(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属フレームの開口部上に、該開口部の外周に接着剤を介してフレキシブル回路基板を接着させて半導体パッケージ用リードフレームを製造する方法において、前記接着剤を加熱して前記金属フレームと前記フレキシブル回路基板を接着させる際に、前記金属フレームの加熱接着領域の外側を冷却することを特徴とする半導体パッケージ用リードフレームの製造方法。
【請求項２】
前記金属フレームの加熱接着領域の外側を冷却ブロックで挟み込んで冷却することを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージ用リードフレームの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、金属フレームの開口部にフレキシブル回路基板を接着させて半導体パッケージ用リードフレームを製造する半導体パッケージ用リードフレームの製造方法に関し、特にフレキシブル回路基板の反り等の変形を低減するようにした半導体パッケージ用リードフレームの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＱＦＰ（Quad Flat Package）を製造する従来の製造装置で、ＦＢＧＡ（Fine Pitch Ball Glid Array）といわれるＣＳＰ（Chip Scale Package）の製造が可能となる半導体パケージ用リードフレームの製造方法が望まれている。
従来の半導体パッケージ用リードフレームの製造方法は、金属フレームとフレキシブル回路基板の間に熱硬化性接着剤を配置し、この接着剤を金属フレームの裏面にヒートブロックを接触させることによって加熱して金属フレームにフレキシブル回路基板を接着させている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の半導体パッケージ用リードフレームの製造方法によると、金属フレームがフレキシブル回路基板に比較して高温に加熱されるため、接着後の金属フレームの収縮量が大きくなり、そのため、図４に示すように、フレキシブル回路基板１４のプラスチックテープ（ポリイミド）に反りが生じる。反りを有するフレキシブル回路基板１４に半導体素子１５を搭載すると、半導体素子１５がダメージを受けることがある（１２は金属フレーム）。
【０００４】
従って、本発明の目的は、金属フレームにフレキシブル回路基板を接着した際のフレキシブル回路基板の反り等の変形を低減することができる半導体パッケージ用リードフレームの製造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を実現するため、金属フレームの開口部上に、該開口部の外周に接着剤を介してフレキシブル回路基板を接着させる半導体パッケージ用リードフレームの製造方法において、前記接着剤を加熱して前記金属フレームと前記フレキシブル回路基板を接着させる際に、前記金属フレームの加熱接着領域の外側を冷却することを特徴とする半導体パッケージ用リードフレームの製造方法を提供する。
【０００６】
上記構成によれば、金属フレームの加熱接着領域を除いて金属フレームを冷却することにより、接着剤を硬化させるための熱を金属フレームの接着剤塗布部を通して接着剤に伝え、他の部分に伝えないようにすることができる。このため、金属フレームの熱膨張は少なくなり、フレキシブル回路基板を接着した後のフレキシブル回路基板の反りの発生を抑制することができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の半導体パッケージ用リードフレームの製造方法の実施形態を図１を参照して説明する。
金属フレーム１２における接着剤１６の塗布部裏面をヒートブロック２０の支持部２０ａに接触させるとともに、金属フレーム１２における接着剤１６の塗布部外周を冷却ブロック２１で挟み込ませる。そして、フレキシブル回路基板１４における金属フレーム１２との接着部分を金属フレーム１２の接着剤１６の塗布部に重ね、ヒートブロック２０を加熱するとともに、冷却ブロック２１を冷却する。
【０００８】
これにより、金属フレーム１２は、接着剤１６の塗布部のみが加熱され、接着剤１６の塗布部以外の部分は冷却されることになる。このため、金属フレーム１２はほとんど熱膨張せずに、接着剤１６が熱硬化されて、金属フレーム１２とフレキシブル回路基板１４が接着される。したがって、接着後に金属フレーム１２はほとんど収縮しないので、フレキシブル回路基板１４の反りを低減することができる。
以上により、図２に示す半導体パッケージ用リードフレーム１１が完成する。このパッケージ用リードフレーム１１は、搬送用の孔１２ａを有する金属フレーム１２にフレキシブル回路基板１４が接着されている。
【０００９】
次に、図３に示すように、半導体パッケージ用リードフレーム１１に対し、半導体素子１５の搭載、ワイヤボンディング、樹脂封止等の処理を行って、ＢＧＡ型半導体パッケージ３０を作製する。すなわち、フレキシブル回路基板１４の表面にレジスト樹脂３１を塗布し、更に、半導体素子１５を搭載して接着剤４０で接着する。
次いで、半導体素子１５の電極１５ａとフレキシブル回路基板１４のプラスチックテープ１４ｃ上に形成された回路パターン１４ａの接続パッド１４ｂとの間を、ボンディングワイヤ３２によリワイヤボンディングする。更に、半導体素子１５とボンディングワイヤ３２上をモールド樹脂３３又はポッティング材で封止する。
【００１０】
樹脂封止した後、フレキシブル回路基板１４の下面に実装基板などと接続するための外部接続端子として半田ボール３４を取り付ける。回路パターン１４ａの一部は、プラスチックテープ１４ｃを貫く金めっきを施したビアホール１４ｄを通して他側の片面に導出されており、その導出部に半田ボール３４が接続される。
最後に、金属フレーム１２から半導体素子１５単位でフレキシブル回路基板１４を取り外すことにより、単体のＢＧＡ型半導体パッケージ３０が完成する。
なお、本発明は、その対象となる半導体素子に制約は無く、ＤＲＡＭやＳＲＡＭ等のメモリーやＣＰＵやＭＰＵ等のロジック系のいずれにも適用可能である。
【００１１】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、フレキシブル回路基板を反りのない状態に維持することができるので、半導体素子を搭載した後の、例えばモールド時において、半導体素子に与えるダメージを少なくすることができる。よって、半導体パッケージの歩留りを高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体パッケージ用リードフレームの製造方法の実施形態の接着工程を示す概略図である。
【図２】半導体パッケージ用リードフレームを示す平面図である。
【図３】本発明の半導体パッケージ用リードフレームを使用して製造される半導体パッケージの一例を示す断面図である。
【図４】従来の半導体パッケージ用リードフレームの製造方法を示す断面図である。
【符号の説明】
１１  半導体パッケージ用リードフレーム
１２  金属フレーム
１３  開口部
１４  フレキシブル回路基板
１４ａ  回路パターン
１４ｂ  接続パッド
１４ｃ  プラスチックテープ
１４ｄ  ビアホール
１５  半導体素子
１６  接着剤
２０  ヒートブロック
２１  冷却ブロック
３０  ＢＧＡ型半導体パッケージ
３１  レジスト樹脂
３２  ボンディングワイヤ
３３  モールド樹脂
３４  半田ボール
４０  接着剤
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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