(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱された基板載置プレート上に基板を載置または近接載置した状態で基板の熱処理を行う基板熱処理装置において、
前記基板載置プレート内に設けられ、所定温度で蒸発する作動液を収容するとともに、前記作動液の蒸気を滞留させる蒸気空間を有する流体収容室と、
前記基板載置プレートの下方に設けられ、前記流体収容室内の作動液を加熱する加熱手段と、
前記基板載置プレートの下方に、前記加熱手段と重ならないように設けられ、前記基板載置プレートの一部分を液または気体により直接に冷却する冷却手段と
を備えたことを特徴とする基板熱処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板熱処理装置において、
前記基板載置プレートと前記加熱手段との間に、前記基板載置プレートと前記加熱手段との間の熱交換を行うペルチェ素子を介在させた基板熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用のガラス基板、液晶表示装置用のガラス基板、光ディスク用の基板などの各種の基板を加熱処理するための基板熱処理装置に係り、特に加熱された基板載置プレート上に基板を載置または近接載置した状態で基板を加熱処理する装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のこの種の基板熱処理装置を図１２を参照して説明する。
この基板熱処理装置は、半導体製造工程において、半導体ウエハ（以下、単に「基板」という）上に形成されたレジスト膜の露光処理前の加熱処理（プリベーク処理）、露光処理後の加熱処理（ＰＥＢ：Post Exprosure Bake ）および現像後の加熱処理（ポストベーク処理）などに用いられる。
【０００３】
この基板熱処理装置は基板Ｗを所定の温度に加熱するための基板載置プレート１を備えている。基板載置プレート１の内部にはマイカヒータ等の熱源が埋め込まれている。基板載置プレート１の上面には基板Ｗの下面を支持する複数個の球状スペーサ２が配置されている。基板載置プレート１には、基板載置プレート１の上面に出没自在に３本の支持ピン３が設けられている。これらの支持ピン３の基端が昇降フレーム４に連結支持されている。昇降フレーム４の一端にはエアーシリンダ５が連結されており、エアーシリンダ５のロッドの伸縮動作に応じて支持ピン３が昇降するようになっている。
【０００４】
処理対象である基板Ｗは図示しない基板搬送ロボットで搬送されてきて、昇降状態にある支持ピン３上に移載される。続いて支持ピン３が下降して基板Ｗを基板載置プレート１上に載置する。具体的には基板Ｗは球状スペーサ２に接触支持されるので、基板載置プレート１に対しては近接載置された状態になる。この状態で所定時間の加熱処理が行われた後、支持ピン３が上昇して処理済みの基板Ｗを持ち上げて待機状態にする。この基板Ｗを基板搬送ロボットが受け取って搬出する。
【０００５】
図１３はこのときの基板Ｗの熱履歴を示している。すなわち、レジスト膜が形成された基板Ｗが基板載置プレート１上に載置されると、基板Ｗの温度が室温近傍から所定の設定温度Ｔ１、例えば１１０°Ｃにまで昇温される。そして、基板Ｗは所定の加熱処理期間中、設定温度Ｔ１に保持され、一定の待機期間を経て外部に取り出される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
最近では、基板Ｗ上に形成されるパターンの特性に応じて種々のフォトレジストが使用されている。基板熱処理装置における基板Ｗの加熱処理の設定温度Ｔ１はレジストの種類により異なる。したがって、異なる種類のレジストが塗布された基板Ｗが連続して供給される場合、基板Ｗの設定温度Ｔ１を供給される基板Ｗのレジストの種類に応じて即座に変更して基板Ｗの加熱処理を行うことが望まれる。
【０００７】
従来の装置では、基板載置プレート１内のマイカヒータ等の熱源の出力を制御して設定温度Ｔ１を調整している。したがって、次の処理対象の基板Ｗの設定温度Ｔ１が直前の処理済の基板Ｗの設定温度Ｔ１よりも低い場合には、基板載置プレート１の熱源の出力を抑制して基板載置プレート１の表面温度を自然放熱に因って低下させなければならない。
【０００８】
しかしながら、この種の基板熱処理装置の基板載置プレート１は、周囲がカバーで覆われた気密構造を備えているので、自然放熱による冷却効果は極めて小さい。そのため、基板載置プレート１の表面温度は容易に低下しないので、設定温度Ｔ１の異なる基板Ｗを連続して処理することが困難である。このような理由で、従来では、基板Ｗの設定温度Ｔ１の種類ごとに複数台の基板熱処理装置を設けて加熱処理を行っている。その結果、多数の基板熱処理装置が必要になり、そのスペースと設備費が増大するという弊害が生じている。
【０００９】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板に対する熱処理の設定温度の変更を迅速に行うことができる基板熱処理装置を提供することを目的としている。
また、本発明の他の目的は、基板を均一に熱処理することができる基板熱処理装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、加熱された基板載置プレート上に基板を載置または近接載置した状態で基板の熱処理を行う基板熱処理装置において、前記基板載置プレート内に設けられ、所定温度で蒸発する作動液を収容するとともに、前記作動液の蒸気を滞留させる蒸気空間を有する流体収容室と、前記基板載置プレートの下方に設けられ、前記流体収容室内の作動液を加熱する加熱手段と、前記基板載置プレートの下方に、前記加熱手段と重ならないように設けられ、前記基板載置プレートの一部分を液または気体により直接に冷却する冷却手段とを備えたことを特徴とする。
【００１１】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の基板熱処理装置において、前記基板載置プレートと前記加熱手段との間に、前記基板載置プレートと前記加熱手段との間の熱交換を行うペルチェ素子を介在させたものである。
【００１６】
【作用】
請求項１に記載の発明の作用は次のとおりである。
基板の加熱処理時には、加熱手段が基板載置プレートの流体収容室内の作動液を加熱する。加熱された作動液は所定温度で蒸発する。作動液の蒸気は流体収容室内の蒸気空間を滞留して、基板載置プレートに載置または近接載置された基板の下方に相当する流体収容室の天井面に接触する。天井面に接触した蒸気は、そこで冷却されて液化する。この液化のときに蒸気から凝縮熱が放熱されて基板載置プレートの温度が上昇し、基板が加熱される。このとき、流体収容室の天井面のうち、他の部分と比べて温度の低い箇所では、作動液の蒸気の液化の反応が他の部分と比べて活発に起こり、基板載置プレートの温度分布が均一になるように作用し、基板が均一に加熱される。
【００１７】
一方、基板載置プレートの設定温度を低い温度に変更する場合、加熱手段による加熱を制限するとともに、基板載置プレートの一部分を液または気体を用いた冷却手段によって直接に冷却する。基板載置プレートの内部は流体収容室が形成された、言わば空洞状態であるので熱容量は比較的に小さい。そのため、基板載置プレートの温度は速やかに低下する。
【００１８】
請求項２に記載の発明の作用は次のとおりである。
ペルチェ素子は熱電効果により熱を移動させる動作を行う。熱の移動方向は、ペルチェ素子に供給される電流の方向により設定できる。したがって、基板載置プレートと加熱手段との間に介在するペルチェ素子は、基板載置プレートの温度を上昇させる場合には加熱手段の熱を基板載置プレート側へ移動させるように電流の方向が設定される。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。
＜第１実施例＞
図１は本発明に係る基板熱処理装置の概略構成を示した縦断面図である。
図１に示すように、この基板熱処理装置は、筐体１０の内部に半導体ウエハなどの基板Ｗを加熱する基板載置プレート１１を備えている。基板載置プレート１１の上面には基板Ｗの下面を支持する３つの球状スペーサ１２が平面視で正三角形状に配置されている。基板載置プレート１１の下側には基板載置プレート１１を加熱・冷却するための加熱・冷却構造１３が配設されている。本実施例の要部である基板載置プレート１１および加熱・冷却構造１３の構成は後に詳しく説明する。
【００２４】
基板載置プレート１１および加熱・冷却構造１３には、これらを上下に貫く３個の貫通孔１４が形成されている。平面視で正三角形状に配置されている貫通孔１４のそれぞれには支持ピン１５が昇降自在に挿入されている。これらの支持ピン１５の基端が昇降フレーム１６に連結支持されている。昇降フレーム１６の一端は筐体１０の外に導出されて、エアーシリンダ１７のロッドに連結されている。エアーシリンダ１７のロッドが伸長すると支持ピン１５が基板載置プレート１１の上面から突出して基板Ｗを所定位置にまで持ち上げる一方、エアーシリンダ１７のロッドが収縮すると支持ピン１５が基板載置プレート１１内に没入して基板Ｗを基板載置プレート１１上に載置するように構成されている。
【００２５】
筐体１０の前面には基板Ｗを搬入・搬出するための基板給排口１８が設けられている。この基板給排口１８の内側にシャッタ１９が配設されている。シャッタ１９の下端は、支点Ｐ周りに上下に揺動する連結部材２０の一端にピン結合されている。この連結部材２０の他端は昇降フレーム１６の先端部分にピン結合されている。その結果、エアーシリンダ１７のロッドが伸長して支持ピン１５が上昇ると、シャッタ１９が下降して基板給排口１８が開放する一方、エアーシリンダのロッドが収縮して支持ピン１５が下降すると、シャッタ１９が上昇して基板給排口１８を閉じるようになっている。また、筐体１０の上面内側に基板載置プレート１１の上面を覆う上部カバー２１が取付けられている。
【００２６】
次に、図２を参照して基板載置プレート１１および加熱・冷却構造１３の構成を説明する。図２は実施例装置の要部縦断面と制御系の構成を示している。
基板載置プレート１１はアルミニウム、銅などの良伝熱性材料から形成されており、その内部には流体収容室２２が形成されている。この流体収容室２２内に、作動液Ｌとしての水が所定の減圧状態で封入されている。流体収容室２２内の上方は作動液の蒸気を滞留させる蒸気空間Ｓを形成している。作動液Ｌとしては、水以外に、アンモニア、フレオン１１、フレオン１１３、ペンタン、アセトン、メタノール、フルテックＰＰ２、エタノール、ヘプタン、フルテックＰＰ９、サーメックス、水銀などが使用でき、適宜、加熱しようとする温度に合わせて採用するとともに、流体収容室２２内を減圧または加圧することにより、作動液の沸点を所望の温度に設定すればよい。
【００２７】
加熱・冷却構造１３は、ペルチェ素子２３、伝熱プレート２４、ヒータ２５、伝熱プレート２６、ペルチェ素子２７、および冷却部材２８をその順に積層して構成されたもので、ペルチェ素子２３が基板載置プレート１１の下面に接触するように配置されている。周知のようにペルチェ素子２３、２４は、電流が供給されることにより一面側で吸熱し、他面側で放熱する。これにより熱を移動させることができる。熱の移動方向は、供給する電流の方向を切り換えることにより切り換えることができる。特にペルチェ素子２３は、基板載置プレート１１の温度を上昇させる場合には、ヒータ２５から基板載置プレート１１側へ熱を移動させ、また基板載置プレート１１の温度を低下させる場合には、基板載置プレート１１からヒータ２５側へ熱を移動させる。ペルチェ素子２７は、基板載置プレート１１の温度を低下させる場合に、ヒータ２５から冷却部材２８側へ熱を移動させる。
【００２８】
アルミニウムなどの良伝熱性の材料を形成された伝熱プレート２４、２６で挟まれたヒータ２５は、例えばマイカヒータによって構成されている。冷却部材２８は、アルミニウムなどの良伝熱性の材料で形成されており、その内部に冷却水を流通させる流路２８ａが形成されている。冷却水の流路２８ａは循環配管２９を介して外部、例えば本実施例の基板熱処理装置が設置される半導体製造工程の冷却水供給源３０に接続されている。循環配管２９にはメインコントローラ３２によって制御される開閉弁Ｖが設けられている。冷却水は常温でも良いが、冷却効果を高める上で常温以下にまで冷却された冷却水が好ましい。
【００２９】
次に基板載置プレート１１の温度を制御する制御系の構成を説明する。
基板載置プレート１１に温度センサ３１が設けられており、この温度センサ３１の検出信号はメインコントローラ３２および第１温度コントローラ（Ｔ．Ｃ．）３３に与えられる。第１温度コントローラ３３はペルチェ素子２３へ供給する電流を制御する。伝熱プレート２４に温度センサ３４が設けられており、この温度センサ３４の検出信号はメインコントローラ３２および第２温度コントローラ（Ｔ．Ｃ．）３５に与えられる。第２温度コントローラ３５はヒータ２５に与える電流を制御する。また、第３温度コントローラ（Ｔ．Ｃ．）３６は冷却用のペルチェ素子２７に与える電流を制御する。第１〜第３温度コントローラ３３、３５、３６には、ペルチェ素子２３、ヒータ２５、およびペルチェ素子２７へ給電するための電源３７が接続されている。メインコントローラ３２はＣＰＵ（中央演算処理装置）、ＲＡＭ（ランダム・アクセス・メモリ）、ＲＯＭ（リード・オンリー・メモリ）、時間計測のためのカウンタ等を有するマイクロコンピュータを備えている。さらに、メインコントローラ３２には温度制御条件などを入力するためのキーボードなどからなる入力部３８が接続されている。
【００３０】
次に上述した構成を備えた基板熱処理装置の動作を説明する。
以下では、（１）基板載置プレートの温度設定動作、（２）基板投入時の高速昇温動作、および（３）設定温度の変更（降温）動作について説明する。
【００３１】
（１）基板載置プレートの温度設定動作
図３は基板熱処理装置の温度設定動作のフローチャートである。ここでは、基板載置プレート１１の上面温度を１１０°Ｃに設定するものとする。
【００３２】
図３に示すように、基板Ｗの搬入前に、ヒータ２５を駆動して、ステップＳ１およびＳ２の処理を行う。同時にペルチェ素子２３を駆動し、ステップＳ３およびＳ４の処理を行う。すなわち、ステップＳ１において、第２温度コントローラ３５は電源３７からヒータ２５に供給される電流量を制御し、ヒータ２５を発熱させる。そして、メインコントローラ３２は温度センサ３４からの出力に基づいて伝熱プレート２４の温度を監視し、伝熱プレート２４が所定の温度（例えば、９０°Ｃ）になったか否かを判定する（ステップＳ２）。伝熱プレート２４が所定の温度以下の場合には第２温度コントローラ３５によりヒータ２５に電流を供給して発熱させ、所定の温度に達した場合には、ヒータ２５への電流の供給を遮断する。この処理を繰り返し、伝熱プレート２４の温度を９０°Ｃに保持する。
【００３３】
また、上記動作と並行して、ステップＳ３においては、電源３７からペルチェ素子２３に電流が供給され、ペルチェ素子２３の熱移動作用により基板載置プレート１１が昇温される。メインコントローラ３２は基板載置プレート１１の温度センサ３１からの検出信号に基づき、基板載置プレート１１の温度が所定温度、すなわち１１０°Ｃになったか否かを判断する（ステップＳ４）。ペルチェ素子２３は供給される電流の方向を切り換えることにより熱の移動方向を切り換えることができる。そこで、ペルチェ素子２３の電流の供給方向を適宜切り換えて、基板載置プレート１１の温度が所望の１１０°Ｃとなるように調整する。
【００３４】
上記の温度設定処理では、ヒータ２５とペルチェ素子２３とにより基板載置プレート１１の温度設定が行われる。ペルチェ素子２３による熱移動の制御は短時間でかつ正確に行うことができる。したがって、基板載置プレート１１の温度調整をヒータ２５のみで行う場合に比べて短時間でかつ正確に行うことができる。
【００３５】
また、基板載置プレート１１は、その内部に流体収容室２２が形成された、いわば空洞状態であるので、通常の金属プレートなどと比較して熱容量が小さい。しかも、基板載置プレート１１がその下面から加熱されると、流体収容室２２内の作動液Ｌが加熱されて蒸発し、その蒸気が蒸気空間Ｓ内を滞留し、蒸気発生とほぼ同時的にその蒸気が流体収容室２２の天井面に到達して基板載置プレート１１の上面（基板載置面）を迅速に加熱する。したがって、実施例装置によれば、比較的に少ない熱量で基板載置プレート１１を設定温度にまで早く昇温させることができる。さらに、基板載置プレート１１の基板載置面で温度の低い部分があれば、それに近い流体収容室２２の天井面箇所で作動液Ｌの蒸気が集中的に活発に凝縮液化する。そのときの凝縮熱の放熱によりその箇所が集中的に加熱されて温度が上昇して、他の箇所との温度差がなくなる。したがって、本実施例装置によれば、基板載置プレート１１の基板載置面の全体を均一に加熱することができる。
【００３６】
因みに、厚みの薄い金属プレートを基板載置プレートとして用いることによって、熱容量の小さいな基板載置プレートを実現することは可能であるが、このような薄い金属プレートを用いるとプレート表面の温度がばらつきやすくなり、本実施例のように基板載置面の全体を均一な温度にすることが困難である。
【００３７】
（２）基板投入時の高速昇温動作
蒸気の温度設定処理において所定の温度、例えば１１０°Ｃに設定された基板載置プレート１１上に基板Ｗが投入されると、投入時の基板Ｗの温度が室温程度と低いために基板載置プレート１１の表面温度が急激に低下する。そこで、以下の高速昇温動作を行い、基板載置プレート１１の表面温度を所定の温度に迅速に戻す。
【００３８】
図４は、基板載置プレート１１の温度を１１０±０．３°Ｃに制御する場合の高速昇温動作のフローチャートである。また、図５は基板載置プレート１１および基板Ｗの温度変化を示す図である。
【００３９】
基板載置プレート１１が１１０°Ｃに制御されている状態において、例えば室温（約２３°Ｃ）の基板Ｗが基板載置プレート１１上に投入されると、図５に示すように、基板載置プレート１１の温度が急激に低下する。そこで、まず基板載置プレート１１の温度が０．５°Ｃ以上低下したか否かを温度センサ３１の検出信号によってメインコントローラ３２が判断する（ステップＳ１０）。
【００４０】
０．５°Ｃ以上の温度低下を検出すると、メインコントローラ３２からの指令により、第１温度コントローラ３３が最大許容電流をペルチェ素子２３に供給する。これにより基板載置プレート１１が急速に昇温される。メインコントローラ３２は基板載置プレート１１の昇温状態を監視し、基板載置プレート１１の温度が１１０°Ｃに到達するまで、第１温度コントローラ３３からペルチェ素子２３へ最大許容電流が供給されるようにする（ステップＳ１１）。
【００４１】
基板載置プレート１１の温度が１１０°Ｃに達すると（ステップＳ１２）、第１温度コントローラ３３をＰＩＤ制御に切り換え、高速昇温動作を抑制する。そして、ペルチェ素子２３へ供給する電流の方向を制御しながら昇温および降温を行い、基板載置プレート１１の温度を１１０°Ｃ±０．３°Ｃの範囲に制御する。
【００４２】
上記のような高速昇温動作において、基板載置プレート１１をペルチェ素子２３からの熱で加熱しているので、ペルチェ素子２３をフルパワーで駆動して昇温動作を行って基板載置プレート１１の温度が設定温度をオーバーした場合でも、素早く降温動作に切り換えることにより、基板載置プレート１１の温度を短時間で精度よく設定温度に調整することができる。
【００４３】
（３）設定温度の変更（降温）動作
次に処理する基板Ｗの処理温度が、直前に処理されていた基板Ｗの設定温度よりも低い場合の動作について説明する。
加熱処理が終了した基板載置プレート１１の温度は、直前の基板Ｗの処理温度、例えば１１０°Ｃにほぼ等しい状態にある。同様に、伝熱プレート２４の温度は９０°Ｃ近傍に保持されている。そこで、冷却用のペルチェ素子２７を駆動して、ヒータ２５および基板載置プレート１１の温度を低下させる。
【００４４】
メインコントローラ３２は、第２温度コントローラ３５へ指令を出してヒータ２５への給電を停止させるとともに、第１温度コントローラ３３および第３温度コントローラ３６にそれぞれ指令を出してペルチェ素子２３およびペルチェ素子２７を次のように駆動させる。ペルチェ素子２３へ供給する電流の方向を昇温時とは逆方向に切り換えることにより、基板載置プレート１１の熱をヒータ２５側へ移動させるようにする。また、ペルチェ素子２７には、ヒータ２５の余熱を冷却部材２８側へ移動させるように電流を供給する。また、メインコントローラ３２は開閉弁Ｖを開放して冷却部材２８に冷却水を流通させる。以上のようにメインコントローラ３２が各部をコントロールすることにより、基板載置プレート１１の熱はペルチェ素子２３、ヒータ２５、ペルチェ素子２７を通り冷却部材２８に伝えられる。冷却部材２８に伝えられた熱は、冷却部材２８内の流路を流通する冷却水によって外部に排出される。これにより基板載置プレート１１の温度が急速に低下する。
【００４５】
上記の降温動作の間、メインコントローラ３２は温度センサ３１の検出信号を取り込んで基板載置プレート１１の温度を監視している。基板載置プレート１１の温度が次に設定すべき温度以下になると、降温動作を停止させた後、上述した基板載置プレート１１の温度設定動作に入って、基板載置プレート１１を新たな設定温度に調整する。
【００４６】
以上のように、ヒータ２５の下側に冷却用のペルチェ素子２７および冷却部材２８を設けることにより、基板載置プレート１１の温度を迅速に低下させて、新たな所定の温度に設定することができる。また、上述したように基板載置プレート１１の熱容量は小さいので、基板載置プレート１１の温度を速やかに低下させることができる。したがって、加熱処理の設定温度が高い基板と低い基板とが連続して供給された場合でも、基板載置プレート１１の基板載置面の温度を素早く変化させて加熱処理を行うことができる。
【００４７】
＜第２実施例＞
図６は本発明に係る基板熱処理装置の第２実施例の要部構成を示した図である。図６において、図２中の各符号と同一の符号で示した構成部分は第１実施例のものと同様であるので、ここでの説明は省略する。
【００４８】
第２実施例に係る基板熱処理装置の特徴は、第１実施例に備えられた水冷式の冷却部材２８に代えて、空冷式の冷却部材４０を備えたことにある。冷却部材４０は、アルミニウムなどの良伝熱性の材料で形成されており、その内部に圧縮空気を流通させる流路４０ａが形成されている。圧縮空気の流路４０ａは配管４１を介して外部、例えば本実施例の基板熱処理装置が設置される半導体製造工程の給気設備３９に接続されている。配管４１にはメインコントローラ３２で制御される開閉弁Ｖが設けられている。圧縮空気は常温でも良いが、冷却効果を高める上で常温以下にまで冷却された圧縮空気を用いるのが好ましい。圧縮空気を冷却する手段は特に限定しないが、例えばボルテックスチューブ効果を利用した冷却装置を用いることができる。さらに冷却部材４０の下面には放熱フィン４０ｂが形成されて、冷却効果を高めるように構成されている。なお、流路４０ａに圧力空気を流通させるのに代えて、あるいは流路４０ａに圧縮空気を流通させるとともに、放熱フィン４０ｂに圧縮空気を吹きつけて冷却効果を高めてもよい。
【００４９】
この実施例装置によれば、基板載置プレート１１の温度を下げるときに、第１実施例と同様にペルチェ素子２３、２６が制御されるとともに、メインコントローラ３２が開閉弁Ｖを開放して、冷却部材４０に流路４０ａに圧縮空気を供給して循環させる。基板載置プレート１１の熱はペルチェ素子２３、ヒータ２５、およびペルチェ素子２７を通って冷却部材４０に伝達され、圧縮空気によって、あるいは放熱フィン４０ｂから直接に、外部へ排出される。
【００５０】
＜第３実施例＞
図７は本発明に係る基板熱処理装置の第３実施例の要部構成を示した図である。図７において、図２および図６中の各符号と同一の符号で示した構成部分は第１実施例および第２実施例のものと同様であるので、ここでの説明は省略する。
【００５１】
第３実施例に係る基板熱処理装置の特徴は、図６に示した第２実施例装置における伝熱プレート２６および冷却用のペルチェ素子２７を省いて、空冷式の冷却部材４０をヒータ２５の下面に直接に取付けたことにある。本実施例によれば、冷却効果は第１および第２実施例のものよりも劣るが、基板載置プレート１１の熱容量は比較的に小さいので、冷却用のペルチェ素子２７を省いても実用的に支障のない程度に、基板載置プレート１１を迅速に冷却することが可能てある。本実施例では、冷却用のペルチェ素子２７を省いた分だけ、基板熱処理装置の構成を簡素化することができる。
【００５２】
＜第４実施例＞
図８は本発明に係る基板熱処理装置の第４実施例の要部構成を示した図である。図８において、図２および図６中の各符号と同一の符号で示した構成部分は第１実施例および第２実施例のものと同様であるので、ここでの説明は省略する。
【００５３】
第４実施例に係る基板熱処理装置の特徴は、図６に示した第２実施例装置におけるペルチェ素子２３、伝熱プレート２４、２６、およびペルチェ素子２７を省き、基板載置プレート１１の下面に直接に配設されたヒータ２５の下面に空冷式の冷却部材４０を取付けたことにある。本実施例によれば、基板載置プレート１１に設けられた温度センサ３４の検出信号に基づいて第２温度コントローラ３５が基板載置プレート１１の温度を直接に制御する。上述したように基板載置プレート１１は作動液Ｌの蒸気が凝縮するときの熱で加熱されるので、第１〜第３実施例のようなペルチェ素子２３を介在させなくても、基板載置プレート１１の基板載置面を実用的に問題のない程度に均一に加熱することができる。
【００５４】
また、基板載置プレート１１の熱容量は比較的に小さいので、冷却用のペルチェ素子２７を省いても実用的に支障のない程度に、基板載置プレート１１を迅速に冷却することが可能てある。本実施例では、ペルチェ素子２３、２７を省いた分だけ、基板熱処理装置の構成を簡素化することができる。また、ペルチェ素子２３、２７を駆動する電力が不要であるので、省電力の基板熱処理装置を実現することができる。
【００５５】
本発明は上記の第１〜第４実施例のものに限定されず、次のように変形実施することも可能である。
（１）基板載置プレート１１に下方に設けられる加熱・冷却構造を次のように構成してもよい。すなわち、図２に示した第１実施例装置に備えられたペルチェ素子２３および伝熱プレート２４を省いて、ヒータ２５、伝熱プレート２６、ペルチェ素子２７、および水冷式の冷却部材２８（あるいは、空冷式の冷却部材４０）によって加熱・冷却構造を構成する。この場合、図８に示した第４実施例と同様に、ヒータ２５が基板載置プレート１１の下面に直接に取付けられる。
【００５６】
（２）基板載置プレート１１を図９および図１０に示したように構成してもよい。この基板載置プレート１１は、縦断面形状が下向きの凸形状に構成されている。流体収容室２２の下部の小室内に作動液Ｌが収納されている。上方に拡大した空間は作動液Ｌの蒸気が滞留する蒸気空間Ｓになっている。基板載置プレート１１の上方に拡大した部分には、図示しない支持ピンが挿通する３個の貫通孔１４が形成されている。この拡大部分の底面は中心側に向かって低くなった傾斜面に構成され、凝縮液化した作動液Ｌがこの傾斜面を伝って基板載置プレート１１の下部の小室内に戻りやすいようになっている。基板載置プレート１１の下面には、第１〜第４実施例で説明したような加熱・冷却構造１３が取付けられる。流体収容室２２内の作動液Ｌは加熱・冷却構造１３によって加熱されると蒸発して、上方の拡大された蒸気空間Ｓに広がるので、この変形例のように小室内に作動液Ｌを収納しても、基板載置プレート１１の基板載置面を均一に加熱することができる。この変形例によれば、加熱・冷却構造１３を小さくすることができるという利点がある。また、基板載置プレート１１を、図１１に示すように、平面視で四角形に構成することも可能である。
【００５７】
（３）上述した各実施例では、基板載置プレート１１の表面に球状スペーサ１２を設けて、基板Ｗを基板載置プレート１１に近接載置するように構成したが、球状スペーサ１２を省いて、基板載置プレート１１の表面に基板Ｗを直接に載置するようにしてもよい。
【００５８】
（４）各実施例では基板載置プレート１１の降温時にのみ冷却部材２８、４０に冷却水や圧縮空気を流通させるようにしたが、冷却水や圧縮空気を常時流通させるようにしてもよい。
【００５９】
（５）加熱手段は実施例で説明しようなマイカヒータに限らず、棒状のシースヒータや、多段に接続したペルチェ素子などで構成してもよい。
【００６０】
（６）冷却手段は、必ずしも加熱手段の下方に設ける必要はなく、基板載置プレート１１の側方に配置して、基板載置プレート１１を直接に冷却してもよい。例えば、図９に示した例では、作動液Ｌを収容する円筒状の小室の周囲や、流体収容室２２の拡大した傾斜部の底面に冷却手段を配置するようにしてもよい。
【００６１】
（７）冷却手段は、基板載置プレート１１上に基板が載置されていないときに、基板載置プレート１１に冷却空気を噴射して、基板載置プレート１１を冷却するように構成してもよい。
【００６２】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば次のような効果を奏する。
請求項１に記載の発明によれば、基板載置プレートの設定温度を下げる場合に、基板載置プレートの熱を基板載置プレートの一部分を液または気体により直接に冷却する冷却手段によって外部へ放出しているので、基板載置プレートの設定温度を速やかに下げることができる。したがって、処理温度の高い基板と、処理温度の低い基板とを同一の基板熱処理装置で連続して処理することが可能になり、熱処理におけるスペースと設備コストの低減および処理効率の向上を図ることができる。
また、基板載置プレートは流体収容室内の作動液の蒸気の凝縮熱を利用して加熱されるので、基板載置プレートの温度のバラツキが抑制され、その結果、基板に対して均一な熱処理を行うことができる。
【００６３】
請求項２に記載の発明によれば、基板載置プレートと加熱手段との間にペルチェ素子を介在させているので、基板載置プレートと加熱手段との間の熱の移動が円滑になり、基板載置プレートの設定温度の変更を一層迅速、かつ正確に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る基板熱処理装置の第１実施例の全体構成を示した断面図である。
【図２】第１実施例の要部構成を示した図である。
【図３】第１実施例の通常昇温動作を示したフローチャートである。
【図４】第１実施例の高速昇温動作を示したフローチャートである。
【図５】基板載置プレートおよび基板の温度変化を示したグラフである。
【図６】第２実施例の要部構成を示した図である。
【図７】第３実施例の要部構成を示した図である。
【図８】第４実施例の要部構成を示した図である。
【図９】基板載置プレートの変形例の縦断面図である。
【図１０】図９に示した基板載置プレートの斜視図である。
【図１１】基板載置プレートの別の変形例の斜視図である。
【図１２】従来の基板熱処理装置の概略構成を示した図である。
【図１３】従来の基板熱処理装置による基板の熱履歴を示したグラフである。
【符号の説明】
１１…基板載置プレート
１３…加熱・冷却構造
２２…流体収容室
２３、２７…ペルチェ素子
２５…ヒータ
２８…水冷式の冷却部材
４０…空冷式の冷却部材
Ｗ…基板
Ｌ…作動液
Ｓ…蒸気空間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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