(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の温度調節部と当該第１の温度調節部上に設けられた第２の温度調節部とを具備したレーザモジュールにおいて、
前記第２の温度調節部上に設けられた半導体レーザ素子と、
前記第１の温度調節部上に設けられるとともに、前記半導体レーザ素子から出力されたレーザ光の波長変化を検出する波長モニタ部と、
前記第１の温度調節部は、前記波長モニタ部を一定温度に制御するとともに、前記第２の温度調節部は、前記半導体レーザ素子から出力されたレーザ光の波長を所望の可変値に設定するように前記半導体レーザ素子を温度制御することを特徴とするレーザモジュール。
【請求項２】
第１の温度調節部と、
前記第１の温度調節部上に設けられる半導体レーザ素子と、
前記半導体レーザ素子を近傍にて加熱する第２の温度調節部と、
前記第１の温度調節部上に設けられるとともに、前記半導体レーザ素子から出力されたレーザ光の波長変化を検出する波長モニタ部と、
前記第１の温度調節部は、前記波長モニタ部を一定温度に制御するとともに、前記第２の温度調節部は、前記半導体レーザ素子から出力されたレーザ光の波長を所望の可変値に設定するように前記半導体レーザ素子を温度制御することを特徴とするレーザモジュール。
【請求項３】
前記波長モニタ部は、当該波長モニタ部の温度を計測する波長モニタ用温度計測部を備え、
前記第１の温度調節部は、前記波長モニタ用温度計測部による計測結果に基づいて一定の温度となるように温度制御されることを特徴とする請求項１または２に記載のレーザモジュール。
【請求項４】
第１の温度調節部と、
前記第１の温度調節部上に設けられた第２の温度調節部と、
前記第１の温度調節部に並置された第３の温度調節部と、
前記第２の温度調節部上に設けられた半導体レーザ素子と、
前記第３の温度調節部上に設けられるとともに、前記半導体レーザ素子から出力されたレーザ光の波長変化を検出する波長モニタ部と、
前記第１の温度調節部は所定の一定温度に制御され、前記第２の温度調節部は、前記半導体レーザ素子から出力されたレーザ光の波長を所望の可変値に設定するように前記半導体レーザ素子を温度制御し、前記第３の温度調節部は、前記波長モニタ部を一定温度に制御することを特徴とするレーザモジュール。
【請求項５】
前記波長モニタ部は、当該波長モニタ部の温度を計測する波長モニタ用温度計測部を備え、
前記第３の温度調節部は、前記波長モニタ用温度計測部による計測結果に基づいて一定の温度となるように温度制御されることを特徴とする請求項４に記載のレーザモジュール。
【請求項６】
前記第２の温度調節部と前記波長モニタ部との間に絶縁性または断熱性を有する部材が配置されたことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載のレーザモジュール。
【請求項７】
前記第１の温度調節部上であってかつ前記半導体レーザ素子のレーザ出射側に設けられる光アイソレータ部を備えたことを特徴とする請求項１〜６のいずれか一つに記載のレーザモジュール。
【請求項８】
前記第２の温度調節部は、前記波長モニタ部による波長変化の検出結果に基づいて前記波長変化を抑制するように温度制御されることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一つに記載のレーザモジュール。
【請求項９】
前記第２の温度調節部は、前記波長モニタ部による波長変化の検出結果のみに基づいて前記半導体レーザ素子から出力されたレーザ光の波長を所望の値に設定するように前記半導体レーザ素子を温度制御することを特徴とする請求項１〜７のいずれか一つに記載のレーザモジュール。
【請求項１０】
前記半導体レーザ素子の温度を計測する半導体レーザ素子用温度計測部を備え、
前記第２の温度調節部は、前記半導体レーザ素子用温度計測部による計測結果と前記波長モニタ部による波長変化の検出結果とに基づいて前記半導体レーザ素子から出力されたレーザ光の波長を所望の値に設定するように前記半導体レーザ素子を温度制御することを特徴とする請求項１〜７のいずれか一つに記載のレーザモジュール。
【請求項１１】
前記波長モニタ部は、
前記半導体レーザ素子の後方光を２方向に分岐させるプリズムと、
前記プリズムによって分岐された一方の光を受光する第１の光検出器と、
前記プリズムによって分岐された他方の光を入射する光フィルタと、
前記光フィルタを透過した光を受光する第２の光検出器と、
を備え、
前記第１の光検出器による検出結果と前記第２の光検出器による検出結果に基づいて前記半導体レーザ素子から出力されたレーザ光の波長変化を検出することを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一つに記載のレーザモジュール。
【請求項１２】
前記波長モニタ部は、
前記半導体レーザ素子の前方光または後方光を入射する第１のビームスプリッタと、
前記半導体レーザ素子の前方光または後方光を入射する第２のビームスプリッタと、
前記第１のビームスプリッタによって反射された光を受光する第１の光検出器と、
前記第２のビームスプリッタによって反射された光を入射する光フィルタと、
前記光フィルタを透過した光を受光する第２の光検出器と、
を備え、
前記第１の光検出器による検出結果と前記第２の光検出器による検出結果に基づいて前記半導体レーザ素子から出力されたレーザ光の波長変化を検出することを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一つに記載のレーザモジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光送信器に利用される半導体レーザモジュール、特に波長分割多重（ＷＤＭ：Wavelength Division Multiplexing）システムに利用される光信号送信用のモジュール内部に波長モニタを内蔵するレーザモジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体レーザ素子は、注入電流を増加させることによって大きなレーザ出力パワーを得ることができるが、一般に、その注入電流に比例して素子自体の発熱量も増大する。熱の増大は、半導体レーザ素子を構成する半導体層や光学部品の特性に影響を及ぼし、実際に出力されるレーザ出力の波長が所望の波長からずれてしまったり、素子の寿命を縮めるといった種々の不具合を生じさせる。
【０００３】
特に、高密度ＷＤＭシステムに用いられる半導体レーザ素子では、波長制御を精確に行なう必要があるため、光信号の波長が長期に亘って安定していることが求められる。そのため、半導体レーザ素子が組み込まれたレーザモジュール内において、波長モニタの機能を設ける技術が公知となっている。
【０００４】
図１８は、従来のレーザモジュールのレーザ出射方向における側面断面図である。図１８において、従来のレーザモジュール２００は、パッケージ１０１の開口部、すなわち光射出部に、光ファイバ１１を保持するためのフェルール１２を設けている。
【０００５】
また、パッケージ１０１の底面上には、第１サーモモジュール６８と第２サーモモジュール６９が近接配置されている。第１サーモモジュール６８と第２サーモモジュール６９は、通電させる電流の大きさおよび向きによってその表面の加熱および冷却が可能な装置であり、ペルチェ素子等で構成される。
【０００６】
第１サーモモジュール６８上には、ＣｕＷ等で作製されたベース３０が載置され、さらにその上に、半導体レーザ素子２０が搭載されたサブマウント３４と、半導体レーザ素子２０の前側端面から出力されたレーザ光を光ファイバ１１に結合する集光レンズ３３と、光ファイバ１１側からの反射戻り光を阻止するための光アイソレータ３２と、半導体レーザ素子２０の後側端面から出力されたモニタ用のレーザ光を平行にする平行レンズ３５と、が設けられる。以下、ベース３０、集光レンズ３３、サブマウント３４および平行レンズ３５を含む部分をレーザ部と称する。
【０００７】
一方、第２サーモモジュール６９上には、ＣｕＷ等で作製されたベース５０が載置され、さらにその上に、半導体レーザ素子２０の後側端面から出力されたモニタ用のレーザ光を所定の角度で２方向に分岐させるプリズム５１と、プリズム５１によって分岐された光の一方を入射する光フィルタ５２と、サブマウント５３とが設けられる。また、サブマウント５３の前面（レーザ出射方向面）には、プリズム５１によって分岐された光の他方を受光する第１光検出器４１と、光フィルタ５２を透過した光を受光する第２光検出器４２とが、同一平面上に設けられている。なお、第１光検出器４１および第２光検出器４２としては、フォトダイオードが用いられる。
【０００８】
また、プリズム５１を固定する部分の近傍において、光フィルタ５２の温度をモニタするサーミスタ５４が設けられている。以下、ベース５０およびベース５０上に設けられる上記各構成要素を含む部分を波長モニタ部と称する。
【０００９】
このレーザモジュール２００では、上記した構成において、第１サーモモジュール６８および第２サーモモジュール６９の温度制御を行なうことにより、安定なレーザ発振を実現している。以下に、このレーザモジュール２００における温度制御について簡単に説明する。まず、半導体レーザ素子２０の後側端面から出力されたモニタ用のレーザ光は、平行レンズ３５を経て、プリズム５１によって２方向に分岐される。
【００１０】
プリズム５１によって分岐された一方の光は、第１光検出器４１によって電流に変換され、図示しない電流−電圧変換部において参照電圧として用いられる。また、プリズム５１によって分岐された他方の光は、光フィルタ５２を通過し、第２光検出器４２によって電流に変換され、図示しない電流−電圧変換部において信号電圧として用いられる。ここで、光フィルタ５２は、入射した光の波長に対して透過率の異なる特性を有しており、例えばエタロンで形成される。よって、所望の波長の光が光フィルタ５２を経ることで得られる信号電圧と、上記参照電圧との差分を基準電圧差とすると、実際の参照電圧と信号電圧との電圧差を上記した基準電圧差と比較することにより、波長のずれがわかることになる。
【００１１】
この波長のずれは、半導体レーザ素子２０の温度を変化させることで補正できるので、そのずれを補正するには、半導体レーザ素子２０下部のサブマウント３４の温度を調節（冷却または加熱）すればよい。そこで、図示しない制御部は、上記比較によって得られた波長のずれを示す電圧を、第１サーモモジュール６８の温度を制御する制御電圧として用い、第１サーモモジュール６８を温度調節器として動作させる。これにより、半導体レーザ素子２０は、第１サーモモジュール６８、ベース３０およびサブマウント３４を介して温度調節され、波長変化を抑制するように、すなわち所望の波長のレーザ光が出力されるようにフィードバック制御される（以下、この制御された状態を波長ロッキングと称する。）。
【００１２】
ところが、エタロンで形成された光フィルタ５２は、温度に依存して特性が変化するため、その温度を一定にしておくことが好ましい。そこで、図示しない制御部は、所望の温度とサーミスタ５４によって検出された温度との差分を演算し、その差分に相当する電圧を制御電圧として第２サーモモジュール６９の温度を制御する。これにより、光フィルタ５２は、第２サーモモジュール６９およびベース５０を介して加熱または冷却され、所望の温度に安定する。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来のレーザモジュールにおいて、半導体レーザ素子２０の温度は、第１サーモモジュール６８のみによって制御されるため、半導体レーザ素子２０の温度を所定の範囲内で選択し、選択された温度下で発振される波長のレーザ光を利用するという、いわゆる波長可変型レーザモジュールを実現するには、その波長可変範囲、すなわち温度可変範囲が十分でないという問題があった。以下に、この問題について説明する。
【００１４】
通常のサーモモジュールにおいて制御可能な温度範囲は、６０℃程度であるため、例えば、レーザモジュールのパッケージの温度仕様として−５℃〜７０℃を要求した場合、上記した第１サーモモジュール６８による温度可変範囲は１０℃〜５５℃となり、半導体レーザ素子２０をほぼ４５℃の範囲で調整することが可能となる。半導体レーザ素子の発振波長の温度依存性は半導体の材料で決まり、０．１ｎｍ／℃程度であることが知られているので、上記例の場合、波長可変範囲は、０．１ｎｍ／℃×４５℃＝４．５ｎｍとなる。ところが、この程度の波長可変範囲では、利用したい発振波長が異なる種々のアプリケーションに対応するには困難であり、実用性に乏しい。
【００１５】
本発明は上記に鑑みてなされたものであって、光フィルタを用いた波長モニタによる安定な波長ロッキングが可能であり、かつ半導体レーザ素子の温度制御範囲を広げることで発振波長の可変範囲を広げたレーザモジュールを提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１にかかる発明は、第１の温度調節部と当該第１の温度調節部上に設けられた第２の温度調節部と、を具備したレーザモジュールにおいて、前記第２の温度調節部上に設けられる半導体レーザ素子と、前記第１の温度調節部上に設けられるとともに、前記半導体レーザ素子から出力されたレーザ光の波長変化を検出する波長モニタ部と、を備えたことを特徴としている。
【００１７】
この発明によれば、波長モニタ部を一定温度にして、その波長モニタを構成する種々の部品の波長弁別特性を安定化させることができるとともに、レーザ部の温度を制御する第２の温度調節部が、一定温度に制御された第１の温度調節部上に設けられているので、そのレーザ部の温度可変範囲を広げることができる。
【００１８】
また、請求項２にかかる発明は、第１の温度調節部と、前記第１の温度調節部上に設けられる半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子を近傍にて加熱する第２の温度調節部と、前記第１の温度調節部上に設けられるとともに、前記半導体レーザ素子から出力されたレーザ光の波長変化を検出する波長モニタ部と、を備えたことを特徴としている。
【００１９】
この発明によれば、ヒータ等の第２の温度調節部によって、第１の温度調節部とは独立して半導体レーザ素子を加熱することができる。
【００２０】
また、請求項３にかかる発明は、請求項１または２に記載のレーザモジュールにおいて、前記第１の温度調節部は、前記波長モニタ部を一定温度に制御するとともに、前記第２の温度調節部は、前記半導体レーザ素子から出力されたレーザ光の波長を所望の値に設定するように前記半導体レーザ素子を温度制御することを特徴としている。
【００２１】
この発明によれば、第２の温度調節部における温度可変範囲のうちの所望の温度を基準温度に設定することで、半導体レーザ素子の発振波長を変更することができる。
【００２２】
また、請求項４にかかる発明は、請求項１〜３のいずれか一つに記載のレーザモジュールにおいて、前記波長モニタ部は、当該波長モニタ部の温度を計測する波長モニタ用温度計測部を備え、前記第１の温度調節部は、前記波長モニタ用温度計測部による計測結果に基づいて一定の温度となるように温度制御されることを特徴としている。
【００２３】
この発明によれば、前記波長モニタ用温度計測部による計測結果に基づいて、半導体レーザ素子の温度を変化させることができる。
【００２４】
また、請求項５にかかる発明は、第１の温度調節部と、前記第１の温度調節部上に設けられた第２の温度調節部と、前記第１の温度調節部に並置された第３の温度調節部と、前記第２の温度調節部上に設けられた半導体レーザ素子と、前記第３の温度調節部上に設けられるとともに、前記半導体レーザ素子から出力されたレーザ光の波長変化を検出する波長モニタ部と、を備えたことを特徴としている。
【００２５】
この発明によれば、第３の温度調節部によって波長モニタ部を一定温度にして、その波長モニタを構成する種々の部品の波長弁別特性を安定化させることができるとともに、レーザ部の温度を制御する第２の温度調節部が、一定温度に制御された第１の温度調節部上に設けられているので、そのレーザ部の温度可変範囲を広げることができる。
【００２６】
また、請求項６にかかる発明は、請求項５に記載のレーザモジュールにおいて、前記第１の温度調節部は所定の一定温度に制御され、前記第２の温度調節部は、前記半導体レーザ素子から出力されたレーザ光の波長を所望の値に設定するように前記半導体レーザ素子を温度制御し、前記第３の温度調節部は、前記波長モニタ部を一定温度に制御することを特徴としている。
【００２７】
この発明によれば、第２の温度調節部における温度可変範囲のうちの所望の温度を基準温度に設定することで、半導体レーザ素子の発振波長を変更することができる。
【００２８】
また、請求項７にかかる発明は、請求項５または６に記載のレーザモジュールにおいて、前記波長モニタ部は、当該波長モニタ部の温度を計測する波長モニタ用温度計測部を備え、前記第３の温度調節部は、前記波長モニタ用温度計測部による計測結果に基づいて一定の温度となるように温度制御されることを特徴としている。
【００２９】
この発明によれば、前記波長モニタ用温度計測部による計測結果に基づいて、半導体レーザ素子の温度を変化させることができる。
【００３０】
また、請求項８にかかる発明は、請求項１〜７に記載のレーザモジュールにおいて、前記第２の温度調節部と前記波長モニタ部との間に絶縁性または断熱性を有する部材が配置されたことを特徴としている。
【００３１】
この発明によれば、第２の温度調節部とそれに隣接する他の部品との間において、電気絶縁または断熱を施すことができる。
【００３２】
また、請求項９にかかる発明は、請求項１〜８に記載のレーザモジュールにおいて、前記第１の温度調節部上であってかつ前記半導体レーザ素子のレーザ出射側に設けられる光アイソレータ部を備えたことを特徴としている。
【００３３】
この発明によれば、第１の温度調節部の温度を一定に制御することによって、光アイソレータ部の温度を一定にし、アイソレーション特性を所望の値に固定することができる。
【００３４】
また、請求項１０にかかる発明は、請求項１〜９のいずれか一つに記載のレーザモジュールにおいて、前記第２の温度調節部は、前記波長モニタ部による波長変化の検出結果に基づいて前記波長変化を抑制するように温度制御されることを特徴としている。
【００３５】
この発明によれば、半導体レーザ素子の温度を、波長モニタ部による波長変化の検出結果に基づいて温度制御する、いわゆる波長ロッキングを実現することができる。
【００３６】
また、請求項１１にかかる発明は、請求項１〜９のいずれか一つに記載のレーザモジュールにおいて、前記第２の温度調節部は、前記波長モニタ部による波長変化の検出結果のみに基づいて前記半導体レーザ素子から出力されたレーザ光の波長を所望の値に設定するように前記半導体レーザ素子を温度制御することを特徴とする。
【００３７】
この発明によれば、前記波長モニタ部による波長変化の検出結果のみによって、半導体レーザ素子の温度を所望の温度に調節することができる。
【００３８】
また、請求項１２にかかる発明は、請求項１〜９のいずれか一つに記載のレーザモジュールにおいて、前記半導体レーザ素子の温度を計測する半導体レーザ素子用温度計測部を備え、前記第２の温度調節部は、前記半導体レーザ素子用温度計測部による計測結果と前記波長モニタ部による波長変化の検出結果とに基づいて前記半導体レーザ素子から出力されたレーザ光の波長を所望の値に設定するように前記半導体レーザ素子を温度制御することを特徴とする。
【００３９】
この発明によれば、前記半導体レーザ素子用温度計測部と前記波長モニタ部による波長変化の検出結果との双方によって、半導体レーザ素子の温度を所望の温度に調節することができる。
【００４０】
また、請求項１３にかかる発明は、請求項１〜１２のいずれか一つに記載のレーザモジュールにおいて、前記波長モニタ部は、前記半導体レーザ素子の後方光を２方向に分岐させるプリズムと、前記プリズムによって分岐された一方の光を受光する第１の光検出器と、前記プリズムによって分岐された他方の光を入射する光フィルタと、前記光フィルタを透過した光を受光する第２の光検出器と、を備え、前記第１の光検出器による検出結果と前記第２の光検出器による検出結果に基づいて前記半導体レーザ素子から出力されたレーザ光の波長変化を検出することを特徴としている。
【００４１】
この発明によれば、第１の光検出器と第２の光検出器を同サブマウント上に設けることができ、例えば、第１の光検出器による検出結果を参照電圧とし、第２の光検出器による検出結果を信号電圧としてその差分を演算することにより、波長変化を検出することができる。
【００４２】
また、請求項１４にかかる発明は、請求項１〜１２のいずれか一つに記載のレーザモジュールにおいて、前記波長モニタ部は、前記半導体レーザ素子の前方光または後方光を入射する第１のビームスプリッタと、前記半導体レーザ素子の前方光または後方光を入射する第２のビームスプリッタと、前記第１のビームスプリッタによって反射された光を受光する第１の光検出器と、前記第２のビームスプリッタによって反射された光を入射する光フィルタと、前記光フィルタを透過した光を受光する第２の光検出器と、を備え、前記第１の光検出器による検出結果と前記第２の光検出器による検出結果に基づいて前記半導体レーザ素子から出力されたレーザ光の波長変化を検出することを特徴としている。
【００４３】
この発明によれば、特に、波長モニタ部を半導体レーザ素子の前方に配置することができ、例えば、第１の光検出器による検出結果を参照電圧とし、第２の光検出器による検出結果を信号電圧としてその差分を演算することにより、波長変化を検出することができる。
【００４４】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明にかかるレーザモジュールの実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００４５】
（実施の形態１）
まず、実施の形態１にかかるレーザモジュールについて説明する。図１は、実施の形態１にかかるレーザモジュールのレーザ出射方向における側面断面図である。なお、図１において、図１８と共通する部分には同一の符号を付してその説明を省略する。
【００４６】
図１に示すレーザモジュール１００は、パッケージ１０１の底面上に第１サーモモジュール６１のみが配置される点と、光アイソレータ３２を設置するベース３１と第２サーモモジュール６２と波長モニタ部を構成するベース５０とが第１サーモモジュール６１上に設けられる点と、第２サーモモジュール６２上にレーザ部が配置される点が、図１８に示すレーザモジュール２００と異なる。但し、サーミスタ５４は、光フィルタ５２の近傍に設けられている。
【００４７】
図２は、実施の形態１にかかるレーザモジュールのレーザ出射方向における上面断面図である。図２に示すように、レーザ部に位置するサブマウント３４上には、半導体レーザ素子２０に加えて、その半導体レーザ素子の温度を計測するサーミスタ２１が設けられる。また、波長モニタ部に位置するサブマウント５３の前面（レーザ出射方向面）には、プリズム５１によって分岐された光の一方を受光する第１光検出器４１と、光フィルタ５２を透過した光を受光する第２光検出器４２とが、同一平面上に設けられている。なお、この光フィルタ５２はエタロンで形成されている。
【００４８】
以下に、このレーザモジュール１００における温度制御について説明する。図３は、実施の形態１にかかるレーザモジュールの動作を説明するための説明図である。なお、ここでは、光フィルタ５２の温度を計測するためのサーミスタ５４を第１サーミスタ５４と称し、半導体レーザ素子２０の温度を計測するためのサーミスタ２１を第２サーミスタ２１と称する。
【００４９】
まず、図３に示す第１制御部９１は、第１サーミスタ５４から出力された信号を入力することで、光フィルタ５２の温度を検出する。そして、第１制御部９１は、所望の温度と第１サーミスタ５４によって検出された温度との差分を演算し、その差分に相当する電圧を制御電圧として第１サーモモジュール６１の温度を一定に制御する。これにより、光フィルタ５２は、第１サーモモジュール６１およびベース５０を介して加熱または冷却され、上記した所望の温度に安定する。すなわち、光フィルタ５２の波長弁別特性を安定させることができる。
【００５０】
また、図３に示す第２制御部９２は、第２サーミスタ２１から出力された信号を入力することで、半導体レーザ素子２０の温度を検出する。第２制御部９２には、半導体レーザ素子２０の温度と発振する波長との関係が記憶されており、その関係に基づいて、所望の波長が選択されるようにあらかじめ目標の温度が設定されている。これにより、第２制御部９２は、その目標の温度となるように第２サーモモジュール６２を制御する。
【００５１】
一方、半導体レーザ素子２０の後側端面から出力されたモニタ用のレーザ光は、平行レンズ３５を経た後、プリズム５１に異なる傾斜角度で形成された２つの傾斜面に入射されることによって第１光検出器４１と第２光検出器４２に向けて２方向に分岐される。プリズム５１によって分岐された一方の光は、第１光検出器４１によって電流に変換された後、図３に示す第２制御部９２に入力される。また、プリズム５１によって分岐された他方の光は、光フィルタ５２を通過した後、第２光検出器４２によって電流に変換され、図３に示す第２制御部９２に入力される。
【００５２】
第２制御部９２では、第１光検出器４１から入力された電流を電圧に変換し、参照電圧として用い、第２光検出器４２から入力された電流を電圧に変換して、信号電圧として用いる。ここで、第２制御部９２は、上記したように選択された所望の波長の光が光フィルタ５２を経ることで本来得られる信号電圧と、その波長の光が発振される際の上記参照電圧との差分を基準電圧差として記憶している。これにより、第２制御部９２は、実際の参照電圧と信号電圧との電圧差を上記した基準電圧差と比較することで、波長のずれを検出することができる。
【００５３】
そして、第２制御部９２は、この波長のずれを示す電圧に基づいて、第２サーモモジュール６２の温度を制御する。これにより、半導体レーザ素子２０は、第１サーモモジュール６３、ベース３０およびサブマウント３４を介して冷却または加熱される。すなわち、上記したように選択された所望の波長に対して、波長ロッキングが行なわれる。
【００５４】
また、図３に示す第３制御部９３は、第１検出器４１から出力された信号に基づいて、レーザ出力が一定となるように半導体レーザ素子２０の注入電流を制御する。
【００５５】
つぎに、この実施の形態１にかかるレーザモジュールでの温度可変性能について説明する。ここでは一例として、第１サーモモジュール６１および第２サーモモジュール６２において制御可能な温度範囲を６０℃とし、レーザモジュールのパッケージの温度仕様として−５℃〜７０℃を要求するものとする。この場合、第１サーモモジュール６１による温度可変範囲は１０℃〜５５℃となるため、第１制御部９１によって、光フィルタ５２の温度、すなわち第１サーモモジュール６１の温度を例えば２０℃に一定に保つことは十分可能である。
【００５６】
この状態で、第２サーモモジュール６２は、下段の第１サーモモジュール６１の温度が上記したように一定に制御されていることから、その温度可変範囲を、従来に比べて飛躍的に大きくすることができる。例えば、上記例のように第１サーモモジュール６１の温度が２０℃である場合、第２サーモモジュール６２の温度可変範囲は−４０℃〜８０℃となり、その幅は１２０℃にまで及ぶ。これは、第２サーモモジュール６２上に設けられたサブマウント３４を介して、半導体レーザ素子２０の温度を１２０℃の範囲に亘って制御可能であることを意味する。
【００５７】
結局、半導体レーザ素子２０の発振波長の温度依存性が０．１ｎｍ／℃程度であることから、半導体レーザ素子２０の波長可変範囲は、０．１ｎｍ×１２０℃＝１２ｎｍとなり、このレーザモジュールを適用するアプリケーションの範囲を広げることが可能になる。
【００５８】
このように第２サーモモジュール６２は、利用者の所望する波長に合わせてその温度が変動するため、温度特性を有する光アイソレータ３２をその第２サーモモジュール６２上に設けるのは好ましくない。図５は、光アイソレータの温度特性の例を示す図である。図５において、グラフＰＷは、２つの光アイソレータを直列接続した構成についての温度特性であり、グラフＳＷは、１つの光アイソレータについての温度特性である。いずれのグラフでも、ほぼ２５℃付近で、そのアイソレーションが最大となることがわかる。
【００５９】
よって、これらグラフに従えば、光アイソレータ３２を２５℃に保つことが好ましい。そこで、第１サーモモジュール６１が一定温度に制御されることに注目して、光アイソレータ３２を第１サーモモジュール６１上に設けると都合がよい。図５に示すグラフに従えば、第１サーモモジュール６１を２５℃に一定に制御する。但し、この場合、光フィルタ５２の温度もまた２５℃となるので、第２制御部９２は、上記した基準電圧として、２５℃における光フィルタ５２の特性に対応する値を用いる必要がある。なお、図１においては、光アイソレータ３２は、第１サーモモジュール６１上のベース３１を介して配置されている。
【００６０】
以上に説明したとおり、実施の形態１にかかるレーザモジュールによれば、温度が一定に制御される第１サーモモジュール６１上に、ベース５０を介して光フィルタ５２を設けているので、光フィルタ５２と光アイソレータ３２の波長弁別特性を安定させることができ、より精確な波長ロッキングを実現することができる。また、温度が一定に制御された第１サーモモジュール６１上に第２サーモモジュール６２を設けているので、第２サーモモジュール６２の温度制御範囲を広げることができ、その第２サーモモジュール６２上にベース３０およびサブマウント３４を介して設けられた半導体レーザ素子２０の波長可変範囲を広げることが可能になる。
【００６１】
また、光アイソレータ３２を、温度が一定に制御された第１サーモモジュール６１上に、ベース３１を介して設けているので、光アイソレータ３２の特性が温度によって変動してしまうのを防ぐことができ、確実なアイソレーションを実現することができる。さらに、これは、光アイソレータ３２を第２サーモモジュール６２上に設けないことになるので、第２サーモモジュール６２上に設ける部品を集光レンズ３３、サブマウント３４および平行レンズ３５のみとすること、すなわち第２サーモモジュール６２からそれら部品への伝熱効率の向上をもたらし、第２サーモモジュール６２での消費電力を低減させることが可能になる。
【００６２】
なお、図１および図２に示したレーザモジュールでは、波長モニタ部を、ビームスプリッタの一種であるプリズム５１と、サブマウント５３の同一平面上に配置された第１光検出器４１および第２光検出器４２とを含む構成としている。プリズムは、２つの傾斜面により１つのレーザ光を２分岐する単純な構成であり、傾斜面同士の角度設定により、レーザ光の分岐角度を任意に設定できるため、他のビームスプリッタに比べ、波長モニタ部の小型化が可能である。但し、プリズム５１に替えて他のビームスプリッタ、例えばハーフミラーを配置し、そのハーフミラーにおける透過光と反射光をそれぞれ別サブマウント上に設けられた第１光検出器４１および第２光検出器４２で受光するようにしてもよい。
【００６３】
また、上述した実施の形態１では、図３に示したように、第２制御部９２による第２サーモモジュール６２の温度制御が、第２サーミスタ２１による半導体レーザ素子２０の温度検出と、第１光検出器４１と第２光検出器４２による波長ずれの検出との双方の検出結果に基づいて行なわれるとしたが、第２サーミスタ２１を排除し、第１光検出器４１と第２光検出器４２による波長ずれの検出のみで、第２サーモモジュール６２の温度制御を行なうようにしてもよい。図４は、第２サーミスタ２１を排除した場合の実施の形態１にかかるレーザモジュールの動作を説明するための説明図である。
【００６４】
この場合、図４に示すように、第２制御部９２は、上記した波長のずれを示す電圧のみに基づいて第２サーモモジュール６２の温度を制御する。これにより、半導体レーザ素子２０の近傍に配置させる必要のあった第２サーミスタ２１を排除することができ、結果的に、その第２サーミスタ２１を配置させるための領域を確保する必要がなくなり、サブマウント３４の大きさを小さくすることができる。
【００６５】
（実施の形態２）
つぎに、実施の形態２にかかるレーザモジュールについて説明する。実施の形態２にかかるレーザモジュールは、実施の形態１に説明したレーザモジュールにおいて、第２サーモモジュールを第１サーモモジュールの中央付近に配置したことを特徴としている。
【００６６】
図６は、実施の形態２にかかるレーザモジュールのレーザ出射方向における側面断面図である。なお、図６において、図１と共通する部分には同一符号を付してその説明を省略する。
【００６７】
図６に示すレーザモジュール１２０では、第２サーモモジュール６２およびその第２サーモモジュール６２上に設けられたレーザ部が、第１サーモモジュール６１の中央付近に配置される。これにより、第２サーモモジュール６２で発生した熱を下段の第１サーモモジュール６１で均等に吸熱することができ、これらサーモモジュールの性能を有効に利用することができる。
【００６８】
図７は、実施の形態２にかかる他のレーザモジュールのレーザ出射方向における側面断面図である。なお、図７において、図１と共通する部分には同一符号を付してその説明を省略する。図７に示すレーザモジュール１３０では、集光レンズ３３をベース３１上に設け、平行レンズ３５をベース５０上に設けて、第２サーモモジュール６５上には、ベース３６を介して、半導体レーザ素子２０が設けられたサブマウント３４のみを配置している。なお、この第２サーモモジュール６５もまた、第１サーモモジュール６１の中央付近に配置される。これにより、第２サーモモジュール６５におけるサブマウント３４への伝熱効率が向上し、第２サーモモジュール６５での消費電力をさらに低減させることが可能になる。
【００６９】
以上に説明したとおり、実施の形態２にかかるレーザモジュールによれば、第１サーモモジュール６１上に設ける第２サーモモジュール６２（６５）を、第１サーモモジュール６１の中央付近に配置するので、第１サーモモジュール６１は、第２サーモモジュール６２で発生した熱を均等に吸収することができ、第１サーモモジュール６１の加熱・冷却能力を有効に活用することが可能になる。すなわち、第１サーモモジュール６１における消費電力を低減させることができ、これは、同じ消費電力で温度可変範囲を広げること、すなわち半導体レーザ素子２０の発振波長の可変範囲を広げることができるという効果をもたらす。
【００７０】
また、第２サーモモジュール６５上に設ける部品を、半導体レーザ素子２０が設けられたサブマウント３４のみにすることで、第２サーモモジュール６５の消費電力をも低減させることができる。
【００７１】
（実施の形態３）
つぎに、実施の形態３にかかるレーザモジュールについて説明する。実施の形態１にかかるレーザモジュールが、半導体レーザ素子２０の後側端面から出力されたレーザ光を用いるように波長モニタ部を構成したのに対し、実施の形態３にかかるレーザモジュールは、半導体レーザ素子２０の前側端面から出力されたレーザ光を用いるように波長モニタ部を構成したことを特徴としている。
【００７２】
図８は、実施の形態３にかかるレーザモジュールのレーザ出射方向における側面断面図である。なお、図８において、図１と共通する部分には同一符号を付してその説明を省略する。図８に示すレーザモジュール１４０では、第１サーモモジュール６１上に、ベース８０、第２サーモモジュール６４およびベース７０が設けられている。ベース８０上には、サブマウント８１が設けられ、そのサブマウント８１の前面（レーザ出射方向面）には、半導体レーザ素子２０の後側端面から出力されたレーザ光を受光する光検出器８２が設けられている。
【００７３】
また、第２サーモモジュール６４上には、ベース３７が配置され、そのベース３７上には、半導体レーザ素子２０が設けられたサブマウント３４と、半導体レーザ素子２０の前側端面から出力されたレーザ光を光ファイバ１１に結合する集光レンズ３３とが設けられる。また、ベース７０上には、光ファイバ１１側からの反射戻り光を阻止するための光アイソレータ３２と、サブマウント７１と、サブマウント７２とが設けられる。
【００７４】
図９は、実施の形態３にかかるレーザモジュールのレーザ出射方向における上面断面図である。図９に示すように、レーザ部に位置するサブマウント３４上には、半導体レーザ素子２０に加えて、その半導体レーザ素子２０の温度を計測するサーミスタ２１が設けられる。また、波長モニタ部を構成するベース７０上には、光アイソレータ３２を通過した光を透過させるとともにその入射方向に対してサブマウント７２に向けて略９０度に反射させるハーフミラー７８と、ハーフミラー７８を透過した光を透過させるとともにその入射方向に対してサブマウント７１に向けて略９０度に反射させるハーフミラー７７と、ハーフミラー７８によって反射された光を入射する光フィルタ７５と、が設けられる。
【００７５】
サブマウント７１の前面には、ハーフミラー７７によって反射された光を受光する第１光検出器７３が設けられ、サブマウント７２の前面には、光フィルタ７５を通過した光を受光する第２光検出器７４が設けられる。なお、上記した光フィルタ７５はエタロンで形成され、第１光検出器７３および第２光検出器７４としてはフォトダイオードが用いられる。
【００７６】
このレーザモジュール１４０における温度制御は、実施の形態１に説明した温度制御と同様であるのでここではその説明を省略する。なお、上記した第１光検出器７３および第２光検出器７４が、それぞれ図３に示す第１光検出器４１および第２光検出器４２に相当する。また、図９においては図示していないが、図３に示す第１サーミスタ５４に相当するサーミスタが、光フィルタ７５の近傍に配置される。
【００７７】
図８および図９において、光検出器８２は、半導体レーザ素子２０の出力パワーをモニタするもので、その検出電流は、図３に示す第３制御部９３に入力される。
【００７８】
以上に説明したとおり、実施の形態３にかかるレーザモジュールによれば、波長モニタ部を、半導体レーザ素子２０のレーザ出射前面（光ファイバ１１側）に配置した場合でも、実施の形態１による効果を享受することができる。
【００７９】
なお、図８において、第２サーモモジュール６４を、第１サーモモジュール６１の中央近傍に配置することで、実施の形態２による効果を享受することもできる。その場合、さらに、集光レンズ３３をベース７０上に設けてもよい。
【００８０】
（実施の形態４）
つぎに、実施の形態４にかかるレーザモジュールについて説明する。実施の形態１〜３にかかるレーザモジュールが、半導体レーザ素子２０を上方に搭載した第２サーモモジュールと波長モニタ部とをともに第１サーモモジュール６１上に配置したのに対し、実施の形態４にかかるレーザモジュールは、上記第２サーモモジュールと上記波長モニタ部とをそれぞれ異なるサーモモジュール上に配置したことを特徴としている。
【００８１】
図１０は、実施の形態４にかかるレーザモジュールのレーザ出射方向における側面断面図である。なお、図１０において、図１と共通する部分には同一符号を付してその説明を省略する。図１０に示すレーザモジュール１４２では、第１サーモモジュール６１上に第２サーモモジュール６２が設けられ、第１サーモモジュール６１に並置された第３サーモモジュール６６上に、波長モニタ部を構成するベース５０が設けられている。また、図１０においては、図１に示したベース３１が排除され、光アイソレータ３２がベース３０上に設けられている。
【００８２】
図１１は、実施の形態４にかかる他のレーザモジュールのレーザ出射方向における側面断面図である。なお、図１１において、図８と共通する部分には同一符号を付してその説明を省略する。図１１に示すレーザモジュール１４４では、第１サーモモジュール６１上に第２サーモモジュール６４が設けられ、第１サーモモジュール６１に並置された第３サーモモジュール６６上に、波長モニタ部を構成するベース７０が設けられている。また、図１１においては、図８に示したベース８０が排除され、サブマウント８１がベース３７上に設けられている。
【００８３】
このように、レーザ部が搭載される第２サーモモジュール６２（または６４）と波長モニタ部とを異なるサーモモジュール上に設けることによって、第２サーモモジュール６２（または６４）の温度変化が第１サーモモジュールを介して波長モニタ部に与える影響を低減させることができる。また、光アイソレータ３２と波長モニタ部とが異なるサーモモジュールで温度制御されるため、それぞれ個別に最適な温度を保持することができる。すなわち、これにより、光フィルタ５２，７５の波長弁別特性を最適な状態に安定化させることができるとともに、光アイソレータ３２のアイソレーション特性を最適な値に固定することができる。
【００８４】
なお、本実施の形態による温度制御は、例えば図３において、第１制御部９１に上記した第３サーモモジュール６６を接続することで可能になる。この場合、第１制御部９１は、第１サーミスタ５４から出力された信号に基づいて第３サーモモジュール６６の温度を所望の温度に一定に制御するとともに、第１サーモモジュール６１の温度をあらかじめ設定された温度に一定に制御する。
【００８５】
以上に説明したとおり、実施の形態４にかかるレーザモジュールによれば、実施の形態１〜３に示したレーザモジュールの構成において、第２サーモモジュール６２（または６４）と波長モニタ部とをそれぞれ異なるサーモモジュール上に配置したので、第２サーモモジュール６２（または６４）上の光アイソレータ３２と、波長モニタ部を構成する光フィルタ５２（または７５）とをそれぞれ個別の温度に設定でき、最適な状態での波長モニタと光アイソレーションを実現することができる。
【００８６】
なお、図１に示すように、光アイソレータ３２を、ベース３１を介して第１サーモモジュール６１上に設けてもよく、図８に示すように、サブマウント８１を、ベース８０を介して第３サーモモジュール６６上に設けてもよい。結局は、半導体レーザ素子を温度制御するサーモモジュール（上記第２サーモモジュールに相当する）が搭載されたサーモモジュール（上記第１サーモモジュールに相当する）と、波長モニタ部を搭載するサーモモジュール（上記第３サーモモジュールに相当する）と、が異なればよく、その観点から、実施の形態２において説明した構成に対しても本実施の形態を同様に適用することかできる。
【００８７】
（実施の形態５）
つぎに、実施の形態５にかかるレーザモジュールについて説明する。実施の形態５にかかるレーザモジュールは、実施の形態１および３に示したレーザモジュールの構成において、第２サーモモジュールを排除し、半導体レーザ素子の近傍（ここでは下層）にヒータを配置したことを特徴としている。
【００８８】
図１２は、実施の形態５にかかるレーザモジュールのレーザ出射方向における側面断面図である。なお、図１２において、図１と共通する部分には同一の符号を付してその説明を省略する。図１２に示すレーザモジュール１５０は、図１に示したベース３１、ベース３０およびベース５０を共通のベース５５として第１サーモモジュール６１上に配置するとともに、サブマウント３４と半導体レーザ素子２０との間にヒータ２２を配置している。
【００８９】
ヒータ２２は、図１に示した第２サーモモジュール６２と同様に機能し、半導体レーザ素子２０の温度を変化させて発振波長を可変する。よって、ヒータ２２は、必ずしも半導体レーザ素子２０の下層に配置させる必要はなく、上記機能が満たされれば、半導体レーザ素子２０の近傍のいずれかの位置に配置してもよい。例えば、第１サーモモジュール６１の温度が１０℃に制御されている場合、ヒータ２２は、５０℃以上の熱上昇を行なうことが可能である。この場合、少なくとも０．１ｎｍ／℃×５０℃＝５ｎｍの発振波長変化を実現することが可能である。
【００９０】
図１３は、実施の形態５にかかる他のレーザモジュールのレーザ出射方向における側面断面図である。なお、図１３において、図８と共通する部分には同一の符号を付してその説明を省略する。図１３に示すレーザモジュール１６０は、図８に示したベース７０、ベース３７およびベース８０を共通のベース５６として第１サーモモジュール６１上に配置するとともに、サブマウント３４と半導体レーザ素子２０との間にヒータ２２を配置している。なお、このレーザモジュール１６０の動作は、図１２に示したレーザモジュール１５０と同様である。
【００９１】
以上に説明したとおり、実施の形態５にかかるレーザモジュールによれば、実施の形態１および３に示したレーザモジュールの構成において、第２サーモモジュールを排除し、その第２サーモモジュールに替えて、半導体レーザ素子２０の近傍にヒータ２２を設けることによっても、実施の形態１および３による効果を享受することができる。
【００９２】
（実施の形態６）
つぎに、実施の形態６にかかるレーザモジュールについて説明する。実施の形態６にかかるレーザモジュールは、実施の形態１〜４に示したレーザモジュールにおいて、第２サーモモジュールとその第２サーモジュールに並置されるベース等との間に断熱性または絶縁性の部材を装填することを特徴としている。
【００９３】
図１４は、実施の形態６にかかるレーザモジュールのレーザ出射方向における側面断面図である。なお、図１４において、図１と共通する部分には同一の符号を付してその説明を省略する。また、図１５は、実施の形態６にかかるレーザモジュールのレーザ出射方向における上面断面図である。なお、図１５において、図２と共通する部分には同一の符号を付してその説明を省略する。
【００９４】
図１４および図１５において、それぞれ図１および図２と異なるのは、第２サーモモジュール６２と波長モニタ部であるベース５０との間に絶縁性または断熱性を有する部材９５が装填されている点である。
【００９５】
例えば、部材９５を絶縁性の材料で形成した場合には、第２サーモモジュール６２とベース５０とが電気的に接触して短絡してしまうのを防止することができる。また、部材９５を断熱性の材料で形成した場合には、第２サーモモジュール６２で発生した熱が波長モニタ部であるベース５０に伝達されることによってベース５０が熱的に劣化してしまうのを防止することができる。
【００９６】
なお、絶縁性の材料としては、ガラエポ（ガラス繊維＋エポキシ樹脂）、紙フェノール樹脂、ポリイミド、マイカ（雲母）、ガラス、エポキシ、ポリエチレン、テフロン（登録商標）などのセラミックや樹脂を用いることができる。また、断熱性の材料としては、ガラス繊維、セラミック繊維、ロックウール、発泡セメント、中空ガラスビーズ、発泡ウレタン、発泡ポリスチレンなどの多孔質体を用いることができる。さらに、部材９５としては、絶縁性と断熱性をともに有する材料が好ましいが、上記した材料はほとんどの場合、両特性を有する。
【００９７】
図１６は、実施の形態６にかかる他のレーザモジュールのレーザ出射方向における側面断面図である。図１６に示すレーザモジュール１８０は、図１４に示すレーザモジュール１７０が、ベース３０の上面までの高さを有する部材９５を装填したのに対し、波長モニタ部となるベース５０の上面までの高さを有する部材９６を装填している。この場合、平行レンズ３５から波長モニタ部への光の経路を確保するために、部材９６には、光学的な窓を形成する必要がある。図１７は、部材９６に形成される窓の例を示す図である。図１７（ａ）に示すように、部材９６において、上記光の経路となる部分に楕円形の光学窓９７が設けられる。この光学窓は、ガラスやサファイヤなどの光学的に透明度が高い材料で形成することもできるが、単なる開口でもよい。また、図１７（ｂ）に示す部材９６’のように、上記光の経路を確保するための切り欠き９８を形成するようにしてもよい。
【００９８】
なお、上記した部材９５、９６、９６’は、さらに、光アイソレータ３２が設けられるベース３１と第２サーモモジュール６２との間に装填することもできる。
【００９９】
また、上記した例では、実施の形態１を説明する図１の構成に対して部材９５、９６または９６’を装填するとしたが、実施の形態２〜４において説明した構成に対しても同様に装填することができる。
【０１００】
以上に説明したとおり、実施の形態６にかかるレーザモジュールによれば、第２サーモモジュール６２とその近傍に並置された部品との間に絶縁性または断熱性の部材を装填するので、両者の電気的な短絡または不要な熱伝導を防止することができ、信頼性の高い動作または第２サーモモジュールの消費電力の低減を実現することができる。
【０１０１】
なお、各実施の形態では、ビームスプリッタの一例としてプリズムやハーフミラーを示したが、他のビームスプリッタを用いることも可能である。
【０１０２】
【発明の効果】
以上に説明したように、本発明にかかるレーザモジュールによれば、光フィルタを用いた波長モニタを利用した安定な波長ロッキングを可能にし、かつ半導体レーザ素子の温度制御可能な範囲を広げることにより発振波長の可変範囲を広げ、多数の発振波長選択を可能なレーザモジュールを実現することができるという効果を奏する。また、多数の波長選択が可能かつ所定波長の波長ロッキングを実現することで、このレーザモジュールが使用される光送信器および光通信システムの機能を向上させることが可能になるという効果を奏する。
【０１０３】
また、本発明にかかるレーザモジュールによれば、第２の温度調節部とその近傍に並置された部品との間に絶縁性または断熱性の部材を装填するので、両者の電気的な短絡または不要な熱伝導を防止することができ、信頼性の高い動作または第２の温度調節部の消費電力の低減を実現することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態１にかかるレーザモジュールのレーザ出射方向における側面断面図である。
【図２】実施の形態１にかかるレーザモジュールのレーザ出射方向における上面断面図である。
【図３】実施の形態１にかかるレーザモジュールの動作を説明するための説明図である。
【図４】実施の形態１にかかるレーザモジュールの他の動作例を説明するための説明図である。
【図５】光アイソレータの温度特性の例を示す図である。
【図６】実施の形態２にかかるレーザモジュールのレーザ出射方向における側面断面図である。
【図７】実施の形態２にかかる他のレーザモジュールのレーザ出射方向における側面断面図である。
【図８】実施の形態３にかかるレーザモジュールのレーザ出射方向における側面断面図である。
【図９】実施の形態３にかかるレーザモジュールのレーザ出射方向における上面断面図である。
【図１０】実施の形態４にかかるレーザモジュールのレーザ出射方向における側面断面図である。
【図１１】実施の形態４にかかる他のレーザモジュールのレーザ出射方向における側面断面図である。
【図１２】実施の形態５にかかるレーザモジュールのレーザ出射方向における側面断面図である。
【図１３】実施の形態５にかかる他のレーザモジュールのレーザ出射方向における側面断面図である。
【図１４】実施の形態６にかかるレーザモジュールのレーザ出射方向における側面断面図である。
【図１５】実施の形態６にかかるレーザモジュールのレーザ出射方向における上面断面図である。
【図１６】実施の形態６にかかる他のレーザモジュールのレーザ出射方向における側面断面図である。
【図１７】部材に形成される窓の例を示す図である。
【図１８】従来のレーザモジュールのレーザ出射方向における側面断面図である。
【符号の説明】
１１  光ファイバ
１２  フェルール
２０  半導体レーザ素子
２１，５４  サーミスタ
２２  ヒータ
３０，３１，３６，３７，５０，５５，５６，７０，８０  ベース
３２  光アイソレータ
３３  集光レンズ
３４，５３，７１，７２，８１  サブマウント
３５  平行レンズ
４１，４２，７３，７４，８２  光検出器
５１  プリズム
５２  光フィルタ
６１，６３，６８  第１サーモモジュール
６２，６４，６５，６９  第２サーモモジュール
７５  光フィルタ
７７，７８  ハーフミラー
９１  第１制御部
９２  第２制御部
９３  第３制御部
９５，９６，９６’  部材
９７  光学窓
９８  切り欠き
１００，１２０，１３０，１４０，１５０，１６０，１７０，１８０，２００レーザモジュール
１０１  パッケージ
【図１】
0004128784.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
0004128784.tif 000017
【図１７】
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【図１８】
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