(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の（ａ）〜（ｅ）を含んでなることを特徴とするシリコン半導体ウェーハの研磨用組成物。
（ａ）二酸化ケイ素、
（ｂ）水、
（ｃ）セルロース誘導体である水溶性高分子化合物、
（ｄ）アンモニア、水酸化アンモニウム、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ピペラジン・六水和物、無水ピペラジン、１−（２−アミノエチル）ピペラジン、Ｎ−メチルピペラジン、ジエチレントリアミン、および水酸化テトラメチルアンモニウムからなる群より選ばれる化合物の少なくとも１種類である含窒素塩基性化合物、および
（ｅ）メタノ−ル、エタノール、プロピレングリコール、およびグリセリンからなる群より選ばれる少なくとも１種類のアルコール性水酸基を有する化合物。
【請求項２】
二酸化ケイ素が、コロイダルシリカ、フュームドシリカ、および沈澱法シリカからなる群から選ばれるものの少なくとも１種類である、請求項１に記載の研磨用組成物。
【請求項３】
セルロース誘導体が、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシエチルメチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、メチルセルロース、エチルセルロース、エチルヒドロキシエチルセルロース、およびカルボキシメチルエチルセルロースからなる群より選ばれる化合物の少なくとも１種類である、請求項１または２に記載の研磨用組成物。
【請求項４】
アルコール性水酸基を有する化合物の含有量が、研磨用組成物の重量を基準にして０．００１〜３０重量％である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の研磨用組成物。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウェーハの表面加工に好適な研磨用組成物に関するものである。
【０００２】
さらに詳しくは、本発明は、シリコン半導体ウェーハの鏡面研磨において、ウェーハ表面に付着するパーティクルを低減させることができると同時に、優れた研磨表面を形成することが可能な研磨用組成物に関するものである。
【０００３】
【従来の技術】
近年のコンピュータ−を始めとする所謂ハイテク製品の進歩は目覚ましく、これに使用される部品、例えばＵＬＳＩ、は年々高集積化・高速化の一途をたどっている。これに伴い、半導体装置のデザインルールは年々微細化が進み、デバイス製造プロセスでの焦点深度は浅くなり、デバイス形成前のウェーハに要求される無傷性および平滑性は厳しくなってきている。無傷性、平滑性のパラメータとしては、各種表面欠陥、すなわちスクラッチ、ＬＰＤ（Light Point Defect、詳細後記）、表面粗さ、Ｈａｚｅレベル、ＳＳＳ（Sub-Surface Scratch、潜傷とも呼ばれる微細なスクラッチの一種）などが挙げられる。
【０００４】
ＬＰＤとは、ウェーハの表面欠陥を表すもので、ＣＯＰ（Crystal Originated Particle）に起因するものと、ウェーハ表面に付着した異物（以下、「パーティクル」という）に起因するものとがある。
【０００５】
ＣＯＰは、シリコンインゴット引き上げ時に発生するシリコン結晶構造上の欠陥であるため除去することは困難である。一方、パ−ティクルは、ウェーハの工程においてウェーハ表面に付着した砥粒、水溶性高分子化合物等の添加剤、研磨パッド屑、研磨により除去されたシリコンの切り粉、空気中の塵およびその他の異物である。
【０００６】
一方、Ｈａｚｅとは、暗室内で鏡面状態のウェーハ表面に強い光束を照射したときに目視で観察できる、光の乱反射により乳白色に見える曇りをいう。また、測定器では、ウェーハに対しレーザ光を出射したときの散乱光を集光し電気信号に変換することで測定されるもので、ウェーハ表面に存在する、表面粗さ計では測定困難な微細な凹凸の代用特性として用いられている。
【０００７】
代表的な半導体基盤であるシリコンウェーハは、シリコン単結晶インゴットを切断（スライス）してウェーハとしたものを、ラッピングと呼ばれる粗研磨を行い外形成形する。そして、スライスやラッピングによりウェーハ表層部に生じたダメージ層をエッチングおよび一次ポリシングにて除去した後、二次ポリシングを行う。そして、一般に二酸化ケイ素、水、塩基性化合物、および水溶性高分子化合物を含む研磨用組成物を使用して最終的な鏡面仕上げであるファイナルポリシングを行った後、洗浄、乾燥することにより製造される。プロセスによっては、二次ポリシングが省略されることや、二次ポリシングとファイナルポリシングの間にさらに研磨工程が追加されることもある。
【０００８】
上記に代表されるプロセスにより製造されたウェーハ表面に、表面欠陥であるＬＰＤが存在すると、後のデバイス形成工程においてパターン欠陥、絶縁物耐圧不良、イオン打ち込み不良およびその他のデバイス特性の劣化を招来し、歩留まり低下の要因となるため、ＬＰＤの少ないウェーハまたはウェーハの製造法が検討されているが、従来の方法では十分ではなく、よりＬＰＤの少ないウェーハを得る方法が検討されている。
【０００９】
このような観点から、従来から、ＬＰＤの原因となるパーティクルをウェーハから除去する方法が検討されている。このようなパーティクルを除去する方法については、例えば特開平８−１７７７５号公報には、鏡面研磨後の洗浄工程において使用される水酸化アンモニウム、過酸化水素水および水からなる洗浄液と、それを用いて６５〜７５℃にてウェーハを洗浄する方法が開示されている。また、特開平９−９２６３６号公報には、鏡面研磨後の洗浄工程において使用されるフッ酸、アンモニア水、過酸化水素水および水からなる洗浄液と、それを用いた洗浄方法が開示されている。これら以外にも、パーティクル除去の目的で、洗浄液の組成や、超音波およびその他による洗浄方法、およびこれらを組み合わせたものが種々検討されている。
【００１０】
しかし、前記したパーティクルを除去する方法は、いずれも鏡面研磨後の洗浄工程において、鏡面研磨後にウエーハ表面に付着したパーティクルを除去しようとするものであり、ＬＰＤの発生原因のひとつであるパーティクルの付着を防止しようとするものではなかった。
【００１１】
また、前記の洗浄によるパーティクルの除去は、洗浄工程に負荷が掛かり、洗浄工程の複雑化、洗浄装置の大型化、洗浄工程のコストアップのみならず、被洗浄物であるウェーハのＨａｚｅおよびマイクロラフネスを悪化させたり、ＣＯＰを拡大、増加させることがあり、生産性低下の要因となるという間題点があった。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は前記の課題を解決するためになされたもので、シリコン半導体ウェーハの鏡面研磨において、Ｈａｚｅレベルおよび表面粗さ改善特性を低下させることなく、ウェーハ表面に付着するパーティクルを低減させることができると同時に、優れた研磨表面を形成させることが可能な研磨用組成物を提供することを目的とするものである。
【００１３】
＜発明の概要＞
＜要旨＞
本発明のシリコン半導体ウェーハの研磨用組成物は、下記の（ａ）〜（ｅ）を含んでなること、を特徴とするものである。
（ａ）二酸化ケイ素、
（ｂ）水、
（ｃ）セルロース誘導体である水溶性高分子化合物、
（ｄ）アンモニア、水酸化アンモニウム、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ピペラジン・六水和物、無水ピペラジン、１−（２−アミノエチル）ピペラジン、Ｎ−メチルピペラジン、ジエチレントリアミン、および水酸化テトラメチルアンモニウムからなる群より選ばれる化合物の少なくとも１種類である含窒素塩基性化合物、および
（ｅ）メタノ−ル、エタノール、プロピレングリコール、およびグリセリンからなる群より選ばれる少なくとも１種類のアルコール性水酸基を有する化合物。
【００１５】
＜効果＞
本発明の研磨用組成物は、シリコン半導体ウェーハの鏡面研磨において、Ｈａｚｅレベルおよび表面粗さ改善特性を低下させることなく、ウェーハ表面に付着するパーティクルを低減させることができる。
【００１６】
【発明の具体的説明】
＜研磨材＞
本発明の研磨用組成物の成分の中で主研磨材として用いるのに適当な研磨材は、二酸化ケイ素であり、コロイダルシリカ、フュームドシリカ、沈澱法シリカ、およびその他の、製造法や性状の異なるものが多種存在する。これらのうち、本発明の研磨用組成物に用いる二酸化ケイ素はコロイダルシリカ、フュームドシリカ、または沈澱法シリカであることが好ましい。
【００１７】
このうち、コロイダルシリカは、ケイ酸ナトリウムをイオン交換して得られた超微粒子コロイダルシリカを粒子成長させるか、アルコキシシランを酸またはアルカリで加水分解することにより製造されるのが一般的である。このような湿式法により製造されるコロイダルシリカは、通常、一次粒子または二次粒子の状態で水中に分散したスラリーとして得られる。
【００１８】
本発明において、コロイダルシリカを用いる場合、一般的には前記の方法で製造されたものを用いることもできるが、半導体基盤の研磨加工などを意図した場合には金属不純物が敬遠されることが多いので、高純度コロイダルシリカを用いることが好ましい。この高純度コロイダルシリカは、有機ケイ素化合物を湿式で加水分解することにより製造され、金属不純物が極めて少なく、中性領域でも比較的安定であるという特徴を有する。
【００１９】
また、本発明の研磨用組成物に用いることのできるフュ−ムドシリカは、四塩化ケイ素と酸水素を燃焼させることにより製造されるものである。気相法により製造される、このフュームドシリカは、一次粒子が数個〜数十個集まった鎖構造の二次粒子を形成しており、金属不純物の含有量が比較的少ない。このようなフュームドシリカは、例えば、日本アエロジル社より、Ａｅｒｏｓｉｌの商品名で市販されている。
【００２０】
一方、本発明の研磨用組成物に用いることのできる沈澱法シリカは、ケイ酸ナトリウムと酸を反応させることにより製造される含水無晶形二酸化ケイ素である。湿式法により製造される、この沈澱法シリカは、球状一次粒子が、二次、三次にブドウ状に凝集して一つの粒子を形成しており、比表面積および細孔容積が比較的大きい。このような沈澱法シリカは、例えば、シオノギ製薬より、カープレックスの商品名で市販されている。
【００２１】
二酸化ケイ素は、砥粒としてメカニカルな作用により被研磨面を研磨するものである。その粒径は、ＢＥＴ法により測定した比表面積から求められる平均的な一次粒子径で一般に０．００１〜０．５μｍ、好ましくは０．００５〜０．２μｍ、より好ましくは０．０１〜０．１μｍ、である。
【００２２】
二酸化ケイ素の平均粒子経がここに示した範囲を超えて大きいと、研磨された表面の表面粗さが大きかったり、スクラッチが発生したりするなどの問題がある。逆に、ここに示した範囲よりも小さいと、研磨速度が極端に小さく表面粗さ改善特性が悪化してしまい実用的でない。
【００２３】
研磨用組成物中の研磨材の含有量は、通常、組成物全量に対して一般に０．００５〜５０重量％、好ましくは０．０１〜３０重量％、より好ましくは０．０５〜１０重量％、である。研磨材の含有量が余りに少ないと研磨速度が小さく、表面粗さ改善特性が悪化してしまい、逆に余りに多いと均一分散が保てなくなり、かつ組成物の粘度が過大となって取扱いが困難となることがある。
【００２４】
＜水溶性高分子化合物＞
本発明の研磨用組成物は、水溶性高分子化合物を含んでなる。研磨直後のウェーハ表面は撥水性を有しており、この状態のウェーハ表面に研磨用組成物、空気中の塵およびその他の異物が付着した場合、組成物中の研磨材や異物が乾燥固化してウェーハ表面に固着し、ウェーハ表面にパーティクルを付着させる原因となる。このため、本発明の研磨用組成物において、水溶性高分子化合物は研磨終了から次工程である洗浄までのわずかな時間にウェーハ表面が乾燥しないようウェ−ハ表面に親水性を持たせるものである。使用する水溶性高分子化合物は、組成物中に溶存していることが必要である。
【００２５】
用いる水溶性高分子化合物は、本発明の効果を損なわないものであれば特に限定されないが、一般に、分子量が１００，０００以上、好ましくは１，０００，０００以上、の水溶性基を有する高分子化合物である。ここでいう水溶性基としては、例えば水酸基、カルボキシル基、カルボン酸エステル基、スルホン酸基、およびその他が挙げられる。このような水溶性高分子化合物は、具体的には、セルロース誘導体およびポリビニルアルコールの少なくとも１種類であることが好ましい。また、セルロース誘導体は、カルボキシメチルセルロ−ス、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシエチルメチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、メチルセルロース、エチルセルロース、エチルヒドロキシエチルセルロース、およびカルボキシメチルエチルセルロースからなる群より選ばれる化合物の少なくとも１種類であることが好ましい。一方、ポリビニルアルコールは、平均重合度が２００〜３，０００、けん化度７０〜１００％、の水溶性高分子化合物であることが好ましい。これらの水溶性高分子化合物は任意の割合で併用することもできる。
【００２６】
本発明の研磨用組成物の水溶性高分子化合物の含有量は、用いる水溶性高分子化合物の種類により異なるが、研磨用組成物の全量に対して、好ましくは０．００１〜１０重量％、さらに好ましくは０．００３〜３重量％、より好ましくは０．００５〜０．３重量％、である。水溶性高分子化合物の添加量が前記範囲を超えて過度に多いと、組成物の粘度が過大となり、研磨パッドから組成物の廃液の排出性が悪化することがある。逆に余りに少ないと、研磨後のウェーハの親水性が悪くなり、パ一ティクルが付着しやすくなる傾向にある。
【００２７】
＜塩基性化合物＞
本発明の研磨用組成物は、塩基性化合物を合んでなる。本発明の研磨用組成物において、塩基性化合物は研磨促進剤として、ケミカルな作用により研磨作用を促進するものである。使用する塩基性化合物は、組成物中に溶存していることが必要である。
【００２８】
用いる塩基性化合物は、本発明の効果を損なわないものであれば特に限定されないが、（１）含窒素塩基性化合物から選ばれる化合物の少なくとも１種類、あるいは（２）アルカリ金属およびアルカリ土類金属の、水酸化物、炭酸塩、および炭酸水素塩からなる群から選ばれる化合物の少なくとも１種類、のいずれかであることが好ましい。具体的には、（１）アンモニア、水酸化アンモニウム、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ピペラジン・六水和物、無水ピペラジン、１−（２−アミノエチル）ピペラジン、Ｎ−メチルピペラジン、ジエチレントリアミン、および水酸化テトラメチルアンモニウム、（２）水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム、炭酸ナトリウムおよび炭酸水素ナトリウムが挙げられる。
これらの塩基性化合物は任意の割合で併用することもできる。また、上記の塩基性化合物については、不純物金属イオンが極めて少ない高純度のものを使用することにより、さらに研磨用組成物中に不純物金属イオンを減少させることができるので好ましい。
【００２９】
本発明の研磨用組成物の塩基性化合物の含有量は、用いる塩基性化合物の種類により異なるが、通常、組成物全量に対して、好ましくは０．００１〜３０重量％、さらに好ましくは０．００５〜１０重量％、より好ましくは０．０１〜５重量％、である。塩基性化合物の添加量を増量することで研磨速度が大きくなり、表面粗さ改善特性が向上する傾向があるが、過度に多いと研磨用組成物としてのケミカル作用が強くなりすぎて、強いエッチング作用によりウェーハ表面にピット等の表面欠陥が生じたり、研磨材である砥粒の分散安定性が失われて沈殿物が生じることがある。逆に余りに少ないと、研磨速度が小さく、表面粗さ改善特性が悪化したり、研磨用組成物にゲル化が生じたり、均一分散が保てなくなり、かつ組成物の粘度が過大となって取扱いが困難となることがある。
【００３０】
＜アルコール性水酸基を有する化合物＞
本発明の研磨用組成物は、アルコール性水酸基を１〜１０個有する化合物を含んでなる。このような化合物の研磨機構に対する作用のメカニズムは不明であるが、このような化合物を用いることにより、シリコン半導体ウェーハの研磨時におけるパーティクルの付着が飛躍的に改良される。ここで使用する化合物は、組成物中に溶存していることが必要である。
【００３１】
本発明の研磨用組成物に用いる、アルコール性水酸基を１〜１０個有する化合物は、本発明の効果を損なわないものであれば特に限定されないが、アルコール性水酸基を１〜７個有するものが好ましく、アルコール性水酸基を１〜４個有するものがより好ましい。また、そのような化合物の分子量は、一般に１，０００以下、好ましくは６００以下、さらに好ましくは３００以下、である。このような化合物は、具体的には、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール、プロピレングリコール、エチレングリコール、ポリエチレングリコール、グリセリン、およびジグリセリンからなる群より選ばれる化合物の少なくとも１種類であることが特に好ましい。これらの化合物は任意の割合で併用することもできる。
なお、アルコール性水酸基を有する化合物として、例えば、アミノアルコールを用いることもできる。このような化合物は、前記の塩基性化合物としても作用することのできるものであり、本発明の研磨用組成物においては、アルコール性水酸基を有する化合物として用いることも、塩基性化合物として用いることもできる。このアミノアルコールは後述するアルコール性水酸基を有する含窒素塩基性化合物であり、本発明の第２の態様において、第１の態様における塩基性化合物およびアルコール性水酸基を１〜１０個有する化合物の代わりに用いることのできるものでもある。
【００３２】
本発明の研磨用組成物のアルコール性水酸基を有する化合物の含有量は、用いる化合物の種類により異なるが、研磨用組成物の全量に対して、好ましくは０．００１〜３０重量％、さらに好ましくは０．００３〜３重量％、より好ましくは０．００５〜１重量％、である。アルコール性水酸基を有する化合物の添加量が前記範囲を超えて過度に多いと、ウェーハと組成物を含んだ研磨パッド間の研磨抵抗が小さくなることですべりが生じ、研磨速度が小さくなり粗さ改善特性が悪化してしまう。逆に余りに少ないと、研磨後のウェーハにパーティクルが付着しやすくなる傾向にある。
【００３３】
＜アルコール性水酸基を有する含窒素塩基性化合物＞
本発明の研磨用組成物は、第２の態様において、前記の塩基性化合物と前記のアルコール性水酸基を有する化合物の２種類の化合物のかわりに、双方の性質を合わせ持った化合物、すなわちアルコール性水酸基を有する含窒素塩基性化合物、を含んでなる。
【００３４】
そのような塩基性化合物としては、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ一メチルエタノールアミン、Ｎ−メチル−Ｎ，Ｎ一ジエタノ−ルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメヂルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルエタノールアミン、Ｎ−（β−アミノエチル）エタノ−ルアミン、モノイソプロパノールアミン、ジイソブロパノールアミン、およびトリイソプロパノールアミンが挙げられる。これらの化合物は任意の割合で併用することが可能である。
このようなアルコール性水酸基を有する含窒素塩基性化合物は、前記の塩基性化合物と前記のアルコール性水酸基を有する化合物との、２種類の化合物の双方の性質を合わせ持っているが、さらに前記の塩基性化合物、および（または）前記のアルコール性水酸基を有する化合物を必要に応じて併用することもできる。
【００３５】
＜研磨用組成物＞
本発明の研磨用組成物は、前記の各添加剤を水に溶解または分散させることにより調製する。例えば、まず、二酸化ケイ素を所望の含有率で水に混合し、分散させ、そこへ塩基性化合物を添加する。そして、予め水等で溶解または膨潤させた水溶性高分子化合物とアルコール性水酸基を有する化合物を添加することにより調製する。二酸化ケイ素はこの組成物中に均一に分散して懸濁液となり、研磨用組成物が形成される。これらの成分を水中に分散または溶解させる方法は任意であり、例えば、翼式撹拌機で撹拌したり、超音波分散により分散させる。
【００３６】
また、これらの各成分の混合順序は任意であり、二酸化ケイ素の分散と、塩基性化合物、水溶性高分子化合物またはアルコール性水酸基を有する化合物の溶解のいずれを先に行ってもよく、またこれら全部を同時に行ってもよい。なお、研磨材としてフュームドシリカを用いた場合は、水溶性高分子化合物としてセルロース誘導体を用いると組成物がゲル化する場合があるので注意が必要である。
【００３７】
上記の研磨用組成物の調製に際しては、製品の品質保持や安定化を図る目的や、被加工物の種類、加工条件およびその他の研磨加工上の必要に応して、各種の公知の添加剤をさらに加えてもよい。
【００３８】
すなわち、さらに加える添加剤の好適な例としては、下記のものが挙げられる。
（イ）界面活性剤、例えばアルキルベンゼンスルホン酸ソーダ、ナフタレンスルホン酸のホルマリン縮合物、およびその他、
（ロ）有機ポリアニオン系物質、例えばリグニンスルホン酸塩、ポリアクリル酸塩、およびその他、
（ハ）キレート剤、例えばジメチルグリオキシム、ジチゾン、オキシン、アセチルアセトン、グリシン、ＥＤＴＡ、ＮＴＡ、およびその他。
【００３９】
また、本発明の研磨用組成物に対して、そこに含まれる二酸化ケイ素、塩基性化合物、水溶性高分子化合物およびアルコール性水酸基を有する化合物を、前記した用途以外の目的で、例えば研磨材の沈降防止のために、さらなる添加剤として用いることも可能である。
【００４０】
本発明の研磨用組成物は、比較的高濃度の原料として調製して貯蔵または輸送などをし、実際の研磨加工時に希釈して使用することもできる。前述の好ましい濃度範囲は、実際の研磨加工時のものとして記述したものであり、このような使用方法をとる場合、貯蔵または輸送などをされる状態においてはより高濃慶の溶液となることは言うまでもない。また、取り扱い性の観点から、そのような濃縮された形態で製造されることが好ましい。なお、研磨用組成物について前述した濃度などは、このような製造時の濃度ではなく、使用時の濃度を記載したものである。
【００４１】
以下は、本発明の研磨用組成物を例を用いて具体的に説明するものである。なお、本発明は、その要旨を超えない限り、以下に説明する諸例の構成に限定されるものではない。
【００４２】
【発明の実施の形態】
＜研磨用組成物の内容および調製＞
まず、研磨材として高純度コロイダルシリカ（一次粒子径０．０３５μｍ、二次粒子径０．０７μｍ）を撹拌機を用いて水に分散させて、研磨材濃度５重量％の研磨材分散液を調製した。次いで、予め水で膨潤させておいた、前記研磨材分散液の重量を基準にして０．５重量％のヒドロキシエチルセル口一スを添加し、スラリーを調製した。そして、前記スラリーに、表１に記載した量の塩基性化合物および／またはアルコール性水酸基を１〜１０個有する化合物を添加して、実施例１〜１０および比較例１〜３の試料を調製した。
【００４３】
0004115562.tif 000002
【００４４】
＜試験用ウェーハの作成＞
外径約３００ｍｍのセラミックプレートに、エッチング上がりのＰ型５インチ・シリコンウエ−ハ（結晶方位＜１００＞）３枚をほぼ均等に貼り付け、下記条件にて研磨することで試験用のウェーハを作成した。
0004115562.tif 000003
【００４５】
＜研磨試験＞
次に、前記試験用ウェーハを使用して、実施例１〜１０および比較例１〜３の試料による研磨試験を行った。条件は以下の通りである。
0004115562.tif 000004
【００４６】
研磨開始後、２分経過した時点で一旦研磨を中断し、ウェーハをプレートより取り外し、ＳＣ−１洗浄、乾燥を行った後、ウェーハの表面粗さを測定した。表面粗さ（Ｒａ）は、測定器ＴＯＰＯ−３Ｄ（ＷＹＫＯ社（米国）製）を使用し、ヘツド４０倍にて測定した。表面粗さを測定した後、再度ウェーハをプレートに貼り付け、さらに２分間、計４分間研磨し、再度ＳＣ−１洗浄を行い、乾燥後、上記と同様にしてウェーハの表面粗さを測定した。そして、再度ウェーハをプレートに貼り付け、さらに４分間、計８分間研磨し、ウェーハをプレートより取り外し、ＳＣ−１洗浄を行った後、乾燥させた。そして、上記と同様にしてウェーハの表面粗さを測定した。
【００４７】
上記のようにして測定された、研磨開始後２分、４分および８分後のウェーハの表面粗さを、試験用に作成したウェーハの表面粗さで除することにより、表面粗さ改善特性を求めた。
【００４８】
半導体ウェーハの研磨において、研磨速度の代用値として表面粗さの改善特性がある。これは、研磨前のウェーハの表面粗さ（一般的にはＲａ値）が、目的の表面粗さに違するまでにどれくらいの時間を要するかを表すものであり、研磨時間の経過とともに表面粗さの推移を求めることで、研磨速度の代用値とすることもある。半導体ウェーハの研磨量は極めて少ないため、このような代用値が用いられる。
【００４９】
次に、ＬＳ−６０００（（株）日立電子エンジニアリング製）を使用し、光電子倍増管電圧７００Ｖにて、０．１３μｍ以上のパーティクル個数を測定し、その数値を測定したウェーハの枚数で除することにより、ウェーハ一枚あたりの平均パーティクル個数を求めた。
【００５０】
同様に、ＬＳ−６０００（（株）日立電子エンジニアリング製）を使用し、光電子倍増管電圧９００ＶにてＨａｚｅレベルを測定した。測定された数値が小さいほどＨａｚｅレベルは良好である。
【００５１】
得られた結果は表２に示すとおりである。
【００５２】
0004115562.tif 000005
【００５３】
表２に示した結果より、本発明の研磨用組成物は、従来のアルコール性水酸基を有する化合物を使用しない研磨用組成物に比べて、パーティクルが低減されていることがわかる。
【００５４】
なお、上記の表２において記載しなかったが、これらの試験で用いたウェーハの研磨済加工面の親水性については、実施例、比較例ともに良好であった。
【００５５】
【発明の効果】
本発明の研磨用組成物は、シリコン半導体ウェーハの鏡面研磨において、Ｈａｚｅレベルおよび表面粗さ改善特性を低下させることなく、ウェーハ表面に付着するパーティクルを低減させることができることは、［発明の概要］の項に前記したとおりである。