(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属錫粉末と、銀イオン及び／又は銅イオンとアリール若しくはアルキルホスフィン類又はアゾール類との錯体とを含有することを特徴とする、析出型はんだ組成物
【請求項２】
前記アリール若しくはアルキルホスフィン類が、下記一般式化１で表されるアリール又はアルキルホスフィン類の一種又は二種以上の混合物であることを特徴とする、請求項１に記載の析出型はんだ組成物
【化１】
0004142312.tif 000006
【請求項３】
前記アリール若しくはアルキルホスフィン類が、トリフェニルホスフィン、トリ（ｐ−トリル）ホスフィン、トリ（ｐ−メトキシフェニル）ホスフィン、トリオクチルホスフィン又はトリス（３−ヒドロキシプロピル）ホスフィンの一種又は二種以上の混合物であることを特徴とする、請求項２に記載の析出型はんだ組成物
【請求項４】
前記銀イオン及び／又は銅イオンとアリール又はアルキルホスフィン類との錯体が、有機スルホン酸イオン、有機カルボン酸イオン、ハロゲンイオン、硝酸イオン又は硫酸イオンをカウンターアニオンとすることを特徴とする、請求項１、２又は３に記載の析出型はんだ組成物
【請求項５】
前記有機スルホン酸が、下記一般式化２、化３又は化４で表される有機スルホン酸の一種又は二種以上の混合物であることを特徴とする、請求項４に記載の析出型はんだ組成物
【化２】
0004142312.tif 000007
（Ｒ4は炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数２〜１８のアルケニル基又は炭素 数２〜１８のアルキニル基を表し、Ｘ1は水素、水酸基、炭素数１〜８のアルキ ル基若しくはアルコキシ基、アリール基、アラルキル基、カルボキシル又はスルホン酸基を表し、ｎは０〜３の整数であって、Ｘ1はＲ4の任意の位置にあってよい）
【化３】
0004142312.tif 000008
（Ｒ5は炭素数１〜１８のアルキル基又は炭素数１〜３のアルキレン基を表し、 アルキレン基である場合には任意の位置に水酸基があってもよく、Ｘ2は塩素及 び／又はフッ素を表し、ｎは１以上Ｒ5に結合し得る水素の数以下の整数であり 、Ｒ5におけるＸ2の結合位置は任意であり、ｍは１〜３の整数である）
【化４】
0004142312.tif 000009
【請求項６】
前記有機カルボン酸が、ギ酸、酢酸、シュウ酸、乳酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸又はパーフルオロプロピオン酸の一種又は二種以上の混合物であることを特徴とする、請求項４に記載の析出型はんだ組成物
【請求項７】
前記アゾール類が、テトラゾール、トリアゾール、ベンゾトリアゾール、イミダゾール、ベンズイミダゾール、ピラゾール、インダゾール、チアゾール、ベンゾチアゾール、オキサゾール、ベンゾオキサゾール、ピロール、若しくはインドール又はこれらの誘導体の一種又は二種以上の混合物であることを特徴とする、請求項１に記載の析出型はんだ組成物
【請求項８】
請求項１、２、３、４、５、６又は７に記載の組成物に、フラックス成分及び／又は溶剤を混合したことを特徴とする、析出型はんだ組成物
【請求項９】
請求項１、２、３、４、５、６、７又は８に記載の析出型はんだ組成物を、はんだを析出させようとする面に塗布し、これを加熱することを特徴とする、はんだ析出方法
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は加熱することによりはんだ合金を析出する析出型はんだ組成物及び当該組成物を使用したはんだ析出方法に関するものであって、特に錫と銀及び／又は銅とよりなる鉛フリーはんだに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
電子機器の回路基板に電子部品をはんだ付けする際には、回路基板の導体パターンにはんだ粉末とフラックスとを混合したソルダペーストを印刷供給し、加熱してはんだ粉末を熔融して導体パターン上にはんだをプリコートし、その後その導体パターン上に電子部品を搭載し、加熱してはんだ粉末を再熔融して、導体パターンに電子部品をはんだ付けする方法が行われていた。
【０００３】
しかしながら近年電子機器の小形軽量化に伴い、電子部品も多ピン狭ピッチ化が進み、導体パターンも狭い範囲に多数の導体が極めて小さい間隔で形成されたファインピッチ化が進行している。
【０００４】
かかるファインピッチの導体パターンに従ってソルダペーストを印刷供給することは極めて困難であると共に、はんだが導体パターン間をつないでショートしたり、絶縁不良を起こすことが多くなってきた。
【０００５】
かかるファインピッチの導体パターンにはんだをプリコートする方法として、錫粉末と有機酸の鉛塩とを含む析出型はんだ組成物を、導体パターン及びその間隔部を含む範囲にべた塗り状に塗布し、これを加熱することにより金属鉛を遊離させて導体の表面にはんだ合金を析出させてプリコートする方法が知られている。（特開平１−１５７７９６号公報）
【０００６】
しかしながら近年、鉛の毒性に伴う環境汚染が問題となってきており、鉛を含有しないいわゆる鉛フリーのはんだが使用されるようになってきた。ソルダペーストとして使用される鉛フリーはんだとしては、主として、錫−銀系、錫−銅系、錫−銀−銅系などのはんだが使用されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
而して前記析出型はんだ組成物においても、鉛塩に代えて銀塩又は銅塩を使用することにより、加熱により銀又は銅を析出して前述のような鉛フリーのはんだを構成することが可能である。
【０００８】
しかしながらこれらの析出型の鉛フリーはんだ組成物においては、その組成物を回路パターンに塗布して加熱し、銀又は銅が析出したときに、その銀又は銅が有機酸金属塩から遊離して単独で析出して、基板の導体パターンの間に薄い金属膜を形成し、その金属膜は洗浄により除去することができないため、導体の間の電気絶縁性を損ねるという問題が生じてきた。
【０００９】
また上記のように加熱することにより銀又は銅が単独での還元析出し、これと金属錫との間で生じる置換析出とが同時に進行するため、析出するはんだ合金の組成のコントロールが困難である。
【００１０】
本発明はかかる事情に鑑みなされたものであって、錫−銀系、錫−銅系、錫−銀−銅系の鉛フリーはんだの析出型はんだ組成物において、銀及び／又は銅の遊離析出を抑制すると共に、銀又は銅が還元析出するのを防止し、回路パターンの導体表面に適切な鉛フリーはんだを形成することのできる析出型の鉛フリーはんだ組成物を提供することを目的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
而して本発明の析出型はんだ組成物の発明は、金属錫粉末と、銀イオン及び／又は銅イオンとアリール若しくはアルキルホスフィン類又はアゾール類との錯体とを含有することを特徴とするものである。
【００１２】
本発明の析出型はんだ組成物において、前記アリール若しくはアルキルホスフィン類として、下記一般式化５で表されるアリール又はアルキルホスフィン類の一種又は二種以上の混合物を使用することができる。
【００１３】
【化５】
0004142312.tif 000002
【００１４】
さらに前記アリール若しくはアルキルホスフィン類としては、トリフェニルホスフィン、トリ（ｐ−トリル）ホスフィン、トリ（ｐ−メトキシフェニル）ホスフィン、トリオクチルホスフィン又はトリス（３−ヒドロキシプロピル）ホスフィンの一種又は二種以上の混合物が好ましい。
【００１５】
また本発明における前記銀イオン及び／又は銅イオンとアリール又はアルキルホスフィン類との錯体が、有機スルホン酸イオン、有機カルボン酸イオン、ハロゲンイオン、硝酸イオン又は硫酸イオンをカウンターアニオンとするものであることが適当である。
【００１６】
前記カウンターアニオンとして使用される有機スルホン酸としては、下記一般式化６、化７又は化８で表される有機スルホン酸の一種又は二種以上の混合物を使用するのが好ましい。
【００１７】
【化６】
（Ｘ1）n−Ｒ4−ＳＯ3Ｈ
（Ｒ4は炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数２〜１８のアルケニル基又は炭素 数２〜１８のアルキニル基を表し、Ｘ1は水素、水酸基、炭素数１〜８のアルキ ル基若しくはアルコキシ基、アリール基、アラルキル基、カルボキシル又はスルホン酸基を表し、ｎは０〜３の整数であって、Ｘ1はＲ4の任意の位置にあってよい）
【００１８】
【化７】
（Ｘ2）n−Ｒ5−（ＳＯ3Ｈ）m
（Ｒ5は炭素数１〜１８のアルキル基又は炭素数１〜３のアルキレン基を表し、 アルキレン基である場合には任意の位置に水酸基があってもよく、Ｘ2は塩素及 び／又はフッ素を表し、ｎは１以上Ｒ5に結合し得る水素の数以下の整数であり 、Ｒ5におけるＸ2の結合位置は任意であり、ｍは１〜３の整数である）
【００１９】
【化８】
0004142312.tif 000003
【００２０】
また前記カウンターアニオンとして使用される有機カルボン酸としては、ギ酸、酢酸、シュウ酸、乳酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸又はパーフルオロプロピオン酸の一種又は二種以上の混合物が適当である。
【００２１】
さらに前記アゾール類としては、テトラゾール、トリアゾール、ベンゾトリアゾール、イミダゾール、ベンズイミダゾール、ピラゾール、インダゾール、チアゾール、ベンゾチアゾール、オキサゾール、ベンゾオキサゾール、ピロール、若しくはインドール又はこれらの誘導体の一種又は二種以上の混合物を使用することができる。
【００２２】
また本発明の析出型はんだ組成物においては、以上述べた組成物に、はんだ付けに使用されるフラックス成分及び／又は必要な溶剤を混合した組成物とすることができる。
【００２３】
また本発明のはんだ析出方法の発明は、以上述べた析出型はんだ組成物を、はんだを析出させようとする面に塗布し、これを加熱することを特徴とするものである。
【００２４】
本発明の析出型はんだ組成物は、金属錫粉末と、銀及び／又は銅の錯体を含有し、加熱することにより錯体が分解して銀及び／又は銅の金属を析出し、当該金属と金属錫とで、錫−銀系、錫−銅系又は錫−銀−銅系の鉛フリーはんだ合金を形成するのである。
【００２５】
そして本発明においては、前記銀及び／又は銅の錯体として、銀イオン及び／又は銅イオンと、アリール若しくはアルキルホスフィン類又はアゾール類との錯体が使用され、またこれらを混合して使用することもできる。
【００２６】
上記ホスフィン類としては、前記化５で表される化合物が適当であり、具体的には、アリールホスフィン類としては、トリフェニルホスフィン、トリ（ｏ−、ｍ−又はｐ−トリル）ホスフィン、トリ（ｐ−メトキシフェニル）ホスフィン等が適当であり、またアルキルホスフィンとしては、トリブチルホスフィン、トリオクチルホスフィン、トリス（３−ヒドロキシプロピル）ホスフィン、トリベンジルホスフィン等が好適に用いられる。
【００２７】
その中でも、トリフェニルホスフィン、トリ（ｐ−トリル）ホスフィン、トリ（ｐ−メトキシフェニル）ホスフィン、トリオクチルホスフィン、トリス（３−ヒドロキシプロピル）ホスフィンが特に好適に用いられ、トリフェニルホスフィン、トリ（ｐ−トリル）ホスフィン、トリ（ｐ−メトキシフェニル）ホスフィンが最も好適に用いられる。
【００２８】
また本発明における前記銀イオン及び／又は銅イオンとアリール又はアルキルホスフィン類との錯体は、カチオン性であるので、カウンターアニオンが必要であるが、そのカウンターアニオンとしては、有機スルホン酸イオン、ハロゲンイオン、硝酸イオン又は硫酸イオンが適当であり、特に有機スルホン酸イオンが好ましい。
【００２９】
前記カウンターアニオンとして使用される有機スルホン酸イオンを形成する有機スルホン酸としては、前記一般式化６、化７又は化８で表される有機スルホン酸を使用するのが好ましい。
【００３０】
当該有機スルホン酸の具体例としては、メタンスルホン酸、メタンジスルホン酸、メタントリスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホン酸、２−プロパンスルホン酸、ブタンスルホン酸、２−ブタンスルホン酸、ペンタンスルホン酸、ヘキサンスルホン酸、デカンスルホン酸、ドデカンスルホン酸、ヘキサデカンスルホン酸、オクタデカンスルホン酸、２−ヒドロキシエタンスルホン酸、１−ヒドロキシプロパン−２−スルホン酸、３−ヒドロキシプロパン−１−スルホン酸、２−ヒドロキシプロパン−１−スルホン酸、２−ヒドロキシブタンスルホン酸、２−ヒドロキシペンタンスルホン酸、２−ヒドロキシヘキサン−１−スルホン酸、２−ヒドロキシデカンスルホン酸、２−ヒドロキシドデカンスルホン酸、１−カルボキシエタンスルホン酸、２−カルボキシエタンスルホン酸、１，３−プロパンジスルホン酸、アリルスルホン酸、２−スルホ酢酸、２−又は３−スルホプロピオン酸、スルホコハク酸、スルホマレイン酸、スルホフマル酸、モノクロロメタンスルホン酸、トリクロロメタンスルホン酸、パークロロエタンスルホン酸、トリクロロジフルオロプロパンスルホン酸、パーフルオロエタンスルホン酸、モノクロロジフルオロメタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、トリフルオロエタンスルホン酸、テトラクロロプロパンスルホン酸、トリクロロジフルオロエタンスルホン酸、モノクロロエタノールスルホン酸、ジクロロプロパノールスルホン酸、モノクロロジフルオロヒドロキシプロパンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、ニトロベンゼンスルホン酸、スルホ安息香酸、スルホサリチル酸、ベンズアルデヒドスルホン酸、フェノールスルホン酸、フェノール−２，４−ジスルホン酸、アニソールスルホン酸、２−スルホ酢酸、２−スルホプロピオン酸、３−スルホプロピオン酸、スルホコハク酸、スルホメチルコハク酸、スルホフマル酸、スルホマレイン酸、２−スルホ安息香酸、３−スルホ安息香酸、４−スルホ安息香酸、５−スルホサリチル酸、４−スルホフタール酸、５−スルホイソフタール酸、２−スルホテレフタール酸ナフタレンスルホン酸等が好適な例として挙げられる。
【００３１】
中でも、メタンスルホン酸、２−ヒドロキシエタンスルホン酸、２−ヒドロキシプロパン−１−スルホン酸、トリクロロメタンスルホン酸、トリフロロメタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、フェノールスルホン酸、クレゾールスルホン酸、アニソールスルホン酸、又はナフタレンスルホン酸などが一層好適に用いられ、メタンスルホン酸、トルエンスルホン酸、フェノールスルホン酸などが特に好適である。
【００３２】
また前記カウンターアニオンとして使用される有機カルボン酸としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、ブタン酸、オクタン酸等のモノカルボン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸等のジカルボン酸、乳酸、グリコール酸、酒石酸、クエン酸等のヒドロキシカルボン酸、モノクロロ酢酸、ジクロロ酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、パーフルオロプロピオン酸等のハロゲン置換カルボン酸が適当に用いられる。
【００３３】
中でも、ギ酸、酢酸、シュウ酸、乳酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸又はパーフルオロプロピオン酸が好適であり、酢酸、乳酸、トリフルオロ酢酸が特に好適に用いられる。
【００３４】
また前記アゾール類としては、テトラゾール、トリアゾール、ベンゾトリアゾール、イミダゾール、ベンズイミダゾール、ピラゾール、インダゾール、チアゾール、ベンゾチアゾール、オキサゾール、ベンゾオキサゾール、ピロール、若しくはインドール又はこれらの誘導体の一種又は二種以上の混合物を使用することができる。
【００３５】
さらにこれらの具体例としては、テトラゾール及びその誘導体としては、テトラゾール、５−アミノテトラゾール、５−メルカプト−１−メチルテトラゾール、５−メルカプト−１−フェニルテトラゾール等が、トリアゾール又はベンゾトリアゾール及びその誘導体としては、１，２，３−トリアゾール、１，２，３−トリアゾール−４，５−ジカルボン酸、１，２，４−トリアゾール、３−アミノ−１，２，４−トリアゾール、４−アミノ−１，２，４−トリアゾール、３−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、ベンゾトリアゾール、５−メチルトリアゾール、トリルトリアゾール、ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸、カルボキシベンゾトリアゾール、４−アミノベンゾトリアゾール、５−アミノベンゾトリアゾール、４−ニトロベンゾトリアゾール、５−ニトロベンゾトリアゾール、５−クロロベンゾトリアゾール等が挙げられる。
【００３６】
またイミダゾール又はベンズイミダゾール及びその誘導体としては、イミダゾール、１−メチルイミダゾール、１−フェニルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−プロピルイミダゾール、２−ブチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、４−メチルイミダゾール、４−フェニルイミダゾール、２−アミノイミダゾール、２−メルカプトイミダゾール、イミダゾール−４−カルボン酸、ベンズイミダゾール、１−メチルベンズイミダゾール、２−メチルベンズイミダゾール、２−エチルベンズイミダゾール、２−ブチルベンズイミダゾール、２−オクチルベンズイミダゾール、２−フェニルベンズイミダゾール、２−トリフルオロメチルベンズイミダゾール、４−メチルベンズイミダゾール、２−クロロベンズイミダゾール、２−ヒドロキシベンズイミダゾール、２−アミノベンズイミダゾール、２−メルカプトベンズイミダゾール、２−メチルチオベンズイミダゾール、５−ニトロベンズイミダゾール、ベンズイミダゾール−５−カルボン酸等が挙げられる。
【００３７】
さらにピラゾール又はインダゾール及びその誘導体としては、ピラゾール、３−メチルピラゾール、４−メチルピラゾール、３，５−ジメチルピラゾール、３−トリフルオロメチルピラゾール、３−アミノピラゾール、ピラゾール−４−カルボン酸、４−ブロモピラゾール、４−ヨードピラゾール、インダゾール、５−アミノインダゾール、６−アミノインダゾール、５−ニトロインダゾール、６−ニトロインダゾール等が挙げられ、チアゾール又はベンゾチアゾール及びその誘導体としては、チアゾール、４−メチルチアゾール、５−メチルチアゾール、４，５−ジメチルチアゾール、２，４，５−トリメチルチアゾール、２−ブロモチアゾール、２−アミノチアゾール、ベンゾチアゾール、２−メチルベンゾチアゾール、２，５−ジメチルベンゾチアゾール、２−フェニルベンゾチアゾール、２−クロロベンゾチアゾール、２−ヒドロキシベンゾチアゾール、２−アミノベンゾチアゾール、２−メルカプトベンゾチアゾール、２−メチルチオベンゾチアゾール等を、またオキサゾール又はベンゾオキサゾール及びその誘導体としては、イソオキサゾール、アントラニル、ベンゾオキサゾール、２−メチルベンゾオキサゾール、２−フェニルベンゾオキサゾール、２−クロロベンゾオキサゾール、２−ベンゾオキサゾリノン、２−メルカプトベンゾオキサゾール等を挙げることができる。
【００３８】
またピロール又はインドール及びその誘導体としては、ピロール、２−エチルピロール、２，４−ジメチルピロール、２，５−ジメチルピロール、ピロール−２−カルボキシアルデヒド、ピロール−２−カルボン酸、４，５，６，７−テトラヒドロインドール、インドール、２−メチルインドール、３−メチルインドール、４−メチルインドール、５−メチルインドール、６−メチルインドール、７−メチルインドール、２，３−ジメチルインドール、２，５−ジメチルインドール、２−フェニルインドール、５−フロロインドール、４−クロロインドール、５−クロロインドール、６−クロロインドール、５−ブロモインドール、４−ヒドロキシインドール、５−ヒドロキシインドール、４−メトキシインドール、５−メトキシインドール、５−アミノインドール、４−ニトロインドール、５−ニトロインドール、インドール−３−カルボキシアルデヒド、インドール−２−カルボン酸、インドール−４−カルボン酸、インドール−５−カルボン酸、インドール−３−酢酸、３−シアノインドール、５−シアノインドール等を挙げることができる。
【００３９】
それらの中でも、テトラゾール、５−メルカプト−１−フェニルテトラゾール、１，２，３−トリアゾール、１，２，４−トリアゾール、３−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、ベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、イミダゾール、２−メルカプトイミダゾール、ベンズイミダゾール、２−オクチルベンズイミダゾール、２−フェニルベンズイミダゾール、２−メルカプトベンズイミダゾール、２−メチルチオベンズイミダゾール、ピラゾール、インダゾール、チアゾール、ベンゾチアゾール、２−フェニルベンゾチアゾール、２−メルカプトベンゾチアゾール、２−メチルチオベンゾチアゾールイソオキサゾール、アントラニル、ベンゾオキサゾール、２−フェニルベンゾオキサゾール、２−メルカプトベンゾオキサゾール、ピロール、４，５，６，７−テトラヒドロインドール、インドールなどが好適である。
【００４０】
さらにその中でも、５−メルカプト−１−フェニルテトラゾール、３−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、ベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、イミダゾール、ベンズイミダゾール、２−オクチルベンズイミダゾール、２−メルカプトベンズイミダゾール、ベンゾチアゾール、２−メルカプトベンゾチアゾール、ベンゾオキサゾール、２−メルカプトベンゾオキサゾールなどが特に好適に用いられる。
【００４１】
また本発明の析出型はんだ組成物においては、以上述べた組成物に、フラックス成分及び／又は溶剤を混合することができる。フラックスとしては通常錫−銀系又は錫−銅系などの半田について使用するものをそのまま使用することができ、また溶剤としては混合して組成物を溶解し、粘度や濃度を調製することのできるものであれば、特に限定されるものではない。
【００４２】
【作用】
本発明の析出型はんだ組成物は、回路基板における導体パターン及びその間の部分を含む広い範囲にべた塗り状に塗布し、これを加熱することにより、錯体における銀及び／又は銅が金属錫と置換し、導体パターン上に選択的にはんだ合金を析出する。
【００４３】
本発明における錯体は、これを加熱したときに銀又は銅が単独で還元析出して金属を遊離することはなく、常にイオン化傾向の大きい金属すなわち錫と置換することにより析出する。
【００４４】
そのためその置換反応は金属錫粉末の表面において生じ、析出した銀又は銅は直ちに錫とはんだ合金を形成し、当該はんだ合金は導体パターンを構成する銅との濡れ性が高いため、その銅の表面に選択的に付着し、導体パターンの表面にはんだの皮膜を形成するのである。
【００４５】
【実施例】
［銀又は銅化合物の選択］
銀又は銅の化合物として、次の物質を選択した。なお末尾の括弧内の数値は、当該化合物中の銀又は銅の含有率（重量％）である。
Ａ：［Ａｇ｛Ｐ（Ｃ6Ｈ5）3｝4］＋  ＣＨ3ＳＯ3−      （  ８wt％）
Ｂ：［Ａｇ｛Ｐ（Ｃ3Ｈ6ＯＨ）3｝4］＋  ＣＨ3ＳＯ3−  （１０wt％）
Ｃ：［Ａｇ］＋  Ｃ2Ｈ2Ｎ3Ｓ−                       （５０wt％）
Ｄ：［Ｃｕ｛Ｐ（Ｃ6Ｈ5）3｝3］＋  ＣＨ3ＳＯ3−      （  ６wt％）
Ｅ：［Ｃｕ｛Ｐ（Ｃ3Ｈ6ＯＨ）3｝3］＋  ＣＨ3ＳＯ3−  （  ７wt％）
Ｆ：［Ｃｕ］＋  Ｃ2Ｈ2Ｎ3Ｓ−                       （３５wt％）
Ｇ：Ｃ7Ｈ15ＣＯＯＡｇ                               （４２wt％）
Ｈ：（Ｃ7Ｈ15ＣＯＯ）2Ｃｕ                          （１８wt％）
【００４６】
［フラックスの調製］
ＷＷ級トールロジン      ７０重量部
ヘキシルカルビトート    ２５重量部
水素添加ひまし油          ５重量部
上記処方により各物質を混合して１２０℃に加熱熔融させ、室温に冷却して粘性を有するフラックスを調製した。
【００４７】
［銀、銅化合物混合フラックスの調製］
先に選択した銀又は銅化合物と、上記により調製したフラックスとを、３本ロールを使用して均一に混合して銀、銅化合物混合フラックスを調製した。その銀又は銅化合物の種類と混合割合は、表１に示す。
【００４８】
［析出型はんだ組成物の調製］
上記により調製した銀、銅化合物混合フラックスと、金属粉とを、コンディショニングミキサー（株式会社シンキー製：あわとり練太郎）で混合し、析出型はんだ組成物のペーストを調製した。各組成物の配合を表１に示す。各成分の配合量は、重量％である。
【００４９】
【表１】
0004142312.tif 000004
【００５０】
［はんだ析出実験］
１．電極パターンへの析出
０．２５mmピッチのＴＣＰ（テープキャリアパッケージ）パターンを形成した４０mm角のテスト基板に、ＴＣＰパターンの全域が開口した１５０μｍ厚のメタルマスクとフッ素樹脂のスキージを使用して、各実施例及び比較例の析出型はんだ組成物をべた塗り状に塗布した。
【００５１】
次いで析出型はんだ組成物を塗布した基板を、２６０℃のホットプレート上に２分間放置した後、この基板を６０℃のブチルカルビトール溶液を入れた超音波洗浄機に浸漬し、フラックスを除去した。
【００５２】
洗浄後の基板について、外観を目視により観察すると共に、電極パターン以外の部分について、エネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（ＥＤＸ）による元素分析を行った。
【００５３】
２．析出はんだの金属組成
４０mm角のガラスエポキシ板に各実施例及び比較例の析出型はんだ組成物を塗布し、これを２６０℃のホットプレート上で２分間放置した後、ガラスエポキシ板上に生じた銀光沢を有する金属塊を溶剤で洗浄し、これを王水に溶解した。その水溶液について、高周波プラズマ発光分光分析（ＩＣＰ）により金属組成を測定した。試験の結果を表２に示す。
【００５４】
【表２】
0004142312.tif 000005
【００５５】
【発明の効果】
本発明によれば、電極パターン上に銀光沢を有するはんだ合金が形成されており、また電極パターン以外の部分においてはＥＤＸ分析においても金属が検出されず、電極パターン上にのみ選択的にはんだ合金が析出され、それ以外の部分に銀又は銅が析出することがない。
【００５６】
これに対し比較例１及び２においては、金属塩としてオクタン酸銀及びオクタン酸銅が使用されており、錫との置換析出のみでなく還元析出により金属銀又は金属銅が析出し、塗布部全面に異物が検出されている。
【００５７】
また電極パターン以外の箇所においても銀又は銅が検出されており、還元析出した銀又は銅が電極パターン以外の箇所に付着し、電極パターン間の絶縁性を阻害するであろうことは明白である。
【００５８】
また実施例においては析出した金属組成において置換反応率が９５％以上と高いのに対し、比較例においては２０％以下と低く、またばらつきを有していた。銀及び銅のカルボン酸塩は還元析出があるため、置換反応率が低くなったものと考えられる。
【００５９】
実施例の置換反応率が１００％に達していないのは、錫粉と銀又は銅錯体の加熱時のダレ性の違いによるものと考えられる。すなわち錫粉は加熱時に直下に沈降し、置換反応によりはんだに変化しつつ、中央部に寄り合って大きな塊を形成しようとする傾向にあるのに対し、フラックス中に分散した銀及び銅錯体は加熱による粘度低下に伴って外方にダレていくため、一部の錯体が置換反応に寄与しないためであると推測される。