(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイス製造方法で：
少なくとも部分的に放射線感応性材料の層で覆われた基板を用意する工程；
波長が２５０ｎｍ以下の電磁放射線の投影ビームを用意する工程；
この投影ビームの横断面にパターンを付けるためにパターニング手段を使う工程；および
この放射線のパターン化したビームをこの放射線感応性材料の層の目標部分上に投影する工程であって、この投影ビームと関係するように配置した光学要素を含むスペースに、０．０３Ｐａから１Ｐａまでの全分圧の分子酸素を含有するパージガスを供給することによって、上記投影と同時に、上記光学要素をクリーニングする工程を、含む方法。
【請求項２】
請求項１による方法に於いて、このパージガスが更に不活性ガスであり、上記パージガス中にある分子酸素の全量が容量で約３００ｐｐｂから約１０ｐｐｍまでである方法。
【請求項３】
請求項２による方法に於いて、上記不活性ガスが、ヘリウム、アルゴン、窒素またはそれらの混合物を含む方法。
【請求項４】
請求項１による方法に於いて、上記スペースが実質的に真空になっている方法。
【請求項５】
請求項１による方法であって、更に：
波長２５０ｎｍ以下の電磁放射線の更なるビームを供給する工程、および
上記放射線のパターン化したビームを上記目標部分上に投影しながら、上記光学要素を上記電磁放射線の更なるビームで照射する工程を含む方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、リソグラフィ投影装置であって：
−    波長２５０ｎｍ以下の電磁放射線の投影ビームを供給するための放射線システム；
−    所望のパターンに従ってこの投影ビームをパターン化するのに役立つパターニング手段を支持するための支持構造体；
−    基板を保持するるための基板テーブル；および
−    このパターン化したビームをこの基板の目標部分上に投影するための投影システムを含む投影装置に関する。
【０００２】
ここで使う“パターニング手段”という用語は、入射放射線ビームに、この基板の目標部分に創成すべきパターンに対応する、パターン化した断面を与えるために使うことができる手段を指すと広く解釈すべきであり；“光バルブ”という用語もこのような関係で使うことができる。一般的に、上記パターンは、集積回路またはその他のデバイス（以下参照）のような、この目標部分に創るデバイスの特別の機能層に対応するだろう。そのようなパターニング手段の例には次のようなものがある；
−    マスク。マスクの概念は、リソグラフィでよく知られ、二値、交互位相シフト、および減衰位相シフトのようなマスク型、並びに種々のハイブリッドマスク型を含む。そのようなマスクを放射線ビーム中に置くと、このマスク上のパターンに従って、このマスクに入射する放射線の選択透過（透過性マスクの場合）または選択反射（反射性マスクの場合）を生ずる。マスクの場合、この支持構造体は、一般的にマスクテーブルであり、それがこのマスクを入射放射線ビームの中の所望の位置に保持できること、およびもし望むなら、それをこのビームに対して動かせることを保証する。
−    プログラム可能ミラーアレイ。そのような装置の一例は、粘弾性制御層および反射面を有するマトリックスアドレス可能面である。そのような装置の背後の基本原理は、（例えば）この反射面のアドレス指定された領域が入射光を回折光として反射し、一方アドレス指定されない領域は入射光を未回折光として反射するということである。適当なフィルタを使って、上記未回折光を反射ビームから濾過して取除き、回折光だけを後に残すことができ；この様にして、このビームがマトリックスアドレス可能面のアドレス指定パターンに従ってパターン化されるようになる。必要なアドレス指定は、適当な電子手段を使って行える。そのようなミラーアレイについての更なる情報は、例えば、米国特許ＵＳ５，２９６，８９１およびＵＳ５，５２３，１９３から集めることができ、それらを参考までにここに援用する。プログラム可能ミラーアレイの場合、上記支持構造体は、例えば、必要に応じて固定または可動でもよい、フレームまたはテーブルとして具体化してもよい。
−    プログラム可能ＬＣＤアレイ。そのような構成の例は、米国特許ＵＳ５，２２９，８７２で与えられ、それを参考までにここに援用する。上記のように、この場合の支持構造体は、例えば、必要に応じて固定または可動でもよい、フレームまたはテーブルとして具体化してもよい。
【０００３】
簡単のために、この本文の残りは、ある場所で、マスクおよびマスクテーブルを伴う例を具体的に指向するかも知れないが；しかし、そのような場合に議論する一般原理は、上に示すようなパターニング手段の広い文脈で見るべきである。
【０００４】
【従来の技術】
リソグラフィ投影装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使うことができる。そのような場合、パターニング手段がこのＩＣの個々の層に対応する回路パターンを創成してもよく、このパターンを、放射線感応性材料（レジスト）の層で塗被した基板（シリコンウエハ）の目標部分（例えば、一つ以上のダイを含む）上に結像することができる。一般的に、単一ウエハが隣接する目標部分の全ネットワークを含み、それらをこの投影システムを介して、一度に一つずつ、順次照射する。マスクテーブル上のマスクによるパターニングを使う現在の装置では、機械の二つの異なる種類を区別することができる。一つの種類のリソグラフィ投影装置では、全マスクパターンをこの目標部分上に一度に露出することによって各目標部分を照射し；そのような装置を普通ウエハステッパと呼ぶ。代替装置― 普通ステップ・アンド・スキャン装置と呼ぶ ― では、このマスクパターンを投影ビームの下で与えられた基準方向（“走査”方向）に順次走査し、一方、一般的に、この投影システムが倍率Ｍ（一般的に＜１）であり、この基板テーブルを走査する速度Ｖが、倍率Ｍ掛けるマスクテーブルを走査する速度であるので、この基板テーブルをこの方向に平行または逆平行に同期して走査することによって各目標部分を照射する。ここに説明したようなリソグラフィ装置に関する更なる情報は、例えば、ＵＳ６，０４６，７９２から収集することができ、それを参考までにここに援用する。
【０００５】
リソグラフィ投影装置を使う製造プロセスでは、パターン（例えば、マスクの中の）を、少なくとも部分的に放射線感応材料（レジスト）の層で覆われた基板上に結像する。この結像工程の前に、この基板は、例えば、下塗り、レジスト塗布およびソフトベークのような、種々の処理を受けるかも知れない。露出後、基板は、例えば、露出後ベーク（ＰＥＢ）、現像、ハードベークおよび結像形態の測定／検査のような、他の処理を受けるかも知れない。この一連の処理は、デバイス、例えばＩＣの個々の層をパターン化するための基礎として使用する。そのようにパターン化した層は、次に、エッチング、イオン注入（ドーピング）、金属化処理、酸化処理、化学・機械的研磨等のような、全て個々の層の仕上げを意図した種々の処理を受けるかも知れない。もし、幾つかの層が必要ならば、全処理またはその変形を各新しい層に反復しなければならないだろう。結局、デバイスのアレイが基板（ウエハ）上にできる。次に、これらのデバイスをダイシングまたは鋸引のような手法によって互いから分離し、そこから個々のデバイスをキャリヤに取付け、ピンに接続し等できる。そのようなプロセスに関する更なる情報は、例えば、ピータ・バン・ザントの“マイクロチップの製作：半導体加工の実用ガイド”、第３版、マグロウヒル出版社、1997年、ISBN0-07-067250-4という本から得ることができ、それを参考までにここに援用する。
【０００６】
簡単のために、この投影システムを、以後“レンズ”と呼ぶかも知れないが；この用語は、例えば、屈折性光学素子、反射性光学素子、および反射屈折性光学素子を含む、種々の型式の投影システムを包含するように広く解釈すべきである。この放射線システムもこの放射線の投影ビームを指向し、成形しまたは制御するためにこれらの設計形式の何れかに従って作用する部品を含んでもよく、そのような部品も以下で集合的または単独に“レンズ”と呼ぶかも知れない。更に、このリソグラフィ装置は、二つ以上の基板テーブル（および／または二つ以上のマスクテーブル）を有する型式でもよい。そのような“多段”装置では、追加のテーブルを並列に使ってもよく、または準備工程を一つ以上のテーブルで行い、一方他の一つ以上のテーブルを露出に使ってもよい。二段階リソグラフィ装置は、例えば、ＵＳ５，９６９，４４１およびＷＯ９８／４０７９１に記載してあり、それらを参考までにここに援用する。
【０００７】
リソグラフィ投影装置を使って結像できる形態のサイズを低減するには、照明放射線の波長を減少することが望ましい。従って、約２００ｎｍ未満、例えば１９３ｎｍ、１５７ｎｍまたは１２６ｎｍの波長が企図されている。また、５０ｎｍ未満、例えば、１３．５ｎｍの波長の超紫外線ＥＵＶも企図されている。適当なＵＶ放射線源には、水銀灯およびエキシマレーザがある。企図するＥＵＶ源には、レーザ励起プラズマ源、放電源、および貯蔵リングまたはシンクロトロンの電子ビームの経路の周りに設けたアンジュレータまたはウィグラがある。
【０００８】
ＥＵＶ放射線の場合、この投影システムは、一般的にミラーのアレイから成り、マスクは反射型であろう；例えば、ＷＯ９９／５７５９６に議論してある装置を参照し、それを参考までにここに援用する。
【０００９】
そのような低波長で作動する装置は、光波長で作動するものより汚染物質粒子の存在にかなり敏感である。炭化水素分子および水蒸気のような汚染物質粒子は、外部源からこのシステムに持込まれるかも知れず、またはそれらがこのリソグラフィ装置それ自体の中で発生するかも知れない。例えば、これらの汚染物質粒子には、例えばＥＵＶ放射線によって、基板から遊離したくずおよび副産物、またはこの装置で使うプラスチック、接着剤および潤滑剤の蒸発によってできた分子があるかも知れない。
【００１０】
これらの汚染物質は、このシステムの光学要素に吸着する傾向があり、放射線ビームの伝達に損失を生ずる。例えば、１５７ｎｍの放射線を使うとき、各光学面に汚染物質粒子の二、三以下の単層ができるだけで、約１％の伝達の損失が観察される。そのような伝達の損失は、高くて容認しがたい。更に、そのようなシステムに対する投影ビーム強度についての均一性要件は、一般的に０．２％未満である。光学要素の局所化した汚染がこの要件を満たさなくすることがある。
【００１１】
光学要素をクリーニングするための以前の方法には、例えば、クリーニング材料としてオゾンを使うことがある。しかし、オゾンは、非常に不安定な材料で、その生成後ほんの二、三時間で劣化する。もし、光学面をクリーニングするためにオゾンを使うべきなら、従ってそれを現場か、またはクリーニングの直前に作ることが必要である。しかし、オゾンそれ自体を作るという余分な工程が非常に不便であり、より安定したクリーニング材料に依存する代替クリーニング方法が望まれる。
【００１２】
クリーニング目的でＵＶ放射線と組合せてより安定した分子酸素を使うことは、ブルームシュタイン外が企図した（Ｔ．Ｍ．ブルームシュタイン、Ｍ．ロスチャイルド、Ｖ．リーベルマン、Ｄ．ハーディ、Ｎ．Ｎ．レーモフ・ジュニアおよびＳ．Ｔ．パルマッチ、ＳＰＩＥ（光学式マイクロリソグラフィＸIII、Ｅｄ．Ｃ．Ｊ．プログラ）、４０００巻、１５３７−１５４５）。ブルームシュタイン外によれば、酸素の実用レベルは、１５７ｎｍ放射線の吸収のために１０ないし１０００ｐｐｍの範囲に限定される。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
この発明の目的は、一つ以上の光学要素の効率的且つ効果的クリーニングをするリソグラフィ投影装置を提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
これおよびその他の目的は、この発明によれば、冒頭の段落で指定するリソグラフィ装置であって、更に上記装置の中のスペースにパージガスを供給するためのガス供給源を含み、上記スペースがこの投影ビームと関係するように配置した光学要素を含み、上記パージガスが分子酸素を１×１０-4Ｐａから１Ｐａの分圧で含む装置で達成される。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明者は、リソグラフィ投影装置で投影ビームが通過するスペースに供給するパージガスに比較的低分圧の安定な分子酸素を加えることによって光学要素のクリーニングを実施できることを発見した。分子酸素それ自体はクリーニング剤として有効ではないので、それをＵＶ放射線と組合わせて使用する。このＵＶ放射線が酸素を分解して酸素ラジカルを作り、それらが非常に有効なクリーニング剤である。パージガスに上記低濃度のクリーニング剤を入れることによって、酸素によるＵＶ放射線の吸収による伝達損失が許容できるレベルでマスクパターンを目標部分上に投影しながら、光学要素をクリーニングできる。
【００１６】
【発明の効果】
この発明によるクリーニング後、放射線ビームの透過率または反射率が増大し、均一性も向上するかも知れない。従って、この発明は、リソグラフィ投影装置で光学要素をクリーニングする非常に有効な方法を提供する。それは、オゾンのような不安定な材料を使用しない。何よりも、それは、光学要素（例えば、レンズ素子）を別のクリーニングユニットでクリーニングするためにリソグラフィ投影装置から取外すという非常に時間の掛る作業を免れる。
【００１７】
この発明の更なる態様によれば、デバイス製造方法で：
−    少なくとも部分的に放射線感応性材料の層で覆われた基板を用意する工程；
−    波長が２５０ｎｍ以下の電磁放射線の投影ビームを用意する工程；
−    この投影ビームの断面にパターンを付けるためにパターニング手段を使う工程；
−    この放射線のパターン化したビームをこの放射線感応性材料の層の目標部分上に投影する工程；および
−    この装置で使うための光学要素を、この投影ビームと関係するように配置した上記光学要素を含むスペースを上記投影ビームで照射し、上記スペースに１×１０-4Ｐａから１Ｐａの全分圧で分子酸素を含むパージガスを供給することによって、クリーニングする工程を含む方法が提供される。
【００１８】
この本文では、ＩＣの製造に於けるこの発明による装置の使用を具体的に参照してもよいが、そのような装置は、他の多くの可能な用途があることを明確に理解すべきである。例えば、それを集積光学システム、磁区メモリ用誘導検出パターン、液晶ディスプレイパネル、薄膜磁気ヘッド等の製造に使ってもよい。当業者は、そのような代替用途の関係では、この本文で使う“レチクル”、“ウエハ”または“ダイ”という用語のどれも、それぞれ、より一般的な用語“マスク”、“基板”および“目標部分”で置換えられると考えるべきであることが分るだろう。
【００１９】
本文書では、“放射線”および“ビーム”という用語を紫外（ＵＶ）放射線（例えば、３６５、２４８、１９３、１５７または１２６ｎｍの波長の）および超紫外（ＥＵＶまたはＸＵＶ）放射線（例えば、１２．５ｎｍのような、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）またはソフトＸ線、並びにイオンビームまたは電子ビームのような、粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射線を包含するために使用する。
【００２０】
この発明およびそれに付随する利点を以下に実施例および添付の概略図を参照して更に説明する。
これらの図で、類似の部品は、類似の参照記号によって示す。
【００２１】
【実施例】
図１は、この発明の特別の実施例によるリソグラフィ投影装置を概略的に描く。この装置は：
−    ＵＶまたはＥＵＶ放射線の投影ビームＰＢを供給するための放射線システムＬＡ、ＩＬ；
−    マスクＭＡ（例えば、レチクル）を保持するための、およびこのマスクを部材ＰＬに関して正確に位置決めするために第１位置決め手段に結合された第１物体テーブル（マスクテーブル）ＭＴ；
−    基板Ｗ（例えば、レジストを塗被したシリコンウエハ）を保持するための、およびこの基板を部材ＰＬに関して正確に位置決めするために第２位置決め手段に結合された第２物体テーブル（基板またはウエハテーブル）ＷＴ；
−    マスクＭＡの被照射部分を基板テーブルＷＴ上に保持された基板Ｗの露出領域Ｃ上に結像するための、投影システム（“レンズ”）ＰＬ（例えば、ミラーグループ）を含む。
ここに描くように、この装置は、反射型である（即ち、反射性のマスクを有する）。しかし、一般的に、それは、例えば、透過型でもよい。
【００２２】
この放射線システムは、ＵＶまたはＥＵＶ放射線のビームを作る線源ＬＡ（例えば、水銀灯、エキシマレーザ、レーザ励起プラズマ源、放電プラズマ源または貯蔵リング若しくはシンクロトロンの電子ビームの経路の周りに設けたアンジュレータ若しくはウィグラ）を含む。このビームは、放射線システムにも含まれる照明システムＩＬに含まれる種々の光学要素 − 例えば、ビーム成形光学素子、積分器およびコンデンサ − を通され、出来たビームＰＢがその断面に所望の形状および強度を有する。
【００２３】
ビームＰＢは、次に、マスクテーブルＭＴ上に保持されたマスクＭＡと交差する。マスクＭＡによって選択的に反射されてから、ビームＰＢは、レンズＰＬを通過し、それがこのビームを基板Ｗの露出領域Ｃ上に集束する。干渉計式変位測定手段ＩＦを使って、基板テーブルＷＴをこの第２位置決め手段によって、例えば、異なる露出領域ＣをビームＰＢの経路に配置するように、正確に動かすことができる。同様に、第１位置決め手段を使ってマスクＭＡをビームＰＢの経路に関して正確に配置することができる。一般的に、物体テーブルＭＴ、ＷＴの移動は、図１にはっきりは示さないが、長ストロークモジュール（粗位置決め）および短ストロークモジュール（微細位置決め）を使って実現する。しかし、ウエハステッパの場合は（ステップアンドスキャン装置と違って）、マスクテーブルＭＴは、マスク方向決めおよび位置決めで微細調整をするために、短ストローク位置決め装置にだけ結合してもよく、またはそれを単純に固定してもよい。
【００２４】
図示する装置は、二つの異なるモードで使うことができる：
１．ステップアンドリピート（ステップ）モードでは、マスクテーブルＭＴを本質的に固定して保持し、全マスク像を露出領域Ｃ上に一度に（即ち、単一“フラッシュ”で）投影する。次に基板テーブルＷＴをＸおよび／またはＹ方向に移動して異なる露出領域ＣをビームＰＢで照射できるようにする；
２．ステップアンドスキャン（スキャン）モードでは、与えられた露出領域Ｃを単一“フラッシュ”では露出しないことを除いて、本質的に同じシナリオを適用する。その代りに、マスクテーブルＭＴが与えられた方向（所謂“走査方向”、例えば、Ｙ方向）に速度ｖで動き得て、それで投影ビームＰＢがマスク像の上を走査させられ；同時に、基板テーブルＷＴが同じまたは反対方向に速度Ｖ＝Ｍｖで動かされ、このＭはレンズＰＬの倍率（典型的には、Ｍ＝１／４または１／５）である。この様にして、比較的大きい露出領域Ｃを、解像度について妥協する必要なく、露出できる。
【００２５】
本発明の実施例では、クリーニングすべき光学要素が照明システム内の光学要素である。しかし、本発明は、このシステムの任意の光学要素、例えばマスクまたは投影システムに含まれる光学要素から汚染物質を除去するために使ってもよい。本発明は、一つ以上の光学要素に同時か別々に適用することができる。
【００２６】
図２は、この発明の特定の実施例である照明システムの一部を更に詳しく示す。この照明システム内にあり、且つ光学要素３を含むスペース２に、ガス体または液体のパージガスが入った高圧容器でもよい、パージガス供給源４からパージガスを供給する。分子酸素を含むこのパージガスをスペース２に、弁を含んでもよい入口５を介して供給する。次に、今度は酸素を含むスペース２を、線源ＬＡによって作ったＵＶまたはＥＵＶ放射線で照射する。この実施例では、この照射工程を露出と同時に実施する、即ち、投影ビームＰＢを使って酸素を分解する。
【００２７】
波長が約２５０ｎｍ以下のＵＶまたはＥＵＶ放射線で照射したとき、このスペース内の分子酸素は、分解し、酸素ラジカルを生成する。これらの生成した酸素ラジカルは、高効率のクリーニング剤として作用し、光学要素の表面から炭化水素およびその他の汚染物質粒子を除去する。
【００２８】
本発明の一実施例では、クリーニングすべき光学要素を含むスペースを実質的不活性ガスで浄化する。この場合、分子酸素がパージガス中に少量存在する。このパージガスは、酸素と共に、リソグラフィ装置で使うのに適したどんなガス成分を含んでもよい。典型的パージガスは、分子酸素と共に、希ガス若しくは窒素のような不活性ガスの一つまたは混合物を含む。最好適不活性ガスは、アルゴン、ヘリウムおよび窒素、例えば超高純度窒素である。
【００２９】
この発明の最好適パージガス組成は、一つ以上の不活性ガスおよび酸素だけから成る。従って、このガスから他の汚染物質を除去するのが好ましい。典型的には、清浄器を使ってこのパージガスから炭化水素を除去する。本発明で、殆どの炭化水素は除去するが酸素の存在に影響しない清浄器を使うことが可能である。
【００３０】
パージガスの中にある分子酸素の全量は、典型的には容量で約１ｐｐｂから約１０ｐｐｍである。大気圧環境で、これらの量は、それぞれ、分圧１×１０-4Ｐａおよび１Ｐａに等しい。もし、酸素の量が容量で約１ｐｐｂ未満であれば、光学要素から除去する汚染物質の量は、それ自体好ましくはないがクリーニングを数時間に亘って実施するのでなければ、不十分かも知れない。更に、約１ｐｐｂ以下の濃度は、検出が非常に困難である。
【００３１】
その代り、もし酸素濃度が容量で約１０ｐｐｍ以上であれば、分子酸素による投影ビームの吸収は、一般的に非常に高く、伝達が許容レベル以下に低下する。この投影ビームの吸収による伝達損失のレベルは、クリーニングすべき光学システムの光路長に依る。例えば、ビーム投射システムは、一般的に光路長が照明システムより遥かに長く、それで分子酸素の濃度が同じだとすれば、ビーム投射システムでのＵＶ吸収による１０％の伝達減少は、照明システムでのたった１％ぐらいの減少に等しいかも知れない。従って、１ｐｐｍぐらいの濃度が照明システムでは許容できるかも知れないが、光路長の長いシステムでは３００または４００ｐｐｂのような低濃度が必要かも知れない。
【００３２】
本発明の第１実施例の変形では、クリーニングすべき光学要素を含むスペースが真空になっている。この実施例では、含酸素種または酸素の混合物がパージガスの実質的に唯一の成分であるのが好ましい。このパージガスをこのスペースに低分圧で導入する。このスペース内の分子酸素の圧力は、汚染物質を光学要素から妥当な時間内に効果的にクリーニングできるに十分高いが、投影ビームの伝達が許容レベル以下に減少しないように十分低くなければならない。典型的には、存在する酸素の全分圧が約１×１０-4Ｐａから約１Ｐａである。もし、この圧力が約１×１０-4Ｐａ以下であれば、十分な量の汚染物質を除去するためにはクリーニングを数時間に亘って行わねばならない。逆に、もし圧力が約１Ｐａ以上であれば、分子酸素による（Ｅ）ＵＶ放射線の吸収が高く、伝達に許容できない損失を生ずる。上記のように、使用する酸素の最大許容量は、クリーニングすべきシステムの光路長によって変るかも知れない。
【００３３】
もし望むなら、汚染の程度をセンサ６を使って監視してもよい。センサ６は、クリーニングすべき光学要素による（Ｅ）ＵＶ放射線の反射率または透過率を測定することによって作用する。図２に示すように、この光学要素は、反射型でもよく、従って、このセンサは（Ｅ）ＵＶ放射線の反射率を測定するだろう。しかし、もしこの光学要素が透過型であれば、このセンサは、それがこの光学要素を通る透過率の程度を測定するように配置されるだろう。
【００３４】
（Ｅ）ＵＶ放射線の吸収程度を使って、汚染物質による光学要素の被覆程度を示すことができる。この実施例では、このシステムから一般的に、濃度が知られ且つ一定に保つのが好ましい分子酸素を除いて、全ての（Ｅ）ＵＶ吸収作用物質を一掃する。従って、酸素の存在に帰することができるものを除いて、観察されるあらゆる（Ｅ）ＵＶ吸収は、汚染物質の存在による。この様にして、センサを使って光学システムの汚染レベル、および汚染レベルの変化を監視できる。
【００３５】
このセンサをクリーニングの前および／または後に使って、問題の光学要素が露出を行うために十分清浄かどうか、または更なるクリーニングが必要かどうかを示してもよい。光学要素がクリーニングを必要とするときを決められるように、この検出過程を定期的に使うことが望ましかろう。センサをこのクリーニング過程中にも使ってよい。クリーニングを上記のように行い、放射線照射を行いながら、上記放射線の吸収をセンサ６を使って監視する。このセンサが、吸収レベルが十分なレベル以下に低下し、従ってこの光学要素の汚染レベルが許容できることを示すとき、このクリーニング過程を停止してもよい。
【００３６】
図３は、この発明の第３実施例を示し、それは以下に説明することを除いて第２実施例と同じである。この実施例では、更なるＵＶまたはＥＵＶ放射線源７を備える。線源７は、２５０ｎｍ以下の波長の放射線を出す。そのような放射線の適当な線源は、上に線源ＬＡを参照して説明したものと同じである。
【００３７】
この実施例では、光学要素３を、ＥＵＶ放射線のパターン化したビームを同時に投影しながら、２５０ｎｍより短い波長のＵＥＶかＵＶの放射線で照射する。分子酸素をＥＵＶ放射線より十分に選択的に分離できるＵＶ放射線を使うのが好ましい。例えば、酸素の場合、波長約１５７ｎｍのＵＶ放射線を使うのが好ましい。この様にして、中の酸素濃度が比較的低いパージガスを使って、クリーニング剤によるＥＵＶ放射線の吸収が比較的低いことを保証できる。それで、ウエハを露出しながら、許容可能な伝達損失で、光学要素３を清浄化できる。
【００３８】
更に、スペース２の中にある光学要素３を線源７から供給するＵＶまたはＥＵＶ放射線を使って、投影ビームＰＢによる露出の前か後に照射することを意図する。照射を露出の前に行うのが好ましく、それによって清浄化した光学要素をもたらし、それが露出中の伝達および均一性レベルを改善する。この実施例では、線源７がもたらす放射線を光学要素３に向けてあるように描く。しかし、この放射線を直接光学要素にではなく、例えばこの光学要素を横切って導くことも可能である。
もし望むなら、センサ６を使って上に説明したように汚染レベルを監視してもよい。
【００３９】
上に説明した実施例では、マスクまたはレチクルを説明し、それがペリクルも含んでよい。このマスクとペリクルの間のスペースに、上記スペースから上に説明したクリーニング過程に従って汚染物質を除去するために、分子酸素を含むパージガスを供給できる。
【００４０】
この発明の特定の実施例を上に説明したが、この発明を説明したのと別の方法で実施してもよいことが分るだろう。この説明は、この発明を制限することを意図しない。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施例によるリソグラフィ投影装置を描く。
【図２】この発明の実施例による照明システムの一部を描く。
【図３】この発明の更なる実施例による照明システムの一部を描く。
【符号の説明】
Ｃ  目標部分
ＩＬ  照明システム
ＬＡ  放射線源
ＭＡ  マスク
ＭＴ  支持構造体
ＰＢ  投影ビーム
ＰＬ  投影システム
Ｗ  基板
ＷＴ  基板テーブル
２  スペース
３  光学要素
４  ガス供給源
７  放射線供給源
【図１】
0004194831.tif 000002
【図２】
0004194831.tif 000003
【図３】
0004194831.tif 000004