(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
チョクラルスキー法により製造するシリコン単結晶において、1200℃以下1000℃以上の結晶温度域の冷却速度が1.0℃/分以下となる領域、1000℃未満800℃以上の結晶温度域の冷却速度が1.0℃/分以下となる領域があり、かつ800℃未満700℃以上の結晶温度域で急冷を開始し、急冷開始温度〜600℃の温度域において、冷却速度が20℃/分以上の条件で製造したシリコン単結晶を、スライス、研磨することを特徴とするシリコンウエーハの製造方法。
【請求項２】
600℃未満500℃以上の温度域において、冷却速度が10℃/分以上であることを特徴とする請求項1記載のシリコンウエーハの製造方法。
【請求項３】
500℃未満400℃以上の温度域において、冷却速度が8℃/分以上であることを特徴とする請求項2記載のシリコンウエーハの製造方法。
【請求項４】
400℃未満300℃以上の温度域において、冷却速度が5℃/分以上であることを特徴とする請求項3記載のシリコンウエーハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、チョクラルスキー法( 以下、CZ法) により製造された絶縁酸化膜の耐電圧特性( 以下、酸化膜耐圧) が優れ、かつ酸素析出が抑制された優れたシリコン単結晶およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
CZシリコン単結晶は結晶強度が高いなどの優れた特徴を有しているため、従来よりLSI 用の材料として広く用いれられている。ところが、シリコン単結晶の酸化膜耐圧は、製造方法の根本的な違いにより大きく異なることが知られており、CZシリコン単結晶の酸化膜耐圧はフローティングゾーン法により製造されたシリコン単結晶やCZシリコンウエーハ上にシリコン薄膜をエピタキシャル成長させたウエーハのそれに比べて著しく低い。しかし、近年のMOS デバイス集積度の増加に伴い、ゲート酸化膜の信頼性向上が強く望まれるところとなり、酸化膜耐圧はその信頼性を決定する重要な材料特性の1 つであるため、酸化膜耐圧特性の優れたCZシリコン単結晶の製造技術開発が重要視されていた。
【０００３】
一方、CZ法により製造されたシリコン単結晶中には過飽和な酸素が含まれている。この過飽和な酸素原子はLSI 製造工程の熱処理中に析出し、酸素析出物を発生させる。この析出物が素子形成領域で発生すると、接合リークなどの素子特性劣化を引き起こし、素子にとって有害な役割を果たす。したがって、歩留り良くLSI を製造するためには、酸素析出を抑制することが重要である。
【０００４】
酸化膜耐圧の優れたCZシリコン単結晶の製造方法としては、特開平2-267195号公報のCZ法により直径100mm 以上のシリコン単結晶を製造する方法において、結晶育成速度を0.8mm/分以下とすることを特徴とする方法が開示されている。しかし、この方法では生産性が悪いため実用的ではなかった。
【０００５】
また、特公平3-67994 号公報では、引き上げられつつあるシリコン単結晶を1100℃から900 ℃へ温度降下を3 時間以上かけてゆっくり行う引き上げを施し、半導体デバイス工程での酸素析出物核を減少させ、欠陥発生を抑制する方法が示されている。しかし、この方法では酸素析出は抑制できるが、酸化膜耐圧をむしろ劣化させていた。
【０００６】
また、特開平7-223893号公報では、シリコン単結晶を製造する際に、1200℃から1000℃の結晶温度領域において結晶冷却速度が1.0 ℃/ 分以下となる温度領域を形成させる方法が示されている。しかし、この方法で製造したシリコン単結晶の場合、デバイス特性に有害な酸素析出が多かった。さらに、同公報には、シリコン単結晶を製造する際に、1200℃〜1000℃の結晶温度領域において冷却速度が1.0 ℃/ 分以下になる温度領域を形成し、かつ1000℃〜500 ℃の結晶温度領域において冷却速度が常に1.0 ℃/ 分以上で冷却することを付加する方法が示されている。しかし、この方法の場合、1000℃を境界として狭い温度域内で徐冷と急冷を実現する必要があるため、シリコン単結晶の引き上げ炉内に特殊な構造が必要となり、製造コストの上昇を招いていた。
【０００７】
また、これまで1200℃から1000℃の結晶温度領域において結晶冷却速度が1.0 ℃/ 分以下となる温度領域を形成させる方法で製造された酸化膜耐圧の優れたシリコン単結晶の初期酸素濃度と析出酸素濃度の明確な関係は示されていなかった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
CZ法により製造された酸化膜耐圧が優れ、かつ酸素析出が抑制された優れたシリコン単結晶の製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を達成するために、本発明においては、
(1)  チョクラルスキー法により製造するシリコン単結晶において、1200℃以下1000℃以上の結晶温度域の冷却速度が1.0℃/分以下となる領域、1000℃未満800℃以上の結晶温度域の冷却速度が1.0℃/分以下となる領域があり、かつ800℃未満700℃以上の結晶温度域で急冷を開始し、急冷開始温度〜600℃の温度域において、冷却速度が20℃/分以上の条件で製造したシリコン単結晶を、スライス、研磨することを特徴とするシリコンウエーハの製造方法、
(2)  (1)に加えて、600℃未満500℃以上の温度域において、冷却速度が10℃/分以上であることを特徴とするシリコンウエーハの製造方法、
(3)  (2)に加えて、500℃未満400℃以上の温度域において、冷却速度が8℃/分以上であることを特徴とするシリコンウエーハの製造方法、
(4)  (3)に加えて、400℃未満300℃以上の温度域において、冷却速度が5℃/分以上であることを特徴とするシリコンウエーハの製造方法、
である。
【００１０】
【発明の実施の形態】
絶縁酸化膜の耐電圧特性は、上層がアルミニウム、下層がドープされた多結晶シリコンからなる面積20mm2 の2 層ゲート電極を有し、その電極面積が20mm2 で、絶縁酸化膜厚が25.0nmであるMOS ダイオードを当該シリコン単結晶から切り出したシリコンウエーハ上全面に実装し、基板シリコンから多数キャリアが注入される極性の直流電圧を各MOS ダイオードに印加して電圧ランピング法により評価される。酸化膜を通して流れる電流密度が1mA/cm2 の時の該酸化膜にかかる平均電界が8.0MV/cm以上の領域は、真性絶縁破壊領域あるいはC モード領域と呼ばれ、シリコン結晶中に耐圧特性を劣化させる結晶欠陥が存在しないことを示す領域である。また、該酸化膜に印加される平均電界が1.0MV/cmから8.0MV/cmで酸化膜を通して流れる電流密度が1mA/cm2 に達する時、その電界領域はB モード領域と呼ばれ、シリコン結晶中に耐圧特性を劣化させる欠陥が存在することを示す領域である。従来のCZシリコン結晶は、C モード領域で絶縁破壊するMOS ダイオードの個数の総数に対する割合が、1 ウエーハにつき10〜30% 程度であり、B モード領域で絶縁破壊するMOS ダイオードの個数の総数に対する割合も大きい。したがって、C モード領域で絶縁破壊するMOS ダイオードの個数の総数に対する割合が40% 以上であるようなCZシリコン単結晶が酸化膜耐圧特性の優れたCZシリコン結晶である。さらに、C モード領域で絶縁破壊するMOS ダイオードの個数の総数に対する割合が50% 以上であり、B モード領域で破壊するMOS ダイオードの個数の割合が小さい、あるいは最小破壊電界値が高い( 例えば、6.0MV/cm以下で破壊するダイオードが20% 未満である) ようなCZシリコン単結晶が酸化膜耐圧特性のより優れたCZシリコン結晶である。
【００１１】
酸素析出は析出酸素濃度の大小で判定される。析出酸素濃度は、窒素ガス雰囲気中で800 ℃4 時間に加え、窒素ガス雰囲気中で1000℃16時間の熱処理( 以下、酸素析出熱処理) を行う前と後の酸素濃度の差として表わされる。
【００１２】
本発明により製造したシリコン単結晶の酸素析出の評価方法は次のように行った。鏡面加工を施したシリコンウエーハ試料の、直交する2 つの直径を各々2 0 等分した各点( 合計39点) の初期酸素濃度をフーリエ変換型赤外吸収法(FT-IR法) にて測定した。そのウエーハを、窒素ガス雰囲気中で800 ℃4 時間に加え窒素ガス雰囲気中で1000℃16時間の酸素析出熱処理を施した後、初期酸素濃度を測定した点と同じ位置の39点の酸素濃度を測定し、その酸素濃度と初期酸素濃度の差を析出酸素濃度として求めた。酸素濃度は日本電子工業振興協会による酸素濃度換算係数に基づき算出した。
【００１３】
本発明者らは、酸素析出熱処理を施す前のシリコン単結晶中の固溶酸素濃度( 以下、初期酸素濃度) をA ×101 7 atoms/cm3 ( 日本電子工業振興協会による酸素濃度換算係数に基づき算出) とし、酸素析出熱処理を施した後の析出酸素濃度をB ×101 7 atoms/cm3 とした場合、各種条件のCZ法で製造されたシリコンウエーハについて検討した結果、
B=48-11.9 ×A+0.74×A 2 
の関係を境界として、デバイス特性が大きく変化することを見い出した。そして従来の製造技術で得られたシリコンウエーハでは、 B>48-11.9×A+0.74×A 2 
となり、PN接合リークに代表されるデバイス特性の劣るものであった。
【００１４】
また、本発明者らは、シリコン単結晶を製造する際に1200℃〜1000℃の結晶温度領域における結晶冷却速度が1.0 ℃/ 分以下となる温度域を形成する方法で製造された酸化膜耐圧特性に優れたシリコンウエーハについて検討した結果、
B=26-7.6×A+0.55×A 2 
の関係を境界として、デバイス特性が大きく変化することを見いだした。そして1200℃〜1000℃の結晶温度領域における結晶冷却速度が1.0 ℃/ 分以下となる温度域を形成する方法で製造された従来の酸化膜耐圧特性に優れたシリコンウエーハでは、B>26-7.6×A+0.55×A 2 となり、ＰＮ接合リークに代表されるデバイス特性の劣るものであった。
【００１５】
さらに、本発明者らは、各種酸化膜耐圧特性を有する結晶の育成中の冷却条件を詳細に調査した結果、冷却条件と絶縁破壊原因となる微小欠陥の形成との間に次のような関係があることを見い出した。CZ法によるシリコン単結晶の育成過程において、凝固界面から酸化膜耐圧を劣化させる原因となる欠陥発生核が導入される。1200℃〜1000℃の温度域では、結晶冷却速度を小さくし徐冷することによりこの欠陥発生核が分解し密度が減少する。1000℃〜800 ℃の温度域では、オストワルド型成長反応を生じ、あるサイズ以上の欠陥発生核は結晶欠陥として成長するが、あるサイズ以下の欠陥発生核は溶解し消滅する。結晶欠陥の成長に関しては、シリコン結晶中に含まれる不純物元素である酸素や原子空孔やシリコン格子間原子などの点欠陥の拡散が主原因となって欠陥成長を促進する。1200℃〜1000℃の温度域を徐冷することなく、1000℃〜800 ℃の温度域を徐冷した場合には欠陥発生核のサイズが大きいため、結晶欠陥として成長し、酸化膜耐圧を劣化させるが、1200℃〜1000℃の温度域を徐冷した後に1000℃〜800 ℃の温度域を徐冷した場合には1200℃〜1000℃の温度域を徐冷中に欠陥発生核が分解して、欠陥発生核のサイズが小さくなり、つづく1000℃〜800 ℃の温度域の徐冷中にさらに溶解する。従って、酸化膜耐圧の劣化原因となる欠陥発生核の成長を抑制するためには、1200℃〜1000℃での冷却速度を低下させ、その温度領域の通過時間を長くした上でさらに1000℃〜800 ℃の冷却速度を低下させ、その温度領域の通過時間を長くすることが有効である。
【００１６】
一方、1200℃〜1000℃の温度域を徐冷することにより、分解した欠陥発生核は極微小な酸素析出潜在核となる。700 ℃以下の結晶温度域では、酸素析出潜在核が酸素析出核として成長する。酸素析出核の成長に関しては、シリコン結晶中の酸素が主原因となって酸素析出核の成長を促進する。従って、酸素析出潜在核の成長を抑制するためには、700 ℃以下を含むより高い温度域( 例えば、700 ℃以上800 ℃未満の温度域) から急冷することが有効である。また、酸素析出核は700 ℃以下の温度域の低温ほど多く形成される。従って、析出核密度を低減するためには700 ℃以下の温度域のより低温側を急冷するほど効果は大きくなる。
【００１７】
本発明に用いたシリコン単結晶製造装置は、通常のCZ法によるシリコン単結晶製造に用いられるものであれば特に限定されるものではなく、本実施例では図1 に示すような製造装置を用いた。このCZ法シリコン単結晶製造装置は、シリコン溶融液M を収容する石英ルツボ6aとこれを保護する黒鉛製ルツボ6bとから構成されたルツボ6 と育成されたシリコン単結晶インゴットS を収容する結晶引上炉1 である。ルツボ6 の側面部は加熱ヒーター4 と加熱ヒーター4 からの熱が結晶引上炉外部に逃げるのを防止するため断熱材3 が取り囲むように設置されており、このルツボ6 は図示されていない駆動装置と回転治具5 によって接続され、この駆動装置によって所定の速度で回転されると共に、ルツボ6 内のシリコン融液の減少にともないシリコン融液液面が低下するのを補うためにルツボ6 を昇降させるようになっている。引き上げ炉1 内には、垂下された引き上げワイヤー7 が設置され、このワイヤーの下端には種結晶8 を保持するチャック9 が設けられている。この引き上げワイヤー7 の上端側は、ワイヤ巻き上げ機2 に巻きとられて、シリコン単結晶インゴットを引き上げるようになった引き上げ装置が設けられている。そして、引き上げ炉内1 には、引き上げ炉1 に形成されたガス導入口10からArガスが導入され、引き上げ炉1 内を流通してガス流出口11から排出される。このようにArガスを流通させるのは、シリコンの溶融に伴って引き上げ炉内1 内に発生するSiO をシリコン融液内に混入させないようにするためである。結晶引き上げ炉内1 で冷却速度の極小となる温度が1200℃〜1000℃の結晶温度域内になるように温度制御装置20を設置した。また、結晶引き上げ炉内1 で1000℃〜800 ℃の結晶温度領域において冷却速度が1.0 ℃/ 分以下になる部分を含むように温度制御装置25を設置した。温度制御装置としては、引き上げ育成されるシリコン単結晶インゴットS を取り囲むように設置された黒鉛などの断熱保温材や加熱ヒーターなどが有効である。また、結晶引き上げ炉内1 で700 ℃以上から結晶を急冷できるように内部冷却装置30を設置した。内部冷却装置としては、引き上げ育成されるシリコン単結晶を取り囲むように設置された黒鉛材やガス吹付装置などが有効である。また、700 ℃以上から結晶を急冷するためには、引き上げが完了した直後に引き上げ炉1 を大気に解放し、結晶を大気中で冷却する方法も有効である。さらに、700 ℃以上から結晶をより速く急冷するためには結晶引き上げ炉1 の外に外部冷却装置40を設置し、外部冷却装置としては、引き上げが完了し取り出されたシリコン単結晶を急冷することができるガス吹付装置やミスト吹付装置、水冷漕などが有効である。
【００１８】
本発明では、結晶引上炉内に温度制御機能を設置し、冷却速度が極小となる温度が1200℃〜1000℃の温度領域内になるように徐冷することで、欠陥発生核の分解を促進して酸化膜耐圧を向上させる。また、結晶引上炉内に別の温度制御機能を設置したり、引上後の結晶の冷却方法を変更することによって、800 ℃未満700 ℃以上の温度から急冷し、かつ急冷を開始する温度〜600 ℃の温度領域内での冷却速度が20℃/ 分以上となるようにすることで、酸素析出潜在核の成長を抑制し、酸素析出を抑制する。この場合、シリコンウエーハの絶縁破壊電界が8.0MV/cm以上を示す割合が40% 以上であり、かつシリコンウエーハの初期酸素濃度をA ×101 7 atoms/cm3 、酸素析出熱処理によるシリコンウエーハの析出酸素濃度をB ×101 7 atoms/cm3 としたときの平均値( A , B ) が、B <26-7.6 ×A +0.55 ×A 2 の条件を満足する酸化膜耐圧に優れ酸素析出の少ないシリコン単結晶を製造することができる。
【００１９】
加えて、600 ℃〜500 ℃の冷却速度が10℃/ 分以上となるようにすることで、さらに酸素析出を抑制する。この場合、シリコンウエーハ上のいかなる位置においても析出酸素濃度B が初期酸素濃度A に対して、B<26-7.6×A+0.55×A 2 を満足する酸化膜耐圧に優れ酸素析出の少ないシリコン単結晶を製造することができる。
【００２０】
加えて、500 ℃〜400 ℃の冷却速度が8 ℃/ 分以上となるようにすることで、さらに酸素析出を抑制する。この場合、シリコンウエーハの初期酸素濃度をA ×101 7 atoms/cm3 、酸素析出熱処理によるシリコンウエーハの析出酸素濃度をB ×101 7 atoms/cm3 としたときの平均値( A , B ) が、B <48-11.9×A +0.74 ×A 2 を満足する酸化膜耐圧に優れ酸素析出の少ないシリコン単結晶を製造することができる。
【００２１】
加えて、400 ℃〜300 ℃の冷却速度が5 ℃/ 分以上となるようにすることで、さらに酸素析出を抑制する。この場合、シリコンウエーハ上のいかなる位置の析出酸素濃度B が初期酸素濃度A に対して、B<48-11.9 ×A+0.74×A 2 を満足する酸化膜耐圧に優れ酸素析出の少ないシリコン単結晶を製造することができる。
【００２２】
また、本発明では、結晶引上炉内に温度制御機能を設置し、冷却速度が極小となる温度が1200℃〜1000℃の温度領域の冷却速度が1.0 ℃/ 分以下となる領域があり、かつ1000℃未満800 ℃以上の結晶温度域の冷却速度が1.0 ℃/ 分以下となる領域がある条件で引き上げることにより、欠陥発生核の分解を促進して酸化膜耐圧を向上させる。また、結晶引上炉内に別の温度制御機能を設置したり、引上後の結晶の冷却方法を変更することによって800 ℃未満700 ℃以上の温度から急冷し、かつ急冷を開始する温度〜600 ℃の温度領域内での冷却速度が20℃/ 分以上となるようにすることで、酸素析出潜在核の成長を抑制し、酸素析出を抑制する。この場合、シリコンウエーハの絶縁破壊電界が8.0MV/cm以上を示す割合が50% 以上であり、かつ6.0MV/cm以下を示す割合が20% 未満であり、かつシリコンウエーハの初期酸素濃度をA ×101 7 atoms/cm3 、酸素析出熱処理によるシリコンウエーハの析出酸素濃度をB ×101 7 atoms/cm3 としたときの平均値( A , B ) が、B <26-7.6 ×A +0.55 ×A 2 の条件を満足する酸化膜耐圧に優れ酸素析出の少ないシリコン単結晶を製造することができる。
【００２３】
加えて、600 ℃〜500 ℃の冷却速度が10℃/ 分以上となるようにすることで、さらに酸素析出を抑制する。この場合、シリコンウエーハ上のいかなる位置においても析出酸素濃度B が初期酸素濃度A に対して、 B<26-7.6 ×A+0.55×A 2 を満足する酸化膜耐圧に優れ酸素析出の少ないシリコン単結晶を製造することができる。
【００２４】
加えて、500 ℃〜400 ℃の冷却速度が8 ℃/ 分以上となるようにすることで、さらに酸素析出を抑制する。この場合、シリコンウエーハの初期酸素濃度をA ×101 7 atoms/cm3 、酸素析出熱処理によるシリコンウエーハの析出酸素濃度をB ×101 7 atoms/cm3 としたときの平均値( A , B ) が、B<48-11.9 ×A +0.74 ×A 2 を満足する酸化膜耐圧に優れ酸素析出の少ないシリコン単結晶を製造することができる。
【００２５】
加えて、400 ℃〜300 ℃の冷却速度が5 ℃/ 分以上となるようにすることで、さらに酸素析出を抑制する。この場合、シリコンウエーハ上のいかなる位置の析出酸素濃度B が初期酸素濃度A に対して、 B<48-11.9×A+0.74×A 2 を満足する酸化膜耐圧に優れ酸素析出の少ないシリコン単結晶を製造することができる。
【００２６】
【実施例】
以下に本発明の実施例を挙げて説明するが、本発明がこれらの実施例の記載によって制限されるものではないことは言うまでもない。
【００２７】
(参考例1)
図1の装置を使用して、以下の条件でシリコン単結晶を育成した。結晶育成速度は1.0mm/minである。1200℃〜1000℃温度領域の結晶冷却温度および速度パターンは、図2に示すような引き上げ条件、すなわち1200℃〜1000℃の温度領域内に結晶冷却速度が1.0℃/分以下になる温度がある。また、700℃付近以降の結晶冷却温度および速度パターンは、図3に示すような引き上げ条件、すなわち急冷を開始する温度は710℃であり、710℃〜600℃の温度領域内の結晶冷却速度が20.0℃/分以上である。これらの条件でシリコン単結晶を5本育成した。
【００２８】
この条件で育成された5 本のシリコン単結晶インゴットは次の通りである。伝導型:p型( ボロンドープ) 、結晶径:160mm(6インチ用) および210mm(8 インチ用) 、抵抗率:10 Ω・cm、酸素濃度:8.0〜10.5×101 7 atoms/cm3 ( 日本電子工業振興協会による酸素濃度換算係数を用いて算出) 、炭素濃度:<1.0 ×101 7 atoms/cm3 ( 日本電子工業振興協会による炭素濃度換算係数を用いて算出) 。
【００２９】
これらのインゴットから切り出したウエーハの酸化膜耐圧を測定し、図5 に示した。C モード領域の割合はいずれも40% 以上であり、本発明の方法で製造されたシリコン単結晶インゴットから切り出されたウエーハは、良好な酸化膜耐圧を有していることを示している。また、このインゴットから切り出したウエーハ内の上記の39点の初期酸素濃度A と析出酸素濃度B を測定し、図6 に示した。これらのシリコンウエーハの析出酸素濃度B の平均値は
B <26-7.6 ×A +0.55 ×A 2 
であり、本発明の方法で製造されたシリコン単結晶インゴットから切り出されたウエーハは、酸素析出が抑制されていることを示している。
【００３０】
(参考例2)
図1の装置を使用して、以下の条件でシリコン単結晶を育成した。結晶育成速度は1.0mm/minである。1200℃〜1000℃温度領域の結晶冷却温度および速度パターンは、図2に示すような引き上げ条件、すなわち1200℃〜1000℃の温度領域内に結晶冷却速度が1.0℃/分以下になる温度がある。また、700℃付近以降の結晶冷却温度および速度パターンは、図3に示すような引き上げ条件、すなわち急冷を開始する温度は720℃であり、720℃〜600℃の温度領域内の結晶冷却速度が20.0℃/分以上、600℃〜500℃の温度領域内の結晶冷却速度が10.0０℃/分以上である。これらの条件でシリコン単結晶を5本育成した。
この条件で育成された5本のシリコン単結晶インゴットは次の通りである。伝導型:n型(リンドープ)、結晶径:160mm(6インチ用)および210mm(8インチ用)、抵抗率:2Ω・cm、酸素濃度:8.0〜10.5×1017atoms/cm3(日本電子工業振興協会による酸素濃度換算係数を用いて算出)、炭素濃度:<1.0×1017atoms/cm3(日本電子工業振興協会による炭素濃度換算係数を用いて算出)。
【００３１】
この条件で育成された5 本のシリコン単結晶インゴットは次の通りである。伝導型:n型( リンドープ) 、結晶径:160mm(6インチ用) および210mm(8 インチ用) 、抵抗率:2Ω・cm、酸素濃度:8.0〜10.5×101 7 atoms/cm3 ( 日本電子工業振興協会による酸素濃度換算係数を用いて算出) 、炭素濃度:<1.0 ×101 7 atoms/cm3 ( 日本電子工業振興協会による炭素濃度換算係数を用いて算出) 。
【００３２】
これらのインゴットから切り出したウエーハの酸化膜耐圧を測定し、図5 に示した。C モード領域の割合はいずれも40% 以上であり、本発明の方法で製造されたシリコン単結晶インゴットから切り出されたウエーハは、良好な酸化膜耐圧を有していることを示している。また、このインゴットから切り出したウエーハ内の上記の39点の初期酸素濃度A と析出酸素濃度B を測定し、図7 に示した。これらのシリコンウエーハは全ての測定点で、
B<26-7.6×A+0.55×A 2 
であり、本発明の方法で製造されたシリコン単結晶インゴットから切り出されたウエーハは、酸素析出が抑制されていることを示している。
【００３３】
(参考例3)
図1の装置を使用して、以下の条件でシリコン単結晶を育成した。結晶育成速度は1.0mm/minである。1200℃〜1000℃温度領域の結晶冷却温度および速度パターンは、図2に示すような引き上げ条件、すなわち1200℃〜1000℃の温度領域内に結晶冷却速度が1.0℃/分以下になる温度がある。また、700℃付近以降の結晶冷却温度および速度パターンは、図3に示すような引き上げ条件、すなわち急冷を開始する温度は720℃であり、720℃〜600℃の温度領域内の結晶冷却速度が20.0℃/分以上、600℃〜500℃の温度領域内の結晶冷却速度が10.0℃/分以上、500℃〜400℃の温度領域内の結晶冷却速度が8.0℃/分以上である。これらの条件でシリコン単結晶を5本育成した。
【００３４】
この条件で育成された5 本のシリコン単結晶インゴットは次の通りである。伝導型:p型( ボロンドープ) 、結晶径:160mm(6インチ用) および210mm(8 インチ用) 、抵抗率:8Ω・cm、酸素濃度:8.0〜10.5×101 7 atoms/cm3 ( 日本電子工業振興協会による酸素濃度換算係数を用いて算出) 、炭素濃度:<1.0 ×101 7 atoms/cm3 ( 日本電子工業振興協会による炭素濃度換算係数を用いて算出) 。
【００３５】
これらのインゴットから切り出したウエーハの酸化膜耐圧を測定し、図5 に示した。C モード領域の割合はいずれも40% 以上であり、本発明の方法で製造されたシリコン単結晶インゴットから切り出されたウエーハは、良好な酸化膜耐圧を有していることを示している。また、このインゴットから切り出したウエーハ内の上記の39点の初期酸素濃度A と析出酸素濃度B を測定し、図8 に示した。これらのシリコンウエーハの析出酸素濃度B の平均値は、
B <48-11.9×A +0.74 ×A 2 
であり、本発明の方法で製造されたシリコン単結晶インゴットから切り出されたウエーハは、酸素析出が抑制されていることを示している。
【００３６】
(参考例4)
図1の装置を使用して、以下の条件でシリコン単結晶を育成した。結晶育成速度は1.0mm/minである。1200℃〜1000℃温度領域の結晶冷却温度および速度パターンは、図2に示すような引き上げ条件、すなわち1200℃〜1000℃の温度領域内に結晶冷却速度が1.0℃/分以下になる温度がある。また、700℃付近以降の結晶冷却温度および速度パターンは、図3に示すような引き上げ条件、すなわち急冷を開始する温度は720℃であり、720℃〜600℃の温度領域内の結晶冷却速度が20.0℃/分以上、600℃〜500℃の温度領域内の結晶冷却速度が10.0℃/分以上、500℃〜400℃の温度領域内の結晶冷却速度が8.0℃/分以上、400℃〜300℃の温度領域内の結晶冷却速度が5.0℃/分以上である。これらの条件でシリコン単結晶を5本育成した。
【００３７】
この条件で育成された5 本のシリコン単結晶インゴットは次の通りである。伝導型:n型( ボロンドープ) 、結晶径:160mm(6インチ用) および210mm(8 インチ用) 、抵抗率:10 Ω・cm、酸素濃度:8.0〜10.5×101 7 atoms/cm3 ( 日本電子工業振興協会による酸素濃度換算係数を用いて算出) 、炭素濃度:<1.0 ×101 7 atoms/cm3 ( 日本電子工業振興協会による炭素濃度換算係数を用いて算出) 。
【００３８】
これらのインゴットから切り出したウエーハの酸化膜耐圧を測定し、図5 に示した。C モード領域の割合はいずれも40% 以上であり、本発明の方法で製造されたシリコン単結晶インゴットから切り出されたウエーハは、良好な酸化膜耐圧を有していることを示している。また、このインゴットから切り出したウエーハ内の上記の39点の初期酸素濃度A と析出酸素濃度B を測定し、図9 に示した。これらのシリコンウエーハの全ての測定点で、
B<48-11.9 ×A+0.74×A 2 
であり、本発明の方法で製造されたシリコン単結晶インゴットから切り出されたウエーハは、酸素析出が抑制されていることを示している。
【００３９】
( 実施例5)
図1 の装置を使用して、以下の条件でシリコン単結晶を育成した。結晶育成速度は1.0mm/min である。1200℃〜1000℃温度領域の結晶冷却温度および速度パターンは、図2 に示すような引き上げ条件、すなわち1200℃〜1000℃の温度領域内に結晶冷却速度が1.0 ℃/ 分以下になる温度があり、1000℃〜800 ℃の温度領域内に結晶冷却速度が1.0 ℃/ 分以下になる温度がある。また、700 ℃付近以降の結晶冷却温度および速度パターンは、図3 に示すような引き上げ条件、すなわち急冷を開始する温度は710 ℃であり、710 ℃〜600 ℃の温度領域内の結晶冷却速度が20.0℃/ 分以上である。これらの条件でシリコン単結晶を5 本育成した。
【００４０】
この条件で育成された5 本のシリコン単結晶インゴットは次の通りである。伝導型:p型( ボロンドープ) 、結晶径:160mm(6インチ用) および210mm(8 インチ用) 、抵抗率:10 Ω・cm、酸素濃度:8.0〜10.5×101 7 atoms/cm3 ( 日本電子工業振興協会による酸素濃度換算係数を用いて算出) 、炭素濃度:<1.0 ×101 7 atoms/cm3 ( 日本電子工業振興協会による炭素濃度換算係数を用いて算出) 。
【００４１】
これらのインゴットから切り出したウエーハの酸化膜耐圧を測定し、図5 に示した。C モード領域の割合はいずれも50% 以上であり、かつ6.0MV/cm以下を示す割合が20% 未満であり本発明の方法で製造されたシリコン単結晶インゴットから切り出されたウエーハは、良好な酸化膜耐圧を有していることを示している。また、このインゴットから切り出したウエーハ内の上記の39点の初期酸素濃度A と析出酸素濃度B を測定し、図6 に示した。これらのシリコンウエーハの析出酸素濃度B の平均値は、
B <26-7.6 ×A +0.55 ×A 2 
であり、本発明の方法で製造されたシリコン単結晶インゴットから切り出されたウエーハは、酸素析出が抑制されていることを示している。
【００４２】
( 実施例6)
図1 の装置を使用して、以下の条件でシリコン単結晶を育成した。結晶育成速度は1.0mm/min である。1200℃〜1000℃温度領域の結晶冷却温度および速度パターンは、図2 に示すような引き上げ条件、すなわち1200℃〜1000℃の温度領域内に結晶冷却速度が1.0 ℃/ 分以下になる温度があり、1000℃〜800 ℃の温度領域内に結晶冷却速度が1.0 ℃/ 分以下になる温度がある。また、700 ℃付近以降の結晶冷却温度および速度パターンは、図3 に示すような引き上げ条件、すなわち急冷を開始する温度は720 ℃であり、720 ℃〜600 ℃の温度領域内の結晶冷却速度が20.0℃/ 分以上、600 ℃〜500 ℃の温度領域内の結晶冷却速度が10.0℃/ 分以上である。これらの条件でシリコン単結晶を5 本育成した。
【００４３】
この条件で育成された5 本のシリコン単結晶インゴットは次の通りである。伝導型:n型( リンドープ) 、結晶径:160mm(6インチ用) および210mm(8 インチ用) 、抵抗率:2Ω・cm、酸素濃度:8.0〜10.5×101 7 atoms/cm3 ( 日本電子工業振興協会による酸素濃度換算係数を用いて算出) 、炭素濃度:<1.0 ×101 7 atoms/cm3 ( 日本電子工業振興協会による炭素濃度換算係数を用いて算出) 。
【００４４】
これらのインゴットから切り出したウエーハの酸化膜耐圧を測定し、図5 に示した。C モード領域の割合はいずれも50% 以上であり、かつ6.0MV/cm以下を示す割合が20% 未満であり本発明の方法で製造されたシリコン単結晶インゴットから切り出されたウエーハは、良好な酸化膜耐圧を有していることを示している。また、このインゴットから切り出したウエーハ内の上記の39点の初期酸素濃度A と析出酸素濃度B を測定し、図7 に示した。これらのシリコンウエーハは全ての測定点で、
B<26-7.6×A+0.55×A 2 
であり、本発明の方法で製造されたシリコン単結晶インゴットから切り出されたウエーハは、酸素析出が抑制されていることを示している。
【００４５】
( 実施例7)
図1 の装置を使用して、以下の条件でシリコン単結晶を育成した。結晶育成速度は1.0mm/min である。1200℃〜1000℃温度領域の結晶冷却温度および速度パターンは、図2 に示すような引き上げ条件、すなわち1200℃〜1000℃の温度領域内に結晶冷却速度が1.0 ℃/ 分以下になる温度があり、1000℃〜800 ℃の温度領域内に結晶冷却速度が1.0 ℃/ 分以下になる温度がある。また、700 ℃付近以降の結晶冷却温度および速度パターンは、図3 に示すような引き上げ条件、すなわち急冷を開始する温度は720 ℃であり、720 ℃〜600 ℃の温度領域内の結晶冷却速度が20.0℃/ 分以上、600 ℃〜500 ℃の温度領域内の結晶冷却速度が10.0℃/ 分以上、500 ℃〜400 ℃の温度領域内の結晶冷却速度が8.0 ℃/ 分以上である。これらの条件でシリコン単結晶を5 本育成した。
【００４６】
この条件で育成された5 本のシリコン単結晶インゴットは次の通りである。伝導型:p型( ボロンドープ) 、結晶径:160mm(6インチ用) および210mm(8 インチ用) 、抵抗率:8Ω・cm、酸素濃度:8.0〜10.5×101 7 atoms/cm3 ( 日本電子工業振興協会による酸素濃度換算係数を用いて算出) 、炭素濃度:<1.0 ×101 7 atoms/cm3 ( 日本電子工業振興協会による炭素濃度換算係数を用いて算出) 。
【００４７】
これらのインゴットから切り出したウエーハの酸化膜耐圧を測定し、図5 に示した。C モード領域の割合はいずれも50% 以上であり、かつ6.0MV/cm以下を示す割合が20% 未満であり本発明の方法で製造されたシリコン単結晶インゴットから切り出されたウエーハは、良好な酸化膜耐圧を有していることを示している。また、このインゴットから切り出したウエーハ内の上記の39点の初期酸素濃度A と析出酸素濃度B を測定し、図8 に示した。これらのシリコンウエーハの析出酸素濃度B の平均値は、
B<48-11.9 ×A+0.74×A 2 
であり、本発明の方法で製造されたシリコン単結晶インゴットから切り出されたウエーハは、酸素析出が抑制されていることを示している。
【００４８】
( 実施例8)
図1 の装置を使用して、以下の条件でシリコン単結晶を育成した。結晶育成速度は1.0mm/min である。1200℃〜1000℃温度領域の結晶冷却温度および速度パターンは、図2 に示すような引き上げ条件、すなわち1200℃〜1000℃の温度領域内に結晶冷却速度が1.0 ℃/ 分以下になる温度があり、1000℃〜800 ℃の温度領域内に結晶冷却速度が1.0 ℃/ 分以下になる温度がある。また、700 ℃付近以降の結晶冷却温度および速度パターンは、図3 に示すような引き上げ条件、すなわち急冷を開始する温度は720 ℃であり、720 ℃〜600 ℃の温度領域内の結晶冷却速度が20.0℃/ 分以上、600 ℃〜500 ℃の温度領域内の結晶冷却速度が10.0℃/ 分以上、500 ℃〜400 ℃の温度領域内の結晶冷却速度が8.0 ℃/ 分以上、400 ℃〜300 ℃の温度領域内の結晶冷却速度が5.0 ℃/ 分以上である。これらの条件でシリコン単結晶を5 本育成した。
【００４９】
この条件で育成された5 本のシリコン単結晶インゴットは次の通りである。伝導型:n型( ボロンドープ) 、結晶径:160mm(6インチ用) および210mm(8 インチ用) 、抵抗率:10 Ω・cm、酸素濃度:8.0〜10.5×101 7 atoms/cm3 ( 日本電子工業振興協会による酸素濃度換算係数を用いて算出) 、炭素濃度:<1.0 ×101 7 atoms/cm3 ( 日本電子工業振興協会による炭素濃度換算係数を用いて算出) 。
【００５０】
これらのインゴットから切り出したウエーハの酸化膜耐圧を測定し、図5 に示した。C モード領域の割合はいずれも50% 以上であり、かつ6.0MV/cm以下を示す割合が20% 未満であり本発明の方法で製造されたシリコン単結晶インゴットから切り出されたウエーハは、良好な酸化膜耐圧を有していることを示している。また、このインゴットから切り出したウエーハ内の上記の39点の初期酸素濃度A と析出酸素濃度B を測定し、図9 に示した。これらのシリコンウエーハの全ての測定点で、
B<48-11.9 ×A+0.74×A 2 
であり、本発明の方法で製造されたシリコン単結晶インゴットから切り出されたウエーハは、酸素析出が抑制されていることを示している。
【００５１】
( 比較例1)
図1 の装置を使用して、以下の条件でシリコン単結晶を育成した。結晶育成速度は1.0mm/min である。1200℃〜1000℃温度領域の結晶冷却温度および速度パターンは、図2 に示すような引き上げ条件、すなわち1200℃〜1000℃の温度領域内に結晶冷却速度が1.0 ℃/ 分以下になる温度がない。また、700 ℃付近以降の結晶冷却温度および速度パターンは、図4 に示すような引き上げ条件、すなわち急冷を開始する温度は720 ℃であり、720 ℃〜600 ℃の温度領域内の結晶冷却速度が20.0℃/ 分以上、600 ℃〜500 ℃の温度領域内の結晶冷却速度が10.0℃/ 分以上、500 ℃〜400 ℃の温度領域内の結晶冷却速度が8.0 ℃/ 分以上、400 ℃〜300 ℃の温度領域内の結晶冷却速度が5.0 ℃/ 分以上である。これらの条件でシリコン単結晶を10本育成した。
【００５２】
この条件で育成された10本のシリコン単結晶インゴットは次の通りである。伝導型:p型( ボロンドープ) 、結晶径:160mm(6インチ用) および210mm(8 インチ用) 、抵抗率:10 Ω・cm、酸素濃度:8.0〜10.5×101 7 atoms/cm3 ( 日本電子工業振興協会による酸素濃度換算係数を用いて算出) 、炭素濃度:<1.0 ×101 7 atoms/cm3 ( 日本電子工業振興協会による炭素濃度換算係数を用いて算出) 。
【００５３】
これらのインゴットから切り出したウエーハの酸化膜耐圧を測定し、図5 に示した。C モード領域の割合はいずれも40% 未満であり、このウエーハの酸化膜耐圧は劣っていることを示している。
【００５４】
( 比較例2)
図1 の装置を使用して、以下の条件でシリコン単結晶を育成した。結晶育成速度は1.0mm/min である。1200℃〜1000℃温度領域の結晶冷却温度および速度パターンは、図2 に示すような引き上げ条件、すなわち1200℃〜1000℃の温度領域内に結晶冷却速度が1.0 ℃/ 分以下になる温度がある。また、700 ℃付近以降の結晶冷却温度および速度パターンは、図4 に示すような引き上げ条件、すなわち急冷を開始する温度は680 ℃であり、680 ℃〜600 ℃の温度領域内の結晶冷却速度が20.0℃/ 分以上、600 ℃〜500 ℃の温度領域内の結晶冷却速度が10.0℃/ 分以上、500 ℃〜400 ℃の温度領域内の結晶冷却速度が8.0 ℃/ 分以上、400 ℃〜300 ℃の温度領域内の結晶冷却速度が5.0 ℃/ 分以上である。これらの条件でシリコン単結晶を10本育成した。
【００５５】
この条件で育成された10本のシリコン単結晶インゴットは次の通りである。伝導型:p型( ボロンドープ) 、結晶径:160mm(6インチ用) および210mm(8 インチ用) 、抵抗率:6Ω・cm、酸素濃度:8.0〜10.5×101 7 atoms/cm3 ( 日本電子工業振興協会による酸素濃度換算係数を用いて算出) 、炭素濃度:<1.0 ×101 7 atoms/cm3 ( 日本電子工業振興協会による炭素濃度換算係数を用いて算出) 。
【００５６】
このインゴットから切り出したウエーハ内の上記の39点の初期酸素濃度A と析出酸素濃度B を測定し、図10に示した。これらのシリコンウエーハには、
B<26-7.6×A+0.55×A 2 
となる点はなく、このウエーハは、酸素析出が抑制されていないことを示している。
【００５７】
( 比較例3)
図1 の装置を使用して、以下の条件でシリコン単結晶を育成した。結晶育成速度は1.0mm/min である。1200℃〜1000℃温度領域の結晶冷却温度および速度パターンは、図2 に示すような引き上げ条件、すなわち1200℃〜1000℃の温度領域内に結晶冷却速度が1.0 ℃/ 分以下になる温度がある。また、700 ℃付近以降の結晶冷却温度および速度パターンは、図4 に示すような引き上げ条件、すなわち急冷を開始する温度は720 ℃であり、720 ℃〜600 ℃の温度領域内に結晶冷却速度が20.0℃/ 分未満である部分を含み、600 ℃〜500 ℃の温度領域内の結晶冷却速度が10.0℃/ 分以上、500 ℃〜400 ℃の温度領域内の結晶冷却速度が8.0 ℃/ 分以上、400 ℃〜300 ℃の温度領域内の結晶冷却速度が5.0 ℃/ 分以上である。これらの条件でシリコン単結晶を10本育成した。
【００５８】
この条件で育成された10本のシリコン単結晶インゴットは次の通りである。伝導型:n型( リンドープ) 、結晶径:160mm(6インチ用) および210mm(8 インチ用) 、抵抗率:4Ω・cm、酸素濃度:8.0〜10.5×101 7 atoms/cm3 ( 日本電子工業振興協会による酸素濃度換算係数を用いて算出) 、炭素濃度:<1.0 ×101 7 atoms/cm3 ( 日本電子工業振興協会による炭素濃度換算係数を用いて算出) 。
【００５９】
このインゴットから切り出したウエーハ内の上記の39点の初期酸素濃度A と析出酸素濃度B を測定し、図11に示した。これらのシリコンウエーハには、
B<26-7.6×A+0.55×A 2 
となる点はなく、このウエーハは、酸素析出が抑制されていないことを示している。
【００６０】
( 比較例4)
図1 の装置を使用して、以下の条件でシリコン単結晶を育成した。結晶育成速度は1.0mm/min である。1200℃〜1000℃温度領域の結晶冷却温度および速度パターンは、図2 に示すような引き上げ条件、すなわち1200℃〜1000℃の温度領域内に結晶冷却速度が1.0 ℃/ 分以下になる温度があり、1000℃〜800 ℃の温度領域内に結晶冷却速度が1.0 ℃/ 分以下になる温度がある。また、700 ℃付近以降の結晶冷却温度および速度パターンは、図4 に示すような引き上げ条件、すなわち急冷を開始する温度は680 ℃であり、680 ℃〜600 ℃の温度領域内の結晶冷却速度が20.0℃/ 分以上、600 ℃〜500 ℃の温度領域内の結晶冷却速度が10.0℃/ 分以上、500 ℃〜400 ℃の温度領域内の結晶冷却速度が8.0 ℃/ 分以上、400 ℃〜300 ℃の温度領域内の結晶冷却速度が5.0 ℃/ 分以上である。これらの条件でシリコン単結晶を10本育成した。
【００６１】
この条件で育成された10本のシリコン単結晶インゴットは次の通りである。伝導型:p型( ボロンドープ) 、結晶径:160mm(6インチ用) および210mm(8 インチ用）、抵抗率:6Ω・cm、酸素濃度:8.0〜10.5×101 7 atoms/cm3 ( 日本電子工業振興協会による酸素濃度換算係数を用いて算出) 、炭素濃度:<1.0 ×101 7 atoms/cm3 ( 日本電子工業振興協会による炭素濃度換算係数を用いて算出) 。
【００６２】
このインゴットから切り出したウエーハ内の上記の39点の初期酸素濃度A と析出酸素濃度B を測定し、図10に示した。これらのシリコンウエーハには、
B<26-7.6×A+0.55×A 2 
となる点はなく、このウエーハは、酸素析出が抑制されていないことを示している。
【００６３】
( 比較例5)
図1 の装置を使用して、以下の条件でシリコン単結晶を育成した。結晶育成速度は1.0mm/min である。1200℃〜1000℃温度領域の結晶冷却温度および速度パターンは、図2 に示すような引き上げ条件、すなわち1200℃〜1000℃の温度領域内に結晶冷却速度が1.0 ℃/ 分以下になる温度があり、1000℃〜800 ℃の温度領域内に結晶冷却速度が1.0 ℃/ 分以下になる温度がある。また、700 ℃付近以降の結晶冷却温度および速度パターンは、図4 に示すような引き上げ条件、すなわち急冷を開始する温度は720 ℃であり、720 ℃〜600 ℃の温度領域内に結晶冷却速度が20.0℃/ 分未満である部分を含み、600 ℃〜500 ℃の温度領域内の結晶冷却速度が10.0℃/ 分以上であり、500 ℃〜400 ℃の温度領域内の結晶冷却速度が8.0 ℃/ 分以上、400 ℃〜300 ℃の温度領域内の結晶冷却速度が5.0 ℃/ 分以上である。これらの条件でシリコン単結晶を10本育成した。
【００６４】
この条件で育成された10本のシリコン単結晶インゴットは次の通りである。伝導型:n型( リンドープ) 、結晶径:160mm(6インチ用) および210mm(8 インチ用) 、抵抗率:4Ω・cm、酸素濃度:8.0〜10.5×101 7 atoms/cm3 ( 日本電子工業振興協会による酸素濃度換算係数を用いて算出) 、炭素濃度:<1.0 ×101 7 atoms/cm3 ( 日本電子工業振興協会による炭素濃度換算係数を用いて算出) 。
【００６５】
このインゴットから切り出したウエーハ内の上記の39点の初期酸素濃度A と析出酸素濃度B を測定し、図11に示した。これらのシリコンウエーハには、
B<26-7.6×A+0.55×A 2 
となる点はなく、このウエーハは、酸素析出が抑制されていないことを示している。
【００６６】
【発明の効果】
本発明の製造方法によるシリコン単結晶は、良好な酸化膜耐圧を有しかつ酸素析出が抑制されているため、ゲート酸化膜の信頼性が高いうえ、PN接合リーク特性にも優れており、MOSデバイス用ウエーハに適する。
【図面の簡単な説明】
【図1】は、本発明で用いたCZ法シリコン単結晶製造装置の模式図。
【図２】は、参考例1〜4、実施例5〜8および比較例1〜5の1400℃〜800℃温度域の引き上げ中の結晶温度と冷却速度との関係を示す図。
【図３】は、参考例1〜4および実施例5〜8の800℃〜300℃温度域の引き上げ中の結晶温度と冷却速度との関係を示す図。
【図４】は、比較例1〜5の800℃〜300℃温度域の引き上げ中の結晶温度と冷却速度との関係を示す図。
【図５】(a)は、参考例1〜4、実施例5〜8および比較例1の酸化膜耐圧特性のCモード比率を示す図、(b)は、参考例1〜4、実施例5〜8および比較例1の酸化膜耐圧特性の6MV/cm以下の比率を示す図。
【図６】は、参考例1および実施例5の初期酸素濃度と析出酸素濃度の関係を示す図。
【図７】は、参考例2および実施例6の初期酸素濃度と析出酸素濃度の関係を示す図。
【図８】は、参考例3および実施例7の初期酸素濃度と析出酸素濃度の関係を示す図。
【図９】は、参考例4および実施例8の初期酸素濃度と析出酸素濃度の関係を示す図。
【図１０】は、比較例2および比較例4の初期酸素濃度と析出酸素濃度の関係を示す図。
【図１１】は、比較例3および比較例5の初期酸素濃度と析出酸素濃度の関係を示す図。
【符号の説明】
１・・・CZシリコン単結晶引き上げ炉
２・・・ワイヤ巻き上げ機
３・・・断熱材
４・・・加熱ヒーター
５・・・回転治具
６・・・ルツボ
６ａ・・・石英ルツボ
６ｂ・・・黒鉛ルツボ
７・・・ワイヤ
８・・・種結晶
９・・・チャック
１０・・・ガス導入口
１１・・・ガス排出口
２０・・・温度制御装置(1200℃〜1000℃温度域の徐冷)
２５・・・温度制御装置(1000℃〜800℃温度域の徐冷)
３０・・・内部冷却装置
４０・・・外部冷却装置
【図１】
0004112654.tif 000002
【図４】
0004112654.tif 000003
【図１０】
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【図１１】
0004112654.tif 000005
【図２】
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【図３】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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