(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に少なくとも一層以上の反射膜層、一層以上の第一の誘電体層、記録層、一層以上の第二の誘電体層、光透過層を順次形成してなる光記録媒体の製造方法であって、基板上に前記反射膜層を成膜する工程と、該工程に引き続いて前記反射膜層表面にエッチング量が５ｎｍから２０ｎｍの範囲のスパッタエッチングを施す工程と、前記一層以上の第一の誘電体層、前記記録層を順次成膜する工程と、該工程に引き続いて前記記録層表面にエッチング量が０．１ｎｍから４ｎｍの範囲のスパッタエッチングを施す工程と、前記一層以上の第二の誘電体層、前記光透過層をこの順に順次形成する工程とを少なくとも含む光記録媒体の製造方法。
【請求項２】
基板上に少なくとも一層以上の反射膜層、一層以上の第一の誘電体層、記録層、一層以上の第二の誘電体層、光透過層を順次形成してなる光記録媒体の製造方法であって、基板上に前記反射膜層を成膜する工程と、前記一層以上の第一の誘電体層を成膜する工程と該工程に引き続いて前記第一の誘電体層表面にエッチング量が０．５ｎｍから６ｎｍの範囲のスパッタエッチングを施す工程と、前記記録層を順次成膜する工程と、該工程に引き続いて前記記録層表面にエッチング量が０．１ｎｍから４ｎｍの範囲のスパッタエッチングを施す工程と、前記一層以上の第二の誘電体層、前記光透過層をこの順に順次形成する工程とを少なくとも含む光記録媒体の製造方法。
【請求項３】
基板上に少なくとも一層以上の反射膜層、一層以上の第一の誘電体層、記録層、一層以上の第二の誘電体層、光透過層を順次形成してなる光記録媒体の製造方法であって、基板上に前記反射膜層を成膜する工程と、該工程に引き続いて前記反射膜層表面にエッチング量が５ｎｍから２０ｎｍの範囲のスパッタエッチングを施す工程と、前記一層以上の第一の誘電体層を成膜する工程と該工程に引き続いて前記第一の誘電体層表面にエッチング量が０．５ｎｍから６ｎｍの範囲のスパッタエッチングを施す工程と、前記記録層を順次成膜する工程と、該工程に引き続いて前記光記録層表面にエッチング量が０．１ｎｍから４ｎｍの範囲のスパッタエッチングを施す工程と、前記一層以上の第二の誘電体層、前記光透過層をこの順に順次形成する工程とを少なくとも含む光記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レーザ光の照射による書換型光学式情報記録再生装置等に用いられる光学式情報記録再生媒体（光記録媒体）に関し、基板上に少なくも記録層、光透過層が順次形成されてなり、前記光透過層側からレーザ光を入射して、上記記録媒体の記録層に情報の記録再生を行う方式の光学式情報記録再生媒体およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来技術】
現在、レーザ光を用いた光情報記録方式は大容量の情報を非接触かつ高速アクセスが可能であるため、大容量メモリとして各所で実用化がなされている。光情報記録再生方式を用いた光学式情報記録再生媒体としては、コンパクトディスクやレーザディスクとして知られている再生専用型、ユーザ自身で記録ができる追記型、及びユーザ側で繰返し記録再生が可能な書換型に分類される。追記型及び書換型の光学式情報記録再生媒体はコンピユータの外部メモリや文書、画像ファイルとして使用されつつある。書換型の光学式情報記録再生媒体には、記録膜の相変化を利用した相変化型光ディスクと垂直磁化膜の磁化方向の変化を利用した光磁気ディスクがある。このうち、相変化型光ディスクは、情報を記録する際に光磁気ディスクの如く外部磁界が必要なく、さらに記録情報の重ね書き、即ちオーバライトが容易に可能なことから、今後、書換型の光学式情報記録再生媒体の主流になることが期待されている。
【０００３】
従来より、レーザ光の照射により、記録膜の結晶−非晶質間の相変化を利用した書換可能な相変化型光ディスクが知られている。相変化型光ディスクでは、記録膜に高パワーのレーザ光を照射し、記録膜温度を局所的に上昇させることにより、記録膜の結晶−非晶質間の相変化を起こさせて記録を行う。記録した情報の再生には、記録時に比べ、比較的低パワーのレーザ光を照射し、前記情報記録部の光学定数の変化を反射光強度差として検出することにより行われている。
【０００４】
相変化型光ディスクの記録膜には、カルコゲナイド系材料であるＧｅＳｂＴｅ系、ＩｎＳｂＴｅ系及びＡｇＩｎＳｂＴｅ系等が用いられている。これらの記録膜はいずれも抵抗加熱真空蒸着法、電子ビーム真空蒸着法、スパッタリング法等の成膜方法で形成される。成膜直後の記録膜の状態は一種の非晶質状態にあり、この記録膜に記録を行って、非晶質の記録部を形成するため、記録膜全体を結晶質にするための、初期化処理が行われる。記録はこの結晶化された状態の中に非晶質部分を形成することにより達成される。
【０００５】
一般的な相変化型光ディスクの記録再生方法は、レーザ光のパワーを２つのレベル間で変化させることにより、結晶化あるいは非晶質化を行う。すなわち、記録時には記録膜の温度を融点以上に上昇させることが可能なパワーのレーザ光を記録膜に照射し、その照射部分が冷却時に非晶質状態となる。また、情報を消去する場合には、記録膜の温度が結晶化温度以上、融点以下の温度に達するようなパワーのレーザ光を照射する。再生は低パワーのレーザ光を照射することにより、反射光強度差として読取る。
【０００６】
上述した相変化型光ディスクを構成する記録膜は螺旋状もしくは同心円状の案内溝、すなわち記録トラック（ランド部：凹部およびグルーブ部：凸部）が予め配設された透明ディスク基板上に形成される。この記録トラックによって、情報記録再生装置の光ヘッドから出射されるレーザ光が情報列に沿ってガイドされる。この記録トラックの形状は凹形と凸形が交互に配置されている。光ヘッドからみて凹形、つまり遠い側をランド部と称し、逆に凸形、つまり近い側をグルーブ部と称す。またランド部もしくはグルーブ部の中心から隣のランド部もしくはグルーブ部の中心までの距離をトラックピッチと称している。
【０００７】
以上に述べた記録膜及び基板を用いて相変化型光ディスク媒体を形成するには、透明ディスク基板上に第１の誘電体層、記録膜、第２の誘電体層が順次配設されることもしくは、透明デイスク基板上に第１の誘電体層、記録膜、第２の誘電体層、反射膜等が順次配設されることもしくは、透明デイスク基板上に第１の誘電体層、第２の誘電体層、記録膜、第３の誘電体層、反射膜等が順次配設されることが一般的である。
【０００８】
上述した相変化型光ディスク媒体は、通常、上述した透明ディスク基板側からレーザ光が入射されて、上記、記録膜に対して、情報の記録および再生が行われている。
【０００９】
近年、記録密度の高密度化の要求に伴い、記録トラックのトラックピッチの狭トラック化及び案内溝の凹部（ランド部）とこのランド部の間にある凸部（グルーブ部）の両方に情報を記録するランド／グルーブ記録が一般的である。同時に、記録密度の向上のために、レーザ光のスポット径の微小化が進められている。
【００１０】
上述したレーザ光のスポット径は、記録再生系のλ／ＮＡ（λ：レーザ光の波長、ＮＡ：対物レンズの開口数）に依存するため、レーザ光の波長を短波長化し、対物レンズの開口数を増加させることで、レーザ光のスポット径が微小化され、記録密度の高密度化が可能となる。
【００１１】
しかしながら、対物レンズの開口数を増加させると、コマ収差が大きくなり、信号品質の劣化が懸念される。コマ収差はスキュー角（デイスクの光軸に対する傾斜角）とレーザ光が通過する透明基板の厚みと対物レンズの開口数の３乗の積に比例する量である。従って、コマ収差を抑制するための一手段として、レーザ光が通過する透明基板の厚みを薄くする方法が提案されている。
【００１２】
上述したように、レーザ光が通過する透明基板の厚みを薄くする方法として、透明基板自体の厚さを通常用いている０．６ｍｍの厚みから０．３ｍｍに変更する方法も論じられている。しかし、厚さ０．３ｍｍの樹脂基板では基板の板厚が薄いため、レーザ光をガイドする凹凸の溝を成形する際に基板がたわみ、所望の機械特性を満足することが困難である。
【００１３】
このような実情から、レーザ光が通過する透明基板の厚みを薄くするのと同等の機能を達成し得る別の方法として、厚みが０．６ｍｍ〜１．２ｍｍの通常厚さの透明樹脂基板上に光反射層、記録層、薄い光透過層が順次形成され、前記の薄い光透過層側からレーザ光を入射させて記録層に対して信号の記録および再生を行うものが提案されている。この場合、光透過層を薄くすることでコマ収差を抑制でき、かつ機械特性も満足する光記録媒体を構成できる。ただ、この方法では、上記の従来から広く用いられているような、透明樹脂基板側からレーザ光を入射させて、信号の記録、再生を行う方法とはレーザ光の入射方向が異なる。
【００１４】
上述した光透過層を形成する方法としては、透明基板上に、光反射層、記録層等を順次積層した後、厚さ１００μｍ程度の樹脂シートを厚さ数μｍの接着剤層を介して貼りつける方法や記録層上に紫外線硬化樹脂を滴下、展開後、紫外線を照射して硬化させ、薄い光透過層を形成する方法などが知られている。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した透明基板上に光反射層、記録層（誘電体層および相変化記録層を含む）、薄い光透過層を順次形成した構成の光記録媒体において、薄い光透過層側からレーザ光照射により記録再生を行うと、従来の透明基板側から記録再生を行った場合に比べ、格段に信号を記録し再生した際の再生信号に、大きなノイズ成分が含まれるという問題が生じることが判明した。ノイズ成分が大きいと、再生信号が劣化し、記録した信号を安定して再生することができないため、記録密度の向上に支障をきたすという問題があった。この問題を解決する方法として特開２０００−３０６２７１号公報では反射層および誘電体層のうち少なくとも一方の表面を平滑処理する技術が開示されている。しかしながら、この公報記載の技術では、光透過層側から光の照射を行い記録再生する際に生じる大きなノイズ成分を十分に低減できるとは言えず問題があった。
【００１６】
そこで、本発明の目的は、薄い光透過層側から光の照射を行い記録再生する光記録媒体において、そのノイズ成分を大幅に改善することができ、高品質の光記録媒体の製造方法を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明の光記録媒体の製造方法では、基板上に少なくとも一層以上の反射膜層、一層以上の第一の誘電体層、記録層、一層以上の第二の誘電体層、光透過層を順次形成してなる光記録媒体の製造方法であって、基板上に前記反射膜層を成膜する工程と、該工程に引き続いて前記反射膜層表面にエッチング量が５ｎｍから２０ｎｍの範囲のスパッタエッチングを施す工程と、前記一層以上の第一の誘電体層、前記記録層を順次成膜する工程と、該工程に引き続いて前記記録層表面にエッチング量が０．１ｎｍから４ｎｍの範囲のスパッタエッチングを施す工程と、前記一層以上の第二の誘電体層、前記光透過層をこの順に順次形成する工程とを少なくとも含むことを特徴とする。
【００２１】
また、基板上に少なくとも一層以上の反射膜層、一層以上の第一の誘電体層、記録層、一層以上の第二の誘電体層、光透過層を順次形成してなる光記録媒体の製造方法であって、基板上に前記反射膜層を成膜する工程と、前記一層以上の第一の誘電体層を成膜する工程と該工程に引き続いて前記第一の誘電体層表面にエッチング量が０．５ｎｍから６ｎｍの範囲のスパッタエッチングを施す工程と、前記記録層を順次成膜する工程と、該工程に引き続いて前記記録層表面にエッチング量が０．１ｎｍから４ｎｍの範囲のスパッタエッチングを施す工程と、前記一層以上の第二の誘電体層、前記光透過層をこの順に順次形成する工程とを少なくとも含むことを特徴とする。
【００２２】
また、基板上に少なくとも一層以上の反射膜層、一層以上の第一の誘電体層、記録層、一層以上の第二の誘電体層、光透過層を順次形成してなる光記録媒体の製造方法であって、基板上に前記反射膜層を成膜する工程と、該工程に引き続いて前記反射膜層表面にエッチング量が５ｎｍから２０ｎｍの範囲のスパッタエッチングを施す工程と、前記一層以上の第一の誘電体層を成膜する工程と該工程に引き続いて前記第一の誘電体層表面にエッチング量が０．５ｎｍから６ｎｍの範囲のスパッタエッチングを施す工程と、前記記録層を順次成膜する工程と、該工程に引き続いて前記記録層表面にエッチング量が０．１ｎｍから４ｎｍの範囲のスパッタエッチングを施す工程と、前記一層以上の第二の誘電体層、前記光透過層をこの順に順次形成する工程とを少なくとも含むことを特徴とする。
【００２３】
【発明の実施形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を用いて説明する。
【００２４】
図１は本発明の第１の実施形態を示す光記録媒体の断面構成図である。この図１に示す通り、本発明の光記録媒体は、基板１／一層以上からなる反射膜層２／一層以上からなる第一誘電体層３／記録層４／第二誘電体層５／光透過層７、がこの順に少なくとも積層された構成からなる。なお、各層の間には適宜保護層や下地層等を設けても良い。この構成において、第１の実施形態では、反射膜層２の表面が５ｎｍから２０ｎｍのスパッタエッチング処理が施された層であり、かつ記録層４表面が０．１から４ｎｍのスパッタエッチング処理が施された層であることに特徴がある。このように、反射膜層２及び記録層４の表面を適当な量のスパッタエッチング処理を施すことによって、この光記録媒体を光透過層側からレーザ照射し記録再生した際のノイズを大幅に改善でき、常に一定状態の低ノイズで高品質の光記録媒体を実現できる。
【００２５】
図６は本発明の第２の実施形態を示す光記録媒体の断面構成図である。この図２に示す通り、前述の図１と同様、この実施形態の光記録媒体は、基板１／一層以上からなる反射膜層２／一層以上からなる第一誘電体層３／記録層４／第二誘電体層５／光透過層７、がこの順に少なくとも積層された構成からなる。なお、この場合も各層の間には適宜保護層や下地層等を設けても良い。この実施形態においては第一誘電体層３の表面が０．５から６ｎｍのスパッタエッチング処理が施された層であり、かつ記録層４の表面が０．１から４ｎｍのスパッタエッチング処理が施された層であることを特徴とする。このように、第一誘電体層３及び記録層４の表面を適当な量のスパッタエッチング処理を施すことによって、前述の第１の実施の形態同様、顕著にノイズを抑制することができる。
【００２６】
図１１は本発明の第３の実施形態を示す光記録媒体の断面構成図である。この図３に示す通り、前述の図１、図２と同様、この実施形態の光記録媒体は、基板１／一層以上からなる反射膜層２／一層以上からなる第一誘電体層３／記録層４／第二誘電体層５／光透過層７、がこの順に少なくとも積層された構成からなる。なお、この場合も各層の間には適宜保護層や下地層等を設けても良い。この実施形態においては反射膜層２の表面が５ｎｍから２０ｎｍのスパッタエッチング処理が施され、かつ第一誘電体層３の表面が０．５から６ｎｍのスパッタエッチング処理が施された層であり、かつ記録層４の表面が０．１から４ｎｍのスパッタエッチング処理が施された層であることを特徴とする。このように、反射膜層２、第一誘電体層３及び記録層４の表面を適当な量のスパッタエッチング処理を施すことによって、前述の第１や２の実施の形態と同様、あるいはそれ以上に顕著にノイズを抑制し、一定の低ノイズを確保できる光記録媒体を実現できる。
【００２７】
【実施例】
（実施例１）
第１の実施例では本発明の第一の実施形態の光記録媒体の構成についての実施例を図１を用いて説明する。図１は本発明の第１の実施例の光ディスク媒体構成を示す断面図で、ここでは、基板１として透明樹脂基板を用い、反射膜層２としてＡｌＴｉ（Ｔｉ：２ｗｔ％）合金膜、第一誘電体層３及び第二誘電体層５としてＺｎＳ・ＳｉＯ2膜（ＳｉＯ2：２０ｗｔ％）、相変化記録層４としてＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5膜、光透過層７として紫外線硬化樹脂を接着剤としたＰＣフィルムを用いた。そして、ここでは記録膜下地表面の平滑化のためのスパッタエッチングとしてＡｌＴｉからなる反射層２表面にエッチング処理を施し、かつ、記録層４の表面にもスパッタエッチングを施した場合について記述する。
【００２８】
以下に、本実施例の光デイスク媒体及びその製造過程の詳細を述べる。
【００２９】
予め、レーザ光をガイドする案内溝が形成された透明樹脂基板１上に、インライン型のスパッタ装置を用いて、下記手順により各層が形成される。まず、ＡｌＴｉ合金膜からなる厚さ１２０ｎｍの反射膜層２はＴｉを２ｗｔ％含有するＡｌＴｉ合金ターゲットを用い、アルゴンガス雰囲気中でターゲットと基板間距離１５ｃｍ、パワー密度１．６（Ｗ／ｃｍ2）、ガス圧０．０８（Ｐａ）で成膜される。次に、反射膜層２表面をアルゴンアルゴンガス雰囲気中で、パワー密度０．１５（Ｗ／ｃｍ2）、ガス圧０．１（Ｐａ）の条件でスパッタエッチングし、ＡｌＴｉ膜の表面をスパッタエッチング層８のエッチング処理（エッチング処理により実際の媒体ではこのスパッタエッチング層８の部分はエッチングされなくなる）を行う。次にＺｎＳ−ＳｉＯ2膜からなる厚さ３０ｎｍの第１誘電体層３はＺｎＳ・ＳｉＯ2（ＳｉＯ2：２０ｗｔ％）ターゲットを用い、アルゴンガス雰囲気中でターゲットと基板間距離１５ｃｍ、パワー密度２．２（Ｗ／ｃｍ2）、ガス圧０．１（Ｐａ）で成膜される。次に、Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5膜からなる厚さ１５ｎｍの相変化記録層４は、Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5ターゲットを用い、アルゴンガス雰囲気中でターゲットと基板間距離１５ｃｍ、パワー密度０．２７（Ｗ／ｃｍ2）、ガス圧１．０（Ｐａ）で成膜される。次に、相変化記録層４表面をアルゴンアルゴンガス雰囲気中で、パワー密度０．１５（Ｗ／ｃｍ2）、ガス圧０．１（Ｐａ）の条件でスパッタエッチングし、２ｎｍ程度Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5膜の表面をスパッタエッチング層９のエッチング処理を行う。次に、ＺｎＳ・ＳｉＯ2膜からなる厚さ１３０ｎｍの第２誘電体層５はＺｎＳ・ＳｉＯ2（ＳｉＯ2：２０ｗｔ％）ターゲットを用い、アルゴンガス雰囲気中でターゲットと基板間距離１５ｃｍ、パワー密度２．２（Ｗ／ｃｍ2）、ガス圧０．１（Ｐａ）の条件で成膜される。なお、各層の成膜時間は適宜、所望の膜厚になるように調整した。成膜終了後、紫外線硬化樹脂６により厚さ０．１ｍｍのＰＣフィルム７を接着した。以上の実施例による媒体の断面構成図は図１に示した通りである。なお、本来、スパッタエッチング層は膜として存在しないが、ここでは概念的にスパッタエッチング層８およびスパッタエッチング層９として図示してある。
【００３０】
ここで、本発明において、前記相変化記録層４表面のスパッタエッチング層９の厚みを２ｎｍに固定し、反射膜層２表面のスパッタエッチング層８の厚みを０ｎｍ〜３０ｎｍの範囲で変化させた媒体を作製し、媒体初期化後のノイズを測定した。
【００３１】
図２は本実施例の媒体の初期化後のノイズと反射膜層２表面のスパッタエッチング量の関係を示したものである。反射膜層表面のエッチング量が０ｎｍ〜５ｎｍの範囲ではエッチング量の増加に伴い急激にノイズが低下し、５ｎｍ以上の範囲では徐々にエッチング量の低下に伴いノイズが低下することが判る。
【００３２】
図３には本実施例の媒体を用いた場合のＯ／Ｗ後（重ね書き）のノイズ上昇量と反射膜層２表面のスパッタエッチング量の関係を示したものである。エッチング量が０ｎｍ〜２０ｎｍの範囲ではＯ／Ｗ後のノイズ上昇は僅かであるが、２０ｎｍより多くなると顕著に増加することが判る。
【００３３】
次に、媒体構成は上述の実施例と同一とし、前記反射膜層２表面のスパッタエッチング層８の厚みを１５ｎｍに固定し、相変化記録層４表面のスパッタエッチング層９の厚みを０ｎｍ〜５ｎｍの範囲で変化させた媒体を作製した。
【００３４】
図４は、この媒体の媒体初期化後のノイズを測定したもので、この初期化後ノイズと相変化記録層４表面のスパッタエッチング量の関係を示したものである。相変化記録層表面のエッチング量が０ｎｍ〜０．１ｎｍの範囲ではエッチング量の増加に伴い急激にノイズが低下し、０．１ｎｍ以上の範囲では徐々にエッチング量の低下に伴いノイズが低下することが判る。
【００３５】
図５にはこの媒体を用いた場合のＯ／Ｗ（オーバライト）後（重ね書き）のノイズ上昇量と相変化記録層４表面のスパッタエッチング量の関係を示したものである。この図５より、エッチング量が０ｎｍ〜４ｎｍの範囲ではＯ／Ｗ後のノイズ上昇は僅かであるが、４ｎｍ以上より多くなるとＯ／Ｗノイズが顕著に増加することが判る。
【００３６】
以上のことから、反射膜層２表面のスパッタエッチング量としては、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲が望ましく、相変化記録層４表面のスパッタエッチング量としては、０．１ｎｍ〜４ｎｍの範囲が望ましいことが判る。
【００３７】
（実施例２）
第２の実施例では本発明の第二の実施形態の光記録媒体の構成についての実施例を図６を用いて説明する。図６は本発明の第２の実施例の光ディスク媒体構成を示す断面図で、ここでは、基板１として透明樹脂基板を用い、反射膜層２としてＡｌＴｉ（Ｔｉ：２ｗｔ％）合金膜、第一誘電体層３及び第二誘電体層５としてＺｎＳ・ＳｉＯ2（ＳｉＯ2：２０ｗｔ％）膜、相変化記録層４としてＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5膜、光透過層７として紫外線硬化樹脂を接着剤としたＰＣフィルムを用いた。そして、ここでは、記録膜下地表面の平滑化のためのスパッタエッチングとして、ＺｎＳ・ＳｉＯ2膜からなる第一の誘電体層３の表面にエッチングを施し、かつ、相変化記録層４の表面にもエッチングを施した場合について記述する。
【００３８】
以下に、本実施例の相変化型光デイスク媒体及びその製造過程の詳細を述べる。
【００３９】
予め、レーザ光をガイドする案内溝が形成された透明樹脂基板１上に、インライン型のスパッタ装置を用いて、下記手順により各層が形成される。
【００４０】
まず、ＡｌＴｉ合金膜からなる厚さ１００ｎｍの反射膜層２はＴｉを２ｗｔ％含有するＡｌＴｉ合金ターゲットを用い、アルゴンガス雰囲気中でターゲットと基板間距離１５ｃｍ、パワー密度１．６（Ｗ／ｃｍ2）、ガス圧０．０８（Ｐａ）で成膜される。次にＺｎＳ−ＳｉＯ2膜からなる厚さ４０ｎｍの第１誘電体層３はＺｎＳ・ＳｉＯ2（ＳｉＯ2：２０ｗｔ％）ターゲットを用い、アルゴンガス雰囲気中でターゲットと基板間距離１５ｃｍ、パワー密度２．２（Ｗ／ｃｍ2）、ガス圧０．１（Ｐａ）で成膜される。次に、前記の第１誘電体層３（ＺｎＳ・ＳｉＯ2膜）表面をアルゴンアルゴンガス雰囲気中で、パワー密度０．１５（Ｗ／ｃｍ2）、ガス圧０．１（Ｐａ）の条件でスパッタエッチングし、ＺｎＳ・ＳｉＯ2膜の表面にスパッタエッチング層１０のエッチング処理を行う。次に、Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5膜からなる厚さ１５ｎｍの相変化記録層４は、Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5ターゲットを用い、アルゴンガス雰囲気中でターゲットと基板間距離１５ｃｍ、パワー密度０．２７（Ｗ／ｃｍ2）、ガス圧１．０（Ｐａ）で成膜される。次に、相変化記録層４表面をアルゴンアルゴンガス雰囲気中で、パワー密度０．１５（Ｗ／ｃｍ2）、ガス圧０．１（Ｐａ）の条件でスパッタエッチングし、Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5膜の表面をスパッタエッチング層９のエッチング処理を行う。
【００４１】
次に、ＺｎＳ・ＳｉＯ2膜からなる厚さ１３０ｎｍの第２誘電体層５はＺｎＳ・ＳｉＯ2（ＳｉＯ2：２０ｗｔ％）ターゲットを用い、アルゴンガス雰囲気中でターゲットと基板間距離１５ｃｍ、パワー密度２．２（Ｗ／ｃｍ2）、ガス圧０．１（Ｐａ）の条件で成膜される。なお、各層の成膜時間は適宜、所望の膜厚になるように調整した。成膜終了後、紫外線硬化樹脂６により厚さ０．１ｍｍのＰＣフィルム７を接着した。上述した媒体の断面図を図６に示す。なお、本来、スパッタエッチング層は膜として存在しないが、図６中には概念的にスパッタエッチング層９およびスパッタエッチング層１０として図示してある。
【００４２】
ここで、本発明において、前記相変化記録層４表面のスパッタエッチング層９の厚みを２ｎｍに固定し、第一誘電体層３（ＺｎＳ・ＳｉＯ2膜）表面のスパッタエッチング層１０の厚みを０ｎｍ〜７ｎｍの範囲で変化させた媒体を作製した。
【００４３】
図７はこの媒体の媒体初期化後のノイズを測定した結果で、初期化後のノイズと第一誘電体層３表面のスパッタエッチング量との関係を示したものである。この図７からわかるように、第一誘電体層表面のエッチング量が０ｎｍ〜０．５ｎｍの範囲ではエッチング量の増加に伴い急激にノイズが低下し、０．５ｎｍ以上の範囲では徐々にエッチング量の低下に伴いノイズが低下することが判る。
【００４４】
次に、図８には、上述の通り作製した本実施例の媒体各々のＯ／Ｗ後（重ね書き）のノイズ上昇量と第１誘電体層３表面のスパッタエッチング量の関係を調べた結果を示したものである。エッチング量が０ｎｍ〜６ｎｍの範囲ではＯ／Ｗ後のノイズ上昇は僅かであるが、６ｎｍより多くなるとＯ／Ｗノイズが顕著に増加することが判る。
【００４５】
次に、媒体構成は上述（図６の構成）の実施例と同一構成とし、第一誘電体層３（ＺｎＳ・ＳｉＯ2膜）表面のスパッタエッチング層１０の厚みを３ｎｍに固定し、相変化記録層４表面のスパッタエッチング層９の厚みを０ｎｍ〜５ｎｍの範囲で変化させた媒体を作製した。
【００４６】
図９にはこの媒体の媒体初期化後のノイズを測定し、この初期化後ノイズと各媒体の相変化記録層４表面のスパッタエッチング量との関係を示したものである。相変化記録層表面のエッチング量が０ｎｍ〜０．１ｎｍの範囲ではエッチング量の増加に伴い急激にノイズが低下し、０．１ｎｍ以上の範囲では徐々にエッチング量の低下に伴いノイズが低下することが判る。
【００４７】
更に、図１０にはこの媒体のＯ／Ｗ後（重ね書き）のノイズ上昇量と相変化記録層４表面のスパッタエッチング量の関係を示したものである。この図１０より、エッチング量が０ｎｍ〜４ｎｍの範囲ではＯ／Ｗ後のノイズ上昇は僅かであるが、４ｎｍより多くなるとＯ／Ｗノイズが顕著に増加することが判る。
【００４８】
以上のことから、第１誘電体層３表面のスパッタエッチング量としては、０．５ｎｍ〜６ｎｍの範囲が望ましく、相変化記録層４表面のスパッタエッチング量としては０．１ｎｍ〜４ｎｍの範囲が望ましいことが判る。
【００４９】
（実施例３）
第３の実施例では本発明の第三の実施形態の光記録媒体の構成についての実施例を図１１を用いて説明する。図１１は本発明の第３の実施例の媒体構成を示す断面図で、ここでは、基板１として透明樹脂基板を用い、反射膜層２としてＡｌＴｉ（Ｔｉ：２ｗｔ％）合金膜、第一誘電体層３及び第二誘電体層５としてＺｎＳ・ＳｉＯ2膜、相変化記録層４としてＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5膜、光透過層７として紫外線硬化樹脂を接着剤としたＰＣフィルムを用い、媒体特性向上のためのスパッタエッチングとしてＡｌＴｉ反射層２表面およびＺｎＳ・ＳｉＯ2膜からなる第一誘電体層３表面及び相変化記録層４表面にエッチング処理を施した場合について記述する。
【００５０】
以下に本実施例の相変化型光デイスク媒体及びその製造過程について詳述する。
【００５１】
予めレーザ光をガイドする案内溝が形成された透明樹脂基板１上に、インライン型のスパッタ装置を用いて、下記手順により各層が形成される。
【００５２】
まず、ＡｌＴｉ合金膜からなる厚さ１２０ｎｍの反射膜層２はＴｉを２ｗｔ％含有するＡｌＴｉ合金ターゲットを用い、アルゴンガス雰囲気中でターゲットと基板間距離１５ｃｍ、パワー密度１．６（Ｗ／ｃｍ2）、ガス圧０．０８（Ｐａ）で成膜される。次に、反射膜層２表面をアルゴンアルゴンガス雰囲気中で、パワー密度０．１５（Ｗ／ｃｍ2）、ガス圧０．１（Ｐａ）の条件で、１０ｎｍ程度のスパッタエッチング層８のエッチング処理を行う。次にＺｎＳ−ＳｉＯ2膜からなる厚さ３０ｎｍの第１誘電体層３はＺｎＳ・ＳｉＯ2（ＳｉＯ2：２０ｗｔ％）ターゲットを用い、アルゴンガス雰囲気中でターゲットと基板間距離１５ｃｍ、パワー密度２．２（Ｗ／ｃｍ2）、ガス圧０．１（Ｐａ）で成膜される。次に、ＺｎＳ−ＳｉＯ2膜からなる厚さ３０ｎｍの第１誘電体層３表面をアルゴンアルゴンガス雰囲気中で、パワー密度０．１５（Ｗ／ｃｍ2）、ガス圧０．１（Ｐａ）の条件で、３ｎｍ程度のスパッタエッチング層１０のエッチング処理を行う。次に、Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5膜からなる厚さ１５ｎｍの相変化記録層４は、Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5ターゲットを用い、アルゴンガス雰囲気中でターゲットと基板間距離１５ｃｍ、パワー密度０．２７（Ｗ／ｃｍ2）、ガス圧１．０（Ｐａ）で成膜される。次に、相変化記録層４表面をアルゴンガス雰囲気中で、パワー密度０．１５（Ｗ／ｃｍ2）、ガス圧０．１（Ｐａ）の条件でスパッタエッチングし、Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5膜表面のスパッタエッチング層９のエッチング処理を行う。次に、ＺｎＳ・ＳｉＯ2膜からなる厚さ１３０ｎｍの第２誘電体層５はＺｎＳ・ＳｉＯ2（ＳｉＯ2：２０ｗｔ％）ターゲットを用い、アルゴンガス雰囲気中でターゲットと基板間距離１５ｃｍ、パワー密度２．２（Ｗ／ｃｍ2）、ガス圧０．１（Ｐａ）の条件で成膜される。なお、各層の成膜時間は適宜、所望の膜厚になるように調整した。成膜終了後、紫外線硬化樹脂６により厚さ０．１ｍｍのＰＣフィルム７を接着した。上述した媒体の断面図は図１１に示す通りである。なお、本来、スパッタエッチング層は膜として存在しない部分であるが、ここでは概念的にスパッタエッチング層８、スパッタエッチング層９およびスパッタエッチング層１０として図示している。
【００５３】
ここで、本実施例において、反射膜層２表面のスパッタエッチング層８の厚みを１０ｎｍに固定し、かつ第一誘電体層３表面のスパッタエッチング層１０の厚みを３ｎｍに固定し、相変化記録層４表面のスパッタエッチング層９の厚みを０ｎｍ〜５ｎｍの範囲で変化させた媒体を作製した。
【００５４】
図１２は、この媒体の媒体初期化後のノイズを測定したもので、この初期化後ノイズと相変化記録層表面のスパッタエッチング量の関係を示したものである。この図１２からわかるように、相変化記録層表面のエッチング量が０ｎｍ〜０．１ｎｍの範囲ではエッチング量の増加に伴い急激にノイズが低下し、０．１ｎｍ以上の範囲では徐々にエッチング量の低下に伴いノイズが低下することが判る。
【００５５】
図１３には本実施例の媒体の各々のＯ／Ｗ後（重ね書き）のノイズ上昇量と相変化記録層４表面のスパッタエッチング量の関係を示したものである。この図１３より、エッチング量が０ｎｍ〜４ｎｍの範囲ではＯ／Ｗ後のノイズ上昇は僅かであるが、４ｎｍより多くなるとＯ／Ｗノイズが顕著に増加することが判る。
【００５６】
以上のことから、記録層表面のスパッタエッチング量は０．１ｎｍから４ｎｍの範囲が望ましいことが判る。
【００５７】
なお、本願発明においては、記録層、反射層、誘電体層の材料、組成などは上述した実施例に限定されるものではなく、たとえば、記録膜の材料としてはＡｇＧｅＳｂＴｅ膜、ＩｎＳｂＴｅ膜、ＡｇＩｎＳｂＴｅ膜等でも良く、反射層としてはＡｌＣｕ膜、ＡｌＣｒ膜、ＮｉＣｒ膜、ＮｉＣｕ膜、ＡｇＰｄＣｕ膜等を用いても良く、誘電体層としては、ＳｉＮ膜、ＳｉＯ2膜、ＴａＯ膜等を用いても良く、これらを用いた場合であっても上記実施例と同様の効果を達成できる。また、光記録媒体を構成する反射層、第一誘電体層、第二誘電体層は上述の実施例や実施の形態で示した１層の構成ではなく積層構造であっても良い。そして特にこの場合、上記実施例および実施の形態における反射層や第一誘電体層表面のエッチングによる効果は、積層構造の反射層のうち少なくともいずれか一層の表面、積層構造の第一誘電体層のうち少なくともいずれか一層の表面にエッチング処理を施せば上記実施例と同様の効果が得られる。さらに各々の膜の成膜方法、成膜条件、エッチング条件等は、上述の実施例のものに限定されるものではなく、所望の膜質が得られれば良く、適宜選択すればよい。また、基板の材料および厚みは、上述した樹脂材料や厚さに限定されるものではなく、必要に応じて適宜選択すればよい。さらに、光透過層について上記実施例では厚さ１００μｍのＰＣフィルムを用いたが、この代わりに紫外線硬化樹脂などを塗布および硬化させたものなど、光を透過する膜であれば良く、ＰＣフィルムに限定されるものではない。
【００５８】
また上述した実施例では、媒体を構成する薄膜の形成装置としてインラインタイプの成膜装置を用いた例について示したが、基板を１枚づつ処理する枚様式の成膜装置などでも良いことは明らかである。さらに、本実施例では光記録媒体のタイプを相変化型ディスクとして記載したが、これに限定されるものではなく、光磁気ディスクなどの他の光記録媒体に対しても同様に適用可能である。
【００５９】
【発明の効果】
以上に説明したように本発明では、基板上に各々の薄膜を形成する際に、反射膜層表面又は第一誘電体層表面、および記録層表面に適当量のスパッタエッチングを施すことにより、低ノイズかつ高品質の光記録媒体の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第一の実施形態を示す光記録媒体の断面構成図である。
【図２】本発明の第一の実施形態の光記録媒体における反射膜層表面のスパッタエッチング量と初期化後ノイズの関係を示す図である。
【図３】本発明の第一の実施形態の光記録媒体における反射膜層表面のスパッタエッチング量とＯ／Ｗ後のノイズ上昇との関係を示した図である。
【図４】本発明の第一の実施形態の光記録媒体における相変化記録層表面のスパッタエッチング量と初期化後ノイズの関係を示す図である。
【図５】本発明の第一の実施形態の光記録媒体における相変化記録層表面のスパッタエッチング量とＯ／Ｗ後のノイズ上昇の関係を示した図である。
【図６】本発明の第二の実施形態を示す光記録媒体の断面構成図である。
【図７】本発明の第二の実施形態の光記録媒体における第一誘電体層表面のスパッタエッチング量と初期化後ノイズの関係を示す図である。
【図８】本発明の第二の実施形態の光記録媒体における第一誘電体層表面ののスパッタエッチング量とＯ／Ｗ後のノイズ上昇を示した図である。
【図９】本発明の第二の実施形態の光記録媒体における記録層表面のスパッタエッチング量と初期化後ノイズの関係を示す図である。
【図１０】本発明の第二の実施形態の光記録媒体における記録層表面のスパッタエッチング量とＯ／Ｗ後のノイズ上昇の関係を示す図である。
【図１１】本発明の第三の実施形態を示す光記録媒体の断面構成図である。
【図１２】本発明の第三の実施形態の光記録媒体における相変化記録膜表面のスパッタエッチング量と初期化後ノイズの関係を示す図である。
【図１３】本発明の第三の実施形態の光記録媒体における相変化記録膜表面のスパッタエッチング量とＯ／Ｗ後のノイズ上昇の関係を示す図である。
【符号の説明】
１・・・基板
２・・・反射膜層
３・・・第一誘電体層
４・・・記録層
５・・・第二誘電体層
６・・・紫外線硬化樹脂層
７・・・光透過層
８・・・反射膜層表面のスパッタエッチング層
９・・・記録層表面のスパッタエッチング層
1０・・・第一誘電体層表面のスパッタエッチング層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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