(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素領域を含む第１基板と;
前記第１基板の下部に配置されたバックライトと；
前記第１基板の内側面に形成された薄膜トランジスタと;
前記薄膜トランジスタ上部に形成された保護層と;
前記保護層上部に形成されて、前記薄膜トランジスタのみを覆いそれ以外の部分は露出させるブラックマトリックスと;
前記保護層上部の前記画素領域に形成されて、薄膜トランジスタと連結される画素電極と;
前記第１基板と接するように配置された第２基板と;
前記第２基板の内側面に形成されたカラーフィルタ層と;
前記カラーフィルタ層下部に形成された共通電極と;
前記第１及び第２基板間に介在された液晶層と;
前記第１及び第２基板間に配置され、前記液晶層を囲んでいるシールパターンと;そして
前記第２基板の外側の前記シールパターンを覆う位置に配置された光遮断層と、
前記第２基板の外側及び前記光遮断層上部に配置された偏光板と
を含み、
前記光遮断層は、印刷または接着力を有する物質を利用して前記偏光板の内側面に形成され、
前記偏光板は、前記光遮断層が形成された部分を除外して前記第２基板と全面接触する
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記保護層は、４より小さい誘電率を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記保護層は、ベンゾシクロブテンで形成されることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記ブラックマトリックスは、前記薄膜トランジスタと連結されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記ブラックマトリックスは、クロムで形成されたことを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記ブラックマトリックスは、前記画素電極と連結されていることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
第１基板と;
前記第１基板の内側面に形成されているカラーフィルタ層と;
前記カラーフィルタ層上部に形成されている平坦化層と;
前記平坦化層上部に形成されている薄膜トランジスタと;
前記薄膜トランジスタのみを覆いそれ以外の部分は露出させるブラックマトリックスと;
前記薄膜トランジスタと連結された画素電極と;
前記第１基板と離隔されて接するように配置された第２基板と;
前記第２基板の内側面に形成された共通電極と;
前記第１及び第２基板間に介在された液晶層と;
前記第１及び第２基板間に配置されて前記液晶層を囲んでいるシールパターンと;
前記第２基板の外側の前記シールパターンを覆う位置に配置された光遮断層と;
前記第２基板の外側及び前記光遮断層上部に配置された偏光板と
を含み、
前記光遮断層は、印刷または接着力を有する物質を利用して前記偏光板の内側面に形成され、
前記偏光板は、前記光遮断層が形成された部分を除外して前記第２基板と全面接触する
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
前記ブラックマトリックスは、前記薄膜トランジスタと連結されていることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記ブラックマトリックスは、クロムで形成されたことを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記ブラックマトリックスは、前記画素電極と連結されていることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
画素領域を含む第１基板と;
前記第１基板の内側面に形成された薄膜トランジスタと;
前記薄膜トランジスタ上部に形成されて、前記画素領域に配置されるカラーフィルタ層と;
前記薄膜トランジスタのみを覆いそれ以外の部分は露出させるブラックマトリックスと;
前記カラーフィルタ層と前記ブラックマトリックス上部に形成された平坦化層と;
前記平坦化層上部に形成されて前記カラーフィルタ層に対応し、前記薄膜トランジスタと連結されている画素電極と;
前記第１基板と離隔されて接する第２基板と;
前記第２基板の内側面に形成された共通電極と;
前記第１及び第２基板間に介在された液晶層と;
前記第１及び第２基板間に配置されて前記液晶層を囲んでいるシールパターンと;
前記第２基板の外側の前記シールパターンを覆う位置に配置された光遮断層と;
前記第２基板の外側及び前記光遮断層上部に配置された偏光板と
を含み、
前記光遮断層は、印刷または接着力を有する物質を利用して前記偏光板の内側面に形成され、
前記偏光板は、前記光遮断層が形成された部分を除外して前記第２基板と全面接触する
ことを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶表示装置に係り、特に高開口率を有する液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置は、消費電力が低く、かつ携帯性が良好な技術集約的であり付加価値が高い次世代先端表示装置素子として最も脚光を浴びている。液晶表示装置は、透明電極が形成された二基板間に液晶を注入して、この液晶の異方性による光の屈折率差を利用して映像効果を得る方式で駆動する。
【０００３】
現在では、各画素(ｐｉｘｅｌ)別に電圧のオン／オフを調節することができるスイッチング素子である薄膜トランジスタが備わったアクティブマトリックス型液晶表示装置(以下、液晶表示装置と略称する)が解像度及び動画像具現能力が優れており、最も注目されている。
【０００４】
図１は、一般的な液晶表示装置に対する断面図である。図示したように、従来の液晶表示装置１０では第１基板１２と第２基板１４が互いに接するように配置されていて、第１及び第２基板１２、１４間には液晶層１６が介在されている。前記液晶表示装置１０は画像を表現する画像領域(ｉｍａｇｅ  ａｒｅａ;Ａ)と前記画像領域Ａ周りの非画像領域(ｎｏｎ−ｉｍａｇｅ  ａｒｅａ;Ｂ）を有する。
【０００５】
前記画像領域Ａにおいて、第１基板１２の内側面にはゲート電極１８が形成されており、その上にゲート絶縁膜２０が形成され、ゲート絶縁膜２０は非画像領域Ｂにまで延びている。ゲート絶縁膜２０上にはアクティブ層２２が形成されており、アクティブ層２２はゲート電極１８上部に配置する。続いて、アクティブ層２２上にはデータ配線２５とソース及びドレイン電極２４、２６が形成されている。ゲート電極１８とアクティブ層２２、そして、ソース及びドレイン電極２４、２６は薄膜トランジスタＴをなす。
【０００６】
一方、非画素領域Ｂのゲート絶縁膜２０上にはデータ配線２５と連結されたデータパッド２７が形成されている。データパッド２７はデータ配線２５を外部の回路(図示せず)と連結する。次に、データ配線２５とソース及びドレイン電極２４、２６、そして、データパッド２７上には保護層２８が形成されている。保護層２８はドレイン電極２６とデータパッド２７を各々あらわすドレインコンタクトホール２９とデータパッドコンタクトホール３０を有する。
【０００７】
次に、保護層２８上には画素電極３２とデータパッドターミナル３３が形成されている。画素電極３２は画像領域Ａ上の画素領域Ｐに配置し、ドレインコンタクトホール２９を通してドレイン電極２６と連結される。データパッドターミナル３３は非画像領域Ｂ上に配置すればデータパッドコンタクトホール３０を通してデータパッド２７と連結される。
【０００８】
次に、第２基板１４の内側面にはブラックマトリックス３４が形成されている。ここで、第２基板１４の大きさは第１基板１２より小さい。ブラックマトリックス３４は画像領域Ａにある薄膜トランジスタＴに対応するが、また、非画像領域Ｂにも配置する。ブラックマトリックス３４下部にはカラーフィルタ層３６が形成されている。カラーフィルタ層３６は画素領域Ｐに配置する赤(Ｒ)、緑(Ｇ)、青(Ｂ）の３サブカラーフィルタで形成される。続いて、カラーフィルタ層３６下部にはオーバーコート層３８が形成されていて、その下部に共通電極４０が形成されている。
【０００９】
図示しなかったが、画素電極３２上部と共通電極４０下部には第１及び第２配向膜が各々形成されて液晶層１５の液晶分子を配列させる。液晶層１５内にはスペーサ４２が形成されていて、セルギャップ、すなわち、液晶層１６の厚さを一定に維持する。
【００１０】
一方、第１基板１２と第２基板１４間の非画像領域Ｂにはシールパターン４４が形成されている。シールパターン４４は液晶が漏れることを防止する。第１基板１２と第２基板１４の外側の面には各々第１偏光板３１と第２偏光板３５が各々配置されており、第１偏光板３１の外側の方には液晶表示装置の光源であるバックライト(図示せず)が配置されている。
【００１１】
このような液晶表示装置では、前記ブラックマトリックス３４が薄膜トランジスタＴのみならずシールパターン４４を覆っているために、バックライトを通して供給される光源中シールパターン４４周辺部の光Ｌ１を効果的に遮断して、画面周辺部の明るい現象を防止できる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、前記ブラックマトリックス３４の形成面積が大きくなるほど開口率が小さくなるようになる。また、第１及び第２基板１２、１４の誤整列を防止するためにブラックマトリックス３４はマージンを有するように形成するために、液晶表示装置の開口率はさらに低くなる。
【００１３】
最近では薄膜トランジスタＴと画素電極３２間に低誘電率の絶縁物質で保護層２８を厚く形成することによって、ゲート配線及びデータ配線をブラックマトリックスで利用し、画素電極３２をゲート配線及びデータ配線と重畳する高開口率液晶表示装置が提案されている。これによれば、第２基板１４のブラックマトリックス３４を省略できるので開口率が増加する。
【００１４】
これ以外にも、液晶表示装置の下部基板上にカラーフィルタ層と薄膜トランジスタを一緒に形成するＴＯＣ(Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ  ｏｎ  Ｃｏｌｏｒ  Ｆｉｌｔｅｒ)構造またはＣＯＴ(Ｃｏｌｏｒ  Ｆｉｌｔｅｒ  ｏｎ  Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ)構造が提案されているが、このような液晶表示装置ではブラックマトリックスも下部基板上に形成するので、ブラックマトリックスはマージンを有する必要がない。更に、ブラックマトリックスは薄膜トランジスタにのみ対応するように形成する場合もあるので、開口率がさらに広まる。
【００１５】
しかし、このような液晶表示装置では非画像領域のシールパターンを覆うブラックマトリックスがないために、画像領域の縁すなわち、非画像領域で光漏れが発生する。
【００１６】
前記問題点を解決するために、本発明は開口率が大きく、画像領域縁で光漏れが起こることを防止する液晶表示装置及びその製造方法を提供することを目的にする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
前記した目的を達成するための本発明の液晶表示装置は、画素領域を含む第１基板と;前記第１基板の下部に配置されたバックライトと；前記第１基板の内側面に形成された薄膜トランジスタと;前記薄膜トランジスタ上部に形成された保護層と;前記保護層上部に形成されて、前記薄膜トランジスタのみを覆いその以外の部分は露出させるブラックマトリックスと;前記保護層上部の前記画素領域に形成されて、薄膜トランジスタと連結される画素電極と;前記第１基板と接するように配置された第２基板と;前記第２基板の内側面に形成されたカラーフィルタ層と;前記カラーフィルタ層下部に形成された共通電極と;前記第１及び第２基板間に介在された液晶層と;前記第１及び第２基板間に配置され、前記液晶層を囲んでいるシールパターンと;そして前記第２基板の外側の前記シールパターンを覆う位置に配置された光遮断層と、前記第２基板の外側及び前記光遮断層上部に配置された偏光板とを含み、前記光遮断層は、印刷または接着力を有する物質を利用して前記偏光板の内側面に形成され、前記偏光板は、前記光遮断層が形成された部分を除外して前記第２基板と全面接触することを特徴とする。
また、第１基板と;前記第１基板の内側面に形成されているカラーフィルタ層と;前記カラーフィルタ層上部に形成されている平坦化層と;前記平坦化層上部に形成されている薄膜トランジスタと;前記薄膜トランジスタのみを覆いその以外の部分は露出させるブラックマトリックスと;前記薄膜トランジスタと連結された画素電極と;前記第１基板と離隔されて接するように配置された第２基板と;前記第２基板の内側面に形成された共通電極と;前記第１及び第２基板間に介在された液晶層と;前記第１及び第２基板間に配置されて前記液晶層を囲んでいるシールパターンと; 前記第２基板の外側の前記シールパターンを覆う位置に配置された光遮断層と;前記第２基板の外側及び前記光遮断層上部に配置された偏光板とを含み、前記光遮断層は、印刷または接着力を有する物質を利用して前記偏光板の内側面に形成され、前記偏光板は、前記光遮断層が形成された部分を除外して前記第２基板と全面接触することを特徴とする。
また、画素領域を含む第１基板と;前記第１基板の内側面に形成された薄膜トランジスタと;前記薄膜トランジスタ上部に形成されて、前記画素領域に配置されるカラーフィルタ層と;前記薄膜トランジスタのみを覆いその以外の部分は露出させるブラックマトリックスと;前記カラーフィルタ層と前記ブラックマトリックス上部に形成された平坦化層と;前記平坦化層上部に形成されて前記カラーフィルタ層に対応し、前記薄膜トランジスタと連結されている画素電極と;前記第１基板と離隔されて接する第２基板と;前記第２基板の内側面に形成された共通電極と;前記第１及び第２基板間に介在された液晶層と;前記第１及び第２基板間に配置されて前記液晶層を囲んでいるシールパターンと;前記第２基板の外側の前記シールパターンを覆う位置に配置された光遮断層と;前記第２基板の外側及び前記光遮断層上部に配置された偏光板とを含み、前記光遮断層は、印刷または接着力を有する物質を利用して前記偏光板の内側面に形成され、前記偏光板は、前記光遮断層が形成された部分を除外して前記第２基板と全面接触することを特徴とする。
【００３４】
このように、本発明では、上部基板外側の面にシールパターンを覆うように光遮断層を形成することによって、上部基板にブラックマトリックスを含まない高開口率液晶表示装置において、光遮断層を利用して画面周辺部の明るい現象を効果的に遮断できる。
【００３５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による望ましい実施の形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。
＜実施の形態１＞
実施の形態１は、本発明による光遮断層を含む高開口率構造液晶表示装置に対する実施の形態である。
図２は、本発明の実施の形態１による液晶表示装置の断面図である。図２に示したように、本発明の液晶表示装置では、互いに接する第１及び第２基板１３０、１１０が一定間隔離隔されていて、第１及び第２基板１３０、１１０間には液晶層１６０が介在されている。前記液晶表示装置は画像が表示される画像領域Ｃと前記画像領域Ｃ周りの非画像領域Ｄを含む。
【００３６】
画像領域Ｃの第１基板１３０内側面にはゲート電極１３２が形成されていて、その上にゲート絶縁膜１３３が形成されている。ゲート絶縁膜１３３は非画素領域Ｄにまで延びている。ゲート電極１３２上部のゲート絶縁膜１３３上にはアクティブ層１３４が形成されていて、アクティブ層１３４上にはデータ配線１３８とソース及びドレイン電極１３６、１４２が形成されている。図面に示さなかったが、一般的にアクティブ層１３４とソース及びドレイン電極１３６、１４２間には接触抵抗を低めるためにオーミックコンタクト層が形成される。一方、非画素領域Ｄのゲート絶縁膜１３３上にはデータ配線１３８と連結されたデータパッド１４０が形成されている。データパッド１４０はデータ配線１３８を外部の回路(図示せず)と連結する。
【００３７】
ゲート電極１３２とアクティブ層１３４、そしてソース及びドレイン電極１３６、１４２は薄膜トランジスタＴ１を形成し、ソース電極１３６とドレイン電極１４２間の露出されたアクティブ層１３４は薄膜トランジスタＴ１のチャネルｃｈになる。
【００３８】
また、第１基板１３０上にはゲート電極１３２と同一物質でなるゲート配線(図示せず)とゲートパッド(図示せず)が形成されている。ゲート配線は画像領域Ｃに配置され、ゲート電極１３２と連結される。ゲートパッドは非画像領域Ｄに配置され、ゲート配線を外部の回路(図示せず)と連結される。
【００３９】
データ配線１３８と、ソース及びドレイン電極１３６、１４２、そしてデータパッド１４０上部には保護層１４８が形成されており、保護層１４８はドレイン電極１４２とデータパッド１４０を各々あらわすドレインコンタクトホール１４４とデータパッドコンタクトホール１４６を有する。保護層１４８は４以下の比較的低い誘電率を有し、ベンゾシクロブテンＢＣＢで形成すことができる。
【００４０】
次に、保護層１４８上部にはブラックマトリックス１５０が形成されており、ブラックマトリックス１５０は薄膜トランジスタＴ１上に配置される。ブラックマトリックス１５０は不透明導電物質で形成されドレインコンタクトホール１４４を通してドレイン電極１４２と連結することができる。このとき、ブラックマトリックス１５０はクロム(ｃｈｒｏｍｉｕｍ:Ｃｒ）で形成することができる。
【００４１】
画像領域Ｃのブラックマトリックス１５０上には画素電極１５２が形成されている。画素電極１５２は導電物質でなされたブラックマトリックス１５０と接触することによって、ドレイン電極１４２と電気的に連結される。図示しなかったが、画素電極１５２はゲート配線及びデータ配線１３８と重畳し、このとき、ゲート配線とデータ配線１３８は従来のブラックマトリックスのような役割を有している。
【００４２】
一方、非画像領域Ｄの保護層１４８上には画素電極１５２と同一物質でなるデータパッドターミナル１５４が形成されており、データパッドターミナル１５４はデータパッドコンタクトホール１４６を通してデータパッド１４０と連結される。
【００４３】
次に、第２基板１１０の内側面にはカラーフィルタ層１１２が形成されている。ここで、第２基板１１０の大きさは第１基板１３０より小さい。カラーフィルタ層１１２は画素領域Ｐ１に対応する赤(Ｒ)、緑(Ｇ)、青(Ｂ）の３色のサブカラーフィルタで形成される。カラーフィルタ層１１２下部には共通電極１１４が形成されており、共通電極１１４は銀ドット(Ａｇ  ｄｏｔｓ)を利用して第１基板１３０上の素子(図示せず)と電気的に連結されるために非画像領域Ｄまで延びている。図示しなかったが、画素電極１５２上部と共通電極１１４下部には液晶層１６０の液晶分子を配列するための第１及び第２配向膜が各々形成されている。
【００４４】
また、液晶層１６０内にはセルギャップ(ｃｅｌｌ  ｇａｐ)すなわち、液晶層１６０の厚さを一定に維持するスペーサ１６４が形成されており、第１基板１３０と第２基板１１０間の非画像領域Ｄにはシールパターン１６２が形成されている。シールパターン１６２は液晶が漏れることを防止する。
【００４５】
次に、第１基板１３０の外側の面には第１偏光板１６６が配置されていて、第２基板１１０の外側の面には第２偏光板１１８が配置されており、第２偏光板１１８の光透過軸は第１偏光板１６６の光透過軸と垂直をなす。
【００４６】
一方、光遮断層１１６が第２基板１１０と第２偏光板１１８間に形成されている。光遮断層１１６は画像領域Ｃと非画像領域Ｄ間の境界領域に配置され、シールパターン１６２を覆う。次に、第１偏光板１６６下部には光源であるバックライト(図示せず)が配置されている。
【００４７】
図３は、本発明の実施の形態１による光遮断層を含む第２基板に対する平面図である。図示したように、光遮断層１１６は、画像領域Ｃと非画像領域Ｄ間の境界領域を覆うように形成されている。前述したように、光遮断層１１６は第１基板１３０と第２基板１１０間に形成されたシールパターン１６２を覆う。
【００４８】
本発明の実施の形態１では、ブラックマトリックス１５０が第１基板１３０の内側面に薄膜トランジスタＴ１にのみ対応するように形成されて、光遮断層１１６がシールパターン１６２を覆っているために、液晶表示装置の開口率が高くてシールパターン１６２近くの光Ｌ２が遮断される。したがって、画像領域Ｃ縁からの光漏れを防ぐことができる。
【００４９】
光遮断層１１６は、印刷や接着力を有する物質を取り付けることで形成することができる。前記光遮断層１１６はブラックマトリックス１５０のような物質または光学密度(ｏｐｔｉｃａｌ  ｄｅｎｓｉｔｙ)が３以上である物質で形成することができる。ここで、光遮断層１１６は各々の素子を含む第１基板１３０と第２基板１１０の合着後形成することができ、このとき、スペーサ１６４は二基板を合着する前に第１基板１３０の内側面に形成される場合もある。一方、光遮断層１１６は、第２偏光板１１８上に形成することができ、第２偏光板１１８と同一層に形成される場合もある。
【００５０】
図４Ａないし図４Ｃは、本発明によって形成された光遮断層に対する断面図である。まず、図４Ａでは、光遮断層１１６ａが基板１１０ａ上に形成されていて、その上に偏光板１１８ａが配置されている。光遮断層１１６ａは印刷や付着により形成されるが、基板１１０ａ上に形成したりまたは偏光板１１８ａの内側面に形成したりすることができる。ここで、基板１１０ａは図２の第２基板１１０で有り得る。
【００５１】
次に、図４Ｂでは、基板１１０ｂ上に偏光板１１８ｂが配置されていて、その上に光遮断層１１６ｂが形成されている。光遮断層１１６ｂは印刷や付着により形成することができる。
【００５２】
一方、図４Ｃでは、偏光板１１８ｃが基板１１０ｂ上に配置されており、偏光板１１８ｃは光遮断層１１６ｃを含む。このような光遮断層１１６ｃは基板１１０ｃ上に偏光板１１８ｃを配置した後、偏光板１１８ｃ一部の光学的特性を変化させたりまたは光遮断パターンを偏光板１１８ｃに挿入したりすることによって形成される。
【００５３】
このとき、光遮断層は画像領域Ｃと非画像領域Ｄ間の境界部分に形成されてシールパターンを覆う。ここで、カラーフィルタ層は薄膜トランジスタを含む第１基板に形成される場合もある。
【００５４】
＜実施の形態２＞
実施の形態２は本発明による光遮断層を含むＴＯＣ構造液晶表示装置に対する実施の形態である。
図５は、本発明の第２実施の形態による液晶表示装置の断面図である。図５に示したように、本発明の液晶表示装置では互いに接する第１及び第２基板２３０、２１０が一定間隔離隔されていて、第１及び第２基板２３０、２１０間には液晶層２６０が介在されている。前記液晶表示装置は画像が表示される画像領域Ｅと前記画像領域Ｅ周りの非画像領域Ｆを含む。
【００５５】
第１基板２３０内側面の画像領域Ｅにはカラーフィルタ層２１２が形成されていて、その上に平坦化層２１３が形成されてカラーフィルタ層２１２を含む第１基板２３０の表面を平坦にする。平坦化層２１３は、非画像領域Ｆにも形成されている。
【００５６】
次に、平坦化層２１３上部の画像領域Ｅにはゲート電極２３２、アクティブ層２３４、そしてソース及びドレイン電極２３６、２４２でなる薄膜トランジスタＴ２が形成されている。また、平坦化層２１３上部にはソース及びドレイン電極２３６、２４２と同一物質でなるデータ配線２３８とデータパッド２４０が形成されている。データ配線２３８はソース電極２３６及びデータパッド２４０と連結される。データパッド２４０は非画像領域Ｆに配置され、データ配線２３８を外部の回路(図示せず)と連結する。また、保護層２１３上にはゲート電極２３２と同一物質でなるゲート配線(図示せず)及びゲートパッド(図示せず)が形成されている。
【００５７】
次に、薄膜トランジスタＴ２とデータ配線２３８及びデータパッド２４０上部には保護層２４８が形成されており、保護層２４８はドレイン電極２４２とデータパッド２４０を各々あらわすドレインコンタクトホール２４４とデータパッドコンタクトホール２４６を有する。保護層２４８はベンゾシクロブテンＢＣＢのように４以下の比較的低い誘電率を有する物質で形成することができる。
【００５８】
次に、保護層２４８上部にはブラックマトリックス２５０が形成されており、ブラックマトリックス２５０は薄膜トランジスタＴ２上に配置され、ドレインコンタクトホール２４４を通してドレイン電極２４２と連結することができる。ブラックマトリックス２５０はクロム(ｃｈｒｏｍｉｕｍ:Ｃｒ)のように不透明導電物質で形成することができる。
【００５９】
画像領域Ｅのブラックマトリックス２５０上には画素電極２５２が形成されている。画素電極２５２は導電物質でなされたブラックマトリックス２５０と接触することによって、ドレイン電極２４２と電気的に連結される。一方、非画像領域Ｆの保護層２４８上には画素電極２５２と同一物質でなるデータパッドターミナル２５４が形成されており、データパッドターミナル２５４はデータパッドコンタクトホール２４６を通してデータパッド２４０と連結される。
【００６０】
次に、第２基板２１０の内側面には共通電極２１４が形成されており、共通電極２１４は銀ドット(Ａｇ  ｄｏｔｓ)を利用して第１基板２３０上の素子(図示せず)と電気的に連結するために非画像領域Ｆまで延びている。図示しなかったが、画素電極２５２上部と共通電極２１４下部には液晶層２６０の液晶分子を配列するための第１及び第２配向膜が各々形成されている。
【００６１】
また、液晶層２６０内にはセルギャップ(ｃｅｌｌ  ｇａｐ)すなわち、液晶層２６０の厚さを一定に維持するスペーサ２６４が形成されており、第１基板２３０と第２基板２１０間の非画像領域Ｆにはシールパターン２６２が形成されている。シールパターン２６２は液晶が漏れることを防止する。
【００６２】
次に、第１基板２３０の外側の面には第１偏光板２６６が配置されていて、第２基板２１０の外側の面には第２偏光板２１８が配置され、第２偏光板２１８の光透過軸は第１偏光板２６６の光透過軸と垂直をなす。
【００６３】
一方、光遮断層２１６が第２基板２１０と第２偏光板２１８間に形成されている。光遮断層２１６は画像領域Ｅと非画像領域Ｆ間の境界領域に配置され、シールパターン２６２を覆う。前記光遮断層２１６の構造及び形成方法は実施の形態１と同一な方法を適用することができる。次に、第１偏光板２６６下部には光源であるバックライト(図示せず)が配置されている。
【００６４】
本発明の実施の形態２では、カラーフィルタ層２１２が第１基板２３０の内側面に形成されているために、ブラックマトリックス２５０は第１基板２３０上に形成することができマージン(ｍａｒｇｉｎ)を有しなくても良い。また、光遮断層２１６がシールパターン２６２を覆っているために、液晶表示装置の開口率を高めながらシールパターン２６２近くの光Ｌ３が遮断される。したがって、画像領域Ｅ縁からの光漏れを防止できる。一方、カラーフィルタ層は、薄膜トランジスタ上部に形成される場合もある。
【００６５】
＜実施の形態３＞
実施の形態３は、本発明による光遮断層を含むＣＯＴ構造液晶表示装置に対する実施の形態である。
図６は、本発明の実施の形態３による光遮断層を含むＣＯＴ構造液晶表示装置に対する断面図である。
図示したように、本発明の実施の形態３による液晶表示装置では互いに接する第１及び第２基板３３０、３１０が一定間隔離隔されていて、第１及び第２基板３３０、３１０間には液晶層３６０が介在されている。前記液晶表示装置は画像が表示される画像領域Ｇと前記画像領域Ｇ周りの非画像領域Ｈを含む。
【００６６】
第１基板３３０内側面の画像領域Ｇにはゲート電極３３２、アクティブ層３３４、そしてソース及びドレイン電極３３６、３４２でなる薄膜トランジスタＴ３が形成されている。また、第１基板３３０内側面の非画像領域Ｈにはソース及びドレイン電極３３６、３４２と同一物質でなるデータパッド３４０が形成されている。データパッド３４０はソース電極３３６と連結されている。
【００６７】
次に、薄膜トランジスタＴ３とデータパッド３４０上部には保護層３４８が形成されており、保護層３４８はデータパッド３４０をあらわすデータパッドコンタクトホール３４６を有する。次に、保護層３４８上部にはカラーフィルタ層３１２が形成されており、カラーフィルタ層３１２は画像領域Ｇの画素領域に配置される。また、保護層３４８上部にブラックマトリックス３５０が形成されており、ブラックマトリックス３１２は薄膜トランジスタＴ３を覆う。
【００６８】
続いて、カラーフィルタ層３１２とブラックマトリックス３５０上に平坦化層３１３が形成されてカラーフィルタ層３１２を含む第１基板３３０の表面を平坦にする。平坦化層３１３は非画像領域Ｈにも形成され、カラーフィルタ層３１２と保護層３４８を通してドレイン電極３４２をあらわすドレインコンタクトホール３４４を有する。
【００６９】
次に、平坦化層３１３上部の画素領域Ｐ３には画素電極３５２が形成されており、画素電極３５２はドレインコンタクトホール３４４を通してドレイン電極３４２と連結される。一方、非画像領域Ｈの保護層３４８上には画素電極３５２と同一物質でなるデータパッドターミナル３５４が形成されており、データパッドターミナル３５４はデータパッドコンタクトホール３４６を通してデータパッド３４０と連結される。
【００７０】
次に、第２基板３１０の内側面には共通電極３１４が形成されており、共通電極３１４は銀ドット(Ａｇ  ｄｏｔｓ)を利用して第１基板３３０上の素子(図示せず)と電気的に連結されるために非画像領域Ｈまで延びている。図示しなかったが、画素電極３５２上部と共通電極３１４下部には液晶層３６０の液晶分子を配列するための第１及び第２配向膜が各々形成されている。
【００７１】
また、液晶層３６０内にはセルギャップ(ｃｅｌｌ  ｇａｐ)すなわち、液晶層３６０の厚さを一定に維持するスペーサ３６４が形成されており、第１基板３３０と第２基板３１０間の非画像領域Ｈにはシールパターン３６２が形成されている。シールパターン３６２は液晶が漏れることを防止する。
【００７２】
次に、第１基板３３０の外側の面には第１偏光板３６６が配置されていて、第２基板３１０の外側の面には第２偏光板３１８が配置されており、第２偏光板３１８の光透過軸は第１偏光板３６６の光透過軸と垂直をなす。
【００７３】
一方、光遮断層３１６が第２基板３１０と第２偏光板３１８間に形成されている。光遮断層３１６は画像領域Ｇと非画像領域Ｈ間の境界領域に配置され、シールパターン３６２を覆う。前記光遮断層３１６の構造及び形成方法は実施の形態１と同一な方法を適用することができる。次に、第１偏光板３６６下部には光源であるバックライト(図示せず)が配置されている。
【００７４】
本発明において、光遮断層は、画像領域と非画像領域間の境界部のみならず、非アクティブ領域の全面を覆うように形成しても差し支えない。本発明は前記実施の形態に限らず、本発明の趣旨に外れない限度内で多様に変更して実施しても差し支えない。
【００７５】
【発明の効果】
このように、本発明による光遮断層を含む液晶表示装置によると次のような効果を有する。
第一に、上部基板にブラックマトリックスを含まない高開口率液晶表示装置において、光遮断層を利用して画面周辺部が明るい現象を効果的に遮断できる。
【００７６】
第二に、前記光遮断層は、液晶表示装置の上部基板外部面に印刷または付着で容易に形成することができる。
【００７４】
第三に、高開口率構造液晶表示装置の画質特性を効果的に改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】一般的な液晶表示装置に対する断面図。
【図２】本発明の実施の形態１による液晶表示装置の断面図。
【図３】本発明の実施の形態１による光遮断層を含む第２基板に対する平面図。
【図４Ａ】本発明によって形成された光遮断層に対する断面図。
【図４Ｂ】  本発明によって形成された光遮断層に対する断面図。
【図４Ｃ】  本発明によって形成された光遮断層に対する断面図。
【図５】本発明の実施の形態２による液晶表示装置の断面図。
【図６】本発明の実施の形態３による光遮断層を含むＣＯＴ構造液晶表示装置に対する断面図。
【符号の説明】
１３０  第１基板、１３２  ゲート電極、１３３  ゲート絶縁膜、１３４  アクティブ層、１３６  ソース電極、１３８  データ配線、１４０  データパッド、１４２  ドレイン電極、１４４  ドレインコンタクトホール、１４６  データパッドコンタクトホール、１４８  保護層、１５０  ブラックマトリックス、１５２  画素電極、１５４  データパッドターミナル、１１０  第２基板、１１２カラーフィルタ、１１４  共通電極、１１６  光遮断層、１６６  第１偏光板、１１８  第２偏光板、１６０  液晶層、６２  シールパターン、１６４  スペーサ、Ｃ  画像領域、Ｄ  非画像領域、Ｌ２  光。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図５】
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【図６】
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