(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
軟化点が６５０℃以下であり、５０〜３５０℃における平均線膨張係数が９０×１０-7／℃以下であって、下記酸化物基準の質量百分率表示で、
ＰｂＯ        ２５〜８３．９％、
Ｂ２Ｏ３        １１〜６０％、
ＳｉＯ２         ５〜４０％、
Ａｌ２Ｏ３        １〜２５％、
Ｂｉ２Ｏ３        ０〜３５％、
ＭｇＯ          ０〜４０％、
ＣａＯ          ０〜４０％、
ＳｒＯ          ０〜４０％、
ＢａＯ          ０〜４０％、
ＺｎＯ          ０〜５５％、
Ｌｉ２Ｏ         ０〜２０％、
Ｎａ２Ｏ         ０〜２０％、
Ｋ２Ｏ           ０〜２０％、
ＣｕＯ      ０．１〜１％、
ＭｏＯ３         ０〜１．３％、
Ｓｂ２Ｏ３        ０〜１．３％、
を含有し、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯが０〜４０％である電極被覆用低融点ガラス。
【請求項２】
質量百分率表示のＳｉＯ２含有量を同表示のＢ２Ｏ３含有量によって除した値ＳｉＯ２／Ｂ２Ｏ３が０．０９以上である請求項１に記載の電極被覆用低融点ガラス。
【請求項３】
比誘電率が１２以下である請求項１または２に記載の電極被覆用低融点ガラス。
【請求項４】
ＳｒＯ＋ＢａＯが１０％以上である請求項１、２または３に記載の電極被覆用低融点ガラス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマディスプレイパネル等における銀含有電極、透明電極，等を絶縁被覆するのに適した低融点ガラスに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、薄型かつ大型の平板型カラー表示装置としてプラズマディスプレイパネル（以下ＰＤＰという。）が注目を集めている。ＰＤＰにおいては、典型的には、表示面として使用される前面基板、背面基板および隔壁によりセルが区画形成されており、該セル中でプラズマ放電を発生させることにより画像が形成され、該画像を形成する画素における表示状態を制御するために各画素に電極が形成される。
【０００３】
画質すなわち画像の質の低下を防ぐために、前記電極として透明電極が用いられている。透明電極としては、ガラス基板上に形成されたＩＴＯまたは酸化スズの薄膜が多く用いられている。ここでいう酸化スズは、フッ素、アンチモン、等がドープされた酸化スズを含む。前記透明電極は、精細な画像を実現するために細い線状に加工される。また、前記透明電極上には通常、バス電極が形成される。該バス電極は銀等の金属からなる不透明電極であり、画質の低下を防ぐために、透明電極よりもさらに細い線状とされる。
【０００４】
各画素を独自に制御するためには、このような微細に加工された「透明電極および該透明電極上に形成されたバス電極」間の相互の絶縁性を確保する必要がある。ところが、ガラス基板の表面に水分が存在する場合やガラス基板中にアルカリ成分が存在する場合、このガラス基板の表面を介して若干の電流が流れることがある。このような電流を防止するには、電極間に絶縁層を形成することが有効である。
【０００５】
また、電極間に形成される絶縁層による画質の低下を防ぐためには、この絶縁層は透明であることが好ましい。さらに、透明電極をプラズマから保護するためには、この絶縁層はプラズマ耐久性に優れていることが好ましい。
このような絶縁層を形成する絶縁材料として、透明であり、プラズマ耐久性に優れ、かつ信頼性が高い絶縁材料であるガラスが広く用いられている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
このような電極被覆に用いられるガラスは、通常はガラス粉末にして使用される。すなわち、前記ガラス粉末に必要に応じてフィラー等を添加後ペースト化し、このようにして得られたガラスペーストを、電極が形成されているガラス基板に塗布、焼成することによって前記電極を被覆する。
【０００７】
このような電極被覆用ガラスには、電気絶縁性の他に、軟化点がたとえば６５０℃以下であること、５０〜３５０℃における平均線膨張係数がたとえば８０×１０-7／℃程度であること、焼成して得られる電極被覆ガラス層の透明性が高いこと、等が求められており、種々のガラスが従来より提案されている。たとえば、特開平１１−１８０７２６号公報には、質量百分率表示で、ＰｂＯ＋Ｂｉ2Ｏ3：５２〜６８％、Ｂ2Ｏ3：１４〜２８％、ＳｉＯ2：０〜５％、ＺｎＯ：６〜２３％、Ａｌ2Ｏ3：０〜８％、ＣｅＯ2：０〜５％、ＳｎＯ2：０〜５％、から実質的になる非結晶性ガラスが開示されている。
【０００８】
しかし、ＰＤＰにおいては近年一層の画質向上が求められており、これに伴ない前記電極被覆ガラス層の透明性を一層高くすることが求められている。
また、ＰＤＰのバス電極として銀電極が用いられることが多いが、この場合電極被覆用ガラス層中に銀が拡散して銀コロイド発色が起り画質を低下させる問題がある。
本発明は、これら課題を解決する低融点ガラスの提供を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、軟化点が６５０℃以下であり、５０〜３５０℃における平均線膨張係数が９０×１０-7／℃以下である低融点ガラスであって、Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2およびＣｕＯを含有し、質量百分率表示で、Ｂ2Ｏ3含有量が１１％以上、ＳｉＯ2含有量が５％以上、ＣｕＯ含有量が０．１〜１％であることを特徴とする低融点ガラス、特には、軟化点が６５０℃以下であり、５０〜３５０℃における平均線膨張係数が９０×１０-7／℃以下であって、下記酸化物基準の質量百分率表示で、実質的に、ＰｂＯ  ２５〜８３．９％、Ｂ２Ｏ３  １１〜６０％、ＳｉＯ２  ５〜４０％、Ａｌ２Ｏ３  １〜２５％、Ｂｉ２Ｏ３  ０〜３５％、ＭｇＯ  ０〜４０％、ＣａＯ  ０〜４０％、ＳｒＯ  ０〜４０％、ＢａＯ  ０〜４０％、ＺｎＯ  ０〜５５％、Ｌｉ２Ｏ  ０〜２０％、Ｎａ２Ｏ  ０〜２０％、Ｋ２Ｏ  ０〜２０％、ＣｕＯ  ０．１〜１％、ＭｏＯ３  ０〜１．３％、Ｓｂ２Ｏ３  ０〜１．３％、からなり、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯが０〜４０％である電極被覆用低融点ガラスを提供する。
【００１０】
本発明者は、ＰＤＰにおける前記電極被覆ガラス層の透明性低下の原因の一つが、以下に述べる炭素含有不純物の前記電極被覆ガラス層への残留であると推定し、本発明に至った。
【００１１】
電極被覆用低融点ガラスは、通常は粉末状にして使用される。電極被覆用低融点ガラス粉末は、印刷性を付与するための有機ビヒクル等を用いてガラスペーストとし、このガラスペーストを、ガラス基板上に形成された電極上に塗布、焼成して電極を被覆する。
【００１２】
焼成して得られたこの電極被覆ガラス層は、遷移金属等の着色成分を含有しない場合でも、茶色または黒色に着色することが多い。この現象は、有機ビヒクル等に含まれる炭素含有不純物が前記電極被覆ガラス層に残留し、この炭素含有不純物が電極被覆ガラス層を着色している現象であると考えられる。なお、前記茶色の着色によって典型的には波長４００ｎｍの光の透過率が低下する。
【００１３】
なお、この炭素含有不純物は、ＰＤＰにおいてプラズマが発生しているときに、電極被覆ガラス層に存在する水等と反応して炭酸ガスとして電極被覆ガラス層から放出され、これによりＰＤＰの輝度も低下すると考えられる。
また、本発明者は、ＣｕＯ添加により前記銀コロイド発色を充分抑制できることを見出し、本発明に至った。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明の低融点ガラス（以下単に本発明のガラスという。）は、通常は粉末状にして使用される。本発明のガラスの粉末を電極被覆に用いる場合、通常、印刷性を付与するための有機ビヒクル等を用いてガラスペーストとされ、これを、ガラス基板上に形成された電極上に塗布、焼成して電極を被覆する。ここでいう有機ビヒクルは、エチルセルロース等のバインダをα−テルピネオール等の有機溶剤に溶解したものである。
ＰＤＰにおいては、本発明のガラスは前面基板の透明電極およびバス電極の被覆に好適に使用される。前記バス電極が銀含有バス電極であるとき、特に好適である。
【００１５】
前記粉末の平均粒径は０．５μｍ以上であることが好ましい。０．５μｍ未満では、焼成して得られた電極被覆ガラス層中の気泡が多くなり透明性が低下するおそれがあり、また、粉末状にするために要する時間が顕著に増加するおそれがある。より好ましくは０．７μｍ以上である。
【００１６】
また、前記粉末の最大粒径は３５μｍ以下であることが好ましい。ＰＤＰにおける前記電極被覆ガラス層の厚さは通常４０μｍ以下であるが、前記最大粒径が３５μｍ超ではこの電極被覆ガラス層の表面に凹凸が発生しＰＤＰの画像がゆがむおそれがある。前記最大粒径は、より好ましくは２０μｍ以下である。
【００１７】
本発明のガラスの軟化点は６５０℃以下である。また、該軟化点は４５０℃以上であることが好ましい。理由を以下に述べる。
前記ガラス基板としては、通常、ガラス転移点が５５０〜６２０℃のものが用いられる。この場合、ガラス基板の変形を避けるために、前記ガラスペーストの焼成は６２０℃以下で行われる。軟化点が６５０℃超では６２０℃以下での焼成が困難になる。また、前記焼成時の早い段階で本発明のガラスが軟化流動して電極を完全に被覆することによって焼成時における電極の電気特性劣化を防止するためにも、軟化点は６５０℃以下であることが好ましい。軟化点は、好ましくは６２０℃以下、より好ましくは６２０℃以下、特に好ましくは５９０℃以下である。
【００１８】
一方、ＰＤＰの前面基板においては、通常、透明電極上にバス電極が形成される。該バス電極は銀、アルミニウム、三層構造のクロム−銅−クロム等の金属からなる。軟化点が４５０℃未満のガラスによりバス電極を被覆すると、バス電極が侵食されたり、バス電極を介しての透明電極の侵食が促進されたりするおそれがある。特に、焼成が５２０℃以上で行われる場合、軟化点が４５０℃未満のガラスによりバス電極を被覆すると透明電極の侵食が顕著になる。また、この場合、軟化点が４５０℃以上５２０℃未満のガラスによりバス電極を被覆すると、透明電極の侵食はなくなるが、焼成時に電極被覆ガラス層中の気泡が大きくなり電極被覆ガラス層の透過率が減少する。
【００１９】
本発明のガラスの軟化点は５００℃以上であることがより好ましい。さらに好ましくは５２０℃以上、特に好ましくは５４０℃以上である。
【００２０】
また、軟化点が４５０℃以上であれば、焼成時にガラスの軟化流動が始まる前にガラスペースト中の有機ビヒクルは完全に揮発し、有機ビヒクル中の炭素含有不純物の電極被覆ガラス層への大量残存、それに伴なう電極被覆ガラス層の透過率低下、の防止も期待される。実際、有機ビヒクルの構成成分であるバインダとして使用されるエチルセルロースと、軟化点が６００℃であり平均粒径が３μｍであるガラス粉末とを乳鉢中で混合して得られた混合粉末を、毎分１０℃で昇温しその重量減少率と温度の関係を調べたところ、４５０℃で該重量減少率は０となった。
【００２１】
さらに、軟化点が５２０℃以上であれば電極被覆ガラス層を単層構造にできる。これに対し、軟化点が５２０℃未満では前記透明電極侵食現象のために単層構造とすることは困難になり、軟化点が５２０℃未満のガラスを上層、軟化点がたとえば５２０℃以上のより軟化点が高いガラスを下層とする非単層構造にしなければならなくなるおそれがある。ここでいう下層は透明電極と直接接する層である。
【００２２】
前記ガラス基板としては、通常、５０〜３５０℃における平均線膨張係数が８０×１０-7〜９０×１０-7／℃のものが用いられる。したがってこのようなガラス基板と膨張特性をマッチングさせ、ガラス基板のそりや強度の低下を防止するために、本発明のガラスの前記平均線膨張係数は９０×１０-7／℃以下とされる。好ましくは８５×１０-7／℃以下である。また、前記平均線膨張係数は６０×１０-7／℃以上であることが好ましい。より好ましくは７０×１０-7／℃以上、特に好ましくは７５×１０-7以上である。なお、５０〜３５０℃における平均線膨張係数を以下では単に膨張係数という。
【００２３】
また、本発明のガラスの室温から４００℃までの範囲における比抵抗、より典型的には室温から３００℃までの範囲における比抵抗は、前記ガラス基板に用いられるガラスの前記温度範囲における比抵抗の０．１倍またはそれ以上であることが好ましい。この条件が満たされないと電気絶縁性が不足するおそれがある。ガラス基板に用いられるガラスの１５０℃における比抵抗は典型的には１０11Ω・ｃｍ程度である。このことから本発明のガラスの１５０℃における比抵抗は１０10Ω・ｃｍ以上であることが好ましく、１０11Ω・ｃｍ以上であることがより好ましい。
【００２４】
本発明のガラスの比誘電率は１２以下であることが好ましい。１２超ではＰＤＰのセルの静電容量が大きくなりすぎ、ＰＤＰの消費電力が増大するおそれがある。好ましくは１０．５以下である。
【００２５】
本発明のガラスは焼成時に結晶化しないことが好ましい。この観点からは、本発明のガラスの結晶化温度Ｔcは焼成温度よりも高いことが好ましい。焼成温度より８０℃以上高いことがより好ましい。ここでいう結晶化温度は示差熱分析（ＤＴＡ）によって得られる結晶化ピーク温度であり、結晶化ピークが認められない場合は、Ｔc＝∞とする。
前記Ｔcは７００℃以上であることが好ましい。７００℃未満では、通常行われる５００〜６２０℃での焼成においてガラスが結晶化し透明性が低下するおそれがある。より好ましくは７５０℃以上である。
【００２６】
次に、本発明のガラスの成分について説明する。各成分の含有量は質量百分率表示で記す。
Ｂ2Ｏ3は必須成分であり、ガラスを安定化させるために、または焼成時のガラス流動性を高め電極被覆ガラス層中の残存気泡を減少させて透過率を高くするために、１１％以上含有される。好ましくは２０％以上、より好ましくは２５％以上である。また、Ｂ2Ｏ3含有量は６０％以下であることが好ましい。６０％超では、軟化点が高くなりすぎたり、ガラスが分相したり、または膨張係数が小さくなりすぎたりするおそれがある。より好ましくは５０％以下、特に好ましくは４０％以下である。なお、前記残存気泡の大きさは典型的には３０μｍである。
【００２７】
ＳｉＯ2は必須成分であり、ガラスを安定化させるために、または銀発色現象を抑制するために、５％以上含有される。ここでいう銀発色現象は、ＰＤＰ前面基板のガラス基板上に形成された銀含有バス電極をガラスで被覆した場合に、該ガラスに銀が拡散して銀コロイドが生成してガラスが茶色に着色しＰＤＰの画質が低下する現象である。ＳｉＯ2は前記銀の拡散を抑制する効果があると考えられる。また、ＳｉＯ2含有量は４０％以下であることが好ましい。４０％超では、焼成時のガラス流動性が低下し電極被覆ガラス層中の残存気泡が増加して透過率が低下するおそれがある。より好ましくは２０％以下、特に好ましくは１０％以下である。
【００２８】
銀発色現象をより抑制するためには、ＳｉＯ2含有量をＢ2Ｏ3含有量によって除した値ＳｉＯ2／Ｂ2Ｏ3を０．０９以上とすることが好ましい。より好ましくは０．１５以上、特に好ましくは０．２３以上である。
【００２９】
ＣｕＯは必須成分であり、電極被覆ガラス層の透過率の低下を防止するために、または、銀発色現象を抑制するために、０．１％以上含有される。好ましくは０．３％以上である。一方、Ｃｕに起因する着色が濃くなりすぎることを防止するために、ＣｕＯ含有量は１％以下とされる。好ましくは０．９％以下、より好ましくは０．７％以下である。
【００３０】
なお、本明細書でいうＣｕＯ含有量とは、ガラス中のＣｕがすべてＣｕＯとして存在するとし、ＣｕＯとして換算したＣｕ含有量である。本明細書における、Ｃｕ以外の多価元素に係る成分の含有量についても同様である。
【００３１】
本発明のガラスは、ＰｂＯ、Ｂｉ2Ｏ3およびＰ2Ｏ5からなる群から選ばれる１種以上を含有することが好ましい。ＰｂＯを含有することが特に好ましい。ＰｂＯ、Ｂｉ2Ｏ3およびＰ2Ｏ5のいずれも含有しないと、軟化点を６５０℃以下にすることが困難になるおそれがある。これら３成分の１種以上を含有する場合、これら３成分の含有量の合計は２５％以上であることが好ましい。より好ましくは３０％以上、特に好ましくは３５％以上である。
【００３２】
本発明のガラスは下記酸化物基準で、実質的に、
ＰｂＯ        ２５〜８３．９％、
Ｂ2Ｏ3        １１〜６０％、
ＳｉＯ2         ５〜４０％、
Ａｌ2Ｏ3        ０〜２５％、
Ｂｉ2Ｏ3        ０〜３５％、
ＭｇＯ          ０〜４０％、
ＣａＯ          ０〜４０％、
ＳｒＯ          ０〜４０％、
ＢａＯ          ０〜４０％、
ＺｎＯ          ０〜５５％、
Ｌｉ2Ｏ         ０〜２０％、
Ｎａ2Ｏ         ０〜２０％、
Ｋ2Ｏ           ０〜２０％、
ＣｕＯ      ０．１〜１％、
ＭｏＯ3         ０〜１．３％、
Ｓｂ2Ｏ3        ０〜１．３％、
からなり、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯが０〜４０％であることが好ましい。
【００３３】
次に、上記好ましい組成について説明する。なお、Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＣｕＯについては先に述べたので省略する。
ＰｂＯは軟化点を低下させ、また膨張係数を大きくする効果を有し、必須である。２５％未満では、前記効果が小さすぎる。好ましくは３０％以上、よりこのましくは３５％以上である。８３．９％超では、比誘電率が大きくなりすぎる、または黄色着色が濃くなりすぎる。好ましくは７０％以下、より好ましくは６０％以下、特に好ましくは５０％以下である。
【００３４】
Ａｌ2Ｏ3は必須ではないが、ガラスを安定化させるために２５％まで含有してもよい。２５％超ではガラスが失透するおそれがある。より好ましくは１５％以下、特に好ましくは１０％以下である。Ａｌ2Ｏ3を含有する場合、その含有量は１％以上であることが好ましい。なお、本発明の電極被覆用低融点ガラスにおいてはＡｌ2Ｏ3含有量は１％以上である。
【００３５】
Ｂｉ2Ｏ3は必須ではないが、軟化点を低下させるために３５％まで含有してもよい。３５％超ではガラスが黄色に着色したり、比誘電率が大きくなりすぎたりするおそれがある。より好ましくは２０％以下、特に好ましくは５％以下である。
【００３６】
ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯはいずれも必須ではないが、ガラスの耐水性を高めるために、またはガラスの分相を抑制するために、それぞれ４０％まで含有してもよい。４０％超では焼成時の結晶化が顕著となり透過率が低下するおそれがある。より好ましくは３０％以下、特に好ましくは２５％以下である。
なお、ガラスの比誘電率を特に低下させたい場合はＭｇＯを含有することが好ましい。しかし、この場合その含有量は５％以下であることが好ましい。５％超では、焼成時のガラス流動性が低下し電極被覆ガラス層中の残存気泡が増加して透過率が低下するおそれがある。透過率をより向上させたい場合、ＭｇＯは実質的に含有しないことが好ましい。ここでいう「実質的に含有しない」とは含有したとしても不純物程度であり、その含有量は典型的には０．５％以下である。
【００３７】
また、Ｂ2Ｏ3等の膨張係数を低下させる成分の含有量が多い場合、たとえばＢ2Ｏ3含有量が２０％以上の場合、ＳｒＯまたはＢａＯを含有することが好ましい、なかでもＢａＯを含有することが好ましい。ＢａＯまたはＳｒＯを含有する場合、これらの含有量の合計は１０％以上であることが好ましい。
【００３８】
ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯの含有量の合計は４０％以下である。より好ましくは３０％以下、特に好ましくは２５％以下である。
【００３９】
ＺｎＯは必須ではないが、軟化点を低下させるために５５％まで含有してもよい。５５％超ではガラスが失透するおそれがある。より好ましくは１０％以下である。
【００４０】
Ｌｉ2Ｏ、Ｎａ2ＯおよびＫ2Ｏはいずれも必須ではないが、軟化点を低下させるために、それぞれ２０％まで含有してもよい。２０％超では、ガラスの耐水性が低下したり、膨張係数が大きくなりすぎたりするおそれがある。より好ましくはそれぞれ５％以下である。
Ｌｉ2Ｏ、Ｎａ2ＯおよびＫ2Ｏの含有量の合計は２０％以下であることが好ましい。より好ましくは５％以下である。
【００４１】
ＭｏＯ3およびＳｂ2Ｏ3は、電極被覆ガラス層の透過率の低下を防止するためにそれぞれ１．３％まで含有してもよい。１．３％超では、ＭｏまたはＳｂに起因する着色が濃くなりすぎる。それぞれの含有量は０．９％以下であることが好ましい。
【００４２】
本発明のガラスは実質的に上記成分からなることが好ましいが、他の成分を本発明の目的を損なわない範囲で含有してもよい。該他の成分の含有量の合計は１０％以下であることが好ましい。より好ましくは５％以下である。前記他の成分として、Ｐ2Ｏ5、Ｆｅ2Ｏ3、ＣｏＯ、ＮｉＯ、ＳｎＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、ＣｅＯ2等が例示される。
【００４３】
【実施例】
表のＰｂＯからＣｕＯまでの欄に質量百分率で示す組成となるように、原料を調合して混合し、１３００℃の電気炉中で白金ルツボを用いて１時間溶融し、薄板状ガラスに成形した後、ボールミルで粉砕し、ガラス粉末を得た。例１〜１０は実施例、例Ａ１、Ａ２は比較例である。
【００４４】
これらガラス粉末について、軟化点（単位：℃）、膨張係数（単位：１０-7／℃）および比誘電率を以下に述べるようにして測定した。結果を表に示す。
軟化点：示差熱分析計を用いて測定した。
膨張係数：ガラス粉末を成形後、表に示す焼成温度（単位：℃）で１０分間焼成して得た焼成体を直径５ｍｍ、長さ２ｃｍの円柱状に加工し、熱膨張計で５０〜３５０℃の平均線膨張係数を測定した。
比誘電率：前記焼成体を５０ｍｍ×５０ｍｍ×厚さ３ｍｍに加工し、その表面に電極を蒸着して周波数１ＭＨｚでの比誘電率を測定した。
【００４５】
また、これらガラス粉末とエチルセルロースを質量比で１００：５となるように秤りとって混合し、得られた混合物２ｇを直径１２ｍｍの円柱状の型に入れて成形し円柱状試料とした。この円柱状試料を、ガラス粉末の軟化点で３０分間焼成し、円盤状の焼成体を得た。この焼成体の色を表に示す。焼成体の色が茶色または黒色のものは焼成体中の炭素含有不純物の量が多いものと考えられる。したがって、例Ａ１、Ａ２の焼成体の炭素含有不純物の量は多いと考えられる。
【００４６】
さらに、これらガラス粉末１００ｇを有機ビヒクル２５ｇと混練し、ガラスペーストを作製した。前記有機ビヒクルは、ジエチレングリコールモノブチルエーテルモノアセテートまたはα−テルピネオールにエチルセルロースを質量百分率表示で７〜１８％溶解したものである。
【００４７】
次に、大きさ１０ｃｍ×１０ｃｍ、厚さ２．８ｍｍのガラス基板を用意し、このガラス基板の表面に、膜厚が２００ｎｍで幅が０．５ｍｍのＩＴＯ透明電極を、各ＩＴＯ透明電極の中心線間距離が１．０ｍｍとなるように平行に多数形成した。前記ガラス基板は、質量百分率で表わした組成が、ＳｉＯ2：５８％、Ａｌ2Ｏ3：７％、Ｎａ2Ｏ：４％、Ｋ2Ｏ：６．５％、ＭｇＯ：２％、ＣａＯ：５％、ＳｒＯ：７％、ＢａＯ：７．５％、ＺｒＯ2：３％、ガラス転移点が６２６℃、膨張係数が８３×１０-7／℃、であるガラスからなる。なお、前記ＩＴＯ透明電極はガラス基板の片面に形成されている。
【００４８】
ＩＴＯ透明電極が形成されている３０ｍｍ×３０ｍｍの部分に前記ガラスペーストを均一にスクリーン印刷後、１２０℃で１０分間乾燥した。このガラス基板を昇温速度１０℃／分で、表に示す焼成温度になるまで加熱し、さらにその温度に３０分間保持して、焼成した。透明電極を被覆するガラス層の厚さは３０μｍであった。
【００４９】
前記焼成後のガラス基板について、波長５５０ｎｍの光の透過率（単位：％）および濁度（単位：％）を以下に述べるようにして測定した。結果を表に示す。
透過率：（株）日立製作所製の自記分光光度計Ｕ−３５００（積分球型）を用いて波長５５０ｎｍの光の透過率を測定した。７７％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましい。なお、サンプルのない状態を１００％とした。また、ガラス基板自体の波長５５０ｎｍの光に対する透過率は９０％であった。
【００５０】
濁度：（株）スガ試験器製のヘーズメータ（ハロゲン球を用いたＣ光源）を使用した。ハロゲン球からの光をレンズを通して平行光線とし、サンプルに入射させ、積分球により全光線透過率Ｔtと拡散透過率Ｔdを測定した。２０％以下であることが好ましい。なお、濁度は、
濁度（％）＝（Ｔd／Ｔt）×１００
により算出した。また、ガラス基板自体の濁度は０．４％であった。
【００５１】
例２と例Ａ１、例４と例Ａ２を比較すると、ＣｕＯを含有することにより、透過率が高くなり、また濁度が低下していることがわかる。
【００５２】
また、銀発色現象を次のようにして調べた。
先に使用したガラス基板と同じガラスからなる大きさ５０ｍｍ×７５ｍｍ、厚さ２．８ｍｍのガラス基板上の４５ｍｍ×４５ｍｍの部分にスクリーン印刷用銀ペーストを均一にスクリーン印刷後、１２０℃で１０分間乾燥した。このガラス基板を昇温速度１０℃／分で５８０℃まで加熱し、さらにその温度に１５分間保持して、焼成し、厚さ５μｍの銀焼成体を形成した。
【００５３】
このガラス基板上に形成された銀焼成体の全面を覆うようにガラスペーストをスクリーン印刷し、乾燥、焼成して厚さ３０μｍのガラス層を形成した。前記乾燥および焼成の条件は先に述べたガラスペーストの場合と同じとした。
【００５４】
ガラス基板上に銀焼成体、さらにその上にガラス層が形成されたサンプルについて、前記ガラス層側に光を入射するようにして、波長５５０ｎｍの光の反射率Ｒ550（単位：％）と波長４３０ｎｍの光の反射率Ｒ430（単位：％）とを前記自記分光光度計によって測定した。Ｒ550−Ｒ430（単位：％）を表の銀発色の欄に示す。波長として４３０ｎｍを選択したのは、銀発色原因となる銀コロイドの吸収ピークに相当するからであり、一方、波長として５５０ｎｍを選択したのは、銀コロイドの吸収ピークから充分離れているからである。
【００５５】
Ｒ550−Ｒ430が２０％以上のものは銀発色現象が顕著であり好ましくない。より好ましくは１５％以下、特に好ましくは５％以下である。なお、例５ではＲ550−Ｒ430が負となっているが、これはＣｕ+イオンによる波長５５０ｎｍの光の吸収によるものと考えられる。
【００５６】
【表１】
0004075298.tif 000002
【００５７】
【表２】
0004075298.tif 000003
【００５８】
【発明の効果】
本発明のガラスを用いることにより、ガラス基板上の透明電極を被覆するガラス層の透明性を高くできる。また、前記ガラス層中の炭素含有不純物残存量が減少しＰＤＰにおける輝度低下が起りにくくなる。さらに、ガラス基板上の銀電極を被覆するガラス層の銀発色現象を抑制できる。また、電極を被覆するガラス層の比誘電率を小さくできる。
【００５９】
本発明のガラスを電極被覆に用いたＰＤＰにおいては、その前面基板の透過率が高く、画質が優れている。また、輝度低下が起りにくい。さらに、前面基板の銀電極を被覆するガラス層の銀発色現象を抑制でき、この点でも画質が向上する。また、ＰＤＰの消費電力も低減できる。