(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体薄膜を形成する基板を収納したリアクタ−内に所定の原料ガスを供給して半導体薄膜を形成する半導体製造装置の運転を制御するための方法であって、
該半導体製造装置で使用する弁の開閉及び排気用真空ポンプの運転の制御をプログラマブルロジックコントローラ−により行うとともに、
該プログラマブルロジックコントローラ−に記述されたコマンドと、該コマンドによる制御の対象となる弁及び排気用真空ポンプ並びにそれらの操作手順とを対応させた変換手段にて前記コマンドを変換してパーソナルコンピューターに記憶させ、
該パーソナルコンピューターでは、前記弁及び排気用真空ポンプ並びにそれらの操作手順を用いて前記プログラマブルロジックコントローラ−のプログラムに対応したフローチャート形式のステップシーケンスを作成し、該ステップシーケンスにおける各命令を前記変換手段にて前記コマンドに置換えて前記プログラマブルロジックコントローラ−に出力し、かつ、前記操作による制御結果を前記プログラマブルロジックコントローラ−から前記変換手段を介して受取ることにより、前記ステップシーケンスに基づいて、次に行うべき動作を判断し、各命令をインタープリタ形式で前記変換手段を介して前記プログラマブルロジックコントローラ−に伝達して所定の操作手順を実行することを特徴とする半導体製造装置の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造装置の制御方法に関し、詳しくは、ＭＯＣＶＤ，プラズマＣＶＤ，光ＣＶＤ等の半導体製造装置における各種操作、例えば成膜操作，パージ操作，真空引き操作等の手順を容易に作成できるとともに、その変更も容易に行うことができる半導体製造装置の制御方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
半導体製造装置の制御システムとしては、一般に、プログラマブルロジックコントローラ−（以下、ＰＬＣという）が多く採用されている。このＰＬＣは、ＦＡ（ファクトリーオートメーション）用として開発されたものであって、制御性や安定性、信頼性に優れており、現在でも各種制御用として多用されている。
【０００３】
しかし、ＰＬＣは、簡易言語といわれる専用コマンド（実行コード）を用いてプログラムを作成するため、その作成や変更には、専門知識を有する技術者が必要となる。さらに、専用コマンドは、ＰＬＣの機種によって相違するため、機種の異なったＰＬＣを使用する際には、数種類の専用コマンドを駆使しなければならない。
【０００４】
一方、近年は、パーソナルコンピューター（以下、ＰＣという）を使用して各種制御を行うことが試みられている。ＰＣは、オペレーションシステム（ＯＳ）を統一することにより、様々な機種で同様の操作が可能であり、汎用性に優れているという利点を有している。
【０００５】
ところが、ＰＣは、制御点が少なければ非常に有効な制御システムを構築できるが、半導体製造装置のように、多数の制御点を有する装置の制御システムとして用いる場合は、そのスピードや安定性に不安が残り、実用化には至っていない。
【０００６】
そこで本発明は、ＰＬＣ及びＰＣのそれぞれ長所を生かして確実な制御を行えるとともに、その操作手順の作成や変更を容易に行うことができる半導体製造装置の制御方法を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の半導体製造装置の制御方法は、半導体薄膜を形成する基板を収納したリアクタ−内に所定の原料ガスを供給して半導体薄膜を形成する半導体製造装置の運転を制御するための方法であって、該半導体製造装置で使用する弁の開閉及び排気用真空ポンプの運転の制御をプログラマブルロジックコントローラ−により行うとともに、該プログラマブルロジックコントローラ−に記述されたコマンドと、該コマンドによる制御の対象となる弁及び排気用真空ポンプ並びにそれらの操作手順とを対応させた変換手段にて前記コマンドを変換してパーソナルコンピューターに記憶させ、該パーソナルコンピューターでは、前記弁及び排気用真空ポンプ並びにそれらの操作手順を用いて前記プログラマブルロジックコントローラ−のプログラムに対応したフローチャート形式のステップシーケンスを作成し、該ステップシーケンスにおける各命令を前記変換手段にて前記コマンドに置換えて前記プログラマブルロジックコントローラ−に出力し、かつ、前記操作による制御結果を前記プログラマブルロジックコントローラ−から前記変換手段を介して受取ることにより、前記ステップシーケンスに基づいて、次に行うべき動作を判断し、各命令をインタープリタ形式で前記変換手段を介して前記プログラマブルロジックコントローラ−に伝達して所定の操作手順を実行することを特徴としている。
【０００８】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の制御対象となる半導体製造装置の一つのＭＯＣＶＤ装置の要部を示す概略系統図である。ＭＯＣＶＤ装置は、基板を所定温度に保持したリアクタ１内に所定の原料ガスを供給して有機金属系半導体薄膜を形成するものであって、リアクタ１には、原料ガスやパージガスを導入するための複数の配管と、これらを排気するための配管が設けられるとともに、基板を交換するためのグローブボックス２やバスボックス３がハッチ１ａ，２ａを介して連設されている。
【０００９】
ガス供給系統としては、アルシンやホスフィン、トリメチルガリウムやトリメチルアルミニウム等の原料成分を供給する成膜原料供給源１００，１２０，３００，３２０と、キャリアガスや希釈ガスさらにはパージガスとしても用いられる水素等を供給するキャリアガス供給源６００と、窒素ガス等のパージガスを供給するパージガス供給源７００と、系内の排気を行うためのターボ分子ポンプＴＭＰ，ロータリーポンプＲＰ１，ＲＰ２，除害装置８００等が設けられている。
【００１０】
これらの供給源と前記リアクタ１等とを接続する各ガス配管には、手動弁（ＭＶ）やレギュレーター（ＲＶ）、ニードルバルブ（ＮＶ）のように、通常は操作を行わない弁と、空気圧により開閉する自動弁（ＡＶ）とが所定の位置に設けられている。また、配管内の流量を調節するマスフローコントローラー（ＭＦＣ），圧力を検出する圧力計（ＰＩ，ＰＩＡ，ＰＩＣＡ），差圧計（ＤＰＩ）のような計測器も所定の位置に設けられており、キャリアガス供給源６００及びパージガス供給源７００からの配管には、ガス精製器６０１，７０１がそれぞれ設けられている。
【００１１】
例えば、成膜原料供給源１００から供給される原料ガスは、自動弁ＡＶ１０６が開，自動弁ＡＶ１００が開，自動弁ＡＶ１０２が開，自動弁ＡＶ１０３が閉の状態で、レギュレーター（圧力調整器）ＲＶ１００で所定圧力に設定され、マスフローコントローラー（流量調節器）ＭＦＣ１００で所定流量に設定されてリアクタ１に供給される。
【００１２】
また、上記原料ガスを所定濃度に希釈する希釈ガスは、キャリアガス供給源６００から、手動弁ＭＶ６００が開，自動弁ＡＶ６００が開，自動弁ＡＶ６０１が開，自動弁ＡＶ６１０が開の状態で供給され、自動弁ＡＶ１０２で前記原料ガスに合流する。この希釈ガスは、精製器６０１で精製され、レギュレーターＲＶ６０１で所定圧力に設定され、マスフローコントローラーＭＦＣ６１０で所定流量に設定されて供給される。
【００１３】
成膜原料供給源１００からの原料ガスの供給を一時停止する場合は、自動弁ＡＶ１０２を閉じて自動弁ＡＶ１０３を開くことにより行われる。このとき、原料ガスは、パージガス供給源７００から手動弁ＭＶ７００，自動弁ＡＶ７００，精製器７０１，レギュレーターＲＶ７０１，手動弁ＭＶ７０１，自動弁ＡＶ７１０，マスフローコントローラーＭＦＣ７１０を経て供給されるパージガスに同伴され、手動弁ＭＶ７１１，自動弁ＡＶ７１１を通り、除害装置８００を経て排出される。
【００１４】
成膜原料供給源１２０から原料ガスを供給する場合は、１２０番台の符号の各自動弁を上記１００番台の符号の各自動弁と同様に開閉することにより行うことができる。
【００１５】
一方、キャリアガスによって搬送する成膜原料供給源３００，３２０の原料ガスも、３００番台あるいは３２０番台の各自動弁を開閉することにより、所定圧力，所定流量で供給することができる。
【００１６】
上述のような成膜運転時における各自動弁の開閉操作は、前述のプログラマブルロジックコントローラ−（ＰＬＣ）に記述されたコマンドにより行われ、例えば、自動弁ＡＶ１００の開操作は「ＳＥＴ  ０１００１５」、閉操作は「ＲＥＳＥＴ  ０１００１５」というようなコマンドをＰＬＣから出力することにより行われる。また、例えば圧力指示調節器ＰＩＣＡ８００の圧力を７６０Ｔｏｒｒに設定する場合は、「ＭＯＶ  ０２８１  ＃７６０」というようなコマンドが用いられ、圧力指示調節器ＰＩＣＡ８００からの測定値をＰＬＣに返す場合も、測定圧力が４６０Ｔｏｒｒの場合、「ＭＯＶ  ＃４６０  ０２８１」というような書式のコマンドが用いられる。
【００１７】
したがって、ＰＬＣのプログラムには、上述のような複数桁の数値あるいはアルファベットからなるコマンドが記述されることになり、意味のない数字や符号が並ぶだけとなる。すなわち、ＰＬＣのプログラムを作成する場合も、プログラムの内容を読み取る場合も、各自動弁等に付与した機器名称及びその作動等と、ＰＬＣのコマンドとを対応させた表を確認しながら行わなければならず、多大な労力及び時間を必要とする。
【００１８】
さらに、図１に示す例では、ガス系の原料と、固体あるいは液体系の原料とを各々２系統ずつ設けているが、実際の装置の場合、５系統以上を設ける場合があり、コマンドの数も膨大なものとなる。しかも、これらの系統を増減する場合は、その系統の自動弁等だけに対するコマンドだけでなく、他の系統との競合を防止したり、同時に操作する系統との関連も考慮に入れなければならず、一つの系統の増減だけでも多大な手間となる。
【００１９】
図２は、本発明の制御方法を実施するための装置構成の一例を示すブロック図であって、上述のようなＭＯＣＶＤ装置１０を制御するためのプログラマブルロジックコントローラ−（ＰＬＣ）１１と、該ＰＬＣのコマンドと機器名称や開閉操作手順等とを対応させた変換手段１２と、機器名称や開閉操作手順等を用いてフローチャート形式のステップシーケンスを作成するためのパーソナルコンピューター（ＰＣ）１３及びその入出力手段１４とを備えている。
【００２０】
前記ＰＣ１３は、通常のＯＳを使用した一般的なものであって、ＣＰＵ，ハードディスク等の記憶手段，各種コネクタ等を備えている。前記入出力手段１４は、ディスプレイ，マウス，キーボード等の通常のものであって、ＰＣ１３からの各種情報の表示や各種入力を行う。なお、変換手段１２は、通常、ＰＣ１３内に組み込まれている。
【００２１】
変換手段１２は、テーブルやデータベースを使用してＰＣ１３とＰＬＣ１１との間のデータ変換を行うものであって、例えば、ＰＣ１３から「自動弁ＡＶ１００を開く」という命令が出力されたときには、これに対応する「０１００１５」に「１」をセット（閉じる場合は「０」をセット）したデータをＰＬＣ１１に出力する。逆に、ＰＬＣ１１からは、圧力指示調節器ＰＩＣＡ８００の測定圧力が４６０Ｔｏｒｒのとき、「０２８１」が４６０というデータ、すなわち、「ＭＯＶ  ＃０４６０  ２８１」というデータが変換手段１２に出力され、変換手段１２では、これを「ＰＩＣＡ８００＝４６０」というデータに変換してＰＣ１３に出力する。
【００２２】
図３は、前記入出力手段１４のディスプレイ１４ａに表示したシーケンス実行スイッチの一例を示すものであって、ここでは、水素（Ｈ２）パージスイッチ２１、真空引きスイッチ２２、成膜スイッチ２３ａ，２３ｂ，２３ｃ、窒素（Ｎ２）パージスイッチ２４、終了スイッチ２５が設定されている。
【００２３】
各スイッチには、所定のステップシーケンスが割り当てられており、例えば、Ｈ２パージスイッチ２１をマウスでクリックすると、図４乃至図６に示すようなフローチャート形式のＨ２パージのためのステップシーケンスが作動する。なお、シーケンスの進行中、記載された自動弁以外の自動弁は全て基準状態となっている。
【００２４】
まず、ステップＳ３１でＨ２パージスイッチ２１が押されると、ステップＳ３２で警報インターロックＡ〜Ｄが動作して警報が発報中でないことを確認し、ステップＳ３３でリアクタ１とグローブボックス２との間のハッチ１ａが閉じていることを確認し、ステップＳ３４でターボ分子ポンプＴＭＰが停止中であることを確認し、ステップＳ３５でブザー３が発音中でないことを確認し、さらに、ステップＳ３６で他の機能シーケンスが実行中でないことを確認してから、ステップＳ３７（図５）以下のＨ２パージの実行に進む。
【００２５】
なお、ブザー３が発音中ということは、後述のように、いずれかのシーケンスの終了処理を行っている状態であるから、この場合もＨ２パージを行えないようにする。
【００２６】
上述の各確認ステップが終了してステップＳ３７に進むと、最初に、自動弁ＡＶ６００，６０１，…，７１２，７２２を開く命令が出される。このとき、ＰＣ上のソフトでは、この記述が四角の枠内に記述されていることで処理命令と判断し、各自動弁毎に、例えば、「ＡＶ６００＝ＯＮ」、「ＡＶ６０１＝ＯＮ」という処理を行う。この処理命令は、インタープリタ形式で順次解読されて変換手段１２に出力され、各処理命令が所定のＰＬＣ用専用コマンドに置き換えられてＰＬＣ１１に出力され、最終的にＭＯＣＶＤ装置１０の所定の自動弁を開く処理が行われる。
【００２７】
このステップＳ３７で上記各自動弁が開かれることにより、キャリアガス供給源６００から、パージガスとして水素ガスが、運転中は減圧状態であった系内に各経路を通って充填されることになる。
【００２８】
１秒のタイムアウト後、系内各部の圧力が常圧に達したことを確認するためのステップＳ４０，Ｓ４１，Ｓ４２に進む。ステップＳ４０は、成膜原料供給源１００，１２０側の排気経路の圧力を、接点ＯＮが０ｋｇ／ｃｍ２Ｇに設定されている圧力計ＰＩＡ７１０の接点の状態で確認し、経路内が常圧になり、接点がＯＮになったときに次のステップＳ４３に進む。ステップＳ４１では、成膜原料供給源３００，３２０側の排気経路の圧力を圧力計ＰＩＡ７２０で測定し、経路内が常圧になり、接点がＯＮになっってからステップＳ４４に進む。同様に、ステップＳ４２では、リアクタ１の排気経路の圧力を、接点ＯＦＦが７４０Ｔｏｒｒに設定されている圧力指示調節計ＰＩＣＡ８００で測定し、接点がＯＦＦになってからステップＳ４５に進む。各ステップＳ４３，Ｓ４４，Ｓ４５では、接点ＯＮあるいは接点ＯＦＦの状態が２秒以上保持されたことを確認する。
【００２９】
上記各ステップＳ４０〜Ｓ４５では、各記述が菱形の枠内に記述されていることで、これらが条件待ちの命令であると判断し、ＰＣ上のソフトでは、例えば、「ＩＦ  ＰＩＡ７１０＝ＯＮ  ＴＨＥＮ  Ｓ４３」というような条件待ちの処理が行われ、変換手段１２を介してＰＬＣ１１に伝達され、ＰＬＣ１１では該当する圧力計等の接点の状況、すなわち接点ＯＮあるいはＯＦＦを判定し、専用コマンドで変換手段１２に返答する。変換手段１２では、この専用コマンドをＰＣ上のソフトに対応した言語に変換してＰＣ１３に戻し、次のステップに進む条件が得られたかを判定する。
【００３０】
前記ステップＳ４３での条件が満たされると、ステップＳ４６で自動弁ＡＶ７１２を閉じ、ステップＳ４７で自動弁ＡＶ７１１を開く処理が行われる。同様に、前記ステップＳ４４での条件が満たされると、ステップＳ４８で自動弁ＡＶ７２２を閉じ、ステップＳ４９で自動弁ＡＶ７２１を開く処理が行われる。さらに、ステップＳ４５での条件が満たされると、ステップＳ５０で自動弁ＡＶ８０２を開く処理が行われる。
【００３１】
ステップＳ４７，Ｓ４９，Ｓ５０での各処理が全て終了すると、１秒のタイムアウト後、ステップＳ５１で自動弁ＡＶ８２０を開く処理が行われ、続いて１秒のタイムアウト後、ステップＳ５２で自動弁ＡＶ３０３及び自動弁ＡＶ３２３を開く処理が行われる。
【００３２】
さらに、１秒のタイムアウト後、ステップＳ５３で自動弁ＡＶ１０１，ＡＶ１２１，ＡＶ３１１，ＡＶ３２１を開く処理が行われ、２秒のタイムアウト後、ステップＳ５４で自動弁ＡＶ１０３，ＡＶ１２３，ＡＶ３０６，ＡＶ３２６を開く処理が行われてＨ２パージの一連の操作が終了する。
【００３３】
Ｈ２パージ工程の終了は、ステップＳ５５でのブザー３の発音により告知され、ステップＳ５６でブザー停止スイッチが押されるか、ブザー３の発音が２０秒間行われるかした後、ステップＳ５７でブザー３の発音が停止してＨ２パージシーケンス全体が終了する。
【００３４】
図７及び図８は、真空引きスイッチ２２に割り当てられたリアクタ１の真空引き用のステップシーケンスの一例を示すものである。なお、各自動弁の開閉状態は、上記Ｈ２パージ工程が終了した状態となっている。
【００３５】
ステップＳ６１で真空引きスイッチ２２が押されると、ステップＳ６２で警報インターロックＡ〜Ｄが動作して警報が発報中でないことを確認した後、ステップ６３でリアクタ１とグローブボックス２との間のハッチ１ａが閉じていることを確認し、警報インターロックＡ〜Ｄが動作中であったり、ハッチ１ａが閉じていない場合は、処理が中止される。さらに、ステップＳ６４でＨ２パージ状態であることを確認した後、ステップＳ６５でブザー３が発音中でないことを確認し、さらに、ステップＳ６６で他の機能シーケンスが実行中でないことを確認する。
【００３６】
そして、ステップＳ６７でロータリーポンプＲＰ２の運転を開始し、真空引きを開始する。１秒のタイムアウト後、ステップＳ６８で、自動弁ＡＶ７１１，ＡＶ７２１，８０２を閉じて除害装置８００側の経路を遮断するとともに、自動弁ＡＶ７１２，ＡＶ７２２，８２４を開いてリアクタ１及びキャリアガス経路等をロータリーポンプＲＰ２の吸入側に連通させる。これにより、手動弁ＭＶ８２４の開度に応じた適当な排気量での真空引きが行われる。
【００３７】
３分経過後に、ステップＳ６９で自動弁ＡＶ８２２が開かれ、上記自動弁ＡＶ８２４の経路との二経路での真空引きが始まる。このときの排気量は、手動弁ＭＶ８２４，ＭＶ８２２の開度により調節できる。さらに、１分経過後に、ステップＳ７０で自動弁ＡＶ８２１が開かれ、３経路での真空引きが始まり、リアクタ１内等が所定の真空度に真空引きされる。
【００３８】
最後に、ステップＳ７１でブザー３が発音し、ステップＳ７２でブザー停止スイッチが押されるか、ブザー３の発音が２０秒間行われるかした後、ステップＳ７３でブザー３の発音が停止して真空引き工程の一連の操作が終了する。
【００３９】
なお、上述のＨ２パージを行うステップシーケンスと、真空引きを行うステップシーケンスとを別に作成しておき、前記シーケンス実行スイッチとして、Ｈ２パージとクリーニングとを連続して行うためのスイッチを登録しておくこともできる。
【００４０】
このように、ＰＣ１３にあらかじめ入力して記憶させておいた各種ステップシーケンスを変換手段１２によってＰＬＣ１１用の専用コマンドに変換して装置の運転を制御することにより、ステップシーケンスの作成や変更を極めて容易に行うことが可能となる。
【００４１】
例えば、図９は、前記Ｈ２パージシーケンスにおけるステップＳ４０〜Ｓ５０と同様のステップを作成する際の操作の一例を示すものである。まず、７１０系統のステップであるステップＳ４０，Ｓ４６，Ｓ４７と、８００系統のステップであるステップＳ４２，Ｓ５０を作成する。
【００４２】
ステップＳ４０，Ｓ４２の作成は、あらかじめＰＣ内に記憶させておいた、「判定」を指示する菱形の枠及び「ＹＥＳ」のライン，「ＮＯ」のラインを含むステップ部分を入出力手段１４であるディスプレイに呼び出し、菱形の枠内に判定対象の名称とその動作、この場合は「ＰＩＡ７１０＝ＯＮ」と「ＰＩＣＡ８００＝ＯＦＦ」とをキーボードから入力すればよい。同様に、ステップＳ４６，Ｓ４７，Ｓ５０は、「処理」を指示する四角い枠を呼び出して枠内に自動弁の名称とＯＮ（開），ＯＦＦ（閉）とを入力すればよく、その上下のラインを接続することにより、所定のステップを作成することができる。
【００４３】
７２０系統のステップＳ４１〜Ｓ４９に至るステップを作成する際には、まず、図９（Ａ）に示すように、７１０系統のステップＳ４０〜Ｓ４７に至るステップを、ＰＣ上の操作でコピーと貼り付けとを使用して想像線の枠内に示すステップＳ４０′〜Ｓ４７′をコピーする。
【００４４】
次に、図９（Ｂ）に示すように、各ステップにおける７１０系統の記述を７２０系統の記述に訂正してステップＳ４１〜Ｓ４９の各ステップを作成する。最後に、図９（Ｃ）に示すように、上下の分岐ラインＬ１，Ｌ２により各系統を接続し、分岐点Ｐ１や集合点Ｐ２の位置を整えることにより、７２０系統のステップが加えられたことになる。
【００４５】
すなわち、フローチャートを記述する際の、「判定」，「処理」，「表示」，「タイマー」等の各種記号をあらかじめ設定しておき、これらの記号を呼び出して、その中に所定の機器名称及び操作手順を記述することにより、一連のフローチャート形式のステップシーケンスを作成することができる。また、図９に示したようなコピーと貼り付けとを使用することにより、同様の操作手順を簡単に加えることができる。
【００４６】
さらに、ＭＯＣＶＤ装置１０では、作成する薄膜の種類や特性等に応じて多種類の原料ガスを用いるため、成膜原料供給源の設置数が各装置で変動することが多い。このような場合でも、各成膜原料供給源における各経路の構成は、原料の性状によって前記成膜原料供給源１００，１２０の系統ようなガス状の場合と、成膜原料供給源３００，３２０の系統ような液状又は固体状の場合とのいずれかとなるので、想定される最大の設置数に対応したデータ変換テーブルを前記変換手段１２に記憶させておくことにより、成膜原料供給源の増減にも容易に対応できる。
【００４７】
すなわち、成膜原料供給源１００，１２０と同様の成膜原料供給源１４０を追加する場合は、１００系統の経路に設けられた自動弁等の記述に１４０系統の自動弁等の記述を加えるだけでよい。例えば、前記Ｈ２パージシーケンスでは、ステップＳ５３に、ＡＶ１０１に相当するＡＶ１４１を加えるとともに、ステップＳ５４に、ＡＶ１０３に相当するＡＶ１４３を加えることにより、１４０系統における所定のＨ２パージを行うことができる。
【００４８】
したがって、ディスプレイに既存のステップシーケンスあるいは標準的なステップシーケンスを表示させて図１に示したような系統図を参照するだけで、成膜原料供給源の増減に応じた新たなステップシーケンスを作成することができる。さらに、各系統における自動弁の名称等を、その設置位置に応じて同じような名称、例えば各系統における自動弁等の名称の下一桁を同じ数値（記号）にしておくことにより、追加や削除を簡単かつ確実に行うことができる。同様に、成膜運転における各自動弁等の操作も、一つの系統についてのステップを利用することにより、他の系統のステップを容易に作成することができる。
【００４９】
また、ＭＯＣＶＤ装置１０の基本仕様決定の際に、全てのコマンドを変換手段１２に登録しておくことにより、様々な装置仕様に対応することができ、ＰＬＣ１１の専用コマンドを使用してプログラムを変更する必要がないので、装置使用者の要望に沿った仕様の装置を容易に製作することができ、納入までの期間を短縮することができる。さらに、納入後のプログラムの変更も容易に行うことができるので、使用者自身によるプログラムの変更等も可能となる。
【００５０】
加えて、実行中のプログラムのフローチャートをディスプレイ１４ａに表示するとともに、終了したステップや処理中のステップの色表示により、プログラムの進行状況を容易に把握することができる。
【００５１】
なお、本発明は、上述のＭＯＣＶＤ装置の他、プラズマＣＶＤ，光ＣＶＤ等の各種半導体製造装置にも適用が可能であり、上述の自動弁等の操作の他、温度や電流，電圧等、制御対象に応じた各種制御を行うことができる。
【００５２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の半導体製造装置の制御方法によれば、装置の運転操作をＰＬＣにより安定して確実に行えるとともに、プログラムの作成や変更は、ＰＣによって容易に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  半導体製造装置の要部を示す概略系統図である。
【図２】  制御装置の一構成例を示すブロック図である。
【図３】  ディスプレイに表示したシーケンス実行スイッチの一例を示す図である。
【図４】  Ｈ２パージのフローチャートの一例を示す図である。
【図５】  Ｈ２パージのフローチャートの一例を示す図である。
【図６】  Ｈ２パージのフローチャートの一例を示す図である。
【図７】  真空引きのフローチャートの一例を示す図である。
【図８】  真空引きのフローチャートの一例を示す図である。
【図９】  ステップを作成する際の操作の一例を示す図である。
【符号の説明】
１…リアクタ、２…グローブボックス、１ａ，２ａ…ハッチ、１０…ＭＯＣＶＤ装置、１１…プログラマブルロジックコントローラ−（ＰＬＣ）、１２…変換手段、１３…パーソナルコンピューター（ＰＣ）、１４…入出力手段、１００，１２０，３００，３２０…成膜原料供給源、６００…キャリアガス供給源、７００…パージガス供給源、８００…除害装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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