(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の処理面にメッキ処理を施すための基板メッキ方法であって、
基板の処理面のうち周辺部をマスク部材でマスクした状態で、処理面にメッキ液を供給してメッキを施すとともに、その際に使用したメッキ液を、基板の周囲に配置され、かつ、洗浄液を回収するための洗浄液回収カップを囲うようにその外周側に配設されたメッキ液回収カップに回収するメッキ工程と、
洗浄液を供給して基板の処理面のうち周辺部をマスク部材でマスクした状態で基板の処理面とマスク部材を洗浄するとともに、その際に使用した洗浄液を基板の周囲に配置された洗浄液回収カップに回収する第１の洗浄工程と、
基板の処理面からマスク部材を離間させた状態で、洗浄液を供給して基板を洗浄するとともに、その際に使用した洗浄液を基板の周囲に配置された洗浄液回収カップに回収する第２の洗浄工程と、
を含むことを特徴とする基板メッキ方法。
【請求項２】
請求項１に記載の基板メッキ方法において、
前記メッキ工程と、前記第１の洗浄工程と、前記第２の洗浄工程とが一体の装置内にて実施されることを特徴とする基板メッキ方法。
【請求項３】
基板の処理面にメッキ処理を施すための基板メッキ装置において、
基板を支持する支持手段と、
基板の処理面のうち周辺部をマスクするマスク部材と、
前記支持手段に支持された基板に前記マスク部材を密着させた状態で、前記支持手段に支持された基板の処理面に対してメッキ液を供給してメッキ処理を施すメッキ液供給手段と、
前記支持手段に支持された基板の処理面に対して洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
前記支持手段の周囲に配設され、メッキ処理の際に前記メッキ液供給手段から基板に供給されたメッキ液を回収するメッキ液回収カップと、
前記メッキ液回収カップに付設され、基板の処理面のうち周辺部をマスク部材でマスクした状態で前記洗浄液供給手段から洗浄液を供給して、基板の処理面とマスク部材とを洗浄する第１の洗浄処理を施すとともに、その際に使用した洗浄液を回収し、前記支持手段に支持された基板から前記マスク部材を離間させた状態で、前記洗浄液供給手段から洗浄液を供給して第２の洗浄処理を施すとともに、その際に使用した洗浄液を回収する洗浄液回収カップとを備え、
前記洗浄液回収カップは、前記支持手段を囲うように、かつ、第１の洗浄処理時と第２の洗浄処理時に前記マスク部材とともに基板を収容可能に構成され、
前記メッキ液回収カップは、前記洗浄液回収カップを囲うようにその外周部側に配設されていることを特徴とする基板メッキ装置。
【請求項４】
請求項３に記載の基板メッキ装置において、
前記メッキ液供給手段は、縦断面下向き凹状を呈したメッキ室を備えるとともに、前記マスク部材に対して相対昇降可能に構成され、
メッキ処理の際には、前記メッキ室の下端部を前記マスク部材の上部に密着させた状態でメッキ液をメッキ室内に供給した後、前記メッキ室の下端部を前記マスク部材の上部から僅かに離間させるようにしたことを特徴とする基板メッキ装置。
【請求項５】
請求項４に記載の基板メッキ装置において、
前記メッキ室は、メッキ液に対する親和性が高く形成された液誘導板をその下端部に備え、メッキ処理時に前記メッキ液回収カップへメッキ液を誘導することを特徴とする基板メッキ装置。
【請求項６】
請求項３ないし５のいずれかに記載の基板メッキ装置において、
前記マスク部材は、メッキ液に対する親和性が低く形成された液切部をその端縁部に備え、メッキ処理時に前記メッキ液回収カップへメッキ液を誘導することを特徴とする基板メッキ装置。
【請求項７】
請求項３ないし６のいずれかに記載の基板メッキ装置において、
前記支持手段および前記マスク部材は、鉛直軸周りに回転可能に構成されていることを特徴とする基板メッキ装置。
【請求項８】
請求項７に記載の基板メッキ装置において、
前記支持手段および前記マスク部材は、第１の洗浄処理時に回転駆動されることを特徴とする基板メッキ装置。
【請求項９】
請求項７または８に記載の基板メッキ装置において、
前記支持手段および前記マスク部材は、メッキ処理時に回転駆動されることを特徴とする基板メッキ装置。
【請求項１０】
請求項７ないし９のいずれかに記載の基板メッキ装置において、
前記支持手段および前記マスク部材は、第２の洗浄処理の後に回転駆動されて振り切り乾燥処理を行うことを特徴とする基板メッキ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハや液晶表示装置用のガラス基板（以下、単に基板と称する）に対してメッキ処理を施す基板メッキ方法及びその装置に係り、特に硫酸銅などのメッキ液を基板の処理面に供給した状態で給電して電解メッキ処理を行う技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の基板に銅配線を施すためのメッキ処理では、基板の裏面全体や基板の表面（処理面）のうち周辺部にあたる数ミリの範囲には、メッキによる成膜がされたり、メッキ液による汚染が生じると不都合が生じる部分が存在している。
【０００３】
このためメッキ処理を施す際には、処理面の周辺部分をメッキ液から遮断するためのリング状のマスク部材を基板に取り付け、このマスク部材とともに基板の処理面をメッキ液中に接触させたり、処理面に対してメッキ液を供給するようにしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような従来例に係るメッキ処理の場合には、次のような問題がある。
すなわち、メッキ処理を終えるためにメッキ液の供給を停止したり、基板をメッキ液中から引き上げても、マスク部材と基板の処理面とが近接している角部分にはメッキ液が残留したままとなっている。この残留メッキ液は、たとえ基板とマスク部材を高速回転（例えば、２０００ｒｐｍ）させたとしても、角部分が回転中心位置よりも外周側に位置している関係上、完全に除去することはできない。そして、このような残留メッキ液がある基板のマスク部材を取り外すと、残留メッキ液が基板の周辺部にも拡がってしまい、周辺部を汚染してしまうという問題がある。
【０００５】
また、残留メッキ液は、基板の周辺部を汚染するだけでなくマスク部材のカソード電極にも拡がって付着するので、メッキ処理を施すために次なる基板が搬送されてくると、その基板の周辺部に残留メッキ液が転写された相互汚染を生じるという問題もある。
【０００６】
さらに洗浄処理のために残留メッキ液で周辺部が汚染された基板を洗浄装置に搬送すると、搬送系などを汚染してしまうという問題点がある。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、洗浄処理を工夫することにより、マスク部材に起因する残留メッキ液を除去して基板の汚染及び相互汚染並びに搬送系の汚染を防止することができる基板メッキ方法及びその装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の基板メッキ方法は、基板の処理面にメッキ処理を施すための基板メッキ方法であって、基板の処理面のうち周辺部をマスク部材でマスクした状態で、処理面にメッキ液を供給してメッキを施すとともに、その際に使用したメッキ液を、基板の周囲に配置され、かつ、洗浄液を回収するための洗浄液回収カップを囲うようにその外周側に配設されたメッキ液回収カップに回収するメッキ工程と、洗浄液を供給して基板の処理面のうち周辺部をマスク部材でマスクした状態で基板の処理面とマスク部材を洗浄するとともに、その際に使用した洗浄液を基板の周囲に配置された洗浄液回収カップに回収する第１の洗浄工程と、基板の処理面からマスク部材を離間させた状態で、洗浄液を供給して基板を洗浄するとともに、その際に使用した洗浄液を基板の周囲に配置された洗浄液回収カップに回収する第２の洗浄工程と、を含むことを特徴とするものである。
【０００９】
また、請求項２に記載の基板メッキ方法は、請求項１に記載の基板メッキ方法において、前記メッキ工程と、前記第１の洗浄工程と、前記第２の洗浄工程とが一体の装置内にて実施されることを特徴とするものである。
【００１０】
また、請求項３に記載の基板メッキ装置は、基板の処理面にメッキ処理を施すための基板メッキ装置において、基板を支持する支持手段と、基板の処理面のうち周辺部をマスクするマスク部材と、前記支持手段に支持された基板に前記マスク部材を密着させた状態で、前記支持手段に支持された基板の処理面に対してメッキ液を供給してメッキ処理を施すメッキ液供給手段と、前記支持手段に支持された基板の処理面に対して洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、前記支持手段の周囲に配設され、メッキ処理の際に前記メッキ液供給手段から基板に供給されたメッキ液を回収するメッキ液回収カップと、前記メッキ液回収カップに付設され、基板の処理面のうち周辺部をマスク部材でマスクした状態で前記洗浄液供給手段から洗浄液を供給して、基板の処理面とマスク部材とを洗浄する第１の洗浄処理を施すとともに、その際に使用した洗浄液を回収し、前記支持手段に支持された基板から前記マスク部材を離間させた状態で、前記洗浄液供給手段から洗浄液を供給して第２の洗浄処理を施すとともに、その際に使用した洗浄液を回収する洗浄液回収カップとを備え、前記洗浄液回収カップは、前記支持手段を囲うように、かつ、第１の洗浄処理時と第２の洗浄処理時に前記マスク部材とともに基板を収容可能に構成され、前記メッキ液回収カップは、前記洗浄液回収カップを囲うようにその外周部側に配設されていることを特徴とするものである。
【００１１】
（削除）
【００１２】
また、請求項４に記載の基板メッキ装置は、請求項３に記載の基板メッキ装置において、前記メッキ液供給手段は、縦断面下向き凹状を呈したメッキ室を備えるとともに、前記マスク部材に対して相対昇降可能に構成され、メッキ処理の際には、前記メッキ室の下端部を前記マスク部材の上部に密着させた状態でメッキ液をメッキ室内に供給した後、前記メッキ室の下端部を前記マスク部材の上部から僅かに離間させるようにしたことを特徴とするものである。
【００１３】
また、請求項５に記載の基板メッキ装置は、請求項４に記載の基板メッキ装置において、前記メッキ室は、メッキ液に対する親和性が高く形成された液誘導板をその下端部に備え、メッキ処理時に前記メッキ液回収カップへメッキ液を誘導することを特徴とするものである。
【００１４】
また、請求項６に記載の基板メッキ装置は、請求項３ないし５のいずれかに記載の基板メッキ装置において、前記マスク部材は、メッキ液に対する親和性が低く形成された液切部をその端縁部に備え、メッキ処理時に前記メッキ液回収カップへメッキ液を誘導することを特徴とするものである。
【００１５】
また、請求項７に記載の基板メッキ装置は、請求項３ないし６のいずれかに記載の基板メッキ装置において、前記支持手段および前記マスク部材は、鉛直軸周りに回転可能に構成されていることを特徴とするものである。
【００１６】
また、請求項８に記載の基板メッキ装置は、請求項７に記載の基板メッキ装置において、前記支持手段および前記マスク部材は、第１の洗浄処理時に回転駆動されることを特徴とするものである。
【００１７】
また、請求項９に記載の基板メッキ装置は、請求項７または８に記載の基板メッキ装置において、前記支持手段および前記マスク部材は、メッキ処理時に回転駆動されることを特徴とするものである。
【００１８】
また、請求項１０に記載の基板メッキ装置は、請求項７ないし９のいずれかに記載の基板メッキ装置において、前記支持手段および前記マスク部材は、第２の洗浄処理の後に回転駆動されて振り切り乾燥処理を行うことを特徴とするものである。
【００１９】
【作用】
請求項１に記載の方法発明の作用は次のとおりである。
基板の処理面をメッキ工程でメッキするとともに、メッキ液をメッキ液回収カップに回収した後、第１の洗浄工程において洗浄液を供給して基板の処理面とマスク部材とを同時に洗浄するとともに、洗浄液を洗浄液回収カップに回収する。これによりマスク部材と基板の処理面との角部分に残った残留メッキ液を洗浄除去する。次に、第２の洗浄工程において、マスク部材を基板から取り外した状態で洗浄液を供給して、基板の処理面全体を洗浄するとともに、洗浄液を洗浄液回収カップに回収する。
【００２０】
また、請求項２に記載の方法発明によれば、メッキ工程と、第１の洗浄工程と、第２の洗浄工程とを一体の装置内で実施するので洗浄処理のために装置外へ基板を搬送する必要がない。
【００２１】
また、請求項３に記載の装置発明の作用は次のとおりである。
基板を支持手段で支持し、基板の処理面にマスク部材を取り付けた後、基板にメッキ液供給手段からメッキ液を供給してメッキ処理を施し、メッキ液をメッキ液回収カップに回収する。次に、洗浄液供給手段から洗浄液を供給して第１の洗浄処理を施し、基板の処理面とマスク部材とを同時に洗浄するとともに洗浄液を洗浄液回収カップに回収する。これによりマスク部材と基板の処理面との角部分に残った残留メッキ液を洗浄除去する。次に、マスク部材を基板の処理面から離間させた状態で洗浄液を供給して第２の洗浄処理を施し、基板の処理面全体を洗浄する。また、第１および第２の洗浄処理時にはマスク部材とともに基板を洗浄液回収カップに収容可能なので、第１および第２の洗浄処理時には洗浄液回収カップを支持手段に対して相対昇降するだけで洗浄液を回収できる。また、メッキ処理時にはメッキ液をメッキ液回収カップに回収できるので、同一装置内でメッキ処理と洗浄処理を実施できる。
【００２２】
（削除）
【００２３】
また、請求項４に記載の装置発明によれば、メッキ室をマスク部材に密着させた状態でメッキ液を供給してメッキ室内をメッキ液で満たし、その後、隙間からメッキ液を排出しながらメッキ処理を施すことにより、メッキ液の流れを発生させて活性度が高いメッキ液を供給できる。
【００２４】
また、請求項５に記載の装置発明によれば、液誘導板によりメッキ液を誘導するので、メッキ液の漏れを防止できる。
【００２５】
また、請求項６に記載の装置発明によれば、液切部によりメッキ液を誘導するので、メッキ液の漏れを防止できる。
【００２６】
また、請求項７に記載の装置発明によれば、メッキ処理時に支持手段およびマスク部材を鉛直軸周りに回転させるとメッキ処理の均一性を高めることができ、第１および第２の洗浄処理時に回転させると清浄度を高めることができる。
【００２７】
また、請求項８に記載の装置発明によれば、第１の洗浄処理時に支持手段及びマスク部材を回転させることにより、残留メッキ液の除去度合いを高めることができる。
【００２８】
また、請求項９に記載の装置発明によれば、メッキ処理時に支持手段およびマスク部材を回転させることにより、メッキ処理の均一性を高めることができる。
【００２９】
また、請求項１０に記載の装置発明によれば、第２の洗浄処理後に支持手段およびマスク部材を回転させることにより、洗浄液を振り切って乾燥処理を行うことができる。
【００３０】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。
図１は本発明に係る基板メッキ装置の概略構成を示した図であり、図２は基板の搬入時の状態を示す斜視図である。なお、図２では、図示の都合上メカチャックとサセプタを省略してある。
【００３１】
処理の対象である基板Ｗは、メッキ処理を施すための処理面Ｗｓを上向きにした状態でメカチャック１に水平姿勢で支持される。メカチャック１は、基板Ｗの下面周辺部と端縁の複数箇所に当接して基板Ｗを支持する。このメカチャック１は、スピンベース３に配設されている３本の支柱５の内側面に取り付けられている。
【００３２】
スピンベース３は、下部の回転軸７が中空に形成されており、その外周側に配備された回転駆動系（図示省略）によって、図中に実線矢印で示すように鉛直軸周りにメカチャック１とともに回転可能に構成されている。また、昇降駆動系（図示省略）によりメカチャック１及び回転駆動系とともに昇降可能に構成されている。３本の支柱５の上部には、平面視環状のカソードリング９が配設されている。このカソードリング９は、その内周側に、基板Ｗの処理面Ｗｓに当接する当接部９ａを備えている。この当接部９ａは、メッキ液が基板Ｗの処理面Ｗｓのうち周辺部に浸入することを防止するとともに、スピンベース３の回転軸７を介して供給された負電圧を基板Ｗの処理面Ｗｓに対して印加する。
【００３３】
上述したスピンベース３は、昇降駆動系によって後述するように、
上位置（搬送待機時、スピンドライ時）
下位置（各種処理時）
の二段階の高さに昇降される。
【００３４】
なお、上述したメカチャック１が本発明の支持手段に相当し、当接部９ａがマスク部材に相当する。
【００３５】
スピンベース３の内部には、回転軸７に沿って昇降可能に構成されたサセプタ１１が配備されている。その上部には、メカチャック１とカソードリング９との間で基板Ｗを昇降させる際に基板Ｗを載置する載置部１１ａが形成されている。この載置部１１ａは、メカチャック１の下方に待機しており、所要時にはその位置とカソードリング９との間で昇降移動する。
【００３６】
このサセプタ１１は、後述するように、
メッキ処理高さ
カソードリング下面水洗高さ
待機高さ
チャック高さ
の四段階に昇降される。
【００３７】
なお、サセプタ１１も本発明における支持手段に相当する。
【００３８】
スピンベース３の周囲には、メッキ液や洗浄液を回収するためのカップ１３が配設されている。カップ１３は、二重筒構造となっており、内側に洗浄液を回収するための洗浄液回収カップ１５が配置され、このカップを囲う外側にメッキ液を回収するためのメッキ液回収カップ１７が配置されている。内側の洗浄液回収カップ１５は、後述する第１／第２の洗浄処理時に、カソードリング９と基板Ｗを収容可能な大きさの開口部を備えている。また、洗浄液回収カップ１５は、高さ位置固定のメッキ液回収カップ１７に対して昇降可能に構成されており、メッキ処理時にはメッキ液を回収するために図１の高さから下降するように構成されている。なお、洗浄液回収カップ１５を位置固定としてメッキ液回収カップ１７を昇降させるように構成してもよい。
【００３９】
なお、上記の洗浄液回収カップ１５は、
上位置（メッキ処理以外）
下位置（メッキ処理時）
の二段階に昇降される。
【００４０】
スピンベース３の上方には、昇降可能に構成されたメッキ液供給部１９が配備されている。このメッキ液供給部１９は、図示しないメッキ液供給源から送られるメッキ液を、下向き凹状のメッキ室２１内に貯留するとともに基板Ｗの処理面Ｗｓにメッキ液を供給する。また、メッキ室２１には、正電圧を印加するためのアノード電極２３が配設されている。
【００４１】
このメッキ室２１は、後述するように五段階にわたって昇降される。
すなわち、トレー開閉高さ
待機高さ
メッキ液排出高さ
メッキ処理高さ
メッキ液充填高さ
である。
【００４２】
なお、メッキ液供給部１９が本発明のメッキ液供給手段に相当する。
【００４３】
メッキ液供給部１９の下部には、主としてメッキ液供給部１９からの液滴落下を防止するためのトレー２５が配備されている。このトレー２５は図示しない移動機構により移動可能に構成されており、洗浄処理時などには図１に示す位置に移動し、メッキ処理時には図１中に点線で示す位置に退避する。また、トレー２５の下面には、乾燥処理時に不活性ガス（例えば、Ｎ2 ガス）を噴射するためのガスノズル２７が配設されている。
【００４４】
カップ１３の側方には、洗浄液（例えば、純水）を吐出するための洗浄ノズル２９が配備されている。この洗浄ノズル２９は、洗浄処理時にカップ１３近辺の位置にまで移動可能になっている。
【００４５】
なお、洗浄ノズル２９が本発明の洗浄液供給手段に相当する。
【００４６】
上述したカソードリング９とメッキ室２１には、液処理のために図３（ａ）に示すような工夫が施してある。
すなわち、メッキ室２１の下端部に、メッキ液Ｍに対して親和性が高い材料で形成された液誘導板２１ａが取り付けられている。この液誘導板２１ａは、下向き傾斜状を呈し、メッキ液Ｍがその下面を伝うように作用させるためのものである。これによりメッキ液Ｍが洗浄液回収カップ１５を越えてメッキ液回収カップ１７に導かれる。
【００４７】
また、カソードリング９の外縁部に、メッキ液Ｍに対して親和性が低い材料で形成された液切部９ｂが形成されている。この液切部９ｂは、下向き傾斜状を呈し、メッキ液Ｍがその上面に付着しにくく弾かれるようになっている。これによってメッキ液Ｍが上述した液誘導板２１ａ側に浮くように円滑に流れ、洗浄液回収カップ１５に流れ込むことを防止することができる。
【００４８】
なお、上記の液誘導板２１ａと液切部９ｂは、本発明装置にとって必須の構成要件ではなく、洗浄液とメッキ液の選択的回収に問題がなければ配備する必要はない。
【００４９】
次に、図４ないし図１３を参照して、上述した装置の動作について詳細に説明する。
【００５０】
基板の搬入（図２及び図４参照）
まず、図示しない基板搬送機構により基板Ｗの処理面Ｗｓを上向きにした姿勢で搬送し、基板Ｗを支柱５の間から搬入してスピンチャック１に載置する。なお、このときメッキ室２１は待機高さにあってその下部がトレー２５で閉止されており、洗浄液回収カップ１５は、その上部開口がメッキ液回収カップ１７とほぼ同じ高さ位置となる上位置にある。
【００５１】
スピンベース下降（図５参照）
洗浄液回収カップ１５の上部開口がメッキ液回収カップ１７の上部開口より低くなるように洗浄液回収カップ１５を下位置にまで下降させる。次にサセプタ１１を待機高さからメッキ処理高さまで僅かに上昇させるとともに、カソードリング９が洗浄液回収カップ１５の上部開口より僅かに高くなる位置となるようにスピンベース３を下位置に下降させる。これにより、サセプタ１１に載置された基板Ｗがカソードリング９に密着されて基板Ｗが挟持される。さらに、メッキ室２１をトレー開閉高さにまで上昇させた後、トレー２５を側方の退避位置に退避させる。
【００５２】
メッキ室下降・メッキ液充填（図６参照）
メッキ室２１の下端部がカソードリング９の上面に密着するように、メッキ室２１をメッキ液充填高さまで大きく下降させる。次いで、メッキ液Ｍ（図中にハッチングで示す）をメッキ室２１に供給開始して、内部にメッキ液Ｍを充満させる。なお、このときには図示しないエア抜き弁を開放して、円滑にメッキ液Ｍが流入するようにしてある。
【００５３】
メッキ室少し上昇（図７参照）
メッキ室２１を僅かに上昇させてメッキ処理高さまで移動させ、メッキ室２１の下端部とカソードリング９の間に隙間を開ける。これによりメッキ液Ｍが周囲に流出するが、図３（ａ）に示した液誘導板２１と液切部９ｂとの作用により、メッキ液Ｍがメッキ液回収カップ１７に導かれる。さらにカソードリング９とアノード電極２３に通電するとともに、スピンベース３を回転駆動しながら所定時間だけ電解メッキを行う。このように回転駆動させることにより、活性度の高いメッキ液Ｍが処理面Ｗｓに供給されるので、メッキ処理時における均一性を高めることができる。
【００５４】
なお、この工程が本発明におけるメッキ工程に相当する。
【００５５】
メッキ液供給停止，振り切り（図８，図９参照）
所定時間が経過した後、通電を停止するとともにメッキ室２１に対するメッキ液Ｍの供給を停止し、エア抜き弁を開放した後、メッキ室２１をメッキ液排出高さまで上昇させる。なお、スピンベース３の回転駆動は継続したままである。
【００５６】
所定時間だけ液抜きを行った後、メッキ室２１をトレー開閉高さに上昇させてトレー２５でその下面を閉鎖した後、待機高さに下降させる。これとともにスピンベース３の回転数を振り切り回転数まで上昇させ、基板Ｗやカソードリング９に付着しているメッキ液を遠心力で振り切る。しかしながら、遠心力が加わる方向の関係上、カソードリング９の内側にはメッキ液が付着して残留する。
【００５７】
スピンベース下降（図１０参照）
振り切りを行った後、スピンベース３を下位置に下降させるとともに、洗浄液回収カップ１５を上位置にまで上昇させてカソードリング９の上面を洗浄液回収カップ１５の上部開口より低い位置に移動させる。
【００５８】
洗浄液吐出（図１０，図３（ｂ）参照）
洗浄液ノズル２９をカップ１３の近辺に移動させた後、洗浄液（例えば、純水）を吐出させて基板Ｗの処理面Ｗｓに洗浄液Ｃを供給する。この状態を拡大したのが図３（ｂ）であるが、洗浄液Ｃは基板Ｗの処理面Ｗｓを流れ、カソードリング９の内周部に付着している残留メッキ液を洗い流しつつ洗浄液回収カップ１５に流入する。
【００５９】
なお、この工程が本発明における第１の洗浄工程に相当する。
【００６０】
サセプタ下降（図１１，図３（ｃ）参照）
サセプタ１１をカソードリング下面水洗高さまで僅かに下降させて、基板Ｗの処理面Ｗｓとカソードリング９との間に空間をとる。これにより基板Ｗの処理面Ｗｓのうちのカソードリング９によりマスクされていた周辺部が露出し、この部分ごと洗浄液Ｃによって洗浄されるとともに、カソードリング９の下面にあたる当接部９ａも洗浄される。この際には、先の工程である程度の洗浄が行われているので、残留メッキ液が基板Ｗの周辺部を通ってこの部分を汚染するような不都合は生じない。
【００６１】
なお、この工程が本発明における第２の洗浄工程に相当する。
【００６２】
サセプタ下降（図１２参照）
サセプタ１１をチャック高さまで下降させ、基板Ｗをメカチャック１に載置する。これにより基板Ｗの全体を洗浄する。次に、洗浄液Ｃの吐出を停止し、スピンベース３を高速回転させて軽く洗浄液を振り切る。
【００６３】
スピンベース上昇，スピンドライ（図１３参照）
上方に位置しているトレー２５の直下となるように上位置までスピンベース３を上昇させ、ガスノズル２７から不活性ガスを噴射させて、所定時間だけスピンドライを行う。これにより高速回転により除去できなかった液滴を乾燥して除去する。
【００６４】
基板の搬出（図４参照）
不活性ガスの噴射およびスピンベース３の回転を停止させた後、上カップ２１を待機高さまで上昇させてから基板Ｗを搬出する。
【００６５】
なお、上記の一連の処理の流れを示したのが図１４の工程図である。
【００６６】
上記のような本実施例装置によれば、メッキ処理の後に洗浄液を供給して第１の洗浄処理を施すので、カソードリング９と基板Ｗの処理面Ｗｓとの角部分に残った残留メッキ液を洗浄除去できる。次にカソードリング９を基板Ｗの処理面Ｗｓから離間させた状態で洗浄液を供給して第２の洗浄処理を施し、処理面Ｗｓの全体を清浄にするようにしたので、残留メッキ液による基板Ｗの汚染が防止できる。したがって、基板間の汚染である相互汚染を防止できるだけでなく、メッキ処理後の洗浄処理のために基板を別個の装置に搬送する必要もないので、搬送系の汚染も防止することができるようになっている。
【００６７】
なお、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、例えば、次のように変形実施が可能である。
【００６８】
（１）メッキ液供給手段としては、メッキ室２１のような構成でなくノズル状の供給手段で基板Ｗの処理面Ｗｓにメッキ液を供給する構成であってもよい。
【００６９】
（２）洗浄液回収カップ１５とメッキ液回収カップ１７は、洗浄液とメッキ液を選択的に回収できれば上記のような構成に限定されず、種々の構成を採用できる。
【００７０】
（３）上記の構成では、基板Ｗの処理面Ｗｓを上方に向けた状態で処理するように構成されているが、その逆に処理面Ｗｓを下方に向けて処理するようにしてもよい。
【００７１】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、請求項１に記載の方法発明によれば、メッキ工程でメッキするとともに、メッキ液をメッキ液回収カップに回収した後、第１の洗浄工程にて基板の処理面とマスク部材とを同時に洗浄して残留メッキ液を洗浄除去するとともに、洗浄液を洗浄液回収カップに回収する。次に、第２の洗浄工程にてマスク部材を取り外した状態で洗浄液を供給して処理面全体を清浄にするとともに、洗浄液を洗浄液回収カップに回収するようにしたので、残留メッキ液による基板の汚染が防止できる。したがって、基板間の汚染である相互汚染も防止でき、メッキ工程後に洗浄工程へ基板を搬送する必要もないので、搬送系の汚染も防止することができる。
【００７２】
また、請求項２に記載の方法発明によれば、メッキ工程から第２の洗浄工程までを一体の装置内で実施するので、洗浄工程のために装置外へ基板を搬送する必要がない。したがって、搬送系の汚染を防止することができる。
【００７３】
また、請求項３に記載の装置発明によれば、メッキ処理の後に洗浄液を供給して第１の洗浄処理を施すので、マスク部材と基板の処理面との角部分に残った残留メッキ液を洗浄除去できる。次にマスク部材を基板の処理面から離間させた状態で洗浄液を供給して第２の洗浄処理を施し、処理面全体を清浄にするようにしたので、残留メッキ液による基板の汚染が防止できる。したがって、相互汚染を防止できるだけでなく、メッキ処理後に洗浄処理のために基板を別個の装置に搬送する必要もないので、搬送系の汚染も防止することができ、請求項１に記載の方法発明を好適に実施することができる。また、第１および第２の洗浄処理時にはマスク部材とともに基板を洗浄液回収カップに収容可能なので、第１および第２の洗浄処理時には洗浄液回収カップを支持手段に対して相対昇降するだけで洗浄液を回収できる。また、メッキ処理時にはメッキ液をメッキ液回収カップに回収できるので、同一装置内でメッキ処理と洗浄処理を実施できる。
【００７４】
（削除）
【００７５】
また、請求項４に記載の装置発明によれば、メッキ処理時にメッキ液の流れを発生させて活性度が高いメッキ液を供給でき、メッキ処理を効率的に施すことができる。
【００７６】
また、請求項５に記載の装置発明によれば、液誘導板により回収時におけるメッキ液の漏れを防止できる。
【００７７】
また、請求項６に記載の装置発明によれば、液切部により回収時におけるメッキ液の漏れを防止できる。
【００７８】
また、請求項７に記載の装置発明によれば、回転を加えることによりメッキ処理時にはメッキ処理の均一性を高めることができ、第１および第２の洗浄処理時には清浄度を高めることができる。
【００７９】
また、請求項８に記載の装置発明によれば、回転駆動により第１の洗浄処理時における残留メッキ液の除去度合いを高めることができる。
【００８０】
また、請求項９に記載の装置発明によれば、回転駆動によりメッキ処理時における均一性を高めることができる。
【００８１】
また、請求項１０に記載の装置発明によれば、回転駆動により振り切り乾燥処理を行うことができ、メッキ処理と、第１／第２の洗浄処理と、乾燥処理とを同一装置内で実施できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  実施例に係る基板メッキ装置の概略構成を示す図である。
【図２】  基板の搬入時の状態を示す斜視図である。
【図３】  メッキ処理時におけるメッキ液の流れ及び洗浄処理時における洗浄液の流れを示す図である。
【図４】  基板搬入時の状態を示す図である。
【図５】  メッキ処理の説明に供する図である。
【図６】  メッキ処理の説明に供する図である。
【図７】  メッキ処理の説明に供する図である。
【図８】  メッキ処理の説明に供する図である。
【図９】  メッキ処理の説明に供する図である。
【図１０】  洗浄処理の説明に供する図である。
【図１１】  洗浄処理の説明に供する図である。
【図１２】  洗浄処理の説明に供する図である。
【図１３】  乾燥処理の説明に供する図である。
【図１４】  基板に対する一連の処理を示した工程図である。
【符号の説明】
Ｗ  …  基板
Ｗｓ  …  処理面
１  …  メカチャック（支持手段）
３  …  スピンベース
９  …  カソードリング
９ａ  …  当接部（マスク部材）
９ｂ  …  液切部
１１  …  サセプタ（支持手段）
１３  …  カップ
１５  …  洗浄液回収カップ
１７  …  メッキ液回収カップ
１９  …  メッキ液供給部（メッキ液供給手段）
２１  …  メッキ室
２１ａ  …  液誘導板
２５  …  トレー
２９  …  洗浄ノズル（洗浄液供給手段）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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