(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を搬送する基板搬送装置と、この基板搬送装置の両端にそれぞれ設けられた第１及び第２の基板供給収納部と、前記基板搬送装置により搬送された基板のボンディング部に接着材を滴下する接着材滴下装置と、前記基板の接着材が滴下されたボンディング部に電子部品をボンディングするボンディング装置と、電子部品を有するウェーハリング又はトレーを保持するウェーハリング等保持装置とを備え、前記ウェーハリング等保持装置には、前記基板にボンディングする第１品種の電子部品を有する第１のウェーハリング又はトレーを保持し、前記第１の基板供給収納部から複数個の基板を基板搬送装置に順次送り出し、該基板の前記第１品種の電子部品をボンディングするボンディング部の全てに順次前記ウェーハリング等保持装置上の第１品種の電子部品をボンディングし、このボンディング完了後の基板を順次前記第２の基板供給収納部に収納し、その後、前記ウェーハリング等保持装置に保持された第１のウェーハリング又はトレーを前記基板にボンディングする第２品種の電子部品を有する第２のウェーハリング又はトレーにウェーハリング搬送装置によって交換して前記ウェーハリング等保持装置で保持し、前記第２の基板供給収納部に収納された基板を順次基板搬送装置に送り出し、これらの基板に前記第２品種の電子部品をボンディングするボンディング部の全てに順次前記ウェーハリング等保持装置上の第２品種の電子部品をボンディングし、このボンディング完了後の基板を順次前記第１の基板供給収納部に収納することを少なくとも行うマルチチップボンディング方法において、
前記接着材滴下装置のプリフォームノズルは、前記ボンディング装置のボンディングツールを保持するＹテーブルと前記第１の基板供給収納部間と、前記Ｙテーブルと前記第２の基板供給収納部間に移動可能に構成され、前記第１の基板供給収納部から基板が送り出され時は、前記プリフォームノズルは、前記Ｙテーブルと前記第１の基板供給収納部間に位置して前記第１品種の電子部品のボンディング部に接着材が滴下され、前記第２の基板供給収納部から基板が送り出され時は、前記プリフォームノズルは、前記Ｙテーブルと前記第２の基板供給収納部間に位置して前記第２品種の電子部品のボンディング部に接着材が滴下されることを特徴とするマルチチップボンディング方法。
【請求項２】
基板を搬送する基板搬送装置と、この基板搬送装置の両端にそれぞれ設けられた第１及び第２の基板供給収納部と、前記基板搬送装置により搬送された基板のボンディング部に接着材を滴下する接着材滴下装置と、前記基板の接着材が滴下されたボンディング部に電子部品をボンディングするボンディング装置と、電子部品を有するウェーハリング又はトレーを保持するウェーハリング等保持装置とを備え、前記ウェーハリング等保持装置には、前記基板にボンディングする第１品種の電子部品を有する第１のウェーハリング又はトレーを保持し、前記第１の基板供給収納部から複数個の基板を基板搬送装置に順次送り出し、該基板の前記第１品種の電子部品をボンディングするボンディング部の全てに順次前記ウェーハリング等保持装置上の第１品種の電子部品をボンディングし、このボンディング完了後の基板を順次前記第２の基板供給収納部に収納し、その後、前記ウェーハリング等保持装置に保持された第１のウェーハリング又はトレーを前記基板にボンディングする第２品種の電子部品を有する第２のウェーハリング又はトレーにウェーハリング搬送装置によって交換して前記ウェーハリング等保持装置で保持し、前記第２の基板供給収納部に収納された基板を順次基板搬送装置に送り出し、これらの基板に前記第２品種の電子部品をボンディングするボンディング部の全てに順次前記ウェーハリング等保持装置上の第２品種の電子部品をボンディングし、このボンディング完了後の基板を順次前記第１の基板供給収納部に収納することを少なくとも行うマルチチップボンディング装置において、
前記接着材滴下装置のプリフォームノズルは、前記ボンディング装置のボンディングツールを保持するＹテーブルと前記第１の基板供給収納部間と、前記Ｙテーブルと前記第２の基板供給収納部間に移動可能に構成され、前記第１の基板供給収納部から基板が送り出され時は、前記プリフォームノズルは、前記Ｙテーブルと前記第１の基板供給収納部間に位置して前記第１品種の電子部品のボンディング部に接着材が滴下され、前記第２の基板供給収納部から基板が送り出され時は、前記プリフォームノズルは、前記Ｙテーブルと前記第２の基板供給収納部間に位置して前記第２品種の電子部品のボンディング部に接着材が滴下されることを特徴とするマルチチップボンディング装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ハイブリット半導体装置の製造工程におけるマルチチップボンディング方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ハイブリット半導体装置は、図２に示すように、基板１に品種の異なる例えば２品種の半導体チップ２Ａ、２Ｂを実装している。このように、基板１に品種の異なる半導体チップ２Ａ、２Ｂを実装するマルチチップボンディング方法及び装置として、次のような方法が知られている。
【０００３】
第１の方法は図３に示すように、１つの基板１毎にウェーハリング４（４Ａ、４Ｂ・・）又はトレーを交換する方法である。以下、ウェーハリングの場合について説明する。
【０００４】
図３に示すように、図示しないウェーハシート上に貼り付けられたウェーハ３は、縦横に格子状に分割して引き伸ばされて個々の半導体チップ２（２Ａ、２Ｂ・・・）となっている。ウェーハシートの外周部はウェーハリング４（４Ａ、４Ｂ・・・）に取付けられている。ウェーハリング４（４Ａ、４Ｂ・・・）は、上下に一定間隔を保って積層する形でウェーハリングカセット５に収納されており、ウェーハリングカセット５は図示しないエレベータ装置に位置決め保持されている。ここで、ウェーハリングカセット５には、異なった品種の半導体チップ２Ａ、２Ｂ・・・を有するウェーハリング４Ａ、４Ｂ・・・が収納されている。即ち、半導体チップ２Ａを有するウェーハリング４Ａ、半導体チップ２Ｂを有するウェーハリング４Ｂ・・・等が収納されている。
【０００５】
ウェーハリングカセット５の収納口側には一定距離離れてウェーハリング等保持装置６が配設されている。ウェーハリング等保持装置６のピックアップ位置７の下方には、半導体チップ２（２Ａ、２Ｂ・・・）を突き上げる突き上げ針（図示せず）が配設されている。ウェーハリングカセット５内のウェーハリング４（４Ａ、４Ｂ・・・）は、図示しないウェーハリング搬送手段によりチャックされてウェーハリング等保持装置６に搬送されて位置決め保持される。またウェーハリング等保持装置６に保持されたウェーハリング４（４Ａ、４Ｂ・・・）は、ウェーハリング搬送手段によりチャックされてウェーハリングカセット５の元の位置に収納される。
【０００６】
前記したウェーハリングカセット５、該ウェーハリングカセット５を位置決め保持する図示しないエレベータ装置、ウェーハリング等保持装置６及び図示しないウェーハリング搬送手段は、例えば特開平９−６４１４７号公報、特開平９−６４１４８号公報等が挙げられる。
【０００７】
一方、基板１は、ローダ部１０の基板カセット１１に収納されており、基板カセット１１より送り出された基板１は、基板搬送装置１２により搬送され、基板１のボンディング部に接着材滴下装置２０により接着材が滴下され、続いてボンディング部にボンディング装置３０により半導体チップ２（２Ａ、２Ｂ・・・）がボンディングされアンローダ部１３の基板カセット１４に収納される。
【０００８】
接着材滴下装置２０は、接着材を収納したプリフォームノズル２１を有し、プリフォームノズル２１は、Ｘテーブル２２とＹテーブル２３とからなる周知のＸＹテーブル２４のＹテーブル２３に上下動可能に設けられている。ボンディング装置３０は、半導体チップ２（２Ａ、２Ｂ・・・）を真空吸着保持して基板１にボンディングするボンディングツール３１を有し、ボンディングツール３１は、Ｘテーブル３２とＹテーブル３３とからなる周知のＸＹテーブル３４のＹテーブル３３に上下動可能に設けられている。
【０００９】
次に作用について説明する。説明を簡単にするため、図２に示すように、基板１に２品種の半導体チップ２Ａ、２Ｂをボンディングする場合について説明する。ウェーハリングカセット５内のウェーハリング４Ａは、図示しないウェーハリング搬送手段により搬送され、ウェーハリング等保持装置６に位置決め保持される。そして、ピックアップされる半導体チップ２Ａがピックアップ位置７に移動させられる。
【００１０】
一方、ローダ部１０の基板カセット１１内の基板１が基板搬送装置１２上に送り出される。基板１が基板搬送装置１２によって接着材滴下装置２０の接着材滴下ステーション部に搬送されて位置決めされると、接着材滴下装置２０のＸＹテーブル２４のＸＹ軸方向の移動及びプリフォームノズル２１の上下動により、基板１のボンディング部（図２の場合は６箇所）に接着材が滴下される。続いて接着材が滴下された基板１が基板搬送装置１２によってボンディング装置３０のボンディングステーションに搬送されて位置決めされると、後記する方法によってボンディング装置３０のボンディングツール３１がウェーハリング４Ａ上の半導体チップ２Ａを吸着保持して基板１の上方に移送し、基板１の半導体チップ２Ａがボンディングされるボンディング部に半導体チップ２Ａをボンディングする。
【００１１】
前記したボンディングツール３１によるウェーハリング４Ａ上の半導体チップ２Ａの吸着保持、基板１上への移送及びボンディングは次のように行われる。ＸＹテーブル３４によりボンディングツール３１がピックアップ位置７の上方に移動して下降し、ピックアップ位置７の下方に配設された図示しない突き上げ針が上昇する。これにより、半導体チップ２Ａを突き上げ、ボンディングツール３１は半導体チップ２Ａを真空により吸着保持する。ボンディングツール３１は上昇し、ＸＹテーブル３４により基板１の半導体チップ２Ａがボンディングされるボンディング部の上方に移動する。続いてボンディングツール３１は下降し、基板１の前記ボンディング部に半導体チップ２Ａをボンディングする。ボンディング後、ボンディングツール３１の真空が切れ、ボンディングツール３１は上昇する。前記したようにウェーハリング４Ａより半導体チップ２Ａがピックアップされると、次にピックアップされる半導体チップ２Ａがピックアップ位置７に移動させられる。
【００１２】
図２に示す基板１には、４個の半導体チップ２Ａがボンディングされるので、前記したボンディングツール３１がウェーハリング４Ａより半導体チップ２Ａを吸着保持して移送し、基板１のボンディング部に半導体チップ２Ａをボンディングする動作は４回行われる。
【００１３】
基板１への半導体チップ２Ａのボンディングが全て終了すると、ウェーハリング等保持装置６に保持されたウェーハリング４Ａは、図示しないウェーハリング搬送装置で搬送されてウェーハリングカセット５の元の位置に収納される。次にウェーハリングカセット５が図示しないエレベータ装置により上下動させられ、ウェーハリング４Ｂが搬送レベルに移動し、ウェーハリングカセット５内のウェーハリング４Ｂはウェーハリング搬送装置により搬送されてウェーハリング等保持装置６に位置決め保持される。
【００１４】
そして、前記した方法により、ボンディングツール３１がウェーハリング４Ｂより半導体チップ２Ｂを吸着保持して移送し、基板１の半導体チップ２Ｂがボンディングされるボンディング部に半導体チップ２Ｂがボンディングされる。図２に示す基板１には、２個の半導体チップ２Ｂがボンディングされるので、前記した半導体チップ２Ｂのボンディングは２回行われる。
【００１５】
このようにして１枚の基板１への半導体チップ２Ａ、２Ｂのボンディングが全て終了すると、基板１は基板搬送装置１２により搬送されてアンローダ部１３の基板カセット１４内に収納される。前記した一連の工程によりローダ部１０の基板カセット１１内の基板１は、順次基板搬送装置１２により搬送され、接着材滴下装置２０によるボンディング部への接着材の滴下、ボンディング装置３０によるボンディング部への半導体チップ２Ａ、２Ｂのボンディングが行われる。この場合、半導体チップ２Ａをボンディングするには、前記したようにウェーハリング等保持装置６にウェーハリング４Ａが保持され、半導体チップ２Ｂをボンディングする場合にはウェーハリング４Ａがウェーハリング４Ｂと交換されてウェーハリング等保持装置６にウェーハリング４Ｂが保持される。
【００１６】
第２の方法は図４に示すように、品種の異なる複数のウェーハリング４Ａ乃至４Ｄ又はトレーがウェーハリング等保持装置４０に保持され、所望とするウェーハリング４Ａ乃至４Ｄ又はトレーを選択的にピックアップ位置７に移動させる方法である。この場合もウェーハリング４Ａ乃至４Ｄの場合について説明する。
【００１７】
図４に示すように、ウェーハリング等保持装置４０は、ＸＹ軸方向に駆動されると共に、中心軸４１を中心として回転自在に支承され、図示しない回転駆動手段で回転させられる。またウェーハリング等保持装置４０には、図４の例では品種の異なる４個のウェーハリング４Ａ乃至４Ｄが位置決め保持されている。その他の構成であるローダ部１０、基板カセット１１、基板搬送装置１２、アンローダ部１３、基板カセット１４、接着材滴下装置２０及びボンディング装置３０は図３と同じである。またウェーハリング等保持装置４０のピックアップ位置７の下方には、半導体チップ２Ａ乃至２Ｄを突き上げ針（図示せず）が配設されている。
【００１８】
次に作用について説明する。この方法についても説明を簡単にするため、図２に示すように基板１に２種の半導体チップ２Ａ、２Ｂをボンディングする場合について説明する。図４に示す方法は、図３に示す方法と次の点が異なるのみである。
【００１９】
図３の方法は、１つの基板１における半導体チップ２Ａのボンディング部にウェーハリング等保持装置６に保持されたウェーハリング４Ａの半導体チップ２Ａを全てボンディングした後、ウェーハリング等保持装置６に保持されているウェーハリング４Ａをウェーハリング４Ｂに交換した後、前記基板１における半導体チップ２Ｂのボンディング部に半導体チップ２Ｂを全てボンディングした。その後、この全ての半導体チップ２Ａ、２Ｂがボンディングされた基板１をアンローダ部１３の基板カセット１４に収納した。
【００２０】
図４の方法は、ウェーハリング等保持装置４０を回転させてウェーハリング４Ａのピックアップされる半導体チップ２Ａをピックアップ位置７に移動させる。そして、図３の場合と同様に、１つの基板１における半導体チップ２Ａのボンディング部にウェーハリング４Ａの半導体チップ２Ａを全てボンディングした後、ウェーハリング等保持装置４０を回転させてウェーハリング４Ｂのピックアップされる半導体チップ２Ｂをピックアップ位置７に移動させ、図３の場合と同様に、前記基板１にある半導体チップ２Ｂのボンディング部にウェーハリング４Ｂの半導体チップ２Ｂを全てボンディングする。その後、この全ての半導体チップ２Ａ、２Ｂがボンディングされた基板１をアンローダ部１３の基板カセット１４に収納する。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】
図３に示す第１の方法は、１つの基板１に対する半導体チップ２Ａをボンディングするボンディング部にウェーハリング等保持装置６に保持されたウェーハリング４Ａの半導体チップ２Ａを全てボンディングした後、ウェーハリング等保持装置６に保持されたウェーハリング４Ａをウェーハリング４Ｂと交換し、前記基板１に対する半導体チップ２Ｂをボンディングするボンディング部にウェーハリング等保持装置６に保持されたウェーハリング４Ｂの半導体チップ２Ｂを全てボンディングする。即ち、１つの基板１毎にウェーハリング４（４Ａ、４Ｂ・・・）を交換する必要があるので、ウェーハリング４（４Ａ、４Ｂ・・・）の交換頻度が多く、生産性が悪いという問題があった。
【００２２】
図４に示す第２の方法は、ウェーハリング等保持装置４０に複数のウェーハリング４Ａ乃至４Ｄを保持させ、所望とするウェーハリング４Ａ乃至４Ｄの選択は、ウェーハリング等保持装置４０を回転させるのみで行えるので、生産性に優れている。しかし、ウェーハリング等保持装置４０が大型化し、また装置が複雑になるという問題があった。図４の例では４個のウェーハリング４Ａ乃至４Ｄを保持する場合を図示したが、５個以上のウェーハリングを保持させる場合には、更に大型化する。
【００２３】
本発明の課題は、ウェーハリング等保持装置が大型化することもなく、かつ生産性の向上が図れるマルチチップボンディング方法及び装置を提供することにある。
【００２４】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための本発明の手段は、基板を搬送する基板搬送装置と、この基板搬送装置の両端にそれぞれ設けられた第１及び第２の基板供給収納部と、前記基板搬送装置により搬送された基板のボンディング部に接着材を滴下する接着材滴下装置と、前記基板の接着材が滴下されたボンディング部に電子部品をボンディングするボンディング装置と、電子部品を有するウェーハリング又はトレーを保持するウェーハリング等保持装置とを備え、前記ウェーハリング等保持装置には、前記基板にボンディングする第１品種の電子部品を有する第１のウェーハリング又はトレーを保持し、前記第１の基板供給収納部から複数個の基板を基板搬送装置に順次送り出し、該基板の前記第１品種の電子部品をボンディングするボンディング部の全てに順次前記ウェーハリング等保持装置上の第１品種の電子部品をボンディングし、このボンディング完了後の基板を順次前記第２の基板供給収納部に収納し、その後、前記ウェーハリング等保持装置に保持された第１のウェーハリング又はトレーを前記基板にボンディングする第２品種の電子部品を有する第２のウェーハリング又はトレーにウェーハリング搬送装置によって交換して前記ウェーハリング等保持装置で保持し、前記第２の基板供給収納部に収納された基板を順次基板搬送装置に送り出し、これらの基板に前記第２品種の電子部品をボンディングするボンディング部の全てに順次前記ウェーハリング等保持装置上の第２品種の電子部品をボンディングし、このボンディング完了後の基板を順次前記第１の基板供給収納部に収納することを少なくとも行うマルチチップボンディング装置において、
前記接着材滴下装置のプリフォームノズルは、前記ボンディング装置のボンディングツールを保持するＹテーブルと前記第１の基板供給収納部間と、前記Ｙテーブルと前記第２の基板供給収納部間に移動可能に構成され、前記第１の基板供給収納部から基板が送り出され時は、前記プリフォームノズルは、前記Ｙテーブルと前記第１の基板供給収納部間に位置して前記第１品種の電子部品のボンディング部に接着材が滴下され、前記第２の基板供給収納部から基板が送り出され時は、前記プリフォームノズルは、前記Ｙテーブルと前記第２の基板供給収納部間に位置して前記第２品種の電子部品のボンディング部に接着材が滴下されることを特徴とする。
【００２７】
【発明の実施の形態】
本発明の一実施の形態を図１により説明する。本実施の形態は、図３に示す方法の改良に関する。そこで、図３と同じ部材には同一符号を付して説明する。本実施の形態は、図３に示す構成及び方法が次の点で異なる。
【００２８】
まず、構成の異なる点について説明する。図３に示すローダ部１０及びアンローダ部１３は、本実施の形態においてはそれぞれ第１、第２の基板供給収納部５０、５１となっている。また図３の基板搬送装置１２は、ローダ部１０からアンローダ部１３にのみ基板１を搬送するようになっていたが、本実施の形態の基板搬送装置４５は、第１の基板供給収納部５０の基板カセット１１より送り出された基板１を第２の基板供給収納部５１の基板カセット１４へ搬送して収納できると共に、第２の基板供給収納部５１の基板カセット１４より送り出された基板１を第１の基板供給収納部５０の基板カセット１１へ搬送して収納できるようになっている。
【００２９】
また図３の接着材滴下装置２０のプリフォームノズル２１は、ボンディング装置３０のＹテーブル３３とローダ部１０間のみ移動可能に配設されている。本実施の形態の接着材滴下装置６０のプリフォームノズル６１は、ボンディング装置３０のＹテーブル３３と第１の基板供給収納部５０間は勿論のこと、Ｙテーブル３３と第２の基板供給収納部５１間も移動可能に構成されている。即ち、接着材滴下装置６０のＸテーブル６１は、第１の基板供給収納部５０側から第２の基板供給収納部５１側に伸びてボンディング装置３０のＹテーブル３３の上方に配設されている。そこで、プリフォームノズル２１が上下動可能に設けられたＹテーブル６２とＸテーブル６１とでＸＹテーブル６３を構成している。
【００３０】
本実施の形態のその他のウェーハリングカセット５、ウェーハリング等保持装置６及びボンディング装置３０は、それぞれ図３の構成とほぼ同じ構成となっているので、その説明は省略する。
【００３１】
次に作用について説明する。説明を簡単にするため、図２に示すように、基板１に２品種の半導体チップ２Ａ、２Ｂをボンディングする場合について説明する。ウェーハリングカセット５内のウェーハリング４Ａは、図示しないウェーハリング搬送手段により搬送され、ウェーハリング等保持装置６に位置決め保持される。そして、ピックアップされる半導体チップ２Ａがピックアップ位置７に移動させられる。
【００３２】
一方、第１の基板供給収納部５０の基板カセット１１内の基板１が基板搬送装置４５上に送り出される。基板１が基板搬送装置４５によって接着材滴下装置６０の接着材滴下ステーション部に搬送されて位置決めれると、接着材滴下装置６０のＸＹテーブル６３のＸＹ軸方向の移動及びプリフォームノズル２１の上下動により、基板１の半導体チップ２Ａがボンディングされるボンディング部（図２の場合は４箇所）に接着材が滴下される。続いて接着材が滴下された基板１が基板搬送装置４５によってボンディング装置３０のボンディングステーションに搬送されて位置決めされると、後記する方法によってボンディング装置３０のボンディングツール３１がウェーハリング４Ａ上の半導体チップ２Ａを吸着保持して基板１の上方に移送し、基板１の半導体チップ２Ａがボンディングされるボンディング部に半導体チップ２Ａをボンディングする。
【００３３】
前記したボンディングツール３１によるウェーハリング４Ａ上の半導体チップ２Ａの吸着保持、基板１上への移送及びボンディングは、従来例と同様に次のように行われる。ＸＹテーブル３４によりボンディングツール３１がピックアップ位置７の上方に移動して下降し、ピックアップ位置７の下方に配設された図示しない突き上げ針が上昇する。これにより、半導体チップ２Ａを突き上げ、ボンディングツール３１は半導体チップ２Ａを真空により吸着保持する。ボンディングツール３１は上昇し、ＸＹテーブル３４により基板１の半導体チップ２Ａがボンディングされるボンディング部の上方に移動する。続いてボンディングツール３１は下降し、基板１の前記ボンディング部に半導体チップ２Ａをボンディングする。ボンディング後、ボンディングツール３１の真空が切れ、ボンディングツール３１は上昇する。前記したようにウェーハリング４Ａより半導体チップ２Ａがピックアップされると、次にピックアップされる半導体チップ２Ａがピックアップ位置７に移動させられる。
【００３４】
図２に示す基板１には、４個の半導体チップ２Ａがボンディングされるので、前記したボンディングツール３１がウェーハリング４Ａより半導体チップ２Ａを吸着保持して移送し、基板１のボンディング部に半導体チップ２Ａをボンディングする動作は４回行われる。このようにして１枚の基板１への半導体チップ２Ａのボンディングが全て終了すると、基板１は基板搬送装置４５により搬送されて第２の基板供給収納部５１の基板カセット１４内に収納される。
【００３５】
前記した一連の工程、即ち基板カセット１１からの基板１の送り出し、基板１の半導体チップ２Ａがボンディングされるボンディング部への接着材の滴下、基板１の半導体チップ２Ａがボンディングされるボンディング部への半導体チップ２Ａのボンディング、第２の基板供給収納部５１の基板カセット１４内に収納が、基板カセット１１内の全ての基板１に対して行われる。
【００３６】
基板カセット１１内の全ての基板１に対して半導体チップ２Ａのボンディングが終了して基板カセット１４内に全て収納されると、基板１に対して半導体チップ２Ｂのボンディングが行われる。
【００３７】
ウェーハリング等保持装置６に保持されたウェーハリング４Ａは、図示しないウェーハリング搬送装置で搬送されてウェーハリングカセット５の元の位置に収納される。次にウェーハリングカセット５が図示しないエレベータ装置により上下動させられ、ウェーハリング４Ｂが搬送レベルに移動し、ウェーハリングカセット５内のウェーハリング４Ｂはウェーハリング搬送装置により搬送されてウェーハリング等保持装置６に位置決め保持される。
【００３８】
またプリフォームノズル２１が１点鎖線のように上昇し、Ｘテーブル６１が駆動してＹテーブルが２点鎖線のように、第２の基板供給収納部５１とＹテーブル３３間の接着材滴下ステーション部に移動する。
【００３９】
そして、今度は、第２の基板供給収納部５１の基板カセット１４内の基板１が基板搬送装置４５上に送り出される。基板１が基板搬送装置４５によって接着材滴下装置６０の接着材滴下ステーション部に搬送されて位置決めされると、接着材滴下装置６０のＸＹテーブル６３のＸＹ軸方向の移動及びプリフォームノズル２１の上下動により、基板１の半導体チップ２Ｂがボンディングされるボンディング部（図２の場合は２箇所）に接着材が滴下される。続いて接着材が滴下された基板１が基板搬送装置４５によってボンディング装置３０のボンディングステーションに搬送されて位置決めされると、前記した方法によってボンディング装置３０のボンディングツール３１がウェーハリング４Ｂ上の半導体チップ２Ｂを吸着保持して基板１の上方に移送し、基板１の半導体チップ２Ｂがボンディングされるボンディング部に半導体チップ２Ｂをボンディングする。
【００４０】
図２に示す基板１には、２個の半導体チップ２Ｂがボンディングされるので、前記したボンディングツール３１がウェーハリング４Ｂより半導体チップ２Ｂを吸着保持して移送し、基板１のボンディング部に半導体チップ２Ｂをボンディングする動作は２回行われる。このようにして１枚の基板１への半導体チップ２Ｂのボンディングが全て終了すると、基板１は基板搬送装置４５により搬送されて第１の基板供給収納部５０の基板カセット１１内に収納される。
【００４１】
前記した一連の工程、即ち基板カセット１４からの基板１の送り出し、基板１の半導体チップ２Ｂがボンディングされるボンディング部への接着材の滴下、基板１の半導体チップ２Ｂがボンディングされるボンディング部への半導体チップ２Ｂのボンディング、第１の基板供給収納部５０の基板カセット１１内に収納が、基板カセット１４内の全ての基板１に対して行われる。
【００４２】
このように、第１の基板供給収納部５０の基板カセット１１から複数個の基板１（実施の形態は基板カセット１１内の基板１の全て）を基板搬送装置４５に順次送り出し、該基板１の半導体チップ２Ａをボンディングするボンディング部の全てに順次ウェーハリング等保持装置６上の半導体チップ２Ａをボンディングする。このボンディング完了後の基板１を順次第２の基板供給収納部５１の基板カセット１４に収納する。その後、ウェーハリング等保持装置６に保持されたウェーハリング４Ａを基板１にボンディングする半導体チップ２Ｂを有するウェーハリング４Ｂと交換してウェーハリング等保持装置６で保持する。そして、基板カセット１４に収納された基板１を順次基板搬送装置４５に送り出し、これらの基板１に半導体チップ２Ｂをボンディングするボンディング部の全てに順次ウェーハリング等保持装置６上の半導体チップ２Ｂをボンディングする。このボンディング完了後の基板１を順次基板カセット１１に収納する。このため、ウェーハリング４（４Ａ、４Ｂ・・・）の交換回数が大幅に減少し、生産性が向上する。またウェーハリング等保持装置６には１個のウェーハリング４（４Ａ、４Ｂ・・・）を保持するのみでよいので、ウェーハリング等保持装置６が大型化することもない。
【００４３】
本実施の形態においては、ウェーハリング等保持装置６にウェーハリング４（４Ａ、４Ｂ・・・）を保持させた場合について説明したが、半導体チップ２Ａ、２Ｂ・・・をそれぞれ収納したトレーを交換して保持させるようにしてもよい。
【００４４】
また１つの基板１に２品種の半導体チップ２Ａ、２Ｂをボンディングする場合について説明したが、３品種以上の半導体チップ２（２Ａ、２Ｂ・・・）等をボンディングする場合も適用できることは言うまでもない。例えば３品種の半導体チップ２Ａ、２Ｂ、２Ｃをボンディングする場合には、前記した方法により２品種の半導体チップ２Ａ、２Ｂのボンディングが終了した基板１を収納した第１の基板供給収納部５０の基板カセット１１より更に基板１を基板搬送装置４５に送り出し、実線で示す状態の接着材滴下装置６０により半導体チップ２Ｃがボンディングされるボンディング部に接着材を滴下する。一方、ウェーハリング等保持装置６にはウェーハリング４Ｃを保持させる。そして、ボンディング装置３０により基板１の半導体チップ２Ｃがボンディングされるボンディング部の全てに前記した方法により半導体チップ２Ｃをボンディングする。このボンディング終了後、基板搬送装置４５により搬送して第２の基板供給収納部５１に収納する。
【００４５】
また本実施の形態においては、基板カセット１１内の全ての基板１を順次送り出し、半導体チップ２Ａのみをボンディングして基板カセット１４内に収納し、その後基板カセット１４内の全ての基板１を順次送り出し、半導体チップ２Ｂのみをボンディングして基板カセット１１内に収納するように説明した。しかし、次の方法でもよい。第１、第２の基板供給収納部５０、５１にそれぞれ複数個の基板カセット１１、１４を設置し、第１の基板供給収納部５０の１番目、２番目、３番目・・・の基板カセット１１内の全ての基板１を順次送り出し、半導体チップ２Ａのみをボンディングして第２の基板供給収納部５１の１番目、２番目、３番目・・・の基板カセット１４内に収納する。その後、第２の基板供給収納部５１の１番目、２番目、３番目・・・の基板カセット１４内の全ての基板１を順次送り出し、半導体チップ２Ｂのみをボンディングして第１の基板供給収納部５０の１番目、２番目、３番目・・・の基板カセット１１内に収納するようにしてもよい。
【００４６】
また基板カセット１１、１４に変えて基板１を一時保持するバッファ部を設けてもよい。即ち、第１、第２の基板供給収納部５０、５１は、基板カセット１１、１４又はバッファ部に限定されなく、基板１のストック部であればよい。
【００４８】
また電子部品として半導体チップの場合について説明したが、抵抗、コンデンサ等でもよいことは言うまでもい。
【００４９】
【発明の効果】
本発明の請求項１又は２の構成によれば、ウェーハリング等保持装置が大型化することもなく、かつ生産性の向上が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のマルチチップボンディング方法の一実施の形態を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は一部断面正面図である。
【図２】ハイブリット半導体装置の１例を示す平面図である。
【図３】従来のマルチチップボンディング方法の１例を示す平面図である。
【図４】従来のマルチチップボンディング方法の他の例を示す平面図である。
【符号の説明】
１    基板
２（２Ａ、２Ｂ・・・）    半導体チップ
３    ウェーハ
４（４Ａ、４Ｂ・・・）    ウェーハリング
５    ウェーハリングカセット
６    ウェーハリング等保持装置
７    ピックアップ位置
１１、１４    基板カセット
３０    ボンディング装置
３１    ボンディングツール
３４    ＸＹテーブル
４５    基板搬送装置
５０、５１    基板供給収納部
６０    接着材滴下装置
６１    プリフォームノズル
６３    ＸＹテーブル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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