(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
最外層の配線層が第１の絶縁体層を介して相隣り合う配線層と該第１の絶縁体層を貫通するバンプにより接続されている多層配線基板の表面で、該配線層の少なくとも一部を剥離して該バンプの基部の一部を露出せしめる工程と、
該バンプの基部が露出せしめられている配線層の上に合成樹脂からなる第２の絶縁体層を形成する工程と、
該第２の絶縁体層に該バンプの基部を露出する穴部を形成する工程と、
該第２の絶縁体層上及び該穴部にメッキを施して、該第２の絶縁体層上に施されたメッキにより第１の導電体層を形成すると共に、該穴部に施されたメッキにより第１の導電体層と該バンプの基部とを接続するビアを形成する工程と、
第１の導電体層にエッチングを施して所定の配線パターンを形成する工程とを備えることを特徴とする多層プリント配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記第２の絶縁体層は光硬化性樹脂層からなり、該光硬化性樹脂層の表面に、該バンプの基部が露出せしめられる部分を被覆するフォトレジストを形成し、該フォトレジストをマスクとして該光硬化性樹脂層を露光させて硬化せしめたのち、該光硬化性樹脂の未露光部分を除去して、前記バンプの基部を露出する穴部を形成することを特徴とする請求項１記載の多層プリント配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記第２の絶縁体層は非光硬化性樹脂層からなり、該非光硬化性樹脂層の表面にレーザ光を照射して前記バンプの基部を露出する穴部を形成することを特徴とする請求項１記載の多層プリント配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記非光硬化性樹脂層は、前記多層配線基板に積層される面と反対側の面に第２の導電体層を備え、第２の導電体層にエッチングを施して、前記バンプの基部が露出せしめられる部分の第２の導電体層を剥離し、第２の導電体層が剥離された部分の前記非光硬化性樹脂層にレーザ光を照射して前記バンプの基部を露出する穴部を形成する工程と、
第２の導電体層上及び該穴部にメッキを施して、第２の導電体層上に施されたメッキにより第１の導電体層を形成すると共に、該穴部に施されたメッキにより第１の導電体層と該バンプの基部とを接続するビアを形成する工程と、
両導電体層にエッチングを施して所定の配線パターンを形成する工程とを備えることを特徴とする請求項３記載の多層プリント配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記非光硬化性樹脂層は、前記多層配線基板に積層される面と反対側の面に第２の導電体層を備え、第２の導電体層に酸化処理を施して、黒色の酸化被膜を形成し、前記バンプの基部が露出せしめられる部分に該酸化被膜を介してレーザ光を照射して前記バンプの基部を露出する穴部を形成する工程と、
第２の導電体層上及び該穴部にメッキを施して、第２の導電体層上に施されたメッキにより第１の導電体層を形成すると共に、該穴部に施されたメッキにより第１の導電体層と該バンプの基部とを接続するビアを形成する工程と、
両導電体層にエッチングを施して所定の配線パターンを形成する工程とを備えることを特徴とする請求項３記載の多層プリント配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線層間を貫通型導体配線部により接続するプリント配線基板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子部品の小型化技術及び配線基板に対する実装技術の進歩に伴い、プリント配線基板を高密度化すると共にコストを低減する必要が生じている。従来、多層プリント配線基板は、基板に設けられた貫通孔（スルーホール）に銅等の導体をメッキして配線層間の接続を行うことにより製造されているが、このような製造方法では、前記高密度化及びコスト低減に対応することが困難になりつつある。
【０００３】
そこで、前記従来の製造方法に代わる技術が検討されており、例えば、特開平６−３４２９７７号公報に開示された製造方法が知られている。前記公報記載の技術は、まず、銅箔等の導電性支持体上の所定位置に銀ペーストを印刷して複数のバンプを形成し、該バンプが形成された銅箔に合成樹脂系シートを積層し、加圧することにより該バンプの先端を該合成樹脂系シートに貫通、露出せしめる。そして、該合成樹脂系シートに銅箔等の導電体層を積層、加圧して、該合成樹脂系シートから露出した前記バンプの先端を該導電体層に圧着させることにより、該バンプにより両銅箔を接続する貫通型導体配線部を形成するものである。前記公報記載の技術によれば、次いで、前記導電性支持体及び導電体層を形成する銅箔にエッチングを施して配線パターンを形成することにより、両面型プリント配線基板が得られる。
【０００４】
また、前記導電体層を銅箔に代えて前記両面型プリント配線基板とすれば、該両面型プリント配線基板の表面に形成された配線パターンに前記合成樹脂系シートから露出した前記バンプの先端を圧着させて貫通型導体配線部を形成し、前記導電性支持体を形成する銅箔にエッチングを施して配線パターンを形成する操作を繰り返すことにより、多層プリント配線基板を製造することができる。
【０００５】
前記公報記載の製造方法により得られる多層プリント配線基板では、前記導電性支持体から形成された配線パターンに、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）やＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ／Ｓｃａｌｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）と呼ばれる半導体パッケージ等の電子部品も実装することが充分可能な、高密度の配線パターンを得ることができる。
【０００６】
しかしながら、前記バンプは前記合成樹脂系シートを貫通することができる程度の径を必要とするので、該バンプが形成されている銅箔等にエッチングにより配線パターンを形成する際に、前記配線パターンのピッチが該バンプ径に規制され、さらに高密度の配線パターンを形成することが難しい。
【０００７】
また、前記ＢＧＡやＣＳＰ等の電子部品をさらに高密度の配線パターンに実装するときに、より接続信頼性の高い多層プリント配線基板が求められている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、かかる事情に鑑み、さらに配線パターンを高密度化することができるとともに、ＢＧＡやＣＳＰと呼ばれる半導体パッケージ等の電子部品を実装したときに、さらに高い接続信頼性を得ることができるプリント配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
かかる目的を達成するために、本発明の多層プリント配線基板の製造方法は、最外層の配線層が第１の絶縁体層を介して相隣り合う配線層と該第１の絶縁体層を貫通するバンプにより接続されている多層配線基板の表面で、該配線層の少なくとも一部を剥離して該バンプの基部の一部を露出せしめる工程と、該バンプの基部が露出せしめられている配線層の上に合成樹脂からなる第２の絶縁体層を形成する工程と、該第２の絶縁体層に該バンプの基部を露出する穴部を形成する工程と、該第２の絶縁体層上及び該穴部にメッキを施して、該第２の絶縁体層上に施されたメッキにより第１の導電体層を形成すると共に、該穴部に施されたメッキにより第１の導電体層と該バンプの基部とを接続するビアを形成する工程と、第１の導電体層にエッチングを施して所定の配線パターンを形成する工程とを備えることを特徴とする。
【００１０】
本発明の製造方法によれば、まず、前記多層配線基板の最外層の配線層の一部が剥離されることにより前記バンプの基部が露出される。そこで、前記多層配線基板に積層された第２の絶縁体層に前記バンプの基部を露出する穴部を形成して、該第２の絶縁体層上及び穴部にメッキを施すことにより、該第２の絶縁体層上に形成された第１の導電体層が、前記穴部に施されたメッキにより形成されたビアを介して、前記バンプに接続される。
【００１１】
従って、前記第１の導電体層にエッチングを施して配線パターンを形成する際に、バンプ径に規制されることなく、高密度化された配線パターンを形成することができる。また、前記穴部に施されたメッキと前記バンプとの間では大きな接着強度が得られるので、第１の導電体層にエッチングを施して形成される配線パターンは、前記ビアを介して接続されることにより、前記バンプとの間で優れた接続信頼性を得ることができる。
【００１２】
本発明の製造方法において、前記多層配線基板に積層される第２の絶縁体層は、光硬化性樹脂層でもよく、非光硬化性樹脂層でもよい。前記第２の絶縁体層が光硬化性樹脂層からなるときには、該光硬化性樹脂層の表面に、前記バンプの基部が露出せしめられる部分を被覆するフォトレジストを形成する。そして、前記フォトレジストをマスクとして前記光硬化性樹脂層を露光させて硬化せしめたのち、前記光硬化性樹脂の未露光部分を除去して、前記バンプの基部を露出する穴部を形成する。また、前記絶縁体層が非光硬化性樹脂層からなるときには、前記非光硬化性樹脂層の表面にレーザ光を照射して前記バンプの基部を露出する穴部を形成する。
【００１３】
前記非光硬化性樹脂層は、前記多層配線基板に積層される面と反対側の面に第２の導電体層を備えるものであってもよい。ただし、この場合には、第２の導電体層にレーザ光を照射すると反射されるので、第２の導電体層にエッチングを施して、前記バンプの基部が露出せしめられる部分の第２の導電体層を剥離し、第２の導電体層が剥離された部分の前記非光硬化性樹脂層にレーザ光を照射して前記穴部を形成する。または、第２の導電体層に酸化処理を施して、黒色の酸化被膜を形成し、前記バンプの基部が露出せしめられる部分に前記酸化被膜を介してレーザ光を照射して前記穴部を形成する。
【００１４】
前記非光硬化性樹脂層が前記第２の導電体層を備えるときには、前記穴部の形成に続いて、前記絶縁体層上の第２の導電体層上及び該穴部にメッキを施して、第２の導電体層上に施されたメッキにより第１の導電体層を形成すると共に、該穴部に施されたメッキにより第１の導電体層と該バンプの基部とを接続するビアを形成する。そして、前記第１及び第２の両導電体層にエッチングを施して所定の配線パターンを形成する。
【００１５】
前記のように、前記穴部に施されたメッキと前記バンプとの間では大きな接着強度が得られるので、第１の導電体層は前記のように前記ビアを介して接続されることにより前記バンプとの間で優れた接続信頼性を得ることができ、第２の導電体層もまた積層されている第１の導電体層を介して前記バンプとの間で優れた接続信頼性を得ることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
次に、添付の図面を参照しながら本発明の実施の形態についてさらに詳しく説明する。図１は本発明の製造方法に用いる多層配線基板の一構成例を示す説明的断面図であり、図２は図１示の多層配線基板の製造方法を示す説明的断面図である。図３乃至図７は本実施形態の製造方法の第１の態様の工程を示す説明的断面図であり、図８乃至図１１は本実施形態の製造方法の第２の態様の工程を示す説明的断面図である。
【００１７】
まず、図１（ａ）を参照して、本実施形態に用いる多層配線基板１について説明する。図１（ａ）示の多層配線基板１は、表裏両面に配線層２が設けられ、配線層２，２がインターステシャルビアホール３により接続されているベース基板４をコアとして構成されている。多層配線基板１は、ベース基板４にプリプレグ等の合成樹脂系シートからなる絶縁体層５を積層し、絶縁体層５の表面に形成された配線層６がバンプ７を介してベース基板４の配線層２に接続された４層構成となっている。
【００１８】
ベース基板４は、例えば３００μｍ厚さのガラスエポキシ樹脂等からなる絶縁体層であり、配線層２は例えば厚さ１８μｍの銅箔により形成されている。また、インターステシャルビアホール３は、例えば、０．２５ｍｍの径に形成され、内部には導電性ペーストが充填され、乾燥されているか、または内部にメッキが施されている。
【００１９】
多層配線基板１は、次の様にして製造することができる。まず、図２（ａ）示のように、例えば厚さ１８μｍの銅箔等の導電性支持体８上の所定の位置に、複数のバンプ７を形成する。前記バンプ７は、導電性支持体８に、所定の位置に貫通孔を備えるメタルマスクを積層し、該メタルマスクの上から銀ペースト等の導電性ペーストをスクリーン印刷して、乾燥することにより形成される。
【００２０】
次に、図２（ｂ）示のように、バンプ７が形成された導電性支持体８に前記合成樹脂系シート５を積層し、加圧して、バンプ７を合成樹脂系シート５に貫通させ、その先端を合成樹脂系シート５から露出せしめる。合成樹脂系シート５は、６０μｍの厚さを備えており、バンプ７はかかる合成樹脂系シート５を貫通するために、例えば導電性支持体８に接触する部分の径が０．２ｍｍ、高さが０．１ｍｍの大きさとなるように形成される。
【００２１】
次に、図２（ｃ）示のように、合成樹脂系シート５が積層された導電性支持体８を、バンプ７が合成樹脂系シート５から露出している面で、前記構成を備えるベース基板４の両面に圧着する。次いで、合成樹脂系シート５が積層された導電性支持体８が両面に圧着されたベース基板４を多層プレス機に装着して、真空中にて加熱プレスすることにより一体化する。
【００２２】
次に、図２（ｄ）示のように、ベース基板４に合成樹脂系シート５を介して一体化された導電性支持体８にエッチングを施すことにより配線層６が形成され、図１（ａ）示の多層配線基板１が得られる。尚、図１（ａ）は図２（ｄ）の多層配線基板１の要部拡大図に相当する。
【００２３】
次に、図１（ｂ）と、図３乃至図７を参照して、多層配線基板１を用いる本実施形態の多層プリント配線基板の製造方法の第１の態様について説明する。
【００２４】
本実施形態の第１の態様では、まず多層配線基板１の最外層の配線層６にエッチングを施すことにより配線層６の一部を剥離し、図１（ｂ）示の様に、バンプ７の基部７ａを露出せしめる。このとき、配線層６は剥離されていない部分によりバンプ７との接続が確保されている。前記配線層６の一部を剥離する操作は、図２（ｄ）示の導電性支持体８から配線層６を形成するエッチングと同時に行ってもよい。
【００２５】
次に、図３示のように、多層配線基板１の表裏両面のバンプ７の基部７ａが露出されている配線層６の上に、光硬化性樹脂層９を形成する。光硬化性樹脂層９を形成する光硬化性樹脂としては、２量化反応樹脂、カチオン重合樹脂、アニオン重合樹脂等の感光性エポキシ樹脂を用いることができる。このような光硬化性樹脂として、例えば株式会社タムラ製作所製ソルダーレジスト（商品名：ＦＩＮＤＥＬ  ＤＳＲ−２２００ＭＬ）、チバ・スペシャリティ・ケミカルズ株式会社製プロビマー（商品名）等を挙げることができる。前記に例示した光硬化性樹脂は、光硬化性と共に熱硬化性も兼ね備えている。前記光硬化性樹脂は、スクリーン印刷、カーテンコート、スプレーコート等の方法により多層配線基板１に塗布し、乾燥することにより、例えば厚さ６０μｍの光硬化性樹脂層９を形成することができる。
【００２６】
次に、図４示のように、多層配線基板１のバンプ７の基部７ａが露出されている部分を被覆するようにフォトレジスト１０を設け、フォトレジスト１０をマスクとして光硬化性樹脂層９に紫外線を照射し、露光せしめる。すると、前記光硬化性樹脂はフォトレジスト１０の背後に未露光の光硬化性樹脂層９を残し、前記紫外線に露光した部分が硬化して絶縁体層９ａが形成される。
【００２７】
前記フォトレジスト１０及びその背後の未露光の光硬化性樹脂層９は、次いで１％−炭酸ナトリウム水溶液で現像することにより除去され、図５に示すように、バンプ７の基部７ａを露出する穴部１１が形成される。穴部１１は、バンプ７の基部７ａを露出させるために十分な大きさであればよく、例えば、開口部の径が０．１ｍｍになるように形成される。このとき、所望によりスルーホールを形成する貫通孔１２を穿設してもよい。貫通孔１２は、ドリル、レーザ、電子ビーム等により、例えば０．３ｍｍの径に形成される。
【００２８】
次に、図６示のように、光硬化性樹脂からなる絶縁体層９ａの表面に、メッキを施して、例えば厚さ１８μｍの導電体層１３を形成する。前記メッキは同時に穴部１１及び貫通孔１２内にも施され、穴部１１に導電体層１３とバンプ７とを接続するビア１１ａ、貫通孔１２に導電体層１３，１３を接続するスルーホール１２ａが形成される。図６では、ビア１１ａは配線層６に接触していない構成を示しているが、前記導電体層１３はバンプ７を介して配線層６と導通するものであるので、ビア１１ａは配線層６に直接接触していてもよい。
【００２９】
前記メッキは、絶縁体層９ａの表面を洗浄し、貫通孔１２を穿設した際のバリを除去し、貫通孔１２内を研磨材で研磨、水洗した後、デスミア処理、前処理、無電解メッキ処理、電解メッキ処理の順で行う。
【００３０】
前記デスミア処理は、前記貫通孔１２を穿設した際の切削熱により溶融した樹脂の切粉が貫通孔１２の内壁に付着、固化してできたスミアを除去する処理である。前記デスミア処理は、絶縁体層９ａ、穴部１１及び貫通孔１２が形成された多層配線基板１を膨潤液に浸漬した後、湯洗し、過マンガン酸カリウム溶液または過マンガン酸ナトリウム溶液に前記スミアを溶解させて除去する。そして、水洗後、付着した二酸化マンガンを除去する。
【００３１】
前記デスミア処理に続く前処理は、脱脂剤で絶縁体層９ａ及び穴部１１の表面と貫通孔１２内とを脱脂、洗浄した後、湯洗し、ソフトエッチング剤（塩化第二銅溶液）で処理し、絶縁体層９ａ、穴部１１及び貫通孔１２の表面の酸化被膜を除去する。次いで、プリディップにより前記エッチング剤の残滓（スマット）を除去する。そして、パラジウム化合物溶液で処理し、無電解メッキの核を生成させるためのパラジウム化合物を付着させる。
【００３２】
前記前処理に続く無電解メッキは、初めに還元剤により前記パラジウム化合物を還元して、無電解メッキの核となるパラジウムを生成させる。次に、前記還元剤を水洗、除去したのち、絶縁体層９ａ、穴部１１及び貫通孔１２が形成された多層配線基板１を無電解メッキ浴に浸漬する。前記無電解メッキ浴は、硫酸銅、ホルマリン、水酸化ナトリウム、キレート剤、界面活性剤からなり、ホルマリンにより硫酸銅を還元して銅を析出させる。この結果、絶縁体層９ａ、穴部１１及び貫通孔１２の表面に銅メッキ層が形成される。銅メッキ層が形成された多層配線基板１は、水洗され、前記無電解メッキ浴の残滓が除去される。
【００３３】
前記無電解メッキに続く電解メッキは、前記銅メッキ層の厚付けのために行うものである。前記電解メッキは、銅メッキ層が形成された多層配線基板１を電解メッキ浴に浸漬し、前記銅メッキ層を陰極とし、含リン銅からなる電極板を陽極として、両極間に通電することにより行う。前記電解メッキ浴は、硫酸銅、硫酸、塩素イオン、添加剤を含むものが用いられる。前記電解メッキにより、前記導電体層１３、ビア１１ａ、スルーホール１２ａが形成される。
【００３４】
前記導電体層１３、ビア１１ａ、スルーホール１２ａが形成された多層配線基板１は水洗され、前記電解メッキ浴の残滓が除去される。
【００３５】
次に、導電体層１３にエッチングを施すことにより、図７示のように、配線パターン１４を備える多層プリント配線基板１５が得られる。前記エッチングは、例えば、次の様にして行うことができる。
【００３６】
まず、エッチングレジスト膜となる感光性フィルム（ドライフィルム）を貼り付け、導電体層１３の配線パターン１４として必要な部分を被覆すると共に、ビア１１ａ及びスルーホール１２ａの開口部を閉塞する。次に、製造用フィルムを用いて露光、現像し、配線パターン１４として必要な部分と、ビア１１ａ及びスルーホール１２ａの開口部とだけにエッチングレジスト膜を残す。そして、エッチング液を吹き付けると、前記エッチングレジスト膜で被覆されていない部分の導電体層１３が溶解除去され、配線パターン１４が形成される。このとき、ビア１１ａ及びスルーホール１２ａは、前記エッチングレジスト膜で被覆されているので、前記エッチング液により溶解除去されず、そのまま残すことができる。
【００３７】
図７示の多層プリント配線基板１５では、ビア１１ａに接続するランド径を、配線層６においてバンプ７に接続するランド径よりも小さくすることができ、配線パターン１４を高密度化することができた。また、配線パターン１４は前記メッキにより形成されたビア１１ａによりバンプ７に接続されているので、配線層６との間で優れた接続信頼性を得ることができた。
【００３８】
次に、図１（ｂ）と、図８乃至図１１を参照して、多層配線基板１を用いる本実施形態の多層プリント配線基板の製造方法の第２の態様について説明する。
【００３９】
本実施形態の第２の態様では、まず、前記第１の態様と同一の操作により多層配線基板１の最外層の配線層６の一部を剥離し、図１（ｂ）示の様に、バンプ７の基部７ａを露出せしめる。このとき、配線層６は剥離されていない部分によりバンプ７との接続が確保されている。
【００４０】
次に、図８示のように、多層配線基板１の表裏両面のバンプ７の基部７ａが露出されている配線層６の上に、合成樹脂からなる絶縁体層１６を形成する。本実施形態の絶縁体層１６を形成する合成樹脂は非光硬化性であり、絶縁体層１６は多層配線基板１に積層される面と反対側の面に、導電体層１７を備えている。本実施形態では、市販の樹脂付き銅箔を樹脂の側で多層配線基板１に圧着することにより、多層配線基板１に絶縁体層１６、導電体層１７が積層された構成とすることができる。
【００４１】
次に、図９示のように、導電体層１７にエッチングを施して、バンプ７の基部７ａが露出せしめられる部分の導電体層１７を剥離し、絶縁体層１６が露出された露出部１６ａを形成する。そして、絶縁体層１６の露出部１６ａにレーザ光を照射して、露出部１６ａの下方の絶縁体層１６を焼却する。このとき、導電体層１７を剥離しないと、前記レーザ光が導電体層１７に反射され、絶縁体層１６を焼却することができない。
【００４２】
この結果、図１０に示すように、バンプ７の基部７ａを露出する穴部１１が形成される。穴部１１は、バンプ７の基部７ａを露出させるために十分な大きさであればよく、例えば、開口部の径が０．１ｍｍになるように形成される。このとき、所望によりスルーホールを形成する貫通孔１２を穿設してもよい。貫通孔１２は、ドリル、レーザ、電子ビーム等により、例えば０．３ｍｍの径に形成される。
【００４３】
次に、絶縁体層１６の上に積層された導電体層１７の表面に、前記第１の態様と全く同一の方法によりメッキを施して、図１１に仮想線で示す導電体層１３を形成する。導電体層１３は、例えば１８μｍの厚さに形成される。前記メッキは同時に穴部１１及び貫通孔１２内にも施され、穴部１１に導電体層１３とバンプ７とを接続するビア１１ａ、貫通孔１２に導電体層１３，１３を接続するスルーホール１２ａが形成される。図１１では、ビア１１ａは配線層６に接触していない構成を示しているが、前記導電体層１３はバンプ７を介して配線層６と導通するものであるので、ビア１１ａは配線層６に直接接触していてもよい。
【００４４】
次に、導電体層１３及び導電体層１７に前記第１の態様と全く同一の方法によりエッチングを施すことにより、図１１示のように、配線パターン１４を備える多層プリント配線基板１８が得られる。
【００４５】
本態様では、導電体層１７にエッチングを施して絶縁体層１６を露出させた露出部１６にレーザ光を照射するようにしているが、導電体層１７に酸化処理を施して、その表面に黒色の酸化被膜を形成し、該酸化被膜を介してレーザ光を照射するようにしてもよい。前記酸化被膜は、黒色であるので、レーザ光の反射を避けることができ、導電体層１７とその下方の絶縁体層１６とを同時に除去することができる。
【００４６】
前記酸化処理は、例えば、次の様にして行うことができる。
【００４７】
まず、前記導電体層１７の表面に付着している油分を除去するために、水酸化ナトリウム水溶液で洗浄し、脱脂を行う。次に、脱脂された導電体層１７をソフトエッチング剤（過硫酸ナトリウム・硫酸溶液）で処理し、さらに前記ソフトエッチング剤により形成された水酸化物を除去するために硫酸で酸洗する。そして、酸洗された導電体層１７を酸化剤により処理することにより、黒色の酸化被膜を形成する。前記酸化剤としては、水酸化ナトリウム、亜塩素酸ナトリウム、リン酸三ナトリウムの混合溶液等を用いることができる。
【００４８】
前記酸化被膜は、前記導電体層１７上にメッキを施す際に、ソフトエッチング剤により除去される。従って、前記酸化被膜は、前記レーザ光照射後、そのまま放置しても何ら不都合はない。
【００４９】
図１１示の多層プリント配線基板１８では、ビア１１ａに接続するランド径を、配線層６においてバンプ７に接続するランド径よりも小さくすることができ、配線パターン１４を高密度化することができた。また、配線パターン１４は前記メッキにより形成されたビア１１ａによりバンプ７に接続されているので、配線層６との間で優れた接続信頼性を得ることができ、導電体層１７もまた積層されている配線パターン１４を介して配線層６との間で優れた接続信頼性を得ることができた。
【００５０】
尚、本実施形態の第２の態様では、前述のように、導電体層１７を備える絶縁体層１６を多層配線基板１に積層するようにしているが、絶縁体層１６は導電体層１７を備えていなくてもよい。この場合には、絶縁体層１６のバンプ７の基部７ａが露出せしめられる部分に、直接レーザ光を照射して穴部１１を形成する。そして、前記第１の態様と同一の方法により、導電体層１３及び配線パターン１４を形成することができる。
【００５１】
また、本実施形態の各態様で、配線パターン１４は、耐熱性被覆及び外部環境からの保護のため、その上に絶縁体インキを塗布し、例えば２０μｍの厚さのレジストを形成することが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の製造方法に用いる多層配線基板の一構成例を示す説明的断面図。
【図２】図１示の多層配線基板の製造方法を示す説明的断面図。
【図３】本発明の製造方法の第１の態様の工程を示す説明的断面図。
【図４】本発明の製造方法の第１の態様の工程を示す説明的断面図。
【図５】本発明の製造方法の第１の態様の工程を示す説明的断面図。
【図６】本発明の製造方法の第１の態様の工程を示す説明的断面図。
【図７】本発明の製造方法の第１の態様の工程を示す説明的断面図。
【図８】本発明の製造方法の第２の態様の工程を示す説明的断面図。
【図９】本発明の製造方法の第２の態様の工程を示す説明的断面図。
【図１０】本発明の製造方法の第２の態様の工程を示す説明的断面図。
【図１１】本発明の製造方法の第２の態様の工程を示す説明的断面図。
【符号の説明】
１…多層配線基板、  ２，６…配線層、  ５…第１の絶縁体層、  ７…バンプ、  ９…光硬化性樹脂層、  ９ａ，１６…第２の絶縁体層、  １０…フォトレジスト、  １１…穴部、  １３…第１の導電体層、  １４…配線パターン、  １７…第２の導電体層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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