(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
リファレンス電流に応じた出力電流を供給するカレントミラー回路と、
入力信号の第２又は第１のレベルに応答して、前記出力電流に基づく動作電流を供給する入力信号制御部と、
前記動作電流が供給されると、出力信号ラインの電位を第２又は第１のレベルに設定し、前記動作電流が供給されないと、前記出力電流が供給されて出力信号ラインの電位を第１又は第２のレベルに設定する信号出力部とを備えた信号生成回路において、
前記入力信号の第２のレベル及び前記出力信号ラインの第１のレベルに応答して前記リファレンス電流を増加させる動作特性改善回路を有することを特徴とする信号生成回路。
【請求項２】
リファレンス電流に応じた第１の出力電流を第１の電圧源から供給する第１のカレントミラー回路と、
前記第１の出力電流に応じた第２の出力電流を第２の電圧源から折り返させる第２のカレントミラー回路と、
前記第２の出力電流に応じた第３の出力電流を第３の電圧源から供給する第３のカレントミラー回路と、
入力信号の第２又は第１のレベルに応答して、第１の出力電流に基づく動作電流を供給する入力信号制御部と、
前記動作電流が供給されると、出力信号ラインの電位を第２又は第１のレベルに設定し、前記動作電流が供給されないと、前記第３の出力電流が供給されて出力信号ラインの電位を第１又は第２のレベルに設定する信号出力部とを備えた信号生成回路において、
前記入力信号の第２のレベル及び前記出力信号ラインの第１のレベルに応答して前記リファレンス電流を増加させる動作特性改善回路を有することを特徴とする信号生成回路。
【請求項３】
リファレンス電流に応じた第１の出力電流を第１の電圧源から供給する第１のカレントミラー回路と、
前記第１の出力電流に応じた第２の出力電流を第２の電圧源から折り返させる第２のカレントミラー回路と、
前記第２の出力電流に応じた第３の出力電流を第３の電圧源から供給する第３のカレントミラー回路と、
入力信号のロウレベル又はハイレベルに応答して、前記第１の出力電流に基づく動作電流を供給する入力信号制御部と、
前記動作電流が供給されると、出力信号ラインの電位をロウレベル又はハイレベルに設定し、前記動作電流が供給されないと、前記第３の出力電流が供給されて出力信号ラインの電位をハイレベル又はロウレベルに設定する信号出力部とを備えた信号生成回路において、
前記入力信号のハイレベル及び前記出力信号ラインのハイレベルに応答して前記リファレンス電流を増加させる動作特性改善回路を有することを特徴とする信号生成回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、信号生成回路に関し、より詳細には、スイッチング電源装置のスイッチング素子として用いられるＭＯＳトランジスタを駆動する信号生成回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＭＯＳトランジスタは、バイポーラトランジスタに比して、動作が速く駆動電力が少ないという長所がある。高速動作のスイッチング電源装置には、ＭＯＳトランジスタのスイッチング素子が多く採用される。
【０００３】
図２は、従来の信号生成回路の回路図である。バイアス用電流源２４は、第１カレントミラー回路１のリファレンス電流Ｉ11をバイアス電流設定値の３０μＡにする。第１カレントミラー回路１は、第２電源２２から５Ｖが供給され、リファレンス電流Ｉ11と等しいバイアス電流設定値の出力電流Ｉ12、Ｉ13、及び、Ｉ14を供給する。第２カレントミラー回路２は、第１カレントミラー回路１の出力電流Ｉ14と同じバイアス電流設定値の出力電流Ｉ22を折り返させ、第３カレントミラー回路３は、第２カレントミラー回路２の出力電流Ｉ22と同じバイアス電流設定値の出力電流Ｉ32を供給する。
【０００４】
信号源２３は、入力信号１０１を入力信号制御部４に入力する。入力信号制御部４は、入力信号１０１がＬレベルになると、トランジスタＭn3及びＭn4がオフするので、出力電流Ｉ12及びＩ13を動作電流Ｉ42及びＩ41として信号出力部５に夫々供給し、入力信号１０１がＨレベルになると、出力電流Ｉ12及びＩ13を遮断する。
【０００５】
第３カレントミラー回路３及び信号出力部５は、第１電源２１から１５Ｖが供給される。信号出力部５の出力信号端子１６は、ＭＯＳトランジスタに接続され、ゲート・ソース間の等価負荷容量２５が存在する。
【０００６】
入力信号１０１がＬレベルの場合、トランジスタＱn5は、動作電流Ｉ42がベースに流れるのでオンし、出力電流Ｉ32を廃棄電流Ｉ51としてグランドに流す。トランジスタＱn1及びＱn2は、動作電流Ｉ52がベースに流れないのでオフする。トランジスタＭn5は、ゲートがＬレベルなのでオフする。トランジスタＱn4及びＱn6は、動作電流Ｉ41がベースに流れるのでオンし、等価負荷容量２５を放電する。出力信号端子１６の電位は下降し、出力信号はＬレベルになる。
【０００７】
入力信号１０１がＨレベルの場合、トランジスタＭn5は、オンしトランジスタＱn6のベース蓄積電荷を放電する。トランジスタＱn4及びＱn6は、動作電流Ｉ41がベースに流れないのでオフし、トランジスタＱn5は、動作電流Ｉ42がベースに流れないのでオフする。トランジスタＱn1及びＱn2は、出力電流Ｉ32が動作電流Ｉ52としてベースに流れるのでオンし、等価負荷容量２５を充電する。出力信号端子１６の電位は上昇し、出力信号はＨレベルになる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来の信号生成回路では、電流Ｉ11〜Ｉ14、Ｉ31、Ｉ32、Ｉ41、Ｉ42、Ｉ51、及び、Ｉ52は、予め設定されるバイアス電流設定値に維持される。信号生成回路は、出力信号が前のレベルの状態から次のレベルの状態に遷移するまでの過渡期間、及び、出力信号が何れかのレベルの状態を維持する定常期間を有する。
【０００９】
トランジスタＱn4及びＱn5の駆動能力に応じて、出力信号のＨレベルからＬレベルへの過渡期間が決定されるので、所定の値以上のバイアス電流設定値が必要になる。バイアス用電流源２４は、所定の値以上のバイアス電流設定値が設定され、所定の値以上のバイアス電流設定値を要する過渡期間に対応する。
【００１０】
しかし、所定の値以上のバイアス電流設定値を設定すると、所定の値以上のバイアス電流設定値を要しない定常期間の消費電流も大きくなる。これに伴い、無駄な電流としてグランドに流れる廃棄電流Ｉ51も増大する
【００１１】
本発明は、上記したような従来の技術が有する問題点を解決するためになされたものであり、高速に動作し消費電流が少ない信号生成回路を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の信号生成回路は、第１の視点において、リファレンス電流に応じた出力電流を供給するカレントミラー回路と、入力信号の第２又は第１のレベルに応答して、前記出力電流に基づく動作電流を供給する入力信号制御部と、前記動作電流が供給されると、出力信号ラインの電位を第２又は第１のレベルに設定し、前記動作電流が供給されないと、前記出力電流が供給されて出力信号ラインの電位を第１又は第２のレベルに設定する信号出力部とを備えた信号生成回路において、前記入力信号の第２のレベル及び前記出力信号ラインの第１のレベルに応答して前記リファレンス電流を増加させる動作特性改善回路を有することを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の信号生成回路は、第２の視点において、リファレンス電流に応じた第１の出力電流を第１の電圧源から供給する第１のカレントミラー回路と、前記第１の出力電流に応じた第２の出力電流を第２の電圧源から折り返させる第２のカレントミラー回路と、前記第２の出力電流に応じた第３の出力電流を第３の電圧源から供給する第３のカレントミラー回路と、入力信号の第２又は第１のレベルに応答して、第１の出力電流に基づく動作電流を供給する入力信号制御部と、前記動作電流が供給されると、出力信号ラインの電位を第２又は第１のレベルに設定し、前記動作電流が供給されないと、前記第３の出力電流が供給されて出力信号ラインの電位を第１又は第２のレベルに設定する信号出力部とを備えた信号生成回路において、前記入力信号の第２のレベル及び前記出力信号ラインの第１のレベルに応答して前記リファレンス電流を増加させる動作特性改善回路を有することを特徴とする。
【００１４】
更に、本発明の信号生成回路は、第３の視点において、リファレンス電流に応じた第１の出力電流を第１の電圧源から供給する第１のカレントミラー回路と、前記第１の出力電流に応じた第２の出力電流を第２の電圧源から折り返させる第２のカレントミラー回路と、前記第２の出力電流に応じた第３の出力電流を第３の電圧源から供給する第３のカレントミラー回路と、入力信号のロウレベル又はハイレベルに応答して、前記第１の出力電流に基づく動作電流を供給する入力信号制御部と、前記動作電流が供給されると、出力信号ラインの電位をロウレベル又はハイレベルに設定し、前記動作電流が供給されないと、前記第３の出力電流が供給されて出力信号ラインの電位をハイレベル又はロウレベルに設定する信号出力部とを備えた信号生成回路において、前記入力信号のハイレベル及び前記出力信号ラインのハイレベルに応答して前記リファレンス電流を増加させる動作特性改善回路を有することを特徴とする。
【００１５】
本発明の信号生成回路は、第１のレベルから第２のレベル又はハイレベルからロウレベルに入力信号が変化する際に、第３及び第４の制御トランジスタがオンすることにより、定常期間に比して大きい第１及び第２の動作電流が、第１のレベルから第２のレベル又はハイレベルからロウレベルへの過渡期間に流れるので、過渡期間が短くなり動作が速くなる。この場合、予めバイアス電流設定値を所定の値以下に設定できるので、動作に必要な消費電流が少なくなる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態例に基づいて、本発明の信号生成回路について図面を参照して説明する。図１は、本発明の一実施形態例の信号生成回路の回路図である。信号生成回路は、第１電源端子１１、第２電源端子１２、入力信号端子１３、バイアス端子１４、グランド端子１５、及び、出力信号端子１６を有し、スイッチング制御ＩＣの回路の一部分として採用される。
【００１７】
第１電源２１（第３の電圧源）は、第１電源電圧Ｖccを第１電源端子１１に供給し、第２電源２２（第１の電圧源）は、第２電源電圧Ｖddを第２電源端子１２に供給する。信号源２３は、入力信号１０１を入力信号端子１３に入力する。バイアス用電流源２４は、予め設定されたバイアス電流設定値のバイアス電流を与える。バイアス電流は、バイアス端子１４からグランド（第２の電圧源）の方向に、バイアス用電流源２４を経由して流れる電流である。
【００１８】
例えば、第１電源電圧Ｖccは、１５Ｖに設定され、第２電源電圧Ｖddは、５Ｖに設定される。入力信号１０１は、Ｌレベルの電位が０Ｖに設定され、Ｈレベルの電位が５Ｖに設定される。バイアス電流設定値は、３０μＡに設定される。
【００１９】
出力信号端子１６は、スイッチング素子であるＭＯＳトランジスタのゲートに接続され、出力信号が発生する。同図に示す等価負荷容量２５は、出力信号により駆動されるＭＯＳトランジスタのゲート・ソース間の容量分であり、出力信号端子１６とグランドとの間に存在する。
【００２０】
信号生成回路は、第１カレントミラー回路１、第２カレントミラー回路２、第３カレントミラー回路３、入力信号制御部４、信号出力部５、及び、動作特性改善部６で構成される。
【００２１】
第１カレントミラー回路１は、Ｐチャネル型トランジスタＭp1〜Ｍp4で構成される。トランジスタＭp1〜Ｍp4のソースは、第２電源端子１２に全て接続され、トランジスタＭp1〜Ｍp4のゲートは、トランジスタＭp1のドレインに全て接続される。トランジスタＭp1のドレインは、バイアス端子１４に接続される。
【００２２】
第２カレントミラー回路２は、Ｎチャネル型トランジスタＭn1及びＭn2で構成される。トランジスタＭn1及びＭn2のソースは、全てグランドに接続され、トランジスタＭn1及びＭn2のゲートは、トランジスタＭn1のドレインに全て接続される。トランジスタＭn1のドレインは、トランジスタＭp4のドレインに接続される。
【００２３】
第３カレントミラー回路３は、Ｐチャネル型トランジスタＭp5及びＭp6で構成される。トランジスタＭp5及びＭp6のソースは、第１電源端子に全て接続され、トランジスタＭp5及びＭp6のゲートは、トランジスタＭp5のドレインに全て接続される。
【００２４】
入力信号制御部４は、Ｐチャネル型トランジスタＭp7、Ｍp8、Ｎチャネル型トランジスタＭn3、及び、Ｍn4で構成される。トランジスタＭp7、Ｍp8、Ｍn3、及び、Ｍn4のゲートは、入力信号端子１３に全て接続される。トランジスタＭp7とＭn3、及び、Ｍp8とＭn4は、直列に夫々接続される。トランジスタＭn3及びＭn4のソースは、グランドに全て接続される。トランジスタＭp7のソースは、出力電流Ｉ12が入力され、トランジスタＭp2のドレインに接続される。トランジスタＭp8のソースは、出力電流Ｉ13が入力され、トランジスタＭp3のドレインに接続される。
【００２５】
信号出力部５は、Ｎチャネル型トランジスタＭn5、及び、ＮＰＮトランジスタＱn1〜Ｑn8で構成される。トランジスタＱn1及びＱn2は、ダーリントン接続され、双方のコレクタが第１電源端子１１に接続される。トランジスタＱn7及びＱn8は、ダイオード接続される。トランジスタＱn1のベースは、トランジスタＱn5を介してグランドに接続され、トランジスタＭp6のドレインに接続される。トランジスタＱn1のベース・エミッタ間は、トランジスタＱn7で接続される。トランジスタＱn2のベースは、トランジスタＱn8を介して出力信号端子１６に接続される。
【００２６】
トランジスタＱn3は、ダイオード接続される。トランジスタＱn4及びＱn6は、ダーリントン接続される。トランジスタＱn4のコレクタは、トランジスタＱn3を介して出力信号端子１６に接続され、トランジスタＱn6のコレクタは、出力信号端子１６に直接接続される。トランジスタＱn6のエミッタは、グランドに直接接続される。トランジスタＱn6のベース・エミッタ間は、トランジスタＭn5で接続される。トランジスタＱn4のベースは、トランジスタＭp8のドレインに接続され、トランジスタＱn5のベースは、トランジスタＭp7のドレインに接続される。
【００２７】
動作特性改善部６は、Ｐチャネル型トランジスタＭp9、Ｎチャネル型トランジスタＭn6、及び、Ｍn7で構成される。トランジスタＭn6のゲートは、出力信号端子１６に接続され、トランジスタＭp9及びＭn7のゲートは、入力信号端子１３に接続される。トランジスタＭp9及びＭn6は、直列に接続され、トランジスタＭn6のソースは、グランドに接続される。トランジスタＭp9のソースは、トランジスタＭp1のドレインに接続され、トランジスタＭp5のドレインは、トランジスタＭn7を介してトランジスタＭn2のドレインに接続される。
【００２８】
第１カレントミラー回路１において、リファレンス側トランジスタＭp1のドレインを流れるリファレンス電流Ｉ11は、出力側トランジスタＭp2のドレインを流れる出力電流Ｉ12と出力側トランジスタＭp3のドレインを流れる出力電流Ｉ13及び出力側トランジスタＭp4のドレインを流れる出力電流Ｉ14の参照電流となるものであり、バイアス端子１４からグランドの方向にバイアス用電流源２４を経由して流れるバイアス電流と動作特性改善部６に流れる電流の和である。
【００２９】
第１カレントミラー回路１は、出力側トランジスタＭp2のドレインから、リファレンス電流Ｉ11と値が等しいバイアス電流設定値の出力電流Ｉ12を入力信号制御部４に供給し、出力側トランジスタＭp3のドレインから、バイアス電流設定値の出力電流Ｉ13を入力信号制御部４に供給し、出力側トランジスタＭp4のドレインから、バイアス電流設定値の出力電流Ｉ14を第２カレントミラー回路２に供給する。
【００３０】
第２カレントミラー回路２は、リファレンス側トランジスタＭn1のドレインから、出力電流Ｉ14をリファレンス電流Ｉ21として折り返させる。出力側トランジスタＭn2のドレインから、リファレンス電流Ｉ21と値が等しいバイアス電流設定値の出力電流Ｉ22を折り返させる。
【００３１】
第３カレントミラー回路３は、リファレンス側トランジスタＭp5のドレインから、リファレンス電流Ｉ31を動作特性改善部６を経由して、第２カレントミラー回路２に出力電流Ｉ22として供給し、出力側トランジスタＭp6のドレインから、リファレンス電流Ｉ31と値が等しいバイアス電流設定値の出力電流Ｉ32を信号出力部５に供給する。
【００３２】
入力信号１０１がＬレベルの場合、トランジスタＭp7及びＭp8はオンし、トランジスタＭn3及びＭn4はオフする。入力信号制御部４は、出力電流Ｉ12を導通し、動作電流Ｉ42としてトランジスタＭp7のドレインから信号出力部５に供給する。入力信号制御部４は、出力電流Ｉ13を導通し、動作電流Ｉ41としてトランジスタＭp8のドレインから信号出力部５に供給する。
【００３３】
入力信号１０１がＨレベルの場合、トランジスタＭp7及びＭp8はオフし、トランジスタＭn3及びＭn4はオンする。入力信号制御部４は、出力電流Ｉ12を遮断し、トランジスタＭn3は、信号出力部５のトランジスタＱn5のベース電位をグランド電位にする。入力信号制御部４は、出力電流Ｉ13を遮断し、トランジスタＭn4は、信号出力部５のトランジスタＱn4のベース電位をグランド電位にする。
【００３４】
出力電流Ｉ32は、トランジスタＱn1のベース及びトランジスタＱn5のコレクタに入力され、動作電流Ｉ41は、トランジスタＱn4のベースに入力され、動作電流Ｉ42は、トランジスタＱn5のベースに入力される。
【００３５】
トランジスタＱn5は、動作電流Ｉ42がベースに流れるとオンし、動作電流Ｉ52がトランジスタＱn1及びＱn2のベースに流れないように、出力電流Ｉ32を廃棄電流Ｉ51としてグランドにバイパスする。動作電流Ｉ42がベースに流れないとオフし、出力電流Ｉ32を動作電流Ｉ52として、トランジスタＱn1及びＱn2のベースに全て供給する。
【００３６】
トランジスタＱn7及びＱn8は、トランジスタＱn1及びＱn2のベース・エミッタ間の逆方向電圧による破壊を防ぐ逆耐圧保護の機能を有する。
【００３７】
トランジスタＱn1及びＱn2は、動作電流Ｉ52がベースに流れるとオンし、出力信号端子１６の電位を上昇させて等価負荷容量２５を充電し、動作電流Ｉ52がベースに流れないとオフする。
【００３８】
トランジスタＱn4及びＱn6は、動作電流Ｉ41がベースに流れるとオンし、出力信号端子１６の電位を下降して等価負荷容量２５を放電し、動作電流Ｉ41がベースに流れないとオフする。トランジスタＭn5は、トランジスタＱn4及びＱn6がオン又はオフするのと同時にオフ又はオンするので、トランジスタＱn4及びＱn6が行う等価負荷容量２５の放電の動作を確実にする。
【００３９】
リファレンス電流Ｉ11は、トランジスタＭp9のソースに入力され、リファレンス電流Ｉ31は、トランジスタＭn7のドレインに入力される。
【００４０】
入力信号１０１がＬレベルの場合、トランジスタＭp9は、オンするのでリファレンス電流Ｉ11を導通する。トランジスタＭn7は、オフするのでリファレンス電流Ｉ31を遮断する。
【００４１】
入力信号１０１がＨレベルの場合、トランジスタＭp9は、オフするのでリファレンス電流Ｉ11を遮断する。トランジスタＭn7は、オンするのでリファレンス電流Ｉ31を導通する。
【００４２】
出力信号端子１６の電位がＬレベルの場合、トランジスタＭn6は、オフするのでリファレンス電流Ｉ11を遮断する。出力信号端子１６の電位がＨレベルの場合、トランジスタＭn6は、オンするのでリファレンス電流Ｉ11を導通し、リファレンス電流Ｉ11を過渡期間電流Ｉ61としてソースからグランドに流す。
【００４３】
ここで、信号生成回路の動作について詳細に説明する。出力信号端子１６の電位は、変化し安定するまでの過渡期間、及び、安定する定常期間を有する。
【００４４】
入力信号１０１がＬレベルの場合、入力信号制御部４は、出力電流Ｉ12及びＩ13を導通し、動作電流Ｉ42及びＩ41を供給する。信号出力部５は、トランジスタＱn4〜Ｑn6がオンすることにより、出力電流Ｉ32を廃棄電流Ｉ51としてバイパスするので、出力信号端子１６の電位をＬレベルに設定する。
【００４５】
動作特性改善部６は、トランジスタＭn7がオフすることにより、リファレンス電流Ｉ31を遮断する。第３カレントミラー回路３は、リファレンス電流Ｉ31の値がゼロになることにより、出力電流Ｉ32の値をゼロにし、信号出力部５における廃棄電流Ｉ51の値をゼロにする。
【００４６】
ＨレベルからＬレベルの過渡期間に、動作特性改善部６は、トランジスタＭp9及びＭn6がオンするので、リファレンス電流Ｉ11を過渡期間電流Ｉ61としてグランドに流す。リファレンス電流Ｉ11の値は、予め設定されたバイアス電流設定値に過渡期間電流Ｉ61の値が加算され、過渡期間電流設定値になる。過渡期間電流設定値は、過渡期間の開始時に最大で、時間の経過に伴い減少する。すなわち、動作特性改善部６は、ＨレベルからＬレベルの過渡期間に、実質的にリファレンス電流Ｉ11を、バイアス用電流源２４で予め設定されたバイアス電流設定値から過渡期間電流Ｉ61だけ増加させるように動作する。
【００４７】
第１カレントミラー回路１は、過渡期間電流設定値の出力電流Ｉ12、Ｉ13、及び、Ｉ14を供給し、入力信号制御部４は、過渡期間電流設定値の動作電流Ｉ41及びＩ42を供給する。信号出力部５は、過渡期間電流設定値の動作電流Ｉ41及びＩ42に基づいて動作することにより、バイアス電流設定値に基づく動作に比して、等価負荷容量２５を速く放電する。出力信号端子１６の電位は、急速に下降しＬレベルになる。
【００４８】
Ｌレベルの定常期間に、動作特性改善部６は、トランジスタＭn6がオフするので、過渡期間電流Ｉ61をゼロにする。第１カレントミラー回路１は、バイアス電流設定値の出力電流Ｉ12、Ｉ13、及び、Ｉ14を供給し、入力信号制御部４は、バイアス電流設定値の動作電流Ｉ41及びＩ42を供給する。
【００４９】
入力信号１０１がＨレベルの場合、入力信号制御部４は、出力電流Ｉ12及びＩ13を遮断する。動作特性改善部６は、トランジスタＭn7がオンするので、リファレンス電流Ｉ31を導通する。第２カレントミラー回路２は、バイアス電流設定値のリファレンス電流Ｉ31を折り返させ、第３カレントミラー回路３は、バイアス電流設定値の出力電流Ｉ32を供給する。信号出力部５は、トランジスタＱn4〜Ｑn6がオフするので、バイアス電流設定値の動作電流Ｉ52に基づいて動作し、等価負荷容量２５を充電する。出力信号端子１６の電位は、上昇しＨレベルになる。
【００５０】
動作特性改善部６は、所定の値以上のバイアス電流設定値を要するＨレベルからＬレベルへの過渡期間に、バイアス電流設定値の状態から過渡期間電流設定値の状態に遷移させることにより、過渡期間の動作速度を速くする。動作特性改善部６は、所定の値以上のバイアス電流設定値を要しない期間に、バイアス電流設定値の状態を維持し、信号出力部５の廃棄電流Ｉ51をゼロにすることにより、消費電流を低くする。つまり、予めバイアス電流設定値を大きく設定しても、消費電流が殆ど増大しない。
【００５１】
例えば、バイアス電流設定値を従来例の図２と同じ３０μＡに設定すると、従来例に比して動作速度が速くなる。従来例の図２と同じ動作速度にすると、バイアス電流設定値を３０μＡ以下に設定できるので、必要な消費電流を削減できる。
【００５２】
上記実施形態例によれば、第１のレベルから第２のレベル又はハイレベルからロウレベルに入力信号が変化する際に、第３及び第４の制御トランジスタがオンすることにより、定常期間に比して大きい第１及び第２の動作電流が、第１のレベルから第２のレベル又はハイレベルからロウレベルへの過渡期間に流れるので、過渡期間が短くなり動作が速くなる。この場合、予めバイアス電流設定値を所定の値以下に設定できるので、動作に必要な消費電流が少なくなる。
【００５３】
なお、上記実施形態例では入力信号端子１３と出力信号端子１６とのレベル状態に対して、同相の場合について説明したが、内部の回路を変更すれば、逆相の場合についても同様な効果が得られる。
【００５４】
以上、本発明をその好適な実施形態例に基づいて説明したが、本発明の信号生成回路は、上記実施形態例の構成にのみ限定されるものでなく、上記実施形態例の構成から種々の修正及び変更を施した信号生成回路も、本発明の範囲に含まれる。
【００５５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の信号生成回路では、第１のレベルから第２のレベル又はハイレベルからロウレベルに入力信号が変化する際に、第３及び第４の制御トランジスタがオンすることにより、定常期間に比して大きい第１及び第２の動作電流が、第１のレベルから第２のレベル又はハイレベルからロウレベルへの過渡期間に流れるので、過渡期間が短くなり動作が速くなる。この場合、予めバイアス電流設定値を所定の値以下に設定できるので、動作に必要な消費電流が少なくなる。
【００５６】
また、動作特性改善部が出力電流を遮断することにより、信号出力部が無駄にグランドへ廃棄していた定常的な信号電流をゼロにすることができるので、動作に必要な消費電流が少なくなる。或いは、大きな信号電流が流れるように設定しても、消費電流を殆ど増大させないで、動作が速くなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態例の信号生成回路の回路図である。
【図２】従来の信号生成回路の回路図である。
【符号の説明】
１  第１カレントミラー回路
２  第２カレントミラー回路
３  第３カレントミラー回路
４  入力信号制御部
５  信号出力部
６  動作特性改善部
１１  第１電源端子
１２  第２電源端子
１３  入力信号端子
１４  バイアス端子
１５  グランド端子
１６  出力信号端子
２１  第１電源（第３の電圧源）
２２  第２電源（第１の電圧源）
２３  信号源
２４  バイアス用電流源
２５  寄生容量
１０１  入力信号
Ｍp1〜Ｍp9  Ｐチャネル型トランジスタ
Ｍn1〜Ｍn7  Ｎチャネル型トランジスタ
Ｑn1〜Ｑn8  ＮＰＮトランジスタ
【図１】
0004075033.tif 000002
【図２】
0004075033.tif 000003