(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上に設けられた第１の電極と、
前記第１の基板の上方及び前記第１の電極の端部の上に設けられた側面を有する第１の絶縁膜と、
前記第１の電極上に設けられ、前記第１の絶縁膜の側面に接する有機化合物膜と、
前記有機化合物膜上に設けられた第２の電極と、
前記第１の基板の周縁部の上方に設けられた第２の絶縁膜と、
前記第２の電極、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜を覆って設けられた保護膜と、
前記第２の絶縁膜の上方に設けられ、前記保護膜と接する第１の接着性を有する層と、
前記第１の接着性を有する層上に接して設けられた第２の基板と、
前記第１の基板の側面の一部及び当該一部に連続する下面の一部と、前記第１の接着性を有する層の一部と、前記第２の基板の側面の一部及び当該一部に連続する上面の一部に接して設けられた第２の接着性を有する層と、
前記第２の接着性を有する層と接して、前記第１の基板の側面の一部及び当該一部に連続する下面の一部と、前記第１の接着性を有する層の一部と、前記第２の基板の側面の一部及び当該一部に連続する上面の一部を覆うように設けられたコの字状の金属板と、を有し、
前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とは同一の材料からなることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
第１の基板上に設けられた第１の電極と、
前記第１の基板の上方及び前記第１の電極の端部の上に設けられた側面を有する第１の絶縁膜と、
前記第１の電極上に設けられ、前記第１の絶縁膜の側面に接する有機化合物膜と、
前記有機化合物膜上に設けられた第２の電極と、
前記第１の基板の周縁部の上方に設けられた第２の絶縁膜と、
前記第２の電極、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜を覆って設けられた保護膜と、
前記第２の絶縁膜及び前記第１の絶縁膜と重なって設けられた第２の基板と、
前記保護膜と前記第２の基板との間を満たすように設けられた第１の接着性を有する層と、
前記第１の基板の側面の一部及び当該一部に連続する下面の一部と、前記第１の接着性を有する層の一部と、前記第２の基板の側面の一部及び当該一部に連続する上面の一部に接して設けられた第２の接着性を有する層と、
前記第２の接着性を有する層と接して、前記第１の基板の側面の一部及び当該一部に連続する下面の一部と、前記第１の接着性を有する層の一部と、前記第２の基板の側面の一部及び当該一部に連続する上面の一部を覆うように設けられたコの字状の金属板と、を有し、
前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とは同一の材料からなることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
第１の基板上に設けられた第１の電極と、
前記第１の基板の上方及び前記第１の電極の端部を覆って設けられた側面を有する第１の絶縁膜と、
前記第１の電極上に設けられ、前記第１の絶縁膜の側面に接する有機化合物膜と、
前記有機化合物膜上に設けられた第２の電極と、
前記第１の基板の周縁部の上方に設けられた第２の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上及び前記第２の絶縁膜上にそれぞれ設けられた凸状の第３の絶縁膜と、
前記第２の電極、前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜を覆って設けられた保護膜と、
前記第２の絶縁膜の上方に設けられ、前記保護膜と接する第１の接着性を有する層と、
前記第１の接着性を有する層上に接して設けられた第２の基板と、
前記第１の基板の側面の一部及び当該一部に連続する下面の一部と、前記第１の接着性を有する層の一部と、前記第２の基板の側面の一部及び当該一部に連続する上面の一部に接して設けられた第２の接着性を有する層と、
前記第２の接着性を有する層と接して、前記第１の基板の側面の一部及び当該一部に連続する下面の一部と、前記第１の接着性を有する層の一部と、前記第２の基板の側面の一部及び当該一部に連続する上面の一部を覆うように設けられたコの字状の金属板と、を有することを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１または請求項３において、
前記第１の基板と前記第２の基板との間は不活性ガス又は窒素ガスで満たされていることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項３において、
前記第３の絶縁膜の厚さは、０．２μｍ以上１０μｍ以下であることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１の接着性を有する層は０．０５μｍ以上０．５μｍ以下の厚さであることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
第１の基板上に設けられた第１の電極と、
前記第１の基板の上方及び前記第１の電極の端部を覆って設けられた側面を有する第１の絶縁膜と、
前記第１の電極上に設けられ、前記第１の絶縁膜の側面に接する有機化合物膜と、
前記有機化合物膜上に設けられた第２の電極と、
前記第１の基板の周縁部の上方に設けられた第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜に沿って設けられた第３の絶縁膜と、
前記第２の電極、前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜を覆って設けられた保護膜と、
前記保護膜と接して設けられた第１の接着性を有する層と、
前記第１の接着性を有する層上に接して設けられた第２の基板と、
前記第１の基板の側面の一部及び当該一部に連続する下面の一部と、前記第１の接着性を有する層の一部と、前記第２の基板の側面の一部及び当該一部に連続する上面の一部に接して設けられた第２の接着性を有する層と、
前記第２の接着性を有する層と接して、前記第１の基板の側面の一部及び当該一部に連続する下面の一部と、前記第１の接着性を有する層の一部と、前記第２の基板の側面の一部及び当該一部に連続する上面の一部を覆うように設けられたコの字状の金属板と、を有し、
前記第３の絶縁膜は前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜との間にあり、前記第２の絶縁膜と前記第３の絶縁膜との間に乾燥剤が設けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記コの字状の金属板は前記表示装置に設けられた画素部及び前記画素部の背面とは重ならないことを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項７において、
前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜は同一の材料からなることを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記保護膜は外部入力端子と接していることを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記保護膜は、窒化珪素膜又はＤＬＣ膜からなることを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一項において、
前記第２の絶縁膜の幅は、１００μｍ以上５０００μｍ以下であることを特徴とする表示装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記第１の基板及び前記第２の基板はガラスからなる基板であることを特徴とする表示装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記第１の絶縁膜の厚さは、１．０μｍ以上１０μｍ以下であることを特徴とする表示装置。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一項において、
前記第２の絶縁膜の厚さは、１．０μｍ以上１０μｍ以下であることを特徴とする表示装置。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１５のいずれか一項において、
前記第１の絶縁膜はポリイミド樹脂膜、アクリル樹脂膜、又はポリアミド樹脂膜からなることを特徴とする表示装置。
【請求項１７】
第１の基板上に前記第１の電極を選択的に形成し、
前記第１の基板の上方に絶縁膜を成膜し、
前記絶縁膜をパターニングして、前記第１の電極の端部を覆う第１の絶縁膜と、前記第１の基板の周縁部の上方に設けられた第２の絶縁膜とを形成し、
前記第１の電極上に有機化合物膜を形成し、
前記有機化合物膜上に第２の電極を形成し、
前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜及び前記第２の電極を覆う保護膜を形成し、
前記第２の絶縁膜の上方に、前記保護膜と接して第１の接着性を有する層を形成し、
前記第１の基板と第２の基板とを前記第１の接着性を有する層により貼り合せ、
前記第１の基板の側面の一部及び当該一部に連続する下面の一部と、前記第１の接着性を有する層の一部と、前記第２の基板の側面の一部及び当該一部に連続する上面の一部に接して設けられる第２の接着性を有する層を介して、前記第１の基板の側面の一部及び当該一部に連続する下面の一部と、前記第１の接着性を有する層の一部と、前記第２の基板の側面の一部及び当該一部に連続する上面の一部を覆うようにコの字状の金属板を設けることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１８】
第１の基板上に前記第１の電極を選択的に形成し、
前記第１の基板の上方に絶縁膜を成膜し、
前記絶縁膜をパターニングして、前記第１の電極の端部を覆う第１の絶縁膜と、前記第１の基板の周縁部の上方に設けられた第２の絶縁膜とを形成し、
前記第１の電極上に有機化合物膜を形成し、
前記有機化合物膜上に第２の電極を形成し、
前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜及び前記第２の電極を覆う保護膜を形成し、
前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜及び前記第２の電極の上方に、前記保護膜と接して第１の接着性を有する層を形成し、
前記第１の基板と第２の基板とを前記第１の接着性を有する層により貼り合せ、
前記第１の基板の側面の一部及び当該一部に連続する下面の一部と、前記第１の接着性を有する層の一部と、前記第２の基板の側面の一部及び当該一部に連続する上面の一部に接して設けられる第２の接着性を有する層を介して、前記第１の基板の側面の一部及び当該一部に連続する下面の一部と、前記第１の接着性を有する層の一部と、前記第２の基板の側面の一部及び当該一部に連続する上面の一部を覆うようにコの字状の金属板を設け、
前記第１の接着性を有する層は前記保護膜と前記第２の基板との間を満たすことを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１９】
第１の基板上に前記第１の電極を選択的に形成し、
前記第１の基板の上方に絶縁膜を成膜し、
当該絶縁膜をパターニングして、前記第１の電極の端部上の第１の絶縁膜と、前記第１の基板の周縁部の上方に設けられた第２の絶縁膜とを形成し、
前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜上に絶縁膜を成膜し、
当該絶縁膜をパターニングして、前記第１の絶縁膜上及び前記第２の絶縁膜上にそれぞれ凸状の第３の絶縁膜を形成し、
前記第１の電極上に有機化合物膜を形成し、
前記有機化合物膜上に第２の電極を形成し、
前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜、前記第３の絶縁膜及び前記第２の電極を覆う保護膜を形成し、
前記第２の絶縁膜の上方に前記保護膜と接して第１の接着性を有する層を形成し、
前記第１の基板と第２の基板とを前記第１の接着性を有する層により貼り合せ、
前記第１の基板の側面の一部及び当該一部に連続する下面の一部と、前記第１の接着性を有する層の一部と、前記第２の基板の側面の一部及び当該一部に連続する上面の一部に接して設けられる第２の接着性を有する層を介して、前記第１の基板の側面の一部及び当該一部に連続する下面の一部と、前記第１の接着性を有する層の一部と、前記第２の基板の側面の一部及び当該一部に連続する上面の一部を覆うようにコの字状の金属板を設けることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項２０】
第１の基板上に前記第１の電極を選択的に形成し、
前記第１の基板の上方に絶縁膜を成膜し、
前記絶縁膜をパターニングして、前記第１の電極の端部を覆う第１の絶縁膜と、前記第１の基板の周縁部の上方に設けられた第２の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜との間に設けられた第３の絶縁膜とを形成し、
前記第１の電極上に有機化合物膜を形成し、
前記有機化合物膜上に第２の電極を形成し、
前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜、前記第３の電極及び前記第２の電極を覆う保護膜を形成し、
前記第２の絶縁膜と前記第３の絶縁膜との間に乾燥剤を充填し、
前記第２の絶縁膜上に第１の接着性を有する層を形成し、
前記第１の基板と第２の基板とを前記第１の接着性を有する層により貼り合せ、
前記第１の基板の側面の一部及び当該一部に連続する下面の一部と、前記第１の接着性を有する層の一部と、前記第２の基板の側面の一部及び当該一部に連続する上面の一部に接して設けられる第２の接着性を有する層を介して、前記第１の基板の側面の一部及び当該一部に連続する下面の一部と、前記第１の接着性を有する層の一部と、前記第２の基板の側面の一部及び当該一部に連続する上面の一部を覆うようにコの字状の金属板を設けることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項２１】
請求項１７乃至請求項２０のいずれか一項において、
前記コの字状の金属板は前記表示装置に設けられた画素部及び前記画素部の背面とは重ならないように形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項２２】
請求項１７、請求項１９及び請求項２０のいずれか一項において、
前記第１の基板と前記第２の基板とを不活性ガス又は窒素雰囲気下で貼り合せることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項２３】
請求項１７乃至請求項２２のいずれか一項において、
前記第２の絶縁膜の幅は１００μｍ以上５０００μｍ以下であることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項２４】
請求項１７乃至請求項２３のいずれか一項において、
前記第２の絶縁膜の厚さは１．０μｍ以上１０μｍ以下であることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項２５】
請求項１７乃至請求項２４のいずれか一項において、
前記第２の絶縁膜はポリイミド樹脂膜、アクリル樹脂膜、ポリアミド樹脂膜のうちいずれか一つからなることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項２６】
請求項１７乃至請求項２５のいずれか一項において、
前記第１の基板及び前記第２の基板をＣＯ２レーザーにより分断することを特徴とする表示装置の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機発光素子を用いた表示装置及びその作製方法に関し、さらに詳細には基板上に積層された有機発光素子を保護するための封止構造に関し、素子基板と封止基板とを近接して設けた構成の表示装置及びその作製方法に関する。
【０００２】
なお、本明細書において有機発光素子とは二つの電極の間に有機化合物膜を挟んで発光させる素子を示す。有機発光素子には、有機発光ダイオード（Organic Light Emitting Diode : OLED）を用いた発光素子が挙げられる。有機発光ダイオードとは、二つの電極の間に有機化合物膜が挟まれ、一方の電極から正孔が注入されるとともに、他方の電極から電子が注入されることにより、有機化合物膜内で電子と正孔とが結合して発光をする発光体である。
【０００３】
【従来の技術】
近年、有機発光素子を用いた表示装置が盛んに研究されている。有機発光素子を用いた表示装置は、従来のＣＲＴと比べ軽量化や薄型化が可能であり、様々な用途への応用が進められている。携帯電話や個人向け携帯型情報端末（Personal Digital Assistant : PDA）などは、インターネットに接続することが可能となり、映像表示で示される情報量が飛躍的に増え、表示装置にはカラー化や高精細化の要求が高まっている。
【０００４】
一方、こうした携帯型情報端末に搭載する表示装置は軽量化が重視される。例えば、携帯電話では７０ｇを切る製品が市場に出されている。軽量化の為には個々の電子部品、筐体、バッテリーなど使用する殆どの部品の見直しが図られている。しかし、さらなる軽量化を実現するためには、表示装置の軽量化も推進する必要がある。
【０００５】
有機発光素子で画素部を形成した表示装置は自発光型であり、液晶表示装置のようにバックライトなどの光源を必要としないので、軽量化や薄型化を実現する手段として有望視されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
有機発光素子は青色発色が可能であり、フルカラー表示の自発光型表示装置を実現させることが可能である。しかし、有機発光素子には種々の劣化現象が確認されており、実用化を妨げる課題として解決が急がれている。
【０００７】
例えば、ダークスポットは、画素部に現れる非発光の点欠陥であり、表示品位を著しく低下させるものとして問題視されている。ダークスポットは進行型の欠陥であり、水分が存在すれば、有機発光素子を動作させなくても増加すると言われている。ダークスポットの原因は、アルカリ金属、アルカリ土類金属を含有する陰極が水分や酸素に対して高い反応性を示すためと考えられている。
【０００８】
これゆえ、有機発光素子を用いた表示装置は有機発光素子に水分、酸素が浸入しないように、素子基板と封止基板とシール材とに囲まれた封止領域に乾燥剤を配置している。図１５の断面図に従来の有機発光素子を用いた表示装置を示す。有機発光素子３０７が設けられたガラスからなる素子基板３０１と、素子基板に対向して設けられた封止基板３０３とが、シール材３０２により貼り合わされており、有機発光素子が外気に曝されないようにしている。有機発光素子３０７上に厚さ１００ｎｍ〜５００ｎｍの緻密な保護膜３０８を設け、有機発光素子へと水分が浸入するのを防いでも良い。封止領域は乾燥空気により満たされている。素子基板と封止基板との間隔はシール材にフィラー、スペーサ等を混入して調節する。
【０００９】
封止基板はステンレスやアルミニウム等の金属からなり皿状に加工された中空領域を有し、中空領域に乾燥剤、フィルムシートが設けられている。乾燥剤３０４は吸湿性を有し、封止領域内に浸入した水分を吸湿して有機発光素子の劣化を防止する。有機発光素子が設けられた表示領域に乾燥剤が入り込むと表示性能を損なうため、ガス、水蒸気透過性を有するフィルムシート３０５が封止基板に接着され、乾燥剤を封止基板の窪みに閉じ込めている。フィルムシート３０５は厚さが１００〜３００μｍであり、フィルムシートが乾燥剤の重みによりたわむことを考慮するとフィルムシートと有機発光素子とが接触しないように接着された部分のフィルムシートと有機発光素子との間は５０μｍ〜２００μｍの間隙が必要となる。このため、封止基板の中空領域にフィルムシートを設けると中空領域は１５０μｍ〜５００μｍの深さが少なくとも必要になる。フィルムシート等を設けることで、素子基板と封止基板との間隔が広がり、表示装置の薄型化が困難になる。そこで、素子基板と封止基板との間隔が広がり、表示装置の薄型化が困難になる。そこで、素子基板と封止基板とを近接して設けることを可能とし、表示装置の薄型化を図った表示装置及びその作製方法を提供することが本発明の第１の目的である。
【００１０】
従来、封止基板に中空領域を設けて乾燥剤を配置するために加工が容易な金属材料からなる封止基板を用いる必要があった。しかし、金属性の基板を封止基板として設けた表示装置では、有機発光素子の発光が出射する基板はガラスからなる素子基板３０１に限られる。このため、素子基板にＴＦＴ（Thin  Film  Transistor；薄膜トランジスタ）素子を設けると、ＴＦＴ素子を通して素子基板の側から有機発光素子の発光が外部に取り出されるため、発光の輝度が低下してしまう。また、ガラスからなる素子基板を薄くするにつれ、耐衝撃性が低下して割れやすくなる。特に、金属からなる封止基板と、ガラスからなる素子基板とを貼り合わせたときは、熱膨張係数の違いから、急激な温度変化によって歪が生じ、素子基板に亀裂が生じてしまう。
【００１１】
そこで、有機発光素子の発光輝度を高め、明るく視認性の良い表示装置及びその作製方法を提供することが本発明の第２の目的である。さらに、急激な温度変化による破損を抑えた構成の表示装置及びその作製方法を提供することが本発明の第３の目的である。
【００１２】
また、表示装置の側面に配置されたシール材は有機樹脂材料からなり、無機系のガラス材料や金属材料に比べ透湿度が高い。例えば、６０℃で９０％の湿度で透湿度は１５ｇ／ｍ2・２４ｈｒ〜３０ｇ／ｍ2・２４ｈｒとなる。表示装置の前面からガラスからなる素子基板を通過して封止領域内に浸入する水分の量や、表示装置の背面から金属材料からなる封止基板を通過して封止領域内に浸入する水分の量は無視できるくらいに小さいが、表示装置の側面から透湿度の高いシール材を通過して封止領域内に浸入する水分は有機発光素子の劣化の原因となり対策が必要とされている。
【００１３】
シール材を通過する水蒸気の量は外気に曝されるシール材の面積とシール材の透湿度との積で決まるため、外気に曝されるシール材の面積は小さい方が望ましい、つまりシール材は薄い方が望ましい。しかし、シール材は封止基板と素子基板とを貼り合わせる機能だけでなく、封止基板と素子基板との間隔を制御する機能を併せ持つ。このため、素子基板と封止基板とが接触して素子基板に設けられた有機発光素子や有機発光素子に電流を流すトランジスタを破壊しないように、素子基板と封止基板との距離を考慮してシール材の厚さを決定する必要がある。
【００１４】
そこで、素子基板と封止基板とを接近して設けることを可能とし、素子装置の側面からシール材といった有機樹脂材料を通過して封止領域内に浸入する水分の量を低減し、有機発光素子の長寿命化を図り、信頼性を高めた表示装置及びその作製方法を提供することが本発明の第４の目的である。
【００１５】
また、シール材と外気との間にシール材に接するように緻密なガス、水蒸気透過性の低い保護膜を設けて表示装置の側面から浸入する水分の量を低減することが考えられる。しかし、素子基板と封止基板とをシール材を介して貼り合わせた後に、シール材の側面に真空装置を用いて保護膜を設けることは工程コストの増加を招き、低コストで製造が容易な有機発光素子の利点が薄れる。また、シール材は基板上にディスペンサ方式にて塗布された材料を圧力を加えながら硬化するため、硬化後のシール材の形状はシール材側面の基板間の厚み方向にも、シール材の側面の厚み方向と直交する幅方向にも、なだらかに蛇行したうねりを持つ。このようなシール材の側面に保護膜を成膜するのは困難であり、保護膜が成膜されない部分が生じてしまう。
【００１６】
このように、表示装置の側面に設けられたシール材から浸入する水分を低減することは困難である。そこで、有機発光素子を用いた表示装置において、表示装置の側面から侵入する水分の量を低減する必要性が大きく、本発明の第４の目的が重要になる。
【００１７】
本発明は、第１の目的〜第４の目的を適宜実現することにより、外気からの水分の浸入経路を低減し、かつ、素子基板（第１の基板）と封止基板（第２の基板）との間隔を均一に制御することを可能とするものである。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明の構成の一例として、素子基板にバンクを形成するさいに、バンクと同一工程にて、素子基板の周縁部に閉曲線状に絶縁膜を形成し、この絶縁膜上に接着材を形成し、接着材を用いて素子基板と封止基板とを貼り合せる。接着剤の厚さは０．０５μｍ以上０．５μｍ以下と薄く形成する。本発明の構成によれば、素子基板と封止基板とを近接して設けることが可能となり、表示装置の薄型化という第一の目的が達成される。
【００１９】
さらに、素子基板と封止基板とを透光性を有するガラスからなる基板で構成すれば、封止基板の側から有機発光素子の発光を取り出すこともできる。この場合、画素に占めるＴＦＴ素子の割合によらず、各画素の開口率が決まり、輝度の高い表示が可能となり、第２の目的が達成される。加えて、素子基板と封止基板との熱膨張係数が等しいため、急激な温度変化による破損が抑えられて本発明の第３の目的が達成される。
【００２０】
さらに、素子基板と封止基板とを接近して設けることができれば、素子基板と封止基板とを貼り合せる有機樹脂材料（接着剤）を通過する水分の量が低減し、有機発光素子の長寿命化が図られ、本発明の第４の目的が達成される。
【００２１】
また、素子基板と封止基板と近接して設けた場合に、素子基板に設けられた有機発光素子の保護や、トランジスタの保護が重要になる。また、所望とする耐用年数によっては、乾燥剤をどのように設けるかが重要になる。これについては、適宜に説明していく。
【００２２】
素子基板と封止基板との均一性を高める方法についても、適宜に説明していく。
【００２３】
本発明の一例を図１の断面図を用いて説明をする。図１は本発明の有機発光素子を用いた表示装置を示すものである。第１の基板１００はガラスからなる透光性の基板である。また、第１の基板上に画素部１２１のＴＦＴと、画素部の周辺に設ける駆動回路部１２０のＴＦＴとが形成されている。第１の基板上に無機材料からなる下地膜１１８〜１１９が設けられている。第１の基板上に設けられた画素部及び駆動回路部のＴＦＴは、半導体膜１１０、半導体膜を覆うゲート絶縁膜１１１、ゲート絶縁膜を挟んで半導体膜のチャネル領域の上方に設けられたゲート電極１１２〜１１３、ゲート電極、ゲート絶縁膜を覆う無機材料からなる第１の層間絶縁膜１１４、第１の層間膜上に設けられた有機材料からなる第２の層間絶縁膜１１５、同一の導電体層をパターニングして設けられたドレイン電極１１６、ソース電極１１７及び配線１２２からなる。配線１２２は一端が駆動回路部の半導体膜と接続しており他端が封止領域の外部に設けられた外部入力端子である。ＩＴＯ膜からなる第１の電極１０３を挟んでＦＰＣ（Flexible Print Circuit；フレキシブルプリント配線板）が外部入力端子に接続される。
【００２４】
第２の層間絶縁膜上に第１の電極１０３、有機化合物膜１０４及び第２の電極１０５の積層よりなる有機発光素子１０６が設けられている。第１の電極は陽極であり透光性を有する透明導電膜、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide；酸化インジウム錫）膜を用いることができる。第２の電極は陰極でありＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ等のアルカリ金属、アルカリ土類金属を含む金属薄膜を用いることができる。第１の電極の厚みにより第１の電極の端部で有機化合物膜が断線し、その断線箇所において第１の電極と第２の電極とが短絡することを防止するために、第１の電極の端部を覆ってバンクを設ける。バンクのなだらかに傾斜した側面に沿って有機化合物膜１０４を設け、さらに有機化合物膜上に第２の電極１０５を設けることで、第１の電極と第２の電極との短絡を防止することができる。本発明は、膜厚が１〜１０μｍの絶縁膜をパターニングして、バンクとなる第１の絶縁膜１０７と第１の基板の周縁部に設けられた第２の絶縁膜１０８とを形成する。
【００２５】
表示装置の側面からの水分の浸入や有機発光素子と水分との反応を抑えるために、保護膜１０９を第１の基板の最上層に第２の電極、第１の絶縁膜、第２の絶縁膜及び第２の層間絶縁膜を覆って形成する。有機発光素子上と第２の層間絶縁膜１１５の側面及び第２の絶縁膜１０８の側面にも同時に、保護膜が形成される、第２の層間絶縁膜１１５及び第２の絶縁膜１０８の側面が緻密で硬質な保護膜により外気と隔てられるため、表示装置の側面から水分が浸入し封止領域に入り込むことを防止できる。保護膜としては窒化珪素膜、ＤＬＣ（Diamond like Carbon）膜を用いると良い。ＤＬＣ膜は、非常に硬く絶縁性に優れており、水蒸気や酸素などのガス透過率を低くできるため保護膜として最適である。こうして、有機発光素子が形成された素子基板ができる。
【００２６】
素子基板の周縁部の上方に設けられた第２の絶縁膜の上方に、保護膜と接する接着剤１０２を設け素子基板と封止基板とを貼り合せる。封止基板は透光性の第２の基板１０１からなる。接着剤の厚さを０．０５μｍ以上０．５μｍ以下、好ましくは０．０５μｍ以上０．２μｍ以下に薄くする。接着剤下に積層された積層膜の膜厚と、画素部の第１の絶縁膜１０７が設けられた領域の積層膜の膜厚を等しくするように調節すれば、第１の基板と第２の基板との間隔を画素部や第１の基板の周縁部に渡って均一にすることができる。より望ましくは接着剤の厚さまで考慮して、第１の基板の周縁部において接着剤の厚さと接着剤下の積層膜の厚さとの和が画素部の第１の絶縁膜が設けられた領域の積層膜の膜厚の和や、駆動回路部に積層された膜厚の和と等しくなるように設計すれば、第１の基板と第２の基板との間隔を画素部や第１の基板の周縁部に渡ってより均一にすることができる。このためには、第２の層間絶縁膜やバンク、バンクと同一工程にて形成される絶縁膜のような積層膜において支配的な厚さを有するものを画素部、駆動回路部、第１の基板の周辺部に設ける必要がある。
【００２７】
接着剤の厚さを薄くすることで、外気から接着剤の側面を通過して封止領域内に入り込む水分の量を低減することができる。本発明の接着剤は接着性を有し、０．０５μｍ以上０．５μｍ以下、好ましくは０．０５μｍ以上０．２μｍ以下の厚さにできる性質があれば良いので従来のシール材の材料でも厚さが０．０５μｍ以上０．５μｍ以下好ましくは０．０５μｍ以上０．２μｍ以下にできるのであれば本発明の接着剤として用いることができる。
【００２８】
素子基板、封止基板及び接着剤１０２とに囲まれた封止領域は乾燥気体で満たされる。乾燥気体は窒素やアルゴン、ヘリウム等の不活性ガスが用いられる。乾燥気体にはわずかに水分が残留して残ってしまうが、接着剤を０．０５μｍ以上０．５μｍ以下、好ましくは０．０５μｍ以上０．２μｍ以下に薄くしているため、封止領域の体積つまり、封止領域内に充填される乾燥気体の体積は小さく、封止領域内で乾燥気体に残留する水分の量も少ない。
【００２９】
また、有機樹脂膜の透湿度は有機樹脂膜の幅が広いと低下する傾向があるため、表示装置の側面の保護膜と接して設けられた有機樹脂膜からなる第２の絶縁膜は接着剤１０２の下方だけでなく駆動回路部１２０まで覆うように設け、有機樹脂膜の幅を広くすることが好ましい。ただし、第２の絶縁膜の幅を広くして額縁の面積が増えると表示性能が悪くなるため、第２の絶縁膜の幅は１００μｍ〜５０００μｍが好ましい。第２の絶縁膜の幅はフォトマスクにより決定されるため、設計者が適宜設計することができる。
【００３０】
本発明によれば、簡便な工程でむらなく表示装置の側面に保護膜を設けることが可能となるため、表示装置の側面から浸入する水分の量が低減できる。表示装置の側面において外気に曝される有機樹脂材料は接着剤だが、接着剤は材料が許す限り薄くできるため、接着剤が外気に曝される面積を極力低減できる。
【００３１】
また、封止基板としてガラスからなる第２の基板を用いると、素子基板と封止基板との熱膨張係数を等しくすることができる。これにより、使用環境の温度が急激に変化しても、素子基板と封止基板との熱膨張係数が等しいため、温度変化に伴なう基板の亀裂の発生を防止できる。本発明は基板を薄型化し、基板の強度が低下したときに特に有効になる。勿論、素子基板と封止基板とが透光性を有するガラスからなる基板であるため、有機発光素子の第１の電極を透光性とし、第２の電極を光反射性とすれば素子基板の側から有機発光素子の発光を外部に取り出すことができるし、第１の電極を光反射性とし、第２の電極を透光性とすれば封止基板の側から有機発光素子の発光を外部に取り出すことが可能となる。素子基板と封止基板とどちらの基板から有機発光素子の発光を取り出すかは設計者が適宜決定すれば良い。
【００３２】
なお、図１の構造は、表示装置の側面と有機発光素子上に緻密な保護膜を設けることで発光素子の長寿命化を図ったものだが、以下に示す実施形態により有機発光素子の長期信頼性を種々の方法で確保することが可能となる。さらに、上記構成において乾燥剤を設ける方法も以下に説明する。また、以下に示す実施形態により有機発光素子の第１の基板と第２の基板との間隔の均一性を種々の方法で向上させることが可能となる。以下に示す実施形態を組み合わせても良い。以下、本発明を実施形態により詳細に説明する。
【００３３】
【発明の実施の形態】
[実施形態１]
本発明の実施の形態について図１を用いて説明する。図１で示すのは有機発光素子を用いたアクティブマトリクス方式の表示装置の断面図である。図１の表示装置の構成要素を積層される順序にしたがって説明をする。
【００３４】
第１の基板１００上には、ＴＦＴを用いて駆動回路部１２０と画素部１２１とが形成される。第１の基板はバリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、石英ガラスなどのガラスからなる基板を用いる。
【００３５】
絶縁性を有する下地膜１１８〜１１９上に駆動回路部のＴＦＴ及び画素部のＴＦＴが設けられる。下地膜１１８は酸化窒化珪素膜とし１０ｎｍ〜１００ｎｍの厚さで形成する。下地膜１１９は酸化窒化珪素膜とし２０ｎｍ〜２００ｎｍの厚さで形成する。本実施形態では、膜質が異なる酸化窒化珪素膜を積層し下地膜とする。
【００３６】
ＴＦＴは半導体膜１１０、ゲート絶縁膜１１１、ゲート電極１１２〜１１３、第１の層間絶縁膜１１４、第２の層間絶縁膜１１５、ドレイン電極１１６及びソース電極１１７からなる。半導体層は膜厚が１０〜１５０ｎｍの珪素膜を形成し、ゲート絶縁膜は膜厚が２０〜３００ｎｍの窒化膜を形成する。ゲート電極は膜厚が３０〜６０ｎｍの窒化タンタル膜と膜厚が３７０〜４００ｎｍのタングステン膜の積層膜を形成する。第１の層間絶縁膜は膜厚が５０ｎｍ〜１５０ｎｍの酸化珪素膜を形成し、第２の層間絶縁膜は膜厚が１〜３μｍのアクリル樹脂膜を形成する。ドレイン電極及びソース電極は膜厚が５０ｎｍ〜８００ｎｍのチタン膜と、膜厚が３５０〜４００ｎｍのアルミを主成分とし珪素が不純物元素として添加されたアルミ合金膜と、膜厚が１００ｎｍ〜１６００ｎｍのチタン膜とを積層形成する。ドレイン電極及びソース電極と同一の層で導電体膜１２３、配線１２２及び配線１２４が形成される。
【００３７】
陽極は、透光性を有する導電膜であるＩＴＯ（Indium Tin Oxide:酸化インジウム錫）膜からなる第１の電極１０３を形成する。第１の電極の厚さは１００ｎｍ〜２００ｎｍとすれば良い。
【００３８】
第１の電極の端部に一部が重なるようにアクリルやポリイミドなどの感光性の有機樹脂膜からなるバンクを形成する。バンクの膜厚は１〜１０μｍとする。感光性のアクリル樹脂膜をパターニングして、バンクとしてソース配線に沿ってストライプ状に第１の絶縁膜１０７を形成し、第１の基板の周縁部と駆動回路部とを覆って第２の絶縁膜１０８を形成する。
【００３９】
バンクのなだらかな傾斜面に沿ってストライプ状に有機化合物膜を形成することで、第１の電極の端部における有機化合物膜の断線を防止し、ひいては有機化合物膜の断線箇所に起因する第１の電極と第２の電極との短絡を防止する。有機化合物膜１０４は、電子輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層の順に積層されるが、電子輸送層／発光層／正孔輸送層、または電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層のような構造としても良い。本発明では公知のいずれの構造を用いても良い。
【００４０】
具体的な発光層としては、赤色に発光する発光層にはシアノポリフェニレン、緑色に発光する発光層にはポリフェニレンビニレン、青色に発光する発光層にはポリフェニレンビニレンまたはポリアルキルフェニレンを用いれば良い。発光層の厚さは３０〜１５０ｎｍとすれば良い。
【００４１】
上記の例は発光層として用いることのできる材料の一例であり、これに限定されるものではない。発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層を形成するための材料は、その可能な組合せにおいて自由に選択することができる。
【００４２】
第２の電極１０５は、仕事関数の小さいマグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）若しくはカルシウム（Ｃａ）を含む材料を陰極として用いる。好ましくはＭｇＡｇ（ＭｇとＡｇをＭｇ：Ａｇ＝１０：１で混合した材料）でなる電極を用いれば良い。他にもＭｇＡｇＡｌ電極、ＬｉＡｌ電極、また、ＬｉＦＡｌ電極が挙げられる。第２の電極はＭｇＡｇやＬｉＦなどの材料を用いて形成される。第２の電極の厚さは１００ｎｍ〜２００ｎｍとすれば良い。第２の電極はバンクとバンクとの間にストライプ状に設けられ、表示領域外で短絡した共通電極となる。
【００４３】
有機発光素子１０６は、第１の電極１０３、有機化合物膜１０４、第２の電極１０５の順に積層する。第１の電極は光反射性を有する陰極とし、第２の電極は透光性を有する陽極とし、有機発光素子から放射される発光を第１の基板１００の側へと出射させる構造とする。
【００４４】
保護膜１０９は、１００ｎｍ〜５００ｎｍの厚さのＤＬＣ膜を用いる。ＤＬＣ膜はプラズマＣＶＤ法、マイクロ波ＣＶＤ法、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）ＣＶＤ法、スパッタ法などで形成することができる。いずれの成膜方法を用いても、有機化合物膜を加熱しなくても、密着性良くＤＬＣ膜を形成することができる。ＤＬＣは基板をカソードに設置して成膜する。または、負のバイアスを印加して、イオン衝撃をある程度利用して緻密で硬質な膜を形成できる。成膜に用いる反応ガスは、炭化水素系のガス、例えばＣＨ4、Ｃ2Ｈ2、Ｃ6Ｈ6などを用い、グロー放電によりイオン化し、負の自己バイアスがかかったカソードにイオンを加速衝突させて成膜する。こうすることにより、緻密で平滑なＤＬＣ膜を得ることができる。基板を殆ど加熱することなしに成膜できるので、第１の基板の最終工程でＤＬＣ膜を形成することができる。ＤＬＣ膜は第２の電極、第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜を覆って設けられる。
【００４５】
接着剤１０２には、エポキシ系接着剤が用いられる。接着剤は紫外線硬化型樹脂を用いることも可能であるし、熱硬化型樹脂を用いることも可能である。有機発光素子の耐熱温度を考慮して材料を選択することが好ましい。接着剤は可能な限り薄くできることが望ましい。接着剤はチッソ社が販売しているＬＩＸＳＯＮＢＯＮＤ  ＬＸ‐０００１を用いることもできる。ＬＸ‐０００１は二液性のエポキシ樹脂である。第１の基板にＬＸ‐０００１を塗布後、第１の基板と第２の基板の周囲に圧力をかけながら１００℃で２時間硬化する。硬化後の接着剤は圧力や塗布量を調節し、０．２μｍ〜０．５μｍの厚さとすることができる。本実施形態では、第１の基板と第２の基板との間隔を下地膜１１８〜１１９、ゲート絶縁膜１１１、第１の層間絶縁膜１１４、第２の層間絶縁膜１１５、配線１２２若しくは導電体膜１２３、第２の絶縁膜１０８及び接着剤１０２の厚さで制御している。この積層構造において接着剤はギャップを制御する機能は必要とされず、基板を貼り合せる接着機能だけがあれば良いので可能な限り薄くして、表示装置の側面において有機樹脂材料からなる接着剤が外気に曝される面積を低減することが好ましい。
【００４６】
封止基板としてバリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、石英ガラスなどのガラスからなる第２の基板１０１を用いる。
【００４７】
図示してはいないが、表示領域外でストライプ状の第２の電極が短絡され共通電極となっている。そして、一点鎖線Ｂ−Ｂ’で示した部分において、配線１２４の一端と第２の電極１０５とが接する。配線１２４の他端は外部入力端子となる。
【００４８】
なお、接着剤の下方の導電体膜１２３は接着剤１０２下方の積層膜の膜厚を等しくし、接着剤により囲まれた領域において、第１の基板と第２の基板との間隔を均一にするために設けられる。導電体膜１２３は外部入力端子が設けられる部分を除き、有機樹脂膜からなる第２の層間絶縁膜の上面及び側面を覆うように設け、第２の層間絶縁膜の側面から水分が浸入することを防ぐ。
【００４９】
図示してはいないが、封止基板の表面をサンドブラスト法で削り、この削られた部分に接着剤で固めた乾燥剤を設けてもよい。
【００５０】
外部から第２の基板に圧力を加えても、有機発光素子１０６の有機化合物膜及び第２の電極は第１の絶縁膜１０７の側面に沿って設けられているため、有機発光素子を構成する積層膜が断線することはない。又、弾力性のある有機樹脂膜からなる第１の絶縁膜や第２の絶縁膜が画素部のＴＦＴ又は駆動回路部のＴＦＴ上に設けられているため、外部から第２の基板に圧力を加えても駆動回路部のＴＦＴ及び画素部のＴＦＴが損傷することはない。
【００５１】
鎖線Ａ−Ａ’は、画素部や第１の基板の周縁部の断面を示す。鎖線Ｂ−Ｂ’は、第２の電極１０５と外部入力端子と接続する配線１２４との接続構造を示す。鎖線Ｃ−Ｃ’は駆動回路部のＴＦＴと外部入力端子との接続構造を示す。
【００５２】
本実施形態の上面図を図６に示す。図６は本発明の有機発光素子を用いた表示装置の外観を示す。図６を鎖線Ａ−Ａ’、鎖線Ｂ−Ｂ’、鎖線Ｃ−Ｃ’で切断した断面が、図１の鎖線Ａ−Ａ’、鎖線Ｂ−Ｂ’、鎖線Ｃ−Ｃ’に対応する。図１と共通の要素は共通の符号で示している。
【００５３】
図６で示す上面図は、画素部１２１、駆動回路部、ＦＰＣ（フレキシブルプリント配線板：Flexible Printed Circuit）２００、ＦＰＣ２００を貼り付ける外部入力端子となる配線１２２及び配線１２４などが形成された第１の基板１００と、透光性の第２の基板１０１とが接着剤１０２を用いて貼り合わされている。
【００５４】
駆動回路部としては、画素部のゲート配線と接続して第１のゲート配線側駆動回路部１２０ａと第２のゲート配線側駆動回路部１２０ｂとが画素部のゲート配線の両端にそれぞれ設けられる。また、画素部のソース配線と接続してソース配線側駆動回路部１２０ｃが設けられる。
【００５５】
また、外部入力端子１２２にはＦＰＣが異方性導電性樹脂で貼り合わされている。バンクとなる第１の絶縁膜１０７はストライプ状に列方向に設けられている。第２の絶縁膜１０８は第１の基板の周縁部に閉曲線状に設けられ第１のゲート配線側駆動回路部１２０ａ、第２のゲート配線側駆動回路部１２０ｂ及びソース配線側駆動回路部１２０ｃを覆う。第２の電極１０５は共通電極であり、第１の絶縁膜に沿ってストライプ状に設けられ画素部の外部で短絡している。
【００５６】
以上のようにして作製される有機発光素子を用いた表示装置は各種電子機器の表示部として用いることができる。
【００５７】
[実施形態２]
本実施形態を図２の断面図を用いて説明をする。図２の断面図は本実施形態のアクティブマトリクス方式の有機発光素子の断面図を示す。本実施形態は、実施形態１で示した表示装置において、有機発光素子への水分の浸入を抑えるために、接着剤と断面がコの字状の金属板１２７とにより表示装置の周囲を覆った例を示す。
【００５８】
接着剤と金属板１２７とは図６の上面図を用いて説明すると、画素部１２１に金属板及び接着剤がかからないように配置する。外部入力端子１２２が形成され、ＦＰＣ２００が接着される部分は、第１の基板１００の側面と第２の基板１０１の側面とが５〜２０ｍｍ離れているため、この部分を除き第１の基板の端部と第２の基板の端部とが重なる領域の基板の周囲に接着剤と金属板とを設ける。
【００５９】
本実施形態では金属板をコの字状にしており、表示装置の外形前面において支配的な面積を占める画素部及び画素部の背面において、あえて金属板を設けていない。これは、表示装置の薄型化を図ったときにガラスからなる第１の基板１００及び第２の基板１０１の強度が低下し、金属板と第１の基板及び第２の基板との熱膨張係数の違いから使用環境の急激な温度変化によって、第１の基板及び第２の基板にクラックが入ることを抑えるため、第１の基板及び第２の基板と金属板とが重なる面積を制限しているのである。
【００６０】
本実施形態によれば第１の基板１００と第２の基板１０１とを貼り合せる第１の接着剤１２５と、コの字状の金属板と表示装置の側面との間に設けられた第２の接着剤１２６とを接して設けることにより外気の水蒸気が表示装置の側面から封止領域に浸入することを抑えられ、安価で簡便な方法で、画素部１２１に配置された有機発光素子への水分の浸入を防止することができる。
【００６１】
本実施例において、金属板１２７と表示装置の側面との間に設けられた第２の接着剤に乾燥剤を充填することも可能である。
【００６２】
[実施形態３]
本実施形態を図３の断面図を用いて説明をする。図３の断面図は本実施形態のアクティブマトリクス方式の有機発光素子の断面図を示す。実施形態１と異なる点を説明する。
【００６３】
下地膜、半導体膜、ゲート絶縁膜、ゲート電極、第１の層間絶縁膜の膜厚や材料は実施形態１と同じである。
【００６４】
本実施形態は有機樹脂膜からなる第２の層間絶縁膜１１５を２００〜３００℃で熱硬化し、レジストを第２の層間絶縁膜の上面に形成して、反応性ガスを用いてエッチングし、半導体膜１１０に達するコンタクトホールを形成した後にレジストを除去し、アルゴン又は窒素を反応性ガスとして第２の層間絶縁膜の表面をプラズマで処理をする。プラズマ放電分解によって反応性ガスが分子解離し励起分子、ラジカル、イオンが生じて第２の層間絶縁膜と反応する。これにより第２の層間絶縁膜の表面が改質され、第２の層間絶縁膜の表面が緻密化する。第２の層間絶縁膜はアクリル樹脂膜、ポリイミド樹脂膜、ポリアミド樹脂膜のうちいずれか一つを用いれば良い。本実施形態ではアクリル樹脂膜を用いる。
【００６５】
第２の層間絶縁膜１１５上に有機発光素子の陰極として第１の電極１０３を設ける。陰極はＭｇＡｇ又はＡｌＬｉ等の公知の材料を１００ｎｍ〜２００ｎｍの厚さで設けると良い。第２の層間絶縁膜の表面が緻密化しているため、第２の層間絶縁膜に含まれる不純物が有機発光素子の陰極である第１の電極１０３に拡散することが防止される。
【００６６】
次いで、第１の電極の端部と重なるように４００ｎｍの厚さでドレイン電極１１６が設けられる。ドレイン電極と同一の層からソース電極１１７、導電体膜１２３、配線１２２及び配線１２４が設けられる。
【００６７】
次いで、１〜１０μｍの膜厚で有機材料からなる絶縁膜を成膜、パターニングして第１の絶縁膜と第２の絶縁膜とを設ける。本実施形態では絶縁膜は膜厚が３μｍの感光性アクリル樹脂膜を用いる。バンクとして第１の電極の端部を覆ってストライプ状に有機樹脂からなる第１の絶縁膜１０７が設けられる。第１の基板の周縁部に第２の絶縁膜１０８が設けられる。第１の絶縁膜１０７及び第２の絶縁膜１０８はアルゴン又は窒素を反応性ガスとしてプラズマで処理をされ、表面に緻密な硬質の膜が形成される。
【００６８】
次いで、第１の電極上に有機化合物膜１０４が設けられる。有機化合物膜は公知の材料を用いれば良い。次いで、有機化合物膜上に陽極として透明導電膜からなる第２の電極１０５が設けられる。陽極はＩＴＯ膜を用いると良い。第１の電極、有機化合物膜及び第２の電極の積層により有機発光素子１０６が作製される。
【００６９】
次いで、膜厚が１００ｎｍのＤＬＣ膜が保護膜１０９として有機発光素子の第２の電極、第１の絶縁膜、第２の絶縁膜を覆って設けられる。
【００７０】
さらに、第１の基板と第２の基板との間隙を第１の接着剤１２９で満たすことにより外気の水分、酸素が表示装置の側面から有機発光素子へと浸入することを防ぐことができる。本実施形態で用いる第１の接着剤は有機発光素子の上方にも設けられるため、真空下で脱泡や脱水を充分にする必要がある。第１の基板上方に第１の接着剤を設け、第２の基板を第１の基板と対向して設け真空下で第１の基板及び第２の基板を挟むように圧力を加えて第１の接着剤を硬化する。下地膜から保護膜までの積層工程において、駆動回路部、画素部、第１の基板の周縁部に積層された膜の膜厚が場所によって微妙に異なっていたとしても、接着剤を積層膜上に設けることでこれらの膜厚の変化は接着剤により吸収される。
【００７１】
第１の接着剤には粒状の乾燥剤１２８を分散させる。第１の基板と第２の基板とのギャップむらの原因とならないように乾燥剤の粒径は直径が１．０μｍ以下好ましくは０．２μｍ以下より好ましくは０．１μｍ以下と細かく粉砕されたものを用いる。乾燥剤は酸化カルシウム、酸化バリウムなどを用いることができる。乾燥剤を有機発光素子に近接して設けるため、有機発光素子の近傍の水分濃度を下げ、表示装置の寿命を長くすることができる。
【００７２】
なお、封止基板（第２の基板）の側から有機発光素子の発光を取り出す場合は、酸化カルシウムに比べて、透明度の高い酸化バリウムを用いることが好ましい。
【００７３】
次いで、実施形態２と同様にコの字状の金属板１２７と表示装置の側面との間に第２の接着剤１３０を設け、表示装置の側面からの水分の浸入を抑える。実施形態２と異なる点は第２の接着剤１３０にも乾燥剤１２８が分散されていることである。外気に含まれる水分が素子基板と封止基板との間の封止領域内に浸入する前に、第２の接着剤１３０の内部に分散された吸湿性の乾燥剤により捕獲されるため、表示装置の長寿命化を図ることができる。例えば、有機発光素子の陰極が水分と反応してできるダークスポットの発生を抑えることができる。
【００７４】
本実施形態では第２の絶縁膜の表面に緻密な膜があるため、保護膜１０９を通過した水分が第２の絶縁膜１０８の側面を通過し、有機発光素子へと浸入することを抑えられる。
【００７５】
本実施形態は、透明導電膜からなる陽極が第２の基板の側にあり、光反射性を有する陰極が第１の基板の側にあるため、有機発光素子の発光をガラスからなる第２の基板１０１の側から出射させることができる。有機発光素子の発光が接着剤を通過して第２の基板から外部に取り出されるため、画素部における第１の基板と第２の基板との間隔を均一にしないと干渉縞となって見えてしまう。画素部と第１の基板の周縁部で基板間隔が異なると、周縁部から画素部にかけて徐々に基板の間隔が変わり、画素部において干渉縞が発生するため、画素部の基板間隔を均一にするためには第１の基板の周縁部の基板間隔と画素部の基板間隔とを等しくする必要がある。本発明によれば、第１の基板に積層された膜厚が画素部、駆動回路部、第１の基板の周縁部で微妙に異なっても、この積層膜の膜厚の変化は第１の接着剤により吸収され、第１の基板と第２の基板との間隔を第１の基板の周縁部、駆動回路部及び画素部に渡って均一にすることができる。
【００７６】
[実施形態４]
本実施形態を図４の断面図を用いて説明をする。図４の断面図は本実施形態のアクティブマトリクス方式の有機発光素子の断面図を示す。
【００７７】
下地膜、半導体膜、ゲート絶縁膜、ゲート電極、第１の層間絶縁膜、第２の層間絶縁膜の膜厚や材料は実施形態１と同じである。
【００７８】
第１の電極１０３の端部に重ねてドレイン電極１１６を設ける。次いで、２．０μｍの膜厚の感光性のポリイミド樹脂膜を成膜、パターニングして第１の絶縁膜と第２の絶縁膜とを設ける。バンクとして第１の電極の端部を覆ってストライプ状に有機樹脂からなる第１の絶縁膜１０７が設けられる。また、第１の基板の周縁部に第２の絶縁膜１０８が設けられる。
【００７９】
さらに、０．１〜１０μｍの厚さで感光性の有機樹脂膜を成膜、パターニングして、２００℃〜３００℃の温度で硬化してバンク（第１の絶縁膜）の上面にスペーサとして凸状の第３の絶縁膜１３４を形成する。感光性の有機樹脂膜はポリイミド樹脂膜、アクリル樹脂膜を用いることができるが、本実施形態ではアクリル樹脂膜を用いる。なお、本実施形態では第２の絶縁膜１０８の上面、例えば、駆動回路部１２０や第１の基板１００の周縁部にもスペーサを形成する。第１の基板の周縁部に設けるスペーサは閉曲線状にする。
【００８０】
次いで、第１の電極上に有機化合物膜１０４が設けられる。有機化合物膜は公知の材料を用いれば良い。次いで、有機化合物膜上に陽極として透明導電膜からなる第２の電極１０５が設けられる。陽極はＩＴＯ膜を用いると良い。
【００８１】
次いで、膜厚が８０ｎｍのＤＬＣ膜からなる保護膜１０９が有機発光素子の陽極、バンク、第２の絶縁膜及びスペーサを覆って設けられる。水分の浸入を防ぐ保護膜１０９がスペーサの側面に設けられているため、第１の基板の周縁部に閉曲線状のスペーサを複数設けると、表示装置の側面から浸入する水分が複数回に渡ってスペーサの側面に設けられた保護膜によりブロッキングされるため、表示装置の側面から浸入する水分の量を低減することができる。
【００８２】
次いで、接着剤１０２が第１の基板の周縁部に設けられる。第１の基板の周縁部に設けられた閉曲線状のスペーサと、この閉曲線状のスペーサの内側の閉曲線状のスペーサとの間隙が接着剤により満たされる。ガラスからなる第２の基板１０１が封止基板として使われ、接着剤により素子基板と貼り合わされる。
【００８３】
本実施形態は、透明導電膜からなる陽極が第２の基板の側にあり、光反射性を有する陰極が第１の基板の側にあるため、有機発光素子の発光をガラスからなる第２の基板１０１の側から出射させることができる。有機発光素子の発光を第２の基板の側から出射させるときは、第１の基板と第２の基板との間隔にむらがあると、干渉縞が生じ表示品質が損なわれる。しかし、本実施形態のようにスペーサを画素部、駆動回路部及び周辺部に配置することで第１の基板と第２の基板との間隔の均一性が高まり、表示品質のよい表示装置を作製することができる。
【００８４】
本実施形態の上面図を図７に示す。図７は本実施形態においてスペーサとなる凸状の第３の絶縁膜１３１の配置を示したものである。画素部１２１の第１の絶縁膜１０７上に断面が円状であるスペーサが画素部の水平方向及び垂直方向において均等な間隔で配置される。第１のゲート配線側駆動回路部１２０ａ、第２のゲート配線側駆動回路部１２０ｂ及びソース配線側駆動回路部１２０ｃの上方にある第２の絶縁膜１０８上に断面が円状であるスペーサが均等な間隔で配置される。第１の基板の周縁部において、第２の絶縁膜１０８上に閉曲線状にスペーサ１３１が配置される。図７では閉曲線状のスペーサが二重に形成されているが、三重、四重にすることも可能であり、設計者が適宜設計すれば良い。
【００８５】
図示はしてはいないが、封止基板又は素子基板の表面をサンドブラスト法を用いて削り、この削られた窪みの部分に乾燥剤を設けてもよい。乾燥剤を設てもよい。乾燥剤を固着させるために、窪みの部分に接着剤を入れることも可能である。乾燥剤が接着剤で固着され、乾燥剤の移動を防ぐことができる。
【００８６】
[実施形態５]
本実施形態を図５の断面図を用いて説明をする。図５の断面図は本実施形態のアクティブマトリクス方式の有機発光素子の断面図を示す。
【００８７】
本実施形態ではゲート絶縁膜１１１、第１の層間絶縁膜１１４、第２の層間絶縁膜１１５、絶縁膜をエッチングして開口部を形成する。開口部の深さは３〜１５μｍとすることが好ましい。保護膜１０９を第１の基板１００の最上層に設けた後、保護膜に覆われた開口部に乾燥剤１２８を分散させた第２の接着剤１３２を設ける。乾燥剤は酸化カルシウム、酸化バリウムを用いることができる。本実施形態では酸化バリウムを用いる。公知のディスペンサ方式にてシリンジに０．３〜１．０μｍの直径の粒状の乾燥剤が分散された第２の接着剤を充填する。シリンジの上端から所定値のガス圧力を加え、シリンジの下端の細いノズルから、接着剤と乾燥剤とを開口部に吐出する。なお、第２の接着剤は充分に脱泡及び脱水をして用いる。
【００８８】
次いで、第１の基板の周縁部に第１の接着剤１３１を公知のディスペンス方式にて塗布し、第１の基板と第２の基板１０１とを乾燥空気の下で貼り合わせる。乾燥空気としては窒素又は不活性ガスのアルゴンを用いる。
【００８９】
本実施形態では、絶縁膜である第２の層間絶縁膜や、第２の絶縁膜をパターニングすることで、乾燥剤を配置する領域を設けている。表示領域の側面から接着剤を通過した水分が有機発光素子に達する前に、吸湿性の乾燥剤１２８により捕獲されるため、水分と有機発光素子の陰極との反応に起因するダークスポットの発生や、陰極と有機化合物膜との剥がれを防止することができる。
【００９０】
なお、本実施形態では感光性の有機樹脂膜からなる絶縁膜をパターニングし、第１の絶縁膜（バンク）１０７、第１の基板の周縁部に設けられた第２の絶縁膜１０８及び第２の絶縁膜から分岐した第３の絶縁膜１３３とを同時に形成している。
【００９１】
本実施形態の上面図を図８に示す。感光性の有機樹脂膜からなる絶縁膜がパターニングされ、第１の絶縁膜、第２の絶縁膜及び第３の絶縁膜が形成される。第１の第１の基板１００上の画素部１２１にストライプ状に第１の絶縁膜１０７が形成され、第１の基板の周縁部に閉曲線状に第２の絶縁膜１０８が形成される。かつ、第２の絶縁膜は第１のゲート配線駆動回路部１２０ａ、第２のゲート配線駆動回路部１２０ｂ及びソース配線駆動回路部１２０ｃを覆うように設ける。第３の絶縁膜１３３は第２の絶縁膜から分岐しており、第３の絶縁膜と第２の絶縁膜との間の空隙に乾燥剤１２８が設けられる。接着剤にて乾燥剤が固着されるために、乾燥剤が移動することを防止できる。なお、図８の上面図を一点鎖線Ｄ−Ｄ'、一点鎖線Ｅ−Ｅ'、一点鎖線Ｆ−Ｆ'で切断した断面が図５に示される。図５と共通の要素は図８においても同じ符号で示す。
【００９２】
【実施例】
[実施例１]
本発明は有機発光素子を用いたあらゆる表示装置に適用することができる。図１０はその一例であり、ＴＦＴを用いて作製されるアクティブマトリクス型の表示装置の例を示す。実施例のＴＦＴはチャネル形成領域を形成する半導体膜の材質により、アモルファスシリコンＴＦＴやポリシリコンＴＦＴと区別されることがあるが、チャネル形成領域の移動度が十分に高ければ、本発明はそのどちらにも適用することができる。
【００９３】
駆動回路部４３７にｎチャネル型ＴＦＴ４３１とｐチャネル型ＴＦＴ４３２が形成され、画素部４３８にスイッチング用ＴＦＴ４３３、リセット用ＴＦＴ４３４、電流制御用ＴＦＴ４３６及び保持容量４３５が形成されている。
【００９４】
基板４０１は、石英やコーニング社の＃７０５９ガラスや＃１７３７ガラスなどに代表されるバリウムホウケイ酸ガラス、またはアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラスから成る基板を用いる。
【００９５】
次いで、酸化珪素膜、窒化珪素膜または酸化窒化珪素膜などの絶縁膜から成る下地膜４０２が設けられる。例えば、プラズマＣＶＤ法でＳｉＨ4、ＮＨ3、Ｎ2Ｏから作製される酸化窒化珪素膜４０２ａを１０〜２００nm（好ましくは５０〜１００nm）形成し、同様にＳｉＨ4、Ｎ2Ｏから作製される酸化窒化珪素膜４０２ｂを５０〜２００ｎｍ（好ましくは１００〜１５０nm）の厚さに積層形成する。本実施例では下地膜４０２を２層構造として示したが、前記絶縁膜の単層膜または２層以上積層させた構造として形成しても良い。
【００９６】
次いで、島状半導体層４０３〜４０７、ゲート絶縁膜４０８、ゲート電極４０９〜４１２を形成する。島状半導体膜４０３〜４０７は厚さを１０〜１５０ｎｍ、ゲート絶縁膜は厚さを５０〜２００ｎｍ、ゲート電極は厚さを５０〜８００ｎｍとする。
【００９７】
次いで、窒化珪素、酸化窒化珪素などで形成される無機材料からなる絶縁膜と、アクリルまたはポリイミドなどで形成される有機材料からなる絶縁膜とから成る層間絶縁膜４１３を形成する。層間絶縁膜の厚さは１〜３μｍとすると良い。有機材料からなる絶縁膜は島状半導体膜４０３〜４０７、ゲート電極４０９〜４１２に起因する凹凸を平坦化するに充分な厚さとすることが望ましい。
【００９８】
次いで、有機発光素子の陰極４２３を形成する。陰極はＭｇＡｇやＬｉＦなどの材料を用いると良い。陰極の厚さは１００ｎｍ〜２００ｎｍとすると良い。
【００９９】
次いで、１〜５μｍの厚さでアルミニウムを主成分とする導電性を有する膜を形成し、エッチングを行う。これにより、画素部においては、データ配線４１８、ドレイン側の配線４１９、電源供給配線４２０、ドレイン側の電極４２１を形成する。データ配線４１８はスイッチング用ＴＦＴ４３３のソース側に接続し、スイッチング用のＴＦＴ４３３のドレイン側に接続したドレイン側の配線４１９は図示はしていないが、電流制御用ＴＦＴ４３６のゲート電極４１１と接続し、電流制御用ＴＦＴ４３６のソース側と電源供給配線４２０が接続し、電流制御用ＴＦＴ４３６のドレイン側と陰極とを接続するためにドレイン側の電極４２１が設けられている。駆動回路部４３７は、配線４１４及び配線４１６がｎチャネル型ＴＦＴ４３１の島状半導体膜４０３と接続され、配線４１５及び配線４１７がｐチャネル型ＴＦＴ４３２の島状半導体膜４０４と接続されている。
【０１００】
次いで、１〜１０μｍの厚さで感光性アクリル樹脂膜を形成し、エッチングを行う。これにより画素部においてはこれら配線を覆うように第１の絶縁膜からなるバンクが形成される。バンクは、陰極４２３の端部を覆うように形成され、この部分で陰極と陽極とがショートすることを防ぐ。駆動回路部と基板の周縁部に第２の絶縁膜４２９が形成される。
【０１０１】
次いで、アクリル樹脂膜等の有機樹脂膜をパターニングすることによって基板間隔を保持するための柱状のスペーサ４３０を所望の位置に形成する。本実施例では１μｍの高さの柱状のスペーサを画素部に設ける。
【０１０２】
次いで、有機発光素子の有機化合物膜４２４を形成する。有機化合物膜は、単層又は積層構造で用いられるが、積層構造で用いた方が発光効率は良い。一般的には陽極上に正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層の順に形成されるが、正孔輸送層／発光層／電子輸送層、または正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層のような構造でも良い。本発明では公知のいずれの構造を用いても良い。
【０１０３】
なお、本実施例ではＲＧＢに対応した三種類の発光層を蒸着する方式でカラー表示を行う。具体的な発光層としては、赤色に発光する発光層にはシアノポリフェニレン、緑色に発光する発光層にはポリフェニレンビニレン、青色に発光する発光層にはポリフェニレンビニレンまたはポリアルキルフェニレンを用いれば良い。発光層の厚さは３０〜１５０ｎｍとすれば良い。上記の例は発光層として用いることのできる有機化合物の一例であり、これに限定されるものではない。
【０１０４】
なお、本実施例で示す有機化合物膜は、発光層とＰＥＤＯＴ（ポリチオフェン）またはＰＡｎｉ（ポリアニリン）から成る正孔注入層を積層した構造とする。
【０１０５】
次いで、ＩＴＯ（酸化インジウム・スズ）で形成される陽極４２５を形成する。以上により、ＭｇＡｇやＬｉＦなどの材料を用いて形成される陰極、発光層と正孔輸送層とを積層した有機化合物膜、ＩＴＯ（酸化インジウム・スズ）で形成される陽極とからなる有機発光素子が設けられる。なお、陽極に透明電極を用いることで、図１０において矢印で示す方向に光を放射させることができる。
【０１０６】
第１の基板の全域にＤＬＣ膜４３９が形成されシール部分から水蒸気や酸素などが浸入し、有機発光素子が劣化することを防いでいる。外部入力端子を省く全面にＤＬＣ膜を形成する。ＤＬＣ膜を成膜するとき、外部入力端子はマスキングテープやシャドーマスクを用いて、予め被覆しておけば良い。
【０１０７】
第２の絶縁膜４２９上に接着剤を塗布し透光性の第２の基板を真空下で貼り合せる。接着剤の厚さは画素部に設けられた柱状スペーサ４３０により決定されるため、画素部から基板周縁部に渡って、基板と封止基板との間隔が均一になるように調節される。
【０１０８】
図９は図１０の断面図に示した画素部の上面図を示し、図１０と共通する要素は同じ符号を用いて示している。また、図９において、一点鎖線Ｇ−Ｇ'及び一点鎖線Ｈ−Ｈ'線に対応する断面が図１０において示されている。なお、点線で囲まれた領域の外側にバンクが設けられている。また、点線で囲まれた領域の内側にＲＧＢの画素に対応した発光色を発光する発光層と、陽極とが設けられる。
【０１０９】
図１１ではこのような画素部の等価回路を示し、図１０と共通する要素は同じ符号を用いて示している。スイッチング用ＴＦＴ４３３をマルチゲート構造とし、電流制御用ＴＦＴ４３６にはゲート電極とオーバーラップするＬＤＤを設けている。ポリシリコンを用いたＴＦＴは、高い動作速度を示すが故にホットキャリア注入などの劣化も起こりやすい。そのため、画素内において機能に応じて構造の異なるＴＦＴ（オフ電流の十分に低いスイッチング用ＴＦＴと、ホットキャリア注入に強い電流制御用ＴＦＴ）を形成することは、高い信頼性を有し、且つ、良好な画像表示が可能な（動作性能の高い）表示装置を作製する上で非常に有効である。
【０１１０】
また、スイッチング用ＴＦＴ４３３が、導通状態から非導通状態へと変わった後も、電流制御用ＴＦＴ４３６を導通状態に維持し、有機発光素子の発光を維持させ、輝度の高い表示を得るために保持容量（コンデンサー）４３５を設けることが有効である。
【０１１１】
さらに、有機発光素子４２６の発光の時間幅を変えて階調表示をする時分割階調方式にあっては、リセット用ＴＦＴ４３４を導通状態にして、有機発光素子を発光の状態から非発光の状態へと変え、有機発光素子の発光の時間幅を制御するとよい。
【０１１２】
なお、本実施例において０．２μｍ〜０．５μｍの粒状の乾燥剤を接着剤に分散させることも可能である。これにより表示装置の側面から浸入する水分の量を低減することができる。
【０１１３】
[実施例２]
本実施例では、単位パネルの面積を多数合わせた面積に相当する母基板（マザーガラス）を貼り合わせ、一つ一つのパネルに分断するさいに、分断の手段としてＣＯ2レーザーを用いる例を示す。
【０１１４】
ＣＯ2レーザーは、二酸化炭素を反応媒質とするレーザーであり、二酸化炭素を励起状態にして反転分布状態にして動作させる。赤外線領域の波長（１０．６ｎｍ）の光を発振するため、レーザー光が照射される対象物を加熱することができる。
【０１１５】
図１４の斜視図を用いてＣＯ2レーザーを用いたガラス基板の切断方法を説明する。図１４は貼り合せたガラス基板５０１〜５０２のうち、レーザーが照射されるガラス基板５０１を分断する方法を示す斜視図である。矢印の方向に移動するガラス基板５０１に対してレーザー照射を行う光学系５０４により長円のレーザービームスポットが照射され、そのビームスポット５０３後方の部位（冷却部位５０６）に対して、ノズル５０７によって冷媒が吹き付けられる。このように、レーザー照射により過熱された部位が次に急速に冷却されることにより、ガラス基板の内部に熱歪みが生じて、ガラス基板５０１がレーザー照射ライン５０５に沿って分断される。
【０１１６】
ＣＯ2レーザーを用いたガラス基板の切断をする装置としては、三星ダイヤモンド工業社製のレーザースクライバーを用いることができる。切断される母基板は二枚を同時に切断しても良いし、母基板を一枚ずつ切断しても良い。二枚を同時に切断する方が、工程のタクトが向上し生産性の増加につながるため好ましい。
【０１１７】
ＣＯ2レーザーをガラス基板面に照射して切断することで、ガラス基板の切断屑の発生が抑制され、不良の発生を防止できる。また、ＣＯ2レーザーを用いた基板の分断方式はレーザー照射と冷却媒質の噴射を併用しており基板にかかる衝撃が小さい。このため、薄型の母基板を用いても、高い歩留まりでガラス基板を切断することが可能となる。
【０１１８】
[実施例３]
本発明を実施して形成された発光装置は様々な電気器具に内蔵され、画素部は映像表示部として用いられる。本発明の電子装置としては、携帯電話、ＰＤＡ、電子書籍、ビデオカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、記録媒体を備えた画像再生装置、例えばＤＶＤ（Digital Versatile Disc）プレーヤー、デジタルカメラ、などが挙げられる。それら電子装置の具体例を図１２、図１３に示す。
【０１１９】
図１２（Ａ）は携帯電話であり、表示用パネル９００１、操作用パネル９００２、接続部９００３から成り、表示用パネル９００１には表示装置９００４、音声出力部９００５、アンテナ９００９などが設けられている。操作パネル９００２には操作キー９００６、電源スイッチ９００７、音声入力部９００８などが設けられている。本発明は表示装置９００４に適用することができる。
【０１２０】
図１２（Ｂ）はモバイルコンピュータ或いは携帯型情報端末であり、本体９２０１、カメラ部９２０２、受像部９２０３、操作スイッチ９２０４、表示装置９２０５で構成されている。本発明は表示装置９２０５に適用することができる。このような電子装置には、３インチから５インチクラスの表示装置が用いられるが、本発明の表示装置を用いることにより、携帯型情報端末の軽量化を図ることができる。
【０１２１】
図１２（Ｃ）は携帯書籍であり、本体９３０１、表示装置９２０２〜９３０３、記憶媒体９３０４、操作スイッチ９３０５、アンテナ９３０６から構成されており、ミニディスク（ＭＤ）やＤＶＤに記憶されたデータや、アンテナで受信したデータを表示するものである。本発明は表示装置９３０２〜９３０３に用いることができる。携帯書籍は、４インチから１２インチクラスの表示装置が用いられるが、本発明の表示装置を用いることにより、携帯書籍の軽量化と薄型化を図ることができる。
【０１２２】
図１２（Ｄ）はビデオカメラであり、本体９４０１、表示装置９４０２、音声入力部９４０３、操作スイッチ９４０４、バッテリー９４０５、受像部９４０６などで構成されている。本発明は表示装置９４０２に適用することができる。
【０１２３】
図１３（Ａ）はパーソナルコンピュータであり、本体９６０１、画像入力部９６０２、表示装置９６０３、キーボード９６０４で構成される。本発明は表示装置９６０３に適用することができる。
【０１２４】
図１３（Ｂ）はプログラムを記録した記録媒体（以下、記録媒体と呼ぶ）を用いるプレーヤーであり、本体９７０１、表示装置９７０２、スピーカ部９７０３、記録媒体９７０４、操作スイッチ９７０５で構成される。なお、この装置は記録媒体としてＤＶＤ（Digital Versatile Disc）、ＣＤ等を用い、音楽鑑賞や映画鑑賞やゲームやインターネットを行うことができる。本発明は表示装置９７０２に適用することができる。
【０１２５】
図１３（Ｃ）はデジタルカメラであり、本体９８０１、表示装置９８０２、接眼部９８０３、操作スイッチ９８０４、受像部（図示しない）で構成される。本発明は表示装置９８０２に適用することができる。
【０１２６】
本発明の表示装置は図１２（Ａ）の携帯電話、図１２（Ｂ）のモバイルコンピュータ或いは携帯型情報端末、図１２（Ｃ）の携帯書籍、図１３（Ａ）のパーソナルコンピュータに用い、スタンバイモードにおいて黒色の背景を表示することで機器の消費電力を抑えることができる。
【０１２７】
また、図１２（Ａ）で示す携帯電話操作において、操作キーを使用している時に輝度を下げ、操作スイッチの使用が終わったら輝度を上げることで低消費電力化することができる。また、着信した時に表示装置の輝度を上げ、通話中は輝度を下げることによっても低消費電力化することができる。また、継続的に使用している場合に、リセットしない限り時間制御で表示がオフになるような機能を持たせることで低消費電力化を図ることもできる。なお、これらはマニュアル制御であっても良い。
【０１２８】
ここでは図示しなかったが、本発明はその他にもナビゲーションシステムをはじめ冷蔵庫、洗濯機、電子レンジ、固定電話機、ファクシミリなどに組み込む表示装置としても適用することも可能である。このように本発明の適用範囲はきわめて広く、さまざまな製品に適用することができる。
【０１２９】
【発明の効果】
素子基板と封止基板とを近接して設けることができるため、表示装置の側面から侵入する水分の量を低減できる。
【０１３０】
また、有機発光素子が設けられた第１の基板において、第１の基板の周縁部、画素部及び駆動回路部に積層される膜厚を等しくし、第１の基板の周縁部に限りなく薄く接着剤を設け第２の基板を接着することで、第１の基板と第２の基板との間隔を第１の基板の周縁部、画素部及び駆動回路部に渡って均一にすることができる。より望ましくは第１の基板の周縁部に設けられる接着剤の厚さだけ、第１の基板の周縁部に積層される積層膜の膜厚を薄くすれば、第１の基板の周縁部、画素部及び駆動回路部に渡って第１の基板と第２の基板との間隔を均一にすることができる。このためには、少なくとも、画素部に積層される積層膜のうち、支配的な厚さを有する第２の層間絶縁膜やバンクと同一層から形成される第２の絶縁膜を接着剤の下方に形成することが推奨される。
【０１３１】
また、有機発光素子の保護膜が第１の基板の周縁部の積層膜の側面にも設けられるため、表示装置の側面からの水分の浸入を防ぐことが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】    実施形態１の有機発光素子を用いた表示装置の断面図。
【図２】    実施形態２の有機発光素子を用いた表示装置の断面図。
【図３】    実施形態３の有機発光素子を用いた表示装置の断面図。
【図４】    実施形態４の有機発光素子を用いた表示装置の断面図。
【図５】    実施形態５の有機発光素子を用いた表示装置の断面図。
【図６】    実施形態１の有機発光素子を用いた表示装置の外観を示す上面図。
【図７】    実施形態４の有機発光素子を用いた表示装置の外観を示す上面図。
【図８】    実施形態５の有機発光素子を用いた表示装置の外観を示す上面図。
【図９】    実施例１の画素部の上面図。
【図１０】  実施例１のアクティブマトリクス基板の断面図。
【図１１】  実施例１の画素部の等価回路。
【図１２】  実施例３の電子装置の一例を説明する斜視図。
【図１３】  実施例３の電子装置の一例を説明する斜視図。
【図１４】  実施例２のＣＯ2レーザーを用いたガラス基板の切断方法を示す斜視図。
【図１５】  従来の有機発光素子を用いた表示装置の断面図。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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