(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックスからなる基体と、この基体の表面の少なくとも一部を被覆するフッ化膜とを備えている耐蝕性部材であって、
前記セラミックスが、アルミナ、窒化アルミニウム、及びアルミニウムと一種以上の希土類元素との複合酸化物からなる群より選ばれた一種以上からなり、
前記フッ化膜が気体状フッ素を含有する雰囲気中で前記基体を熱処理することによって生成しており、
前記フッ化膜がフッ化アルミニウムからなる主結晶相を含み、
前記フッ化膜の厚さが０．０１−５．０μｍであり、前記基体中の珪素の量が酸化珪素に換算して０．４５重量％以下であることを特徴とする、耐蝕性部材。
【請求項２】
前記セラミックスが、アルミナからなることを特徴とする、請求項１記載の耐蝕性部材。
【請求項３】
前記セラミックスが、窒化アルミニウムからなることを特徴とする、請求項１記載の耐蝕性部材。
【請求項４】
前記セラミックスが、アルミニウムと一種以上の希土類元素との複合酸化物からなることを特徴とする、請求項１記載の耐蝕性部材。
【請求項５】
前記アルミニウムと一種以上の希土類元素との複合酸化物が、Ｙ3 Ａｌ5 Ｏ12であることを特徴とする、請求項２記載の耐蝕性部材。
【請求項６】
前記気体状フッ素を含有する雰囲気が、気体状フッ素を６０％以上含有する雰囲気であることを特徴とする、請求項１−５のいずれか一つの請求項に記載の耐蝕性部材。
【請求項７】
前記気体状フッ素を含有する雰囲気が、実質的に気体状フッ素からなる雰囲気であることを特徴とする、請求項６記載の耐蝕性部材。
【請求項８】
セラミックスからなる基体と、この基体の表面の少なくとも一部を被覆するフッ化膜とを備えている耐蝕性部材を製造するのに際して、
前記セラミックスが、アルミナ、窒化アルミニウム、及びアルミニウムと一種以上の希土類元素との複合酸化物からなる群より選ばれた一種以上からなり、
前記フッ化膜がフッ化アルミニウムからなる主結晶相を含み、
前記基体中の珪素の量が酸化珪素に換算して０．４５重量％以下であり、
気体状フッ素を含有する雰囲気中で前記基体を熱処理することによって前記フッ化膜を生成させることを特徴とする、耐蝕性部材の製造方法。
【請求項９】
前記セラミックスが、アルミナからなることを特徴とする、請求項８記載の耐蝕性部材の製造方法。
【請求項１０】
前記セラミックスが、窒化アルミニウムからなることを特徴とする、請求項８記載の耐蝕性部材の製造方法。
【請求項１１】
前記セラミックスが、アルミニウムと一種以上の希土類元素との複合酸化物からなることを特徴とする、請求項８記載の耐蝕性部材の製造方法。
【請求項１２】
前記気体状フッ素を含有する雰囲気が、気体状フッ素を６０％以上含有する雰囲気であることを特徴とする、請求項８−１１のいずれか一つの請求項に記載の耐蝕性部材の製造方法。
【請求項１３】
前記気体状フッ素を含有する雰囲気が、実質的に気体状フッ素からなる雰囲気であることを特徴とする、請求項１２記載の耐蝕性部材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、フッ化膜を備える耐蝕性部材およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
セラミックスや金属の表面に、フッ化膜、特にフッ化アルミニウム膜を生成させることによって、ハロゲン系ガスやそのプラズマに対する耐蝕性を改善することが知られている。米国特許第５，３０６，８９５号には、窒化アルミニウムまたはアルミナの表面に三フッ化アルミニウム膜を形成することが開示されている。
【０００３】
また、特開平７−２７３０５３号公報においては、処理室内の雰囲気に接するアルミニウム系部材の表面を、予めフッ素で置換してコーティングしている。具体的には、アルミナや窒化アルミニウムの表面に３００℃でフッ化水素、フッ化窒素、フッ化塩素を導入することによって、アルミ系部材の表面に三フッ化アルミニウム膜を形成している。
【０００４】
また、特開平９−３２６３８４号公報では、プラズマ処理装置において、プラズマにさらされる部材の表面の一部を、アルミニウムを主成分とするフッ化物の層で被覆している。具体的には、アルマイト、窒化アルミニウムやサファイアをフッ化処理してフッ化アルミニウムを生成させている。フッ化処理の際には、フッ素ガスを窒素ガスで２０−５０％に希釈して雰囲気とし、この雰囲気を１５０−４００℃で熱分解し、この雰囲気中で試料を４００℃に加熱する処理を２時間程度行っている。これによって、プラズマ処理の間に、処理装置内に発生するパーティクルを抑制する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明者は、窒化アルミニウムやアルミナ等の基体に対して、優れた耐蝕性を付与し、かつプラズマ処理中に発生するパーティクルを抑制するべく鋭意研究を進めてきた。この結果、窒化アルミニウム等のセラミックスの表面をフッ化処理することによってフッ化膜を生成させるだけでは、パーティクルを十分に高度には抑制できないことを発見した。即ち、本発明者は、市販の多くの窒化アルミニウム、アルミナセラミックスからなる基材について、フッ素ガスを用いてフッ化処理を行い、フッ化膜を生成させたが、これを半導体製造装置における高温のクリーニングガス、エッチングガス等に対して曝露させると、フッ化膜によってある程度の耐蝕性は得られるが、パーティクルを高度に抑制することは困難であった。
【０００６】
本発明の課題は、セラミックスからなる基体と、この基体の表面の少なくとも一部を被覆するフッ化膜とを備えている耐蝕性部材において、耐蝕性部材をハロゲン系の腐食性ガスに対して曝露したときに、腐食による重量変化を減少させるのと同時に、パーティクルの発生を一層抑制することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、セラミックスからなる基体と、この基体の表面の少なくとも一部を被覆するフッ化膜とを備えている耐蝕性部材であって、フッ化物膜が基体をフッ素化合物に対して直接接触させることによって生成しており、フッ化膜の厚さが０．０１−５．０μｍであり、基体中の珪素の量が酸化珪素に換算して０．４５重量％以下であることを特徴とする。
【０００８】
本発明者は、基体をフッ素化合物に対して直接接触させることによってフッ化膜を生成させたとき、この耐蝕性部材のハロゲン系腐食性ガスまたはそのプラズマに対して曝露したときのパーティクルの発生量が、セラミックス基体中の珪素の含有量に大きく依存することを見出し、本発明に到達した。
【０００９】
具体的には、基体中の珪素の量を酸化珪素に換算して０．４５重量％以下とすることによって、パーティクルの発生量が著しく減少した。この理由は明確ではないが、次のように推測される。
【００１０】
セラミックスを高温のフッ素ガスに対して接触させたときに、セラミックス中に存在する珪素が、フッ素と反応し、四フッ化珪素を生成するものと思われる。四フッ化珪素は高温ではガスとして揮発する。このため、セラミックス中の珪素の含有量が多いと、フッ化層が生成しにくくなり、あるいはフッ化層が生成したときにはフッ化層の基体表面に対する密着性が悪くなり、あるいは膜質が劣化するものと思われる。このため、最終的に得られた耐蝕性部材をハロゲン系腐食性ガスまたはそのプラズマに対して曝露すると、フッ化膜の一部が剥離してパーティクルが生成するものと思われる。
【００１１】
本発明において、フッ化膜とは、フッ素を何らかの形で含有する層のことを言う。フッ化膜は、基体中に含有されていた金属元素の他、窒素、炭素、酸素および不可避的不純物を含んでいてよい。フッ化膜は、フッ素化合物からなる膜であってもよい。このフッ素化合物とは、フッ素原子を化学量論比率で含有する化合物であり、例えばフッ化アルミニウム等の金属フッ化物を含む。
【００１２】
フッ化膜の膜厚も重要であり、０．０１−５．０μｍとする。これを０．０１μｍ以上とすることによって、基体の耐蝕性を確保できる。この観点から、フッ化膜の厚さは、０．０５μｍ以上であることが更に好ましい。
【００１３】
フッ化膜の厚さは、５．０μｍ以下とする必要があり、これによって耐蝕性部材をハロゲン系腐食性ガスに曝露したときに、フッ化膜の剥離によるパーティクルの発生を防止できる。この観点から、フッ化膜の厚さは、３．０μｍ以下であることが更に好ましい。
【００１４】
セラミックス中の珪素の含有量は、パーティクルを一層抑制する上で、０．２重量％以下とすることが更に好ましい。
【００１５】
セラミックスの種類は特に限定されないが、アルミニウム、希土類元素およびアルカリ土類金属元素からなる群より選ばれた一種の金属の酸化物または窒化物が好ましい。あるいは、アルミニウム、希土類元素およびアルカリ土類金属元素からなる群より選ばれた二種以上の金属の複合酸化物または複合窒化物が好ましい。この場合には、フッ化膜は、前記金属のフッ化物からなる。
【００１６】
好ましくは、セラミックスは、アルミニウムと一種以上の希土類元素との複合酸化物または複合窒化物である。この場合には、希土類元素もフッ化されるために、フッ化膜が、アルミニウムのフッ化物と一種以上の希土類元素のフッ化物とを含有する。こうした希土類元素としては、イットリウム、イッテルビウム、セリウムが好ましく、イットリウムが特に好ましい。
【００１７】
また、好ましくは、セラミックスは、アルミニウムと一種以上のアルカリ土類金属元素との複合酸化物または複合窒化物である。この場合には、アルカリ土類金属元素もフッ化されるために、フッ化膜が、アルミニウムのフッ化物と一種以上のアルカリ土類金属元素のフッ化物とを含有する。こうしたアルカリ土類金属元素としては、マグネシウムが特に好ましい。
【００１８】
特に好ましくは、セラミックスがアルミナまたは窒化アルミニウムであり、フッ化膜がアルミニウムのフッ化物からなる。
【００１９】
また、一種のアルカリ土類金属元素の酸化物または窒化物としては、酸化物が好ましく、特にマグネシアが好ましい。
【００２０】
また、一種の希土類元素の酸化物または窒化物としては、酸化物が好ましく、特にイットリア、酸化イッテルビウム、セリアが好ましく、特にイットリアが好ましい。
【００２１】
本発明の耐蝕性部材の製造方法は特に限定されない。しかし、特に好適な製法として、以下を例示する。
【００２２】
即ち、セラミックスからなる基体中の珪素の量が酸化珪素に換算して０．４５重量％以下であるような基体を準備し、気体状フッ素を６０％以上含有する雰囲気中で基体を熱処理することによって、フッ化膜を生成させる。この際、特に好ましくは、実質的に気体状フッ素からなる雰囲気中で基体を熱処理することによってフッ化膜を生成させる（ただし、雰囲気中に不可避的不純物は含有されていてよい）。
【００２３】
この反応は、３００−５００℃で行うことが好ましく、フッ素ガスの分圧は０．５−２．０気圧とすることが好ましい。反応時間は限定されないが、１−１０時間が通常である。
【００２４】
上記の製法が、本発明の耐蝕性部材を製造する上で特に有用であるのは、以下の理由による。即ち、セラミックス基体を高濃度のフッ素ガスに曝露したときに、基体中に酸化物換算で０．４５重量％を超える珪素が含有されていた場合には、前記した理由から基体の表面が過度に粗れ、良質なフッ化膜を形成することが困難であった。本製造方法においては、セラミックス基体を高濃度のフッ素ガスに曝露するのに際して、基体中の珪素濃度を酸化物に換算して０．４５重量％以下と少なくすることによって、良質なフッ化膜を得ることができる。これによって耐蝕性部材をハロゲン系腐食性ガスまたはそのプラズマに対して曝露したとのパーティクルを減少させ得る。
【００２５】
フッ素ガスによる処理の前に、基体を１００−５００℃で不活性雰囲気中で熱処理することによって、基体の表面の水分を除去することが好ましい。
【００２６】
また、フッ素ガスによる処理の後に、基体を１００−５００℃で不活性雰囲気中で熱処理することによって、フッ化膜を安定化させることができる。または、フッ素ガスによる処理の後に、基体を１００−４００℃で大気中で熱処理することによって、フッ化膜を安定化させることができる。
【００２７】
フッ化処理を行う際には、Ｎｉ−Ｐメッキを施したフッ化処理チャンバー内にセラミックス基体を設置し、フッ素ガスをチャンバー内に導入することが好ましい。Ｎｉ−Ｐメッキを施したチャンバーがフッ素ガスに対する耐蝕性に優れることは、特開平９−３２４３８４号公報に記載されている。
【００２８】
本発明の耐蝕性部材の用途は、限定されない。しかし、好ましくは、半導体製造装置、フラットパネルディスプレイ製造装置、ハードディスク製造装置等の処理装置（化学的気相成長装置など）において、ハロゲン系腐食性ガスに対して少なくとも一部が接触するような部材として利用できる。こうしたハロゲン系腐食性ガスとしては、ＣｌＦ3 、ＮＦ3 、ＣＦ4 、ＨＦ、ＨＣｌ、Ｃｌ2、Ｃx Ｆy などのクリーニングガス、エッチングガス、ＷＦ6 などの成膜ガスが挙げられる。
【００２９】
また、耐蝕性部材の具体例としては、赤外線ランプ加熱によって発熱するサセプター、セラミックスヒーター及びセラミックスヒーターの発熱面に設置されるサセプター、静電チャック用電極が埋設されているサセプター、静電チャック用電極及び抵抗発熱体が埋設されているサセプター、高周波プラズマ発生用電極が埋設されているサセプター、高周波プラズマ発生用電極及び抵抗発熱体が埋設されたサセプター、シャワー板を例示できる。
【００３０】
また、ＫｒＦ、ＡｒＦ、Ｆ2 エキシマレーザーのようなエキシマレーザー発生装置において、耐蝕性部材からなるフランジ管を、フッ素ガスやフッ素化合物ガスを供給するのに使用できる。また、メタルハライドランプのような放電灯において、金属ハロゲン化物を封入する発光管用耐蝕性部材として使用できる。
【００３１】
【実施例】
（実施例１）
珪素不純物の含有量が酸化珪素に換算して７３０ｐｐｍ（０．０７３重量％）のアルミナ焼結体を作成し、この焼結体から縦１０ｍｍ，横１０ｍｍ、厚さ２ｍｍの試験片を作製した。試験片の片面を鏡面研磨し、中心線平均表面粗さＲａ＝０．０２μｍ程度の鏡面を得、後の解析に供した。
【００３２】
Ｎｉ−Ｐメッキしたチャンバー内に試験片を設置し、窒素ガスをチャンバー内に導入し、５００℃でベーキングし、チャンバー内の温度を４００℃にし、１００％Ｆ2 ガスを導入し（圧力１ａｔｍ）、５時間熱処理した。熱処理後、４００℃の温度を維持したまま、チャンバー内に窒素ガスを導入し、４時間の安定化処理を行った。そのあと、室温まで降温し、試験片を取り出し、洗浄、乾燥した。
【００３３】
試験片の表面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、図５に示すように、もやもやした形態が観察された。また、図６に示すように、断面を観察したところ、試験片の表面にははっきりした表面層は観察されなかった（倍率１万倍）。
【００３４】
走査型電子顕微鏡に付属したＥＤＳによって表面分析したところ、図１に示すようにフッ素のピークが観測された。
【００３５】
また、試験片の表面について、ＸＰＳによってＡｌ2 p の状態スペクトルを観測し、図２に示す。ただし、図２において、ＡｌＦ3 （参照）は、ＡｌＦ3 粉末のデータである。Ａｌ2 Ｏ3 （参照）は、アルミナ焼結体のデータである。（本発明例）は、前記の試験片のデータである。図２の横軸は結合エネルギーであり、縦軸はピーク強度（任意単位）を示す。本発明例のピークシフト値は、アルミナからは離れており、三フッ化アルミニウム粉末に近いことが分かる。このピークシフトから、アルミニウム元素は、アルミナではなくフッ化アルミニウムとして存在しているものと考えられる。
【００３６】
また、試験片について、ＸＰＳによって得られたＤｅｐｔｈプロファイル（試験片の深さ方向のプロファイル）を図３、図４に示す。ＸＰＳの測定条件は、以下のとおりである。「フィジカル・エレクトロニクス社(Physical Electronics)製の「ESCA-5700ci 」を使用した。平面的には直径0.8 ｍｍの円内の情報が得られ、深さ方向には約100 オングストロームの深さの平均値が得られる。スパッタリングを行い、試験片をその表面から深さ方向へと掘り進めながら、ある深さにおける情報を得る。このスパッタ処理にはアルゴンイオンビーム（３ｋＶ）を使用し、スパッタ速度は３．９３ｎｍ／ｍｉｎ（酸化珪素）である。
【００３７】
図３において、縦軸はＦ、Ｏ、Ａｌ、Ｃの原子数比を示しており、横軸はスパッタ時間（分）を示す。スパッタ時間が長いほど、試験片の表面から深い位置にあることを示している。スパッタ時間は最長１００分間である。また、図４において、縦軸はＦ、Ｏ、Ａｌ、Ｃのピーク面積（実測の信号強度）を示しており、横軸はスパッタ時間（分）を示す。スパッタ時間が長いほど、試験片の表面から深い位置にあることを示している。
【００３８】
図３、図４の結果から分かるように、試験片の表面付近にＦのピークが存在しており、Ｆのピークから更に右側に向かうのにつれて、Ｆが急速に減少し、酸素によって置換されていることが分かる。
【００３９】
図４において、Ｆのピーク強度が、その最大値の半分になる位置の、表面からの距離を、膜厚と仮定した。ＸＰＳによる測定では、深さの絶対値は分からない。このため、スパッタ時間１００分経過後の試験片の表面からのスパッタ深さを、３次元計測器によって計測した。Ｆのピーク強度がその最大値の半分になる位置の表面からの距離は、０．１μｍであった。
【００４０】
この試験片について、腐食減量とパーティクルの発生量とを測定した。具体的には、ＮＦ3 およびＮ2 ガスをそれぞれ７５ｓｃｃｍおよび１００ｓｃｃｍの流量で流し、圧力０．１Ｔｏｒｒの混合雰囲気を得、この混合雰囲気を周波数１３．５６ＭＨｚ、８００Ｗの誘導結合プラズマによって励起し、フッ素ガスプラズマを得た。このフッ素ガスプラズマ中に試験片を５５０℃で５時間保持し、重量減少量を測定し、腐食減量とした。腐食減量が少ないほど耐蝕性が高い。
【００４１】
また、前記フッ素ガスプラズマに対して試験片を曝露した後、この試験片に対して、鏡面研磨されたシリコンウエハーの鏡面を、加重５０ｇｆ／ｃｍ2 で押しつけた。次いで、シリコンウエハーを試験片から離し、シリコンウエハーの鏡面に付着したパーティクルの個数を、半導体製造工場において一般的なパーティクルカウンターを用いて測定した。
【００４２】
この結果、腐食減量は０．１ｍｇ／ｃｍ2 であり、パーティクル数は４個／ｃｍ2 であった。
【００４３】
（実施例２）
実施例１において、１００％Ｆ2 ガスによる処理を４５０℃で６０時間行った。これ以外は実施例１と同様にして試験片を作製し、解析した。この結果、走査型電子顕微鏡、ＸＰＳ、Ｄｅｐｔｈプロファイルは、実施例１とほぼ同様であった。フッ化膜の膜厚は５．０μｍと見積もられた。
【００４４】
この結果、腐食減量は０．１ｍｇ／ｃｍ2 未満であり、パーティクル数は５個／ｃｍ2 であった。
【００４５】
（実施例３）
実施例１において、６０％Ｆ2 および４０％Ｎ2 の混合雰囲気中で、全圧１ａｔｍで前記処理を１２０時間行った。これ以外は実施例１と同様にして試験片を作製し、解析した。この結果、走査型電子顕微鏡、ＸＰＳ、Ｄｅｐｔｈプロファイルは、実施例１とほぼ同様であった。フッ化膜の膜厚は０．１μｍと見積もられた。
【００４６】
この結果、腐食減量は０．２ｍｇ／ｃｍ2 であり、パーティクル数は５個／ｃｍ2 であった。
【００４７】
（比較例１）
実施例１において、１００％Ｆ2 ガスによる処理を５００℃で６０時間行った。これ以外は実施例１同様にして試験片を作製し、解析した。この結果、走査型電子顕微鏡、ＸＰＳ、Ｄｅｐｔｈプロファイルは、実施例１とほぼ同様であった。フッ化膜の膜厚は１０．０μｍと見積もられた。
【００４８】
この結果、腐食減量は０．１ｍｇ／ｃｍ2 未満であり、耐蝕性は高いが、パーティクル数は２１個／ｃｍ2 であった。
【００４９】
（比較例２）
公称純度９９％の市販の半導体製造装置用アルミナ焼結体を購入した。焼結体中の珪素の含有量は、酸化珪素に換算して０．９重量％であった。この焼結体から、縦１０ｍｍ、横１０ｍｍ、厚さ２ｍｍの試験片を作製した。試験片の片面は、後の解析のためにＲａ＝０．０２μｍ程度になるまで鏡面研磨した。この試験片を実施例１と同様に処理し、試験した。
【００５０】
得られた試験片の表面は、かなり荒れた外見を示した。走査型顕微鏡に付属するＥＤＳの観測結果は、実施例１と同様であった。また、ＸＰＳでＡｌ2 p の状態スペクトルを観測した。この結果、ピークシフトから、Ａｌは、酸化物ではなくフッ化物の形で存在しているものと考えられた。膜厚は０．２μｍと見積もられた。
【００５１】
腐食減量は１．３ｍｇ／ｃｍ2 未満であり、パーティクル数は７５個／ｃｍ2 であった。
【００５２】
（比較例３）
公称純度９２％の市販の半導体製造装置用アルミナ焼結体を購入した。焼結体中の珪素の含有量は、酸化珪素に換算して５．７重量％であった。この焼結体から、縦１０ｍｍ、横１０ｍｍ、厚さ２ｍｍの試験片を作製した。試験片の片面は、後の解析のためにＲａ＝０．０２μｍ程度になるまで鏡面研磨した。この試験片を実施例１と同様に処理し、試験した。
【００５３】
得られた試験片の表面は、非常に粗れており、多数の空洞が見られた。また、フッ化膜は形成されなかった。このため、腐食減量およびパーティクル数は測定していない。
【００５４】
（実施例４）
イットリアとアルミナとを適量混合し、焼結助剤として微量のシリカゾルを添加して混合粉末を得、この混合粉末を焼結することにより、イットリアアルミネートの一種であるＹ3 Ａｌ5 Ｏ12を得た。焼結体中の珪素の含有量は酸化珪素に換算して４５００ｐｐｍ（０．４５重量％）であった。この焼結体から、縦１０ｍｍ、横１０ｍｍ、厚さ２ｍｍの試験片を作製した。試験片の片面は、後の解析のためにＲａ＝０．０２μｍ程度になるまで鏡面研磨した。この試験片を実施例１と同様に処理し、試験した。ただし、３５０℃で１００％Ｆ2 ガスを１ａｔｍで導入し、１０時間熱処理した。
【００５５】
得られた試験片について、走査型顕微鏡およびこれに付属するＥＤＳの観測結果は、実施例１と同様であった。また、ＸＰＳでＡｌ2 p の状態スペクトル、Ｙの状態スペクトルを観測した。この結果、各ピークシフトから、Ａｌ、Ｙ共に、酸化物ではなくフッ化物の形で存在しているものと考えられた。即ち、ＡｌＦ3 とＹＦ3 とが混在していると考えられた。膜厚は０．２μｍと見積もられた。
【００５６】
腐食減量は０．１ｍｇ／ｃｍ2 未満であり、パーティクル数は４個／ｃｍ2 であった。
【００５７】
（実施例５）
珪素の含有量が酸化珪素に換算して０．３重量％のマグネシア焼結体を作製した。この焼結体から、縦１０ｍｍ、横１０ｍｍ、厚さ２ｍｍの試験片を作製した。試験片の片面は、後の解析のためにＲａ＝０．０２μｍ程度になるまで鏡面研磨した。この試験片を実施例１と同様に処理し、試験した。ただし、４００℃で１００％Ｆ2 ガスを１．５ａｔｍで導入し、６時間熱処理した。
【００５８】
得られた試験片について、走査型顕微鏡およびこれに付属するＥＤＳの観測結果は、実施例１と同様であった。また、ＸＰＳでＭｇの状態スペクトルを観測した。この結果、ピークシフトから、Ｍｇは、酸化物ではなくフッ化物の形で存在しているものと考えられた。膜厚は１．０μｍと見積もられた。
【００５９】
腐食減量は０．１ｍｇ／ｃｍ2 未満であり、パーティクル数は６個／ｃｍ2 であった。
【００６０】
（実施例６）
高純度窒化アルミニウム粉末に対して、イットリアを焼結助剤として０．１重量％添加し、焼結させることにより、窒化アルミニウム焼結体を得た。焼結体中の珪素の含有量は酸化珪素に換算して５０ｐｐｍであった。この焼結体から、縦１０ｍｍ、横１０ｍｍ、厚さ２ｍｍの試験片を作製した。試験片の片面は、後の解析のためにＲａ＝０．０４μｍ程度になるまで鏡面研磨した。この試験片を実施例１と同様に処理し、試験した。
【００６１】
得られた試験片について、走査型顕微鏡およびこれに付属するＥＤＳの観測結果は、実施例１と同様であった。また、ＸＰＳでＡｌ2pの状態スペクトルを観測した。この結果、ピークシフトから、Ａｌは、窒化物ではなくフッ化物の形で存在しているものと考えられた。膜厚は０．１μｍと見積もられた。
【００６２】
腐食減量は０．１ｍｇ／ｃｍ2 未満であり、パーティクル数は７個／ｃｍ2 であった。
【００６３】
（比較例４）
窒化珪素粉末に対してイットリアとマグネシアとを焼結助剤として適量添加し、窒化珪素焼結体を得た。この焼結体から縦１０ｍｍ、横１０ｍｍ、厚さ２ｍｍの試験片を作製した。試験片の片面は、後の解析のためにＲａ＝０．０２μｍ程度になるまで鏡面研磨した。
【００６４】
この試験片を実施例１と同様に処理したところ、試験片は揮発し、消滅した。
【００６５】
（比較例５）
炭化珪素粉末に対してボロンとカーボンとを焼結助剤として適量添加し、炭化珪素焼結体を得た。この焼結体から縦１０ｍｍ、横１０ｍｍ、厚さ２ｍｍの試験片を作製した。試験片の片面は、後の解析のためにＲａ＝０．０２μｍ程度になるまで鏡面研磨した。
【００６６】
この試験片を実施例１と同様に処理したところ、試験片は揮発し、消滅した。
【００６７】
【発明の効果】
以上述べてきたように、本発明によれば、セラミックスからなる基体と、この基体の表面の少なくとも一部を被覆するフッ化膜とを備えている耐蝕性部材において、腐食による重量変化を減少させるのと同時に、パーティクルの発生を一層抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１の試験片について、走査型電子顕微鏡に付属したＥＤＳによって表面分析した結果を示すチャートである。
【図２】本発明の実施例１の試験片の表面について、ＸＰＳによってＡｌ2pの状態スペクトルを観測した結果を示すチャートである。
【図３】本発明の実施例１の試験片の表面について、ＸＰＳによって得られたＤｅｐｔｈプロファイルを示すチャートであり、縦軸は各元素の原子数比である。
【図４】本発明の実施例１の試験片の表面について、ＸＰＳによって得られたＤｅｐｔｈプロファイルを示すチャートであり、縦軸は各元素のピーク面積（実測の信号強度）である。
【図５】本発明の実施例１の試験片の表面状態を示す走査型電子顕微鏡写真である。
【図６】本発明の実施例１の試験片の断面を示す走査型電子顕微鏡写真である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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