(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極、第２電極、及び、前記第１電極と前記第２電極との間の電流の流れの許否を制御するための円環状の制御電極を有し、前記制御電極の外周端縁部が鍔状に突出する半導体素子と、
前記制御電極の前記外周端縁部の一方主面に接触する第１面と、ネジ山／溝構造が設けられた第１側面とを有する導電性の第１の円環状部材が配置された、前記半導体素子を駆動するための駆動装置と、
前記制御電極の前記外周端縁部の他方主面に合わさる第２面と、前記ネジ山／溝構造に螺着可能なネジ溝／山構造が設けられた第２側面とを有する第２の円環状部材と
を備える半導体装置。
【請求項２】
第１電極、第２電極、及び、前記第１電極と前記第２電極との間の電流の流れの許否を制御するための円環状の制御電極を有し、前記制御電極の外周端縁部が鍔状に突出する半導体素子と、
前記制御電極の前記外周端縁部の一方主面に接触する第１面と、第１の係合構造が設けられた第１側面とを有する導電性の第１の円環状部材が配置された、前記半導体素子を駆動するための駆動装置と、
前記制御電極の前記外周端縁部の他方主面に合わさる第２面と、前記第１の係合構造に係着可能な第２の係合構造が設けられた第２側面とを有する第２の円環状部材と
を備える半導体装置。
【請求項３】
前記第２の円環状部材は導電性を有することを特徴とする、請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
第１電極、第２電極、及び、前記第１電極と前記第２電極との間の電流の流れの許否を制御するための円環状の制御電極を有し、前記制御電極の外周端縁部が鍔状に突出する半導体素子と、
前記制御電極の前記外周端縁部の一方主面に接触する第１面を有する導電性の第１の円環状部材が配置された、前記半導体素子を駆動するための駆動装置と、
前記制御電極の前記外周端縁部の他方主面に合わさる第２面を有し、導電性材料によって前記第１の円環状部材に溶着される導電性の第２の円環状部材と
を備える半導体装置。
【請求項５】
前記制御電極の前記他方主面と前記第２の円環状部材の前記第２面との間に配置され、前記制御電極の前記外周端縁部を前記第１の円環状部材の前記第１面方向に押圧するための弾性体をさらに備える、請求項１〜４のいずれか一つに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記制御電極の前記一方主面と前記第１の円環状部材の前記第１面との間に配置された第１の導体箔をさらに備える、請求項１〜５のいずれか一つに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記駆動装置は前記第１電極に接触する第３電極をさらに有し、
前記第１電極と前記第３電極との間に配置された第２の導体箔をさらに備える、請求項１〜６のいずれか一つに記載の半導体装置。
【請求項８】
第１電極、第２電極、及び、前記第１電極と前記第２電極との間の電流の流れの許否を制御するための円環状の制御電極を有し、前記制御電極の外周端縁部が鍔状に突出する半導体素子と、
前記制御電極の前記外周端縁部の前記第１電極側の一方主面に接触する第１面を有する導電性の円環状部材が配置された、前記半導体素子を駆動するための駆動装置と、
前記第１電極及び前記第２電極が互いに向き合う方向に前記半導体素子を圧接するために前記第２電極を押圧する圧接用電極と
を備え、
前記圧接用電極は、前記制御電極の前記外周端縁部をその他方主面側から前記円環状部材に押圧するための押圧機構を有する半導体装置。
【請求項９】
第１電極、第２電極、及び、前記第１電極と前記第２電極との間の電流の流れの許否を制御するための円環状の制御電極を有し、前記制御電極の外周端縁部が鍔状に突出する半導体素子を測定するための測定装置であって、
前記制御電極の前記外周端縁部の前記第１電極側の一方主面に接触する第１面を有する導電性の円環状部材が配置された、前記半導体素子を駆動するための駆動装置と、
前記第１電極及び前記第２電極が互いに向き合う方向に前記半導体素子を圧接するために前記第２電極を押圧する圧接用電極と
を備え、
前記圧接用電極は、前記制御電極の前記外周端縁部をその他方主面側から前記円環状部材に押圧するための押圧機構を有する測定装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、ゲートターンオフサイリスタ等の半導体素子と該半導体素子を駆動するゲートドライバとを固定して一体として使用する、電力用の圧接型半導体装置に関し、さらに、前記半導体素子の電気的特性を測定するための測定装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図７，８はそれぞれ、従来の半導体装置の構成を示す上面図及び断面図である。ゲートターンオフサイリスタ等の半導体素子１０１は、陽極電極１０２と、陰極電極１０３と、円環状のゲート電極１０４とを有している。また、半導体素子１０１を駆動するためのゲートドライバ１０５は、陰極電極１０３に接触する陰極電極１０６を有している。また、ゲートドライバ１０５には円環状の固定リング１０７，１０８が配置されている。固定リング１０７，１０８はアルミ等によって構成されており、ゲートドライバ１０５のゲート電極として機能する。固定リング１０７、ゲート電極１０４、及び固定リング１０８には、複数の箇所（本例の場合は１６箇所）に、それぞれネジ穴１０９、貫通穴１１０、及び貫通穴１１１が設けられている。
【０００３】
ネジ穴１０９、貫通穴１１０、及び貫通穴１１１の位置を合わせて、ネジ１１２によって任意のトルクで締め付ける。これにより、固定リング１０８の底面と固定リング１０７の上面とによってゲート電極１０４の外周端縁部を挟着することができ、これにより、半導体素子１０１とゲートドライバ１０５とを固定することができる。そして、図示しないスタック電極によって、陽極電極１０２の上面及び陰極電極１０６の底面から半導体素子１０１を圧接して使用することで、ターンオフ時のゲート電流をゲート電極１０４から固定リング１０７へ均一に流すことができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、このような従来の半導体装置では、複数のネジ１１２による締め付けによって半導体素子１０１とゲートドライバ１０５とを固定していたため、ゲートドライバ１０５に半導体素子１０１を取り付けたり、ゲートドライバ１０５から半導体素子１０１を取り外す場合に、その都度複数のネジ１１２を着脱しなければならず、作業が煩雑であるという問題があった。
【０００５】
また、固定リング１０７のネジ穴１０９が摩耗した場合には、固定リング１０７全体を交換しなければならいという問題もあった。
【０００６】
本発明はかかる問題を解決するために成されたものであり、主に、半導体素子とゲートドライバとの取り付け及び取り外し作業を簡易に実行し得る半導体装置を得ることを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
この発明のうち請求項１に記載の半導体装置は、第１電極、第２電極、及び、第１電極と第２電極との間の電流の流れの許否を制御するための円環状の制御電極を有し、制御電極の外周端縁部が鍔状に突出する半導体素子と、制御電極の外周端縁部の一方主面に接触する第１面と、ネジ山／溝構造が設けられた第１側面とを有する導電性の第１の円環状部材が配置された、半導体素子を駆動するための駆動装置と、制御電極の外周端縁部の他方主面に合わさる第２面と、ネジ山／溝構造に螺着可能なネジ溝／山構造が設けられた第２側面とを有する第２の円環状部材とを備えるものである。
【０００８】
また、この発明のうち請求項２に記載の半導体装置は、第１電極、第２電極、及び、第１電極と第２電極との間の電流の流れの許否を制御するための円環状の制御電極を有し、制御電極の外周端縁部が鍔状に突出する半導体素子と、制御電極の外周端縁部の一方主面に接触する第１面と、第１の係合構造が設けられた第１側面とを有する導電性の第１の円環状部材が配置された、半導体素子を駆動するための駆動装置と、制御電極の外周端縁部の他方主面に合わさる第２面と、第１の係合構造に係着可能な第２の係合構造が設けられた第２側面とを有する第２の円環状部材とを備えるものである。
【０００９】
また、この発明のうち請求項３に記載の半導体装置は、請求項１又は２に記載の半導体装置であって、第２の円環状部材は導電性を有することを特徴とするものである。
【００１０】
また、この発明のうち請求項４に記載の半導体装置は、第１電極、第２電極、及び、第１電極と第２電極との間の電流の流れの許否を制御するための円環状の制御電極を有し、制御電極の外周端縁部が鍔状に突出する半導体素子と、制御電極の外周端縁部の一方主面に接触する第１面を有する導電性の第１の円環状部材が配置された、半導体素子を駆動するための駆動装置と、制御電極の外周端縁部の他方主面に合わさる第２面を有し、導電性材料によって第１の円環状部材に溶着される導電性の第２の円環状部材とを備えるものである。
【００１１】
また、この発明のうち請求項５に記載の半導体装置は、請求項１〜４のいずれか一つに記載の半導体装置であって、制御電極の他方主面と第２の円環状部材の第２面との間に配置され、制御電極の外周端縁部を第１の円環状部材の第１面方向に押圧するための弾性体をさらに備えることを特徴とするものである。
【００１２】
また、この発明のうち請求項６に記載の半導体装置は、請求項１〜５のいずれか一つに記載の半導体装置であって、制御電極の一方主面と第１の円環状部材の第１面との間に配置された第１の導体箔をさらに備えることを特徴とするものである。
【００１３】
また、この発明のうち請求項７に記載の半導体装置は、請求項１〜６のいずれか一つに記載の半導体装置であって、駆動装置は第１電極に接触する第３電極をさらに有し、第１電極と第３電極との間に配置された第２の導体箔をさらに備えることを特徴とするものである。
【００１４】
また、この発明のうち請求項８に記載の半導体装置は、第１電極、第２電極、及び、第１電極と第２電極との間の電流の流れの許否を制御するための円環状の制御電極を有し、制御電極の外周端縁部が鍔状に突出する半導体素子と、制御電極の外周端縁部の第１電極側の一方主面に接触する第１面を有する導電性の円環状部材が配置された、半導体素子を駆動するための駆動装置と、第１電極及び第２電極が互いに向き合う方向に半導体素子を圧接するために第２電極を押圧する圧接用電極とを備え、圧接用電極は、制御電極の外周端縁部をその他方主面側から円環状部材に押圧するための押圧機構を有するものである。
【００１５】
また、この発明のうち請求項９に記載の測定装置は、第１電極、第２電極、及び、第１電極と第２電極との間の電流の流れの許否を制御するための円環状の制御電極を有し、制御電極の外周端縁部が鍔状に突出する半導体素子を測定するための測定装置であって、制御電極の外周端縁部の第１電極側の一方主面に接触する第１面を有する導電性の円環状部材が配置された、半導体素子を駆動するための駆動装置と、第１電極及び第２電極が互いに向き合う方向に半導体素子を圧接するために第２電極を押圧する圧接用電極とを備え、圧接用電極は、制御電極の外周端縁部をその他方主面側から円環状部材に押圧するための押圧機構を有するものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置の構成を示す断面図である。ゲートターンオフサイリスタ等の半導体素子１は、陽極電極２と、陰極電極３と、陽極電極２と陰極電極３との間の電流の流れの許否を制御するためのゲート電極４とを有している。ゲート電極４は円環状を成しており、その外周端縁部は陽極電極２及び陰極電極３の各側面に対して鍔状に突出している。半導体素子１を駆動するためのゲートドライバ５は、陰極電極３に接触する陰極電極６を有している。また、ゲートドライバ５には、ネジ山／溝構造７が設けられた外周側面を有する固定リング８が、陰極電極６と電気的に絶縁された状態で陰極電極６上に配置されている。この固定リング８は、陰極電極６上の配線パターンによってゲートドライバ５と電気的に接続されている。また、固定リング８はアルミ等の導電性材料によって構成されており、ゲートドライバ５のゲート電極として機能する。ここで、図１には独立する２つの固定リング８が表されているが、実際には半導体素子１の外周側面を取り囲むように、１つの固定リング８が円環状に構成されている。半導体素子１を陰極電極６上に載置することにより、ゲート電極４の外周端縁部の底面は固定リング８の上面に接触する。
【００１７】
固定リング１０は、ゲート電極４の外周端縁部の上面に合わさる底面と、ネジ山／溝構造７に螺着可能なネジ溝／山構造９が設けられた内周側面とを有している。固定リング１０は導電性材料によって構成されており、固定リング８とともにゲートドライバ５のゲート電極として機能する。また、図１には独立する２つの固定リング１０が表されているが、実際には半導体素子１の外周側面を取り囲むように、１つの固定リング１０が円環状に構成されている。ゲート電極４が固定リング８上に載置されている状態で固定リング１０を固定リング８に螺着することにより、固定リング１０の底面と固定リング８の上面とによってゲート電極４の外周端縁部を挟着することができ、これにより、半導体素子１をゲートドライバ５に簡易に取り付けることができる。また、固定リング８と固定リング１０との螺着を解くことにより、ゲートドライバ５から半導体素子１を簡易に取り外すことができる。
【００１８】
このように本実施の形態１に係る半導体装置によれば、固定リング８の外周側面にネジ山／溝構造７を設け、固定リング１０の内周側面にネジ溝／山構造９を設けることにより、固定リング８と固定リング１０とをネジ込みにより螺着可能とした。従って、従来の半導体装置と比較すると、固定リング８と固定リング１０との取り付け及び取り外し作業が簡易となり、取り付け時間及び取り外し時間の短縮化を図ることができる。
【００１９】
また、固定リング８、ゲート電極４、及び固定リング１０に、従来のネジ穴１０９、貫通穴１１０、及び貫通穴１１１をそれぞれ設ける必要がなく、従来のネジ１１２も不要となる。このため、コストの低減を図ることができるとともに、ネジ穴１０９の摩耗により固定リング１０７全体を交換しなければならないという問題を解決することもできる。
【００２０】
さらに、ネジ山／溝構造７とネジ溝／山構造９との接触により、その接触部の導電性を付加することができるため、従来の半導体装置と比較するとゲート電極４の導電性を高めることもできる。
【００２１】
実施の形態２．
図２は、本発明の実施の形態２に係る半導体装置の構成を示す断面図である。図１に示した上記実施の形態１に係る半導体装置と同様に、半導体素子１は陽極電極２、陰極電極３、及びゲート電極４を有しており、また、ゲートドライバ５は陰極電極６を有している。ゲートドライバ５には、導電性材料によって構成され、フック１１が設けられた外周側面を有する、円環状の固定リング１２が配置されている。そして、ゲート電極４の外周端縁部の底面は固定リング１２の上面に接触している。固定リング１４は樹脂等によって成形されており、ゲート電極４の外周端縁部の上面に合わさる底面と、フック１１に係着可能なフック１３が設けられた内周側面とを有し、円環状に構成されている。
【００２２】
ゲート電極４が固定リング１２上に載置されている状態で固定リング１４を固定リング１２に係着することにより、固定リング１４の底面と固定リング１２の上面とによってゲート電極４の外周端縁部を挟着することができ、これにより、半導体素子１をゲートドライバ５に簡易に取り付けることができる。また、固定リング１２と固定リング１４との係着を解くことにより、ゲートドライバ５から半導体素子１を簡易に取り外すことができる。
【００２３】
このように本実施の形態２に係る半導体装置によれば、固定リング１２の外周側面にフック１１を設け、固定リング１４の内周側面にフック１３を設けることにより、固定リング１２と固定リング１４とをはめ込みにより係着可能とした。従って、従来の半導体装置と比較すると、固定リング１２と固定リング１４との取り付け及び取り外し作業が簡易となり、取り付け時間及び取り外し時間の短縮化を図ることができる。
【００２４】
また、固定リング１２、ゲート電極４、及び固定リング１４に、従来のネジ穴１０９、貫通穴１１０、及び貫通穴１１１をそれぞれ設ける必要がなく、従来のネジ１１２も不要となる。このため、コストの低減を図ることができるとともに、ネジ穴１０９の摩耗により固定リング１０７全体を交換しなければならないという問題を解決することもできる。
【００２５】
さらに、固定リング１４を導電性材料によって構成した場合は、フック１２とフック１３との接触により、その接触部の導電性を付加することができるため、従来の半導体装置と比較するとゲート電極４の導電性を高めることができる。
【００２６】
実施の形態３．
図３は、本発明の実施の形態３に係る半導体装置の構成を示す断面図である。図１に示した上記実施の形態１に係る半導体装置と同様に、半導体素子１は陽極電極２、陰極電極３、及びゲート電極４を有しており、また、ゲートドライバ５は陰極電極６を有している。ゲートドライバ５には、導電性材料によって構成された、円環状の固定リング１５が配置されている。そして、ゲート電極４の外周端縁部の底面は固定リング１５の上面に接触している。固定リング１６は導電性材料によって円環状に構成されており、ゲート電極４の外周端縁部の上面に合わさる底面を有している。
【００２７】
ゲート電極４が固定リング１５上に載置されている状態で固定リング１６をゲート電極４上に載置し、固定リング１５の外周側面と固定リング１６の外周側面とを半田等の導電性材料によって互いに溶着する。これにより、固定リング１６の底面と固定リング１５の上面とによってゲート電極４の外周端縁部を挟着することができ、半導体素子１をゲートドライバ５に簡易に取り付けることができる。また、固定リング１５と固定リング１６との溶着を解くことにより、ゲートドライバ５から半導体素子１を簡易に取り外すことができる。
【００２８】
このように本実施の形態３に係る半導体装置によれば、固定リング１５と固定リング１６とを半田１７等の導電性材料によって溶着する。従って、従来の半導体装置と比較すると、固定リング１５と固定リング１６との取り付け及び取り外し作業が簡易となり、取り付け時間及び取り外し時間の短縮化を図ることができる。
【００２９】
また、固定リング１５、ゲート電極４、及び固定リング１６に、従来のネジ穴１０９、貫通穴１１０、及び貫通穴１１１をそれぞれ設ける必要がなく、従来のネジ１１２も不要となる。このため、コストの低減を図ることができるとともに、ネジ穴１０９の摩耗により固定リング１０７全体を交換しなければならないという問題を解決することもできる。
【００３０】
さらに、固定リング１５の外周側面と固定リング１６の外周側面とが半田１７等の導電性材料を介して互いに電気的に接触し、その接触部の導電性を付加することができるため、従来の半導体装置と比較するとゲート電極４の導電性を高めることができる。
【００３１】
実施の形態４．
図４は、本発明の実施の形態４に係る半導体装置の構成を示す断面図である。本実施の形態４に係る半導体装置は、図１に示した上記実施の形態１に係る半導体装置を基礎として、固定リング１０の底面とゲート電極４の外周端縁部の上面との間に、バネ１８等の弾性体を配置したものである。バネ１８は、ゲート電極４の外周端縁部に沿って円環状に構成されている。
【００３２】
このように本実施の形態４に係る半導体装置によれば、固定リング１０の底面とゲート電極４の外周端縁部の上面との間にバネ１８等の弾性体を配置した。従って、固定リング１０を固定リング８に螺着すると、バネ１８の作用によってゲート電極４の外周端縁部は固定リング８の上面方向に押圧される。このため、ゲート電極４と固定リング８との電気的接触が良好となり、ゲート電極４の導電性をさらに高めることができる。
【００３３】
なお、以上の説明では上記実施の形態１に係る半導体装置を基礎として本実施の形態４に係る発明を適用する場合について説明したが、上記実施の形態２，３に係る半導体装置を基礎として本実施の形態４に係る発明を適用しても上記と同様の効果が得られることはいうまでもない。
【００３４】
実施の形態５．
図５は、本発明の実施の形態５に係る半導体装置の構成を示す断面図である。本実施の形態５に係る半導体装置は、図１に示した上記実施の形態１に係る半導体装置を基礎として、固定リング８の上面とゲート電極４の外周端縁部の底面との間に金属箔１９を配置し、陰極電極３の底面と陰極電極６の上面との間に金属箔２０を配置したものである。加えて図５に示すように、固定リング１０の底面とゲート電極４の外周端縁部の上面との間に金属箔２１を配置してもよい。金属箔１９，２１は、固定リング８，１０やゲート電極４の材質と同等又はこれらの材質よりも柔らかい材質によって構成されており、金属箔２０は、陰極電極３，６の材質と同等又はこれらの材質よりも柔らかい材質によって構成されている。また、金属箔１９〜２１はいずれも導電性を有している。
【００３５】
このように本実施の形態５に係る半導体装置によれば、固定リング８の上面とゲート電極４の外周端縁部の底面との間に金属箔１９を配置したため、接触面積の増大により固定リング８とゲート電極４との接触抵抗を小さくすることができ、良好な接触を得ることができる。
【００３６】
また、陰極電極３と陰極電極６との間に金属箔２０を配置したため、陰極電極３と陰極電極６との接触抵抗が小さくなって良好な接触を得ることができるとともに、圧接に起因する陰極電極３と陰極電極６との接触面の変形及び変質を抑制することができ、ゲートドライバ５の長寿命化を図ることができる。
【００３７】
なお、以上の説明では上記実施の形態１に係る半導体装置を基礎として本実施の形態５に係る発明を適用する場合について説明したが、上記実施の形態２〜４に係る半導体装置、後述の実施の形態６に係る半導体装置、あるいは従来の半導体装置を基礎として本実施の形態５に係る発明を適用することもでき、この場合も上記と同様の効果を得ることができる。
【００３８】
実施の形態６．
図６は、本発明の実施の形態６に係る半導体装置の構成を示す断面図である。図１に示した上記実施の形態１に係る半導体装置と同様に、半導体素子１は陽極電極２、陰極電極３、及びゲート電極４を有しており、ゲートドライバ５は陰極電極６を有している。また、ゲートドライバ５には、導電性材料によって構成された固定リング２２が配置されている。ここで、図６には独立する２つの固定リング２２が表されているが、実際には半導体素子１の外周側面を取り囲むように、１つの固定リング２２が円環状に構成されている。そして、ゲート電極４の外周端縁部の底面は固定リング２２の上面に接触している。
【００３９】
スタック電極２３，２４は、陽極電極２及び陰極電極３が互いに向き合う方向に半導体素子１を圧接するために、陽極電極２の上面及び陰極電極６の底面をそれぞれ押圧する圧接用電極である。スタック電極２３は、絶縁性材料から成る押圧治具２５と、スタック電極２３と押圧治具２５との間に配置されたバネ２６とを有する押圧機構を備えている。押圧治具２５及びバネ２６は、スタック電極２３の外周に沿ってそれぞれ円環状に構成されている。固定リング２２上にゲート電極４が載置されている状態でスタック電極２３によって陽極電極２の上面を押圧すると、押圧治具２５の底面とゲート電極４の外周端縁部の上面とが接触し、さらにバネ２６の作用によって、ゲート電極４の外周端縁部はその上面側から固定リング２２に押圧される。これにより、押圧治具２５の底面と固定リング２２の上面とによってゲート電極４の外周端縁部を挟着することができ、半導体素子１をゲートドライバ５に簡易に取り付けることができる。また、スタック電極２３による圧接を解くことにより、ゲートドライバ５から半導体素子１を簡易に取り外すことができる。
【００４０】
このように本実施の形態６に係る半導体装置によれば、ゲート電極４の外周端縁部の上面を押圧するための押圧機構をスタック電極２３に配設した。従って、従来の半導体装置における固定リング１０８、あるいは上記各実施の形態における固定リング１０，１４，１６，１８を用いることなく、ゲート電極４を固定リング２２に押圧することができる。
【００４１】
また、固定リング２２及びゲート電極４に従来のネジ穴１０９及び貫通穴１１０をそれぞれ設ける必要がなく、従来のネジ１１２も不要となる。このため、コストの低減を図ることができるとともに、ネジ穴１０９の摩耗により固定リング１０７全体を交換しなければならないという問題を解決することもできる。
【００４２】
なお、図６に示した装置は、製品出荷前等に半導体素子１の各種電気的特性を評価するための測定装置の一部として使用することもできる。この場合、半導体素子１を簡易に測定装置に取り付けることができるため、全体として測定作業の簡略化、測定時間の短縮化を図ることができる。
【００４３】
【発明の効果】
この発明のうち請求項１に係るものによれば、第１の円環状部材の第１面上に制御電極の外周端縁部を載置した状態で第２の円環状部材を第１の円環状部材に螺着することにより、第１の円環状部材の第１面と第２の円環状部材の第２面とによって制御電極を挟着することができ、これにより半導体素子を駆動装置に簡易に取り付けることができる。また、第１の円環状部材と第２の円環状部材との螺着を解くことにより、駆動装置から半導体素子を簡易に取り外すことができる。
【００４４】
また、この発明のうち請求項２に係るものによれば、第１の円環状部材の第１面上に制御電極の外周端縁部を載置した状態で第２の円環状部材を第１の円環状部材に係着することにより、第１の円環状部材の第１面と第２の円環状部材の第２面とによって制御電極を挟着することができ、これにより半導体素子を駆動装置に簡易に取り付けることができる。また、第１の円環状部材と第２の円環状部材との係着を解くことにより、駆動装置から半導体素子を簡易に取り外すことができる。
【００４５】
また、この発明のうち請求項３に係るものによれば、ネジ山／溝構造とネジ溝／山構造との接触、あるいは第１の係合構造と第２の係合構造との接触により、その接触部の導電性を付加することができるため、制御電極の導電性を高めることができる。
【００４６】
また、この発明のうち請求項４に係るものによれば、第１の円環状部材の第１面上に制御電極の外周端縁部を載置した状態で第２の円環状部材を第１の円環状部材に溶着することにより、第１の円環状部材の第１面と第２の円環状部材の第２面とによって制御電極を挟着することができ、これにより半導体素子と駆動装置とを簡易に固定することができる。また、第１の円環状部材と第２の円環状部材との溶着を解くことにより、駆動装置から半導体素子を簡易に取り外すことができる。しかも、第１の円環状部材と第２の円環状部材とは導電性材料を介して互いに電気的に接触し、その接触部の導電性を付加することができるため、制御電極の導電性を高めることができる。
【００４７】
また、この発明のうち請求項５に係るものによれば、制御電極の外周端縁部は弾性体の作用によって第１の円環状部材の一方主面方向に押圧されるため、制御電極と第１の円環状部材との電気的接触が良好となる。
【００４８】
また、この発明のうち請求項６に係るものによれば、第１の導体箔によって、制御電極の一方主面と第１の円環状部材の第１面との接触抵抗を小さくすることができる。
【００４９】
また、この発明のうち請求項７に係るものによれば、第２の導体箔によって、半導体素子の第１電極と駆動装置の第３電極との接触抵抗を小さくすることができるとともに、圧接に起因する第１電極と第３電極との接触面の変形及び変質を抑制することができ、駆動装置の長寿命化を図ることができる。
【００５０】
また、この発明のうち請求項８に係るものによれば、圧接用電極の有する押圧機構によって、制御電極の外周端縁部をその他方主面側から円環状部材に押圧することができ、制御電極を円環状部材に押圧するための他の部材を省略することができる。
【００５１】
また、この発明のうち請求項９に係るものによれば、圧接用電極の有する押圧機構によって、制御電極の外周端縁部をその他方主面側から円環状部材に簡易に押圧することができ、全体として測定作業の簡略化、測定時間の短縮化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施の形態１に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
【図２】  本発明の実施の形態２に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
【図３】  本発明の実施の形態３に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
【図４】  本発明の実施の形態４に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
【図５】  本発明の実施の形態５に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
【図６】  本発明の実施の形態６に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
【図７】  従来の半導体装置の構成を示す上面図である。
【図８】  従来の半導体装置の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
１  半導体素子、２  陽極電極、３  陰極電極、４  ゲート電極、５  ゲートドライバ、７  ネジ山／溝構造、８，１０，１２，１４，１５，１６，２２  固定リング、９  ネジ溝／山構造、１１，１３  フック、１７  半田、１８，２６バネ、１９〜２１  金属箔、２３，２４  スタック電極、２５  押圧治具。
【図１】
0004077113.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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