(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマエッチング装置のウェーハステージ上にＧａ、Ｈｇ、はんだまたはＩｎからなる導電体を設置し、上記ウェーハステージを上記導電体の融点以上の温度に保持することにより上記導電体を溶融させてその上にシリコン基板を載せ、上記ウェーハステージの温度を上記導電体の融点以下に下げることにより上記シリコン基板を上記ウェーハステージに固定してから上記シリコン基板のプラズマエッチングを行うことにより貫通孔を形成するようにしたエッチング方法。
【請求項２】
プラズマエッチング装置のウェーハステージ上にＧａ、Ｈｇ、はんだまたはＩｎからなる導電体を設置し、上記ウェーハステージを上記導電体の融点以上の温度に保持することにより上記導電体を溶融させてその上にシリコン基板を載せ、その状態で上記シリコン基板のプラズマエッチングを行うことにより貫通孔を形成するようにしたエッチング方法。
【請求項３】
上記貫通孔のアスペクト比が３以上である請求項１または２記載のエッチング方法。
【請求項４】
ＳＦ6 ガスとＣ4 Ｆ8 ガスとを用いて上記プラズマエッチングを行うようにした請求項１〜３のいずれか一項記載のエッチング方法。
【請求項５】
プラズマエッチング装置のウェーハステージ上にＧａ、Ｈｇ、はんだまたはＩｎからなる導電体を設置し、上記ウェーハステージを上記導電体の融点以上の温度に保持することにより上記導電体を溶融させてその上にシリコン基板を載せ、上記ウェーハステージの温度を上記導電体の融点以下に下げることにより上記シリコン基板を上記ウェーハステージに固定してから上記シリコン基板のプラズマエッチングを行うことにより貫通孔を形成するようにしたマイクロミラーの製造方法。
【請求項６】
プラズマエッチング装置のウェーハステージ上にＧａ、Ｈｇ、はんだまたはＩｎからなる導電体を設置し、上記ウェーハステージを上記導電体の融点以上の温度に保持することにより上記導電体を溶融させてその上にシリコン基板を載せ、その状態で上記シリコン基板のプラズマエッチングを行うことにより貫通孔を形成するようにしたマイクロミラーの製造方法。
【請求項７】
上記貫通孔のアスペクト比が３以上である請求項５または６記載のマイクロミラーの製造方法。
【請求項８】
ＳＦ6 ガスとＣ4 Ｆ8 ガスとを用いて上記プラズマエッチングを行うようにした請求項５〜７のいずれか一項記載のマイクロミラーの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、エッチング方法および構造体の製造方法に関し、特に、ＭＥＭＳ（Microelectromechanical Systems）分野における微細構造体、例えば微細な鏡（マイクロミラー）を含む微細構造体の製造に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ＭＥＭＳ分野において、ドライエッチングによりシリコン（Ｓｉ）基板にトレンチ（溝）を貫通して形成する場合に、貫通する側のトレンチ末端部の幅が大きくなってしまうという現象が知られている（例えば、Transducers'99:J.JIAO et al.pp.546-549）。これは、トレンチ末端部でエッチング速度が大きくなることによるものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述のようにトレンチの幅がその末端部で大きくなると、設計通りのトレンチ形状を得ることができないため、ＭＥＭＳ分野の微細構造体を形成するに際してこれが障害となる。
【０００４】
また、ウェーハ面内でエッチング速度に±５％程度のばらつきがあるのが普通であるので、ウェーハ全面においてオーバーエッチングをほとんど行わない、いわゆるジャストエッチで上記問題を解決することは不可能である。
【０００５】
したがって、この発明が解決しようとする課題は、基板にドライエッチングによりトレンチを貫通して形成する場合、より一般的には、被エッチング物にドライエッチングにより貫通孔を形成する場合に、その貫通孔の末端部の寸法が大きくなるのを防止することができるエッチング方法およびそのようなエッチング方法を用いた構造体の製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、従来技術が有する上述の課題を解決するために、鋭意検討を行った。以下にその概要について説明する。
【０００７】
本発明者は、レジストマスクを用い、ドライエッチングによりＳｉ基板のエッチングを行って貫通トレンチを形成する実験を行った。具体的には、厚さ１００μｍのＳｉ基板に幅１０μｍの貫通トレンチを形成した。図１は、このようにしてＳｉ基板に形成した貫通トレンチをエッチングする側、すなわちレジストマスクがある側から撮影した光学顕微鏡写真を示す。図１からわかるように、エッチングする側から見た貫通トレンチの幅はおよそ１０μｍであった。一方、図２は貫通トレンチを貫通した側から撮影した光学顕微鏡写真を示し、倍率は図１と同じである。図２からわかるように、貫通した側の貫通トレンチの幅は最大で約３０μｍであり、エッチングする側の貫通トレンチの幅の約３倍であった。
【０００８】
この実験結果は、貫通トレンチの末端部の幅が大きくなる点でJ.JIAOらの実験結果と一致するものであるが、貫通トレンチの末端部の幅がエッチングする側の幅に比べて３倍も大きくなってしまうことは、この実験結果によって初めて見い出されたものといえる。
【０００９】
本発明者は、上記のような実験結果が得られる理由について考察を行った。すなわち、図２に示す光学顕微鏡写真を注意深く観察するとわかるように、貫通した側から見た貫通トレンチに、周辺に比べて幅が狭く、しかもこの幅がエッチングする側から見た貫通トレンチの幅とほぼ等しい部分が二箇所存在する。ここで注目すべきことは、この部分の貫通トレンチの両側に、ある目的でＳｉ基板裏面に成膜されたＡｌ膜のエッチング残り（図２の白い部分）が存在することである。これより、貫通トレンチが貫通する部分の近傍のＳｉ基板裏面にＡｌ膜が存在していたことが、貫通トレンチの幅が末端部で大きくなるのを防止する効果を有すると解釈することができる。
【００１０】
このような効果が得られるメカニズムは現時点では不明であるが、次のようなメカニズムが考えられる。すなわち、ドライエッチングによりＳｉ基板に貫通トレンチを形成する場合にそのトレンチ末端部の幅が大きくなるのは、エッチングの進行に伴い貫通トレンチ内の側壁が入射イオンによって帯電し、これにより後続イオンの軌道が曲げられる結果、トレンチ末端部で側壁に入射するイオンの、側壁と垂直方向の速度成分が増加するためと考えられる。これに対し、貫通トレンチが貫通する部分の近傍のＳｉ基板裏面にＡｌ膜を形成しておくと、トレンチ末端部までエッチングが進行してそのＡｌ膜がトレンチ内に露出した時点でトレンチ側壁から電荷がこのＡｌ膜に迅速に移動し、貫通トレンチ内の側壁の帯電が完全に解消され、あるいは大幅に低減し、それによって後続イオンの軌道が曲げられることが大幅に減少することにより、貫通トレンチ末端部でのエッチング速度の増加が抑えられると考えられる。
【００１１】
本発明者は、上記のメカニズムに立脚して考察を進めた結果、Ｓｉ基板のエッチングの際にトレンチが貫通する側にあらかじめ電気伝導度が十分に高い導電体を設けておくことにより、より一般的には、トレンチが貫通する側に何らかの方法で導電体を接触させておくことにより、同様な効果を得ることができるという結論に至った。さらに考察を進めた結果、この手法は、被エッチング物がＳｉ基板である場合に限られず、ドライエッチングにより被エッチング物のエッチングを行って貫通孔を形成する場合に、貫通孔の末端部の寸法が大きくなってしまう問題が生じる場合全般に有効であるという結論に至ったものである。
【００１２】
この発明は、本発明者による上記検討に基づいて案出されたものである。
【００１３】
すなわち、上記課題を解決するために、この発明の第１の発明は、
被エッチング物の一方の面側からドライエッチングを行うことにより貫通孔を形成するようにしたエッチング方法において、
被エッチング物の他方の面の少なくとも貫通孔の形成予定領域またはその近傍に被エッチング物よりも電気伝導度が高い導電体を接触させた状態でドライエッチングを行うことにより貫通孔を形成するようにした
ことを特徴とするものである。
【００１４】
この発明の第２の発明は、
被エッチング物の一方の面側からドライエッチングを行うことにより貫通孔を形成する工程を有する構造体の製造方法において、
被エッチング物の他方の面の少なくとも貫通孔の形成予定領域またはその近傍に被エッチング物よりも電気伝導度が高い導電体を接触させた状態でドライエッチングを行うことにより貫通孔を形成するようにした
ことを特徴とするものである。
【００１５】
この発明において、被エッチング物は、ドライエッチングにより貫通孔を形成する場合にその末端部の寸法が大きくなってしまう問題が生じるものであれば、基本的にはどのようなものであってもよいが、具体的には、例えば、半導体である。この半導体としては、例えば、Ｓｉのほか、Ｇｅ、ＳｉＧｅ、ＧａＡｓその他の元素半導体または化合物半導体を挙げることができる。また、被エッチング物は、Ｓｉ基板のように一種類の物質からなる単層のものである場合のほか、例えば２層のＳｉ膜がＳｉＯ2 膜を介して積層された多層膜のように二種類以上の物質からなる膜が多層積層された多層構造であってもよい。このような多層構造においては、ある層のみをエッチングにより貫通させたいことがよくあるが、各層のエッチング速度が大きい場合にはやはり境界で貫通孔の拡大が起こりうることから、この場合も、層のエッチングをストップさせたい箇所に導電体を形成しておくだけで、貫通孔の末端部の寸法の拡大を防止する効果が得られる。
【００１６】
導電体としては、好適には、被エッチング物に比べて電気伝導度が十分に高いものが用いられる。具体的には、導電体として、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｍｏなどの金属を用いることができる。導電体としては、このほかに、金属シリサイドなどの導電性金属化合物や、導電性ポリマーなどの導電性有機物などを用いることもできる。この導電体は、被エッチング物の他方の面の全面に形成された導電膜であってもよいし、被エッチング物の他方の面の貫通孔の形成予定領域の近傍に形成された例えば細線パターン状の導電膜であってもよい。後者の導電膜は、必要最小限で済むので、最終の構造体に残しても問題を生じないため、エッチングの後工程で除去しないで済む点で有利である。さらに、被エッチング物がＳｉなどの半導体である場合には、イオン注入などによりｎ型不純物またはｐ型不純物を被エッチング物の他方の面に高濃度に導入し、この不純物導入層を導電体として用いることもできる。
【００１７】
導電体は、成膜法により形成された導電膜ばかりでなく、溶融導電体、例えば溶融金属であってもよい。このような用途に適した金属としては、具体的には、低融点金属、例えばＧａ、Ｈｇ、はんだ、Ｉｎなどを用いることができる。このような溶融導電体を用いる場合、エッチングは例えば次のような手順で行うことができる。すなわち、まず、ドライエッチング装置のウェーハステージ上に低融点の導電体を設置し、次にウェーハステージを導電体の融点以上の温度に保持することにより導電体を溶融させてその上に被エッチング物としてのウェーハ（例えば、Ｓｉ基板）を載せ、次にウェーハステージの温度を導電体の融点以下に下げることによりウェーハをウェーハステージに固定してからウェーハのドライエッチングを行うことにより貫通孔を形成する。場合によっては、ウェーハステージを導電体の融点以上の温度に保持することにより導電体を溶融させてその上に被エッチング物としてのウェーハを載せ、その状態でウェーハのドライエッチングを行うことにより貫通孔を形成してもよい。
【００１８】
ドライエッチングは、被エッチング物をエッチングして貫通孔を形成する場合にその末端部の寸法が大きくなってしまう問題が生じるものであれば、基本的にはどのようなものであってもよいが、例えば、イオンを用いるドライエッチング、具体的には反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）などである。特に、被エッチング物がＳｉである場合、これらのドライエッチングにおいては、好適には、ＳＦ6 ガスとＣ4 Ｆ8 ガスとがエッチングガスとして用いられる。
【００１９】
被エッチング物に形成する貫通孔のアスペクト比（＝（縦方向の寸法）／（横方向の寸法））については、本質的な制限はないが、一般には、従来のドライエッチングでは貫通孔をその末端部も含めて同一寸法で形成することが困難とされている３以上であり、好適には５以上、より好適には８以上、さらに好適には１０以上である。アスペクト比の上限は、使用するドライエッチング装置の性能などによって主に決まると考えられ、必ずしも一律に決まらないが、一つの目安を挙げれば２０〜５０程度である。
【００２０】
なお、被エッチング物が多層膜からなる場合の貫通孔のアスペクト比は、多層膜全体で見たときの貫通孔の横方向の寸法に対する縦方向の寸法の比で与えられる。
【００２１】
上述のように構成されたこの発明においては、被エッチング物の他方の面の少なくとも貫通孔の形成予定領域またはその近傍に被エッチング物よりも電気伝導度が高い導電体を接触させた状態でドライエッチングを行うことにより貫通孔を形成するようにしているので、貫通孔の末端部までエッチングが進行してその導電体が貫通孔内に露出した時点で貫通孔の側壁から、イオンの入射により帯電した電荷がこの導電体に迅速に移動し、貫通孔内の側壁の帯電が完全に解消され、あるいは大幅に低減し、それによって後続イオンの軌道が曲げられることが大幅に減少することにより、貫通孔の末端部でのエッチング速度の増加が有効に抑えられる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、実施形態の全図において、同一または対応する部分には同一の符号を付す。
【００２３】
まず、この発明の第１の実施形態について説明する。
【００２４】
説明の便宜のため、この第１の実施形態により製造されるマイクロミラーの構造について最初に説明する。図３はこのマイクロミラーの完成状態を示し、図４はこのマイクロミラーのミラー本体が形成されたＳｉ基板とミラー駆動電極が形成されたガラス基板とを分離した状態を示す。
【００２５】
図３および図４に示すように、このマイクロミラーにおいては、例えば正方形のＳｉ基板１に、例えば正方形のミラー２がその一つの対角線方向の両端を例えばＳｉＮx からなるヒンジ（梁）３で支えられた状態で形成されている。ヒンジ３の部分を除いて、ミラー２とその周囲のＳｉ基板１とは貫通トレンチ４により分離されている。このミラー２とＳｉ基板１とはその上面が同一面内にあるが、ミラー２はＳｉ基板１よりも薄く形成されている。図示は省略するが、ミラー２の上面はＡｌ膜が形成されていてミラー面となっており、一方、ミラー２の裏面にはミラー駆動用の上部電極が形成されている。Ｓｉ基板１にはこの上部電極と図示省略した外部端子とを電気的に接続するためのコンタクトホール５が形成されている。このコンタクトホール５の底部にはヒンジ３の底面を通って上部電極と一体につながっている配線金属６が形成されている。一方、Ｓｉ基板１と同一形状のガラス基板７には、貫通トレンチ４と同一の輪郭に長方形の凹部８が形成されており、この凹部８の底面にこの凹部８のヒンジ３と平行な一つの対角線方向を斜辺とする直角三角形の形状を有する一対の下部電極９、１０が所定の間隔で互いに対向して形成されている。これらの下部電極９、１０には引き出し電極１１、１２が接続されている。これらの引き出し電極１１、１２はそれぞれ凹部８に形成された引き出し部１３、１４に引き出されている。Ｓｉ基板１には、引き出し電極１１、１２を図示省略した外部端子と電気的に接続するためのコンタクトホール１５、１６が形成されている。Ｓｉ基板１とガラス基板７とは陽極接合法により接合されている。
【００２６】
このマイクロミラーにおいては、ミラー２の裏面に形成された上部電極と下部電極９、１０との間に電圧を印加してそれらの間に働く静電引力によりミラー２をそのヒンジ３を軸として振動させるようになっている。
【００２７】
図５および図６にこのマイクロミラーの製造方法を示す。ここで、図５および図６は図３および図４のＡ−Ａ´線に沿っての断面図に相当する。ただし、図５および図６と図３および図４との縮尺は一致していない。
【００２８】
図５Ａに示すように、まず、Ｓｉ基板１（ウェーハ）の一方の主面に、フォトリソグラフィーにより、上部電極およびヒンジ部分を含む大きさの凹部形成用のレジストマスク５１を形成する。
【００２９】
次に、図５Ｂに示すように、レジストマスク５１を用いて例えばＲＩＥのようなドライエッチングによりＳｉ基板１を所定の深さまでエッチングすることにより凹部５２を形成した後、レジストマスク５１を除去する。
【００３０】
次に、図５Ｃに示すように、例えば真空蒸着法やスパッタリング法により基板全面にＡｌ膜５３を成膜する。
【００３１】
次に、図５Ｄに示すように、例えばＣＶＤ法により基板全面にＳｉＮx 膜５４を成膜する。
【００３２】
次に、図５Ｅに示すように、Ｓｉ基板１の上下を反転させてＳｉ基板１の他方の主面を上にし、その全面に例えば真空蒸着法やスパッタリング法によりＡｌ膜５５を成膜する。
【００３３】
次に、図５Ｆに示すように、フォトリソグラフィーにより、Ａｌ膜５５上にミラーパターン形成用のレジストマスク５６を形成する。
【００３４】
次に、図６Ａに示すように、レジストマスク５６を用いてＡｌ膜５５をウエットエッチングしてミラー面５７を形成した後、レジストマスク５６を除去する。
【００３５】
次に、図６Ｂに示すように、フォトリソグラフィーにより、貫通エッチング用のレジストマスク５８を形成する。
【００３６】
次に、図６Ｃに示すように、Ｓｉ基板１をドライエッチング装置に投入し、エッチングガスとしてＳＦ6 ガスとＣ4 Ｆ8 ガスとを用い、高密度プラズマを利用したＲＩＥにより、レジストマスク５８を用いてＳｉ基板１の貫通エッチングを行い、貫通トレンチ４を形成し、ミラー２を形成する。この後、レジストマスク５８を除去する。このドライエッチング時には、Ｓｉ基板１の裏面側にはＡｌ膜５３が形成されているため、貫通トレンチ４の中に進入するイオンの電荷がこのＡｌ膜５３に吸収され、貫通トレンチ４の側壁が帯電することが抑制されているものと考えられる。
【００３７】
次に、図６Ｄに示すように、Ｓｉ基板１の上下を反転させ、フォトリソグラフィーにより、Ｓｉ基板１の裏面側に上部電極およびヒンジ部分をパターニングするためのレジストマスク５９を形成する。
【００３８】
次に、図６Ｅに示すように、レジストマスク５９を用いてドライエッチングによりＳｉＮx 膜５４をエッチングし、引き続いて、ウエットエッチングによりＡｌ膜５３をエッチングし、ヒンジ３および上部電極６０を形成する。上部電極６０上にはＳｉＮx 膜５４が積層された構造となっている。この構造は、図示されていないヒンジ部分でも同じである。なお、図６Ｅは図６Ｄに対してＳｉ基板１を反転させた状態で示したものである。
【００３９】
次に、図６Ｆに示すように、以上のようにしてミラー構造を形成したＳｉ基板１と、あらかじめ凹部８に下部電極９、１０などが形成されたガラス基板７とを陽極接合法を用いて接合する。これによって、図３および図４に示すようなマイクロミラーを完成させる。
【００４０】
このようにして作製したマイクロミラーの貫通トレンチ４の部分をＳｉ基板１の表面側（エッチングする側）および裏面側（Ａｌ膜５３側）から光学顕微鏡観察を行った結果を図７および図８に示す。ここで、図７はエッチングする側から撮影した光学顕微鏡写真、図８は貫通した側から撮影した光学顕微鏡写真である。図７および図８より、Ｓｉ基板１の裏面側にＡｌ膜５３が形成されていることにより、貫通トレンチ４の幅がＳｉ基板１の表裏で同じ幅に制御されていることがわかる。このときのエッチング時間は図１および図２の場合と同じであった。ここで特筆すべきことは、Ａｌ膜５３上には絶縁膜であるＳｉＮx 膜５４が積層されており、Ａｌ膜５３が接地されていないという点である。しかも、ＳｉＮx 膜５４上にさらにフォトレジスト膜を成膜して同様の実験を行っても、この効果は薄れることはなかった。
【００４１】
以上のように、この第１の実施形態によれば、Ｓｉ基板１にドライエッチングにより貫通トレンチ４を形成する場合に、貫通する側のＳｉ基板１の面にあらかじめＡｌ膜５３を形成していることにより、貫通トレンチ４の末端部の幅が大きくなる問題をほぼ完全に抑制することができ、レジストマスク５８で決まる設計通りの幅の良好な断面形状の貫通トレンチ４を形成することができる。そして、このように貫通トレンチ４を設計通りの形状に形成することができるため、この貫通トレンチ４を形成するためのドライエッチング時に同時に決まるヒンジ３の長さも設計通りとすることができる。特に、このようなＭＥＭＳ用途のヒンジ３には一般に５％程度以下の寸法精度が要求されるが、この程度の寸法精度は容易に確保することができる。このようにヒンジ３の寸法精度が高いことにより、ヒンジ３に起因するミラー２の振動特性の不良を防止することができる。
【００４２】
次に、この発明の第２の実施形態について説明する。この第２の実施形態は、基板を接合した構造のＭＥＭＳデバイスを作製する際に有用なものである。すなわち、ＭＥＭＳデバイスでは、Ｓｉ基板とガラス基板とを陽極接合した後にＳｉ基板を貫通エッチングする場合がよくある。これは、貫通エッチングされたＳｉ基板が脆弱でその後のフォトリソグラフィー工程に耐えられないことが多いからである。しかしながら、この場合には、Ｓｉ基板の裏側（ガラス基板と接合されている側）を貫通エッチング後に加工することは、ほとんど不可能となってしまう。したがって、この場合には、第１の実施形態のようにＳｉ基板の裏側全面に導電膜を成膜しておく方法は使用することができない。そこで、この第２の実施形態では、このような欠点を改善する手法を提供する。
【００４３】
図９はこの第２の実施形態において、貫通エッチング前のＳｉ基板を示すものである。ここで、図９ＡはＳｉ基板を表側から見たもの、図９ＢはＳｉ基板を裏側から見たもの、図９Ｃは図９ＡのＣ−Ｃ´線に沿っての断面図である。
【００４４】
図９に示すように、この第２の実施形態においては、まず、Ｓｉ基板１０１の一方の主面（表側の面）に、フォトリソグラフィーにより、貫通トレンチ形成用のレジストマスク１０２を形成する。また、Ｓｉ基板１０１の他方の主面（裏側の面）に、貫通トレンチ形成予定領域に沿ってその両側に細長い線状Ａｌパターン１０３（ガイドメタル）を形成する。ここで、レジストマスク１０２と線状Ａｌパターン１０３との位置関係は、Ｓｉ基板１０２の裏側の面から表側を透視したときに、線状Ａｌパターン１０３がレジストマスク１０２の線状の開口部を囲むようになっている。この線状Ａｌパターン１０３は、Ｓｉ基板１０１の裏面全面にＡｌ膜を成膜し、このＡｌ膜上にフォトリソグラフィーによりレジストマスクを形成した後、このレジストマスクを用いてＡｌ膜をＲＩＥなどでエッチングすることにより形成することができる。
【００４５】
次に、レジストマスク１０２を用いて、例えば第１の実施形態と同様なＲＩＥのようなドライエッチングにより、Ｓｉ基板１０１を表側から貫通エッチングする。これによって、図１０に示すように、貫通トレンチ１０４が形成される。この後、レジストマスク１０２を除去する。このドライエッチング時には、Ｓｉ基板１０１の裏面側には貫通トレンチ形成予定領域の直ぐ両側に線状Ａｌパターン１０３が形成されているため、貫通トレンチ１０４の中に進入するイオンの電荷がこの線状Ａｌパターン１０３に吸収され、貫通トレンチ１０４の側壁が帯電することが抑制される。
【００４６】
以上のように、この第２の実施形態によれば、Ｓｉ基板１０１にドライエッチングにより貫通トレンチ１０４を形成する場合に、あらかじめ貫通する側のＳｉ基板１０１の面の貫通トレンチ形成予定領域の両側に線状Ａｌパターン１０３を形成していることにより、貫通トレンチ１０４の末端部の幅が大きくなる問題を抑制することができ、レジストマスク１０２で決まる設計通りの幅の良好な断面形状の貫通トレンチ１０４を形成することができる。そして、この場合、Ｓｉ基板１０１の裏側にガラス基板を接合した状態でも、Ｓｉ基板１０１に貫通トレンチ１０４を良好な形状に形成することができる。また、線状Ａｌパターン１０３は、微小であり、最終構造に残しておいても問題にならないため、その除去の工程を省くことができ、簡便である。
【００４７】
次に、この発明の第３の実施形態について説明する。この第３の実施形態は、Ｓｉ基板側に特別な処理を施さずに貫通エッチングを良好に行うことを目的とするものである。
【００４８】
図１０に示すように、この第３の実施形態においては、ドライエッチング装置、具体的には例えばＲＩＥ装置内のウェーハステージ２０１上に、ウェーハホルダー２０２を載せる。このウェーハホルダー２０２には凹部２０２ａが設けられている。このウェーハホルダー２０２は、ウェーハステージ２０１の内部に、温度調整された液体をその入口２０１ａから入れて出口２０１ｂから抜くことにより温度制御可能となっている。ウェーハホルダー２０２の凹部２０２ａには、低融点金属としてＧａ（融点２９．７８℃）２０３を入れておく。そして、このウェーハホルダー２０２をＧａの融点以上の温度に保ってＧａ２０３を溶融させ、その上に被エッチング物としてのＳｉ基板２０４を載せる。このＳｉ基板２０４のエッチングする側の主面には、あらかじめ、図示されていない貫通トレンチ形成用のレジストマスクが形成されている。その後ウェーハホルダー２０２の温度をＧａの融点以下に下げる。これにより、Ｓｉ基板２０４はＧａ２０３によりウェーハホルダー２０２との電気的接触を保ちながらウェーハホルダー２０２上に固定される。そして、この状態でレジストマスクを用いてＳｉ基板２０４を第１の実施形態と同様なＲＩＥのようなドライエッチングによりエッチングし、貫通トレンチを形成する。この後、レジストマスクを除去する。このドライエッチング時には、Ｓｉ基板２０４の裏面側にはＧａ２０３が接触しているため、貫通トレンチの中に進入するイオンの電荷がこの溶融Ｇａ２０３に吸収され、貫通トレンチの側壁が帯電することが抑制される。この後、再度ウェーハホルダー２０２をＧａの融点以上の温度に保ってＧａ２０３を溶融させ、Ｓｉ基板２０４をウェーハホルダー２０２から取り外す。
【００４９】
以上のように、この第３の実施形態によれば、Ｓｉ基板２０４にドライエッチングにより貫通トレンチを形成する場合に、あらかじめ貫通する側のＳｉ基板２０４の面にＧａ２０３を接触させていることにより、貫通トレンチの末端部の幅が大きくなる問題を抑制することができ、レジストマスクで決まる設計通りの幅の良好な断面形状の貫通トレンチを形成することができる。そして、この場合、Ｓｉ基板２０４の裏側にあらかじめＡｌ膜などの導電膜を形成しておく必要がないため、簡便である。
【００５０】
【実施例】
実施例１  第１の実施形態の実施例
厚さ１００μｍのＳｉ基板１に、５００μｍ角のミラー２が両端をＳｉＮx のヒンジ３で支持されている。ヒンジ３の寸法は、幅１０μｍ、長さ２０μｍ、厚さ２μｍである。ミラー面はＡｌ膜を２００ｎｍの厚さに真空蒸着することで形成されている。Ｓｉ基板１に形成されたコンタクトホール５、１５、１６は２００μｍ角の大きさである。
【００５１】
ガラス基板７は、厚さ２００μｍのパイレックスガラスである。このガラス基板７にエッチングで１０μｍの深さに凹部８を形成し、その中にＡｌ製の下部電極９、１０を形成しておく。これらの下部電極９、１０は、それぞれ等辺の長さが２００μｍの直角２等辺三角形の形状を有する。
【００５２】
ミラー２をＳｉ基板１から切り離す目的で貫通エッチングを実行するプロセスは次の通りである。厚さ１００μｍのＳｉ基板１の裏側に凹部５２を形成するためのエッチングのためにレジストマスク５１を形成する。次に、ＳＦ6 ガスのＲＦプラズマを用いたＲＩＥ装置においてＳｉ基板１のドライエッチングを行い、深さ２μｍの凹部５２を形成する。
【００５３】
次に、真空蒸着装置を用いて基板全面にＡｌ膜５３を厚さ２００ｎｍ成膜し、さらにその上にＣＶＤ法でＳｉＮx 膜５４を厚さ１μｍ成膜する。
【００５４】
次に、Ｓｉ基板１を反転させ、Ｓｉ基板１の表側にミラー面となるＡｌ膜５５を厚さ２００ｎｍ成膜した。このＡｌ膜５５上にミラーパターン形成用のレジストマスク５６を形成し、このレジストマスク５６を用いてリン酸中でウエットエッチングすることによりミラー面５７を形成する。
【００５５】
次に、貫通エッチング用のレジストマスク５８を形成し、高密度プラズマを用いたＲＩＥ装置においてＳＦ6 ガスとＣ4 Ｆ8 ガスとを交互に供給する、いわゆるボッシュプロセスで貫通エッチングを実行する。このとき、貫通トレンチ４内にイオンが入射するが、Ｓｉ基板１の裏側に成膜されているＡｌ膜５３に電荷が吸収されるため、貫通トレンチ４の側壁が帯電しないものと考えられる。この結果、良好な断面形状を有する貫通トレンチ４を形成することができた。また、Ａｌ膜５３はこのＲＩＥでエッチングされることはほとんどなかった。
【００５６】
次に、Ｓｉ基板１を反転させ、Ｓｉ基板１の裏側にレジストマスク５９を形成した。次に、このレジストマスク５９を用いて、まず、ＣＦ4 ＋Ｏ2 ガスを用いたＲＩＥ装置においてＳｉＮx 膜５４のドライエッチングを行うことによりＳｉＮx からなるヒンジ３を形成し、引き続いて、リン酸中でＡｌ膜５３のウエットエッチングを行うことにより上部電極６０を形成する。図示されていないヒンジ部分もこれと同じ断面構造となる。
【００５７】
一方、ガラス基板７として、パイレックスガラスに深さ１０μｍの凹部８を形成し、その凹部８に下部電極９、１０などを形成したものを別に用意した。そして、Ｓｉ基板１を再度反転させて、Ｓｉ基板１の裏面とこのガラス基板７とを大気中で密着させて３８０℃の温度に保ち、それらの間に１ｋＶの電圧を印加することで陽極接合させ、マイクロミラーを完成させた。
【００５８】
上記の貫通エッチングプロセスの結果、Ｓｉ基板１に良好な断面形状の貫通トレンチ４を形成することができ、それによってミラー２をＳｉ基板１から分離することができた。貫通トレンチ４の幅はＳｉ基板１の表裏ともに約１０μｍで同等であった。
【００５９】
実施例２  第２の実施形態の実施例
実施例２は、マイクロミラーの製造工程における貫通エッチングプロセスである。ただし、ミラーを支持するヒンジ部分の説明は省略する。
【００６０】
Ｓｉ基板１０１の表側に、一辺が１０００μｍのミラーをＳｉ基板１０１から切り離すための貫通エッチング用レジストマスク１０２を形成する。このレジストマスク１０２の開口部の幅は１０μｍであった。
【００６１】
また、Ｓｉ基板１０１の裏側には、厚さ２００ｎｍのＡｌ膜をリン酸中でウエットエッチングすることにより線状Ａｌパターン１０３を形成する。この線状Ａｌパターン１０２は線幅が２０μｍで全体として正方形であり、レジストマスク１０２との位置関係は図９Ｃに示したようになっている。Ｓｉ基板１０１に平行な方向におけるレジストのない部分、すなわちレジストマスク１０２の開口部と線状Ａｌパターン１０３との距離は１０μｍであった。
【００６２】
この状態で、Ｃ4 Ｆ8 とＳＦ6 ガスとを交互に供給しながらプラズマを発生させ、レジストマスク１０２を用いてＳｉ基板１０１の貫通エッチングを行った。エッチングが進行して貫通トレンチ１０４が形成された後も貫通トレンチ１０４の側壁が帯電してトレンチ断面形状が悪化することはなかった。
【００６３】
この実施例２によれば、Ｓｉ基板１０１にガラス基板を陽極接合した状態でも同様に良好なエッチングができる。ここで、線状Ａｌパターン１０３は、貫通トレンチ１０４の近傍のみの構造物であるので、これが残っていても何ら問題にはならない。
【００６４】
上記プロセスにより、接合した基板のＳｉ部分の貫通エッチングであっても良好なトレンチの断面形状で実行することができるようになった。
【００６５】
実施例３  第３の実施形態の実施例
ＲＩＥ装置のウェーハステージ２０１上に載せられたウェーハホルダー２０２の凹部２０２ａ内に低融点金属のＧａ２０３を入れ、ウェーハホルダー２０２を４０℃に保ってＧａ２０３を溶融させておき、その上から厚さ１００μｍのＳｉ基板２０４を設置した。このとき、Ｓｉ基板２０４上に溶融したＧａ２０３が載らないようにすることや、Ｓｉ基板２０４とＧａ２０３との間に空気を残さないようにすることに注意を払った。次に、ウェーハホルダー２０２の温度を５℃に下げてＧａ２０３を固化させ、Ｓｉ基板２０３をウェーハホルダー２０２と電気的接触を保った状態で固定した。このＳｉ基板２０４上には、貫通エッチング用の幅１０μｍのレジストマスクをあらかじめ形成しておいた。
【００６６】
この状態で、レジストマスクを用いて、ＳＦ6 ガスとＣ4 Ｆ8 ガスとを交互に用いたドライエッチングによりＳｉ基板２０４の貫通エッチングを行った。エッチング後、再度ウェーハホルダー２０２を４０℃に保ってＧａ２０３を溶融させ、Ｓｉ基板２０４をウェーハホルダー２０２から取り出した。こうして得られた貫通トレンチの断面形状は、その末端部でも良好であった。これは、エッチング中のイオンから供給される電荷が、Ｇａ２０３に抜けることができるため、良好な貫通エッチングができたことによるものである。この実施例３では、Ｓｉ基板２０４側に特別な処理が必要ないので、Ｓｉ基板２０４への微量なＧａの残留がデバイスにとって問題なければ有効な方法である。
【００６７】
以上、この発明の実施形態について説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
【００６８】
すなわち、上述の第１、第２および第３の実施形態ならびに実施例１、２および３において挙げた数値、構造、形状、材料、成膜方法、プロセスなどはあくまでも例に過ぎず、必要に応じて、これらと異なる数値、構造、形状、材料、成膜方法、プロセスなどを用いることも可能である。
【００６９】
例えば、第２の実施形態においては、線状Ａｌパターン１０３は閉じた形状であるが、必ずしもそのようにする必要はなく、断片的な線状Ａｌパターン１０３であってもよい。
【００７０】
また、第３の実施形態においては、低融点金属としてＧａ２０３を用いているが、他の低融点金属、例えばＨｇ（融点−３８．８℃）やはんだ（Ｐｂ３８％−Ｓｎ６２％、融点１８３℃）、Ｉｎ（融点１５６．６℃）などを用いることも可能である。また、場合によっては、Ｇａ２０３を溶融させた状態のままでドライエッチングを行うことも可能である。この場合には、溶融したＧａ２０３がＳｉ基板２０４に隠されてプラズマに曝されないようにするのが、エッチングチャンバー壁の汚染を防止する上で好ましいと考えられる。
【００７１】
さらに、この発明は、マイクロミラー以外に、Ｓｉ基板を用いたセンサーなどの貫通エッチングが必要な各種のＭＥＭＳデバイスの製造に適用することができる。
【００７２】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、被エッチング物の他方の面の少なくとも貫通孔の形成予定領域またはその近傍に被エッチング物よりも電気伝導度が高い導電体を接触させた状態でドライエッチングを行うことにより貫通孔を形成するようにしているので、その貫通孔の末端部の寸法が大きくなるのを防止することができる。このため、マイクロミラーなどのＭＥＭＳデバイスその他の構造体を高精度に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明者が行った実験結果を説明するための光学顕微鏡写真である。
【図２】本発明者が行った実験結果を説明するための光学顕微鏡写真である。
【図３】この発明の第１の実施形態によるマイクロミラーを示す斜視図である。
【図４】この発明の第１の実施形態によるマイクロミラーを示す分解斜視図である。
【図５】この発明の第１の実施形態によるマイクロミラーの製造方法を説明するための断面図である。
【図６】この発明の第１の実施形態によるマイクロミラーの製造方法を説明するための断面図である。
【図７】本発明者が行った実験結果を説明するための光学顕微鏡写真である。
【図８】本発明者が行った実験結果を説明するための光学顕微鏡写真である。
【図９】この発明の第２の実施形態による貫通エッチング方法を説明するための断面図である。
【図１０】この発明の第２の実施形態による貫通エッチング方法を説明するための断面図である。
【図１１】この発明の第３の実施形態による貫通エッチング方法を説明するための断面図である。
【符号の説明】
１、１０１、２０４・・・Ｓｉ基板、２・・・ミラー、３・・・ヒンジ、４、１０４・・・貫通トレンチ、７・・・ガラス基板、５８、１０２・・・レジストマスク、５３・・・Ａｌ膜、１０３・・・線状Ａｌパターン、２０２・・・ウェーハホルダー、２０３・・・Ｇａ
【図１】
0004161493.tif 000002
【図２】
0004161493.tif 000003
【図３】
0004161493.tif 000004
【図４】
0004161493.tif 000005
【図５】
0004161493.tif 000006
【図６】
0004161493.tif 000007
【図７】
0004161493.tif 000008
【図８】
0004161493.tif 000009
【図９】
0004161493.tif 000010
【図１０】
0004161493.tif 000011
【図１１】
0004161493.tif 000012