(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
台板、該台板の上に載せた下台板、該下台板の上に直立させた支柱、該支柱の上端部を固定するための上板とからなるセラミック基板焼成用棚組みにおいて、前記下台板には、前記支柱の下端部を固定させるための支柱差込穴が設けられ、一方、前記上板には、該支柱の上端部を固定させるために支柱差込穴が設けられており、支柱には薄板を取り付けるための複数の溝が設けられており、隣接する薄板間に配置する支柱は２枚の薄板を背中合わせで支えるようにしたことを特徴とするセラミック基板焼成用棚組み。
【請求項２】
台板、該台板の上に載せた下台板、該下台板の上に直立させた支柱、該支柱の上端部を固定するための上板とからなるセラミック基板焼成用棚組みにおいて、前記下台板には、前記支柱の下端部を固定させるための支柱差込穴が設けられ、一方、前記上板には、該支柱の上端部を固定させるために支柱差込穴が設けられており、支柱には薄板を取り付けるための複数の溝が設けられており、１枚の薄板を３点の支柱で支え、かつ隣接する薄板間に配置する支柱は２枚の薄板を背中合わせで支えるようにしたことを特徴とするセラミック基板焼成用棚組み。
【請求項３】
台板、該台板の上に載せた下台板、該下台板の上に直立させた支柱、該支柱の上端部を固定するための上板とからなるセラミック基板焼成用棚組みにおいて、前記下台板には、前記支柱の下端部を固定させるための支柱差込穴が設けられ、一方、前記上板には、該支柱の上端部を固定させるために支柱差込穴が設けられており、支柱には薄板を取り付けるための複数の溝が設けられており、１枚の薄板を３点の支柱で支え、かつ中央の支柱は２枚の薄板を背中合わせで支えるように配置することを特徴とするセラミック基板焼成用棚組み。
【請求項４】
前記２枚の薄板を背中合わせで支える支柱は、隣接する薄板を高さ方向に互い違いに取り付けられるようにしてある請求項１〜３のいずれかに記載のセラミック基板焼成用棚組み。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、陶磁器、タイル等のセラミック基板を焼成する際に用いるセラミック基板焼成用棚組みに関するものである。
【０００２】
【従来技術】
従来、陶磁器、タイル等のセラミック基板をシャトルキルン、トンネル炉、連続式プッシャー炉等の連続炉の窯炉内で焼成するには、図１に示すようにセッター（棚板）を棚組みし、そのセッターにセラミック基板を載せ焼成している。この場合、セッター表面の凹凸がセラミック基板に写ったり、セッターに含まれている二酸化ケイ素などがセラミック基板と反応したりして、セラミック基板の特性に影響が出ないようにするため、高純度アルミナ質やジルコニア質等の薄板をセッターとセラミック基板との間に挟み込む必要がある。
しかし、セラミック基板を焼成するには、棚組みしたセッターの上にセラミック基板を載せ、その上段のセッター下面とセラミック基板の上面との間には、ある一定の空間が必要であり、上述のように薄板をセッターとセラミック基板との間に挟み込むと、その分セラミック基板の積載焼成量が減少するという問題点がある。また、焼成の終わったセラミック基板を取り出すには、棚組みを一旦崩さないとセラミック基板が取り出しにくく、そうした作業がセラミック基板の詰め換え時間を長くなる、棚組み作業が繁雑になるなどの問題点があった。
【０００３】
また、図１に示す従来のセラミック基板焼成用棚組みでは、短時間での焼成（迅速焼成）を実施した場合、セッター１２が連続した一枚板になっているので、該セッター１２が上下のガスの流れを遮断し、蒸発バインダーや高温ガスが滞留しやすい。この為、熱的スポーリングによりセッターの破損につながる問題があった。また、焼成炉内で浮遊している異物がセラミック基板の焼成中に、セラミック基板上に付着して反応しやすいなどの問題点があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記の従来の問題点を解決し、従来のようなセッターを使用せず、薄板（１−５ｍｍ）だけでセラミック基板を焼成するために、余分な窯用具が不要となり、作業効率が著しく向上するセラミック基板焼成用棚組みを提供することを目的とする。また、高温ガスの流れや、焼成中にセラミック基板から発生する蒸発バインダーが滞留せず、流出しやすい構成とし、この為セラミック基板を短時間で効率良く焼成することができ、かつ焼成等が飛躍的にアップするセラミック基板焼成用棚組みを提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
よって、本発明は、台板、該台板の上に載せた下台板、該下台板の上に直立させた支柱、該支柱の上端部を固定するための上板とからなるセラミック基板焼成用棚組みにおいて、前記下台板には、前記支柱の下端部を固定させるための支柱差込穴が設けられ、一方、前記上板には、該支柱の上端部を固定させるために支柱差込穴が設けられており、支柱には薄板を取り付けるための複数の溝が設けられていることを特徴とするセラミック基板焼成用棚組みである。
また、本発明は、１枚の薄板を３点の支柱で支え、かつ中央の支柱は２枚の薄板を背中合わせで支えるように配置することを特徴とする上記記載のセラミック基板焼成用棚組みである。
【０００６】
【実施例】
本発明の一実施例を図２で説明すると、セラミック基板焼成用棚組みは台板１、該台板１の上に載せた下台板２、該下台板２の上に直立させた支柱４、該支柱４の上端部８を固定するための上板９とからなる。
また、前記下台板２には、該支柱４を下台板２の上に直立させるために支柱差込穴３が設けられ、一方、前記上板９には、該支柱４を固定させるために支柱差込穴８が設けられている。支柱４には薄板７を取り付けるための複数の溝６が設けられている。溝６は基板を焼成するために必要な空間５が取れ、かつ薄板７の厚み以上としている。
【０００７】
図２では、薄板を互い違いに取り付けるようにしているが、図３のように
薄板７を同じ高さで取り付けるようにしてもよい。次に図４は本発明に関するセラミック基板焼成用棚組みを上から見た図である。ただし、上板９は省略してある。この場合は、薄板７を６枚平並びにしているが、セラミック基板のサイズに応じて薄板７の並びの枚数を変更することができる。図４で明らかなように、隣り合った薄板７の間にａの隙間を取っているので高温ガスの流れや、焼成中にセラミック基板から発生する蒸発バインダーが滞留せず、流出しやすくなっている。この為、セラミック基板を短時間で効率良く焼成することができる。
【０００８】
これに対して、図１に示す従来のセラミック基板焼成用棚組みでは、短時間での焼成（迅速焼成）を実施した場合、セッター１２が連続した一枚板になっているので、該セッター１２が上下のガスの流れを遮断し、蒸発バインダーや高温ガスが滞留しやすい。この為、熱的スポーリングによりセッターの破損につながる。また、焼成炉内で浮遊している異物がセラミック基板の焼成中に、セラミック基板上に付着して反応しやすい。また、図４で明らかなように、薄板７は３点の支柱４で支えられている。従って、中央の支柱４は２枚の薄板７を背中合わせで支えるため、支柱４が安定すると同時に、薄板７の位置も安定し、均一な焼成条件でセラミック基板を焼成することができる。
また、図５は本発明に関するセラミック基板焼成用棚組みの上面図を示し、このような配置にすると、セラミック基板を２方向から取り出すことができ、更に効率的である。図６、７、８は本発明に関する支柱の図を示す。
【０００９】
【作用】
支柱４の溝６に基板を載せた薄板７を入れこむことで簡単に薄板７の位置設定ができ、セラミック基板焼成に必要な空間をとることができる。従って、薄板７を出し入れすることにより簡単にセラミック基板を詰め換えることが可能となる。また、上板９に下台板２と同様な支柱差込穴８が開けられており、該支柱差込穴８に支柱４の上端部を差し込んで、支柱４が動かないように安定させることができる。また、焼成炉内で浮遊している異物がセラミック基板の焼成中に、セラミック基板上に付着して反応するのを防ぐことができる。また、焼成後のセラミック基板を薄板７ごと取り出し、再度セラミック基板を載せた薄板７を所定位置に戻す場合にも、図４の矢印方向より差し込むことで、支柱４が薄板７のストッパーとしての役目も果たしており、作業効率を高めることができる。
【００１０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明方法によると、従来のようなセッターを使用せず、薄板（１−５ｍｍ）だけで基板を焼成するために、余分な窯用具が不要となり、作業効率が著しく向上する。また、高温ガスの流れや、焼成中にセラミック基板から発生する蒸発バインダーが滞留せず、流出しやすい構成となっており、この為セラミック基板を短時間で効率良く焼成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  従来のセラミック基板焼成用棚組みを示す図。
【図２】  本発明に関するセラミック基板焼成用棚組みの側面図。
【図３】  本発明に関するセラミック基板焼成用棚組みの側面図。
【図４】  本発明に関するセラミック基板焼成用棚組みの上面図。
【図５】  本発明に関するセラミック基板焼成用棚組みの上面図。
【図６】  本発明に関する支柱の図。
【図７】  本発明に関する支柱の図。
【図８】  本発明に関する支柱の図。
【符号の説明】
１…台板、２…下台板、３…支柱差込穴、４…支柱、５…空間、６…溝、７…薄板、８…支柱差込穴、９…上板、１０…下端部、１１…上端部、１２…セッター、１３…セラミック基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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