(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、直接又は第一の誘電体層（下部保護層）を介して、ＳｂＴｅを必須元素とし、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｎ、Ｐ、Ｂｉ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｇｄ、Ｔｂの中から選ばれた少なくとも１種の元素を添加した材料からなる、レーザー光の照射により結晶相からアモルファス相へと変化する記録層を有し、且つ、該記録層上に、第二の誘電体層（上部保護層）、下記（ａ）〜（ｄ）の何れかの層からなる第三の誘電体層（第三保護層）、金属反射層（反射放熱層）をこの順に有することを特徴とする光記録媒体。
（ａ）Ｓｉ−Ｃ−Ｏ層
（ｂ）ＳｉＯ２層とＳｉＣ層をこの順又は逆順に積層した層
（ｃ）ＳｉＯ２層とＳｉ層をこの順又は逆順に積層した層
（ｄ）ＳｉＯ２層とＳｉ−Ｃ−Ｏ層をこの順又は逆順に積層した層
【請求項２】
第二の誘電体層（下部保護層）が、ＺｎＳ・ＳｉＯ２、或いはＺｎＳ／ＺｎＳ・ＳｉＯ２の積層からなることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
【請求項３】
記録線速度３〜２０ｍ／ｓの範囲でレーザー光の照射により形成されるアモルファス相と結晶相の反射率差が３０％以上であることを特徴とする請求項１又は２記載の光記録媒体。
【請求項４】
記録マークを形成する際、レーザー光の発光波形を複数のオンパルスとこれに続くオフパルスからなる記録パルス列とし、内周から外周又は外周から内周へ記録半径位置に対応して連続的に記録周波数ν（ν＝１／Ｔｗ；Ｔｗはウィンドウ幅）を変化させて記録することを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の光記録媒体の記録方法。
【請求項５】
次の（ｉ）（ii）の記録方法を、最大周波数と最小周波数の中間の周波数において切り替えて用いることを特徴とする請求項４記載の光記録媒体の記録方法。
（ｉ）複数のオンパルスの幅を全て同じ時定数で固定する部分とウィンドウ幅Ｔｗに対して定数を乗算する部分とを連続的に組み合わせてなる記録方法
（ii）複数のオンパルスの幅をウィンドウ幅Ｔｗに対してデューティが一定となるように調整してなる記録方法。
【請求項６】
請求項４又は５記載の光記録媒体の記録方法を実現するためのレーザー光駆動回路を有し、更に、前記の時定数に対応した信号を発生する手段と、この信号を駆動回路に伝送する手段とを有することを特徴とする光記録媒体の記録装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ビームを照射することにより記録層材料に光学的な変化を生じさせ、情報の記録・再生を行ない、かつ書換えが可能な光記録媒体、特に高記録線速度で高密度記録可能な相変化型光記録媒体に関し、更には、この光記録媒体にに対し、ＣＡＶ方式により、或いは記録媒体の記録半径位置を複数に区切ってＣＬＶ方式により記録する方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
レーザー光線を利用して光ディスクに高密度な情報の記録又は再生を行う技術として、一つの記録マークを複数の短パルス列の照射によって形成するオーバーライト方法が知られている（特開平３−１８５６２８号公報）。しかし、この方法は光ディスクを一定回転数とした場合の内周と外周のようにレーザースポットの相対速度が異なる場合には、特に相対速度が速い領域においてレーザーパワー不足になったり、或いは回路設計が困難になったりするという新たな課題が発生する場合がある。
このような欠点を改良するため、ある波形の入力信号（ＥＦＭ信号を想定）において、線速度が予め設定された値Ｌ０より遅い場合にはレーザーの変調波形を短パルス列化し、Ｌ０より速い場合にはレーザーの変調波形入力パルス幅を少し短くしたパルスに変換して光ディスク上に照射することが提案されている（特開平６−１２６７４号公報）。
【０００３】
ところで近年は、ＤＶＤ−ＲＯＭと同容量以上の高密度記録が可能で、更にその２倍速以上（約７ｍ／ｓ以上）までの高記録線速度で記録可能な相変化型光記録媒体、及びそうした光記録媒体への記録方法の開発が期待されている。
そのような光記録媒体に対し、ＣＡＶ記録或いは光記録媒体の記録半径位置を複数に区切ってＣＬＶ記録する場合、入力パルス幅を少し短くした記録方法では、良好な記録特性（ジッタ特性）が得られず、従来例の低線速側に用いられるようなレーザーの変調波形（短パルス列化したもの）の方が良好な結果を与える。
前記特開平６−１２６７４号公報では、Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５の化合物に近い組成を用いているため、このような記録方法が採用されるものと考えられる。
しかしその反面、高線速度側でレーザーの変調波形が崩れないように調整した波形のパルス幅を固定して記録を行う場合には、低線速度側（内周側）においてパルス幅が小さくなり過ぎ、記録パワーが不足することによってジッタ特性が悪化する傾向がある。このような現象は、記録層の組成による影響も考えられる。
また一方、高記録線速度での記録を可能にするため第二保護層上に金属反射層を設けると、そのことによって記録層の欠陥発生や反射層と第二保護層との間での部分剥離問題が発生することがある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記のような不都合を生じることなく、高記録線速度で、高密度記録が行なえ、且つ、それに伴う欠陥発生や部分剥離のない光記録媒体、更には、ＤＶＤ−ＲＯＭと同容量以上の高密度記録が可能で、３．０〜２０ｍ／ｓの範囲の高記録線速度で記録可能な新規な第三保護層を有する相変化型光記録媒体、並びに、その記録方法及び記録装置の提供を目的とする。
【０００５】
上記課題は、次の１）〜６）の発明（以下、本発明１〜６という。）によって解決される。
１）  基板上に、直接又は第一の誘電体層（下部保護層）を介して、ＳｂＴｅを必須元素とし、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｎ、Ｐ、Ｂｉ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｇｄ、Ｔｂの中から選ばれた少なくとも１種の元素を添加した材料からなる、レーザー光の照射により結晶相からアモルファス相へと変化する記録層を有し、且つ、該記録層上に、第二の誘電体層（上部保護層）、下記（ａ）〜（ｃ）の何れかの層からなる第三の誘電体層（第三保護層）、金属反射層（反射放熱層）をこの順に有することを特徴とする光記録媒体。
（ａ）Ｓｉ−Ｃ−Ｏ層
（ｂ）ＳｉＯ２層とＳｉＣ層をこの順又は逆順に積層した層
（ｃ）ＳｉＯ２層とＳｉ層をこの順又は逆順に積層した層
（ｄ）ＳｉＯ２層とＳｉ−Ｃ−Ｏ層をこの順又は逆順に積層した層
２）  第二の誘電体層（下部保護層）が、ＺｎＳ・ＳｉＯ２、或いはＺｎＳ／ＺｎＳ・ＳｉＯ２の積層からなることを特徴とする１）記載の光記録媒体。
３）  記録線速度３〜２０ｍ／ｓの範囲でレーザー光の照射により形成されるアモルファス相と結晶相の反射率差が３０％以上であることを特徴とする１）又は２）記載の光記録媒体。
４）  記録マークを形成する際、レーザー光の発光波形を複数のオンパルスとこれに続くオフパルスからなる記録パルス列とし、内周から外周又は外周から内周へ記録半径位置に対応して連続的に記録周波数ν（ν＝１／Ｔｗ；Ｔｗはウィンドウ幅）を変化させて記録することを特徴とする１）〜３）の何れかに記載の光記録媒体の記録方法。
５）  次の（ｉ）（ii）の記録方法を、最大周波数と最小周波数の中間の周波数において切り替えて用いることを特徴とする４）記載の光記録媒体の記録方法。
（ｉ）複数のオンパルスの幅を全て同じ時定数で固定する部分とウィンドウ幅Ｔｗに対して定数を乗算する部分とを連続的に組み合わせてなる記録方法
（ii）複数のオンパルスの幅をウィンドウ幅Ｔｗに対してデューティが一定となるように調整してなる記録方法。
６）  ４）又は５）記載の光記録媒体の記録方法を実現するためのレーザー光駆動回路を有し、更に、前記の時定数に対応した信号を発生する手段と、この信号を駆動回路に伝送する手段とを有することを特徴とする光記録媒体の記録装置。
【０００６】
以下、上記本発明について詳しく説明する。
本発明は、特定組成の記録層を用い、第二の誘電体層（上部保護層）と金属反射層（反射放熱層）の間に特定の材料からなる第三の誘電体層（第三保護層）を設けることを特徴とする。
図１は本発明の光記録媒体の層構成の一例を示す概念図である。
即ち、案内溝（図示せず）を有する基板１上に、第一の誘電体層（下部保護層）２、記録層３、第二の誘電体層（上部保護層）４、第三の誘電体層（第三保護層）５、金属反射層（反射放熱層）６を順に製膜し、好ましくは金属反射層６の上にＵＶ硬化樹脂からなる環境保護層７を積層した構成である。
本発明の光記録媒体は、記録層に、従来のＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５に近い組成の合金に代えて、ＳｂＴｅを必須元素とし、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｎ、Ｐ、Ｂｉ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｇｄ、Ｔｂなどの中から選ばれた少なくとも１種の元素を添加した材料を用いる。具体例としては、ＡｇＩｎＳｂＴｅ、ＡｇＩｎＳｂＴｅＧｅ、ＡｇＡｌＳｂＴｅ、ＡｕＧａＳｂＴｅ、ＺｎＧｅＩｎＳｂＴｅ、ＧｅＧａＳｂＴｅ、ＧｄＳｂＴｅなどが挙げられるが、特に好ましいのは、ＡｇＩｎＳｂＴｅやＡｇＩｎＳｂＴｅＧｅである。
【０００７】
これらの合金において、基本となるＳｂとＴｅの組成比は次の通りである。
Ｓｂ、６０〜８０原子％、望ましくは６５〜７８原子％
Ｔｅ、１８〜３０原子％、望ましくは２０〜２８原子％
また、添加元素は０．０１〜１０原子％の範囲で添加するのが良い。
Ｓｂが６０原子％未満であるか、Ｔｅが３０原子％を越えた場合には、記録スピードが遅くなってしまい、Ｓｂが８０原子％を越えるか、Ｔｅが１８原子％未満の場合には、記録マーク（アモルファス相）の保存安定性が悪化してしまう。
例えば、ＡｇＩｎＳｂＴｅＧｅの好ましい組成範囲は次の通りである。
Ａｇ、０．１〜７．０原子％、望ましくは０．３〜５．０原子％
Ｉｎ、      １〜１０原子％、望ましくは        ２〜７原子％
Ｇｅ、      １〜１０原子％、望ましくは        １〜７原子％
Ｓｂ、    ６０〜８０原子％、望ましくは    ６５〜７８原子％
Ｔｅ、    １８〜３０原子％、望ましくは    ２０〜２８原子％
【０００８】
誘電体層はＺｎＳ・ＳｉＯ２からなるものが望ましい。
第三の誘電体層（第三保護層）の形態としては、（ａ）Ｓｉ−Ｃ−Ｏ層、（ｂ）ＳｉＯ２層とＳｉＣ層をこの順又は逆順に積層した層、（ｃ）ＳｉＯ２層とＳｉ層をこの順又は逆順に積層した層、（ｄ）ＳｉＯ２層とＳｉ−Ｃ−Ｏ層をこの順又は逆順に積層した層が挙げられる。
また、記録層上の第二の誘電体層（上部保護層）を、ＺｎＳ・ＳｉＯ２、或いはＺｎＳ／ＺｎＳ・ＳｉＯ２の積層としてもよい。
金属反射層はＡｇ又はＡｌ−Ｔｉからなるものが望ましい。
【０００９】
基板１の材料としては、通常、ガラス、セラミックス又は樹脂が用いられるが、成形性の点で樹脂基板が好ましい。
その代表例としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられるが、加工性、光学特性などの点からポリカーボネート樹脂が好ましい。また、基板の形状はディスク状、カード状又はシート状であってもよい。
【００１０】
第一の誘電体層（下部保護層）、第二の誘電体層（上部保護層）、及び、第三の誘電体層（第三保護層）は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法等により形成できる。
膜厚は、その機能、即ち、耐熱層、多重干渉層としての機能によっても異なるが、第一の誘電体層は５０〜１１０ｎｍ、又は１７０〜２１５ｎｍがよい。５０ｎｍ未満では記録層を基板の影響から保護する機能に乏しく、２１５ｎｍを越えると界面剥離を生じ易くなる。
第二の誘電体層は１０〜３０ｎｍとするのがよい。１０ｎｍ未満では記録感度が悪くなり、３０ｎｍを越えると熱がこもり過ぎてしまう。
第三の誘電体層（第三保護層）は２〜１０ｎｍとするのがよい。
【００１１】
各層の好ましい製膜条件は、次の通りである。
0004070497.tif 000002
【００１２】
従来例の記録材料は、オーバーライト時の消去を確実に行うために、記録層を消去レベル以上のパワーで照射して常に予熱した状態にしておく必要がある。
これに対し、本発明の記録層は、消去特性に優れるため、記録マークの記録時において、レーザー光を照射した後、急冷することさえ考慮すればよい。
従って、ＣＡＶ記録又は記録媒体の記録半径位置を複数に区切ってＣＬＶ記録する場合にも、安定した記録マークが形成できる。
図２は、本発明の第１の主要な記録方法、即ち本発明の記録方法を説明する図である。
【００１３】
相変化型記録媒体においては、記録マークを形成する際、レーザー光の発光波形を複数のオンパルスとこれに続くオフパルスからなる記録パルス列で行う。
本発明の記録パルス列は、従来の例に対し、ＣＡＶ（角速度一定）記録のように例えば、内周から外周へ記録半径位置に対応して連続的に記録周波数ν（ν＝１／Ｔｗ；Ｔｗはウィンドウ幅）を変化させて記録する場合など、複数の記録スピードで記録する場合に好適である。
特に特徴的な点は、各パルスの幅の規定を線速度に関係なく規定される時定数（ＴｍＰ）とウィンドウ幅に比例する部分（ｄＴｍｐ）の組み合せで行ったことである。
このようにパルス条件を設定すると、例えばｄＴｍｐの部分の有無における実際のパルスデューティ比は図３に示したものになる。
ｄＴｍｐのない場合、時定数固定値を最高速において最良のデューティー比となるように決めた場合には低線速度側ではｄＴｍｐ有の条件より小さくなることが分る。この場合、記録マーク記録位置のばらつきの評価であるジッタ特性がパワー不足により悪化してしまうことが発明者らの実験により分った。
このように本発明のパルス光を設定することによって、単一速度ではなく、複数の記録速度に対応する記録方法が得られることになる。
【００１４】
【実施例】
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
【００１５】
実施例１
ポリカーボネート基板１上に、スパッタリング法によりＺｎＳ−ＳｉＯ２からなる下部保護層２、ＡｇＩｎＳｂＴｅ記録層３、ＺｎＳ−ＳｉＯ２からなる上部保護層４、Ｓｉ−Ｃ−Ｏ層からなる第三の誘電体層（第三保護層）５、Ａｇ−Ｔｉ反射層（反射放熱層）６を順に製膜し、更にその上に、スピンコート法によりＵＶ硬化樹脂からなる環境保護層７を積層して、光記録媒体を作成した。
各層の製膜条件は、Ａｒガス圧力（製膜室気圧）が何れも２×１０−３Ｔｏｒｒであり、投入電力は次の通りである。
ＺｎＳ・ＳｉＯ２下部保護膜：３ｋＷ
ＡｇＩｎＳｂＴｅ記録膜    ：１ｋＷ
ＺｎＳ・ＳｉＯ２上部保護膜：３ｋＷ
Ｓｉ−Ｃ−Ｏ第三保護膜    ：３ｋＷ
Ａｌ−Ｔｉ反射膜          ：９ｋＷ
上記ＡｇＩｎＳｂＴｅとしては下記の組成のものを使用した。組成比は原子％であり、全ての元素の和は１００原子％である。
Ａｇ０．５％、Ｉｎ７％、Ｓｂ６７％、Ｔｅ２５．５％
また、２％のＧｅを添加した下記の組成の記録材料でも同様な結果が得られ、この場合は保存安定性に優れることも分った。
Ａｇ０．５％、Ｉｎ５％、Ｇｅ２％、Ｓｂ６８％、Ｔｅ２５．５％
更に、ＡｇＡｌＳｂＴｅ、ＡｕＧａＳｂＴｅ、ＺｎＧｅＩｎＳｂＴｅ、ＧｅＧａＳｂＴｅ、ＧｄＳｂＴｅなどについても試験したところ、添加元素の組成を調整することによって、ＡｇＩｎＳｂＴｅ材料と同等の特性を示した。
同様に、本発明２の元素の添加は、高速記録を可能にすると同時に結晶化温度を上昇させ記録マークの保存安定性に寄与するものと考えられる。
以上説明したように、記録材料の組成比と層構成を調整することによって、本発明３のような３〜２０ｍ／ｓで記録可能でかつアモルファス相と結晶相の反射率差が３０％以上の光記録媒体が得られる。
【００１６】
特にＡｇＩｎＳｂＴｅ及びＡｇＩｎＳｂＴｅＧｅを用いた光記録媒体に対し、内周３．４９ｍ／ｓｅｃ、外周８．５ｍ／ｓｅｃの記録線速度でＣＡＶ記録を行った。オンパルスの幅を全て同じ時定数で固定する部分の時定数を８ｎｓｅｃ．、ウィンドウ幅Ｔｗに定数を乗算する部分の定数を１／６とし、図２に示すように連続に組み合わせる方法を用いた。
ここで、図中のｄＴｅｒａ部分は、Ｔｗに対し１／６の定数を乗算するような設定にした。図２では正側の定数を乗算したが、負側、例えば−１／６Ｔｗでも可能であった。また、定数に関しては、Ｔｗに対して、本実施例では分母に６を用いたが、「ｎ／整数」に設定すると回路上都合が良い。
上記の結果、単に時定数を固定して記録を行うと、低線速度側でのジッタ上昇や全体的なジッタ上昇が見られるのに対し、本実施例ではジッタが低く抑えられ、安定した記録が行われることが分かった。また、記録層の欠陥発生や反射層と第二保護層との間での部分剥離問題の発生を抑えることができた。
【００１７】
実施例２〜７
第三の誘電体層（第三保護層）を、ＳｉＯ２層とＳｉＣ層をこの順に積層した層（実施例２）、ＳｉＣ層とＳｉＯ２層をこの順に積層した層（実施例３）、ＳｉＯ２層とＳｉ層をこの順に積層した層（実施例４）、Ｓｉ層とＳｉＯ２層をこの順に積層した層（実施例５）、ＳｉＯ２層とＳｉ−Ｃ−Ｏ層をこの順に積層した層（実施例６）、Ｓｉ−Ｃ−Ｏ層とＳｉＯ２層をこの順に積層した層（実施例７）に代えた点以外は、実施例１と同様にして光記録媒体を作成した。
【００１９】
実施例８
第二の誘電体層（上部保護層）をＺｎＳ／ＺｎＳ・ＳｉＯ２の積層に代えた点以外は、実施例１と同様にして光記録媒体を作成した。
【００２０】
実施例９
実施例１〜８で作成した光記録媒体に対し、オンパルスの幅を全て同じ時定数で固定する部分とウィンドウ幅Ｔｗに対して定数を乗算する部分とを連続的に組み合わせた部分について、オンパルスの幅を固定する部分の時定数を１１．５ｎｓｅｃ．、Ｔｗに定数を乗算する部分の定数を１／６とした記録方法で、最内周のＴｗに対し１／１．７倍に相当する半径位置（半径の約半分の位置）の部分まで記録を行った。この部分での記録線速度は約６ｍ／ｓｅｃであった。
更に、上記半径位置よりも外周側では、複数のオンパルスの幅をＴｗに対してデューティが０．６となるように調整して記録を行った。
その結果、実施例１〜８の何れの光記録媒体についても、ジッタ特性、記録層の欠陥発生、反射層と第二保護層との間での部分剥離問題の発生を抑えることができた。
光記録媒体の記録方法を実現するためのレーザ光駆動回路は、ＬＳＩなどにより前記の時定数に対応した信号を発生する部分、この信号をＬＤ駆動用の大電流パルスとする部分、及びこれらの伝送回路部分で構成され、ＬＤはこの駆動電流によってパルス状の記録光を出射する。
前記の時定数は、予め光ディスクに蛇行溝やピットなどの手段を用いて記録される。
そして、例えばこの情報はピックアップで読み取られ、ＬＳＩで予めメモリされている情報との比較を行い、該当する光ディスクの記録光のパルス条件を設定し、ＬＤ駆動の大電流パルスに変換する。
【００２１】
実施例１０
実施例１で作成した光記録媒体に対し、複数のオンパルスの幅をウィンドウ幅Ｔｗに対してデューティが０．５となるように調整し、最内周のＴｗに対し１／１．７倍に相当する半径位置（半径の約半分の位置）の部分まで記録を行った。この部分での記録線速度は約６ｍ／ｓｅｃであった。
更に、上記半径位置よりも外周側では、オンパルスの幅を全て同じ時定数で固定する部分とＴｗに対して定数を乗算する部分とを連続的に組み合わせた部分について、オンパルスの幅を固定する部分の時定数を８ｎｓｅｃ．、Ｔｗに定数を乗算する部分の定数を１／６とした記録方法で記録を行った。
その結果、ジッタ特性は実施例５の場合とほぼ同じであった。
【００２２】
【発明の効果】
本発明１〜３によれば、ＳｂＴｅを主成分とする記録層を用いているために、消去特性に優れ、記録マークの記録時にレーザー光を照射した後、急冷することさえ考慮すればよく、また、記録層の欠陥発生、及び反射層と第二保護層との間での部分剥離問題の発生を抑えることができ、ＣＡＶ記録或いは記録媒体の記録半径位置を複数に区切ってＣＬＶ記録する場合にも、安定した記録マークを形成できる。
本発明４によれば、内周側でのパルス幅デューティ比を大きくできるので、ＣＡＶ記録又は記録媒体の記録半径位置を複数に区切ってＣＬＶ記録する場合にも、安定した記録マークを形成できる。また、記録層の欠陥発生、及び反射層と第二保護層との間での部分剥離問題の発生を抑えることができる。
本発明５によれば、オンパルスの幅を全て同じ時定数で固定する部分とＴｗに対して定数を乗算する部分とを連続的に組み合わせたパルス幅は、図３中のｄＴｍｐありの直線に示す幅になるため、低線速度側（内周側）においてパルス幅が小さくなり過ぎ記録パワーが不足することによってジッタ特性が悪化するｄＴｍｐなしの場合に比較して、内周側でのパルス幅を大きくできるので、ＣＡＶ記録或いは記録媒体の記録半径位置を複数に区切ってＣＬＶ記録する場合にも、安定した記録マークが形成できる。また、記録層の欠陥発生、及び反射層と第二保護層との間での部分剥離問題の発生を抑えることができる。
本発明６によれば、ＣＡＶ記録又は記録媒体の記録半径位置を複数に区切ってＣＬＶ記録する場合でも、安定した記録マークが形成できる記録装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光記録媒体の層構成の一例を示す概念図。
【図２】本発明の記録方法の説明図。
【図３】ｄＴｍｐの部分の有無における実際のパルスデューティ比を示す図。
【符号の説明】
１  基板
２  第一の誘電体層（下部保護層）
３  記録層
４  第二の誘電体層（上部保護層）
５  第三の誘電体層（第三保護層）
６  金属反射層（反射放熱層）
７  環境保護層
Ｔ  基準となるクロック時間
Ｔｗ  ウィンドウ幅
Ｔｍｐ  マルチパルスの時定数固定部分
ｄＴｍｐ  マルチパルスのウィンドウ幅比例部分
ｄＴｅｒａ  オフパルスの立ち上がり時定数の規定値
【図１】
0004070497.tif 000003
【図２】
0004070497.tif 000004
【図３】
0004070497.tif 000005