(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
次式で表わされる共重合体を含むことを特徴とする感光性ポリマー。
【化１】
0004194800.tif 000016
（上式において、Ｒ1及びＲ2はそれぞれ水素原子または炭素数１〜３のアルキル基であり、Ｘは次式である。）
【化２】
0004194800.tif 000017
（上式において、ｙは１〜４の整数であり、Ｒ５は水素原子または炭素数１〜３のアルキル基あるいはアルコキシル基である。）
【請求項２】
前記Ｒ５はメトキシ基またはエトキシ基であることを特徴とする請求項１に記載の感光性ポリマー。
【請求項３】
（ａ）次式で表わされる共重合体と、
【化３】
0004194800.tif 000018
（上式において、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ水素原子または炭素数１〜３のアルキル基であり、Ｘは次式のいずれかである。）
【化４】
0004194800.tif 000019
（上式において、Ｒ３は水素原子またはメチル基であり、Ｒ４は水酸基に置換または非置換された炭素数１〜２０の炭化水素基であり、ｙは１〜４の整数であり、Ｒ５は水素原子または炭素数１〜３のアルキル基あるいはアルコキシル基である。）
（ｂ）アクリレート誘導体またはメタクリレート誘導体とが共重合されてなる次式で表わされることを特徴とする感光性ポリマー。
【化５】
0004194800.tif 000020
（上式において、Ｒ１，Ｒ２およびＸは請求項１と同じであり、Ｒ６は水素原子またはメチル基であり、Ｒ７は酸によって分解可能な酸素原子を含有していてもよい炭素数２〜２０の炭化水素基であり、ｍ／（ｍ＋ｎ）＝０．１〜０．９であり、ｎ／（ｍ＋ｎ）＝０．１〜０．９である。）
【請求項４】
前記Ｒ４はメチル基、エチル基、２−ヒドロキシエチル基、ｎ−ブチル基またはイソブチル基であることを特徴とする請求項３に記載の感光性ポリマー。
【請求項５】
前記Ｒ５はメトキシ基またはエトキシ基であることを特徴とする請求項３に記載の感光性ポリマー。
【請求項６】
前記Ｒ７はｔ−ブチル基またはテトラヒドロピラニル基であることを特徴とする請求項３に記載の感光性ポリマー。
【請求項７】
前記Ｒ７は置換または非置換の脂環式炭化水素基であることを特徴とする請求項３に記載の感光性ポリマー。
【請求項８】
前記Ｒ７は２−メチル−２−ノルボルニル、２−エチル−２−ノルボルニル、２−メチル−２−イソボルニル、２−エチル−２−イソボルニル、８−メチル−８−トリシクロ［５．２．１．０２，６］デカニル、８−エチル−８−トリシクロ［５．２．１．０２，６］デカニル、２−メチル−２−アダマンチル、２−エチル−２−アダマンチル、１−アダマンチル−１−メチルエチル、２−メチル−２−フェンキル基あるいは２−エチル−２−フェンキル基であることを特徴とする請求項７に記載の感光性ポリマー。
【請求項９】
（ａ）（ａ−１）次式で表わされる共重合体と、
【化６】
0004194800.tif 000021
（上式において、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ水素原子または炭素数１〜３のアルキル基であり、Ｘは次式のいずれかである。
【化７】
0004194800.tif 000022
（上式において、Ｒ３は水素原子またはメチル基であり、Ｒ４は水酸基に置換または非置換された炭素数１〜２０の炭化水素基であり、ｙは１〜４の整数であり、Ｒ５は水素原子または炭素数１〜３のアルキル基あるいはアルコキシル基である。）
（ａ−２）アクリレート誘導体あるいはメタクリレート誘導体とが共重合されてなる次式で表わされる感光性ポリマーと、
【化８】
0004194800.tif 000023
（上式において、Ｒ１，Ｒ２およびＸは請求項１と同じであり、Ｒ６は水素原子またはメチル基であり、Ｒ７は酸によって分解可能な酸素原子を含有していてもよい炭素数２〜２０の炭化水素基であり、ｍ／（ｍ＋ｎ）＝０．１〜０．９であり、ｎ／（ｍ＋ｎ）＝０．１〜０．９である。）
（ｂ）光酸発生剤とを含むことを特徴とするレジスト組成物。
【請求項１０】
前記Ｒ４はメチル基、エチル基、２−ヒドロキシエチル基、ｎ−ブチル基またはイソブチル基であることを特徴とする請求項９に記載のレジスト組成物。
【請求項１１】
前記Ｒ５はメトキシ基あるいはエトキシ基であることを特徴とする請求項９に記載のレジスト組成物。
【請求項１２】
前記Ｒ７はｔ−ブチル基またはテトラヒドロピラニル基であることを特徴とする請求項９に記載のレジスト組成物。
【請求項１３】
前記Ｒ７は置換または非置換の脂環式炭化水素基であることを特徴とする請求項９に記載のレジスト組成物。
【請求項１４】
前記Ｒ７は２−メチル−２−ノルボルニル、２−エチル−２−ノルボルニル、２−メチル−２−イソボルニル、２−エチル−２−イソボルニル、８−メチル−８−トリシクロ［５．２．１．０２，６］デカニル、８−エチル−８−トリシクロ［５．２．１．０２，６］デカニル、２−メチル−２−アダマンチル、２−エチル−２−アダマンチル、１−アダマンチル−１−メチルエチル、２−メチル−２−フェンキルあるいは２−エチル−２−フェンキル基であることを特徴とする請求項１３に記載のレジスト組成物。
【請求項１５】
前記感光性ポリマーの重量平均分子量は１，０００〜１００，０００であることを特徴とする請求項９に記載のレジスト組成物。
【請求項１６】
前記光酸発生剤の含量は、前記感光性ポリマーの質量を基準として１〜１５質量％であることを特徴とする請求項９に記載のレジスト組成物。
【請求項１７】
前記光酸発生剤はトリアリールスルホニウム塩、ジアリールヨードニウム塩、スルホネートあるいはその混合物であることを特徴とする請求項９に記載のレジスト組成物。
【請求項１８】
前記光酸発生剤はトリフェニルスルホニウムトリフレート、トリフェニルスルホニウムアンチモネート、ジフェニルヨードニウムトリフレート、ジフェニルヨードニウムアンチモネート、メトキシジフェニルヨードニウムトリフレート、ジ−ｔ−ブチルジフェニルヨードニウムトリフレート、２，６−ジニトロベンジルスルホネート、ピロガロールトリス（アルキルスルホネート）、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドトリフレート、ノルボルネン−ジカルボックスイミド−トリフレート、トリフェニルスルホニウムノナフレート、ジフェニルヨードニウムノナフレート、メトキシジフェニルヨードニウムノナフレート、ジ−ｔ−ブチルジフェニルヨードニウムノナフレート、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドノナフレート、ノルボルネン−ジカルボックスイミド−ノナフレート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロオクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロオクタンスルホネート、メトキシジフェニルヨードニウムパーフルオロオクタンスルホネート、ジ−ｔ−ブチルジフェニルヨードニウムトリフレート、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドパーフルオロオクタンスルホネート、ノルボルネン−ジカルボックスイミドパーフルオロオクタンスルホネートあるいはこれらの混合物を含むことを特徴とする請求項１７に記載のレジスト組成物。
【請求項１９】
有機塩基をさらに含むことを特徴とする請求項９に記載のレジスト組成物。
【請求項２０】
前記有機塩基の含量は前記感光性ポリマーの質量を基準として０．０１〜２．０質量％であることを特徴とする請求項１９に記載のレジスト組成物。
【請求項２１】
前記有機塩基は３次アミンを含む化合物を単独で、あるいは２種以上混合してなることを特徴とする請求項１９に記載のレジスト組成物。
【請求項２２】
前記有機塩基はトリエチルアミン、トリイソブチルアミン、トリイソオクチルアミン、トリイソデシルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−アルキル置換されたピロリジノン、Ｎ−アルキル置換されたカプロラクタム、Ｎ−アルキル置換されたバレロラクタムあるいはその混合物であることを特徴とする請求項１９に記載のレジスト組成物。
【請求項２３】
３０〜２００ｐｐｍの界面活性剤をさらに含むことを特徴とする請求項９に記載のレジスト組成物。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は感光性ポリマー及び化学増幅型レジスト組成物に係り、特にアルキルビニルエーテルの共重合体を含む感光性ポリマーと、これを含むレジスト組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体素子の製造工程が複雑化し、半導体素子の集積度が高くなるにつれて微細なパターンの形成が要求されてきている。さらに、半導体素子の容量が１ギガビット級以上である素子において、デザインルールが０．２μｍ以下であるパターンサイズが要求され、既存のＫｒＦエキシマーレーザ（２４８ｎｍ）を用いたレジスト材料を用いるには限界となっている。このため、新しいエネルギー露光源であるＡｒＦエキシマーレーザ（１９３ｎｍ）を用いたリソグラフィ技術が登場するに至った。
【０００３】
今まで知られている一般的なＡｒＦレジスト組成物にはアクリル系あるいはメタクリル系ポリマーが主として用いられてきている。中でも、下記のような構造の脂環式保護基を有するメタクリレートコーポリマーが提案されている。
【０００４】
【化９】
0004194800.tif 000002
【０００５】
前記のような構造のコーポリマーのメタクリレート骨格にはドライエッチングに対する耐性を強めるためのアダマンチル基と接着特性を改善させるためのラクトン基とが導入されている。その結果、レジストの解像度及び焦点深さの側面からは優れた結果が得られる。しかしながら、ドライエッチングに対する耐性は依然として弱く、これより得られるレジスト膜からラインパターンを形成した時にラインエッジ粗さが多く観察されるほか、前記のような構造を有するポリマーを得るために用いられる原料の製造コストが極めて高いといった問題点がある。
従来技術によるレジスト組成物に用いられる他のポリマーとして下記のような構造を有するシクロオレフィン・マレイン酸無水物（ＣＯＭＡ）共重合体を含むものが提案されている。
【０００６】
【化１０】
0004194800.tif 000003
【０００７】
前記のような構造を有するＣＯＭＡ共重合体はドライエッチングに対する耐性が改善され、しかも原料の製造コストが安いといった利点はあるが、解像度が落ちるといった問題点がある。しかも、バックボーンに含まれているノルボルネン構造は極めて大きい剛性を与えるために、これを用いて工程を進行するには困難さがある。
【０００８】
近年、前記のような問題点を改善するために各種の構造を有するポリマーが提案されている。中でも、下記のような構造を有するビニールエーテルモノマーユニットを導入したビニールエーテルコーマレイン酸無水物（ＶＥＭＡ）共重合体がその代表的な例である。
【０００９】
【化１１】
0004194800.tif 000004
【００１０】
（上式において、Ｒは酸によって分解可能な脂環式基である。ＶＥＭＡ共重合体はＣＯＭＡ共重合体に比べて可撓性に比較的優れた骨格を有しているので、工程の進行がより円滑となる。）
しかしながら、前述したように、無水マレイン酸モノマーユニットを含んでいるＣＯＭＡ共重合体及びＶＥＭＡ共重合体は水分に対して不安定な性質を有している。すなわち、レジスト内に水分が含まれている状態で長期間保管される場合にはマレイン酸無水物の構造が酸構造であるマレイン酸に変わり、その結果、レジストの性能が低下してしまうといった問題点がある。さらに、マレイン酸無水物を多量含んでいる場合には、ＡｒＦエキシマーレーザの波長である１９３ｎｍ波長を過度に吸収してしまうという性質がある。このため、レジストの透過度が下がって解像度が落ちてしまう結果となる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、レジストの原料として使われた時にレジストのドライエッチングに対する耐性及び下部膜質に対する接着特性を高められる構造を有すると共に、水分に対して安定的な性質を有する感光性ポリマーを提供することである。
【００１２】
本発明の他の目的は、ドライエッチングに対する耐性及び下部膜質に対する接着特性に優れており、保管安定性が抜群であるほか、１９３ｎｍ及び２４８ｎｍ波長の光源を用いるフォトリソグラフィ工程において高解像度の優れたフォトリソグラフィ特性が得られるレジスト組成物を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記課題は、アルコキシ基を含有する共重合単位と置換基を有していてもよいオキソラノンとが交互に共重合した特定構造の共重合体を含むことを特徴とする感光性ポリマー、および該感光性ポリマーと光酸発生剤等とを含むレジスト組成物によって解決される。以下、本発明を詳細に説明する。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明の第一は、次式で表わされる共重合体を含むことを特徴とする感光性ポリマーである。
【００１５】
【化１２】
0004194800.tif 000005
【００１６】
（上式において、Ｒ1及びＲ2はそれぞれ水素原子または炭素数１〜３のアルキル基であり、Ｘは次式のいずれかである。）
【００１７】
【化１３】
0004194800.tif 000006
【００１８】
（上式において、Ｒ3は水素原子またはメチル基であり、Ｒ4は水酸基に置換または非置換された炭素数１〜２０の炭化水素基であり、ｙは１〜４の整数であり、Ｒ5は水素原子または炭素数１〜３のアルキル基あるいはアルコキシル基である。）
Ｒ1、Ｒ2及びＲ5の炭素数１〜３のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基があり、いずれも好ましい。また、Ｒ5の炭素数１〜３のアルコキシル基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基がある。また、Ｒ4としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、２−エチルヘキシル基、テトラデシル基、オクタデシル基、イコシル基などの炭素数１〜２０の炭化水素基や、更にこれらに水酸基を含む、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシブチル基などがある。本発明では、好ましくは、前記Ｒ4はメチル基、エチル基、２−ヒドロキシエチル基、ｎ−ブチル基あるいはイソブチル基である。また、好ましくは、前記Ｒ5はメトキシ基あるいはエトキシ基である。
【００１９】
上記感光性ポリマーの重量平均分子量は、１，０００〜１００，０００であることが好ましく、上記式におけるｍはこの範囲で特定される。
【００２０】
更に、本発明の他の態様による感光性ポリマーは、（ａ）次式で表わされる共重合体と、（ｂ）酸によって分解可能な置換基もしくは極性作用基を有するコーモノマーとが共重合されてなるものであってもよい。
【００２１】
【化１４】
0004194800.tif 000007
【００２２】
（上式において、Ｒ1及びＲ2はそれぞれ水素原子または炭素数１〜３のアルキル基であり、Ｘは次式のいずれかである。）
【００２３】
【化１５】
0004194800.tif 000008
【００２４】
（上式において、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5及びｙは前記定義に同じである。）
好ましくは、前記コーモノマー（ｂ）は、アクリレート誘導体あるいはメタクリレート誘導体を含むものである。このような感光性ポリマーは次式で表わされる。
【００２５】
【化１６】
0004194800.tif 000009
【００２６】
（上式において、Ｒ1，Ｒ2およびＸは前記と同じであり、Ｒ6は水素原子またはメチル基であり、Ｒ7は酸によって分解可能な酸素原子を含有していてもよい炭素数２〜２０の炭化水素基であり、ｍ／（ｍ＋ｎ）＝０．１〜０．９であり、ｎ／（ｍ＋ｎ）＝０．１〜０．９である。）
前記Ｒ7としては、酸素原子を含有していてもよい炭素数２〜２０の炭化水素基であり、例えば、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、２−エチルヘキシル基、テトラデシル基、オクタデシル基、イコシル基、置換もしくは非置換の脂環式炭化水素基等の炭素数２〜２０の炭化水素基や、ピラニル基やヒドロピラニル基を含有する炭素数２〜２０の炭化水素基などがある。前記Ｒ7は、ｔ−ブチル基あるいはテトラヒドロピラニル基でありうる。また、前記Ｒ7は、上記置換もしくは非置換の脂環式炭化水素基、例えば、２−メチル−２−ノルボルニル、２−エチル−２−ノルボルニル、２−メチル−２−イソボルニル、２−エチル−２−イソボルニル、８−メチル−８−トリシクロ［５．２．１．０2,6］デカニル、８−エチル−８−トリシクロ［５．２．１．０2,6］デカニル、２−メチル−２−アダマンチル、２−エチル−２−アダマンチル、１−アダマンチル−１−メチルエチル、２−メチル−２−フェンキル基あるいは２−エチル−２−フェンキル基でありうる。
【００２７】
本発明は、前記他の目的を達成するために、下記レジスト組成物であってもよい。該レジスト組成物は、（ａ）（ａ−１）次式で表わされる共重合体と、（ａ−２）酸によって分解可能な置換基または極性作用基を有するコーモノマーとが共重合されてなる感光性ポリマーと、（ｂ）光酸発生剤とを含む。
【００２８】
【化１７】
0004194800.tif 000010
【００２９】
（上式において、Ｒ1及びＲ2はそれぞれ水素原子または炭素数１〜３のアルキル基であり、Ｘは次式のいずれかである。）
【００３０】
【化１８】
0004194800.tif 000011
【００３１】
（上式において、Ｒ3は水素原子またはメチル基であり、Ｒ4は水酸基に置換または非置換された炭素数１〜２０の炭化水素基であり、ｙは１〜４の整数であり、Ｒ5は水素原子または炭素数１〜３のアルキル基あるいはアルコキシル基である。）
好ましくは、前記コーモノマー（ｂ）は、上記したアクリレート誘導体あるいはメタクリレート誘導体であってもよい。
【００３２】
本発明において、好ましくは、前記感光性ポリマーの重量平均分子量は１，０００〜１００，０００である。従って、上記式におけるｍは、この範囲で特定される。その理由は、この範囲でフォトレジストとして作動性に優れるからである。
【００３３】
さらに、前記光酸発生剤の含量は前記感光性ポリマーの質量を基準として１〜１５質量％である。
【００３４】
好ましくは、前記光酸発生剤はトリアリールスルホニウム塩、ジアリールヨードニウム塩、スルホネートあるいはその混合物である。特に、好ましくは、前記光酸発生剤は、トリフェニルスルホニウムトリフレート、トリフェニルスルホニウムアンチモネート、ジフェニルヨードニウムトリフレート、ジフェニルヨードニウムアンチモネート、メトキシジフェニルヨードニウムトリフレート、ジ−ｔ−ブチルジフェニルヨードニウムトリフレート、２，６−ジニトロベンジルスルホネート、ピロガロールトリス（アルキルスルホネート）、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドトリフレート、ノルボルネン−ジカルボックスイミド−トリフレート、トリフェニルスルホニウムノナフレート、ジフェニルヨードニウムノナフレート、メトキシジフェニルヨードニウムノナフレート、ジ−ｔ−ブチルジフェニルヨードニウムノナフレート、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドノナフレート、ノルボルネン−ジカルボックスイミド−ノナフレート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロオクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロオクタンスルホネート、メトキシジフェニルヨードニウムパーフルオロオクタンスルホネート、ジ−ｔ−ブチルジフェニルヨードニウムトリフレート、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドパーフルオロオクタンスルホネート、ノルボルネン−ジカルボックスイミドパーフルオロオクタンスルホネートあるいはこれらの混合物である。
【００３５】
本発明によるレジスト組成物は、有機塩基をさらに含んでいてもよい。この時、前記有機塩基の含量は、前記感光性ポリマーの質量を基準として０．０１〜２．０質量％である。
【００３６】
好ましくは、前記有機塩基は、第３級アミンを含む化合物を単独でまたは２種以上混合してなるものである。さらに好ましくは、前記有機塩基は、トリエチルアミン、トリイソブチルアミン、トリイソオクチルアミン、トリイソデシルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−アルキル置換されたピロリジノン、Ｎ−アルキル置換されたカプロラクタム、Ｎ−アルキル置換されたバレロラクタムあるいはその混合物である。
【００３７】
本発明によるレジスト組成物は、３０〜２００ｐｐｍの界面活性剤をさらに含むことができる。
【００３８】
上記したように、本発明による感光性ポリマーは、アルコキシ基を含有する共重合単位と置換基を有していてもよいオキソラノンとが交互に共重合した特定構造の共重合体を含むことを特徴とし、換言すれば、線形もしくは環状構造を有するアルキルビニルエーテルとフラノンとが交互に共重合した特定構造の共重合体を含むことをその基本構造としている。ここに、該アルキルビニルエーテルとしては、イソブチルビニルエーテル、メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、ｎ−ブチル基ビニルエーテル等が例示できる。また、フラノンとしては、フラノン、ジメチルフラノンなどが例示できる。
【００３９】
本発明では、かかる基本構造に、アクリレートもしくはメタクリレートモノマーユニットなどの感光性置換基を有するモノマーユニットを更に共重合させると、感光性ポリマーとしての機能を有させることができる。該共重合体は、アルキルビニルエーテルとフラノンとを１：１のモル比にて混合した後に、通常のラジカル重合を行えば容易に得ることができる。この時、バルク重合あるいは溶液重合が用いられる。開始剤としてはアゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）、過酸化ラウロイルなどの通常のラジカル開始剤を用いることができる。溶液重合に際しては、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジオクサンなどの極性溶媒、あるいはシクロヘキサンなどの非極性溶媒を用いることができる。
【００４０】
なお、アクリレートもしくはメタクリレートモノマーユニットなどの感光性置換基を有するモノマーユニットとしては、２−メチル−２−ノルボルニル（メタ）アクリレート、２−エチル−２−ノルボルニル（メタ）アクリレート、２−メチル−２−イソボルニル（メタ）アクリレート、２−エチル−２−イソボルニル（メタ）アクリレート、８−メチル−８−トリシクロ［５．２．１．０2,6］デカニル（メタ）アクリレート、８−エチル−８−トリシクロ［５．２．１．０2,6］デカニル（メタ）アクリレート、２−メチル−２−アダマンチル（メタ）アクリレート、２−エチル−２−アダマンチル（メタ）アクリレート、１−アダマンチル−１−メチルエチル（メタ）アクリレート、２−メチル−２−フェンキル（メタ）アクリレートまたは２−エチル−２−フェンキル（メタ）アクリレート等が例示できる。
【００４１】
本発明による感光性ポリマーは、上記のように線形もしくは環状構造を有するアルキルビニルエーテルとフラノンとを交互に共重合した共重合体を含むことをその基本構造としている。本発明によれば、マレイン酸無水物を含む従来の感光性ポリマーの場合には、水分に対して不安定な性質を有しているだけではなく、１９３ｎｍにおいて過度な吸光度を示すのに対し、マレイン酸無水物の代わりにフラノンを含有している本発明による感光性ポリマーには前記のような問題点が見られない。かかる感光性ポリマーから得られる本発明によるレジスト組成物は、ドライエッチングに対する耐性及び下部膜質に対する接着力に優れており、保管安定性が抜群であるほか、１９３ｎｍ及び２４８ｎｍ波長の光源を用いるフォトリソグラフィ工程に適用するに際して高解像度の優れたリソグラフィパフォーマンスを示すことから、今後次世代半導体素子を製造する上で極めて有用である。
【００４２】
以上、本発明を好ましい実施形態を挙げて詳細に説明したが、本発明は前記実施形態に限定されることなく、本発明の技術的な思想の範囲内であれば、当業者による各種の変形が可能である。
【００４３】
【実施例】
以下、本発明の実施例により具体的に説明する。
【００４４】
実施例１
コーポリマーの合成
【００４５】
【化１９】
0004194800.tif 000012
【００４６】
フラノン４．２ｇ及びジヒドロフラン３．５ｇを無水ＴＨＦ ７ｇに溶かした後、ここにＡＩＢＮ０．８２ｇを加え、フリーズ−ポンプソー方式により３回に亘ってガス抜きを行った。
【００４７】
得られた反応物を６５℃において約２４時間重合させた後、過量のイソプロピルアルコール溶液（×１０倍）で沈殿させた。次に、該沈殿物をＴＨＦに再び溶かした後にイソプロピルアルコール溶液で再沈殿させた。得られた沈殿物をろ過した後、５０℃に保たれる真空オーブン内で２４時間乾燥した（収率８０％）。
【００４８】
この時、得られた生成物の重量平均分子量（Ｍｗ）は１１，０００であり、多分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．８であった。
【００４９】
参考例
コーポリマーの合成
【００５０】
【化２０】
0004194800.tif 000013
【００５１】
フラノン４．２ｇ及びイソブチルビニールエーテル５．０ｇを実施例１の方法と同様にして重合した後、実施例１の方法と同様にして精製を行い、所望の生成物を得た（収率８５％）。
【００５２】
この時、得られた生成物の重量平均分子量（Ｍｗ）は１０，１００であり、多分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．７４であった。
【００５３】
実施例２
ターポリマーの合成
【００５４】
【化２１】
0004194800.tif 000014
【００５５】
フラノン２．５２ｇ、ジヒドロフラン２．１ｇ及び２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート９．４ｇをＴＨＦ１２ｇに溶かした後、ここにＡＩＢＮ ０．８２ｇを加え、ガス抜きを行った。
【００５６】
得られた反応物を６５℃において約２４時間重合させた後、過量のイソプロピルアルコール溶液（×１０倍）において沈殿させた。次に、沈殿物をＴＨＦに再び溶かした後にイソプロピルアルコール溶液において再沈殿させた。得られた沈殿物をろ過した後、５０℃に保たれる真空オーブン内において２４時間乾燥した（収率７３％）。
【００５７】
この時、得られた生成物の重量平均分子量（Ｍｗ）は８，０００であり、多分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．９５であった。
【００５８】
実施例３
ターポリマーの合成
【００５９】
【化２２】
0004194800.tif 000015
【００６０】
フラノン２．５２ｇ、ブチルビニールエーテル３．０ｇ及び２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート９．４ｇを実施例２の方法と同様にして重合した後、実施例２の方法と同様にして精製を行い、所望の生成物を得た（収率８４％）。
【００６１】
この時、得られた生成物の重量平均分子量（Ｍｗ）は１４，０００であり、多分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．７２であった。
【００６２】
実施例４
レジスト組成物の製造及びリソグラフィパフォーマンス
実施例２において得られたターポリマー１．０ｇを光酸発生剤（ＰＡＧ）であるトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート（トリフレート）０．０２ｇ及び有機塩基であるトリイソデシルアミン２ｍｇと共にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）８．０ｇの溶液に入れて完全に溶かした後、０．２μｍのメンブレインフィルターを用いてろ過を行い、レジスト組成物を得た。このレジスト組成物を有機ＡＲコーティング処理したシリコンウェーハ上にそれぞれ約０．３μｍの厚さに塗布した。
【００６３】
次に、前記レジスト組成物が塗布されたそれぞれのウェーハを１２０℃の温度において９０秒間ソフトベークし、ＡｒＦエキシマーレーザステッパ（ＮＡ＝０．６）を用いて露光した後、１２０℃の温度において９０秒間ポストエキスポジャベイキング（ＰＥＢ）を行った。
【００６４】
次に、２．３８質量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）溶液を用いて約６０秒間現像を行い、レジストパターンを形成した。
【００６５】
その結果、露光量を約１０ｍＪ／ｃｍ2とした時に０．１５μｍのラインアンドスペースパターンが得られた。
【００６６】
実施例５
レジスト組成物の製造及びリソグラフィパフォーマンス
実施例３において得られたターポリマー１．０ｇを用い、実施例４の方法と同様にしてレジスト組成物を得た。このレジスト組成物を用い、実施例４の方法と同様にして評価した結果、露光ドーズ量を約１２．０ｍＪ／ｃｍ2とした時に０．１５μｍのラインアンドスペースパターンが得られた。
【００６７】
【発明の効果】
本発明による感光性ポリマーはドライエッチングに対する耐性及び下部膜質に対する接着特性を増大できる構造を有すると共に、水分に対して安定した性質を有する。かかる感光性ポリマーから得られる本発明によるレジスト組成物は、ドライエッチングに対する耐性及び下部膜質に対する接着力に優れており、保管安定性が抜群であるほか、高解像度の優れたリソグラフィパフォーマンスを示すことができる。