(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と相対的に移動する塗布液吐出部を用いた基板の膜形成方法であって，
前記塗布液吐出部から基板の表面に塗布液を吐出しながら，この塗布液吐出部を前記基板に対して相対的に移動する工程と，
前記基板の外縁部への塗布量をその他の部分よりも減少させるために，前記外縁部に対する前記塗布液の吐出方向を変更させる工程とを有し，
前記相対的に移動する工程は，前記基板に塗布液を吐出しながら前記塗布液吐出部が前記基板の外縁部を横切り前記基板上を往復する工程であって，
前記塗布液吐出部が前記基板に塗布液を吐出しながら前記基板の内側から外側へ移動し，前記基板の外縁部を横切るときにのみ，前記塗布液の吐出方向を変更させることを特徴とする，基板の膜形成方法。
【請求項２】
基板と相対的に移動する塗布液吐出部を用いた基板の膜形成方法であって，
前記塗布液吐出部から基板の表面に塗布液を吐出しながら，この塗布液吐出部を前記基板に対して相対的に移動する工程と，
前記基板の外縁部への塗布量をその他の部分よりも減少させるために，前記外縁部に対する前記塗布液の吐出方向を変更させる工程とを有し，
前記相対的に移動する工程は，前記基板に塗布液を吐出しながら前記塗布液吐出部が前記基板の外縁部を横切り前記基板上を往復する工程であって，
前記塗布液吐出部が前記基板に塗布液を吐出しながら前記基板の外側から内側へ移動し，前記基板の外縁部を横切るときにのみ，前記塗布液の吐出方向を変更させることを特徴とする，基板の膜形成方法。
【請求項３】
基板と相対的に移動する塗布液吐出部を用いた基板の膜形成方法であって，
前記塗布液吐出部から基板の表面に塗布液を吐出しながら，この塗布液吐出部を前記基板に対して相対的に移動する工程と，
前記基板の外縁部への塗布量をその他の部分よりも減少させるために，前記外縁部に対する前記塗布液の吐出方向を変更させる工程とを有して，基板の表面の全面に塗布液を塗布し，
前記塗布液吐出部により吐出された塗布液が基板に達する前に，その塗布液を吸引して，前記塗布液の吐出方向を変更させることを特徴とする，基板の膜形成方法。
【請求項４】
基板と相対的に移動する塗布液吐出部を用いた基板の膜形成方法であって，
前記塗布液吐出部から基板の表面に塗布液を吐出しながら，この塗布液吐出部を前記基板に対して相対的に移動する工程と，
前記基板の外縁部への塗布量をその他の部分よりも減少させるために，前記外縁部に対する前記塗布液の吐出方向を変更させる工程とを有して，基板の表面の全面に塗布液を塗布し，
前記塗布液吐出部自体の方向を変更させて，塗布液の吐出方向を変更させることを特徴とする，基板の膜形成方法。
【請求項５】
基板と相対的に移動する塗布液吐出部を用いた基板の膜形成方法であって，
前記塗布液吐出部から基板の表面に塗布液を吐出しながら，この塗布液吐出部を前記基板に対して相対的に移動する工程と，
前記基板の外縁部への塗布量をその他の部分よりも減少させるために，前記外縁部に対する前記塗布液の吐出方向を変更させる工程とを有して，基板の表面の全面に塗布液を塗布し，
前記塗布液吐出部により吐出された塗布液が基板に達する前に，その塗布液に対して所定の気体を吹き付けて，前記塗布液の吐出方向を変更させることを特徴とする，基板の膜形成方法。
【請求項６】
基板と相対的に移動し，基板に塗布液を吐出する塗布液吐出部を有する基板の膜形成装置であって，
塗布液吐出部から基板の表面に塗布液を吐出しながら，この塗布液吐出部を基板に対して相対的に移動して，前記塗布液吐出部が前記基板の外縁部を横切るように基板上を往復し，その往復時に塗布液吐出部が前記基板の内側から外側へ移動して前記基板の外縁部を横切るときにのみ，又は塗布液吐出部が前記基板の外側から内側へ移動して前記基板の外縁部を横切るときにのみ，基板の外縁部に対する塗布液の吐出方向を変更させて，前記基板の外縁部への塗布量をその他の部分よりも減少させることを特徴とする，基板の膜形成装置。
【請求項７】
基板と相対的に移動し，前記基板に塗布液を吐出する塗布液吐出部を有する基板の膜形成装置であって，
前記塗布液吐出部は，前記基板の表面に塗布液を吐出しながら前記基板に対して相対的に移動可能であり，
前記塗布液吐出部から前記基板の外縁部に対して吐出された塗布液が基板に達する前に，当該塗布液を吸引して塗布液の吐出方向を変更させる塗布液吸引手段を有することを特徴とする，基板の膜形成装置。
【請求項８】
基板と相対的に移動し，前記基板に塗布液を吐出する塗布液吐出部を有する基板の膜形成装置であって，
前記塗布液吐出部は，前記基板の表面に塗布液を吐出しながら前記基板に対して相対的に移動可能であり，
前記塗布液吐出部から前記基板の外縁部に対して吐出された塗布液が基板に達する前に，前記塗布液に対して所定の気体を吹き付けて前記塗布液の吐出方向を変更させる気体供給手段を有することを特徴とする，基板の膜形成装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，基板の膜形成方法と膜形成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば半導体デバイス（以後「ウェハ」とする）の製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では，ウェハ表面にレジスト液を塗布し，レジスト膜を形成するレジスト塗布処理，ウェハにパターンを露光する露光処理，露光後のウェハに対して現像を行う現像処理等が行われ，ウェハに所定の回路パターンを形成する。
【０００３】
現在，前記レジスト塗布処理において，レジスト液を塗布する方法としては，スピンコーティング法が主流をなしている。このスピンコーティング法によれば，ウェハの中心にレジスト液を吐出して，このウェハを回転させる。このことにより，ウェハ上に塗布されたレジスト液が遠心力により拡散し，ウェハの全面に渡って均一なレジスト膜を形成することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら，スピンコーティング法は，ウェハを高速で回転させるため，ウェハの周縁部から大量のレジスト液が飛散し，無駄になるレジスト液が多い。また，レジスト液の飛散により当該装置が汚染されるため，頻繁に洗浄しなければならない等の弊害が生じていた。
【０００５】
そこで，ウェハを回転させるスピンコーティング法に代えて，レジスト液を吐出するノズルとウェハを相対的に動かして，例えば，ウェハ上に満遍なく格子状にレジスト液を塗布する方法が考えられる。
【０００６】
しかしながら，このいわゆる一筆書きの要領でレジスト液を塗布する方法においても，ウェハの周縁部に塗布されたレジスト液が表面張力により盛り上がり，レジスト膜が均一に形成されない場合が懸念される。このように周縁部が盛り上がった状態で露光しても，該周縁部は，製品として利用できない欠陥部となり，その分歩留まりが低下する。
【０００７】
本発明は，かかる点に鑑みてなされたものであり，基本的には前記したノズルのような塗布液吐出部とウェハなどの基板とを相対的に移動させながら，塗布液を吐出するようにして基板上に膜を形成する方式を採りつつ，基板の外縁部においても，均一なレジスト膜が形成される膜形成方法とそれらの機能を備えた膜形成装置を提供することをその目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は，基板と相対的に移動する塗布液吐出部を用いた基板の膜形成方法であって，前記塗布液吐出部から基板の表面に塗布液を吐出しながら，この塗布液吐出部を前記基板に対して相対的に移動する工程と，前記基板の外縁部への塗布量をその他の部分よりも減少させるために，前記外縁部に対する前記塗布液の吐出方向を変更させる工程とを有し，前記相対的に移動する工程は，前記基板に塗布液を吐出しながら前記塗布液吐出部が前記基板の外縁部を横切り前記基板上を往復する工程であって，
前記塗布液吐出部が前記基板に塗布液を吐出しながら前記基板の内側から外側へ移動し，前記基板の外縁部を横切るときにのみ，前記塗布液の吐出方向を変更させることを特徴とする基板の膜形成方法が提供される。
【０００９】
このように，基板の外縁部に対する塗布液の吐出方向を変更させることにより，基板の外縁部への塗布量を減少できるので，表面張力によりできる基板の外縁部の盛り上がりを抑制することが可能である。
【００１１】
また，前記塗布液吐出部が往復塗布移動中に，基板の内側から外側に前記外縁部を横切る場合にのみ，塗布液の吐出方向を変更させることにより，結局，この外縁部においては前記塗布液吐出部が基板の外側から内側に移動するときにだけ吐出されることとなるので，前記外縁部への塗布量が半分となり，基板の外縁部の盛り上がりが抑制される。また，その分塗布量が削減できるので，コストダウンにつながる。
【００１２】
別の観点による本発明は，基板と相対的に移動する塗布液吐出部を用いた基板の膜形成方法であって，前記塗布液吐出部から基板の表面に塗布液を吐出しながら，この塗布液吐出部を前記基板に対して相対的に移動する工程と，前記基板の外縁部への塗布量をその他の部分よりも減少させるために，前記外縁部に対する前記塗布液の吐出方向を変更させる工程とを有し，前記相対的に移動する工程は，前記基板に塗布液を吐出しながら前記塗布液吐出部が前記基板の外縁部を横切り前記基板上を往復する工程であって，
前記塗布液吐出部が前記基板に塗布液を吐出しながら前記基板の外側から内側へ移動し，前記基板の外縁部を横切るときにのみ，前記塗布液の吐出方向を変更させることを特徴とする。
【００１３】
かかる方法によっても，基板の外縁部への塗布量が半分となるので，従来懸念されていた基板の外縁部の盛り上がりが抑制される。また，その分塗布量が削減されるのでコストダウンにつながる。
【００１４】
別の観点による本発明は，基板と相対的に移動する塗布液吐出部を用いた基板の膜形成方法であって，前記塗布液吐出部から基板の表面に塗布液を吐出しながら，この塗布液吐出部を前記基板に対して相対的に移動する工程と，前記基板の外縁部への塗布量をその他の部分よりも減少させるために，前記外縁部に対する前記塗布液の吐出方向を変更させる工程とを有して，基板の表面の全面に塗布液を塗布し，前記塗布液吐出部により吐出された塗布液が基板に達する前に，その塗布液を吸引して，前記塗布液の吐出方向を変更させることを特徴とする。
【００１５】
このように，前記塗布液を吸引して，基板の外縁部に対する前記塗布液の吐出方向を変更させることにより，前記基板外縁部への塗布量が他よりも減少されるので，表面張力によりできる基板外縁部の塗布液の盛り上がりが抑制される。
【００１６】
別の観点による本発明は，基板と相対的に移動する塗布液吐出部を用いた基板の膜形成方法であって，前記塗布液吐出部から基板の表面に塗布液を吐出しながら，この塗布液吐出部を前記基板に対して相対的に移動する工程と，前記基板の外縁部への塗布量をその他の部分よりも減少させるために，前記外縁部に対する前記塗布液の吐出方向を変更させる工程とを有して，基板の表面の全面に塗布液を塗布し，前記塗布液吐出部自体の方向を変更させて，塗布液の吐出方向を変更させることを特徴とする。
【００１７】
このように，前記塗布液吐出部自体の方向を変更しても，吐出部を変更でき結果的に，基板外縁部の塗布量が減少するので，表面張力によりできる基板の外縁部の盛り上がりが抑制される。
【００１８】
別の観点による本発明は，基板と相対的に移動する塗布液吐出部を用いた基板の膜形成方法であって，前記塗布液吐出部から基板の表面に塗布液を吐出しながら，この塗布液吐出部を前記基板に対して相対的に移動する工程と，前記基板の外縁部への塗布量をその他の部分よりも減少させるために，前記外縁部に対する前記塗布液の吐出方向を変更させる工程とを有して，基板の表面の全面に塗布液を塗布し，前記塗布液吐出部により吐出された塗布液が基板に達する前に，その塗布液に対して所定の気体を吹き付けて，前記塗布液の吐出方向を変更させることを特徴とする。
【００１９】
このように，前記塗布液に対して所定の気体を吹き付けて，基板の外縁部に対する前記塗布液の吐出方向を変更させることが可能であり，それによって，前記基板の外縁部への塗布量を減少させ，表面張力によりできる前記基板の外縁部の盛り上がりを抑制することができる。
また別の観点による本発明は，基板と相対的に移動し，基板に塗布液を吐出する塗布液吐出部を有する基板の膜形成装置であって，塗布液吐出部から基板の表面に塗布液を吐出しながら，この塗布液吐出部を基板に対して相対的に移動して，前記塗布液吐出部が前記基板の外縁部を横切るように基板上を往復し，その往復時に塗布液吐出部が前記基板の内側から外側へ移動して前記基板の外縁部を横切るときにのみ，又は塗布液吐出部が前記基板の外側から内側へ移動して前記基板の外縁部を横切るときにのみ，基板の外縁部に対する塗布液の吐出方向を変更させて，前記基板の外縁部への塗布量をその他の部分よりも減少させることを特徴とする。
【００２０】
別の観点による本発明によれば，基板と相対的に移動し，前記基板に塗布液を吐出する塗布液吐出部を有する基板の膜形成装置であって，前記塗布液吐出部は，前記基板の表面に塗布液を吐出しながら前記基板に対して相対的に移動可能であり，前記塗布液吐出部から前記基板の外縁部に対して吐出された塗布液が基板に達する前に，当該塗布液を吸引して塗布液の吐出方向を変更させる塗布液吸引手段を有することを特徴とする基板の膜形成装置が提供される。
【００２１】
本発明によれば，基板の外縁部に対して吐出された塗布液を吸引させる塗布液吸引手段を有しているので，例えば上記基板の膜形成方法を好適に実施することができ，前記基板の外縁部への塗布量をその他の部分よりも少なくし，前記基板の塗布量を減少させることができる。したがって，基板の外縁部の塗布液が表面張力により盛り上がることを抑制できる。
【００２４】
別の観点による本発明によれば，基板と相対的に移動し，前記基板に塗布液を吐出する塗布液吐出部を有する基板の膜形成装置であって，前記塗布液吐出部は，前記基板の表面に塗布液を吐出しながら前記基板に対して相対的に移動可能であり，前記塗布液吐出部から前記基板の外縁部に対して吐出された塗布液が基板に達する前に，前記塗布液に対して所定の気体を吹き付けて，前記塗布液の吐出方向を変更させる気体供給手段を有することを特徴とする，基板の膜形成装置が提供される。
【００２５】
このように，基板に吐出される塗布液に対して気体を供給して前記塗布液の吐出方向を変更させることができる気体供給手段を設けているので，前記基板の外縁部への吐出量をその他の部分よりも少なくして，前記基板の外縁部の塗布量を減少させることができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下，本発明の好ましい実施の形態について説明する。図１は，本実施の形態にかかるレジスト塗布装置を有する塗布現像処理システム１の平面図であり，図２は，塗布現像処理システム１の正面図であり，図３は，塗布現像処理システム１の背面図である。
【００２７】
塗布現像処理システム１は，図１に示すように，例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部から塗布現像処理システム１に対して搬入出したり，カセットＣに対してウェハＷを搬入出したりするカセットステーション２と，塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理ステーション３と，この処理ステーション３に隣接して設けられている図示しない露光装置との間でウェハＷの受け渡しをするインターフェイス部４とを一体に接続した構成を有している。
【００２８】
カセットステーション２では，載置部となるカセット載置台５上の所定の位置に，複数のカセットＣをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在となっている。そして，このカセット配列方向（Ｘ方向）とカセットＣに収容されたウェハＷのウェハ配列方向（Ｚ方向；鉛直方向）に対して移送可能なウェハ搬送体７が搬送路８に沿って移動自在に設けられており，各カセットＣに対して選択的にアクセスできるようになっている。
【００２９】
ウェハ搬送体７は，ウェハＷの位置合わせを行うアライメント機能を備えている。このウェハ搬送体７は後述するように処理ステーション３側の第３の処理装置群G３に属するエクステンション装置３２に対してもアクセスできるように構成されている。
【００３０】
処理ステーション３では，その中心部に主搬送装置１３が設けられており，この主搬送装置１３の周辺には各種処理装置が多段に配置されて処理装置群を構成している。該塗布現像処理システム１においては，４つの処理装置群G1，G2，G3，G4が配置されており，第１及び第２の処理装置群G1，G2は現像処理システム１の正面側に配置され，第３の処理装置群G3は，カセットステーション２に隣接して配置され，第４の処理装置群G4は，インターフェイス部４に隣接して配置されている。さらにオプションとして破線で示した第５の処理装置群G5を背面側に別途配置可能となっている。
【００３１】
第１の処理装置群G1では，例えば図２に示すように，本実施の形態にかかるレジスト塗布装置１７と，ウェハＷに現像液を供給して処理する現像処理装置１８が下から順に２段に配置されている。第２の処理装置群G2の場合も同様に，レジスト塗布装置１９と，現像処理装置２０とが下から順に２段に積み重ねられている
【００３２】
第３の処理装置群G3では，例えば図３に示すように，ウェハＷを冷却処理するクーリング装置３０，レジスト液とウェハＷとの定着性を高めるためのアドヒージョン装置３１，ウェハＷを待機させるエクステンション装置３２，レジスト液中の溶剤を乾燥させるプリベーキング装置３３，３４及び現像処理後の加熱処理を施すポストベーキング装置３５，３６等が下から順に例えば７段に重ねられている。
【００３３】
第４の処理装置群G4では，例えばクーリング装置４０，載置したウェハＷを自然冷却させるエクステンション・クーリング装置４１，エクステンション装置４２，クーリング装置４３，露光処理後の加熱処理を行うポストエクスポージャーベーキング装置４４，４５，ポストベーキング装置４６，４７等が下から順に例えば８段に積み重ねられている。
【００３４】
インターフェイス部４の中央部にはウェハ搬送体５０が設けられている。このウェハ搬送体５０はＸ方向（図１中の上下方向），Ｚ方向（垂直方向）の移動とθ方向（Ｚ軸を中心とする回転方向）の回転が自在にできるように構成されており，第４の処理装置群G4に属するエクステンション・クーリング装置４１，エクステンション装置４２，周辺露光装置５１及び図示しない露光装置に対してアクセスできるように構成されている。
【００３５】
次にこのレジスト塗布装置１７について詳述するは、図４，図５に示すように，ケーシング６０内に，処理中のウェハＷを例えば吸着して保持する載置台６１が設けられている。この載置台６１は，駆動機構６２によって上下に駆動し，さらに回転自在である。また，図示しない光学センサによりウェハＷのオリフラ部やノッチ部を検出し，ウェハＷを所定の位置に回転させてアライメント可能になっている。載置台６１は，図５に示すように，駆動機構６２自体がＸ方向（図中の上下方向）に配置されたレール６３上を移動自在となっており，図示しない制御装置によりＸ方向の動作が制御される。なお，この載置台６１には，載置台６１の側方と下方を包囲して，ウェハＷから落下したレジスト液を回収するカップ６４が取り付けられている。
【００３６】
また，図４に示すように，載置台６１の上方には，ウェハＷにレジスト液を供給する塗布液吐出部としてのノズル６５が設けられている。このノズル６５は，保持部材６６によって保持されており，この保持部材６６はＹ方向（図中の左右方向）に配置されたレール６８上を移動自在となっている。また，レール６８は，Ｘ方向にケーシング６０の両側壁に沿ってＸ方向に配置された２本のレール６９上を移動自在に設けられている。そして，このレール６８と保持部材６６は，図示しない制御装置によりその動作が制御される。従って，ノズル６５は，図示しない制御装置により，その速度，動作のタイミング等が制御され，Ｘ，Ｙ方向に移動自在である。
【００３７】
また，上記レール６８には，レジスト液のウェハＷ外への落下を防止する２つのマスク部材７０，７１が前記ノズル６５を挟んで各々移動自在に吊り下げられている。この２つのマスク部材７０，７１は，レール６８から下方に伸び，載置台６１に載置されるウェハＷよりも上位置で相互に向き合うようにして内側に折れ曲がり，水平部７０ａ，７１aを有している。この水平部７０ａ，７１ａは，落下してきたレジスト液を受け止めて，そのレジスト液が周囲に飛散しないように断面が凹状に構成されている。
【００３８】
また，２つのマスク部材７０，７１は，ウェハＷを載置した載置台６１のＸ方向への移動に伴い，各々が常にウェハＷの両端部上に位置するようにレール６８上を移動制御されている。したがって，マスク部材７０，７１は，ノズル６５と同一Ｘ座標でウェハＷの両端部上に位置し，ノズル６５からウェハＷの外部に吐出されたレジスト液を前記水平部７０ａ，７１ａにおいて遮断して受け止め，ケーシング内の汚染を防止している。
【００３９】
上述した２つのマスク部材７０，７１のそれぞれの水平部７０ａ，７１ａ側面には，図６に示すようにノズル６５からウェハＷの周縁部に対して吐出されたレジスト液を吸引する吸引ノズル７２，７３が固定して設けられている。この吸引ノズル７２，７３は，マスク部材７０，７１の水平部７０ａ，７１ａの先端より若干内側，0.1mm〜１０ｍｍ，好ましは１ｍｍ〜５ｍｍの範囲内で，例えば１ｍｍ程度に吐出されるレジスト液を吸引できるようにその方向が設定されている。従って，この吸引ノズル７２，７３は，マスク部材７０，７１と連動してＸ，Ｙ方向に動作し，後述する所定のタイミングでノズル６５から吐出されたレジスト液を吸引し，排気管７４を介して排出するようになっている。
【００４０】
ここで，上述した吸引ノズル７２，７３は，マスク部材７０，７１側面に固定して設けたが，ノズル６５側に固定してノズル６５から吐出した直後のレジスト液を吸引してもよい。しかし，高速移動を強いられるノズル６５に吸引ノズル７２，７３を取り付けると，ノズル６５の駆動機構に大きな負荷がかかるため，消費電力の浪費という観点からマスク部材７０，７１に固定して設けた方が好ましい。また，吸引ノズル７２，７３をレール６８に単独で吊り下げて，ノズル６５から吐出されたレジスト液を吸引するようにしてもよい。
【００４１】
次に以上のように構成されたレジスト塗布装置１７におけるウェハＷのプロセスを一連の塗布現像処理のプロセスと共に説明する。
【００４２】
先ず，ウェハ搬送体７がカセットＣから未処理のウェハＷを１枚取りだし，第３の処理装置群G3に属するアドヒージョン装置３１に搬入する。そして，そこでHMDSなどの密着強化剤を塗布されたウェハＷは，主搬送装置１３によって，クーリング装置３０に搬送され，所定の温度に冷却される。その後，ウェハＷは，本実施の形態にかかるレジスト塗布装置１７又１９に搬送される。
【００４３】
次にレジスト塗布装置１７におけるウェハＷの作用について詳しく説明する。
【００４４】
先ず，前処理が終了したウェハＷが，主搬送装置１３によって，レジスト塗布装置１７内に搬入される。そして，ウェハＷは，駆動機構６２により予め上昇して待機していた載置台６１に吸着保持され，駆動機構６２により下降し，カップ６４内の所定の位置で停止する。その後，駆動機構６２によりウェハＷを回転させて，図示しない光学センサによりウェハＷのノッチ部を検出し，ウェハＷを所定の位置にアライメントする。
【００４５】
アライメントの終了したウェハＷは，図示しない制御装置により駆動機構６２の移動によってレール６３上を所定の塗布開始位置，例えば，図７に示したようにノズル６５がＳＴＡＲＴ地点まで移動して待機する。一方レジスト液を吐出するノズル６５は，通常は，レール６８に沿ってＹ方向にのみ移動し，所定の位置で待機しており，ウェハＷのレシピが変更される場合に，Ｘ方向に移動する。
【００４６】
その後，ウェハＷへレジスト液の塗布が開始されると，ノズル６５がウェハＷ上に一定量のレジスト液（例えば，吐出液が直径１０〜２００μｍとなる量）を塗布しながらＹ方向に伸びるレール６８に沿って所定の速度で移動する。そして，ノズル６５がウェハＷの周縁部を横切って，マスク部材７０上に達したところで，一旦停止する。この状態で図示しない制御装置によりウェハＷが，駆動機構６２の移動によってＸ方向に送られウェハＷを所定距離ずらす。このとき，例えばマスク部材７０は，この水平部７０ａ先端が常にウェハＷの端部より少し内側のウェハＷ上に位置するようにＹ方向に移動される。そしてノズル６５を再び逆方向に移動させながらレジスト液を吐出する。以上のようにノズル６５を往復移動させながら，折り返し端部で，一旦停止させ，その間にウェハＷを間欠的にＸ方向に移動させることにより，図７に示したようにウェハＷ全面にレジスト液が塗布される。
【００４７】
また，上述した往復移動において，図８に示すようにノズル６５がウェハＷの周縁部上を通過する際にマスク部材７０，７１側面の吸引ノズル７２，７３により，ノズル６５から吐出されたレジスト液を吸引し，ウェハＷの周縁部に塗布される量を減少させる。
【００４８】
例えば，ノズル６５がウェハＷの内側から外側に移動し周縁部を通過する際（これを「往路」とする）に吸引ノズル７２によりレジスト液を吸引する。そして，ノズル６５がマスク部材７０上の所定の位置Ｐ（図７に示す）で停止したことをトリガとして吸引ノズル７２の吸引をＯＦＦにし，そのかわりに，反対側の吸引ノズル７３をＯＮにする。したがって，ノズル６５が折り返してウェハＷの外側から内側に移動し周縁部を通過する際（これを「復路」とする）には，吸引ノズル７２がＯＦＦの状態であるためレジスト液は吸引されず，そのまま吐出される。したがって，ウェハＷ周縁部への塗布量が往路，復路ともに吐出したときに比べ半分となる。一方，ノズル６５がウェハＷの反対側の所定の位置Ｑ（図７に示す）に達し停止したときには，このノズル６５の停止をトリガとして，今度は吸引ノズル７３をＯＦＦにし，吸引ノズル７２をＯＮにする。その結果，マスク部材７１側のウェハＷ周縁部においてもレジスト液が往路のみで吸引され，塗布量が半分となる。ここで図７中に吸引動作を行った箇所を○印で示す。
【００４９】
また，上述した吸引ノズル７２又は７３のＯＮ，ＯＦＦを逆にして，レジスト液を前記復路のみに吸引して，往路に吐出するようにしてもよい。このように，２つの吸引ノズル７２，７３のどちらか一方がＯＮのときに，もう一方をＯＦＦにすることにより，極めて単純な制御回路によりレジスト液の吸引動作が実行できる上，安価な制御回路が使えるためコストダウンに繋がる。また，吸引ノズル７２，７３により吸引されたレジスト液は，排液管７４を通って，レジスト塗布装置１７外に排液される。従って，周囲にレジスト液が飛散することはない。
【００５０】
ここで，レジスト液の塗布経路として，図９に示すように上述した経路で塗布した後，例えばウェハＷを９０度回転させて，２度塗りしても良い。この場合も上述したように吸引ノズル７２，７３により，ウェハＷの周縁部への塗布量を調節する。このようにして，いわば格子状に塗布することも可能である。
【００５１】
また，図１０に示すように渦巻き状の経路としてもよい。この場合，例えば駆動機構６２により，ウェハＷを低速（例えば，２０〜３０ｒｐｍ）で回転させつつ，ノズル６５をこのウェハＷの中心からＸ方向に移動させることで塗布を行う。この時も，ウェハＷ上の塗布が進みウェハＷの周縁部上にノズル６５が到達した際に，吸引ノズル７２，７３により，吐出するレジスト液を吸引してウェハＷ周縁部の塗布量を減少させる。この場合には，ウェハＷの周縁部に近づくにつれて，漸次吸引量を増大するように制御すれば均一性が向上する。
【００５２】
その後，レジスト液の塗布の終了したウェハＷは，搬入時と同様に，駆動機構６２により上昇され主搬送装置１３に受け渡される。次いで，主搬送装置１３により，プリベーキング装置３３又は３４に搬送され，乾燥される。その後，各処理装置において露光処理，現像処理等の一連の所定の処理が行われ，塗布現像処理が終了する。
【００５３】
以上の実施の形態のように，ノズル６５を移動させながら，レジスト液を塗布し，ウェハＷの周縁部に対してノズル６５から吐出するレジスト液を吸引ノズル７２，７３により吸引させることにより，図１１に示すように，ウェハＷ周縁部の塗布量を減少させ，表面張力により引き起こされるウェハＷ周縁部のレジスト液の盛り上がりを抑制することができる。したがって，いわゆる一筆書きの要領でレジスト液を塗布する方法で懸念されていた問題が解決され，結果的にレジスト膜が所定の膜厚となる部分が増し，その分製品として使用できるウェハＷの範囲が拡大し歩留まりが向上する。
【００５４】
ここで，上記マスク部材７０，７１の代わりに，形状が四角形の平板で，ウェハＷの塗布領域に対応して開口しているマスク部材８１を使用してもよい。この場合のレジスト塗布装置８０は，図１２，１３に示すように，マスク部材８１がウェハＷ上面に平行して，四角形のカップ８２の内側に設けられた支持部材８３に支持されるように構成されている。また，吸引ノズル８５，８６はレール６８に移動自在に取り付けられており，その先端は，ウェハＷ周縁部上方でノズル６５よりも下方に位置している。そして，上述した第１の実施の形態と同様にして，吸引ノズル８５，８６は，常にウェハＷ周縁部上に位置し，所定のタイミングでノズル６５から吐出されたレジスト液を吸引する。その結果，ウェハＷ周縁部に対するレジスト液の塗布量を半分にすることができるため，ウェハＷ周縁部に発生するレジスト液の盛り上がりが抑制される。
【００５５】
上記実施の形態では，ノズル６５から吐出されるレジスト液を吸引ノズル７２等によって吸引することで吐出量を調節していたが，ノズル自体の向きを変えて調節してもよい。すなわち図１４に示したようにウェハＷの周縁部に対するレジスト液の塗布量を減少させる装置として，レジスト液を吐出するノズル９０自体の方向を変更自在としても良い。この場合には，第１の実施の形態で述べたようにノズル９０が移動し，ノズル９０がウェハＷの周縁部を通過するときに図１４のようにノズル９０の方向をウェハＷの外側に向け，ウェハＷの周縁部の塗布量を減少させる。ここで，ノズル９０の方向を変えるタイミングとして，例えば第１の実施の形態同様，往路又は復路のどちらか一方とすることが提案できる。こうすることで前記実施の形態同様，ウェハＷの周縁部の塗布量が半減し，ウェハＷ周縁部のレジスト液の盛り上がりを抑制できる。
【００５６】
さらに，他の実施の形態として，ノズル６５から吐出されたレジスト液に例えば窒素ガスやその他の不活性ガスなどを吹き付けて，レジスト液をウェハＷの外部に吹き飛ばして，ウェハＷの周縁部に対するレジスト液の塗布量を減少させてもよい。例えば，図１５に示すように，同一Ｘ座標上にノズル６５を挟んで２個の窒素ガスを供給するガス供給ノズル１００，１０１を設けておく。そして，図１５中の矢印で示したようにノズル６５がウェハＷの内側から外側に移動するときはガス供給ノズル１００から吹き付けて，ノズル６５から吐出されたレジスト液を外側に吹き飛ばすことで塗布量を減少させる。また，この逆方向にノズル６５が移動するときは，ガス供給ノズル１０１によって，レジスト液を吹き飛ばして塗布量を減少させる。このようにレジスト液に気体を吹き付けるタイミングは，第１の実施の形態と同様に，往路若しくは復路において，ノズル６５がウェハＷの周縁部上を通過するときに設定してもよい。これによって，ウェハＷの周縁部への塗布量が減少し，表面張力によるウェハＷ周縁部のレジスト液の盛り上がりが抑制される。
【００５７】
先に説明した実施の形態は，半導体ウェハデバイス製造プロセスのフォトリソグラフィー工程におけるウェハのレジスト膜形成装置についてであったが，本発明は半導体ウェハ以外の基板例えばＬＣＤ基板の膜形成装置においても応用できる。
【００５８】
【発明の効果】
本発明によれば，基板の外縁部に対する塗布液の吐出方向を変更させることにより，基板の外縁部への塗布量を減少できるので，塗布液吐出部を相対的に移動させて基板上に塗布液を塗布する方式を採用しても表面張力により発生する基板の外縁部の盛り上がりが抑制される。したがって，基板上の外縁部においても均一な塗布膜が形成され，製品として利用できる基板上の範囲が拡大し，歩留まりの向上が図られる。
【００５９】
本発明によれば，塗布液吐出部が基板の内側から外側に移動し基板の外縁部を横切る場合にのみ，塗布液の吐出方向を変更させることにより，結局，外側から内側に移動するときにだけ吐出されるので，基板の外縁部への塗布量が半分となる。従って，基板の外縁部の盛り上がりが抑制され，歩留まりの向上が図られる。また，その分塗布量が削減できるので，コストダウンにもつながる。
【００６０】
本発明によれば，基板の外縁部への塗布量が半分となるので，従来懸念されていた基板の外周部の盛り上がりが抑制され，均一な塗布膜が形成されるため歩留まりの向上が図られる。また，その分塗布量が削減されるのでコストダウンにつながる。
【００６１】
本発明によれば，塗布液を吸引して，基板の外縁部に対する塗布液の吐出方向を変更させることにより，基板への塗布量が減少されるので，表面張力により発生する基板外縁部の塗布液の盛り上がりが抑制され，均一な塗布膜が形成されるので歩留まりの向上が図られる。また吸引するので周囲に塗布液が飛散しない
【００６２】
本発明によれば，塗布液吐出部自体の方向を変更することにより，基板外縁部の塗布量が減少するので，表面張力によりできる基板の外縁部の盛り上がりが抑制され，均一な塗布膜が形成されるので歩留まりの向上が図られる。
【００６３】
本発明によれば，塗布液に対して所定の気体を吹き付けて，基板の外縁部に対する塗布液の吐出方向を変更させることにより，基板の外縁部への塗布量を減少させ，表面張力によりできる基板の外縁部の盛り上がりを抑制する。したがって，基板上に均一な塗布膜が形成され，歩留まりの向上が図られる。
【００６４】
本発明によれば，基板の外縁部に対して吐出された塗布液を吸引させる塗布液吸引手段を設けることにより，基板の外縁部への塗布量をその他の部分よりも少なくし，基板の塗布量を減少させることができるので，本発明の基板の膜形成方法を好適に実施することができ，基板上に均一な塗布膜が形成され，歩留まりの向上が図られる。
【００６５】
本発明によれば，基板の外縁部に対する前記塗布液の吐出方向を変えられる塗布液吐出部を有しているので，本発明の基板の膜形成法方を好適に実施することができる。したがって，基板の外縁部への吐出量をその他の部分よりも少なくして，基板の外縁部の塗布量を減少させることができるので，基板上に均一な塗布膜が形成され，歩留まりの向上が図られる。
【００６６】
本発明によれば，基板に吐出される塗布液に対して気体を供給して塗布液の吐出方向を変更させることができる気体供給手段を設けているので，基板の外縁部への吐出量をその他の部分よりも少なくして，基板の外縁部の塗布量を減少させることができる。したがって，本発明の基板の膜形成方法を好適に実施することができ，基板の外縁部においても均一な塗布膜が形成されるので，歩留まりが向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態にかかる塗布現像処理システムの外観を示す平面図である。
【図２】図１の塗布現像処理システムの正面図である。
【図３】図１の塗布現像処理システムの背面図である。
【図４】第１の実施の形態にかかるレジスト塗布装置の縦断面の説明図である。
【図５】第１の実施の形態にかかるレジスト塗布装置の横断面の説明図である。
【図６】吸引ノズルの配置を示す説明図である。
【図７】第１の実施の形態にかかるレジスト液の塗布経路を示す説明図である。
【図８】ノズルから吐出されたレジスト液が吸引ノズルに吸引される状態を示す説明図である。
【図９】レジスト液塗布経路の別の例を示す説明図である。
【図１０】レジスト液塗布経路の更なる別の例を示す説明図である。
【図１１】吸引ノズルの有無によるレジスト膜の相違を示した説明図である。
【図１２】異なるマスク部材を用いた場合のレジスト塗布装置の縦断面の説明図である。
【図１３】異なるマスク部材を用いた場合のレジスト塗布装置の横断面の説明図である。
【図１４】吐出方向を変えられるノズルを有する他の実施の形態の説明図である。
【図１５】ノズルにガス供給ノズルを取り付けた他の実施の形態の説明図である。
【符号の説明】
１    塗布現像処理装置
１７  レジスト塗布装置
６５，９０  ノズル
７０，７１，８１  マスク部材
７２，７３，８５，８６  吸引ノズル
１００，１０１  ガス供給ノズル
Ｗ    ウェハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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