(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
上側主面に半導体素子を載置するための載置部が設けられている略四角形の金属製の基体と、前記上側主面に前記載置部を囲繞するように接合され、側部を貫通するかまたは該側部を切り欠いて成る入出力端子の取付部が形成され、平面視において外形形状が前記基体と同形状の金属製の枠体と、前記取付部に嵌着された前記枠体の内外を電気的に導通するメタライズ配線層を有する入出力端子とを具備した半導体素子収納用パッケージにおいて、前記基体の四隅から外側に延出するように張出部が設けられ、該張出部に貫通孔が形成されて成るネジ取付部を有しているとともに、前記入出力端子の取付部は前記枠体の少なくとも隣接する二つの側部にそれぞれ設けられており、かつ前記入出力端子の取付部が設けられた二つの側部の間の隅部に設けられた前記ネジ取付部の貫通孔は前記隣接する二つの側部の外側面の各延長面に挟まれる内側に設けられていることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
【請求項２】
請求項１記載の半導体素子収納用パッケージと、前記入出力端子に電気的に接続されて前記載置部に載置固定された前記半導体素子と、前記枠体の上面に接合された蓋体とを具備したことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子を収容するための半導体素子収納用パッケージに関し、特に外部電気回路基板への実装構造を改良したものに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の半導体素子を収納する半導体素子収納用パッケージ（以下、半導体パッケージという）を図７に平面図、図８に図７のＢ−Ｂ’の断面図、図９に図７のネジ取付部の部分拡大平面図で示す。これらの図において、２１は基体、２２は枠体、２３は入出力端子、２５は蓋体を示し、これら基体２１、枠体２２、入出力端子２３、蓋体２５とで、内部空間に半導体素子２４を収容する容器が基本的に構成される。
【０００３】
基体２１は、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金等の金属や銅（Ｃｕ）−タングステン（Ｗ）等の焼結材から成り、その上側主面の略中央部には、ＬＤ，ＰＤ等の光半導体素子などの半導体素子２４を載置するための載置部２１ａが設けられるとともに、基体２１の四隅に外側に延出して設けられた張出部に貫通孔２１ｃが形成されて成るネジ取付部２１ｂが設けられている。なお、図９に示すように、ネジ取付部２１ｂは基体２１の角部で一辺側にのみつながるように形成されており、そのネジ取付部２１ｂ内に貫通孔２１ｃが形成されている。また、ネジ取付部２１ｂの貫通孔２１ｃの中心２１ｃ−Ａは、基体２１の隣接する二辺の延長線および枠体２２の隣接する二外側面の延長面に挟まれる領域の外側に位置する。この基体２１は、貫通孔２１ｃにネジを挿入し外部電気回路基板（図示せず）にネジ止めして固定される。
【０００４】
基体２１の上側主面の外周部には、載置部２１ａを囲繞するようにして接合され、側壁に入出力端子２３の取付部２２ａが形成された枠体２２が立設されている。
【０００５】
枠体２２は基体２１と同様にＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＣｕ−Ｗの焼結材等から成り、基体２１と一体成形される、または基体２１に銀（Ａｇ）ろう等のろう材を介してろう付けされる、またはシーム溶接法等の溶接法により接合されることによって、基体２１の上側主面の外周部に立設される。
【０００６】
入出力端子２３は、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3），窒化アルミニウム（ＡｌＮ），ムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）等のセラミックスから成り、枠体２２の取付部２２ａにろう材を介して嵌着接合され、枠体２２の内外を導通する多数のメタライズ配線層２３ａが被着形成されている。
【０００７】
このような構成の半導体パッケージに半導体素子２４を載置部２１ａに載置固定した後、半導体素子２４とメタライズ配線層２３ａとをボンディングワイヤ（図示せず）で電気的に接続し、蓋体２５により半導体素子２４を気密に封止することにより、製品としての半導体装置となる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ネジ取付部２１ｂの貫通孔２１ｃの中心２１ｃ−Ａは、基体２１の隣接する二辺の延長線および枠体２２の隣接する二外側面の延長面に挟まれる領域の外側に位置するため、貫通孔２１ｃにネジを挿入して外部電気回路基板にネジ止め固定する際、入出力端子２３が嵌着接合されている枠体２２と基体２１とのわずかな熱膨張差による基体２１の反りを平坦に矯正しようとする大きな歪みが、中心２１ｃ−Ａを起点としてネジ取付部２１ｂから枠体２２に伝わる。そのため、この歪みが枠体２２の取付部２２ａを介して入出力端子２３に加わり、入出力端子２３にクラック等が発生し破損する場合があった。特に、入出力端子２３が張出部２１ｂの突出している方向と平行に嵌着接合された場合において、入出力端子２３にネジ止め時の歪みが加わりやすく、入出力端子２３が破損しやすかった。
【０００９】
入出力端子２３の破損により、半導体素子２４の気密性が保持できなくなるとともに、入出力端子２３に被着された配線導体２３ａが断線し半導体素子２４に駆動用の信号を伝送できなくなり、半導体素子２４を正常に作動できなくなってしまうという問題点があった。
【００１０】
近年、半導体パッケージでは小型化による配線の高密度化が進み、枠体２２の隣接する二側面に入出力端子２３が嵌着接合されるようになってきた。この場合、枠体２２の一方の外側面につながるようにして入出力端子２３の取付け方向と平行な方向に突出した張出部にネジ取付部２１ｂが設けられることが避けられないため、このような問題点が顕在化してきた。
【００１１】
従って、本発明は上記問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、ＬＤ，ＰＤ等の半導体素子の気密性を確実に保持するとともに、入出力端子に被着形成された配線導体の断線を防止し、内部に収容する熱電冷却素子および半導体素子を長期にわたり正常かつ安定に作動させ得る半導体素子パッケージを提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体パッケージは、上側主面に半導体素子を載置するための載置部が設けられている略四角形の金属製の基体と、前記上側主面に前記載置部を囲繞するように接合され、側部を貫通するかまたは該側部を切り欠いて成る入出力端子の取付部が形成され、平面視において外形形状が前記基体と同形状の金属製の枠体と、前記取付部に嵌着された前記枠体の内外を電気的に導通するメタライズ配線層を有する入出力端子とを具備した半導体素子収納用パッケージにおいて、前記基体の四隅から外側に延出するように張出部が設けられ、該張出部に貫通孔が形成されて成るネジ取付部を有しているとともに、前記入出力端子の取付部は前記枠体の少なくとも隣接する二つの側部にそれぞれ設けられており、かつ前記入出力端子の取付部が設けられた二つの側部の間の隅部に設けられた前記ネジ取付部の貫通孔は前記隣接する二つの側部の外側面の各延長面に挟まれる内側に設けられていることを特徴とする。
【００１３】
本発明は、上記の構成により、基体を外部電気回路基板にネジ止め固定した際に、枠体の少なくとも隣接する二つの側部にそれぞれ設けられた入出力端子に加わる歪みを略均等に分布させることができ、入出力端子の特定の箇所に局所的に大きな歪みが加わることを防止し、枠体の少なくとも隣接する二つの側部に嵌着接合された入出力端子にクラック等が入り破損することを防止できる。その結果、半導体素子の気密性を保持するとともに、入出力端子に被着されたメタライズ配線層が断線するのを防止して、半導体素子の作動性を良好なものとし得る。
【００１４】
また、本発明の半導体装置は、上記本発明の半導体素子収納用パッケージと、前記入出力端子に電気的に接続されて前記載置部に載置固定された前記半導体素子と、前記枠体の上面に接合された蓋体とを具備したことを特徴とする。
【００１５】
本発明は、このような構成により、上記本発明の半導体パッケージを用いた信頼性の高い半導体装置を提供できる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
本発明の半導体パッケージについて以下に詳細に説明する。図１は本発明の半導体パッケージについて実施の形態の一例を示す平面図、図２は図１のＡ−Ａ’線の断面図、図３は図１の要部の部分拡大平面図である。これらの図において、１は基体、２は枠体、３は入出力端子、５は蓋体を示し、これら基体１，枠体２，入出力端子３，蓋体５とで、内部空間に半導体素子４を収容する容器が基本的に構成される。
【００１７】
本発明の基体１は平面視形状が略四角形であり、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属やＣｕ−Ｗの焼結材等から成り、そのインゴットに圧延加工や打ち抜き加工等の従来周知の金属加工法、または射出成形と切削加工等を施すことによって、所定の形状に製作される。この基体１の上側主面には、ＬＤ，ＰＤ等の光半導体素子等の半導体素子４を載置する載置部１ａが設けられる。この基体１は、半導体素子４が発する熱を外部に放熱させるための放熱板の役割を果たすものである。基体１表面には、酸化腐食の防止や半導体素子４の載置固定を良好なものとするために、厚さ０．５〜９μｍのＮｉ層や厚さ０．５〜５μｍの金（Ａｕ）層からなる金属層をメッキ法により被着させておくとよい。また、半導体素子４から発する熱を効率よく外部へ放熱させるために、半導体素子４が熱電冷却素子（図示せず）に搭載された状態で載置部１ａに載置固定されていてもよい。
【００１８】
基体１の上側主面の外周部には、載置部１ａを囲繞するようにして接合されるとともに、側部に入出力端子３の取付部２ａが形成された枠体２が立設されており、枠体２は基体１とともにその内側に半導体素子４を収容する空所を形成する。
【００１９】
枠体２は平面視形状が略四角形状の枠状体であり、入出力端子３を支持する作用をなすものである。また、基体１と同様にＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＣｕ−Ｗの焼結材等から成り、基体１と一体成形される、または基体１にＡｇろう等のろう材を介してろう付けされる、またはシーム溶接法等の溶接法により接合されることにより、基体１の上側主面の外周部に立設される。
【００２０】
取付部２ａは、枠体２の側部を貫通するかまたは側部を切り欠いて成り、枠体２の少なくとも隣接する二つの側部にそれぞれ設けられている。取付部２ａが枠体２の側部を上面から切り欠いて成る場合は、枠体２の取付部２ａの上面に略四角形の枠状のシールリング（図示せず）が接合されていてもよく、その場合シールリングは、取付部２ａに入出力端子３が嵌着接合される際、または嵌着接合された後にろう付けによって接合される。
【００２１】
基体１と枠体２は、平面視における外形形状が略同形状であり、基体１の四隅には、外側に延出して設けられた張出部に貫通孔１ｃまたは貫通孔１ｅが形成されて成る、ネジ取付部１ｂまたはネジ取付部１ｄが設けられている。
【００２２】
図１に示すように、基体１の隅部のうち、枠体２の隣接する二つの側部にそれぞれ取付部２ａが設けられ、その二つの側部の隅部に相当する基体１の隅部に外側に延出して略四角形の張出部が設けられ、その張出部において枠体２の隣接する二つの隅部の外側面の各延長面に挟まれる内側に貫通孔１ｃを形成して成るネジ取付部１ｂが設けられている。
【００２３】
また、枠体２の隣接する二つの側部のうち一側面にのみ取付部２ａが設けられ、その二つの側部の隅部に相当する基体１の隅部に上記と同様のネジ取付部１ｂが設けられる。または、入出力端子３が嵌着接合されている一側面に相当する基体１の一辺にのみつながるように、外側に延出して略四角形の張出部が設けられ、その張出部に貫通孔１ｅが形成されているネジ取付部１ｄが設けられる。
【００２４】
ネジ取付部１ｂの厚さは、基体１の厚さの１／４以上で基体１の厚さ以下であるのが良く、基体１を外部電気回路基板にネジ止め固定した際に、ネジ取付部１ｂが変形して基体１の反りが適度に矯正され、その結果、入出力端子３に大きな歪みが加わりにくくなり、入出力端子３の破損を防止できる。
【００２５】
ネジ取付部１ｂの厚さが基体１の厚さの１／４未満の場合、ネジ取付部１ｂの根元が大きく変形し易くなり、ネジ取付部１ｂが根元で破断され、基体１を外部電気回路基板に固定できなくなる場合がある。一方、基体１の厚さを超えると、ネジ止め固定した際、基体１の反りが大きく矯正され、入出力端子３に大きな歪みが加わり入出力端子３が破損する場合がある。
【００２６】
図１に示すように、ネジ取付部１ｂの基体１の二辺側にそれぞれ延出した長さＸ，Ｙは、それぞれ１〜５ｍｍであるのが良く、この構成により、基体１を外部電気回路基板にネジ止め固定した際に、基体１の反りが適度に矯正され、入出力端子３に大きな歪みが加わりにくくなり、入出力端子３の破損を防止できる。
【００２７】
Ｘ，Ｙのそれぞれの延出長さが１ｍｍ未満の場合、貫通孔１ｃをネジ止め固定した際、ネジ取付部１ｂの根元が大きく変形し易くなり、ネジ取付部１ｂが根元で破断されて基体１を外部電気回路基板に固定できなくなる場合がある。一方、５ｍｍを超えると、ネジ止め固定した際、基体１の反りが大きく矯正され、入出力端子３に大きな歪みが加わり入出力端子３が破損する場合がある。
【００２８】
さらに、ネジ取付部１ｂの基体１の二辺側にそれぞれ延出した長さＸ，Ｙは、およそＸ：Ｙ＝Ｌ２：Ｌ１（Ｌ２はＸ側の枠体２の側面の長さ、Ｌ１はＹ側の枠体２の側面の長さ）であるのが良い。これにより、ネジ取付部１ｂから基体１の隣接する二辺の方向に伝わる歪みを略均等にすることができ、その結果、枠体２の隣接する二つの側部にそれぞれ嵌着接合された入出力端子３に加わる歪みを略均等に分布させ、入出力端子３の特定の箇所に局所的に大きな歪みが加わることを防止し、確実に入出力端子３の破損を防ぐことができる。
【００２９】
また、図３のように、貫通孔１ｃの中心１ｃ−Ａと枠体２の隅までの距離をＺとした場合、Ｚ＝２〜１０ｍｍであるのがよい。Ｚ＜２ｍｍの場合、ネジ取付部１ｂをネジ止め固定した際に中心１ｃ−Ａから枠体２、入出力端子３に大きな歪みが加わり、入出力端子３にクラックが入り破損し易くなる。Ｚ＞１０ｍｍの場合は、半導体パッケージ自体が大型化して近時の小型化傾向から外れることとなり実用性が低下する。
【００３０】
ネジ取付部１ｂは、図４のように張出部の形状が、基体１の辺につながる部位の辺が基体１の辺に対して斜辺とされた多角形形状であっても良い。張出部の基体１の辺につながる辺を斜辺とすることにより、ネジ取付部１ｂをネジ止め固定した際に、斜辺につながる基体１の辺の方向に伝わる応力を微妙に調整することができる。外部電気回路基板の形状等により張出部形状や貫通孔１ｃの位置に制約を受け、基体１の隣接する二辺の方向に伝わる応力を略均等にできない場合に、張出部形状を斜辺を有する多角形として、基体１の隣接する二辺の方向に伝わる応力を略均等にすることができ、入出力端子３の破損防止に有効となる。
【００３１】
また、図５のように、貫通孔１ｃの中心１ｃ−Ａは、枠体２の対角線の延長線近傍に設けるとよく、好ましくは枠体２の対角線の交点２−Ａと中心１ｃ−Ａとを結ぶ直線と枠体２の対角線とのなす角θがθ≦１０°であるのがよい。この構成により、ネジ取付部１ｂをネジ止め固定した際に、ネジ取付部１ｂから基体１の隣接する二辺の方向に伝わる応力を略均等にできる。θ＞１０°の場合、ネジ止め固定した際にネジ取付部１ｂから基体１の隣接する二辺の方向に加わる応力が、基体１の隣接する二辺のいずれかの方向に偏ってしまい、入出力端子３の特定の箇所に局所的に大きな歪みが加わり入出力端子３が破損する場合がある。
【００３２】
また、貫通孔１ｃの形状は、図１および図３〜５に示すような完全な円形である必要はなく、図６（ａ）に示すような中心１ｃ−Ａを中心とする円弧を含むＵ字状の切欠き、図６（ｂ）に示すような中心１ｃ−Ａがネジ取付部１ｂの外辺上に設けられた半円状の切欠き、図６（ｃ）に示すような中心１ｃ−Ａがネジ取付部１ｂの最外の隅部に設けられた扇形の切欠きなどでもよく、このように円弧を含む形状であればよい。この円弧の半径を貫通孔１ｃに挿入するネジの半径と略同一として、円弧がわずかにネジより大きくなるようにしてネジ止め固定すれば、基体１を外部電気回路基板に強固に固定できるとともに、外部電気回路基板に対する基体１の位置ずれを抑えることができる。
【００３３】
本発明の入出力端子３は、Ａｌ2Ｏ3，ＡｌＮ，３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2等のセラミックスから成る断面が逆Ｔ字型（凸型）の部材であり、枠体２の取付部２ａに嵌め込むとともに、入出力端子３と取付部２ａとの隙間に溶融したＡｇろう等のろう材を毛細管現象により充填させることで枠体２に嵌着接合される。入出力端子３には、枠体２の内外を導通する複数のメタライズ配線層３ａが被着形成される。また、入出力端子３は枠体２の一部となって枠体２の内外を気密に仕切るとともに、枠体２の内外を導通させる導電路としての機能を有する。
【００３４】
また入出力端子３は、例えばＡｌ2Ｏ3から成る場合以下のようにして作製される。まず、Ａｌ2Ｏ3，酸化珪素（ＳｉＯ2），酸化カルシウム（ＣａＯ），酸化マグネシウム（ＭｇＯ）等の原料粉末に適当な有機バインダや可塑剤，分散剤，溶剤等を添加混合して泥漿状となす。これを従来周知のドクターブレード法でシート状となすことによって複数枚のセラミックグリーンシートを得る。しかる後、これらのセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施しメタライズ配線層３ａとなる金属ペーストを印刷塗布して積層する。最後に、この積層体の枠体２と接合される面に、メタライズ層となる金属ペーストを印刷塗布し、還元雰囲気中で約１６００℃の温度で焼成することによって製作される。
【００３５】
なお、メタライズ配線層３ａおよびメタライズ層となる金属ペーストは、Ｗ，モリブデン（Ｍｏ），マンガン（Ｍｎ）等の高融点金属粉末に適当な有機バインダや溶剤を添加混合してペースト状となしたものを従来周知のスクリーン印刷法を採用して印刷することにより、セラミックグリーンシートおよびその積層体に印刷塗布される。
【００３６】
枠体２の上面には、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る蓋体５がろう付け法やシームウエルド法等の溶接法で接合される。そして、基体１、枠体２、入出力端子３および蓋体５から成る容器内部に半導体素子４を収容し気密に封止することにより、製品としての半導体装置となる。この半導体装置は、基体１が外部電気回路基板に固定実装され、載置部１ａに載置固定した半導体素子４の電極と入出力端子３に被着形成されたメタライズ配線層３ａの枠体２内側の部位とをボンディングワイヤ（図示せず）で電気的に接続し、枠体２外側の部位にリード線やリボン線（図示せず）をろう付けまたは半田付けし、リード線やリボン線を外部電気回路基板の外部電気回路に接続することにより、半導体パッケージ内部に収納した半導体素子４が外部電気回路に電気的に接続され、半導体素子４が高周波信号で作動することとなる。
【００３７】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更は可能である。例えば、メタライズ配線層３ａがＣｕ等の電気抵抗の低い金属から成っていてもよく、この場合メタライズ配線層３ａにおいて電気信号の抵抗損失を低減でき、半導体素子４をより正常に作動させることができる。
【００３８】
【発明の効果】
本発明は、張出部は基体の四隅から外側に延出するように設けられているとともに、入出力端子は枠体の少なくとも隣接する二つの側部の取付部にそれぞれ設けられており、かつ入出力端子の取付部が設けられた二つの側部の間の隅部に設けられたネジ取付部の貫通孔は隣接する二つの側部の外側面の各延長面に挟まれる内側に設けられていることにより、基体を外部電気回路基板にネジ止め固定した際に枠体の隣接する二つの側部にそれぞれ設けられた入出力端子に加わる歪みを略均等に分布させることができ、入出力端子の特定の箇所に局所的な大きな歪みが加わることを防止し、枠体の隣接する二辺に嵌着接合された入出力端子にクラック等が入り破損することを防止できる。
【００３９】
入出力端子への破損を防止することにより、半導体素子の気密性を保持するとともに、入出力端子に被着されたメタライズ配線層が断線し半導体素子に駆動用信号を伝送できなくなるのを防止でき、半導体素子の作動性が良好となる。
【００４０】
本発明の半導体装置は、本発明の半導体素子収納用パッケージと、入出力端子に電気的に接続されて載置部に載置固定された半導体素子と、枠体の上面に接合された蓋体とを具備したことにより、上記本発明の作用効果を有する半導体パッケージを用いた信頼性の高い半導体装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体パッケージについて実施の形態の例を示す平面図である。
【図２】図１の半導体パッケージのＡ−Ａ’線における断面図である。
【図３】図１の半導体パッケージの要部の部分拡大平面図である。
【図４】本発明の半導体パッケージについて実施の形態の他の例を示す要部の部分拡大平面図である。
【図５】本発明の半導体パッケージについて実施の形態の他の例を示す要部の部分拡大平面図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は本発明の半導体パッケージについて実施の形態の他の例を示し、それぞれ要部の部分拡大平面図である。
【図７】従来の半導体パッケージの平面図である。
【図８】図７の半導体パッケージのＢ−Ｂ’線における断面図である。
【図９】図７の半導体パッケージの要部の部分拡大平面図である。
【符号の説明】
１：基体
１ａ：載置部
１ｂ：ネジ取付部
１ｃ：貫通孔
２：枠体
２ａ：取付部
３：入出力端子
３ａ：メタライズ配線層
４：半導体素子
５：蓋体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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