(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、表面に案内溝を有する基板上に、直接または他の層を介して、熱分解温度が400℃以下の色素材料からなる記録層を有し、記録層の表面側に直接または他の層を介して反射層を有する記録可能な光記録媒体を用い、前記基板の裏面側から記録光を照射することにより、記録層にピット長変調した記録マークを、記録線速度１４．４ｍ／ｓで形成する光記録再生方法であって、最短信号記録パルス長をディスク内周部と外周部で変化させることを特徴とする光記録再生方法。
【請求項２】
少なくとも、表面に案内溝を有する基板上に、直接または他の層を介して、熱分解温度が400℃以下の色素材料からなる記録層を有し、記録層の表面側に直接または他の層を介して反射層を有する記録可能な光記録媒体を用い、前記基板の裏面側から記録光を照射することにより、記録層にピット長変調した記録マークを、記録線速度１４．４ｍ／ｓで形成する光記録再生方法であって、信号中２番目に短い信号記録パルス長をディスク内周部と外周部で変化させることを特徴とする光記録再生方法。
【請求項３】
記録信号がCD信号であり、最短信号記録パルス(3T パルス)長を(3-X) ＊231.4ns として記録する請求項１に記載の光記録再生方法。
ただし、0.25≦0.08＊Vw/Vr+X ≦1.25Vwは記録速度、Vrはコンパクトディスクの標準再生速度(1.2m/s 〜1.4m/s) である。
【請求項４】
記録信号がCD信号であり、CD信号の２番目に短い信号記録パルス(4T パルス) 長を(4-X) ＊231.4ns として記録する請求項２に記載の光記録再生方法。
ただし、0.25≦0.08＊Vw/Vr+X ≦1.25Vwは記録速度、Vrはコンパクトディスクの標準再生速度(1.2m/s 〜1.4m/s) である。
【請求項５】
前記色素材料が、下記一般式(1) で表されるフタロシアニン系化合物である請求項１または２に記載の光記録再生方法。
【化１】
0004143271.tif 000008
（式中、Ｍは、２価の金属原子、１置換３価金属原子、２置換４価金属原子又はオキシ金属を表し、Ａ1 とＡ2 、Ａ3 とＡ4 、Ａ5 とＡ6 及びＡ7 とＡ8 は、それぞれのどちらか一方は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、フェニル基、アルキルチオ基、またはフェニルチオ基を表し、他方はハロゲン、ニトロ基、CN基、または水素原子を表す。）
【請求項６】
前記色素材料の熱分解温度が、250 ℃以上、400 ℃以下である請求項１〜５のいずれかに記載の光記録再生方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光記録媒体、特にCD-R、DVD-R のような光記録ディスクに対し記録および再生を行う光記録再生方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、読み出し専用のＣＤ（コンパクトディスク）などの光記録媒体に加えて、記録可能なＣＤ（ＣＤ- Ｒ，ＣＤ- ＲＷ）が実用化されている。
ＣＤ- Ｒ、ＣＤ- ＲＷは、従来のＣＤと異なりユーザが情報を記録することが可能で且つ記録後の信号は、従来のＣＤの規格を満足するため、市販ＣＤプレーヤで再生可能であるという特徴をもつ。
このようなメディアを実現する方法の１つとしては、例えば、CD-Rでは特開平２−４２６５２号公報において、基板上に色素をスピンコーティングして光吸収層を設け、その背後に金属反射層を設けることが提案されている。
一方、記録用ドライブとしては、最近、従来の等速度（約1.3m/s) 記録から、記録速度の高速化が進み、より高性能な４〜12倍速度（約15.6m/s)記録モデルが一般的に普及している。
【０００３】
ところが、従来のＣＤ−Ｒメディアは12倍速のような高速度で記録した場合、等速度記録に比べ、信号品質が劣っていた。すなわち、高速度で記録した場合は記録パワーに対する特性マージンが狭く、記録機と再生機の組み合わせによっては、再生エラーが発生するという問題があった。
【０００４】
特許第２８５８０６７号公報には(n+P)231.4ns・Vr/Vw のパルス幅にてEFM 信号をＣＤ- Ｒに記録し、ただし、n=3.4.5.6.7.8.9.10.11  -0.5<P<-0.2、記録速度が速いほどパルス幅を短くすることが、特開平10−64065 号公報には記録速度が速くなるほど記録パルスのボトムパワーの値を低くすることが提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、高速度記録に優れた光記録媒体の光記録再生方法を提供することにある。
【０００６】
高速度で記録した場合に記録パワーに対するマージンが狭くなるのは、以下のような理由によるものと推測される。すなわち、高速度で記録した場合は等速度に比べ、光吸収層に形成される記録ピットの形成速度が速く、記録ピットの前後および隣接トラックなどの熱干渉が大きくなり、記録ピットが所望の長さからずれるために信号ジッターが大きくなると考えられる。
この場合、記録パワーが大きいほど熱干渉の影響が大きい。また、この影響はメディアの内周部と外周部で異なる。これは、一般に色素記録層がスピンコート法で製膜されることなどによる。
スピンコート法では、色素膜厚や基板に形成された案内溝への色素の埋まり具合を制御しにくく、色素膜の製膜状態に内外周差が生じ、熱干渉の影響が変化する。さらに、基板上に形成される案内溝形状も熱干渉に影響する。溝が深いおよび／または溝が細い方が熱干渉防止効果を得やすく、溝形状の内外周差により、熱干渉の影響が変化する。
よって本発明では、記録層の熱分解特性およびメディアの内外差と記録パルスパターンを高速記録条件に適した特性に調整することにより、前述の課題を解決する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明では、特定の熱分解特性を有する記録材料および記録パルスパターンの組み合わせにより、上記課題を解決した。すなわち、請求項１記載の光記録再生方法の発明は、少なくとも、表面に案内溝を有する基板上に、直接または他の層を介して、熱分解温度が400℃以下の色素材料からなる記録層を有し、記録層の表面側に直接または他の層を介して反射層を有する記録可能な光記録媒体を用い、前記基板の裏面側から記録光を照射することにより、記録層にピット長変調した記録マークを、記録線速度１４．４ｍ／ｓで形成する光記録再生方法であって、最短信号記録パルス長をディスク内周部と外周部で変化させることを特徴とする。
【０００８】
請求項２記載の光記録再生方法の発明は、少なくとも、表面に案内溝を有する基板上に、直接または他の層を介して、熱分解温度が400℃以下の色素材料からなる記録層を有し、記録層の表面側に直接または他の層を介して反射層を有する記録可能な光記録媒体を用い、前記基板の裏面側から記録光を照射することにより、記録層にピット長変調した記録マークを、記録線速度１４．４ｍ／ｓで形成する光記録再生方法であって、信号中２番目に短い信号記録パルス長をディスク内周部と外周部で変化させることを特徴とする。
【０００９】
請求項３記載の発明は、請求項１の光記録再生方法において、記録信号がCD信号であり、最短信号記録パルス(3T パルス) 長を(3-X) ＊231.4ns として記録することを特徴とする。
ただし、0.25≦0.08＊Vw/Vr+X ≦1.25
Vwは記録速度、Vrはコンパクトディスクの標準再生速度(1.2m/s 〜1.4m/s) である。
【００１０】
請求項４記載の発明は、請求項２の光記録再生方法において、記録信号がCD信号であり、CD信号の2 番目に短い信号記録パルス(4T パルス) 長を(4-X) ＊231.4ns として記録することを特徴とする。
ただし、0.25≦0.08＊Vw/Vr+X ≦1.25
Vwは記録速度、Vrはコンパクトディスクの標準再生速度(1.2m/s 〜1.4m/s) である。
【００１１】
請求項５記載の発明は、請求項１または２の光記録再生方法において、前記色素材料が、下記一般式(1) で表されるフタロシアニン系化合物であることを特徴とする。
【００１２】
【化２】
0004143271.tif 000002
【００１３】
（式中、Ｍは、２価の金属原子、１置換３価金属原子、２置換４価金属原子又はオキシ金属を表し、Ａ1 とＡ2 、Ａ3 とＡ4 、Ａ5 とＡ6 及びＡ7 とＡ8 は、それぞれのどちらか一方は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、フェニル基、アルキルチオ基、またはフェニルチオ基を表し、他方はハロゲン、ニトロ基、CN基、または水素原子を表す。）
【００１４】
請求項６記載の発明は、請求項１〜５のいずれかに記載の光記録再生方法において、前記色素材料の熱分解温度が、250 ℃以上、400 ℃以下であることを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら詳述する。
本発明による光記録再生方法は、少なくとも、表面に案内溝を有する基板上に、直接または他の層を介して、熱分解温度が400 ℃以下の色素材料からなる記録層を有し、記録層の表面側に直接または他の層を介して反射層を有する記録可能な光記録媒体を用い、前記基板の裏面側から記録光を照射することにより、記録層にピット長変調した記録マークを形成する光記録再生方法であって、最短信号記録パルス長をディスク内周部と外周部で変化させることを特徴とする。
本発明は、上記光記録再生方法において、記録信号がCD信号であり、最短信号記録パルス(3T パルス) 長を(3-X) ＊231.4ns として記録することを特徴とする。
ただし、0.25≦0.08＊Vw/Vr+X ≦1.25、Vwは記録速度、Vrはコンパクトディスクの標準再生速度(1.2m/s 〜1.4m/s) である。
【００１７】
また、本発明による光記録再生方法は、少なくとも、表面に案内溝を有する基板上に、直接または他の層を介して、熱分解温度が400 ℃以下の色素材料からなる記録層を有し、記録層の表面側に直接または他の層を介して反射層を有する記録可能な光記録媒体を用い、前記基板の裏面側から記録光を照射することにより、記録層にピット長変調した記録マークを形成する光記録再生方法であって、信号中２番目に短い信号記録パルス長をディスク内周部と外周部で変化させることを特徴とする。
【００１８】
また、上記光記録再生方法において、記録信号がCD信号であり、CD信号の２番目に短い信号記録パルス(4T パルス) 長を(4-X) ＊231.4ns として記録してもよい。
ただし、0.25≦0.08＊Vw/Vr+X ≦1.25、Vwは記録速度、Vrはコンパクトディスクの標準再生速度(1.2m/s 〜1.4m/s) である。
【００１９】
また、上記光記録再生方法において、色素材料が、下記一般式(1) で表されるフタロシアニン系化合物としてもよい。
【００２０】
【化３】
0004143271.tif 000003
【００２１】
（式中、Ｍは、２価の金属原子、１置換３価金属原子、２置換４価金属原子又はオキシ金属を表し、Ａ1 とＡ2 、Ａ3 とＡ4 、Ａ5 とＡ6 及びＡ7 とＡ8 は、それぞれのどちらか一方は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、フェニル基、アルキルチオ基、またはフェニルチオ基を表し、他方はハロゲン、ニトロ基、CN基、または水素原子を表す。）
【００２２】
上記光記録再生方法においては、色素材料の熱分解温度が、250 ℃以上、400 ℃以下であることが好ましい。
【００２３】
また、光記録媒体は、上記光記録再生方法により、データピットを形成することを特徴としている。
【００２４】
ここで、上記光記録再生方法における光記録媒体の記録層を構成する色素材料の熱分解温度とは、熱天秤にて10℃/minで昇温したときの熱量(DSC) 変化ピーク温度または重量変化(Tg)開始温度である。
【００２５】
また、記録信号がCD信号の場合、CD信号の最短信号記録パルス(3T パルス) 長は以下の条件範囲が好ましい。
最短信号記録パルス(3T パルス) 長＝(3-X) ＊231.4ns
ただし、0.25≦0.08＊Vw/Vr+X ≦1.25
Vwは記録速度、Vrはコンパクトディスクの標準再生速度(1.2m/s 〜1.4m/s) である。
記録速度が速いほど、また短い記録信号パルスほど、記録ピットの熱的な干渉を生じやすい。そこで、CD信号であるEFM にて最も短い3Tパルス長を記録速度に合わせて制御する。
上記式では、記録速度が速いほど、記録パルスを長くするように制御することにより、記録膜上での記録ピットの広がりを抑える効果がある。
【００２６】
さらに、記録パルス(3T パルス) 長をディスク内周部と外周部で変化させることにより、ディスクの内外差を調整する。パルス長の変化量としては、5 ％〜20％が好ましく、記録パルスの内外変化は、内周部に比べ外周部でパルスを長くすることが好ましい。
一般的に、スピンコート製膜では内周部に比べ外周部で色素膜厚が厚くなり易く、案内溝への色素の埋まり具合も外周部にて埋まり易い。このような場合は色素膜厚の増加量に応じて、外周部にて記録パルス長を長くする。
【００２７】
さらに、パルスCD信号の２番目に短い信号記録パルス長4Tを次のように制御することでも同様の効果が得られる。
２番目に短い信号記録パルス(4T パルス) 長＝(4-X) ＊231.4ns
ただし、0.25≦0.08＊Vw/Vr+X ≦1.25
Vwは記録速度、Vrはコンパクトディスクの標準再生速度(1.2m/s 〜1.4m/s) である。
【００２８】
本発明で用いられる色素材料としては、例えば、シアニン系色素、フタロシアニン系色素、ピリリウム系・チオピリリウム系色素、アズレニウム系色素、スクワリリウム系色素、Ｎｉ、Ｃｒなどの金属錯塩系色素、ナフトキノン系・アントラキノン系色素、インドフェノール系色素、インドアニリン系色素、トリフェニルメタン系色素、トリアリルメタン系色素、アミニウム系・ジインモニウム系色素及びニトロソ化合物を挙げることができるが、上記一般式（１）のフタロシアニンが良い。
上記式１中、Ｍは、２価の金属原子、１置換３価金属原子、２置換４価金属原子又はオキシ金属を表し、Ａ1 とＡ2 、Ａ3 とＡ4 、Ａ5 とＡ6 及びＡ7 とＡ8 は、それぞれのどちらか一方は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、フェニル基、アルキルチオ基、またはフェニルチオ基を表し、他方はハロゲン、ニトロ基、CN基、または水素原子を表す。
【００２９】
上記フタロシアニンは光・熱に対する耐久性に優れるとともに、400C以下の熱分解温度を得やすい。さらに、250 ℃以上400 ℃以下の熱分解温度を得やすい。
熱分解温度が400 ℃以上では、高速記録条件にて良好な記録感度を得にくい。
一方、熱分解温度が250 ℃以下では、記録ピットが熱干渉し易く、記録パルスパターンによる制御が難しくなる。
【００３０】
フタロシアニンの具体的な構造は次のようなものを挙げることができる。
中心金属Ｍとしては、
２価の金属：Ｃｕ2+、Ｚｎ2+、Ｆｅ2+、Ｃｏ2+、Ｎｉ2+、Ｒｕ2+、Ｒｈ2+、Ｐｄ2+、Ｐｔ2+、Ｍｎ2+、Ｍｇ2+、Ｔｉ2+、Ｂｅ2+、Ｃａ2+、Ｂａ2+、Ｃｄ2+、Ｈｇ2+、Ｐｂ2+、Ｓｎ2+など。
１置換３価金属：Ａｌ−Ｃｌ、Ａｌ−Ｂｒ、Ａｌ−Ｆ、Ａｌ−Ｉ、Ｇａ−Ｃｌ、Ｇａ−Ｆ、Ｇａ−Ｉ、Ｇａ−Ｂｒ、Ｉｎ−Ｃｌ、Ｉｎ−Ｂｒ、Ｉｎ−Ｉ、Ｉｎ−Ｆ、Ｔｌ−Ｃｌ、Ｔｌ−Ｂｒ、Ｔｌ−Ｉ、Ｔｌ−Ｆ、Ａｌ−Ｃ6 Ｈ5 、Ａｌ−Ｃ6 Ｈ4 （ＣＨ3 ）、Ｉｎ−Ｃ6 Ｈ5 、Ｉｎ−Ｃ6 Ｈ4 （ＣＨ3 ）、Ｉｎ−Ｃ10Ｈ7 、Ｍｎ（ＯＨ）、Ｍｎ（ＯＣ6 Ｈ5 ）、Ｍｎ（ＯＳｉ（ＣＨ3 ）3 ）、ＦｅＣｌ、ＲｕＣｌなど。
２置換４価金属：ＣｒＣｌ2 、ＳｉＣｌ2 、ＳｉＢｒ2 、ＳｉＦ2 、ＳｉＩ2 、ＺｒＣｌ2 、ＧｅＣｌ2 、ＧｅＢｒ2 、ＧｅＩ2 、ＧｅＦ2 、ＳｎＣｌ2 、ＳｎＢｒ2 、ＳｎＩ2 、ＳｎＦ2 、ＴｉＣｌ2 、ＴｉＢｒ2 、ＴｉＦ2 、Ｓｉ（ＯＨ）2 、Ｇｅ（ＯＨ）2 、Ｚｒ（ＯＨ）2 、Ｍｎ（ＯＨ）2 、Ｓｎ（ＯＨ）2 、ＴｉＲ2 、ＣｒＲ2 、ＳｉＲ2 、ＳｎＲ2 、ＧｅＲ2 〔Ｒはアルキル基、フェニル基、ナフチル基及びその誘導体を表わす〕、Ｓｉ（ＯＲ' ）2 、Ｓｎ（ＯＲ' ）2 、Ｇｅ（ＯＲ' ）2 、Ｔｉ（ＯＲ' ）2 、Ｃｒ（ＯＲ' ）2 〔Ｒ' はアルキル基、フェニル基、ナフチル基、トリアルキルシリル基、ジアルキルアルコキシシリル基及びその誘導体を表わす〕、Ｓｎ（ＳＲ〜）2 、Ｇｅ（ＳＲ〜）2 〔Ｒ〜はアルキル基、フェニル基、ナフチル基及びその誘導体を表わす〕など。
オキシ置換：ＶＯ、ＭｎＯ、ＴｉＯなど。
中でも、Zn、Ni、Cu、Pd、VO、TiO から選ばれる1 つの金属原子または金属酸化物が好ましい。
これらのＭの化合物は製造が容易であり、また、良好な光吸収特性を有する。
置換基Ａ1 〜Ａ8 としては、炭素数１〜１０の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、アルコキシ基若しくはアルキルチオ基、炭素数６〜２０のアリール基、アリールオキシ基若しくはアリールチオ基、ハロゲン原子、ニトロ基、ＣＮ基又は水素原子が好ましい。
【００３１】
炭素数１〜１０のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｉｓｏ−ペンチル基、ｎｅｏ−ペンチル基、１−メチルブチル基、２−メチルブチル基、ｎ−ヘキシル基、２−エチルブチル基、３−メチルペンチル基、２，３−ジメチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−ノニル基、２，５，５−トリメチルヘキシル基、ｎ−デシル基、４−エチルオクチル基、４−エチル−４，５ジメチルヘキシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、１，３，５，７−テトラメチルオクチル基、４−ブチルオクチル基、６，６−ジエチルオクチル基、ｎ−トリデシル基、６−メチル−４−ブチルオクチル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、２−クロロブチル基などが挙げられる。
【００３２】
炭素数１〜１０のアルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ｉｓｏ−プロピルオキシ基、ｎ−ブチルオキシ基、ｉｓｏ−ブチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルオキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎｅｏ−ペンチルオキシ基、ｉｓｏ−ペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシ基、１−メチルブチルオキシ基、２−メチルブチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、アダマンチルオキシ基、ノルボルニルオキシ基、２−クロロブチルオキシ基などが挙げられる。
【００３３】
炭素数１〜１０のアルキルチオ基の具体例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、ｉｓｏ−プロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、ｉｓｏ−ブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｎ−ペンチルチオ基、ｉｓｏ−ペンチルチオ基、ｎｅｏ−ペンチルチオ基、１，２−ジメチルプロピルチオ基、ｎ−ヘキシルチオ基、１−エチル−２−メチルプロピルチオ基、２−エチルブチルチオ基、シクロヘキシルチオ基、２−メチル−１−ｉｓｏ−プロピルチオ基、ｎ−ヘプチルチオ基、２−メチルヘキシルチオ基、１−エチルペンチルチオ基、ｎ−オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、３−メチル−１−ｉｓｏ−プロピルブチルチオ基、ｎ−ノニルチオ基、３−メチル−１−ｉｓｏ−ブチルブチルチオ基、３，５，５−トリメチルヘキシルチオ基、２−クロロブチルチオ基、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシルチオ基などが挙げられる。
【００３４】
炭素数６〜２０のアリール基の具体例としては、フェニル基、２−メチルフェニル基、２，４−ジメチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、２−ｉｓｏ−プロピルフェニル基、４−ブロモフェニル基、２，６−ジクロロフェニル基、ナフチル基などが挙げられ、
炭素数６〜２０のアリールオキシ基の具体例としては、フェノキシ基、２−メチルフェノキシ基、２，４−ジメチルフェノキシ基、２，４，６−トリメチルフェノキシ基、２−ｉｓｏ−プロピルフェノキシ基、４−ブロモフェノキシ基、２，６−ジクロロフェノキシ基、ナフチルオキシ基などが挙げられ、
また炭素数６〜２０のアリーチオ基の具体例としては、フェニルチオ基、２−メチルフェニルチオ基、２，４−ジメチルフェニルチオ基、２，４，６−トリメチルフェニルチオ基、２−ｉｓｏ−プロピルフェニルチオ基、４−ブロモフェニルチオ基、２，６−ジクロロフェニルチオ基、ナフチルチオ基などが挙げられる。
【００３５】
ハロゲン原子の具体例としては、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ各原子が挙げられる。
【００３６】
以上の置換基の中で特に好ましいのは、炭素数４〜１０の直鎖又は分岐状のアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基及び炭素数６〜15のアリールオキシ基、アリールチオ基である。
これらの基を有する化合物は、溶解性に優れ、塗布成膜が容易である。
また、炭素数がこれらより大きくなると、光吸収層の単位膜当たりの吸光度が低下し、適正な光学的な特性（複素屈折率）が得られにくくなるので、好ましくない。
【００３７】
また、Ａ1 〜Ａ8 には、記録感度を向上する、光吸収層の吸収波長を調節する、塗布溶媒に対する溶解性を向上する等の理由で他の基を付加してもよく、このような基としては、スルホン酸基、スルホン酸アミン、カルボキシル基、アミド基、イミド基などを挙げることができる。
さらに、Ａ1 〜Ａ8 の最も好ましい構造は、以下のような基である。
Ａ1 とＡ2 、Ａ3 とＡ4 、Ａ5 とＡ6 及びＡ7 とＡ8 ：それぞれのどちらか一方は、それぞれ独立に−Ｏ−Ｃ( Ｒ1)( Ｒ3)−Ｒ2 、他方は水素原子である。
Ｒ1 、Ｒ3 ：アルキル基、フッ素置換されたアルキル基又は水素原子である。
Ｒ2 ：アルキル基、置換されたフェニル基又は未置換のフェニル基である。
Ｒ1 、Ｒ3 の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−プロピル基、ブチル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、−ＣＦ3 、−Ｃ2 Ｆ5 、−ＣＦ（ＣＦ3 ）2 、水素原子などを挙げることができる。
【００３８】
特に、置換基Ｒ1 、Ｒ3 がともに-CF3であることが好ましい。-CF3基により、熱分解温度(T2)が低下し、記録感度・ジッター特性が向上する。
Ｒ2 の具体例としては、フェニル基、ナフチル基、2-メチルフェニル基、2.4-ジメチルフェニル基、2.4.6-トリメチルフェニル基、2-イソプロピルフェニル基、2.5-ジメチルフェニル基、2.6-ジメチルフェニル基、2-エチルフェニル基などが挙げられる。
フェニル基に付与されるアルキル基の炭素数は１〜４が好ましい。炭素数がこれより大きくなると光吸収層の単位膜厚当たりの吸光度が低下しやすく、良好な複素屈折率を得にくくなるためである。
【００３９】
前述の一般式（1 ）で示されるフタロシアニン化合物は、対応するフタロニトリル混合物の環化反応などにより容易に合成することができる。即ち、一般式(2) のフタロニトリルを、例えば１，８−ジアザビシクロ〔５，４，０〕−７−ウンデセンの存在下、金属誘導体とアルコール中加熱反応させることにより容易に合成できる。
【００４０】
【化４】
0004143271.tif 000004
【００４１】
前記フタロシアニン化合物からなる記録層は、化合物を溶媒に溶解し、塗布液として基板上にコートすることにより容易に得られる。更に、中心金属ＭがＦｅ2+、Ｃｏ2+、Ｚｎ2+、Ｃｄ2+、Ｍｎ2+である場合は、アミノ化合物を添加することが好ましい。
【００４２】
Ｍがこれらの金属である場合は、アミノ化合物がＭに配位しやすく、配位により容媒への溶解性、塗布成膜性が向上するためである。アミノ化合物としては、以下のような化合物を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
【００４３】
アミノ化合物：ｎ−ブチルアミン、ｎ−ヘキシルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、ピロール、ピロリジン、ピリジン、ピペリジン、プリン、イミダゾール、ベンズイミダゾール、５，６−ジメチルベンズイミダゾール、２，５，６−トリメチルベンズイミダゾール、ナフトイミダゾール、２−メチルナフトイミダゾール、キノリン、イソキノリン、キノキサリン、ベンズキノリン、フェナンスリジン、インドリン、カルバゾール、ノルハルマン、チアゾール、ベンズチアゾール、ベンズオキサゾール、ベンズトリアゾール、７−アザインドール、テトラヒドロキノリン、トリフェニルイミダゾール、フタルイミド、ベンゾイソキノリン−５，１０−ジオン、トリアジン、ペリミジン、５−クロロトリアゾール、エチレンジアミン、アゾベンゼン、トリメチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、１（２Ｈ）フタラジノン、フタルヒドラジド、１，３−ジイミノイソインドリン、オキサゾール、ポリイミダゾール、ポリベンズイミダゾール、ポリチアゾール等。
【００４４】
これらの中で、フタロシアニン系化合物の会合を防ぐ効果が高く、且つ耐久性（耐熱性、耐光性）に優れているという点から、Ｎ原子を複素環に含む化合物が好ましい。更に、光吸収層の熱安定性を維持するという点から、アミノ化合物は、融点が１５０℃以上のものであることが好ましい。融点が１５０℃未満の場合には、高温高湿環境下で光吸収層の特性（特に光学特性）が変化しやすいためである。中でも特に好ましいのは、イミダゾール、ベンズイミダゾール及びチアゾール誘導体である。
【００４５】
有機色素材料としては、前記一般式（１）で表されるフタロシアニン系化合物に加えて、必要に応じて他の第３成分、例えば、バインダー、安定剤等を含有させることができる。なお、光吸収層の膜厚は、１００〜５０００Åが好ましく、特に５００〜３０００Åが望ましい。光吸収層の膜厚が、この範囲より薄くなると記録感度が低下し、また厚くなると反射率が低下するからである。
【００４６】
本発明において使用する基板は、従来の情報記録媒体の基板として用いられている各種の材料から任意に選択することができる。
基板材料の例としては、ポリメチルメタクリレートのようなアクリル樹脂、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂、エポキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂、アモルファスポリオレフィン、ポリエステル、ソーダ石灰ガラス等のガラス及びセラミックスを挙げることができる。特に、寸法安定性、透明性及び平面性などの点から、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、アモルファスポリオレフィン、ポリエステル及びガラスなどが好ましい。
【００４７】
光吸収層が設けられる側の基板表面には、平面性の改善、接着力の向上及び光吸収層の変質の防止の目的で、下塗層が設けられてもよい。
下塗層の材料としては、例えば、ポリメチルメタクリレート、アクリル酸／メタクリル酸共重合体、スチレン／無水マレイン酸共重合体、ポリビニルアルコール、Ｎ−メチロールアクリルアミド、スチレン／スルホン酸共重合体、スチレン／ビニルトルエン共重合体、クロルスルホン化ポリエチレン、ニトロセルロース、ポリ塩化ビニル、塩素化ポリオレフィン、ポリエステル、ポリイミド、酢酸ビニル／塩化ビニル共重合体、エチレン／酢酸ビニル共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート等の高分子物質：シランカップリング剤などの有機物質：及び無機酸化物（ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 等）、無機フッ化物（ＭｇＦ2 ）などの無機物質を挙げることができる。
なお、下塗層の層厚は一般に０．００５〜２０μｍの範囲にあり、好ましくは０．０１〜１０μｍの範囲である。
【００４８】
更に、光吸収層の上には、Ｓ／Ｎ比、反射率の向上及び記録時における感度の向上の目的で、反射層が設けられる。反射層の材料である光反射性物質はレーザー光に対する反射率が高い物質であり、その例としては、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｃａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｓｉなどの金属及び半金属を挙げることができる。これらのうちで好ましいものはＡｕ、Ａｌ及びＡｇである。これら物質は単独で用いてもよいし、あるいは二種以上の組合せで又は合金として用いてもよい。
なお、反射層の層厚は一般に１００〜３０００Åの範囲にある。
【００４９】
また、光吸収層（又は反射層）の上には、光吸収層などを物理的及び化学的に保護する目的で保護層が設けられてもよい。この保護層は、基板の光吸収層が設けられていない側にも耐傷性、耐湿性を高める目的で設けられてもよい。保護層に用いられる材料の例としては、Ｓｉ、Ｏ、ＳｉＯ2 、ＭｇＦ2 、ＳｎＯ2 等の無機物質、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂を挙げることができる。なお、保護層の層厚は一般的には５００Å〜５０μｍの範囲にある。
【００５０】
次に、本発明の光記録媒体の製造方法について説明する。
本発明の光記録媒体の製造方法は、表面に案内溝が形成されてなる基板上に、直接又は他の層を介して有機色素材料を主成分とする記録層を塗布成膜手段により設け、その上に直接又は他の層を介して光反射層を真空成膜手段により設け、更にその上に保護層を設けることを特徴とする。即ち、本発明の製造方法は、下記の工程からなる。
（イ）表面に案内溝が形成されている基板上に、直接又は他の層を介して有機色素材料を主成分とする記録層を塗布成膜手段により設ける工程、（ロ）記録層上に直接又は他の層を介して光反射層を真空成膜手段により設ける工程、及び（ハ）光吸収層上に保護層を設ける工程。
【００５１】
（記録層形成工程）
本発明の方法においては、先ず表面に案内溝が形成されている基板上に、直接又は他の層を介して、有機色素材料を主成分とする記録層が塗布成膜手段により設けられる。即ち、熱分解特性を有する有機色素材料を溶媒に溶解し、液状の塗布液として基板上にコートすることにより、記録層が形成される。この塗布液を調整するための溶媒としては、公知の有機溶媒（例えば、アルコール、セルソルブ、ハロゲン化炭素、ケトン、エーテル等）を使用することができる。また、コート方法としては、光吸収層の濃度、粘度、溶剤の乾燥温度を調節することにより層厚を制御できるため、スピンコート法が望ましい。
【００５２】
なお、記録層が設けられる側の基体表面に下塗層を設けることが、基板表面の平面性の改善や接着力の向上あるいは記録層の変質防止等の目的で行なわれる。
この場合の下塗層は、例えば、前述した下塗層用物質を適当な溶剤に溶解又は分散して塗布液を調整したのち、この塗布液をスピンコート、ディップコート、エクストルージョンコートなどの塗布法により基板表面に塗布することにより形成することができる。
【００５３】
（光反射層形成工程）
本発明の方法においては、次に記録層上に直接又は他の層を介して光反射層が真空成膜手段により設けられる。即ち、前述した光反射性物質を、例えば、蒸着、スパッタリング又はイオンプレーティングすることにより、光反射層が記録層の上に形成される。
【００５４】
（保護層形成工程）
本発明の方法においては、光反射層上に保護層が設けられる。即ち、前述した無機物質や種々の樹脂からなる保護層用材料を、真空成膜又は塗布成膜することにより形成される。特に、ＵＶ硬化性樹脂を用いるのが、好ましく、該樹脂をスピンコート後、紫外線照射により硬化して形成される。
【００５５】
（実施例）
以下、実施例に基づいて本発明を説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００５６】
（実施例１）
直径120 ｍｍ、厚さ1.2 ｍｍのポリカーボネート円板の表面上に、深さ約1500Å、トラックピッチ1.6 μｍの1.2m/s再生線速用・案内溝凸凹パターンを有する基板を用意し、有機色素材料として、表１中の色素材料（フタロシアニン）（A ）の材料をテトラヒドロフランと2-メトキシエタノールとメチルシクロヘキサンの混合溶媒に溶解し、塗布液としてスピンコートすることにより記録層を設けた。
光吸収層の膜厚はディスク半径=25mm 約1500A 、ディスク半径=55mm 約1650A であった。また、A の熱天秤による熱分解温度は250 ℃であった。
【００５７】
次に、記録層の上にArをスパッタガスとして用いて、スパッタ法によりＡｇを約1400Åの厚さに設け反射層とした。更にその上に紫外線硬化樹脂(SD1700 大日本インキ) からなる保護層を約５μｍの厚さに設けて、本発明の光記録媒体(1) を得た。
【００５８】
この媒体を信号評価装置(DUUパルステック社) を用いて、波長790nm 、NA：0.5 、線速度14.4m/s の条件でオーディオデータEFM 信号を記録・再生し、ジッターメーター(LJM-1851 LEADER社) によりジッターを測定した。
EFM 記録信号パルスは、(n-X) ＊231.4ns 、
n は信号パター(T)   3.4.5.6.7.8.9.10.11  ,
ディスク半径：25〜50mmはX=0、50〜58mmはX=-0.5とした。
【００５９】
結果は表２のようであり、β=4％において規格値(35ns 以下) を満足する良好な特性が得られた。また、25mmでの記録レーザーパワーは19.3mWであった。
さらに、この光記録媒体は市販CDプレーヤーにて再生ができた。
【００６０】
（実施例２）
実施例１において、表１中の色素材料(A) を色素材料(B) に変えたこと以外は、実施例１と同様にして、本発明の記録媒体(2) を作成した。なお、(B) の熱分解温度は340 ℃であった。これらについて実施例１と同様に記録特性の評価を実施した。
ジッター特性結果は表２のようであり、実施例１と同様に規格値を満足する良好な特性が得られた。さらに、市販CDプレーヤーでの再生が可能であった。
【００６１】
（実施例３〜１０）
実施例１において、記録線速度、EFM 記録信号パルスのX を表３のように変えて、記録パワーに対するジッターマージンを測定した。結果は図１〜４に示す。
【００６２】
（比較例１、２）
実施例１において、記録線速度、EFM 記録信号パルスのX を表３のように変えて、記録パワーに対するジッターマージンを測定した。その結果を図３、４に示す。
実施例１〜１０および比較例１，２においては、図１〜４から分かるように、請求項３、４の記録パルス条件では、広いβ範囲にて良好なジッターが得られたが、上記記録パルス条件以外では、良好なジッター範囲が著しく狭くなった。
【００６３】
（比較例3 ）
実施例１において、記録パルス長をディスク内周部と外周部で変化させずに、記録50〜58mmはX=0 として記録した。
結果は表２のようであり、外周部(55mm)において規格値(35ns 以下) を満足できなかった。
【００６４】
（比較例4 ）
実施例１において、有機色素材料としてソルベントブルー (Cuフタロシアニン色素) を2.2.3.3.- テトラフロロプロパノールにてスピンコートしたこと以外は、実施例１と同様にして記録媒体を作成した。なおこの色素の熱分解温度は450 ℃以上であった。
この媒体を実施例1 同様に評価したが、レーザーパワー25mW以下では感度不足により、記録ができなかった。
【００６５】
（実験例１（比較例））
実施例１において、色素材料(A) を色素材料(C) に変えたこと以外は、実施例１と同様にして、本発明の記録媒体を作成した。なお、（Ｃ) の熱分解温度は190 ℃であった。これらについて実施例１と同様に記録特性の評価を実施した。
ジッター特性結果は表２のようであり、規格値を満足できなかった。
【００６６】
【表１】
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【００６７】
【表２】
0004143271.tif 000006
【００６８】
【表３】
0004143271.tif 000007
【００６９】
【発明の効果】
本発明における光情報記録媒体の記録再生方法では、記録層の熱分解温度が400 ℃以下であり、記録層にピット長変調した記録マークを形成する際に、最短信号記録パルス長をディスク内周部と外周部で変化させて、記録層の熱分解特性に適した最短信号記録パルスで記録するので、高速記録条件においても良好な記録再生信号特性が得られる。
【００７０】
本発明における光情報記録媒体の記録再生方法では、記録層の熱分解温度が400 ℃以下であり、記録層にピット長変調した記録マークを形成する際に、信号中２番目に短い信号記録パルス長をディスク内周部と外周部で変化させて、記録層の熱分解特性に適した記録パルスで記録するので、高速記録条件においても良好な記録再生信号特性が得られる。
【００７１】
また、本発明の光情報記録媒体は、熱分解特性に適した記録信号パルスで記録されるので、高速記録条件にて再生可能なデータピットを形成することができる。
よって、記録済みディスクをスピーディかつ容易に製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例３、４におけるβ範囲とジッターとの関係を示す図である。
【図２】実施例５、６におけるβ範囲とジッターとの関係を示す図である。
【図３】実施例７、８と比較例１におけるβ範囲とジッターとの関係を示す図である。
【図４】実施例９、１０と比較例２におけるβ範囲とジッターとの関係を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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