(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
導波管により伝送される電力と、ストリップ線路により伝送される電力とを相互に変換可能な導波管・伝送線路変換器であって、
前記導波管の開口部に位置する第１誘電体基板と、
前記第１誘電体基板の外側の面に設けられた、切り込みを入れた短絡金属層と、
前記導波管内に、前記短絡金属層より一定距離離して略平行に設けられた整合素子と、
前記第１誘電体基板と前記整合素子との間に位置する第２誘電体基板と
を備え、
前記切り込みに配置された前記ストリップ線路と、前記整合素子とが、互いに接近して配置されることにより互いに電磁的に結合される
ことを特徴とする導波管・伝送線路変換器。
【請求項２】
導波管により伝送される電力と、ストリップ線路により伝送される電力とを相互に変換可能な導波管・伝送線路変換器であって、
前記導波管の開口部に位置する誘電体基板と、
前記誘電体基板の外側の面に設けられた、切り込みを入れた短絡金属層と、
前記誘電体基板の内側の面に設けられた整合素子と
を備え、
前記切り込みに配置された前記ストリップ線路と、前記整合素子とが、互いに接近して配置されることにより互いに電磁的に結合される
ことを特徴とする導波管・伝送線路変換器。
【請求項３】
前記ストリップ線路が付設されている誘電体基板は、
前記ストリップ線路が付設されている面とは反対側の面に、前記導波管の開口部と接合される接地金属層を有する
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の導波管・伝送線路変換器。
【請求項４】
前記誘電体基板、又は、前記第１誘電体基板は、
前記短絡金属層と前記導波管とを電気的に接続するためのスルーホールを有する
ことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の導波管・伝送線路変換器。
【請求項５】
前記切り込みに配置された前記ストリップ線路を複数本有することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の導波管・伝送線路変換器。
【請求項６】
前記ストリップ線路が付設されている誘電体基板と高周波回路が形成されている回路基板、或いは、
前記第１誘電体基板と前記第２誘電体基板は、一体成形されている
ことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の導波管・伝送線路変換器。
【請求項７】
前記ストリップ線路の前記整合素子と重なっている長さによって、インピーダンスを制御することを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の導波管・伝送線路変換器。
【請求項８】
前記整合素子の前記ストリップ線路と平行な長さによって、共振周波数を制御することを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の導波管・伝送線路変換器。
【請求項９】
前記ストリップ線路と前記整合素子との間隔は０．０１λg 〜０．２０λg である（ただし、λg は前記ストリップ線路と前記整合素子との間に存在する誘電体内における波長である）ことを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の導波管・伝送線路変換器。
【請求項１０】
前記短絡金属板又は前記短絡金属層と前記ストリップ線路との間隔は０．０３λg 〜０．０６λg である（ただし、λg は前記間隔に存在する媒体の内部における波長である）ことを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の導波管・伝送線路変換器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マイクロ波、ミリ波帯の電力を変換する導波管・伝送線路変換器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
導波管により伝送される電力と、ストリップ線路により伝送される電力とを相互に変換可能な導波管・伝送線路変換器については、公開特許公報「特開平１０−１２６１１４：給電線変換器」に記載されたもの等が一般に知られている。
図１３に、従来技術による導波管・伝送線路変換器３００の斜視図を、図１４に、同変換器３００の断面図（ａ），（ｃ）、及び、底面の平面図（ｂ）をそれぞれ示す。
【０００３】
誘電体基板４の一方の面にはストリップ線路３が、他方の面には導波管２の開口部と接続される接地金属層５が、それぞれ設けられている。誘電体基板４は、短絡導波管ブロック９と導波管２とで挟み込む様にして固定されている。導波管２内の電界が強い位置にストリップ線路３を挿入した時に高い電力変換効率が得られるため、短絡導波管ブロック９の短絡面とストリップ線路３との距離は、導波管管内波長λの約１／４に設定されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
従来技術による導波管・伝送線路変換器３００においては、導波管２と高周波回路とを接続する際、ストリップ線路３はこの高周波回路が形成される基板平面上に位置するため、短絡導波管ブロック９が高周波回路から凸部として垂直に突き出す形になる。特に、マイクロ波を取り扱う場合には、この凸部の高さ（λ／４）が２cmを超える場合も有り、この短絡導波管ブロック９が高周波回路の小型化の阻害要因となっている。
【０００５】
一方、ミリ波等の高い周波数帯を取り扱う場合には、導波管２、短絡導波管ブロック９、及び、ストリップ線路３の各間における僅かな位置ずれが生じても変換器３００の整合特性は劣化してしまうため、高い電力変換効率を得るためには、これらの部品を１／１００mm程度の高い位置精度で固定する必要がある。
しかしながら、上記の従来の構造では、特に、短絡導波管ブロック９と導波管２とをこのように高い精度で固定することは難しく、従来の構造は、導波管・伝送線路変換器を量産する上での阻害要因となっている。
【０００６】
本発明は、上記の課題を解決するために成されたものであり、その目的は、高い電力変換効率を維持しつつ、小型化及び量産の容易な導波管・伝送線路変換器を実現することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するためには、以下の手段が有効である。
即ち、第１の手段は、導波管により伝送される電力と、ストリップ線路により伝送される電力とを相互に変換可能な導波管・伝送線路変換器において、導波管の開口部に位置する第１誘電体基板と、この第１誘電体基板の外側の面に設けられた切り込みを入れた短絡金属層と、導波管内にこの短絡金属層より一定距離離して略平行に設けられた整合素子と、第１誘電体基板と整合素子との間に位置する第２誘電体基板とを備え、短絡金属層の切り込みに配置されたストリップ線路と整合素子とを、互いに接近して配置することにより互いに電磁的に結合することである。
【０００８】
また、第２の手段は、導波管により伝送される電力と、ストリップ線路により伝送される電力とを相互に変換可能な導波管・伝送線路変換器において、導波管の開口部に位置する誘電体基板と、この誘電体基板の外側の面に設けられた切り込みを入れた短絡金属層と、誘電体基板の内側の面に設けられた整合素子とを備え、短絡金属層の切り込みに配置されたストリップ線路と整合素子とを、互いに接近して配置することにより互いに電磁的に結合することである。
【０００９】
また、第３の手段は、上記の第１又は第２の手段において、ストリップ線路が付設されている誘電体基板のストリップ線路が付設されている面とは反対側の面に、導波管の開口部と接合される接地金属層を設けることである。
【００１０】
また、第４の手段は、上記の第１乃至第３の何れか１つの手段において、誘電体基板、又は、第１誘電体基板に、短絡金属層と導波管とを電気的に接続するためのスルーホールを設けることである。
【００１１】
また、第５の手段は、上記の第１乃至第４の何れか１つの手段において、短絡板、又は、短絡金属層の切り込みに配置されたストリップ線路を複数本設けることである。
【００１２】
また、第６の手段は、上記の第１乃至第５の何れか１つの手段において、ストリップ線路が付設されている誘電体基板と高周波回路が形成されている回路基板、或いは、第１誘電体基板と第２誘電体基板とを一体成形することである。
また、第７の手段は、上記の第１乃至第６のいずれか１つの手段において、ストリップ線路の整合素子と重なっている長さによって、インピーダンスを制御することを特徴とすることである。
また、第８の手段は、上記の第１乃至第７のいずれか１つの手段において、整合素子のストリップ線路と平行な長さによって、共振周波数を制御することである。
【００１３】
また、第９の手段は、上記の第１乃至第８のいずれか１つの手段において、ストリップ線路と整合素子との間隔は０．０１λg 〜０．２０λg である（ただし、λg はストリップ線路と整合素子との間に存在する誘電体内における波長である）ことである。
また、第１０の手段は、上記の第１乃至第９のいずれか１つの手段において、短絡金属板又は短絡金属層とストリップ線路との間隔は０．０３λg 〜０．０６λg である（ただし、λg は間隔に存在する媒体の内部における波長である）ことである。
以上の手段により、前記の課題を解決することができる。
【００１４】
【作用及び発明の効果】
本発明の手段によれば、短絡板又は短絡金属層の切り込みに配置されたストリップ線路と整合素子とは、互いに接近して配置されて互いに電磁的に結合し、この両者の電磁的結合により、電力の変換が行われる。従って、従来の導波管・伝送線路変換器において構成上不可欠であった短絡導波管ブロック９が必要なくなる。このため、高周波回路の基板平面上からおよそλ／４突き出ていた前記の凸部がなくなり、導波管・伝送線路変換器を平面化（小型化）することが可能となる。
【００１５】
また、短絡導波管ブロック９が無くなったため、前記の様に特に困難であった短絡導波管ブロック９と導波管２との間の、λ／４という制約を伴う高精度な相対的位置決めの問題もなくなり、製造が容易となる。
【００１６】
また、本発明の手段によれば、ストリップ線路の導波管に対する挿入長でインピーダンス整合を図ることができ、更に、整合素子の大きさや、ストリップ線路との間隔により伝送・変換される周波数帯域を決定することができる。
例えば、導波管断面形状の長手方向における整合素子の幅が広いと、周波数帯域の幅も広くなり、整合素子のこれと垂直方向の幅は、遮断周波数を決める。また、整合素子のストリップ線路との間隔（間に介在する誘電体基板の厚さ）が狭いと周波数帯域の幅が狭くなり、この間隔を広くすると周波数帯域の幅も広くなる。
したがって、これらのパラメータを適切に調整することにより、所望の周波数で損失の少ない導波管・伝送線路変換器を実現することが可能となる。
【００１７】
また、本発明の接地金属層により、ストリップ線路が付設されている誘電体基板と導波管とを容易、かつ、確実に密着固定することが可能となる。そのため、電力損失の少ない導波管・伝送線路変換器を実現することができる。
また、本発明のスルーホールに金属等の導体を埋め込めば、短絡金属層と導波管とを確実に同電位にすることができる。これにより、更に電力損失の少ない導波管・伝送線路変換器を実現することができる。
また、ストリップ線路の整合素子と重なっている長さによって、インピーダンスを変化させて、変換器における入力と出力のインピーダンス整合を図ることが可能となる。
また、整合素子のストリップ線路と平行な長さによって、共振周波数を変化させることができるので、共振周波数の調整が容易となる。
また、ストリップ線路と整合素子との間隔を０．０１λg 〜０．２０λg とすることで、変換器における損失を低くすることができる。
また短絡金属板又は短絡金属層とストリップ線路との間隔を０．０３λg 〜０．０６λg とすることで、変換器における損失を低くすることができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。
（第１実施例）
図１に本実施例の導波管・伝送線路変換器１００の斜視図を、図２に本導波管・伝送線路変換器１００の断面図（ａ），（ｃ），（ｄ）、及び、底面の平面図（ｂ）をそれぞれ示す。
【００１９】
誘電体基板４の一方の面には、ストリップ線路３が設けられ、その反対側の面には、導波管２の側壁の厚さとほぼ同じ幅の長方形の接地金属層５が設けられている。これらの導体（ストリップ線路３、接地金属層５）は、フォトエッチング等の製法により、形成されたものである。
【００２０】
短絡板１には、誘電体基板４の平面形状（長方形）と略合同の切り込みが設けられている。誘電体基板４は、短絡板１の切り込みと嵌合し、かつ、接地金属層５が、溶接又は半田付け等により導波管２の開口部と密着固定されることにより、導波管２の開口部に固定されている。
【００２１】
導波管２の開口部の内部には、誘電体基板７が設置されており、この誘電体基板７は、誘電体基板４及び短絡板１と密着して固定されている。
この誘電体基板７の、上記ストリップ線路３とは反対側の面の中央には、略正方形の金属層がフォトエッチングにより形成されている。以下、このような金属層をその機能より「整合素子６」と呼ぶ。この整合素子６は、ストリップ線路３に接近して設けられているため、両者は互いに電磁的に結合されている。
【００２２】
以上の構成により、従来の導波管・伝送線路変換器３００において、高周波回路の基板平面上からおよそλ／４突き出ていた凸部がなくなり、導波管・伝送線路変換器を平面化（小型化）することが可能となった。また、従来、特に困難であった短絡導波管ブロック９と導波管２との間の、λ／４という制約を伴う高精度な相対的位置決めの問題もなくなり、製造が容易となった。
【００２３】
また、本実施例の導波管・伝送線路変換器１００の構成によれば、ストリップ線路の導波管に対する挿入長でインピーダンス整合を図ることができ、更に、整合素子の面積で伝送・変換される周波数帯域を決定することができるため、所望の周波数で損失の少ない導波管・伝送線路変換器を実現することが可能となった。
図９に、ストリップ線路３の導波管２に対する挿入長ρと入力側電圧定在波比との関係を示す。ただし、ストリップ線路挿入長ρは、図２（ａ）に示すように、ストリップ線路３と整合素子６とが導波管２の短辺に平行な方向において重なる長さである。図９の横軸は、このストリップ線路挿入長ρを導波管２の短辺に平行な整合素子長Ｌで正規化した値ρ／Ｌ（以下、正規化ストリップ線路挿入長という）を示している。
ストリップ線路長ρを、０．１１Ｌ≦ρ≦０．２８Ｌ、又は、０．４５Ｌ≦ρ≦０．７３Ｌの範囲に設定することにより、入力側電圧定在波比を１．５以下とすることができる。このように、ストリップ線路長ρによって入力側電圧定在波比を制御できる。即ち、変換器における入力、出力のインピーダンス整合が実現できる。
図１０に、整合素子長Ｌと共振周波数ｆとの関係を示す。ただし、図１０の横軸は、整合素子長Ｌを所定整合素子長Ｌ0 で正規化した値Ｌ／Ｌ0 （以下、正規化整合素子長という）を示し、図１０の縦軸は、共振周波数ｆを所定共振周波数ｆ0 で正規化した値ｆ／ｆ0 （以下、正規化共振周波数という）を示している。なお、整合素子長がＬ0 の時の共振周波数がｆ0 である。
整合素子長Ｌを長くするに従い、共振周波数ｆは低下しており、整合素子長Ｌで共振周波数ｆを制御できることが理解される。
本実施例の導波管・伝送線路変換器１００の構成によれば、ストリップ線路３と整合素子６との導波管２の管軸方向における間隔ｄ（図２（ａ）に示す誘電体基板４と誘電体基板７との厚さの合計）を０．０１λg ≦ｄ≦０．２０λg の範囲としても、低損失な特性を実現することができる。ただし、λg は誘電体内における伝搬波長である。
また、誘電体基板４及び誘電体基板７の比誘電率を１〜１０としても低損失な特性を実現することができる。
短絡板１とストリップ線路３との間隔に関しては、ストリップ線路３の電磁界が乱れず、しかも、その間隔からの電力漏洩が抑えられるように、その間隔を０．０３λg 〜０．０６λg とすると、低損失な特性を実現できる。
図１１に導波管・伝送線路変換器１００の反射量、透過量の周波数特性を示す。所望する所定周波数ｆ0 で反射量−４０ｄＢ以下、透過損失０．３ｄＢ以下と低損失な特性となっていることが分かる。なお、図１１は、ストリップ線路挿入長ρを０．１８Ｌ、整合素子長Ｌを０．５λg 、ストリップ線路３と整合素子６との導波管２の管軸方向の間隔ｄを０．０５λg 、誘電体基板４と誘電体基板７の比誘電率を共に２．２、短絡板１とストリップ線路３との間隔を０．０４λg としたときの特性である。
【００２４】
尚、本実施例においては、誘電体基板４は、図１及び図２に示すが如く短絡板１の切り込みと略合同形状に形成されているが、誘電体基板４は、高周波回路が形成されている回路基板、或いは、誘電体基板７と一体成形されていても良い。例えば、誘電体基板４を高周波回路が形成されている回路基板及び誘電体基板７と一体成形することにより、電力変換効率を劣化させることなく、導波管・伝送線路変換器１００の小型化、低コスト化、量産化をより容易に実現することが可能となる。
【００２５】
（第２実施例）
図３に本実施例の導波管・伝送線路変換器１１０の斜視図を、図４に本導波管・伝送線路変換器１１０の断面図（ａ），（ｃ），（ｄ）、及び、底面の平面図（ｂ）をそれぞれ示す。
本導波管・伝送線路変換器１１０の導波管２、ストリップ線路３、整合素子６、誘電体基板７の各位置関係は、第１実施例の導波管・伝送線路変換器１００の各々の位置関係と同じである。従って、本導波管・伝送線路変換器１１０は、第１実施例の導波管・伝送線路変換器１００と略同等の変換機能を持つ。
【００２６】
しかしながら、本導波管・伝送線路変換器１１０は、導波管・伝送線路変換器１００の短絡板１が持つ導波管短絡面を誘電体基板上に形成された短絡金属層１１により構成している点が、第１実施例の導波管・伝送線路変換器１００とは大きく異なっている。
【００２７】
即ち、本導波管・伝送線路変換器１１０（図３、図４）の誘電体基板４には、その一方の面に短絡金属層１１が形成されている。この短絡金属層１１は、ストリップ線路３を配置するための切り込みを備え、短絡金属層１１とストリップ線路３は、誘電体基板４の同一面上に一定の間隔をおいて配置されている。
【００２８】
誘電体基板４のもう一方の面には、接地金属層５が導波管２の開口部の断面形状と略合同形状に形成されており、短絡金属層１１と接地金属層５及び導波管２とは、誘電体基板４の周囲に設けられたスルーホール８に埋め込まれている金属により、同電位に保たれている。
また、導波管・伝送線路変換器１００と同様に、誘電体基板７の一方の面には、整合素子６が設けられており、もう一方の面は、誘電体基板４と接着固定されている。
図３に示すように、スルーホール８のうち、ストリップ線路３の両脇にある２つのスルーホール８ａ、８ｂの位置は、インピーダンス整合に影響する。図１２に、ストリップ線路３の両脇にある２つのスルーホール８ａ、８ｂの位置ｇと入力側反射量との関係を示す。位置ｇは、図３に示すように、導波管２の長辺に平行な方向における短絡金属層１１の端とスルーホール８ａ、８ｂの端との間隔ｇで定義されている。
短絡金属層端−スルーホール端間隔ｇを０．０１λg 〜０．１２λg に設定することにより、反射量を−２０ｄＢ以下に低下させることができる。
なお、本実施例においても、第１実施例と同様に、図９、図１０、図１１に示す特性が得られる。即ち、第１実施例と同様に、ストリップ線路長ρによって入力側電圧定在波比を制御でき、従って、変換器における入力、出力のインピーダンス整合が実現できる。
また、整合素子長Ｌで共振周波数ｆを制御できる。さらに、ストリップ線路３と整合素子６との導波管２の管軸方向における間隔ｄ（図４（ａ）に示す誘電体基板４と誘電体基板７との厚さの合計）を０．０１λg ≦ｄ≦０．２０λg の範囲としても、低損失な特性を実現することができる。また、誘電体基板４及び誘電体基板７の比誘電率を１〜１０としても低損失な特性を実現することができる。さらに、短絡板１とストリップ線路３との間隔に関しては、０．０３λg 〜０．０６λg とすると、低損失な特性を実現できる。
【００２９】
誘電体基板４は、導波管２の外側向きに拡張することができるので、その拡張部分には、高周波回路や平面アンテナを形成することができる。即ち、本導波管・伝送線路変換器１１０の構成によれば、導波管・伝送線路変換器１１０の一部（誘電体基板４、ストリップ線路３、短絡金属層１１、接地金属層５など）を高周波回路や平面アンテナを形成するためのフォトエッチング工程と同時に同一の工程において形成することができるため、高周波回路や平面アンテナと導波管・伝送線路変換器とを組み合わせた回路を構成する場合には、生産工程が削減・簡略でき、生産コストが低減できる。
【００３０】
（第３実施例）
図５に本実施例の導波管・伝送線路変換器１２０の斜視図を、図６に本導波管・伝送線路変換器１２０の断面図（ａ），（ｃ）、及び、底面の平面図（ｂ）をそれぞれ示す。
本導波管・伝送線路変換器１２０は、第２実施例の導波管・伝送線路変換器１１０の誘電体基板７をその構成要素より除外し、整合素子６を誘電体基板４の接地金属層５が形成されている面と同じ面に形成したものである。
【００３１】
即ち、本導波管・伝送線路変換器１２０の誘電体基板４の一方の面には、短絡金属層１１が形成されており、この短絡金属層１１は、ストリップ線路３を配置するための切り込みを備えている。短絡金属層１１とストリップ線路３は、誘電体基板４の同一面上に一定の間隔をおいて配置されている。
【００３２】
誘電体基板４のもう一方の面には、接地金属層５が導波管２の開口部の断面形状と略合同形状に形成されており、短絡金属層１１と接地金属層５及び導波管２とは、誘電体基板４の周囲に設けられたスルーホール８に埋め込まれている金属により、同電位に保たれている。
また、誘電体基板４の接地金属層５が形成されている面には、整合素子６が設けられている。
【００３３】
このように導波管・伝送線路変換器１２０を構成することにより、導波管２を除いた導波管・伝送線路変換器１２０の殆ど全てを高周波回路や平面アンテナと同じ基板（誘電体基板４）上に構成することが出来、その製造工程も高周波回路や平面アンテナを形成するためのフォトエッチング工程と同一の工程において実現することができる。
【００３４】
また、導波管・伝送線路変換器１２０の構成によれば、整合素子６を形成する際の位置誤差も全く考慮する必要が無くなるため、量産は大幅に容易となる。
したがって、高周波回路や平面アンテナと導波管・伝送線路変換器とを組み合わせた回路を構成する場合には、第２実施例の導波管・伝送線路変換器１１０の場合よりも更に生産工程が削減・簡略でき、生産コストが低減できる。
なお、本実施例においても、第１実施例、第２実施例と同様に、図９、図１０、図１１に示す特性が得られる。即ち、第１実施例、第２実施例と同様に、ストリップ線路長ρによって入力側電圧定在波比を制御でき、従って、変換器における入力、出力のインピーダンス整合が実現できる。
また、整合素子長Ｌで共振周波数ｆを制御できる。さらに、ストリップ線路３と整合素子６との導波管２の管軸方向における間隔ｄ（図６（ａ）に示す誘電体基板４厚さ）を０．０１λg ≦ｄ≦０．２０λg の範囲としても、低損失な特性を実現することができる。また、誘電体基板４の比誘電率を１〜１０としても低損失な特性を実現することができる。さらに、短絡金属層１１とストリップ線路３との間隔に関しては、０．０３λg 〜０．０６λg とすると、低損失な特性を実現できる。
また、第２実施例と同様に、図１２に示す特性が得られる。即ち、短絡金属層端−スルーホール端間隔ｇを０．０１λg 〜０．１２λg に設定することにより、反射量を−２０ｄＢ以下に低下させることができる。
【００３５】
（第４実施例）
以上の第１乃至第３実施例では、どの導波管・伝送線路変換器においても、ストリップ線路３は、１本しか設けられていなかったが、ストリップ線路３は、例えば、図７の導波管・伝送線路変換器１４０のように、導波管短絡面上に複数本設けても良い。
図７にストリップ線路３を導波管短絡面上に複数本（２本）設けた導波管・伝送線路変換器１４０の斜視図を、図８に本導波管・伝送線路変換器１４０の断面図（ａ），（ｃ），（ｄ）、及び、底面の平面図（ｂ）をそれぞれ示す。尚、第２実施例の図３、４、第３実施例の図５、６において、同様に、複数本のストリップ線路３を設ける構成が適用できるのは、自明である。
【００３６】
本導波管・伝送線路変換器１４０は、第１実施例の導波管・伝送線路変換器１００の短絡板１に切り込みを２つ左右対象に設け（平面図（ｂ））、各切り込みにストリップ線路３をそれぞれ１本ずつ配置する構成にしたものと考えることができる。即ち、本導波管・伝送線路変換器１４０は、短絡板１に設けられた切り込みの数、及び、ストリップ線路３の本数以外の点では、導波管・伝送線路変換器１００と同様の構造をしている。
【００３７】
このように導波管短絡面上に複数本のストリップ線路３を設けることにより、導波管・伝送線路変換器を、１本の導波管２により伝送される電力を複数本のストリップ線路３により伝送される電力に分岐・変換するマイクロ波分岐器や、複数本のストリップ線路３により伝送される電力を１本の導波管２により伝送される電力に合成・変換するマイクロ波合成器として使用することも可能となる。
【００３８】
なお、本導波管・伝送線路変換器１４０においては、短絡板１に設けられた切り込みとストリップ線路３とが、おのおの２つずつ有り、かつ、それぞれ１対１に対応しているが、上記の各実施例において、短絡板１や短絡金属層１１に設ける切り込みの数は、複数個でもよく、また、切り込みとストリップ線路３とは、必ずしも１対１に対応している必要はない。
【００３９】
尚、上記の第２及び第３実施例においては、接地金属層５は、導波管２の開口部の形状（導波管２の断面形状）と略合同に形成されているが、接地金属層５は、更に導波管２の内側方向に広がって形成されていても良い。
例えば、第３実施例の導波管・伝送線路変換器１２０における接地金属層５の形状は、接地金属層５と整合素子６との間隔が一定以上に保たれており、導波管２の開口部の断面領域を含んでいれば任意である。
【００４０】
また、上記の実施例において、整合素子６は、長方形であったが、整合素子６の形状には、特に制約はなく、円形、リング形状などでも良い。
【００４１】
また、上記の各実施例においては、特に言及しなかったが、導波管の内部には、誘電体等を充填しても良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施例の導波管・伝送線路変換器１００の斜視図。
【図２】第１実施例の導波管・伝送線路変換器１００の断面図（ａ），（ｃ），（ｄ）、及び、底面の平面図（ｂ）。
【図３】第２実施例の導波管・伝送線路変換器１１０の斜視図。
【図４】第２実施例の導波管・伝送線路変換器１１０の断面図（ａ），（ｃ），（ｄ）、及び、底面の平面図（ｂ）。
【図５】第３実施例の導波管・伝送線路変換器１２０の斜視図。
【図６】第３実施例の導波管・伝送線路変換器１２０の断面図（ａ），（ｃ）、及び、底面の平面図（ｂ）。
【図７】第４実施例の導波管・伝送線路変換器１４０の斜視図。
【図８】第４実施例の導波管・伝送線路変換器１４０の断面図（ａ），（ｃ），（ｄ）、及び、底面の平面図（ｂ）。
【図９】第１実施例の導波管・伝送線路変換器１００の正規化ストリップ線路挿入長と電圧定在波比との関係を測定して得られた特性図。
【図１０】第１実施例の導波管・伝送線路変換器１００の正規化整合素子長と正規化共振周波数との関係を測定して得られた特性図。
【図１１】第１実施例の導波管・伝送線路変換器１００の正規化周波数と反射量、透過量との関係を測定して得られた特性図。
【図１２】第２実施例の導波管・伝送線路変換器１１０の正規化短絡金属層端−スルーホール端間隔と反射量との関係を測定して得られた特性図。
【図１３】従来技術の導波管・伝送線路変換器３００の斜視図。
【図１４】従来技術の導波管・伝送線路変換器３００の断面図（ａ），（ｃ）、及び、底面の平面図（ｂ）。
【符号の説明】
１      …  短絡板
２      …  導波管
３      …  ストリップ線路
４，７  …  誘電体基板
５      …  接地金属層
６      …  整合素子
８      …  スルーホール
１１    …  短絡金属層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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