(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧容器を備え、光導入窓を介して前記減圧容器内の薄膜半導体にレーザ光を照射することにより熱処理を行う薄膜半導体製造装置において、
該減圧容器は前記光導入窓を備えた光導入室と、被処理半導体基板を保持する光照射室と、前記光導入室と前記光照射室とを分離可能なゲートバルブと、前記光導入室内にプラズマを発生させるプラズマ放電電極と、を有しており、
前記ゲートバルブによって前記光導入室と前記光照射室とが分離された場合であって前記光導入室で前記プラズマが発生している場合に、前記光導入窓は加熱されることを特徴とする薄膜半導体製造装置。
【請求項２】
前記光導入室の容積は、前記光照射室の容積の５分の１以下であることを特徴とする請求項１記載の薄膜半導体製造装置。
【請求項３】
前記光導入室は前記プラズマ放電電極を具備することを特徴とする請求項１または２記載の薄膜半導体製造装置。
【請求項４】
前記プラズマ放電電極は可動型電極であることを特徴とする請求項３記載の薄膜半導体製造装置。
【請求項５】
前記プラズマ放電電極は前記光導入室の外部に設置された誘導結合型放電電極であることを特徴とする請求項３記載の薄膜半導体製造装置。
【請求項６】
光導入窓を備えた光導入室と、光照射室と、前記光導入室と前記光照射室とを分離するゲートバルブと、を備えた減圧容器の前記光照射室内で表面に薄膜半導体が形成された被処理半導体基板を保持し、前記ゲートバルブを開け、前記光導入窓を介して前記薄膜半導体にレーザ光を照射することにより熱処理を行う第１工程と、
前記ゲートバルブを閉めることにより前記光導入室と前記光照射室とを分離する第２工程と、
前記光導入室と前記光照射室とが分離された場合に、前記光導入窓を加熱しながら前記光導入室でプラズマ放電を行う第３工程と、
を含むことを特徴とする薄膜半導体の製造方法。
【請求項７】
前記プラズマ放電は前記薄膜半導体のエッチングガスを使って行うことを特徴とする請求項６に記載の薄膜半導体の製造方法。
【請求項８】
前記薄膜半導体はシリコンであって、前記エッチングガスは六弗化硫黄であることを特徴とする請求項７に記載の薄膜半導体の製造方法。
【請求項９】
前記光導入室でプラズマ放電をおこなうと同時に、前記光照射室の前記被処理半導体基板の搬送作業をおこなうことを特徴とする請求項６、７または８記載の薄膜半導体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は絶縁体上に形成される薄膜トランジスタ、液晶表示装置の表示画素または液晶駆動回路の構成素子として利用される薄膜トランジスタを製造する製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
多結晶シリコン等の半導体膜は薄膜トランジスタ（以下本願明細書中ではＴＦＴと称する）や太陽電池に広く利用されている。とりわけ多結晶シリコン（ ｐｏｌｙ−Ｓｉ）ＴＦＴは高移動度化が可能でありながらガラス基板のように透明で絶縁性の基板上に作成できるという特徴を生かして、液晶表示装置（ＬＣＤ）や液晶プロジェクターなどの光変調素子あるいは液晶駆動用内蔵ドライバーの構成素子として広く用いられ、新しい市場の創出に成功している。
【０００３】
ガラス基板上に高性能なＴＦＴを作成する方法としては高温プロセスと呼ばれる製造方法がすでに実用化されている。ＴＦＴの製造方法として工程最高温度が１０００℃程度の高温を用いるプロセスを一般的に高温プロセスと呼んでいる。高温プロセスの特徴は、シリコンの固相成長により比較的良質のｐｏｌｙ−Ｓｉを作成する事ができることと、熱酸化により良質のゲート絶縁膜（一般的に二酸化珪素）および清浄なｐｏｌｙ−Ｓｉとゲート絶縁膜の界面を形成できることである。高温プロセスではこれらの特徴により、高移動度でしかも信頼性の高い高性能ＴＦＴを安定的に製造することができる。しかし、高温プロセスを用いるためにはＴＦＴを作成する基板が１０００℃以上の高温の熱工程に耐え得る必要がある。この条件を満たす透明な基板は現在のところ石英ガラスしかない。このため昨今のｐｏｌｙ−Ｓｉ  ＴＦＴは総て高価で小さい石英ガラス基板上に作成されており、コストの問題上大型化には向かないとされている。また、固相成長法では十数時間という長時間の熱処理が必要であり、生産性が極めて低いとの課題がある。また、この方法では基板全体が長時間加熱されている事に起因して基板の熱変形が大きな問題と化し実質的に安価な大型ガラス基板を使用し得ないとの課題が生じており、これもまた低コスト化の妨げとなっている。
【０００４】
一方、高温プロセスが持つ上記欠点を解消し、尚且つ高移動度のｐｏｌｙ−Ｓｉ  ＴＦＴを実現しようとしているのが低温プロセスと呼ばれる技術である。比較的安価な耐熱性ガラス基板を使うために、工程最高温度としておおむね６００℃以下のｐｏｌｙ−Ｓｉ  ＴＦＴ製造プロセスを一般的に低温プロセスと呼ぶ。低温プロセスでは発振時間が極短時間のパルスレーザーを用いてシリコン膜の結晶化をおこなう技術が広く使われている。レーザー結晶化とは、ガラス基板上のアモルファスシリコン膜に高出力のパルスレーザー光を照射することによって瞬時に溶融させ、これが凝固する過程で結晶化する性質を利用する技術である。最近ではガラス基板上のアモルファスシリコン膜にエキシマレーザービームをくり返し照射しながらスキャンすることによって大面積のｐｏｌｙ−Ｓｉ膜を作成する技術が広く使われるようになった。また、ゲート絶縁膜としてはプラズマＣＶＤをもちいた成膜方法で比較的高品質の二酸化珪素（ＳｉＯ２）膜が成膜可能となり実用化への見通しが得られるほどになった。これらの技術によって、現在では一辺が数十センチほどもある大型のガラス基板上にｐｏｌｙ−Ｓｉ  ＴＦＴが作成可能となっている。
【０００５】
しかし、この低温プロセスで問題となるのはレーザー結晶化したｐｏｌｙ−Ｓｉ膜は高い欠陥密度を有しており、ＴＦＴの移動度を大きく左右する要因となることである。レーザー結晶化で発生した欠陥の密度は特にレーザー結晶化の際のレーザー照射方法の制御に強く依存する。昨今の大型基板対応のレーザー結晶化装置では図４に示すようなライン状にレーザービームを整形し半導体薄膜にレーザー照射する方法が一般的となりつつある。これは液晶表示装置などの大面積基板上にｐｏｌｙ−Ｓｉ膜を短いタクトタイムで形成するための実用性を最大限に重視したものである。特にこの場合には限られたパルスエネルギーしか発生できないレーザービームの長尺方向の長さ２０１を確保するために短軸方向のビーム幅２０２は数１０μｍから数１００μｍと大変小さいものがほとんどである。このラインビームを図４矢印（２０３）方向のように移動させながらパルス照射する方法がとられている。ただし、各パルスの照射領域に境目が発生してはいけないので、通常各パルス毎の照射領域を９０％程度互いにオーバーラップさせながらスキャンしレーザー照射をおこなう。このため、レーザー結晶化装置では基板上の半導体薄膜とライン上に集光したレーザービームの位置をレーザー照射パルス毎に相対的に数ミクロンから数十ミクロンという高い精度でずらしながら基板全面の結晶化をおこなうのである。
【０００６】
レーザー結晶化はシリコン薄膜をパルスレーザーでごく短時間に加熱し、同薄膜が融点以上で溶けた後、冷却過程で結晶化する性質を利用したものである。通常このレーザー結晶化は不純物の膜中への混入防止や表面状態制御を目的として真空中で行われるのであるが、前述のようにシリコン膜が融点に達するわけであるから膜の温度は１０００℃以上に上昇するわけである。真空中でこのような処理をおこなうと熱エネルギーを有するシリコン原子やクラスターが膜表面から脱離する。溶融時間はせいぜい数１００ｎｓｅｃの短時間であるから脱離するシリコンの量は微量であるが、前述のように高い重ね率の多数回レーザー照射で大面積シリコン薄膜の結晶化をおこなう量産装置ではレーザー光導入窓に前述の熱脱離したシリコンが付着しレーザー光の透過率を次第に変化させてしまうという問題がある。窓に付着したシリコンは微量でも紫外光に対する光学的影響は甚大で、たとえば外形サイズが４００ｍｍ×４００ｍｍの基板を１０枚程度処理すると透過率が１０％近く低下してしまう。レーザー結晶化の最適エネルギー条件はわずか３〜５％の範囲しかないため、経時的にレーザー結晶化ｐｏｌｙ−Ｓｉの膜質が変化してしまう。この問題を回避するために従来の技術としては特開平１１−２６３９３号公報がある。これは図５に示すようにレーザー光導入窓にガスを吹き付けながら処理をおこなうことによって、シリコン粒子の付着を防止するものである。しかしながら前述のように熱速度で飛来してくる粒子は通常の装置構造における窓までの距離１０ｃｍ程度をわずか数μｓｅｃで通過してしまい、ガスを圧力によって吹き付ける程度では減圧下では衝突確率が極めて低くほとんど効果が望めないのである。
【０００７】
このため照射レーザー光の実効的エネルギーが経時的に変化し、結晶化膜の品質のバラツキを招き、歩留まり低下の原因となっている。また、装置のメンテナンスに要する時間が必要となり、稼働率低下ひいては製品のコストを引き上げることになってしまうのである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
そこで本発明は上述の諸課題を鑑み、真空中で光を利用した熱処理をおこなう半導体製造装置で問題となる光導入窓の透過率変化を防止し、特にはレーザー結晶化ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜のばらつきを低減でき、高い稼働率を持った半導体製造装置および薄膜半導体の製造方法を与えるものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明のある態様によれば、薄膜半導体製造装置が、減圧容器を備え、光導入窓を介して前記減圧容器内の薄膜半導体にレーザ光を照射することにより熱処理を行う。また、該減圧容器は前記光導入窓を備えた光導入室と、被処理半導体基板を保持する光照射室と、前記光導入室と前記光照射室とを分離可能なゲートバルブと、前記光導入室内にプラズマを発生させるプラズマ放電電極と、を有しており、前記ゲートバルブによって前記光導入室と前記光照射室とが分離された場合であって前記光導入室で前記プラズマが発生している場合に、前記光導入窓は加熱される。ここで光導入窓とは前記半導体に照射するレーザ光を透過させる窓である。従って照射するレーザ光の波長において比較的高い透過率を持つ材料にて形成される。
【００１０】
上記課題を解決する為に請求項２記載の発明は請求項１記載の半導体製造装置で、前記光導入室の容積は、前記光照射室の容積の5分の1以下であることを特徴とする。
【００１１】
上記課題を解決する為に請求項３記載の発明は、請求項１または２記載の半導体製造装置で、前記光導入室は前記プラズマ放電電極を具備することを特徴とする。
【００１２】
上記課題を解決する為に請求項４記載の発明は、請求項３記載の半導体製造装置で、前記プラズマ放電電極は可動型電極であることを特徴とする。ここで可動型とは、薄膜半導体に光照射をおこなう際に光路上にはなく、放電処理をおこなう際に光導入窓近くに移動することを言う。
【００１３】
上記課題を解決する為に請求項５記載の発明は、請求項３記載の半導体製造装置で、前記プラズマ放電電極は前記光導入室の外部に設置された誘導結合型放電電極であることを特徴とする。
【００１４】
本発明のある態様によれば、薄膜半導体の製造方法が、光導入窓を備えた光導入室と、光照射室と、前記光導入室と前記光照射室とを分離するゲートバルブと、を備えた減圧容器の前記光照射室内で表面に薄膜半導体が形成された被処理半導体基板を保持し、前記ゲートバルブを開け、前記光導入窓を介して前記薄膜半導体にレーザ光を照射することにより熱処理を行う第１工程と、前記ゲートバルブを閉めることにより前記光導入室と前記光照射室とを分離する第２工程と、前記光導入室と前記光照射室とが分離された場合に、前記光導入窓を加熱しながら前記光導入室でプラズマ放電を行う第３工程と、を含む。
【００１５】
上記課題を解決する為に請求項７記載の発明は、請求項６記載の半導体製造装置において前記プラズマ放電は前記薄膜半導体のエッチングガスを使っておこなうことを特徴とする。
【００１６】
上記課題を解決する為に請求項８記載の発明は請求項６または７記載の薄膜半導体の製造方法において、前記薄膜半導体はシリコンであって、前記エッチングガスは六弗化硫黄であることを特徴とする。
【００１７】
上記課題を解決する為に請求項９記載の発明は請求項６、７、または８記載の薄膜半導体の製造方法において、前記光導入室でプラズマ放電をおこなうと同時に、前記光照射室の前記被処理半導体基板の搬送作業をおこなうことを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による実施の形態の一例を図１に基づいて詳述する。
【００１９】
はじめに半導体薄膜（４０３）について説明する。本発明が適用される半導体膜としてはシリコン（Ｓｉ）やゲルマニウム（Ｇｅ）等の四族単体の半導体膜の他に、シリコン・ゲルマニウム（Ｓｉｘ  Ｇｅ１−ｘ ：０＜ｘ＜１）やシリコン・カーバイド（Ｓｉｘ  Ｃ１−ｘ ：０＜ｘ＜１）やゲルマニウム・カーバイド（Ｇｅｘ  Ｃ１−ｘ ：０＜ｘ＜１）等の四族元素複合体の半導体膜、ガリウム・ヒ素（ＧａＡｓ）やインジウム・アンチモン（ＩｎＳｂ）等の三族元素と五族元素との複合体化合物半導体膜、またはカドミウム・セレン（ＣｄＳｅ）等の二族元素と六族元素との複合体化合物半導体膜等がある。或いはシリコン・ゲルマニウム・ガリウム・ヒ素（Ｓｉｘ  Ｇｅｙ  Ｇａｚ  Ａｓｚ  ：ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）と云った更なる複合化合物半導体膜やこれらの半導体膜にリン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）などのドナー元素を添加したＮ型半導体膜、或いはホウ素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）等のアクセプター元素を添加したＰ型半導体膜に対しても本発明は適応可能である。これら半導体膜はＡＰＣＶＤ法やＬＰＣＶＤ法、ＰＥＣＶＤ法等のＣＶＤ法、或いはスパッター法等や蒸着法等のＰＶＤ法で形成する。半導体膜としてシリコン膜を用いる場合、ＬＰＣＶＤ法では基板温度を４００℃程度から７００℃程度としてジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）などを原料として堆積し得る。ＰＥＣＶＤ法ではモノシラン（ＳｉＨ４）などを原料として基板温度が１００℃程度から５００℃程度で堆積可能である。スパッター法を用いる時には基板温度は室温から４００℃程度である。この様に堆積された半導体膜の初期状態（ａｓ−ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ状態）は非晶質や混晶質、微結晶質、或いは多結晶質等様々な状態があるが、本願発明にあっては初期状態はいずれの状態であっても構わない。尚本願明細書中では非晶質の結晶化のみならず、多結晶質や微結晶質の再結晶化をも含めて総て結晶化と呼ぶ。半導体膜の膜厚はそれをＴＦＴに用いる時には２０ｎｍ程度から１００ｎｍ程度が適している。
【００２０】
下地絶縁膜（４０２）と半導体膜（４０３）を形成した後、この半導体膜をレーザー照射によって結晶化する。通常、 ＬＰＣＶＤ法、ＰＥＣＶＤ法等のＣＶＤ法で堆積させたシリコン膜表面は自然酸化膜で覆われていることが多い。従って、レーザー光を照射する前にこの自然酸化膜を除去する必要がある。このためには弗酸溶液に浸してウエットエッチングする方法や、フッ素ガスを含んだプラズマ中でのドライエッチング等がある。
【００２１】
次に半導体膜のついた基板をレーザー照射チャンバー（４０５）にセットする。レーザー照射チャンバーは一部分が石英の窓（４０６）（光導入窓）によってできており、チャンバーを真空に排気した後この石英窓からレーザー光を照射する。
【００２２】
ここでレーザー光について説明する。レーザー光は半導体薄膜（４０３）表面で強く吸収され、その直下の絶縁膜（４０２）にはほとんど吸収されないことが望まれる。従ってこのレーザー光としては紫外域またはその近傍の波長を持つエキシマレーザー、アルゴンイオンレーザー、ＹＡＧレーザー高調波等が好ましい。また、半導体薄膜を高温に加熱すると同時に基板へのダメージを防ぐためには大出力でしかも極短時間のパルス発振であることが必要となる。従って、上記レーザー光の中でも特にキセノン・クロライド（ＸｅＣｌ）レーザー（波長３０８ｎｍ）やクリプトンフロライド（ＫｒＦ）レーザー（波長２４８ｎｍ）等のエキシマ・レーザーが最も適している。次にこれらのレーザー光の照射方法について図２にそって述べる。レーザーパルスの強度半値幅は１０ｎｓ程度から５００ｎｓ程度の極短時間である。レーザー照射は基板（３００）を室温（２５℃）程度から４００℃程度の間とし、背景真空度が１０−４Ｔｏｒｒ程度から１０−９Ｔｏｒｒ程度の真空中にて行う。図２に示すように、照射領域形状を幅１００μｍ程度（３０２）以上で長さが数１０ｃｍ以上のライン状（３０１）とし、このライン状レーザー光を走査して結晶化を進めても良い。この場合各照射毎のビームの幅方向の重なり（３０３と３０４の重なり）はビーム幅（３０２）の５％程度から９５％程度とする。ビーム幅が１００μｍでビーム毎の重なり量が９０％で有れば、一回の照射毎にビームは１０μｍ進むので同一点は１０回のレーザー照射を受ける事となる。通常半導体膜を基板全体で均一に結晶化させるには少なくとも５回程度以上のレーザー照射が望まれるので、照射毎のビームの重なり量は８０％程度以上が求められる。高い結晶性の多結晶膜を確実に得るには同一点が１０回程度から３０回程度の照射が行われる様に重なり量を９０％程度から９７％程度へと調整するのが好ましい。
【００２３】
このように高い重ね率でレーザー照射を繰り返しても光導入窓（４０６）の光透過率が低下しないように本発明の半導体製造装置では真空容器（４０５）はゲートバルブ（４４１）によって光導入室（４４２）と光照射室（４４３）の２室に分離される。ゲートバルブを開いた状態で真空中に設置された基板（４０１）上のシリコン膜（４０３）にレーザー照射をおこなう。基板全面の結晶化を終えた状態では、光導入窓にわずかにシリコンが付着しているが、完全な膜ではなく部分的には付着していない部分がある。この時点での透過率低下はまだわずかである。この状態でゲートバルブ（４４１）が閉まり光導入室は光照射室と分離される。しかる後、レーザー導入用の窓（４０６）直下に可動放電電極（４２０）を移動させる。ガス流量をマスフローコントローラ（４２３）によって制御しながら、放電電極に高周波電源（４２１）により交流電圧を印加し放電をおこなう。この放電方法は容量結合型の放電であるが、ここで放電は直流電圧によっておこなってもかまわない。ガス（４２７）としてはＨ２、ＳＦ６、ＣＦ４などを利用することができる。これらのガスを１Ｔｏｒｒ程度の圧力に調整し、放電をおこなうことによってレーザー導入窓の内側に付着したシリコンをエッチングする。レーザー照射により付着したシリコンはごく微量であるので、このようなドライエッチングによって１秒から多くても１０秒で完全に除去可能である。エッチングレートを高めるために光導入窓を加熱するのも有効である。従来の例ではレーザー照射窓の透過率を常に一定に保つのは難しかったが、本発明の方法により石英窓を使った場合常に透過率は９４％以上の値を維持することができ、安定なレーザー照射が可能となる。また、ドライエッチング時間は極めて短時間で済むので、このエッチングは基板搬送の時間内で十分終了することが可能で、装置のスループットを落とすことが無い。しかるエッチングの後、すぐにガスの排気を開始する。ゲートバルブ（４４１）を開いて真空容器全体を再度真空に保ち次の基板のレーザー結晶化をおこなう。この際、光照射室は光導入室を真空にするためのバッファとしての役割を果たす（すなわち短時間でチャンバー全体を再度高真空に到達させる役割）。このため、光導入室の容積は光照射室の容積より小さい方がよい。望ましくは５分の１以下の容積がよい。また、放電用の電極は図３に示すように真空容器の外部に設置してもよい。特にこの場合は放電電極をリング状の形状にし先端を真空容器に接触させた誘導結合型の放電電極（５２１）が有効である。このような電極構造であればレーザー光路を取り囲みながらレーザー光の光路は遮らない構造で電極を作製でき、しかも大気中に電極を設置できるので可動電極のような複雑な構造が不要となり、低コストで装置作製が可能である。なお且つ、誘導結合型の放電を用いれば低圧力で高密度のプラズマを発生できるので、レーザー照射窓の付着物エッチング処理を極めて短時間で実行した後、すぐさま高真空に到達することができる。
【００２４】
このようにして、レーザー結晶化を多数の大型基板に対しておこなってもレーザー導入窓の透過率を常に一定に保つことが可能となるのである。しかもエッチングは基板搬送と並列でおこなうことができるため、装置のスループットはまったく低下しないのである。
【００２５】
【実施例】
本発明の実施例を図３にそって説明する。本発明で用いられる基板及び下地保護膜に関しては前述の説明に準ずるが、ここでは基板の一例として外形サイズが３００ｍｍ×３００ｍｍの正方形状汎用無アルカリガラス５０１を用いる。まず基板（５０１）上に基板温度を１５０゜ＣとしてＥＣＲ−ＰＥＣＶＤ法にて２００ｎｍ程度の膜厚を有する酸化硅素膜（５０２）を堆積する。次に高真空型ＬＰＣＶＤ装置を用いて、原料ガスで有るジシラン（Ｓｉ２  Ｈ６  ）を２００ＳＣＣＭ流し、４２５℃の堆積温度で非晶質シリコン膜（５０３）を５０ｎｍ堆積する。次にこの基板にエキシマレーザー光（５０６）を照射し結晶化をおこなう。このレーザー結晶化装置は真空容器（５０５）の中にＸ−Ｙステージ（５０７）を有し、この上部に基板ホルダ（５０６）がある。この基板ホルダに前述の基板（５０１）を設置する。Ｘ−Ｙステージ（５０７）はボールネジ（５０８）の回転によって移動し、このボールネジはパルスモータ（５０９）によって駆動される。レーザー導入窓（５２０）はセラミック製の支持台（５２４）上に固定され、支持台のまわりに誘導結合型の放電電極（５２３）がコイル状に設置してあり、この電極はマッチングボックス（５２２）を介して交流電源（５２１）に接続されている。１×１０−４Ｐａの真空中でレーザー照射をしながら基板（５０１）を移動させ、基板全面のシリコン薄膜を結晶化させる。結晶化が終了すると同時にゲートバルブ（５４４）が閉まり、結晶化させた基板はすぐさま真空ロボットにより別の真空容器への搬送作業に入る。ゲートバルブが閉まると同時にガス導入口からＳＦ６ガスを８０ｓｃｃｍ流し、チャンバー内圧力を１．３Ｐａに調整する。しかる後、放電電極に５００Ｗのパワーで交流電圧を印加し放電させ、レーザー導入窓（５２０）の内側に付着したシリコンをエッチングする。ガス圧力は安定するまでに時間がかかるが、放電はすぐさま開始しても良い。結晶化処理をおこなう半導体がシリコンの場合、ＳＦ６ガスはエッチングレートが高く特に効率的である。誘導結合型の高密度プラズマによって、レーザー導入窓に付着したシリコンはわずか５秒で完全にエッチングされ、次の基板をレーザー結晶化する際にはレーザー導入窓（５２０）の透過率は完全に元どおりになっている。この後ゲートバルブ（５４４）をひらき、光導入室を真空に排気する。この際には新しい基板が搬送されセットされており、時間の無駄なく次のレーザー照射をおこなうことができる。これによってレーザー結晶化条件の経時変化を完全に解消でき、安定した特性の結晶シリコン膜を得ることができるようになった。しかも装置のスループットは従来の装置とまったく変わらない。
【００２６】
従来の技術では、レーザー導入窓の透過率変化により結晶膜の特性にバラツキが発生すると共に、装置稼働率の低下による低スループットが問題となっていた。しかし、以上述べて来た様に本発明の半導体製造装置および薄膜半導体の製造方法を用いることによって、レーザー導入窓の透過率を一定に維持するができ結晶膜の特性の均一性を飛躍的に向上できると共に、装置の稼働率の向上によって高いスループットを持った製造装置を実現することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体製造装置を示す図。
【図２】レーザー結晶化時のライン状レーザービーム照射方法を示す図。
【図３】本発明の半導体製造装置を示す図。
【図４】レーザー結晶化時のレーザービームを示す図。
【図５】従来の半導体製造装置を示す図。
【符号の説明】
１０１．．．基板
１０２．．．下地絶縁膜
１０３．．．半導体膜
１０４．．．絶縁膜
１０６．．．石英窓
１０７．．．レーザー光
１１０．．．結晶化半導体膜
１１１．．．酸素ガスまたは酸素ラジカル
１０９．．．排気管
１１３．．．ゲート絶縁膜
１１４．．．ゲート電極
１１５．．．ソース、ドレイン領域
１１６．．．層間絶縁膜
１１７．．．ソース、ドレイン電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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