(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表裏両面に電極を形成してある基板を２枚の加熱プレートで挟み込み保持し、各加熱プレートに形成してある貫通孔にプローブを挿通させ、基板の両面の電極にプローブを接触させ、加熱させるとともに電圧をかけることにより分極をおこなうことを特徴とする分極処理方法。
【請求項２】
表裏両面に電極を形成してある基板を挟み込み保持する２枚の加熱プレートと、各加熱プレートに形成した貫通孔と、各加熱プレートの貫通孔に挿通させるとともに基板の両面の電極に接触させるプローブと、プローブに電圧を印加する電源とを備えて成ることを特徴とする分極処理装置。
【請求項３】
加熱プレートが、熱源盤と熱伝達板とから構成されて成ることを特徴とする請求項２記載の分極処理装置。
【請求項４】
下の熱伝達板の下に１個の熱源盤を配し、下の熱伝達板より上の熱伝達板に熱伝達可能に構成して成ることを特徴とする請求項３記載の分極処理装置。
【請求項５】
熱源盤と熱伝達板とが分離可能に構成されて成ることを特徴とする請求項３記載の分極処理装置。
【請求項６】
熱源盤と熱伝達板との接合箇所に凹溝及び凸条を備えた凹凸嵌合手段を備えて成ることを特徴とする請求項５記載の分極処理装置。
【請求項７】
加熱プレートに圧電材を使用することを特徴とする請求項２記載の分極処理装置。
【請求項８】
加熱プレートに熱伝導率の大きい材料を使用することを特徴とする請求項２記載の分極処理装置。
【請求項９】
加熱プレートに基板と同じ材料を使用することを特徴とする請求項２記載の分極処理装置。
【請求項１０】
加熱プレートに電気的な絶縁材料を使用することを特徴とする請求項２記載の分極処理装置。
【請求項１１】
プローブの位置を変更可能に構成して、接触圧を変更可能に構成して成ることを特徴とする請求項２記載の分極処理装置。
【請求項１２】
下の加熱プレートの上に導電性パッドを介して載置した基板の上に上の加熱プレートを配し、基板の上方からプローブを接触させるとともに、導電性パッドにプローブを上方から接触させて成ることを特徴とする請求項２記載の分極処理装置。
【請求項１３】
導電性パッドを基板の重要部分を避けて形成して成ることを特徴とする請求項１２記載の分極処理装置。
【請求項１４】
基板を挟む加熱プレートの挟み圧を調整する挟み圧調整手段を備えて成ることを特徴とする請求項２記載の分極処理装置。
【請求項１５】
挟み圧調整手段は、ばね力の調整によるものであることを特徴とする請求項１４記載の分極処理装置。
【請求項１６】
ばね力による挟み圧調整手段を備えた上下の加熱プレートの挟み治具の操作は、ワンタッチ操作にておこなえる構成にして成ることを特徴とする請求項１５記載の分極処理装置。
【請求項１７】
加熱プレートに通孔を形成し、基板とは反対側よりエアーを吹出して基板を加熱プレートから剥離する剥離手段を備えて成ることを特徴とする請求項２記載の分極処理装置。
【請求項１８】
加熱プレートに通孔を形成し、基板とは反対側よりイオン性のガスを含むエアーを吹付けて基板を加熱プレートから剥離する静電気中和型の剥離手段を形成して成ることを特徴とする請求項２記載の分極処理装置。
【請求項１９】
通孔を形成した加熱プレートに凹条を形成して成ることを特徴とする請求項１７又は１８記載の分極処理装置。
【請求項２０】
基板の両面に形成した電極に接触させるプローブを基板の両側に各複数本ずつ備えて成ることを特徴とする請求項２記載の分極処理装置。
【請求項２１】
基板の両面に形成した電極に接触するプローブ対毎に高電圧源を備えて成ることを特徴とする請求項２０記載の分極処理装置。
【請求項２２】
基板の両面に形成した電極に接触するプローブ対毎の高電圧源の極性を切換える手段を備えて成ることを特徴とする請求項２１記載の分極処理装置。
【請求項２３】
プローブの基板への接触圧あるいは接触位置を検出する手段を備えて成ることを特徴とする請求項１１記載の分極処理装置。
【請求項２４】
プローブの基板への接触圧を検出し、その検出値に応じて印加する電圧値を補正する手段をプローブ対に備えて成ることを特徴とする請求項２１又は２３記載の分極処理装置。
【請求項２５】
基板を挟み込んだ加熱プレートを真空槽内に設置し、真空槽内で電圧を印加する手段を備えて成ることを特徴とする請求項２記載の分極処理装置。
【請求項２６】
基板を挟み込んだ加熱プレートを真空槽内に設置し、真空槽内に電気的な絶縁性ガスを導入し、絶縁性ガス雰囲気中で電圧を印加する手段を備えて成ることを特徴とする請求項２５記載の分極処理装置。
【請求項２７】
プローブに電圧を印加する電圧印加回路に、電圧印加が終了した後に基板の両面の電極間を短絡するための回路切換装置を備えて成ることを特徴とする請求項２記載の分極処理装置。
【請求項２８】
プローブに電圧を印加する電圧印加回路に分極電流測定装置を備えて成ることを特徴とする請求項２記載の分極処理装置。
【請求項２９】
熱源盤と熱伝達板との間に冷却板を挿入自在に構成して成ることを特徴とする請求項５記載の分極処理装置。
【請求項３０】
基板を風冷するファンを備えて成ることを特徴とする請求項５記載の分極処理装置。
【請求項３１】
電極がパターン化された基板上の電極パターンの縁に電極の抵抗値を測定することができる抵抗測定用プローブを備えて成ることを特徴とする請求項２記載の分極処理装置。
【請求項３２】
抵抗測定用プローブが電圧印加用のプローブと兼ねて成ることを特徴とする請求項３１記載の分極処理装置。
【請求項３３】
基板の上下に複数本ずつ設けたプローブを電極の電気抵抗測定用プローブとして使用する際に、特定のプローブに対して他の各プローブ間の抵抗を測定するための切替え制御手段を備えて成ることを特徴とする請求項３２記載の分極処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、分極処理装置及びその装置に関し、詳しくは、焦電素子等の薄い基板の分極処理を分極反転を生じさせることなく確実におこなうとともに、分極処理装置を簡素化しようとする技術に係るものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、例えば、ＬｉＴａＯ3の結晶を引き上げたインゴットＡに電圧（例えば、５Ｖ／ｃｍ）を加えて分極処理をおこない、このようなインゴットＡから電界方向に分極軸を持つウエハＢを切り出すのである［図３５（ａ）参照］。そのウエハＢにスライス加工をおこなって所望の厚さ（例：数十μｍ）に研磨するのである［図３５（ｂ）参照］。その後、そのウエハに配線・電極を蒸着して素子を得るものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、従来においては、初期の段階で分極処理をおこなうことから、以後の工程中に分極反転が生じることがあり、又、電極を蒸着した部分だけを選択的に分極することができない等という問題があった。
【０００４】
本発明はこのような問題に鑑みてなされたものであり、分極処理を分極反転を生じさせることなく確実におこなうとともに、選択した部分の分極をおこなうことができ、かつ、分極処理装置を簡素化することができる分極処理方法及びその装置を提供することを課題とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
請求項１においては、表裏両面に電極３ａ，３ｂを形成してある基板１を２枚の加熱プレート２ａ，２ｂで挟み込み保持し、各加熱プレート２ａ，２ｂに形成してある貫通孔１７，１７にプローブ４ａ，４ｂを挿通させ、基板１の両面に形成した電極３ａ，３ｂにプローブ４ａ，４ｂを接触させ、加熱させるとともに電圧をかけることにより分極をおこなうことを特徴とするものである。このような構成によれば、２枚の加熱プレート２ａ，２ｂによって薄い基板１であっても変形させることなく保持することができ、各加熱プレート２ａ，２ｂの貫通孔１７，１７を通じて基板１の両面の電極３ａ，３ｂにプローブ４ａ，４ｂを安定的に当接させて電気的処理をおこなうことができ、かつ、上下の加熱プレート２ａ，２ｂによって基板１を上下から均一に加熱することから、薄い基板１においても割れを防止することができ、基板１内に温度差が生じることがなく、均一な分極処理がおこなえる。
【０００６】
請求項２においては、表裏両面に電極３ａ，３ｂを形成してある基板１を挟み込み保持する２枚の加熱プレート２ａ，２ｂと、各加熱プレート２ａ，２ｂに形成した貫通孔１７，１７と、各加熱プレート２ａ，２ｂの貫通孔１７，１７に挿通させるとともに基板１の両面に形成した電極３ａ，３ｂに接触させるプローブ４ａ，４ｂと、プローブ４ａ，４ｂに電圧を印加する電源とを備えていることを特徴とするものである。このような構成によれば、請求項１と同様な作用を得ることができる。
【０００７】
請求項３においては、加熱プレート２ａ，２ｂが、熱源盤５ａ，５ｂと熱伝達板６ａ，６ｂとから構成されていることを特徴とするものである。このような構成によれば、基板１の材料や分極処理条件によって熱伝達板６ａ，６ｂの材質を選択することができ、基板１の材料に応じた適正な分極処理がおこなえる。
【０００８】
請求項４においては、下の熱伝達板６ｂの下に１個の熱源盤５ｂを配し、下の熱伝達板６ｂより上の熱伝達板６ａに熱伝達可能に構成していることを特徴とするものである。このような構成によれば、１個の熱源盤５ｂによって上下の熱伝達板６ａ，６ｂを加熱することができ、装置を簡素化することができるとともに１個の熱源盤５ｂによって基板１を均一に加熱することができる。
【０００９】
請求項５においては、熱源盤５ａ，５ｂと熱伝達板６ａ，６ｂとが分離可能に構成されていることを特徴とするものである。このような構成によれば、熱伝達板６ａ，６ｂから熱源盤５ａ，５ｂを分離することで、基板１の冷却時間を短くできる。
【００１０】
請求項６においては、熱源盤５ａ，５ｂと熱伝達板６ａ，６ｂとの接合箇所に凹溝７及び凸条８を備えた凹凸嵌合手段９を備えていることを特徴とするものである。このような構成によれば、凹溝７及び凸条８を備えた凹凸嵌合手段９によって熱源盤５ａ，５ｂと熱伝達板６ａ，６ｂとの位置決めを正確におこなうことができながら、凹凸嵌合手段９の嵌合により熱伝導性を高めることができ、加熱時間を短縮することができ、かつ、凹溝７及び凸条８が冷却フィンの働きをすることから、冷却時間を短縮することができる。
【００１１】
請求項７においては、加熱プレート２ａ，２ｂに圧電材を使用することを特徴とするものである。このような構成によれば、誘電体の基板１は帯電しやすいが、加熱プレート２ａ，２ｂの圧電材によって電気的な引力・反発力を生じさせることができ、静電気を帯びた基板１の固定・剥離が容易になる。
【００１２】
請求項８においては、加熱プレート２ａ，２ｂに熱伝導率の大きい材料を使用することを特徴とするものである。このような構成によれば、加熱プレート２ａ，２ｂを例えば、窒化アルミのように鉄に比べて熱伝導の大きな材料にすることで、熱伝導性を高めることができて基板１を均一に加熱しやすくなり、均一な分極が可能になり、更に、加熱時の基板１の割れを防止することができる。
【００１３】
請求項９においては、加熱プレート２ａ，２ｂに基板１と同じ材料を使用することを特徴とするものである。このような構成によれば、基板１の加熱・冷却時に、基板１と加熱プレート２ａ，２ｂとが共に同じ量だけ膨張・収縮をするので、熱応力の発生を抑制することができる。
【００１４】
請求項１０においては、加熱プレート２ａ，２ｂに電気的な絶縁材料を使用することを特徴とするものである。このような構成によれば、例えば、基板１に形成された電極部のみを選択的に分極することが可能であり、更に、絶縁距離を長くとることができることから、プローブ４ａ，４ｂに高電圧を印加することが可能である。
【００１５】
請求項１１においては、プローブ４ａ，４ｂの位置を変更可能に構成して、接触圧を変更可能に構成していることを特徴とするものである。このような構成によれば、基板１への接触圧を調整することにより、基板１の変形量や電気的接触状態の調整が可能となる。
【００１６】
請求項１２においては、下の加熱プレート２ｂの上に導電性パッド１０を介して載置した基板１の上に上の加熱プレート２ａを配し、基板１の上方からプローブ４ａを接触させるとともに、導電性パッド１０にプローブ４ｂを上方から接触させていることを特徴とするものである。このような構成によれば、一対のプローブ４ａ，４ｂを共に上方から接触させることができて、装置を簡素化することができる。
【００１７】
請求項１３においては、導電性パッド１０を基板１の重要部分１１を避けて形成していることを特徴とするものである。このような構成によれば、基板１の表裏に高電圧を印加させることができ、したがって、分極処理が可能になる。
【００１８】
請求項１４においては、基板１を挟む加熱プレート２ａ，２ｂの挟み圧を調整する挟み圧調整手段１２を備えていることを特徴とするものである。このような構成によれば、基板１の挟み圧を調整することによって、材料に応じた適正な挟み圧で加熱プレート２ａ，２ｂによって挟むことができ、基板１を適正に挟み、プローブ４ａ，４ｂを適正な接触力にて接触させることができる。
【００１９】
請求項１５においては、挟み圧調整手段１２は、ばね力の調整によることを特徴とするものである。このような構成によれば、ばね力によって挟み圧を容易に調整することができながら、例えば、コイルスプリング３１を使用する場合には、挟み圧調整手段１２を加熱プレート２ａに対してコンパクトに一体化することができる。
【００２０】
請求項１６においては、ばね力による挟み圧調整手段１２を備えた上下の加熱プレート２ａ，２ｂの挟み治具２６の操作は、ワンタッチ操作にておこなえる構成にしてあることを特徴とするものである。このような構成によれば、挟み操作をワンタッチにておこなうことができ、操作性を高めることができる。
【００２１】
請求項１７においては、加熱プレート２ａに通孔１３を形成し、基板１とは反対側よりエアーを吹出して基板１を加熱プレート２ａから剥離する剥離手段１４を備えていることを特徴とするものである。このような構成によれば、加熱プレート２ａの通孔１３から吹出すエアーによって基板１を加熱プレート２ａから容易に剥離することができる。
【００２２】
請求項１８においては、加熱プレート２ａに通孔１３を形成し、基板１とは反対側よりイオン性のガスを含むエアーを吹付けて基板１を加熱プレート２ａから剥離する静電気中和型の剥離手段１５を形成していることを特徴とするものである。このような構成によれば、基板１が帯電しても加熱プレート２ａの通孔１３から吹出されるイオン性のガスによって帯電を中和させることができ、簡単に加熱プレート２ａから基板１を剥離させることができる。
【００２３】
請求項１９においては、通孔１３を形成した加熱プレート２ａに凹条１６を形成していることを特徴とするものである。このような構成によれば、基板１が帯電していても、加熱プレート２ａとの接触面積が凹条１６によって小さくなるので、帯電による吸着面積が小さくなるとともに、エアーが凹条１６を介して回り込むことによって、基板１を簡単に剥離することができる。
【００２４】
請求項２０においては、基板１の両面に形成した電極３ａ，３ｂに接触させるプローブ４ａ，４ｂを基板１の両側に各複数本ずつ備えていることを特徴とするものである。このような構成によれば、表裏に電極３ａ，３ｂを形成した１枚の基板１に両面から複数本ずつのプローブ４ａ，４ｂを接触させるのであり、１本のプローブ４ａ1が電極３ａに接触していなくても、他のプローブ４ａ2が存在していることから、他のプローブ４ａ2が接触することができて電極３ａに対する接触の信頼性を高める。
【００２５】
請求項２１においては、基板１の両面に形成した電極３ａ，３ｂに接触するプローブ４ａ，４ｂ対毎に高電圧源３２を備えていることを特徴とするものである。このような構成によれば、高電圧源３２によるプローブ４ａ，４ｂ対毎の印加電圧を異ならせることができ、例えば、１枚の基板１内に形成した各分極エリアにおいて印加電圧値の異なる素子を得ることができ、又、例えば、加熱プレート２ａ，２ｂ内に複数個の基板１，１をセットし、複数の基板１，１を異なった印加電圧値で処理することができる。
【００２６】
請求項２２においては、基板１の両面に形成した電極３ａ，３ｂに接触するプローブ４ａ，４ｂ対毎の高電圧源３２の極性を切換える手段を備えていることを特徴とするものである。このような構成によれば、プローブ４ａ，４ｂ対毎に電圧を印加する極性を切換えることで、分極の方向がエリアによって異なる素子を容易に製造することができ、かつ、印加する電圧の極性を切換えて複数回にわたって電圧印加をおこなうことができ、より分極率の高い基板１、または、素子をつくることができる。
【００２７】
請求項２３においては、プローブ４ａ，４ｂの基板１への接触圧あるいは接触位置を検出する手段３３を備えていることを特徴とするものである。このような構成によれば、プローブ４ａ，４ｂの基板１への接触圧あるいは接触位置に起因して基板１の厚みを相対的に検出することができ、個々の基板１，１の厚みが未知であっても、基板１，１の厚みの違いに対して補正をおこなうことで、特定の電圧条件で分極処理ができる。
【００２８】
請求項２４においては、プローブ４ａ，４ｂの基板１への接触圧を検出し、その検出値に応じて印加する電圧値を補正する手段３４をプローブ４ａ，４ｂ対に備えていることを特徴とするものである。このような構成によれば、基板１の厚みの違いを検出し、厚みの違いに応じて印加する電圧値を補正することにより、厚みの異なる複数枚を同時に処理することができる。
【００２９】
請求項２５においては、基板１を挟み込んだ加熱プレート２ａ，２ｂを真空槽３５内に設置し、真空槽３５内で電圧を印加する手段を備えていることを特徴とするものである。このような構成によれば、例えば、数１０μｍのように薄い基板１に対向させた電極３ａ，３ｂに高電圧を印加させても真空槽３５内であることから、放電が生じないため、放電による衝撃で基板１に損傷が生じることがない。
【００３０】
請求項２６においては、基板１を挟み込んだ加熱プレート２ａ，２ｂを真空槽３５内に設置し、真空槽３５内に電気的な絶縁性ガスを導入し、絶縁性ガス雰囲気中で電圧を印加する手段を備えていることを特徴とするものである。このような構成によれば、高電圧を印加させても真空槽３５内であるから放電が生じず、特に、絶縁性ガスにて覆っていることから、二次的な放電による基板１自身の絶縁破壊を防止することができる。
【００３１】
請求項２７においては、プローブ４ａ，４ｂに電圧を印加する電圧印加回路に、電圧印加が終了した後に基板１の両面の電極３ａ，３ｂ間を短絡するための回路切換装置４７を備えていることを特徴とするものである。このような構成によれば、電圧を印加し終えた後の基板１が、冷却時に基板１自身の逆帯電によって分極反転するのを防ぐことができ、分極率の低下を防ぐことができ、更に、短絡手段を電圧印加と同一の装置に組み込むことで装置全体が簡略化できる。
【００３２】
請求項２８においては、プローブ４ａ，４ｂに電圧を印加する電圧印加回路に分極電流測定装置３６を備えていることを特徴とするものである。このような構成によれば、電圧印加回路に流れる電流値を時間的にモニタリングすることができ、電圧印加時の異常を発見（不良判定）することができ、かつ、電圧印加時間を制御することができる。
【００３３】
請求項２９においては、熱源盤５ａ，５ｂと熱伝達板６ａ，６ｂとの間に冷却板３７を挿入自在に構成していることを特徴とするものである。このような構成によれば、冷却板３７の挿入によって、基板１の冷却を、一層、短縮することができ、かつ、例えば、材質、厚みを選定した特定の冷却板３７を使用することで、一定の温度勾配で基板１を冷却することができ、急冷による基板１の割れを防ぐことができる。
【００３４】
請求項３０においては、基板１を風冷するファン３８を備えていることを特徴とするものである。このような構成によれば、基板１の冷却時間を、一層、短縮し、かつ、ファン３８の回転数を調節することにより、冷却の温度勾配を変化させることができる。
【００３５】
請求項３１においては、電極３ａ，３ｂがパターン化された基板１上の電極パターンの縁に電極３ａ，３ｂの抵抗値を測定することができる抵抗測定用プローブ３９，３９を備えていることを特徴とするものである。このような構成によれば、抵抗測定用プローブ３９，３９によって電極３ａ，３ｂの抵抗を測定することができ、電極３ａ，３ｂのパターン切れ、厚み不良を検知することができ、かつ、基板１による電極３ａ，３ｂの抵抗値の違いにより、電圧印加時の抵抗での電圧降下分の補正をすることができ、しかも、処理前後（電圧印加前後）に測定することで、処理中のパターン切れを検知することができ、処理の良否判定をおこなうことができる。
【００３６】
請求項３２においては、抵抗測定用プローブ３９，３９が電圧印加用のプローブ４ａ，４ｂと兼ねていることを特徴とするものである。このような構成によれば、装置を簡略化できるとともに、対となる上下のプローブ３９，３９をつなぐことで、基板１の絶縁性のチェックができる。
【００３７】
請求項３３においては、基板１の上下に複数本ずつ設けたプローブ４ａ，４ｂを電気抵抗測定用プローブ３９，３９として使用する際に、特定のプローブ４ａ1に対して他の各プローブ４ａ2間の抵抗を測定するための切替え制御手段４０を備えていることを特徴とするものである。このような構成によれば、各プローブ３９，３９間の抵抗値が測定でき、特定エリアでの電極３ａ，３ｂの異常を判定することができる。
【００３８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を説明する。図１（ａ）は概略断面図、同図（ｂ）は基板の平面図、同図（ｃ）は側面図、図２は概略断面図である。
【００３９】
分極処理装置は、基板１を挟み込み保持する２枚の加熱プレート２ａ，２ｂと、基板１の両面に形成した電極３ａ，３ｂに接触させるプローブ４ａ，４ｂと、プローブ４ａ，４ｂに電圧を印加する電源とを備えている。
【００４０】
基板１は、例えば、ＬｉＴａＯ3のインゴットをスライスしたものであり、基板１の表裏に、例えば、蒸着やメッキによる金属膜を付設して電極３ａ，３ｂを形成している。
【００４１】
図２に示すように、２枚の加熱プレート２ａ，２ｂには貫通孔１７，１７が形成されてプローブ４ａ，４ｂを挿通することができるようにしている。例えば、端部に大径部１９ａを形成した支軸１９が治具１８に昇降自在に保持され、支軸１９の他端にプローブ４ａが保持され、コイルスプリング２０によって支軸１９が突出付勢され、大径部１９ａによって一定以上の突出を阻止している。このように、プローブ４ａを下方に弾性付勢するとともに伸縮自在に保持する構成は種々設計変更することができきるものである。又、２枚の加熱プレート２ａ，２ｂはボルト止めのような締付け手段２１によって固定することができるようにしている。
【００４２】
しかして、２枚の加熱プレート２ａ，２ｂを締付け手段２１によって固定して加熱プレート２ａ，２ｂ間に基板１を挟み込み保持するのであり、コイルスプリング２０によって付勢されたプローブ４ａ，４ｂが基板１の両面の電極３ａ，３ｂに接触するのであり、又、交流電源より通電させて加熱プレート２ａ，２ｂによって加熱するとともにプローブ４ａ，４ｂに電圧をかけることにより分極をおこなうのである。
【００４３】
このように、２枚の加熱プレート２ａ，２ｂによって薄い基板１であっても変形させることなく保持することができるのであり、基板１にプローブ４ａ，４ｂを安定的に当接させて電気的処理をおこなうことができるのであり、しかも、上下の加熱プレート２ａ，２ｂによって基板１を上下から均一に加熱することから、薄い基板１においても割れを防止することができ、基板１内に温度差が生じることがなく、均一な分極処理がおこなえるのである。
【００４４】
図３は他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【００４５】
本実施の形態においては、加熱プレート２ａ，２ｂを、熱源盤５ａ，５ｂと熱伝達板６ａ，６ｂとから構成したものであり、基板１の材料や分極処理条件によって熱伝達板６ａ，６ｂの材質を選択することができ、基板１の材料に応じた適正な分極処理がおこなえるものである。
【００４６】
図４は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【００４７】
本実施の形態においては、下の熱伝達板６ｂの下に１個の熱源盤５ｂを配し、下の熱伝達板６ｂの両端部に伝熱起立部２２，２２を形成し、両伝熱起立部２２，２２間に上の熱伝達板６ａを挿入して当接することで、下の熱伝達板６ｂより上の熱伝達板６ａに熱伝達可能に構成したものである。
【００４８】
本実施の形態においては、１個の熱源盤５ｂによって上下の熱伝達板６ａ，６ｂを加熱することができるのであり、装置を簡素化することができるとともに１個の熱源盤５ｂによって基板１を均一に加熱することができるものである。
【００４９】
図５は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【００５０】
本実施の形態においては、熱源盤５ａ，５ｂと熱伝達板６ａ，６ｂとが分離可能に構成されている。
【００５１】
本実施の形態においては、熱伝達板６ａ，６ｂから熱源盤５ａ，５ｂを分離することで、基板１の冷却時間を短くできるものである。
【００５２】
図６は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【００５３】
本実施の形態においては、熱源盤５ａ，５ｂと熱伝達板６ａ，６ｂとの接合箇所に凹溝７及び凸条８を備えた凹凸嵌合手段９を備えている。
【００５４】
本実施の形態においては、凹溝７及び凸条８を備えた凹凸嵌合手段９によって熱源盤５ａ，５ｂと熱伝達板６ａ，６ｂとの位置決めを正確におこなうことができながら、凹凸嵌合手段９の嵌合により熱伝導性を高めることができ、加熱時間を短縮することができ、かつ、凹溝７及び凸条８が冷却フィンの働きをすることから、冷却時間を短縮することができるものである。
【００５５】
図７は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【００５６】
本実施の形態においては、加熱プレート２ｂに圧電材を使用するものである。圧電材としては、例えば、ＰＺＴを用いる。加熱プレート２ｂの両側には例えば、シリンダー（図示せず）を配して圧縮・引張り力を付与するようにしている。
【００５７】
本実施の形態においては、同図（ｂ）に示すように、圧電材の加熱プレート２ｂに基板１の分極方向イとは反発する斥力ロが生じるように引張り力ハを付与して加熱プレート２ｂに図示するような電界の向きニを生じさせるものである。又、同図（ａ）に示すように、圧電材の加熱プレート２ｂに基板１の分極方向イとは引力ホが生じるように圧縮力トを付与して加熱プレート２ｂに図示するような電界の向きチを生じさせるものである。
【００５８】
本実施の形態においては、誘電体の基板１は帯電しやすいが、加熱プレート２ｂの圧電材によって電気的な引力・反発力を生じさせることができ、静電気を帯びた基板１の固定・剥離が容易になるものである。
【００５９】
ところで、加熱プレート２ａ，２ｂに例えば、窒化アルミのように鉄に比べて熱伝導の大きな材料のものを使用することで、熱伝導性を高めることができて基板１を均一に加熱しやすくなり、均一な分極が可能になり、更に、加熱時の基板１の割れを防止することができるものである。
【００６０】
更に、加熱プレート２ａ，２ｂに基板１と同じ材料、例えば、ＬｉＴａＯ3を使用したり、又、ＰＺＴを使用したりすることができる。
【００６１】
このような実施の形態においては、基板１の加熱・冷却時に、基板１と加熱プレート２ａ，２ｂとが共に同じ量だけ膨張・収縮をするので、熱応力の発生を抑制することができるものである。
【００６２】
図８は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【００６３】
本実施の形態においては、加熱プレート２ａ，２ｂに電気的な絶縁材料を使用するものである。具体的には、加熱プレート２ａ，２ｂとして、窒化アルミのセラミック板等を使用するのであり、プローブ４ａ，４ｂに高電圧源を接続して、高電圧をかけることが可能となり、加熱プレート２ａ，２ｂが絶縁材なので、例えば、基板１に形成された電極部のみを選択的に分極することが可能になるのであり、更に、絶縁距離を長くとることができることから、プローブ４ａ，４ｂに、一層、高電圧を印加することが可能になるのである。
【００６４】
図９は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【００６５】
本実施の形態においては、図２の実施の形態のように、端部に大径部１９ａを形成した支軸１９が治具１８に昇降自在に保持され、支軸１９の他端にプローブ４ａが保持され、コイルスプリング２０によって支軸１９が突出付勢され、大径部１９ａによって一定以上の突出を阻止している。更に、治具１８が昇降機構（図示せず）によって昇降可能に構成されていて、プローブ４ａの上下位置を変更することで、加熱プレート２ａからの出代を調整して基板１への接触圧を変更することができるものである。つまり、治具１８を昇降させてプローブ４ａの位置を変更して加熱プレート２ａからの出代を変更することで、加熱プレート２ａの加熱面に当接する基板１にプローブ４ａを弾接する際に、コイルスプリング２０を圧縮する量を変更して、プローブ４ａが基板１に接触する接触圧を変更するのである。
【００６６】
本実施の形態においては、基板１への接触圧を調整することにより、基板１の変形量や電気的接触状態の調整が可能となるのである。
【００６７】
図１０は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【００６８】
本実施の形態においては、下の加熱プレート２ｂの上に蒸着やメッキによる金属膜の導電性パッド１０を介して載置した基板１の上に加熱プレート２ａを配し、基板１の上方からプローブ４ａを接触させるようにしたものである。下の加熱プレート２ｂは、絶縁材料のもの、又は、導電性材料のものを用いる。
【００６９】
本実施の形態においては、導電性パッド１０にプローブ４ａ，４ｂを上方から接触させていることから、一対のプローブ４ａ，４ｂを共に上方から接触させることができて、装置を簡素化することができるものである。又、このような構成によれば、基板１の表裏に高電圧を印加することができ、選択的に分極が可能になる。
【００７０】
図１１は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【００７１】
本実施の形態においては、下の加熱プレート２ｂに、例えば蒸着やメッキによる金属膜の導電性パッド１０を基板１の重要部分１１（例えば、素子部）を避けて形成したものである。
【００７２】
このような構成によれば、基板１の上方からプローブ４ａ，４ｂを接触させるのであり、導電性パッド１０を基板１の重要部分１１（例えば、素子部）を避けて形成していて、装置が簡素化でき、基板１の表裏に高電圧を印加させることができ、したがって、分極処理が可能になるものである。
【００７３】
図１２は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【００７４】
本実施の形態においては、基板１を挟む加熱プレート２ａ，２ｂの挟み圧を調整する挟み圧調整手段１２を備えているものである。具体的には、下の加熱プレート２ｂにねじ込んだ治具棒２３にカラー２４を挿通し、カラー２４に、例えば、シリンダー（図示せず）のような挟み圧調整具より加圧をおこなって基板１の挟み圧を調整するようにしたものである。
【００７５】
本実施の形態においては、基板１の挟み圧を調整することによって、材料に応じた適正な挟み圧で加熱プレート２ａ，２ｂによって挟むことができ、基板１を適正に挟み、プローブ４ａ，４ｂを適正な接触力にて接触させることができるものである。
【００７６】
図１３は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【００７７】
本実施の形態においては、挟み圧調整手段１２は、ばね力の調整によるようにしたものである。具体的には、治具棒２３を下の加熱プレート２ｂにねじ込み、治具棒２３にカラー２４及びコイルスプリング３１を挿通し、治具棒２３にねじ込んだナット２５をねじ昇降させることで、コイルスプリング３１の圧縮量を変更することによって基板１の挟み圧を調整するようにしたものである。
【００７８】
本実施の形態においては、ばね力によって挟み圧を容易に調整することができながら、例えば、コイルスプリング３１を使用することで、挟み圧調整手段１２を加熱プレート２ａに対してコンパクトに一体化することができるものである。
【００７９】
図１４は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【００８０】
本実施の形態においては、ばね力による挟み圧調整手段１２を備えた上下の加熱プレート２ａ，２ｂの挟み治具２６の操作は、ワンタッチ操作にておこなえる構成にしたものである。具体的には、上の加熱プレート２ａに丸形の貫通孔２７を、下の加熱プレート２ｂに長孔２８を形成し、貫通孔２７及び長孔２８に挿通される治具棒２３の下端に小判形の大径部２９を形成したものである。
【００８１】
本実施の形態においては、小判形の大径部２９を長孔２８に通過させた後、治具棒２３を回転させて同図（ｃ）に示すように、大径部２９によって抜止めを図るのであり、このように、ばね力による挟み圧調整手段１２を備えた上下の加熱プレート２ａ，２ｂの挟み治具２６の操作をワンタッチ操作にておこなえるようにしたものである。
【００８２】
本実施の形態においては、上下の加熱プレート２ａ，２ｂの挟み操作をワンタッチにておこなえて、操作性を高めることができるものである。
【００８３】
図１５は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【００８４】
本実施の形態においては、加熱プレート２ａに通孔１３を形成し、基板１とは反対側よりエアーを吹出して基板１を加熱プレート２ａから剥離する剥離手段１４を備えたものである。
【００８５】
本実施の形態においては、加熱プレート２ａの通孔１３から吹出すエアーによって基板１を加熱プレート２ａから容易に剥離することができるものである。
【００８６】
図１６は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【００８７】
本実施の形態においては、加熱プレート２ａに通孔１３を形成し、基板１とは反対側よりイオン性のガスを含むエアーを吹付けて基板１を加熱プレート２ａから剥離する静電気中和型の剥離手段１５を形成したものである。具体的には、中空構造とした加熱プレート２ａ内に密閉型のイオン発生装置３０を配設し、通孔１３よりイオン性のガスを含むエアーを吹付けて基板１の静電気を中和して基板１を円滑に剥離するようにしたものである。
【００８８】
本実施の形態においては、基板１が帯電しても加熱プレート２ａの通孔１３から吹出されるイオン性のガスによって帯電を中和させることができ、簡単に加熱プレート２ａから基板１を容易に剥離させることができるものである。
【００８９】
図１７は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【００９０】
本実施の形態においては、通孔１３を形成した加熱プレート２ａに多数本の凹条１６を形成したものである。
【００９１】
本実施の形態においては、基板１が帯電していても、加熱プレート２ａとの接触面積が多数本の凹条１６によって小さくなるので、帯電による吸着面積が小さくなるとともに、エアーが凹条１６を介して回り込むことによって、基板１を簡単に剥離することができるものである。
【００９２】
図１８は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【００９３】
本実施の形態においては、基板１の両面に形成した電極３ａに接触させるプローブ４ａ，４ｂを基板１の両側に各複数本ずつ備えているものである。
【００９４】
本実施の形態においては、表裏に電極３ａを形成した１枚の基板１に両面から複数本ずつのプローブ４ａ，４ｂを接触させるのであり、例えば１本のプローブ４ａ1が電極３ａに接触していなくても、他のプローブ４ａ2，４ａ3，４ａ4が存在していることから、他のプローブ４ａ2，４ａ3，４ａ4のうちの一つが接触していればよくて電極３ａに対する接触の信頼性を高めることができるのである。
【００９５】
しかして、図１８（ａ）に示すように、電極３ａに切れ目４２やひび４３や割れが生じて電極パターンが切れている場合でも、プローブ４ａ1，４ａ2，４ａ3，４ａ4…複数個あり、かつ、切れ目４２のつくる各電極パターン領域に少なくとも１本のプローブ４ａ1（４ａ2）接触していれば電圧は印加され、分極処理がおこなえるのである。
【００９６】
更に、図１８（ｂ）に示すように、電極３ａとプローブ４ａ1との間にごみ等の異物イが存在している場合や、同図（ｃ）に示すように、電極３ａの厚みの異常によって隙間ニが生じていて接触不良が生じていても、表裏に少なくも１対ずつプローブ４ａ2，４ｂが電極３ａ，３ｂに接触していれば基板１には電圧が印加されて分極処理がおこなえる。符号ロは素子の１個分を示す。
【００９７】
図１９（ａ）は更に他の実施の形態を示し、本実施の形態においては、同一の加熱プレ−ト２ｂ（上の加熱プレート２ａは図示していない）内に複数個の基板１…を配して同時に処理するようにしたものである。同図（ｂ）は更に他の実施の形態を示し、基板１に形成する電極３ａ1，３ａ2，３ａ3，３ａ4が全てつながっていないように電極パターンを複数に分け、各エリアで条件の異なる電極（材質、厚み）３ａ1，３ａ2，３ａ3，３ａ4を形成することで同一の基板１より電極構成の異なる素子を得ることができる。
【００９８】
図２０は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【００９９】
本実施の形態においては、基板１の両面に形成した電極３ａに接触するプローブ４ａ，４ｂ対毎に高電圧源３２…を備えたものである。
【０１００】
本実施の形態においては、同図（ｂ）に示すように、基板１に形成する電極３ａ1，３ａ2，３ａ3，３ａ4が全てつながっていないように電極パターンを複数に分けて分極エリアを形成し、各エリアに上下１本ずつのプローブ４ａ，４ｂを接触させ、かつ、同図（ａ）に示すように、各プローブ４ａ，４ｂ対を１個の高電圧源３２につなぎ、各エリア毎に個別に印加する電圧値を設定する。電圧印加後、基板１を複数個に分割し、同一の基板１から印加電圧値の異なる素子を得る。
【０１０１】
図２１は更に他の実施の形態を示し、本実施の形態においては、同一の加熱プレ−ト２ｂ（上の加熱プレート２ａは図示していない）内に複数個の基板１…をセットし、各基板１に上下１本ずつプローブ４ａ，４ｂを接触させ、各プローブ４ａ，４ｂ対につながっている高電圧源３２により基板１別に電圧値を設定して同時に処理するようにしたものである。
【０１０２】
図２２は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【０１０３】
本実施の形態においては、基板１の両面に形成した電極３ａに接触するプローブ４ａ，４ｂ対毎の高電圧源３２の極性を切換える手段を備えているものである。
【０１０４】
本実施の形態においては、プローブ４ａ，４ｂ対毎に電圧を印加する極性を切換えることで、同図（ｃ）に示すように、分極の方向がエリアによって異なる素子を容易に製造することができるのである。又、図２３（ａ）乃至（ｃ）に示すように、印加する電圧の極性を時間によって切換え、複数回にわたって電圧を印加することができ、より分極率の高い基板１、または、素子をつくることができる。
【０１０５】
図２４は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【０１０６】
本実施の形態においては、プローブ４ａ，４ｂの基板１への接触圧あるいは接触位置を検出する手段３３を備えているものである。
【０１０７】
本実施の形態においては、図２に示す実施の形態において、図２４（ａ）に示すように、コイルスプリング２０にて付勢されている治具１８に接触圧を検出する手段３３としての圧力センサー４４を設けてあって、圧力センサー４４によって、プローブ４ａの基板１への接触圧を検出し、この検出結果に基いて、基板１毎の僅かな厚みの違い（基板１の厚みの１０％程度、例えば、数１０μｍ厚の基板１では数μｍのばらつき）を補正するようにして、特定の電圧条件で分極処理ができるようにしたものである。
【０１０８】
図２４（ｂ）は他の実施の形態を示し、接触位置を検出する手段３３としてプローブ４ａの位置を検出する位置センサー５９を設けてあって、プローブ４ａの基板１への接触方向の位置を検出し、その検出結果に基いて、基板１毎の僅かな厚みの違いを補正するようにして、特定の電圧条件で分極処理ができるようにしたものである。
【０１０９】
図２５は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【０１１０】
本実施の形態においては、プローブ４ａ，４ｂの基板１への接触圧を検出し、その検出値に応じて印加する電圧値を補正する手段３４をプローブ４ａ，４ｂ対に備えているものである。
【０１１１】
具体的には、図２５（ａ）に示すように、各プローブ４ａ，４ｂ毎に得られる圧力信号を入力するとともに印加する電圧値を補正する手段３４としての制御回路３４ａを設け、入力された圧力信号に基いて補正する電圧値を決定し、高電圧源３２の出力をコントロールして、厚みの異なる複数枚を同時に処理できるようにしたものである。
【０１１２】
ところで、同図（ｂ）に示すように、接触位置を検出する手段３３としてプローブ４ａの位置を検出する位置センサー５９を設け、プローブ４ａの基板１への接触方向の位置を検出し、その検出結果を制御回路３４ａに入力し、入力された位置信号に基いて補正する電圧値を決定し、高電圧源３２の出力をコントロールして、厚みの異なる複数枚を同時に処理できるようにしたものである。
【０１１３】
図２６は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【０１１４】
本実施の形態においては、基板１を挟み込んだ加熱プレート２ａ，２ｂを真空槽３５内に設置し、真空槽３５内で電圧を印加する手段を備えているものである。
【０１１５】
具体的には、例えば、油回転ポンプを真空ポンプ４５として減圧される真空槽３５内に分極処理装置を収納し、プローブ４ａ，４ｂからの導線を電流導入端子４６を介して高電圧源３２につないだものである。
【０１１６】
本実施の形態によれば、例えば、数１０μｍのように薄い基板１に対向させた電極３ａ，３ｂに高電圧を印加させても真空槽３５内であることから、放電が生じないため、放電による衝撃で基板１に損傷が生じることがないものである。
【０１１７】
図２７は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【０１１８】
本実施の形態においては、基板１を挟み込んだ加熱プレート２ａ，２ｂを真空槽３５内に設置し、真空槽３５内に電気的な絶縁性ガスを導入し、絶縁性ガス雰囲気中で電圧を印加する手段を備えたものである。
【０１１９】
具体的には、例えば、油回転ポンプを真空ポンプ４５として減圧される真空槽３５内に分極処理装置を収納し、プローブ４ａ，４ｂからの導線を電流導入端子４６を介して高電圧源３２につなぎ、真空槽３５内を数Ｐａ程度にまで減圧させる。減圧後、絶縁ガスボンベ６０から電気的な絶縁性ガス（例えば、六弗化硫黄、六弗化硫黄と窒素の混合ガス）を数１００Ｐａ程度に導入する。
【０１２０】
本実施の形態によれば、高電圧を印加させても真空槽３５内であるから放電が生じず、特に、絶縁性ガスにて覆っていることから、二次的な放電による基板１自身の絶縁破壊を防止することができる。
【０１２１】
図２８は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【０１２２】
本実施の形態においては、プローブ４ａ，４ｂに電圧を印加する電圧印加回路に、基板１に形成した電極３ａ，３ｂ間を短絡する回路を備えているものである。
【０１２３】
具体的には、高電圧源３２による電圧印加が終了した後、例えばトグルスイッチやリレーなどを使用する回路切換装置４７によって電極３ａ，３ｂ間を短絡するように切換えるようにしたものである。
【０１２４】
本実施の形態によれば、電圧を印加し終えた後の基板１が、冷却時に基板１自身の逆帯電によって分極反転するのを防ぐことができ、分極率の低下を防ぐことができ、更に、短絡手段を電圧印加と同一の装置に組み込むことで装置全体が簡略化できるのである。
【０１２５】
図２９は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【０１２６】
本実施の形態においては、プローブ４ａ，４ｂに電圧を印加する電圧印加回路に分極電流測定装置３６を備えているものである。
【０１２７】
具体的には、電圧印加回路に抵抗５２を直列に挿入して、その抵抗５２にかかる電圧値を電圧印加回路に流れる電流値として電流モニタリング装置４８によって、時間的にモニタリングするのであり、データ蓄積装置４９、データ表示装置５０を介して電圧印加回路に流れる電流値の良否判定を良否判定制御装置５１によっておこなうのであり、電流値が図２９（ｂ）に示すように、例えば、▲１▼上限値を越えた場合、又、▲２▼時間が経過しても下限値に達しない場合には不良判定がなされて印加電圧が停止される。更に、図２９（ｃ）に示すように、電圧印加回路に流れる電流値を時間的にモニタリングして、データ蓄積装置４９、データ表示装置５０を介して、収束基準値と対比して電流値収束判定がおこなわれ、判定結果にて印加電圧が停止されるのであり、電圧印加時間を制御することができるものである。
【０１２８】
図３０は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【０１２９】
本実施の形態においては、加熱プレート２ａ，２ｂを、熱源盤５ａ，５ｂと熱伝達板６ａ，６ｂとから構成し、熱源盤５ａ，５ｂと熱伝達板６ａ，６ｂとの間に冷却板３７を挿入自在に構成したものである。
【０１３０】
本実施の形態においては、冷却板３７の挿入によって、基板１の冷却を、一層、短縮することができるのであり、かつ、例えば、材質、厚みを選定した特定の冷却板３７を使用することで、一定の温度勾配で基板１を冷却することができ、急冷による基板１の割れを防ぐことができるのである。
【０１３１】
図３１は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【０１３２】
本実施の形態においては、加熱プレート２ａ，２ｂを、熱源盤５ａ，５ｂと熱伝達板６ａ，６ｂとから構成し、熱電対５３によって基板１の温度をモニタリングして、その温度の検出結果が入力される制御回路５４によって、基板１を風冷するファン３８の回転数を調節して、熱伝達板６ａ，６ｂから熱源盤５ａ，５ｂが離れたスペースに送風をおこなって温度低下する基板１の温度勾配を調節するようにしたものである。
【０１３３】
図３２は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【０１３４】
本実施の形態においては、電極３ａがパターン化された基板１上の電極パターンの縁に抵抗測定用電極パッド５５，５５を電極３ａに電気的に導通させて設け、これら抵抗測定用電極パッド５５，５５に抵抗測定用プローブ３９，３９を接触させて電極３ａの抵抗値を測定するようにしたものである。電圧印加用のプローブ４ａ，４ｂは抵抗測定用電極パッド５５，５５とは別に設けている。
【０１３５】
本実施の形態においては、抵抗測定用プローブ３９，３９によって各電極３ａ，３ｂの抵抗を測定することができ、電極３ａ，３ｂのパターン切れ、厚み不良を検知することができ、かつ、基板１による電極３ａ，３ｂの抵抗値の違いにより、電圧印加時の抵抗での電圧降下分の補正をすることができ、しかも、処理前後（電圧印加前後）に測定することで、処理中のパターン切れを検知することができ、処理の良否判定をおこなうことができるものである。
【０１３６】
図３３は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【０１３７】
本実施の形態においては、抵抗測定用プローブ３９，３９が電圧印加用のプローブ４ａ，４ｂと兼ねているものである。
【０１３８】
具体的には、高電圧源３２と抵抗測定装置５６とを切換えスイッチ５７による切換えによって、抵抗測定用プローブ３９，３９とする状態と電圧印加用のプローブ４ａ，４ｂとする状態とに切換えるものである。
【０１３９】
本実施の形態においては、装置を簡略化できるとともに、対となる上下のプローブ３９，３９をつないで基板１の抵抗を測定することで、基板１の絶縁性のチェックができるものである。つまり、図３３（ｃ）に示すように、基板１に割れが生じていてこの箇所に電極材料ホが回り込んだ場合、回路は短絡することになり、基板１の絶縁性のチェックができるのである。
【０１４０】
図３４は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【０１４１】
本実施の形態においては、基板１の上下に複数本ずつ設けたプローブ４ａ1，４ａ2，４ａ3，４ａ4，４ａ5，４ａ6，４ａ7，４ａ8；４ｂ1，４ｂ2，４ｂ3，４ｂ4…を電気抵抗測定用プローブ３９，３９として使用する際に、特定のプローブ４ａ1に対して他の各プローブ４ａ2…の抵抗を測定するための切替え制御手段４０を備えているものである。
【０１４２】
本実施の形態においては、切換え制御手段４０によって高電圧源３２である直流電源と抵抗測定装置５８とを切換えて、プローブ４ａ1と他のプローブ４ａ2，４ａ3，４ａ4…の選択された一つのプローブ４ａ6とを接続することで、接続されたプローブ４ａ1，４ａ2 間の抵抗値を測定するのであり、例えば、図３４（ａ）に示すように、割れハが生じている場合には、プローブ４ａ6と他のプローブ４ａ1…との抵抗値は無限大となるのであり、特定エリアでの電極３ａの異常を判定することができるのである。
【０１４３】
【発明の効果】
請求項１においては、表裏両面に電極を形成してある基板を２枚の加熱プレートで挟み込み保持し、各加熱プレートに形成してある貫通孔にプローブを挿通させ、基板の両面に形成した電極にプローブを接触させ、加熱させるとともに電圧をかけることにより分極をおこなうから、２枚の加熱プレートによって薄い基板であっても変形させることなく保持することができ、各加熱プレートの貫通孔を通じて基板の両面の電極にプローブを安定的に当接させて電気的処理をおこなうことができ、かつ、上下の加熱プレートによって基板を上下から均一に加熱することから、薄い基板においても割れを防止することができ、基板内に温度差が生じることがなく、均一な分極処理がおこなえるという利点がある。
【０１４４】
請求項２においては、表裏両面に電極を形成してある基板を挟み込み保持する２枚の加熱プレートと、各加熱プレートに形成した貫通孔と、各加熱プレートの貫通孔に挿通させるとともに基板の両面に形成した電極に接触させるプローブと、プローブに電圧を印加する電源とを備えているから、請求項１と同様な効果を得ることができる。
【０１４５】
請求項３においては、加熱プレートが、熱源盤と熱伝達板とから構成されているから、請求項２の効果に加えて、基板の材料や分極処理条件によって熱伝達板の材質を選択することができ、基板の材料に応じた適正な分極処理がおこなえるという利点がある。
【０１４６】
請求項４においては、下の熱伝達板の下に１個の熱源盤を配し、下の熱伝達板より上の熱伝達板に熱伝達可能に構成しているから、請求項３の効果に加えて、１個の熱源盤によって上下の熱伝達板を加熱することができ、装置を簡素化することができるとともに１個の熱源盤によって基板を均一に加熱することができるという利点がある。
【０１４７】
請求項５においては、熱源盤と熱伝達板とが分離可能に構成されているから、請求項３の効果に加えて、熱伝達板から熱源盤を分離することで、基板の冷却時間を短くできるという利点がある。
【０１４８】
請求項６においては、熱源盤と熱伝達板との接合箇所に凹溝及び凸条を備えた凹凸嵌合手段を備えているから、請求項５の効果に加えて、凹溝及び凸条を備えた凹凸嵌合手段によって熱源盤と熱伝達板との位置決めを正確におこなうことができながら、凹凸嵌合手段の嵌合により熱伝導性を高めることができ、加熱時間を短縮することができ、かつ、凹溝及び凸条が冷却フィンの働きをすることから、冷却時間を短縮することができるという利点がある。
【０１４９】
請求項７においては、加熱プレートに圧電材を使用するから、請求項２記載の効果に加えて、誘電体の基板は帯電しやすいが、加熱プレートの圧電材によって電気的な引力・反発力を生じさせることができ、静電気を帯びた基板の固定・剥離が容易になるという利点がある。
【０１５０】
請求項８においては、加熱プレートに熱伝導率の大きい材料を使用するから、請求項２の効果に加えて、加熱プレートを例えば、窒化アルミのように鉄に比べて熱伝導の大きな材料にすることで、熱伝導性を高めることができて基板を均一に加熱しやすくなり、均一な分極が可能になり、更に、加熱時の基板の割れを防止することができるという利点がある。
【０１５１】
請求項９においては、加熱プレートに基板と同じ材料を使用するから、請求項２の効果に加えて、基板の加熱・冷却時に、基板と加熱プレートとが共に同じ量だけ膨張・収縮をするので、熱応力の発生を抑制することができるという利点がある。
【０１５２】
請求項１０においては、加熱プレートに電気的な絶縁材料を使用するから、請求項２の効果に加えて、例えば、基板に形成された電極部のみを選択的に分極することが可能であり、更に、絶縁距離を長くとることができることから、プローブに高電圧を印加することが可能であるという利点がある。
【０１５３】
請求項１１においては、プローブの位置を変更可能に構成して、接触圧を変更可能に構成しているから、請求項２の効果に加えて、基板への接触圧を調整することにより、基板の変形量や電気的接触状態の調整が可能となるという利点がある。
【０１５４】
請求項１２においては、下の加熱プレートの上に導電性パッドを介して載置した基板の上に上の加熱プレートを配し、基板の上方からプローブを接触させるとともに、導電性パッドにプローブを上方から接触させているから、請求項２の効果に加えて、一対のプローブを共に上方から接触させることができて、装置を簡素化することができるという利点がある。
【０１５５】
請求項１３においては、導電性パッドを基板の重要部分を避けて形成しているから、請求項１２の効果に加えて、基板の表裏に高電圧を印加させることができ、したがって、分極処理が可能になるという利点がある。
【０１５６】
請求項１４においては、基板を挟む加熱プレートの挟み圧を調整する挟み圧調整手段を備えているから、請求項２の効果に加えて、基板の挟み圧を調整することによって、材料に応じた適正な挟み圧で加熱プレートによって挟むことができ、基板を適正に挟み、プローブを適正な接触力にて接触させることができるという利点がある。
【０１５７】
請求項１５においては、挟み圧調整手段は、ばね力の調整によるものであるから、請求項１４の効果に加えて、ばね力によって挟み圧を容易に調整することができながら、例えば、コイルスプリングを使用する場合には、挟み圧調整手段を加熱プレートに対してコンパクトに一体化することができる等という利点がある。
【０１５８】
請求項１６においては、ばね力による挟み圧調整手段を備えた上下の加熱プレートの挟み治具の操作は、ワンタッチ操作にておこなえる構成にしてあるから、請求項１５の効果に加えて、上下の加熱プレートの挟み操作をワンタッチにておこなうことができ、操作性を高めることができるという利点がある。
【０１５９】
請求項１７においては、加熱プレートに通孔を形成し、基板とは反対側よりエアーを吹出して基板を加熱プレートから剥離する剥離手段を備えているから、請求項２の効果に加えて、加熱プレートの通孔から吹出すエアーによって基板を加熱プレートから容易に剥離することができるという利点がある。
【０１６０】
請求項１８においては、加熱プレートに通孔を形成し、基板とは反対側よりイオン性のガスを含むエアーを吹付けて基板を加熱プレートから剥離する静電気中和型の剥離手段を形成しているから、請求項２の効果に加えて、基板が帯電しても加熱プレートの通孔から吹出されるイオン性のガスによって帯電を中和させることができ、簡単に加熱プレートから基板を剥離させることができるという利点がある。
【０１６１】
請求項１９においては、通孔を形成した加熱プレートに凹条を形成しているから、請求項１７又は１８の効果に加えて、基板が帯電していても、加熱プレートとの接触面積が凹条によって小さくなるので、帯電による吸着面積が小さくなるとともに、エアーが凹条を介して回り込むことによって、基板を簡単に剥離することができるという利点がある。
【０１６２】
請求項２０においては、基板の両面に形成した電極に接触させるプローブを基板の両側に各複数本ずつ備えているから、請求項２の効果に加えて、表裏に電極を形成した１枚の基板に両面から複数本ずつのプローブを接触させるのであり、１本のプローブが電極に接触していなくても、他のプローブが存在していることから、他のプローブが接触することができて電極に対する接触の信頼性を高めることができるという利点がある。
【０１６３】
請求項２１においては、基板の両面に形成した電極に接触するプローブ対毎に高電圧源を備えているから、請求項２０の効果に加えて、高電圧源によるプローブ対毎の印加電圧を異ならせることができ、例えば、１枚の基板内に形成した各分極エリアにおいて印加電圧値の異なる素子を得ることができ、又、例えば、加熱プレート内に複数個の基板をセットし、複数の基板を異なった印加電圧値で処理することができるという利点がある。
【０１６４】
請求項２２においては、基板の両面に形成した電極に接触するプローブ対毎の高電圧源の極性を切換える手段を備えているから、請求項２１の効果に加えて、プローブ対毎に電圧を印加する極性を切換えることで、分極の方向がエリアによって異なる素子を容易に製造することができ、かつ、印加する電圧の極性を切換えて複数回にわたって電圧印加をおこなうことができ、より分極率の高い基板、または、素子をつくることができるという利点がある。
【０１６５】
請求項２３においては、プローブの基板への接触圧を検出する手段を備えているから、請求項１１の効果に加えて、プローブの基板への接触圧に起因して基板の厚みを相対的に検出することができ、個々の基板の厚みが未知であっても、基板の厚みの違いに対して補正をおこなうことで、特定の電圧条件で分極処理ができるという利点がある。
【０１６６】
請求項２４においては、プローブの基板への接触圧あるいは接触位置を検出し、その検出値に応じて印加する電圧値を補正する手段をプローブ対に備えているから、請求項２１又は２３の効果に加えて、基板の厚みの違いを検出し、厚みの違いに応じて印加する電圧値を補正することにより、厚みの異なる複数枚を同時に処理することができるという利点がある。
【０１６７】
請求項２５においては、基板を挟み込んだ加熱プレートを真空槽内に設置し、真空槽内で電圧を印加する手段を備えているから、請求項２の効果に加えて、例えば、数１０μｍのように薄い基板に対向させた電極に高電圧を印加させても真空槽内であることから、放電が生じないため、放電による衝撃で基板に損傷が生じることがないという利点がある。
【０１６８】
請求項２６においては、基板を挟み込んだ加熱プレートを真空槽内に設置し、真空槽内に電気的な絶縁性ガスを導入し、絶縁性ガス雰囲気中で電圧を印加する手段を備えているから、請求項２５の効果に加えて、高電圧を印加させても真空槽内であるから放電が生じず、特に、絶縁性ガスにて覆っていることから、二次的な放電による基板自身の絶縁破壊を防止することができるという利点がある。
【０１６９】
請求項２７においては、プローブに電圧を印加する電圧印加回路に、電圧印加が終了した後に基板の両面の電極間を短絡するための回路切換装置を備えているから、請求項２の効果に加えて、電圧を印加し終えた後の基板が、冷却時に基板自身の逆帯電によって分極反転するのを防ぐことができ、分極率の低下を防ぐことができ、更に、短絡手段を電圧印加と同一の装置に組み込むことで装置全体が簡略化できるという利点がある。
【０１７０】
請求項２８においては、プローブに電圧を印加する電圧印加回路に分極電流測定装置を備えているから、請求項２の効果に加えて、電圧印加回路に流れる電流値を時間的にモニタリングすることができ、電圧印加時の異常を発見（不良判定）することができ、かつ、電圧印加時間を制御することができるという利点がある。
【０１７１】
請求項２９においては、熱源盤と熱伝達板との間に冷却板を挿入自在に構成しているから、請求項５の効果に加えて、冷却板の挿入によって、基板の冷却を、一層、短縮することができ、かつ、例えば、材質、厚みを選定した特定の冷却板を使用することで、一定の温度勾配で基板を冷却することができ、急冷による基板の割れを防ぐことができるという利点がある。
【０１７２】
請求項３０においては、基板を風冷するファンを備えているから、請求項５の効果に加えて、基板の冷却時間を、一層、短縮することができ、かつ、ファンの回転数を調節することにより、冷却の温度勾配を変化させることができるという利点がある。
【０１７３】
請求項３１においては、電極がパターン化された基板上の電極パターンの縁に電極の抵抗値を測定することができる抵抗測定用プローブを備えているから、請求項２の効果に加えて、抵抗測定用プローブによって電極の抵抗を測定することができ、電極のパターン切れ、厚み不良を検知することができ、かつ、基板による電極の抵抗値の違いにより、電圧印加時の抵抗での電圧降下分の補正をすることができ、しかも、処理前後（電圧印加前後）に測定することで、処理中のパターン切れを検知することができ、処理の良否判定をおこなうことができるという利点がある。
【０１７４】
請求項３２においては、抵抗測定用プローブが電圧印加用のプローブと兼ねているから、請求項３１の効果に加えて、装置を簡略化できるとともに、対となる上下のプローブをつなぐことで、基板の絶縁性のチェックができるという利点がある。
【０１７５】
請求項３３においては、基板の上下に複数本ずつ設けたプローブを電気抵抗測定用プローブとして使用する際に、特定のプローブに対して他の各プローブ間の抵抗を測定するための切替え制御手段を備えているから、請求項３２の効果に加えて、各プローブ間の抵抗値が測定でき、特定エリアでの電極の異常を判定することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は本発明の実施の一形態の概略断面図、（ｂ）は基板の平面図、（ｃ）は側面図である。
【図２】同上の概略断面図である。
【図３】同上の他の実施の形態の概略断面図である。
【図４】同上の更に他の実施の形態を示し、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は概略平面図である。
【図５】同上の更に他の実施の形態の作用を示す概略分解断面図である。
【図６】同上の更に他の実施の形態の作用を示す概略分解断面図である。
【図７】同上の更に他の実施の形態を示し、（ａ）（ｂ）は作用を示す説明図である。
【図８】同上の更に他の実施の形態を示す概略断面図である。
【図９】同上の更に他の実施の形態を示す部分概略断面図である。
【図１０】同上の更に他の実施の形態を示し、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は概略平面図である。
【図１１】同上の更に他の実施の形態を示し、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は概略平面図である。
【図１２】同上の更に他の実施の形態を示す概略断面図である。
【図１３】同上の更に他の実施の形態を示す概略断面図である。
【図１４】同上の更に他の実施の形態を示し、（ａ）は概略断面図、（ｂ）（ｃ）は概略底面図である。
【図１５】同上の更に他の実施の形態を示す部分概略断面図である。
【図１６】同上の更に他の実施の形態を示す部分概略断面図である。
【図１７】同上の更に他の実施の形態を示す部分概略断面図である。
【図１８】同上の更に他の実施の形態を示し、（ａ）は斜視図、（ｂ）（ｃ）は説明図である。
【図１９】（ａ）（ｂ）は同上の更に他の実施の形態を示す斜視図である。
【図２０】同上の更に他の実施の形態を示し、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は斜視図である。
【図２１】同上の他の例の斜視図である。
【図２２】同上の更に他の実施の形態を示し、（ａ）は概略断面図、（ｂ）（ｃ）は説明図である。
【図２３】（ａ）（ｂ）（ｃ）は同上の説明図である。
【図２４】同上の更に他の実施の形態を示し、（ａ）（ｂ）は概略断面図である。
【図２５】同上の更に他の実施の形態を示し、（ａ）（ｂ）は概略断面図である。
【図２６】同上の更に他の実施の形態を示す概略断面図である。
【図２７】同上の更に他の実施の形態を示す概略断面図である。
【図２８】同上の更に他の実施の形態を示す概略断面図である。
【図２９】同上の更に他の実施の形態を示し、（ａ）（ｂ）（ｃ）は説明図である。
【図３０】同上の更に他の実施の形態を示し、（ａ）（ｂ）は概略断面図である。
【図３１】同上の更に他の実施の形態の概略断面図である。
【図３２】同上の更に他の実施の形態の説明図である。
【図３３】同上の更に他の実施の形態を示し、（ａ）は説明図、（ｂ）は概略断面図、（ｃ）は説明図である。
【図３４】同上の更に他の実施の形態を示し、（ａ）は説明図、（ｂ）は概略断面図である。
【図３５】従来例を示し、（ａ）は作用を示す説明図、（ｂ）は作用を示す説明図である。
【符号の説明】
１    基板
２ａ  加熱プレート
２ｂ  加熱プレート
３ａ  電極
３ｂ  電極
４ａ  プローブ
４ｂ  プローブ
５ａ  熱源盤
５ｂ  熱源盤
６ａ  熱伝達板
６ｂ  熱伝達板
７    凹溝
８    凸条
９    凹凸嵌合手段
【図１】
0004110696.tif 000002
【図２】
0004110696.tif 000003
【図３】
0004110696.tif 000004
【図４】
0004110696.tif 000005
【図５】
0004110696.tif 000006
【図６】
0004110696.tif 000007
【図７】
0004110696.tif 000008
【図８】
0004110696.tif 000009
【図９】
0004110696.tif 000010
【図１０】
0004110696.tif 000011
【図１１】
0004110696.tif 000012
【図１２】
0004110696.tif 000013
【図１３】
0004110696.tif 000014
【図１４】
0004110696.tif 000015
【図１５】
0004110696.tif 000016
【図１６】
0004110696.tif 000017
【図１７】
0004110696.tif 000018
【図１８】
0004110696.tif 000019
【図１９】
0004110696.tif 000020
【図２０】
0004110696.tif 000021
【図２１】
0004110696.tif 000022
【図２２】
0004110696.tif 000023
【図２３】
0004110696.tif 000024
【図２４】
0004110696.tif 000025
【図２５】
0004110696.tif 000026
【図２６】
0004110696.tif 000027
【図２７】
0004110696.tif 000028
【図２８】
0004110696.tif 000029
【図２９】
0004110696.tif 000030
【図３０】
0004110696.tif 000031
【図３１】
0004110696.tif 000032
【図３２】
0004110696.tif 000033
【図３３】
0004110696.tif 000034
【図３４】
0004110696.tif 000035
【図３５】
0004110696.tif 000036