(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）で表される化合物を含む有機発光素子。
【化１】
0004144987.tif 000027
X,Yは、それぞれ独立して、３級アミンであってその置換基のすべてが芳香族炭化水素基あるいはヘテロ芳香族環基である化合物から提供される一価の基を表す。
Ｚは、ケイ素を含む下記構造の中から選ばれる環を形成可能な原子群を表す。
【化１０１】
0004144987.tif 000028
【請求項２】
前記X,Yが、それぞれ独立して、下記構造から選ばれる基である請求項１記載の有機発光素子。
【化１０２】
0004144987.tif 000029
（＊は、一般式（１）で表される化合物のＳｉに結合する箇所を示すものである。）
【請求項３】
前記X,Yが、それぞれ独立して、下記構造から選ばれる基であり、
【化１０３】
0004144987.tif 000030
（＊は、一般式（１）で表される化合物のＳｉに結合する箇所を示すものである。）
Ｚが、それぞれ独立して、ケイ素を含む下記構造の中から選ばれる環を形成可能な原子群を表すものである、
【化１０４】
0004144987.tif 000031
請求項１記載の有機発光素子。
【請求項４】
有機層の少なくとも１層が塗布により形成された請求項１〜３のいずれかに記載の有機発光素子。
【請求項５】
一般式（１‘）で表される化合物。
【化１０５】
0004144987.tif 000032
X‘,Y’は、それぞれ独立して、下記構造から選ばれる基であり、
【化１０６】
0004144987.tif 000033
（＊は、一般式（１‘）で表される化合物のＳｉに結合する箇所を示すものである。）
Ｚは、ケイ素を含む下記構造の中から選ばれる環を形成可能な原子群を表す。
【化１０７】
0004144987.tif 000034
【請求項６】
前記X’,Y‘が、それぞれ独立して、下記構造から選ばれる基であり、
【化１０８】
0004144987.tif 000035
（＊は、一般式（１‘）で表される化合物のＳｉに結合する箇所を示すものである。）
Ｚが、それぞれ独立して、ケイ素を含む下記構造の中から選ばれる環を形成可能な原子群を表すものである、
【化１０９】
0004144987.tif 000036
請求項５記載の化合物。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、特定の含ケイ素正孔輸送性化合物、およびそれらを用いた有機発光素子材料、ならびに有機発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
今日、種々の表示素子に関する研究開発が活発であり、中でも、有機発光 (EL)素子は、低電圧で高輝度の発光を得ることができ、有望な表示素子として注目されている。例えば、有機化合物の蒸着により有機薄膜を形成するEL素子が知られている(Applied Physics Letters, 51,p.913〜,(1987))。該文献記載の有機発光素子は電子輸送材料と正孔輸送材料の積層構造を有し、従来の単層型素子に比べてその発光特性が大幅に向上している。
この積層型素子で用いられている正孔輸送材料としては、TPD（N,N'-ジ-m-トリル-N,N'-ジフェニルベンジジン）に代表されるトリアリールアミン誘導体や、ピロール、カルバゾール、チオフェンといったπ電子過剰芳香族化合物が、優れた正孔輸送材料として知られている。しかしながら、これらの化合物は結晶性が高く、正孔輸送材料としてこれらの化合物を用いた有機発光素子は、生保存性に問題があることが知られている。
この問題を解決する手段として、トリアリールアミン誘導体の場合には、縮合多環芳香族基を導入したり、対称性を向上させた化合物群を使用したりする技術が、Appl.Phys.Lett. 56,799(1990), Polymer Preprints(ACS) 349(1997)等に開示されている。また、カルバゾール誘導体などの含窒素ヘテロ環化合物についても同様の検討や、高分子化する技術がAppl.Phys.Lett. 63,2627(1993)等に開示されている。
発明者らも、この正孔輸送材料由来の有機発光素子の生保存性悪化を改良する技術について、これまで検討を重ねてきた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、良好な正孔輸送能を有する含ケイ素化合物を開発し、輝度が高く、素子の生保存性に優れた有機発光素子を作製するに適した有機発光素子材料を開発することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、下記の化合物、有機EL素子材料および有機EL素子によって達成された。
【０００５】
１）一般式（１）で表される化合物を含む有機発光素子。
【０００６】
【化２】
0004144987.tif 000002
【０００７】
X,Yは、それぞれ独立して、３級アミンであってその置換基のすべてが芳香族炭化水素基あるいはヘテロ芳香族環基である化合物から提供される一価の基を表す。
Ｚは、ケイ素を含む下記構造の中から選ばれる環を形成可能な原子群を表す。
【化１１０】
0004144987.tif 000003
２）前記X,Yが、それぞれ独立して、下記構造から選ばれる基である第１項記載の有機発光素子。
【化１１１】
0004144987.tif 000004
（＊は、一般式（１）で表される化合物のＳｉに結合する箇所を示すものである。）
３）前記X,Yが、それぞれ独立して、下記構造から選ばれる基であり、
【化１１２】
0004144987.tif 000005
（＊は、一般式（１）で表される化合物のＳｉに結合する箇所を示すものである。）
Ｚが、それぞれ独立して、ケイ素を含む下記構造の中から選ばれる環を形成可能な原子群を表すものである、
【化１１３】
0004144987.tif 000006
第１記載の有機発光素子。
４）有機層の少なくとも１層が塗布により形成された第１項〜第３項のいずれかに記載の有機発光素子。
５）一般式（１‘）で表される化合物。
【化１１４】
0004144987.tif 000007
X‘,Y’は、それぞれ独立して、下記構造から選ばれる基であり、
【化１１５】
0004144987.tif 000008
（＊は、一般式（１‘）で表される化合物のＳｉに結合する箇所を示すものである。）
Ｚは、ケイ素を含む下記構造の中から選ばれる環を形成可能な原子群を表す。
【化１１６】
0004144987.tif 000009
６）一般式（１‘）で表される化合物のX’,Y‘が、それぞれ独立して、下記構造から選ばれる基であり、
【化１１７】
0004144987.tif 000010
（＊は、一般式（１‘）で表される化合物のＳｉに結合する箇所を示すものである。）
Ｚが、それぞれ独立して、ケイ素を含む下記構造の中から選ばれる環を形成可能な原子群を表すものである、
【化１１８】
0004144987.tif 000011
第５項記載の化合物。
【０００８】
【発明の実施の態様】
まず、一般式（１）で表される化合物について説明する。一般式（１）で表される化合物は、正孔輸送性の基が、環状構造の一部をなすケイ素原子に置換した構造の化合物である。
まず、正孔輸送性を有する基である、X,Yについて説明する。
X,Yは、それぞれ独立して、３級アミンであってその置換基のすべてが芳香族炭化水素基あるいはヘテロ芳香族環基である化合物から提供される一価の基を表す。好ましくは両者が同一構造を有するものである。
次に、Zで形成される環状構造について説明する。
本発明の化合物の特徴である、Zで形成される環状構造は、ケイ素を含む下記構造の中から選ばれる環を形成可能な原子群を表す。
【化１１９】
0004144987.tif 000012
X,Y,Zで表される基は、さらにその構造の一部が互いに連結した環状構造を形成していてもよい。
X,Y,Zで表される基及び原子団には、水素原子以外にさまざまな置換基が置換可能である。その例を列挙すると、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、ホルミル基、もしくは置換あるいは無置換のアルキル基（好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜15である。例えば、メチル基、ｔ−ブチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜15である。例えば、ビニル基、1-プロペニル基、1-ブテン-2-イル基、シクロヘキセン-1-イル基などが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜15である。例えばエチニル基、1-プロピニル基などが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜15である。例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、ビフェニリル基、ピレニル基などが挙げられる。）、ヘテロ環基（好ましくは５または６員環であり、他の環と縮合しても良い。ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子が挙げられる。好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜15である。例えば、ピリジル基、ピペリジル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル基、テトラヒドロフリル基、チエニル基などが挙げられる。）、１〜3級アミノ基（アミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アルキルアリールアミノ基、ヘテロ環アミノ基、ビスヘテロ環アミノ基など。好ましくは３級アミノ基であり、炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜16である。例えばジメチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、フェニルナフチルアミノ基などが挙げられる。）、イミノ基（-CR11=NR12または-N=CR13R14で表される基。ここでR11〜R14は水素原子、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、１〜３級アミノ基から選ばれる基である。好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜15である。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜15である。例えば、メトキシ基、エトキシ基、シクロヘキシルオキシ基などが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜15である。例えば、フェノキシ基、1-ナフトキシ基、4-フェニルフェノキシ基シなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜15である。例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、シクロヘキシルチオ基などが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜15である。例えば、フェニルチオ基、トリルチオ基などが挙げられる。）カルボンアミド基（好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜15である。例えば、アセトアミド基、ベンゾイルアミド基、N-メチルベンゾイルアミド基などが挙げられる。）、スルホンアミド基（好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜15である。例えば、メタンスルホンアミド基、ベンゼンスルホンアミド基、p-トルエンスルホンアミド基などが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜15である。例えば、無置換のカルバモイル基、メチルカルバモイル基、ジメチ��カルバモイル基、フェニルカルバモイル基、ジフェニルカルバモイル基、ジオクチルカルバモイル基などが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜15である。例えば、無置換のスルファモイル基、メチルスルファモイル基、ジメチルスルファモイル基、フェニルスルファモイル基、ジフェニルスルファモイル基、ジオクチルスルファモイル基などが挙げられる。）、アルキルカルボニル基（好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜15である。例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチロイル基、ラウロイル基などが挙げられる。）、アリールカルボニル基（好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜15である。例えば、ベンゾイル基、ナフトイル基などが挙げられる。）、アルキルスルホニル基（好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜15である。例えば、メタンスルホニル基、エタンスルホニル基などが挙げられる。）、アリールスルホニル基（好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜15である。例えば、ベンゼンスルホニル基、p-トルエンスルホニル基、1-ナフタレンスルホニル基などが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜15である。例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基などが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜15である。例えばフェノキシカルボニル基、1-ナフトキシカルボニル基などが挙げられる。）、アルキルカルボニルオキシ基（好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜15である。例えば、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチロイルオキシ基などが挙げられる。）、アリールカルボニルオキシ基（好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜15である。例えばベンゾイルオキシ基、1-ナフトイルオキシ基などが挙げられる。）、ウレタン基（好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜15である。例えば、メトキシカルボンアミド基、フェノキシカルボンアミド基、メチルアミノカルボンアミド基などが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜15である。例えば、メチルアミノカルボンアミド基、ジメチルアミノカルボンアミド基、ジフェニルアミノカルボンアミド基などが挙げられる。）、炭酸エステル基（好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜15である。例えば、メトキシカルボニルオキシ基、フェノキシカルボニルオキシ基などが挙げられる。）などである。
さらに、一般式（１）で表される化合物は、そのケイ素含有環構造をその繰り返し単位の一部に有する、ポリマー化合物を形成してもよい。この場合、X,Y,Zの中にエチレン性不飽和結合などの重合性基、もしくは縮重合を起こすようなカルボキシル基やアミノ基、エステル基といった重合性基を含有し、その基が重合することによりポリマーを形成してもよいし、一般式（１）で表される化合物の前駆体が一般式（１）の化合物骨格を形成しつつポリマーを形成してもよい。
【０００９】
一般式（１）で表される化合物は、低分子・高分子いずれの場合であっても、最終的に機能を発現する構造となる化合物をそのまま使用することも可能であるし、その前駆体を有機発光素子に使用し、素子を構成した後、あるいはその途中で、物理的あるいは化学的な後処理によって最終的な構造に誘導してもよい。低分子化合物として使用する場合、その分子量として好ましくは200〜5000、好ましくは300〜2000の範囲である。高分子化合物として使用する場合、平均分子量(Mw)として好ましくは2000〜1000000、好ましくは5000〜100000の範囲である。
【００１０】
一般式（１）で表される化合物は、公知の方法で合成可能である。最も一般的な方法としては、まずハロゲノシラン化合物からZに相当する構造を導入し、その後にX,Yで表される構造を導入する方法を挙げることができる。以下に一般的な合成スキームを記載し、その後に、本発明の化合物の具体例を例示する。本発明はもちろんこれらの具体例によって限定されるものではない。
【００１１】
【化３】
0004144987.tif 000013
【００１２】
【化４】
0004144987.tif 000014
【００１３】
【化５】
0004144987.tif 000015
【００１４】
【化６】
0004144987.tif 000016
【００１５】
【化７】
0004144987.tif 000017
【００１６】
【化８】
0004144987.tif 000018
【００１７】
【化９】
0004144987.tif 000019
【００１８】
【化１０】
0004144987.tif 000020
【００１９】
【化１１】
0004144987.tif 000021
【００２０】
次に、本発明の化合物を含有する発光素子に関して説明する。本発明の化合物を含有する発光素子の有機層の形成方法は、特に限定されるものではないが、抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子積層法、コーティング法、インクジェット法などの方法が用いられ、特性面、製造面で抵抗加熱蒸着、コーティング法が好ましい。
【００２１】
本発明の発光素子は陽極、陰極の一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物薄膜を形成した素子であり、発光層のほか正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、保護層などを有してもよく、またこれらの各層はそれぞれ他の機能を備えたものであってもよい。各層の形成にはそれぞれ種々の材料を用いることができる。
【００２２】
陽極は正孔注入層、正孔輸送層、発光層などに正孔を供給するものであり、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物などを用いることができ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以上の材料である。具体例としては酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の導電性金属酸化物、あるいは金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物または積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、およびこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられ、好ましくは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からＩＴＯが好ましい。陽極の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１００ｎｍ〜５００ｎｍである。
【００２３】
陽極は通常、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、透明樹脂基板などの上に層形成したものが用いられる。ガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。基板の厚みは、機械的強度を保つのに十分であれば特に制限はないが、ガラスを用いる場合には、通常０．２ｍｍ以上、好ましくは０．７ｍｍ以上のものを用いる。陽極の作製には材料によって種々の方法が用いられるが、例えばＩＴＯの場合、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、化学反応法（ゾル−ゲル法など）、酸化インジウムスズの分散物の塗布などの方法で膜形成される。陽極は洗浄その他の処理により、素子の駆動電圧を下げたり、発光効率を高めることも可能である。例えばＩＴＯの場合、ＵＶ−オゾン処理、プラズマ処理などが効果的である。
【００２４】
陰極は電子注入層、電子輸送層、発光層などに電子を供給するものであり、電子注入層、電子輸送層、発光層などの負極と隣接する層との密着性やイオン化ポテンシャル、安定性等を考慮して選ばれる。陰極の材料としては金属、合金、金属ハロゲン化物、金属酸化物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物を用いることができ、具体例としてはアルカリ金属（例えばＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ等）及びそのフッ化物、アルカリ土類金属（例えばＭｇ、Ｃａ等）及びそのフッ化物、金、銀、鉛、アルニウム、ナトリウム−カリウム合金またはそれらの混合金属、リチウム−アルミニウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの混合金属、インジウム、イッテリビウム等の希土類金属等が挙げられ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以下の材料であり、より好ましくはアルミニウム、リチウム−アルミニウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの混合金属等である。陰極は、上記化合物及び混合物の単層構造だけでなく、上記化合物及び混合物を含む積層構造を取ることもできる。陰極の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１００ｎｍ〜１μｍである。陰極の作製には電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、コーティング法などの方法が用いられ、金属を単体で蒸着することも、二成分以上を同時に蒸着することもできる。さらに、複数の金属を同時に蒸着して合金電極を形成することも可能であり、またあらかじめ調整した合金を蒸着させてもよい。陽極及び陰極のシート抵抗は低い方が好ましく、数百Ω／□以下が好ましい。
【００２５】
発光層の材料は、電界印加時に陽極または正孔注入層、正孔輸送層から正孔を注入することができると共に陰極または電子注入層、電子輸送層から電子を注入することができる機能や、注入された電荷を移動させる機能、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層を形成することができるものであれば何でもよい。好ましくは発光層に本発明のアミン化合物を含有するものであるが、他の発光材料を用いることもできる。例えばベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アルダジン誘導体、ピラリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体、キナクリドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、スチリルアミン誘導体、芳香族ジメチリディン化合物、８−キノリノール誘導体の金属錯体や希土類錯体に代表される各種金属錯体等、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物等が挙げられる。発光層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。
発光層の形成方法は、特に限定されるものではないが、抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子積層法、コーティング法（スピンコート法、キャスト法、ディップコート法など）、ＬＢ法、インクジェット法などの方法が用いられ、好ましくは抵抗加熱蒸着、コーティング法である。
【００２６】
正孔注入層、正孔輸送層の材料は、陽極から正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極から注入された電子を障壁する機能のいずれか有しているものであればよい。本発明では一般式（１）の化合物をこの目的に使用する。正孔注入層、正孔輸送層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。正孔注入層、正孔輸送層は上述した材料の１種または２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
正孔注入層、正孔輸送層の形成方法としては、真空蒸着法やＬＢ法やインクジェット法、前記正孔注入輸送剤を溶媒に溶解または分散させてコーティングする方法（スピンコート法、キャスト法、ディップコート法など）が用いられる。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解または分散することができ、樹脂成分としては例えば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂などが挙げられる。
【００２７】
電子注入層、電子輸送層の材料は、陰極から電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から注入された正孔を障壁する機能のいずれか有しているものであればよい。その具体例としては、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルビジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体等が挙げられる。電子注入層、電子輸送層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。電子注入層、電子輸送層は上述した材料の１種または２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
電子注入層、電子輸送層の形成方法としては、真空蒸着法やＬＢ法やインクジェット法、前記電子注入輸送剤を溶媒に溶解または分散させてコーティングする方法（スピンコート法、キャスト法、ディップコート法など）などが用いられる。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解または分散することができ、樹脂成分としては例えば、正孔注入輸送層の場合に例示したものが適用できる。
【００２８】
保護層の材料としては水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。その具体例としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ2 、Ａｌ2Ｏ3、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、ＴｉＯ2等の金属酸化物、ＭｇＦ2、ＬｉＦ、ＡｌＦ3、ＣａＦ2等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。
保護層の形成方法についても特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーティング法、インクジェット法を適用できる。
【００２９】
【実施例】
以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれにより限定されるものではない。
（実施例１）
25mm×25mm×0.7mmのガラス基板上にITOを150nmの厚さで製膜したもの（東京三容真空（株）製）を透明支持基板とした。この透明支持基板をエッチング、洗浄後、銅フタロシアニンを約10nm蒸着した。次にTPD（N,N' -ビス（3-メチルフェニル）-N,N'-ジフェニルベンジジン）約40nm、および第３層としてAlq（トリス（8-ヒドロキシキノリナト）アルミニウム）約60nmを順に10-3〜10-4Paの真空中で、基板温度室温の条件下蒸着した。有機薄膜上にパターニングしたマスク（発光面積が5mm×5mmとなるマスク）を設置し、蒸着装置内でマグネシウム：銀＝10:1を250nm共蒸着した後、銀300nmを蒸着し、素子101を作製した。
素子101に対して、TPDの代わりに比較化合物３種と本発明の化合物４種を用いた以外は、101と全く同じ組成のEL素子102〜108を作製した。
東陽テクニカ製ソースメジャーユニット2400型を用いて、直流定電圧をEL素子に印加し発光させ、その輝度をトプコン社の輝度計BM-8、また発光波長については浜松ホトニクス社製スペクトルアナライザーPMA-11を用いて測定した。その結果を表１に示す。
【００３０】
【表１】
0004144987.tif 000022
【００３１】
【化１２】
0004144987.tif 000023
【００３２】
また、これらの素子をアルゴンガスで置換したオートクレーブ中に封入し、85℃の加熱条件下、１０日間保存した後に、同様の輝度測定・および発光面状観察を行った結果を表２に示す。
【００３３】
【表２】
0004144987.tif 000024
【００３４】
表１の結果から明らかな様に、比較化合物を用いた素子102〜104ではタイプ素子101に比べて低輝度の発光しか得られていないことがわかる。これに対して、本発明の正孔輸送材料を用いた素子105〜108では、タイプ以上の発光が観測された。
さらに、表２の結果から、本発明の化合物を用いた素子では、耐久性の面においても、タイプ以上の顕著な性能が得られていることがわかる。
【００３５】
（実施例２）
実施例１と同様にエッチング、洗浄したITOガラス基板上に、ポリ（N-ビニルカルバゾール(PVK)）40mg、2,5-ビス（1-ナフチル）-1,3,4-オキサジアゾール12mg、クマリン-6 10mgを1,2-ジクロロエタン3mlに溶解した溶液をスピンコートした。このときの有機層の膜厚は約120nmであった。次いで実施例１と同様に陰極を蒸着し、EL素子201を作製した。
素子201に対して、PVKの代わりに比較化合物２種と本発明の化合物２種を用いた以外は、201と全く同じ組成のEL素子202〜205を作製した。
東陽テクニカ製ソースメジャーユニット2400型を用いて、直流定電圧をEL素子に印加し発光させ、その輝度をトプコン社の輝度計BM-8、また発光波長については浜松ホトニクス社製スペクトルアナライザーPMA-11を用いて測定した。その結果を表３に示す。
【００３６】
【表３】
0004144987.tif 000025
【００３７】
【化１３】
0004144987.tif 000026
【００３８】
表３の結果から明らかな様に、比較化合物を用いた素子202,203ではタイプ素子201に比べて低輝度の発光しか得られていないことがわかる。これに対して、本発明の正孔輸送材料を用いた素子204,205では、タイプ以上の高い輝度の発光が観測された。
【発明の効果】
本発明の含ケイ素環構造を有する化合物を用いることによって、輝度が高く、且つ耐久性に優れた有機発光素子が得られる。