(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空槽内に基板、ターゲットおよび前記ターゲットを保持するカソードを配置し、前記ターゲットをスパッタすることによって、前記基板表面に前記ターゲットの構成元素を主たる成分とする薄膜を形成するスパッタリング装置であって、
前記カソードを支持するアームと、
前記アームを支持し、且つ駆動装置に接続されて前記駆動装置により所定の軸を中心として前記アームを揺動する揺動軸と、
前記ターゲットの外周部より前方に張り出したホーン形状のアースシールドと、を有し、
前記カソードの中心と前記所定の軸との間に特定の距離が設けられており、
前記アースシールドにおける前記ホーン形状の内部空間に向けてガスの供給が為されていることを特徴とするスパッタリング装置。
【請求項２】
前記カソードは、前記アームにおける所定位置において前記アームに支持され、前記アームは前記所定位置とは異なる位置において前記揺動軸に支持されることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記カソードの中心が前記基板の中心上を通る軌道となるように、前記揺動軸を介して前記カソードが前記駆動装置によって揺動されることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項４】
前記カソードに対する給電、ガスの供給および冷却水の供給は、前記揺動軸を介して為されることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項５】
前記揺動軸を介して前記駆動装置によってなされる前記カソードの揺動運動は、揺動範囲における揺動中心とその端部分とで移動速度が異なることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項６】
前記基板は、前記基板に対して略垂直な軸を中心として回転駆動されることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項７】
前記基板は、前記基板の表面と平行な所定方向に対する直動駆動されることを特徴とする請求項１乃至６の何れかに記載の装置。
【請求項８】
前記基板は、前記基板の表面と平行な平面上において二軸駆動されることを特徴とする請求項１乃至６の何れかに記載の装置。
【請求項９】
真空槽内に基板、ターゲットおよび前記ターゲットを保持するカソードを配置し、前記ターゲット近傍に放電用のガスを導入し、前記カソードに給電を行うことによって前記ターゲット表面近傍にプラズマを生じさせ、前記プラズマ中に生じたイオン種によって前記ターゲットをスパッタし、前記スパッタにより放出された前記ターゲットの構成元素を主たる成分として前記基板上に薄膜を形成する半導体および電子部品の製造方法であって、
前記ダーゲットの外周部より前方に張り出したホーン形状のアースシールドにおける前記ホーン形状の内部空間に対して前記ガスの導入が為され、
前記プラズマを生じさせた状態で前記基板上に薄膜を形成する工程が、前記ガスの導入を継続して前記プラズマを維持し、且つ前記カソードの中心とは異なる場所に位置する軸を中心として前記カソードが揺動されながら行われることを特徴とする製造方法。
【請求項１０】
前記カソードの揺動運動における前記カソードの中心の軌跡は、前記基板の中心上を通ることを特徴とする請求項９記載の製造方法。
【請求項１１】
前記カソードの揺動運動において、その揺動範囲における中央部と端部分とで前記カソードの移動速度が異なることを特徴とする請求項９記載の方法。
【請求項１２】
前記カソードの揺動運動において、その揺動範囲における中央部と端部分とで前記カソードに対する給電量が異なることを特徴とする請求項９記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術の分野】
本発明は、半導体、電子部品、磁気ヘッド等の製造工程において用いられ、真空中において基板上に薄膜を形成するスパッタリング装置に関する。本発明は、より詳細には、基板上に薄膜を形成する際に、基板上における当該薄膜の膜圧分布、膜質分布を均一化することを目的とするスパッタリング装置に関する。また、本発明は、スパッタリング法により、基板上に薄膜を形成する半導体、電子部品等の製造方法にも関する。
【０００２】
【従来技術】
スパッタリング装置は、対向配置された基板ホルダおよび成膜すべき膜材料等からなるターゲット、およびこれらを内包する真空チャンバとから構成される。真空チャンバには、放電に用いられる例えばアルゴン等のガスが導入可能であり、カソードにおいて実質的に電極として作用するターゲットに対しては、直流あるいは交流の電圧が印可可能となっている。
【０００３】
成膜時においては、真空チャンバ内の空気が排気された後、所定圧力となるように放電用のガスが導入される。ガス導入後、ターゲットに所定電圧を印可することによって、ホルダに保持された基板とターゲットとの間に放電が生じ、プラズマが発生する。当該プラズマ中でイオン化されたガス分子等がターゲット表面をスパッタし、このスパッタによって叩き出されたターゲット構成元素が基板表面に付着、堆積することで薄膜形成が行われる。
【０００４】
通常、上述のスパッタ装置において、基板上に形成される薄膜の膜圧分布あるいは膜質分布の均一化を図るために、基板よりも大きな表面積を有するターゲットが用いられている。基板とターゲットとの間隔、あるいは放電時の圧力にもよるが、単純に、ある程度以上の膜厚等の均一性を得ようとした場合には、基板の表面積に対してターゲットの表面積をおよそ４倍とすることを要するといわれている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
近年、スパッタリング装置を用いて薄膜を形成する、液晶ディスプレイ、半導体等の製造工程においては、生産効率を高めるために基板の大化型が積極的に進められている。しかし、当該基板に対応した表面積を有するターゲットを用いた場合、ターゲット自体が大型化し、これに印可すべき電圧は非常に高くなる。このため、例えば異常放電を起こした場合にはターゲットの割れ、電源の故障等装置に対して多大なダメージを与える恐れがある。また、全面積において均質な特性を有したターゲットの製造は、ターゲット価格の高騰を招き、且つその材質によっては製造自体が困難となる場合もあった。
【０００６】
また、近年、半導体素子においては、多層配線構造が多く用いられる。この多層配線構造では、異なる層に存在する配線を結ぶために層間に設けられた絶縁層に微細孔を形成し、且つこの孔をスパッタ法によって金属で埋める操作が行われる。その際、スパッタによって基板に到達するターゲット構成元素等は微細孔の底面に集中的に堆積することが好ましい。しかしながら、ターゲットから放出される元素等は余弦則に従って放射されるために、大型ターゲットを用いた場合には、微細孔の側壁に多く付着、堆積することとなり、微細孔を確実に埋めることが困難となる。
【０００７】
本発明は、上記課題を解決するために案出されたものであり、基板に対して小さな表面積を有したターゲットを用いて、均一な膜厚、膜質の分布を示す薄膜を形成することが可能となるスパッタリング装置を提供することを目的としている。また、小さな面積を有したターゲットを用いることで、上述の微細孔を確実に埋めることができるスパッタリング装置を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明に係るスパッタリング装置は、真空槽内に基板、ターゲットおよびターゲットを保持するカソードを配置し、ターゲットをスパッタすることによって、基板表面にターゲットの構成元素を主たる成分とする薄膜を形成するスパッタリング装置であって、カソードを支持するアームと、アームを支持し、且つ駆動装置に接続されて、駆動装置により所定の軸を中心としてアームを揺動する揺動軸を有し、カソードの中心と所定の軸との間に特定の距離が設けられていることを特徴としている。
【０００９】
なお、上記スッパタリング装置においては、カソードは、アームにおける所定位置においてアームに支持され、アームは所定位置とは異なる位置において揺動軸に支持されることが好ましい。また、上記スパッタリング装置においては、カソードの中心が基板の中心上を通る軌道となる様に、揺動軸を介してカソードが駆動装置によって揺動されることが好ましい。また、上記スパッタリング装置においては、カソードに対する給電、ガスの供給および冷却水の供給は、揺動軸を介して為されることが好ましい。
【００１０】
また、上記スパッタリング装置においては、基板は、基板に対して略垂直な軸を中心として回転駆動されることが好ましい。また、基板は、基板の表面と平行な所定方向に対する直動駆動、あるいは基板の表面と平行な平面上において二軸駆動されることが好ましい。また、上記スパッタリング装置においては、揺動軸を介して駆動装置によってなされるカソードの揺動運動は、揺動範囲における揺動中心とその端部分とで移動速度が異なることが好ましい。また、上記スパッタリング装置においては、ターゲットの外周部から前方に張り出したホーン形状のアースシールドをさらに有し、アースシールドにおけるホーン形状の内部に向かってガスの供給が為されることが好ましい。
【００１１】
さらに、上記課題を解決するために、本発明に係る半導体および電子部品の製造方法は、真空槽内に基板、ターゲットおよび前記ターゲットを保持するカソードを配置し、ターゲット近傍に放電用のガスを導入し、カソードに給電を行うことによってターゲット表面近傍にプラズマを生じさせ、プラズマ中に生じたイオン種によってターゲットをスパッタし、スパッタにより放出されたターゲットの構成元素を主たる成分として基板上に薄膜を形成する半導体および電子部品の製造方法であって、プラズマを生じさせた状態で基板上に薄膜を形成する工程が、カソードの中心とは異なる場所に位置する軸を中心としてカソードが揺動されながら行われることを特徴としている。
【００１２】
なお、上記方法においては、カソードの揺動運動におけるカソードの中心の軌跡は、基板の中心上を通ることが好ましい。また、上記方法においては、カソードの揺動運動において、その揺動範囲における中央部と端部分とでカソードの移動速度が異なることが好ましい。また、上記方法においては、カソードの揺動運動において、その揺動範囲における中央部と端部分とでカソードに対する給電量が異なることとしても良い。
【００１３】
【実施例】
本発明に係るスパッタリング装置について、その主要部の概略構成を示す部分断面図を図１に、図１における線２−２において装置を切断し、図１における当該切断面を下方より見た場合の概略構成を図２に示す。スパッタリング装置１は、真空槽１０、アーム２０に支持されたターゲット保持ヘッド４０、当該保持ヘッドに保持されたターゲット４１、基板６１を保持する基板ホルダ６０、シャッター１５等から構成される。なお、真空槽１０は、ターボ分子ポンプ等からなる不図示の真空排気系に接続されている。
【００１４】
基板ホルダ６０は、真空槽１０外部に設けられた基板回転用モータ６２と接続されており、軸Ａについて回転可能となっている。また、不図示の水冷機構等がその内部に設けられており、基板６１の温度を制御することが可能となっている。なお、基板６１の受け渡しを行う際に用いられる基板昇降用のシリンダー、基板外周を覆うマスク等は、本発明と直接関係がないため、ここでの説明は省略する。
【００１５】
シャッター１５は、ターゲット４１表面の酸化膜除去等のために予備放電を行う場合等、放電は行うが実際の成膜はまだ行わない様な場合に、スパッタされたターゲット構成元素等が周囲に付着、堆積することを防止するために用いられる。このため、軸Ｂについて回転可能となっており、放電時にターゲット４１正面に移動し、且つ成膜時には放電に対して影響を与えない場所に移動する。なお、図中では、駆動機構を示していないが、実際には真空槽１０外部に駆動用のエアシリンダ等が配置され、これら機構によって回動される。
【００１６】
ターゲット保持ヘッド４０を支持するアーム２０は、軸Ｃについて揺動可能となるよう、真空槽１０外部においてアーム揺動用モータ２３と接続されている。カソードを構成するターゲット保持ヘッド２０は、その電極となるようにターゲット４１を保持している。アーム２０は、基板ホルダ６０に保持された基板６１に対して、これと対向する平面内をターゲット４１が移動するように揺動される。本実施例においては、図２に示すように、ターゲット４１の中心が基板６１の中心上を通過するように駆動されている。
【００１７】
次に、アーム２０、ターゲット保持ヘッド４０およびターゲット４１等の略断面を示す図３を参照し、これら構成について詳述する。揺動軸２１は、真空槽１０に固定された軸受部１２によって揺動可能に支持されると共に、真空槽１０と軸受部１２との間に配置されたシール１３によって、大気側から真空側への揺動軸２１の挿通を可能としている。なお、シール１３のシール作用を確実なものとするために、当該シール部には、真空槽１０とは独立して当該部分を不図示の真空系によって排気する、いわゆる中間排気が施されている。
【００１８】
揺動軸２１の大気側端部にはギア２４が固定されている。ギア２４は、駆動装置であるアーム揺動用モータ２３の出力軸に固定された駆動ギア２５と係合し、モータ２３は、これらギアを介して揺動軸２１の揺動を行う。また、揺動軸２１の大気側端面には、ターゲット（カソード）に対する給電、冷却水の供給、ガスの供給を行うための給電端子２６、冷却水導入ポート２７、ガス導入ポート２８がそれぞれ設けられている。
【００１９】
なお、揺動軸２１は接地電位とされることから、給電端子２６およびこれとターゲットとを電気的に接続する導電体３２は、絶縁体３３によって揺動軸２１等から電気的に絶縁されている。また、冷却水導入ポート２７およびガス導入ポート２８は、それぞれ、揺動軸２１内部に設けられた冷却水通路３４およびガスライン３５に繋がっている。
【００２０】
揺動軸２１は、その真空側端部において、アーム２０の回転中心部となるその一方の端部に接続され、これを支持している。前述の導電体３２、絶縁体３３、および冷却水通路３４は、当該アーム２０内部にも設けられており、これらは揺動軸２１内部から連通している。なお、ガスライン３５については、装置作成上の都合から、アーム２０の外部に配置されているが、これをアーム２０の内部に配置することとしても良い。アーム２０は、一方の端部において揺動軸２１に支持されており、且つ他方の端部においてターゲット保持ヘッド４０を支持している。
【００２１】
ターゲット保持ヘッド４０は、ターゲットを実際に保持する絶縁部４２と、ターゲット周囲に配置された接地電位部４６とから構成される。絶縁部４２は、絶縁板４３、バッキングプレート４４、永久磁石４５、ターゲット４１とから構成される。ターゲット４１とバッキングプレート４４とからカソードが構成され、ターゲット４１が放電電極として作用する。なお、本実施例においてはターゲット４１およびバッキングプレート４４は円盤状の形状から成り、これらの中心はカソード中心と一致している。
【００２２】
絶縁板４３は、導電体３２、バッキングプレート４４を介してターゲット４１に対して電圧を印可可能とするために、当該ターゲット４１を接地電位から電気的に絶縁する働きを有する。ターゲット４１は、冷却水通路３４を介して導入される冷却水によって温度制御が為されるバッキングプレート４４に固定され、電圧の印可は導電体３２、バッキングプレート４４を介して行われる。
【００２３】
なお、本実施例においては、低電圧で放電が可能であり且つ大きな成膜速度が容易に得られるマグネトロンカソードを用いることとしている。当該カソードは、永久磁石等による磁場を用いることで電子を効率的にトラップし、これら効果を得るものである。本実施例においては、永久磁石４５は、絶縁板４３とバッキングプレート４４の間に配置され、非磁性のバッキングプレート４４を透過してターゲット４１表面の空間に漏洩する磁場を形成する。
【００２４】
接地電位部４６は、保持ヘッド外周部４７とアースシールド４８とからなる。保持ヘッド外周部４７は、絶縁板４３あるいは永久磁石４５の外周を包囲して、これを所定位置に固定、保持する。また、アースシールド４８は、バッキングプレート４４およびターゲット４１の外周部をこれらと微少間隔を空けて覆うように配置され、且つターゲット４１正面の空間をホーン状に覆ってこれら周囲での余分な放電をカットする。また、本実施例においては、ガスライン３５は、保持ヘッド外周部４７を介してアースシールド４８に形成されたガスライン開口部４９に連通している。放電時に用いられるガスは、ガスライン３５を経て、当該開口部４９より、当該シールドによって形成されるホーン状の空間内部に導入される。
【００２５】
以上の構成により、本スパッタリング装置においては、ターゲット４１表面での放電を維持しながら、当該ターゲット４１を、軸Ｃを中心とする所定の平面内で揺動することが可能となる。なお、揺動時にターゲット４１の中心（本実施例においてはカソード中心と一致する。）は、基板の中心上を通過する軌跡を描く。これにより、ターゲットの表面積よりも大きな領域に対して、膜厚等が均一となる薄膜の形成が可能となる。
【００２６】
また、本発明においては、アースシールド４８によって、ターゲット構成元素等の余弦則に従った放射を制限することが可能である。従って、ターゲット４１に垂直な方向へ開口する微細孔の底面に対して、効率的に放出元素等の堆積を行うことが可能となる。また、ターゲット４１を揺動して、より大きな基板に対して薄膜の形成を行った場合であっても、この効果は同様に得られる。
【００２７】
次に、当該装置において、特定の基板上に薄膜を形成し、半導体あるいは電子部品を製造する工程について簡単に述べる。まず、特定の基板６１を基板ホルダ６０上に載置し、固定する。その際、真空槽１０内部は既に排気されていても良く、あるいは基板載置後に排気することとしても良い。所定の圧力まで真空槽１０内部を排気した後、ガスライン３５等を介してガスライン開口部４９よりアルゴン等の放電用のガスを導入し、真空槽１０の内部を所定の放電圧力とする。なお、この状態において、ターゲット４１の正面にはシャッター１５が位置しているが、これらの配置は、基板６１の直上となる真空槽１０の中央部であっても良く、基板上部から離れた真空槽１０の隅であっても良い。
【００２８】
ここで、導電体３２等を介してターゲット４１に対して所定の電圧を印可し放電を生じさせ、プラズマを発生させる。ターゲット４１表面の酸化物等がスパッタされ、且つ放電状態が安定するのに充分な時間が経過した後に、シャッター１５をターゲット４１の正面から退避させる。同時に、ターゲット４１の軸Ｃ中心の揺動を開始し、基板６１上への成膜を開始する。その際、基板回転用モータ６２により、基板ホルダ６０および基板６１を回転させることで、より大きな基板に対しても、膜厚等が均一な薄膜の形成が可能となる。
【００２９】
一般的に、円形のターゲット単体から得られる膜厚の分布はその中央部分がもっと厚くなり、周辺部に行くに従って徐々に膜厚が薄くなるプロファイルを示す。本実施例においては、マグネトロンカソードを用いている。従って、形成される磁場を適当なものとすることで、ターゲット４１単体から得られる膜厚分布を改善することが可能であるが、その周辺部が徐々に薄くなるプロファイルは同様である。このため、ターゲット４１の揺動によって得られる帯状の成膜領域においては、その中心線に沿って膜厚が厚くなるプロファイルが得られる。この帯状の成膜領域を基板が通過することで平坦なプロファイルを有した薄膜の形成が可能となる。
【００３０】
しかしながら、基板を回転させた場合には、基板中央から離れるに従ってその周方向の移動速度は大きくなり、成膜が行われ得る領域に位置する時間が短くなる。また、基板の回転速度とターゲット４１の揺動周期がある関係を満たす場合には基板上に模様等を形成する場合も生じ得る。従って、実際の成膜時においては、以上のことを考慮し、例えば揺動範囲におけるターゲット４１の移動速度を揺動位置に応じて変更することが好ましい。
【００３１】
例えば、図２に示すように基板とターゲット等が配置される場合には揺動範囲の中心部分でのターゲットの移動速度は大きくし、揺動範囲の端部での移動速度を小さくすることが好ましい。なお、揺動速度等を変化させる代わりに、ターゲットに印可する電圧を変化させても同様の効果が得られる。具体的には、基板中央部に接近するに従って印可電圧を低下させ、成膜速度を低下させれば良い。
【００３２】
また、例えば酸化物、窒化物等の薄膜を形成する際に用いられる、いわゆる反応性のスパッタリング法に対しても、本発明は好適と考えられる。この場合、基板上に成膜される膜は、ターゲット構成元素を主たる成分とする膜となる。ターゲットを移動させて成膜を行う場合、ターゲット位置の変化に応じて酸素、窒素等の反応性ガスのターゲット周辺への供給状態が変化し、その結果膜中の酸素濃度、窒素濃度等が成膜位置によって変化する恐れがある。しかし、本発明においては、アースシールド４８に設けられたガスライン開口部４９より、定量の新鮮な反応性ガスの供給が安定して行われる。従って、ターゲット４１のいかなる揺動位置においても、一定の酸素濃度、窒素濃度等を有する膜を形成することが可能となる。
【００３３】
なお、本実施例においては、ターゲット４１等が、基板６１等に対して上方に位置する構成を示したが、本発明はこれに限定されず、これらの上下配置を入れ替えても良く、また、鉛直方向に並設する形式としても良い。また、真空槽１０に単一のターゲット４１が配置される装置を示しているが、例えば複数のターゲットおよびこれらを支持する複数のアーム等が配置される構成としても良い。その際、ターゲットとしては、同一構成材料からなるものを複数配置することとし、ターゲットの消耗度に応じて順次用いるターゲットを変更することで装置の稼働率を高めることとしても良い。また、異なる構成材料からなることとし、順次これらターゲットによる成膜を行って積層膜を形成することとしても良い。
【００３４】
また、本実施例においては、円形のターゲットを用いているが、楕円形等種々の形状のターゲットを用いることが可能である。また、本実施例においてアースシールド４８を配置している部分に、例えばターゲット４１とはまた別個にターゲットを配置した様な、いわゆる対向ターゲットをターゲット保持ヘッド４０が保持する構成としても良い。すなわち、本発明は、ターゲット保持ヘッド４０が保持し得る構成であれば、現在知られている全てのカソードを用いることが可能である。その場合、カソード中心と揺動軸の軸心とが隔置されていれば良い。
【００３５】
また、印可される電圧は、直流、低周波および高周波等の交流等、種々の形態のものが印可可能である。また、その際には、用いる形態に応じて導電体３２の形状を適宜変更することが好ましい。また、ガスの導入位置は、本実施例に限定されず、例えば、アーム２０とは別個のガス導入系等をさらに設けることとしても良い。また、複数種類のガスをそれぞれ別個に導入し、例えばアースシールド４８におけるターゲット表面に対しての近傍位置と最も離れた位置との様に、異なった位置から導入することとしても良い。
【００３６】
また、本実施例においては、基板ホルダー６０は軸Ａについて回転可能としているが、本発明はこれに限定されない。例えば、所定方向についての直動、Ｘ−Ｙ平面のような二次元平面動作等、種々の移動を行うことが可能である。また、複数のアームにより複数のカソードを揺動し、基板はこれらカソードとと対向してその正面を通過する形式としても良い。
【００３７】
また、本実施例において、アームの一方の端部において揺動軸に支持され、他方の端部においてターゲット保持ヘッドを支持しているが、これらの支持位置は、アームの端部に限定されない。具体的には、揺動軸の軸心であるアームの回転中心とカソードの中心部とが一致せず、特定の距離を有する構成であればよい。また、アームにおけるカソードの支持位置は、アームが揺動軸に支持される所定位置とは異なる位置であれば良い。また、本実施例において、揺動軸は大気側端部において揺動用モータの駆動ギアと係合するギアを有し、真空側端部においてアームを支持しているが、ギアの保持位置およびアームの支持位置は端部に限定されない。
【００３８】
【発明の効果】
本発明によれば、基板に対して小さな表面積を有したターゲットを基板上の成膜面に対して平行に揺動することによって、均一な膜厚、膜質の分布を示す薄膜を形成することが可能となる。また、小さな面積を有したターゲットを用い、且つターゲットからの元素の放出方向を効率的に制限することで、微細孔を確実に埋めることが可能となる。
【００３９】
また、本発明においては、ターゲットをカソードとして用いる際に必要となる電圧の印可、冷却水の供給、放電用のガスの導入および各シール部分に対して施されるいわゆる中間真空排気は、全て揺動軸を通して為されている。従って、これら構成は可動部として真空容器内に露出することが無く且つ簡単な構成によって電圧の印可等を行うことが可能となる。このため、真空槽内の環境を清浄且つ安定な状態に保つことが可能となる。
【００４０】
また、小口径のターゲットを使用することにより、小さな入力電圧でも成膜を行うことが可能となり、省電力化が可能となる。また、入力電圧が小さいため、異常放電の発生自体を押さえることが可能であり、仮に発生したとしても、装置自体に対して与えるダメージは従来装置の場合と比較してその影響は小さく押さえられる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るスパッタリング装置の断面における概略構成を示す図である。
【図２】図１に示す装置に関し、２−２における断面を図中下方より見た状態を示す図である。
【図３】本発明に係るスパッタリング装置における揺動可能な電極の断面における概略構成を示す図である。
【符号の説明】
１：  スパッタリング装置
１０：  真空槽
１２：  軸受部
１３：  シール
１５：  シャッター
２０：  アーム
２１：  揺動軸
２２：  ギア
２３：  アーム揺動用モータ
２４：  ギア
２６：  給電端子
２７：  冷却水導入ポート
２８：  ガス導入ポート
３２：  導電体
３３：  絶縁体
３４：  冷却水通路
３５：  ガスライン
４０：  ターゲット保持ヘッド
４１：  ターゲット
４２：  絶縁部
４３：  絶縁板
４４：  バッキングプレート
４５：  永久磁石
４６：  接地電位部
４７：  保持ヘッド外周部
４８：  アースシールド
４９：  ガスライン開口部
６０：  基板ホルダ
６１：  基板
６２：  基板回転用モータ
【図１】
0004111375.tif 000002
【図２】
0004111375.tif 000003
【図３】
0004111375.tif 000004