(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の端子が配列された第１の端子列を備える第１の回路基板と前記第１の端子列の各端子に対応する複数の端子が配列された第２の端子列を備える第２の回路基板とを、それぞれの前記第１の端子列と前記第２の端子列を対向させて、熱硬化性樹脂中に導電性粒子を含有させた異方性導電接着剤からなるコネクタ部材により接合し、前記第１の端子列と前記第２の端子列との対応する端子とを前記コネクタ部材を介して導電接続する回路基板の接合方法において、
前記第１の端子列と前記第２の端子列の配列ピッチを予め異ならせて形成した前記第１、第２の回路基板のうち少なくとも一方の回路基板と前記コネクタ部材とを、前記熱硬化性樹脂がその中に含有する前記導電性粒子の流動を抑制できる程度に硬化させ、且つ前記第１の端子列と前記第２の端子列の各端子配列ピッチが同一となる温度に予備加熱する予備工程と、
前記予備工程の後、前記第１の回路基板と前記第２の回路基板とを前記第１の端子列と前記第２の端子列のそれぞれの対応する端子同士が対向するように位置合せする位置決め工程と、
前記位置決め工程の後、前記第１の回路基板と前記第２の回路基板とを、その間に前記コネクタ部材を介在させてさらに加熱しつつ加圧し、前記第１の端子列と前記第２の端子列を接合する接合工程とを具備することを特徴とする回路基板の接合方法。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、前記予備工程終了時点における前記第１の回路基板と前記第２の回路基板の各温度は、前記接合工程における前記第１の端子列と前記第２の端子列の温度上昇による各伸び量が等しくなる温度であることを特徴とする回路基板の接合方法。
【請求項３】
請求項１乃至２に記載の発明において、前記第１の回路基板の方が前記第２の回路基板より熱膨張率が大きく、予備工程前の状態で前記第１の端子列より前記第２の端子列の方が端子ピッチが大きいことを特徴とする回路基板の接合方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の発明において、前記第１の回路基板は液晶表示パネルの一方の基板であり、前記第２の回路基板はフレキシブル回路基板であることを特徴とする回路基板の接合方法。
【請求項５】
第１の回路基板の第１の端子列を形成する複数の第１の端子と、第２の回路基板に前記第１の端子にそれぞれ対応して配列され第２の端子列を形成する第２の端子とを、熱硬化性の絶縁性樹脂中に導電性粒子を含有させてなる異方性導電接着剤を介して電気的に接合する回路基板の接合方法において、
配列ピッチを予め異ならして形成した第１の端子列と第２の端子列がそれぞれに形成された前記第１、第２の回路基板のうち一方の回路基板と共に前記異方性導電接着剤を、前記導電性粒子の流動が抑制される程度の硬さに硬化させ、且つ前記第１の端子列と前記第２の端子列の各端子配列ピッチが同一となる温度に加熱する予備工程と、
前記予備工程終了後、前記第１の回路基板と前記第２の回路基板とをその間に前記異方性導電接着剤を挟んでさらに加熱しつつ加圧し、前記絶縁性樹脂を前記予備工程で硬化させた状態よりも更に硬化させ、前記第１の端子列と前記第２の端子列とを前記導電性粒子を介して導電接続する接合工程とを具備することを特徴とする回路基板の接合方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は回路基板の接合方法に関し、詳細には、接合すべき２つの回路基板の熱膨張率の違いによる端子列の位置ずれを防止できる回路基板の接合方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば液晶表示装置の製造方法では、液晶表示パネルの一方の回路基板とフレキシブル回路基板とをその間に異方性導電接着剤等のコネクタ部材を介して熱圧着接合する方法がよく用いられる。
【０００３】
図９はこのような回路基板の接合方法で用いられている従来の回路基板の接合装置の一例の一部の斜視図を示したものである。この接合装置は、吸着機構（図示せず）付きの固定台１、固定台１の横にＸ、Ｙ方向(水平方向)へ移動可能に配置された吸着機構（図示せず）付きの可動台２、固定台１の上方に上下方向移動可能に配置されボンディングツール３等を備えている。
【０００４】
固定台１上には、液晶表示パネル４が位置決めされて吸着配置されるようになっている。液晶表示パネル４は、上ガラス基板５と下ガラス基板６とがほぼ方形枠状のシール材（図示せず）を介して貼り合わされ、シール材の内側における両ガラス基板５、６間に液晶（図示せず）が封入され、上ガラス基板５の上面に上偏光板７が貼り付けられ、下ガラス基板６の下面に下偏光板（図示せず）が貼り付けられたものからなっている。この場合、下ガラス基板６の所定の１辺部は上ガラス基板５から突出され、該突出部６ａ上にはＩＴＯ等の透明な金属からなる複数の入力端子８（図１０参照）が設けられ、入力端子８上には帯状の異方性導電接着剤９が仮圧着されて配置されている。異方性導電接着剤９は、図１０に示すように、熱硬化性樹脂１０中に多数の導電性粒子１１を含有させたものからなっている。
【０００５】
可動台２上には、フレキシブル回路基板１２が位置決めされて吸着配置されるようになっている。フレキシブル回路基板１２は、ポリイミド等からなるベースフィルム１３の上面中央部に液晶表示パネル駆動用のＬＳＩ等からなる半導体チップ１４がＣＯＦ(chip on film)方式で搭載され、ベースフィルム１３の一端部下面に銅等からなる複数の接続端子１５（図１０参照）が半導体チップ１４に接続されて設けられたものからなっている。
【０００６】
次に、この接合装置でフレキシブル回路基板１２の一端部に配列された端子部を液晶表示パネル４の下ガラス基板６の突出部６ａ上の端子配列部に接合する場合について説明する。まず、固定台１上に液晶表示パネル４を所定の位置に位置決めして吸着配置する。この場合、下ガラス基板６の突出部６ａ上には帯状の異方性導電接着剤９が配置されている。また、可動台２上にフレキシブル回路基板１２を所定の位置に位置決めして吸着配置する。この状態では、フレキシブル回路基板１２の一端部は可動台２から所定の量だけ突出され、異方性導電接着剤９上に位置させられている。
【０００７】
次に、この状態において、図示していないが、フレキシブル回路基板１２の一端部および下ガラス基板６の突出部６ａの各Ｘ、Ｙ方向位置をそれぞれカメラ等を備えた画像処理位置検出装置により検出する。そして、この検出結果に基づいて、可動台２をＸ、Ｙ方向に適宜に移動させ、フレキシブル回路基板１２の一端部の下ガラス基板６の突出部６ａに対する位置合わせを行う。次に、ボンディングツール３を下降させ、その下面により、フレキシブル回路基板１２の一端部下面を下ガラス基板６の突出部６ａ上の異方性導電接着剤９の上面に圧接させる。そして、ボンディングツール３による加熱加圧により、フレキシブル回路基板１２の一端部下面を液晶表示パネル４の突出部６ａ上の適正位置に異方性導電接着剤９を介して接合し、夫々の各端子を異方性導電接着剤９中の導電性粒子を介して導電接続する。
【０００８】
この理想的な接合状態を図１０に示す。ただし、図１０では、図示の都合上、接続端子１５および入力端子８はそれぞれ多数個ある中の３個しか図示していない。この理想接合状態は、ベースフィルム１３の熱膨張率が液晶表示パネル４の下ガラス基板６の熱膨張率と等しい場合に得られるものであり、接続端子１５の配列ピッチと入力端子８の配列ピッチは同じであり、互いに対向する接続端子１５と入力端子８とはその間に介在されて適宜に弾性変形した導電性粒子１１を介して導電接続されている。また、接続端子１５を含むフレキシブル回路基板１２の一端部下面と入力端子８を含む下ガラス基板６の突出部６ａ上面とは熱硬化性樹脂１０を介して接着されている。
【０００９】
ところで、フレキシブル回路基板１２のポリイミド等からなるベースフィルム１３の熱膨張率が液晶表示パネル４の下ガラス基板６の熱膨張率よりも大きいため、接合時におけるボンディングツール３の加熱温度が通常２００〜３００℃程度の高温となることにより、ベースフィルム１３の接続端子１５を含む部分のＸ方向への伸び量（以下、単に、伸び量という）が下ガラス基板６の突出部６ａの入力端子８を含む部分のＸ方向への伸び量（以下、単に、伸び量という）よりも大きくなってしまう。すなわち、図１１に示すように、ベースフィルム１３および下ガラス基板６の各温度は、接合開始前は共に室温であり、接合が開始されて加熱されても共にほぼ同じように上昇し、接合終了時点では、ベースフィルム１３の温度は接合温度Ｔ１となり、下ガラス基板６の温度はベースフィルム１３の接合温度Ｔ１よりもやや低い接合温度Ｔ２となる。しかし、図１２に示すように、接合終了時点においては、ベースフィルム１３の伸び量Ｌ１は下ガラス基板６の伸び量Ｌ２よりも相当に大きくなってしまう。伸び量Ｌ１、Ｌ２の定義については、後で説明する。
【００１０】
そこで、これらの伸び量Ｌ１、Ｌ２の差（Ｌ１−Ｌ２）を考慮して、接合前の初期の状態においては、図１３に示すように、フレキシブル回路基板１２の接続端子１５の配列ピッチＰ１を下ガラス基板６の突出部６ａの入力端子８の配列ピッチＰ２よりも上記伸び量の差（Ｌ１−Ｌ２）が相殺されるように所定量だけ小さくしている。ここで、伸び量Ｌ１、Ｌ２とは、各端子１５、８の配列ピッチＰ１、Ｐ２のそれぞれの合計値の各増加量のことであり、つまり図１３に示す左右両端の各端子１５ａ、１５ｂおよび８ａ、８ｂの各幅方向中心間の長さの増加量のことである。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記従来の接合方法では、フレキシブル回路基板１２の一端部の下ガラス基板６の突出部６ａに対する位置合わせを行っているだけであり、ベースフィルム１３および下ガラス基板６の接合時の加熱による伸びの基点を制御することは困難である。この伸びの基点位置はヒータチップの当接具合等によって微妙に変ってくるものであり、ベースフィルム１３および下ガラス基板６の接合時の加熱による伸びの基点が図１３においてＡ−Ａ線で示すように左右方向の中心である場合には、ベースフィルム１３および下ガラス基板６がそれぞれ左右方向に均等に伸びることにより、図１０に示すように、接続端子１５の配置位置と入力端子８の配置位置とをほぼ同じとすることができる。しかし、ベースフィルム１３および下ガラス基板６の接合時の加熱による伸びの基点が例えば図１３においてＢ−Ｂ線で示すように右端部である場合には、ベースフィルム１３および下ガラス基板６が共にほとんど左方向へのみ伸びることにより、図１４に示すように、接続端子１５の配置位置と入力端子８の配置位置とがずれてしまう。この結果、接続端子１５と入力端子８との対向面積が減少し、その間に介在される導電性粒子１１の個数が減少し、接続抵抗が高くなってしまうという問題があった。特に、接続端子１５および入力端子８の配列ピッチの微細化を行う場合には、大きな支障となってしまう。
この発明の目的は、接合すべき２つの回路基板の熱膨張率の違いによるそれぞれ端子列間の位置ずれを防止し、双方の端子列の対応する各端子同士を正確に対向させて確実に導電接続する回路基板の接合方法を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の回路基板の接合方法は、請求項１に記載のように、複数の端子が配列された第１の端子列を備える第１の回路基板と前記第１の端子列の各端子に対応する複数の端子が配列された第２の端子列を備える第２の回路基板とを、それぞれの前記第１の端子列と前記第２の端子列を対向させて、熱硬化性樹脂中に導電性粒子を含有させた異方性導電接着剤からなるコネクタ部材により接合し、前記第１の端子列と前記第２の端子列との対応する端子とを前記コネクタ部材を介して導電接続する回路基板の接合方法において、前記第１の端子列と前記第２の端子列の配列ピッチを予め異ならせて形成した前記第１、第２の回路基板のうち少なくとも一方の回路基板と前記コネクタ部材とを、前記熱硬化性樹脂がその中に含有する前記導電性粒子の流動を抑制できる程度に硬化させ、且つ前記第１の端子列と前記第２の端子列の各端子配列ピッチが同一となる温度に予備加熱する予備工程と、前記予備工程の後、前記第１の回路基板と前記第２の回路基板とを前記第１の端子列と前記第２の端子列のそれぞれの対応する端子同士が対向するように位置合せする位置決め工程と、前記位置決め工程の後、前記第１の回路基板と前記第２の回路基板とを、その間に前記コネクタ部材を介在させてさらに加熱しつつ加圧し、前記第１の端子列と前記第２の端子列を接合する接合工程とを具備することを特徴とするものである。
この請求項１に記載の発明によれば、接合する前に両回路基板のうち少なくとも一方の回路基板と前記コネクタ部材とを、前記熱硬化性樹脂がその中に含有する前記導電性粒子の流動を抑制できる程度に硬化させ、且つ前記第１の端子列と前記第２の端子列の各端子配列ピッチが同一となる温度まで予備加熱した後、対応する各端子同士が対向するように位置合せするので、この後の接合工程における接合すべき２つの回路基板の熱膨張率の違いや伸びの基点の違いによる端子列の位置ずれを防止し、端子列同士を常に対応する端子同士を正確に対向させて確実に導電接続することができる。
本発明においては、請求項２に記載のように、前記予備工程終了時点における前記第１の回路基板と前記第２の回路基板の各温度は、前記接合工程における前記第１の端子列と前記第２の端子列の各伸び量が等しくなる温度に設定される。
そして、請求項３に記載のように、本発明は、前記第１の回路基板の方が前記第２の回路基板より熱膨張率が大きく、予備工程前の状態で前記第１の端子列より前記第２の端子列の方が端子ピッチが大きい回路基板同士の接合に好適である。
また、本発明は、請求項４に記載のように、前記第１の回路基板は液晶表示パネルの一方の回路基板であり、前記第２の回路基板はフレキシブル回路基板である回路基板同士の接合に好適である。
本願のもう一つの発明の回路基板の接合方法は、請求項５に記載のように、第１の回路基板の第１の端子列を形成する複数の第１の端子と、第２の回路基板に前記第１の端子にそれぞれ対応して配列され第２の端子列形成する第２の端子とを、熱硬化性の絶縁性樹脂中に導電性粒子を含有させてなる異方性導電接着剤を介して電気的に接合する回路基板の接合方法において、配列ピッチを予め異ならして形成した第１の端子列と第２の端子列がそれぞれに形成された前記第１、第２の回路基板のうち一方の回路基板と共に前記異方性導電接着剤を、前記導電性粒子の流動が抑制される程度の硬さに硬化させ、且つ前記第１の端子列と前記第２の端子列の各端子配列ピッチが同一となる温度に加熱する予備工程と、前記予備工程終了後、前記第１の回路基板と前記第２の回路基板とをその間に前記異方性導電接着剤を挟んで加熱しつつ加圧し、前記絶縁性樹脂を前記予備工程で硬化させた状態よりも更に硬化させ、前記第１の端子列と前記第２の端子列とを前記導電性粒子を介して導電接続する接合工程とを具備することを特徴とするものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】
図１はこの発明の一実施形態としての回路基板の接合装置の要部の斜視図を示したものである。この接合装置は、吸着機構（図示せず）付きの固定台２１を備えている。固定台２１の上方にはボンディングツール２２が配置されている。ボンディングツール２２はヒータチップ２３を備え、吸着機構（図示せず）付きの支持板２４の下面の一方側に取り付けられている。ヒータチップ２３を含むボンディングツール２２は、複数の加熱温度設定が瞬時に行える加熱温度制御機能を備えている。支持板２４の下面の他方側の４角には吸着脚２５が設けられている。吸着脚２５の下面は、吸着機構の作用により、大気圧よりも低い圧力面となるようになっている。吸着脚２５の下面の高さ位置はボンディングツール２２の下面の高さ位置とほぼ同じ位置となっている。そして、ヒータチップ２３、支持板２４および吸着脚２５は、一体となって、Ｘ、Ｙ、Ｚ方向(位置決め用)およびＸＹ平面内での回転角θ(姿勢調整用)方向に移動されるようになっている。
【００１４】
固定台２１上には、液晶表示パネル３１がＸ、Ｙ、θ方向に位置決めされて吸着配置されるようになっている。液晶表示パネル３１は、上ガラス基板３２と下ガラス基板３３とがほぼ方形枠状のシール材（図示せず）を介して貼り合わされ、シール材の内側における両ガラス基板３２、３３間に液晶（図示せず）が封入され、上ガラス基板３２の上面に上偏光板３４が貼り付けられ、下ガラス基板３３の下面に下偏光板（図示せず）が貼り付けられたものからなっている。この場合、下ガラス基板３３の所定の１辺部は上ガラス基板３２から突出され、該突出部３３ａ上にはＩＴＯ等の透明な金属からなる複数の入力端子３５（図２参照）が設けられ、入力端子３５上には帯状の異方性導電接着剤３６が仮圧着されて配置されるようになっている。異方性導電接着剤３６は、図２に示すように、熱硬化性樹脂３７中に多数の導電性粒子３８を含有させたものからなっている。
【００１５】
４つの吸着脚２５の下面には、フレキシブル回路基板４１がＸ、Ｙ、θ方向に位置決めされて吸着配置されるようになっている。フレキシブル回路基板４１は、ポリイミド等からなるベースフィルム４２の上面中央部に液晶表示パネル駆動用のＬＳＩ等からなる半導体チップ４３がＣＯＦ(chip on film)方式で搭載され、ベースフィルム４２の一端部下面に銅等からなる複数の接続端子４４（図２参照）が半導体チップ４３に接続されて設けられたものからなっている。
【００１６】
次に、この接合装置でフレキシブル回路基板４１の一端部を液晶表示パネル３１の下ガラス基板３３の突出部３３ａ上に接合する場合について説明する。まず、固定台２１上に液晶表示パネル３１をＸ、Ｙ、θ方向に位置と姿勢を決めて吸着配置する。この場合、下ガラス基板３３の突出部３３ａ上には帯状の異方性導電接着剤３６が仮圧着されて配置されている。また、４つの吸着脚２５の下面にフレキシブル回路基板４１をＸ、Ｙ、θ方向に位置決めして吸着配置する。この状態では、フレキシブル回路基板４１の接続端子４４が並設された一端部が熱圧着ヘッドとなるヒータチップ２３先端面に密接するように配置されている。なお、ヒーターチップ先端面にも吸着機能を持たせ、この先端面にフレキシブル回路基板４１の一端部を吸着させるようにしてもよい。
【００１７】
ここで、図１では、ボンディングツール２２が、固定台２１上に吸着配置された液晶表示パネル３１の突出部３３ａの上方に位置するように図示しているが、この時点では、ボンディングツール２２は上限位置においてＹ方向に移動されて固定台２１と対向しない待機位置に位置させられている。この状態におけるベースフィルム４２の接続端子４４と下ガラス基板３３の入力端子３５との関係を図２に示す。ただし、図２では、図示の都合上、接続端子４４および入力端子３５はそれぞれ多数個の内の３個しか図示していない。この図２に示す状態では、つまり接合前の初期の状態では、図６に示す本加熱加圧終了時点におけるベースフィルム４２の伸び量Ｌ１と下ガラス基板３３の伸び量Ｌ２との差（Ｌ１−Ｌ２）を考慮して、接続端子４４の配列ピッチＰ１は入力端子３５の配列ピッチＰ２よりも上記伸び量の差（Ｌ１−Ｌ２）が相殺されるように所定量だけ小さくなっている。
【００１８】
次に、ボンディングツール２２が待機位置に位置する状態において、ヒーターチップ２３を含むボンディングツール２２による予備加熱により、ベースフィルム４２の接続端子４４が並設された一端部を予め設定された予熱温度となるまで加熱する。すると、図５に示すように、下ガラス基板３３の温度は室温に保たれたままであるが、ベースフィルム４２の温度は上昇して予め設定された予熱温度Ｔ３となる。これにより、図６に示すように、下ガラス基板３３は伸びないが、ベースフィルム４２は予め設定された量Ｌ３だけ伸びる。ここで、ベースフィルム４２の伸び量Ｌ３を、図２に示す入力端子３５の配列ピッチＰ２と接続端子４４の配列ピッチＰ１との差（Ｐ２−Ｐ１）の合計値となるように予め設定しておくと、図３に示すように、接続端子４４の配列ピッチＰ３は入力端子３５の配列ピッチＰ２と等しくなる。
【００１９】
次に、この状態において、図示していないが、フレキシブル回路基板４１の一端部および下ガラス基板３３の突出部３３ａの各Ｘ、Ｙ方向位置をそれぞれカメラ等を備えた画像処理位置検出装置により検出する。そして、この検出結果に基づいて、待機位置に位置するボンディングツール２２をＸ、Ｙ方向に適宜に移動させ、フレキシブル回路基板４１の一端部の下ガラス基板３３の突出部３３ａに対する位置合わせを行い、フレキシブル回路基板４１の接続端子４４を対応する入力端子３５の上方の整合位置に正確に位置させる。
【００２０】
次に、ボンディングツール２２をＺ方向に所定量だけ下降させ、フレキシブル回路基板４１の一端部下面を下ガラス基板３３の突出部３３ａ上の異方性導電接着剤３６の上面に圧接させる。そして、ヒーターチップ２３を発熱させ本加熱温度にまでボンディングツール２２を加熱して本加熱加圧を行う。、この本加熱加圧により、図５に示すように、、ベースフィルム４２の温度が予熱温度Ｔ３からさらに上昇して本加熱加圧終了時点で予定の接合温度Ｔ１となると同時に、下ガラス基板３３の温度が室温から上昇して本加熱加圧終了時点で予定した接合温度Ｔ２となる。これにより、図６に示すように、ベースフィルム４２はさらに（Ｌ１−Ｌ３）だけ伸びて当初からの伸び量が所期の伸び量Ｌ１となり、下ガラス基板３３は所期の量Ｌ２だけ伸びる。ここで、Ｌ２＝（Ｌ１−Ｌ３）となるように予め予備加熱温度Ｔ３を設定しておくことにより、本加熱加圧時におけるベースフィルム４２の一端部の伸び量と下ガラス基板３３の突出部３３ａの伸び量とは同じとなる。
【００２１】
この結果、ベースフィルム１３および下ガラス基板６の伸びの基点が図３においてＡ−Ａ線で示すように左右方向の中心であっても、Ｂ−Ｂ線で示すように右端部であっても、つまりどこであっても、図４に示すように、接続端子４４の配列ピッチと入力端子３５の配列ピッチとが等しく拡大され、接続端子４４が対応する入力端子３５に正確に対向して重畳した配置となる。そして、この状態では、互いに対向する接続端子４４と入力端子３５とはその間に介在されて適宜に弾性変形した導電性粒子３８を介して確実に導電接続されている。また、接続端子４４を含むフレキシブル回路基板４１の一端部下面と入力端子３５を含む下ガラス基板３３の突出部３３ａ上面とは熱硬化性樹脂３７を介して接着されている。
【００２２】
以上のように、この接合方法では、本加熱加圧前にフレキシブル回路基板４１を予備加熱してその接続端子間のピッチを接合すべき入力端子間のピッチと同一にすると共に位置合わせをした後に本加熱加圧を行い、その本加熱加圧におけるフレキシブル回路基板４１の一端部の伸び量（Ｌ１−Ｌ３）と下ガラス基板３３の突出部３３ａの伸び量Ｌ２が等しくなるように、フレキシブル回路基板４１の一端部の予熱温度Ｔ３を設定したから、接合すべきベースフィルム４２と下ガラス基板３３の熱膨張率の違いおよび伸びの基点の相違による端子列の位置ずれが防止され、端子列同士を常に確実に所期の通り導電接続することができる。
【００２３】
なお、上記実施形態では、ベースフィルム４２のみを予備加熱する場合について説明したが、これら限らず、ベースフィルム４２をボンディングツール２２で予備加熱するとともに、下ガラス基板３３を加熱手段（図示せず）を備えた固定台２１で予備加熱するようにしてもよい。次に、この場合におけるベースフィルム４２および下ガラス基板３３の各温度変化とベースフィルム４２および下ガラス基板３３の各伸び量について、図７および図８を参照して説明する。
【００２４】
まず、図７に示すように、ベースフィルム４２および下ガラス基板３３の各温度は、接合前の初期の状態では共に室温である。そして、ベースフィルム４２および下ガラス基板３３の予備加熱を別々に開始し、ベースフィルム４２の温度を予め設定された予熱温度Ｔ４（Ｔ４＞Ｔ３）まで上昇させ、下ガラス基板３３の温度を予め設定された予熱温度Ｔ５に上昇させる。これにより、図８に示すように、ベースフィルム４２側の端子配列部は予め設定された量Ｌ４（Ｌ４＞Ｌ３）だけ伸び、下ガラス基板３３側の端子配列部は予め設定された量Ｌ５だけ伸びる。なお、Ｔ３およびＬ３は前述した実施形態での予備加熱温度およびそれによる伸び量である。ここで、（Ｌ４−Ｌ５）＝Ｌ３となるように予めそれぞれの予備加熱温度Ｔ４、Ｔ５を設定しておくと、予備加熱後における接続端子４４の配列ピッチと入力端子３５の配列ピッチとは等しくなる。
【００２５】
次に、本加熱加圧を所定時間実施し、ベースフィルム４２の温度を予熱温度Ｔ４からさらに上昇させて本加熱加圧終了時点で予定した接合温度Ｔ１とし、、下ガラス基板３３の温度を予熱温度Ｔ５からさらに上昇して本加熱加圧終了時点で予定した接合温度Ｔ２とする。これにより、図８に示すように、ベースフィルム４２はさらに（Ｌ１−Ｌ４）だけ伸びて当初からの伸び量が所期の伸び量Ｌ１となり、下ガラス基板３３はさらに（Ｌ２−Ｌ５）だけ伸びて当初からの伸び量が所期の伸び量Ｌ２となる。ここで、（Ｌ１−Ｌ４）＝（Ｌ２−Ｌ５）となるように各予備加熱温度Ｔ４、Ｔ５を予め設定しておくことにより、本加熱加圧時におけるベースフィルム４２の端子配列部の伸び量と下ガラス基板３３の突出部３３ａの伸び量とは同じとなる。したがって、この場合も、接合すべきベースフィルム４２と下ガラス基板３３の熱膨張率の違いおよび伸びの基点の相違による端子列の位置ずれが防止され、端子列同士を常に確実に所期の通り導電接続することができる。
【００２６】
ところで、ポリイミド等からなるベースフィルム４２の場合、予熱温度Ｔ３、Ｔ４は通常約１００℃以上である。一方、室温状態におけるベースフィルム４２の寸法が吸湿により変化している場合がある。しかし、このような場合でも、ベースフィルム４２は予備加熱されて予熱温度Ｔ３、Ｔ４になると十分に乾燥され、予備加熱による伸び量Ｌ３、Ｌ４を含む所期の寸法となり、そしてこの時点で上述の実施形態と同様に位置合わせを行うので、ベースフィルム４２の吸湿による寸法変化の影響を無くすことができる。
【００２７】
また、下ガラス基板３３を予備加熱する場合には、その突出部３３ａ上に配置された異方性導電接着剤３６も予備加熱されることになる。この場合、下ガラス基板３３の予熱温度Ｔ５を、予備加熱によって熱硬化性樹脂３７を導電性粒子３８の流動が抑制される程度の硬さに硬化させる温度に設定すると、本加熱加圧時に熱硬化性樹脂３７が過度に流動することがなく、導電性粒子３８の移動が軽減され、本加熱加圧後における導電性粒子３８の分布を均一にすることができる。
【００２８】
なお、上記実施形態において、フレキシブル回路基板４１の代わりに、ＴＡＢ(tape automated bonding)、ＴＣＰ(tape carrier package)、半導体チップ等を液晶表示パネル３１の突出部３３ａ上に接合するようにしてもよい。さらに、固定台２１上に吸着配置される一方の回路基板の熱膨張率がこれに接合される他方の回路基板の熱膨張率よりも大きい場合には、一方の回路基板を予め設定された予熱温度まで予備加熱するようにしてもよく、あるいは他方の回路基板を予め設定された冷却温度まで予備冷却するようにしてもよい。加えて、上記実施形態において、ベースフィルム４２を室温のままとし、下ガラス基板３３を予め設定された冷却温度まで予備冷却するようにしてもよい。
【００２９】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、接合する前に両回路基板のうち少なくとも一方の回路基板と前記コネクタ部材とを、前記熱硬化性樹脂がその中に含有する前記導電性粒子の流動を抑制できる程度に硬化させ、且つ前記第１の端子列と前記第２の端子列の各端子配列ピッチが同一となる温度まで予備加熱した後、対応する各端子同士が対向するように位置合せするので、この後の接合工程における接合すべき２つの回路基板の熱膨張率の違いや伸びの基点の違いによる端子列の位置ずれを防止し、端子列同士を常に対応する端子同士を正確に対向させることができ、また異方性導電接着剤の導電性粒子の流動が抑制されるので、前記端子同士を確実に導電接続することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施形態としての回路基板の接合装置の要部を示す斜視図。
【図２】図１に示す接合装置において、フレキシブル回路基板を下ガラス基板上に接合する前の初期の状態を示す断面図。
【図３】図２に示す状態からフレキシブル回路基板を予備加熱した状態を示す断面図。
【図４】図３に示す状態からフレキシブル回路基板を下ガラス基板上に接合した状態を示す断面図。
【図５】図２〜図４に示す場合におけるフレキシブル回路基板および下ガラス基板の各温度変化を示す図。
【図６】図５に示す場合におけるフレキシブル回路基板および下ガラス基板の各伸び量を示す図。
【図７】フレキシブル回路基板および下ガラス基板の各温度変化の他の例を示す図。
【図８】図７に示す場合におけるフレキシブル回路基板および下ガラス基板の各伸び量を示す図。
【図９】従来の回路基板の接合装置の一例の一部を示す斜視図。
【図１０】図９に示す接合装置において、フレキシブル回路基板を下ガラス基板上に接合した状態を示す断面図。
【図１１】上記従来例において、フレキシブル回路基板および下ガラス基板の各温度変化を示す図。
【図１２】図１１に示す場合におけるフレキシブル回路基板および下ガラス基板の伸び量を示す図。
【図１３】図９に示す接合装置において、フレキシブル回路基板を下ガラス基板上に接合する前の初期の状態を示す断面図。
【図１４】図１３においてベースフィルムおよび下ガラス基板の伸びの基点がＢ−Ｂ線で示すように右端部である場合の接合後の状態を説明するために示す断面図。
【符号の説明】
２１  固定台
２２  ボンディングツール
２３  ヒーターチップ
２４  支持板
２５  吸着脚
３１  液晶表示パネル
３２  上ガラス基板
３３  下ガラス基板
３３ａ  突出部
３５  入力端子
３６  異方性導電接着剤
３７  熱硬化性樹脂
３８  導電性粒子
４１  フレキシブル回路基板
４２  ベースフィルム
４３  半導体チップ
４４  接続端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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