(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードフレームの少なくとも端子となる部分を、金型を用いて半導体素子搭載面側に凸状の半抜き状態に成形する工程、
上記リードフレームに半導体素子を搭載し、上記半導体素子の電極と上記凸状の端子部を接続する工程、
上記リードフレームの半導体素子搭載面側を樹脂で覆い封止する工程、
上記凸状の端子部を少なくとも残して上記リードフレームの一部を分離、除去して、除去した部分から上記樹脂を露出させる工程を備えたことを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項２】
リードフレーム表面に、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄの単体またはこれらの組み合わせによるめっき皮膜を形成する工程、
上記リードフレームの少なくとも端子となる部分を、金型を用いて半導体素子搭載面側に凸状の半抜き状態に成形する工程、
上記リードフレームに半導体素子を搭載し、上記半導体素子の電極と上記凸状の端子部を接続する工程、
上記リードフレームの半導体素子搭載面側を樹脂で覆い封止する工程、
上記凸状の端子部を少なくとも残して上記リードフレームの一部を分離、除去して、除去した部分から上記樹脂を露出させる工程を備えたことを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項３】
リードフレーム表面に、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄの単体またはこれらの組み合わせによるめっき皮膜を形成する工程、
上記リードフレームの半導体素子搭載面側に、耐熱性に優れた樹脂製フィルムを設ける工程、
上記リードフレームの少なくとも端子となる部分を、金型を用いて半導体素子搭載面側に凸状の半抜き状態に成形する工程、
上記リードフレームの少なくとも上記凸状の端子部上に設けられた上記樹脂製フィルムを除去する工程、
上記リードフレームに半導体素子を搭載し、上記半導体素子の電極と上記凸状の端子部を接続する工程、
上記リードフレームの半導体素子搭載面側を樹脂で覆い封止する工程、
上記凸状の端子部を少なくとも残して上記リードフレームの上記樹脂フィルムが設けられた部分を分離、除去して、除去した部分から上記樹脂を露出させる工程を備えたことを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項４】
上記リードフレームの部分的な分離、除去は、機械的手段により行われることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項５】
上記リードフレームの部分的な分離、除去は、化学的手段により行われることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項６】
半導体素子の電極と端子部の接続は、金またはアルミ等よりなる金属細線を用いたワイヤボンディングにて行うことを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項７】
半導体素子の電極と端子部の接続は、はんだ、金または導電性樹脂等よりなるバンプを用いたフリップチップボンディングにて行うことを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項８】
上面に、複数の凸部と、上記複数の凸部の間を連結する凹部とを有し、上記凸部と上記凹部の境界で半抜き状態に成型されているリードフレームを準備する工程と、
上記リードフレームの凸部上に、複数の電極を有する半導体素子を接着し、上記複数の電極と、上記複数の凸部とを電気的に接続する工程と、
上記リードフレームの上面と、上記半導体素子とを覆う封止樹脂部を形成する工程と、
上記リードフレームの凹部を、上記リードフレームの凸部および上記封止樹脂部から分離させ、その分離した部分から上記封止樹脂部を露出させる工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、集積回路等の半導体素子を搭載した半導体パッケージおよびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の半導体パッケージの製造方法を図５を用いて説明する。図５(a) は、リードフレームの不要部分を除去する前の半導体パッケージを示す図、図５(b) は、図５(a) に示す半導体パッケージの断面図、図５(c) は完成した半導体パッケージを示す断面図である。図において、１１はリードフレーム、２２はリードフレーム１１の端子部、３はリードフレーム１の半導体素子搭載部であるダイパッド部、４は半導体素子、５は半導体素子４の電極（図示せず）と端子部２２を接続するワイヤ、６は半導体素子４とダイパッド部３を接着するダイボンド材、７は封止樹脂をそれぞれ示す。
【０００３】
従来の半導体パッケージの製造方法を以下に説明する。薄金属板からなるリードフレーム１１に、エッチングまたはスタンピング加工により端子部２２及びダイパッド部３を形成し、このダイパッド部３上にダイボンド材６を用いてＩＣ等の半導体素子４を固着する。その後、半導体素子４上の電極とリードフレーム１１の端子部２２を金線等のワイヤ５で電気的に接続する。さらに、封止金型を使って、エポキシ樹脂等の封止樹脂７を成形し、端子部２２を封止樹脂７の外側でリードフレーム１１から切断し、図５(c) に示す半導体パッケージが完成する。なお、パッケージ下面の端子部２２の露出面に金属ボールが付けられることもある。また、ダイパッド部３がパッケージ上面方向に持ち上げられ、樹脂成形後はダイパッド部３が封止樹脂７に埋め込まれた構造がとられることもある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、パッケージの外部端子である端子部２２がパッケージ下面に配置された従来の半導体パッケージでは、端子部２２がパッケージ周辺のリードフレーム１１より、半導体素子４に向かって内側方向に伸びており、端子部２２はパッケージ周囲に沿って一列しか形成できず、しかも端子部２２間に各々の端子を保持するためのパターンが必要であったため、端子数が制限されるという問題があった。このような問題を解決するリードフレームとして、例えば、特開平８−１３９２５９号公報では、リードフレーム素材となる薄金属板を洗浄後、レジストを塗布し、所定のパターン版を用いた露光、現像処理、エッチング加工を行うことにより、外部端子部がリード形成面に沿い二次元的、例えば格子状に配列されているリードフレームが提案されている。しかしながら、上記の方法では、リードフレームの製造に写真製版工程を用いているため、精度的には優れている反面、工程が複雑となり、コスト高となる問題があった。
また、従来の半導体パッケージでは、端子部２２の下面を樹脂成形金型に接して成形を行う際に、樹脂成形時の圧力により端子部２２下面と金型間に樹脂が回り込み、図６に示すような樹脂バリ８が発生するという問題もあり、成形後に樹脂バリ８を除去する工程を設ける必要があった。
【０００５】
本発明は、上記のような問題点を解消するためになされたもので、リードフレームの端子部の配置や端子数に対する制限が少なく、さらに、端子部下面に樹脂バリが発生しない半導体パッケージの製造方法を提供し、端子部の設計の自由度が高く、生産性の高い半導体パッケージを得ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明に係わる半導体パッケージの製造方法は、リードフレームの少なくとも端子となる部分を、金型を用いて半導体素子搭載面側に凸状の半抜き状態に成形する工程と、リードフレームに半導体素子を搭載し、半導体素子の電極と凸状の端子部を接続する工程と、リードフレームの半導体素子搭載面側を樹脂で覆い封止する工程と、上記凸状の端子部を少なくとも残してリードフレームの一部を分離、除去して、除去した部分から上記樹脂を露出させる工程を含んで製造するようにしたものである。
【０００７】
また、リードフレーム表面に、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄの単体またはこれらの組み合わせによるめっき皮膜を形成する工程と、リードフレームの少なくとも端子となる部分を、金型を用いて半導体素子搭載面側に凸状の半抜き状態に成形する工程と、リードフレームに半導体素子を搭載し、半導体素子の電極と凸状の端子部を接続する工程と、リードフレームの半導体素子搭載面側を樹脂で覆い封止する工程と、上記凸状の端子部を少なくとも残してリードフレームの一部を分離、除去して、除去した部分から上記樹脂を露出させる工程を含んで製造するようにしたものである。
【０００８】
さらに、リードフレーム表面に、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄの単体またはこれらの組み合わせによるめっき皮膜を形成する工程と、このリードフレームの半導体素子搭載面側に、耐熱性に優れた樹脂製フィルムを設ける工程と、リードフレームの少なくとも端子となる部分を、金型を用いて半導体素子搭載面側に凸状の半抜き状態に成形する工程と、リードフレームの少なくとも凸状の端子部上に設けられた樹脂製フィルムを除去する工程と、リードフレームに半導体素子を搭載し、半導体素子の電極と凸状の端子部を接続する工程と、リードフレームの半導体素子搭載面側を樹脂で覆い封止する工程と、上記凸状の端子部を少なくとも残してリードフレームの上記樹脂フィルムが設けられた部分を分離、除去して、除去した部分から上記樹脂を露出させる工程を含んで製造するようにしたものである。
【０００９】
また、リードフレームの部分的な分離、除去は、機械的手段により行われるものである。また、リードフレームの部分的な分離、除去は、化学的手段により行われるのである。さらに、半導体素子の電極と端子部の接続は、金またはアルミ等よりなる金属細線を用いたワイヤボンディングにて行うものである。また、半導体素子の電極と端子部の接続は、はんだ、金または導電性樹脂等よりなるバンプを用いたフリップチップボンディングにて行うものである。
【００１０】
また、上面に、複数の凸部と、複数の凸部の間を連結する凹部とを有し、凸部と凹部の境界で半抜き状態に成型されているリードフレームを準備する工程と、リードフレームの凸部上に、複数の電極を有する半導体素子を接着し、複数の電極と、複数の凸部とを電気的に接続する工程と、リードフレームの上面と、半導体素子とを覆う封止樹脂部を形成する工程と、リードフレームの凹部を、リードフレームの凸部および封止樹脂部から分離させ、その分離した部分から封止樹脂部を露出させる工程とを含んで製造するようにしたものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
以下に、本発明の実施の形態１を図について説明する。図１は、本実施の形態における半導体パッケージの製造方法を説明する図であり、図１(a) は、リードフレームの不要部分を除去する前の半導体パッケージを示す図、図１(b) は、図１(a) に示す半導体パッケージの断面図、図１(c) は完成した半導体パッケージを示す断面図である。図において、１は、例えば銅合金よりなるリードフレーム、２はリードフレーム１の端子部、３はリードフレーム１の半導体素子搭載部であるダイパッド部、４はダイパッド部３上に搭載されたＩＣ等の半導体素子、５は半導体素子４の電極（図示せず）とリードフレーム１の端子部２を電気的に接続するワイヤ、６は半導体素子４とダイパッド部３を接着するダイボンド材、７はリードフレーム１の半導体素子４搭載面側を覆う封止樹脂をそれぞれ示している。
【００１２】
本実施の形態における半導体パッケージの製造方法を以下に説明する。まず、薄金属板からなるリードフレーム１の少なくとも端子となる部分を、金型を用いて半導体素子４搭載面側に凸状の半抜き状態に成形する。本実施の形態では、端子部２及びダイパッド部３となる部分を半抜き状態に加工した（図１(b) ）。なお、本実施の形態では、端子部２の形状を矩形としたが、円形やその他の形状でも良い。また、ダイパッド部３は半導体素子４よりも小さく形成したが、半導体素子４と同等または大きく形成しても良い。
次に、リードフレーム１に半導体素子４を搭載し、半導体素子４の電極と凸状の端子部２を接続する。本実施の形態では、リードフレーム１のダイパッド部３に、ダイボンド材６を用いて半導体素子４を固着し、半導体素子４の電極と端子部２の接続は、金またはアルミ等よりなる金属細線すなわちワイヤ５を用いたワイヤボンディングにて行った。その後、樹脂成形金型を用い、リードフレーム１の半導体素子４搭載面側を封止樹脂７で覆い封止する。さらに、リードフレーム１の不要部分、ここでは端子部２及びダイパッド部３以外の部分を機械的手段により分離、除去し、本実施の形態による半導体パッケージが完成する（図１(c) ）。ここで、機械的手段とは、図２に示すように、押さえ治具９で端子部２及びダイパッド部３を機械的に保持し（図２(a) ）、リードフレーム１の不要部分を抜き落とす（図２(b) ）ものである。
【００１３】
また、上述の半導体パッケージの製造方法に加えて、リードフレーム１の端子部２及びダイパッド部３を半抜き状態に成形する前に、リードフレーム１表面に、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄの単体またはこれらの組み合わせによるめっき皮膜を形成する場合もある。さらに、めっき皮膜が形成されたリードフレーム１の半導体素子４搭載面側に、耐熱性に優れた樹脂製フィルムをラミネートして設け、リードフレーム１の端子部２及びダイパッド部３を半抜き状態に成形した後に、リードフレーム１の少なくとも凸状の端子部２上、ここでは端子部２及びダイパッド部３上に設けられた樹脂製フィルムを除去する場合もある。この樹脂製フィルムは、後のワイヤボンディング工程や樹脂封止工程での処理に耐え得る例えば２３０℃程度の耐熱性を有し、且つ封止樹脂７との密着力が弱いものとし、リードフレーム１の不要部分の分離、除去を行う際に、封止樹脂７とリードフレーム１の不要部分の分離を容易にする効果がある。
【００１４】
めっき皮膜が形成されたリードフレーム１の不要部分は、前述の機械的手段（図２）または化学的手段により分離、除去される。化学的手段とは、図３に示すように、リードフレーム１の半抜き部分に露出した母材を選択エッチングするものである。図３において、１０はめっき皮膜、１１は選択的エッチング部を示している。この方法では、リードフレーム１をめっき皮膜１０で覆った後に半抜きにするので、母材が露出している半抜き部分が選択的にエッチングされ、レジスト塗布、露光及び現像等の写真製版工程を必要とせずに、リードフレーム１の不要部分が分離、除去される。
なお、本実施の形態による半導体パッケージの端子部２に、金属球や金属柱をはんだ付けしても良い。
【００１５】
以上のように、本実施の形態における半導体パッケージの製造方法によれば、リードフレーム１の端子部２は自由な位置に自由な形状で設けることができるため、端子数及び配置の制限が従来に比べて大幅に緩和される。図５に示した従来の半導体パッケージの製造方法では、端子部はパッケージ周囲に沿って一列しか形成できなかったが、本実施の形態によれば、端子部２は、ダイパッド３の周辺に沿って一列及び複数列に配置することが可能である。さらに、リードフレームの不要部分の除去を化学的手段によって行う場合にも、写真製版工程を必要としないため、工程が簡易であり、低コストで製造することができる。また、端子部２を半抜き状態に成形することにより、樹脂成形時に封止樹脂７が端子部２下面に回り込むことがないため、樹脂バリの発生がない。このため、従来の樹脂バリ除去工程を省略することができ、生産性が向上する。
【００１６】
実施の形態２．
本発明の実施の形態２における半導体パッケージの製造方法を図４を用いて説明する。図４(a) は、リードフレームの不要部分を除去する前の半導体パッケージを示す断面図、図４(b) は完成した半導体パッケージを示す断面図、図４(c) は完成した半導体パッケージの裏面を示す平面図である。図において、１２は、半導体素子４の下部に設けられた電極（図示せず）とリードフレーム１の端子部２を電気的に接続する導電性のバンプである。なお、図中、同一、相当部分には同一符号を付し、説明を省略する。
【００１７】
本実施の形態における半導体パッケージの製造方法を以下に説明する。まず、例えば銅合金よりなるリードフレーム１の端子部２を、半導体素子４の下部に位置するように、金型を用いて半導体素子４搭載面側に凸状の半抜き状態に成形する。次に、リードフレーム１に半導体素子４を搭載し、半導体素子４の電極と凸状の端子部２の接続を、はんだ、金または導電性樹脂等よりなるバンプ１２を用いたフリップチップボンディングにて行う。半導体素子４下面の電極とリードフレーム１の端子部２は、それぞれ対応する位置に配置されており、導電性のバンプ１２を介して電気的及び機械的に接続される。なお、バンプ１２は、半導体素子４の電極上または端子部２上のいずれか一方または両方に形成されている。
その後、リードフレーム１の半導体素子４搭載面側を封止樹脂７で覆い封止する工程と、リードフレーム１の不要部分、ここでは端子部２以外の部分を機械的手段により除去する工程を上記実施の形態１と同様の方法で行い、本実施の形態による半導体パッケージが完成する（図４(b) ）。
【００１８】
なお、本実施の形態においても、リードフレーム１表面に、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄの単体またはこれらの組み合わせによるめっき皮膜を形成しても良い。さらに、めっき皮膜が形成されたリードフレーム１の半導体素子４搭載面側に、耐熱性に優れた樹脂製フィルムをラミネートしても良い。めっき皮膜が形成されたリードフレーム１の不要部分は、上記実施の形態１と同様に、機械的手段または化学的手段により分離、除去される。
なお、本実施の形態による半導体パッケージの端子部２の露出面に、金属球や金属柱を設けても良い。
本実施の形態においても、上記実施の形態１と同様の効果が得られる。
【００１９】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、リードフレームの少なくとも端子となる部分を、金型を用いて半導体素子搭載面側に凸状の半抜き状態に成形し、リードフレームの半導体素子搭載面側を樹脂で覆い封止した後に、上記凸状の端子部を少なくとも残してリードフレームの一部を分離、除去して、除去した部分から上記樹脂を露出させるようにしたので、リードフレームの端子部の配置や端子数に対する制限が少なくなり、端子部の設計の自由度が高くなると共に、端子部下面に樹脂バリが発生しないため、従来の樹脂バリ除去工程を省略することができ、生産性が向上する効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施の形態１における半導体パッケージの製造方法を説明する図である。
【図２】  本発明の実施の形態１における半導体パッケージの製造方法を説明する断面図である。
【図３】  本発明の実施の形態１における半導体パッケージの製造方法を説明する断面図である。
【図４】  本発明の実施の形態２における半導体パッケージの製造方法を説明する図である。
【図５】  従来の半導体パッケージの製造方法を説明する図である。
【図６】  従来の半導体パッケージ裏面に発生した樹脂バリを説明する平面図である。
【符号の説明】
１、１１  リードフレーム、２、２２  端子部、３  ダイパッド部、
４  半導体素子、５  ワイヤ、６  ダイボンド材、７  封止樹脂、
８  樹脂バリ、９  押さえ治具、１０  めっき皮膜、
１１  選択的エッチング部、１２  バンプ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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