(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
気密な処理室と、
前記処理室内の上方部に配設された上部電極と、
前記処理室内に前記上部電極の下方に前記上部電極に対向して配設された下部電極と、
前記上部電極と前記下部電極とのうちの少なくとも一つの電極に接続された高周波電源と、を備え、
前記処理室内に所定の処理ガスを導入するために前記上部電極には複数のガス吐出孔が形成されており、
前記処理ガスが通過可能な貫通孔が形成された絶縁部材であって前記ガス吐出孔に前記処理室側から嵌装される絶縁部材を備え、
前記ガス吐出孔には半径を異にする２つの孔が形成され前記２つの孔の境界部として肩部が形成されており、
前記絶縁部材には半径を異にする２つの筒部が形成され前記２つの筒部の境界部として段部が形成されており、
前記絶縁部材は、前記段部が前記肩部に前記ガス吐出孔の軸方向に係合することにより、前記ガス吐出孔内に位置決めされる
ことを特徴とする処理装置。
【請求項２】
前記絶縁部材は、前記処理室側に突出部を有するように前記ガス吐出孔に嵌装されることを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
【請求項３】
前記絶縁部材は、前記ガス吐出孔の前記処理室側開口部周囲を覆う張り出し部を有することを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
【請求項４】
前記ガス吐出孔の内壁面のうち、少なくとも前記処理室側開口部から前記肩部に至る部分が、耐プラズマ処理されていることを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
【請求項５】
前記絶縁部材の長手方向長さは、前記ガス吐出孔の長手方向長さよりも短いことを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
【請求項６】
前記絶縁部材の前記貫通孔は、少なくとも前記処理室側開口部付近において、前記処理室側に向かって前記貫通孔の径が拡大する略テーパ形状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
【請求項７】
前記絶縁部材は、樹脂から形成されていることを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
【請求項８】
気密な処理室と、
前記処理室内の上方部に配設された上部電極と、
前記処理室内に前記上部電極の下方に前記上部電極に対向して配設された下部電極と、
前記上部電極と前記下部電極とのうちの少なくとも一つの電極に接続された高周波電源と、を備え、
前記上部電極は上部電極本体と前記上部電極本体上に配設されたクーリングプレートとを有し、
前記処理室内に所定の処理ガスを導入するために、前記上部電極本体と前記クーリングプレートとの各々には複数のガス吐出孔が形成されており、
前記処理ガスが通過可能な貫通孔が形成された絶縁部材であって前記クーリングプレートに形成された前記ガス吐出孔の内壁を覆うように前記ガス吐出孔に嵌装される絶縁部材を備え、
前記クーリングプレートに形成された前記ガス吐出孔には半径を異にする２つの孔が形成され前記２つの孔の境界部として肩部が形成されており、
前記絶縁部材には半径を異にする２つの筒部が形成され前記２つの筒部の境界部として段部が形成されており、
前記絶縁部材は、前記段部が前記肩部に前記ガス吐出孔の軸方向に係合することにより、前記クーリングプレートに形成された前記ガス吐出孔内に位置決めされる
ことを特徴とする処理装置。
【請求項９】
前記絶縁部材の前記貫通孔は、少なくとも前記処理室側開口部付近において、前記処理室側に向かって前記貫通孔の径が拡大する略テーパ形状に形成されていることを特徴とする請求項８に記載の処理装置。
【請求項１０】
気密な処理室において使用される上部電極ユニットであって、
前記処理室内の上方部に配設可能な上部電極であって、前記処理室内に所定の処理ガスを導入するための複数のガス吐出孔が形成され、前記ガス吐出孔には半径を異にする２つの孔が形成され前記２つの孔の境界部として肩部が形成された上部電極と、
前記処理ガスが通過可能な貫通孔が形成されるとともに前記ガス吐出孔に嵌装される樹脂絶縁部材であって、半径を異にする２つの筒部が形成され前記２つの筒部の境界部として段部が形成された樹脂絶縁部材と、を備え、
前記絶縁部材は、前記段部が対応するガス吐出孔の前記肩部に前記ガス吐出孔の軸方向に係合することにより、前記ガス吐出孔の所定位置に位置決めされるように、前記ガス吐出孔に嵌装される
ことを特徴とする上部電極ユニット。
【請求項１１】
前記絶縁部材は、前記処理室側に突出部を有するように前記ガス吐出孔に嵌装されることを特徴とする請求項１０に記載の上部電極ユニット。
【請求項１２】
前記絶縁部材は、前記ガス吐出孔の前記処理室側開口部周囲を覆う張り出し部を有することを特徴とする請求項１０に記載の上部電極ユニット。
【請求項１３】
前記ガス吐出孔の内壁面のうち少なくとも前記処理室側開口部から前記肩部に至る部分が耐プラズマ処理されており、前記ガス吐出孔の内壁面のうち前記肩部からガス導入路内に開放している開口部に至る部分が耐プラズマ処理されていないことを特徴とする請求項１０に記載の上部電極ユニット。
【請求項１４】
前記絶縁部材は長さを有し、前記絶縁部材の長さは前記ガス吐出孔の長さより短いことを特徴とする請求項１０に記載の上部電極ユニット。
【請求項１５】
前記絶縁部材の前記貫通孔の少なくとも一部は、前記処理室側に向かって前記貫通孔の径が拡大する略テーパ形状に形成されていることを特徴とする請求項１０に記載の上部電極ユニット。
【請求項１６】
前記絶縁部材は、樹脂から形成されていることを特徴とする請求項１３に記載の上部電極ユニット。
【請求項１７】
前記樹脂絶縁部材は、前記ガス吐出孔に前記処理室側から嵌装されることを特徴とする請求項１０に記載の上部電極ユニット。
【請求項１８】
処理室の上方部に配設可能な上部電極であって、前記処理室内に所定の処理ガスを導入するための複数のガス吐出孔が形成され、前記ガス吐出孔には半径を異にする２つの孔が形成され前記２つの孔の境界部として肩部が形成された上部電極と、前記処理ガスが通過可能な貫通孔と半径を異にする２つの筒部が形成され前記２つの筒部の境界部として段部とが形成された樹脂絶縁部材と、を備えた上部電極の使用方法であって、
前記絶縁部材のうちの１つを前記ガス吐出孔のうちの１つに挿入する挿入工程と、
前記絶縁部材の前記段部が前記孔の肩部に前記ガス吐出孔の軸方向に係合するように前記ガス吐出孔内に前記絶縁部材を押し込むことにより、前記ガス吐出孔の端部が前記処理室内で生成されるプラズマに露出されないようにする押込工程と、
前記上部電極の全てのガス吐出孔に前記絶縁部材が設けられるまで、前記挿入工程及び押込工程を繰り返す工程と、
を備えたことを特徴とする上部電極の使用方法。
【請求項１９】
前記絶縁部材は、前記処理室側に突出部を有するように前記ガス吐出孔内に押し込まれることを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記絶縁部材は、前記ガス吐出孔の開口部周囲を覆う張り出し部を有することを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
前記ガス吐出孔の内壁面のうち、少なくとも前記処理室側開口部から前記肩部に至る部分を耐プラズマ処理を実施する工程と、
前記ガス吐出孔の内壁面のうち、前記肩部からガス導入路内に開放している開口部に至る部分の耐プラズマ処理の実施を省略する工程と、
を更に備えたことを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２２】
前記絶縁部材が前記ガス吐出孔の長さより比較的短い長さを有するように前記絶縁部材を提供する工程を更に備えたことを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２３】
前記絶縁部材の前記貫通孔の少なくとも一部は、前記処理室側に向かって前記貫通孔の径が拡大する略テーパ形状に形成されるように前記絶縁部材を提供する工程を更に備えたことを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２４】
前記絶縁部材として樹脂部材を提供する工程を更に備えたことを特徴とする請求項２１に記載の方法。
【請求項２５】
前記樹脂絶縁部材は、前記ガス吐出孔内に前記処理室側から挿入されて押し込まれることを特徴とする請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
気密な処理室において使用される電極ユニットであって、
前記処理室内に所定の処理ガスを導入するための複数のガス吐出孔が形成された電極と、
前記ガス吐出孔内に押し込まれて前記ガス吐出孔から突出して形成された樹脂部材であって、前記処理ガスが通過可能な孔が形成された樹脂部材と、を備え、
前記ガス吐出孔には半径を異にする２つの孔が形成され前記２つの孔の境界部として肩部が形成されており、
前記樹脂部材には半径を異にする２つの筒部が形成され前記２つの筒部の境界部として段部が形成されており、
前記樹脂部材は、前記段部が前記肩部に前記ガス吐出孔の軸方向に係合することにより、前記ガス吐出孔内に位置決めされる
ことを特徴とする電極ユニット。
【請求項２７】
前記樹脂部材は、前記樹脂部材が内部に押し込まれるガス吐出孔の開口部周囲を直接覆う張り出し部を有することを特徴とする請求項２６に記載の電極ユニット。
【請求項２８】
前記処理ガスが通過可能な前記孔の開口部は、略テーパ形状に形成されていることを特徴とする請求項２６に記載の電極ユニット。
【請求項２９】
気密な処理室において使用される電極ユニットであって、
前記処理室内に所定の処理ガスを導入するための複数のガス吐出孔が形成された電極であって、前記ガス吐出孔には半径を異にする２つの孔が形成され前記２つの孔の境界部として肩部が形成された電極と、
前記処理ガスが通過可能な貫通孔が形成された樹脂部材であって、前記樹脂部材には半径を異にする２つの筒部が形成され前記２つの筒部の境界部として段部が形成されており、前記ガス吐出孔内に押し込まれて前記段部が前記ガス吐出孔の前記肩部に前記ガス吐出孔の軸方向に係合する樹脂部材と、
を備えたことを特徴とする電極ユニット。
【請求項３０】
前記樹脂部材は、ガス吐出孔から突出して形成されていることを特徴とする請求項２９に記載の電極ユニット。
【請求項３１】
前記ガス吐出孔は周縁部を有する開口部が形成され、
前記樹脂部材は張り出し部を有し、
前記樹脂部材の前記張り出し部は、前記ガス吐出孔の周縁部を覆う
ことを特徴とする請求項３０に記載の電極ユニット。
【請求項３２】
前記処理ガスが通過可能な前記孔の開口部は、略テーパ形状に形成されていることを特徴とする請求項２９に記載の電極ユニット。
【請求項３３】
長さを有するガス吐出孔が形成され前記ガス吐出孔には半径を異にする２つの孔が形成され前記２つの孔の境界部として肩部が形成された電極から、気密な処理室内で使用される電極ユニットを作製する方法であって、
所定の処理ガスが通過可能な貫通孔と、前記ガス吐出孔の長さより短い長さとを有し半径を異にする２つの筒部が形成され前記２つの筒部の境界部として段部が形成された樹脂部材を提供する工程と、
前記樹脂部材を前記電極の前記ガス吐出孔内に挿入することにより、前記ガス吐出孔により前記所定の処理ガスが前記処理室内に導入される工程と、
前記段部が前記肩部に前記ガス吐出孔の軸方向に係合するように前記樹脂部材を前記ガス吐出孔内に押し込むことにより前記ガス吐出孔内に嵌装する工程と、
を備えたことを特徴とする電極ユニットの作製方法。
【請求項３４】
前記樹脂部材は前記ガス吐出孔内に押し込まれることにより、前記ガス吐出孔から突出して形成されることを特徴とする請求項３３に記載の電極ユニットの作製方法。
【請求項３５】
前記樹脂部材は張り出し部を有し、
前記樹脂部材が前記ガス吐出孔内に押し込まれることにより前記ガス吐出孔内に嵌装されると、前記張り出し部が当該ガス吐出孔の開口部周囲を覆うことを特徴とする請求項３４に記載の電極ユニットの作製方法。
【請求項３６】
ガス吐出孔が形成され前記ガス吐出孔には半径を異にする２つの孔が形成され前記２つの孔の境界部として肩部が形成された電極から、気密な処理室内で使用される電極ユニットを作製する方法であって、
所定の処理ガスが通過可能な貫通孔が形成され半径を異にする２つの筒部が形成され前記２つの筒部の境界部として段部が形成された樹脂部材を提供する工程と、
前記樹脂部材を前記電極の前記ガス吐出孔内に挿入することにより、前記ガス吐出孔により前記所定の処理ガスが前記処理室内に導入される工程と、
前記段部が前記肩部に前記ガス吐出孔の軸方向に係合するように前記樹脂部材を前記ガス吐出孔内に押し込むことにより前記ガス吐出孔から突出して形成する工程と、
を備えたことを特徴とする電極ユニットの作製方法。
【請求項３７】
前記樹脂部材は張り出し部を有し、
前記樹脂部材が前記ガス吐出孔内に押し込まれることにより前記ガス吐出孔内に嵌装されると、前記張り出し部が当該ガス吐出孔の開口部周囲を覆うことを特徴とする請求項３６に記載の電極ユニットの作製方法。
【請求項３８】
前記樹脂部材の前記貫通孔は略テーパ形状に形成されていることを特徴とする請求項３６に記載の電極ユニットの作製方法。
【請求項３９】
ガス吐出孔を有し前記ガス吐出孔には半径を異にする２つの孔が形成され前記２つの孔の境界部として肩部が形成された電極から、気密な処理室内で使用される電極ユニットを作製する方法であって、
所定の処理ガスが通過可能な貫通孔が形成された樹脂部材であって半径を異にする２つの筒部が形成され前記２つの筒部の境界部として段部が形成された樹脂部材を提供する工程と、
前記樹脂部材を前記電極の前記ガス吐出孔内に挿入することにより、前記ガス吐出孔により前記所定の処理ガスが前記処理室内に導入される工程と、
前記樹脂部材を前記ガス吐出孔内に押し込むことにより、前記樹脂部材が押し込まれた前記ガス吐出孔の前記肩部に前記樹脂部材の前記段部を前記ガス吐出孔の軸方向に係合させる工程と、
を備えたことを特徴とする電極ユニットの作製方法。
【請求項４０】
前記樹脂部材は前記ガス吐出孔内に押し込まれることにより、前記ガス吐出孔から突出して形成されることを特徴とする請求項３９に記載の電極ユニットの作製方法。
【請求項４１】
前記樹脂部材は張り出し部を有し、
前記樹脂部材が前記ガス吐出孔内に押し込まれることにより前記ガス吐出孔内に嵌装されると、前記張り出し部が当該ガス吐出孔の開口部周囲を覆うことを特徴とする請求項３９に記載の電極ユニットの作製方法。
【請求項４２】
前記樹脂部材の前記貫通孔は略テーパ形状に形成されていることを特徴とする請求項３９に記載の電極ユニットの作製方法。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、エッチング装置等の処理装置に関する。
背景技術
従来より、気密な処理容器内に形成された処理室内に、上部電極と下部電極であるサセプタとを対向配置したエッチング装置が提案されている。かかる装置は、サセプタ上に被処理体を載置し、処理室内に所定の処理ガスを導入した後、例えば上部電極とサセプタとにそれぞれ所定の高周波電力を印加することにより、励起されたプラズマによって被処理体に所定のエッチング処理を施す構成となっている。また、処理ガスは、ガス供給源に接続されたガス供給管を介して、例えば上部電極を支持する上部電極支持部材と上部電極との間に形成された空間部内に一旦供給された後、上部電極に備えられた空間部と処理室内とを連通する多数のガス吐出孔から処理室内に吐出される構成となっている。
ところで、上部電極のサセプタ側面は、プラズマ雰囲気に曝されるため、その上部電極に形成されたガス吐出孔、特にガス吐出孔の処理室側開口部に形成された角部に電界が集中することがある。この結果、その角部がプラズマによりエッチングされていわゆるパーティクルが生じ、そのパーティクルが例えば被処理体に付着して、歩留りを低下させるなどの問題が生じることがある。そこで、例えば特開昭６１−６７９２２号公報には、各ガス吐出孔に、例えばアルミナセラミックやフッ素系である樹脂テフロンから成り、貫通孔を備えた絶縁部材を嵌挿し、ガス吐出孔の電界の集中を防止する技術が開示されている。ここでは、ガス吐出孔を処理室方向に向かうにつれて径が小さくなる略テーパ状の形状にし、その形状に対応する略テーパ状の絶縁部材を上部電極の上方から下方方向に挿入している。そして、各絶縁部材の処理室側面が、上部電極のサセプタ側面と同一平面上に均一に配置されるように絶縁部材を嵌合させる構成となっている。従って、絶縁部材は、処理ガスの供給圧力により下部電極側に抜け落ちることなく、ガス吐出孔の電界集中を防止することができるように構成されている。
しかしながら、上記絶縁部材は、上部電極の上部から挿入する構成であるため、例えば絶縁部材の交換ごとに上部電極の脱着作業が必要となって交換作業時間が長くなり、それに伴って該装置の稼働時間が短くなり、スループットの低下を招く場合がある。また、処理時には処理室内が高温状態になるため上部電極に熱応力が生じ、その熱応力によってガス吐出孔や絶縁部材に歪みが生じて、各絶縁部材の処理室側面と上部電極の下部電極側面とが不均一となる場合がある。
また、絶縁部材の貫通孔の処理室側開口部には、角部が形成されているため、処理時に励起されるプラズマによってその角部がエッチングされ、パーティクルが生じる場合がある。さらに、絶縁部材は、アルミナセラミックやフッ素系樹脂から形成されているため、例えばそれら材料の構成するアルミニウムやフッ素がパーティクルとなって被処理体に付着することにより、被処理体に絶縁不良などの悪影響を与える原因となる場合がある。
また、上部電極が上部電極本体と上部電極本体上に配設されたクーリングプレートとを有するように構成された処理装置にあっては、上部電極本体とクーリングプレートとに複数のガス吐出孔が形成されている。この場合、処理室で生成されたプラズマが上部電極本体のガス吐出孔を通り、このプラズマによってクーリングプレートのガス吐出孔がエッチングされ損傷を受けるという問題があった。
発明の開示
本発明は、従来の処理装置が有する上記のような問題点に鑑みて成されたものであり、絶縁部材の装着、交換を容易にすることができると共に、絶縁部材の位置決めを均一かつ容易に行うことが可能な、新規かつ改良された処理装置を提供することを目的としている。
本発明は、気密な処理室内に上部電極と下部電極とを対向配置し、上部電極に形成された複数のガス吐出孔から処理室内に所定の処理ガスを導入するように構成された処理装置に適用されるものである。そして、第１の発明によれば、ガス吐出孔には、処理ガスが通過可能な貫通孔が形成された絶縁部材が処理室側から嵌装されることを特徴としている。かかる構成によれば、絶縁部材が上部電極の吹出口側（処理室側）からガス吐出孔に挿入され、嵌装されるため、絶縁部材の装着、交換を容易に行うことができる。
また、第２の発明によれば、絶縁部材は、処理室側に突出部を有するように嵌装されることを特徴としている。かかる構成によれば、絶縁部材の突起部が上部電極の下部電極側の面よりも突出して配置されるため、ガス吐出孔の処理室側開口部に形成された角部が処理室内に露出することがない。その結果、処理時に、その角部が処理室内雰囲気に曝されないため、角部がプラズマによってエッチングされることを防止することができる。
さらに、第３の発明によれば、絶縁部材は、ガス吐出孔の処理室側開口部周囲を覆う張り出し部を有することを特徴としている。かかる構成によれば、絶縁部材をガス吐出孔に嵌装した際に、その張り出し部がガス吐出孔の処理室側開口部周囲を覆うため、ガス吐出孔の処理室側開口部に形成された角部がプラズマ雰囲気に曝されず、エッチングされることがない。その結果、ガス吐出孔が形成された上部電極の寿命を、大幅に延長することができる。
さらに、第４の発明によれば、ガス吐出孔内には肩部が形成されており、絶縁部材には段部が形成されており、前記段部が前記肩部に係合することにより、絶縁部材はガス吐出孔内に位置決めされることを特徴としている。かかる構成によれば、絶縁部材をガス吐出孔に挿入し、絶縁部材の段部がガス吐出孔の肩部に当接するように絶縁部材を抑圧することのみで、絶縁部材の位置決めを行うことができる。その結果、絶縁部材をガス吐出孔の所望の位置に、均一に配置することができる。また、絶縁部材の段部とガス吐出孔の肩部が気密に接するため、ガス吐出孔に接続されたガス供給経路内にプラズマが回り込むことがない。
さらにまた、第５の発明によれば、ガス吐出孔の内壁面は、少なくとも処理室側開口部から肩部に至る部分が、耐プラズマ処理、例えば上部電極がアルミニウムから成る場合には、陽極酸化処理がされていることを特徴としている。従って、絶縁部材とガス吐出孔との間にプラズマが回り込んだ場合でも、ガス吐出孔の内壁面がエッチングされることがない。また、ガス吐出孔の内壁面の肩部からガス供給経路側に至る部分には、耐プラズマ処理が施されていないため、絶縁部材の外部側面とガス吐出孔の内壁面とが気密に密着する。その結果、ガスの供給圧力が絶縁部材に負荷された場合でも、絶縁部材がガス吐出孔から抜け落ちることがない。
また、第６の発明によれば、絶縁部材の長手方向長さは、ガス吐出孔の長手方向長さよりも短いことを特徴としている。かかる構成によれば、ガス吐出孔に絶縁部材を嵌装した際に、ガス吐出孔の絶縁部材とガス供給経路との間に空間部が形成される。その結果、最適なコンダクタンスを得ることができ、絶縁部材の貫通孔を介して、所望の状態で処理ガスを処理室内に吐出させることができる。
さらに、第７の発明によれば、絶縁部材の貫通孔は、少なくとも処理室側開口部付近において、処理室側に向かって貫通孔の径が拡大する略テーパ形状を有していることを特徴としている。従って、貫通孔の処理室側開口部付近に角部が形成されないため、絶縁部材の耐プラズマ性を向上させ、交換時期を大幅に延長することができる。また、その略テーパ状の形状により、貫通孔を介して、処理ガスを処理室内の被処理体上に均一に吐出させることができる。
さらにまた、第８の発明によれば、絶縁部材は、樹脂、例えば式（１）
0004146905.tif 000002
に示したポリエーテルエーテルケトン（例えば、日本ポリペンコ株式会社製の「ＰＥＥＫ  ＰＫ−４５０」や、ザ・ポリマーコーポレーション製の「ＰＥＥＫ  ＰＫ−４５０Ｇ）や、式（２）
0004146905.tif 000003
に示したポリイミド（例えば、デュポン株式会社製の「ＶＥＳＰＥＬ  ＳＰ−１」）や、式（３）
0004146905.tif 000004
に示したポリエーテルイミド（例えば、日本ポリペンコ株式会社製やザ・ポリマーコーポレーション製の「ＵＬＴＥＭ  ＵＬ−１０００（ナチュラルグレード）」）等から形成されていることを特徴としている。従って、絶縁部材の耐プラズマ性が向上し、交換時期を大幅に向上させることができると共に、絶縁部材がプラズマによりエッチングされた場合でも、被処理体に対する影響を最小限にとどめることができる。
さらにまた、第９の発明によれば、気密な処理室と、前記処理室内の上方部に配設された上部電極と、前記処理室内に前記上部電極の下方に前記上部電極に対向して配設された下部電極と、を備え、前記上部電極は上部電極本体と前記上部電極本体上に配設されたクーリングプレートとを有し、前記処理室内に所定の処理ガスを導入するために、前記上部電極本体と前記クーリングプレートとの各々には複数のガス吐出孔が形成されており、前記処理ガスが通過可能な貫通孔が形成された絶縁部材であって前記クーリングプレートに形成された前記ガス吐出孔の内壁を覆うように前記ガス吐出孔に嵌装される絶縁部材を備えている。かかる構成によれば、クーリングプレートに形成されたガス吐出孔の内壁を覆うようにガス吐出孔に嵌装される絶縁部材を備えているので、処理室で生成されたプラズマによりクーリングプレートのガス吐出孔の内壁面がエッチングされることを防止することができる。
さらにまた、第１０の発明によれば、前記絶縁部材の前記貫通孔は、少なくとも前記処理室側開口部付近において、前記処理室側に向かって前記貫通孔の径が拡大する略テーパ形状に形成されている。かかる構成によれば、そのテーパ状の形状によりエッチングされ難くなり、絶縁部材の交換時期を延長することができる。
さらにまた、第１１の発明によれば、前記クーリングプレートに形成された前記ガス吐出孔には肩部が形成されており、前記絶縁部材には段部が形成されており、前記絶縁部材は、前記段部が前記肩部に係合することにより、前記クーリングプレートに形成された前記ガス吐出孔内に位置決めされる。かかる構成によれば、絶縁部材をクーリングプレートのガス吐出孔に挿入し、絶縁部材の段部がガス吐出孔の肩部に当接するように絶縁部材を抑圧することのみで、絶縁部材の位置決めを行うことができ、その結果、絶縁部材をクーリングプレートのガス吐出孔の所望の位置に均一に配置することができる。
上述したように、本発明によれば、絶縁部材を上部電極のガス吐出孔に、ガス吐出孔の吹出側（処理室側）から嵌装するため、絶縁部材の脱着を容易に行うことができる。また、絶縁部材の段部とガス吐出孔の肩部とを係合させて、絶縁部材の位置決めを行うため、各ガス吐出孔に絶縁部材を均一に配置することができる。さらに、絶縁部材の処理室内雰囲気に曝される部分には角部が形成されず、かつ貫通孔の処理室側開口部付近が所定の略テーパ状の形状であるため、エッチングされ難くなり、絶縁部材の交換時期を延長することができる。さらにまた、絶縁部材は、所定の樹脂から形成されているため、耐プラズマ性が向上し、さらに交換時期を延長することができる。また、ガス吐出孔内壁面の処理室側開口部から肩部に至る部分には耐プラズマ処理が施され、かつ絶縁部材によりガス吐出孔の処理室側開口部に形成された角部が露出しないため、上部電極の寿命の延長を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
図１は、本発明を適用可能なエッチング装置を示した概略的な断面図である。
図２は、図１に示したエッチング装置のガス吐出孔周辺を表した概略的な拡大断面図である。
図３は、図１に示したエッチング装置に適用される絶縁部材を表した概略的な斜視図である。
図４は、他の実施の形態にかかる絶縁部材を示した概略的な断面図である。
図５は、さらに他の実施の形態にかかる絶縁部材を示した概略的な断面図である。
図６は、他の型のエッチング装置のガス吐出孔周辺の部分を表した概略的な断面図である。
図７は、図６に示したガス吐出孔周辺の部分を表した拡大断面図である。
発明を実施するための最良の形態
以下に、添付図面を参照しながら、本発明にかかる処理装置をエッチング装置に適用した、実施の形態について詳細に説明する。なお、以下の説明において、略同一の機能及び構成を有する構成要素については、同一符号を付することにより、重複説明を省略することとする。
図１は、本実施の形態にかかるエッチング装置１００の概略的な断面を示している。このエッチング装置１００の処理室１０２は、気密に閉塞自在な、例えば表面が陽極酸化処理されたアルミニウムから成る略円筒形状の処理容器１０４内に形成され、この処理容器１０４は、接地線１０６を介して接地されている。また、処理室１０２内の底部には、例えばセラミックなどの絶縁支持板１０８が設けられている。さらに、この絶縁支持板１０８の上部には、被処理体、例えば１２インチの半導体ウェハ（以下、「ウェハ」と称する。）とＷを載置するための下部電極を構成する略円筒形状のサセプタ１１０が配置されている。
このサセプタ１１０は、絶縁支持板１０８及び処理容器１０４の底部を遊貫する昇降軸１１２によって支持されており、この昇降軸１１２は、処理容器１０４外部に設置されている不図示の駆動機構に接続されている。従って、この騒動機構の作動によりサセプタ１１０は、図１中の往復矢印に示したように、上下移動自在となっている。なお、処理室１０２の気密性を確保するため、サセプタ１１０と絶縁支持板１０８との間には、昇降軸１１２の外方を囲むように伸縮自在な気密部材、例えばベローズ１１４が設けられている。
また、サセプタ１１０は、例えば表面が陽極酸化処理されたアルミニウムから成り、その内部には冷媒循環路１１６が設けられている。この冷媒循環路１１６は、冷媒導入管１１６ａ及び冷媒排出管１１６ｂを介して、外部に設けられた不図示の冷媒源に接続されており、冷媒循環路１１６と冷媒源との間で冷媒、例えばエチレングリコールが循環する構成となっている。さらに、サセプタ１１０の内部には、不図示の加熱機構、例えばセラミックヒータ及び不図示の温度センサが設けられており、冷媒循環路１１６と併せて、ウェハＷの温度を自動的に所望の温度に維持可能な構成となっている。
また、サセプタ１１０の載置面には、ウェハＷを吸着保持するための静電チャック１１８が設けられている。この静電チャック１１８は、ウェハＷと略同径であり、例えばタングステンから成る導電性の薄膜１１８ａを、例えばセラミックスから成る絶縁部材１１８ｂによって上下から挟持した構成となっている。また、薄膜１１８ａには、可変直流電源１２０が接続されている。そして、薄膜１１８ａに対して、可変直流電源１２０から所定の直流高電圧、例えば１．０〜２．５ｋＶの高電圧が印加されると、クーロン力及びジョンソン・ラーベック力が絶縁部材１１８ｂに生じ、静電チャック１１８上に載置されたウェハＷがそのチャック面に吸着し、保持される構成となっている。
また、静電チャック１１８のチャック面には、多数の伝熱ガス吹出孔１２２が配置されており、この伝熱ガス吹出孔１２２は伝熱ガス供給管１２４を介して、不図示の伝熱ガス供給源に接続されている。そして、処理時には、静電チャック１１８上に載置されたウェハＷの裏面とチャック面との間に形成される微小空間に、伝熱ガス吹出孔１２２から伝熱ガス、例えばＨｅガスを供給する構成となっている。その結果、ウェハＷの伝熱効率を高めて、ウェハＷに生じた熱を効率よくサセプタ１１０に放熱することができる。
また、静電チャック１１８には、不図示の貫通口が設けられていると共に、この貫通口内には、上下動自在に構成された不図示のリフターピンが挿設されている。また、このリフターピンは、静電チャック１１８のチャック面に対して出没可能なように構成されている。従って、このリフターピンの作動により、不図示の搬送アームとチャック面との間で、ウェハＷを所望の状態で受け渡すことができる。
また、サセプタ１１０の載置面の外縁部には、絶縁性材料、例えば石英から成る略環状のフォーカスリング１２６が設けられていると共に、このフォーカスリング１２６は、静電チャック１１８を囲うようにして配置されている。従って、このフォーカスリング１２６により、プラズマがウェハＷに効果的に入射し、ウェハＷに対して均一な処理を施すことができる。
また，サセプタ１１０の載置面と対向する位置には、導電性材料、例えばアルミニウムから成りその表面が陽極酸化処理された略円盤状の上部電極１２８が配置されている。この上部電極１２８は、導電性材料から成る上部電極支持部材１３０に気密に密着するように取り付けられている。そして、これら上部電極１２８と上部電極支持部材１３０とは、絶縁性材料、例えばセラミックスから成る略環状の絶縁リング１３２を介して、処理容器１０４の天井部１０４ａに取り付けられる構成となっている。
また、上部電極支持部材１３０の上部電極１２８側には、開口部が設けられており、上部電極支持部材１３０に上部電極１２８が取り付けられた際に、上部電極支持部材１３０と上部電極１２８との間に空間部１３４が形成されるように構成されている。そして、空間部１３４の上部略中央には、ガス導入管１３６が接続されていると共に、このガス導入管１３６は、バルブ１３８及び流量調節器ＭＦＣ１４０を介して、ガス供給源１４２に接続されている。
また、上部電極１２８には、空間部１３４と処理室１０２内とを連通する多数のガス吐出孔１２８ａが形成されており、このガス吐出孔１２８ａには、本実施の形態に係る絶縁部材１４４が嵌装されている。
ここで、本実施の形態に係る絶縁部材１４４の構成について、詳細に説明する。かかる絶縁部材１４４は、上述したように耐プラズマ性の樹脂、例えば式（１）
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に示したポリエーテルエーテルケトンや、式（２）
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に示したポリイミドや、式（３）
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に示したポリエーテルイミド等から形成されている。
次に、絶縁部材１４４の耐プラズマ性について説明する。絶縁部材１４４の耐プラズマ性は、絶縁部材１４４を形成するポリエーテルエーテルケトン（式（１））、ポリイミド（式（２））及びポリエーテルイミド（式（３））と、式（４）
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に示したポリテトラフルオロエチレン及び式（５）
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に示したポリクロロトリフルオロエチレンのフッ素系樹脂とを、
（１）処理ガス…ＣＨＦ3：ＣＦ4：Ａｒ＝２０：４０：６００（ｓｃｃｍ）、
（２）処理室内雰囲気…３００ｍＴｏｒｒ、
（３）プラズマ生成用高周波電力…１．５ｋＷ、
の条件でエッチングして各樹脂のエッチングレートを求め、それら各数値からエッチングレート比を算出して比較した。
その結果、エッチングレート比は、
（１）ポリテトラフルオロエチレン／ポリエーテルエーテルケトン
＝１７．５、
（２）ポリテトラフルオロエチレン／ポリイミド
＝１６．５、
（３）ポリテトラフルオロエチレン／ポリエーテルイミド
＝１４．１、
（４）ポリクロロトリフルオロエチレン／ポリエーテルエーテルケトン
＝５２．４、
（５）ポリクロロトリフルオロエチレン／ポリイミド
＝４９．４、
（６）ポリクロロトリフルオロエチレン／ポリエーテルイミド
＝４２．２、
となった。
従って、上記エッチングレートからもわかるように、絶縁部材１４４の構成材料であるポリエーテルエーテルケトンや、ポリイミドや、ポリエーテルイミドは、フッ素系樹脂であるポリテトラフルオロエチレンや、ポリクロロトリフルオロエチレンと比較して、非常にエッチングされ難い材料である。また、ポリテトラフルオロエチレンや、ポリクロロトリフルオロエチレン等のフッ素系樹脂がエッチングされやすいのは、エッチング処理に一般的に使用されている処理ガス、例えばＣＦ4や、ＣＨＦ3や、ＣＨ2Ｆ2等のフッ素含有ガスと、フッ素系樹脂との反応性が高く、解離しやすいためであると推察される。
次に、絶縁部材１４４の形状及び絶縁部材１４４が嵌装されるガス吐出孔１２８ａ形状等について、図２及び３を参照しながら説明する。
絶縁部材１４４は、図２に示したように、長手方向の断面形状が略Ｔ字状の形状であると共に、図２及び３に示したように、絶縁部材１４４の外部側面には段部１４４ａが形成されている。さらに、絶縁部材１４４は、その段部１４４ａを境にして、相対的に径が大きい長径部１４４ｂと、相対的に径が小さい短径部１４４ｃとから成る構成となっている。また、絶縁部材１４４の長手方向の長さは、ガス吐出孔１２８ａの長手方向の長さよりも短く構成されている。
また、絶縁部材１４４内には、その長手方向に沿って貫通孔１４４ｄが形成される構成となっている。さらに、貫通孔１４４ｄの長径部１４４ｂ側開口部付近は、その開口面に向かって貫通孔１４４ｄの径が拡大する略テーパ状の形状に成形されている。従って、貫通孔１４４ｄを介して処理ガスを所望の状態で吐出することができると共に、上記略テーパ状の形状によりエッチングされ難くなり、絶縁部材１４４の交換時期を延長することができる。さらに、後述する如く、絶縁部材１４４をガス吐出孔１２８ａに嵌装した際に、絶縁部材１４４の処理室１０２内雰囲気に曝される部分には、角部が形成されない構成となっている。従って、絶縁部材１４４の耐エッチング性がさらに向上し、絶縁部材１４４の交換時期を大幅に延長することができる。
また、ガス吐出孔１２８ａは、図２に示したように、絶縁部材１４４を嵌装可能な形状に成形されており、絶縁部材１４４の段部１４４ａに対応する位置には、肩部１２８ｂが形成されている。そして、ガス吐出孔１２８ａの内径は、その肩部１２８ｂを境にして大小の値をとり、処理室１０２側が絶縁部材１４４の長径部１４４ｂに対応し、また空間部１３４側が絶縁部材１４４の短径部１４４ｃに対応するように構成されている。また、ガス吐出孔１２８ａの処理室１０２側開口部から肩部１２８ｂに至る部分には、耐プラズマ処理、例えば上述した上部電極１２８の表面に施されている陽極酸化処理が、同様にして施されている。従って、処理時に、絶縁部材１４４とガス吐出孔１２８ａとの間にプラズマが回り込んでしまった場合でも、ガス吐出孔１２８ａの内壁面がエッチングされることを防止することができる。
次に、絶縁部材１４４のガス吐出孔１２８ａへの嵌装構成について説明する。まず、上記の如く構成された絶縁部材１４４を、上部電極１２８に形成された多数のガス吐出孔１２８ａのそれぞれに、ガス吐出孔１２８ａの吹出口側（処理室１０２側）から挿入する。次いで、絶縁部材１４４の段部１４４ａと、ガス吐出孔１２８ａの肩部１２８ｂとが係合するように、絶縁部材１４４を圧入し、嵌装させる構成となっている。従って、絶縁部材１４４の位置決めを容易に行うことができ、絶縁部材１４４を各ガス吐出孔１２８ａに均一に配置することができる。
また、ガス吐出孔１２８ａの肩部１２８ｂから空間部１３４側開口部に至る部分には、耐プラズマ処理が施されていない構成となっている。これは、そのガス吐出孔１２８ａの内壁面に耐プラズマ処理、例えば陽極酸化処理が施されると、その表面に微細な凹凸が生じ、ガス吐出孔１２８ａの内壁面と、絶縁部材１４４の短径部１４４ｃの外部側面との密着性が低下するためである。従って、上述の如く構成することにより、ガス吐出孔１２８ａの内壁面と絶縁部材１４４の短径部１４４ｃの外部側面とが気密に密着する構成となっている。その結果、プラズマの回り込みを防止することができると共に、処理ガスの供給圧力が絶縁部材１４４に加わった場合でも、絶縁部材１４４がガス吐出孔１２８ａから抜け落ちることがない。
また、絶縁部材１４４をガス吐出孔１２８ａに嵌装した際に、絶縁部材１４４は、図２に示したように、上部電極１２８のサセプタ１１０側面よりも突出するように配置される構成となっている。従って、ガス吐出孔１２８ａの処理室１０２側開口部に形成される角部がプラズマ雰囲気に曝されないため、その角部がエッチングされることを防止し、上部電極１２８の交換時期の延長を図ることができる。また、絶縁部材１４４の嵌装時に、ガス吐出孔１２８ａ内には、絶縁部材１４４と上部電極１２８の空間部１３４側面との間に所定の空間部が形成される構成となっている。
また、上述した絶縁部材１４４に変えて、図４に示した絶縁部材２００をガス吐出孔１２８ａに嵌装してもよい。
この絶縁部材２００は、絶縁部材１４４をガス吐出孔１２８ａに嵌装した際に形成される処理室１０２側の突出部外周に、張り出し部２００ａが形成される構成となっている。また、絶縁部材２００は、張り出し部２００ａが形成されている以外は、絶縁部材１４４と略同形に構成されている。そして、この絶縁部材２００をガス吐出孔１２８ａに嵌装した場合には、ガス吐出孔１２８ａの処理室１０２側開口部に形成された角部、およびその角部の処理室１０２側周辺部が、絶縁部材２００の張り出し部２００ａによって気密に覆われる構成となっている。従って、ガス吐出孔１２８ａの処理室１０２側開口部に形成された角部は、プラズマ雰囲気に曝されないためエッチングされることがなく、ガス吐出孔１２８ａが形成された上部電極１２８の寿命を大幅に延長させることができる。
また、上述した絶縁部材１４４あるいは絶縁部材２００に変えて、図５に示した絶縁部材２１０をガス吐出孔１２８ａに嵌装してもよい。
この絶縁部材２１０には、絶縁部材２００における張り出し部２００ａに相当する張出し部２１０ａが形成されている。絶縁部材２１０には、絶縁部材１４４あるいは絶縁部材２００における段部１４４ａが設けられていない。絶縁部材２００の場合には、段部１４４ａと肩部１２８ｂとが係合するか、張り出し部２００ａと上部電極１２８の表面とが係合するかして、絶縁部材２００の位置決めが行われる。これに対し、絶縁部材２１０の場合には、張り出し部２１０ａと上部電極１２８の表面とが係合することによって一義的に位置決めを行うことができる。
また、絶縁部材２１０をガス吐出孔１２８ａに嵌装した場合には、ガス吐出孔１２８ａの処理室１０２側開口部に形成された角部、およびその角部の処理室１０２側周辺部が、絶縁部材２００の張り出し部２１０ａによって気密に覆われる。従って、ガス吐出孔１２８ａの処理室１０２側開口部に形成された角部は、プラズマ雰囲気に曝されないためエッチングされることがなく、ガス吐出孔１２８ａが形成された上部電極１２８の寿命を大幅に延長させることができる。
次に、処理室１０２に対する処理ガスの供給構成について説明する。
まず図１に示したガス供給源１４２から所定の処理ガス、例えばシリコン酸化膜処理の場合にはＣＦ4＋Ｏ2の混合ガスが、流量調整器ＭＦＣ１４０及びバルブ１３８が介挿されたガス導入管１３６を介して、一旦空間部１３４に導入される。次いで、空間部１３４内に満たされた処理ガスは、上述したガス吐出孔１２８ａ内に形成された空間部内に満たされる。従って、その空間部により、所望のコンダクタンスを得ることができる。次いで、処理ガスは、ガス吐出孔１２８ａの空間部から貫通孔１４４ｄを介して、サセプタ１１０に載置されたウェハＷ上に所望の状態で均一に吐出される構成となっている。
再び図１に戻り、処理容器１０４の下部側壁には、排気管１４６が接続されており、この排気管１４６は、真空引き機構、例えばターボ分子ポンプから成る真空ポンプＰ１４８に接続されている。従って、この真空ポンプＰ１４８の作動により、処理室１０２内を所定の減圧雰囲気、例えば数ｍＴｏｒｒ〜数１００ｍＴｏｒｒまでの任意の真空度にまで真空引きし、これを維持することが可能なように構成されている。
次いで、エッチング装置１００の高周波電力の供給系について説明すると、上部電極１２８には、整合回路から成る第１整合器１５０を介して第１高周波電源１５２が接続されている。一方、サセプタ１１０には、整合回路から成る第２整合器１５４を介して第２高周波電源１５６が接続されている。そして、処理時には、上部電極１２８に対して、第１高周波電源１５０から所定のプラズマ生成用高周波電力、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力が印加されることにより、処理室１０２内に導入された処理ガスが解離し、プラズマが励起される、また同時に、サセプタ１１０に対して、第２高周波電源１５６から所定のバイアス用高周波電力、例えば３８０ｋＨｚの高周波電力が印加されることにより、励起されたプラズマがウェハＷの被処理面に効果的に引き込まれる構成となっている。
なお、本発明では、エッチング装置の形態としては上述のエッチング装置１００に限られる必要はない。例えば、上部電極に高周波電力を印加しサセプタ及び処理容器を接地したエッチング装置であってもよく、また、サセプタに高周波電力を印加し上部電極及び処理容器を接地したエッチング装置であってもよい。
本実施の形態にかかるエッチング装置は、以上のように構成されており、絶縁部材１４４を上部電極１２８のガス吐出孔１２８ａに、ガス吐出孔１２８ａの吹出口側（処理室１０２側）から嵌装させるため、絶縁部材１４４の装着、交換を容易に行うことができる。また、絶縁部材１４４の段部１４４ａとガス吐出孔１２８ａの肩部１２８ｂとの係合により、絶縁部材１４４が位置決めされるため、絶縁部材１４４の位置決めが容易になり、かつ絶縁部材１４４を均一に配置することができる。さらに、絶縁部材１４４の処理室１０２内雰囲気に曝される部分には角部が形成されず、かつ貫通孔１４４ｄの処理室１０２側開口部付近が略テーパ状の形状であるため、耐エッチング性が向上して絶縁部材１４４の交換時期の延長を図ることができる。さらにまた、絶縁部材１４４を上述した樹脂から形成したため、エッチングされ難くなり、さらに交換時期を延長することができる。また、ガス吐出孔１２８ａ内壁面の処理室１０２側開口部から肩部１２８ｂに至る部分に耐プラズマ処理を施し、かつ絶縁部材１４４によってガス吐出孔１２８ａの処理室１０２側開口部の角部が処理室１０２に露出しないようにに構成したため、上部電極１２８の交換時期の延長を図ることができる。
次に、図６および図７を参照して、図１に示したエッチング装置１００の上部電極１２８とは異なる構成を有する上部電極２２８について説明する。
上部電極２２８は、図１に示したエッチング装置１００に比べてより大きいプラズマ処理能力を有するエッチング装置に適用される。なお、以下の説明において、略同一の機能及び構成を有する構成要素については、同一符号を付することにより、重複説明を省略することとする。
上部電極２２８は、サセプタ１１０の載置面と対向する位置に配設されるシリコン基材からなるシリコン電極（上部電極本体）３０１と、シリコン電極３０１の上面に積層されたアルミニウム合金からなるクーリングプレート３０２とから構成されている。クーリングプレート３０２はＡｌ合金等から構成されている。
シリコン電極３０１には多数のガス吐出孔３０１ａが形成されている。また、クーリングプレート３０２にはガス吐出孔３０１ａに比べてより孔径の大きい多数のガス吐出孔３０２ａが形成されている。各々のガス吐出孔３０１ａとガス吐出孔３０２ａとは互いに同軸状に形成されている。空間部１３４と処理室１０２内とはガス吐出孔３０１ａとガス吐出孔３０２ａとによって連通している。
ガス吐出孔３０２ａは、下方部に形成された小円筒形状の部分と上方部に形成された大円筒形状の部分とから構成されている。小円筒形状の部分と大円筒形状の部分との境界に肩部３０２ｂが形成されている。
ガス吐出孔３０２ａには、絶縁部材１４４と同様の材料からなる絶縁部材２４４が嵌装されている。絶縁部材２４４は、損傷を受けた場合に交換可能にガス吐出孔３０２ａに挿入される。
絶縁部材２４４は、図７に示したように、下方部に位置する小円筒部２４４ａと上方部に位置する大円筒部２４４ｂとから構成されている。小円筒部２４４ａと大円筒部２４４ｂの境界に段部２４４ｆが形成されている。小円筒部２４４ａはガス吐出孔３０２ａの小円筒形状の部分に挿入され、大円筒部２４４ｂはガス吐出孔３０２ａの大円筒形状の部分に挿入される。
絶縁部材２４４の長手方向の長さはクーリングプレート３０２の厚みとほぼ一致している。絶縁部材２４４の底部はシリコン電極３０１の上表面にほぼ接触している。なお、絶縁部材２４４の長手方向の長さは、絶縁部材２４４の底部がシリコン電極３０１の上表面にほぼ接触している限り、クーリングプレート３０２の厚みより小さくてもよい。小円筒部２４４ａには、ガス吐出孔３０１ａの孔径とほぼ同径の小孔２４４ｃが形成されており、大円筒部２４４ｂには、小孔２４４ｃに比べより孔径の大きい大孔２４４ｄが形成されている。
ガス吐出孔３０１ａ側の小孔２４４ｃの開口部付近には、その開口面に向かって小孔２４４ｃの径が拡大するテーパ部２４４ｅが成形されている。テーパ部２４４ｅは、角ばった部分がなく滑らかな表面を有する。
段部２４４ｆは肩部３０２ｂと係合可能であり、これによって絶縁部材２４４は長手方向に位置決めされる。
ガス吐出孔３０２ａの内壁面のうち、肩部３０２ｂから空間部１３４側開口部に至る部分には、プラズマ処理が施されていない構成となっている。これは、そのガス吐出孔３０２ａの内壁面に耐プラズマ処理、例えば陽極酸化処理が施されると、その表面に微細な凹凸が生じ、ガス吐出孔３０２ａの内壁面と、絶縁部材２４４の大円筒部２４４ｂの外部側面との密着性が低下するためである。従って、上述の如く構成することにより、ガス吐出孔３０２ａの内壁面と絶縁部材２４４の大円筒部２４４ｂの外部側面とが気密に密着する構成となっている。その結果、プラズマの回り込みを防止することができる。
従来のこの種のエッチング装置では、シリコン電極とクーリングプレートとにガス吐出孔が形成されているだけであり、絶縁部材２４４に相当するものは設けられていなかった。このため、処理室１０２で生成されたプラズマによってクーリングプレートにおけるガス吐出孔が損傷を受け、クーリングプレートを定期的に交換する必要があるという問題があったのである。これに対して、本実施例では上述したように、ガス吐出孔３０２ａに絶縁部材２４４が嵌装されているので、処理室１０２で生成されたプラズマによりガス吐出孔３０２ａの内壁面がエッチングされることを防止することができる。この結果、必要に応じて絶縁部材２４４のみを交換するだけでよくなり、クーリングプレート３０２を定期的に交換する必要をなくすることができる。また、小孔２４４ｃの開口部付近にはテーパ部２４４ｅが形成されているので、そのテーパ状の形状によりエッチングされ難くなり、絶縁部材２４４の交換時期を延長することができる。
なお、ガス吐出孔３０２ａに嵌装される絶縁部材２４４の形状は、図６または図７に示した形状に限定されず、ガス吐出孔３０２ａの内壁を覆うものであれば他の形状であってもよい。
以上、本発明の好適な実施の形態について、添付図面を参照しながら説明したが、本発明はかかる構成に限定されない。特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
例えば、上記実施の形態において、ガス吐出孔内に絶縁部材が配置される構成を例に挙げて説明したが、本発明はかかる構成に限定されるものではなく、さらにガス吐出孔の処理室側開口部周囲にも絶縁部材を張り出させ、その開口部に形成される角部が絶縁部材によって覆われるように構成してもよい。
また、上記実施の形態において、絶縁部材をガス吐出孔内に圧入して嵌装させる構成を例に挙げて説明したが、本発明はかかる構成に限定されるものではなく、絶縁部材の外部側面とガス吐出孔の内壁面とに、それぞれ対応するネジ溝を形成し、ネジの如く絶縁部材を装着する構成としても実施可能である。
さらに、上記実施の形態において、エッチング装置を例に挙げて説明したが、本発明はかかる構成に限定されるものではなく、処理室内にガス吐出孔からガスを導入する処理装置、例えばＣＶＤ装置やスパッタ装置等の各種装置にも適用することができる。また、被処理体は、上記実施の形態で説明したウェハに限定されず、例えばＬＣＤ用ガラス基板などの各種被処理体に処理を施す場合にも、本発明を適用することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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