(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線導体を形成した絶縁樹脂層および接着層を複数積層して成る積層基板を用意する工程と、該積層基板に貫通孔を形成する工程と、該貫通孔の内壁を粗化した後、銅めっきを被着してスルーホール導体を形成する工程と、該スルーホール導体の内壁を粗化する工程と、前記スルーホール導体内に感光性樹脂および無機絶縁フィラーから成る孔埋め樹脂を充填する工程と、前記孔埋め樹脂に紫外線を照射し光硬化した後、前記積層基板の表面が光硬化した前記孔埋め樹脂の端面と同一面をなすように研磨する工程と、光硬化した前記孔埋め樹脂を熱硬化した後、前記積層基板の表面が熱硬化した前記孔埋め樹脂の端面と同一面をなすように研磨する工程とを順次行なうことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記積層基板の表面が熱硬化した前記孔埋め樹脂の端面と同一面をなすように研磨する工程の後、前記積層基板の表面に銅めっきを被着して前記スルーホール導体と接続した第１の配線層を形成する工程と、該第１の配線層上および前記積層基板上に絶縁層を形成する工程と、前記第１の配線層上の前記絶縁層にビアホールを形成する工程と、該ビアホールの内壁および前記絶縁層の表面に銅めっきを被着して、前記ビアホールの内壁に前記第１の配線層と接続したビアホール導体を、前記絶縁層の表面に前記ビアホール導体と接続した第２の配線層を形成する工程とを順次行なうことを特徴とする請求項１記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線導体を形成した絶縁樹脂層および接着層を複数積層し、スルーホール導体で絶縁樹脂層を介して上下に位置する配線導体間を接続して成る配線基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体素子を搭載するための有機材料系の配線基板として、例えば両面または片面に厚みが７〜50μｍの銅箔から成る配線導体を有する、厚みが0.1〜1.0ｍｍのガラス−エポキシ板から成る絶縁樹脂層を、同じく厚みが0.05〜0.2ｍｍのガラス−エポキシ板から成る接着層を介して複数積層して成る配線基板が用いられている。
【０００３】
また、このような配線基板には、その上面から下面にかけて貫通する直径が200〜500μｍの複数の貫通孔が設けられており、貫通孔の内壁には各絶縁樹脂層を挟んで上下に位置する配線導体同士を電気的に接続するための厚みが10〜30μｍの銅めっき膜から成るスルーホール導体が被着形成されている。さらに、貫通孔の内部には、スルーホール導体の内壁を蟻酸等の粗化液で粗化した後に、感光性樹脂と無機絶縁フィラーとから成る孔埋め樹脂が充填されている。そして、孔埋め樹脂は、紫外線を照射して光硬化されるとともに配線基板の表面と光硬化した孔埋め樹脂の端面とが同一面をなすように研磨され、しかる後、配線基板を構成する絶縁樹脂層と一体的に熱硬化される。
【０００４】
また、このような配線基板の表面に、絶縁層を形成するとともにこの絶縁層にビアホールを形成し、さらに、ビアホールの内壁に銅めっきを被着して配線基板表面の配線導体と電気的に接続するビアホール導体を形成するとともに、絶縁層の表面に銅めっきを被着してビアホール導体と電気的に接続する配線層を形成し、しかる後、これら絶縁層・ビアホール・ビアホール導体・配線層の形成を繰り返すことによりビルドアップ多層配線基板が製作される。
【０００５】
なお、貫通孔の内部に充填される孔埋め樹脂は、配線基板の表面を平坦とし、例えばこの配線基板を用いてビルドアップ多層配線基板を形成する際に、絶縁層やめっきから成る配線層を凹凸なく積層する機能を有する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述の配線基板では、孔埋め樹脂が配線基板の表面と光硬化した孔埋め樹脂の端面とが同一面をなすように研磨され、しかる後に配線基板を構成する絶縁樹脂層と一体的に熱硬化されることから、光硬化した孔埋め樹脂が熱硬化により収縮して、孔埋め樹脂の端面が配線基板の表面から１〜３μｍの深さで窪んでしまい、その結果、配線基板上に絶縁層およびめっきから成る配線層を積層する際に、この窪み部分の配線基板と絶縁層との間で、あるいはこの窪み上部の絶縁層間で密着不良が発生し、この密着不良部分にめっき液が浸入して配線導体間あるいは配線層間を短絡させてしまったり、絶縁樹脂層と絶縁層との間で、あるいは絶縁層間で剥離してしまうという問題点を有していた。
【０００７】
また、上述の配線基板では、積層基板に絶縁層および配線層を積層し、孔埋め樹脂上の絶縁層にレーザによりビアホールを形成すると、孔埋め樹脂上の絶縁層が１〜３μｍ窪んでいるので、レーザの焦点が微妙にずれてビアホールの形成が不完全となり、ビアホール底に絶縁層の樹脂が部分的に残り、配線層とビアホール導体とをめっきにより良好に接続できず、その結果、配線基板に長期の熱履歴を繰り返し印可すると、ビアホール導体と配線導体や配線層との接合部分で断線してしまうという問題を有していた。
【０００８】
本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、配線基板上に絶縁層やめっきから成る配線層を積層してビルドアップ多層配線基板を製作する場合においても、配線層間で短絡したり絶縁層間で剥離することのない配線基板の製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の配線基板の製造方法は、配線導体を形成した絶縁樹脂層および接着層を複数積層して成る積層基板を用意する工程と、積層基板に貫通孔を形成する工程と、貫通孔の内壁を粗化した後、銅めっきを被着してスルーホール導体を形成する工程と、スルーホール導体の内壁を粗化する工程と、スルーホール導体内に感光性樹脂および無機絶縁フィラーから成る孔埋め樹脂を充填する工程と、孔埋め樹脂に紫外線を照射し光硬化した後、積層基板の表面が光硬化した孔埋め樹脂の端面と同一面をなすように研磨する工程と、光硬化した孔埋め樹脂を熱硬化した後、積層基板の表面が熱硬化した孔埋め樹脂の端面と同一面をなすように研磨する工程とを順次行なうことを特徴とするものである。
【００１０】
また、本発明の配線基板の製造方法は、積層基板の表面が熱硬化した孔埋め樹脂の端面と同一面をなすように研磨する工程の後、積層基板の表面に銅めっきを被着してスルーホール導体と接続した第１の配線層を形成する工程と、この第１の配線層上および積層基板上に絶縁層を形成する工程と、第１の配線層上の絶縁層にビアホールを形成する工程と、このビアホールの内壁および絶縁層の表面に銅めっきを被着して、ビアホールの内壁に第１の配線層と接続したビアホール導体を、絶縁層の表面にビアホール導体と接続した第２の配線層を形成する工程とを順次行なうことを特徴とするものである。
【００１１】
本発明の配線基板の製造方法によれば、孔埋め樹脂を積層基板を構成する絶縁樹脂層と一体的に熱硬化した後に、積層基板の表面を熱硬化した孔埋め樹脂の端面と同一面をなすように研磨することから、孔埋め樹脂の端面が積層基板の表面から窪んでしまうことはなく積層基板の表面が平坦となり、その結果、配線基板上に絶縁層およびめっきから成る配線層を積層する際に、孔埋め樹脂の端面と絶縁層との間で、あるいはこの孔埋め樹脂の上部に位置する絶縁層間で密着不良が発生することはなく、配線導体間および配線層間で短絡してしまったり、絶縁樹脂層と絶縁層との間で、あるいは絶縁層間で剥離を生じてしまうことのない配線基板とすることができる。
【００１２】
また、本発明の配線基板の製造方法によれば、積層基板の表面が平坦であることから、孔埋め樹脂上の絶縁層にレーザでビアホールを形成する場合においてもレーザの焦点がずれてビアホールの形成が不完全となりビアホール底に絶縁層の樹脂が部分的に残ることはなく、その結果、配線導体や配線層とビアホール導体との接続が良好なものとなり、配線基板に長期の熱履歴を繰り返し印加した場合においても配線導体や配線層とビアホール導体との接合部分で断線してしまうことのない配線基板とすることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の配線基板の製造方法を、図１に基づいて詳細に説明する。
【００１４】
図１（ａ）〜（ｋ）は、本発明の配線基板の製造方法を説明するための各工程毎の要部拡大断面図であり、この図において、１は絶縁樹脂層、２は配線導体、３は接着層、４は積層基板、５は貫通孔、６はスルーホール導体、７は孔埋め樹脂、８は第１の配線層、９は絶縁層、10はビアホール、11はビアホール導体、12は第２の配線層である。なお、ここでスルーホール導体６とは、ドリル加工等により積層基板４を貫通して穿孔された孔（貫通孔５）の内部に形成された導体を意味し、ビアホール導体11とは、レーザ加工等により絶縁層９を貫通して穿孔された孔（ビアホール10）の内部に形成された導体をいう。
【００１５】
まず、図１（ａ）に断面図で示すような積層基板４を用意する。このような積層基板４は、まずガラスクロスやアラミド不織布にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂・ポリフェニレンエーテル樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸・硬化させて成る絶縁樹脂層１の両面または片面に銅箔を被着するとともにこの銅箔を配線パターン状にエッチング加工して配線導体２を形成した両面銅張板または片面銅張板を製作し、これをガラスクロスやアラミド不織布等にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂・ポリフェニレンエーテル樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて成る接着層３を介して積層するとともに、真空度が660〜8000Ｐａ、温度が180〜210℃、圧力が２〜５ＭＰａの条件で数時間熱プレスすることにより製作される。
【００１６】
このような絶縁樹脂層１は、配線基板のコア部材として機能し、その厚みは50〜200μｍが好ましく、厚みが50μｍ未満であると剛性が低下し銅箔をエッチングする際に配線導体２が変形し易くなる傾向にあり、200μｍを超えると積層基板４が不要に厚くなり軽量化が困難となる傾向にある。従って、絶縁樹脂層１の厚みは50〜200μｍが好ましい。
【００１７】
また、配線導体２は、配線パターンを形成するのに好適で低抵抗の、例えば銅箔から成り、その厚みは７〜35μｍが好ましい。厚みが７μｍ未満であると配線導体２の抵抗値が大きなものとなる傾向にあり、また、35μｍを超えるとエッチング加工で高密度配線パターンを安定して形成することが困難となる傾向にある。従って、配線導体２の厚みは７〜35μｍが好ましい。なお、このような配線導体２は、未硬化の絶縁樹脂層１の両面または片面の全面に、例えば銅箔を貼り合わせるとともにこれらを加熱・加圧することにより絶縁樹脂層１に貼り合わせ、しかる後従来周知のエッチング法を採用して回路状に加工することにより、所望のパターンに形成される。
【００１８】
さらに、接着層３は、絶縁樹脂層１同士を接着する機能を有し、その厚みは50〜200μｍが好ましく、厚みが50μｍ未満であると樹脂量が少なくなって絶縁樹脂層１同士を良好に密着することが困難となる傾向にあり、200μｍを超えると積層基板４が不要に厚いものとなり薄型化が困難となる傾向にある。従って、接着層３の厚みは50〜200μｍが好ましい。
【００１９】
このような積層基板４の厚みは0.5〜2.0ｍｍの範囲が好ましく、0.5ｍｍ未満では積層基板４の上下面に後述するように配線層８を被着したり絶縁層９を形成する際等に熱や外力等の影響で配線基板に反りや変形が発生して配線基板に要求される平坦度を確保できなくなってしまう傾向があり、他方、2.0ｍｍを超えると、後述するように貫通孔５の内壁にスルーホール導体６を形成する際に、貫通孔５内にめっき液が浸入しにくくなり、スルーホール導体６を良好に形成することが困難となる傾向にある。従って、積層基板４の厚みは0.5〜2.0ｍｍの範囲に特定される。
【００２０】
次に、図１（ｂ）に断面図で示すように、ドリルを用いて積層基板４を貫通する直径が100〜500μｍの貫通孔５を穿設する。貫通孔５の直径は100〜500μｍが好ましく、直径が100μｍより小さくなると貫通孔５の内壁にスルーホール導体６を形成する際に、貫通孔５内にめっき液が浸入しにくくなり、スルーホール導体６を良好に形成することが困難となる傾向にあり、500μｍより大きいと高密度の配線パターンを形成し難くなる傾向にある。従って、貫通孔５の直径は100〜500μｍが好ましい。
【００２１】
なお、配線導体２は、貫通孔５により貫通される配線パターンまたはダミーパターンを全ての貫通孔５に対応して有するように形成しておくと、貫通孔５をドリルにより穿孔する際に、全ての貫通孔５においてその大きさおよび形状を略均一なものに形成することができる。従って、配線導体２は、貫通孔５により貫通される配線パターンまたはダミーパターンを全ての貫通孔５に対応して有するように形成しておくことが好ましい。
【００２２】
次に、図１（ｃ）に断面図で示すように、配線基板を過マンガン酸塩類水溶液等の粗化液に浸漬し、貫通孔５の内壁の穿孔によって生じた残渣樹脂を除去するとともに貫通孔５の内壁を粗化した後、銅めっきを被着してスルーホール導体６を形成する。
【００２３】
このようなスルーホール導体６は、積層基板４を無電解めっき用パラジウム触媒の水溶液中に浸漬し貫通孔５の内壁にパラジウム触媒を付着させ、次に、硫酸銅・ロッセル塩・ホルマリン・ＥＤＴＡナトリウム塩・安定剤等から成る無電解銅めっき液に数分間浸漬して１〜３μｍ程度の無電解銅めっき層を貫通孔５の内壁に析出させ、さらに、硫酸・硫酸銅５水和物・塩素・光沢剤等から成る電解銅めっき液に数Ａ／ｄｍ2の電流を印加しながら数時間浸漬することにより無電解銅めっき層上に30〜75μｍ程度の電解銅めっき層を被着することにより形成される。
【００２４】
スルーホール導体６の厚みは、30〜75μｍが好ましく、厚みが30μｍより薄いと配線基板に長期の熱履歴を繰返し加えた場合、絶縁樹脂層１とスルーホール導体６との熱膨張率差による応力でスルーホール導体６にクラックが生じて断線し易くなる傾向があり、75μｍより厚いとスルーホール導体６内が狭くなり、後述する孔埋め樹脂７を良好に充填できなくなる傾向にある。従って、スルーホール導体６の厚みは30〜75μｍが好ましい。
【００２５】
次に、図１（ｄ）に断面図で示すように、スルーホール導体６を形成した積層基板４を蟻酸水溶液に数分間浸漬し塩酸で処理する粗化を行なうことより、スルーホール導体６の内壁に算術平均粗さ（Ｒａ）が１μｍ程度の粗化面を形成する。このような粗化面は、スルーホール導体６と孔埋め樹脂７との密着性を向上させ、配線基板に長期の熱履歴を繰返し加えてもスルーホール導体６と孔埋め樹脂７との界面で剥がれることがない。従って、スルーホール導体６の内壁に算術平均粗さ（Ｒａ）が１μｍ程度の粗化面を形成することが好ましい。
【００２６】
次に、図１（ｅ）に断面図で示すように、感光性樹脂と無機絶縁フィラーとから成る孔埋め樹脂７をスクリーン印刷法等でスルーホール導体６内に充填する。なおこの時、孔埋め樹脂７の端面は積層基板４の表面より、数μｍ高くなるように充填される。このような孔埋め樹脂７は、エポキシアクリレート樹脂等の感光性樹脂と、シリカやアルミナ等の無機絶縁フィラーと、光開始剤とから成り、積層基板４に第１および第２の配線層８・12や絶縁層９を凹凸なく積層するための作用をなす。
【００２７】
なお、無機絶縁フィラーの含有率は30〜80重量％であることが好ましい。無機絶縁フィラーの含有率が30重量％より少ないと、孔埋め樹脂７の熱膨張係数がスルーホール導体６の熱膨張係数に対して大きなものとなり、温度サイクル等の信頼性試験においてスルーホール導体６と孔埋め樹脂７との界面で剥がれが生じ易くなる傾向があり、80重量％より多いと、孔埋め樹脂７の感光性が低下して光硬化しても硬化が十分進まず、後述する光硬化した後に積層基板４の表面と光硬化した孔埋め樹脂７の端面とが同一面となるように研磨する際に、孔埋め樹脂７の表面のみが過剰に研磨されてしまう傾向にある。従って、無機絶縁フィラーの含有率は30〜80重量％であることが好ましい。
【００２８】
次に、図１（ｆ）に断面図で示すように、孔埋め樹脂に強度が１〜５Ｊ／ｃｍ2の紫外線を照射し光硬化した後、積層基板４の表面が光硬化した孔埋め樹脂７の端面と同一面をなすように、外周面にセラミックス砥石を配したロールを1000〜3000ｒｐｍで回転させるとともに、このセラミックス砥石に積層基板４を一定の圧力で押し付けながら0.5〜２ｍ／分の速度でロール表面を移動させることにより研磨する。なお、孔埋め樹脂７を上記の条件で光硬化するとその硬度が完全硬化時の硬度の50〜90％の半硬化状態となり、研磨し易い硬さとなる。
【００２９】
次に、光硬化した孔埋め樹脂７を積層基板４と一体的に150〜200℃の温度で数時間熱硬化する。このとき、図１（ｇ）の（１）熱硬化後に断面図で示すように、孔埋め樹脂７の端面が積層基板４の表面から１〜３μｍの深さで窪む。しかる後、積層基板４の表面が熱硬化した孔埋め樹脂７の端面と同一面をなすように、外周面にセラミックス砥石を配したロールを1000〜3000ｒｐｍで回転させるとともに、このセラミックス砥石に積層基板４を一定の圧力で押し付けながら0.5〜２ｍ／分の速度でロール表面を移動させることにより研磨する。さらに、ポリエステル不織布に研磨粉末を付着させたバフロールを1000〜3000ｒｐｍで回転させるとともに、このバフロールに積層基板４を一定の圧力で押し付けながら0.5〜２ｍ／分の速度でバフロールの表面を移動させることにより仕上げの研磨を行なう。なお、これは配線基板を熱硬化することにより孔埋め樹脂７が熱収縮し、孔埋め樹脂７の表面が１〜３μｍ窪むために行なうものである。
【００３０】
そして、本発明の配線基板の製造方法においては、孔埋め樹脂７を熱硬化した後、積層基板４の表面と熱硬化した孔埋め樹脂７の端面とが同一面をなすように研磨することが重要である。
【００３１】
本発明の配線基板の製造方法によれば、孔埋め樹脂７を積層基板４を構成する絶縁樹脂層１と一体的に熱硬化した後に、積層基板４の表面を熱硬化した孔埋め樹脂７の端面と同一面をなすように研磨することから、孔埋め樹脂７の端面が積層基板４の表面から窪んでしまうことはなく、その結果、配線基板上に絶縁層９およびめっきから成る配線層８・12を積層する際に、孔埋め樹脂７の端面と絶縁層９との間で、あるいはこの孔埋め樹脂７の上部に位置する絶縁層９間で密着不良が発生することはなく、配線導体２間および配線層８・12間で短絡してしまったり、絶縁樹脂層１と絶縁層９との間で、あるいは絶縁層９間で剥離を生じてしまうことのない配線基板を製造することができる。
【００３２】
次に、図１（ｈ）に断面図で示すように、積層基板４の表面が熱硬化した孔埋め樹脂７の端面と同一面をなすように研磨する工程の後、積層基板４の表面に銅めっきを被着してスルーホール導体６と接続した第１の配線層８を形成する。このような第１の配線層８は次に述べる方法により形成される。
【００３３】
まず、積層基板４を無電解めっき用パラジウム触媒の水溶液中に浸漬し積層基板４の表面および孔埋め樹脂７の端面にパラジウム触媒を付着させる。次に、硫酸銅・ロッセル塩・ホルマリン・ＥＤＴＡナトリウム塩・安定剤等から成る無電解銅めっき液に数分間浸漬して厚みが１〜３μｍ程度の無電解銅めっき層を析出させる。その後、無電解銅めっき層上に第１の配線層８の配線パターン状に開口部を形成した耐めっき樹脂を形成し、さらに、耐めっき樹脂を形成した積層基板４を硫酸・硫酸銅５水和物・塩素・光沢剤等から成る電解銅めっき液に数Ａ／ｄｍ2の電流を印加しながら数時間浸漬することにより、耐めっき樹脂の開口部に厚みが30〜75μｍの電解銅めっき層を充填する。しかる後、耐めっき樹脂を剥離して露出した無電解銅めっき層をエッチングすることにより、積層基板４の表面に第１の配線層８が形成される。なお、第１の配線層８は、孔埋め樹脂７端面を被覆する蓋めっき層と配線導体から成る。
【００３４】
次に、図１（ｉ）に断面図で示すように、第１の配線層８および積層基板４上に熱硬化性樹脂および無機絶縁性フィラーから成る半硬化状態の樹脂フィルムを真空ラミネーターを用いて仮圧着した後に、温度が150〜180℃の条件で数時間加熱硬化させて、樹脂厚みが10〜30μｍの絶縁層９を形成する。
【００３５】
絶縁層９は、第１の配線層８や後述する第２の配線層12等の上下に位置する配線層間を絶縁する機能を有し、多層配線基板の作成を可能するものである。このような絶縁層は、エポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂・ポリフェニレンエーテル樹脂等の熱硬化性樹脂、シリカやアルミナ等の無機絶縁性フィラーおよび溶剤を混合してなるペーストを、従来周知のドクターブレード法等の成形法を採用することによって製作される。なお、絶縁層９の厚みは、絶縁性の観点からは10μｍ以上が好ましく、多層に積層した際の配線基板の薄型化という観点からは30μｍ以下が好ましい。
【００３６】
次に、図１（ｊ）に断面図で示すように、第１の配線層８上の絶縁層９に0.5〜10ｍJの出力の炭酸ガスレーザ光を１〜10μ秒のパルス幅で照射して、直径が50〜200μｍのビアホール10を穿孔する。
【００３７】
本発明の配線基板の製造方法によれば、積層基板４の表面が平坦であることから、孔埋め樹脂７上の絶縁層９にレーザでビアホール10を形成する場合においてもレーザの焦点がずれてビアホール10の形成が不完全となりビアホール10底に絶縁層９の樹脂が部分的に残ることはなく、その結果、配線導体２や第１の配線層８・後述する第２の配線層12と後述するビアホール導体11との接続が良好なものとなり、配線基板に長期の熱履歴を繰り返し印可した場合においても配線導体２や配線層８・12とビアホール導体11との接合部分で断線してしまうことのない配線基板とすることができる。
【００３８】
なお、ビアホール10の直径が50μｍより小さいとビアホール10の内壁にめっきによりビアホール導体11を形成する際に、ビアホール10内にめっき液が浸入し難くなり、ビアホール導体11を良好に形成することが困難となる傾向にあり、200μｍより大きいと高密度の配線パターンを形成し難くなる傾向にある。従って、ビアホール10の直径は50〜200μｍ程度が好ましい。
【００３９】
次に、図１（ｋ）に断面図で示すように、めっきによりビアホール10の内壁に第１の配線層８と接続したビアホール導体11を、絶縁層９の表面にビアホール導体11と接続した第２の配線層12を形成する。
【００４０】
このような第２の配線層12およびビアホール導体11は、次に述べる方法により形成される。まず、ビアホール10の内壁および絶縁層９の表面を過マンガン酸カリウム溶液等の粗化液で化学粗化し、さらに、無電解めっき用パラジウム触媒の水溶液中に浸漬しビアホール10の内壁および絶縁層９の表面にパラジウム触媒を付着させる。次に、硫酸銅・ロッセル塩・ホルマリン・ＥＤＴＡナトリウム塩・安定剤等から成る無電解銅めっき液に数分間浸漬して厚みが１〜３μｍ程度の無電解銅めっき層をビアホール10の内壁およびビルドアップ樹脂層９の表面に析出させる。次に、無電解銅めっき層上に配線パターン状の開口部を有する耐めっき樹脂層を形成し、さらに硫酸・硫酸銅５水和物・塩素・光沢剤等から成る電解銅めっき液に数Ａ／ｄｍ2の電流を印加しながら数時間浸漬することにより、耐めっき樹脂層の開口部に電解銅めっき層を充填するとともに、ビアホール10内の無電解めっき層上に電解銅めっき層を被着してビアホール導体12を形成し、しかる後、耐めっき樹脂を剥離するとともに露出した無電解銅めっき層をエッチングすることにより第２の配線層12が形成される。
【００４１】
なお、第２の配線層12およびビアホール導体11の厚みは、10〜25μｍが好ましい。厚みが10μｍより薄いと長期の熱履歴を繰返し加えた場合、絶縁層９と第２の配線層12およびビアホール導体11との熱膨張率差による応力で第２の配線層およびビアホール導体11にクラックが発生し断線してしまう傾向にあり、25μｍより厚いと第２の配線層12およびビアホール導体11内が配線パターン状の開口部を有する耐めっき樹脂層から銅めっき自体がはみ出してしまい良好に配線層を形成できなくなる傾向にある。従って、配線導体およびビアホール導体11の厚みは１0〜25μｍが好ましい。
【００４２】
そして、この上に上述の絶縁層９や第２の配線層12・ビアホール導体11の形成を複数回繰り返すことによってビルドアップ多層配線基板が製作される。
【００４３】
なお、本発明の製造方法は、上述の実施の形態の一例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば、種々の変更・改良を施すことは何ら差し支えない。
【００４４】
【発明の効果】
本発明の配線基板の製造方法によれば、孔埋め樹脂を積層基板を構成する絶縁樹脂層と一体的に熱硬化した後に、積層基板の表面を熱硬化した孔埋め樹脂の端面と同一面をなすように研磨することから、孔埋め樹脂の端面が積層基板の表面から窪んでしまうことはなく積層基板の表面が平坦となり、その結果、配線基板上に絶縁層およびめっきから成る配線層を積層する際に、孔埋め樹脂の端面と絶縁層との間で、あるいはこの孔埋め樹脂の上部に位置する絶縁層間で密着不良が発生することはなく、配線導体間および配線層間で短絡してしまったり、絶縁樹脂層と絶縁層との間で、あるいは絶縁層間で剥離を生じてしまうことのない配線基板とすることができる。
【００４５】
また、本発明の配線基板の製造方法によれば、積層基板の表面が平坦であることから、孔埋め樹脂上の絶縁層にレーザでビアホールを形成する場合においてもレーザの焦点がずれてビアホールの形成が不完全となりビアホール底に絶縁層の樹脂が部分的に残ることはなく、その結果、配線導体や配線層とビアホール導体との接続が良好なものとなり、配線基板に長期の熱履歴を繰り返し印加した場合においても配線導体や配線層とビアホール導体との接合部分で断線してしまうことのない配線基板とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）〜（ｋ）は、本発明の配線基板の製造方法を説明するための各工程毎の要部拡大断面図である。
【符号の説明】
１・・・・・・・絶縁樹脂層
２・・・・・・・配線導体
３・・・・・・・接着層
４・・・・・・・積層基板
５・・・・・・・貫通孔
６・・・・・・・スルーホール導体
７・・・・・・・孔埋め樹脂
８・・・・・・・第１の配線層
９・・・・・・・絶縁層
10・・・・・・・ビアホール
11・・・・・・・ビアホール導体
【図１】
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