(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒーティング手段を有しアッシングガスを用いる半導体装置のアッシング設備のチャックプレートであって、
上面がポリマー形成領域部位を除いたウェーハ底面内側部位を密着支持するように形成された支持部と、
前記支持部の上面から下側方向へ段差をなし、前記支持部の上面縁部の外側に位置する前記ポリマー形成領域を含んだウェーハ底面縁部に対向するようにその上面が形成された段差部と、を備え、
前記支持部の上面と前記段差部の上面との間の段差の大きさは、前記チャックプレートの下部に設置されるヒーティング手段の熱が前記段差部の上面から前記ポリマー形成領域部位に伝達されるとともに、前記ウェーハの底面縁部と前記段差部の上面との間へ流れ込む前記アッシングガスの流量が確保されるものであること、を特徴とする半導体装置のア
ッシング設備のチャックプレート。
【請求項２】
前記支持部の上面と前記段差部の上面との間の段差は０．３〜０．５ｍｍの範囲に設定されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置のアッシング設備のチャックプレート。
【請求項３】
前記段差部の上面は少なくとも前記支持部に支持されるウェーハ縁部の垂直に対応する位置よりも外側に拡張されるように形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置のアッシング設備のチャックプレート。
【請求項４】
前記段差部の上面の前記支持部に支持されるウェーハ縁部の垂直に対応する所定位置に設けられている円錐形状のガイドフィンをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置のアッシング設備のチャックプレート。
【請求項５】
前記段差部の外側に前記段差部の上面から上側へ突出した形状をなす突出部が形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置のアッシング設備のチャックプレート。
【請求項６】
ヒーティング手段を有しアッシングガスを用いる半導体装置のアッシング設備のチャックプレートであって、
上面がウェーハ底面内側部位を密着支持するように形成された支持部と、
前記支持部の上面から下側方向へ段差をなしその上面が前記ポリマー形成領域を含んだウェーハ底面縁部に対向するように形成された段差部と
前記段差部の外側に前記段差部の上面から上側へ突出した形状をなす突出部とを備え、
前記突出部の上側と前記支持部の上面とは水平線上にあるように形成され、
前記支持部の上面と前記段差部の上面との間の段差の大きさは、前記チャックプレートの下部に設置されるヒーティング手段の熱が前記段差部の上面から前記ポリマー形成領域に伝達されるとともに、前記ウェーハの底面縁部と前記段差部の上面との間へ流れ込む前記アッシングガスの流量が確保されるものであること、を特徴とする半導体装置のアッシング設備のチャックプレート。
【請求項７】
前記突出部の上面の内側端部は、少なくとも前記支持部に支持されるウェーハ縁部と所定間隔の隙間をなすように形成されることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置のアッシング設備のチャックプレート。
【請求項８】
前記突出部の上面の内側端部と前記支持部に支持されているウェーハ縁部との隙間は０．５〜１．５ｍｍの範囲内の間隔に形成されることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置のアッシング設備のチャックプレート。
【請求項９】
前記支持部の外側壁と前記突出部の内側壁との間の間隔は、ウェーハのフラットゾーン部位を含んだ縁部に対応して前記突出部の上面内側がなす隙間と前記ポリマー形成領域の幅長さとを合算した間隔を基準にして、最大１ｍｍの値をさらに加えた間隔に設定されることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置のアッシング設備のチャックプレート。
【請求項１０】
前記支持部の外側壁と前記突出部の内側壁との間の間隔は１０．５〜１２．５ｍｍ程度に設定されることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置のアッシング設備のチャックプレート。
【請求項１１】
前記支持部と前記段差部との間または前記段差部と前記突出部との間に傾斜面が形成されることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置のアッシング設備のチャックプレート。
【請求項１２】
前記支持部と前記段差部又は前記突出部のうち何れ一つとは分離又は結合が可能に形成されることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置のアッシング設備のチャックプレート。
【請求項１３】
前記支持部と前記段差部又は前記突出部とは一体に形成されることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置のアッシング設備のチャックプレート。
【請求項１４】
前記支持部の上面の外側端部の形状または前記突出部上面の内側端部の形状はウェーハフラットゾーンを含んだ縁部の垂直に対応する位置から水平方向に一定間隔に離隔されるようにウェーハ形状に形成されることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置のアッシング設備のチャックプレート。
【請求項１５】
前記支持部の上面の外側端部の形状と前記段差部の上面の内外側端部の形状及び前記突出部の上面の内側端部の形状とはウェーハのフラットゾーンを含んだ縁部が前記段差部の上面に垂直に対応する位置にあるように円形状に形成されることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置のアッシング設備のチャックプレート。
【請求項１６】
ヒーティング手段を有しアッシングガスを用いる半導体装置のアッシング設備のチャックプレートであって、
上面がウェーハ底面内側部位を密着支持するように形成された支持部と、
前記支持部の上面から下側方向へ段差をなしその上面が前記ポリマー形成領域を含んだウェーハ底面縁部に対向するように形成された段差部と
前記段差部の外側に前記段差部の上面から上側へ突出した形状をなす突出部とを備え、
前記突出部は前記段差部の上面から斜めに外側上方に伸びる傾斜状の側面を有し、
前記支持部の上面と前記段差部の上面との間の段差の大きさは、前記チャックプレートの下部に設置されるヒーティング手段の熱が前記段差部の上面から前記ポリマー形成領域に伝達されるとともに、前記ウェーハ底面縁部と前記段差部の上面との間へ流れ込む前記アッシングガスの流量が確保されるものであること、を特徴とする半導体装置のアッシング設備のチャックプレート。
【請求項１７】
アッシングガスを用いる半導体装置のアッシング設備のチャック組立体であって、
上面が縁部の外側に位置するポリマー形成領域部位を除いたウェーハ底面を支持するように形成された支持部と、
前記支持部の上面と段差をなして前記ウェーハ底面の縁部に所定間隔で対向するように形成された段差部を有するチャックプレートと、
前記チャックプレートの外側の部位を覆う形状に昇降可能に設置され上側部位にエレベーター手段によるウェーハローディング位置を案内する傾斜部を有する突出部と、
前記チャックプレートの下部に設置されるヒーティング手段と、を備え、
前記チャックプレートの前記段差の大きさは、前記ヒーティング手段の熱が前記段差部の上面から前記ポリマー形成領域部位に伝達されるとともに、前記ウェーハの底面縁部と前記段差部の上面との間へ流れ込む前記アッシングガスの流量が確保されるものであること、を特徴とする半導体装置のアッシング設備のチャック組立体。
【請求項１８】
前記傾斜部は、前記突出部の上側にそって延長されて形成されることを特徴とする請求項１７に記載の半導体装置のアッシング設備のチャック組立体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術の分野】
本発明は、食刻工程の過程においてウェーハの底面に形成されたポリマーをフォトレジスト除去過程で一緒に除去することができる半導体装置のアッシング設備のチャックプレート及びこれを用いたチャック組立体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、食刻工程は写真工程以後の工程において、フォトレジストパターンから露出したウェーハの所定部位を除去するための工程である。食刻工程では、投入される工程ガスをプラズマ状態に変換させて、このプラズマを用いて所定の部位で反応させるプラズマ食刻が主に利用されている。
【０００３】
このようなプラズマを用いた食刻工程は、その工程の実行過程で副産物のポリマーが生成される。生成される副産物、即ち、ポリマーは食刻チャンバー内部の全面だけでなくウェーハの底面などの部位に選択性なしに蒸着される。
このようにウェーハＷの底面に形成されるポリマーＰ’は食刻工程を行う過程でウェーハＷの底面がカソードに密着された状態において、図１０に示したようにウェーハＷの縁部からその内側方向へ約８〜１０ｍｍ程度の領域ｄに形成されるのが一般的である。
【０００４】
一方、上述した食刻工程を終了したウェーハＷは、図１２に示したようにストリッピング（stripping）またはアッシング（ashing）過程を通じてウェーハＷ上に塗布されたフォトレジスト（ＰＲ）（Ｐ）の除去過程を経て、更に残存するＰＲの残留物または各種パーチクルを除去するための洗浄工程が追加的に実施される。
【０００５】
ここで、ウェーハＷ上のＰＲを除去するための過程中におけるアッシング工程では、図１１に示したアッシング設備１０からわかるように、密閉されたチャンバー１２の内部にドアー手段１４を通してウェーハＷが投入された状態で酸素Ｏ2、窒素Ｎ2などのアッシングガスＧが供給される。このときに供給されるアッシングガスＧは高周波パワーの影響でプラズマ状態、即ち、イオン（ラジカル）状態にある。
【０００６】
これにより、ラジカル状態のアッシングガスＧは加熱雰囲気のＰＲと反応して気化され、気化状態のＰＲは真空圧形成手段（図示されず）と連通する排気管２４を通して排出される。
このとき、ウェーハＷの底面に形成されたポリマーＰ’はチャック組立体１６を構成するチャックプレート１８の上面に密着され、上側ガス供給部２２から供給される酸素ラジカルと反応することが困難となる。また、その下部のヒーティング手段２０からチャックプレート１８を通して伝導される熱はポリマーＰ’に含有されたＰＲなどの成分を焼成しカーボン化させチャックプレート１８及びウェーハＷの汚染などを誘発する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上述のように、ウェーハＷの底面に存在するポリマーＰ’は以後のエッチャントなどに収容されて洗浄過程を経るが、この過程で容易に除去することができず、且つ、その洗浄時間を延長させる。ポリマーＰ’が除去されていない状態で次の工程を行う場合、それに従う工程不良で製造収率が低下するという問題点があった。
【０００８】
そこで、本発明の目的は、食刻工程でウェーハの底面に形成されるポリマーをフォトレジスト除去過程で一緒に除去し、洗浄時間が短縮されるとともに工程不良が防止され、製造収率が向上する半導体装置のアッシング設備のチャックプレート及びこれを用いたチャック組立体を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するため本発明の半導体装置のアッシング設備のチャックプレートにおいては、上面がポリマー形成領域部位を除いたウェーハの底面の内側部位を密着して支持するように形成された支持部と、前記支持部の上面から下側方向へ段差をなしその上面が前記ポリマー形成領域を含んだウェーハ底面縁部に対向するように形成された段差部と、から構成される。
【００１０】
また、前記支持部上面と段差部上面との間の段差の程度は０．３〜０．５ｍｍ範囲で設定することが好ましく、前記段差部の上面は少なくとも前記支持部に支持されるウェーハ縁部の垂直に対応する位置よりも外側へ拡張されるように形成することが好ましい。
そして、前記段差部の外側に前記段差部の上面から上側へ突出された形状をなす突出部をさらに具備した構成により形成され、前記突出部の上側部位は前記支持部の上面と水平線上にあるように形成するのが効果的である。
【００１１】
一方、前記突出部の上面の内側端部の位置は少なくとも前記支持部に支持されるウェーハ縁部と所定の間隔の隙間をなすように形成するのが好ましく、その隙間は０．５〜１．５ｍｍの範囲内にあるようにするのが好ましい。
また、前記支持部と突出部の内側壁との間の間隔は、前記ポリマー形成領域が８〜１０ｍｍの範囲に形成されるのに対応して１０．５〜１２．５ｍｍ程度に形成するのが好ましい。
【００１２】
そして、前記支持部と段差部との間または前記段差部と突出部との間に傾斜面をもつように形成するのが効果的である。
一方、前記支持部と段差部及び突出部のうち少なくともいずれの一つは分離及び結合が可能に形成され、また、前記支持部と段差部及び突出部を一体形に形成することもできる。
【００１３】
また、前記支持部の上面の外側端部の形状または前記突出部の上面の内側端部の形状はウェーハフラットゾーンを含んだ縁部の垂直に対応する位置から水平方向に一定間隔に離隔されるようにウェーハ形状に形成することが好ましい。
これは前記支持部の上面の外側端部の形状と前記段差部の上面の内外側端部の形状及び前記突出部の上面の内側端部の形状は、ウェーハのフラットゾーンを含んだ縁部が前記段差部の上面に垂直に対応する位置にあるように円形状に形成することができる。
【００１４】
前記目的を達成するため本発明による半導体装置のアッシング設備のチャック組立体の構成は、ポリマー形成領域部位を除いたウェーハ底面を支持するように形成された支持部と、前記支持部上面と段差をなしてウェーハ底面の縁部に所定間隔で対向するように形成されたチャックプレートと、前記チャックプレートの外側部位を覆う形状に昇降可能に設置され、上側部位にエレベーター手段によるウェーハローディング位置を案内する傾斜部をもつ突出部と、前記チャックプレートの下部に設置されるヒーティング手段と、から構成される。
そして、前記傾斜部は前記突出部の上側にそって延長されて形成される。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施例によるチャック組立体とこれを用いる半導体装置のアッシング設備に対し添付された図を参照して説明する。
図１は、本発明の一実施例によるチャックプレートとこれを用いたチャック組立体が設置されるアッシング設備の構成及びその駆動関係を概略的に示す断面図であり、図２から図７は図１に示したチャックプレートの各実施例による構成を概略的に示した断面図であり、図８及び図９はチャックプレートの平面形状を概略的に示した図であり、従来例の説明と同一な部分に対し同一の符号を付与し、それに従う詳しい説明は省略する。
【００１６】
本実施例によるアッシング設備３０は、図１に示したように密閉された空間を形成するチャンバー３２を備えている。このチャンバ３２の一側部には、内部にウェーハＷがローディングまたはアンローディングするために開閉されるドア手段１４が設けられている。
【００１７】
また、チャンバ３２の所定位置には、内部の残留ガスを含んだ空気を排出するための排気管２４の一方の端部が連通連結されている。排気管２４の他方の端部はチャンバ３２の内部を真空にするための真空圧形成手段（図面の単純化のため省略する）と通常の方法により連通連結されている。
【００１８】
そして、チャンバ３２の内側の上部の所定位置には外部から所定のアッシングガスＧが投入されるガス供給部２２が形成されている。ガス供給部２２に対向する所定位置にはウェーハＷの底面を支持するチャック組立体３４が設置されている。
【００１９】
このように設置されるチャック組立体３４は、図１に示したように、投入されるウェーハＷの底面を密着支持する所定の厚さと面積を有するチャックプレート３６を備えている。チャックプレート３６の中心部には外部のロボット（図面の単純化のため省略する）により移送されたウェーハＷを受け取って下降し、チャックプレート３６に安着させるエレベーター手段が貫通して設置されている。
【００２０】
そして、上述したチャックプレート３６の下部にはチャックプレート３６の上面に安着されるウェーハＷ、ならびにウェーハＷを通じてフォトレジストＰ及びポリマーＰ’を活性化させるために所定温度で加熱するヒーティング手段２０を備えている。
【００２１】
このようなチャック組立体３４において、ウェーハＷが安着されるチャックプレート３６の構成について詳細に説明する。
図２に示したチャックプレート３６ａは、上面がウェーハＷの縮小された形状をなす支持部Ａが形成されている。支持部Ａは、安着されるウェーハＷの底面中心部位、即ち、ウェーハＷのフラットゾーンＦ部位を含んだ底面縁部に形成されるポリマー形成領域ｄを除いたその内側部位に対応して密着支持する。
また、支持部Ａの外側に支持部Ａ上面と所定間隔の段差ｔをなす段差部Ｂが形成されている。
【００２２】
上述したように、支持部Ａの上面と段差部Ｂの上面とがなす段差ｔの大きさ、即ち、支持部Ａにより支持されるウェーハＷの底面縁部とこれに対向する段差部Ｂの上面との間の間隔は、下部に設置されるヒーティング手段２０の熱が段差部Ｂの上面からポリマーＰ’に伝達されるように近接して位置すること、ならびにウェーハＷの底面縁部と段差部Ｂの上面との間へのチャンバ３２の内部に投入されるアッシングガスＧの流入が確保されることを互いに折衷した間隔が要求される。その結果、その段差ｔは約０．３〜０．５ｍｍ程度の範囲に設定される。
【００２３】
そして、段差部Ｂの上面は、ウェーハＷの底面縁部のポリマーＰ’に近接して熱を容易に伝達させるため、その上面の外側端の部位が少なくとも安着されるウェーハＷの縁部の垂直に対応した位置よりも外側にあるように拡張形成する。
また、段差部Ｂの上面、即ち、ウェーハＷの縁部に垂直に対応する位置から拡張された所定の部位には複数個のガイドフィン４０が設けられている。ガイドフィン４０は、エレベーター手段により下降するウェーハＷの縁部位を支持して正確に安着支持されるように案内する。
さらに、支持部Ａの上面の外側部とこれに近接する段差部Ｂの上面との間には所定角度の傾斜面を形成してもよい。
【００２４】
上記の構成では、ドア手段１４が開放されることにより外部からロボットがウェーハＷを投入して安着させる。このとき、エレベーター手段は昇降駆動されてロボットからウェーハＷを受け取ることになる。
以後、ロボットがチャンバ３２の外側へ退くに従い、ドア手段１４はチャンバ３２の内部を気密するように閉塞される。次いでエレベータ手段は下降することによりその上端部に支持されるウェーハＷを漸次チャックプレート３６ａに安着させる。
【００２５】
このとき、複数個のガイドフィン４０はウェーハＷの縁部の所定部位を支持することにより、ウェーハＷがチャックプレート３６ａの中心に安着されるように、即ち、チャックプレート３６ａを構成する支持部Ａの上面がウェーハＷ底面の縁部位に形成されたポリマーＰ’形成領域ｄの内側部位に密着するように案内する。
【００２６】
ウェーハＷが安着されると、ポリマーＰ’の形成領域ｄは段差部の上面と所定間隔をなして対向し、ヒーティング手段２０から熱を受ける。この状態でガス供給部２２はアッシングガスＧを供給する。
供給されたアッシングガスＧはウェーハＷ上のフォトレジストＰと反応して気化させるだけでなく、ウェーハＷの縁部の底面と段差部Ｂの上面との間に流動してポリマーＰ’と反応して気化させる。このように気化されるＰＲとポリマーＰ’は真空圧が提供される排気管２４を通して継続して排出され、一連の過程を経る。
【００２７】
一方、図３に示したチャックプレート３６ｂは、上述した図２に示しチャックプレート３６ａと同様に、支持部Ａと０．３〜０．５ｍｍ程度の段差ｔをなす段差部Ｂが形成されている。ここで段差部Ｂの上面の外側部位はウェーハＷの縁部の垂直に対応する位置から所定範囲内にあり、この段差部Ｂの上面の外側部位で上側に突出した形状をなす突出部Ｃが形成されている。
【００２８】
突出部Ｃは、図４に示したチャックプレート３６ｃの構成から分かるように、段差部Ｂの上面の外側部位から垂直に突出しその上面が支持部Ａの上面に対応して水平線上にあるように形成されている。
また、突出部Ｃは、図５に示したチャックプレート３６ｄの構成から分かるように、その部位で外側方向に所定角度の傾斜面Ｔをなしその上面が支持部Ａ上面に対応して水平線上にあるように形成されている。
このときに安着されるウェーハＷの縁部とこれに対し水平線上に対応する突出部Ｃの内壁とは互いに隙間Ｓをなし、その隙間は０．５〜１．５ｍｍの範囲内にある。
【００２９】
一方、支持部Ａの上面の外側形状は、図８に示したようにウェーハＷのフラットゾーンＦを含んだ縁部にそってポリマーＰ’が形成された領域ｄに近接してウェーハ形状に形成されている。また、支持部Ａの上面の形状を図９に示したように、ウェーハＷのフラットゾーンＦのポリマーが形成された領域ｄを基準にして近接する円形状に形成してもよい。
【００３０】
これに対応して突出部Ｃの上面の内側部位と支持部Ａの上面の外側部位との間の間隔は、支持部Ａの外側形状と突出部Ｃの内側形状とがウェーハ形状に形成されていることに対応して、ウェーハＷのフラットゾーンＦを含んだ縁部に対応してウェーハ縁部と突出部Ｃの上面内側とがなす隙間Ｓと、約８〜１０ｍｍ程度のポリマーが形成された領域ｄの幅とを合わせた間隔に設定されている。
【００３１】
また、支持部Ａの外側形状と突出部Ｃの内側形状とが図９に示したように円形状に形成される場合、その間隔はウェーハＷの円弧部位の延長線からフラットゾーンＦの中心まで至るその間の間隔をさらに合算した間隔に設定される。
ここでは、上述した支持部Ａ外側と突出部Ｃ内側との間の間隔を約１０．５〜１２．５ｍｍ程度に設定している。
【００３２】
上述した突出部Ｃの上側部位が支持部Ａの上面と水平線上にあるように平坦に形成される場合、図４または図５に示したように、その上面の所定位置にはエレベーター手段によるウェーハＷの安着位置を案内するためのガイドフィン４０が設けられる。
【００３３】
このような構成は、図６に示したチャックプレート３６ｅから分かるように、突出部Ｃの上側の部位が支持部Ａの上面の高さよりも上側へ突出して形成されている場合、突出部Ｃの内側壁がエレベーター手段によるウェーハＷの安着を案内可能とする傾斜面を形成するようにしてもよい。
【００３４】
一方、上述した支持部Ａと段差部Ｂ及び突出部Ｃとは、図３から図６に示したように、それぞれが一体の形状に形成されている。上述した段差部ＢはウェーハＷの縁部に対応して所定の幅及び深さ並びに形状を有する溝から形成され、これらのそれぞれは互いに分離または組立の可能な構成としてもよい。
【００３５】
ここで、図７に示したチャックプレート３６ｆは、支持部Ａと段差部Ｂ及び突出部Ｃのうち少なくともいずれの一つとがそれぞれ分離または結合される構成の一例を概略的に示した図である。段差部Ｂの上面の外側部位がウェーハＷの縁部に垂直に対応する位置の内側に位置し、段差部Ｂの外側壁には分離された管形状の突出部Ｃが段差部Ｂの外側壁にそってスライディング昇降可能に設置された構成である。
【００３６】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によると、工程チャンバ内部に投入されるアッシングガスがウェーハ全面のフォトレジストと段差部により露出されるポリマーと反応するに従い、フォトレジストと共にポリマーなどの副産物が同時に分解除去されて以後の洗浄時間が短縮され、その後の工程不良が防止され、それに従う半導体装置の製造収率が向上されるという効果がある。
【００３７】
本発明は、具体的な実施例に対してのみ詳しく説明したが、本発明の技術的思想の範囲内で変形及び変更できることは本発明が属する分野の当業者には明白なものであるが、そのような変形及び変更は本発明の特許請求範囲に属するといえる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例による半導体装置のアッシング設備のチャックプレートを適用したアッシング設備を概略的に示す断面図である。
【図２】図１に示すチャックプレートを拡大して示す図である。
【図３】図１に示すチャックプレートを拡大して示す図である。
【図４】図１に示すチャックプレートを拡大して示す図である。
【図５】図１に示すチャックプレートを拡大して示す図である。
【図６】図１に示すチャックプレートを拡大して示す図である。
【図７】図１に示すチャックプレートを拡大して示す図である。
【図８】図１に示したチャックプレートの上に形成されるガス流入溝形状を概略的に示した平面図である。
【図９】図１に示したチャックプレート上に形成されるガス流入溝形状を概略的に示した平面図である。
【図１０】食刻工程以後にウェーハ底面に形成されるポリマーの形成領域を示した底面図である。
【図１１】従来の半導体装置のアッシング設備を概略的に示した断面図である。
【図１２】食刻工程以後のウェーハ進行過程を示したブロック図である。
【符号の説明】
３０    アッシング設備
３２    チャンバ
１４    ドア手段
３４    チャック組立体
３６    チャックプレート
２０    ヒーティング手段
２２    ガス供給部
２４    排気管
４０    ガイドフィン
【図１】
0004181764.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
0004181764.tif 000009
【図９】
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【図１０】
0004181764.tif 000011
【図１１】
0004181764.tif 000012
【図１２】
0004181764.tif 000013