(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
成膜プロセスにより形成される堆積膜の膜質を評価するための成膜プロセス評価装置において、
堆積膜の形成に寄与する複数の物理現象毎の成膜速度を示す数式を用いて、堆積膜の表面上の複数の点の各点において、堆積膜の形成に寄与する複数の物理現象毎の成膜速度を算出する速度ベクトル抽出部と、
前記複数の物理現象又は当該複数の物理現象から選択された物理現象の成膜速度の総和を算出し、各物理現象の成膜速度を算出された総和で除算することにより、堆積膜の形成に寄与する割合を寄与率として物理現象毎に抽出する寄与率抽出部と、
前記寄与率抽出部により抽出された寄与率に基づいて、堆積膜の膜質を評価するための寄与率の分布状態を物理現象毎に出力する制御部と
を具備することを特徴とする成膜プロセス評価装置。
【請求項２】
前記複数の物理現象の中にエッチング現象が含まれる場合、当該エッチング現象は前記堆積膜の形成方向に対して負の方向に寄与するとして前記割合を抽出することを特徴とする請求項１に記載の成膜プロセス評価装置。
【請求項３】
前記堆積膜の表面上の点毎に点の座標値および前記物理現象毎の割合を保存する記憶部を具備することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の成膜プロセス評価装置。
【請求項４】
成膜プロセスにより形成される堆積膜の膜質を評価する成膜プロセス評価方法において、
堆積膜の形成に寄与する複数の物理現象毎の成膜速度を示す数式を用いて、堆積膜の表面上の複数の点の各点において、堆積膜の形成に寄与する複数の物理現象毎の成膜速度を算出するステップと、
前記複数の物理現象又は当該複数の物理現象から選択された物理現象の成膜速度の総和を算出し、各物理現象の成膜速度を算出された総和で除算することにより、堆積膜の形成に寄与する割合を寄与率として物理現象毎に抽出するステップと、
抽出された寄与率に基づいて寄与率の分布状態を物理現象毎に出力するステップと、
出力された物理現象毎の寄与率の分布状態に基づいて堆積膜の膜質を評価するステップと
を有することを特徴とする成膜プロセス評価方法。
【請求項５】
前記複数の物理現象の中にエッチング現象が含まれる場合、当該エッチング現象は前記堆積膜の形成方向に対して負の方向に寄与するとして前記割合を抽出することを特徴とする請求項４に記載の成膜プロセス評価方法。
【請求項６】
前記堆積膜の表面上の点毎に点の座標値および前記物理現象毎の割合を保存するステップを有することを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の成膜プロセス評価方法。
【請求項７】
成膜プロセスにより形成される堆積膜の膜質を評価するための成膜プロセス評価プログラムを格納したコンピュータ読取り可能な記録媒体において、
堆積膜の形成に寄与する複数の物理現象毎の成膜速度を示す数式を用いて、堆積膜の表面上の複数の点の各点において、堆積膜の形成に寄与する複数の物理現象毎の成膜速度を算出する処理と、
前記複数の物理現象又は当該複数の物理現象から選択された物理現象の成膜速度の総和を算出し、各物理現象の成膜速度を算出された総和で除算することにより、堆積膜の形成に寄与する割合を寄与率として物理現象毎に抽出する処理と、
抽出された寄与率に基づいて、堆積膜の膜質を評価するための寄与率の分布状態を物理現象毎に出力する処理と
を含み、これらの処理をコンピュータに実行させることを特徴とする成膜プロセス評価プログラムを格納したコンピュータ読取り可能な記録媒体。
【請求項８】
前記複数の物理現象の中にエッチング現象が含まれる場合、当該エッチング現象は前記堆積膜の形成方向に対して負の方向に寄与するとして前記割合を抽出することを特徴とする請求項７に記載の成膜プロセス評価プログラムを格納したコンピュータ読取り可能な記録媒体。
【請求項９】
前記堆積膜の表面上の点毎に点の座標値および前記物理現象毎の割合を保存する処理を含み、この処理をコンピュータに実行させることを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の成膜プロセス評価プログラムを格納したコンピュータ読取り可能な記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子や液晶等の成膜プロセスにおいて形成される堆積膜の膜質を評価するための成膜プロセス評価装置、成膜プロセス評価方法、および成膜プロセス評価プログラムを格納したコンピュータ読取り可能な記録媒体に関し、特に、成膜プロセスに係る複数の物理現象の堆積膜形成に対する寄与率を現象毎に抽出、抽出した寄与率に基づいて堆積膜の膜質を評価することにより、半導体素子の製造プロセス条件を精度良く決定し、半導体素子製造プロ
セスの歩留まりを向上させる技術に係る。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition：化学気相成長）成膜プロセスにおいてはイオンやラジカル（中性活性種）等の複数の成膜種、ＨＤＰ−ＣＶＤ（High Density Plasma−ＣＶＤ、高密度プラズマＣＶＤ）成膜プロセスにおいてはアルゴンイオンによるスパッタエッチング現象等、成膜プロセスにおいては複数の現象が堆積膜の形成に寄与することが知られている。
【０００３】
このような背景から、近年、成膜プロセスに係る複数の物理現象をモデル化し、物理モデルに基づいて成膜プロセスにより形成される堆積膜の形状を評価する成膜形状シミュレーション（以下、成膜プロセス評価装置と表記）が積極的に利用されるようになってきた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来までの成膜プロセス評価装置においては、成膜プロセスにより形成される堆積膜は、基板の位置に関係なく均一な性質であるとして扱われるために、膜質の不均一性等、堆積膜の膜質までは評価することができない。
【０００５】
一般に、成膜プロセスにおいては、成膜種の気相中での振る舞いや基板表面における反応確率は現象毎に異なるために、トレンチ等の凹凸がある基板に対する成膜プロセス等の場合、堆積膜の形成に寄与する現象毎の割合（以下、寄与率と表記）は場所によって異なり、堆積膜の膜質が場所によって変化する。このような膜質の変化は、堆積膜が絶縁膜である場合には誘電率が変化する等、半導体素子の電気特性に影響を与えることもあるので、半導体素子製造プロセスの一層の歩留まり向上を実現していくためには、堆積膜の膜質評価が欠くことができない。
【０００６】
本発明は、このような問題点を鑑みてなされたものであり、その目的は、半導体素子製造プロセスの歩留まりを向上させる成膜プロセス評価装置、成膜プロセス評価方法、および成膜プロセス評価プログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の技術的課題を解決する手段として、本発明は以下の特徴を有する。
【０００８】
本発明の第１の特徴は、成膜プロセスにより形成される堆積膜の膜質を評価するための成膜プロセス評価装置において、堆積膜の形成に寄与する複数の物理現象毎の成膜速度を示す数式を用いて、堆積膜の表面上の複数の点の各点において、堆積膜の形成に寄与する複数の物理現象毎の成膜速度を算出する速度ベクトル抽出部と、前記複数の物理現象又は当該複数の物理現象から選択された物理現象の成膜速度の総和を算出し、各物理現象の成膜速度を算出された総和で除算することにより、堆積膜の形成に寄与する割合を寄与率として物理現象毎に抽出する寄与率抽出部と、前記寄与率抽出部により抽出された寄与率に基づいて、堆積膜の膜質を評価するための寄与率の分布状態を物理現象毎に出力する制御部とを具備する成膜プロセス評価装置であることにある。
【０００９】
これにより、堆積膜内部の情報を収集し、堆積膜の膜質を評価するための情報を得ることができる。
【００１０】
本発明の第２の特徴は、成膜プロセスにより形成される堆積膜の膜質を評価する成膜プロセス評価方法において、堆積膜の形成に寄与する複数の物理現象毎の成膜速度を示す数式を用いて、堆積膜の表面上の複数の点の各点において、堆積膜の形成に寄与する複数の物理現象毎の成膜速度を算出するステップと、前記複数の物理現象又は当該複数の物理現象から選択された物理現象の成膜速度の総和を算出し、各物理現象の成膜速度を算出された総和で除算することにより、堆積膜の形成に寄与する割合を寄与率として物理現象毎に抽出するステップと、抽出された寄与率に基づいて寄与率の分布状態を物理現象毎に出力するステップと、出力された物理現象毎の寄与率の分布状態を参照して堆積膜の膜質を評価するステップとを有する成膜プロセス評価方法であることにある。
【００１１】
これにより、堆積膜内部の情報を収集し、堆積膜の膜質を評価するための情報を得ることができる。
【００１２】
本発明の第３の特徴は、成膜プロセスにより形成される堆積膜の膜質を評価するための成膜プロセス評価プログラムを格納したコンピュータ読取り可能な記録媒体において、堆積膜の形成に寄与する複数の物理現象毎の成膜速度を示す数式を用いて、堆積膜の表面上の複数の点の各点において、堆積膜の形成に寄与する複数の物理現象毎の成膜速度を算出する処理と、前記複数の物理現象又は当該複数の物理現象から選択された物理現象の成膜速度の総和を算出し、各物理現象の成膜速度を算出された総和で除算することにより、堆積膜の形成に寄与する割合を寄与率として物理現象毎に抽出する処理と、抽出された寄与率に基づいて、堆積膜の膜質を評価するための寄与率の分布状態を物理現象毎に出力する処理とを含み、これらの処理をコンピュータに実行させる成膜プロセス評価プログラムを格納したコンピュータ読取り可能な記録媒体であることにある。
【００１３】
これにより、堆積膜内部の情報を収集し、堆積膜の膜質を評価するための情報を得ることができる。
【００１６】
ここで、記録媒体とは、例えば、半導体メモリ、磁気ディスク、光ディスク、光磁気ディスク、磁気テープ、デジタルビデオディスク等、プログラムを記録することができるコンピュータ読み取り可能な媒体や信号等の通信媒体を意味するものとする。
【００１７】
なお、複数の物理現象の中には、異なる２種類以上の成膜種による成膜現象や、１種類以上の成膜種による成膜現象と少なくとも１種類以上のエッチング現象とがモデル化されていることが望ましく、エッチング現象としては、スパッタエッチング、ケミカルエッチング、ＲＩＥ等が考えられる。
【００１８】
また、各物理現象の成膜への寄与率（割合）は、現象毎の成膜レートの総和に対する各物理現象のレートの比率として抽出しても良いし、複数の物理現象の中から選択された現象の成膜レートに対する各物理現象の成膜レートの比率として抽出しても良い。また、この際、物理現象がエッチング現象である時には、エッチング現象は堆積膜の形成方向に対して負の方向に寄与するとして割合を抽出することが望ましい。
【００１９】
これにより、割合に関する情報を容易に抽出することができる。
【００２０】
さらに、堆積膜の表面上の点毎に点の座標値および物理現象毎の割合を保存するようにすると良い。
【００２１】
これにより、評価終了後も割合に関する情報を有効的に活用することができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、図１乃至図８を参照して、本発明の実施形態に係わる成膜プロセス評価装置、成膜プロセス評価方法、成膜プロセス評価プログラムを格納したコンピュータ読取り可能な記録媒体および半導体素子製造方法の構成および作用について詳しく説明する。なお、以下の説明においては、堆積膜の形状変化点を導出するための速度ベクトルはストリングモデルに基づいて抽出するものとするが、本発明の技術的範囲はこれに限られることはなく、速度ベクトルを抽出することができるのであらばどのようなモデルを用いても良く、例えば、レベルセット法を利用したモデルに対しても適用することができる。
【００２３】
（成膜プロセス評価装置）
図１は、本発明の実施形態に係る成膜プロセス評価装置の構成を示すブロック図である。
【００２４】
本発明の実施形態に係る成膜プロセス評価装置１１０は、図１に示すように、外部から信号の入出力を制御する入出力インタフェイス部１１１、装置１１０内の構成要素の各種処理を制御する制御部１１２、成膜プロセスにより形成される堆積膜表面上の点における速度ベクトルを抽出する速度ベクトル抽出部１１３、成膜プロセスに伴う堆積膜表面の形状変化を抽出する表面形状抽出部１１４、堆積膜中の各メッシュポイントにおける成膜プロセスに係る物理現象毎の寄与率を抽出する物理現象寄与率抽出部１１５、堆積膜中の各メッシュポイント毎に座標値と物理現象毎の寄与率を記憶する記憶部１１６、成膜処理後の最終形状および物理現象毎の寄与率を参照して半導体素子の製造条件を決定する製造条件決定部１１７を備える。
【００２５】
ここで、成膜プロセス評価装置１１０は、決定した半導体素子の成膜プロセス条件に基づいて半導体素子を製造する半導体素子製造装置１２３と接続し、半導体素子製造システムを構成しており、また、装置１１０は、成膜時間等、成膜プロセス評価装置１１０に係る制御パラメータ等を入力する入力部１２１、寄与率情報等、成膜プロセス評価装置１１０からの出力情報やエラー情報を出力する出力部１２２と接続されている。なお、入力部１２１としてはキーボードやマウスポインタ、出力部１２２としてはディスプレイやプリンタを用いることが考えられる。
【００２６】
また、入出力インタフェイス部１１１は、出力部２１に表示された情報を通じてユーザが成膜プロセス評価装置１１０内の構成要素の制御が可能なように、グラフィカルユーザインタフェイスであることが望ましい。
【００２７】
（成膜プロセス評価方法、半導体素子製造方法）
図２は、本発明の実施形態に係る半導体素子製造方法を示すフローチャート図である。
【００２８】
本発明の実施形態に係る半導体素子製造方法により半導体素子製造処理を行う場合には以下の処理ステップを実行する。
【００２９】
（１）成膜処理を施す基板表面の形状を表す表面形状情報Φ（ｔ）を入力部１２１を介して速度ベクトル抽出部１１３に入力する（表面形状情報入力ステップ、Ｓ２０１）。
【００３０】
（２）成膜プロセス時間Ｔ＿ｄｅｐｏ、成膜形状シミュレーションの時間ステップΔｔ等の設定情報を入力部１２１を介して速度ベクトル抽出部１１３に入力する（設定情報入力ステップ、Ｓ２０２）。
【００３１】
（３）速度ベクトル抽出部１１３が、入力された表面形状情報Φ（ｔ）の端点を点Ｐに設定する（設定ステップ（Ｉ）、Ｓ２０３）。
【００３２】
（４）速度ベクトル抽出部１１３が、時刻ｔにおける点Ｐの速度ベクトルを抽出する（速度ベクトル抽出ステップ、Ｓ２０４）。
【００３３】
ここで、速度ベクトルとは、図４（ａ）に示すように、点Ｐから形状変化後の点Ｐ’へと伸びるベクトルを意味し、その大きさは点Ｐにおける成膜プロセスに係る各物理現象の成膜レートを算出、成膜レートの総和を求めることにより決定される。
【００３４】
（５）表面形状抽出部１１４が、抽出された速度ベクトルを用いて、時刻ｔ＋Δｔにおける堆積膜表面の点Ｐ’を抽出する（形状変化点抽出ステップ、Ｓ２０５）。
【００３５】
（６）成膜現象寄与率抽出部１１５が、点Ｐにおける成膜プロセスに係る各現象の寄与率を抽出し、記憶部１１６に点Ｐの座標値と各現象の寄与率を保存する（寄与率抽出、保存ステップ、Ｓ２０６）。一般にストリングモデルを用いた計算手法では堆積膜の表面形状が変化すると前の堆積膜の表面形状に関する情報は失われてしまうが、この処理によれば、形状変化前の座標値および各現象の寄与率が保存されているので、形状変化後も、ユーザは、図４（ｂ）に示すように、堆積膜内の各メッシュポイント４０において、成膜現象の寄与率を知ることができるのである。
【００３６】
なお、本実施形態においては、各現象の寄与率を、図５に示すように、成膜プロセスの物理現象毎のレートを用いて抽出する。すなわち、成膜レートの総和に対する各物理現象のレートの比率を抽出し、その値を各物理現象の成膜プロセスに対する寄与率とするのである。ここでは、表面上の任意の点における各現象のモデルから算出された成膜速度の大きさを、単に成膜レートと表現している。成膜レートの代わりに成膜速度、成長速度、速度関数、速度ベクトル、速度など別の表現を用いても、その大きさの比率から各現象の寄与率を抽出するのであれば、その意味するところは本実施形態と同じである。
【００３７】
ここで、図５（ａ）、（ｂ）に示す式において、Ｒ（Ｄｉ）、Ｒ（Ｅｊ）はそれぞれ、物理現象の一つである、成膜現象Ｄｉ、エッチング現象Ｅｊのレートを示し、いづれも正の値である。また、添字ｉ、ｊはそれぞれ、成膜種、エッチング種を示す。さらに、エッチング現象としては、スパッタエッチング、ケミカルドライエッチング、ＲＩＥ等の現象が考えられ、エッチング現象の場合には、エッチング現象は堆積膜の膜厚を減らす方向（逆方向）に寄与するので、負の符号を付与して寄与率とする。
【００３８】
なお、各現象の寄与率を、複数の物理現象の中から選択された現象の成膜レートに対する各物理現象の成膜レートの比率として抽出するようにしても良い。
【００３９】
（７）制御部１１２が、表面形状情報Φ（ｔ）上の全ての点について寄与率を抽出したか否か判別する（判別ステップ（Ｉ）、Ｓ２０７）。
【００４０】
判別の結果、表面形状情報Φ（ｔ）上の全ての点について寄与率を抽出した場合には（表面形状作成ステップ、Ｓ２０９）へ、一方、抽出していない場合には（設定ステップ（ＩＩ）、Ｓ２０８）へ移行する。
【００４１】
（８）寄与率を抽出していない点Ｐに隣接する点を次の点Ｐに設定し（設定ステップ（ＩＩ）、Ｓ２０８）、（速度ベクトル抽出ステップ、Ｓ２０５）に再び戻る。
【００４２】
（９）表面形状抽出部１１４が、抽出した点Ｐ’の集合を用いて時刻ｔ＋Δｔにおける表面形状Φ（ｔ＋Δｔ）を作成する（表面形状作成ステップ、Ｓ２０９）。
【００４３】
（１０）制御部１１２が、時刻ｔ＋Δｔが設定された成膜プロセス時間Ｔ＿ｄｅｐｏ以上であるか否か判別する（判別ステップ（ＩＩ）、Ｓ２１０）。
【００４４】
判別の結果、成膜プロセス時間Ｔ＿ｄｅｐｏ以上である場合には（最終形状、寄与率情報出力ステップ、Ｓ２１２）へ、一方、成膜プロセス時間Ｔ＿ｄｅｐｏ以下である場合には（時間インクリメントステップ、Ｓ２１１）へ移行する。
【００４５】
（１１）制御部１１２が、時刻ｔ＋Δｔをｔに設定し（時間インクリメントステップ、Ｓ２１１）、再び（設定ステップ（Ｉ）、Ｓ２０３）へ戻る。
【００４６】
（１２）制御部１１２が、記憶部１１６に記憶された成膜プロセス終了後の最終形状Φ（Ｔ＿ｄｅｐｏ）および寄与率情報を出力部１２２に出力する（最終形状、寄与率情報出力ステップ、Ｓ２１２）。
【００４７】
（１３）ユーザが出力された最終形状Φ（Ｔ＿ｄｅｐｏ）および寄与率情報を参照して、半導体素子の成膜プロセス条件を決定する（製造条件決定ステップ、Ｓ２１３）。
【００４８】
（１４）製造条件決定部１１７が、決定された成膜プロセス条件を半導体素子製造装置１２３に送り、半導体素子製造装置１２３がその製造プロセス条件に基づいて半導体素子を製造する（製造処理ステップ、Ｓ２１４）。
【００４９】
ここで、寄与率情報の出力処理は、例えば、図３に示す処理により行うことが考えられる。以下、図３を参照して、寄与率情報の出力処理について説明する。
【００５０】
本発明の実施形態に係る出力処理により寄与率情報を出力する際は以下の処理ステップを実行する。
【００５１】
（１）ユーザが、入力部１２１を介して、制御部１１２に記憶部１１６から出力する所望の現象を選択する（現象選択ステップ、Ｓ３０１）。
【００５２】
（２）ユーザが、入力部１２１を介して、制御部１１２に記憶部１１６から出力する物理現象の寄与率Ｃの刻み幅ｄを入力する（刻み幅設定ステップ、Ｓ３０２）。
【００５３】
（３）制御部１１２が記憶部１１６内の座標情報に基づいてメッシュポイントを発生する（メッシュ発生ステップ、Ｓ３０３）。
【００５４】
（４）制御部１１２が寄与率Ｃのカウンタを０に設定する（カウンタ設定ステップ、Ｓ３０４）。
【００５５】
（５）制御部１１２が、寄与率がＣである座標点を抽出する（座標抽出ステップ、Ｓ３０５）。
【００５６】
ここで、抽出する寄与率Ｃが記憶部１１６内に保存されている値の間にある場合は、例えば図５に示すように、線形補間処理等によりその座標値を抽出すると良い。
【００５７】
（６）制御部１１２が、抽出された寄与率がＣである点を結び、図７（ａ）に示すように、境界線を作成、出力部１２２に出力する（境界線作成・表示ステップ、Ｓ３０６）。
【００５８】
（７）制御部１１２が、寄与率Ｃの値を刻み幅ｄだけインクリメントする（インクリメントステップ、Ｓ３０７）。
【００５９】
（８）制御部１１２が、寄与率Ｃの値が１００以上であるか否か判別する（判別ステップ、Ｓ３０８）。
【００６０】
判別の結果、１００以上である場合には寄与率情報出力処理を終了し、一方、１００以下である場合には（座標抽出ステップ、Ｓ３０５）へ移行する。
【００６１】
このように、この出力処理によれば、寄与率Ｃの刻み幅ｄに応じて寄与率の境界線を求める処理を繰り返すことにより、寄与率の分布状態（等高線図等）を出力することが可能となり、図７（ｂ）に示すような、成膜プロセスに係る物理現象の一つである、イオンによる成膜現象の寄与率の分布状態を簡単に知ることができるのである。プラズマＣＶＤによる酸化膜の成膜プロセスにおいては、トレンチ内部に膜密度の低い領域ができることがあるが、この膜密度の低い領域はイオンの寄与率が低い領域と相関を持つと考えられ、図７（ｂ）に示したような情報からプロセス改善の指針を得ることができる。
【００６２】
なお、本発明の実施形態に係わる成膜プロセス評価装置およびその方法は、ＨＤＰ−ＣＶＤを用いた酸化膜のトレンチ内部への埋め込みプロセスにも応用することが可能である。すなわち、ＨＤＰ−ＣＶＤプロセスの際、Ａｒイオンによるエッチングレートの酸化膜成膜レートに対する比率（E/D ratio）が高くなると、埋め込み性が悪くなるとの報告があるが、本発明の実施形態に係わる成膜プロセス評価装置およびその方法によれば、様々なトレンチ形状やプロセス条件に対して、E/D ratioの分布をを求めることにより、インテグレーションの立場からのプロセス最適化への指針を得ることができる。
【００６３】
また、本発明の実施形態に係わる成膜プロセス評価装置は、例えば、図８に示すような概観を有する。つまり、本発明の実施形態に係わ成膜プロセス評価装置は、コンピュータシステム８０内に成膜プロセス評価装置の各要素を内蔵することにより構成される。コンピュータシステム８０は、フロッピーディスクドライブ８２および光ディスクドライブ８４を備えている。そして、フロッピーディスクドライブ８２に対してはフロッピーディスク８３、光ディスクドライブ８４に対しては光ディスク８６をそれぞれ挿入し、所定の読み出し操作を行うことにより、これらの記録媒体に格納された成膜プロセス評価プログラムをコンピュータシステム８０内にインストールすることができる。また、適当なドライブ装置をコンピュータシステム８０に接続することにより、例えば、メモリ装置の役割を担うＲＯＭ８５や、磁気テープ装置の役割を担うカートリッジ８６を用いて、成膜プロセス評価プログラムのインストールを実行することも可能である。
【００６４】
また、本発明の実施形態に係わる成膜プロセス評価方法は、プログラム化しコンピュータ読み取り可能な記録媒体内に格納しても良い。そして、成膜プロセス評価プログラムを実行する際は、この記録媒体をコンピュータシステムに読み込ませ、コンピュータシステム内のメモリ等の記録部に成膜プロセス評価プログラムを格納し、成膜プロセス評価プログラム中の処理を実行させることにより、本発明の実施形態に係わる成膜プロセス評価方法およびその装置をコンピュータシステム上で実現することができる。ここで、記録媒体とは、例えば、半導体メモリ、磁気ディスク、光ディスク、光磁気ディスク、磁気テープ、デジタルビデオディスク等、プログラムを記録することができるコンピュータ読み取り可能な媒体や信号等の通信媒体を意味する。
【００６５】
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態を包含するということは十分に理解すべきである。したがって、本発明はこの開示から妥当な特許請求の範囲に係わる発明特定事項によってのみ限定されるものでなければならない。
【００６６】
【発明の効果】
以上述べてきたように、本発明の成膜プロセス評価装置、成膜プロセス評価方法、成膜プロセス評価プログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記録媒体によれば、堆積膜の形成に寄与する物理現象毎の割合（寄与率）を抽出することができるので、堆積膜の膜質を評価することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係わる半導体素子製造システムの構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の実施形態に係わる半導体素子製造方法を示すフローチャート図である。
【図３】本発明の実施形態に係わる寄与率情報出力処理を示すフローチャート図である。
【図４】本発明の実施形態に係る成膜プロセス評価方法を説明するための図である。
【図５】本発明の実施形態に係る成膜プロセス評価方法を説明するための図である。
【図６】本発明の実施形態に係る成膜プロセス評価方法を説明するための図である。
【図７】本発明の実施形態に係る成膜プロセス評価方法を説明するための図である。
【図８】本発明の実施形態に係わる成膜プロセス評価装置の概観を示す図である。
【符号の説明】
４０、６０、７０  メッシュポイント
８０  コンピュータシステム
８１  ディスプレイ
８２  フロッピーディスクドライブ
８３  フロッピーディスク
８４  光ディスクドライブ
８５  キーボード
８６  光ディスク
８７  ＲＯＭ
８８  カートリッジ
１００  半導体素子製造システム
１１０  成膜プロセス評価装置
１１１  入出力インタフェイス部
１１２  制御部
１１３  速度ベクトル抽出部
１１４  表面形状抽出部
１１５  物理現象抽出部
１１６  記憶部
１１７  製造条件決定部
１２１  入力部
１２２  出力部
１２３  半導体素子製造装置
【図１】
0004031174.tif 000002
【図２】
0004031174.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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