(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下層導体回路形成基板上に層間絶縁層を形成し、この層間絶縁層に開口を設け、前記層間絶縁層の表面および前記開口の内壁を導電化した後、この開口を電気めっきにて充填してバイアホールを形成するとともに、上層導体回路を形成する多層プリント配線板の製造方法であって、
前記電気めっきは、めっき液として、シアン化物、シアン化物およびチオ尿素類、または、シアン化物およびポリアルキレンオキシドからなる添加剤０．１〜１．５ｍｍｏｌ／ｌと金属イオンとを含有する水溶液を使用して行うことを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。
【請求項２】
前記バイアホール用の開口は、アスペクト比が、開口深さ／開口直径＝１／３〜１／１である請求項１に記載の多層プリント配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、バイアホールを充填形成するとともに、導体パターンを確実にめっき形成することができる多層プリント配線板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
プリント配線板に導体回路を形成する方法としては、例えば、絶縁基板上に薄付けの無電解銅めっき層を形成し、この上にめっきレジストを配設した後に、厚付けの電気銅めっき層を形成し、ついでめっきレジストを剥離し、エッチングして薄付けの無電解銅めっき層を除去することによって導体回路を形成する、いわゆるセミアディティブ法がある。
【０００３】
上記方法において行う電気銅めっきとして、一般的な電気めっき法である直流電解法（ＤＣめっき法）を用いて、被めっき面に銅めっきを形成した場合、バイアホール用の開口と導体回路を形成した部分とに同じ厚さでめっき膜が付着してしまう。
このため、バイアホール部分の層間樹脂絶縁層には窪みが発生してしまう。また、バイアホール上にバイアホールを形成する、いわゆるスタックドビアと呼ばれる構造を形成することができないという問題点がある。
【０００４】
このような問題点を解決するため、電流値を一定にし、かつ、電流の方向を一定の間隔をおいて逆転させるパルス−リバース電気めっき法（以下、「ＰＲ電気めっき法」という）が提案されている。
【０００５】
このＰＲ電気めっき法としては、例えば、藤波らが開示した方法がある（表面技術、「ＰＲ電解法によるビアフィーリングの形成」、４８〔６〕（１９９７）、ｐ．８６−８７）。この方法を用いると、バイアホール部分以外の導体回路が、リバース電流によって優先的に溶解し、続く電気めっきによりバイアホール部分と、導体回路部分が同程度にめっき被着されるため、これを繰り返すことにより、結果的にバイアホール部分がめっき被膜により充填される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ＰＲ電気めっき法でめっきを行う場合には、高価な電源装置を用いなければならないという問題があった。
本発明者らは、このような問題に鑑みて鋭意研究した結果、特定の化合物をある濃度組成で添加することにより、高価な装置を使用することなく、バイアホールの電気めっきによる充填形成と、導体回路の形成とを同時に達成できることを知見して、本発明を完成させた。
【０００７】
すなわち本発明は、下層導体回路形成基板上に層間絶縁層を形成し、この層間絶縁層に開口を設け、上記層間絶縁層の表面および上記開口の内壁を導電化した後、この開口を電気めっきにて充填してバイアホールを形成するとともに、上層導体回路を形成する多層プリント配線板の製造方法であって、上記電気めっきは、めっき液として、シアン化物、シアン化物およびチオ尿素類、または、シアン化物およびポリアルキレンオキシドからなる添加剤０．１〜１．５ｍｍｏｌ／ｌと金属イオンとを含有する水溶液を使用して行うことを特徴とする多層プリント配線板の製造方法である。
【０００８】
本発明では、電気めっき液として、チオ尿素類、シアン化物およびポリアルキレンオキシドから選ばれる少なくとも１種以上の添加剤０．１〜１．５ｍｍｏｌ／ｌと金属イオンとを含有する水溶液を使用する。
上記電気めっき液中の添加剤は、金属のような導電体表面に吸着しやすいという性質を持っている。そのため、これらの添加剤は、導電化された層間絶縁層表面および開口内壁に付着する。
ところが、添加剤の付着は、拡散律速であるために、一律に平均的には行われず、開口内には付着しにくく、逆に導電化された層間絶縁層表面（例えば、バイアホールのランド部、配線部など）には容易に付着する。
【０００９】
付着した添加剤は、めっき阻害剤（inhibitor ）として作用し、電気めっきの析出を妨害する。このため、電気めっきにより金属イオンがバイアホール用開口内に優先的に析出し、導電化された絶縁層表面には析出しにくくなる。その結果、バイアホール用開口内はめっき層により充填されるが、同時に形成される導体回路となるべき絶縁層表面の金属膜の厚さは厚くならず、バイアホール用開口内のめっき充填と導体回路の形成とを同時に行うことができるのである。
【００１０】
上記添加剤としては、チオ尿素類、シアン化物およびポリアルキレンオキシドから選ばれる少なくとも１種以上を使用できる。
上記チオ尿素類としては、チオカルバミド（一般的にはこれを「チオ尿素」と呼ぶ）、イソチオ尿素から選ばれる少なくとも１種以上が望ましい。
上記シアン化物としては、シアン化アルカリ金属が望ましい。上記シアン化アルカリ金属としては、例えば、シアン化ナトリウム、シアン化カリウム等が挙げられる。
また、上記ポリアルキレンオキシドとしては、ポリエチレングリコールが望ましい。
本発明では、これらの添加剤を１種使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
【００１１】
また、上記添加剤の濃度は、０．１〜１．５ｍｍｏｌ／ｌである。
添加剤の濃度が０．１ｍｍｏｌ／ｌ未満では、バイアホール用開口の内壁面に添加剤が全く付着しないため、金属イオンはバイアホール用開口の内部に過剰に析出し、そのため、開口からめっきが膨れあがり、一方、導体回路部分は、逆に金属イオンが不足して殆ど析出しない状態となる。また、添加剤の濃度が１．５ｍｍｏｌ／ｌを超えると、バイアホール用開口内部にも導電化された絶縁層表面と同様に添加剤が付着するため、開口内のめっきによる充填ができない状態となる。
【００１２】
なお、特に添加剤としてチオ尿素類を使用した場合の濃度は、０．３〜０．５ｍｍｏｌ／ｌであることが望ましい。上記範囲で、バイアホール用開口の表面が完全に平坦化するからである。
【００１３】
本発明の電気めっき液中に含まれる金属イオンとしては、例えば、銅イオン、ニッケルイオン、コバルトイオン、スズイオン、金イオン等が望ましい。
上記銅めっき液としては、硫酸銅と硫酸とを含む水溶液を使用することが望ましい。また、ニッケルめっき液としては、硫酸ニッケルまたは塩化ニッケルとほう酸とを含む水溶液を使用することが望ましい。さらに、コバルトめっき液としては、塩化コバルトまたは塩基性炭酸コバルトと次亜リン酸とを含む水溶液を使用することが望ましい。スズめっき液としては、塩化スズの水溶液を使用することが望ましい。また、金めっき液としては、塩化金またはシアン化金カリウムを含む水溶液を使用することが望ましい。
【００１４】
本発明の電気めっき液中に、グリセリン、ポリエチレングリコール、セルロース、キトサンなどを添加することにより増粘させてもよい。増粘により添加剤の拡散が遅くなり、上記添加剤のバイアホール用開口内の付着量と絶縁層表面の付着量に差を付けやすく、バイアホール用開口内にめっき充填しやすいからである。
【００１５】
このように、本発明の多層プリント配線板の製造方法では、チオ尿素類、シアン化物およびポリアルキレンオキシドから選ばれる少なくとも１種以上の添加剤をめっき阻害剤（inhibitor ）として使用することにより、バイアホールの充填形成と導体回路の形成とを同時に実現することができる。
【００１６】
なお、従来技術として、特開昭５７−１１６７９９号公報には、チオ尿素含有硫酸水溶液中で電解酸洗を行う技術が開示されている。また、特公昭６２−８５１４号公報には、チオ尿素含有硫酸銅めっきで模様めっきする技術が開示されている。さらに、特開昭４９−３８３３号公報には、チオ尿素を用いて選択的な無電解めっきを行い、多層配線板を製造する方法が開示されている。
【００１７】
しかしながら、いずれの公報にも、電気めっきによりバイアホールのめっき充填と導体回路の形成とを同時に行うことができることについては、記載も示唆もされておらず、本発明とはその技術的思想を異にするものである。
【００１８】
本発明においては、下層導体回路形成基板上に層間絶縁層を形成し、この層間絶縁層に開口を設け、上記層間絶縁層の表面および上記開口の内壁を導電化した後、電気めっきを行う。
上記層間絶縁層に設けるバイアホール用の開口は、アスペクト比が、開口深さ／開口直径＝１／３〜１／１であることが望ましい。アスペクト比が１／３未満では、開口の直径が大きくなりすぎてめっき充填できず、また、アスペクト比が１／１を超えると、金属イオンが開口内に拡散しくくなり、やはりめっき充填できないからである。
【００１９】
バイアホール用開口の直径は、２０〜１００μｍが望ましい。１００μｍを超えると金属イオンを充分に供給できず、めっき充填しにくくなり、２０μｍ未満では金属イオンが拡散しくく、金属イオンを充分に供給できず、やはりめっき充填しにくいからである。
【００２０】
上記開口の深さは、１０〜１００μｍが望ましい。１０μｍ未満では、層間絶縁が薄くなりすぎ、１００μｍを超えると金属イオンが拡散しくく、金属イオンを充分に供給できず、めっき充填しにくいからである。
【００２１】
上記層間絶縁層表面および開口内壁を導電化する方法としては、無電解めっき、スパッタリング、蒸着などにより金属層を設ける方法が採用される。
上記金属層としては、銅、ニッケル、スズおよび貴金属から選ばれる少なくとも１種以上が望ましい。
上記金属層の厚さとしては、０．１〜１．０μｍが望ましい。０．１μｍ未満では、電気めっきしにくく、１μｍを超えると、エッチング除去して導体回路を独立パターンにすることが難しくなる場合があるからである。
【００２２】
本発明における電気めっきは、前述した電気めっき液を使用して行うが、この際、導電化された基板をカソードとし、めっき被着用の金属をアノードとして行う。
アノードであるめっき被着用の金属としては、ボール状、柱状のものなどを使用することができる。
電流密度としては、０．５〜３Ａ／ｄｍ2 が望ましい。この理由は、０．５Ａ／ｄｍ2 未満では、添加剤の効果が弱くなりバイアホール充填ができず、また３Ａ／ｄｍ2 を越えるとイオン供給がめっき析出に追いつかず、析出状態にむらができてしまい、いわゆる「焼けめっき」と呼ばれる状態になってしまうからである。
【００２３】
電気めっき後の導体回路の厚さは、５〜３０μｍが望ましい。導体回路の厚さが５μｍ未満であると、電気めっきのために形成した薄い導電化層をエッチングする際に、形成された導体回路自身がエッチングされて消滅してしまう可能性があり、厚さが３０μｍを超える導体回路を形成しようとすると、めっきレジストを厚くする必要があるため、導体回路をファインパターン化できないからである。
【００２４】
なお、バイアホール用開口部分にめっき充填した後、導体回路形成面（被めっき面）をカソード、めっき被着用の金属をアノードとし、アノードとカソードとの間の電圧を一定とし、めっき金属イオンが存在するめっき液中にて断続的な電気めっき（以下、「定電圧パルスめっき」という）を行うことにより、導体回路の厚付けが可能である。上記定電圧パルスめっきは、膜厚さの均一性に優れるため、均一な膜厚さの導体回路を設けることができ、製造された多層プリント配線板がインピーダンス整合しやすくなる。
【００２５】
このような断続的な電気めっきにより、めっき厚さが均一になる理由としては、めっき付着量が多くなる傾向のある被めっき面の端縁部やバイヤホールの孔の周りの部分では、めっき膜がアノード側に瞬間的に流れるスパイク電流によって優先的に溶解する一方、めっき付着量が少なくなる傾向のある被めっき面の中央部やバイヤホール用開口の内部には、カソード側に瞬間的に流れるスパイク電流によって他の部分と同様にめっきが析出する結果、優れた均一電着性が得られるからであると考えられる。
【００２６】
また、断続的な電気めっきにより、めっき膜の結晶性が高くなる理由としては、電圧印加の中断により、被めっき面の界面近傍の金属イオンが拡散してその濃度が常に一定となり、析出しためっき膜の結晶格子に欠陥が生じにくいためであると推定される。
【００２７】
ついで、本発明における多層プリント配線板の製造方法について説明する。  (1) 基板としては、樹脂またはセラミック基板などの絶縁基板を使用することができる。
樹脂基板としては、繊維質基材に、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂と熱可塑樹脂との複合体を含浸させたプリプレグを積層した絶縁基板、あるいは、このようなプリプレグと銅箔を載置し、これを加熱プレスした銅貼積層板を使用することができる。
上記繊維質基材としては、ガラスクロス、アラミド繊維布などを使用することができる。
【００２８】
また、必要に応じてスルーホールを設けることが可能である。スルーホール中には、充填材を充填してもよく、スルーホール上は、蓋めっきと呼ばれるめっきにより被覆されていてもよい。
【００２９】
(2) 上記基板上に従来より公知の方法を用いて導体配線を形成し、この導体配線形成基板に層間絶縁層を設け、ついで、この層間絶縁層にバイアホール用の開口を形成する。層間絶縁層の開口は、露光、現像処理を行うことにより、またはレーザ光を照射することにより設ける。
【００３０】
層間絶縁層がセラミック製の場合は、セラミックのグリーンシートに予め開口しておき、このグリーンシートを積層する。
層間樹脂絶縁層の材料としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂の一部を感光化した樹脂またはこれらの複合樹脂を使用することができる。
層間絶縁層は、未硬化の樹脂を塗布して形成してもよく、また、未硬化の樹脂フィルムを熱圧着して形成してもよい。さらに、未硬化の樹脂フィルムの片面に銅箔などの金属層が形成された樹脂フィルムを貼付してもよい。このような樹脂フィルムを使用する場合は、バイアホール形成部分の金属層をエッチングした後、レーザ光を照射して開口を設ける。
【００３１】
金属層が形成された樹脂フィルムとしては、樹脂付き銅箔などを使用できる。上記層間絶縁層を形成する際に、無電解めっき用接着剤層を使用することができる。この無電解めっき用接着剤は、硬化処理された酸あるいは酸化剤に可溶性の耐熱性樹脂粒子が、酸あるいは酸化剤に難溶性の未硬化の耐熱性樹脂中に分散されてなるものが最適である。酸、酸化剤で処理することにより、耐熱性樹脂粒子が溶解除去されて、表面に蛸つぼ状のアンカーからなる粗化面を形成できるからである。
【００３２】
上記無電解めっき用接着剤において、特に硬化処理された上記耐熱性樹脂粒子としては、1)平均粒径が１０μｍ以下の耐熱性樹脂粉末、2)平均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、3)平均粒径が２〜１０μｍの耐熱性粉末樹脂粉末と平均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末との混合物、4)平均粒径が２〜10μｍの耐熱性樹脂粉末の表面に平均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末または無機粉末のいずれか少なくとも１種を付着させてなる疑似粒子、5)平均粒径が０．１〜０．８μｍの耐熱性粉末樹脂粉末と平均粒径が０．８μｍを超え、２μｍ未満の耐熱性樹脂粉末との混合物、6)平均粒径が０．１〜１．０μｍの耐熱性粉末樹脂粉末を用いることが望ましい。これらは、より複雑なアンカーを形成することができるからである。
【００３３】
粗化面の深さは、Ｒｍａｘ＝０．０１〜２０μｍが望ましい。導体回路との密着性を確保するためである。特にセミアディティブ法では、０．１〜５μｍが望ましい。密着性を確保しつつ、無電解めっき膜を除去することができるからである。
上記酸あるいは酸化剤に難溶性の耐熱性樹脂としては、「熱硬化性樹脂および熱可塑性樹脂からなる樹脂複合体」または「感光性樹脂および熱可塑性樹脂からなる樹脂複合体」などが望ましい。前者については耐熱性が高く、後者についてはバイアホール用の開口をフォトリソグラフィーにより形成できるからである。
【００３４】
上記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂などを使用することができる。また、感光化した樹脂としては、メタクリル酸やアクリル酸などと熱硬化基をアクリル化反応させたものが挙げられる。特にエポキシ樹脂をアクリレート化したものが最適である。
エポキシ樹脂としては、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型、などのノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変成した脂環式エポキシ樹脂などを使用することができる。
【００３５】
熱可塑性樹脂としては、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリスルフォン（ＰＳＦ）、ポリフェニレンスルフォン（ＰＰＳ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＥＳ）、ポリフェニルエーテル（ＰＰＥ）、ポリエーテルイミド（ＰＩ）、フッ素樹脂などを使用することができる。
熱硬化性樹脂（感光性樹脂）と熱可塑性樹脂の混合割合は、熱硬化性樹脂（感光性樹脂）／熱可塑性樹脂＝９５／５〜５０／５０が望ましい。耐熱性を損なうことなく、高い靱性値を確保できるからである。
【００３６】
上記耐熱性樹脂粒子の混合重量比は、耐熱性樹脂マトリックスの固形分に対して５〜５０重量％が望ましく、１０〜４０重量％がさらに望ましい。
耐熱性樹脂粒子は、アミノ樹脂（メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂）、エポキシ樹脂などが望ましい。
【００３７】
(3) 次に、この層間絶縁層上（樹脂付き銅箔の場合は銅箔上にも）にバイアホール用開口表面も含めて無電解めっきやスパッタリングなどにより金属層を形成して導電化する。
【００３８】
(4) さらに、この上にめっきレジストを配設する。めっきレジストとしては、市販の感光性ドライフィルムや液状レジストを使用することができる。
そして、感光性ドライフィルムを貼り付けたり、液状レジストを塗布した後、紫外線露光処理を行い、アルカリ水溶液で現像処理する。
【００３９】
(5) ついで、上記処理を行った基板を本発明の電気めっき液に浸漬した後、無電解めっき層をカソードとし、めっき被着金属をアノードとして直流電気めっきを行い、バイアホール用開口をめっき充填するとともに、上層導体回路を形成するのである。
【００４０】
(6) ついで、めっきレジストを強アリカリ水溶液で剥離した後にエッチングを行い、無電解めっき層を除去することにより、上層導体回路およびバイアホールを独立パターンとする
上記エッチング液としては、硫酸／過酸化水素水溶液、塩化第二鉄、塩化第二銅、過硫酸アンモニウムなどの過硫酸塩の水溶液が使用される。
(7) この後、必要により、(2) 〜(6) の工程を繰り返し、最後にソルダーレジスト層およびハンダバンプ等を形成することにより、多層プリント配線板の製造を終了する。
【００４１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明をさらに詳細に説明する。
（実施例１）
Ａ．無電解めっき用接着剤の調製
1)クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製、分子量：２５００）の２５％アクリル化物３５重量部、感光性モノマー（東亜合成社製、アロニックスＭ３２５）３．１５重量部、消泡剤０．５重量部およびＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）３．６重量部を容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製した。
【００４２】
2)ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）１２重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成社製、ポリマーポール）の平均粒径１．０μｍのもの７．２重量部および平均粒径０．５μｍのもの３．０９重量部を別の容器にとり、攪拌混合した後、さらにＮＭＰ３０重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合し、別の混合組成物を調製した。
【００４３】
3)イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）２重量部、光重合開始剤であるベンゾフェノン２重量部、光増感剤であるミヒラーケトン０．２重量部およびＮＭＰ１．５重量部をさらに別の容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製した。
そして、1)、2)および3)で調製した混合組成物を混合することにより無電解めっき用接着剤を得た。
【００４４】
Ｂ．プリント配線板の製造方法
(1) 厚さ１ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板１の両面に１８μｍの銅箔８がラミネートされている銅貼積層板を出発材料とした（図１（ａ）参照）。まず、この銅貼積層板をドリル削孔し、続いてめっきレジストを形成した後、この基板に無電解銅めっき処理を施してスルーホール９を形成し、さらに、銅箔を常法に従いパターン状にエッチングすることにより、基板の両面に内層銅パターン（下層導体回路）４を形成した。
【００４５】
下層導体回路４を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ2 （４０ｇ／ｌ）、Ｎａ3 ＰＯ4 （６ｇ／ｌ）の水溶液を酸化浴（黒化浴）とする酸化浴処理を行い、そのスルーホール９を含む下層導体回路４の全表面に粗化面４ａ、９ａを形成した（図１（ｂ）参照）。
【００４６】
(2) エポキシ樹脂を主成分とする樹脂充填剤１０を、基板の両面に印刷機を用いて塗布することにより、下層導体回路４間またはスルーホール９内に充填し、加熱乾燥を行った。即ち、この工程により、樹脂充填剤１０が下層導体回路４の間あるいはスルーホール９内に充填される（図１（ｃ）参照）。
【００４７】
(3) 上記(2) の処理を終えた基板の片面を、ベルト研磨紙（三共理化学社製）を用いたベルトサンダー研磨により、下層導体回路４の表面やスルーホール９のランド表面に樹脂充填剤１０が残らないように研磨し、ついで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。そして、充填した樹脂充填剤１０を加熱硬化させた（図１（ｄ）参照）。
【００４８】
このようにして、スルーホール９等に充填された樹脂充填剤１０の表層部および下層導体回路４上面の粗化層４ａを除去して基板両面を平滑化し、樹脂充填剤１０と下層導体回路４の側面とが粗化面４ａを介して強固に密着し、またスルーホール９の内壁面と樹脂充填剤１０とが粗化面９ａを介して強固に密着した配線基板を得た。
【００４９】
(4) 次に、上記工程を経た配線基板を、塩化ニッケル（３０ｇ／ｌ）、次亜りん酸ナトリウム（１０ｇ／ｌ）およびクエン酸ナトリウム（１０ｇ／ｌ）を含む水溶液からなる９０℃の無電解ニッケル浴に浸漬し、導体回路４の上面、スルーホール９のランド上面に厚さ１．２μｍのニッケル層１１ａを形成した。
【００５０】
(5) さらに、ニッケル層１１ａが形成された下層導体回路４およびスルーホール９のランド上面に、厚さ２μｍのＣｕ−Ｎｉ−Ｐからなる多孔質な合金の粗化層１１ｂを形成し、さらにこの粗化層１１ｂの表面に厚さ０．３μｍのＳｎ層を設けた（図２（ａ）参照）。但し、Ｓｎ層については図示しない。
【００５１】
その粗化層１１ｂの形成方法は以下のようである。即ち、基板をアルカリ脱脂してソフトエッチングし、次いで、塩化パラジウムと有機酸とからなる触媒溶液で処理して、Ｐｄ触媒を付与し、この触媒を活性化した。
【００５２】
次に、硫酸銅（３．２×１０-2ｍｏｌ／ｌ）、硫酸ニッケル（２．４×１０-3ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸（５．２×１０-2ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．７×１０-1 ｍｏｌ／ｌ）、ホウ酸（５．０×１０-1 ｍｏｌ／ｌ）、界面活性剤（日信化学工業社製、サーフィノール４６５）（１．０ｇ／ｌ）の水溶液からなるｐＨ＝９の無電解銅めっき浴に基板を浸漬し、浸漬２分後から１秒に１回の割合で縦方向に振動させて、銅の導体回路４およびスル−ホ−ル９のランドの表面のニッケル層１１ａ上に、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐの針状合金からなる厚さ５μｍの粗化層１１ｂを設けた。
【００５３】
(6) 基板の両面に、上記Ａにおいて記載した組成の無電解めっき用接着剤をロールコータを用いて２回塗布し、水平状態で２０分間放置してから、６０℃で３０分の乾燥を行った（図２（ｂ）参照）。
【００５４】
(7) 上記(6) で無電解めっき用接着剤の層を形成した基板の両面に、直径２００μｍの黒円が印刷されたフォトマスクフィルムを密着させ、超高圧水銀灯により５００ｍＪ／ｃｍ2 強度で露光した。これをジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）溶液でスプレー現像することにより、その接着剤の層に直径８５μｍのバイアホール用開口６を形成した。さらに、当該基板を超高圧水銀灯により３０００ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、１００℃で１時間、その後１５０℃で５時間の加熱処理を行うことにより、フォトマスクフィルムに相当する寸法精度に優れた開口（バイアホール用開口６）を有する厚さ３５μｍの層間樹脂絶縁層２を形成した（図２（ｃ）参照）。なお開口のアスペクト比は、０．４１である。
【００５５】
(8) バイアホール用開口６を形成した基板を、クロム酸水溶液（７５００ｇ／ｌ）に７３℃で２０分間浸漬し、層間樹脂絶縁層２の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去してその表面を粗化し、粗化面を得た。その後、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした（図２（ｄ）参照）。
さらに、粗面化処理した該基板の表面に、パラジウム触媒（アトテック社製）を付与することにより、層間絶縁材層２の表面およびバイアホール用開口６の内壁面に触媒核を付着させた。
【００５６】
(9) 次に、以下の組成の無電解銅めっき水溶液中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ０．８μｍの無電解銅めっき膜１２を形成した（図３（ａ）参照）。
〔無電解めっき水溶液〕
ＥＤＴＡ             １５０  ｇ／ｌ
硫酸銅                  ２０  ｇ／ｌ
ＨＣＨＯ                ３０  ｍｌ／ｌ
ＮａＯＨ                ４０  ｇ／ｌ
α、α’−ビピリジル    ８０  ｍｇ／ｌ
ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）  ０．１  ｇ／ｌ
〔無電解めっき条件〕
７０℃の液温度で３０分
【００５７】
(10)市販の感光性ドライフィルムを無電解銅めっき膜１２に貼り付け、マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、めっきレジスト３を設けた（図３（ｂ）参照）。
【００５８】
(11)ついで、以下の条件で電気銅めっきを施し、厚さ１６μｍの電気銅めっき膜１３を形成した（図３（ｃ）参照）。
ａ）クリーナー・コンディショナー水溶液（アトテックジャパン社製  ＦＲ１００ｇ／ｌ）および硫酸水溶液（１８０ｇ／ｌ）に５０℃、５分間浸漬して、ショック揺動を行った。
ｂ）５０℃で２回湯洗を行った。
ｃ）１０容量％の硫酸水溶液に浸漬して１分間攪拌した。
ｄ）水洗を２回行った。
ｅ）電気めっき液に浸漬して、直流電気めっきを施した。この直流電気めっきによりバイアホールが充填され、無電解銅めっき膜１２と電気銅めっき膜１３からなるＬ／Ｓ＝３７／３７μｍで厚さ１６μｍの導体回路５および上面が平坦化されたバイアホール７が形成された。
【００５９】
〔電気めっき水溶液〕
硫酸                  ２２０  ｇ／ｌ
硫酸銅                  ６５  ｇ／ｌ
塩素イオン              ４０  ｐｐｍ
チオ尿素              ０．４  ｍｍｏｌ／ｌ
〔電気めっき条件〕
電流密度                １．５Ａ／ｄｍ2
時間                    ４８．５分
温度                    ２０  ℃
陽極                    含リン銅
【００６０】
(12)さらに、塩化ニッケル（３０ｇ／ｌ）、次亜りん酸ナトリウム（１０ｇ／ｌ）およびクエン酸ナトリウム（１０ｇ／ｌ）を含む水溶液からなる９０℃の無電解ニッケル浴に浸漬し、導体回路上面、スルーホールランド７上面に厚さ１．２μｍのニッケル層１１ａを形成した（図３（ｄ）参照）。
さらにめっきレジスト３を５％ＫＯＨ水溶液で剥離除去した後、そのめっきレジスト３下の無電解めっき膜１２を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して溶解除去した（図４（ａ）参照）。
【００６１】
(13)導体回路５を形成した基板に対し、上記(5) と同様の処理を行い、導体回路５の表面に厚さ２μｍのＣｕ−Ｎｉ−Ｐからなる合金粗化層１１ｂを形成した（図４（ｂ）参照）。
(14)上記 (6)〜(13)の工程を、繰り返すことにより、さらに上層の導体回路を形成し（図４（ｃ）参照）、この後、ソルダーレジスト層およびハンダバンプを形成することにより多層プリント配線板を得た。
【００６２】
（実施例２）
チオ尿素濃度を０．３ｍｍｏｌ／ｌに調整したほかは、実施例１と同様にして、多層プリント配線板を得た。
【００６３】
（実施例３）
チオ尿素濃度を０．５ｍｍｏｌ／ｌに調整したほかは、実施例１と同様にして、多層プリント配線板を得た。
【００６４】
（実施例４）
チオ尿素濃度を０．１５ｍｍｏｌ／ｌに調整したほかは、実施例１と同様にして、多層プリント配線板を得た。
【００６５】
（実施例５）
チオ尿素濃度を１．３０ｍｍｏｌ／ｌに調整したほかは、実施例１と同様にして、多層プリント配線板を得た。
【００６６】
（実施例６）
チオ尿素に代えて、０．４ｍｍｏｌ／ｌのポリエチレングリコールの水溶液を使用したほかは、実施例１と同様にして、多層プリント配線板を得た。
【００６７】
（実施例７）
チオ尿素に代えて、シアン化ナトリウム０．４ｍｍｏｌ／ｌの水溶液を使用したほかは、実施例１と同様にして、多層プリント配線板を得た。
【００６８】
（比較例１）
チオ尿素濃度を０．０８ｍｍｏｌ／ｌに調整したほかは、実施例１と同様にして、多層プリント配線板を得た。
【００６９】
（比較例２）
チオ尿素濃度を１．５５ｍｍｏｌ／ｌに調整したほかは、実施例１と同様にして、多層プリント配線板を得た。
以上、実施例１〜７および比較例１〜２で得られた多層プリント配線板について、断面を光学顕微鏡で観察して、開口の充填性、導体回路の厚み、バイアホール上面の平坦性について確認した。その結果を下記の評価に示した。
【００７０】
【表１】
0004094143.tif 000002
【００７１】
上記表１に示した結果より明らかなように、電気めっきを行う際、めっき液として、その濃度が０．１〜１．５ｍｍｏｌ／ｌの添加剤を含む水溶液を使用することにより、バイアホール用開口の完全充填と導体回路の形成とを同時に実現することができた。
また、電気めっき液中のチオ尿素の濃度を０．３〜０．５  ｍｍｏｌ／ｌに設定することにより、バイアホールの上面が平坦化された。
【００７２】
【発明の効果】
以上説明してきたように、本発明によれば、高価な装置を使用することもなく、バイアホール用開口の完全充填と導体回路の形成とを同時に実現することができる。
また、多層プリント配線板のバイアホールをめっき充填できるため、層間絶縁層の平坦化が可能となり、またスタックドビアを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【符号の説明】
１  基板
２  層間樹脂絶縁層（無電解めっき用接着剤層）
３  めっきレジスト
４  下層導体回路（内層銅パターン）
４ａ  粗化面
５  上層導体回路
６  バイアホール用開口
７  バイアホール
８  銅箔
９  スルーホール
９ａ  粗化面
１０ 樹脂充填剤
１１ａ  ニッケル層
１１ｂ  粗化層
１２  無電解めっき膜
１３  電気めっき膜
【図１】
0004094143.tif 000003
【図２】
0004094143.tif 000004
【図３】
0004094143.tif 000005
【図４】
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