(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
バンプが形成された表面を有する半導体素子と，
前記バンプと電気的に接続された回路パターンが形成された第１の表面と、前記第１の表面の裏面である第２の面とを有し，前記半導体素子の表面と前記第１の表面とが向かい合うように前記半導体素子に重ねて配置された内部基板と，
前記半導体素子と前記内部基板との間を封止する樹脂と，
前記内部基板の前記第２の表面に形成され，前記内部基板に設けられた開口部を介して前記回路パターンと接続されたはんだボールとを有し，
前記内部基板の外縁が前記半導体素子の外縁よりもはみ出ず，かつ前記半導体素子の表面の一部が前記内部基板の外縁よりも外側にはみ出るように配置された樹脂封止型半導体装置を製造する方法において，
前記半導体素子の上に内部基板を重ねた状態で，前記内部基板の外縁よりも外側にはみ出た前記半導体素子の表面において樹脂を供給することを特徴とする，樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記内部基板の外縁に沿って，前記半導体素子の外縁よりもはみ出ないように配置された基板枠が設けられていることを特徴とする，請求項１記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項３】
バンプが形成された表面を有する半導体素子と，
前記バンプと電気的に接続された回路パターンが形成された第１の表面と、前記第１の表面の裏面である第２の面とを有し，前記半導体素子の表面と前記第１の表面とが向かい合うように前記半導体素子に重ねて配置された、テープキャリアを切断した内部基板と，
前記半導体素子と前記テープキャリアを切断した内部基板との間を封止する樹脂と，
前記テープキャリアを切断した内部基板の前記第２の表面に形成され，前記テープキャリアを切断した内部基板に設けられた開口部を介して前記回路パターンと接続されたはんだボールとを有し，
前記テープキャリアを切断した内部基板の外縁が前記半導体素子の外縁よりもはみ出ず，
かつ前記半導体素子の表面の一部が前記テープキャリアを切断した内部基板の外縁よりも外側にはみ出るように配置された樹脂封止型半導体装置を製造する方法において，
前記半導体素子の上に内部基板を重ねた状態で，前記内部基板の外縁よりも外側にはみ出た前記半導体素子の表面において樹脂を供給することを特徴とする，樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記テープキャリアを切断した内部基板の外縁に沿って，前記半導体素子の外縁よりもはみ出ないように配置された基板枠が設けられていることを特徴とする，請求項３記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記はんだボールが，前記半導体素子の前記外縁方向において前記バンプよりも外側まで配置されていることを特徴とする，請求項１〜４のいずれかの記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記樹脂の供給を，前記内部基板の外縁と内部基板の外縁に沿って配置された基板枠の間にて行うことを特徴とする，請求項１〜５のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項７】
複数本のノズルを用いることによって，内部基板の外縁と基板枠の間の複数箇所から樹脂を供給することを特徴とする，請求項６に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記半導体素子の上にまだ切断する前のテープキャリアの状態で内部基板を重ねて樹脂を供給し，前記樹脂が硬化した後，前記内部基板をテープキャリアから切断することを特徴とする，請求項３に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記請求項１又は３のいずれかの樹脂封止型半導体装置を製造する方法において，
前記半導体素子の表面に樹脂を塗布してから前記半導体素子の上に内部基板を重ねることを特徴とする，樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記半導体素子の表面に形成されたバンプを露出させるように前記樹脂を塗布することを特徴とする，請求項９に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記樹脂が硬化した後，前記内部基板の第２の表面に，はんだボールを取り付けることを特徴とする，請求項１〜１０のいずれかの樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は，樹脂封止型半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年，携帯機器が急速に普及し，それに伴って携帯機器の中に搭載される樹脂封止型半導体装置も薄型，小型及び軽量のものが要求されるようになっている。そして，その要求に対応するために数多くの樹脂封止型半導体装置が提案されている。
【０００３】
その１つとして例えば図９に示すようなフリップチップ方式の樹脂封止型半導体装置１００が知られている。即ち，この半導体装置１００は，半導体素子１０１を内部基板１０２の上に重ね，半導体素子１０１と内部基板１０２との間を樹脂１０３で封止し，半導体素子１０１の表面（図９では下面）に配置されたバンプ１０４を内部基板１０２の表面（図９では上面）に形成された回路（Ｃｕパターン）１０５に電気的に直接接続する。また，半導体素子１０１が接続されていない側の内部基板１０２の表面（図９では下面）に，はんだボール１０６を取り付ける。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら，このような従来の半導体装置１００には，次に説明するような３つの問題がある。第１の問題は，例えばメモリなどの半導体装置では，半導体素子の大きさが小さくなるようにシュリンクが進んでいるが，従来の半導体装置１００は，図１０に示すように，シュリンクで小さくなった半導体素子１０１を内部基板１０２上に取り付けた場合に，内部基板１０２の大きさが変わらないため，半導体素子１０１の外縁と内部基板１０２の外縁との差Ｌが大きくなって，半導体装置１００の大きさ自体は小さくならない。
【０００５】
第２の問題は，高容量メモリなどの比較的大きい半導体素子１０１を内部基板１０２上に取り付けた半導体装置１００の場合，図１１に示すように，半導体素子１００と内部基板１０２の間の隙間面積が広いため，樹脂１０３をもれなく注入することが難しく，ボイド１１０が発生しやすくなってしまう。
【０００６】
第３の問題は，高容量メモリなどの半導体素子１０１を内部基板１０２上に取り付けた半導体装置１００の場合，従来は，図１２に示すように，半導体素子１０１と内部基板１０２がいずれも大きいため，両者の熱膨張係数の違いで半導体装置１００全体に反りＸが発生しやすい。
【０００７】
従って本発明の目的は，大きさを小さくでき，ボイドや反りなどを生じずに樹脂封止できる半導体装置の製造方法を得ることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するために，本発明にあっては，バンプが形成された表面を有する半導体素子と，前記バンプと電気的に接続された回路パターンが形成された第１の表面と、前記第１の表面の裏面である第２の面とを有し，前記半導体素子の表面と前記第１の表面とが向かい合うように前記半導体素子に重ねて配置された内部基板と，前記半導体素子と前記内部基板との間を封止する樹脂と，前記内部基板の前記第２の表面に形成され，前記内部基板に設けられた開口部を介して前記回路パターンと接続されたはんだボールとを有し，前記内部基板の外縁が前記半導体素子の外縁よりもはみ出ず，かつ前記半導体素子の表面の一部が前記内部基板の外縁よりも外側にはみ出るように配置され，前記はんだボールが，前記バンプよりも外側まで配置された樹脂封止型半導体装置を製造する方法において，
前記半導体素子の上に内部基板を重ねた状態で，前記内部基板の外縁よりも外側にはみ出た前記半導体素子の表面において樹脂を供給することを特徴としている。
【０００９】
本発明の半導体装置にあっては，内部基板を半導体素子よりも小さくすることによって，半導体装置全体の大きさを小型にすることが可能となる。また，内部基板を小さくしたことによって，半導体素子と内部基板の間の隙間面積も狭くなるので，ボイドの発生や半導体素子と内部基板の熱膨張係数の違いによる反りの発生も防止できる。
【００１０】
本発明の半導体装置において，前記半導体素子が接続されていない側の内部基板の表面に，はんだボールが取り付けられている。この内部基板に取り付けられたはんだボールを用いて半導体装置を配線基板などに電気的に接続する。その場合，前記はんだボールが，前記バンプよりも外側まで配置されている。また，前記内部基板の外縁に沿って，前記半導体素子の外縁よりもはみ出ないように配置された基板枠が設けられていても良い。また，前記内部基板が，テープキャリアを切断したもので構成されていても良い。即ち，バンプが形成された表面を有する半導体素子と，前記バンプと電気的に接続された回路パターンが形成された第１の表面と、前記第１の表面の裏面である第２の面とを有し，前記半導体素子の表面と前記第１の表面とが向かい合うように前記半導体素子に重ねて配置された、テープキャリアを切断した内部基板と，前記半導体素子と前記テープキャリアを切断した内部基板との間を封止する樹脂と，前記テープキャリアを切断した内部基板の前記第２の表面に形成され，前記テープキャリアを切断した内部基板に設けられた開口部を介して前記回路パターンと接続されたはんだボールとを有し，前記テープキャリアを切断した内部基板の外縁が前記半導体素子の外縁よりもはみ出ず，かつ前記半導体素子の表面の一部が前記テープキャリアを切断した内部基板の外縁よりも外側にはみ出るように配置された樹脂封止型半導体装置を製造する方法において，
前記半導体素子の上に内部基板を重ねた状態で，前記内部基板の外縁よりも外側にはみ出た前記半導体素子の表面において樹脂を供給することを特徴とする，樹脂封止型半導体装置の製造方法である。なお、前記テープキャリアを切断した内部基板の外縁に沿って，前記半導体素子の外縁よりもはみ出ないように配置された基板枠が設けられていても良い。
【００１１】
請求項５の発明は，前記請求項１，２，３又は４のいずれかの樹脂封止型半導体装置を製造する方法において前記はんだボールが，前記半導体素子の前記外縁方向において前記バンプよりも外側まで配置されていることを特徴としている。
【００１２】
また，前記樹脂封止型半導体装置を製造する方法において，前記半導体素子の表面に樹脂を塗布してから前記半導体素子の上に内部基板を重ねることを特徴としている。この製造方法において，前記半導体素子の表面に形成されたバンプを露出させるように前記樹脂を塗布することが好ましい。
【００１３】
また，これらの製造方法において，前記樹脂が硬化した後，前記内部基板の第２の表面に，はんだボールを取り付ても良い。その場合，前記はんだボールを，前記バンプよりも外側まで取り付けることが好ましい。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下，本発明の好ましい実施の形態を図面を用いて説明する。図１は，本発明の第１の実施の形態にかかる樹脂封止型半導体装置（以下，「半導体装置」という）１の内部構造を示す縦断面図である。
【００１５】
内部基板１０の第１の表面（図１では，内部基板１０の上面）に，半導体素子１１が重ねて配置されている。内部基板１０の第１の表面には，所定の形状に配置された回路（Ｃｕパターン）１２が設けられており，半導体素子１１の表面（図１では，半導体素子１１の下面）に配置されたバンプ１３をこの回路１２に電気的に直接接続したフリップチップ構造になっている。半導体素子１１と内部基板１０との間は樹脂１５によって封止されている。また，半導体素子１１が接続されていない側の内部基板１１の第２の表面（図１では，内部基板１０の下面）には，図示しない配線基板などに電気的に接続するためのはんだボール１６が取り付けられている。このはんだボール１６は，スルーホールなどを介して内部基板１０の第１の表面に形成された回路１２に電気的に接続されている。また，内部基板１０は，半導体素子１１よりも小さくなっており，内部基板１０の外縁１０’が半導体素子１１の外縁１１’よりもはみ出ず，かつ半導体素子１１の表面（図１では，半導体素子１１の下面）が内部基板１０の外縁１０’よりも両外側にはみ出るように配置されている。
【００１６】
次に，図２に基づいて，本発明の第１の実施の形態にかかる半導体装置１の製造方法を説明する。この半導体装置１を製造する場合，先ず，バンプ１３が配置された半導体素子１１の表面（図２では，半導体素子１１の上面）を上に向けた状態で，半導体素子１１の上に内部基板１０を重ねて載置する。この場合，内部基板１０の第１の表面を下に向けて，回路１２を半導体素子１１表面のバンプ１３に一致させる。また，内部基板１０の外縁１０’が半導体素子１１の外縁１１’よりもはみ出ず，かつ半導体素子１１の表面（図２では，半導体素子１１の上面）が内部基板１０の外縁１０’よりも両外側にはみ出るように配置する。
【００１７】
次に，上に重ねた内部基板１０の外縁１０’よりも外側にはみ出た半導体素子１１の表面において，ノズル１７から樹脂１５を供給する。この場合，ノズル１７から溶融した樹脂１５を供給すると，樹脂１５は毛細管現象によって内部基板１０と半導体素子１１の間にむら無く流れ込むようになる。
【００１８】
そして，樹脂１５が硬化した後，例えば３００℃前後に加熱することにより，半導体素子１１表面のバンプ１３と内部基板１０の第１の表面に形成された回路１２を電気的に接続する。更に，内部基板１１の第２の表面（図２では，内部基板１０の上面）にはんだボール１６を取り付けても良い。
【００１９】
また，図３に基づいて，本発明の第１の実施の形態にかかる半導体装置１の別の製造方法を説明する。この半導体装置１を別の方法で製造する場合，先ず，バンプ１３が配置された半導体素子１１の表面（図３では，半導体素子１１の上面）を上に向けた状態で，半導体素子１１のバンプ形成面（上面）に樹脂１５をノズル１７によって塗布する。この場合，半導体素子１１表面のバンプ１３を露出させるように樹脂１５を塗布することが好ましい。
【００２０】
次に，半導体素子１１の上に内部基板１０を重ねて載置する。この場合，内部基板１０の第１の表面を下に向けて，回路１２を半導体素子１１表面のバンプ１３に一致させる。また，内部基板１０の外縁１０’が半導体素子１１の外縁１１’よりもはみ出ず，かつ半導体素子１１の表面（図３では，半導体素子１１の上面）が内部基板１０の外縁１０’よりも両外側にはみ出るように配置する。
【００２１】
そして，樹脂１５が硬化した後，例えば３００℃前後に加熱することにより，半導体素子１１表面のバンプ１３と内部基板１０の第１の表面に形成された回路１２を電気的に接続する。更に，図２で説明した場合と同様に，内部基板１１の第２の表面（図３では，内部基板１０の上面）にはんだボール１６を取り付けても良い。
【００２２】
しかして，以上のように構成された本発明の第１の実施の形態にかかる半導体装置１にあっては，内部基板１０が半導体素子よりも小さくなっているので，内部基板１０の外縁１０’が半導体素子１１の外縁１１’よりもはみ出ることが無く，半導体装置１全体の大きさを小型にすることが可能となる。このため，半導体素子１１のシュリンクに伴って半導体装置１の小型化が実現できる。また，内部基板１０を小さくしたことによって，半導体素子１１と内部基板１０の間の隙間も狭くなるので，従来心配されていたボイドの発生や半導体素子１１と内部基板１０の熱膨張係数の違いによる反りの発生なども防止できるようになる。
【００２３】
次に，図４は，本発明の第２の実施の形態にかかる樹脂封止型半導体装置（以下，「半導体装置」という）２の内部構造を示す縦断面図である。先に図１で説明した本発明の第１の実施の形態にかかる半導体装置１と同様に，この半導体装置２においても，内部基板２０の第１の表面（図４では，内部基板２０の上面）に，半導体素子２１が重ねて配置され，内部基板２０の第１の表面に，所定の形状に配置された回路（Ｃｕパターン）２２が設けられ，半導体素子２１の表面（図４では，半導体素子２１の下面）に配置されたバンプ２３をこの回路２２に電気的に直接接続したフリップチップ構造である。半導体素子２１と内部基板２０との間は樹脂２５によって封止され，半導体素子２１が接続されていない側の内部基板２１の第２の表面（図４では，内部基板２０の下面）には，図示しない配線基板などに電気的に接続するためのはんだボール２６が取り付けられている。はんだボール２６は，スルーホールなどを介して回路２２に電気的に接続されている。また，内部基板２０は，半導体素子２１よりも小さく，内部基板２０の外縁２０’が半導体素子２１の外縁２１’よりもはみ出ず，かつ半導体素子２１の表面（図４では，半導体素子２１の下面）が内部基板２０の外縁２０’よりも両外側にはみ出るように配置されている。
【００２４】
そして，この第２の実施の形態にかかる半導体装置２にあっては，内部基板２０の第２の表面に取り付けられたはんだボール２６を，半導体素子２１の表面に配置されたバンプ２３よりも外側まで配置することにより，バンプ２３は，最も外側に位置するはんだボール２６よりも必ず内側に配置されている。なお，この第２の実施の形態にかかる半導体装置２は，先に図２，３で説明した第１の実施の形態の半導体装置１の製造方法と同様の方法によって製造されるので，重複した説明を省略する。
【００２５】
しかして，この第２の実施の形態にかかる半導体装置２にあっては，先に説明した第１の実施の形態の半導体装置１と同様に，半導体素子２１のシュリンクに伴う半導体装置２の小型化が実現でき，ボイドや反りの発生なども防止できる。加えて，この第２の実施の形態にかかる半導体装置２にあっては，バンプ２３の位置がはんだボール２６よりも内側にあるので，バンプ２３が内部基板２０の外縁２０’よりも外側にはみ出るといった心配がない。従って，この第２の実施の形態にかかる半導体装置２にあっては，例えば図５に示すように，半導体素子１１が内部基板２０とほぼ同じくらいまで小さくなっても，半導体素子２１表面のバンプ２３を内部基板２０の第１の表面に形成された回路２２に接続でき，半導体素子２１のシュリンクによらずにフリップチップ構造を採用できるようになる。
【００２６】
次に，図６は，本発明の第３の実施の形態にかかる樹脂封止型半導体装置（以下，「半導体装置」という）３の内部構造を示す縦断面図である。先に図１で説明した本発明の第１の実施の形態にかかる半導体装置１や先に図４で説明した本発明の第２の実施の形態にかかる半導体装置２と同様に，この半導体装置３においても，内部基板３０の第１の表面（図６では，内部基板３０の上面）に，半導体素子３１が重ねて配置され，内部基板３０の第１の表面に，所定の形状に配置された回路（Ｃｕパターン）３２が設けられ，半導体素子３１の表面（図６では，半導体素子３１の下面）に配置されたバンプ３３をこの回路３２に電気的に直接接続したフリップチップ構造である。半導体素子３１と内部基板３０との間は樹脂３５によって封止され，半導体素子３１が接続されていない側の内部基板３１の第２の表面（図６では，内部基板３０の下面）には，図示しない配線基板などに電気的に接続するためのはんだボール３６が取り付けられている。はんだボール３６は，スルーホールなどを介して回路３２に電気的に接続されている。
【００２７】
また，先に図４で説明した本発明の第２の実施の形態にかかる半導体装置２と同様に，この半導体装置３においても，内部基板３０の第２の表面に取り付けられたはんだボール３６を，半導体素子３１の表面に配置されたバンプ３３よりも外側まで配置することにより，バンプ３３は，最も外側に位置するはんだボール３６よりも必ず内側に配置されている。
【００２８】
そして，この第３の実施の形態にかかる半導体装置３にあっては，内部基板３０は，例えば図７に示す如きテープキャリア４０を装置サポーター４５においてフレーム４２から切断したもので構成され，内部基板３０の周囲には，チップサポーター４１によって接続された基板枠４３が内部基板３０の外縁に沿って所定の間隔を開けて配置されている。但し，この基板枠４３の大きさは半導体素子３１よりも小さく，基板枠４３の外縁４３’が半導体素子３１の外縁３１’よりも外側にはみ出ないように配置されている。なお，図７中の点線３１”は，テープキャリア４０に搭載される半導体素子３１の外縁３１’の位置を示している。
【００２９】
次に，図８に基づいて，本発明の第３の実施の形態にかかる半導体装置３の製造方法を説明する。この半導体装置３を製造する場合，先ず，バンプ３３が配置された半導体素子３１の表面（図８では，半導体素子３１の上面）を上に向けた状態で，半導体素子３１の上に内部基板３０を重ねて載置する。この場合，図７に示したまだ切断する前のテープキャリア４０の状態で内部基板３０を半導体素子３１の上に載せても良い。また，半導体素子３１の上に内部基板３０を重ねる場合，内部基板３０の第１の表面を下に向けて，回路３２を半導体素子３１表面のバンプ３３に一致させる。また，内部基板３０の外縁３０’に沿って配置された基板枠４３の外縁４３’が半導体素子３１の外縁３１’よりも外側にはみ出ないように配置する。
【００３０】
次に，内部基板３０の外縁３０’と基板枠４３の間からノズル３７によって半導体素子３１の表面に樹脂３５を供給する。この場合，ノズル３７から溶融した樹脂３５を供給すると，樹脂３５は毛細管現象によって内部基板３０と半導体素子３１の間や内部基板３０と基板枠４３の間にむら無く流れ込むようになる。なお，図８に示すように，複数本のノズル３７を用いることによって，内部基板３０の外縁３０’と基板枠４３の間の複数箇所から樹脂３５を供給すると，内部基板３０と半導体素子３１の間や内部基板３０と基板枠４３の間に樹脂３５をむら無く早く流し込むことができる。
【００３１】
そして，樹脂３５が硬化した後，例えば３００℃前後に加熱することにより，半導体素子３１表面のバンプ３３と内部基板３０の第１の表面に形成された回路３２を電気的に接続する。更に，内部基板３１の第２の表面（図８では，内部基板３０の上面）にはんだボール３６を取り付けても良い。また，図７に示したまだ切断する前のテープキャリア４０を用いた場合は，更にテープキャリア４０を装置サポーター４５においてフレーム４２から切断し，内部基板３０を切り離す。
【００３２】
しかして，以上のように構成された本発明の第３の実施の形態にかかる半導体装置３にあっては，先に説明した第１，２の実施の形態の半導体装置１，２と同様に，半導体素子３１のシュリンクに伴う半導体装置３の小型化が実現でき，ボイドや反りの発生なども防止できる。また，先に説明した第２の実施の形態の半導体装置２と同様に，バンプ３３が内部基板３０の外縁３０’よりも外側にはみ出ず，半導体素子３１のシュリンクによらずにフリップチップ構造を採用できる。加えて，この第３の実施の形態にかかる半導体装置３にあっては，シュリンクで半導体素子３１が小さくなっても，基板枠４３の大きさを小さくするだけ内部基板３０はそのまま使用でき，基板枠４３と内部基板３０が分けられているため，内部基板３０をより小さくでき，高容量化に伴う半導体素子３１及び内部基板３０の拡大化による半導体装置３の全体の反りの発生を更に低減できるようになる。また，内部基板３０の外縁３０’と基板枠４３の間から樹脂３５を供給することにより，半導体素子３１及び内部基板３０の拡大化による樹脂３５の充填不足が解消でき，ボイドの発生をより確実に防止できる。
【００３３】
なお，図８では，半導体素子３１の上に内部基板３０を重ねた状態で樹脂３５を供給する製造方法を説明したが，先に図３で説明した製造方法のように，半導体素子３１の表面に樹脂３５を塗布した後，半導体素子３１の上に内部基板３０を重ねるようにしても良い。
【００３４】
【発明の効果】
本発明によれば，フリップチップ方式の樹脂封止型半導体装置を製造するに当たり，内部基板を半導体素子よりも小さくすることによって，半導体装置全体の大きさを小型にすることができ，ボイドの発生や半導体素子と内部基板の熱膨張係数の違いによる反りの発生も防止できる。また，内部基板に設けられるはんだボールを半導体素子表面のバンプよりも外側まで配置することにより，バンプが内部基板の外縁よりも外側にはみ出ず，半導体素子のシュリンクによらずにフリップチップ構造を採用できるようになる。また，内部基板の外縁に沿って半導体素子の外縁よりもはみ出ないように基板枠を配置することによって，シュリンクで半導体素子が小さくなっても，基板枠の大きさを小さくするだけ内部基板はそのまま使用でき，基板枠と内部基板が分けられているため，内部基板をより小さくでき，半導体装置の全体の反りの発生を更に低減できるようになる。また，内部基板の外縁と基板枠の間から樹脂を供給することにより，樹脂の充填不足が解消でき，ボイドの発生をより確実に防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態にかかる樹脂封止型半導体装置の内部構造を示す縦断面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態にかかる半導体装置を製造する方法の説明図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態にかかる半導体装置を製造する別の方法の説明図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態にかかる樹脂封止型半導体装置の内部構造を示す縦断面図である。
【図５】半導体素子が内部基板とほぼ同じくらいまで小さくなった本発明の第２の実施の形態にかかる樹脂封止型半導体装置の内部構造を示す縦断面図である。
【図６】本発明の第３の実施の形態にかかる樹脂封止型半導体装置の内部構造を示す縦断面図である。
【図７】テープキャリアの平面図である。
【図８】本発明の第３の実施の形態にかかる半導体装置を製造する方法の説明図である。
【図９】従来のフリップチップ方式の樹脂封止型半導体装置の縦断面図である。
【図１０】従来技術の第１の問題の説明図である。
【図１１】従来技術の第２の問題の説明図である。
【図１２】従来技術の第３の問題の説明図である。
【符号の説明】
１，２，３        半導体装置
１０，２０，３０  内部基板
１０’，２０’，３０’  内部基板の外縁
１１，２１，３１  半導体素子
１１’，２１’，３１’  半導体素子の外縁
１２，２２，３２  回路
１３，２３，３３  バンプ
１５，２５，３５  樹脂
１６，２６，３６  はんだボール
４３    基板枠
【図１】
0004110303.tif 000002
【図２】
0004110303.tif 000003
【図３】
0004110303.tif 000004
【図４】
0004110303.tif 000005
【図５】
0004110303.tif 000006
【図６】
0004110303.tif 000007
【図７】
0004110303.tif 000008
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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