(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
コアおよび／またはクラッドを、下記：
【化１】
0004128690.tif 000015
ただし、Ｘ、Ｘ１、Ｘ２及びＸ３は、それぞれ独立して、フッ素原子、塩素原子またはメチル基を表し；Ｚ１及びＺ２は、それぞれ独立して、臭素原子、塩素原子またはヨウ素原子を表し；ｋ及びｋ’は、それぞれ独立して、０〜４の整数であり；ｍ及びｍ’は、それぞれ独立して、０〜３の整数であり；ならびにｎは０〜２の整数である、
【化２】
0004128690.tif 000016
ただし、Ｘ１及びＸ２は、それぞれ独立して、フッ素原子、塩素原子またはメチル基を表し；ならびにｋ及びｋ’は、それぞれ独立して、０〜４の整数である、
【化３】
0004128690.tif 000017
ただし、Ｘ１及びＸ２は、それぞれ独立して、フッ素原子、塩素原子またはメチル基を表し；ならびにｋ及びｋ’は、それぞれ独立して、０〜４の整数である、
【化４】
0004128690.tif 000018
ただし、Ｙ１及びＹ２は、それぞれ独立して、フッ素原子またはメチル基を表し；ｐ及びｐ’は、それぞれ独立して、０〜４の整数であり；かつＹ１及びＹ２の少なくとも一はフッ素原子を表す、
のいずれかで示される含フッ素芳香族化合物の化学的蒸着によって形成することからなる、光導波路の製造方法。
【請求項２】
該化学的蒸着が熱ＣＶＤである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の方法によって製造される光導波路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光導波路およびその製造方法に関するものである。より詳しくは、本発明は、耐熱性に優れ、可視光領域で複屈折現象が起こらす、光損失の小さい光導波路およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
低損失光ファイバの開発による光通信システムの実用化に伴い、種々の光通信用部品の開発が望まれている。また、これらの光部品を高密度に実装する光配線技術、特に光導波路技術の確立が望まれている。
【０００３】
一般に、光導波路には、（１）複屈折現象が起こらない、（２）光損失が小さい、（３）容易に製造できる、（４）コアとクラッドの屈折率差を制御できる、および（５）耐熱性に優れている等の諸条件が要求される。低損失な光導波路としては、石英は光透過性が極めて良好であり、導波路とした場合でも波長が１．３μｍにおいて０．１ｄＢ／ｃｍ以下の低光損失化が達成されることが光ファイバですでに実証されているため、石英系光導波路が主に検討されている。しかしながら、石英系の材料は、これを用いて光導波路を作製するのに長時間を必要とする、作製時に高温が必要である、及び大面積化が困難であるなど製造上の問題点がある。また、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などのプラスチック系光導波路は低い温度で成形が可能であり、低価格が期待できるなどの長所があるものの、耐熱性に劣る、長波長側で十分な低損失化が達成されていない、などの欠点がある。
【０００４】
このような諸問題を考慮して、プラスチックの中で最も耐熱性に優れているポリイミドに着目して、この性質を利用して光導波路への使用が試みられた。この際、上述したように、ポリイミドは光伝送損失が小さい、すなわち透明性を有することが要求されているが、透明性を有するポリイミドについては従来報告されており、例えば、サムペジャーナル（SAMPE JOURNAL）７月／８月号第２８頁（１９８５）にはいくつかの透明性ポリイミドの例が報告されている。また、この文献中には、これらの透明性ポリイミドのもう一つの特徴として溶媒に可溶であることが述べられている。さらに、低誘電率で透明なフッ素化ポリイミドが特開平３−７２５２８号公報、特許第２８１６７７１号公報及び特開平４−３２８５０４号公報などで開示されているが、これらの透明性ポリイミドの多くは、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、アセトフェノン、アセトン、テトラヒドロフラン、酢酸エチル等の溶媒に可溶である。
【０００５】
しかしながら、上記透明性ポリイミドを光導波路として用いる場合には、コアとクラッドからなる多層構造にする必要があるが、透明性ポリイミドは溶媒に可溶であるという性質があるため、多層にするのが困難であり、有機溶媒に可溶なポリイミドをコア及びクラッドの構成材料として使用するリイミド光導波路は実現されていない。また、市販のポリイミドは分子鎖中にフェニル基のＣ−Ｈ結合を有するため、Ｃ−Ｈ結合の伸縮振動の高調波あるいはＣ−Ｈ結合の伸縮振動の高調波と変角振動の結合音が表われ、近赤外域にはなお大きな吸収ピークが存在している。上記欠点に加えて、従来、コア及びクラッドはポリイミドをスピンコーティングすることによって形成されてきたが、この方法は、容易に大面積導波路が作製できるという利点を有するものの、高分子が配向し、異方性が生じ、これにより複屈折現象がおこってしまうという問題があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、本発明の目的は、耐熱性に優れ、複屈折現象が生じにくくかつ光損失の小さい光導波路およびその製造方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記諸目的を達成するために鋭意検討した結果、コア及びクラッドを化学的蒸着（ＣＶＤ）法によって形成することによって、複屈折現象を有意に抑制することができることを発見した。また、本発明者らは、コア及びクラッドを含フッ素化合物を化学的蒸着（ＣＶＤ）することによって形成すると、耐熱性に優れかつ複屈折現象の小さな光導波路を製造できることをも発見した。これらの知見に基づいて、本発明を完成するに至った。
【０００８】
すなわち、上記諸目的は、以下の（ア）〜（ウ）によって達成される。
【０００９】
（ア）コアおよび／またはクラッドを、下記：
【００１０】
【化１】
0004128690.tif 000002
ただし、Ｘ、Ｘ１、Ｘ２及びＸ３は、それぞれ独立して、フッ素原子、塩素原子またはメチル基を表し；Ｚ１及びＺ２は、それぞれ独立して、臭素原子、塩素原子またはヨウ素原子を表し；ｋ及びｋ’は、それぞれ独立して、０〜４の整数であり；ｍ及びｍ’は、それぞれ独立して、０〜３の整数であり；ならびにｎは０〜２の整数である、
【００１１】
【化２】
0004128690.tif 000003
のいずれかで示される含フッ素芳香族化合物の化学的蒸着によって形成することからなる、光導波路の製造方法。
【００１２】
（イ）該化学的蒸着が熱ＣＶＤである、前記（ア）に記載の方法。
【００１３】
（ウ）前記（ア）または（イ）に記載の方法によって製造される光導波路。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００１６】
第一の概念によると、本発明は、コアおよび／またはクラッドを、下記：
【化３】
0004128690.tif 000004
ただし、Ｘ、Ｘ１、Ｘ２及びＸ３は、それぞれ独立して、フッ素原子、塩素原子またはメチル基を表し；Ｚ１及びＺ２は、それぞれ独立して、臭素原子、塩素原子またはヨウ素原子を表し；ｋ及びｋ’は、それぞれ独立して、０〜４の整数であり；ｍ及びｍ’は、それぞれ独立して、０〜３の整数であり；ならびにｎは０〜２の整数である、
【化４】
0004128690.tif 000005
のいずれかで示される含フッ素芳香族化合物の化学的蒸着（ＣＶＤ）によって形成することからなる、光導波路の製造方法を提供する。
【００１７】
以下に、本発明の一実施態様として、コア及びクラッド双方が含フッ素芳香族化合物から構成されるリッジ型光導波路の作製方法を図１を参照しながら記載するが、本発明は以下の実施態様に限定されるものではない。
【００１８】
まず、シリコン、石英ガラス等の基板１上に含フッ素芳香族化合物を所定の厚さになるように化学的蒸着（ＣＶＤ）し、下部クラッド層２を形成する。次に、この下部クラッド層２上にさらに含フッ素芳香族化合物を所定の厚さになるようにＣＶＤ処理して、コア層３を得る。さらに、このコア層上に蒸着によりアルミニウム層４をつけた後、フォトレジスト塗布、プリベーク、露光、現像、アフターベークを行い、パターニングされたレジスト層５を得る。続いて、レジスト層５で被覆されなかったアルミニウム層部分をウェットエッチングにより除去した後、レジスト層５及び相当するアルミニウム層で被覆されていないコア層部分の含フッ素芳香族樹脂をドライエッチングにより除去する。最後に、残ったアルミニウム層４をウェットエッチングで除去することにより、リッジ型光導波路を作製する。このようにして、下部クラッド層及びコア層が含フッ素芳香族樹脂で形成され、かつ上部クラッド層が空気層のリッジ型光導波路が得られる。
【００１９】
また、以下に、本発明の他の実施態様として、コア及びクラッド双方が含フッ素芳香族化合物から構成される埋め込み型光導波路の作製方法を図２を参照しながら記載するが、本発明は以下の実施態様に限定されるものではない。なお、図２において、符号１〜３は図１と同様の意味を有し、６は上部クラッド層を意味する。
【００２０】
まず、上記第一の実施態様と同様の方法を用いて、基板１上に含フッ素芳香族化合物を所定の厚さになるように化学的蒸着（ＣＶＤ）して下部クラッド層２を形成した後、この下部クラッド層２上にさらに含フッ素芳香族化合物を所定の厚さになるようにＣＶＤ処理して、コア層３を形成する。次に、このコア層３上に、さらに含フッ素芳香族化合物を所定の厚さになるようにＣＶＤ処理することにより、上部クラッド層６を形成することにより、本発明による埋め込み型光導波路が作製できる。
【００２１】
上記第一及び第二の実施態様においては、下部（及び上部）クラッド層ならびにコア層すべてをＣＶＤ法を用いて形成した。しかしながら、優れた耐熱性や複屈折現象の抑制を考慮すると、下部（及び上部）クラッド層ならびにコア層すべてをＣＶＤ法を用いて形成することが好ましいが、本発明では、請求項１の記載から明らかなように、クラッド層及びコア層の少なくとも一がＣＶＤで形成されればよい。クラッド層及びコア層がＣＶＤ以外の方法によって形成される場合に使用される方法としては、従来公知の方法が使用でき、具体的には、例えば、スピンコーティング、ロールコーティング、スプレイコーティング、バーコーティング、およびフレキソ印刷などの方法が挙げられる。
【００２２】
また、上記第一及び第二の実施態様においては、下部（及び上部）クラッド層ならびにコア層すべてを、含フッ素芳香族化合物を材料として用いてＣＶＤ処理によって形成したが、上記と同様にして、優れた耐熱性や複屈折現象の抑制などの諸特性を考慮すると、含フッ素芳香族化合物をＣＶＤ処理することによって下部（及び上部）クラッド層ならびにコア層を形成することが最も好ましいが、以下に詳述するような他の材料をＣＶＤ処理することによって下部（及び上部）クラッド層ならびにコア層を形成してもよいことはいうまでもないことである。
【００２３】
本発明においてＣＶＤに使用される材料は、ＣＶＤ処理が可能である材料であれば特に制限されないが、具体的には、含フッ素芳香族化合物、ポリイミド、ポリアミドイミド類、ポリ尿素、ポリウレタン、及びポリアゾメチンなどが挙げられる。これらのうち、耐熱性や複屈折現象の小ささなどを考慮すると、含フッ素芳香族化合物が好ましく使用される。
【００２４】
本発明において好ましく使用される含フッ素芳香族化合物化合物としては、特に制限されないが、具体的には、環状骨格部に２個のＣＦ2Ｚ（Ｚ＝Ｂｒ、ＩまたはＣｌ）基を有するベンゼン、ビフェニル、フェニルエーテル、インデン、インダン、ナフタレン、１，４−ジヒドロナフタレン、テトラリン、ビフェニレン、アセナフチレン、アセナフテン、フルオレン、フェナントレン、アントラセン、フルオランテン、アセアントレン、ピレン、１−フェニルナフタリン及び２−フェニルナフタリン；ならびに下記式（１）〜（３）で示される化合物が挙げられる。
【００２５】
【化２】
0004128690.tif 000006
【００２６】
【化３】
0004128690.tif 000007
【００２７】
【化４】
0004128690.tif 000008
【００２８】
上記式（１）及び（２）において、Ｘ1及びＸ2は、それぞれ独立して、フッ素原子、塩素原子またはメチル基、好ましくはフッ素原子を表し；ならびにｋ及びｋ’は、それぞれ独立して、０〜４、好ましくは０、３、４の整数、より好ましくは０、４の整数である。また、上記式（３）において、Ｙ1及びＹ2は、それぞれ独立して、フッ素原子またはメチル基、好ましくはフッ素原子を表し；ｐ及びｐ’は、それぞれ独立して、０〜４、好ましくは０、３、４の整数、より好ましくは０、４の整数であり；かつＹ1及びＹ2の少なくとも一はフッ素原子を表す。
【００２９】
上記した含フッ素芳香族化合物のうち、環状骨格部において２個のＣＦ2Ｚ（Ｚ＝Ｂｒ、ＩまたはＣｌ；以下、同様）基を有するベンゼン、ナフタレン及びアントラセン；ならびに式（１）〜（３）で示される化合物、より好ましくは環状骨格部において２個のＣＦ2Ｚ基を有するベンゼン、ナフタレン及びアントラセンが好ましく使用される。さらに、本発明において好ましく使用される環状骨格部に２個のＣＦ2Ｚ基を有するベンゼン、ナフタレン及びアントラセンにおいて、置換基であるＣＦ2Ｚ基の結合位置は、重合する際の含フッ素芳香族樹脂の２次構造の点を考慮すると、環状骨格部において対称の位置となることが望ましく、即ち、下記含フッ素芳香族化合物が本発明において特に好ましく使用される。
【００３０】
【化５】
0004128690.tif 000009
【００３１】
上記式において、Ｘ、Ｘ1、Ｘ2及びＸ3は、それぞれ独立して、フッ素原子、塩素原子またはメチル基、好ましくはフッ素原子を表し；Ｚ1及びＺ2は、それぞれ独立して、臭素原子、塩素原子またはヨウ素原子、好ましくは臭素原子を表し；ｋ及びｋ’は、それぞれ独立して、０〜４、好ましくは０、３、４の整数、より好ましくは０、４の整数であり；ｍ及びｍ’は、それぞれ独立して、０〜３、好ましくは０、３の整数であり；ならびにｎは０〜２、好ましくは０、２の整数である。
【００３２】
また、本発明において、ＣＶＤは、上記材料に加えて、必要であれば重合開始剤等の他の添加剤を添加して、行ってもよい。この際使用できる他の添加剤としては、ベンゾフェノン、イルガキュアー１８４（チバガイギー社製）、イルガキュアー９０７（チバガイギー社製）、イルガキャアー６５１（チバガイギー社製）、およびダロキュアー（メルク社製）等の重合開始剤などが挙げられる。
【００３３】
したがって、上記含フッ素芳香族化合物を必要であれば重合開始剤等の他の添加剤と共にＣＶＤ処理することによって得られる含フッ素芳香族樹脂（以下、単に「含フッ素芳香族樹脂」と称する）の好ましい例としては、以下の６種が挙げられる。なお、本発明において、含フッ素芳香族樹脂は、一種の含フッ素芳香族化合物のみから構成される（即ち、一種の含フッ素芳香族化合物がＣＶＤ処理に使用される）ことが好ましいが、あるいは、所望の特性によっては、二種以上の含フッ素芳香族化合物からなって（即ち、二種以上の含フッ素芳香族化合物が同時にＣＶＤ処理されて）もよい。
【００３４】
【化６】
0004128690.tif 000010
【００３５】
上記式において、Ｘ、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3、ｋ、ｋ’、ｍ、ｍ’、及びｎは、上記含フッ素芳香族化合物の好ましい例で記載された定義と同様であり、ならびにｑは、保護膜の所定の膜厚によって異なるが、平均、通常、１，０００〜１，０００，０００、好ましくは１０，０００〜１００，０００である。
【００３６】
本発明において、下部クラッド層、コア層および（埋め込み型の場合には）上部クラッド層を構成する材料は、下部クラッド層及びコア層ならびにコア層および上部クラッド層間で光の波長及び使用用途に適した屈折率の差となるようなものであれば、単一の種類の材料から形成されてもあるいは異なる種類の材料から形成されてもよい。例えば、リッジ型光導波路において、下部クラッド層及びコア層を単一の種類の含フッ素芳香族化合物から形成する場合には、所定の屈折率の差が一定となるように、下部クラッド層及びコア層を形成する際のＣＶＤによる製膜速度を適宜調整することによって、所定の屈折率を有する下部クラッド層及びコア層を得る。すなわち、製膜速度を上げると、屈折率は下がり、製膜速度を下げると、屈折率は上がる。
【００３７】
本発明によるＣＶＤにおいて、製膜速度は、上記したように、層の種類、使用される材料や用途によって適宜調整され、当業者には既知であるが、例えば、リッジ型光導波路において下部クラッド層及びコア層を含フッ素芳香族化合物から形成する場合、下部クラッド層及びコア層での製膜速度は、通常、０．０５〜０．１μｍ／分である。また、埋め込み型光導波路において下部クラッド層、コア層及び上部クラッド層を含フッ素芳香族化合物から形成する場合、下部クラッド層、コア層及び上部クラッド層での製膜速度は、通常、０．０５〜０．１μｍ／分である。
【００３８】
また、本発明によると、下部クラッド層、コア層および上部クラッド層の厚さは、光導波路の構造、光の波長や用途によっても異なるが、例えば、リッジ型光導波路の場合では、下部クラッド層及びコア層の厚さは、通常、０．１〜１００μｍである。また、本発明による光導波路が埋め込み型光導波路である場合には、下部クラッド層、コア層及び上部クラッド層の厚さは、通常、０．１〜１００μｍである。
【００３９】
以下、本発明によるＣＶＤ法を詳細に説明する。
【００４０】
本発明において使用される化学的蒸着（ＣＶＤ）としては、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ及び光ＣＶＤ等公知の化学的蒸着法が使用されるが、これらのうち、熱によって活性種を容易に生成することができるから、熱ＣＶＤが好ましく使用され、特に、特開平６−３３，２２４号に記載される方法が好ましく使用される。
【００４１】
また、ＣＶＤ工程において、上記含フッ素芳香族化合物を必須に使用するが、必要であれば、アルゴン、窒素、ヘリウムガス等のキャリアガスをさらに使用してもよい。キャリアガスを使用する際には、キャリアガス中の原料ガス（含フッ素芳香族化合物ガス）の濃度は、使用する含フッ素芳香族化合物の種類、目的とする薄膜の均一性や厚さおよび薄膜の堆積速度などによって異なるが、含フッ素芳香族化合物ガスの濃度が、全ガスにおける容積比として、０．０１〜１０％、好ましくは０．１〜１．５％となるような濃度である。
【００４２】
さらに、ＣＶＤ法において、反応条件は使用するＣＶＤの種類および目的とする薄膜の均一性や厚さなどによって異なるが、例えば、熱ＣＶＤ法を用いる際には、温度は、蒸発室では、０〜３００℃、好ましくは１００〜２００℃であり、分解室では、４００〜１０００℃、好ましくは６００〜８００℃であり、さらに蒸着室では、−５０〜３００℃、好ましくは室温である。この際、抵抗線加熱、高周波誘導加熱、赤外線ランプ加熱やレーザビーム加熱等の公知の手段によって上記温度範囲に設定できる。また、圧力は、７６０〜１０ｍｍＴｏｒｒである。
【００４３】
さらにまた、ＣＶＤ法に使用される反応装置としては、特に制限されず、例えば、特開平６−３３，２２４号に記載される装置、常圧ＣＶＤの際には、縦型常圧ＣＶＤ装置、インライン型常圧ＣＶＤ装置やベルトコンベア型常圧ＣＶＤ装置などが；減圧ＣＶＤの際には、ホットウォール型減圧ＣＶＤ装置やコールドウォール型減圧ＣＶＤ装置などが；プラズマＣＶＤの際には、丸型平行平板電極型プラズマＣＶＤ装置、誘導コイル型プラズマＣＶＤ装置、ホットウォール型プラズマＣＶＤ装置やマイクロ波電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）型プラズマＣＶＤ装置などが；ならびに光ＣＶＤの際には、低圧水銀ランプ、エキシマレーザ、アルゴンレーザ、超高圧水銀ランプ、重水素ランプ、希ガス共鳴線、ハロゲンランプやＦｅ／Ｈｇ金属・ハロゲンランプを光源として用いたＣＶＤ装置およびこれらの２種以上のフォトンを同時に吸収させて所定のエネルギー準位まで電子を励起させる多光子吸収法などが挙げられる。これらのうち、特開平６−３３，２２４号に記載される装置が特に好ましく使用される。
【００４４】
本発明の第一の概念においては、コアおよび／またはクラッドを、好ましくは含フッ素芳香族化合物を化学的蒸着（ＣＶＤ）処理することによって形成することを特徴とするものであり、いうまでもないことであるが、その他の製造工程、例えば、含フッ素芳香族化合物の多層化、パターン作製などについては従来使用されるのと同様の方法が使用できる。
【００４５】
第二の概念によると、本発明は、前記方法によって製造される光導波路を提供する。
【００４６】
本発明の方法によって製造される光導波路の構造は、特に制限されず、上記実施態様で記載したリッジ型や埋め込み型の光導波路に加えて、ファイバ型、平面型やレンズ型など、従来一般的に製造されるすべての光導波路と同様の構造が使用される。
【００４７】
【実施例】
以下、本発明の実施例により具体的に説明する。
【００４８】
なお、光伝搬損失は、作製された光導波路に波長０．６３μｍおよび１．３μｍの光を通してストリーク光散乱法またはカットバック法で測定した。
【００４９】
実施例１
表面が酸化シリコン層である直径３インチのシリコンウェハに、下記式の含フッ素芳香族化合物をアルゴンガス中に０．５（ｖ／ｖ）％で、蒸発室において１７５℃の温度かつ１Ｔｏｒｒの圧力で、分解室において６８０℃の温度でかつ０．５Ｔｏｒｒの圧力で、さらに蒸着室において３０℃の温度でかつ０．１Ｔｏｒｒの圧力で３．３時間、熱ＣＶＤ処理することによって、膜厚が１０μｍになるように製膜した。なお、この際の製膜速度は、０．０５μｍ／分であった。
【００５０】
【化７】
0004128690.tif 000011
【００５１】
次に、このようにして形成された下部クラッド層上に、ポリイミドを１０μｍの膜厚になるようにスピンコートにより塗布し、３５０℃で焼成して、コア層を形成した。
【００５２】
このようにして、下部クラッド層が含フッ素芳香族樹脂層、コア層がポリイミド層、および上部クラッド層が空気層である平面型光導波路を作製した。この光導波路に波長０．６３μｍの光を通してストリーク光散乱法で光伝搬損失を測定したところ、損失は０．１ｄＢ／ｃｍ以下であった。
【００５３】
実施例２
表面が酸化シリコン層である直径３インチのシリコンウェハを基板として使用し、この基板上に下記式の含フッ素芳香族化合物をアルゴンガス中に０．５（ｖ／ｖ）％で、蒸発室において１７５℃の温度かつ１Ｔｏｒｒの圧力で、分解室において６８０℃の温度でかつ０．５Ｔｏｒｒの圧力で、さらに蒸着室において３０℃の温度でかつ０．１Ｔｏｒｒの圧力で３．３時間、熱ＣＶＤ処理することによって、膜厚が１０μｍになるように製膜した。なお、この際の製膜速度は、０．０５μｍ／分であった。
【００５４】
【化８】
0004128690.tif 000012
【００５５】
次に、このようにして形成された下部クラッド層上に、下記式の含フッ素芳香族化合物をアルゴンガス中に０．３（ｖ／ｖ）％で、蒸発室において１７５℃の温度かつ１Ｔｏｒｒの圧力で、分解室において６８０℃の温度でかつ０．５Ｔｏｒｒの圧力で、さらに蒸着室において３０℃の温度でかつ０．１Ｔｏｒｒの圧力で２時間、熱ＣＶＤ処理することによって、膜厚が１０μｍになるように製膜した。なお、この際の製膜速度は、０．０８μｍ／分であった。
【００５６】
【化９】
0004128690.tif 000013
【００５７】
次に、電子ビーム蒸着機により、アルミニウムを０．３μｍの厚さで蒸着した後、レジスト加工を行った。まず、通常のポジ型レジストをスピンコート法により塗布した後、約９５℃でプリベークを行った。次に、線幅１０μｍ、長さ６０ｍｍのパターン形成用マスクを通して超高圧水銀ランプを用いて露光した後、ポジ型レジスト用の現像液を用いて現像した。その後、１３５℃でアフターベークを行った。次にレジストで被覆されていないアルミニウム部分をウェットエッチングにより除去した。洗浄乾燥後、平行平板型ドライエッチング装置を用いてレジストで被覆されていないコア層部分についてエッチング除去を行った。最後に、このコア層上のアルミニウム層を上記したのと同様のエッチング液で除去することにより、リッジ型光導波路を得た。
【００５８】
このようにして作製されたリッジ型光導波路に波長１．３μｍの光を通してカットバック法で光伝搬損失を測定したところ、損失は０．１ｄＢ／ｃｍ以下であり、複屈折現象は観察されなかった。
【００５９】
実施例３
実施例２と同様にして、リッジ型光導波路を作製した後、コア層上に、下記式の含フッ素芳香族化合物をアルゴンガス中に０．５（ｖ／ｖ）％で、蒸発室において１７５℃の温度かつ１Ｔｏｒｒの圧力で、分解室において６８０℃の温度でかつ０．５Ｔｏｒｒの圧力で、さらに蒸着室において３０℃の温度でかつ０．１Ｔｏｒｒの圧力で３．３時間、熱ＣＶＤ処理することによって、膜厚が１０μｍになるように製膜して上部クラッド層を形成した。なお、この際の製膜速度は、０．０５μｍ／分であった。
【００６０】
【化１０】
0004128690.tif 000014
【００６１】
このようにして作製された埋め込み型光導波路に波長１．３μｍの光を通してカットバック法で光伝搬損失を測定したところ、損失は０．１ｄＢ／ｃｍ以下であり、複屈折現象は観察されなかった。
【００６２】
【発明の効果】
上述したように、本願発明の光導波路の製造方法は、コアおよび／またはクラッドを、好ましくは含フッ素芳香族化合物を、化学的蒸着（ＣＶＤ）処理することによって形成することからなることを特徴とするものである。したがって、本願発明の製造方法によって製造される光導波路は、耐熱性に優れ、かつ光損失のほとんどなく、複屈折現象を生じないものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】は、本発明によるリッジ型光導波路の作製方法の一実施態様を示す工程図を示す。
【図２】は、本発明による埋め込み型光導波路の作製方法の一実施態様の断面図である。
【付号の説明】
１  基板
２  下部クラッド層
３  コア層
４  アルミニウム層
５  レジスト層
６  上部クラッド層
【図１】
0004128690.tif 000019
【図２】
0004128690.tif 000020