(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置用テープキャリアの製造方法において、基材テープに金属箔を貼り合わせパターニングして回路パターンを形成することによりテープキャリアを作製した後、テープキャリアを常圧下で処理可能なプラズマ処理装置の内部のプラズマ放電空間部分に通過させ、テープキャリアの回路パターンが形成された表面を清浄化処理することを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項２】
半導体装置用テープキャリアの製造装置において、基材テープに金属箔を貼り合わせパターニングして回路パターンを形成したテープキャリアを巻出す巻出し部と、常圧下でテープキャリアの回路パターンが形成された表面を清浄化処理するプラズマ処理装置と、プラズマ処理装置の内部のプラズマ放電空間部分にテープキャリアを通過せしめるテープキャリア搬送機構と、テープキャリアの巻取り部を設けたことを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体パッケージに用いられる電気回路部品である半導体装置用テープキャリアの製造方法および製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＴＡＢテープ等の電子部品において、部品の汚染対策は、部品本来の性能を引き出すためには大変重要である。
【０００３】
一般に、ＴＡＢテープは、ポリイミド樹脂等の絶縁フィルムから成る基材テープに銅箔を貼り合わせ、この銅箔をパターニングして、配線リード、ボンディングパッド及び半田ボール搭載パッド等を含む回路パターンを形成したものから構成される。
【０００４】
かかるＴＡＢテープ等の半導体装置用テープキャリアにおいて、テープ表面の汚染は、半導体装置用テープキャリア本来の性能の発揮を阻害し、十分な特性を持った半導体装置用テープキャリアの製造を困難ならしめる。従って、そのテープ表面の汚染対策は、半導体装置用テープキャリア本来の性能を引き出し、十分な特性を得る上で、大変重要である。
【０００５】
例えば、ＴＡＢテープにおいて、そのテープ表面の配線リードやパッドの汚染は、ボンディング不良、半田ボールのボールシェア強度の低下、電気特性低下等の不具合につながり、テープ表面の清浄度が半導体装置用テープキャリアとしてのテープ性能に大きく影響する。従って、ＴＡＢテープの製造においては、テープ表面の清浄度を高く保つことが要請される。特に、ボンディング不良の問題では、ＴＡＢテープはリードフレームに比べて剛性が低いため、パッドに施した金めっき面のワイヤボンディング安定性が低く、そのため特性の向上が求められている。このワイヤボンディングの接続の強度、安定性に影響を与える要因の１つに、Ａｕめっき表面の清浄度が挙げられる。
【０００６】
汚染を除去する方法は、一般的に、溶剤、酸液、アルカリ液等を利用する湿式法と、及び紫外線やプラズマ等を利用した乾式法とに大別される。従来は純水による湿式洗浄が主であるが、表面の清浄性を向上させるためには、水洗等による湿式洗浄に加えて、紫外線やプラズマ洗浄等の乾式処理を併用することが有効である。すなわち、清浄度のアップにより、例えばワイヤボンディング性の向上が期待できる。
【０００７】
上記乾式処理は一般に、湿式処理後の仕上げ処理、あるいは清浄な表面が要求される工程の直前に用いられる事が多い。
【０００８】
図３は、従来の紫外線による乾式洗浄装置（ＵＶ／オゾン装置）の構成を示したもので、巻出し部２３から送り出されるＴＡＢテープ（テープ基材）２７を、架台２９に装置した紫外線ランプ２１からの照射光に晒した後、搬送ロール２６を経て巻取り部２４にて巻取る構成となっている。
【０００９】
一方、プラズマ洗浄処理の場合、その洗浄のメカニズム自体はまだはっきり判っていないが、半導体チップ実装工程、液晶ディスプレイ製造工程等では比較的一般に用いられており、乾式で特にフィルム状の汚れの除去が可能であることが判っている（「洗剤・洗浄の辞典」、初版、第340頁“12.2.2 プラズマ洗浄”、株式会社朝倉書店発行）。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ＴＡＢテープ等の長尺のテープ製品においては、紫外線洗浄の適用はあるが、プラズマ洗浄処理方式の適用は現状では皆無である。その理由は、プラズマ洗浄は一般的に減圧下で処理を行わなければならないため、装置が大掛かりになり価格が増大する、作業性が悪い、さらに処理時間が長いため実用的な処理速度が得られない等の問題があるためと思われる。
【００１１】
他方、上記のように湿式洗浄に加えてプラズマ処理による乾式処理を併用すれば、清浄度がアップし、ワイヤボンディング性の向上が期待できることは明かである。
【００１２】
そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、プラズマ処理による乾式洗浄工程用に常圧下で処理出来るプラズマ装置を用い、これにテープキャリア搬送機構を具備せしめ、両者の組み合わせとして得られた装置を用いてＴＡＢテープをプラズマ洗浄処理することにより、ワイヤボンディング性や表面清浄性に優れたＴＡＢテープを、安価に、効率良く製造することを可能にすることにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は、次のように構成したものである。
【００１４】
請求項１に記載の発明は、半導体装置用テープキャリアの製造方法において、基材テープに金属箔を貼り合わせパターニングして回路パターンを形成することによりテープキャリアを作製した後、テープキャリアを常圧下で処理可能なプラズマ処理装置の内部のプラズマ放電空間部分に通過させ、テープキャリアの回路パターンが形成された表面を清浄化処理することを特徴とする。
【００１５】
請求項２に記載の発明は、半導体装置用テープキャリアの製造装置において、基材テープに金属箔を貼り合わせパターニングして回路パターンを形成したテープキャリアを巻出す巻出し部と、常圧下でテープキャリアの回路パターンが形成された表面を清浄化処理するプラズマ処理装置と、プラズマ処理装置の内部のプラズマ放電空間部分にテープキャリアを通過せしめるテープキャリア搬送機構と、テープキャリアの巻取り部を設けたことを特徴とする。
【００１６】
本発明の半導体装置用テープキャリアの製造方法及び装置は、常圧下で処理出来るプラズマ装置を用いて、ＴＡＢテープをプラズマ洗浄処理するものであるため、従来の減圧プラズマ装置では処理が困難であったＴＡＢテープの清浄化処理が可能になり、ワイヤボンディング性や表面清浄性に優れたＴＡＢテープを、安価に、効率良く製造することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図示の実施形態に基づいて説明する。
【００１８】
図１に本実施形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造装置の概略を示す。ここで半導体装置用テープキャリアとしては、ＴＡＢテープを例にする。このＴＡＢテープの製造装置は、プラズマ照射部１を有する松下電工マシンアンドビジョン製の大気圧プラズマ装置（Aiplasma）２に、ＴＡＢテープ巻出し装置（巻出し部）３、ＴＡＢテープ巻取り装置（巻取り部）４、テープ支えロール５、ＴＡＢテープを定速で搬送させるためのロール（定速搬送ロール）６を備えた構成を有する。
【００１９】
定速搬送ロール６はテープキャリア搬送機構を構成するもので、大気圧プラズマ装置２の入口側に設けられＴＡＢテープ７の下側を支える入口側搬送ロール６ａと、出口側に一対設けられた出口側搬送ロール６ｂとを有して構成されている。
【００２０】
ＴＡＢテープ７は、ポリイミド樹脂等の絶縁フィルムから成る基材テープに銅箔を貼り合わせ、この銅箔をパターニングして、配線リード、ボンディングパッド及び半田ボール搭載パッド等を含む回路パターンを形成したものから構成される。このＴＡＢテープ７は、巻出し装置３のロールより巻き出され、定速搬送ロール６のテープ駆動ロール（入口側搬送ロール６ａ及び出口側搬送ロール６ｂ）により定速搬送されて、大気圧プラズマ装置２のプラズマ照射部１の下方のプラズマ放電空間部分を通過し、大気圧プラズマ装置２とＴＡＢテープ巻取り装置４との間に設けたテープ支えロール５を経て、ＴＡＢテープ巻取り装置４の巻き取りロールにより巻き取られる。
【００２１】
大気圧プラズマ装置２を通過する際、ＴＡＢテープ７は、そのプラズマ照射部１を構成するプラズマ発生電極からのプラズマによる乾式洗浄処理を受け、そのテープ表面、例えばボンディングパッドのＡｕめっき表面等が清浄化される。
【００２２】
本装置（図１）を用いて処理されたＴＡＢテープのボンディングパッドにおけるワイヤボンディング強度を、減圧プラズマ装置を用いて処理したＴＡＢテープと比較した。ワイヤボンディング強度はピール試験測定により評価した。また減圧プラズマ処理は、現状長尺のＴＡＢテープを処理できる装置がないため、バッチ式装置（ヤマト科学製の減圧プラズマ装置）により処理した。
【００２３】
ただし、上記の比較のために、図２に示すように、通常の真空（減圧）プラズマ装置１２を用いＴＡＢテープの製造装置を構成することもできる。この図２の減圧プラズマ装置１２では、ＴＡＢテープ巻出し装置（巻出し部）１３、プラズマ照射部１１、ＴＡＢテープ巻取り装置（巻取り部）１４の各空間は、減圧エリアとして連通されている。ＴＡＢテープ７は、ここでも巻出し装置１３のロールより巻き出され、定速搬送ロール１６のテープ駆動ロール（入口側搬送ロール１６ａ及び出口側搬送ロール１６ｂ）により定速搬送されて、減圧プラズマ装置１２のプラズマ照射部１１の下方のプラズマ放電空間部分を通過し、ＴＡＢテープ巻取り装置４の巻き取りロールにより巻き取られる。
【００２４】
本プラズマ装置（図１）を用いて処理したＴＡＢテープの測定結果を表１に、また減圧プラズマ装置（図２等）を用いて処理したＴＡＢテープの測定結果を表２に示す。
【００２５】
【表１】
0004142858.tif 000002
【００２６】
【表２】
0004142858.tif 000003
【００２７】
図１の大気圧プラズマ装置を用いて処理したＴＡＢテープの場合のワイヤボンディング強度は、末処理品の４〜５ｇｆから６〜７ｇｆに向上し、プラズマによる清浄化処理の効果が認められた。
【００２８】
減圧プラズマ装置を用いこれを図２の如く構成した場合においても、プラズマによる洗浄化処理の効果は認められるが、ボンディング強度が６〜７ｇｆに達するには処理時間が２分以上必要である。仮に処理速度を１ｍ／分とした場合、プラズマ処理エリアの長さは２ｍ必要となり、装置が非常に大掛かりとなる。
【００２９】
これに対して図１の大気圧プラズマ装置を使用した製造装置の場合は、処理速度３ｍ／分まで高めても、良好なピール強度を持つボンディングを保証することが可能であり、また図２の如き減圧方式のプラズマ装置を用いた場合に比べて製造装置がコンパクトで済むため、安価で効率良くＴＡＢテープを清浄処理することが可能である。
【００３０】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の半導体装置用テープキャリアの製造方法によれば、常圧下で処理出来るプラズマ装置を用いてＴＡＢテープ等のテープキャリアを乾式処理するものであるため、従来の減圧プラズマ装置では処理が困難であったＴＡＢテープの清浄化処理が可能になり、ワイヤボンディング性や表面清浄性に優れたＴＡＢテープを、安価に、効率良く製造することができる。
【００３１】
また本発明の半導体装置用テープキャリアの製造装置によれば、常圧下で処理出来るプラズマ装置にテープキャリア搬送機構を備えた構成としているので、従来の減圧プラズマでは処理が困難であったＴＡＢテープの高速な洗浄処理を可能とし、ワイヤボンディング性や表面清浄性に優れたＴＡＢテープを、安価に、効率良く製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係る製造装置を示したもので、常圧下で処理できるプラズマ装置を用いた構成例を示す概略図である。
【図２】本発明と対比される製造装置の構成例を示したもので、減圧プラズマ装置を用いた製造装置を示した概略図である。
【図３】従来の紫外線による乾式洗浄装置を用いた製造装置を示した概略図である。
【符号の説明】
１  プラズマ照射部
２  大気圧プラズマ装置
３  ＴＡＢテープ巻出し装置（巻出し部）
４  ＴＡＢテープ巻取り装置（巻取り部）
５  テープ支えロール
６  定速搬送ロール
６ａ  入口側搬送ロール
６ｂ  出口側搬送ロール
７  ＴＡＢテープ
【図１】
0004142858.tif 000004
【図２】
0004142858.tif 000005
【図３】
0004142858.tif 000006