(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
クラッド層の禁制帯幅が波長１．３μｍで発振する活性層の禁制帯幅より大きい半導体レーザ装置の製造方法において、
ｎ型のInP基板上にｎ側クラッド層をなすｎ型のInP層を形成し、該ｎ型のInP層上に活性層を形成し、該活性層上に接着層をなすInP層またはInGaP層を形成する工程と、
GaAs基板上にエッチングストッパ層をなすInGaP層を形成し、該InGaP層上にコンタクト層をなすｐ型のGaAs層を形成し、該GaAs層上にｐ側クラッド層をなすｐ型のInGaP層を形成する工程と、
InP層またはInGaP層よりなる前記接着層上に、ｐ型のInGaP層よりなる前記ｐ側クラッド層を接着する工程と、
前記GaAs基板を除去した後、InGaP層よりなる前記エッチングストッパ層を除去する工程と、
を有することを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項２】
前記ｐ型のGaAs層よりなるコンタクト層と前記ｐ型のInGaP層よりなるｐ側クラッド層の上部とを、ストライプ領域上以外の領域から除去して前記ストライプ領域をメサ状に残留し、該メサ状の前記ストライプ領域の側面と前記ｐ側クラッド層の上面とに絶縁膜を形成し、少なくとも前記コンタクト層の上面に正電極を形成し、前記ｎ型のInP基板の下面に負電極を形成する工程を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項３】
クラッド層の禁制帯幅が波長１．３μｍで発振する活性層の禁制帯幅より大きい半導体レーザ装置の製造方法において、
ｎ型のInP基板上にエッチングストッパ層をなすInGaAs層を形成し、該InGaAs層上に第１接着層をなすInP層を形成し、該InP層上に活性層を形成し、該活性層上に第２接着層をなすInP層を形成する工程と、
ｎ型のGaAs基板上にｎ側クラッド層をなすｎ型InGaP層を形成する工程と、
GaAs基板上にエッチングストッパ層をなすInGaP層を形成し、該InGaP層上にコンタクト層をなすｐ型GaAs層を形成し、該ｐ型GaAs層上にｐ側クラッド層をなすｐ型InGaP層を形成する工程と、
InP層よりなる前記第２接着層上に、ｎ型InGaP層よりなる前記ｎ側クラッド層を接着する工程と、
前記ｎ型InP基板を除去した後、InGaAs層よりなる前記エッチングストッパ層を除去する工程と、
該除去工程により露出されたInP層よりなる前記第１接着層上に、ｐ型InGaP層よりなる前記ｐ側クラッド層を接着する工程と、
前記GaAs基板を除去した後、InGaP層よりなる前記エッチングストッパ層を除去する工程と
を有することを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項４】
前記ｐ型のGaAs層よりなるコンタクト層と前記ｐ型のInGaP層よりなるｐ側クラッド層の上部とを、ストライプ領域上以外の領域から除去して前記ストライプ領域をメサ状に残留し、該メサ状の前記ストライプ領域の側面と前記ｐ側クラッド層の上面とに絶縁膜を形成し、少なくとも前記コンタクト層の上面に正電極を形成し、前記ｎ型のInP基板の下面に負電極を形成する工程を有することを特徴とする請求項３に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、活性層中の電荷がクラッド層中にオーバーフローしにくゝされて、温度特性が向上している半導体レーザ装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩｎＰ系の長波長半導体レーザ装置は、ＧａＡｓ系の短波長半導体レーザ装置に比べて、温度特性が悪い。その原因は、オージェ再結合や価電子帯間吸収やクラッド層への電子のオーバーフロー等である。オージェ再結合や価電子帯間吸収の問題は、活性層に、歪量子井戸を使用することにより、いくらか解消しているが、クラッド層への電子のオーバーフローの問題は解消されていない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
クラッド層への電子のオーバーフローの問題を解決するためには、クラッド層の禁制帯幅を活性層の禁制帯幅より顕著に大きくすることが有効であることが知られているが、禁制帯幅が相違する半導体は格子定数も相違することが一般であるので、結晶成長方法を使用しては、禁制帯幅が大きく相違する活性層とクラッド層とを連続して結晶成長することは困難である。
【０００４】
本発明の目的は、クラッド層の禁制帯幅が活性層の禁制帯幅より顕著に大きくされており、電子が活性層からクラッド層へオーバーフローする問題が解決されており、温度特性が向上している半導体レーザ装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の目的（温度特性が向上している半導体レーザ装置の提供）を達成するために、請求項１に記載の発明に係る半導体レーザの製造方法は、波長１．３μｍで発振する半導体レーザ装置の製造方法において、ｎ型のInP基板上にｎ側クラッド層をなすｎ型のInP層を形成し、該ｎ型のInP層上に活性層を形成し、該活性層上に接着層をなすInP層またはInGaP層を形成する工程と、GaAs基板上にエッチングストッパ層をなすInGaP層を形成し、該InGaP層上にコンタクト層をなすｐ型のGaAs層を形成し、該GaAs層上にｐ側クラッド層をなすｐ型のInGaP層を形成する工程と、InP層またはInGaP層よりなる前記接着層上に、ｐ型のInGaP層よりなる前記ｐ側クラッド層を接着する工程と、前記GaAs基板を除去した後、InGaP層よりなる前記エッチングストッパ層を除去する工程と、を有することを特徴とする。
【０００８】
請求項２に記載の発明に係る半導体レーザの製造方法は、前記ｐ型のGaAs層よりなるコンタクト層と前記ｐ型のInGaP層よりなるｐ側クラッド層の上部とを、ストライプ領域上以外の領域から除去して前記ストライプ領域をメサ状に残留し、該メサ状の前記ストライプ領域の側面と前記ｐ側クラッド層の上面とに絶縁膜を形成し、少なくとも前記コンタクト層の上面に正電極を形成し、前記ｎ型のInP基板の下面に負電極を形成する工程を有することを特徴とする。
【０００９】
請求項３に記載の発明に係る半導体レーザの製造方法は、波長１．３μｍで発振する半導体レーザ装置の製造方法において、ｎ型のInP基板上にエッチングストッパ層をなすInGaAs層を形成し、該InGaAs層上に第１接着層をなすInP層を形成し、該InP層上に活性層を形成し、該活性層上に第２接着層をなすInP層を形成する工程と、ｎ型のGaAs基板上にｎ側クラッド層をなすｎ型InGaP層を形成する工程と、GaAs基板上にエッチングストッパ層をなすInGaP層を形成し、該InGaP層上にコンタクト層をなすｐ型GaAs層を形成し、該ｐ型GaAs層上にｐ側クラッド層をなすｐ型InGaP層を形成する工程と、InP層よりなる前記第２接着層上に、ｎ型InGaP層よりなる前記ｎ側クラッド層を接着する工程と、前記ｎ型InP基板を除去した後、InGaAs層よりなる前記エッチングストッパ層を除去する工程と、該除去工程により露出されたInP層よりなる前記第１接着層上に、ｐ型InGaP層よりなる前記ｐ側クラッド層を接着する工程と、前記GaAs基板を除去した後、InGaP層よりなる前記エッチングストッパ層を除去する工程とを有することを特徴とする。
【００１０】
請求項４に記載の発明に係る半導体レーザの製造方法は、前記ｐ型のGaAs層よりなるコンタクト層と前記ｐ型のInGaP層よりなるｐ側クラッド層の上部とを、ストライプ領域上以外の領域から除去して前記ストライプ領域をメサ状に残留し、該メサ状の前記ストライプ領域の側面と前記ｐ側クラッド層の上面とに絶縁膜を形成し、少なくとも前記コンタクト層の上面に正電極を形成し、前記ｎ型のInP基板の下面に負電極を形成する工程を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
以上説明したように、本発明に係る半導体レーザ装置は、ｐ側クラッド層の禁制帯幅が活性層の禁制帯幅より顕著に大きくしてあるか、または、ｐ側クラッド層とｎ側クラッド層との双方のクラッド層の禁制帯幅が活性層の禁制帯幅より顕著に大きくしてあるかされているので、電荷が活性層中からクラッド層中にオーバーフローする問題が解消されており、温度特性が向上している。また、本発明に係る半導体レーザ装置の製造方法は、基板接着法を使用しているので、禁制帯幅が顕著に相違し格子定数が大幅に相違している一方または双方のクラッド層を活性層に接触して形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態の４例に係る半導体レーザ装置の製造方法について、さらに説明する。
第１例
第１工程
図２参照
ＭＯＣＶＤ法を使用して、ｎ型のＩｎＰ基板１１上に、ｎ型のＩｎＰ層よりなるｎ側クラッド層１２と、波長１．３μｍで発振するＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＭＱＷよりなる活性層１３と、ＩｎＰ層またはＩｎＧａＰ層よりなる接着層１４とを、形成する。
【００１４】
その後、Ｈ2 ＳＯ4 とＨ2 Ｏ2 とＨ2 Ｏとが３：１：１の割合で混合されている処理液とフッ酸とを使用して、ｎ型ＩｎＰ基板１１を処理する。
【００１５】
第２工程
図３参照
ＭＯＣＶＤ法を使用して、ＧａＡｓ基板１５上に、ＩｎＧａＰ層よりなるエッチングストッパ層１６と、ｐ型ＧａＡｓ層よりなるコンタクト層１７と、ｐ型ＩｎＧａＰ層よりなるｐ側クラッド層１８とを、形成する。
【００１６】
その後、Ｈ2 ＳＯ4 とＨ2 Ｏ2 とＨ2 Ｏとが１：１：１０の割合で混合されている処理液とフッ酸とを使用して、ｐ型ＧａＡｓ基板１５を処理する。
【００１７】
第３工程
図４参照
第１工程で形成された接着層１４の上に、第２工程で形成されたｐ側クラッド層１８を、大気中で張り合わせる。このとき、双方の基板の劈開面を一致させることが必要である。
【００１８】
Ｍｏ等汚染の虞のない重錘を載せて、数十ｇ例えば３０ｇ／ｃｍ2 程度の圧力を印加しながら、６００℃以下の温度例えば５００℃程度の温度で３０分間熱処理を施し、接着層１４上にｐ側クラッド層１８を接着する。
【００１９】
第４工程
図５参照
硫酸系のエッチング液を使用して、ＧａＡｓ基板１５を溶解除去する。このエッチング工程は、ＩｎＧａＰが硫酸系のエッチング液に溶解しないため、エッチングストッパ１６の上面で自然に停止する。
【００２０】
次に、塩酸を使用して、エッチングストッパ１６を溶解除去する。このエッチング工程は、ＧａＡｓが塩酸に溶解しないため、コンタクト層１７の上面で自然に停止する。
【００２１】
第５工程
図１参照
コンタクト層１７上にＳｉＮｘ膜を形成し、フッ酸を使用する等して、これを、幅５μｍ程度のストライプ領域以外から除去して、エッチングマスク（図示せず。）を形成し、このエッチングマスクと硫酸系のエッチング液と塩酸系エッチング液とを使用して、コンタクト層１７とｐ側クラッド層１８の上部とを、ストライプ領域以外から溶解除去して、コンタクト層１７とｐ側クラッド層１８の上部とを、逆メサ状のストライプに残留する。逆メサの底部の幅は２μｍ程度になる。
【００２２】
メサ状のストライプとｐ側クラッド層１８の上面とに、ＳｉＮｘ膜（絶縁膜）１９を形成し、これをストライプ領域の側面とｐ側クラッド層１８の上面とに残留してコンタクト層１７の上面から除去する。
【００２３】
ｎ型ＩｎＰ基板１１の下面を研磨してその厚さを１００μｍ程度に減少した後、コンタクト層１７の上面とＳｉＮｘ膜１９の上面とにＴｉ−Ｐｔ−Ａｕ層よりなる正電極２０を形成し、ｎ型ＩｎＰ基板１１の下面にＡｕ−Ｇｅ−Ｎｉ／Ａｕ層よりなる負電極２１を形成する。
【００２４】
その後、共振器長が約３００μｍになるように、ストライプに直交する方向に劈開し、次いで、ストライプにそって幅約２００μｍに切断して半導体レーザ装置を完成する。
【００２５】
以上の工程をもって製造した半導体レーザ装置は、ｐ側クラッド層１８の禁制帯幅が活性層１３の禁制帯幅より顕著に大きくしてあるため、電子が活性層１３からｐ側クラッド層１８へオーバーフローする問題が解消されており、温度特性が向上している。
【００２６】
ｐ側クラッド層１８の格子定数は活性層１３の格子定数とかなり相違しているが、基板接着法が使用され、結晶成長法は使用されていないので、何ら問題はない。
【００２７】
なお、ｐ型ＩｎＧａＰ層よりなるｐ側クラッド層１８とＩｎＰ層よりなる接着層１４とが基板接着されるが、ＩｎＰとＩｎＧａＰとは近似した材料であるので、界面変性層はレーザ特性に悪影響を及ぼさない組成となる。
【００２８】
たゞ、界面変性層は接着界面に存在する材料の全てが混合したものであるから、接着界面に存在する材料は、できるだけ、同質であることが望ましい。また、結晶成長される層（ｎ型ＩｎＰ基板１１に対してはＩｎＰ層よりコンタクト層１４であり、ｐ型ＧａＡｓ基板１５に対してはｐ型ＩｎＧａＰ層よりなるｐ側クラッド層１８である。）は、それぞれ、その基板と格子定数が近いことが望ましい。
【００２９】
もっとも、接着される層は全く同一組成であるには及ばない。界面変性層が発振波長を吸収しないことになれば（界面変性層の禁制帯幅が活性層の禁制帯幅より大きくなれば）、レーザ特性に悪影響を及ぼさないからである。
【００３０】
活性層の構造や半導体レーザ装置全体の構造や発振波長等は、本発明を制限するものではない。
第２例
第１工程
図６参照
ＭＯＣＶＤ法を使用して、ｎ型のＩｎＰ基板３１上に、ＩｎＧａＡｓ層よりなるエッチングストッパ層３２と、ＩｎＰ層よりなる第１接着層３３と、波長１．３μｍで発振するＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＭＱＷよりなる活性層３４と、ＩｎＰ層よりなる第２接着層３５とを、形成する。
【００３１】
第２工程
図７参照
ＭＯＣＶＤ法を使用して、ｎ型ＧａＡｓ基板３６上に、ｎ型ＩｎＧａＰ層よりなるｎ側クラッド層３７を形成する。
【００３２】
第３工程
図８参照
ＭＯＣＶＤ法を使用して、ＧａＡｓ基板３８上に、ＩｎＧａＰ層よりなるエッチングストッパ層３９と、ｐ型ＧａＡｓ層よりなるコンタクト層４０と、ｐ型ＩｎＧａＰ層よりなるｐ側クラッド層４１とを、形成する。
【００３３】
第４工程
図９参照
第１工程でｎ型のＩｎＰ基板３１上に形成された第２接着層３５上に、第２工程でｎ型ＧａＡｓ基板３６上に形成されたｎ側クラッド層３７を、前処理した後、大気中で張り合わせる。このとき、双方の基板の劈開面を一致させることが必要である。
【００３４】
Ｍｏ等汚染の恐れのない重錘を載せて、数十ｇ例えば３０ｇ／ｃｍ2 程度の圧力を印加しながら、６００℃以下の温度例えば５００℃程度の温度で３０分間熱処理を施し、第２接着層３５上にｎ側クラッド層３７を接着する。
【００３５】
第５工程
図１０参照
第４工程で張り合わされた基板の構成要素のうち、ｎ型ＩｎＰ基板３１とＩｎＧａＡｓ層よりなるエッチングストッパ層３２とを除去する。
【００３６】
そして、ＩｎＰ層よりなる第１接着層３３上に、第３工程でＧａＡｓ基板３８上に形成したｐ側クラッド層４１を、大気中で張り合わせる。このとき、双方の基板の劈開面を一致させることが必要である。
【００３７】
Ｍｏ等汚染の恐れのない重錘を載せて、数十ｇ例えば３０ｇ／ｃｍ2 程度の圧力を印加しながら、６００℃以下の温度例えば５００℃程度の温度で３０分間熱処理を施し、第１接着層３３上にｐ側クラッド層４１を接着する。
【００３８】
第６工程
図１１参照
第５工程で工程で張り合わされた基板のＧａＡｓ基板３８とｎ型ＩｎＧａＰ層よりなるエッチングストッパ層３７とを除去する。
【００３９】
そして、コンタクト層４０上にＳｉＮｘ膜を形成し、フッ酸を使用する等して、これを、幅５μｍ程度のストライプ領域以外から除去して、エッチングマスク（図示せず。）を形成し、このエッチングマスクを使用して、コンタクト層４０とｐ側クラッド層４１の上部とを、ストライプ領域以外から溶解除去して、コンタクト層４０とｐ側クラッド層４１の上部とを、逆メサ状のストライプに残留する。逆メサの底部の幅は２μｍ程度になる。
【００４０】
メサ状のストライプとｐ側クラッド層４１の上面とに、ＳｉＮｘ膜（絶縁膜）４２を形成し、これをストライプ領域の側面とｐ側クラッド層４１の上面とに残留してコンタクト層４０の上面から除去する。
【００４１】
ｎ型ＧａＡｓ基板３６の下面を研磨してその厚さを１００μｍ程度に減少した後、コンタクト層４０の上面とＳｉＮｘ膜４２の上面とにＴｉ−Ｐｔ−Ａｕ層よりなる正電極４３を形成し、ｎ型ＧａＡｓ基板３６の下面にＡｕ−Ｇｅ−Ｎｉ／Ａｕ層よりなる負電極４４を形成する。
【００４２】
その後、共振器長が約３００μｍになるように、ストライプに直交する方向に劈開し、次いで、ストライプにそって幅約２００μｍに切断して半導体レーザ装置を完成する。
【００４３】
以上の工程をもって製造した半導体レーザ装置は、ｐ側クラッド層４１の禁制帯幅とｎ側クラッド層３７の禁制帯幅とが活性層３４の禁制帯幅より顕著に大きくしてあるため、電子が活性層３４からｐ側クラッド層４１とｎ側クラッド層３７とにオーバーフローする問題が解消されており、温度特性が向上している。
【００４４】
以上説明したように、本発明に係る半導体レーザ装置の製造方法により製造される半導体レーザは、ｐ側クラッド層の禁制帯幅が活性層の禁制帯幅より顕著に大きくしてあるか、または、ｐ側クラッド層とｎ側クラッド層との双方のクラッド層の禁制帯幅が活性層の禁制帯幅より顕著に大きくしてあるかされているので、電荷が活性層中からクラッド層中にオーバーフローする問題が解消されており、温度特性が向上している。また、本発明に係る半導体レーザ装置の製造方法は、禁制帯幅が顕著に相違し格子定数が大幅に相違している一方または双方のクラッド層を活性層に接触して形成することができる。
【００４５】
活性層の構造や半導体レーザ装置全体の構造や発振波長等は、本発明を制限するものではない。
第３例
図１２参照
どの材料を使用しても、接着までの工程は、ＩｎＧａＰの場合と同一である。但し、Ａｌを含む材料を使用する場合には、表面が酸化するため、図１２に示すように、ＩｎＧａＰの酸化の度合いが非常に小さい保護膜が必要である。図において、５１はＧａＡｓ基板であり、５２はＩｎＧａＰ層よりなるエッチングストッパ層であり、５３はｐ型ＧａＡｓ層よりなるコンタクト層であり、５４はＡｌＡｓ層よりなるクラッド層であり、５５はｐ型ＩｎＧａＰ層である。
【００４６】
第４例
図１３参照
また、Ａｌを含む材料の場合、逆に酸化を利用して電流狭窄構造を形成することが可能である。図１３にその１例を示す。製造方法は、接着後にｐ型ＧａＡｓコンタクト層６７とｐ型ＡｌＡｓクラッド層６６とを、幅５μｍ程度のストライプ状リッジに形成した後、酸素を含む雰囲気中で熱処理を行うことにより、ＡｌＡｓ酸化領域６８を形成することである。これにより、コンタクト層の幅はそのまゝで、クラッド層のみ狭くできる。図において、６１はｎ型ＩｎＰ基板であり、６２はｎ側クラッド層（ｎ型ＩｎＰ層）であり、６３は活性層（ＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＭＱＷ層）であり、６４は接着層（ｐ型ＩｎＰ層）であり、６５はｐ型ＩｎＧａＰ層であり、６６はｐ側クラッド層（ｐ型ＡｌＡｓ層）であり、６７はコンタクト層（ｐ型ＧａＡｓ層）であり、６８は絶縁膜（ポリイミド膜）である。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の実施の形態の第１例に係る半導体レーザ装置の製造方法を実施して製造した半導体レーザ装置をストライプに沿う方向から見た層構造図である。
【図２】本発明の実施の形態の第１例に係る半導体レーザ装置の製造方法の第１工程完了後の基板層構造図である。
【図３】本発明の実施の形態の第１例に係る半導体レーザ装置の製造方法の第２工程完了後の基板層構造図である。
【図４】本発明の実施の形態の第１例に係る半導体レーザ装置の製造方法の第３工程完了後の基板層構造図である。
【図５】本発明の実施の形態の第１例に係る半導体レーザ装置の製造方法の第４工程完了後の基板層構造図である。
【図６】本発明の実施の形態の第２例に係る半導体レーザ装置の製造方法の第１工程完了後の基板層構造図である。
【図７】本発明の実施の形態の第２例に係る半導体レーザ装置の製造方法の第２工程完了後の基板層構造図である。
【図８】本発明の実施の形態の第２例に係る半導体レーザ装置の製造方法の第３工程完了後の基板層構造図である。
【図９】本発明の実施の形態の第２例に係る半導体レーザ装置の製造方法の第４工程完了後の基板層構造図である。
【図１０】本発明の実施の形態の第２例に係る半導体レーザ装置の製造方法の第５工程完了後の基板層構造図である。
【図１１】本発明の実施の形態の第２例に係る半導体レーザ装置の製造方法を実施して製造した半導体レーザ装置をストライプに沿う方向から見た層構造図である。
【図１２】本発明の実施の形態の第３例に係る半導体レーザ装置の説明図である。
【図１３】本発明の実施の形態の第４例に係る半導体レーザ装置の説明図である。
【符号の説明】
【００４８】
１１：ｎ型ＩｎＰ基板
１２：ｎ側クラッド層（ｎ型ＩｎＰ層）
１３：活性層（ＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＭＱＷ層）
１４：接着層（ＩｎＰ層またはＩｎＧａＰ層）
１５：ＧａＡｓ基板
１６：エッチングストッパ層（ＩｎＧａＰ層）
１７：コンタクト層（ｐ型ＧａＡｓ層）
１８：ｐ側クラッド層（ｐ型ＩｎＧａＰ層）
１９：絶縁膜（ＳｉＮｘ膜）
２０：正電極（Ｔｉ−Ｐｔ−Ａｕ層）
２１：負電極（Ａｕ−Ｇｅ−Ｎｉ／Ａｕ層）
３１：ｎ型ＩｎＰ基板
３２：エッチングストッパ層（ＩｎＧａＡｓ層）
３３：第１接着層（ＩｎＰ層）
３４：活性層（ＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＭＱＷ層）
３５：第２接着層（ＩｎＰ層）
３６：ｎ型ＧａＡｓ基板
３７：ｎ側クラッド層（ｎ型ＩｎＧａＰ層）
３８：ＧａＡｓ基板
３９：エッチングストッパ層（ＩｎＧａＰ層）
４０：コンタクト層（ｐ型ＧａＡｓ層）
４１：ｐ側クラッド層（ｐ型ＩｎＧａＰ層）
４２：絶縁膜（ＳｉＮｘ膜）
４３：正電極（Ｔｉ−Ｐｔ−Ａｕ層）
４４：負電極（Ａｕ−Ｇｅ−Ｎｉ／Ａｕ層）
５１：ＧａＡｓ基板
５２：エッチングストッパ層（ＩｎＧａＰ層）
５３：コンタクト層（ｐ型ＧａＡｓ層）
５４：ｐ側クラッド層（ｐ型ＡｌＡｓ層）
５５：ｐ型ＩｎＧａＰ層
６１：ｎ型ＩｎＰ基板
６２：ｎ側クラッド層（ｎ型ＩｎＰ層）
６３：活性層（ＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＭＱＷ層）
６４：接着層（ｐ型ＩｎＰ層）
６５：ｐ型ＩｎＧａＰ層
６６：ｐ側クラッド層（ｐ型ＡｌＡｓ層）
６７：コンタクト層（ｐ型ＧａＡｓ層）
６８：ＡｌＡｓ酸化領域
６９：絶縁膜（ポリイミド膜）
【図１】
0004142703.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
0004142703.tif 000014