(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理槽（１）内に複数枚の基板（２）を整列状態で収容し、かつ処理槽（１）内における洗浄液の液面を基板（２）に対して相対的に下降させながら基板（２）の表面に乾燥用流体を供給することにより基板（２）の表面を乾燥させる装置であって、
処理槽（１）内の上部所定位置に乾燥用流体（６）を貯留する乾燥用流体貯留手段（３）と、
貯留した乾燥用流体（６）に対して不活性ガスを吹き付けることにより処理槽（１）内において乾燥用流体の液滴を発生させる第１不活性ガス供給手段（４）と、
発生された乾燥用流体の液滴を各基板（２）の表面に導くべく不活性ガスを供給する第２不活性ガス供給手段（５）と
を含むことを特徴とする基板乾燥装置。
【請求項２】
前記乾燥用流体（６）はイソプロピルアルコールである請求項１に記載の基板乾燥装置。
【請求項３】
前記乾燥用流体貯留手段（３）は、複数枚の基板（２）の並び方向と平行に延び、かつ上部が開放された乾燥用流体貯留凹所（３ｂ）を有するものである請求項１または請求項２に記載の基板乾燥装置。
【請求項４】
前記乾燥用流体貯留手段（３）は、乾燥用流体貯留凹所（３ｂ）と平行に延び、乾燥用流体（６）の液ダレを防止する液ダレ防止凹所（３ｃ）をさらに有するものである請求項３に記載の基板乾燥装置。
【請求項５】
前記乾燥用流体貯留手段（３）に対して乾燥用流体（６）を供給する乾燥用流体供給管路をさらに含む請求項１から請求項４の何れかに記載の基板乾燥装置。
【請求項６】
前記乾燥用流体貯留手段（３）に対して乾燥用流体（６）を噴霧により供給する乾燥用流体噴霧手段（３ｄ）をさらに含む請求項１から請求項４の何れかに記載の基板乾燥装置。
【請求項７】
前記不活性ガスは窒素ガスである請求項１から請求項６の何れかに記載の基板乾燥装置。
【請求項８】
前記第２不活性ガス供給手段（５）は、複数枚の基板（２）の並び方向と平行に延び、かつ複数枚の基板（２）の並び方向と平行に所定間隔毎に形成された不活性ガス吐出孔を有するものである請求項１から請求項７の何れかに記載の基板乾燥装置。
【請求項９】
前記第２不活性ガス供給手段（５）は、複数枚の基板（２）の中心を結ぶ仮想中心軸の上方に位置し、基板（２）の外周に接する方向よりも下向きに不活性ガスを吐出するものである請求項１から請求項８の何れかに記載の基板乾燥装置。
【請求項１０】
基板（２）の外周に接する方向と鉛直下向き方向とのなす角をθ１とした場合に、不活性ガス吐出方向と鉛直下向き方向とのなす角θがθ１／３≦θ≦２θ１／３となるように不活性ガス吐出方向が設定されている請求項９に記載の基板乾燥装置。
【請求項１１】
前記不活性ガス吐出孔の口径は０．０５〜１ｍｍである請求項８から請求項１０の何れかに記載の基板乾燥装置。
【請求項１２】
前記不活性ガス吐出孔の口径は０．１〜０．５ｍｍである請求項１１に記載の基板乾燥装置。
【請求項１３】
前記不活性ガス吐出孔どうしの間隔は基板（２）どうしの間隔、もしくは基板（２）どうしの間隔の整数分の１に設定されている請求項８から請求項１２の何れかに記載の基板乾燥装置。
【請求項１４】
前記不活性ガス吐出孔から吐出される不活性ガスの初速が５０〜３００ｍ／ｓに設定されている請求項８から請求項１３の何れかに記載の基板乾燥装置。
【請求項１５】
不活性ガスの初速を１００〜２００ｍ／ｓに設定する請求項１４に記載の基板乾燥装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は基板乾燥方法およびその装置に関し、さらに詳細にいえば、洗浄液を用いて洗浄された基板を迅速に乾燥させるための方法およびその装置に関する。なお、この明細書において、「洗浄液を用いて洗浄する」とは、洗浄液を用いて洗浄することのみならず、純水によりリンスすることをも含む（純水によるリンスのみを行うことをも含む）概念として使用される。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、処理対象となる基板（例えば、半導体ウエハーなど）の大径化が進んでおり、８インチウエハーから１２インチウエハーへの移行が行われている。そして、ウエハーの大径化に伴ってウエハーピッチのハーフピッチ化も進められている。
【０００３】
この結果、基板と洗浄液との浸漬界面に十分な量の乾燥用流体を供給することができなくなり、良好なマランゴニ乾燥を達成することが著しく困難になってしまう。
【０００４】
このような不都合を解消するために、従来から、
（１）不活性ガスで乾燥用流体にバブリングなどを行い、不活性ガスと乾燥用流体との混合ガスを基板処理槽に導入する方法、および
（２）超音波などを用いて乾燥用流体の液滴を形成した後、不活性ガスをキャリアガスとして基板処理槽に導入する方法（特開平１０−３３５２９９号公報参照）
が提案されている。
【０００５】
また、乾燥用流体として、イソプロピルアルコール（以下、ＩＰＡと略称する）を用いること、フロンを用いることも提案されている（特開昭６３−３０１５２８号公報参照）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
前記（１）の方法を採用して基板と洗浄液との浸漬界面に十分な量の乾燥用流体を供給するためには、不活性ガスや乾燥用流体を高温にすることが必要になるので、基板乾燥系の安全性を確保することが困難になるとともに、コストが嵩んでしまうという不都合がある。特に、乾燥用流体としてＩＰＡを採用する場合には、引火性が高いので、安全性を確保するためのおおがかりな装置を付加することが必要になる。
【０００７】
前記（２）の方法を採用する場合には、超音波発生装置などが必要になるので、コストアップを招いてしまうのみならず、信頼性が低下してしまうことになる。
【０００８】
【発明の目的】
この発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであり、特別な安全装置を設けることなく安全性を高めることができるとともに、基板と洗浄液との浸漬界面に十分な量の乾燥用流体を供給することができる基板乾燥方法およびその装置を提供することを目的としている。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
請求項１の基板乾燥装置は、処理槽内に複数枚の基板を整列状態で収容し、かつ処理槽内における洗浄液の液面を基板に対して相対的に下降させながら基板の表面に乾燥用流体を供給することにより基板の表面を乾燥させるものであって、処理槽内の上部所定位置に乾燥用流体を貯留する乾燥用流体貯留手段と、貯留した乾燥用流体に対して不活性ガスを吹き付けることにより処理槽内において乾燥用流体の液滴を発生させる第１不活性ガス供給手段と、発生された乾燥用流体の液滴を各基板の表面に導くべく不活性ガスを供給する第２不活性ガス供給手段とを含むものである。ここで、洗浄液とは、純水をも含む概念として使用される。
【００１５】
請求項２の基板乾燥装置は、前記乾燥用流体としてＩＰＡを採用するものである。
【００１６】
請求項３の基板乾燥装置は、前記乾燥用流体貯留手段として、複数枚の基板の並び方向と平行に延び、かつ上部が開放された乾燥用流体貯留凹所を有するものを採用するものである。
【００１７】
請求項４の基板乾燥装置は、前記乾燥用流体貯留手段として、乾燥用流体貯留凹所と平行に延び、乾燥用流体の液ダレを防止する液ダレ防止凹所をさらに有するものを採用するものである。
【００１８】
請求項５の基板乾燥装置は、前記乾燥用流体貯留手段に対して乾燥用流体を供給する乾燥用流体供給管路をさらに含むものである。
【００１９】
請求項６の基板乾燥装置は、前記乾燥用流体貯留手段に対して乾燥用流体を噴霧により供給する乾燥用流体噴霧手段をさらに含むものである。
【００２０】
請求項７の基板乾燥装置は、前記不活性ガスとして窒素ガスを採用するものである。
【００２１】
請求項８の基板乾燥装置は、前記第２不活性ガス供給手段として、複数枚の基板の並び方向と平行に延び、かつ複数枚の基板の並び方向と平行に所定間隔毎に形成された不活性ガス吐出孔を有するものを採用するものである。
【００２２】
請求項９の基板乾燥装置は、前記第２不活性ガス供給手段として、複数枚の基板の中心を結ぶ仮想中心軸の上方に位置し、基板の外周に接する方向よりも下向きに不活性ガスを吐出するものを採用するものである。
【００２３】
請求項１０の基板乾燥装置は、基板の外周に接する方向と鉛直下向き方向とのなす角をθ１とした場合に、不活性ガス吐出方向と鉛直下向き方向とのなす角θがθ１／３≦θ≦２θ１／３となるように不活性ガス吐出方向が設定されたものである。
【００２４】
請求項１１の基板乾燥装置は、前記不活性ガス吐出孔の口径を０．０５〜１ｍｍに設定したものである。
【００２５】
請求項１２の基板乾燥装置は、前記不活性ガス吐出孔の口径を０．１〜０．５ｍｍに設定したものである。
【００２６】
請求項１３の基板乾燥装置は、前記不活性ガス吐出孔どうしの間隔を基板どうしの間隔、もしくは基板どうしの間隔の整数分の１に設定したものである。
【００２７】
請求項１４の基板乾燥装置は、前記不活性ガス吐出孔から吐出される不活性ガスの初速を５０〜３００ｍ／ｓに設定したものである。
【００２８】
請求項１５の基板乾燥装置は、不活性ガスの初速を１００〜２００ｍ／ｓに設定したものである。
【００３４】
【作用】
請求項１の基板乾燥装置であれば、処理槽内に複数枚の基板を整列状態で収容し、かつ処理槽内における洗浄液の液面を基板に対して相対的に下降させながら基板の表面に乾燥用流体を供給することにより基板の表面を乾燥させるに当たって、乾燥用流体貯留手段によって処理槽内の上部所定位置に乾燥用流体を貯留しておき、第１不活性ガス供給手段によって、貯留した乾燥用流体に対して不活性ガスを吹き付けることにより処理槽内において乾燥用流体の液滴を発生させ、第２不活性ガス供給手段によって、不活性ガスを供給し、発生された乾燥用流体の液滴を各基板の表面に導くことができる。
【００３５】
したがって、不活性ガス、乾燥用流体の何れも高温にする必要がなく、安全性を高めることができるとともに、基板と洗浄液との浸漬界面に十分な量の乾燥用流体を供給して迅速かつ高品質な乾燥を達成することができる。また、超音波発生装置などが不要であるから信頼性、耐久性を高めることができる。
【００３６】
請求項２の基板乾燥装置であれば、前記乾燥用流体としてＩＰＡを採用するのであるから、安価で高品質なマランゴニ乾燥を達成することができ、ひいては請求項１と同様の作用を達成することができる。
【００３７】
請求項３の基板乾燥装置であれば、前記乾燥用流体貯留手段として、複数枚の基板の並び方向と平行に延び、かつ上部が開放された乾燥用流体貯留凹所を有するものを採用するのであるから、全ての基板の存在範囲に対応させて乾燥用流体の液滴を発生させることができ、ひいては請求項１または請求項２と同様の作用を達成することができる。
【００３８】
請求項４の基板乾燥装置であれば、前記乾燥用流体貯留手段として、乾燥用流体貯留凹所と平行に延び、乾燥用流体の液ダレを防止する液ダレ防止凹所をさらに有するものを採用するのであるから、乾燥用流体が直接基板に接触することを防止して不純物や金属化合物などが基板表面に析出するという不都合を未然に防止することができ、ひいては請求項１から請求項３の何れかと同様の作用を達成することができる。
【００３９】
請求項５の基板乾燥装置であれば、前記乾燥用流体貯留手段に対して乾燥用流体を供給する乾燥用流体供給管路をさらに含むのであるから、乾燥用流体の補給を簡単に行うことができ、しかも請求項１から請求項４の何れかと同様の作用を達成することができる。
【００４０】
請求項６の基板乾燥装置であれば、前記乾燥用流体貯留手段に対して乾燥用流体を噴霧により供給する乾燥用流体噴霧手段をさらに含むのであるから、乾燥用流体の補給を簡単に行うことができ、しかも請求項１から請求項４の何れかと同様の作用を達成することができる。
【００４１】
請求項７の基板乾燥装置であれば、前記不活性ガスとして窒素ガスを採用するのであるから、請求項１から請求項６の何れかと同様の作用を達成することができる。
【００４２】
請求項８の基板乾燥装置であれば、前記第２不活性ガス供給手段として、複数枚の基板の並び方向と平行に延び、かつ複数枚の基板の並び方向と平行に所定間隔毎に形成された不活性ガス吐出孔を有するものを採用するのであるから、基板どうしの間隙が小さくても乾燥用流体の液滴をスムーズに導入することができ、乾燥用流体の消費量を低減することができるとともに、乾燥用流体が可燃性である場合における防爆性を大幅に抑制することができ、しかも請求項１から請求項７の何れかと同様の作用を達成することができる。
【００４３】
請求項９の基板乾燥装置であれば、前記第２不活性ガス供給手段として、複数枚の基板の中心を結ぶ仮想中心軸の上方に位置し、基板の外周に接する方向よりも下向きに不活性ガスを吐出するものを採用するのであるから、乾燥用流体の液滴の殆どを基板どうしの間隙に導入することができ、しかも請求項１から請求項８の何れかと同様の作用を達成することができる。
【００４４】
請求項１０の基板乾燥装置であれば、基板の外周に接する方向と鉛直下向き方向とのなす角をθ１とした場合に、不活性ガス吐出方向と鉛直下向き方向とのなす角θがθ１／３≦θ≦２θ１／３となるように不活性ガス吐出方向が設定されているので、乾燥用流体の液滴の殆どを基板どうしの間隙のうち、より中心よりに導入することができ、しかも請求項９と同様の作用を達成することができる。
【００４５】
請求項１１の基板乾燥装置であれば、前記不活性ガス吐出孔の口径を０．０５〜１ｍｍに設定しているので、基板どうしの間隙に対する乾燥用流体の液滴の導入をスムーズにすることができ、しかも請求項１から請求項１０の何れかと同様の作用を達成することができる。
【００４６】
請求項１２の基板乾燥装置であれば、前記不活性ガス吐出孔の口径を０．１〜０．５ｍｍに設定しているので、基板どうしの間隙に対する乾燥用流体の液滴の導入を一層スムーズにすることができ、しかも請求項１１と同様の作用を達成することができる。
【００４７】
請求項１３の基板乾燥装置であれば、前記不活性ガス吐出孔どうしの間隔を基板どうしの間隔、もしくは基板どうしの間隔の整数分の１に設定しているので、基板どうしの間隙に対する乾燥用流体の液滴の導入をスムーズにすることができ、しかも請求項１から請求項１２の何れかと同様の作用を達成することができる。
【００４８】
請求項１４の基板乾燥装置であれば、前記不活性ガス吐出孔から吐出される不活性ガスの初速を５０〜３００ｍ／ｓに設定しているので、乾燥用流体の液滴を基板と洗浄液との浸漬界面にスムーズに供給することができ、しかも請求項１から請求項１３の何れかと同様の作用を達成することができる。
【００４９】
請求項１５の基板乾燥装置であれば、不活性ガスの初速を１００〜２００ｍ／ｓに設定しているので、乾燥用流体の液滴を基板と洗浄液との浸漬界面に一層スムーズに供給することができ、しかも請求項１４と同様の作用を達成することができる。
【００５０】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して、この発明の基板乾燥方法およびその装置の実施の態様を詳細に説明する。
【００５１】
図１はこの発明の基板乾燥装置の一実施態様を示す概略正面図、図２は概略側面図である。
【００５２】
この基板乾燥装置は、基板処理槽１と、基板処理槽１の内部に複数枚の基板（例えば、半導体ウエハーなど）２を起立状態で整列させて支承する基板支承部（図示せず）と、基板処理槽１の上部寄り所定位置に設けた乾燥用流体貯留部３と、乾燥用流体貯留部３に貯留された乾燥用流体６に対して不活性ガス（例えば、窒素ガス）を吹き付けて乾燥用流体の液滴を発生させる第１不活性ガス供給部４と、発生した乾燥用流体の液滴を基板２に向かって供給すべく不活性ガスを供給する第２不活性ガス供給部５とを有している。なお、７は乾燥用流体供給流路、８は第１不活性ガス供給部４および第２不活性ガス供給部５に不活性ガスを供給するための不活性ガス供給流路、９は純水である。
【００５３】
前記基板処理槽１は、図示しない洗浄液供給部により洗浄液が供給されることにより全ての基板２を洗浄液に浸漬させて各基板２の全表面を洗浄し、洗浄液を純水９で置換して純水９によるリンスを行い、その後、図示しない洗浄液排出部から純水９を排出するものである。
【００５４】
前記基板支承部は、複数枚の基板２の周縁部所定位置と係合して複数枚の基板２を起立状態で、かつ所定間隔ごとに整列させるものである。
【００５５】
前記乾燥用流体貯留部３は、複数枚の基板２の中心どうしを結ぶ仮想中心軸と平行に延びる本体部材３ａのほぼ全長範囲にわたって上面に開口するように形成された第１凹所３ｂを有するものである。なお、前記第１凹所３ｂとしては、基板２と平行な面による断面形状が矩形の第１凹所３ｂであってもよいが、基板２と平行な面による断面形状である図３に示すように、Ｖ字状の第１凹所３ｂであってもよい。そして、乾燥用流体貯留部３は、前記仮想中心軸を基準として複数枚の基板２の斜め上方に配置されている。また、乾燥用流体としては従来公知の種々のものが採用可能であるが、ＩＰＡを採用することが好ましく、マランゴニ乾燥を達成することができる。
【００５６】
前記第１不活性ガス供給部４は、前記乾燥用流体貯留部３の第１凹所３ｂの直上に配置された管体であるとともに、直下に向かって不活性ガスを吐出するように不活性ガス吐出孔（図示せず）が形成されている。そして、第１不活性ガス供給部４は、第１凹所３ｂに収容されている乾燥用流体の表面に不活性ガスを高速に吐出し、乾燥用流体の表面から乾燥用流体を微細な液滴として飛散させることができるように不活性ガス吐出孔の口径、ピッチ、吐出方向が設定されているとともに、不活性ガスの吐出初速が設定されている。ただし、前記管体としては、円筒状、角筒状など、種々の形状のものを採用することが可能である。また、不活性ガスの吐出方向は、直下に向く方向に限定されるものではなく、後述するように斜め下方に向く方向に設定してもよい。
【００５７】
前記第２不活性ガス供給部５は、前記仮想中心軸を基準として複数枚の基板２の直上に配置された管体であるとともに、基板２に向かう方向に不活性ガスを吐出する不活性ガス吐出孔（図示せず）が形成されている。そして、不活性ガス吐出孔のピッチを基板２のピッチと等しく設定し、もしくは基板２のピッチの整数分の１に設定することが好ましく、不活性ガス吐出孔を基板２どうしの間隙に正対させることが好ましい。また、不活性ガス吐出孔の口径は０．０５〜１ｍｍ程度に設定すればよいが、０．１〜０．５ｍｍに設定することが好ましい。さらに、図４に示すように、第２不活性ガス供給部５から鉛直下方に向く方向と、第２不活性ガス供給部５から基板２の外周に接する方向に向く方向とのなす角をθ1に設定した場合に、第２不活性ガス供給部５から鉛直下方に向く方向と、実際に不活性ガスが吐出される方向とのなす角θを０≦θ≦θ1に設定すべく不活性ガス吐出孔を形成すればよいが、（１／３）θ1≦θ≦（２／３）θ1に設定すべく不活性ガス吐出孔を形成することが好ましい。さらにまた、不活性ガス吐出部から吐出される不活性ガスの初速を５０〜３００ｍ／ｓに設定すればよいが、１００〜２００ｍ／ｓに設定することが好ましい。ただし、前記管体としては、円筒状、角筒状など、種々の形状のものを採用することが可能である。
【００５８】
上記の構成の基板乾燥装置の作用は次のとおりである。
【００５９】
基板処理槽１内に起立、整列状態で支承された複数枚の基板２の表面を洗浄液により洗浄した後、洗浄液を純水９で置換して純水９によるリンスを行い、その後、純水９を排出しながら以下のようにして基板２の表面を乾燥させる。ただし、洗浄液による洗浄を行うことなく、純水９によるリンスのみを行う場合もある。
【００６０】
すなわち、乾燥用流体供給流路７により供給され、乾燥用流体貯留部３の第１凹所３ｂに貯留された乾燥用流体６の液面に対して、不活性ガス供給流路８から第１不活性ガス供給部４を通して不活性ガスを吹き付けることによって、乾燥用流体６の微細な液滴を発生させ、この液滴を浮遊させる。
【００６１】
そして、不活性ガス供給流路８から第２不活性ガス供給部５を通して不活性ガスを基板２どうしの間隙に吐出することによって、浮遊している乾燥用流体の液滴を引き込んで基板２どうしの間隙に導き、基板２と純水９との浸漬界面に十分な量の乾燥用流体を供給することができる。この結果、供給された乾燥用流体によって基板乾燥を達成し、基板２の表面を迅速、かつ高品質に乾燥させることができる。特に、基板２どうしの間隙を、基板搬送用カセットに収容された状態における間隔の１／２に設定した場合であっても、乾燥用流体の液滴を用い、高速に導入するのであるから、十分な量の乾燥用流体の供給を達成することができる。
【００６２】
また、上記の説明から分かるように、乾燥用流体６を昇温させる必要が全くないのであるから、安全性を高めることができるとともに、コストを低減することができる。さらに、超音波発生装置などが不要であるから、信頼性、耐久性を高めることができる。さらにまた、乾燥用流体の液滴を採用するので、乾燥用流体の蒸気を採用する場合と比較して、乾燥用流体の消費量を低減することができる。
【００６３】
特に、乾燥用流体としてＩＰＡを採用する場合には、それ自体が可燃性を有しているが、昇温させる必要が全くないこと、および使用量を低減できることに起因して、安全性を高めることができ、防爆などの設備を不要にすることができる。
【００６４】
図５は乾燥用流体貯留部３の他の構成例を示す縦断面図である。
【００６５】
この乾燥用流体貯留部３が図１に示す乾燥用流体貯留部３と異なる点は、本体部材３ａの幅を大きく設定するとともに、第１凹所３ｂと平行に延びる第２凹所３ｃを形成した点のみである。
【００６６】
この第２凹所３ｃは、液だれ防止のための凹所であり、第１凹所３ｂよりも基板２に近い側に配置されている。
【００６７】
したがって、この場合には、乾燥用流体の液だれが生じても、この液だれが第２凹所３ｃに収容されるので、液だれが基板２に付着して金属や有機物を析出させてしまうという不都合の発生を未然に防止することができる。
【００６８】
ただし、乾燥用流体貯留部３の配置位置が基板２のほぼ直上位置に設定されている場合には、第１凹所３ｂを挟むように１対の第２凹所３ｃを配置することが好ましい。
【００６９】
図６は乾燥用流体貯留部３に対する乾燥用流体の供給を行うための構成の一例を示す概略図である。
【００７０】
図６においては、第１凹所３ｂの直上に乾燥用流体を噴出させるための乾燥用流体ノズル３ｄを配置している。
【００７１】
この構成を採用した場合には、乾燥用流体ノズル３ｄから乾燥用流体を噴出させることにより第１凹所３ｂに乾燥用流体を貯留するとともに、ある程度の乾燥用流体の液滴を発生させることができる。
【００７２】
したがって、乾燥用流体の液滴の発生効率を高めることができる。
【００７３】
もちろん、乾燥用流体の噴出速度を十分に大きく設定すれば、不活性ガスの吐出を行わせることなく十分な量の乾燥用流体の液滴を発生させることができ、配管系統を簡素化することができる。
【００７４】
さらに、乾燥用流体ノズル３ｄを設ける代わりに、乾燥用流体を第１凹所３ｂに供給するための配管を設けてもよい。
【００７５】
また、これらの場合において、乾燥用流体の供給量は、１回の乾燥処理について５〜３０ｍｌ程度に設定すればよい。
【００７６】
図７は基板２を基準とする乾燥用流体貯留部３、第１不活性ガス供給部４、および第２不活性ガス供給部５の配置の他の例を示す概略図である。
【００７７】
図７の配置が図１の配置と異なる点は、第１不活性ガス供給部４をより外方に配置して不活性ガスを斜め下方に吐出するようにした点のみである。
【００７８】
したがって、この場合には、不活性ガスの吐出に伴って乾燥用流体の液滴を集中的に中央側（第２不活性ガス供給部側）に発生させることができ、乾燥用流体の液滴を効率よく基板２どうしの間隙に導くことができる。
【００７９】
上記の実施態様においては、第２不活性ガス供給部５を中央部に１つ設け、乾燥用流体貯留部３および第１不活性ガス供給部４を外側部に２つづつ設けている。しかし、乾燥用流体貯留部３および第１不活性ガス供給部４を中央部に１つ設け、第２不活性ガス供給部５を外側部に２つ設けることが可能であるほか、乾燥用流体貯留部３および第１不活性ガス供給部４の数、第２不活性ガス供給部５の数を任意に設定することが可能である。
【００８０】
また、上記の実施態様においては、基板処理槽１として単槽構造のものを採用しているが、二重槽構造のものを採用することが可能である。
【００８６】
【発明の効果】
請求項１の発明は、不活性ガス、乾燥用流体の何れも高温にする必要がなく、安全性を高めることができるとともに、基板と洗浄液との浸漬界面に十分な量の乾燥用流体を供給して迅速かつ高品質な乾燥を達成することができ、また、超音波発生装置などが不要であるから信頼性、耐久性を高めることができるという特有の効果を奏する。
【００８７】
請求項２の発明は、安価で高品質なマランゴニ乾燥を達成することができ、ひいては請求項１と同様の効果を奏する。
【００８８】
請求項３の発明は、全ての基板の存在範囲に対応させて乾燥用流体の液滴を発生させることができ、ひいては請求項１または請求項２と同様の効果を奏する。
【００８９】
請求項４の発明は、乾燥用流体が直接基板に接触することを防止して不純物や金属化合物などが基板表面に析出するという不都合を未然に防止することができ、ひいては請求項１から請求項３の何れかと同様の効果を奏する。
【００９０】
請求項５の発明は、乾燥用流体の補給を簡単に行うことができ、しかも請求項１から請求項４の何れかと同様の効果を奏する。
【００９１】
請求項６の発明は、乾燥用流体の補給を簡単に行うことができ、しかも請求項１から請求項４の何れかと同様の効果を奏する。
【００９２】
請求項７の発明は、請求項１から請求項６の何れかと同様の効果を奏する。
【００９３】
請求項８の発明は、基板どうしの間隙が小さくても乾燥用流体の液滴をスムーズに導入することができ、乾燥用流体の消費量を低減することができるとともに、乾燥用流体が可燃性である場合における防爆性を大幅に抑制することができ、しかも請求項１から請求項７の何れかと同様の効果を奏する。
【００９４】
請求項９の発明は、乾燥用流体の液滴の殆どを基板どうしの間隙に導入することができ、しかも請求項１から請求項８の何れかと同様の効果を奏する。
【００９５】
請求項１０の発明は、乾燥用流体の液滴の殆どを基板どうしの間隙のうち、より中心よりに導入することができ、しかも請求項９と同様の効果を奏する。
【００９６】
請求項１１の発明は、基板どうしの間隙に対する乾燥用流体の液滴の導入をスムーズにすることができ、しかも請求項１から請求項１０の何れかと同様の効果を奏する。
【００９７】
請求項１２の発明は、基板どうしの間隙に対する乾燥用流体の液滴の導入を一層スムーズにすることができ、しかも請求項１１と同様の効果を奏する。
【００９８】
請求項１３の発明は、基板どうしの間隙に対する乾燥用流体の液滴の導入をスムーズにすることができ、しかも請求項１から請求項１２の何れかと同様の効果を奏する。
【００９９】
請求項１４の発明は、乾燥用流体の液滴を基板と洗浄液との浸漬界面にスムーズに供給することができ、しかも請求項１から請求項１３の何れかと同様の効果を奏する。
【０１００】
請求項１５の発明は、乾燥用流体の液滴を基板と洗浄液との浸漬界面に一層スムーズに供給することができ、しかも請求項１４と同様の効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の基板乾燥装置の一実施態様を示す概略正面図である。
【図２】同上の概略側面図である。
【図３】乾燥用流体貯留部の他の構成例を示す縦断面図である。
【図４】第２不活性ガス供給部からの不活性ガスの吐出方向を説明する概略図である。
【図５】乾燥用流体貯留部の他の構成例を示す縦断面図である。
【図６】第１凹所に対する乾燥用流体の供給構成を示す概略図である。
【図７】基板を基準とする乾燥用流体貯留部、第１不活性ガス供給部、および第２不活性ガス供給部の配置の他の例を示す概略図である。
【符号の説明】
１  基板処理槽    ２  基板
３  乾燥用流体貯留部    ３ｂ  第１凹所
３ｃ  第２凹所    ３ｄ  乾燥用流体ノズル
４  第１不活性ガス供給部    ５  第２不活性ガス供給部
６  乾燥用流体    ９  純水
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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