(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電池からの電力を昇圧用トランスを介して昇圧し整流してメインコンデンサを充電し、撮影にあたり該メインコンデンサに充電された電力を放電して閃光を発するストロボ装置を備えたカメラにおいて、
前記ストロボ装置が、
前記昇圧用トランスの一次巻線に直列に接続された、クロック信号に応じてオンオフするスイッチング素子と、
前記昇圧用トランスの一次側の電圧の交流成分の存在を検知する交流検知回路と、
タイミング上、前記昇圧用トランスによる昇圧が開始された後において、前記交流検知回路により交流成分が存在する旨が検出された場合は、前記スイッチング素子にクロック信号を有効に伝達させ、前記交流検知回路により交流成分が存在しない旨が検出された場合は、該スイッチング素子に伝達されるクロック信号を無能化するドライブ電源回路とを備えたことを特徴とするカメラ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ストロボ装置を備えたカメラに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、内蔵された電池からの電力を昇圧用トランスを介して昇圧し整流してメインコンデンサを充電し、撮影にあたりそのメインコンデンサに充電された電力を放電して閃光を発するストロボ装置を備えたカメラが知られている。
【０００３】
図５は、従来の、ストロボ装置を構成するストロボ充電回路を示す図である。
【０００４】
図５に示すストロボ充電回路３００には、一次巻線の一端が電池３０の＋端子側に接続された昇圧用トランス６１と、その一次巻線の他端と電池３０の−端子側（グラウンドＧＮＤ）との間に配置されたＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２が備えられている。ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２のゲートは、カメラ全体を制御するＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ  Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ  Ｕｎｉｔ）４０の出力ポートＰＯに接続されている。
【０００５】
また、このストロボ充電回路３００には、アノードが昇圧用トランス６１の二次巻線の一端に接続されたダイオード６３と、そのダイオード６３のカソードと二次巻線の他端との間に配置されたメインコンデンサ６４が備えられている。さらに、メインコンデンサ６４の両端には、互いに直列に接続された抵抗６５，６６も備えられている。これら抵抗６５，６６の接続点は、ＭＰＵ４０のアナログ／ディジタルポートＡ／Ｄに接続されている。尚、メインコンデンサ６４の両端は、図示しない閃光発光部に接続されている。
【０００６】
メインコンデンサ６４への充電にあたり、充電開始時にＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２に大きな電流が流れることを防止するとともに、メインコンデンサ６４の電圧ＶＭＣが変化（上昇）してもその電流をできるだけ所定の値に維持するために、メインコンデンサ６４の電圧ＶＭＣの大きさに応じて、例えば３段階にわたってデューティ比が切り換えられてなるクロック信号ＦＣＴ（Ｆｌａｓｈ  Ｃｈａｒｇｅ  Ｔｒｉｇｇｅｒ）がＭＰＵ４０の出力ポートＰＯから出力される。
【０００７】
メインコンデンサ６４の電圧ＶＭＣが０Ｖの時点では、ＭＰＵ４０の出力ポートＰＯから比較的小さなデューティ比を有するクロック信号ＦＣＴが出力される。出力されたクロック信号ＦＣＴは、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２のゲートに入力される。すると、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２がスイッチング動作し、電池３０からの電力が昇圧用トランス６１を介して昇圧され、さらにダイオード６３で整流されてメインコンデンサ６４が充電され、これによりメインコンデンサ６４の電圧が上昇する。この電圧は、メインコンデンサ６４の両端に直列接続された抵抗６５，６６の抵抗値に応じて分圧される。分圧された電圧は、抵抗６５，６６の接続点に接続されたＭＰＵ４０のアナログ／ディジタルポートＡ／Ｄに入力される。ＭＰＵ４０は、そのアナログ／ディジタルポートＡ／Ｄに入力された電圧をＡ／Ｄ変換してその電圧に応じたディジタル値を求め、そのディジタル値に基づいて、メインコンデンサ６４の電圧ＶＭＣのレベルを測定する。
【０００８】
ＭＰＵ４０は、メインコンデンサ６４の電圧ＶＭＣが所定のレベルに達したと判定すると、上記デューティ比よりも高いデューティ比を有するクロック信号ＦＣＴを出力してメインコンデンサ６４を充電するというようにしてメインコンデンサ６４を所望の値にまで充電する。その後、シャッタ操作に同期して、図示しない手段でメインコンデンサ６４に充電された電力を放電して閃光を発することによりストロボ撮影が行なわれる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ここで、例えば電池３０の電圧低下等に起因してＭＰＵ４０が誤動作（暴走）し、そのＭＰＵ４０から出力されているクロック信号ＦＣＴが‘Ｈ’レベルの状態になるというようなことが考えられる。その場合、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２が定常的にオン状態になり、電池３０の＋端子側→昇圧用トランス６１→ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２→グラウンドＧＮＤの経路で比較的大きな電流が流れて、スイッチング素子であるＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２が発熱するという問題が発生する。
【００１０】
本発明は、上記事情に鑑み、スイッチング素子の発熱の防止が図られたカメラを提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成する本発明のカメラは、電池からの電力を昇圧用トランスを介して昇圧し整流してメインコンデンサを充電し、撮影にあたりそのメインコンデンサに充電された電力を放電して閃光を発するストロボ装置を備えたカメラにおいて、
上記ストロボ装置が、
上記昇圧用トランスの一次巻線に直列に接続された、クロック信号に応じてオンオフするスイッチング素子と、
上記昇圧用トランスの一次側の電圧の交流成分の存在を検知する交流検知回路と、
タイミング上、上記昇圧用トランスによる昇圧が開始された後において、上記交流検知回路により交流成分が存在する旨が検出された場合は、上記スイッチング素子にクロック信号を有効に伝達させ、上記交流検知回路により交流成分が存在しない旨が検出された場合は、そのスイッチング素子に伝達されるクロック信号を無能化するドライブ電源回路とを備えたことを特徴とする。
【００１２】
本発明のカメラは、昇圧用トランスの一次側の電圧の交流成分の存在が検知されている場合は、スイッチング素子にクロック信号を有効に伝達させてメインコンデンサを充電し、また上記交流成分の存在が検知されない場合は、そのスイッチング素子に伝達されるクロック信号を無能化するものであるため、何らかの原因でクロック信号が直流レベル（ＤＣレベル）の状態になった場合であっても、スイッチング素子が定常的にオン状態になることが防止される。従って、スイッチング素子に比較的大きな電流が流れて、そのスイッチング素子が発熱するということが防止される。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について説明する。
【００１４】
図１は、本発明の一実施形態のカメラを前面斜め上から見た外観斜視図である。
【００１５】
図１に示すカメラ１０は、一般にアクティブタイプと呼ばれるオートフォーカス（ＡＦ）装置を内蔵した、ロール状の写真フイルム上に写真撮影を行なうカメラである。オートフォーカス装置には、カメラ１０の前面上部に配置されたＡＦ投光窓１２を有しそのＡＦ投光窓１２からカメラ１０の前方に向けて測距用の光を放つ投光部、およびカメラ１０前面の、上記ＡＦ投光窓１２から所定距離離れた位置に配置されたＡＦ受光窓１３を有し上記ＡＦ投光窓１２からカメラ１０の前方に放たれ被写体で反射して戻ってきた光をそのＡＦ受光窓１３から受け入れて受光することにより被写体までの距離を求める受光部が備えられている。
【００１６】
また、このカメラ１０の前面中央部には、光学ズームレンズ１１ａを内部に備えたズーム鏡胴１１が備えられている。
【００１７】
さらに、このカメラ１０には、そのカメラ１０の上面に配備された閃光部２００を有するストロボ装置が備えられている。閃光部２００は、撮影時に被写体に向けて閃光を発する。
【００１８】
また、このカメラ１０には、図示しないズームファインダユニットを構成するズームファインダ窓１４、および内蔵された露出調整用のＡＥセンサに光を導くためのＡＥ受光窓１５も備えられている。さらに、このカメラ１０の上面には、シャッタボタン１８が備えられている。
【００１９】
図２は、図１のカメラを背面斜め上から見た外観斜視図である。
【００２０】
このカメラ１０の背面には、撮影時に被写体に向けて閃光を発するか否かを設定するためのストロボオンオフスイッチ２１、ファインダ接眼窓２２、および光学ズームレンズ１１ａをテレ側（遠距離側）あるいはワイド側（近距離側）に動作させるズーム操作レバー２３が備えられている。
【００２１】
このように構成された本実施形態のカメラ１０には、上記ストロボ装置を構成するストロボ充電回路が備えられている。以下、このストロボ充電回路について説明する。
【００２２】
図３は、図１に示すカメラの、ストロボ装置を構成するストロボ充電回路を示す図である。
【００２３】
尚、前述した図５に示すストロボ充電回路３００の構成要素と同じ構成要素には同一の符号を付し、重複説明は省略する。
【００２４】
図３に示すストロボ充電回路６０は、図５に示すストロボ充電回路３００と比較し、昇圧用トランス６１の一次巻線とＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２のゲートとの間に、交流検知回路６７およびゲートドライブ電源回路６８が配置されている。ゲートドライブ電源回路６８の入力側はＭＰＵ５０の出力ポートＰＯ２に接続されるとともに、そのゲートドライブ電源回路６８の出力側はＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２のゲートに接続されている。また、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２のゲートとグラウンドＧＮＤとの間に抵抗６９が配置されるとともに、そのＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２のゲートとＭＰＵ５０の出力ポートＰＯ１との間に抵抗７０が配置されている。
【００２５】
交流検知回路６７は、昇圧用トランス６１の一次側の電圧の交流成分の存在を検知する。また、ゲートドライブ電源回路６８は、タイミング上、昇圧用トランス６１による昇圧が開始された後において、交流検知回路６７により交流成分が存在する旨検出されるか否かに応じて、それぞれＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２にクロック信号ＦＣＴ２を有効に伝達させ、あるいはそのＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２に伝達されるクロック信号ＦＣＴ２を無能化する。
【００２６】
メインコンデンサ６４の充電にあたっては、先ず、ＭＰＵ５０の出力ポートＰＯ１からクロック信号ＦＣＴ１が出力される。すると、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２がスイッチング動作し、電池３０の＋端子側→昇圧用トランス６１→ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２→グラウンドＧＮＤの経路で交流成分を有する一次電流が流れる。すると、交流検知回路６７により昇圧用トランス６１の一次側の電圧の交流成分の存在が検知され、その交流検知回路６７から‘Ｈ’レベルの検知信号がゲートドライブ電源回路６８に向けて出力される。
【００２７】
所定時間経過後、出力ポートＰＯ１からのクロック信号ＦＣＴ１が終了するとともに、出力ポートＰＯ２からクロック信号ＦＣＴ２が出力される。このクロック信号ＦＣＴ２は、ゲートドライブ電源回路６８に入力される。ここで、ゲートドライブ電源回路６８には‘Ｈ’レベルの検知信号が入力されているため、そのゲートドライブ電源回路６８からはクロック信号ＦＣＴ２が出力される。このようにして、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２のスイッチング動作が継続してメインコンデンサ６４が充電される。
【００２８】
ここで、例えば電池３０の電圧低下等に起因してＭＰＵ５０から出力されているクロック信号ＦＣＴ２が停止して‘Ｈ’レベルになる場合が考えられる。すると、この‘Ｈ’レベルのクロック信号ＦＣＴ２がゲートドライブ電源回路６８を経由してＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２のゲートに入力されるため、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２がオン状態になり、交流成分が含まれない一次電流が流れることとなる。交流検知回路６７では、交流成分が検知されない旨が検出され、その交流検知回路６７から‘Ｌ’レベルの検知信号がゲートドライブ電源回路６８に向けて出力される。ゲートドライブ電源回路６８では、この‘Ｌ’レベルの検知信号を受けて、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２のゲートに向けて‘Ｌ’レベルの信号を出力する。これにより、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２がオフ状態になる。このように、本実施形態では、何らかの原因でクロック信号ＦＣＴ２が‘Ｈ’レベル（ＤＣレベル）の状態になった場合であっても、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２が定常的にオン状態になることが防止される。従って、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２に比較的大きな電流が流れて、そのＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２が発熱するということが防止される。
【００２９】
図４は、図３に示すストロボ充電回路とは異なるストロボ充電回路を示す図である。
【００３０】
図４に示すストロボ充電回路８０では、ゲートドライブ電源回路６８の入力側と抵抗７０の一端が共通接続されている。メインコンデンサ６４の充電にあたっては、それらゲートドライブ電源回路６８の入力側および抵抗７０の一端に、ＭＰＵ４０の出力ポートＰＯからクロック信号ＦＣＴが入力される。すると、ゲートドライブ電源回路６８の出力側からＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２のゲートに向けてクロック信号ＦＣＴが出力される。また、抵抗７０の他端からもＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２のゲートに向けてクロック信号ＦＣＴが出力される。これにより、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２がスイッチング動作して、電池３０の＋端子側→昇圧用トランス６１→ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２→グラウンドＧＮＤの経路で交流成分を有する一次電流が流れる。この交流成分の存在は、交流検知回路６７で検知され、その交流検知回路６７から‘Ｈ’レベルの検知信号がゲートドライブ電源回路６８に向けて出力される。
【００３１】
ゲートドライブ電源回路６８では‘Ｈ’レベルの検知信号が入力されるため、そのゲートドライブ電源回路６８から引き続きクロック信号ＦＣＴ２が出力される。このようにして、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２のスイッチング動作が継続してメインコンデンサ６４が充電される。
【００３２】
ここで、例えば電池３０の電圧低下等に起因してＭＰＵ４０から出力されているクロック信号ＦＣＴが停止して‘Ｈ’レベルになるものとする。すると、この‘Ｈ’レベルのクロック信号ＦＣＴは、ゲートドライブ電源回路６８および抵抗７０を経由してＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２のゲートに入力されるため、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２がオン状態になり、交流成分が含まれない一次電流が流れることとなる。交流検知回路６７では、交流成分が検知されない旨が検出され、その交流検知回路６７から‘Ｌ’レベルの検知信号がゲートドライブ電源回路６８に向けて出力される。ゲートドライブ電源回路６８では、この‘Ｌ’レベルの検知信号を受けて、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２のゲートに向けて‘Ｌ’レベルの信号を出力する。これにより、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２がオフ状態になる。このようにして、何らかの原因でクロック信号ＦＣＴが‘Ｈ’レベルの状態になった場合であっても、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２が定常的にオン状態になることが防止されて、そのＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２が発熱するということが防止される。
【００３３】
尚、上記の各実施形態では他励式のストロボ充電回路について説明したが、本発明は自励式（自己発振式）のストロボ充電回路にも適用することができる。
【００３４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、スイッチング素子の発熱の防止が図られたカメラを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態のカメラを前面斜め上から見た外観斜視図である。
【図２】図１のカメラを背面斜め上から見た外観斜視図である。
【図３】図１に示すカメラの、ストロボ装置を構成するストロボ充電回路を示す図である。
【図４】図３に示すストロボ充電回路とは異なるストロボ充電回路を示す図である。
【図５】従来の、ストロボ装置を構成するストロボ充電回路を示す図である。
【符号の説明】
１０  カメラ
１１  ズーム鏡胴
１１ａ  光学ズームレンズ
１２  ＡＦ投光窓
１３  ＡＦ受光窓
１４  ズームファインダ窓
１５  ＡＥ受光窓
１８  シャッタボタン
２１  ストロボオンオフスイッチ
２２  ファインダ接眼窓
２３  ズーム操作レバー
３０  電池
４０，５０  ＭＰＵ
６０，８０  ストロボ充電回路
６１  昇圧用トランス
６２  ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ
６３  ダイオード
６４  メインコンデンサ
６５，６６，６９，７０  抵抗
６７  交流検知回路
６８  ゲートドライブ電源回路
２００  閃光部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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