(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板に対して電子部品を接合する接合工程と、
上記第１の基板よりも大きい面積でなる第２の基板上に、上記電子部品に対する収容空間が設けられた板状プリプレグを積層するプリプレグ積層工程と、
上記電子部品が接合された第１の基板を、該電子部品が上記収容空間に収容されるように上記板状プリプレグに積層する基板積層工程と、
上記板状プリプレグを加熱する加熱工程と
を具えることを特徴とする多層基板製造方法。
【請求項２】
上記プリプレグ積層工程では、
上記第２の基板に対して、高さ調整用の板状プリプレグ及び上記電子部品に対する収容空間が設けられた板状プリプレグを順次積層し、
上記加熱工程では、
上記高さ調整用の板状プリプレグ及び上記電子部品に対する収容空間が設けられた板状プリプレグを加熱する
ことを特徴とする請求項１に記載の多層基板製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は多層基板製造方法に関し、例えば２枚の基板を積層して多層基板を製造する多層基板製造方法に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、多層基板製造方法においては、製造用のサイズでなる製造用基板上に、当該製造用基板とほぼ同サイズ及び同材質の積層用基板を積層し、当該製造用基板及び積層用基板の一面に対してほぼ垂直にスルーホールを貫通形成して層間接続することにより、多層基板を製造するようになされている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、かかる多層基板製造方法においては、互いに同サイズ及び同材質の製造用基板及び積層用基板を用いているものの、製造用基板及び積層用基板の一面に対する配線占有率が異なるので、製造工程中の熱処理や冷却処理によって製造用基板の有機材料における収縮量と、積層用基板の有機材料における収縮量とが大幅に相違することになる。
【０００４】
従って多層基板製造方法においては、製造用基板及び積層用基板の一面に対してほぼ垂直にスルーホールを貫通形成した場合であっても、当該製造用基板及び積層用基板に本来形成されるべきスルーホールの形成位置が収縮量の相違によって大幅にずれてしまっているので、電気的接続が十分に行えず、電気的耐性が弱いという問題があった。
【０００５】
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、従来に比して簡易な方法で電気的耐性の強い多層基板を製造し得る多層基板製造方法を提案しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
かかる課題を解決するため本発明は、第１の基板に対して電子部品を接合する接合工程と、第１の基板よりも大きい面積でなる第２の基板上に、電子部品に対する収容空間が設けられた板状プリプレグを積層するプリプレグ積層工程と、電子部品が接合された第１の基板を、該電子部品が収容空間に収容されるように第２の板状プリプレグに積層する基板積層工程と、板状プリプレグを加熱する加熱工程とをもつ多層基板製造方法を採用した。
【０００７】
従ってこの多層基板製造方法では、加熱工程での加熱により第１の基板及び第２の基板が収縮しても、第２の基板に対する第１の基板の位置ずれが、第１の基板の収縮量の範囲内に収まるようにすることが可能となるため、当該位置ずれに起因する、第１の基板及び第２の基板の電気的耐性の低下を抑えることができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下図面について、本発明の一実施の形態を詳述する。
【０００９】
本発明においては、完成品である多層基板５１〜５３（図５）を製造するための多層基板製造方法について、図１〜図５を用いて説明する。
【００１０】
第１段階（図１（Ａ）上段）として、多層基板製造装置（図示せず）は、基板製造用のワークシートサイズ（面積）でなるガラスエポキシ材質の両面銅張板１ａをほぼ１／３以下の面積を有する３枚の基板に切り分けた後、当該切り分けた３枚の基板の一面２Ａ、３Ａ及び４Ａに対してエッチングレジスト処理及び湿式エッチング処理を順次施して１本の配線パターンでなる配線wir1、wir2及びwir3を形成することにより、積層用基板２、３及び４を作製する。
【００１１】
一方、多層基板製造装置は、両面銅張板１ａと同サイズ同材質の両面銅張板１ｂ（図１（Ａ）下段）の一面５Ａに対して、当該両面銅張板１ａから積層用基板２、３及び４を作製した際の配線wir1、wir2及びwir3と対応する位置に上述と同様の処理を施して配線Ｗ１、Ｗ２及びＷ３を形成することにより、製造用基板５を作製する。
【００１２】
これにより多層基板製造装置は、製造用基板５の一面５Ａにおける面積のほぼ１／３以下の面積を有する積層用基板２、３及び４を選定すると共に、製造用基板５の配線Ｗ１、Ｗ２及びＷ３を互いに所定間隔離した状態で形成し得るようになされている。
【００１３】
なお積層用基板２、３及び４を製造用基板５の一面５Ａにおける面積のほぼ１／３以下の面積に選定した理由については後述する。
【００１４】
また、多層基板製造装置は、製造用基板５の配線Ｗ１、Ｗ２及びＷ３に対して端子めっき処理を行うことにより、当該製造用基板５に対して積層用基板２、３及び４を積層した後に行うマスキング処理等の追加工程を省略し得るようになされている。
【００１５】
第２段階（図１（Ｂ）上段）として、多層基板製造装置は、半導体メモリ等でなるベアチップ１１ａの回路形成面における所定位置へ形成したスタットバンプ１２ａと、積層用基板２の一面２Ａに形成した内周側の配線wir1とを異方性導電膜１３ａを介して接合（いわゆるフリップチップ実装）する。
【００１６】
同様に多層基板製造装置は、ベアチップ１１ｂ及び１１ｃの回路形成面における所定位置へ形成したスタットバンプ１２ｂ及び１２ｃと、積層用基板３及び４の一面３Ａ及び４Ａに形成した内周側の配線wir2及びwir3とを異方性導電膜１３ｂ及び１３ｃを介してフリップチップ実装する。
【００１７】
第３段階（図２（Ｃ））として、多層基板製造装置は、製造用基板５の配線Ｗ１上へ、積層用基板２の一面２Ａとほぼ同面積でなるガラスエポキシ材質の介挿プリプレグ２５ａ及び覆蓋プリプレグ２６ａを順次積層し、さらに当該配線Ｗ１に配線wir1を対向させて位置決めした状態で、ベアチップ１１ａが実装された積層用基板２を積層する。
【００１８】
同様に多層基板製造装置は、製造用基板５の配線Ｗ２及びＷ３上へ、積層用基板３及び４の一面３Ａ及び４Ａとほぼ同面積でなるガラスエポキシ材質の介挿プリプレグ２５ｂ及び２５ｃ及び覆蓋プリプレグ２６ｂ及び２６ｃを順次積層し、さらに当該配線Ｗ２及びＷ３に配線wir2及びwir3を対向させて位置決めした状態で、ベアチップ１１ｂ及び１１ｃが実装された積層用基板３及び４を積層する。
【００１９】
ここで介挿プリプレグ２５ａ、２５ｂ及び２５ｃとは、製造用基板５と積層用基板２、３及び４との間における厚さを所定の厚さに選定するためのものであり、覆蓋プリプレグ２６ａ、２６ｂ及び２６ｃとは、ベアチップ１１ａ、１１ｂ及び１１ｃを被覆するためのものである。
【００２０】
この場合、多層基板製造装置は、介挿プリプレグ２５ａ、２５ｂ又は２５ｃの厚さを適宜変更し得るようになされており、これにより製造用基板５に対して積層用基板２、３又は４を積層した際の高さを、最終的な製品の一部として用いられるマザーボード基板へ実装した際に必要な高さとほぼ一致させ得るようになされている。
【００２１】
従って多層基板製造装置は、製造用基板５と積層用基板２、３又は４との間における厚さを搭載機器へ実装する際の高さの制約に対して柔軟に対応し得るようになされている。
【００２２】
また多層基板製造装置は、覆蓋プリプレグ２６ａ、２６ｂ又は２６ｃの一部をベアチップ１１ａ、１１ｂ又は１１ｃの体積に応じて除去することにより、ベアチップ覆蓋空間ｖ１、ｖ２及びｖ３を形成し得るようになされている。
【００２３】
これにより多層基板製造装置は、ベアチップ覆蓋空間ｖ１、ｖ２及びｖ３を介してベアチップ１１ａ、１１ｂ及び１１ｃを収容し得ることにより、当該ベアチップ１１ａ、１１ｂ及び１１ｃが実装された積層用基板２、３及び４を覆蓋プリプレグ２６ａ、２６ｂ及び２６ｃに対して互いに干渉することなく積層し得ると共に、当該積層した状態で覆蓋プリプレグ２６ａ、２６ｂ及び２６ｃを熱硬化した際にベアチップ１１ａ、１１ｂ及び１１ｃの周囲へ速やかに拡散させ得るようになされている。
【００２４】
従って第４段階（図２（Ｄ））として、多層基板製造装置は、介挿プリプレグ２５ａ〜２５ｃ及び覆蓋プリプレグ２６ａ〜２６ｃ（図２（Ｃ））を真空雰囲気中で所定温度に加熱すると、当該介挿プリプレグ２５ａ〜２５ｃ及び覆蓋プリプレグ２６ａ〜２６ｃが熱硬化する際の拡散によってベアチップ１１ａ〜１１ｃの周囲を被覆すると共に、積層用基板２〜４と製造用基板５とを気密性を保って一体化形成した層間部３１、３２、３３となる。
【００２５】
その後、多層基板製造装置は常温常圧に戻すと、熱硬化性を有する介挿プリプレグ２５ａ〜２５ｃ及び覆蓋プリプレグ２６ａ〜２６ｃとは逆に、積層用基板２、３、４及び製造用基板５は、当該積層用基板２、３、４及び製造用基板５のうちの有機部材がその特性に従って硬化することになるので結果的に収縮してしまうことになる。
【００２６】
この場合、例えば図３に示すように、製造用基板５と積層用基板２、３及び４とは互いに同材質であるので収縮率が同じであるが、積層用基板２、３及び４は、その他面２Ｂ、３Ｂ及び４Ｂの面積がワークサイズでなる製造用基板５の他面５Ｂよりも小さい（すなわち積層用基板２、３及び４を所定間隔ｓｐ１及びｓｐ２ずつ離すことで配線Ｗ１、Ｗ２及びＷ３が独立した構成とされている）ことにより、積層用基板２、３及び４の収縮量ｓｈ３及びｓｈ４、ｓｈ５及びｓｈ６、ｓｈ７及びｓｈ８については製造用基板５の収縮量ｓｈ１及びｓｈ２よりも格段に少なくなる。
【００２７】
これに加えて積層用基板２、３及び４は、製造用基板５上に積層された状態で保持されているので、当該製造用基板５の収縮動作に対する積層用基板２、３及び４の位置ずれについては殆ど起こらない。すなわち製造用基板５に対して積層用基板２、３及び４の位置関係はほぼ保持された状態のまま製造用基板５が収縮されるからである。
【００２８】
従って製造用基板５の配線Ｗ１、Ｗ２及びＷ３に対する積層用基板２、３及び４の配線wir1、wir2及びwir3のずれ量は、積層用基板２、３及び４の収縮量ｓｈ３及びｓｈ４、ｓｈ５及びｓｈ６、ｓｈ７及びｓｈ８の範囲内に収まることになり、その結果多層基板製造装置は、製造用基板５に対する積層用基板２、３及び４の位置ずれが最小限に収まっている状態で電気的な接続を実行し得るようになされている。
【００２９】
ここで、上述の第１段階（図１（Ａ）上段）で積層用基板２、３及び４を製造用基板５のほぼ１／３の面積に選定した理由としては、ワークシートサイズでなる１枚の製造用基板５上へ一度に積層して多数の製品を製造し得る生産性の観点からすれば、積層用基板２、３及び４の一面２Ａ、３Ａ及び４Ａの面積を極力小さくすることが望ましいが、ベアチップ１１ａ、１１ｂ及び１１ｃを実装することの必要性を加味しつつ、積層用基板２、３及び４の収縮量ｓｈ３及びｓｈ４、ｓｈ５及びｓｈ６、ｓｈ７及びｓｈ８（図４）の範囲内に収縮量が収まるようにすることを考慮すれば、一般的には少なくとも製造用配線板５の一面５Ａの面積に対してほぼ１／３の面積であることが理想的と考えられるからである。
【００３０】
従って多層基板製造装置は、第１段階（図１（Ａ）上段）で積層用基板２、３及び４の一面２Ａ、３Ａ及び４Ａを製造用基板５の一面５Ａにおける面積のほぼ１／３の面積となるように切り分けていることにより、生産性を必要最大限に確保し得ると共に、製造用基板５に対する積層用基板２、３及び４の位置ずれを最小限に収え得るようになされている。
【００３１】
この状態において、第５段階（図４（Ｅ））として多層基板製造装置は、積層用基板２〜４の他面２Ｂ〜４Ｂの所定位置から配線wir1〜wir3及び配線Ｗ１〜Ｗ３を順次介して製造用基板５の他面５Ｂにかけてほぼ垂直に貫通孔を形成した後、当該貫通孔の内周面に対して銅めっき処理を行ってスルーホール３５Ａ及び３６Ａ、３５Ｂ及び３６Ｂ、３５Ｃ及び３６Ｃを形成する。
【００３２】
これにより多層基板製造装置は、積層用基板２〜４の他面２Ｂ〜４Ｂ及び一面２Ａ〜４Ａと、製造用基板５の一面５Ａ及び他面５Ｂとをスルーホール３５Ａ及び３６Ａ、３５Ｂ及び３６Ｂ、３５Ｃ及び３６Ｃを介して接続し、積層用基板２〜４の他面２Ｂ〜４Ｂから製造用基板５の他面５Ｂまでの各層をそれぞれ強固に電気的及び機械的に層間接続する。
【００３３】
第６段階（図４（Ｆ））として、多層基板製造装置は、積層用基板２、３及び４の他面２Ｂ、３Ｂ及び４Ｂに所定パターンの配線４１、４２及び４３を形成することにより、製造用多層基板５０を作製する。
【００３４】
第７段階として、図５に示すように、多層基板製造装置は、製造用多層基板５０（図４（Ｆ））の製造用基板５を所定位置で切断することにより、多層基板５１、５２及び５３を製造し得るようになされている。
【００３５】
かかる多層基板５１、５２及び５３は、製造工程中の熱処理や冷却処理によって製造用基板５及び積層用基板２、３及び４の有機材料が収縮した場合においても、製造用基板５に対する積層用基板２、３及び４の位置ずれが最小限に収まっている状態でスルーホール３５Ａ及び３６Ａ、３５Ｂ及び３６Ｂ、３５Ｃ及び３６Ｃを介して電気的に接続されていることにより、全体として電気的耐性が強化されている。
【００３６】
以上の多層基板製造方法において、多層基板製造装置は、まず、ワークシートサイズ（面積）でなるガラスエポキシ材質の両面銅張板１ａ（図１（Ａ）上段）を製造用基板５の一面５Ａにおける面積に対してほぼ１／３の面積となるように切り分けて積層用基板２を予め作製しておくことにより、製造用基板５の収縮量に比して少ない収縮量でなる積層用基板２を選定する。
【００３７】
そして多層基板製造装置は、製造用基板５の一面５Ａ（図２（Ｃ））に形成した配線Ｗ１上に、介挿プリプレグ２５ａ及び覆蓋プリプレグ２６ａを介して積層用基板２の配線wir1を対向させて位置決めした状態で積層用回路基板１５を積層する。
【００３８】
ここで多層基板製造装置は、介挿プリプレグ２５ａ（図２（Ｄ））及び覆蓋プリプレグ２６ａを加熱硬化して製造用基板５、介挿プリプレグ２５ａ、覆蓋プリプレグ２６ａ及び積層用基板２を一体化させた後に常温に戻すと、当該積層用基板２及び製造用基板５は有機部材の特性に従って硬化する際に収縮（図３）してしまうことになる。
【００３９】
しかしながら、積層用基板２はその他面２Ｂがワークサイズでなる製造用基板５の他面５Ｂよりも小さいので、その収縮量ｓｈ３及びｓｈ４については製造用基板５の収縮量ｓｈ１及びｓｈ２よりも格段に少ないと共に、製造用基板５に対して積層用基板２の位置関係はほぼ保持された状態のまま製造用基板５が収縮されることにより、製造用基板５の配線Ｗ１に対する積層用基板２の配線wir1のずれ量は、積層用基板２の収縮量ｓｈ３及びｓｈ４の範囲内に収まる。
【００４０】
この状態において多層基板製造装置は、積層用基板２（図４（Ｅ））の他面２Ｂの所定位置から配線wir1及び配線Ｗ１を介して製造用基板５の他面５Ｂにかけてほぼ垂直にスルーホール３５Ａ及び３６Ａを形成するようにした。
【００４１】
従って多層基板製造装置は、製造用基板５及び積層用基板２が収縮しても、製造用基板５の配線Ｗ１に対する配線wir1の位置ずれが当該積層用基板２の収縮量ｓｈ３及びｓｈ４の範囲内に収まっているので、製造用基板５に対する積層用基板２の位置ずれを最小限に収えた状態で電気的な接続を確実に実行することができる。
【００４２】
また、多層基板製造装置は、製造用基板５（図３）の一面５Ａに配線Ｗ２及びＷ３を所定間隔ｓｐ１及びｓｐ２ずつ離して独立させた構成とし、積層用基板２と同様の工程によってスルーホール３５Ｂ及び３６Ｂ（図４（Ｅ））、３５Ｃ及び３６Ｃを形成していることにより、製造用基板５の配線Ｗ１に対する積層用基板２、３及び４の配線wir1、wir2及びwir3のずれ量を積層用基板２、３及び４の収縮量ｓｈ３及びｓｈ４、ｓｈ５及びｓｈ６、ｓｈ７及びｓｈ８の範囲内に収まるようにすることを１つの製造用基板５上で一度に実現することができる。
【００４３】
以上のような多層回路基板製造方法によれば、多層基板製造装置は、製造用基板５及び積層用基板２の有機部材の特性により当該製造用基板５及び積層用基板２が収縮しても、製造用基板５の配線Ｗ１に対する積層用基板２の配線wir1のずれ量が当該積層用基板２の収縮量ｓｈ３及びｓｈ４の範囲内に収まるようにしたことにより製造用基板５に対する積層用基板２の位置ずれを最小限に収えた状態で電気的な接続を確実に実行することができ、かくして、従来に比して簡易な方法で電気的耐性の強い多層基板を製造することができる。
【００４４】
なお上述の実施の形態においては、第１段階（図１（Ａ）上段）で製造用基板５の一面５Ａにおける面積に対してほぼ１／３の面積となるように両面銅張板１ａを切り分けて積層用基板２、３及び４を予め作製しておくことにより選定する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、製造用基板５と同サイズであっても製造用基板５よりも収縮量が少ない積層用基板を用いていれば良く、要は、第２段階（図１（Ｂ））の工程へ移行する際に製造用基板の収縮量に比して少ない収縮量でなる積層用基板が選定されていれば、この他種々の積層用基板を幅広く用いることができる。
【００４５】
また上述の実施の形態においては、接続仲介部としてのガラスエポキシ材質でなる介挿プリプレグ２５ａ〜２５ｃ及び覆蓋プリプレグ２６ａ〜２６ｃ（層間部３１〜３３）を用いる場合について述べたが、本発明はこれに限らず、ポリフェニレンエーテル又はビスマレイミドトリアジン材質等、この他種々の材質でなる接続仲介部を用いるようにしても良い。
【００４６】
この場合、特に、ポリフェニレンエーテル又はビスマレイミドトリアジンの含有量が多い材質でなる接続仲介部は、ガラスエポキシ材質でなる覆蓋プリプレグ２６ａ〜２６ｃ及び介挿プリプレグ２５ａ〜２５ｃに比して熱膨張係数が低いので加熱後の硬化による反りを効果的に低減し得ることにより、製造用基板５に対する積層用基板２の位置ずれを一段と収えた状態で電気的な接続を一段と確実に実行することができる。
【００４７】
さらに上述の実施の形態においては、表面実装部品としてのベアチップ１１ａ、１１ｂ及び１１ｃを積層用基板２、３及び４に実装する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、ベアチップ１１ａ、１１ｂ及び１１ｃを製造用基板５に実装するようにしても良い。この場合上述の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００４８】
さらに上述の実施の形態においては、表面実装部品としてのベアチップ１１ａ、１１ｂ及び１１ｃを実装する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、トランジスタやダイオード等の部品でなるこの他種々の表面実装部品を実装することができる。この場合上述の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００４９】
さらに上述の実施の形態においては、介挿プリプレグ２５ａ、２５ｂ又は２５ｃの厚さを適宜変更する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、当該介挿プリプレグ２５ａ、２５ｂ又は２５ｃの厚さの変更に加えて、積層用基板２、３又は４のサイズを最終製品への実装用面積とほぼ同面積となるようにそれぞれ選定し、最終製品の実装用の配線パターンにそれぞれ配線４１、４２又は４３を形成するようにしても良い。
【００５０】
この場合、多層基板製造装置は、多層基板５１〜５３を製造する工程前に、最終製品へ実装し得る実装空間に対応させたものとしてそれぞれ製造でき、多層基板５１〜５３として切断した後には、最終製品への実装を円滑に行わせることができると共に、最終製品への実装時における冗長な工程を省略することができる。
【００５１】
さらに上述の実施の形態においては、スルーホール３５Ａ及び３６Ａ、３５Ｂ及び３６Ｂ、３５Ｃ及び３６Ｃを形成する際に、製造用基板５と積層用基板２〜４とを介挿プリプレグ２５ａ〜２５ｃ及び覆蓋プリプレグ２６ａ〜２６ｃによって一体化した後に貫通孔を形成する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、当該一体化する前に貫通孔を形成するようにしても良い。
【００５２】
この場合、上述の第３段階を示した図２（Ｃ）との対応部分に同一符号を付して示す図６のように、多層基板製造装置は、導電ペースト、はんだ又はスタッドバンプ等でなる棒状の導通用部材６２Ａ及び６３Ａ、６２Ｂ及び６３Ｂ、６２Ｃ及び６３Ｃを製造用基板５の配線Ｗ１、Ｗ２及びＷ３上のスルーホール形成位置に予め突設しておくと共に、介挿プリプレグ２５ａ〜２５ｃ及び覆蓋プリプレグ２６ａ〜２６ｃに対して当該導通用部材６２Ａ及び６３Ａ、６２Ｂ及び６３Ｂ、６２Ｃ及び６３Ｃにそれぞれ対応する位置に貫通孔６４Ａ及び６５Ａ、６４Ｂ及び６５Ｂ、６４Ｃ及び６５Ｃを形成しておく。
【００５３】
そして多層基板製造装置は、貫通孔６４Ａ及び６５Ａ、６４Ｂ及び６５Ｂ、６４Ｃ及び６５Ｃに導通用部材６２Ａ及び６３Ａ、６２Ｂ及び６３Ｂ、６２Ｃ及び６３Ｃを挿通させて介挿プリプレグ２５ａ〜２５ｃ及び覆蓋プリプレグ２６ａ〜２６ｃを順次積層し、続いてベアチップ１１ａ、１１ｂ及び１１ｃが実装された積層用基板２、３及び４を積層した後、介挿プリプレグ２５ａ〜２５ｃ及び覆蓋プリプレグ２６ａ〜２６ｃを加熱することにより製造用基板５と積層用基板２、３及び４とを一体化する。
【００５４】
このようにすれば、多層基板製造装置は、上述の第５段階（図４（Ｅ））における銅めっき処理工程を削除することができると共に、製造用基板５に対する積層用基板２の収縮量を当該積層用基板２の収縮量ｓｈ２の範囲内に収めることに伴って位置ずれを一段と低減した状態で電気的な接続を一段と確実に実行することができる。
【００５５】
さらに上述の実施の形態においては、製造用基板５の一面５Ａへ介挿プリプレグ２５ａ及び覆蓋プリプレグ２６ａを介して積層用基板２を積層する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、製造用基板５の他面５Ｂに積層用基板を積層するようにしても良い。
【００５６】
例えば図４（Ｄ）との対応部分に同一符号を付した図７（Ａ）に示す具体例のように、多層基板製造装置は、上下反転された製造用基板５の他面５Ｂに所定の配線７０を形成し、その形成部分にベアチップ７１をフリップチップ実装する。
【００５７】
続いて多層基板製造装置は、製造用基板５の一面５Ｂ上へ、ベアチップ７１実装部分を囲むような（コの字状のように一部が空いていても良い）介挿プリプレグ７２を積層した後、当該配線７０と、製造用基板５の収縮量に比して少ない収縮量でなる積層用基板７３の配線とを位置決めさせた状態で当該積層用基板７３を積層する。
【００５８】
この状態において多層基板製造装置は、介挿プリプレグ７２を加熱硬化することにより、製造用基板５、介挿プリプレグ７２及び積層用基板７３を一体化させた後にスルーホール７５Ａ、７５Ｂを形成する。
【００５９】
また、例えば図４（Ｄ）との対応部分に同一符号を付した図７（Ｂ）に示す具体例のように、多層基板製造装置は、上下反転された製造用基板５の他面５Ｂに所定の配線８０を形成し、その配線８０上へ介挿プリプレグ８２を積層した後、当該配線８０と、製造用基板５の収縮率に比して少ない収縮率でなる積層用基板８３の配線とを位置決めさせた状態で当該積層用基板８３を積層する。
【００６０】
この状態において多層基板製造装置は、介挿プリプレグ８２を加熱硬化することにより、製造用基板５、介挿プリプレグ８２及び積層用基板８３を一体化させた後にスルーホール８５を形成する。
【００６１】
かかる具体例の場合、上述の実施の形態と同様に、製造用基板５の配線７０及び８０と積層用基板７３及び８３の配線との位置関係は、ほぼ保持された状態のまま収縮することにより、製造用基板５の配線７０及び８０に対する積層用基板７３及び８３の配線のずれ量は当該積層用基板７３及び８３の収縮量の範囲内に収まるので、多層基板製造装置は、製造用基板５に対する積層用基板２（３、４）の位置ずれと、当該製造用基板５に対する積層用基板７３及び８３の位置ずれとの双方とも最小限に収えた状態で電気的な接続を確実に実行することができる。
【００６２】
これに加えて、積層用基板７３及び８３の一面及び介挿プリプレグ７２及び８２の面積を最終製品（マザー基板）への実装用のサイズに選定すると共に、製造用基板５に対して積層用基板７３又は８３を積層した際の高さが最終製品へ実装する際の高さにほぼ一致するように介挿プリプレグ７２及び８２の厚みを選定させておけば、最終製品への実装空間が複雑な場合でも、それに対応させたものを１つの製造用基板５上で製造でき、その結果、最終製品への実装を円滑に行わせることができると共に、最終製品への実装時における冗長な工程を省略することができる。
【００６３】
【発明の効果】
上述のように本発明は、第１の基板に対して電子部品を接合する接合工程と、第１の基板よりも大きい面積でなる第２の基板上に、電子部品に対する収容空間が設けられた板状プリプレグを積層するプリプレグ積層工程と、電子部品が接合された第１の基板を、該電子部品が収容空間に収容されるように第２の板状プリプレグに積層する基板積層工程と、板状プリプレグを加熱する加熱工程とをもつ多層基板製造方法を採用した。
【００６４】
従ってこの多層基板製造方法では、加熱工程での加熱により第１の基板及び第２の基板が収縮しても、第２の基板に対する第１の基板の位置ずれが、第１の基板の収縮量の範囲内に収まるようにすることが可能となるため、当該位置ずれに起因する、第１の基板及び第２の基板の電気的耐性の低下を抑えることができ、かくして電気的耐性の強い多層基板製造方法を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】多層基板の製造工程（１）を示す略線的断面図である。
【図２】多層基板の製造工程（２）を示す略線的断面図である。
【図３】各基板における収縮の様子を示す略線的断面図である。
【図４】多層基板の製造工程（３）を示す略線的断面図である。
【図５】多層基板を示す略線的断面図である。
【図６】他の実施の形態によるスルーホールの形成を示す略線的断面図である。
【図７】他の実施の形態による多層基板の製造工程を示す略線的断面図である。
【符号の説明】
２、３、４、７３、８３……積層用基板、５……製造用基板、１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、７１……ベアチップ、１５、１６、１７……積層用回路基板、２５ａ、２５ｂ、２５ｃ……覆蓋プリプレグ、２６ａ、２６ｂ、２６ｃ、７２、８２……介挿プリプレグ、３１、３２、３３……層間部、３５Ａ、３５Ｂ、３５Ｃ、３６Ａ、３６Ｂ、３６Ｃ、７５Ａ、７５Ｂ、８５……スルーホール、５０……製造用多層基板、５１、５２、５３……多層基板、６２Ａ、６２Ｂ、６２Ｃ、６３Ａ、６３Ｂ、６３Ｃ……導通用部材、６４Ａ、６４Ｂ、６４Ｃ、６５Ａ、６５Ｂ、６５Ｃ……貫通孔。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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