(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された導電パターン上に絶縁膜を形成する第１の工程と、
レジストパターンをマスクとして前記絶縁膜に対してドライエッチングを行なって、前記絶縁膜に開口部を形成する第２の工程と、
前記開口部の壁面又は底面に付着した反応生成物を除去する第３の工程と、
前記反応生成物が除去された前記開口部の内部を水洗する第４の工程とを備え、
前記第３の工程は、フッ素化合物の含有量が相対的に少ない第１の洗浄液を用いた相対的に洗浄時間の長い第１ステップと、フッ素化合物の含有量が相対的に多い第２の洗浄液を用いた相対的に洗浄時間の短い第２ステップとにより、前記反応生成物を除去する工程を含み、
前記第１の洗浄液及び第２の洗浄液は、それぞれ同一の有機溶剤を含み、
前記第２の洗浄液の前記絶縁膜に対するエッチング力は、前記第１の洗浄液の前記絶縁膜に対するエッチング力の５０〜２００倍であることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記第１の洗浄液及び第２の洗浄液は、それぞれ同一の洗浄チャンバーにおいて用いられることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記第３の工程と前記第４の工程との間に、前記第４の工程において前記導電パターンを腐食させる力が前記第２の洗浄液よりも弱い第３の洗浄液を用いることにより、前記反応生成物が除去された前記開口部の内部を洗浄する工程をさらに備えていることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記第３の洗浄液は、前記絶縁膜に対するエッチング力が相対的に弱いことを特徴とする請求項３に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記第３の洗浄液は、前記第１の洗浄液と同一の洗浄液であることを特徴とする請求項３に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項６】
前記第３の洗浄液は、前記絶縁膜に対するエッチング力が実質的にないと共に前記第４の工程において前記導電パターンを腐食させる力が実質的にないことを特徴とする請求項３に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項７】
基板上に形成された下地膜上に被加工膜を形成する第１の工程と、
マスクパターンを用いて前記被加工膜に対してドライエッチングを行なって被エッチングパターンを形成する第２の工程と、
前記被エッチングパターンの壁面に付着した反応生成物を除去する第３の工程と、
前記反応生成物が除去された前記被エッチングパターン又はその周辺部を水洗する第４の工程とを備え、
前記第３の工程は、フッ素化合物の含有量が相対的に少ない第１の洗浄液を用いた相対的に洗浄時間の長い第１ステップと、フッ素化合物の含有量が相対的に多い第２の洗浄液を用いた相対的に洗浄時間の短い第２ステップとにより、前記反応生成物を除去する工程を含み、
前記第１の洗浄液及び第２の洗浄液は、それぞれ同一の有機溶剤を含み、
前記第２の洗浄液の前記被加工膜に対するエッチング力は、前記第１の洗浄液の前記被加工膜に対するエッチング力の５０〜２００倍であることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項８】
前記第１の洗浄液及び第２の洗浄液は、それぞれ同一の洗浄チャンバーにおいて用いられることを特徴とする請求項７に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項９】
前記第３の工程と前記第４の工程との間に、前記第４の工程において前記下地膜を腐食させる力が前記第２の洗浄液よりも弱い第３の洗浄液を用いることにより、前記反応生成物が除去された前記被エッチングパターン又はその周辺部を洗浄する工程をさらに備えていることを特徴とする請求項７に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項１０】
前記第３の洗浄液は、前記被加工膜に対するエッチング力が相対的に弱いことを特徴とする請求項９に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項１１】
前記第３の洗浄液は、前記第１の洗浄液と同一の洗浄液であることを特徴とする請求項９に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項１２】
前記第３の洗浄液は、前記被加工膜に対するエッチング力が実質的にないと共に前記第４の工程において前記下地膜を腐食させる力が実質的にないことを特徴とする請求項９に記載の電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子デバイスの製造方法に関し、特に、導電膜又は絶縁膜等の被加工膜に対してドライエッチングを行なって該被加工膜をパターニングした後に、形成されたパターンの壁面等に付着した反応生成物を除去する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子デバイスの製造においては、例えば、絶縁膜にビアホールを形成するために絶縁膜に対してドライエッチング技術を用いる場合、又は、導電膜から配線パターンを形成するために導電膜に対してドライエッチング技術を用いる場合が多い。このとき、形成されたビアホール又は配線パターン等の被エッチングパターンの壁面に、エッチングガス、フォトレジスト又は被加工膜等に起因して反応生成物（側壁保護膜又はポリマー残さ等）が付着することが知られている。このような反応生成物が、例えば絶縁膜に形成されたビアホールの底面に付着すると、接合不良、ビアコンタクト抵抗の増大、又は配線パターン（下層配線）の腐食等が生じて、電子デバイスの信頼性が著しく損なわれる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
前記の反応生成物を除去するために、有機溶剤の水溶液に、絶縁膜に対してエッチング作用を有するフッ素化合物が添加された洗浄液（以下、従来の洗浄液と称する）が用いられている（特開平７−２０１７９４、特開平１０−５５９９３参照）。
【０００４】
ところで、近年、電子デバイスの高度な微細化に伴ってエッチング選択比を増大させるため、新たなレジスト材料が導入されてきていると共に、環境問題に配慮して、地球温暖化係数の小さい新たなエッチングガス（Ｃ5Ｆ8等）が導入されてきている。このため、ドライエッチング時に、従来とは異なる成分を有する反応生成物が従来よりも大量に生じるようになったので、該反応生成物を従来の洗浄液を用いて除去することが困難になっている。
【０００５】
前記に鑑み、本発明は、被エッチングパターンの壁面等に付着した反応生成物を確実に除去できるようにすることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本件発明者らは、前記の目的を達成するために、洗浄液に含まれるフッ素化合物の量と、反応生成物の除去能力との関係を検討した。
【０００７】
以下、第１の比較例に係る電子デバイスの製造方法について、配線上に形成された絶縁膜に対してドライエッチングを行なってビアホールを形成した後、フッ素化合物の含有量が相対的に少ない洗浄液、言い換えると、絶縁膜に対するエッチング力が相対的に弱い洗浄液を用いてビアホールの壁面等に付着した反応生成物を除去する場合を例として、図３（ａ）〜（ｃ）を参照しながら説明する。
【０００８】
まず、図３（ａ）に示すように、基板１上に、第１の窒化チタン膜２Ａ、アルミニウム合金膜３及び第２の窒化チタン膜２Ｂからなる積層構造を有する下層配線４を形成した後、該下層配線４上に絶縁膜５を形成し、その後、絶縁膜５上に、ビアホール形成領域に開口部を有するレジストパターン６を形成した。
【０００９】
次に、レジストパターン６をマスクとして絶縁膜５及び第２の窒化チタン膜２Ｂに対して順次ドライエッチングを行なって、図３（ｂ）に示すように、ビアホール７を形成した後、プラズマアッシングによりレジストパターン６を除去した。このとき、ビアホール７の壁面及び底面等に反応生成物８が付着した。
【００１０】
次に、フッ素化合物の含有量が相対的に少ない洗浄液として、例えば三菱瓦斯化学株式会社製ＥＬＭ−Ｃ３０−Ａ０１（以下、洗浄液Ａと称する）を室温（２３℃）で１０〜２０分間用いてビアホール７の内部を洗浄した後、該ビアホール７の内部を水洗し、その後、基板１を乾燥した。
【００１１】
その結果、図３（ｃ）に示すように、反応生成物８におけるビアホール７の底面上の部分が除去できなかったため、後の工程においてビアホール７に導電膜を埋め込んでビアコンタクトを形成すると共に該ビアコンタクトを介して下層配線４と接続される上層配線を形成したときに、該上層配線と下層配線４との間で接合不良が生じた。このため、ビアコンタクトの抵抗値を測定することはできなかった。
【００１２】
すなわち、洗浄液に含まれるフッ素化合物の含有量が相対的に少ないと、反応生成物の除去能力が、洗浄液に含まれる有機溶剤の反応生成物に対する溶解能力に主として依存するため、反応生成物の除去に要する時間が増大すると共に反応生成物を完全に除去することが困難になる。
【００１３】
以下、第２の比較例に係る電子デバイスの製造方法について、配線上に形成された絶縁膜に対してドライエッチングを行なってビアホールを形成した後、フッ素化合物の含有量が相対的に多い洗浄液、言い換えると、絶縁膜に対するエッチング力が相対的に強い洗浄液を用いてビアホールの壁面等に付着した反応生成物を除去する場合を例として、図４（ａ）〜（ｃ）を参照しながら説明する。尚、第２の比較例における図４（ａ）、（ｂ）に示す工程については、第１の比較例における図３（ａ）、（ｂ）に示す工程と同一であるので説明を省略する。
【００１４】
第２の比較例においては、フッ素化合物の含有量が相対的に多い洗浄液として、例えば三菱瓦斯化学株式会社製ＥＬＭ−Ｃ３０−Ａ１０（以下、洗浄液Ｂと称する）を室温（２３℃）で１０〜２０分間用いてビアホール７の内部を洗浄した後、該ビアホール７の内部を水洗し、その後、基板１を乾燥した。洗浄液Ｂのフッ素化合物の含有量は、洗浄液Ａのフッ素化合物の含有量の８倍程度であり、洗浄液Ｂの絶縁膜に対するエッチング力、例えば同一時間に同一種類の絶縁膜をエッチングする量は、洗浄液Ａの絶縁膜に対するエッチング力の５０〜２００倍程度である。
【００１５】
その結果、図４（ｃ）に示すように、反応生成物８が完全に除去される一方、反応生成物８と共に絶縁膜５におけるビアホール７の近傍部分も除去されてしまった。尚、図４（ｃ）において、ビアホール７が所定の寸法で形成された場合における、ビアホール７の壁面又は底面の位置を破線で示している。
【００１６】
ところで、洗浄液Ｂを用いてビアホール７の内部を洗浄した後、該ビアホール７の内部を水洗すると、該水洗時に水により希釈された洗浄液Ｂは、下層配線４を構成する導電膜、具体的にはアルミニウム合金膜３を腐食させる力を生じる。具体的には、水洗時に洗浄液Ｂがアルミニウム合金膜３を腐食させる力、つまり洗浄液Ｂのアルミニウム合金膜３に対する水洗時腐食力は、洗浄液Ａのアルミニウム合金膜３に対する水洗時腐食力（最大値）の３倍程度である。
【００１７】
図５（ａ）は、第２の比較例に係る電子デバイスの製造方法においてビアホールの内部を水洗しているときの該ビアホールの内部における水流の強さを示している。尚、図５（ａ）において、矢印ａ〜ｅはビアホール７の内部の各部分における水流を表し、矢印ａ〜ｅの長さは各水流の強さを模式的に表している。
【００１８】
図５（ｂ）は、第２の比較例に係る電子デバイスの製造方法においてビアホールの内部を水洗しているときの該ビアホールの内部における洗浄液Ｂの濃度変化を示している。尚、図５（ｂ）において、図５（ａ）の矢印ａ〜ｅで表された各水流と対応させて洗浄液Ｂの濃度変化を示している。
【００１９】
図５（ａ）に示すように、ビアホール７の底面に近づくに伴って、水流の強さは弱くなる。これは、ビアホール７の内部における水流の強さが、ビアホール７の上方における水流の拡散速度に依存していることが原因と考えられる。このため、図５（ｂ）に示すように、ビアホール７の底面に近づくに伴って、洗浄液Ｂの濃度が低下しにくくなるので、アルミニウム合金膜３におけるビアホール７に露出する部分が、洗浄液Ｂに長時間さらされることになる。従って、図４（ｃ）に示すように、残存する反応生成物８が除去される一方、アルミニウム合金膜３の露出部分が腐食されて溶解してしまうので、絶縁膜５の下側に空洞部９が形成される。このとき、アルミニウム合金膜３における空洞部９の近傍部分等に水酸化物が形成される結果、ビアホール７に導電膜を埋め込むことにより形成されたビアコンタクトに対して加速試験、具体的には２００℃の高温下で１０００時間の高温保存抵抗上昇率試験を行なったところ、ビアコンタクトの抵抗値の上昇率（以下、ビア抵抗上昇率と称する）は１０％を越えた。
【００２０】
すなわち、洗浄液に含まれるフッ素化合物の含有量が相対的に多いと、反応生成物の下地である絶縁膜に対してエッチングが行なわれて、反応生成物の除去が容易になる一方、絶縁膜に形成されたビアホールの寸法が拡大してしまうと共に、下層配線を構成する導電膜におけるビアホールに露出する部分が腐食されてしまう。
【００２１】
本発明は、前記の知見に基づきなされたものであって、具体的には、本発明に係る第１の電子デバイスの製造方法は、基板上に形成された導電パターン上に絶縁膜を形成する第１の工程と、レジストパターンをマスクとして絶縁膜に対してドライエッチングを行なって、絶縁膜に開口部を形成する第２の工程と、開口部の壁面又は底面に付着した反応生成物を除去する第３の工程と、反応生成物が除去された開口部の内部を水洗する第４の工程とを備え、第３の工程は、フッ素化合物の含有量が相対的に少ない第１の洗浄液を用いた相対的に洗浄時間の長い第１ステップと、フッ素化合物の含有量が相対的に多い第２の洗浄液を用いた相対的に洗浄時間の短い第２ステップとにより、反応生成物を除去する工程を含み、第１の洗浄液及び第２の洗浄液は、それぞれ同一の有機溶剤を含み、第２の洗浄液の絶縁膜に対するエッチング力は、第１の洗浄液の絶縁膜に対するエッチング力の５０〜２００倍である。
【００２２】
第１の電子デバイスの製造方法によると、絶縁膜に対するエッチング力が相対的に弱い第１の洗浄液、及び絶縁膜に対するエッチング力が相対的に強い第２の洗浄液を順次用いることにより、絶縁膜に形成された開口部の壁面又は底面に付着した反応生成物を除去する。このため、反応生成物を第１の洗浄液により部分的に除去した後、残存する反応生成物を第２の洗浄液により除去することができる。従って、第２の洗浄液のみを用いて反応生成物を除去する場合と比べて、第２の洗浄液を使用する時間を短縮でき、それによって絶縁膜に対するエッチング量を低減できるので、開口部の寸法拡大を招くことなく、反応生成物を確実に除去することができる。
【００２３】
第１の電子デバイスの製造方法において、第１の洗浄液及び第２の洗浄液は、それぞれ同一の有機溶剤を含むことが好ましい。
【００２４】
このようにすると、各洗浄液に対して個々に廃液ラインを設置する必要がなくなって、廃液ラインを一元化することができる。
【００２５】
第１の電子デバイスの製造方法において、第１の洗浄液及び第２の洗浄液は、それぞれ同一の洗浄チャンバーにおいて用いられることが好ましい。
【００２６】
このようにすると、反応生成物の除去に要する時間を短縮することができる。
【００２７】
第１の電子デバイスの製造方法において、第３の工程と第４の工程との間に、第４の工程において導電パターンを腐食させる力が第２の洗浄液よりも弱い第３の洗浄液を用いることにより、反応生成物が除去された開口部の内部を洗浄する工程をさらに備えていることが好ましい。
【００２８】
このようにすると、第２の洗浄液を用いて反応生成物を除去した後、開口部の内部を水洗する前に、該開口部の内部に残存する第２の洗浄液を第３の洗浄液と置換することができる。従って、第２の洗浄液を用いた直後に開口部の内部を水洗する場合と比べて、水洗時に導電パターンが腐食される量を低減できるので、絶縁膜の下側に形成される空洞部の大きさを小さくすることができる。
【００２９】
第３の洗浄液を用いる場合、第３の洗浄液は、絶縁膜に対するエッチング力が相対的に弱いことが好ましい。
【００３０】
このようにすると、絶縁膜に対するエッチング量を低減できるので、開口部の寸法拡大を防止することができる。
【００３１】
第３の洗浄液を用いる場合、第３の洗浄液は、第１の洗浄液と同一の洗浄液であることが好ましい。
【００３２】
このようにすると、洗浄工程で用いられる洗浄液の種類を低減することができる。
【００３３】
第３の洗浄液を用いる場合、第３の洗浄液は、絶縁膜に対するエッチング力が実質的にないと共に第４の工程において導電パターンを腐食させる力が実質的にないことが好ましい。
【００３４】
このようにすると、開口部の寸法拡大を確実に防止しつつ、水洗時に導電パターンが腐食されることを確実に回避することができる。
【００３５】
本発明に係る第２の電子デバイスの製造方法は、基板上に形成された下地膜上に被加工膜を形成する第１の工程と、マスクパターンを用いて被加工膜に対してドライエッチングを行なって被エッチングパターンを形成する第２の工程と、被エッチングパターンの壁面に付着した反応生成物を除去する第３の工程と、反応生成物が除去された被エッチングパターン又はその周辺部を水洗する第４の工程とを備え、第３の工程は、フッ素化合物の含有量が相対的に少ない第１の洗浄液を用いた相対的に洗浄時間の長い第１ステップと、フッ素化合物の含有量が相対的に多い第２の洗浄液を用いた相対的に洗浄時間の短い第２ステップとにより、反応生成物を除去する工程を含み、前記第１の洗浄液及び第２の洗浄液は、それぞれ同一の有機溶剤を含み、前記第２の洗浄液の前記被加工膜に対するエッチング力は、前記第１の洗浄液の前記被加工膜に対するエッチング力の５０〜２００倍である。
【００３６】
第２の電子デバイスの製造方法によると、被加工膜に対するエッチング力が相対的に弱い第１の洗浄液、及び被加工膜に対するエッチング力が相対的に強い第２の洗浄液を順次用いることにより、被エッチングパターンの壁面に付着した反応生成物を除去する。このため、反応生成物を第１の洗浄液により部分的に除去した後、残存する反応生成物を第２の洗浄液により除去することができる。従って、第２の洗浄液のみを用いて反応生成物を除去する場合と比べて、第２の洗浄液を使用する時間を短縮でき、それによって被加工膜に対するエッチング量を低減できるので、被エッチングパターンの寸法変化を招くことなく、反応生成物を確実に除去することができる。
【００３７】
第２の電子デバイスの製造方法において、第１の洗浄液及び第２の洗浄液は、それぞれ同一の有機溶剤を含むことが好ましい。
【００３８】
このようにすると、各洗浄液に対して個々に廃液ラインを設置する必要がなくなって、廃液ラインを一元化することができる。
【００３９】
第２の電子デバイスの製造方法において、第１の洗浄液及び第２の洗浄液は、それぞれ同一の洗浄チャンバーにおいて用いられることが好ましい。
【００４０】
このようにすると、反応生成物の除去に要する時間を短縮することができる。
【００４１】
第２の電子デバイスの製造方法において、第３の工程と第４の工程との間に、第４の工程において下地膜を腐食させる力が第２の洗浄液よりも弱い第３の洗浄液を用いることにより、反応生成物が除去された被エッチングパターン又はその周辺部を洗浄する工程をさらに備えていることが好ましい。
【００４２】
このようにすると、第２の洗浄液を用いて反応生成物を除去した後、被エッチングパターン又はその周辺部を水洗する前に、被エッチングパターン又はその周辺部の上に残存する第２の洗浄液を第３の洗浄液と置換することができる。従って、第２の洗浄液を用いた直後に被エッチングパターン又はその周辺部を水洗する場合と比べて、水洗時に下地膜が腐食される量を低減することができる。
【００４３】
第３の洗浄液を用いる場合、第３の洗浄液は、被加工膜に対するエッチング力が相対的に弱いことが好ましい。
【００４４】
このようにすると、被加工膜に対するエッチング量を低減できるので、被エッチングパターンの寸法変化を防止することができる。
【００４５】
第３の洗浄液を用いる場合、第３の洗浄液は、第１の洗浄液と同一の洗浄液であることが好ましい。
【００４６】
このようにすると、洗浄工程で用いられる洗浄液の種類を低減することができる。
【００４７】
第３の洗浄液を用いる場合、第３の洗浄液は、被加工膜に対するエッチング力が実質的にないと共に第４の工程において下地膜を腐食させる力が実質的にないことが好ましい。
【００４８】
このようにすると、被エッチングパターンの寸法変化を確実に防止しつつ、水洗時に下地膜が腐食されることを確実に防止できる。
【００４９】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）
以下、第１の実施形態に係る電子デバイスの製造方法について、図１（ａ）〜（ｄ）を参照しながら説明する。
【００５０】
まず、図１（ａ）に示すように、基板１１上に、第１の窒化チタン膜１２Ａ、アルミニウム合金膜１３及び第２の窒化チタン膜１２Ｂからなる積層構造を有する下層配線１４を形成した後、該下層配線１４上に絶縁膜１５を形成し、その後、絶縁膜１５上に、ビアホール形成領域に開口部を有するレジストパターン１６を形成する。
【００５１】
次に、レジストパターン１６をマスクとして絶縁膜１５及び第２の窒化チタン膜１２Ｂに対して順次ドライエッチングを行なって、図１（ｂ）に示すように、ビアホール１７を形成した後、プラズマアッシングによりレジストパターン１６を除去する。
【００５２】
このとき、ビアホール１７の壁面又は底面等に反応生成物１８が付着する。
【００５３】
次に、反応生成物１８を除去するため、絶縁膜１５に対するエッチング力が相対的に弱い第１の洗浄液、具体的には、フッ素化合物の含有量が相対的に少ない洗浄液、例えば三菱瓦斯化学株式会社製ＥＬＭ−Ｃ３０−Ａ０１（以下、洗浄液Ａとする）を室温、例えば２３℃で１０〜２０分間程度用いてビアホール１７の内部を洗浄する。
【００５４】
このようにすると、第１の洗浄液の絶縁膜１５に対するエッチング力が相対的に弱いため、図１（ｃ）に示すように、ビアホール１７の寸法拡大を招くことなく、反応生成物１８におけるビアホール１７の底面の近傍部分以外の他の部分が除去される。
【００５５】
次に、残存する反応生成物１８を除去するため、第１の洗浄液を用いた洗浄チャンバー（図示省略）において、絶縁膜１５に対するエッチング力が相対的に強い第２の洗浄液、具体的には、フッ素化合物の含有量が相対的に多い洗浄液、例えば三菱瓦斯化学株式会社製ＥＬＭ−Ｃ３０−Ａ１０（以下、洗浄液Ｂとする）を室温、例えば２３℃で３０秒〜５分間程度用いてビアホール１７の内部を洗浄する。尚、洗浄液Ｂのフッ素化合物の含有量は、洗浄液Ａのフッ素化合物の含有量の８倍程度であり、洗浄液Ｂの絶縁膜１５に対するエッチング力、例えば同一時間に同一種類の絶縁膜をエッチングする量は、洗浄液Ａの絶縁膜１５に対するエッチング力の５０〜２００倍程度である。
【００５６】
このようにすると、絶縁膜１５に対するエッチング力が相対的に弱い第１の洗浄液を用いて反応生成物１８を部分的に除去した後、残存する反応生成物１８を、絶縁膜１５に対するエッチング力が相対的に強い第２の洗浄液を用いて除去しているため、第２の洗浄液を使用する時間を、第２の洗浄液のみを用いて反応生成物１８を除去する場合と比べて短縮できる。このため、図１（ｄ）に示すように、絶縁膜１５に対するエッチング量を低減できるので、ビアホール１７の寸法拡大を招くことなく、反応生成物１８を確実に除去することができる。
【００５７】
ところで、第２の洗浄液つまり洗浄液Ｂを用いてビアホール１７の内部を洗浄した後、引き続いてビアホール１７の内部を水洗すると、該水洗時に水により希釈された洗浄液Ｂは、下層配線１４を構成する導電膜、具体的にはアルミニウム合金膜１３を腐食させる力を生じる。具体的には、水洗時に洗浄液Ｂがアルミニウム合金膜１３を腐食させる力、つまり洗浄液Ｂのアルミニウム合金膜１３に対する水洗時腐食力は、例えば、洗浄液Ａのアルミニウム合金膜１３に対する水洗時腐食力（最大値）の３倍程度である。
【００５８】
そこで、第１の実施形態においては、第２の洗浄液を用いて反応生成物１８を除去した後、ビアホール１７の内部を水洗する前に、ビアホール１７の内部に残存する第２の洗浄液つまり洗浄液Ｂを、アルミニウム合金膜１３に対する水洗時腐食力が第２の洗浄液（洗浄液Ｂ）よりも弱い第３の洗浄液と置換する。具体的には、第１の洗浄液及び第２の洗浄液を用いた洗浄チャンバーにおいて、第３の洗浄液として、例えば第１の洗浄液と同一の洗浄液である洗浄液Ａを、室温、例えば２３℃で３０秒〜１０分間程度用いてビアホール１７の内部を洗浄する。これにより、第２の洗浄液を用いた直後にビアホール１７の内部を水洗する場合と比べて、水洗時にアルミニウム合金膜１３が腐食される量を低減できる。その後、第１〜第３の洗浄液を用いた洗浄チャンバーにおいてビアホール１７の内部を水洗した後、基板１１を乾燥する。
【００５９】
以上に説明したように、第１の実施形態によると、絶縁膜１５に対するエッチング力が相対的に弱い第１の洗浄液、及び絶縁膜１５に対するエッチング力が相対的に強い第２の洗浄液を順次用いることにより、絶縁膜１５に形成されたビアホール１７の壁面又は底面等に付着した反応生成物１８を除去する。このため、反応生成物１８を第１の洗浄液により部分的に除去した後、残存する反応生成物１８を第２の洗浄液により除去することができる。従って、第２の洗浄液のみを用いて反応生成物１８を除去する場合と比べて、第２の洗浄液を使用する時間を短縮でき、それによって絶縁膜１５に対するエッチング量を低減できるので、ビアホール１７の寸法拡大を招くことなく、反応生成物１８を確実に除去することができる。
【００６０】
また、第１の実施形態によると、第１の洗浄液及び第２の洗浄液を用いて反応生成物１８を除去した後、ビアホール１７の内部を水洗する前に、下層配線１４を構成するアルミニウム合金膜１３に対する水洗時腐食力が第２の洗浄液よりも弱い第３の洗浄液を用いてビアホール１７の内部を洗浄する。このため、ビアホール１７の内部に残存する第２の洗浄液を第３の洗浄液と置換することができる。従って、第２の洗浄液を用いた直後にビアホール１７の内部を水洗する場合と比べて、アルミニウム合金膜１３が腐食される量を低減できるので、絶縁膜１５の下側に形成される空洞部１９の大きさを小さくすることができる。また、アルミニウム合金膜１３における空洞部１９の近傍部分等に形成される水酸化物の量を低減できるので、ビアホール１７に導電膜を埋め込むことにより形成されたビアコンタクトに対して加速試験（高温保存抵抗上昇率試験）を行なった場合にも、該ビアコンタクトの抵抗値の上昇を抑制することができる。
【００６１】
さらに、第１の実施形態によると、第３の洗浄液として、第１の洗浄液と同一の洗浄液であり且つ絶縁膜１５に対するエッチング力が相対的に弱い洗浄液Ａを用いるため、洗浄工程で用いられる洗浄液の種類を低減できると共に、絶縁膜１５に対するエッチング量を低減してビアホール１７の寸法拡大を防止することができる。
【００６２】
表１は、第１の実施形態に係る電子デバイスの製造方法、第１の比較例及び第２の比較例（「課題を解決するための手段」参照）を、反応生成物を除去する能力、ビアホールの寸法拡大を抑制する能力、空洞部の形成を抑制する能力、及び高温保存抵抗上昇率試験（２００℃、１０００時間）におけるビアコンタクトの抵抗値の上昇を抑制する能力について、それぞれ比較した結果を示している。
【００６３】
【表１】
0004181293.tif 000002
【００６４】
表１に示すように、第１の実施形態に係る電子デバイスの製造方法を用いることにより、ビアホール１７の壁面又は底面等に付着した反応生成物１８を完全に除去することができると共に、ビアホール１７の寸法拡大を３０ｎｍ未満に抑制することができた。その一方、相対的に小さな空洞部１９の形成が認められると共に、高温保存抵抗上昇率試験におけるビア抵抗上昇率が２％以上１０％未満程度であった。
【００６５】
尚、第１の実施形態において、下層配線１４を構成する導電膜として、第１の洗浄液又は第２の洗浄液に添加されたフッ素化合物に対して比較的耐食性の低い、言い換えると、該フッ素化合物により腐食されやすいアルミニウム合金膜１３を含む積層膜を用いたが、これに限られず、アルミニウム合金膜の単層膜、アルミニウム膜の単層膜若しくは積層膜、又はフッ素化合物により腐食されにくい他の金属膜等を用いてもよい。
【００６６】
また、第１の実施形態において、第１の洗浄液として、絶縁膜１５に対してエッチング作用を有するフッ素化合物が相対的に少量添加された洗浄液Ａを用いたが、これに限られず、絶縁膜１５に対するエッチング力が相対的に弱い他の洗浄液を用いてもよい。
【００６７】
また、第１の実施形態において、第２の洗浄液として、絶縁膜１５に対してエッチング作用を有するフッ素化合物が相対的に多量添加された洗浄液Ｂを用いたが、これに限られず、絶縁膜１５に対するエッチング力が相対的に強い他の洗浄液を用いてもよい。
【００６８】
また、第１の実施形態において、第２の洗浄液として、絶縁膜１５に対するエッチング力が相対的に強く且つ下層配線１４を構成する導電膜に対する水洗時腐食力が相対的に強い洗浄液Ｂを用いたが、これに代えて、絶縁膜１５に対するエッチング力が相対的に強く且つ下層配線１４を構成する導電膜に対する水洗時腐食力が相対的に弱い他の洗浄液を用いてもよい。このようにすると、第２の洗浄液を用いた直後にビアホール１７の内部を水洗した場合にも、該水洗時に下層配線１４を構成する導電膜が腐食される量を低減させることができる。従って、第３の洗浄液を用いる必要がないので、洗浄工程全体に要する時間を短縮することができる。
【００６９】
また、第１の実施形態において、第２の洗浄液として、下層配線１４を構成する導電膜に対する水洗時腐食力が相対的に強い洗浄液を用いる場合にも、製造対象の電子デバイスの性能上、下層配線１４を構成する導電膜の劣化、又はビアホール１７に導電膜を埋め込むことにより形成されるビアコンタクトの抵抗値の上昇等が問題にならなければ、第３の洗浄液を用いる工程を省略してもよい。このようにすると、洗浄工程全体に要する時間を短縮することができる。
【００７０】
また、第１の実施形態において、第３の洗浄液として、第１の洗浄液と同一の洗浄液、具体的には洗浄液Ａを用いたが、これに限られず、下層配線１４を構成する導電膜に対する水洗時腐食力が第２の洗浄液よりも弱い他の洗浄液を用いてもよい。このとき、第３の洗浄液は、絶縁膜１５に対するエッチング力が相対的に弱いことが好ましい。
【００７１】
また、第１の実施形態において、第１の洗浄液又は第２の洗浄液を室温、具体的には２３℃で用いたが、これに限られず、１８〜２５℃程度で用いてもよい。また、第１の洗浄液又は第２の洗浄液を１８〜２５℃程度で用いたときに反応生成物１８の除去速度が著しく遅くなる場合には、第１の洗浄液又は第２の洗浄液を、例えば３５〜６０℃程度に加熱して用いてもよい。
【００７２】
また、第１の実施形態において、第１〜第３の洗浄液をそれぞれ用いる洗浄温度及び洗浄時間は、反応生成物１８の状態、又は下層配線１４を構成する導電膜の種類等を考慮して適切に決定されることが好ましい。
【００７３】
また、第１の実施形態において、第１〜第３の洗浄液は、それぞれ同一の有機溶剤を含むことが好ましい。このようにすると、各洗浄液に対して個々に廃液ラインを設置する必要がなくなって、廃液ラインを一元化することが可能になる。
【００７４】
また、第１の実施形態において、第１〜第３の洗浄液を用いた洗浄方法としては、例えば基板１１つまり被処理基板を洗浄液に浸漬することによって洗浄するバッチ式の洗浄方法、又は被処理基板に回転を加えながら被処理基板に対して洗浄液をシャワー状に噴霧したり、吐出したり、連続的若しくは間欠的に滴下したりすることによって洗浄する枚葉式若しくはバッチ式の洗浄方法等を用いることができる。
【００７５】
また、第１の実施形態において、第１〜第３の洗浄液は全て同一の洗浄チャンバーにおいて用いられることが好ましい。このようにすると、洗浄工程全体に要する時間を短縮することができる。また、この場合、第１〜第３の洗浄液が用いられた洗浄チャンバーにおいてビアホール１７の内部を水洗する工程を行なうと、洗浄工程全体に要する時間をさらに短縮することができる。
【００７６】
また、第１の実施形態において、配線上に形成された絶縁膜に対してドライエッチングを行なってビアホールを形成した後、該ビアホールの壁面又は底面等に付着した反応生成物を除去する場合を対象としたが、これに限られず、例えば、ＭＯＳトランジスタのゲート電極の上に形成された絶縁膜に対してドライエッチングを行なってコンタクトホールを形成した後、該コンタクトホールの壁面又は底面等に付着した反応生成物を除去する場合、又は、絶縁膜上に形成された導電膜に対してドライエッチングを行なって配線パターンを形成した後、該配線パターンの壁面等に付着した反応生成物を除去する場合等を対象としてもよい。コンタクトホールの壁面又は底面等に付着した反応生成物を除去する場合、コンタクトホールが形成された絶縁膜に対するエッチング力が相対的に弱い第１の洗浄液、及び該絶縁膜に対するエッチング力が相対的に強い第２の洗浄液を順次用いることにより、反応生成物を除去することが好ましい。また、配線パターンの壁面等に付着した反応生成物を除去する場合、配線パターンを構成する導電膜に対するエッチング力が相対的に弱い第１の洗浄液、及び該導電膜に対するエッチング力が相対的に強い第２の洗浄液を順次用いることにより、反応生成物を除去することが好ましい。
【００７７】
（第２の実施形態）
以下、第２の実施形態に係る電子デバイスの製造方法について、図２（ａ）〜（ｄ）を参照しながら説明する。
【００７８】
まず、図２（ａ）に示すように、基板２１上に、第１の窒化チタン膜２２Ａ、アルミニウム合金膜２３及び第２の窒化チタン膜２２Ｂからなる積層構造を有する下層配線２４を形成した後、該下層配線２４上に絶縁膜２５を形成し、その後、絶縁膜２５上に、ビアホール形成領域に開口部を有するレジストパターン２６を形成する。
【００７９】
次に、レジストパターン２６をマスクとして絶縁膜２５及び第２の窒化チタン膜２２Ｂに対して順次ドライエッチングを行なって、図２（ｂ）に示すように、ビアホール２７を形成した後、プラズマアッシングによりレジストパターン２６を除去する。
【００８０】
このとき、ビアホール２７の壁面又は底面等に反応生成物２８が付着する。
【００８１】
次に、反応生成物２８を除去するため、絶縁膜２５に対するエッチング力が相対的に弱い第１の洗浄液、具体的には、フッ素化合物の含有量が相対的に少ない洗浄液、例えば三菱瓦斯化学株式会社製ＥＬＭ−Ｃ３０−Ａ０１（以下、洗浄液Ａとする）を室温、例えば２３℃で１０〜２０分間程度用いてビアホール２７の内部を洗浄する。
【００８２】
このようにすると、第１の洗浄液の絶縁膜２５に対するエッチング力が相対的に弱いため、図２（ｃ）に示すように、ビアホール２７の寸法拡大を招くことなく、反応生成物２８におけるビアホール２７の底面の近傍部分以外の他の部分が除去される。
【００８３】
次に、残存する反応生成物２８を除去するため、第１の洗浄液を用いた洗浄チャンバー（図示省略）において、絶縁膜２５に対するエッチング力が相対的に強い第２の洗浄液、具体的には、フッ素化合物の含有量が相対的に多い洗浄液、例えば三菱瓦斯化学株式会社製ＥＬＭ−Ｃ３０−Ａ１０（以下、洗浄液Ｂとする）を室温、例えば２３℃で３０秒〜５分間程度用いてビアホール２７の内部を洗浄する。尚、洗浄液Ｂのフッ素化合物の含有量は、洗浄液Ａのフッ素化合物の含有量の８倍程度であり、洗浄液Ｂの絶縁膜２５に対するエッチング力、例えば同一時間に同一種類の絶縁膜をエッチングする量は、洗浄液Ａの絶縁膜２５に対するエッチング力の５０〜２００倍程度である。
【００８４】
このようにすると、絶縁膜２５に対するエッチング力が相対的に弱い第１の洗浄液を用いて反応生成物２８を部分的に除去した後、残存する反応生成物２８を、絶縁膜２５に対するエッチング力が相対的に強い第２の洗浄液を用いて除去しているため、第２の洗浄液を使用する時間を、第２の洗浄液のみを用いて反応生成物２８を除去する場合と比べて短縮できる。このため、図２（ｄ）に示すように、絶縁膜２５に対するエッチング量を低減できるので、ビアホール２７の寸法拡大を招くことなく、反応生成物２８を確実に除去することができる。
【００８５】
ところで、第２の洗浄液つまり洗浄液Ｂを用いてビアホール２７の内部を洗浄した後、引き続いてビアホール２７の内部を水洗すると、該水洗時に水により希釈された洗浄液Ｂは、下層配線２４を構成する導電膜、具体的にはアルミニウム合金膜２３を腐食させる力を生じる。具体的には、洗浄液Ｂのアルミニウム合金膜２３に対する水洗時腐食力は、例えば、洗浄液Ａのアルミニウム合金膜２３に対する水洗時腐食力（最大値）の３倍程度である。
【００８６】
そこで、第２の実施形態においては、第２の洗浄液を用いて反応生成物２８を除去した後、ビアホール２７の内部を水洗する前に、ビアホール２７の内部に残存する第２の洗浄液つまり洗浄液Ｂを、絶縁膜２５に対するエッチング力が実質的になく且つアルミニウム合金膜２３に対する水洗時腐食力が実質的にない第３の洗浄液と置換する。具体的には、第１の洗浄液及び第２の洗浄液を用いた洗浄チャンバーにおいて、第３の洗浄液として、例えばＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等の有機溶剤を１〜６０質量％程度含む洗浄液（絶縁膜２５に対してエッチング作用を有するフッ素化合物等は添加されていない）を室温、例えば２３℃で３０秒〜１０分間程度用いてビアホール２７の内部を洗浄する。これにより、第２の洗浄液を用いた直後にビアホール２７の内部を水洗する場合と比べて、水洗時にアルミニウム合金膜２３が腐食される量を確実に低減できる。その後、第１〜第３の洗浄液を用いた洗浄チャンバーにおいてビアホール２７の内部を水洗した後、基板２１を乾燥する。
【００８７】
以上に説明したように、第２の実施形態によると、絶縁膜２５に対するエッチング力が相対的に弱い第１の洗浄液、及び絶縁膜２５に対するエッチング力が相対的に強い第２の洗浄液を順次用いることにより、絶縁膜２５に形成されたビアホール２７の壁面又は底面等に付着した反応生成物２８を除去する。このため、反応生成物２８を第１の洗浄液により部分的に除去した後、残存する反応生成物２８を第２の洗浄液により除去することができる。従って、第２の洗浄液のみを用いて反応生成物２８を除去する場合と比べて、第２の洗浄液を使用する時間を短縮でき、それによって絶縁膜２５に対するエッチング量を低減できるので、ビアホール２７の寸法拡大を招くことなく、反応生成物２８を確実に除去することができる。
【００８８】
また、第２の実施形態によると、第１の洗浄液及び第２の洗浄液を用いて反応生成物２８を除去した後、ビアホール２７の内部を水洗する前に、下層配線２４を構成するアルミニウム合金膜２３に対する水洗時腐食力が実質的にない第３の洗浄液を用いてビアホール２７の内部を洗浄する。このため、ビアホール２７の内部に残存する第２の洗浄液を第３の洗浄液と置換することができ、それによって水洗時にアルミニウム合金膜２３が腐食されることを防止できるので、絶縁膜２５の下側に空洞部が形成される事態を回避することができる。また、アルミニウム合金膜２３が実質的に腐食されないので、ビアホール２７に導電膜を埋め込むことにより形成されたビアコンタクトに対して加速試験（高温保存抵抗上昇率試験）を行なった場合にも、該ビアコンタクトの抵抗値の上昇を確実に抑制することができる。
【００８９】
さらに、第２の実施形態によると、第３の洗浄液として、絶縁膜２５に対するエッチング力が実質的にない洗浄液を用いるため、絶縁膜２５がエッチングされることがないので、ビアホール２７の寸法拡大を確実に防止することができる。
【００９０】
表２は、第２の実施形態に係る電子デバイスの製造方法、第１の比較例及び第２の比較例（「課題を解決するための手段」参照）を、反応生成物を除去する能力、ビアホールの寸法拡大を抑制する能力、空洞部の形成を抑制する能力、及び高温保存抵抗上昇率試験（２００℃、１０００時間）におけるビアコンタクトの抵抗値の上昇を抑制する能力について、それぞれ比較した結果を示している。
【００９１】
【表２】
0004181293.tif 000003
【００９２】
表２に示すように、第２の実施形態に係る電子デバイスの製造方法を用いることにより、ビアホール２７の壁面又は底面等に付着した反応生成物２８を完全に除去することができると共に、ビアホール２７の寸法拡大を３０ｎｍ未満に抑制することができた。また、空洞部の形成が実質的に認められないと共に、高温保存抵抗上昇率試験におけるビア抵抗上昇率が２％未満程度であった。
【００９３】
尚、第２の実施形態において、下層配線２４を構成する導電膜として、第１の洗浄液又は第２の洗浄液に添加されたフッ素化合物に対して比較的耐食性の低い、言い換えると、該フッ素化合物により腐食されやすいアルミニウム合金膜２３を含む積層膜を用いたが、これに限られず、アルミニウム合金膜の単層膜、アルミニウム膜の単層膜若しくは積層膜、又はフッ素化合物により腐食されにくい他の金属膜等を用いてもよい。
【００９４】
また、第２の実施形態において、第１の洗浄液として、絶縁膜２５に対してエッチング作用を有するフッ素化合物が相対的に少量添加された洗浄液Ａを用いたが、これに限られず、絶縁膜２５に対するエッチング力が相対的に弱い他の洗浄液を用いてもよい。
【００９５】
また、第２の実施形態において、第２の洗浄液として、絶縁膜２５に対してエッチング作用を有するフッ素化合物が相対的に多量添加された洗浄液Ｂを用いたが、これに限られず、絶縁膜２５に対するエッチング力が相対的に強い他の洗浄液を用いてもよい。
【００９６】
また、第２の実施形態において、第２の洗浄液として、絶縁膜２５に対するエッチング力が相対的に強く且つ下層配線２４を構成する導電膜に対する水洗時腐食力が相対的に強い洗浄液Ｂを用いたが、これに代えて、絶縁膜２５に対するエッチング力が相対的に強く且つ下層配線２４を構成する導電膜に対する水洗時腐食力が実質的にない他の洗浄液を用いてもよい。このようにすると、第２の洗浄液を用いた直後にビアホール２７の内部を水洗した場合にも、該水洗時に下層配線２４を構成する導電膜が腐食されることがない。従って、第３の洗浄液を用いる必要がないので、洗浄工程全体に要する時間を短縮することができる。
【００９７】
また、第２の実施形態において、第２の洗浄液として、下層配線２４を構成する導電膜に対する水洗時腐食力が相対的に強い洗浄液を用いる場合にも、製造対象の電子デバイスの性能上、下層配線２４を構成する導電膜の劣化、又はビアホール２７に導電膜を埋め込むことにより形成されるビアコンタクトの抵抗値の上昇等が問題にならなければ、第３の洗浄液を用いる工程を省略してもよい。このようにすると、洗浄工程全体に要する時間を短縮することができる。
【００９８】
また、第２の実施形態において、第３の洗浄液に含まれる有機溶剤として、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを１〜６０質量％程度用いたが、これに限られず、ホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、若しくはＮ−メチルピロリドン等のアミド類、γ−ブチロラクトン等のラクトン類、メタノール、エタノール、イソプロパノール、若しくはエチレングリコール等のアルコール類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸メチル、若しくは乳酸エチル等のエステル類、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、若しくはジエチレングリコールモノエチルエーテル等のグリコールエーテル類、又はアセトニトリル、プロピオニトリル、若しくはブチロニトリル等のニトリル類を１〜６０質量％程度、好ましくは５〜５０質量％程度用いてもよい。
【００９９】
また、第２の実施形態において、第１の洗浄液又は第２の洗浄液を室温、具体的には２３℃で用いたが、これに限られず、１８〜２５℃程度で用いてもよい。また、第１の洗浄液又は第２の洗浄液を１８〜２５℃程度で用いたときに反応生成物２８の除去速度が著しく遅くなる場合には、第１の洗浄液又は第２の洗浄液を、例えば３５〜６０℃程度に加熱して用いてもよい。
【０１００】
また、第２の実施形態において、第１〜第３の洗浄液をそれぞれ用いる洗浄温度及び洗浄時間は、反応生成物２８の状態、又は下層配線２４を構成する導電膜の種類等を考慮して適切に決定されることが好ましい。
【０１０１】
また、第２の実施形態において、第１〜第３の洗浄液は、それぞれ同一の有機溶剤を含むことが好ましい。このようにすると、各洗浄液に対して個々に廃液ラインを設置する必要がなくなって、廃液ラインを一元化することが可能になる。
【０１０２】
また、第２の実施形態において、第１〜第３の洗浄液を用いた洗浄方法としては、例えば基板２１つまり被処理基板を洗浄液に浸漬することによって洗浄するバッチ式の洗浄方法、又は被処理基板に回転を加えながら被処理基板に対して洗浄液をシャワー状に噴霧したり、吐出したり、連続的若しくは間欠的に滴下したりすることによって洗浄する枚葉式若しくはバッチ式の洗浄方法等を用いることができる。
【０１０３】
また、第２の実施形態において、第１〜第３の洗浄液は全て同一の洗浄チャンバーにおいて用いられることが好ましい。このようにすると、洗浄工程全体に要する時間を短縮することができる。また、この場合、第１〜第３の洗浄液が用いられた洗浄チャンバーにおいてビアホール２７の内部を水洗する工程を行なうと、洗浄工程全体に要する時間をさらに短縮することができる。
【０１０４】
また、第２の実施形態において、配線上に形成された絶縁膜に対してドライエッチングを行なってビアホールを形成した後、該ビアホールの壁面又は底面等に付着した反応生成物を除去する場合を対象としたが、これに限られず、例えば、ＭＯＳトランジスタのゲート電極の上に形成された絶縁膜に対してドライエッチングを行なってコンタクトホールを形成した後、該コンタクトホールの壁面又は底面等に付着した反応生成物を除去する場合、又は、絶縁膜上に形成された導電膜に対してドライエッチングを行なって配線パターンを形成した後、該配線パターンの壁面等に付着した反応生成物を除去する場合等を対象としてもよい。コンタクトホールの壁面又は底面等に付着した反応生成物を除去する場合、コンタクトホールが形成された絶縁膜に対するエッチング力が相対的に弱い第１の洗浄液、及び該絶縁膜に対するエッチング力が相対的に強い第２の洗浄液を順次用いることにより、反応生成物を除去することが好ましい。また、配線パターンの壁面等に付着した反応生成物を除去する場合、配線パターンを構成する導電膜に対するエッチング力が相対的に弱い第１の洗浄液、及び該導電膜に対するエッチング力が相対的に強い第２の洗浄液を順次用いることにより、反応生成物を除去することが好ましい。
【０１０５】
【発明の効果】
本発明によると、被加工膜よりなる被エッチングパターンの壁面に付着した反応生成物を、被加工膜に対するエッチング力が相対的に弱い第１の洗浄液により部分的に除去した後、残存する反応生成物を、被加工膜に対するエッチング力が相対的に強い第２の洗浄液により除去することができる。従って、第２の洗浄液のみを用いて反応生成物を除去する場合と比べて、第２の洗浄液を使用する時間を短縮でき、それによって被加工膜に対するエッチング量を低減できるので、被エッチングパターンの寸法変化を招くことなく、反応生成物を確実に除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの製造方法の各工程を示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は本発明の第２の実施形態に係る電子デバイスの製造方法の各工程を示す断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は第１の比較例に係る電子デバイスの製造方法の各工程を示す断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は第２の比較例に係る電子デバイスの製造方法の各工程を示す断面図である。
【図５】（ａ）は第２の比較例に係る電子デバイスの製造方法においてビアホールの内部を水洗しているときの該ビアホールの内部における水流の強さを示す断面図であり、（ｂ）は第２の比較例に係る電子デバイスの製造方法においてビアホールの内部を水洗しているときの該ビアホールの内部における洗浄液の濃度変化を示す図である。
【符号の説明】
１、１１、２１  基板
２Ａ、１２Ａ、２２Ａ  第１の窒化チタン膜
２Ｂ、１２Ｂ、２２Ｂ  第２の窒化チタン膜
３、１３、２３  アルミニウム合金膜
４、１４、２４  下層配線
５、１５、２５  絶縁膜
６、１６、２６  レジストパターン
７、１７、２７  ビアホール
８、１８、２８  反応生成物
９、１９  空洞部
【図１】
0004181293.tif 000004
【図２】
0004181293.tif 000005
【図３】
0004181293.tif 000006
【図４】
0004181293.tif 000007
【図５】
0004181293.tif 000008