(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）
【化１】
0004181233.tif 000031
［式中、Ｒ1は水素原子または炭素数１から６のアルキル基を意味し、Ｒ2およびＲ3は各々独立して水素原子であるかまたは次の群：
ベンジル基、α−メチルベンジル基、トリチル基、ベンズヒドリル基、パラニトロベンジル基、パラメトキシベンジル基、ｔ-ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ-ブチロイル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、ジフルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、およびベンゾイル基
の基から選ばれる基を意味し（ただし、Ｒ2およびＲ3が同時に水素原子である場合を除く。）、Ｒ4およびＲ5は各々独立して水素原子または炭素数１から６のアルキル基を意味するか（ただし、Ｒ4およびＲ5が同時に水素原子となる場合を除く。）、または一緒になってポリメチレン鎖を形成し、次の構造となってもよい。
【化２】
0004181233.tif 000032
（式中、ｎは２から５の整数を意味する。）］で表される化合物。
【請求項２】
式（Ｉ）中、Ｒ1がエチル基、Ｒ2がベンジル基、Ｒ3がｔ-ブトキシカルボニル基であり、Ｒ4およびＲ5が一緒になって、ｎが２であるエチレン鎖を形成したものである請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
式（Ｉ）中、Ｒ1がエチル基、Ｒ2がｔ-ブトキシカルボニル基、Ｒ3が水素原子であり、Ｒ4およびＲ5が一緒になって、ｎが２であるエチレン鎖を形成したものである請求項１に記載の化合物。
【請求項４】
式（Ｉ）中、Ｒ1がエチル基、Ｒ2がベンジルオキシカルボニル基、Ｒ3が水素原子であり、Ｒ4およびＲ5が一緒になって、ｎが２であるエチレン鎖を形成したものである請求項１に記載の化合物。
【請求項５】
式（Ｉ）中、Ｒ1がエチル基、Ｒ2がベンジル基、Ｒ3が水素原子であり、Ｒ4およびＲ5が一緒になって、ｎが２であるエチレン鎖を形成したものである請求項１に記載の化合物。
【請求項６】
式（ＩＩＩ−１）
【化３】
0004181233.tif 000033
［式中、Ｒ21はホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ-ブチロイル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、ジフルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、ｔ-ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、またはパラニトロベンジルオキシカルボニル基を意味し、Ｒ4およびＲ5は各々独立して水素原子または炭素数１から６のアルキル基を意味するか（ただし、Ｒ4およびＲ5が同時に水素原子となる場合を除く。）、または一緒になってポリメチレン鎖を形成し、次の構造となってもよい。
【化４】
0004181233.tif 000034
（式中、ｎは２から５の整数を意味する。）］で表される化合物。
【請求項７】
式（ＩＩＩ−１）中、Ｒ21がｔ-ブトキシカルボニル基であり、Ｒ4およびＲ5が一緒になって、ｎが２であるエチレン鎖を形成したものである請求項６に記載の化合物。
【請求項８】
式（ＩＩＩ−１）中、Ｒ21がベンジルオキシカルボニル基であり、Ｒ4およびＲ5が一緒になって、ｎが２であるエチレン鎖を形成したものである請求項６に記載の化合物。
【請求項９】
式（ＩＶ）
【化５】
0004181233.tif 000035
（式中、Ｒ1は水素原子または炭素数１から６のアルキル基を意味し、Ｒ21はｔ-ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ-ブチロイル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、ジフルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、またはベンゾイル基を意味し、Ｒ31は水素原子、ベンジル基、α−メチルベンジル基、トリチル基、ベンズヒドリル基、パラニトロベンジル基、パラメトキシベンジル基、ｔ-ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ-ブチロイル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、ジフルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、またはベンゾイル基を意味する。）で表される化合物と式（Ｖ）
【化６】
0004181233.tif 000036
（式中、ｎは２から５の整数を意味し、Ｘ1およびＸ2は各々独立して求核置換反応において脱離する原子または基を意味する。）で表される化合物を塩基の存在下に処理することを特徴とする式（Ｉ−１）
【化７】
0004181233.tif 000037
（式中、Ｒ1は水素原子または炭素数１から６のアルキル基を意味し、Ｒ21はｔ-ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ-ブチロイル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、ジフルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、またはベンゾイル基を意味し、Ｒ31は水素原子、ベンジル基、α−メチルベンジル基、トリチル基、ベンズヒドリル基、パラニトロベンジル基、パラメトキシベンジル基、ｔ-ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ-ブチロイル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、ジフルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、またはベンゾイル基を意味し、ｎは２から５の整数を意味する。）で表される化合物の製造法。
【請求項１０】
Ｘ1およびＸ2がハロゲン原子である請求項９に記載の製造法。
【請求項１１】
Ｒ1がエチル基、Ｒ21がｔ-ブトキシカルボニル基、Ｒ31がベンジル基、ｎが２、Ｘ1およびＸ2が臭素原子である請求項９に記載の製造法。
【請求項１２】
Ｒ1がエチル基、Ｒ21がｔ-ブトキシカルボニル基、Ｒ31が水素原子、ｎが２、Ｘ1およびＸ2が臭素原子である請求項９に記載の製造法。
【請求項１３】
Ｒ1がエチル基、Ｒ21がベンジルオキシカルボニル基、Ｒ31が水素原子、ｎが２、Ｘ1およびＸ2が臭素原子である請求項９に記載の製造法。
【請求項１４】
式（ＩＶ）
【化８】
0004181233.tif 000038
（式中、Ｒ1は水素原子または炭素数１から６のアルキル基を意味し、Ｒ21はｔ-ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ-ブチロイル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、ジフルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、またはベンゾイル基を意味し、Ｒ31は水素原子、ベンジル基、α−メチルベンジル基、トリチル基、ベンズヒドリル基、パラニトロベンジル基、パラメトキシベンジル基、ｔ-ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ-ブチロイル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、ジフルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、またはベンゾイル基を意味する。）で表される化合物と式（ＶＩ）
【化９】
0004181233.tif 000039
（式中、Ｒ41は炭素数１から６のアルキル基を意味し、Ｘ3は求核置換反応において脱離する原子または基を意味する。）で表される化合物を塩基の存在下に処理することを特徴とする式（Ｉ−２）および／または式（Ｉ−３）
【化１０】
0004181233.tif 000040
（式中、Ｒ1は水素原子または炭素数１から６のアルキル基を意味し、Ｒ21はｔ-ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ-ブチロイル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、ジフルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、またはベンゾイル基を意味し、Ｒ31は水素原子、ベンジル基、α−メチルベンジル基、トリチル基、ベンズヒドリル基、パラニトロベンジル基、パラメトキシベンジル基、ｔ-ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ-ブチロイル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、ジフルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、またはベンゾイル基を意味し、Ｒ41は炭素数１から６のアルキル基を意味する。）で表される化合物の製造法。
【請求項１５】
式（ＩＶ）
【化１１】
0004181233.tif 000041
（式中、Ｒ1は水素原子または炭素数１から６のアルキル基を意味し、Ｒ21はｔ-ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ-ブチロイル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、ジフルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、またはベンゾイル基を意味し、Ｒ31は水素原子、ベンジル基、α−メチルベンジル基、トリチル基、ベンズヒドリル基、パラニトロベンジル基、パラメトキシベンジル基、ｔ-ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ-ブチロイル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、ジフルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、またはベンゾイル基を意味する。）で表される化合物と式（ＶＩ）
【化１２】
0004181233.tif 000042
（式中、Ｒ41は炭素数１から６のアルキル基を意味し、Ｘ3は求核置換反応において脱離する原子または基を意味する。）で表される化合物を塩基の存在下に処理することを特徴とする式（Ｉ−３）
【化１３】
0004181233.tif 000043
（式中、Ｒ1は水素原子または炭素数１から６のアルキル基を意味し、Ｒ21はｔ-ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ-ブチロイル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、ジフルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、またはベンゾイル基を意味し、Ｒ31は水素原子、ベンジル基、α−メチルベンジル基、トリチル基、ベンズヒドリル基、パラニトロベンジル基、パラメトキシベンジル基、ｔ-ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ-ブチロイル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、ジフルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、またはベンゾイル基を意味し、Ｒ41は炭素数１から６のアルキル基を意味する。）で表される化合物の製造法。
【請求項１６】
式（ＶＩ）の化合物の量が、式（ＩＶ）の化合物に対して１当量である請求項１５に記載の製造法。
【請求項１７】
式（ＩＶ）
【化１４】
0004181233.tif 000044
（式中、Ｒ1は水素原子または炭素数１から６のアルキル基を意味し、Ｒ21はｔ-ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ-ブチロイル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、ジフルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、またはベンゾイル基を意味し、Ｒ31は水素原子、ベンジル基、α−メチルベンジル基、トリチル基、ベンズヒドリル基、パラニトロベンジル基、パラメトキシベンジル基、ｔ-ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ-ブチロイル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、ジフルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、またはベンゾイル基を意味する。）で表される化合物と式（ＶＩ）
【化１５】
0004181233.tif 000045
（式中、Ｒ41は炭素数１から６のアルキル基を意味し、Ｘ3は求核置換反応において脱離する原子または基を意味する。）で表される化合物を塩基の存在下に処理することを特徴とする式（Ｉ−２）
【化１６】
0004181233.tif 000046
（式中、Ｒ1は水素原子または炭素数１から６のアルキル基を意味し、Ｒ21はｔ-ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ-ブチロイル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、ジフルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、またはベンゾイル基を意味し、Ｒ31は水素原子、ベンジル基、α−メチルベンジル基、トリチル基、ベンズヒドリル基、パラニトロベンジル基、パラメトキシベンジル基、ｔ-ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ-ブチロイル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、ジフルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、またはベンゾイル基を意味し、Ｒ41は炭素数１から６のアルキル基を意味する。）で表される化合物の製造法。
【請求項１８】
式（ＶＩ）の化合物の量が、式（ＩＶ）の化合物に対して２当量以上である請求項１７に記載の製造法。
【請求項１９】
式（ＩＶ）
【化１７】
0004181233.tif 000047
（式中、Ｒ1は水素原子または炭素数１から６のアルキル基を意味し、Ｒ21はｔ-ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ-ブチロイル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、ジフルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、またはベンゾイル基を意味し、Ｒ31は水素原子、ベンジル基、α−メチルベンジル基、トリチル基、ベンズヒドリル基、パラニトロベンジル基、パラメトキシベンジル基、ｔ-ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ-ブチロイル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、ジフルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、またはベンゾイル基を意味する。）で表される化合物と式（ＩＶ）の化合物に対して１当量の式（ＶＩ）
【化１８】
0004181233.tif 000048
（式中、Ｒ41は炭素数１から６の整数を意味し、Ｘ3は求核置換反応において脱離する原子または基を意味する。）で表される化合物を塩基の存在下に処理し、続いて式（ＶＩＩ）
【化１９】
0004181233.tif 000049
（式中、Ｒ51は炭素数１から６のアルキル基を意味し、Ｘ4は求核置換反応において脱離する原子または基を意味する。）で表される化合物を塩基の存在下に処理することを特徴とする式（Ｉ−４）
【化２０】
0004181233.tif 000050
（式中、Ｒ1は水素原子または炭素数１から６のアルキル基を意味し、Ｒ21はｔ-ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ-ブチロイル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、ジフルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、またはベンゾイル基を意味し、Ｒ31は水素原子、ベンジル基、α−メチルベンジル基、トリチル基、ベンズヒドリル基、パラニトロベンジル基、パラメトキシベンジル基、ｔ-ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ-ブチロイル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、ジフルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、またはベンゾイル基を意味し、Ｒ41は炭素数１から６のアルキル基を意味し、Ｒ51は炭素数１から６のアルキル基を意味する。）で表される化合物の製造法。
【請求項２０】
式（ＩＶ）の化合物と式（ＶＩ）の化合物を処理する際、塩基の使用量が式（ＩＶ）の化合物に対して１から１．２当量である請求項１９に記載の製造法。
【請求項２１】
式（ＩＩ）
【化２１】
0004181233.tif 000051
［式中、Ｒ1は水素原子または炭素数１から６のアルキル基を意味し、Ｒ22はベンジル基、α−メチルベンジル基、トリチル基、ベンズヒドリル基、パラニトロベンジル基、パラメトキシベンジル基、ｔ-ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ-ブチロイル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、ジフルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、またはベンゾイル基を意味し、Ｒ4およびＲ5は各々独立して水素原子または炭素数１から６のアルキル基を意味するか（ただし、Ｒ4およびＲ5が同時に水素原子となる場合を除く。）、または一緒になってポリメチレン鎖を形成し、次の構造となってもよい。
【化２２】
0004181233.tif 000052
（式中、ｎは２から５の整数を意味する。）］で表される化合物を、塩基またはアルキルアルミニウム試薬の存在下処理することを特徴とする式（ＩＩＩ）
【化２３】
0004181233.tif 000053
［式中、Ｒ22はベンジル基、α−メチルベンジル基、トリチル基、ベンズヒドリル基、パラニトロベンジル基、パラメトキシベンジル基、ｔ-ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ-ブチロイル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、ジフルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、またはベンゾイル基を意味し、Ｒ4およびＲ5は各々独立して水素原子または炭素数１から６のアルキル基を意味するか（ただし、Ｒ4およびＲ5が同時に水素原子となる場合を除く。）、または一緒になってポリメチレン鎖を形成し、次の構造となってもよい。
【化２４】
0004181233.tif 000054
（式中、ｎは２から５の整数を意味する。）］で表される化合物の製造法。
【請求項２２】
式（ＩＩ）中、Ｒ22のアミノ基の保護基がアルコキシカルボニル基またはアラルキルオキシカルボニル基である請求項２１に記載の製造法。
【請求項２３】
Ｒ1がエチル基、Ｒ22がｔ-ブトキシカルボニル基であり、Ｒ4およびＲ5が一緒になって、ｎが２であるエチレン鎖を形成したものである化合物を、塩基の存在下に処理する請求項２１に記載の製造法。
【請求項２４】
Ｒ1がエチル基、Ｒ22がｔ-ブトキシカルボニル基であり、Ｒ4およびＲ5が一緒になって、ｎが２であるエチレン鎖を形成したものである化合物を、アルキルアルミニウム試薬の存在下に処理する請求項２１に記載の製造法。
【請求項２５】
Ｒ1がエチル基、Ｒ22がベンジルオキシカルボニル基であり、Ｒ4およびＲ5が一緒になって、ｎが２であるエチレン鎖を形成したものである化合物を、アルキルアルミニウム試薬の存在下に処理する請求項２１に記載の製造法。
【請求項２６】
式（ＩＩ）
【化２５】
0004181233.tif 000055
［式中、Ｒ1は水素原子または炭素数１から６のアルキル基を意味し、Ｒ22はベンジル基、α−メチルベンジル基、トリチル基、ベンズヒドリル基、パラニトロベンジル基、パラメトキシベンジル基、ｔ-ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ-ブチロイル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、ジフルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、またはベンゾイル基を意味し、Ｒ4およびＲ5は各々独立して水素原子または炭素数１から６のアルキル基を意味するか（ただし、Ｒ4およびＲ5が同時に水素原子となる場合を除く。）、または一緒になってポリメチレン鎖を形成し、次の構造となってもよい。
【化２６】
0004181233.tif 000056
（式中、ｎは２から５の整数を意味する。）］で表される化合物を、加熱下処理することを特徴とする式（ＩＩＩ）
【化２７】
0004181233.tif 000057
［式中、Ｒ22はベンジル基、α−メチルベンジル基、トリチル基、ベンズヒドリル基、パラニトロベンジル基、パラメトキシベンジル基、ｔ-ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ-ブチロイル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、ジフルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、またはベンゾイル基を意味し、Ｒ4およびＲ5は各々独立して水素原子または炭素数１から６のアルキル基を意味するか（ただし、Ｒ4およびＲ5が同時に水素原子となる場合を除く。）、または一緒になってポリメチレン鎖を形成し、次の構造となってもよい。
【化２８】
0004181233.tif 000058
（式中、ｎは２から５の整数を意味する。）］で表される化合物の製造法。
【請求項２７】
式（ＩＩ）中、Ｒ22のアミノ基の保護基がアラルキル基である請求項２６に記載の製造法。
【請求項２８】
Ｒ1がエチル基、Ｒ22がベンジル基であり、Ｒ4およびＲ5が一緒になって、ｎが２であるエチレン鎖を形成したものである請求項２６に記載の製造法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、抗菌化合物の合成原料として有用な化合物およびその製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
式（ＩＩＩ）
【０００３】
【化２９】
0004181233.tif 000002
【０００４】
［式中、Ｒ22はアミノ基の保護基を意味し、Ｒ4 およびＲ5 は各々独立して水素原子または炭素数１から６のアルキル基を意味するか（ただし、Ｒ4 およびＲ5 が同時に水素原子となる場合を除く。）、または一緒になってポリメチレン鎖を形成し、次の構造となってもよい。
【０００５】
【化３０】
0004181233.tif 000003
（式中、ｎは２から５の整数を意味する。）］
で表される化合物（以下、化合物（ＩＩＩ）として表し、他の番号の式で表される化合物も同様とする。）は抗菌性化合物の製造中間体として有用である（特開平５―１０７３号公報および特開平５―２２１９４７号公報参照）。
【０００６】
その製法としては、アセト酢酸エチルエステルを原料とする方法（特開平３―９５１７６号公報）があるが低収率であり、工業的製法としては不向きであった。また、ジケテンを原料とする方法（特開平５―２２１９４７号公報）があるが多くの工程を要する等の問題点があり、その工業的製造には未だ改良の余地があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明者は、これら従来の技術の問題点を解決し、簡便に化合物（ＩＩＩ）を得る製法を見い出すべく鋭意研究を行った。その結果、化合物（ＩＩ）
【０００８】
【化３１】
0004181233.tif 000004
［式中、Ｒ1 は水素原子または炭素数１から６のアルキル基を意味し、Ｒ22はアミノ基の保護基を意味し、Ｒ4 およびＲ5 は各々独立して水素原子または炭素数１から６のアルキル基を意味するか（ただし、Ｒ4 およびＲ5 が同時に水素原子となる場合を除く。）、または一緒になってポリメチレン鎖を形成し、次の構造となってもよい。
【０００９】
【化３２】
0004181233.tif 000005
（式中、ｎは２から５の整数を意味する。）］
を製造中間体として用いることにより、化合物（ＩＩＩ）が簡便に得られることを見い出し、本発明を完成させた。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、式（Ｉ）
【００１１】
【化３３】
0004181233.tif 000006
［式中、Ｒ1は水素原子または炭素数１から６のアルキル基を意味し、Ｒ2およびＲ3は各々独立して水素原子であるかまたは次の群：
ベンジル基、α−メチルベンジル基、トリチル基、ベンズヒドリル基、パラニトロベンジル基、パラメトキシベンジル基、ｔ-ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ-ブチロイル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、ジフルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、およびベンゾイル基
の基から選ばれる基を意味し（ただし、Ｒ2およびＲ3が同時に水素原子である場合を除く。）、Ｒ4およびＲ5は各々独立して水素原子または炭素数１から６のアルキル基を意味するか（ただし、Ｒ4およびＲ5が同時に水素原子となる場合を除く。）、または一緒になってポリメチレン鎖を形成し、次の構造となってもよい。
【００１２】
【化３４】
0004181233.tif 000007
（式中、ｎは２から５の整数を意味する。）］
で表される化合物および式（ＩＩＩ−１）
【００１３】
【化３５】
0004181233.tif 000008
［式中、Ｒ21はホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ-ブチロイル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、ジフルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、ｔ-ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、またはパラニトロベンジルオキシカルボニル基を意味し、Ｒ4およびＲ5は各々独立して水素原子または炭素数１から６のアルキル基を意味するか（ただし、Ｒ4およびＲ5が同時に水素原子となる場合を除く。）、または一緒になってポリメチレン鎖を形成し、次の構造となってもよい。
【００１４】
【化３６】
0004181233.tif 000009
（式中、ｎは２から５の整数を意味する。）］
で表される化合物に関する。
【００１５】
また、式（ＩＶ）
【００１６】
【化３７】
0004181233.tif 000010
（式中、Ｒ1は水素原子または炭素数１から６のアルキル基を意味し、Ｒ21はｔ-ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ-ブチロイル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、ジフルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、またはベンゾイル基を意味し、Ｒ31は水素原子、ベンジル基、α−メチルベンジル基、トリチル基、ベンズヒドリル基、パラニトロベンジル基、パラメトキシベンジル基、ｔ-ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ-ブチロイル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、ジフルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、またはベンゾイル基を意味する。）で表される化合物と式（Ｖ）
【００１７】
【化３８】
Ｘ1 ―（ＣＨ2 ）n ―Ｘ2         （Ｖ）
（式中、ｎは２から５の整数を意味し、Ｘ1 およびＸ2 は各々独立して求核置換反応において脱離する原子または基を意味する。）
で表される化合物を塩基の存在下に処理することを特徴とする式（Ｉ−１）
【００１８】
【化３９】
0004181233.tif 000011
（式中、Ｒ1は水素原子または炭素数１から６のアルキル基を意味し、Ｒ21はｔ-ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ-ブチロイル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、ジフルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、またはベンゾイル基を意味し、Ｒ31は水素原子、ベンジル基、α−メチルベンジル基、トリチル基、ベンズヒドリル基、パラニトロベンジル基、パラメトキシベンジル基、ｔ-ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ-ブチロイル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、ジフルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、またはベンゾイル基を意味し、ｎは２から５の整数を意味する。）で表される化合物の製造法に関する。
【００１９】
さらに、式（ＩＶ）
【００２０】
【化４０】
0004181233.tif 000012
（式中、Ｒ1は水素原子または炭素数１から６のアルキル基を意味し、Ｒ21はｔ-ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ-ブチロイル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、ジフルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、またはベンゾイル基を意味し、Ｒ31は水素原子、ベンジル基、α−メチルベンジル基、トリチル基、ベンズヒドリル基、パラニトロベンジル基、パラメトキシベンジル基、ｔ-ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ-ブチロイル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、ジフルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、またはベンゾイル基を意味する。）で表される化合物と式（ＶＩ）
【００２１】
【化４１】
Ｒ41―Ｘ3           （ＶＩ）
（式中、Ｒ41は炭素数１から６のアルキル基を意味し、Ｘ3 は求核置換反応において脱離する原子または基を意味する。）
で表される化合物を塩基の存在下に処理することを特徴とする式（Ｉ−２）および／または式（Ｉ−３）
【００２２】
【化４２】
0004181233.tif 000013
（式中、Ｒ1は水素原子または炭素数１から６のアルキル基を意味し、Ｒ21はｔ-ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ-ブチロイル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、ジフルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、またはベンゾイル基を意味し、Ｒ31は水素原子、ベンジル基、α−メチルベンジル基、トリチル基、ベンズヒドリル基、パラニトロベンジル基、パラメトキシベンジル基、ｔ-ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ-ブチロイル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、ジフルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、またはベンゾイル基を意味し、Ｒ41は炭素数１から６のアルキル基を意味する。）で表される化合物の製造法に関する。
【００２３】
そして、式（ＩＶ）
【００２４】
【化４３】
0004181233.tif 000014
（式中、Ｒ1は水素原子または炭素数１から６のアルキル基を意味し、Ｒ21はｔ-ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ-ブチロイル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、ジフルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、またはベンゾイル基を意味し、Ｒ31は水素原子、ベンジル基、α−メチルベンジル基、トリチル基、ベンズヒドリル基、パラニトロベンジル基、パラメトキシベンジル基、ｔ-ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ-ブチロイル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、ジフルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、またはベンゾイル基を意味する。）で表される化合物と式（ＶＩ）
【００２５】
【化４４】
Ｒ41―Ｘ3           （ＶＩ）
（式中、Ｒ41は炭素数１から６のアルキル基を意味し、Ｘ3 は求核置換反応において脱離する原子または基を意味する。）
で表される化合物を塩基の存在下に処理することを特徴とする式（Ｉ−３）
【００２６】
【化４５】
0004181233.tif 000015
（式中、Ｒ1は水素原子または炭素数１から６のアルキル基を意味し、Ｒ21はｔ-ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ-ブチロイル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、ジフルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、またはベンゾイル基を意味し、Ｒ31は水素原子、ベンジル基、α−メチルベンジル基、トリチル基、ベンズヒドリル基、パラニトロベンジル基、パラメトキシベンジル基、ｔ-ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ-ブチロイル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、ジフルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、またはベンゾイル基を意味し、Ｒ41は炭素数１から６のアルキル基を意味する。）で表される化合物の製造法に関する。
【００２７】
また、式（ＩＶ）
【００２８】
【化４６】
0004181233.tif 000016
（式中、Ｒ1は水素原子または炭素数１から６のアルキル基を意味し、Ｒ21はｔ-ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ-ブチロイル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、ジフルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、またはベンゾイル基を意味し、Ｒ31は水素原子、ベンジル基、α−メチルベンジル基、トリチル基、ベンズヒドリル基、パラニトロベンジル基、パラメトキシベンジル基、ｔ-ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ-ブチロイル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、ジフルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、またはベンゾイル基を意味する。）で表される化合物と式（ＶＩ）
【００２９】
【化４７】
Ｒ41―Ｘ3           （ＶＩ）
（式中、Ｒ41は炭素数１から６のアルキル基を意味し、Ｘ3 は求核置換反応において脱離する原子または基を意味する。）
で表される化合物を塩基の存在下に処理することを特徴とする式（Ｉ−２）
【００３０】
【化４８】
0004181233.tif 000017
（式中、Ｒ1は水素原子または炭素数１から６のアルキル基を意味し、Ｒ21はｔ-ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ-ブチロイル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、ジフルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、またはベンゾイル基を意味し、Ｒ31は水素原子、ベンジル基、α−メチルベンジル基、トリチル基、ベンズヒドリル基、パラニトロベンジル基、パラメトキシベンジル基、ｔ-ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ-ブチロイル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、ジフルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、またはベンゾイル基を意味し、Ｒ41は炭素数１から６のアルキル基を意味する。）で表される化合物の製造法に関する。
【００３１】
さらに、式（ＩＶ）
【００３２】
【化４９】
0004181233.tif 000018
（式中、Ｒ1は水素原子または炭素数１から６のアルキル基を意味し、Ｒ21はｔ-ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ-ブチロイル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、ジフルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、またはベンゾイル基を意味し、Ｒ31は水素原子、ベンジル基、α−メチルベンジル基、トリチル基、ベンズヒドリル基、パラニトロベンジル基、パラメトキシベンジル基、ｔ-ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ-ブチロイル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、ジフルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、またはベンゾイル基を意味する。）で表される化合物と式（ＩＶ）の化合物に対して１当量の式（ＶＩ）
【００３３】
【化５０】
Ｒ41―Ｘ3           （ＶＩ）
（式中、Ｒ41は炭素数１から６の整数を意味し、Ｘ3 は求核置換反応において脱離する原子または基を意味する。）
で表される化合物を塩基の存在下に処理し、続いて式（ＶＩＩ）
【００３４】
【化５１】
Ｒ51―Ｘ4           （ＶＩＩ）
（式中、Ｒ51は炭素数１から６のアルキル基を意味し、Ｘ4 は求核置換反応において脱離する原子または基を意味する。）
で表される化合物を塩基の存在下に処理することを特徴とする式（Ｉ−４）
【００３５】
【化５２】
0004181233.tif 000019
（式中、Ｒ1は水素原子または炭素数１から６のアルキル基を意味し、Ｒ21はｔ-ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ-ブチロイル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、ジフルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、またはベンゾイル基を意味し、Ｒ31は水素原子、ベンジル基、α−メチルベンジル基、トリチル基、ベンズヒドリル基、パラニトロベンジル基、パラメトキシベンジル基、ｔ-ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ-ブチロイル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、ジフルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、またはベンゾイル基を意味し、Ｒ41は炭素数１から６のアルキル基を意味し、Ｒ51は炭素数１から６のアルキル基を意味する。）で表される化合物の製造法に関する。
【００３６】
あるいは、式（ＩＩ）
【００３７】
【化５３】
0004181233.tif 000020
［式中、Ｒ1は水素原子または炭素数１から６のアルキル基を意味し、Ｒ22はベンジル基、α−メチルベンジル基、トリチル基、ベンズヒドリル基、パラニトロベンジル基、パラメトキシベンジル基、ｔ-ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ-ブチロイル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、ジフルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、またはベンゾイル基を意味し、Ｒ4およびＲ5は各々独立して水素原子または炭素数１から６のアルキル基を意味するか（ただし、Ｒ4およびＲ5が同時に水素原子となる場合を除く。）、または一緒になってポリメチレン鎖を形成し、次の構造となってもよい。
【００３８】
【化５４】
0004181233.tif 000021
（式中、ｎは２から５の整数を意味する。）］
で表される化合物を、塩基またはアルキルアルミニウム試薬の存在下処理することを特徴とする式（ＩＩＩ）
【００３９】
【化５５】
0004181233.tif 000022
［式中、Ｒ22はベンジル基、α−メチルベンジル基、トリチル基、ベンズヒドリル基、パラニトロベンジル基、パラメトキシベンジル基、ｔ-ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ-ブチロイル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、ジフルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、またはベンゾイル基を意味し、Ｒ4およびＲ5は各々独立して水素原子または炭素数１から６のアルキル基を意味するか（ただし、Ｒ4およびＲ5が同時に水素原子となる場合を除く。）、または一緒になってポリメチレン鎖を形成し、次の構造となってもよい。
【００４０】
【化５６】
0004181233.tif 000023
（式中、ｎは２から５の整数を意味する。）］
で表される化合物の製造法に関する。
【００４１】
さらに、式（ＩＩ）
【００４２】
【化５７】
0004181233.tif 000024
［式中、Ｒ1は水素原子または炭素数１から６のアルキル基を意味し、Ｒ22はベンジル基、α−メチルベンジル基、トリチル基、ベンズヒドリル基、パラニトロベンジル基、パラメトキシベンジル基、ｔ-ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ-ブチロイル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、ジフルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、またはベンゾイル基を意味し、Ｒ4およびＲ5は各々独立して水素原子または炭素数１から６のアルキル基を意味するか（ただし、Ｒ4およびＲ5が同時に水素原子となる場合を除く。）、または一緒になってポリメチレン鎖を形成し、次の構造となってもよい。
【００４３】
【化５８】
0004181233.tif 000025
（式中、ｎは２から５の整数を意味する。）］
で表される化合物を、加熱下処理することを特徴とする式（ＩＩＩ）
【００４４】
【化５９】
0004181233.tif 000026
［式中、Ｒ22はベンジル基、α−メチルベンジル基、トリチル基、ベンズヒドリル基、パラニトロベンジル基、パラメトキシベンジル基、ｔ-ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ-ブチロイル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、ジフルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、またはベンゾイル基を意味し、Ｒ4およびＲ5は各々独立して水素原子または炭素数１から６のアルキル基を意味するか（ただし、Ｒ4およびＲ5が同時に水素原子となる場合を除く。）、または一緒になってポリメチレン鎖を形成し、次の構造となってもよい。
【００４５】
【化６０】
0004181233.tif 000027
（式中、ｎは２から５の整数を意味する。）］
で表される化合物の製造法に関する。
【００４６】
本発明で用いる置換基等を以下に説明する。
【００４７】
アミノ基の保護基としては、アシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アラルキル基等を挙げることができる。
【００４８】
アシル基としては、例えば、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ―ブチロイル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、ジフルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、ベンゾイル基等の脂肪族若しくは芳香族アシル基を挙げることができる。
【００４９】
アルコキシカルボニル基としては、例えば、ｔ―ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基を挙げることができる。
【００５０】
アラルキルオキシカルボニル基としては、ベンジルオキシカルボニル基等を挙げることができ、該フェニル基部分には、メチル基、エチル基等の低級アルキル基、メトキシ基、エトキシ基等の低級アルコキシル基、ニトロ基、ハロゲン原子等が置換していてもよく、例えば、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基を挙げることができる。
【００５１】
アラルキル基としては、ベンジル基、α−メチルベンジル基、トリチル基、ベンズヒドリル基等を挙げることができ、該フェニル基部分には、メチル基、エチル基等の低級アルキル基、メトキシ基、エトキシ基等の低級アルコキシル基、ニトロ基、ハロゲン原子等が置換していてもよく、例えば、パラニトロベンジル基、パラメトキシベンジル基を挙げることができる。
【００５２】
求核置換反応において脱離する原子または基としては、例えば、塩素、臭素もしくはヨウ素等のハロゲン原子、ｐ−トルエンスルホニルオキシ、メタンスルホニルオキシ、トリフルオロメタンスルホニルオキシ等のスルホニルオキシ基、またはジメチルスルホニウム等のジアルキルスルホニウム基を挙げることができる。なお、ジアルキルスルホニウム基の場合は、カウンターアニオンとしてハロゲンの陰イオンを伴うことがある。
【００５３】
本願明細書中の化合物の置換基について以下に詳しく説明する。
【００５４】
まず、本発明化合物（Ｉ）の置換基Ｒ1 としては炭素数１から６のアルキル基が好ましく、特にメチル基およびエチル基が好ましい。置換基Ｒ2 およびＲ3 のアミノ基の保護基としては、アラルキル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基およびアシル基が好ましく、特にホルミル基、アセチル基、ベンジル基、ｔ−ブトキシカルボニル基およびベンジルオキシカルボニル基が好ましい。置換基Ｒ4 およびＲ5 としては、Ｒ4 およびＲ5 が一緒になってポリメチレン鎖を形成し、次の構造
【００５５】
【化６１】
0004181233.tif 000028
（式中、ｎは２から５の整数を意味する。）を形成したものが好ましく、特にｎが２または３であるもの、さらにはｎが２であるものが好ましい。
【００５６】
本発明化合物（ＩＩＩ−１）の置換基Ｒ21としては、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブチロイル基、ｔ―ブチロイル基、メトキシアセチル基、フルオロアセチル基、ジフルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、ｔ―ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基およびパラニトロベンジルオキシカルボニル基が好ましく、特にホルミル基、アセチル基、ｔ−ブトキシカルボニル基およびベンジルオキシカルボニル基が好ましい。置換基Ｒ4 およびＲ5 としては、Ｒ4 およびＲ5 が一緒になってポリメチレン鎖を形成し、次の構造
【００５７】
【化６２】
0004181233.tif 000029
（式中、ｎは２から５の整数を意味する。）を形成したものが好ましく、特にｎが２または３であるもの、さらにはｎが２であるものが好ましい。
【００５８】
化合物（ＩＶ）の置換基Ｒ1 としては炭素数１から６のアルキル基が好ましく、特にメチル基およびエチル基が好ましい。置換基Ｒ21としては、アルコキシカルボニル基およびアラルキルオキシカルボニル基が好ましく、特にｔ−ブトキシカルボニル基およびベンジルオキシカルボニル基が好ましい。置換基Ｒ31としては、水素原子およびアラルキル基が好ましく、特に水素原子およびベンジル基が好ましい。
【００５９】
化合物（Ｖ）のｎとしては２または３、特に２が好ましく、求核置換反応において脱離する原子または基を意味するＸ1 およびＸ2 としては、ハロゲン原子が好ましく、特に臭素原子が好ましい。
【００６０】
化合物（ＶＩ）のＲ41としては、メチル基またはエチル基が好ましく、求核置換反応において脱離する原子または基を意味するＸ3 としては、ハロゲン原子が好ましく、特に臭素原子が好ましい。
【００６１】
化合物（ＶＩＩ）のＲ51としては、メチル基またはエチル基が好ましく、求核置換反応において脱離する原子または基を意味するＸ4 としては、ハロゲン原子が好ましく、特に臭素原子が好ましい。
【００６２】
化合物（ＩＩ）の置換基Ｒ1 としては炭素数１から６のアルキル基が好ましく、特にメチル基およびエチル基が好ましい。置換基Ｒ22としては、アラルキル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基およびアシル基が好ましく、特にホルミル基、アセチル基、ベンジル基、ｔ−ブトキシカルボニル基およびベンジルオキシカルボニル基が好ましい。置換基Ｒ4 およびＲ5 としては、Ｒ4 およびＲ5 がポリメチレン鎖を形成し、次の構造
【００６３】
【化６３】
0004181233.tif 000030
（式中、ｎは２から５の整数を意味する。）を形成したものが好ましく、特にｎが２または３であるもの、さらにはｎが２であるものが好ましい。
【００６４】
次に本発明の製造方法を各工程ごとに説明する。
【００６５】
まず、化合物（ＩＶ）と化合物（Ｖ）を反応させ、化合物（Ｉ−１）を製造する工程について説明する。
【００６６】
化合物（Ｉ−１）は、化合物（ＩＶ）および化合物（Ｖ）を溶媒中、塩基存在下で処理することによって得ることができる。
【００６７】
反応溶媒としては、反応に不活性なものであれば特に制限はないが、用いる塩基に応じて、好ましいものを選択すればよく、アルコール系、エーテル系、ハロゲン化炭化水素系、アミド系、その他、ジメチルスルホキシド、アセトニトリル、アセトン、酢酸エステル、水等を用いることができる。また、これらを混合溶媒として使用することもできる。
【００６８】
これらの溶媒のうち、ジメチルホルムアミド等のアミド系およびアセトンが好ましい。
【００６９】
反応温度は塩基の種類や使用する溶媒により異なるが、−７８℃から溶媒の沸点の範囲で行えばよく、好ましくは室温から溶媒の沸点の範囲である。
【００７０】
塩基としては、有機または無機のいずれであってもよく、アルカリ金属またはアルカリ土類金属、例えば、ナトリウム、カリウム、リチウム、マグネシウム、カルシウム等の水酸化物、炭酸塩、炭酸水素塩およびアルコキサイド等、水素化ナトリウム、水素化カリウム、水素化リチウム等の金属水素化物、ｎ−ブチルリチウム、メチルリチウム、リチウムジイソプロピルアミド等のアルキルリチウム試薬、トリエチルアミン、Ｎ，Ｎ―ジイソプロピルエチルアミン等の三級アミン類、その他、１，８―ジアザビシクロ[５．４．０] ウンデセ―７―エン（ＤＢＵ）、１，８―ジアザビシクロ[４．３．０] ノン―５―エン（ＤＢＮ）、ジメチルアニリン、Ｎ−メチルモルフォリン等の複素環化合物を用いることができる。
【００７１】
また、反応を促進させるためにテトラブチルアンモニウムブロミド、ベンジルトリエチルアンモニウムクロリド等の四級アンモニウム塩やヨウ化カリウム、ヨウ化ナトリウム等のアルカリ金属またはアルカリ土類金属のヨウ化物およびクラウンエーテル等の存在下で行うこともある。
【００７２】
これらの塩基のうち、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム等の金属炭酸塩や水素化ナトリウム、水素化カリウム等の金属水素化物が好ましい。
【００７３】
塩基の使用量は通常、化合物（ＩＶ）に対して１から３０当量の範囲でよいが、過剰量を使用する方が反応効率が高く、好ましくは２から１６当量程度である。
【００７４】
化合物（ＩＶ）は、市販のものあるいは、アミノ基を保護したグリシンから導くことができる。
【００７５】
次に、化合物（ＩＶ）と化合物（ＶＩ）を反応させ、化合物（Ｉ−２）および／または（Ｉ−３）を製造する工程について説明する。
【００７６】
化合物（Ｉ−２）および／または化合物（Ｉ−３）は、化合物（ＩＶ）および化合物（ＶＩ）を溶媒中、塩基存在下で処理することによって得ることができる。
【００７７】
反応溶媒としては、反応に不活性なものであれば特に制限はないが、用いる塩基に応じて、好ましいものを選択すればよく、アルコール系、エーテル系、ハロゲン化炭化水素系、アミド系、その他、ジメチルスルホキシド、アセトニトリル、アセトン、酢酸エステル、水等を用いることができる。また、これらを混合溶媒として使用することもできる。
【００７８】
反応温度は塩基の種類や使用する溶媒により異なるが、−７８℃から溶媒の沸点の範囲で行えばよく、好ましくは室温から溶媒の沸点の範囲である。
【００７９】
塩基としては、有機または無機のいずれであってもよく、アルカリ金属またはアルカリ土類金属、例えば、ナトリウム、カリウム、リチウム、マグネシウム、カルシウム等の水酸化物、炭酸塩、炭酸水素塩およびアルコキサイド等、水素化ナトリウム、水素化カリウム、水素化リチウム等の金属水素化物、ｎ−ブチルリチウム、メチルリチウム、リチウムジイソプロピルアミド等のアルキルリチウム試薬、トリエチルアミン、Ｎ，Ｎ―ジイソプロピルエチルアミン等の三級アミン類、その他、１，８―ジアザビシクロ[５．４．０] ウンデセ―７―エン（ＤＢＵ）、１，８―ジアザビシクロ[４．３．０] ノン―５―エン（ＤＢＮ）、ジメチルアニリン、Ｎ−メチルモルフォリン等の複素環化合物を用いることができる。
【００８０】
また、反応を促進させるためにテトラブチルアンモニウムブロミド、ベンジルトリエチルアンモニウムクロリド等の四級アンモニウム塩やヨウ化カリウム、ヨウ化ナトリウム等のアルカリ金属またはアルカリ土類金属のヨウ化物およびクラウンエーテル等の存在下で行うこともある。
【００８１】
これらの塩基のうち、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム等の金属炭酸塩や水素化ナトリウム、水素化カリウム等の金属水素化物が好ましい。
【００８２】
本工程では、目的とする化合物により、化合物（ＶＩ）の使用量および／または塩基の使用量が異なってくる。
【００８３】
すなわち、目的とする化合物が（Ｉ−３）の場合は、化合物（ＶＩ）を１当量を使用して反応させるか、または塩基１から１．２当量の存在下で反応させればよい。化合物（ＶＩ）を１当量使用する場合（理論上は１当量でよいが、実際に反応を行う場合は、やや過剰に用いてもよい。）は、塩基の量は１当量以上であればよいが、１から１．２当量が好ましい。塩基を１から１．２当量使用する場合は、化合物（ＶＩ）の量は１当量以上であればよいが、１当量（理論上は１当量でよいが、実際に反応を行う場合は、やや過剰に用いてもよい。）が好ましい。
【００８４】
目的とする化合物が（Ｉ−２）の場合は、化合物（ＶＩ）および塩基を２当量以上使用すればよい。
【００８５】
次に、化合物（ＩＶ）と化合物（ＩＶ）に対して１当量の化合物（ＶＩ）を反応させた後、化合物（ＶＩＩ）を反応させ化合物（Ｉ−４）を製造する工程について説明する。なお、化合物（ＶＩ）の量は理論上は１当量でよいが、実際に反応を行う場合は、やや過剰に用いてもよい。
【００８６】
化合物（Ｉ−４）は、化合物（ＩＶ）および化合物（ＩＶ）に対して１当量の化合物（ＶＩ）を溶媒中、塩基存在下で処理し、その後、化合物（ＶＩＩ）を加え、塩基存在下で処理することによって得ることができる。
【００８７】
反応溶媒としては、反応に不活性なものであれば特に制限はないが、用いる塩基に応じて、好ましいものを選択すればよく、アルコール系、エーテル系、ハロゲン化炭化水素系、アミド系、その他、ジメチルスルホキシド、アセトニトリル、アセトン、酢酸エステル、水等を用いることができる。また、これらを混合溶媒として使用することもできる。
【００８８】
反応温度は塩基の種類や使用する溶媒により異なるが、−７８℃から溶媒の沸点の範囲で行えばよく、好ましくは室温から溶媒の沸点の範囲である。
【００８９】
塩基としては、有機または無機のいずれであってもよく、アルカリ金属またはアルカリ土類金属、例えば、ナトリウム、カリウム、リチウム、マグネシウム、カルシウム等の水酸化物、炭酸塩、炭酸水素塩およびアルコキサイド等、水素化ナトリウム、水素化カリウム、水素化リチウム等の金属水素化物、ｎ−ブチルリチウム、メチルリチウム、リチウムジイソプロピルアミド等のアルキルリチウム試薬、トリエチルアミン、Ｎ，Ｎ―ジイソプロピルエチルアミン等の三級アミン類、その他、１，８―ジアザビシクロ[５．４．０] ウンデセ―７―エン（ＤＢＵ）、１，８―ジアザビシクロ[４．３．０] ノン―５―エン（ＤＢＮ）、ジメチルアニリン、Ｎ−メチルモルフォリン等の複素環化合物を用いることができる。
【００９０】
また、反応を促進させるためにテトラブチルアンモニウムブロミド、ベンジルトリエチルアンモニウムクロリド等の四級アンモニウム塩やヨウ化カリウム、ヨウ化ナトリウム等のアルカリ金属またはアルカリ土類金属のヨウ化物およびクラウンエーテル等の存在下で行うこともある。
【００９１】
これらの塩基のうち、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム等の金属炭酸塩や水素化ナトリウム、水素化カリウム等の金属水素化物が好ましい。
【００９２】
塩基は化合物（ＩＶ）に対して２から３０当量、好ましくは２から１６当量程度を反応の始めから使用してもよいが、化合物（ＶＩ）を反応させる段階と化合物（ＶＩＩ）を反応させる段階の２回に分けて使用してもよい。化合物（ＶＩ）を反応させる段階では１当量以上、好ましくは１から１．２当量の塩基を使用し、化合物（ＶＩＩ）を反応させる段階では１当量以上の塩基を使用すればよい。
【００９３】
この化合物（Ｉ−４）を得る反応では、化合物（ＶＩ）を溶媒中、塩基存在下で処理して得られた化合物を一度単離した後、該化合物と化合物（ＶＩＩ）を溶媒中、塩基存在下で処理することによっても得ることができる。
【００９４】
この反応でＲ41とＲ51が異なる化合物を製造する場合、炭素数が多い方（同じ場合は、分枝状の方）をＲ41として反応させ、その後炭素数が小さい方（同じ場合は、直鎖状の方）をＲ51として反応させるのが好ましい。
【００９５】
化合物（ＩＩＩ）は、化合物（ＩＩ）を閉環することにより得ることができる。具体的には、化合物（ＩＩ）を溶媒中、塩基存在下で処理することによって得ることができる。また、化合物（ＩＩＩ）は、化合物（ＩＩ）を溶媒中、アルキルアルミニウム試薬存在下で処理することによっても得ることができる。
【００９６】
溶媒としては、反応に不活性なものであれば特に制限はないが、用いる塩基、アルキルアルミニウム試薬に応じて、好ましいものを選択すればよく、アルコール系、エーテル系、ハロゲン化炭化水素系、アミド系、芳香族炭化水素系、その他、アセトニトリル、アセトン、酢酸エステル、水等を用いることができる。また、これらを混合溶媒として使用することもできる。
【００９７】
これらの溶媒のうち、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）等のエーテル系、塩化メチレン等のハロゲン化炭素系およびトルエン等の芳香族炭化水素系が好ましい。
【００９８】
反応温度は塩基の種類や使用する溶媒により異なるが、−７８℃から溶媒の沸点の範囲で行えばよく、好ましくは０℃から溶媒の沸点の範囲である。反応は室温でも進行するが、加熱して反応を促進させてもよい。
【００９９】
塩基の使用量は通常、化合物（ＩＩ）に対して１から１５当量の範囲でよく、好ましくは１から５当量程度である。
【０１００】
アルキルアルミニウム試薬としては、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、ジメチルアルミニウムクロリド、ジエチルアルミニウムクロリド、メチルアルミニウムジクロリド、エチルアルミニウムジクロリド等が例示でき、特にトリメチルアルミニウムが好ましい。
【０１０１】
アルキルアルミニウム試薬の使用量は通常、化合物（ＩＩ）に対して１から１５当量の範囲でよく、好ましくは１から５当量程度である。
【０１０２】
さらに、化合物（ＩＩＩ）は、化合物（ＩＩ）を溶媒中、加熱下で処理することによっても得ることができる。
【０１０３】
溶媒としては、反応に不活性なものであれば特に制限はないが、アルコール系、エーテル系、ハロゲン化炭化水素系、アミド系、芳香族炭化水素系、その他、アセトニトリル、アセトン、酢酸エステル、水等を用いることができる。また、これらを混合溶媒として使用することもできる。
【０１０４】
これらの溶媒のうち、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）等のエーテル系、塩化メチレン等のハロゲン化炭素系およびトルエン等の芳香族炭化水素系が好ましい。
【０１０５】
反応温度は使用する溶媒により異なるが、４０℃から溶媒の沸点の範囲で行えばよく、加熱還流下で行うのが好ましい。
【０１０６】
反応原料である化合物（ＩＩ）は、化合物（Ｉ）のうちＲ2 がアミノ基の保護基でＲ3 が水素原子のものを使用すればよいが、Ｒ2 およびＲ3 が共にアミノ基の保護基である化合物（Ｉ）のアミノ基の保護基Ｒ3 を常法（ティー．ダブリュウ．グリーン(T.W.Green)等の「プロテクティブ  グループ  イン  オルガニック  シンセシス(Protective Group in Organic Synthesis)」  ウィリイ(Wiley),  1991等を参照。）にて脱保護することによっても得られる。例えば、Ｒ3 が、アシル基である場合には加水分解により、アルコキシカルボニル基またはアラルキルオキシカルボニル基である場合には無溶媒あるいは溶媒中カチオンスカベンジャーの存在下あるいは非存在下、酸で処理することにより、また、フェニル基部分がメチル、エチル等の低級アルキル、メトキシ、エトキシ等の低級アルコキシ、ニトロ、場合によってはハロゲンが置換していても良いベンジル基類では、溶媒中、触媒を用いて酸またはアルカリ存在下あるいは非存在下、水素化分解することにより脱保護することができる。
【０１０７】
アミノ基の保護基がアシル基である場合には、酸またはアルカリを用いて行われ、酸性加水分解には塩酸、硫酸等の酸を、アルカリ性加水分解には水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ナトリウムアルコラート等のアルカリを用い、これら酸またはアルカリの水溶液、もしくは、メタノール、エタノール等のアルコール系有機溶媒、あるいは含水有機溶媒による溶液として脱保護の反応に用いることができ、反応温度は室温から溶媒の沸点において行われる。
【０１０８】
アミノ基の保護基がアルコキシカルボニル基またはアラルキルオキシカルボニル基の場合には、溶媒として脱保護の反応に不活性なものであれば特に制限はないが、アルコール系、エーテル系、ハロゲン化炭化水素系、芳香族炭化水素系、その他、アセトニトリル、アセトン、酢酸エステル、水、酢酸等あるいはこれらを混合溶媒等を用いることができ、カチオンスカベンジャーとしては、たとえば、アニソール、チオアニソール等が挙げられ、酸としては、たとえば、ｐ―トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、塩酸、臭化水素酸、トリフルオロ酢酸等が挙げられる。反応温度は氷冷下から溶媒の沸点において行われる。
【０１０９】
また、フェニル基部分がメチル、エチル等の低級アルキル、メトキシ、エトキシ等の低級アルコキシ、ニトロ、場合によってはハロゲンが置換していても良いベンジル基類の水素化分解では、溶媒として反応に不活性なものであれば特に制限はないが、アルコール系、アミド系、芳香族炭化水素系、その他、アセトニトリル、ギ酸、酢酸等を用いることができる。また、触媒としては、５％パラジウム炭素、１０％パラジウム炭素、２０％パラジウム炭素、ラネーニッケル等の含金属化合物が挙げられ、酸またはアルカリとしては、塩酸、臭化水素酸、ヨウ化水素酸、硝酸、硫酸、リン酸等の鉱酸あるいは、ｐ―トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸等の有機酸、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム、アンモニア水等の無機塩基が挙げられる。反応温度は室温から２００℃の範囲で行えばよく、水素圧は常圧から１５０気圧の範囲において行われる。
【０１１０】
本発明の各工程で用いられる溶媒について説明する。
【０１１１】
芳香族炭化水素系としては、ベンゼン、トルエン、キシレン等が挙げられる。アルコール系としては、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール（ＩＰＡ）、ブタノール、ｔ―ブタノール等が挙げられる。エーテル系としては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジメトキシエタン、１、４―ジオキサン等が挙げられる。アミド系としてはジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）等が挙げられる。ハロゲン化炭化水素系としては、クロロホルム、塩化メチレン、１、２―ジクロロエタン（ＥＤＣ）等が挙げられる。
【０１１２】
ここで得られた化合物（ＩＩＩ）は、特開平３―９５１７６号公報、特開平４―１４９１７４号公報記載の方法により抗菌剤の合成中間体へ導くことができる。以下、実施例および参考例を挙げて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１１３】
【実施例】
実施例１：エチル ４−[ （ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）アミノ] −２−シクロプロピル−３−オクソブチレート
エチル  ４−[ （ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）アミノ] −３−オクソブチレート（８２２．０ｍｇ）および１，２−ジブロモエタン（１．８６ｇ）をアセトン（３３ｍｌ）に溶解した。室温にて、攪拌しながら炭酸カリウム（２．７４ｇ）を加え、反応液を９時間加熱還流した。溶媒を減圧留去し、残留物に水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和塩化アンモニウム水溶液、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル−トルエン＝１：３）に付し、粗生成物６５３．８ｍｇを得た。さらに、この粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル−ノルマルヘキサン＝１：３）に付し、標題化合物５４７．４ｍｇを無色油状物として得た。
【０１１４】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ：１．２９（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ），１．４５（９Ｈ，ｓ），１．５７（４Ｈ，ｓ），４．２１（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．０Ｈｚ），４．４９（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．０Ｈｚ），５．３０（１Ｈ，ｂｒｓ）
ＭＳ（ｍ／ｚ）：２７２，２１６，１７２，１７０，５７
【０１１５】
実施例２：エチル ４−[ （ベンジルオキシカルボニル）アミノ] −２−シクロプロピル−３−オクソブチレート
エチル  ４−[ （ベンジルオキシカルボニル）アミノ] −３−オクソブチレート（５５８．６ｍｇ）および１，２−ジブロモエタン（１．１０ｇ）をアセトン（２０ｍｌ）に溶解した。室温にて、攪拌しながら炭酸カリウム（１．６６ｇ）を加え、反応液を９時間加熱還流した。溶媒を減圧留去し、残留物に水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和塩化アンモニウム水溶液、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル−トルエン＝１：３）に付し、粗生成物２２７．７ｍｇを得た。さらに、この粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル−ノルマルヘキサン＝１：３）に付し、標題化合物１８９．９ｍｇを無色油状物として得た。
【０１１６】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ：１．２９（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ），１．５８（４Ｈ，ｓ），４．２１（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．０Ｈｚ），４．５９（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．０Ｈｚ），５．１２（２Ｈ，ｓ），５．４６（１Ｈ，ｂｒｓ），７．４６〜７．３９（５Ｈ，ｍ）
ＭＳ（ｍ／ｚ）：３０６，２６２，９１
【０１１７】
実施例３：エチル ４−[ ベンジル（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）アミノ] −２−シクロプロピル−３−オクソブチレート
エチル  ４−[ ベンジル（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）アミノ] −３−オクソブチレート（１００．０ｍｇ）および１，２−ジブロモエタン（６９．８ｍｇ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（６ｍｌ）に溶解した。室温にて、攪拌しながら炭酸カリウム（９８．６ｍｇ）を加え、そのままの温度で１５時間３０分攪拌した。反応液に氷水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和塩化アンモニウム水溶液、水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル−トルエン＝１：３）に付し、粗生成物７５．２ｍｇを得た。さらに、この粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル−ノルマルヘキサン＝１：３）に付し、標題化合物５５．７ｍｇを無色油状物として得た。
【０１１８】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ：１．１９（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），１．３８〜１．６０（４Ｈ，ｍ），１．４６（９Ｈ，ｓ），４．１３（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），４．４０，４．４５（２Ｈ，ｓ×２），４．４８（２Ｈ，ｓ），７．２０〜７．３８（５Ｈ，ｍ）
【０１１９】
実施例４：エチル ４−[ ベンジル（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）アミノ] −２−シクロプロピル−３−オクソブチレート
エチル  ４−[ ベンジル（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）アミノ] −３−オクソブチレート（１００．０ｍｇ）および１，２−ジブロモエタン（１６７．５ｍｇ）をアセトン（６ｍｌ）に溶解した。室温にて、攪拌しながら炭酸カリウム（２４６．５ｍｇ）を加え、反応液を６時間加熱還流した。溶媒を減圧留去し、残留物に水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和塩化アンモニウム水溶液、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル−トルエン＝１：３）に付し、粗生成物８４．３ｍｇを得た。さらに、この粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル−ノルマルヘキサン＝１：３）に付し、標題化合物７５．８ｍｇを無色油状物として得た。ＮＭＲスペクトルは実施例３で得たものと一致した。
【０１２０】
実施例５：５−ｔ−ブトキシカルボニル−４，７−ジオキソ−５−アザスピロ［２．４］ヘプタン
エチル  ４−[ （ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）アミノ] −２−シクロプロピル−３−オクソブチレート（２００．０ｍｇ）をテトラヒドロフラン（３０ｍｌ）に溶解した。氷冷下攪拌しながら、６０％水素化ナトリウム（４３．８ｍｇ）を加え、そのままの温度で３時間攪拌した。反応液に水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル−ノルマルヘキサン＝１：３）に付し、標題化合物２３．４ｍｇを白色結晶として得た。
【０１２１】
融点  １０３〜１０５℃
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ：  １．５７（９Ｈ，ｓ），１．７５〜１．８７（４Ｈ，ｍ），４．２９（２Ｈ，ｓ）
元素分析値：  Ｃ11Ｈ15ＮＯ4 として
理論値（％）：  Ｃ  ５８．６６；  Ｈ  ６．７１；  Ｎ  ６．２２
分析値（％）：  Ｃ  ５８．３９；  Ｈ  ６．５８；  Ｎ  ６．０６
【０１２２】
実施例６：５−ｔ−ブトキシカルボニル−４，７−ジオキソ−５−アザスピロ［２．４］ヘプタン
アルゴン気流下、エチル  ４−[ （ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）アミノ] −２−シクロプロピル−３−オクソブチレート（１３７．１ｍｇ）をトルエン（１０．１ｍｌ）に溶解した。氷冷下攪拌しながら、１．０１Ｍトリメチルアルミニウムノルマルヘキサン溶液（１．１０ｍｌ）を加え、そのままの温度で２１時間攪拌した。反応液に１規定塩酸を加え、室温にて３０分間攪拌した後、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル−ノルマルヘキサン＝１：３）に付し、標題化合物４６．０ｍｇを白色結晶として得た。各種スペクトルデータは、実施例５で得たものと一致した。
【０１２３】
実施例７：５−ベンジルオキシカルボニル−４，７−ジオキソ−５−アザスピロ［２．４］ヘプタン
アルゴン気流下、エチル  ４−[ （ベンジルオキシカルボニル）アミノ] −２−シクロプロピル−３−オクソブチレート（２００．０ｍｇ）をトルエン（１３．１ｍｌ）に溶解した。氷冷下攪拌しながら、１．０１Ｍトリメチルアルミニウム  ノルマルヘキサン溶液（１．３０ｍｌ）を加え、そのままの温度で２１時間攪拌した。反応液に１規定塩酸を加え、室温にて３０分間攪拌した後、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル−ノルマルヘキサン＝１：３）に付し、標題化合物３５．７ｍｇを白色結晶として得た。
【０１２４】
融点  １２６〜１２８℃
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ：  １．７６〜１．８８（４Ｈ，ｍ），４．３５（２Ｈ，ｓ），５．３４（２Ｈ，ｓ），７．２８〜７．３６（５Ｈ，ｍ）
元素分析値：  Ｃ14Ｈ13ＮＯ4 として
理論値（％）：  Ｃ  ６４．８６；  Ｈ  ５．０５；  Ｎ  ５．４０
分析値（％）：  Ｃ  ６４．６６；  Ｈ  ５．０５；  Ｎ  ５．３７
【０１２５】
実施例８：エチル ４−ベンジルアミノ−２−シクロプロピル−３−オクソブチレート
アルゴン気流下、エチル  ４−[ （ベンジルオキシカルボニル）アミノ] −２−シクロプロピル−３−オクソブチレート（１３１．５ｍｇ）を塩化メチレン（１ｍｌ）に溶解した。氷冷下攪拌しながら、トリフルオロ酢酸（１．８２ｍｌ）を加えた。反応液を室温で１時間３０分攪拌した。反応液を留去し、残渣に１規定水酸化ナトリウム水溶液を加えた後、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去後、標題化合物８４．９ｍｇを無色油状物質として得た。本品は精製することなく、次の工程に用いた。
【０１２６】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ：  １．２４（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），１．５１（４Ｈ，ｓ），３．７７（２Ｈ，ｓ），４．０１（２Ｈ，ｓ），４．１６（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），７．２０〜７．４３（５Ｈ，ｍ）
【０１２７】
実施例９：５−ベンジル−４，７−ジオキソ−５−アザスピロ［２．４］ヘプタン
エチル  ４−ベンジルアミノ−２−シクロプロピル−３−オクソブチレートの粗体（８４．９ｍｇ）をトルエン（５ｍｌ）に溶解し、反応液を３０分間加熱還流した。反応液を留去後、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル−トルエン＝１：４）に付し、標題化合物５６．３ｍｇを白色結晶として得た。
【０１２８】
融点  ９２〜９４℃
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ：  １．６０〜１．７９（４Ｈ，ｍ），３．７９（２Ｈ，ｓ），４．６８（２Ｈ，ｓ），７．２６〜７．４２（５Ｈ，ｍ）
元素分析値：Ｃ13Ｈ13ＮＯ2 として
理論値（％）：Ｃ  ７２．５４；  Ｈ  ６．０９；  Ｎ  ６．５１
分析値（％）：Ｃ  ７２．４１；  Ｈ  ６．０３；  Ｎ  ６．４６
【０１２９】
参考例１：エチル ４−[ （ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）アミノ] −３−オクソブチレート
アルゴン気流下、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルグリシン３５０ｍｇをテトラヒドロフラン（１０ｍｌ）に溶解した。氷冷攪拌下、反応液に１，１’−カルボニルジイミダゾール（３５６．７ｍｇ）を加えた後、室温にて１時間攪拌した。−７８℃にてこの反応液に別途、酢酸エチル（０．７８ｍｌ）、１．６Ｍ  ｎ−ブチルリチウム  ノルマルヘキサン溶液（５ｍｌ）およびジイソプロピルアミン（１．１２ｍｌ）より調製したリチウムエノレートのテトラヒドロフラン溶液（１０ｍｌ）を滴下し、そのままの温度で１時間攪拌した。反応液に飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル−ノルマルヘキサン＝１：１）に付し、標題化合物１８５．６ｍｇを無色油状物として得た。
【０１３０】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ：１．２８（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），１．４５（９Ｈ，ｓ），３．４９（２Ｈ，ｓ），４．１３（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．０Ｈｚ），４．２１（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），５．３０  （１Ｈ，ｂｒｓ）
ＭＳ（ｍ／ｚ）：２４６，１９０，１４６，１４４，５７
【０１３１】
参考例２：エチル ４−[ （ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）アミノ] −３−オクソブチレート
アルゴン気流下、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルグリシン（１．７５ｇ）をテトラヒドロフラン（２０ｍｌ）に溶解した。氷冷攪拌下、反応液に１，１’−カルボニルジイミダゾール（１．９５ｇ）を加えた後、室温にて１時間攪拌した。この反応液を別途、カリウムマロン酸エチル（２．５５ｇ）および塩化マグネシウム（９２０ｍｇ）により調製したマグネシウムマロネートのテトラヒドロフラン懸濁液（１５ｍｌ）へ室温にて滴下し、そのままの温度で２０時間攪拌した。反応液に飽和硫酸水素カリウム水溶液を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル−ノルマルヘキサン＝１：１）に付し、標題化合物１．８６ｇを無色油状物として得た。各種スペクトルデータは参考例１で得られたものと一致した。
【０１３２】
参考例３：エチル ４−[ （ベンジルオキシカルボニル）アミノ] −３−オクソブチレート
アルゴン気流下、Ｎ−ベンジルオキシカルボニルグリシン（４１８．４ｍｇ）をテトラヒドロフラン（１０ｍｌ）に溶解した。氷冷攪拌下、反応液に１，１’−カルボニルジイミダゾール（３５６．７ｍｇ）を加えた後、室温にて１時間攪拌した。−７８℃にてこの反応液に別途、酢酸エチル（０．７８ｍｌ）、１．６Ｍ  ｎ−ブチルリチウム  ノルマルヘキサン溶液（５ｍｌ）およびジイソプロピルアミン（１．１２ｍｌ）より調製したリチウムエノレートのテトラヒドロフラン溶液（１０ｍｌ）を滴下し、そのままの温度で１時間攪拌した。反応液に飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル−ノルマルヘキサン＝１：１）に付し、標題化合物２１６ｍｇを無色油状物として得た。
【０１３３】
融点：２２〜２３℃
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ：１．２８（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），３．４８（２Ｈ，ｓ），４．２０（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），４．２２（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．０Ｈｚ），５．１２（２Ｈ，ｓ），５．４４  （１Ｈ，ｂｒｓ），７．３１〜７．３８（５Ｈ，ｍ）
【０１３４】
参考例４：エチル ４−[ （ベンジルオキシカルボニル）アミノ] −３−オクソブチレート
アルゴン気流下、Ｎ−ベンジルオキシカルボニルグリシン（２．０９ｇ）をテトラヒドロフラン（２０ｍｌ）に溶解した。氷冷攪拌下、反応液に１，１’−カルボニルジイミダゾール（１．９５ｇ）を加えた後、室温にて２時間攪拌した。この反応液を別途、カリウムマロン酸エチル（２．５５ｇ）および塩化マグネシウム（９２０ｍｇ）により調製したマグネシウムマロネートのテトラヒドロフラン懸濁液（１５ｍｌ）へ室温にて滴下し、そのままの温度で２０時間攪拌した。反応液に飽和硫酸水素カリウム水溶液を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル−ノルマルヘキサン＝１：１）に付し、標題化合物２．４２ｇを無色油状物として得た。各種スペクトルデータは参考例３で得られたものと一致した。
【０１３５】
参考例５：Ｎ−ベンジル−Ｎ−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）グリシン
ベンジルグリシン（６０６ｍｇ）をメタノール（６０ｍｌ）に溶解した。室温にて、反応液にトリエチルアミン（８．３６ｍｌ）およびジｔｅｒｔ−ブチルジカルボネート（１．３１ｇ）のテトラヒドロフラン溶液（１０ｍｌ）を加えた。そのままの温度で、反応液を２０時間攪拌した。反応液を留去後、残渣に飽和硫酸水素カリウム水溶液を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルム−メタノール＝２０：１）に付し、標準化合物１．０４ｇを白色結晶として得た。
【０１３６】
融点：１００〜１０２℃
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ：１．４８（９Ｈ，ｓ），３．８１，３．９７（２Ｈ，ｓ×２），４．５３（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．９Ｈｚ），７．２０〜７．３９（５Ｈ，ｍ），１０．５９（１Ｈ，ｂｒｓ）
【０１３７】
参考例６：エチル ４−［ベンジル（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）アミノ］−３−オクソブチレート
アルゴン気流下、Ｎ−ベンジル−Ｎ−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）グリシン（５００．０ｍｇ）をテトラヒドロフラン（５ｍｌ）に溶解した。氷冷攪拌下、反応液に１，１’−カルボニルジイミダゾール（４５８．９ｍｇ）を加えた後、室温にて２時間攪拌した。この反応液を別途、カリウムマロン酸エチル（４８１．１ｍｇ）および塩化マグネシウム（１７３．３ｍｇ）により調製したマグネシウムマロネートのテトラヒドロフラン懸濁液（７ｍｌ）へ室温にて滴下し、そのままの温度で１６時間攪拌した。反応液に飽和硫酸水素カリウム水溶液を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル−ノルマルヘキサン＝１：３）に付し、標題化合物５３０．８ｍｇを無色油状物として得た。
【０１３８】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ：１．２５（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），１．４６，１．４７（９Ｈ，ｓ×２），３．３４，３．４１（２Ｈ，ｓ×２），３．９３，４．０７（２Ｈ，ｓ×２），４．１６（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），４．４６，４．５１（２Ｈ，ｓ×２），７．２６〜７．３８（５Ｈ，ｍ）