４に含まれるスイッチングノイズを、後述のスイッチング制御部２２のノイズ除去信号Ｗｘにより除去し、正確な検出パルス信号Ｄｔを出力する。なお、中性点端子の正確な共通電圧Ｖｃの代わりに、端子電圧Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３を抵抗によって合成した合成共通電圧を使用しても良い。
【００３６】
図１０の（ａ）〜（ｄ）に電圧検出器１２１の動作説明用波形を示す。図１０の（ａ），（ｂ），（ｃ）に示した３相の比較パルス信号ｂ１，ｂ２，ｂ３に対して、各エッジを選択検出して合成し、検出パルス信号Ｄｔを作成する（図１０の（ｄ）参照）。ここに、図１０の横軸は時間である。なお、電力供給部２０のパワートランジスタのスイッチング動作によって生じるスイッチングノイズは図示を省略した。
図６の位置作成器１２２は、調整器１６０と信号形成器１６１を含んで構成されている。調整器１６０は、電圧検出器１２１の検出パルス信号Ｄｔの立ち上がりエッジの到来毎に、第１の調整時間Ｔ１だけ遅延した第１のタイミング信号Ｆ１と、第２の調整時間Ｔ２（Ｔ２＞Ｔ１）だけ遅延した第２のタイミング信号Ｆ２を出力する。信号形成器１６１は、検出パルス信号Ｄｔから第１の調整時間Ｔ１後に、第１のタイミング信号Ｆ１に応動してその内部状態を第１の状態から第２の状態に遷移させる。また、信号形成器１６１は、検出パルス信号Ｄｔから第２の調整時間Ｔ２後に、第２のタイミング信号Ｆ２に応動してその内部状態を第２の状態から第３の状態に遷移させる。すなわち、信号形成器１６１は、調整器１６０の第１のタイミング信号Ｆ１や第２のタイミング信号Ｆ２の到来に応動して内部状態を遷移し、その内部状態に応動した３相の下側位置信号Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３と３相の上側位置信号Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３を出力する。
【００３７】
図６の調整器１６０は、時間計測回路１６５と第１の調整回路１６６と第２の調整回路１６７を含んで構成されている。時間計測回路１６５は、検出パルス信号Ｄｔの立ち上がりエッジの時間間隔Ｔ０を計測し、その時間間隔Ｔ０に対応した計数データ信号Ｄｂを出力する。第１の調整回路１６６は、検出パルス信号Ｄｔの立ち上がりエッジの発生時点における計数データ信号Ｄｂを入力し、この計数データＤｂに比例もしくは略比例した第１の調整時間Ｔ１だけ検出パルス信号Ｄｔの発生時点から遅延させ、第１のタイミング信号Ｆ１を出力する。同様に、第２の調整回路１６７は、検出パルス信号Ｄｔの立ち上がりエッジの発生時点における計数データＤｂを入力し、この計数データＤｂに比例もしくは略比例した第２の調整時間Ｔ２だけ検出パルス信号Ｄｔの発生時点から遅延させ、第２のタイミング信号Ｆ２を出力する。
【００３８】
時間計測回路１６５は、たとえばアップ型カウンタと保持回路を含んで構成されている。検出パルス信号Ｄｔの到来毎に、アップ型カウンタの内容を保持回路に移し、計数データ信号Ｄｂとして出力する。また、検出パルス信号Ｄｔの到来毎に、アップ型カウンタの内部状態をリセットし、その後に計測クロックパルスをカウントアップする。第１の調整回路１６６は、たとえば第１のダウン型カウンタを含んで構成されている。検出パルス信号Ｄｔの到来時に計数データ信号Ｄｂを第１のダウン型カウンタに入力し、その後に第１のクロックパルスによりダウンカウントする。第１のダウン型カウンタの内容が零になったときに、第１の調整回路１６６は第１のタイミング信号Ｆ１を出力する。第２の調整回路１６７は、たとえば第２のダウン型カウンタを含んで構成されている。検出パルス信号Ｄｔの到来時に計数データ信号Ｄｂを第２のダウン型カウンタに入力し、その後に第２のクロックパルスによりダウンカウントする。第２のダウン型カウンタの内容が零になったときに、第２の調整回路１６７は第２のタイミング信号Ｆ２を出力する。また、第１の調整回路１６６の第１のクロックパルスを第２の調整回路１６７の第２のクロックパルスよりも高速にすることにより、第１の調整時間Ｔ１＜第２の調整時間Ｔ２にしている。
【００３９】
これらの信号波形の関係を図１１の（ａ），（ｂ），（ｃ）に例示する。時間計測回路１６５は、図１１の（ａ）に示した検出パルス信号Ｄｔの立ち上がりエッジ間の時間間隔Ｔ０を計測し、時間間隔Ｔ０に対応したカウント値を計数データ信号Ｄｂとして出力する。第１の調整回路１６６は、時間間隔Ｔ０に比例または略比例した第１の調整時間Ｔ１（Ｔ１＜Ｔ０）だけ遅延して第１のタイミング信号Ｆ１を出力する（図１１の（ｂ）参照）。すなわち、第１のタイミング信号Ｆ１は、検出パルス信号Ｄｔの立ち上がりエッジ発生時点から、時間間隔Ｔ０に応動した第１の調整時間Ｔ１だけ遅延したパルス信号になる。第２の調整回路１６７は、時間間隔Ｔ０に比例または略比例した第２の調整時間Ｔ２（Ｔ２＜Ｔ０）だけ遅延して第２のタイミング信号Ｆ２を出力する（図１１の（ｃ）参照）。すなわち、第２のタイミング信号Ｆ２は、検出パルス信号Ｄｔの立ち上がりエッジ発生時点から、時間間隔Ｔ０に応動した第２の調整時間Ｔ２（Ｔ１＜Ｔ２＜Ｔ０）だけ遅延したパルス信号になる。ここに、図１１の横軸は時間である。
【００４０】
図６の信号形成器１６１は、調整器１６０の第１のタイミング信号Ｆ１や第２のタイミング信号Ｆ２の到来に対応して内部状態を遷移し、その内部状態を保持する状態保持回路を含んでいる。信号形成器１６１は、第１のタイミング信号Ｆ１の到来に応動してその保持状態を第１の状態から第２の状態に遷移させ、第２のタイミング信号Ｆ２の到来に応動してその保持状態を第２の状態から第３の状態に遷移させる。信号形成器１６１は、第１のタイミング信号Ｆ１と第２のタイミング信号Ｆ２に応動して遷移する保持状態に対応して、３相の下側位置信号Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３と３相の上側位置信号Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３を出力する。すなわち、第１のタイミング信号Ｆ１の到来によって、下側位置信号Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３と上側位置信号Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３のうちで１個の信号を、“Ｌ”（低電位状態）から“Ｈ”（高電位状態）に変化させ、対応するパワートランジスタの通電を開始させる。また、第２のタイミング信号Ｆ２の到来によって、下側位置信号Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３と上側位置信号Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３のうちで１個の信号を、“Ｈ”から“Ｌ”に変化させ、対応するパワートランジスタの通電を終了させる。
【００４１】
信号形成器１６１の各下側位置信号Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３の“Ｈ”状態になる期間は、電力供給部２０の各下側パワートランジスタ１０１，１０２，１０３の通電区間に対応し、各下側パワートランジスタの動作により各コイル１２，１３，１４に駆動電流Ｉ１，Ｉ２，Ｉ３の負極側電流をそれぞれ供給する通電区間に相当する。信号形成器１６１の各上側位置信号Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３の“Ｈ”状態になる期間は、電力供給部２０の各上側パワートランジスタ１０５，１０６，１０７の通電区間に対応し、各上側パワートランジスタの動作により各コイル１２，１３，１４に駆動電流Ｉ１，Ｉ２，Ｉ３の正極側電流をそれぞれ供給する通電区間に相当する。
【００４２】
図１２にこれらの信号波形の関係を示す。図１２の横軸は時間である。図１２の（ａ）に示した検出パルス信号Ｄｔに対して、第１のタイミング信号Ｆ１は第１の調整時間Ｔ１だけ遅延して出力され（図１２の（ｂ）参照）、第２のタイミング信号Ｆ２は第２の調整時間Ｔ２だけ遅延して出力される（図１２の（ｃ）参照）。信号形成器１６１は、第１のタイミング信号Ｆ１と第２のタイミング信号Ｆ２の到来毎に保持状態を遷移し、合計で１２状態を循環的に繰り返す。これにより、図１２の（ｄ），（ｅ），（ｆ）に示した３相の下側位置信号Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３と図１２の（ｇ），（ｈ），（ｉ）に示した３相の上側位置信号Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３を作り出す。たとえば、第１のタイミング信号Ｆ１の到来により下側位置信号Ｐ１が“Ｌ”から“Ｈ”に変化して下側パワートランジスタ１０１が通電開始になり、第２のタイミング信号Ｆ２の到来により下側位置信号Ｐ３が“Ｈ”から“Ｌ”に変化して下側パワートランジスタ１０３が通電終了になる。次の第１のタイミング信号Ｆ１の到来により上側位置信号Ｑ３が“Ｌ”から“Ｈ”に変化して上側パワートランジスタ１０７が通電開始になり、次の第２のタイミング信号Ｆ２の到来により上側位置信号Ｑ２が“Ｈ”から“Ｌ”に変化して上側パワートランジスタ１０６が通電終了になる。さらに、次の第１のタイミング信号Ｆ１の到来により下側位置信号Ｐ２が“Ｌ”から“Ｈ”に変化して下側パワートランジスタ１０２が通電開始になり、第２のタイミング信号Ｆ２の到来により下側位置信号Ｐ１が“Ｈ”から“Ｌ”に変化して下側パワートランジスタ１０１が通電終了になる。さらに、次の第１のタイミング信号Ｆ１の到来により上側位置信号Ｑ１が“Ｌ”から“Ｈ”に変化して上側パワートランジスタ１０５が通電開始になり、次の第２のタイミング信号Ｆ２の到来により上側位置信号Ｑ３が“Ｈ”から“Ｌ”に変化して上側パワートランジスタ１０７が通電終了になる。このようにして、信号形成器１６１は３相の下側位置信号Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３と３相の上側位置信号Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３を出力し、電力供給部２０の下側パワートランジスタ１０１，１０２，１０３と上側パワートランジスタ１０５，１０６，１０７の通電区間を決める。図１２から理解されるように、ここでは、検出パルス信号Ｄｔの発生から第１の調整時間Ｔ１後の第１のタイミング信号Ｆ１に応動して、ある１個のパワートランジスタの通電が開始される。また、検出パルス信号Ｄｔの発生から第２の調整時間Ｔ２後の第２のタイミング信号Ｆ２に応動して、ある１個のパワートランジスタの通電が終了する。
【００４３】
その結果、下側位置信号Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３は、電気角で１２０度よりも大きな“Ｈ”区間（通電区間）を持つ３相信号になる（図１２の（ｄ）〜（ｆ）参照）。具体的には、下側位置信号Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３は約１５０度の“Ｈ”区間を有する３相信号にしている。ここに、電気角３６０度はロータのＮ極とＳ極の１組の回転角度に相当する。同様に、上側位置信号Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３は、電気角で１２０度よりも大きな “Ｈ”区間（通電区間）を持つ３相信号になる（図１２の（ｇ）〜（ｉ）参照）。具体的には、上側位置信号Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３は約１５０度の“Ｈ”区間を有する３相信号にしている。また、Ｔ２＞Ｔ１であるから、モータの回転に伴って、２相のコイルへの通電と３相のコイルへの通電を交互に行わせ、駆動電流の脈動を小さくしている。
【００４４】
図１の指令部３２は、たとえば、ディスク８１や回転体１１の回転速度を所定値に制御する速度制御回路を含んで構成され、位置検出部３０の検出パルス信号Ｄｔによりディスク８１や回転体１１の回転速度を検出し、検出回転速度と目標速度との差に応動した指令信号Ａｃを出力する。ここでは、指令信号Ａｃは速度制御回路によって作り出された電圧信号である。
図１のスイッチング制御ブロック４１のスイッチング制御部２２は、電流検出部２１の電流検出信号Ａｄと指令部３２の指令信号Ａｃを比較し、該比較結果に応動した単一のスイッチングパルス信号Ｗｐを出力する。図７にスイッチング制御部２２の具体的な構成を示す。なお、電流検出部２１とスイッチング制御部２２は、電力供給部２０の少なくとも１個のパワートランジスタを高周波スイッチング動作させるために、指令部３２の指令信号Ａｃに応動した高周波のスイッチングパルス信号Ｗｐを出力するスイッチング動作ブロック４１を形成している。
【００４５】
図７のスイッチング制御部２２は、比較回路１８１と基準パルス回路１８２とＰＷＭパルス回路１８３と除去作成回路１８４を含んで構成されている。比較回路１８１は、指令信号Ａｃと電流検出信号Ａｄを比較し、電流検出信号Ａｄが指令信号Ａｃよりも大きくなると比較信号Ａｐを“Ｈ”に変化させる。基準パルス回路１８２は、たとえば、分周回路を含んで構成され、クロック信号を所定個数分周して、所定の時間間隔毎に基準パルス信号Ａｒを出力する。基準パルス信号Ａｒは、所定の短時間の間”Ｈ”となるパルス信号にされている。
ＰＷＭパルス回路１８３は、たとえば、フリップフロップ回路を含んで構成され、基準パルス信号Ａｒの立ち上がりエッジの発生により内部状態を“Ｈ”にし、比較信号Ａｐの立ち上がりエッジの発生によって内部状態を”Ｌ”にする。ＰＷＭパルス回路１８３のスイッチングパルス信号Ｗｐは、内部状態に対応して変化し、基準パルス信号Ａｒの立ち下がりエッジにおいて”Ｈ”に変わり、比較信号Ａｐの立ち上がりエッジの発生により“Ｌ”に変化する。また、除去作成回路１８４は、たとえば、両エッジトリガのモノマルチ回路を含んで構成され、スイッチングパルス信号Ｗｐの立ち上がりエッジおよび立ち下がりエッジの発生をトリガとして、所定時間の間”Ｌ”になるノイズ除去信号Ｗｘを出力する。
【００４６】
図１３の（ａ）〜（ｄ）に、基準パルス信号Ａｒと比較信号Ａｐとスイッチングパルス信号Ｗｐとノイズ除去信号Ｗｘの信号関係を示す。図１３の横軸は時間である。基準パルス信号Ａｒの立ち上がりエッジ発生時点においてスイッチングパルス信号Ｗｐは“Ｈ”になり、比較信号Ａｐの立ち上がりエッジ発生時点においてスイッチングパルス信号Ｗｐは“Ｌ”になる。このようにして、スイッチングパルス信号Ｗｐは電流検出信号Ａｄと指令信号Ａｃの比較結果に応動したＰＷＭ信号になる。また、ノイズ除去信号Ｗｘは、スイッチングパルス信号Ｗｐの立ち上がりエッジおよび立ち下がりエッジの発生時点から所定時間Ｔｘ（Ｔｘ：ノイズ除去時間）の間”Ｌ”になる。なお、スイッチングパルス信号Ｗｐの周波数は、基準パルス信号Ａｒの周波数によって決まり、２０ｋＨｚ〜２００ｋＨｚの間の高周波信号にされている。これにより、高周波スイッチング動作の周波数が一定になり、スイッチングパルス信号Ｗｐやノイズ除去信号Ｗｘを容易に作成できる。
【００４７】
図１の通電動作部３１は、位置検出部３０の３相の下側位置信号Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３や３相の上側位置信号Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３やスイッチング制御部２２のスイッチングパルス信号Ｗｐや通電切換部９４の通電切換信号Ｄｈに応動した３相の下側通電制御信号Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３と３相の上側通電制御信号Ｎ１，Ｎ２，Ｎ３を出力する。従って、第１のパワートランジスタや第２のパワートランジスタの各通電区間は、下側位置信号Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３と上側位置信号Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３によって決められる。また、通電動作部３１は、スイッチング制御部２２のスイッチングパルス信号Ｗｐに応動して、上側通電制御信号Ｎ１，Ｎ２，Ｎ３をスイッチングパルス化している（必要に応じて、下側通電制御信号Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３もスイッチングパルス化している）。図８に通電動作部３１と電力供給部２０の具体的な構成を示す。
【００４８】
図８の通電動作部３１は、第１の通電制御回路２００Ａと第２の通電制御回路２００Ｂと第３の通電制御回路２００Ｃを含んで構成されている。第１の通電制御回路２００Ａは、下側位置信号Ｐ１と上側位置信号Ｑ１とスイッチングパルス信号Ｗｐと動作切換信号Ｄｈを入力され、下側通電制御信号Ｍ１と上側通電制御信号Ｎ１を出力する。同様に、第２の通電制御回路２００Ｂは、下側位置信号Ｐ２と上側位置信号Ｑ２とスイッチングパルス信号Ｗｐと動作切換信号Ｄｈを入力され、下側通電制御信号Ｍ２と上側通電制御信号Ｎ２を出力する。同様に、第３の通電制御回路２００Ｃは、下側位置信号Ｐ３と上側位置信号Ｑ３とスイッチングパルス信号Ｗｐと動作切換信号Ｄｈを入力され、下側通電制御信号Ｍ３と上側通電制御信号Ｎ３を出力する。
【００４９】
図８の電力供給部２０は、第１の電力供給回路２５０Ａと第２の電力供給回路２５０Ｂと第３の電力供給回路２５０Ｃを含んで構成されている。第１の電力供給回路２５０Ａは、第１の通電制御回路２００Ａの下側通電制御信号Ｍ１と上側通電制御信号Ｎ１を入力され、上側パワートランジスタ１０５と下側パワートランジスタ１０１と上側パワーダイオード１０５ｄと下側パワーダイオード１０１ｄによりコイル１２の電力供給端子側への通電を行う。同様に、第２の電力供給回路２５０Ｂは、第２の通電制御回路２００Ｂの下側通電制御信号Ｍ２と上側通電制御信号Ｎ２を入力され、上側パワートランジスタ１０６と下側パワートランジスタ１０２と上側パワーダイオード１０６ｄと下側パワーダイオード１０２ｄによりコイル１３の電力供給端子側への通電を行う。同様に、第３の電力供給回路２５０Ｃは、第３の通電制御回路２００Ｃの下側通電制御信号Ｍ３と上側通電制御信号Ｎ３を入力され、上側パワートランジスタ１０７と下側パワートランジスタ１０３と上側パワーダイオード１０７ｄと下側パワーダイオード１０３ｄによりコイル１４の電力供給端子側への通電を行う。
【００５０】
図９に第１の通電制御回路２００Ａと第１の電力供給回路２５０Ａの具体的な構成を示す。第１の電力供給回路２５０Ａは、下側パワートランジスタ１０１と上側パワートランジスタ１０５と下側パワーダイオード１０１ｄと上側パワーダイオード１０５ｄを含んで構成され、下側通電制御信号Ｍ１と上側通電制御信号Ｎ１に応動してコイル１２に駆動電圧Ｖ１と駆動電流Ｉ１を供給する。
第１の通電制御回路２００Ａは、スルーレート回路２１０とオア回路２１１とバッファ回路２１２とアンド回路２１３と第１スイッチ回路２１４と第２スイッチ回路２１５と第３スイッチ回路２１６と第４スイッチ回路２１７を含んで構成されている。オア回路２１１は、下側位置信号Ｐ１と上側位置信号Ｑ１が入力され、第１のスイッチ切換信号Ｓ１を出力する。第１スイッチ回路２１４は、第１のスイッチ切換信号Ｓ１が”Ｈ”（高電位状態）の時にａ側に接続し、第１のスイッチ切換信号Ｓ１が”Ｌ”（低電位状態）の時にｂ側に接続する。第１スイッチ回路２１４のａ側には第３スイッチ回路２１６の出力点が接続され、第１スイッチ回路２１４のｂ側には高電位点”Ｈｕ”が接続されている。第２スイッチ回路２１５は、第１のスイッチ切換信号Ｓ１が”Ｈ”の時にａ側に接続し、第１のスイッチ切換信号Ｓ１が”Ｌ”の時にｂ側に接続する。第２スイッチ回路２１５のａ側には第４スイッチ回路２１７の出力点が接続され、第２スイッチ回路２１５のｂ側には低電位点”Ｌｄ”が接続されている。ここに、高電位点”Ｈｕ”は、電圧供給部２５の正極側出力端子の電位Ｖｍよりも所定値だけ高い高電位点である。また、低電位点”Ｌｄ”は、電圧供給部２５の負極側出力端子の電位０Ｖよりも所定値だけ低い低電位点である。
【００５１】
バッファ回路２１２は、下側位置信号Ｐ１をバッファ出力し、第２のスイッチ切換信号Ｓ２を出力する。第３スイッチ回路２１６は、第２のスイッチ切換信号Ｓ２が”Ｈ”の時にａ側に接続し、第２のスイッチ切換信号Ｓ２が”Ｌ”の時にｂ側に接続する。第３スイッチ回路２１６のａ側には低電位点”Ｌｄ”が接続され、第３スイッチ回路２１６のｂ側にはスルーレート回路２１０の出力点が接続されている。第４スイッチ回路２１７は、第２のスイッチ切換信号Ｓ２が”Ｈ”の時にａ側に接続し、第２のスイッチ切換信号Ｓ２が”Ｌ”の時にｂ側に接続する。第４スイッチ回路２１７のａ側には低電位点”Ｌｄ”が接続され、第４スイッチ回路２１７のｂ側にはスルーレート回路２１０の出力点が接続されている。
【００５２】
アンド回路２１３は、上側位置信号Ｑ１とスイッチングパルス信号Ｗｐの論理積をとり、第３のスイッチ切換信号Ｓ３をスルーレート回路２１０に出力する。
スルーレート回路２１０は、第５スイッチ回路２２０と定電流回路２２１，２２２とコンデンサ２２５を含んで構成されている。第５スイッチ回路２２０は、第３のスイッチ切換信号Ｓ３が”Ｈ”の時にａ側に接続し、第３のスイッチ切換信号Ｓ３が”Ｌ”の時にｂ側に接続する。第５スイッチ回路２２０のａ側には高電位点”Ｈｕ”から流出する定電流回路２２１が接続され、第５スイッチ回路２２０のｂ側には低電位点”Ｌｄ”に流入する定電流回路２２２が接続されている。コンデンサ２２５は、第５スイッチ回路２２０の出力点に接続されている。第５スイッチ回路２２０がａ側に接続された場合に、コンデンサ２２５は定電流回路２２１の出力電流によって徐々に充電され、端子電圧は徐々に高電位”Ｈｕ”まで上昇する。第５スイッチ回路２２０がｂ側に接続された場合に、コンデンサ２２５は定電流回路２２２の出力電流によって徐々に放電され、端子電圧は徐々に低電位”Ｌｄ”まで下降する。その結果、コンデンサ２２５の端子電圧信号Ｒ１は、単一のスイッチングパルス信号Ｗｐに応動して変化し、立ち上がりエッジ部分と立ち下がりエッジ部分において所要の電圧傾斜を有するスルーレート・スイッチング信号になる。
【００５３】
定電流回路２２１，２２２の電流値は、動作切換信号Ｄｈによって切り換えられている。動作切換信号Ｄｈが”Ｌ”の場合に、定電流回路２２１，２２２の電流値は小さな値にされ、コンデンサ２２５に生じるスルーレート・スイッチング信号Ｒ１は緩やかな電圧傾斜の低速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ａになる。動作切換信号Ｄｈが”Ｈ”の場合に、定電流回路２２１，２２２の電流値は大きな値にされ、コンデンサ２２５に生じるスルーレート・スイッチング信号Ｒ１は急な電圧傾斜の高速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ｂになる。図１４の（ａ），（ｂ），（ｃ）にスイッチングパルス信号Ｗｐと低速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ａと高速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ｂの関係を示す（横軸は時間）。低速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ａや高速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ｂは、スイッチングパルス信号Ｗｐの変化に応動して変化する。低速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ａの立ち上がり時間Ｔｒａと立ち下がり時間Ｔｆａは大きくされ、高速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ｂの立ち上がり時間Ｔｒｂと立ち下がり時間Ｔｆｂは小さくされている。
【００５４】
まず、下側位置信号Ｐ１が”Ｌ”，上側位置信号Ｑ１が”Ｌ”の場合には、第１のスイッチ切換信号Ｓ１が”Ｌ”になり、第１スイッチ回路２１４はｂ側に接続され、第２スイッチ回路２１５はｂ側に接続される。従って、下側通電制御信号Ｍ１は高電位”Ｈｕ”になるので第１の電力供給回路２５０Ａの下側パワートランジスタ１０１はオフになり、上側通電制御信号Ｎ１は低電位”Ｌｄ”になるので第１の電力供給回路２５０Ａの上側パワートランジスタ１０５はオフになる。その結果、Ｐ１＝”Ｌ”，Ｑ１＝”Ｌ”の場合には、第１の電力供給回路２５０Ａはコイル１２に電力供給を行わない。
次に、回転体１１が回転し、下側位置信号Ｐ１が”Ｈ”，上側位置信号Ｑ１が”Ｌ”になった場合を説明する。第１のスイッチ切換信号Ｓ１が”Ｈ”になり、第１スイッチ回路２１４はａ側に接続され、第２スイッチ回路２１５はａ側に接続される。第２のスイッチ切換信号Ｓ２が”Ｈ”になり、第３スイッチ回路２１６はａ側に接続され、第４スイッチ回路２１７はａ側に接続される。従って、下側通電制御信号Ｍ１は低電位”Ｌｄ”になるので第１の電力供給回路２５０Ａの下側パワートランジスタ１０１はオンになり、上側通電制御信号Ｎ１は低電位”Ｌｄ”になるので第１の電力供給回路２５０Ａの上側パワートランジスタ１０５はオフになる。その結果、Ｐ１＝”Ｈ”，Ｑ１＝”Ｌ”の場合には、第１の電力供給回路２５０Ａは下側パワートランジスタ１０１によりコイル１２に負極性の駆動電流Ｉ１を供給する。
【００５５】
さらに回転体１１が回転し、下側位置信号Ｐ１が”Ｌ”，上側位置信号Ｑ１が”Ｌ”になった場合には、下側パワートランジスタ１０１と上側パワートランジスタ１０５はオフになり、第１の電力供給回路２５０Ａはコイル１２に電力供給を行わない。
さらに回転体１１が回転し、下側位置信号Ｐ１が”Ｌ”，上側位置信号Ｑ１が”Ｈ”になった場合を説明する。第１のスイッチ切換信号Ｓ１が”Ｈ”になり、第１スイッチ回路２１４はａ側に接続され、第２スイッチ回路２１５はａ側に接続される。第２のスイッチ切換信号Ｓ２が”Ｌ”になり、第３スイッチ回路２１６はｂ側に接続され、第４スイッチ回路２１７はｂ側に接続される。従って、下側通電制御信号Ｍ１および上側通電制御信号Ｎ１はスルーレート回路２１０の出力信号になる。その結果、Ｐ１＝”Ｌ”，Ｑ１＝”Ｈ”の場合には、第１の電力供給回路２５０Ａの下側パワートランジスタ１０１と上側パワートランジスタ１０５はスルーレート回路２１０のスルーレート・スイッチング信号Ｒ１に応動して高周波スイッチング動作し、コイル１２に正極性の駆動電流Ｉ１を供給する。また、上側位置信号Ｑ１が”Ｈ”であるから、アンド回路２１３の出力である第３のスイッチ切換信号Ｓ３はスイッチングパルス信号Ｗｐに一致する。
電力供給回路２５０Ａの上側パワートランジスタ１０５は、Ｎチャンネル電界効果型パワートランジスタによって構成され、そのソース端子側にコイル１２が接続されている。従って、上側パワートランジスタ１０５はソース・フォロア動作を行い、通電制御端子側に供給された上側通電制御信号Ｎ１に応動して、上側通電制御信号Ｎ１に相似したスルーレートを有する駆動電圧Ｖ１をコイル１２に供給する。ここでは、上側パワートランジスタ１０５が高周波スイッチング動作しながらコイル１２に正極性の駆動電流を供給しているので、下側パワートランジスタ１０１はフォロア動作する必要はない。
【００５６】
動作切換信号Ｄｈが”Ｌ”の場合には、定電流回路２２１，２２２の電流値が小さくされ、低速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ａがスルーレート回路２１０の出力信号になる。従って、Ｄｈ＝”Ｌ”の場合には、第１の電力供給回路２５０Ａの上側パワートランジスタ１０５は低速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ａに応動して高周波スイッチング動作し、端子電圧Ｖ１は低速スルーレートにて変化するＰＷＭスイッチング電圧になる。図１４の（ａ），（ｂ）にスイッチングパルス信号Ｗｐと低速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ａの関係を示す。低速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ａは、スイッチングパルス信号Ｗｐの変化タイミングから大きな立ち上がり時間Ｔｒａや大きな立ち下がり時間Ｔｆａを有し、スルーレートの低い、すなわち、緩やかな電圧傾斜部分を有するスイッチング信号になされている。なお、低速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ａが小さくなり上側パワートランジスタ１０５がオフになると、下側パワートランジスタ１０１または下側ダイオード１０１ｄが相補的にオンになり、コイル１２に正極性の駆動電流Ｉ１を持続的に供給する。
【００５７】
動作切換信号Ｄｈが”Ｈ”の場合には、定電流回路２２１，２２２の電流値が大きくされ、高速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ｂがスルーレート回路２１０の出力信号になる。従って、Ｄｈ＝”Ｈ”の場合には、第１の電力供給回路２５０Ａの上側パワートランジスタ１０５は高速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ｂに応動して高周波スイッチング動作し、端子電圧Ｖ１は高速スルーレートにて変化するＰＷＭスイッチング電圧になる。図１４の（ａ），（ｃ）にスイッチングパルス信号Ｗｐと高速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ｂの関係を示す。高速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ｂは、スイッチングパルス信号Ｗｐの変化タイミングから小さな立ち上がり時間Ｔｒｂや小さな立ち下がり時間Ｔｆｂを有し、スルーレートの大きい、すなわち、急な電圧傾斜部分を有するスイッチング信号になされている。なお、高速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ｂが小さくなり上側パワートランジスタ１０５がオフになると、下側パワートランジスタ１０１または下側ダイオード１０１ｄが相補的にオンになり、コイル１２に正極性の駆動電流Ｉ１を持続的に供給する。
【００５８】
また、図１４の（ｄ）にノイズ除去信号Ｗｘの波形を示す。ノイズ除去信号Ｗｘは、スイッチングパルス信号Ｗｐの変化タイミングから所要時間Ｔｘの間”Ｌ”になるノイズ除去期間を有している。このノイズ除去時間ＴｘはＴｒａ，ＴｆａやＴｒｂ，Ｔｆｂよりも大きくされ（Ｔｘ＞Ｔｒａ，Ｔｘ＞Ｔｆａ，Ｔｘ＞Ｔｒｂ，Ｔｘ＞Ｔｆｂ）、低速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ａの立ち上がり期間や立ち下がり期間を含むノイズ除去期間においてノイズ除去信号Ｗｘが”Ｌ”にされている。これにより、位置検出部３０の電圧検出器１２１は、端子電圧に生じるスイッチングノイズによる誤検出を防止し、正確なタイミングにおいて変化する検出パルス信号Ｄｔを得ている。
ここでは第１の通電制御回路２００Ａと第１の電力供給回路２５０Ａの構成および動作について説明したが、第２の通電制御回路２００Ｂ，第３の通電制御回路２００Ｃや第２の電力供給回路２５０Ｂ，第３の電力供給回路２５０Ｃの構成および動作も同様である。なお、通電動作部３１の第１の通電制御回路２００Ａと第２の通電制御回路２００Ｂと第３の通電制御回路２００Ｃに含まれるスルーレート回路は、パワートランジスタを低速スルーレート・スイッチング動作と高速スルーレート・スイッチング動作に選択動作させる選択動作機能を有している。また、第２スイッチ回路２１５と第４スイッチ回路２１７は、スルーレート回路２１０のスルーレート・スイッチング信号Ｒ１を上側パワートランジスタの通電制御端子側に供給し、上側パワートランジスタと下側パワートランジスタのうちで少なくとも上側パワートランジスタをスルーレート・スイッチング信号に応動してフォロア動作させながら高周波スイッチング動作させる動作制御機能を有している。
【００５９】
次に、上述のディスク装置およびモータの全体的な動作について説明する。まず、動作切換部９４の動作切換信号Ｄｈが”Ｌ”のときについて説明する。モータ部駆動ブロック９１は、パワートランジスタを低速スルーレート・スイッチング動作させ、スイッチングノイズの小さい低速スルーレートの高周波スイッチングした駆動電圧をモータ部アクチュエータ８２に供給する。トラッキング部駆動ブロック９２は、パワートランジスタを低速スルーレート・スイッチング動作させ、スイッチングノイズの小さい低速スルーレートの高周波スイッチングした駆動電圧をトラッキング部アクチュエータ８５に供給する。情報処理ブロック９３は、情報処理回路の回路動作を実行させ、ヘッド部８７からの出力信号の信号再生動作を実行し、情報出力信号Ｅｈを有効にする。
【００６０】
動作切換信号Ｄｈが”Ｌ”の場合におけるモータ部駆動ブロック９１の動作について説明する。回転体１１はディスク８１を回転駆動する。位置検出部３０は、逆起電力に応動して変化するコイル１２，１３，１４の端子電圧Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３を検出する。コイルへの通電状態に基づいてコイルの検出相を決定し、検出相のコイルの端子電圧と共通接続された中性点の端子電圧Ｖｃを比較し、比較結果に応動した検出パルス信号Ｄｔを得る。検出パルス信号Ｄｔの検出タイミングから第１の調整時間Ｔ１後および第２の調整時間Ｔ２後に下側位置信号Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３や上側位置信号Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３を変化させる。指令部３２は、コイルの端子電圧に応動した位置検出部３０の出力パルス信号によりディスク８１の速度を検出し、速度制御信号に相当する指令信号Ａｃを出力する。スイッチング制御部２２は、指令部３２の指令信号Ａｃと電流検出部２１の電流検出信号Ａｄを比較し、比較結果に応動した単一のスイッチングパルス信号Ｗｐを出力する。通電動作部３１は、３相の上側位置信号Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３に応動して電力供給部２０の上側パワートランジスタ１０５，１０６，１０７のうちで１個または２個の上側パワートランジスタを選択的に通電区間にする。スイッチングパルス信号Ｗｐに応動したスルーレート・スイッチング信号を作成し、スルーレート・スイッチング信号に応動して通電区間内の上側パワートランジスタを同時に高周波スイッチング動作させ、所要のコイルに正極性の駆動電流を供給する。
【００６１】
また、通電動作部３１は、３相の下側位置信号Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３に応動して電力供給部２０の下側パワートランジスタ１０１，１０２，１０３のうちで１個または２個の下側パワートランジスタを選択的に通電区間にし、所要のコイルに負極性の駆動電流を供給する。
スイッチングパルス信号Ｗｐは指令信号Ａｃと電流検出信号Ａｄの比較結果によって直接作り出されているので、３相のコイルへの合成供給電流Ｉｇは指令信号Ａｃに応動して電流制御される。通電動作部３１の通電制御回路２００Ａ，２００Ｂ，２００Ｃはそれぞれ、単一のスイッチングパルス信号Ｗｐの変化タイミングを起点にして、立ち上がり傾斜部分と立ち下がり傾斜部分を持たせた低速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ａを作りだす。上側位置信号によって選択された電力供給部２０の１個または２個の上側パワートランジスタは、低速スルーレート・スイッチング信号に応動して低速スルーレート・スイッチング動作する。これにより、電力供給部２０のパワートランジスタを高周波スイッチング動作させてコイルに電力供給しても、輻射ノイズの発生が大幅に小さくなる。その結果、ヘッド部８７へのスイッチングノイズの混入が大幅に少なくなり、情報処理ブロック９３の情報出力信号Ｅｈに含まれる情報誤りを零または極めて少なくできる。
【００６２】
また、スイッチング制御部２２のノイズ除去信号Ｗｘは、低速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ａの立ち上がり傾斜期間や立ち下がり傾斜期間において”Ｌ”となるノイズ除去期間を有している。従って、位置検出部３０の電圧検出器１２１のノイズ除去回路１５６において、コイルの端子電圧の検出信号ｂ４とノイズ除去信号Ｗｘの論理積を取ることにより、低速スルーレート・スイッチング動作によって端子電圧に混入するスイッチングノイズの影響を除去することができる。すなわち、電圧検出器１２１は、たとえば、端子電圧のゼロクロス時点を正確に検出できる。その結果、電圧検出器１２１の誤動作がなくなり、検出パルス信号Ｄｔは回転体１１の回転位置に対応した正確なタイミング信号になり、正確な上側位置信号と下側位置信号を作成できる。また、指令部３２は、検出パルス信号Ｄｔに基づいてディスク８１や回転体１１の正確な速度制御が可能になる。すなわち、スイッチングによる検出パルス信号Ｄｔの誤検出が無くなり、ディスク８１の回転速度の変動を極めて小さくできる。
また、トラッキング部駆動ブロック９２においても、パワートランジスタを低速スルーレート・スイッチング動作させ、スイッチングノイズの小さい低速スルーレートの高周波スイッチングした駆動電圧をトラッキング部アクチュエータ８５に供給する。これにより、トラッキング部駆動ブロック９２による輻射ノイズの発生が少なくなる。その結果、ヘッド部８７への雑音混入が大幅に少なくなり、情報処理ブロック９３の情報出力信号Ｅｈに含まれる情報誤りを零または極めて少なくできる。なお、トラッキング部駆動ブロック９２の具体的な構成は、前述のモータ部駆動ブロックと同様または類似であり、詳細な説明を省略する。
【００６３】
次に、動作切換部９４の動作切換信号Ｄｈが”Ｈ”のときについて説明する。モータ部駆動ブロック９１は、パワートランジスタを高速スルーレート・スイッチング動作させ、スイッチング損失の少ない高速スルーレートの高周波スイッチングした駆動電圧をモータ部アクチュエータ８２に供給する。トラッキング部駆動ブロック９２は、パワートランジスタを高速スルーレート・スイッチング動作させ、スイッチング損失の少ない高速スルーレートの高周波スイッチングした駆動電圧をトラッキング部アクチュエータ８５に供給する。情報処理ブロック９３は、情報処理回路の回路動作を全部もしくは一部停止させ、ヘッド部８７からの出力信号の信号処理動作を停止し、情報出力信号Ｅｈを無効にする。
【００６４】
動作切換信号Ｄｈが”Ｈ”の場合におけるモータ部駆動ブロック９１の動作について説明する。位置検出部３０は、３相のコイル１２，１３，１４の端子電圧Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３を検出し、コイルの端子電圧と中性点端子電圧Ｖｃの比較結果に応動した検出パルス信号Ｄｔを得る。検出パルス信号Ｄｔに応動して３相の下側位置信号Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３と３相の上側位置信号Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３を変化させる。指令部３２は、検出パルス信号Ｄｔの周期を検出し、ディスク８１の回転速度に応動した指令信号Ａｃを出力する。スイッチング制御部２２は、指令部３２の指令信号Ａｃと電流検出部２１の電流検出信号Ａｄを比較し、比較結果に応動した単一のスイッチングパルス信号Ｗｐを出力する。通電動作部３１は、３相の上側位置信号Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３により電力供給部２０の３個の上側パワートランジスタ１０５，１０６，１０７のうちで１個または２個の上側パワートランジスタを選択的に通電区間にする。スイッチングパルス信号Ｗｐに応動した高速スルーレート・スイッチング信号を作成し、高速スルーレート・スイッチング信号に応動して通電区間内の上側パワートランジスタを同時に高周波スイッチング動作させ、所要のコイルに正極性の駆動電流を供給する。また、通電動作部３１は、３相の下側位置信号Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３により電力供給部２０の３個の下側パワートランジスタ１０１，１０２，１０３のうちで１個または２個の下側パワートランジスタを選択的に通電区間にし、所要のコイルに負極性の駆動電流を供給する。
【００６５】
スイッチングパルス信号Ｗｐは指令信号Ａｃと電流検出信号Ａｄの比較結果によって直接作り出されているので、３相のコイルへの合成供給電流Ｉｇは指令信号Ａｃによって電流制御される。通電動作部３１の通電制御回路２００Ａ，２００Ｂ，２００Ｃはそれぞれ、単一のスイッチングパルス信号Ｗｐの変化タイミングを起点にして高速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ｂを作りだす。上側位置信号によって選択された電力供給部２０の１個または２個の上側パワートランジスタは、高速スルーレート・スイッチング信号に応動して高速スルーレート・スイッチング動作させている。これにより、電力供給部２０のパワートランジスタのスイッチング損失を、低速スルーレート・スイッチング信号を用いた場合に比較して大幅に低減している。また、情報処理ブロック９３の情報出力信号Ｅｈを無効にしているので、輻射ノイズの発生によってヘッド部８７に雑音が混入しても悪影響は生じない。
【００６６】
また、スイッチング制御部２２のノイズ除去信号Ｗｘは、高速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ｂの立ち上がりエッジや立ち下がりエッジを含む所定期間において”Ｌ”となるノイズ除去期間を有している。従って、位置検出部３０の電圧検出器１２１のノイズ除去回路１５６において、端子電圧に混入するスイッチングノイズの影響を除去することができる。その結果、電圧検出器１２１の誤動作がなくなり、検出パルス信号Ｄｔは正確に回転体１１の回転位置に対応したタイミング信号になり、正確な上側位置信号と下側位置信号を作成できる。また、指令部３２は、検出パルス信号Ｄｔに基づいてディスク８１や回転体１１の正確な速度制御が可能になる。
また、トラッキング部駆動ブロック９２においても、パワートランジスタを高速スルーレート・スイッチング動作させ、高周波スイッチングした駆動電圧をトラッキング部アクチュエータ８５に供給する。これにより、トラッキング部駆動ブロック９２のパワートランジスタのスイッチング損失を低減している。
本実施の形態では、信頼性の高い情報再生を行うディスク装置の消費電力を大幅に削減している。まず、ディスク装置がディスク８１からの情報再生を行う場合に、動作切換部９４の動作切換信号Ｄｈを”Ｌ”にして、モータ部駆動ブロック９１やトラッキング部駆動ブロック９２や情報処理ブロック９３の動作を選択的に切り換える。すなわち、モータ部駆動ブロック９１によって低速スルーレート・スイッチング動作による駆動電圧をモータ部アクチュエータ８２に供給し、ディスク８１を所定の回転速度で回転制御する。また、トラッキング部駆動ブロック９２によって低速スルーレート・スイッチング動作による駆動電圧をトラッキング部アクチュエータ８５に供給し、ヘッド部８７を所定のトラッキング位置に制御する。さらに、情報処理ブロック９３は情報処理回路動作を実行し、ヘッド部８７の再生信号Ｃｈに応動した情報出力信号Ｅｈを出力する。このとき、情報処理ブロック９３の情報出力信号Ｅｈは有効にされている。
【００６７】
通電動作部３１は、単一のスイッチングパルス信号Ｗｐに応動して変化し、立ち上がりエッジ部分と立ち下がりエッジ部分のうちで少なくとも一方のエッジ部分において緩やかな電圧傾斜を有する低速スルーレート・スイッチング信号を、３個の上側パワートランジスタと３個の下側パワートランジスタのうちで少なくとも１個のパワートランジスタの通電制御端子側に作成した。従って、この少なくとも１個のパワートランジスタは低速スルーレート・スイッチング信号に応動してフォロア動作する。これにより、少なくとも１個のパワートランジスタによってコイルに供給される駆動電圧は、低速スルーレート・スイッチング信号と類似の緩やかな電圧傾斜を有する高周波スイッチングの駆動電圧になる。その結果、パワートランジスタの高周波スイッチング動作に伴って発生するスイッチングノイズは大幅に小さくなる。また、パワートランジスタが高周波スイッチング動作してコイルに電力供給を行っているため、パワートランジスタの電力損失が大幅に小さくなり、その消費電力は削減される。すなわち、モータ部駆動ブロック９１やモータ部アクチュエータ８２における消費電力が小さくなり、スイッチングノイズの発生も小さい。同様に、トラッキング部駆動ブロック９２やトラッキング部アクチュエータ８５における消費電力は小さく、スイッチングノイズの発生も小さい。その結果、これらのブロックからヘッド部８７や情報処理ブロック９３に混入するノイズは大幅に低減され、誤りの少ない、信頼性の高い情報出力信号Ｅｈを出力できる。
【００６８】
次に、ディスク装置が情報再生を必要としない場合（待機状態）に、動作切換部９４の動作切換信号Ｄｈを”Ｈ”にして、モータ部駆動ブロック９１やトラッキング部駆動ブロック９２や情報処理ブロック９３の動作を選択的に切り換える。すなわち、モータ部駆動ブロック９１によって高速スルーレート・スイッチング動作による駆動電圧をモータ部アクチュエータ８２に供給し、ディスク８１を所定の回転速度で回転させながら、その消費電力をさらに低減した。また、トラッキング部駆動ブロック９２によって高速スルーレート・スイッチング動作による駆動電圧をトラッキング部アクチュエータ８５に供給し、ヘッド部８７を所定のトラッキング位置に保つように駆動しながら、その消費電力をさらに低減した。さらに、情報処理ブロック９３の情報処理回路動作を停止させて（電源電圧の供給を停止した場合も含む）、その消費電力を低減した。このとき、情報処理ブロック９３の情報出力信号Ｅｈは無効にされている。従って、ディスク装置の待機時の消費電力は大幅に削減される。また、モータ部駆動ブロック９１やトラッキング部駆動ブロック９２のスイッチング動作によって比較的大きなスイッチングノイズを発生するけれども、情報処理ブロック９３が信号処理を停止しているので、情報出力信号Ｅｈにスイッチングノイズの影響が現れない。
【００６９】
また、本実施の形態では、上側パワートランジスタとしてＮチャンネル電界効果型パワートランジスタを使用し、ドレイン端子側を電圧供給部の正極出力端子側に接続し、ソース端子側をコイルの一端に接続し、上側パワートランジスタをソース・フォロア動作させた。すなわち、上側パワートランジスタの通電制御端子側にスルーレート・スイッチング信号を作成し、上側パワートランジスタをフォロア動作させながら所要の電圧傾斜を有する低速スルーレートのスイッチング駆動電圧をコイルに供給した。その結果、駆動電圧の電圧傾斜をスルーレート・スイッチング信号に一致させることができ、安定にスイッチングノイズを低減できた。
【００７０】
また、本実施の形態のディスク装置およびモータでは、３相の上側位置信号Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３に応動して３個の上側パワートランジスタの各通電区間を３６０／３＝１２０度よりもかなり大きくし、１個または２個の上側パワートランジスタを実質的に同時に高周波スイッチング動作させて１相または２相のコイルに正極性の駆動電流を供給している。また、３相の下側位置信号Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３に応動して３個の下側パワートランジスタの各通電区間を３６０／３＝１２０度よりもかなり大きくし、１個または２個の下側パワートランジスタを実質的に同時に通電状態にして１相または２相のコイルに負極性の駆動電流を供給している。さらに、電圧供給部から３相のコイルへの通電電流Ｉｇを電流検出器にて検出し、指令信号Ａｃと電流検出器の出力信号Ａｄを比較し、その比較結果に応動した単一のスイッチングパルス信号Ｗｐを作成した。この単一のスイッチングパルス信号Ｗｐに応動した１個，２個または３個のスルーレート・スイッチング信号を作成し、これらのスルーレート・スイッチング信号に応動して上側パワートランジスタを実質的に同時に高周波スイッチング動作させる（実際には、上側位置信号によって選択された１個または２個の上側パワートランジスタを１個または２個のスルーレート・スイッチング信号に応動して実質的に同時にスイッチング動作させる）。これにより、指令信号Ａｃに応動した正確な合成供給電流Ｉｇを３相のコイルに供給でき、指令信号Ａｃにより発生駆動力を正確に制御できる。その結果、コイルへの電流路の切換動作が滑らかになり、指令信号に応動した正確な駆動電流をコイルに供給でき、発生駆動力の脈動が小さくなる。すなわち、騒音・振動の小さなディスク装置およびモータを実現できる。これらのパワートランジスタの各通電区間は、１２５度〜１７０度に選定したはうが良く、実際には、１５０度程度が好ましい。また、単一のスイッチングパルス信号Ｗｐに応動してスルーレート・スイッチング信号を作り出し、このスルーレート・スイッチング信号により上側パワートランジスタを同時に高周波スイッチング動作させれば良く、極めて簡単な構成によってコイルへの駆動電流の電流制御が実現できる。また、高周波スイッチングのタイミング管理が１個であるから、スルーレートを有するスイッチング駆動電圧を使用しながらも、電流検出器による電流検出動作が簡単かつ安定になる。特に、パワートランジスタの通電区間が３６０／３＝１２０度よりも大きい場合に、スルーレート・スイッチング信号に応動して上側パワートランジスタを実質的に同時に高周波スイッチング動作させれば良く、構成は簡単になる。なお、図８の３個の通電制御回路２００Ａ，２００Ｂ，２００Ｃはそれぞれ、それぞれの上側パワートランジスタの通電制御端子側においてスルーレート・スイッチング信号を作成するようにした。しかし、本発明はそのような場合に限らず、各種の変形が可能である。たとえば、単一のスイッチングパルス信号Ｗｐに応動した単一のスルーレート・スイッチング信号を作成し、上側位置信号や下側位置信号に応動して所要のパワートランジスタの通電制御端子側にスルーレート・スイッチング信号を供給するようにしても良い。
【００７１】
また、本実施の形態では、定電流回路による充電・放電回路とコンデンサ容量によってスルーレート回路を構成し、コンデンサ容量への充電・放電動作を行わせることにより、スルーレート・スイッチング信号を容易に形成した。また、定電流回路の電流値を変えて低速スルーレート・スイッチング信号と高速スルーレート・スイッチング信号を切り換えた。しかし、そのような場合に限らず、たとえば、スイッチングパルス信号Ｗｐを直接に高速スルーレート・スイッチング信号として使用してもよい。
また、本実施の形態のディスク装置およびモータでは、コイルの端子電圧を検出し、その検出結果に応動した位置信号を作成した。これにより、回転体１１の回転位置を検出する位置検出素子を無くし、コイル近傍に配置する部品点数を大幅に削減し、簡素な構成にした。また、スイッチング制御部２２は、単一のスイッチングパルス信号に応動して低速スルーレート・スイッチング信号とノイズ除去信号を作成している。ノイズ除去信号Ｗｘは、低速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ａの立ち上がり傾斜期間や立ち下がり傾斜期間において”Ｌ”となるノイズ除去期間を有している。位置検出部３０のノイズ除去回路５６は、コイルの端子電圧の検出信号ｂ４とノイズ除去信号Ｗｘを論理合成し、ノイズ除去信号Ｗｘに応動してコイルの端子電圧の検出動作を停止または実施するように切り換えられる。すなわち、ノイズ除去信号Ｗｘが”Ｌ”の時にコイルの端子電圧の検出動作は停止され、ノイズ除去信号Ｗｘが”Ｈ”の時にコイルの端子電圧の検出動作は実施される。その結果、低速スルーレート・スイッチング動作によってコイルの端子電圧に混入するスイッチングノイズの影響を除去され、電圧検出器１２１の検出パルス信号Ｄｔはコイルの端子電圧に応動した回転体１１の回転位置に正確に対応したタイミング信号になる。従って、検出パルス信号に応動して上側位置信号と下側位置信号を正確に作成できる。さらに、コイルの端子電圧に応動した位置検出部の出力パルス信号を利用して、ディスク８１や回転体１１の速度制御を高精度に行うことができる。すなわち、スイッチングノイズによる位置検出部の出力パルス信号の誤検出が無くなり、ディスク８１の回転速度の変動は大幅に小さくなる。特に、情報処理ブロック９３の情報出力信号Ｅｈが有効になっている低速スルーレート・スイッチング動作において、スルーレート区間に生じるスイッチングノイズの影響を除去し、ディスク８１を高精度に回転制御する効果は大きい。その結果、ディスクを回転速度変動の少ない高性能な速度制御でき、高密度記録された情報信号の再生が可能になる。また、３個の上側パワートランジスタと３個の下側パワートランジスタのうちで少なくとも一方のパワートランジスタは単一のスイッチングパルス信号Ｗｐに応動したスルーレート・スイッチング信号により実質的に同時に高周波スイッチング動作しているので、単一のスイッチングパルス信号に応動した単一のノイズ除去信号により効果的なノイズ除去動作を行うことが可能になる。
【００７２】
また、本実施の形態のディスク装置およびモータでは、図７に示したスイッチング制御部２２を使用し、基準パルス信号Ａｒを所定時間毎に変化させ、スイッチングパルス信号Ｗｐの周波数を一定または略一定にした。しかし、そのような場合に限らず、各種の変形が可能である。たとえば、図１５に示した別種の構成のスイッチング制御部２２を使用しても良い。これについて説明する。図１５のスイッチング制御部２２は、比較回路１９１とＰＷＭパルス回路１９２と除去作成回路１９３により構成されている。比較回路１９１は、指令信号Ａｃと電流検出信号Ａｄを比較し、電流検出信号Ａｄが指令信号Ａｃよりも大きくなると比較信号Ａｐを“Ｈ”に変化させる。ＰＷＭパルス回路１９２のスイッチングパルス信号Ｗｐは、比較回路１９１の出力信号Ａｐの立ち上がりエッジの到来をトリガーとして所定時間Ｔｇの間“Ｌ”になり、所定時間Ｔｇが経過すると“Ｈ”に変化する。除去作成回路１９３は、スイッチングパルス信号Ｗｐの立ち上がりエッジと立ち下がりエッジの変化タイミングから所定時間Ｔｘの間”Ｌ”になるノイズ除去信号Ｗｘを出力する。図１６の（ａ），（ｂ），（ｃ）に比較信号Ａｐとスイッチングパルス信号Ｗｐとノイズ除去信号Ｗｘの波形を示す。図１６の横軸は時間である。このスイッチング制御部を用いたディスク装置およびモータの動作は、上述の実施の形態と同様であり、説明を省略する。
【００７３】
《実施の形態２》
図１７から図２０に本発明の実施の形態２のモータを含んで構成されたディスク装置と、モータを示す。本実施の形態では、前述の実施の形態１における通電動作部３１と電力供給部２０を変更し、３個の上側パワートランジスタと３個の下側パワートランジスタにＮチャンネルＭＯＳ構造の電界効果型パワートランジスタ（ＮＭＯＳ−ＦＥＴパワートランジスタ）を使用したものである。なお、前述の実施の形態１と同様なものには同一の番号を付し、説明を省略する。また、本実施の形態におけるディスク装置の全体構成は、図２に示したものと同様であり、説明を省略する。
図１７にモータ部アクチュエータとモータ部駆動ブロックの具体的な構成を示す。ディスク８１を回転駆動するモータ部アクチュエータの回転体１１は、複数極の界磁磁束を発生する界磁部を取り付けられたロータである。３相のコイル１２，１３，１４は、固定体であるステータに配設され、回転体１１の界磁部との相対関係に関して、電気的に互いに約１２０度ずらされて配置されている。３相のコイル１２，１３，１４は３相の駆動電流Ｉ１，Ｉ２，Ｉ３により３相の磁束を発生し、回転体１１の界磁部との相互作用によって駆動力を発生し、回転体１１およびディスク８１を回転駆動する。
【００７４】
電力供給部４０２は、通電動作部４０１の３相の下側通電制御信号Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３と３相の上側通電制御信号Ｎ１，Ｎ２，Ｎ３に応動して電圧供給部２５から３相のコイル１２，１３，１４への電流路を形成し、３相のコイル１２，１３，１４への電力供給を行っている。電力供給部４０２と通電動作部４０１の具体的な構成は後述する。
電流検出部２１は、電圧供給部２５から３相のコイル１２，１３，１４に供給する合成供給電流Ｉｇに比例した電流検出信号Ａｄを出力する。電力供給部４０２のパワートランジスタはオン・オフの高周波スイッチング動作するので、合成供給電流Ｉｇや電流検出信号Ａｄはパルス信号になる。
位置検出部３０は、回転体１１の界磁部の位置を検出し、検出位置に対応した下側位置信号Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３と上側位置信号Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３と検出パルス信号Ｄｔを出力する。ここでは、位置検出部３０は、３相のコイル１２，１３，１４の一端に生じる３相の端子電圧Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３を検出し、端子電圧の比較結果によって界磁部の回転位置の検出を行っている。位置検出部３０の具体的な構成は、図４に示したものと同様である。位置検出部３０は、電気角で１２０度よりも大きな“Ｈ”区間（通電区間）を持つ３相の下側位置信号Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３と、電気角で１２０度よりも大きな“Ｈ”区間（通電区間）を持つ３相の上側位置信号Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３を作成する。
【００７５】
指令部３２は、ディスク８１や回転体１１の回転速度を所定値に制御する速度制御回路を含んで構成され、位置検出部３０の出力パルス信号または検出パルス信号Ｄｔによりディスク８１や回転体１１の回転速度を検出し、検出回転速度と目標速度との差に応動した指令信号Ａｃを出力する。
スイッチング制御部２２は、電流検出部２１の検出信号Ａｄと指令部３２の指令信号Ａｃに応動した単一のスイッチングパルス信号Ｗｐを出力する。スイッチング制御部２２の具体的な構成は、図７に示したものと同様である。
通電動作部４０１は、位置検出部３０の３相の下側位置信号Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３や３相の上側位置信号Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３やスイッチング制御部２２のスイッチングパルス信号Ｗｐに応動した３相の下側通電制御信号Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３と３相の上側通電制御信号Ｎ１，Ｎ２，Ｎ３を出力する。従って、電力供給部４０２の上側パワートランジスタや下側パワートランジスタによるコイルへの通電区間は、上側位置信号と下側位置信号によって決められる。また、通電動作部４０１は、スイッチング制御部２２のスイッチングパルス信号Ｗｐに応動して、上側通電制御信号Ｎ１，Ｎ２，Ｎ３をスイッチングパルス化している。図１８に通電動作部４０１と電力供給部４０２の具体的な構成を示す。
【００７６】
図１８の通電動作部４０１は、第１の通電制御回路４１０Ａと第２の通電制御回路４１０Ｂと第３の通電制御回路４１０Ｃを含んで構成されている。第１の通電制御回路４１０Ａは、下側位置信号Ｐ１と上側位置信号Ｑ１とスイッチングパルス信号Ｗｐと動作切換信号Ｄｈを入力され、下側通電制御信号Ｍ１と上側通電制御信号Ｎ１を出力する。第２の通電制御回路４１０Ｂは、下側位置信号Ｐ２と上側位置信号Ｑ２とスイッチングパルス信号Ｗｐと動作切換信号Ｄｈを入力され、下側通電制御信号Ｍ２と上側通電制御信号Ｎ２を出力する。第３の通電制御回路４１０Ｃは、下側位置信号Ｐ３と上側位置信号Ｑ３とスイッチングパルス信号Ｗｐと動作切換信号Ｄｈを入力され、下側通電制御信号Ｍ３と上側通電制御信号Ｎ３を出力する。
図１８の電力供給部４０２は、第１の電力供給回路４２０Ａと第２の電力供給回路４２０Ｂと第３の電力供給回路４２０Ｃを含んで構成されている。第１の電力供給回路４２０Ａは、第１の通電制御回路４１０Ａの下側通電制御信号Ｍ１と上側通電制御信号Ｎ１を入力され、コイル１２の電力供給端子側への通電を行う。第２の電力供給回路４２０Ｂは、第２の通電制御回路４１０Ｂの下側通電制御信号Ｍ２と上側通電制御信号Ｎ２を入力され、コイル１３の電力供給端子側への通電を行う。第３の電力供給回路４２０Ｃは、第３の通電制御回路４１０Ｃの下側通電制御信号Ｍ３と上側通電制御信号Ｎ３を入力され、コイル１４の電力供給端子側への通電を行う。
【００７７】
図１９に第１の通電制御回路４１０Ａと第１の電力供給回路４２０Ａの具体的な構成を示す。第１の電力供給回路４２０Ａは、下側パワートランジスタ５０１と上側パワートランジスタ５０５と下側パワーダイオード５０１ｄと上側パワーダイオード５０５ｄを含んで構成され、下側通電制御信号Ｍ１と上側通電制御信号Ｎ１に応動してコイル１２に駆動電圧Ｖ１と駆動電流Ｉ１を供給する。上側パワートランジスタ５０５はＮチャンネル電界効果型パワートランジスタによって構成され、この電界効果型パワートランジスタに逆接続されて形成された寄生ダイオードによって上側パワーダイオード５０５ｄを構成している。下側パワートランジスタ５０１はＮチャンネル電界効果型パワートランジスタによって構成され、この電界効果型パワートランジスタに逆接続されて形成された寄生ダイオードによって下側パワーダイオード５０１ｄが構成している。上側パワートランジスタ５０５は電圧供給部２５の正極出力端子側とコイル１２の一端の電流路を形成し、下側パワートランジスタ５０１は電圧供給部２５の負極出力端子側とコイル１２の一端の電流路を形成する。
【００７８】
第１の通電制御回路４１０Ａは、スルーレート回路５１０とバッファ回路５１２とアンド回路５１３を含んで構成されている。バッファ回路５１２は、下側位置信号Ｐ１をバッファ出力し、下側通電制御信号Ｍ１として下側パワートランジスタ５０１の通電制御端子側に供給している。アンド回路５１３は、上側位置信号Ｑ１とスイッチングパルス信号Ｗｐの論理積によりスイッチ切換信号Ｓ５を作りだし、スルーレート回路５１０に出力する。
スルーレート回路５１０は、スイッチ回路５２０と定電流回路５２１，５２２とコンデンサ５２５を含んで構成されている。スイッチ回路５２０は、スイッチ切換信号Ｓ５が”Ｈ”の時にａ側に接続し、スイッチ切換信号Ｓ５が”Ｌ”の時にｂ側に接続する。スイッチ回路５２０のａ側には高電位点”Ｈｕ”から流出する定電流回路５２１が接続され、スイッチ回路５２０のｂ側にはアース電位点０Ｖに向けて流入する定電流回路５２２が接続されている。コンデンサ５２５は、スイッチ回路５２０の出力点に接続されている。スイッチ回路５２０がａ側に接続された場合に、コンデンサ５２５は定電流回路５２１の出力電流によって徐々に充電され、端子電圧は徐々に高電位”Ｈｕ”まで上昇する。スイッチ回路５２０がｂ側に接続された場合に、コンデンサ５２５は定電流回路５２２の出力電流によって徐々に放電され、端子電圧は徐々にアース電位０Ｖまで下降する。その結果、コンデンサ５２５の端子電圧信号Ｒ１は、単一のスイッチングパルス信号Ｗｐの変化に応動して変化し、立ち上がりエッジ部分と立ち下がりエッジ部分において所要の電圧傾斜を有するスルーレート・スイッチング信号Ｒ１になる。スルーレート回路５１０の出力端子は上側パワートランジスタ５０５の通電制御端子側に接続されており、このスルーレート・スイッチング信号Ｒ１は上側パワートランジスタ５０５の通電制御端子側に作成されている。なお、アース電位０Ｖは、電圧供給部２５の負極出力端子側の電位に一致する。また、スルーレート回路５１０のコンデンサ５２５のように電界効果型パワートランジスタ５０５の通電制御端子側にコンデンサ容量が直接必要な場合には、電界効果型パワートランジスタ５０５の入力ゲート容量（コンデンサ容量）をコンデンサ５２５として利用しても良い。すなわち、電界効果型パワートランジスタ５０５の入力ゲート容量をスルーレート回路のコンデンサ容量（コンデンサ５２５）として使用できる。
【００７９】
定電流回路５２１，５２２の電流値は、動作切換部９４の動作切換信号Ｄｈによって切り換えられている。動作切換信号Ｄｈが”Ｌ”の場合には、定電流回路５２１，５２２の電流値が比較的小さくされ、コンデンサ５２５に生じるスルーレート・スイッチング信号Ｒ１は緩やかな電圧傾斜の低速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ａになる。動作切換信号Ｄｈが”Ｈ”の場合には、定電流回路５２１，５２２の電流値が比較的大きくされ、コンデンサ５２５に生じるスルーレート・スイッチング信号Ｒ１は急な電圧傾斜の高速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ｂになる。スイッチングパルス信号Ｗｐと低速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ａと高速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ｂの関係は、図１４の（ａ），（ｂ），（ｃ）に示されたものと同様である。すなわち、低速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ａや高速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ｂは、スイッチングパルス信号Ｗｐの変化に応動して変化する。低速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ａの立ち上がり時間Ｔｒａと立ち下がり時間Ｔｆａは大きくされ、高速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ｂの立ち上がり時間Ｔｒｂと立ち下がり時間Ｔｆｂは小さくされている。
【００８０】
まず、下側位置信号Ｐ１が”Ｌ”，上側位置信号Ｑ１が”Ｌ”の場合について説明する。バッファ回路５１２の出力である下側通電制御信号Ｍ１は”Ｌ”になり、第１の電力供給回路４２０Ａの下側パワートランジスタ５０１はオフになる。アンド回路５１３の出力であるスイッチ切換信号Ｓ５が”Ｌ”になり、スルーレート回路５１０の出力である上側通電制御信号Ｎ１はアース電位０Ｖになるので、第１の電力供給回路４２０Ａの上側パワートランジスタ５０５はオフになる。その結果、Ｐ１＝”Ｌ”，Ｑ１＝”Ｌ”の場合には、第１の電力供給回路４２０Ａはコイル１２に電力供給を行わない。
【００８１】
次に、回転体１１が回転し、下側位置信号Ｐ１が”Ｈ”，上側位置信号Ｑ１が”Ｌ”になった場合を説明する。下側通電制御信号Ｍ１は”Ｈ”になり、第１の電力供給回路４２０Ａの下側パワートランジスタ５０１はオンになる。スルーレート回路５１０の出力である上側通電制御信号Ｎ１はアース電位０Ｖになるので、第１の電力供給回路４２０Ａの上側パワートランジスタ５０５はオフになる。その結果、Ｐ１＝”Ｈ”，Ｑ１＝”Ｌ”の場合には、第１の電力供給回路４２０Ａはコイル１２に負極性の駆動電流Ｉ１を供給する。
さらに回転体１１が回転し、下側位置信号Ｐ１が”Ｌ”，上側位置信号Ｑ１が”Ｌ”になった場合には、上側通電制御信号Ｎ１がアース電位になり、下側通電制御信号Ｍ１が”Ｌ”になるので、上側パワートランジスタ５０５と下側パワートランジスタ５０１はオフになる。すなわち、第１の電力供給回路４２０Ａはコイル１２に電力供給を行わない。
さらに回転体１１が回転し、下側位置信号Ｐ１が”Ｌ”，上側位置信号Ｑ１が”Ｈ”になった場合を説明する。バッファ回路５１２の出力である下側通電制御信号Ｍ１は”Ｌ”になり、第１の電力供給回路４２０Ａの下側パワートランジスタ５０１はオフになる。アンド回路５１３の出力であるスイッチ切換信号Ｓ５がスイッチングパルス信号Ｗｐに一致し、高周波のスイッチング信号になる。スルーレート回路５１０のスイッチ回路５２０は、スイッチングパルス信号Ｗｐに応動して切り換わり、コンデンサ５２５の端子にスルーレート・スイッチング信号Ｒ１を出力する。従って、上側通電制御信号Ｎ１はスルーレート回路５１０の出力であるスルーレート・スイッチング信号Ｒ１になる。その結果、Ｐ１＝”Ｌ”，Ｑ１＝”Ｈ”の場合には、第１の電力供給回路４２０Ａの上側パワートランジスタ５０５はスルーレート回路５１０の出力信号に応動して高周波スイッチング動作し、コイル１２に正極性の駆動電流Ｉ１を供給する。なお、上側パワートランジスタ５０５が高周波スイッチングのオフの時には、コイル１２のインダクタンス作用により下側パワーダイオード５０１ｄが通電状態になり、コイル１２に正極性の駆動電流Ｉ１を流し続ける。
【００８２】
電力供給回路４２０Ａの上側パワートランジスタ５０５は、Ｎチャンネル電界効果型パワートランジスタによって構成され、そのソース端子側にコイル１２が接続されている。従って、上側パワートランジスタ５０５はソース・フォロア動作を行い、その通電制御端子側に作成されたスルーレート・スイッチング信号Ｒ１に応動した高周波スイッチングの駆動電圧Ｖ１をコイル１２に供給する。上側パワートランジスタ５０５のフォロア動作による高周波スイッチングは、電力供給回路４２０Ａの下側パワートランジスタ５０１がオフ状態を保っていても実現できる。
動作切換信号Ｄｈが”Ｌ”の場合には、定電流回路５２１，５２２の電流値が小さくされ、低速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ａがスルーレート回路５１０の出力信号になる。従って、Ｄｈ＝”Ｌ”の場合には、第１の電力供給回路４２０Ａの上側パワートランジスタ５０５は低速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ａに応動して高周波スイッチング動作し、端子電圧Ｖ１は低速スルーレートにて変化する高周波スイッチングの駆動電圧になる。
【００８３】
動作切換信号Ｄｈが”Ｈ”の場合には、定電流回路５２１，５２２の電流値が大きくされ、高速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ｂがスルーレート回路５１０の出力信号になる。従って、Ｄｈ＝”Ｈ”の場合には、第１の電力供給回路４２０Ａの上側パワートランジスタ５０５は高速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ｂに応動して高周波スイッチング動作し、端子電圧Ｖ１は高速スルーレートにて変化する高周波スイッチングの駆動電圧になる。
ここでは第１の通電制御回路４１０Ａと第１の電力供給回路４２０Ａの構成および動作について説明したが、第２の通電制御回路４１０Ｂと第２の電力供給回路４２０Ｂの構成および動作や第３の通電制御回路４１０Ｃと第３の電力供給回路４２０Ｃの構成および動作も同様であり、説明を省略する。なお、第１の通電制御回路４１０Ａ，４１０Ｂ，４１０Ｃはそれぞれ、単一のスイッチングパルス信号に応動したスルーレート・スイッチング信号を上側パワートランジスタの通電制御端子側に作成している。これにより、２個の上側パワートランジスタによって電圧供給部２５から３相のコイルへの電流路を切り換える場合に、単一のスイッチングパルス信号から作成された２個のスルーレート・スイッチング信号に応動して２個の上側パワートランジスタを実質的に同時に高周波スイッチング動作させている。
【００８４】
なお、ノイズ除去信号Ｗｘの波形は図１４の（ｄ）に示したものと同様である。すなわち、ノイズ除去信号Ｗｘは、スイッチングパルス信号Ｗｐの変化タイミングからノイズ除去時間Ｔｘの間”Ｌ”になるノイズ除去期間を有している。このノイズ除去時間ＴｘはＴｒａやＴｆａよりも大きくされ（Ｔｘ＞Ｔｒａ，Ｔｘ＞Ｔｆａ）、低速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ａの立ち上がり期間や立ち下がり期間を含むノイズ除去期間においてノイズ除去信号Ｗｘが”Ｌ”にされている。
本実施の形態においても、前述の実施の形態１と同様な作用効果を得ることができる。
本実施の形態では、さらに、上側パワートランジスタと下側パワートランジスタにＮチャンネル電界効果型パワートランジスタを使用しているので、電圧供給部２５の負極出力端子側電位（アース電位）よりも低い低電位点が不要になり、電源供給が容易になる。また、集積回路化した場合に、Ｎチャンネル電界効果型パワートランジスタはＰチャンネル電界効果型パワートランジスタよりも小さくて低オン抵抗にできるので、チップサイズを小さくできる。従って、低コストに高性能なディスク装置およびモータを実現できる。その他、前述の実施の形態１と同様な各種の利点がある。
【００８５】
図１９の通電制御回路４１０Ａでは、定電流回路を有する充電・放電回路によってコンデンサ容量を充電・放電し、スイッチングパルス信号に応動したスルーレート・スイッチング信号を電界効果型パワートランジスタの通電制御端子側に作成した。しかし、本発明はそのような場合に限定されない。図２０に通電制御回路４１０Ａの別の構成を示す。この通電制御回路４１０Ａのスルーレート回路５４０は、充電抵抗５５１，５５２と充電切換スイッチ５５３によってコンデンサ５２５への充電を行わせ、放電抵抗５５５，５５６と放電切換スイッチ５５７によってコンデンサ５２５への放電を行わせる。充電切換スイッチ５５３と放電切換スイッチ５５７は、動作切換信号Ｄｈに応動してａ側またはｂ側に接続を切り換える。抵抗５５１は抵抗５５２よりも十分に大きくされ、抵抗５５５は抵抗５５６よりも十分に大きくされている。動作切換信号Ｄｈが”Ｌ”の場合に、充電切換スイッチ５５３と放電切換スイッチ５５７はａ側に接続され、大きな充電抵抗５５１と大きな放電抵抗５５５によってコンデンサ５２５は充電・放電され、低速スルーレート・スイッチング信号を上側電界効果型パワートランジスタ５０５の通電制御端子側に作成する。この低速スルーレート・スイッチング信号に応動して上側電界効果型パワートランジスタ５０５は、緩やかな電圧傾斜を有する高周波スイッチング動作を行う。動作切換信号Ｄｈが”Ｈ”の場合に、充電切換スイッチ５５３と放電切換スイッチ５５７はｂ側に接続され、小さな充電抵抗５５２と小さな放電抵抗５５６によってコンデンサ５２５は充電・放電され、高速スルーレート・スイッチング信号を上側電界効果型パワートランジスタ５０５の通電制御端子側に作成する。この高速スルーレート・スイッチング信号に応動して上側電界効果型パワートランジスタ５０５は、急な電圧傾斜を有する高周波スイッチング動作を行う。なお、スルーレート回路５４０のコンデンサ５２５のように電界効果型パワートランジスタ５０５の通電制御端子側にコンデンサ容量が直接必要な場合には、電界効果型パワートランジスタ５０５の入力ゲート容量をコンデンサ５２５として利用して、コンデンサ５２５を見かけ上でなくすことができる。
【００８６】
《実施の形態３》
図２１から図２７に本発明の実施の形態３のモータを含んで構成されたディスク装置と、モータを示す。本実施の形態では、前述の実施の形態２における通電動作部４０１とスイッチング制御部２２を変更し、ＮチャンネルＭＯＳ構造の電界効果型パワートランジスタによる上側パワートランジスタ（上側ＮＭＯＳ−ＦＥＴパワートランジスタ）と下側パワートランジスタ（下側ＮＭＯＳ−ＦＥＴパワートランジスタ）を使用し、上側パワートランジスタの電圧傾斜を有するオン・オフの高周波スイッチング動作に同期して下側パワートランジスタを相補的にオフ・オンの高周波スイッチング動作させるようにしたものである。なお、前述の実施の形態１や実施の形態２と同様なものには同一の番号を付し、説明を省略する。また、本実施の形態におけるディスク装置の全体構成は、図２に示したものと同様であり、説明を省略する。
【００８７】
図２１にモータ部アクチュエータとモータ部駆動ブロックの具体的な構成を示す。ディスク８１を回転駆動するモータ部アクチュエータの回転体１１は、複数極の界磁磁束を発生する界磁部を取り付けられたロータである。ロータの界磁部は、Ｎ極部分とＳ極部分を交互に有し、合計で２極以上の偶数極の磁極部分を設けられている。３相のコイル１２，１３，１４は、固定体であるステータに配設され、回転体１１の界磁部との相対関係に関して、電気的に互いに約１２０度ずらされて配置されている。３相のコイル１２，１３，１４は３相の駆動電流Ｉ１，Ｉ２，Ｉ３により３相の磁束を発生し、回転体１１の界磁部との相互作用によって駆動力を発生し、回転体１１およびディスク８１を回転駆動する。
電力供給部４０２は、通電動作部６０１の下側通電制御信号Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３と上側通電制御信号Ｎ１，Ｎ２，Ｎ３に応動して電圧供給部２５から３相のコイル１２，１３，１４への電流路を形成し、コイル１２，１３，１４への電力供給を行っている。通電動作部６０１の具体的な構成は後述する。
【００８８】
電流検出部２１は、電圧供給部２５から３相のコイル１２，１３，１４に供給する通電電流または合成供給電流Ｉｇに比例した電流検出信号Ａｄを出力する。電力供給部４０２のパワートランジスタはオン・オフの高周波スイッチング動作するので、合成供給電流Ｉｇや電流検出信号Ａｄはパルス信号になる。
位置検出部３０は、回転体１１の界磁部の位置を検出し、検出位置に対応した下側位置信号Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３と上側位置信号Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３と検出パルス信号Ｄｔを出力する。ここでは、位置検出部３０は、３相のコイル１２，１３，１４の電力供給端子に生じる３相の端子電圧Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３と共通接続端子に生じる端子電圧Ｖｃを検出し、端子電圧の比較結果によって界磁部の回転位置の検出を行っている。位置検出部３０の具体的な構成は、図４に示したものと同様である。位置検出部３０は、電気角で１２０度よりも大きな“Ｈ”区間（通電区間）を持つ３相の下側位置信号Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３と、電気角で１２０度よりも大きな“Ｈ”区間（通電区間）を持つ３相の上側位置信号Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３を作成する。
【００８９】
指令部３２は、ディスク８１や回転体１１の回転速度を所定値に制御する速度制御回路を含んで構成され、コイルの端子電圧に応動した位置検出部３０の出力パルス信号によりディスク８１や回転体１１の回転速度を検出し、検出回転速度と目標速度との差に応動した指令信号Ａｃを出力する。
スイッチング制御部６２２は、電流検出部２１の電流検出信号Ａｄと指令部３２の指令信号Ａｃを比較し、電流検出信号Ａｄと指令信号Ａｃに応動したスイッチングパルス信号Ｗｐおよび補助スイッチングパルス信号Ｗｈを出力する。補助スイッチングパルス信号Ｗｈはスイッチングパルス信号Ｗｐに応動して変化する。もちろん、補助スイッチングパルス信号Ｗｈとスイッチングパルス信号Ｗｐを同時に作成し、補助スイッチングパルス信号Ｗｈがスイッチングパルス信号Ｗｐに同期的に変化するようにしても良い。このような場合も、補助スイッチングパルス信号はスイッチングパルス信号に応動すると表現する。補助スイッチングパルス信号Ｗｈの一方の変化エッジ（立ち上がりエッジ）は、スイッチングパルス信号Ｗｐの一方の変化エッジ（立ち下がりエッジ）に対して所要の時間差Ｔｈ（Ｔｈ：隙間時間）が設けられている。また、この所要の時間差Ｔｈは動作切換部９４の動作切換信号Ｄｈに応動して切り換えられている。図２５にスイッチング制御部６２２の具体的な構成を示す。
【００９０】
図２５のスイッチング制御部６２２は、比較回路１８１と基準パルス回路１８２とＰＷＭパルス回路１８３と除去作成回路１８４と補助作成回路６８５を含んで構成されている。比較回路１８１は、指令信号Ａｃと電流検出信号Ａｄを比較し、電流検出信号Ａｄが指令信号Ａｃよりも大きくなると比較信号Ａｐを“Ｈ”に変化させる。基準パルス回路１８２は、クロック信号を所定個数分周して、所定の時間間隔毎に基準パルス信号Ａｒを出力する。基準パルス信号Ａｒは、所定の短時間の間”Ｈ”となるパルス信号にされている。
ＰＷＭパルス回路１８３は、フリップフロップ回路を含んで構成され、基準パルス信号Ａｒの立ち上がりエッジの発生により内部状態を“Ｈ”にし、比較信号Ａｐの立ち上がりエッジの発生によって内部状態を”Ｌ”にする。ＰＷＭパルス回路１８３のスイッチングパルス信号Ｗｐは、内部状態に対応して変化し、基準パルス信号Ａｒの立ち下がりエッジにおいて”Ｈ”に変わり、比較信号Ａｐの立ち上がりエッジの発生により“Ｌ”に変化する。また、除去作成回路１８４は、両エッジトリガのモノマルチ回路を含んで構成され、スイッチングパルス信号Ｗｐの立ち上がりエッジおよび立ち下がりエッジの発生をトリガとして、所定時間の間”Ｌ”になるノイズ除去信号Ｗｘを出力する。
【００９１】
補助作成回路６８５は、スイッチングパルス信号Ｗｐに応動して変化する補助スイッチングパルス信号Ｗｈを出力する。補助スイッチングパルス信号Ｗｈの立ち上がりエッジは、スイッチングパルス信号Ｗｐの立ち下がりエッジから所要の時間Ｔｈ経過後に変化する。また、補助スイッチングパルス信号Ｗｈの立ち下がりエッジは、スイッチングパルス信号Ｗｐの立ち上がりエッジに一致または略一致している。スイッチングパルス信号Ｗｐの立ち下がりエッジから補助スイッチングパルス信号Ｗｈの立ち上がりエッジまでの所要時間Ｔｈは、動作切換信号Ｄｈに応動して切り換えられている。
図２６の（ａ）〜（ｆ）に、基準パルス信号Ａｒと比較信号Ａｐとスイッチングパルス信号Ｗｐとノイズ除去信号Ｗｘと補助スイッチングパルス信号Ｗｈの信号関係を示す。基準パルス信号Ａｒの立ち上がりエッジ発生時点においてスイッチングパルス信号Ｗｐは“Ｈ”になり、比較信号Ａｐの立ち上がりエッジ発生時点においてスイッチングパルス信号Ｗｐは“Ｌ”になる。このようにして、スイッチングパルス信号Ｗｐは電流検出信号Ａｄと指令信号Ａｃの比較結果に応動したＰＷＭ信号になる（図２６の（ａ）〜（ｃ）参照）。また、ノイズ除去信号Ｗｘは、スイッチングパルス信号Ｗｐのエッジ発生時点（立ち上がりエッジおよび立ち下がりエッジ）から所定時間Ｔｘの間”Ｌ”になる（図２６の（ｄ）参照）。また、動作切換信号Ｄｈが”Ｌ”の場合に、補助スイッチングパルス信号Ｗｈａの立ち上がりエッジは、スイッチングパルス信号Ｗｐの立ち下がりエッジから大きめの所要時間Ｔｈａ経過後（Ｔｈａ：低速スルーレート時の隙間時間）に変化する（図２６の（ｅ）参照）。また、動作切換信号Ｄｈが”Ｈ”の場合に、補助スイッチングパルス信号Ｗｈｂの立ち上がりエッジは、スイッチングパルス信号Ｗｐの立ち下がりエッジから小さめの所要時間Ｔｈｂ経過後（Ｔｈｂ：高速スルーレート時の隙間時間）に変化する（図２６の（ｆ）参照）。ここに、高速スルーレート時の隙間時間Ｔｈｂは低速スルーレート時の隙間時間Ｔｈａよりも小さくしている（Ｔｈｂ＜Ｔｈａ）。
【００９２】
図２１の通電動作部６０１は、位置検出部３０の上側位置信号Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３とスイッチング制御部６２２のスイッチングパルス信号Ｗｐに応動した上側通電制御信号Ｎ１，Ｎ２，Ｎ３を出力する。また、通電動作部６０１は、位置検出部３０の下側位置信号Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３と上側位置信号Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３とスイッチング制御部６２２の補助スイッチングパルス信号Ｗｈに応動した下側通電制御信号Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３を出力する。従って、電力供給部４０２の上側パワートランジスタや下側パワートランジスタによるコイルへの通電区間は、下側位置信号と上側位置信号によって決められる。通電動作部６０１は、上側位置信号による通電区間においてスイッチングパルス信号Ｗｐに応動して上側通電制御信号Ｎ１，Ｎ２，Ｎ３をスイッチングパルス化している。また、通電動作部６０１は、下側位置信号による通電区間において下側通電制御信号Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３をオン・オフ信号にし、上側位置信号による通電区間において補助スイッチングパルス信号Ｗｈに応動して下側通電制御信号Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３をスイッチングパルス化している。図２２に通電動作部６０１と電力供給部４０２の具体的な構成を示す。
【００９３】
図２２の通電動作部６０１は、第１の通電制御回路６１０Ａと第２の通電制御回路６１０Ｂと第３の通電制御回路６１０Ｃを含んで構成されている。第１の通電制御回路６１０Ａは、下側位置信号Ｐ１と上側位置信号Ｑ１とスイッチングパルス信号Ｗｐと補助スイッチングパルス信号Ｗｈと動作切換信号Ｄｈを入力され、下側通電制御信号Ｍ１と上側通電制御信号Ｎ１を出力する。第２の通電制御回路６１０Ｂは、下側位置信号Ｐ２と上側位置信号Ｑ２とスイッチングパルス信号Ｗｐと補助スイッチングパルス信号Ｗｈと動作切換信号Ｄｈを入力され、下側通電制御信号Ｍ２と上側通電制御信号Ｎ２を出力する。第３の通電制御回路６１０Ｃは、下側位置信号Ｐ３と上側位置信号Ｑ３とスイッチングパルス信号Ｗｐと補助スイッチングパルス信号Ｗｈと動作切換信号Ｄｈを入力され、下側通電制御信号Ｍ３と上側通電制御信号Ｎ３を出力する。
電力供給部４０２は、第１の電力供給回路４２０Ａと第２の電力供給回路４２０Ｂと第３の電力供給回路４２０Ｃを含んで構成されている。第１の電力供給回路４２０Ａは、第１の通電制御回路６１０Ａの下側通電制御信号Ｍ１と上側通電制御信号Ｎ１を入力され、コイル１２の電力供給端子側への通電を行う。第２の電力供給回路４２０Ｂは、第２の通電制御回路６１０Ｂの下側通電制御信号Ｍ２と上側通電制御信号Ｎ２を入力され、コイル１３の電力供給端子側への通電を行う。第３の電力供給回路４２０Ｃは、第３の通電制御回路６１０Ｃの下側通電制御信号Ｍ３と上側通電制御信号Ｎ３を入力され、コイル１４の電力供給端子側への通電を行う。
【００９４】
図２３に第１の通電制御回路６１０Ａと第１の電力供給回路４２０Ａの具体的な構成を示す。第１の電力供給回路４２０Ａは、下側パワートランジスタ５０１と上側パワートランジスタ５０５と下側パワーダイオード５０１ｄと上側パワーダイオード５０５ｄを含んで構成され、下側通電制御信号Ｍ１と上側通電制御信号Ｎ１に応動してコイル１２に駆動電圧Ｖ１と駆動電流Ｉ１を供給する。なお、上側パワートランジスタ５０５と下側パワートランジスタ５０１はＮチャンネルＭＯＳ構造の電界効果型パワートランジスタによって構成され、これらの電界効果型パワートランジスタに逆接続されて形成された寄生ダイオードによって上側パワーダイオード５０５ｄと下側パワーダイオード５０１ｄが構成されている。第１の通電制御回路６１０Ａは、スルーレート回路５１０とアンド回路５１３とアンド回路６３２とオア回路６３１を含んで構成されている。アンド回路５１３は、上側位置信号Ｑ１とスイッチングパルス信号Ｗｐの論理積によりスイッチ切換信号Ｓ５を作りだし、スルーレート回路５１０に出力する。アンド回路６３２は、上側位置信号Ｑ１と補助スイッチングパルス信号Ｗｈの論理積により補助スイッチング信号Ｐｗ１を作りだす。オア回路６３１は、下側位置信号Ｐ１と補助スイッチング信号Ｐｗ１の論理和をとり、下側通電制御信号Ｍ１を出力する。下側通電制御信号Ｍ１は下側パワートランジスタ５０１の通電制御端子側に供給される。
【００９５】
スルーレート回路５１０は、スイッチ回路５２０と充電用の定電流回路５２１と放電用の定電流回路５２２とコンデンサ５２５を含んで構成されている。スイッチ回路５２０は、スイッチ切換信号Ｓ５が”Ｈ”の時にａ側に接続し、スイッチ切換信号Ｓ５が”Ｌ”の時にｂ側に接続する。スイッチ回路５２０がａ側に接続された場合に、コンデンサ５２５は充電用の定電流回路５２１の出力電流によって充電され、端子電圧は徐々に高電位”Ｈｕ”まで上昇する。スイッチ回路５２０がｂ側に接続された場合に、コンデンサ５２５は放電用の定電流回路５２２の出力電流によって放電され、端子電圧は徐々にアース電位０Ｖまで下降する。その結果、コンデンサ５２５の端子電圧信号Ｒ１は、スイッチングパルス信号Ｗｐの変化に応動して変化し、立ち上がりエッジ部分と立ち下がりエッジ部分において所要の電圧傾斜を有するスルーレート・スイッチング信号になる。すなわち、スルーレート回路５１０は上側パワートランジスタ５０５の通電制御端子側にスルーレート・スイッチング信号Ｒ１を作成し、上側パワートランジスタ５０５はスルーレート・スイッチング信号Ｒ１に応動してフォロア動作している。なお、スルーレート・スイッチング信号を上側パワートランジスタの通電制御端子側に直接作成する場合には、上側パワートランジスタの入力コンデンサ容量をコンデンサ５２５の代わりに利用しても良い。
定電流回路５２１，５２２の電流値は、動作切換部９４の動作切換信号Ｄｈによって切り換えられている。その結果、動作切換信号Ｄｈが”Ｌ”の場合に、スルーレート回路５１０は低速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ａを出力し、動作切換信号Ｄｈが”Ｈ”の場合に、スルーレート回路５１０は高速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ｂを出力する。
【００９６】
図２７の（ａ）〜（ｆ）にスイッチングパルス信号Ｗｐと低速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ａと高速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ｂと低速用の補助スイッチングパルス信号Ｗｈａと高速用の補助スイッチングパルス信号Ｗｈｂの関係を示す。動作切換信号Ｄｈが”Ｌ”の場合に、低速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ａと補助スイッチングパルス信号Ｗｈａは、単一のスイッチングパルス信号Ｗｐに応動して変化する。低速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ａの立ち上がり時間Ｔｒａと立ち下がり時間Ｔｆａは大きくされ、スイッチングパルス信号Ｗｐの立ち下がりエッジから補助スイッチングパルス信号Ｗｈａの立ち上がりエッジまでの所要時間Ｔｈａは大きくされている。ここでは、Ｔｈａ＞Ｔｆａになされ、低速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ａの有効期間（ほぼ”Ｈ”の期間）と補助スイッチングパルス信号Ｗｈａの有効期間（”Ｈ”の期間）の間にオフ期間を設けている。同様に、動作切換信号Ｄｈが”Ｈ”の場合に、高速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ｂと補助スイッチングパルス信号Ｗｈｂは、単一のスイッチングパルス信号Ｗｐに応動して変化する。高速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ｂの立ち上がり時間Ｔｒｂと立ち下がり時間Ｔｆｂは小さくされ、スイッチングパルス信号Ｗｐの立ち下がりエッジから補助スイッチングパルス信号Ｗｈｂの立ち上がりエッジまでの所要時間Ｔｈｂは小さくされている。ここでは、Ｔｈｂ＞Ｔｆｂになされ、高速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ｂの有効期間（ほぼ”Ｈ”の期間）と補助スイッチングパルス信号Ｗｈｂの有効期間（”Ｈ”の期間）の間にオフ期間を設けている。
【００９７】
図２３の第１の通電制御回路６１０Ａと第１の電力供給回路４２０Ａの回転体１１の回転に伴う動作について説明し、３相のコイル１２，１３，１４の３個の電力供給端子の１つの端子への駆動電圧Ｖ１，駆動電流Ｉ１の供給について説明する（他の電力供給端子への駆動電圧，駆動電流の供給も同様である）。第１の通電制御回路６１０Ａと第１の電力供給回路４２０Ａの回転体１１の回転に伴う動作について説明する。まず、下側位置信号Ｐ１が”Ｌ”，上側位置信号Ｑ１が”Ｌ”の場合について説明する。アンド回路５１３の出力であるスイッチ切換信号Ｓ５が”Ｌ”になり、スルーレート回路５１０の出力である上側通電制御信号Ｎ１はアース電位０Ｖになるので、第１の電力供給回路４２０Ａの上側パワートランジスタ５０５はオフになる。アンド回路６３２の出力信号は”Ｌ”なので、オア回路６３１の出力である下側通電制御信号Ｍ１は”Ｌ”になり、第１の電力供給回路４２０Ａの下側パワートランジスタ５０１はオフになる。その結果、Ｐ１＝”Ｌ”，Ｑ１＝”Ｌ”の場合には、第１の電力供給回路４２０Ａはコイル１２への通電を行わない。
【００９８】
次に、回転体１１が回転し、下側位置信号Ｐ１が”Ｈ”，上側位置信号Ｑ１が”Ｌ”になった場合を説明する。オア回路６３１の出力である下側通電制御信号Ｍ１は”Ｈ”になり、第１の電力供給回路４２０Ａの下側パワートランジスタ５０１はオンになる。アンド回路５１３のスイッチ切換信号Ｓ５は”Ｌ”であり、スルーレート回路５１０の出力である上側通電制御信号Ｎ１はアース電位０Ｖになるので、第１の電力供給回路４２０Ａの上側パワートランジスタ５０５はオフになる。その結果、Ｐ１＝”Ｈ”，Ｑ１＝”Ｌ”の場合には、第１の電力供給回路４２０Ａはコイル１２に負極性の駆動電流Ｉ１を供給する。
さらに回転体１１が回転し、下側位置信号Ｐ１が”Ｌ”，上側位置信号Ｑ１が”Ｌ”になった場合には、上側通電制御信号Ｎ１がアース電位になり、下側通電制御信号Ｍ１が”Ｌ”になるので、上側パワートランジスタ５０５と下側パワートランジスタ５０１はオフになる。すなわち、第１の電力供給回路４２０Ａはコイル１２への通電を行わない。
【００９９】
さらに回転体１１が回転し、下側位置信号Ｐ１が”Ｌ”，上側位置信号Ｑ１が”Ｈ”になった場合を説明する。アンド回路５１３の出力であるスイッチ切換信号Ｓ５がスイッチングパルス信号Ｗｐに一致し、高周波のスイッチング信号になる。スルーレート回路５１０のスイッチ回路５２０は、スイッチングパルス信号Ｗｐに応動して切り換わり、コンデンサ５２５の端子にスルーレート・スイッチング信号Ｒ１を出力する。従って、上側通電制御信号Ｎ１はスルーレート回路５１０の出力であるスルーレート・スイッチング信号になる。アンド回路６３２の出力である補助スイッチング信号Ｐｗ１は補助スイッチングパルス信号Ｗｈに一致するので、オア回路６３１の出力である下側通電制御信号Ｍ１は補助スイッチングパルス信号Ｗｈに一致する。従って、第１の電力供給回路４２０Ａの下側パワートランジスタ５０１は補助スイッチングパルス信号Ｗｈに応動して高周波スイッチング動作する。その結果、Ｐ１＝”Ｌ”，Ｑ１＝”Ｈ”の場合には、第１の電力供給回路４２０Ａの上側パワートランジスタ５０５はスルーレート回路５１０のスルーレート・スイッチング信号Ｒ１に応動して高周波スイッチング動作し、コイル１２に正極性の駆動電流Ｉ１を供給する。また、下側パワートランジスタ５０１は、補助スイッチングパルス信号Ｗｈに応動して高周波スイッチング動作を行う。すなわち、上側パワートランジスタ５０５が高周波スイッチングのオフの時には、下側パワートランジスタ５０１または下側パワーダイオード５０１ｄが通電状態になり、コイル１２に正極性の駆動電流Ｉ１を流し続ける。
【０１００】
電力供給回路４２０Ａの上側パワートランジスタ５０５は、ＮチャンネルＭＯＳ構造の電界効果型パワートランジスタによって構成され、そのソース端子側にコイル１２が接続されている。従って、上側パワートランジスタ５０５はソース・フォロア動作を行い、通電制御端子側に供給された上側通電制御信号Ｎ１に応動して、上側通電制御信号Ｎ１に相似したスルーレートを有する駆動電圧Ｖ１をコイル１２に供給できる。また、下側パワートランジスタ５０１は、ＮチャンネルＭＯＳ構造の電界効果型パワートランジスタによって構成され、そのドレイン端子側にコイル１２が接続されている。上側パワートランジスタ５０５は通電制御端子側に作成されたスルーレート・スイッチング信号Ｒ１に応動してオン・オフの高周波スイッチング動作を行い、下側パワートランジスタ５０１は補助スイッチングパルス信号Ｗｈに応動して同期的に相補的にオフ・オンの高周波スイッチング動作を行う。なお、上側パワートランジスタ５０５と下側パワートランジスタ５０１は、両方とも同時にオフになるオフ時間を有し、同一相の上側パワートランジスタと下側パワートランジスタが同時にオン状態になることを防止している。
【０１０１】
動作切換信号Ｄｈが”Ｌ”の場合には、定電流回路５２１，５２２の電流値が小さくされ、低速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ａがスルーレート回路５１０の出力信号になる。従って、第１の電力供給回路４２０Ａの上側パワートランジスタ５０５は低速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ａに応動してフォロア動作して高周波スイッチングし、端子電圧Ｖ１は低速スルーレートにて変化するＰＷＭスイッチング駆動電圧になる。また、スイッチングパルス信号Ｗｐの立ち下がりエッジから所要時間Ｔｈａだけ遅れて補助スイッチングパルス信号Ｗｈａの立ち上がりエッジが発生する。スイッチングパルス信号Ｗｐの立ち上がりエッジと補助スイッチングパルス信号Ｗｈａの立ち下がりエッジは一致または略一致する。その結果、低速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ａに応動して上側パワートランジスタ５０５がフォロア動作しているオン期間（有効期間）において、下側パワートランジスタ５０１は確実にオフになる。すなわち、上側パワートランジスタ５０５と下側パワートランジスタ５０１が同時にオンになることを防止している。
【０１０２】
動作切換信号Ｄｈが”Ｈ”の場合には、定電流回路５２１，５２２の電流値が大きくされ、高速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ｂがスルーレート回路５１０の出力信号になる。従って、第１の電力供給回路４２０Ａの上側パワートランジスタ５０５は高速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ｂに応動してフォロア動作して高周波スイッチングし、端子電圧Ｖ１は高速スルーレートにて変化するＰＷＭスイッチング駆動電圧になる。また、スイッチングパルス信号Ｗｐの立ち下がりエッジから所要時間Ｔｈｂだけ遅れて補助スイッチングパルス信号Ｗｈｂの立ち上がりエッジが発生する。スイッチングパルス信号Ｗｐの立ち上がりエッジと補助スイッチングパルス信号Ｗｈｂの立ち下がりエッジは一致または略一致する。その結果、高速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ｂに応動して上側パワートランジスタ５０５がフォロア動作しているオン期間（有効期間）において、下側パワートランジスタ５０１は確実にオフになる。すなわち、上側パワートランジスタ５０５と下側パワートランジスタ５０１が同時にオンになることを防止している。また、上側パワートランジスタ５０５がオフに変化した直後に下側パワートランジスタ５０１をオンにし、下側パワーダイオード５０１ｄによる電力損失を低減している。
【０１０３】
また、ノイズ除去信号Ｗｘの波形は図２６の（ｄ）に示している。すなわち、ノイズ除去信号Ｗｘは、スイッチングパルス信号Ｗｐの変化タイミングからノイズ除去時間Ｔｘの間”Ｌ”になるノイズ除去期間を有している。このノイズ除去時間ＴｘはＴｒａやＴｆａよりも大きくされ（Ｔｘ＞Ｔｒａ，Ｔｘ＞Ｔｆａ）、低速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ａの立ち上がり期間や立ち下がり期間を含むノイズ除去期間においてノイズ除去信号Ｗｘが”Ｌ”にされている。なお、動作切換信号Ｄｈの状態に応動して、ノイズ除去信号Ｗｘのノイズ除去期間Ｔｘを切り換えても良い。
ここでは第１の通電制御回路６１０Ａと第１の電力供給回路４２０Ａの構成および動作について説明したが、第２の通電制御回路６１０Ｂ，第３の通電制御回路６１０Ｃや第２の電力供給回路４２０Ｂ，第３の電力供給回路４２０Ｃの構成および動作も同様である。なお、第１の通電制御回路のスルーレート回路は、スルーレート・スイッチング信号を電力供給部の上側パワートランジスタの通電制御端子に作成し、上側パワートランジスタをスルーレート・スイッチング信号に応動してフォロア動作させている。また、通電動作部６０１（第１の通電制御回路６１０Ａ，６１０Ｂ，６１０Ｃ）は、単一のスイッチングパルス信号に応動した１個または２個のスルーレート・スイッチング信号を作成し、電力供給部４０２の１個または２個の上側パワートランジスタをそれぞれのスルーレート・スイッチング信号に応動して同時に高周波スイッチング動作させている。
【０１０４】
本実施の形態においても、前述の実施の形態１または実施の形態２と同様な作用効果を得ることができる。
本実施の形態では、３個の上側パワートランジスタと３個の下側パワートランジスタにＮチャンネル電界効果型パワートランジスタを使用しているので、電圧供給部２５の負極出力端子側電位よりも低い低電位点が不要になり、電源供給が容易になる。また、集積回路化した場合に、Ｎチャンネル電界効果型パワートランジスタはＰチャンネル電界効果型パワートランジスタよりも小さくて低オン抵抗にできるので、チップサイズを小さくできる。すなわち、低コスト化できる。さらに、上側パワートランジスタを所要のスルーレートを持たせてオン・オフの高周波スイッチング動作させながら、上側パワートランジスタのオン・オフ動作に同期して同じ相の下側パワートランジスタを相補的にオフ・オンの高周波スイッチング動作させている。これにより、下側パワーダイオードの電力損失を低減し、全体の消費電力を小さくしている。また、２個の上側パワートランジスタによって電流路を切り換える場合に、単一のスイッチングパルス信号に応動して２個のスルーレート・スイッチング信号を２個の上側パワートランジスタの通電制御端子側にそれぞれ作成し、２個の上側パワートランジスタを同時にフォロア動作させて高周波スイッチングさせている。そのため、単一のスイッチングパルス信号に応動した２個の補助スイッチングパルス信号を２個の下側パワートランジスタの通電制御端子側にそれぞれ作成することにより、簡単な構成で容易に補助的な高周波スイッチング動作を実現できる。その結果、消費電力が小さく、ノイズによる再生誤りが発生しない高性能なディスク装置およびモータを低コストに実現できる。その他、前述の実施の形態１や実施の形態２と同様な各種の利点がある。
【０１０５】
図２３の通電制御回路６１０Ａでは、定電流回路を有する充電・放電回路によってコンデンサ容量を充電・放電し、スイッチングパルス信号に応動したスルーレート・スイッチング信号を電界効果型パワートランジスタの通電制御端子側に作成した。しかし、本発明はそのような場合に限定されない。図２４に通電制御回路６１０Ａの別の構成を示す。この通電制御回路６１０Ａのスルーレート回路５４０は、スイッチ回路５２０と充電抵抗５５１，５５２と充電切換スイッチ５５３と放電抵抗５５５，５５６と放電切換スイッチ５５７によって構成されている。このスルーレート回路５４０は、スイッチ回路５２０がａ側に接続された場合に、充電切換スイッチ５５３によって選択された充電抵抗５５１または５５２を介してコンデンサ５２５への充電を行わせる。また、スルーレート回路５４０は、スイッチ回路５２０がｂ側に接続された場合に、放電切換スイッチ５５７によって選択された放電抵抗５５５または５５６を介してコンデンサ５２５への放電を行わせる。充電切換スイッチ５５３と放電切換スイッチ５５７は、動作切換信号Ｄｈに応動してａ側またはｂ側に接続を切り換える。抵抗５５１は抵抗５５２よりも十分に大きくされ、抵抗５５５は抵抗５５６よりも十分に大きくされている。動作切換信号Ｄｈが”Ｌ”の場合に、充電切換スイッチ５５３と放電切換スイッチ５５７はａ側に接続され、大きな充電抵抗５５１と大きな放電抵抗５５５によってコンデンサ５２５は充電・放電され、低速スルーレート・スイッチング信号を上側電界効果型パワートランジスタ５０５の通電制御端子側に作成する。この低速スルーレート・スイッチング信号に応動して上側電界効果型パワートランジスタ５０５は、緩やかな電圧傾斜を有する高周波スイッチング動作を行う。動作切換信号Ｄｈが”Ｈ”の場合に、充電切換スイッチ５５３と放電切換スイッチ５５７はｂ側に接続され、小さな充電抵抗５５２と小さな放電抵抗５５６によってコンデンサ５２５は充電・放電され、高速スルーレート・スイッチング信号を上側電界効果型パワートランジスタ５０５の通電制御端子側に作成する。この高速スルーレート・スイッチング信号に応動して上側電界効果型パワートランジスタ５０５は、急な電圧傾斜を有する高周波スイッチング動作を行う。
【０１０６】
図２４の構成の通電制御回路６１０Ａを用いたディスク装置の場合にも、上述の全体的な動作と同様な動作を行う。なお、スルーレート回路５４０のコンデンサ５２５は、上側電界効果型パワートランジスタ５０５の入力寄生コンデンサ容量によって置き換え可能である。
このような構成においても、前述の実施の形態と同様な作用効果を得ることができる。
上述の実施の形態において、通電動作部６０１は、立ち上がり部分と立ち下がり部分のうちで少なくとも一方の部分において電圧傾斜を有する少なくとも１個のスルーレート・スイッチング信号を３個の上側ＮＭＯＳ−ＦＥＴパワートランジスタのうちで少なくとも１個の上側ＮＭＯＳ−ＦＥＴパワートランジスタの通電制御端子側に作成する。３個の上側ＮＭＯＳ−ＦＥＴパワートランジスタのそれぞれは、電圧供給部２５の正極出力端子側と３相のコイルの一端との電流路を形成する。通電動作部６０１は、その少なくとも１個の上側ＮＭＯＳ−ＦＥＴパワートランジスタをその少なくとも１個のスルーレート・スイッチング信号に応動して高周波スイッチング動作させる。通電動作部６０１は、その少なくとも１個のスルーレート・スイッチング信号と実質的に相補的に変化する少なくとも１個の補助スイッチングパルス信号を３個の下側ＮＭＯＳ−ＦＥＴパワートランジスタのうちで少なくとも１個の下側ＮＭＯＳ−ＦＥＴパワートランジスタの通電制御端子側に作成する。３個の下側ＮＭＯＳ−ＦＥＴパワートランジスタのそれぞれは、電圧供給部２５の負極出力端子側と３相のコイルの一端との電流路を形成する。通電動作部６０１は、その少なくとも１個の下側ＮＭＯＳ−ＦＥＴパワートランジスタをその少なくとも１個の補助スイッチングパルス信号に応動して相補的な高周波スイッチング動作させる。通電動作部６０１は、３個の下側ＮＭＯＳ−ＦＥＴパワートランジスタの残りのうちで１個の下側ＮＭＯＳ−ＦＥＴパワートランジスタを高周波スイッチングを伴わないオン動作させる。これにより、その少なくとも１個のスルーレート・スイッチング信号とその少なくとも１個の補助スイッチングパルス信号に応動して滑らかな電圧傾斜を有する高周波スイッチングされた駆動電圧を３相のコイルの１つの端子に供給し、電圧供給手段の負極出力端子側の電位を実質的に３相のコイルの他の１つの端子に供給する構成にしている。その結果、ディスク装置とモータは、ＮＭＯＳ−ＦＥＴパワートランジスタの電力損失は著しく小さくなり、かつ、ＮＭＯＳ−ＦＥＴパワートランジスタの高周波スイッチングに伴う高周波ノイズは著しく小さくなる。
【０１０７】
また、上述の実施の形態において、３個の上側ＮＭＯＳ−ＦＥＴパワートランジスタのうちで２個の上側ＮＭＯＳ−ＦＥＴパワートランジスタによって３相のコイルへの電流路を切り換える場合に、通電動作部６０１は、その２個の上側ＮＭＯＳ−ＦＥＴパワートランジスタの通電制御端子側に２個のスルーレート・スイッチング信号を作り出す。通電動作部６０１は、その２個のスルーレート・スイッチング信号のそれぞれにおいて、立ち上がり部分と立ち下がり部分のうちで少なくとも一方において滑らかな電圧傾斜を有するようにしている。３個の上側ＮＭＯＳ−ＦＥＴパワートランジスタのそれぞれは、電圧供給部２５の正極出力端子側と３相のコイルの一端との電流路を形成する。通電動作部６０１は、その２個の上側パワートランジスタを２個のスルーレート・スイッチング信号に応動して高周波スイッチング動作させる。通電動作部６０１は、その２個のスルーレート・スイッチング信号と実質的に相補的に変化する２個の補助スイッチングパルス信号を３個の下側ＮＭＯＳ−ＦＥＴパワートランジスタのうちで２個の下側ＮＭＯＳ−ＦＥＴパワートランジスタの通電制御端子側に作成する。３個の下側ＮＭＯＳ−ＦＥＴパワートランジスタのそれぞれは、電圧供給部２５の負極出力端子側と３相のコイルの一端との電流路を形成する。通電動作部６０１は、その２個の下側ＮＭＯＳ−ＦＥＴパワートランジスタをその２個の補助スイッチングパルス信号に応動して相補的な高周波スイッチング動作させる。通電動作部６０１は、３個の下側ＮＭＯＳ−ＦＥＴパワートランジスタの残りのうちで１個の下側ＮＭＯＳ−ＦＥＴパワートランジスタを高周波スイッチングを伴わないオン動作させる。これにより、その２個のスルーレート・スイッチング信号とその２個の補助スイッチングパルス信号に応動して滑らかな電圧傾斜を有する高周波スイッチングされた２つの駆動電圧を３相のコイルの２つの端子に供給し、かつ、電圧供給手段の負極出力端子側の電位を実質的に３相のコイルの他の１つの端子に供給する構成にしている。その結果、ディスク装置とモータは、パワートランジスタの電力損失は著しく小さくなり、パワートランジスタの高周波スイッチングに伴う高周波ノイズは著しく小さくなり、かつ、電流路の切り換わりに伴う騒音・振動は大幅に小さくなる。なお、２個のスルーレート・スイッチング信号と２個の補助ＰＷＭパルス信号を単一のスイッチングパルス信号に応動して作成することにより簡素な構成にしているが、そのような場合に限らず、２個のスルーレート・スイッチング信号と２個の補助パルス信号を２個の独立したスイッチングパルス信号に応動して作成しても良い。
その結果、消費電力が小さく、ノイズによる再生誤りが発生しない、騒音・振動の小さい高性能なディスク装置およびモータを低コストに実現できる。
【０１０８】
《実施の形態４》
図２８から図３１に本発明の実施の形態４のモータを含んで構成されたディスク装置と、モータを示す。本実施の形態では、前述の実施の形態３における通電動作部６０１を変更し、単一のスイッチングパルス信号に応動した単一のスルーレート・スイッチング信号を作成し、位置信号に応動して所要の電界効果型パワートランジスタの通電制御端子側に供給するようにしたものである。なお、前述の実施の形態１や実施の形態２や実施の形態３と同様なものには同一の番号を付し、説明を省略する。また、本実施の形態におけるディスク装置の全体構成は、図２に示したものと同様であり、説明を省略する。
【０１０９】
図２８にモータ部アクチュエータとモータ部駆動ブロックの具体的な構成を示す。ディスク８１を回転駆動するモータ部アクチュエータの回転体１１は、複数極の界磁磁束を発生する界磁部を取り付けられたロータである。３相のコイル１２，１３，１４は、固定体であるステータに配設され、回転体１１の界磁部との相対関係に関して、電気的に互いに約１２０度ずらされて配置されている。３相のコイル１２，１３，１４は３相の駆動電流Ｉ１，Ｉ２，Ｉ３により３相の磁束を発生し、回転体１１の界磁部との相互作用によって駆動力を発生し、回転体１１およびディスク８１を回転駆動する。
電力供給部４０２は、通電動作部７０１の３相の下側通電制御信号Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３と３相の上側通電制御信号Ｎ１，Ｎ２，Ｎ３に応動して電圧供給部２５から３相のコイル１２，１３，１４への電流路を形成し、コイル１２，１３，１４への電力供給を行っている。通電動作部７０１の具体的な構成は後述する。
【０１１０】
電流検出部２１は、電圧供給部２５から３相のコイル１２，１３，１４に供給する合成供給電流Ｉｇに比例した電流検出信号Ａｄを出力する。
位置検出部３０は、回転体１１の界磁部の位置を検出し、検出位置に対応した下側位置信号Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３と上側位置信号Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３と検出パルス信号Ｄｔを出力する。位置検出部３０の具体的な構成は、図４に示したものと同様である。位置検出部３０は、電気角で１２０度よりも大きな“Ｈ”区間を持つ３相の下側位置信号Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３と、電気角で１２０度よりも大きな“Ｈ”区間を持つ３相の上側位置信号Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３を作成する。
指令部３２は、位置検出部３０の検出パルス信号Ｄｔによりディスク８１や回転体１１の回転速度を検出し、検出回転速度と目標速度との差に応動した指令信号Ａｃを出力する。
スイッチング制御部６２２は、電流検出部２１の検出信号Ａｄと指令部３２の指令信号Ａｃを比較し、該比較結果に応動した単一のスイッチングパルス信号Ｗｐを作成する。また、単一のスイッチングパルス信号Ｗｐに応動した補助スイッチングパルス信号Ｗｈを作成する。スイッチング制御部６２２の具体的な構成は、図２５に示したものと同様である。また、基準パルス信号Ａｒと比較信号Ａｐとスイッチングパルス信号Ｗｐとノイズ除去信号Ｗｘと補助スイッチングパルス信号Ｗｈの信号関係は、図２６の（ａ）〜（ｆ）に示したものと同様である。
【０１１１】
図２８の通電動作部７０１は、位置検出部３０の３相の下側位置信号Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３や３相の上側位置信号Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３やスイッチング制御部６２２のスイッチングパルス信号Ｗｐや補助スイッチングパルス信号Ｗｈに応動した３相の下側通電制御信号Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３と３相の上側通電制御信号Ｎ１，Ｎ２，Ｎ３を出力する。通電動作部７０１は、上側位置信号による通電区間においてスイッチングパルス信号Ｗｐに応動して上側通電制御信号Ｎ１，Ｎ２，Ｎ３をスイッチングパルス化している。また、通電動作部７０１は、下側位置信号による通電区間において下側通電制御信号Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３をオン・オフ信号にし、上側位置信号による通電区間において補助スイッチングパルス信号Ｗｈに応動して下側通電制御信号Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３をスイッチングパルス化している。図２９に通電動作部７０１の具体的な構成を示す。
【０１１２】
図２９の通電動作部７０１は、スルーレート器７０５と第１の動作制御器７１０Ａと第２の動作制御器７１０Ｂと第３の動作制御器７１０Ｃを含んで構成されている。スルーレート器７０５は、スイッチングパルス信号Ｗｐと動作切換信号Ｄｈが入力され、スイッチングパルス信号Ｗｐに応動したスルーレート・スイッチング信号Ｒ１を出力する。スルーレート・スイッチング信号Ｒ１のスルーレートは、動作切換信号Ｄｈに応動して切り換えられている。第１の動作制御器７１０Ａは、スルーレート・スイッチング信号Ｒ１と下側位置信号Ｐ１と上側位置信号Ｑ１と補助スイッチングパルス信号Ｗｈを入力され、下側通電制御信号Ｍ１と上側通電制御信号Ｎ１を出力する。第２の動作制御器７１０Ｂは、スルーレート・スイッチング信号Ｒ１と下側位置信号Ｐ２と上側位置信号Ｑ２と補助スイッチングパルス信号Ｗｈを入力され、下側通電制御信号Ｍ２と上側通電制御信号Ｎ２を出力する。第３の動作制御器７１０Ｃは、スルーレート・スイッチング信号Ｒ１と下側位置信号Ｐ３と上側位置信号Ｑ３と補助スイッチングパルス信号Ｗｈを入力され、下側通電制御信号Ｍ３と上側通電制御信号Ｎ３を出力する。
【０１１３】
電力供給部４０２は、第１の電力供給回路４２０Ａと第２の電力供給回路４２０Ｂと第３の電力供給回路４２０Ｃを含んで構成されている。第１の電力供給回路４２０Ａは、第１の動作制御器７１０Ａの下側通電制御信号Ｍ１と上側通電制御信号Ｎ１を入力され、コイル１２の電力供給端子側への通電を行う。第２の電力供給回路４２０Ｂは、第２の動作制御器７１０Ｂの下側通電制御信号Ｍ２と上側通電制御信号Ｎ２を入力され、コイル１３の電力供給端子側への通電を行う。第３の電力供給回路４２０Ｃは、第３の動作制御器７１０Ｃの下側通電制御信号Ｍ３と上側通電制御信号Ｎ３を入力され、コイル１４の電力供給端子側への通電を行う。
【０１１４】
図３０にスルーレート器７０５の具体的な構成を示す。スルーレート器７０５は、スイッチ回路７２０と定電流回路７２１，７２２とコンデンサ７２５を含んで構成されている。スイッチ回路７２０は、スイッチングパルス信号Ｗｐが”Ｈ”の時にａ側に接続し、スイッチングパルス信号Ｗｐが”Ｌ”の時にｂ側に接続する。スイッチ回路７２０のａ側には高電位点”Ｈｕ”から流出する定電流回路７２１が接続され、スイッチ回路７２０のｂ側にはアース電位点０Ｖに向けて流入する定電流回路７２２が接続されている。コンデンサ７２５は、スイッチ回路７２０の出力点に接続されている。スイッチ回路７２０がａ側に接続された場合に、コンデンサ７２５は定電流回路７２１の出力電流によって充電され、端子電圧は徐々に高電位”Ｈｕ”まで上昇する。スイッチ回路７２０がｂ側に接続された場合に、コンデンサ７２５は定電流回路７２２の出力電流によって放電され、端子電圧は徐々にアース電位０Ｖまで下降する。その結果、コンデンサ７２５の端子電圧信号Ｒ１は、スイッチングパルス信号Ｗｐに応動して変化し、立ち上がりエッジ部分と立ち下がりエッジ部分において所要の電圧傾斜を有するスルーレート・スイッチング信号になる。
【０１１５】
定電流回路７２１，７２２の電流値は、動作切換部９４の動作切換信号Ｄｈによって切り換えられている。動作切換信号Ｄｈが”Ｌ”の場合には、定電流回路７２１，７２２の電流値が比較的小さくされ、コンデンサ７２５に生じるスルーレート・スイッチング信号Ｒ１は緩やかな電圧傾斜の低速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ａになる。動作切換信号Ｄｈが”Ｈ”の場合には、定電流回路７２１，７２２の電流値が比較的大きくされ、コンデンサ７２５に生じるスルーレート・スイッチング信号Ｒ１は急な電圧傾斜の高速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ｂになる。スイッチングパルス信号Ｗｐと低速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ａと高速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ｂと補助スイッチングパルス信号Ｗｈａ，Ｗｈｂの関係は、図２７の（ａ）〜（ｆ）に示したものと同様である。
【０１１６】
動作切換信号Ｄｈが”Ｌ”の場合に、スイッチングパルス信号Ｗｐに応動して低速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ａが作成される。低速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ａの立ち上がり時間Ｔｒａと立ち下がり時間Ｔｆａは大きくされている。また、スイッチングパルス信号Ｗｐに応動して補助スイッチングパルス信号Ｗｈａが作成され、スイッチングパルス信号Ｗｐの立ち下がりエッジから補助スイッチングパルス信号Ｗｈａの立ち上がりエッジまでの所要時間Ｔｈａは大きくされている。さらに、スイッチングパルス信号Ｗｐの立ち下がりエッジから補助スイッチングパルス信号Ｗｈａの立ち上がりエッジまでの所要時間Ｔｈａは低速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ａの立ち下がり時間Ｔｆａよりも大きくされている（Ｔｈａ＞Ｔｆａ）。
【０１１７】
動作切換信号Ｄｈが”Ｈ”の場合に、スイッチングパルス信号Ｗｐに応動して高速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ｂが作成される。高速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ｂの立ち上がり時間Ｔｒｂと立ち下がり時間Ｔｆｂは小さくされている。また、スイッチングパルス信号Ｗｐに応動して補助スイッチングパルス信号Ｗｈｂが作成され、スイッチングパルス信号Ｗｐの立ち下がりエッジから補助スイッチングパルス信号Ｗｈｂの立ち上がりエッジまでの所要時間Ｔｈｂは小さくされている。さらに、スイッチングパルス信号Ｗｐの立ち下がりエッジから補助スイッチングパルス信号Ｗｈｂの立ち上がりエッジまでの所要時間Ｔｈｂは高速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ｂの立ち下がり時間Ｔｆｂよりも大きくされている（Ｔｈｂ＞Ｔｆｂ）。
【０１１８】
図３１に第１の動作制御器７１０Ａと第１の電力供給回路４２０Ａの具体的な構成を示す。第１の電力供給回路４２０Ａは、下側パワートランジスタ５０１と上側パワートランジスタ５０５と下側パワーダイオード５０１ｄと上側パワーダイオード５０５ｄを含んで構成され、下側通電制御信号Ｍ１と上側通電制御信号Ｎ１に応動してコイル１２に駆動電圧Ｖ１と駆動電流Ｉ１を供給する。なお、上側パワートランジスタ５０５と下側パワートランジスタ５０１はＮチャンネル電界効果型パワートランジスタによって構成され、この電界効果型パワートランジスタに逆接続されて形成された寄生ダイオードによって上側パワーダイオード５０５ｄと下側パワーダイオード５０１ｄが構成されている。
【０１１９】
第１の動作制御器７１０Ａは、オア回路７３１とアンド回路７３２とバッファ回路７３３とスイッチ回路７３４を含んで構成されている。バッファ回路７３３は、上側位置信号Ｑ１をバッファ出力してスイッチ切換信号Ｓ６を作りだす。スイッチ回路７３４は、スイッチ切換信号Ｓ６が”Ｈ”の時にａ側に接続し、スイッチ切換信号Ｓ６が”Ｌ”の時にｂ側に接続する。スイッチ回路７３４のａ側にはスルーレート・スイッチング信号Ｒ１が接続され、スイッチ回路７３４のｂ側にはアース電位点０Ｖが接続される。スイッチ回路７３４は上側通電制御信号Ｎ１を出力し、上側通電制御信号Ｎ１は上側パワートランジスタ５０５の通電制御端子側に供給される。アンド回路７３２は、上側位置信号Ｑ１と補助スイッチングパルス信号Ｗｈの論理積により補助スイッチング信号Ｐｗ１を作りだす。オア回路７３１は、下側位置信号Ｐ１と補助スイッチング信号Ｐｗ１の論理和をとり、下側通電制御信号Ｍ１を出力する。下側通電制御信号Ｍ１は下側パワートランジスタ５０１の通電制御端子側に供給される。
【０１２０】
まず、下側位置信号Ｐ１が”Ｌ”，上側位置信号Ｑ１が”Ｌ”の場合について説明する。バッファ回路７３３の出力であるスイッチ切換信号Ｓ６が”Ｌ”になり、スイッチ回路７３４の出力である上側通電制御信号Ｎ１はアース電位０Ｖになるので、第１の電力供給回路４２０Ａの上側パワートランジスタ５０５はオフになる。アンド回路７３２の出力信号は”Ｌ”になり、オア回路７３１の出力である下側通電制御信号Ｍ１は”Ｌ”になり、第１の電力供給回路４２０Ａの下側パワートランジスタ５０１はオフになる。その結果、Ｐ１＝”Ｌ”，Ｑ１＝”Ｌ”の場合には、第１の電力供給回路４２０Ａはコイル１２への通電は行わない。
次に、回転体１１が回転し、下側位置信号Ｐ１が”Ｈ”，上側位置信号Ｑ１が”Ｌ”になった場合を説明する。オア回路７３１の出力である下側通電制御信号Ｍ１は”Ｈ”になり、第１の電力供給回路４２０Ａの下側パワートランジスタ５０１はオンになる。バッファ回路７３３のスイッチ切換信号Ｓ６は”Ｌ”であり、スイッチ回路７３４の出力である上側通電制御信号Ｎ１はアース電位０Ｖになるので、第１の電力供給回路４２０Ａの上側パワートランジスタ５０５はオフになる。その結果、Ｐ１＝”Ｈ”，Ｑ１＝”Ｌ”の場合には、第１の電力供給回路４２０Ａはコイル１２に負極性の駆動電流Ｉ１を供給する。
【０１２１】
さらに回転体１１が回転し、下側位置信号Ｐ１が”Ｌ”，上側位置信号Ｑ１が”Ｌ”になった場合には、上側通電制御信号Ｎ１がアース電位になり、下側通電制御信号Ｍ１が”Ｌ”になるので、上側パワートランジスタ５０５と下側パワートランジスタ５０１はオフになる。すなわち、第１の電力供給回路４２０Ａはコイル１２への通電は行わない。
さらに回転体１１が回転し、下側位置信号Ｐ１が”Ｌ”，上側位置信号Ｑ１が”Ｈ”になった場合を説明する。バッファ回路７３３の出力であるスイッチ切換信号Ｓ６が”Ｈ”になり、スイッチ回路７３４はａ側に接続される。従って、上側通電制御信号Ｎ１はスルーレート・スイッチング信号Ｒ１に一致する。その結果、第１の電力供給回路４２０Ａの上側パワートランジスタ５０５はスルーレート・スイッチング信号Ｒ１に応動して高周波スイッチング動作する。アンド回路７３２の出力である補助スイッチング信号Ｐｗ１は補助スイッチングパルス信号Ｗｈに一致するので、オア回路７３１の出力である下側通電制御信号Ｍ１は補助スイッチングパルス信号Ｗｈに一致する。従って、第１の電力供給回路４２０Ａの下側パワートランジスタ５０１は補助スイッチングパルス信号Ｗｈに応動して高周波スイッチング動作する。その結果、Ｐ１＝”Ｌ”，Ｑ１＝”Ｈ”の場合には、第１の電力供給回路４２０Ａの上側パワートランジスタ５０５はスルーレート器７０５のスルーレート・スイッチング信号Ｒ１に応動してオン・オフの高周波スイッチング動作し、コイル１２に正極性の駆動電流Ｉ１を供給する。また、下側パワートランジスタ５０１は、補助スイッチングパルス信号Ｗｈに応動してオフ・オンの高周波スイッチング動作を行う。すなわち、上側パワートランジスタ５０５が高周波スイッチングのオフの時には、下側パワートランジスタ５０１または下側パワーダイオード５０１ｄが通電状態になり、コイル１２に正極性の駆動電流Ｉ１を流し続ける。
【０１２２】
動作切換信号Ｄｈが”Ｌ”の場合には、定電流回路７２１，７２２の電流値が小さくされ、低速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ａがスルーレート器７０５の出力信号になる。従って、第１の電力供給回路４２０Ａの上側パワートランジスタ５０５は低速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ａに応動してフォロア動作によりオン・オフの高周波スイッチングし、端子電圧Ｖ１は低速スルーレートにて変化するＰＷＭスイッチング駆動電圧になる。また、スイッチングパルス信号Ｗｐの立ち下がりエッジから所要時間Ｔｈａだけ遅れて補助スイッチングパルス信号Ｗｈａの立ち上がりエッジが発生する。すなわち、低速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ａの有効期間と補助スイッチングパルス信号Ｗｈａの有効期間の間にオフ期間が設けられている。その結果、上側パワートランジスタ５０５のオン期間において、下側パワートランジスタ５０１は確実にオフになる。すなわち、上側パワートランジスタ５０５と下側パワートランジスタ５０１が同時にオンになることを防止している。また、上側パワートランジスタ５０５がオフになると、補助スイッチングパルス信号Ｗｈａは下側パワートランジスタ５０１をオンにしている。その結果、下側パワーダイオード５０１ｄによる電力損失は小さくなる。
【０１２３】
動作切換信号Ｄｈが”Ｈ”の場合には、定電流回路７２１，７２２の電流値が大きくされ、高速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ｂがスルーレート器７０５の出力信号になる。従って、第１の電力供給回路４２０Ａの上側パワートランジスタ５０５は高速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ｂに応動してフォロア動作によりオン・オフの高周波スイッチングし、端子電圧Ｖ１は高速スルーレートにて変化するＰＷＭスイッチング駆動電圧になる。また、スイッチングパルス信号Ｗｐの立ち下がりエッジから所要時間Ｔｈｂだけ遅れて補助スイッチングパルス信号Ｗｈｂの立ち上がりエッジが発生する。すなわち、高速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ｂの有効期間と補助スイッチングパルス信号Ｗｈｂの有効期間の間にオフ期間が設けられている。その結果、上側パワートランジスタ５０５のオン期間において、下側パワートランジスタ５０１は確実にオフになる。すなわち、上側パワートランジスタ５０５と下側パワートランジスタ５０１が同時にオンになることを防止している。また、上側パワートランジスタ５０５がオフになると、補助スイッチングパルス信号Ｗｈｂは下側パワートランジスタ５０１をオンにしている。その結果、下側パワーダイオード５０１ｄによる電力損失は小さくなる。
ここでは第１の動作制御器７１０Ａと第１の電力供給回路４２０Ａの構成および動作について説明したが、第２の動作制御器７１０Ｂや第３の動作制御器７１０Ｃや第２の電力供給回路４２０Ｂや第３の電力供給回路４２０Ｃの構成および動作も同様である。なお、スルーレート器７０５は単一のスイッチングパルス信号Ｗｐに応動して単一のスルーレート・スイッチング信号Ｒ１を作成し、第１の動作制御器７１０Ａ，第２の動作制御器７１０Ｂ，第３の動作制御器７１０Ｃは上側位置信号Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３に応動してスルーレート・スイッチング信号Ｒ１を１個または２個の上側パワートランジスタの通電制御端子側に供給している。これにより、１個または２個の上側パワートランジスタは単一のスルーレート・スイッチング信号Ｒ１に応動して同時に高周波スイッチング動作している。
【０１２４】
本実施の形態においても、前述の実施の形態１、実施の形態２または実施の形態３と同様な作用効果を得ることができる。
本実施の形態では、単一のスイッチングパルス信号Ｗｐに応動した単一のスルーレート・スイッチング信号Ｒ１を作成し、位置信号に応動して所要のパワートランジスタをスルーレート・スイッチング信号に応動して高周波スイッチング動作させている。これにより、スルーレート・スイッチング信号を作るためのコンデンサなどの部品が少なくなり、集積回路化に適している。また、電界効果型パワートランジスタを使用しているので、コンデンサの端子に作成されたスルーレート・スイッチング信号を直接的に電界効果型パワートランジスタの通電制御端子に接続してもスルーレート波形が乱れることはない。その結果、動作制御器の構成が簡素になる。また、上側パワートランジスタのオン・オフの高周波スイッチング動作に同期して、下側パワートランジスタを相補的にオフ・オンの高周波スイッチング動作させ、下側パワーダイオードの電力損失を大幅に低減している。また、２個の上側パワートランジスタによりコイルへの電流路を切り換える場合に、２個の上側パワートランジスタを単一のスルーレート・スイッチング信号に応動して同時に高周波スイッチングさせているので、単一の補助スイッチングパルス信号に応動して２個の下側パワートランジスタを同時に相補的にオフ・オンの高周波スイッチング動作させれば良く、簡単な構成で容易に実現できる。その結果、消費電力が小さく、ノイズによる再生誤りが発生しない高性能なディスク装置およびモータを低コストに実現できる。
【０１２５】
また、本実施の形態では、スルーレート・スイッチング信号に応動して上側パワートランジスタのみを同時に高周波スイッチング動作させ、簡素な構成で高精度な電流制御を実現した。しかし、本発明はそのような場合に限らず、たとえば、下側パワートランジスタを高周波スイッチング動作させたり、上側パワートランジスタと下側パワートランジスタを適時高周波スイッチング動作させるようにしても良い。すなわち、消費電力が小さく、ノイズによる再生誤りが発生しない高性能なディスク装置およびモータを容易に実現できる。その他、前述の実施の形態１や実施の形態２や実施の形態３と同様な各種の利点がある。
なお、前述の実施の形態の具体的な構成については、各種の変形が可能である。たとえば、各相のコイルは複数個の部分コイルを直列もしくは並列に接続して構成しても良い。３相のコイルはスター結線に限らず、デルタ結線であってもよい。また、コイルの相数は３相に限定されない。一般に、複数相のコイルを有する構成を実現できる。また、ロータの界磁部の磁極数も２極に限定されるものではなく、２極以上の複数極を有する界磁部の構成にしても良い。
また、前述の実施の形態では、電流検出部を１個の電流検出用の抵抗によって簡単に実現したが、本発明はそのような場合に限らず、各種の電流検出方法が使用可能である。たとえば、３相の駆動電流の負極側電流値を合成した電流を検出する場合に限らず、正極側電流値を合成した電流を検出しても良い。さらに、下側パワートランジスタや上側パワートランジスタをマルチ出力にして、その一端に出力される電流を検出し、電流検出用の抵抗を無くしても良い。
【０１２６】
また、前述の実施の形態では、電力供給部のパワートランジスタに電界効果型パワートランジスタを用いて、高周波スイッチング動作を容易に行うようにした。これにより、パワートランジスタの電力損失・発熱を低減し、集積回路化を容易にした。また、集積回路化に適した接合分離された二重拡散の電界効果型パワートランジスタに限らず、誘電分離された電界効果型パワートランジスタを使用してモータ部駆動ブロックの所要のトランジスタや抵抗などを集積回路化しても良い。しかし、本発明はそのような場合に限らず、たとえば、パワートランジスタにバイポーラトランジスタやＩＧＢＴトランジスタを使用することも可能である。
また、前述の実施の形態では、コンデンサへの充電・放電動作を行わせることにより、スルーレート・スイッチング信号を容易に形成した。しかし、そのような場合に限らず、たとえば、スイッチングパルス信号Ｗｐを直接に高速スルーレート・スイッチング信号として使用しても良い。
【０１２７】
また、前述の実施の形態では、単一のスイッチングパルス信号に応動したスルーレート・スイッチング信号を作成することにより、スルーレート・スイッチング信号の作成およびパワートランジスタの高周波スイッチング動作を容易にした。しかし、そのような場合に限らず、複数相のスイッチングパルス信号に応動した複数のスルーレート・スイッチング信号を上側パワートランジスタの通電制御端子側に作成するようにしても良い。また、これらの複数相のスイッチングパルス信号に応動した複数の補助スイッチングパルス信号を下側パワートランジスタの通電制御端子側に作成し、パワートランジスタの電力損失を低減するようにしても良い。これらの構成が本発明に含まれることは言うまでもない。
また、前述の実施の形態では、３相のコイルの端子電圧に応動した位置検出信号を作成することにより、位置検出素子を不要にした。しかし、そのような場合に限らず、回転体の界磁部の磁極を検出する位置検出素子を使用しても良い。
なお、本発明のモータは、ディスク装置に好適であるが、その用途はＯＡ・ＡＶ機器などの回転駆動用にも幅広く使用可能である。さらに、一般に、速度制御を行うモータとして、幅広く利用することができる。
その他、本発明の主旨を変えずして種々の変形が可能であり、本発明に含まれることはいうまでもない。
【０１２８】
【発明の効果】
以上、実施の形態について詳細に説明したところから明らかなように、本発明は次の効果を有する。
本発明のディスク装置およびモータでは、スイッチングパルス信号に応動したスルーレート・スイッチング信号を作成し、スルーレート・スイッチング信号に応動してパワートランジスタを高周波スイッチング動作させている。これにより、緩やかな電圧傾斜を有する高周波スイッチングの駆動電圧をコイルに供給して、スイッチング駆動電圧によるノイズの発生を低減している。その結果、消費電力の小さく、情報再生誤りが少ない、高性能なディスク装置およびモータを実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１におけるモータの全体構成を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態１におけるディスク装置の全体構成を示す図である。
【図３】実施の形態１における電力供給部２０と電流検出部２１の具体的な構成を示す図である。
【図４】実施の形態１における位置検出部３０の具体的な構成を示す図である。
【図５】実施の形態１における電圧検出器１２１の具体的な構成を示す図である。
【図６】実施の形態１における位置作成器１２２の具体的な構成を示す図である。
【図７】実施の形態１におけるスイッチング制御部２２の具体的な構成を示す図である。
【図８】実施の形態１における通電動作部３１と電力供給部２０の具体的な構成を示す図である。
【図９】実施の形態１における第１の通電制御回路２００Ａと第１の電力供給回路２５０Ａの具体的な構成を示す図である。
【図１０】実施の形態１における電圧検出器１２１の動作を説明するための波形図である。
【図１１】実施の形態１における調整器１６０の動作を説明するための波形図である。
【図１２】実施の形態１における位置作成器１２２の動作を説明するための波形図である。
【図１３】実施の形態１におけるスイッチング制御部２２の動作を説明するための波形図である。
【図１４】実施の形態１におけるスイッチングパルス信号Ｗｐと低速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ａと高速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ｂとノイズ除去信号Ｗｘの関係を説明するための波形図である。
【図１５】実施の形態１におけるスイッチング制御部２２の別の具体的な構成を示す図である。
【図１６】実施の形態１における図１５のスイッチング制御部の動作を説明するための波形図である。
【図１７】本発明の実施の形態２におけるモータの全体構成を示す図である。
【図１８】実施の形態２における通電動作部４０１と電力供給部４０２の具体的な構成を示す図である。
【図１９】実施の形態２における第１の通電制御回路４１０Ａと第１の電力供給回路４２０Ａの具体的な構成を示す図である。
【図２０】実施の形態２における別の構成の第１の通電制御回路４１０Ａの具体的な構成を示す図である。
【図２１】本発明の実施の形態３におけるモータの全体構成を示す図である。
【図２２】実施の形態３における通電動作部６０１と電力供給部４０２の具体的な構成を示す図である。
【図２３】実施の形態３における第１の通電制御回路６１０Ａと第１の電力供給回路４２０Ａの具体的な構成を示す図である。
【図２４】実施の形態３における別の構成の第１の通電制御回路６１０Ａの具体的な構成を示す図である。
【図２５】実施の形態３におけるスイッチング制御部６２２の具体的な構成を示す図である。
【図２６】実施の形態３におけるスイッチング制御部６２２の動作を説明するための波形図である。
【図２７】実施の形態３におけるスイッチングパルス信号Ｗｐと低速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ａと高速スルーレート・スイッチング信号Ｒ１ｂとノイズ除去信号Ｗｘと補助スイッチングパルス信号Ｗｈａ，Ｗｈｂの関係を説明するための波形図である。
【図２８】本発明の実施の形態４におけるモータの全体構成を示す図である。
【図２９】実施の形態４における通電動作部７０１と電力供給部４０２の具体的な構成を示す図である。
【図３０】実施の形態４におけるスルーレート器７０５の具体的な構成を示す図である。
【図３１】実施の形態４における第１の動作制御器７１０Ａと第１の電力供給回路４２０Ａの具体的な構成を示す図である。
【図３２】従来のモータの構成を示す図である。
【符号の説明】
１１  回転体
１２，１３，１４  コイル
２０，４０２  電力供給部
２１  電流検出部
２２，６２２  スイッチング制御部
２５  電圧供給部
３０  位置検出部
３１，４０１，６０１，７０１  通電動作部
３２  指令部
４１，６４１  スイッチング動作ブロック
８１  ディスク
８２  モータ部アクチュエータ
８５  トラッキング部アクチュエータ
８７  ヘッド部
９１  モータ部駆動ブロック
９２  トラッキング部駆動ブロック
９３  情報処理ブロック
９４  動作切換部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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