(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
オキソ酸塩および（または）塩化物、ならびに水を含むことを特徴とする、メモリーハードディスクのリンス用組成物。
【請求項２】
オキソ酸塩が、硝酸塩、モリブデン酸塩、硫酸塩、過塩素酸塩、次亜塩素酸塩、過硫酸塩、および亜硫酸塩からなる群より選ばれる、請求項１に記載のリンス用組成物。
【請求項３】
硝酸塩が、硝酸アルミニウム、硝酸ニッケル、硝酸アンモニウム、硝酸カリウム、硝酸カルシウム、硝酸コバルト、硝酸セシウム、硝酸ナトリウム、および硝酸リチウムからなる群より選ばれる、請求項２に記載のリンス用組成物。
【請求項４】
モリブデン酸塩が、モリブデン酸アンモニウム、モリブデン酸カルシウムおよびモリブデン酸ナトリウムからなる群より選ばれる、請求項２に記載のリンス用組成物。
【請求項５】
硫酸塩が、硫酸アルミニウム、硫酸アンモニウム、硫酸カリウム、硫酸ナトリウム、硫酸ニッケル、および硫酸マグネシウムからなる群より選ばれる、請求項２に記載のリンス用組成物。
【請求項６】
過塩素酸塩が、過塩素酸ナトリウム、および過塩素酸カリウムからなる群より選ばれる、請求項２に記載のリンス用組成物。
【請求項７】
次亜塩素酸塩が、次亜塩素酸ナトリウム、および次亜塩素酸カリウムからなる群より選ばれる、請求項２に記載のリンス用組成物。
【請求項８】
過硫酸塩が、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム、および過硫酸アンモニウムからなる群より選ばれる、請求項２に記載のリンス用組成物。
【請求項９】
亜硫酸塩が、亜硫酸ナトリウム、亜硫酸カリウム、および亜硫酸アンモニウムからなる群より選ばれる、請求項２に記載のリンス用組成物。
【請求項１０】
塩化物が、塩化アルミニウム、塩化アンモニウム、塩化カリウム、塩化カルシウム、塩化ニッケル、塩化ナトリウム、および塩化リチウムからなる群より選ばれる、請求項１に記載のリンス用組成物。
【請求項１１】
オキソ酸塩および（または）塩化物の含有量が、リンス用組成物の全量を基準にして０．００１〜５０重量％である、請求項１〜１０のいずれか１項に記載のリンス用組成物。
【請求項１２】
オキソ酸および水を含むことを特徴とする、メモリーハードディスクのリンス用組成物。
【請求項１３】
オキソ酸が、過塩素酸、次亜塩素酸、過硫酸、亜硫酸、硫酸、硝酸およびモリブデン酸からなる群より選ばれる、請求項１２に記載のリンス用組成物。
【請求項１４】
オキソ酸の含有量が、リンス用組成物の重量を基準にして、０．００１〜５０重量％である、請求項１２に記載のリンス用組成物。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、コンピューターなどに用いられる記憶装置に使用されるメモリーハードディスク（磁気ディスク用基盤）の製造において、その表面を研磨した後にの表面仕上げに適当なリンス用組成物に関するものである。
【０００２】
さらに詳しくは、本発明は、Ｎｉ−Ｐディスク、Ｎｉ−Ｆｅディスク、アルミニウムディスク、ボロンカーバイドディスク、およびカーボンディスク等に代表されるメモリーハードディスクについて、研磨やテクスチャー加工後の表面仕上げにおいて、優れた加工表面を形成させることができると同時に、高容量、高記録密度の磁気ディスク装置に使用されるメモリーハードディスクの製造技術に適用可能なリンス用組成物に関するものである。
【０００３】
【従来の技術】
コンピューターなどの記憶媒体のひとつである磁気ディスク装置に使用されるメモリーハードディスクは、年々小型化、高容量化の一途をたどっており、磁性媒体は従来の塗布型からスパッタリング法やメッキ法およびその他の方法による薄膜媒体へと移行しつつある。
【０００４】
現在、最も広く普及しているディスク基盤（以下、「サブストレート」という）は、アルミニウム基盤に無電解Ｎｉ−Ｐメッキを成膜したものである。このサブストレートは前記のメッキ成膜後、一般に、酸化アルミニウムおよびその他の各種研磨材、水ならびに各種研磨促進剤を含む研磨用組成物（以下、その性状から、「スラリー」という）を用いて研磨される。スラリーの種類により程度は異なるが、多くの場合、研磨されたサブストレート表面には、研磨により切削されたＮｉ−Ｐメッキの切り粉が再付着したり、研磨材がＮｉ−Ｐ表面を引っかいた際にできたバリが発生したり、あるいはスラリー組成物中の砥粒がサブストレート表面に付着したりすることなどによる、一般には５０μｍ以下の大きさの微小な突起（以下、「微小突起」という）が生じることがある。
【０００５】
また、情報の読み書きを行う磁気ヘッドがメモリーハードディスクへ吸着することを防止する目的で、研磨後のサブストレートに筋目をつける、いわゆるテクスチャー加工が行われることがある。このテクスチャー加工においても、切削されたＮｉ−Ｐメッキの切り粉の再付着や、テクスチャー用組成物（研磨用組成物同様に、以下「スラリー」という）中の砥粒が引っかいた際に発生するバリなどによる微小突起が発生することがある。
【０００６】
一方、メモリーハードディスクの高容量化にともない、面記録密度は年に数十％の割合で向上しており、このために最近の磁気ディスク装置では、磁気ヘッドとメモリーハードディスクの隙間であるヘッド浮上高を小さくする必要に迫られている。現在では、そのヘッド浮上高は０．１５μｍ以下にまで及んでいる。
【０００７】
また、最近では、ヘッド浮上高をさらに低くする目的で、サブストレート上に施す筋目をより薄くしたライトテクスチャー加工が行われたり、さらにはテクスチャー加工を行わずに筋目をつけないノンテクスチャーのサブストレートも用いられるようになっており、いわゆる磁気ヘッドの低浮上化が進んできている。
【０００８】
このように、ヘッドの浮上高がこれを極めて低くする必要があるため、メモリーハードディスクの表面に数μｍ程度の微小突起があった場合、ヘッドがサブストレート表面の微小突起とぶつかってしまう、いわゆる「ヘッドクラッシュ」が発生し、メモリーハードディスクの表面の磁性媒体や磁気ヘッドを損傷させてしまうことがあり、磁気ディスク装置の故障の原因となる。また、ヘッドクラッシュに至らないような、さらに微小な突起物でも、突起部の磁気特性の乱れにより情報の読み書きの際のエラーの原因となることがある。従って、磁気媒体を形成させる前工程、すなわち、研磨およびテクスチャー加工において微小突起の発生を防ぐことが重要であると同時に、発生した微小突起は完全に除去する必要がある。
【０００９】
このような微小突起の除去のために、サブストレートの製造工程においては研磨後のサブストレートをリンス処理するのが普通である。このリンス処理は、研磨後のサブストレート表面に残った切り粉や砥粒を洗浄することが主な目的とするものである。
【００１０】
一方、サブストレートの研磨およびテクスチャー加工後、使用済みスラリー（以下「廃液」という）がサブストレート表面に付着したままで乾燥してしまうと、後の洗浄工程でスラリーが除去されきらずに、かえって微小突起の原因となってしまう。また、研磨およびテクスチャー加工後のスラリーにより汚れたままのサブストレートを直接洗浄設備に入れると、洗浄設備に負担がかかってしまう。さらに、サブストレート上に残った廃液が、作業者の身体や衣服に付着したり、作業現場を汚染したりするなどの作業環境汚染が起こる。これらの問題を防ぐことも、研磨およびテクスチャー加工後のサブストレートをリンス処理することの目的である。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
前記の目的のために、従来は研磨およびテクスチャー加工後、スラリーを純水や界面活性剤を含有したリンス用組成物に切り換え、その加工装置中で、ごく短時間、低荷重でサブストレートをリンス処理することが行われてきた。しかし、これらの純水やリンス用組成物を使用したリンスでは、かえって微小突起が発生する、安定した微小突起の発生防止ができない、使用した界面活性剤が後の洗浄で除去しきれずにサブストレート上に残ってしまう、さらに微小突起以外の表面欠陥、例えばスクラッチまたはピットなど、が発生する、などの問題が起きることがあった。
【００１２】
本発明は、前記の問題点を解決するためのものであり、サブストレートのリンスに用いるリンス用組成物に従来より求められていた、微小突起の除去が可能であり、微小突起以外の表面欠陥、例えばスクラッチやピット、がない優れたサブストレート表面を得ることを可能にするとともに、スラリー中の砥粒の付着防止、洗浄設備への負担軽減、さらに作業環境の改善をもできるリンス用組成物を提供することを目的とするものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
［発明の概要］
＜要旨＞
本発明のメモリーハードディスクのリンス用組成物は、オキソ酸塩および（または）塩化物、ならびに水を含むこと、を特徴とするものである。
また、本発明のもうひとつのメモリーハードディスクのリンス用組成物は、オキソ酸および水を含むこと、を特徴とするものである。
【００１４】
＜効果＞
本発明のリンス用組成物は、メモリーハードディスクのサブストレート作成時に発生する微小突起の除去が可能であり、微小突起以外の表面欠陥、例えばスクラッチ（傷）やピット（微小な凹み部）、がない優れたサブストレート表面を得ることを可能にするものである。また、スラリー中の砥粒の付着防止、洗浄設備への負担軽減、さらに作業環境の改善にも効果がある。
【００１５】
［発明の具体的説明］
＜添加剤＞
本発明のリンス用組成物に用いられるオキソ酸塩または塩化物の種類は、本発明の効果を損なわないものであれば特に限定されないが、オキソ酸塩は、硝酸塩、モリブデン酸塩、硫酸塩、過塩素酸塩、次亜塩素酸塩、過硫酸塩および亜硫酸塩からなる群より選ばれるのが好ましい。
【００１６】
これらのオキソ酸塩または塩化物については、それぞれ下記の化合物から選ばれることが好ましい。
（１）硝酸塩
硝酸アルミニウム、硝酸ニッケル、硝酸アンモニウム、硝酸カリウム、硝酸カルシウム、硝酸コバルト、硝酸セシウム、硝酸ナトリウム、および硝酸リチウム
（２）モリブデン酸塩
モリブデン酸アンモニウム、モリブデン酸カルシウムおよびモリブデン酸ナトリウム
（３）硫酸塩
硫酸アルミニウム、硫酸アンモニウム、硫酸カリウム、硫酸ナトリウム、硫酸ニッケル、および硫酸マグネシウム
（４）過塩素酸塩
過塩素酸ナトリウム、および過塩素酸カリウム
（５）次亜塩素酸塩
次亜塩素酸ナトリウム、および次亜塩素酸カリウム
（６）過硫酸塩
過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム、および過硫酸アンモニウム
（７）亜硫酸塩
亜硫酸ナトリウム、亜硫酸カリウム、および亜硫酸アンモニウム
（８）塩化物
塩化アルミニウム、塩化アンモニウム、塩化カリウム、塩化カルシウム、塩化ニッケル、塩化ナトリウム、および塩化リチウム
これらの化合物は単一の塩として表示したが、これらの塩の高次化合物、例えば複塩、であってもよい。また、これらの塩は結晶水を含むものでも、無水物であってもよい。
【００１７】
また、本発明のリンス用組成物に用いるオキソ酸は、本発明の効果を損なわないものであれば、特に限定されないが、過塩素酸、次亜塩素酸、過硫酸、および亜硫酸からなる群より選ばれることが好ましい。
これらのオキソ酸塩、塩化物およびオキソ酸（以下、「添加剤」という）は、それぞれ、オキソ酸塩や塩化物どうし、またはオキソ酸どうし、を併用してもよく、あるいは、塩とオキソ酸を併用してもよい。
【００１８】
これらの添加剤のリンス用組成物中における含有量は、添加剤の作用の強さにより異なるが、リンス用組成物の全量を基準にして、好ましくは０．００１〜５０重量％、さらに好ましくは０．０１〜３０重量％、である。一般に、添加剤の量を増やすことにより本発明の効果がより強くあらわれるが、過度に多いと、添加効果の向上よりも経済的な不利のほうが大きくなる。
【００１９】
また、本発明のリンス用組成物のｐＨは７以上であるのが好ましい。通常、前記の添加剤を用いたリンス用組成物のｐＨは、ｐＨ７以下になるのが普通であるが、各種の補助添加剤などによりｐＨが変動し、ｐＨが７を超える場合には、ｐＨを７以下に調整するのが好ましい。この場合、調整には前記のオキソ酸を用いることが好ましい。
【００２０】
本発明のリンス用組成物をサブストレートのリンスに用いることにより、微小突起を除去できることについての機構的な詳細は不明であるが、Ｎｉ−Ｐメッキしたサブストレートを例に挙げると以下のように推定される。
本発明の添加剤は、Ｎｉ−Ｐメッキされた表面を化学的に変化させる。このために、研磨によりサブストレート表面に付着したＮｉ−Ｐの切り粉や、研磨およびテクスチャー加工時に研磨材の引っかきにより発生したバリがもろくなり、リンス用組成物を含んだ研磨パッドで擦られることにより、除去されるものと考えられる。また、Ｎｉ−Ｐメッキの表面の化学的性質が変化し、Ｎｉ−Ｐの切り粉やスラリー中の砥粒が再付着しにくくなるものと考えられる。
【００２１】
＜リンス用組成物＞
本発明のリンス用組成物は、一般に前記の添加剤を所定量計量後、水に混合し、溶解させることにより調製する。これらの添加剤を水中に溶解させる方法は任意であり、例えば、翼式撹拌機で撹拌する方法、超音波分散により溶解させる方法、およびその他がある。
【００２２】
また、本発明のリンス用組成物の調製に際して、リンス用組成物の品質保持や安定化を図る目的のために、あるいは被加工物の種類、加工条件、リンス条件およびその他の工程上の必要に応じて、各種の公知補助添加剤を用いることができる。
【００２３】
このような補助添加剤の適当な例としては、
（イ）セルロース類、例えばセルロース、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、およびその他、
（ロ）水溶性アルコール類、例えばエタノール、プロパノール、エチレングリコール、およびその他、
（ハ）界面活性剤、例えばアルキルベンゼンスルホン酸ソーダおよびナフタリンスルホン酸のホルマリン縮合物、およびその他、
（ニ）有機ポリアニオン系物質、例えばリグニンスルホン酸塩、ポリアクリル酸塩、およびその他、
（ホ）水溶性高分子（乳化剤）類、例えばポリビニルアルコール、およびその他、
（ヘ）二酸化ケイ素類、例えばコロイダルシリカ、フュームドシリカ、およびその他、
（ト）酸化チタン類、例えば、チタニア、フュームドチタニア、およびその他、
（チ）酸化ジルコニウム類、例えばフュームドジルコニア、およびその他、
（リ）酸化アルミニウム類、例えばアルミナゾル、フュームドアルミナ、およびその他、
（ヌ）殺菌剤、例えばアルギン酸ナトリウム、炭酸水素カリウム、およびその他、
が挙げられる。
【００２４】
なお、本発明のリンス用組成物を調製するにあたり、添加剤の混合方法および混合順序は、本発明の効果を損なわない限り、特に限定されない。
また、本発明のリンス用組成物は、比較的高濃度の原液として調製して貯蔵または輸送などに供し、実際のリンス時に希釈して使用することもできる。前述の好ましい濃度範囲は、実際のリンス時のものとして記述したものであり、このような原液として調製した場合には、貯蔵または輸送などに供される状態においては、より高濃度の液状であることはいうまでもない。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のリンス用組成物を例を用いて具体的に説明する。なお、本発明は、その要旨を超えない限り、以下に説明する諸例の構成に限定されるものではない。
【００２６】
【実施例】
＜リンス用組成物の調製＞
表１に記載した添加剤を純水１リットルに対してそれそれ１０ｇ添加し、撹拌機を用いて所定量の水に分散させて、実施例１〜８に用いるリンス用組成物を調製した。
【００２７】
＜サブストレートの研磨＞
下記の条件に従い、研磨済サブストレートを作成した。研磨に用いる組成物は、酸化アルミニウム２０重量％、およびリンゴ酸１重量％（スラリーの重量を基準）からなるスラリーを純水で３倍に希釈したものを用いた。
研磨条件
被加工物              ３．５”Ｎｉ−Ｐサブストレート
加工枚数              １０枚
研磨機                両面研磨機９Ｂタイプ
加工圧力              ８０ｇ／ｃｍ3
定盤回転数            ６０ｒｐｍ
スラリー供給量        １００ｃｃ／分
研磨時間              ５分
【００２８】
＜リンス試験＞
前記の研磨加工終了後、直ちに以下の条件に切り換えて、実施例１〜８のリンス試験を行った。
なお、比較例１はリンス処理を行わず、比較例２はリンス用組成物として純水を用いて行った。
リンス条件
加工圧力              ４０ｇ／ｃｍ3
定盤回転数            ３０ｒｐｍ
リンス用組成物供給量  ３００ｃｃ／分
リンス時間            ３０秒
【００２９】
リンス処理終了後、サブストレートを常法により順次洗浄、乾燥した後、微分干渉顕微鏡（４００倍）にて、サブストレート表面にある、顕微鏡１視野あたりの微小突起を数えた。それぞれ１０視野について観察し、その平均を求めて微小突起［個／視野］とした。得られた結果は表１に示すとおりである。
【００３０】
0004141514.tif 000002
【００３１】
表１の結果から、本発明のリンス用組成物は、研磨により発生したサブストレート表面の微小突起が除去することが可能であることがわかる。また、本発明のリンス用組成物を使用した場合、スクラッチおよびピットが発生していないことがわかる。
【発明の効果】
本発明のリンス用組成物は、メモリーハードディスクのサブストレート作成時に発生する微小突起の除去が可能であり、微小突起以外の表面欠陥がない優れたサブストレート表面を得ることを可能にするものであり、また、スラリー中の砥粒の付着防止、洗浄設備への負担軽減、さらに作業環境の改善にも効果があることは、［発明の概要］の項に前記したとおりである。これにより、近年のメモリーハードディスクの高容量化、高記録密度化に必要とされる加工品質を実現することができる。