(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア層を含むストライプ構造体の端面予定位置から装置端面予定位置の間を覆う選択成長用マスクを形成する工程と、
次いで、選択成長用マスク以外の全面にＩｎＧａＡｓＰまたはＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓからなり且つ水平面に対して（１１１）面の成長斜面を端面とするコア層を形成する工程と、
次いで、形成されたコア層をエッチングして前記コア層をストライプ状に加工する工程と
が含まれてなることを特徴とする光半導体装置の製造方法。
【請求項２】
コア層上部のクラッド層形成時にコア層端面から装置端面の間の領域にも該クラッド層と同一の半導体層を形成する工程
が含まれてなることを特徴とする請求項１記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項３】
選択成長用マスクの領域がマスク近傍のコア層に層厚分布が生じないサイズに限定されてなること
を特徴とする請求項１或いは請求項２記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項４】
原料ガスに塩素を添加して選択成長を行う工程
が含まれてなることを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか１記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項５】
方形をなす選択成長用マスクの一辺が＜１１０＞に平行し且つ他方の辺が＜１−１０＞に平行すること
を特徴とする請求項１乃至４の何れか１記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項６】
コア層を含むストライプ構造体の端面予定位置から装置端面予定位置の間を覆う選択成長用マスクをストライプと直交する方向に延在させてなること
を特徴とする請求項１或いは２或いは４記載の光半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ファイバ通信などに用いられるＤＦＢ（ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ  ｆｅｅｄｂａｃｋ）レーザ、光変調器、光増幅器など無反射端面を必要とする光半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光半導体装置に於ける無反射端面の端面反射率を低減する手段は幾つか存在するが、無反射コーティング膜及び窓構造と呼ばれ導波路のコア層を端面まで設けない構造は、広い波長範囲に亙って端面反射率を低く抑えるのに有効な構造として知られている。
【０００３】
図１４は端面反射率を低減した無反射端面をもつ光半導体装置を表す要部切断平面図であり、図に於いて、１は導波路、１Ａは導波路のコア、２は無反射コーティング膜、３は窓構造をそれぞれ示し、そして、この窓構造３を作成するにも幾つかの手段が存在する。
【０００４】
図１５は窓構造の作成工程を説明する為の工程要所に於ける光半導体装置を表す要部切断斜面図である。尚、この例では、導波路のコア層を含むストライプ構造体をエッチングに依って形成している。
【０００５】
図１５（Ａ）参照
（１）
基板１１にバッファ層１２、コア層（活性層）１３、クラッド層１４を積層成長する。
【０００６】
図１５（Ｂ）参照
（２）
クラッド層１４の表面から基板１１に達するエッチングを行って、端面に欠如部分をもつストライプ構造体１５を形成する。
【０００７】
図１５（Ｃ）参照
（３）
ストライプ構造体１５の両脇を埋め込む電流ブロック層（区分せず）及び端面の欠如部分も含めて全体を埋め込む平坦化クラッド層１６を成長する。
【０００８】
図１５について説明したストライプ構造体１５を形成する方法に於いては、バッファ層１２、コア層１３、クラッド層１４を平坦な基板１１上に成長させることができる点が大きな利点になっているが、窓構造を形成する際、エッチング法を適用しているので、意図的に必要な手段を採らなければ端面は殆ど垂直な角度となって、反射率が低い無反射端面の実現は困難である。
【０００９】
図１６は窓構造の他の作成工程を説明する為の工程要所に於ける光半導体装置を表す要部切断斜面図である（要すれば「加藤他、１９９４年電子情報通信学会春季大会Ｃ−２２６」を参照）。尚、この例では、ストライプ構造体を選択成長に依って形成していて、一般に狭幅選択成長と呼ばれている。
【００１０】
図１６（Ａ）参照
（１）
基板２１に選択成長用マスク２２を形成する。
この選択成長用マスク２２はストライプ構造体の下地（基板２１）露出用開口２３をもち、そのストライプ構造体の下地露出用開口２３は、ストライプ構造体の欠如部分を生成させる為、両端が選択成長用マスク２２の一部２２Ａで覆われている。
【００１１】
図１６（Ｂ）参照
（２）
バッファ層２４、コア層２５、クラッド層２６を成長させ、端面に欠如部分をもつストライプ構造体２７を形成する。尚、選択成長用マスク２２が図に見られる構成の場合、その外側に露出されている基板２１の表面にもストライプ構造体２７と同様にバッファ層２４、コア層２５、クラッド層２６が成長されるのであるが図示を省略してある。
【００１２】
図１６（Ｃ）参照
（３）
選択成長用マスク２２を除去した後、端面の欠如部分も含めて全体を埋め込む平坦化クラッド層２８を成長する。
【００１３】
図１６について説明したストライプ構造体２７を形成する方法に於いては、ストライプ構造体２７を構成するバッファ層２４、コア層２５、クラッド層２６を狭い領域に選択成長させる為、成長させた各成長層が平坦になり難く、また、成長層が台形になるので、成長が進行するにつれて組成や成長速度が変化する旨の性質がある為、成長条件がかなり制限されてしまい、更にまた、ストライプ構造をバットジョイントで接続する光半導体装置の作成にはプロセス的整合をとることが困難である。
【００１４】
然しながら、図１６について説明した方法でストライプ構造体２７を（０１１）方向に形成した場合、コア層２５が終端に於いて自動的に（１１１）Ａ面と垂直から傾いた構造になる為、更に低反射率化される旨の利点がある。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明では、ストライプ構造体に於けるコア層の成長を平坦な基板上と殆ど同じ状態で実施しながらコア層端面が斜めの構造となるようにする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明では、ストライプ構造体を構成する半導体層を選択成長させること、そして、成長された半導体層をエッチングしてストライプ化することが基本になっている。
【００１７】
図１乃至図３は本発明の原理を解説する為の工程要所に於ける光半導体装置を表す要部切断斜面図であり、以下、これ等の図を参照しつつ説明する。
【００１８】
図１（Ａ）参照
１−（１）
基板３１に於ける窓構造形成予定部分にのみ選択成長用マスク３２を形成する。
【００１９】
図１（Ｂ）参照
１−（２）
選択成長用マスク３２を形成したままの状態に於いて、バッファ層３３、コア層３４、クラッド層３５を成長させる。
【００２０】
図２（Ａ）参照
２−（１）
選択成長用マスク３２を除去してから、クラッド層３５の表面から基板３１内に達するメサ・エッチングを行ってストライプ構造体３６を形成する。
【００２１】
図２（Ｂ）参照
２−（２）
ストライプ構造体３６の両脇を埋め込む半導体層（電流ブロック層）を再成長させる。
【００２２】
図３参照
３−（１）
平坦化する為の半導体層を成長させてクラッド層３７とする。尚、前記平坦化クラッド層３７は、ストライプ構造体３６の両端に於ける窓部分も埋め込むように形成される。
【００２３】
前記のようにして作成した光半導体装置に於いて、ストライプ構造体３６に於ける長手方向側面は、基板３１の表面に対して７０°〜９０°の角度をなし、横断面で見ると台形になっている。
【００２４】
また、ストライプ構造体３６を縦断面で見ると上下は殆ど平坦であって、端部は約５５°の傾斜で終端され、その端面と光半導体装置端面との間は平坦化クラッド層３７の材料と同じ材料で埋め込まれた構造になっている。
【００２５】
前記したところから、本発明に依る光半導体装置の製造方法では、
（１）
コア層を含むストライプ構造体の端面予定位置から装置端面予定位置の間を覆う選択成長用マスクを形成する工程と、次いで、選択成長用マスク以外の全面にＩｎＧａＡｓＰまたはＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓからなり且つ水平面に対して（１１１）面の成長斜面を端面とするコア層を形成する工程と、次いで、形成されたコア層をエッチングして前記コア層をストライプ状に加工する工程とが含まれてなることを特徴とするか、又は、
（２）
前記（１）に於いて、コア層上部のクラッド層形成時にコア層端面から装置端面の間の領域にも該クラッド層と同一の半導体層を形成する工程が含まれてなることを特徴とするか、又は、
（３）
前記（１）或いは（２）に於いて、選択成長用マスクの領域がマスク近傍のコア層に層厚分布が生じないサイズに限定されてなることを特徴とするか、又は、
（４）
前記（１）乃至（３）の何れか１に於いて、原料ガスに塩素を添加して選択成長を行う工程が含まれてなることを特徴とするか、又は、
（５）
前記（１）乃至（４）の何れか１に於いて、方形をなす選択成長用マスクの一辺が＜１１０＞に平行し且つ他方の辺が＜１−１０＞に平行することを特徴とするか、又は、
（６）
前記（１）或いは（２）或いは（４）の何れか１に於いて、コア層を含むストライプ構造体の端面予定位置から装置端面予定位置の間を覆う選択成長用マスクをストライプと直交する方向に延在させてなることを特徴とする。
【００３４】
前記手段を採ることに依り、ストライプ構造体の端部は選択成長で実現させている為に（１１１）面に近い斜面となり、半導体層を所要ストライプと同じ幅をなす狭い面に選択成長させた場合と同様、窓構造を形成した際の端面反射率低減効果は良好に維持され、しかも、半導体層を選択成長させる際、結晶を成長させない領域は、窓構造を形成する微小な領域近傍に限定することに依って、半導体層の大部分が平坦な基板上に成長されるので、従来の狭幅選択成長の場合と比較して許容できる結晶成長条件が極めて広くなり、また、成長と共に組成や成長速度が変化することもなくなって光半導体装置の製造は容易になる。
【００３５】
【発明の実施の形態】
図４乃至図９は本発明に於ける実施の形態１を説明する為の工程要所に於ける光増幅器を表す要部切断面図であり、何れの図に於いても、（Ａ）が縦断面（長手方向）図であり、（Ｂ）が横断面（短手方向）図である。
【００３６】
図４参照
４−（１）
化学気相堆積（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ）法を適用することに依り、ｎ−ＩｎＰ基板４１上に厚さ２００〔ｎｍ〕のＳｉＯ2 膜を形成する。
【００３７】
４−（２）
リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセス、並びに、エッチャントを緩衝フッ酸とするウエット・エッチング法を適用することに依り、前記工程４−（１）に於いて形成したＳｉＯ2 膜のエッチングを行って、窓構造形成予定部分に２０〔μｍ〕×２０〔μｍ〕の四角形をなす選択成長用マスク膜４２を形成する。
【００３８】
マスク膜４２の方向は一辺が＜１１０＞方向になって、その一辺に直交する方向の一辺が＜１−１０＞方向となるようにする。
【００３９】
図５参照
５−（１）
有機金属化学気相成長（ｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃ  ｖａｐｏｒ  ｐｈａｓｅ  ｅｐｉｔａｘｙ：ＭＯＶＰＥ）法を適用することに依り、基板４１上にバッファ層４３、コア層（活性層）４４、クラッド層４５を成長する。
【００４０】
ここで成長した各半導体層について主要なデータを例示すると次の通りである。
▲１▼  バッファ層４３について
材料：ｎ−ＩｎＰ
不純物濃度：５×１０17〔cm-3〕
層厚：５００〔ｎｍ〕
▲２▼  コア層４４について
材料：ＩｎＧａＡｓＰ
層厚：２００〔ｎｍ〕
▲３▼  クラッド層４５について
材料：ｐ−ＩｎＰ
不純物濃度：５×１０17〔cm-3〕
層厚：５００〔ｎｍ〕
【００４１】
この場合、各半導体層はマスク膜４２上には成長されず、そして、マスク膜４２の近傍では成長速度が遅い（１１１）面が現れ、また、成長エリアの面積や原料の拡散長に比較してマスク膜４２の面積が小さい為、マスク膜４２上で消費されない原料が隣接領域に拡散して成長層厚が増大する現象は殆ど生じない。尚、成長させる各半導体層の平坦性を向上するには、半導体層の成長中に例えばＣＨ3 ＣｌやＨＣｌなど塩素系ガスを原料ガスと同時に成長室中に導入すると有効である。
【００４２】
図６参照
６−（１）
フッ酸中に浸漬してＳｉＯ2 からなるマスク膜４２を除去する。
【００４３】
６−（２）
ＣＶＤ法を適用することに依り、厚さが例えば２５０〔ｎｍ〕のＳｉＯ2 膜を形成する。
【００４４】
６−（３）
リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセス、及び、エッチャントを緩衝フッ酸とするウエット・エッチング法を適用することに依り、マスク膜４２が存在して結晶が成長されていない領域を通る幅１〔μｍ〕のＳｉＯ2 からなるストライプ・マスク膜４６を形成する。
【００４５】
エッチング・ガスをＣ2 Ｈ6 ／Ｈ2 ／Ｏ2 からなる混合ガスとするドライ・エッチング法を適用することに依り、ストライプ・マスク膜４６をマスクとしてクラッド層４５の表面から基板４１内に達するメサ・エッチングを行って、高さ約１．５〔μｍ〕程度のストライプ構造体４７を形成する。
【００４６】
図７参照
７−（１）
ＳｉＯ2 からなるストライプ・マスク膜４６を残した状態でＭＯＶＰＥ法を適用することに依り、ｐ型層とｎ型層とからなる電流ブロック層４８を形成してストライプ構造体４７の両脇を埋める。
【００４７】
電流ブロック層４８に於ける主要なデータを例示すると次の通りである。
▲１▼  ｐ型層について
材料：ｐ−ＩｎＰ
不純物濃度：２×１０18〔cm-3〕
▲２▼  ｎ型層について
材料：ｎ−ＩｎＰ
不純物濃度：２×１０18〔cm-3〕
尚、電流ブロック層４８の厚さは、高さが約１．５〔μｍ〕程度であるストライプ構造体４７が埋め込めれば良い。
【００４８】
図８参照
８−（１）
フッ酸中に浸漬してＳｉＯ2 からなるストライプ・マスク膜４６を除去してからＭＯＶＰＥ法を適用することに依り、全面に平坦化クラッド層４９及び電極コンタクト層５０を形成して全体を埋める。
【００４９】
この場合、ストライプ構造体４７両端の欠如部分も平坦化クラッド層４９で埋められるので窓構造が実現される。
【００５０】
平坦化クラッド層４９及び電極コンタクト層５０に於ける主要なデータを例示すると次の通りである。
▲１▼  平坦化クラッド層４９について
材料：ｐ−ＩｎＰ
不純物濃度：２×１０18〔cm-3〕
厚さ：２．５〔μｍ〕（ストライプ構造体４７上に於いて）
▲２▼  電極コンタクト層５０について
材料：ｐ−ＩｎＧａＡｓ
不純物濃度：１×１０19〔cm-3〕
厚さ：５００〔ｎｍ〕
尚、ストライプ構造体４７の頂面に在るクラッド層４５は平坦化クラッド層４９と同材料である為、図中で破線で示してある。
【００５１】
図９参照
９−（１）
図示しないが、ｐ側電極及びｎ側電極を形成してから、窓の位置で劈開し、通常の技法を適用することに依り、劈開面に無反射コーティング膜５１を形成して完成する。
【００５２】
このようにして作成した光増幅器では、端面反射率の低下に依って、より高注入状態まで、両端面の反射で形成される共振器に依る波長に対する利得の変動が抑止され、より高い利得を得ることができる。
【００５３】
また、光増幅器では、その偏波依存性が大きな問題となるが、バルクの半導体層をコア層として用いた場合、図１６について説明した従来の技術では、コア層の下部と上部とで歪量が異なってしまう為に設計が極めて難しいのであるが、前記実施の形態１も含め、本発明に依った場合、窓構造の作成はストライプ構造体のコア層の組成や厚さなどに殆ど影響を与えないので、平坦な基板上に作成する場合と同様な設計が可能である。
【００５４】
実施の形態１に於いては、ストライプ構造体４７を＜１１０＞方向に形成しているが、これを＜１１０＞方向から数度例えば５°程度傾けても良く、このようにストライプ構造体４７を光増幅器の端面に対して垂直から傾けることは更なる反射率低減に有効である。尚、この場合であっても、選択成長用マスク膜４２の各辺は＜１１０＞方向と＜１−１０＞方向になるように形成する。
【００５５】
因みに、従来の狭幅選択成長では、前記のような傾きをもたせた場合、ストライプ構造体の側面にステップを生じ易くなり、そのステップは光損失の原因となるのであるが、本発明では、ストライプ構造体をドライ・エッチングで形成しているので、側面にステップが生じることはない。
【００５６】
図１０は本発明に於ける実施の形態２を説明する為のλ／４シフトＤＦＢレーザを表す要部縦断面図であり、図９に於いて用いた記号と同記号は同部分を表すか或いは同じ意味を持つものとする。
【００５７】
実施の形態２に依るλ／４シフトＤＦＢレーザと実施の形態１で作成した光増幅器とで構成が相違するところは、ｎ−ＩｎＰ基板４１の表面に回折格子４１Ｇが形成してあること、ｎ−ＩｎＰからなるバッファ層４３がｎ−ＩｎＧａＡｓＰを材料とするガイド層４３Ｇになっていること、そして、コア層（活性層）４４が量子井戸で構成されていることである。尚、４１Ｓはλ／４位相シフトを指示している。
【００５８】
このλ／４シフトＤＦＢレーザを作成するには、実施の形態１について説明した選択成長用マスク膜４２を形成する前の段階でλ／４位相シフト４１Ｇをもつ回折格子４１Ｇを形成し、次いで、λ／４位相シフト４１Ｇを中央にして所定長の両端に窓構造を形成する為の選択成長用マスク膜４２を形成する工程を採れば良く、その後の工程は実施の形態１と同じである。
【００５９】
本発明で採用している選択成長用マスク膜４２が形成されている領域は狭いので、実施の形態１と同様、先ず選択成長用マスク膜４２を形成し、それから回折格子４１Ｇを形成することもできる。
【００６０】
図１１は本発明に於ける実施の形態３を説明する為の変調器集積化ＤＦＢレーザを表す要部説明図であり、（Ａ）は縦断面図、（Ｂ）は横断面図、（Ｃ）は平面説明図をそれぞれ示し、図１０に於いて用いた記号と同記号は同部分を表すか或いは同じ意味を持つものとする。
【００６１】
実施の形態３に依る変調器集積化ＤＦＢレーザと実施の形態２に依るＤＦＢレーザとで構成が相違するところは、ＤＦＢレーザ部分６１に変調器部分６２が集積化されていること、ｐ−ＩｎＧａＡｓ電極コンタクト層がＤＦＢレーザ部分の電極コンタクト層５０Ｌと変調器部分の電極コンタクト層５０Ｍに分断されていること、窓構造は変調器部分６２の端面近傍にのみ形成されていること、変調器部分６２の端面には無反射コーティング膜５１Ｍが形成され且つＤＦＢレーザ部分の端面には高反射コーティング膜５１Ｌが形成されていることである。
【００６２】
また、変調器集積化ＤＦＢレーザを高速変調可能とする為、実施の形態３に於いては、ストライプ構造体の両脇を埋める電流ブロック層４８が高抵抗ＩｎＰ層とｎ−ＩｎＰ層とが順に積層されたものからなっている。
【００６３】
実施の形態３に依る変調器集積化ＤＦＢレーザを作成する際、選択成長に依ってＤＦＢレーザ部分よりも変調器部分のエネルギ・バンド・ギャップが少し大きくなるようにバンド・ギャップ制御を行っているが、その選択成長用マスクの形成工程を利用して窓構造形成の為の選択成長用マスクの形成を行っている。
【００６４】
即ち、図１１（Ｃ）に見られるように成長層のバンド・ギャップ波長を制御する為に形成するＳｉＯ2 からなるマスク膜４２Ｇと窓構造を形成する為の選択成長用マスク膜４２とを一つのパターン・マスクを用いて同じ工程で形成することができる。
【００６５】
図１２は本発明に於ける実施の形態４を説明する為の変調器集積化ＤＦＢレーザを表す要部縦断面図であり、図１１に於いて用いた記号と同記号は同部分を表すか或いは同じ意味を持つものとする。
【００６６】
実施の形態４に依る変調器集積化ＤＦＢレーザは、結晶再成長に依るバットジョイント法を採用して作成したところが実施の形態３に依る変調器集積化ＤＦＢレーザと相違している。
【００６７】
即ち、まず、ＤＦＢレーザ部分６１に在る基板４１に回折格子４１Ｇを形成してから変調器部分６２の端面近傍に窓構造を形成する為のＳｉＯ2 からなる選択成長用マスク（図示せず）を形成し、その後、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰガイド層４３Ｇ、ＩｎＧａＡｓＰ歪み量子井戸からなるコア層、ｐ−ＩｎＰクラッド層４５を形成する。
【００６８】
ここで形成したコア層は、変調器部分６２に於ける吸収層として形成するものであり、従って、これをコア層４４Ｍとする。
【００６９】
次に、ＤＦＢレーザ部分６１のコア層４４Ｍとｐ−ＩｎＰクラッド層４５を除去してからＩｎＧａＡｓＰ歪み量子井戸からなるＤＦＢレーザの活性層となるコア層４４Ｌとｐ−ＩｎＰクラッド層４５を成長し、以後、実施の形態３と同様、ＤＦＢレーザ部分６１及び変調器部分６２をエッチングしてストライプ構造体に加工し、両脇を電流ブロック層で埋め込み、全面に平坦化クラッド層４９と電極コンタクト層を成長し、電極コンタクト層のエッチングを行って電極コンタクト層５０Ｌ及び５０Ｍに分断し、電極（図示せず）を形成してから劈開し、高反射コーティング膜５１Ｌ及び無反射コーティング膜５１Ｍを形成して完成する。
【００７０】
通常、変調器集積化ＤＦＢレーザに於ける限界性能を実現しようとする場合、ＤＦＢレーザ部分に適合する半導体層構造と変調器部分に適合する半導体層構造とが必要であり、従って、図１１について説明した実施の形態３で適用した選択成長法では実現するのは困難であるが、図１２について説明した実施の形態４で適用したバットジョイント法を適用すれば可能である。
【００７１】
また、高性能の変調器集積化ＤＦＢレーザをバットジョイント法を適用して実現する場合、従来のエッチングのみに依る方法では実現困難であった終端が斜面になっている窓構造も、図１２について説明した実施の形態４に依れば容易に形成することができる。
【００７２】
図１３は本発明に於ける実施の形態５を説明する為の工程要所に於けるハイ・メサ構造の電界吸収型変調器を表す要部切断斜面図であり、図４乃至図９に於いて用いた記号と同記号は同部分を表すか或いは同じ意味を持つものとする。
【００７３】
図１３（Ａ）参照
１３−（１）
図４及び図５について説明した実施の形態１に於ける工程と全く同じ工程を実施して、ｎ−ＩｎＰ基板４１上に選択成長用マスク膜４２を形成してからバッファ層４３、コア層４４、クラッド層４５を形成し、その後、選択成長用マ
スク膜４２を除去する。
【００７４】
１３−（２）
実施の形態１では、次の工程として、ストライプ構造体４７を形成する為のメサ・エッチングを実施するのであるが、本実施の形態では、再びＭＯＶＰＥ法を適用することに依り、クラッド層４９及び電極コンタクト層５０を形成する。
【００７５】
本実施の形態に於いても、クラッド層４９及び電極コンタクト層５０の材料は、実施の形態１と同様、ｐ−ＩｎＰ及びｐ−ＩｎＧａＡｓを用いてよい。
【００７６】
図１３（Ｂ）参照
１３−（３）
ＣＶＤ法を適用することに依り、ＳｉＯ2 膜を形成し、リソグラフィ技術を適用することに依り、ＳｉＯ2 膜のパターニングを行なって、窓構造形成予定領域を通る幅２〔μｍ〕のストライプ・マスク膜を形成する。
【００７７】
１３−（４）
エッチング・ガスをＣ2 Ｈ6 ／Ｈ2 ／Ｏ2 からなる混合ガスとするドライ・エッチング法を適用することに依り、ストライプ・マスク膜をマスクとして電極コンタクト層５０の表面からコア層４４を越えて要すれば基板４１内に達するメサ・エッチングを行って、高さ約３．５〔μｍ〕程度に達するストライプ構造体４７を形成する。
【００７８】
図１３（Ｃ）参照
１３−（５）
クラッド層４９及び電極コンタクト層５０をもつハイ・メサ構造のストライプ構造体４７を含む全面をＳｉＯ2 からなる絶縁膜５２で覆い、ストライプ構造体４７の頂面に在る絶縁膜５２のみ除去してから電極を形成し、その後、劈開工程などを経てハイ・メサ構造の電界吸収型変調器を完成する。
【００７９】
実施の形態５は、単一モード導波路構造にすることが困難である為、半導体レーザや光増幅器などには適用できないが、工程が全体として簡易化されるので、例示したような変調器には有効である。
【００８０】
本発明に於いては、前記各実施の形態に限られることなく、他に多くの改変を実現することができる。
【００８１】
例えば、各実施の形態に於けるＳｉＯ2 からなる選択成長用マスクは、正方形としてあるが、長方形であっても良く、また、ストライプと直交しない辺は直線である必要はない。
【００８２】
また、マスクの面積が広くなるので、ストライプ構造体を平坦化する条件は若干狭くなるが、ストライプに直交する方向にストライプの選択成長用マスクを設けても良い。
【００８３】
何れにしても、選択成長用マスクで覆われている領域は極めて狭いので、コア層やガイド層に選択性が悪い物質、即ち、Ａｌを含む材料を用いることも可能であり、例えば実施の形態５に於けるコア層（吸収層）にＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓからなる引っ張り歪み量子井戸構造を採用することもできる。
【００８４】
【発明の効果】
本発明の光半導体装置の製造方法に於いては、コア層を含むストライプ構造体の端面予定位置から装置端面予定位置の間を覆う選択成長用マスクを形成する工程と、次いで、選択成長用マスク以外の全面にＩｎＧａＡｓＰまたはＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓからなり且つ水平面に対して（１１１）面の成長斜面を端面とするコア層を形成する工程と、次いで、形成されたコア層をエッチングして前記コア層をストライプ状に加工する工程とが含まれる。
【００８５】
前記構成を採ることに依り、ストライプ構造体の端部は選択成長で実現させている為に（１１１）面に近い斜面となり、半導体層を所要ストライプと同じ幅をなす狭い面に選択成長させた場合と同様、窓構造を形成した際の端面反射率低減効果は良好に維持され、しかも、半導体層を選択成長させる際、結晶を成長させない領域は、窓構造を形成する微小な領域近傍に限定することに依って、半導体層の大部分が平坦な基板上に成長されるので、従来の狭幅選択成長の場合と比較して許容できる結晶成長条件が極めて広くなり、また、成長と共に組成や成長速度が変化することもなくなって光半導体装置の製造は容易になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の原理を解説する為の工程要所に於ける光半導体装置を表す要部切断斜面図である。
【図２】本発明の原理を解説する為の工程要所に於ける光半導体装置を表す要部切断斜面図である。
【図３】本発明の原理を解説する為の工程要所に於ける光半導体装置を表す要部切断斜面図である。
【図４】本発明に於ける実施の形態１を説明する為の工程要所に於ける光増幅器を表す要部切断面図である。
【図５】本発明に於ける実施の形態１を説明する為の工程要所に於ける光増幅器を表す要部切断面図である。
【図６】本発明に於ける実施の形態１を説明する為の工程要所に於ける光増幅器を表す要部切断面図である。
【図７】本発明に於ける実施の形態１を説明する為の工程要所に於ける光増幅器を表す要部切断面図である。
【図８】本発明に於ける実施の形態１を説明する為の工程要所に於ける光増幅器を表す要部切断面図である。
【図９】本発明に於ける実施の形態１を説明する為の工程要所に於ける光増幅器を表す要部切断面図である。
【図１０】本発明に於ける実施の形態２を説明する為のλ／４シフトＤＦＢレーザを表す要部縦断面図である。
【図１１】本発明に於ける実施の形態３を説明する為の変調器集積化ＤＦＢレーザを表す要部説明図である。
【図１２】本発明に於ける実施の形態４を説明する為の変調器集積化ＤＦＢレーザを表す要部縦断面図である。
【図１３】本発明に於ける実施の形態５を説明する為の工程要所に於けるハイ・メサ構造の電界吸収型変調器を表す要部切断斜面図である。
【図１４】端面反射率を低減した無反射端面をもつ光半導体装置を表す要部切断平面図である。
【図１５】窓構造の作成工程を説明する為の工程要所に於ける光半導体装置を表す要部切断斜面図である。
【図１６】窓構造の他の作成工程を説明する為の工程要所に於ける光半導体装置を表す要部切断斜面図である。
【符号の説明】
４１  基板
４２  選択成長用マスク膜
４３  バッファ層
４４  コア層
４５  クラッド層
４６  ストライプ・マスク膜
４７  ストライプ構造体
４８  電流ブロック層
４９  平坦化クラッド層
５０  電極コンタクト層
５１  無反射コーティング膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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