(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶を介して対向配置される各基板のうち一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線とこれらゲート信号線に交差して並設された複数のドレイン信号線とを有し、
これら各信号線で囲まれた各画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって作動される薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極を備え、
前記画素電極は前記画素領域を区分けした一方の領域にて光反射膜で形成されるとともに、他方の領域にて光透過膜で形成され、
前記薄膜トランジスタはその半導体層が前記光反射膜よりも基板側に形成された第１のポリシリコン層から構成されているとともに、
前記第１のポリシリコン層と同層に、前記第１のポリシリコン層と物理的に分離されて形成された第２のポリシリコン層が前記光反射膜に重畳して形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記薄膜トランジスタは、前記第１のポリシリコン層の上面に絶縁膜を介して前記ゲート信号線と電気的に接続されたゲート電極が形成されることによって形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記反射膜に重畳して、前記第１のポリシリコン層と同層に、前記第１のポリシリコン層と一体で形成され、容量素子の一方の電極を構成する第３のポリシリコン層を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶表示装置に係り、各画素に光透過部と光反射部を備える液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
たとえば携帯電話等の画像表示部に用いられる液晶表示装置は、その省力化を目的とし、必要な際には該液晶表示装置の背面に配置されるバックライトからの光を通して画像を認識し、それ以外の場合には太陽光等の外来光の反射を通して画像を認識するように構成されている。
このような液晶表示装置は、その液晶表示部を構成する各画素のそれぞれに、該バックライトからの光を透過させる光透過部と、外来光を反射させる光反射部とが備えられている。
そして、各画素において液晶を駆動させる一対の電極のうち、その一方の画素電極を光透過性材料で形成した部分を光透過部として構成し、光反射膜で形成した部分を光反射部として構成している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、このように構成された液晶表示装置は、バックライトからの光を通して画像を認識するモードの場合に、該バックライトから各画素の光透過部を透過する光以外は光反射部によって遮られてしまうため、表示が暗くなるということが指摘されていた。
特に、携帯電話等に用いられる液晶表示装置は、その省力化を目的としており、バックライトの明るさにも一定の限度があることから、その対策が望まれていた。
本発明は、このような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、表示を明るくできる液晶表示装置を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
手段１．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線とこれらゲート信号線に交差して並設された複数のドレイン信号線とを有し、
これら各信号線で囲まれた各画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって作動される薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極を備え、
前記画素電極は前記画素領域を区分けした一方の領域にて光反射膜で形成されるとともに、他方の領域にて光透過膜で形成され、
前記薄膜トランジスタはその半導体層が前記光反射膜よりも基板側に形成されたポリシリコン層から構成されているとともに、このポリシリコン層と同層に形成された他のポリシリコン層が前記光反射膜のほぼ全域下に形成されていることを特徴とするものである。
【０００５】
手段２．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、手段１の構成を前提とし、前記薄膜トランジスタは、そのポリシリコン層の上面に絶縁膜を介して前記ゲート信号線と電気的に接続されたゲート電極が形成されることによって形成されていることを特徴とするものである。
【０００６】
手段３．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線とこれらゲート信号線に交差して並設された複数のドレイン信号線とを有し、
これら各信号線で囲まれた各画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって作動される薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極と、この画素電極を一の電極とする容量素子とを備え、
前記画素電極は前記画素領域を区分けした一方の領域にて光反射膜で形成されるとともに、他方の領域にて光透過膜で形成され、
前記薄膜トランジスタはその半導体層が前記光反射膜よりも基板側に形成されたポリシリコン層から構成されているとともに、このポリシリコン層と同層に形成された他のポリシリコン層が前記光反射膜のほぼ全域下に形成され、その一部が前記容量素子の他の電極を構成していることを特徴とするものである。
【０００７】
手段４．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、手段３の構成を前提とし、前記薄膜トランジスタは、そのポリシリコン層の上面に絶縁膜を介して前記ゲート信号線と電気的に接続されたゲート電極が形成されることによって形成されていることを特徴とするものである。
【０００８】
手段５．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、手段３の構成を前提とし、前記他のポリシリコン層の前記容量素子の他の電極を構成する一部は他の部分と物理的に分離されていることを特徴とするものである。
【０００９】
手段６．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線とこれらゲート信号線に交差して並設された複数のドレイン信号線とを有し、
これら各信号線で囲まれた各画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって作動される薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極と、この画素電極を第１の電極とする容量素子と、この容量素子の第２の電極となる容量信号線とを備え、
前記画素電極は前記画素領域を区分けした一方の領域にて光反射膜で形成されるとともに、他方の領域にて光透過膜で形成され、
前記薄膜トランジスタはその半導体層が前記光反射膜よりも基板側に形成されたポリシリコン層から構成されているとともに、このポリシリコン層と同層に形成された他のポリシリコン層を前記画素電極に電気的に接続された前記容量素子の第３の電極とし、
前記第２の電極に対して前記第１の電極との間に形成される容量、第３の電極との間に形成される容量とで前記容量素子を構成するとともに、
前記第２の電極は前記光反射膜の形成領域のほぼ全域に及んで形成されていることを特徴とするものである。
【００１０】
手段７．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、手段６の構成を前提とし、前記薄膜トランジスタは、そのポリシリコン層の上面に絶縁膜を介して前記ゲート信号線と電気的に接続されたゲート電極が形成されることによって形成されていることを特徴とするものである。
【００１１】
なお、本発明は以上の構成に限定されず、本発明の技術思想を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による液晶表示装置の実施例を図面を用いて説明をする。
実施例１．
《外観の構成》
図２（ａ）は、本発明による液晶表示装置の外観の一実施例を示す平面図、図２（ｂ）は側面図である。
まず、この液晶表示装置は、たとえば、その駆動素子（薄膜トランジスタ）がいわゆる低温ポリシリコンで形成されたものとなっている。
そして、図２（ａ）、（ｂ）において、２枚のたとえばガラスからなる透明基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２を外囲器とし、それら透明基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の間には液晶が介在されている。
【００１３】
該液晶は、透明基板ＳＵＢ１に対する透明基板ＳＵＢ２の固着を兼ねるシール材ＳＬ（図示せず）によって封入されている。
また、該液晶は、たとえば、そのツイスト角が５０度、厚みは３．９μｍ、リタデーション（Δｎ・ｄ）は２８０ｎｍとなっている。
シール材ＳＬによって囲まれた領域は多数の画素がマトリクス状に配置され、これら各画素の集合によって液晶表示部ＡＲが形成されている。
また、透明基板ＳＵＢ１の液晶とは反対側の液晶表示部ＡＲの面には偏光板ＰＯＬ１が、透明基板ＳＵＢ２の液晶とは反対側の液晶表示部ＡＲの面には偏光板ＰＯＬ２が貼付されている。
【００１４】
《等価回路》
図３は、前記透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面に形成される電子回路の構成を示している。同図は等価回路であるが、実際の幾何学的配置に対応させている。
同図において、透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面のシール材ＳＬによって囲まれた領域には、そのｘ方向に延在しｙ方向に並設されたゲート信号線ＧＬとｙ方向に延在しｘ方向に並設されたドレイン信号線ＤＬとが形成されている。
【００１５】
各ゲート信号線ＧＬと各ドレイン信号線ＤＬとで囲まれた領域は画素領域を構成するとともに、これら各画素領域のマトリクス状の集合体は前記液晶表示部ＡＲを構成するようになっている。
また、ｘ方向に並設される各画素領域のそれぞれにはそれら各画素領域内に走行された共通の容量信号線ＣＬが形成されている。この容量信号線ＣＬは後述の容量素子Ｃｓｔｇの一方の電極に接続されるもので、たとえば一定の電圧が印加されるようになっている。
【００１６】
各画素領域には、その片側のゲート信号線ＧＬからの走査信号によって作動される薄膜トランジスタＴＦＴと、この薄膜トランジスタＴＦＴを介して片側のドレイン信号線ＤＬからの映像信号が供給される画素電極ＰＸが形成されている。そして、この画素電極ＰＸと前記容量信号線ＣＬとの間には前記容量素子Ｃｓｔｇが接続されている。この容量素子Ｃｓｔｇは画素電極ＰＸに供給された映像信号を比較的長い時間蓄積させるため等に設けられたものである。
該薄膜トランジスタＴＦＴはその半導体層が多結晶のたとえばＳｉ（ｐ−Ｓｉ）から構成されたものとなっている。
【００１７】
また、画素電極ＰＸは、他方の透明基板ＳＵＢ２の液晶側の面に各画素領域に共通に形成した対向電極（図示せず）との間に電界を発生させ、この電界によって液晶の光透過率を制御させるようになっている。
【００１８】
前記ゲート信号線ＧＬのそれぞれの一端は前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延在端は透明基板ＳＵＢ１の表面に形成された垂直走査駆動回路Ｖに接続されるようになっている。この垂直走査駆動回路Ｖは多数のＭＩＳ（metal insulator semiconductor）型トランジスタとそれらを接続させる配線層で形成されている。
【００１９】
同様に、前記ドレイン信号線ＤＬのそれぞれの一端は前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延在端は透明基板ＳＵＢ２の表面に形成された映像信号駆動回路Ｈｅに接続されるようになっている。この映像信号駆動回路Ｈｅも多数のＭＩＳ型トランジスタとそれらを接続させる配線層で形成されている。
【００２０】
ここで、前記垂直走査駆動回路Ｖおよび映像信号駆動回路Ｈｅを構成する各ＭＩＳ型トランジスタは、その半導体層が前記薄膜トランジスタＴＦＴのそれと同様に多結晶層で形成されている。このため、該ＭＩＳ型トランジスタの形成においては該薄膜トランジスタの形成と並行してなされるのが通常である。
【００２１】
また、ｘ方向に併設された各画素領域に共通な前記容量信号線ＣＬはたとえば図中右側の端部で共通に接続され、その接続線はシール材ＳＬを超えて延在され、その延在端において端子ＣＬＴを構成している。
【００２２】
前記各ゲート信号線ＧＬは、垂直走査回路Ｖからの走査信号によって、その一つが順次選択されるようになっている。
また、前記各ドレイン信号線ＤＬのそれぞれには、映像信号駆動回路Ｈｅによって、前記ゲート信号線ＧＬの選択のタイミングに合わせて映像信号が供給されるようになっている。
【００２３】
《画素の構成》
図１は、前記画素領域の構成の一実施例を示す構成図で、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のｂ−ｂ線における断面図である。
この画素領域は、たとえば、そのｘ方向に走行する仮想の線によって２つに区分され、下方の領域を光透過領域、上方の領域を光反射領域として形成されている。
【００２４】
まず、透明基板ＳＵＢ１の表面には、たとえばポリシリコン層からなる半導体層ＰＳが形成されている。この半導体層ＰＳはたとえばプラズマＣＶＤ装置によって成膜したアモルファスＳｉ膜をエキシマレーザによって多結晶化したものである。
【００２５】
この半導体層ＰＳは、後述するゲート信号線ＧＬに隣接して形成される帯状の部分ＰＳｓとこの部分に一体となって画素領域側へ延在されたほぼ矩形状の部分ＰＳｃとで形成されている。
【００２６】
帯状の部分の半導体層ＰＳｓは後述する薄膜トランジスタＴＦＴの半導体層として形成され、ほぼ矩形状の部分の半導体層ＰＳｃは後述する容量素子Ｃｓｔｇの各電極のうちの一の電極として形成されるようになっている。
【００２７】
ここで、矩形状の部分の前記半導体層ＰＳｃは、前記容量素子Ｃｓｔｇの得ようとする容量値によって、その面積が決定されるようになっている。そして、この実施例では、後述する画素電極ＰＸ（Ｒ）の形成領域内であって、前記半導体層ＰＳｃが形成されていない個所にても、該半導体層ＰＳｃと物理的にしたがって電気的に分離されて半導体層ＰＳ（Ｒ）が形成されている。
【００２８】
半導体層ＰＳｃと半導体層ＰＳ（Ｒ）との物理的な分離幅はできるだけ狭い方が好ましい。そして、この半導体層ＰＳ（Ｒ）は前記容量素子Ｃｓｔｇの一の電極を構成することなく、図示されていないバックライトから透明基板ＳＵＢ１を介して入射されてくる光を該バックライト側へ反射させる機能を有するように構成されている。この効果については後述する。
【００２９】
そして、このように半導体層ＰＳｓ、半導体層ＰＳｃ、半導体層ＰＳ（Ｒ）が形成された透明基板ＳＵＢ１の表面には、該半導体層ＰＳｓ等をも覆ってたとえばＳｉＯ２あるいはＳｉＮからなる第１絶縁膜ＧＩが形成されている。
【００３０】
この第１絶縁膜ＧＩは前記薄膜トランジスタＴＦＴのゲート絶縁膜として機能するとともに、後述する容量素子Ｃｓｔｇの誘電体膜の一つとして機能するようになっている。
【００３１】
そして、第１絶縁膜ＧＩの上面には、図中ｘ方向に延在しｙ方向に並設されるゲート信号線ＧＬが形成され、このゲート信号線ＧＬは後述するドレイン信号線ＤＬとともに矩形状の画素領域を画するようになっている。
【００３２】
なお、このゲート信号線ＧＬは耐熱性を有する導電膜であればよく、たとえばＡｌ、Ｃｒ、Ｔａ、ＴｉＷ等が選択される。この実施例ではゲート信号線ＧＬとしてたとえばＴｉＷが用いられている。
【００３３】
このゲート信号線ＧＬはその一部が画素領域内に延在され、前記帯状の半導体層ＰＳｓに交差するようにして重畳されている。このゲート信号線ＧＬの延在部は薄膜トランジスタＴＦＴのゲート電極ＧＴとして機能するようになっている。
【００３４】
なお、このゲート信号線ＧＬの形成後は、第１絶縁膜ＧＩを介して不純物のイオン打ち込みをし、前記半導体層ＰＳｓ、ＰＳｃ、ＰＳ（Ｒ）において前記ゲート電極ＧＴの直下を除く領域を導電化させることによって、薄膜トランジスタＴＦＴのソース領域およびドレイン領域が形成されるとともに、容量素子Ｃｓｔｇの各電極のうち一の電極が形成されるようになっている。
【００３５】
この場合、半導体層ＰＳ（Ｒ）も導電化されるが、該半導体層ＰＳは上述したように反射膜として機能させることから、必ずしも導電化させる必要はなく、その工夫を行なってもよい。
【００３６】
また、画素領域のほぼ中央における第１絶縁膜ＧＩの上面には図中ｘ方向に延在する容量信号線ＣＬが形成され、この容量信号線ＣＬは画素領域の図中上側の領域に延在する容量電極ＣＴと一体に形成されるようになっている。この容量信号線ＣＬ（容量電極ＣＴ）はたとえばゲート信号線ＧＬと同層でかつ同一の材料で形成されている。
【００３７】
また、前記容量電極ＣＴは矩形状の前記半導体層ＰＳｃとその大部分の領域にわたって重畳されて形成され、前記第１絶縁膜ＧＩを誘電体膜とする一つの容量素子が形成されている。
【００３８】
前記ゲート信号線ＧＬおよび容量信号線ＣＬ（容量電極ＣＴ）をも被って前記第１絶縁膜ＧＩの上面には第２絶縁膜ＩＮがたとえばＳｉＯ２あるいはＳｉＮによって形成されている。
【００３９】
さらに、この第２絶縁膜ＩＮの上面には、画素領域のほぼ２／３の領域（図中上側の領域）を占めるようにしてたとえばアルミニュウム（Ａｌ）からなる画素電極ＰＸ（Ｒ）が形成されている。この画素電極ＰＸ（Ｒ）は反射膜を兼ね、それが形成された領域において光反射部を形成するようになっている。
【００４０】
この画素電極ＰＸ（Ｒ）は前記薄膜トランジスタＴＦＴに近接する部分において、前記第２絶縁膜ＩＮおよび第１絶縁膜ＧＩに形成されたコンタクトホールＣＨ１を通して前記半導体層ＰＳｃと接続されている。
【００４１】
画素電極ＰＸ（Ｒ）と接続される半導体層ＰＳｓは薄膜トランジスタＴＦＴのソース領域に相当する部分となっており、これに対して該薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン領域は前記ゲート電極ＧＴと重畳される部分を間にして反対側の半導体層ＰＳｓの領域に形成され、この部分にてコンタクトホールＣＨ２を通して後述するドレイン信号線ＤＬに接続されるようになっている。
【００４２】
また、この画素電極ＰＸ（Ｒ）は前記容量電極ＣＴに重畳するようにして画素の中央部側にまで延在され、前記容量素子Ｃｓｔｇの一の電極をも構成するようになっている。
【００４３】
これにより、容量素子Ｃｓｔｇは、該容量電極ＣＴを一方の電極、ほぼ矩形状の半導体層ＰＳｃを他方の電極、第１絶縁膜ＧＩを誘電体膜とする第１の容量素子と、該容量電極ＣＴを一方の電極、画素電極ＰＸ（Ｒ）を他方の電極、第２絶縁膜ＩＮを誘電体膜とする第２の容量素子とが並列に接続された２段構成の容量素子を構成するようになっている。
【００４４】
また、第２絶縁層ＩＮの上面には、図中ｙ方向に延在しｘ方向に並設されるドレイン信号線ＤＬが形成されている。このドレイン信号線ＤＬは前述したゲート信号線ＧＬとで画素領域を画するようになっている。
【００４５】
このドレイン信号線ＤＬは、たとえばアルミニュウム、ＴｉＷを下地層としたアルミニュウム、ＭｏＳｉを下地層としたアルミニュウム等が用いられている。アルミニュウムがポリシリコン層と直接に接触するとたとえば４００℃以上のプロセス温度では導通不良を生ずる場合があることから、上述のような下地層を形成することが有効となる。
【００４６】
このドレイン信号線ＤＬはその一部が第２絶縁膜ＩＮおよび第１絶縁膜ＧＩに形成された前記コンタクトホールＣＨ２を通して前記薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン領域（ドレイン信号線ＤＬと接続される側をドレイン領域とこの明細書では定義する）に接続されている。
【００４７】
そして、このドイレン信号線ＤＬおよび前記画素電極ＰＸ（Ｒ）をも被って第２絶縁膜ＩＮの上面にはたとえばＳｉＯ２あるいはＳｉＮからなる第３絶縁膜ＰＳＶが形成され、さらに、その上層にはたとえば有機材料層からなる第４絶縁膜ＯＰＳＶが形成されている。この第４絶縁膜ＯＰＳＶは塗布等により形成できるため、その表面を平坦化できるようになる。このため、配向膜（図示せず）を信頼性よく形成でき、液晶の配向を良好な状態とすることができる。
【００４８】
この第４絶縁膜ＯＰＳＶの上面にはたとえばＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）膜からなる透光性の材料の画素電極ＰＸ（Ｔ）が形成され、この画素電極ＰＸ（Ｔ）は画素領域の下方の部分にまで延在されて形成されている。光反射領域を除く画素領域の約１／３の領域はこの画素電極ＰＸ（Ｔ）によって光透過領域として形成される。
【００４９】
なお、この実施例では、該画素電極ＰＸ（Ｔ）はその周辺がゲート信号線ＧＬおよびドレイン信号線ＤＬに重ねられるようにして形成され、画素領域のいわゆる開口率の向上を図っている。画素電極ＰＸ（Ｔ）とゲート信号線ＧＬあるいはドレイン信号線ＤＬとの間には誘電率の比較的小さい第４絶縁膜ＯＰＳＶが介在されているため、それらの間に発生する寄生容量の不都合を解消できるからである。
【００５０】
この画素電極ＰＸ（Ｔ）は薄膜トランジスタＴＦＴに近接する部分において前記第４絶縁膜ＯＰＳＶおよび第３絶縁膜ＰＳＶに形成されたコンタクトホールＣＨ３を通して前記画素電極ＰＸ（Ｒ）と接続されている。
【００５１】
これにより、画素電極ＰＸ（Ｔ）は前記画素電極ＰＸ（Ｒ）を介して薄膜トランジスタＴＦＴのソース領域と接続されるようになり、該薄膜トランジスタＴＦＴがオンした際にはドレイン信号線ＤＬからの映像信号が該薄膜トランジスタＴＦＴを介して画素電極ＰＸ（Ｒ）はもちろんのこと画素電極ＰＸ（Ｔ）にも供給されるようになる。
【００５２】
なお、前記画素電極ＰＸ（Ｒ）、ＰＸ（Ｔ）は、これら画素電極ＰＸ（Ｒ）、ＰＸ（Ｔ）が形成された透明基板ＳＵＢ１と液晶を介して対向配置される他の透明基板ＳＵＢ２の液晶側の面に各画素領域に共通に形成された透光性の対向電極との間に電界を生じせしめ、この電界によって該液晶の光透過率を制御せしめるようになっている。
【００５３】
《偏光板》
図４は、透明基板ＳＵＢ１の液晶と反対側の面に貼付された偏光板ＰＯＬ１の構成を示す断面図である。
偏光板ＰＯＬ１は、透明基板ＳＵＢ１側から、位相差板４１、偏向フィルム４２、１／４λ板４３、及びコレステリック液晶フィルム４４が積層されて形成され、それら各フィルムは粘着材４５によって張り合わされている。
このように構成された偏光板ＰＯＬは、バックライト側からの光を透明基板ＳＵＢ１側へ通過させ、また、透明基板ＳＵＢ１側からの光を一部反射させて該透明基板ＳＵＢ１側へ戻す機能を有するよう構成される。
【００５４】
《効果》
このように構成された液晶表示装置は、該バックライトからの光が一部前記画素電極ＰＸ（Ｒ）によって遮られてしまう光を、該画素電極ＰＸ（Ｒ）の手前に形成した半導体層ＰＳ（Ｒ）によって積極的に透明基板ＳＵＢ１側へ反射させる構成としている。
【００５５】
この場合、前記半導体層ＰＳ（Ｒ）の膜厚に応じて反射特性が依存し、たとえばその膜厚を約５０ｎｍとすることにより、いわゆるハーフミラーに相当する反射効率（約３０％程度）が得られるようになる。
【００５６】
前記半導体層ＰＳ（Ｒ）によって反射された光は前記偏光板ＰＯＬ１との間で反射を繰り返し、最終的には光透過領域にまで至り、光透過モードの際の表示光として機能させることができ、光の有効利用が図れるようになる。
【００５７】
ちなみに、この半導体層ＰＳ（Ｒ）が存在しない場合にあっても、前記画素電極ＰＸ（Ｒ）と前記偏光板ＰＯＬ１との間で光の反射が繰り返されるが、それらの間に第１絶縁膜ＧＩおよび第２絶縁膜ＩＮが介在されているため光の減衰を無視することができず、有効な光利用が望めなかった。
【００５８】
また、容量素子Ｃｓｔｇの一の電極を構成する半導体層ＰＳｃも前記半導体層ＰＳ（Ｒ）と同様に光反射機能を有するが、この半導体層ＰＳｃは、上述したように、前記容量素子Ｃｓｔｇの得ようとする容量値によってその面積が定められ、充分な光の有効利用が図れなかったのを、前記前記半導体層ＰＳ（Ｒ）を設けることによって解消している。
【００５９】
このことから、たとえば、容量素子Ｃｓｔｇの容量値を他の手段で所望の値に設定するようにし、前記半導体層ＰＳｃを画素電極ＰＸ（Ｒ）の全域に及ぶように延在させて形成することによっても同様な効果が得られることはもちろんである。
【００６０】
実施例２．
図５は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１に対応した図となっている。
図１と比較して異なる構成は、まず、半導体層ＰＳ（Ｒ）を設けていない構成となっている。そして、容量電極ＣＴを画素電極ＰＸ（Ｒ）下にて延在させていることにある。
この場合、該容量電極ＣＴは、画素電極ＰＸ（Ｒ）下であって半導体層ＰＳｃが形成されていない領域に充分に延在させて形成されることが必要となる。
【００６１】
このように構成しても、透明基板ＳＵＢ１からの光は前記容量電極ＣＴによって反射され、偏光板ＰＯＬ１との間で反射を繰り返して、光透過領域を通過できることになる。
容量電極ＣＴは、画素電極ＰＸ（Ｒ）下であって半導体層ＰＳｃが形成されていない領域には透明基板ＳＵＢ１との間に比較的膜厚の薄い絶縁膜ＧＩしか形成されていないことから、透明基板ＳＵＢ１側からの光は減衰されることなく該容量電極ＣＴによって効率よく反射されるようになる。
【００６２】
実施例３．
図６は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図５に対応した図となっている。
この実施例は、前記実施例１と実施例２との構成を組み合わせたもので、上述した効果を奏するとともに、光反射部における積層構造の凹凸を減少させることができる。
【００６３】
【発明の効果】
以上説明したことから明らかなように、本発明による液晶表示装置によれば、表示を明るくできるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明による液晶表示装置の画素の一実施例を示す構成図である。
【図２】  本発明による液晶表示装置の外観の一実施例を示す構成図である。
【図３】  本発明による液晶表示装置の一方の透明基板側に形成された回路を示す等価回路図である。
【図４】  本発明による液晶表示装置の一方の透明基板側に形成された偏光板の一実施例を示す構成図である。
【図５】  本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す構成図である。
【図６】  本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す構成図である。
【符号の説明】
ＳＵＢ１…透明基板、ＧＬ…ゲート信号線、ＤＬ…ドレイン信号線、ＣＬ…容量信号線、ＰＳｓ、ＰＳｃ、ＰＳ（Ｒ）…半導体層、ＴＦＴ…薄膜トランジスタ、Ｃｓｔｇ…容量素子、ＰＸ（Ｒ）…画素電極（反射用）、ＰＸ（Ｔ）…画素電極（反射用）、ＣＴ…容量電極、ＧＩ…第１絶縁膜、ＩＮ…第２絶縁膜、ＰＳＶ…第３絶縁膜、ＯＰＳＶ…第４絶縁膜。
【図１】
0004053343.tif 000002
【図２】
0004053343.tif 000003
【図３】
0004053343.tif 000004
【図４】
0004053343.tif 000005
【図５】
0004053343.tif 000006
【図６】
0004053343.tif 000007