(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面を有する結晶性ウエハを準備するステップと、
前記ウエハから、少なくとも一つの延在する開口部を有する少なくとも一つのマイクロマシンデバイスを加工処理するステップと
を含み、
前記開口部は長手軸を有し、前記長手軸と、前記ウエハの表面と第１の劈開面との間の交線とによって所定の角度をなしており、前記第１の劈開面は、当該面に沿って前記ウエハの劈開が生じやすい面として規定され、
前記長手軸は、第２の劈開面と非平行であって、前記第２の劈開面は、当該面に沿って前記ウエハの劈開が生じやすい面として規定されるマイクロエレクトロメカニカルシステム用のバルクマイクロマシンデバイスの製造方法。
【請求項２】
前記ウエハは円形ディスク形状であり、前記円形ディスクの形状の一つの弦に沿って切断して得た少なくとも一つの水平部を備えたことを特徴とする請求項１に記載のマイクロマシンデバイスの製造方法。
【請求項３】
前記水平部は、前記長手軸とは非平行としていることを特徴とする請求項２に記載のマイクロマシンデバイスの製造方法。
【請求項４】
前記水平部は、前記長手軸と平行としていることを特徴とする請求項２に記載のマイクロマシンデバイスの製造方法。
【請求項５】
前記ウエハは、シリコンウエハであって、その表面及び裏面が｛１００｝等価面に沿って配向され、前記劈開面は｛１１１｝等価面に属することを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載のマイクロマシンデバイスの製造方法。
【請求項６】
前記ウエハは、シリコンウエハであって、その表面及び裏面が｛１００｝等価面に沿って配向され、前記劈開面は｛１１０｝等価面に属することを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載のマイクロマシンデバイスの製造方法。
【請求項７】
前記開口部の前記長手軸と前記交線との間の角度は４５°未満であることを特徴とする請求項５又は６に記載のマイクロマシンデバイスの製造方法。
【請求項８】
前記加工処理ステップは、
前記ウエハ上にマスクを介してパターンを印刷するフォトリソグラフィステップと、
前記ウエハをエッチングするエッチングステップと
を含み
前記フォトリソグラフィステップは、前記マスクを前記ウエハについて角度をなすように回転させるステップを含むことを特徴とする請求項４から７のいずれか一項に記載のマイクロマシンデバイスの製造方法。
【請求項９】
前記加工処理ステップは、
前記ウエハ上にマスクを介してパターンを印刷するフォトリソグラフィステップと、
前記ウエハをエッチングするエッチングステップと
を含み
前記パターンは、前記マスクについて角度をなして配置されていることを特徴とする請求項４から７のいずれか一項に記載のマイクロマシンデバイスの製造方法。
【請求項１０】
前記加工処理ステップは、
前記ウエハ上にマスクを介してパターンを印刷するフォトリソグラフィステップと、
前記ウエハをエッチングするエッチングステップと
を含み
前記フォトリソグラフィステップは、前記ウエハを前記マスクについて角度をなすように回転させるステップを含むことを特徴とする請求項４から７のいずれか一項に記載のマイクロマシンデバイスの製造方法。
【請求項１１】
前記フォトリソグラフィステップは、接触印刷ステップを含むことを特徴とする請求項８から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記フォトリソグラフィステップは、近接印刷ステップを含むことを特徴とする請求項８から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記加工処理ステップは、
前記ウエハ上にマスクを介してパターンを印刷するフォトリソグラフィステップと、
前記ウエハをエッチングするエッチングステップと
を含むことを特徴とする請求項３、５、６又は７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記フォトリソグラフィステップは、複数の射影印刷ステップを含むことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記フォトリソグラフィステップは、接触印刷ステップを含むことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記フォトリソグラフィステップは、近接印刷ステップを含むことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
請求項１から１６のいずれか一項に記載の製造方法によって製造されたことを特徴とするマイクロエレクトロメカニカルシステム用のマイクロマシンデバイス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マイクロエレクトロメカニカル・システム(微小電子工学システム（ＭＥＭＳ）)に使用するマイクロマシンデバイスを製造する方法に関する。また、本発明は、上記方法によって得られるマイクロマシンデバイス及びその用途に関する。
【０００２】
【従来の技術】
マイクロエレクトメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）は、マイクロシステムやマイクロ・マシン・システムとしても知られ、このマイクロエレクトメカニカルシステムでは、特にＭＥＭＳ技術と結びついて半導体加工処理において発展した技術に基づいて製造したデバイスがよく使用されている。このＭＥＭＳ技術によって、ビームや空洞等の構造をマイクロ電子回路に付加することができる。通常の半導体デバイスと比較すると、これらのマイクロマシンデバイスの機械的特性は、破壊特性、重量、耐振性等の点で、これらのデバイスの加工処理において非常に高い水準が要求されている。
【０００３】
所定タイプのマイクロマシンデバイスを得るためには、体積(bulk)マイクロマシン方法が用いられ、この場合、半導体ウエハ内にウェルをエッチングして、膜を取り除いて開口部やビームとする。これによって、例えば圧力センサ、加速度計、傾斜計、又は光デバイス等を得ることができる。
【０００４】
例えば、体積マイクロマシンによる加速度計の場合には、半導体ウエハの内部に開口部がエッチングされる。また、この開口部は、大きく、狭いので、ウエハ中に延在するクラックに似ている。
【０００５】
通常、マイクロマシン内部に形成される空洞や開口部は、直径がおよそ５μｍ未満で、深さが２μｍ未満のコンタクトホールやビアホール等の通常の半導体加工処理で形成される開口部と比べて、大きく、しかも深い。このような大きな開口部や空洞は、ウエハを弱くする原因となり、例えば、加工処理中に導かれるストレスの影響下でウエハの破壊の可能性が大きくなる。
【０００６】
当業界おいては、半導体、特にＳｉウエハの結晶構造に関する所定の特性を利用することが知られている。例えば、＜１００＞方向に平行な開口部のエッチングには、異方的湿式エッチングステップによる方法が有効である。これは、例えば、ヨーロッパ特許第０６５８９２７号公開公報及び米国特許第４９６９３５９号に記載されているところである。しかし、＜１００＞方向に平行な狭い開口部によって、ウエハは相当弱くなる傾向にあり、加工処理の間に劈開によって意図しない破壊が起きる危険性が増す。
【０００７】
ヨーロッパ特許第０５６２８８０号公開公報において、基板上の半導体赤外線発光デバイスやＬＥＤが記載されており、この場合に、基板は、積層ＬＥＤに対して傾けられている。基板上のデバイスの傾斜方位によって、上述の方法で基板を劈開させることができることを意味する。この公報は、劈開や機械的欠陥を避けることに関するものではなく、この劈開を起こさせようとするものである。この公報は、開口部や空洞からなるＭＥＭＳの製造物に関するものでもない。ただ、劈開によってウエハを個々のデバイスに分割する方法であるだけである。同じことがドイツ特許第３４３５１３８公開公報についても言える。ここには、意図した方向と垂直な第２の方向に沿って起きる分割の危険性を減らしながら、劈開を利用して一つのチップを得る方法が記載されている。
【０００８】
米国特許第４２７８９８７号には、くぼみがエッチングされ、次いで、埋設される方法によって作製される半導体デバイスが記載されており、このくぼみは、＜１００＞方向に沿った平行な側面又は＜１００＞方向について２５°傾斜させた側面を備えた多角形状を有する。この傾斜配置の目的は、機械的強度のためではなく、エピタキシャル成長させるためであり、平坦性を目的としている。また、この公報によるデバイスは、ＭＥＭＳに関するものではない。
【０００９】
特開平３−２１９６１８号公報は、ＳＥＭ検査用の劈開しているウエハに関する。結晶構造の方位はデバイスにわたる劈開を得るために用いられており、劈開を避けるためではない。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、加工処理中及び加工後のクラック伝播に高い抵抗性を有するマイクロマシンデバイスの製造方法を提供することである。
【００１１】
本発明のもう一つの目的は、クラック伝播に優れた抵抗性を有するマイクロマシンデバイスを提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明は、マイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）に使用されるマイクロマシンデバイスの製造方法に関し、該方法は、結晶性ウエハを準備するステップと、
前記ウエハから、少なくとも一つの長手軸を有して延在する開口部及び／又は空洞を有する少なくとも一つのマイクロマシンデバイスを加工処理するステップとを含み、
前記長手軸は、ウエハの表面と劈開面との間の交線に沿って延在する方向と所定の角度をなしており、前記劈開面は、当該面に沿って前記ウエハの劈開が最も生じやすい面として規定されることを特徴とする。
【００１３】
本発明は、マイクロマシンデバイスの製造方法に関し、前記ウエハは円形ディスク形状であり、前記円形ディスクの形状の一つの弦に沿って切断して得た少なくとも一つの水平部(flat)を備えたことを特徴とする。
【００１４】
本発明の好ましい第１実施の形態によれば、前記水平部は、前記交線とは非平行としている。
【００１５】
本発明の好ましい第２実施の形態によれば、前記水平部は、前記交線と平行としている。
【００１６】
本発明の好ましい実施の形態によれば、前記ウエハはシリコンウエハであって、その表面及び裏面が｛１００｝等価面に沿って配向され、前記劈開面は｛１１１｝等価面又は｛１１０｝等価面に属する。後者の場合には、前記開口部及び／又は空洞の前記長手軸と前記交線との間の角度は４５°未満である。
【００１７】
ある実施の形態では、前記水平部は前記交線に沿って配向されており、本発明に係る前記方法は、
前記ウエハ上にマスクを介してパターンを印刷するフォトリソグラフィステップと、
前記ウエハをエッチングするエッチングステップとを含み
前記フォトリソグラフィステップは、前記マスクを前記ウエハについて角度をなすように回転させるステップを含み、又は、前記パターンは、前記マスクについて角度をなして配置されているか、又は、前記フォトリソグラフィステップは、前記ウエハを前記マスクについて角度をなすように回転させるステップを含んでいる。
【００１８】
ある実施の形態によれば、前記水平部は前記交線に沿って配向されていると共に、前記フォトリソグラフィステップは、接触印刷ステップ又は近接印刷ステップを含む。
【００１９】
ある実施の形態では、前記水平部は前記交線に沿って配向されていないと共に、本発明に係る方法は、
前記ウエハ上にマスクを介してパターンを印刷するフォトリソグラフィステップと、
前記ウエハをエッチングするエッチングステップとを含み、
前記フォトリソグラフィステップは、接触印刷ステップ、近接印刷ステップ、又は複数の射影印刷ステップを含んでいてもよい。
【００２０】
本発明は、また、マイクロエレクトロメカニカルシステム用のマイクロマシンデバイスに関し、該マイクロマシンは本発明に係る上記方法によって製造されたことを特徴とする。
【００２１】
また、本発明は、マイクロマシンデバイスの用途に関し、該デバイスは本発明に係る製造方法によって製造されたことを特徴とする。
【００２２】
【発明の実施の形態】
図１ａに示すように、半導体ウエハは、概して円形状ディスクの弦に沿った直線状の端部又は水平部２を備えた円形状の平坦ディスク１の形状で供給されている。この水平部は処理工程でウエハの位置合せに用いられる。さらに、図１ｂに示すように、水平部２よりは短い別の直線部１０を備えていてもよい。これ以降、「水平部」とは、ウエハのエッジにおける最も長い直線部を表わす
【００２３】
標準の半導体デバイスの場合には、ウエハは、多数のダイス３に分割されており、処理後には分離されて個々のチップができる。通常、ステップ・アンド・リピート印刷等の投影印刷に基づいて作製されるデバイスは、同じ大きさのダイスへ分割される。接触印刷又は近接印刷等を用いて行う他の印刷処理によれば、図１ｃに示すような別の配置を作製できる。一方、発明者らは図２ａの典型例についての以下の記載を基礎としている。即ち、このマイクロマシンニングは、水平部２を備えたウエハ１から、長く狭い開口部４を含むデバイス５を形成する形成ステップからなる。
【００２４】
ウエハに印加される負荷、例えば、機械応力、熱応力又は衝撃等の影響下において、開口部４が展延してウエハを破壊するきっかけとなることがある。ウエハの破壊は、いわゆる劈開面に沿って生じる。ウエハが破壊し、さらに劈開面に沿って破壊するかどうかの問題は、開口部の形状、印加されるストレス、それに開口部についてのウエハの結晶型における結晶方位に依存している。応力を生じるものから離れており、平均的なストレスレベルであってさえ、クラックの先端や他の割れ目にストレスが集中し、ウエハを破壊させてしまう。
【００２５】
通常、長さ２ｃのクラックが物体上に形成され、均質な物体内にストレスσが生じた場合に、クラックの伝播する可能性を数値的に評価するのにストレス強度因子Ｋが使われる。この外的引張り力Ｆによって生じたシリコンウエハ上の引っ張りストレスσの典型例を図２（ａ）に示した。ストレスσは、均質な物体内の開口部４から十分に遠く離れた場所での引張りストレスであることがわかる。割れ目（シャープな端部、クラックチップとを有する）の周辺では、ストレスレベルが局所的に非常に高い値に上昇しており、均質な物体内の値σからかなり上回っていることが知られている。なぜなら、均質な物体内のストレスの許容値レベルにおいて、ウエハの破壊は、開口部４等の開口部の端部から生じるためである。
【００２６】
このストレス強度因子Ｋ（ＭＰＡｍ１／２）は、下記式で得られる。
0004128764.tif 000002
ひとたびストレス強度因子が臨界値Ｋｃを越えると、クラックは伝播する。これは、同様に、均質な物体内における臨界印加ストレスσｃに関して表わすことができる。
0004128764.tif 000003
σがσｃを越えた場合には、クラックの伝播が始まる。
【００２７】
マイクロマシンデバイスでは、シリコンは広く利用された物質である。シリコンは、その大きな光電特性、熱電特性、それに相応なキャリア移動度は別として、優れた機械的特性を有している。
【００２８】
これらの多くの特性は、シリコンの結晶構造に関係している。シリコンウエハの原子は、異なる角度から見ると異なる原子のパターンが見える結晶格子を形成している。Ｓｉウエハにおける面及び方位は、当業者において周知のミラー指数で示した。
【００２９】
シリコンウエハにおいて、｛１００｝、｛１１０｝及び｛１１１｝の３つの等価面の群は重要である。通常のＳｉウエハは、｛１００｝型であり、これは平坦な表面と裏面とが一群の｛１００｝等価面に属する面に沿って配向されていることを意味する。また、通常のＳｉウエハでは、水平部２は、一方では｛１００｝等価面と｛１１０｝等価面との間の共通の交線、他方では｛１００｝等価面と｛１１１｝等価面との間の共通の交線の＜１１０＞方向に沿って配向されている。また、図１ａは、＜１００＞方向について示しており、この方向は、一方では｛１００｝等価面のうちの２つの面の間の共通の交線であり、他方では｛１００｝面と｛１１０｝面との間の共通の交線である。その結果、上述したようにストレスが集中するＳｉウエハの欠陥では、劈開と呼ばれる現象が生じる。これは、ウエハの結晶構造によってストレスが集中することが知られている劈開面に沿ってウエハが２つに割れることを意味している。
【００３０】
シリコンでは、Ｋｃ値は、３つの主なミラー指数等価面に沿った劈開について測定されており、その結果が表１に示されている（Ｐ．Ｊ．バーネット、「Properties of Silicon」（シリコンの物性）、EMIS dataview シリーズ no.4、INSPEC、London、UK、1988、第３０頁）。これによって、上述の３つの等価面のいずれに属する面に沿ってウエハが劈開するかを説明することができる。
【００３１】
ストレスの集中がある場合に、｛１００｝等価面が最も劈開に抵抗し、以下、｛１１０｝等価面、｛１１１｝等価面の順に続くことが明らかである。しかし、そうであるからといって｛１１１｝等価面の面に沿って必ず劈開が生じることを意味するものではない。このことを以下に説明する。
【００３２】
上述のように、通常の平坦状のＳｉウエハは、＜１００＞方向に沿って配向されている。ここで、図２ａに示すように、開口部４が上記水平部に平行であると考える。図２ａに示すように、相対的に低い引っ張りストレスσでさえ、開口部の先端に臨界ストレスを生じさせる。臨界ストレスレベルに達すると、図２ｂの線６に沿って劈開が生じる。劈開面は、ストレスの方向やストレスの種類によって決まる。引っ張りストレスや曲げストレスは、｛１１０｝等価面や｛１１１｝等価面の面に沿って劈開を生じさせることがある。これは、Ｋｃ因子だけでなく、ストレスの劈開面に垂直な射影が重要だからである。これらのどの面に沿った劈開の機会も減少させるために、本発明は、以下のような解答を提示する。
【００３３】
本発明は、ウエハの処理方法を提示する。それによれば、開口部は＜１１０＞方向について角度θをなすようにエッチングされ、それによってクラックの伝播が抑制される。さらに、開口部の長手軸は、同じ方向について角度θをなし、この長手軸はウエハに平行であって、開口部の長辺方向と平行に規定されている。長方形の開口部の場合には、この軸は通常、長方形の最も長い対称軸である。
【００３４】
図２ａは通常の配置を示している。開口部４は、＜１１０＞方向に沿って配向されている。＜１１０＞に垂直な引っ張りストレスσの影響下では、臨界ストレスレベルに達するやいなや劈開が生じる。
【００３５】
図３ａは、第１の別例を示しており、ここでは、デバイス５と開口部４は＜１１０＞について角度θだけ回転されている。典型的な垂直な引っ張りストレスが水平部に返った場合には、長さ２ｃのクラックの＜１１０＞方向への射影が、図２ｂの同じ面に沿った劈開の可能性を評価するために考慮されるべきである。
【００３６】
このような劈開は、σｃ’より高いストレスレベルから生じ始める。
0004128764.tif 000004
ここで、式（２）と比べると、因子（１／ｃｏｓθ）１／２分だけ増えている。この式によれば、図２ｂに示す同じ面に沿った劈開によるウエハの破壊の可能性は減っている。
【００３７】
最適な角度θは使用される物質に依存する。例えば、シリコンのθの方位においては、ある面に沿った劈開の可能性は減少するが、他の面に沿って劈開が生じないようにすることも考慮すべきである。
【００３８】
これは、ストレスの開口部４に垂直な方向への射影が、開口部４を傾斜させて補強された面よりももう一つの面に沿って劈開し始めるのに十分に高い場合に起きる場合がある。
【００３９】
Ｓｉウエハについて、最適の角度θは０°から４５°までの間にある。４５°では開口部は＜１００＞方向に沿って延在するため、図３ｂに示す線７に沿って｛１００｝等価面の他の面に沿った劈開を招く場合がある。
【００４０】
図４は、第２の別例を示しており、ここではウエハの水平部は、＜１１０＞方向に沿って配向していないが、＜１１０＞方向について角度θをなす方向に沿って配向されている。通常のウエハの場合のように、デバイス５と開口部４とは水平部に平行なままである。
【００４１】
以前と同じ状態に維持するために、図４のウエハは、再度、水平部に垂直な引っ張りストレスσを受けている。上記の同じ劈開面に沿ってウエハが破損する可能性を評価するために、考慮すべき適切なクラック長さは、実際のクラック長さ２ｃの＜１１０＞方向への射影である。しかし、この射影長さは、σの＜１１０＞方向に垂直な方向への射影である。これは、劈開が次式を満たす場合に生じることを意味している。
0004128764.tif 000005
即ち
0004128764.tif 000006
この場合には、図２ｂに示す同じ面に沿った劈開が生じる臨界ストレスは、さらに因子１／ｃｏｓθ分だけ増えている。
【００４２】
上述した２つの効果に基づいて、本発明による方法の好ましい実施の形態を提案する。２つの実施の形態によれば、ウエハは、当業者に知られたフォトリソグラフィ及びエッチングのステップからなる処理を受ける。フォトリソグラフィには、図１ａ又は図１ｃに示すように、ウエハ上にダイスのパターンを印刷することを伴っている。この印刷ステップは、他の方法で実施してもよい。全ての場合において、ウエハ上にパターンを印刷するために、印刷パターンが光源とウエハとの間に配置されるいわゆるマスク上に提供される。印刷のあるタイプでは、マスクはウエハに接触して、又は、ウエハに非常に接近して配置される。これは、それぞれ接触印刷又は近接印刷と呼ばれ、これらの方法は、（図１ａや図１ｃのように）全部のダイスのセットを印刷するために好んで用いられている。一方、射影印刷があり、これによれば、光学系はマスクとウエハとの間で機能し、マスク上のパターンのサイズを縮小した印刷パターンとすることができる。この最後の方法は、同じウエハ上に同じ大きさの複数のダイスを順にそれぞれ印刷する場合に好ましく用いられ、ステップ・アンド・リピート印刷とも呼ばれている。
【００４３】
最初の好ましい実施の形態において、図３ａに示すように、開口部は通常のウエハに配向されているので、水平部、即ち、＜１１０＞方向について角度θだけ傾いて配置されている。
【００４４】
この実施の形態によれば、マイクロマシンデバイスは、Ｓｉウエハのフォトリソグラフィ及びエッチングステップからなる方法によって作製され、この場合に、フォトリソグラフィステップは、好ましくは接触印刷又は近接印刷ステップからなる。角度θだけ傾いたダイスのセットを得るために、別の方法としては以下の場合がある。パターンの露光前に、マスクは、固定したウエハについて角度をなすように回転させてもよい。もちろん、このように回転させるには、印刷装置を回転させる必要がある。別の場合として、マスク上のパターンは、マスクについて角度θだけ傾けて配置してもよく、通常位置にあるマスクを介して印刷される。これは通常の印刷装置を用いて行うことができる。そして、固定させた通常の印刷装置やマスクについて角度θだけウエハ自体を回転させてもよい。この実施の形態に用いるウエハは、＜１１０＞方向に沿った水平部を有する通常のウエハである。
【００４５】
図４に示す第２の実施の形態では、開口部は水平部に平行であるが、水平部自体は＜１１０＞方向について角度θだけ傾いている。このタイプのウエハは、通常のものではなく、この方法で特に作製される。
【００４６】
この実施の形態によれば、マイクロマシンデバイスの製造方法は、同様に、標準的なフォトリソグラフィ及びエッチングステップからなり、この場合には、フォトリソグラフィステップは、接触印刷又は近接印刷ステップからなっていてもよい。通常の処理方法によれば、マスクのみならずウエハを回転させることなく、弱い＜１１０＞方向について水平部を傾けることによって、ダイスのセットを印刷することができる。
【００４７】
それはさておき、第２実施の形態による方法が特に好ましく、この場合ではフォトリソグラフィは、図５に示すように、ステップ・アンド・リピート印刷等の射影印刷によっている。上述のようにこのタイプの印刷ステップは、図１ａ及び図１ｂで示すように、同じ大きさのダイスのセットを得るために最も用いられている。ステップ・アンド・リピート印刷では、ダイス３は、ウエハ１上に一つづつ連続して印刷される。通常のウエハ（＜１１０＞方向に平行な水平部を有するもの）上に描かれたダイ及び／又は開口部の配向を得るためには、印刷ステップの間に、別のダイスを並べるために、より複雑に、しかも時間を浪費する追加の転写／ウエハの回転を行う必要がある。この実施の形態による方法で用いられるウエハについて、水平部は＜１１０＞方向に沿って配向されておらず、印刷ステップの間に余分の転写や回転を要することなく、ウエハは、標準的な方法で作製されていてもよい。
【００４８】
0004128764.tif 000007
【図面の簡単な説明】
【図１ａ】  標準処理における標準｛１００｝面のＳｉウエハ上のダイスの方向を示す図である。
【図１ｂ】  標準｛１００｝面の別の型のＳｉウエハを示す図である。
【図１ｃ】  標準ウエハ上のデバイスの別のパターンを示す図である。
【図２ａ】  エッチング処理された長く狭い開口部を備えた標準｛１００｝面のＳｉウエハを示す図である。
【図２ｂ】  図２ａのウエハの劈開後を示す図である。
【図３ａ】  デバイスが水平軸から角度θだけ傾けられて作製される標準｛１００｝面のＳｉウエハを示す図である。
【図３ｂ】  図３ａで、θが４５°の場合を示す図である。
【図４】  デバイスが水平軸に平行であるが、デバイスと水平軸とが＜１１０＞軸に対して角度θだけ傾いているウエハを示す図である。
【図５】  フォトリソグラフィにおいて、繰り返されるステップの投影印刷ステップで用いられるダイスが印刷されているウエハを示す図である。
【図１ａ】
0004128764.tif 000008
【図１ｂ】
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【図１ｃ】
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【図２ａ】
0004128764.tif 000011
【図２ｂ】
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【図３ａ】
0004128764.tif 000013
【図３ｂ】
0004128764.tif 000014
【図４】
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【図５】
0004128764.tif 000016