(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光源から出射した光ビームの偏向量を光ディスク原盤上のラジアル方向に制御する光偏向手段を含む光ビーム制御手段と、
前記光偏向手段で前記光ビームを偏向したときの、あらかじめ測定した前記ラジアル方向の偏向誤差を記憶した記憶手段と、
前記光偏向手段からの光ビームの偏向量を制御する第２の光偏向手段と、
前記光ディスク原盤のカッティングの際に、前記光ビーム制御手段の偏向タイミングに合わせて、前記記憶手段に記憶した前記ラジアル方向の偏向誤差を用いたフィードフォワワード信号を前記第２の光偏向手段に入力するフィードフォワワード手段とを備えたことを特徴とする光ディスク・カッティング装置。
【請求項２】
前記第２の光偏向手段は、前記光偏向手段と偏向方向を一致させており、前記フィードフォワワード信号は、前記ラジアル方向の偏向誤差の極性を逆転させた信号である請求項１に記載の光ディスク・カッティング装置。
【請求項３】
前記第２の光偏向手段からの光ビームに含まれる前記ラジアル方向の第２の偏向誤差を検出する偏向誤差検出手段と、
前記ラジアル方向の第２の偏向誤差を用いたフィードバック信号を前記第２の光偏向手段にフィードバックするフィードバック手段とをさらに備えた請求項１に記載の光ディスク・カッティング装置。
【請求項４】
前記光ビーム制御手段と前記偏向誤差検出手段との間に置かれ、前記光ビームを前記光ディスク原盤上のタンジャンシャル方向に偏向する第３の光偏向手段をさらに備え、
前記偏向誤差検出手段はさらに、前記光ビーム制御手段で制御された光ビームの前記タンジャンシャル方向の偏向誤差を、前記ラジアル方向の偏向誤差と独立に検出し、
前記フィードバック手段はさらに、前記タンジャンシャル方向の偏向誤差を用いたフィードバック信号を前記第３の光偏向手段にフィードバックする請求項３に記載の光ディスク・カッティング装置。
【請求項５】
前記光ビーム制御手段で制御された光ビームの光量を制御する光変調手段をさらに備えており、
前記偏向誤差検出手段はさらに、前記光ビーム制御手段で制御された光ビームの光量の強度誤差を検出でき、
前記フィードバック手段はさらに、前記強度誤差を用いたフィードバック信号を前記光変調手段にフィードバックする請求項３に記載の光ディスク・カッティング装置。
【請求項６】
レーザ光源から出射した光ビームの偏向量を光ディスク原盤上のラジアル方向に制御する光偏向手段を含む光ビーム制御手段と、
前記光偏向手段で前記光ビームを偏向したときの、あらかじめ測定した前記ラジアル方向の偏向誤差を記憶した記憶手段と、
前記光ディスク原盤のカッティングの際に、前記光ビーム制御手段の偏向タイミングに合わせて、前記記憶手段に記憶した前記ラジアル方向の偏向誤差を用いたフィードフォワワード信号を前記光偏向手段に入力するフィードフォワワード手段とを備えたことを特徴とする光ディスク・カッティング装置。
【請求項７】
前記光偏向手段からの光ビームに含まれる前記ラジアル方向の第２の偏向誤差を検出する偏向誤差検出手段と、
前記ラジアル方向の第２の偏向誤差を用いたフィードバック信号を前記光偏向手段にフィードバックし、前記フィードバック量を前記光偏向手段の制御量に重畳するフィードバック手段とをさらに備えた請求項６に記載の光ディスク・カッティング装置。
【請求項８】
光ディスク原盤のカッティング工程において、レーザ光源から出射した光ビームを、光偏向手段で光ディスク原盤上のラジアル方向に偏向させる制御をする光ディスクの製造方法であって、
前記光ディスク原盤のカッティング工程の前に、前記ラジアル方向に偏向させる制御による偏向誤差を予め測定して、これを記憶手段に記憶させる工程を備え、
前記光ディスク原盤のカッティング工程において、
前記光偏向手段からの光ビームの偏向量を制御する第２の光偏向手段に、前記光ビームの偏向タイミングに合わせて、前記記憶手段に記憶した前記偏向誤差を用いたフィードフォワワード信号を入力する工程を含むことを特徴とする光ディスクの製造方法。
【請求項９】
偏向誤差検出手段で、前記第２の光偏向手段からの光ビームに含まれる前記ラジアル方向の第２の偏向誤差を検出する工程と、
フィードバック手段で前記ラジアル方向の第２の偏向誤差を用いたフィードバック信号を前記第２の光偏向手段にフィードバックする工程とをさらに備えた請求項８に記載の光ディスクの製造方法。
【請求項１０】
前記ラジアル方向の第２の偏向誤差を検出する工程において、さらに前記光偏向手段で制御された光ビームの前記タンジャンシャル方向の偏向誤差を、前記ラジアル方向の第２の偏向誤差と独立に検出し、
前記フィードバックする工程において、さらに前記タンジャンシャル方向の偏向誤差を用いたフィードバック信号を、光ビームを光ディスク原盤上のタンジャンシャル方向に偏向する第３の光偏向手段にフィードバックする請求項９に記載の光ディスクの製造方法。
【請求項１１】
光変調手段で、前記光偏向手段で制御された光ビームの光量を制御する工程をさらに備えており、
前記第２の偏向誤差を検出する工程において、前記偏向誤差検出手段はさらに、前記光偏向手段で制御された光ビームの光量の強度誤差を検出し、
前記フィードバックする工程において、前記強度誤差を用いたフィードバック信号を前記光変調手段にフィードバックする請求項９に記載の光ディスクの製造方法。
【請求項１２】
光ディスク原盤のカッティング工程において、レーザ光源から出射した光ビームを、光偏向手段で光ディスク原盤上のラジアル方向に偏向させる制御をする光ディスクの製造方法であって、
前記光ディスク原盤のカッティング工程の前に、前記ラジアル方向に偏向させる制御による偏向誤差を予め測定して、これを記憶手段に記憶させる工程を備え、
前記光ディスク原盤のカッティング工程において、
前記光偏向手段に、前記光ビームの偏向タイミングに合わせて、前記偏向誤差を用いたフィードフォワワード信号を入力する工程を含むことを特徴とする光ディスクの製造方法。
【請求項１３】
偏向誤差検出手段で、前記光偏向手段からの光ビームに含まれる前記ラジアル方向の第２の偏向誤差を検出する工程と、
フィードバック手段で、前記ラジアル方向の第２の偏向誤差を用いたフィードバック信号を前記光偏向手段にフィードバックし、前記フィードバック量を前記光偏向手段の制御量に重畳する工程とをさらに備えた請求項１２に記載の光ディスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【発明の属する技術分野】
【０００１】
本発明は、高密度な光ディスク基板を作成するための光ディスク・カッティング装置、及び光ディスクの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、光ディスクのＡＶ（オーディオ・ビジュアル）への応用が活発である。例えば、主に映画コンテンツ向けのＤＶＤ（Digital Versatile Disc）では、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷといった追記型や書換型のフォーマットが開発され、ＶＴＲの次世代録画機として普及しつつある。
【０００３】
今後ＢＳデジタル放送やブロードバンド通信の普及で、より高画質の圧縮映像を記録できる大容量の光ディスク・フォーマットや、同じ容量でもより小型でポータブルでネットワーク親和性の高い光ディスク・フォーマットの登場が期待される。
【０００４】
上記のような高密度の光ディスクを実現するためには、高密度記録できる材料やフォーマットの開発と共に、高精細・高精度で高密度に適した光ディスク基板の開発が不可欠であり、その源流工程であるカッティング方法は高密度化の鍵を握る。具体的には、狭ピッチのトラックと微細なプリピットをいかに原盤上に精度良く作るかが重要である。
【０００５】
そのポイントは、光スポットの微小化と光スポットの高精度位置合わせであり、前者はレーザ光源の短波長化と対物レンズの高ＮＡ化で実現され、後者は主に対物レンズの送り機構高精度化、カッティング装置の低振動化およびウォブルが必要な光ディスクについては偏向の高精度化などで実現される。
【０００６】
また、音響光学光偏向器によりレーザ光を偏向して、原盤のトラックピッチの高精度化を実現する技術が提案されている（例えば下記特許文献１参照。）。さらに、電子ビームを用いたカッティング装置において、基準値と原盤からの検出値との差異量に応じて、電子ビームを偏向動作させ、高精度かつ高密度のピットパターン等をカッティングする技術も提案されている（例えば下記特許文献２参照。）。
【０００７】
なお、以下の説明においては光ディスクのカッティング方法は、それを具体的に実現する光ディスク・カッティング装置の形態で説明する。図９は、従来の光ディスク・カッティング装置の一例で、基本的な構成要素のみを示した。１はレーザ光源で、所定光量の平行な光ビームＬｃが出射される。通常はＡｒガス・レーザが使われ、使用波長は従来５００ｎｍ台の可視光領域の光源が使われていたが、高密度化ニーズに対応して短波長化が進み、最近では２００ｎｍ〜３００ｎｍ台の紫外線領域スペクトルの光源が使われている。
【０００８】
２はＥＯ変調器（ＥＯＭ：Electro-Optic Modulator）で、印加電圧によって光量をアナログ的に変化させることができる。通常は印加電圧を光のオン、オフの２値レベルで選び、デジタル的に変調して光ディスクのプリピット作成や、オンし続けてグルーブを作成する。３はＥＯ偏向器（ＥＯＤ：Electro-Optic Deflector）で、印加電圧によって光ビーム進行角度を偏向し後述の対物レンズ５によって原盤１００上に形成するカッティング用の光スポットを変位させる。
【０００９】
ＥＯ変調器２やＥＯ偏向器３の材料には、高電圧印加で屈折率異方性が変化するいわゆるポッケルス効果のある結晶材料が使われる。カッティングに有効な偏向量や変調量を得るには、ＥＯ素子に設けられた２電極の間に例えば±２００Ｖと高電圧をかける必要がある。また、ＥＯの代わりにＡＯ（Acoustic-Optic）と呼ばれる音響光学素子系の素子が使われることもある。
【００１０】
ＥＯ変調器２とＥＯ偏向器３を通過した光ビームＬｃは、ミラー４で反射され、高ＮＡの対物レンズ５で集光され、モータ６で回転制御された光ディスクの原盤１００上に光スポットＳｃを形成する。ミラー４と対物レンズ５は不図示の機構で保持されたカッティング用光ヘッドで構成し、前記光ヘッドは不図示の移送系によりモータ６の回転に合わせてトラック・ピッチに対応して連続的に精密に送られる。カッティングには回転数一定のＣＡＶ方式や線速一定のＣＬＶ方式が一般に用いられる。
【００１１】
原盤１回転に１トラック・ピッチ分を精密に連続的に移送することによってスパイラル状のトラックが形成された原盤を作成する。ＣＡＶ方式の場合、レーザ光源１の光量は、カッティング半径によって適切な値に制御される。図９に示す移送方向で作成される光ディスクは、リードインを内周としてＣＡＶ方式でカッティングするものとする。
【００１２】
１０１は光ディスクのフォーマッタで、レーザ光源１の光量とモータ６の回転数を制御しながら、ＥＯ変調器２とＥＯ偏向器３を制御してプリピットやグルーブを原盤上に作成し、所望の光ディスク・フォーマットを作成する。フォーマッタ１０１の出力信号ＶｅｍはＥＯＭドライバ１０２に送られる。ＥＯＭドライバ１０２では、Ｖｅｍを直接増幅するか高電圧電源をスイッチングして、ＥＯＭ駆動信号ＶｅｍｄとしてＥＯ変調器２に送られ、光ビームＬｃの光量を変調する。ここではＶｅｍを“Ｈ”、“Ｌ”制御して光ビームＬｃをオン・オフする。
【００１３】
また、フォーマッタ１０１の偏向信号Ｖｅｄは原盤上の光スポットの位置をラジアル方向に変位させる。即ち、偏向信号Ｖｅｄの極性「正、ゼロ、負」によってそれぞれ「内周変位、中立、外周変位」として制御する。ＥＯＤドライバ１０３は偏向信号Ｖｅｄを受けて、それを直接増幅する（以下、アナログ偏向方式と呼ぶ）か、高電圧電源をスイッチングする（以下、デジタル偏向方式と呼ぶ）かしてＥＯＤ駆動信号ＶｅｄｄとしてＥＯ偏向器３に送られて、光ビームＬｃの偏向量を制御する。
【００１４】
実用的には、グルーブをウォブルして、グルーブにクロックやアドレスを重畳する時には、ウォブルには光ディスクの原盤上で数十ｎｍと小さい変位で連続性が求められる、印加電圧は数十Ｖ程度と小さいので増幅器を使ったアナログ偏向方式が採られ、サンプル・サーボ方式などのように、ステップ的で数百ｎｍと大きな変位量を実現するには、デジタル偏向方式が採られる。後者の場合回路構成を簡単にするため、偏向信号Ｖｅｄは内周偏向か外周偏向を示す２本の制御信号で構成し、例えば＋２００Ｖ程度の電源の正極と負極をタスキがけするようにスイッチングしてＥＯ偏向器３に印加することにより、等価的に±２００ＶのＥＯＤ駆動信号Ｖｅｄｄを得ている。
【００１５】
図９の破線で示す光ビームＬｉは、偏向信号Ｖｅｄを正としてＥＯ偏向器３で光ビームＬｃを偏向した時の様子である。その結果、光スポットはＳｃの位置から内周側に変位しＳｉに変位される。以上のような光ディスク・カッティング装置で作成できる光ディスクの具体例２例を図１０に示し、そのうちの１例の動作を図１１で説明する。図１０の（ａ）は、グルーブ付きサンプル・サーボ方式の光ディスク基板の例、（ｂ）はランド・グルーブ連続溝方式の光ディスク基板の例である。共に、図の上側を内周、下側を外周とし、録再光スポットは左から右に走査されるものとする。
【００１６】
図１０（ａ）の光ディスク基板は、光磁気ディスクの超解像方式の一種であるＤＷＤＤ（Domain Wall Displacement Detection）方式（磁壁移動検出方式）に好適な基板である。ＤＷＤＤ方式の光ディスクでは、隣接する記録トラック間で磁気的な結合を弱める必要がある（磁気異方性の低減）。このため、ＤＷＤＤ方式の光ディスクを製造する場合には、情報信号の記録を行う前に、隣接する記録トラック間の磁気的な結合を弱める初期化（以下アニールと呼ぶ）を行う必要がある。グルーブはアニールする時に使う。
【００１７】
この光ディスクの構成単位は図示するようなセグメントである。セグメントはサーボ領域とデータ領域で構成される。1トラックは１０００個以上の複数のセグメントから構成される。サーボ領域には、サンプル・サーボ用の第１ウォブルピット１１と第２ウォブルピット１２とアドレスピット１３が配置される。サンプル・サーボ方式のトラッキングは、第１ウォブルピット１１と第２ウォブルピット１２の中間を録再光スポットが走査するよう制御される。
【００１８】
アドレスピット１３は、複数のセグメントに分散して配置されており、セグメント毎のピット有無を集めて誤り訂正などを施されてトラックアドレスとして再生される。データ領域の情報トラックはグルーブ１４で構成される、情報トラック間はランド１５となる。この場合のトラックピッチは０．６μｍ以下と小さいので、各トラック独立にウォブルピットを構成するのは難しくウォブルピットは隣接するトラックで共用する。即ち、トラックは基本的に図示するＴａとＴｂの２種類となる。
【００１９】
トラックＴａを偶数トラック２ｍとすると、録再光スポット１６は第１ウォブルピット１１を左に見、第２ウォブルピット１２を右に見るように走査される。トラックＴｂは奇数トラック２ｍ＋１であり、録再光スポットはトラックＴａとは逆に、第１ウォブルピット１１を右に見、第２ウォブルピット１２を左に見るように走査される。トラック・アドレスは、トラックＴａとトラックＴｂで独立に再生できるようにセグメント内に工夫して配置してある（本発明の主旨と異なるので詳細説明は省略する）。
【００２０】
前述したアニールは、ランド１５の部分を、録再光スポット１６よりスポット直径の小さいアニール用光スポットを使い、高パワーで走査することで磁気的な結合を弱める。アニール用光スポットを小さくするのは、狭トラック・ピッチでもアニール幅を狭くして、グルーブ１４内に残されるＤＷＤＤ動作可能なトラック幅を広くして録再性能を確保するためである。そのため、アニール用光スポットの光源には例えば、波長４０５ｎｍのレーザとＮＡ０．７５〜０．８５の対物レンズを使い、録再光スポットの波長６５０ｎｍ、ＮＡ０．６に比べて約半分の直径の光スポットに絞る。
【００２１】
アニール時のトラッキングは、ランド１５からプッシュプル信号を使った連続サーボ方式を使う。録再用のウォブルピットを使っても、グルーブにしかトラッキングできず、ランド上にトラッキングできない。アニール専用のウォブルピットを配置したのでは、サーボ領域の冗長度が増し高密度化を阻害するので、前述のようにランド１５でトラッキングするのが好ましい。ランド１５は、連続溝なのでトラッキング精度が上げられる上、グルーブ間の幾何的、熱的に分離するのにも効果的なので、サンプル・サーボ方式であっても、グルーブ１４は光ディスクに有効である。
【００２２】
図１０（ｂ）の光ディスク基板は、ランド・グルーブ連続溝方式の光ディスク基板の例であり、書換型の相変化光ディスクであるＤＶＤ−ＲＡＭフォーマットに相当する例である。この光ディスクの構成単位はセクタであり、複数のセクタでトラックが構成される。セクタは、アドレス領域とデータ領域で構成される。
【００２３】
まず、データ領域はグルーブ２３もしくはランド２４からなるトラックで構成され、光ディスク１回転毎に、グルーブ２３からなるグルーブトラックＴｇ（２ｎ：偶数トラックとする）と、ランド２４からなるランドトラックＴｌ（２ｎ＋１：奇数トラックとする）が交互に走査されるようなスパイラル構成となっている。
【００２４】
また、アドレス領域は、ＣＡＰＡ（Complementary Allocated Pit Address）と呼ばれるアドレスがトラックピッチの半分ずつオフセットされて配置される。２１は特定のグルーブトラックＴｇから見て内周側のランドトラックＴｌと共通に使うＬＧ共通アドレス部、２２は特定のグルーブトラックＴｇから見て外周側のランドトラックＴｌと共通に使うＧＬ共通アドレス部であり、それぞれがアドレス情報を示すプリピット群で構成される。
【００２５】
図示していないが、グルーブ２３はトラック・ピッチより一桁以上小さい振幅のウォブルによるクロックが重畳されている。これを実現するには、図９の光ビームＬｃ中にＥＯ偏向器３とは異なる偏向器を挿入して、それをフォーマッタ１０１から別途出力したクロック重畳信号を用いて前述のアナログ偏向方式で偏向する。
【００２６】
図１１は、図１０（ａ）の光ディスクをカッティングする時の動作を示す図である。この光ディスクをカッティングする時は、ＥＯ偏向器３の偏向には前述のようなデジタル偏向方式が採用される（ＥＯＤドライバ１０３はスイッチング型）。図１１（ａ）はカッティング装置の制御信号のタイミング図を示す。タイミング図は、上から順に（ａ１）内周偏向信号Ｖｅｄｉ、（ａ２）外周偏向信号Ｖｅｄｏ、（ａ３）ＥＯＤ駆動信号Ｖｅｄｄ、（ａ４）ＥＯＭ駆動信号Ｖｅｍｄを示す。
【００２７】
図１１（ｂ）は作成目標の光ディスク原盤とカッティング用光スポットの軌跡を示す。上から順に、すでに作成された（ｂ１）トラックＴａ、（ｂ２）トラックＴｂ、（ｂ３）Ｔａトラックである。図の軌跡のように偏向はＴａトラックで実施されるので、トラックＴｂでは第１ウォブルピット１１および第２ウォブルピット１２は作成されず、アドレスピット１３のみが必要に応じて作成される。（ｂ３）は、たった今カッティング用光スポット３１で作成されたトラックＴａを示しプリピットとグルーブをハッチングして示す。
【００２８】
（ｂ３）に示すトラックＴａの作成において、グルーブ１４作成時の時刻ｔ６から次のｔ１に至るまでは、ＥＯ変調器２でカッティング用光スポット３１を発光（光量を上げる）させ、かつＥＯ偏向器３は偏向しないで連続的にカッティングする。サーボ領域は時刻ｔ１から時刻ｔ６の間で形成する。ＥＯＭ駆動信号Ｖｅｍｄは、その区間に第１ウォブルピット１１、第２ウォブルピット１２およびアドレスピット１３を形成する時に発光させる。
【００２９】
また、ＥＯＤ駆動信号Ｖｅｄｄは、ｔ２〜ｔ３の区間に内周偏向信号Ｖｅｄｉを“Ｈ”にすることで第１ウォブルピット１１を内周側に変位させる方向に偏向電圧が出力され、ｔ４〜ｔ５の区間に外周偏向信号Ｖｅｄｏを“Ｈ”にすることで第２ウォブルピット１２を外周側に変位させる方向に偏向電圧が出力され、それ以外の時刻は変位が０となるように偏向電圧が０として出力される。
【００３０】
その結果、カッティング用光スポット３１は、矢印のような軌跡で原盤１００上を走査され、発光タイミングとの組合せでハッチングされているような、プリピットとグルーブが形成される。なお、実際のＥＯ駆動信号Ｖｅｍｄのオン・オフのタイミングは原盤１００で図１１（ｂ）の位置に正確に配置されるようにタイミング調整される。
【００３１】
【特許文献１】
特開平１０−２６１２４５号公報
【特許文献２】
特開平１１−２８８５３１号公報
【００３２】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、以上のような光ディスク・カッティング装置では、以下のような問題点を有していた。即ち、
【００３３】
（課題１）前記ＥＯ偏向器をデジタル偏向方式でステップ的に変化させると（以下、ステップ偏向と呼ぶ）、ＥＯ結晶材料の緩和振動と見られる不要な偏向（揺らぎ）が発生する。まずこの現象は、図１０の（ａ）、（ｂ）に示したような光ディスクのトラッキング誤差信号の測定や、グルーブの電子顕微鏡観測などで分かった。次に、前記光ディスク・カッティング装置の光路に偏向量を観測できる偏向量検出手段を用意して観測した。その結果、この不要偏向は例えば、５００ｋＨｚから７００ＫＨｚの固定パターン的なノイズであり、ステップ偏向後から約１０μｓで減衰して無くなるような信号であることが分かった。図１１の時刻ｔ７で示すセグメントの先頭の部分で不要偏向が発生する。
【００３４】
偏向量は、原盤上で１０〜２０ｎｍｐｐと比較的大きい。仮にトラックピッチを０．５０μｍ（５００ｎｍ）とし、比較的幅の広い３５０ｎｍ（底幅とする）、グルーブ深さ３０ｎｍのグルーブを形成することを考える。グルーブの側壁の傾斜角を３０度とすると傾斜部の占有幅は３０ｎｍ×√３×２＝１０４ｎｍである。その結果、グルーブ間に形成ランドの上辺の幅は、高々４６ｎｍ（＝５００−３５０−１０４）となり、偏向量２０ｎｍｐｐは無視できない値となる。この上辺の幅がある程度維持されないと、前述のアニールが正常に実施できないので大きな問題になる。
【００３５】
カッティングに関しては、この他に、カッティング用光ヘッドの移送ムラ、カッティングパワー変動、フォトレジストの感度ムラならびに現像ムラなどが前記上辺の変動要因と考えられ、それらに割り当てるマージンを大幅に低下させることになる。当然以降の成形工程でのランド幅確保も重要になるので、前記ランド上辺の変動幅は極力抑える必要があり、ここで観測された不要偏向は抑圧がぜひとも必要である。
【００３６】
このほか、実際に不要偏向があると、本来まっすぐに形成されるべきグルーブが揺らぐため、本来の信号検出の外乱（例えばエンベロープ変動）や、トラッキング誤差信号（ＴＥ）の外乱となり信号処理やサーボの性能を低下させる。また、溝そのものが揺らいでいるので、記録膜に与える応力を変化させたり、録再時の熱分布に影響を与え、いわゆる録再時のオフトラックマージンを低下させる恐れがある。
【００３７】
特にセグメントやセクタ先頭は、同期信号入れる大事なところなので、その部分の録再信頼性を高く保つ必要がある。この意味でも、不要偏向の抑圧は必須と言える。
【００３８】
（課題２）また、前記の偏向量検出手段で観測すると、（課題１）で説明した以外の不要な２種の偏向も観測された。一つはカッティング装置の光ビームの経路に存在する空気の揺らぎに起因するとみられる１Ｈｚ以下のゆっくりした揺らぎの不要な偏向成分である。もう一つは、カッティング装置の各光学部品の機械振動に起因するとみられる１００Ｈｚ〜１ｋＨｚ程度の揺らぎの偏向成分である。
【００３９】
前者は何もしない原盤上での変位で１００ｎｍを越える程度の大きな変位を発生させるが、カッティング装置全体をカバーで覆い空気の流れを抑えることで１／１０程度とかなり低減できるが、カッティング装置内のレーザ光源の発熱等などが残り、空気流を完全には０にできない。
【００４０】
また、対策としてカッテング装置を小型化して光路そのものを短縮するなども考えられるが、カッティング装置を構成する各光学素子の物理的な寸法制限から、これも揺らぎ全体を完全に抑える対策にはならない。この１Ｈｚ以下の揺らぎは、原盤の回転数との関係から直接トラック・ピッチのムラにはならないが、トラックの絶対位置を揺がせる原因となる。後者の１００Ｈｚ〜１ｋＨｚの揺らぎ量は、（課題１）で説明したレベルで、これは原盤１回転内に揺らぎを発生させる帯域なので、トラック・ピッチのムラの原因となる。
【００４１】
これらの２種の揺らぎは、原盤のラジアル方向のほかにタンジャンシャル方向にも同じように観測される。タンジェンシャル方向の揺らぎは、プリピットやグルーブ始終端のジッタの原因となる。以上の揺らぎは、高精度の光ディスクの原盤を得るために十分に抑圧することが必要である。
【００４２】
（課題３）上記（課題１）、（課題２）では、カッティングに使う光ビームが不要な偏向を受けて問題になっていることを説明した。このほかに、（課題１）、（課題２）の偏向とほぼ同期した光ビームの不要な光量変化（光量変動）も観測されることも分かった。
【００４３】
レーザ光源そのものは適切な光パワー・サーボが施されているが、その後のＥＯ変調器、ＥＯ偏向器や光学部品特性や光路による光ビームの偏光成分の揺らぎが起因しているものと見られる。カッティング中の光量の変化は、プリピットの大きさやグルーブ幅を直接変化させるので、このような光量変化も抑圧されることが必要である。
【００４４】
以上説明した課題を解決するため、本発明は、光ディスク・カッティング装置で発生する不要な偏向成分と不要な光量変化成分を抑圧して高精細で高精度な光ディスクの原盤を作成できる光ディスク・カッティング装置及び光ディスクの製造方法を提供することを目的とする。
【００４５】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため、本発明の第１の光ディスク・カッティング装置は、レーザ光源から出射した光ビームの光量を制御する光変調手段、及び前記光ビームの偏向量を光ディスク原盤上のラジアル方向に制御する光偏向手段のうち少なくともいずれかを含む光ビーム制御手段と、
【００４６】
前記光ビーム制御手段で制御された光ビームに含まれる前記ラジアル方向の偏向誤差を検出する偏向誤差検出手段と、
前記光ビーム制御手段と前記偏向誤差検出手段との間に置かれ、光ビームを前記ラジアル方向に偏向する第２の光偏向手段と、
前記ラジアル方向の偏向誤差を用いたフィードバック信号を前記第２の光偏向手段にフィードバックするフィードバック手段とを備えたことを特徴とする。
【００４７】
本発明の２の光ディスク・カッティング装置は、レーザ光源から出射した光ビームの光量を制御する光変調手段、及び前記光ビームの偏向量を光ディスク原盤上のラジアル方向に制御する光偏向手段のうち少なくともいずれかを含む光ビーム制御手段と、
前記光ビーム制御手段で制御された光ビームに含まれる前記ラジアル方向の偏向誤差を検出する偏向誤差検出手段と、
前記ラジアル方向の偏向誤差を用いたフィードバック信号を前記光偏向手段にフィードバックし、前記フィードバック量を前記光偏向手段の制御量に重畳するフィードバック手段とを備えたことを特徴とする。
【００４８】
本発明の第３の光ディスク・カッティング装置は、レーザ光源から出射した光ビームの偏向量を光ディスク原盤上のラジアル方向に制御する光偏向手段を含む光ビーム制御手段と、
前記光偏向手段で前記光ビームを偏向したときの、あらかじめ測定した前記ラジアル方向の偏向誤差を記憶した記憶手段と、
前記光偏向手段からの光ビームの偏向量を制御する第２の光偏向手段と、
前記光ディスク原盤のカッティングの際に、前記光ビーム制御手段の偏向タイミングに合わせて、前記記憶手段に記憶した前記ラジアル方向の偏向誤差を用いたフィードフォワワード信号を前記第２の光偏向手段に入力するフィードフォワワード手段とを備えたことを特徴とする。
【００４９】
本発明の第４の光ディスク・カッティング装置は、レーザ光源から出射した光ビームの偏向量を光ディスク原盤上のラジアル方向に制御する光偏向手段を含む光ビーム制御手段と、
前記光偏向手段で前記光ビームを偏向したときの、あらかじめ測定した前記ラジアル方向の偏向誤差を記憶した記憶手段と、
前記光ディスク原盤のカッティングの際に、前記光ビーム制御手段の偏向タイミングに合わせて、前記記憶手段に記憶した前記ラジアル方向の偏向誤差を用いたフィードフォワワード信号を前記光偏向手段に入力するフィードフォワワード手段とを備えたことを特徴とする。
【００５０】
次に、本発明の第１の光ディスクの製造方法は、光ディスク原盤のカッティング工程において、レーザ光源から出射した光ビームの光量を制御する光変調手段、及び前記光ビームの偏向量を光ディスク原盤上のラジアル方向に制御する光偏向手段のうち少なくともいずれかを含む光ビーム制御手段で、前記光ビームを制御する光ディスクの製造方法であって、
偏向誤差検出手段で、前記光ビーム制御手段で制御された光ビームに含まれる前記ラジアル方向の偏向誤差を検出する工程と、
前記光ビーム制御手段と前記偏向誤差検出手段との間に置かれた第２の光偏向手段で、光ビームを前記ラジアル方向に偏向する工程と、
フィードバック手段で、前記ラジアル方向の偏向誤差を用いたフィードバック信号を前記第２の光偏向手段にフィードバックする工程とを備えたことを特徴とする。
【００５１】
本発明の第２の光ディスクの製造方法は、光ディスク原盤のカッティング工程において、レーザ光源から出射した光ビームの光量を制御する光変調手段、及び前記光ビームの偏向量を光ディスク原盤上のラジアル方向に制御する光偏向手段のうち少なくともいずれかを含む光ビーム制御手段で、前記光ビームを制御する光ディスクの製造方法であって、
偏向誤差検出手段で、前記光ビーム制御手段で制御された光ビームに含まれる前記ラジアル方向の偏向誤差を検出する工程と、
フィードバック手段で、前記ラジアル方向の偏向誤差を用いたフィードバック信号を前記光偏向手段にフィードバックし、前記フィードバック量を前記光偏向手段の制御量に重畳する工程とを備えたことを特徴とする。
【００５２】
本発明の第３の光ディスクの製造方法は、光ディスク原盤のカッティング工程において、レーザ光源から出射した光ビームを、光偏向手段で光ディスク原盤上のラジアル方向に偏向させる制御をする光ディスクの製造方法であって、
前記光ディスク原盤のカッティング工程の前に、前記ラジアル方向に偏向させる制御による偏向誤差を予め測定して、これを記憶手段に記憶させる工程を備え、
前記光ディスク原盤のカッティング工程において、
前記光偏向手段からの光ビームの偏向量を制御する第２の光偏向手段に、前記光ビームの偏向タイミングに合わせて、前記記憶手段に記憶した前記偏向誤差を用いたフィードフォワワード信号を入力する工程を含むことを特徴とする。
【００５３】
本発明の第４の光ディスクの製造方法は、光ディスク原盤のカッティング工程において、レーザ光源から出射した光ビームを、光偏向手段で光ディスク原盤上のラジアル方向に偏向させる制御をする光ディスクの製造方法であって
前記光ディスク原盤のカッティング工程の前に、前記ラジアル方向に偏向させる制御による偏向誤差を予め測定して、これを記憶手段に記憶させる工程を備え、
前記光ディスク原盤のカッティング工程において、
前記光偏向手段に、前記光ビームの偏向タイミングに合わせて、前記偏向誤差を用いたフィードフォワワード信号を入力する工程を含むことを特徴とする。
【００５４】
【発明の実施の形態】
本発明の第１、２の光ディスク・カッティング装置によれば、光ディスク・カッティング装置の光路内における不要な偏向量を検出して抑圧できるので、光ディスクの原盤上の光スポットが所望の位置にポジショニングされ、揺らぎやトラック・ピッチ・ムラの少ないプリピットやグルーブを持つ光ディスクを作成できる。第２の光ディスク・カッティング装置によれば、光偏向量の抑圧のために追加すべき光偏向手段の増加を最小限に抑えられる。
【００５５】
本発明の第３、４の光ディスク・カッティング装置によれば、光偏向手段で光ビームを偏向したときのラジアル方向の偏向誤差を、あらかじめ測定して記憶しているので、サーボ手段では抑圧しにくい光偏向時に発生する光偏向手段に固有の光偏向量の外乱を容易に抑圧できる。第４の光ディスク・カッティング装置によれば、光偏向量の抑圧のために追加すべき光偏向手段の増加を最小限に抑えられる。
【００５６】
本発明の第１、２の光ディスクの製造方法によれば、光ディスク・カッティング工程における不要な偏向量を検出して抑圧できるので、光ディスクの原盤上の光スポットが所望の位置にポジショニングされ、揺らぎやトラック・ピッチ・ムラの少ないプリピットやグルーブを持つ光ディスクを作成できる。第２の光ディスクの製造方法によれば、光偏向量の抑圧のために追加すべき光偏向手段の増加を最小限に抑えられる。
【００５７】
本発明の第３、４の光ディスクの製造方法によれば、光ディスク原盤のカッティング工程の前に、ラジアル方向に偏向させる制御による偏向誤差を予め測定して、これを記憶手段に記憶させる工程を備えているので、サーボ手段では抑圧しにくい光偏向時に発生する光偏向手段に固有の光偏向量の外乱を容易に抑圧できる。第４の光ディスクの製造方法によれば、光偏向量の抑圧のために追加すべき光偏向手段の増加を最小限に抑えられる。
【００５８】
本発明の第１の光ディスク・カッティング装置においては、前記光ビーム制御手段と前記偏向誤差検出手段との間に置かれ、前記光ビームを前記光ディスク原盤上のタンジャンシャル方向に偏向する第３の光偏向手段をさらに備え、
前記偏向誤差検出手段はさらに、前記光ビーム制御手段で制御された光ビームの前記タンジャンシャル方向の偏向誤差を、前記ラジアル方向の偏向誤差と独立に検出し、
前記フィードバック手段はさらに、前記タンジャンシャル方向の偏向誤差を用いたフィードバック信号を前記第３の光偏向手段にフィードバックすることが好ましい。この構成によれば、ラジアル方向に加えてタンジャンシャル方向の揺らぎを抑えることができ、不要な光偏向量が２次元的に抑圧できる。
【００５９】
また、前記光ビーム制御手段は、前記光変調手段を含んでおり、
前記偏向誤差検出手段はさらに、前記光ビーム制御手段で制御された光ビームの光量の強度誤差を検出でき、
前記フィードバック手段はさらに、前記強度誤差を用いたフィードバック信号を前記光変調手段にフィードバックすることが好ましい。この構成によれば、不要な光偏向量を抑えられるうえに、カッティング時の光スポットの強度を所望の値に抑えられるので、ピット寸法やトラックピッチの変動の少ない良好な光ディスクを提供することができる。
【００６０】
また、前記光ビーム制御手段は、前記光ビーム制御手段で制御された光ビームの光量を制御する光変調補正手段をさらに備えており、
前記偏向誤差検出手段はさらに、前記光ビーム制御手段で制御された光ビームの光量の強度誤差を検出でき、
前記フィードバック手段はさらに、前記強度誤差を用いたフィードバック信号を前記光変調補正手段にフィードバックすることが好ましい。この構成においても、カッティング時の光スポットの強度を所望の値に抑えられるので、ピット寸法やトラックピッチの変動の少ない良好な光ディスクを提供することができる。
【００６１】
前記第３の光ディスク・カッティング装置においては、前記第２の光偏向手段は、前記光偏向手段と偏向方向を一致させており、前記フィードフォワワード信号は、前記ラジアル方向の偏向誤差の極性を逆転させた信号であることが好ましい。
【００６２】
また、前記第２の光偏向手段からの光ビームに含まれる前記ラジアル方向の第２の偏向誤差を検出する偏向誤差検出手段と、
前記ラジアル方向の第２の偏向誤差を用いたフィードバック信号を前記第２の光偏向手段にフィードバックするフィードバック手段とをさらに備えたことが好ましい。この構成によれば不要な偏向量の抑圧がより確実になる。
【００６３】
また、前記光ビーム制御手段と前記偏向誤差検出手段との間に置かれ、前記光ビームを前記光ディスク原盤上のタンジャンシャル方向に偏向する第３の光偏向手段をさらに備え、
前記偏向誤差検出手段はさらに、前記光ビーム制御手段で制御された光ビームの前記タンジャンシャル方向の偏向誤差を、前記ラジアル方向の偏向誤差と独立に検出し、
前記フィードバック手段はさらに、前記タンジャンシャル方向の偏向誤差を用いたフィードバック信号を前記第３の光偏向手段にフィードバックすることが好ましい。この構成によれば、ラジアル方向に加えてタンジャンシャル方向の揺らぎを抑えることができ、不要な光偏向量が２次元的に抑圧できる。
【００６４】
また、前記光ビーム制御手段で制御された光ビームの光量を制御する光変調手段をさらに備えており、
前記偏向誤差検出手段はさらに、前記光ビーム制御手段で制御された光ビームの光量の強度誤差を検出でき、
前記フィードバック手段はさらに、前記強度誤差を用いたフィードバック信号を前記光変調手段にフィードバックすることが好ましい。この構成によれば、不要な光偏向量を抑えられるうえに、カッティング時の光スポットの強度を所望の値に抑えられるので、ピット寸法やトラックピッチの変動の少ない良好な光ディスクを提供することができる。
【００６５】
前記第４の光ディスク・カッティング装置においては、前記光偏向手段からの光ビームに含まれる前記ラジアル方向の第２の偏向誤差を検出する偏向誤差検出手段と、
前記ラジアル方向の第２の偏向誤差を用いたフィードバック信号を前記光偏向手段にフィードバックし、前記フィードバック量を前記光偏向手段の制御量に重畳するフィードバック手段とをさらに備えたことが好ましい。この構成によれば不要な偏向量の抑圧がより確実になる。
【００６６】
また、前記第１の光ディスクの製造方法においては、前記光ビーム制御手段と前記偏向誤差検出手段との間に置かれ、前記光ビームを前記光ディスク原盤上のタンジャンシャル方向に偏向する第３の光偏向手段をさらに備え、
前記偏向誤差を検出する工程において、前記偏向誤差検出手段はさらに、前記光ビーム制御手段で制御された光ビームの前記タンジャンシャル方向の偏向誤差を、前記ラジアル方向の偏向誤差と独立に検出し、
前記フィードバックする工程において、前記フィードバック手段はさらに、前記タンジャンシャル方向の偏向誤差を用いたフィードバック信号を前記第３の光偏向手段にフィードバックすることが好ましい。この構成によれば、ラジアル方向に加えてタンジャンシャル方向の揺らぎを抑えることができ、不要な光偏向量が２次元的に抑圧できる。
【００６７】
また、前記光ビーム制御手段は、前記光変調手段を含んでおり、
前記偏向誤差を検出する工程において、前記偏向誤差検出手段はさらに、前記光ビーム制御手段で制御された光ビームの光量の強度誤差を検出し、
前記フィードバックする工程において、前記フィードバック手段はさらに、前記強度誤差を用いたフィードバック信号を前記光変調手段にフィードバックすることが好ましい。この構成によれば、不要な光偏向量を抑えられるうえに、カッティング時の光スポットの強度を所望の値に抑えられるので、ピット寸法やトラックピッチの変動の少ない良好な光ディスクを提供することができる。
【００６８】
また、前記光ビーム制御手段は、前記光ビーム制御手段で制御された光ビームの光量を制御する光変調補正手段をさらに備えており、
前記偏向誤差を検出する工程において、前記偏向誤差検出手段はさらに、前記光ビーム制御手段で制御された光ビームの光量の強度誤差を検出し、
前記フィードバックする工程において、前記フィードバック手段はさらに、前記強度誤差を用いたフィードバック信号を前記光変調補正手段にフィードバックすることが好ましい。この構成においても、カッティング時の光スポットの強度を所望の値に抑えられるので、ピット寸法やトラックピッチの変動の少ない良好な光ディスクを提供することができる。
【００６９】
また、前記第３の光ディスクの製造方法においては、偏向誤差検出手段で、前記第２の光偏向手段からの光ビームに含まれる前記ラジアル方向の第２の偏向誤差を検出する工程と、
フィードバック手段で前記ラジアル方向の第２の偏向誤差を用いたフィードバック信号を前記第２の光偏向手段にフィードバックする工程とをさらに備えたことが好ましい。この構成によれば不要な偏向量の抑圧がより確実になる。
【００７０】
また、前記ラジアル方向の第２の偏向誤差を検出する工程において、さらに前記光偏向手段で制御された光ビームの前記タンジャンシャル方向の偏向誤差を、前記ラジアル方向の第２の偏向誤差と独立に検出し、
前記フィードバックする工程において、さらに前記タンジャンシャル方向の偏向誤差を用いたフィードバック信号を、光ビームを光ディスク原盤上のタンジャンシャル方向に偏向する第３の光偏向手段にフィードバックすることが好ましい。この構成によれば、ラジアル方向に加えてタンジャンシャル方向の揺らぎを抑えることができ、不要な光偏向量が２次元的に抑圧できる。
【００７１】
また、光変調手段で、前記光偏向手段で制御された光ビームの光量を制御する工程をさらに備えており、
前記第２の偏向誤差を検出する工程において、前記偏向誤差検出手段はさらに、前記光偏向手段で制御された光ビームの光量の強度誤差を検出し、
前記フィードバックする工程において、前記強度誤差を用いたフィードバック信号を前記光変調手段にフィードバックすることが好ましい。この構成によれば、不要な光偏向量を抑えられるうえに、カッティング時の光スポットの強度を所望の値に抑えられるので、ピット寸法やトラックピッチの変動の少ない良好な光ディスクを提供することができる。
【００７２】
また、前記第４の光ディスクの製造方法においては、偏向誤差検出手段で、前記光偏向手段からの光ビームに含まれる前記ラジアル方向の第２の偏向誤差を検出する工程と、
フィードバック手段で、前記ラジアル方向の第２の偏向誤差を用いたフィードバック信号を前記光偏向手段にフィードバックし、前記フィードバック量を前記光偏向手段の制御量に重畳する工程とをさらに備えたことが好ましい。この構成によれば不要な偏向量の抑圧がより確実になる。
【００７３】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明では、光ディスク原盤を実際にカッティングする光ディスク・カッティング装置を使って光ディスク・カッティング方法を説明する。
【００７４】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１に係る光ディスク・カッティング装置のブロック図である。本図に示したブロック図は、光ディスク・カッティング装置の構成及び工程を示しており、光ディスクの製造工程のうち、光ディスクの原盤作成工程のブロック図でもある。このことは、以下の図４、６、７についても同様である。図９で説明した、従来の光ディスク・カッティング装置と同じものには同じ番号を付け、その説明は省略する。ＥＯ偏向器３は、ここではデジタル偏向方式で駆動されるものとする。
【００７５】
カッティングしようとする光ディスクのフォーマットは、図１０（ａ）に示す、グルーブ付きのサンプル・サーボ方式のものとする。この光ディスク・カッティング装置は、原盤のラジアル方向の不要偏向量を抑えるために、破線２００で囲んだサーボ手段である不要偏向抑圧部を追加している。この目的は主に、前記発明が解決しようとする課題で説明した（課題１）のＥＯ偏向器でのステップ偏向後の不要偏向と、（課題２）に示した揺らぎをサーボ手段で抑圧することにある。
【００７６】
図１において、２０１はビームスプリッタ、２０２は集光レンズ、２０３は２分割ディテクタである。２分割ディテクタ２０３は、図１の紙面に垂直に配置され、左右にすなわち光ディスクの原盤のラジアル方向に対応する方向に分割されている。ビームスプリッタ２０１は、光ビームＬｃを対物レンズ５と集光レンズ２０２に所定の割合で分割する。分割の割合は、レーザ光源１のパワーが十分なら５０％ずつにするのが検出信号のＳＮＲ確保等の観点から望ましい。それぞれに向かう光ビームのビーム形状はビームスプリッタ２０１に入射する時と同じ形状に保存される必要がある。
【００７７】
集光レンズは、Ｄｃに焦点を結ぼうとするが、その前に２分割ディテクタ２０３を配置する。２分割ディテクタ２０３は調整が容易なようにＸＹＺステージに搭載する。集光される光ビームＬｃは、ケラレによる検出誤差が発生しないよう、全て２分割ディテクタ２０３の有効領域に導く。
【００７８】
２分割ディテクタ２０３の出力は差動アンプ２０４に接続され、偏向量に相当する偏向検出信号Ｖｄｅｔとして検出される。この差動アンプ２０４もＳＮＲ確保の観点から、前記ＸＹＺステージに載せるのが望ましい。基本的に、２分割ディテクタ２０３は偏向量が０の時に、偏向検出信号Ｖｄｅｔが０になるよう位置合わせする。
【００７９】
ここで、図２（ａ）に実際のカッティング時の偏向検出信号Ｖｄｅｔを示す。図２（ａ）の波形において、（ａ１）は第１ウォブル１１を内周側に偏向している時、（ａ２）は第２ウォブル１２を外周に偏向した時、（ａ３）はグルーブをカッティングし始めた時を示す。特に偏向直後に（ａ４）で示すような不要偏向による揺らぎが観測される。このセグメントにはアドレスピット１３は形成されていない。不要偏向による揺らぎは、内周偏向から１５μｓ（グルーブ始端から約１０μｓ）経過したところでかなり減衰しているのが分かる。偏向量は原盤１００上の変位で１０〜２０ｎｍｐｐ程度である。
【００８０】
このスケールで換算するとウォブル変位は、６０ｎｍ弱しか変位していないように見えるが、実際には約２００ｎｍ変位させた時の波形である。これは図２（ｂ）に示す偏向検出の非線型性に基づく。つまり、前述のような偏向量検出方法で、検出感度を上げるように検出レンズ（集光レンズ）２０２の焦点近傍に２分割ディテクタを配置すると、偏向検出電圧Ｖｄｅｔが飽和気味になるためである。線形な制御には図２（ｂ１）で示す線形な領域のみを使うか、それより幅広い範囲で使うには（ｂ２）で示す非線型な部分補正する必要がある。
【００８１】
線形領域を増やすには、検出感度を犠牲にして、２分割ディテクタ２０３を光ビームがケラレない程度に集光レンズの焦点位置から離せばよい。但し、検出感度は落ちる。線形性の確認は、ＥＯ偏向器３への偏向量に比例する印加電圧を変化させ、偏向検出電圧Ｖｄｅｔとの関係をプロットすることで判定できる。
【００８２】
図１に戻って説明を続ける。偏向検出電圧Ｖｄｅｔは、２０５のサンプルホールド（Ｓ／Ｈ）回路に送られる。Ｓ／Ｈ回路２０５はＲＣによる２０ｄＢ／ｄｅｃの１次のローパスフィルタを構成する。サンプル区間は、グルーブ１４をカッティングする区間となるように、フォーマッタ１０１ａからのＳ／Ｈ信号で制御される。実際には図３の（ａ５）に示すように、グルーブ１４の区間より若干狭めの区間をサンプル区間とする。その他の区間、つまり偏向中と光量を０としている区間は、ホールド区間とする。
【００８３】
なお、フォーマッタ１０１ａと図９のフォーマッタ１０１との違いは、前者がＳ／Ｈ信号を出力する点である。また、図３は図１１に前記Ｓ／Ｈ信号を追加したもので、その他の部分の説明は従来例で説明した通りである。
【００８４】
Ｓ／Ｈ回路２０５の出力は、目標値設定部２０７の出力（ここでは０に設定）との誤差を０に近づけるため誤差アンプ２０６に接続する。誤差アンプ２０６の出力は、本サーボ手段の利得と必要に応じて位相を補償するためのフィードバック手段である利得設定・位相補償回路２０８に送る。
【００８５】
その出力ＦＢはフィードバック信号として、アナログ偏向方式の第２のＥＯＤドライバ２０９で直流増幅される。第２のＥＯＤドライバ２０９には、高速・高圧のバイポーラ電源が好適であり、前段の利得設定・位相補償回路２０８の出力を一定の増幅率で忠実に増幅する。第２のＥＯＤドライバ２０９の出力は、ＥＯ偏向器３とビームスプリッタ２０１との間に置かれた第２のＥＯ偏向器２１０に接続される。
【００８６】
以上のように構成された本実施の形態によって、原盤のラジアル方向の不要偏向量は、利得設定・位相補償回路２０８で適切なゲイン設定をすることにより、（課題２）で説明した１Ｈｚ以下と１００Ｈｚ〜１ｋＨｚの揺らぎ成分は、Ｓ／Ｈ回路２０５の1次ローパスフィルタ特性により十分に抑圧される。
【００８７】
しかし、（課題１）で説明したステップ的な偏向後の揺らぎは、基本波が７００ｋＨｚと高域なので、第２のＥＯＤドライバ２０９やその他の回路要素の群遅延などの影響で、揺らぎ量は数分の１にしか抑圧できなかった。それでも、実際の揺らぎ量は、数ｎｍ以下の抑えられる上、低域の揺らぎは十分に抑圧できるので、高密度な光ディスク・カッティング装置としての実用効果は大きいと言える。
【００８８】
なお、本実施の形態では、ビームスプリッタ２０１通過後の光ビームは独立の光路を進み、それぞれの光路で別々の空気の揺らぎの影響を受ける可能性があるので、ビームスプリッタ２０１はできるだけ対物レンズ５の近くに配置し、集光レンズ２０２もビームスプリッタ２０１に近接させるの望ましい。
【００８９】
また、このような影響を避けるために、原盤１００からの反射光から偏向量を検出することも有効である。即ち、ビームスプリッタ２０１と対物レンズ５周辺の光学系を変更し、光ビームＬｃを１度通過させ、対物レンズ５を通して一旦原盤１００に光スポットとして焦点を結ばせ、その反射光を２分割ディテクタ２０３に導いて、その光ビームから偏向量を検出してもよい。但し、この場合対物レンズ５によるケラレや対物レンズのフォーカシング用の光源からの外乱光の影響を取り除く必要がある。
【００９０】
また、カッティング時のパワー設定変更によるサーボゲイン変動を抑えるために、差動アンプ２０４に、２分割ディテクタ２０３の両方の出力を加算して、両方の差を割り算するＡＧＣ回路を備えるのが好ましい。または、レーザ光源１のパワー制御信号を利得設定・位相補償回路２０８に送り、ゲインを一定にするＡＧＣを構築するのが望ましい。
【００９１】
また、レーザ光源１の波長が３００ｎｍを切る場合は、通常の樹脂封止のＳｉ系ディテクタでは樹脂で光が吸収されて検出感度が得られないため、石英ガラスのキャン封止のＳｉ系などディテクタを選ぶ必要がある。また、本実施の形態で、グルーブ１４をウォブルするフォーマットを作成する時は、フォーマッタ１０１からウォブル量に相当する値を出力して目標値設定部２０７に入力し、目標設定部２０７の目標値とすることによって実現できる。
【００９２】
また、本実施の形態においては、光変調手段であるＥＯ変調器２、光偏向手段であるＥＯ偏向器３の双方を備えた装置の例で説明したが、光ディスクのフォーマットに応じてＥＯ変調器２及びＥＯ偏向器３のうちいずれか一方を含む装置であっても、前記のように原盤のラジアル方向の不要偏向量を抑圧できる。
【００９３】
また、本実施の形態では、ＥＯ偏向器３とは別に第２のＥＯ偏向器２１０を設けた例で説明したが、第２のＥＯ偏向器２１０は設けずに、フィードバック信号をＥＯ偏向器３にフィードバックし、フィードバック量をＥＯ偏向器３の制御量に重畳してもよい。
【００９４】
（実施の形態２）
次に実施の形態２について説明する。前記のように実施の形態１でのサーボ手段は実用上十分有効であるものの、前記（課題１）で説明したステップ偏向後の揺らぎ（以下偏向揺らぎ呼ぶ）を事実上無視できるほど抑圧できない。本実施の形態は、この偏向揺らぎをフィード・フォワワードでキャンセルするキャンセル手段を備えた光ディスク・カッティング装置を示す。
【００９５】
具体的には、実施の形態１に前記キャンセル手段を追加した例である。もちろん、光ディスクのフォーマットによっては、実施の形態１のサーボ手段を省略して、前記キャンセル手段のみを実装した光ディスク・カッティング装置で十分なこともある。このことは、以下の実施の形態３においても同様である。
【００９６】
図４は本実施の形態の光ディスク・カッティング装置のブロック図である。実施の形態１と同じものには同じ番号を付け、その説明は省略する。この光ディスク・カッティング装置は、前述の偏向揺らぎをキャンセルするために、破線３００で囲んだ不要偏向キャンセル部を追加している。
【００９７】
図４において３０１〜３０４は、ステップ偏向後に発生する偏向揺らぎを記憶した波形メモリー（１）〜波形メモリー（４）である。３０５は、各波形メモリーの出力タイミングを決定するタイミング制御部で、フォーマッタ１０１ａが出力する偏向信号Ｖｅｄに基づいてタイミングを生成する。３０６は波形メモリー（１）３０１〜波形メモリー（４）３０４から出力されるデジタルデータを加算する加算器であり、波形メモリー全加算出力をデジタルデータとして出力する。
【００９８】
３０７は加算器３０６のデジタルデータをアナログ信号に変換してフィードフォワワード信号ＦＦとして出力するフィードフォワワード手段であるＤＡ変換器（ＤＡＣ）、３０８は実施の形態１で説明したサーボ手段の利得設定・位相補償回路２０８のフィードバック信号ＦＢに、本実施の形態の不要偏向キャンセル部からのフィードフォワワード信号ＦＦを加算する加算アンプである。加算アンプ３０８の出力は、第２のＥＯＤドライバ２０９を介して第２のＥＯ偏向器２１０を駆動する。
【００９９】
図５は、波形メモリー（１）３０１〜波形メモリー（４）３０４の出力タイミングを示すタイミング図である。図５の（ａ）は偏向信号Ｖｅｄで駆動されるＥＯ偏向器３のＥＯＤ駆動信号Ｖｅｄｄを示す。時刻ｔ１、ｔ２、ｔ３、ｔ４でそれぞれ内周に偏向、中立に復帰、外周に偏向、中立に復帰させるように駆動される。
【０１００】
タイミング制御部３０５は、ｔ１〜ｔ４の順に、それぞれ波形メモリー（１）３０１〜波形メモリー（４）に記憶した波形を出力させる。図５では、波形メモリー内のデータはデジタルデータだが、分かりやすくするためそれぞれ、（ｂ）、（ｃ）、（ｅ）、（ｆ）のアナログ波形として表示している。各波形メモリーには、ＥＯ偏向器３のステップ応答後の偏向揺らぎを記憶させる。このような波形メモリーの記憶は、実際に光ディスクをカッティングする前に、あらかじめ行っておくものである。
【０１０１】
この説明では揺らぎ波形を、図５（ｂ）に示すように正弦波の減衰振動としてモデル化しているが、実際の偏向揺らぎは高調波成分を含む不規則な値なので計算で算出するのでなく、実際に使うＥＯ偏向器３にステップ電圧を加えて、デジタル・オシロスコープなどでそれを基本波形として取り込む。各時刻での偏向量を同じとすると、その偏向方向と偏向量の調整を加えて前記の基本波形を、各波形メモリーに記憶させる。この場合、偏向方向が同じである時刻ｔ１とｔ４とにおける偏向による波形を、波形メモリー（１）３０１と波形メモリー（４）３０４に記憶させる。
【０１０２】
また、時刻ｔ２とｔ３とにおける偏向方向は、時刻ｔ１とｔ４とにおける偏向方向方向と逆である。このため、時刻ｔ１とｔ４とにおける偏向による波形に対して逆極性の波形を、波形メモリー（２）３０２と波形メモリー（３）３０３に記憶させる。偏向揺らぎを抑えるためのフィードフォワワード信号ＦＦは、以上の波形メモリー４個すべての値を加算した（ｈ）に示す波形メモリー全加算出力とする。
【０１０３】
なお、フィードフォワワード信号ＦＦは回路系、駆動系の遅延等を補正するように、タイミング制御部３０５でスタートを調整する。また、波形メモリーの出力は、偏向揺らぎが実用上無視できる時間になったら０にして打ち切り、次の偏向サイクルに備える。
【０１０４】
参考のため、図５の（ｄ）と（ｇ）にそれぞれ内周と外周に偏向した時のパルス動作をした時の偏向揺らぎを、波形メモリー（１）＋（２）、波形メモリー（３）＋（４）を示した。この波形を使えば、従来例で示したＤＶＤ−ＲＡＭのように、偏向が４回も発生する時には波形メモリーが８個と多くなるが、それぞれパルス毎に記憶して波形メモリーを４個に節約できる。
【０１０５】
また、各波形メモリーに記憶する値は極性の違いはあるが、実質同じなので１個の波形メモリーの読み出し方のタイミング制御することで、波形メモリーを節約することもできる。
【０１０６】
また、波形メモリーに記憶すべきデータは、（課題２）示したような揺らぎの影響がないように、積分して外乱の影響を無くするか、低域のサーボをかけながら高域の外乱のみ取り出すように採集することが好ましい。
【０１０７】
以上で説明した本実施の形態によると、実施の形態１のサーボ手段では完全に抑圧できなかった偏向揺らぎを十分に抑圧ができる。また実施の形態１ではグルーブ１４の偏向揺らぎしか抑圧対象としなかったが、本実施の形態では偏向中の第１ウォブルピット１１と第２ウォブルピット１２、ならびにアドレスピット１３の偏向揺らぎもキャンセルすることができる。
【０１０８】
これにより、第１ウォブルピット１１および第２ウォブルピット１２の偏向揺らぎを共にキャンセルできるので、サンプルサーボのトラッキング精度が上がり、精度よくグルーブ１４の中心にトラッキングできる。
【０１０９】
（実施の形態３）
次に実施の形態３について説明する。本実施の形態は、実施の形態２を改良したものであり、実施の形態２ではＥＯ偏向器を２個使ったが、ここではそれを１個として、高価なＥＯ偏向器の追加を不要とする。図６は本実施の形態の光ディスク・カッティング装置のブロック図である。実施の形態２と同じものには同じ番号を付け、その説明は省略する。異なるのは、フォーマッタ１０１ｂ、タイミング制御部３０５ａ、４００に示すＥＯ偏向器共用のための加算アンプ３０８ａと、ＥＯＤドライバ１０３ａである。共用化のため、第２のＥＯＤドライバ２０９と第２のＥＯ偏向器２１０は削除した。
【０１１０】
フォーマッタ１０１ｂからＥＯＤドライバを制御する制御信号Ｖｅｄ２は、図３（ａ３）に示したＥＯＤ駆動信号Ｖｅｄｄの増幅前のアナログ信号である。タイミング制御部３０５ａは制御信号Ｖｅｄ２からタイミング信号を抽出する。もちろん制御信号Ｖｅｄ２の代わりに、実施の形態２と同じデジタル信号である偏向信号Ｖｅｄをフォーマッタ１０１ｂから出力する構成として、タイミング制御部は３０５と同じでもよい。
【０１１１】
加算アンプ３０８ａは、フィードバック信号ＦＢとフィードフォワワード信号ＦＦとＥＯＤ制御信号を加算して、ＥＯＤ制御信号Ｖｅｄｄ３を生成する。ここでは、ＥＯ偏向方式はアナログ偏向方式とする。そのため若干コストアップし複雑になるが、高電圧で高スルーレートの直流型の増幅器をＥＯＤドライバ１０３ａとして使う。不要な偏向を抑圧する動作は、基本的に実施の形態２と同じであるので、説明は省略する。
【０１１２】
以上の構成では、ＥＯ偏向器３とミラー４の間に新たなＥＯ偏向器を挿入できない場合にでも、ビーム・スプリッタ２０１さえ挿入できれば、不要偏向を抑圧できる。また、新たなＥＯ偏向器を挿入するために、光路長を伸ばして不要偏向を増やす悪影響も避けられる。
【０１１３】
なお、ＥＯ偏向器には、１個のユニットにＥＯ偏向器を２個入ったものが実用化されており、それを用いた光ディスク・カッティング装置では、実施の形態２の方が、高電圧で高スルーレートの直流型の増幅器を追加することがなく、経済的に実現できる。
【０１１４】
また、本実施の形態は以下のような変更で同じ動作をさせることができる。即ち、まずＥＯ変調器２とＥＯ偏向器３の順序を逆に配置し、ＥＯ偏向器３直後にビーム・スプリッタ２０１を配置して常に偏向量を検出できるようにする。次に、Ｓ／Ｈ回路２０５は常にサンプル状態とするＳ／Ｈ回路２０５と誤差アンプ２０６との間に、図２（ｂ）に示す非線形性を補正できる補正手段を入れる。
【０１１５】
目標値設定部２０７には、フォーマッタ１０１ｂの偏向信号Ｖｅｄ２を加算アンプ３０８ａから外して入力する。利得設定・位相補償回路２０８内の位相補償機能は、遅れが生じないよう前記補正手段に移す。
【０１１６】
以上のように閉ループを形成すると、ＥＯＤドライバ１０３ａには、偏向信号Ｖｅｄ２を増幅した駆動信号に、誤差アンプで検出された不要な偏向量の抑圧成分が重畳され、さらに波形メモリーによってキャンセルされた信号が入力される。その結果、ＥＯ偏向器３は本実施の形態３とほぼ同様の不要な偏向の抑圧が実現できる。
【０１１７】
（実施の形態４）
次に実施の形態４について説明する。本実施の形態は、実施の形態１〜３がラジアル方向のみの不要偏向を抑圧していたのに対して、タンジャンシャル方向の不要変更の抑圧および不要な光量変動を抑圧する例である。図７は本実施の形態の光ディスク・カッティング装置のブロック図である。実施の形態３と同じものには同じ番号を付け、その説明は省略する。また、図８は、本実施の形態での光量ならびに偏向量の検出部を示す図である。
【０１１８】
ここでは、まず図８を説明する。図８において、２０３ａは４分割ディテクタでＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄの各検出部から成り、実施の形態１〜３の２分割ディテクタ２０３と同じ位置に置かれる。Ｌｍは4分割ディテクタ２０３ａ上に形成される光ビームであり、光ビームＬｃが偏向されると４分割ディテクタ２０３ａ上で、図示するラジアル方向とタンジャンシャル方向に変位する。
【０１１９】
変位方向の呼び方は原盤上の光スポットの変位と同じである。タンジャンシャル方向の変位（偏向量）は、（Ａ＋Ｂ）−（Ｃ＋Ｄ）で検出され、ラジアル方向の変位（偏向量）は、（Ｂ＋Ｄ）−（Ａ＋Ｃ）で検出される。それぞれの偏向量は、複合アンプ６００で演算される。各検出部の光電流は、ＩＶアンプ６０１〜６０４で電圧に変換される。その後、加算アンプ６０５〜６０８で、前記両式の括弧内の値が演算される。
【０１２０】
さらに、加算アンプ６０９で、光ビームＬｍの全光量Ｖｓｕｍ＝（Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ）が演算され、後述のＡＧＣのほかに、光ディスク・カッティング装置の不要光量のキャンセルに使われる。差動アンプ６１０と６１１は、前記両式の差分を演算して、それぞれタンジャンシャル方向の偏向量とラジアル方向の偏向量とする。
【０１２１】
さらに、これらの値は、それぞれＡＧＣ回路６１２と６１３を使い、加算アンプ６０９の全光量Ｖｓｕｍで割り算され、規格化されたタンジャンシャル偏向信号Ｖｄｅｔｔとラジアル偏向信号Ｖｄｅｔｒが演算され出力される。Ｖｄｅｔｒは実施の形態１〜３のＶｄｅｔと実質的に同じである。
【０１２２】
図７において、本実施の形態の目的で実施の形態３に追加されたのは、５００の破線で囲んだタンジャンシャル方向不要偏向抑圧部と光量変動抑圧部である。２０３ａと６００は、それぞれ前述した４分割ディテクタと複合アンプである。従来のラジアル方向偏向抑圧部を構成するＳ／Ｈ回路２０５にはラジアル偏向信号Ｖｄｅｔｒが送られ、タンジャンシャル方向偏向抑圧にはタンジャンシャル偏向信号Ｖｄｅｔｔが使われる。
【０１２３】
Ｓ／Ｈ回路５０１、誤差アンプ５０２、目標値設定部５０３、利得設定・位相補償回路５０４および第３のＥＯドライバ５０５は、それぞれＳ／Ｈ回路２０５、誤差アンプ２０６、目標値設定部２０７、利得設定・位相補償回路２０８および実施の形態１における第２のＥＯＤドライバ２０９と同じ機能を果たす。５０６は、ＥＯ偏向器３とビーム・スプリッタ２０１との間に置かれ、光ビームＬｃの偏向をタンジャンシャル方向に制御できる第３のＥＯ偏向器である。
【０１２４】
本光ディスク・カッティング装置では、基本的にタンジャンシャル方向への偏向はしていないので、タンジャンシャル偏向信号Ｖｄｅｔｔはそのまま不要な偏向量と見なせる。４分割ディテクタ２０３ａの分割位置と回路系のオフセット電圧のゼロ調整を済ませて、目標値設定部を０とすることでタンジャンシャル方向の不要な偏向量が抑圧できる。
【０１２５】
次に、ＥＯＭドライバ１０２ａは前記実施の形態とは異なり、光量変動を補正する機能を持たせる。即ち、フォーマッタ１０１ｃの出力する光量の目標値Ｖｅｍ２と全光量Ｖｓｕｍとの差を増幅してＥＯ変調器２の駆動信号Ｖｅｍｄ２にフィードバックするサーボ手段を備えて、ＶｓｕｍをＶｅｍ２とほぼ同じになるように制御をして、原盤上での光量をねらい通りのＶｅｍ２とする。
【０１２６】
なお、前述のように光ディスクの原盤カッティング時でＣＡＶカッティングする時には、レーザ光源１の出射光量を外周にいくに従って高くするなど、カッティング半径で光量制御する時には、この目標値も適切にＥＯＭドライバ１０２ａに送り適切な値にする。
【０１２７】
以上説明した、実施の形態４によれば、ラジアル方向の不要な偏向量のほかに、タンジャンシャル方向の不要な偏向量や不要な光量変動も抑圧できる。
なお、図７に示した実施の形態では、タンジャンシャル方向不要偏向抑制部と、光量変動抑制部の双方を備えた例で説明したが、いずれか一方のみを備えた構成でもよい。
【０１２８】
また、本実施の形態のようなタンジャンシャル方向の不要な偏向量を抑圧する機能や、光量変動を補正する機能を前記実施の形態１の構成に追加してもよい。図１においてＥＯ変調器２を有しない構成に、光量変動を補正する機能を追加する場合は、ＥＯ偏向器３の後に光変調補正手段であるＥＯ変調器を追加し、強度誤差に関するフィードバック信号をこの追加したＥＯ変調器にフィードバックすればよい。
【０１２９】
（光ディスクの作成）
以上説明した実施の形態１ないし４の光ディスク・カッティング装置で作成したガラス原盤はこの後のマスタリング工程でスタンパに仕上げる。即ち、まずグルーブとピット部として露光したフォトレジストを削除する現像プロセスを施す。次に、メッキ準備のためにニッケル蒸着し、ニッケルメッキで厚みを増しスタンパを作り、原盤とスタンパを剥離する。
【０１３０】
さらに、作成したスタンパを、成形機用の外形や穴加工ならびに裏面研磨等を実施する。そして、光ディスク基板成形機に取り付け、ポリカーボネートの射出成形により,透明な光ディスク基板とする。その後、記録膜や反射膜をスパッタ装置で製膜し、必要に応じて保護コートや貼り合わせを行い、カートリッジケースなどに入れて、所望光ディスクとして完成させる。
【０１３１】
このようにして、本発明の光ディスク・カッティング装置を用いて作成した光ディスクは、そのプリピットの大きさや位置、ならびにグルーブの幅やピッチが、所望の位置に正確に作成されるため、プリピット再生のＳＮＲが高く、トラッキング誤差信号の精度やバラつきが小さく、グルーブ幅および／またはランド幅が安定してバラつきが小さいので、記録再生の性能やマージンを著しく向上させることができる。
【０１３２】
このことは逆に、本発明の光ディスク・カッティング装置で光ディスクを作れば、よりトラック・ピッチやピット・サイズを小さくしても、従来のカッティング装置と同じ録再性能やマージンを確保できるので、より高密度な光ディスクを作成できることを意味する。
【０１３３】
なお、以上説明した各実施の形態の光ディスク・カッティング方法では、１つの光ビームを使ってカッティングする１ビーム・カッティング方式のものを示した。偏向揺らぎを抑えるためには、偏向するプリピット形成と偏向しないグルーブ形成を別の光ビームでカッティングする２ビーム・カッティング方式を採用すれば、原理的にグルーブが偏向の影響を受けることはない。
【０１３４】
しかしながら、２ビーム・カッティング方式では、２つの光スポットの高精度位置合わせ、即ちタンジャンシャルとラジアルの２次元方向に０．０１μｍ以下に位置合わせすることが新たな課題となる。２ビーム・カッティングするにしても、本発明における不要偏向と不要光量の変化を２ビーム独立に検出して、フィードバックすれば、高精度な光ディスクがカッティングできる。
【０１３５】
また、実施の形態１〜４が適用可能な光ディスクは、従来例の図１０の（ａ）の作成を例に示したが、光ディスク・フォーマットは図１０の（ｂ）に示すＤＶＤ−ＲＡＭのようなフォーマットを始め、あらゆる光ディスクのフォーマットが可能である。
【０１３６】
例えば、ＣＤやＤＶＤ−ＲＯＭのようにプリピットの有無をカッティングするような光ディスクの場合でも、ピット形成中の偏向量をサンプルして、ラジアルならびにタンジャンシャル方向の不要な偏向量の抑圧と光量変化の抑圧が可能となる。
【０１３７】
こうすると、プリピットの大きさ、位置精度が向上するので、ラジアル方向及びタンジャンシャル方向の揺らぎが抑えられ、ＳＮＲやトラッキング精度が向上し、ジッタ低減も実現できる。さらに、用途も光ディスクに限られることはなく、レーザ光源でパターンを形成するシステムの高精度化にも適用可能である。
【０１３８】
また、ＥＯ偏向器をステップ的に変化させた後の偏向揺らぎは、駆動電圧のスルーレートを低くすると小さくなることが測定結果として分かっているので、カッティング速度と光ディスクのフォーマットとの関係で、ゆっくりした偏向が許容できるなら、スルーレート低減する手段を本発明の実施の形態と併せて実施し、原因となる偏向揺らぎを抑えることが好ましい。
【０１３９】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、光ディスクの原盤から不要な偏向および／または不要な光量の変化に起因するプリピットやグルーブの不要な変動が排除でき、それで形成された高精細で高精度な原盤を用いて大容量・高密度に好適な光ディスクを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１における光ディスク・カッティング装置のブロック図
【図２】本発明の実施の形態１における光ディスク・カッティング装置で検出した不要偏向ならびに検出部の感度を示す図
【図３】本発明の実施の形態１の動作を説明するタイミング図
【図４】本発明の実施の形態２における光ディスク・カッティング装置のブロック図
【図５】本発明の実施の形態２の動作を説明するタイミング図
【図６】本発明の実施の形態３における光ディスク・カッティング装置のブロック図
【図７】本発明の実施の形態４における光ディスク・カッティング装置のブロック図
【図８】本発明の実施の形態４における光量ならびに偏向量の検出部を示す図
【図９】従来の光ディスク・カッティング装置のブロック図
【図１０】高密度化に適した光ディスクのサンプル・サーボ方式ならびに連続サーボ方式の基板構成例を示す図
【図１１】サンプル・サーボ方式の光ディスク・カッティング装置の動作を説明するタイミング図
【符号の説明】
１  レーザ光源
２  ＥＯ変調器（ＥＯＭ）
３  ＥＯ偏向器（ＥＯＤ）
４  ミラー
５  対物レンズ
６  モータ
１００  光ディスクの原盤
１０１  フォーマッタ
１０２  ＥＯＭドライバ
１０３  ＥＯＤドライバ
Ｖｄｅｔ  偏向検出信号
２００  不要偏向抑圧部
２０１  ビーム・スプリッタ
２０２  集光レンズ
２０３  ２分割ディテクタ
２０４  差動アンプ
２０５  サンプルホールド（Ｓ／Ｈ）回路
２０６  誤差アンプ
２０７  目標値設定部
２０８  利得設定・位相補償回路
２０９  第２のＥＯＤドライバ
２１０  第２のＥＯ偏向器
３００  不要偏向キャンセル部
３０１  波形メモリー（１）
３０２  波形メモリー（２）
３０３  波形メモリー（３）
３０４  波形メモリー（４）
３０５  タイミング制御部
３０６  加算器
３０７  ＤＡＣ
３０８  加算アンプ
２０３ａ  ４分割ディテクタ
４００  ＥＯ偏向器の共用部
５００  タンジャンシャル方向不要偏向抑圧部と光量変動抑圧部
５０１  サンプルホールド（Ｓ／Ｈ）回路
５０２  誤差アンプ
５０３  目標値設定部
５０４  利得設定・位相補償回路
５０５  第３のＥＯＤドライバ
５０６  第３のＥＯ偏向器
６００  複合アンプ
６０１〜６０４  ＩＶアンプ
６０５〜６０９  加算アンプ
６１０、６１１  差動アンプ
６１２、６１３  ＡＧＣアンプ
Ｔａ  トラック２ｍ
Ｔｂ  トラック２ｍ＋１
１１  第１ウォブルピット
１２  第２ウォブルピット
１３  アドレスピット
１４  グルーブ
１５  ランド
１６  録再光スポット
Ｔｇ  グルーブトラック
Ｔｌ  ランドトラック
２１  ＬＧ共通アドレス部
２２  ＧＬ共通アドレス部
２３  グルーブ
２４  ランド
２５  録再光スポット
３１  カッティング用光スポット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
0004077290.tif 000010
【図１０】
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【図１１】
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