(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の処理を行う装置であって、
基板を水平に保持可能な基板保持手段と、
処理液吐出口を有し、処理液を当該処理液吐出口から前記基板上に連続的に吐出可能な処理液吐出手段と、
配管を通じて前記処理液吐出手段に対し処理液を供給する処理液供給手段と、
前記基板保持手段と前記処理液吐出手段とを相対的に移動させる駆動手段と、
密閉空間内において、基板に塗布された処理液を減圧乾燥させることにより、当該基板上に塗膜を形成可能な減圧乾燥手段と、
前記塗膜が形成されてなる基板を保持しつつ水平面内にて回転させる基板回転手段と、
基板の端縁部上に存在する塗膜を溶解除去する塗膜除去液を前記端縁部に供給する除去液供給手段と、
を含む塗布処理部を備え、
前記除去液供給手段が、
前記除去液を前記基板の端縁部に吐出する除去液吐出部と、
前記基板保持手段と前記処理液吐出手段との相対移動範囲の外部に設置されて、前記除去液吐出部に前記除去液を供給するとともに、前記基板に対して前記除去液吐出部を進退移動させる支持部と、を備えており、
前記駆動手段によって前記基板保持手段と前記処理液吐出手段とを相対的に移動させつつ前記処理液吐出口から処理液を吐出させることで、前記基板上への前記処理液の連続的塗布を行い、
前記基板保持手段は前記連続的塗布の際には前記基板を前記減圧乾燥手段に向けて搬送するとともに、減圧乾燥された後の基板は前記基板回転手段に搬送し、
前記塗膜除去液を前記基板回転手段によって回転する減圧乾燥後の基板の端縁部に供給することで当該端縁部の塗膜を除去する、
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
基板の処理を行う装置であって、
基板を水平に保持可能な基板保持手段と、
処理液吐出口を有し、処理液を当該処理液吐出口から前記基板上に連続的に吐出可能な処理液吐出手段と、
配管を通じて前記処理液吐出手段に対し処理液を供給する処理液供給手段と、
前記基板保持手段と前記処理液吐出手段とを相対的に移動させる駆動手段と、
基板の端縁部上に存在する塗膜を溶解除去する塗膜除去液を前記端縁部に供給する除去液供給手段と、
塗布処理後の基板を保持しつつ水平面内にて回転させる基板回転手段と、
密閉空間内において、基板に塗布された処理液を減圧乾燥させることにより、当該基板上に塗膜を形成可能な減圧乾燥手段と、
を含む塗布処理部を備え、
前記減圧乾燥手段が、基板に塗布された処理液を減圧乾燥させ、当該減圧乾燥前の処理液よりも高粘度であって低流動性を有するが外力によって流動可能な状態にある半固化状態膜を形成する第一の乾燥手段として機能し、
前記基板回転手段が、前記第一の乾燥手段による処理を経た基板を、水平面内にて回転させることにより、前記半固化状態膜が固化した塗膜を形成する第二の乾燥手段として機能する、
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記基板回転手段近傍の温度および湿度を調整する温度湿度調整手段を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板処理装置であって、
基板に対し加熱処理および冷却処理を行う熱処理部と、
露光された基板に対し現像処理を行う現像処理部と、
各処理部との間で基板の搬入および搬出を行う搬送部と、
をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
基板に塗膜を形成する処理を行う方法であって、
密閉空間内において、基板に塗布された処理液を減圧乾燥させ、当該減圧乾燥前の処理液よりも高粘度であって低流動性を有するが外力によって流動可能な状態にある半固化状態膜を形成する第一の乾燥工程と、
前記第一の乾燥工程を経た基板を前記密閉空間内より取り出し、水平面内にて回転させることにより、前記半固化状態膜が固化した塗膜を形成する第二の乾燥工程と、
を備えることを特徴とする基板処理方法。
【請求項６】
請求項５に記載の基板処理方法であって、
基板を水平に保持可能な基板保持手段と、処理液吐出口を有し、処理液を当該処理液吐出口から前記基板上に連続的に吐出可能な処理液吐出手段と、を相対的に移動させることにより、基板に前記処理液を塗布することを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板等（以下、「基板」と称する）に所定の処理を行う基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
周知のように、半導体や液晶ディスプレイなどの製品においては、上記基板に対してフォトリソグラフィー技術を用いた回路形成がなされている。フォトリソグラフィーは、レジスト塗布、露光、現像、エッチング等のプロセスによって回路形成を行う技術である。
【０００３】
このうち、レジスト塗布に関しては、従来、水平面内で回転させた基板上に、レジスト液を滴下し、回転による遠心力を利用してレジスト液を基板全体に行き渡らせる、スピン塗布という手法が一般的である。
【０００４】
スピン塗布は、基板上に均一なレジスト膜を形成することが可能であるが、滴下したレジスト液のうち、実際に膜形成に寄与するのは１０％程度でしかなく、滴下したレジスト液の大部分は、膜形成に寄与することなく基板周辺に流出してしまうため、コスト面には問題を有している。
【０００５】
そこで、この問題を回避するため、スピン塗布に代わる成膜技術が研究開発されており、その一つに特開２０００−０７７３２６に開示されるようなスキャン塗布がある。図１０は、スキャン塗布の概念を説明する図である。スキャン塗布は、基板Ｗと細径の先端を有するノズル１０１とを矢印ＡＲ１０１に示す方向に相対的に移動させつつ、ノズル１０１の先端からレジスト液１０２を連続的に吐出させ、基板Ｗ上にレジスト液１０２を線状に順次塗布することによって、液膜１０３を形成する技術である。なお、図１０においては、説明の便宜上、液膜１０３を構成する線の間隔が開いているが、実際には、それぞれの線は互いに隣接するように塗布され、最終的には略円板状の液膜が形成される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
基板の端縁部は、その上に回路は形成されないので、レジスト液の塗布は不要である。スキャン塗布の場合、原理的には必要な箇所のみレジスト液を塗布することが可能であるので、端縁部を避けてレジストを塗布することも可能ではあるが、その場合は、ノズルの移動方向の切り替えや、吐出の開始・停止などが基板上にてなされることになるため、塗布された液膜の膜厚に不均一が生じてしまう。これを回避するためには、基板の端縁部、さらには基板外にまでにまでレジスト液を塗布し、端縁部の不要部分についてその後除去するか、基板の端縁部にレジスト液があらかじめ塗布されないようにする必要がある。
【０００７】
特開２０００−０７７３２６には、それらを解決するため、基板の端縁部に対するレジスト液の塗布を防ぐマスクや、ノズルと基板の間のシャッタなどが開示されているが、これらは装置構成が複雑になってしまうという問題点がある。
【０００８】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、基板端縁部に形成された塗膜を除去することができ、しかも装置構成が簡単である基板処理装置を提供することを第１の目的とする。
【０００９】
また、スキャン塗布により得られる塗膜の場合、基板に吐出される線状の液膜の表面張力により形成される凹凸に起因して、膜厚が不均一になり得るが、当該装置の機能を利用して、レジスト液などの処理液により形成される塗膜の膜厚均一性を向上させることを第２の目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板の処理を行う装置であって、基板を水平に保持可能な基板保持手段と、処理液吐出口を有し、処理液を当該処理液吐出口から前記基板上に連続的に吐出可能な処理液吐出手段と、配管を通じて前記処理液吐出手段に対し処理液を供給する処理液供給手段と、前記基板保持手段と前記処理液吐出手段とを相対的に移動させる駆動手段と、密閉空間内において、基板に塗布された処理液を減圧乾燥させることにより、当該基板上に塗膜を形成可能な減圧乾燥手段と、前記塗膜が形成されてなる基板を保持しつつ水平面内にて回転させる基板回転手段と、基板の端縁部上に存在する塗膜を溶解除去する塗膜除去液を前記端縁部に供給する除去液供給手段と、を含む塗布処理部を備え、前記除去液供給手段が、前記除去液を前記基板の端縁部に吐出する除去液吐出部と、前記基板保持手段と前記処理液吐出手段との相対移動範囲の外部に設置されて、前記除去液吐出部に前記除去液を供給するとともに、前記基板に対して前記除去液吐出部を進退移動させる支持部と、を備えており、前記駆動手段によって前記基板保持手段と前記処理液吐出手段とを相対的に移動させつつ前記処理液吐出口から処理液を吐出させることで、前記基板上への前記処理液の連続的塗布を行い、前記基板保持手段は前記連続的塗布の際には前記基板を前記減圧乾燥手段に向けて搬送するとともに、減圧乾燥された後の基板は前記基板回転手段に搬送し、前記塗膜除去液を前記基板回転手段によって回転する減圧乾燥後の基板の端縁部に供給することで当該端縁部の塗膜を除去する、ことを特徴とする。
【００１３】
また、請求項２の発明は、基板の処理を行う装置であって、基板を水平に保持可能な基板保持手段と、処理液吐出口を有し、処理液を当該処理液吐出口から前記基板上に連続的に吐出可能な処理液吐出手段と、配管を通じて前記処理液吐出手段に対し処理液を供給する処理液供給手段と、前記基板保持手段と前記処理液吐出手段とを相対的に移動させる駆動手段と、基板の端縁部上に存在する塗膜を溶解除去する塗膜除去液を前記端縁部に供給する除去液供給手段と、基板を保持しつつ水平面内にて回転させる基板回転手段と、密閉空間内において、基板に塗布された処理液を減圧乾燥させることにより、当該基板上に塗膜を形成可能な減圧乾燥手段と、を含む塗布処理部を備え、前記減圧乾燥手段が、基板に塗布された処理液を減圧乾燥させ、当該減圧乾燥前の処理液よりも高粘度であって低流動性を有するが外力によって流動可能な状態にある半固化状態膜を形成する第一の乾燥手段として機能し、前記基板回転手段が、前記第一の乾燥手段による処理を経た基板を、水平面内にて回転させることにより、前記半固化状態膜が固化した塗膜を形成する第二の乾燥手段として機能する、ことを特徴とする。
【００１４】
また、請求項３の発明は、請求項２に記載の基板処理装置であって、前記基板回転手段近傍の温度および湿度を調整する温度湿度調整手段を備えることを特徴とする。
【００１５】
また、請求項４の発明は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板処理装置であって、基板に対し加熱処理および冷却処理を行う熱処理部と、露光された基板に対し現像処理を行う現像処理部と、各処理部との間で基板の搬入および搬出を行う搬送部と、をさらに備えることを特徴とする。
【００１６】
また、請求項５の発明は、基板に塗膜を形成する処理を行う方法であって、密閉空間内において、基板に塗布された処理液を減圧乾燥させ、当該減圧乾燥前の処理液よりも高粘度であって低流動性を有するが外力によって流動可能な状態にある半固化状態膜を形成する第一の乾燥工程と、前記第一の乾燥工程を経た基板を前記密閉空間内より取り出し、水平面内にて回転させることにより、前記半固化状態膜が固化した塗膜を形成する第二の乾燥工程と、を備えることを特徴とする。
【００１７】
また、請求項６の発明は、請求項５に記載の基板処理方法であって、基板を水平に保持可能な基板保持手段と、処理液吐出口を有し、処理液を当該処理液吐出口から前記基板上に連続的に吐出可能な処理液吐出手段と、を相対的に移動させることにより、基板に前記処理液を塗布することを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】
＜第１の実施の形態＞
＜塗布処理部の構成概要＞
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の塗布処理部１の概要を示す図である。図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は側面図である。なお、それぞれには、水平面をｘｙ平面、鉛直方向をｚ軸とした3次元座標を付している。
【００１９】
塗布処理部１は、基板Ｗを水平に保持する保持部２と、吐出口５からレジスト液を基板上に吐出し、液膜を形成するノズル３と、液膜を乾燥させ基板上にレジスト膜を形成する乾燥チャンバ６と、基板Ｗの端縁部の不要な塗膜を除去するエッジリンス機構１１など、種々の動作を制御する制御部３０とを主として備える。
【００２０】
保持部２は、駆動部１０の図示を省略する駆動機構により、矢印ＡＲ１に示す方向に移動可能となっている。ノズル３は、ノズル駆動部４によって矢印ＡＲ２に示す方向に移動可能となっている。ノズル駆動部４は、ベルト駆動による駆動機構であり、ベルト４Ｂに固定されたノズル３が、ベルト４Ｂのｙ軸方向の動作に応じて移動する態様となっている。なお、ノズル３の駆動機構はこれに限定されず、他の公知の駆動機構を採用してもよい。
【００２１】
乾燥チャンバ６は、基板を支持する支持ピン８が備わる載置部７と、矢印ＡＲ３のように上下するカバー９とを主として備える。
【００２２】
エッジリンス機構１１は、スピン保持部１２と、スピン駆動機構１３と、エッジリンスノズル１４と、リンス液供給手段１５と、カップ１６とを備える。スピン保持部１２は、その上部に載置された基板Ｗを例えば真空吸引にて水平に保持するためのものである。スピン駆動機構１３は、スピン保持部１２およびこれに保持された基板Ｗを水平面内にて回転させる機構である。エッジリンスノズル１４は、リンス液供給手段１５に付随してこのリンス液供給手段１５によって支持されており、スピン駆動機構１３の作用により水平面内にて回転している基板Ｗの端縁部に対し、リンス液供給手段１５によって供給されるエッジリンス液あるいは純水を流出させるために備わっている。エッジリンスノズル１４は、矢印ＡＲ４に示す方向に進退自在となっており、基板Ｗの載置時等、エッジリンス処理を行わないときには、エッジリンスノズル１４は退避している。リンス液供給手段１５には、例えばポンプが用いられ、図示を省略するタンクに貯留されているエッジリンス液あるいは純水を供給するとともに、エッジリンスノズル１４を基板Ｗに対してに進退駆動する駆動機構（たとえば、モータやエアーアクチュエータ）を内蔵している。リンス液供給手段１５においては、エッジリンス液の供給と純水の供給とは、制御部３０からの指示に応じて、切り替え可能となっている。カップ１６は、エッジリンスの実行時に、基板Ｗの回転に伴って生じる遠心力によってレジスト液が飛散するのを防ぐために設けられている。
【００２３】
この実施形態においては、レジスト塗布機構部（ノズル駆動部４およびノズル３）に対する、基板Ｗを保持した保持部２の相対移動範囲ＭＳ（図１(a)参照）の外に、リンス液供給手段１５（除去液ノズルの支持部）が固定配置されている。このため、レジスト塗布処理に際してレジスト塗布部がリンス液供給手段１５に干渉することはなく、リンス液供給手段１５がそのような干渉を避けるために待避する必要はない。そのため、リンス液供給手段１５を相対移動範囲ＭＳの内部に配置してレジスト塗布時にリンス液供給手段１５を待避させるように構成とした場合と比較して、待避移動のためのスペースが不要であり、またパーティクルの発生も少ない。
【００２４】
また、カップ１６にて囲まれた空間内には、エッジリンスの際に基板が位置する領域の近傍における温度及び湿度を所定の条件に調整するための、温度湿度調整手段１７とが備わっている。温度湿度調整手段１７としては、例えば、一定温度および湿度を有する空気を供給できる手段であってもよいし、温度調整手段と湿度調整手段とが独立して存在する態様であってもよい。同じくカップ１６にて囲まれた空間の底部には、当該空間内の雰囲気を排気するための排気手段１８と、液滴を排出するための排液手段１９とが備わっている。
【００２５】
制御部３０は、保持部２の駆動部１０、ノズル駆動部４、乾燥チャンバ６、エッジリンス機構１１、排気手段１８の各部の動作を制御する。
【００２６】
図２は、ノズル３に対するレジスト液Ｒの供給について説明する図である。図１においては図示を省略しているが、図２に示すように、レジスト液Ｒは、レジスト貯留部に備わるポンプ２１によって、配管２０を経てノズル３に供給されている。ノズル３が矢印ＡＲ６に示す塗布動作を行う際、ノズル３にレジスト液Ｒを供給する配管２０の可動部分２０Ｍは、ノズル３の動作に伴って移動する。
【００２７】
＜処理動作＞
次に塗布処理部１にて実行される一連の処理について説明する。図３は、塗布処理部１における処理の流れを説明する図である。
【００２８】
基板Ｗが、図１（ａ）に示す位置（以下、初期位置という）にて保持部２に載置される（ステップＳ１）と、駆動部１０に備わる図示しない駆動機構によって基板Ｗとともに保持部２がｘ軸正方向に水平移動する。基板Ｗのレジスト塗布領域がノズル３の下方に差し掛かると、保持部２は一旦停止する。保持部２が停止すると、ノズル３が、ノズル駆動部４の機能により矢印ＡＲ２に示すｙ方向の正負いずれかの向きに移動しつつ、吐出口５からレジスト液を基板Ｗに向けて吐出する。
【００２９】
この吐出動作が終了すると、保持部２上の基板Ｗは、駆動部１０により、基板Ｗ上に吐出されるレジスト液の吐出幅に応じて定まる一定のピッチだけ、ｘ軸正方向に送られ、再び一旦停止する。ノズル３は、先程とは逆の向きに移動しつつ、吐出口５からレジスト液を吐出する。
【００３０】
塗布処理部１は、これらの動作を繰り返すことにより、すなわち、一定ピッチで基板Ｗを送る動作と、ノズル３の往復動作とを繰り返すことにより、図２に示すように、基板Ｗ上に順次レジストを塗布していく（ステップＳ２）。
【００３１】
レジスト液が塗布された基板Ｗは、保持部２によってそのまま乾燥チャンバ６にまで搬送され、支持ピン８上に載置される。基板Ｗが載置されると、カバー９によって基板Ｗは密閉され、減圧乾燥による乾燥処理が施される（ステップＳ３）。乾燥処理における減圧速度や減圧時間等の諸条件は、制御部３０により制御される。
【００３２】
乾燥チャンバ６内で乾燥処理がなされた基板Ｗは、保持部２によって再び初期位置まで搬送される（ステップＳ４）。初期位置に戻された後、基板Ｗはスピン保持部１２に載置され、保持される（ステップＳ５）。
【００３３】
基板Ｗがスピン保持部１２にて保持されると、スピン駆動機構１３はスピン保持部１２ともども基板Ｗを水平面内にて矢印ＡＲ５に示すように回転させる。所定の回転数にまで達すると、エッジリンス処理が行われる（ステップＳ６）。図４はエッジリンス処理を説明するための図である。エッジリンス処理は、エッジリンス液をエッジリンスノズル１４から供給することにより、基板には全面に形成されたレジスト液による塗膜４０のうち、後の回路形成に必要な領域Ｗｅよりも外側の範囲の塗膜（波線部分）を溶解除去する処理である。このとき、基板Ｗの回転速度とエッジリンス液の供給流量は、制御部３０により、エッジリンス液が領域Ｗｅの内部にまで広がることのないように制御される。所定の条件にて溶解除去がなされた後、純水の供給によるによる洗浄と、回転のみによる振り切り乾燥がなされ、エッジリンス処理は終了する。なお、液体および溶解除去された塗膜成分は、回転に伴う遠心力によって周囲に飛ばされるが、カップ１６の側面および底面を伝った後、排液手段１９にて回収される。
【００３４】
エッジリンスが施された基板Ｗには、基板処理装置の他の処理部あるいは他の処理装置にて、回路の露光および現像などの処理がなされることになる。
【００３５】
以上説明したような装置構成および処理動作によって、本実施の形態に係る基板処理装置の塗布処理部１は、スキャン塗布により形成され、乾燥された塗膜に対し、基板を回転させてエッジリンス処理を行うことで、レジスト液の無駄を最小限に抑えつつ、回路形成に必要な領域のみに塗膜を形成することができる。エッジリンス処理はエッジリンス液の供給機構と回転機構にて実現するので、塗布処理部１の構成が単純化できる。
【００３６】
＜装置の全体構成＞
上述のような構成を有する塗布処理部１は、基板に対するフォトリソグラフィー処理を行う種々の装置に組み込んで機能させることが可能である。
【００３７】
図５は、そうしたフォトリソグラフィー処理を行う装置の一例としての、基板処理装置５０の構成の概略を示す図である。図５には、図１と同様に３次元座標系を付している。基板処理装置５０は、基板Ｗに対しレジスト塗布処理や現像処理を行う装置であって、基板の搬出入を行うインデクサＩＤと、基板に処理を行う複数の処理ユニットからなる第１処理部群ＰＧ１，第２処理部群ＰＧ２と、図示を省略する露光装置（ステッパ）との基板の受け渡しを行うインターフェイスＩＦと、第１処理部群ＰＧ１と、第２処理部群ＰＧ２とに挟まれた搬送ロボットＴＲとを備えている。
【００３８】
インデクサＩＤは、複数の基板を収納可能なキャリアＣＲを載置し、未処理基板を当該キャリアから搬送ロボットＴＲに払い出すとともに処理済基板を搬送ロボットＴＲから受け取ってキャリアに格納する。
【００３９】
インターフェイスＩＦは、基板処理装置５０と図外の露光装置との間で基板の授受を行う機能を有する。また、インターフェイスＩＦは、図時は省略するが、露光装置との受け渡しタイミングの調整を行うべく、露光前後の基板を一時的にストックする機能を有している。
【００４０】
また基板処理装置５０は、基板に処理を行うための複数の処理ユニットを備えており、そのうちの一部が第１処理部群ＰＧ１を構成し、残部が第２処理部群ＰＧ２を構成する。図６は、第１処理部群ＰＧ１および第２処理部群ＰＧ２の構成を示す図である。第１処理部群ＰＧ１は、塗布処理ユニットＳＣ１、ＳＣ２と、その上方に３列３段に積層された熱処理ユニットとから構成されている。この塗布処理ユニットＳＣ１およびＳＣ２が、本実施の形態に係る塗布処理部１により構成されるものである。
【００４１】
なお、図６においては、図示の便宜上処理ユニットを平面的に配置しているが、実際にはこれらは高さ方向（ｚ軸方向）に積層されているものである。
【００４２】
熱処理ユニットとしては、下から順に冷却ユニットＣＰ１、密着強化ユニットＡＨ、加熱ユニットＨＰ１が積層された列と、冷却ユニットＣＰ２、加熱ユニットＨＰ２、加熱ユニットＨＰ３が積層された列と、冷却ユニットＣＰ３、加熱ユニットＨＰ４、加熱ユニットＨＰ５が積層された列とが設けられている。
【００４３】
同様に、第２処理部群ＰＧ２は、現像処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２とその上方に３列３段に積層された熱処理ユニットとから構成されている。現像処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２は、露光後の基板上に現像液を供給することによって現像処理を行う、いわゆるスピンデベロッパである。熱処理ユニットとしては、下から順に冷却ユニットＣＰ４、露光後ベークユニットＰＥＢ、加熱ユニットＨＰ６が積層された列と、冷却ユニットＣＰ５、加熱ユニットＨＰ７、加熱ユニットＨＰ８が積層された列と、冷却ユニットＣＰ６、加熱ユニットＨＰ９、加熱ユニットＨＰ１０が積層された列とが設けられている。
【００４４】
加熱ユニットＨＰ１〜ＨＰ１０は、基板を加熱して所定の温度にまで昇温する、いわゆるホットプレートである。また、密着強化ユニットＡＨおよび露光後ベークユニットＰＥＢもそれぞれレジスト塗布処理前および露光直後に基板を加熱する加熱ユニットである。冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ６は、基板を冷却して所定の温度にまで降温するとともに、基板を当該所定の温度に維持する、いわゆるクールプレートである。
【００４５】
なお、塗布処理ユニットおよび現像処理ユニットの直上には、温湿度の管理されたクリーンエアーのダウンフローを形成するフィルタファンユニットＦＦＵが設けられている。また、図示を省略しているが、搬送ロボットＴＲが配置された搬送空間の上方にも、フィルタファンユニットが設けられている。
【００４６】
＜第２の実施の形態＞
第１の実施形態においては、液膜の乾燥処理と、エッジリンス処理とは、塗布処理部１の異なる箇所にてそれぞれなされているが、エッジリンス機構１１のスピン駆動機構１３による回転動作を、液膜の乾燥処理に利用することも可能である。以下、本実施の形態においては、乾燥チャンバ６とエッジリンス機構１１との２ヶ所において２段階に乾燥処理を行う態様について示す。
【００４７】
図７は、第２の実施の形態において塗布処理部１にてなされる処理の流れを説明する図である。
【００４８】
基板Ｗが、図１（ａ）に示す位置（以下、初期位置という）にて保持部２に載置される（ステップＳ１１）と、第１の実施の形態と同様に、一定ピッチで基板Ｗを送る動作と、ノズル３の往復動作とを繰り返しつつノズル３から基板Ｗ上にレジスト液を吐出するスキャン塗布が実行される（ステップＳ１２）。
【００４９】
レジスト液が塗布された基板Ｗは、保持部２によってそのまま乾燥チャンバ６にまで搬送され、支持ピン８上に載置される。基板Ｗが載置されると、カバー９によって基板Ｗは密閉され、減圧乾燥による乾燥処理が施されるが、本実施の形態では、第１の実施形態と異なり、液膜が完全に固化する前の、半固化状態に達した時点で減圧乾燥処理を終える（ステップＳ１３）。ここで、半固化状態とは、粘度は高く流動性は低下しているため容易には流出しないが、液体成分はまだ残存しており、外力を受けることで表面近傍にてレジスト液の流動が起こりうる状態を示している。
【００５０】
図８は、塗膜の形成について模式的に示す図である。図８（ａ）に、ステップＳ１３を終えた時点における液膜の様子を模式的に示す。半固化状態において、基板Ｗに形成された液膜６１は、固化した部分６１Ｓとまだ流動性を保っている部分６１Ｌとからなるといえる。後者の表面には、表面張力による凹凸が形成されているが、完全に固化しているわけではない。
【００５１】
減圧乾燥処理を終えた基板Ｗは、保持部２によって再び初期位置まで搬送される（ステップＳ１４）。初期位置に戻された後、基板Ｗはスピン保持部１２に載置され、保持される（ステップＳ１５）。
【００５２】
基板Ｗがスピン保持部１２にて保持されると、スピン駆動機構１３はスピン保持部１２ともども基板Ｗを水平面内にて回転させる。このとき、高速（例えば５０００ｒｐｍ程度）にて回転させることで、半固化状態の液膜は基板Ｗの中心から放射状に作用する遠心力を、例えば図８（ａ）にて矢印ＡＲ７に示すような方向に受ける。この遠心力が液膜の表面張力に打ち勝って、残存した溶媒成分が基板Ｗの端部方向へ流動することにより、図８（ｂ）に示すような平坦かつ乾燥した塗膜６２が得られることになる（ステップＳ１６）。この際、一部は外部へ流出あるいは飛散するが、流動性が低いことから、無駄になるレジスト液の量は最小限に抑えられる。なお、図８（ｂ）においては、図８（ａ）との対比のために、はじめから固化していた部分６２ＳとステップＳ１６において最終的に固化した部分６２Ｌとを区別しているが、実際には両者は一体となって塗膜６２を形成している。また、ステップＳ１６における乾燥処理に際しては、液膜の表面が平坦化する前に固化しないように、制御部３０が温度湿度調整手段１７を制御することによりスピン保持部１２の近傍の温度および湿度を調整している。
【００５３】
第１の実施の形態のように、乾燥チャンバ６にて完全に乾燥させた場合には、図８（ｂ）にて示す塗膜６３の凹凸部分６３Ｌのように、液膜時の凹凸が残存してしまうが、本実施の形態のような乾燥方法を用いることで、塗膜の膜厚の均一性を高めることができる。
【００５４】
乾燥処理がなされた塗膜に対しては、第１の実施の形態と同様に、エッジリンス処理を施される（ステップＳ１７）。なお、本実施の形態においては、上述のような乾燥方法を採用することから、エッジリンス処理前の基板Ｗにおいては、基板端縁部における塗膜の膜厚が大きくなる場合があるが、エッジリンス処理にてこうした部分の塗膜は除去されるので、後段の処理には支障がない。
【００５５】
以上に説明したように、本実施の形態においては、液膜の乾燥に減圧乾燥だけでなく遠心力を利用することによって、レジスト液の無駄を最小限に抑えつつ、塗膜の膜厚の均一性を高めることができる。
【００５６】
＜第３の実施の形態＞
第１の実施形態においては、基板Ｗを回転させることによりエッジリンス処理を行っていたが、エッジリンス処理を行うための装置構成はこれに限定されない。本実施の形態においては、第１の実施の形態と異なる構成にてエッジリンス処理を行う態様について説明する。
【００５７】
図９は、第３の実施の形態に係るエッジリンス機構７０を模式的に示す図である。図９（ａ）は、エッジリンス機構７０の上面図である。また、図９（ｂ）は、エッジリンス処理の様子を示す断面図である。
【００５８】
図９（ａ）に示すように、エッジリンス機構７０においては、基板Ｗを載置する載置部７１と、基板Ｗの端縁部をガイド７３に沿って移動する周回エッジリンス機構７２とが、主として備わる。周回エッジリンス機構７２は、例えば載置部７１の下部に配置された図示しない駆動源にて駆動される。さらに図９（ｂ）に示すように、周回エッジリンス機構７２には、リンス液供給管７５と吸引ダクト７６とが備わっている。リンス液供給管７５は、リンス液供給手段７７と接続され、基板Ｗの端縁部に対し、エッジリンス液あるいは純水を流出させるために備わっている。リンス液供給手段７７には、例えばポンプが用いられ、図示を省略するタンクに貯留されているエッジリンス液あるいは純水を供給する。リンス液供給手段７７においては、エッジリンス液の供給と純水の供給とは、制御部３０からの指示に応じて、切り替え可能となっている。
【００５９】
吸引ダクト７６は、処理液自身の成分やそれに溶解したレジスト成分などの液体、さらには周回エッジリンス機構７２の近傍においてこれらの成分の気化物を含んだ雰囲気を除去するためのものである。すなわち吸引ダクト７６は、排気手段及び廃液手段として機能する。
【００６０】
周回エッジリンス機構７２が、ガイド７３に沿って移動するとともに、内部に設けられたリンス液供給管７５から、基板Ｗの端縁部に向けてエッジリンス液７４が基板Ｗの端縁部に供給されると、基板Ｗの端縁部の塗膜が溶解除去され、回路形成に必要な塗膜部分７８のみが残存することとなる。その際、不要な範囲の塗膜のみが除去されるように、制御部３０が、周回エッジリンス機構７２の回転速度とエッジリンス液７４の供給流量とを制御する。
【００６１】
以上に示すように、本実施の形態においては、基板Ｗを固定し、周回エッジリンス機構７２を移動させつつエッジリンスを行う態様をとることにより、第１の実施の形態のような、排気手段および排液手段が付随するカップを設ける必要がなく、塗布処理部１をコンパクトに構成することが可能となる。
【００６２】
【発明の効果】
以上、説明したように、請求項１ないし請求項６の発明によれば、処理液の無駄を抑制しつつ基板上の必要な部分にのみ処理液の塗膜を作成することができる。
【００６３】
また、請求項１ないし請求項３の発明によれば、単純な装置構成にて、処理液の無駄を抑制しつつ基板上の必要な部分にのみ処理液の塗膜を作成することができる。
【００６４】
また、請求項１の発明によれば、除去液吐出部を支持する支持部が、基板保持手段と処理液吐出手段との相対移動範囲の外部に設置されているため、基板への処理液の塗布に際して基板保持手段や処理液吐出手段がこの支持部に干渉することはない。このため、この支持部が待避移動するためのスペースが不要であり、またパーティクルの発生も少ない。
【００６７】
また、請求項２、請求項３、請求項５および請求項６の発明によれば、単純な装置構成にて、処理液の無駄を抑制しつつ基板上の必要な部分にのみ、均一な処理液の塗膜を作成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態に係る基板処理装置の塗布処理部１の概要を示す図である。
【図２】ノズル３に対するレジスト液Ｒの供給について説明する図である。
【図３】塗布処理部１における処理の流れを説明する図である。
【図４】エッジリンス処理を説明するための図である。
【図５】基板処理装置５０の構成の概略を示す図である。
【図６】第１処理部群ＰＧ１および第２処理部群ＰＧ２の構成を示す図である。
【図７】第２の実施形態において塗布処理部１にてなされる処理の流れを説明する図である。
【図８】塗膜の形成について模式的に示す図である。
【図９】第３の実施の形態に係るエッジリンス機構７０を模式的に示す図である。
【図１０】スキャン塗布の概念を説明する図である。
【符号の説明】
１  塗布処理部
２  保持部
３  ノズル
５  吐出口
６  乾燥チャンバ
７、７１  載置部
８  支持ピン
９  カバー
１２  スピン保持部
１３  スピン駆動機構
１４  エッジリンスノズル
１５  リンス液供給手段
１６  カップ
１７  温度湿度調整手段
１８  排気手段
１９  排液手段
２１  ポンプ
７２  周回エッジリンス機構
７４  エッジリンス液
７５  リンス液供給管
７６  吸引ダクト
７７  リンス液供給手段
Ｗ  基板
Ｗｅ  領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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