(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ｉ）で示されるポリアセン誘導体から選ばれる有機電界発光素子用材料。
【化１】
0004188616.tif 000069
［式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4及びＲ9は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40アルキル基又は置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ18アリール基であり；Ｒ3、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8及びＲ10は、それぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40アルコキシ基、置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ40アリールオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基、水酸基又は置換基を有していてもよいシリル基であり、但し、Ｒ6及びＲ7は、互いに架橋してＣ4〜Ｃ40飽和又は不飽和環を形成してもよく、前記飽和又は不飽和環は、酸素原子、硫黄原子、又は式−Ｎ（Ｒ11）−で示される基（式中Ｒ11は水素原子又は炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよく、Ｒ３及びＲ１０、又は、Ｒ４及びＲ９が、置換基を有していてもよいアリール基である場合を除き；Ａ1及びＡ2は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、置換基を有していてもよいＣ2〜Ｃ40アルコキシカルボニル基であり；ｎは１である。］
【請求項２】
下記一般式（Ｉ）で示されるポリアセン誘導体から選ばれる有機電界発光素子用材料。
【化２】
0004188616.tif 000070
［式中、Ｒ3、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8及びＲ10は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40アルキル基又は置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ18アリール基であり；Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４及びＲ９は、それぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40アルコキシ基、置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ40アリールオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基、水酸基又は置換基を有していてもよいシリル基であり、Ｒ３及びＲ１０、又は、Ｒ４及びＲ９が、置換基を有していてもよいアリール基である場合を除き；Ａ1及びＡ2は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、ハロゲン原子であり；ｎは１である。］
【請求項３】
下記一般式（Ｉａ）で示されるポリアセン誘導体から選ばれる有機電界発光素子用材料。
【化３】
0004188616.tif 000071
［式中、Ａ1及びＡ2は置換基を有していてもよいＣ2〜Ｃ40アルコキシカルボニル基であり、かつ、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5b、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8b及びＲ9は置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40アルキル基又は置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ18アリール基であり、Ｒ3、Ｒ5a、Ｒ8a及びＲ10は、それぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40アルコキシ基、置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ40アリールオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基、水酸基又は置換基を有していてもよいシリル基であり、但し、Ｒ3、Ｒ5a、Ｒ8a及びＲ10の１つ以上がジアリールアミン基である場合を除く。］
【請求項４】
一対の電極間に、請求項１〜３の何れか１項に記載のポリアセン誘導体を少なくとも１種含有する層を、少なくとも一層挟持してなる有機電界発光素子。
【請求項５】
前記ポリアセン誘導体を少なくとも１種含有する層が、発光層である請求項４に記載の有機電界発光素子。
【請求項６】
前記ポリアセン誘導体を少なくとも１種含有する層が、正孔注入輸送層である請求項４に記載の有機電界発光素子。
【請求項７】
前記ポリアセン誘導体を少なくとも１種含有する層が、電子注入輸送層である請求項４に記載の有機電界発光素子。
【請求項８】
さらに、多環芳香族化合物、発光性有機金属錯体またはトリアリールアミン誘導体を少なくとも１種含有する請求項４〜７の何れか１項に記載の有機電界発光素子。
【請求項９】
少なくとも１層中に、請求項１〜３の何れか１項に記載のポリアセン誘導体を０．１〜４０重量％含有する請求項４〜８の何れか１項に記載の有機電界発光素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機電界発光素子用材料及び有機電界発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、無機電界発光素子は、例えば、バックライトなどのパネル型光源として使用されてきたが、該発光素子を駆動させるには、交流の高電圧が必要である。最近になり、発光材料に有機材料を用いた有機電界発光素子（有機エレクトロルミネッセンス素子：有機ＥＬ素子）が開発された〔Appl. Phys. Lett., 51 、913 (1987)〕。有機電界発光素子は、蛍光性有機化合物を含む薄膜を、陽極と陰極間に挟持された構造を有し、該薄膜に電子および正孔（ホール）を注入して、再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、この励起子が失活する際に放出される光を利用して発光する素子である。有機電界発光素子は、数Ｖ〜数十Ｖ程度の直流の低電圧で、発光が可能であり、また蛍光性有機化合物の種類を選択することにより、種々の色（例えば、赤色、青色、緑色）の発光が可能である。このような特徴を有する有機電界発光素子は、種々の発光素子、表示素子等への応用が期待されている。しかしながら、一般に、有機電界発光素子は、安定性、耐久性に乏しいなどの難点がある。さらに、発光輝度が低く、実用上充分ではない。
【０００３】
正孔注入輸送材料として、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３''−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニルを用いることが提案されている〔Jpn. J. Appl. Phys., 27 、L269 (1988) 〕。しかしながら、この有機電界発光素子も、安定性、耐久性に乏しいなどの難点がある。発光輝度を向上させる方法として、発光層として、例えば、トリス（８−キノリノラート）アルミニウムをホスト化合物、クマリン誘導体、ピラン誘導体をゲスト化合物（ドーパント）として用いた有機電界発光素子が提案されている〔 J.Appl. Phys., 65 、3610 (1989) 〕。また、発光層として、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（４−フェニルフェノラート）アルミニウムをホスト化合物、アクリドン誘導体（例えば、Ｎ−メチル−２−メトキシアクリドン）をゲスト化合物として用いた有機電界発光素子が提案されている（特開平８−６７８７３号公報）。しかしながら、これらの発光素子も充分な発光輝度を有しているとは言い難い。現在では、一層改良された有機電界発光素子が望まれている。
【０００４】
また電子注入輸送材料も満足いくものがなく、一層改良された有機電界発光素子が望まれている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、安定性、耐久性、発光輝度、発光効率に優れた有機電界発光素子用材料及び有機電界発光素子を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは有機電界発光素子用材料に関して鋭意検討を重ねた結果、本発明を完成させるに至った。
【０００７】
すなわち本発明は、下記一般式（Ｉ）で示されるポリアセン誘導体から選ばれる有機電界発光素子用材料を提供するものである。
【０００８】
【化６】
0004188616.tif 000002
［式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9及びＲ10は、それぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40アルコキシ基、置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ40アリールオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基、水酸基又は置換基を有していてもよいシリル基であり、但し、Ｒ6及びＲ7は、互いに架橋してＣ4〜Ｃ40飽和又は不飽和環を形成してもよく、前記飽和又は不飽和環は、酸素原子、硫黄原子、又は式−Ｎ（Ｒ11）−で示される基（式中Ｒ11は水素原子又は炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよく；
Ａ1及びＡ2は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子；ハロゲン原子；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ40アリールオキシ基；置換基を有していてもよいＣ7〜Ｃ40アルキルアリールオキシ基；置換基を有していてもよいＣ2〜Ｃ40アルコキシカルボニル基；置換基を有していてもよいＣ7〜Ｃ40アリールオキシカルボニル基；シアノ基（−ＣＮ）；カルバモイル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ2）；ハロホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｘ、式中、Ｘはハロゲン原子を示す。）ホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｈ）；イソシアノ基；イソシアナト基、チオシアナト基又はチオイソシアナト基であり、但し、Ａ1及びＡ2は、互いに架橋して、式−Ｃ（＝Ｏ）−Ｂ−Ｃ（＝Ｏ）−で示される環を形成してもよく（式中、Ｂは、酸素原子又は式−Ｎ（Ｂ1）−で示される基（式中、Ｂ1は、水素原子、Ｃ1〜Ｃ40炭化水素基、又は、ハロゲン原子である）である）、
ｎは、１以上の整数である、
但し、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ａ1及びＡ2が全て水素原子である場合を除き、
Ｒ7及びＡ1がメトキシ基であるか、又は、Ａ2及びＲ6がメトキシ基である場合を除き、
ｎが１である場合には、
少なくともＲ1、Ｒ2、Ｒ4及びＲ9が水素原子以外の基であるか、又は少なくともＲ3、Ｒ5、Ｒ8及びＲ10が水素原子以外の基であり、
Ｒ3及びＲ10、又は、Ｒ4及びＲ9が、置換基を有していてもよいアリール基である場合を除き、
また、ｎが２である場合には、上記式（Ｉ）は、下記式（Ｉａ）で示されるで示されるペンタセン誘導体であって、
【化７】
0004188616.tif 000003
（式中、Ａ1及びＡ2は、上記の意味を有し、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5a、Ｒ5b、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8a、Ｒ8b、Ｒ9及びＲ10は、それぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40アルコキシ基、置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ40アリールオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基、水酸基又は置換基を有していてもよいシリル基であり、但し、Ｒ6及びＲ7は、互いに架橋してＣ4〜Ｃ40飽和又は不飽和環を形成してもよく、前記飽和又は不飽和環は、酸素原子、硫黄原子、又は式−Ｎ（Ｒ11）−で示される基（式中Ｒ11は水素原子又は炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。）Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5a、Ｒ5b、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8a、Ｒ8b、Ｒ9、Ｒ10、Ａ1及びＡ2の１つ以上がジアリールアミン基である場合を除く。］
【０００９】
また本発明は、一般式（Ｉ）で示され、ｎ＝１又は２であり、
ｎが１である場合には、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ａ1及びＡ2が全てメチル基である場合と、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ9及びＲ10が全てアリール基であり、かつ、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ａ1及びＡ2が全て水素原子である場合と、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4及びＲ9が全てアルコキシ基又はアリールオキシ基であり、かつ、Ｒ3、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ10、Ａ1及びＡ2が全て水素原子である場合と、Ｒ3、Ｒ5、Ｒ8及びＲ10が全てアルコキシ基又はアリールオキシ基であり、かつ、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ9、Ａ1及びＡ2が全て水素原子である場合とを除き、
また、ｎが２である場合には、前記式（Ｉａ）で示されるペンタセン誘導体であって、
式（Ｉａ）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5a、Ｒ5b、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8a、Ｒ8b、Ｒ9、Ｒ10、Ａ1及びＡ2が全てメチル基である、又は、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5a、Ｒ5b、Ｒ8a、Ｒ8b、Ｒ9及びＲ10が全て水素原子であり、かつ、Ｒ6、Ｒ7、Ａ1及びＡ2の１つ以上がアリール基である、又は、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5a、Ｒ5b、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8a、Ｒ8b、Ｒ9、Ｒ10、Ａ1及びＡ2の６つ以下が水素原子以外の基である場合に前記水素原子以外の基のいずれかがメトキシ基である場合、
下記式（Ｉｂ）で示されるペンタセン誘導体である場合、
【化８】
0004188616.tif 000004
［式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ5b及びＲ8bが全てアルコキシ基又はアリールオキシ基である。］
下記式（Ｉｃ）で示されるペンタセン誘導体である場合、並びに、
【化９】
0004188616.tif 000005
［式中、Ｒ3、Ｒ5a、Ｒ8a及びＲ10の２つ以上がアリール基又はアリールアルキニル基であるか、Ｒ3、Ｒ5a、Ｒ8a及びＲ10の１つ以上がアリールアルケニル基であるか、又は、Ｒ3、Ｒ5a、Ｒ8a及びＲ10が全てアルコキシ基又はアリールオキシ基である。］
下記式（Ｉｄ）で示されるペンタセン誘導体である場合
【化１０】
0004188616.tif 000006
［式中、Ｒ4及びＲ9が水素原子、炭化水素基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子又は水酸基である。］
を除く、前記の有機電界発光素子用材料を提供するものである。
【００１０】
また本発明は、式（Ｉ）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ａ1及びＡ2の５つ以上が、水素原子以外の基である前記のポリアセン誘導体から選ばれた有機電界発光素子用材料を提供するものである。
【００１１】
また本発明は、式（Ｉ）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ａ1及びＡ2の６つ以上が水素原子以外の基である前記のポリアセン誘導体から選ばれた有機電界発光素子用材料を提供するものである。
【００１２】
また本発明は、前記ポリアセン誘導体が、前記式（Ｉａ）で示されるペンタセン誘導体であり、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5a、Ｒ5b、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8a、Ｒ8b、Ｒ9、Ｒ10、Ａ1及びＡ2の５つ以上が、水素原子以外の基である前記のポリアセン誘導体から選ばれた有機電界発光素子用材料を提供するものである。
【００１３】
また本発明は、式（Ｉａ）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5a、Ｒ5b、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8a、Ｒ8b、Ｒ9、Ｒ10、Ａ1及びＡ2の６つ以上が、水素原子以外の基である前記のポリアセン誘導体から選ばれた有機電界発光素子用材料を提供するものである。
【００１４】
また本発明は、式（Ｉａ）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5a、Ｒ5b、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8a、Ｒ8b、Ｒ9、Ｒ10、Ａ1及びＡ2の７つ以上が、水素原子以外の基である前記のポリアセン誘導体から選ばれた有機電界発光素子用材料を提供するものである。
【００１５】
また本発明は、式（Ｉａ）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5a、Ｒ5b、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8a、Ｒ8b、Ｒ9、Ｒ10、Ａ1及びＡ2の８つ以上が、水素原子以外の基である前記のポリアセン誘導体から選ばれた有機電界発光素子用材料を提供するものである。
【００１６】
また本発明は、式（Ｉａ）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5a、Ｒ5b、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8a、Ｒ8b、Ｒ9、Ｒ10、Ａ1及びＡ2の９つ以上が、水素原子以外の基である前記のポリアセン誘導体から選ばれた有機電界発光素子用材料を提供するものである。
【００１７】
また本発明は、式（Ｉａ）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5a、Ｒ5b、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8a、Ｒ8b、Ｒ9、Ｒ10、Ａ1及びＡ2の１０以上が、水素原子以外の基である前記のポリアセン誘導体から選ばれた有機電界発光素子用材料を提供するものである。
【００１８】
また本発明は、式（Ｉ）中、Ｒ1及びＲ2、Ｒ3及びＲ10、Ｒ4及びＲ9、Ｒ5及びＲ8、Ｒ6及びＲ7、並びに、Ａ1及びＡ2のいずれかの組合せが同一の置換基である前記のポリアセン誘導体から選ばれた有機電界発光素子用材料を提供するものである。
【００１９】
また本発明は、式（Ｉａ）中、Ｒ1及びＲ2、Ｒ3及びＲ10、Ｒ4及びＲ9、Ｒ5a及びＲ8a、Ｒ5b及びＲ8b、Ｒ6及びＲ7、並びに、Ａ1及びＡ2のいずれかの組合せが同一の置換基である前記のポリアセン誘導体から選ばれた有機電界発光素子用材料を提供するものである。
【００２０】
また本発明は、式（Ｉ）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9及びＲ10の何れかが、置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40アルコキシ基、又は置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ40アリールオキシ基である前記のポリアセン誘導体から選ばれた有機電界発光素子用材料を提供するものである。
【００２１】
また本発明は、式（Ｉａ）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5a、Ｒ5b、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8a、Ｒ8b、Ｒ9及びＲ10の何れかが、置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40アルコキシ基、又は置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ40アリールオキシ基である前記のポリアセン誘導体から選ばれた有機電界発光素子用材料を提供するものである。
【００２２】
また本発明は、式（Ｉ）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4及びＲ9は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40アルキル基又は置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ18アリール基であり；Ａ1及びＡ2は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、置換基を有していてもよいＣ2〜Ｃ40アルコキシカルボニル基であり；ｎは１である前記のポリアセン誘導体から選ばれた有機電界発光素子用材料を提供するものである。
【００２３】
また本発明は、式（Ｉ）中、Ａ1、Ａ2、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4及びＲ9は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40アルキル基又は置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ18アリール基であり；ｎは１である前記のポリアセン誘導体から選ばれた有機電界発光素子用材料を提供するものである。
【００２４】
また本発明は、式（Ｉ）中、Ｒ3、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8及びＲ10は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40アルキル基又は置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ18アリール基であり；Ａ1及びＡ2は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、ハロゲン原子であり；ｎは１である前記のポリアセン誘導体から選ばれた有機電界発光素子用材料を提供するものである。
【００２５】
また本発明は、前記ポリアセン誘導体が、前記式（Ｉａ）で示されるペンタセン誘導体である場合に、Ａ1及びＡ2が置換基を有していてもよいＣ2〜Ｃ40アルコキシカルボニル基であり、かつ、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5b、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8b、Ｒ9が置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40アルキル基又は置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ18アリール基である前記のポリアセン誘導体から選ばれた有機電界発光素子用材料を提供するものである。
【００２６】
また本発明は、前記ポリアセン誘導体が、前記式（Ｉａ）で示されるペンタセン誘導体である場合に、Ａ1、Ａ2、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5b、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8b、Ｒ9が置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40アルキル基又は置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ18アリール基である前記のポリアセン誘導体から選ばれた有機電界発光素子用材料を提供するものである。
【００２７】
また本発明は、前記ポリアセン誘導体が、上記式（Ｉａ）で示されるペンタセン誘導体である場合に、Ａ1及びＡ2がハロゲン原子であり、かつ、Ｒ3、Ｒ5a、Ｒ8a及びＲ10が置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40アルキル基又は置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ18アリール基である前記のポリアセン誘導体から選ばれた有機電界発光素子用材料を提供するものである。
【００２８】
また本発明は、一対の電極間に、上述したポリアセン誘導体を少なくとも１種含有する層を、少なくとも一層挟持してなる有機電界発光素子を提供するものである。
【００２９】
また本発明は、上述したポリアセン誘導体を少なくとも１種含有する層が、発光層である前記の有機電界発光素子を提供するものである。
【００３０】
また本発明は、上述したポリアセン誘導体を少なくとも１種含有する層が、正孔注入輸送層である前記の有機電界発光素子を提供するものである。
【００３１】
また本発明は、上述したポリアセン誘導体を少なくとも１種含有する層が、電子注入輸送層である前記の有機電界発光素子を提供するものである。
【００３２】
また本発明は、さらに、多環芳香族化合物、発光性有機金属錯体またはトリアリールアミン誘導体を少なくとも１種含有する前記の有機電界発光素子を提供するものである。
【００３３】
また本発明は、少なくとも１層中に、上述したポリアセン誘導体を０．１〜４０重量％含有する前記有機電界発光素子を提供するものである。
【００３４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に関して詳細に説明する。
【００３５】
本発明の有機電界発光素子材料は一般式（Ｉ）で示されるポリアセン誘導体である。また本発明の有機電界発光素子は一般式（Ｉ）で示されるポリアセン誘導体を、一対の電極間に、少なくとも一種挟持してなるものである。本発明の有機電界発光素子材料である、一般式（Ｉ）で表されるポリアセン誘導体（以下、単にポリアセン誘導体とも称する）は、一般式（Ｉ）で示されるポリアセン構造を有する。
【００３６】
【化１１】
0004188616.tif 000007
［式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ａ1及びＡ2は、上記の意味を有する。］
【００３７】
上記式（Ｉ）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9及びＲ10は、それぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40アルコキシ基、置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ40アリールオキシ基；アミノ基、水酸基又はシリル基である。
【００３８】
本明細書では、Ｃ1〜Ｃ40炭化水素基は、飽和若しくは不飽和の非環式であってもよいし、飽和若しくは不飽和の環式であってもよい。Ｃ1〜Ｃ40炭化水素基が非環式の場合には、線状でもよいし、枝分かれでもよい。Ｃ1〜Ｃ40炭化水素基には、Ｃ1〜Ｃ40アルキル基、Ｃ2〜Ｃ40アルケニル基、Ｃ2〜Ｃ40アルキニル基、Ｃ3〜Ｃ40アリル基、Ｃ4〜Ｃ40アルキルジエニル基、Ｃ4〜Ｃ40ポリエニル基、Ｃ6〜Ｃ18アリール基、Ｃ6〜Ｃ40アルキルアリール基、Ｃ6〜Ｃ40アリールアルキル基、Ｃ4〜Ｃ40シクロアルキル基、Ｃ4〜Ｃ40シクロアルケニル基などが含まれる。
【００３９】
Ｃ1〜Ｃ40アルキル基、Ｃ2〜Ｃ40アルケニル基、Ｃ2〜Ｃ40アルキニル基、Ｃ3〜Ｃ40アリル基、Ｃ4〜Ｃ40アルキルジエニル基、及び、Ｃ4〜Ｃ40ポリエニル基は、それぞれ、Ｃ1〜Ｃ20アルキル基、Ｃ2〜Ｃ20アルケニル基、Ｃ2〜Ｃ20アルキニル基、Ｃ3〜Ｃ20アリル基、Ｃ4〜Ｃ20アルキルジエニル基、及び、Ｃ4〜Ｃ20ポリエニル基であることが好ましく、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ2〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ2〜Ｃ10アルキニル基、Ｃ3〜Ｃ10アリル基、Ｃ4〜Ｃ10アルキルジエニル基、及び、Ｃ4〜Ｃ10ポリエニル基であることがさらに好ましい。
【００４０】
本発明の実施において有用な、置換基を有していてもよいアルキル基の例には、制限するわけではないが、メチル、エチル、プロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、ドデカニル、トリフルオロメチル、ペルフルオロ−ｎ−ブチル、２，２，２−トリフルオロエチル、ベンジル、２−フェノキシエチル等がある。
【００４１】
本発明の実施において有用な、置換基を有していてもよいアリール基の例には、制限するわけではないが、フェニル、２−トリル、３−トリル、４−トリル、ナフチル、ビフェニル、４−フェノキシフェニル、４−フルオロフェニル、３−カルボメトキシフェニル、４−カルボメトキシフェニル等がある。
【００４２】
本発明の実施において有用な、置換基を有していてもよいアルコキシ基の例には、制限するわけではないが、メトキシ、エトキシ、２−メトキシエトキシ、ｔ−ブトキシ等がある。
【００４３】
本発明の実施において有用な、置換基を有していてもよいアリールオキシ基の例には、制限するわけではないが、フェノキシ、ナフトキシ、フェニルフェノキシ、４−メチルフェノキシ等がある。
【００４４】
本発明の実施において有用な、置換基を有していてもよいアミノ基の例には、制限するわけではないが、アミノ、ジメチルアミノ、メチルアミノ、メチルフェニルアミノ、フェニルアミノ等がある。
【００４５】
置換基を有していてもよいシリル基としては、式−Ｓｉ（Ｒ12）（Ｒ13）（Ｒ14）で示される基［式中、Ｒ12、Ｒ13及びＲ14は、それぞれ、互いに独立し、同一又は異なって、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ1〜Ｃ40アルキル基；ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ6〜Ｃ40アリールアルキル基；ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ1〜Ｃ40アルコキシ基；ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ6〜Ｃ40アリールアルキルオキシ基である。］を挙げることができる。
【００４６】
本発明の実施において有用な、置換基を有していてもよいシリル基の例には、制限されるわけではないが、トリメチルシリル、トリエチルシリル、トリメトキシシリル、トリエトキシシリル、ジフェニルメチルシリル、トリフェニルシリル、トリフェノキシシリル、ジメチルメトキシシリル、ジメチルフェノキシシリル、メチルメトキシフェニル等がある。
【００４７】
Ｃ1〜Ｃ40炭化水素基、Ｃ1〜Ｃ40アルコキシ基、Ｃ6〜Ｃ40アリールオキシ基、アミノ基、シリル基などには、置換基が導入されていてもよく、この置換基としては、例えば、ハロゲン原子、水酸基、アミノ基などが挙げられる。
【００４８】
ハロゲン原子には、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が含まれる。Ｃ1〜Ｃ40炭化水素基、Ｃ1〜Ｃ40アルコキシ基、Ｃ6〜Ｃ40アリールオキシ基などの水素原子が、フッ素原子で置換されている場合には、ポリアセン誘導体の溶解度が増大するので好ましい。
【００４９】
Ｒ6及びＲ7は、互いに架橋してＣ4〜Ｃ40飽和又は不飽和環を形成してもよい。不飽和環は、ベンゼン環等の芳香族環であってもよい。Ｒ6及びＲ7が互いに架橋して形成する環は、４〜１６員環であることが好ましく、４〜１２員環であることが更に好ましい。この環は、芳香族環あってもよいし、脂肪族環であってもよい。この環には、Ｃ1〜Ｃ20炭化水素基、Ｃ1〜Ｃ20アルコキシ基、Ｃ6〜Ｃ20アリールオキシ基、アミノ基、水酸基又はシリル基などの置換基が導入されていてもよい。
【００５０】
前記飽和又は不飽和環は、酸素原子、硫黄原子、又は式−Ｎ（Ｒ11）−で示される基［式中、Ｒ11は水素原子又は炭化水素基である。］で中断されていてもよい。Ｒ11は水素原子又はＣ1〜Ｃ6アルキル基であることが好ましく、水素原子又はＣ1〜Ｃ4アルキル基であることがさらに好ましい。
【００５１】
上記式（Ｉ）中、Ａ1及びＡ2は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子；ハロゲン原子；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40アルコキシ基、置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ40アリールオキシ基；置換基を有していてもよいＣ7〜Ｃ40アルキルアリールオキシ基；置換基を有していてもよいＣ2〜Ｃ40アルコキシカルボニル基；置換基を有していてもよいＣ7〜Ｃ40アリールオキシカルボニル基；シアノ基（−ＣＮ）；カルバモイル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ2）；ハロホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｘ、式中、Ｘはハロゲン原子を示す。）ホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｈ）；イソシアノ基；イソシアナト基、チオシアナト基又はチオイソシアナト基である。
【００５２】
シアノ基（−ＣＮ）；カルバモイル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ2）；ハロホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｘ、式中、Ｘはハロゲン原子を示す。）；ホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｈ）、イソシアノ基、イソシアナト基、チオシアナト基又はチオイソシアナト基は、たとえば、アルコキシカルボニル基から通常の有機化学の手法により変換することができる。また、カルバモイル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ2）、ハロホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｘ、式中、Ｘはハロゲン原子を示す。）、ホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｈ）などは、シアノ基、アルコキシカルボニル基と互いに変換することができる。
【００５３】
Ａ1及びＡ2は、互いに架橋して、式−Ｃ（＝Ｏ）−Ｂ−Ｃ（＝Ｏ）−で示される環を形成してもよい［式中、Ｂは、酸素原子又は式−Ｎ（Ｂ1）−で示される基（式中、Ｂ1は、水素原子、Ｃ1〜Ｃ40炭化水素基、又は、ハロゲン原子である）である］。
【００５４】
たとえば、Ａ1及びＡ2が、アルコキシカルボニル基である場合には、通常の有機化学の手法により、カルボキシ基に変換することができる。そして、隣接するカルボキシル基は、脱水することにより、無水カルボン酸、即ち、式−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−で示される環に変換することができる。同様にして、無水カルボン酸は、通常の有機化学の手法により、イミド、式−Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（Ｂ1）−Ｃ（＝Ｏ）−で示される環（Ｂ1は上記の意味を有する。）に変換することができる。
【００５５】
ｎは、１以上の整数である。ｎが１及び２の場合には、それぞれ、４環式及び、５環式、即ち、ナフタセン誘導体、及び、ペンタセン等誘導体となる。
【００５６】
従来は、縮合多環芳香族化合物中の芳香族環の数が増大するにつれて、溶解度が減少する傾向にあった。しかし、後述する製造方法によれば、縮合多環芳香族化合物中の芳香族環の数が増大しても、適切な様々な置換基を導入することにより、溶解度を維持することができる。従って、ｎは１〜２に限られることなく、３以上の整数であってもよいし、４以上の整数であってもよいし、５以上の整数であってもよい。たとえば、ベンゼン環が７つ縮合したポリアセン誘導体（ｎが４に相当する。）が得られている。
【００５７】
ｎは、２００以下であってもよく、１００以下であってもよく、８０以下であってもよく、５０以下であってもよく、３０以下であってもよく、２０以下であってもよく、１５以下であってもよく、１０以下であってもよい。例えば、下記に説明する製造方法を適用することにより、ｎの数は２つずつ増加していくので、このスキームを繰り返せばよい。そして、上述したように、置換基を適切に導入することにより、ｎの数が増大しても溶解度は維持することができるので、ｎの数を増加させていくことができる。
【００５８】
本発明において、上記式（Ｉ）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ａ1及びＡ2が全て水素原子であるポリアセン誘導体から選ばれる有機電界発光素子用材料を対象としていない。また、上記式（Ｉ）中、Ｒ7及びＡ1がメトキシ基であるか、又は、Ａ2及びＲ6がメトキシ基であるポリアセン誘導体から選ばれる有機電界発光素子用材料を対象としていない。
【００５９】
また、本発明において、上記式（Ｉ）中、ｎが１である場合には、少なくともＲ1、Ｒ2、Ｒ4及びＲ9が水素原子以外の基であるか、又は少なくともＲ3、Ｒ5、Ｒ8及びＲ10が水素原子以外の基である。また、本発明において、上記式（Ｉ）中、ｎが１である場合には、Ｒ3及びＲ10、又は、Ｒ4及びＲ9が、置換基を有していてもよいアリール基であるポリアセン誘導体から選ばれる有機電界発光素子用材料は対象としていない。
【００６０】
また、上記式（Ｉ）中、ｎが２であり、上記式（Ｉ）が下記式（Ｉａ）で示されるペンタセン誘導体である場合に、
【化１２】
0004188616.tif 000008
［式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5a、Ｒ5b、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8a、Ｒ8b、Ｒ9、Ｒ10、Ａ1及びＡ2は、それぞれ上記の意味を有する。］
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5a、Ｒ5b、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8a、Ｒ8b、Ｒ9、Ｒ10、Ａ1及びＡ2の１つ以上がジアリールアミン基であるペンタセン誘導体から選ばれる有機電界発光素子用材料を対象としていない。
【００６１】
本発明において、上記式（Ｉ）で示されるポリアセン誘導体は、ｎ＝１の場合には、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ａ1及びＡ2が全てメチル基である場合と、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ9及びＲ10が全てアリール基であり、かつ、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ａ1及びＡ2が全て水素原子である場合と、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4及びＲ9が全てアルコキシ基又はアリールオキシ基であり、かつ、Ｒ3、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ10、Ａ1及びＡ2が全て水素原子である場合と、Ｒ3、Ｒ5、Ｒ8及びＲ10が全てアルコキシ基又はアリールオキシ基であり、かつ、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ9、Ａ1及びＡ2が全て水素原子である場合以外のものであることが好ましい。
【００６２】
また、本発明において、上記式（Ｉ）で示されるポリアセン誘導体は、ｎが２である場合に、以下の（ａ’）、（ｂ’）、（ｃ’）及び（ｄ’）の場合以外のものであることが好ましい。
（ａ’）上記式（Ｉａ）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5a、Ｒ5b、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8a、Ｒ8b、Ｒ9、Ｒ10、Ａ1及びＡ2が全てメチル基である、又は、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5a、Ｒ5b、Ｒ8a、Ｒ8b、Ｒ9及びＲ10が全て水素原子であり、かつ、Ｒ6、Ｒ7、Ａ1及びＡ2の１つ以上がアリール基である、又は、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5a、Ｒ5b、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8a、Ｒ8b、Ｒ9、Ｒ10、Ａ1及びＡ2の６つ以下が水素原子以外の基である場合に前記水素原子以外の基のいずれかがメトキシ基である場合。
（ｂ’）下記式（Ｉｂ）で示されるペンタセン誘導体であって、
【化１３】
0004188616.tif 000009
式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ5b及びＲ8bが全てアルコキシ基又はアリールオキシ基である場合。
（ｃ’）下記式（Ｉｃ）で示されるペンタセン誘導体であって、
【化１４】
0004188616.tif 000010
式中、Ｒ3、Ｒ5a、Ｒ8a及びＲ10の２つ以上がアリール基又はアリールアルキニル基であるか、Ｒ3、Ｒ5a、Ｒ8a及びＲ10の１つ以上がアリールアルケニル基であるか、又は、Ｒ3、Ｒ5a、Ｒ8a及びＲ10が全てアルコキシ基又はアリールオキシ基である場合。
（ｄ’）下記式（Ｉｄ）で示されるペンタセン誘導体であって、
【化１５】
0004188616.tif 000011
式中、Ｒ4及びＲ9が水素原子、炭化水素基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子又は水酸基である場合。
【００６３】
本発明において、上記式（Ｉ）で示されるポリアセン誘導体は、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ａ1及びＡ2の５つ以上が、水素原子以外の基であることが好ましく、６つ以上が水素以外の基であることが更に好ましく、８つ以上が水素以外の基であることが更になお好ましい。後述するように、リチウム化剤及び脱リチウム試薬の組合せで脱水素化をする場合には、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ａ1及びＡ2中に水素原子が多く含まれるにつれて、収率が低下する場合があるからである。
【００６４】
本発明において、上記式（Ｉ）で示されるポリアセン誘導体が、下記式（Ｉａ）で示されるペンタセン誘導体である場合に、
【化１６】
0004188616.tif 000012
［式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5a、Ｒ5b、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8a、Ｒ8b、Ｒ9、Ｒ10、Ａ1及びＡ2は、上記の意味を有する。］Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5a、Ｒ5b、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8a、Ｒ8b、Ｒ9、Ｒ10、Ａ1及びＡ2の５つ以上が水素原子以外の基であるものが好ましく、さらに６つ以上が水素原子以外のものであるものが好ましく、７つ以上が水素原子以外のものがより好ましく、８つ以上が水素原子以外のものがより好ましく、９つ以上が水素原子以外のものがより好ましく、１０以上が水素原子以外のものがより好ましい。
【００６５】
また、上記式（Ｉ）で示されるポリアセン誘導体において、Ｒ1及びＲ2、Ｒ
3及びＲ10、Ｒ4及びＲ9、Ｒ5及びＲ8、Ｒ6及びＲ7、並びに、Ａ1及びＡ2のいずれかの組合せが同一の置換基であるポリアセン誘導体が好ましく、いずれの組合せもそれぞれが同一の置換基であることが更に好ましい。かかるポリアセン誘導体の合成が容易であり、収率が向上するからである。
【００６６】
同様の理由から、上記式（Ｉａ）で示されるポリアセン誘導体において、Ｒ1及びＲ2、Ｒ3及びＲ10、Ｒ4及びＲ9、Ｒ5a及びＲ8a、Ｒ5b及びＲ8b、Ｒ6及びＲ7、並びに、Ａ1及びＡ2のいずれかの組合せが同一の置換基であるポリアセン誘導体が好ましく、いずれの組合せもそれぞれが同一の置換基であることが更に好ましい。
【００６７】
本発明の一実施形態では、上記式（Ｉ）で示されるポリアセン誘導体において、ｎが１である場合に、Ａ1及びＡ2がアルコキシカルボニル基であり、かつ、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4及びＲ9がアルキル基又はアリール基であってもよい。また、ｎが１である場合に、Ａ1、Ａ2、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4及びＲ9がアルキル基又はアリール基であってもよい。また、ｎが１である場合に、Ａ1及びＡ2がハロゲン原子であり、かつ、Ｒ3、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8及びＲ10がアルキル基又はアリール基であってもよい。
【００６８】
また、本発明の一実施形態では、前記ポリアセン誘導体が、上記式（Ｉａ）で示されるペンタセン誘導体である場合に、Ａ1及びＡ2がアルコキシカルボニル基であり、かつ、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5b、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8b、Ｒ9がアルキル基又はアリール基であってもよい。また、前記ポリアセン誘導体が、上記式（Ｉａ）で示されるペンタセン誘導体である場合に、Ａ1、Ａ2、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5b、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8b、Ｒ9がアルキル基又はアリール基であってもよい。また、前記ポリアセン誘導体が、上記式（Ｉａ）で示されるペンタセン誘導体である場合に、Ａ1及びＡ2がハロゲン原子であり、かつ、Ｒ3、Ｒ5a、Ｒ8a及びＲ10がアルキル基又はアリール基であってもよい。
【００６９】
本発明の有機電界発光素子用材料である一般式（Ｉ）のポリアセン誘導体の具体例を以下に挙げる。
【００７０】
【化１７】
0004188616.tif 000013
【化１８】
0004188616.tif 000014
【化１９】
0004188616.tif 000015
【化２０】
0004188616.tif 000016
【化２１】
0004188616.tif 000017
【化２２】
0004188616.tif 000018
【化２３】
0004188616.tif 000019
【化２４】
0004188616.tif 000020
【化２５】
0004188616.tif 000021
【化２６】
0004188616.tif 000022
【化２７】
0004188616.tif 000023
【化２８】
0004188616.tif 000024
本発明の有機電界発光用材料である一般式（Ｉ）のポリアセン誘導体の製造方法としては、例えば、下記式（ＩＩ）で示される炭化水素縮合環が脱水素試薬の存在下、芳香族化することにより、上記式（Ｉ）で示されるポリアセン誘導体を得る方法を挙げることができる。
【００７１】
【化２９】
0004188616.tif 000025
［式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ａ1、Ａ2、及びｎは上記の意味を有する。下記式に示される結合は、単結合又は２重結合を示す。
【化３０】
0004188616.tif 000026
］
【００７２】
上記式（ＩＩ）で示される炭化水素縮合環には、たとえば、結合の種類によって、下記式（ＩＩａ）、（ＩＩｂ）及び（ＩＩｃ）で示される炭化水素縮合環が含まれる。
【００７３】
【化３１】
0004188616.tif 000027
【化３２】
0004188616.tif 000028
【化３３】
0004188616.tif 000029
［式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ5a、Ｒ5b、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ8a、Ｒ8b、Ｒ9、Ｒ10、Ａ1、Ａ2、及びｎは上記の意味を有する。］
【００７４】
ｎが奇数であり、上記式（ＩＩ）で示される炭化水素縮合環が上記式（ＩＩｂ）で示される炭化水素縮合環である場合、ｋは、（ｎ＋１）／２で示される整数であり、ｎが偶数であり、上記式（ＩＩ）で示される炭化水素縮合環が上記式（ＩＩｃ）で示される炭化水素縮合環である場合、ｍは、ｎ／２で示される整数である。
【００７５】
式（ＩＩａ）で示される炭化水素縮合環の場合には、一つの環が芳香族化されることになる。一方、式（ＩＩｂ）及び式（ＩＩｃ）で示される炭化水素縮合環の場合には、２以上の環が芳香族化されることになる。
【００７６】
もっとも、上記式（ＩＩ）で示される炭化水素縮合環には、繰り返し単位中の環が、芳香族環である場合と、芳香族環でない場合がランダムに繰り返される場合も含まれる。
【００７７】
上記の一般式（Ｉ）のポリアセン誘導体の製造方法において、脱水素試薬がリチウム化剤と脱リチウム試薬との組合せであり、まず、前記炭化水素縮合環にリチウム化剤を添加し、ついで、脱リチウム試薬を添加することが好ましい。
【００７８】
このスキームについて、下記式（ＩＩａ）、（ＩＩｂ）及び（ＩＩｃ）で示される炭化水素縮合環の場合で例示する。
【００７９】
【化３４】
0004188616.tif 000030
［式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ａ1、Ａ2、及びｎは上記の意味を有する。Ｄ1は、Ｃ1〜Ｃ6アルキル基等の求核基を意味する。Ｄ2は、Ｃ1〜Ｃ6アルキル基等のＣ1〜Ｃ20炭化水素基を意味する。Ｚ1は、ハロゲン原子等の脱離基を意味する。］
【００８０】
この際、ポリアセン誘導体の合成が容易になる観点から、式（ＩＩａ）中、Ｒ3、Ｒ10は、水素原子であることが好ましい。
【００８１】
【化３５】
0004188616.tif 000031
［式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ａ1、Ａ2、及びｋは上記の意味を有する。Ｄ1は、Ｃ1〜Ｃ6アルキル基等の求核基を意味する。Ｄ2は、Ｃ1〜Ｃ6アルキル基等のＣ1〜Ｃ20炭化水素基を意味する。Ｚ1は、ハロゲン原子等の脱離基を意味する。］
【００８２】
この際、ポリアセン誘導体の合成が容易になる観点から、式（ＩＩｂ）中、Ｒ3、Ｒ5、Ｒ8、Ｒ10は、水素原子であることが好ましい。
【００８３】
【化３６】
0004188616.tif 000032
［式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ａ1、Ａ2、及びｍは上記の意味を有する。Ｄ1は、Ｃ1〜Ｃ6アルキル基等の求核基を意味する。Ｄ2は、Ｃ1〜Ｃ6アルキル基等のＣ1〜Ｃ20炭化水素基を意味する。Ｚ1は、ハロゲン原子等の脱離基を意味する。］
【００８４】
この際、ポリアセン誘導体の合成が容易になる観点から、式（ＩＩｃ）中、Ｒ3、Ｒ5a、Ｒ8a、Ｒ10は、水素原子であることが好ましい。
【００８５】
上記スキームでは、Ｌｉ−Ｄ1で示されるリチウム化剤（ＩＶ）が作用する炭素原子を明確にするという説明の便宜上、式（ＩＩａ），式（ＩＩｂ）又は式（ＩＩｃ）で示される炭化水素縮合環が用いられている。脱水素試薬がリチウム化剤と脱リチウム試薬との組合せが、上記式（ＩＩ）で示される炭化水素縮合環に広く適用することができることはいうまでもない。
【００８６】
式（ＩＩａ）、式（ＩＩｂ）及び式（ＩＩｃ）で示される炭化水素縮合環にリチウム化剤（ＩＶ）を反応させ、それぞれ、式（Ｖａ）、（Ｖｂ）及び（Ｖｃ）で示されるリチウム化された炭化水素縮合環が得られる。リチウム化剤としては、アルキルリチウム、アリールリチウムのようなＣ1〜Ｃ20炭化水素リチウムが好ましい。たとえば、ブチルリチウム等のＣ1〜Ｃ6アルキルリチウム、フェニルリチウムのようなＣ6〜Ｃ20アリールリチウムが好適に用いられる。
【００８７】
リチウム化剤（ＩＶ）とともに、リチウム化剤の活性化剤を共存させることが好ましい。活性化剤としては、３級アミンが好ましく、たとえば、Ｎ，Ｎ，Ｎ'、Ｎ'−テトラメチルエチレンジアミン（ＴＭＥＤＡ）のようなＮ，Ｎ，Ｎ'、Ｎ'−テトラアルキルアルキレンジアミンが用いられる。アルキルリチウムは、溶液中では、四量体のようなオリゴマーとして存在していると思われる。そして、３級アミンが共存するときには、アミンの窒素原子がアルキルリチウムのリチウム原子に配意し、オリゴマー構造を壊すと思われる。これにより、アルキルリチウムのリチウム原子が溶液中に晒され、反応性が向上すると思われる。
【００８８】
溶媒としては、有機溶媒が好ましく、特に、無極性有機溶媒が用いられる。たとえば、ヘキサン等のアルカン、ベンゼン等の芳香族化合物が好ましい。
【００８９】
反応温度としては、０〜２００℃が好ましく、２０〜１００℃がさらに好ましく、３０〜８０℃が更になお好ましい。
【００９０】
式（Ｖａ）、（Ｖｂ）及び（Ｖｃ）で示される炭化水素縮合環に脱リチウム試薬（ＶＩ）を反応させ、これにより、それぞれ、式（ＶＩＩａ）、（ＶＩＩｂ）及び（ＶＩＩｃ）で示される中間体が生成すると推定され、この中間体が分解し、式（Ｉ）、（Ｉｂ）又は（Ｉｃ）で示されるポリアセン誘導体が得られる。
【００９１】
脱リチウム試薬（ＶＩ）としては、たとえば、ハロゲン化アルキルを好適に用いることができる。ハロゲン化アルキルとしては、たとえば、ヨウ化メチル、臭化エチル等の炭素原子が６個以下のハロゲン化アルキルが好ましい。
【００９２】
この反応では、リチウム化剤（ＩＶ）及び脱リチウム試薬（ＶＩ）として、炭素数の少ないものを用いた場合には、たとえば、リチウム化剤（ＩＶ）及び脱リチウム試薬（ＶＩ）として、ブチルリチウム及びヨウ化メチルを用いた場合には、ヨウ化リチウム及びヘキサンが脱離することになる。ヘキサンは溶媒を除去するときに同時に除去できる。ヨウ化リチウムについては、得られた反応混合物を水で洗浄することにより、除去できる。従って、リチウム化剤と脱リチウム試薬との組合せは、反応混合物の精製がきわめて容易であり、好ましい。
【００９３】
式（ＩＩａ）で示される炭化水素縮合環から式（Ｉ）で示されるポリアセン誘導体までの収率は、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ａ1、及びＡ2に水素原子が多く導入されている場合には、たとえば、これらのうち、８以上が水素原子である場合には、５０％ぐらいである。一方、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ａ1、及びＡ2の６以上、特に８以上に水素原子以外の基が導入されている場合には、収率が向上する傾向にある。たとえば、収率は９０％以上になることもあり、９５％以上になることもある。
【００９４】
また、上記の一般式（Ｉ）のポリアセン誘導体の製造方法において、前記脱水素試薬が、下記式（ＩＩＩ）で示される化合物であることが好ましい。
【００９５】
【化３７】
0004188616.tif 000033
［式中、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3、及び、Ｘ4は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、ハロゲン原子又はシアノ基である。］
【００９６】
上記式（ＩＩＩ）で示されるキノンは、上記式（ＩＩ）で示される化合物と反応して、１，４−ジヒドロキシ−シクロヘキサン誘導体に変換する。
【００９７】
上記式（ＩＩＩ）で示されるキノンの場合には、ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子が好ましく、塩素原子又は臭素原子がさらに好ましく、塩素原子がさらになお好ましい。
【００９８】
たとえば、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3、及び、Ｘ4が全て塩素原子であってもよい。即ち、クロラニルであってもよい。あるいは、Ｘ1及びＸ2がシアノ基であり、Ｘ3及びＸ4が塩素原子であってもよい。即ち、２，３−ジクロロ−５，６−ジシアノキノンであってもよい。Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3、及び、Ｘ4が全てシアノ基であってもよい。即ち、２，３，５，６−テトラシアノキノンであってもよい。
【００９９】
上記式（ＩＩＩ）で示されるキノンを用いた場合には、上記式（ＩＩＩ）で示されるキノンが更に生成物のポリアセン誘導体とDiels-Alder反応をして、副生成物を生じる場合がある。所望より、カラムクロマトグラフィー等により、副生成物を除去する。
【０１００】
上記式（ＩＩＩ）で示されるキノンは、このような副生成物の生成を防止するために、上記式（ＩＩ）で示される化合物の０．９〜１．２当量用いることが好ましく、０．９〜１．１５当量用いることが更に好ましく、０．９５〜１．０５当量用いることが更になお好ましい。
【０１０１】
溶媒としては、有機溶媒が好ましく、特に、ベンゼン等の芳香族化合物が好ましい。
【０１０２】
反応温度としては、−８０〜２００℃が好ましく、０〜１００℃がさらに好ましく、１０〜８０℃が更になお好ましい。所望により、光を遮断して反応を進行させてもよい。
【０１０３】
また、上記の一般式（Ｉ）のポリアセン誘導体の製造方法において、前記脱水素試薬が、パラジウムを含むことが好ましい。たとえば、活性炭のような炭素に担持されたパラジウム、いわゆるパラジウムカーボンとして市販されているものを好適に用いることができる。Ｐｄ／Ｃは、脱水素化に広く用いられている触媒であり、本発明においても従来と同様に用いることができる。反応温度は、たとえば、２００〜５００℃である。もっとも、反応温度は、出発物質等の様々な条件に依存して、適宜、設定すればよい。
【０１０４】
炭化水素縮合環は、たとえば、下記のようなスキームで得ることができる。
【０１０５】
【化３８】
0004188616.tif 000034
［式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、及びｎは、上記の意味を有する。Ａ1a及びＡ2aは、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、ハロゲン原子を含む置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ40アルコキシカルボニル基又はハロゲン原子を含む置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ40アリールオキシカルボニル基である。Ｘはハロゲン原子等の脱離基である。下記式に示される結合は、単結合又は２重結合を示す。
【化３９】
0004188616.tif 000035
Ｍは、周期表の第３〜５族又はランタニド系列の金属を示し；
Ｌ1及びＬ2は、互いに独立し、同一又は異なって、アニオン性配位子を示し、ただし、Ｌ1及びＬ2は、架橋されていてもよく；
Ｙ1及びＹ2は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、脱離基である。］
【０１０６】
【化４０】
0004188616.tif 000036
【０１０７】
次に、有機電界発光素子について説明する。有機電界発光素子は、通常、一対の電極間に、少なくとも１種の発光成分を含有する発光層を、少なくとも一層挟持してなるものである。発光層に使用する化合物の正孔注入および正孔輸送、電子注入および電子輸送の各機能レベルを考慮し、所望に応じて、正孔注入輸送成分を含有する正孔注入輸送層および／または電子注入輸送成分を含有する電子注入輸送層を設けることもできる。例えば、発光層に使用する化合物の正孔注入機能、正孔輸送機能および／または電子注入機能、電子輸送機能が良好な場合には、発光層が正孔注入輸送層および／または電子注入輸送層を兼ねた型の素子の構成とすることができる。勿論、場合によっては、正孔注入輸送層および電子注入輸送層の両方の層を設けない型の素子（一層型の素子）の構成とすることもできる。また、正孔注入輸送層、電子注入輸送層および発光層のそれぞれの層は、一層構造であっても多層構造であってもよく、正孔注入輸送層および電子注入輸送層は、それぞれの層において、注入機能を有する層と輸送機能を有する層を別々に設けて構成することもできる。
【０１０８】
本発明の有機電界発光素子において、本発明の一般式（Ｉ）で示されるポリアセン誘導体は、正孔注入輸送成分、発光成分または電子注入輸送成分に用いることが好ましく、正孔注入輸送成分または発光成分に用いることがより好ましい。本発明の有機電界発光素子においては、本発明のポリアセン誘導体は、単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。
【０１０９】
本発明の有機電界発光素子の構成としては、特に限定するものではなく、例えば、（Ａ）陽極／正孔注入輸送層／発光層／電子注入輸送層／陰極型素子（図１）、（Ｂ）陽極／正孔注入輸送層／発光層／陰極型素子（図２）、（Ｃ）陽極／発光層／電子注入輸送層／陰極型素子（図３）、（Ｄ）陽極／発光層／陰極型素子（図４）などを挙げることができる。さらには、発光層を電子注入輸送層で挟み込んだ型の素子である（Ｅ）陽極／正孔注入輸送層／電子注入輸送層／発光層／電子注入輸送層／陰極型素子（図５）とすることもできる。（Ｄ）型の素子構成としては、発光成分を一層形態で一対の電極間に挟持させた型の素子は勿論であるが、さらには、例えば、（Ｆ）正孔注入輸送成分、発光成分および電子注入輸送成分を混合させた一層形態で一対の電極間に挟持させた型の素子（図６）、（Ｇ）正孔注入輸送成分および発光成分を混合させた一層形態で一対の電極間に挟持させた型の素子（図７）、（Ｈ）発光成分および電子注入輸送成分を混合させた一層形態で一対の電極間に挟持させた型の素子（図８）がある。
【０１１０】
本発明の有機電界発光素子においては、これらの素子構成に限るものではなく、それぞれの型の素子において、正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層を複数層設けたりすることができる。また、それぞれの型の素子において、正孔注入輸送層と発光層との間に、正孔注入輸送成分と発光成分の混合層および／または発光層と電子注入輸送層との間に、発光成分と電子注入輸送成分の混合層を設けることもできる。
【０１１１】
より好ましい有機電界発光素子の構成は、（Ａ）型素子、（Ｂ）型素子、（Ｃ）型素子、（Ｅ）型素子、（Ｆ）型素子、（Ｇ）型素子または（Ｈ）型素子であり、さらに好ましくは、（Ａ）型素子、（Ｂ）型素子、（Ｃ）型素子、（Ｆ）型素子または（Ｇ）型素子である。本発明の有機電界発光素子としては、例えば、（図１）に示す（Ａ）陽極／正孔注入輸送層／発光層／電子注入輸送層／陰極型素子について説明する。（図１）において、１は基板、２は陽極、３は正孔注入輸送層、４は発光層、５は電子注入輸送層、６は陰極、７は電源を示す。
【０１１２】
本発明の有機電界発光素子は、基板１に支持されていることが好ましく、基板としては、特に限定するものではないが、透明ないし半透明であることが好ましく、例えば、ガラス板、透明プラスチックシート（例えば、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリスルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリプロピレン、ポリエチレンなどのシート）、半透明プラスチックシート、石英、透明セラミックスあるいはこれらを組み合わせた複合シートからなるものを挙げることができる。さらに、基板に、例えば、カラーフィルター膜、色変換膜、誘電体反射膜を組み合わせて、発光色をコントロールすることもできる。
【０１１３】
陽極２としては、比較的仕事関数の大きい金属、合金または電気電導性化合物を電極物質として使用することが好ましい。陽極に使用する電極物質としては、例えば、金、白金、銀、銅、コバルト、ニッケル、パラジウム、バナジウム、タングステン、酸化錫、酸化亜鉛、ＩＴＯ（インジウム・ティン・オキサイド）、ポリチオフェン、ポリピロールなどを挙げることができる。これらの電極物質は、単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。陽極は、これらの電極物質を、例えば、蒸着法、スパッタリング法等の方法により、基板の上に形成することができる。また、陽極は一層構造であってもよく、あるいは多層構造であってもよい。陽極のシート電気抵抗は、好ましくは、数百Ω／□以下、より好ましくは、５〜５０Ω／□程度に設定する。陽極の厚みは、使用する電極物質の材料にもよるが、一般に、５〜１０００ｎｍ程度、より好ましくは、１０〜５００ｎｍ程度に設定する。
【０１１４】
正孔注入輸送層３は、陽極からの正孔（ホール）の注入を容易にする機能、および注入された正孔を輸送する機能を有する化合物を含有する層である。正孔注入輸送層は、本発明のポリアセン誘導体および／または他の正孔注入輸送機能を有する化合物（例えば、フタロシアニン誘導体、トリアリールメタン誘導体、トリアリールアミン誘導体、オキサゾール誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ピラゾリン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール誘導体など）を少なくとも１種用いて形成することができる。尚、正孔注入輸送機能を有する化合物は、単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。
【０１１５】
本発明において用いる他の正孔注入輸送機能を有する化合物としては、トリアリールアミン誘導体（例えば、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（４''−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニル、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３''−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニル、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３''−メトキシフェニル）アミノ〕ビフェニル、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（１''−ナフチル）アミノ〕ビフェニル、３，３’−ジメチル−４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３''−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニル、１，１−ビス〔４’−[ Ｎ，Ｎ−ジ（４''−メチルフェニル）アミノ] フェニル〕シクロヘキサン、９，１０−ビス〔Ｎ−（４’−メチルフェニル）−Ｎ−（４''−ｎ−ブチルフェニル）アミノ〕フェナントレン、３，８−ビス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）−６−フェニルフェナントリジン、４−メチル−Ｎ，Ｎ−ビス〔４''，４'''−ビス[ Ｎ’，Ｎ’−ジ（４−メチルフェニル）アミノ] ビフェニル−４−イル〕アニリン、Ｎ，Ｎ’−ビス〔４−（ジフェニルアミノ）フェニル〕−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，３−ジアミノベンゼン、Ｎ，Ｎ’−ビス〔４−（ジフェニルアミノ）フェニル〕−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，４−ジアミノベンゼン、５，５''−ビス〔４−（ビス[ ４−メチルフェニル] アミノ）フェニル〕−２，２’：５’，２''−ターチオフェン、１，３，５−トリス（ジフェニルアミノ）ベンゼン、４，４’，４''−トリス（Ｎ−カルバゾリイル）トリフェニルアミン、４，４’，４''−トリス〔Ｎ−（３'''−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン、４，４’，４''−トリス〔Ｎ，Ｎ−ビス（４'''−tert−ブチルビフェニル−４''''−イル）アミノ〕トリフェニルアミン、１，３，５−トリス〔Ｎ−（４’−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ベンゼンなど）、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール誘導体がより好ましい。
【０１１６】
本発明のポリアセン誘導体と他の正孔注入輸送機能を有する化合物を併用する場合、正孔注入輸送層中に占める本発明のポリアセン誘導体は、好ましくは、０．１重量％以上、より好ましくは、０．１〜９９．９重量％程度、さらに好ましくは、１〜９９重量％程度、特に好ましくは、５〜９５重量％程度に調製する。
【０１１７】
発光層４は、正孔および電子の注入機能、それらの輸送機能、正孔と電子の再結合により励起子を生成させる機能を有する化合物を含有する層である。発光層は、本発明のポリアセン誘導体および／または他の発光機能を有する化合物（例えば、アクリドン誘導体、キナクリドン誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、多環芳香族化合物〔例えば、ルブレン、アントラセン、テトラセン、ピレン、ペリレン、クリセン、デカシクレン、コロネン、テトラフェニルシクロペンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、９，１０−ジフェニルアントラセン、９，１０−ビス（フェニルエチニル）アントラセン、１，４−ビス（９’−エチニルアントラセニル）ベンゼン、４，４’−ビス（９''−エチニルアントラセニル）ビフェニル〕、トリアリールアミン誘導体〔例えば、正孔注入輸送機能を有する化合物として前述した化合物を挙げることができる〕、有機金属錯体〔例えば、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（１０−ベンゾ[h] キノリノラート）ベリリウム、２−（２’−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾールの亜鉛塩、２−（２’−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾールの亜鉛塩、４−ヒドロキシアクリジンの亜鉛塩、３−ヒドロキシフラボンの亜鉛塩、５−ヒドロキシフラボンのベリリウム塩、５−ヒドロキシフラボンのアルミニウム塩〕、スチルベン誘導体〔例えば、１，１，４，４−テトラフェニル−１，３−ブタジエン、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル、４，４’−ビス[ （１，１，２−トリフェニル）エテニル] ビフェニル〕、クマリン誘導体〔例えば、クマリン１、クマリン６、クマリン７、クマリン３０、クマリン１０６、クマリン１３８、クマリン１５１、クマリン１５２、クマリン１５３、クマリン３０７、クマリン３１１、クマリン３１４、クマリン３３４、クマリン３３８、クマリン３４３、クマリン５００〕、ピラン誘導体〔例えば、ＤＣＭ１、ＤＣＭ２〕、オキサゾン誘導体〔例えば、ナイルレッド〕、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ピラジン誘導体、ケイ皮酸エステル誘導体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリフェニレンおよびその誘導体、ポリフルオレンおよびその誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリビフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリターフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリナフチレンビニレンおよびその誘導体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘導体など）を少なくとも１種用いて形成することができる。
【０１１８】
本発明の有機電界発光素子においては、発光層に本発明のポリアセン誘導体を含有していることが好ましい。本発明のポリアセン誘導体と他の発光機能を有する化合物を併用する場合、発光層中に占める本発明のポリアセン誘導体の割合は、好ましくは、０．００１〜９９．９９９重量％程度、より好ましくは、０．０１〜９９．９９重量％程度、さらに好ましくは、０．１〜９９．９重量％程度に調製する。
【０１１９】
本発明において用いる他の発光機能を有する化合物としては、多環芳香族化合物、発光性有機金属錯体、トリアリールアミン誘導体がより好ましい。例えば、J. Appl. Phys., 65、3610 (1989) 、特開平５−２１４３３２号公報に記載のように、発光層をホスト化合物とゲスト化合物（ドーパント）とより構成することもできる。本発明のポリアセン誘導体を、ホスト化合物として用いて発光層を形成することができ、さらには、ゲスト化合物として用いて発光層を形成することもできる。本発明のポリアセン誘導体を、ホスト化合物として用いて発光層を形成する場合、ゲスト化合物としては、例えば、前記の他の発光機能を有する化合物を挙げることができ、中でも、多環芳香族化合物は好ましい。この場合、本発明のポリアセン誘導体に対して、他の発光機能を有する化合物を、好ましくは、０．００１〜４０重量％程度、より好ましくは、０．０１〜３０重量％程度、特に好ましくは、０．１〜２０重量％程度使用する。
【０１２０】
本発明のポリアセン誘導体と併用する多環芳香族化合物としては、特に限定するものではないが、例えば、ルブレン、アントラセン、テトラセン、ピレン、ペリレン、クリセン、デカシクレン、コロネン、テトラフェニルシクロペンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、９，１０−ジフェニルアントラセン、９，１０−ビス（フェニルエチニル）アントラセン、１，４−ビス（９’−エチニルアントラセニル）ベンゼン、４，４’−ビス（９’−エチニルアントラセニル）ビフェニルなどを挙げることができる。勿論、多環芳香族化合物は単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。
【０１２１】
本発明のポリアセン誘導体を、ゲスト化合物として用いて発光層を形成する場合、ホスト化合物としては、例えば、前記の他の発光機能を有する化合物を挙げることができ、例えば、発光性有機金属錯体またはトリアリールアミン誘導体はより好ましい。この場合、発光性有機金属錯体またはトリアリールアミン誘導体に対して、本発明のポリアセン誘導体を、好ましくは、０．００１〜４０重量％程度、より好ましくは、０．０１〜３０重量％程度、特に好ましくは、０．１〜２０重量％程度使用する。
【０１２２】
本発明のポリアセン誘導体と併用する発光性有機金属錯体としては、特に限定するものではないが、発光性有機アルミニウム錯体が好ましく、置換または未置換の８−キノリノラート配位子を有する発光性有機アルミニウム錯体がより好ましい。好ましい発光性有機金属錯体としては、例えば、一般式（ａ）〜一般式（ｃ）で表される発光性有機アルミニウム錯体を挙げることができる。
（Ｑ）3 −Ａｌ （ａ）
［式中、Ｑは置換または未置換の８−キノリノラート配位子を表す］
（Ｑ）2 −Ａｌ−Ｏ−Ｌ （ｂ）
［式中、Ｑは置換８−キノリノラート配位子を表し、Ｏ−Ｌはフェノラート配位子であり、Ｌはフェニル部分を含む炭素数６〜２４の炭化水素基を表す］
（Ｑ）2 −Ａｌ−Ｏ−Ａｌ−（Ｑ）2 （ｃ）
［式中、Ｑは置換８−キノリノラート配位子を表す］
発光性有機金属錯体の具体例としては、例えば、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（４−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（３，４−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（４，５−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（４，６−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（フェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２−メチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（３−メチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（４−メチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（３−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（４−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，３−ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，６−ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（３，４−ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（３，５−ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（３，５−ジ−tert−ブチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，６−ジフェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，４，６−トリフェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，４，６−トリメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，４，５，６−テトラメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（１−ナフトラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２−ナフトラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）（２−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）（３−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）（４−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）（３，５−ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）（３，５−ジ−tert−ブチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−４−エチル−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−４−エチル−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−４−メトキシ−８−キノリノラート）���ルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−４−メトキシ−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−５−シアノ−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−５−シアノ−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノリノラート）アルミニウムなどを挙げることができる。勿論、発光性有機金属錯体は、単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。
電子注入輸送層５は、陰極からの電子の注入を容易にする機能、そして注入された電子を輸送する機能を有する化合物を含有する層である。電子注入輸送層は、本発明のポリアセン誘導体および／または他の電子注入輸送機能を有する化合物（例えば、有機金属錯体〔例えば、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（１０−ベンゾ[h] キノリノラート）ベリリウム、５−ヒドロキシフラボンのベリリウム塩、５−ヒドロキシフラボンのアルミニウム塩〕、オキサジアゾール誘導体〔例えば、１，３−ビス[ ５’−（ｐ−tert−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２’−イル] ベンゼン〕、トリアゾール誘導体〔例えば、３−（４’−tert−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４''−ビフェニル）−１，２，４−トリアゾール〕、トリアジン誘導体、ペリレン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレノン誘導体、チオピランジオキサイド誘導体など）を少なくとも１種用いて形成することができる。
【０１２３】
本発明のポリアセン誘導体と他の電子注入輸送機能を有する化合物を併用する場合、電子注入輸送層中に占める本発明のポリアセン誘導体の割合は、好ましくは、０．１〜４０重量％程度に調製する。本発明においては、本発明のポリアセン誘導体と有機金属錯体〔例えば、前記一般式（ａ）〜一般式（ｃ）で表される化合物〕を併用して、電子注入輸送層を形成することは好ましい。
【０１２４】
陰極６としては、比較的仕事関数の小さい金属、合金または電気電導性化合物を電極物質として使用することが好ましい。陰極に使用する電極物質としては、例えば、リチウム、リチウム−インジウム合金、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、カルシウム、マグネシウム、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、インジウム、ルテニウム、チタニウム、マンガン、イットリウム、アルミニウム、アルミニウム−リチウム合金、アルミニウム−カルシウム合金、アルミニウム−マグネシウム合金、グラファイト薄膜等を挙げることができる。これらの電極物質は、単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。
【０１２５】
陰極は、これらの電極物質を、例えば、蒸着法、スパッタリング法、イオン化蒸着法、イオンプレーティング法、クラスターイオンビーム法等の方法により、電子注入輸送層の上に形成することができる。また、陰極は一層構造であってもよく、あるいは多層構造であってもよい。尚、陰極のシート電気抵抗は、数百Ω／□以下に設定するのが好ましい。陰極の厚みは、使用する電極物質の材料にもよるが、一般に、５〜１０００ｎｍ程度、より好ましくは、１０〜５００ｎｍ程度に設定する。尚、有機電界発光素子の発光を効率よく取り出すために、陽極または陰極の少なくとも一方の電極が、透明ないし半透明であることが好ましく、一般に、発光光の透過率が７０％以上となるように陽極の材料、厚みを設定することがより好ましい。
【０１２６】
また、本発明の有機電界発光素子においては、その少なくとも一層中に、一重項酸素クエンチャーが含有されていてもよい。一重項酸素クエンチャーとしては、特に限定するものではなく、例えば、ルブレン、ニッケル錯体、ジフェニルイソベンゾフランなどが挙げられ、特に好ましくは、ルブレンである。一重項酸素クエンチャーが含有されている層としては、特に限定するものではないが、好ましくは、発光層または正孔注入輸送層であり、より好ましくは、正孔注入輸送層である。尚、例えば、正孔注入輸送層に一重項酸素クエンチャーを含有させる場合、正孔注入輸送層中に均一に含有させてもよく、正孔注入輸送層と隣接する層（例えば、発光層、発光機能を有する電子注入輸送層）の近傍に含有させてもよい。一重項酸素クエンチャーの含有量としては、含有される層（例えば、正孔注入輸送層）を構成する全体量の０．０１〜５０重量％、好ましくは、０．０５〜３０重量％、より好ましくは、０．１〜２０重量％である。
【０１２７】
正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層の形成方法に関しては、特に限定するものではなく、例えば、真空蒸着法、イオン化蒸着法、溶液塗布法（例えば、スピンコート法、キャスト法、ディップコート法、バーコート法、ロールコート法、ラングミュア・ブロゼット法、インクジェット法など）により薄膜を形成することにより作製することができる。真空蒸着法により、各層を形成する場合、真空蒸着の条件は、特に限定するものではないが、１０-5 Torr 程度以下の真空下で、５０〜６００℃程度のボート温度（蒸着源温度）、−５０〜３００℃程度の基板温度で、０．００５〜５０ｎｍ／sec 程度の蒸着速度で実施することが好ましい。この場合、正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層等の各層は、真空下で、連続して形成することにより、諸特性に一層優れた有機電界発光素子を製造することができる。真空蒸着法により、正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層等の各層を、複数の化合物を用いて形成する場合、化合物を入れた各ボートを個別に温度制御して、共蒸着することが好ましい。
【０１２８】
溶液塗布法により、各層を形成する場合、各層を形成する成分あるいはその成分とバインダー樹脂等を、溶媒に溶解、または分散させて塗布液とする。正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層の各層に使用しうるバインダー樹脂としては、例えば、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリアリレート、ポリスチレン、ポリエステル、ポリシロキサン、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリエーテル、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリパラキシレン、ポリエチレン、ポリエチレンエーテル、ポリプロピレンエーテル、ポリフェニレンオキサイド、ポリエーテルスルフォン、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリフルオレンおよびその誘導体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘導体等の高分子化合物が挙げられる。バインダー樹脂は、単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。
【０１２９】
溶液塗布法により、各層を形成する場合、各層を形成する成分あるいはその成分とバインダー樹脂等を、適当な有機溶媒（例えば、ヘキサン、オクタン、デカン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、１−メチルナフタレン等の炭化水素系溶媒、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、例えば、ジクロロメタン、クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロエタン、トリクロロエタン、テトラクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロトルエン等のハロゲン化炭化水素系溶媒、例えば、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル等のエステル系溶媒、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、エチレングリコール等のアルコール系溶媒、例えば、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール等のエーテル系溶媒、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、１−メチル−２−ピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、ジメチルスルフォキサイド等の極性溶媒）および／または水に溶解、または分散させて塗布液とし、各種の塗布法により、薄膜を形成することができる。
【０１３０】
尚、分散する方法としては、特に限定するものではないが、例えば、ボールミル、サンドミル、ペイントシェーカー、アトライター、ホモジナイザー等を用いて微粒子状に分散することができる。塗布液の濃度に関しては、特に限定するものではなく、実施する塗布法により、所望の厚みを作製するに適した濃度範囲に設定することができ、一般には、０．１〜５０重量％程度、好ましくは、１〜３０重量％程度の溶液濃度である。尚、バインダー樹脂を使用する場合、その使用量に関しては、特に限定するものではないが、一般には、各層を形成する成分に対して（一層型の素子を形成する場合には、各成分の総量に対して）、５〜９９．９重量％程度、好ましくは、１０〜９９重量％程度、より好ましくは、１５〜９０重量％程度に設定する。
【０１３１】
正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層の膜厚に関しては、特に限定するものではないが、一般に、５ｎｍ〜５μｍ程度に設定することが好ましい。尚、作製した素子に対し、酸素や水分等との接触を防止する目的で、保護層（封止層）を設けたり、また素子を、例えば、パラフィン、流動パラフィン、シリコンオイル、フルオロカーボン油、ゼオライト含有フルオロカーボン油などの不活性物質中に封入して保護することができる。
【０１３２】
保護層に使用する材料としては、例えば、有機高分子材料（例えば、フッ素化樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、エポキシシリコーン樹脂、ポリスチレン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリパラキシレン、ポリエチレン、ポリフェニレンオキサイド）、無機材料（例えば、ダイヤモンド薄膜、アモルファスシリカ、電気絶縁性ガラス、金属酸化物、金属窒化物、金属炭素化物、金属硫化物）、さらには光硬化性樹脂などを挙げることができ、保護層に使用する材料は、単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。保護層は、一層構造であってもよく、また多層構造であってもよい。
【０１３３】
また、電極に保護膜として、例えば、金属酸化膜（例えば、酸化アルミニウム膜）、金属フッ化膜を設けることもできる。また、例えば、陽極の表面に、例えば、有機リン化合物、ポリシラン、芳香族アミン誘導体、フタロシアニン誘導体（例えば、銅フタロシアニン）、カーボンから成る界面層（中間層）を設けることもできる。さらに、電極、例えば、陽極はその表面を、例えば、酸、アンモニア／過酸化水素、あるいはプラズマで処理して使用することもできる。
【０１３４】
本発明の有機電界発光素子は、一般に、直流駆動型の素子として使用されるが、パルス駆動型または交流駆動型の素子としても使用することができる。尚、印加電圧は、一般に、２〜３０Ｖ程度である。本発明の有機電界発光素子は、例えば、パネル型光源、各種の発光素子、各種の表示素子、各種の標識、各種のセンサーなどに使用することができる。
【０１３５】
【実施例】
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、勿論、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１３６】
参考化合物１の調製
【化４１】
0004188616.tif 000037
ジメチル  1,4-ジプロピルナフタレン-2,3-ジカルボキシレート
2,3-ジクロロ-5,6-ジシアノベンゾキノン (1.362 g, 6.0 mmol) をジメチル  1,4-ジプロピル−５，６，７，８−テトラヒドロナフタレン-2,3-ジカルボキシレート(0.665 g, 2.0 mmol)のベンゼン溶液（２０ｍｌ）に添加した。次いで、混合物を２４時間、リフラックスした。濾過後、混合物中の溶媒を真空下、除去した。シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィー(酢酸エチル/ヘキサン, 1/20)により、0.464 g の標題化合物が無色結晶として得られた。 GC 収率87％。単離収率71％。
【０１３７】
参考化合物２の調製
【化４２】
0004188616.tif 000038
2,3-ビス(ヒドロキシメチル)-1,4-ジプロピルナフタレン
参考化合物１で得られたジメチル  1,4-ジプロピルナフタレン-2,3-ジカルボキシレートのジエチルエーテル溶液に、０℃にて、水素化リチウムアルミニウムを添加し、次いで、室温に暖め、１時間、攪拌した。室温にて水を添加し、反応を終了させた。これにより、0.219 g (0.898 mmol)の標題化合物が白色固体として得られた。エーテル／ヘキサンからの再結晶により、少量の標題化合物が得られた。単離収率90％。
【０１３８】
参考化合物３の調製
【化４３】
0004188616.tif 000039
2,3-ビス(ブロモメチル)-1,4-ジプロピルナフタレン
参考化合物２で得られた2,3-ビス(ヒドロキシメチル)-1,4-ジプロピルナフタレンのクロロホルム溶液に、室温にて、三臭化リン（１ｅｑ）を添加し、次いで、室温にて１時間、攪拌した。次いで、エーテルで抽出し、飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を除去した後、残渣についてシリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィー(酢酸エチル/ヘキサン, 1/50) により 0.115 g (0.4 mmol)の標題化合物が白色固体として得られた。単離収率72％。
【０１３９】
参考化合物４の調製
【化４４】
0004188616.tif 000040
2,3-ビス(2-ヘキシニル)-1,4-ジプロピルナフタレン
参考化合物３で得られた2,3-ビス(ブロモメチル)-1,4-ジプロピルナフタレンのＴＨＦ溶液に、Ｎ，Ｎ'−ジメチルプロピレンウレア（ＤＭＰＵ）及び１−ペンチニルリチウムを添加した。反応混合物を室温にて１時間、攪拌した。３Ｎ塩酸を添加して、反応を終了させた。次いで、エーテルで抽出し、炭酸水素ナトリウム水溶液及び飽和食塩水で洗浄し、そして、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で濃縮し、シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィー(酢酸エチル/ヘキサン, 1/50) により 1.661 g (4.787 mmol)の標題化合物が白色固体として得られた。単離収率93％。
【０１４０】
参考化合物５の調製
【化４５】
0004188616.tif 000041
5,12-ジヒドロ-1,4,6,11-テトラプロピルナフタセン-2,3-ジエトキシメチル
参考化合物４で得られた 2,3-ビス(2-ヘキシニル)-1,4-ジプロピルナフタレンを、−７８℃にて、ビス（η5−シクロペンタジエニル）ジブチルジルコニウムのＴＨＦ溶液に添加し、次いで、室温にまで暖め、１時間、放置した。次いで、この反応物のまま、室温にて、NiCl2(PPh3)2及び１，４−ジエトキシ−２−ブチンを添加し、さらに、室温にて１時間、攪拌した。次いで、３Ｎ塩酸を添加し、反応を終了させた。次いで、エーテルで抽出し、炭酸水素ナトリウム水溶液及び飽和食塩水で洗浄し、そして、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で濃縮した後、残渣について、シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィー(酢酸エチル/ヘキサン, 1/10)により、標題化合物が得られた。
【０１４１】
本発明化合物１の調製
【化４６】
0004188616.tif 000042
２，３−ビス（エトキシメチル）−１，４，６，１１−テトラプロピルナフタセン
参考化合物５で得られた5,12-ジヒドロ-1,4,6,11-テトラプロピルナフタセン-2,3-ジエトキシメチルを用いた。2,3-ジクロロ-5,6-ジシアノベンゾキノン(0.050 g, 0.22 mmol)を１，４−ジオキサン（５ｍｌ）の5,12-ジヒドロ-1,4,6,11-テトラプロピルナフタセン-2,3-ジエトキシメチル(0.2 mmol)溶液に添加した。次いで、混合物を３時間、リフラックスした。濾過後、混合物中の溶媒を真空下、除去した。クロロホルムを添加し、再度、濾過した。クロロホルム／メタノールからの再結晶により、標題化合物が得られた。
【０１４２】
参考化合物６の調製
【化４７】
0004188616.tif 000043
ジメチル  5,12-ジヒドロ-1,4,6,11-テトラプロピルナフタセン-2,3-ジカルボキシレート
参考化合物４で得られた 2,3-ビス(2-ヘキシニル)-1,4-ジプロピルナフタレンを、−７８℃にて、ビス（η5−シクロペンタジエニル）ジブチルジルコニウムのＴＨＦ溶液に添加し、次いで、室温にまで暖め、１時間、放置した。次いで、この反応物のまま、室温にて、ＣｕＣｌ及びジメチルアセチレンジカルボキシレートを添加し、さらに、室温にて１時間、攪拌した。次いで、３Ｎ塩酸を添加し、反応を終了させた。次いで、エーテルで抽出し、炭酸水素ナトリウム水溶液及び飽和食塩水で洗浄し、そして、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で濃縮した後、残渣について、シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィー(酢酸エチル/ヘキサン, 1/10)により、1.790 g (4.458 mmol)の標題化合物が淡黄色固体として得られた。単離収率78％。
【０１４３】
本発明化合物２の調製
【化４８】
0004188616.tif 000044
２，３−ビス（メトキシカルボニル）−１，４，６，１１−テトラプロピルナフタセン
参考化合物６で得られたジメチル  5,12-ジヒドロ-1,4,6,11-テトラプロピルナフタセン-2,3-ジカルボキシレートを用いた。2,3-ジクロロ-5,6-ジシアノベンゾキノン(0.050 g, 0.22 mmol)を１，４−ジオキサン（５ｍｌ）のジメチル  5,12-ジヒドロ-1,4,6,11-テトラプロピルナフタセン-2,3-ジカルボキシレート (0.103 g, 0.2 mmol)溶液に添加した。次いで、混合物を３時間、リフラックスした。濾過後、混合物中の溶媒を真空化、除去した。クロロホルムを添加し、再度、濾過した。クロロホルム／メタノールからの再結晶により、0.076 g の標題化合物が赤色針状結晶として得られた。
【０１４４】
参考化合物７の調製
【化４９】
0004188616.tif 000045
ジメチル  3,4,5,6-テトラプロピルフタレート
ビス（η5−シクロペンタジエニル）ジクロロジルコニウム(7.016 g, 24.0 mmol)及びｎ−ブチルリチウム(31.6 ml, 48.0 mmol, 1.52 M)とから調製したビス（η5−シクロペンタジエニル）ジブチルジルコニウムのTHF溶液70 mlに、4-オクチン (5.9 ml, 40.0 mmol)を-78 ℃にて加えた。反応混合物を室温まで昇温させ、１時間攪拌した。DMAD (ジメチル  アセチレンジカルボキシレート） (7.4 ml, 60.0 mmol) 及びCuCl (3.96 g, 40.0 mmol)を反応混合物に室温にて加えた。１時間攪拌後、3N HClで加水分解し、混合物をヘキサンで抽出した。次いで、炭酸水素ナトリウム水溶液及び飽和食塩水の順で洗浄した。無水硫酸マグネシウムで乾燥し、シリカゲルを充填剤として、カラムクロマトグラフィーを行い、淡黄色油の標題化合物 (4.917 g) を得た。GC収率 82%。単離収率 74%。
【０１４５】
参考化合物８の調製
【化５０】
0004188616.tif 000046
1,2-ビス(ヒドロキシメチル)-3,4,5,6-テトラプロピルベンゼン
LiAlH4 (1.20 g, 31.7 mmol)の50 ml THF溶液に、参考化合物７で得られたジメチル  3,4,5,6-テトラプロピルフタレート (5.22 g, 14.4 mmol)を 0 ℃にて加えた。室温にて１時間攪拌した後、水で加水分解をした。混合物を2N H2SO4で処理し、ジエチルエーテルで抽出した。次いで、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。シリカゲルを充填剤として、カラムクロマトグラフィーを行い、白色固体の標題化合物 (3.67 g) を得た。単離収率 91%。
【０１４６】
参考化合物９の調製
【化５１】
0004188616.tif 000047
1,2-ビス (ブロモメチル)-3,4,5,6-テトラプロピルベンゼン
トリブロモホスフィン(0.54 ml, 5.70 mmol)を、参考化合物８で得られた1,2-ビス (ヒドロキシメチル)-3,4,5,6-テトラプロピルベンゼン (1.75 g, 5.70 mmol) の20 mlクロロホルム溶液に、室温にて滴下した。１時間攪拌後、混合物を水で処理し、クロロホルムで抽出した。次いで、炭酸水素ナトリウム水溶液及び飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。シリカゲルを充填剤として、カラムクロマトグラフィーを行い、白色固体の標題化合物 (1.866 g) を得た。GC収率100%。単離収率 87%。
【０１４７】
参考化合物１０の調製
【化５２】
0004188616.tif 000048
1,2-ビス(2-ヘキシニル)-3,4,5,6-テトラプロピルベンゼン
1-ペンチン (1.67 ml, 17.12 mmol)の30 ml THF溶液に、n-ブチルリチウム (9.7 ml, 15.56 mmol, 1.6 M)を-78 ℃にて加え、混合物を１時間室温にて攪拌した。参考化合物９で得られた1,2-ビス(ブロモメチル)-3,4,5,6-テトラプロピルベンゼン (1.68 g, 3.89 mmol) 及びDMPU (1.9 ml, 15.56 mmol) を室温にて加えた。１時間攪拌後、3N HClで反応を終了させ、ヘキサンで抽出した。次いで、炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水の順で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。シリカゲルを充填剤として、カラムクロマトグラフィーを行い、白色固体の標題化合物 (1.520 g) を得た。GC収率100%。単離収率97%。
【０１４８】
参考化合物１１の調製
【化５３】
0004188616.tif 000049
6,11-ジヒドロ-2,3-ジヨード -5,7,8,9,10,12-ヘキサプロピルナフタセン
n-ブチルリチウム (3.0 ml, 4.8 mmol, 1.6 mol/l)を、Cp2ZrCl2 (0.702 g, 2.4 mmol)のTHF (20 ml)溶液に−78 ℃にて加えた。混合物を１時間攪拌した後、参考化合物１０で得られた1,2-ビス(2-ヘキシニル)-3,4,5,6-テトラプロピルベンゼン (0.813 g, 2.0 mmol)を加えた。クーリングバスを取り外し、混合物を１時間攪拌した。テトラヨードベンゼン(1.16 g, 2.0 mmol) 及び DMPU (0.73 ml, 6.0 mmol)、 CuCl (0.416 g, 4.2 mmol) を混合物中に添加した。１時間、50 ℃にて攪拌した後、3N HClを加えて反応を終了させ、クロロホルムで抽出した。次いで、炭酸水素ナトリウム水溶液及び飽和食塩水で洗浄し、減圧した後、シリカゲルを充填剤として、カラムクロマトグラフィーを行い、桃色固体の標題化合物 (0.477 g) を得た。33% 単離収率。
【０１４９】
本発明化合物３の調製
【化５４】
0004188616.tif 000050
８，９−ジヨード−１，２，３，４，６，１１−ヘキサプロピルナフタセン
参考化合物１１で得られた6,11-ジヒドロ-5,7,8,9,10,12-ヘキサプロピル-2,3-ジヨードナフタセン (0.238 g, 0.324 mmol)及び2,3-ジクロロ-5,6-ジシアノベンゾキノン (0.081 g, 0.35 mmol)、1,4-ジオキサン (2 ml)を反応器に添加した。混合物を３時間、リフラックスした。冷却後、析出物を濾過により除去した。混合物中の溶媒を真空下で除去し、クロロホルム／メタノールから再結晶した。橙赤色の表題化合物 (0.081 g)を得た。単離収率 34%。
【０１５０】
参考化合物１２の調製
【化５５】
0004188616.tif 000051
ジメチル  1,4-ジプロピル -5,6,7,8-テトラヒドロナフタレン -2,3-ジカルボキシレート
ビス（η5−シクロペンタジエニル）ジクロロジルコニウム(16.849 g, 57.64 mmol)及びｎ−ブチルリチウム(75.8 ml, 115.3 mmol, 1.52 M)とから調製したビス（η5−シクロペンタジエニル）ジブチルジルコニウムの200 ml THF溶液に、4,10-テトラドデカジイン (9.14 g, 48.03 mmol) を-78 ℃にて添加した。反応混合物を室温まで昇温させ、1時間攪拌した。DMAD (17.4 ml, 144.01 mmol) 及び CuCl (9.51 g, 96.06 mmol)を反応混合物に室温にて加えた。1時間攪拌後、3N HClで加水分解を行い、ヘキサンで抽出した。炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水の順で洗浄し、そして、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。シリカゲルを充填剤として、カラムクロマトグラフィーを行い、メタノールから再結晶させた。無色結晶の表題化合物(8.133 g) を得た。GC収率 58%。単離収率51%。
【０１５１】
参考化合物１３の調製
【化５６】
0004188616.tif 000052
ジメチル  1,4-ジプロピルナフタレン -2,3-ジカルボキシレート
2,3-ジクロロ-5,6-ジシアノベンゾキノン (1.362 g, 6.0 mmol) を、参考化合物１２で得られたジメチル  1,4-ジプロピル -5,6,7,8-テトラヒドロナフタレン -2,3-ジカルボキシレートのベンゼン溶液 (20ml) (0.665 g, 2.0 mmol)に加えた。混合物を２４時間、リフラックスした。濾過後、混合物を真空中で減圧した。シリカゲルを充填剤として、カラムクロマトグラフィーを行い、無色結晶の表題化合物(0.464 g)を得た。GC収率 87%。単離収率 71%。
【０１５２】
参考化合物１４の調製
【化５７】
0004188616.tif 000053
2,3-ビス(ヒドロキシメチル)-1,4-ジプロピルナフタレン
LiAlH4 (0.075 g, 1.98 mmol)の5 ml THF溶液に、参考化合物１３で得られたジメチル  1,4-ジプロピルナフタレン -2,3-ジカルボキシレート (0.295 g, 0.898 mmol)を0 ℃にて加えた。室温にて、1時間攪拌した後、水で加水分解を行った。混合物を 2N H2SO4で処理しジエチルエーテルで抽出した。抽出物を飽和食塩水で洗浄し、そして、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で濃縮した。白色固体の標題化合物(0.219 g)を得た。単離収率 90%。
【０１５３】
参考化合物１５の調製
【化５８】
0004188616.tif 000054
2,3-ビス(ブロモメチル)-1,4-ジプロピルナフタレン
トリブロモホスフィン(0.04 ml, 0.42 mmol)を、参考化合物１４で得られた2,3-ビス (ヒドロキシメチル)-1,4-ジプロピルナフタレン (0.109 g, 0.40 mmol) の5 mlクロロホルム溶液に室温にて滴下した。１時間攪拌した後、混合物を水で処理し、クロロホルムで抽出した。炭酸水素ナトリウム水溶液及び飽和食塩水で洗浄し、そして、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。シリカゲルを充填剤として、カラムクロマトグラフィーを行い、白色固体の標題化合物（0.115 g）を得た。単離収率 72%。
【０１５４】
参考化合物１６の調製
【化５９】
0004188616.tif 000055
2,3-ビス (2-ヘキシニル)-1,4-ジプロピルナフタレン
1-ペンチン (2.05 ml, 21.06 mmol)の 30 ml THF溶液に、n-ブチルリチウム (7.6 ml, 19.1 mmol, 2.52 M)を -78 ℃にて加え、混合物を１時間室温にて攪拌した。参考化合物１５で得られた2,3-ビス (ブロモメチル)-1,4-ジプロピルナフタレン (1.91 g, 4.79 mmol) 及び DMPU (2.3 ml, 19.1 mmol) を室温にて加えた。１時間攪拌後、3N HClで処理し、ヘキサンで抽出した。炭酸水素ナトリウム水溶液及び飽和食塩水で洗浄し、そして、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。シリカゲルを充填剤として、カラムクロマトグラフィーを行い、白色固体の標題化合物（1.66 g）を得た。単離収率 93%。
【０１５５】
参考化合物１７の調製
【化６０】
0004188616.tif 000056
2,3-ビス(エトキシカルボニルフェニル)-5,12-ジヒドロ-1,4,6,11-テトラプロピルナフタセン
ビス（η5−シクロペンタジエニル）ジクロロジルコニウム(0.351 g, 1.2 mmol)及びｎ−ブチルリチウム(1.5 ml, 2.4 mmol, 1.6 M)とから調製したビス（η5−シクロペンタジエニル）ジブチルジルコニウムの20 ml THF溶液に、参考化合物１６で得られた2,3-ビス (2-ヘキシニル)-1,4-ジプロピルナフタレン (0.373 g, 1.0 mmol)を-78 ℃にて加えた。反応混合物を室温まで昇温させ、１時間攪拌した。ビス（エトキシカルボニルフェニル）アセチレン (1.5 mmol) 及び NiBr2(PPh3)2 (0.892 g, 1.2 mmol)を反応混合物に、室温にて加えた。24時間攪拌した後、3N HClで加水分解を行い、ヘキサンで抽出した。炭酸水素ナトリウム水溶液及び飽和食塩水で洗浄し、そして、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。シリカゲルを充填剤として、カラムクロマトグラフィーを行い、標題化合物を得た。
【０１５６】
本発明化合物４の調製
【化６１】
0004188616.tif 000057
２，３−ビス（４−エトキシカルボニルフェニル）−１，４，６，１１−テトラプロピルナフタセン
参考化合物１７で得られた2,3-ビス(エトキシカルボニルフェニル)-5,12-ジヒドロ-1,4,6,11-テトラプロピルナフタセン(1.04 mmol) 及び 2,3-ジクロロ-5,6-ジシアノベンゾキノン (0.260 g, 1.14 mmol)、 1,4-ジオキサン (3 ml)を、反応器に添加した。混合物を２４時間、リフラックスし、冷却後、析出物を濾過により除去した。混合物中の溶媒を真空下、除去し、クロロホルム/メタノールから再結晶化し、標題化合物を得た。
【０１５７】
参考化合物１８の調製
【化６２】
0004188616.tif 000058
5,12-ジヒドロ -1,2,3,4,6,11-ヘキサプロピルナフタセン
ビス（η5−シクロペンタジエニル）ジクロロジルコニウム(0.351 g, 1.2 mmol)及びｎ−ブチルリチウム(1.5 ml, 2.4 mmol, 1.6 M)とから調製したビス（η5−シクロペンタジエニル）ジブチルジルコニウムの20 ml THF溶液に、参考化合物１６で得られた2,3-ビス (2-ヘキシニル)-1,4-ジプロピルナフタレン (0.373 g, 1.0 mmol)を-78 ℃にて加えた。反応混合物を室温まで昇温させ、１時間攪拌した。4-オクチン (0.22 ml, 1.5 mmol) 及び NiBr2(PPh3)2 (0.892 g, 1.2 mmol)を反応混合物に、室温にて加えた。24時間攪拌した後、3N HClで加水分解を行い、ヘキサンで抽出した。炭酸水素ナトリウム水溶液及び飽和食塩水で洗浄し、そして、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。シリカゲルを充填剤として、カラムクロマトグラフィーを行い、エタノールで粉末化することにより、やや橙色の粉末の標題化合物（0.224 g）を得た。単離収率 46%。
【０１５８】
本発明化合物５の調製
【化６３】
0004188616.tif 000059
１，２，３，４，６，１１−ヘキサプロピルナフタセン
参考化合物１８で得られた5,12-ジヒドロ-1,2,3,4,6,11-ヘキサプロピルナフタセン (0.503 g, 1.04 mmol) 及び 2,3-ジクロロ-5,6-ジシアノベンゾキノン (0.260 g, 1.14 mmol)、 1,4-ジオキサン (3 ml)を、反応器に添加した。混合物を２４時間、リフラックスし、冷却後、析出物を濾過により除去した。混合物中の溶媒を真空下、除去し、クロロホルム/メタノールから再結晶化し、橙赤色の標題化合物(0.112 g)を得た。NMR収率36 %。単離収率 22%。
【０１５９】
参考化合物１９の調製
【化６４】
0004188616.tif 000060
9,10-ジプロピル-2,3-ジヨード-5,6,7,8-テトラヒドロアントラセン
ビス（η5−シクロペンタジエニル）ジクロロジルコニウム(0.175 g, 0.6 mmol)のＴＨＦ（２５ｍｌ）溶液に、−７８℃にて、ｎ−ブチルリチウム(0.75 ml, 1.2 mmol, 1.6 mol/l)を添加した。この溶液を１時間、攪拌し、4,10-テトラドデカジイン (0.095 ml, 0.5 mmol)を加えた。クーリングバスを取り外し、混合物を１時間攪拌した。テトラヨードベンゼン(0.582 g, 1.0 mmol)及び DMPU (0.18 ml, 1.5 mmol)、 CuCl (0.104 g, 1.1 mmol)を混合物に加えた。50 ℃で１時間攪拌した後、 ３Ｎ塩酸を添加して、反応を終了させた。次いで、エーテルで抽出し、炭酸水素ナトリウム水溶液及び飽和食塩水で洗浄した。減圧下で濃縮した後、残渣について、シリカゲルを充填剤として、カラムクロマトグラフィーを行い、無色固体の標題化合物 (0.148 g) を得た。57% 単離収率。
【０１６０】
参考化合物２０の調製
【化６５】
0004188616.tif 000061
9,10-ジプロピル-2,3-ジヨードアントラセン
参考化合物１９で得られた9,10-ジプロピル-2,3-ジヨード-5,6,7,8-テトラヒドロアントラセン (0.259 g, 0.5 mmol)及び2,3-ジクロロ-5,6-ジシアノベンゾキノン (0.341 g, 1.5 mmol)、 1,4-ジオキサン (3 ml) を反応器に添加した。次いで、混合物を１時間、リフラックスし、冷却後、析出物を濾過により除去した。混合物中の溶媒を真空化、除去した。カラムクロマトグラフィー（ヘキサン）を行い、淡黄色固体の標題化合物 (0.109 g) を得た。単離収率 42%。
【０１６１】
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５，１４−ビス（４−ブロモフェニル）−１，２，３，４−テトラヒドロ−７，１２−ジプロピルペンタセンビス（η5−シクロペンタジエニル）ジクロロジルコニウム(0.161 g, 0.551 mmol)及びｎ−ブチルリチウム(0.7 ml, 1.6 M, 1.1 mmol)とから調製したビス（η5−シクロペンタジエニル）ジブチルジルコニウムのTHF溶液に、1,8-ビス (ｐ-ブロモフェニル)-1,7-オクタジイン (0.191 g, 0.459 mmol)を、-78℃にて添加した。続いて室温で１時間放置した。 CuCl (0.095 g, 0.964 mmol)及びDMPU (0.17 ml, 1.38 mmol)、参考化合物２０で得られた 2,3-ジヨード -9,10-ジプロピルアントラセン (0.236 g 0.459 mmol) を混合物に添加した。50℃で1時間加熱した後、混合物中の溶媒を真空下で除去した。カラムクロマトグラフィー（クロロフォルム）を行った。クロロフォルム／メタノールからの再結晶により、橙赤色の表題化合物 (0.177 g)が得られた。単離収率 57%。
【０１６２】
比較化合物１
【化６７】
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標題化合物をアルドリッチ社から購入し、そのまま用いた。
【０１６３】
比較化合物２
【化６８】
0004188616.tif 000064
標題化合物をエキシトン社から購入し、そのまま用いた。
【０１６４】
比較化合物３
【化６９】
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標題化合物をアルドリッチ社から購入し、そのまま用いた。
【０１６５】
実施例１
厚さ１３０ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板を、アセトン、基板洗浄剤、蒸留水、イソプロピルアルコールの順に超音波洗浄した。更に、ＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置のホルダーに固定した。蒸着槽は１０-6 Torr程度に減圧し、ＩＴＯ透明電極上に、ＴＰＤ［Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン］を膜厚約３０ｎｍ蒸着した後に、上記のように調製した表１記載の化合物及びＡｌｑ．［トリス（８−ヒドロキシキノリナト］アルミニウム］を１：１００の重量比で膜厚約４０ｎｍに蒸着した。更に、Ａｌｑ．を単独で膜厚約２０ｎｍ蒸着した。次いで、有機薄膜上にパターニングしたマスク（発光面積は５ｍｍ×５ｍｍ）を設置し、マグネシウムと銀を膜厚約１５０ｎｍに共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機ＥＬ素子を作製した。この有機ＥＬ素子をＫＥＩＴＨＬＥＹ社製ソースメータ２４００型を用い直流電圧を印加して発光させ、その輝度をＴＯＰＣＯＮ社の輝度計ＢＭ−９型、発光波長を浜松ホトニクス社製マルチチャンネル検出器ＰＭＡ−１１型を用いて測定した。結果を表１に示す。
【０１６６】
【表１】
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【０１６７】
実施例２
実施例１と同様に、ＩＴＯ透明電極を洗浄後、蒸着装置の基板ホルダーに固定した。蒸着槽は１０-6 Torr程度に減圧し、ＩＴＯ透明電極上に、ＴＰＤ［Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン］を膜厚約３０ｎｍ、上記のように調製した表２記載の化合物を膜厚約４０ｎｍ、Ａｌｑ．［トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム］を膜厚６０ｎｍの順に蒸着した。次いで、実施例１と同様に陰極を蒸着し、評価を行った。その結果を表２に示す。
【０１６８】
【表２】
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【０１６９】
ＰＶＫ［ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）］２１ｍｇ、ＰＢＤ［２−（４−ビフェニルイル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール］９ｍｇ、上記のように調製した表３記載の化合物１ｍｇを１，２−ジクロロエタン３ｍｌに溶解し、実施例１と同様に洗浄したＩＴＯ基板にスピンコートした。有機薄膜の膜厚は約６０ｎｍであった。次いで、実施例１と同様に陰極（１５０ｎｍ）を蒸着し、評価を行った。その結果を表３に示す。
【０１７０】
【表３】
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【０１７１】
【発明の効果】
本発明によれば、安定性、耐久性、発光輝度、発光効率に優れた有機電界発光素子用材料及び有機電界発光素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】有機電界発光素子の一例（Ａ）の概略構造図である。
【図２】有機電界発光素子の一例（Ｂ）の概略構造図である。
【図３】有機電界発光素子の一例（Ｃ）の概略構造図である。
【図４】有機電界発光素子の一例（Ｄ）の概略構造図である。
【図５】有機電界発光素子の一例（Ｅ）の概略構造図である。
【図６】有機電界発光素子の一例（Ｆ）の概略構造図である。
【図７】有機電界発光素子の一例（Ｇ）の概略構造図である。
【図８】有機電界発光素子の一例（Ｈ）の概略構造図である。
【符号の説明】
１ ：基板
２ ：陽極
３ ：正孔注入輸送層
３ａ：正孔注入輸送成分
４ ：発光層
４ａ：発光成分
５ ：電子注入輸送層
５''：電子注入輸送層
５ａ：電子注入輸送成分
６ ：陰極
７ ：電源
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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