(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの物質を、連続的なストリップの形態にある金属製品の組成へ添加することにより、該金属製品を複合的硬化する方法であって、
該連続的なストリップを減圧チャンバー内を通して移動させる工程、
該移動ストリップをアニールする工程であって、該アニール工程が、該減圧チャンバー内で起こり、かつ、プラズマの電力散逸により得られるストリップの温度上昇工程と該上昇した温度を維持する温度維持工程とからなる減圧プラズマアニール工程である工程、及び
該アニール工程の間、該減圧チャンバー内で、該温度上昇工程のプラズマ又は該温度維持工程で作成されたプラズマを用いて、該物質を該移動ストリップに適用する工程、
を含み、
該温度上昇工程における温度が、該ストリップの融点未満であるが該物質の該ストリップへの拡散を許容するのに十分に高い温度である、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
適用工程を、スパッタリング技術又は該物質を含むキャリヤーガスの分解技術又はこれらの技術の組合せにより行う、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
金属製品が、軟鋼、ステンレス鋼又はアルミニウム製である、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
減圧プラズマアニール工程の後、ストリップを減圧チャンバー内で冷却する、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、少なくとも１つの物質を金属製品に添加することにより金属製品を複合的に硬化（compositional setting）させる方法に関する。
製鉄技術の現状において、１以上の物質による鋼の複合的硬化は、製鋼レイドル（steelmaking ladle）において行われている。これにはいくつかの欠点がある。
処理量が非常に大きいので、特別の加熱を必要とする製品に限り柔軟性の特定の不足が生じる。例えば、リン化鋼（phosphorus steel）の場合である。更にこれらの処理量は、鋼の品質低下の問題としばしば関連する融解の問題を生じる。
更に、鋼の構成は常に等方性である。なぜなら、複合的硬化は、液相の鋼において行われるからである。それゆえ、延性コア及び硬性シェルを有する「複合」鋼を製造することは不可能である。
更に、最適の機械的性質、例えば高い降伏応力、高い伸び及び絞り性を生じるテクスチャー（texture）の結晶化及び発達は、ある元素、例えば炭素及びチタンの存在下においては多くの場合困難である。これらの元素は金属の凝固工程の後に有利に導入することができる。
本発明の提案される方法は、これら種々の問題の解決法を提供する。
本発明の方法により、凝固工程後の鋼の複合的硬化は、製鋼において非常に大量の標準組成物を用いて行うことができ、あるものは特別の加熱を不要にし、結果として品質低下の問題を大幅に減少させる。更に、非常に小さいトン数の特殊鋼の製造をも可能にする。
更に本発明の方法は、表面とコアとの間に組成勾配（compositional gradient）を有する「複合」鋼の製造を可能にする。したがって、例えば硬性シェル及び延性コアを有する鋼を製造することができる。
本発明に従い、凝固後の鋼又はその他の金属の複合的硬化を許容する方法が提案される。したがって、極低炭素鋼の結晶化、続く複合的硬化が可能になる。この手順様式により、最終組成物を用いて結晶化を得る場合と比較して機械特性を改善することができる。
【０００２】
本発明の方法は、少なくとも１つの物質を、連続的なストリップの形態にある金属製品の組成へ添加することにより、該金属製品を複合的硬化する方法であって、
該連続的なストリップを減圧チャンバー内を通して移動させる工程、
該移動ストリップをアニールする工程であって、該アニール工程が、該減圧チャンバー内で起こり、かつ、プラズマの電力散逸により得られるストリップの温度上昇工程と該上昇した温度を維持する温度維持工程とからなる減圧プラズマアニール工程である工程、及び
該アニール工程の間、該減圧チャンバー内で、該温度上昇工程のプラズマ又は該温度維持工程で作成されたプラズマを用いて、該物質を該移動ストリップに適用する工程、
を含み、
該温度上昇工程における温度が、該ストリップの融点未満であるが該物質の該ストリップへの拡散を許容するのに十分に高い温度である、
ことを特徴とする方法に関する。
本発明の更なる詳細及び特徴は、本発明の方法を実施するためのプラントの模式図である添付図面を参照しながら、下記の本発明の幾つかの特定の態様の非限定的実施例により明らかになるだろう。
一般的に、本発明は、金属の化学組成を固体状態で改質することを許容する方法であって、減圧チャンバーを通して移動する連続的なストリップの形態にある金属製品から構成されるプロセスユース（process use）に従い、例えば１３×１０-3〜１３３×１０2Ｐａ（１０-4〜１００Ｔｏｒｒ）の全ガス圧を得る工程、前記ストリップの反対面又は両面でプラズマを作成して、例えば照射及び／又は拡散により、チャンバー内に存在する予め決定した物質を前記ストリップへ導入する工程を含む方法に関する。ストリップを加熱し、物質のストリップへの少なくとも部分的な拡散を許容するのに十分に高い温度を維持する。しかしながら、この温度は、ストリップを構成する材料の融点よりも低い。例えば、ストリップは軟鋼、ステンレス鋼又はアルミニウムから作られるストリップであってもよい。したがって、軟鋼又はステンレス鋼の場合、ストリップを好ましくは約６００〜１２００℃に維持する。一方、アルミニウムの場合は、この温度は一般的には約２００〜６００℃である。
本発明によると、物質をストリップの表面からコアに向かって拡散させ、ストリップの組成を固定することを許容するような条件を減圧チャンバー内で維持することが実際に必要である。
【０００３】
拡散を許容するために、ストリップを有利に予熱して、アニール工程の間に、前記の物質を、プラズマにより形成した放電により組み込む。
添付図面は、本発明にしたがい実施することができる金属ストリップの複合的硬化を行うことができるアニールプラントを示している。ストリップは好ましくは鋼のシートから構成され、アニールがプラズマ放電により行われるこのプラントの減圧チャンバー２をほぼ連続的に移動する。
放電は、チャンバー２の第一のゾーン１０を通過する間に、シート１と対電極３との間に確立され、シート１において放電から電力を散逸させ、アニールを達成する。
より詳細には、実際には、方法はシートをプラズマ４からのイオンカミング（ion coming）により攻撃される間、急速かつ均一な加熱を許容し、同時にシート表面のスケール除去を許容する。
プラズマは、ＤＣプラズマであってもよく、この場合シートは陰極を形成し、又はＡＣプラズマであってもよい。
後者の場合、対電極３を使用し、これは減圧チャンバー又はアニールチャンバー２においてシート１と向かい合うように延長しており、かつシート方向に向けられており、シートの負のセルフバイアシング（self-biasing）を維持するために向かい合うシート部分の領域よりも大きい領域を有する。
マグネトロンスパッタリングの従来の方法と同様に、放電は、シート１に近接しかつ対電極３に対して反対側にある磁石５の存在による誘導磁界の存在下において適宜行ってもよい。
鋼シート１における表面あたりの散逸した出力密度は、典型的には１〜５００Ｗ／ｃｍ2である。一方、このシートの運転速度は一般的には１〜１５００ｍ／分である。
シートのこの領域において温度を上昇させ、電力散逸を起こす。一方、温度の上昇速度は、ライン速度、更にシートの厚さ及びその熱容量における使用する出力密度のマッチングに依存する。
【０００４】
本発明にしたがい、アニールサイクルにおいて温度維持が起こる。これは、例えば、減圧チャンバー２において、減圧下でシートが自由に走るゾーンを提供することにより達成されるだろう。そのような場合、例えばプラズマの作成により加熱が生じるゾーン１０から幾分離れたコンパートメント６を提供することで十分である。この点について、減圧下において、ガスへの伝導により起こる熱損失が制限され、プラズマ放射により起こる損失は、反射器又は放射熱によりシートにおいて回復させてもよい（データは示さず）ことに注意すべきである。
更にその他の場合においては、シート１を、減圧チャンバー２、すなわち減圧下において、冷却ロール７にシートを通過させることにより冷却することが有用であろう。
本発明によると、物質の添加は、ゾーン１０において、真空蒸着システム、例えば標的（図示せず）からのイオンカミングを使用したスパッタリング又はＰＥＣＶＤ（プラズマ増強化学蒸着）技術、すなわち、問題となる物質を含むキャリアーガスの分解により、例えば図の矢印９に模式的に示されるようにプラズマへ注入するすることにより行ってもよい。
本発明の別の形態においては、物質を温度維持ゾーン６へ注入し、放電を適宜作成してもよい。
前記の結果として、本発明の方法は、一般的に、ストリップ１において生成したプラズマ４からの熱損失により得られる温度上昇工程及びストリップ１が折り畳まれた（concertina）様式で配列するコンパートメント６における温度維持工程を含んでいる。
本発明に従い、物質の拡散が起こる集積ゾーン又はコンパートメント６において、元素のストリップの組成への添加が形成し、これはストリップの表面からストリップのコア又は中心に向かって、表面上に固定されることを見いだした。それゆえ、このことは、硬性シェル及び延性コアを有する金属ストリップ１を形成する可能性を説明している。
【０００５】
しかしながら、物質又は追加の元素が、その厚さ全体にわたって均一に分配されている金属ストリップを得ることも可能である。必要とされるすべてのものは、コンパートメント６における温度及びこの温度下での時間の維持の適合である。
更に、ストリップを、コンパートメント６又は続く特別のコンパートメントにおいて、ストリップの冷却前に、公知の技術を使用した仕上げ又は保護フィルムによりコーティングすることもできる。
下記の実施例は、添付図面に示されるタイプのプラントに適用された本発明の方法を更に説明することを可能にする。
実施例  物質のブリキ板への複合的硬化
本実施例は、特に、スズめっきすることを意図する薄鋼板の炭素及び窒素に関しての複合的硬化に関する。基本となる鋼は下記の組成を有していた。Ｃ：０．０３５％、Ｎ：０．００２５％、Ｔｉ：０％、Ｍｎ：０．４％、Ｂ：０％、Ａｌ：０．０４％。
鋼を、ライン速度６００ｍ／分でプラントへ連続的に入れた。ストリップの幅は１０００ｍｍであり、厚さは０．２ｍｍであった。加熱ゾーン１０の入口温度は２０℃であり、ゾーン１０と維持ゾーン６の間の入口温度は８００℃であった。温度上昇は、１０ＭＷの消費電力を用いた長さ７ｍのシートへのプラズマにより達成した。９０％の窒素及び１０％のＣ2Ｈ2から構成される反応性混合物を放電へ注入した。次いで分解ガスを、温度維持ゾーン６に対して飛沫同伴（entrain）した。全ガス圧は２．６７Ｐａ（０．０２Ｔｏｒｒ）であった。この工程の後、実際には反応性アニール工程を構成し、シートを冷却し、スズめっきした。冷却したシートの平均最終炭素及び窒素組成は０．０６％であった。
【０００６】
本発明は、前記の態様に限定されるものではなく、特に、金属ストリップの複合的硬化を意図する追加の物質のアニール及び拡散を行う条件に関しては、むしろ本発明の範囲から離れることなしに多数の種々の代替の態様が認識されるだろう。
【図１】
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