(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体と、この支持体に形成された微細パターンと、この微細パターン上に積層された超微視的不連続膜とからなることを特徴とする情報記録担体。
【請求項２】
少なくとも、支持体と、この支持体上に積層された超微視的不連続膜と、記録層とからなることを特徴とする情報記録担体。
【請求項３】
前記記録層は、少なくとも高反射材料、色素材料、相変化材料、光磁気材料のいずれか１つからなることを特徴とする請求項２記載の情報記録担体。
【請求項４】
前記超微視的不連続膜は互いに分離された孤立材料粒子からなり、かつこの孤立材料粒子の平面サイズは、０．００１〜０．１μｍの範囲であり、且つ孤立材料粒子の最上面の高さと、この孤立材料粒子の間隙の高さの差が０．１〜２０ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項１、２、３記載のいずれかの情報記録担体。
【請求項５】
前記支持体と前記超微視的不連続膜との間に微細パターンが形成されていることを特徴とする請求項２、３、４記載のいずれかの情報記録担体。
【請求項６】
前記孤立材料粒子の平面サイズは、前記微細パターンの最小寸法よりも小さいことを特徴とする請求項５記載の情報記録担体。
【請求項７】
情報記録担体の記録信号を読み取る光源を有するピックアップと、この記録信号を復調しデータストリーム信号を出力する復調器と、このデータストリーム信号を外部に出力するインターフェースとからなる情報記録再生装置において、
前記情報記録担体に形成されている理論再生限界以上のパターンを読み出せる再生出力を前記光源に供給するパワードライバーを有することを特徴とする情報記録担体再生装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、情報記録担体とこの情報記録担体の記録・再生を行う情報記録担体再生装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
情報記録担体は高度情報社会における記録媒体の中心的役割の担い手として注目されている。
特に光学手段を用いて高密度の情報を高速で記録再生できる情報記録担体が広く利用されてるようになってきた。
例えば、波長７８０ｎｍの光を利用した再生専用型情報記録担体としては、音楽情報やプログラムなどが記録されるＣＤ、画像情報が記録されるビデオＣＤなどが知られ、記録再生型情報記録担体としては、ＣＤ−Ｒ、ＰＤ、ＭＯディスクなどがある。
【０００３】
これらの情報記録担体は、さらなる高度情報化と共に、その記録密度がますます向上している。
この記録密度の限界は、光学系のＭＴＦ（空間周波数）によって決まる。
このＭＴＦは、再生波長をλ、対物レンズの開口数をＮＡとすると、λ／４ＮＡと表わされる。
このため、記録密度を高密度にするためには、λを小さくし、ＮＡを大きくすることが必要となる。
【０００４】
例えば、１９９６年に発売された再生専用のＤＶＤ（デジタルバーサタイルディスク）では、λは、従来の７８０ｎｍから６５０ｎｍに、ＮＡは、従来の０．４５から０．６になり、上記の関係式から、ＤＶＤの検出限界は、原理上２７１ｎｍとなった。
この結果、他の改良技術と併せてＣＤに対して約７倍の記録密度が達成された。
このような事情は記録再生用の情報記録担体でも同様であり、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷが開発された。
【０００５】
ここで、再生専用のＤＶＤについて以下に図１０を用いて具体的に説明する。
図１０は、再生専用のＤＶＤに用られる従来の情報記録担体を示す断面図である。
まず始めに、従来の情報記録担体２１の構成について説明する。
厚さ０．６ｍｍのポリカーボネートからなる透明な基板２２表面には微細パターン２２Ａが形成され、この微細パターン２２Ａ上には、厚さ７０ｎｍのアルミニウム連続膜からなる記録層２３と、厚さ１０μｍの紫外線硬化樹脂からなる接着層２４と、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネートからなる透明なダミー基板２５とが順次積層されている。
【０００６】
微細パターン２２Ａは、螺旋状に形成され、３Ｔ〜１４Ｔ及び１４Ｔの各種長さの信号を構成している。
最短ピットである３Ｔ信号の長さは、ピット長４００ｎｍであり、検出限界の１.４７倍の長さの信号である。
言い換えると、微細パターン２２Ａは、全て検出限界より長い信号からなる。
【０００７】
この情報記録担体２１の再生は、以下のようにして行う。
半導体レーザ等の光源から出射される波長λの再生光を透明な基板２２側から照射し、微細パターン２２Ａで回折光を発生させる。この後、この回折光を記録層２３で反射させた後、反射光を図示しないフォトディテクタによって受光して情報信号を取り出して再生する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、再生専用ＤＶＤよりも高密度な情報記録担体を実現するためには、λをより短く、ＮＡをより大きくすることが検討されているが、この情報記録担体の再生を行う情報記録担体再生装置のコストが現状よりも大幅に高価になるといった問題を生じていた。
特に、半導体レーザの短波長化には大きな負担がかかり、例えばλ＝４００ｎｍよりも短い波長の半導体レーザの開発には多額の費用が必要としていた。
【０００９】
このため、ＤＶＤよりも高密度な情報記録担体を再生する情報記録担体再生装置を安価にできる情報記録担体側が求められていた。
即ち、理論再生限界を越えたピット長さの信号を再生する情報記録担体再生装置が必要とされていた。
そこで、本発明は上記問題に鑑みて成されたものであり、理論再生限界を越えた高密度な情報記録担体とこれを再生する安価な情報記録担体再生装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明における情報記録担体の第１の発明は、支持体と、この支持体に形成された微細パターンと、この微細パターン上に積層された超微視的不連続膜とからなることを特徴とする。
第２の発明は、少なくとも、支持体と、この支持体上に積層された超微視的不連続膜と、記録層とからなることを特徴とする。
第３の発明は、請求項２記載の情報記録担体において、前記記録層は、少なくとも高反射材料、色素材料、相変化材料、光磁気材料のいずれか１つからなることを特徴とする。
第４の発明は、請求項１、２、３記載のいずれかの情報記録担体において、前記超微視的不連続膜は互いに分離された孤立材料粒子からなり、かつこの孤立材料粒子の平面サイズは、０．００１〜０．１μｍの範囲であり、且つ孤立材料粒子の最上面の高さと、この孤立材料粒子の間隙の高さの差が０．１〜２０ｎｍの範囲であることを特徴とする。
第５の発明は、請求項２、３、４記載のいずれかの情報記録担体において、前記支持体と前記超微視的不連続膜との間に微細パターンが形成されていることを特徴とする。
第６の発明は、請求項５記載の情報記録担体において、前記孤立材料粒子の平面サイズは、前記微細パターンの最小寸法よりも小さいことを特徴とする。
本発明における情報記録担体再生装置は、情報記録担体の記録信号を読み取る光源を有するピックアップと、この記録信号を復調しデータストリーム信号を出力する復調器と、このデータストリーム信号を外部に出力するインターフェースとからなる情報記録再生装置において、前記情報記録担体に形成されている理論再生限界以上のパターンを読み出せる再生出力を前記光源に供給するパワードライバーを有することを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明の情報記録担体及びこれを再生する情報記録担体再生装置の実施形態について図１乃至図９を用いて説明する。
従来例と同一構成には同一符号を付し、その説明を省略する。
図１は、本発明の実施形態の情報記録担体を示す断面図である。
図２は、基板表面に形成された超微視的不連続膜のモフォロジーを示す平面図である。
図３は、本発明の実施形態の情報記録担体における超微視的不連続膜近傍の断面図である。
図４は、本発明の実施形態の情報記録担体における第１変形例を示す断面図である。
図５は、本発明の実施形態の情報記録担体における第２変形例を示す断面図である。
図６は、本発明の実施形態の情報記録担体における第３変形例を示す断面図である。
図７は、本発明の実施形態の情報記録担体における第４変形例を示す断面図である。
図８は、本発明の実施形態の情報記録担体における第５変形例を示す断面図である。
図９は、本発明の情報記録担体の再生を行う情報記録担体再生装置を示すブロック図である。
【００１２】
まず始めに、本発明の情報記録担体の実施形態について図１乃至図３を用いて以下に説明する。
図１に示すように、本発明の実施形態の情報記録担体１は、ディスク状の支持体２表面に超微視的不連続膜３を形成したものである。
超微視的不連続膜３は、超微視的に見れば、これを構成する材料分布が一様でなく、不連続な状態である膜である。
支持体２の厚みは０．２〜３ｍｍ、望ましくは０．３〜２ｍｍが好適である。
支持体２の材料としては、再生装置または記録・再生装置の原理によって選択される。
【００１３】
再生光、又は記録光が超微視的不連続膜３側から入射する場合には、支持体２の材料としては、合成樹脂、セラミック、金属のいずれかを用いることができる。
また、再生光、又は記録光が支持体２側から入射する場合には、支持体２の材料としては、合成樹脂、又はセラミックを用いることができる。
この場合には、特に再生光、又は記録光の波長λの透過率が６０％以上、望ましくは８０％以上となる材料を選択する。
【００１４】
なお、前記した合成樹脂としては、ポリカーボネートやポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリカーボネート・ポリスチレン共重合体、ポリビニルクロライド、脂環式ポリオレフィン、ポリメチルペンテンなどの各種熱可塑性樹脂や熱硬化樹脂、各種放射線硬化樹脂（紫外線硬化樹脂、可視光硬化樹脂の例を含む）が好適である。
ここで、再生光、又は記録光が超微視的不連続膜３側から入射する場合には、合成樹脂は、金属粉、又はセラミック粉などを配合したものであっても良い。
又、セラミックとしてはソーダライムガラス、ソーダアルミノ珪酸ガラス、ホウ珪酸ガラス、石英ガラスなどがある。
【００１５】
なお、支持体２表面に微細パターン２Ａを形成し、この微細パターン２Ａ上に超微視的不連続膜３を形成しても良い。
微細パターン２Ａとは、例えば再生に供せられるピット群やグルーブ群である。
特に、再生専用情報記録担体である場合には、主にピット群から構成されており、変調信号のうち少なくとも最短ピット長は再生限界以下、すなわちλ／４ＮＡ以下の長さを有している。
【００１６】
ここで、超微視的不連続膜３について詳細に図２を用いて説明する。
図２に示すように、超微視的不連続膜３を透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）や原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）等で超微視的に観察すると、超微視的不連続膜３は、モフォロジー（ｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙ）を示すものである。
即ち、微視的に孤立分散した孤立材料粒子３Ａの集合体であり、特にそれぞれの孤立材料粒子３Ａが互いに分離した様相を呈している。
【００１７】
図２に示すように、この孤立分散した状態は、粒子状の集合体であったり、楕円体の集合体であったり、アメーバー状の不定形集合体であったりする。それぞれの孤立材料粒子３Ａは、平均的には０．１μｍ以下の平面サイズ（平均直径Ｄ）であり、材料や製作条件によってＤ＝０．００１〜０．１μｍで作ることができるものである。またこの孤立材料粒子３Ａの間の間隙３Ｂについては、空孔であるとも生成過程に混入した不純物ガスであるとも考えられるが、現段階では研究が進んでいない。
少なくとも、このような超微視的不連続膜３は、いわゆるバルク（ｂｕｌｋ）とも連続薄膜（ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ）とも異なる屈折率と消衰係数を示している。
【００１８】
また、超微視的不連続膜３は、非常に薄い膜状のものであるが、その膜厚は、孤立材料粒子３Ａが孤立分散しているため、従来の膜厚の概念は適応できない。
しかし、図３に示すように、不連続な孤立粒子の最上面Ｓ0と、支持体２の表面Ｓ1の差を膜厚Ｈとして定義すれば、膜厚Ｈは、０．１〜２０ｎｍの範囲とすることができる。間隙３Ｂを空孔と見なして面積平均化処理して得られる計算上の膜厚Ｈは、略０．０１〜１５ｎｍの範囲となる。
【００１９】
次に、超微視的不連続膜３の作製方法について説明する。
このような超微視的不連続膜３は、金属、金属合金（酸化物、窒化物、炭化物、硫化物、フッ化物の例を含む）、有機物のいずれかを原料として、この原料を低圧下で分解し、支持体２上で再構成することによって作製できる。
【００２０】
具体的には水、水素、酸素、窒素、二酸化炭素、一酸化炭素、ヘリウム、アルゴン、ネオン、キセノン、クリプトンから選ばれたガスを少なくとも１つ含む低圧雰囲気中で、前記した原料を分解し、支持体２表面に超微視的不連続膜３を生成する。
低圧とは１０-9気圧から１０-3気圧であり、望ましくは１０-8気圧から１０-4気圧である。
【００２１】
この際、超微視的不連続膜３の生成時間が長くなると、超微視的不連続膜３の上に別の超微視的不連続膜３が被着し、結果的に連続薄膜となる可能性がある。
従って、膜厚Ｈが、前記した所定の範囲となるように生成時間に注意する必要がある。
【００２２】
前記した原料の分解では、加熱とグロー放電の併用を行うようにしても良い。
支持体２の温度に関しては、支持体２の軟化温度よりも高くなると、この支持体２が変形するので、被着した超微視的不連続膜３自身も変形するので望ましくない。
このため、支持体２の温度は、支持体２の軟化温度よりも低い温度にする必要がある。
【００２３】
例えば、支持体２にポリカーボネートを使用した場合には、この軟化温度は、１４０度であるので、この温度以下で成膜する。
望ましい条件としては、原料にモリブデン、シリコン、ゲルマニウム、アルミニウムのいずれかを選択し、低圧中でグロー放電させて、支持体２の温度を１０〜３０℃にして生成すると良い。
【００２４】
このような情報記録担体１を用いて再生を行って理論再生限界を越えた再生特性が得られるかどうかについて調べた結果、λ／４ＮＡ以下のパターン（ピットやマーク）を読み取れることがわかった。即ち、理論再生限界を超えた再生特性が得られた。
具体的には、再生しようとするパターンサイズよりも超微視的不連続膜３中の孤立材料粒子３Ａの平面サイズＤが充分小さい時に、再生理論限界以上のパターンが読み出せる最低再生パワーよりも高い再生パワーを照射すると、再生限界を越えた再生特性が得られる。
【００２５】
例えば、再生パターンの最小寸法（例えば最短ピット長、最短マーク長）が０．２μｍである場合には、前記した平面サイズＤは、０．１μｍ以下であることが必要であり、最小寸法が０．１μｍである場合には、平面サイズＤは、０．０５μｍ以下であることが必要である。
ここで、再生しようとするパターンサイズとは、再生専用型情報記録担体であれば支持体２に刻まれた微細パターン２Ａのサイズのことであり、後述する記録再生型では、記録層７に記録されたパターンのサイズのことをいう。
【００２６】
超微視的不連続膜３を用いると理論解像限界を越えた再生特性が得られる理由については、調査中であるが、その発現パワーは材料や膜作成条件によって異なることから、超微視的不連続膜３と再生光との物理的相互作用の結果であると考えられる。
以上のように、支持体２上に超微視的不連続膜３を形成した情報記録担体１を用いると、理論解像限界を越えた再生特性が得られる。
【００２７】
次に、本発明の実施形態の第１変形例について図４を用いて説明する。
図４に示すように、本発明の実施形態の第１変形例における情報記録担体４は、本発明の実施形態における情報記録担体１の超微視的不連続膜３上に厚さ０．００３〜０．３ｍｍからなる樹脂層５を積層したものであり、それ以外は同一構成である。
樹脂層５の材料としては、熱硬化樹脂、各種放射線硬化樹脂（紫外線硬化樹脂、可視光硬化樹脂を含む）、電子線硬化樹脂、湿気硬化樹脂、複数液混合硬化樹脂、熱可塑性樹脂（例えばポリカーボネート）などがある。
【００２８】
前記した支持体２と同様、再生光、又は記録光が支持体２側から入射される場合には、再生光、又は記録光の波長λに対して、樹脂層５の透過率は、６０％以上、望ましくは８０％以上となる材料を選択する。
この場合も本発明の実施形態と同様な効果が得られる。
【００２９】
次に、本発明の実施形態の第２変形例について図５を用いて説明する。
図５に示すように、本発明の実施形態のおける第２変形例の情報記録担体６は、第１変形例における情報記録担体４の超微視的不連続膜３と樹脂層５との間に記録層７を形成して、反射率を向上させるようにしたものであり、それ以外は同一構成である。
【００３０】
記録層７の材料としては、公知の高反射率記録材料をそのまま用いることができ、例えばアルミニウム、金、銀、銅、シリコン、チタン、クロム、ニッケル、タンタル、モリブデン、鉄、亜鉛、ガリウム、砒素、パラジウムなどの金属又はその合金（合金とは酸化物、窒化物、炭化物、硫化物、フッ化物の例を含む）がある。
特に、アルミニウム、銀、金は、好適である。
この場合は、本発明の実施形態の効果に加え、反射率を向上させることができるため、再生信号のＳ／Ｎを向上させることができる。
【００３１】
ここで、記録層７の材料を公知の記録材料に置き換えて記録再生を可能とする構成にしても良い。
この場合、図５に示す記録層７の材料としては、記録または再生原理に従って、色素材料、相変化材料、光磁気材料がある。
【００３２】
この際、記録層７に記録されるパターン（図示せず）は主にマーク群から構成されており、変調信号のうち少なくとも最短ピット長は再生限界以下、すなわちλ／４ＮＡ以下の長さを有している。
前記した色素材料としては、シアニン色素、フタロシアニン色素、ナフタロシアニン色素、アゾ色素、ナフトキノン色素、フルギド色素、ポリメチン色素、アクリジン色素などがある。
【００３３】
前記した相変化材料としては、インジウム、アンチモン、テルル、セレン、ゲルマニウム、ビスマス、バナジウム、ガリウム、白金、金、銀、銅、錫、砒素などの合金（合金とは酸化物、窒化物、炭化物、硫化物、フッ化物の例を含む）があり、特にＧｅＳｂＴｅ、ＡｇＩｎＳｂＴｅ、ＣｕＡｌＴｅＳｂなどを用いると好適である。
また、インジウム合金とテルル合金の積層膜を用いても良い。
【００３４】
前記した光磁気材料としては、テルビウム、コバルト、鉄、ガドリニウム、クロム、ネオジム、ジスプロシウム、ビスマス、パラジウム、サマリウム、ホルミウム、プロセオジム、マンガン、チタン、パラジウム、エルビウム、イッテルビウム、ルテチウム、錫などの合金（合金とは酸化物、窒化物、炭化物、硫化物、フッ化物の例を含む）があり、特にＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏなどに代表されるように遷移金属と希土類の合金で構成するのが好適である。
また、コバルトと白金の交互積層膜を用いても良い。
【００３５】
なお、これら各種材料には、再生出力向上や書き換え回数向上、保存安定性向上等の目的で、補助膜、例えばシリコン、タンタル、亜鉛、マグネシウム、カルシウム、アルミニウム、クロム、ジルコニウムなどの合金（酸化物、窒化物、炭化物を含む）や高反射膜（アルミニウム、金、銀など）を併用して積層してもよい。
この場合も本発明の実施形態と同様な効果が得られる。
【００３６】
次に、本発明の実施形態の第３変形例について図６を用いて説明する。
図６に示すように、本発明の実施形態における第３変形例の情報記録担体８は、図５に示す本発明の第２変形例における情報記録担体６の記録層７と超微視的不連続膜３との積層順を逆にしたものである。
【００３７】
次に、本発明の実施形態の第４変形例について図７を用いて説明する。
図７に示すように、本発明の実施形態における第４変形例の情報記録担体９は、図５に示す本発明の第２変形例における情報記録担体６の機械的強度を増すためにダミー支持体１０を樹脂層５上に貼り合わせたものである。
ダミ−支持体１０を支持体２と同じ材料、同じ厚みで用いると、本発明の実施形態の効果に加えて、力学的バランスを向上させることができる。
【００３８】
次に、本発明の実施形態の第５変形例について図８を用いて説明する。
図８に示すように、本発明の実施形態における第５変形例の情報記録担体１１は、図５に示す本発明の第２変形例における情報記録担体６を２枚用意し、樹脂層５同士を互いに向かい合わせて貼り合わせたものである。
このようにすれば、本発明の実施形態の効果に加えて、再生容量を２倍に増すことができる。
【００３９】
次に、図１に示す本発明の実施形態の情報記録担体１を再生評価装置に搭載して、再生光にレーザ光を用い、このレーザ光のパワーを変化させてＣ／Ｎ（搬送波／雑音）を測定し、理論再生限界を越えた信号の再生が可能かどうかについて調べた。
レーザ光のパワーは０．８ｍＷ、１．５ｍＷ、０．７ｍＷと変化させた。
ここで、理論再生限界以上のパターンが読み出せる最低のレーザ光のパワーは、０．７５ｍＷである。
【００４０】
情報記録担体１のサンプルは、以下のようにして作製した。
直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネートからなる支持体２を用意し、この表面にピット長２６０ｎｍの単一周波数信号からなる微細パターン２Ａを螺旋状に形成する（トラックピッチ０．７４μｍ）。
【００４１】
この微細パターン２Ａ上にアルミニウムを原料とする超微視的不連続膜３を生成する。
具体的には、超微視的不連続膜３は、支持体２の温度を３０℃にして、アルゴンを残留ガスの主成分とする１０-4気圧の低圧中でグロー放電させて生成される。
この時、生成時間を調整して、平面サイズＤを０．１μｍ、膜厚Ｈを２０ｎｍとした。
この情報記録担体１のＣ／Ｎは、再生光（レーザ光）の波長λが６５０ｎｍ、開口数ＮＡが０．６である再生評価装置を用いて行った。
この再生評価装置の理論再生限界は、２７１ｎｍである。
【００４２】
（パワー０．８ｍＷの場合）
まず始めに、レーザ光のパワーを０．８ｍＷにして再生を行った。
その結果、ピット長２６０ｎｍの単一周波数信号が再生でき、Ｃ／Ｎは、６ｄＢであった。
この再生評価装置の再生限界は２７１ｎｍであるので、理論再生限界を越えた信号の再生ができることがわかった。
【００４３】
（パワー１．５ｍＷの場合）
次に、レーザー光のパワーを１．５ｍＷにして再生を行った。
その結果、ピット長２６０ｎｍの単一周波数信号が再生でき、Ｃ／Ｎは、２６ｄＢであった。
即ち、理論再生限界を越えた信号の再生ができることがわかった。
【００４４】
（パワー０．７ｍＷの場合）
次に、レーザ光のパワーを０．７ｍＷにして再生を行った。
この結果、ピット長２６０ｎｍの単一周波数信号はまったく再生できず、Ｃ／Ｎは、０ｄＢであった。
即ち、理論再生限界を越えた信号の再生ができなかった。
【００４５】
（比較例）
ここで、比較のために、レーザ光のパワーを１．５ｍＷにして、超微視的不連続膜３の代わりに厚さ７０ｎｍのアルミニウム連続膜である場合の情報記録担体のＣ／Ｎに前記と同様にして調べた。
この結果、ピット長２６０ｎｍの単一周波数信号はまったく再生できず、Ｃ／Ｎは、０ｄＢであった。
即ち、理論再生限界を越えた信号の再生ができなかった。
【００４６】
以上のように、アルミニウムからなる超微視的不連続膜３が形成された情報記録担体１を用いて、この情報記録担体１に理論再生限界以上のパターンを読み出せる最低再生パワー以上のレーザ光を照射して再生すると、理論再生限界を越えたピット長の信号を再生することができる。
【００４７】
次に、図４に示す本発明の実施形態の第１変形例における情報記録担体４を再生評価装置に搭載して、再生光にレーザ光を用い、このレーザ光のパワーを変化させてＣ／Ｎを測定し、理論再生限界を越えた信号の再生が可能かどうかについて調べた。
レーザ光のパワーは０．５ｍＷ、２ｍＷ、０．４ｍＷと変化させた。
ここで、理論再生限界以上のパターンが読み出せる最低レーザ光のパワーは、０．４５ｍＷである。
この際、情報記録担体４のサンプルは、以下のようにして作製した。
直径４５ｍｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネートからなる支持体２を用意し、この表面にピット長２２０ｎｍの単一周波数信号からなる微細パターン２Ａを螺旋状に形成する（トラックピッチ０．６μｍ）。
【００４８】
この微細パターン２Ａ上にモリブデンを原料とする超微視的不連続膜３を生成する。
具体的には、超微視的不連続膜３は、支持体２の温度を１０℃にして、水を残留ガスの主成分とする１０-5気圧の低圧中で加熱気化させて生成される。
この時、生成時間を調整して、平面サイズＤを０．０１μｍ、膜厚Ｈを１５ｎｍとした。また、樹脂層５には８μｍ厚の紫外線硬化樹脂を用いた。
前記と同様に、この情報記録担体４のＣ／Ｎは、再生光（レーザ光）の波長λが６５０ｎｍ、開口数ＮＡが０．６である再生評価装置を用いて行った。
前記したように、この再生評価装置の理論再生限界は、２７１ｎｍである。
【００４９】
（パワー０．５ｍＷの場合）
まず始めに、レーザ光のパワーを０．５ｍＷにして再生を行った。
その結果、ピット長２２０ｎｍの単一周波数信号が再生でき、Ｃ／Ｎは、３ｄＢであった。
この再生評価装置の再生限界は２７１ｎｍであるので、理論再生限界を超えた信号が再生できることがわかった。
【００５０】
（パワー２ｍＷの場合）
次に、レーザー光のパワーを２ｍＷにして再生を行った。
その結果、ピット長２２０ｎｍの単一周波数信号が再生でき、Ｃ／Ｎは、３０ｄＢであった。
即ち、理論再生限界を超えた信号が再生できることがわかった。
【００５１】
（パワー０．４ｍＷの場合）
次に、レーザー光のパワーを０．４ｍＷにして再生を行った。
その結果、ピット長２２０ｎｍの単一周波数信号は全く再生できず、Ｃ／Ｎは、０ｄＢであった。
即ち、理論再生限界を越えた信号の再生ができなかった。
【００５２】
（比較例）
ここで、比較のために、レーザ光のパワーを２ｍＷにして、超微視的不連続膜３の代わりに厚さ７０ｎｍのモリブデン連続膜である場合の情報記録担体のＣ／Ｎに前記と同様にして調べた。
この結果、ピット長２２０ｎｍの単一周波数信号はまったく再生できず、Ｃ／Ｎは、０ｄＢであった。
即ち、理論再生限界を越えた信号の再生ができなかった。
【００５３】
以上のように、モリブデンからなる超微視的不連続膜３が形成された情報記録担体４を用いて、この情報記録担体４に理論再生限界以上のパターンを読み出せる最低再生パワー以上のレーザ光を照射して再生すると、理論再生限界を越えたピット長の信号を再生することができる。
【００５４】
なお、支持体２は、ディスク状、カード状、テープ状のいずれであっても良い。
情報記録担体１、４、６、８、９、１１は、カートリッジ内部に装着されたものであっても良い。
ディスク状の場合、直径は、１２０ｍｍと４５ｍｍに限るものではなく、直径４０〜３００ｍｍの各種サイズを取ることができ、５１、６４、８０、８６、９５、１３０、２００、２６０、３００ｍｍであってもよい。
【００５５】
微細パターン２Ａや記録層７に記録される信号は、単一周波数信号に限らず、各種長さを有した変調信号であってもよい。具体的にはいわゆる（ｄ、ｋ）符号と呼ばれる各種変調信号すべてを扱うことができる。
固定長符号であっても可変長符号であっても用いることができ、マークエッジ記録、マークポジション記録ともに効力を発揮する。
【００５６】
特に、マークエッジ記録記録であり、固定長符号の一種である（２．１０）ＲＬＬ変調（例えば８／１５変調、８／１６変調、８／１７変調）や、マークエッジ記録記録であり、可変長符号である（２．７）変調や（１．７）変調は好適に用いられる。
いずれにせよ、本発明なる情報記録担体１、４、６、８、９、１１は、各種長さの信号のうち、少なくとも最短ピット長（または最短マーク長）が、理論的再生限界以下の長さを有している。
【００５７】
次に、本発明の情報記録担体再生装置について図９を用いて説明する。
本発明の情報記録担体再生装置１２は、情報記録担体１に記録されている記録信号を読み取るピックアップ１３と、この記録信号を復調し、必要に応じて誤り訂正を行ってデータストリーム信号を出力する復調器１４と、このデータストリームを外部に出力するインターフェース１５と、ピックアップ１３を介して情報記録担体１に再生パワーを供給するパワードライバー１６と、情報記録担体１を載置し、回転自在のターンテーブル１７と、このターンテーブル１７を回転させるモータ１８と、ピックアップ１３、パワードライバー１６、モータ１８のフィードバック制御を行うサーボ１９と、復調器１４、インターフェース１５、サーボ１９を統括制御するコントローラ２０とからなる。
【００５８】
情報記録担体１は、中心部に孔Ｈを有するディスク状のものである。
ターンテーブル１７の中心部には、突起部が形成され、この突起部に情報記録担体の孔Ｈが嵌め合わされるようになっている。
【００５９】
ピックアップ１３は、例えば波長約６５０ｎｍの単一波長で発光する光源と、開口数ＮＡ０．６の対物レンズと、情報記録担体１から反射された反射光を受光する光検出器（フォトディテクタ）とから少なくとも構成されている。
パワードライバー１６は、通常の情報記録担体再生装置に用いられる０．１ｍＷ〜０．４ｍＷ以上の再生パワーを与えることができ、再生パワーの設定は、コントローラ２０の制御に基づいて行われる。
【００６０】
具体的には、再生パワーは、予めコントローラ２０に再生パワーを記憶させ、この再生パワーを読み出してパワードライバー１６に供給される。
又は、再生パワーは、情報記録担体１の所定の領域に種々のパワーで試験的に記録を行い、その再生信号出力が所定値になるまで繰返して最適な再生パワーを求め、この再生パワーをコントローラ２０に記憶させ、この再生パワー設定を読み出してパワードライバー１６に供給されるようにしても良い。
インターフェース１５の出力側は、図示しない外部出力端子に接続しても良いし、また図示しない画像表示装置、音響装置、印字装置に直接接続しても良い。
【００６１】
次に、本発明の情報記録担体再生装置の動作について説明する。
予めコントローラ２０に記憶されている再生パワーをパワードライバー１６を介してピックアップ１３に供給し、ピックアップ１３中の光源から情報記録担体１に収束光ビームＬを入射させた後、ここで反射させて、情報記録担体１の記録信号を光検出器で受光して、復調器１４に出力する。
【００６２】
この際、コントローラ２０の制御により、情報記録担体１の反射光に基づいて、サーボ１９でフォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号、回転サーボ信号を生成して、このフォーカスエラー信号及びトラッキングエラー信号をピックアップ１３に、回転サーボ信号をモータ１８に出力し、ピックアップ１３が情報記録担体１に追従するようにすると共に、モータ１８の回転制御が行われる。
【００６３】
パワードライバー１６から出力されるパワー設定は、アルミニウムを原料とした超微視的不連続膜が形成された情報記録担体１の場合には、０．８ｍＷ以上であり、望ましくは２０ｄＢ以上の再生信号出力（例えば、１．５ｍＷ）が得られるようにする。
モリブデンを原料とした情報記録担体の場合には、０．５ｍＷ以上であり、望ましくは２０ｄＢ以上の再生信号出力（例えば、２ｍＷ）が得られるようにする。
【００６４】
コントローラ２０の制御に基づいて、復調器１４では、記録信号を復調し、必要に応じて誤り訂正を行い、得られたデータストリームをインターフェース１５に出力する。
更に、コントローラ２０の制御に基づいて復調された信号を外部に出力する。
【００６５】
このように、理論再生限界以上のパターンを読み出せる２０ｄＢ以上の再生信号出力が得られるパワードライバー１６を備えるだけで、理論再生限界を超えたピット長さの信号を再生することができ、かつ安価な情報記録担体再生装置が得られる。
【００６６】
なお、ターンテーブル１７の突起部に情報記録担体１の孔Ｈが嵌め合わされているが、これらを固定接着して一体化しても良いし、自由に着脱できる半固定接続でも良い。
情報記録担体１は、ディスク状としたが、これに限るものではなく、カード状、テープ状であっても良い。
【００６７】
更に、再生または記録・再生に使用する波長は６５０ｎｍに限るものではなく、１３００ｎｍ、９８０ｎｍ、８３０ｎｍ、７８０ｎｍ、６３５ｎｍ、５３２ｎｍ、５１５ｎｍ、４５８ｎｍ、４４２ｎｍ、４３０ｎｍ、４１３ｎｍ、４０５ｎｍ、４００ｎｍ、３７０ｎｍ等も使用できる。
ピックアップ１３中の光源としては、半導体レーザ、ガスチューブレーザや高調波変換器を通過して波長変換されたレーザ光等を用いることができる。
対物レンズの開口数ＮＡは、０．６以外に、０．４、０．４５、０．５５、０．６５、０．７、０．７５、０．８、０．８５、０．９等でも良いし、ソリッドイマージョンレンズに代表される１以上の開口数でも良い。
【００６８】
【発明の効果】
本発明の情報記録担体によれば、理論再生限界以下の長さのピット長を再生することが可能になり、ＤＶＤよりも高密度な情報記録担体を得ることができる。また、本発明の情報記録担体再生装置によれば、情報記録担体に形成されている理論再生限界以上のパターンを読み出せる再生出力を前記光源に供給するパワードライバーを有しているので、理論再生限界を超えたピット長さの信号を再生することができ、かつ情報記録担体再生装置が安価となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態の情報記録担体を示す断面図である。
【図２】基板表面に形成された超微視的不連続膜のモフォロジーを示す平面図である。
【図３】本発明の実施形態の情報記録担体における超微視的不連続膜近傍の断面図である。
【図４】本発明の実施形態の情報記録担体における第１変形例を示す断面図である。
【図５】本発明の実施形態の情報記録担体における第２変形例を示す断面図である。
【図６】本発明の実施形態の情報記録担体における第３変形例を示す断面図である。
【図７】本発明の実施形態の情報記録担体における第４変形例を示す断面図である。
【図８】本発明の実施形態の情報記録担体における第５変形例を示す断面図である。
【図９】本発明の情報記録担体の再生を行う情報記録担体再生装置を示すブロック図である。
【図１０】再生専用のＤＶＤに用られる従来の情報記録担体を示す断面図である。
【符号の説明】
１、４、６、８、９，１１…情報記録担体、２…支持体、２Ａ…微細パターン、３…超微視的不連続膜、３Ａ…孤立材料粒子、５…樹脂層、７…記録層、１０…ダミー支持体、１２…情報記録担体再生装置、１３…ピックアップ、１４…復調器、１５…インターフェース、１６…パワードライバー、１７…ターンテーブル、
１８…モータ、１９…サーボ、２０…コントローラ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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