(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する１対の主面と、互いに対向する１対の側面と、互いに対向する１対の端面とを有するチップ型電子部品素子に、
前記１対の主面の薄膜金属非形成領域を隔てて、前記１対の主面の一方主面から前記１対の側面のうちの一方側面を経て前記１対の主面の他方主面に至る一方薄膜金属電極と、前記１対の主面の一方主面から前記１対の側面のうちの他方側面を経て前記１対の主面の他方主面に至る他方薄膜金属電極と、を形成するためのマスクであって、
前記チップ型電子部品素子の前記１対の端面をマスクし、前記１対の主面および前記１対の側面が露出されるように前記チップ型電子部品素子を位置決めする収納孔をそれぞれ有する第１ホルダ板および第２ホルダ板を有し、
前記第１ホルダ板および前記第２ホルダ板は、各収納孔に前記チップ型電子部品素子がそれぞれ収納された状態で、各収納孔の位置が一致するように重ねられるものであり、
前記第１ホルダ板および前記第２ホルダ板同士が対向する一方主面の間に配置された第２マスクを有し、
前記第２マスクは、前記チップ型電子部品素子の薄膜金属非形成領域に対応する位置に当該チップ型電子部品素子に接する桟を有するともに、前記チップ型電子部品素子の前記１対の主面と前記１対の側面が露出される薄膜金属形成用孔を有しており、
前記第１ホルダ板および前記第２ホルダ板の他方主面側に第１マスクと第３マスクがそれぞれ配置され、
前記第１マスクおよび前記第３マスクは、当該第１マスクおよび第３マスクと接する前記チップ型電子部品素子の薄膜金属非形成領域に対応する位置に桟をそれぞれ有するとともに、前記チップ型電子部品素子の前記１対の主面と前記１対の側面が露出される薄膜金属形成用孔をそれぞれ有する、ことを特徴とする薄膜金属形成用マスク。
【請求項２】
前記第１ホルダ板および第２ホルダ板の収納孔に位置決めされたチップ型電子部品素子の隣り合う間隔Ａは、第１ホルダ板、第２ホルダ板、および第１ホルダ板と第２ホルダ板の間にある第２マスクの総厚みをＢとし、前記チップ型電子部品素子側面に対する金属材料粒子の飛散入射角をαとしたとき、Ａ≧Ｂ×ｔａｎαの式を満足することを特徴とする請求項１記載の薄膜金属形成用マスク。
【請求項３】
前記第２マスクの厚みＣは、前記第２マスクと接する前記チップ型電子部品素子の主面側であって、前記チップ型電子部品素子の側面から第２マスクに接するまでの距離をＤとし、前記チップ型電子部品素子側面に対する金属材料粒子の入射角をβとしたとき、Ｃ≧Ｄ／ｔａｎβの式を満足することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の薄膜金属形成用マスク。
【請求項４】
前記第１マスクおよび前記第３マスク、または／および前記第２マスクは、前記第１ホルダ板および前記第２ホルダ板よりも熱膨張係数の小さい材質からなることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の薄膜金属形成用マスク。
【請求項５】
前記第１マスクおよび前記第３マスク、または／および前記第２マスクは、前記第１ホルダ板および前記第２ホルダ板よりも熱伝導率の大きい材質からなることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の薄膜金属形成用マスク。
【請求項６】
第１マスクに第１ホルダ板を重ね、前記第１ホルダ板の収納孔にチップ型電子部品素子を収納し、さらに前記第１ホルダ板に第２マスクを重ね、この状態で治具により固定して第１組立体を準備する工程と、
第３マスクに前記第２ホルダ板を重ね、前記第２ホルダ板の収納孔にチップ型電子部品素子を収納して、第２組立体を準備する工程と、
前記第１組立体の第２マスク側を前記第２組立体の第２ホルダ板と重ね合わせ、この状態で治具により固定する工程と、からなることを特徴とする薄膜金属形成用マスクの組立方法。
【請求項７】
真空室と、前記真空室の内部に設置された飛散源と、前記請求項１〜請求項５に記載の薄膜金属形成用マスクと、前記薄膜金属形成用マスクを取りつけて前記飛散源の周りを自転公転させるドラムと、を備え、
前記薄膜金属形成用マスクは、そのマスク主面が前記飛散源に対して４５度の傾きを持って前記ドラムに取りつけられており、所定位置に位置したとき９０度自転し、その角度を保ったまま公転することを特徴とするチップ型電子部品素子への金属薄膜形成装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、互いに対向する１対の主面と、互いに対向する１対の側面と、互いに対向する１対の端面とを有するチップ型電子部品素子に、薄膜金属電極を形成するための薄膜金属形成用マスクに関し、さらには、薄膜金属形成用マスクの組立方法、およびチップ型電子部品素子への金属薄膜形成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１０（ａ）に示すチップ型電子部品１は、チップ型電子部品素子２の両主面２ａ、２ｂに、電極３ａ、３ｂが形成されたものである。電極３ａは、チップ型電子部品素子２の一方主面２ａにおいて、一方側面２ｃ側から中央部にかけて形成され、電極３ｂは、チップ型電子部品素子２の他方主面２ｂにおいて、他方側面２ｄ側から中央部にかけて形成されている。
【０００３】
図１０（ｂ）は、蒸着やスパッタリングなどの手法を用いて前記チップ型電子部品素子２に金属薄膜を成膜し、電極３ａ、３ｂを形成するためのマスク構造を示す断面図である。薄膜金属形成用マスク４は、第１マスク５と第２マスク６とガイド部材７とを有し、第１マスク５および第２マスク６には、チップ型電子部品素子２の１対の主面２ａ、２ｂの電極形成領域が露出する膜形成用孔５ａ、６ａが形成されている。
【０００４】
一点鎖線で２分割することによりチップ型電子部品素子２となるワーク８は、第１マスク５と第２マスク６との間に挟持され、ガイド部材７によって位置決めされる。このとき、ワーク８の両主面以外の４面は、ガイド部材７と接することによってマスクされる。
【０００５】
具体的には、薄膜金属形成用マスク４は、ワーク８を搭載した後、マスクホルダーに固定されて金属薄膜形成装置内に配置され、蒸着による成膜により、ワーク８の両主面に外部電極３ａ、３ｂとなる金属薄膜が形成される。こののち、ワーク８は、図１０（ｂ）に示す一点鎖線に沿って切断される。
【０００６】
【発明が解決しようする課題】
しかしながら、上記薄膜金属形成用マスク４では、ワーク８の両主面以外の４面がガイド部材７でマスクされているので、チップ型電子部品素子２の１対の側面２ｃ、２ｄに外部電極を形成することができない。
【０００７】
この発明の目的は、チップ型電子部品素子に、前記１対の主面の一方主面から前記１対の側面のうちの１つの側面を経て前記１対の主面の他方主面に至り、前記１対の主面の各表面の薄膜金属非形成領域を隔てて対向する１対の薄膜金属電極を形成できる薄膜金属形成用マスクを提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
この第１の発明にかかる薄膜金属形成用マスクは、互いに対向する１対の主面と、互いに対向する１対の側面と、互いに対向する１対の端面とを有するチップ型電子部品素子に、前記１対の主面の薄膜金属非形成領域を隔てて、前記１対の主面の一方主面から前記１対の側面のうちの一方側面を経て前記１対の主面の他方主面に至る一方薄膜金属電極と、前記１対の主面の一方主面から前記１対の側面のうちの他方側面を経て前記１対の主面の他方主面に至る他方薄膜金属電極と、を形成するためのマスクであって、前記チップ型電子部品素子の前記１対の端面をマスクし、前記１対の主面および前記１対の側面が露出されるように前記チップ型電子部品素子を位置決めする収納孔をそれぞれ有する第１ホルダ板および第２ホルダ板を有し、前記第１ホルダ板および前記第２ホルダ板は、各収納孔に前記チップ型電子部品素子がそれぞれ収納された状態で、各収納孔の位置が一致するように重ねられるものであり、前記第１ホルダ板および前記第２ホルダ板同士が対向する一方主面の間に配置された第２マスクを有し、前記第２マスクは、前記チップ型電子部品素子の薄膜金属非形成領域に対応する位置に当該チップ型電子部品素子に接する桟を有するともに、前記チップ型電子部品素子の前記１対の主面と前記１対の側面が露出される薄膜金属形成用孔を有しており、前記第１ホルダ板および前記第２ホルダ板の他方主面側に第１マスクと第３マスクがそれぞれ配置され、前記第１マスクおよび前記第３マスクは、当該第１マスクおよび第３マスクと接する前記チップ型電子部品素子の薄膜金属非形成領域に対応する位置に桟をそれぞれ有するとともに、前記チップ型電子部品素子の前記１対の主面と前記１対の側面が露出される薄膜金属形成用孔をそれぞれ有する、ことを特徴とする。
【００１０】
この第２の発明にかかる薄膜金属形成用マスクは、前記第１の発明にかかる前記第１ホルダ板および第２ホルダ板の収納孔に位置決めされたチップ型電子部品素子の隣り合う間隔Ａが、第１ホルダ板、第２ホルダ板、および第１ホルダ板と第２ホルダ板の間にある第２マスクの総厚みをＢとし、前記チップ型電子部品素子側面に対する金属材料粒子の飛散入射角をαとしたとき、Ａ≧Ｂ×ｔａｎαの式を満足することを特徴とする。
【００１１】
この第３の発明にかかる薄膜金属形成用マスクは、前記第１または第２の発明にかかる前記第２マスクの厚みＣが、前記第２マスクと接する前記チップ型電子部品素子の主面側であって、前記チップ型電子部品素子の側面から第２マスクに接するまでの距離をＤとし、前記チップ型電子部品素子側面に対する金属材料粒子の入射角をβとしたとき、Ｃ≧Ｄ／ｔａｎβの式を満足することを特徴とする。
【００１３】
この第４の発明にかかる薄膜金属形成用マスクは、前記第１〜第３の発明にかかる前記第１マスクおよび前記第３マスク、または／および前記第２マスクが、前記第１ホルダ板および前記第２ホルダ板よりも熱膨張係数の小さい材質からなることを特徴とする。
【００１５】
この第５の発明にかかる薄膜金属形成用マスクは、前記第１〜第３の発明にかかる前記第１マスクおよび前記第３マスク、または／および前記第２マスクが、前記第１ホルダ板および前記第２ホルダ板よりも熱伝導率の大きい材質からなることを特徴とする。
【００１６】
この第６の発明にかかる薄膜金属形成用マスクの組立方法は、第１マスクに第１ホルダ板を重ね、前記第１ホルダ板の収納孔にチップ型電子部品素子を収納し、さらに前記第１ホルダ板に第２マスクを重ね、この状態で治具により固定して第１組立体を準備する工程と、第３マスクに前記第２ホルダ板を重ね、前記第２ホルダ板の収納孔にチップ型電子部品素子を収納して、第２組立体を準備する工程と、前記第１組立体の第２マスク側を前記第２組立体の第２ホルダ板と重ね合わせ、この状態で治具により固定する工程と、からなることを特徴とする。
【００１７】
この第７の発明にかかるチップ型電子部品素子への金属薄膜形成装置は、真空室と、前記真空室の内部に設置された飛散源と、前記第１〜第５の発明に記載の薄膜金属形成用マスクと、前記薄膜金属形成用マスクを取りつけて前記飛散源の周りを自転公転させるドラムと、を備え、前記薄膜金属形成用マスクは、そのマスク主面が前記飛散源に対して４５度の傾きを持って前記ドラムに取りつけられており、所定位置に位置したとき９０度自転し、その角度を保ったまま公転することを特徴とする。
【００１８】
この発明によれば、ホルダ板の収納孔からチップ型電子部品素子の１対の主面および１対の側面が露出しているので、チップ型電子部品素子の1対の主面だけでなく、１対の側面にも外部電極を形成することができる。
【００１９】
また、この発明によれば、２枚のホルダ板の間にマスクを備える２段マスク構造とすることにより、従来の約２倍量のチップ型電子部品素子を搭載することができる。
【００２０】
さらに、この発明によれば、薄膜金属形成用マスク主面を飛散源に対して４５度の傾きを持ってドラムに取りつけ、所定位置で９０度自転し、その角度を保ったまま公転させることにより、膜厚のばらつきの少ない外部電極を形成することができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
［参考例］以下、この発明の参考例について、図１、図２を用いて説明する。図１は、インクジェットプリンタ用のアクチュエータ１１を示す斜視図である。アクチュエータ素子１２は、互いに対向する１対の主面１２ａ、１２ｂと、互いに対向する１対の側面１２ｃ、１２ｄと、互いに対向する１対の端面１２ｅ、１２ｆとを有する。アクチュエータ素子１２には、前記アクチュエータ素子１２の一方主面１２ａから前記１対の側面のうちの一方側面１２ｃまたは他方側面１２ｄを経て他方主面１２ｂに至り、１対の主面１２ａ、１２ｂの各表面の薄膜金属非形成領域を隔てて、対向する１対の薄膜金属電極１３ａ、１３ｂが形成されている。
【００２２】
なお、この参考例では、チップ型電子部品としてインクジェットプリンタ用のアクチュエータを用いたが、これに限るものではなく、他のチップ型電子部品を用いてもよい。また、電極材料として、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕなどがあるが、これらに限定されるものではない。
【００２３】
図２は、蒸着やスパッタリングなどの手法を用いて前記アクチュエータ素子１２に金属薄膜を成膜し、薄膜金属電極１３ａ、１３ｂを形成するためのマスク構造を示す（ａ）斜視図、および（ｂ）断面図である。薄膜金属形成用マスク１４は、第１ホルダ板１５と、第１マスク１６と、第２マスク１７と、を有する。
【００２４】
第１ホルダ板１５は、前記アクチュエータ素子１２の前記１対の端面１２ｅ、１２ｆをマスクする。また、第１ホルダ板１５は、他の前記１対の主面１２ａ、１２ｂおよび前記１対の側面１２ｃ、１２ｄが露出されるように前記アクチュエータ素子１２を位置決めする収納孔１５ａを有する。
【００２５】
第１マスク１６および第２マスク１７は、前記ホルダ板１５の収納孔１５ａに前記アクチュエータ素子１２を収納した状態で、前記ホルダ板１５主面の両側にそれぞれ配置される。
【００２６】
前記第１マスク１６は、前記アクチュエータ素子１２の薄膜金属非形成領域に対応する位置に、当該アクチュエータ素子１２と接する桟１６ａを有する。また、第１マスク１６は、前記アクチュエータ素子１２の一方主面１２ａと１対の側面１２ｃ、１２ｄが露出される薄膜金属形成用孔１６ｂを有する。
【００２７】
前記第２マスク１７は、前記アクチュエータ素子１２の薄膜金属非形成領域に対応する位置に、当該アクチュエータ素子１２と接する桟１７ａを有する。また、第２マスク１７は、前記アクチュエータ素子１２の他方主面１２ｂと１対の側面１２ｃ、１２ｄが露出される薄膜金属形成用孔１７ｂを有する。
【００２８】
上記薄膜金属形成用マスク１４において、第１ホルダ板１５でマスクされるのは、アクチュエータ素子１２の1対の端面１２ｅ、１２ｆである。1対の主面１２ａ、１２ｂと１対の側面１２ｃ、１２ｄは、第１マスク１６および第２マスク１７の薄膜金属形成用孔１６ｂ、１７ｂから露出している。したがって、前記薄膜金属形成用マスク１４を用いて、蒸着、スパッタリングなどの手法を用いて、電極材料を真空装置内で飛散させることにより、アクチュエータ素子１２に、一方主面１２ａから１対の側面のうちの一方側面１２ｃまたは他方側面１２ｄを経て他方主面１２ｂに至り、１対の主面１２ａ、１２ｂの薄膜金属非形成領域を隔てて対向する１対の薄膜金属電極１３ａ、１３ｂを形成できる。
［実施形態１］以下、この発明の実施の形態について、図３〜図５を用いて説明する。ただし、チップ型電子部品として参考例と同一のアクチュエータ１１を用い、参考例と同一のものについては同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。
【００２９】
図３に示す薄膜金属形成用マスク２４は、第１ホルダ板１５と、第１マスク１６と、第２マスク１７に加え、第２ホルダ板１８と、第３マスク１９とを有する。
【００３０】
第２ホルダ板１８は、第１ホルダ板１５と同一のものであり、前記アクチュエータ素子１２の前記１対の端面１２ｅ、１２ｆをマスクする。また、第２ホルダ板１８は、前記１対の主面１２ａ、１２ｂおよび前記１対の側面１２ｃ、１２ｄが露出されるように前記アクチュエータ素子１２を位置決めする収納孔１８ａを有する。
【００３１】
前記第３マスク１９は、第１マスク１６と同一のものであり、前記アクチュエータ素子１２の薄膜金属非形成領域に対応する位置に、当該アクチュエータ素子１２に接する桟１９ａを有する。また、第３マスク１９は、前記アクチュエータ素子１２の前記１対の主面１２ａ、１２ｂと前記１対の側面１２ｃ、１２ｄが露出される薄膜金属形成用孔１９ｂを有する。
【００３２】
前記第１ホルダ板１５および前記第２ホルダ板１８は、組立てられたときには、各収納孔１５ａおよび１８ａに前記アクチュエータ素子１２をそれぞれ収納した状態で、各収納孔１５ａおよび１８ａの位置が一致するように重ねられる。
【００３３】
前記第１ホルダ板１５および前記第２ホルダ板１８同士が対向する一方主面の間には、第２マスク１７が配置される。
【００３４】
前記第１ホルダ板１５および前記第２ホルダ板１８の他方主面には、第１マスク１６と第３マスク１９がそれぞれ配置される。
【００３５】
前記薄膜金属形成用マスク２４において、図４に示すように、前記第１ホルダ板１５および第２ホルダ板１８の収納孔１５ａ、１８ａにアクチュエータ素子１２がそれぞれ位置決めされている。ここで、前記アクチュエータ素子１２の隣り合う間隔Ａは、第１ホルダ板１５、第２ホルダ板１８、および第１ホルダ板１５と第２ホルダ板１８の間にある第２マスク１７の総厚みをＢとし、前記アクチュエータ素子１２側面１２ｃ、１２ｄに対する金属材料粒子の飛散入射角をαとしたとき、Ａ≧Ｂ×ｔａｎαの式（１）を満足するように設定される。
【００３６】
また、前記薄膜金属形成用マスク２４において、前記第２マスク１７の厚みＣは、次のように設定される。つまり、前記第２マスク１７と接する前記アクチュエータ素子１２の他方主面１２ｂ側であって、側面１２ｃ、１２ｄから第２マスク１７に接するまでの距離をＤとし、前記アクチュエータ素子１２の側面１２ｃ、１２ｄに対する金属材料粒子の入射角をβとしたとき、Ｃ≧Ｄ／ｔａｎβの式（２）を満足するように設定される。
【００３７】
前記薄膜金属形成用マスク２４によれば、第２ホルダ板１８および第３マスク１９を設けて二段マスク構造とすることにより、アクチュエータ素子１２を上下二段に収納することができ、蒸着装置内へのチャージ量を倍増させ、成膜コストを下げることができる。
【００３８】
また、前記薄膜金属形成用マスク２４によれば、前記アクチュエータ素子１２の隣り合う間隔Ａ、および前記第２マスク１７の厚みＣを上記各式（１）、（２）のとおりに設定することにより、一回の蒸着で上下二段のアクチュエータ素子１２に、一方主面１２ａから側面１２ｃ、１２ｄをそれぞれ経由して他方主面１２ｂに廻り込んだ薄膜金属電極１３ａ、１３ｂをそれぞれ形成することができ、作業効率を向上させて、成膜コストを下げることができる。
【００３９】
次に、前記薄膜金属形成用マスク２４の組立方法について、図５を用いて説明する。
まず、図５（ａ）に示すように、第１マスク１６を下にして、その上に第１ホルダ板１５を重ね、ピン３０で位置決めする。そして、前記第１ホルダ板１５の収納孔１５ａに、アクチュエータ素子１２を一方主面１２ａを下に向けて収納する。さらに、前記第１ホルダ板１５に第２マスク１７を重ね、ピン３０で位置決めする。この状態で治具（ボルト）３１により固定して第１組立体３２を準備する。
【００４０】
次に、図５（ｂ）に示すように、第３マスク１９を下にして、その上に第２ホルダ板１８を重ね、ピン３３で位置決めする。そして、前記第２ホルダ板１８の収納孔１８ａに、アクチュエータ素子１２を一方主面１２ａを下に向けて収納し、第２組立体３４を準備する。なお、この状態で治具により固定してもよい。
【００４１】
さらに、前記第１組立体３２を前記第２組立体３４に伏せて重ね、この状態で治具３５により全体を固定する。
【００４２】
前記薄膜金属形成用マスク２４の組立方法によれば、上下二段のアクチュエータ素子１２を、薄膜金属電極形成領域の大きい一方主面１２ａを下に向けて第１ホルダ板１５および第２ホルダ板１８に搭載するので、一方主面１２ａにエアピンセットや吸着パッドなどの治具が接触する回数が少なく、不純物が付着しにくい。よって、不純物による薄膜金属電極１３ａ、１３ｂの凹凸や膜剥がれなどの外観不良が起こりにくく、高精度のインクジェットプリンタ用アクチュエータを作製するのに有効である。
【００４３】
また、前記薄膜金属形成用マスク２４の組立方法によれば、アクチュエータ素子１２を第１ホルダ板１５および第２ホルダ板１８に搭載するときの組立体の段数が同じなので、アクチュエータ素子１２挿入自動化に際し、同一仕様の設備で対応することができ、効率が良い。
【００４４】
なお、図５に基づいて、薄膜金属形成用マスク２４の組立方法について説明したが、第２組立体３４を先に準備しておき、次に、第１組立体３２を組立て、その後、第１組立体３２を第２組立体３４に伏せて重ねて、薄膜金属形成用マスク２４を組立ててもよい。
【００４５】
また、第２組立体３４を組立てるとき、第２マスク１７を第２組立体３４側に重ね、治具で固定してもよい。この場合、第１組立体３２を下にして、その上に第２組立体３４を伏せて重ねることになる。
【００４６】
なお、前記参考例の前記薄膜金属形成用マスク１４および前記実施形態１の前記薄膜金属形成用マスク２４において、その材質は、第１マスク１６および第３マスク１９は１８クロムステンレス（ＳＵＳ４３０）、その他の部材は１８−８ステンレス（ＳＵＳ３０４）を用いている。
【００４７】
これは、アクチュエータ１１の小型化に対応して、アクチュエータ素子１２の一方主面１２ａにおける薄膜金属電極１３ａ、１３ｂ間距離を短くする、すなわち、第１マスク１６および第３マスク１９の桟１６ａ、１９ａの幅をできるだけ狭くするためである。もし、マスクの各構成部材全部について同一の材質を用いた場合、第１マスク１６および第３マスク１９の桟１６ａ、１９ａの幅を、例えば０．５ｍｍまで狭くすると、桟１６ａ、１９ａの下まで電極材料が回り込み、寸法不良やショート不良が発生する。
【００４８】
これは、以下の理由による。蒸着などにより薄膜を形成する場合、薄膜の密着強度を上げる目的で、金属薄膜形成装置内でアクチュエータ素子１２を１５０〜２００℃まで加熱する。このとき、第１マスク１６および第３マスク１９が受け取った熱は、薄膜金属形成用マスク１４または２４を保持するドラムへと逃げていく。しかし、第１マスク１６および第３マスク１９の桟１６ａ、１９ａの幅を必要以上に狭くすると、第１マスク１６および第３マスク１９の外周部からドラムへと伝わる熱量よりも、第１マスク１６および第３マスク１９の桟１６ａ、１９ａから第１マスク１６および第３マスク１９の外周部へと伝わる熱量のほうが小さくなる。したがって、第１マスク１６および第３マスク１９の桟１６ａ、１９ａが、第１マスク１６および第３マスク１９の外周部よりも高温になり、熱膨張が大きくなる。これにより、第１マスク１６および第３マスク１９の桟１６ａ、１９ａがアクチュエータ素子１２から浮き上がるように反り、ここに薄膜金属電極材料が回り込んでしまうのである。
【００４９】
前記薄膜金属形成用マスク１４および２４において、第１マスク１６および第３マスク１９の材質である１８クロムステンレス（ＳＵＳ４３０）の熱膨張係数は１１．０（１０-6／℃）、熱伝導率は２４．５（ｋｃａｌ／ｍｈ℃）である。一方、その他の部材の材質である１８−８ステンレス（ＳＵＳ３０４）の熱膨張係数は１７．１（１０-6／℃）、熱伝導率は１８（ｋｃａｌ／ｍｈ℃）である。
【００５０】
すなわち、前記薄膜金属形成用マスク１４および２４において、第１マスク１６および第３マスク１９は、他の部材よりも熱伝導率が高く、熱膨張係数が小さい材質にて作製されている。
【００５１】
第１マスク１６および第３マスク１９について、熱伝導率の高い材質を使うことにより、第１マスク１６および第３マスク１９の桟１６ａ、１９ａと外周部との温度差を低減し、幅の狭い桟１６ａ、１９ａの変形を防止することができる。
【００５２】
また、第１マスク１６および第３マスク１９について、熱膨張係数の小さい材質を使うことにより、同一温度下では常に桟１６ａ、１９ａに張力が働き、桟１６ａ、１９ａ部は直線性を保とうとする。
【００５３】
これらのことから、第１マスク１６および第３マスク１９を他の部材よりも熱伝導率が高く、熱膨張係数が小さい材質にて作製することにより、第１マスク１６および第３マスク１９の桟１６ａ、１９ａの幅をできるだけ狭くして、アクチュエータ素子１２の一方主面１２ａにおける外部電極１３ａ、１３ｂ間距離を短くすることができる。
【００５４】
なお、成膜中の加熱温度や部品形状により、熱膨張による伸びの差異は変化する。第１マスク１６および第２マスク１９の桟１６ａ、１９ａに働く張力が大きくなりすぎると、繰り返しの引張応力により桟１６ａ、１９ａが破断してしまうことがある。したがって、第１マスク１６および第２マスク１９の材質は、ＳＵＳ４３０に限定するものではなく、４２アロイ、コバール（ＫＯＶＷＲ）などを適宜用いることとする。
【００５５】
また、図１に基づいて、一方主面１２ａにおける薄膜金属電極１３ａ、１３ｂ間距離が短いアクチュエータ１１を例に説明したが、他方主面１２ｂにおける薄膜金属電極１３ａ、１３ｂ間距離が短い場合は、桟１７ａの幅が狭い第２マスク１７を、他の部材よりも熱伝導率が高く、熱膨張係数が小さい材質にて作製することが好ましい。
【００５６】
さらにまた、前記薄膜金属形成用マスク１４および前記薄膜金属形成用マスク２４において、各構成部材のうち全てのマスクの材質を、他の部材よりも熱伝導率が高く、熱膨張係数が小さい材質にて作製してもよい。
［実施形態２］さらに、前記薄膜金属形成用マスク１４または２４を用いた金属薄膜形成装置について説明する。図６は、金属薄膜形成装置４０の概略図を示す。図６において、金属薄膜形成装置４０は、真空室４１と、前記真空室４１の内部に設置された飛散源４２と、前記薄膜金属形成用マスク１４または２４と、前記薄膜金属形成用マスク１４または２４を取りつけて前記飛散源４２の周りを自転公転させるドラム４３と、を備える。
【００５７】
飛散源４２は、薄膜金属電極１３ａ、１３ｂの材料である。薄膜形成手段は、蒸着、スパッタリングなどである。
【００５８】
アクチュエータ素子１２を搭載した薄膜金属形成用マスク１４または２４は、図７に示すように、３枚ずつマスクホルダ４４に整列固定されている。このマスクホルダ４４はドラム４３に複数枚（図７では８枚）配置される。このとき、各マスクホルダ４４の主面は、ドラム４３内部の飛散源４２（図７に図示せず）に対して４５度傾けて配置される。
【００５９】
マスクホルダ４４は、ドラム４３の回転によって飛散源４２の周囲を公転する。マスクホルダ４４は、詳細に図示していないが、ドラム４３下部に設けられた自転機構４５と連結しており、この自転機構４５の位置にくると９０度自転し、その角度を保ったまま１周公転する設定になっている。マスクホルダ４４は、飛散源４２に対して４５度傾けてドラム４３に配置されているので、薄膜金属形成用マスク１４または２４は、図８に示すように、常に飛散源４２に対し４５度傾いた状態で回転する。このとき、飛散源４３から照射される電極材料は、アクチュエータ素子１２に対し、図９（ａ）に一点鎖線の矢印で示す４方向から飛んでくる。これによれば、上段のアクチュエータ素子１２の薄膜金属電極１３ａ、１３ｂの各部位は、図９（ｂ）に示す角度からの電極材料の入射によって形成される。すなわち、表面電極１３ａ−１、１３ｂ−１は共に４５度および１３５度、側面電極１３ａ−２は１３５度および２２５度、側面電極１３ｂ−２は４５度および３１５度、裏面電極１３ａ−３は２２５度、裏面電極１３ｂ−３は３１５度、からの照射によって成膜される。
【００６０】
このときの薄膜金属電極１３ａ、１３ｂの各部位の膜厚比は、表面電極：側面電極：裏面電極＝２：２：１であり、各面における膜厚バラツキは５％以内に抑えられた。そして、自転が連続回転の金属薄膜形成装置と比較して、電極材料を約３０％低減することができた。
【００６１】
【発明の効果】
この発明に係る薄膜金属形成用マスクによれば、ホルダ板でマスクするのは、チップ型電子部品素子の1対の端面であり、1対の主面と１対の側面は、マスクの薄膜金属形成用孔から露出しているので、チップ型電子部品素子に、一方主面から１つの側面を経て他方主面に至り、１対の主面の各表面の薄膜金属非形成領域を隔てて対向する１対の薄膜金属電極を形成できる。
【００６２】
さらに、二段マスク構造とすることにより、金属薄膜形成装置内へのチャージ量を一段マスク構造の約２倍にすることができる。また、チップ型電子部品素子収納間隔、中間マスク厚みを所定の寸法とすることにより、一回の蒸着で上下二段のチップ型電子部品素子に、一方主面から側面を経由して他方主面に廻り込んだ1対の薄膜金属電極を形成することができる。
【００６３】
また、この発明に係る薄膜金属形成用マスクによれば、マスクを他の部材よりも熱伝導率が高く、熱膨張係数が小さい材質にて作製することにより、マスクの桟と外周部との温度差を低減し、また桟に働く張力により、桟の反りを防止できる。したがって、マスクの桟の幅を短くして、チップ型電子部品素子主面における外部電極間距離を短くすることができ、チップ型電子部品の小型化に対応できる。
【００６４】
さらにまた、この発明に係る前記薄膜金属形成用マスクの組立方法によれば、上下二段のチップ型電子部品素子をホルダ板に搭載するので、前記チップ型電子部品素子と治具などとの接触回数を少なくでき、不純物による外部電極の凹凸や膜剥がれなどの外観不良が起こりにくい。
【００６５】
さらにまた、この発明に係る金属薄膜形成装置によれば、前記薄膜金属形成用マスクを用い、該薄膜金属形成用マスクを９０度インデックス自転（飛散源の周囲を公転しながら、ある位置にくると９０度自転し、その角度を保ったまま１周公転する）させながら蒸着、スパッタリングすることにより、膜厚バラツキを抑え、電極材料の使用量を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の参考例および実施形態の説明に用いたアクチュエータ素子の斜視図である。
【図２】この発明の参考例の薄膜金属形成用マスクを示す（ａ）分解斜視図、（ｂ）断面図である。
【図３】この発明の実施の形態の薄膜金属形成用マスクを示す（ａ）分解斜視図、（ｂ）断面図である。
【図４】成膜時の電極材料の入射角を表わす図３（ｂ）の部分拡大図である。
【図５】図３の薄膜形成用マスクの組立方法を示す正面図であり、（ａ）は第１組立体、（ｂ）は第２組立体、（ｃ）は、第２組立体（ｂ）に第１組立体（ａ）を重ねた状態を示している。
【図６】この発明に係る金属薄膜形成装置の概略図である。
【図７】マスクホルダーがセットされたドラムを示す斜視図である。
【図８】９０度インデックス自転による飛散源に対するマスクホルダーの傾きの変化を示す概略図である。
【図９】この発明に係る金属薄膜形成装置による成膜に関する説明図であり、（ａ）成膜時の電極材料の入射角を示す断面図と、（ｂ）電極形成面を示すアクチュエータ素子の正面図である。
【図１０】従来例を示しており、（ａ）はチップ型電子部品を表わす斜視図、（ｂ）は（ａ）を作製するための薄膜金属形成用マスクを示す断面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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