(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状に配置された画素電極と、ゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極を有し、前記画素電極をスイッチングするトランジスタを備え、また前記画素電極と補助容量を形成する補助容量電極を、画素電極の下層に備え、補助容量電極は補助容量を形成すると共に、ＴＦＴ側のブラックマトリクスも兼ねることを特徴とする液晶表示装置において、
前記ソース電極に沿って配置された前記補助容量電極の、前記ソース電極に沿った方向と直交する断面における両端の傾斜部が非対称であり、かつ、
前記補助容量電極の、前記画素電極との重なり部分を有する前記ソース電極側の前記傾斜部の幅が、前記画素電極側の前記傾斜部の幅に比べて大きくなるように形成された液晶表示装置。
【請求項２】
前記補助容量電極の断面形状がくさび型になっており、その傾斜部の幅は、前記ソース電極側が前記画素電極側に比べて大きくなるように形成された請求項１記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ，ＴＦＴ）をスイッチング素子とするアクティブマトリクス型液晶表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置は、現在ノートＰＣを中心に急速に市場が拡大している。特に、各画素に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を設けたアクティブマトリクス型液晶表示装置は、高コントラスト、高速応答など、動画の表示に優れた特性を持ち、広く活用されている。
【０００３】
図１は液晶表示装置の画素電極部分の一例を示す平面図である。ゲート配線１の上にゲート絶縁膜を形成し、この上にソース配線２、ドレン電極３、透明な画素電極４を形成し、さらにＴＦＴを構成している。
【０００４】
さらに、ゲート配線と同層、あるいは画素電極の下層に、くし形の補助容量電極５がゲート配線と平行に配置されている。補助容量は、画素電極と補助容量電極により形成される。
【０００５】
また、補助容量電極は画素電極と補助容量電極の重なり部で起こる液晶の配向異常に対し、配向異常による光漏れを遮光するブラックマトリクスも兼ねている。
【０００６】
このように構成された液晶表示装置においては、ＴＦＴはゲートに電圧が印加されている時間（オン状態）は導通状態になっており、その時ソース配線の電気的変化がドレイン電極へ伝えられ、液晶容量、及び補助容量に電荷が蓄積されることによって、液晶層が駆動される。すなわち、液晶容量、及び補助容量が、ＴＦＴの駆動すべき負荷容量となる。ゲートがオフ状態になると、ＴＦＴは非導通状態となり、蓄積された電荷は、次にゲートがオン状態になるまでの時間、保持されることになる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
通常、アレイ表面あるいはカラーフィルタ表面の液晶分子の初期配向角、いわゆるプレチルト角は、配向膜材料、液晶材料、ラビング強度などで決定されるが、上記の従来の液晶表示装置では、何らかの原因でアレイ側かカラーフィルタ側、もしくはその両方のプレチルト角が著しく低下した場合、画素電極と補助容量電極との重なり部分に発生する液晶の配向異常領域が、表示エリア方向（画素電極側）に増大し、表示を行なった際に正面、もしくは斜め方向から光漏れが起こり、表示不良となる。
【０００８】
本発明は、上記のような問題点を解決し、画素電極と補助容量電極との重なり部分に発生する配向異常を抑制すると共に、配向異常領域の画素表示エリア部へのはみ出しを抑制することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１にかかわる液晶表示装置はマトリクス状に配置された画素電極と、ゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極を有し、前記画素電極をスイッチングするトランジスタを備え、また前記画素電極と補助容量を形成する補助容量電極を、画素電極の下層に備え、補助容量電極は補助容量を形成すると共に、ＴＦＴ側ブラックマトリクスも兼ねることを特徴とする液晶表示装置において、
前記ソース電極に沿って配置された前記補助容量電極の、前記ソース電極に沿った方向と直交する断面における両端の傾斜部が非対称であり、かつ、
前記補助容量電極の、前記画素電極との重なり部分を有する前記ソース電極側の前記傾斜部の幅が、前記画素電極側の前記傾斜部の幅に比べて大きくなるように形成されたものである。
【００１０】
本発明の請求項２にかかわる液晶表示装置は前記補助容量電極の断面形状がくさび型になっており、その傾斜部の幅は、前記ソース電極側が前記画素電極側に比べて大きくなるように形成されたものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】
実施の形態１
図１は、液晶表示装置の画素電極部分の一例を示す平面図である。ゲート配線１の上にゲート絶縁膜を形成し、この上にソース配線２、ドレイン電極３、透明な画素電極４を形成し、さらにＴＦＴを構成している。
【００１２】
さらに、ゲート配線と同層、あるいは画素電極の下層に、くし形の補助容量電極５がゲート配線と平行に配置されている。補助容量は、画素電極と補助容量電極により形成される。
【００１３】
図２は、従来の液晶表示装置における図１のＡ−Ａ′の断面図である。補助容量電極５は画素電極と補助容量電極の重なり部１７近傍で起こる液晶の配向異常に対し、配向異常による光漏れを遮光する、ブラックマトリクスも兼ねている。
【００１４】
図３は、本発明の第１の実施の形態における図１のＡ−Ａ′の断面図である。この実施の形態では、図２に示す従来の画素電極の下層に、絶縁膜１２を介して形成された補助容量電極のソース配線側の傾斜部が、画素電極側のそれに比べて極端に大きくなるように形成したものである。傾斜部の大きさ（平面方向の幅）は、２μｍ以上であることが望ましい。
【００１５】
このようにソース配線側の傾斜部を大きくすることにより電界の方向を制御することができ、補助容量電極と画素電極の重なり部分のプレチルト角は、表示エリア内に比べて大きくなり、補助容量電極と画素電極の重なり部分に発生する配向異常を抑制し、配向異常領域の表示エリア部へのはみ出しを抑制することができる。従って、液晶材料や配向膜材料の特性やその他の要因で、表示エリア内のプレチルト角の低下が起こっても、表示信頼性を維持できる。
【００１６】
本実施の形態ではバックライト型の液晶表示装置を例にとり、透明画素電極への適用について説明したが、本発明を反射型液晶表示装置に適用した場合は、反射画素電極周辺部での表示性能の低下を防止できる効果がある。
【００１７】
実施の形態２
図４は、本発明の第２の実施の形態における図１のＡ−Ａ′の断面図である。この実施の形態では、補助容量電極の断面がくさび型になるように形成したものである。傾斜部の幅は、表示エリア側よりソース配線側を大きくしてある。本実施の形態においても、上記実施の形態１と同様の効果が得られる。
【００１８】
【発明の効果】
本発明によれば、画素電極の下層に絶縁膜を介して形成された補助容量電極のソース配線側の傾斜部の幅を、画素電極側のそれに比べて大きくなるように形成することにより、補助容量電極と画素電極の重なり部分に発生する配向異常領域の表示エリア部へのはみ出し幅を小さくし、表示信頼性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】液晶表示装置の画素電極部分の一例を示す平面図である。
【図２】従来例を示す図１のＡ−Ａ′断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１を示す図１のＡ−Ａ′断面図である。
【図４】本発明の実施の形態２を示す図１のＡ−Ａ′断面図である。
【符号の説明】
１  ゲート配線
２  ソース配線
３  ドレイン電極
４  透明画素電極
５  補助容量電極
１１  ガラス基板
１２、１３  絶縁膜
１４  対向透明電極
１５  カラーフィルター遮光部
１６  液晶層
１７  画素電極−補助容量電極重なり部分
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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