(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードフレームを用いて、半導体パワーモジュールを製造する方法であって、
フレームの一側端に形成され、一体して切断可能な直線状の共通切断片と、前記共通切断片に対して略直角方向に延在して形成され、同一棒状をなす複数のくし型形状端と、前記共通切断片と一端が接続され、かつ、前記各くし型形状端の延在方向であるフレーム本体部に形成された部品搭載領域とが一体にして構成された前記リードフレームにおいて、
前記部品搭載領域に半導体電子部品を設け、該半導体部品の電極パッドが前記共通切断片の延長線上に位置するように位置合わせを行う接続位置調整工程と、
前記各くし型形状端と、該くし型形状端の延長線上に位置する前記半導体電子部品の電極パッドとの間で、接続ワイヤーを用いて延長線方向に沿って順次電気的接続を行う配線工程と、
ヒートシンク上に絶縁樹脂層を介して、前記電極パッドが位置合わせされた前記リードフレームを設けるフレーム接合工程と、
成形樹脂を用いて、前記リードフレームの前記共通切断片の領域を除くフレーム内部領域をモールドする封止工程と、
前記モールドされていない共通切断片を除去して、前記各くし型形状端を入出力用端子として形成する切断片除去工程と
を具えたことを特徴とする半導体パワーモジュールの製造方法。
【請求項２】
前記フレーム接合工程は、
前記半導体電子部品が、エポキン樹脂と有機酸を主成分とするフラックス入りの半田を塗工し、所定の熱処理条件で前記リードフレームへ固着させる工程
を含むことを特徴とする請求項１記載の半導体パワーモジュールの製造方法。
【請求項３】
前記各くし型形状端の一部に、段差状の薄板部を形成したことを特徴とする請求項１又は２記載の半導体パワーモジュールの製造方法。
【請求項４】
前記フレームの一側端に形成された各くし型形状端の領域が、前記フレーム本体部に形成された前記部品搭載領域に対して異なる平面上に位置するように、該フレームの形状に所定の段差を付けて形成したことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体パワーモジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、インバータや電源装置に適用可能な、半導体パワーモジュールの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体パワーモジュールは、半導体素子、チップ部品などの電子部品を実装して構成されるものである。この半導体パワーモジュールは、従来、セラミックスや金属ベース基板などの絶縁基板上に銅箔をエッチングすることで回路となるパターンを形成した回路基板を用い、回路基板の銅箔パターン上に半導体素子、チップ部品などの電子部品を半田付けなどで実装することによって構成していた。
【０００３】
（従来例１）
図１５は、従来の一般的な半導体パワーモジュールの製造工程１００を示す。
先ず、金属ベース基板の銅箔上に回路パターニングを施す。それとは別に、銅チップなどで構成した発熱拡散用のヒートスプレッダを準備し、半導体素子を半田付けする。次に、金属ベース基板上にクリーム半田を塗工、半導体素子を半田付けしたヒートスプレッダ、ゲート用抵抗素子、サーミスタを所定位置にマウントし、半田付けする。更に、半田付けが終了した金属ベース基板上に残存している半田フラックスは洗浄により除去され、アルミ製ワイヤーなどがボンディングされる。
【０００４】
樹脂製の外部端子付きのケース枠を準備し、これを金属ベース基板の周囲を囲むようにはめ込んでケース枠の底部と金属ベース基板の全周囲とを接着剤で固着し、更に、ケース枠の端子部分を金属ベース基板上の銅箔パターンの所定の位置に半田付けし、その後、洗浄を施し、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂などの封止樹脂を準備して、これを金属ベース基板とケース枠で囲まれた部分に注入し、硬化させる。このようにして、金属ベース基板上に半導体素子が実装された、ケース枠付きの半導体パワーモジュールが作製される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
（問題１）
しかし、昨今の半導体パワーモジュールには、製造コストを低減させ、かつ、半導体素子と放熱フィンとの間の熱抵抗を低減させることが要求されている。
【０００６】
このうち、製造コスト低減のためには、半導体パワーモジュールの構成部品数を減らして製造方法を簡略化させることが必要とされるものの、従来型の半導体パワーモジュールでは金属ベース基板と樹脂製ケース枠を必須の構成要素とするために、銅箔をエッチングして回路パターンを形成したり、外部端子との接続のために予め端子を付属させたケース枠を必要とされることから、製造コストの低減には限界があった。
【０００７】
また、電気的絶縁不良の原因となるボイドやクラックの発生を防止するためには、ケース枠に封止樹脂を充填しそれを硬化させる工程が必要とされるため、製造に要する時間が長くなり、スループットが低下して製造コストを上昇させる原因となっていた。
【０００８】
（問題２）
その一方で、半導体パワーモジュールの製造コストの低減を図るために、トランスファー成形、射出成形などのフルモールド成形方法を採用した低コストの半導体モジュールが考案されている。
【０００９】
この種の構造における半導体パワーモジュールでは、ヒートシンク下面とリードフレームの外部端子部分の一部を除くモジュール全体が形成樹脂によってモールドされているため、高価な金属ベース基板やケース枠を必要としない。また、比較的長時間を必要とする封止樹脂の充填・硬化工程も不要である。このため、製造コストを大幅に削減することができる。
【００１０】
例えば、特開平９−１３９４６１号公報に開示されているように、リードフレームが配線パターンと外部端子とを兼ねたものがある。すなわち、この製造方法は、打ち抜き加工によって得たリードフレーム上に、ＩＧＢＴ素子、フリーホイールダイオード、集積回路素子、抵抗素子、容量素子などの各素子を固着し、その後、ボンディングワイヤーによるワイヤーボンディングを行い、金型を用いて絶縁樹脂の封止をするものである。
【００１１】
この製造方法の場合、リードフレームとヒートシンクとの間に絶縁性を有する封止樹脂を充填させて、リードフレームとヒートシンクとの間の電気的絶縁を図りつつ、これらを相互に連結させて樹脂封止を行っている。
【００１２】
しかし、一般的なゲート用抵抗素子やサーミスタ素子等のチップ部品は、外形が１．６×０．８、２．０×１．２５又は３．２×１．６ｍｍと微小であり、さらに図７に示すように、１辺とそれと対向する辺に電極を形成したものであるため、それらチップ部品を数ｍｍ間隔のリードフレーム間に正確に固着する必要がある。
【００１３】
その結果、チップ部品の接着作業にかなりの精度が要求され面倒であり、これにより、製造工程が複雑化し、作業効率や歩留まりに悪影響を及ぼすという問題が生じる。
【００１４】
（問題３）
また、他の従来例として、例えば、特開２００１−１９６４９５号公報に開示されているような樹脂モールド用回路基板がある。
【００１５】
この製造方法は、リードフレームを、金属板上に絶縁層を介して設けたことを特徴とするものである。
【００１６】
しかし、この製造方法では、リードフレームの厚さの分、ゲート用抵抗素子やサーミスタ素子の下部分にトンネル状の空間ができてしまい、成形樹脂の流れ込みが困難であり、フロー性の良い高価な成形樹脂を使う必要がある。
【００１７】
その結果、フルモールド成形方法による低コストタイプの半導体パワーモジュールでは、ゲート用抵抗素子やサーミスタ素子等のチップ部品を半導体パワーモジュール内部に実装することが困難であった。
【００１８】
そこで、本発明の目的は、チップ部品のリードフレームへの接着作業や、ワイヤー接続作業の単純化を図り、作業効率および歩留まりを向上させ、製造コストを低減させることが可能な、半導体パワーモジュールの製造方法に関する。
【００１９】
また、本発明の他の目的は、チップ部品を内蔵しても熱的特性および電気的特性に優れた低コストな、半導体パワーモジュールの製造方法に関する。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、リードフレームを用いて、半導体パワーモジュールを製造する方法であって、フレームの一側端に形成され、一体して切断可能な直線状の共通切断片と、前記共通切断片に対して略直角方向に延在して形成され、同一棒状をなす複数のくし型形状端と、前記共通切断片と一端が接続され、かつ、前記各くし型形状端の延在方向であるフレーム本体部に形成された部品搭載領域とが一体にして構成された前記リードフレームにおいて、前記部品搭載領域に半導体電子部品を設け、該半導体部品の電極パッドが前記共通切断片の延長線上に位置するように位置合わせを行う接続位置調整工程と、前記各くし型形状端と、該くし型形状端の延長線上に位置する前記半導体電子部品の電極パッドとの間で、接続ワイヤーを用いて延長線方向に沿って順次電気的接続を行う配線工程と、ヒートシンク上に絶縁樹脂層を介して、前記電極パッドが位置合わせされた前記リードフレームを設けるフレーム接合工程と、成形樹脂を用いて、前記リードフレームの前記共通切断片の領域を除くフレーム内部領域をモールドする封止工程と、前記モールドされていない共通切断片を除去して、前記各くし型形状端を入出力用端子として形成する切断片除去工程とを具えたことを特徴とする。
【００２２】
前記フレーム接合工程は、前記半導体電子部品が、エポキン樹脂と有機酸を主成分とするフラックス入りの半田を塗工し、所定の熱処理条件で前記リードフレームへ固着させる工程を含むことを特徴とする。
【００２３】
前記各くし型形状端の一部に、段差状の薄板部を形成したことを特徴とする。
【００２４】
前記フレームの一側端に形成された各くし型形状端の領域が、前記フレーム本体部に形成された前記部品搭載領域に対して異なる平面上に位置するように、該フレームの形状に所定の段差を付けて形成したことを特徴とする。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を詳細に説明する。
［第１の例］
本発明の第１の実施の形態を、図１に基づいて説明する。
（リードフレーム）
本例では、リードフレームの構成について説明する。
図１は、本発明に係るリードフレーム１の構成例を示す。
【００２８】
リードフレーム１は、電子部品搭載用の大きな平面部を有するフレーム本体部２，３，４，５と、接続片６と、フレームの一側端のＸ方向に沿って配設された直線状の共通切断片７と、共通切断片７に連接されＹ方向に延在する複数のくし型形状端８とに大別される。共通切断片７と複数のくし型形状端８とは、モールド後に切断される。
【００２９】
ここで、共通切断片７、および、くし型形状端８の特徴について説明する。  共通切断片７は、各くし型形状端８を共通接続して固定端とされているが、部品搭載したモールド後はフレーム本体から切断されるため、各くし型形状端８が自由端となる。
【００３０】
複数のくし型形状端８は、共通切断片７の方向（Ｘ方向）に対して略直角なＹ方向すなわち該形状端の延長線上に延在されており、全て同一な平板棒形状（例えば、幅、板厚さが略同じ）をなしている。また、各くし型形状端８は、チップ部品を橋渡し搭載するために、Ｘ方向に対して一定の間隔Δで配列されている。
【００３１】
（電極パッドの位置）
図２は、リードフレーム１の電極パッドの位置を示す。
【００３２】
チップ部品１０を橋渡しする一方のくし型形状端８ａは、外部回路への引出線とされている。また、そのチップ部品１０を橋渡しする他方のくし型形状端８ｂは、フレーム内部における部品搭載領域Ａ内の電極パッド９の延長線上に配置されている。
【００３３】
言い替えると、リードフレーム１のくし型形状端８の延長線上（すなわち、Ｙ方向）に、半導体電子部品としての半導体素子１１を電気的に接続するための電極パッド９が配置されている。
【００３４】
このように、各くし型形状端８の延長線上に電極パッド９を配置したことにより、くし型形状端８と該延長線上に位置する電極パッド９との間、又は、互いに延長線上に位置する電極パッド９間で、ボンディングワイヤーを用いて電気的接続を行う場合に、単にＹ方向の１ライン方向のみに沿って順次配線を行っていけばよいことになる。
【００３５】
従って、くし型形状端の延長線上にチップ部品および半導体素子の電極パッドを単純に配置し、そのライン方向に沿って単純にワイヤーボンディングを行うことにより、チップ部品のリードフレームへの接着作業を簡略化させると共に、ワイヤー接続工程の単純化を図ることができる。
【００３６】
［第２の例］
本発明の第２の実施の形態を、図３〜図９に基づいて説明する。
（製造方法）
本例では、半導体パワーモジュールの製造方法について説明する。
図３は、本発明に係る半導体パワーモジュールの基本的な製造工程を示す。
【００３７】
ステップＳ１では、リードフレーム１の共通切断片７に設けられた複数のくし型形状端８の延長線上（Ｙ方向）に、半導体素子１１を電気的に接続するための電極パッド９が位置するように位置合わせを行う（図２参照）。
【００３８】
ステップＳ２では、各くし型形状端８とその延長線上に位置する電極パッド９との間、又は、延長線上に位置する電極パッド９間で、ボンディングワイヤーを用いて延長線方向に沿って順次電気的接続（いわゆる、１ライン配線）を行う。
【００３９】
ステップＳ３では、電極パッド９の位置合わせが調整されたリードフレーム１を、ヒートシンク上に絶縁樹脂層を介して接合する。
【００４０】
ステップＳ４では、成形樹脂を用いて、リードフレーム１の共通切断片７の領域を除いたフレーム内部の部品搭載領域Ａをモールドして封止する。
【００４１】
ステップＳ５では、モールドされていない共通切断片７をフレーム本体から除去することにより、各くし型形状端８ａ，８ｂを入出力用端子として形成する。
【００４２】
このように延長線上すなわちＹ方向に沿って単純に移動させながらワイヤー配線を行うことにより、チップ部品１０や半導体素子１１の電気的接続作業を簡略化して製造工程の単純化を図ることが可能となり、これにより、作業効率および歩留まりを向上させて製造コストを低減させることができる。
【００４３】
チップ部品１０としては、抵抗、サーミスタ、コンデンサ、サージアブソーバを用いることができる。半導体素子１１としては、ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、ＦＷＤ（Ｆｒｅｅ  Ｗｈｅｅｌ  Ｄｉｏｄｅ）を用いることができる。
【００４４】
以下、具体例を挙げて説明する。
【００４５】
図４は、半導体パワーモジュールの製造例を示す
ステップＳ１１では、図１に示したような、共通切断片７および複数のくし型形状端８を備えたリードフレーム１を準備する。リードフレーム１は、銅からなり、打ち抜き構造となっており、これによりくし型形状端８は共通切断片７に連結されているため、バラバラになることがない。
【００４６】
ステップＳ１２では、チップ部品１０や半導体素子１１を搭載するために、リードフレーム１のくし型形状端８や部品搭載領域Ａ内の所定位置に、クリーム半田をディスペンサーにより塗工する。
【００４７】
ステップＳ１３では、炉組みによって、電極パッド９の位置合わせを行う（接続位置調整工程）。
【００４８】
図５（ａ）（ｂ）は、炉組み用のカーボン治具２０の構成例を示す。図５（ａ）はカーボン治具２０の平面図、図５（ｂ）はそのａ−ａ断面図である。
【００４９】
２段の掘り込みの入った炉組み用のカーボン治具２０を準備する。このカーボン治具２０には、深掘部分２１，２２と、浅掘部分２３とが形成されている。そして、深堀部分２１の所定位置、すなわち、くし型形状端８に対応する位置には、チップ部品１０を落し込む。同様に、他の深堀部分２２の所定位置、すなわち、部品搭載領域Ａに対応する位置には、半導体素子１１を落し込む。一方、浅掘部分２３には、リードフレーム１を落し込む。
【００５０】
ステップＳ１４では、リードフレーム１の半田付け行う（配線工程）。すなわち、炉組みしたカーボン治具２０とは別のカーボン治具３０を用意し、このカーボン治具３０をピン位置に合わせて炉組みしたカーボン治具２０の全体を覆わせ、その後、ひっくり返してリフロー炉中で、２４０℃、１０分間の条件で半田付けを行うことにより、リードフレーム１上にチップ部品１０や半導体素子１１を固着する。
【００５１】
このようにして、チップ部品１０をリードフレーム１４の各々２本のくし型形状端８（図２では、くし型形状端８ａ，８ｂ）上に橋渡しさせて配置させ、さらに、そのくし型形状端８（図２では、くし型形状端８ｂ）の対となる延長線上の位置に半導体素子１１の電極パッド９が配置されるように位置合わせをした状態で、リードフレーム１上の所定位置でチップ部品１０や半導体素子１１を半田付けする。
【００５２】
図６は，チップ部品１０を、その電極部１０ａでリードフレーム１上の各々２本のくし型形状端８に橋渡しさせて並べた構造の例を示す。図７は、その断面構造の例を示す。
【００５３】
ステップＳ１５では、不要なフラックスを洗浄する。
【００５４】
ステップＳ１６では、ワイヤーとしてφ０．３ｍｍのアルミニウムワイヤーを用い、ワイヤーボンディングすることによって素子間を電気的に接続して実装する。
【００５５】
図８は、ワイヤーボンディングの順序（▲１▼→▲２▼→▲３▼→▲４▼→▲５▼→▲６▼→▲７▼）を示す。
【００５６】
▲１▼右下のワイヤー４０をＹ方向ラインの下から上へ接続する。これは、くし型形状端８ｂから、フレーム本体部３の電極パッド９への接続である。
【００５７】
→▲２▼同一Ｙ方向ラインの延長線上で、ワイヤー４１を下から上へ接続する。これは、フレーム本体部３の電極パッド９から、フレーム本体部２の電極パッド９への接続である。
【００５８】
→▲３▼左にシフトしたＹ方向ライン上で、ワイヤー４２を上から下へ接続する。これは、フレーム本体部２の電極部９から、フレーム本体部３の電極パッド９への接続である。
【００５９】
→▲４▼左にシフトしかつ下方に移動したＹ方向ライン上で、ワイヤー４３の上から下へ接続する。これは、フレーム本体部３の電極パッド９から、くし型形状端８ｂへの接続である。
【００６０】
→▲５▼左にシフトしかつ上方に移動したＹ方向ライン上で、ワイヤー４４の下から上へ接続する。これは、フレーム本体部３の電極部９から、フレーム本体部６の電極パッド９への接続である。
【００６１】
→▲６▼左にシフトしたＹ方向ライン上で、ワイヤー４５を上から下へ接続する。これは、フレーム本体部６の電極部９から、フレーム本体部３の電極パッド９への接続である。
【００６２】
→▲７▼下方へ移動しかつ左にシフトしたＹ方向ライン上で、ワイヤー４６をＹラインの下から上へ接続する。これは、くし型形状端８ｂから、フレーム本体部２の電極パッド９への接続である。
【００６３】
このように、順次右から左へ一筆書きの要領でワイヤー接続することが可能となり、接続作業の簡略化を図ることができる。
【００６４】
ステップＳ１７では、リードフレーム１のモールド成形を行う。すなわち、図６に示すように、ヒートシンクとしての金属絶縁板５０上に絶縁樹脂層５１を介して、リードフレーム１を積載し、さらに、成形樹脂５２を準備して、トランスファー成形機を使用して１７５℃で２分間のトランスファ成形を行うことによって、樹脂をモールドする。
【００６５】
ステップＳ１８では、図９に示すように、モールドされていないリードフレーム１の不要部分、すなわち共通切断片７を切断し、これにより、各くし型形状端８ａ，８ｂを入出力用端子として形成する。
【００６６】
以上の説明より、図１に示したリードフレーム１を用いた半導体モジュールの製造方法における利点についてまとめる。
【００６７】
（利点１）マウント工程の簡略化を図ることができる。
すなわち、従来は、個別チップ、又は、裏面共通電極の複数個のチップに対して、それぞれヒートスプレッドを置いていたため、多数のヒートスプレッダが必要であった。これに対して、共通切断片７をもつリードフレーム１の構造とすることにより、多数のヒートスプレッダを必要とせず、一括で切断処理することができる。これにより、基板上へ半田付けするためのマウントを簡略化することができる。
【００６８】
（利点２）レイアウトの簡略化によるモジュール小型化を図ることができる。
すなわち、図９に示すように、リードフレーム１の共通切断片７から延在した複数のくし型形状端８の延長線上に、半導体素子１１の電極パッド９が位置するように設計することにより、半導体素子１１やワイヤー６０を密に配置することができ、半導体モジュールの小型化をさらに図ることができる。
【００６９】
（利点３）レイアウトの簡略化によるワイヤーボンディング工程の簡略化を図ることができる。
すなわち、図９に示すように、リードフレーム１の共通切断片７から延在した複数のくし型形状端８の延長線上に、半導体素子１１の電極パッド９が位置するように設計することにより、ワイヤー６０を一方向に配置することができ、ワイヤーボンディング時にヘッド回転することがなくなり、ワイヤー組み付けの作業速度を向上させることができる。
【００７０】
（利点４）ワイヤー方向の統一化によるワイヤー倒れを防止することができる。
すなわち、図９に示すように、リードフレーム１の共通切断片７から延在した複数のくし型形状端８の延長線上に、半導体素子１１の電極パッド９が位置するように設計することにより、ワイヤー６０を一方向に配置することができ、トランスファー成形時の成形樹脂５２の注入方向と揃えることにより、ワイヤー倒れをなくすことができ、歩留まりを向上させることができる。
【００７１】
（利点５）ワイヤーの配線ミスや、ノイズ等に関する電気的特性や熱的特性を改善することができる。
すなわち、接続されるワイヤー６０は一方向すなわちＹ方向に全て揃えられ、かつ、一定間隔をもって平行に配列されていることから、ワイヤー配線ミスや混線によるショートを発生する割合を少なくすることができる。
【００７２】
また、ワイヤー６０や主要な配線方向を全て一方向（Ｙ方向）に統一するフレーム設計としているので、ワイヤー６０に流れる電流（例えば、２０Ａ程度）によって発生するインダクタンスによる電磁誘導の影響を相殺させることができ、電気的特性を改善できる。
【００７３】
さらに、半導体素子１１は、パワー型電力素子であるため熱を放出するが、リードフレーム１のフレーム本体部２〜５のレイアウト、すなわち、放熱面積、素子間の配置間隔、熱の伝導方向、モールド後の基板の厚さ等を考慮して設計しているので、その熱の効果的な放散を行うことができ、熱的特性を改善することができる。
【００７４】
このように電気的特性および熱的特性の改善を図ることができるため、ノイズ等を効率良く低減して、多相交流の電圧・電流を安定した状態で出力することが可能となる。
【００７５】
［第３の例］
本発明の第３の実施の形態を、図１０〜図１２に基づいて説明する。
（半導体パワーモジュール）
本例では、半導体パワーモジュールの構造について説明する。
【００７６】
図１０は、本発明に係る半導体パワーモジュールの構成例を示す。図１１は、そのモジュールの断面図を示す。
【００７７】
半導体パワーモジュールは、第１の例で示したリードフレーム１、および、第２の例で示したモジュール製造方法を用いて作製される。
【００７８】
すなわち、金属のヒートシンク５０上に絶縁樹脂層５１を介してリードフレーム１が設けられている。リードフレーム１上には、半田で固着されたパワー型の半導体素子１１と微小なチップ部品１０とが搭載されており、これら部品間はワイヤー６０で配線されている。この場合、チップ部品１０は、２本のくし型形状端８ａ，８ｂ間に橋渡し搭載されている。その一方のくし型形状端８ｂと、その延長線上に位置する電極パッド９との間は、ワイヤー６０（アルミワイヤー）で接続されている。従って、このワイヤー６０を介して、電極パッド９に接続された半導体素子１１と、チップ部品１０とが電気的に接続されることになる。
【００７９】
そして、図１１に示すように、ワイヤー接続されたモジュール全体を成形樹脂５２で覆う構造とすることにより、所望の半導体パワーモジュールが作製される。なお、絶縁樹脂層５１は、成形樹脂５２と同じ材料を使用してもよい。
【００８０】
（回路構成）
図１２は、図１０の構造に対応した回路構成を示す。
Ｕ，Ｖ，Ｗの各素子は、フレーム本体部２に搭載されたパワー型の半導体素子としてのＩＧＢＴ１１である。このコレクタ端子とエミッタ端子間には、ＦＷＤ１２が接続されている。各素子において、ＵＧ，ＶＧ，ＷＧは、制御信号用のゲート端子である。ＵＥ，ＶＥ，ＷＥは、エミッタ端子であり、センシング用端子として用いられる。これらゲート・エミッタの各端子は、くし型形状端８として構成されている。
【００８１】
同様に、Ｘ，Ｙ，Ｚの各素子は、フレーム本体部３，４，５にそれぞれ搭載されたＩＧＢＴ１１であり、これら各素子にはＦＷＤ１２がそれぞれ接続されている。各素子において、ＸＧ，ＹＧ，ＺＧは、制御信号用のゲート端子である。ＸＥ，ＹＥ，ＺＥは、エミッタ端子であり、センシング用端子として用いられる。これらゲート・エミッタの各端子は、くし型形状端８として構成されている。
【００８２】
そして、Ｕ，Ｖ，Ｗの上段のみを駆動する場合は、端子Ｐ−端子ＵＸ間、端子Ｐ−端子ＶＹ間、端子Ｐ−端子ＷＺ間にそれぞれ、６００Ｖを印加し、２０Ａを供給する。これにより、電流は、端子Ｐから端子ＵＸへ、端子Ｐから端子ＶＹへ、端子Ｐから端子ＷＺへと流れ、負荷に供給される。
【００８３】
また、Ｕ，Ｖ，Ｗの上段と、Ｘ，Ｙ，Ｚの下段の両方を同時に駆動する場合は、上記条件に加えさらに、端子Ｎ−端子ＵＸ間、端子Ｎ−端子ＶＹ間、端子Ｎ−端子ＷＺ間にｍそれぞれ、６００Ｖを印加する。これにより、電流は、端子Ｐから端子Ｎへと流れ、負荷に供給される。
【００８４】
なお、リードフレーム１は、その板厚ｔ＝０．８ｍｍ、くし型形状端８の幅ｗ＝１ｍｍ、間隔ｄ＝２ｍｍとし、また、端子Ｐ、端子Ｎの幅ｗ＝４ｍｍとして設計した。
【００８５】
このように、板状金属からなるヒートシンク５０上に絶縁樹脂層５１を介して設けられたリードフレーム１とからなり、リードフレーム１の２本のくし型形状端８ａ，８ｂ上に橋渡しされたチップ部品１０を固着して半導体パワーモジュールを構成することにより、従来モジュール外部に設けていた外形が１．６ｍｍ×０．８ｍｍ、２．０ｍｍ×１．２５ｍｍ、又は３．２ｍｍ×１．６ｍｍと微小なチップ部品をモジュールに内蔵することができる。
【００８６】
以上により、低コストで、実用に供し得る構造の微小なチップ部品１０を内蔵した半導体パワーモジュールを作製することができる。
【００８７】
（試作例１）
次に、試作例について説明する。
このようにして作製した半導体パワーモジュールを用いてインバータ回路を構成して、動作試験を行った。
【００８８】
インバータ回路の動作試験条件は、ＩＧＢＴベアチップ、ＦＷＤベアチップ、ゲート抵抗素子を各々６チップと、サーミスタ素子１チップを搭載させた６００Ｖ・２０Ａ定格のモジュールにおいて、定格の１２０％印加で３０分の運転を行った。その合否の判定は、別の制御回路（例えば、センシング用端子ＸＥを使用）により、３相のアウトプットの電流・電圧が安定して取り出されるか否か、暴走や短絡がなく、かつ、運転時間中一定であるか否かに基づいて判断した。
【００８９】
この試験により、半導体パワーモジュールとしての特性を十分に満足していることが確認された。駆動周波数は、５０ｋＨｚとした。
【００９０】
なお、別の回路例として、ゲート抵抗素子やサーミスタ素子だけでなく、コンデンサやサージアブソーバを使用した回路構成のモジュールにおいても、同様な試験を行った結果、所望の回路特性を満足する結果が得られた。
【００９１】
［第４の例］
本発明の第４の実施の形態を、図１０に基づいて説明する。なお、前述した各例と同一部分についてはその説明を省略し、同一符号を付す。
【００９２】
本例では、第１の例と同様にリードフレーム１を準備し、所定位置、すなわち、フレーム本体部２，３，４，５上の部品搭載領域Ａおよびくし型形状端８に、クリーム半田として、エポキン樹脂と有機酸とを主成分とするフラックス入りのクリーム半田をディスペンサーによって塗工した。
【００９３】
その塗工後、部品搭載領域Ａに半導体素子１１を配置すると共に、各々２本のくし型形状端８ａ，８ｂ上にゲート抵抗とサーミスタとからなるチップ部品１０を橋渡しさせて配置した。
【００９４】
そして、それら搭載した部品をリフロー炉中で、２４０℃、１０分間の条件で半田付けを行うことにより、リードフレーム１上に固着した。その後、不要なフラックスを洗浄する工程を行うことなく、ワイヤー６０としてφ０．３ｍｍのアルミニウムワイヤーを用いてワイヤーボンディングすることによって、素子を実装した。
【００９５】
別途、成形樹脂５２を準備し、トランスファー成形機を使って１７５℃で２分間のトランスファ成形を行うことによって、樹脂をモールドした。
【００９６】
以上の処理により、塗布工程の改善を図り、接着強度を増加させることができる。
すなわち、チップ部品１０が、エポキン樹脂と有機酸を主成分とするフラックス入りの半田を塗工し、所定の熱処理条件でリードフレーム１へ固着させることにより、通常のロジンを主成分とするフラックス入り半田付けでは必要であった半田付け後の洗浄を行うこと無しに、ワイヤーボンディングやモールドなどの後工程を行うことができる。さらに、硬化したエポキシにより、通常よりも強固に固着することができる。
【００９７】
（試作例２）
次に、試作例について説明する。
このようにして作製した半導体パワーモジュールを用いたインバータ回路について、動作試験を行った。
【００９８】
ここで、インバータ回路の動作試験条件は、ＩＧＢＴベアチップ、ＦＷＤベアチップ、ゲート抵抗素子を各々６チップと、サーミスタ素子１チップを搭載させた６００Ｖ・２０Ａ定格のモジュールにおいて、定格の１２０％印加で３０分の運転を行った。
【００９９】
その合否の判定は、別の制御回路により、３相のアウトプットの電流・電圧が安定して取り出されているか否か、暴走や短絡がなく、かつ、運転時間中一定であるか否かによって判断した。その結果、半導体パワーモジュールとしての特性を十分に満足していることが確認された。
【０１００】
［第５の例］
本発明の第５の実施の形態を、図１３に基づいて説明する。なお、前述した各例と同一部分についてはその説明を省略し、同一符号を付す。
【０１０１】
本例では、図１３に示すように、リードフレーム１において、形状打ち抜き時にチップ部品１０が橋渡し搭載されるくし型形状端８ａ，８ｂに、ハーフプレスによって段差状の薄板部１５を形成したものである。
【０１０２】
そして、リードフレーム１の所定位置、すなわち、フレーム本体部２，３，４，５上の部品搭載領域Ａとくし型形状端８とに、クリーム半田をディスペンサーで塗工した。
【０１０３】
この塗工後、リードフレーム１上の部品搭載領域Ａに半導体素子１１を配置し、さらに、各々２本のくし型形状端８ａ，８ｂの段差状の薄板部１５にゲート抵抗とサーミスタとからなるチップ部品１０を橋渡しさせて配置した。その後の工程は、前述した第４の例と同様に行うことができる。
【０１０４】
このように、リードフレーム１において、チップ部品１０が橋渡し搭載されるくし型形状端８を予め段差状の薄板部１５に形成しておくことにより、半田付け時の表面張力でセルファライメントされ、微小のチップ部品を正確に搭載することができる。
【０１０５】
（試作例３）
次に、試作例について説明する。
このようにして作製した半導体パワーモジュールを用いたインバータ回路について、動作試験を行った。
【０１０６】
ここで、インバータ回路の動作試験条件は、ＩＧＢＴベアチップ、ＦＷＤベアチップ、ゲート抵抗素子を各々６チップと、サーミスタ素子１チップを搭載させた６００Ｖ・２０Ａ定格のモジュールにおいて、定格の１２０％印加で３０分の運転を行った。
【０１０７】
その合否の判定は、別の制御回路により、３相のアウトプットの電流・電圧が安定して取り出されたか否か、暴走や短絡がなく、かつ、運転時間中一定であるか否かによって判断した。その結果、半導体パワーモジュールとしての特性を十分に満足していることが確認された。
【０１０８】
［第６の例］
本発明の第６の実施の形態を、図１４に基づいて説明する。なお、前述した各例と同一部分についてはその説明を省略し、同一符号を付す。
【０１０９】
本例では、図１４に示すように、リードフレーム１において、チップ部品１０が橋渡し搭載されるくし型形状端８の領域を、フレーム本体部２，３，４，５上の部品搭載領域Ａに対して、高さｈだけ高くなるように段差を付けたものである。段差としては、通常ｈ＝１ｍｍ〜５ｍｍの範囲であるが、図１４ではｈ＝２ｍｍに設定した。
【０１１０】
このような段差は、リードフレーム１を所定形状に打ち抜いた後、チップ部品１０が橋渡し搭載される部分を曲げ加工を行うことによって簡単に実現できる。なお、その後の工程は、前述した第４の例と同様に行うことができる。ただし、１７５℃での粘度が１５Ｐａ・ｓと８０Ｐａ・ｓと異なる２種類の成形樹脂５２を準備し、トランスファ成形機を使用して、１７５℃で２分間のトランスファ成形を行うことによって樹脂をモールドした。
【０１１１】
一般に、半導体パワーモジュールでは、運転時に発熱を伴うパワー半導体チップ部分について、放熱を良くするため、リードフレーム１直下のヒートシンクまでの絶縁樹脂層５１を薄くする必要がある。しかしながら、リードフレーム１の２本のくし型形状端８上に橋渡し搭載されてチップ部品が固着された構造では、チップ部品１０の裏面のリードフレーム１との間に隙間部分ができ、樹脂の充填が困難であり、その結果、隙間の発生を防ぐためフロー性の優れた高価な成形樹脂を使う必要があった。
【０１１２】
しかし、本例のように、リードフレーム１を、チップ部品１０が橋渡し搭載されるくし型形状端８の領域を、半導体素子１１が搭載される部分よりも一段高く設定することにより、フロー性の優れた高価な成形樹脂を使う必要がなく、低コストな成形樹脂を使用することが可能となった。
【０１１３】
（試作例４）
次に、試作例について説明する。
このようにして作製した半導体パワーモジュールを用いたインバータ回路について、動作試験を行った。
【０１１４】
ここで、インバータ回路の動作試験条件は、ＩＧＢＴベアチップ、ＦＷＤベアチップ、ゲート抵抗素子を各々６チップと、サーミスタ素子１チップを搭載させた６００Ｖ・２０Ａ定格のモジュールにおいて、定格の１２０％印加で３０分の運転を行った。
【０１１５】
その合否の判定は、別の制御回路により、３相のアウトプットの電流・電圧が安定して取り出されているか否か、暴走や短絡がなく、かつ、運転時間中一定であるか否かによって判断した。
【０１１６】
その結果、粘度の違うどちらの樹脂を用いたものでも、半導体パワーモジュールとしての特性を十分に満足していることが確認された。
【０１１７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、一体して切断可能な直線状の共通切断片と、共通切断片からフレーム内部に略直角方向に延在された同一棒状をなす複数のくし型形状端と、各くし型形状端の延長線上に電極パッドが配置できるように形成された部品搭載領域とを有するリードフレームを構成したので、くし型形状端の延長線上にチップ部品および半導体素子を配置し、そのライン方向に沿ってワイヤーボンディングを単純に行うことが可能となり、製造工程の単純化を図ることができる。
【０１１８】
また、本発明によれば、リードフレームのくし型形状端の延長線上で、チップ部品と半導体素子とのワイヤーボンディングを行い、モールド後にリードフレームの共通切断片を除去することによってくし型形状端を入出力用端子として形成したので、チップ部品、半導体部品の接着作業、ワイヤー接続作業、端子切断作業を単純化して、作業効率および歩留まりを向上させることが可能な、半導体パワーモジュールの製造方法を提供できる。
【０１１９】
さらに、本発明によれば、上記リードフレームと、上記製造方法とを用いて、板状金属からなるヒートシンク上に絶縁層を介してリードフレームを備えたモジュールを構成したので、微小なチップ部品を内蔵しても、ノイズ等に対する熱的特性および電気的特性に優れた半導体パワーモジュールを作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態である、リードフレームの構成を示す平面図である。
【図２】リードフレーム１の電極パッドの位置を示す平面図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態である、半導体パワーモジュールの基本的製造方法を示すフローチャートである。
【図４】半導体パワーモジュールの製造方法の具体例を示すフローチャートである。
【図５】炉組み用のカーボン治具の構成例を示すものであり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【図６】チップ部品の実装された構造を示す断面図である。
【図７】チップ部品を実装したリードフレームの平面図である。
【図８】ワイヤーボンディングの接続順序を示す説明図である。
【図９】本発明の第３の実施の形態である、半導体パワーモジュールのレイアウト例を示す平面図である。
【図１０】半導体パワーモジュールの共通切断片除去後の構成例を示す平面図である。
【図１１】図１０の断面図である。
【図１２】図１０に対応した半導体パワーモジュールの回路構成を示す回路図である。
【図１３】本発明の第５の実施の形態である、リードフレームのくし型形状端に形成されたチップ部品搭載用の凹部を示す側面図である。
【図１４】本発明の第６の実施の形態である、リードフレームのくし型形状端を一段高くした形状を示す半導体モジュールの断面図である。
【図１５】従来の半導体モジュールの製造方法を示すフローチャートである。
【符号の説明】
１  リードフレーム
２，３，４，５  フレーム本体部
６  接続片
７  共通切断片
８，８ａ，８ｂ  くし型形状端
９  電極パッド
１０  チップ部品
１１  半導体素子（ＩＧＢＴ）
１２  ＦＷＤ
２０  カーボン治具
２１，２２  深掘部分
２３  浅掘部分
５０  ヒートシンク
５１  絶縁樹脂層
５２  成形樹脂
６０  ワイヤー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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