(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
端子接続部が、下層電極と上層電極との積層構成からなると共に、前記下層電極が前記上層電極よりも広幅に形成されているプラズマディスプレイパネルであって、
前記上層電極が、第１の導電性・ネガ型感光性膜から形成される一方、前記下層電極が、第２の導電性・ネガ型感光性膜から形成され、かつ、該第２の導電性・ネガ型感光性膜が、前記第１の導電性・ネガ型感光性膜よりも感光性に優れていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記第１の導電性・ネガ型感光性膜には第１の導電性粉末が含有され、前記第２の導電性・ネガ型感光性膜には第２の導電性粉末が含有されていることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記第１の導電性粉末はＡｇ若しくはＣｕ又はこの両者の粉末であり、前記第２の導電性粉末はＲｕＯ2 、ＭｏＯ2 、ＰｄＯ3 、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ａｇ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄのそれぞれの粉末のうち、１種類もしくは複数種類の粉末であることを特徴とする請求項２記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記端子接続部では、前記上層電極がフレキシブルプリント基板上の電極と異方性導電フィルムを介して接続される電極であることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
下層電極と上層電極との積層からなる積層電極を有するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記積層電極を形成するにあたり、
導電性・ネガ型感光性を有する上層電極形成用のペーストと、同じく導電性・ネガ型感光性を有し、かつ、該上層電極形成用のペーストよりも感光性に優れる下層電極形成用のペーストとを、
前記下層電極形成用のペーストが下となり、前記上層電極形成用のペーストが上となるように、基板上に塗布積層した後、
１回のＰＲ工程により、幅広の前記下層電極と幅狭の前記上層電極との段状積層構成からなる前記積層電極を完成させることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項６】
前記上層電極形成用のペーストには第１の導電性粉末が含有され、前記下層電極形成用のペーストには第２の導電性粉末が含有されていることを特徴とする請求項５記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項７】
前記第１の導電性粉末はＡｇ若しくはＣｕ又はこの両者の粉末であり、前記第２の導電性粉末はＲｕＯ2 、ＭｏＯ2 、ＰｄＯ3 、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ａｇ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄのそれぞれの粉末のうち、１種類もしくは複数種類の粉末であることを特徴とする請求項６記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はプラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰ、と称す）及びその製造方法に係わり、特に、ＦＰＣ（フレキシブルプリント基板）上の電極とＡＣＦ（異方性導電フィルム）を介して接続するために、中央の表示領域からガラス基板の周辺部分に引き出された接続電極及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来からＰＤＰの接続電極として抵抗の低いＡｇが主に用いられている。しかしこの構造は、高電界下ではマイグレーションを起こしやすい材料であり、それを防止する事が課題の一つであった。
【０００３】
そこで特開平１１−２９７２１８号公報では、金属電極の下に幅の広い透明電極を設ける技術が開示されている。
【０００４】
以下図４を参照して同公報の電極構造を製造する方法を説明する。まず、基板洗浄を行ったガラス基板４１を用意し（図４（Ａ））、透明導電成膜４２を形成し（図４（Ｂ））、その上にフォトレジスト４３を塗布して乾燥させる（図４（Ｃ））。
【０００５】
乾燥後に、第１のガラスマスク４４を用い、露光光４５を照射し（図４（Ｄ））、現像して、レジストのパターニングを行う。ポストベーク後に、レジストパターンをマスクにして透明導電成膜４２を選択的にエッチングして、レジストパターンを剥離することで、下層電極である透明導電膜４６を透明導電成膜４２から形成する（図４（Ｅ））。
【０００６】
次に、下層電極である透明導電膜４６上に銀膜４７を形成し、その上にフォトレジスト４８を塗布して乾燥させ、第２のガラスマスク４９を用い、露光光５１を照射し（図４（Ｆ））、現像して、レジストのパターニングを行う。
【０００７】
ポストベーク後に、レジストパターンをマスクにして銀膜４７を選択的にエッチングして、レジストパターンを剥離することで、下層電極４６上に下層電極よりも幅が狭い上層電極である銀電極５２を銀膜４７から形成する（図４（Ｇ））。このようにしてＰＤＰ側の電極端子部が形成される。
【０００８】
一方、モジュールと組み立てるＦＰＣはまず、ＡＣＦを仮圧着し、それをＰＤＰ側電極端子部とあわせて本圧着することで、ＰＤＰ側の上層電極である銀電極５２とＦＰＣ上の電極とが電気的に接続される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら図４に示すような従来技術では、下層電極に対して、上層電極の位置あわせが必要になり、信頼性の高い構造を維持するための位置合わせ精度に律速され、高精細化には向かないという問題点を有する。
【００１０】
したがって本発明の目的は、高精度で上記ＰＤＰを製造することができるＰＤＰの製造方法を提供することである。
【００１１】
本発明の他の目的は、マイグレーションを十分に抑制することが可能なＰＤＰを提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、端子接続部が、下層電極と上層電極との積層構成からなると共に、前記下層電極が前記上層電極よりも広幅に形成されているプラズマディスプレイパネルに係り、前記上層電極が、第１の導電性・ネガ型感光性膜から形成される一方、前記下層電極が、第２の導電性・ネガ型感光性膜から形成され、かつ、該第２の導電性・ネガ型感光性膜が、前記第１の導電性・ネガ型感光性膜よりも感光性に優れていることを特徴としている。
【００１３】
ここで、前記第１の導電性・ネガ型感光性膜には第１の導電性粉末が含有され、かつ、前記第２の導電性・ネガ型感光性膜には第２の導電性粉末が含有されていることが好ましい。この場合、前記第１の導電性粉末はＡｇ若しくはＣｕ又はこの両者の粉末であり、前記第２の導電性粉末はＲｕＯ2 、ＭｏＯ2 、ＰｄＯ3 、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ａｇ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄのそれぞれの粉末のうち、１種類もしくは複数種類の粉末であることが好ましい。
【００１４】
また、前記端子接続部が上層電極はＦＰＣ上の電極とＡＣＦを介して接続する電極であることができる。
【００１５】
また、請求項５記載の発明は、下層電極と上層電極との積層からなる積層電極を有するプラズマディスプレイパネルの製造方法に係り、前記積層電極を形成するにあたり、導電性・ネガ型感光性を有する上層電極形成用のペーストと、同じく導電性・ネガ型感光性を有し、かつ、該上層電極形成用のペーストよりも感光性に優れる下層電極形成用のペーストとを、前記下層電極形成用のペーストが下となり、前記上層電極形成用のペーストが上となるように、基板上に塗布積層した後、１回のＰＲ工程により、幅広の前記下層電極と幅狭の前記上層電極との段状積層構成からなる前記積層電極を完成させることを特徴としている。
【００１６】
ここで、前記上層電極形成用のペーストには第１の導電性粉末が含有され、前記下層電極形成用のペーストには第２の導電性粉末が含有されているのが好ましい。
この場合、前記第１の導電性粉末はＡｇ若しくはＣｕ又はこの両者の粉末であり、前記第２の導電性粉末はＲｕＯ2 、ＭｏＯ2 、ＰｄＯ3 、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ａｇ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄのそれぞれの粉末のうち、１種類もしくは複数種類の粉末であることが好ましい。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明を説明する。図１は本発明の実施の形態を工程順に示した断面図である。
【００１８】
まず図１（Ａ）において、基板洗浄を行ったガラス基板１１を用意する。
【００１９】
次に図１（Ｂ）において、基板１１上にネガ型導電性・感光性下層ペースト１２及びネガ型導電性・感光性上層ペースト１３を積層塗布して乾燥させる。ここで、ネガ型導電性・感光性下層ペースト１２はネガ型導電性・感光性上層ペースト１３よりも強い感光性を有している。
【００２０】
次に図１（Ｃ）において、積層ペースト上方にガラスマスク１４を設置し、露光光１５を照射する。ネガ型導電性・感光性下層ペースト１２は強い感光性を有しているからマスク１４の遮光パターン下方向に大きく回り込む。すなわち、ネガ型導電性・感光性下層ペースト１２は、ネガ型導電性・感光性上層ペースト１３よりもしみ出しが大きくなる。
【００２１】
次に図１（Ｄ）において、現像、乾燥させる。図１（Ｃ）の工程において、ネガ型導電性・感光性下層ペースト１２がネガ型導電性・感光性上層ペースト１３よりも大きく感光されるから、上層電極１７と上層電極１７よりも幅が広い下層電極１６と有した段状の積層電極がネガ型導電性・感光性上層ペースト１３とネガ型導電性・感光性下層ペースト１２から形成される。
【００２２】
このようにしてＰＤＰ側の電極端子部が、（Ｃ），（Ｄ）による１回のＰＲ工程により形成される。すなわち、一括して両ペーストがパターニングされる。
【００２３】
上部電極１７の厚さは３〜１０μｍ、幅Ｗ１は８０〜９０μｍである。下部電極１６の厚さは３〜１０μｍ、幅Ｗ２は９０〜１００μｍであり、上部電極よりも片側で約５μｍずつ突出している。
【００２４】
次に図１（Ｅ）において、ＡＣＦを仮圧着したモジュールと組み立てるＦＰＣをＡＣＦ２３を介してＰＤＰ側電極端子部とあわせて本圧着することで、ＰＤＰ側の上層電極１７とＦＰＣ２１上の金メッキされた銅電極２２とが電気的に接続される。
【００２５】
ここで、上層電極１７を形成するネガ型導電性・感光性上層ペースト１３の作製、組成について例示する。
【００２６】
γ−ブチロラクトンおよびポリマバインダーを混合し均等に溶解させる。そこに、アミノアセトフェノンを加えて均等に溶解させる。それを４００メッシュのフィルターで濾過して有機ビヒクルを作製する。
【００２７】
ここでポリマバインダーとして、７０％のメタクリル酸、３０％のメチルメタアクリルレートを使用する。
【００２８】
また、導電性粉末に対する安定化剤として１，２，３−ベンゾトリアゾールを酢酸メチルに溶解し、これに導電性粉末を加え、１２時間浸漬した後、２０〜２５℃でドラフト内で乾燥して溶媒を蒸発させてトリアゾール処理を行うことにより、安定化剤に囲まれた（安定化処理をされた）導電性粉末を作製する。
【００２９】
ここでは導電性粉末として電気抵抗が低い単体金属のＡｇ粉末もしくはＣｕ粉末を用いる。あるいは両者を混合して用いることもできる。
【００３０】
これらの導電性粉末の特徴として平均粒径が０．５〜４μｍ、タップ強度が３〜６ｇ／ｃｍ2 、形状は球形であり、球形率が９０％以上、非面積が０．３〜２．５ｍ2 ／ｇである。
【００３１】
また、ガラスフリットを用意する。このガラスフリットは、３９モル％の酸化ジルコニウム、２４モル％の酸化ホウ素、２１モル％の二酸化ケイ素、１０モル％の酸化リチウム、３モル％のアルミナ、３モル％のその他の酸化物から成っている。
【００３２】
そして、上記有機ビヒクルに上記安定化処理をされた導電性粉末、光反応化合物としてトリメチロール・プロパン・トリアクリラート、ＣｕＯおよび上記ガラスフリットを所定の組成になるように添加し、３本ロールを用い、混合・分散させて上層電極形成用の上層ペースト１３を作製する。
【００３３】
この上層電極形成用の上層ペースト１３の組成は、導電性粉末が７０ｗｔ％、ポリマバインダーが５ｗｔ％、光反応化合物が５ｗｔ％、ガラスフリットが２ｗｔ％、光集合開始剤が１ｗｔ％、安定化剤が１ｗｔ％、シンナーが１６ｗｔ％である。
【００３４】
次に、下層電極１６を形成するネガ型導電性・感光性下層ペースト１２の作製、組成について例示する。
【００３５】
γ−ブチロラクトンおよびポリマバインダーを混合し均等に溶解させる。そこに、アミノアセトフェノンを加えて均等に溶解させる。それを４００メッシュのフィルターで濾過して有機ビヒクルを作製する。
【００３６】
ここでポリマバインダーとして、７０％のメタクリル酸、３０％のメチルメタアクリルレートを使用する。
【００３７】
また、導電性粉末に対する安定化剤として１，２，３−ベンゾトリアゾールを酢酸メチルに溶解し、これに導電性粉末を加え、１２時間浸漬した後、２０〜２５℃でドラフト内で乾燥して溶媒を蒸発させてトリアゾール処理を行うことにより、安定化剤に囲まれた（安定化処理をされた）導電性粉末を作製する。
【００３８】
ここでは導電性粉末としてマイグレーション耐性に強い、導電性酸化物のＲｕＯ2 、ＭｏＯ2 、ＰｄＯ3 、単体金属のＭｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｎｉ、複合金属のＡｇ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄのそれぞれの粉末のうち、１種類もしくは複数種類の粉末を用いる。
【００３９】
これらの導電性粉末の特徴として平均粒径が０．５〜４μｍ、タップ強度が３〜６ｇ／ｃｍ2 、形状は球形であり、球形率が９０％以上、非面積が０．３〜２．５ｍ2 ／ｇである。
【００４０】
また、ガラスフリットを用意する。このガラスフリットは、３９モル％の酸化ジルコニウム、２４モル％の酸化ホウ素、２１モル％の二酸化ケイ素、１０モル％の酸化リチウム、３モル％のアルミナ、３モル％のその他の酸化物から成っている。
【００４１】
そして、上記有機ビヒクルに上記安定化処理をされた導電性粉末、光反応化合物としてトリメチロール・プロパン・トリアクリラート、ＣｕＯおよび上記ガラスフリットを所定の組成になるように添加し、３本ロールを用い、混合・分散させて下層電極形成用の上層ペースト１２を作製する。
【００４２】
この下層電極形成用のペースト１２の組成は、導電性粉末が７０ｗｔ％、ポリマバインダーが５ｗｔ％、光反応化合物が１５ｗｔ％、ガラスフリットが２ｗｔ％、光集合開始剤が２ｗｔ％、安定化剤が１ｗｔ％、シンナーが５ｗｔ％である。
【００４３】
上層電極形成用の上層ペースト１３と下層電極形成用の下層ペースト１２との第１の相違は、上層電極形成用の上層ペースト１３では電気抵抗を低減するために、導電性粉末としてＡｇ、Ｃｕを用いているのに対して、下層電極形成用の下層ペースト１２ではマイグレーション耐性を高めるために、導電性粉末としてＲｕＯ2 、ＭｏＯ2 、ＰｄＯ3 、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ａｇ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄを用いていることである。
【００４４】
上層電極形成用の上層ペースト１３と下層電極形成用の下層ペースト１２との第２の相違は、幅の広い下層電極上に幅が狭い上層電極が設けられる電極構造を１回のＰＲ工程により形成するために、上層電極形成用のネガ型レジスト作用の上層ペースト１３の光反応化合物が５ｗｔ％、光集合開始剤が１ｗｔ％であるのに対して、下層電極形成用のネガ型レジスト作用の下層ペースト１２では光反応化合物を１５ｗｔ％、光集合開始剤を２ｗｔ％と多くして、これにより、下層ペースト１２への露光光の回り込みを大きくしたことである。
【００４５】
図２は実施の形態のＰＤＰ３０を示す平面図であり、中央の表示領域３１を取り囲んだ周辺の接続端子形成領域３２に図１による積層電極が形成される。
【００４６】
図３はＰＤＰ３０の接続端子形成領域３２を拡大して、本発明の実施の形態の積層電極１６，１７にＦＰＣ２１上の電極２２を接続した状態を示した平面図であり、同図のＡ−Ａ部の断面が図１（Ｅ）に相当する。
【００４７】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、１回のＰＲ工程により、すなわち一括でパターニングすることにより、上層電極と上層電極よりも幅が広い下層電極とによる積層構造電極が形成される。したがって、下層電極に対して上層電極の位置あわせが不必要になり絶縁信頼性の高い電極構造を精度良く作製することが出来、かつ製造工数を低減することができる。
【００４８】
また、上層電極が電気抵抗が低い導電性粉末を含有し、下層電極がマイグレーションに強い導電性粉末を含有することができる。したがって、電気抵抗が低減し、かつマイグレーション耐性を高めた電極構造を有するＰＤＰを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態を製造工程順に示した断面図である。
【図２】図１を適用するＰＤＰを示した平面図である。
【図３】本発明の実施の形態の積層電極にＦＰＣの電極を接続した状態を示した平面図である。
【図４】従来技術を製造工程順に示した断面図である。
【符号の説明】
１１    ガラス基板
１２    ネガ型導電性・感光性下層ペースト
１３    ネガ型導電性・感光性上層ペースト
１４    ガラスマスク
１５    露光光
１６    下層電極
１７    上層電極
２１    ＦＰＣ
２２    銅電極
２３    ＡＣＦ
３０    ＰＤＰ
３１    表示領域
３２    接続端子形成領域
４１    ガラス基板
４２    透明導電成膜
４３    フォトレジスト
４４    第１のガラスマスク
４５    露光光
４６    透明導電膜（下層電極）
４７    銀膜
４８    フォトレジスト
４９    第２のガラスマスク
５１    露光光
５２    銀電極（上層電極）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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