(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
１対の物体間の相対位置の変化に基づいて変化する静電容量を出力するセンサにおいて、
前記物体の一方に固定されるように構成され、第１のプレートを含む、第１のプレート・アセンブリと、
前記物体のもう一方に固定されるように構成され、第２のプレートを含む第２のプレート・アセンブリ及び第３のプレートを含む第３のプレート・アセンブリと、
を備え、
前記プレート・アセンブリが、前記物体がある軸に沿った有効範囲にわたって互いに並進すると、前記第１のプレートと前記第２のプレート間、及び、前記第１のプレートと前記第３のプレート間の全重なり部分が、繰り返し増減するように構成されており、これによって、第１のプレート・アセンブリが、前記第２及び第３のプレート・アセンブリのそれぞれと共に、前記物体の相対位置に応じて静電容量の変動する可変コンデンサを形成する、
ことを特徴とするセンサ。
【請求項２】
前記可変コンデンサが、前記プレート・アセンブリの少なくとも１つに加えられる入力に応答して、前記第１のプレートと前記第２のプレート間、及び、前記第１のプレートと前記第３のプレート間の静電容量に基づく出力を生じるように構成された、静電容量測定回路の一部を形成していることを特徴とする請求項１に記載のセンサ。
【請求項３】
前記静電容量測定回路が、出力が、前記第１のプレートと前記第２のプレートの間、及び、前記第１のプレートと前記第３のプレートの間に生じる垂直方向の間隔変動にほとんど左右されないように構成されていることを特徴とする請求項２に記載のセンサ。
【請求項４】
静電容量測定回路が、出力を生じるため、前記第２のプレート・アセンブリに時変入力信号を加え、前記第３のプレート・アセンブリに時変入力信号の反転信号を加えるように構成されていることを特徴とする請求項２に記載のセンサ。
【請求項５】
静電容量型の位置検知を行う可動システムにおいて、
一対の物体と、
前記物体の一方に固定されるように構成され、第１のプレートを含む、第１のプレート・アセンブリと、
前記物体のもう一方に固定されるように構成され、第２のプレートを含む第２のプレート・アセンブリ及び第３のプレートを含む第３のプレート・アセンブリが含まれており、
前記プレート・アセンブリが、前記物体がある軸に沿った有効範囲にわたって互いに並進すると、前記第１のプレートと前記第２のプレート間、及び、前記第１のプレートと前記第３のプレート間の全重なり部分が、繰り返し増減するように構成されており、これによって、第１のプレート・アセンブリが、前記第２及び第３のプレート・アセンブリのそれぞれと共に、前記物体の相対位置に応じて静電容量の変動する可変コンデンサを形成するようになっていることを特徴とする可動システム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、１対の可動物体の相対位置に応じて変動する出力静電容量を生じるように構成された、静電容量型の位置センサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
静電容量を利用した、２つの物体間の相対位置の測定は、広く知られている。位置を検知する方法の１つには、互いに移動する物体に２つの導電性プレートを固定することが必要とされる。プレートは、一般に、互いに重なり合って、平行をなし、ギャップによって間隔が設けられるように、物体に固定される。２つのプレートは、介在する誘電体（例えば、空気）と共に、プレートが互いに重なり合う程度に応じて決まる静電容量を発生する。物体が移動すると、重なり合う量が変化し、その結果、静電容量に対応する変化が生じることになる。この静電容量の変化から、物体間の相対変位量が求められる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
上記アプローチに関する問題の１つは、さまざまな要因が、ある特定の静電容量変化に影響を及ぼす可能性があるという点である。ｘ−ｙ平面に対して平行な１対の導電性プレートを備えた、ｘ−ｙ−ｚ直線座標系を仮定すると、静電容量の変動は、座標軸の３つ全てに沿ったプレート間に発生する相対並進から生じることになる。しかし、上述の単純なシステムを含む多くの位置検知システムは、ある軸に沿って発生する移動から生じる静電容量の変化と、別の軸に沿って発生する移動による静電容量の変化を見分けることができない。
【０００４】
上述の問題は、極小のコンピュータ記憶装置のような、あるタイプのマイクロ電気機械式システム（ＭＥＭＳ）においてとりわけ問題になる。こうした記憶装置には、関連読み取り／書き込み装置に対してｘ−ｙ平面内で移動するように設計された記憶媒体を含むものもある。媒体に正確にアクセスし、データを書き込むためには、記憶媒体と読み取り／書き込み装置の正確な相対位置を知らなければならない。これらの装置に用いられる静電駆動機構及び他の作動機構は、一般に、ｘ−ｙ移動を生じさせるのに有効であるが、付随してｚ軸移動を生じさせる場合もある。上述の従来式の静電容量型の位置検知システムは、上述の理由から、こうした付随するｚ軸移動の場合に、エラーを含む位置読み取りを生じる可能性がある。この結果、とりわけ、間違ったデータが読み取られたり、あるいは、既存のデータの偶発的な上書きが行われたりする可能性がある。
【０００５】
既存の静電容量型の位置センサに関するもう１つの問題は、制限された感度である。とりわけ、マイクロ記憶装置及び他のＭＥＭＳシステムの場合、用いられる位置センサによって、所定の位置変化の関数として大幅に変動する出力が得られるのが望ましい。記憶装置によっては、何分の１ナノメートルかの単位で位置を測定しなければならない場合もある。多くの既存のセンサは、簡単に言えば、そうした精密な分解能で位置を測定するのに適した出力を生じるのに十分な感度を備えていない。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、ある軸に沿った相対移動のある有効範囲にわたって、互いに移動可能な１対の物体を備える可動システムに関連して用いられる位置センサが得られる。位置センサは、静電容量型であり、軸に対して平行をなすように、物体の一方に固定された第１のプレートを含んでいる。位置センサには、隣接して、同一平面上に位置するように、また、物体が、軸に沿って互いに移動する際、第１のプレートから間隔をあけ、それに対し平行をなすように、物体のもう一方に固定された１対の第２のプレートも含まれている。第１のプレート及び第２のプレートは、物体が軸に沿った有効範囲内で互いに移動すると、静電容量が変動する、２つの間隔をあけた平板コンデンサを形成するように構成されている。位置センサは、静電容量を利用して、軸に沿った物体の相対位置の測定に利用可能な出力を発生するように構成されている。
【０００７】
【発明の実施の形態】
本発明は、静電容量型の位置センサを対象にしたものである。本明細書に解説の位置センサの実施態様は、さまざまな設定に利用可能であるが、極小のコンピュータ記憶装置及び他のＭＥＭＳシステムに利用する場合にとりわけ有利であることが立証されている。ただ例証だけを目的として、後述の位置センサは、主として高密度ＭＥＭＳコンピュータ記憶装置に関連して論じられることになる。
【０００８】
図１及び２には、それぞれ、本発明による位置センサを利用することが可能な記憶装置１００の側断面図及び水平断面図が示されている。記憶装置１００には、１０２及び１０４のようないくつかの電界エミッタ、１０８のようないくつかの記憶領域を備えた記憶媒体１０６、及び、電界エミッタに対する記憶媒体１０６の走査（移動）、または、その逆を実施させるマイクロアクチュエータ１１０が含まれている。記憶装置１００は、各記憶領域が１ビットまたは多ビットの情報の記憶を担当するように構成される。
【０００９】
電界エミッタは、極めて鋭いポイントを備えたポイント・エミッタとして構成される。例えば、各電界エミッタは、約１ナノメートルから数百ナノメートルの曲率半径を備える。動作中、エミッタ１０２とエミッタ１０２を包囲する円形ゲート１０３のような、電界エミッタとその対応するゲートの間に、あらかじめ選択された電位差が印加される。エミッタの鋭いポイントのため、電子ビーム電流がエミッタから引き出され、高い精度で、記憶領域に向けて送られる。エミッタと記憶媒体１０６間の距離、エミッタのタイプ、及び、必要なスポット・サイズ（ビット・サイズ）に応じて、電子光学装置は、電子ビームの集束が要求される場合がある。電界放出される電子の加速または減速のため、あるいは、電界放出される電子の集束を補助するため、記憶媒体１０６に電圧を印加してもよい。
【００１０】
ケーシング１２０は、一般に、少なくとも１０−５トルといった部分真空状態に記憶媒体１０６を維持するのに適している。研究者は、半導体処理技法を利用して、真空空洞内でマイクロ加工された電界エミッタを製作した。例えば、１９９２年のＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ  ｏｎ  Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ，Ｈｙｂｒｉｄ  ａｎｄ  Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，１５，１０５１ページに発表された、Ｊｏｎｅｓによる「Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ  ａｎｄ  Ｄｉｏｄｅｓ」を参照されたい。
【００１１】
各電界エミッタは、記憶媒体１０６に設けられた１つ以上の記憶領域に対応する。各電界エミッタがいくつかの記憶領域を担当する場合、記憶装置１００は、一般に、ケーシング１２０（従って、電界エミッタ）と記憶媒体１０６の間における走査または別様の相対移動を実施するのに適している。例えば、マイクロアクチュエータ１１０は、一般に、媒体１０６のさまざまな位置への走査に適応するので、各電界エミッタは、さまざまな記憶領域上に位置決めされることになる。こうした構成によれば、マイクロアクチュエータ１１０を利用して、記憶媒体に対する電界エミッタ・アレイ（一般には２次元）の走査を実施することが可能になる。記憶媒体１０６は、ケーシング１２０に対して移動するので、「ムーバ」と呼ばれる場合もある。これに対し、ケーシング１２０及びケーシングに対して固定された他の各種コンポーネント（例えば、電界エミッタ）は、「ステータ」と呼ばれる場合もある。
【００１２】
電界エミッタは、一般に、それが生じる電子ビームによって、記憶領域に情報の読み取り及び書き込みを行うように構成されている。従って、記憶媒体１００に用いるのに適した電界エミッタは、記憶媒体１０６に所望のビット密度を実現するのに十分なほど細い電子ビ−ムを発生しなければならない。さらに、電界エミッタは、所望の読み取り／書き込み操作の実施に十分なパワー密度の電子ビームを発生しなければならない。こうした電界エミッタの製作には、さまざまな方法を利用することが可能である。例えば、１９７６年１２月のＪｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｖｏｌ．４７，Ｎｏ．１２に発表されたＳｐｉｎｄｔによる「Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ  ｏｆ  Ｔｈｉｎ−Ｆｉｌｍ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｃａｔｈｏｄｅｓ  ＷｉｔｈＭｏｌｙｂｄｅｎｕｍ  Ｃｏｎｅｓ」には、１つの方法が開示されている。１９９１年のＴｅｃｈ．Ｄｉｇｅｓｔ  ４ｔｈ  Ｉｎｔ．Ｖａｃｃｕｍ  Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ  Ｃｏｎｆ．，Ｎａｇａｈａｍａ，Ｊａｐａｎ，２６ページに発表されたＢｅｔｓｕｉによる「Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ  ａｎｄ  Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ  ｏｆ  Ｓｉ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｔｔｅｒ  Ａｒｒａｙｓ」には、もう１つの方法が開示されている。こうしたエミッタは、フラット・パネル・ディスプレイのようなさまざまな用途において用いられ、成功を収めている。
【００１３】
電界エミッタは、エミッタ・ピッチがｘ方向とｙ方向の両方において５０マイクロメートルの、２次元アレイ（例えば、１００×１００エミッタ）として設けることが可能である。各エミッタは、数万〜数億の記憶領域におけるビットにアクセスすることが可能である。例えば、エミッタは、２次元アレイをなす記憶領域を備えた記憶媒体に対する走査（すなわち、移動）が可能であり、この場合、隣接記憶領域間の周期性は、何分の１ナノメートルから１００ナノメートル以上までの間の値のいずれかであり、マイクロアクチュエータの有効範囲は、ｘ方向及びｙ方向の両方において５０ミクロンである。また、電界エミッタは、同時にまたは多重式にアドレス指定することが可能である。並列アドレス指定方式によれば、アクセス時間とデータ転送速度に関して、記憶装置１００の性能を大幅に向上させることが可能になる。
【００１４】
図３は、記憶領域の２次元アレイ及び電界エミッタの２次元アレイを表した、典型的な記憶媒体１０６の平面図である。記憶領域のアドレス指定には、外部回路要素（不図示）が利用される。図示のように、記憶媒体は、各行毎に、記憶領域１０８のようないくつかの記憶領域が含まれている、行１４０のような行をなすように分割するのが望ましい場合が多い。一般に、各エミッタは、いくつかの行を担当するが、それらの行の全長にわたって担当するわけではない。例えば、図示のように、エミッタ１０２は、行１４０〜１４２内で、列１４４〜１４６内の記憶領域を担当する。
【００１５】
上記では、本発明による位置センサを用いることが可能な典型的な記憶装置が解説されている。その開示が、参考までに本明細書において援用されている、Ｇｉｂｓｏｎ他に対する米国特許第５，５５７，５９６号には、このタイプの記憶装置の他の態様が開示されている。
【００１６】
所望の記憶領域に対する読み取り及び書き込み操作を正確に実施するためには、マイクロアクチュエータ１１０の動作に関連して正確な位置検知及び制御を用いるのが望ましい場合が多い。従って、記憶装置１００には、本発明による静電容量型の位置センサを設けることが可能である。図１には、こうした位置センサの１つが全体として１６０で表示されている。センサ１６０は、ムーバ１０６とステータ１２０の相対位置に応じて変動する１つ以上の静電容量値を出力する。
【００１７】
図４〜１６に関連して、位置センサのさまざまな実施例及び態様について解説することにする。図１及び２と同様、これらの図のいくつかは、ｘ−ｙ−ｚ直線座標系内に描かれた対象の配向を示す添付のキャプションを備えている。キャプションは、わかりやすくすることだけを目的として含まれており、本発明の範囲を制限することを意図したものではない。例えば、記憶媒体１０６は、主として、図１及び２に示すｘ−ｙ平面内を移動する。従って、解説される位置センサは、記憶装置１００に用いられる場合、一般に、ｘ−ｙ平面内における記憶媒体の位置を検知するように設計されている。しかし、位置センサが、図１及び２に示す任意に定められたｘ−ｙ平面以外の平面を含む、多くの異なる所望の方向における移動の検知に利用可能であることは明白である。
【００１８】
図４〜８には、本発明による位置センサ１６２のさまざまな態様が描かれている。図４〜７に示すように、センサ１６２には、Ｍ１プレート１６６及び１６８を備えたＭ１プレート・アセンブリ１６４、Ｍ２プレート１７２及び１７４を備えたＭ２プレート・アセンブリ１７０、及び、Ｓ１プレート１７８及び１８０を備えたＳ１プレート・アセンブリ１７６を含む、それぞれ、１つ以上のプレートを備えた、いくつかのプレート・アセンブリを含むことが可能である。
【００１９】
Ｍ１及びＭ２プレート・アセンブリは、記憶媒体１０６（図１及び２）にしっかりと固定することが可能であり、描かれた例において、記憶媒体１０６及びＭ１及びＭ２プレートがケーシング１２０に対して移動可能であるため、文字「Ｍ」で表示されている。一般に、図４に示すように、Ｍ１プレートは、全て、電気的に相互接続されており、Ｍ２プレートは、全て、電気的に相互接続されている。隣接するＭ１プレートとＭ２プレートの間には、絶縁ギャップ１８２が設けられていて、Ｍ１プレート・アセンブリとＭ２プレート・アセンブリは、互いに絶縁されている。
【００２０】
Ｓ１プレート・アセンブリ１７６及びそのプレートは、一般に、ケーシング１２０に対して固定されているので、文字「Ｓ」で表示されている。図示のように、Ｓ１プレート１７８及び１８０は、一般に、電気的に相互接続されている。描かれているプレートの電気的相互接続及び特性については、さらに詳細に後述する。
【００２１】
図５〜７において最もよく分かるように、Ｍ１プレート１６６及び１６８は、記憶媒体１０６（すなわち、ムーバ）の下側に固定することが可能である。すなわち、図５〜７に示すように、Ｍ１プレートは、記憶媒体のエッジに向かって設けられた１つ以上の結合ブロックに対して固定することが可能である。描かれた記憶装置の場合、２組の結合ブロックが存在する。ｘ軸結合ブロック１０６ａ及び１０６ｂは、記憶媒体１０６の上側及び下側に沿ってｘ方向に延び、ｙ軸結合ブロック１０６ｃ及び１０６ｄは、記憶媒体の左側及び右側に沿ってｙ方向に延びている。ｘ軸結合ブロック１０６ａ及び１０６ｂは、ｘ軸に沿って移動する際、記憶媒体と共に移動するが、ｙ軸に沿って移動する際には、記憶媒体と共に移動することはない。換言すれば、結合ブロック１０６ａ及び１０６ｂは、ｘ軸移動のためには、記憶媒体１０６に対して固定されるが、ｙ軸移動のためには、記憶媒体１０６から独立している。ｙ軸結合ブロック１０６ｃ及び１０６ｄは、同様であるが、逆に働く：すなわち、ｙ軸移動のためには記憶媒体に対して固定されるが、ｘ軸移動のためには、記憶媒体から独立している。２００１年５月３１日に提出されたＰｅｔｅｒ  Ｇ．Ｈａｒｔｗｅｌｌ及びＤｏｎａｌｄ  Ｊ．Ｆａｓｅｎの「Ｆｌｅｘｔｕｒｅ  Ｃｏｕｐｌｉｎｇ  Ｂｌｏｃｋ  ｆｏｒ  Ｍｏｔｉｏｎ  Ｓｅｎｓｏｒ」と題する米国特許第０９／８６７，６６７号、及び、２００１年５月３１日に提出されたＰｅｔｅｒ  Ｇ．Ｈａｒｔｗｅｌｌ及びＤｏｎａｌｄ  Ｊ．Ｆａｓｅｎの「Ｔｈｒｅｅ−Ａｘｉｓ  Ｍｏｔｉｏｎ  Ｓｅｎｓｏｒ」と題する米国特許第０９／８６７，６６６号には、こうした結合ブロックの利用についての記載がある。従って、本明細書では、結合ブロックに関するこれ以上の説明を控えることにする。
【００２２】
当業者には明らかなように、位置センサ１６２のＭ１及びＭ２プレート・アセンブリは、記憶媒体１０６の本体に、結合ブロックを介して有効に固定する代わりに、直接固定することが可能である。Ｓ１プレートは、一般に、Ｍ１及びＭ２プレートに向かい合うように、ケーシング１２０（すなわち、ステータ）にしっかり固定されるか、または、その内部に取り付けられる。
【００２３】
図５〜７において最もよく分かるように、Ｍ１、Ｍ２、及び、Ｓ１プレートは、一般に、ムーバ１０６及びステータ１２０に対してかなり薄い平面構造である。プレートは、半導体製作技法または他の適合する製造方法を利用してムーバ及びステータ上に被着させるか、または、別様に固定することが可能である。図示のように、Ｍ１及びＭ２プレート・アセンブリは、一般に、互いに隣接して、同一平面上に位置し、絶縁ギャップ１８２によって離隔されるように、記憶媒体１０６に固定される。Ｍ２プレートと同一平面上に位置するだけではなく、各Ｍ１プレートは、一般に、他のＭ１プレートの全てとも同一平面上に位置している。例えば、図４の場合、４つのＭ１及びＭ２プレートは、全て、同一平面上にあるので、全体として、断続的なギャップ（例えば、絶縁ギャップ１８２）を備える平面の広がりを形成している。図５〜７から明らかなように、この広がりは、下方のＳ１プレート及びステータ１２０に面している。一般に、Ｓ１プレートも、全て、互いに同一平面上にある。
【００２４】
ムーバ１０６及びステータ１２０は、通常、並進移動だけしかしないように（非回転の意味）、互いに移動可能である。従って、Ｓ１プレート１７８および１８０は、ムーバ１０６が、ステータ１２０に対して移動する際、Ｍ１プレート１６６及び１６８に対し、及び、Ｍ２プレート１７２及び１７４に対して平行のままである。ムーバとステータの間にｚ軸移動が生じる場合、Ｓ１プレートと、Ｍ１及びＭ２プレートを含む平面との間の垂直ギャップは、変動するが、Ｓ１プレートは、一般に、Ｍ１及びＭ２プレートに対して平行のままである。
【００２５】
図５〜７には、ムーバ１０６とステータ１２０の間に生じる可能性のある相対ｘ軸移動が描かれている。図５にはそのｘ軸移動の有効範囲の一方の極端にあるムーバ１０６が描かれており；図７にはもう一方の極端にあるムーバが描かれており；図６には、中間位置にあるムーバが描かれている。これらの図において明らかなように、Ｓ１プレート１７８とＭ１プレート１６６の間、及び、Ｓ１プレート１７８とＭ２プレート１７２の間に生じる重なり部分は、ムーバがｘ軸移動のその有効範囲の両極端間を移動するにつれて変動する。「重なり部分」はある特定の対をなす向かい合ったプレートが重なり合う領域を表している。例えば、図４には、図６に示す中間位置と同様に、Ｓ１プレートに対する中間位置（すなわち、その有効移動範囲の両端間のどこか）にある、全て、ムーバ１０６に対して固定された、Ｍ１及びＭ２プレートが描かれている。この時点において、Ｍ１プレート１６６は、Ｗ（Ｍ１プレートのｙ軸幅）のｘｐｏ（ｘ軸の重なり量）倍だけＳ１プレート１７８と重なり合っている。図４〜７から明らかなように、重なり部分は、プレート間に生じる相対ｘ軸変位の関数として変動し、この相対ｘ軸変位は、さらに、ムーバ１０６とステータ１２０の間で生じる相対ｘ軸移動の結果として生じる。
【００２６】
Ｓ１プレートとＭ１及びＭ２プレートとのスペースは、空気のような誘電体によって占められており、従って、当業者には明らかなように、それぞれのプレート間には静電容量が生じることになる。これらの静電容量は、ムーバ１０６がステータ１２０に対して移動するにつれて変動する。
【００２７】
図８には、静電容量測定回路１９０に含まれている、図４〜７に示すそれぞれのプレートによって形成される静電容量が描かれている。回路１９０には、Ｍ１プレート・アセンブリ（Ｍ１プレート１６６及び１６８）とＳ１プレート・アセンブリ（Ｓ１プレート１７８及び１８０）によって形成された第１の可変コンデンサ１９２が含まれている。コンデンサ１９２の回路記号において矢印で表示のように、可変コンデンサ１９２の静電容量は、ムーバ１０６が、図５に示す位置から図７に示す位置に、ステータ１２０に対して正のｘ方向に移動するにつれて増大する。この静電容量の増大は、Ｍ１プレートとＳ１プレートの重なり部分の増大に起因するものである。回路１９０には、Ｍ２プレート・アセンブリ（Ｍ２プレート１７２及び１７４）とＳ１プレート・アセンブリ（Ｓ１プレート１７８及び１８０）によって形成される第２の可変コンデンサ１９４も含まれている。下方に向いた矢印は、可変コンデンサ１９４の静電容量が、ムーバ１０６が、図５に示す位置から図７に示す位置に、ｘ軸の移動有効範囲にわたって、ステータ１２０に対して正のｘ方向に移動するにつれて減少することを表している。この静電容量の減少は、ムーバが前述の移動範囲を移動するにつれて、Ｍ２プレートとＳ１プレートの重なり部分が減少するためである。
【００２８】
図４及び８において明らかなように、静電容量測定回路には、プレートに時変信号を加えるための１つまたは複数の信号源を含むことも可能である。これらの入力信号は、プレート間に存在する静電容量に基づく測定可能な出力信号を生じさせるために加えられる。描かれた実施態様の場合、正弦搬送波２００が、Ｍ１プレート・アセンブリ（Ｍ１プレート１６６及び１６８）に加えられる。反転搬送波２０２が、Ｍ２プレート・アセンブリ１７０（Ｍ２プレート１７２及び１７４）に加えられる。正弦波入力を用いる場合、反転信号は、一般に、第１の信号の位相を１８０度シフトすることによって得られる。これらの時変信号を加えると、回路ノード２０４に出力が生じ、これを測定して、可変コンデンサ１９２及び１９４の静電容量を求めることが可能である。図８において明らかなように、この出力の測定方法の１つは、抵抗Ｒ１の電圧サンプリング抵抗器２０６によるものである。
【００２９】
図４〜８に関連して解説の構成の重要な利点は、出力が、ムーバとステータの間に生じるｘ軸変位の関数としてのみ、かなりの程度に変動し、ｙ軸及びｚ軸の相対変位には比較的反応を示さない。この直線成分の分離は、正確な位置検知に役立つ。当業者には明らかなように、１対の間隔をあけた平行なｘ−ｙプレート間に生じる静電容量は、重なり合う領域（ｘ軸及びｙ軸の相対移動に応じて変動する）、及び、プレート間の垂直距離（ｚ軸の相対移動に応じて変動する）の関数である。すなわち、静電容量Ｃ＝（Ａ＊Ｅｏ）／Ｇであり、ここで、Ａは、重なり領域であり、Ｅｏは、自由空間の誘電率に対応する定数であり、Ｇは、２つのプレート間の垂直（ｚ軸）間隔である。個々の直線成分を分離することができなければ、位置検知システムは、ある特定の静電容量の変化を生じる位置変化の性質に関する正確な情報を提供することができない。例えば、ｚ軸変位の結果生じる静電容量の変化は、ｘ軸変位による結果と誤って解釈される可能性がある。
【００３０】
ｙ軸移動の結果生じる静電容量の変化は、プレート間の重なり部分が、予測範囲のｙ軸移動によって変動しないようにプレートを構成することによって排除することが可能である。図４から明らかなように、Ｓ１プレート１７８及び１８０のそれぞれが、ｙ方向においてＭ１及びＭ２プレートよりも広い。このオーバする量は、Ｓ１プレート・アセンブリとＭ１及びＭ２プレート・アセンブリのそれぞれとの間の重なり部分が、ムーバとステータ間に生じるｙ軸移動の予測範囲にわたって変化しないように選択することが可能である。さらに、上述のように、前出の結合ブロックの開示では、ｘ軸結合ブロック１０６ａ及び１０６ｂは、一般に、ムーバ１００のｙ軸移動に追随しないように設計されている。
【００３１】
相対ｚ軸移動の効果は、部分的には、可変コンデンサ１９２及び１９４に駆動信号２００及び２０２を加えることによって抑圧されるか、排除される。当業者には明らかなように、Ｍ１プレート１６６、Ｍ２プレート１７２、及び、Ｓ１プレート１７８に関して、図８に示す静電容量測定回路によって、下記の伝達関数が得られる：
【００３２】
【数１】
0004143420.tif 000002
ここで、Ｖｏは、電圧サンプリング抵抗器２０６の両端で得られた出力であり、Ｖｃは、非反転入力信号であり、Ｃｘｐは、可変コンデンサ１９２の静電容量であり、Ｃｘｎは、可変コンデンサ１９４の静電容量であり、Ｐ＝１／（Ｒ１＊（Ｃｘｎ＋Ｃｘｐ））。
【００３３】
Ｃｘｐ＝Ａｐ＊Ｅｏ／Ｇｐ及びＣｘｎ＝Ａｎ＊Ｅｏ／Ｇｎである点に留意されたい。ここで、Ａｐは、Ｍ１プレート１６６とＳ１プレート１７８の間に生じる重なり領域であり、Ｇｐは、Ｍ１プレート１６６とＳ１プレート１７８の間のｚ軸間隔であり、Ａｎは、Ｍ２プレート１７２とＳ１プレート１７８の間に生じる重なり部分であり、Ｇｎは、Ｍ２プレート１７２とＳ１プレート１７８の間のｚ軸間隔である。さらに、Ａｐ（ｘ）＝Ｗ＊（ｘｐｏ＋ｘ）及びＡｎ（ｘ）＝Ｗ＊（ｘｎｏ＋ｘ）であるが、ここで、ｘは、Ｓ１プレート１７８に対するＭ１プレート１６６及びＭ２プレート１７２のｘ軸変位であり、Ｗは、Ｍ１プレート１６６及びＭ２プレート１７２のｙ軸に沿って測られた幅であり、ｘｐｏは、ｘ＝０の場合に（図４に示す位置を初期位置と仮定すると）、Ｍ１プレート１６６とＳ１プレート１７８の間に生じるｘ軸の初期重なり量であり、ｘｎｏは、ｘ＝０の場合に、Ｍ２プレート１７２とＳ１プレート１７８の間に生じるｘ軸の初期重なり量である。Ｍ１及びＭ２プレートが完全に同一平面上にあるものと仮定すると、両方とも、Ｓ１プレートから等間隔に位置するので、Ｇｐ＝Ｇｎ＝Ｇということになる。これらの値を上記伝達関数に代入すると、次のようになる：
【００３４】
【数２】
0004143420.tif 000003
この結果から明らかなように、１／Ｇ項は、利得項の分子及び分母から消去される。この消去後、残りの利得項は、プレート間の垂直間隔と完全に無関係になる。この結果、相対ｚ移動が結果生じる出力に対してかなり影響を及ぼす要因であるとして抑圧されるので、出力は、可動物体間に生じるｚ軸移動とほぼ無関係になる。こうしてｙ軸及びｚ軸の相対移動に起因する影響を排除すると、図示のシステムによって、相対ｘ軸移動が分離され、ほぼｘ軸成分だけに基づく出力が得るようになる。
【００３５】
上記導出は、３つのプレート（すなわち、Ｍ１プレート１６６、Ｍ２プレート１７２、及び、Ｓ１プレート１７８）についてのみ実施されたが、上記結果、とりわけ、ｚ軸の影響の排除は、図４に示す実施態様及び後述する他のさまざまな実施態様のような、より多くのプレートを必要とする拡張システムにも等しく有効に適用される。
【００３６】
記憶装置１００のような装置に関しては、２つ以上の軸に沿った移動検知を可能にするのが望ましい場合が多い。例えば、記憶装置１００で正確な読み取り／及び書き込み操作を実施するためには、ｘ−ｙ平面内におけるケーシング１２０に対する記憶媒体１０６の位置を検知する必要がある。しかし、上述のように、図４〜８のセンサは、１方向における、すなわち、ｘ軸に沿った位置変化だけを検知するように構成されている。２次元検知を実現するには、一般に、既述のものと同様のプレート・アセンブリをｙ軸結合ブロック１０６ｃ及び１０６ｄの一方または両方に（または、記憶媒体１０６に直接）、及び、ステータの１２０の対応する位置に固定することによって、図４〜８で論じたものと同様の追加構造をｙ軸移動に利用することが可能である。この２次元構成によれば、ｘ軸センサによって、ｘ軸検知を行い、同時に、ｙ軸及びｚ軸の影響を抑圧することが可能になり、ｙ軸センサによって、ｙ軸検知を行い、同時に、ｘ軸及びｚ軸の影響を抑圧することが可能になる。この結果、ｘ−ｙ平面内における正確な検知が可能になり、同時に、相対ｚ軸変位のために多くの既存のセンサに生じることになる検知エラーが回避される。本明細書に記載の他の実施態様には、同様に、２つ以上の直線軸に沿った位置検知を可能にするように構成することが可能なものもある。
【００３７】
直線移動成分を分離するだけではなく、本発明の位置センサは、高感度で、高分解能の位置検知を行えるように構成することが可能である。実際、感度の向上は、図４に示す実施態様の利点の１つである。２つのＭ１プレート及び２つのＳ１プレートが利用されるので、ある特定のｘ変位量に関してＭ１プレートとＳ１プレートの間に生じる重なり部分は、同じサイズの１対の重なり合うプレートに生じるものより大きくなる。従って、同じ量のｘ変位に関して、より大きい容量変化が生じることになる。この結果、ｘ軸の位置変化をより高い分解能で監視することが可能になるので、位置検知感度が高くなる。高分解能の位置検知は、上述の記憶装置のようなＭＥＭＳ用途においてとりわけ重要である。このタイプの記憶装置の場合、適正な記憶場所に対するデータの正確な読み取り及び書き込み及び既存のデータに対する誤った上書きを回避するには、高分解能で正確な位置制御が必要になる。
【００３８】
図９〜１３には、本発明による位置検知システム２１０のもう１つの実施態様に関するさまざまな態様が描かれている。位置検知システム２１０には、前述のＭ１及びＭ２プレートと同様にムーバに対して固定することが可能な２つのＭ１プレート２１４及び２１６と、Ｍ２プレート２２０が含まれている。システム２１０には、ステータ１２０に固定することが可能なＳ１プレート２２２及びＳ２プレート２２６も含まれている。図１０ないし１２には、図５〜７と同様に、プレートが固定されている物体（例えば、ムーバ１０６及びステータ１２０）のｘ軸の有効範囲にわたる移動による、Ｓ１及びＳ２プレートに対するＭ１及びＭ２プレートの相対移動が示されている。先行図と同様、図１０には、ｘ軸に沿ったステータに対するムーバの最も左の極端位置が示されており、図１１には、中間状態が示されており、図１２には、最も右の極端位置が示されている。
【００３９】
当業者には明らかなように、上記構成によれば、図１３の回路図に示すように４つの可変コンデンサが得られる：（１）コンデンサ２４０は、Ｍ１プレート２１４とＳ１プレート２２２の間に形成され、正のｘ軸変位に応じて値が増大する；（２）コンデンサ２４２は、Ｍ２プレート２２０とＳ１プレート２２２の間に形成され、正のｘ軸変位に応じて値が減少する；（３）コンデンサ２４４は、Ｍ１レート２１６とＳ２プレート２２６の間に形成され、正のｘ軸変位に応じて値が減少する；（４）コンデンサ２４６は、Ｍ２プレート２１６とＳ２プレート２２６の間に形成され、正のｘ軸変位に応じて値が増大する。
【００４０】
前述のように、測定可能な出力が得られるようにするため、Ｍ１及びＭ２プレートに、それぞれ、正弦搬送波２５０及びその反転搬送波２５２を加えることが可能である（図９と１３）。逆に変動する静電容量に結合される、この駆動信号の利用によって、ムーバ１０６とステータ１２０との間に生じるｚ軸移動にほぼ（または完全に）左右されない出力をＳ１及びＳ２端子（２５４及び２５６）に生じるシステムが得られる。これは、図４〜８に関連して上述の導出と同様、伝達関数に分析を加えることによって確認することが可能である。Ｓ１及びＳ２出力は、一般に、Ｍ１−Ｓ２静電容量（すなわち、Ｍ１プレート２１６とＳ２プレート２２６の間に発生する静電容量）が減少すると、Ｍ１−Ｓ１静電容量（すなわち、Ｍ１プレート２１４とＳ１プレート２２２の間に発生する静電容量）が増大するという事実、及び、その逆の事実のため、後続処理の前に、取り除かれる。
【００４１】
図１４〜１６には、本発明による位置検知システム２６０のもう１つの実施態様に関するさまざまな態様が描かれている。システム２６０には、電気的に相互結合されて、Ｍ１プレート・アセンブリを形成する複数Ｍ１プレート２６２が含まれている（それぞれのＭ１プレート間の電気的相互接続は、示されていないが、一般には、先行実施態様に示すものと同様である）。システム２６０には、電気的に相互に結合されて、Ｍ２プレート・アセンブリを形成する複数Ｍ２プレート２６４もまた含まれている。Ｍ１及びＭ２プレート・アセンブリは、ムーバ１０６のような可動装置に固定することが可能であり、一般には、図１４及び１５に示すように、Ｍ１及びＭ２プレートが、全て、同一平面上にあって、交互位置につくように構成される。
【００４２】
システム２６０には、さらに、電気的に相互結合されたＳ１プレート２６６を備えるＳ１プレート・アセンブリと、電気的に相互結合されたＳ２プレート２６８を備えるＳ２プレート・アセンブリを含むことも可能である。Ｍ１及びＭ２プレート・アセンブリの場合と同様、Ｓ１及びＳ２プレートは、一般に、同一平面上にあって、Ｓ１プレートとＳ２プレートが交互位置につくように構成される。Ｓ１及びＳ２プレート・アセンブリは、Ｍ１及びＭ２アセンブリが固定される装置に対して移動可能な、ステータ１２０のような別の装置に固定される。
【００４３】
先行実施態様の場合と同様、この解説の構成によれば、プレート・アセンブリが互いに移動すると、値の変動する可変コンデンサが得られる。すなわち、図示の構成によれば、図１３に示すものと同様の可変コンデンサが得られる：（１）Ｍ１プレート２６２とＳ１プレート２６６の間のコンデンサ、（２）Ｍ２プレート２６４とＳ１プレート２６６の間のコンデンサ、（３）Ｍ１プレート２６２とＳ２プレート２６８の間のコンデンサ、及び、（４）Ｍ２プレート２６４とＳ２プレート２６８の間のコンデンサ。
【００４４】
一般に、正弦波信号２８０及びその反転信号２８２は、それぞれ、先行実施態様の解説と同じく、Ｍ１及びＭ２プレート・アセンブリに加えられる。正弦波信号を加えると、それぞれ、Ｓ１及びＳ２プレート・アセンブリに接続された出力端子において測定可能な変動静電容量に基づく出力が得られる。従って、図１３には、図１４及び１５に示すシステムが正確にモデル化されている。
【００４５】
図９及び１４に示すシステムは、同じ回路図（例えば、図１３）を用いて解説することができるが、有効移動範囲が異なる結果として、異なる出力を生じることになる。例えば、図１０〜１２に示すように、ある特定のＭ１プレート（例えば、Ｍ１プレート２１４）だけが、それ自体のｘ軸幅にほぼ等しい距離だけ、ステータに１２０に対して移動する。従って、Ｍ１プレート２１４が、その最も左の極端（図１０）からその最も右の極端（図１２）まで移動すると、それとＳ１プレート２２２との重なり部分（及び結果生じる静電容量）が、最小値から最大値まで増大する。
【００４６】
これに対し、図１４及び１５に示すシステムの場合、ｘ軸の有効移動範囲は、一般に、図示の典型的なｘ軸移動範囲２８１によって明らかなように、ある特定のプレート幅の何倍にもなる。従って、ムーバ１０６がその範囲の一方の端部からもう一方の端部まで移動すると、任意の特定のＭ１またはＭ２プレートが、順次、Ｓ１プレート、Ｓ２プレート、もう１つのＳ１プレート、もう１つのＳ２プレート、もう１つのＳ１プレート．．．の上を通過することになる。この構成の場合、上述の４つの可変コンデンサに関連した４つの重なり合う領域がある。すなわち、重なり部分が、（１）Ｍ１プレート・アセンブリとＳ１プレート・アセンブリの間、（２）Ｍ２プレート・アセンブリとＳ１プレート・アセンブリの間、（３）Ｍ１プレート・アセンブリとＳ２プレート・アセンブリの間、及び、（４）Ｍ２プレート・アセンブリとＳ２プレート・アセンブリの間に生じる。４つの重なり合う領域は、それぞれ、物体がｘ軸の有効移動範囲にわたって互いに移動する際、ある回数にわたって、最大値と最小値の間で量的に循環する。ｘ軸変位の関数として、これらの領域の各特定の１つが、最大量と最小量の間で線形に変動する。
【００４７】
グラフでは、４つの領域のそれぞれに関するｘ軸変位の関数として重なり合う領域は、三角波形のように見える。これらの波形の周期は、プレートのある特定の１つの幅に、そのプレートとそれにすぐ隣接した近傍プレートの１つとの間の比較的わずかなギャップを加えた値を含む、隣接プレート間のピッチＷに等しい。一般に、図１４及び１５に示すように、システム２６０は、プレート幅と交互に位置するギャップの全てが均一になるように構成されている。
【００４８】
有効移動範囲にわたって生じる循環重なり部分によって、図１６に示す出力静電容量波で表された循環静電容量が得られる。すなわち、図示の出力は、プレート・アセンブリ間に発生するＭ１−Ｓ１、Ｍ２−Ｓ１、Ｍ２−Ｓ２、及び、Ｍ１−Ｓ２静電容量に対応する。静電容量は、重なり領域に応じて線形に変動するが、描かれた波形は、重なり領域の関数のような三角形ではない。それどころか、図示のように、波形は、フリンジング（ｆｒｉｎｇｉｎｇ）及び他の効果のためにより正弦波らしく見える。これらの波形の周期は、２Ｗすなわちプレート・ピッチ幅の２倍である。
【００４９】
図４〜８に関して上述の伝達関数を図１４及び１５に示す循環システムに適用すると、相対的ｚ軸移動による出力への影響は、一般に、完全に抑圧されるか、少なくとも、無視できる量まで減少する。従って、図１６に示す出力静電容量は、移動物体間に生じる可能性のある偶発的なｚ軸移動とは無関係に、ｘ軸位置（及び、図示構成がｙ軸に用いられる場合には、ｙ軸位置）の正確な検知に利用することが可能である。
【００５０】
図１４及び１５に示すシステムの重要な利点は、感度の向上である。再度図４を参照し、描かれたｘ軸の有効移動範囲が、５０マイクロメートルであると仮定する。さらに、Ｍ１プレート１６６及び１６８とＳ１プレート１７８及び１８０との重なりから生じる全静電容量が、この移動範囲において５０ピコファラッドから１００ピコファラッドまで変動するものと仮定する。ｘ軸変位当りの容量変化は、１ピコファラッド／マイクロメートルになるであろう。
【００５１】
次に、図１４及び１５のシステムを参照し、同じ５０マイクロメートルの有効範囲であるが、それぞれのプレートが、例えば、１／１００のサイズといったように、図４に示すプレートよりかなり小さいものと仮定する。さらに、Ｍ１プレート２６２とＳ１プレート２６６の間に生じる最大の全重なり量において発生する静電容量が、やはり、１００ピコファラッドであり、最小の重なり量において、５０ピコファラッドであると仮定する。ムーバがｘ＝０マイクロメートルから５０マイクロメートルまで移動すると、Ｍ１プレート・アセンブリとＳ１プレート・アセンブリの間の全静電容量は、１００回にわたって、５０ピコファラッドと１００ピコファラッドの間で循環することになる。この例の場合、「循環」構成によって、１マイクロメートルの変位毎に１００ピコファラッドの容量変化、すなわち、位置変化に対する感度がはるかに高い出力が生じることになる。
【００５２】
上述の開示には、独自の有用性を備えた複数の別個の発明が包含されるものと確信している。これらの発明は、それぞれ、その望ましい形態で開示されたが、本明細書に開示され、図解されたその特定の実施態様は、多様な変更が可能であるため、制限を意味するものとみなすべきではない。本発明の内容には、本明細書に開示されたさまざまな要素、特徴、機能、及び／または、特性の新規で、自明ではない組み合わせ及び副組み合わせの全てが含まれる。同様に、請求項において、「ある」または「第１の」要素またはその同等物に言及する場合、こうした請求項には、１つ以上のこうした要素を組み込むことが含まれるものと理解すべきであり、２つ以上のこうした要素を必要とするわけでも、あるいは、排除するわけでもない。
【００５３】
付属の請求項では、とりわけ、開示の発明の１つを対象とした、新規で、自明ではないいくつかの組み合わせ及び副組み合わせが指摘されているものと確信する。特徴、機能、要素、及び／または、特性の他の組み合わせ及び副組み合わせによって実現される発明は、本出願または関連出願における本請求項の補正または新規請求項の提示によって請求することが可能である。こうした補正または新規請求項は、異なる発明を対象としたものであろうと、同じ発明を対象としたものであろうと関係なく、また、もとの請求項と範囲が異なるか、より広いか、より狭いか、あるいは、等しいかに関係なく、やはり、本開示の発明の内容に含まれるものとみなされる。
【００５４】
なお、この発明は例として次の実施態様を含む。丸括弧内の数字は添付図面の参照符号に対応する。
【００５５】
[1] 静電容量型の位置検知を行う可動システムにおいて、
１対の物体（１０６、１２０）と、
ある軸に沿ってある有効範囲にわたる物体（１０６、１２０）間の相対移動を実施するように構成されたアクチュエータと、
前記物体（１０６、１２０）の一方に固定された第１のプレート（１７８、１８０，２２２、２２６、２６６、２６８）、及び、隣接して、同一平面上に位置するように、また、前記物体が前記軸に沿って互いに移動する際、前記第１のプレート（１７８、１８０、２２２、２２６、２６６，２６８）から間隔をあけ、それに対し平行をなすように、前記物体（１０６、１２０）のもう一方に固定されている１対の第２のプレート（１６６、１６８、１７２、１７４、２１４、２１６、２２０、２６２、２６４）を有する静電容量型の位置センサ（１６０、１６２、２１０、２６０）と、
を備え、
前記第１のプレート（１７８、１８０、２２２、２２６、２６６，２６８）と前記第２のプレート（１６６、１６８、１７２、１７４、２１４、２１６、２２０、２６２、２６４）の構成によって、前記物体（１０６、１２０）が前記軸に沿った前記有効範囲内で互いに移動すると静電容量が変動する２つの間隔をあけた平板コンデンサ（１９２、１９４、２４０、２４２、２４４、２４６）が形成され、
前記静電容量型の位置センサ（１６０、１６２、２１０、２６０）が、前記静電容量を利用して、前記軸に沿った前記物体の相対位置を測定するために利用可能な出力を発生する、
ことを特徴とする可動システム。
【００５６】
[2] 上記[1]に記載の可動システムにおいて、
前記１対の第２のプレート（１６６、１６８、１７２、１７４、２１４、２１６、２２０、２６２、２６４）の一方に時変入力信号（２００）を加え、前記１対の第２のプレートのもう一方に前記時変入力信号の反転信号（２０２）を加えるように構成された静電容量測定回路（１９０、図３）をさらに備えたことを特徴とするもの。
【００５７】
[3] 上記[1]に記載の可動システムにおいて、
前記コンデンサ（１９２、１９４、２４０、２４２、２４４、２４６）が、前記１対の物体（１０６、１２０）が互いに移動する結果として、前記第１のプレート（１７８、１８０、２２２、２２６、２６６，２６８）と前記第２のプレート（１６６、１６８、１７２、１７４、２１４、２１６、２２０、２６２、２６４）の間に生じる垂直方向の間隔変動にほとんど左右されない、出力・入力伝達関数を有する静電容量測定回路（１９０、図３）の一部を形成することを特徴とするもの。
【００５８】
[4] 静電容量型の位置検知を行う可動システムにおいて、
ｘ軸に沿ったある有効範囲のｘ軸移動、及び、ｘ軸に対して垂直なｚ軸に沿ったある有効範囲のｚ軸移動によって、互いに並進移動可能な１対の物体（１０６、１２０）と、
前記物体（１０６、１２０）の一方に固定された第１のプレート（１７８、１８０，２２２、２２６、２６６、２６８）、及び、前記物体のもう一方に固定されている１対の第２のプレート（１６６、１６８、１７２、１７４、２１４、２１６、２２０、２６２、２６４）を有する静電容量型の位置センサ（１６０、１６２、２１０、２６０）と、
を備え、
前記第１のプレートと前記第２のプレートが、ｚ軸に対して垂直であり、
前記第１のプレートが、前記第２のプレートのそれぞれと共に、前記物体がｘ軸移動及びｚ軸移動の前記有効範囲にわたって移動すると、前記第１のプレートと前記第２のプレートのそれぞれとの重なり及び間隔の変動のために変動する、可変静電容量（１９２、１９４、２４０、２４２、２４４、２４６）を形成し、前記可変静電容量が、前記物体が、ｚ軸移動の有効範囲にわたって互いに移動する結果として、前記第１のプレートと前記第２のプレートの間に生じる間隔変動にほとんど左右されない、出力・入力伝達関数を有する回路の一部を形成する、
ことを特徴とする可動システム。
【００５９】
[5] ある軸に沿った１対の物体（１０６、１２０）間の相対位置の変化に基づいて変動する静電容量を出力するセンサ（１６０、１６２、２１０、２６０）において、
前記物体（１０６、１２０）の一方に固定された第１のプレート（１７８、１８０，２２２、２２６、２６６、２６８）と、
隣接して、同一平面上に位置するように、また、前記物体が、前記軸に沿って互いに移動する際、前記第１のプレートから間隔をあけ、それに対し平行をなすように、前記物体（１０６、１２０）のもう一方に固定されている１対の第２のプレート（１６６、１６８、１７２、１７４、２１４、２１６、２２０、２６２、２６４）と、
を備え、
前記第１のプレートと前記第２のプレートの構成によって、前記物体（１０６、１２０）が前記軸に沿って互いに移動すると、静電容量が変動する２つの間隔をあけた平板コンデンサ（１９２、１９４、２４０、２４２、２４４、２４６）が形成され、
前記センサ（１６０、１６２、２１０、２６０）が、前記静電容量を利用して、前記軸に沿った前記物体の相対位置を測定するために利用可能な出力を発生することを特徴とするセンサ。
【００６０】
[6] １つの物体（１０６、１２０）間の相対位置の変化に基づいて変化する静電容量を出力するセンサ（２６０）において、
前記物体（１０６、１２０）の一方に固定されるように構成され、第１のプレートを含む、第１のプレート・アセンブリ（２６２，２６４）と、
前記物体（１０６，１２０）のもう一方に固定されるように構成され、第２のプレートを含む第２のプレート・アセンブリ（２６６）及び第３のプレートを含む第３のプレート・アセンブリ（２６８）と、
を備え、
前記プレート・アセンブリ（２６２、２６４、２６６、２６８）が、前記物体がある軸に沿った有効範囲にわたって互いに並進すると、前記第１のプレートと前記第２のプレート間、及び、前記第１のプレートと前記第３のプレート間の全重なり部分が、繰り返し増減するように構成されており、これによって、第１のプレート・アセンブリが、前記第２及び第３のプレート・アセンブリのそれぞれと共に、前記物体の相対位置に応じて静電容量の変動する可変コンデンサ（１９２、１９４、２４０、２４２、２４４、２４６）を形成する、
ことを特徴とするセンサ（２６０）。
【００６１】
[7] 上記[6]に記載のセンサ（２６０）において、
前記可変コンデンサ（１９２、１９４、２４０、２４２、２４４、２４６）が、前記プレート・アセンブリ（２６２、２６４、２６６、２６８）の少なくとも１つに加えられる入力に応答して、前記第１のプレートと前記第２のプレート間、及び、前記第１のプレートと前記第３のプレート間の静電容量に基づく出力を生じるように構成された、静電容量測定回路（１９０、図３）の一部を形成していることを特徴とするもの。
【００６２】
[8] 上記[7]に記載のセンサ（２６０）において、
前記静電容量測定回路（１９０、図３）が、出力が、前記第１のプレートと前記第２のプレートの間、及び、前記第１のプレートと前記第３のプレートの間に生じる垂直方向の間隔変動にほとんど左右されないように構成されていることを特徴とするもの。
【００６３】
[9] 上記[7]に記載のセンサ（２６０）において、
静電容量測定回路（１９０）が、出力を生じるため、前記第２のプレート・アセンブリに時変入力信号（２００）を加え、前記第３のプレート・アセンブリに時変入力信号の反転信号（２０２）を加えるように構成されていることを特徴とするもの。
【００６４】
[10] 静電容量型の位置検知を行う可動システムにおいて、
一対の物体（１０６，１２０）と、
前記物体（１０６、１２０）の一方に固定されるように構成され、第１のプレートを含む、第１のプレート・アセンブリ（２６２、２６４）と、
前記物体（１０６，１２０）のもう一方に固定されるように構成され、第２のプレートを含む第２のプレート・アセンブリ（２６６）及び第３のプレートを含む第３のプレート・アセンブリ（２６８）が含まれており、
前記プレート・アセンブリ（２６２、２６４、２６６、２６８）が、前記物体（１０６、１２０）がある軸に沿った有効範囲にわたって互いに並進すると、前記第１のプレートと前記第２のプレート間、及び、前記第１のプレートと前記第３のプレート間の全重なり部分が、繰り返し増減するように構成されており、これによって、第１のプレート・アセンブリが、前記第２及び第３のプレート・アセンブリのそれぞれと共に、前記物体の相対位置に応じて静電容量の変動する可変コンデンサ（１９２、１９４、２４０、２４２、２４４、２４６）を形成するようになっていることを特徴とする可動システム。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施態様の１つによる静電容量型の位置センサを含むコンピュータ記憶装置を示した図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】記憶媒体の平面図である。
【図４】本発明による静電容量型の位置センサの平面図である。
【図５】ｘ軸移動範囲にわたって互いに移動する１対の物体に取り付けられた、図４の位置センサの位置を表した側面図である。
【図６】同じくｘ軸移動範囲にわたって互いに移動する１対の物体に取り付けられた、図４の位置センサの位置を表した側面図である。
【図７】同じくｘ軸移動範囲にわたって互いに移動する１対の物体に取り付けられた、図４の位置センサの位置を表した側面図である。
【図８】図４〜７に示す位置センサの回路モデルを表した図である。
【図９】本発明によるもう１つの静電容量型の位置センサの平面図である。
【図１０】ｘ移動範囲にわたって互いに移動する１対の物体に取り付けられた、図９の位置センサの諸部分を表した側面図である。
【図１１】同じくｘ移動範囲にわたって互いに移動する１対の物体に取り付けられた、図９の位置センサの諸部分を表した側面図である。
【図１２】同じくｘ移動範囲にわたって互いに移動する１対の物体に取り付けられた、図９の位置センサの諸部分を表した側面図である。
【図１３】図９の位置センサの回路モデルを表した図である。
【図１４】本発明によるさらにもう１つの位置センサの等角図である。
【図１５】ｘ軸移動範囲にわたって互いに移動する１対の物体に取り付けられた、図１４の位置センサの諸部分を表した側面図である。
【図１６】図１４及び図１５の位置センサのｘ軸変位の関数としての容量出力を示す波形図である。
【符号の説明】
１０６、１２０  物体
１６０、１６２  位置センサ
１６６，１６８、１７２、１７４  第２のプレート
１７８，１８０  第１のプレート
１９０  静電容量測定回路
１９２、１９４  平板コンデンサ
２１０  位置センサ
２１４、２１６，２２０  第２のプレート
２２２、２２６  第１のプレート
２４０、２４２，２４６  平板コンデンサ
２６０  位置センサ
２６２，２６４  第２のプレート
２６６、２６８  第１のプレート
【図１】
0004143420.tif 000004
【図２】
0004143420.tif 000005
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
0004143420.tif 000009
【図７】
0004143420.tif 000010
【図８】
0004143420.tif 000011
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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