(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに絶縁状態で、かつ交差状に配置された複数の中心導体と、該中心導体付近に位置するマイクロ波用磁性体と、該マイクロ波用磁性体に直流磁界を印加する永久磁石とが一体焼成された高周波回路部品であって、
前記中心導体がＡｇ又はＡｇを主体とする低電気抵抗材料、又は、前記中心導体が抵抗率ρ≦３×１０−６Ω・ｃｍの低電気抵抗材料であって、前記永久磁石は、（Ｓｒ１−ｘ―ｙＢａｘＰｂｙ）Ｏ・ｎＦｅ２Ｏ３、ただし０≦ｘ≦１．０、０≦ｙ≦０．２、５．４≦ｎ≦６．２を主成分とし、副成分としてＢｉ２Ｏ３を３〜１０ｗｔ％含有することを特徴とする高周波回路部品。
【請求項２】
互いに絶縁状態で、かつ交差状に配置された複数の中心導体と、該中心導体付近に位置するマイクロ波用磁性体と、該マイクロ波用磁性体に直流磁界を印加する永久磁石とが一体焼成された高周波回路部品であって、
前記中心導体がＡｇ又はＡｇを主体とする低電気抵抗材料、又は、前記中心導体が抵抗率ρ≦３×１０−６Ω・ｃｍの低電気抵抗材料であって、
前記永久磁石は、（Ｓｒ１−ｘ―ｙＢａｘＰｂｙ）Ｏ・ｎＦｅ２Ｏ３、ただし０≦ｘ≦１．０、０≦ｙ≦０．２、５．４≦ｎ≦６．２を主成分とし、副成分としてＬｉＯ１／２、及び、ＲＯ（ＲはＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯのうち少なくとも一種）を、５モル％以上８０モル％以下含有し、前記副成分の内のＬｉＯ１／２が、２．５モル％以上３０モル％以下である硼珪酸ガラス材料を５〜１５ｗｔ％含有することを特徴とする高周波回路部品。
【請求項３】
前記中心導体は、前記マイクロ波用磁性体中に埋設された状態であることを特徴とする請求項１又は２に記載の高周波回路部品。
【請求項４】
前記高周波回路部品を磁性金属ケースに収納して、非可逆回路素子を構成することを特徴とする請求項１又は２に記載の高周波回路部品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、サーキュレータ、アイソレータなどの高周波回路部品に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、サーキュレータ、アイソレータなどの非可逆回路素子は、互いに絶縁状態で、かつ交差するように配置される中心導体、その中心導体に密接して配置されるマイクロ波用磁性体、そのマイクロ波用磁性体に直流磁界を印加する磁石とを主要構成部品としている。そして、これらは別々の部品として製造され、組み合わされて製造されている。
【０００３】
従来のサーキュレータ、アイソレータに用いられている磁石は、マグネトプランバイト型六方晶系フェライト磁石であった。このマグネトプランバイト型六方晶系フェライト磁石は、混合し、仮焼した原料粉末と、有機バインダとを混合し、粉砕し、プレス成形しながら磁場を印加して配向し、焼成して得られていた。そして、その焼成温度は、１２００〜１４５０℃と高温であった。
【０００４】
この非可逆回路素子は、携帯電話などの移動体通信機器等に使用され、小型化、低価格化の要求が強い。そこで、上記のように各部品を別々に製造するのではなく、マイクロ波用磁性体、中心導体、及び磁石を一体焼成することが提案されている。例えば、特開平６−２０４７２３号公報、特開平７−３１２５０９号公報参照。この特開平７−３１２５０９号公報によれば、マイクロ波用磁性体としてＣａ−Ｖ−Ｆｅ系ガーネット、中心導体としてパラジウムまたは白金粉末と有機溶剤を混合したペースト、永久磁石としてＢａＯ・６Ｆｅ２Ｏ３、又はＳｒＯ・６Ｆｅ２Ｏ３で表されるマグネトプランバイト型六方晶系のものを用い、１０００〜１４５０℃で同時焼成している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
従来の方法では、高温（少なくとも１０００℃以上）で焼成されるため、導体材料としては、その高温で焼成可能な材料に限られていた。この焼成可能な導体としてはパラジウム・白金などが主に使用される。しかし、このパラジウム・白金は、高価であるため高コストになり、比較的電気抵抗率が高いため、特に低電気抵抗率の導体材料が使用される高周波回路部品においては、その導体抵抗のため実用的な低損失部品が得られないという問題点があった。
【０００６】
本発明は、中心導体材料として良導体であるＡｇまたはＡｇを主成分とした導電材料を用いて同時焼成を可能とし、低損失な高周波回路部品を得ること目的とする。
【０００８】
また本発明は、互いに絶縁状態で、かつ交差状に配置された複数の中心導体と、該中心導体付近に位置するマイクロ波用磁性体と、該マイクロ波用磁性体に直流磁界を印加する永久磁石とが１０００℃未満の温度で一体焼成された高周波回路部品であって、前記中心導体がＡｇ又はＡｇを主体とする低電気抵抗材料、又は、前記中心導体が抵抗率ρ≦３×１０−６Ω・ｃｍの低電気抵抗材料であって、前記永久磁石は、（Ｓｒ１−ｘ―ｙＢａｘＰｂｙ）Ｏ・ｎＦｅ２Ｏ３、ただし０≦ｘ≦１．０、０≦ｙ≦０．２、５．４≦ｎ≦６．２を主成分とし、副成分としてＢｉ２Ｏ３を３〜１０ｗｔ％含有することを特徴とする高周波回路部品である。
【０００９】
また本発明は、互いに絶縁状態で、かつ交差状に配置された複数の中心導体と、該中心導体付近に位置するマイクロ波用磁性体と、該マイクロ波用磁性体に直流磁界を印加する永久磁石とが一体焼成された高周波回路部品であって、前記中心導体がＡｇ又はＡｇを主体とする低電気抵抗材料、又は、前記中心導体が抵抗率ρ≦３×１０−６Ω・ｃｍの低電気抵抗材料であって、前記永久磁石は、（Ｓｒ１−ｘ―ｙＢａｘＰｂｙ）Ｏ・ｎＦｅ２Ｏ３、ただし０≦ｘ≦１．０、０≦ｙ≦０．２、５．４≦ｎ≦６．２を主成分とし、副成分としてＬｉＯ１／２、及び、ＲＯ（ＲはＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯのうち少なくとも一種）を、５モル％以上８０モル％以下含有し、前記副成分の内のＬｉＯ１／２が、２．５モル％以上３０モル％以下である硼珪酸ガラス材料を５〜１５ｗｔ％含有することを特徴とする高周波回路部品である。
【００１２】
また本発明は、前記永久磁石は、（Ｓｒ１−ｘ―ｙＢａｘＰｂｙ）Ｏ・ｎＦｅ２Ｏ３、ただし０≦ｘ≦１．０、０≦ｙ≦０．２、５．４≦ｎ≦６．２を主成分とし、副成分としてＢｉ２Ｏ３を３〜１０ｗｔ％含有する高周波回路部品である。
【００１３】
本発明では、低電気抵抗材料としては、Ａｇを用いれば良く。このＡｇに対して、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕなどの貴金属を５％程度以下含有していてもＡｇ単体に近い抵抗率ρ≦３×１０−６Ω・ｃｍの低電気抵抗材料を得る事が出来るためこのように調整された導電材料を用いても良い。また、低電気抵抗材料とは、抵抗率ρ≦３×１０−６Ω・ｃｍの導電材料であれば良い。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明は、Ａｇ又はＡｇを主体とする低電気抵抗材料を用いることができるために、１０００℃未満、好ましくは９５０℃以下、更に好ましくは９００℃程度で焼成可能な低温焼成磁石組成物を得ることが必要である。このため、種々検討した結果、（Ｓｒ１−ｘ―ｙＢａｘＰｂｙ）Ｏ・ｎＦｅ２Ｏ３、ただし０≦ｘ≦１．０、０≦ｙ≦０．２、５．４≦ｎ≦６．２を主成分とする磁石組成物に、副成分としてＢｉ２Ｏ３を３〜１０ｗｔ％含有すること、又は副成分としてＬｉＯ１／２、及び、ＲＯ（ＲはＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯのうち少なくとも一種）を、５モル％以上８０モル％以下含有する硼珪酸ガラス材料を５〜１５ｗｔ％含有することによって、１０００℃以下の温度で焼成可能である低温焼成磁石組成物を得ることができた。この材料から所望の焼成温度に適した材料を選択することにより、本発明の高周波回路部品を構成することが出来たものである。
【００１５】
これにより、本発明は、互いに絶縁状態で、かつ交差状に配置された複数の中心導体と、該中心導体付近に位置するマイクロ波用磁性体と、該マイクロ波用磁性体に直流磁界を印加する永久磁石とが一体焼成された高周波回路部品であって、前記中心導体としてＡｇ又はＡｇを主体とする低電気抵抗材料を用いることができ、又前記中心導体として抵抗率ρ≦３×１０−６Ω・ｃｍの低電気抵抗材料を用いることができ、低損失な高周波回路部品を得ることができたものである。
【００１６】
また本発明は、互いに絶縁状態で、かつ交差状に配置された複数の中心導体と、該中心導体付近に位置するマイクロ波用磁性体と、該マイクロ波用磁性体に直流磁界を印加する永久磁石とを１０００℃未満の温度で一体焼成することができたものである。
【００１７】
また本発明の中心導体は、前記マイクロ波用磁性体中に埋設された状態で構成することができ、又、前記マイクロ波用磁性体層とは別の層に配置することもできる。
【００１８】
また、本発明のマイクロ波用磁性体としては、例えば、特開昭５１−１８８９４号公報によれば、Ｂｉ２Ｏ３で置換したＣａ−Ｖ−Ｉｎ系が開示されている。また、特開昭５１−５３３００号公報にＢｉ２Ｏ３が焼結温度を低くする効果があることが記載されている。従って、特開昭５１−１８８９４号公報では、１０５０〜１２００℃で焼成を行っているが、Ｂｉ２Ｏ３の置換量を調整することにより、１０００℃未満の温度で焼成可能であり、Ａｇ又はＡｇを主体とする低電気抵抗材料との一体焼成が可能な材料を得ることができる。
【００１９】
実施例１
本発明に係る低温焼結磁石材料の実施例について説明する。出発原料として、純度９９．５%以上のＳｒＣＯ３、ＢａＣＯ３、ＰｂＯ、Ｆｅ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、Ｈ３ＢＯ３、ＳｉＯ２、ＣａＣＯ３、Ｌｉ２ＣＯ３の粉末を使用した。まず、主成分の磁石材料仮焼き粉末は、所定の組成になるように計量した出発原料を、ボールミルに純水と共に投入して混合し、取出した混合スラリーは１００℃から１２０℃の温度で蒸発乾燥した後、アルミナケース中で１０００℃から１２５０℃の温度で仮焼きを行い、得られた仮焼物をライカイ機で粗粉砕して得た。また、副成分として添加するガラス材料は、所定の組成になるように計量した出発原料を、ボールミルに純水と共に投入して混合し、取出した混合スラリーは１００℃から１２０℃の温度で蒸発乾燥した後、アルミナケース中で７００℃から８５０℃の温度で仮焼きを行い、この仮焼物を再度ボールミルで粉砕してガラス原料粉末を得た。
【００２０】
このようにして得られた磁石材料の仮焼き粉末と、副成分として添加する添加物原料粉末、またはガラス原料粉末を、所定量計量し、φ２からφ５の小径のボールを用いたボールミルで、平均粒径が１μm以下となるまで微粉砕を行い低温焼結磁石材料の原料粉末を得た。この原料粉末をφ6の円柱金型中で２ｔｏｎ／ｃｍ2の圧力で1軸加圧成形した後、電気炉にて、８５０℃から１２５０℃の各温度で４時間持続して焼成した。焼成した試料は、寸法重量法で密度を測定し、組成の異なる各試料で得られる最高の密度に対し、その密度の９５％以上の密度が得られた温度を焼結温度とした。但し、本発明の範囲外の比較例で１０００℃以下の温度で焼結しなかった試料についてはこの限りではない。また、その焼結温度で焼成した円柱状試料の両面に銀ペーストを塗布し比抵抗を測定した。また、同試料を円盤状に切断してＭ−Ｈカーブを測定し、ＢｒとＨｃの積を求めて磁石の性能の評価を行った。
【００２１】
その結果を表１に実施例として示す。表１において＊印を付けた試料は、本発明の範囲外の実施例である。表１において副成分の組成の欄にＡ〜Ｌの記号があるが、これは表２の添加物Ａ〜Ｌに対応し、添加物の成分を表２に示している。
【００２２】
【表１】
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【００２３】
【表２】
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【００２４】
表１より明らかなように、本発明に係る低温焼結磁石材料では、Ｂｉ２O３を３ｗｔ％以上添加含有する事により、１０００℃以下の低温でも緻密化し、特に５ｗｔ％以上添加する事により９００℃でも焼結可能となった。しかしながら、本発明の範囲外の組成実施例である試料Ｎｏ．１５、１１、１４でＢｉ２Ｏ３添加量が３ｗｔ％以下となると１０００℃以下で焼結する事が困難となり、１５ｗｔ％以上となると磁石の性能を示すＢｒ、ｉＨｃ値が低下し、磁石の性能が低下し有用な磁石材料とはならない。
【００２５】
主成分である磁石材料（Ｓｒ１−ｘ―ｙＢａｘＰｂｙ）Ｏ・ｎＦｅ２Ｏ３、ただし０≦ｘ≦１．０、０≦ｙ＜０．２、５．４≦ｎ≦６．２ は、六方晶系ストロンチウムフェライトに限らず、ＳｒＯの一部またはすべてをＢａＯ、又は、一部をＰｂＯで置換しても同じように低温焼結の磁石材料を得る事が出来る。しかしながら、本発明の範囲外の組成実施例である試料Ｎｏ．１０では、ＳｒＯをモル比で２０％以上ＰｂＯで置換すると磁石の性能を示すＢｒ、ｉＨｃ値が低下し、磁石の性能が低下し有用な磁石材料とはならない。さらに、本発明の範囲外の組成実施例である試料Ｎｏ．１、５では、主成分に占めるＦｅ２Ｏ３の含有量ｎは、５．４≦ｎ≦６．２の範囲外のため、磁石の性能を示すＢｒ、ｉＨｃ値が低下し、磁石の性能が低下し有用な磁石材料とはならない。
【００２６】
さらに、本発明に係る低温焼結磁石材料は、５０ＭΩcm以上の高抵抗を得る事が可能のため、高周波信号線路に隣接して構成されることになる一体積層型の電子部品に適用した場合に、低損失の電子部品を得る事が可能となる材料である。
【００２７】
また表１より明らかなように、本発明に係る低温焼結磁石材料では、副成分がＬｉＯ１／２、及び、ＲＯ（ＲはＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯのうち少なくとも一種）を、５モル％以上８０モル％以下含有し、前記副成分の内のＬｉＯ１／２が、２．５モル％以上３０モル％以下である硼珪酸ガラス材料を５〜１５ｗｔ％含有する事により、１０００℃以下の低温でも緻密化し、焼結可能となった。しかしながら、本発明の範囲外の組成実施例である試料Ｎｏ．１８、２３、２４、２５、２６、２７では、共に１０００℃の焼結温度では緻密な焼結体を得る事は出来なかった。
【００２８】
さらに、本発明の副成分であるガラス材料の添加量が３〜１５ｗｔ％の範囲から外れる本発明の範囲外の組成実施例である試料Ｎｏ．２８では、１０００℃の焼結温度では緻密な焼結体を得る事は出来ず、同じく試料Ｎｏ．３１では、磁石の性能を示すＢｒ、ｉＨｃ値が低下し、磁石の性能が低下し有用な磁石材料とはならない。
【００２９】
さらに、本発明の低温焼結磁石材料は、１００ＭΩcm以上の高抵抗を得る事が可能のため、高周波信号線路に隣接して構成されることになる一体積層型の電子部品に適用した場合に、低損失の電子部品を得る事が可能となる材料である。
【００３０】
焼結体の結晶の方向をそろえ配向させる事によりフェライト磁石の性能は向上するが、本発明の磁石材料においても、従来のフェライト磁石材料と同じように配向させる事により高性能化を計る事が出来る。
【００３１】
実施例２
（Ｓｒ１−ｘ―ｙＢａｘＰｂｙ）Ｏ・ｎＦｅ２Ｏ３、ただしｘ＝０、ｙ＝０、ｎ＝５．７を主成分とし、副成分として、Ｂｉ２Ｏ３を５ｗｔ％含有する磁石材料粉末と有機バインダ及び有機溶剤などをボールミル中で混練して液状のスラリーを作成し、そのスラリーを用いドクターブレード法で厚さ１００μｍ程度の磁石材料用のグリーンシートを作成した。この磁石用のグリーンシートは９００℃程度で焼成可能なものである。
【００３２】
次に出発原料として、純度９９．５％以上のＹ２Ｏ３，Ｂｉ２Ｏ３，ＣａＣＯ３，Ｆｅ２Ｏ３，Ｉｎ２Ｏ３，Ｖ２Ｏ５の粉末を（Ｙ１．２Ｂｉ１．０Ｃａ０．８）（Ｆｅ４．５Ｉｎ０．１Ｖ０．４）Ｏ１２の組成となるように計量し、ボールミルに純粋とともに投入して混合し、取り出した混合スラリーは１００℃〜１２０℃の温度で蒸発乾燥した後、アルミナケース中で７００℃〜８５０℃の温度で仮焼きを行い、得られた仮焼物を再度ボールミルで粉砕し、取り出したスラリーは１００℃〜１２０℃の温度で蒸発乾燥し平均粒径１μｍ以下のマイクロ波用磁性体材料粉末を得た。このマイクロ波用磁性体材料粉末と有機バインダと有機溶剤などをボールミル中で混練して液状のスラリーを作成し、そのスラリーを用いドクターブレード法で厚さ１００μｍ程度のマイクロ波用磁性体材料用のグリーンシートを作成した。このマイクロ波用磁性体のグリーンシートは９００℃程度で焼結可能なものを使用した。
【００３３】
この２種類のグリーンシ−トを同時に積層した、一実施例の積層の構成を図１に示す。
前記マイクロ波用磁性体シ−ト１２２、１２３、１２４にスル−ホ−ルを形成しＡｇペーストを用いて中心導体１３１、１３２、１３３を印刷形成し、導体の印刷されていないシ−ト１２１と共に積層した。これにより、マイクロ波用磁性体シ−ト内部に互いに交叉する３つの中心導体１３１、１３２、１３３を構成した。このマイクロ波用磁性体のグリーンシートの積層体に更に磁石のグリーンシート１１１、１１２、１１３を積層し、圧着した。図１では、１素子分を示しているが、実際に製造する場合は、複数個分を形成可能なグリーンシートを用意し、そこへ複数個分の導体パターンを印刷し、複数個分の圧着体を得る。そして、その複数個分の圧着体を各素子のチップ形状に切断し、９００℃で一体焼結させた。さらに表面に、Ａｇおよびガラスフリットを含むぺ−ストを用いて外部電極を印刷・焼付けし、電極表面にめっきによりＮｉ膜およびはんだ膜を形成し、高周波回路部品積層体を構成した。
【００３４】
この高周波回路部品積層体を裏面から見た斜視図を図２に示す。
２０は高周波回路部品積層体を示す。２１、２４は整合コンデンサおよび外部Ｉ／Ｏ端子と接続するための外部電極であり、２１は積層体内部の中心導体１３１と接続されており、２４は１３３と接続されている。２３は整合コンデンサと接続するための外部電極であり積層体内部の中心導体１３２と接続されている。アイソレ−タを構成する場合はこの端子に抵抗を接続する。サ−キュレ−タを構成する場合はこの端子を外部Ｉ／Ｏ端子と接続する。２２は外部ア−ス端子と接続するための外部電極であり積層体内部の中心導体１３１、１３２、１３３の一端と接続されている。
【００３５】
この高周波回路部品積層体を用いて構成した集中定数型アイソレ−タの分解斜視図を図３に示す。高周波回路部品積層体２０は上ヨ−ク３１１と下ヨ−ク３１６の中に収納され磁石の磁界がマイクロ波用磁性体の層に均一にかかるように配置されている。この上ヨーク３１１と下ヨーク３１６は、金属製のケースであり、磁気回路を構成するとともに、内部を保護している。
【００３６】
この高周波回路部品積層体の外部電極２４は整合コンデンサ３１２と外部Ｉ／Ｏ端子３１８に接続されている。外部電極２１は整合コンデンサ３１４と外部Ｉ／Ｏ端子３１９に接続されている。外部電極２３は整合コンデンサ３１３とチップ抵抗３１５に接続されている。外部電極２２は下ヨ−ク３１６に接続され、さらに下ヨ−ク３１６はア−ス板３２０に接続され、外部ア−ス端子３２１に接続されている。整合コンデンサ３１２、３１３、３１４とチップ抵抗３１５の裏面はア−ス板３２０に接続され外部ア−ス電極３２１と接続されいる。本発明の磁石シ−トを用いた高周波回路部品積層体でアイソレ−タを構成することにより、従来よりも部品点数を削減でき、組立工数削減により、安価なアイソレ−タの提供が可能となった。
【００３７】
さらに、本発明の磁石シ−トを用いることにより、ヨ−クを除くすべての部品を１チップに納めてアイソレ−タを構成することも可能である。実施例を以下に述べる。
上記実施例と同様の磁石シ−トとマイクロ波用磁性体シ−トの２種類を同時に積層した、シ−トの構成を図４に示す。
【００３８】
マイクロ波用磁性体シ−ト４２３〜４２８にＡｇペーストを用いて内部導電体パターン４３１〜４３６を印刷形成し、導体の印刷されていないシ−ト４２１、４２２と共に積層した。これにより、マイクロ波用磁性体シ−ト内部に互いに交叉する３つの中心導体４３４、４３５、４３６を構成し、３組の整合容量用コンデンサを、４３１と４３３の間、４３２と４３３の間、４３５と４３３の間で構成した。このマイクロ波用磁性体のグリーンシートの積層体に更に磁石のグリーンシート４１１、４１２、４１３を積層し、圧着した。そして、チップ形状に切断し、９００℃で一体焼結させた。さらに表面に、Ａｇおよびガラスフリットを含むぺ−ストを用いて外部電極を印刷・焼付けし、ＲｕＯを主成分とする抵抗膜およびカバ−ガラス膜を印刷・焼付けした。電極表面にめっきによりＮｉ膜およびはんだ膜を形成し、高周波回路部品積層体を構成した。
【００３９】
この高周波回路部品積層体を裏面から見た斜視図を図５に示す。
５０はこの高周波回路部品積層体を示す。５１、５３は外部Ｉ／Ｏ端子であり、５１は積層体内部の内部電極４３１および中心導体４３６と接続されており、５３は内部電極４３２、中心導体４３４と接続されている。５２、５４は外部ア−ス端子であり、５２は積層体内部の中心導体４３４およびア−スパタ−ン４３３と接続されており、５４は中心導体４３６、アースパターン４３３と接続されている。５５は下ヨ−クと接続しア−スをとるための外部電極である。５６は積層体内部の中心導体４３５とア−スパタ−ン４３３およびア−スにつながる外部電極５５に接続されている。５７は積層体内部の中心導体４３５と接続されており、積層体表面に形成した厚膜抵抗５８に接続されている。これは、アイソレ−タに用いる場合の構成であるが、サ−キュレ−タに用いる場合は、厚膜抵抗５８を付けないで外部電極５７をＩ／Ｏ端子として使用する。
【００４０】
この高周波回路部品積層体を用いて構成した集中定数型アイソレ−タの分解斜視図を図６に示す。高周波回路部品積層体５０は上ヨ−ク６１と下ヨ−ク６２の中に収納され磁石の磁界がマイクロ波用磁性体に均一にかかるように配置されている。５１は外部Ｉ／Ｏ端子であり、５２は外部ア−ス端子である。本発明の磁石シ−トを用いた高周波回路部品積層体でアイソレ−タを構成することにより、ヨ−クを除く部品の全てを１チップに収めることが可能となり、従来よりも一層の小型化が可能となると共に、組立工数削減により、安価なアイソレ−タの提供が可能となった。
【００４１】
本発明によれば、１０００℃以下で焼成可能な磁石を得ることができる。これにより、製造コストの低減が可能であるとともに、Ａｇ導体との同時焼成が可能となる。そして、中心導体とマイクロ波磁性体と永久磁石とを一体焼成する高周波部品において、低電気抵抗材料を用いることにより、低損失な高周波回路部品を得ることができる。しかも、積層一体化により製造コスト、部品コストを低減させることができる。
【００４２】
【発明の効果】
本発明によれば、Ａｇ又はＡｇを主体とする低電気抵抗材料との同時焼成が可能となる。これにより、永久磁石と中心導体とマイクロ波磁性体との一体焼成する高周波部品において、低損失な高周波部品を得ることが可能となり、それら複合体を一体化した高周波回路部品の製造が可能となり、製造コスト、部品コストを低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明に係る一実施例の高周波回路部品積層体のシ−ト構成図である。
【図２】  本発明に係る一実施例の高周波回路部品積層体を裏面から見た斜視図である。
【図３】  本発明に係る一実施例のアイソレ−タの分解斜視図である。
【図４】  本発明に係る別の実施例の高周波回路部品積層体のシ−ト構成図である。
【図５】  本発明に係る別の実施例の高周波回路部品積層体を裏面から見た斜視図である。
【図６】  本発明に係る別の実施例のアイソレ−タの分解斜視図である。
【符号の説明】
１１１、１１２、１１３、４１１、４１２、４１３  磁石グリ−ンシ−ト
１２１、１２２、１２３、１２４、４２１、４２２、４２３、４２４、４２５、４２６、４２７、４２８  マイクロ波用磁性体グリ−ンシ−ト
１３１、１３２、１３３、４３４、４３５、４３６  中心導体
４３１、４３２、４３３  内部電極
２０、５０  高周波回路部品積層体
２１、２２、２３、２４、５５、５６、５７  外部電極
５１、５３  外部電極・I／O端子
５２、５４  外部電極・ア−ス端子
５８  厚膜抵抗
３１１、６１  上ヨ−ク
３１２、３１３、３１４  コンデンサ
３１５  チップ抵抗
３１６、６２  下ヨ−ク
３１７  樹脂ケ−ス
３１８、３１９  Ｉ／Ｏ端子
３２０  ア−ス板
３２１  ア−ス端子
【図１】
0004081734.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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