(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
接地電極となる容器内に高周波を印加し、プラズマにより試料を処理するプラズマ処理装置において、
前記容器は内壁面を絶縁膜により被覆してあり、前記内壁面のうち、エッジ部分に他の部分と比較して前記絶縁膜を厚く形成し、かつ前記絶縁膜の厚みは１００μｍ以上を有しており、
前記容器は、内側上壁、内側下壁及び外側壁を連結してなり、
前記エッジ部分は前記内側下壁に形成されている
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
マイクロ波窓を設けてあり、接地電極となる容器内に、前記マイクロ波窓を介してマイクロ波を導入することによって前記容器内にプラズマを生成するとともに、前記容器内に設けた載置台に高周波を印加し、生成したプラズマを載置台に載置した試料に導いて前記試料を処理するプラズマ処理装置において、前記容器は内壁面が絶縁膜により被覆してあり、前記内壁面のうち、エッジ部分に他の部分と比較して前記絶縁膜を厚く形成し、かつ前記絶縁膜の厚みは１００μｍ以上を有しており、
前記容器は、内側上壁、内側下壁及び外側壁を連結してなり、
前記エッジ部分は前記内側下壁に形成されている
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記エッジ部分は、前記内壁面に形成された試料搬送口のエッジを含む領域である請求項１又は２記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記容器の内壁面のエッジ部分に形成される絶縁膜がアルミナを含む請求項１，２又は３記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記容器の内壁面に、陽極酸化法によりアルマイト膜を所定の厚みで形成した後に、前記エッジ部分にアルミナを溶射して前記絶縁膜を形成してある請求項１乃至４のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記容器は、内側壁と外側壁との二重に構成してあり、
前記エッジ部分は前記内側壁に形成されている
請求項１乃至請求項５のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記試料上のシリコン酸化膜をエッチングするために用いられる請求項１乃至６のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子基板，液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）用ガラス基板などにエッチング，アッシング，ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）などの処理を施すプラズマ処理装置に関し、特にシリコン酸化膜のエッチングに用いられるプラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＳＩ製造プロセスでは、反応ガスに外部からエネルギーを与えてプラズマを発生させ、このプラズマを用いてエッチング，アッシング，ＣＶＤなどの処理を施すことが広く行なわれている。特に、プラズマを用いたドライエッチング技術は、このＬＳＩ製造プロセスにとって不可欠な基本技術となっている。
【０００３】
このようなプラズマ処理を行なう装置として、高周波を用いてプラズマを発生させる装置、マイクロ波を用いてプラズマを発生させ、高周波を印加してそのプラズマを制御する装置などがある。高周波の適切な周波数を選択することにより、プラズマの発生及びプラズマ中のイオンの制御を容易に行なうことができる。
【０００４】
しかしながら、高周波を用いたプラズマ処理装置は、反応容器の内壁面が化学的活性度が高いラジカル及びイオンを含むプラズマに常に曝される。このため、反応容器の内壁面の材料の選定が重要になる。内壁面の材料を適切に選択することにより又は適切な材料で被覆することにより、プラズマ処理特性が向上したり、内壁面の長寿命化が図られる。例えば、エッチング時に下地に対する選択比を向上させること、又は内壁面のスパッタによるパーティクルの発生を抑えることができる。
【０００５】
例えば、エッチング室の内壁面の材料として高純度のアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）を用いたプラズマエッチング装置が提案されている（特開昭63−312642号公報、特開昭61−289634号公報）。また、内壁面の材料としてアルマイト処理したアルミニウムを用いたプラズマエッチング装置が提案されている（特開平４−299529号公報）。このように、エッチング対象物及び反応ガスの種類などに応じて反応容器内壁面に所定の絶縁膜を形成している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
通常、反応容器は電気的に接地されるために、内壁面は高周波に対する接地電極の役割も一部担っている。反応容器の内壁面を接地電極とすることにより、高周波でプラズマを発生させる場合はプラズマが安定する。また、試料を載置する載置台に高周波を印加して発生するバイアス電位によりプラズマを制御する場合は、バイアス電位が安定する。
【０００７】
このように反応容器の内壁面が接地電極となることによりプラズマの状態が影響を受けるので、内壁面に絶縁膜を設ける場合は、その絶縁膜の厚みが重要となる。即ち、内壁面は絶縁膜がない場合は接地電極としてはたらき、絶縁膜が厚くなるに従って接地電極の効果は弱まり、所定の厚みを超えると接地電極としての役割を全く果たさなくなる。
【０００８】
従って、反応容器の内壁面を接地電極とする場合に、特に対向電極を設けない場合は内壁面に設ける絶縁膜を薄くすることが必要である。しかしながら、絶縁膜が薄い場合は、内壁面がプラズマによりスパッタされて絶縁膜が剥がれ落ち、内壁面が露出する。その結果、反応容器の内壁面が露出するまでの寿命が短くなるという問題があった。
【０００９】
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、反応容器の内壁面が接地電極としての機能を果たしつつ、内壁面の寿命を長く保つことができるプラズマ処理装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
第１発明に係るプラズマ処理装置は、接地電極となる容器内に高周波を印加し、プラズマにより試料を処理するプラズマ処理装置において、前記容器は内壁面を絶縁膜により被覆してあり、前記内壁面のうち、エッジ部分に他の部分と比較して前記絶縁膜を厚く形成し、かつ前記絶縁膜の厚みは１００μｍ以上を有しており、前記容器は、内側上壁、内側下壁及び外側壁を連結してなり、前記エッジ部分は前記内側下壁に形成されていることを特徴とする。
【００１１】
本願発明者は、接地電極となる内壁面に設けられたエッジ部分は高周波の電界が集中するため、この部分が速くスパッタされると推測した。ここでエッジ部分とは、角部分，縁部分，先端部分のように容器の内壁面の形状が変化している部分を言い、具体的には、試料搬送口の縁部，内側壁下端の縁部，その他の開口部のエッジなどである。
【００１２】
第１発明にあっては、容器の内壁面で高周波の電界が特に集中しやすいエッジ部分の絶縁膜の厚みを他の部分よりも厚く形成している。絶縁膜が厚く形成されているエッジ部分は、接地電極としての作用が他の部分よりも弱くなるので電界集中が緩和される。これにより、エッジ部分の絶縁膜のスパッタ過剰が抑制される。また絶縁膜が単に厚く形成されたことによる長寿化の効果もある。さらに、絶縁膜の他の部分の厚みは通常通りであるので、内壁面の接地電極としての機能を十分に果たし、高周波印加を安定させる。
また、エッジ部分の絶縁膜の厚みが１００μｍより薄い場合は電界集中の緩和の効果が小さいので、１００μｍ以上の厚みを有することが好ましい。
容器が内側及び外側の２重構造になっているのは、内側のみを効率良く安定して温度制御でき、また内側下壁のみを交換して使用できるためである。
【００１３】
第２発明に係るプラズマ処理装置は、マイクロ波窓を設けてあり、接地電極となる容器内に、前記マイクロ波窓を介してマイクロ波を導入することによって前記容器内にプラズマを生成するとともに、前記容器内に設けた載置台に高周波を印加し、生成したプラズマを載置台に載置した試料に導いて前記試料を処理するプラズマ処理装置において、前記容器は内壁面が絶縁膜により被覆してあり、前記内壁面のうち、エッジ部分に他の部分と比較して前記絶縁膜を厚く形成し、かつ前記絶縁膜の厚みは１００μｍ以上を有しており、前記容器は、内側上壁、内側下壁及び外側壁を連結してなり、前記エッジ部分は前記内側下壁に形成されていることを特徴とする。
【００１４】
第２発明にあっては、マイクロ波の導入によりプラズマを発生させ、高周波印加によりプラズマを制御する装置について、容器内壁面の絶縁膜の厚みをエッジ部分で厚く形成している。反応容器は高周波に対して接地電極となっており、エッジ部分が速くスパッタされ易いが、絶縁膜の厚みを他の部分よりも厚く形成することにより電界集中が緩和される。これにより、エッジ部分のスパッタ過剰が抑制される。また絶縁膜が厚いので長寿化が可能であり、さらに、絶縁膜の他の部分で接地電極としての機能を十分に果たし、載置台に高周波バイアスを安定して発生させ、プラズマ処理特性を向上できる。
また、エッジ部分の絶縁膜の厚みが１００μｍより薄い場合は電界集中の緩和の効果が小さいので、１００μｍ以上の厚みを有することが好ましい。
容器が内側及び外側の２重構造になっているのは、内側のみを効率良く安定して温度制御でき、また内側下壁のみを交換して使用できるためである。
【００１５】
第３発明に係るプラズマ処理装置は、第１又は第２発明において、前記エッジ部分は、前記内壁面に形成された試料搬送口のエッジを含む領域であることを特徴とする。
【００１６】
プラズマ処理装置には、試料を容器内に搬入して載置台に配し、プラズマ処理後に容器外に搬出するための試料搬送口が設けられている。第３発明にあっては、容器の内壁面に形成された前記試料搬送口のエッジを含む領域に、他の部分よりも厚い絶縁膜を形成している。エッジ部の絶縁膜を他の部分よりも厚く形成することにより電界集中が緩和される。これにより、エッジ部分のスパッタ過剰が抑制される。また絶縁膜が厚いので長寿化が可能であり、さらに、絶縁膜の他の部分で接地電極としての機能を十分に果たし、高周波印加を安定させる。
【００１７】
第４発明に係るプラズマ処理装置は、第１，第２又は第３発明において、前記容器の内壁面のエッジ部分に形成される絶縁膜がアルミナを含むことを特徴とする。
【００１８】
第４発明にあっては、エッジ部分の絶縁膜の少なくとも表面側はアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）で形成されているので、スパッタされたときでも、重金属などの不純物による試料の汚染が低減される。
【００１９】
第５発明に係るプラズマ処理装置は、第１乃至第４発明のいずれかにおいて、前記容器の内壁面に、陽極酸化法によりアルマイト膜を所定の厚みで形成した後に、前記エッジ部分にアルミナを溶射して前記絶縁膜を形成してあることを特徴とする。
【００２０】
第５発明にあっては、内壁面の全域に、陽極酸化法によりアルマイト膜を形成し、エッジ部分のみに、アルマイト膜の表面にアルミナを溶射により被覆する。溶射法を用いることにより、緻密な膜を必要な厚みに形成することができる。従って、エッジ部分の絶縁膜が厚く、その他の部分が薄い絶縁膜を容易に形成できる。
【００２１】
第６発明に係るプラズマ処理装置は、前記容器が、内側壁と外側壁との二重に構成してあり、前記エッジ部分は前記内側壁に形成されていることを特徴とする。
容器が内側及び外側の２重構造になっているのは、内側のみを効率良く安定して温度制御でき、また内側壁のみを交換して使用できるためである。
【００２３】
第７発明に係るプラズマ処理装置は、第１乃至第６発明のいずれかにおいて、前記試料上のシリコン酸化膜をエッチングするために用いられることを特徴とする。
【００２４】
シリコン酸化膜のエッチングはイオンの制御が極めて重要である。シリコン酸化膜のエッチングは、大きな高周波電力を用いたり、周波数が２ＭＨｚ又は４００ｋＨｚのように従来の１３．５６ＭＨｚよりも低い高周波を用いたり、数十mTorr 以下の低圧力で行なったりする。このような処理条件は、高周波の電界集中のレベルを大きくし、エッジ部分の電界集中がさらに重大な問題になる。第７発明にあっては、シリコン酸化膜のエッチング処理時に、エッジ部分の絶縁膜を厚く形成した容器を用いることにより電界集中が緩和され、大きな効果を得る。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明をその実施の形態を示す図面に基づき具体的に説明する。
図１は、本発明に係る実施の形態のプラズマ処理装置の構造を示す側断面図である。図２は、図１に示されるＡ領域の拡大図である。図中１１は有底円筒形状の反応容器であり、アルミニウム，ステンレス鋼等の導電性の金属で形成されている。後述するように、反応容器１１は内側上壁１１ａ，内側下壁１１ｂ及び外側壁１１ｃを連結して構成してあり、その内側に反応室１２を形成している。反応容器１１が内側及び外側の２重構造になっているのは、内側のみを効率良く安定して温度制御でき、また内側のみを交換して使用できるためである。
【００２６】
反応容器１１の上部の開口は、マイクロ波導入窓１４により、Ｏリング３２を介在させて気密に封止されている。マイクロ波導入窓１４は、耐熱性とマイクロ波透過性とを有して誘電損失が小さい石英ガラス（ＳｉＯ2 ），アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）等の誘電体で形成されている。
【００２７】
マイクロ波導入窓１４の上方には所定間隔の空間層３５を隔てて円盤状の誘電体層３６が平行配置されており、誘電体層３６の上部は例えばアルミニウム製の金属蓋板３７で覆われている。誘電体層３６の一側は導波管３８を介してマイクロ波発振器３９に連結されている。なお、誘電体層３６は誘電損失が小さい材料、例えばフッ素樹脂，ポリエチレン，ポリスチレン等の合成樹脂で形成されている。マイクロ波の周波数は、例えば２．４５ＧＨｚが用いられる。
【００２８】
マイクロ波導入窓１４の下面には、反応室１２内に導入されるマイクロ波の導入領域を反応室１２の中央部分に限定する限定プレート９が配されている。限定プレート９は導電性を有する環状板であり、限定プレート９の内周縁部が、マイクロ波導入窓１４の下側に突設された環状のマイクロ波窓凸部１４ａに当接するように固定されている。限定プレート９及びマイクロ波窓凸部１４ａの下面は石英カバー１０で被覆されて保護されている。限定プレート９の外周側にはヒータ３１が埋め込まれている。
【００２９】
図２は図１に示されるＡ領域の拡大図であり、反応容器の側壁の詳細な構造を示している。図２に示すように、反応容器１１は、内側上壁１１ａ，内側下壁１１ｂ及び外側壁１１ｃで構成されており、アルミニウム製である。外側壁１１ｃは略有底円筒形状を有しており、内側上壁１１ａと内側下壁１１ｂとは上下に着設されて円筒形状をなし、外側壁１１ｃの内側に配されている。内側上壁１１ａと外側壁１１ｃとは分離手段２３，２５及び絶縁性のＯリング２４，２６により着脱可能に連結されており、両者間は分離手段２３，２５で熱的に分離され、Ｏリング２４，２６により反応室１２内の気密性が保持されている。また、内側上壁１１ａ，内側下壁１１ｂ及び外側壁１１ｃは電気的に接地されている。
【００３０】
外側壁１１ｃには、反応室１２内にガスを導入するための外側反応ガス導入孔１９ａと、排気装置（図示せず）に接続される排気口２０とが設けられている。また、試料Ｓを反応室１２内に搬入したり、処理された試料Ｓを反応容器１１外に搬出するための外側試料搬送口２１ａが、外側反応ガス導入孔１９ａよりも下側に設けられている。外側試料搬送口２１ａの開口は、この装置を用いてプラズマ処理される試料Ｓが通る寸法よりも少し大きな寸法を有している。
【００３１】
さらに、外側壁１１ｃには冷却ガス導入孔３０ａ及び冷却ガス排気孔３０ｂが設けられており、冷却ガス導入孔３０ａから例えばＮ2 ガスを導入し、冷却ガス排気孔３０ｂから排出することにより、内側上壁１１ａと外側壁１１ｃとの間の冷却空間２８が冷却され、外側壁１１ｃの温度上昇を抑えるようになっている。そして、内側上壁１１ａにはヒータ２７が埋め込まれており、内側上壁１１ａの加熱温度制御が可能になっている。
【００３２】
内側下壁１１ｂは内側上壁１１ａの下面に着設されており、内側下壁１１ｂ及び内側上壁１１ａの内壁面は面一に形成されている。内側下壁１１ｂは外側壁１１ｃから内周側に僅かに離隔して垂設され、その下端部１１０は外側反応ガス導入孔１９ａよりも低い位置で、反応容器１１の底面から所定長離隔している。内側下壁１１ｂの上部には、外側反応ガス導入孔１９ａから通流可能な位置にガス供給路１９ｃが全周にわたって設けられ、Ｏリング３３により外側壁１１ｃとの間の気密性を保持している。内側下壁１１ｂの内壁面には、周方向に複数の内側反応ガス導入孔１９ｂ，１９ｂ…がガス供給路１９ｃに連通して形成されている。内側下壁１１ｂには、内側反応ガス導入孔１９ｂの下側で外側試料搬送口２１ａに対向する位置に、内側試料搬送口２１ｂが形成されている。内側試料搬送口２１ｂの開口は外側試料搬送口２１ａと略同寸法又は僅かに大きい寸法を有している。
【００３３】
内側上壁１１ａ及び内側下壁１１ｂの内壁面に、陽極酸化法によるアルマイト膜１が形成されている。図３は、内側下壁の絶縁膜の構成を示す部分断面拡大図である。図３に示すように、絶縁膜であるアルマイト膜１は、内側上壁１１ａに連続する内側下壁１１ｂの内壁面と、内側試料搬送口２１ｂの開口部と、内側下壁１１ｂの下端部１１０とを覆って形成されている。またアルマイト膜１は、外側壁１１ｃの外側試料搬送口２１ａよりも下側の内壁面を覆うように形成されている。
【００３４】
そして絶縁膜であるアルミナ膜２が、前記エッジ部分、即ち、内側試料搬送口２１ｂの開口部分の縁部を含む領域と、下端部１１０の縁部を含む領域とに溶射形成されている。開口部分の縁部を含む領域は、開口面、これに連続する内側下壁１１ｂの内周面及び外周面である。また下端部１１０の縁部を含む領域は、下端面並びにこれに連続する内側下壁１１ｂの内周面及び外周面である。アルミナ膜２はアルマイト膜１上に重ねて形成されており、本発明の特徴として、内側試料搬送口２１ｂの縁部及び内側下壁１１ｂの縁部は、その他の部分よりもアルミナ膜２の厚み分だけ絶縁膜が厚く形成されている。なお、本実施の形態では示していないが、排気口２０の付近にアルミナ膜２を溶射し、縁部を覆う絶縁膜の厚みを他の部分よりも厚く形成してあっても良い。
【００３５】
図１に示すように、反応室１２内には、マイクロ波導入窓１４と対面する位置に載置台１５が配設されており、外側（内側）試料搬送口２１ａ，２１ｂから搬入された試料Ｓが載置台１５上に載置されるようになっている。載置台１５は反応容器１１の底部に設けられた基台１６上に固定され、反応容器１１とは絶縁部材１８により絶縁されている。載置台１５には高周波電源４０が接続されている。高周波電源４０の周波数は、４００ｋＨＺ，２ＭＨｚ，１３．５６ＭＨｚなどが用いられる。また、載置台１５は、試料Ｓを固定するための静電チャックのような吸着機構（図示せず）及び試料Ｓを恒温に保持するための媒体を循環させる循環機構（図示せず）を備えている。載置台１５の周囲はプラズマシールド部材１７で覆われている。なお、載置台１５は、静電チャック機能を備えるために、アルミニウム製の電極本体の表面にアルミナが溶射された構造になっている。絶縁部材１８及びプラズマシールド部材１７にはアルミナが用いられている。
【００３６】
以上の如き構成のプラズマ処理装置を用いて、試料Ｓの表面にプラズマ処理を施す場合は、まず、試料Ｓを載置台１５に載置し、載置台１５及び内側上壁１１ａ及び内側下壁１１ｂを所定の温度に保持する。次に、反応室１２内を排気口２０から排気して所定の圧力にした後、外側（内側）反応ガス導入孔１９ａ，１９ｂから反応室１２内に反応ガスを供給する。そして、マイクロ波発振器３９からマイクロ波が発振され、導波管３８を介して誘電体層３６にマイクロ波が導入される。これにより空間層３５に表面波電界が形成され、マイクロ波導入窓１４を透過して反応室１２内にプラズマを発生せしめる。
【００３７】
プラズマの発生と同時的に高周波電源４０を用いて載置台１５に高周波を印加し、試料Ｓの表面にバイアス電圧を発生させる。このバイアス電圧によってプラズマ中のイオンのエネルギーを制御しつつ、試料Ｓの表面にイオンを照射させて試料Ｓにプラズマ処理を施す。このとき、内側上壁１１ａ及び内側下壁１１ｂは接地電極としての機能を果たし、アルマイト膜１及びアルミナ膜２で形成された絶縁膜はプラズマによるスパッタを受ける。内壁面のエッジ部分、即ち内側試料搬送口２１ｂのエッジ，内側下壁１１ｂの下端部１１０には、他の部分よりもアルミナ膜２の厚み分だけ厚い絶縁膜が形成されているので、エッジ部分への電界集中は緩和され、過剰にスパッタされることがない。
【００３８】
【実施例】
上述した本実施の形態のプラズマ処理装置を用いて反応容器１１の内壁面の寿命と、そのときの試料Ｓ上のアルミニウム混入濃度とを試験した。実施例１の装置は、絶縁膜としてアルマイト膜１を陽極酸化処理により５０μｍの厚みで形成し、エッジ部分にアルミナ膜２を１００μｍの厚みで溶射形成した。従って、エッジ部分の絶縁膜の厚みは１５０μｍである。比較のために、従来のプラズマ処理装置についても同様に寿命を試験した。従来装置は絶縁膜としてアルマイト膜１のみを内壁面及びエッジ部分に５０μｍの厚みで形成した。プラズマ処理条件は、放電条件は１５mTorr ，マイクロ波パワーは1.6 kW，高周波パワーは1.4 kW，周波数400 ｋＨｚ，反応ガスは、35sccnでＣＨＦ3 を供給した。
【００３９】
試験の結果、従来装置の寿命は１５０時間程度であり、そのときのアルミニウム混入濃度は1.5 ×１０14（atm/cm2 ）であったが、実施例１の装置は寿命は３００時間以上であり、そのときのアルミニウム混入濃度は６×１０13（atm/cm2 ）であった。この結果から、実施例１のプラズマ処理装置は、反応容器が接地電極としての機能を果たしつつ、内壁面の寿命を長く保持していることが判った。
【００４０】
なお、上述した実施の形態では、反応容器１１が内側壁と外側壁との二重に構成してある場合を説明しているが、これに限るものではなく、一重の容器であっても本発明は適用される。その場合は、容器の内壁面に開口された試料搬送口の縁部の絶縁膜を他の部分よりも厚く形成する。また、反応容器１１の形状及び誘電体層３６の形状は、上述した形状に限らない。
【００４１】
また、上述した実施の形態では、エッジ部分に形成される絶縁膜はアルマイト膜１の表面にアルミナ膜２を形成した場合を説明しているが、これに限るものではなく、アルミナ膜２のみで形成してあっても良い。プラズマ処理時の試料Ｓの汚染を防止するためには、絶縁膜の少なくとも表面にアルミナ膜２を形成してあった方が好ましいが、電界集中を緩和するためにはこれに限るものではない。
【００４２】
さらに、上述した実施の形態では、マイクロ波を用いてプラズマを発生せしめ、高周波の印加によりプラズマを制御するタイプの装置について説明しているが、これに限るものではなく、高周波を用いてプラズマを発生せしめる装置、所謂、平行平板型の装置に適用することもできる。
【００４３】
【発明の効果】
以上のように、本発明においては、容器の内壁面のエッジ部分に他の部分よりも厚い絶縁膜を形成してあるので、容器が接地電極となる場合でもエッジ部分の電界集中が緩和される。これにより、スパッタによってエッジ部分の絶縁膜が他の部分よりも速く剥がれ落ちることを防止でき、容器の長寿命化が図られる。また、エッジ部分に形成された絶縁膜の少なくとも表面側をアルミナで形成することにより、重金属の不純物による試料の汚染が低減される等、本発明は優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る実施の形態のプラズマ処理装置の構造を示す側断面図である。
【図２】図１のプラズマ装置が備える反応容器の側壁の拡大図である。
【図３】図２の側壁の絶縁膜の構成を示す部分断面拡大図である。
【符号の説明】
１  アルマイト膜
２  アルミナ膜
１１  反応容器
１１ａ  内側上壁
１１ｂ  内側下壁
１１ｃ  外側壁
１４  マイクロ波導入窓
１５  載置台
２１ａ  外側試料搬送口
２１ｂ  内側試料搬送口
３６  誘電体層
３８  導波管
３９  マイクロ波発振器
１１０  下端部
Ｓ  試料
【図１】
0004136137.tif 000002
【図２】
0004136137.tif 000003
【図３】
0004136137.tif 000004