(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の表面に対向する第２の反射表面を有する透明物体の前記第１の表面の高さを測定する為の光学式の高さ測定器であって、
主光線が第１の表面上の法線に対して第１の角を成して延在する収束測定ビームを供給する為の放射源ユニットと、
第１の表面によって反射された第１の放射ビームを検出する為の位置感応検出ユニットと、
前記第１の放射ビームの主光線が前記法線に対して第１の角に対して逆の第２の角を成して延在し、該第１の放射ビームの放射路で第１の表面と前記検出ユニットとの間に配置される絞りと、を備え、
前記絞りの配置位置及び開口位置は、前記第１の放射ビームだけが開口を通過して前記検出ユニットに到達し、第２の反射表面で反射された第２の放射ビームが該絞りによって遮蔽されるように設定されており、
前記収束測定ビームの焦平面が前記透明物体の背後にあり、前記第１の放射ビームの焦平面が前記絞りの背後にあり、前記第２の放射ビームの焦平面が前記絞りの前方にあるように、前記透明物体に対して前記収束測定ビームが調整されることを特徴とする光学式の高さ測定器。
【請求項２】
絞り開口が、第１の反射された放射ビームの主光線と第２の反射された放射ビームの主光線との間の距離にほぼ等しい直径を有することを特徴とする請求項１に記載の光学式の高さ測定器。
【請求項３】
測定ビームと前記第１の表面上の法線との間の角度を５０°程度としたことを特徴とする請求項１または２に記載の光学式の高さ測定器。
【請求項４】
第１の表面の領域で測定ビームによって形成された放射スポットと絞りとの間の距離をできるかぎり短くしたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光学式の高さ測定器。
【請求項５】
物体の少なくとも１つの表面を検査する為の光学式の検査デバイスであって、少なくとも１つの検査ビームを供給する為の放射源と、検査すべき表面に向かって検査ビームを案内し且つこのビームの焦点を合わせる為の各検査ビーム用の光学系と、検査すべき表面に対して検査ビームを移動させて全表面を走査する走査手段と、検査すべき表面に対して垂直な方向でこの表面の位置をチェックする為の高さ測定器とを含む、光学式の検査デバイスにおいて、前記高さ測定器を請求項１乃至４のいずれか１項に記載のような測定器としたことを特徴とする光学式の検査デバイス。
【請求項６】
リソグラフィックマスク上の埃粒子を検出し且つリソグラフィックマスクの欠陥を検出する為のマスク検査デバイスであって、請求項５に記載の光学式の検査デバイスによって構成されたマスク検査デバイス。
【請求項７】
基板上にマスクのパターンを結像する為のリソグラフィック装置であって、照明系と、マスクを収容する為のマスクテーブルと、基板を収容する為の基板テーブルとを含む当該リソグラフィック装置において、請求項６に記載のマスク検査デバイスを、マスクテーブルに向かうマスク供給路に配置したことを特徴とするリソグラフィック装置。
【発明の詳細な説明】
本発明は、第１の表面に対向する第２の反射表面を有する透明物体の当該第１の表面の高さを測定する為の光学式の高さ測定器であって、主光線が第１の表面上の法線に対して第１の角を成して延在する収束測定ビームを供給する為の放射源ユニットと、第１の表面によって反射された放射ビームを検出する為の位置感応検出ユニットとを具え、前記放射ビームの主光線が前記法線に対して第１の角に対して逆の第２の角を成して延在し、絞りが反射された放射ビームの放射路で第１の表面と検出ユニットとの間に配置されている当該光学式の高さ測定器に関するものである。
本発明は光学式の表面検査デバイスに関するものでもあり、又パターンを基板上に投影すべきリソグラフィックマスクを検査する為にこの検査デバイスを使用するリソグラフィック装置に関するものでもある。
三角法の原理により動作する光学式の高さ測定装置は、特には、公衆に開示された日本国特許出願明細書第５−３３２７６９号の英語によるアブストラクトにより知られている。これらのタイプの高さ測定器において、放射ビームは、測定すべき表面上で法線に対してある角を成して配向され、この表面により反射されたビームは、位置感応の検出器か或いは例えばＣＣＤカメラのようなカメラにより受け取られる。このような検出器或いはカメラは、位置感応の検出ユニットの上述した条件の範囲内で配置されると理解されたい。この表面に対して垂直な方向に表面をシフトさせる場合には、反射ビームにより形成された検出器上の放射スポットを、検出器に亘ってずらすので、この放射スポットの位置を測定することにより表面の高さを決定することができる。日本国特許出願第５−３３２７６９に記載された高さ測定器においては、絞りは反射ビームの路に配置されており、レンズはこの絞りの前方と背後との両方に配置されている。この配置の目的は、測定すべき表面上に形成された放射スポットが、全ての状況、特にはこの表面が傾斜している場合において１：１の比で検出器に結像されることを確実にすることである。
米国特許明細書第５３５９４０７号には、半導体回路（ＩＣｓ）か或いは液晶ディスプレイパネル（ＬＣＤｓ）を製造する為の光学式のリソグラフィ技術に使用される光学式の表面検査デバイスが記載されている。フォトリソグラフィック装置、ウエハステッパ或いはマスクテーブルを含むウエハステッパ兼スキャナ、投影レンズ系、及び基板テーブルをこの装置と共に使用する。第１のパターンを有してマスクテーブル内に形成されるウエハステッパは、フォト感応を有して基板テーブル内に形成される基板の第１のＩＣ領域上に抑制された形態でマスクを結像する。次に、基板は、第２のＩＣ領域がレンズ系の下方に来るように投影レンズ系とマスクに関して移動され、マスクパターンは第２の領域に結像される。これは、マスクパターンが基板の全ＩＣ領域に結像されるまで続けられる。次に、照明された基板がウエハステッパから除去されて、現像、エッチング及び他の処理が成される。この場合には基板に新たにフォト感応の層を設け、この基板を同一の或いは異種のウエハステッパに導入し、第２のマスクパターンにより照射する。
基板のウエハステッパによって形成できるパターンのディテールは、０．５マイクロメータ以下の線幅を有する。従って、放射路内に存在する埃粒子のような異物は、形成されたイメージ上に破滅的な影響を与える。それ故に、この装置自身だけでなくこの装置に導入する基板をも高程度に埃のない状態に確実にすべきである。マスクを埃のない状態とすることは更により重要である。実際には、マスクパターン上の埃粒子によって基板の種々のＩＣ領域におけるこのパターンの形成されたイメージが全て乱されるので、この基板上に形成したＩＣｓには全て同じ欠陥が生じてしまう。マスクパターンのディテールは、基板のディテールの例えば４或いは５倍の極小さな倍率であるので、マスクパターンの埃粒子は形成されたマスクパターンイメージに多大な影響を与える。それ故に、埃粒子及び他の汚染物質が存在する場合には、マスクをマスクテーブルに配置する前に、マスクを検査することが望まれる。この目的を達成するには非常に正確で信頼性の高いマスク検査デバイスが必要である。米国特許明細書第５３５９４０７号に記載されているように、小さな放射スポットは、マスク表面を検査するマスクパターン全体に亘って移動することができ、埃粒子の存在は、このスポットの埃粒子拡散放射を受け取るように配置された放射感応の検出器により検出することができる。マスクパターンの全上側表面を検査するためには、第１の方向に対して垂直な第２の方向にマスクを移動させることと組み合わせて、第１の方向のパターンを走査する走査放射ビームを使用する。
マスクは、良く研磨された上側を有する透明基板と、例えばクロムパターンの形態の下側に形成されたマスクパターンとを含む。このパターンは、０．１ミクロンのオーダの小さな寸法から非常に小さい寸法までの埃粒子の存在について非常に正確に予め検査し、この場合には、このパターンは例えばフォイルのような透明な保護層により覆う。マスクをこの装置に導入する前に、より粗大な埃粒子が、マスクの上側と同じようにこのフォイル上に堆積することもあり得るので、この上側とフォイルとの両方を検査しなければならない。この目的を達成するためには、２つの走査型検査ビームを使用し、そのうちの１つをマスクの上側に指向して他方をフォイルに指向する。
この表面検査においては、表面上の法線の方向での検出器と表面との間の距離が、重要なパラメータである。この距離が所望な距離に等しくなければ、表面の埃のない領域によって鏡面反射された放射の一部が検出器に到達するので、この検出器は間違った信号を供給する。それ故に、検査デバイスに導入されたマスクの上側の高さ、従ってこの表面と検出器との間の距離を測定することができる信頼性が高く且つ十分に正確な高さ測定器が必要とされる。この高さ測定器は、この距離を正確にすることができる電気信号を供給する。
従来の高さ測定器を使用する場合には、走査ビームの放射がマスクの下側に到達し、この場合には結像すべきマスクパターンが存在するという問題が生じていた。このマスクパターンは、非常に良好に反射し且つマスクの上側に存在する通常のガラスよりも良く反射する例えばクロム層のような不透明な層の線形開口のパターンにより構成される。その結果、マスクの下側から生じた放射のうちかなりの量の放射が高さ測定器の検出器に到達するので、この測定器は間違った信号を供給する。
本発明は、この問題が発生しない高さ測定器を提供するものである。本発明による高さ測定器は、絞りの配置位置及び開口位置を、第１の反射された前記放射ビームだけが前記開口を通過して検出ユニットに到達できるようなものとして、第２の表面により反射された第２の放射ビームを絞りにより遮蔽することを特徴とする。
絞りの平面が第１の放射ビームの主光線に対して垂直に位置するのが好適である。
この手段によって、高さ測定が第１の表面から来ない放射によっては影響されないことを確実にする。
この高さ測定器の絞りが日本国特許出願明細書第５−３３２７６９号に記載されているデバイスの絞りとは異なる機能を有することに注意されたい。この既知のデバイスにおいては、第１のコンデンサーレンズ、絞り、及び第２のコンデンサーレンズによる組立体によって、測定すべき表面の状況或いはこの表面の傾斜に関係なく、測定すべき表面上の放射スポットの１：１のイメージを検出器に常に確実に形成する。
日本国特許出願第４−３１７４８号の英語によるアブストラクトには、プレート状の透明物体を測定するための装置について記載されており、この装置内には、放射遮蔽プレートがプレートの上側の上方に配置されている。この装置は、物体の上側における欠陥を探知することを意図したものである。この遮蔽プレートは、測定すべき表面に対して平行に配置されており、このプレートの機能は、物体の下側によって放射された測定放射ビーム及び測定放射スポットの外側の物体の上側における欠陥によって放散された測定放射ビームが検出器に到達することを防止することである。
日本国特許出願第３−２３１１０３号の英語によるアブストラクトには、光学式の測定装置が記載されており、この装置内には、絞りが測定すべき物体により反射された放射ビームの路に配置されている。しかしながら、この装置はこの物体に配置された薄膜の厚さを測定するように意図されたものである。
本発明による高さ測定器の好適な実施例は、測定ビームの焦点を物体の背後の平面で合わせ、絞りを第１の反射ビームの焦平面と第２の反射ビームの焦平面との間の平面に配置したことを特徴とする。
それ故に、この高さ測定器によって、最大の捕獲範囲が得られる。従来の高さ測定器では、測定に対して表面粗さ、スクラッチ、或いはこの表面上の埃の粒子等による影響を最小程度とするように、測定ビームの焦点が測定すべき表面上で合わせられている。新規の高さ測定器では、測定すべきマスクの表面を非常に良好に研磨し、高さ測定用に程よく埃のない状態にするという独創的な使用が成されてきた。この場合には、測定すべき表面上の放射スポットを、より大きくすることができるので、マスクの上側によって反射された放射ビームの焦点を絞り平面の背後で合わせ、マスクの下側によって反射された放射ビームの焦点をマスク面の前で合わせるような収束点を測定ビームは有することができる。
高さ測定器は、好適には、絞り開口が反射された第１の放射ビームの主光線と反射された第２の放射ビームの主光線との間の距離にほぼ等しい直径を有することを更に特徴とする。より大きな高さの変動が存在する場合でさえ、反射された第１の放射ビームが連続的に検出器に到達するが、反射された第２の放射ビームは遮蔽されたままである。
反射された第１の放射ビームと反射された第２の放射ビームとの間の距離を最大にして、これらビーム間の識別を満足できるものとするためには、この高さ測定器は、測定ビームと第１の表面上の法線との間の角度を５０°程度とすることを更に特徴とする。
好適には、高さ測定器は、第１の表面の領域で測定ビームにより形成された放射スポットと絞りとの間の距離をできる限り短くすることを更に特徴とする。
この最短可能距離は、この装置の機械的な周囲条件により決定される。この手段により、第１の表面が傾斜しているために捕獲範囲が減少することが回避される。
又、本発明は、物体の少なくとも１つの表面で検査する為の新規の検査装置に関するものでもあり、この装置が、少なくとも１つの検査ビームを供給するための放射源と、検査すべき表面に向かって検査ビームを案内し及びこのビームの焦点を合わせる為の各検査ビーム用の光学系と、全表面を走査するように検査すべき表面に対して検査ビームを移動する為の走査手段とを含み、表面に垂直な方向で検査すべき表面の位置をチェックする為の高さ測定器を更に含む。この検査装置は、高さ測定器を上述したように使用することを特徴とする。
更に特には、この検査デバイスは、マスク検査デバイスである。
更に、本発明は、基板上にマスクパターンを結像するためのリソグラフィック装置に関するものであり、この装置は照明系と、マスクを収容するマスクテーブルと、基板を収容する基板テーブルとを含む。この装置は、前記マスク検査デバイスをマスクテーブルに向かうマスク供給路に配置したことを特徴とする。
本発明のこれらの及び他の態様を以下に記載する実施例にによって詳細に説明する。
図面において、
図１は、既知の高さ測定器の原理を示したものであり、
図２は、フォトリソグラフィックマスクと、このマスクにより反射されるビームとを示したものであり、
図３は、本発明による高さ測定器の原理を示したものであり、
図４は、このような高さ測定器を有する検査デバイスを示したものであり、
図５は、マスク検査デバイスを有するフォトリソグラフィック投影装置を示したものである。
図１において、参照符号１は、高さが測定される物体の表面を示したものである。線図的に示した既知の高さ測定器は、測定ビーム、即ち図示した主光線１０だけを透過する例えばダイオードレーザのような放射源９を含む。このビームが例えば垂直に放散表面１に入射すると、この表面上には放射スポット１６が形成される。この高さ測定器は、表面１からの放射１２を受取るレンズ素子２５により線図的に示したレンズ系を更に設け、この高さ測定器は、放射スポット１９の放射スポット１６を放射感応検出ユニット３０上に結像する。この検出ユニットは、位置感応であり、即ち出力信号が検出ユニットの放射感応表面に対する放射スポット１９の位置に依存する。このユニットは、例えば既知の位置感応半導体検出器によって、或いはＣＣＤカメラのようなカメラによって構成することができる。測定すべき表面を例えば破線２によって示した位置に向かってずらした場合には、レンズ系２５は、検出ユニット上の放射スポット２０の表面の測定ビームによって形成された放射スポット１７を結像し、この放射スポット２０は放射スポット１９に対してずらしたものである。この場合には検出ユニットの出力信号は異なる値を有する。従って、出力信号の値は、表面１の高さを測定したものとなる。
図２は、リソグラフィックマスク５の一部分を断面で示したものである。このマスクは、上側１と下側３とを有する例えばガラスの基板８を含む。半導体基板上に結像しなければなないパターン４をこの下側に設ける。このパターン４は、例えばクロム層のような不透明な層内の多数の線状開口７により形成することができる。マスクパターン４を、例えばフォイルの形態の透明な層１５により覆う。
測定ビームが表面に斜めに入射する図１に示した高さ測定器の原理がマスクの表面１の高さを測定する為に使用される場合には、測定ビーム１１の放射がマスクの上側１によって反射されるだけではなく、下側３によっても反射してレンズ２５と検出ユニット３０とに指向するという問題が生じる。この場合には、このレンズ系は、検出ユニット上に実際の測定スポット１９を形成するだけでなく、マスクの下側の測定ビームにより形成した放射スポット１８を検出ユニット上の放射スポット２１に結像する。このユニットは、測定スポット１９と寄生放射スポット２１とのを区別することができるので、出力信号も寄生スポットによって決定され、表面１の高さの測定はもはや満足のいくものとはならない。特に、良好に反射するクロム層をマスクパターン層として使用する場合には、寄生スポットは、測定スポットよりもかなり大きな強度を有し、満足のゆく高さ測定をすることはもはや可能でなくなる。
図３は、本発明による高さ測定器の原理を示したものである。測定ビーム１１を法線に対して角αでマスク５に入射させ、鏡面反射を行い、即ち反射角βを入射角αと逆向きで等しくする。絞り４０をマスクの上側１検出ユニット３０との間に配置するので、上側１により反射されたビーム１３は、絞り開口４１を通過して、検出ユニット３０に到達することができる。基板の下側３により反射されたビーム１４は、絞りにより遮蔽され、検出ユニットに到達することができない。検出ユニットからの圧力信号は、検出ユニット上のビーム１３により形成された放射スポット１９の位置によってのみ決定されるので、この信号はマスク５の高さを測定するのに信頼性があり且つ精密なものである。
この測定ビーム１１は、図１及び図２に示したように、上側１ではもはや焦点が合うことはないが、マスクが所望な高さを有する場合には、このビームは、反射ビーム１３の焦点３８が絞りの平面の背後にあって、反射ビーム１５の焦点３９が絞りの平面の前方にあるという絞りの位置に関するこのような収束点を有する。その結果、高さ測定器は、最大の捕獲範囲を有する。測定ビーム１１により表面１上に形成された放射スポット３５は、従来の高さ測定器の場合よりも大きいが、表面１が良く磨かれており、高さ測定に対して必要な埃がない程度となっているので、間違いなく、埃の粒子や他の汚染物質により影響を受ける高さ測定の危険は殆どない。
絞りの平面が反射ビーム１３の主光線に対して垂直であることは、必ずしも必要ではないが、好適である。
ビーム１３の妨げのない通過とビーム１５の満足のいく遮蔽が確実に行われるように、反射ビーム１３の主光線と反射ビーム１５の主光線との間の距離を絞り平面の領域で最大とする為には、入射角αを５０°のオーダとする。原則として、この角度は０°と９０°との間の角度とすることができる。しかしながら、５０°がこの角度に対しては最適な値であることが判明した。
更に、絞り開口４１の径をビーム１３の主光線とビーム１５の主光線との間の距離にほぼ等しくするのが好適である。それ故に、表面１の高さの変動をより大きくした場合にも、ビーム１３は開口４１を通過するのに対して、ビーム１５は遮蔽されたままである。
表面１が傾斜している場合には、ビーム１３は絞り開口４１の縁部に向かってずれ、ビーム１５はこの開口に向かってずれるので、捕獲範囲が減少する。この傾斜の影響を最小にするには、絞りを機械的に可能な限り放射スポット３５に対して接近させて配置する。
図４は、本発明による高さ測定器を有するマスク検査デバイスの実施例を正に線図的に示したものである。このデバイスは、例えばビーム６０を透過する半導体ダイオードレーザのような放射源５０を含む。このビームは検査すべきマスクの表面１、３を跨ぐ方向にずらさなければならない。この目的を達成するために、走査素子をこのビームの路に配置する。この実施例では、この素子を、複数のミラー面を有する既知のポリゴンミラー５１により構成するが、図４にはそのうちの２つ５３及び５４を示した。このポリゴンミラーは、矢印５５により示したように軸線５２の回りに回転する。ポリゴンミラーの代わりに、例えば振動性ミラーのような他の走査素子を使用することができる。ポリゴンミラーにより反射されたビームを検査すべき表面に向かって案内し、検査スポットを形成するようにこの表面上にこのビームの焦点を合わせなければならない。
既に述べたように、リソグラフィックマスクの上側１と下側３との両方を検査しなければならない。この目的に対しては、２つの放射源と２つの走査素子を使用することができる。図４に示したように、単一の放射源と１つの走査素子を使用することは好適であるが、その理由はこの場合には検査デバイスの体積を小さくできるからである。例えば半透明のミラー５６の形態のビームスプリッタを、ポリゴンミラー５１により反射されたビーム６０の路に配置し、ビームスプリッタによりビームを第１の検査ビーム６１と第２の検査ビーム６２とに分裂させる。走査すべき表面上の放射スポットに検査ビームの焦点を合わせるには、既知の走査レンズ即ちｆ−θが既知の走査レンズを使用する。図４の実施例においては、参照符号７０により示したレンズをポリゴンミラー５１とビームスプリッタ５６との間に配置するので、このレンズは１つ必要なだけである。
第１の検査ビーム６１は、マスク５の下側３に向かってリフレクタ５７によって反射され、検査スポット７１を形成する。埃の粒子がこのスポットの位置に存在する場合には、スポットの放射は散在する。散在した放射の一部は、この放射を検出器５９に収束させるレンズ系５８により受け取られる。検査スポットの位置での表面がきれいな場合には、この検査ビームは鏡面反射され、このビームからの放射は検出器５９に達することができない。従って、この検出器からの出力信号は、表面３に埃の粒子が局部的に存在するかどうかを示すものである。検査ビーム６１、従って検査スポット７１を、図面中の平面に対して垂直な第１の方向に、ポリゴンミラー５１を回転することによりずらす。第１の方向に対して垂直な第２の方向においても検査スポットによって表面３を走査するためには、マスクをこの第２の方向に移動してもよい。マスクの上側表面１を同様に走査することは、第２の検査ビーム６２により形成される第２の検査スポット７２により実現されるが、この第２の検査ビームはリフレクタ６５及び６６により連続的に反射され上側表面に到達する。埃の粒子により散在される、このスポットによる放射は、レンズ系６７により受け取られ、検出器６８上に収束する。
この検査デバイスに、図３に従って記載したように使用する高さ測定器８０を設ける。
図４に示した検査デバイスは一例にすぎず、これを改良したものは多数可能であり、これらの改良物は全て本発明による高さ測定器を有する。
図５は、走査タイプの光学式のリソグラフィック投影装置の原理、即ちマスク５及び基板９９を投影ビームの大きさを考慮に入れて同時にずらすという原理を正に線図的な形態で示したものである。この投影ビームの主光線１０５のみを破線で示した。この装置は、例えば集積半導体回路、液晶ディスプレイパネル、或いは磁気ヘッドのようなマイクロ素子の製造に使用することができる。この装置は、出口窓９１を介して律動的に送り出された投影ビーム１０５を供給する例えばエキシマレーザのような放射源９０を含む。この出口窓は、例えば水晶のバーのような光学式のインテグレータの出口平面により構成することができるので、ＥＰ特許出願第０６５８８１０号に記載されているように出射窓の均一な強度分布が得られる。この出射窓がリソグラフィック装置を走査するに際して細長い形状を有することが好適である。この窓は、例えば２つのレンズ９２’、９２”を含むレンズ系９２によりマスク５に結像され、テレスコピック式の系とすることができる。このマスクはアクチュエイタ９４により駆動されるマスクテーブル９３上に配置する。この駆動は、マスクパターン全体が出射窓のイメージにより走査されるものである。この出射窓イメージの長手方向は、走査の移動方向に対して垂直とし、マスクをアクチュエイタによって移動する方向に対して垂直とする。
図５に線図的に示したように、単一のレンズによる投影レンズ系９６は、基板９９の放射感応層９８のマスクパターンの照明部分を結像する。この基板は、半導体ウエハとすることができる。投影レンズ系の倍率は、例えば１／４とする。
基板９９は、アクチュエイタ１０１により駆動する基板テーブル１００に配置する。マスクパターンを結像する場合には、レンズ系９６の倍率を考慮に入れて基板をマスクと同時に移動するので、マスクパターンの連続的な照明部分の一連の並列イメージが基板上に形成される。可能な走査処理は、文献”Submicron 1：1 Optical Lithography”by D.A.Markle in the journal”Semiconductor International”of May 1986,pp.137-142に記載されている。マスクを完全に結像し、従って基板のＩＣ領域をカバーした後に、基板をＩＣ領域よりも僅かに長い距離に亘ってマスクに対してずらし、マスクパターンを基板の第２ＩＣ領域に結像する。
この装置の長さを減少させるためには、フォールディングミラー９５を投影ビームの路に配置することができる。
埃がない状態のマスクだけを、素子９３、９６及び１００を含む投影コラムに導入することを確実にする為には、光学式のマスク検出デバイス１１０を破線１０７により示したマスク供給路に配置する。この検出デバイスは、図４に示したように使用することができるか或いは他の実施例とすることができる。しかしながら、検出デバイス１１０は、図３に示したように使用する高さ測定器を常時具える。
高さ測定器及びこの測定器を有する検出デバイスは、ステッピングタイプの光学式のリソグラフィック投影装置に使用することもできる。このような装置により、マスクパターンを、ＩＣ領域の１つの区域（run）に各時に結像する。この場合には、他のＩＣ領域がマスク及びレンズ系の下方に位置してマスクパタンーンをこの領域に結像するように、基板をマスクに関して移動する。この処理は、基板の全ＩＣ領域にマスクパターンが結像されるまで繰り返される。ステッピング投影装置では、結像処理中に基板のＩＣ領域に対してマスクを移動させず、アクチュエイタ９４は使用しない。或いは又、近接印刷の原理により動作する光学式のリソグラフィック装置に本発明を使用することができる。この方法は、投影レンズ系を使用しないが、マスクを基板から１ミクロン程度の距離に配置し、マスクのシャドウイメージを基板に形成する。
本発明による高さ測定器及び検出デバイスは、イオンビーム、電子ビーム、或いはＸ線ビームのような充電された粒子ビームを投影ビームとして使用するリソグラフィック装置に使用することもできる。光学式のリソグラフィック装置により形成されたイメージよりも一層小さなディテールを有するイメージを形成することができるこれらのタイプの装置においては、マスクを埃のない状態とするという要請が更に厳重に課され、検査デバイスが精密性且つ信頼性を有するこが更に重要となる。
本発明を、リソグラフィックマスク及びリソグラフィック装置に関して記載してきたが、本発明はこれらに限定されるものではない。本発明は、より小さなディテールを有するイメージを形成しなければならない他のイメージング系に使用することもでき、一般的には透明物体の２つの対向する表面を検査しなければならない場所にはどこでも使用することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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