(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空チャンバ内で基体に強誘電体の薄膜を成膜する薄膜製造方法であって、複数の成膜材料をそれぞれ独立に蒸発させ、これらの材料を前記真空チャンバ側にリング状の放電陽極を設けてプラズマ電子流が前記放電陽極を抜けて前記真空チャンバ内に進入するようにした圧力勾配型アーク放電プラズマガンからの空間電荷による反射を用いた反射型プラズマを介して同時に基体上に蒸着するようにしたことを特徴とする強誘電体薄膜の製造方法。
【請求項２】
強誘電体としてペロブスカイト型構造の化合物の薄膜を形成するようにしたことを特徴とする請求項１記載の強誘電体薄膜の製造方法。
【請求項３】
化合物はＰｂ，Ｔｉの各元素、Ｐｂ，Ｚｒ，Ｔｉの各元素、Ｐｂ，Ｌａ，Ｚｒ，Ｔｉの各元素のうち何れかによる化合物としたことを特徴とする請求項２記載の強誘電体薄膜の製造方法。
【請求項４】
成膜材料はＰｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｌａの各元素もしくはこれらの各元素の複数種の酸化物としたことを特徴とする請求項３記載の強誘電体薄膜の製造方法。
【請求項５】
成膜材料はＰｂ，Ｔｉ，Ｚｒの各元素もしくはこれらの各元素の複数種の酸化物を含むようにし、Ｐｂの蒸発量をＴｉとＺｒの総蒸発量の１０〜３０倍としたことを特徴とする請求項３記載の強誘電体薄膜の製造方法。
【請求項６】
各成膜材料を個別に加熱するようにしたことを特徴とする請求項１ないし５何れか記載の強誘電体薄膜の製造方法。
【請求項７】
蒸発源と反射型プラズマを非磁性金属板により遮蔽するようにしたことを特徴とする請求項１ないし６何れか記載の強誘電体薄膜の製造方法。
【請求項８】
成膜材料の蒸発後に酸素を導入するようにしたことを特徴とする請求項１ないし７何れか記載の強誘電体薄膜の製造方法。
【請求項９】
酸素の導入を圧力勾配型アーク放電プラズマガンの真空チャンバに最も近いグリッドフランジから行うようにしたことを特徴とする請求項１ないし８何れか記載の強誘電体薄膜の製造方法。
【請求項１０】
真空チャンバ内で基体に強誘電体の薄膜を成膜する薄膜製造装置であって、複数の成膜材料を独立に蒸発させる蒸発源と、前記真空チャンバ側にリング状の放電陽極を設けてプラズマ電子流が前記放電陽極を抜けて前記真空チャンバ内に進入するようにした空間電荷による反射を用いた反射型プラズマを発生させる圧力勾配型アーク放電プラズマガンとを備え、前記複数の成膜材料を同時に蒸着して基体上に薄膜を形成することを特徴とする強誘電体薄膜の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光スイッチや光センサ等に用いられる強誘電体薄膜、特にペロブスカイト型の強誘電体酸化物の薄膜の製造方法及びその製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
Ｐｂ，Ｚｒ，Ｔｉの各元素を含む酸化化合物であるＰＺＴ〔Ｐｂ（Ｚｒx Ｔｉ1-x ）Ｏ3 〕やＰｂ，Ｌａ，Ｚｒ，Ｔｉの各元素を含む酸化化合物であるＰＬＺＴ〔（Ｐｂ1-x Ｌａx ）（Ｚｒy Ｔｉ1-y ）1-x/4 Ｏ3 〕等に代表される多元系酸化物強誘電体は、優れた圧電性、焦電性、電気光学特性等を有し、それらのバルク構造体は種々の電子デバイスへ応用されてきている。特に近年では、不揮発性ＲＡＭ用のメモリ材料、マイクロアクチュエータ、及び集積型センサ等への応用を目指して、これら金属酸化物の薄膜化が検討されてきている。この薄膜化によって、駆動電圧の低電圧化、素子の集積化、分極処理の省略等が可能になり、バルクでは得られないデバイス特性を発揮するものと期待されている。
【０００３】
従来、このような酸化物薄膜の作製法としては、図４に示すスパッタ法、あるいは図５に示すＭＯＣＶＤ法が主に用いられている。
【０００４】
図４は反応性スパッタ装置の構成を示す模式図である。同図中、１０１は反応チャンバ、１０２は基板、１０３はターゲット試料の出る開口部、１０５は圧縮コイル、１０６はマグネットコイル、１０７は放電用の電源であり、チャンバ１０１内にはＡｒ＋Ｏ2 のガスが導入され、反対側には排気口がある。
【０００５】
スパッタ法は、数Ｐａ程度の圧力に調製されたＡｒ等の希ガス雰囲気中で、基板１０２と対向するターゲット試料１０４との間に直流（ＤＣ）あるいは高周波（ＲＦ）電圧を印加することにより希ガスの放電を誘起し、そのガス分子の衝突によって試料をはじき飛ばして基板上に堆積させる方法である。この方法は、高エネルギー原子が基板１０２に衝突して堆積するので、一般に薄膜の密着性が良く、また、基本的にはターゲット組成に近い膜組成が得られやすい。
【０００６】
図５はＭＯＣＶＤ装置の構成を示す模式図である。同図中、１１１は反応チャンバ、１１２，１１３は電極、１１４は基板、１１５は基板加熱用のヒータ、１１６は高周波電源、１１７は排気口、１１８〜１２１は気化器、１２２〜１２５はキャリアガスの導入口、１２６は反応ガスの導入口である。
【０００７】
ＭＯＣＶＤ法は、多元系酸化物の各構成金属の有機金属ガスを真空容器であるチャンバ１１１内に導入し、高温（１０００℃程度）あるいはプラズマ励起によって同ガスを基板上で分解させ、酸化物の薄膜を形成する方法である。この方法は、放電を利用しないので半導体素子に対する損傷が少なく、ステップカバレージ性に優れている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のような従来の強誘電体薄膜の製造方法にあっては、次のような問題点があった。
【０００９】
すなわち、スパッタ法では、ターゲットに酸化物を焼成して作製したセラミックを使用する方法と、各金属を適当な面積比になるように配置した金属ターゲットを使用する２つの方法に大別されるが、何れの方法においても、スパッタ法で上記金属酸化物の薄膜を作製すると、往々にして堆積した膜の組成ずれや、再スパッタによる堆積速度の低下が発生し、特にセラミックターゲットでは熱によるターゲットの破損、アーク（異常放電）の発生など深刻な問題が存在している。金属ターゲットを用いてＡｒに酸素（Ｏ2 ）を添加した反応性スパッタ法においても、添加量の増減によって堆積速度や放電電圧が変化し、成膜の制御が不安定になる傾向にある。これらの理由で、スパッタ法は一般に薄膜の堆積速度が遅い。また、高品質の膜を得るためには極端に堆積速度を低下させたり、基板温度を６００℃以上に高める必要がある。
【００１０】
また、ＭＯＣＶＤ法では、組成制御性や堆積速度には優れているが、ガスの分解のために基板温度を約１０００℃まで上げる必要があり、適用できる基板材料が限定されるという問題がある。また、使用する有機金属ガスの毒性のため、ガスラインの設置、維持及び排ガス処理に莫大な手間とコストがかかるとともに、安全性、対環境性に重大な問題を抱えている。また、原料の利用効率も極端に悪い。
【００１１】
本発明は、上記のような問題点に着目してなされたもので、薄膜の堆積速度が低下することなく、基体温度を抑えることができるとともに、高品質の膜が得られ、原料の利用効率を高めることができ、安全性、対環境性に優れた強誘電体薄膜の製造方法及びその製造装置を提供することを目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る強誘電体薄膜の製造方法及びその製造装置は、次のように構成したものである。
【００１３】
（１）真空チャンバ内で基体に強誘電体の薄膜を成膜する薄膜製造方法であって、複数の成膜材料をそれぞれ独立に蒸発させ、これらの材料を前記真空チャンバ側にリング状の放電陽極を設けてプラズマ電子流が前記放電陽極を抜けて前記真空チャンバ内に進入するようにした圧力勾配型アーク放電プラズマガンからの空間電荷による反射を用いた反射型プラズマを介して同時に基体上に蒸着するようにした。
【００１４】
（２）上記（１）において、強誘電体としてペロブスカイト型構造の化合物の薄膜を形成するようにした。
【００１５】
（３）上記（２）において、化合物はＰｂ，Ｔｉの各元素、Ｐｂ，Ｚｒ，Ｔｉの各元素、Ｐｂ，Ｌａ，Ｚｒ，Ｔｉの各元素のうち何れかによる化合物とした。
【００１６】
（４）上記（３）において、成膜材料はＰｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｌａの各元素もしくはこれらの各元素の複数種の酸化物とした。
【００１７】
（５）上記（３）において、成膜材料はＰｂ，Ｔｉ，Ｚｒの各元素もしくはこれらの各元素の複数種の酸化物を含むようにし、Ｐｂの蒸発量をＴｉとＺｒの総蒸発量の１０〜３０倍とした。
【００１８】
（６）上記（１）ないし（５）何れかにおいて、各成膜材料を個別に加熱するようにした。
【００１９】
（７）上記（１）ないし（６）何れかにおいて、蒸発源と反射型プラズマを非磁性金属板により遮蔽するようにした。
【００２０】
（８）上記（１）ないし（７）何れかにおいて、成膜材料の蒸発後に酸素を導入するようにした。
【００２１】
（９）上記（１）ないし（８）何れかにおいて、酸素の導入を圧力勾配型アーク放電プラズマガンの真空チャンバに最も近いグリッドフランジから行うようにした。
【００２２】
（１０）真空チャンバ内で基体に強誘電体の薄膜を成膜する薄膜製造装置であって、複数の成膜材料を独立に蒸発させる蒸発源と、前記真空チャンバ側にリング状の放電陽極を設けてプラズマ電子流が前記放電陽極を抜けて前記真空チャンバ内に進入するようにした空間電荷による反射を用いた反射型プラズマを発生させる圧力勾配型アーク放電プラズマガンとを備え、前記複数の成膜材料を同時に蒸着して基体上に薄膜を形成するようにした。
【００２３】
【発明の実施の形態】
図１は本発明に係る強誘電体薄膜の製造装置の構成を示す模式図であり、ここでは反射型ＵＲプラズマ支援多元同時蒸着装置の概略構成を示している。
【００２４】
図１において、１は真空チャンバである真空容器（真空槽）、２は複数の成膜材料（ここでは材料Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３を示す）を独立に蒸発させることが可能な蒸発源、３は基体（基板）、４は基体加熱用のヒータ、５はシャッタ、６は反射型ＵＲプラズマ７を発生させる圧力勾配型アーク放電プラズマガン（ＵＲガン）、８はプラズマ制御用磁場発生源（コイル）、９は蒸発源２と反射型ＵＲプラズマ７を遮蔽する非磁性金属板、１０は基体３の下方にＯ2 ガスを導入するガス導入管（１）、１１は圧力勾配型アーク放電プラズマガン６の真空容器１に最も近いグリッドフランジからＯ2 ガスを導入するガス導入管（２）である。
【００２５】
上記構成の蒸着装置における強誘電体多元系酸化物の製造方法は、圧力勾配型アーク放電プラズマ（ＵＲプラズマ）ガン６により生成された酸素の活性種が存在する真空容器内で、多元系酸化物を構成する材料Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３の各金属を同時に蒸着することにより、同酸化物の薄膜を基体上に形成するものである。
【００２６】
スパッタ法で用いられるグロー放電よりもプラズマ密度が２〜３桁高いアーク放電プラズマを使用してるため、酸素活性種の生成効率が高く、従来の薄膜の作製温度であった６００℃程度の基体温度よりも１００℃低温の５００℃程度で強誘電体薄膜を形成することができる。得られた薄膜は強誘電性を与えるペロブスカイト型の結晶構造を有しており、誘電的性質もバルク材料と同等の特性を示している。
【００２７】
また本発明においては、ＵＲプラズマとしてプラズマ中の電子流を該プラズマの終端で反射させる「反射型ＵＲプラズマ」を使用している。以下に反射型ＵＲプラズマの概念を簡単に説明する。
【００２８】
プラズマガンの最真空容器側にリング状の放電陽極を設けてプラズマ電子流が陽極を抜けて真空容器内に進入するようにして、その終端に電気的に浮動させた金属板を配置すると、金属板はその電子流でチャージアップし、電子のエネルギーに相当する負電位（約−７０Ｖ）を呈する。プラズマ電子流はその終端で電位的に反射し、磁場に沿って放電陽極に引き返す。この結果、等価的にプラズマ電子流は消滅する。なお、プラズマの終端に金属板を置かなくても、プラズマ電子流自身による空間電荷発生によりプラズマ電子流が反射する場合もある。本発明では主にその空間電荷による反射を利用している。
【００２９】
ここで、上記の反射型ＵＲプラズマを用いる利点にてついて説明すると、以下の通りである。
【００３０】
▲１▼陽極を真空容器内に配置する必要がなく、酸化物に代表される絶縁性の薄膜作製時に従来問題となっていた陽極の絶縁化が見られない。このため、高密度酸素プラズマを安定して供給できる。
【００３１】
▲２▼反射プロセスにより電子の走行距離が増大するため、陽極を配置した場合に比べてプラズマ密度が約１．５倍増加する。つまり、同一電力でより高密度のプラズマが得られる。
【００３２】
▲３▼プラズマ電子流が相殺・消滅するため、プラズマによる磁場発生がなく、空間的に均一なプラズマが得られる。また、蒸発源２であるＥＢ（電子ビーム）ガンへの磁場干渉もない。
【００３３】
以上のような特徴は、蒸着アシスト源としてほぼ理想的であり、本発明で実現した強誘電体薄膜の低温形成に大きく寄与するものである。
【００３４】
従来技術であるスパッタ法では、選択スパッタによりターゲットと薄膜の組成ずれが起こり、化学組成の厳密な制御が困難であるという問題がある。特に、再蒸発しやすいＰｂを含むＰＺＴ等の系では、Ｐｂ含有量の制御は非常に困難である。そのため、化学量論組成のターゲットにＰｂまたはＰｂＯなどを追加して膜組成の制御を行わなければならない。
【００３５】
これに対して、本発明の薄膜製造方法は、独立した複数の蒸発源から強誘電体多元系酸化物の各構成金属あるいはそれらの酸化物を蒸発させるので、組成制御性に優れている。蒸発源が金属の場合、ＡＢＯ3 構造のＡサイトを占める金属としてＰｂやＬａ等を、Ｂサイトを占める金属としてＺｒやＴｉ等を各々の蒸発源に充填する。蒸発源が酸化物の場合、ＡサイトとしてＰｂＯやＬａ2 Ｏ3 等、ＢサイトとしてＺｒＯ2 やＴｉＯ等を各々の蒸発源に充填する。蒸発源が金属であってもその酸化物であっても、得られる強誘電体薄膜の特性に大きな差は生じないが、本実施例においては材料が安価であり、蒸発に大きな電力を必要としない理由から、金属材料を主に蒸発源として使用した。
【００３６】
また、スパッタ法で問題になることが多い鉛（Ｐｂ）含有量の制御も容易であり、ＺｒやＴｉ等、ＡＢＯ3 構造のＢサイトを占める金属（またはそれらの酸化物）の蒸発量に対して、鉛（Ｐｂ）の蒸発量を１０〜３０倍程度過剰に供給することにより、基体上にペロブスカイト構造の強誘電体薄膜を容易に形成することができる。これは、各金属の蒸気を独立に制御しているためと、低温で膜形成が可能であるために、従来法よりも構成元素の再蒸発が少ないためである。加えて、本発明で使用するＵＲプラズマは、放電電圧が１００Ｖ以下と通常のスパッタ法の放電電圧（５００〜１０００Ｖ）に比べて著しく低く、このため高エネルギーガス分子による薄膜の再スパッタも抑制される。
【００３７】
さらに、薄膜作製過程において、各金属（酸化物）の蒸発順序、蒸発量比及び蒸発の有／無を制御することにより、膜厚方向に膜組成を階層的あるいは連続的に変化させることも可能である。この結果、誘電特性に重要な膜の配向性の付与及び電極とのコンタクト性に優れた薄膜をデザインすることができる。
【００３８】
ここで、本発明の製造方法はいわゆるプラズマ支援蒸着法の一つであるが、以下のような特徴がある。
【００３９】
▲１▼圧力勾配型アーク放電プラズマガン（ＵＲガン）６を使用しているために、Ａｒ等の希ガスで陰極を保護しながら大量の酸素を容器内に導入できる。酸素導入量は分圧にして０．０１〜１０Ｐａであり、ホローカソード型やカウフマン型プラズマガンではこの程度の高い酸素分圧中では陰極の寿命が極端に短くなる（数〜数十時間）。
【００４０】
▲２▼上記プラズマガン６を使用しているため、蒸発原料が導電性の金属であってもプラズマ７のパワーが低下することなく薄膜形成を行うことができる。これは、ＵＲプラズマと同程度の高いプラズマ密度を提供するＥＣＲプラズマにおいて、蒸発材料が絶縁物にほぼ限定されるのと対照的である。
【００４１】
▲３▼高密度プラズマを使用する場合に、一般的には高電圧（〜１０ｋＶ）が印加されるＥＢガンとの共存が難しいが、本製造方法では図１に示すステンレス板等の非磁性金属板９によってＥＢガンの高圧印加部分をプラズマ７から静電的に遮蔽することにより、両者の電気的な結合を遮断している。この結果、ＥＢガンの異常放電が抑制され、安定した薄膜作製が可能になる。
【００４２】
▲４▼反応ガスである酸素の活性種をより多く生成するために、酸素を基体３の近傍もしくはプラズマ７の出口から真空容器内に導入する。この結果、速い堆積速度（〜５Å／ｓ）においても各金属蒸気が十分に酸素（活性種）と反応し、５００℃においてペロブスカイト結晶構造の強誘電体薄膜を形成することが可能となる。
【００４３】
▲５▼ＥＢガンの異常放電を抑制する目的で、金属蒸気を予め発生させた状態で徐々に酸素を導入していくことにより、スプラッシュやアーキングのない安定した薄膜形成が可能である。
【００４４】
▲６▼基体温度及び各金属（またはそれらの酸化物）の蒸発量を独立にかつ厳密に制御することにより、５００℃という比較的低温でペロブスカイト結晶構造を有する強誘電体多元系酸化物薄膜を形成することができ、その後のアニール等の熱処理は一切必要としない。
【００４５】
次に、上記の装置を用いて実際に薄膜作製を行った本発明の実施例について説明する。
【００４６】
〔実施例１〕
図１の装置を用いて２元系複合酸化物強誘電体ＰＴ［ＰｂＴｉＯ3 ］の薄膜作製を行った。蒸発源２の材料として、Ｐｂ，Ｔｉの各金属を用い、電子ビーム加熱により各々独立に蒸発させた。基体３は（１００）面Ｓｉウエハ上にＳｉＯ2 ／Ｔｉ／Ｐｔの順に各構成材料を堆積したものとし、膜組成をＰｂＴｉＯ3 に調製した。
【００４７】
圧力勾配型アーク放電プラズマガン（ＵＲガン）６に５〜１５ｓｃｃｍのＡｒを導入し、直流バイアス電圧を印加することによりアーク放電を発生させた。放電電圧は７０〜１００Ｖ、放電電流は１５〜６０Ａの間で制御した。このアーク放電で生成した高密度のプラズマ７（プラズマ密度＞１０12）をプラズマ制御用磁場発生源８によって生じた５０〜３００ガウス程度の磁場によって真空容器１内に導いた。この状態で、ガス導入管１０より酸素を５０〜１００ｓｃｃｍ導入することにより、真空容器１内に高密度の酸素プラズマ及び酸素の活性種を生成した。
【００４８】
上記酸素活性種の存在下で、ヒータ４により５００℃程度に加熱された基体３上に薄膜作製を行った。水晶振動子式膜厚モニタにてＰｂ蒸発量がＴｉ蒸発量の１０倍の範囲になるように蒸発源２のパワーを制御することにより、ペロブスカイト型結晶構造を有する薄膜強誘電体が形成された。図２にこのようにして得られた薄膜のＸ線回折の結果を示す。なお、薄膜形成時の真空容器内圧力は１ｍＴｏｒｒ前後であり、膜堆積速度は３Å／ｓ程度であった。この膜の比誘電率を測定したところ、バルク材料と同じ２００に達することが確認された。すなわち、実施例１の方法により、低温で良質の強誘電体２元系酸化物薄膜が形成されることがわかった。
【００４９】
〔実施例２〕
実施例１と同様の装置（図１）を用いて３元系複合酸化物強誘電体ＰＺＴ［Ｐｂ（Ｚｒx Ｔｉ1-x ）Ｏ3 ］の薄膜作製を行った。蒸発源２の材料として、Ｐｂ，Ｚｒ，Ｔｉの各金属を用い、電子ビーム（ＥＢ）加熱により各々独立に蒸発させた。基体３は（１００）面Ｓｉウエハ上にＳｉＯ2 ／Ｔｉ／Ｐｔの順に各構成材料を堆積したものとし、膜組成をＰｂ（Ｚｒ0.52Ｔｉ0.48）Ｏ3 に調製した。
【００５０】
実施例１と同様の条件で、圧力勾配型アーク放電プラズマガン（ＵＲガン）６から高密度のプラズマ７を発生させ、ガス導入管１０または１１より酸素を５０〜１００ｓｃｃｍ導入することにより、真空容器１内に高密度の酸素プラズマ及び酸素の活性種を生成した。
【００５１】
上記酸素活性種の存在下で、ヒータ４により５００℃程度に加熱された基体３上に薄膜作製を行った。水晶振動子式膜厚モニタにてＰｂ蒸発量がＺｒとＴｉの蒸発量の合計に対して２０倍の範囲になるように、かつＺｒとＴｉの蒸発量がほぼ同等になるように、蒸発源２のパワーを制御することにより、ペロブスカイト型結晶構造を有する薄膜強誘電体が形成された。図３にこのようにして得られた薄膜のＸ線回折の結果を示す。なお、薄膜形成時の真空容器内圧力は１〜５ｍＴｏｒｒであり、膜堆積速度は３〜４Å／ｓ程度であった。この膜の比誘電率を測定したところ、バルク材料と同じ２０００に達することが確認された。すなわち、実施例２の方法により、低温で良質の強誘電体３元系酸化物薄膜が形成されることがわかった。
【００５２】
なお、本発明は例えば次のような製品に利用することができる。
▲１▼微小ミラーあるいはレンズ駆動型の光スイッチ、光シャッタ、光変調器等
▲２▼半導体メモリ（ＦｅＲＡＭ）用誘電体
▲３▼インクジェット型プリンタヘッド（インク吐き出しの駆動源として）
▲４▼各種センサ：振動ジャイロ、加速度センサ、赤外線（熱）センサ、光センサ、超音波センサ等
▲５▼光スキャナ
▲６▼印画紙書き込み用微小光源ユニット
【００５３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、次のような効果が得られる。
【００５４】
▲１▼従来の方法におけるこの種の強誘電体多元系酸化物薄膜の作製温度が６００℃程度に達するのに対して、本発明の製造方法を用いると、１００℃程度低い５００℃でも同薄膜の作製が可能である。そして、得られた薄膜は良好なペロブスカイト結晶構造を示し、バルク材料と同等の誘電特性を示す。
【００５５】
▲２▼同酸化物を構成する金属もしくはその酸化物を複数の蒸発源から独立に蒸発制御するため、膜の組成制御が容易である。特にスパッタ法等で問題になる、Ｐｂの再蒸発による組成ずれを解決できる。
【００５６】
▲３▼独立した複数蒸発源を用いているために、薄膜作製過程において膜厚方向に膜組成を階層的あるいは連続的に変化させることができる。これにより、誘電特性を向上させる結晶配向性が得られるとともに、良好な電極との密着性及び電気接合性が得られる。
【００５７】
▲４▼原料の利用効率を高めることができ、安全性、対環境性にも優れている。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明に係る強誘電体薄膜の製造装置の構成を示す模式図
【図２】  実施例１で作製された薄膜のＸ線回折結果を示す図
【図３】  実施例２で作製された薄膜のＸ線回折結果を示す図
【図４】  反応性スパッタ装置の構成を示す模式図
【図５】  ＭＯＣＶＤ装置の構成を示す模式図
【符号の説明】
１  真空容器
２  蒸発源
３  基体
４  ヒータ
５  シャッタ
６  圧力勾配型アーク放電プラズマガン
７  反射型ＵＲプラズマ
８  プラズマ制御用磁場発生源
９  非磁性金属板
１０  ガス導入管（１）
１１  ガス導入管（２）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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