(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性支持体上に電荷発生層及び電荷輸送層をこの順に有する電子写真感光体において、該電子写真感光体が、３８０〜５００ｎｍの波長域の単色光を照射され、かつ該電荷輸送層が照射される該単色光に対し、３０％以上の透過率を有する電子写真感光体であって、
該電荷輸送層は、下記式（１）で示される電荷輸送物質を含み、
【数１】
0004143224.tif 000024
該電荷輸送物質は、下記例示化合物Ｎｏ．６、７、９〜１１、２８、３１または３３であることを特徴とする電子写真感光体：
例示化合物Ｎｏ．６
【数２】
0004143224.tif 000025
例示化合物Ｎｏ．７
【数３】
0004143224.tif 000026
例示化合物Ｎｏ．９
【数４】
0004143224.tif 000027
例示化合物Ｎｏ．１０
【数５】
0004143224.tif 000028
例示化合物Ｎｏ．１１
【数６】
0004143224.tif 000029
例示化合物Ｎｏ．２８
【数７】
0004143224.tif 000030
例示化合物Ｎｏ．３１
【数８】
0004143224.tif 000031
例示化合物Ｎｏ．３３
【数９】
0004143224.tif 000032
。
【請求項２】
前記３８０〜５００ｎｍの波長域の単色光が、半導体レーザー光である請求項１記載の電子写真感光体。
【請求項３】
前記半導体レーザー光が有する波長が４００〜４５０ｎｍの波長域内である請求項２に記載の電子写真感光体。
【請求項４】
前記電荷輸送層が有する透過率が９０％以上である請求項１乃至３のいずれかに記載の電子写真感光体。
【請求項５】
該電荷発生層が、電荷発生材料としてアゾ顔料を含んでいる請求項１乃至４のいずれかに記載の電子写真感光体。
【請求項６】
該アゾ顔料が、下記構造式で示されるものである請求項５に記載の電子写真感光体：
【数１０】
0004143224.tif 000033
。
【請求項７】
電子写真感光体、及び帯電手段、現像手段及びクリーニング手段から選択される少なくともひとつの手段を一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であるプロセスカートリッジにおいて、該電子写真感光体が、請求項１乃至６のいずれかに記載の電子写真感光体であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
【請求項８】
電子写真感光体、帯電手段、露光手段、現像手段及び転写手段を有する電子写真装置において、
該露光手段が、３８０〜５００ｎｍの波長域の単色光を生じさせるものであり、該電子写真感光体が、請求項１乃至６のいずれかに記載の電子写真感光体であることを特徴とする電子写真装置。
【請求項９】
該露光手段が、３８０〜５００ｎｍの波長域に発振波長を有する半導体レーザーを露光光源として有する請求項８に記載の電子写真装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真感光体に関し、詳しくは画像の高解像度化が可能な短波長の半導体レーザーに適した電子写真感光体及びプロセスカートリッジ、及び短波長の半導体レーザーも露光光源として有する電子写真装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在、レーザープリンターなどに代表されるレーザーを光源として使用している電子写真装置において使用されているレーザーは、８００ｎｍ付近あるいは６８０ｎｍ付近に発振波長を有する半導体レーザーが主流である。近年、出力画像の高画質化のニーズの高まりから、高解像度化に向けた様々なアプローチがなされている。レーザーの波長もこの高解像度化に深く関わっており、特開平９−２４００５１号公報にも記載されている様に、レーザーの発振波長が短くなるほど、レーザーのスポット径を小さくすることが可能となり、高解像度の潜像形成が可能となる。
【０００３】
レーザーの発振波長の短波長化には、いくつかの手法が挙げられる。
【０００４】
一つは、非線形光学材料を利用し、第２高調波発生（ＳＨＧ）を用いてレーザー光の波長を２分の１にするものである（特開平９−２７５２４２号公報、特開平９−１８９９３０号公報及び特開平５−３１３０３３号公報など）。この系は、一次光源として、既に技術が確立し、高出力可能のあＧａＡｓ系半導体レーザーやＹＡＧレーザーを使用することができるため、長寿命化や大出力化が可能である。
【０００５】
もう一つは、ワイドギャップ半導体を用いるもので、ＳＨＧ利用のデバイスと比べ、装置の小型化が可能である。ＺｎＳｅ系半導体レーザー（特開平７−３２１４０９号公報及び特開平６−３３４２７２号公報など）やＧａＮ系半導体レーザー（特開平８−８８４４１号公報及び特開平７−３３５９７５号公報など）が、その発光効率の高さから、以前から多くの研究の対象となっている。
【０００６】
これらの半導体レーザーは素子構造、結晶成長条件及び電極などの最適化が難しく、結晶中の欠陥などにより、実用化に必須である室温での長時間発振が困難であった。
【０００７】
ところが、基盤等の技術革新が進み、１９９７年１０月には、ＧａＮ系半導体レーザーで１１５０時間連続発振（５０℃条件）が報告されるなど、実用化が目前に迫っている状態である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
従来のレーザーを用いた電子写真装置に使用される電子写真感光体は、７００〜８００ｎｍ付近の波長域で実用的な感度特性を発現するよう設計されてきた。しかしながら、従来のこれらの電子写真感光体を、４００〜５００ｎｍに発振波長を有する半導体レーザーを用いた電子写真装置に組み込んでも、実用的な感度特性を得ることができない。その主な理由は、従来の長波長レーザー用感光体に使用されている電荷発生物質、具体的には無金属フタロシアニン、銅フタロシアニン及びオキシチタニウムフタロシアニンなどの金属フタロシアニン、及び一部のアゾ顔料などは、４００〜５００ｎｍ付近には十分な吸収帯がなく、こうした波長域では十分なキャリアが発生しないためである。
【０００９】
また、４００〜５００ｎｍ付近に十分な吸収帯を有する電荷発生物質を用いた場合でも、十分な感度特性が得られるとは限らない。電子写真感光体は近年、電荷キャリアの発生と電荷の移動の機能を別々の層に分担させる、いわゆる積層型（機能分離型）が高感度化に有利なことから、研究開発度及び製品の主流となっている。導電性支持体上に電荷発生層と電荷輸送層がこの順に積層された感光体では、レーザー光が電荷輸送層を透過して電荷発生層に到達した場合にのみ感度を発現する。しかし４００〜５００ｎｍ付近の短波光の吸収係数の大きい電荷輸送物質を用いた感光体は、電荷発生層まで光が十分に届かないため、４００〜５００ｎｍの光の吸収の大きな電荷発生物質を使用したとしても十分な感度を示さない。
【００１０】
本発明の目的は、３８０〜５００ｎｍの波長域でも高い感度特性を有し、かつ繰り返し使用時の電位変動の小さい電子写真感光体を提供し、また、この感光体と短波長レーザーを使用することによって、実用的で安定して高画質な出力画像が得られる電子写真装置及びこの装置に着脱可能なプロセスカートリッジを提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明は、導電性支持体上に電荷発生層及び電荷輸送層をこの順に有する電子写真感光体において、該電子写真感光体が、３８０〜５００ｎｍの波長域の単色光を照射され、かつ該電荷輸送層が照射される該単色光に対し、３０％以上の透過率を有する電子写真感光体であって、
該電荷輸送層は、下記式（１）で示される電荷輸送物質を含み、
【数１１】
0004143224.tif 000002
該電荷輸送物質は、下記例示化合物Ｎｏ．６、７、９〜１１、２８、３１または３３であることを特徴とする電子写真感光体である：
例示化合物Ｎｏ．６
【数１２】
0004143224.tif 000003
例示化合物Ｎｏ．７
【数１３】
0004143224.tif 000004
例示化合物Ｎｏ．９
【数１４】
0004143224.tif 000005
例示化合物Ｎｏ．１０
【数１５】
0004143224.tif 000006
例示化合物Ｎｏ．１１
【数１６】
0004143224.tif 000007
例示化合物Ｎｏ．２８
【数１７】
0004143224.tif 000008
例示化合物Ｎｏ．３１
【数１８】
0004143224.tif 000009
例示化合物Ｎｏ．３３
【数１９】
0004143224.tif 000010
。
【００１２】
また、本発明は、電子写真感光体、及び帯電手段、現像手段及びクリーニング手段から選択される少なくともひとつの手段を一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であるプロセスカートリッジにおいて、該電子写真感光体が、上記の電子写真感光体であることを特徴とするプロセスカートリッジである。
【００１３】
また、本発明は、電子写真感光体、帯電手段、露光手段、現像手段及び転写手段を有する電子写真装置において、
該露光手段が、３８０〜５００ｎｍの波長域の単色光を生じさせるものであり、該電子写真感光体が、上記の電子写真感光体であることを特徴とする電子写真装置である。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の電子写真感光体について詳しく説明する。
【００１５】
導電性支持体上に少なくとも電荷発生層と電荷輸送層がこの順に積層された構成を有する積層型感光体の層構成の具体例を図１乃至図４に示す。本発明の電子写真感光体は、導電性支持体と電荷発生層の間にバリヤー機能や接着機能を有する下引き層を有する構成（図２及び図４）、感光層を外部からの機械的及び化学的悪影響から保護することなどを目的とした保護層を有する構成（図３及び図４）など、いかなる構成であっても構わない。図中、１は導電性支持体、２は電荷発生層、３は電荷輸送層、４は下引き層、５は保護層を示す。
【００１６】
本発明における導電性支持体としては、例えば以下に示した形態のものを挙げることができる。
【００１７】
（１）アルミニウム、アルミニウム合金、ステンレス及び銅などの金属を板形状またはドラム形状にしたもの。
【００１８】
（２）ガラス、樹脂及び紙などの非導電性支持体や前記（１）の導電性支持体上にアルミニウム、パラジウム、ロジウム、金及び白金などの金属を蒸着もしくはラミネートしたもの。
【００１９】
（３）ガラス、樹脂及び紙などの非導電性支持体や前記（１）の導電性支持体上に導電性高分子、酸化スズ及び酸化インジウムなどの導電性化合物を含有する層を蒸着あるいは塗布することにより形成したもの。
【００２０】
本発明に用いられる有効な電荷発生物質としては、例えば以下のような物質が挙げられる。これらの電荷発生物質は単独で用いてもよく、２種類以上組み合わせてもよい。
【００２１】
（１）モノアゾ、ビスアゾ及びトリスアゾなどのアゾ系顔料
（２）インジコ及びチオインジゴなどのインジゴ系顔料
（３）金属フタロシアニン及び非金属フタロシアニンなどのフタロシアニン系顔料
（４）ペリレン酸無水物及びペリレン酸イミドなどのペリレン系顔料
（５）アンスラキノン及びピレンキノンなどの多環キノン系顔料
（６）スクアリリウム色素
（７）ピリリウム塩及びチオピリリウム塩類
（８）トリフェニルメタン系色素
（９）セレン及び非晶質シリコンなどの無機物質
【００２２】
電荷発生物質を含有する層、即ち電荷発生層は上記のような電荷発生物質を適当な結着剤に分散し、これを導電性支持体上に塗工することにより形成することができる。また、導電性支持体上に蒸着、スパッタ及びＣＶＤなどの乾式法で形成することができる。
【００２３】
上記結着剤としては広範囲な結着性樹脂から選択でき、例えば、ポリカーボネーと樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアリレート樹脂、ブチラール樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ジアリルフタレート樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、酢酸ビニル樹脂、フェノール樹脂、シリコン樹脂、ポリスルホン樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体樹脂、アルキッド樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂及び塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらは単独または共重合体ポリマーとして１種または２種以上混合して用いてもよい。
【００２４】
電荷発生層中に含有する樹脂は、８０重量％以下、特には４０重量％以下であることが好ましい。また、電荷発生層の膜厚は５μｍ以下、特には０．０１μｍ〜２μｍとすることが好ましい。また、電荷発生層には種々の増感剤を添加してもよい。
【００２５】
電荷輸送物質を含有する層、即ち電荷輸送層は、照射されるレーザー光に対し、３０％以上、好ましくは９０％以上の透過率を有する。透過率は、後述の実施例からも明らかなように、照射される光に対するものであって、３８０〜５００ｎｍの範囲の波長を有する全ての光に対するものである必要はない。
【００２６】
本発明における電荷輸送層は、電荷輸送物質と適当な結着剤（結着性樹脂）とを組み合わせて形成することができる。電荷輸送層に用いられる結着剤としては、前記電荷発生層に用いられているものが挙げられ、更にポリビニルカルバゾール及びポリビニルアントラセンなどの光導電性高分子も挙げられる。
【００２７】
電荷輸送物質は電子輸送性物質と正孔輸送性物質があり、電子輸送性物質としては、例えば２，４，７−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロフルオレノン、クロラニル及びテトラシアノキノジメタンなどの電子吸引性物質やこれら電子吸引性物質を高分子化したものなどが挙げられる。
【００２８】
正孔輸送性物質としては、例えばピレン及びアントラセンなどの多環芳香族化合物、カルバゾール系、インドール系、オキサゾール系、チアゾール系、オキサジアゾール系、ピラゾール系、ピラゾリン系、チアジアゾール系及びトリアゾール系化合物等の複素環化合物、ヒドラゾン系化合物、スチリル系化合物、ベンジジン系化合物、トリアリールメタン系化合物、トリアリールアミン系化合物あるいは、これらの化合物からなる基を主鎖または側鎖に有するポリマー（例えばポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール及びポリビニルアントラセンなど）が挙げられる。これらの電荷輸送物質は単独で用いてもよく、２種類以上組み合わせてもよい。
【００２９】
４００〜５００ｎｍ付近に十分な吸収帯を有する電荷発生物質を使用した感光体と４００ｎｍ付近の光源を組み合わせた場合、従来の長波長光源用感光体と長波長光源を組み合わせた場合と比較して、繰り返し使用した際に感光体の電位変動が大きかったり、画像においてゴースト現象等の画像欠陥を生じ易いことが本発明者らの検討により明らかになった。この一因として、短波長の強いエネルギーの光の照射により電荷発生層で発生した励起子及び電荷キャリアの一部が、電子写真プロセスで消費されずに感光層内に蓄積していき、感光体の帯電能や感度特性を変化させることが考えられる。本発明者らは、このような励起子やキャリアは、電荷輸送物質や他の化合物との電子移動反応により蓄積を抑えることが可能であることを見い出した。つまり、繰り返し使用時の電位変動やメモリー現象を抑制させ、安定した高品位な画像を得るために、最適な電荷輸送物質が存在するのである。
【００３０】
これらの観点から、本発明において用いられる電荷輸送物質は、下記式（１）で示される構造を有するものであって、下記例示化合物Ｎｏ．６、７、９〜１１、２８、３１または３３である。
【００３１】
【外４】
0004143224.tif 000011
（式中、Ａｒ、Ａｒ2 及びＡｒ3 は置換基を有しても良いアリール基を示す。）
【００３２】
芳香環基としては、フェニル、ナフチル、アントラセニル及びピレニルなどの芳香族炭化水素環基、ピリジル、キノリル、チエニル、フリル、ベンゾイミダゾリル及びベンゾチアゾリル等の芳香族複素環基が挙げられる。
【００３３】
また、これらの基が有してもよい置換基としてはメチル、エチル、プロピル、ブチル及びヘキシルなどのアルキル基、メトキシ、エトキシ及びブトキシなどのアルコキシ基、フッ素、塩素、臭素及びヨウ素などのハロゲン原子、ピリジル、キノリル、チエニル及びフリルなどの複素環基、ベンジル、フェネチル、ナフチルメチル及びフルフリル等のアラルキル基、アセチル及びベンジルなどのアシル基、トリフルオロメチルなどのハロアルキル基、シアノ基、ニトロ基、フェニルカルバモイル基、カルボキシ基及びヒドロキシ基などがある。
【００３４】
以下に式（１）で示される化合物の例を挙げる。構造式は式（１）のＡｒ１，Ａｒ２及びＡｒ３に相当する部分のみを記載した。
【００３５】
【外５】
0004143224.tif 000012
【００３６】
【外６】
0004143224.tif 000013
【００３７】
【外７】
0004143224.tif 000014
【００３８】
【外８】
0004143224.tif 000015
【００３９】
【外９】
0004143224.tif 000016
【００４０】
結着剤と電荷輸送物質との配合割合は、結着剤１００重量部あたり電荷輸送物質を１０〜５００重量部とすることが好ましい。電荷輸送層は、上述の電荷発生層と電気的に接続されており、電界の存在下で電荷発生層から注入された電荷キャリアを受け取るとともに、これらの電荷キャリアを表面まで輸送できる機能を有している。この電荷輸送層は電荷キャリアを輸送できる限界があるので、必要以上に膜厚を厚くすることができないが、５μｍ〜４０μｍ、特には１０μｍ〜３０μｍの範囲が好ましい。
【００４１】
更に、電荷輸送層中に酸化防止剤、紫外線吸収剤及び可塑剤などを必要に応じて添加することもできる。
【００４２】
下引き層はカゼイン、ポリビニルアルコール、ニトロセルロース、ポリアミド（ナイロン６、ナイロン６６、ナイロン６１０、共重合ナイロン及びＮ−アルコキシメチル化ナイロンなど）、ポリウレタン及び酸化アルミニウムなどによって形成することができる。膜厚は０．１〜１０μｍであることが好ましく特には０．５〜５μｍであることが好ましい。
【００４３】
保護層は樹脂層や導電性粒子などを含有する樹脂層である。
【００４４】
これら各種の層は、適当な有機溶媒を用い、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法、スピンナーコーティング法、ローラーコーティング法、マイヤーバーコーティング法及びブレードコーティング法などのコーティング法により形成することができる。
【００４５】
本発明における露光手段は、露光光源として３８０〜５００ｎｍの発振波長を有する半導体レーザーを有していればよく、他の構成は特に限定されるものではない。また、半導体レーザーも発振波長が上記の範囲内であれば、他の構成は特に限定されるものではない。なお、本発明においては、半導体レーザーの発振波長が４００〜４５０ｎｍであることが、電荷輸送物質の選択範囲の広さ、コスト及び電子写真特性の点で好ましい。
【００４６】
また、本発明における帯電手段、現像手段、転写手段及びクリーニング手段も特に限定されるものではない。
【００４７】
図５に本発明の電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを有する電子写真装置の概略構成を示す。
【００４８】
図において、６はドラム状の本発明の電子写真感光体であり、軸７を中心に矢印方向に所定の周速度で回転駆動される。感光体１は、回転過程において、一次帯電手段８によりその周面に正または負の所定電位の均一帯電を受け、次いで、レーザービーム走査露光などの露光手段（不図示）からの露光光９を受ける。こうして感光体６の周面に静電潜像が順次形成されていく。
【００４９】
形成された静電潜像は、次いで現像手段１０によりトナー現像され、現像されたトナー現像像は、不図示の給紙部から感光体６と転写手段１１との間に感光体６の回転と同期取りされて給送された転写材１２に、転写手段１１により順次転写されていく。
【００５０】
像転写を受けた転写材１２は、感光体面から分離されて像定着手段１３へ導入されて像定着を受けることにより複写物（コピー）として装置外へプリントアウトされる。
【００５１】
像転写後の感光体６の表面は、クリーニング手段１４によって転写残りのトナーの除去を受けて清掃面化され、更に前露光手段（不図示）からの前露光光１５により除電処理された後、繰り返し画像形成に使用される。なお、図においては一次帯電手段８が帯電ローラーを用いた接触帯電手段であるので前露光は必ずしも必要ではない。
【００５２】
本発明においては、上述の電子写真感光体６、一次帯電手段８、現像手段１０及びクリーニング手段１４などの構成要素のうち、複数のものをプロセスカートリッジとして一体に結合して構成し、このプロセスカートリッジを複写機やレーザービームプリンターなどの電子写真装置本体に対して着脱可能に構成してもよい。例えば、一次帯電手段８、現像手段１０及びクリーニング手段１４の少なくとも１つを感光体６と共に一体に支持してカートリッジ化し、装置本体のレール１７などの案内手段を用いて装置本体に着脱可能なプロセスカートリッジ１６とすることができる。
【００５３】
以下、本発明を実施例によって具体的に説明するが、本発明は、その要旨を越えない限り、以下の実施例によって限定されるものではない。なお、以下の実施例中、「部」は「重量部」を示す。
【００５４】
（実施例１）
《電子写真感光体サンプルの作成》
アルミニウム基板上に、Ｎ−メトキシメチル化６ナイロン樹脂（重量平均分子量３０，０００）５．５部とアルコール可溶性共重合ナイロン樹脂（重量平均分子量２８，０００）８部をメタノール３０部、ブタノール８０部の混合溶液に溶解した液をマイヤーバーで塗布し、乾燥することによって膜厚が約１μｍの下引き層を設けた。
【００５５】
次に、下記構造式で示されるアゾ化合物２０部とブチラール樹脂（ブチラール化度６５ｍｏｌ％、重量平均分子量３０，０００）１０部をテトラヒドロフラン４００部に添加し、１ｍｍφのガラスビーズを用いたサンドミル装置で２０時間分散した。この分散液を先に作成した下引き層の上にマイヤーバーで塗布し、乾燥することによって、膜厚が約０．４μｍの電荷発生層を形成した。
【００５６】
【外１０】
0004143224.tif 000017
【００５７】
次に、例示化合物６を７部、ビスフェノールＺ型ポリカーボネート（重量平均分子量４５，０００）１０部をモノクロルベンゼン６０部に溶解した電荷輸送層溶液を調製し、この溶液を電荷発生層上にマイヤーバーで塗布し、１００℃で１時間乾燥することによって、膜厚が２３μｍの電荷輸送層を形成し、電子写真感光体を作成した。
【００５８】
《電子写真特性の測定》
以上のようにして作成した感光体の電子写真特性を、静電複写紙試験装置（川口電気製：ＥＰＡ−８１００）を用いて以下のように測定した。
【００５９】
（初期特性）
感光体の表面電位を−６００Ｖになるようにコロナ帯電器で帯電し、次いでモノクロメータで分離した３８０ｎｍの単色光で露光し、表面電位が−３００Ｖまで減衰するのに必要な光量を測定し、半減露光感度（Ｅ１／２）を求めた。また、露光３０秒後の残留表面電位（Ｖｒ）を測定した。
【００６０】
（繰り返し特性）
常温常湿下（温度２３℃、湿度５５％ＲＨ）で初期暗部電位（Ｖｄ）及び初期明部電位（Ｖ１）をそれぞれ−６００Ｖ、−２００Ｖ付近に設定し、３８０ｎｍの単色光を用いて帯電及び露光を５０００回繰り返し、Ｖｄ及びＶ１の変動量（ΔＶｄ、ΔＶ１）を測定した。電位変動における負符号は電位の絶対値の低下を表し、正符号は電位の絶対値の増加を表す。
【００６１】
《電荷輸送層の透過率の測定》
作成した感光体から電荷輸送層のみを剥離し、紫外可視分光光度計（島津製作所製：ＵＶ−２２００）を用いて、各波長における電荷輸送層の透過率を測定した。透過スペクトルを図６に示す。なお、図６において、各透過スペクトル線に付した番号は、対応する例示化合物番号を示している。
【００６２】
結果を表１に示す。
【００６３】
（実施例２〜５）
例示化合物６の代わりに下記の表１に示した化合物を用いた他は実施例１と同様に電子写真感光体を作成し、評価を行った。結果を表１に示す。また、各電荷輸送層の透過スペクトルを図６に示す。
【００６４】
（比較例１及び２）
化合物６の代わりに下記構造式で示される比較化合物１及び比較化合物２を用いた他は実施例１と同様に電子写真感光体を作成し、評価を行った。結果を表１に示す。
【００６５】
比較化合物１
【００６６】
【外１１】
0004143224.tif 000018
【００６７】
比較化合物２
【００６８】
【外１２】
0004143224.tif 000019
【００６９】
【表１】
0004143224.tif 000020
【００７０】
これらの結果から、本発明の電子写真感光体は、３８０ｎｍ付近の波長を有する露光光を用いた電子写真装置に組み込んだ場合に、優れた感度を発現し、繰り返し使用時の電位や感度の安定性に優れることが分かる。高感度の観点から、電荷輸送層の透過率のより高い感光体が特に好ましい。電荷輸送層が露光光を透過しない比較例１及び２の感光体では、感度が全く発現しない。
【００７１】
（実施例６〜１０及び比較例３〜６）
例示化合物６の代わりに下記の表２に示した化合物を用いた他は実施例１と同様にして電子写真感光体を作成した。静電複写紙試験装置の露光光を４４５ｎｍの単色光に変えた他は実施例１と同様にして電子写真特性を評価した。結果を表２に示す。また、電荷輸送層の透過スペクトルを図６に示す。
【００７２】
【表２】
0004143224.tif 000021
【００７３】
これらの結果から本発明の電子写真感光体は、４４５ｎｍ付近の波長を有する露光光を用いた電子写真装置に組み込んだ場合にも同様に、優れた感度を発現し、繰り返し使用時の電位や感度の安定性に優れることが分かる。実施例５において３８０ｎｍでの電荷輸送層の透過率が低かったために感度がやや低めであった例示化合物１１を用いた感光体も、実施例９から分かるように４４５ｎｍでは電荷輸送層の透過率が高く、高い感度を発現する。比較化合物１及び２を用いた比較例３及び４の感光体でも感度は発現するが、その感度は極めて低い。
【００７４】
また、比較例５及び６から分かるように、式（１）で示される構造を有する化合物を使用した場合でも、電荷輸送層の透過率が０である波長を有する光を使用した場合には感度は発現しない。
【００７５】
（実施例１１〜１３）
化合物６の代わりに、下記の表３に示した化合物を用いた他は実施例１と同様にして電子写真感光体を作成した。静電複写紙試験装置の露光光を５００ｎｍの単色光に変えた他は実施例１と同様にして電子写真特性を評価した。結果を表３に示す。
【００７６】
【表３】
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【００７７】
実施例１２及び１３から、比較例５及び６で感度を発現しなかった感光体も、露光光が電荷輸送層を十分に透過する波長を有する場合には、感度、繰り返し特性に優れることが分かる。
【００７８】
（実施例１４及び１５）
１０％酸化アンチモンを含有する酸化スズで被覆した酸化チタン粉体５０部、レゾール型フェノール樹脂２５部、メチルセロソルブ２０部、メタノール５部及びシリコーンオイル（ポリジメチルシロキサンポリオキシアルキレン共重合体、平均分子量３０００）０．００２部を１ｍｍφガラスビーズを用いたサンドミル装置で２時間分散して導電層用塗料を調製した。この塗料をアルミニウムシリンダー（３０ｍｍφ×２６１ｍｍ）上に浸漬塗布し、１４０℃で３０分乾燥することによって、膜厚が２０μｍの導電層を形成した。
【００７９】
Ｎ−メトキシメチル化６ナイロン樹脂（重量平均分子量５２，０００）５部とアルコール可溶性共重合ナイロン樹脂（重量平均分子量４８，０００）１０部をメタノール９５部に溶解した。この液を導電層上に浸漬塗布し、乾燥することによって、膜厚が０．８μｍの下引き層を形成した。
【００８０】
次に、α型オキシチタニウムフタロシアニン１５部を、ポリビニルブチラール（商品名エスレックＢＭ−Ｓ、積水化学（株）製）１０部をシクロヘキサノン２００部に溶解した液に添加し、１ｍｍφのガラスビーズを用いたサンドミル装置で１０時間分散し、更に２００部の酢酸エチルを加えて希釈した。この液を下引き層上に浸漬塗布し、９５℃で１０分間乾燥することによって、膜厚が０．３μｍの電荷発生層を形成した。
【００８１】
次に、下記表４に示した例示化合物８部及びビスフェノールＺ型ポリカーボネート（重量平均分子量４５，０００）１０部をモノクロロベンゼン６５部に溶解した。この液を電荷発生層上に浸漬塗布し、１００℃で１時間乾燥することによって、膜厚が２１μｍの電荷輸送層を形成し、実施例１４及び１５の電子写真感光体を作成した。
【００８２】
このようにして作成した電子写真感光体を、パルス変調装置を搭載しているキヤノン製プリンターＬＢＰ−２０００改造機（光源として日立金属（株）製全固体青色ＳＨＧレーザーＩＣＤ−４３０／発振波長４３０ｎｍを搭載。また、反転現像系で６００ｄｐｉ相当の画像入力に対応できる帯電−露光−現像−転写−クリーニングからなるカールソン方式の電子写真システムに改造。）に装着した。暗部電位Ｖｄ＝−６５０Ｖ、明部電位Ｖ１＝−２００Ｖに設定し、１ドット１スペースの画像と文字（５ポイント）画像の出力を行い、得られた画像を目視により評価した。
【００８３】
（比較例７）
プリンターの光源を発振波長７８０ｎｍのＧａＡｓ系半導体レーザーに代えた以外は実施例１４と同様にして、実施例１４で用いた感光体の画像評価を行った。
【００８４】
結果を表４に示す。
【００８５】
【表４】
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【００８６】
これらの結果から、本発明の電子写真装置は、ドットの再現性や文字の再現性に優れ高解像度の出力画像が得られることがわかる。
【００８７】
【発明の結果】
以上説明したように、本発明の電子写真感光体は、４００〜５００ｎｍ付近の短波長の半導体レーザーの発振波長領域において高感度であり、また、繰り返し帯電、露光による連続画像形成に際して明部電位と暗部電位の変動が小さく耐久性に優れて、高品位な画像が得られるとという顕著な効果を奏する。また、この電子写真感光体と上記半導体レーザーを組み合わせることにより、高解像度の画像形成が可能で繰り返し使用にも安定して使用し得る電子写真装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電子写真感光体の層構成の例を示す断面図である。
【図２】本発明の電子写真感光体の層構成の例を示す断面図である。
【図３】本発明の電子写真感光体の層構成の例を示す断面図である。
【図４】本発明の電子写真感光体の層構成の例を示す断面図である。
【図５】本発明のプロセスカートリッジを有する電子写真装置の一例を概略的に示す構成説明図である。
【図６】露光波長に対する電荷輸送層の透過率を示す透過スペクトル図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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