(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭酸第四級アンモニウムと水酸化第四級アンモニウムとを主成分とし、ｐＨ調整剤として有機酸を含む洗浄用水溶液からなり、実質的に金属イオンを含まないことを特徴とする精密洗浄剤組成物。
【請求項２】
洗浄用水溶液は、ノニオン系界面活性剤及びアニオン系界面活性剤から選ばれた少なくとも１種の界面活性剤を含む請求項１に記載の精密洗浄剤組成物。
【請求項３】
洗浄用水溶液は、金属イオンと錯化合物を形成する錯化剤を含む請求項１又は２に記載の精密洗浄剤組成物。
【請求項４】
炭酸第四級アンモニウムが、下記一般式（１）
【化１】
0004130514.tif 000009
（但し、式中Ｒは炭素数１〜４のアルキル基又はヒドロキシアルキル基であり、互いに同じであっても異なっていてもよい）で表される化合物である請求項１〜３のいずれかに記載の精密洗浄剤組成物。
【請求項５】
水酸化第四級アンモニウムが、下記一般式（２）
【化２】
0004130514.tif 000010
（但し、式中Ｒは炭素数１〜４のアルキル基又はヒドロキシアルキル基であり、互いに同じであっても異なっていてもよい）で表される化合物である請求項１〜４のいずれかに記載の精密洗浄剤組成物。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、洗浄後に高度の清浄度が要求される被洗浄物の精密洗浄用の洗浄剤組成物に係り、特に限定するものではないが、例えば光学部品、液晶表示素子等の液晶ディスプレイ部品、半導体製造で用いられる各種ウエーハ等の精密洗浄が要求される分野で用いるのに好適な実質的に金属イオンフリーの精密洗浄剤組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
レンズ、プリズム等の光学部品の表面には、光学機能の向上のために様々なコーティング膜が施されている。しかし、このようなコーティング膜は、光学部品の表面の汚染に対して非常に影響を受けやすく、洗浄不良や洗浄剤の影響によって生じる洗浄後表面のヤケや潜傷等により正常な膜の形成が妨げられる。このために、光学部品に対しては、研磨加工後に有機溶剤等により保護膜や油脂等を溶解除去し、次いで無機アルカリ洗浄剤でガラス表面を軽くエッチングし、これによって表面に残留した研磨材や汚れの除去を行なっている。
【０００３】
しかしながら、一般には市販の業務用洗浄剤が使用されており、特にヤケや潜傷等を効果的に防止できる有効な無機アルカリ洗浄剤は知られておらず、実際には洗浄工程でヤケや潜傷等の発生を完全には防止できないというのが実情であった。このヤケや潜傷等の発生原因については、次のように考えられている。
【０００４】
すなわち、ヤケに関しては、代表的な光学ガラス材であるケイ酸ガラスは、シリカ（ＳｉＯ2 ）の主骨格と金属酸化物の形でその網目構造中に入り込んだ夾雑物とで形成されている。そして、このガラスは、アルカリ性溶液中のＯＨ- イオンによるＳｉＯ2 骨格へのアタック（白ヤケ）や、中性から酸性溶液によるアルカリ金属イオンとヒドロニウムイオン（Ｈ3 Ｏ+ ）とのイオン交換反応（青ヤケ）を受ける性質があり、これらがヤケと呼ばれている。
【０００５】
また、潜傷に関しては、ガラス表面に微小な傷があると、洗浄溶液中での表面溶解作用や超音波等の物理的作用で傷が進行し、この傷が肉眼で確認できるようになったり、あるいは、無数の傷の集合体で表面が白く曇って見える場合があるが、これらが潜傷と呼ばれ、化学的耐久性に乏しい組成のガラスで発生し易い。特に、合成洗剤に含まれるトリポリリン酸ソーダ（Ｎａ3 Ｐ3 Ｏ10）等の縮合リン酸塩、水ガラスやメタケイ酸ソーダ等のケイ酸塩のような無機ビルダーによる侵蝕で発生する場合が非常に多い。このように、無機アルカリ洗浄剤の濃度や純度等の洗浄剤そのものに起因する場合が多いと考えられ、種類が多くて多数の異なる組成を有する各種の光学部品を洗浄するには従来の無機アルカリ洗浄剤では限界があるとの指摘もある。
【０００６】
また、液晶ディスプレイ用に用いられている液晶ガラスにおいては、近年の飛躍的進歩に伴い、そのガラス基板サイズが６００ｍｍ×７２０ｍｍにも達するなど急速に拡大化しつつある。この基板サイズの拡大化に伴って高画素のディスプレイが要求され、液晶ディスプレイで使用するガラス基板の清浄度についてもより高いレベルが要求されるようになり、このガラス基板の清浄度管理が製品の性能や歩留りに直接影響するようになってきた。
【０００７】
しかしながら、この液晶ディスプレイ用の専用洗浄剤というものはあまり開発されておらず、光学部品の場合と同様に、不純物としてＮａ、Ｋ等の金属イオンやハロゲンイオン等のガラス基板に有害なイオン等を含んだ市販の洗浄剤がそのまま使用された場合、この洗浄剤中に含まれる金属イオンや有害陰イオン等の不純物が洗浄中にガラス基板表面に付着して残留し、このことが液晶ディスプレイの画像精度を低下させる原因になっていると考えられる。
【０００８】
特に、液晶ディスプレイに用いられる透明電極や透明基板等は、洗浄剤中に含まれる金属イオンやハロゲンイオン等が表面上に残留すると、その残留した金属イオンや有害陰イオンが液晶材料と化学反応を起こし、この液晶材料を分解させたり劣化させる原因にもなる。
このため、液晶ガラスの高精度化や液晶画面サイズの拡大化が進むにつれ、洗浄剤そのものからの二次汚染の問題が顕在化し、高純度でしかも洗浄性能の高い洗浄剤の開発が要請されている。
【０００９】
更に、半導体製造において用いられるシリコンウエーハやこのシリコンウエーハ上に金属配線が施されたメタル基板ウエーハ等においては、高集積化に伴ってそのウエーハ表面に対する一段と厳しい清浄度が要求されるようになり、洗浄工程が果たす役割もより一層その重要度が増している。
【００１０】
特に、６４メガ以上の超ＬＳＩ製造プロセスでは、微細加工に必要不可欠なウエーハ表面の平坦化工程〔化学的機械的研磨（ＣＭＰ）工程〕が必要になり、このＣＭＰ工程では、溶媒中にシリカあるいはアルミナ等の微細な砥粒を分散させた薬液を使用してウエーハ表面を研磨し、デバイス化途中のウエーハ表面の凹凸部分を平坦化している。
【００１１】
しかるに、このＣＭＰ工程では、研磨終了後のウエーハ表面上に必然的に薬液中の砥粒や金属不純物、更にはウエーハ由来の研磨屑等のパーティクルや金属イオン等が発生し、これらのパーティクルや金属イオン等が少しでも研磨終了後のウエーハ表面に残留するとデバイスの信頼性が著しく損なわれたり、製品歩留りに大きな影響を与えるので、研磨終了後のウエーハ表面を高度に清浄化する洗浄工程が必須である。
【００１２】
そこで、この半導体製造のＣＭＰ工程で用いる洗浄剤については、ウエーハ表面のパーティクルや金属イオンを如何に効率良く確実に除去できるものであるかが極めて重要な要素であるが、更に、研磨後のウエーハの表面状態に悪影響を与えず、また、洗浄剤のｐＨ調製や界面活性剤等の添加によるウエーハ表面のゼータ電位の制御等も重要なポイントとなり、これらの要求を満たす金属イオンフリーであって、しかも、ウエーハ表面に対して有害な陰イオンも含まない超高純度洗浄剤の開発が重要な課題になっている。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明者らは、例えば光学部品、液晶表示素子等の液晶ディスプレイ部品、半導体製造で用いられる各種ウエーハ等の精密洗浄が要求される分野で用いるのに好適な実質的に金属イオンフリーの精密洗浄剤組成物について鋭意検討した結果、主成分として炭酸第四級アンモニウム及び水酸化第四級アンモニウムを、また、ｐＨ調整剤として有機酸を含み、実質的に金属イオンを含まない洗浄用水溶液が、ガラスやウエーハ等の表面状態を損なうことがなく、しかも、優れた洗浄効果を発揮することを見出し、本発明を完成した。
【００１４】
従って、本発明の目的は、高度の表面清浄度が要求されるガラスやウエーハ等の被洗浄物に対して洗浄後の被洗浄物表面に悪影響を与える金属イオンやハロゲンイオン等の有害陰イオンを実質的に含まず、これら被洗浄物の洗浄工程で用いられた際に、被洗浄物の表面にヤケや潜傷等のダメージを与えることがなく、しかも、優れた洗浄性を発揮し得る精密洗浄剤組成物を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
すなわち、本発明は、炭酸第四級アンモニウムと水酸化第四級アンモニウムとを主成分とし、ｐＨ調整剤として有機酸を含む洗浄用水溶液からなり、実質的に金属イオンを含まない精密洗浄剤組成物である。
また、本発明は、必要により更に、ノニオン系界面活性剤及びアニオン系界面活性剤から選ばれた少なくとも１種の界面活性剤や、金属イオンと錯化合物を形成する錯化剤を含む精密洗浄剤組成物である。
【００１６】
本発明において、主成分の１つとして用いられる炭酸第四級アンモニウムは、下記一般式（１）
【化３】
0004130514.tif 000002
（但し、式中Ｒは炭素数１〜４のアルキル基又はヒドロキシアルキル基であり、互いに同じであっても異なっていてもよい）で表される化合物であり、金属イオンの封鎖能力に優れ、しかも、金属イオンや有害陰イオンを実質的に含まないものが用いられる。
【００１７】
この炭酸第四級アンモニウムの具体例としては、テトラメチルアンモニウムカーボネート、（ＴＭＡＣ）、テトラメチルアンモニウムハイドロカーボネート、（ＴＭＡＨＣ）、トリエチルヒドロキシエチルアンモニウムカーボネート、メチルトリヒドロキシエチルアンモニウムカーボネート、ジメチルジヒドロキシエチルアンモニウムカーボネート、テトラエチルアンモニウムカーボネート、トリメチルエチルアンモニウムカーボネート等が挙げられ、高純度のものを入手し易いという観点から、好ましくはＴＭＡＣやＴＭＡＨＣである。これらは、その１種のみを単独で用いることができるほか、２種以上を組み合わせて用いることもできる。
【００１８】
この炭酸第四級アンモニウムの使用量については、被洗浄物の種類、調製される洗浄剤の用途、洗浄プロセスとそのシーケンス等に応じて適宜決定できるが、通常は０．０１〜２０重量％の範囲であり、光学部品の洗浄に用いる場合（光学用途）には０．０５〜２重量％程度、液晶表示素子等の液晶ディスプレイ部品の洗浄に用いる場合（液晶用途）には０．０２〜２重量％程度、また、半導体製造で用いられる各種ウエーハの洗浄に用いる場合（ウエーハ用途）には０．０２〜４重量％程度であるのがよい。
【００１９】
また、本発明において、主成分の他の１つとして用いられる水酸化第四級アンモニウムは、下記一般式（２）
【化４】
0004130514.tif 000003
（但し、式中Ｒは炭素数１〜４のアルキル基又はヒドロキシアルキル基であり、互いに同じであっても異なっていてもよい）で表される化合物であり、金属イオンや有害陰イオンを実質的に含まないものが用いられる。
【００２０】
この水酸化第四級アンモニウムの具体例としては、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド、（ＴＭＡＨ）、トリエチルヒドロキシエチルアンモニウムハイドロキサイド（コリン）、メチルトリヒドロキシエチルアンモニウムハイドロキサイド、ジメチルジヒドロキシエチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラエチルアンモニウムハイドロキサイド、トリメチルエチルアンモニウムハイドロキサイド等が挙げられ、高純度のものを安価に入手できることから、好ましくはＴＭＡＨやコリンである。これらは、その１種のみを単独で用いることができるほか、２種以上を組み合わせて用いることもできる。
【００２１】
この水酸化第四級アンモニウムの使用量についても、被洗浄物の種類、調製される洗浄剤の用途、洗浄プロセスとそのシーケンス等に応じて適宜決定できるが、通常は０．０１〜１０重量％の範囲であり、光学用途には０．０２〜２重量％程度、液晶用途には０．０２〜２重量％程度、また、ウエーハ用途には０．０２〜４重量％程度であるのがよい。
【００２２】
更に、本発明においては、調製される洗浄剤のｐＨ領域をその用途に応じて最適な範囲に調整することが必要であり、ｐＨ調整剤として有機酸が用いられる。この目的で使用される有機酸としては、金属イオン等の不純物を実質的に含まないものであればどのような有機酸でも使用でき、例えば、クエン酸、シュウ酸、グルコン酸、乳酸、酒石酸、マレイン酸、酢酸、ギ酸等が挙げられ、高純度のものを安価に入手でき、なおかつハンドリングが容易なものとしてクエン酸、シュウ酸、グルコン酸、及び乳酸が好適である。これらは、その１種のみを単独で用いることができるほか、２種以上を組み合わせて用いることもできる。
【００２３】
この有機酸の使用量は、主成分とし用いられる炭酸第四級アンモニウム及び水酸化第四級アンモニウムの各使用量や、洗浄剤の用途（光学用途、液晶用途、ウエーハ用途等）等に応じたｐＨ領域、及び使用する有機酸の種類、更には洗浄プロセスとそのシーケンス、及び洗浄時における他の薬剤との組合せ（例えば、シリコンウエーハ洗浄時には、ウエーハ表面の親水性化及びエッチング防止のために使用時に過酸化水素を混合して使用する場合等が上げられる）の有無等により決定される。この有機酸を使用することにより、単に洗浄剤のｐＨ領域を用途に応じた最適な範囲に調整できるだけでなく、洗浄性能や金属イオン封鎖能力をより向上させることができる。
【００２４】
そして、本発明の精密洗浄剤組成物においては、その用途等に応じて、上記炭酸第四級アンモニウム、水酸化第四級アンモニウム、及び有機酸に加えて、洗浄用水溶液中に、ノニオン系界面活性剤及びアニオン系界面活性剤から選ばれた少なくとも１種の界面活性剤や金属イオンと錯化合物を形成する錯化剤を添加してもよく、更に必要により、従来よりこの主の洗浄剤に用いられているその他の第三成分を添加してもよい。
【００２５】
上記第三成分として添加される界面活性剤としては、パーティクル除去性能や油脂及び汚れに対する洗浄性能をより一層向上せしめることができ、しかも、金属イオン等の不純物を実質的に含まないものであり、また、泡立ちの少ないものが望ましく、具体的には、ノニオン系界面活性剤としてポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル型、ポリオキシエチレンアルキルエーテル型、ポリプロピレングリコールにエチレンオキサイドを付加して得られたプルロニック型等のものが挙げられ、また、アニオン系界面活性剤としてポリオキシエチレンラウリルエーテル酢酸等のカルボン酸型のものやアルキル硫酸トリエタノールアミン等が挙げられる。これらは、その１種のみを単独で用いることができるほか、２種以上を組み合わせて用いることもできる。
【００２６】
また、錯化剤としては好適なものとしてアミノカルボン酸塩類が挙げられ、具体的には、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）、ハイドロエチルアミン二酢酸（ＨＩＤＡ）、ジハイドロキシエチルグリシン（ＤＨＥＧ）、ニトリロ三酢酸（ＮＴＡ）、ハイドロエチルエチレンジアミン三酢酸（ＨＥＤＴＡ）、ジエチレントリアミン五酢酸（ＤＴＰＡ）、トリエチレンテトラミン六酢酸（ＴＴＨＡ）等を挙げることができ、高純度で安価であり、金属不純物をキレート化して除去する性能に優れたＥＤＴＡやＤＴＰＡが好適に用いられる。これらは、その１種のみを単独で用いることができるほか、２種以上を組み合わせて用いることもできる。
【００２７】
これら界面活性剤や錯化剤の使用量についても、調製される洗浄剤の用途等に応じて適宜決定することができるが、界面活性剤については通常は０．００５〜５重量％、好ましくは０．０１〜２重量％の範囲であり、錯化剤については通常は０．０００１〜５重量％、好ましくは０．０００５〜２重量％の範囲であるのがよい。
【００２８】
なお、本発明において、金属イオンやハロゲンイオン等の有害陰イオンを「実質的に含まない」という意味は、これら金属イオンや有害陰イオンの含有量を可及的に低減せしめて、少なくとも当該精密洗浄剤組成物が用いられる用途において要求される金属イオン濃度や有害陰イオン濃度をクリヤしているという意味であって、例えば、好ましくは、洗浄剤使用時の洗浄液中のＮａ、Ｋ、Ｃａ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｚｎ等の金属イオン濃度が０．０１ｐｐｍ以下であるような場合をいう。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、実施例及び比較例に基づいて、本発明の好適な実施形態を具体的に説明する。
【００３０】
実施例１〜４及び比較例１〜４
炭酸第四級アンモニウムとしてＴＭＡＣを用い、水酸化第四級アンモニウムとしてＴＭＡＨを使用し、また、ｐＨ調整剤の有機酸としてクエン酸、シュウ酸、グルコン酸、又は乳酸を使用し、ノニオン系界面活性剤としてポリオキシエチレンポリオキシプロピレングリコール（ＰＥＰＰＧ）を、また、アニオン系界面活性剤としてラウリル硫酸トリエタノールアミン（ＲＳＴＥＡ）を使用し、更に、錯化剤としてエチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）、又はエチレントリアミン五酢酸（ＤＴＰＡ）を使用し、表１に示す割合で配合して洗浄用水溶液を調製し、実施例１〜４及び比較例１〜３の精密洗浄剤組成物とした。また、市販の無機アルカリ洗浄剤（水酸化ナトリウム、錯化剤、ビルダー、及びアニオン系界面活性剤を含む）の１０倍希釈液を調製し、比較例４の精密洗浄剤組成物とした。
【００３１】
得られた各実施例及び比較例の精密洗浄剤組成物について、下記の組成を有する３種類のレンズ用ガラス（ＳＫ１６、ＬａＦ３、及びＢＫ７）を使用して洗浄試験を行い、洗浄後の表面状態と洗浄性とを調べた。
〔レンズ用ガラスの組成〕
ＳＫ１６…SiO2:30.8wt%; BaO:48.7wt%; B2O3:17.9wt%;その他:2.6wt%
ＬａＦ３…B2O3:37.3wt%; La2O3:25.7wt%; CaO:10.7wt%; PbO:10.7wt%;
その他:15.6wt%
ＢＫ７……SiO2:68.9wt%; B2O3:10.1wt%; Na2O:8.8wt%;その他:12.2wt%
【００３２】
洗浄試験は、３種類のレンズ用ガラスに指紋（油脂）を付着させ、このレンズ用ガラスを各実施例及び比較例の精密洗浄剤組成物中に浸漬し、２８ｋＨｚの超音波を作用させながら室温で３分間超音波洗浄し、その後２分間純水でリンスし、次いでスピンドライヤーで完全に乾燥させたのち、そのガラスを１０００Ｗハロゲンランプ照射下で斜光検査及び金属顕微鏡により観察し、洗浄後の表面状態と洗浄性の確認を行ない、以下の基準で評価した。結果を表１に示す。
【００３３】
〔洗浄後の表面状態〕
◎：表面状態の変化が全く認められない
○：表面状態の変化がほとんど認められない
△：表面に若干の傷・シミが認められる
×：表面全体に傷・シミが認められる
〔洗浄性〕
◎：油脂が表面から完全に除去されている
○：油脂が表面に若干残存する
△：油脂が表面からほとんど除去されていない
×：油脂が表面から全く除去されていない
【００３４】
【表１】
0004130514.tif 000004
【００３５】
実施例５〜８及び比較例５〜８
炭酸第四級アンモニウムとしてＴＭＡＣを用い、水酸化第四級アンモニウムとしてＴＭＡＨを使用し、また、ｐＨ調整剤の有機酸としてクエン酸、シュウ酸、グルコン酸、又は乳酸を使用し、ノニオン系界面活性剤としてポリオキシエチレンポリオキシプロピレングリコール（ＰＥＰＰＧ）、又はポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル（ＰＥＮＦＥ）を使用し、更に、錯化剤としてエチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）、又はエチレントリアミン五酢酸（ＤＴＰＡ）を使用し、表２に示す割合で配合して洗浄用水溶液を調製し、実施例５〜８及び比較例５〜８の精密洗浄剤組成物とした。
【００３６】
得られた各実施例及び比較例の精密洗浄剤組成物について、ＬＤＣ用ガラス基板（コーニングジャパン社製商品名：コーニング7059）を使用して洗浄試験を行い、洗浄後の洗浄性を調べた。
洗浄試験は、液晶用ガラス基板を各実施例及び比較例の精密洗浄剤組成物中に浸漬し、２８ｋＨｚの超音波を作用させながら６０℃で１５分間超音波洗浄を行い、その後５分間超純水でリンスし、次いでスピンドライヤーで完全に乾燥させた後、その液晶用ガラス基板を１０００Ｗハロゲンランプ照射下で斜光検査及び金属顕微鏡により観察し、シミ及びパーティクルについてその洗浄性の確認を行ない、以下の基準で評価した。
【００３７】
〔洗浄性〕
◎：基板上にパーティクル、シミ等が全く残存していない。
○：基板上にパーティクル、シミ等が極僅かに残存している。
△：基板上にパーティクル、シミ等が若干認められる。
×：基板上にパーティクル、シミ等が相当数認められる。
結果を表２に示す。
【００３８】
【表２】
0004130514.tif 000005
【００３９】
実施例９〜１３及び比較例９〜１０
炭酸第四級アンモニウムとしてＴＭＡＣを用い、水酸化第四級アンモニウムとしてＴＭＡＨを使用し、また、ｐＨ調整剤の有機酸としてクエン酸、シュウ酸、グルコン酸、又は乳酸を使用し、ノニオン系界面活性剤としてポリオキシエチレンポリオキシプロピレングリコール（ＰＥＰＰＧ）又はポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル（ＰＥＮＦＥ）を、また、アニオン系界面活性剤としてラウリル硫酸トリエタノールアミン（ＲＳＴＥＡ）を使用し、更に、錯化剤としてエチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）、又はエチレントリアミン五酢酸（ＤＴＰＡ）を使用し、表３に示す割合で配合して洗浄用水溶液を調製し、実施例９〜１３及び比較例９〜１０の精密洗浄剤組成物とした。
【００４０】
得られた各実施例及び比較例の精密洗浄剤組成物について、３種類のウエーハ〔ベアシリコンウエーハ（Ｓｉ基板）、Ｓｉ基板上に酸化膜を形成したもの（ＳｉＯ2 基板）、及びＳｉＯ2 基板上にスパッタリング法でタングステン（Ｗ）の薄膜を形成せしめたもの（Ｗ基板）〕を使用し、洗浄試験を行なって洗浄性を調べた。
洗浄試験は、３種類のウエーハにスプレーで上記各実施例及び比較例の精密洗浄剤組成物を噴射させながら１分間のブラシスクラブ洗浄を行い、次いで３０秒間純水スプレーでブラシスクラブ洗浄を行なった後、最後に３０秒間純水スプレーリンスを行い、その後、ウエーハを高速回転させてスピンドライにより完全に乾燥させたのち、１０００Ｗハロゲンランプ照射下で斜光検査及び金属顕微鏡により観察し、洗浄性を実施例５〜８の場合と同様に評価した。
結果を表３に示す。
【００４１】
【表３】
0004130514.tif 000006
【００４２】
実施例１４〜１８及び比較例１１〜１２
上記実施例９〜１３の場合と同様にして、表４に示す割合で配合して洗浄用水溶液を調製し、実施例１４〜１８及び比較例１１〜１２の精密洗浄剤組成物とした。
得られた各実施例及び比較例の精密洗浄剤組成物について、ＳｉＯ2 基板上にスパッタリング法でアルミニウム（Ａｌ）の薄膜を形成したＡｌ基板を使用し、上記実施例９〜１３の場合と同様にして洗浄試験を行ない、洗浄性を実施例５〜８の場合と同様に評価した。
結果を表４に示す。
【００４３】
【表４】
0004130514.tif 000007
【００４４】
実施例１９〜２３及び比較例１３〜１４
上記実施例９〜１３の場合と同様にして、表５に示す割合で配合して洗浄用水溶液を調製し、実施例１９〜２３及び比較例１３〜１４の精密洗浄剤組成物とした。
得られた各実施例及び比較例の精密洗浄剤組成物について、ＳｉＯ2 基板上にスパッタリング法で銅（Ｃｕ）の薄膜を形成したＣｕ基板を使用し、上記実施例９〜１３の場合と同様にして洗浄試験を行ない、洗浄性を実施例５〜８の場合と同様に評価した。
結果を表５に示す。
【００４５】
【表５】
0004130514.tif 000008
【００４６】
以上の実施例９〜１３及び比較例９〜１０、実施例１４〜１８及び比較例１１〜１２、及び実施例１９〜２３及び比較例１３〜１４から明らかなように、本発明の精密洗浄剤組成物は、単にガラス表面に対してだけでなく、半導体製造で用いられるウエーハ（Ｓｉ基板、ＳｉＯ2 基板、Ａｌ基板、Ｃｕ基板、Ｗ基板等）の表面に対しても、パーティクル付着防止性を含めて、優れた洗浄効果を発揮するものであり、しかも、この組成物自体も金属イオンや有害陰イオン等を実質的に含まないものであり、半導体製造の洗浄工程で用いる精密洗浄剤として極めて有用であることが判明した。
【００４７】
【発明の効果】
本発明の精密洗浄剤組成物は、高度の表面清浄度が要求されるガラスやウエーハ等の被洗浄物に対して洗浄後の被洗浄物表面に悪影響を与える金属イオンやハロゲンイオン等の有害陰イオンを実質的に含まず、これら被洗浄物の洗浄工程で用いられた際に、被洗浄物の表面にヤケや潜傷等のダメージを与えることがなく、しかも、優れた洗浄性を発揮し得るものである。