(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
補償点温度が略室温であるフェリ磁性体からなる磁性膜が形成された磁気記録媒体を用い、記録時には、上記磁性膜に光ビームを照射して記録すべきトラックを昇温することによって抗磁場を小さくし、磁気ヘッドを介して信号磁界を印加することによって情報を記録し、再生時には、上記磁性膜に光ビームを照射して再生すべきトラックを昇温することによって残留磁化を大きくし、その再生すべきトラックから発せられる磁束を磁気ヘッドを介して検知することによって情報を再生する磁気記録媒体の記録再生方法において、
トラックエッジにおける残留磁化の温度に対する変化が０．６（（ｅｍｕ／ｃｃ）／℃）以上となるように、上記磁性膜における再生すべきトラックのトラックエッジにおける昇温温度を５０℃から１００℃の間に設定して、該再生すべきトラックを昇温させながら、磁気ヘッドによって再生すべきトラックから発せられる磁束を検知し、情報を再生することを特徴とする磁気記録媒体の記録再生方法。
【請求項２】
記録時に昇温される記録すべきトラックにおける最高温度が、再生時に昇温される再生すべきトラックにおける最高温度以下であることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体の記録再生方法。
【請求項３】
上記トラックエッジにおける残留磁化の温度に対する変化が１．０（（ｅｍｕ／ｃｃ）／℃）以上であることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体の記録再生方法。
【請求項４】
補償点温度が略室温であるフェリ磁性体からなる磁性膜が形成された磁気記録媒体と、
上記磁気記録媒体に光ビームを照射する光ピックアップと、
上記磁気記録媒体に対して記録動作および再生動作を行う磁気ヘッドとを備え、
請求項１ないし３のいずれかに記載の磁気記録媒体の記録再生方法によって記録および再生を行うことを特徴とする磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばコンピュータ等の外部メモリや、ビデオ信号等の録音、録画などに用いられる磁気記録媒体の記録再生方法および磁気記録媒体、ならびに磁気記録再生装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＤＶＤ（Digital-Versatile-Disk）やその他の光磁気ディスクに代表される光メモリ、およびハードディスク（以下、ＨＤＤと称する）に代表される磁気メモリにおいて、その記録密度の高密度化が著しく進んでおり、それぞれ製品レベルで２〜６Ｇbit/inch２が実現されている。また、研究レベルでは、ＨＤＤにおいて、１０Ｇbit/inch２ 以上の記録密度が報告されるまでに至っている。
【０００３】
特に、ＨＤＤに代表される磁気メモリでは、年率６０％の高密度化が進められており、２０００年には１０Ｇbit/inch２ の製品が登場しそうな勢いである。また、現在の面内磁気記録の手法を用いて、２０Ｇbit/inch２までは高密度化が進められるとの見方もある。
【０００４】
このような磁気メモリにおいて、従来、磁気記録が得意としてきた、線密度を上げることによって記録密度を向上させる方法は限界があるので、上記のように高密度化を遅滞なく推進するためには、線密度と同時にトラック密度を上げることが望まれている。
【０００５】
しかしながら、トラック密度を上げるためには、磁気ヘッド、特に記録ヘッドのヘッド幅を１μｍ以下にすることが必要とされるが、加工技術上の問題や、記録用磁性材料の狭小化によるノイズの発生の問題などが生じ、その困難性が指摘されている。
【０００６】
このような背景の下、磁気技術に光技術を融合した新たな記録モードが提案されている。例えば特開平４−１７６０３４号公報や特表平６−５００１９４号公報等に、以下のような磁気記録媒体の記録再生方法が開示されている。この記録再生方法は、室温に補償点を有するフェリ磁性体からなる記録層が形成された磁気記録媒体を用いて、記録時には、磁気記録媒体上に光ビームを照射し昇温させることによって、従来と同様の数μｍ〜数十μｍ幅の磁気ヘッドを用いながら、光スポット径（サブμｍ〜１μｍ）と同等の狭いトラックに対して記録を行い、再生時には、磁気ヘッド幅よりも狭いトラックピッチで記録したトラックに対して再生を行うものである。
【０００７】
このような記録再生方法を用いることによって、上記した、記録ヘッドのヘッド幅を小さくすることに伴う問題を回避することができる。そして、線密度を従来の磁気記録と同等に保ち、なおかつ光メモリと同レベルにまでトラック密度を増加できるので、面密度として従来の磁気記録の数倍の高密度化を図ることが可能となる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記のような、記録時に、磁気記録媒体上に光ビームを照射し昇温させることによって磁気ヘッド幅よりも狭いトラックを記録し、再生時に、磁気ヘッド幅よりも狭いトラックピッチで記録されたトラックを再生する記録再生方法には、以下に示すような問題があることが明らかになった。
【０００９】
記録時に、磁気記録媒体上の、光ビームを照射して昇温させた領域において、この領域の中心付近の領域と周辺領域とでは温度差が生じており、この周辺領域における不完全な温度上昇により、周辺領域の磁気記録が不明瞭になるという問題が生じていた。すなわち、この周辺領域の磁気記録は、トラックエッジ部のにじみとして、ノイズを発生させることになる。
【００１０】
また、上記のトラックエッジ部のにじみは、隣接するトラックに対して影響を及ぼすことになり、再生時において、クロストークが発生するという問題も生じていた。
【００１１】
さらに、ＨＤＤを実装した際に、ドライブ動作を行うことによって周囲の温度が上昇し、この温度上昇に伴って、光ビームを照射していない領域においても僅かに残留磁化が発生してしまい、これによりクロストークが生じるという問題が生じていた。
【００１２】
本発明は、上記の問題点を解決するためになされたもので、その目的は、記録時において、トラックエッジ近傍における、印加された磁界のにじみの発生を抑え、再生時において、隣接するトラックからのクロストークを低減することが可能な磁気記録媒体の記録再生方法および磁気記録媒体、ならびに磁気記録再生装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、磁気記録媒体の記録再生方法は、補償点温度が略室温であるフェリ磁性体からなる磁性膜が形成された磁気記録媒体を用い、記録時には、上記磁性膜に光ビームを照射して記録すべきトラックを昇温することによって抗磁場を小さくし、磁気ヘッドを介して信号磁界を印加することによって情報を記録し、再生時には、上記磁性膜に光ビームを照射して再生すべきトラックを昇温することによって残留磁化を大きくし、その再生すべきトラックから発せられる磁束を磁気ヘッドを介して検知することによって情報を再生する磁気記録媒体の記録再生方法において、トラックエッジにおける抗磁場の温度に対する変化が２８（Ｏｅ／℃）以上となるように、上記磁性膜における記録すべきトラックを昇温させながら、磁気ヘッドによって信号磁界を印加し、情報を記録することを特徴としている。
【００１４】
上記の方法によれば、トラックエッジにおける抗磁場の温度に対する変化が急峻となるように、上記磁性膜における記録すべきトラックを昇温させながら、磁気ヘッドによって信号磁界を印加しているので、トラックエッジを境にして、内側と外側との抗磁場の値の変化を急激にすることができる。したがって、記録すべきトラックのトラックエッジよりも内側の領域には磁気ヘッドからの信号磁界が確実に印加される一方、記録すべきトラックのトラックエッジよりも外側の領域には、磁気ヘッドからの信号磁界の印加がほとんど行われずに情報を記録することができる。よって、トラックエッジ近傍における、印加された磁界のにじみの発生が抑えられ、ノイズを低減することができる。
【００１５】
また、上記のように、記録すべきトラックのトラックエッジよりも外側の領域には、磁気ヘッドからの信号磁界の印加がほとんど行われずに情報を記録することができるので、トラックピッチを小さくしても、記録すべきトラックに隣接するトラックに対して影響を及ぼすことがなくなる。よって、ノイズなどの問題を生じさせることなく、トラック密度の高い磁気記録媒体に対して記録動作を行うことが可能となる。
【００１６】
請求項１記載の磁気記録媒体の記録再生方法は、補償点温度が略室温であるフェリ磁性体からなる磁性膜が形成された磁気記録媒体を用い、記録時には、上記磁性膜に光ビームを照射して記録すべきトラックを昇温することによって抗磁場を小さくし、磁気ヘッドを介して信号磁界を印加することによって情報を記録し、再生時には、上記磁性膜に光ビームを照射して再生すべきトラックを昇温することによって残留磁化を大きくし、その再生すべきトラックから発せられる磁束を磁気ヘッドを介して検知することによって情報を再生する磁気記録媒体の記録再生方法において、トラックエッジにおける残留磁化の温度に対する変化が０．６（（ｅｍｕ／ｃｃ）／℃）以上となるように、上記磁性膜における再生すべきトラックのトラックエッジにおける昇温温度を５０℃から１００℃の間に設定して、該再生すべきトラックを昇温させながら、磁気ヘッドによって再生すべきトラックから発せられる磁束を検知し、情報を再生することを特徴としている。
【００１７】
上記の方法によれば、トラックエッジにおける残留磁化の温度に対する変化が急峻となるように、上記磁性膜における再生すべきトラックを昇温させながら、磁気ヘッドによって再生すべきトラックから発せられる磁束を検知しているので、トラックエッジを境にして、内側と外側との残留磁化の値の変化を急激にすることができる。したがって、再生すべきトラックのトラックエッジよりも外側の領域から発せられる磁束を低く抑えることができるので、隣接するトラックからのクロストークを低減することができる。
【００１８】
また、上記のように、再生すべきトラックのトラックエッジよりも外側の領域から発せられる磁束を低く抑えることができるので、トラックピッチを小さくしても、再生すべきトラックに隣接するトラックからの影響を受けることなく再生を行うことができる。よって、クロストークなどの問題を生じさせることなく、トラック密度の高い磁気記録媒体に対して再生動作を行うことが可能となる。
【００１９】
また、請求項１記載の磁気記録媒体の記録再生方法は、再生すべきトラックのトラックエッジにおける昇温温度を５０℃から１００℃の間に設定することを特徴としている。
【００２０】
上記の方法によれば、再生すべきトラックのトラックエッジにおける昇温温度を５０℃から１００℃の間に設定しているので、トラックエッジの外側において、残留磁化がほぼ０となる室温近傍にまで温度が下がるのに必要な距離を小さくすることができる。よって、ガードバンドの幅を小さく設定することができるので、トラックピッチを小さくすることが可能となり、トラック密度の高い磁気記録媒体に対しても、クロストークなどの問題が発生することなく再生動作を行うことができる。
【００２１】
なお、再生すべきトラックのトラックエッジにおける昇温温度を１００℃以上に設定すると、トラックエッジにおける残留磁化の温度に対する変化が緩やかになってしまい、また、上記の昇温温度を５０℃以下に設定すると、トラックの内部での昇温温度の低下によってＳ／Ｎが低下してしまうので、上記のように、昇温温度を５０℃から１００℃の間に設定することが適切である。
【００２２】
請求項２記載の磁気記録媒体の記録再生方法は、請求項１の方法において、記録時に昇温される記録すべきトラックにおける最高温度が、再生時に昇温される再生すべきトラックにおける最高温度以下であることを特徴としている。
【００２３】
上記の方法によれば、記録時に昇温される記録すべきトラックにおける最高温度が、再生時に昇温される再生すべきトラックにおける最高温度以下となっているので、記録時の昇温時間を短くすることができ、また、昇温時の消費電力を低減することが可能となる。
【００２４】
より詳しく説明すると、記録時の最高温度を再生時の最高温度以下に設定することによって、記録時の昇温時間が少なくとも再生時の昇温時間と同等以下となり、アクセス速度が記録時間によって制限されることがなくなる。
【００２５】
また、再生動作時の消費電力を（磁気ヘッドの再生バイアス電流（薄膜ヘッドならば０）による消費電力）＋（再生時の昇温による消費電力）とし、記録動作時の消費電力を（磁気ヘッドの記録電流による消費電力）とした場合、記録時および再生時における消費電力の変動が小さいほどトータルの消費電力が低減されることになる。よって、記録時の最高温度を再生時の最高温度以下に設定することによって、記録時および再生時における消費電力のむらを抑えることができるので、トータルの消費電力の低減を実現することができる。
【００２６】
磁気記録媒体は、補償点温度が略室温であり、かつ０℃から５０℃の範囲では残留磁化が略０であるフェリ磁性体からなる磁性膜が形成されたことを特徴としている。
【００２７】
上記の構成によれば、上記磁性膜が０℃から５０℃の範囲では残留磁化が略０であるフェリ磁性体から構成されているので、実際に磁気記録媒体を磁気記録再生装置に設けて使用した場合に、ドライブ動作時の雰囲気温度上昇や補償点温度以下での動作時における非昇温領域からの漏れ磁場によるクロストークの発生を抑えることができる。
【００２８】
磁気記録媒体は、上記の構成において、上記磁性膜は、稀土類および遷移金属の合金から構成されており、稀土類元素として少なくともＴｂを含み、遷移金属元素として少なくともＦｅ、Ｃｏを含んでいることを特徴としている。
【００２９】
上記の構成によれば、上記補償点温度が略室温であり、かつ０℃から５０℃の範囲では残留磁化が略０である特性を有する磁性膜を実現することができる。
【００３０】
請求項４記載の磁気記録再生装置は、補償点温度が略室温であるフェリ磁性体からなる磁性膜が形成された磁気記録媒体と、上記磁気記録媒体に光ビームを照射する光ピックアップと、上記磁気記録媒体に対して記録動作および再生動作を行う磁気ヘッドとを備え、請求項１ないし３のいずれかに記載の磁気記録媒体の記録再生方法によって記録および再生を行うことを特徴としている。
【００３１】
上記の構成によれば、トラックエッジにおける抗磁場の温度に対する変化が急峻となるように、上記磁性膜における記録すべきトラックを昇温させながら、磁気ヘッドによって信号磁界を印加しているので、トラックエッジを境にして、内側と外側との抗磁場の値の変化を急激にすることができる。したがって、記録すべきトラックのトラックエッジよりも内側の領域には磁気ヘッドからの信号磁界が確実に印加される一方、記録すべきトラックのトラックエッジよりも外側の領域には、磁気ヘッドからの信号磁界の印加がほとんど行われずに情報を記録することができる。よって、トラックエッジ近傍における、印加された磁界のにじみの発生が抑えられ、ノイズを低減することができる。
【００３２】
また、上記のように、記録すべきトラックのトラックエッジよりも外側の領域には、磁気ヘッドからの信号磁界の印加がほとんど行われずに情報を記録することができるので、トラックピッチを小さくしても、記録すべきトラックに隣接するトラックに対して影響を及ぼすことがなくなる。よって、ノイズなどの問題を生じさせることなく、トラック密度の高い磁気記録媒体に対して記録動作を行うことが可能な磁気記録再生装置を提供することができる。
【００３３】
また、上記の構成によれば、トラックエッジにおける残留磁化の温度に対する変化が急峻となるように、上記磁性膜における再生すべきトラックを昇温させながら、磁気ヘッドによって再生すべきトラックから発せられる磁束を検知しているので、トラックエッジを境にして、内側と外側との残留磁化の値の変化を急激にすることができる。したがって、再生すべきトラックのトラックエッジよりも外側の領域から発せられる磁束を低く抑えることができるので、隣接するトラックからのクロストークを低減することができる。
【００３４】
また、上記のように、再生すべきトラックのトラックエッジよりも外側の領域から発せられる磁束を低く抑えることができるので、トラックピッチを小さくしても、再生すべきトラックに隣接するトラックからの影響を受けることなく再生を行うことができる。よって、クロストークなどの問題を生じさせることなく、トラック密度の高い磁気記録媒体に対して再生動作を行うことが可能な磁気記録再生装置を提供することができる。
【００３５】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の一形態について図１ないし図１５に基づいて説明すれば、以下のとおりである。
【００３６】
まず、本実施形態に係る磁気記録媒体１について説明する。この磁気記録媒体１は、図９（ａ）にその平面図を示すように、円盤形状となっている。また、図９（ｂ）にその断面図を示すように、磁気記録媒体１は、ガラスディスク２の上面に磁性膜３が形成され、さらにその上面にカーボン膜４が形成された構成となっている。
【００３７】
以上のような構成の磁気記録媒体１において、記録再生が行われるトラックは、同心円状、あるいは螺旋状に形成される。このような磁気記録媒体１において、磁性膜３として室温付近に補償点を有するフェリ磁性体を用い、半導体レーザを照射することによって磁性膜３を昇温させながら記録再生を行う場合における、抗磁場Ｈｃおよび残留磁化Ｍｒと、温度Ｔとの関係について、以下に説明する。
【００３８】
まず、磁気記録媒体１に対して、半導体レーザを照射しながら記録用磁気ヘッドの磁場を作用させることによって行う記録動作に関して説明する。
【００３９】
図２は、磁気記録媒体１に半導体レーザを照射した際の、１つのトラックの近傍におけるトラック幅方向の温度分布を示すグラフである。横軸は、原点をトラックの中心位置として、トラックの幅方向の位置を示しており、縦軸は、磁性膜３の温度を示している。また、図２において、±Ｗ／２はトラックエッジの位置を、Ｗはトラック幅を、±Ｘmin は磁性膜３の温度が最小となっている位置のうち、最もトラックの中心に近い位置を表している。また、Ｔmax は昇温された磁性膜３の最高温度を、Ｔmin は昇温された磁性膜３の最低温度を、Ｔedはトラックエッジ±Ｗ／２での温度を表している。なお、上記のＴmin は、Ｘmin の位置を含めたトラック外側での磁性膜３の温度（一定温度）を示している。
【００４０】
図３は、上記磁性膜３における抗磁場Ｈｃの温度依存性を示すグラフである。横軸は磁性膜３の温度Ｔを示しており、縦軸は抗磁場Ｈｃを示している。Ｔmax 、Ｔmin 、Ｔedは、図２と同じ意味で用いており、Ｈｃmin は温度Ｔmax での磁性膜３の示す抗磁場を、Ｈｃmax は温度Ｔmin での磁性膜３の示す抗磁場を、Ｈｗは幅Ｗのトラックを記録するのに必要な、記録ヘッドから発生する磁場を表している。
【００４１】
図１は、昇温された磁気記録媒体１のトラック内でのトラック幅方向の抗磁場Ｈｃの分布を示すグラフである。横軸は、原点をトラックの中心位置として、トラックの幅方向の位置を示しており、縦軸は、昇温された磁性膜３の抗磁場Ｈｃを示している。図１に示している記号は、図２および図３で示した記号と同じ意味で用いている。また、δＨは、記録時における記録磁場のマージンを、δＸは、記録磁場のマージン内変動により発生するトラックエッジのずれ量（トラック幅のずれ量）を表している。
【００４２】
上記のように、磁気記録媒体１に半導体レーザを照射することによって磁性膜３を昇温させながら記録再生を行う場合、トラック幅は、理論的には、ほぼ半導体レーザの光ビーム径に相当することになる。しかしながら、実際には、記録時に記録磁場ＨｗがδＨだけ変動することによって、トラック幅の変動やトラックエッジでのにじみが発生し、これによってノイズが発生することになる。
【００４３】
以上のことを考慮すると、実際に形成されるトラック幅Ｗact は次式で表される。
【００４４】
Ｗact ＝Ｗ±δＸ  …（１）
また、トラックエッジ±Ｗ／２でのずれ量δＸは、記録磁場の変動δＨを用いて、１次の近似において次式で表される。
【００４５】
δＸ＝δＨ／（ｄＨｃ／ｄＸ）  …（２）
よって、式（１）は、式（２）を用いて次式のように表される。
【００４６】
Ｗact ＝Ｗ±δＨ／（ｄＨｃ／ｄＸ）  ａｔ  Ｘ＝±Ｗ／２  …（３）
式（３）より、（ｄＨｃ／ｄＸ）が大きい場合には、記録磁場の変動δＨが一定の場合において、δＨ／（ｄＨｃ／ｄＸ）の項が小さくなる。すなわち、トラック幅の変動やそれに伴うトラックエッジでのにじみが抑制され、ノイズが低減されることがわかる。また、（ｄＨｃ／ｄＸ）が大きい場合には、記録磁場の変動δＨが大きい場合においても、トラック幅の変動が小さく抑えられるので、トラック幅の変動やそれに伴うトラックエッジでのにじみが抑制され、ノイズが低減されることがわかる。
【００４７】
さらに、ｄＨｃ／ｄＸは、以下のような関係式で表すことができる。
【００４８】
ｄＨｃ／ｄＸ＝（∂Ｈｃ／∂Ｘ）＋（∂Ｈｃ／∂Ｔ）（∂Ｔ／∂Ｘ）  …（４）
式（４）の右辺第１項は、ある一定温度での抗磁場Ｈｃの分布、すなわち磁気記録媒体１の磁気特性の分布を表す。この分布は、成膜方法や磁性膜の材料などに依存するが、ほぼ一様な磁性膜が形成されていると考えて良い場合には無視することができる。この仮定の下に、上記の式（４）は、
ｄＨｃ／ｄＸ＝（∂Ｈｃ／∂Ｔ）（∂Ｔ／∂Ｘ）
＝Ｃ（∂Ｈｃ／∂Ｔ）  …（５）
と表される。
【００４９】
式（５）において、（∂Ｔ／∂Ｘ）は、図２に示すトラックエッジ±Ｗ／２での温度勾配を示しているが、これは上記のように一様な磁性膜が形成されている磁気記録媒体１を用いた場合、光ピックアップの仕様、磁気記録媒体１と光ピックアップの相対速度、磁気記録媒体１の熱伝導率などの特性で決まり、記録条件によって大きく変動するものではないので、定数Ｃとおくことができる。
【００５０】
また、同じく式（５）において、（∂Ｈｃ／∂Ｔ）は、図３において、トラックエッジ±Ｗ／２での温度Ｔedにおける抗磁場Ｈｃの、温度に対する変化率を表している。
【００５１】
式（５）によって、式（３）は、次式のように表される。
【００５２】
Ｗact ＝Ｗ±δＨ／｛Ｃ（∂Ｈｃ／∂Ｔ）｝  ａｔ  Ｘ＝±Ｗ／２  …（６）
式（６）により、図３において温度Ｔedでの変化率（∂Ｈｃ／∂Ｔ）が大きいほど、上記のような記録方法によって形成されるトラックは、トラック幅の変動やそれに伴うトラックエッジでのにじみが抑制されることがわかる。すなわち、昇温されたトラックの抗磁場Ｈｃが記録用磁気ヘッドの発生する磁場以下であり、かつ、トラックエッジにおける、抗磁場Ｈｃの温度に対する変化が急峻であるように、磁気記録媒体１を昇温させながら記録用磁気ヘッドの磁場を磁気記録媒体１に作用させることによって、トラックエッジの輪郭を明確に形成することができる。また、これによってノイズが低減されることになる。
【００５３】
ここで、抗磁場Ｈｃの温度に対する変化（∂Ｈｃ／∂Ｔ）は、Ｘ＝±Ｗ／２において、２８（Ｏｅ／℃）以上であれば、十分にトラックエッジの輪郭を明確に形成することができる。また、Ｘ＝±Ｗ／２における（∂Ｈｃ／∂Ｔ）が、５０（Ｏｅ／℃）以上であれば、さらに好ましい。これらの値の根拠については、後述する測定試験の結果に基づいている。なお、Ｘ＝±Ｗ／２における（∂Ｈｃ／∂Ｔ）の上限値は、記録ヘッドの発生可能な記録磁場の上限値によって制限されるが、これは記録ヘッドの性能向上によって、より向上し得るものである。
【００５４】
次に、磁気記録媒体１に対して半導体レーザを照射しながら、該磁気記録媒体１から発生する磁場を検出することによって行う再生動作に関して説明する。
【００５５】
図４は、磁気記録媒体１に用いる磁性膜３の残留磁化Ｍｒの温度依存性を示すグラフである。横軸は、磁性膜３の温度Ｔを示しており、縦軸は、残留磁化Ｍｒを示している。Ｔmax 、Ｔmin 、Ｔedは、上記と同じ意味で用いており、Ｍｒmax は温度Ｔmax での磁性膜３の示す残留磁化を、Ｍｒmin は温度Ｔmin での磁性膜３の示す残留磁化を、Ｍｒedは温度Ｔed、すなわちトラックエッジ±Ｗ／２での磁性膜３の残留磁化をそれぞれ表している。磁性膜３は、上記のように、室温付近で補償点を有することを特徴としているので、Ｔmin を室温付近とした場合、Ｍｒmin はほぼ０となる。
【００５６】
以下に、磁気記録媒体１上のトラックにおける、最もクロストークの影響を受けるＸmin ＝（３／２）Ｗの位置において、クロストークがいかにして発生するかを説明する。なお、以下の説明において、煩雑さを避けるために、磁気ヘッドの幅は、対象とするトラックおよびその隣接トラックにのみ及ぶものとする。
【００５７】
図５ないし図７は、昇温された磁気記録媒体１のトラック内でのトラック幅方向の残留磁化Ｍｒの分布を示すグラフである。横軸は、原点をトラックの中心位置として、トラックの幅方向の位置を示しており、縦軸は、昇温された磁性膜３の残留磁化Ｍｒの絶対値を示している。なお、図中において、縦線で塗りつぶした面積は、隣接トラックから混入する信号量に相当している。また、ここでは、簡単のためにＸ＞０の領域を詳細に示した。
【００５８】
図５ないし図７において、ｇはガードバンド幅（トラック間の距離）を表しており、その他の記号は上記と同じ意味で用いている。ガードバンドの領域は、予め直流消去が行われているので、クロストークとしては考慮する必要がなく、Ｍｒ＝０として取り扱う。また、図中において、ガードバンド上の破線は、その領域において信号が記録されていた場合に相当するＭｒを示している。なお、隣接トラックの磁化の向きは、対象とするトラックとは反対方向の磁化としており、ここでは、対象とするトラックにおけるＭｒを正、隣接するトラックにおけるＭｒを負としている。
【００５９】
図５は、上記のようにＸmin ＝（３／２）Ｗとし、０≦ｇ≦Ｗとなる一般の場合を示している。図６は、ガードバンド幅ｇ＝０で、幅Ｗの隣接トラックを形成した際に、隣接トラックの全ての領域にわたってクロストークの要因となる残留磁化Ｍｒが発生する場合を示している。図７は、ガードバンド幅ｇ＝Ｗとし、クロストークが０となる場合を示している。
【００６０】
以上のように、ガードバンド幅ｇは、０＜ｇ＜Ｘmin −（１／２）Ｗ＝Ｗの範囲で設定可能である。しかしながら、上記のように、ガードバンド幅ｇを狭くするとクロストークが大きくなり、ガードバンド幅ｇを広くすると、クロストークは減少するが、トラック密度が上がらず、磁気記録媒体１の高密度化が妨げられてしまう。
【００６１】
磁気信号は残留磁化Ｍｒが生成する磁場に比例することから、ここでは上記の説明に基づいて、「対象とするトラックでの残留磁化Ｍｒの積分値に対する、隣接トラックまで含めた範囲での残留磁化Ｍｒの積分値の比」を評価する。
【００６２】
【数１】
0004146947.tif 000002
【００６３】
式（７）において、ｒは、上記の「対象とするトラックでの残留磁化Ｍｒの積分値に対する、隣接トラックまで含めた範囲での残留磁化Ｍｒの積分値の比」に相当するものであり、クロストークに相当すると考えてよい。このｒは、０〜１の範囲で変化し、ｒ＝１の場合には、隣接トラックからの漏れ信号がない状態、すなわちクロストークが０の状態を意味することになる。すなわち、ｒの値が小さい程クロストークが大きくなる。例えば、ｒ＝０．８の状態は、隣接トラックからの漏れ信号がない場合に比べて、８０％に信号が減少していることを意味している。
【００６４】
ここで、簡単のために、残留磁化Ｍｒの分布は、対象とするトラックの中心を対称軸として、トラック幅方向に対して対称であると仮定する。そして、ガードバンド幅ｇの領域（Ｗ／２＜Ｘ＜２／Ｗ＋ｇ）ではＭｒ＝０、（３／２）Ｗ＝Ｘmin ＜ＸではＭｒ＝０、隣接トラックの磁化の向きは、対称とするトラックの磁化と反対の向きとなっている（Ｍｒ（Ｘ）＜０、Ｗ／２＋ｇ＜Ｘ＜（３／２）Ｗ＋ｇ）、などの条件を用いると、式（７）は次のように表される。
【００６５】
【数２】
0004146947.tif 000003
【００６６】
この式（８）をｒについて解くと次式のようになる。
【００６７】
【数３】
0004146947.tif 000004
【００６８】
図７に示す場合、すなわちｇ＝Ｗに設定してある場合には、式（９）の右辺第２項は０となり、ｒ＝１、すなわちクロストークが０となることがわかる。また、図６に示す場合、すなわちｇ＝０に設定してある場合には、式（９）の右辺第２項は最も大きな値となり、ｒは最小値をとることになる。すなわち、最もクロストークの大きな場合を表すことがわかる。
【００６９】
Ｘmin （積分の上限値＝（３／２）Ｗ）が一定の条件、かつ、ある一定のガードバンド幅ｇにおいて、クロストークを低減するには、式（９）の右辺第２項の分子である、
【００７０】
【数４】
0004146947.tif 000005
【００７１】
が最小になるような再生条件を選ぶことになる。
【００７２】
ここで、図８を用いて説明を行う。図８において、横軸および縦軸は図５ないし図７と同様となっており、記号も上記と同様の意味で用いられている。また、図中における曲線Ａ、Ｂ、Ｃは、トラックエッジでの変化率｜（ｄＭｒ／ｄＸ）｜が異なるＭｒ（Ｘ）の例を示している。曲線Ａが最も変化率｜（ｄＭｒ／ｄＸ）｜が大きく、Ａ、Ｂ、Ｃの順に変化率が小さくなっている。また、Ｍｒ（Ｘ）は単調減少で、かつＷ／２＜Ｘ＜（３／２）Ｗの領域において変曲点をもたない。
【００７３】
図８において、式（９）の右辺第２項の分子は、Ｗ／２＋ｇ＜Ｘ＜（３／２）Ｗにおいて、曲線とＸ軸とで囲まれた面積に等しい。よって、曲線Ａが囲む面積（図８において縦線で塗りつぶした領域）が最小面積であることから、トラックエッジ±Ｗ／２での変化率｜（ｄＭｒ／ｄＸ）｜が最も大きい時に、式（９）で示したｒが最大になり、クロストークが最も低減されることがわかる。
【００７４】
さらに、（ｄＭｒ／ｄＸ）は、以下のような関係式で表すことができる。
【００７５】
ｄＭｒ／ｄＸ＝（∂Ｍｒ／∂Ｘ）
＋（∂Ｍｒ／∂Ｔ）（∂Ｔ／∂Ｘ）  …（１０）
式（１０）の右辺第１項は、ある一定温度での残留磁化Ｍｒの分布、すなわち磁気記録媒体１の磁気特性の分布を表す。この分布は、成膜方法や磁性膜の材料などに依存するが、ほぼ一様な磁性膜が形成されていると考えて良い場合には無視することができる。この仮定の下に、上記の式（１０）は、
ｄＭｒ／ｄＸ＝（∂Ｍｒ／∂Ｔ）（∂Ｔ／∂Ｘ）
＝Ｃ（∂Ｍｒ／∂Ｔ）  …（１１）
と表される。
【００７６】
式（１１）において、（∂Ｔ／∂Ｘ）は、前記したように、図２に示すトラックエッジ±Ｗ／２での温度勾配を示しているが、これは上記のように一様な磁性膜が形成されている磁気記録媒体１を用いた場合、光ピックアップの仕様、磁気記録媒体１と光ピックアップの相対速度、磁気記録媒体１の熱伝導率などの特性で決まり、記録条件によって大きく変動するものではないので、定数Ｃとおくことができる。よって、式（１１）より、｜（ｄＭｒ／ｄＸ）｜が最大になる条件としては、｜（∂Ｍｒ／∂Ｔ）｜が最大になるように再生条件を選べば良く、このとき、クロストークは最も低減できることがわかる。
【００７７】
すなわち、昇温されたトラックのトラックエッジにおける、残留磁化Ｍｒの温度に対する変化が急峻であるように、磁気記録媒体１を昇温させながら磁気記録媒体１から発生する磁場を検出すれば、トラックエッジにおいてトラックから発生する磁場が急峻に減少するので、隣接トラックからの漏れ信号（クロストーク）を激減することができる。
【００７８】
ここで、残留磁化Ｍｒの温度に対する変化｜（∂Ｍｒ／∂Ｔ）｜は、Ｘ＝±Ｗ／２において、０．６（（ｅｍｕ／ｃｃ）／℃）以上であれば、十分にクロストークの発生を抑えることができる。また、Ｘ＝±Ｗ／２における｜（∂Ｍｒ／∂Ｔ）｜が、１．０（（ｅｍｕ／ｃｃ）／℃）以上であれば、さらに好ましい。これらの値の根拠については、後述する測定試験の結果に基づいている。なお、Ｘ＝±Ｗ／２における｜（∂Ｍｒ／∂Ｔ）｜の上限値は、磁性膜３を構成する材料によって変化するものである。
【００７９】
また、上記の再生動作において、トラックエッジでの温度を５０℃〜１００℃の範囲とすることによって、トラック間距離、すなわちトラックピッチを狭めることが可能となる。これは、以下のような理由によるものである。すなわち、上記の説明において、図１に示すトラックエッジ±Ｗ／２での温度Ｔedが５０℃〜１００℃の範囲にあることにより、ＴedとＴmin （ここでは室温、２５℃付近）との温度差が２５℃〜７５℃の範囲となる。すると、Ｔmin となる位置Ｘmin がトラックエッジ±Ｗ／２に近くなり、これによりガードバンド幅ｇを狭く設定することが可能になるからである。
【００８０】
さらに、上記のように、トラックエッジでの温度を５０℃〜１００℃の範囲とすると、Ｔmax を低く設定することになるので、再生時において、磁気記録媒体１の昇温に必要な時間を短くすることが可能となり、アクセスタイムの短時間化をも図ることができる。
【００８１】
また、磁気記録媒体１の記録再生方法において、記録時の磁気記録媒体１の温度が、再生時の磁気記録媒体１の温度よりも低くなるように設定すれば、記録および消去時の昇温時間を短くするとともに、昇温時の消費電力を低減することが可能になる。
【００８２】
以上のように、磁気記録媒体１として、昇温時において、抗磁場Ｈｃがトラック幅方向に一様でない、すなわち、トラック幅方向においてｄＨｃ／ｄＸが変動するような磁性膜３を備えた磁気記録媒体１を用いることによって、上記のような記録再生方法を実現することができる。また、特に、０℃から５０℃における残留磁化Ｍｒがほぼ０であるような磁気記録媒体１を用いることによって、実用上重要な問題となる、ドライブ動作時の雰囲気温度上昇、ならびに補償点温度以下での動作時における非昇温領域からの漏れ磁場によるクロストークを解決することができる。
【００８３】
より具体的に説明すると、磁気記録媒体１のデバイス形態としてハードディスクドライブを適用した場合、主にディスクを回転させるモーターの発する熱によって、密閉されたドライブ内の温度が５０℃程度となる。すなわち、ドライブ動作時には、Ｔmin は、室温（２５℃程度）ではなく、５０℃程度となってしまい、昇温させていないトラックからもＴmin に対応したＭｒmin が発生し、これがクロストークやノイズとなってしまう。また、室温補償点以下での動作を行った場合にもＭｒが発生し、クロストークの要因となる。ただし、実デバイスでは、動作温度の下限は５℃程度であることが多いため、０℃程度までＭｒがほぼ０であれば実用上問題はない。
【００８４】
そこで、上記のように、０℃から５０℃では残留磁化Ｍｒがほぼ０であるような磁気記録媒体１を用いれば、上記のようにＴmin が５０℃程度となっても、Ｍｒmin は０となり、非昇温領域からのノイズを抑制することができる。さらに、トラックエッジでの温度Ｔedとの温度差が小さくなることによって、Ｘmin の位置がよりトラックに近くなるので、さらにトラックピッチを低減することが可能となり、トラック密度の増加あるいはクロストークの低減が実現される。
【００８５】
上記のような磁気記録媒体１として、稀土類元素として少なくともＴｂを含み、遷移金属元素として少なくともＦｅ、Ｃｏを含んだ合金を磁性膜として用いた磁気記録媒体を使用すれば、上記のような特性を示す磁気記録媒体１を作製することができる。
【００８６】
以下に、上記の磁気記録媒体１を実際に作製し、種々の測定を行った結果を示す。
【００８７】
〔実施例１〕
本実施例における磁気記録媒体１は、上述したように、図９（ａ）および図９（ｂ）に示すような構成となっている。まず、このような構成の磁気記録媒体１の作成方法について以下に説明する。磁気記録媒体１の基板としては、２．５”φ（外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍ、厚さ０．６３５ｍｍ）のガラスディスク２が用いられる。そして、その上面に、ＲＦマグネトロンスパッタリング法によって磁性膜３が形成される。
【００８８】
まず、ガラスディスク２をスパッタ装置の成膜室内に取付け、真空排気によって４×１０−４Ｐａまで減圧し、スパッタガスとしてＡｒを導入してガス圧を０．６６Ｐａに調整する。そして、磁性膜３を形成する直前に、逆スパッタによってガラスディスク２の表面をエッチングし、その後引き続いて、１０００Ｗのスパッタパワーで磁性膜３を１００ｎｍの膜厚で形成する。
【００８９】
次いで、保護膜として、カーボン膜４を２０ｎｍの膜厚で形成する。カーボン膜４のスパッタ条件としては、スパッタパワーを６０Ｗとし、スパッタガスとしてＡｒを用い、ガス圧を８Ｐａとする。その後、スパッタ装置からディスクを取り出した後、速やかに潤滑剤を塗布する。
【００９０】
上記の磁性膜３としては、アモルファスのフェリ磁性体であるＴｂＦｅＣｏを用いる。この磁性膜３は、各元素の組成を調整することによって、補償点温度が室温（〜２５℃）付近となるように設定されている。このような磁性膜３の組成を蛍光Ｘ線によって分析した結果を以下に示す。Ｔｂ：Ｆｅ：Ｃｏ＝２５．８：５８．２：１６．０と、稀土類元素であるＴｂおよび遷移金属元素であるＦｅとＣｏとの和とを比べると、稀土類元素の組成比が少ないときに、補償点が室温付近になることが、以下に述べる測定結果から確認されている。なお、補償点が室温付近となる稀土類元素と遷移金属元素との組成比は、遷移金属であるＦｅとＣｏとの比によって変わるものである。
【００９１】
以上のような構成の磁性膜３の磁気特性を、ＶＳＭ（Vibrating-Sample-Magnetometer ：振動試料型磁力計）によって温度を変えながら測定し、磁性膜３の残留磁化Ｍｒおよび抗磁場Ｈｃを求めた。測定によって得られたＭｒの温度依存性を図１０に、Ｈｃの温度依存性を図１１に示す。なお、図１０および図１１において、横軸に温度をとり、縦軸にそれぞれＭｒ、Ｈｃをとっている。
【００９２】
補償点温度とは、理論的には、Ｍｒ＝０、Ｈｃ＝∞となる温度を意味している。図１０および図１１に示すように、室温である２５℃において、Ｍｒ＝０（ｅｍｕ／ｃｃ）、Ｈｃは５ｋ（Ｏｅ）以上の値が得られており、この磁性膜３の補償点温度は２５℃であることがわかる。
【００９３】
また、図１０に示すように、Ｍｒは１７５℃で約１２０（ｅｍｕ／ｃｃ）の最大値をとり、２５０℃で再び０（ｅｍｕ／ｃｃ）となっている。一方、Ｈｃは、図１１に示すように、温度の上昇とともに単調減少し、２５０℃で０（Ｏｅ）となっているが、これは、この磁性膜３のキュリー温度が２５０℃であることを示している。
【００９４】
以上のような構成の磁気記録媒体１に対して、図１２に示すような磁気記録再生装置５を用いて、その動特性評価を行った。この磁気記録再生装置５は、エアスピンドル６、エアスライダ７、磁気ヘッド８、光ピックアップ９、ピエゾステージ１０、磁気ヘッド用Ｚステージ１２、磁気ヘッド用粗動ＸＹステージ１３、光ピックアップ用Ｚステージ１４、および光ピックアップ用ＸＹステージ１５を備えている。
【００９５】
磁気記録媒体１の上部に磁気ヘッド８、下部に熱源としての光ピックアップ９が配されている。なお、この光ピックアップ９は、波長７８０ｎｍの光を、磁気記録媒体１上に１．２７μｍの光スポット径となるように照射している。
【００９６】
磁気ヘッド８の中心と光ピックアップ９の中心との位置合わせは、磁気ヘッド用粗動ＸＹステージ１３、ピエゾステージ１０によって磁気ヘッド８を動かし、光ピックアップ用ＸＹステージ１５によって光ピックアップ９を動かすことによって行われる。また、光ピックアップ９は、光ピックアップ用Ｚステージ１４によって磁性膜３にほぼ合焦する位置に調整される。磁気ヘッド８の磁気記録媒体１へのロードは磁気ヘッド用Ｚステージ１２によって行われる。そして、磁気記録媒体１は、エアスピンドル６によって回転し、磁気ヘッド８および光ピックアップ９は、エアスライダ７によって、磁気記録媒体１上のトラックの幅方向に移動する。
【００９７】
磁気ヘッド８は、複合ＭＲ（Magneto Resistive） ヘッドで構成されており、記録ヘッドと再生ヘッドとを有している。記録ヘッド幅は３．５μｍとなっており、１．２７μｍの光スポット径の約２．８倍となっている。また、再生ヘッド幅は２．６μｍとなっており、光スポット径の約２．０倍となっている。すなわち、記録ヘッドおよび再生ヘッド幅のいずれも光スポット径よりもはるかに幅が広くなっている。
【００９８】
以下に示す動作試験では、記録時において、光ピックアップ９に対してはフォーカスサーボ制御のみが行われ、トラッキングサーボ制御は行っていない。すなわち、光ピックアップ９のトラック幅方向への移動は、磁気ヘッド８と同位相でメカニカルに行った。また、同じく記録時において、光ピックアップ９から出射される光ビームに対しては、変調等は行わずに、ＤＣ（直流）照射を行った。
【００９９】
以上のような構成の磁気記録再生装置５を用いて、前述したような磁気特性を示す磁性膜３を形成した磁気記録媒体１に対し、以下に述べる昇温温度Ｔmax を変えた４種類の条件（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）において、１．５μｍ幅のトラックの形成を試みた。記録時のディスクの回転数は５４００ｒｐｍ、磁気ヘッド８の浮上量は約６０ｎｍ、書込み周波数は２ＭＨｚとした。
【０１００】
条件（Ａ）では、記録時に、磁性膜３に対してＴmax ＝２００℃となるように昇温させた。Ｔmin は室温である２５℃となっている。トラックエッジ±Ｗ／２での温度Ｔedは約１２５℃と見積もられるので、磁性膜３の１２５℃でのＨｃに相当する１０００Ｏｅを記録磁場とした。
【０１０１】
条件（Ｂ）では、記録時に、磁性膜３に対してＴmax ＝１７５℃となるように昇温させた。Ｔmin は室温である２５℃となっている。トラックエッジ±Ｗ／２での温度Ｔedは約１００℃と見積もられるので、磁性膜３の１００℃でのＨｃに相当する１５００Ｏｅを記録磁場とした。
【０１０２】
条件（Ｃ）では、記録時に、磁性膜３に対してＴmax ＝１５０℃となるように昇温させた。Ｔmin は室温である２５℃となっている。トラックエッジ±Ｗ／２での温度Ｔedは約７５℃と見積もられるので、磁性膜３の７５℃でのＨｃに相当する２０００Ｏｅを記録磁場とした。
【０１０３】
条件（Ｄ）では、記録時に、磁性膜３に対してＴmax ＝１２５℃となるように昇温させた。Ｔmin は室温である２５℃となっている。トラックエッジ±Ｗ／２での温度Ｔedは約５０℃と見積もられるので、記録磁場としては、用いた記録ヘッドの記録磁場の最大値約２５００Ｏｅ程度とした。
【０１０４】
条件（Ａ）のもとで記録を行った場合、トラックエッジ±Ｗ／２での（∂Ｈｃ／∂Ｔ）が約１６（Ｏｅ／℃）、条件（Ｂ）のもとで記録を行った場合には約２８（Ｏｅ／℃）、条件（Ｃ）のもとで記録を行った場合には約５０（Ｏｅ／℃）となっていた。すなわち、昇温温度Ｔmax が下がるにつれて、トラックエッジ±Ｗ／２での（∂Ｈｃ／∂Ｔ）は大きくなり、前述のようにトラックエッジが急峻に形成されることになる。また、条件（Ｄ）のもとで記録を行った場合、想定されるトラックエッジ±Ｗ／２での温度Ｔedに対応するＨｃ（＞５０００Ｏｅ）よりも低い記録磁場（約２５００Ｏｅ）で記録したため、（∂Ｈｃ／∂Ｔ）は、少なくとも５０（Ｏｅ／℃）よりは大きいと考えられる。
【０１０５】
このようにして形成した４種類のトラックを、ＭＦＭ（Magnetic-Force-Microscopy ；磁気力顕微鏡）によって観察した。なお、室温では残留磁化Ｍｒが発生しないので、磁気記録媒体１を１５０℃に加熱しながら、トラックの観察を行った。
【０１０６】
このＭＦＭによる観察の結果、条件（Ａ）のもとで形成したトラックでは、トラックエッジにおいてにじみが発生し、逆磁区と思われる領域がスポット状に存在することが観察された。このようなにじみ、および逆磁区の発生は、記録再生においてノイズの原因となり、Ｓ／Ｎを低下させることになる。
【０１０７】
一方、条件（Ｂ）のもとで形成したトラックでは、トラックエッジのにじみや逆磁区は観察されず、１．５μｍ幅のトラックが一様に形成されていることが観察された。さらに、条件（Ｃ）のもとで形成したトラックでも、トラックエッジのにじみや逆磁区は観察されず、１．５μｍ幅のトラックが一様に形成されていることが同様に観察された。また、この条件（Ｃ）のもとで形成されたトラックは、条件（Ｂ）のもとで形成されたトラックと比較すると、エッジ部でのコントラストがよりシャープになっており、より急峻なトラックエッジが形成されていることが観察された。
【０１０８】
このように、条件（Ｂ）および（Ｃ）のもとでトラックを形成した場合に、１．５μｍ幅のトラックが一様に形成され、トラックエッジも急峻に形成されるのは、上述したように、トラックエッジ±Ｗ／２での（∂Ｈｃ／∂Ｔ）が大きいため、記録磁場の変動δＨに対するトラックエッジ±Ｗ／２でのずれ量δＸが低減されたことによると考えられる。また、本実施例で用いた磁気記録媒体１が昇温時にトラック幅方向に一様でない抗磁界Ｈｃを示す特性を反映することによって、トラックエッジ±Ｗ／２での（∂Ｈｃ／∂Ｔ）を大きくすることができたことにもよるものである。
【０１０９】
また、条件（Ｄ）のもとで形成したトラックは、他の３つの条件で形成したトラックと比較して、トラック幅が約１．２〜１．３μｍと狭くなっていることが観察された。このように、幅の狭いトラックが形成された理由としては、幅１．５μｍに想定されたトラックエッジでのＨｃよりも低い記録磁場でトラックを形成したことによるものであると考えられる。しかしながら、このようにして形成したトラックは、トラックエッジ±Ｗ／２での（∂Ｈｃ／∂Ｔ）が最も大きいのにも関わらず、トラック幅の変動が観察された。これは、上述した式（６）において、（∂Ｈｃ／∂Ｔ）以外の要因、すなわち、光ピックアップ９のスポット径等によって決まる係数Ｃによって、変動幅が大きくなったものと考えられる。
【０１１０】
なお、この条件（Ｄ）において、記録ヘッドによって印加される記録磁場が、想定されたトラックエッジでのＨｃに対応する約５０００Ｏｅに設定することができるならば、トラック幅１．５μｍで、他の３つの条件よりもさらに急峻なトラックエッジが形成されると推測される。つまり、トラックエッジでの（∂Ｈｃ／∂Ｔ）は大きいほど良いのだが、実際には、用いる記録ヘッドが発生することのできる記録磁場の上限によって制限されると考えられる。
【０１１１】
これらの結果より、トラックエッジ±Ｗ／2 での（∂Ｈｃ／∂Ｔ）が少なくとも２８（Ｏｅ／℃）より大きいならば、トラックエッジでのにじみや逆磁区の発生のないトラックを形成することができる。さらに、この（∂Ｈｃ／∂Ｔ）が少なくとも５０（Ｏｅ／℃）より大きいならば、トラックエッジでのにじみや逆磁区の発生がなく、かつ、より急峻なトラックエッジを有するトラックを形成することができる。なお、これらの（∂Ｈｃ／∂Ｔ）の値は、上記のような記録条件、例えば、磁気記録媒体１の回転速度、光ピックアップの仕様、磁気記録媒体１の熱伝導率などによって変化するものであり、これらの値に制限されるものではない。
【０１１２】
このように、トラックエッジ±Ｗ／２での（∂Ｈｃ／∂Ｔ）の値が所定値より大きい状態でトラックを形成すれば、トラックエッジに起因するノイズが抑制されるので、Ｓ／Ｎを低減させることなくトラック密度を増加させることができる。また、上記のように、Ｈｃの温度に対する変化が急峻な範囲を含む領域はＨｃが高くなっている領域でもある。すなわち、トラック上に形成されたビットにおいて、その内部よりも周縁部になるほどＨｃが高くなっていることになるので、ＮＬＴＳ（非線形遷移シフト）などが少なく、高線密度化にも適しているという利点がある。
【０１１３】
以上のように、磁気記録媒体１における磁性膜３として、室温付近に補償点を有するフェリ磁性体を用い、光ビームによって磁気記録媒体１の温度を上昇させながら記録再生を行う磁気記録媒体１の記録再生方法において、昇温されたトラックの抗磁場Ｈｃが記録用磁気ヘッドの発生する磁場以下であり、かつ、トラックエッジでの抗磁場Ｈｃの温度に対する変化が急峻であるように磁気記録媒体１を昇温させながら、記録用磁気ヘッドの磁界を作用させることにより、記録時に光ビームを照射し昇温させた領域の温度分布によるトラックエッジのにじみの問題が解決されることが判明した。
【０１１４】
このような記録再生方法に適用する磁気記録媒体１として、昇温時に、トラック幅方向に一様でない抗磁界Ｈｃを示す磁気記録媒体、具体的には、稀土類および遷移金属の合金からなる磁気記録媒体において、稀土類元素として少なくともＴｂを含み、遷移金属元素として少なくともＦｅ、Ｃｏを含む磁気記録媒体が適用できることが示された。
【０１１５】
なお、本実施例では、上記の磁気記録再生装置５において、磁気記録媒体１の上部に磁気ヘッド８、下部に光ピックアップ９が配された構成となっていたが、これに限定されるものではなく、この配置とは逆の配置、あるいは、磁気ヘッド部と昇温部とを一体化した構成としても構わない。
【０１１６】
また、本実施例では、トラック幅を１．５μｍに設定したが、これより狭いトラックを形成する場合においても、上記と同様の方法を適用可能であることは明らかである。
【０１１７】
〔実施例２〕
次に、磁気記録媒体１上に形成されるトラックにおいて、そのトラックピッチを変化させ、種々の再生条件のもとで再生を行った際の様子を調べた結果について説明する。なお、以下の説明において、特に断らない限り、磁気記録媒体１および磁気記録再生装置５は、実施例１で示したものと同様のものを使用している。
【０１１８】
トラックピッチは、トラック幅Ｗとガードバンド幅ｇとの和として決定される。まず、実施例１において示した記録条件（Ｃ）のもとで、１．５μｍ幅のトラックを、トラックピッチを変えて４種類形成した。ガードバンド幅ｇを、０．７μｍ、０．５μｍ、０．３μｍ、０．１μｍの４種類に設定することによって、トラックピッチを２．２μｍ、２．０μｍ、１．８μｍ、１．６μｍと変化させている。図１３（ａ）ないし図１３（ｄ）は、この４種類のトラックピッチで形成したトラックおよびガードバンドの様子と、再生ヘッド１８との関係を示した模式図である。なお、本実施例において、再生ヘッド１８の幅は２．６μｍとなっている。
【０１１９】
図１３（ａ）は、トラックピッチを２．２μｍに設定した例を示している。この例において、再生ヘッド１８が乗っているトラックの両隣のトラック同士の間隔は２．９μｍとなっており、再生ヘッド１８の幅よりも広くなっている。すなわち、再生ヘッド１８の中心がトラックの中心と一致しているとすると、再生ヘッド１８の側端部から隣接トラックまで０．１５μｍ離れていることになり、クロストークの発生はほとんど起こらないことになる。
【０１２０】
図１３（ｂ）は、トラックピッチを２．０μｍに設定した例を示している。この例において、再生ヘッド１８が乗っているトラックの両隣のトラック同士の間隔は２．５μｍとなっており、再生ヘッド１８の側端部は僅かに（片側０．０５μｍ）隣接トラックに重なっていることになる。
【０１２１】
図１３（ｃ）および図１３（ｄ）は、それぞれトラックピッチを１．８μｍ、１．６μｍに設定した例を示している。これらの例において、再生ヘッド１８が乗っているトラックの両隣のトラック同士の間隔は、それぞれ２．１μｍ、１．７μｍとなっており、再生ヘッド１８の側端部は、それぞれ片側０．２５μｍ、片側０．４５μｍ、隣接トラックに重なっていることになる。よって、通常の再生方法ではクロストークが大きく発生する条件である。
【０１２２】
次に、再生条件として、再生時の昇温温度Ｔmax を１５０℃、１７５℃、２００℃と変化させて、上記の４種類のトラックピッチでのクロストークの有無を調べた結果を以下に示す。
【０１２３】
ここで、クロストークの有無を調べるにあたり、次のような測定試験を行った。まず、再生しようとするトラックに記録周波数５ＭＨｚの信号を記録し、その両側のトラックには記録周波数２ＭＨｚの信号を記録しておく。そして、このようなトラックから得られる再生信号をスペクトラムアナライザで測定すると、中央のトラックからの再生信号に相当するものは５ＭＨｚの出力として観測され、両側のトラックから混入する信号は２ＭＨｚの出力として観測される。この５ＭＨｚの信号と２ＭＨｚの信号との比ＲＴ（ｄＢ）を測定することにより、クロストークの大小が判断される。
【０１２４】
昇温温度Ｔmax ＝１５０℃では、トラックエッジ±Ｗ／２での（∂Ｍｒ／∂Ｔ）が約１（（ｅｍｕ／ｃｃ）／℃）、昇温温度Ｔmax ＝１７０℃では、トラックエッジでの（∂Ｍｒ／∂Ｔ）が約０．６（（ｅｍｕ／ｃｃ）／℃）、昇温温度Ｔmax ＝２００℃では、トラックエッジでの（∂Ｍｒ／∂Ｔ）が約０．４（（ｅｍｕ／ｃｃ）／℃）となった。このように、昇温温度Ｔmax が下がるにつれて、トラックエッジ±Ｗ／２での変化率（∂Ｍｒ／∂Ｔ）は大きくなる。したがって、トラックエッジ±Ｗ／２での変化率（∂Ｍｒ／∂Ｔ）が最も大きくなる、昇温温度Ｔmax が１５０℃の再生条件のときに、クロストークが最も低くなると考えられる。以下に、この測定結果を述べる。
【０１２５】
トラックピッチが２．２μｍの場合には、いずれの再生条件においてもＲＴは３５ｄＢより大きくなっており、クロストークは問題にならない程度であることがわかった。
【０１２６】
トラックピッチが２．０μｍの場合には、昇温温度Ｔmax が１５０℃、１７５℃の条件ではＲＴは３５ｄＢより大きくなっており、クロストークは問題にならない程度であるが、昇温温度Ｔmax が２００℃の条件では、ＲＴの最低が３２ｄＢとなっており、ややクロストークがみられた。
【０１２７】
トラックピッチが１．８μｍの場合には、昇温温度Ｔmax が１５０℃の条件ではＲＴは３５ｄＢより大きくなっており、クロストークは問題にならない程度であるが、昇温温度Ｔmax が１７５℃、２００℃の条件では、ＲＴの最低が３０ｄＢとなっており、クロストークが問題になることが判明した。
【０１２８】
また、トラックピッチが１．６μｍの場合には、昇温温度Ｔmax が１５０℃の条件では、ＲＴの最低が３３ｄＢとなっており、クロストークはややあるものの、実用上問題ない程度であるが、昇温温度Ｔmax が１７５℃、２００℃の条件では、ＲＴの最低が２５ｄＢとなっており、クロストークが問題になることが判明した。
【０１２９】
これらの結果から、上記の４種類のいずれかのトラックピッチにおいても、トラックエッジでの（∂Ｍｒ／∂Ｔ）が１（（ｅｍｕ／ｃｃ）／℃）と大きい、言い換えると、磁気記録媒体１の残留磁化Ｍｒが急峻に変化する範囲を含むように昇温させた、昇温温度Ｔmax ＝１５０℃の条件においては、昇温させた領域の温度分布による隣接トラックからのクロストークを抑制することが可能となり、トラックピッチが狭い場合においても十分な品質の信号を再生することができることがわかった。
【０１３０】
ここで、残留磁化Ｍｒの温度に対する変化が急峻であるとは、トラックエッジ±Ｗ／２において、｜（∂Ｍｒ／∂Ｔ）｜が０．６（（ｅｍｕ／ｃｃ）／℃）以上であることを意味する。また、上記の結果より、｜（∂Ｍｒ／∂Ｔ）｜が１（（ｅｍｕ／ｃｃ）／℃）以上となる条件において再生を行う方がより好ましい。
【０１３１】
トラックエッジ±Ｗ／２における｜（∂Ｍｒ／∂Ｔ）｜の上限値は、磁性膜３の材料などによって変化するものであるが、本実施例における磁性膜３においては、｜（∂Ｍｒ／∂Ｔ）｜が急峻となるためには、昇温温度Ｔmax を低くする必要があった。しかしながら、昇温温度Ｔmax を低くすると、クロストークは低減されるものの、磁性膜３における残留磁化Ｍｒの値も小さくなるので、Ｓ／Ｎ自体が低下してしまうという問題が発生する。よって、これらのことを考慮しながら、トラックエッジ±Ｗ／２における｜（∂Ｍｒ／∂Ｔ）｜の上限値を設定する必要がある。
【０１３２】
また、昇温温度Ｔmax を１５０℃に設定した場合、トラックエッジでの温度Ｔedはおよそ７５℃程度と見積もられ、Ｔedがこの程度の温度であれば、室温である２５℃付近、すなわちＭｒが実質的に０となる温度まで下がるのに必要なガードバンド幅ｇを狭くすることができるので、トラックピッチを狭くすることにも有効であることも判明した。
【０１３３】
また、トラックエッジでの温度Ｔedを１００℃程度とするには、昇温温度Ｔmax を１７５℃程度にする必要があり、上記の結果より、この昇温温度Ｔmax の値は、クロストークの発生を抑えられる上限の値となっているので、トラックエッジでの温度Ｔedの上限値は１００℃であることがわかる。また、トラックエッジでの温度Ｔedがこの温度よりも高くなると、Ｍｒが実質的に０となる温度まで下がるのに必要なガードバンド幅ｇを広くする必要が生じるので、この点を鑑みても、トラックエッジでの温度Ｔedの上限値は１００℃程度となる。
【０１３４】
また、トラックエッジでの温度Ｔedを５０℃程度とするには、昇温温度Ｔmax を低くする必要があるが、上記のように、残留磁化Ｍｒの値が小さくなることによるＳ／Ｎの低下の問題もあるので、トラックエッジでの温度Ｔedの下限値は５０℃程度となる。
【０１３５】
これらの結果より、トラックエッジでの温度Ｔedは、５０℃〜１００℃の範囲で適切に設定する必要がある。
【０１３６】
以上のように、磁気記録媒体１における磁性膜３として、室温付近に補償点を有するフェリ磁性体を用い、光ビームによって磁気記録媒体１の温度を上昇させながら記録再生を行う磁気記録媒体の記録再生方法において、昇温されたトラックにおけるトラックエッジでの、残留磁化Ｍｒの温度に対する変化が急峻であるように、磁気記録媒体１の温度を昇温させながら、磁気記録媒体１から発生する磁場を検出することによって、トラックから発生する磁界がトラックエッジにおいて急峻に減少するため、隣接トラックからのクロストークを抑えることができる。
【０１３７】
また、トラックエッジでの温度Ｔedを５０℃〜１００℃の範囲に設定することにより、クロストークの発生を抑えつつ、ガードバンド幅ｇを小さく設定することが可能となるので、トラックピッチを狭めることが可能となり、これによりトラック密度を増加させることが可能となる。
【０１３８】
なお、本実施例においては、トラック幅として１．５μｍ、トラックピッチとして１．６〜２．２μｍのものを例示したが、これより狭いトラックおよびトラックピッチが形成された磁気記録媒体１を再生する際にも、上記と同様の方法を適用できることは明らかである。
【０１３９】
〔実施例３〕
次に、上記の磁気記録再生装置５を筺体内に収め、実際の製品とほぼ同様の仕様としたものを用いて、上記の磁気記録媒体１を記録再生した際の様子を説明する。なお、特に断らない限り、磁気記録媒体１および記録再生方法は、実施例１および２で示したものと同様となっている。
【０１４０】
磁気記録媒体１としては、１．５μｍ幅のトラックを１．６μｍのトラックピッチとなるように形成したものを使用した。また、再生時の昇温条件として、昇温温度Ｔmax を１５０℃に設定して再生を行った。
【０１４１】
この結果、実施例１および２における磁気記録再生装置５では、上記のような条件のもとで再生を行った場合に、ＲＴは３３ｄＢ以上となり、クロストークの発生は抑えられていたが、本実施例における磁気記録再生装置５では、ＲＴは２２ｄＢ以上となり、クロストークが大きく問題になることが判明した。
【０１４２】
この原因を調べたところ、筺体内の温度が、磁気記録媒体１を回転させるためのモーターの発熱によって約５０℃にまで上昇していることがわかった。これによって、昇温部以外の隣接トラックのＭｒによる漏れ磁場が発生し、クロストークが生じる原因となっていることが判明した。
【０１４３】
また、室温補償点以下に冷却した場合にも、隣接トラックのＭｒによる漏れ磁場が発生することが確認され、クロストークの要因となることが懸念された。ただし、実デバイスでは、動作温度の下限が５℃程度に設定されていることが多いため、０℃程度までＭｒがほぼ０であれば実用上問題はない。
【０１４４】
そこで、室温に補償点を有し、なおかつ、０℃から５０℃までのＭｒがなるべく小さい磁性膜３を得るべく、ＴｂＦｅＣｏ合金からなる磁性膜３の組成比を検討した結果、以下に示す特性を有する磁性膜を作製することに成功した。なお、作製した磁性膜３の組成は、Ｔｂ：Ｆｅ：Ｃｏ＝３１．２：２０．８：４８．０となっている。この組成において、室温補償点に関与する、稀土類元素と遷移金属元素との組成比は、遷移金属であるＦｅとＣｏとの比によって変わるため、実施例１および２で用いた磁性膜３の組成比とは異なっているものの、稀土類元素であるＴｂよりも遷移金属元素であるＦｅとＣｏとの和が多いことには変わりはない。また、本実施例における磁性膜３の特徴は、実施例１および２で用いた磁性膜３とは逆に、ＦｅとＣｏとの組成比が約３：７とＣｏ量が多いという点である。
【０１４５】
本実施例の磁性膜３におけるＭｒの温度依存性を図１４に、Ｈｃの温度依存性を図１５にそれぞれ示す。なお、図１４、図１５ともに横軸に温度をとり、縦軸にそれぞれＭｒ、Ｈｃをとっている。
【０１４６】
図１４および図１５に示すように、室温である２５℃においては、Ｍｒ＝０（ｅｍｕ／ｃｃ）、Ｈｃは５ｋ（Ｏｅ）以上の値が得られており、この磁性膜３の補償点温度は２５℃であることがわかる。
【０１４７】
また、Ｍｒは、図１４に示すように、０℃から５０℃において約１０（ｅｍｕ／ｃｃ）以下を示しており、ほぼＭｒ＝０とみなすことができる。また、Ｍｒは、７５℃で急激に増加し、２２５℃までは単調に増加しつづけ、この２２５℃において約１２０（ｅｍｕ／ｃｃ）以上の最大値をとる。そして、２２５℃以上では急激に減少し、２５０℃では約６０（ｅｍｕ／ｃｃ）以下となり、２７５℃近傍にキュリー温度があると推測される。
【０１４８】
また、Ｈｃは、図１５に示すように、温度の上昇とともに単調減少し、２５０℃でほとんど０となっており、上記の２７５℃近傍にキュリー温度があるという推測に一致している。
【０１４９】
このような磁性膜３を用いた場合、磁気記録再生装置５における筺体内の温度が５０℃程度となっていても、発生するＭｒはほぼ０となるものと考えられる。以下に、このような磁性膜３を備えた磁気記録媒体１を実際に作製し、本実施例の磁気記録再生装置５を用いて評価試験を行った結果を示す。
【０１５０】
上記と同様に、磁気記録媒体１に対して、１．５μｍ幅のトラックを１．６μｍピッチで形成し、再生時の昇温条件として、昇温温度Ｔmax ＝１５０℃として評価試験を行った。結果としては、ＲＴとして３５ｄＢ以上の値を得ることができ、クロストークの発生を抑えることができた。さらに、実施例１および２で使用した磁気記録媒体１および磁気記録再生装置５の組み合わせでは、上記のように、ＲＴは３３ｄＢ以上程度の値となっており、本実施例の磁気記録媒体１および磁気記録再生装置５の組み合わせの方が２ｄＢ程度向上していることが判明した。
【０１５１】
これは、本実施例の磁気記録媒体１における磁性膜３では、０℃から５０℃程度まではＭｒがほぼ０となっており、磁気記録再生装置５の筺体内の温度上昇が生じても、クロストークの要因となる漏れ磁場の発生が抑えられることによるものと考えられる。また、室温補償点温度（５℃）以下の動作においても、クロストークの発生が抑えられることが確認された。
【０１５２】
さらに、記録時の磁気記録媒体１の温度を再生時の磁気記録媒体１の温度以下（記録時１５０℃、再生時１５０℃）とすることによって、記録（消去）時の昇温時間を短くすることが可能となり、アクセスタイムの短時間化を図ることができる。また、昇温時の光ピックアップのパワーを低く設定できるので、消費電力を低く抑えることができる。
【０１５３】
以上のように、磁気記録媒体１における磁性膜３として、０℃から５０℃程度まではＭｒがほぼ０となっている磁性膜を用いることによって、磁気記録再生装置５の筺体内の温度上昇が生じても、クロストークの要因となる漏れ磁場の発生が抑えられることがわかる。
【０１５４】
【発明の効果】
以上のように、磁気記録媒体の記録再生方法は、補償点温度が略室温であるフェリ磁性体からなる磁性膜が形成された磁気記録媒体を用い、記録時には、上記磁性膜に光ビームを照射して記録すべきトラックを昇温することによって抗磁場を小さくし、磁気ヘッドを介して信号磁界を印加することによって情報を記録し、再生時には、上記磁性膜に光ビームを照射して再生すべきトラックを昇温することによって残留磁化を大きくし、その再生すべきトラックから発せられる磁束を磁気ヘッドを介して検知することによって情報を再生する磁気記録媒体の記録再生方法において、トラックエッジにおける抗磁場の温度に対する変化が２８（Ｏｅ／℃）以上となるように、上記磁性膜における記録すべきトラックを昇温させながら、磁気ヘッドによって信号磁界を印加し、情報を記録する。
【０１５５】
これにより、トラックエッジを境にして、内側と外側との抗磁場の値の変化を急激にすることができるので、記録すべきトラックのトラックエッジよりも内側の領域には磁気ヘッドからの信号磁界が確実に印加される一方、記録すべきトラックのトラックエッジよりも外側の領域には、磁気ヘッドからの信号磁界の印加がほとんど行われずに情報を記録することができる。よって、トラックエッジ近傍における、印加された磁界のにじみの発生が抑えられ、ノイズを低減することができるという効果を奏する。
【０１５６】
また、トラックピッチを小さくしても、記録すべきトラックに隣接するトラックに対して影響を及ぼすことがなくなるので、ノイズなどの問題を生じさせることなく、トラック密度の高い磁気記録媒体に対して記録動作を行うことが可能となるという効果を奏する。
【０１５７】
請求項１の発明に係る磁気記録媒体の記録再生方法は、補償点温度が略室温であるフェリ磁性体からなる磁性膜が形成された磁気記録媒体を用い、記録時には、上記磁性膜に光ビームを照射して記録すべきトラックを昇温することによって抗磁場を小さくし、磁気ヘッドを介して信号磁界を印加することによって情報を記録し、再生時には、上記磁性膜に光ビームを照射して再生すべきトラックを昇温することによって残留磁化を大きくし、その再生すべきトラックから発せられる磁束を磁気ヘッドを介して検知することによって情報を再生する磁気記録媒体の記録再生方法において、トラックエッジにおける残留磁化の温度に対する変化が０．６（（ｅｍｕ／ｃｃ）／℃）以上となるように、上記磁性膜における再生すべきトラックのトラックエッジにおける昇温温度を５０℃から１００℃の間に設定して、該再生すべきトラックを昇温させながら、磁気ヘッドによって再生すべきトラックから発せられる磁束を検知し、情報を再生する。
【０１５８】
これにより、トラックエッジを境にして、内側と外側との残留磁化の値の変化を急激にすることができる。したがって、再生すべきトラックのトラックエッジよりも外側の領域から発せられる磁束を低く抑えることができるので、隣接するトラックからのクロストークを低減することができるという効果を奏する。
【０１５９】
また、トラックピッチを小さくしても、再生すべきトラックに隣接するトラックからの影響を受けることなく再生を行うことができるので、クロストークなどの問題を生じさせることなく、トラック密度の高い磁気記録媒体に対して再生動作を行うことが可能となるという効果を奏する。
【０１６０】
また、請求項１の発明に係る磁気記録媒体の記録再生方法は、再生すべきトラックのトラックエッジにおける昇温温度を５０℃から１００℃の間に設定する。
【０１６１】
これにより、さらに、トラックエッジの外側において、残留磁化がほぼ０となる室温近傍にまで温度が下がるのに必要な距離を小さくすることができる。よって、ガードバンドの幅を小さく設定することができるので、トラックピッチを小さくすることが可能となり、トラック密度の高い磁気記録媒体に対しても、クロストークなどの問題が発生することなく再生動作を行うことができるという効果を奏する。
【０１６２】
請求項２の発明に係る磁気記録媒体の記録再生方法は、記録時に昇温される記録すべきトラックにおける最高温度が、再生時に昇温される再生すべきトラックにおける最高温度以下である。
【０１６３】
これにより、請求項１の方法による効果に加えて、記録時の昇温時間を短くすることができ、また、昇温時の消費電力を低減することが可能となるという効果を奏する。
【０１６４】
磁気記録媒体は、補償点温度が略室温であり、かつ０℃から５０℃の範囲では残留磁化が略０であるフェリ磁性体からなる磁性膜が形成された構成である。
【０１６５】
これにより、実際に磁気記録媒体を磁気記録再生装置に設けて使用した場合に、ドライブ動作時の雰囲気温度上昇や補償点温度以下での動作時における非昇温領域からの漏れ磁場によるクロストークの発生を抑えることができるという効果を奏する。
【０１６６】
磁気記録媒体は、上記磁性膜は、稀土類および遷移金属の合金から構成されており、稀土類元素として少なくともＴｂを含み、遷移金属元素として少なくともＦｅ、Ｃｏを含んでいる構成である。
【０１６７】
これにより、上記補償点温度が略室温であり、かつ０℃から５０℃の範囲では残留磁化が略０である特性を有する磁性膜を実現することが可能となる。
【０１６８】
請求項４の発明に係る磁気記録再生装置は、補償点温度が略室温であるフェリ磁性体からなる磁性膜が形成された磁気記録媒体と、上記磁気記録媒体に光ビームを照射する光ピックアップと、上記磁気記録媒体に対して記録動作および再生動作を行う磁気ヘッドとを備え、請求項１ないし３のいずれかに記載の磁気記録媒体の記録再生方法によって記録および再生を行う構成である。
【０１６９】
これにより、トラックエッジを境にして、内側と外側との抗磁場の値の変化を急激にすることができるので、記録すべきトラックのトラックエッジよりも内側の領域には磁気ヘッドからの信号磁界が確実に印加される一方、記録すべきトラックのトラックエッジよりも外側の領域には、磁気ヘッドからの信号磁界の印加がほとんど行われずに情報を記録することができる。よって、トラックエッジ近傍における、印加された磁界のにじみの発生が抑えられ、ノイズを低減することができるという効果を奏する。
【０１７０】
また、トラックピッチを小さくしても、記録すべきトラックに隣接するトラックに対して影響を及ぼすことがなくなるので、ノイズなどの問題を生じさせることなく、トラック密度の高い磁気記録媒体に対して記録動作を行うことが可能な磁気記録再生装置を提供することができるという効果を奏する。
【０１７１】
また、トラックエッジを境にして、内側と外側との残留磁化の値の変化を急激にすることができる。したがって、再生すべきトラックのトラックエッジよりも外側の領域から発せられる磁束を低く抑えることができるので、隣接するトラックからのクロストークを低減することができるという効果を奏する。
【０１７２】
また、トラックピッチを小さくしても、再生すべきトラックに隣接するトラックからの影響を受けることなく再生を行うことができるので、クロストークなどの問題を生じさせることなく、トラック密度の高い磁気記録媒体に対して再生動作を行うことが可能な磁気記録再生装置を提供することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施の一形態に係る磁気記録媒体のトラックにおける昇温時の抗磁場の分布を示すグラフである。
【図２】  上記磁気記録媒体のトラックにおける昇温時の温度の分布を示すグラフである。
【図３】  上記磁気記録媒体における抗磁場の温度依存性を示すグラフである。
【図４】  上記磁気記録媒体における残留磁化の温度依存性を示すグラフである。
【図５】  上記磁気記録媒体において、ガードバンド幅をトラックの幅よりも小さく設定した時の、昇温時の残留磁化の分布を示すグラフである。
【図６】  上記磁気記録媒体において、ガードバンド幅を０に設定した時の、昇温時の残留磁化の分布を示すグラフである。
【図７】  上記磁気記録媒体において、ガードバンド幅をトラックの幅と等しく設定した時の、昇温時の残留磁化の分布を示すグラフである。
【図８】  上記磁気記録媒体において、トラックエッジでの残留磁化の勾配を変化させた時の残留磁化の分布を示すグラフである。
【図９】  同図（ａ）は、上記磁気記録媒体の形状の概略を示す平面図であり、同図（ｂ）は、上記磁気記録媒体の断面の概略を示す断面図である。
【図１０】  上記磁気記録媒体の一実施例における残留磁化の温度依存性の測定結果を示すグラフである。
【図１１】  上記実施例における抗磁場の温度依存性の測定結果を示すグラフである。
【図１２】  上記磁気記録媒体の記録再生を行う磁気記録再生装置の概略構成を示す側面図である。
【図１３】  同図（ａ）ないし（ｄ）は、上記磁気記録媒体上に形成されたトラックと再生ヘッドとの位置関係を示す説明図である。
【図１４】  上記磁気記録媒体の他の実施例における残留磁化の温度依存性の測定結果を示すグラフである。
【図１５】  上記実施例における抗磁場の温度依存性の測定結果を示すグラフである。
【符号の説明】
１    磁気記録媒体
２    ガラスディスク
３    磁性膜
４    カーボン膜
５    磁気記録再生装置
６    エアスピンドル
７    エアスライダ
８    磁気ヘッド
９    光ピックアップ
１０    ピエゾステージ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
0004146947.tif 000014
【図１０】
0004146947.tif 000015
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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