(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性基板の上に、透明導電酸化物膜、少なくとも１つの接合を有する非晶質半導体または微結晶半導体からなる光電変換層、及び裏面電極が順次積層されており、前記透明導電酸化物膜、前記光電変換層、及び前記裏面電極が複数のセル領域に分離され、かつ分離されたセル領域が、隣接するセル領域間で直列に接続されている光起電力装置であって、
前記透明導電酸化物膜の分離された領域の両端に、該透明導電酸化物膜が形成されていない分離部に向かって厚みが薄くなるテーパ部が形成されており、
前記裏面電極との接続部に近い側のテーパ部の幅が、他方のテーパ部の幅よりも１０％以上狭いことを特徴とする光起電力装置。
【請求項２】
前記テーパ部における結晶の配向性が該透明導電酸化物膜の他の部分よりも高くなっているか、あるいは結晶粒径が該透明導電酸化物膜の他の部分よりも大きくなっていることを特徴とする請求項１記載の光起電力装置。
【請求項３】
前記テーパ部が、前記透明導電酸化物膜を分離するためのエネルギービームの照射によって形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の光起電力装置。
【請求項４】
前記テーパ部の幅が３μｍ以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の光起電力装置。
【請求項５】
前記テーパ部の厚みが、一旦その内側の他の部分よりも厚くなった後薄くなっていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の光起電力装置。
【請求項６】
前記透明導電酸化物膜が酸化亜鉛から形成されており、前記テーパ部における結晶粒径が２０００Å以上であり、前記テーパ部以外の他の部分における結晶粒径が１５００Å以下であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の光起電力装置。
【請求項７】
前記透明導電酸化物膜が酸化亜鉛から形成されており、前記テーパ部のｃ軸配向性（Ｘ線回折における（１０１）ピークに対する（００２）ピークの比）が、前記テーパ部以外の他の部分のｃ軸配向性より１．５倍以上高いことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の光起電力装置。
【請求項８】
エネルギービームの照射によって前記透明導電酸化物膜を分離する請求項１に記載の光起電力装置の製造方法であって、
前記幅の狭いテーパ部を形成すべき領域側に強度分布のピークをずらせたエネルギービームを照射して、前記分離部を形成し、前記透明導電酸化物膜を分離することを特徴とする光起電力装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、透光性基板上に形成された複数のセル領域が直列に接続されている、いわゆる集積型光起電力装置及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
いわゆるアモルファス集積型太陽電池は、ガラス等の透光性基板の上に、ＳｎＯ2 やＺｎＯ等の透明導電酸化物膜、少なくとも１つの接合を有するａ−Ｓｉやａ−ＳｉＧｅ等の非晶質半導体または微結晶半導体からなる光電変換層、ＡｇやＡｌ等の裏面電極を順次積層し、形成中の各段階において基板以外の各層を複数のセル領域に分離し、複数のセル領域を隣接するセル領域間で直列に接続した光起電力装置である。各層を分離して集積化するのに、レーザ等のエネルギービームが一般に用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
集積型太陽電池では、上述のようにレーザ等のエネルギービームを照射して分離した透明導電酸化物膜の上に、厚み１μｍ以下の非常に薄い半導体層が形成される。このため、透明導電酸化物膜の分離された領域のエッジ部分で、厚みの薄い半導体層が切断され、この部分で電流リークを生じるという問題があった。また、集積型太陽電池では、透明導電酸化物膜を出来るだけ低抵抗化したいという要望があった。
本発明の目的は、電流リークが生じにくく、かつ透明導電酸化物膜の低抵抗化を図ることができる集積型の光起電力装置及びその製造方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明の光起電力装置は、透光性基板の上に、透明導電酸化物膜、少なくとも１つの接合を有する非晶質半導体または微結晶半導体からなる光電変換層、及び裏面電極が順次積層されており、透明導電酸化物膜、光電変換層、及び裏面電極が複数のセル領域に分離され、かつ分離されたセル領域が、隣接するセル領域間で直列に接続されている光起電力装置であり、透明導電酸化物膜の分離された領域の両端に、該透明導電酸化物膜が形成されていない分離部に向かって厚みが薄くなるテーパ部が形成されており、裏面電極との接続部に近い側のテーパ部の幅が、他方のテーパ部の幅よりも１０％以上狭いことを特徴としている。また、テーパ部における結晶の配向性が該透明導電酸化物膜の他の部分よりも高くなっているか、あるいは結晶粒径が該透明導電酸化物膜の他の部分よりも大きくなっていることを特徴としている。
【０００５】
本発明によれば、透明導電酸化物薄膜の分離された領域の両端に、テーパ部が形成されているので、透明導電酸化物膜の分離された領域の両端にはなだらかな傾斜が形成され、エッジの状態にはならない。従って、その上に、厚みの薄い半導体層が形成されても、半導体層が切断されることはなく、電流リーク個所とならない。従って、漏れ電流は発生せず、出力特性の低下を生じることがない。
【０００６】
また、本発明によれば、テーパ部における結晶の配向性が他の部分よりも高くなっているか、あるいは結晶粒径が他の部分よりも大きくなっているので、テーパ部における導電性が高くなる。従って、透明導電酸化物膜の低抵抗化を図ることができる。透明導電酸化物膜における結晶の配向性は、例えば、Ｘ線回折の（１０１）ピークに対する（００２）ピークの比で表わされる、ｃ軸配向性により評価することができる。テーパ部のｃ軸配向性は、テーパ部以外の他の部分のｃ軸配向性より１．５倍以上高いことが好ましい。結晶の配向性が高くなることにより、その部分の導電性が高くなるので、低抵抗化を図ることができる。
【０００７】
透明導電酸化物膜の結晶粒径は、例えば、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）により測定することができる。テーパ部の結晶粒径は、テーパ部以外の他の部分における結晶粒径が１５００Å以外のときに、テーパ部における結晶粒径が２０００Å以上であることが好ましい。テーパ部における結晶粒径を大きくすることにより、透明導電酸化物膜を低抵抗化することができ、光起電力装置の出力特性を高めることができる。なお、本発明において結晶粒径は、各結晶の面内方向における結晶粒径の最大値である。
【０００８】
本発明におけるテーパ部での結晶の配向性の向上または結晶粒径の増大は、テーパ部を加熱することによりもたらすことができるものである。具体的には、透明導電酸化物膜を分離するため、レーザ等のエネルギービームを照射する際、テーパ部を形成するとともに、テーパ部を加熱し、結晶の配向性を高めるか、あるいは結晶粒径を増大させることができる。
【０００９】
本発明において、テーパ部の幅は、３μｍ以上であることが好ましい。テーパ部の幅を広くすることにより、テーパ部における傾斜がなだらかになり、電流リーク個所となりにくくなる。また、結晶の配向性が高い領域または結晶粒径の大きな領域が多くなるので、透明導電酸化物膜のより一層の低抵抗化を図ることができ、出力特性を向上させることができる。
【００１０】
また、テーパ部の厚みは、一旦その内側の他の部分よりも厚くなった後、薄くなっていることが好ましい。このように一旦厚みが厚くなる領域が形成されることにより、テーパ部の上方部分に丸みを持たせることができ、その上に形成される半導体層において、さらに切断を生じにくくさせることができる。従って、電流リーク個所の発生をさらに抑制することができ、出力特性を向上させることができる。
【００１１】
本発明において、透明導電酸化物膜は、例えば、酸化亜鉛、酸化錫、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）等から形成させることができるが、特に酸化亜鉛はレーザ等のエネルギービームの照射により結晶の配向性が高くなり、結晶粒径が大きくなりやすい。従って、透明導電酸化物膜を酸化亜鉛から形成する場合に、特に本発明の効果が顕著に発揮される。
【００１２】
本発明においては、裏面電極との接続部に近い側のテーパ部の幅が他方のテーパ部の幅よりも狭いことが好ましい。例えば、裏面電極との接続部に近い側のテーパ部の幅は、他方のテーパ部の幅よりも１０％以上狭いことが好ましい。裏面電極との接続部に近い側のテーパ部は、裏面電極に直接に接続されているので、この部分で半導体層が切断されて裏面電極と接しても、漏れ電流とはならない。従って、この部分のテーパ部の幅が狭く、テーパ部の傾斜が急であってもほとんど影響がない。また、この部分のテーパ部の幅を狭くすることにより、セルの有効面積を大きくすることができるので、出力特性を高めることができる。
【００１３】
このように対向する一方のテーパ部の幅を、他方のテーパ部の幅より狭くなるように形成するには、強度分布のピークを幅の狭いテーパ部側にずらせたエネルギービームを照射して、分離部を形成する方法が挙げられる。
【００１４】
すなわち、本発明の光起電力装置の製造方法は、裏面電極との接続部に近い側のテーパ部の幅が、他方のテーパ部の幅より狭い光起電力装置を製造する方法であり、幅の狭いテーパ部を形成すべき領域側に強度分布のピークをずらせたエネルギービームを照射して、透明導電酸化物膜に分離部を形成し、透明導電酸化物膜を分離することを特徴としている。
【００１５】
【発明の実施の形態】
（第１の実施例）
図１は、本発明に従う第１の実施例の光起電力装置を示す断面図である。透光性基板であるガラス基板１の上には、透明導電酸化物膜２、光電変換層６、及び裏面電極７が順次積層されている。光電変換層６は、ｐ型の非晶質炭化シリコン（ａ−ＳｉＣ）層３、真性の非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）層４、及びｎ型の微結晶シリコン（μｃ−Ｓｉ）層５を順次積層することにより構成されている。
【００１６】
ガラス基板１のサイズは、３０ｃｍ×４０ｃｍであり、厚みは５ｍｍである。透明導電酸化物２は、厚み８０００Åの酸化亜鉛（ＺｎＯ）の膜から形成されている。この酸化亜鉛膜は、公知のＤＣマグネトロンスパッタ法により、基板温度３００℃、Ａｒガス流量４００ｓｃｃｍ、Ｏ2 ガス流量１０ｓｃｃｍ、圧力１Ｐａの雰囲気で、大きさ３００ｃｍ2 の３％Ａｌ2Ｏ3 ドープＺｎＯターゲットを用い、０．１ｋＷの電力を印加して形成されている。
【００１７】
透明導電酸化物膜２を形成した後、所定の位置にレーザ光を照射して、分離部８を形成し、透明導電酸化物膜２を複数のセル領域に分割している。レーザ照射による加工は、室温状態において波長１．０６μｍ、パルス周波数３ｋＨｚのＮｄ：ＹＡＧレーザを用いて、下地のガラス基板１に熱的影響がでない強度である４×１０7 Ｗ／ｃｍ2 のレーザパワー強度で、１０ｍｍ／秒の加工速度でレーザを走査し、集積するセル領域が３５段となるように透明導電酸化物膜２を分割している。
【００１８】
図５は、このときに用いたレーザ光の強度分布プロファイルを示す図である。図５に示すように、このとき用いたレーザ光２０は、スポット幅が広くかつ強度の小さいレーザ光と、スポット幅が狭くかつ強度の大きいレーザ光の２種類のレーザ光を重ねることにより得られるレーザ光である。このような強度分布を有するレーザ光を用いて透明導電酸化物膜２を分離することにより、分離された透明酸化物膜２の両端には、分離部８に向かって厚みが薄くなるテーパ部１１及び１２が形成される。図５に示すレーザ光２０のスポット径ｄ1 は１５０μｍである。
【００１９】
図２は、テーパ部１１及び１２を拡大して示す断面図である。図２に示されるように、テーパ部１１及び１２には、一旦その内側の他の部分よりも厚みが厚くなった隆起部１１ａ及び１２ａがそれぞれ形成されている。この隆起部は、レーザ光を照射して加工する際、テーパ部となる部分が半溶融状態となるため、表面張力により盛り上がり形成される部分である。隆起部１１ａ及び１２ａの厚みは、１．１μｍである。
【００２０】
このような隆起部が存在することにより、テーパ部の上方部分が丸みを帯びた形状となり、その上に形成される光電変換層６中の半導体層に切断が生じにくくなり、漏れ電流の発生が抑制される。また、テーパ部は、なだらかな傾斜を有するので、この部分でも段差が形成されることがなく、光電変換層６中の半導体層に切断が生じにくくなり、漏れ電流の発生を抑制することができる。
【００２１】
テーパ部１１及び１２における酸化亜鉛の結晶粒径を、ＴＥＭで観察し測定したところ５０００Åであった。テーパ部以外の他の部分の透明導電酸化物膜２中の結晶粒径は１０００Åであった。また、テーパ部１１及び１２におけるｃ軸配向性は４であり、他の部分のｃ軸配向性は２であった。従って、テーパ部１１及び１２においては、結晶の配向性が他の部分より高くなっており、結晶粒径も他の部分より大きくなっていることがわかる。テーパ部１１及び１２の幅Ｗは、１０μｍであった。
【００２２】
次に、光電変換層６を構成するｐ型ａ−ＳｉＣ層３、ｉ型ａ−Ｓｉ層４、及びｎ型μｃ−Ｓｉ層５を、プラズマＣＶＤ法により以下の表１に示す条件で形成する。平行平板のプラズマＣＶＤ装置を用い、放電電極面積１５００ｃｍ2 、電極間隔４０ｍｍとして形成する。
【００２３】
【表１】
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【００２４】
次に光電変換層６を、レーザ光の照射により分離する。分離する個所は、図１に示す裏面電極７と透明導電酸化物膜２との接続部９となる個所である。室温で波長０．５３μｍ、パルス周波数３ｋＨｚのＹＡＧレーザの第２高調波を用いて、良好な加工性が得られる２×１０7 Ｗ／ｃｍ2 のレーザパワー密度、１０ｍｍ／秒の加工速度で加工し、光電変換層６を分離した。
【００２５】
次に、裏面電極７を形成した。裏面電極７は、厚み４０００Åのアルミニウム膜により形成した。ＤＣマグネトロンスパッタ法により、基板温度２００℃で、Ａｒガス流量４００ｓｃｃｍ、圧力１Ｐａの雰囲気下で、大きさ３００ｃｍ2 のＡｌターゲットを用い、０．１ｋＷの電力を印加して形成した。
【００２６】
次に、裏面電極７を、レーザ光の照射により分離した。分離する個所は、図１に示す分離部１０であり、裏面電極７と共に、光電変換層６も同時に除去し分離した。室温で波長０．５３μｍ、パルス周波数３ｋＨｚのＹＡＧレーザの第２高調波を用いて、良好な加工性を得られる２×１０7 Ｗ／ｃｍ2 のレーザパワー密度、１０ｍｍ／秒の加工速度で分離加工した。
以上のようにして、３５段集積型の非晶質起電力装置を作製した。
【００２７】
（第２の実施例）
上記第１の実施例において、透明導電酸化物膜２をレーザ光照射により分離する際、基板の温度を３００℃に加熱して行なった。この結果、図３に示すように、隆起部を有しないテーパ部１１及び１２が形成された。その他は、上記第１の実施例と同様にして、光電変換層６及び裏面電極７を形成し、各層をレーザ光照射により分離し、３５段集積型の非晶質起電力装置を作製した。
【００２８】
（従来例）
上記第１の実施例において、透明導電酸化物膜２をレーザ光照射により分離する際、照射するレーザ光として、図６に示すような従来のエネルギー強度分布を有するレーザ光２１を用いる以外は上記第１の実施例と同様にして、光起電力装置を作製した。また、図６に示すレーザ光２１のスポット径ｄ2 は、１００μｍである。従来例において形成された透明導電酸化物膜２の両端には、図４に示すようにほぼ垂直方向の端面を有する端部１３及び１４が形成された。
【００２９】
なお、全ての実施例及び比較例において光電変換層６及び裏面電極７を分離加工するのに用いたレーザ光は、図６に示すようなエネルギー強度分布を有するレーザ光である。
【００３０】
（電池特性の評価）
第１の実施例、第２の実施例、及び従来例の各光起電力装置について、ＡＭ−１．５、１００ｍＷ／ｃｍ2 、２５℃の条件下で、開放電圧（Ｖｏｃ）、短絡電流（Ｉｓｃ）、曲線因子（Ｆ．Ｆ．）、及び最大出力（Ｐｍａｘ）を測定し、その結果を表２に示した。
【００３１】
【表２】
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【００３２】
表２から明らかなように、本発明に従う第１の実施例及び第２の実施例の光起電力装置は、従来例の光起電力装置に比べ、開放電圧及び曲線因子が向上しており、出力特性が高まっていることがわかる。これは、透明導電酸化物膜の両端にテーパ部が形成されたことにより、この部分における電流リークが防止され、漏れ電流が低減したことによるものと考えられる。
【００３３】
（テーパ部の幅についての検討）
上記第１の実施例において、透明導電酸化物膜５を分離するためのレーザ光のエネルギー強度分布を変化させ、テーパ部の幅の異なる光起電力装置を作製し、テーパ部の幅が出力特性に与える特性について検討した。具体的には、図５に示すスポット径の広い方のビーム強度と、スポット径の狭い方のビーム強度の両方を変化させ、レーザスポットの端から２５μｍ付近とレーザスポットの中央のエネルギー強度比を１／６から１／３まで変化させたレーザ光を用い、透明導電酸化物膜を分離加工して、テーパ部の幅の異なる光起電力装置を作製した。得られた各光起電力装置について、最大出力を測定した。
【００３４】
図７は、以上のようにして測定されたテーパ部の幅と最大出力との関係を示す図である。図７に示すテーパ部の幅“０”は、上記従来例についての測定結果である。なお、ここで作製した光起電力装置のテーパ部における結晶粒径は、いずれも３０００Åであった。
【００３５】
図７に示す結果から明らかなように、テーパ部の幅が３μｍである光起電力装置において出力特性の向上が認められており、テーパ部の幅が１０μｍとなるまでの間、テーパ部の幅の増加に比例して出力特性が向上していることがわかる。
【００３６】
（テーパ部における結晶粒径についての検討）
透明導電酸化物膜を分離するためのレーザ光を、図５に示すような強度分布にし、エネルギー密度だけを変化させて、テーパ部における結晶粒径を変化させ、その他は上記第１の実施例と同様にして光起電力装置を作製し、その最大出力を測定した。なお、テーパ部の幅は、いずれも７μｍであった。
【００３７】
図８は、テーパ部における結晶粒径と最大出力との関係を示す図である。図８に示すように、テーパ部における結晶粒径が２０００Åを超えると急激に最大出力が向上することがわかる。なお、レーザ光が照射されないテーパ部以外の領域の結晶粒径は、１０００Åであった。
【００３８】
（テーパ部以外の他の部分における結晶粒径についての検討）
上記第１の実施例において、透明導電酸化物膜を形成する際の基板温度を変えてレーザ光が照射されない透明導電酸化物膜のテーパ部以外の他の部分における結晶粒径を変化させた。この結果、テーパ部以外の他の部分における結晶粒径が１５００Å以下のときに、本発明による出力特性の向上が顕著に認められた。従って、テーパ部以外の他の部分における結晶粒径は、１５００Å以下であることが好ましいことがわかる。
【００３９】
（テーパ部におけるｃ軸配向性についての検討）
上記第１の実施例において、透明導電酸化物膜を形成する際の雰囲気圧力を変化させて、ｃ軸配向性が異なるテーパ部を形成した。この結果、テーパ部におけるｃ軸配向性が、テーパ部以外の他の部分のｃ軸配向性より１．５倍以上高い場合に、特に出力特性が向上することがわかった。
【００４０】
（第３の実施例）
上記第１の実施例において、透明導電酸化物膜を分離する際に照射するレーザ光のエネルギー強度分布を、図１０に示すレーザ光２２のように、そのピーク２２ａが中心から距離Ｌ2 ずれたレーザ光を用いた。図１０に点線で示すレーザ光２０は、左右対称のエネルギー強度分布を有するものであり、第１の実施例において用いたのと同様のものである。そのピーク２０ａは、レーザスポットの中心に位置しており、レーザスポットの両端からそれぞれ等しい距離Ｌ1 隔てた位置にある。このようなレーザ光２０は、上述のように、スポット幅が広くかつ強度の小さいレーザ光と、スポット幅が狭くかつ強度の大きいレーザ光の２種類のレーザ光を重ねることにより合成されるものである。実線で示すピーク２２ａが中心からずれたレーザ光２２は、スポット幅が狭くかつ強度の大きいレーザ光の位置を中心からずらせることにより合成することができる。
【００４１】
図９は、図１０に示すようなピークが中心からずれたエネルギー強度分布を有するレーザ光２２を透明導電酸化物膜２の分離加工に用いた光起電力装置を示す断面図である。図９に示すように、レーザ光の強度分布のピークに近い方で形成されたテーパ部１１は、他方のテーパ部１２に比べ、その傾斜が急になっている。従って、テーパ部１１の幅は、テーパ部１２よりも狭くなっている。テーパ部１１は、裏面電極７が、隣接するセル領域の透明導電酸化物膜２と直列に接続される接続部９に近い側のテーパ部である。従って、テーパ部１１は、電流リークによる漏れ電流の発生には直接影響を与える部分でない。従って、テーパ部１１の幅を狭くしても、電流リークの発生には直接影響しない。テーパ部１１の幅を狭くすることにより、発電に有効なセル領域Ｒの面積を増加することができる。従って、テーパ部１１の幅をテーパ部１２の幅よりも狭くすることにより、出力特性をさらに向上させることができる。テーパ部１１の幅を、テーパ部１２の幅より１０％以上狭くすることにより、このようなセルの有効面積増加による出力特性の向上が顕著に認められるようになる。
【００４２】
上記実施例においては、透明導電酸化物膜として、ＤＣマグネトロンスパッタより形成した酸化亜鉛（ＺｎＯ）の薄膜を示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、酸化亜鉛からなる透明導電酸化物膜を、ＭＯＣＶＤで形成してもよいし、酸化錫から形成した透明導電酸化物膜を用いてもよい。
【００４３】
また、上記実施例では、ｐ型の非晶質炭化シリコン層、真性の非晶質シリコン層、及びｎ型の微結晶シリコン層から形成した光電変換層を例に示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、その他の半導体薄膜で形成した光電変換層であってもよいし、ｐｉｎ接合を複数含むような積層型の光電変換層であってもよい。特に、積層型の光電変換層は、半導体各層の厚みが薄いので、電流のリーク個所が発生しやすい。このため、特に本発明の効果が顕著に発揮される光起電力装置である。
【００４４】
【発明の効果】
本発明によれば、電流リークの発生を防止し、かつ透明導電酸化物膜の低抵抗化を図ることができるので、出力特性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に従う第１の実施例の光起電力装置を示す断面図。
【図２】本発明に従う第１の実施例の光起電力装置におけるテーパ部を示す拡大断面図。
【図３】本発明に従う第２の実施例の光起電力装置におけるテーパ部を示す拡大断面図。
【図４】従来例の光起電力装置における透明導電酸化物膜の端部を示す拡大断面図。
【図５】本発明に従う光起電力装置の製造工程において透明導電酸化物膜を分離加工するのに用いられるレーザ光のエネルギー強度分布を示す図。
【図６】従来例の光起電力装置の製造工程において透明導電酸化物膜を分離加工するのに用いられるレーザ光のエネルギー強度分布を示す図。
【図７】テーパ部の幅と最大出力との関係を示す図。
【図８】テーパ部における結晶粒径と最大出力との関係を示す図。
【図９】本発明に従う第３の実施例の光起電力装置を示す断面図。
【図１０】本発明に従う第３の実施例の光起電力装置の製造工程において透明導電酸化物膜を分離加工するのに用いられるレーザ光のエネルギー強度分布を示す図。
【符号の説明】
１…ガラス基板
２…透明導電酸化物膜
３…ｐ型ａ−ＳｉＣ層
４…ｉ型ａ−Ｓｉ層
５…ｎ型μｃ−Ｓｉ層
６…光電変換層
７…裏面電極
８…分離部
９…接続部
１０…分離部
１１…テーパ部
１１ａ…テーパ部の隆起部
１２…テーパ部
１２ａ…テーパ部の隆起部
Ｗ…テーパ部の幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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