(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第１ヒューズを有する温度センサを含み、半導体メモリ装置の動作温度を示す動作温度信号を発生する温度センサ部と、
複数の第２ヒューズを有し、前記動作温度信号に応答して、前記複数の第２ヒューズの状態に応じて決定される周期制御信号を発生するクロック周期制御部と、
前記周期制御信号に従って、前記半導体メモリ装置の動作温度に応じて周期が調節されたリフレッシュクロックを発生するクロック発生部とを備え、
前記温度センサの前記複数の第１ヒューズは、前記動作温度信号が前記半導体メモリ装置の実際の動作温度を示すようにカットされ、前記温度センサ部は、通常動作モードにおいては、前記温度センサの出力値によって前記動作温度信号の値を決定し、テストモードにおいては、前記半導体メモリ装置が動作している温度の区間を示すように値が決定される温度センサ出力制御信号のみによって前記動作温度信号の値を決定することを特徴とする半導体メモリ装置。
【請求項２】
前記温度センサ出力制御信号は、
複数のビットを含み、前記半導体メモリ装置が動作する温度の区間、及び、前記半導体メモリ装置がテストモードであるか通常動作モードであるかを示すことを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリ装置。
【請求項３】
前記クロック周期制御部は、前記半導体メモリ装置が動作する温度の区間の数に対応する個数の周期調節部を含み、各周期調節部は、対応する温度の区間についての前記動作温度信号によってイネーブルされて前記周期制御信号を発生することを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリ装置。
【請求項４】
前記クロック発生部は、
前記周期制御信号を受信して周期が調節された前記リフレッシュクロックを発生する発振器を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリ装置。
【請求項５】
前記クロック発生部は、
前記発振器の出力信号を受信して前記リフレッシュクロックの周期を変更するカウンタをさらに備えることを特徴とする請求項４に記載の半導体メモリ装置。
【請求項６】
複数のヒューズをそれぞれ含む温度センサ部及びクロック周期制御部を備える半導体メモリ装置の動作温度変化によるリフレッシュクロックの周期を調節する方法において、
（ａ）前記温度センサ部が出力する動作温度信号が前記半導体メモリ装置の実際の動作温度を示すように前記温度センサ部の前記複数のヒューズをカットする段階と、
（ｂ）前記半導体メモリ装置の動作温度に応じてリフレッシュクロックの周期が調節されるように前記クロック周期制御部の前記複数のヒューズをカットする段階と、を含み、
（ｃ）前記周期制御信号を受信して前記半導体メモリ装置の動作温度に応じて周期が調節されたリフレッシュクロックを発生する段階とを含むことを特徴とするリフレッシュクロックの周期を調節する方法。
【請求項７】
前記温度センサ出力制御信号は、
複数のビットを含み、前記半導体メモリ装置が動作する温度の区間、及び、半導体メモリ装置がテストモードであるか通常動作モードであるかを示すことを特徴とする請求項６に記載のリフレッシュクロックの周期を調節する方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体メモリ装置に係り、特に温度と工程の変化に応じて適切にリフレッシュ周期を調節し、消費電力を減少させ、信頼性を改善した半導体メモリ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般にセルキャパシタには電荷の形でデータが保存されるが、キャパシタが完壁でないために保存された電荷は漏れ電流により外部に漏れる。したがって、データが完全に消滅する前にデータを読出して再び書込む反復過程が必要であるが、これをリフレッシュ動作という。原則的には、リフレッシュ動作中は、コンピュータはＤＲＡＭを使用できない。１回のリフレッシュ動作にかかる時間は通常の書込み動作サイクルと同一であり、この時間が過ぎれば外部コンピュータがＤＲＡＭを使用できる。リフレッシュ動作のためにＤＲＡＭを使用できない比率をビジーレート（ｂｕｓｙ  ｒａｔｅ）といい、この値は短いほど良い。
【０００３】
コンピュータシステムがスリープモードにある場合に大部分の内部装置はターンオフされるが、ＤＲＡＭはデータを保持し続けるためにリフレッシュをしなければならず、これによってＤＲＡＭではセルフリフレッシュ電流が流れる。ところが、バッテリーで動作するコンピュータシステムにおいてはセルフリフレッシュ電流を減らすことが非常に重要である。
【０００４】
最近の技術開発の傾向の一つがリフレッシュ周期を温度に応じて変えつつ電流を減らそうとする試みである。温度をいくつかの領域に分けて、低温ではリフレッシュクロックの周波数を相対的に低めて電流の消耗を省くことである。これは、ＤＲＡＭのデータ保有時間が、温度が低くなるほど長くなるという事実に基づいている。
【０００５】
しかし、このような構造には次のような短所がある。すなわち、工程変化に対して温度センサの特性が均一性を失ってセンシング温度が大きく変わりうるという点である。例えば、実際にはチップが６０℃で動作していて高い周波数のリフレッシュクロックが必要であるが、温度センサが４５℃であると誤って判断して低い周波数のリフレッシュクロックを供給すると、リフレッシュ不良が発生することがある。温度センサの性能に対する過度な負担は面積の増加につながる面もある。また、工程変化によってデータ保有時間に変動が生じる可能性があるが、ＤＲＡＭセルの特性をモニタリングしない既存の方式では、ＤＲＡＭセルの特性がある程度以上に悪くなる場合、これをパート別に補正できず、いずれもリフレッシュ欠陥として処理されることがある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明が解決しようとする技術的課題は、温度と工程の変化に対して安定的にリフレッシュ周期を調節できる半導体メモリ装置を提供することにある。
【０００７】
本発明が解決しようとする他の技術的課題は、温度と工程の変化に対して安定的にリフレッシュ周期を調節できる方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記技術的課題を達成するため、本発明による半導体メモリ装置は、温度センサ部、クロック周期制御部及びクロック発生部を備えることを特徴とする。
【０００９】
前記温度センサ部は、例えば、複数のヒューズを有し、センサコーディング信号を受信して前記複数のヒューズがカットされ、温度センサ出力制御信号に応答して半導体メモリ装置の実際動作温度を示す。
【００１０】
前記温度センサ出力制御信号は、例えば、複数のビットを有し、前記半導体メモリ装置が動作する温度の区間、及び、前記半導体メモリ装置がテストモードであるか実際のメモリシステム動作モード（通常動作モード）であるかを示す。
【００１１】
クロック周期制御部は、例えば、複数のヒューズを有し、周期コーディング信号を受信して前記複数のヒューズがカットされ、前記動作温度信号に応答して周期制御信号を発生する。
【００１２】
前記センサコーディング信号及び周期コーディング信号は、例えば、同数の複数のビットを含み、前記温度センサのセンシング温度及び前記クロック周期制御部が発生する周期制御信号の周期を変更する。
【００１３】
前記クロック発生部は、例えば、前記周期制御信号を受信して前記半導体メモリ装置の動作温度に応じて周期が調節されるリフレッシュクロックを発生する。
【００１４】
上記他の技術的課題を達成するため、本発明によれば、複数のヒューズを有する温度センサ部及びクロック周期制御部を備える半導体メモリ装置の動作温度変化によるリフレッシュクロックの周期を調節する方法において、（ａ）センサコーディング信号を受信して前記温度センサ部の上記複数のヒューズがカットされ、温度センサ出力制御信号に応答して前記半導体メモリ装置の実際の動作温度を示す動作温度信号を発生する段階と、（ｂ）周期コーディング信号を受信して前記クロック周期制御部の前記複数のヒューズがカットされ、前記動作温度信号に応答して周期制御信号を発生する段階と、（ｃ）前記周期制御信号を受信して前記半導体メモリ装置の動作温度に応じて周期が調節されるリフレッシュクロックを発生する段階とを含むことを特徴とする。
【００１５】
本発明による半導体メモリ装置は、温度と工程の２つの要素の変化があってもリフレッシュ周期が適当に調節されて消費電力を減少させて半導体メモリ素子のビジーレートも減少させうるという長所がある。
【００１６】
上記技術的課題を達成するため、本発明の集積回路素子のためのクロック発生回路は、センサコーディング信号及び温度センサに応答する第１調整回路を含む温度センサ部（前記温度センサ部は、その出力である動作温度信号が温度センサ出力制御信号により制御される第１状態と、前記動作温度信号が温度センサ及び前記第１調整回路によって制御される第２状態とを有する）と、所定の周期コーディング信号に応答する第２調整回路を含み前記動作温度信号及び前記第２調整回路により制御される周期制御信号を生じるクロック周期制御部と、前記周期制御信号を受信してクロック信号を発生するクロック発生部とを備えることを特徴とする。
【００１７】
前記第１調整回路は、例えば、複数のヒューズを有し、前記センサコーディング信号が前記温度センサの出力に係る前記動作温度信号を調整するために前記複数のヒューズの状態を選択（決定）する。
【００１８】
前記第２調整回路は、例えば、複数のヒューズを有し、前記周期コーディング信号が前記周期制御信号を調整するために前記複数のヒューズの状態を選択（決定）する。
【００１９】
前記温度センサ部の前記第１または第２状態は、例えば、前記温度センサ出力制御信号によって選択される。前記動作温度信号は、例えば、複数の状態を有するデジタル信号であり、前記複数の状態は、例えば、集積回路装置の動作温度範囲に対応する。
【００２０】
例えば、前記第１状態はテストモードであり、前記第２状態は実際動作モード（通常動作モード）であり、前記温度センサ出力制御信号はテストモードにおいて複数の動作温度範囲のうち一つを示す複数のビットを有する。
【００２１】
前記温度センサは、例えば、集積回路装置の検出温度によって制御されるデジタル温度信号を発生し、前記温度センサ部は、例えば、前記温度センサが発生するデジタル温度信号及び前記センサコーディング信号によって制御される前記動作温度信号を発生するマルチプレクサをさらに備える。
【００２２】
前記温度センサが発生するデジタル温度信号及び前記温度センサ出力制御信号は、例えば、各々集積回路装置の動作温度範囲に対応する複数のビットを有する。前記クロック周期制御部は、前記周期コーディング信号を受信する前記クロック周期制御部の前記第２調整回路によって調節される複数の周期調節部を有し、前記複数の周期調節部のうち少なくとも一つが前記周期制御信号を発生するために前記動作温度信号によって選択される。
【００２３】
前記クロック発生部は、例えば、前記周期制御信号によって制御される周期を有する上記クロック信号を発生するオシレータを備える。前記集積回路装置は、例えばメモリ装置を含み、前記クロック信号は、例えばリフレッシュクロックを含む。
【００２４】
上記技術的課題を達成するため、本発明の集積回路メモリ装置は、センサコーディング信号及び温度センサに応答する第１調整回路を含む温度センサ部（前記温度センサ部は、その出力の動作温度信号が温度センサ出力制御信号により制御される第１状態と、前記動作温度信号が前記メモリ温度信号の第２状態とを有し、前記第１状態または第２状態は前記温度センサ出力制御信号によって選択される）と、所定の周期コーディング信号に応答する第２調整回路を含み前記動作温度信号及び前記第２調整回路により制御される周期制御信号を発生するクロック周期制御部と、前記周期制御信号を受信して前記メモリ装置のリフレッシュクロックを発生するクロック発生部とを備えることを特徴とする。
【００２５】
前記メモリ温度信号及び前記温度センサ出力制御信号は、例えば複数のビットを各々有し、前記複数のビットは、例えば前記メモリ装置の動作温度範囲に対応する。
【００２６】
前記クロック周期制御部は、例えば、前記周期コーディング信号を受信する前記クロック周期制御部の前記第２調整回路によって調節される複数の周期調節部を有し、前記複数の周期調節部のうち少なくとも一つが前記周期制御信号を発生するために前記動作温度信号によって選択される。
【００２７】
前記クロック発生部は、例えば、前記周期制御信号によって制御される周期を有する前記リフレッシュクロックを発生するオシレータを備える。
【００２８】
上記技術的課題を達成するため、集積回路メモリ装置のリフレッシュ周期を制御する方法は、選択されたセンサコーディング信号を所定の温度センサ部に印加してメモリ装置の動作温度に対応するメモリ温度信号を発生するために前記メモリ装置の前記温度センサ部を調整する段階と、前記温度センサ部の出力の動作温度信号が温度センサ出力制御信号により制御される前記温度センサ部のテストモードまたは前記動作温度信号が上記メモリ温度信号の前記温度センサ部の実際動作モード（通常動作モード）を選択して、前記テストモードまたは前記実際動作モードを前記温度センサ出力制御信号によって選択する段階と、前記動作温度信号によって制御される周期コーディング信号をクロック周期制御部に印加して所望の周期を有する周期制御信号を発生する前記メモリ装置の前記クロック周期制御部を調整する段階と、前記周期制御信号によって周期が制御される前記メモリ装置のリフレッシュクロックを発生する段階とを含むことを特徴とする。
【００２９】
【発明の実施の形態】
本発明とその動作上の利点及び本発明の実施によって達成される目的を十分に理解するためには本発明の望ましい実施形態を例示する添付図面及び図面に記載された内容を参照しなければならない。
【００３０】
以下、添付した図面を参照して本発明の望ましい実施形態を説明することによって、本発明を詳細に説明する。各図面に付された同じ参照符号は同じ要素を示す。
【００３１】
図１を参照すれば、本発明の第１実施形態による半導体メモリ装置１００は、温度センサ部１１０、クロック周期制御部１２０及びクロック発生部１３０を備える。
【００３２】
テストモード（ＭＲＳ  ｍｏｄｅ）においてセンサコーディング信号ＴＥＭＰＣＯＤＥＳを変化させながら半導体メモリ装置の温度状態を温度センサ部１１０が正確に出力する最適なセンサコーディング信号ＴＥＭＰＣＯＤＥＳを捜し出した後に、その最適なセンサコーディング信号ＴＥＭＰＣＯＤＥＳにより温度センサ部１１０に備えられたヒューズをカットする。温度センサ部１１０の最終出力は、半導体メモリ装置の実際の動作温度を示す動作温度信号ＴＥＭＰＳであり、これは温度センサ部１１０の内部に備えられた温度センサの出力と温度センサ出力制御信号ＴＥＭＰＳＥＬＥＣＴ＿ＴＥＳＴの制御を通じて決定される。
【００３３】
この実施形態では、温度センサ部１１０は、温度センサ２１０及びマルチプレクサ２２０を備える。
【００３４】
ヒューズをカットするテストモード（ＭＲＳ  ｍｏｄｅ）では、テスト温度を示す温度センサ部１１０の出力値である動作温度信号ＴＥＭＰＳは、温度センサ出力制御信号ＴＥＭＰＳＥＬＥＣＴ＿ＴＥＳＴのみによって決まり、温度センサ部１１０内部の温度センサ２１０の出力であるセンサ出力信号ＳＥＮＯＵＴとは関係ない。クロック周期制御部１２０は、動作温度信号ＴＥＭＰＳに応答して、それによって示される温度に適切なリフレッシュクロックＲＦＲＣＫの周期を発生する。一方、メモリシステムが実際に動作するモード（通常動作モード）では、温度センサ部１１０の出力値である動作温度信号ＴＥＭＰＳは、センサ出力信号ＳＥＮＯＵＴによって決まる。
【００３５】
センサコーディング信号ＴＥＭＰＣＯＤＥＳは、複数のビットで構成されており、温度センサ２１０が出力する動作温度信号ＴＥＭＰＳ（すなわちセンシング温度）を変化させる。
【００３６】
クロック周期制御部１２０は、複数のヒューズを備えており、周期コーディング信号ＰＲＤＣＯＤＥＳによって該複数のヒューズのうち該当するヒューズがカットされ、周期制御信号ＰＲＤＣＴＲＬＳを発生する。周期コーディング信号ＰＲＤＣＯＤＥＳは、複数のビットで構成されており、クロック周期制御部１２０が発生する周期制御信号ＰＲＤＣＴＲＬＳを変更することができる。
【００３７】
クロック発生部１３０は、周期制御信号ＰＲＤＣＴＲＬＳを受信して、半導体メモリ装置１００の動作温度に応じて周期が調節されるリフレッシュクロックＲＦＲＣＫを変更することができる。
【００３８】
以下、図１を参照して本発明の実施形態による半導体メモリ装置１００の動作を詳細に説明する。
【００３９】
例えば、半導体メモリ装置１００が実際には１００℃で動作しているが、温度センサ部１１０が工程の変化に起因して半導体メモリ装置１００が８０℃で動作していると判断した場合において、センサコーディング信号ＴＥＭＰＣＯＤＥＳは、温度センサ部１１０が実際の動作温度を示すように、温度センサ部１１０の内部に備えられた複数のヒューズのうち該当するヒューズをカットする。すなわち、センサコーディング信号ＴＥＭＰＣＯＤＥＳは、複数のビットで構成されており、温度センサ部１１０が出力する動作温度信号ＴＥＭＰＳ（すなわちセンシング温度）を変更することができる。例えば、センサコーディング信号ＴＥＭＰＣＯＤＥＳが６ビットで構成される場合、センサコーディング信号ＴＥＭＰＣＯＤＥＳを００００００から１１１１１１まで変化させながら、温度センサ部１１０が実際の動作温度である例えば１００℃を示す動作温度信号ＴＥＭＰＳを出力する時のセンサコーディング信号ＴＥＭＰＣＯＤＥＳを探す。そして、その時のセンサコーディング信号ＴＥＭＰＣＯＤＥＳによって温度センサ部１１０の内部に備えられたヒューズを切る。これにより、半導体メモリ装置１００が動作している実際の温度が正確にセンシングされたときに、温度センサ部１１０は、温度センサ出力制御信号ＴＥＭＰＳＥＬＥＣＴ＿ＴＥＳＴに応答して現在の実際の動作温度を示すための複数のビットで構成される動作温度信号ＴＥＭＰＳを発生する。
【００４０】
温度センサ出力制御信号ＴＥＭＰＳＥＬＥＣＴ＿ＴＥＳＴは複数のビットで構成されており、各々のビットは半導体メモリ装置１００が動作している温度の区間を選択する。例えば、半導体メモリ装置１００が動作する温度が１００℃と７０℃と４０℃の３つの区間に分けられる場合は、温度センサ出力制御信号ＴＥＭＰＳＥＬＥＣＴ＿ＴＥＳＴは、３ビットで構成されうる。
【００４１】
クロック周期制御部１２０は、所定の周期コーディング信号ＰＲＤＣＯＤＥＳを受信して、複数のビットで構成される動作温度信号ＴＥＭＰＳのうち活性化した一つのビットに応答して、リフレッシュクロックＲＦＲＣＫの周期を調節する周期制御信号ＰＲＤＣＴＲＬＳを発生する。
【００４２】
周期コーディング信号ＰＲＤＣＯＤＥＳは、複数のビットで構成されており、クロック周期制御部１２０が発生する周期制御信号ＰＲＤＣＴＲＬＳを変更することができる。例えば、周期コーディング信号ＰＲＤＣＯＤＥＳが６ビットであると仮定しよう。この場合、例えば、周期コーディング信号ＰＲＤＣＯＤＥＳが００００００である時は６Ｋ個のセルをリフレッシュするリフレッシュクロックＲＦＲＣＫの周期を１０ｍｓとし、周期コーディング信号ＰＲＤＣＯＤＥＳが１１１１１１である時は６Ｋ個のセルをリフレッシュするリフレッシュクロックＲＦＲＣＫの周期を１００ｍｓとするように、周期コーディング信号ＰＲＤＣＯＤＥＳを変更しながら周期制御信号ＰＲＤＣＴＲＬＳを変更することができる。
【００４３】
したがって、動作温度信号ＴＥＭＰＳが示す実際の動作温度に適したリフレッシュクロックＲＦＲＣＫの周期を発生する周期コーディング信号ＰＲＤＣＯＤＥＳを探して、その周期コーディング信号ＰＲＤＣＯＤＥＳに応じてクロック周期制御部１２０内部に備えられた複数のヒューズのうち該当するヒューズを切り、その時の周期コーディング信号ＰＲＤＣＯＤＥＳによって周期制御信号ＰＲＤＣＴＲＬＳが発生するようにする。クロック周期発生部１２０については後述する図３で詳細に説明する。
【００４４】
クロック発生部１３０は、周期制御信号ＰＲＤＣＴＲＬＳを受信して、動作温度に適した周期を有するリフレッシュクロックＲＦＲＣＫを発生する。クロック発生部１３０は、周期制御信号ＰＲＤＣＴＲＬＳを受信して、周期が調節されたリフレッシュクロックＲＦＲＣＫを生じる発振器（図示せず）を備える。発振器は、リフレッシュクロックＲＦＲＣＫの周期を連続的に変更することができる。或いは、クロック発生部１３０は、発振器の出力信号を受信してリフレッシュクロックの周期を変更するカウンタ（図示せず）をさらに備えてもよい。周期を連続的に変える発振器と違って、カウンタは周期を２倍または４倍のように変更することができて、より速く周期を調節できる。
【００４５】
図２を参照すれば、温度センサ部１１０は、温度センサ２１０及びマルチプレクサ２２０を備える。
【００４６】
温度センサ２１０は、センサコーディング信号ＴＥＭＰＣＯＤＥＳを受信して実際の動作温度をセンシングして、複数のビットで構成されるセンサ出力信号ＳＥＮＯＵＴとして出力する。センサ出力信号ＳＥＮＯＵＴは、温度センサ出力制御信号ＴＥＭＰＳＥＬＥＣＴ＿ＴＥＳＴと同数のビットを有する。したがって、半導体メモリ装置１００が動作する温度区間を３つの区間に分けた場合、センサ出力信号ＳＥＮＯＵＴも３ビットを有する。
【００４７】
半導体メモリ装置１００が動作する温度区間を１００℃と７０℃と４０℃の３つの区間に分けた場合を一例として挙げると、半導体メモリ装置１００が１００℃で動作している時は３ビットのセンサ出力信号ＳＥＮＯＵＴは温度センサ２１０から１１１として発生する。同様に、半導体メモリ装置１００が７０℃で動作している時は３ビットのセンサ出力信号ＳＥＮＯＵＴは０１１として発生し、４０℃で動作している時は３ビットのセンサ出力信号ＳＥＮＯＵＴは００１として発生する。したがって、温度センサ２１０が発生するセンサ出力信号ＳＥＮＯＵＴをモニタリングすることにより、温度センサ２１０が半導体メモリ装置１００の動作温度を正確に検出しているかどうかを判断することができる。すなわち、モニタリングした結果が実際の動作温度を示していなければ、センサコーディング信号ＴＥＭＰＣＯＤＥＳを変え続けながら、実際の動作温度を示すように調節することができる。
【００４８】
マルチプレクサ２２０は、センサ出力信号ＳＥＮＯＵＴを受信して、温度センサ出力制御信号ＴＥＭＰＳＥＬＥＣＴ＿ＴＥＳＴに応答して、センサ出力信号ＳＥＮＯＵＴの複数のビットの論理値に従って動作温度信号ＴＥＭＰＳを発生する。
【００４９】
より詳細にマルチプレクサ２２０の動作を説明すれば、温度センサ出力制御信号ＴＥＭＰＳＥＬＥＣＴ＿ＴＥＳＴのうち例えば１００℃を示す一つのビットだけが論理ハイで残りのビットはすべて論理ローであれば、動作温度信号ＴＥＭＰＳは、温度センサ出力制御信号ＴＥＭＰＳＥＬＥＣＴ＿ＴＥＳＴのみによって決まり、センサ出力信号ＳＥＮＯＵＴとは関係ない。この場合は、クロック周期制御部１２０では、動作温度信号ＴＥＭＰＳに応答してその動作温度に適したリフレッシュクロックＲＦＲＣＫの周期を選択する動作が行われるが、これについては後述する。温度センサ出力制御信号ＴＥＭＰＳＥＬＥＣＴ＿ＴＥＳＴのすべてのビットが論理ローであれば、動作温度信号ＴＥＭＰＳはセンサ出力信号ＳＥＮＯＵＴによって決まる。この場合は、半導体メモリ装置１００が実際に動作するモードでの実際の動作温度をセンシングして表示する動作が行われる。
【００５０】
図３を参照すれば、本発明の実施形態による半導体メモリ装置１００のクロック周期制御部１２０は、動作温度信号ＴＥＭＰＳによってイネーブルされ周期コーディング信号ＰＲＤＣＯＤＥＳを受信してリフレッシュクロックＲＦＲＣＫの周期を調節する周期制御信号ＰＲＤＣＴＲＬＳを発生する複数の周期調節部３１０、３２０、３３０を備える。
【００５１】
複数の周期調節部３１０、３２０、３３０のうち一つの周期調節部だけが動作温度信号ＴＥＭＰＳによってイネーブルされる。例えば、動作温度信号ＴＥＭＰＳが１００℃を示すとすれば、第１周期調節部３１０に入力される動作温度信号ＴＥＭＰＳ１は論理ハイになり、残りの動作温度信号ＴＥＭＰＳ２、ＴＥＭＰＳ３は論理ローになって第１周期調節部３１０だけイネーブルされ、残りの周期調節部３２０、３３０はディセーブルされる。したがって、周期コーディング信号ＰＲＤＣＯＤＥＳはすべての周期調節部３１０、３２０、３３０に印加されるが、イネーブルされた第１周期調節部３１０だけが周期コーディング信号ＭＲＳＰＲＤに応答して第１周期制御信号ＰＲＤＣＴＲＬＳ１を発生する。第１周期制御信号ＰＲＤＣＴＲＬＳ１は、周期制御信号ＰＲＤＣＴＲＬＳとしてクロック周期制御部１２０から出力される。
【００５２】
このように生じた周期制御信号ＰＲＤＣＴＲＬＳによってクロック発生部１３０は半導体メモリ装置１００が動作する温度に適切な周期を有するリフレッシュクロックＲＦＲＣＫを発生する。
【００５３】
以上のように図面及び発明の実施の形態において最適の実施形態が開示された。ここで特定の用語が使われたが、これは本発明を説明するための目的で使われたものであって意味限定や特許請求の範囲に記載された本発明の範囲を制限するために使われたものではない。したがって、当業者であればこれより多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるということを理解できる。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は特許請求の範囲の技術的思想により定められなければならない。
【００５４】
【発明の効果】
上述したように本発明によれば、温度と工程の２つの要素の変化があってもリフレッシュ周期が適切に調節されて消費電力を減少させるとともにＤＲＡＭのビジーレートも減少させることができるという長所がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の望ましい実施形態によるリフレッシュクロックの周期を調節する半導体メモリ装置のブロック図である。
【図２】図１の温度センサ部の内部を示すブロック図である。
【図３】図１のクロック周期制御部の内部を示すブロック図である。
【図１】
0004050537.tif 000002
【図２】
0004050537.tif 000003
【図３】
0004050537.tif 000004