(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置される一対のガラス基板のうち一方のガラス基板に複数の隔壁が互いに平行に設けられて、それら一対のガラス基板と隔壁によって複数の放電セルが区画形成されるプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記一方のガラス基板を部分的に切削し、残された部分で前記隔壁を形成する工程と、
前記一方のガラス基板の切削された溝の内面に金属アルコキシド溶液を塗布する工程と、
金属アルコキシド溶液を塗布した前記一方のガラス基板を加熱することにより、前記溝の内面の少なくとも凹部に金属酸化膜を形成する工程と、を備え、
前記金属酸化膜を形成する工程の後に、さらに前記溝の内面に絶縁性を有する酸化クロム膜を形成する工程を備えることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表示デバイスとして用いられるプラズマディスプレイパネルの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、プラズマディスプレイパネルとして、図３に示すものが知られている。このプラズマディスプレイパネルは、対向配置される一対のガラス基板１，２を備える。ガラス基板１の内面には、ＭｇＯ等からなる保護膜を有する透明な誘電体３で覆われた複数組の電極４が設けられている。また、ガラス基板２の前記ガラス基板１との対向面には、電極４と直交する方向に、反射率の高い誘電体５で覆われた複数組の電極６が設けられ、さらにその上には、ガス放電を行うための空間である放電セル７を区画形成するために、電極６と平行かつこれら各電極６の間に位置するように複数の隔壁８が設けられている。また、それら各放電セル７の内側には、ＲＧＢ（赤、緑、青）に対応する蛍光体９が配置されている。
そして、これら対向する２枚のガラス基板１，２が合わされ、放電セル７の内部にＮｅ，Ｘｅ等の希ガスが封入された状態で、周囲をシールガラス等により封着されている。
【０００３】
前記電極４および電極６は、それぞれ外部に引き出されており、これらに接続された端子に選択的に電圧を印加することにより、選択的に放電セル７内の各電極４，６間に放電を発生させ、この放電により放電セル７内の蛍光体９から励起光が発せられ、外部に表示されるようになっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記隔壁８を形成する方法として、従来、ガラス基板２上に複数組の電極６を印刷等の方法でパターン形成し、焼成して固定した後、複数組の電極６の上に反射率の高い誘電体５を塗布し、焼成した後、隔壁材料を全面に塗布し、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）等のフォトレジストでパターンを形成した後、サンドブラストによりパターン以外の隔壁材料部分を除去し、その後、焼成を行うことにより、隔壁８を形成するものが知られている。なお、図３に示す例は、後述するように、隔壁８がガラス基板２を部分的に切削されて形成されるものを示す。
【０００５】
サンドブラストは粒径が２０μｍ〜３０μｍ程度のガラスビーズ、炭酸カルシウム等の粒粉をノズルより吹きだして、材料を物理的に切削するものであり、これにより、不要な隔壁材料を削り取る。サンドブラストによる切削工程では、隔壁材料面上に設けられたパターン化されたＤＦＲによって覆われた部分の下側の隔壁材料は切削されず、他の領域の隔壁材料のみが切削される。このように隔壁材料が除去された領域では、前記反射率の高い誘電体５の表面が露出するが、この誘電体５の表面は事前に焼成されているため隔壁材料に比して硬く、サンドブラストによる切削は誘電体５の表面で止まり、誘電体５が切削されることはない。
ここで、隔壁材料は、印刷乾燥後の形を保つためのバインダーである有機物をできるだけ少なく抑えられる等切削されやすい材料からなっており、他方、誘電体５は焼成により切削されにくくなっている。
【０００６】
しかしながら、一般的に、ガラスは焼成により必ず収縮等の変形を起こすため、できるだけ焼成の温度を低くするか、もしくは焼成の回数を減らすことが、プラズマディスプレイパネルの製造上、歩留まりを向上させるのに有効である。
【０００７】
このような要望に応えるものとして、ガラス基板２を直にケミカルエッチングによって部分的に除去することで、隔壁８を形成する方法が提案されている（特開平８−２１２９１８号公報参照）。
この方法であると、隔壁８をガラス材料で形成しているので、隔壁８の焼成工程が減り、ガラス基板の変形を小さく抑えられることから、歩留まりが向上するというメリットがある。しかしながら、エッチングをした後の溝の表面は２μｍ〜３μｍ程度の粗さが残り、その後の工程で電極５を形成する際に、この溝表面粗さの影響が出るという欠点をもつ。
また、ガラス基板の切削方法として、サンドブラスト法（研磨材をガラスに吹き付ける物理的なエッチング方法）もあるが、この方法を採用したとしても、前述と同様に、溝の表面に数μｍ程度の粗さが残ってしまう。
【０００８】
本発明は、前記事情に鑑みて成されたものであって、その目的とするところは、ガラス基板を直に切削することで隔壁を形成する方法でありながら、切削による除去後の溝の内面を平滑に仕上げることができるプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供することにある。
また、切削後の溝に設ける発光体の発光効率を向上させることもできるプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供することも目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係るプラズマディスプレイパネルの製造方法は、対向配置される一対のガラス基板のうち一方のガラス基板に複数の隔壁が互いに平行に設けられて、それら一対のガラス基板と隔壁によって複数の放電セルが区画形成されるプラズマディスプレイパネルの製造方法において、前記一方のガラス基板を部分的に切削し、残された部分で前記隔壁を形成する工程と、前記一方のガラス基板の切削された溝の内面に金属アルコキシド溶液を塗布する工程と、金属アルコキシド溶液を塗布した前記一方のガラス基板を加熱することにより、前記溝の内面の少なくとも凹部に金属酸化膜を形成する工程と、を備え、前記金属酸化膜を形成する工程の後に、さらに前記溝の内面に絶縁性を有する酸化クロム膜を形成する工程を備えることを特徴とする。
【００１０】
この場合、一方のガラス基板の切削された溝の内面に金属アルコキシド溶液を塗布したときに、この金属アルコキシド溶液が、溝の内面の荒らされた凹凸部の凹部に侵入する。そして、その後ガラス基板が加熱されるときに、金属アルコキシド溶液が乾燥されて、金属酸化膜が溝の内面の凹部に侵入したまま形成される。これにより、溝の内面が平滑に仕上げられる。
【００１１】
また、前記金属酸化膜を形成する工程の後に、さらに、前記溝の内面に絶縁性を有する酸化クロム膜を形成する工程を備えることで、平滑に仕上げられた溝の内面にさらに絶縁性を有する酸化クロム膜が形成されることから、溝に設けられる蛍光体から励起光が発せられるときに、この励起光が光沢性を有する酸化クロム膜によって反射される。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係るプラズマディスプレイパネルの製造方法の各実施の形態を、図面に基づいて説明する。
【００１３】
＜第１の実施の形態＞
図１は、本発明の第１の実施の形態を示すものであって、プラズマディスプレイパネルの製造方法の工程を示す工程図である。図１において、符号１１はプラズマディスプレイパネルの構成要素であるガラス基板を示す（図３における一つのガラス基板のうちの一方のガラス基板２に該当する）。
【００１４】
ガラス基板１１の上面であって隔壁１３を形成しようとする箇所の上部を覆うように、エッチングレジスト１２を、例えばパターニングにより形成する。すなわち、ガラス基板１１の上面にフォトレジストを塗布し、露光装置にて該フォトレジストに対してマスクパターンを転写し、その後現像処理して、隔壁１３となる箇所の上部位置に前記エッチングレジスト１２を形成する。
そして、サンドブラスト法またはケミカルエッチング法により、ガラス基板１１のエッチングレジスト１２で覆われていない部分を切削する。これにより、切削されずに残った部分が隔壁１３となる。
【００１５】
次に、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）のエタノール溶液をスピンコーターまたはロールコーター等の塗布手段を用いて、ガラス基板１１上に塗布する。この時、ＴＥＯＳのエタノール溶液が、ガラス基板１１の切削した溝１４内に、入り込むように充分留意する。
その後、エッチングレジスト１２を剥離し、レベリングを行った後、ガラス基板１１を、１５０〜１８０℃の温度で２０分程度加熱して乾燥させる。
【００１６】
ここで、前記ガラス基板１１の切削された溝１４の内面にＴＥＯＳのエタノール溶液を塗布したときに、この塗布したＴＥＯＳのエタノール溶液が、溝１４の内面の荒らされた凹凸部の凹部１４ａに侵入する。そして、ガラス基板１１が加熱されるときに、ＴＥＯＳのエタノール溶液が乾燥されて、ＳｉＯ2膜１５が溝１４の内面の凹部１４ａに深く侵入したまま、該凹部１４ａを埋めるように、溝１４の内面に沿って形成される。これにより、溝１４の凹凸部が緩和され溝１４の内面が平滑に仕上げられる。
【００１７】
また、このように溝１４の内面の凹部１４ａを埋めるのにＴＥＯＳのエタノール溶液等の金属アルコキシド溶液を用いているので、溝１４の内面にＳｉＯ2膜１５等の金属酸化膜を低温度（〜１８０℃）で形成することができる。また、隔壁１３を形成するとともに切削した溝１４の内面を平滑に仕上げるのに、高温焼成が不必要である。
【００１８】
なお、上記第１の実施の形態では、ＳｉＯ2膜１５を形成するための材料としてＴＥＯＳを用いているが、これに限られることなく、他のシリコンアルコキシドを用いても良い。また、金属アルコキシドとして、金属にＭｇ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｌａ、Ｓｒ、Ｐｂ等を用い、これらのアルコキシド、あるいはこれらの混合されたアルコキシドを用いても良い。
【００１９】
＜第２の実施の形態＞
図２は、本発明の第２の実施の形態を示すものであって、プラズマディスプレイパネルの製造方法の工程を示す工程図である。
この第２の実施の形態では、ガラス基板１１上にエッチングレジスト１２を形成する工程、ガラス基板１１を切削する工程、ガラス基板１１上にＴＥＯＳのエタノール溶液を塗布する工程、ガラス基板１１を加熱乾燥し、溝１４の内面に沿ってＳｉＯ2膜１５を形成する工程は、前記した第１の実施の形態と同様である。
【００２０】
ここでは、さらに、その後に酸化クロム（Ｃｒ2Ｏ3）を蒸着し、前記ＳｉＯ2膜１５の上に酸化クロム膜１６を形成する。このとき、ガラス基板１１の上面に酸化クロムが付着しないよう、ガラス基板１１を加熱乾燥する工程時にはエッチングレジスト１２をそのまま残し、エッチングレジスト１２をガラス基板１１上に付着させたまま酸化クロムを蒸着する。酸化クロム膜１６の厚さは数μｍ程度とする。酸化クロムは、絶縁性を持ち、かつ金属光沢を持つ性質を有する。
【００２１】
この後、エッチングレジスト１２を剥離し、従来公知の印刷法あるいはフォトリソグラフィ法を用いて、酸化クロム膜１６上に電極１７を形成し、さらに誘電体層１８を形成する。この誘電体層１８には可視光線領域で透明な材料を用いる。
その後、各放電セルに応じた蛍光体層１９を形成し、背面板を完成させるのである。
【００２２】
なお、上記の実施の形態では、ＳｉＯ2膜１５の上に酸化クロム膜１６を形成しているが、これに限られることなく、光沢性があってかつ絶縁性を有していれば、ＳｉＯ2膜１５の上に他の材料の酸化金属膜を形成しても良い。
また、上記の各実施の形態では、ガラス基板１１の切削した溝１４の内面全域にわたってＳｉＯ2膜１５を形成しているが、必ずしも溝１４の内面全域ＳｉＯ2膜１５を設ける必要がなく、溝内面の少なくとも凹部１４ａにＳｉＯ2膜１５を形成していれば足りる。
【００２３】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば以下の優れた効果を奏する。請求項１にかかるプラズマディスプレイパネルの製造方法によれば、ガラス基板を部分的に切削し、残された部分で隔壁を形成する工程と、ガラス基板の切削された溝の内面に金属アルコキシド溶液を塗布する工程と、金属アルコキシド溶液を塗布した前記一方のガラス基板を加熱することにより、溝の内面の少なくとも凹部に金属酸化膜を形成する工程とを備えてなるものであり、ガラス基板の切削された溝の内面に金属アルコキシド溶液を塗布したときに、この金属アルコキシド溶液が、溝の内面の荒らされた凹凸部の凹部に侵入し、その後、ガラス基板が加熱されるときに、金属アルコキシド溶液が乾燥されて、金属酸化膜が溝の内面の凹部に侵入したまま形成されることから、溝の内面が平滑に仕上げられる。この結果、その後、溝の内面に形成する電極の表面粗さを緩和することができ、このため、断線、抵抗値のばらつき等を抑えられ、歩留まりが向上する。
【００２４】
また、金属酸化膜を形成する工程の後に、さらに、溝の内面に絶縁性を有する酸化クロム膜を形成する工程を備えるから、溝に設けられる蛍光体から励起光が発せられるときに、この励起光が光沢性を有する酸化クロム膜によって反射されることとなり、蛍光体の発光効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明に係るプラズマディスプレイパネルの製造方法の第１の実施の形態を示す工程図である。
【図２】  本発明に係るプラズマディスプレイパネルの製造方法の第２の実施の形態を示す工程図である。
【図３】  従来のプラズマディスプレイパネルの一例を示す斜視図である。
【符号の説明】
１１…ガラス基板、
１２…エッチングレジスト、
１３…隔壁、
１４…溝、
１４ａ…凹部
１５…ＳｉＯ2膜（金属酸化膜）
１６…酸化クロム膜（光沢性と絶縁性を有する金属酸化膜）
１７…電極
１８…誘電体層
１９…蛍光体層
【図１】
0004030713.tif 000002
【図２】
0004030713.tif 000003
【図３】
0004030713.tif 000004