(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の（ａ）〜（ｅ）の工程を含むことを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。
（ａ）導体層の上に層間樹脂絶縁層を形成する工程、
（ｂ）層間樹脂絶縁層上のバイアホール作成位置にレジストを形成する工程
（ｃ）該層間樹脂絶縁層の上に前記レジストを通孔部とする金属膜を形成する工程、
（ｄ）前記レジストにレーザを照射し、前記金属膜の通孔部を介して前記層間樹脂絶縁層に開口を形成する工程、
（ｅ）前記開口に金属層を設けバイアホールを形成する工程。
【請求項２】
前記金属膜を形成する工程において、金属膜を無電解めっきにより形成することを特徴とする請求項１に記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項３】
前記金属膜を形成する工程において、金属膜を無電解めっき及び電界めっきにより形成することを特徴とする請求項１に記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項４】
前記層間樹脂絶縁層を形成する工程において、形成した層間樹脂絶縁層の表面を粗化することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１に記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項５】
以下の（ａ）〜（ｆ）の工程を含むことを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。
（ａ）導体層の上に層間樹脂絶縁層を形成する工程、
（ｂ）前記層間樹脂絶縁層の表面にスパッタリングにより金属薄膜を形成する工程、
（ｃ）層間樹脂絶縁層の金属薄膜上のバイアホール作成位置にレジストを形成する工程
（ｄ）該層間樹脂絶縁層の上に前記レジストを通孔部とする金属膜を形成する工程、
（ｅ）前記レジストにレーザを照射し、前記金属膜の通孔部を介して前記層間樹脂絶縁層に開口を形成する工程、
（ｆ）前記開口に金属層を設けバイアホールを形成する工程。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、層間樹脂絶縁層にレーザにて通孔を穿設してバイアホールを形成する多層プリント配線板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
特開昭５８−６４０９７号にて、層間樹脂絶縁層にバイアホール用の開口を形成する際に、層間樹脂絶縁層の上層に穴の空いた金属層を形成し、この穴を介してレーザを照射することでレーザ光を絞り、小径の開口を形成する技術が示されている。
【０００３】
このレーザによる通孔の穿設について、図１２を参照して説明する。先ず、図２（Ａ）に示すように導体回路３３４の上層の層間樹脂絶縁層３５０に金属層３５２を形成し、該金属層３５２の上側にレジスト形成用のフィルム３５３を載置する。その後、露光・現像を行うことによりレジスト３５３に通孔３５３ａを穿設する（図１２（Ｂ））。引き続き、該レジストの非形成部、即ち、通孔３５３ａを介して露出している部分をエッチングして金属層３５２に通孔部３５２ａを設ける（図１２（Ｃ））。次に、レジスト３５３を剥離する（図１２（Ｄ））。その後、金属層３５３をコンフォートマスクとして用い、通孔部３５３ａにてレーザ光を絞り小径の開口３４８を形成する（図１２（Ｅ））。そして、該開口内に導体層を析出させることでバイアホールを形成していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した製造方法によって直径２０μｍ以下のバイアホールを形成した際に、バイアホールの径にばらつきが発生し、歩留りが低下することが判明した。即ち、微細な径のバイアホールを正確に形成できなかった。この原因を本発明者が研究したところ、レジスト３５３に通孔３５３ａを形成する図１２（Ｂ）に示す工程において、通孔３５３ａを２０μｍ（バイアホール径）に正確に形成できないことに原因があることを知見した。即ち、膜厚２０μｍのレジストフィルム３５３に直径２０μｍの通孔３５３ａをエッチングによって形成しようとしても、該通孔３５３ａ内へのエッチング液の回り込みにばらつきが生じ、通孔３５３ａの径を均一にできないためであることが判明した。
【０００５】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、微細径のバイアホールを形成することができる多層プリント配線板の製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため請求項１の多層プリント配線板の製造方法は、以下の（ａ）〜（ｅ）の工程を含むことを技術的特徴とする。
（ａ）導体層の上に層間樹脂絶縁層を形成する工程、
（ｂ）層間樹脂絶縁層上のバイアホール作成位置にレジストを形成する工程
（ｃ）該層間樹脂絶縁層の上に前記レジストを通孔部とする金属膜を形成する工程、
（ｄ）前記レジストにレーザを照射し、前記金属膜の通孔部を介して前記層間樹脂絶縁層に開口を形成する工程、
（ｅ）前記開口に金属層を設けバイアホールを形成する工程。
【０００７】
また、請求項２の発明は、請求項１の前記金属膜を形成する工程において、金属膜を無電解めっきにより形成することを特徴とする請求項１に記載の多層プリント配線板の製造方法。
【０００８】
請求項３の発明は、請求項１又は２の前記金属膜を形成する工程において、金属膜を無電解めっき及び電界めっきにより形成することを技術的特徴とする。
【０００９】
請求項４の発明は、請求項１〜３において、前記層間樹脂絶縁層を形成する工程において、形成した層間樹脂絶縁層の表面を粗化することを技術的特徴とする。
【００１０】
上記課題を解決するため請求項５の多層プリント配線板の製造方法は、以下の（ａ）〜（ｆ）の工程を含むことを技術的特徴とする。
（ａ）導体層の上に層間樹脂絶縁層を形成する工程、
（ｂ）前記層間樹脂絶縁層の表面にスパッタリングにより金属薄膜を形成する工程、
（ｃ）層間樹脂絶縁層の金属薄膜上のバイアホール作成位置にレジストを形成する工程
（ｄ）該層間樹脂絶縁層の上に前記レジストを通孔部とする金属膜を形成する工程、
（ｅ）前記レジストにレーザを照射し、前記金属膜の通孔部を介して前記層間樹脂絶縁層に開口を形成する工程、
（ｆ）前記開口に金属層を設けバイアホールを形成する工程。
【００１１】
請求項１の発明では、バイアホールを作成する位置にレジストを形成し、該レジストを通孔部とする金属膜を形成する。そして、レジストにレーザを照射し、該レジストを蒸発させ、金属膜の通孔部をレーザの絞りとして、即ち、金属膜をコンフォトマスクとして用いて層間樹脂絶縁層に開口を形成する。ここで、バイアホールの形成用の開口位置に合わせてレジストを形成、即ち、開口位置に合わせてレジストを残すので、詳細なエッチングを正確に行うことができる。このため、微細径のバイアホールを形成することが可能となる。
【００１２】
請求項２の発明では、金属膜を無電解めっきにより形成するため、簡易に形成することができる。
【００１３】
請求項３の発明では、金属膜を無電解めっき及び電解メッキにより形成するため、バイアホールの欠陥を防ぐことができる。
【００１４】
請求項４の発明では、層間樹脂絶縁層を粗化した後に金属膜を形成するため、層間樹脂絶縁層と層間樹脂絶縁層の上層に形成される導体層とを強固に接続させることができる。
【００１５】
請求項５の構成では、バイアホールを作成する位置にレジストを形成し、該レジストを通孔部とする金属膜を形成する。そして、レジストにレーザを照射し、該レジストを蒸発させ、金属膜の通孔部をレーザの絞りとして、即ち、金属膜をコンフォトマスクとして用いて層間樹脂絶縁層に開口を形成する。ここで、バイアホールの形成用の開口位置に合わせてレジストを形成、即ち、開口位置に合わせてレジストを残すので、詳細なエッチングを正確に行うことができる。このため、微細径のバイアホールを形成することが可能となる。また、この構成では、金属薄膜を層間樹脂絶縁層へスパッタリングすることにより形成するため、層間樹脂絶縁層の表面を粗化させることなく、層間樹脂絶縁層と導体層とを強固に接続させることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法について図を参照して説明する。
（第１実施形態）
ここでは、第１実施形態の多層プリント配線板の製造方法に用いるＡ．無電解めっき用接着剤、Ｂ．層間樹脂絶縁剤、Ｃ．樹脂充填剤、Ｄ．無電解めっき用レジストの組成について説明する。
【００１７】
Ａ．無電解めっき用接着剤調製用の原料組成物（上層用接着剤）
〔樹脂組成物▲１▼〕
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製、分子量２５００）の２５％アクリル化物を８０wt％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を３５重量部、感光性モノマー（東亜合成製、アロニックスＭ３１５）３. １５重量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−６５）０. ５重量部、ＮＭＰ３. ６重量部を攪拌混合して得た。
【００１８】
〔樹脂組成物▲２▼〕
ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）１２重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、ポリマーポール）の平均粒径１. ０μｍのものを７. ２重量部、平均粒径０. ５μｍのものを３. ０９重量部、を混合した後、さらにＮＭＰ３０重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合して得た。
【００１９】
〔硬化剤組成物▲３▼〕
イミダゾール硬化剤（四国化成製、２Ｅ  ４ＭＺ−ＣＮ  ）２重量部、光開始剤（チバガイギー製、イルガキュア  Ｉ−９０７）２重量部、光増感剤（日本化薬製、ＤＥＴＸ−Ｓ）０. ２重量部、ＮＭＰ１. ５重量部を攪拌混合して得た。
【００２０】
Ｂ．層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成物（下層用接着剤）
〔樹脂組成物▲１▼〕
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製、分子量２５００）の２５％アクリル化物を８０wt％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を３５重量部、感光性モノマー（東亜合成製、アロニックスＭ３１５）４重量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−６５）０. ５重量部、ＮＭＰ３. ６重量部を攪拌混合して得た。
【００２１】
〔樹脂組成物▲２▼〕
ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）１２重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、ポリマーポール）の平均粒径０. ５μｍのものを１４. ４９重量部、を混合した後、さらにＮＭＰ３０重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合して得た。
【００２２】
〔硬化剤組成物▲３▼〕
イミダゾール硬化剤（四国化成製、２Ｅ  ４ＭＺ−ＣＮ）２重量部、光開始剤（チバガイギー製、イルガキュア  Ｉ−９０７）２重量部、光増感剤（日本化薬製、ＤＥＴＸ−Ｓ）０. ２重量部、ＮＭＰ１. ５重量部を攪拌混合して得た。
【００２３】
Ｃ．樹脂充填剤調製用の原料組成物
〔樹脂組成物▲１▼〕
ビスフェノールＡ型エポキシモノマー（油化シェル製、エピコート８２８）
１００重量部、表面に平均粒径１. ５μｍのＡｌ2 Ｏ3 球状粒子１５０重量部、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）３０重量部、レベリング剤（サンノプコ製、ペレノールＳ４）１. ５重量部を攪拌混合し、その混合物の粘度を２３±１℃で４５, ０００〜４９, ０００cps に調整した。
【００２４】
〔硬化剤組成物▲２▼〕
イミダゾール硬化剤（四国化成製、２Ｅ  ４ＭＺ−ＣＮ）６. ５重量部。
【００２５】
Ｄ．無電解めっき用レジストの原料組成物
〔樹脂組成物▲１▼〕
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量４０００）１００重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル製、エピコート１００１）３２重量部、感光性モノマーである多価アクリルモノマー（日本化薬製、Ｒ６０４）６．４重量部、同じく感光性モノマーである多価アクリルモノマー（共栄社化学製、ＤＰＥ６Ａ）３．２重量部を混合し、さらにレベリング剤（共栄社化学製、ポリフローＮｏ．７５）を全重量１００重量部に対して０．５重量部混合して撹拌混合して得た。
【００２６】
〔硬化剤組成物▲２▼〕
イミダゾール硬化剤（四国化成製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）３．４重量部、光開始剤（チバガイギー製、イルガキュアＩ−９０７）２重量部、光増感剤（日本化薬製、ＤＥＴＸ−Ｓ）０．２重量部、ＮＭＰ１．５重量部を撹拌混合して得た。
【００２７】
引き続き、プリント配線板の製造工程について図１乃至図９を参照して説明する。
（１）図１（Ａ）に示すように厚さ１mmのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板３０の両面に１８μｍの銅箔３２がラミネートされている銅張積層板３０Ａを出発材料とした。まず、この銅張積層板３０Ａをドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、パターン状にエッチングすることでスルーホール３６及び導体回路３４を形成する（図１（Ｂ））。
【００２８】
（２）この基板３０を水洗いし、乾燥した後、酸化浴（黒化浴）として、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ），ＮａＣｌＯ2 （４０ｇ／ｌ），Ｎａ3 Ｏ4  (６ｇ／ｌ）、還元浴として、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ），ＮａＢＨ4 （６ｇ／ｌ）を用いた酸化−還元処理により、図１（Ｃ）に示すように導体回路３４及びスルーホール３６の表面に粗化層３８を設ける。
（３）上述したＣの樹脂充填剤調製用の原料組成物を混合混練して樹脂充填剤を得る。
【００２９】
（４）コア基板３０にマスクを用いて印刷を行い、充填剤４０をスルーホール３６内へ充填すると共に、基板３０の表面へ塗布する（図１（Ｄ）参照）。その後に充填剤４０を熱硬化させる。
【００３０】
（５）上記（４）の処理を終えた基板３０を、＃４００のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いたベルトサンダー研磨により、スルーホール３６のランド３６ａ及び導体回路３４の表面に樹脂充填剤が残らないように研磨し、次いで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨をＳｉＣ砥粒にて行った。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。
次いで、１００℃で１時間、１５０℃で１時間の加熱処理を行って樹脂充填剤４０を硬化した。
このようにして、スルーホール３６等に充填された樹脂充填剤４０の表層部およびスルーホールランド３６ａなどの上面の粗化層を除去して、基板３０の両面を図２（Ｅ）に示すように平滑化した。
【００３１】
（６）上記（５）の処理で露出したスルーホールランド３６ａ、導体回路３４上面に図２（Ｆ）に示すように、厚さ２. ５μｍのＣｕ−Ｎｉ−Ｐ合金からなる粗化層（凹凸層）４２を形成し、さらに、粗化層４２の表面に厚さ０. ３μｍのＳｎ層（図示せず）を設けた。
その形成方法は以下のようである。基板３０を酸性脱脂してソフトエッチングし、次いで、塩化パラジウムと有機酸からなる触媒溶液で処理して、Ｐｄ触媒を付与し、この触媒を活性化した後、硫酸銅８ｇ／ｌ、硫酸ニッケル０. ６ｇ／ｌ、クエン酸１５ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム２９ｇ／ｌ、ホウ酸３１ｇ／ｌ、界面活性剤０. １ｇ／ｌ、ｐＨ＝９からなる無電解めっき浴にてめっきを施し、導体回路３４上面およびスルーホールのランド３６ａ上面にＣｕ−Ｎｉ−Ｐ合金の粗化層４２を形成した。ついで、ホウフッ化スズ０. １mol ／ｌ、チオ尿素１. ０mol ／ｌ、温度５０℃、ｐＨ＝１. ２の条件でＣｕ−Ｓｎ置換反応させ、粗化層４２の表面に厚さ０. ３μｍのＳｎ層を設けた。
【００３２】
（７）上述した組成物Ｂの層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成物を攪拌混合し、粘度１. ５ Pa ・ｓに調整して層間樹脂絶縁剤（下層用）を得た。
次いで、上述した組成物Ａの無電解めっき用接着剤調製用の原料組成物を攪拌混合し、粘度７Pa・ｓに調整して無電解めっき用接着剤溶液（上層用）を得た。
【００３３】
（８）上記（６）の基板３０（図２（Ｆ））の両面に、図２（Ｇ）に示すように上記（７）で得られた粘度１. ５Pa・ｓの層間樹脂絶縁剤（下層用）４４を調製後２４時間以内にロールコータで塗布し、水平状態で２０分間放置してから、６０℃で３０分の乾燥（プリベーク）を行う。次いで、上記（７）で得られた粘度７Pa・ｓの感光性の接着剤溶液（上層用）４６を調製後２４時間以内に塗布し、水平状態で２０分間放置してから、６０℃で３０分の乾燥（プリベーク）を行い、厚さ３５μｍの接着剤層５０を形成した。
【００３４】
（９）基板３０を、クロム酸に１９分間浸漬し、層間樹脂絶縁層５０の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、図３（Ｈ）に示すように当該層間樹脂絶縁層５０の表面を粗化面５１とし、その後、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。
さらに、粗面化処理（粗化深さ３μｍ）した該基板３０の表面に、パラジウム触媒（アトテック製）を付与することにより、層間樹脂絶縁層５０の表面に触媒核を付けた。
【００３５】
（１０）上述した組成Ｄを混合混練して無電解めっき用レジストを得る。この無電解めっき用レジスト５３αを層間樹脂絶縁層５０上に塗布する（図３（Ｉ））。その後、マスクを載置して、１００ mJ ／cm2 で露光、０. ８％炭酸ナトリウムで現像処理し、後述するバイアホール用開口形成位置に図３（Ｊ）に示すように厚さ１５μｍで直径Ｄ１（２０μｍ）のめっきレジスト５３を形成する。ここでは、上述した組成の無電解めっき用レジストを用いているが、市販のレジストフィルムを用いることも可能である。
【００３６】
図１２を参照して上述した従来技術においては、レジストに通孔を設けるため、エッチング液の回り込みが不均一になり、通孔径を同一に形成することが困難であった。これに対して、本実施形態では、レジスト５３を残して周りをエッチングにより剥離するため、エッチング液の回り込みが均一になり正確に２０μｍ径のレジスト５３を形成することができる。
【００３７】
（１１）以下に示す組成の無電解銅めっき水溶液中に基板を浸漬して、図４（Ｋ）に示すようにレジスト４３に対応した位置に通孔部５２ａ（直径２０μｍ）を有する厚さ０. ６μｍの無電解めっき銅膜５２を形成する。
〔無電解めっき水溶液〕
ＥＤＴＡ              １５０  ｇ／ｌ
硫酸銅                ２０  ｇ／ｌ
ＨＣＨＯ              ３０   ml ／ｌ
ＮａＯＨ              ４０  ｇ／ｌ
α、α’−ビピリジル  ８０   mg ／ｌ
ＰＥＧ                ０. １  ｇ／ｌ
〔無電解めっき条件〕
７０℃の液温度で３０分
【００３８】
（１２）炭酸レーザを照射することで、レジスト４３を蒸発させ、無電解めっき銅膜５２の通孔部５２ａをレーザ光の絞りとして、即ち、無電解めっき銅膜５２をコンフォトマスクとして用いて層間樹脂絶縁層５０に開口４８を形成する（図４（Ｌ））。ここで、上述したように正確な径にレジストを形成してあるため、２０μｍの径で均一な開口４８を形成できる。
【００３９】
引き続き、該開口４８の形成を完了した基板３０を、クロム酸に１分間浸漬し、開口内をデスミヤ処理し、その後、中和溶液（シンプイ社製）に浸浸した後に水洗いする。開口４８内の残さ除去は、クロム酸以外にも過マンガン酸、カリウムの水溶液に浸したり、或いは、Ｏ2 プラズマ、ＣＦ4 プラズマ、もしくはＯ2 とＣＦ4 混合ガスのプラズマを使用して除去できる。
【００４０】
（１３）この基板３０にパラジウム触媒（アトテック製）を付与してから、上記（１１）の無電解めっきと同様な組成の無電解銅めっき水溶液中に基板を浸漬して、開口４８内に無電解めっき銅膜５９を形成する（図４（Ｍ））。
【００４１】
（１４）上記（１２）で形成した無電解めっき銅膜５２上に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マスクを載置して、１００mJ／cm2 で露光、0.8 ％炭酸ナトリウムで現像処理し、図５（Ｎ）に示すように厚さ１５μｍのめっきレジスト５４を設けた。
【００４２】
（１５）ついで、レジスト非形成部分に以下の条件で電解銅めっきを施し、図５（Ｏ）に示すように厚さ１５μｍの電解めっき銅膜５６を形成した。
0004060437.tif 000002
【００４３】
（１６）図５（Ｐ）に示すようにめっきレジスト５４を５％ＫＯＨで剥離除去した後、めっきレジスト５４下の無電解めっき膜５２を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して溶解除去し、無電解めっき銅膜５２と電解めっき銅膜５６からなる厚さ18μｍの導体回路５８及びバイアホール６０を形成した。
【００４４】
さらに、７０℃で８００ｇ／ｌのクロム酸に３分間浸漬して、導体回路５８、バイアホール６０間の無電解めっき用接着剤層表面を１μｍエッチング処理し、表面のパラジウム触媒を除去した。
【００４５】
（１７）導体回路５８を形成した基板３０を、硫酸銅８ｇ／ｌ、硫酸ニッケル０．６ｇ／ｌ、クエン酸１５ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム２９ｇ／ｌ、ホウ酸３１ｇ／ｌ、界面活性剤０．１ｇ／ｌからなるｐＨ＝９の無電解めっき液に浸漬し、図６（Ｑ）に示すように該導体回路５８及びバイアホール６０の表面に厚さ３μｍの銅−ニッケル−リンからなる粗化層６２を形成する。
【００４６】
ついで、ホウフッ化スズ０．１ｍｏｌ／ｌ、チオ尿素１．０ｍｏｌ／ｌ、温度５０℃、ｐＨ＝１．２の条件でＣｕ−Ｓｎ置換反応させ、粗化層６２の表面に０．３μｍの厚さのＳｎ層を設けた（Ｓｎ層については図示しない）。
【００４７】
（１８）（２）〜（１７）の工程を繰り返すことにより、さらに上層の導体回路を形成する。即ち、基板３０の両面に、層間樹脂絶縁剤（下層用）をロールコ一夕で塗布し、絶縁剤層１４４を形成する。また、この絶縁剤層１４４の上に無電解めっき用接着剤（上層用）をロールコ一タを用いて塗布し、接着剤層１４６を形成する（図６（Ｒ）参照）。絶縁剤層１４４および接着剤層１４６から成る層間樹脂絶縁層１５０にレジストを形成し、無電解めっき銅膜を設け、レーザを照射して開口１４８を穿設する（図６（Ｓ）参照）。
【００４８】
その後、該開口内に無電解めっき銅膜１５６を形成する（図７（Ｔ）参照）。引き続き、無電解めっき銅膜１５２上に無電解めっきめっきレジスト１５４を設けた後、レジスト非形成部分に無電解めっき銅膜１５６を形成する（図７（Ｕ）参照）。そして、めっきレジスト１５４を除去した後、無電解めっきめっきレジスト１５４下の無電解めっき膜１５２を溶解除去し導体回路１５８及びバイアホール１６０を形成する。さらに、該導体回路１５８及びバイアホール１６０の表面に粗化層１６２を形成し、多層プリント配線板を完成する（図８（Ｖ）参照）。なお、この上層の導体回路を形成する工程においては、Ｓｎ置換は行わなかった。
【００４９】
（１９）そして、上述した多層プリント配線板にはんだバンプを形成する。先ず、基板３０にソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の乾燥処理を行った後、１０００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ現像処理した。
さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件で加熱処理し、図８（Ｗ）に示すようにパッド部分に対応する開口部７１を設けた（開口径２００μｍ）ソルダーレジスト層（厚み２０μｍ）７０を形成した。
【００５０】
（２０）引き続き、ソルダーレジスト層を補強用の樹脂組成物をソルダーレジストの開口群の周囲に塗布し、１０００ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、さらに８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件で加熱処理し、図９（Ｘ）に示すように厚さ４０μｍの補強層７８を形成した。
【００５１】
（２１）次に、ソルダーレジスト層７０及び補強層７８を形成した基板３０を、塩化ニッケル３０ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム１０ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム１０ｇ／ｌからなるｐＨ＝５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、図９（Ｙ）に示すように開口部７１に厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成した。さらに、その基板３０を、シアン化金カリウム２ｇ／ｌ、塩化アンモニウム７５ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム５０ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム１０ｇ／ｌからなる無電解金めっき液に９３℃の条件で２３秒間浸漬して、ニッケルめっき層上に厚さ０．０３μｍの金めっき層７４を形成した。
【００５２】
（２２）そして、ソルダーレジスト層７０の開口部７１に、はんだペーストを印刷して、２００℃でリフローすることによりはんだバンプ７６を形成し、はんだパンプを有するプリント配線板を製造した。
【００５３】
第１実施形態の多層プリント配線板の製造方法では、微小バイアホールの径を均一に製造することができる。即ち、図１２を参照して上述した従来技術においては、レジストに通孔を設けるため、エッチング液の回り込みが不均一になり、通孔径を同一に形成することが困難であった。これに対して、本実施形態では、レジスト５３を残して周りをエッチングにより剥離するため、エッチング液の回り込みが均一になり正確に２０μｍのレジスト５３を形成することができ（図３（Ｊ）参照）、無電解めっき銅膜５２の通孔部５２ａの開口径Ｄ２を２０μｍにすることが可能となる（図４（Ｋ）参照）。従って、該２０μｍの通孔部５２ａによりレーザ光を絞ることで図４（Ｌ）に示すように２０μｍ径の開口４８を形成し、この開口４８に電解無電解めっき膜４６を析出させることでバイアホール６０を２０μｍ径で均一に形成することができる。
【００５４】
また、第１実施形態の構成では、上述したようにバイアホールの歩留まりを高めながら製造工程を簡略化できる。即ち、従来技術の製造方法では、レジスト３５３に通孔３５３ａを形成する際（図１２（Ｂ））、金属膜３５２に通孔部３５２ａを形成する際（図１２（Ｃ））、及び、レジストを除去する際（図１２（Ｄ））の３回エッチングを行った。これに対して、本実施形態では、無電解めっき用レジスト４３を形成する際にエッチングを行うが（図３（Ｊ））、通孔部５２ａを有する無電解めっき銅膜５２は、無電解めっきにより形成し（図４（Ｋ））、無電解めっき用レジスト４３の剥離は、層間樹脂絶縁層５０の開口形成と同時にレーザによって行うため（図４（Ｌ））、エッチングは１回で済む。
【００５５】
（第２実施形態）
引き続き、本発明の第２実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法について図１０を参照して説明する。
第１実施形態では、図３（Ｈ）を参照して上述したように層間樹脂絶縁層５０の上面を粗化した後、図４（Ｋ）に示すように無電解めっき銅膜５２を析出させた。これに対して、第３実施形態では、図１０（Ａ）に示すように粗化することなく層間樹脂絶縁層５０の表面に銅スパッタ膜（金属薄膜）５５をスパッタリングにより形成する。その後、電解めっき用レジスト５３を形成し（図１０（Ｂ））、電解めっき銅膜５７を析出させる（図１０（Ｃ））。そして、電解めっき用レジスト５３にレーザを照射して、レジスト５３及びレジスト下の銅スパッタ膜５５を蒸発させ、層間樹脂絶縁層５０に開口４８を形成する（図１０（Ｄ））。その後、第１実施形態と同様に多層プリント配線板を製造する。なお、スパッタを行う金属としては、Ｃｕ以外にも、Ｃｕ／Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｏ等を用いることができ、スパッタでなくとも蒸着により金属膜を形成することができる。
【００５６】
この第３実施形態では、銅スパッタ膜５３を層間樹脂絶縁層５０へスパッタリングすることにより形成するため、層間樹脂絶縁層５０の表面を粗化させることなく、層間樹脂絶縁層５０と電解めっき銅膜５７とを強固に接続させることができる。
【００５７】
（第３実施形態）
引き続き、本発明の第３実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法について図１１を参照して説明する。
上述した第１実施形態の製造方法では、無電解めっき用レジスト５３を形成した後、無電解めっき銅膜５２を析出させ、該無電解めっき銅膜５２をコンフォートマスクとして用いてレーザを照射した。これに対して、第３実施形態では、図１１（Ａ）に示すように無電解めっき銅膜５２の上に、電解めっきにより電解めっき銅膜５７を形成してから、図１１（Ｂ）に示すようにレーザを照射して層間樹脂絶縁層５０に開口４８を形成する。
【００５８】
上述した第１実施形態では、無電解めっき銅膜５２に欠損があると層間樹脂絶縁層５０にレーザによる穴が開いたが、第３実施形態では、無電解めっき銅膜５２の上に電解めっき銅膜５７を形成するため、かかる欠損の発生を防ぐことができる。
【００５９】
【発明の効果】
以上のように、本発明の多層プリント配線板の製造方法によれば、微小バイアホールの径を均一に製造することができ、多層プリント配線板の歩留りを高めることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（Ａ）、図１（Ｂ）、図１（Ｃ）、図１（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法の工程図である。
【図２】図２（Ｅ）、図２（Ｆ）、図２（Ｇ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法の工程図である。
【図３】図３（Ｈ）、図（Ｉ）、図３（Ｊ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法の工程図である。
【図４】図４（Ｋ）、図４（Ｌ）、図４（Ｍ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法の工程図である。
【図５】図５（Ｎ）、図５（Ｏ）、図５（Ｐ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法の工程図である。
【図６】図６（Ｑ）、図６（Ｒ）、図６（Ｓ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法の工程図である。
【図７】図７（Ｔ）、図７（Ｕ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法の工程図である。
【図８】図８（Ｖ）、図８（Ｗ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法の工程図である。
【図９】図９（Ｘ）、図９（Ｙ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法の工程図である。
【図１０】図１０（Ａ）、図１０（Ｂ）、図１０（Ｃ）、図１０（Ｄ）は、本発明の第２実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法の工程図である。
【図１１】図１１（Ａ）、図１１（Ｂ）は、本発明の第３実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法の工程図である。
【図１２】図１２（Ａ）、図１２（Ｂ）、図１２（Ｃ）、図１２（Ｄ）、図１２（Ｅ）は、従来技術に係る多層プリント配線板の製造方法の工程図である。
【符号の説明】
３０  コア基板
３４  導体回路（導体層）
３６  スルーホール
４８  開口
５０  層間樹脂絶縁層
５２  無電解めっき銅膜（金属膜）
５２ａ  通孔部
５３  無電解めっき用レジスト（レジスト）
５５  銅スパッタ膜（金属薄膜）
５６  電解めっき銅膜（金属層）
５７  電解めっき銅膜（金属膜）
６０  バイアホール
【図１】
0004060437.tif 000003
【図２】
0004060437.tif 000004
【図３】
0004060437.tif 000005
【図４】
0004060437.tif 000006
【図５】
0004060437.tif 000007
【図６】
0004060437.tif 000008
【図７】
0004060437.tif 000009
【図８】
0004060437.tif 000010
【図９】
0004060437.tif 000011
【図１０】
0004060437.tif 000012
【図１１】
0004060437.tif 000013
【図１２】
0004060437.tif 000014