(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基板上に少なくとも磁性金属膜、膜厚４ｎｍ以下のダイヤモンド状炭素膜である炭素保護膜及びフッ素含有潤滑膜を設けた磁気ディスクの設計方法であって、
膜厚４ｎｍ以下のダイヤモンド状炭素膜の上に、2.0〜2.4nmの膜厚を有する前記フッ素含有潤滑膜を塗布して、２９２０ｃｍ−１近傍のＣ−Ｈ結合に起因する赤外吸収強度と潤滑膜のＣ-Ｆ結合に起因する赤外吸収強度をATR法を用いたFT−IRで測定し、
前記Ｃ−Ｈ結合に起因する赤外吸収強度と前記Ｃ-Ｆ結合に起因する赤外吸収強度との比が０．０３５〜０．０６０となるように前記炭素系保護膜を選択することを特徴とする磁気ディスクの設計方法。
【請求項２】
前記非磁性基板はガラス基板であることを特徴とする請求項１記載の磁気ディスクの設計方法。
【請求項３】
前記潤滑膜は化学式（１）で示すものであることを特徴とする請求項１又は２記載の磁気ディスクの設計方法。
0004031944.tif 000004
ここでｐは０または１以上の整数、ｑは０または１以上の整数であり、潤滑剤の平均分子量は６００〜２４００である。
【請求項４】
非磁性基板上に少なくとも磁性金属膜、膜厚が４ｎｍ以下のダイヤモンド状炭素膜の保護膜と潤滑剤を設けた磁気ディスクと、化学式（１）で示す潤滑剤をガスとして供給する機構とを有する磁気ディスク装置の設計方法であって、
前記磁気ディスク装置に前記磁気ディスクと前記機構を組み込んで、記録再生を繰り返した後、２９２０ｃｍ−１近傍のＣ−Ｈ結合に起因する赤外吸収強度と潤滑膜のＣ-Ｆ結合に起因する赤外吸収強度をATR法を用いたFT−IRで測定し、
前記Ｃ−Ｈ結合に起因する赤外吸収強度と前記Ｃ-Ｆ結合に起因する赤外吸収強度との比が０．０３５〜０．０６０となるように前保護膜を選択することを特徴とする磁気ディスク装置の設計方法。
【化１】
0004031944.tif 000005
ここでｐは０または１以上の整数、ｑは０または１以上の整数であり、潤滑剤の平均分子量は６００〜２４００である。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、４ｎｍ以下の極薄膜のカーボン保護膜を有する磁気ディスクにおいて、磁気ディスクの耐摩耗性を著しく向上させる保護膜質と潤滑膜厚との関係に関するものである。また、潤滑剤を装置内へ供給する機構を有する磁気ディスク装置において、磁気ディスク装置を高信頼化させる磁気ディスクの保護膜の膜質と装置から供給される潤滑剤および潤滑膜厚との関係に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
磁気ディスク装置の高記録密度化に伴い、磁気ヘッドと磁気ディスクの磁性膜との間隔を狭めるため、保護膜の薄膜化が進んでいる。従来から磁気ディスクの保護膜はアモルファス炭素膜或いはダイヤモンド状炭素膜（ＤＬＣ：Diamond Like Carbon)が用いられているが、近年の薄膜化に対し、より強度に優れたＤＬＣ膜の形成を目的として、ケミカルベーパーデポジション（ＣＶＤ）法やイオンビームデポジション（ＩＢＤ）法、フィルタードカソディックアーク法等の製法が提案されている。
【０００３】
ＤＬＣ膜はその膜中にＳＰ２およびＳＰ３構造のカーボンの結合とカーボンと水素の結合が存在する。特に膜中の水素量によってＤＬＣ膜の物性は大きく変化する。一般的にある水素量で硬度は最大になり、それ以上取り込まれると次第に炭化水素構造が増えるため硬度が低下することが知られている。このことからＤＬＣ膜内の水素量の最適化は、膜質を制御する上で重要な課題である。この課題に対し、特開平６−１９５６９４号公報では炭素／水素の原子比が、６０／４０以上、９０／１０以下と規定している。
【０００４】
また特開平９−１２８７３２号公報等ではラマンスペクトルの蛍光強度比から水素量との相関をとり、１０〜３７ａｔ％としている。これらの従来例では保護膜の膜厚は１０ｎｍ以上であり非常に厚いため、保護膜の膜質評価もＦＴ−ＩＲ(Fourier Transform Infrared Spectrometer)（フーリエ変換型赤外分光）やラマンなどによって簡便に行うことが可能であった。
【０００５】
しかしながら、５ｎｍ以下のように極薄膜のＤＬＣ保護膜の膜質評価は、その膜厚が薄すぎるため、上記のＦＴ−ＩＲ、ラマンといった測定は検出信号が微弱となり困難となる。そのため保護膜の膜厚を厚くして測定しても、実際に使用する膜厚の保護膜の膜質とは、成膜温度や成膜レートが異なってしまうために正確な膜質の評価にはならない。すなわち、極薄膜のＤＬＣ保護膜の膜質を決定するためには、極薄膜状態の保護膜を評価する手法も重要である。
【０００６】
次に、磁気ディスクの保護膜上にはフッ素含有潤滑剤が塗布されている。潤滑剤はパーフルオロポリエーテルと呼ばれる潤滑剤が一般的であり、その膜厚は１〜３ｎｍ程度である。しかしながら、保護膜と潤滑膜との関係、特に薄膜保護膜の膜質と潤滑膜の膜厚との関係についてはなんら検討されていない。
【０００７】
磁気ディスク装置内に潤滑剤をガスとして供給する技術は、ヘッドディスクアセンブリ内に潤滑剤供給源を配置するものであった。潤滑剤を供給する目的は潤滑剤の回転や熱による飛散を少なくすることである。
【０００８】
しかしながら、従来例では供給する潤滑剤の材料、吸着特性と磁気ディスクに形成されている潤滑膜の材料、吸着特性およびその組合せ、また保護膜の膜質と供給される潤滑剤の材料との組合わせ、供給された後の潤滑膜の膜厚との組合わせについては考慮されておらず、従来例の場合には潤滑剤を磁気ディスクやヘッドディスクインタフェースへ供給しても信頼性を向上させることができない場合があった。
【０００９】
また、供給に使用する潤滑剤によっては磁気ヘッドの汚れを防止することができなくなり、信頼性の低下を引き起こした。さらに磁気ディスクの薄膜保護膜の膜質と装置から供給された潤滑剤との相性については検討されておらず、その組合わせによっては磁気ディスク装置の信頼性を向上することができない場合もあった。
【００１０】
特にアモルファス炭素膜と異なり、ＤＬＣ膜は一般的に潤滑膜の吸着エネルギーが低いため、潤滑膜と保護膜との関係に配慮しなければならない。すなわち、吸着エネルギーの小さいＤＬＣ膜上の潤滑膜は、スピンオフ（磁気ディスクの回転による潤滑剤の飛散）や磁気ヘッドによるピックアップ（磁気ヘッドが磁気ディスクと接触したとき潤滑剤が磁気ヘッドに掻き取られ減少する現象）により装置稼働中に著しく減少する場合がある。このような場合には磁気ディスクの潤滑膜厚と保護膜の膜質とについて最適な組合せを決定することが重要となる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
現在、磁気ディスクの保護膜の厚さは４〜５ｎｍ以下であり、このような極薄膜では磁気ヘッドと磁気ディスクの接触に対する耐摺動信頼性の確保が一層厳しく、従来例のようなＤＬＣ保護膜の評価手法で求めた水素量で膜質を最適化するのでは不十分となってきた。また従来は高硬度の膜を追求する傾向にあったが、極薄膜の場合、下地等からの変形に対する脆性、若しくは磁気ヘッドと磁気ディスクの高速、高摩擦力接触に対する弾性が問題になる。従って適度な硬度とともに適度な弾性を兼ね備えた膜が必要とされている。一方で保護膜の薄膜化により耐摺動性に係る潤滑膜の寄与が大きくなってきており、保護膜にあわせた潤滑膜の最適化設計が重要視されている。
【００１２】
そこで、本発明は上記の課題を鑑み、保護膜の膜厚が４ｎｍ以下に薄くなっても、耐久性に優れる磁気ディスクを提供することを目的としている。さらに詳しくは、磁気ディスク装置の信頼性を向上させるために、４ｎｍ以下の極薄膜保護膜の膜質と潤滑膜の材料、および潤滑膜厚との最適な組合わせを提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の磁気ディスクは非磁性基板上に少なくとも磁性金属膜、炭素保護膜及びフッ素含有潤滑膜を設けた磁気ディスクにおいて、該炭素保護膜が膜厚４ｎｍ以下のＤＬＣ膜であり、ＡＴＲを用いたＦＴ−ＩＲで測定した２９２０ｃｍ−１近傍のＣ-Ｈ結合に起因する吸収強度と潤滑膜のＣ-Ｆ結合に起因する吸収強度との比が０．０３５〜０．０６０であることを特徴とする。
【００１４】
これにより、保護膜が極薄膜であっても、適度な硬度と弾性を有し、適量の潤滑膜で覆われている耐摺動信頼性に優れた磁気ディスクを提供することができる。
【００１５】
炭素保護膜は、ダイヤモンド構造のＳＰ３結合とグラファイト構造のＳＰ２結合が混在した非晶質構造をとると考えられている。ＦＴ−ＩＲ測定でそのＳＰ２、ＳＰ３結合したＣＨ２、ＣＨ３等の格子振動の吸収スペクトルから炭素保護膜中の水素量を評価することができる。しかし、本発明の磁気ディスクの炭素保護膜は膜厚が４ｎｍ以下の極薄膜を対象としているため、通常のＦＴ−ＩＲ反射スペクトルでは感度が不十分である。そこで本発明者らはＡＴＲ(Attenuated Total Reflectance)法（全反射吸収測定法）を利用することで、ＦＴ−ＩＲの表面感度が向上し、上記極薄膜でも炭素保護膜の膜質の評価が可能になることを見出した。
【００１６】
ＡＴＲ法とは屈折率の大きなプリズムに試料を接触させ、赤外光を入射した際、プリズムと試料界面に発生するエバネッセンス波が試料に吸収され、結果としてプリズムを通過する光量に変化が生じる現象を観察する方法である。
【００１７】
更に２９２０ｃｍ−１近傍のＣＨ２結合に起因する吸収強度と潤滑膜のＣＦ結合に起因する吸収強度との比が耐摺動性と相関があり、特定の領域（０．０３５以上０．０６０以下）で極大値をとることが判明した。該強度比が０．０３５以下では炭素保護膜中の水素量が少なく、弾性が低いため耐摺動性が劣化していると考えられる。一方、該強度比が０．０６０以上であると耐摺動性が急激に劣化する。これは炭素保護膜中の水素量が過多になり、保護膜の密度が低下し、硬度が低下したためと考えられる。但し上記の強度比は潤滑膜のＣＦ結合の吸収強度で規格化しているため、潤滑膜厚が変化すると最適な保護膜中の水素量も変化することになる。本発明は、保護膜だけでなく潤滑膜も含めた耐摺動性設計に指針を与えるものである。
【００１８】
本発明の磁気ディスクは、炭素保護膜の厚さが４ｎｍ以下であっても充分に耐久性を確保できる。この炭素保護膜の厚さが４ｎｍより大きいと、磁気ヘッドでの記録再生にスペーシングロスを生ずるので、高密度記録媒体として好ましくない。
【００１９】
また、別の手段は、非磁性基板上に少なくとも磁性金属膜、炭素保護膜を設けた磁気ディスクにおいて、該炭素保護膜が膜厚４ｎｍ以下のダイヤモンド状炭素膜（ＤＬＣ：Diamond Like Carbon）であり、その磁気ディスクを組み込む磁気ディスク装置が装置内に化学式（１）で示す潤滑剤をガスとして供給する機構を有しており、磁気ディスク装置の製造後において装置内に組み込まれた磁気ディスクをＡＴＲを用いたＦＴ−ＩＲで測定し、２９２０ｃｍ−１近傍のＣ-Ｈ結合に起因する赤外吸収強度と潤滑膜のＣ-Ｆ結合に起因する赤外吸収強度との比が０．０３５〜０．０６０となるように保護膜の膜質を調整することである。
【００２０】
【化１】
0004031944.tif 000002
【００２１】
ここでｐは０または１以上の整数、ｑは０または１以上の整数であり、潤滑剤の平均分子量は６００〜２４００である。
【００２２】
化学式（１）の潤滑剤を装置内に供給する機構を有する磁気ディスク装置の場合、装置の製造後すなわち装置組み立て・検査終了後において磁気ディスクには装置内に供給された潤滑剤ガスが吸着し、潤滑膜は1.5nm〜2.5nm程度の潤滑膜厚となる。このときに保護膜の膜質を上記測定により２９２０ｃｍ−１近傍のＣ-Ｈ結合に起因する赤外吸収強度と潤滑膜のＣ-Ｆ結合に起因する赤外吸収強度との比が０．０３５〜０．０６０となるように調整することで高信頼性の磁気ディスク装置とすることができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。
【００２４】
非磁性基板として外径３．０インチ、厚さ１．２７ｍｍのガラス基板を使用した。ガラス基板の表面粗さは、中心線平均粗さＲａが約０．６ｎｍである。作成した磁気ディスクの断面図を図１に示す。
【００２５】
１はガラス基板、２はＮｉＴａ合金シード膜、３はＣｒＴｉ系合金下地膜、４はＣｏＣｒ系合金下層磁性膜、５はＲｕ中間層、６はＣｏＣｒ系合金上層磁性膜、７はＤＬＣ保護膜、８は化学式（１）であらわされるパーフルオロポリエーテル潤滑膜である。ただし、潤滑剤の平均分子量は約4000である。次に磁気ディスクの作成方法について説明する。
【００２６】
ガラス基板１を洗浄し、乾燥させた後ＮｉＴａシード膜２を３０ｎｍ形成した。その後ランプヒータによりシード膜２が形成されたガラス基板１を約２８０℃で加熱した後、ＣｒＴｉ系合金下地膜３を１０ｎｍ形成した。更に厚さ４ｎｍのＣｏＣｒ系合金下層磁性膜４を形成、続けてＲｕ中間層５を０．５ｎｍ、ＣｏＣｒ系合金上層磁性膜６を１７．５ｎｍ形成した。その上のＤＬＣ保護膜７はＩＢＤ法により成膜を行い、膜厚は４ｎｍ及び５ｎｍとした。成膜装置はＩｎｔｅｖａｃ社製である。保護膜の膜厚はＸ線反射法を用いて行い、膜厚測定の精度を上げるために保護膜上にＣｒを５ｎｍ成膜し定量化した。Ｘ線反射法での膜厚の定量化は理学電機工業社製のSLX2000TMによりCu Kα1のＸ線を用いて測定を行った。ＩＢＤ成膜装置の概略図を図７に示す。
【００２７】
ＩＢＤ成膜法とはフィラメント１９の抵抗加熱で発生する熱電子の衝突過程によりエチレンプラズマを発生し、イオン入射を伴う炭化水素ラジカルの表面反応（イオンアシスト化学気相反応）で水素化炭素膜を形成する成膜法である。
【００２８】
ＩＢＤ法での成膜条件は、エミッション電流を０．３〜０.５Ａ、アノード電圧１８を４０〜９０Ｖ、バイアス電圧差１７を０〜１１０Ｖ、エチレン（Ｃ２Ｈ４）ガス流量４０〜１００ｓｃｃｍ（Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｃｕｂｉｃ Ｃｅｎｔｉｍｅｔｅｒ ｐｅｒ Ｍｉｎｕｔｅｓ）、アルゴンガス流量０〜４０ｓｃｃｍとした。その後、成膜装置から取り出し、カーボン保護膜上に化学式（１）の潤滑剤を塗布して厚さ２．０ｎｍ〜２．４nmの潤滑膜８を形成した。
【００２９】
この各試料についてＡＴＲを用いたＦＴ−ＩＲ測定、ラマン測定、耐摺動性評価を行った。ＡＴＲを用いたＦＴ−ＩＲ測定はＩＦＳ−１２０ＨＲ（Ｂｒｕｋｅｒ製ＦＴ−ＩＲ）にて測定を行った（入射角：６０°、プリズム：Ｇｅ、偏光：Ｐ）。ラマン測定はＴ−６４００００（Jobin Yvon社製）を用いてAr+レーザの波長514.5nmの光源にて測定を行った。耐摺動性評価は次の方法で行った。極低浮上における耐摺動性評価のために、モータを逆回転することでヘッドを常時磁気ディスクと接触する状態にして、磁気ディスクの半径２９〜３１ｍｍの間をシークし、クラッシュする迄の時間を測定した。回転数は１０,０００回転／分である。表１に実施例１〜３、比較例１〜６の保護膜成膜時の成膜条件とＡＴＲを用いたＦＴ−ＩＲの測定結果、耐摺動性評価結果を示す。
【００３０】
【表１】
0004031944.tif 000003
【００３１】
また、実施例１に示した磁気ディスクのＡＴＲを用いたＦＴ−ＩＲで測定したＣ−Ｈ結合に起因する赤外吸収スペクトルを図２に、保護膜のラマンスペクトルを図３に示す。図３に示したラマンスペクトルから実施例１で作成した磁気ディスクの保護膜がＤＬＣ保護膜であることがわかる。また、他の実施例、比較例のラマンスペクトルも同じようなピーク形状をしており、それぞれＤＬＣ膜であることがわかった。図２では2850〜3000cm-1の領域に少なくとも３つのＣ-Ｈ結合に起因する吸収スペクトルが存在していることがわかる。
【００３２】
実施例１の磁気ディスクを通常の反射ＦＴ-ＩＲで測定したところ、このＣ-Ｈ結合に起因するスペクトルは何ら観察できなかったことから、ＡＴＲを用いたＦＴ-ＩＲ測定で初めて測定可能であったということがわかった。さて、このスペクトルにおいて約2920cm-1の吸収ピークと潤滑剤のＣ-Ｆ結合に起因する吸収ピークとの比を表1に示したが、こうすることでＡＴＲを用いたＦＴ-ＩＲ測定の測定繰り返し精度を大幅に向上することが可能となり、保護膜質の比較を行うことが可能となった。
【００３３】
ここでＣ-Ｆ結合に起因する吸収ピークとの比をとったのは、ＡＴＲ測定がサンプル磁気ディスクとプリズムとの接触状態に影響されるため吸収ピーク強度の再現性が乏しいことから、Ｃ-Ｈ結合の吸収ピークと同時に測定可能なＣ-Ｆ吸収ピークとの比により再現性を高めることが可能であること、潤滑膜を含めた設計が必要であるという観点からである。本実施例では2920cm-1の吸収ピークを用いたが、他のＣ-Ｈ結合に起因する吸収ピークを用いても同様の手法により、同じ効果を得ることが可能である。
【００３４】
表１に示したＡＴＲを用いたＦＴ-ＩＲ測定結果と耐摺動性評価結果との関係を図４に示す。図４から明らかなように保護膜厚５ｎｍの比較例４、５、６ではIC-H/IC-F比に対して何ら依存性を伺うことはできないが、保護膜厚４ｎｍの実施例、比較例においてはIC-H/IC-F比が0.035〜0.060の領域において著しく摺動耐力の向上が認められる。従って本発明は４ｎｍ以下の極薄保護膜を有する磁気ディスクに効果を発揮する。またその摺動耐力は保護膜厚５ｎｍの磁気ディスクと同等であり、本発明により十分に実用レベルの摺動信頼性を有する高密度記録に適した磁気ディスクを提供することができた。
【００３５】
次に前記実施例による磁気ディスクを搭載した磁気ディスク装置の概略を図５に示す。磁気ディスク９を回転させるスピンドル１０、磁気ヘッド１１を保持するアーム１２とそれを位置決めするボイスコイルモータ１３、信号を処理する回路１４、潤滑剤を装置内へ供給する機構（この場合は塵埃フィルタ１５）などから構成されている。塵埃フィルタ１５に化学式（１）で表され、数平均分子量が２０００の潤滑剤を1.0mg滴下し、所定の位置へ配置した磁気ディスク装置を用意して、実施例１〜３、比較例１〜６の磁気ディスクを組み込んだ。実施例１〜３、比較例１〜６の磁気ディスクは、保護膜質と潤滑膜厚との関係を明確に評価するため、潤滑膜を潤滑剤溶媒（住友3M社製HFE7200）でリンスし、潤滑膜厚を約0.5〜0.6nmと薄くしたものを用いた。磁気ディスク装置の回転数は１００００回転/分、記録密度は約20Gbit/inch2、ヘッドの浮上量は約15nm、試験環境温度は50℃である。試験は磁気ディスクの半径38mmの位置において磁気ヘッドで記録再生を繰り返すフォローイング試験を行い、リードエラーが発生するまでの時間を比較した。摩耗粉や潤滑剤がヘッドに付着するとリードエラーが発生しやすくなるため、保護膜質と潤滑膜厚等を最適化してヘッド汚れが発生しない様にすることが重要である。それぞれの磁気ディスク装置で５００時間試験を行った後に分解して、磁気ディスク装置に搭載されていた磁気ディスクの潤滑膜厚と保護膜質との関係をＡＴＲを用いたＦＴ-ＩＲにより調査した。その結果、IC-H/IC-F比とエラー発生時間との間には図６に示すような関係があった。
【００３６】
また、試験後の磁気ディスクの潤滑膜厚は、組み込み前が0.5〜0.6nmであったのに対して1.5〜2.1nmと増加していた。これは装置内に配置した潤滑剤供給源より潤滑剤がガスとして供給されて磁気ディスク面に付着したためである。このために試験前の潤滑膜厚より増加する。このように磁気ディスク装置に組み込み稼動することで磁気ディスクの潤滑膜厚が増加するような磁気ディスク装置では、保護膜の膜質と潤滑剤の膜厚との関係において図６に示したように、IC-H/IC-F比が0.035〜0.06になるように保護膜質を決定することが重要である。
【００３７】
このようにして保護膜質を決定することで、４ｎｍ以下の極薄膜保護膜の磁気ディスクでも優れた信頼性を有する磁気ディスク装置とすることが可能となる。比較例として潤滑剤を供給する機構を持たない、すなわち塵埃フィルタに潤滑剤を滴下しなかった磁気ディスク装置も製作し、同様の試験を行った。装置に組み込んだ磁気ディスクは、上記実施例１のものである。その結果、約３００時間でエラーの発生があった。また、５００時間後、磁気ディスク装置を分解し磁気ディスクの潤滑膜厚を測定したところ、約0.3〜0.4nmの膜厚であり、試験前の潤滑膜厚より減少していた。
【００３８】
【発明の効果】
本発明により、保護膜厚が４ｎｍ以下であっても適度な弾性と硬度を有するＤＬＣ保護膜と適量の潤滑膜を兼備した耐摺動信頼性の高い高密度記録に適した磁気ディスクを提供することができる。また高い信頼性を有する高記録密度に適した磁気ディスク装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例による磁気ディスクの断面図である。
【図２】本発明の一実施例による磁気ディスクの、ＡＴＲを用いたＦＴ−ＩＲで測定したＣ−Ｈ結合に起因する赤外吸収スペクトルを示す図である。
【図３】本発明の一実施例による磁気ディスクの保護膜のラマンスペクトルを示す図である。
【図４】本発明の実施例及び比較例による磁気ディスクの、ＡＴＲを用いたＦＴ−ＩＲ測定結果と耐摺動性評価結果との関係を示す図である。
【図５】本発明による磁気ディスク装置の概略構成図である。
【図６】本発明の実施例及び比較例による磁気ディスクの、ＡＴＲを用いたＦＴ−ＩＲ測定結果とエラー発生時間との関係を示す図である。
【図７】本発明の磁気ディスクの保護膜の成膜に使用されるＩＢＤ成膜装置の概略構成図である。
【符号の説明】
１---ガラス基板、２---ＮｉＴａ合金シード膜、３---ＣｒＴｉ系合金下地膜、
４---ＣｏＣｒ系合金下層磁性膜、５---Ｒｕ中間層、６---ＣｏＣｒ系合金上層磁性膜、
７---炭素保護膜、８---パーフルオロポリエーテル潤滑膜、
９---磁気ディスク、１０---スピンドルモータ、１１---磁気ヘッド、１２---アーム、
１３---ボイスコイルモータ、１４---信号処理回路、１５---塵埃フィルタ（潤滑剤供給源）
【図１】
0004031944.tif 000006
【図２】
0004031944.tif 000007
【図３】
0004031944.tif 000008
【図４】
0004031944.tif 000009
【図５】
0004031944.tif 000010
【図６】
0004031944.tif 000011
【図７】
0004031944.tif 000012