(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体の一主面が板状試料を吸着固定する吸着固定面とされ、該吸着固定面は突起または溝が形成されて凹凸面とされ、該凹凸面の凸部の頂面が前記板状試料の保持面とされた吸着固定装置において、
前記凹凸面の凸部の頂面及び側面と、前記凹凸面の凹部の底面とが、共に鏡面研磨されることにより、前記板状試料を吸着する吸着面全域が鏡面研磨されていることを特徴とする吸着固定装置。
【請求項２】
前記凸部の周縁は、その断面形状が曲線であることを特徴とする請求項１記載の吸着固定装置。
【請求項３】
前記凸部の頂面の合計面積は、前記吸着固定面の全面積の０．３〜２０％であることを特徴とする請求項１または２記載の吸着固定装置。
【請求項４】
前記凸部の高さは１μｍ〜３０μｍであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項記載の吸着固定装置。
【請求項５】
基体の一主面が板状試料を吸着固定する吸着固定面とされ、該吸着固定面には突起または溝が形成されて凹凸面とされ、該凹凸面の凸部の頂面が前記板状試料の保持面とされた吸着固定装置の製造方法であって、
基体の一主面に突起または溝を形成して凹凸面とする工程と、前記凹凸面の凸部の頂面及び側面と、前記凹凸面の凹部の底面とを、共に砥粒とバフ材を用いて鏡面研磨することにより、前記板状試料を吸着する吸着面全域を鏡面研磨する工程とを備えたことを特徴とする吸着固定装置の製造方法。
【請求項６】
基体の一主面が板状試料を吸着固定する吸着固定面とされ、該吸着固定面には突起または溝が形成されて凹凸面とされ、該凹凸面の凸部の頂面が前記板状試料の保持面とされた吸着固定装置の製造方法であって、
基体の一主面に突起または溝を形成して凹凸面とする工程と、前記凹凸面の凸部の頂面及び側面と、前記凹凸面の凹部の底面とを、共に砥粒と超音波を用いて鏡面研磨することにより、前記板状試料を吸着する吸着面全域を鏡面研磨する工程とを備えたことを特徴とする吸着固定装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、吸着固定装置及びその製造方法に関し、更に詳しくは、ＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩ等の半導体装置の製造ライン等において好適に用いられ、シリコンウエハ等の板状試料を、パーティクルの発生等の不具合が生じることなしに固定、矯正、搬送等を行うことが可能な吸着固定装置及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩ等の半導体装置の製造ラインをはじめ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）やプラズマディスプレイ（ＰＤＰ）等の表示装置の製造ライン、ハイブリッドＩＣ等の組み立てライン等においては、シリコンウエハ、ガラス基板、プリント基板等の板状試料の固定、矯正、搬送等を行う際に、この板状試料を静電チャック方式や真空チャック方式により吸着して固定する吸着固定装置が用いられている。
従来より用いられている吸着固定装置としては、例えば、板状試料を吸着固定する基体の上面を吸着固定面とし、この吸着固定面にサンドブラスト法等により突起または溝を形成して凹凸面となし、この凹凸面の凸部の頂面を研磨して板状試料の保持面とするとともに、この凹凸面の凹部をヘリウム（Ｈｅ）等の冷却ガスの供給路とした構造の吸着固定装置が知られている。
このような吸着固定装置にあっては、板状試料を吸着固定面から離脱させるためのリフトピンが、この板状試料の周辺部に対応する前記基体の裏面の位置に設けられている。
【０００３】
このような吸着固定装置にあっては、板状試料との接触面（凸部の頂面）が研磨されて鏡面となっていること、及び、これらの接触面の合計面積を吸着固定面に対して所定の範囲内としてあることによって、使用上十分な吸着力を確保している。また、吸着固定面に凹部を形成したことにより、シリコンウエハ等の板状試料にパーティクルを付着し難くすることができ、しかも、この板状試料を吸着固定面から容易に脱離させることができる。さらに、この凹部をヘリウム等の冷却ガスの供給路とすることで、板状試料を冷却して適切な温度に制御することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述した従来の半導体装置においては、より高性能のものをより低価格で供給する様求められており、その製造ラインにおいても同様、シリコンウエハ等の製造歩留まりを向上させることで、製造コストのさらなる低減が求められている。また、従来の吸着固定装置においても、シリコンウエハ等の製造歩留まりを向上させるために、従来にまして、シリコンウエハ等の板状試料にパーティクルを付着させないことが求められている。
【０００５】
そこで、上記の更なる要求に応えるために、本発明者等が鋭意検討を行った結果、従来の吸着固定装置においては、次の様な問題点があることが分かった。
すなわち、
（１）リフトピンを用いて板状試料を上昇させることで基体上面から離脱させる場合、この離脱は段階的な離脱となるため、板状試料の裏面と吸着固定面の凸部の頂面および側面とが接触し、板状試料の裏面側が擦れてパーティクルが発生する。
【０００６】
（２）板状試料を基体の吸着固定面から離脱させるためにリフトピンを上昇させると、図６に示すように、リフトピンの上昇に伴って板状試料１に撓み等の部分的な変形が生じるために、板状試料１は吸着固定装置２の吸着固定面である凹凸面３に対して平行を保つことができなくなる。その結果、板状試料１の裏面が研磨されていない凹凸面３の凹部底面に接触し擦れることによって、パーティクルが発生する。
実際の吸着固定装置２では、凹凸面３の凸部間の間隔Ｄは１０ｍｍ程度、凸部の高さｈは０．００２〜０．０１０ｍｍ程度であるから、板状試料１の変形は極めて小さなものである。図６においては、理解が容易なように厚み方向の長さを拡大して表示している。
【０００７】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、パーティクルの発生等の不具合が生じることなしに、固定、矯正、搬送等を行うことができる吸着固定装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、鋭利検討した結果、基体の吸着固定面である凹凸面の凸部の頂面及び側面と、前記凹凸面の凹部の底面とを鏡面研磨することにより、板状試料をリフトピン等を用いて吸着固定面から離脱する際に、板状試料の裏面と、吸着固定面の凸部の頂面及び側面とが接触したり、あるいは、この板状試料の部分的な変形によりその裏面が吸着固定面の凹部底面に接触したりした場合においても、パーティクルの発生を防止することができることを見いだした。
【０００９】
すなわち、本発明の請求項１記載の吸着固定装置は、基体の一主面が板状試料を吸着固定する吸着固定面とされ、該吸着固定面は突起または溝が形成されて凹凸面とされ、該凹凸面の凸部の頂面が前記板状試料の保持面とされた吸着固定装置において、前記凹凸面の凸部の頂面及び側面と、前記凹凸面の凹部の底面とが、共に鏡面研磨されることにより、前記板状試料を吸着する吸着面全域が鏡面研磨されていることを特徴とする。
【００１０】
この吸着固定装置では、前記凸部の頂面は勿論のこと、前記凸部の側面と前記凹部の底面が共に研磨されているので、板状試料の吸着固定面全域が研磨されるために、この吸着固定面に固定される板状試料との接触が滑らかになり、吸着固定面と板状試料との間の摩擦が小さくなる。これにより、吸着固定面に固定した板状試料を、リフトピン等を用いて該吸着固定面から離脱する際に、板状試料の裏面と、吸着固定面の凸部の頂面及び側面とが接触したり、あるいは、この板状試料の部分的な変形によりその裏面が吸着固定面の凹部底面に接触したりした場合であっても、パーティクルの発生を防止することが可能になる。
【００１２】
請求項２記載の吸着固定装置は、請求項１記載の吸着固定装置において、前記凸部の周縁は、その断面形状が曲線であることを特徴とする。
この吸着固定装置においては、前記凸部の周縁の断面形状を曲線とすることにより、吸着固定面と板状試料との間の摩擦が極めて小さくなる。これにより、吸着固定面に固定した板状試料を、リフトピン等を用いて該吸着固定面から離脱する際のパーティクルの発生をさらに防止する。
【００１３】
請求項３記載の吸着固定装置は、請求項１または２記載の吸着固定装置において、前記凸部の頂面の合計面積は、前記吸着固定面の全面積の０．３〜２０％であることを特徴とする。
この吸着固定装置においては、前記凸部の頂面の合計面積を前記吸着固定面の全面積の０．３〜２０％とすることにより、吸着固定面に存在するパーティクルを板状試料に吸着させ難くする。しかも、電圧印加中止後の板状試料の脱離性を確保することができる。
【００１４】
請求項４記載の吸着固定装置は、請求項１ないし３のいずれか１項記載の吸着固定装置において、前記凸部の高さは１μｍ〜３０μｍであることを特徴とする。
この様に数値限定した理由は、前記凸部の高さ、すなわち、凹凸面の凹部（溝部）の深さが１μｍ未満であると、この凹部をＨｅ等の冷却ガスの供給路とした場合に、この凹部に冷却ガスを流して板状試料を裏面から冷却することが困難となり、また、凹部に存在するパーティクルにより板状試料が浮いてしまうという不具合が生じて吸着力が低下し、板状試料の面内温度の均一性を向上させることが困難になるからである。また、前記凸部の高さが３０μｍを越えると、凹部（溝部）における吸着力が低下し、全体としての吸着力が低下するので好ましくないからである。
【００１５】
本発明の請求項５記載の吸着固定装置の製造方法は、基体の一主面が板状試料を吸着固定する吸着固定面とされ、該吸着固定面には突起または溝が形成されて凹凸面とされ、該凹凸面の凸部の頂面が前記板状試料の保持面とされた吸着固定装置の製造方法であって、基体の一主面に突起または溝を形成して凹凸面とする工程と、前記凹凸面の凸部の頂面及び側面と、前記凹凸面の凹部の底面とを、共に砥粒とバフ材を用いて鏡面研磨することにより、前記板状試料を吸着する吸着面全域を鏡面研磨する工程とを備えたことを特徴とする。
【００１６】
この吸着固定装置の製造方法では、凹凸面を、砥粒とバフ材を用いて研磨するので、凹凸面の凸部の頂面及び側面と、この凹凸面の凹部の底面とを容易に研磨することができる。しかも、前記凸部の頂面及び側面と、前記凹部の底面とを同時に研磨することができるので、研磨工程に掛かるコストを低減することができる。もって、板状試料にパーティクルが発生するおそれがなく、この板状試料を適用した製品の歩留まりを改善し得る吸着固定装置を安価に提供することができる。
【００１７】
本発明の請求項６記載の吸着固定装置の製造方法は、基体の一主面が板状試料を吸着固定する吸着固定面とされ、該吸着固定面には突起または溝が形成されて凹凸面とされ、該凹凸面の凸部の頂面が前記板状試料の保持面とされた吸着固定装置の製造方法であって、基体の一主面に突起または溝を形成して凹凸面とする工程と、前記凹凸面の凸部の頂面及び側面と、前記凹凸面の凹部の底面とを、共に砥粒と超音波を用いて鏡面研磨することにより、前記板状試料を吸着する吸着面全域を鏡面研磨する工程とを備えたことを特徴とする。
【００１８】
この吸着固定装置の製造方法では、凹凸面を、砥粒と超音波を用いて研磨するので、凹凸面の凸部の頂面及び側面と、この凹凸面の凹部の底面とを容易に研磨することができる。しかも、前記凸部の頂面及び側面と、前記凹部の底面とを同時に研磨することができるので、研磨工程に掛かるコストを低減することができる。もって、板状試料にパーティクルが発生するおそれがなく、この板状試料を適用した製品の歩留まりを改善し得る吸着固定装置を安価に提供することができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
本発明の吸着固定装置及びその製造方法の一実施の形態について説明する。ここでは、プラズマ発生用の高周波電極が一体化され、ヒータ電極が一体化されていない形式の静電チャックを例にとり説明する。
なお、本実施の形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。
【００２０】
図１は本発明の一実施形態の静電チャックを示す平面図、図２は図１のＡ領域を拡大した要部拡大断面図であり、この図２では、静電チャックの構成に対する理解を容易にするためにプラズマ処理装置の構成を加えてある。
図に示すように、静電チャック１１は、金属板１２の上に平面基板としての誘電体１３が接合され、この誘電体１３内に内部電極１４が埋設あるいは挟持されている。
【００２１】
誘電体１３の上面には、Ｈｅ等の冷却ガスが漏れないように０．３ｍｍの幅で後述する凸部１５、１５…と同じ高さの周縁壁１３ａが形成され、さらに、この内側が吸着面（吸着固定面）１３ｂとされ、この吸着面１３ｂ内は凹凸面とされ、多数の凸部１５、１５…が立設されている。なお、周縁壁１３ａは、誘電体１３と一体的に形成しても、別個の部材として形成してもよい。
【００２２】
凸部１５、１５…は、図３及び図４に示すように、先端部が根元よりも小さい形状に形成され、凸部周縁が、断面形状が丸みを帯びた（曲線状）ように形成されており、しかも、前記凸部の頂面２４及び側面２５と前記凹部２６の底面２７との表面粗さＲａが、それぞれ０．２５Ｓ以下となるよう、すなわち、板状試料１を吸着する吸着面１３ｂ全域が鏡面研磨されている。
また、凸部１５、１５…の頂面２４は板状試料１の保持面とされ、吸着面１３ｂにおいては、凸部１５、１５…が立設されていない部分は凹部２６の底面２７として残されている。
【００２３】
これら金属板１２及び誘電体１３には、これらを貫通する冷却ガス導入孔１６が形成され、この冷却ガス導入孔１６、１６を介して誘電体１３上面と板状試料１下面との間の隙間にＨｅ等の冷却ガスが供給される。さらに、金属板１２の内部には、静電チャック１１を冷却するための冷媒が流動する流路２２、２２が形成されている。
また、内部電極１４には直流電源回路１７が接続され、誘電体１３下面の導体部１８には高周波電源回路１９が接続されている。なお、この高周波電源回路１９は内部電極１４に接続してもよい。また、静電チャック１１上方には、アースされた対向電極２０が該静電チャック１１の上面と対向するように配置されている。
【００２４】
この静電チャック１１では、誘電体１３上に板状試料１を載置し、内部電極１４に直流電圧を印加することで静電力が生じ、この静電力により板状試料１を誘電体体１３、具体的には凸部１５、１５…の頂面２４、２４…及び周縁壁１３ａの上面に吸着させるようになっている。また、高周波電源回路１９によって高周波を印加することにより、対向電極２０との間に活性なラジカル２１が発生し、この活性なラジカル２１が板状試料１の表面のＳｉ酸化膜等をエッチングするようになっている。
【００２５】
上記の凸部１５の頂面２４の合計面積の前記吸着面１３ｂに対する面積比は０．３〜２０％、好ましくは１〜１０％の範囲とされている。ここで、面積比を０．３％以上と限定するのは、必要な吸着力を確保するためであり、また、２０％以下と限定するのは、吸着面１３ｂに存在するゴミを付着させ難くし、しかも電圧印加中止後の板状試料１の脱離性を確保するためである。
【００２６】
吸着面１３ｂ内に形成される凸部１５、１５…の高さＨは、１μｍ〜３０μｍであることが好ましい。その理由は、凸部１５の高さＨが１μｍ未満であると、Ｈｅなどの冷却ガスを板状試料１の下面に流動させることが困難となり、また、パーティクルの付着防止に対して有効でなく、板状試料１に浮きが生じて吸着力が低下し、板状試料１の面内温度の均一性を向上させることが困難になるからである。また、凸部１５の高さＨが３０μｍを越えると、凹部２６の底面（溝部）２７における吸着力が低下し、全体としての吸着力が低下するからである。
【００２７】
次に、本実施形態の静電チャックの製造方法について図５に基づき説明する。
本実施形態に係る静電チャックは、吸着面１３ｂ内に形成される凹凸面の研磨以外は、従来からの公知の方法に従って製造される。
凸部１５、１５…の形成は、例えば、砥石加工、レーザ彫刻等の機械的加工、あるいはサンドブラスト加工等を用いて行うことができる。また、凹凸面の研磨、すなわち、凸部１５の頂面２４及び側面２５と、凹部底面２６の研磨は、▲１▼微小砥粒とバフ材を用いたバフ研磨、または、▲２▼微小砥粒と超音波とを用いた超音波研磨により、効率的に行うことができる。
【００２８】
以下、吸着面１３ｂ内に凸部１５、１５…を形成する方法としてサンドブラスト加工を、また、凹凸面を研磨する方法として▲１▼微小砥粒とバフ材を用いたバフ研磨法を用いた場合について、図３を参照しつつ説明する。
【００２９】
まず、図５（ａ）に示すように、誘電体３１の上面、すなわち板状試料を吸着する吸着面３１ｂを研磨加工して、例えば、表面粗さＲａが０．２５Ｓ以下の平坦面とし、この平滑となった吸着面３１ｂを洗浄する。この洗浄は、例えば、アセトン、イソプロピルアルコール、トルエン等の有機溶剤で脱脂を行い、その後、例えば、温水で洗浄する。
【００３０】
次いで、この吸着面３１ｂに所定のパターン形状のマスク３２を形成する。このマスク３２のパターン形状は、図１に示す凸部１５、１５…のパターン形状と同一とする。このマスク３２としては、感光性樹脂や板状マスクが好適に用いられる。この方法は常法に従う。
【００３１】
次いで、図５（ｂ）に示すように、サンドブラスト加工を行い、マスク３２によって覆われていない部分に凹部３３、３３…を形成する。その結果として、マスク３２によって覆われている部分が残って凸部３４、３４…となり、これらの凸部３４、３４間が凹部３３の底面３５となる。
【００３２】
このサンドブラスト加工に使用される砥粒としては、アルミナ、炭化珪素、ガラスビーズ等が好ましく、砥粒の粒径は、３００メッシュアンダー（３００メッシュを通過したもの）、かつ、１５００メッシュオーバー（１５００メッシュを通過しないもの）程度とすることが好ましい。
その後、マスク３２を除去する。この際、マスク３２が感光性樹脂からなる場合には、塩化メチレン等の剥離液を用いる。
【００３３】
次いで、凸部３４、３４…の頂面及び側面と、凹部３３の底面３５とを、微小砥粒とバフ材を用いたバフ研磨法により、表面粗さＲａが０．２５Ｓ以下となるよう同時に鏡面研磨し、図５（ｃ）に示すように、凸部１５、１５…の頂面２４及び側面２５と、凹部２６の底面２７が共に鏡面研磨された静電チャックを得る。
【００３４】
上記の微小砥粒としては、例えば、サンドブラスト加工に用いた砥粒と同一のものを使用することができるが、微小砥粒の粒径としては、８００メッシュアンダー（８００メッシュを通過したもの）、かつ、１５００メッシュオーバー（１５００メッシュを通過しないもの）程度とすることが好ましい。また、前記のバフ材としては、特に限定されるものではなく、例えば、樹脂製のバフ材を用いることができる。
【００３５】
このバフ研磨に際しては、段階を踏む毎に、より微小な砥粒を用いて多段階に研磨することが好ましく、例えば８００メッシュの微小砥粒→１０００メッシュの微小砥粒→１５００メッシュの微小砥粒という具合に、段階を踏んで多段階に研磨するのが好ましい。バフ研磨法におけるその他の条件については、常法に従ってよく、例えば、前記の微小砥粒を含む研摩剤スラリーを被研摩面に注ぎながら、バフ材を用いて研磨する方法等が用いられる。
研磨後、吸着面１３ｂを洗浄する。この洗浄は、例えば、アセトン等の有機溶剤で行い、脱脂する。この脱脂後には、例えば、温水で洗浄する。
【００３６】
この静電チャックの製造方法にあっては、凹部３３の底面３５をも容易に研磨することができ、しかも、凸部３４の頂面及び側面と、凹部３３の底面３５とを同時に研磨することができるため、研磨コストを低減することができ、もって、パーティクル発生の原因が少なく、半導体ウエハ等の板状試料１の製品歩留まりを改善し得る静電チャックを安価に提供することができる。
【００３７】
次いで、上記の静電チャックの評価を行った。
ここで実施例とした静電チャックは、上記の製造方法により作製されたもので、凸部１５の頂面２４及び側面２５、及び凹部２６底面２７の表面粗さＲａはいずれも０．２５Ｓであり、凸部１５の頂面２４の合計面積の吸着面１３ｂに対する面積比は１％、凸部１５の高さＨは１０μｍであった。
【００３８】
この静電チャックを用いて、凹部（溝部）２６、２６…に１．３３×１０3Ｐａ（１０ｔｏｒｒ）のＨｅガスを流しながら、板状試料を吸着させ、該静電チャックの静電吸着力、吸着時間、脱離時間を、室温下で測定した。ここでは、板状試料として、８インチのシリコン（Ｓｉ）ウエハを用いた。この測定結果を表１に示す。
【００３９】
ここで、吸着時間とは、５００Ｖの直流電圧を印加したときに静電吸着力が１００ｇｆ／ｃｍ2、すなわち、約９８００Ｐａになるまでの時間であり、脱離時間とは、５００Ｖの直流電圧を1分間印加した後に印加を停止し、その時点から静電吸着力が１０ｇｆ／ｃｍ2、すなわち、約９８０Ｐａになるまでの時間である。
【００４０】
また、この静電チャックを用いて、５００Ｖの直流電圧を印加し、８インチＳｉウエハを１分間吸着させた後、ウエハ裏面のパーティクル数を計数した。この測定結果を表１に示す。
【００４１】
一方、凸部３４の側面と、凹部３３の底面３５とを鏡面研磨しない静電チャックを作製し、比較例とした。
すなわち、誘電体３１の上面、すなわち板状試料を吸着する吸着面３１ｂを研磨加工して表面粗さＲａが０．２５Ｓの平坦面とし、この平滑となった吸着面３１ｂを上記の実施例に準じて洗浄した。
次いで、この吸着面３１ｂ上に、実施例に準じてマスク３２を形成し、サンドブラスト加工を行い、マスク３２を除去し、その後、吸着面３１ｂを洗浄した。
【００４２】
このようにして作製された静電チャックについて、実施例に準じて静電吸着力、吸着時間、脱離時間を、室温下で測定した。また、実施例に準じて、パーティクルの付着量を測定した。これらの測定結果を表１に示す。
【００４３】
【表１】
0004094262.tif 000002
【００４４】
この表１によれば、静電吸着特性については、実施例と比較例との差はほとんど認められないが、パーティクル数については、実施例が６００個であるのに対し、比較例では１６００個と約２．７倍も多く、実施例が優れていることが確認された。
【００４５】
以上説明した様に、本実施形態の吸着固定装置によれば、凸部１５の頂面２４及び側面２５と、凹部２６の底面２７、即ち、板状試料１の吸着面全域が研磨されているので、リフトピン上昇時に、板状試料１の裏面と、吸着面の凸部１５の頂面２４及び側面２５とが接触したり、板状試料１の部分的変形により板状試料１の裏面が凹部２６の底面２７に接触しても、板状試料１の裏面が擦れてパーティクルが発生するおそれがない。
【００４６】
本実施形態の吸着固定装置の製造方法によれば、凸部３４の頂面及び側面と、凹部３３の底面３５とを、砥粒とバフ材を用いて研磨するので、凹部３３の底面３５をも容易に研磨することができる。しかも、凸部３４の頂面及び側面と、凹部３３の底面３５とを同時に研磨することができるので、研磨コストを低減することができる。したがって、パーティクル発生の原因が少なく、半導体ウエハ等の板状試料１の製品歩留まりを改善し得る静電チャックを安価に提供することができる。
【００４７】
以上、本発明の吸着固定装置及びその製造方法の一実施形態について図面に基づき説明してきたが、具体的な構成は本実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で設計の変更等が可能である。
【００４８】
例えば、本実施形態では、吸着固定装置として、プラズマ発生用の高周波電極が一体化され、ヒータ電極が一体化されていない形式の静電チャックを例にとり説明したが、吸着固定装置は、吸着固定面である凹凸の凸部の頂面及び側面と、凹部の底面とを研磨した構成であればよく、上記の形式以外の静電チャックや、真空チャック等の他の形式の吸着固定装置に適用可能であることはもちろんである。
【００４９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の吸着固定装置によれば、吸着固定面である凹凸面の凸部の頂面及び側面と、前記凹凸面の凹部の底面とが、共に鏡面研磨されることにより、板状試料を吸着する吸着面全域が鏡面研磨されたので、この吸着固定面に固定される板状試料との接触を滑らかにし、吸着固定面と板状試料との間の摩擦を小さくすることができる。したがって、板状試料をリフトピン等を用いて離脱する際のパーティクルの発生を防止することができる。
【００５０】
本発明の吸着固定装置の製造方法によれば、基体の一主面に突起または溝を形成して凹凸面とする工程と、前記凹凸面の凸部の頂面及び側面と、前記凹凸面の凹部の底面とを、共に砥粒とバフ材を用いて鏡面研磨することにより、前記板状試料を吸着する吸着面全域を鏡面研磨する工程とを備えたので、凹凸面の凸部の頂面及び側面と、この凹凸面の凹部の底面とを容易に、しかも同時に研磨することができ、研磨工程に掛かるコストを低減することができる。したがって、板状試料にパーティクルが発生するおそれがなく、この板状試料を適用した製品の歩留まりを改善し得る吸着固定装置を安価に提供することができる。
【００５１】
本発明の他の吸着固定装置の製造方法によれば、基体の一主面に突起または溝を形成して凹凸面とする工程と、前記凹凸面の凸部の頂面及び側面と、前記凹凸面の凹部の底面とを、共に砥粒と超音波を用いて鏡面研磨することにより、前記板状試料を吸着する吸着面全域を鏡面研磨する工程とを備えたので、凹凸面の凸部の頂面及び側面と、この凹凸面の凹部の底面とを容易に、しかも同時に研磨することができ、研磨工程に掛かるコストを低減することができる。したがって、板状試料にパーティクルが発生するおそれがなく、この板状試料を適用した製品の歩留まりを改善し得る吸着固定装置を安価に提供することができる。
【００５２】
以上により、パーティクルの発生等の不具合が生じることなしに、固定、矯正、搬送等を行うことができる吸着固定装置及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の一実施形態の静電チャックを示す平面図である。
【図２】  本発明の一実施形態の静電チャックを示す要部拡大断面図である。
【図３】  本発明の一実施形態の静電チャックの凹凸面の構造を示す平面図である。
【図４】  本発明の一実施形態の静電チャックの凹凸面の構造を示す断面図である。
【図５】  本発明の一実施形態の静電チャックの製造方法を示す過程図である。
【図６】  従来の静電チャックの問題点を示す説明図である。
【符号の説明】
１板状試料
２吸着固定装置
３凹凸面
１１  静電チャック
１２  金属板
１３  誘電体
１３ａ  周縁壁
１３ｂ  吸着面
１４  内部電極
１５  凸部
１６  冷却ガス導入孔
１７  直流電源回路
１８  導体部
１９  高周波電源回路
２０  対向電極
２１  ラジカル
２２  流路
２４  頂面
２５  側面
２６  凹部
２７  底面（溝部）
３１  誘電体
３１ｂ  吸着面
３２  マスク
３３  凹部
３４  凸部
３５  底面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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