(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
位置情報を含むヘッダと、データを含む記録フィールドとからなる記録フォーマットの情報領域を有する記録媒体から、光ビームを用いてマスク効果により情報を再生する再生方法であって、
前記光ビームのパワーを、
前記ヘッダにおいて、データが記録されている記録フィールドのデータフィールドにおけるパワーＬ３よりも低くなるパワーＬ１に制御する第１の制御ステップと、
記録フィールドの先頭付近において、マスクが形成されて前記データフィールドのデータが再生可能になる前記パワーＬ３より高いパワーＬ２に制御する第２の制御ステップと、
前記記録フィールドのデータフィールドにおいて、前記パワーＬ２より低く、継続してデータフィールドを再生するのに十分なパワーＬ３に制御する第３の制御ステップと、
を含むことを特徴とする、再生方法。
【請求項２】
前記記録媒体の種別を判別する判別ステップを更に有し、高密度記録媒体であると判別された場合に前記制御ステップが実行されることを特徴とする、請求項１記載の再生方法。
【請求項３】
前記第２の制御ステップは、前記パワーＬ２を、前記データフィールドに記録されているデータを消去する際の消去パワーより低いパワー値に設定することを特徴とする、請求項１又は２項記載の再生方法。
【請求項４】
前記第２の制御ステップは、前記パワーＬ２を前記パワーＬ３の約１．０１倍〜約２．００倍のパワー値に設定することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項記載の再生方法。
【請求項５】
前記第２の制御ステップは、温度又は前記記録媒体上の位置に応じて前記パワーＬ２を可変設定することを特徴とする、請求項１〜請求項４のいずれか１項記載の再生方法。
【請求項６】
位置情報を含むヘッダと、データを含む記録フィールドとからなる記録フォーマットの情報領域を有する記録媒体から、光ビームを用いてマスク効果により情報を再生する記憶装置であって、
前記光ビームを出射する光源と、
前記光ビームのパワーを、前記ヘッダにおいて、データが記録されている記録フィールドのデータフィールドにおけるパワーＬ３よりも低くなるパワーＬ１に制御し、記録フィールドの先頭付近において、マスクが形成されて前記データフィールドのデータが再生可能になる前記パワーＬ３より高いパワーＬ２に制御し、前記記録フィールドのデータフィールドにおいて、前記パワーＬ２より低く、継続してデータフィールドを再生するのに十分なパワーＬ３に制御する制御手段と、
を備えたことを特徴とする、記憶装置。
【請求項７】
前記記録媒体の種別を判別する判別手段を更に備え、高密度記録媒体であると判別された場合に前記制御手段が前記制御を実行することを特徴とする、請求項６記載の記憶装置。
【請求項８】
前記記録フィールドは、記録フィールドの開始を示すギャップ部、ＰＬＬ位相同期及びＡＧＣのためのＶＦＯフィールド、データに同期するための同期部、及び前記データフィールドを含み、
前記制御手段は、前記ＶＦＯフィールド開始前に前記光ビームのパワーを前記パワーＬ２から前記パワーＬ３に減少させるように前記光源を制御することを特徴とする、請求項６又は請求項７記載の記憶装置。
【請求項９】
前記記録フィールドは、記録フィールドの開始を示すギャップ部、ＰＬＬ位相同期及びＡＧＣのためのＶＦＯフィールド、データに同期するための同期部、及び前記データフィールドを含み、
前記制御手段は、前記ＶＦＯフィールド開始後、且つ、前記データフィールドの開始前に前記光ビームのパワーを前記パワーＬ２から前記パワーＬ３に減少させるように前記光源を制御することを特徴とする、請求項６又は請求項７記載の記憶装置。
【請求項１０】
前記制御手段は、前記光ビームを前記パワーＬ２に設定する期間、前記光源をＤＣ発光又はパルス発光させることを特徴とする、請求項６〜請求項９のいずれか１項記載の記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は再生方法及び記憶装置に係り、特に光磁気ディスク等の記録媒体から情報を再生する再生方法及びそのような再生方法を用いる記憶装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光磁気ディスク装置には、ＭＳＲ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｓｕｐｅｒ  Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ）を採用する光磁気ディスク（以下、ＭＳＲディスクと言う）に対して、所謂ダブルマスクＲＡＤ（Ｄｏｕｂｌｅ  Ｍａｓｋ  Ｒｅａｒ  Ａｐｅｒｔｕｒｅ  Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）により情報を再生するものがある。このダブルマスクは、ＭＳＲディスクに加えられる熱と磁場とを制御することにより、トラック方向上の前後に記録された情報の干渉を排除して、記録密度を向上可能とするものである。
【０００３】
ＭＳＲディスク上の制御情報がピット等の幾何学的形状の変化で記録されているコントロールゾーン以外の各ゾーンでは、情報がヘッダと記録フィールドとからなる記録フォーマットで記録される。ヘッダは、セクタの先頭を示すセクタマーク、ＰＬＬ位相同期及びＡＧＣのためのＶＦＯフィールド、後続のＩＤ部に同期するためのアドレスマーク、セクタアドレスを認識する情報を含むＩＤ部等からなり、凹又は凸のピット等の幾何学的形状の変化で記録されている。他方、記録フィールドは、記録フィールドの開始を示すギャップ部、ＰＬＬ位相同期及びＡＧＣのためのＶＦＯフィールド、データに同期するための同期部、データを記録するためのデータフィールド等が、光磁気記録されている。
【０００４】
従来の光磁気ディスク装置では、図１に示すように、ヘッダのＩＤ部の再生が終了すると、ＭＳＲディスク上に照射するレーザダイオード（ＬＤ）等の光源からの光ビームのパワー（以下、ＬＤパワーと言う）を記録フィールドのデータフィールドの再生が可能なＬＤパワーまで上昇させ、上昇させたＬＤパワーで再生を継続する。同図中、（ａ）はＬＤパワーを示し、（ｂ）はゾーンにおけるヘッダのＩＤ部と記録フィールドにおけるデータフィールドを示す。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記マスクとマスクを形成するために必要な熱との間には、図２に示す如きヒステリシスな関係がある。同図中、縦軸はマスクが形成される領域及びマスクが形成されない領域を示し、横軸は再生時のＬＤパワーを示す。このため、再生開始時にデータフィールドのデータを再生するために必要なＬＤパワーは、データフィールドのデータを再生し続けるために必要なＬＤパワーよりも高いということを本発明者らは新規に発見した。
【０００６】
つまり、従来の光磁気ディスク装置では、データフィールドのデータの再生が開始された後のＬＤパワーは、再生開始時にデータフィールドのデータを再生するために必要なＬＤパワーより低くても良いにもかかわらず、データフィールドのデータの再生は、高いＬＤパワーで続けられる。このため、再生が可能なＬＤパワーの範囲が狭い、即ち、再生時のＬＤパワーのマージンが狭い、という問題があることを本発明者らは新規に発見した。
【０００７】
そこで、本発明は、再生時のＬＤパワーのマージンを拡大して高密度化を実現可能な再生方法及び記憶装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の課題は、位置情報を含むヘッダと、データを含む記録フィールドとからなる記録フォーマットの情報領域を有する記録媒体から、光ビームを用いて情報を再生する再生方法であって、記録フィールドの先頭付近における光ビームのパワーＬ２が、データが記録されている記録フィールドのデータフィールドにおけるパワーＬ３より高くなるように制御する制御ステップを含むことを特徴とする再生方法により達成できる。
【０００９】
上記の課題は、位置情報を含むヘッダと、データを含む記録フィールドとからなる記録フォーマットの情報領域を有する記録媒体から、光ビームを用いて情報を再生する記憶装置であって、前記光ビームを出射する光源と、記録フィールドの先頭付近における光ビームのパワーＬ２が、データが記録されている記録フィールドのデータフィールドにおけるパワーＬ３より高くなるように該光源を制御する制御手段を備えたことを特徴とする記憶装置によっても達成できる。
【００１０】
従って、本発明によれば、再生時のＬＤパワーのマージンを拡大して高密度化を実現可能な再生方法及び記憶装置を実現できる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明になる再生方法及び本発明になる記憶装置の各実施例を、以下に図面と共に説明する。
【００１２】
【実施例】
先ず、本発明になる記憶装置の第１実施例を図３〜図７と共に説明する。図３は、記憶装置の第１実施例の構成を示すブロック図である。記憶装置の第１実施例では、本発明が光ディスク装置に適用されている。又、記憶装置の第１実施例は、本発明になる再生方法の第１実施例を採用する。
【００１３】
図３に示すように、光ディスク装置は、大略コントロールユニット１０とエンクロージャ１１とからなる。コントロールユニット１０は、光ディスク装置の全体的な制御を行うＭＰＵ１２、ホスト装置（図示せず）との間でコマンド及びデータのやり取りを行うインタフェース１７、光ディスク（図示せず）に対するデータのリード／ライトに必要な処理を行う光ディスクコントローラ（ＯＤＣ）１４、デジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）１６及びメモリ１８を有する。メモリ１８は、ＭＰＵ１２、ＯＤＣ１４及びインタフェース１７で共用され、例えばダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）や、制御プログラムやフラグ情報等を格納する不揮発性メモリ等を含む。水晶振動子１０１は、ＭＰＵ１２と接続されている。
【００１４】
ＯＤＣ１４には、フォーマッタ１４−１と、誤り訂正符号（ＥＣＣ）処理部１４−２とが設けられている。ライトアクセス時には、フォーマッタ１４−１がＮＲＺライトデータを光ディスクのセクタ単位に分割して記録フォーマットを生成し、ＥＣＣ処理部１４−２がセクタライトデータ単位にＥＣＣを生成して付加すると共に、必要に応じて巡回冗長検査（ＣＲＣ）符号を生成して付加する。更に、ＥＣＣ処理部１４−２はＥＣＣの符号化が済んだセクタデータを例えば１−７ランレングスリミテッド（ＲＬＬ）符号に変換する。
【００１５】
リードアクセス時には、セクタデータに対して１−７ＲＬＬの逆変換を行い、次にＥＣＣ処理部１４−２でＣＲＣを行った後にＥＣＣによる誤り検出及び誤り訂正を行う。更に、フォーマッタ１４−１でセクタ単位のＮＲＺデータを連結してＮＲＺリードデータのストリームとしてホスト装置に転送させる。
【００１６】
ＯＤＣ１４に対しては、リード／ライト大規模集積回路（ＬＳＩ）２０が設けられ、リード／ライトＬＳＩ２０は、ライト変調部２１、レーザダイオード制御回路２２、リード復調部２５及び周波数シンセサイザ２６を有する。レーザダイオード制御回路２２の制御出力は、エンクロージャ１１側の光学ユニットに設けられたレーザダイオードユニット３０に供給される。レーザダイオードユニット３０は、レーザダイオード３０−１とモニタ用ディテクタ３０−２とを一体的に有する。ライト変調部２１は、ライトデータをピットポジションモジュレーション（ＰＰＭ）記録（マーク記録とも言う）又はパルスウィドスモジュレーション（ＰＷＭ）記録（エッジ記録とも言う）でのデータ形式に変換する。
【００１７】
レーザダイオードユニット３０を使用してデータの記録再生を行う光ディスク、即ち、書き換え可能な光磁気（ＭＯ）カートリッジ媒体として、本実施例では、光ディスク上のマークエッジの有無に対応してデータを記録するＰＷＭ記録が採用されている。又、光ディスクの記録フォーマットは、超解像技術（ＭＳＲ）を使用した２.３ＧＢフォーマットであり、ＺＣＡＶ方式を採用している。光ディスク装置に光ディスクをロードすると、先ず光ディスクの識別（ＩＤ）部をリードしてそのピット間隔からＭＰＵ１２で光ディスクの種別（３．５インチサイズ、１２８ＭＢ，２３０ＭＢ，５４０／６４０ＭＢ，１．３ＧＢ，２．３ＧＢ，...といった記憶容量、種別等）を認識し、種別の認識結果をＯＤＣ１４に通知し、種別に応じた各種パラメータの設定がなされる。
【００１８】
ＯＤＣ１４に対するリード系統としては、リード／ライトＬＳＩ２０が設けられ、リード／ライトＬＳＩ２０には上記の如くリード復調部２５と周波数シンセサイザ２６とが内蔵される。リード／ライトＬＳＩ２０に対しては、エンクロージャ１１に設けたＩＤ／ＭＯ用ディテクタ３２によるレーザダイオード３０−１からのレーザビームの戻り光の受光信号が、ヘッドアンプ３４を介してＩＤ信号（エンボスピット信号）及びＭＯ信号として入力されている。
【００１９】
リード／ライトＬＳＩ２０のリード復調部２５には、自動利得制御（ＡＧＣ）回路、フィルタ、セクタマーク検出回路等の回路機能が設けられ、リード復調部２５は入力されたＩＤ信号及びＭＯ信号からリードクロック及びリードデータを生成してＰＷＭデータを元のＮＲＺデータに復調する。又、ゾーンＣＡＶを採用しているため、ＭＰＵ１２からリード／ライトＬＳＩ２０に内蔵された周波数シンセサイザ２６に対してゾーン対応のクロック周波数を発生させるための分周比の設定制御が行われる。
【００２０】
周波数シンセサイザ２６は、プログラマブル分周器を備えたフェーズロックドループ（ＰＬＬ）回路であり、光ディスク上のゾーン位置に応じて予め定めた固有の周波数を有する再生用基準クロックをリードクロックとして発生する。即ち、周波数シンセサイザ２６は、プログラマブル分周器を備えたＰＬＬ回路で構成され、通常モードでは、ＭＰＵ１２がゾーン番号に応じて設定した分周比ｍ／ｎに従った周波数ｆｏの記録/再生用基準クロックを、ｆｏ＝（ｍ／ｎ）・ｆｉに従って発生する。
【００２１】
ここで、分周比ｍ／ｎの分母の分周値ｎは、光ディスクの種別に応じた固有の値である。又、分周比ｍ／ｎの分子の分周値ｍは、光ディスクのゾーン位置に応じて変化する値であり、各光ディスクに対してゾーン番号に対応した値のテーブル情報として予め準備されている。更に、ｆｉは、周波数シンセサイザ２６の外部で発生した記録/再生用基準クロックの周波数を示す。
【００２２】
リード／ライトＬＳＩ２０で復調されたリードデータは、ＯＤＣ１４のリード系統に供給され、１−７ＲＬＬの逆変換を行った後にＥＣＣ処理部１４−２の符号化機能によりＣＲＣ及びＥＣＣ処理を施され、ＮＲＺセクタデータに復元される。次に、フォーマッタ１４−１でＮＲＺセクタデータを繋げたＮＲＺリードデータのストリームに変換し、メモリ１８を経由してインタフェース１７からホスト装置に転送される。
【００２３】
ＭＰＵ１２に対しては、ＤＳＰ１６を経由してエンクロージャ１１側に設けた温度センサ３６の検出信号が供給されている。ＭＰＵ１２は、温度センサ３６で検出した光ディスク装置内部の環境温度に基づき、レーザダイオード制御回路２２におけるリード、ライト及びイレーズの各発光パワーを最適値に制御する。
【００２４】
ＭＰＵ１２は、ＤＳＰ１６を経由してドライバ３８によりエンクロージャ１１側に設けたスピンドルモータ４０を制御する。本実施例では、光ディスクの記録フォーマットがＺＣＡＶ方式であるため、スピンドルモータ４０は例えば３６３７ｒｐｍの一定速度で回転される。
【００２５】
又、ＭＰＵ１２は、ＤＳＰ１６を経由してドライバ４２を介してエンクロージャ１１側に設けた電磁石４４を制御する。電磁石４４は、光ディスク装置内にロードされた光ディスクのビーム照射側と反対側に配置されており、記録時及び消去時に光ディスクに外部磁界を供給する。ＭＳＲを用いた１.３ＧＢ又は２．３ＧＢフォーマットのＭＳＲ光ディスクでは、再生を行う際にも外部磁界を供給する。
【００２６】
ＤＳＰ１６は、光ディスクに対してレーザダイオード３０からのビームの位置決めを行うためのサーボ機能を備え、目的トラックにシークしてオントラックするためのシーク制御部及びオントラック制御部として機能する。このシーク制御及びオントラック制御は、ＭＰＵ１２による上位コマンドに対するライトアクセス又はリードアクセスに並行して同時に実行することができる。
【００２７】
ＤＳＰ１６のサーボ機能を実現するため、エンクロージャ１１側の光学ユニットに光ディスクからのビーム戻り光を受光するフォーカスエラー信号（ＦＥＳ）用ディテクタ４５を設けている。ＦＥＳ検出回路４６は、ＦＥＳ用ディテクタ４５の受光出力からＦＥＳＥ１を生成してＤＳＰ１６に入力する。
【００２８】
エンクロージャ１１側の光学ユニットには、光ディスクからのビーム戻り光を受光するトラッキングエラー信号（ＴＥＳ）用ディテクタ４７も設けられている。ＴＥＳ検出回路４８は、ＴＥＳ用ディテクタ４７の受光出力からＴＥＳＥ２を生成してＤＳＰ１６に入力する。ＴＥＳＥ２は、トラックゼロクロス（ＴＺＣ）検出回路５０にも入力され、ＴＺＣパルスＥ３が生成されてＤＳＰ１６に入力される。
【００２９】
エンクロージャ１１側には、光ディスクに対してレーザビームを照射する対物レンズの位置を検出するレンズ位置センサ５４が設けられており、レンズ位置センサ５４からのレンズ位置検出信号（ＬＰＯＳ）Ｅ４はＤＳＰ１６に入力される。ＤＳＰ１６は、光ディスク上のビームスポットの位置を制御するため、ドライバ５８，６２，６６を介してフォーカスアクチュエータ６０、レンズアクチュエータ６４及びボイスコイルモータ（ＶＣＭ）６８を制御して駆動する。
【００３０】
図４は、エンクロージャ１１の概略構成を示す断面図である。図４に示すように、ハウジング６７内にはスピンドルモータ４０が設けられ、インレットドア６９側からＭＯカートリッジ７０を挿入することで、ＭＯカートリッジ７０に収納された光ディスク（ＭＯディスク）７２のハブがスピンドルモータ４０のターンテーブルに装着されて光ディスク７２が光ディスク装置にロードされる。
【００３１】
ロードされたＭＯカートリッジ７０内の光ディスク７２の下側には、ＶＣＭ６４により光ディスク７２のトラックを横切る方向に移動自在なキャリッジ７６が設けられている。キャリッジ７６上には対物レンズ８０が搭載され、固定光学系７８に設けられているレーザダイオード３０−１からのビームを立ち上げミラー８２を介して入射して光ディスク７２の記録面にビームスポットを結像する。
【００３２】
対物レンズ８０は、図３に示すエンクロージャ１１のフォーカスアクチュエータ６０により光軸方向に移動制御され、又、レンズアクチュエータ６４により光ディスク７２のトラックを横切る半径方向に例えば数十トラックの範囲内で移動可能である。このキャリッジ７６に搭載されている対物レンズ８０の位置が、図３のレンズ位置センサ５４により検出される。レンズ位置センサ５４は、対物レンズ８０の光軸が直上に向かう中立位置でレンズ位置検出信号をゼロとし、光ディスク７２のアウタ側への移動とインナ側への移動に対して夫々異なる曲性の移動量に応じたレンズ位置検出信号Ｅ４を出力する。
【００３３】
図５は、光学系の要部を示す図である。同図中、立ち上げミラー８２等の図示は省略する。レーザダイオード３０−１から出射された光（レーザ）ビームは、コリメータレンズ１０２により平行光に変換され、ビームスプリッタ１０３に入射される。ビームスプリッタ１０３を透過した光ビームは、対物レンズ８０により光ディスク７２上に集光される。集光された光ビームは、光ディスク７２により反射されて、ビームスプリッタ１０３に再度入射される。ビームスプリッタ１０３に再度入射された光ビームは、ウォラストンプリズム１０６側に反射される。ウォラストンプリズム１０６を通過した光ビームは、複合プリズム１０７及び集光レンズ１０８を介してＩＤ／ＭＯ用ディテクタ３２に入射される。コリメータレンズ１０２、ビームスプリッタ１０３、ウォラストンプリズム１０６、複合プリズム１０７、集光レンズ１０８及びＩＤ／ＭＯ用ディテクタ３２は、図４に示す固定光学系７８内に設けられている。
【００３４】
図６は、ヘッドアンプ３４の要部の構成を示す図である。同図中、ＩＤ／ＭＯ用ディテクタ３２は、光検出部ａ，ｂからなる２分割フォトディテクタにより構成され、ヘッドアンプ３４の加算器３４１は、光検出部ａ，ｂの出力信号ａ，ｂを加算することでＩＤ信号（エンボスピット信号／光再生信号）を出力する。他方、ヘッドアンプ３４の減算器３４２は、光検出部ａの出力信号ａから光検出部ｂの出力信号ｂを減算することでＭＯ信号（光磁気信号）を出力する。
【００３５】
図７は、リード／ライトＬＳＩ回路２０内のリード復調部２５の要部の構成を示す図である。リード復調部２５は、同図に示す如く接続されたマルチプレクサ２５１、ＡＧＣ回路２５２、ＡＧＣレベル検出回路２５３、ＡＣサグキャンセラ２５４、微分回路２５５、ピーククランプ及びスライス設定回路２５６、セクタマーク検出回路２５７、データセパレータ２５８及び周波数シンセサイザ２６からなる。
【００３６】
ヘッドアンプ３４からのＩＤ信号及びＭＯ信号は、ＯＤＣ１４を介して供給されるゲート信号により切替制御されるマルチプレクサ２５１に入力され、１つの信号として出力される。マルチプレクサ２５１の出力信号は、出力レベルを一定にするためのＡＧＣ回路２５２に供給される。このＡＧＣ回路２５２は、ＡＧＣレベル検出回路２５３からの負帰還ループの中に、ローパスフィルタ、イコライザ及び微分器の機能を含む。従って、ＡＧＣ回路２５２からは、高周波ノイズがカットされ、周波数特性が改善されると共に、低周波成分を除去された微分出力が得られる。
【００３７】
ＡＧＣ回路２５２の出力は、微分回路２５５を介してセクタマーク検出回路２５７に供給されると共に、データセパレータ２５８に供給される。セクタマーク検出回路２５７は、微分回路２５５を介してエッジ検出を行うことで、ヘッダのセクタマークを検出してセクタマーク信号を出力する。データセパレータ２５８には、ＡＣサグキャンセラ２５４及びピーククランプ及びスライス設定回路２５６を介してデータを２値化するためのスライスレベルも入力される。これにより、データセパレータ２５８は、ＩＤ信号及びＭＯ信号に対応するリードデータ及びリードクロックを出力し、データはこれらに基いて復調される。上記の如く、周波数シンセサイザ２６は、光ディスク上のゾーン位置に応じて予め定めた固有の周波数を有する再生用基準クロックをリードクロックとして発生する。
【００３８】
次に、本実施例において、前述したようにロードされた記録媒体の媒体種別が２．３ＧＢ以上の高密度記録媒体であると判別された場合に、レーザダイオード（ＬＤ）３０−１から出射される光ビームのパワー（ＬＤパワー）を制御するパワー制御動作について、図８及び図９と共に説明する。尚、２．３ＧＢ以下の低密度記録媒体では、パワーアップ期間はない、データフィールドから記録パワーを与える制御になっている。図８は、本実施例のパワー制御動作を説明するフローチャートである。図９は、再生時のＬＤパワーを説明する図である。図９中、（ａ）はＬＤパワーを示し、（ｂ）は光ディスク７２のゾーンにおけるヘッダのＩＤ部と記録フィールドにおけるデータフィールドを示す。
【００３９】
図８に示す処理は、図３に示すＭＰＵ１２のプログラムやファームウェアにより実行される。同図中、ステップＳ１は、図９（ａ）に示すように、ＬＤパワーＬ１でヘッダのＩＤ部の再生が開始する。ステップＳ２は、ＩＤ部の再生が終了したか否かを判定する。ステップＳ２の判定結果がＹＥＳであると、ステップＳ３は、ＬＤパワーを上げるようにＯＤＣ１４及びリード／ライトＬＳＩ回路２０を介してレーザダイオードユニット３０内のレーザダイオード３０−１のパワーを制御する。これにより、図９中、ＬＤパワーＬ２で記録フィールドの再生が開始される。又、ステップＳ４は、記録フィールドのデータフィールド付近で、ＬＤパワーを継続してデータフィールドを再生するのに十分なＬＤパワーＬ３まで下げ、処理は終了する。ここで、Ｌ２＞Ｌ３＞Ｌ１なる関係が成立する。
【００４０】
ＬＤパワーをＬＤパワーＬ２に上昇させている期間は、例えば約１０ｎｓｅｃ〜約３０μｓｅｃである。又、ＬＤパワーＬ２に上昇させている期間は、例えば記録フィールドのギャップ部まで、即ち、記録フィールドのＶＦＯフィールドの前までであっても良い。ＬＤパワーＬ２は、ＬＤパワーＬ３の例えば約１．０１倍〜約２倍に設定される。
【００４１】
次に、本実施例の第１変形例を、図１０と共に説明する。図１０は、第１変形例においてデータ消去を発生しないＬＤパワーの範囲を説明する図である。同図中、縦軸は、データの消去状態及び記録状態を示し、横軸はＬＤパワーを示す。
【００４２】
図１０に示すように、光ディスク７２に記録されているデータの記録状態は、ＬＤパワーＬｎまでは確実に維持される。しかし、ＬＤパワーＬｎを超えると記録されているデータの記録状態は徐々に低下し、ＬＤパワーＬｅを超えると記録されているデータは消去状態となる。そこで、本第１変形例では、図９（ａ）に示すＬＤパワーＬ２を、ＬＤパワーＬｎ以下、即ち、記録されているデータの消去を発生しない範囲（データを消去する際の消去パワーより低い値）に設定する。
【００４３】
次に、本実施例の第２変形例を、図１１と共に説明する。図１１は、第２変形例における再生時のＬＤパワーを説明する図である。同図中、図９と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
【００４４】
上記第１実施例では、ＬＤパワーをＬＤパワーＬ２からＬＤパワーＬ３に減少させるタイミングを、記録フィールドのＶＦＯフィールドの前までに設定しているが、本変形例では、このタイミングを図１１に示すように、記録フィールドのＶＦＯフィールド開始後、且つ、記録フィールドのデータフィールドの開始前の任意の時点に設定している。
【００４５】
次に、本実施例の第３変形例を、図１２と共に説明する。図１２は、第３変形例におけるＬＤパワー増加量と（環境）温度との関係を示す図である。同図中、縦軸はＬＤパワーをＬＤパワーＬ１からＬＤパワーＬ２に上昇させるための増加量を任意単位で示し、横軸は温度を任意単位で示す。温度は、図３に示す温度センサ３６からの信号に基いてＭＰＵ１２内で認識される。
【００４６】
つまり、本変形例では、温度が高くなる程、ＬＤパワーの増加量を減少させることで、ＬＤパワーＬ２が不必要に高くなることを防止する。
【００４７】
位置／温度に対応するパワー値は、予めテーブル化してメモリ１８等のメモリに格納しておいても、計算により求めてＬＤ制御回路２２に設定しても良い。
【００４８】
次に、本実施例の第４変形例を、図１３と共に説明する。図１３は、第４変形例におけるＬＤパワー増加量と光ディスク上の半径位置との関係を示す図である。同図中、縦軸はＬＤパワーをＬＤパワーＬ１からＬＤパワーＬ２に上昇させるための増加量を任意単位で示し、横軸は光ディスク７２上の半径位置を任意単位で示す。半径位置は、ヘッダから再生される位置情報に基いてＭＰＵ１２内で認識される。
【００４９】
つまり、本変形例では、半径位置が光ディスク７２の外周側にいく程、ＬＤパワーの増加量を増加させることで、ＬＤパワーＬ２が記録フィールドの再生を開始する際に十分高くなるようにする。
【００５０】
次に、本実施例の第５変形例を、図１４と共に説明する。図１４は、第５変形例における再生時のＬＤパワーを説明する図である。同図中、図９と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
【００５１】
上記第１実施例では、ＬＤパワーをＬＤパワーＬ２に上昇している期間、レーザダイオード３０−１をＤＣ発光させている。これに対し、本変形例では、ＬＤパワーをＬＤパワーＬ２に上昇している期間、レーザダイオード３０−１を複数のパルスで構成されたパルスで発光させている。各パルスの幅や振幅は、図１４では同じとしているが、変化させても良い。尚、ＬＤパワーをＬＤパワーＬ２からＬＤパワーＬ２に減少させるタイミングは、図１１の如きタイミングとしても良いことは、言うまでもない。
【００５２】
次に、本発明になる記憶装置の第２実施例を、図１５と共に説明する。図１５は、記憶装置の第２実施例のパワー制御動作を説明するフローチャートである。同図に示す処理は、図３に示すＭＰＵ１２により実行される。記憶装置の第２実施例では、本発明が光ディスク装置に適用されている。又、記憶装置の第２実施例は、本発明になる再生方法の第２実施例を採用する。尚、記憶装置の第２実施例の基本構成は、上記第１実施例の基本構成と同じであるため、その図示及び説明は省略する。
【００５３】
本実施例では、上記各実施例におけるＬＤパワーＬ３を上げるリードリトライ処理を行う。図１５において、ステップＳ１１は、データリードを開始し、ステップＳ１２は、リードエラーが発生したか否かを判定し、判定結果がＮＯであれば処理は終了する。他方、ステップＳ１２の判定結果がＹＥＳであると、エラーを解消する最適なＬＤパワーを求めるために、ステップＳ１３は、記録フィールドのデータフィールドを再生する際のＬＤパワーＬ３を上げるリトライ処理を開始する。ステップＳ１４は、ＬＤパワーＬ３を上げる設定を行い、ステップＳ１５は、記録フィールドのデータフィールドの前でのＬＤパワー２を下げる設定を行う。ステップＳ１６は、ヘッダ（ＩＤ部）と記録フィールド（データフィールド）とのタイミング設定を行う、ステップＳ１７は、記録フィールド内のデータフィールドのデータを再生する。ステップＳ１８は、リードエラーが発生したか否かを判定し、判定結果がＹＥＳであると、処理はステップＳ１４へ戻る。ステップＳ１８の判定結果がＮＯであると、処理は終了する。
【００５４】
次に、本発明になる記憶装置の第３実施例を、図１６と共に説明する。図１６は、記憶装置の第３実施例のパワー制御動作を説明するフローチャートである。同図に示す処理は、図３に示すＭＰＵ１２により実行される。記憶装置の第３実施例では、本発明が光ディスク装置に適用されている。又、記憶装置の第３実施例は、本発明になる再生方法の第３実施例を採用する。尚、記憶装置の第３実施例の基本構成は、上記第１実施例の基本構成と同じであるため、その図示及び説明は省略する。
【００５５】
本実施例では、上記各実施例におけるＬＤパワーＬ３を下げるリードリトライ処理を行う。図１６において、ステップＳ２１は、データリードを開始し、ステップＳ２２は、リードエラーが発生したか否かを判定し、判定結果がＮＯであれば処理は終了する。他方、ステップＳ２２の判定結果がＹＥＳであると、エラーを解消する最適なＬＤパワーを求めるために、ステップＳ２３は、記録フィールドのデータフィールドを再生する際のＬＤパワーＬ３を下げるリトライ処理を開始する。ステップＳ２４は、ＬＤパワーＬ３を下げる設定を行い、ステップＳ２５は、記録フィールドのデータフィールドの前でのＬＤパワー２を上げる設定を行う。ステップＳ２６は、ヘッダ（ＩＤ部）と記録フィールド（データフィールド）とのタイミング設定を行う、ステップＳ２７は、記録フィールド内のデータフィールドのデータを再生する。ステップＳ２８は、リードエラーが発生したか否かを判定し、判定結果がＹＥＳであると、処理はステップＳ２４へ戻る。ステップＳ２８の判定結果がＮＯであると、処理は終了する。
【００５６】
尚、ＬＤパワー３やＬＤパワー２は、工場において、又は、所定のタイミングで予め測定されてメモリ１８等のメモリに格納されているので、メモリから読み出してＬＤ制御回路２２に設定する。又、リトライ時に最適パワーを変更する例を説明したが、公知のテストライト処理によりテスト領域でパワー調節を行って、各半径位置の最適パワーを見つけて、メモリに格納して読み出すようにしても良い。
【００５７】
図１７は、ＬＤパワーとエラーレートとの関係を示す図である。同図中、縦軸はエラーレートを示し、横軸は記録フィールドのデータフィールドを再生する際のＬＤパワーＬ３を示す。◇印は記録フィールドの再生開始時のＬＤパワーＬ２がＬＤパワーＬ３の１倍の場合、□印は記録フィールドの再生開始時のＬＤパワーＬ２がＬＤパワーＬ３の１．２倍の場合、▲印は記録フィールドの再生開始時のＬＤパワーＬ２がＬＤパワーＬ３の１．４倍の場合、×印は記録フィールドの再生開始時のＬＤパワーＬ２がＬＤパワーＬ３の１．６倍の場合を示す。
【００５８】
上記従来例の場合、図１７に示すように、記録フィールドの再生開始時のＬＤパワーＬ２がＬＤパワーＬ３の１倍である場合、同図の◇印のプロットからもわかるように、ＬＤパワーＬ３が１００％より少しでも下がるとエラーが増加していることが明白であり、ＬＤパワーのマージンが狭い。
【００５９】
これに対し、上記各実施例の如く、記録フィールドの再生開始時のＬＤパワーＬ２がＬＤパワーＬ３の１倍より大きい場合、同図の□印、▲印及び×印のプロットからもわかるように、ＬＤパワーＬ３が８０％程度下がらなければエラーが極めて増加することはなくなっていることが明白であり、再生が可能なＬＤパワーの範囲、即ち、再生時のＬＤパワーのマージンが拡大される。
【００６０】
図１８は、光ディスク７２の記録フォーマットを示す図である。同図に示す記録フォーマット自体は周知であるため、本発明に直接関係する部分についてのみ説明する。
【００６１】
光ディスク７２上の制御情報がピット等の幾何学的形状の変化で記録されているコントロールゾーン以外の各ゾーンでは、情報がヘッダと記録フィールドとからなる図１８に示す如き記録フォーマットで記録される。ヘッダは、セクタの先頭を示すセクタマークＳＭ、ＰＬＬ位相同期及びＡＧＣのためのＶＦＯフィールドＶＦＯ１，ＶＦＯ２、後続のＩＤ部ＩＤ１，ＩＤ２に同期するためのアドレスマークＡＭ、セクタアドレスを認識する情報を含むＩＤ部ＩＤ１，ＩＤ２、ヘッダの終わりを示すポストアンブルＰＡからなり、凹又は凸のピット等の幾何学的形状の変化で記録されている。例えば、ＩＤ部ＩＤ１は、トラック番号ＴＲＡＣＫ  Ｎｏ．、ＩＤ番号ＩＤ  Ｎｏ．、セクタ番号ＳＥＣＴＯＲＮｏ．及びＣＲＣからなる。他方、記録フィールドは、記録フィールドの開始を示すギャップ部ＧＡＰ、ＰＬＬ位相同期及びＡＧＣのためのＶＦＯフィールドＶＦＯ３、データに同期するための同期部ＳＹＮＣ、データを記録するためのデータフィールドＤＡＴＡＦＩＥＬＤ、ポストアンブルＰＡ及びバッファ部ＢＵＦＦＥＲが、光磁気記録されている。
【００６２】
上記各実施例及び各変形例におけるヘッダのＩＤ部は、上記ヘッダのＩＤ部ＩＤ１からＩＤ部ＩＤ２までに対応する。従って、ＩＤ部の再生が終了した時点とは、ＩＤ部ＩＤ２の再生が終了した時点に対応するが、勿論ヘッダのポストアンブルＰＡをＩＤ部の再生の終了とみなすこともできる。他方、上記各実施例及び各変形例における記録フィールドのＶＦＯフィールドは、上記記録フィールドのＶＦＯフィールドＶＦＯ３に対応する。ヘッダの後半で光ビームのパワーを上げると、光再生（反射光量変化再生）のため、反射光の出力の制御が難しくなるため、上記実施例及び変形例では、記録フィールドの先頭で光ビームのパワーを上げている。
【００６３】
上記各実施例及び各変形例では、従来装置との互換性を考慮して、例えば２.３ＧＢ未満の低密度記録媒体に対しては、本発明の機能を動作させないようにしているが、従来装置との互換性を考慮しない場合には、本発明の機能を低密度記録媒体に対して動作させても良い。この際、記録媒体の種別を判別する方法は、上記の如きＩＤ部のピットから種別を判別する方法の他に、制御情報領域の媒体情報をリードする方法を採用することも可能である。
【００６４】
尚、上記各実施例及び各変形例は、適宜組み合わせ可能であることは、言うまでもない。又、本発明は、光ディスクへの適用に限定されるものではなく、各種光記録媒体、若しくは、光ビームを利用して光磁気的性質の変化で情報を記録する磁気記録媒体への適用が可能である。
【００６５】
尚、本発明は、以下に付記する発明をも包含するものである。
【００６６】
（付記１）  位置情報を含むヘッダと、データを含む記録フィールドとからなる記録フォーマットの情報領域を有する記録媒体から、光ビームを用いて情報を再生する再生方法であって、
記録フィールドの先頭付近における光ビームのパワーＬ２が、データが記録されている記録フィールドのデータフィールドにおけるパワーＬ３より高くなるように制御する制御ステップを含むことを特徴とする、再生方法。
【００６７】
（付記２）  前記記録媒体の種別を判別する判別ステップを更に有し、高密度記録媒体であると判別された場合に前記制御ステップが実行されることを特徴とする、（付記１）記載の再生方法。
【００６８】
（付記３）  前記制御ステップは、前記パワーＬ２を約１０ｎｓｅｃ〜約３０μｓｅｃの時間維持してから前記パワーＬ３に減少させることを特徴とする、（付記１）又は（付記２）記載の再生方法。
【００６９】
（付記４）  前記制御ステップは、前記パワーＬ２を、前記データフィールドに記録されているデータを消去する際の消去パワーより低いパワー値に設定することを特徴とする、（付記１）〜（付記３）のいずれか１項記載の再生方法。
【００７０】
（付記５）  前記制御ステップは、前記パワーＬ２を前記パワーＬ３の約１．０１倍〜約２．００倍のパワー値に設定することを特徴とする、（付記１）〜（付記４）のいずれか１項記載の再生方法。
【００７１】
（付記６）  前記記録フィールドは、記録フィールドの開始を示すギャップ部、ＰＬＬ位相同期及びＡＧＣのためのＶＦＯフィールド、データに同期するための同期部、及び前記データフィールドを含み、
前記制御ステップは、前記ＶＦＯフィールド開始前に前記光ビームのパワーを前記パワーＬ２から前記パワーＬ３に減少させることを特徴とする、（付記１）〜（付記５）のいずれか１項記載の再生方法。
【００７２】
（付記７）  前記記録フィールドは、記録フィールドの開始を示すギャップ部、ＰＬＬ位相同期及びＡＧＣのためのＶＦＯフィールド、データに同期するための同期部、及び前記データフィールドを含み、
前記制御ステップは、前記ＶＦＯフィールド開始後、且つ、前記データフィールドの開始前に前記光ビームのパワーを前記パワーＬ２から前記パワーＬ３に減少させることを特徴とする、（付記１）〜（付記５）のいずれか１項記載の再生方法。
【００７３】
（付記８）  前記制御ステップは、温度又は前記記録媒体上の位置に応じて前記パワーＬ２を可変設定することを特徴とする、（付記１）〜（付記７）のいずれか１項記載の再生方法。
【００７４】
（付記９）  前記制御ステップは、前記光ビームを前記パワーＬ２に設定する期間、前記光ビームの光源をＤＣ発光又はパルス発光させることを特徴とする、（付記１）〜（付記８）のいずれか１項記載の再生方法。
【００７５】
（付記１０）  前記制御ステップは、前記ヘッダの再生時には前記パワーを前記パワーＬ３より低いパワーＬ１に設定することを特徴とする、（付記１）〜（付記９）のいずれか１項記載の再生方法。
【００７６】
（付記１１）  前記パワーＬ３を上げる又は下げるリードリトライ処理を行うリトライステップを更に含むことを特徴とする、（付記１）〜（付記１０）のいずれか１項記載の再生方法。
【００７７】
（付記１２）  位置情報を含むヘッダと、データを含む記録フィールドとからなる記録フォーマットの情報領域を有する記録媒体から、光ビームを用いて情報を再生する記憶装置であって、
前記光ビームを出射する光源と、
記録フィールドの先頭付近における光ビームのパワーＬ２が、データが記録されている記録フィールドのデータフィールドにおけるパワーＬ３より高くなるように該光源を制御する制御手段を備えたことを特徴とする、記憶装置。
【００７８】
（付記１３）  前記記録媒体の種別を判別する判別手段を更に備え、高密度記録媒体であると判別された場合に前記制御手段が前記制御を実行することを特徴とする、（付記１２）記載の記憶装置。
【００７９】
（付記１４）  前記制御手段は、前記パワーＬ２を、前記データフィールドに記録されているデータを消去する際の消去パワーより低いパワー値に設定することを特徴とする、（付記１２）又は（付記１３）記載の記憶装置。
【００８０】
（付記１５）  前記制御手段は、前記パワーＬ２を前記パワーＬ３の約１．０１倍〜約２．００倍のパワー値に設定することを特徴とする、（付記１２）〜（付記１４）のいずれか１項記載の記憶装置。
【００８１】
（付記１６）  前記記録フィールドは、記録フィールドの開始を示すギャップ部、ＰＬＬ位相同期及びＡＧＣのためのＶＦＯフィールド、データに同期するための同期部、及び前記データフィールドを含み、
前記制御手段は、前記ＶＦＯフィールド開始前に前記光ビームのパワーを前記パワーＬ２から前記パワーＬ３に減少させるように前記光源を制御することを特徴とする、（付記１２）〜（付記１５）のいずれか１項記載の記憶装置。
【００８２】
（付記１７）  前記記録フィールドは、記録フィールドの開始を示すギャップ部、ＰＬＬ位相同期及びＡＧＣのためのＶＦＯフィールド、データに同期するための同期部、及び前記データフィールドを含み、
前記制御手段は、前記ＶＦＯフィールド開始後、且つ、前記データフィールドの開始前に前記光ビームのパワーを前記パワーＬ２から前記パワーＬ３に減少させるように前記光源を制御することを特徴とする、（付記１２）〜（付記１６）のいずれか１項記載の記憶装置。
【００８３】
（付記１８）  前記制御手段は、温度又は前記記録媒体上の位置に応じて前記パワーＬ２を可変設定することを特徴とする、（付記１２）〜（付記１７）のいずれか１項記載の記憶装置。
【００８４】
（付記１９）  前記制御手段は、前記光ビームを前記パワーＬ２に設定する期間、前記光源をＤＣ発光又はパルス発光させることを特徴とする、（付記１２）〜（付記１８）のいずれか１項記載の記憶装置。
【００８５】
（付記２０）  前記制御手段は、前記ヘッダの再生時には前記パワーが前記パワーＬ３より低いパワーＬ１となるように前記光源を制御することを特徴とする、（付記１２）〜（付記１９）のいずれか１項記載の記憶装置。
【００８６】
（付記２１）  前記パワーＬ３を上げるか、或いは、下げるリードリトライ処理を行うリトライ手段を更に備えたことを特徴とする、（付記１２）〜（付記２０）のいずれか１項記載の記憶装置。
【００８７】
以上、本発明を実施例により説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、種々の変形及び改良が可能であることは、言うまでもない。
【００８８】
【発明の効果】
本発明によれば、再生時のＬＤパワーのマージンを拡大し、環境変換等の影響で、最適なＬＤパワーが若干ずれてしまっても、十分再生可能な高信頼性の再生方法及び記憶装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の光磁気ディスク装置における再生時のＬＤパワーを説明する図である。
【図２】マスクとマスクを形成するために必要な熱との間の関係を示す図である。
【図３】本発明になる記憶装置の第１実施例の構成を示すブロック図である。
【図４】エンクロージャの概略構成を示す断面図である。
【図５】光学系の要部を示す図である。
【図６】ヘッドアンプの要部の構成を示す図である。
【図７】リード復調部の要部の構成を示す図である。
【図８】第１実施例のパワー制御動作を説明するフローチャートである。
【図９】第１実施例における再生時のＬＤパワーを説明する図である。
【図１０】第１変形例においてデータ消去を発生しないＬＤパワーの範囲を説明する図である。
【図１１】第２変形例における再生時のＬＤパワーを説明する図である。
【図１２】第３変形例におけるＬＤパワー増加量と温度との関係を示す図である。
【図１３】第４変形例におけるＬＤパワー増加量と光ディスク上の半径位置との関係を示す図である。
【図１４】第５変形例における再生時のＬＤパワーを説明する図である。
【図１５】本発明になる記憶装置の第２実施例のパワー制御動作を説明するフローチャートである。
【図１６】本発明になる記憶装置の第３実施例のパワー制御動作を説明するフローチャートである。
【図１７】ＬＤパワーとエラーレートとの関係を示す図である。
【図１８】光ディスクの記録フォーマットを示す図である。
【符号の説明】
１２      ＭＰＵ
１４      ＯＤＣ
１６      ＤＳＰ
１８      メモリ
２５      リード復調部
３０−１      レーザダイオード
３２      ＩＤ／ＭＯ用ディテクタ
３４      ヘッドアンプ
【図１】
0004031915.tif 000002
【図２】
0004031915.tif 000003
【図３】
0004031915.tif 000004
【図４】
0004031915.tif 000005
【図５】
0004031915.tif 000006
【図６】
0004031915.tif 000007
【図７】
0004031915.tif 000008
【図８】
0004031915.tif 000009
【図９】
0004031915.tif 000010
【図１０】
0004031915.tif 000011
【図１１】
0004031915.tif 000012
【図１２】
0004031915.tif 000013
【図１３】
0004031915.tif 000014
【図１４】
0004031915.tif 000015
【図１５】
0004031915.tif 000016
【図１６】
0004031915.tif 000017
【図１７】
0004031915.tif 000018
【図１８】
0004031915.tif 000019