(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
テトラメチルアンモニウムヒドロキシドを１〜１０重量％、ソルビトールまたはキシリトールを１〜１０重量％、及び１，２−プロパンジオールまたは１，３−ブタンジオールを１〜１０重量％含む水溶液であることを特徴とするレジスト用現像液組成物。
【請求項２】
半導体素子および液晶表示素子の製造工程において、基板上にＩＴＯ（インジウムとスズの酸化物）膜、更にその上にアルミニウム膜が積層された基板に塗布されたレジストを現像する組成物であって、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドを１〜１０重量％、ソルビトールまたはキシリトールを１〜１０重量％、及び１，２−プロパンジオールまたは１，３−ブタンジオールを１〜１０重量％含む水溶液であることを特徴とするレジスト用現像液組成物。
【請求項３】
半導体素子および液晶表示素子の製造工程において、アルミニウムまたはアルミニウム合金薄膜上に塗布されたレジストを現像する組成物であって、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドを１〜１０重量％、ソルビトールまたはキシリトールを１〜１０重量％、及び１，２−プロパンジオールまたは１，３−ブタンジオールを１〜１０重量％含む水溶液であることを特徴とするレジスト用現像液組成物。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は新規なレジスト用現像液組成物、さらに詳しくいえば、金属基板に対する防食作用に優れ、異種金属が積層されている基板においても、各金属の腐食がなく、かつ良好な現像特性を有し、半導体素子や液晶表示素子などの製造分野において好適に用いられるレジスト用現像液組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体素子や液晶表示素子などの製造に際しては、使用する下地基板に対して、エッチングや拡散処理を施す前に、下地基板を選択的に保護する目的で紫外線、遠紫外線、エキシマレーザー、エックス線、電子線などの活性放射線に感応するレジストを基板上に塗布、乾燥し、レジスト膜を形成したのち、活性放射線の選択的照射、現像を施し、基板上にレジストパターンを形成する、いわゆるリソグラフイ法が一般に行われている。
【０００３】
このようなりソグラフィ法においては、現像液としてアルカリ水溶液を用いる場合、半導体素子や液晶表示素子などの電気特性に悪影響を与えないために、一般に金属イオンを含まない有機塩基を主成分とする水溶液が用いられている。
【０００４】
また、現像性の向上を目的として、上記した有機塩基を主成分とする水溶液に各種添加剤を配合した現像液、例えばテトラメチルアンモニウムヒドロキシド０．２〜３．５重量％及び多価アルコール０．２〜１０重量％を含有する水溶液からなる現像液（特開昭６４−１９３４４号）なども知られている。
【０００５】
ところで、半導体素子や液晶表示素子などの製造において使用される基板としては、電極回路形成のためアルミニウムなどの金属膜を設けたシリコンウェハーやガラス板が用いられているが、このような金属膜が形成された基板を用いてリソグラフィ法により基板上に金属膜パターンを形成する際に、従来の現像液では、金属膜が腐食されやすいという欠点がある。また、近年薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）の表示素子として注目されている基板はガラス板上にインジウムの酸化膜やインジウムとスズの酸化物から成るＩＴＯ膜などの透明導電膜を形成し、その上にアルミニウムの蒸着膜を設けたものが多いが、このような異種金属が積層して成る基板を使用してアルミニウム膜のパターンをリソグラフィ法により形成する場合、従来の現像液では、アルミニウム膜またはアルミニウム膜と接触している異種金属が腐食する問題があり、その改善が強く要望されている。
特開平８−１６０６３４号公報では、２０〜５０重量％の多価アルコールを有機塩基を主成分とするレジスト用現像液に配合し上述の課題を解決しようとしているが、腐食は抑制されるものの、現像性能の低下がある。すなわち、現在広く使用されている２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシドに比べ、最小露光量の増加があり、性能は十分でない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、このような事情のもとで、金属基板に対する防食作用に優れ、かつ現像性も良好であって、半導体素子や液晶表示素子などの製造において好適に用いられるレジスト用現像液組成物を提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、金属基板に対する防食作用に優れ、レジスト用現像液組成物を開発すべく鋭意研究を重ねた結果、有機塩基を主成分とするレジスト用現像液に対し、糖類と多価アルコールを特定の割合で配合することにより、現像性能、及び防食作用があるレジスト用現像液を完成するに至った。
【０００８】
本発明の組成物において用いられる有機塩基としては、例えば置換基が直鎖状、分岐状又は環状の第一級、第二級、第三級アミンを含むアミン類、具体的には１，３−ジアミノプロパンなどのジアミノアルカン、４，４′−ジアミノジフェニルアミンなどのアリールアミン、Ｎ，Ｎ’−ジアミノジアルキルアミンなどのアルキルアミン、環骨格に３．５個の炭素原子と窒素、酸素、イオウの中から選ばれたヘテロ原子１又は２個とを有する複素環式塩基、具体的にはピロール、ピロリジン、ピロリドン、ピリジン、モルホリン、ピラジン、ピペリジン、オキサゾール、チアゾールなどが挙げられる。また低級アルキル第四級アンモニウム塩なとも用いられる。その具体例としてはテトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロビルアンモニウムヒドロキシド、トリメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド、トリエチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド、トリプロビル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド、トリメチル（１−ヒドロキシプロビル）アンモニウムヒドロキシドなどが挙げられる。これらの有機塩基の中では低級アルキル第四級アンモニウム塩、特にテトラメチルアンモニウムヒドロキシドが好ましい。これらの有機塩基は、それそれ単独で用いてもよいし、２種以上混合して用いてもよい。
【０００９】
これらの有機塩基は、使用する有機塩基の種類やレジストによって、それそ
れ適切な濃度が選択されるが、通常１〜１０重量％、好ましくは２〜８重量％の濃度であり、１％未満では、現像を十分に行うことができず、１０重量％を超えると未露光部の膜減りが大きくなり良好なレジストパターンが形成されない。
【００１０】
本発明の組成物において添加される多価アルコールは、炭素数２個以上の多価アルコールであり具体的にはエチレングリコール、１，２−プロパンジオール、１，３ープロパンジオール、グリセリン、１，２−ブタンジオール、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、１，２，４−ブタントリオール、１，２，３−ブタントリオール、エリトリトール、１，２−ペンタンジオール、１，３−ペンタンジオール、１，４−ペンタンジオール、１，５−ペンタンジオール、１，２，３−ペンタントリオール、１，２，４−ペンタントリオール、１，２，５−ペンタントリオールブタントリオール、１，２，４−ペンタントリオール、１，２，５−ペンタントリオール、１，３，４−ペンタントリオール、１，３，５−ペンタントリオールなどが挙げられる。これらの多価アルコールの中では１，２−プロパンジオールが好ましい。これらの多価アルコールは、それそれ単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００１１】
本発明の組成物における多価アルコールの濃度は、１〜１０重量％である。
１重量％未満では十分な防食効果が得られない。１０重量％を超えると未露光部の膜減りが大きくなり良好なレジストパターンが形成されない。
【００１２】
本発明に添加される糖類は糖または糖アルコールである。糖としては単糖類、多糖類等の糖類、具体的には例えば炭素数３〜６のグリセリンアルデヒド、トレオース、エリトロース、アラビノース、キシロース、リボース、リブロース、キシルロース、グルコース、マンノース、ガラクトース、タガトース、アロース、アルトロース、グロース、イドース、夕ロース、ソルボース、プシコース、果糖等が挙げられる。また、糖アルコールとしてはトレイトール、エリトリトール、アラビニトール、リビトール、キシリトール、イジトール、ガラクチトール、グルシトール、ボレミトール、ペルセイトール、オクチトールなどが挙げられる。これらの糖類の中ではリボース、キシロース、アラビノース、ソルビトール、キシリトールの防食性が高く、好ましく使用できる。
【００１３】
本発明の組成物における糖類の濃度は、１〜１０重量％である。１重量％未満では十分な防食効果が得られず、１０重量％を超えるとレジストの溶解速度が遅くなる。
【００１４】
本発明組成物には、本発明の目的が損なわれない範囲で、従来のレジスト用現像液に慣用されている各種添加成分、例えば界面活性剤、潤滑剤、湿潤剤、安定剤、溶解助剤などを適宜添加してもよい。
【００１５】
本発明組成物は、防食効果に優れ、金属膜が形成された基板に対して、その金属膜を腐食することなく、高い品質の金属膜パターンが形成できるが、金属膜としては、アルミニウム、アルミニウム合金（アルミニウムと銅、アルミニウムとシリコン、アルミニウムとネオジウム、アルミニウムとジルコニウムとの合金など）から成るものが使用される。また、本発明組成物は異種金属が積層された基板、例えばインジウムの酸化膜やインジウムとスズの酸化物から成るＩＴＯ膜などの透明導電膜の土にアルミニウムの蒸着膜が形成された基板にも有効で、アルミニウム膜やＩＴ○膜が腐食を受けることはない。
【００１６】
さらに、本発明組成物が対象とするレジストとしては、ネガ型、ポジ型のいずれかを問わず、アルカリ水溶液を用いて現像できるものであれば、どのようなレジストでも使用することができる。
【００１７】
【発明の効果】
本発明のレジスト用現像液組成物は、防食性に優れるため、金属膜上に設けたレジストを現像する際に、金属膜の腐食を抑制し、また異種金属が積層された基板に対しても有効であることから、微細な電極回路の形成が不可欠な半導体素子や液晶表示素子などの製造、あるいは異種金属が積層された基板を使用するＴＰＴ表示素子の製造において、特に有効に利用できる。
【００１８】
【実施例】
次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は、これらの例によって限定されるものではない。
【００１９】
実施例１−３、比較例１−１０
ガラス基板上にＩＴＯが１，０００Å，さらにその上にアルミニウムが３０００Åの膜厚で積層された基板を、２３℃に保たれた表１に示した組成物中に６０秒間浸漬し、水リンスの後、窒素ブローによって乾燥した。アルミニウムとＩＴＯの積層膜の表面状態を光学顕微鏡で観察し、表面に孔食が認められたものを×、孔食が認められなかったものを○として評価した。結果を表１に示めす。
【００２０】
【表１】
0004143808.tif 000002
【００２１】
実施例４−６、比較例１０−１８
６インチのシリコンウェハーに、ポジ型のレジストを塗布し、ホットプレートで１２０℃、３分間ベークし、約１７０００Åのレジスト膜を作成した。露光量を変えて露光した後、２３℃に保たれた表２に示した組成物中に６０秒間浸漬し、水リンスの後、窒素ブローによって乾燥した。処理前後のレジスト膜厚をｎ＆ｋ社製ｎ＆ｋ  Ａｎａｌｙｚｅｒ１２８０で測定し、最小露光量及び未露光部膜減りを求めた。結果を表２に示した。
【００２２】
【表２】
0004143808.tif 000003
比較例１８の未露光部は現像処理により、レジストが膨潤し、レジスト膜厚が大きくなったため、−で示した。
【００２３】
実施例１〜６は、半導体素子や液晶表示素子などの製造において、広く使用される現像液（比較例４，１０）に比べ同等の現像特性を示し、且つ防食性が改善された。また、比較例３〜４及び比較例７〜８は、アルミニウムとＩＴＯ膜の積層膜において、アルミニウム及びＩＴＯの腐食を起こさない組成物であった。しかし、比較例１２〜１３及び比較例１６〜１７の結果に示したように露光時間が長くなるため、好ましくない。
【００２４】
【発明の効果】
有機塩基と糖類と多価アルコールを組みあわせて添加することにより、金属基板に対する防食作用に優れ、異種金属が積層されている基板においても、各金属の腐食がなく、且つ良好な現像性を有し、半導体素子や液晶表示素子等の分野において、好適に用いられるレジスト用現像液組成物を提供することができた。