(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電解めっきによる金属パターンの製造方法であって、
少なくとも表層部がＣｕによって構成されている導体基板表面に、強アルカリ酸化性溶液によって酸化処理し、酸化銅の針状の結晶からなる房状の黒色層を形成する黒化処理工程と、
該導体基板上にフォトレジスト層を形成するフォトレジスト層形成工程と、
該フォトレジスト層上にマスクパターンを設けるマスキング工程と、
前記フォトレジスト層を露光して、このフォトレジスト層に非定着部と定着部とを形成する露光工程と、
前記導体基板上から前記マスクパターン及び前記非定着部を除去する第一除去工程と、
前記導体基板上において前記非定着部が除去された領域の表面から前記黒色層を除去する第二除去工程と、
前記金属パターンに供される金属層を、前記導体基板上において前記非定着部及び前記黒色層が除去された領域にめっき処理により形成するめっき処理工程とを有していることを特徴とする金属パターンの製造方法。
【請求項２】
前記強アルカリ酸化性溶液は、過硫酸塩または過塩素酸塩を主体としていることを特徴とする請求項１記載の金属パターンの製造方法。
【請求項３】
フィルム上に形成されたパターン配線の先端部がコンタクトピンとされるコンタクトプローブの製造方法であって、
基板上にマスクを施してマスクされていない部分に、前記パターン配線に供される金属層をめっき処理により形成するめっき処理工程と、
前記マスクを取り除いた金属層の上に前記フィルムを被着するフィルム被着工程と、
前記フィルムと金属層とからなる部分と、前記基板とを分離する分離工程とを有し、
前記めっき処理工程により形成される金属層が、請求項１から２のいずれかに記載の金属パターンの製造方法によって製造されたことを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。
【請求項４】
フィルム上に形成されたパターン配線の先端部がコンタクトピンとされるコンタクトプローブであって、
請求項３記載のコンタクトプローブの製造方法によって製造されたことを特徴とするコンタクトプローブ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、金属パターンの製造方法、コンタクトプローブの製造方法、及びこの製造方法を用いて製造されるコンタクトプローブに関する。
【０００２】
【従来の技術】
このような金属パターンとしては、例えば、コンタクトプローブのパターン配線等がある。
このコンタクトプローブ１は、ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップやＬＣＤ（液晶表示体）等の回路の電気的テストに用いられるものであって、例えば図８に示すようにＮｉ基合金等からなる複数本のパターン配線２の上に接着剤層を介してフィルム３が被着され、パターン配線２の先端部はコンタクトピン２ａとされている。またフィルムの幅広の基部１ｂには窓部４が形成され、この窓部４にはパターン配線２の引き出し配線部５が設けられている。なお、フィルム３はポリイミド等の樹脂フィルム層からなり、或いはポリイミド等の樹脂フィルム層に銅箔等の金属フィルム層がグラウンドとして積層されたもの等でもよい。
【０００３】
このようなコンタクトプローブ１は、メカニカルパーツに組み込まれてプローブ装置とされ、コンタクトピン２ａを半導体ＩＣチップやＬＣＤ等のパッドやバンプ等の微細な電極端子に接触させることにより、上記パターン配線２を介してこの半導体チップ等の電気的テストが行われる。
【０００４】
上述のコンタクトプローブ１の各パターン配線２等の金属パターンは、以下に述べるように、マスク露光技術を用いてフォトリソ・めっき法によって製作されている。
まず、導体基板上にフォトレジスト層を形成し、このフォトレジスト層上に所望の形状の開口部を有するマスクパターンを設けた状態でフォトレジスト層を露光して、フォトレジスト層に、製作する金属パターンと同じパターンをなす非定着部とこの非定着部以外の領域からなる定着部とを形成する。
ここで、非定着部とは、フォトレジスト層において現像した際に除去される部分を指し、定着部とは、現像した後に残存する部分を指している。
そして、導体基板上からマスクパターンを除去し、フォトレジスト層を現像して非定着部を除去した後に、導体基板上において非定着部が除去された領域に金属層をめっき処理により形成して、所望の形状の金属パターンを得る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ここで、フォトレジスト層に照射された露光光は、フォトレジスト層において露出されている部分を透過して基板表面に達し、基板表面で乱反射する。この反射光によって、フォトレジスト層において露出されている領域の近傍では、マスクパターンによって覆われている領域の、特に基板表面近傍の部分までもが露光されてしまい、フォトレジスト層の定着部が所望の形状とは異なる形状に形成されてしまう。
このような事情から、フォトレジスト層の潜像の解像性を重視する場合には、露光量を低くする傾向にある。
【０００６】
一方、金属パターンは、狭ピッチ化に伴ってその幅が狭められつつも、抵抗値を低くするために断面積を維持することが望まれているので、金属パターン形成に用いられるフォトレジスト層の定着部及び非定着部は、それぞれ断面視において幅に対する厚みの比が従来よりも大きくされた形状とされる。即ち、マスクパターンの開口部の幅に対するフォトレジスト層の厚みの比が従来よりも大きくなる。
このため、露光量が低いと、フォトレジスト層において感光させたい領域において導体基板近傍の部分に露光光が届きにくく、この部分ではフォトレジストが十分に感光しないので、定着部となるべき部分が現像時に剥離しやすくなったり、現像によって除去されるべき部分が十分に除去されなくなってしまう。
【０００７】
以上の現象は、フォトレジストとしてネガ型、ポジ型のいずれの型を用いても生じる。
このため、この導体基板上において非定着部が除去された領域に金属層を形成して得られる金属パターンの形状精度が低下してしまう。このことは、形成する金属パターン間のピッチが狭くなるにつれてより深刻となる。
特に、このようにして製造される金属パターンをコンタクトピン２ａとして用いるコンタクトプローブでは、コンタクトピン２ａの形状精度が低下することで、微細な電極の検査に支障をきたしてしまう。
【０００８】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、金属パターンの形状精度を向上させることができる金属パターンの製造方法及びこれを用いて製造されるコンタクトプローブを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明にかかる金属パターンの製造方法は、電解めっきによる金属パターンの製造方法であって、少なくとも表層部がＣｕによって構成されている導体基板表面に、強アルカリ酸化性溶液によって酸化処理し、酸化銅の針状の結晶からなる房状の黒色層を形成する黒化処理工程と、該導体基板上にフォトレジスト層を形成するフォトレジスト層形成工程と、該フォトレジスト層上にマスクパターンを設けるマスキング工程と、前記フォトレジスト層を露光して、このフォトレジスト層に非定着部と定着部とを形成する露光工程と、前記導体基板上から前記マスクパターン及び前記非定着部を除去する第一除去工程と、前記導体基板上において前記非定着部が除去された領域の表面から前記黒色層を除去する第二除去工程と、前記金属パターンに供される金属層を、前記導体基板上において前記非定着部及び前記黒色層が除去された領域にめっき処理により形成するめっき処理工程とを有していることを特徴としている。
【００１０】
この金属パターンの製造方法は、マスク露光技術を用いてフォトリソ・めっき法によって金属パターンを製造するものであって、フォトレジスト形成工程の前段階で、フォトレジスト層が形成される導体基板の表面に、強アルカリ酸化性溶液によって酸化処理し、酸化銅の針状の結晶からなる房状の黒色層を形成するという黒化処理を施す黒化処理工程を有している。
【００１１】
フォトレジスト層を露光する際にフォトレジスト層に照射された露光光は、フォトレジスト層においてマスクパターンから露出されている部分を透過して導体基板の表面に達するが、導体基板の表面には、強アルカリ酸化性溶液によって酸化処理し、酸化銅の針状の結晶からなる房状の黒色層を形成するという黒化処理が施されているので、導体基板の表面で露光光が吸収され、導体基板の表面による露光光の反射はほとんど生じない。
このため、露光光の強度を高めても、フォトレジスト層においてマスクパターンから露出されている領域のみが感光することになり、定着部及び非定着部がマスクパターンに忠実な形状に形成される。
そして、導体基板上からマスクパターン及び非定着部を除去した後に、パターン配線に供される金属層を、導体基板上において非定着部が除去された領域にめっき処理により形成することで、マスクパターンに忠実な形状のパターン配線が形成される。
【００１２】
上記の金属パターンの製造方法において、前記導体基板として、少なくとも表層部がＣｕ（銅）によって構成されている基板を用いてもよい。
この場合には、導体基板の表層部を構成するＣｕに黒化処理、例えば強アルカリ酸化性溶液による表面処理を施すことで、導体基板の表層部に、黒色で針状の結晶をなす酸化銅（ＣｕＯもしくはＣｕＯ2）の房状の層を形成するものである。この酸化銅の層は、フォトレジスト層に対してアンカー効果をもたらし、導体基板によるフォトレジスト層の保持力を増加させる。
【００１３】
本発明にかかるコンタクトプローブの製造方法は、フィルム上に形成されたパターン配線の先端部がコンタクトピンとされるコンタクトプローブの製造方法であって、基板上にマスクを施してマスクされていない部分に、前記パターン配線に供される金属層をめっき処理により形成するめっき処理工程と、前記マスクを取り除いた金属層の上に前記フィルムを被着するフィルム被着工程と、前記フィルムと金属層とからなる部分と、前記基板とを分離する分離工程とを有し、前記めっき処理工程により形成される金属層が、請求項１または２に記載の金属パターンの製造方法によって製造されたことを特徴としている。
【００１４】
このコンタクトプローブの製造方法によって製造されるコンタクトプローブは、そのパターン配線が請求項１または２に記載の金属パターンの製造方法によって製造されるので、パターン配線の形状精度が高い。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態を図１から図６を用いて説明する。
図１は、本実施形態にかかるコンタクトプローブを示す斜視図、図２は本実施形態にかかるコンタクトプローブを用いるプローブ装置の分解斜視図、図３は図２に示すプローブ装置の要部縦断面図、図４、図５及び図６は、それぞれ本実施形態にかかるコンタクトプローブの製造工程を示す図である。
【００１６】
本実施の形態のコンタクトプローブ１１は、図８に示すコンタクトプローブ１とほぼ同一構成とされ、図１に示すように、Ｎｉ基合金等の金属で形成されるパターン配線１２を、ポリイミド等のフィルム１３の片面に被着した構造となっている。パターン配線１２の先端部は、フィルム１３の先端部まで設けられている。
【００１７】
フィルム１３は、Ｎｉ基合金層等の金属層からなる複数本のパターン配線１２の上に図示しない接着剤層を介して被着され、パターン配線１２の先端部はコンタクトピン１２ａとされている。ここで、コンタクトピン１２ａは、フィルム１３から突出させてもよい。そして、フィルム１３の幅広の基部には窓部１４が形成され、この窓部１４にはパターン配線１２の引き出し配線部１５が設けられている。
ここで、フィルム１３は、パターン配線１２が被着されたポリイミド等の樹脂フィルム層１６にＣｕ、Ｎｉ、Ｎｉ基合金等の金属フィルム層１７がグラウンドとして積層されて構成されているが、樹脂フィルム層１６だけで構成されていてもよい。
【００１８】
コンタクトピン１２ａは、その長手方向に直交する断面が例えば略四角形状とされ、その先端部はフィルム１３に被着される上面と、上面に対向する下面と、上下面間に設けられた側面とで構成されている。
【００１９】
このコンタクトプローブ１１は、図２及び図３に示すようにマウンティングベースやトップクランプやボトムクランプ等のメカニカルパーツ３７に組み込まれてプローブ装置３８とされる。
即ち、図２及び図３に示すプローブ装置３８において、円盤形状をなし中央窓部３０ａを有するプリント基板３０の上に、例えばトップクランプ３１を取り付け、またコンタクトプローブ１１の先端側を両面テープ等でその下面に取り付けたマウンティングベース３２を、トップクランプ３１にボルト等で固定する。そしてボトムクランプ３４でコンタクトプローブ１１の基部１１ｂを押さえつける。その際、プリント基板３０とコンタクトプローブ１１の基部１１ｂは位置決めピンによって相互の位置決めがなされる。
【００２０】
これによって、コンタクトプローブ１１がマウンティングベース３２の下面でコンタクトピン１２ａを下方に向けた傾斜状態に保持され、コンタクトプローブ１１の基部１１ｂにおいてパターン配線１２の引き出し配線部１５がボトムクランプ３４の弾性体３５で窓部１４を通してプリント基板３０の下面の電極４１に押し付けられて接触状態に保持されることになる。
この状態で、コンタクトピン１２ａを半導体ＩＣチップやＬＣＤ等のパッドやバンプ等の微細な電極端子（図３ではＩＣチップ４３のパッド４３ａ）に接触させることにより、上記パターン配線１２及びプリント基板３０の配線を介してこの半導体チップ等の電気的テストが行われる。
【００２１】
次に、このように構成されるコンタクトプローブ１１の製造方法について、図４、図５及び図６を用いて工程順に説明する。ここで、このコンタクトプローブ１１のパターン配線１２は、従来のコンタクトプローブ１のパターン配線２と同様に、フォトリソ・めっき法によって支持基板４６（基板）の上にめっきを施すことで形成されるものである。
【００２２】
まず、この製造工程において使用される支持基板４６として、導体基板を用意する。
この支持基板４６としては、少なくともその表層部が黒化処理及び黒化処理の除去が可能な材質によって構成されていれば任意のものを用いることができるが、表面の黒化処理及び黒化処理の除去が容易である点から、少なくとも表層部がＣｕによって構成されている基板を用いることが好ましい。
【００２３】
本実施の形態では、支持基板４６として、図４（ａ）に示すように、ステンレス等の金属板Ｂの表面に薄いＣｕの層であるベースメタル層４７を形成したものを用いている。このような構成の支持基板４６は、従来よりコンタクトプローブの製造に用いられているものである。
ここで、ベースメタル層４７は、板材Ｂの表面にめっきによって形成するほか、スパッタリングやＣＶＤ等によってＣｕを板材Ｂの表面に対して溶射することによって形成される。
【００２４】
〔黒化処理工程〕
次に、この支持基板４６の表層部をなすベースメタル層４７に、黒化処理を施す。
黒化処理とは、Ｃｕからなるベースメタル層４７の表面を例えば過硫酸塩または過塩素酸塩等を主体とした強アルカリ酸化性溶液によって６０°Ｃ〜９５°Ｃ程度の温度で酸化処理し、図４（ｂ）に示すように、ベースメタル層４７表面に、酸化銅（ＣｕＯもしくはＣｕＯ2）からなる黒色層４７ａを形成するものである。この黒色層４７ａは、針状の結晶からなる房状の層をなすものである。
【００２５】
〔フォトレジスト層形成工程〕
次に、図４（ｃ）に示すように、この支持基板４６の上にフォトレジスト層４８を形成する。このフォトレジスト層４８は、ネガ型フォトレジストによって形成してもよく、またポジ型フォトレジストによって形成してもよい。本実施の形態では、フォトレジスト層４８を、ネガ型フォトレジストによって形成している。ここで、ベースメタル層４７の表面に形成された房状の黒色層４７ａは、フォトレジスト層４８に対してアンカー効果をもたらすので、支持基板４６によるフォトレジスト層４８の保持力が増加する。
【００２６】
〔マスキング工程〕
次に、写真製版技術により、図４（ｄ）に示すように、フォトレジスト層４８上に所望のパターンで開口部４９ａが形成されたフォトマスク４９（マスクパターン）を施す。
【００２７】
〔露光工程〕
そして、この状態で、支持基板４６の面に対して露光光を垂直に入射させてフォトレジスト層４８を露光し、図４（ｅ）及び図６に示すように、フォトレジスト層４８に、前記パターン配線１２と同じパターンをなす非定着部５１と、非定着部５１以外の領域からなる定着部５２とを潜像として形成する。ここで、フォトレジスト層４８の露光光としては、紫外線やＸ線、及び可視光等、従来フォトレジスト層の露光に使用されている電磁波が用いられる。
【００２８】
本実施の形態では、フォトレジスト層４８をネガ型フォトレジストによって形成しているので、フォトレジスト層４８において感光した部分が定着部５２となり、感光しなかった部分が非定着部５１となる。
このため、露光工程においては、フォトレジスト層４８において定着部５２としたい領域と同じパターンで開口部４９ａを設けたフォトマスク４９が用いられる。
【００２９】
図６に示すように、この露光工程においてフォトマスク４９の開口部４９ａからフォトレジスト層４８に入射した露光光は、フォトレジスト層４８を透過して支持基板４６の表層部をなすベースメタル層４７に達する。ベースメタル層４７の表面には黒化処理が施されているので、支持基板４６に達した露光光がベースメタル層４７の黒色層４７ａに吸収されて、ほとんど反射されない。
このため、フォトレジスト層４８において、フォトマスク４９の開口部４９ａに露出されている領域のみが感光することとなり、露光工程を経たフォトレジスト層４８において形成される非定着部５１と定着部５２との境界は、図６に実線で示すように、フォトマスク４９の開口部４９ａから光の入射方向に沿った平面、即ち支持基板４６の面に対して直交する面として形成される。
このようにして、フォトレジスト層４８には、定着部５２及び非定着部５１が、マスクパターンに忠実に形成される。
【００３０】
ここで、比較のために、支持基板４６の代わりに黒化処理を施していない支持基板を用いた場合において形成される非定着部５１と定着部５２との境界を、図６中に二点鎖線で示す。この場合には、図６に二点鎖線の矢印で示すように、支持基板によって露光光が反射されるため、フォトレジスト層４８においてフォトマスク４９の開口部４９ａから露出されている部分の近傍では、フォトマスク４９によって覆われている部分の支持基板４６の近傍部分が感光してしまい、非定着部５１が、支持基板４６側の幅が狭められたテーパー形状に形成されてしまう。
【００３１】
〔第一除去工程〕
このようにフォトレジスト層４８に非定着部５１と定着部５２とを形成した後に、フォトマスク４９を除去するとともに、フォトレジスト層４８を現像して前記パターン配線１２と同パターンをなす非定着部５１を除去して、図４（ｆ）に示すように、残存するフォトレジスト層４８（定着部５２）に開口部４８ａを形成する。
非定着部５１は、前記のようにフォトマスク４９のマスクパターンに忠実な形状に形成されているので、非定着部５１を除去して得られるフォトレジスト層４８の開口部４８ａも、フォトマスク４９のマスクパターンに忠実な形状に形成される。
さらに、フォトレジスト層４８には、ベースメタル層４７の表面に形成された房状の黒色層４７ａのアンカー効果が作用しているので、定着部５２が支持基板４６から剥離しにくい。
なお、このように開口部４８ａが形成されたフォトレジスト層４８が、本願請求項にいう「マスク」に相当する。
【００３２】
〔第二除去工程〕
続いて、支持基板４６上において非定着部５１が除去された領域の表面から黒化処理を除去して、図４（ｇ）に示すように、ベースメタル層４７の導電性を有するＣｕ面を露出させる。
この処理は、非定着部５１が除去された支持基板４６を酸によって洗浄することで、支持基板４６においてベースメタル層４７が露出されている領域で、ベースメタル層４７の表面に形成された非導電性の黒色層４７ａを除去するものである。
ここで、支持基板４６の酸洗浄は、従来のコンタクトプローブの製造工程において、支持基板４６に後述するめっき処理を施す前段階で支持基板４６の表面状態の調整（脱脂、酸化膜の除去等）のための前処理として一般的に行われるものである。
【００３３】
〔めっき処理工程〕
そして、図５（ａ）に示すように、前記開口部４８ａにおいて露出されたＣｕ面上に、前記パターン配線１２となるＮｉ基合金層（金属層）Ｎを電解めっき処理により形成する。ここで、この金属層は、Ｎｉ基合金に限らず、Ｎｉによって構成してもよい。
これにより、開口部４８ａ内には、開口部４８ａ及び支持基板４６の表面の形状が正確に転写されたＮｉ基合金層Ｎが形成される。
【００３４】
〔フィルム被着工程〕
次に、図５（ｂ）に示すように、残りのフォトレジスト層４８（定着部５２）を除去した後、図５（ｃ）に示すように、前記Ｎｉ基合金層Ｎの上に、コンタクトピン１２ａ（即ち前記パターン配線１２の先端部）となる部分も含めて覆うようにして、前記フィルム１３を接着剤５３により接着する。
【００３５】
〔分離工程〕
そして、フィルム１３とパターン配線１２とベースメタル層４７とからなる部分を板材Ｂから分離させた後、Ｃｕエッチによるベースメタル層４７の除去作業を経て、図５（ｄ）に示すように、フィルム１３にパターン配線１２のみを接着させた状態として、コンタクトプローブ１１を完成させる。
【００３６】
このように、本実施形態にかかるコンタクトプローブの製造方法によれば、フォトレジスト層４８を露光して得られる非定着部５１と定着部５２とを、マスクパターンに忠実な形状に形成することができ、定着部５２をマスクとしてめっき処理によって形成したパターン配線１２がマスクパターンに忠実な形状となるので、パターン配線１２の形状精度の高いコンタクトプローブ１１を製造することができる。
また、このコンタクトプローブの製造方法は、従来のコンタクトプローブの製造方法において、実質的に支持基板４６の表面に、強アルカリ酸化性溶液によって酸化処理し、酸化銅の針状の結晶からなる房状の黒色層を形成するという黒化処理を施す黒化処理工程を加えるだけで済むので、製造プロセスを大幅に変更することなしに、狭ピッチで形状精度の高いパターン配線１２を有するコンタクトプローブ１１を製造することができる。
【００３７】
そして、このようにパターン配線１２の形状精度の高いコンタクトプローブ１１によれば、パターン配線１２間のピッチを狭くしても、回路の電気的テストを良好に行うことができる。
【００３８】
ここで、狭ピッチのパターン配線１２を形成する際には、露光工程で用いられるフォトマスク４９の開口部４９ａ間の距離も狭められる。すると、フォトレジスト層４８においてフォトマスク４９に覆われている領域でも、フォトマスク４９の隣接する開口部４９ａからフォトマスク４９の裏側に回り込んだ回折光（この回折光自体はフォトレジストを感光させるほどの強度を有していない）同士が干渉し、回折光同士が強めあう個所ではフォトレジストが感光してしまうので、得られる定着部５２の形状精度が低下し、後段のめっき処理工程を経て得られるパターン配線１２の形状精度が低下してしまう。
このような回折光による影響を回避する手法としては、多重露光という手法がある。この手法は、露光すべき領域を一度の露光作業で全て露光する代わりに、露光すべき領域を隣接しない領域同士からなる複数組に分けてそれぞれ別の露光作業で露光する手法である。
【００３９】
多重露光は、一度の露光作業で用いるフォトマスクの開口部間の距離を従来の手法よりも大きくとることができるので、回折光の干渉による定着部の形状精度の低下が生じにくいものの、フォトレジストを十分に感光させるために露光量を上げると、支持基板による露光光の乱反射による定着部の形状精度の低下が生じてしまう。
しかし、本発明のコンタクトプローブの製造方法では、前記のように、支持基板４６による露光光の乱反射が抑えられるためにより露光光の強度を上げることができるので、多重露光の手法を取り入れることで、フォトレジスト層４８において感光させるべき領域のみを十分に感光させて、定着部５１及び定着部５２の一層の形状精度の向上、すなわちパターン配線１２の一層の形状精度の向上を図ることができる。
【００４０】
ここで、上記実施の形態では、フォトレジスト層４８として、ネガ型のフォトレジストを用いた例を示したが、これに限られることなく、ポジ型のフォトレジストを用いてもよい。フォトレジスト層４８としてポジ型フォトレジストを用いた場合には、図７に示すように、フォトレジスト層４８において感光した部分が非定着部５１となり、感光しなかった部分が定着部５２となる。この場合には、フォトマスク４９として、フォトレジスト層４８において非定着部５１としたい領域と同じパターン、即ち形成するパターン配線１２と同じパターンで開口部４９ａを設けたものを用いる。
【００４１】
ここで、比較のために、支持基板４６の代わりに従来の金属板製の支持基板を用いた場合において形成される非定着部５１と定着部５２との境界を、図７中に二点鎖線で示す。この場合には、図７に二点鎖線の矢印で示すように、支持基板によって露光光が反射されるため、フォトレジスト層４８においてフォトマスク４９の開口部４９ａから露出されている部分の近傍では、フォトマスク４９によって覆われている部分の支持基板４６の近傍部分が感光してしまう。これにより、非定着部５１において支持基板４６の近傍部分が定着部５２側に張り出す形状に形成されてしまうこととなり、フォトレジスト層４８の定着部５２をマスクパターンとして形成されるパターン配線の形状精度が低下してしまう。
【００４２】
【発明の効果】
本発明によれば、以下の効果を奏する。
本発明にかかる金属パターンの製造方法によれば、フォトレジスト層を露光して得られる非定着部と定着部とを、マスクパターンに忠実な形状に形成することができ、定着部をマスクとしてめっき処理によって形成した金属パターンがマスクパターンに忠実な形状となるので、形状精度の高い金属パターンを製造することができる。
【００４３】
そして、この金属パターンの製造方法を用いてパターン配線を形成するコンタクトプローブの製造方法によれば、パターン配線の形状精度の高いコンタクトプローブを製造することができる。
そして、このようにパターン配線の形状精度の高いコンタクトプローブによれば、パターン配線間のピッチを狭くしても、回路の電気的テストを良好に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の一実施の形態にかかるコンタクトプローブの先端部の斜視図である。
【図２】  本発明にかかるコンタクトプローブを用いるプローブ装置の分解斜視図である。
【図３】  図２に示すプローブ装置の要部縦断面図である。
【図４】  本実施形態にかかるコンタクトプローブの製造工程を示す図である。
【図５】  本実施形態にかかるコンタクトプローブの製造工程を示す図である。
【図６】  本実施形態にかかるコンタクトプローブの製造工程を示す図である。
【図７】  本発明にかかるコンタクトプローブの製造工程の他の例を示す図である。
【図８】  従来のコンタクトプローブの平面図である。
【符号の説明】
１１  コンタクトプローブ          １２  パターン配線（金属パターン）
１２ａ  コンタクトピン            １３  フィルム
４６  支持基板（導体基板）        ４７  ベースメタル層（Ｃｕ層）
４８  フォトレジスト層            ４９  フォトマスク（マスクパターン）
５１  非定着部                    ５２  定着部（マスク）
Ｎ  Ｎｉ基合金層（金属層）
【図１】
0004142893.tif 000002
【図２】
0004142893.tif 000003
【図３】
0004142893.tif 000004
【図４】
0004142893.tif 000005
【図５】
0004142893.tif 000006
【図６】
0004142893.tif 000007
【図７】
0004142893.tif 000008
【図８】
0004142893.tif 000009