(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
屈曲部を有する入出力端子が実装された基板を挿入する開口部を設けた高周波機器用シールドケースであって、
前記開口部から挿入する基板に実装した入出力端子の屈曲部とで放電ギャップを構成する位置に舌片を有する事を特徴とする高周波機器用シールドケース。
【請求項２】
請求項１記載の高周波機器用シールドケースにおいて、
上記舌片を一体形成で設けた事を特徴とする高周波機器用シールドケース。
【請求項３】
請求項１記載の高周波機器用シールドケースにおいて、
上記舌片を別ピースとして設けた事を特徴とする高周波機器用シールドケース。
【請求項４】
請求項１記載の高周波機器用シールドケースにおいて、
上記舌片は、櫛状であり、かつ、開口部から挿入する基板に実装した複数の入出力端子との間にそれぞれ放電ギャップを構成する事を特徴とする高周波機器用シールドケース。
【請求項５】
屈曲部を有する入出力端子が実装された基板を挿入する開口部を設けた高周波機器用シールドケースであって、
前記開口部を設けたシールドケース部材と舌片を設けたシールド蓋部材との組立体からなり、そして、該舌片は開口部から挿入する基板に実装した入出力端子の屈曲部との間に放電ギャップを構成する事を特徴とする高周波機器用シールドケース。
【請求項６】
請求項５記載の高周波機器用シールドケースにおいて、
上記舌片をシールド蓋部材に一体形成で設けた事を特徴とする高周波機器用シールドケース。
【請求項７】
請求項５記載の高周波機器用シールドケースにおいて、
上記舌片をシールド蓋部材に別ピースとして取付ける事を特徴とする高周波機器用シールドケース。
【請求項８】
請求項５記載の高周波機器用シールドケースにおいて、
上記シールド蓋部材は櫛状の舌片を設けており、そして、該舌片は開口部から挿入する基板に実装した複数の入出力端子との間にそれぞれ放電ギャップを構成する事を特徴とする高周波機器用シールドケース。
【請求項９】
屈曲部を有する入出力端子が実装された基板と、該基板を挿入する開口部を設けたシールドケースとを備える高周波機器であって、
前記シールドケースは、請求項１〜８のいずれか１項に記載の高周波機器用シールドケースである事を特徴とする高周波機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高周波機器用シールドケース及び高周波機器であり、特に衛星放送受信器等の高周波機器において、入出力端子が実装された基板を挿入する開口部を設けた高周波機器用シールドケースに関する。
【０００２】
【従来の技術】
衛星放送受信器等の高周波機器において、入出力端子が実装された基板を挿入する開口部を設けたシールドケースが使用されている。従来の技術について、図８をもとにして説明する。高周波機器に使用されるシールドケース１´は、厚さ１ｍｍ弱の薄い表面処理鋼板を板金加工して箱型に組立てられる。このシールドケース１´内部に部品実装された高周波回路基板３´を組み込み、シールドケース１´と半田付けする事で高周波回路基板３´上の回路ブロック間、及び高周波機器外部とのアイソレーション確保と高周波回路基板３´の固定をなしている。これにシールド蓋部材２´を取り付けることで、高周波回路基板３上の回路ブロック間、及び高周波機器外部とのアイソレーションが更に高められる。組み込まれる高周波回路基板３´上には、ＲＦアンプ５´、バンドバスフィルタ６´、ミキサー７´、局部発振回路８´、ＰＬＬシンセサイザ９´等の回路ブロックが配置され、入出力端子１０´を通じて高周波機器の外部と接続されている。
【０００３】
高周波機器の外部では、マイコン１１´及びデジタル信号処理回路１２´、電源回路１３´等が配置されたマザー基板４´が有り、ここに高周波機器もシールドケース１´と入出力端子１０´を半田付けする事により実装される。高周波機器外部のマザー基板４´はキャビネット１４´内部に収められている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
従来の技術では、高周波機器をマザー基板４´に取り付ける時、及びマザー基板４´をキャビネットに取り付ける時、作業者が入出力端子１０´に偶発的に触れる事で静電気により１ｋVを超えるような電圧が印加され高周波回路基板３´上の電子部品にストレスを加えてしまう可能性が有る。これにより最悪破壊に至ってしまう。
【０００５】
そこで、本発明の目的は、高周波機器のシールドケースにおいて部品実装された基板上の入出力端子とシールドケースに設けた舌片とで放電ギャップを形成し静電気により１ｋVを超えるような電圧が印加された場合でもギャップ間で放電する事で高周波回路基板上の電子部品にストレスを加えないような高周波機器用シールドケース及び高周波機器を提供する事に有る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、屈曲部を有する入出力端子が実装された基板を挿入する開口部を設けた高周波機器用シールドケースであって、前記開口部から挿入する基板に実装した入出力端子の屈曲部とで放電ギャップを構成する位置に舌片を有する高周波機器用シールドケースである。
【０００７】
また、本発明は、上記舌片を一体形成で設けた高周波機器用シールドケースである。
【０００８】
そして、本発明は、上記舌片を別ピースとして設けた高周波機器用シールドケースである。
【０００９】
更に、本発明は、上記舌片は、櫛状であり、かつ、開口部から挿入する基板に実装した複数の入出力端子との間にそれぞれ放電ギャップを構成する高周波機器用シールドケースである。
【００１０】
また、本発明は、屈曲部を有する入出力端子が実装された基板を挿入する開口部を設けた高周波機器用シールドケースであって、前記開口部を設けたシールドケース部材と舌片を設けたシールド蓋部材との組立体からなり、そして、該舌片は開口部から挿入する基板に実装した入出力端子の屈曲部との間に放電ギャップを構成する事を特徴とする高周波機器用シールドケースである。
【００１１】
そして、本発明は、上記舌片をシールド蓋部材に一体形成で設けた高周波機器用シールドケースである。
【００１２】
更に、本発明は、上記舌片をシールド蓋部材に別ピースとして取付ける高周波機器用シールドケースである。
【００１３】
また、本発明は、上記シールド蓋部材は櫛状の舌片を設けており、そして、該舌片は開口部から挿入する基板に実装した複数の入出力端子との間にそれぞれ放電ギャップを構成する高周波機器用シールドケースである。
【００１４】
そして、本発明は、屈曲部を有する入出力端子が実装された基板と、該基板を挿入する開口部を設けたシールドケースとを備える高周波機器であって、前記シールドケースは、上記の高周波機器用シールドケースである高周波機器である。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を説明する。
本発明の高周波機器用シールドケースは、屈曲部を有する入出力端子が実装された基板を挿入する開口部を設け、開口部から挿入する基板に実装した入出力端子の屈曲部とで放電ギャップを構成する位置に舌片を有しており、開口部の逆側に舌片を設け、入出力端子との間に放電ギャップを構成する。
【００１６】
この際、ギャップ間隔ｄを１００μｍとすると、パッシェン則より空隙放電の始まる電圧Ｖｂ（Ｖ）は、Ｖｂ≒３１２＋６．２ｄ（但し、ｄは８〜１００μｍ）であるため、約１ｋＶ以上の電圧が入出力端子に加わるとギャップ間で放電される。これにより、高周波機器の入出力端子に静電気等により１ｋV以上の電圧が印加された場合でも、上記放電ギャップにより放電される為、後段の基板上の部品にはストレスが加らない。又、シールドケースに設ける舌片は基板を挿入する側と逆側に位置する為、シールドケースと基板の組立て作業が容易に出来る。
【００１７】
また、上記シールドケースにおいて、舌片部分とシールドケース本体部分とを一体形成にする。これにより、入出力端子に放電ギャップを備えた高周波機器がシールドケースに基板を組み込むだけで容易に構成出来る。
【００１８】
そして、上記シールドケースにおいて、舌片部分をシールドケース本体と別ピースで形成し、シールドケース本体に基板を組み込んだ後、舌片部分を組立てる。これにより、一体形成による板金加工では精度上、１００μｍ程度迄で有るギャップ間隔を３０μｍ程度迄狭める事が出来る為、空隙放電の始まる電圧Ｖｂが５００Ｖ程度迄下がり、より広い範囲の電圧に対応する放電ギャップを備える事が出来る。
【００１９】
更に、上記シールドケースにおいて、舌片部分を櫛状にし、それぞれ複数の端子との間で放電ギャップを構成出来る。
【００２０】
また、高周波機器のシールドケースにおいて、シールド効果を高める為にシールドケース本体に取り付けているシールド蓋部材に舌片を設け、入出力端子との間に放電ギャップを構成する。シールド蓋部材はシールドケース本体と嵌合する事により、電気的にアースが取れている為、シールドケース本体に舌片を設けた場合と同様の効果を発揮する。又、シールド蓋部材はシールドケースの様に箱型に成型する必要が無い為、舌片の加工が容易である。
【００２１】
そして、上記シールドケースにおいて、シールドケース本体に取り付けているシールド蓋部材と舌片部分とを一体成型にする。これにより、入出力端子に放電ギャップを備えた高周波機器がシールドケースに基板を組み込み、シールド蓋部材を取り付けるだけで容易に出来る。
【００２２】
更に、上記シールドケースにおいて、シールドケース本体に取り付けているシールド蓋部材と舌片部分を別ピースで形成し、シールドケース本体に基板を組み込みシールド蓋部材を取り付けた後、舌片部分を組立てる。これにより、一体形成による板金加工では精度上、１００μｍ程度迄で有るギャップ間隔を３０μｍ程度迄狭める事が出来る為、空隙放電の始まる電圧Ｖｂが５００Ｖ程度迄下がり、より広い範囲の電圧に対応する放電ギャップを備える事が出来る。
【００２３】
また、上記シールドケースにおいて、シールドケース本体に取り付けているシールド蓋部材に設けた舌片部分を櫛状にし、それぞれ複数の端子との間で放電ギャップを構成出来る。
【００２４】
以下、本発明の高周波機器用シールドケース及び高周波機器の詳細を、図１〜図７を使用し、実施例によって説明する。図１は、実施例１のシールドケースの説明図である。図２は、実施例１のシールドケースの放電ギャップ部分の説明図である。図３は、実施例２のシールドケースの説明図である。図４は、実施例３のシールドケースの説明図である。図５は、実施例４のシールドケースの説明図である。図６は、実施例４のシールドケースの放電ギャップ部分の説明図である。図７は、実施例５のシールドケースの説明図である。
【００２５】
実施例１を説明する。本実施例において、図１及び図２に示すように、マザー基板４上に実装された高周波機器はシールドケース１を半田付けする事によりマザー基板と固定、及び電気的に接続される。シールドケース１内部には高周波回路基板３が組み込まれシールドケース１と半田付けする事によりシールドケース１と固定、及び電気的に接続される。高周波回路基板３上にはＲＦアンプ５、バンドパスフィルタ６、ミキサ７、局発回路８、ＰＬＬシンセサイザ９の回路ブロックが配置され、これらはシールドケース１により電磁気的に仕切られる事で回路ブロック間、及び高周波機器外部とのアイソレーションを確保される。
【００２６】
シールドケース１において高周波回路基板３を挿入する開口部の逆側にシールドケース本体と一体形成された舌片１５を設け、高周波回路基板３上の入出力端子１０と近接した間隔に配置する事で放電ギャップを形成する。高周波機器とマザー基板４、及びマザー基板４とキャビネット１４を組立てる際、入出力端子１０を作業者が偶発的に触れてしまう可能性が有る。
【００２７】
人体が接触した場合、静電気により１ｋＶを超えるような電圧が端子１０に加わる事も有るが、その場合入出力端子１０と舌片１５の間隔ｄが１００μｍ以下であれば、空隙放電が起こり、入出力端子１０に接続された高周波回路基板上の部品迄は印加されない。又、舌片１５はシールドケース１と一体になっており、高周波回路基板３を挿入する開口部の逆側に設けられる為、シールドケース１と高周波回路基板３との組立てに何ら支障を与えず容易に高周波機器を作成出来る。
【００２８】
実施例２を説明する。本実施例においては、図３に示すように、シールドケース１と高周波回路基板３を予め組立てた状態で端子１０に別ピースの舌片１５を組立てる。この時、舌片１５と端子１０との間隔はスペーサーを用いれば３０μｍ程度迄精度を上げる事が出来る為、空隙放電の始まる電圧Ｖｂが５００Ｖ程度迄下がり、より広い範囲の電圧に対応する放電ギャップを備える事が出来る。
【００２９】
実施例３を説明する。本実施例においては、図４に示すように、舌片１５が櫛状をしており、複数の入出力端子との間に放電ギャップを構成する事が出来る。
【００３０】
実施例４を説明する。本実施例の高周波機器用シールドケースは、図５及び図６に示すように、シールド効果を高める為にシールドケース１にシールド蓋部材２を取り付ける事で構成する。この様な場合、シールド蓋部材２に一体形成された舌片１５を設け、高周波回路基板３が組み込まれたシールドケース１に取り付ける事で高周波回路基板３上の入出力端子１０と放電ギャップを形成する事が出来る。
【００３１】
実施例５を説明する。本実施例においては、図７に示すように、シールド蓋部材２を高周波回路基板３が組み込まれたシールドケース１に取り付けた状態で、別ピースの舌片１５を組立てる。この時、舌片１５と端子１０との間隔ｄはスペーサーを用いれば３０μｍ程度迄精度を上げる事が出来る為、空隙放電の始まる電圧Ｖｂが５００Ｖ程度迄下がり、より広い範囲の電圧に対応する放電ギャップを備える事が出来る。
【００３２】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、高周波機器外部から入出力端子を経て、静電気等で１ｋVを超えるような電圧が印加された場合でも高周波回路基板上の電子部品にストレスを加えないような高周波機器用シールドケース及び高周波機器を得ることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】  実施例１のシールドケースの説明図。
【図２】  実施例１のシールドケースの放電ギャップ部分の説明図。
【図３】  実施例２のシールドケースの説明図。
【図４】  実施例３のシールドケースの説明図。
【図５】  実施例４のシールドケースの説明図。
【図６】  実施例４のシールドケースの放電ギャップ部分の説明図。
【図７】  実施例５のシールドケースの説明図。
【図８】  従来のシールドケースの説明図。
【符号の説明】
１  シールドケース
２  シールド蓋部材
３  高周波回路基板
４  マザー基板
５  ＲＦアンプ
６  バンドパスフィルタ
７  ミキサ
８  局発回路
９  ＰＬＬシンセサイザ
１０  入出力端子
１１  マイコン
１２  デジタル信号処理回路
１３  電源回路
１４  キャビネット
１５  舌片
【図１】
0004130092.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0004130092.tif 000008
【図８】
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