(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
自由側強磁性層と、固定側強磁性層と、前記自由側強磁性層および前記固定側強磁性層の間に挟み込まれて、複数の導電層から構成される非磁性中間層と、少なくとも１対の前記導電層同士の間に規定される境界面に沿って分布する絶縁性金属酸化物と、前記境界面に沿って前記絶縁性金属酸化物と混在する金属物質とを備えることを特徴とするＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子。
【請求項２】
請求項１に記載のＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子において、前記金属酸化物は磁性金属原子を含むことを特徴とするＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子。
【請求項３】
自由側強磁性層と、固定側強磁性層と、前記自由側強磁性層および前記固定側強磁性層の間に挟み込まれる導電性の非磁性中間層と、この非磁性中間層に規定される少なくとも１境界面に沿って分布する絶縁性金属酸化物と、前記境界面に沿って前記金属酸化物と混在する金属物質とを備えることを特徴とするＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子。
【請求項４】
請求項３に記載のＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子において、前記金属酸化物は磁性金属原子を含むことを特徴とするＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）といった磁気記録媒体駆動装置で磁気情報の読み出しにあたって利用される磁気抵抗効果素子に関し、特に、自由側強磁性層（ｆｒｅｅ  ｌａｙｅｒ）と、固定側強磁性層（ｐｉｎｎｅｄ  ｌａｙｅｒ）と、自由側強磁性層および固定側強磁性層の間に挟み込まれる導電性の非磁性中間層とを備え、少なくとも膜面に垂直な成分を有する方向にセンス電流を流すＣＰＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ  Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ−ｔｏ−ｔｈｅ−Ｐｌａｎｅ）構造磁気抵抗効果素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
いわゆる多層膜巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）膜を用いたＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子は広く知られる。この種のＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子では、積層される磁性層の積層数が増加すればするほど、大きな抵抗変化量が得られる。周知の通り、抵抗変化量が大きければ、小さな電流値のセンス電流で２値の磁気情報は正確に読み取られることができる。特に、こういったＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子では、素子サイズ（例えばコア幅）の縮小に拘わらず大きな抵抗変化量は維持されることができる。ＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子は磁気記録の一層の高密度化に大いに貢献すると考えられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、こうして多数の磁性層が積層されると、コア幅の縮小に伴い記録トラック密度は向上されることができても、線密度の向上すなわちビット長の短縮化は妨げられてしまう。磁気記録の高密度化は期待されるとおりに達成されることはできない。しかも、こういったＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子では磁区制御やヒステリシスの抑制が難しい。
【０００４】
いわゆるスピンバルブ膜を用いたＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子が検討されている。スピンバルブ膜は、膜面に平行にセンス電流を流すＣＩＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ−Ｉｎ−ｔｈｅ−Ｐｌａｎｅ）構造磁気抵抗効果素子で実用化されている。すなわち、スピンバルブ膜では、磁区制御やヒステリシスの抑制といった問題は概ね解決されている。しかしながら、ＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子にスピンバルブ膜が用いられても、多層膜ＧＭＲ膜の場合のように磁性層の積層数の増加に伴い抵抗変化量が劇的に増加することは期待されることができない。
【０００５】
本発明は、上記実状に鑑みてなされたもので、少ない積層数で確実に大きな抵抗変化量を得ることができるＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、第１発明によれば、自由側強磁性層と、固定側強磁性層と、自由側強磁性層および固定側強磁性層の間に挟み込まれて、複数の導電層から構成される非磁性中間層と、少なくとも１対の導電層同士の間に規定される境界面に沿って分布する絶縁性物質とを備えることを特徴とするＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子が提供される。
【０００７】
また、第２発明によれば、自由側強磁性層と、固定側強磁性層と、自由側強磁性層および固定側強磁性層の間に挟み込まれる導電性の非磁性中間層と、この非磁性中間層に規定される少なくとも１境界面に沿って分布する絶縁性物質とを備えることを特徴とするＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子が提供される。
【０００８】
磁気情報の読み出しにあたってＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子が磁界に曝されると、作用する磁界の向きに応じて自由側強磁性層の磁化方向は回転する。こうして自由側強磁性層の磁化方向が回転すると、ＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子の電気抵抗は大きく変化する。自由側強磁性層、非磁性中間層および固定側強磁性層を流通するセンス電流の電圧は電気抵抗の変化に応じて変化する。この電圧の変化に応じて２値情報は読み取られる。
【０００９】
このとき、センス電流の通り道は絶縁性物質の働きで狭められると考えられる。こうしたＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子では、自由側強磁性層で確立される磁化方向の反転に応じて大きな抵抗変化量が実現されることができる。小さな電流値のセンス電流で十分なレベルの電圧変化は検出されることができる。したがって、こういったＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子は磁気記録の一層の高密度化や消費電力の低減に大いに貢献することができる。
【００１０】
前述の絶縁性物質は金属酸化物であってもよく金属窒化物であってもよい。金属酸化物や金属窒化物は磁性金属原子を含んでもよい。こういった磁性金属原子を含む絶縁性物質は抵抗変化量の増大に大いに貢献することができる。こういった磁性金属原子はＦｅ、ＣｏおよびＮｉの少なくともいずれかであればよい。例えば絶縁性物質はＣｏＦｅ合金の酸化物や窒化物であればよい。例えば導電層上でＣｏＦｅ合金が酸素ガスや酸素プラズマ、酸素ラジカルに曝されると、ＣｏＦｅ合金の酸化物は比較的に簡単に生成されることができる。同様に、例えば導電層上でＣｏＦｅ合金が窒素ガスに曝されると、ＣｏＦｅ合金の窒化物は比較的に簡単に生成されることができる。
【００１１】
金属酸化物や金属窒化物は境界面に沿って金属物質と混在してもよい。こういった金属物質は例えば磁性金属材料から構成されればよい。例えば境界面に沿ってＣｏ合金の酸化物や窒化物が分布する場合には、金属物質はＣｏＦｅ合金で構成されればよい。こういった絶縁性物質および金属物質の混在は抵抗変化量の増大に寄与すると考えられる。
【００１２】
第３発明によれば、自由側強磁性層と、固定側強磁性層と、自由側強磁性層および固定側強磁性層の間に挟み込まれる導電性の非磁性中間層と、この非磁性中間層に規定される少なくとも１境界面に沿って分布する磁性金属とを備えることを特徴とするＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子が提供される。こういったＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子では、前述と同様に、良好な抵抗値や抵抗変化量は得られる。磁気抵抗効果（ＭＲ）比は向上する。したがって、大きな電圧変化は取り出されることができる。
【００１３】
こういった良好な抵抗値や抵抗変化量の実現にあたって、磁性金属はＦｅ、ＣｏおよびＮｉの少なくともいずれかを含めばよい。磁性金属はＣｏＦｅ合金であればよい。特に、こういった磁性金属は境界面に沿って絶縁性物質と混在することが望まれる。絶縁性物質は、自由側強磁性層、非磁性中間層および固定側強磁性層を流通するセンス電流の通り道を狭めることが期待される。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しつつ本発明の一実施形態を説明する。
【００１５】
図１は磁気記録媒体駆動装置の一具体例すなわちハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）１１の内部構造を概略的に示す。このＨＤＤ１１は、例えば平たい直方体の内部空間を区画する箱形の筐体本体１２を備える。収容空間には、記録媒体としての１枚以上の磁気ディスク１３が収容される。磁気ディスク１３はスピンドルモータ１４の回転軸に装着される。スピンドルモータ１４は、例えば７２００ｒｐｍや１００００ｒｐｍといった高速度で磁気ディスク１３を回転させることができる。筐体本体１２には、筐体本体１２との間で収容空間を密閉する蓋体すなわちカバー（図示されず）が結合される。
【００１６】
収容空間には、垂直方向に延びる支軸１５回りで揺動するキャリッジ１６がさらに収容される。このキャリッジ１６は、支軸１５から水平方向に延びる剛体の揺動アーム１７と、この揺動アーム１７の先端に取り付けられて揺動アーム１７から前方に延びる弾性サスペンション１８とを備える。周知の通り、弾性サスペンション１８の先端では、いわゆるジンバルばね（図示されず）の働きで浮上ヘッドスライダ１９は片持ち支持される。浮上ヘッドスライダ１９には、磁気ディスク１３の表面に向かって弾性サスペンション１８から押し付け力が作用する。磁気ディスク１３の回転に基づき磁気ディスク１３の表面で生成される気流の働きで浮上ヘッドスライダ１９には浮力が作用する。弾性サスペンション１８の押し付け力と浮力とのバランスで磁気ディスク１３の回転中に比較的に高い剛性で浮上ヘッドスライダ１９は浮上し続けることができる。
【００１７】
こうした浮上ヘッドスライダ１９の浮上中に、キャリッジ１６が支軸１５回りで揺動すると、浮上ヘッドスライダ１９は半径方向に磁気ディスク１３の表面を横切ることができる。こうした移動に基づき浮上ヘッドスライダ１９は磁気ディスク１３上の所望の記録トラックに位置決めされる。このとき、キャリッジ１６の揺動は例えばボイスコイルモータ（ＶＣＭ）といったアクチュエータ２１の働きを通じて実現されればよい。周知の通り、複数枚の磁気ディスク１３が筐体本体１２内に組み込まれる場合には、隣接する磁気ディスク１３同士の間で１本の揺動アーム１７に対して２つの弾性サスペンション１８が搭載される。
【００１８】
図２は浮上ヘッドスライダ１９の一具体例を示す。この浮上ヘッドスライダ１９は、平たい直方体に形成されるＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ（アルチック）製のスライダ本体２２と、このスライダ本体２２の空気流出端に接合されて、読み出し書き込みヘッド２３を内蔵するＡｌ2 Ｏ3 （アルミナ）製のヘッド素子内蔵膜２４とを備える。スライダ本体２２およびヘッド素子内蔵膜２４には、磁気ディスク１３に対向する媒体対向面すなわち浮上面２５が規定される。磁気ディスク１３の回転に基づき生成される気流２６は浮上面２５に受け止められる。
【００１９】
浮上面２５には、空気流入端から空気流出端に向かって延びる２筋のレール２７が形成される。各レール２７の頂上面にはいわゆるＡＢＳ（空気軸受け面）２８が規定される。ＡＢＳ２８では気流２６の働きに応じて前述の浮力が生成される。ヘッド素子内蔵膜２４に埋め込まれた読み出し書き込みヘッド２３は、後述されるように、ＡＢＳ２８で前端を露出させる。ただし、ＡＢＳ２８の表面には、読み出し書き込みヘッド２３の前端に覆い被さるＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）保護膜が形成されてもよい。なお、浮上ヘッドスライダ１９の形態はこういった形態に限られるものではない。
【００２０】
図３は浮上面２５の様子を詳細に示す。読み出し書き込みヘッド２３は、薄膜磁気ヘッドすなわち誘導書き込みヘッド素子３１とＣＰＰ構造電磁変換素子すなわちＣＰＰ構造磁気抵抗効果（ＭＲ）読み取り素子３２とを備える。誘導書き込みヘッド素子３１は、周知の通り、例えば導電コイルパターン（図示されず）で生起される磁界を利用して磁気ディスク１３に２値情報を書き込むことができる。ＣＰＰ構造ＭＲ読み取り素子３２は、周知の通り、磁気ディスク１３から作用する磁界に応じて変化する抵抗に基づき２値情報を検出することができる。誘導書き込みヘッド素子３１およびＣＰＰ構造ＭＲ読み取り素子３２は、前述のヘッド素子内蔵膜２４の上側半層すなわちオーバーコート膜を構成するＡｌ2 Ｏ3 （アルミナ）膜３３と、下側半層すなわちアンダーコート膜を構成するＡｌ2 Ｏ3 （アルミナ）膜３４との間に挟み込まれる。
【００２１】
誘導書き込みヘッド素子３１は、ＡＢＳ２８で前端を露出させる上部磁極層３５と、同様にＡＢＳ２８で前端を露出させる下部磁極層３６とを備える。上部および下部磁極層３５、３６は例えばＦｅＮやＮｉＦｅから形成されればよい。上部および下部磁極層３５、３６は協働して誘導書き込みヘッド素子３１の磁性コアを構成する。
【００２２】
上部および下部磁極層３５、３６の間には例えばＡｌ2 Ｏ3 （アルミナ）製の非磁性ギャップ層３７が挟み込まれる。周知の通り、導電コイルパターンで磁界が生起されると、非磁性ギャップ層３７の働きで、上部磁極層３５と下部磁極層３６とを行き交う磁束は浮上面２５から漏れ出る。こうして漏れ出る磁束が記録磁界（ギャップ磁界）を形成する。
【００２３】
ＣＰＰ構造ＭＲ読み取り素子３２は、アルミナ膜３４すなわち下地絶縁層の表面に沿って広がる下側電極３８を備える。この下側電極３８には、引き出し導電層３８ａと、引き出し導電層３８ａの表面から立ち上がる導電端子片３８ｂとが形成される。下側電極３８は導電性を備えるだけでなく同時に軟磁性を備えてもよい。下側電極３８が例えばＮｉＦｅといった導電性の軟磁性体で構成されると、この下側電極３８は同時にＣＰＰ構造ＭＲ読み取り素子３２の下部シールド層として機能することができる。
【００２４】
下側電極３８は、アルミナ膜３４の表面で広がる絶縁層４１に埋め込まれる。この絶縁層４１は、導電端子片３８ｂの壁面に接しつつ引き出し導電層３８ａの表面に沿って広がる。導電端子片３８ｂの頂上面および絶縁層４１の表面は、基礎層上で切れ目なく連続する１平坦化面４２を規定する。
【００２５】
平坦化面４２上では、ＡＢＳ２８に沿って延びる電磁変換膜すなわち磁気抵抗効果（ＭＲ）膜４３が形成される。このＭＲ膜４３は少なくとも導電端子片３８ｂの頂上面に横たわる。こうしてＭＲ膜４３と下側電極３８との間には電気的接続が確立される。ＭＲ膜４３の構造の詳細は後述される。
【００２６】
同様に、平坦化面４２上では、ＡＢＳ２８に沿って延びる１対の磁区制御ハード膜４４が形成される。磁区制御ハード膜４４は平坦化面４２上でＡＢＳ２８に沿ってＭＲ膜４３を挟み込む。磁区制御ハード膜４４は例えばＣｏＰｔやＣｏＣｒＰｔといった金属材料から形成されればよい。これらの磁区制御ハード膜４４では、周知の通り、ＭＲ膜４３を横切る１方向に沿って磁化は確立されることができる。こうした磁区制御ハード膜４４の磁化に基づきバイアス磁界が形成されると、ＭＲ膜４３内で例えば自由側強磁性層（ｆｒｅｅ  ｌａｙｅｒ）の単磁区化は実現されることができる。
【００２７】
平坦化面４２上にはさらに被覆絶縁膜４５が覆い被さる。この被覆絶縁膜４５は、絶縁層４１との間にＭＲ膜４３および磁区制御ハード膜４４を挟み込む。被覆絶縁層４５の表面には上側電極４６が広がる。前述の下側電極３８と同様に、上側電極４６は導電性を備えるだけでなく同時に軟磁性を備えてもよい。上側電極４６が例えばＮｉＦｅといった導電性の軟磁性体で構成されると、この上側電極４６は同時にＣＰＰ構造ＭＲ読み取り素子３２の上部シールド層として機能することができる。前述の下部シールド層すなわち下側電極３８と上側電極４６との間隔は記録ディスク１３上で記録トラックの線方向に磁気記録の分解能を決定する。上側電極４６には、被覆絶縁膜４５を貫通してＭＲ膜４３の頂上面に接触する端子瘤４７が一体に形成される。こうしてＭＲ膜４３と上側電極４６との間には電気的接続が確立される。
【００２８】
以上のようなＣＰＰ構造ＭＲ読み取り素子３２では上側および下側電極４６、３８からＭＲ膜４３にセンス電流は供給される。このとき、図３から明らかなように、ＭＲ膜４３では、導電端子片３８ｂや端子瘤４７の働きでセンス電流の通り道は狭められることができる。しかも、こういったＭＲ膜４３では、磁区制御ハード膜４４との接触面から遠ざかってＭＲ膜４３の中央付近で電流の通り道は確立されることができる。
【００２９】
図４は本発明の第１実施形態に係るＭＲ膜４３を示す。このＭＲ膜４３は逆積層構造のシングルスピンバルブ膜に構成される。すなわち、ＭＲ膜４３は、平坦化面４２に沿って広がる下地層５１を備える。この下地層５１は、例えば平坦化面４２上で広がるＴａ層５１ａと、このＴａ層５１ａの表面に広がるＮｉＦｅ層５１ｂとで構成されればよい。下地層５１の表面には磁化方向拘束層（ｐｉｎｎｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）５２が重ね合わせられる。この磁化方向拘束層５２は例えばＰｄＰｔＭｎといった反強磁性材料から構成されればよい。
【００３０】
磁化方向拘束層５２の表面には固定側強磁性層（ｐｉｎｎｅｄ  ｌａｙｅｒ）５３が重ね合わせられる。固定側強磁性層５３には例えば積層フェリ構造膜が用いられる。すなわち、固定側強磁性層５３は上下１対の強磁性層５３ａ、５３ｂと、これら強磁性層５３ａ、５３ｂ同士の間に挟み込まれるＲｕ結合層５４とを備える。各強磁性層５３ａ、５３ｂは例えばＣｏＦｅ層やＣｏＦｅＢ層といった軟磁性合金層から構成されればよい。ただし、固定側強磁性層５３の構造はこういった構造に限られるものではない。
【００３１】
固定側強磁性層５３の表面には非磁性中間層５５が重ね合わせられる。この非磁性中間層５５は例えば上下１対の導電層５５ａ、５５ｂから構成される。導電層５５ａ、５５ｂ同士の間には境界面ＢＲが規定される。この境界面ＢＲに沿って磁性金属物質５６および絶縁性物質５７は分布する。磁性金属物質５６および絶縁性物質５７は境界面ＢＲに沿って混在する。
【００３２】
各導電層５５ａ、５５ｂは例えばＣｕ層から構成されればよい。磁性金属物質５６は例えばＣｏＦｅやＣｏＦｅＢといった軟磁性の合金から構成されればよい。絶縁性物質５７は、例えば磁性金属物質５６に基づき生成される金属酸化物や金属窒化物であればよい。なお、非磁性中間層５５は３層以上の導電層５５ａ、５５ｂを備えていてもよい。こういった場合には、導電層５５ａ、５５ｂ同士の間に規定される境界面ＢＲごとに磁性金属物質５６や絶縁性物質５７が分布してもよい。
【００３３】
非磁性中間層５５の表面には自由側強磁性層（ｆｒｅｅ  ｌａｙｅｒ）５８が積層される。自由側強磁性層５８は固定側強磁性層５３との間に非磁性中間層５５を挟み込む。自由側強磁性層５８は例えばＣｏＦｅ層やＣｏＦｅＢ層といった軟磁性合金層から構成されればよい。自由側強磁性層５８の表面にはいわゆるキャップ層５９が重ね合わせられる。このキャップ層５９は、例えば自由側強磁性層５８の表面に広がるＣｕ層５９ａと、このＣｕ層５９ａの表面に広がるＲｕ層５９ｂとを備えればよい。
【００３４】
磁気情報の読み出しにあたってＣＰＰ構造ＭＲ読み取り素子３２が磁気ディスク１３の表面に向き合わせられると、ＭＲ膜４３では、周知の通り、磁気ディスク１３から作用する磁界の向きに応じて自由側強磁性層５８の磁化方向は回転する。こうして自由側強磁性層５８の磁化方向が回転すると、ＭＲ膜４３の電気抵抗は大きく変化する。したがって、上側および下側電極４６、３８からＭＲ膜４３にセンス電流が供給されると、電極４６、３８から取り出される電圧のレベルは電気抵抗の変化に応じて変化する。このレベルの変化に応じて２値情報は読み取られることができる。
【００３５】
前述のようなＭＲ膜４３では、センス電流は境界面ＢＲに垂直に流通する。このとき、センス電流は、図５に示されるように、磁性金属物質５６や絶縁性物質５７の合間をすり抜けると考えられる。こうしたＭＲ膜４３では、自由側強磁性層５８で確立される磁化方向の反転に応じて大きな抵抗変化量が実現されることができる。小さな電流値のセンス電流で十分なレベルの変化すなわち電圧変化は検出されることができる。したがって、こういったＣＰＰ構造ＭＲ読み取り素子３２は磁気記録の一層の高密度化や消費電力の低減に大いに貢献することができる。しかも、こういったＣＰＰ構造ＭＲ読み取り素子３２では、いわゆるトンネル接合磁気抵抗効果（ＴＭＲ）素子に比べて抵抗値は例えば１／１０程度といった具合に低減される。いわゆるサーマルノイズの発生は抑制されることができる。さらに、こういったＣＰＰ構造ＭＲ読み取り素子３２では、ＭＲ膜４３を挟み込む１対の磁区制御膜４４の働きで比較的に簡単に自由側強磁性層５８の磁区は制御されることができると考えられる。
【００３６】
次にＣＰＰ構造ＭＲ読み取り素子３２の製造方法を説明する。製造にあたって例えばＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ（アルチック）製ウェハー６１は用意される。ウェハー６１の表面には一面にアルミナ膜３４が成膜される。図６から明らかなように、アルミナ膜３４の表面には下側電極３８が形成される。下側電極３８は、アルミナ膜３４の表面で広がる絶縁層４１に埋め込まれる。絶縁層４１に例えば平坦化研磨処理が施されると、下側電極３８の導電端子片３８ｂは平坦化面４２で露出する。こうして少なくとも部分的に下側電極３８を露出させる基礎層は形成される。
【００３７】
基礎層の表面すなわち平坦化面４２上にはＭＲ膜４３が形成される。ＭＲ膜４３の形成にあって平坦化面４２上には例えば一面に積層素材膜が形成される。この積層素材膜はＭＲ膜４３と同一の層構造を備える。積層素材膜の形成工程の詳細は後述される。ＭＲ膜４３は積層素材膜から削り出される。こういった削り出しにあたっては例えばフォトリソグラフィ技術が用いられればよい。こうして基礎層の表面すなわち平坦化面４２から立ち上がるＭＲ膜４３は得られる。
【００３８】
続いて、図７に示されるように、平坦化面４２上では磁区制御ハード膜４４が形成される。形成には例えばスパッタリングが用いられればよい。スパッタリングにあたって平坦化面４２上には予めフォトレジスト膜（図示されず）が形成される。このフォトレジスト膜には、ＭＲ膜４３に隣接して磁区制御ハード膜４４の輪郭を象った空間が規定される。この空間で磁区制御ハード膜４４は積層される。このとき、磁区制御ハード膜４４は少なくともＭＲ膜４３中の自由側強磁性層５２を挟み込めばよい。磁区制御ハード膜４４の上面はキャップ層５９よりも下方に留められることが望まれる。
【００３９】
その後、図８に示されるように、平坦化面４２上には一面に被覆絶縁膜４５が形成される。ＭＲ膜４３や磁区制御ハード膜４４は被覆絶縁膜４５に覆われる。被覆絶縁膜４５の形成にあたって例えばスパッタリングは用いられる。スパッタリングのターゲットには例えばＳｉＯ2 やＡｌ2 Ｏ3 といった絶縁材料が用いられればよい。その後、図９に示されるように、被覆絶縁膜４５上にはフォトレジスト膜６２が形成される。このフォトレジスト膜６２には、端子瘤４７の輪郭を象った空間６３が規定される。
【００４０】
こうしてフォトレジスト膜６２に覆われた被覆絶縁膜４５には反応性イオンエッチング処理（ＲＩＥ）が施される。このエッチング処理では例えばＳＦ6 がエッチングガスに用いられればよい。図１０に示されるように、エッチングガスは空間６３内で被覆絶縁層４５を除去していく。こうして被覆絶縁層４５にはいわゆるコンタクトホール６４が形成される。コンタクトホール６４の完成後、フォトレジスト膜６２は除去されればよい。
【００４１】
その後、図１１に示されるように、被覆絶縁層４５上には上側電極４６が積層される。上側電極４６はコンタクトホール６４に入り込む。こうして上側電極４６はＭＲ膜４３の上面すなわちキャップ層５９に接触する。ＣＰＰ構造ＭＲ読み取り素子３２は完成する。こうして構築されたＣＰＰ構造ＭＲ読み取り素子３２上には、既知の通りに、誘導書き込みヘッド素子３１は構築されていく。
【００４２】
積層素材膜の形成にあたって、平坦化面４２には、例えば図１２に示されるように、下地層５１に削り出されるＴａ層６５およびＮｉＦｅ層６６や、磁化方向拘束層５２に削り出されるＰｄＰｔＭｎ層６７、固定側強磁性層５３に削り出されるＣｏＦｅＢ層６８、Ｒｕ層６９およびＣｏＦｅＢ層７１、並びに、導電層５５ａに削り出されるＣｕ層７２が順番に積層形成される。こういった積層にあたっては真空チャンバ内で例えばスパッタリングが実施されればよい。
【００４３】
Ｃｕ層７２の形成後、真空チャンバ内ではＣｕ層７２の表面で磁性金属物質の成膜工程が実施される。この成膜工程には例えばスパッタリングが用いられる。ターゲットには例えばＣｏＦｅやＣｏＦｅＢといった軟磁性合金の圧粉体が用いられる。このスパッタリングでは成膜後の膜厚は１ｎｍ程度に設定される。Ｃｕ層７２の表面には完全な磁性金属膜は成長しないと考えられる。磁性金属はＣｕ層７２の表面に所定の密度で散在すると考えられる。こうしてＣｕ層７２の表面に分布する磁性金属物質５６は形成される。
【００４４】
その後、図１２から明らかなように、チャンバ内には例えば酸素ガスが導入される。その結果、Ｃｕ層７２の表面では磁性金属物質５６の酸化反応が引き起こされる。この酸化反応で磁性金属物質５６から金属酸化物すなわち絶縁性物質５７が生成される。こうしてＣｕ層７２の表面に分布する絶縁性物質５７は形成される。磁性金属物質５６が完全に酸化しない限り、Ｃｕ層７２の表面には磁性金属物質５６および絶縁性物質５７が混在する。ただし、こういった自然酸化法に代えて、プラズマ酸化法やラジカル酸化法が用いられてもよい。その他、酸化反応に代えて窒化反応が用いられてもよい。窒化反応の実現にあたって例えばチャンバ内には窒素ガスが導入されればよい。こうした窒化反応によれば、磁性金属物質５６から金属窒化物すなわち絶縁性物質５７は生成されることができる。
【００４５】
Ｃｕ層７２の表面には、図１３に示されるように、再び導電層５５ｂに削り出されるＣｕ層７３が積層される。真空チャンバ内でスパッタリングが施される。磁性金属物質５６および絶縁性物質５７はＣｕ層７２、７３同士の間に挟み込まれる。Ｃｕ層７２、７３同士の間には境界面ＢＲが規定される。こうして形成されたＣｕ層７３の表面には、自由側強磁性層５８に削り出されるＣｏＦｅＢ層７４や、キャップ層５９に削り出されるＣｕ層７５およびＲｕ層７６が相次いで積層形成される。
【００４６】
本発明者はＭＲ膜４３の磁気抵抗効果特性を検証した。この検証にあたって、本発明者はアルチック製のウェハー上でＭＲ膜４３の一具体例を形成した。ウェハー上では、膜厚５．０ｎｍのＴａ層、膜厚２．０ｎｍのＮｉＦｅ層、膜厚１３．０ｎｍのＰｄＰｔＭｎ層、膜厚３．０ｎｍのＣｏＦｅＢ層、膜厚０．７５ｎｍのＲｕ層、膜厚４．０ｎｍのＣｏＦｅＢ層、膜厚２．０ｎｍの第１Ｃｕ層、ＣｏＦｅＢ層、膜厚２．０ｎｍの第２Ｃｕ層、膜厚３．０ｎｍのＣｏＦｅＢ層、膜厚４．０ｎｍのＣｕ層および膜厚５．０ｎｍのＲｕ層が順番に積層された。第２Ｃｕ層の積層に先立ってＣｏＦｅＢ層はスパッタリング用のチャンバ内で酸素ガスに曝された。酸素ガスの導入圧力は３．５Ｐａに設定された。導入時間は３００［ｓｅｃ］に設定された。こうして第１および第２Ｃｕ層の間には絶縁性物質５７は形成された。
【００４７】
形成されたＭＲ膜４３には熱処理が施された。ＭＲ膜４３は２［Ｔ］の磁界中で３時間にわたって摂氏２８０度の高温に曝された。こうしてＰｄＰｔＭｎ層は規則化された。この検証では複数種類のＭＲ膜４３は用意された。酸素ガスに曝されるＣｏＦｅＢ層の膜厚は個々のＭＲ膜４３ごとに異なる値に設定された。
【００４８】
同様に、本発明者は比較例に係るＭＲ膜を用意した。このＭＲ膜では、第１および第２Ｃｕ層の間にＣｏＦｅＢ層は挟み込まれなかった。したがって、金属酸化物の生成も実施されなかった。
【００４９】
個々のＭＲ膜ごとに抵抗値ＲＡおよび抵抗変化量ΔＲＡは測定された。測定された抵抗値ＲＡおよび抵抗変化量ΔＲＡに基づき磁気抵抗効果（ＭＲ）比は算出された。測定された抵抗値ＲＡから電流値Ｉｓは算出された。ここで、ＭＲ膜のサイズは１辺０．１μｍの正方形に設定された。消費電力は一定（＝５５０μＷ）に設定された。算出された電流値Ｉｓおよび抵抗変化量ΔＲＡに基づき電圧変化ΔＶは算出された。図１４および図１５に示されるように、比較例に係るＭＲ膜では、ＲＡ＝０．０８５［Ωμｍ2 ］の抵抗値およびΔＲＡ＝０．８５［ｍΩμｍ2 ］の抵抗変化量が得られた。ＭＲ比は１．０％であった。これに対し、具体例に係るＭＲ膜４３では、酸素ガスに曝されるＣｏＦｅＢ層の膜厚０．６９ｎｍ〜１．０４ｎｍにわたって比較例の結果を大きく上回る良好な抵抗値ＲＡおよび抵抗変化量ΔＲＡが得られた。同時に、具体例に係るＭＲ膜４３では、比較例に比べて良好なＭＲ比および電圧変化ΔＶは得られた。こうして前述の磁性金属物質５６や絶縁性物質５７の有用性は確認された。
【００５０】
本発明者はさらにＭＲ膜４３の磁気抵抗効果特性を検証した。検証にあたって、本発明者は前述と同様にウェハー上にＭＲ膜４３を形成した。ここでは、本発明者は、前述のＣｏＦｅＢ層に代えて、酸素ガスに曝される磁性金属物質５６にＣｏＦｅ合金を用いた。ＣｏＦｅ合金の膜厚は１．０ｎｍに設定された。前述と同様に、第２Ｃｕ層の積層に先立ってＣｏＦｅ層はスパッタリングのチャンバ内で酸素ガスに曝された。酸素ガスの導入圧力は３．５Ｐａに設定された。導入時間は３００［ｓｅｃ］に設定された。こうして第１および第２Ｃｕ層の間には絶縁性物質５７は形成された。この検証では複数種類のＭＲ膜４３は用意された。酸素ガスに曝されるＣｏＦｅ合金中のＦｅ組成は個々のＭＲ膜４３ごとに異なる値に設定された。
【００５１】
個々のＭＲ膜ごとに抵抗値ＲＡおよび抵抗変化量ΔＲＡは測定された。測定された抵抗値ＲＡおよび抵抗変化量ΔＲＡに基づき磁気抵抗効果（ＭＲ）比は算出された。前述と同様に、電流値Ｉｓおよび抵抗変化量ΔＲＡに基づき電圧変化ΔＶは算出された。図１６および図１７に示されるように、酸素ガスに曝されるＣｏＦｅ層中のＦｅ組成が５０［ａｔ％］程度に達すると、比較例に比べて著しく良好な抵抗値ＲＡおよび抵抗変化量ΔＲＡが得られた。比較例に比べて良好なＭＲ比および電圧変化ΔＶは得られた。
【００５２】
図１８は本発明の第２実施形態に係るＭＲ膜４３ａを示す。このＭＲ膜４３ａは順積層構造のシングルスピンバルブ膜に構成される。すなわち、ＭＲ膜４３ａは、平坦化面４２に沿って広がる下地層１０１を備える。この下地層１０１は例えばＴａ層で構成されればよい。下地層１０１の表面には自由側強磁性層１０２が積層される。自由側強磁性層１０２は例えばＣｏＦｅ層やＣｏＦｅＢ層といった軟磁性合金層から構成されればよい。自由側強磁性層１０２の表面には前述の非磁性中間層５５が重ね合わせられる。
【００５３】
非磁性中間層５５の表面には固定側強磁性層１０３が重ね合わせられる。固定側強磁性層１０３には、前述と同様に、例えば積層フェリ構造膜が用いられればよい。固定側強磁性層１０３は自由側強磁性層１０２との間に非磁性中間層５５を挟み込む。固定側強磁性層１０３の表面には磁化方向拘束層１０４やキャップ層１０５が重ね合わせられる。磁化方向拘束層１０４は例えばＰｄＰｔＭｎといった反強磁性材料から構成されればよい。キャップ層１０５は例えばＣｕ層およびＲｕ層を備えればよい。
【００５４】
図１９は本発明の第３実施形態に係るＭＲ膜４３ｂを示す。このＭＲ膜４３ｂはデュアルスピンバルブ膜に構成される。すなわち、ＭＲ膜４３ｂは、前述のＭＲ膜４３と同様に、平坦化面４２に順番に積層される下地層５１、磁化方向拘束層５２、固定側強磁性層５３、非磁性中間層５５および自由側強磁性層５８を備える。自由側強磁性層５８の表面には再び前述の非磁性中間層５５が重ね合わせられる。
【００５５】
非磁性中間層５５の表面には固定側強磁性層１１１が重ね合わせられる。固定側強磁性層１１１には例えば積層フェリ構造膜が用いられる。すなわち、固定側強磁性層１１１は上下１対の強磁性層１１１ａ、１１１ｂと、これら強磁性層１１１ａ、１１１ｂ同士の間に挟み込まれるＲｕ結合層１１２とを備える。各強磁性層１１１ａ、１１１ｂは例えばＣｏＦｅ層やＣｏＦｅＢ層といった軟磁性合金層から構成されればよい。ただし、固定側強磁性層１１１の構造はこういった構造に限られるものではない。固定側強磁性層１１１は自由側強磁性層５８との間に非磁性中間層５５を挟み込む。
【００５６】
固定側強磁性層１１１の表面には磁化方向拘束層１１３やキャップ層１１４が重ね合わせられる。磁化方向拘束層１１３は例えばＰｄＰｔＭｎといった反強磁性材料から構成されればよい。キャップ層１１４は例えばＣｕ層１１４ａおよびＲｕ層１１４ｂを備えればよい。
【００５７】
本発明者はＭＲ膜４３ｂの磁気抵抗効果特性を検証した。この検証にあたって、本発明者はアルチック製のウェハー上でＭＲ膜４３ｂの一具体例を形成した。ウェハー上では、膜厚５．０ｎｍのＴａ層、膜厚２．０ｎｍのＮｉＦｅ層、膜厚１３．０ｎｍのＰｄＰｔＭｎ層、膜厚３．０ｎｍのＣｏＦｅＢ層、膜厚０．７５ｎｍのＲｕ層、膜厚４．０ｎｍのＣｏＦｅＢ層、膜厚２．０ｎｍの第１Ｃｕ層、ＣｏＦｅＢ層、膜厚２．０ｎｍの第２Ｃｕ層、膜厚３．０ｎｍのＣｏＦｅＢ層、膜厚２．０ｎｍの第３Ｃｕ層、ＣｏＦｅＢ層、膜厚２．０ｎｍの第４Ｃｕ層、膜厚４．０ｎｍのＣｏＦｅＢ層、膜厚０．７５ｎｍのＲｕ層、膜厚５．０ｎｍのＣｏＦｅＢ層、膜厚１３．０ｎｍのＰｄＰｔＭｎ層、膜厚４．０ｎｍのＣｕ層および膜厚５．０ｎｍのＲｕ層が順番に積層された。第２Ｃｕ層および第４Ｃｕ層の積層に先立って各ＣｏＦｅＢ層はスパッタリングのチャンバ内で酸素ガスに曝された。酸素ガスの導入圧力は３．５Ｐａに設定された。導入時間は１００［ｓｅｃ］および３００［ｓｅｃ］に設定された。こうして第１および第２Ｃｕ層の間並びに第３および第４Ｃｕ層の間には絶縁性物質５７は形成された。その後、前述と同一の条件でＰｄＰｔＭｎ層は規則化された。この検証では複数種類のＭＲ膜４３ｂは用意された。酸素ガスに曝されるＣｏＦｅＢ層の膜厚は個々のＭＲ膜４３ｂごとに異なる値に設定された。
【００５８】
同様に、本発明者は比較例に係るＭＲ膜を用意した。このＭＲ膜では、第１および第２Ｃｕ層の間および第３および第４Ｃｕ層の間にＣｏＦｅＢ層は挟み込まれなかった。したがって、金属酸化物の生成も実施されなかった。
【００５９】
個々のＭＲ膜ごとに抵抗値ＲＡおよび抵抗変化量ΔＲＡは測定された。測定された抵抗値ＲＡおよび抵抗変化量ΔＲＡに基づき磁気抵抗効果（ＭＲ）比は算出された。前述と同様に、電流値Ｉｓおよび抵抗変化量ΔＲＡに基づき電圧変化ΔＶは算出された。図２０および図２１に示されるように、比較例に係るＭＲ膜では、ＲＡ＝０．１２［Ωμｍ2 ］の抵抗値およびΔＲＡ＝１．７６［ｍΩμｍ2 ］の抵抗変化量が得られた。ＭＲ比は１．４％であった。これに対し、具体例に係るＭＲ膜４３ｂでは、酸素ガスに曝されるＣｏＦｅＢ層の膜厚０．７５ｎｍ〜１．１５ｎｍにわたって比較例の結果を大きく上回る良好な抵抗値ＲＡおよび抵抗変化量ΔＲＡが得られた。同時に、具体例に係るＭＲ膜４３ｂでは、比較例に比べて良好なＭＲ比および電圧変化ΔＶは得られた。こうして前述の磁性金属物質５６や絶縁性物質５７の有用性は確認された。
【００６０】
なお、以上のようなＭＲ膜４３、４３ａ、４３ｂでは、非磁性中間層５５は前述のような境界面ＢＲで固定側強磁性層５３、１０３、１１１や自由側強磁性層５８、１０２に接触してもよい。すなわち、前述の磁性金属物質５６や絶縁性物質５７は固定側強磁性層５３、１０３、１１１や自由側強磁性層５８、１０２と非磁性中間層５５との間に挟み込まれてもよい。
【００６１】
（付記１）  自由側強磁性層と、固定側強磁性層と、自由側強磁性層および固定側強磁性層の間に挟み込まれて、複数の導電層から構成される非磁性中間層と、少なくとも１対の導電層同士の間に規定される境界面に沿って分布する絶縁性物質とを備えることを特徴とするＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子。
【００６２】
（付記２）  付記１に記載のＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子において、前記絶縁性物質は金属酸化物であることを特徴とするＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子。
【００６３】
（付記３）  付記２に記載のＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子において、前記境界面に沿って前記金属酸化物と混在する金属物質をさらに備えることを特徴とするＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子。
【００６４】
（付記４）  付記２に記載のＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子において、前記金属酸化物は磁性金属原子を含むことを特徴とするＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子。
【００６５】
（付記５）  付記４に記載のＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子において、前記境界面に沿って前記金属酸化物と混在する磁性金属物質をさらに備えることを特徴とするＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子。
【００６６】
（付記６）  付記４に記載のＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子において、前記磁性金属原子はＦｅ、ＣｏおよびＮｉの少なくともいずれかであることを特徴とするＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子。
【００６７】
（付記７）  付記６に記載のＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子において、前記金属酸化物はＣｏＦｅ合金の酸化物であることを特徴とするＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子。
【００６８】
（付記８）  付記７に記載のＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子において、前記境界面に沿って前記酸化物と混在するＣｏＦｅ合金をさらに備えることを特徴とするＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子。
【００６９】
（付記９）  付記１に記載のＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子において、前記絶縁性物質は金属窒化物であることを特徴とするＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子。
【００７０】
（付記１０）  付記９に記載のＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子において、前記金属窒化物は磁性金属原子を含むことを特徴とするＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子。
【００７１】
（付記１１）  付記１０に記載のＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子において、前記磁性金属原子はＦｅ、ＣｏおよびＮｉの少なくともいずれかであることを特徴とするＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子。
【００７２】
（付記１２）  付記１１に記載のＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子において、前記金属窒化物はＣｏＦｅ合金の窒化物であることを特徴とするＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子。
【００７３】
（付記１３）  自由側強磁性層と、固定側強磁性層と、自由側強磁性層および固定側強磁性層の間に挟み込まれる導電性の非磁性中間層と、この非磁性中間層に規定される少なくとも１境界面に沿って分布する絶縁性物質とを備えることを特徴とするＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子。
【００７４】
（付記１４）  付記１３に記載のＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子において、前記絶縁性物質は金属酸化物であることを特徴とするＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子。
【００７５】
（付記１５）  付記１４に記載のＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子において、前記境界面に沿って前記金属酸化物と混在する金属物質をさらに備えることを特徴とするＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子。
【００７６】
（付記１６）  付記１４に記載のＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子において、前記金属酸化物は磁性金属原子を含むことを特徴とするＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子。
【００７７】
（付記１７）  付記１６に記載のＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子において、前記境界面に沿って前記金属酸化物と混在する磁性金属物質をさらに備えることを特徴とするＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子。
【００７８】
（付記１８）  付記１６に記載のＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子において、前記磁性金属原子はＦｅ、ＣｏおよびＮｉの少なくともいずれかであることを特徴とするＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子。
【００７９】
（付記１９）  付記１８に記載のＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子において、前記金属酸化物はＣｏＦｅ合金の酸化物であることを特徴とするＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子。
【００８０】
（付記２０）  付記１９に記載のＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子において、前記境界面に沿って前記酸化物と混在するＣｏＦｅ合金をさらに備えることを特徴とするＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子。
【００８１】
（付記２１）  付記１３に記載のＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子において、前記絶縁性物質は金属窒化物であることを特徴とするＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子。
【００８２】
（付記２２）  付記２１に記載のＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子において、前記金属窒化物は磁性金属原子を含むことを特徴とするＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子。
【００８３】
（付記２３）  付記２２に記載のＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子において、前記磁性金属原子はＦｅ、ＣｏおよびＮｉの少なくともいずれかであることを特徴とするＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子。
【００８４】
（付記２４）  付記２３に記載のＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子において、前記金属窒化物はＣｏＦｅ合金の窒化物であることを特徴とするＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子。
【００８５】
（付記２５）  自由側強磁性層と、固定側強磁性層と、自由側強磁性層および固定側強磁性層の間に挟み込まれる導電性の非磁性中間層と、この非磁性中間層に規定される少なくとも１境界面に沿って分布する磁性金属とを備えることを特徴とするＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子。
【００８６】
（付記２６）  付記２５に記載のＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子において、前記境界面に沿って前記磁性金属と混在する絶縁物質をさらに備えることを特徴とするＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子。
【００８７】
（付記２７）  付記２５または２６に記載のＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子において、前記磁性金属はＦｅ、ＣｏおよびＮｉの少なくともいずれかを含むことを特徴とするＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子。
【００８８】
（付記２８）  付記２７に記載のＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子において、前記磁性金属はＣｏＦｅ合金であることを特徴とするＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子。
【００８９】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、著しく良好な抵抗変化量を実現するＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子は提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】  ハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）の内部構造を概略的に示す平面図である。
【図２】  一具体例に係る浮上ヘッドスライダの構造を概略的に示す拡大斜視図である。
【図３】  浮上面で観察される読み出し書き込みヘッドの様子を概略的に示す正面図である。
【図４】  本発明の第１実施形態に係る磁気抵抗効果（ＭＲ）膜の構造を概略的に示す拡大正面図である。
【図５】  ＭＲ膜を流通する電流の経路を概略的に示す想像図である。
【図６】  ウェハー上に形成されたＭＲ膜を概略的に示すウェハーの拡大部分垂直断面図である。
【図７】  磁区制御ハード膜の形成工程を概略的に示すウェハーの拡大部分垂直断面図である。
【図８】  被覆絶縁膜の形成工程を概略的に示すウェハーの拡大部分垂直断面図である。
【図９】  上部電極の端子瘤の輪郭を象った空間を区画するフォトレジスト膜の様子を概略的に示すウェハーの拡大部分垂直断面図である。
【図１０】  コンタクトホールの形成工程を概略的に示すウェハーの拡大部分垂直断面図である。
【図１１】  上部電極の形成工程を概略的に示すウェハーの拡大部分垂直断面図である。
【図１２】  ＭＲ膜に削り出される積層素材膜の形成工程を概略的に示すウェハーの拡大部分垂直断面図である。
【図１３】  ＭＲ膜に削り出される積層素材膜の形成工程を概略的に示すウェハーの拡大部分垂直断面図である。
【図１４】  酸化ガスに曝されるＣｏＦｅＢ層の膜厚と抵抗値および抵抗変化量との関係を示すグラフである。
【図１５】  酸化ガスに曝されるＣｏＦｅＢ層の膜厚と磁気抵抗効果（ＭＲ）比および電圧変化との関係を示すグラフである。
【図１６】  酸化ガスに曝されるＣｏＦｅＢ層中のＦｅ濃度と抵抗値および抵抗変化量との関係を示すグラフである。
【図１７】  酸化ガスに曝されるＣｏＦｅＢ層中のＦｅ濃度とＭＲ比および電圧変化との関係を示すグラフである。
【図１８】  本発明の第２実施形態に係るＭＲ膜の構造を概略的に示す拡大正面図である。
【図１９】  本発明の第３実施形態に係るＭＲ膜の構造を概略的に示す拡大正面図である。
【図２０】  酸化ガスに曝されるＣｏＦｅＢ層の膜厚と抵抗値および抵抗変化量との関係を示すグラフである。
【図２１】  酸化ガスに曝されるＣｏＦｅＢ層の膜厚とＭＲ比および電圧変化との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
３２  ＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子、５３  固定側強磁性層、５５  非磁性中間層、５５ａ，５５ｂ  導電層、５６  金属物質、５７  絶縁性物質、５８  自由側強磁性層、１０２  自由側強磁性層、１０３  固定側強磁性層、１１１  固定側強磁性層、ＢＲ  境界面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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