(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１及び第２絶縁基板のそれぞれの裏面に閉磁路を形成する磁性体を収納する磁性体収納凹溝と該磁性体収納凹溝の内周及び外周近傍に設けられた複数個のスル−ホ−ルに形成されたパタ−ンと、該スル−ホ−ルのパタ−ンに接続する前記第１及び第２絶縁基板表面の放射状パタ−ンと、前記第１及び第２絶縁基板側面の電極部のパタ−ンと、前記第１及び第２絶縁基板の少なくとも一方の表面の前記放射状パタ−ンを避けた部位にＩＣチップ及び電子部品と接続するために設けられた回路パタ−ンを具備する前記第１絶縁基板と第２絶縁基板のそれぞれの磁性体収納凹溝で形成される閉じた空洞中に前記磁性体を搭載して接着接合後、再メッキ処理により、前記第１絶縁基板の前記スルーホールと前記第２絶縁基板の前記スルーホールとの接続部、および前記第１絶縁基板側面の前記電極部と前記第２絶縁基板側面の前記電極部との接続部に導通メッキ層を設けることにより、前記磁性体を囲み前記放射状銅箔パタ−ンと前記スル−ホ−ルのパタ−ンを接続して成る少なくとも１本のコイル捲線パタ−ンを含むＳＭＤ型コイルと、前記第１及び第２絶縁基板の少なくとも一方の前記回路パタ−ン上に搭載されたＩＣチップ及び電子部品とを具備し、前記第１及び第２絶縁基板の少なくとも前記ＩＣチップ及び前記電子部品を搭載した側を封止樹脂により樹脂封止したことを特徴とするＳＭＤ型回路装置。
【請求項２】
第１及び第２絶縁基板のそれぞれの裏面に閉磁路を形成する磁性体を収納する磁性体収納凹溝を設け、該磁性体収納凹溝の内周及び外周近傍に複数個のスル−ホ−ルを形成したる後、該スル−ホ−ル内面及び前記絶縁基板の全表面に銅メッキ層を形成後エッチング処理により、又は、前記表面及び裏面にメッキレジスト層を形成したる後メッキ処理により、前記第１及び第２絶縁基板のスル−ホ−ルの内面のパタ−ン、該スル−ホ−ルの内面のパタ−ンに接続する前記第１及び第２絶縁基板表面の放射状パタ−ン、前記第１及び第２絶縁基板側面の電極部のパタ−ン、前記第１及び第２絶縁基板の少なくとも一方の表面の前記放射状パタ−ンを避けた部位にＩＣチップ及び電子部品と接続する回路パタ−ンを形成し、前記第１絶縁基板と第２絶縁基板のそれぞれの磁性体収納凹溝を対向させ、該磁性体収納凹溝に磁性体を搭載、位置合わせして接着、接合した後、再メッキ処理により、前記第１絶縁基板の前記スルーホールと前記第２絶縁基板の前記スルーホールとの接続部、および前記第１絶縁基板側面の前記電極部と前記第２絶縁基板側面の前記電極部との接続部に導通メッキ層を設けることにより、前記磁性体を囲み前記放射状銅箔パタ−ンと前記スル−ホ−ルのパタ−ンを介して上下放射状銅箔パタ−ンが連続的に繋がる少なくとも１本のコイル捲線パタ−ンを含むＳＭＤ型コイルを形成し、該ＳＭＤ型コイルを構成する前記第１及び第２絶縁基板の少なくとも一方の前記回路パタ−ン上に、ＩＣチップ及び電子部品を搭載して前記ＩＣチップと前記電子部品とコイルを接続すると共に、前記第１及び第２絶縁基板の少なくとも前記ＩＣチップ及び前記電子部品を搭載した側を封止樹脂により樹脂封止したことを特徴とするＳＭＤ型回路装置。
【請求項３】
前記第１及び第２絶縁基板は共にＰＣＢ基板、立体配線基板又はセラミック体であることを特徴とする請求項１又は請求項２記載のＳＭＤ型回路装置。
【請求項４】
前記第１及び第２絶縁基板中の一方はＰＣＢ基板、立体配線基板又はセラミック体であり、他方はポリイミドフィルムであることを特徴とする請求項１又は請求項２記載のＳＭＤ型回路装置。
【請求項５】
前記第１及び第２絶縁基板は共にポリイミドフィルムであることを特徴とする請求項１又は請求項２記載のＳＭＤ型回路装置。
【請求項６】
前記磁性体はリング状磁性体であることを特徴とする請求項１又は請求項２記載のＳＭＤ型回路装置。
【請求項７】
前記第１及び第２絶縁基板は略四角状絶縁基板であることを特徴とする請求項１又は請求項２記載のＳＭＤ型回路装置。
【請求項８】
前記磁性体収納凹溝を前記絶縁基板の略中央部に設けたことを特徴とする請求項１又は請求項２記載のＳＭＤ型回路装置。
【請求項９】
前記回路パタ−ンを絶縁基板表面の、コイルを形成する前記放射状銅箔パタ−ンの輪の内部及び外部に設けたことを特徴とする請求項１又は請求項２記載のＳＭＤ型回路装置。
【請求項１０】
前記ＩＣチップを前記放射状銅箔パタ−ンの輪の内部及び外部の回路パタ−ン上の少なくとも一方に搭載し、前記電子部品を前記放射状銅箔パタ−ンの輪の外部の回路パタ−ン上に搭載したことを特徴とする請求項９記載のＳＭＤ型回路装置。
【請求項１１】
前記ＩＣチップをＥＬドライバ用ＩＣチップ、前記電子部品をチップコンデンサで構成し、ＥＬ用ドライバ装置としたことを特徴とする請求項１又は請求項２記載のＳＭＤ型回路装置。
【請求項１２】
前記ＥＬドライバ用ＩＣチップを前記絶縁基板表面の前記放射状銅箔パタ−ンの輪の内部の回路パタ−ン上に搭載し、前記チップコンデンサを前記絶縁基板表面の前記放射状銅箔パタ−ンの輪の内部又は外部の回路パタ−ン上に搭載し、ＥＬ用ドライバ装置としたことを特徴とする請求項１１記載のＳＭＤ型回路装置。
【請求項１３】
前記ＩＣチップをＤＣ−ＤＣコンバ−タ用ＩＣチップ、前記電子部品はダイオ−ド及びチップコンデンサ等で構成し、ＤＣ−ＤＣコンバ−タ装置としたことを特徴とする請求項１又は請求項２記載のＳＭＤ型回路装置。
【請求項１４】
前記ＤＣ−ＤＣコンバ−タ用ＩＣチップを前記絶縁基板表面の前記放射状銅箔パタ−ンの輪の内部の回路パタ−ン上に搭載し、前記ダイオ−ド及び前記チップコンデンサ等電子部品を前記絶縁基板表面の前記放射状銅箔パタ−ンの輪の内部又は外部の回路パタ−ン上に搭載し、ＤＣ−ＤＣコンバ−タ装置としたことを特徴とする請求項１３記載のＳＭＤ型回路装置。
【請求項１５】
前記ＤＣ−ＤＣコンバ−タ用ＩＣチップ、前記ダイオ−ド及び前記チップコンデンサ等電子部品を前記絶縁基板表面の放射状銅箔パタ−ンの輪の外部の回路パタ−ン上に搭載し、ＤＣ−ＤＣコンバ−タ装置としたことを特徴とする請求項１又は請求項２記載のＳＭＤ型回路装置。
【請求項１６】
前記第１及び第２絶縁基板表面の導電パタ−ンを絶縁部材でコ−ティングしたことを特徴とする請求項１又は請求項２記載のＳＭＤ型回路装置。
【請求項１７】
前記第１及び第２絶縁基板中の少なくとも一方の絶縁基板の前記コイルを形成する放射状銅箔パタ−ンを避けた部位に少なくとも１個の凹部を設け該凹部に電子部品を収納したことを特徴とする請求項１又は請求項２記載のＳＭＤ型回路装置。
【請求項１８】
前記凹部に回路パタ−ンを設け該回路パタ−ン上に前記電子部品を搭載したことを特徴とする請求項１７記載のＳＭＤ型回路装置。
【請求項１９】
前記第１及び第２絶縁基板中のＰＣＢ基板、セラミック体又は立体配線基板で構成した前記一方の絶縁基板の前記コイルを形成する放射状銅箔パタ−ンを避けた部位に少なくとも１個の凹部を設け該凹部に前記ＩＣチップ及び電子部品を収納したことを特徴とする請求項４記載のＳＭＤ型回路装置。
【請求項２０】
前記凹部に回路パタ−ンを設け該回路パタ−ン上に前記ＩＣチップ及び電子部品を前記凹部内に絶縁基板表面を越えない高さに搭載したことを特徴とする請求項１９記載のＳＭＤ型回路装置。
【請求項２１】
前記第１及び第２絶縁基板中のＰＣＢ基板、セラミック体又は立体配線基板で構成した前記一方の絶縁基板の前記コイルを形成する放射状銅箔パタ−ンの輪の内外の部位に少なくとも１個の凹部を設け、該凹部に回路パタ−ンを設け、該回路パタ−ン上に前記ＩＣチップ及び電子部品を搭載し、配線を設け、該部品搭載側を樹脂封止すると共に、両絶縁基板の導電パタ−ンを絶縁部材で絶縁コ−ティングして成る全体の厚みが前記対向電極部の高さを越えないようにしたことを特徴とする請求項４記載のＳＭＤ型回路。
【請求項２２】
前記磁性体を囲み前記放射状銅箔パタ−ンと前記スル−ホ−ルのパタ−ンを介して上下放射状銅箔パタ−ンが連続的に繋がるＳＭＤ型コイルは１本の捲線から成るチョ−クコイルであることを特徴とする請求項１又は請求項２記載のＳＭＤ型回路装置。
【請求項２３】
前記磁性体を囲み前記放射状銅箔パタ−ンと前記スル−ホ−ルのパタ−ンを介して上下放射状銅箔パタ−ンが連続的に繋がり閉ル−プ化したＳＭＤ型コイルは少なくとも１本の１次捲線と少なくとも１本の２次捲線から成るトランスであることを特徴とする請求項１又は請求項２記載のＳＭＤ型回路装置。
【請求項２４】
前記磁性体を囲み前記放射状銅箔パタ−ンと前記スル−ホ−ルのパタ−ンを介して上下放射状銅箔パタ−ンが連続的に繋がるＳＭＤ型コイルは複数本の捲線から成るトランスであることを特徴とする請求項１又は請求項２記載のＳＭＤ型回路装置。
【請求項２５】
多数個取りする第１及び第２集合絶縁基板のそれぞれの裏面の各列毎に、所定間隔で複数個の閉磁路を形成する磁性体を収納する収納凹溝と、該磁性体収納凹溝の内周及び外周近傍に複数個のスル−ホ−ルと、前記各列間に長穴のスル−ホ−ル加工を施した後、メッキ処理により前記集合絶縁基板の前記スルホ−ル及び長穴のスルホ−ルの内面を含む全表面に銅メッキ層を形成し、メッキレジストをラミネ−トし、露光現像後パタ−ンマスクを形成し、パタ−ンエッチングを行うことにより、又は、前記表面及び裏面にメッキレジスト層を形成したる後、メッキ処理を行うことにより所望のパタ−ンを形成する第１及び第２集合絶縁基板加工工程と、前記第１及び第２集合絶縁基板のいずれか一方の各磁性体収納凹溝に、磁性体を収納する磁性体装着工程と、前記第１及び第２集合絶縁基板の磁性体収納凹溝が対向するように２つの集合絶縁基板を重ね、位置合わせし、両接着部を接着接合して一体化する接着工程と、再メッキ処理により前記一体化集合体の接合する各スル−ホ−ル部及び電極部を導通させる再メッキ工程と、前記一体化集合体の前記第１集合絶縁基板の一方の側に、ＩＣチップと電子部品を実装する実装工程と、前記ＩＣチップと電子部品を封止樹脂により樹脂封止する封止工程と、１つの磁性体を含むＳＭＤ型回路装置単体に分割するダイシング工程とから成ることを特徴とするＳＭＤ型回路装置の製造方法。
【請求項２６】
前記第１及び第２絶縁基板は共にＰＣＢ基板、立体配線基板又はセラミック体であることを特徴とする請求項２５記載のＳＭＤ型回路装置の製造方法。
【請求項２７】
前記第１及び第２絶縁基板中の一方はＰＣＢ基板、立体配線基板又はセラミック体であり、他方はポリイミドフィルムであることを特徴とする請求項２５記載のＳＭＤ型回路装置の製造方法。
【請求項２８】
前記第１及び第２絶縁基板は共にポリイミドフィルムであることを特徴とする請求項２５記載のＳＭＤ型回路装置の製造方法。
【請求項２９】
前記ＩＣチップをＥＬドライバ−用ＩＣチップ、前記電子部品をチップコンデンサで構成し、ＥＬ用ドライバ装置としたことを特徴とする請求項２５記載のＳＭＤ型回路装置の製造方法。
【請求項３０】
前記ＩＣチップをＤＣ−ＤＣコンバ−タ用ＩＣチップ、前記電子部品をダイオ−ド及びチップコンデンサで構成し、ＤＣ−ＤＣコンバ−タ装置としたことを特徴とする請求項２５記載のＳＭＤ型回路装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は携帯用又は卓上用電子機器用回路装置、特にインダクタを利用したＳＭＤ型回路装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年の電子機器特に携帯用電子機器は高性能化、多機能化とともに小型化、軽量化を追求している。これらの携帯用電子機器には電池が使用されているが回路の駆動に要求される電圧は各種レベルの高精度の直流及び／又は交流電圧でありこれらの電圧を供給することの可能な高性能にして小型軽量化された回路装置が追求されて来た。これらの携帯用電子機器は携帯した状態で使用するので、夜間、数字ボタン等がよく見えるようにＥＬ（エレクトロルミネッセンス）発光素子が配設されているものが多い。このＥＬ発光素子は交流電圧で駆動されるので乾電池の直流電圧をインバ−タを介して交流電圧に変換し更に昇圧して使用している。またこれらの携帯用電子機器於いては（特にノ−ト型パソコン等の携帯用ＯＡ機器）電池直流電圧を直接ＤＣ−ＤＣコンバ−タによって、又は交流電源から一旦直流電圧に変換した後、ＤＣ−ＤＣコンバ−タによって、目的に応じた所望の各種レベルの直流電圧に変換して使用している。
【０００３】
図１７はコイルを利用した一般的なＥＬ用駆動（昇圧）回路のブロック図である。交流駆動型のＥＬの発光素子の基本構成は、２枚の電極の間に絶縁層で挟まれた発光層が配置されている。電極間に交流電圧が印加され、発光層中の電界強度がある一定値を越えると、発光層中の発光中心原子が励起され、この原子固有の波長の発光が得られる。ＥＬ２５の電極間には一般的に数１０Ｖ〜１００Ｖ程度の交流または矩形波の電圧を印加しないと発光せず、またＥＬ材料の加工方法の違い及び供給する印加電圧や発振周波数によって発光効率に差異が生ずることが知られている。またこの使用部品も駆動（昇圧）用ＩＣ２６の他にコイル２７やコンデンサ２８を必要とし、個別部品を組合わせて使用する例が一般的である。ＥＬの最大の特徴は厚みが非常に薄く、軽い点であり、多くのＬＣＤのバックライト用等に使用されている。主として室外で使用される携帯電話やカメラ等の携帯機器ではバックライト駆動のためＥＬ専用の昇圧回路が必要となる。しかるに前述の個別部品を使用した場合、機器のセットの厚みを薄く、軽く、且つ、小さくするのに妨げとなる。
【０００４】
図１８はコイルを利用した公知のＤＣ−ＤＣコンバ−タ回路の一例を示すブロック図である。図に示すごとく、低い入力電圧（電池電圧）から所望の高い出力電圧を得る昇圧型の例である。トランジスタＭ１がＯＮの時にコイルＬに電池のエネルギを蓄積し、この蓄積されたエネルギをダイオ−ドＤを介して出力コンデンサＣに蓄積して所望の出力電圧Ｖｏｕｔを得る。ＩＣチップは内部に、図に示すように基準電圧回路Ｖｒｅｆ、分圧回路Ｒ１、Ｒ２、コンパレ−タＣＯＭ，発振回路ＯＳＣ、制御回路（ＰＲＭ、ＰＷＭ等）、出力トランジスタＭ１を含む出力回路を具備している。制御回路はコンパレ−タＣＯＭから分圧回路の出力電圧と基準電圧回路Ｖｒｅｆの基準電圧の比較出力電圧を受信し、これに応じた制御信号をトランジスタＭ１に供給し、出力電圧Ｖｏｕｔが設定値になるようにトランジスタＭ１のオンオフ周期を変化（パルス周波数変調）またはオンオフ時間を変化させ（パルス幅変調）、コイルへの充電電流ｉ１と放電電流ｉ２を変化させ入力電圧（電池電圧）より大きい任意の直流電圧を得、これをモ−タ、プリンタ等の負荷に供給する。図から明らかなように、構成部品としては、ＩＣチップの他に、外付け部品としてはコイル、ダイオ−ド、コンデンサのみである。ダイオ−ドを内蔵型のＩＣチップの場合は外付け部品はコイル、コンデンサのみである。出力電圧が入力電圧（電池電圧）よりも低くなる公知の降圧型の場合も構成部品は略同じである。
【０００５】
上述の携帯電話、カメラ、ノ−ト型パソコン等の携帯用電子機器で使用される電子部品はＳＭＤであることが必須となっている。薄型チップインダクタンスは、一般的な捲線を用いたチップコイル導体と比較して、製造方法の違いから小型で高精度なコイル導体と言える。薄型チップインダクタ技術が特開平５−８２３４９号公報に開示されている。その概要は以下の通りである。
【０００６】
図１９は従来の渦巻状薄膜コイルの断面図、図２０はその平面図である。その製造工程の概要は、ベ−スとなる低誘電率セラミックウエハよりなる絶縁基板２１の表面に銅を主体とした複数の低抵抗スパイラル状の薄膜コイル導体２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃとその厚み方向に低誘電率耐熱樹脂コ−ト膜よりなる絶縁層２３Ａ、２３Ｂを介し重ねて多層化して設け、少なくとも薄膜コイル導体２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃの巻き始め端部２４と巻き終わり端部２４でそれぞれの各薄膜コイル導体２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃを電気的に接続するものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前述した渦巻状コイルには次のような問題点がある。即ち平面型ＳＭＤ型コイルでは、小型で高性能なコイル導体で、薄膜導体部を低誘電率樹脂で密封しているため耐環境特性が優れ、変化の激しい屋外や車載通信機器への応用には適しているが、コイル巻数を多くすることが出来ず、コイルのインダクタンスを大きくとることは出来ない。
【０００８】
本発明は上記従来の課題に鑑みなされたものであり、その目的は、ＩＣチップ、コイル、チップコンデンサ、必要に応じてダイオ−ド等をモジュ−ル化し、超小型化、軽量化、低コスト化を実現するＳＭＤ型回路装置及びその製造方法を提供するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明のＳＭＤ型回路装置は、第１及び第２絶縁基板のそれぞれの裏面に閉磁路を形成する磁性体を収納する磁性体収納凹溝と該磁性体収納凹溝の内周及び外周近傍に設けられた複数個のスル−ホ−ルに形成されたパタ−ンと、該スル−ホ−ルのパタ−ンに接続する前記第１及び第２絶縁基板表面の放射状パタ−ンと、前記第１及び第２絶縁基板側面の電極部のパタ−ンと、前記第１及び第２絶縁基板の少なくとも一方の表面の前記放射状パタ−ンを避けた部位にＩＣチップ及び電子部品と接続するために設けられた回路パタ−ンを具備する前記第１絶縁基板と第２絶縁基板のそれぞれの磁性体収納凹溝で形成される閉じた空洞中に前記磁性体を搭載して接着接合後、再メッキ処理により、前記第１絶縁基板の前記スルーホールと前記第２絶縁基板の前記スルーホールとの接続部、および前記第１絶縁基板側面の前記電極部と前記第２絶縁基板側面の前記電極部との接続部に導通メッキ層を設けることにより、前記磁性体を囲み前記放射状銅箔パタ−ンと前記スル−ホ−ルのパタ−ンを接続して成る少なくとも１本のコイル捲線パタ−ンを含むＳＭＤ型コイルと、前記第１及び第２絶縁基板の少なくとも一方の前記回路パタ−ン上に搭載されたＩＣチップ及び電子部品とを具備し、前記第１及び第２絶縁基板の少なくとも前記ＩＣチップ及び前記電子部品を搭載した側を封止樹脂により樹脂封止したことを特徴としている。
【００１０】
また、本発明のＳＭＤ型回路装置は、第１及び第２絶縁基板のそれぞれの裏面に閉磁路を形成する磁性体を収納する磁性体収納凹溝を設け、該磁性体収納凹溝の内周及び外周近傍に複数個のスル−ホ−ルを形成したる後、該スル−ホ−ル内面及び前記絶縁基板の全表面に銅メッキ層を形成後エッチング処理により、又は、前記表面及び裏面にメッキレジスト層を形成したる後メッキ処理により、前記第１及び第２絶縁基板のスル−ホ−ルの内面のパタ−ン、該スル−ホ−ルの内面のパタ−ンに接続する前記第１及び第２絶縁基板表面の放射状パタ−ン、前記第１及び第２絶縁基板側面の電極部のパタ−ン、前記第１及び第２絶縁基板の少なくとも一方の表面の前記放射状パタ−ンを避けた部位にＩＣチップ及び電子部品と接続する回路パタ−ンを形成し、前記第１絶縁基板と第２絶縁基板のそれぞれの磁性体収納凹溝を対向させ、該磁性体収納凹溝に磁性体を搭載、位置合わせして接着、接合した後、再メッキ処理により、前記第１絶縁基板の前記スルーホールと前記第２絶縁基板の前記スルーホールとの接続部、および前記第１絶縁基板側面の前記電極部と前記第２絶縁基板側面の前記電極部との接続部に導通メッキ層を設けることにより、前記磁性体を囲み前記放射状銅箔パタ−ンと前記スル−ホ−ルのパタ−ンを介して上下放射状銅箔パタ−ンが連続的に繋がる少なくとも１本のコイル捲線パタ−ンを含むＳＭＤ型コイルを形成し、該ＳＭＤ型コイルを構成する前記第１及び第２絶縁基板の少なくとも一方の前記回路パタ−ン上に、ＩＣチップ及び電子部品を搭載して前記ＩＣチップと前記電子部品とコイルを接続すると共に、前記第１及び第２絶縁基板の少なくとも前記ＩＣチップ及び前記電子部品を搭載した側を封止樹脂により樹脂封止したことを特徴としている。
【００１１】
また、本発明のＳＭＤ型回路装置は第１及び第２絶縁基板は共にＰＣＢ基板、立体配線基板又はセラミック体でることを特徴としている。
【００１２】
また、本発明のＳＭＤ型回路装置は第１及び第２絶縁基板中の一方がＰＣＢ基板、立体配線基板又はセラミック体であり、他方がポリイミドフィルムであることを特徴としている。
【００１３】
また、本発明のＳＭＤ型回路装置は第１及び第２絶縁基板が共にポリイミドフィルムであることを特徴としている。
【００１４】
また、本発明のＳＭＤ型回路装置は磁性体をリング状磁性体としたことを特徴としている。
【００１５】
また、本発明のＳＭＤ型回路装置は第１及び第２絶縁基板を略四角状絶縁基板としたことを特徴としいる。
【００１６】
また、本発明のＳＭＤ型回路装置は磁性体収納凹溝を前記絶縁基板の略中央部に設けたことを特徴としている。
【００１７】
また、本発明のＳＭＤ型回路装置は回路パタ−ンを絶縁基板表面の、コイルを形成する放射状銅箔パタ−ンの輪の内部及び外部に設たことを特徴としている。
【００１８】
また、本発明のＳＭＤ型回路装置はＩＣチップを絶縁基板表面中のコイルの形成する放射状銅箔パタ−ンの輪の内部及び外部の回路パタ−ン上の少なくとも一方に搭載し、電子部品を絶縁基板表面中の放射状銅箔パタ−ンの輪の外部の回路パタ−ン上に搭載したことを特徴としている。
【００１９】
また、本発明のＳＭＤ型回路装置はＩＣチップをＥＬドライバ用ＩＣチップ、電子部品をチップコンデンサで構成し、ＥＬ用ドライバ装置としたことを特徴としている。
【００２０】
また、本発明のＳＭＤ型回路装置はＥＬドライバ用ＩＣチップを絶縁基板表面のコイルを形成する放射状銅箔パタ−ンの輪の内部の回路パタ−ン上に搭載し、チップコンデンサを放射状銅箔パタ−ンの輪の内部又は外部の回路パタ−ン上に搭載し、ＥＬ用ドライバ装置としたことを特徴としている。
【００２１】
また、本発明のＳＭＤ型回路装置はＩＣチップをＤＣ−ＤＣコンバ−タ用ＩＣチップ、電子部品をダイオ−ド及びチップコンデンサ等で構成し、ＤＣ−ＤＣコンバ−タ装置としたことを特徴としている。
【００２２】
また、本発明のＳＭＤ型回路装置はＤＣ−ＤＣコンバ−タ用ＩＣチップを絶縁基板表面のコイルを形成する放射状銅箔パタ−ンの輪の内部の回路パタ−ン上に搭載し、ダイオ−ド及びチップコンデンサ等電子部品を放射状銅箔パタ−ンの輪の内部又は外部の回路パタ−ン上に搭載し、ＤＣ−ＤＣコンバ−タ装置としたことを特徴としている。
【００２３】
また、本発明のＳＭＤ型回路装置はＤＣ−ＤＣコンバ−タ用ＩＣチップ、ダイオ−ド及びチップコンデンサ等電子部品を絶縁基板表面のコイルを形成する放射状銅箔パタ−ンの輪の外部の回路パタ−ン上に搭載し、ＤＣ−ＤＣコンバ−タ装置としたことを特徴としている。
【００２４】
また、本発明のＳＭＤ型回路装置は第１及び第２絶縁基板の導電パタ−ンを絶縁部材でコ−ティングしたことを特徴としている。
【００２５】
また、本発明のＳＭＤ型回路装置は第１及び第２絶縁基板中の少なくとも一方の絶縁基板のコイルを形成する放射状銅箔パタ−ンを避けた部位に少なくとも１個の凹部を設けこの凹部に電子部品を収納したことを特徴としている。
【００２６】
また、本発明のＳＭＤ型回路装置はこの凹部に回路パタ−ンを設けこの回路パタ−ン上に電子部品を搭載したことを特徴としている。
【００２７】
また、本発明のＳＭＤ型回路装置は第１及び第２絶縁基板中のＰＣＢ基板、セラミック体又は立体配線基板で構成した一方の絶縁基板のコイルを形成する放射状銅箔パタ−ンを避けた部位に少なくとも１個の凹部を設けこの凹部にＩＣチップ及び電子部品を収納したことを特徴としている。
【００２８】
また、本発明のＳＭＤ型回路装置はこの凹部に回路パタ−ンを設けこの回路パタ−ン上にＩＣチップ及び電子部品を絶縁基板表面を越えない高さに搭載したことを特徴としている。
【００２９】
また、本発明のＳＭＤ型回路装置は第１及び第２絶縁基板中のＰＣＢ基板、セラミック体又は立体配線基板で構成した一方の絶縁基板のコイルを形成する放射状銅箔パタ−ンの輪の内外の部位に少なくとも１個の凹部を設け、この凹部に回路パタ−ンを設け、回路パタ−ン上にＩＣチップ及び電子部品を搭載し、配線を設け、部品搭載側を樹脂封止すると共に、両絶縁基板の導電パタ−ンを絶縁部材で絶縁コ−ディングして成る全体の厚みが対向電極部の高さを越えないようにしたことをを特徴としている。
【００３０】
また、本発明のＳＭＤ型回路装置は磁性体を囲み放射状銅箔パタ−ンとスル−ホ−ルを介して上下パタ−ンが連続的に繋がるＳＭＤ型コイルは１本の捲線から成るチョ−クコイルであることを特徴としている。
【００３１】
また、本発明のＳＭＤ型回路装置は磁性体を囲み放射状銅箔パタ−ンとスル−ホ−ルを介して上下パタ−ンが連続的に繋がるＳＭＤ型コイルは少なくとも１本の１次捲線と少なくとも１本の２次捲線から成るトランスであることを特徴としている。
【００３２】
また、本発明のＳＭＤ型回路装置は磁性体を囲み放射状銅箔パタ−ンとスル−ホ−ルのパタ−ンを介して上下放射状銅箔パタ−ンが連続的に繋がるＳＭＤ型コイルは複数本の捲線から成るトランスであることを特徴としている。
【００３３】
また、本発明のＳＭＤ型回路装置の製造方法は多数個取りする第１及び第２集合絶縁基板のそれぞれの裏面の各列毎に、所定間隔で複数個の閉磁路を形成する磁性体を収納する収納凹溝と、磁性体収納凹溝の内周及び外周近傍に複数個のスル−ホ−ルと、各列間に長穴のスル−ホ−ル加工を施した後、メッキ処理により集合絶縁基板のスルホ−ル及び長穴のスルホ−ルの内面を含む全表面に銅メッキ層を形成し、メッキレジストをラミネ−トし、露光現像後パタ−ンマスクを形成し、パタ−ンエッチングを行うことにより、又は、表面及び裏面にメッキレジスト層を形成したる後、メッキ処理を行うことにより所望のパタ−ンを形成する第１及び第２集合絶縁基板加工工程と、第１及び第２集合絶縁基板のいずれか一方の各磁性部体収納凹溝に、磁性体を収納する磁性体装着工程と、第１及び第２集合絶縁基板の磁性体収納凹溝が対向するように２つの集合絶縁基板を重ね、位置合わせし、両接着部を接着接合して一体化する接着工程と、再メッキ処理により一体化集合体の接合する各スル−ホ−ル部及び電極部を導通させる再メッキ工程と、一体化集合体の第１集合絶縁基板の一方の側に、ＩＣチップと電子部品を実装する実装工程と、ＩＣチップと電子部品を封止樹脂により樹脂封止する封止工程と、１つの磁性体を含むＳＭＤ型回路装置単体に分割するダイシング工程とから成ることを特徴としている。
【００３４】
また、本発明のＳＭＤ型回路装置の製造方法は第１及び第２絶縁基板を共にＰＣＢ基板、立体配線基板又はセラミック体としたことを特徴としている。
【００３５】
また、本発明のＳＭＤ型回路装置の製造方法は第１及び第２絶縁基板中の一方をＰＣＢ基板、立体配線基板又はセラミック体とし、他方をポリイミドフィルムとしたことを特徴としている。
【００３６】
また、本発明のＳＭＤ型回路装置の製造方法は第１及び第２絶縁基板を共にポリイミドフィルムとしたことを特徴としている。
【００３７】
また、本発明のＳＭＤ型回路装置の製造方法はＩＣチップをＥＬドライバ−用ＩＣチップ、前記電子部品をチップコンデンサで構成し、ＥＬ用ドライバ装置としたことを特徴としている。
【００３８】
また、本発明のＳＭＤ型回路装置の製造方法はＩＣチップをＤＣ−ＤＣコンバ−タ用ＩＣチップ、電子部品をダイオ−ド及びチップコンデンサで構成し、ＤＣ−ＤＣコンバ−タ装置としたことを特徴としている。
【００３９】
【発明の実施の形態】
本発明に於けるＳＭＤ型回路装置はＥＬドライバモジュ−ルもＤＣ−ＤＣコンバ−タもその構成部品の構成と製造方法は殆ど同じであるので、以下図面に基づいて本発明に於けるＳＭＤ型ＥＬ用ドライバモジュ−ル及びその製造方法について説明する。図１〜図８は本発明の第１の実施の形態であるＳＭＤ型ＥＬ用ドライバに係り、図１はＳＭＤ型ＥＬ用ドライバモジュ−ル単体の斜視図、図２は図１のＡ−Ａ線断面図、図３は第１絶縁基板の表面側の斜視図、図４は図３の裏面側の斜視図、図５は図４のＢ−Ｂ線断面を示す斜視図、図６は第１絶縁基板と第２絶縁基板を対向した状態の断面図、図７はリング状の磁性体の斜視図、図８はＳＭＤ型コイル単体の断面図である。
【００４０】
図１〜図５において、１はＳＭＤ型ＥＬ用ドライバモジュ−ルであり、その構成を説明する。２ａはＰＣＢ基板またはセラミック体よりなる略四角形状の第１絶縁基板で、９は第１絶縁基板２ａの裏面の略中央部のリング状磁性体収納凹溝である。３ａ，３ｂはそれぞれ磁性体収納凹溝９の外周及び内周近傍の円周上にプレスまたは切削ドリル等の加工手段により形成した複数の外側及び内側のスル−ホ−ルである。
【００４１】
外側スル−ホ−ル３ａ及び内側スル−ホ−ル３ｂのそれぞれの内面及び第１絶縁基板２ａの全表面に銅メッキ層を形成し、エッチング処理により第１絶縁基板２ａの側面に電極部４、４を形成すると共に、第１絶縁基板２ａ
の表裏面を貫通する外側スル−ホ−ル３ａ及び内側スル−ホ−ル３ｂを結ぶ放射状銅箔パタ−ン５と昇圧用ＩＣ２６を搭載するダイパタ−ンとの接続電極パタ−ンを形成する。放射状銅箔パタ−ン５は外側スル−ホ−ル３ａと内側のスル−ホ−ル３ｂと断面がＵ字状に繋がっている。第２絶縁基板２ｂは第１絶縁基板と寸法及び加工形状が略同一のものを使用する。
【００４２】
上述のパタ−ン形成はスル−ホ−ル及び絶縁基板の全表面に銅メッキ層を形成後エッチング処理による方法であるが、これは絶縁基板の表面及び裏面にメッキレジスト層を形成した後メッキ処理による方法によっても全く同じパタ−ンを形成することができることは言うまでもない。
【００４３】
図６及び図７に於いて、１０は切削または成形しフェライト、サマリウムコバルト、パ−マロイ、ケイ素綱等より成るリング状の磁性体で、第１絶縁基板２ａと第２絶縁基板２ｂの磁性体収納凹溝９が対向するようにして、後述する接着剤を塗布した後、磁性体１０を磁性体収納凹溝９に装着する。
【００４４】
磁性体１０のサイズは、最も効率良くするには、コイルの内径ぎりぎりの距離まで磁性体１０を近づけるのがよく、従って、内径ぎりぎりの大きさの磁性体が最も適す。磁性体１０の断面形状は、図７に示すような四角形状に限るものではない。
【００４５】
図８に於いて、第１絶縁基板２ａと第２絶縁基板２ｂの接合部１１のいずれか一方に接着剤１２を塗布するか、又はシ−ト状の接着剤１２を被着して位置合わせし、接着又は熱圧着して接合した後、再メッキ処理により、第１絶縁基板２ａ及び第２絶縁基板２ｂのそれぞれの外側スル−ホ−ル３ａと３ａの接続部３ｄ、内側スル−ホ−ル３ｂと３ｂの接続部３ｄ、電極部４と４との接続部４ｃを導通させることにより、閉磁路を構成する磁性体１０を囲み第１絶縁基板２ａ及び第２絶縁基板２ｂ上面のそれぞれの放射状銅箔パタ−ン５、５とそれぞれの外側スル−ホ−ル３ａ、３ａのパタ−ン及びそれぞれの内側スル−ホ−ル３ｂ、３ｂのパタ−ンはトロイダル状に繋がるコイル捲線パタ−ンを形成する。即ち、図１及び図３に示すように、コイル端末巻き始め部４ａとコイル端末巻き終わり部４ｂとは一本の連続捲線パタ−ンとして繋がるＳＭＤ型コイル１ａが構成される。
【００４６】
このＳＭＤ型コイルは１本のコイル捲線パタ−ンから成るチョ−クコイルとして使用する例であるが、これをトランスとして使用する場合には同じ磁性体の回りに巻回するコイル捲線パタ−ンを２組に分けて１次コイル捲線パタ−ンと２次コイル捲線パタ−ンとして取り出せばよく、また、必要な場合にはそれぞれのコイル捲線パタ−ンに取り出しタップを設ければよいことは言うまでもない。この例はＥＬドライバがチョ−クコイルを使用する回路を使用しているが、ＥＬドライバはトランスを利用する回路も多く、この場合は同じ磁性体の回りに巻回するコイル捲線パタ−ンの組み合わせを変えるだけで簡単にトランスとすることができる。
【００４７】
図１及び図２に於いて、ＳＭＤ型コイル１ａを構成する第１絶縁基板２ａの上面に形成したダイパタ−ンに昇圧用ＩＣ２６をダイボンドし、昇圧用ＩＣ２６の電源端子と接続電極をボンディングワイヤ２９でワイヤボンディングした後、更に、チップコンデンサ２８を第１絶縁基板２ａの上面に銀又は半田ペ−ストにより固着実装し、昇圧用ＩＣ２６と接続する。昇圧用ＩＣ２６とチップコンデンサ２８を遮光し保護するために熱可塑性の封止樹脂３０をトランスファ−モ−ルド等の封止手段により樹脂封止することにより、ＳＭＤ型ＥＬ用ドライバモジュ−ル１が構成される。
【００４８】
図９及び図１０に於いて、その製造方法を説明する。先ず、図９に示すように、ＰＣＢ基板又はセラミック体よりなる多数個取りする第１集合絶縁基板６ａの各列毎の略中心部の内側に位置し、所定間隔で複数個のリング状の磁性体収納凹溝９を形成し、磁性体収納凹溝９の内周及び外周近傍の円周上に複数個の外側スル−ホ−ル３ａ及び内側スル−ホ−ル３ｂと、各列間に長穴のスル−ホ−ル３ｃを切削ドリル又はプレス等の加工手段により形成されるスル−ホ−ル加工工程を施す。
【００４９】
次に、第１のメッキ工程に於いて、外側スル−ホ−ル３ａ、内側スル−ホ−ル３ｂ及び長穴スル−ホ−ル３ｃの壁面を含む第１集合絶縁基板６ａ面を洗浄した後、無電解メッキ及び電解メッキにより銅メッキ層は、外側スル−ホ−ル３ａ、内側スル−ホ−ル３ｂ及び長穴のスル−ホ−ル３ｃの内面を含む全表面に形成される。
【００５０】
エッチング工程に於いて、メッキレジストをラミネ−トし、露光現像後、パタ−ンマスクを形成し、パタ−ンエッチングを行うことにより、長穴のスル−ホ−ル３ｃは対向する側面の電極部４のパタ−ンとして形成され、外側スル−ホ−ル３ａのパタ−ン及び内側スル−ホ−ル３ｂのパタ−ンを結ぶ放射状の銅箔パタ−ン５と、昇圧用ＩＣ２６を固着するダイパタ−ンと、昇圧用ＩＣ２６の各電源端子と接続するための接続電極及びチップコンデンサ−２８と接続する接続パタ−ンの形成された第１集合絶縁基板６ａが完成される。
【００５１】
上述の方法は第１のメッキ工程の処理とそれに続くエッチング処理によってパタ−ンを形成する場合であるが、表面及び裏面にメッキレジスト層を形成した後メッキ処理によっても同様のパタ−ン形成が可能であることは言うまでもない。
【００５２】
磁性体装着工程に於いて、図２及び図１０に示すように、予め第１集合絶縁基板６ａと第２集合絶縁基板６ｂのいずれかの接合部１１にエポキシ系、シリコン系等の接着剤１２をマスクを使って必要箇所に印刷、塗布するか、又はシ−ト状の接着剤１２を被着しておき、２つの集合絶縁基板６ａ、６ｂのいずれか一方の磁性体収納凹溝９に磁性体１０を搭載する。
【００５３】
接着工程に於いて、磁性体１０を装着した、第１集合絶縁基板６ａと第２集合絶縁基板６ｂの磁性体収納凹溝９が対向するように２つの集合絶縁基板６ａ、６ｂを重ね、外側スル−ホ−ル３ａと３ｂのパタ−ンの接続部３ｄ、内側スル−ホ−ル３ｂと３ｂのパタ−ンの接続部３ｄ及び電極部４と４のパタ−ンの接続部４ｃの位置合わせを行い、接合部１１を接着又は熱圧着することにより、２つの集合絶縁基板６ａ、６ｂが一体的に接合された一体化集合体１３ができる。
【００５４】
２つの集合絶縁基板６ａと６ｂの位置合わせは、予め、集合絶縁基板６ａと６ｂに設けられた基板２枚を重ねた時の位置合わせ用ガイド穴６ｃにより、図示しない治具を用いて確実に行う。
【００５５】
尚磁性体１０の装着工程と集合絶縁基板６ａ又は６ｂへの接着剤１２の塗布は、上記順序と逆でも良いことは言うまでもない。
【００５６】
第２メッキ工程に於いて、一体化集合体１３を再び銅メッキ処理を行い、一体化集合体１３の外側スル−ホ−ル３ａと３ａのパタ−ンの接続部３ｄ、内側スル−ホ−ル３ｂと３ｂのパタ−ンの接続部３ｄ及び電極部４と４のパタ−ンの接続部４ｃが確実に導通される。従って、第１集合絶縁基板６ａと第２集合絶縁基板６ｂはリング状の磁性体１０を囲み、放射状銅箔パタ−ン５、５と外側スル−ホ−ル３ａ、３ａのパタ−ン、内側スル−ホ−ルパタ−ン３ｂ、３とがトロイダル状に繋がる捲線コイルが形成される。即ちコイル端末
巻き始め部４ａとコイル端末巻き終り部４ｂとは一本のコイル捲線パタ−ンとして繋がるＳＭＤ型コイルが形成される。またこのコイル捲線パタ−ンを複数組に分けて巻回することによりトランスを構成するＳＭＤ型コイルが形成される。
【００５７】
実装工程に於いて、一体化集合体１３のＳＭＤ型コイル単体のそれぞれの上面に形成されたダイパタ−ンに昇圧用ＩＣ２６をダイボンドした後、ボンディングワイヤ２９でワイヤボンディングする。チップコンデンサ２８を銀又は半田ペ−ストにより固着実装させ、昇圧用ＩＣ２６と接続する。更に、昇圧用ＩＣ２６及びチップコンデンサ２８を遮光し、保護するために、トランスファ−モ−ルド等の封止手段により熱可塑性の封止樹脂３０を用いて樹脂封止することにより、ＳＭＤ型ＥＬ用ドライバモジュ−ル集合体３１ができる。
【００５８】
上述の例では、封止樹脂３０として熱可塑性樹脂を使用したが、熱硬化性樹脂を用いて樹脂封止を行うこともできることは言うまでもない。
【００５９】
ダイシング工程に於いて、図１１に示すように、ＳＭＤ型ＥＬ用ドライバモジュ−ル集合体３１を分割する。１つの磁性体１０を含むＳＭＤ型ＥＬ用ドライバ−モジュ−ル単体に分割するために、位置合わせ用ガイド穴６ｃを使って、図示しない治具にセットして直交するＸ方向７、Ｙ方向８に沿ってダイシング又はスライシングマシン等で１チップに切断、分離してＳＭＤ型ＥＬ用ドライバモジュ−ル１が完成される。
【００６０】
なお、第２集合絶縁基板６ｂの下面に露出した放射状銅箔パタ−ン５を絶縁するために、一体化集合体１３を切断する前に、レジストコ−ト等の処理により、レジスト膜３９を形成しても良い。
【００６１】
図１２は本発明の第２の実施の形態である。図１２に於いて、ＳＭＤ型ＥＬ用ドライバモジュ−ルを更に薄型化するために、例えば、第１絶縁基板２ａはＰＣＢ基板又はセラミック体等よりなる絶縁体とし、第２絶縁基板２ｃはポリイミドフィルム等よりなる絶縁体として、同様の製造方法でＳＭＤ型ＥＬ用ドライバモジュ−ルを製造することができる。
【００６２】
図１３は本発明の第３の実施の形態である。図１３に於いて、ＳＭＤ型ＥＬ用ドライバモジュ−ルを更に超薄型化するために、例えば、第１絶縁基板２ｄ及び第２絶縁基板２ｅを共にポリイミドフィルム等よりなる絶縁体として、前述と同様の製造方法でＳＭＤ型ＥＬ用ドライバモジュ−ルを製造することができる。
【００６３】
上述したように、昇圧用ＩＣ２６は第１絶縁基板２ａ（第１集合絶縁基板６ａ）にワイヤボンディング実装したが、ワイヤボンディングに限るものではなく、更に、信頼性及び生産性を向上し、パッケ−ジの小型化、高密度化を図るために、ベアチップを直接フエ−スダウンで、絶縁基板上にフリップチップボンディングしても良いことは言うまでもない。
【００６４】
図１４は本発明によって形成されたＳＭＤ型ＤＣ−ＤＣコンバ−タの斜視図である。製造方法は電子部品の数が若干追加されるだけで基本的に上述のＳＭＤ型ＥＬ用ドライバと同じである。本発明のＳＭＤ型回路装置はＩＣチップをＤＣ−ＤＣコンバ−タ用ＩＣチップ３５、電子部品をダイオ−ド（Ｄ）３６及びチップコンデンサ（Ｃ）３７等で構成し、ＤＣ−ＤＣコンバ−タ装置を構成した。
【００６５】
図１４に示すようにこの実施例ではＤＣ−ＤＣコンバ−タ用ＩＣチップ３５を絶縁基板２ａ表面のコイルＬを形成する放射状銅箔パタ−ン５の輪の内部の回路パタ−ン上に搭載し、ダイオ−ドＤ３６及びチップコンデンサＣ３７等電子部品を絶縁基板２ａ表面の放射状銅箔パタ−ン５の輪の外部の回路パタ−ン上に搭載した。ＤＣ−ＤＣコンバ−タの種類によってはチップ部品を絶縁基板２ａ上に若干追加して設ける場合もあるが基本的には同様の構造に収めることができる。ＤＣ−ＤＣコンバ−タ用ＩＣチップ３５が複雑になりこれより大きくなる場合はこれもチップ部品と同様に絶縁基板２ａ表面のコイルＬの輪の外部の回路パタ−ン上に搭載してもよい。
【００６６】
上述の例は電子部品は全部第１絶縁基板２ａ上に設けたが、コイル５を避けた第１及び第２絶縁基板中の少なくとも一方の絶縁基板の部位に部品収納用の凹部４０を設けこの凹部４０にＩＣチップ３５を含む全電子部品３６、３７を収納して厚みを抑えることができる。この場合この凹部４０に回路パタ−ン４１を設けこの回路パタ−ン４１上にこれらの全電子部品を搭載する。
【００６７】
図１５は更に薄型化されたＳＭＤ型回路装置の斜視図、図１６はそのＡ−Ａ矢視断面図である。第１絶縁基板２ａを立体配線基板で構成し第２絶縁基板２ｂをポリイミドフィルムで構成し、立体配線基板のコイル５を避けた部位に凹部４０を設けこの凹部４０にＩＣチップ３５及び電子部品３６、３７を収納したものである。この例ではＩＣチップ３５をコイルを構成する放射状銅箔パタ−ン５の輪の内部の部位に設けた凹部４０に収納し、その他の電子部品を放射状銅箔パタ−ン５の輪の外部の部位に設けた凹部４０に収納した。
これらの凹部４０には回路パタ−ン４１を設けこの回路パタ−ン４１上にＩＣチップ３５及び電子部品３６、３７を部品の頭が出ないように搭載し所要の配線２９をし、更にこれらの部品を保護するため封止樹脂３０で樹脂封止した。また第１絶縁基板２ａ及び第２絶縁基板２ｂの放射状銅箔パタ−ン５を含む面を絶縁部材３９でコ−ティングした。この例では第１絶縁基板２ａとして立体配線基板を用いたがＰＣＢ基板、セラミック体でもよい。図に示すようにこれらの樹脂封止３０絶縁コ−ティング３９して成る全体の厚みが対向電極部４の高さを越えない一段と薄型の平面状ＳＭＤとすることができた。
【００６８】
また上述のＳＭＤ型回路装置の例では磁性体１０を囲み放射状銅箔パタ−ン５とスル−ホ−ル３ａ，３ｂを介して上下パタ−ン５、５が連続的に繋がり閉ル−プ化したＳＭＤ型コイルＬは１本の捲線から成るチョ−クコイルである場合を示したが、ＥＬ用ドライバの場合と同様に、ＤＣ−ＤＣコンバ−タの場合にもトランスを用いるもが多種類あり、この場合は同様に上述の同じ閉磁路を形成する磁性体１０を囲み放射状銅箔パタ−ン５、５とスル−ホ−ルのパタ−ン３ａ，３ｂを介して上下銅箔パタ−ン５、５が連続的に繋がり閉ル−プ化したコイルを複数本設けその１本を１次捲線、残りの少なくとも１本以上を２次捲線とするトランスを構成すればよい。また同じ磁性体１０を取り巻く配線の数と組み合わせ、取り出しタップ等を目的に応じて変えることによりその他の各種タイプのトランスを構成することが出来るのでチョ−クコイルの場合と基本的に同じ方法で作成でき、出来上がった構造も略同じである。
【００６９】
上述の製造方法により、本発明による前記ＳＭＤ型ＥＬ用ドライバモジュ−ルの大きさは、概ね、ＩＣチップサイズは１．５〜２ｍｍ角、チップコンデンサは１．０×０．５ｍｍで実装され、全体のサイズは８．５ｍｍ角以下、厚み１ｍｍ以下で完成することが出来た。、同様の方法によって製造された本発明によるＳＭＤ型ＤＣ−ＤＣコンバ−タの全体のサイズは８．５ｍｍ×１５ｍｍ×１ｍｍに収めることができた。
【００７０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のＳＭＤ型回路装置は一対の絶縁基板の内部に閉磁路を構成する磁性体とそれを取り巻く少なくとも１本の捲線コイルパタ−ンを形成してなる構造でこのコイル部を除く基板面または基板に設けた凹部にＩＣチップを含む電子部品を固着実装し超薄型小型化を実現したものである。また本発明の製造方法はこの超薄型小型化されたＳＭＤ型回路装置を大量生産する多数個取り用集合絶縁基板により製造する方法であって製造コストを低減できる。この装置及び方法により、小型ＳＭＤ型電子回路装置が実現でき、携帯用電子機器の小型、超薄型、軽量化及び低コスト化が可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１の実施の形態に係るＳＭＤ型ＥＬ用ドライバモジュ−ルの斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】図１のＳＭＤ型コイルの第１絶縁基板の表面側の斜視図である。
【図４】図３の裏面側の斜視図である。
【図５】図４のＢ−Ｂ線断面を示す斜視図である。
【図６】図１の第１絶縁基板と第２絶縁基板を対向した状態の断面図である。
【図７】磁性体の斜視図である。
【図８】図１のＳＭＤ型コイルの断面図である。
【図９】ＳＭＤ型ＥＬ用ドライバモジュ−ルの製造方法を説明する第１集合絶縁基板の斜視図である。
【図１０】図９の第１集合絶縁基板と第２集合絶縁基板を接着、接合した一体化集合体の斜視酢である。
【図１１】図１０の一体化集合体に昇圧用ＩＣチップ及びチップコンデンサを実装し切断分離するダイシング工程を説明する斜視図である。
【図１２】本発明の第２の実施の形態に係るＳＭＤ型ＥＬ用ドライバモジュ−ルの断面図である。
【図１３】本発明の第３の実施の形態に係るＳＭＤ型ＥＬ用ドライバモジュ−ルの断面図である。
【図１４】本発明の第４の実施の形態に係るＳＭＤ型ＤＣ−ＤＣコンバ−タの斜視図である。
【図１５】本発明の第５の実施の形態に係る更に薄型化されたＳＭＤ型ＤＣ−ＤＣコンバ−タの斜視図である。
【図１６】図１５のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図１７】一般的なＥＬ用昇圧回路のブロック図である。
【図１８】一般的なＤＣ−ＤＣコンバ−タのブロック図である。
【図１９】従来のＳＭＤ型コイルの断面図である。
【図２０】図１５の平面図である。
【符号の説明】
１、１Ａ、１Ｂ    ＳＭＤ型ＥＬ用ドライバモジュ−ル
２ａ、２ｄ        第１絶縁基板
２ｂ、２ｃ、２ｅ  第２絶縁基板
３ａ              外側スル−ホ−ル
３ｂ              内側スル−ホ−ル
３ｃ              長穴スル−ホ−ル
３ｄ、４ｄ        接続部
４                電極部
５                放射状銅箔パタ−ン
６ａ              第１集合絶縁基板
６ｂ              第２集合絶縁基板
９                磁性体収納凹溝
１０              磁性体
１１              接合部
１２              接着剤
１３              一体化集合体
２５              ＥＬ
２６              昇圧用ＩＣ
２８              チップコンデンサ
２９              ボンディングワイヤ
３０              封止樹脂
３１              ＳＭＤ型ＥＬ用ドライバモジュ−ル集合体
３５              ＤＣ−ＤＣコンバ−タ用ＩＣチップ
３６              ダイオ−ド（Ｄ）
３７              チップコンデンサ（Ｃ）
３８              コイル（Ｌ）
３９              絶縁コ−ティング
４０              凹部
４１              回路パタ−ン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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