(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に共振器が形成され、前記半導体基板に垂直な方向に光を出射する面発光型半導体レーザであって、
前記共振器の少なくとも一部を構成する柱状部と、
前記柱状部の側面を覆う絶縁層と、を含み、
前記絶縁層は、フィラーを含み、
前記フィラーは、前記絶縁層を構成する母材よりも熱伝導率が高く、絶縁体からなる、面発光型半導体レーザ。
【請求項２】
請求項１において、
前記フィラーは、前記絶縁層を構成する母材よりも熱膨張率が小さい材料からなる、面発光型半導体レーザ。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記フィラーはダイヤモンド、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化シリコン、および酸化シリコンのうち少なくとも１つを主成分とする、面発光型半導体レーザ。
【請求項４】
半導体基板上に共振器が形成され、前記半導体基板に垂直な方向に光を出射する面発光型半導体レーザであって、
前記共振器の少なくとも一部を構成する柱状部と、
前記柱状部の側面を覆う絶縁層と、を含み、
前記絶縁層は、フィラーを含み、
前記フィラーは、前記絶縁層を構成する母材よりも熱伝導率が高く、表面に絶縁膜を備えた金属粒子である、面発光型半導体レーザ。
【請求項５】
半導体基板上に共振器が形成され、前記半導体基板に垂直な方向に光を出射する面発光型半導体レーザの製造方法であって、以下の工程（ａ）〜（ｅ）を含む、面発光型半導体レーザの製造方法。
（ａ）前記半導体基板上に多層膜を形成した後、該多層膜の少なくとも一部をエッチングして、少なくとも活性層を含む柱状部を形成する工程、
（ｂ）前記柱状部を覆うように、フィラーおよび母材前駆体を含む第１塗布層を形成する工程、
（ｃ）前記第１塗布層を構成する前記母材前駆体を仮固化させて、前記フィラーおよび仮母材を含む第２塗布層を形成する工程、
（ｄ）前記第２塗布層を構成する前記仮母材を溶解する液体に、少なくとも前記第２塗布層を所定時間浸漬して、前記第２塗布層のうち少なくとも前記柱状部上に形成された部分を除去する工程、および
（ｅ）前記第２塗布層を構成する前記仮母材を硬化させることにより、前記フィラーを含み、前記柱状部の側面を覆う絶縁層を形成する工程。
【請求項６】
請求項５において、
前記柱状部は、前記液体に対する溶解性が、前記第２塗布層を構成する前記仮母材と比較して小さい、面発光型半導体レーザの製造方法。
【請求項７】
請求項５または６において、
前記フィラーは、前記液体に対する溶解性が、前記第２塗布層を構成する前記仮母材と比較して小さい、面発光型半導体レーザの製造方法。
【請求項８】
請求項５〜７のいずれかにおいて、
前記母材前駆体は、ポリイミド樹脂の前駆体である、面発光型半導体レーザの製造方法。
【請求項９】
請求項５〜８のいずれかにおいて、
前記絶縁層の母材は、ポリイミド樹脂からなる、面発光型半導体レーザの製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の面発光型半導体レーザと、光導波路とを含む、光モジュール。
【請求項１１】
請求項１０に記載の光モジュールを含む、光伝達装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、駆動時に安定した素子特性が得られる面発光型半導体レーザおよびその製造方法、ならびに該面発光型半導体レーザを含む光モジュールおよび光伝達装置に関する。
【０００２】
【背景技術】
面発光型半導体レーザは、２次元集積化が可能な発光素子であり、次世代の高速かつ大容量の光源として、光並列通信や光並列演算等のへの応用が期待されている。この面発光型半導体レーザは、半導体基板上に設けられた共振器から、前記半導体基板の前記共振器設置面に対して垂直方向にレーザ光を出射する。この共振器はレーザ発振器としての機能を有し、反射層、活性層、反射層が順に積層することにより構成される。
【０００３】
面発光型半導体レーザを駆動させるためには、レーザ表面から活性層へと電流を注入する必要がある。このため、前記レーザには、前記活性層に電流を注入するための一対の電極が形成されている。また、前記活性層に電流を集中して注入するために、前記共振器のうち少なくとも前記活性層を含む部分を、エッチングにより柱状に形成する方法が一般に用いられている。
【０００４】
ところで、この面発光型半導体レーザが駆動する際に、前記共振器に熱が発生し、この熱によって前記共振器周辺の温度が上昇して、素子特性、特に発光効率と最大出力が低下することがある。この駆動時における素子の温度上昇を抑えて素子特性を維持するためには、発生した熱を効率良く外部に放出させることが好ましい。
【０００５】
一方、前記活性層に電流を注入するための一対の電極を絶縁する等の目的のため、前記柱状に形成された部分（柱状部）を、ポリイミドに代表される絶縁性の樹脂で埋め込む方法が一般に採用されている。しかしながら、前記絶縁性の樹脂から形成される絶縁層は一般に熱伝導性があまり高くない。このため、このような絶縁層が前記柱状部を埋め込むように形成されていると、駆動時に発生する熱を外部に効率良く放出できず、その結果、安定した素子特性が得られないという問題が生じることがある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、安定した素子特性が得られる面発光型半導体レーザおよびその製造方法を提供することにある。
【０００７】
また、本発明の目的は、前記面発光型半導体レーザを含む光モジュールおよび光伝達装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
（面発光型半導体レーザ）
本発明の面発光型半導体レーザは、
半導体基板上に共振器が形成され、前記半導体基板に垂直な方向に光を出射する面発光型半導体レーザであって、
前記共振器の少なくとも一部を構成する柱状部と、
前記柱状部の側面を覆う絶縁層と、を含み、
前記絶縁層は、フィラーを含む。
【０００９】
ここで、前記半導体基板に垂直な方向とは、前記半導体基板の前記共振器設置面に垂直な方向をいう。
【００１０】
本発明によれば、前記絶縁層がフィラーを含むことにより、熱伝導率や熱膨張率等の前記絶縁層の特性を調整することができ、その結果、良好な素子特性を得ることができる。詳しくは、本実施の形態の欄で説明する。
【００１１】
本発明の面発光型半導体レーザは、以下の態様（１）〜（７）をとることができる。
【００１２】
（１）前記フィラーは、前記絶縁層を構成する母材よりも熱伝導率が高い材料からなることができる。この構成によれば、前記面発光レーザの駆動時に前記共振器に発生する熱が前記絶縁層へと移動した後、前記絶縁層中に含まれる前記フィラーを介して当該熱を素早く拡散させることができる。これにより、前記共振器の温度上昇を抑えることができる。その結果、熱による素子の特性低下を防止することができ、安定した素子特性を維持することができる。
【００１３】
（２）前記フィラーは、前記絶縁層を構成する母材と熱膨張率が異なる材料からなることができる。この構成によれば、前記絶縁層に含まれる前記フィラーが、前記半導体基板と前記絶縁層との間の熱膨張率の差を調整することにより、前記半導体基板と前記絶縁層との間の歪みを低減することができる。すなわち、前記絶縁層を構成する母材と前記半導体基板との間の熱膨張率の差に応じて、所定の熱膨張率を有する前記フィラーを用いることにより、前記絶縁層と前記半導体基板との間の熱膨張率の差を小さくすることができる。その結果、前記絶縁層と前記半導体基板との間に生じる歪みを低減することができ、素子の信頼性を維持することができる。
【００１４】
（３）前記絶縁層の母材が、ポリイミド樹脂からなることができる。前記面発光レーザの製造工程においては、前記柱状部の側面を覆う前記絶縁層を形成した後、前記柱状部の上面および前記半導体基板の裏面（前記半導体基板において前記共振器設置面と反対側の面）に一対の電極を形成する際アニール処理を行なう。したがって、このアニール処理工程に耐え得るような樹脂を用いて前記絶縁層を形成する必要がある。また、前記絶縁層を平坦に形成することができる樹脂を用いて前記絶縁層を形成する必要がある。以上の要求を満たすためには、耐熱性および操作性に優れたポリイミド樹脂で前記絶縁層を形成するのが好ましい。
【００１５】
（４）前記フィラーの粒径を、前記絶縁層の膜厚より小さくすることができる。この構成によれば、前記フィラー全体を前記絶縁層に被覆させることができる。
【００１６】
（５）前記フィラーは絶縁体から形成することができる。この構成によれば、前記共振器の周囲に形成される電極を確実に絶縁することができる。前記絶縁体としては、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化シリコン、酸化シリコン等が例示できる。これらの材料のうち少なくとも１つを主成分としたフィラーを用いることができる。
【００１７】
この場合、ダイヤモンドおよび窒化アルミニウムは熱伝導性および絶縁性に優れることから、前記フィラーがダイヤモンドあるいは窒化アルミニウムからなることが好ましい。
【００１８】
（６）前記フィラーはカーボン、グラファイトなどの炭素同素体あるいはアルミニウム、金、銀、銅、錫、マグネシウム、ニッケル、および亜鉛のうち少なくとも１種を主成分として形成することができる。これらの材料は熱伝導性に優れるため、前記フィラーが前記材料のうち少なくとも１種を主成分とすることにより、前記共振器で発生した熱を、前記フィラーを介して素早く外部に拡散することができる。これにより、素子特性の安定化を図ることができる。
【００１９】
（７）前記フィラーは、表面に絶縁膜を備えた金属粒子であることができる。この構成によれば、前記フィラーの絶縁性を高めることができる。
【００２０】
（面発光型半導体レーザの製造方法）
（１）本発明の面発光型半導体レーザの製造方法は、半導体基板上に共振器が形成され、前記半導体基板に垂直な方向に光を出射する面発光型半導体レーザの製造方法であって、以下の工程（ａ）および（ｂ）を含む。
【００２１】
（ａ）前記半導体基板上に多層膜を形成した後、該多層膜の少なくとも一部をエッチングして、少なくとも活性層を含む柱状部を形成する工程、
（ｂ）フィラーを含み、前記柱状部の側面を覆う絶縁層を形成する工程。
【００２２】
本発明によれば、安定した特性を有する面発光型半導体レーザを得ることができる。
【００２３】
（２）本発明の面発光型半導体レーザの製造方法は、半導体基板上に共振器が形成され、前記半導体基板に垂直な方向に光を出射する面発光型半導体レーザの製造方法であって、以下の工程（ａ）〜（ｅ）を含む。
【００２４】
（ａ）前記半導体基板上に多層膜を形成した後、該多層膜の少なくとも一部をエッチングして、少なくとも活性層を含む柱状部を形成する工程、
（ｂ）前記柱状部を覆うように、フィラーおよび母材前駆体を含む第１塗布層を形成する工程、
（ｃ）前記第１塗布層を構成する前記母材前駆体を仮固化させて、前記フィラーおよび仮母材を含む第２塗布層を形成する工程、
（ｄ）前記第２塗布層を構成する前記仮母材を溶解する液体に、少なくとも前記第２塗布層を所定時間浸漬して、前記第２塗布層のうち少なくとも前記柱状部上に形成された部分を除去する工程、および
（ｅ）前記第２塗布層を構成する前記仮母材を硬化させることにより、前記フィラーを含み、前記柱状部の側面を覆う絶縁層を形成する工程。
【００２５】
前記工程（ｃ）において前記母材前駆体を仮固化するには、例えば、前記第１塗布層を構成する前記母材前駆体に、熱または光等のエネルギーを照射することにより、前記母材前駆体を仮母材へと変換する。この場合、前記仮固化により得られる前記仮母材は、前記工程（ｄ）で用いる前記液体に対する溶解度が、前記母材前駆体と異なる。
【００２６】
本発明によれば、前記工程（ｄ）において、少なくとも前記第２塗布層を前記液体に所定時間浸漬して、前記第２塗布層のうち前記柱状部上に形成された部分を除去することにより、前記柱状部へダメージを与えることなく、前記第２塗布層のみを除去することができる。これにより、安定した特性を有する素子が得られ、かつ、低コストで歩留まり良く素子を製造することができる。
【００２７】
また、前記フィラーのうち前記第２塗布層の上部に含まれるものは、前記第２塗布層の上部が除去されるに伴い、前記第２塗布層から自動的に脱落し除去される。これにより、通常の絶縁層の埋め込み工程とほぼ同様の工程にて、前記フィラーを含む絶縁層を均一な膜厚に形成することができる。
【００２８】
さらに、前記液体は、前記第２塗布層を構成する前記仮母材を溶解させる性質を有するため、除去された前記仮母材が前記柱状部に再付着するのを防止することができる。
【００２９】
前述した（１）および（２）の面発光型半導体レーザの製造方法において、前記絶縁層の母材は、ポリイミド樹脂からなることができる。
【００３０】
また、前述した（２）の面発光型半導体レーザの製造方法は、以下に示す（３）〜（５）の態様をとることができる。
【００３１】
（３）前記柱状部は、前記液体に対する溶解性が、前記第２塗布層を構成する前記仮母材と比較して小さくすることができる。これにより、前記柱状部および前記第２塗布層を前記液体に浸漬する時間に十分なマージンが生じ、安定した製造が可能となる。また、前記第２塗布層よりも先に前記柱状部が前記液体に溶解するのを防ぐことができ、素子特性に与える影響を抑えることができる。
【００３２】
（４）前記フィラーは、前記液体に対する溶解性が、前記第２塗布層を構成する前記仮母材と比較して小さくすることができる。これにより、前記第２塗布層を構成する前記仮母材よりも先に前記フィラーが前記液体に溶解するのを防ぐことができ、最終的に得られる前記絶縁層に前記フィラーを含有させることができる。
【００３３】
（５）前記母材前駆体は、ポリイミド樹脂の前駆体であることができる。
【００３４】
（光モジュールおよび光伝達装置）
本発明の面発光型半導体レーザと、光導波路とを含む光モジュールに適用することができる。また、前記光モジュールを含む光伝達装置に適用することができる。
【００３５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００３６】
（デバイスの構造）
図１は、本実施の形態の面発光型半導体レーザ（以下、「面発光レーザ」とする）１００の断面を模式的に示す図である。
【００３７】
本実施の形態の面発光レーザ１００では、垂直共振器（以下、「共振器」とする）１２０上に絶縁層１１７が形成されている。面発光レーザ１００は、例えばＧａＡｓからなる半導体基板１０１、半導体基板１０１上に形成されたｎ型ＧａＡｓからなるバッファ層１０２、共振器１２０、および共振器１２０上に形成されたｐ型ＧａＡｓからなるコンタクト層１０８を含み構成される。
【００３８】
また、共振器１２０には、柱状の半導体堆積体（柱状部）１１０が形成されている。ここで、柱状部１１０とは、共振器１２０の一部であって、少なくともコンタクト層１０８と上部ミラー１０７を含む柱状の半導体堆積体のことをいう。この柱状部１１０は絶縁層１１７で埋め込まれている。すなわち、柱状部１１０の側面は絶縁層１１７で覆われている。さらに、柱状部１１０上には上部電極１１３が形成されている。
【００３９】
共振器１２０は、バッファ層１０２上に形成され、ｎ型ＡｌＡｓ層とｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ層とを交互に積層した３０ペアの分布反射型多層膜ミラー（以下、「下部ミラー」という）１０３、ｎ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓからなるｎ型クラッド層１０４、ＧａＡｓウエル層とＡｌ0.5Ｇａ0.7Ａｓバリア層からなり、ウエル層が３層で構成される多重井戸構造の活性層１０５、Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓからなるｐ型クラッド層１０６、およびｐ型Ａｌ0.85Ｇａ0.15Ａｓ層とｐ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ層とを交互に積層した２５ペアの分布反射型多層膜ミラー（以下、「上部ミラー」という）１０７が順次積層されて構成される。
【００４０】
上部ミラー１０７は、Ｚｎがドーピングされることによりｐ型にされ、下部ミラー１０３は、Ｓｉがドーピングされることによりｎ型にされている。したがって、上部ミラー１０７、不純物がドーピングされていない活性層１０５、および下部ミラー１０３により、ｐｉｎダイオードが形成される。
【００４１】
また、共振器１２０のうち面発光レーザ１００のレーザ光出射側から下部ミラー１０３の途中にかけての部分が、レーザ光出射側からから見て円形の形状にエッチングされて柱状部１１０が形成されている。なお、本実施の形態では、柱状部１１０の平面形状を円形としたが、この形状は任意の形状をとることが可能である。
【００４２】
本実施の形態にかかる面発光レーザ１００においては、柱状部１１０の側面ならびに下部ミラー１０３の上面を覆うようにして、絶縁層１１７が形成されている。
【００４３】
絶縁層１１７は、フィラー１６０を混在させた母材から形成されている。本実施の形態においては、絶縁層１１７を構成する前記母材が樹脂１６３（図１参照）である場合を示す。樹脂１６３は、熱または光等のエネルギー照射により硬化、あるいは化学反応により硬化させて形成される樹脂からなる。
【００４４】
面発光レーザ１００の製造工程においては、柱状部１１０の側面を覆う絶縁層１１７を形成した後、柱状部１１０の上面および半導体基板１０１の裏面（半導体基板１０１において共振器１２０の設置面と反対側の面）にそれぞれ電極１１３,１１５を形成する際のアニール処理を約４００℃で行なう（後述する製造プロセスを参照）。したがって、このアニール処理工程に耐え得るように、絶縁層１１７を構成する母材（本実施の形態では樹脂１６３）は耐熱性に優れたものであることが必要とされる。また、柱状部１１０の高さは一般に約３μｍ以上に形成されるため、絶縁層１１７を構成する樹脂１６３は少なくとも約３μｍの膜厚で平坦に形成することができるものであることが必要とされる。以上の要求を満たすためには、樹脂１６３がポリイミド樹脂、アクリル樹脂、またはエポキシ樹脂等であることが好ましく、特に、ポリイミド樹脂であるのが好ましい。
【００４５】
また、図１に示すように、絶縁層１１７はフィラー１６０を含む。図１においては、フィラー１６０が球状である場合を示したが、フィラー１６０の形状はこれに限定されるわけではなく、板状、繊維状、不定形、中空などのいずれでもよい。また、フィラー１６０の大きさも特に限定されないが、フィラー１６０全体が絶縁層１１７に被覆されることが好ましく、そのためには、フィラー１６０の粒径が絶縁層１１７の膜厚より小さいことが好ましい。また、粒径が異なる複数のフィラーを用いて絶縁層１１７を形成することもできる。この構成によれば、絶縁層１１７中におけるフィラー１６０の充填率を高めることができる。
【００４６】
フィラー１６０は、絶縁層１１７を構成する樹脂１６３よりも熱伝導率が高い材料からなることができる。この構成によれば、面発光レーザ１００の駆動時に共振器１２０に発生する熱が絶縁層１１７へと移動した後、フィラー１６０を介して柱状部１１０から遠ざかる方向へと当該熱を素早く拡散させることができる。これにより、共振器１１０の温度上昇を抑えることができる。その結果、熱による素子の特性低下を防止することができ、安定した特性を維持することができる。
【００４７】
また、フィラー１６０は、絶縁層１１７を構成する樹脂１６３と熱膨張率が異なる材料からなることができる。本実施の形態の面発光レーザ１００においては、半導体基板１０１にＧａＡｓ基板、樹脂１６３にポリイミド樹脂をそれぞれ用いる場合、約４００℃にて樹脂前駆体を硬化させて絶縁層１１７を形成する（後述する製造プロセス参照）。ここで、ポリイミド樹脂をはじめとする熱または光硬化性樹脂は一般に、半導体基板１０１を構成するＧａＡｓ基板と比較して熱膨張率が大きい。このため、絶縁層１１７を形成した後素子を室温に戻すと、半導体基板１０１と絶縁層１１７との間の熱膨張率の差により、半導体基板１０１と絶縁層１１７との間に大きな歪みが生じる。この歪みによって半導体基板１０１に反りが発生したり、この歪みが原因により素子の信頼性が損なわれるおそれがある。
【００４８】
これに対し、図１に示す面発光レーザ１００では、絶縁層１１７に含まれるフィラー１６０が、半導体基板１０１と絶縁層１１７との間の熱膨張率の差を調整する機能を有するため、歪みを低減することができる。例えば、前述したように、半導体基板１０１がＧａＡｓ基板からなり、樹脂１６３がポリイミド樹脂である場合、ポリイミド樹脂はＧａＡｓ基板よりも熱膨張率が大きい。したがって、この場合、ポリイミド樹脂よりも熱膨張率が小さな材料からなるフィラー１６０を絶縁層１１７に含有させることにより、絶縁層１１７と半導体基板１０１との間の熱膨張率の差を小さくすることができ、その結果、絶縁層１１７と半導体基板１０１との間に生じる歪みを小さくすることができ、素子の信頼性を維持することができる。ポリイミド樹脂よりも熱膨張率が小さい材料としては、例えば、ダイヤモンドやシリコンが例示できる。
【００４９】
すなわち、絶縁層１１７と半導体基板１０１との間の熱膨張率の違いに応じて、所定の熱膨張率を有するフィラー１６０を絶縁層１１７に含有させることにより、絶縁層１１７と半導体基板１０１との間の熱膨張率の差を小さくして、絶縁層１１７と半導体基板１０１との間に生じる歪みを小さくすることができる。
【００５０】
フィラー１６０の材料としては、例えば、シリコン、炭素同素体、金属等を用いることができる。炭素同素体としては、ダイヤモンド、グラファイト、カーボンブラックなどが例示できる。金属としては、アルミニウム、金、銀、銅、錫、マグネシウム、ニッケル、および亜鉛が例示できる。フィラー１６０に金属を用いる場合、表面に酸化膜や窒化膜などの絶縁膜が形成されているものを用いることができる。表面に絶縁膜が形成されていることにより、フィラーの絶縁性を高めることができる。
【００５１】
例えば、フィラー１６０が前述した金属のうち少なくとも１種を主成分とする場合、これらの金属は熱伝導性に優れるため、共振器１２０で発生した熱を、フィラー１６０を介して外部に素早く拡散させることができる。これにより、素子特性の安定化を図ることができる。
【００５２】
また、フィラー１６０は絶縁体から形成することができる。フィラー１６０が絶縁体からなることにより、上部電極１１３と下部電極１１５とを確実に絶縁することができる。絶縁体としては、ダイヤモンドやカーボン、シリコン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化珪素（窒化シリコン）、酸化シリコン、炭化珪素、炭化ホウ素等が例示できる。特に、ダイヤモンドや窒化アルミニウムは熱伝導性および絶縁性に優れることから、フィラー１６０に用いる材料として好ましい。
【００５３】
また、柱状部１１０および絶縁層１１７の上には、上部電極１１３が形成されている。さらに、柱状部１１０上面の中央部には、レーザ光の出射口となる開口部１１６が形成されている。また、半導体基板１０１の裏面には、下部電極１１５が形成されている。すなわち、図１に示す面発光レーザ１００では、柱状部１１０上で上部電極１１３と接合し、かつ、半導体基板１０１の共振器１２０の裏面で下部電極１１５と接合し、この上部電極１１３および下部電極１１５によって活性層１０５に電流が注入される。
【００５４】
本実施の形態の面発光レーザ１００によれば、絶縁層１１７がフィラー１６０を含むことにより、半導体基板１０１の熱膨張率や絶縁層１１７を構成する樹脂１６３の熱伝導率に応じて、所定の熱伝導率ならびに熱膨張係数を有するフィラー１６０を用いて絶縁層１１７を形成する。これにより、熱伝導率や熱膨張率等の絶縁層１１７の特性を調整することにより、放熱性に優れ、かつ、半導体基板１０１と絶縁層１１７との間の歪みを低減することができ、その結果、良好な素子特性を得ることができる。
【００５５】
（デバイスの動作）
第１の実施の形態の面発光レーザ１００の一般的な動作を以下に示す。なお、下記の面発光型半導体レーザの駆動方法は一例であり、本発明の趣旨を逸脱しない限り、種々の変更が可能である。
【００５６】
まず、上部電極１１３と下部電極１１５とで、ｐｉｎダイオードに順方向の電圧を印加すると、活性層１０５において、電子と正孔との再結合が起こり、かかる再結合による発光が生じる。そこで生じた光が上部ミラー１０７と下部ミラー１０３との間を往復する際に誘導放出が起こり、光の強度が増幅される。光利得が光損失を上まわると、レーザ発振が起こり、柱状部１１０上面にある開口部１１６から、半導体基板１０１の表面に対して垂直方向にレーザ光が出射される。ここで、半導体基板１０１の表面とは、半導体基板１０１において共振器１２０が設置されている面をいう。
【００５７】
（デバイスの製造プロセス）
次に、本実施の形態の面発光レーザ１００の製造方法の一例について、図２〜８を用いて説明する。図２，図３，および図５〜８は、図１に示す本実施の形態の面発光レーザ１００の一製造工程を模式的に示す断面図である。また、図４は、図３に示す製造工程を模式的に示す平面図である。
【００５８】
本実施の形態の面発光レーザ１００は、以下の工程（ａ）〜（ｅ）から製造される。
工程（ａ）は、半導体基板１０１上に多層膜１５０を形成し、この多層膜１５０の少なくとも一部をエッチングして、少なくとも活性層１０５を含む柱状部１１０を形成する工程である。
工程（ｂ）は、柱状部１１０を覆うように、フィラー１６０および母材前駆体を含む第１塗布層を形成する工程である。本実施の形態では、前記母材前駆体として樹脂前駆体１６１を用い、前記第１塗布層として第１樹脂層１１７ａを用いた場合について説明する。
工程（ｃ）は、前記第１塗布層を構成する前記母材前駆体を仮固化させて、フィラー１６０および仮母材を含む第２塗布層を形成する工程である。すなわち、前記母材前駆体が仮固化することにより、前記仮母材が形成される。この結果、前記第１塗布層から前記第２塗布層が形成される。本実施の形態では、前記第１塗布層（第１樹脂層１１７ａ）を構成する母材前駆体（樹脂前駆体１６１）を仮固化させて、フィラー１６０および仮母材（樹脂１６２）を含む第２塗布層（第２樹脂層１１７ｂ）を形成する。すなわち、樹脂前駆体１６１が仮固化することにより、樹脂１６２が形成される。この結果、第１樹脂層１１７ａから第２樹脂層１１７ｂが形成される。
工程（ｄ）は、前記仮母材（樹脂１６２）を溶解する性質を有する液体１３０に、少なくとも前記第２塗布層（第２樹脂層１１７ｂ）を所定時間浸漬して、前記第２塗布層（第２樹脂層１１７ｂ）のうち少なくとも柱状部１１０上に形成された部分を除去する工程である。
工程（ｅ）は、前記第２塗布層（第２樹脂層１１７ｃ）を構成する前記仮母材（図８の樹脂１６３）を硬化させることにより、フィラー１６０を含み、柱状部１１０の側面を覆う絶縁層１１７を形成する工程である。
【００５９】
まず、工程（ａ）について説明する。
【００６０】
図２に示されるｎ型ＧａＡｓからなる半導体基板１０１の表面に、組成を変調させながらエピタキシャル成長させることにより、図２に示される半導体多層膜１５０を形成する。ここで、半導体多層膜１５０とは、ｎ型ＧａＡｓからなるバッファ層１０２、ｎ型ＡｌＡｓ層とｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ層とを交互に積層した下部ミラー１０３、ｎ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓからなるｎ型クラッド層１０４、ＧａＡｓウエル層とＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓバリア層からなり、ウエル層が３層で構成される多重井戸構造の活性層１０５、Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓからなるｐ型クラッド層１０６、ｐ型Ａｌ0.85Ｇａ0.15Ａｓ層とｐ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ層とを交互に積層した上部ミラー１０７、およびｐ型ＧａＡｓからなるコンタクト層１０８をいう。これらの層を順に半導体基板１０１上に堆層させることにより、半導体多層膜１５０が形成される。
【００６１】
エピタキシャル成長を行う際の温度は、半導体基板１０１の種類、あるいは形成する半導体多層膜１５０の種類や厚さによって適宜決定されるが、一般に、６００℃〜８００℃であるのが好ましい。また、エピタキシャル成長を行う際の所要時間も、温度と同様に適宜決定される。また、エピタキシャル成長させる方法としては、有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥ：Ｍｅｔａｌ−Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｖａｐｏｒ  Ｐｈａｓｅ  Ｅｐｉｔａｘｙ）法や、ＭＢＥ法（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ）法、あるいはＬＰＥ法（Ｌｉｑｕｉｄ  ＰｈａｓｅＥｐｉｔａｘｙ）を用いることができる。
【００６２】
続いて、コンタクト層１０８上に、フォトレジスト（図示しない）を塗布した後フォトリソグラフィにより該フォトレジストをパターニングすることにより、所定のパターンのレジスト層（図示しない）を形成する。ついで、このレジスト層をマスクとしてドライエッチング法により、コンタクト層１０８、上部ミラー１０７、ｐ型クラッド層１０６、活性層１０５、ｎ型クラッド層１０４、および下部ミラー１０３の一部をエッチングして、図３および図４に示すように、柱状の半導体堆積体である柱状部１１０を設ける。以上の工程により、図３に示すように、半導体基板１０１上に、柱状部１１０を含む共振器１２０が形成される。
【００６３】
続いて、工程（ｂ）について説明する。
【００６４】
本工程では、柱状部１１０を、フィラー１６０および樹脂前駆体１６１を含む第１樹脂層１１７ａで埋め込む。
【００６５】
まず、フィラー１６０および樹脂前駆体１６１を含む液状物（図示せず）を柱状部１１０および上部ミラー１０３上に塗布した後乾燥させて、図５に示すように、柱状部１１０を覆うように第１樹脂層１１７ａを形成する。この工程において、第１樹脂層１１７ａの膜厚が、少なくとも柱状部１１０の高さより大きく、かつ、柱状部１１０を覆うように第１樹脂層１１７ａを形成する。フィラー１６０および樹脂前駆体１６１は、前述したデバイスの構造に関する説明の欄で示した材料からなるものを用いる。また、樹脂前駆体１６１は、必要に応じて溶剤に溶かして塗布する。この場合、樹脂前駆体１６１を塗布後、溶剤を蒸発させる。
【００６６】
前記液状物の塗布方法としては、スピンコート法、ディッピング法、スプレーコート法等の公知技術が利用できる。前記液状物の塗布の際には、柱状部１１０によって形成される凸部に起因した膜厚のむらをできる限り抑えるようにすることが好ましい。
【００６７】
次に、工程（ｃ）について説明する。
【００６８】
この工程では、第１樹脂層１１７ａ中の樹脂前駆体１６１に、熱または光等のエネルギーを照射して、この樹脂前駆体１６１を仮固化させて、図６に示すように、第２樹脂層１１７ｂを形成する。例えば、熱または光等のエネルギー照射によって、図５に示す樹脂前駆体１６１の少なくとも一部を反応させて、図６に示す樹脂１６２へと変化させる。この工程により得られた樹脂１６２は、後述する液体１３０（図７参照）に対する溶解度が樹脂前駆体１６１よりも低くなる。ここで、エネルギーの照射量は、樹脂前駆体１６１を完全に硬化させず、かつ、フィラー１６０に影響をほとんど与えない程度とする。この工程により、図６に示すように、フィラー１６０および樹脂１６２を含む第２樹脂層１１７ｂが得られる。
【００６９】
この仮固化の工程は、第１樹脂層１１７ａに含まれる樹脂前駆体１６１の種類や濃度に応じて、前記エネルギーを照射する時間や、前記エネルギーの量を制御することにより行なう。また、熱により仮固化させる場合は反応温度を、光により仮固化させる場合は光量を制御することにより行なう。例えば、熱硬化により第１樹脂層１１７ａに含まれる樹脂前駆体１６１の少なくとも一部を仮固化させて、樹脂前駆体１６１よりも液体１３０に対する溶解度が低い樹脂１６２（図６参照）を形成する場合、樹脂前駆体１６１を完全に硬化させて絶縁層を形成する際に通常用いる熱硬化工程よりも低い温度かつ短い時間で仮固化を行なう。この場合、照射するエネルギーの量が不十分であると、樹脂前駆体１６１が十分に反応せず、液体１３０に対する溶解度が変化しないため、得られる樹脂が液体１３０に溶解し、除去されてしまう。一方、この場合、照射するエネルギーの量が多すぎると、樹脂前駆体１６１の多くが反応する結果、液体１３０に対する溶解度が低くなりすぎ、得られる樹脂が液体１３０にほとんど溶解せず、得られる樹脂の除去が困難となる。このため、樹脂前駆体の種類や濃度に応じて、仮固化の際に照射するエネルギーの照射時間および照射量を制御することが重要である。
【００７０】
この工程で用いる樹脂前駆体としては、ポリイミド前駆体が好ましく適用される。ポリイミド前駆体は、粘性が低く、硬化の際に大きく体積収縮するという特徴を有する。
【００７１】
ポリイミド樹脂としては、例えば、ポリアミック酸、ポリアミック酸の長鎖アルキルエステルなどを挙げることができる。ポリイミド前駆体から絶縁層を形成する場合、一般に、ポリイミド前駆体を塗布した後加熱処理することによりイミド化反応が起こり、ポリイミド樹脂が生成し、絶縁層が形成される。絶縁層を形成する際に通常適用する加熱処理の温度は、ポリイミド前駆体の種類によって異なるが、１５０〜４００℃、好ましくは３００〜４００℃が適当である。
【００７２】
また、絶縁層１１７（図１参照）を形成するために用いる樹脂として、光照射による硬化する樹脂を用いる場合、例えば、紫外線硬化型のポリアクリル系樹脂およびエポキシ系樹脂を用いることができる。紫外線硬化型樹脂は、紫外線照射のみで硬化することができるため、熱により素子特性が変化する等の問題が生じることはない。
【００７３】
次に、工程（ｄ）について説明する。
【００７４】
この工程では、前述した工程（ａ）〜（ｃ）によって得られた素子１００ａを、図７に示すように、液体１３０に所定時間浸漬する。図７では、素子１００ａの全体を液体１３０に浸漬する場合を示したが、素子１００ａのうち少なくとも第２樹脂層１１７ｂを浸漬させればよい。
【００７５】
液体１３０は、第２樹脂層１１７ｂを溶解する性質を有する。この液体１３０は、樹脂前駆体の種類に応じて適宜選択することができる。例えば、樹脂前駆体がポリイミド前駆体である場合、液体１３０としてアルカリ系溶液を用いることができる。
【００７６】
なお、この工程において、液体１３０に対する柱状部１１０の溶解性が、液体１３０に対する樹脂１６２の溶解性と比較して小さくすることができる。これにより、柱状部１１０および第２樹脂層１１７ｂを液体１３０に浸漬する時間に十分なマージンが生じ、安定した製造が可能となる。また、樹脂１６２よりも先に柱状部１１０が液体１３０に溶解するのを防ぐことができ、素子特性に与える影響を抑えることができる。
【００７７】
さらに、液体１３０に対するフィラー１６０の溶解性が、液体１３０に対する樹脂１６２の溶解性と比較して小さくすることができる。これにより、第２樹脂層１１７ｂを構成する樹脂１６２よりも先に、フィラー１６０が液体１３０に溶解するのを防ぐことができ、最終的に得られる絶縁層１１７に所定量のフィラー１６０を含有させることができる。
【００７８】
この工程において、液体１３０に浸漬する時間および温度を制御することにより、図８に示すように、フィラー１６０および樹脂１６３を含む第２絶縁層１１７ｃを得る。第２絶縁層１１７ｃは、図８に示すように、図７に示す第２樹脂層１１７ｂのうち柱状部１１０上に形成された部分が除去されたものである。また、前述した工程において、第２樹脂層１１７ｂのうち上部ミラー１０３上に形成された部分も液体１３０に溶解する結果、図８に示すように、得られた第２絶縁層１１７ｃの上面が、柱状部１１０の上面とほぼ等しくなるように、第２絶縁層１１７ｃが形成される。さらに、この工程において、第２樹脂層１１７ｂの上部に位置していたフィラー１６０は、第２樹脂層１１７ｂが除去されるに伴って、脱落し除去される。
【００７９】
ついで、工程（ｅ）について説明する。
【００８０】
この工程では、図８に示す第２樹脂層１１７ｃを硬化させて、柱状部１１０の側面を覆う絶縁層１１７を形成する。硬化の際の温度および時間は、通常の絶縁層形成における樹脂の硬化工程での温度および時間を参照して行なう。この工程により、図１に示すように、柱状部１１０の側面を覆う絶縁層１１７が形成される。
【００８１】
つづいて、活性層１０５に電流を注入するための電極１１３，１１５を形成する工程について説明する。
【００８２】
まず、電極１１３，１１５を形成する前に、必要に応じて、ドライエッチング法等を用いて、柱状部１１０の上面を洗浄する。これにより、より安定した特性の素子を形成することができる。つづいて、真空蒸着法により絶縁層１１７および柱状部１１０の上面に金属膜（図示せず）を形成した後、アニール処理することにより、例えば金や亜鉛から構成される合金層（図示せず）を形成する。さらに、フォトリソグラフィ法を用いて前記合金層をパターニングすることにより、開口部１１６を形成する。アニール処理の温度は、通常４００℃前後で行なう。以上の工程により上部電極１１３が形成される。続いて、半導体基板１０１の裏面に、真空蒸着法により金属膜（図示せず）を形成した後、アニール処理することにより、例えば金およびゲルマニウムから構成される合金層からなる下部電極１１５を形成する。以上のプロセスを経て、図１に示す面発光レーザ１００が得られる。
【００８３】
以上説明した本実施の形態の面発光レーザ１００の製造方法によれば、前述した工程（ｄ）において、少なくとも第２塗布層（第２樹脂層１１７ｂ）を液体１３０に所定時間浸漬して、前記第２塗布層（第２樹脂層１１７ｂ）のうち柱状部１１０上に形成された部分を除去することにより、柱状部１１０へダメージを与えることなく、前記第２塗布層（第２樹脂層１１７ｂ）のみを除去することができる。これにより、安定した特性を有する素子１００が得られ、かつ、低コストで歩留まり良く素子１００を製造することができる。
【００８４】
また、前述した工程（ｃ）において、前記第１塗布層（第１樹脂層１１７ａ）を構成する母材前駆体（樹脂前駆体１６１）を仮固化させることにより、前記母材前駆体（樹脂前駆体１６１）と比較して液体１３０への溶解性がより低い仮母材（樹脂１６２）を形成する。前記仮母材（樹脂１６２）の液体１３０への溶解速度は、前記母材前駆体（樹脂前駆体１６１）の液体１３０への溶解速度より遅いことから、この仮固化工程によって、液体１３０中での前記第２塗布層（第２樹脂層１１７ｂ）の除去工程におけるマージンを広くすることができる。
【００８５】
さらに、除去された前記仮母材（樹脂１６２）の大部分は液体１３０に溶解するため、除去された前記仮母材（樹脂１６２）が素子に再付着して素子特性を劣化させるおそれが少ない。
【００８６】
ところで、図１に示す面発光レーザ１００の製造において、一般的に用いられる絶縁層形成工程を用いて絶縁層を形成する場合、柱状部１１０を覆うように、絶縁層（図示せず）を形成した後、柱状部１１０の上面が露出するまで前記絶縁層をエッチングにより除去することにより、絶縁層１１７と同様の膜厚を有する絶縁層を得る。この場合、前記エッチング工程において、絶縁層に含まれるフィラー１６０がエッチングの障害になり、絶縁層を均一な膜厚に形成することが困難となる場合がある。
【００８７】
これに対し、本実施の形態の面発光レーザ１００の製造方法によれば、前記工程（ｄ）において、フィラー１６０のうち前記第２塗布層（第２樹脂層１１７ｂ）の上部に含まれるものは、前記第２塗布層（第２樹脂層１１７ｂ）がその上面から除去されるに伴い、前記第２塗布層（第２樹脂層１１７ｂ）から自動的に脱落し除去される。これにより、通常の絶縁層の埋め込み工程とほぼ同様の工程にて、フィラー１６０を含む絶縁層１１７を均一な膜厚に形成することができる。
【００８８】
なお、上記実施の形態では、柱状部を一つ有する面発光型半導体レーザについて説明したが、基板面内で柱状部が複数個設けられていても本発明の形態は損なわれない。また、複数の面発光型発光素子がアレイ化されている場合でも、同様の作用および効果を有する。
【００８９】
また、上記実施の形態では面発光型半導体レーザについて説明したが、面発光型半導体レーザ以外の半導体素子にも本発明を適用することができる。本発明が適用できる半導体素子としては、例えば、ＥＬ素子、ＬＥＤ素子、ＩＣ、ピエゾ素子などが挙げられる。例えば、本発明をＩＣに適用する場合、本発明にかかるフィラーを含む絶縁層を層間絶縁層に適用することができる。
【００９０】
さらに、上記実施の形態において、各半導体層におけるｐ型とｎ型とを入れ替えても本発明の趣旨を逸脱するものではない。上記実施の形態では、ＡｌＧａＡｓ系のものについて説明したが、発振波長に応じてその他の材料系、例えば、ＧａＩｎＰ系、ＺｎＳＳｅ系、ＩｎＧａＮ系、ＧａＩｎＮＡｓ系、ＧａＡｓＳｂ系の半導体材料を用いることも可能である。
【００９１】
［第２の実施の形態］
図９は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る光モジュールを模式的に説明する図である。本実施の形態に係る光モジュールは、構造体１０００（図９参照）を含む。この構造体１０００は、第１の実施の形態に係る面発光レーザ１００（図１参照）、プラットフォーム１１２０、第１の光導波路１１３０およびアクチュエータ１１５０を有する。また、この構造体１０００は、第２の光導波路１３０２を有する。第２の光導波路１３０２は、基板１３００の一部をなす。第２の光導波路１３０２には、接続用光導波路１３０４を光学的に接続してもよい。接続用光導波路１３０４は、光ファイバであってもよい。
【００９２】
本実施の形態の光モジュールでは、面発光レーザ１００（出射面１０８・図１参照）から光が出射した後、第１および第２の光導波路１１３０，１３０２（および接続用光導波路１３０４）を通して、受光素子（図示せず）にこの光を受光させる。
【００９３】
［第３の実施の形態］
図１０は、本発明を適用した第３の実施の形態に係る光伝達装置を説明する図である。本実施の形態では、第１の光導波路１１３０と受光素子２１０との間に、複数の第３の光導波路１２３０，１３１０，１３１２を有する。また、本実施の形態に係る光伝達装置は、複数（２つ）の基板１３１４，１３１６を有する。
【００９４】
本実施の形態では、面発光レーザ１００側の構成（面発光レーザ１００、プラットフォーム１１２０、第１の光導波路１１３０、第２の光導波路１３１８、アクチュエータ１１５０を含む。）と、受光素子２１０側の構成（受光素子２１０、プラットフォーム１２２０、第３の光導波路１２３０，１３１０を含む。）との間に、第３の光導波路１３１２が配置されている。第３の光導波路１３１２として、光ファイバなどを使用して、複数の電子機器間の光伝達を行うことができる。
【００９５】
例えば、図１１において、光伝達装置１１００は、コンピュータ、ディスプレイ、記憶装置、プリンタ等の電子機器１１０２を相互に接続するものである。電子機器１１０２は、情報通信機器であってもよい。光伝達装置１１００は、光ファイバ等の第３の光導波路１３１２を含むケーブル１１０４を有する。光伝達装置１１００は、ケーブル１１０４の両端にプラグ１１０６が設けられたものであってもよい。それぞれのプラグ１１０６内に、面発光レーザ１００，受光素子２１０側の構成が設けられる。いずれかの電子機器１１０２から出力された電気信号は、発光素子によって光信号に変換され、光信号はケーブル１１０４を伝わり、受光素子によって電気信号に変換される。電気信号は、他の電子機器１１０２に入力される。こうして、本実施の形態に係る光伝達装置１１００によれば、光信号によって、電子機器１１０２の情報伝達を行うことができる。
【００９６】
図１２は、本発明を適用した実施の形態に係る光伝達装置の使用形態を示す図である。光伝達装置１１１０は、電子機器１１１２間を接続する。電子機器１１１２として、液晶表示モニター又はディジタル対応のＣＲＴ（金融、通信販売、医療、教育の分野で使用されることがある。）、液晶プロジェクタ、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、ディジタルＴＶ、小売店のレジ（ＰＯＳ（Point of Sale Scanning）用）、ビデオ、チューナー、ゲーム装置、プリンタ等が挙げられる。
【００９７】
［第４の実施の形態］
図１３は、本発明を適用した第４の実施の形態に係る光伝達装置を説明する図である。本実施の形態では、光伝達装置がICチップ間光インターコネクション装置２０００である場合を例にとり説明する。
【００９８】
（デバイスの構造）
本実施の形態の光インターコネクション装置２０００は、複数のＩＣチップが積層されて形成されている。本実施の形態の光インターコネクション装置２０００では、図１３に示すように、ＩＣチップが２つ積層されている例を示したが、積層されるＩＣチップの数はこれに限定されるわけではない。
【００９９】
この光インターコネクション装置２０００は、積層されたＩＣチップ２０１，２０２間でレーザ光２２１，２２２が伝送され、データのやり取りが行われる。ＩＣチップ２０１，２０２はそれぞれ、基板（例えばシリコン基板）２１１，２１２と、この基板２１１，２１２にそれぞれ形成されたＩＣ領域４０１，４０２とを含む。ＩＣチップ２０１，２０２としては、ＣＰＵやメモリ、ＡＳＩＣなどの各種のＩＣが例示できる。
【０１００】
ＩＣチップ２０１においては、基板２１１上に面発光レーザ１００（前述の第１の実施の形態参照）および光検出器３０１が設置されている。同様に、ＩＣチップ２０２においては、基板２１２上に面発光レーザ１００および光検出器３０２が設置されている。ここで、ＩＣチップ２０１に形成された面発光レーザ１００を１００Ｘ、ＩＣチップ２０２に形成された面発光レーザ１００を１００Ｙとする。
【０１０１】
（デバイスの動作）
次に、この光インターコネクション装置２０００の動作について、図１３を参照して説明する。
【０１０２】
この光インターコネクション装置２０００において、ＩＣチップ２０１のＩＣ領域４０１で電気的に処理された信号は、面発光レーザ１００Ｘの共振器１２０（図１参照；図１３では図示せず）でレーザ光パルス信号に変換された後、ＩＣチップ２０２の光検出器３０２へと送られる。光検出器３０２は、受信したレーザ光パルスを電気信号へと変換してＩＣ領域４０２へ送る。
【０１０３】
一方、ＩＣチップ２０２に形成された面発光レーザ１００Ｙから光検出器３０１へとレーザ光を送る場合も同様に動作する。すなわち、この光インターコネクション装置２０００において、ＩＣチップ２０２のＩＣ領域４０２で電気的に処理された信号は、面発光レーザ１００Ｙの共振器１２０（図１参照；図１３では図示せず）でレーザ光パルス信号に変換された後、ＩＣチップ２０１の光検出器３０１へと送られる。光検出器３０１は、受信したレーザ光パルスを電気信号へと変換してＩＣ領域４０１へ送る。こうしてＩＣチップ２０１，２０２はレーザ光を介してデータのやり取りを行う。
【０１０４】
なお、基板２１１，２１２がシリコン基板からなる場合、面発光レーザ１００の共振器の発振波長を１．１μｍ以上にすることにより、面発光レーザ１００から出射する光が基板（シリコン基板）２１１，２１２を通過することができる。
【０１０５】
ところで、処理速度の高速化および高周波化に伴い、電気的接続によるＩＣチップ間の信号伝送においては一般に、次のような課題が生じるようになる。
・配線間の信号伝達タイミングのズレ（スキュー）が発生する
・高周波電気信号の伝送における消費電力が増大する
・配線レイアウトの設計が困難になる
・インピーダンスのマッチングが必要となる
・アースノイズ遮断対策が必要となる
これに対して、本実施の形態の光インターコネクション装置２０００のように、ＩＣチップ間の信号伝送を光信号で行なうことにより、上記課題を解決することができる。
【０１０６】
また、本実施の形態の光インターコネクション装置２０００では、ＩＣチップ２０１，２０２に面発光レーザ１００が形成されている。この面発光レーザ１００は、前述の第１の実施の形態で説明したように、柱状部１１０と、この柱状部１１０の側面を覆う絶縁層１１７とを含み、この絶縁層１１７はフィラー１６０（図１参照；図１３では図示せず）を含む。この構成により、面発光レーザ１００の放熱性が高められるため、安定した動作が可能となる。
【０１０７】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法および結果が同一の構成、あるいは目的および結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態にかかる面発光型半導体レーザの断面を模式的に示す図である。
【図２】図１に示す面発光型半導体レーザの一製造工程を模式的に示す断面図である。
【図３】図１に示す面発光型半導体レーザの一製造工程を模式的に示す断面図である。
【図４】図３に示す製造工程を模式的に示す平面図である。
【図５】図１に示す面発光型半導体レーザの一製造工程を模式的に示す断面図である。
【図６】図１に示す面発光型半導体レーザの一製造工程を模式的に示す断面図である。
【図７】図１に示す面発光型半導体レーザの一製造工程を模式的に示す断面図である。
【図８】図１に示す面発光型半導体レーザの一製造工程を模式的に示す断面図である。
【図９】本発明を適用した第２の実施の形態に係る光モジュールを模式的に示す図である。
【図１０】本発明を適用した第３の実施の形態に係る光伝達装置を示す図である。
【図１１】本発明を適用した第３の実施の形態に係る光伝達装置を示す図である。
【図１２】本発明を適用した第３の実施の形態に係る光伝達装置の使用形態を示す図である。
【図１３】本発明を適用した第４の実施の形態に係る光伝達装置を示す図である。
【符号の説明】
１００，１００Ｘ，１００Ｙ  面発光型半導体レーザ
１００ａ  素子
１０１  半導体基板
１０２  バッファ層
１０３  下部ミラー
１０４  ｎ型クラッド層
１０５  活性層
１０６  ｐ型クラッド層
１０７  上部ミラー
１０８  コンタクト層
１１０  柱状部
１１３  上部電極
１１５  下部電極
１１６  開口部
１１７  絶縁層
１１７ａ  第１樹脂層（第１塗布層）
１１７ｂ，１１７ｃ  第２樹脂層（第２塗布層）
１２０  共振器
１３０  液体
１５０  半導体多層膜
１６０  フィラー
１６１  樹脂前駆体（母材前駆体）
１６２  樹脂（仮母材）
１６３  樹脂（仮母材）
２０１，２０２  ＩＣチップ
２１０  受光素子
２１１，２１２  基板
２２１，２２２  レーザ光
３０１，３０２  光検出器
４０１，４０２  ＩＣ領域
１０００  構造体
１１００，１１１２  光伝達装置
１１１０，１１０２  電子機器
１１０４  ケーブル
１１０６  プラグ
１１２０，１２２０  プラットフォーム
１１３０  第１の光導波路
１１５０  アクチュエータ
１１５２  クッション
１１５４  エネルギー供給源
１３００  基板
１３０２，１３１８  第２の光導波路
１２３０，１３１０，１３１２  第３の光導波路
１３０４  接続用光導波路
１３１４，１３１６  基板
２０００  光インターコネクション装置
【図１】
0004066143.tif 000002
【図２】
0004066143.tif 000003
【図３】
0004066143.tif 000004
【図４】
0004066143.tif 000005
【図５】
0004066143.tif 000006
【図６】
0004066143.tif 000007
【図７】
0004066143.tif 000008
【図８】
0004066143.tif 000009
【図９】
0004066143.tif 000010
【図１０】
0004066143.tif 000011
【図１１】
0004066143.tif 000012
【図１２】
0004066143.tif 000013
【図１３】
0004066143.tif 000014