(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
間隔をおいて対峙して配置された２枚の基板間に、ガス基体が充填されてなる放電空間を有するガス放電パネルであって、
主放電間隙６０〜１００μｍ、主放電電極幅１００〜３００μｍ、隔壁高さ１１０〜１３０μｍ、充填ガス圧５０〜７０ｋＰａであり、封止希ガスした希ガスがＮｅベースでＸｅ５％の混合ガスを含み、
前記放電空間には、分圧が０．０５ｍＰａ以上５ｍＰａ以下の炭酸ガスが充填されている
ことを特徴とする。
【請求項２】
間隔をおいて対峙して配置された２枚の基板間に、ガス基体が充填されてなる放電空間を有するガス放電パネルであって、
主放電間隙６０〜１００μｍ、主放電電極幅１００〜３００μｍ、隔壁高さ１１０〜１３０μｍ、充填ガス圧５０〜７０ｋＰａであり、封止希ガスした希ガスがＮｅベースでＸｅ
５％の混合ガスを含み、
前記放電空間には、分圧が１ｍＰａ以上１０ｍＰａ以下の水蒸気と、分圧が０．０６６５ｍＰａ以上０．６６５ｍＰａ以下の炭酸ガスとが充填されている
ことを特徴とする。
【請求項３】
前記放電空間には、分圧が１ｍＰａ以上８ｍＰａ以下の水蒸気と、分圧が０．０６６５ｍＰａ以上
０．６６５ｍＰａ以下の炭酸ガスとが充填されている
ことを特徴とする請求項２に記載のガス放電パネル。
【請求項４】
さらに誘電体保護膜を有し、
前記誘電体保護膜は、ＭｇＯからなり、重量密度が単結晶重量密度の７０％以上８５％以下である
ことを特徴とする請求項１に記載のガス放電パネル。
【請求項５】
前記誘電体保護膜は、重量密度が単結晶重量密度の７０％以上８０％以下である
ことを特徴とする請求項４に記載のガス放電パネル。
【請求項６】
請求項１に記載のガス放電パネルを有するガス放電表示装置であって、
パネル駆動時において、放電遅れ時間の内の統計遅れ時間が１００ｎｓｅｃ以下の特性の放電領域を有している
ことを特徴とするガス放電表示装置。
【請求項７】
主放電間隙６０〜１００μｍ、主放電電極幅１００〜３００μｍ、隔壁高さ１１０〜１３０μｍ、充填ガス圧５０〜７０ｋＰａであり、封止希ガスした希ガスがＮｅベースでＸｅ５％の混合ガスを含むガス放電パネルの製造方法であって、
２枚の基板間に放電空間を形成するステップと、前記放電空間に対して、空間内の残存ガスを排気するステップと、前記排気するステップの後、放電空間に対して、炭酸ガス、水蒸気、酸素ガス、窒素ガスの中から選ばれる少なくとも一種類からなるガスを導入するステップと、前記少なくとも一種類からなるガスを導入するステップの後、前記放電空間に対してガス基体を導入するステップとを有し、
前記少なくとも一種類のガスは、前記ガス基体を導入した後の状態で、分圧が０．０５ｍＰａ以上５ｍＰａ以下となる炭酸ガスである
ことを特徴とするガス放電パネルの製造方法。
【請求項８】
主放電間隙６０〜１００μｍ、主放電電極幅１００〜３００μｍ、隔壁高さ１１０〜１３０μｍ、充填ガス圧５０〜７０ｋＰａであり、封止希ガスした希ガスがＮｅベースでＸｅ５％の混合ガスを含むガス放電パネルの製造方法であって、
２枚の基板間に放電空間を形成するステップと、前記放電空間に対して、空間内の残存ガスを排気するステップと、前記排気するステップの後、放電空間に対して、炭酸ガス、水蒸気、酸素ガス、窒素ガスの中から選ばれる少なくとも一種類からなるガスを導入するステップと、前記少なくとも一種類からなるガスを導入するステップの後、前記放電空間に対してガス基体を導入するステップとを有し、
前記少なくとも一種類のガスは、前記ガス基体を導入した後の状態で、分圧が０．５ｍＰａ以上１ｍＰａ以下となる炭酸ガスと、分圧が１ｍＰａ以上５ｍＰａ以下となる酸素ガスとである
ことを特徴とするガス放電パネルの製造方法。
【請求項９】
主放電間隙６０〜１００μｍ、主放電電極幅１００〜３００μｍ、隔壁高さ１１０〜１３０μｍ、充填ガス圧５０〜７０ｋＰａであり、封止希ガスした希ガスがＮｅベースでＸｅ５％の混合ガスを含むガス放電パネルの製造方法であって、
２枚の基板間に放電空間を形成するステップと、前記放電空間に対して、空間内の残存ガスを排気するステップと、前記排気するステップの後、放電空間に対して、炭酸ガス、水蒸気、酸素ガス、窒素ガスの中から選ばれる少なくとも一種類からなるガスを導入するステップと、前記少なくとも一種類からなるガスを導入するステップの後、前記放電空間に対してガス基体を導入するステップとを有し、
前記少なくとも一種類のガスは、前記ガス基体を導入した後の状態で、分圧が１ｍＰａ以上１０ｍＰａ以下となる水蒸気と、分圧が０．０６６５ｍＰａ以上０．６６５ｍＰａ以下となる炭酸ガスとである
ことを特徴とするガス放電パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表示デバイスなどに用いられるガス放電パネルおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、プラズマディスプレイパネル（以下、「ＰＤＰ」という）を主とするガス放電パネルが、表示デバイスとして広く普及してきている。
ＰＤＰは、直流型（ＤＣ型）と交流型（ＡＣ型）とに大別されるが、現在では、微細なセル構造を採ることが可能で、高精細化に適したＡＣ型が主流となってきている。
【０００３】
ＡＣ型ＰＤＰは、前面パネルと背面パネルとが、互いに間隙をおいて平行に対峙して配置され、外周部が封止された構造を有している。
前面パネルは、前面ガラス基板の一方の主表面上にストライプ状の表示電極が配され、この上が誘電体ガラス層で覆われ、さらにその上が誘電体保護膜（ＭｇＯ）で覆われた構造を有している。
【０００４】
一方、背面パネルは、背面ガラス基板の一方の主表面上にストライプ状のデータ電極が配され、この上が誘電体ガラス層で覆われ、さらにその上にデータ電極と並行する方向に隔壁が突設された構造を有している。そして、誘電体ガラス層と隔壁とにより形成される溝部分の側面および底面には、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の蛍光体層が溝毎に形成されている。
【０００５】
前面パネルと背面パネルとの間隙は、放電空間であって、放電ガスとしてのガス基体（希ガス）が充填されている。充填される希ガスには、強い紫外線が放射可能で、自己吸収現象の程度が少なく、可視発光も少なく、化学的に安定しているというような条件が求められる。このような条件を満足する希ガスとして、通常のパネルでは、キセノン（Ｘｅ）を中心とした混合ガス（Ｎｅ−Ｘｅ系ガスやＨｅ−Ｘｅ系ガス）などが用いられる。この混合ガスは、両パネルの外周部を封着した後に、０．１ｍＰａ程度まで真空排気された放電空間に対して、所要の圧力（例えば、４０ｋＰａ以上８０ｋＰａ以下）で充填されている。
【０００６】
このような構造を有するＡＣ型ＰＤＰにおいて、各放電セルは、点灯／消灯の２階調しか表現できない。そこで、ＰＤＰにおいて画像を表示させるためには、１フレーム（１フィールド）を複数のサブフレーム（サブフィールド）に分割し、各サブフレームにおける点灯／消灯を組み合わせることにより中間階調を表現するという、フレーム内時分割階調表示方式が用いられる。そして、ＡＣ型ＰＤＰでは、壁電荷を利用して各サブフレームにおいて、点灯／消灯を行っている。これについては、登録特許第２７５６０５３号公報などに開示されている。
【０００７】
上記登録特許第２７５６０５３号公報において、サブフィールドは、点灯させようとする画素にクロスするスキャン電極（該データ電極）と走査電極との間に該放電開始電圧よりも低い選択書き込み電圧の書き込みパルスを印加して該画素を放電発光させる書き込み放電をさせ、書き込み放電により壁電荷を生成させる書き込み期間と、維持電極（共通電極Ｘ）と全ての走査電極（Ｙ１〜Ｙｎ）との間に放電開始電圧よりも低い電圧であり、直前の放電で生じた壁電荷と同一極性の維持パルスを印加して該書き込み期間で選択的に書き込みした画素を放電発光させる維持放電期間とを有している。
【０００８】
即ち、書き込み期間において書き込み放電することにより壁電荷が生成されている放電セルが、維持放電期間において維持パルスが印加されることにより発光する。
ところで、上記ＡＣ型ＰＤＰでは、低電圧化および高精細化のための高速駆動化を目的として、書き込み期間の短縮という課題について種々の検討がなされている。
【０００９】
このような課題を解決しようと、ＡＣ型ＰＤＰにおいては、例えば、前面パネルにおける誘電体保護膜の特性を改善することによって、誘電体保護膜に電界をかけない状態でも膜表面から電子が出やすい状態、即ち、電子放出能が高い状態としている。電子放出能の高い誘電体保護膜は、放電セル内に気体放電を発生させるために必要であり、初期電子を数多く存在させることが可能となる。
【００１０】
従って、上記誘電体保護膜を有するＡＣ型ＰＤＰでは、書き込み期間における書き込み放電の放電遅れ時間を短縮することができ、高速駆動が可能となる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ＡＣ型ＰＤＰにおいて、書き込み期間での書き込み放電における放電遅れ時間を短くしようとする場合には、荷電粒子である電子が壁電荷として膜表面に蓄積されている場合に、誘電体保護膜表面から電子を放出することにより、誘電体保護膜表面の電位は、負極性の絶対値が小さくなる。即ち、誘電体保護膜表面では、電気的に正極性の方向へ電位が変化する。よって、上記放電セル内では、壁電荷の負の電荷の絶対量が減少する傾向がある。
【００１２】
従って、維持放電期間においては、維持パルスが電極に印加されても、壁電荷が減少するために、壁電荷と維持パルス電位との合計が放電開始電圧を超えることができず、放電セルが点灯しないという現象である書き込み不良が起こる。
本発明は、このような課題を解決するためになされたものであって、書き込み期間におけるアドレス不良の発生を抑制しながら、低い駆動電圧で高速駆動が可能なガス放電パネルおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、上記課題解決のための研究過程において、アドレス不良の発生と放電空間中に存在するガス基体（希ガス）以外の物質との間に関連性があることを突き止めた。具体的には、従来、放電空間における希ガス以外の物質の量は少なければ少ないほど良いとされていたのに対し、本発明者は、放電空間に希ガスとともに特定の種類のガスを所要量混在させた状態の方が希ガスのみが存在する場合よりも低い駆動電圧で高速駆動してもアドレス不良が発生し難いということを突き止めた。
【００１４】
本発明のガス放電パネルは、間隔をおいて対峙し配置された２枚の基板間に、ガス基体が充填されてなる放電空間を有するガス放電パネルであって、以下のような補助ガスを放電空間中に有していることを特徴とする。
（１−１）分圧が０．０５ｍＰａ以上５ｍＰａ以下の炭酸ガス
（１−２）分圧が０．０５ｍＰａ以上０．５ｍＰａ以下の炭酸ガス
（１−３）分圧が０．１ｍＰａ以上０．２ｍＰａ以下の炭酸ガス
（１−４）分圧が１ｍＰａ以上５ｍＰａ以下の炭酸ガス
（１−５）分圧が１．５ｍＰａ以上３ｍＰａ以下の炭酸ガス
（１−６）分圧が１ｍＰａ以上１０ｍＰａ以下の水蒸気
（１−７）分圧が２ｍＰａ以上５ｍＰａ以下の水蒸気
（１−８）分圧が０．３ｍＰａ以上５ｍＰａ以下の酸素ガス
（１−９）分圧が１ｍＰａ以上３ｍＰａ以下の酸素ガス
（１−１０）分圧が０．５ｍＰａ以上１ｍＰａ以下の炭酸ガスと、分圧が１ｍＰａ以上５ｍＰａ以下の酸素ガス
（１−１１）分圧が０．５ｍＰａ以上１ｍＰａ以下の炭酸ガスと、分圧が２ｍＰａ以上３ｍＰａ以下の酸素ガス
（１−１２）分圧が５ｍＰａ以上２０ｍＰａ以下の水蒸気と、分圧が１Ｐａ以上６Ｐａ以下の窒素ガス
（１−１３）分圧が２ｍＰａ以上１０ｍＰａ以下の水蒸気と、分圧が２Ｐａ以上３Ｐａ以下の窒素ガス
（１−１４）分圧が１ｍＰａ以上１０ｍＰａ以下の水蒸気と、分圧が０．０５ｍＰａ以上０．５ｍＰａ以下の炭酸ガス
（１−１５）分圧が１ｍＰａ以上８ｍＰａ以下の水蒸気と、分圧が０．１ｍＰａ以上０．５ｍＰａ以下の炭酸ガス
（１−１６）分圧が２ｍＰａ以上５ｍＰａ以下の水蒸気と、分圧が０．１ｍＰａ以上０．２ｍＰａ以下の炭酸ガス
（１−１７）分圧が５ｍＰａ以上２０ｍＰａ以下の水蒸気と、分圧が０．２ｍＰａ以上２ｍＰａ以下の酸素ガス
（１−１８）分圧が５ｍＰａ以上１０ｍＰａ以下の水蒸気と、分圧が０．５ｍＰａ以上１．５ｍＰａ以下の酸素ガス
以上、（１−１）〜（１−１８）に示したような不純物を放電空間中に有するガス放電パネルでは、放電開始電圧が低く、且つ、最適な電子放出能となる。よって、このようなガス放電パネルでは、駆動時における書き込み期間に書き込み不良の発生が抑制され、駆動電圧の低電圧化および高速駆動化が可能である。
【００１５】
本発明のガス放電パネルが上記優位性を有するメカニズムについては、明確になっていないが実験的に立証されている。これについては、後述する。
なお、本明細書中における「分圧」とは、室温において、且つパネルを放電させない状態でガス分析をしたときに得られる分圧をいう。
上記優位性は、駆動時に放電遅れ時間の内の統計遅れ時間が１００ｎｓｅｃ以下であるような領域を有しているようなガス放電パネルで特に顕著に表れる。
【００１６】
ここで、「統計遅れ時間」とは、次のように得られる時間をもって定義される。単色で1セルのみ、且つ１つのサブフィールドのみを発光させ、しかも発光させるサブフィールドの輝度重みが８ｂｉｔ２５６諧調の内、２５〜４０諧調であるときに、書き込み放電の印加電圧の降下タイミングを起点として発光波形の発光開始時間をラウエプロットする。この場合に得られる統計遅れ時間をもって、本明細書中における統計遅れ時間と定義する。この統計遅れ時間は、その条件によりその絶対値は、変化する。
【００１７】
また、上記ガス放電パネルの優位性は、２枚のパネルの内の前面パネルに形成される誘電体保護膜が単結晶重量密度の７０％以上８５％以下の重量密度を有するような場合に特に顕著となる。より望ましい誘電体保護膜の重量密度は、単結晶重量密度の７０％以上８０％以下である。
上記ガス放電パネルと駆動回路とを有するガス放電表示装置では、上述のガス放電パネルの優位性をそのまま有することができる。
【００１８】
次に、本発明のガス放電パネルの製造方法は、封着された２枚の基板間に放電空間を形成し（放電空間形成ステップ）、この放電空間に対して、残存のガスを排気し（排気ステップ）、この排気ステップの後、放電空間に炭酸ガス、水蒸気、酸素、窒素の中から選ばれる少なくとも１種からなる補助ガスを導入して（補助ガス導入ステップ）、その後にガス基体を導入する（ガス基体導入ステップ）ことを特徴とする。
【００１９】
このような製造方法によれば、放電空間に炭酸ガス、水蒸気、酸素ガス、窒素ガスの中から選ばれる少なくとも１種の補助ガスを所要量混在させることができる。
従って、この製造方法では、駆動時における書き込み期間での書き込み不良の発生が抑制され、低い駆動電圧で高速駆動が可能なガス放電パネルを製造することができる。
【００２０】
また、本発明のガス放電パネルの製造方法は、封着された２枚の基板間に放電空間を形成し（放電空間形成ステップ）、放電空間形成ステップの後の放電空間に対して炭酸ガスの残存量が０．０５ｍＰａ以上０．５ｍＰａ以下となるまで排気を行い（排気ステップ）、この排気ステップの後、放電空間に対してガス基体を導入する（ガス基体導入ステップ）というステップを経ることによってガス放電パネルを製造しても、上記製造方法と同様の効果を得ることができる。
【００２１】
上記製造方法において、放電空間内に導入あるいは残存させる少なくとも一種類のガス（補助ガス）とは、以下の（２−１）〜（２−９）に示すものである。
（２−１）ガス基体を導入した後の時点で、分圧が０．０５ｍＰａ以上５ｍＰａ以下となる炭酸ガス
（２−２）ガス基体を導入した後の時点で、分圧が０．０５ｍＰａ以上０．５ｍＰａ以下となる炭酸ガス
（２−３）ガス基体を導入した後の時点で、分圧が１ｍＰａ以上５ｍＰａ以下となる炭酸ガス
（２−４）ガス基体を導入した後の時点で、分圧が１ｍＰａ以上１０ｍＰａ以下となる水蒸気
（２−５）ガス基体を導入した後の時点で、分圧が０．３ｍＰａ以上５ｍＰａ以下となる酸素ガス
（２−６）ガス基体を導入した後の時点で、分圧が０．５ｍＰａ以上１ｍＰａ以下となる炭酸ガスと、分圧が１ｍＰａ以上５ｍＰａ以下となる酸素ガス
（２−７）ガス基体を導入した後の時点で、分圧が５ｍＰａ以上２０ｍＰａ以下となる水蒸気と、分圧が１Ｐａ以上６Ｐａ以下となる窒素ガス
（２−８）ガス基体を導入した後の時点で、分圧が１ｍＰａ以上１０ｍＰａ以下となる水蒸気と、分圧が０．０５ｍＰａ以上０．５ｍＰａ以下となる炭酸ガス
（２−９）ガス基体を導入した後の時点で、分圧が５ｍＰａ以上２０ｍＰａ以下となる水蒸気と、分圧が０．２ｍＰａ以上２ｍＰａ以下となる酸素ガス
上記ガス放電パネルの誘電体保護膜を斜め蒸着により形成する場合、上記製造方法を用いて製造されたガス放電パネルは、特に優れた特性を示す。
【００２２】
【発明の実施の形態】
１．パネルの全体構成
本実施の形態に係るＡＣ型ＰＤＰ（以下、単に「ＰＤＰ」という）１について、図１を用いて説明する。図１は、ＰＤＰ１の斜視図（一部断面図）であって、パネルにおける表示領域の一部分を抜き出して示している。
【００２３】
図１に示すように、ＰＤＰ１は、前面パネル１０と背面パネル２０とが間隙をおいて対峙し配置された構造を有している。そして、前面パネル１０と背面パネル２０との間の間隙は、背面パネル２０の主面上に突設された複数条の隔壁２４によって複数の放電空間３０に仕切られている。
前面パネル１０は、前面ガラス基板１１の一方の主表面上にＡｇを主成分とする複数の表示電極１２がストライプ状に配設され、表示電極１２が配設された前面ガラス基板１１の面上が鉛系の低融点ガラスからなる誘電体ガラス層１３によって覆われている。さらに、誘電体ガラス層１３の面上には、ＭｇＯからなる誘電体保護膜１４が形成されている。
【００２４】
上記前面パネル１０の構成要素の内、誘電体保護膜１４は、ここではＭｇＯを蒸着させることにより形成されている。誘電体保護膜１４は、ＰＤＰ１の放電遅れ時間を短くし、且つ、電子放出能を高くする特性を有することが好ましい。誘電体保護膜１４の形成方法については、後述する。
なお、ＭｇＯを斜め蒸着することにより誘電体保護膜１４を形成した場合には、ＰＤＰ１の放電遅れ時間を短くし、且つ電子放出能を高くするのに適している。
【００２５】
また、重量密度が単結晶材料の７０％以上８５％以下の比較的密度の低いＭｇＯにより形成されている誘電体保護膜１４は、体積当りの表面積が大きく、電子放出能が高いという特性も有する。さらに、上記誘電体保護膜１４の重量密度が単結晶材料の７０％以上８０％以下とすれば、上述の特性面より、より望ましい。
【００２６】
従って、誘電体保護膜１４は、ＭｇＯを斜め蒸着して形成されることが好ましく、また、誘電体保護膜１４の重量密度が単結晶材料の７０％以上８５％以下、特に、７０％以上８０％以下であることが好ましい。
一方、背面パネル２０は、背面ガラス基板２１の上記前面パネル１０に向き合う側の面上に複数のデータ電極２２がストライプ状に配設され、データ電極２２が配設された背面ガラス基板２１の面上がＴｉＯ2を含む誘電体ガラス層２３によって覆われている。さらに、この誘電体ガラス層２３の面上には、上記データ電極２２と並行する方向であって、データ電極２２とデータ電極２２との間に位置するように隔壁２４が突設されている。この誘電体ガラス層２３と隔壁２４とによって形成される溝部分の内壁面には、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色の蛍光体層２５が溝毎に分けて形成されている。この蛍光体層２５の形成に用いられる蛍光体は、励起発光型のものである。
【００２７】
前面パネル１０と背面パネル２０とは、各々に形成されている表示電極１２とデータ電極２２とが交差する方向となるように配置され、外周部が気密シール層（フリットガラス）で封着されている（不図示）。
放電空間３０は、上記前面パネル１０の誘電体保護膜１４と蛍光体層２５あるいは隔壁２４によって囲まれた空間である。この放電空間３０には、ガス基体としてのＮｅ−Ｘｅ系あるいはＨｅ−Ｘｅ系のガス（希ガス）が封入されている。放電空間３０には、この他に補助ガスが充填されているが、これについては、後述する。
【００２８】
ＰＤＰ１では、放電空間３０において、前面パネル１０の外側（図１で上面側）から見て表示電極１２とデータ電極２２とが対向する各々の部分が発光セルに相当することになる。
２．ＰＤＰ表示装置の構成
次に、上記ＰＤＰ１を備えるＰＤＰ表示装置の全体構成について、図２を用いて説明する。
【００２９】
図２に示すように、ＰＤＰ表示装置は、上記ＰＤＰ１とこれを駆動するための駆動装置１００とから構成されている。
駆動装置１００には、表示信号処理回路１０１、タイミング制御回路１０２、電源回路１０３、サスティンドライバ１０４、データドライバ１０５、スキャンドライバ１０６が備えられている。
【００３０】
表示信号処理回路１０１は、外部の映像出力器から入力されてくる表示信号からフィールド毎の表示信号（フィールド表示信号）を抽出し、抽出したフィールド表示信号から各サブフィールドの表示信号（サブフィールド表示信号）を作成し、内蔵のフレームメモリに格納する。
また、表示信号処理回路１０１は、フレームメモリに格納されているカレントサブフィールド表示信号から１ラインづつデータドライバ１０５に表示信号を出力したり、入力される表示信号から水平同期信号、垂直同期信号などの同期信号を検出し、タイミング制御回路１０２にフィールド毎あるいはサブフィールド毎に同期信号を送ったりする。
【００３１】
上記フレームメモリは、フィールド毎に１フィールド分のメモリ領域（８個のサブフィールド表示信号を記憶）を２個備える２ポートフレームメモリであって、一方のメモリ領域にフィールド表示信号を書き込みながら、他方のメモリ領域から書き込まれているフィールド表示信号を読み出す動作を交互に行う。
タイミング制御回路１０２は、フィールド毎あるいはサブフィールド毎に各パルスを立ち上がらせるタイミングを指示するトリガ信号を生成して各ドライバ１０４、１０５、１０６に対して出力する。
【００３２】
サスティンドライバ１０４は、維持パルス発生器および消去パルス発生器を有しており、タイミング制御回路１０２から送られてくるトリガ信号に基づいて、維持パルスおよび消去パルスを生成し、維持電極群に印加する。
スキャンドライバ１０６は、初期化パルス発生器および走査パルス発生器を有しており、タイミング制御回路１０２から送られてくるトリガ信号に基づいて、初期化パルスおよび走査パルスを生成し、ＰＤＰ１の走査電極群に印加する。
【００３３】
電源回路は、各ドライバ１０４，１０５，１０６に駆動電力を供給する。
このような構成を有するＰＤＰ表示装置では、初期化期間、書き込み期間、維持放電期間、消去期間という一連のシーケンスからサブフレームが構成される。
初期化期間においては、表示電極１２の内の走査電極群に初期化パルスを印加して全ての放電セルの電荷状態を初期化する。
【００３４】
書き込み期間においては、上記走査電極に走査パルスを順次印加しながらデータ電極２２の中の選択された電極にデータパルスを印加する。データパルスが印加された電極では、壁電荷が蓄積され、画像情報が書き込まれる。
維持放電期間においては、表示電極１２における維持電極（共通電極Ｘ）と全ての走査電極（Ｙ１〜Ｙｎ）との間に、放電開始電圧よりも低い電圧であって、直前の放電で生じた壁電荷と同一極性のパ維持ルスを印加することによって、上記書き込み期間で壁電荷の蓄積が行われた放電セルで放電を起こし、所定の時間発光させる。
【００３５】
消去期間においては、幅の狭い消去パルスを走査電極群に一括して印加することによって、放電セルにおける壁電荷の消去を行う。
即ち、ＰＤＰ１では、書き込み期間において書き込み放電することにより壁電荷が生成された放電セルが、維持放電期間において、維持パルスの印加を受けて発光する。
３．放電空間に充填するガスの組成
次に、本実施の形態において特徴部分である放電空間に充填されているガスの組成について説明する。
【００３６】
ＰＤＰ１の放電空間３０には、Ｎｅ−Ｘｅ系ガスあるいはＨｅ−Ｘｅ系ガスなどの希ガスの他に補助ガスとして炭酸ガスが所要量充填されている。放電空間中における炭酸ガスの分圧は、０．０５ｍＰａ以上５ｍＰａ以下の範囲内に設定されている。特に、炭酸ガスの分圧が、０．０５ｍＰａ以上０．５ｍＰａ以下の範囲内に設定されていることが望ましい。ただし、ここでいう分圧とは、室温において、且つパネルを放電させない状態でガス分析をしたときに得られる分圧をいう。
４．ＰＤＰ１の製造方法
４−１．前面パネルの作製
前面パネル１０の作製では、まず前面ガラス基板１１上に、銀電極用のペーストをスクリーン印刷で塗布した後、焼成することにより表示電極１２を形成する。
【００３７】
次に、前面ガラス基板１１における表示電極１２が形成された面を覆うように、鉛系の低融点ガラス材料を含むペーストをスクリーン印刷法で塗布し焼成（５５０℃以上５９０℃以下程度）することによって、誘電体ガラス層１３を形成する。例えば、誘電体ガラス層１３の組成は、酸化鉛（ＰｂＯ）７０重量％、酸化硼素（Ｂ2Ｏ3）１５重量％、酸化珪素（ＳｉＯ2）１５重量％である。
【００３８】
なお、誘電体ガラス層１３の形成には、上記方法の他に、ビスマス系低融点ガラスを用いても良いし、鉛系低融点ガラスとビスマス系低融点ガラスとを積層させても良い。
さらに、本実施の形態では、誘電体ガラス層１３の上にＭｇＯからなる誘電体保護膜１４を真空蒸着法により形成するのであるが、真空蒸着法による形成の際に斜め蒸着を行うことが好ましい。斜め蒸着について、図３を用いて説明する。図３は、斜め蒸着により誘電体保護膜１４を形成するための装置の概略構成図である。
【００３９】
図３に示すように、チャンバー５１の内部には、下方にＭｇＯからなるターゲット５２が支持台（不図示）に固定されており、上方に誘電体ガラス層１３が形成された前面ガラス基板１１が静置されている。図からも分かるとおり、前面ガラス基板１１は、ターゲット５２に対して所定の角度（β１、β２、β３）を有するように静置されている。例えば、所定の角度（β１、β２、β３）とは、６０°以上８０°以下の範囲内である。
【００４０】
図３には図示していないが、実際のチャンバー５１には、内部を減圧するための真空ポンプ、あるいは、ターゲット５２を加熱するためのヒータ、前面ガラス基板１１を加熱するためのヒータなどが備えられている。
このような形成装置を用いて形成された誘電体保護膜１４は、体積に対する表面積が大きく、電子放出能が高い。
【００４１】
なお、真空蒸着の際には、前面ガラス基板１１を、２００℃以上、望ましくは３００℃以上であって、前面ガラス基板１１および表示電極１２、あるいは、誘電体ガラス層１３の溶融温度以下となる範囲内で加熱しておく。
これにより、誘電体ガラス層１３の面上には、単結晶の柱状結晶からなり、且つ、結晶間に隙間を多く有する（重量密度が単結晶材料の７０％以上８５％以下、条件次第で７０％以上８０％以下）ような誘電体保護膜１４が形成される。
【００４２】
このようにして、前面パネル１０が作製される。
なお、誘電体保護膜１４は、必ずしも斜め蒸着を行って形成される必要はなく、また、真空蒸着法以外の方法、例えば、スパッタリング法、塗布法などを用いて形成されても良い。
４−２．背面パネル２０の作製
背面パネル２０の作製にあたっては、先ず、背面ガラス基板２１上に銀電極用のペーストをスクリーン印刷し、焼成することによりデータ電極２２を形成する。
【００４３】
次に、背面ガラス基板２１におけるデータ電極２２が形成された面を覆うように、酸化チタン（ＴｉＯ2）粒子を含むガラス材料のペーストをスクリーン印刷法で塗布し焼成（５５０℃以上５９０℃以下程度）することによって、（白色）誘電体ガラス層２３を形成する。
誘電体ガラス層２３の上に隔壁用のガラスペーストをスクリーン印刷法で塗布し、焼成することにより隔壁２４が形成される。
【００４４】
次に、隔壁２４と誘電体ガラス層２３とにより形成される溝部分の壁部分に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色蛍光体ペーストを、スクリーン印刷法を用いて塗布し、空気中で焼成（例えば、５００℃で１０分間）することにより蛍光体層２５を形成する。蛍光体層２５を形成する蛍光体材料としては、ここでは、
青色蛍光体；ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ
緑色蛍光体：Ｚｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ
赤色蛍光体：（Ｙ、Ｇｄ）ＢＯ3：Ｅｕ
を用いることにする。
【００４５】
以上のようにして、背面パネル２０が作製される。
なお、蛍光体層２５の形成においては、各色の蛍光体材料を含有する感光性樹脂シートを作製しておき、これを背面ガラス基板２１の隔壁２４を突設した側の面に貼り付け、フォトリソグラフィー法でパターニングし現像することで不要な部分を取り除くという方法、インクジェット法、ラインジェット法などを用いることもできる。
【００４６】
４−３．前面パネル１０と背面パネル２０との封着
このように作製された前面パネル１０および背面パネル２０の封着について、図４を用いて説明する。
図４（ａ）に示すように、前面パネル１０および背面パネル２０を、それぞれに形成された誘電体保護膜１４と蛍光体層２５とが向き合うように封着する。封着は、前面パネル１０および背面パネル２０の一方あるいは両方の外周部において、フリットガラスを用いて行うことが好ましい。
【００４７】
図４（ａ）にも示しているとおり、前面ガラス１０には、排気および希ガス、炭酸ガスなどの導入を行うための通気孔１０１を設けておく。
次に、図４（ｂ）に示すように、前面パネル１０に設けられた通気孔１０１に通気管６１を接続し、これを介して放電空間３０の内部の真空排気を行う（例えば、３６０℃以上４５０℃以下、６時間以上）。
【００４８】
放電空間３０の真空排気を行う際には、並行してパネルの焼成を行う。
また、真空排気を開始するタイミングは、上述の図４（ａ）における封着時のフリットガラスの温度が軟化点よりも低くなった時点であることが好ましい。なお、パネル周辺の雰囲気が真空である場合には、この限りではない。
この真空排気は、放電空間３０内の残存ガス圧が０．０２ｍＰａ以下となるまで行うことが好ましい（高真空状態）。残存ガスの成分は、常温において、大気成分と似通ったものであり、窒素、酸素、水素がその大きな部分を占めている。
【００４９】
図４（ｃ）に示すように、真空排気された後の放電空間３０に対して、通気管６１を介して、補助ガスとしての炭酸ガスを所要量導入する。炭酸ガスの導入量は、上述のように、放電空間３０内において分圧が０．０５ｍＰａ以上５ｍＰａ以下の範囲、望ましくは０．０５ｍＰａ以上０．５ｍＰａ以下の範囲内となる量である。
【００５０】
図４（ｄ）に示すように、Ｎｅ−Ｘｅ系ガスあるいはＨｅ−Ｘｅ系ガスなどのいわゆる希ガスを通気管６１を介して導入する。希ガスの導入量は、放電空間３０内の圧力が４０ｋＰａ以上８０ｋＰａ以下の範囲となるような量である。
最後に、図示はしていないが、炭酸ガスおよび希ガスが漏れないように、あるいは他の不純物が放電空間３０内に混入しないように注意して、通気管６１を撤去した後、前面パネル１０に設けられた通気孔６１を塞いで、ＰＤＰ１が完成する。
【００５１】
上記のように放電空間３０中にガス基体としての希ガスとともに、炭酸ガスを分圧が０．０５ｍＰａ以上５ｍＰａ以下の範囲、望ましくは０．０５ｍＰａ以上０．５ｍＰａ以下の範囲内になるように混在させることにより、ＰＤＰ１では、放電開始電圧が低いとともに、形成されている誘電体保護膜１４が持ちうる電子放出能の最適値を得ることができる。
【００５２】
従って、ＰＤＰ１は、駆動時における書き込み期間での書き込み不良の発生が抑制され、且つ、低い放電電圧で高速駆動が可能となる。
また、このようなＰＤＰ1が有する優位性は、誘電体保護膜（ＭｇＯ）が電子放出能が大きく、且つ放電遅れ時間の中でも統計遅れ時間が短い特性を有するときに、顕著となる。例えば、印加電圧が２６５Ｖで、１．７μｓｅｃのパルスを画面中の一点のみに表示させたときの統計遅れ時間が４０ｎｓｅｃ以上１００ｎｓｅｃ以下を示すような特性を誘電体保護膜が有する場合に、効果が顕著となる。
【００５３】
なお、電子放出能は、放電空間３０内に希ガスだけが充填されている状態のときに得られる値が、書き込み不良を発生し難いという観点から本来の最適な値である。ただし、その反面、放電空間３０内に希ガスだけが充填されている状態では、低い放電開始電圧を実現し得ない。よって、上記ＰＤＰ1は、上述のように分圧０．０５ｍＰａ以上０．５ｍＰａ以下の炭酸ガスを放電空間３０内に混在させることにより、書き込み不良の発生抑制および放電開始電圧の低電圧化という2つが両立される。
【００５４】
ＰＤＰ１が上記のような効果を奏するメカニズムについては、詳しく解明されていないが、後述の実験により、混在させるのに最適な不純物の種類および最適な量について確認をしている。
ところで、上記のような分圧で放電空間３０中に炭酸ガスを混在させたＰＤＰ１は、表示パネルとして望ましい放電開始電圧および電子放出能を満足するものであるが、この内、電子放出能については、放電空間３０に面した表面の温度に対して大きく左右されてしまう。具体的に、ＭｇＯを用いて誘電体保護膜１４を形成したＰＤＰ１では、誘電体保護膜１４の表面温度が低下すると、それに伴い電子放出能も低下する。
【００５５】
パネル駆動時における初期化期間の直後では、この電子放出能の温度依存性により、蓄積されている壁電荷の絶対量が減少し、加えて、初期化期間における放電空間３０の活性化で温度依存性があまり大きくならない。これにより、この状態では、壁電荷の減少量が非常に大きくなり、書き込み不良から表示不良へとつながる。
【００５６】
従って、上記炭酸ガスの分圧では、環境温度が２５〜４０℃の範囲内であれば、ＭｇＯが有する電子放出能の最適値を得るのに十分であるといえるが、例えば、１０℃以下の環境温度まで想定する場合には、炭酸ガスの分圧を０．１ｍＰａ以上０．２ｍＰａ以下に設定することが望ましい。
なお、上記実施の形態では、ＰＤＰを一例に本発明の特徴を説明してきたが、放電空間に希ガスが充填されており、駆動時において壁電荷の蓄積を行うようなガス放電パネル、または、ガス放電表示装置であれば、同様の構成で同様の効果を得ることができる。
【００５７】
また、上記ＰＤＰ1の製造方法では、放電空間３０内を０．０２ｍＰａ以下の高真空まで排気した後に、補助ガスとしての炭酸ガスを導入し、その後にガス基体である希ガスを導入したが、最終的に放電空間３０内における炭酸ガスの分圧が上記範囲内となるようにできれば、その手順方法は、上記以外でも何らかまわない。例えば、放電空間３０内に炭酸ガスを所要量混在させる方法としては、排気条件（加熱温度、排気時間など）を最適化して所要量の炭酸ガスを残した状態で真空排気し、そこに希ガスだけを導入するという方法も挙げられる。
【００５８】
また、他の方法としては、予め所要量の炭酸ガスと希ガスとを混合することにより混合ガスを作製しておき、この混合ガスを高真空（例えば、０．０２ｍＰａ以下）まで真空排気された放電空間３０に導入し、その後に放電空間３０内の圧力が所定の圧力となるまで、純粋な希ガスを導入する方法も挙げられる。
つまり、本発明は、放電空間３０内にガス基体としての希ガスに、所要量の補助ガスを混在させるという本発明の本質となる部分以外について、特に限定・制約を受けるものではない。
（変形例）
上記実施の形態では、放電空間３０に希ガスの他に、分圧が０．０５ｍＰａ以上５ｍＰａ以下の範囲内、望ましくは０．０５ｍＰａ以上０．５ｍＰａ以下の炭酸ガスを混在させることとしたが、混在させる補助ガスの種類および分圧を以下に示す種類、範囲内とすれば、そのガス放電パネルは、上記のＰＤＰ1と同様の効果を得ることができる。
（１）分圧が１ｍＰａ以上５ｍＰａ以下の炭酸ガス
（２）分圧が１．５ｍＰａ以上３ｍＰａ以下の炭酸ガス
（３）分圧が１ｍＰａ以上１０ｍＰａ以下の水蒸気
（４）分圧が２ｍＰａ以上５ｍＰａ以下の水蒸気
（５）分圧が０．３ｍＰａ以上５ｍＰａ以下の酸素ガス
（６）分圧が１ｍＰａ以上３ｍＰａ以下の酸素ガス
（７）分圧が０．５ｍＰａ以上１ｍＰａ以下の炭酸ガスと、分圧が１ｍＰａ以上５ｍＰａ以下の酸素ガス
（８）分圧が０．５ｍＰａ以上１ｍＰａ以下の炭酸ガスと、分圧が２ｍＰａ以上３ｍＰａ以下の酸素ガス
（９）分圧が５ｍＰａ以上２０ｍＰａ以下の水蒸気と、分圧が１Ｐａ以上６Ｐａ以下の窒素ガス
（１０）分圧が２ｍＰａ以上１０ｍＰａ以下の水蒸気と、分圧が２Ｐａ以上３Ｐａ以下の窒素ガス
（１１）分圧が１ｍＰａ以上１０ｍＰａ以下の水蒸気と、分圧が０．０５ｍＰａ以上０．５ｍＰａ以下の炭酸ガス
（１２）分圧が１ｍＰａ以上８ｍＰａ以下の水蒸気と、分圧が０．１ｍＰａ以上０．５ｍＰａ以下の炭酸ガス
（１３）分圧が２ｍＰａ以上５ｍＰａ以下の水蒸気と、分圧が０．１ｍＰａ以上０．２ｍＰａ以下の炭酸ガス
（１４）分圧が５ｍＰａ以上２０ｍＰａ以下の水蒸気と、分圧が０．２ｍＰａ以上２ｍＰａ以下の酸素ガス
（１５）分圧が５ｍＰａ以上１０ｍＰａ以下の水蒸気と、分圧が０．５ｍＰａ以上１．５ｍＰａ以下の酸素ガス
なお、上記（１）〜（１５）には、放電空間３０内に窒素ガスを単独で混在させるものを記載していないが、この場合でも、ガス放電パネルが上述と同様の優位性を有することができる可能性はある。
【００５９】
また、一般的に放電空間３０中に希ガス以外の不純物が残留していると、ＰＤＰの寿命が短くなり、発光性能が低下すると考えられているが、上記規定の範囲内の分圧での残留であれば、及ぼす影響は少なく、実用上問題を生じない。
（確認実験）
上記組成および分圧の不純物を放電空間３０内に混在させることにより、ＰＤＰでは、駆動時の書き込み期間に書き込み不良を生じることがなく、低い放電電圧で高速駆動が可能となるということについて上述したが、この根拠となる確認実験について、以下で説明する。
【００６０】
先ず、実験に使用した装置の構成について、図５を用いて説明する。
図５に示すように、実験では、密閉容器２０１内に書き込み放電が可能な放電サンプルを形成した。
放電サンプルは、電極２１２が形成された前面パネルサンプル２０２と、電極２１３が形成された背面パネルサンプル２０３とから構成されている。
【００６１】
前面パネルサンプル２０２における電極２１２には、駆動回路２０４が接続されており、図に示すような駆動波形が繰り返し印加される構成となっている。
一方、背面パネルサンプル２０３における電極２１３は、コンデンサ２０５を介して接地されている。
また、密閉容器２０１内には、ガス基体としてのＮｅ−Ｘｅ（Ｎｅ；９５％、Ｘｅ；５％）ガスが約５０〜７０ｋＰａの圧力で充填されているとともに、所要量の補助ガスが混在されている。本実験では、この補助ガスの成分および分圧を変化させた上で放電サンプルの評価を行った。
【００６２】
このような実験装置において、駆動回路２０４から前面パネルサンプル２０２の電極２１２に図５に示すような駆動波形のパルスを印加した場合には、電極２１２と電極２１３との間に書き込み放電を生じ、電極２１３からコンデンサ２０５を介して電荷が流れる。このときにコンデンサ２０５の両端には、電位差が生じるが、本実験では、この電位差の波形をオシロスコープ２０６を用いて測定し、流れる電荷の量を求める。これは、コンデンサ２０５に蓄積された電荷量が流れる電荷を時間的に積分した値と等価であるために求められるものである。
【００６３】
従って、その電荷量を時間で微分することにより、時間当たりの電荷の移動量が求められる
なお、本実験では、初期化電圧印加後に外部から積極的に電界がかかっていないときに、徐々に前面パネルサンプル２０２の表面から背面パネルサンプル２０３の側における電荷が移動する様子をとらえるために、初期化電圧を印加してから８００ｎｓｅｃ後までにコンデンサ２０５の電位差がどのように変化するかの変位量（ΔＶ  ２１０）をもって、電子放出能（任意単位）として測定を行った。
【００６４】
測定結果については、補助ガスが混在しないときの各値（放電開始電圧、電子放出能）を基準値とし、得られた各値をこの基準値で割り、相対値として示した。ただし、実際の実験にあっては、密閉容器２０１内の不純物を０とすることは非現実的であるので、残留ガス圧が０．０２ｍＰａになるまで真空排気し、希ガスのみを充填した際に得られる各値を基準値とした。
（実験１）補助ガスとして炭酸ガスを用いた場合
実験1では、上記密閉容器２０１内に補助ガスとして炭酸ガスのみを混在させたときの放電開始電圧および電子放出能を測定し、図６に示す。
【００６５】
図６に示すとおり、放電開始電圧は、炭酸ガスの分圧が０．０５ｍＰａ未満の範囲で分圧の上昇に伴って小さくなっていく。そして、炭酸ガスの分圧が０．０５〜５ｍＰａの範囲にあるときの放電開始電圧は、補助ガスを混在させないときよりも低い、（Ｖ0−７）〜（Ｖ0−８）Ｖで安定している。炭酸ガス分圧が５ｍＰａよりも大きい範囲における放電開始電圧は、分圧の増加とともに高くなっていく。ここで、図中におけるＶ0とは、炭酸ガス分圧が略０．００１ｍＰａのときの放電開始電圧であり、基準となる電圧のことである。
【００６６】
一方、電子放出能は、炭酸ガスの分圧が０．５ｍＰａ以下の範囲で１．０２〜１．０４となり、安定している。炭酸ガスの分圧が０．０５ｍＰａを超えると、電子放出能を示すカーブは、上昇に転じ、炭酸ガスの分圧が０．７〜０．８ｍＰａのときにピーク値（１．０８）をとる。そして、電子放出能は、炭酸ガスの分圧を０．８ｍＰａよりも増加させていくと、上記ピーク値から徐々に低下してくる。炭酸ガスの分圧を５ｍＰａよりも大きくした場合には、電子放出能の低下の度合いが大きいものとなっていることがわかる。
【００６７】
放電開始電圧の望ましい数値範囲は、低ければ低いほどよい。
一方、電子放出能の望ましい範囲について、図１２を用いて説明する。
図１２に示すように、望ましい電子放出能の範囲は、環境温度によっても変化する。例えば、環境温度が２５℃のときには、表示不良発生率が１％未満となる、電子放出能が１．１７以下の範囲が望ましい範囲であるといえる。
【００６８】
同様に、環境温度が１０℃のとき、電子放出能の望ましい範囲は、１．１２以下となる。そして、環境温度が０℃のとき、電子放出能の望ましい範囲は、１．０７以下となる。環境温度が２５℃の場合において、放電開始電圧の観点から望ましい炭酸ガス分圧は、０．０５ｍＰａ以上５ｍＰａ以下の範囲内であり、この範囲は１０℃、０℃の場合にも、上記望ましい範囲を満足する。
【００６９】
（実験２）補助ガスとして酸素ガスを用いた場合
実験２では、上記密閉容器２０１内に補助ガスとして酸素ガスを混在させたときの放電開始電圧および電子放出能を測定し、図７に示す。
【００７０】
図７に示すように、酸素ガスの分圧が０．３ｍＰａ未満の場合、放電開始電圧および電子放出能は、ともに変化なく安定している。
酸素ガスの分圧が０．３ｍＰａ以上の範囲においては、放電開始電圧は酸素ガスの分圧に伴って高くなり、電子放出能は、反対に小さくなっていく。この放電開始電圧の上昇の度合い、および電子放出能の低下の度合いは、酸素ガスの分圧が５ｍＰａを超えると大きくなっていくのが分かる。
【００７１】
放電開始電圧の望ましい数値範囲は、低ければ低いほどよい。一方、電子放出能の望ましい範囲について、図１２を用いると、環境温度が０℃のとき、電子放出能の望ましい範囲は、１．０７以下となる。図７に示す実験結果より、上記望ましい数値範囲を満足するためには、酸素ガス分圧を０．０１ｍＰａ以上０．３ｍＰａ以下の範囲に設定すれば良いことが分かる。
【００７２】
（実験３）補助ガスとして水蒸気を用いた場合
実験３では、上記密閉容器２０１内に補助ガスとして水蒸気を混在させたときの放電開始電圧および電子放出能を測定し、図８に示す。図８に示すように、放電開始電圧は、水蒸気の分圧が１ｍＰａ未満の範囲で、徐々に低下していき、水蒸気の分圧が１ｍＰａ以上２０ｍＰａ以下の範囲ではＶ０−５（Ｖ）程度で安定している。水蒸気の分圧が２０ｍＰａを超えると、放電開始電圧は低下していくが、水蒸気の分圧が１００ｍＰａを超えると急激な増加に転ずる。
【００７３】
一方、電子放出能は、水蒸気の分圧が２０ｍＰａ以下の範囲で水蒸気の分圧の増加に伴い上昇していく。ただし、水蒸気の分圧が１０ｍＰａを超えるとその上昇の度合いは、大きなものとなる。電子放出能は、水蒸気の分圧が略２０ｍＰａのときにピーク値をとり、その後は低下していく。
望ましい放電開始電圧および電子放出能の数値範囲は、上記実験１および実験２と同様である。
【００７４】
放電開始電圧の望ましい数値範囲は、低ければ低いほどよい。一方、電子放出能の望ましい範囲について、図１２を用いると、環境温度が２５℃のとき、電子放出能の望ましい範囲は、１．１７以下となり、対応する場合は図８に示す実験結果より、水蒸気分圧を１ｍＰａ以上１０ｍＰａ以下の範囲である。そして、１０℃という環境温度を考慮する場合には、２ｍＰａ以上５ｍＰａ以下の範囲内に設定すれば良い。
（実験４）補助ガスとして窒素ガスを用いた場合
上述したように、現状のＭｇＯからなる誘電体保護膜を有するガス放電パネルにあっては、補助ガスとして窒素ガスを単独で混在させることのメリットは見出せないが、確認実験のみ行った。
【００７５】
図９に示すように、窒素ガスを混在させた場合には、その分圧が０．８Ｐａ未満の範囲で放電開始電圧が安定している。窒素ガスの分圧を上げていくと、放電開始電圧は、ゆっくりと上昇していき、８Ｐａを超えると、逆に低下していく。一方、電子放出能は、窒素ガスの分圧にはあまり影響を受けることがなく、略一定値１．０を保っている。
【００７６】
以上の結果からも分かるとおり、放電空間３０に不純物として窒素ガスを単独で混在させても、現状の誘電体保護膜を有するガス放電パネルでは、あまりメリットがないが、誘電体保護膜の条件次第では、放電空間３０内に不純物として窒素ガスを単独で混在させても上述のような優位性を得ることが期待できる。
（実験５）補助ガスとして炭酸ガスと酸素ガスとを組み合わせて用いた場合
実験５では、上記密閉容器２０１内に補助ガスとして炭酸ガスと酸素ガスとを組み合わせて混在させたときの放電開始電圧および電子放出能を測定した。この結果については、上述の炭酸ガスを単独で混在させた場合に得られる結果と、酸素ガスを単独で混在させた場合に得られる結果の代数和であったので、図示を省略する。
【００７７】
実験結果より、ガス放電パネルの放電空間に補助ガスとして炭酸ガスと酸素ガスとを組み合わせて混在させる場合には、炭酸ガスの分圧を０．５ｍＰａ以上１ｍＰａ以下にするとともに、酸素ガスの分圧を１ｍＰａ以上５ｍＰａ以下とすれば、放電開始電圧および電子放出能の両面から最適である。
上記結果において、炭酸ガスの分圧の望ましい範囲を０．５ｍＰａ以上１ｍＰａ以下としたのは、炭酸ガスを単独で混在させた場合に生じる電子放出能の上昇というデメリットを酸素ガスと組み合わせて混在させることにより、うまくバランスできるためである。つまり、この組み合わせでは、炭酸ガスを単独で混在させた場合には過剰と考えられる量を導入し、これによって生じる電子放出能の上昇というデメリットを酸素ガスの導入によって打ち消すものである。
【００７８】
したがって、放電空間内に炭酸ガスと酸素ガスとを組み合わせて混在させた場合には、それぞれを単独で混在させた場合に比べて、放電開始電圧および電子放出能の両面で優れた特性を引き出すことができる。
【００８１】
（実験７）補助ガスとして水蒸気と炭酸ガスとを組み合わせて用いた場合
実験７では、上記密閉容器２０１内に補助ガスとして水蒸気と炭酸ガスとを組み合わせて混在させたときの放電開始電圧および電子放出能を測定し、図１０および図１１に示す。図１０には、電子放出能の変化を示し、図１１には、放電開始電圧の変化を示す。
【００８２】
図１０に示すように、水蒸気と炭酸ガスとを密閉容器２０１内に混在させた場合、炭酸ガスの分圧に関わらず、水蒸気分圧が２０ｍＰａ付近のとき、電子放出能がピーク値をとる。
また、炭酸ガスの分圧という面から図１０を観ると、炭酸ガスの分圧が０ｍＰａ（水蒸気のみ）から０．６６５ｍＰａの範囲内において、電子放出能は、炭酸ガスの分圧の増加に伴い高くなっていく。
【００８３】
しかし、炭酸ガスの分圧を６．６５ｍＰａとした場合、電子放出能は、炭酸ガスを混在させない場合よりも低い値となってしまう。
次に、図１１に示すように、放電開始電圧は、密閉容器２０１内に水蒸気とともに炭酸ガスを混在させた場合にも、水蒸気のみを混在させた場合の特性と相似の関係を有している。つまり、放電開始電圧は、水蒸気の分圧が２０〜１００ｍＰａのときに最小値をとる。
【００８４】
炭酸ガスの分圧という面から図１１を観ると、放電開始電圧は、一部順序が入れ替わる箇所もあるが、炭酸ガスの分圧が０．６６５ｍＰａ、０．０６６５ｍＰａ、６．６５ｍＰａ、０ｍＰａ（水蒸気のみ）の順で低い値を示す。
ガス放電パネルとしてみた場合、放電開始電圧と電子放出能の望ましい数値範囲は、上述のとおりである。
【００８５】
図１０および図１１に示す実験結果より、上記望ましい数値範囲を満足し、あるいは近づくためには、水蒸気分圧を１ｍＰａ以上１０ｍＰａ以下に設定するとともに、炭酸ガス分圧を０．０６６５ｍＰａ以上０．６６５ｍＰａ以下に設定すれば電子放出能もおおよそ１．１７以下となるため図１２より環境温度２５℃での電子放出能の望ましい範囲となる良い。上記において、水蒸気分圧を１ｍＰａ以上８ｍＰａ以下で、炭酸ガス分圧を０．０６６５ｍＰａ以上０．６６５ｍＰａ以下に設定する場合には、電子放出能もおおよそ１．０７以下となるため図１２より環境温度０℃での電子放出能の望ましい範囲となる。
【００８６】
このような数値範囲とすることによって、ガス放電パネルの特性（放電開始電圧、電子放出能）が優れるという理由は、上記実施の形態と同様であって、環境温度の変化に対しても優れた特性が維持されることによるものである。
【００８７】
（実験８）補助ガスとして水蒸気と酸素ガスとを組み合わせて用いた場合
実験８では、上記密閉容器２０１内に補助ガスとして水蒸気と酸素ガスとを組み合わせて混在させたときの放電開始電圧および電子放出能を測定した。この実験においても、上記実験５および実験６と同様に代数和として結果を捕らえられるので図示を省略した。
【００８８】
実験の結果より、ガス放電パネルの放電空間に補助ガスとして水蒸気と酸素ガスとを組み合わせて混在させる場合には、水蒸気の分圧を５ｍＰａ以上２０ｍＰａ以下にするとともに、酸素ガスの分圧を０．５ｍＰａ以上２ｍＰａ以下にすれば、図１２より環境温度０℃での電子放出能の望ましい範囲となる１．０７以下となるため、放電開始電圧および電子放出能の望ましい範囲を満足する。
【００８９】
なお、上記実験１〜８では、補助ガスの混在量が限りなく０に近い場合の数値を基準とする相対値で放電開始電圧および電子放出能の各データを示した。上記データは、上記図５の実験装置を用いて実験して得られたものであるが、実験結果より導き出された各種補助ガスの適正な分圧は、設計値が変更された場合にも有効であることを確認している。
【００９０】
参考までに、上記実験装置の設計値は、主放電間隙６０〜１００μｍ、主放電電極幅１００〜３００μｍ、隔壁高さ１１０〜１３０μｍ、充填ガス圧５０〜７０ｋＰａ、封止希ガスした希ガスがＮｅベースでＸｅ５％の混合ガスである。
【００９１】
【発明の効果】
以上の説明のように、本発明のガス放電パネルは、放電空間中にガス基体とともに、放電開始電圧が低く、且つ、最適な電子放出能となる。よって、このようなガス放電パネルでは、駆動時における書き込み期間にアドレス不良の発生が抑制され、駆動電圧の低電圧化および高速駆動化が可能である。
【００９２】
また、本発明のガス放電パネルの製造方法は、封着された２枚の基板間に放電空間を形成し（放電空間形成ステップ）、この放電空間に対して、残存ガス圧が０．１ｍＰａ以下になるまで排気し（排気ステップ）、この排気ステップの後、放電空間に炭酸ガス、水蒸気、酸素、窒素の中から選ばれる少なくとも１種からなる補助ガスを導入して（補助ガス導入ステップ）、その後にガス基体を導入する（ガス基体導入ステップ）ことを特徴とするので、放電空間に炭酸ガス、水蒸気、酸素ガス、窒素ガスの中から選ばれる少なくとも１種の補助ガスを所要量混在させることができる。
【００９３】
従って、この製造方法では、駆動時における書き込み期間でのアドレス不良の発生が抑制され、低い駆動電圧で高速駆動が可能なガス放電パネルを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係るＰＤＰ１の斜視図（一部断面図）である。
【図２】本発明の実施の形態に係るＰＤＰ表示装置の全体構成を示すブロック図である。
【図３】斜め蒸着によって誘電体保護膜１４を形成するための装置の概略構成図である。
【図４】封着、排気、ガス導入の各工程の概略図である。
【図５】確認実験に用いた実験装置の概略図である。
【図６】密閉容器内に混在させた炭酸ガスの分圧と放電開始電圧および電子放出能との関係を示す特性図である。
【図７】密閉容器内に混在させた酸素ガスの分圧と放電開始電圧および電子放出能との関係を示す特性図である。
【図８】密閉容器内に混在させた水蒸気の分圧と放電開始電圧および電子放出能との関係を示す特性図である。
【図９】密閉容器内に混在させた窒素ガスの分圧と放電開始電圧および電子放出能との関係を示す特性図である。
【図１０】密閉容器内に混在させた水蒸気および炭酸ガスの各分圧と電子放出能との関係を示す特性図である。
【図１１】密閉容器内に混在させた水蒸気および炭酸ガスの各分圧と放電開始電圧との関係を示す特性図である。
【図１２】各温度における電子放出能と表示不良発生率との関係を示す特性図である。
【符号の説明】
１．ＰＤＰ
１０．前面パネル
１２．表示電極
１４．誘電体保護膜
２０．背面パネル
２２．データ電極
３０．放電空間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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