(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体素子が形成された基板を、第１のキャビティ形成面と該形成面の外側に形成される第1の分割面とを有する第１の金型と、第２のキャビティ形成面と該形成面の外側に形成される第2の分割面とを有する第２の金型とからなる分割金型を用いて圧縮成形法によって樹脂封止した後、前記基板を半導体素子単位に分割する半導体装置の製造方法において、
前記分割金型を開いて、前記第１のキャビティ形成面および前記第1の分割面に第1の離型シートを配設するとともに、前記第２のキャビティ形成面および前記第2の分割面に第２の離型シートを配設し、該第１および第２の離型シートは前記第１及び第２の分割面にそれぞれに設けられた複数の円周状の吸引部を介して真空源によって吸引され、少なくとも前記第１および第２のキャビティ形成面に密接される離型シート配設工程と、
前記第１のキャビティ形成面の前記第１の離型シート上に前記基板を配置する基板配置工程と、
前記分割金型を閉じて前記基板上に供給する封止用の樹脂を圧縮成形法を用いて封止して樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、
前記分割金型を開いて該樹脂層が形成された前記基板を取り出すと共に、前記第１および第２の離型シートを剥離する基板取り出し工程と、
前記基板を前記半導体素子単位に分割する分割工程と、
を有し、
前記第１のキャビティ形成面には前記第１の離型シートを前記第１のキャビティ形成面に向け吸引する第１の吸引部が形成されており、
前記基板配置工程において、
前記第１の吸引部を介して印加される真空源の真空圧により、前記第１の離型シートにおける前記第１のキャビティ形成面と対峙する位置に孔部が形成されるとともに、前記基板は前記孔部および前記第１の吸引部を介して前記第１の離型シートおよび前記第１のキャビティ形成面に密接されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１および第２の離型シートは、
前記複数の吸引部のうち前記第１および第２の分割面のそれぞれの外周に設けられた第２の吸引部を介して真空源によって前記第１および第２の分割面に密接されるとともに、
前記第１のおよび第２の分割面における、前記第２の吸引部の配設位置と前記キャビティ形成面との間にそれぞれ形成された凹部に配設された第３の吸引部を介して真空源によって前記凹部に吸引されることにより、張力が付与されることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１のおよび第２の金型の第１および第２のキャビティ形成面の外周に樹脂溜め用のダミーキャビティが形成されるとともに、前記第１および第２の金型のうちの少なくとも一方の前記第１および第２の分割面であって、前記第１または第２のキャビティ形成面とダミーキャビティとの間に前記分割金型を閉じた状態において幅狭部が形成されるよう凸部が形成され、
前記樹脂層形成工程において、封止用の樹脂のうち、余剰となる余剰樹脂を前記幅狭部を介して該ダミーキャビティに排出することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記基板は基板表面から突出する電極が形成されており、かつ、前記第１の金型を前記第１のキャビティ形成面を有した第１の可動金型半体と、該第１の可動金型半体を囲み前記第１のキャビティ形成面の外周に形成される前記第１の分割面を有する第２の可動金型半体とにより構成し、
前記樹脂層形成工程において、
先ず、前記第２の金型を前記第２のキャビティ形成面に密接された前記第２の離型シートが該電極の先端部に当接する直前の位置まで変位させ、次に、前記第１の可動金型半体を変位させることにより前記基板を変位させ、前記第２の金型に密接された前記第２の離型シートに前記電極の先端部を当接させ、次に、前記第２の可動金型半体を変位させてキャビティを形成するとともに、前記キャビティの外周に形成された樹脂溜め用のダミーキャビティに余剰の溶融した封止用の樹脂を排出し、次に、前記第２の金型をさらに変位させて樹脂に対し成形圧力を印加することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置の製造方法および半導体装置製造用金型に関し、一層詳細にはチップサイズパッケージ構造を有した半導体装置の製造方法および半導体装置製造用金型に関する。
近年、電子機器および装置の小型化の要求に伴い、半導体装置の小型化、高密度化が図られている。このため、半導体装置の寸法を半導体素子（チップ）の寸法に極力近づけることにより小型化を図った、いわゆるチップサイズパッケージ構造（以下、ＣＳＰという）の半導体装置が提案されている。このＣＳＰタイプの半導体装置は、小型化を維持しつつ信頼性の向上を図るため、部分的に樹脂が配設された構成とされている。
【０００２】
また、一方において半導体装置は、その生産性において高い効率化が望まれている。従って、ＣＳＰタイプの半導体装置において樹脂を配設する行程においてても、生産性を向上し高効率化を図る必要がある。
【０００３】
【従来の技術】
図４１（Ａ）は、ＣＳＰタイプの半導体装置１を示している。同図に示すように、半導体装置１は、大略すると半導体素子２、樹脂層３、および電極４等により構成されている。樹脂層３は、半導体素子２の電極４が形成された回路形成面上に所定の厚さで形成されている。これにより、半導体素子２の回路形成面は樹脂層３により保護されている。また、樹脂層３は電極４の先端部（電気的接続を行なうに必要な領域）を残し、この電極４も封止している。よって、電極４の半導体素子２に対する取付け強度の向上も図られている。このように形成された半導体装置１は電極４の先端部を実装基板５の電極パッド６に接合して実装基板５に搭載される。
【０００４】
ところで、上記した半導体装置１を製造するには、半導体素子２の上部に樹脂層４を形成する処理が必要となる。本発明者は先に、特開平１０−７１９４４号公報において、この樹脂層４を形成する方法およびこの方法に用いる半導体装置製造用金型を提案した。以下、上記の公報に開示された製造方法および半導体装置製造用金型について、説明する。
【０００５】
図４２に示す半導体装置製造用金型２０は大略すると上型２１と下型２２とにより構成されている。この上型２１および下型２２には、共に図示しないヒーターが内設されており、後述する封止樹脂３５を加熱溶融しうる構成とされている。
上型２１は、図４２中矢印Ｚ１、Ｚ２方向に昇降動作する構成とされている。また、上型２１の下面はキャビティ面（キャビティ形成面）２１ａとされており、このキャビティ面２１ａは平坦面とされている。従って、上型２１の形状は極めて簡単な形状とされており、安価に上型２１を製造することができる。
【０００６】
一方、下型２２は、第１の下型半体２３と第２の下型半体２４とにより構成されている。第１の下型半体２３は、基板１６の形状に対応した形状とされており、具体的には基板１６の径寸法より若干大きな径寸法に設定されている。基板１６は、この第１の下型半体２３の上面に形成されたキャビティ面２５に装着される。また、第２の下型半体２４の側面にはキャビティ面２６が形成される。この例では、第１の下型半体２３は固定された構成とされている。
【０００７】
また、第２の下型半体２４は、第１の下型半体２３を囲繞するよう略環状形状とされている。この第２の下型半体２４は、第１の下型半体２３に対して図中矢印Ｚ１、Ｚ２方向に昇降動作する構成とされている。
樹脂封止工程の開始直後の状態では、図４２に示すように、第２の下型半体２４は第１の下型半体２３に対してＺ２方向に上動した状態となっており、よって前記した基板１６は第１および第２の下型半体２３、２４が協働して形成する凹部（キャビティ）内に装着される。この際、基板１６はバンプ１２が形成された面が上側となるよう装着され、よって装着状態において基板１６に形成されたバンプ（突起電極）１２は上型２１と対向した状態となっている。
【０００８】
上記のように下型２２に基板１６を装着すると、続いて上型２１の下部にのみシート３０を配設すると共に、基板１６のバンプ１２上に封止樹脂３５を載置する。この封止樹脂３５を載置した状態を示す図４３において、参照符号１１は半導体素子を示す。
上記のように基板装着工程が終了すると、続いて樹脂層形成工程が実施される。樹脂層形成工程が開始されると、金型２０による加熱により封止樹脂３５が溶融しうる温度まで昇温したことを確認した上で、上型２１がＺ１方向に下動される。
【０００９】
上型２１をＺ１方向に下動することにより、先ず上型２１は第２の下型半体２４の上面と当接する。この際、前記のように上型２１の下部にはフィルム（シート）３０が配設されているため、上型２１が第２の下型半体２４と当接した時点で、図４４に示されるように、フィルム３０は上型２１と第２の下型半体２４との間にクランプされた状態となる。この時点で、金型２０内には、前記した各キャビティ面２１ａ、２５、２６により囲繞されたキャビティ２８が形成される。
【００１０】
また、封止樹脂３５は下動する上型２１によりフィルム３０を介して圧縮付勢され、かつ封止樹脂３５は溶融しうる温度まで昇温されているため、同図に示されるように、封止樹脂３５は基板１６上にある程度広がった状態となる。
上型２１が第２の下型半体２４と当接すると、その後は、上型２１および第２の下型半体２４はフィルム３０をクランプした状態を維持しつつ一体的にＺ１方向に下動を行なう。即ち、上型２１および第２の下型半体２４は、共にＺ１方向に下動する。
【００１１】
これに対し、下型２２を構成する第１の下型半体２３は固定された状態を維持するため、図４５に示すように、キャビティ２８の容積は上型２１および第２の下型半体２４の下動に伴い減少し、よって封止樹脂３５はキャビティ２８内で圧縮されつつ樹脂成形されることとなる（この樹脂成形法を圧縮成形法という）。
図４５は、樹脂層形成工程が終了した状態を示している。樹脂層形成工程が終了した状態では、フィルム３０は基板１６に向け圧接されているため、バンプ１２の先端部はフィルム３０にめり込んだ状態となる。また、封止樹脂３５が基板１６の全面に配設されることにより、バンプ１２を封止する樹脂層１３が形成される。
【００１２】
樹脂層形成工程が終了すると、続いて離型工程が実施される。この離型工程では、先ず上型２１をＺ２方向に上昇させる。この際、樹脂層１３が第２の下型半体２４に形成された傾斜部２７と当接した位置は固着した状態となっているため、基板１６および樹脂層１３は下型２２に保持された状態となっている。このため、上型２１を上昇させた場合、上型２１のみがフィルム３０から離脱し上動することとなる。
【００１３】
続いて、第２の下型半体２４を第１の下型半体２３に対してＺ１方向に若干量下動させる。図４６の中心線より左側は、上型２１が上動し、かつ第２の下型半体２４が若干量下動した状態を示している。このように、第２の下型半体２４を第１の下型半体２３に対して下動させることにより、第２の下型半体２４のキャビティ面２６と樹脂層１３とを離間させることができる。
【００１４】
このようにキャビティ面２６と樹脂層１３とが離間すると、続いて第２の下型半体２４はＺ２方向に上動を開始する。これにより、第２の下型半体２４の上面はフィルム３０と当接すると共にキャビティ面２６は樹脂層１３の側壁と当接し、よって第２の下型半体２４の上動に伴い基板１６を上方向に向け移動付勢する。
【００１５】
フィルム３０は樹脂層１３と固着した状態を維持しているため、フィルム３０が上動付勢されることにより、樹脂層１３が形成された基板１６は第１の下型半体２３から離脱する。これにより、図４６の中心線より右側に示されるように、樹脂層１３が形成された基板１６は金型２０から離型される。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、図４２乃至図４６を用いて説明した特開平１０−７１９４４号公報に開示された方法および装置によれば、封止樹脂３５は半導体素子１１当たりの使用量が大幅に少なくて済むため、材料コストを低減することができる。また、この圧縮成形法によれば、モールド用の型に樹脂を流しこむ従来のトランスファーモールド法に比べて、基板１６全体に均一な樹脂層１３を容易に形成することができる。
【００１７】
しかるに一方において、上記装置は、上型２１の下部にフィルム３０が１枚配設されているだけであるため、下型２２に樹脂が接触することを完全には防止できず、したがって樹脂封止後の金型２０の離型性が不良となるおそれがある。
また、フィルム３０を確実に張った状態に配設することができず、あるいはフィルム３０を張った後金型２０の動作過程においてフィルム３０が弛むおそれがあり、この場合、皺が形成品に残ってしまう不具合がある。
【００１８】
また、成形された樹脂層１３内にボイドや不純物が存在すると、装置の信頼性の低下を招くことになる。
本発明は上記した半導体装置の製造方法および半導体装置製造用金型をさらに改良するためになされたものであり、成形後の金型の離型性に優れ、このため金型のクリーニング作業をほとんど要しない半導体装置の製造方法および半導体装置製造用金型を提供することを主な目的とする。
【００１９】
また、本発明の他の目的は、半導体装置の品種違い等の場合においても同一量の封止用の樹脂を用いて容易に所望の厚みで均一かつ精密な樹脂層を形成することができ、また樹脂層表面の肌荒れがなく、また樹脂層形成面と反対側の面（裏面）への封止用の樹脂の回り込みがなく、また樹脂層にボイドやピンホールのない良好な品質を有する半導体装置をより好適に製造することができる半導体装置の製造方法および半導体装置製造用金型を提供することにある。
【００２０】
また、本発明のさらに他の目的は、所望の樹脂層を形成できる安価な半導体装置製造用金型を提供することにある。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、複数の半導体素子が形成された基板を、第１のキャビティ形成面と該形成面の外側に形成される第1の分割面とを有する第１の金型と、第２のキャビティ形成面と該形成面の外側に形成される第2の分割面とを有する第２の金型とからなる分割金型を用いて圧縮成形法によって樹脂封止した後、前記基板を半導体素子単位に分割する半導体装置の製造方法において、前記分割金型を開いて、前記第１のキャビティ形成面および前記第1の分割面に第1の離型シートを配設するとともに、前記第２のキャビティ形成面および前記第2の分割面に第２の離型シートを配設し、該第１および第２の離型シートは前記第１及び第２の分割面にそれぞれに設けられた複数の円周状の吸引部を介して真空源によって吸引され、少なくとも前記第１および第２のキャビティ形成面に密接される離型シート配設工程と、記第１のキャビティ形成面の前記第１の離型シート上に前記基板を配置する基板配置工程と、前記分割金型を閉じて前記基板上に供給する封止用の樹脂を圧縮成形法を用いて封止して樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、前記分割金型を開いて該樹脂層が形成された前記基板を取り出すと共に、前記第１および第２の離型シートを剥離する基板取り出し工程と、前記基板を前記半導体素子単位に分割する分割工程と、を有し、前記第１のキャビティ形成面には前記第１の離型シートを前記第１のキャビティ形成面に向け吸引する第１の吸引部が形成されており、前記基板配置工程において、前記第１の吸引部を介して印加される真空源の真空圧により、前記第１の離型シートにおける前記第１のキャビティ形成面と対峙する位置に孔部が形成されるとともに、前記基板は前記孔部および前記第１の吸引部を介して前記第１の離型シートおよび前記第１のキャビティ形成面に密接されることを特徴とする（請求項１に係る発明）。
【００２２】
これにより、第１および第２の金型のそれぞれのキャビティ形成面を含む分割面に離型シートを配設しているため、封止用の樹脂が第１および第２の金型のいずれの金型にも全く接触することがなく、したがって、金型の離型性に優れ、特に、封止用の樹脂が樹脂封止する側と反対側の基板面と金型のキャビティ形成面との間に浸入した場合（基板の裏面へ封止用の樹脂が回り込んだ場合）であっても、確実に離型することができる。また、金型のクリーニング作業が実質的に不要である。さらにまた、例えば、第１の金型が可動金型半体と固定金型半体とから構成される場合において、可動金型半体と固定金型半体との間の隙間部に封止用の樹脂が入り込むおそれがないため、可動金型半体の動作不良や摺動面の損傷を生じることがない。またさらに、離型シートに皺を生じることがなく、したがって、半導体装置の樹脂層表面に肌荒れを生じることがない。
また、孔部を容易かつ確実に所定の位置に形成することができるとともに、基板を離型シート上に確実に吸着、固定することができ、したがって、基板をキャビティ形成面の所定の位置に確実に固定することができるとともに、基板の裏面への封止用の樹脂の回り込みを一層確実に防止することができる。
【００２３】
この場合、前記第１および第２の離型シートは、
前記複数の吸引部のうち前記第１および第２の分割面のそれぞれの外周に設けられた第２の吸引部を介して真空源によって前記第１および第２の分割面に密接されるとともに、
前記第１のおよび第２の分割面における、前記第２の吸引部の配設位置と前記キャビティ形成面との間にそれぞれ形成された凹部に配設された第３の吸引部を介して真空源によって前記凹部に吸引されることにより、張力が付与されると（請求項２に係る発明）、上記した本発明の効果を一層好適に奏することができるとともに、特に、可動金型が変位する状態においても離型シートを常に張った状態に維持することができる。
【００２５】
また、前記第１のおよび第２の金型の第１および第２のキャビティ形成面の外周に樹脂溜め用のダミーキャビティが形成されるとともに、前記第１および第２の金型のうちの少なくとも一方の前記第１および第２の分割面であって、前記第１または第２のキャビティ形成面とダミーキャビティとの間に前記分割金型を閉じた状態において幅狭部が形成されるよう凸部が形成され、前記樹脂層形成工程において、封止用の樹脂のうち、余剰となる余剰樹脂を前記幅狭部を介して該ダミーキャビティに排出すると（請求項３）、ボイド、ピンホール等の不良部位の原因となる余剰樹脂をダミーキャビティに排出することができ、良好な樹脂層を形成することができる。また、基板のロット間で後述する電極の高さにばらつきを生じた場合であっても、封止用の樹脂を金型に供給する際に予め精密に樹脂量を計量することなく、所定の厚みの樹脂層を容易に形成することができる。また、電極の高さや数が異なる品種違いの半導体装置を樹脂封止する場合であっても、供給する樹脂量をその都度変更する必要がない。また、樹脂封止後は、幅狭部に形成された樹脂層の薄層部を切断することにより、トリミングを容易に行なうことができる。
【００２６】
また、前記基板は基板表面から突出する電極が形成されており、かつ、前記第１の金型を前記第１のキャビティ形成面を有した第１の可動金型半体と、該第１の可動金型半体を囲み前記第１のキャビティ形成面の外周に形成される前記第１の分割面を有する第２の可動金型半体とにより構成し、前記樹脂層形成工程において、先ず、前記第２の金型を前記第２のキャビティ形成面に密接された前記第２の離型シートが該電極の先端部に当接する直前の位置まで変位させ、次に、前記第１の可動金型半体を変位させることにより前記基板を変位させ、前記第２の金型に密接された前記第２の離型シートに前記電極の先端部を当接させ、次に、前記第２の可動金型半体を変位させてキャビティを形成するとともに、前記キャビティの外周に形成された樹脂溜め用のダミーキャビティに余剰の溶融した封止用の樹脂を排出し、次に、前記第２の金型をさらに変位させて樹脂に対し成形圧力を印加すると（請求項４に係る発明）、樹脂層の高さは第２の金型のみでなく第１の可動金型半体によって微調整されるため、第２の金型の変位量を高精度に制御するための高価な装置を使用することなく、精密に樹脂封止することができる。
【００２７】
ここで、基板表面から突出する電極とは、例えば、半導体装置上に設けられる電極パッドを外部端子と電気的に接続するための突起電極（バンプ）や、電極パッドに接続される接続配線を外部端子と電気的に接続するためのメタルポスト等をいう。なお、離型シートが電極の先端部に当接する位置は、例えば、第２の金型の押圧力を所定値に設定する等の方法によって適宜決定できる。また、離型シートが電極の先端部に当接する直前の位置は、例えば、第２の金型の押圧力を所定値に設定する等の方法によって適宜決定できる。
【００３５】
【発明の実施の形態】
本発明に係る半導体装置の製造方法および半導体装置製造用金型の好適な実施の形態（以下、本実施の形態例という。）について、図を参照して、以下に説明する。
まず、本実施の形態の第１の例に係る半導体装置の製造方法および半導体装置製造用金型について、図１〜図９を参照して説明する。
【００３６】
図１において、中心線より左側は、半導体装置製造用金型（以下、単に金型という）１００を開いた状態を示し、中心線より右側は、金型１００を閉じた状態を示す。
金型１００は、被処理物を圧縮成形するためのものであり、上型（第２の金型）１０２と、下型（第１の金型）１０４とから構成される分割金型である。金型１００には図示しない加熱源が配設されている。
【００３７】
上型１０２の下面には配置される基板とほぼ同一寸法および形状のキャビティ面（第２のキャビティ形成面）１０２ａが形成され、キャビティ面１０２ａの外周には平坦な分割面１０２ｂが延設されている。分割面１０２ｂには円周状の凹部１０６が形成されている。これら、キャビティ面１０２ａを含む分割面１０２ｂは平滑に仕上げられている。凹部１０６の底面（分割面）には円周状の吸引溝（第３の吸引部、第３の吸引溝）１０８が形成され、凹部１０６よりも外周の分割面１０２ｂにも円周状の吸引溝（第２の吸引部、第２の吸引溝）１１０ａ〜１１０ｄがそれぞれ形成されており、これらの吸引溝１０８、１１０ａ〜１１０ｄは連通流路１１２、１１４を介してそれぞれ独立して制御可能な真空源に接続されている（図１中、連通流路１１２に接続される真空源１１３のみ図示し、他の真空源は省略する）。この場合、吸引溝の負荷有効面積（吸引面積）は内側の吸引溝１０８よりも外側の吸引溝１１０ａ〜１１０ｄの方が大きく設けられている（以下、下型１０４および他の実施例についても同様であり、個別の説明は省略する。）。上型１０２は、図示しない駆動装置に付勢されて、図１中、矢印Ｚ１、Ｚ２方向に上下動可能に設けられている。
【００３８】
下型１０４は、内側下型半体（インナーダイ）１１６と、この内側下型半体１１６を囲む外側下型半体（アウターダイ）１１８とから構成されている。内側下型半体１１６の上面には、配置される基板とほぼ同一寸法、形状および高さの凹状のキャビティ面（第１のキャビティ形成面）１１６ａが形成されるとともに、上面の外周端部は、図１中、外側下方に傾斜するテーパ面１１６ｂが形成されており、キャビティ面１１６ａとテーパ面１１６ｂとで突起部（凸部）１２０が形成されている。突起部１２０は図１に示すように断面形状が山形であり、その先端部１２０ａはキャビティ面１１６ａの外周全体にわたって平滑に形成されている。キャビティ面１１６ａおよびテーパ面１１６ｂも平滑に形成されている。外側下型半体１１８の上面は、テーパ面１１６ｂ側の端部がテーパ面１１６ｂとは逆の傾斜をもつテーパ面１１８ａに形成されており、これらテーパ面１１６ｂとテーパ面１１８ａとで樹脂溜め用のダミーキャビティ１２２が形成されている。テーパ面１１８ａに延出して平坦な分割面１１８ｂが形成されており、分割面１１８ｂには凹部１０６に対応して凹部１２１が形成され、この凹部１０６と凹部１２１とから後述する離型シートに張力を付与するための離間部１２３が構成される。
【００３９】
内側下型半体１１６のキャビティ面１１６ａには、平坦部の中央および周囲の対称位置に複数の吸引溝（第１の吸引部、第１の吸引溝）１２４が形成され、さらにこれら吸引溝１２４の開口側は十字状および円周状に形成された溝部１２７によって連通されている（以下、溝部１２７を含めて吸引溝１２４ということがある。）。また、平坦部と傾斜部との境界部にも吸引溝１２６が円周状に形成されている。吸引溝１２４、１２６は連通流路１２８、１３０を介してそれぞれ図示しない独立して制御可能な真空源に接続されている。
【００４０】
外側下型半体１１８の凹部１２１の底面（分割面）にも円周状の吸引溝（第３の吸引部、第３の吸引溝）１３２が形成され、また凹部１２１よりも外周の分割面１１８ｂにも円周状の吸引溝（第２の吸引部、第２の吸引溝）１３４ａ〜１３４ｄが形成されており、これらの吸引溝１３２、１３４ａ〜１３４ｄは連通流路１３６、１３８を介してそれぞれ図示しない独立して制御可能な真空源に接続されている。なお、内側下型半体１１６と外側下型半体１１８との間隙１４０も吸引溝の役割を担い、連通流路１４２を介して図示しない独立して制御可能な真空源に接続されている（以下、吸引溝１４０という。）。
【００４１】
内側下型半体１１６は下型ベース１４４上に固定されている。一方、外側下型半体１１８の下面と下型ベース１４４上面との間にクランプスプリング１４６が取り付けられており、外側下型半体１１８が摺接部材１４８を介して内側下型半体１１６と摺接して、図１中、矢印Ｚ１、Ｚ２方向に上下動可能に構成されている。下型ベース１４４は図示しない所定のベース上に戴置されている。
【００４２】
図１において、上型１０２のキャビティ面１０２ａおよび分割面１０２ｂの全面を覆うように離型シート（第２の離型シート）１５０ａが密接して配設され、内側下型半体１１６のキャビティ面１１６ａおよびテーパ面１１６ｂならびに外側下型半体１１８のテーパ面１１８ａおよび分割面１１８ｂの全面を覆いかつ密接して離型シート（第１の離型シート）１５０ｂが配設されている。また、図示しない電極が設けられた半導体素子の形成された基板１５２が、電極を、図１中、上方に向けて内側下型半体１１６のキャビティ面１１６ａの所定の位置に配置され、基板１５２上に封止用の樹脂（以下、単に封止樹脂という。）１５４が、この場合、樹脂タブレットの形で配置されている。
【００４３】
上記のように構成される本実施の形態の第１の例に係る金型１００を用いて樹脂封止して半導体装置を製造する方法について、図２〜図９を参照して以下説明する。
樹脂封止作業開始段階では、図２に示すように、上型１０２は上方（Ｚ２方向）に付勢されて待機した状態にあり、下型１０４は外側下型半体１１８がクランプスプリング１４６に押圧されて内側下型半体１１６よりもやや上動した状態にある。
【００４４】
この状態で、各真空源を付勢しながら（図２中、白抜き細矢印方向。以下の図および他の実施例において同じ。）、２枚の離型シート１５０ａ、１５０ｂを、上型１０２のキャビティ面１０２ａおよび分割面１０２ｂの全面と、内側下型半体１１６のキャビティ面１１６ａおよびテーパ面１１６ｂならびに外側下型半体１１８のテーパ面１１８ａおよび分割面１１８ｂの全面とを覆うようにそれぞれ配設する（離型シート配設工程）。このとき、２枚の離型シート１５０ａ、１５０ｂを張った状態で、まず吸引溝１１０ａ〜１１０ｄ、１３４ａ〜１３４ｄから吸引して離型シート１５０ａ、１５０ｂを密接、固定した後、さらに吸引溝１０８、１３２から吸引することにより、離型シート１５０ａ、１５０ｂが凹部１０６、１２０間に形成される離間部１２３内に引き込まれ、これにより離型シート１５０ａ、１５０ｂに撓みを生じていた場合であってもその撓みが解消され、確実に離型シート１５０ａ、１５０ｂを密接することができる。また、突起部１２０の断面形状が山形に形成されているため、吸引溝１２６、１４０に離型シート１５０ｂを吸着することによって離型シート１５０ｂが突起部１２０に良好な装着性をもって密接される。
【００４５】
ここで、離型シート１５０ａ、１５０ｂは、例えばポリイミド、塩化ビニール、ＰＣ、ＰＥＴ、生分解性樹脂、合成紙等の紙、金属箔、若しくはこれらの複合材を用いることが可能であり、後述する工程で印加される熱により劣化しない材料が選定されている。また上記の耐熱性に加え、所定の弾性を有する材料が選定されている。ここでいう所定の弾性とは、後述する樹脂封止時において、電極の先端部が離型シート１５０ａ内にめり込むことが可能な程度の弾性をいう。
【００４６】
ついで、図３に示すように、キャビティ面１１６ａの各吸引溝１２４、１２６から吸引することにより、離型シート１５０ｂは各吸引溝１２４、１２６および溝部１２７に吸着されてキャビティ面１１６ａに確実に密接される。このとき、吸引溝１２４から高真空で吸引することにより、離型シート１５０ｂが吸引溝１２４に強く引き寄せられ、吸引溝１２４の壁との間で切断（せん断）されて、離型シート１５０ｂには吸引溝１２４と対応する所定の位置（対峙する位置）に孔部１５６が容易かつ確実に形成される。
【００４７】
ついで、図４に示すように、電極が設けられた半導体素子の形成された基板１５２の電極を上方に向けて内側下型半体１１６のキャビティ面１１６ａの所定の位置の離型シート１５０ｂ上に基板１５２を配置する（基板配置工程）。さらに、基板１５２の上に封止樹脂１５４を置く。この状態で、基板１５２の裏面は、離型シート１５０ｂの孔部１５６を介して吸引溝１２４に吸着され、離型シート１５０ｂに強く密接される。
【００４８】
ここで、封止樹脂１５４は、例えば、ポリイミド、エポキシ（ＰＰＳ、ＰＥＥＫ、ＰＥＳおよび耐熱性液晶樹脂等の熱可塑性樹脂）等の樹脂であり、本実施例においては上記したようにこの樹脂を円柱形状に成形した構成のもの（樹脂タブレット）を用いている。
また、半導体素子（半導体チップ）は、基板１５２に電子回路が形成されたものであり、その実装側の面には多数の突起電極またはメタルポスト等の電極が配設されている。電極として突起電極を配設する場合、例えば、はんだボールを転写法を用いて配設された構成とされており、この突起電極は外部接続電極として機能するものである。突起電極は半導体素子に形成されている電極パッドに直接配設された構成とされる。また、電極としてメタルポストを配設する場合、例えば、リソグラフ法を用いて配設された構成とされており、このメタルポストは基板を外部端子に接続するためのものである。メタルポストは電極パッドに接続配線を配設した後その接続配線に接続して立設された構成とされる。
【００４９】
ついで、樹脂層形成工程に移り、加熱源を印加して金型１００を所定の温度に加熱した状態で、図５に示すように、駆動源を付勢して上型１０２をＺ１方向に下動し（図中、白抜き太矢印で示す。以下、同じ。）、幅狭部を形成するように上型１０２の分割面１０２ｂと外側下型半体１１８の分割面１１８ｂとをほぼ当接させ、分割面１０２ｂ、１１８ｂを閉じる。このとき、キャビティ面１０２ａ、１１６ａ間にキャビティ１５８が形成され、加熱されて溶融状態にある封止樹脂１５４はキャビティ１５８内を押し広げられる。
【００５０】
この場合、基板１５２の裏面は離型シート１５０ｂに密接されているため、溶融状態にある封止樹脂１５４が基板１５２の裏面に回り込むおそれがない。
ついで、図６に示すように、上型１０２を所定の押圧力（成形圧）に至るまでさらにＺ１方向に下動すると、この押圧力によってクランプスプリング１４６が収縮し外側下型半体１１８が固定状態にある内側下型半体１１６の外周と摺接しながらわずかにＺ１方向に下動する。これによって、キャビティ１５８が縮小し、キャビティ１５８を充満した後の余剰の封止樹脂（以下、これを余剰樹脂とよび封止樹脂と同一の参照符号を付すことがある。）１５４は、円周状に形成された突起部１２０を溢流してダミーキャビティ１２２に排出される。この場合、突起部１２０は先端部１２０ａが平滑に形成されているため、余剰樹脂１５４はキャビティ１５８から外周のダミーキャビティ１２２へ均等に排出される。また、突起部１２０は断面形状が山形に形成されているため、余剰樹脂１５４は流動性が良好な状態で排出される。また、離型シート１５０ｂが吸引溝１０８、１３２によって離間部１２３内において凹部１０６、１２０の底面に引き寄せられるように常に吸引されているため、外側下型半体１１８が下動して内側下型半体１１６と位置ずれして瞬時的に離型シート１５０ｂに弛みを生じることがあってもその弛みは直ちに解消され、離型シート１５０ｂは張った状態が保持される。
【００５１】
したがって、ボイド、ピンホール等の不良部位の原因となる余剰樹脂１５４をダミーキャビティ１２２に排出することができる。また、基板のロット間で電極の高さにばらつきを生じた場合であっても、樹脂を金型に供給する際に予め精密に樹脂量を計量することなく、所定の厚みに容易に樹脂封止することができる。また、電極の高さや数が異なる品種違いの半導体装置を樹脂封止する場合であっても、供給する樹脂量をその都度変更する必要がない。
【００５２】
この状態で、半導体素子の、例えば、電極形成面の全面にわたり溶融した封止樹脂１５４の層が形成される。半導体素子に配設されている電極は、樹脂封止された状態となるが、このとき、電極の先端部は封止樹脂１５４の層から露出し離型シート１５０ａにめり込んだ状態となっている。
ついで、基板取り出し工程に移り、図７に示すように、所定時間経過して、封止樹脂１５４が固化して封止樹脂層（以下、単に樹脂層という。）１６０が形成された後、上型１０２の真空源を停止し、上型１０２をＺ２方向に上動して、金型１００を開く。そして、下型１０４の真空源を停止した後、離型シート１５０ａ、１５０ｂごと樹脂層１６０が形成された基板１５２を金型１００から離型する（図示せず。）。
【００５３】
この場合、封止樹脂１５４が金型１００に直接付着することがなく、封止樹脂１５４と金型１００とは離型シート１５０ａ、１５０ｂによって完全に分離されているため、容易に離型することができる。
ついで、基板１５２から離型シート１５０ａ、１５０ｂを剥離する（図８）。このとき、電極の先端部に樹脂層１６０がわずかに存在する状態であっても、この樹脂層１６０は離型シート１５０ａに付着して除去され、電極の先端部は露出した状態とされる。ついで、樹脂層１６０の薄層部を容易にトリミングして余剰の樹脂層１６０を除去することにより、基板１５２の樹脂封止が完了する。さらに、基板１５２を半導体装置単位に分割して半導体装置が完成する（分割工程）。なお、電極としてメタルポストが形成された基板１５２の場合は、そのメタルポストの露出した先端部にはんだボールを装着した後、基板１５２を半導体装置単位に分割する。
【００５４】
上記した本実施の形態の第１の例に係る半導体装置の製造方法および半導体装置製造用金型によれば、離型シート１５０ａ、１５０ｂに皺を生じることがないため、半導体装置の樹脂層１６０表面に肌荒れを生じることがない。また、金型１００に封止樹脂１５４（樹脂層１６０）が付着することがないため、金型１００のクリーニング作業が実質的に不要である。また、内側下型半体１１６と外側下型半体１１８との間の隙間部に封止樹脂１５４が入り込むおそれがないため、外側下型半体１１８の動作不良や摺動面の損傷を生じることがない。
【００５５】
つぎに、本実施の形態の第２の例に係る半導体装置の製造方法および半導体装置製造用金型について、図１０〜図１７を参照して説明する。
図１０において、中心線より左側は、金型２００を開いた状態を示し、中心線より右側は、金型２００を閉じた状態を示す。金型２００は基本的には上記した本実施の形態の第１の例の金型１００とほぼ同じ構成とされている。金型２００が金型１００と異なる点は、上型および下型のキャビティ面の形状とクランプスプリングの取り付け箇所等であり、詳細は以下に述べる。
【００５６】
金型２００は、上型（第２の金型）２０２と、下型（第１の金型）２０４とから構成される分割金型であり、金型２００には図示しない加熱源が配設されている。
上型２０２は、内側上型半体（インナーダイ）２０６と、この内側上型半体２０６を囲む外側上型半体（アウターダイ）２０８とから構成されている。内側上型半体２０６の下面には、配置される基板とほぼ同一寸法、形状および高さの凹状のキャビティ面（第２のキャビティ形成面）２０６ａが形成されるとともに、キャビティ面２０６ａの外周端部には、図１０中、外側上方に傾斜するテーパ面２０６ｂが形成されており、キャビティ面２０６ａとテーパ面２０６ｂとで円周状の突起部（凸部）２１０が形成されている。突起部２１０は図１０に示すように断面形状が山形であり、その先端部２１０ａはキャビティ面２０６ａの外周全体にわたって平滑に形成されている。キャビティ面２０６ａおよびテーパ面２０６ｂも平滑に形成されている。外側上型半体２０８の下面は、テーパ面２０６ｂ側の端部がテーパ面２０６ｂとは逆の傾斜をもつテーパ面２０８ａに形成されており、これらテーパ面２０６ｂとテーパ面２０８ａとで樹脂溜め用のダミーキャビティ２１２が形成されている。テーパ面２０８ａに延出して分割面２０８ｂが形成されており、分割面２０８ｂには凹部２１４が形成されている。
【００５７】
内側上型半体２０６のキャビティ面２０６ａには平坦部と傾斜部との境界部に吸引溝２１６が円状に形成されており、連通流路２１８を介して図示しない独立して制御可能な真空源に接続されている。外側上型半体２０８の凹部２１４の底面（分割面）にも円周状の吸引溝（第３の吸引部、第３の吸引溝）２２０が形成され、また凹部２１４よりも外周の分割面２０８ｂにも円周状の吸引溝（第２の吸引部、第２の吸引溝）２２２ａ〜２２２ｄが形成されており、これらの吸引溝２２０、２２２ａ〜２２２ｄは連通流路２２４、２２６を介してそれぞれ独立して制御可能な真空源に接続されている（図1 ０中、連通流路２１８に接続される真空源２２７のみ図示し、他の真空源は省略する）。なお、内側上型半体２０６と外側上型半体２０８との間隙２２８も吸引溝の役割を担い、連通流路２３０を介して図示しない独立して制御可能な真空源に接続されている（以下、吸引溝２２８という。）。
【００５８】
内側上型半体２０６の上面は上型ベース２３２に固定されている。一方、外側上型半体２０８の上面と上型ベース２３２下面との間にクランプスプリング２３４が取り付けられており、外側上型半体２０８が摺接部材２３６を介して内側上型半体２０６と摺接して、図１０中、矢印Ｚ１、Ｚ２方向に上下動可能に構成されている。上型ベース２３２は、図示しない駆動装置に付勢されて、図１０中、矢印Ｚ１、Ｚ２方向に上下動可能に設けられている。
【００５９】
下型２０４の上面には配置される基板とほぼ同一寸法の平坦なキャビティ面（第１のキャビティ形成面）２０４ａが形成されるとともに、キャビティ面２０４ａの外周に延出して分割面２０４ｂが形成されている。分割面２０４ｂには上記した凹部２１４と対応する位置に円周状の凹部２３８が形成されている。これら凹部２１４と凹部２３８とで離間部２４０が形成される。キャビティ面２０４ａを含む分割面２０４ｂは平滑に仕上げられている。キャビティ面２０４ａには、本実施の形態の第１の例の金型１００の吸引溝１２４および溝部１２７と同様の吸引溝（第１の吸引部、第１の吸引溝）２５０および吸引溝２５０に連通する溝部２５２が形成され、連通流路２５４を介して図示しない独立して制御可能な真空源に接続されている。また、凹部２３８の底面（分割面）にも円周状の吸引溝（第２の吸引部、第２の吸引溝）２４２が形成され、また凹部２３８よりも外周の分割面２０４ｂにも円周状の吸引溝（第２の吸引部、第２の吸引溝）２４４ａ〜２４４ｄがそれぞれ形成されており、これらの吸引溝２４２、２４４ａ〜２４４ｄは連通流路２４６、２４８を介してそれぞれ図示しない独立して制御可能な真空源に接続されている。下型２０４は、図示しないベース上に戴置されている。
【００６０】
図１０において、上型２０２の内側上型半体２０６のキャビティ面２０６ａおよびテーパ面２０６ｂならびに外側上型半体２０８のテーパ面２０８ａおよび分割面２０８ｂの全面を覆うように離型シート（第２の離型シート）２５６ａが密接して配設され，一方、下型２０４のキャビティ面２０４ａおよび分割面２０４ｂの全面を覆うように離型シート（第１の離型シート）２５６ｂが密接して配設される。また、図示しない電極が設けられた半導体素子の形成された基板２５８が、電極を、図１０中、上方に向けて下型２０４のキャビティ面２０４ａの所定の位置に配置され、基板２５８上に封止樹脂２６０が供給される。
【００６１】
上記のように構成される本実施の形態の第２の例に係る金型２００を用いて樹脂封止して半導体装置を製造する方法について、図１１〜図１７を参照して以下説明する。
樹脂封止作業開始段階では、図１１に示すように、内側上型半体２０６および外側上型半体２０８からなる上型２０２は上型ベース２３２を介して上方（Ｚ２方向）に付勢されて待機した状態にあり、下型２０４は上記したようにベース上に戴置された状態にある。なお、クランプスプリング２３４が伸張されて、分割面２０８ｂはキャビティ面２０６ａよりもやや下方に位置している。
【００６２】
この状態で、各真空源を付勢しながら、２枚の離型シート２５６ａ、２５６ｂを、上型２０２の内側上型半体２０６のキャビティ面２０６ａおよびテーパ面２０６ｂならびに外側上型半体２０８のテーパ面２０８ａおよび分割面２０８ｂの全面と下型２０４のキャビティ面２０４ａおよび分割面２０４ｂの全面とを覆うようにそれぞれ配設する（離型シート配設工程）。このとき、２枚の離型シート２５６ａ、２５６ｂを張った状態で、まず吸引溝２２２ａ〜２２２ｄ、２４４ａ〜２４４ｄから吸引して離型シート２５６ａ、２５６ｂを密接、固定した後、さらに吸引溝２２０、２４２から吸引することにより、離型シート２５６ａ、２５６ｂが離間部２４０内に引き込まれるため、離型シート２５６ａ、２５６ｂに撓みを生じていた場合であっても、確実に密接することができる（なお、図１１の吸引溝２４２は変形例として凹部２３８の側壁に設けられた状態を示す）。この場合、突起部２１０の断面形状が山形に形成されているため、吸引溝２１６、２２８に離型シート２５６ａを吸着することにより、離型シート２５６ａを突起部２１０に装着性よく密接することができる。
【００６３】
ついで、図１２に示すように、キャビティ面２０４ａの吸引溝２５０から吸引することにより、離型シート２５６ｂは吸引溝２５０および溝部２５２（図１２以下において図示を省略。）に吸着されて確実にキャビティ面２０４ａに密接される。このとき、吸引溝２５０から高真空で吸引することにより、本実施の形態の第１の例と同様に、離型シート２５６ｂに孔部２６２が形成される。
【００６４】
ついで、図１３に示すように、電極が設けられた半導体素子の形成された基板２５８の電極を上方に向けて下型２０４のキャビティ面２０４ａの所定の位置の離型シート２５６ｂ上に基板２５８を配置する（基板配置工程）。さらに、図１４に示すように、基板２５８の上に封止樹脂２６０を置く。この状態で、基板２５８の裏面は、離型シート２５６ｂの孔部２６２を介して吸引溝２５０に吸着され、離型シート２５６ｂに強く密接される。
【００６５】
ついで、樹脂層形成工程に移り、加熱源を印加して金型２００を所定の温度に加熱した状態で、図１５に示すように、上型１０２をＺ１方向に下動し、所定の圧力を付与することにより、幅狭部が形成されるようにキャビティ面２０６ａより下方に位置する外側上型半体２０８の分割面２０８ｂと下型２０４の分割面２０４ｂとをほぼ当接させ、分割面２０８ｂ、２０４ｂを閉じる。このとき、キャビティ面２０６ａ，２０４ａ間にキャビティ２６４が形成され、溶融した封止樹脂２６０がキャビティ２６４内を押し広げられる。
【００６６】
この場合、基板２５８の裏面は離型シート２５６ｂに密接されているため、溶融した封止樹脂２６０が基板２５８の裏面に回り込むおそれがない。
ついで、図１６に示すように、上型２０２（上型ベース２３２）を所定の押圧力に至るまでさらに駆動装置を付勢すると、分割面２０８ｂ、２０４ｂを閉じた状態に有る外側上型半体２０８については、クランプスプリング２３４が収縮して押圧力が吸収される。一方、内側上型半体２０６は金型半体２０８の内周と摺接しながらわずかにＺ１方向に下動する。これによって、キャビティ２６４が縮小し、キャビティ２６４を充満した後の余剰の封止樹脂（余剰樹脂）２６０は、円周状に形成された突起部２１０を介してダミーキャビティ２１２に排出される。この場合、突起部２１０の先端部２１０ａは平滑に形成されているため、余剰樹脂２６０はキャビティ２６４から外周のダミーキャビティ２１２へ均等に排出される。また、突起部２１０は断面形状が山形に形成されているため、余剰樹脂２６０は流動性が良好な状態で排出される。また、離型シート２５６ａ、２５６ｂが吸引溝２２０、２４２によって離間部２４０内において凹部２１４、２３８に引き寄せられるように常に吸引されているため、外側上型半体２０８が下動して内側上型半体２０６と位置ずれして瞬時的に離型シート２５６ａに弛みを生じても、その弛みは直ちに解消され、離型シート２５６ａは張った状態が保持される。
【００６７】
したがって、本実施の形態の第１の例と同じく、ボイド、ピンホール等の不良部位の原因となる封止樹脂をダミーキャビティに排出することができる。また、基板２５８のロット間で電極の高さにばらつきを生じた場合であっても、封止樹脂を金型に供給する際に予め精密に樹脂量を計量することなく、所定の厚みの樹脂封止を容易に行なうことができる。また、電極の高さや数が異なる品種違いの半導体装置を樹脂封止する場合であっても、供給する樹脂量をその都度変更する必要がない。
【００６８】
この状態で、本実施の形態の第１の例と同様に、電極の先端部は封止樹脂２６０の層にめり込んだ状態にある。
ついで、基板取り出し工程に移り、図１７に示すように、所定時間経過して、封止樹脂２６０が固化して樹脂層２６６が形成された後、上型１０２の真空源を停止して図示しない加圧源を付勢して流体圧を吸引孔２１６、２２０、２２２、２２８から離型シート２５６ａに付与しながら、上型２０２をＺ２方向に上動して、金型２００を開く。この場合、流体圧の作用によって離型シート２５６ａは上型２０２から容易に剥離する。そして、下型２０４の真空源を停止した後、離型シート２５６ａ、２５６ｂごと樹脂層２６６が形成された基板２５８を離型する（図示せず。）。
【００６９】
この場合、本実施の形態の第１の例と同様に、封止樹脂２６０が金型２００に直接付着することがなく、封止樹脂２６０と金型２００とは離型シート２５６ａ、２５６ｂによって完全に分離されているため、基板２５８を金型２００から容易に離型することができる。
ついで、本実施の形態の第１の例と同様に、基板２５８から離型シート２５６ａ、２５６ｂを剥離し、さらにトリミングして余剰の樹脂層２６６を除去することにより、基板２５８の樹脂封止が完了する（図示せず。）。さらに、本実施の形態の第１の例と同様の手順を経て基板２５８を分割して半導体装置が完成する（分割工程）。
【００７０】
上記した本実施の形態の第２の例に係る半導体装置の製造方法および半導体装置製造用金型によれば、本実施の形態の第１の例と同様に、離型シート２５６ａ、２５６ｂに皺を生じることがないため、半導体装置の樹脂層２６６表面に肌荒れを生じることがない。また、金型２００に封止樹脂２６０（樹脂層２６６）が付着することがないため、金型２００のクリーニング作業が実質的に不要である。また、内側上型半体２０６と外側上型半体２０８との間の隙間部に封止樹脂２６０が入り込むおそれがないため、外側上型半体２０８の動作不良や摺動面の損傷を生じることがない。
【００７１】
つぎに、本実施の形態の第３の例に係る半導体装置の製造方法および半導体装置製造用金型について、図１８〜図２９を参照して説明する。なお、本実施の形態の第３の例および以下の他の実施例において、本実施の形態の第１および第２の例と同様な装置構成を取ることによって生じる同様な作用効果については、説明を省略する。
【００７２】
図１８において、中心線より左側は、金型３００を開いた状態を示し、中心線より右側は、金型３００を閉じた状態を示す。金型３００は本実施の形態の第１および第２の例の金型１００、２００と基本的には同様に構成されるが、本実施の形態の第１および第２の例の金型１００、２００とは上型および下型の成形時の昇降パターン等が異なり、詳細は後述する。
【００７３】
金型３００は、上型（第２の金型）３０２と、下型（第１の金型）３０４とから構成される分割金型であり、金型３００には図示しない加熱源が配設されている。
上型３０２の下面には配置される基板とほぼ同一寸法および形状の平坦なキャビティ面（第２のキャビティ形成面）３０２ａが形成されるとともに、キャビティ面３０２ａの外周に延出して分割面３０２ｂが形成されている。分割面３０２ｂには円周状の凹部３０６が形成されている。これら、キャビティ面３０２ａを含む分割面３０２ｂは平滑に仕上げられている。凹部３０６の底面（分割面）に円周状の吸引溝（第３の吸引部、第３の吸引溝）３０８が形成され、また凹部３０６よりも外周の分割面３０２ｂにも円周状の吸引溝（第２の吸引部、第２の吸引溝）３１０ａ〜３１０ｃが形成されており、これらの吸引溝３０８、３１０ａ〜３１０ｃは連通流路３１２、３１４を介してそれぞれ独立して制御可能な真空源に接続されている（図１８中、連通流路３１２に接続される真空源３１５のみ図示し、他の真空源は省略する）。上型３０２は、駆動装置３０３に付勢されて、図１８中、矢印Ｚ１、Ｚ２方向に上下動可能に設けられている（可動金型）。
【００７４】
下型３０４は、内側下型半体（インナーダイ、固定金型半体）３１６と、この内側下型半体３１６を囲む外側下型半体（アウターダイ、可動金型半体）３１８とから構成されている。
内側下型半体３１６の上面には、配置される基板とほぼ同一寸法、形状の平坦なキャビティ面（第１のキャビティ形成面）３１６ａが形成されている。また、外側下型半体３１８の上面に、分割面３１８ａが形成されている。分割面３１８ａは、キャビティ面３１６ａに近い側の端部の内外両側に円周状にテーパ面が設けられ、これらのテーパ面によって本実施の形態の第１の例と同様な平滑な先端部３２０ａを有する断面形状が山形の突起部（凸部）３２０が形成されている。また、突起部３２０の外周に凹部３２２が形成され、樹脂溜め用のダミーキャビティ３２２（凹部３２２と同一の参照符号を付す。）とされる。ダミーキャビティ３２２の外周にはさらに凹部３２４が形成されている。この場合、上型３０２は径が下型３０４よりも短く構成されており、したがって、本実施の形態の第１の例と異なり、凹部３２４は、凹部３０６と対応する位置にはなく凹部３０６よりも外側に配設されており、凹部３０６と対応する位置にはダミーキャビティ３２２が配設されている。このため、ダミーキャビティ３２２は金型３００の外側に向けて開口を有する構成とされている。また、凹部３０６と凹部３２４とはそれぞれ独立して後述する離型シートに張力を付与するための離間部を構成する。
【００７５】
内側下型半体３１６のキャビティ面３１６ａには、本実施の形態の第１の例の吸引溝１２４および溝部１２７と同様の吸引溝（第１の吸引部、第１の吸引溝）３２６および溝部３２８が形成されており、連通流路３３０を介してそれぞれ図示しない独立して制御可能な真空源に接続されている。  外側下型半体３１８の凹部３２４の底面（分割面）にも円周状の吸引溝（第３の吸引部、第３の吸引溝）３３２が形成され、また凹部３２４よりも外周の分割面３１８ｂにも円周状の吸引溝（第２の吸引部、第２の吸引溝）３３４ａ〜３３４ｃが形成されており、これらの吸引溝３３２、３３４ａ〜３３４ｃは連通流路３３６、３３８を介してそれぞれ図示しない独立して制御可能な真空源に接続されている。
【００７６】
内側下型半体３１６は下型ベース３４０上に固定されている。一方、外側下型半体３１８の下面は下型ベース３４０を挿通するシリンダ３４２の端部に取りつけられており、このシリンダ３４２に付勢されて、外側下型半体３１８が図示しない摺接部材を介して内側下型半体３１６と摺接して、図１８中、矢印Ｚ１、Ｚ２方向に上下動可能に構成されている。下型ベース３４０は図示しないベース上に戴置されている。
【００７７】
ここで、上記した駆動装置３０３を制御するために制御装置３０７が設けられ、この制御装置３０７には後述する配置される基板のメタルポストの高さ応じた所要の上型３０２の下動量（変位量）が設定されている。また、金型３００にはメタルポストの高さを測定するためのレーザ測長装置３０５が設けられている。そして、金型３００に配置される基板のメタルポストの高さをレーザ測長装置３０５によって検出測定し、レーザ測長装置３０５からのメタルポストの高さデータの検出信号が駆動装置３０３を制御する制御装置３０７に送られメタルポストの高さデータに対応して上型３０２が所定変位量下動する構成とされている。
図１８において、上型３０２のキャビティ面３０２ａおよび分割面３０２ｂの全面を覆うように離型シート（第２の離型シート）３４４ａが密接して配設され、内側下型半体３１６のキャビティ面１１６ａおよび外側下型半体３１８の分割面３１８ａの全面を覆うように離型シート（第１の離型シート）３４４ｂが密接して配設される。また、この場合、メタルポスト３４６が設けられた半導体素子の形成された基板３４８が、メタルポスト３４６を、図１８中、上方に向けて内側下型半体３１６のキャビティ面３１６ａの所定の位置の離型シート３４４ｂ上に配置され、基板３４８上に封止樹脂３５０が供給される。
【００７８】
上記のように構成される本実施の形態の第３の例に係る金型３００を用いて樹脂封止して半導体装置を製造する方法について、図１９〜図２９を参照して以下説明する。
樹脂封止作業開始段階では、図１９に示すように、上型３０２は上方（Ｚ２方向）に付勢されて待機した状態にあり、下型３０４は外側下型半体３１８が下降して外側下型半体３１８の分割面３１８ａと内側下型半体１１６のキャビティ面１１６ａとがほぼ同一の平面を構成する位置にある。
【００７９】
この状態で、各真空源を付勢しながら、２枚の離型シート３４４ａ、３４４ｂを、上型３０２のキャビティ面３０２ａおよび分割面３０２ｂの全面と、内側下型半体３１６のキャビティ面３１６ａおよび外側下型半体３１８の分割面３１８ｂの全面とを覆うようにそれぞれ配設する（離型シート配設工程）。このとき、２枚の離型シート３４４ａ、３４４ｂを張った状態で、まず吸引溝３１０ａ〜３１０ｃ、３３４ａ〜３３４ｃから吸引して離型シート３４４ａ、３４４ｂを密接、固定した後、さらに吸引溝３０８、３３２から吸引することにより、離型シート３４４ａ、３４４ｂが凹部３０６、３２４内（離間部内）に引き込まれ、確実に密接される。なお、離型シート３４４ｂはダミーキャビティ３２２からは浮いた状態で張設されている。
【００８０】
ついで、図２０に示すように、キャビティ面３１６ａの吸引溝３２６から吸引することにより、離型シート３４４ｂは吸引溝３２６および溝部３２８に吸着されて確実にキャビティ面３１６ａに密接される。このとき、吸引溝３２６から高真空でさらに吸引することにより、離型シート３４４ｂには吸引溝３２６と対応する所定の位置に孔部３５２が形成される。
【００８１】
ついで、図２１に示すように、メタルポスト３４６が設けられた半導体素子の形成された基板３４８のメタルポスト３４６を上方に向けて内側下型半体３１６のキャビティ面３１６ａの所定の位置の離型シート３４４ｂ上に基板３４８を配置する（基板配置工程）。さらに、図２２に示すように、基板３４８の上に封止樹脂３５０を置く。この状態で、基板３４８の裏面は、離型シート３４４ｂの孔部３５２を介して吸引溝３２６に吸着され、離型シート３４４ｂに強く密接されている。
【００８２】
ついで、樹脂層形成工程に移り、加熱源を印加して金型３００を所定の温度に加熱した状態で、図２３に示すように、駆動装置３０３を付勢して上型３０２をＺ１方向に下動する。このとき、レーザ測長装置３０５によって検出測定されたメタルポスト３４６の長さデータの信号が制御装置３０７に送られ、制御装置３０７によって、予め設定されたメタルポスト３４６の長さに対応する下動量（変位量）に駆動装置３０３が制御されて、上型３０２の離型シート３４４ａがメタルポスト３４６の上端部に当接する位置まで上型３０２が下動すると、上型３０２は下動を停止する。これにより、キャビティ面３０６ａ、３１６ａ間に溶融した状態にある封止樹脂３５０が押し広げられるとともに、封止樹脂３５０の厚み（高さ）はメタルポスト３４６の上端部、すなわち、離型シート３４４ａの下面の位置になるように精密に制御される。
【００８３】
ついで、図２４に示すように、シリンダ３４２が所定の圧力で付勢されて外側下型半体３１８が内側下型半体３１６の外周と摺接してＺ２方向にわずかに上動し突起部３２０がキャビティ面３０２ｂにほぼ当接すると、外側下型半体３１８の上動が停止される。この状態で、キャビテイ面３０２ａとキャビテイ面３０６ａとの間にキャビテイ３５４が形成され、キャビティ３５４空間を充満した後の余剰の封止樹脂（余剰樹脂）３５０は、円周状に形成された突起部３２０を溢流してダミーキャビティ３２２に外側に良好な流動状態で均一に排出される。このとき、余剰の封止樹脂３５０がダミーキャビティ３２２に収容能力を超える量であっても、その収容能力を超える分の封止樹脂３５０はダミーキャビティ３２２開口端から金型３００の外側に排出されるため、余剰の封止樹脂３５０によってメタルポスト３４６を埋める封止樹脂３５０の高さが所定位置よりも高くなる不具合を生じることがない。
【００８４】
ついで、図２５に示すように、上型３０２を所定の押圧力（成形圧）に至るまでＺ１方向にさらに下動する。これにより、基板３４８のメタルポスト３４６の先端部は離型シート３４４ａに埋まった状態に至る。所定時間経過して、封止樹脂３５０が固化して樹脂層３５６が形成された後、図２６に示すように、下型３０２の真空源を停止し、外側下型半体３１８をＺ１方向に下動して、キャビティ面３１６ａと分割面３１８ａが同一平面上となる初期位置まで外側下型半体３１８を下降する。この状態では固化した樹脂層３５６が形成された基板３４８は内側下型半体３１６上に止まり、離型シート３４４ｂは分割面３１８ａから剥離される。
【００８５】
ついで、基板取り出し工程に移り、図２７に示すように、上型３０２を上動して、金型３００を開き、図２８に示すように、基板３４８を金型３００から取りだし、図２９に示すように、基板３４８から離型シート３４４ａ、３４４ｂを剥離する。このとき、基板３４８のメタルポスト３４６の先端部は樹脂層３５６から突き出た状態にある。さらにトリミングして余剰の樹脂層３５６を除去することにより、基板３４８の樹脂封止が完了する（図２９参照）。この後、本実施の形態の第１の例と同様な処理を行なって、基板３４８を分割して半導体装置が完成する（分割工程）。
【００８６】
つぎに、本実施の形態の第４の例に係る半導体装置の製造方法および半導体装置製造用金型について、図３０〜図４０を参照して説明する。なお、本実施の形態の第４の例において上記した本実施の形態の第３の例と同様な構成をとることによって生じる作用効果については説明を省略する。
図３０において、中心線より左側は、金型４００を開いた状態を示し、中心線より右側は、金型４００を閉じた状態を示す。金型４００の基本的な構成は、本実施の形態の第３の例の金型３００とほぼ同じであるが、内側下型半体が可動金型である点等が本実施の形態の第３の例の金型３００と異なる。詳細は以下に説明する。
【００８７】
金型４００は、上型（第２の金型）４０２と、下型（第１の金型）４０４とから構成される分割金型であり、金型４００には図示しない加熱源が配設されている。
上型４０２の下面には配置される基板とほぼ同一寸法および形状の平坦なキャビティ面（第２のキャビティ形成面）４０２ａが形成されるとともに、キャビティ面４０２ａの外周に延出して分割面４０２ｂが形成されている。分割面４０２ｂには円周状の凹部４０６が形成されている。これら、キャビティ面４０２ａを含む分割面４０２ｂは平滑に仕上げられている。凹部４０６の底面（分割面）には円周状の吸引溝（第２の吸引部、第２の吸引溝）４０８が形成され、また凹部４０６よりも外周の分割面４０２ｂにも円周状の吸引溝（第１の吸引部、第１の吸引溝）４１０ａ〜４１０ｃが形成されており、これらの吸引溝４０８、４１０ａ〜４１０ｃは連通流路４１２、４１４を介してそれぞれ独立して制御可能な真空源に接続されている（図３０中、連通流路４１２に接続される真空源４１５のみ図示し、他の真空源は省略する）。上型４０２は、図示しない駆動装置に付勢されて、図３０中、矢印Ｚ１、Ｚ２方向に上下動可能に設けられている。
【００８８】
下型４０４は、内側下型半体（インナーダイ、第１の可動金型半体）４１６と、この内側下型半体４１６を囲む外側下型半体（アウターダイ、第２の可動金型半体）４１８とから構成されている。内側下型半体４１６の上面には、配置される基板とほぼ同一寸法、形状の平坦なキャビティ面（第１のキャビティ形成面）４１６ａが形成されている。また、外側下型半体４１８の上面に分割面４１８ａが形成されている。分割面４１８ａは、キャビティ面４１６ａに近い側の端部の円周の内外両側に本実施の形態の第３の例と同様の平滑な先端部４２０ａを有する断面形状が山形の突起部（凸部）４２０が形成されている。また、突起部４２０の外周に凹部４２２が形成され、樹脂溜め用のダミーキャビティ４２２（凹部４２２と同一の参照符号を付す。）とされる。ダミーキャビティ４２２の外周にさらに凹部４２４が形成されている。本実施の形態の第３の例と同様に、上型４０２は下型４０４よりも径が短く構成されており、したがって、凹部４２４は、凹部４０６と対応する位置にはなく凹部４０６よりも外側に配設されており、凹部４０６と対応する位置にはダミーキャビティ４２２が配設されている。このためダミーキャビティ４２２は金型４００の外側に向けて開口を有する構成とされている。凹部４０６と凹部４２６とはそれぞれ独立して後述する離型シートに張力を付与するための離間部を構成する。
【００８９】
内側下型半体４１６のキャビティ面４１６ａには、本実施の形態の第３の例の吸引溝３２６および溝部３２８と同様の吸引溝（第１の吸引部、第１の吸引溝）４２６および溝部４２８が形成されており、連通流路４３０を介してそれぞれ図示しない独立して制御可能な真空源に接続されている。  外側下型半体４１８の凹部４２４の底面（分割面）に円周状の吸引溝（第３の吸引部、第３の吸引溝）４３２が形成され、また凹部４２４よりも外周の分割面４１８ｂにも円周状の吸引溝（第２の吸引部、第２の吸引溝）４３４ａ〜４３４ｃが形成されており、これらの吸引溝４３２、４３４ａ〜４３４ｃは連通流路４３６、４３８を介してそれぞれ図示しない独立して制御可能な真空源に接続されている。
【００９０】
内側下型半体４１６はキャビティ面４１６ａを有する上部可動半体４１７と下型ベース４４０上に固定される下部固定半体４１９とから構成され、上部可動半体４１７と下部固定半体４１９との間には接触面全体にわたる流体室４２１が設けられている。流体室４２１は連通流路４２３を介して可動源としての圧力流体源４６０に接続されており、したがって、上部可動半体４１７は、圧力流体源４６０の流体圧によって、図３０中、Ｚ１、Ｚ２方向に均一に上下動可能な構成とされている。なお、流体室４２１を挿通する上記した連通流路４３０の部分には管路４２５が形成されており、上部可動半体４１７は管路４２５と摺接する構造とされている。一方、外側下型半体４１８の下面は下型ベース４４０を挿通するシリンダ４４２の端部に取りつけられており、外側下型半体４１８がシリンダ４４２に付勢されて図示しない摺接部材を介して内側下型半体４１６と摺接して矢印Ｚ１、Ｚ２方向に上下動可能に構成されている。下型ベース４４０は図示しないベース上に戴置されている。
【００９１】
図３０において、上型４０２のキャビティ面４０２ａおよび分割面４０２ｂの全面を覆うように離型シート（第２の離型シート）４４４ａが密接して配設され、内側下型半体４１６のキャビティ面４１６ａおよび外側下型半体４１８の分割面４１８ａの全面を覆うように離型シート（第１の離型シート）４４４ｂが密接して配設される。また、メタルポスト４４６が設けられた半導体素子の形成された基板４４８が、メタルポスト４４６を、図３０中、上方に向けて内側下型半体４１６のキャビティ面４１６ａの所定の位置の離型シート４４４ｂ上に配置され、基板４４８上に封止樹脂４５０が供給される。
【００９２】
上記のように構成される本実施の形態の第４の例に係る金型４００を用いて樹脂封止して半導体装置を製造する方法について、図３１〜図４０を参照して以下説明する。
樹脂封止作業開始段階では、図３１に示すように、上型４０２は上方（Ｚ２方向）に付勢されて待機した状態にある。また、下型４０４は外側下型半体４１８および内側下型半体４１６の上部可動半体４１７がともに下方に付勢された状態あり、この状態で外側下型半体４１８の分割面４１８ａと内側下型半体４１６のキャビティ面４１６ａとが同一平面上にある。
【００９３】
この状態で、各真空源を付勢しながら、２枚の離型シート４４４ａ、４４４ｂを、上型４０２のキャビティ面４０２ａおよび分割面４０２ｂの全面と、内側下型半体４１６のキャビティ面４１６ａおよび外側下型半体４１８の分割面４１８ｂの全面とを覆うようにそれぞれ配設する（離型シート配設工程）。このとき、２枚の離型シート４４４ａ、４４４ｂを張った状態で、まず吸引溝４１０ａ〜４１０ｃ、４３４ａ〜４３４ｃから吸引して離型シート４４４ａ、４４４ｂを密接、固定した後、さらに吸引溝４０８、４３２から吸引することにより、離型シート４４４ａ、４４４ｂが離間部内を変位して凹部４０６、４２０内に引き込まれ、密接される。なお、離型シート４４４ｂはダミーキャビティ４２２からは浮いた状態で張設されている。
【００９４】
ついで、図３２に示すように、キャビティ面４１６ａの吸引溝４２６から吸引することにより、離型シート４４４ｂは吸引溝４２６および溝部４２８に吸着されて確実にキャビティ面４１６ａに密接される。さらに、吸引溝４２６から高真空で吸引することにより、離型シート４４４ｂには吸引溝４２６と対応する所定の位置に孔部４５２が形成される。
【００９５】
ついで、図３３に示すように、メタルポスト４４６が設けられた半導体素子の形成された基板４４８のメタルポスト４４６を上方に向けて内側下型半体４１６のキャビティ面４１６ａの所定の位置の離型シート４４４ｂ上に基板４４８を配置する（基板配置工程）。さらに、図３４に示すように、基板４４８の上に封止樹脂４５０を置く。この状態で、基板４４８の裏面は、離型シート４４４ｂの孔部４５２を介して吸引溝４２６に吸着され、離型シート４４４ｂに強く密接される。
【００９６】
ついで、樹脂層形成工程に移り、加熱源を印加して金型４００を所定の温度に加熱した状態で、図３５に示すように、上型４０２をＺ１方向に下動し、上型４０２の離型シート４４４ａがメタルポスト４４６の上端部に近接する位置（当接する直前の位置）まで上型４０２が下動して所定の押圧力に至ると、上型４０２は下動を停止し、このとき、上型４０２はメタルポスト４４６の先端部に当接する直前の位置にある。これにより、キャビティ面４０２ａ、４１６ａ間に溶融した状態にある封止樹脂４５０が押し広げられるとともに、メタルポスト４４６の先端部は封止樹脂４５０に覆われた状態にある。
【００９７】
ついで、図３６に示すように、圧力流体源４６０の流体圧によって、流体室４２１を介して上部可動半体４１７がＺ２方向に均一にわずかに上動する。そしてメタルポスト４４６の先端部が離型シート４４４ａに当接して所定の流体圧力に至ると、上部可動半体４１７の上動は停止される。この場合、上部可動半体４１７が均一に上動するため、メタルポスト４４６の先端部は離型シート４４４ａに均一に当接し、めり込んだ状態に至る。
【００９８】
ついで、図３７に示すように、外側下型半体４１８をＺ２方向に上動し、突起部４２０をキャビティ面４０２ｂに当接させる。これにより、キャビテイ面４０２ａとキャビテイ面４１６ａとの間にキャビテイ４５４が形成され、キャビティ４５４を充満した後の余剰の封止樹脂４５０は、円周状に形成された突起部４２０を溢流してダミーキャビティ４２２に排出される。このとき、余剰の封止樹脂４５０がダミーキャビティ４２２に収容能力を超える量であっても、その収容能力を超える分の封止樹脂４５０はダミーキャビティ４２２の開口から金型４００の外側に排出されるため、供給する封止樹脂の樹脂量が過剰であった場合でも、余剰の封止樹脂４５０によってメタルポスト４４６を埋める封止樹脂４５０の高さが所定位置よりも高くなる不具合を生じることがない。
【００９９】
ついで、図３８に示すように、上型４０２を所定の押圧力（成形圧）に至るまでさらにＺ１方向に下動する。このとき、基板４４８のメタルポスト４４６の先端部は離型シート４４４ａに埋まった状態に至る。所定時間経過して、封止樹脂４５０が固化して樹脂層４５６が形成される。
ついで、基板取り出し工程に移り、図３９に示すように、下型４０２の真空源を停止した後、外側下型半体４１８をＺ１方向に下動して、キャビティ面４１６ａと分割面４１８ａが同一面となる初期位置まで外側下型半体４１８を下降する。この状態では固化した樹脂層４５６が形成された基板４４８は内側下型半体４１６上に止まり、離型シート４４４ｂは分割面４１８ａから剥離される。
【０１００】
ついで、図４０に示すように、上型４０２をＺ２方向に上動して、金型４００を開く。その後、基板４４８を金型４００から取りだし、基板４４８から離型シート４４４ａ、４４４ｂを剥離する（以下、図示せず。）。このとき、基板４４８のメタルポスト４４６の先端部は樹脂層４５６から露出した状態にある。さらにトリミングして余剰の樹脂層４５６を除去することにより、基板４４８の樹脂封止が完了する。この後、本実施の形態の第１の例と同様な処理を行なって、基板４４８を分割して半導体装置が完成する（分割工程）。
【０１０１】
【発明の効果】
本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、複数の半導体素子が形成された基板を、第１のキャビティ形成面と形成面の外側に形成される第1の分割面とを有する第１の金型と、第２のキャビティ形成面と形成面の外側に形成される第2の分割面とを有する第２の金型とからなる分割金型を用いて圧縮成形法によって樹脂封止した後、基板を半導体素子単位に分割する半導体装置の製造方法において、分割金型を開いて、第１のキャビティ形成面および第1の分割面に第1の離型シートを配設するとともに、第２のキャビティ形成面および第2の分割面に第２の離型シートを配設し、第１および第２の離型シートは第１及び第２の分割面にそれぞれに設けられた複数の円周状の吸引部を介して真空源によって吸引され、少なくとも第１および第２のキャビティ形成面に密接される離型シート配設工程と、第１のキャビティ形成面の第１の離型シート上に基板を配置する基板配置工程と、分割金型を閉じて基板上に供給する封止用の樹脂を圧縮成形法を用いて封止して樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、分割金型を開いて該樹脂層が形成された基板を取り出すと共に、第１および第２の離型シートを剥離する基板取り出し工程と、基板を前記半導体素子単位に分割する分割工程と、を有し、第１のキャビティ形成面には第１の離型シートを第１のキャビティ形成面に向け吸引する第１の吸引部が形成されており、基板配置工程において、第１の吸引部を介して印加される真空源の真空圧により、第１の離型シートにおける第１のキャビティ形成面と対峙する位置に孔部が形成されるとともに、基板は孔部および第１の吸引部を介して第１の離型シートおよび第１のキャビティ形成面に密接されるため、封止用の樹脂が第１および第２の金型のいずれの金型にも全く接触することがなく、したがって、金型の離型性に優れ、特に、封止用の樹脂が樹脂封止する側と反対側の基板面と金型のキャビティ形成面との間に浸入した場合であっても、確実に離型することができる。また、金型のクリーニング作業が実質的に不要である。さらにまた、例えば、第１の金型が可動金型半体と固定金型半体とから構成される場合において、可動金型半体と固定金型半体との間の隙間部に封止用の樹脂が入り込むおそれがないため、可動金型半体の動作不良や摺動面の損傷を生じることがない。またさらに、離型シートに皺を生じることがなく、したがって、半導体装置の樹脂層表面に肌荒れを生じることがない。また、孔部を容易かつ確実に所定の位置に形成することができるとともに、基板を離型シート上に確実に吸着、固定することができ、したがって、基板をキャビティ形成面の所定の位置に確実に固定することができるとともに、基板の裏面への封止用の樹脂の回り込みを一層確実に防止することができる。
【０１０２】
この場合、第１および第２の離型シートは、複数の吸引部のうち第１および第２の分割面のそれぞれの外周に設けられた第２の吸引部を介して真空源によって第１および第２の分割面に密接されるとともに、第１のおよび第２の分割面における、第２の吸引部の配設位置とキャビティ形成面との間にそれぞれ形成された凹部に配設された第３の吸引部を介して真空源によって凹部に吸引されることにより、張力が付与されるため、上記した本発明の効果を一層好適に奏することができるとともに、特に、可動金型が変位する状態においても離型シートを常に張った状態に維持することができる。
【０１０４】
また、第１のおよび第２の金型の第１および第２のキャビティ形成面の外周に樹脂溜め用のダミーキャビティが形成されるとともに、第１および第２の金型のうちの少なくとも一方の第１および第２の分割面であって、第１または第２のキャビティ形成面とダミーキャビティとの間に分割金型を閉じた状態において幅狭部が形成されるよう凸部が形成され、樹脂層形成工程において、封止用の樹脂のうち、余剰となる余剰樹脂を前記幅狭部を介して該ダミーキャビティに排出するため、ボイド、ピンホール等の不良部位の原因となる余剰樹脂をダミーキャビティに排出することができ、良好な樹脂層を形成することができる。また、基板のロット間で後述する電極の高さにばらつきを生じた場合であっても、封止用の樹脂を金型に供給する際に予め精密に樹脂量を計量することなく、所定の厚みの樹脂層を容易に形成することができる。また、電極の高さや数が異なる品種違いの半導体装置を樹脂封止する場合であっても、供給する樹脂量をその都度変更する必要がない。また、樹脂封止後は、幅狭部に形成された樹脂層の薄層部を切断することにより、トリミングを容易に行なうことができる。
【０１０５】
また、基板は基板表面から突出する電極が形成されており、かつ、第１の金型を第１のキャビティ形成面を有した第１の可動金型半体と、第１の可動金型半体を囲み第１のキャビティ形成面の外周に形成される第１の分割面を有する第２の可動金型半体とにより構成し、樹脂層形成工程において、先ず、第２の金型を第２のキャビティ形成面に密接された第２の離型シートが電極の先端部に当接する直前の位置まで変位させ、次に、第１の可動金型半体を変位させることにより基板を変位させ、第２の金型に密接された第２の離型シートに電極の先端部を当接させ、次に、第２の可動金型半体を変位させてキャビティを形成するとともに、キャビティの外周に形成された樹脂溜め用のダミーキャビティに余剰の溶融した封止用の樹脂を排出し、次に、第２の金型をさらに変位させて樹脂に対し成形圧力を印加するため、樹脂層の高さは第２の金型のみでなく第１の可動金型半体によって微調整されるため、第２の金型の変位量を高精度に制御するための高価な装置を使用することなく、精密に樹脂封止することができる。
【０１１２】
以上の説明に関してさらに以下の項を開示する。
（１）複数の半導体素子が形成された基板を、第１のキャビティ形成面を有する第１の金型と第２のキャビティ形成面を有する第２の金型とからなる分割金型を用いて圧縮成形法によって樹脂封止した後、該基板を半導体装置単位に分割する半導体装置の製造方法において、該分割金型を開いて、該第１および第２のキャビティ形成面を含む分割面にそれぞれ第１および第２の離型シートを配設し、該第１および第２の離型シートは該第１および第２のキャビティ形成面を含む分割面に設けられた複数の円周状の吸引部を介して真空源によって吸引され、少なくとも該第１および第２のキャビティ形成面に密接される離型シート配設工程と、該第１のキャビティ形成面の該第１の離型シート上に該基板を配置する基板配置工程と、該分割金型を閉じて該基板上に供給する封止用の樹脂を圧縮成形法を用いて封止して樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、該分割金型を開いて該樹脂層が形成された該基板を取り出すと共に、該第１および第２の離型シートを剥離する基板取り出し工程と、該基板を該半導体装置単位に分割する分割工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（２）第１項記載の半導体装置の製造方法であって、前記基板は基板表面から突出する電極が形成されており、かつ、前記第２の金型は駆動装置により前記第１の金型に向け変位されることにより圧縮成形を行なう構成とされており、前記樹脂層形成工程において、前記駆動装置は、該第２の金型が該基板に形成された該電極と当接する位置で、該第２の金型の移動を停止するよう制御される。
（３）第２項記載の半導体装置の製造方法であって、前記駆動装置の制御処理は、前記第１の金型に前記基板を配置した後、レーザ測長により前記電極の高さを測定し、測定した該電極の高さデータを該駆動装置に入力して、該第２の金型を変位させる。
（４）複数の半導体素子が形成された基板を圧縮成形法によって樹脂封止するための半導体装置製造用金型において、該半導体装置製造用金型は第１のキャビティ形成面を有する第１の金型と第２のキャビティ形成面を有する第２の金型とからなり、該第１および第２のキャビティ形成面を含む分割面にそれぞれ第１および第２の離型シートが配設され、該第１および第２のキャビティ形成面を含む分割面に複数の円周状の吸引溝が形成され、該吸引溝に連通する流路に真空源が設けられ、該第１および第２の離型シートは該吸引溝を介して真空源によって吸引されて少なくとも該第１および第２のキャビティ形成面に密接され、該分割金型該キャビティ形成面外周に余剰の樹脂を排出するためのダミーキャビティが形成され、該第１および第２のキャビティ形成面と該ダミーキャビティとの間に、該分割金型を閉じた状態において幅狭部が形成されるよう凸部が形成され、該分割金型を閉じることにより、余剰の樹脂が該幅狭部を介して該ダミーキャビティに排出されるように構成されることを特徴とする半導体装置製造用金型。
（５）第４項記載の半導体装置製造用金型であって、前記凸部の先端部は前記第１および第２のキャビティ形成面の外周全体にわたって平滑に形成される。
（６）第４項記載の半導体装置製造用金型であって、前記凸部は断面形状が山形に形成される。
（７）第４項記載の半導体装置製造用金型であって、前記第１の金型は前記第１のキャビティ形成面を有する第１の可動金型半体と、該第１の可動金型半体を囲み、該第１のキャビティ形成面外周に形成される分割面を有する第２の可動金型半体とからなり、前記第２の金型はキャビティ形成面を含む分割面を有する可動金型からなり、該第１の可動金型半体は該第１の可動金型半体の可動方向と直交する端面のほぼ全面と接する流体室を介して該第１の可動金型半体を可動させる可動源に接続され、可動源が付勢されると該第１の可動金型半体が均等に変位して、該第２の金型が該基板に形成された該電極と均一に当接する。
（８）第７項記載の半導体装置製造用金型であって、前記可動源は前記流体室に接続される圧力流体源である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態の第1 の例に係る半導体装置製造用金型を示したものであり、（Ａ）は金型の正面断面図であり、（Ｂ）は下型の部分平面図である。
【図２】図１の金型を用いて樹脂封止する方法を説明するためのものであり、樹脂封止作業開始段階の状態を示す図である。
【図３】図１の金型を用いて樹脂封止する方法を説明するためのものであり、（Ａ）は樹脂シートに孔部を形成する段階を示す下型の部分側面断面図であり、（Ｂ）は下型の部分平面図である。
【図４】図１の金型を用いて樹脂封止する方法を説明するためのものであり、基板および封止樹脂を配置する段階を示す図である。
【図５】図１の金型を用いて樹脂封止する方法を説明するためのものであり、上型を下動した状態を示す図である。
【図６】図１の金型を用いて樹脂封止する方法を説明するためのものであり、図６の状態からさらに上型を下動した状態を示す図である。
【図７】図１の金型を用いて樹脂封止する方法を説明するためのものであり、上型を上動した状態を示す図である。
【図８】図１の金型を用いて樹脂封止した後金型から取り出した基板を示す図である。
【図９】図８の基板をトリミングした状態を示す図である。
【図１０】本実施の形態の第２の例に係る半導体装置製造用金型の正面断面図である。
【図１１】図１０の金型を用いて樹脂封止する方法を説明するためのものであり、樹脂封止作業開始段階の状態を示す図である。
【図１２】図１０の金型を用いて樹脂封止する方法を説明するためのものであり、樹脂シートに孔部を形成する段階を示す図である。
【図１３】図１０の金型を用いて樹脂封止する方法を説明するためのものであり、基板を配置する段階を示す図である。
【図１４】図１０の金型を用いて樹脂封止する方法を説明するためのものであり、封止樹脂を配置する段階を示す図である。
【図１５】図１０の金型を用いて樹脂封止する方法を説明するためのものであり、上型を下動した状態を示す図である。
【図１６】図１０の金型を用いて樹脂封止する方法を説明するためのものであり、図１５の状態からさらに上型を下動した状態を示す図である。
【図１７】図１０の金型を用いて樹脂封止する方法を説明するためのものであり、上型を上動した状態を示す図である。
【図１８】本実施の形態の第３の例に係る半導体装置製造用金型の正面断面図である。
【図１９】図１８の金型を用いて樹脂封止する方法を説明するためのものであり、樹脂封止作業開始段階の状態を示す図である。
【図２０】図１８の金型を用いて樹脂封止する方法を説明するためのものであり、樹脂シートに孔部を形成する段階を示す図である。
【図２１】図１８の金型を用いて樹脂封止する方法を説明するためのものであり、基板を配置する段階を示す図である。
【図２２】図１８の金型を用いて樹脂封止する方法を説明するためのものであり、封止樹脂を配置する段階を示す図である。
【図２３】図１８の金型を用いて樹脂封止する方法を説明するためのものであり、上型を下動した状態を示す図である。
【図２４】図１８の金型を用いて樹脂封止する方法を説明するためのものであり、外側下型半体を上動した状態を示す図である。
【図２５】図１８の金型を用いて樹脂封止する方法を説明するためのものであり、上型をさらに下動した状態を示す図である。
【図２６】図１８の金型を用いて樹脂封止する方法を説明するためのものであり、外側下型半体を下動した状態を示す図である。
【図２７】図１８の金型を用いて樹脂封止する方法を説明するためのものであり、上型を上動した状態を示す図である。
【図２８】図１８の金型を用いて樹脂封止した後金型から取り出した基板を示す図である。
【図２９】図２８の基板をトリミングした状態を示す図である。
【図３０】本実施の形態の第４の例に係る半導体装置製造用金型の正面断面図である。
【図３１】図３０の金型を用いて樹脂封止する方法を説明するためのものであり、樹脂封止作業開始段階の状態を示す図である。
【図３２】図３０の金型を用いて樹脂封止する方法を説明するためのものであり、樹脂シートに孔部を形成する段階を示す図である。
【図３３】図３０の金型を用いて樹脂封止する方法を説明するためのものであり、基板を配置する段階を示す図である。
【図３４】図３０の金型を用いて樹脂封止する方法を説明するためのものであり、封止樹脂を配置する段階を示す図である。
【図３５】図３０の金型を用いて樹脂封止する方法を説明するためのものであり、上型を下動した状態を示す図である。
【図３６】図３０の金型を用いて樹脂封止する方法を説明するためのものであり、内側下型半体を上動した状態を示す図である。
【図３７】図３０の金型を用いて樹脂封止する方法を説明するためのものであり、外側下型半体を上動した状態を示す図である。
【図３８】図３０の金型を用いて樹脂封止する方法を説明するためのものであり、上型をさらに下動した状態を示す図である。
【図３９】図３０の金型を用いて樹脂封止する方法を説明するためのものであり、外側下型半体を下動した状態を示す図である。
【図４０】図３０の金型を用いて樹脂封止する方法を説明するためのものであり、上型を上動した状態を示す図である。
【図４１】従来の半導体装置の製造方法の一例を説明するための図であり、（Ａ）は樹脂封止された電極の設けられた半導体装置を示し、（Ｂ）は半導体装置を実装基板に搭載した状態を示す。
【図４２】金型を用いた従来の半導体装置の製造方法を説明するための図であり、金型に基板および封止樹脂を配置した状態を示す。
【図４３】図４２の下型の平面図である。
【図４４】図４３の上型を下動した状態を示す図である。
【図４５】図４４の上型をさらに下動した状態を示す図である。
【図４６】図４５の金型を開いた状態を示す図である。
【符号の説明】
１００、２００、３００、４００  金型
１０２、２０２、３０２、４０２  上型
１０２ａ、１１６ａ、２０４ａ、２０６ａ、３０２ａ、３１６ａ、４０２ａ、４１６ａ  キャビティ面
１０２ｂ、１１８ｂ、２０４ｂ、２０８ｂ、３０２ｂ、３１８ａ、４０２ｂ、４１８ａ  分割面
１０４、２０４、３０４、４０４  下型
１０６、１２１、２１４、２３８、３０６、３２４、４０６、４２４  凹部
１０８、１１０ａ〜１１０ｄ、１２４、１２６、１３２、１３４ａ〜１３４ｄ、１４０、２２０、２２２ａ〜２２２ｄ、２１６、２２８、２４２、２４４ａ〜２４４ｄ、２５０、３０８、３１０ａ〜３１０ｃ、３２６、３３２、３３４ａ〜３３４ｃ、４０８、４１０ａ〜４１０ｃ、４２６  吸引溝
１１３、２２７、３１５、４１５  真空源
１１６、３１６、４１６  内側下型半体
１１６ｂ、１１８ａ、２０６ｂ、２０８ａ  テーパ面
１１８、３１８、４１８  外側下型半体
１２０、２１０、３２０、４２０  突起部
１２２、２１２、４２０  ダミーキャビティ
１２３、２４０  離間部
１５０ａ、１５０ｂ、２５６ａ、２５６ｂ、３４４ａ、３４４ｂ、４４４ａ、４４４ｂ  離型シート
１５２、２５８、３４８、４４８  基板
１５４、２６０、３５０、４５０  封止樹脂
１５６、２６２、３５２、４５２  孔部
１５８、２６４、３５４、４５４  キャビティ
１６０、２６６、３５６、４５６  樹脂層
２０６  内側上型半体
２０８  外側上型半体
３０３  駆動装置
３０５  レーザ測長装置
３０７  制御装置
３４２、４４２  シリンダ
３４６、４４６  メタルポスト
４２１  流体室
４６０  圧力流体源
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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