(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置の製造方法において、
反応チャンバーを加熱する段階と、
堆積されたポリシリコン膜からなるキャパシター電極を持つ半導体基板を前記反応チャンバー内にローディングする段階と、
前記反応チャンバーの内部温度が第１温度範囲内に安定化される前に、前記反応チャンバー内に微量の第１の反応ガスを注入して前記キャパシター電極上にシリコン膜を形成する段階と、
第２温度範囲内で、前記半導体基板を加熱する段階と、
前記内部温度が前記第１温度範囲に至る後、前記反応チャンバー内に前記第１の反応ガスより多くの量であって前記第１の反応ガスと同一種類の第２の反応ガスを注入して前記キャパシター電極上に複数のＨＳＧ核を形成する段階と、
前記半導体基板をアニーリングして複数のＨＳＧ核を成長して前記キャパシター電極上にＨＳＧ膜を形成する段階とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１の反応ガスの注入量は、５ＳＣＣＭ以下である請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１温度範囲は、２００℃−５００℃である請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記反応ガスは、ＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6及びＤＣＳからなる一群中から選ばれる請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記反応ガスは、３０℃−４０℃温度範囲内に予熱される請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記反応チャンバーの内部圧力は、前記反応ガスを反応チャンバー内に注入する段階の間、１×１０-3 ｔｏｒｒ以下で維持される請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２温度範囲は、５００℃−６３０℃である請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記反応チャンバーは、暖水壁型チャンバー（warm wall chamber）である請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
反応チャンバーを加熱し、それの内部温度を第１温度範囲内に維持する段階と、
前記反応チャンバー内に反応ガスを注入して、前記反応チャンバー内にロードされた半導体基板上部に形成されるキャパシター電極上に複数のＨＳＧ核を形成する段階と、
前記半導体基板をアニーリングして複数のＨＳＧ核を成長して、前記キャパシター電極上にＨＳＧ膜を形成する段階とを含み、
前記維持する段階は、
前記反応チャンバーの内部温度が第１温度範囲内に安定される前に前記反応チャンバー内に微量の前記反応ガスを注入して前記キャパシター電極上にシリコン膜を形成する段階を含み、
前記半導体基板は、前記反応チャンバー内に前記反応ガスを注入する段階の間、第２温度範囲内に加熱されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第２温度範囲は、５００℃−６３０℃である請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記微量の反応ガスの注入量は、５ＳＣＣＭ以下である請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第１温度範囲は、２００℃−５００℃である請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記反応ガスは、ＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6及びＤＣＳからなる一群中から選ばれる請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記反応ガスは、３０℃−４０℃温度範囲内に予熱される請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記反応チャンバーの内部圧力は、前記反応ガスを反応チャンバー内に注入する段階の間、１×１０-3 ｔｏｒｒ以下で維持される請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
反応チャンバーの加熱により、第１温度範囲内に反応チャンバーを安定化する段階と、
半導体基板上部に形成されたキャパシター電極上に複数のＨＳＧ核を形成するために使用する反応ガスを注入する段階と、
前記ＨＳＧ核を成長させ、前記キャパシター電極上にＨＳＧ膜を形成する段階を含み、
前記安定化する段階は、前記キャパシター電極上にシリコン薄膜を堆積することを含み、
前記キャパシター電極上のシリコン薄膜は、前記反応チャンバーの安定化段階の間に微量の前記反応ガスを前記反応チャンバー内に注入するにより形成され、
前記半導体基板は、前記反応チャンバー内に前記反応ガスを注入する段階の間、第２温度範囲内に加熱されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法に関するものであり、より具体的にはキャパシターの下部電極で使用するためのストレージ電極（storage electrode）を製造する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
最近、キャパシターのキャパシタンスを増加するために、ストレージ電極の表面積を広くして、キャパシタンスを増加する多様な方法が提案された。そのような方法中、製造工程の容易のため、キャパシター下部電極の表面に選択的にＨＳＧ（Hemi Spheriel Grain）を形成する方法が広く使われている。このような、方法により製造されたキャパシター下部電極は凸凹（acancave−convex）な表面を持つので、その表面積が広くなり、広くなるほどキャパシタンスが増加される。
【０００３】
キャパシターの電極は通常ドーピングされたシリコン層として形成されている。この電極上にＨＳＧを形成するにおいて、重要な事項中の一つが、キャパシター下部電極層の間の酸化膜上にＨＳＧが形成されないようにして、そして、キャパシター下部電極上だけに、選択的に形成させることである。
【０００４】
キャパシター下部電極上にＨＳＧを形成するために二つの方法がある。一つは、キャパシター下部電極が酸化膜のコンタクホール内に充電されている基板全面にＨＳＧを蒸着した後、酸化膜上に形成されているＨＳＧをエッチバックする方法であるブランケット（blanket）ＨＳＧ形成方法である。他の一つは、基板上の酸化膜にあるコンタクホール内に充電されているキャパシター下部電極上だけに、ＨＳＧを形成させる選択的ＨＳＧ形成方法である。
【０００５】
ブランケットＨＳＧ形成方法はエッチバックする時、キャパシター下部電極上にあるＨＳＧの一部分が共に除去されるので、実際得られるキャパシタンスは小さくなる問題点を持っている。従って、現在は選択的ＨＳＧ形成方法が主に利用されている。
図１ないし図３は、キャパシター下部電極の表面にＨＳＧ層を選択的に形成する方法の工程を示す工程図（flow diagram）である。
【０００６】
選択的ＨＳＧ形成方法は、半導体基板１０上に形成された酸化膜１２のコンタクホール内にドープされたポリシリコンを充電することにより、キャパシター下部電極１４を形成する段階（図１）と、反応チャンバー内に反応ガスを注入してキャパシター下部電極１４の表面にＨＳＧ核（ＨＳＧ nuclei：１６）を形成する段階（図２）及び、ＨＳＧ核１６の成長によりＨＳＧ層１６ａを形成する段階（図３）からなる。
【０００７】
このような選択的ＨＳＧ形成工程は、一般的に冷水壁型（cold wall type）反応チャンバーあるいは暖水壁型（warm wall type）反応チャンバーで進行されるが、その理由は選択的消失マージン（selectivity loss margin：シリコン電極上にＨＳＧを形成する時、近所の酸化膜にＨＳＧが形成される程度）が一番優れるからである。
【０００８】
冷水壁型反応チャンバーは、内壁に反応ガスが付着されることを防止するために冷却水を内壁でフローさせ、その内壁を１０℃ー２０℃程度の温度に維持させる反応チャンバーである。暖水壁型反応チャンバーは反応チャンバーの壁を構成する石英チューブ（quartz tube）と炭化珪素チューブを２００℃−５００℃の温度を維持し、又、基板を一定の温度に加熱させた後、反応チャンバー内に注入される反応ガスを予熱（pre−heating）させる反応チャンバーである。
【０００９】
このような冷水壁型反応チャンバーと暖水壁型反応チャンバーを使って、ＨＳＧ膜をキャパシターストレージ電極の表面に形成する従来キャパシター製造方法は下で添付された図４と図５を参照して、詳細に説明する。
図４は、冷水壁型反応チャンバーを使って、キャパシター下部電極の表面にＨＳＧ層を形成する方法を説明するためのグラフとして、反応チャンバーの温度と反応時間の関係を示している。
【００１０】
図４を参照すると、冷水壁型反応チャンバーを利用するＨＳＧ層の形成方法は大きく温度安定化段階Ｔ１とＨＳＧ形成段階Ｔ２で区別されることができる。温度安定化段階は、反応チャンバー内の温度が基板温度と同一にした後、反応チャンバー内に注入される反応ガスを基板と反応させる段階である。冷水壁型反応チャンバーの内壁には上述したような理由で冷却水が流れている。従って、反応チャンバーに注入される反応ガスは基板に比べて、相対的に低い温度に基板に接近するようになる。反応ガスが基板に到達されると、基板と反応ガスの間の温度差が大きいので、反応ガスが基板温度と同一の温度に加熱され基板と反応するまでには比較的多くの時間がかかる。
【００１１】
従って、ＨＳＧ形成にかかる時間が長くなって、結局、キャパシターの生産性が低下される。キャパシターは大部分の半導体装置に使われるので、半導体の生産性低下に発展するようになる。
図５は、暖水壁型反応チャンバーを使って、キャパシター下部電極の表面にＨＳＧ層を形成する方法を説明するためのグラフとして、反応チャンバーの温度と反応時間の関係を示している。
【００１２】
図５を参照すると、暖水壁型反応チャンバーを使ったＨＳＧ形成方法は大きく温度安定化段階Ｔ１’と、ＨＳＧ核形成及びＨＳＧ核成長段階Ｔ２’からなる。温度安定化段階Ｔ１’は反応ガスと基板の反応速度を早くするために反応チャンバーのウェルが約２００℃−５００℃の温度範囲内で維持される。この温度安定化段階では、反応ガスが反応チャンバー内に流入されない。
【００１３】
反応チャンバー内の温度が基板温度と同一に安定化された後、反応ガスを反応チャンバー内に注入してＨＳＧ核をストレージ電極表面上に形成させるＨＳＧ核形成段階（ＨＳＧ seeding step）が進行される。最後、反応ガスの注入を中断した後、熱処理（annealing）により、ＨＳＧ核を成長するＨＳＧ核成長段階が進行される。
【００１４】
図５を再び参照すると、暖水壁型反応チャンバーのウェルは上述したような理由で、２００℃−５００℃の温度で維持されるので、チャンバー内に注入される反応ガスが基板温度と同一の温度として加熱され、その基板と反応する総時間は冷水壁型反応チャンバーに比べて短縮される利点がある。しかし、暖水壁型反応チャンバーを利用したＨＳＧ形成方法により、製造されたキャパシターのキャパシタンス（capacitance）は実際に冷水壁型反応チャンバーに比べて約１０％−２０％程度低下される。これは、暖水壁型反応チャンバーを利用して形成されたＨＳＧ層の平均粒径が冷水壁型反応チャンバーを利用したＨＳＧ層より比較的小さいからである。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の目的は、キャパシターの下部電極に形成されるＨＳＧ層の平均粒径を増加させ、より高いキャパシタンスを持つ半導体装置のキャパシター製造方法を提供するためである。
本発明の他の目的は、既存のＨＳＧ製造方法からのキャパシターのキャパシタンス（capacitance）の最小値（Ｃmin）より高いキャパシタンス（capacitance）の最小値（Ｃmin）を得られるようにする半導体装置のキャパシター製造方法を提供することである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上述したような目的を達成するための本発明の一つの特徴によると、半導体装置の製造方法は反応チャンバーを加熱する段階と、堆積されたポリシリコン膜からなるキャパシター電極を持つ半導体基板を反応チャンバー内にローティングする段階と、反応チャンバーの内部温度が第１温度範囲内に安定化される時まで、反応チャンバー内に第１正の反応ガスを注入してキャパシター電極上にシリコン膜を形成する段階と、第２温度範囲内で、半導体基板を加熱する段階と、内部温度が第１温度範囲に至る後、反応チャンバー内に第１正の反応ガスより多くの量の第２正の反応ガスを注入してキャパシター電極上に複数のＨＳＧ核を形成する段階と、そして、半導体基板をアニーリングして複数のＨＳＧ核を成長してキャパシター電極上にＨＳＧ膜を形成する段階とを含む。
【００１７】
本発明の他の特徴によると、半導体装置の製造方法は、反応チャンバーを加熱し、それの内部温度を第１温度範囲内に維持する段階と、反応チャンバー内に反応ガスを注入して、反応チャンバー内にロードされた半導体基板上部に形成されるキャパシター電極上に複数のＨＳＧ核を形成する段階と、半導体基板をアニーリングして複数のＨＳＧ核を成長して、キャパシター電極上にＨＳＧ膜を形成する段階を含むが、反応チャンバーを加熱する段階は反応チャンバーの内部温度が第１温度範囲内に安定される時まで、反応チャンバー内に微量の反応ガスを注入してキャパシター電極上にシリコン膜を形成する段階とを含む。
【００１８】
本発明の他の特徴によると、半導体装置の製造方法は、反応チャンバーの加熱により、第１温度範囲内に反応チャンバーを安定化する段階と、半導体基板上部に形成されたキャパシター電極上に複数のＨＳＧ核を形成するために使用する反応ガスを注入する段階と、そして、ＨＳＧ核を成長させ、キャパシター電極上にＨＳＧ膜を形成する段階を含むが、反応チャンバーの安定化段階はキャパシター電極上にシリコン薄膜を堆積することを含む。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好ましい実施形態による参照図面により説明すると、次のようである。
以下、本発明の実施形態によるキャパシターの製造方法が添付された図面を参照して詳細に説明する。
この発明で、暖水壁型反応チャンバーを利用して、キャパシター下部電極の表面にＨＳＧ膜を形成させるキャパシターの製造方法を例として説明される。
【００２０】
図６と図９で図示されたように、本発明の実施形態による新規なキャパシター製造方法は、基板２０の温度が安定化される前に、微量のソースガス（約５ＳＣＣＭ以下）を反応チャンバー内に注入することにより、導電層パターン２６の表面に微量のシリコンを堆積（deposite）させる段階を含む。このように、生成されたシリコンは基板温度の安定化後に増加されたソースガスの注入でＨＳＧ核２６ａを非常に容易に生成させるために利用される。
【００２１】
具体的には、図６に図示されたように、絶縁層２２を間に挟んだまま、形成された導電層パターン２４が形成された半導体基板２０が暖水壁型反応チャンバー（図示せず）にローティング（load）される。基板２０が反応チャンバー内にローディングされる前に反応チャンバーが加熱手段によりチャンバーの内部雰囲気温度は２００℃−５００℃程度に維持されているし、又、基板を加熱させるサセプタ（susceptor）は、これに含まれたコイル或いは炭化珪素ヒータにより５００℃−６３０℃の温度温度で維持される。反応チャンバー加熱手段は、図示されていないが、反応チャンバーのウェルになる石英チューブとこの石英チューブを囲まれるサス（sus）及び珪素ヒータで構成されていることはこの技術分野の人々には自明なことである。サセプタは又、反応ガスの流入口と流出口を具備している。
【００２２】
再び、図６に図示されたように、基板２０は反応チャンバーにローティングされた直後、反応チャンバーのガス供給管（図示せず）を通じて反応ガスが供給され、１次シーディング（seeding）段階としてＨＳＧ核２６生成と２次シーディング段階としてＨＳＧ核２６ａ生成が次第に実行される。反応ガスはＨＳＧ核２６，２６ａの形成に使用するガスとして、シラン（ＳｉＨ4）、ジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）及びＤＣＳからなる一群中、選ばれた少なくとも一つが使用されることができるが、通常シリコンを含むガスであると、使用されることができる。
【００２３】
ここで、一次シーディングは、図４Ａで図示されたように、基板２０の温度が安定化される前にソースガスを微量（約５ＳＣＣＭ以下）反応チャンバー内に注入すて導電層パータン２６を構成するポリシリコンの表面に微量のシリコンを堆積（deposite）してＨＳＧが形成される二次シーディング段階で、容易にＨＳＧ核を生成させる段階を意味する。二次シーディングは、図４Ｂで図示されたように、基板温度が安定化された後、一次シーディングする時、注入されるソースガス量より多いソースガス量を反応チャンバー内に注入して、単結晶（mono−crystalline）のＨＳＧ核をポリシリコン上に生成させる段階を意味する。１次、２次シーディング工程が進行される間に反応チャンバー内部の圧力は反応ガス流入する時、１×１０-3トル（ｔｏｒｒ）以下で維持することが好ましい。
【００２４】
上述した２次シーディング段階が完了されると、ソースガスの注入を中断し、熱処理（annealing）段階が実行される。この熱処理段階では、図８に図示されたように、ＨＳＧ核が成長してＨＳＧ層２６ｂが形成される。熱処理段階であるアニーリング工程は同じように１×１０-3トル以下の圧力下で実施する好ましい。
次は、従来技術及び本発明によるＨＳＧ層を形成する方法を相互比較して説明する。
【００２５】
図１ないし図３で図示されたように、従来ののＨＳＧ層の形成技術は大きく基板１０の温度を一定な温度に安定化させる段階と、安定化された次の反応チャンバー内に反応ガスを供給してＨＳＧ核を形成するシーディング段階及び、ＨＳＧ核をＨＳＧ層で成長させるアニーリング（annealing）段階で区別されることができる。これに対して、図６ないし図８で図示されたように、本発明のＨＳＧ層の形成技術は基板温度の安定化工程中に微量の反応ガスを供給して導電膜パターン２４の表面にシリコン膜２６を堆積する１次シーディング段階と、基板温度の安定化後に増加された反応ガスを供給してＨＳＧ核２６ａを生成する２次シーディング段階及び、通常のアニーリング段階で区別されることができる。
【００２６】
特に、本発明の１次シーディング段階で、反応チャンバーのウェルの温度が２００℃−５００℃程度で維持されているし、又、反応チャンバー内に注入される反応ガスが約３５℃温度の予熱（pre−heating）された状態で注入されるので、基板温度の安定化と同時にＨＳＧシーディングが行われる。以後、基板２０は５００℃−６３０℃の温度に加熱され、基板温度、すなわち、チャンバー内雰囲気が安定化された後、増加された反応ガスが反応チャンバー内に供給されることにより、２次シーディングが行われる。内部雰囲気を２００℃−５００℃程度に維持させることはチューブにヒータを設置する方法とチューブ自体を黒体（blackbody）物質或いはそれと類似な物質を使って、反応チャンバーで発生された熱が外部に輻射できないようにすることにより、チューブの温度を維持する方法が適用されることができる。
【００２７】
このように、本発明のキャパシターの製造方法は、二回に渡って、ＨＳＧ核を形成させるため、図１１に図示されたように、最終的に形成されたＨＳＧ層２６ｂの平均粒径（average grain size）が従来の方法により、形成されたＨＳＧ層１６ｂと比較して見る時増加され、キャパシターはより高いキャパシタンスを持つことができる。
【００２８】
すなわち、本発明のＨＳＧ製造方法により、製造されたキャパシターは従来のＨＳＧ製造方法により、製造されたキャパシターより高いキャパシタンス（capacitance）の最小値（Ｃmin）を持つ。
上述したように、本発明のＨＳＧ製造方法によると、基板温度安定化工程と１次ＨＳＧ核生成Ｔ１”が同時に行われることができる。その結果、２次ＨＳＧ核生成Ｔ２”からＨＳＧ層２６ｂの形成に至る工程までの時間を短くすることができる。
【００２９】
又、１次ＨＳＧ核及び２次ＨＳＧ核生成を区分してＨＳＧ層２６ｂを形成するようになると、図１１に図示されたように、そのＨＳＧ層２６ｂは従来方法により、製造されたＨＳＧ層１６ｂより相対的に大きな平均粒径を持つことができる。その結果、本発明のＨＳＧ製造技術が適用され、製造されたキャパシターは高いキャパシターのキャパシタンスを得られることができる。
【００３０】
【発明の効果】
従って、本発明によるＨＳＧ製造技術を利用してＨＳＧを形成すると、キャパシターのキャパシタンスを向上させ、生産性を高めることができる。
本発明は、実施形態に限定されなく、多くの変形が本発明の技術的思想内で当分野からの通常の知識を持つ人々により実施可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】  キャパシター下部電極の表面にＨＳＧ層を選択的に形成する従来製造方法の段階を示している工程図である。
【図２】  キャパシター下部電極の表面にＨＳＧ層を選択的に形成する従来製造方法の段階を示している工程図である。
【図３】  キャパシター下部電極の表面にＨＳＧ層を選択的に形成する従来製造方法の段階を示している工程図である。
【図４】  冷水壁型反応チャンバーを使って、キャパシター下部電極の表面にＨＳＧ層を形成する従来製造方法を説明するために反応チャンバーの温度と反応時間の関係を示すグラフである。
【図５】  暖水壁型反応チャンバーを使って、キャパシター下部電極の表面にＨＳＧ層を形成する方法を説明するために反応チャンバーの温度と反応時間の関係を示すグラフである。
【図６】  キャパシター下部電極の表面にＨＳＧ層を選択的に形成する本発明の新規な製造方法の段階を示す工程図である。
【図７】  キャパシター下部電極の表面にＨＳＧ層を選択的に形成する本発明の新規な製造方法の段階を示す工程図である。
【図８】  キャパシター下部電極の表面にＨＳＧ層を選択的に形成する本発明の新規な製造方法の段階を示す工程図である。
【図９】  本発明のキャパシター製造方法を説明するための反応チャンバーの温度と反応時間の関係を示すグラフである。
【図１０】  従来技術によりキャパシター下部電極の表面上に形成されたＨＳＧ層の粒径を比較するための平面写真である。
【図１１】  本発明によりキャパシター下部電極の表面上に形成されたＨＳＧ層の粒径を比較するための平面写真である。
【符号の説明】
２０  半導体基板
２２  絶縁膜
２４  導電層パターン（キャパシター下部電極）
２６ａ  ＨＳＧ核
２６ｂ  ＨＳＧ層
【図１】
0004180729.tif 000002
【図２】
0004180729.tif 000003
【図３】
0004180729.tif 000004
【図４】
0004180729.tif 000005
【図５】
0004180729.tif 000006
【図６】
0004180729.tif 000007
【図７】
0004180729.tif 000008
【図８】
0004180729.tif 000009
【図９】
0004180729.tif 000010
【図１０】
0004180729.tif 000011
【図１１】
0004180729.tif 000012