(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
主相とガラス相とを有する誘電体磁器からなり、該主相は誘電特性を発現する誘電体成分からなり、該誘電体成分にはＢｉが固溶し、該主相及び／又は該ガラス相にはＡｇが固溶しており、該主相はｘＢａＯ・ｙＴｉＯ２・ｚＮｄ２Ｏ３で表される成分を主成分とし、ｘは１２≦ｘ≦１９、ｙは６４≦ｙ≦７４、ｚは９≦ｚ≦１９であり、ＢｉはＢｉ２Ｏ３換算で該主成分に対して１２〜２４ｗｔ％の割合で含有され、ＡｇはＡｇ２Ｏ換算で該主成分に対して１〜４ｗｔ％の割合で含有され、該ガラス相は該主成分に対して５〜１２ｗｔ％の割合で含有されていることを特徴とする誘電体磁器組成物。
【請求項２】
前記主相にＰｂが固溶していることを特徴とする請求項１に記載の誘電体磁器組成物。
【請求項３】
ＰｂがＰｂＯ換算で前記主相の主成分に対して５ｗｔ％以下の割合で含有されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の誘電体磁器組成物。
【請求項４】
前記ガラス相にＣｕが固溶していることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
【請求項５】
ＣｕがＣｕＯ換算で前記主相の主成分に対して２ｗｔ％以下の割合で含有されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
【請求項６】
誘電体層と内部電極とを積層してなる素体と、該素体の外部に形成され且つ該内部電極に電気的に接続された外部電極とを備え、前記誘電体層は主相とガラス相とを有する誘電体磁器からなり、該主相は誘電特性を発現する誘電体成分からなり、該誘電体成分にはＢｉが固溶し、該主相及び／又は該ガラス相にはＡｇが固溶しており、該主相はｘＢａＯ・ｙＴｉＯ２・ｚＮｄ２Ｏ３で表される成分を主成分とし、ｘは１２≦ｘ≦１９、ｙは６４≦ｙ≦７４、ｚは９≦ｚ≦１９であり、ＢｉはＢｉ２Ｏ３換算で該主成分に対して１２〜２４ｗｔ％の割合で含有され、ＡｇはＡｇ２Ｏ換算で該主成分に対して１〜４ｗｔ％の割合で含有され、該ガラス相は該主成分に対して５〜１２ｗｔ％の割合で含有されていることを特徴とするセラミック電子部品。
【請求項７】
前記主相にＰｂが固溶していることを特徴とする請求項６に記載のセラミック電子部品。
【請求項８】
ＰｂがＰｂＯ換算で前記主相の主成分に対して５ｗｔ％以下の割合で含有されていることを特徴とする請求項６又は７に記載のセラミック電子部品。
【請求項９】
前記ガラス相にＣｕが固溶していることを特徴とする請求項６〜８のいずれかに記載のセラミック電子部品。
【請求項１０】
ＣｕがＣｕＯ換算で前記主相の主成分に対して２ｗｔ％以下の割合で含有されていることを特徴とする請求項６〜９のいずれかに記載のセラミック電子部品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、例えばフィルタ、コンデンサ、デュプレクサ、共振器等のセラミック電子部品、特に高周波用のセラミック電子部品とこれに用いられている誘電体磁器組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
フィルタ、コンデンサ、デュプレクサ、共振器等のセラミック電子部品は、一般に、電極材料と誘電体磁器とを所定の積層構造に形成し、これらを一体的に焼結させて製造されている。積層構造をとることで、小型でありながら高性能の積層セラミック電子部品を実現することが可能になる。
【０００３】
セラミック電子部品の代表例としてはチタン酸バリウム系の誘電体磁器とＮｉ金属の電極材料とを積層構造に形成し、これらを高温で一体的に焼結させて形成した小型・大容量の積層セラミックコンデンサがある。
【０００４】
ところで、近年、高周波を利用した移動体通信機器が広く使用されてきており、そのため、高周波用のセラミック電子部品の高性能化が求められている。
【０００５】
高周波用のセラミック電子部品の特性は、まず、誘電体層の材料として使用される誘電体磁器の誘電特性に大きく影響される。高周波用のセラミック電子部品の誘電体層の材料として使用される誘電体磁器としては、ＢａＯ−ＴｉＯ２ 系誘電体磁器、ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３ −ＴｉＯ２ 系誘電体磁器、ＭｇＴｉＯ２ −ＣａＴｉＯ２ 系誘電体磁器などが知られている。
【０００６】
また、高周波用のセラミック電子部品の電気特性は、内部電極の材料として使用される金属の導電性にも影響される。すなわち、マイクロ波用積層セラミック電子部品の内部電極の材料としては導電性の良い金属が好ましい。そして、導電性の良い金属としてはＡｇ，Ｃｕ等が挙げられる。
【０００７】
しかし、Ａｇ，Ｃｕ等の金属は融点が低く、９００〜１０５０℃という低温で焼結させる必要があるのに対し、高周波用のセラミック電子部品の誘電体層の材料として使用されている前記誘電体磁器は焼結温度が１２００℃以上とかなり高い。このため、誘電体層と内部電極とを一体的に焼成して焼結させることができず、このままではＡｇ，Ｃｕ等の金属を内部電極の材料として使用することはできない。
【０００８】
Ａｇ，Ｃｕ等の金属を高周波用のセラミック電子部品の内部電極の材料として使用できるようにするためには、誘電体層の材料として使用されている前記誘電体磁器の焼結温度を９００〜１０５０℃程度にしなければならない。
【０００９】
一般に、誘電体磁器の焼結温度を下げる方法の一つとして、誘電体磁器中にガラス成分を添加する方法がある。従来の誘電体磁器の焼結温度は上述したように１２００℃以上と高いので、この誘電体磁器の焼結温度を９００〜１０５０℃程度まで下げるためにはガラス成分をかなり多量に添加しなければならない。
【００１０】
しかし、高周波用のセラミック電子部品の誘電体層の材料として使用されている誘電体磁器中にガラス成分を多量に添加すると誘電体磁器が本来有している誘電特性が低下し、所望の誘電特性が得られなくなってしまう。
【００１１】
そこで、Ａｇ，Ｃｕ等と一体焼成できる程度の低い温度で焼結させることができ、しかも、誘電特性を発現している主相が本来有している誘電特性を充分に引き出すことができる誘電体磁器が求められ、そのような誘電体磁器として、例えば、特開２０００−５８３６７、特開２００１−３１４６８、特開２００１−３１４７０等で公開されたものが提案されている。
【００１２】
特開２０００−５８３６７で公開された積層セラミック電子部品は、誘電体層と内部電極とを積層してなる素体と、該素体の外部に形成され且つ該内部電極に電気的に接続された外部電極とを備え、前記誘電体層は主相とガラス相とを有する誘電体磁器からなり、該主相は誘電特性を発現する成分からなり、該ガラス相にはＡｇが固溶している。
【００１３】
ここで、前記主相がＢａＯ−ｘＴｉＯ２で表わされる成分からなる場合、ｘは３．４７〜５．７１が好ましい。また、前記主相がＢａＯ−ｙＮｄ２Ｏ３−ｚＴｉＯ２で表わされる成分からなる場合、ｙは０．６５〜１．４２、ｚは２．２９〜５．４２が好ましい。
【００１４】
この発明によれば、ガラス相にＡｇを固溶させたので、焼成時におけるガラスの粘性が低下し、より低い焼成温度での焼結が可能となり、焼結温度の高い誘電材料（主相）をその誘電特性を低下させることなく低い温度で焼結させることができ、従って、導電性の良いＡｇ，Ｃｕ等を内部電極の材料として使用することができ、その結果、高周波特性の良い積層セラミック電子部品を提供することができる。
【００１５】
特開２００１−３１４６８で公開された誘電体磁器組成物は、一般式ｘＢａＯ・ｙＮｄ２Ｏ３・ｚＴｉＯ２（ただし、６≦ｘ≦２３、１３≦ｙ≦３０、６４≦ｚ≦６８、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００の関係を有する）で表される主成分に対して、副成分としてＣｕ酸化物をＣｕＯ換算にて０．１〜３．０重量％、Ｚｎ酸化物をＺｎＯ換算にて０．１〜４．０重量％、Ｂ酸化物をＢ２Ｏ３換算にて０．１〜３．０重量％、Ａｇを０．３〜１．５重量％の範囲で含有したものからなる。
【００１６】
この発明によれば、所定の組成範囲にあるＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２系主成分とともに、Ｃｕ酸化物、Ｚｎ酸化物、Ｂ酸化物およびＡｇが含有されるので、誘電特性を低下させることなく、ＡｇまたはＡｇを主成分とする合金の融点以下で焼結可能な誘電体磁器組成物が得られる。
【００１７】
これにより、低抵抗であるＡｇやＡｇ合金のような融点の低い金属を内部導体として電子部品を構成することが可能となり、結果として高周波デバイスの諸特性の向上、小型化、低コスト化が可能となる。
【００１８】
さらに、副成分として含有されるＡｇが、内部導体から誘電体内へのＡｇ拡散を抑制するので、誘電特性の不均一性が防止され、かつ、内部導体と誘電体間の空隙の発生や、内部導体の外部接続部位における引き込み発生が防止される。
【００１９】
特開２００１−３１４７０で公開された誘電体磁器組成物は、一般式ｘＢａＯ・ｙＮｄ２Ｏ３・ｚＴｉＯ２（ただし、６≦ｘ≦２３、１３≦ｙ≦３０、６４≦ｚ≦６８、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００の関係を有する）で表される主成分に対して、副成分としてＣｕ酸化物をＣｕＯ換算にて０．１〜３．０重量％、ガラス組成物を２．０〜１０重量％、Ａｇを０．３〜１．５重量％の範囲で含有するものとし、上記のガラス組成物は以下の組成の範囲にあるものとする。
【００２０】
５重量％≦ＳｉＯ２≦１５重量％  １５重量％≦Ｂ２Ｏ３≦２５重量％  ５０重量％≦（Ｍｇ＋ＢａＯ＋ＳｒＯ＋ＺｎＯ＋ＣａＯ）≦８０重量％  ９０重量％≦（ＳｉＯ２＋Ｂ２Ｏ３＋ＭｇＯ＋ＢａＯ＋ＳｒＯ＋ＺｎＯ＋ＣａＯ）≦１００重量％
【００２１】
この発明によれば、所定の組成範囲にあるＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２系主成分とともに、Ｃｕ酸化物、所定の組成範囲にあるガラス組成物およびＡｇが含有されるので、誘電特性を低下させることなく、ＡｇまたはＡｇを主成分とする合金の融点以下で焼結可能な誘電体磁器組成物が得られる。
【００２２】
これにより、低抵抗であるＡｇやＡｇ合金のような融点の低い金属を内部導体として電子部品を構成することが可能となり、結果として高周波デバイスの諸特性の向上、小型化、低コスト化が可能となる。
【００２３】
さらに、副成分として含有されるＡｇが、内部導体から誘電体内へのＡｇ拡散を抑制するので、誘電特性の不均一性が防止され、かつ、内部導体と誘電体間の空隙の発生や、内部導体の外部接続部位における引き込み発生が防止される。
【００２４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、近年における電子回路の小型化、高密度化の流れはとどまるところがなく、高周波用のセラミック電子部品についても更なる小型化が求められ、小型化のための種々の工夫が回路設計上においてなされている。
【００２５】
また、高周波用のセラミック電子部品の小型化に関しては積層セラミック電子部品で使用されている誘電体磁器組成物の誘電率の大きさも大きく影響しており、誘電率が大きい方がセラミック電子部品を小型化し易いので、ここで使用される誘電体磁器組成物の更なる高誘電率化が求められている。
【００２６】
この発明は、従来よりも更に小型化した高周波用のセラミック電子部品とこれに用いることのできる高誘電率の誘電体磁器組成物を提供することを目的とする。
【００２７】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る誘電体磁器組成物は主相とガラス相とからなり、該主相は誘電特性を発現する誘電体成分からなり、該誘電体成分にはＢｉが固溶し、該主相及び／又は該ガラス相にはＡｇが固溶しており、この発明に係るセラミック電子部品は、誘電体層と内部電極とを積層してなる素体と、該素体の外部に形成され且つ該内部電極に電気的に接続された外部電極とを備え、前記誘電体層は前記誘電体磁器組成物からなるものである。
【００２８】
ここで、誘電特性を発現する主相としてはＢａＯ−ＴｉＯ２−Ｎｄ２Ｏ３で表される成分を主成分として使用することができる。この場合、ＢａＯ−ＴｉＯ２−Ｎｄ２Ｏ３系の成分をｘＢａＯ−ｙＴｉＯ２−ｚＮｄ２Ｏ３ で表わした場合、ｘは１２≦ｘ≦１９、ｙは６４≦ｙ≦７４、ｚは９≦ｚ≦１９の範囲が好ましい。
【００２９】
ｘを１２≦ｘ≦１９の範囲としたのは、ｘが１２未満になると所望の誘電率が得られなくなったり、焼結性が低下し、ｘが１９を越えると電気特性であるτｆが＋側に大きくシフトしたり、所望のＱ値が得られなくなるからである。
【００３０】
ｙを６４≦ｙ≦７４の範囲としたのは、ｙが６４未満になると電気特性であるτｆが−側にシフトしたり、所望のＱ値が得られなくなり、ｙが７４を越えると焼結性が低下したり、電気特性であるτｆが＋側にシフトしてしまうからである。
【００３１】
ｚを９≦ｚ≦１９の範囲としたのは、ｚが９未満になると電気特性であるτｆが＋側にシフトしたり、所望のＱ値が得られなくなり、ｚが１９を越えると所望の誘電率が得られず、所望のＱ値が得られなくなり、また焼結性が低下するからである。
【００３２】
また、主相にはＢｉがＢｉ２Ｏ３換算で主相の主成分に対して１２〜２４ｗｔ％の割合で固溶されている。ＢｉがＢｉ２Ｏ３換算で主相の主成分に対して１２ｗｔ％未満になると所望の誘電率が得られず、ＢｉがＢｉ２Ｏ３換算で主相の主成分に対して２４ｗｔ％を超えると焼結性が低下し、所望の誘電率が得られず、またＱが低くなるからである。
【００３３】
また、ＡｇはＡｇ２Ｏ換算で主相の主成分に対して１〜４ｗｔ％含有されているのが好ましい。Ａｇが主相の主成分に対して１ｗｔ％未満になると焼結性が低下し、内部電極端部に空隙ができ、Ａｇが主相の主成分に対して４ｗｔ％を越えるとＡｇが析出して絶縁抵抗ＩＲが劣化するからである。
【００３４】
また、前記ガラス相は前記主相の主成分に対して５〜１２ｗｔ％含有されているのが好ましい。ガラス相が主相の主成分に対して５ｗｔ％未満になると焼結できなくなり、１２ｗｔ％を越えると所望の誘電率が得られず、Ｑが悪化してしまうからである。
【００３５】
また、ＰｂはＰｂＯ換算で主相の主成分に対して５ｗｔ％以下であれば含有されていてもよい。Ｐｂを添加しなくても所望の誘電体磁器組成物は得られるが、Ｐｂが主相の主成分に対して５ｗｔ％を超えるとτｆが大きくシフトしてしまうからである。
【００３６】
また、ＣｕはＣｕＯ換算で主相の主成分に対して０〜２ｗｔ％含有されていてもよい。Ｃｕを添加しなくても所望の誘電体磁器組成物は得られるが、Ｃｕが主相の主成分に対して２ｗｔ％を超えるとτｆが−側に大きくシフトしてしまうからである。
【００３７】
なお、Ｂａ，Ｔｉ，Ｎｄ，Ｂｉ，Ｐｂは主相の成分であるが、焼成によりこれらの成分がガラス相に拡散する可能性があるので、これらの成分がガラス相に微量含まれていてもよい。
【００３８】
【実施例】
実施例１  まず、主相形成成分として、ＢａＯ、ＴｉＯ２、Ｎｄ２Ｏ３、Ｂｉ２ Ｏ３，ＰｂＯを表１の試料番号１〜６に示す配合割合で各々秤量した。ここで、Ｂｉ２ Ｏ３は０〜３０ｗｔ％の範囲で変化させた。また、各化合物は純度９９．０％以上のものを使用した。
【００３９】
【表１】
0004146152.tif 000002
【００４０】
次に、これらの化合物を水とともにボールミルに入れ、湿式で１５時間攪拌混合し、得られた泥漿をバットに空け、乾燥機に入れて１５０℃で２４時間乾燥した。そして、得られた乾燥物を粉砕機で粉砕して３２５メッシュの粉体とし、この粉体を大気中において１０５０℃で２時間仮焼して誘電特性を発現する主相の成分粉末を得た。
【００４１】
また、ガラス形成成分として、Ｂ２ Ｏ３ ：ＳｉＯ２：ＺｎＯ ＝１：５：４のホウケイ酸亜鉛ガラスとＣｕＯ及びＡｇ２Ｏを表１の試料番号１〜６に示す配合割合で各々秤量した。ここで、各化合物は純度９９．０％以上のものを使用した。
【００４２】
次に、前記主相形成成分の粉末とガラス形成成分の粉末を水とともにボールミルに入れ、湿式で１５時間混合し、得られた泥漿をバットに空け、乾燥機に入れて１５０℃で２４時間乾燥した。そして、得られた乾燥物を粉砕機で粉砕して３２５メッシュのセラミック粉体とし、このセラミック粉体を有機バインダとともにボールミルに入れて混合し、磁器原料のスラリーを作成した。
【００４３】
次に、このスラリーを真空脱泡機に入れて脱泡し、このスラリーをリバースロールコータに入れ、ポリエステルフィルム上にこのスラリーからなる薄膜を形成し、この薄膜をポリエステルフィルム上で加熱して乾燥させ、打ち抜いて所定の大きさのグリーンシートを得た。
【００４４】
一方、銀粉末を主成分とする内部電極用の導電性ペーストを形成し、上記グリーンシートにこの導電性ペーストからなる５０個の導電パターンを印刷し、乾燥させた。
【００４５】
次に、上記導電パターンの印刷面を上にして複数枚のグリーンシートを積層した。この際、隣接する上下のシートにおいて、その印刷面がパターンの長手方向に約半分程ずれるように配置した。更に、この積層物の上下両面に導電パターンの印刷の施されていないグリーンシートを積層した。そして、この積層物を厚さ方向に圧力を加えて圧着させ、その後、この積層物を導電パターン毎に裁断し、チップ状の積層体５０個を得た。
【００４６】
次に、この積層チップを電気炉に入れ、大気雰囲気中において９３０℃で３時間焼成し、チップ状の素体を得た。そして、このチップ状の素体の端部に一対の外部電極を焼き付け、積層セラミックコンデンサを得た。
【００４７】
次に、この積層セラミックコンデンサの電気特性（εｒ，Ｑ，τｆ）を測定したところ、表２に示す通りであった。
【００４８】
【表２】
0004146152.tif 000003
【００４９】
表１，２に示す結果から、試料番号３〜５に示すように主相に対するＢｉの割合がＢｉ２Ｏ３換算で１２〜２４ｗｔ％の場合は所望の焼結性及び電気特性のものが得られるが、試料番号１，２に示すように主相に対するＢｉの割合がＢｉ２Ｏ３換算で１２ｗｔ％未満になると所望の誘電率のものが得られなくなり、試料番号６に示すように主相に対するＢｉの割合がＢｉ２Ｏ３換算で２４ｗｔ％を超えると９３０℃の焼成で所望の密度に焼結せず、所望の誘電率及び所望のＱのものが得られなくなることがわかる。
【００５０】
実施例２    表３に示すようにＡｇ２Ｏの添加量及びＣｕＯの添加量を変化させた以外は実施例１と同様の条件で同様の実験をしたところ、表４に示すような結果が得られた。
【００５１】
【表３】
0004146152.tif 000004
【００５２】
【表４】
0004146152.tif 000005
【００５３】
表３，４に示す結果から、試料番号９〜１２に示すように主相に対するＡｇの割合がＡｇ２Ｏ換算で１〜４ｗｔ％の場合は所望の焼結性及び電気特性のものが得られるが、試料番号７，８に示すように主相に対するＡｇの割合がＡｇ２Ｏ換算で１ｗｔ％未満になると９３０℃の焼成で所望の密度に焼結せず、内部電極端部に空隙ができ、試料番号１３に示すように主相に対するＡｇの割合がＡｇ２Ｏ換算で４ｗｔ％を超えるとＩＲが劣化することがわかる。
【００５４】
実施例３    表５に示すようにＰｂＯの添加量を変化させた以外は実施例１と同様の条件で同様の実験をしたところ、表６に示すような結果が得られた。
【００５５】
【表５】
0004146152.tif 000006
【００５６】
【表６】
0004146152.tif 000007
【００５７】
表５，６に示す結果から、試料番号１９〜２２に示すように主相に対するＰｂの割合がＰｂＯ換算で０〜５ｗｔ％の場合は所望の焼結性及び電気特性のものが得られるが、試料番号２３に示すように主相に対するＰｂの割合がＰｂＯ換算で５ｗｔ％を超えるとτｆが大きくシフトすることがわかる。
【００５８】
実施例４    表７に示すようにガラスの添加量を変化させた以外は実施例１と同様の条件で同様の実験をしたところ、表８に示すような結果が得られた。
【００５９】
【表７】
0004146152.tif 000008
【００６０】
【表８】
0004146152.tif 000009
【００６１】
表７，８に示す結果から、試料番号２６〜２８に示すように主相に対するガラスの割合が５〜１２ｗｔ％の場合は所望の焼結性及び電気特性のものが得られるが、試料番号２４、２５に示すように主相に対するガラスの割合が５ｗｔ％未満になると９３０℃の焼成で所望の密度に焼結せず、試料番号２９に示すように主相に対するガラスの割合が１２ｗｔ％を超えると所望の誘電率及び所望のＱのものが得られなくなることがわかる。
【００６２】
実施例５    表９に示すように主相形成成分であるＢａＯ，ＴｉＯ２，Ｎｄ２Ｏ３の割合を変化させた以外は実施例１と同様の条件で同様の実験をしたところ、表１０に示すような結果が得られた。
【００６３】
【表９】
0004146152.tif 000010
【００６４】
【表１０】
0004146152.tif 000011
【００６５】
表９，１０に示す結果から、試料番号３１〜３３に示すようにｘが１２〜１９の場合は所望の焼結性及び電気特性のものが得られるが、試料番号３０に示すように、ｘが１２未満になると所望の誘電率のものが得られなくなったり、９３０℃の焼成で所望の密度に焼結せず、試料番号３４に示すように、ｘが１９を越えると電気特性であるτｆが＋側に大きくシフトしたり、所望のＱ値のものが得られなくなることがわかる。
【００６６】
また、表９，１０に示す結果から、試料番号３６，３７に示すようにｙが６４〜７４の場合は所望の焼結性及び電気特性のものが得られるが、試料番号３５に示すように、ｙが６４未満になると電気特性であるτｆが−側にシフトしたり、所望のＱ値のものが得られなくなり、試料番号３８に示すように、ｙが７４を越えると９３０℃の焼成で所望の密度に焼結せず、電気特性であるτｆが＋側にシフトすることがわかる。
【００６７】
また、表９，１０に示す結果から、試料番号４０，４１に示すようにｚが９〜１９の場合は所望の焼結性及び電気特性のものが得られるが、試料番号３９に示すように、ｚが９未満になると電気特性である所望のＱ値のものが得られなくなったり、τｆが＋側にシフトし、試料番号４２に示すように、ｚが１９を越えると所望の誘電率や所望のＱ値のものが得られなくなり、９３０℃の焼成で所望の密度に焼結しなくなることがわかる。
【００６８】
【発明の効果】
この発明は、誘電体層を形成している誘電体磁器組成物の主相にＢｉ２Ｏ３換算で１２〜２４重量％のＢｉが固溶しているので、誘電体磁器組成物の誘電率が従来のものより高くなり、その結果、従来より小型のセラミック電子部品を得ることができるという効果がある。
【００６９】
また、この発明によれば、ガラス相にＡｇが固溶しているので、焼成時におけるガラスの粘度が低下し、より低い焼成温度での焼結が可能となり、焼結温度の高い誘電体材料（主相）をその誘電特性を低下させることなく低い温度で焼結させることができ、従って、導電性の良いＡｇ，Ｃｕ等を内部電極の材料として使用することができ、その結果、高周波特性の良いセラミック電子部品を得ることができるという効果がある。