(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気圧縮回路もしくは磁気圧縮回路および昇圧トランス回路を含む高電圧パルス発生装置であって、
上記高電圧パルス発生装置を構成する磁気スイッチ、コンデンサ、または、磁気スイッチ、コンデンサ、トランスが絶縁性冷媒に満たされた容器中にあり、この容器中にファンを設け、
上記ファンによって上記絶縁性冷媒を循環させて、上記高電圧パルス発生装置を構成する磁気スイッチ、コンデンサ、または、磁気スイッチ、コンデンサ、トランスを冷却する高電圧パルス装置において、
上記ファンとしてクロスフローファンを用い、上記絶縁性冷媒を冷却するラジエターをクロスフローファンの流入口に設けた
ことを特徴とする高電圧パルス発生装置。
【請求項２】
磁気圧縮回路もしくは磁気圧縮回路および昇圧トランス回路を含む高電圧パルス発生装置であって、
上記高電圧パルス発生装置を構成する磁気スイッチ、コンデンサ、または、磁気スイッチ、コンデンサ、トランスが絶縁性冷媒に満たされた容器中にあり、この容器中にファンを設け、
上記ファンによって上記絶縁性冷媒を循環させて、上記高電圧パルス発生装置を構成する磁気スイッチ、コンデンサ、または、磁気スイッチ、コンデンサ、トランスを冷却する高電圧パルス装置において、
上記ファンとして、複数個のクロスフローファンを用い、上記絶縁性冷媒を冷却するラジエターをクロスフローファンの流入口に設けた
ことを特徴とする高電圧パルス発生装置。
【請求項３】
上記冷媒が満たされた容器中にラジエターを設けた
ことを特徴とする請求項２の高電圧パルス発生装置。
【請求項４】
クロスフローファンの流出口から出た流体が充分に冷却されることなくクロスフローファンの流入口に達しないように、上記流出口と流入口の間に壁を設けたことを特徴とする請求項１，２または請求項３の高電圧パルス発生装置。
【請求項５】
クロスフローファンの流出口に対向する部分に、流体の流路を変更するためのガイドを設けた
ことを特徴とする請求項１，２，３または請求項４の高電圧パルス発生装置。
【請求項６】
最終段の磁気スイッチのコアが長円形であり、その長手方向が、クロスフローファンの長手方向と略平行に配置され、
上記長円形のコアの上に、上記最終段以外の磁気スイッチのコア、または上記最終段以外の磁気スイッチおよび昇圧トランスのコアが、その中心軸が上記長円形のコアの長手方向と平行になるように配置されている
ことを特徴とする請求項１，２，３，４または請求項５の高電圧パルス発生装置。
【請求項７】
上記長円形のコアと、上記容器の底面との間に空間が設けられていることを特徴とする請求項６の高電圧パルス発生装置。
【請求項８】
磁気圧縮回路もしくは磁気圧縮回路及び昇圧トランス回路を含む高電圧パルス発生装置の出力端に接続され、レーザチェンバ内に配置された一対の電極と、上記電極に並列に接続されたピーキングコンデンサとを有する放電励起ガスレーザ装置であって、
上記高電圧パルス発生装置が請求項１，２，３，４，５，６または請求項７の高電圧パルス発生装置である
ことを特徴とする放電励起ガスレーザ装置。
【請求項９】
上記放電励起ガスレーザ装置が、ＫｒＦエキシマレーザ装置、ＡｒＦエキシマレーザ装置、または、フッ素分子レーザ装置である
ことを特徴とする請求項８の放電励起ガスレーザ装置。
【請求項１０】
ＫｒＦエキシマレーザ装置またはＡｒＦエキシマレーザ装置の繰り返し周波数が４ｋＨｚ以上であり、上記フッ素分子レーザ装置の繰り返し周波数が２ｋＨｚ以上である
ことを特徴とする請求項９の放電励起ガスレーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高電圧パルス発生装置およびそれを用いた放電励起ガスレーザ装置に関し、さらに詳細には冷却効率を向上させ高繰り返し周波数の放電を可能とした高電圧パルス発生装置および放電励起ガスレーザ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路の微細化、高集積化につれて、その製造用の投影露光装置においては解像力の向上が要請されている。このため、露光用光源から放出される露光光の短波長化が進められており、半導体露光用光源として、従来の水銀ランプから波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ装置が用いられている。さらに、次世代の半導体露光用光源として、波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザ装置及び波長１５７ｎｍのフッ素分子（Ｆ2 ）レーザ装置等の紫外線を放出するガスレーザ装置が有力である。
ＫｒＦエキシマレーザ装置においては、フッ素（Ｆ2 ）ガス、クリプトン（Ｋｒ）ガス及びバッファーガスとしてのネオン（Ｎｅ) 等の希ガスカらなる混合ガス、ＡｒＦエキシマレーザ装置においては、フッ素（Ｆ2 ）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス及びバッファーガスとしてのネオン（Ｎｅ）等の希ガスからなる混合ガス、フッ素分子（Ｆ2 ）レーザ装置においては、フッ素（Ｆ2 ）ガス及びバッファーガスとしてヘリウム（Ｈｅ）等の希ガスからなる混合ガスであるレーザガスが数百ｋＰａで封入されたレーザチェンバの内部で放電を発生させることにより、レーザ媒質であるレーザガスが励起される。
【０００３】
レーザチェンバ内部には、レーザガスを励起するための一対の主放電電極が、レーザ発振方向に垂直な方向に所定の距離だけ離間して対向配置されている。この一対の主放電電極には高電レーザパルスが印加され、主放電電極間にかかる電圧がある値（ブレークダウン電圧）に到達すると、主放電電極間のレーザガスが絶縁破壊されて主放電が開始し、この主放電によりレーザ媒質が励起される。よって、このような露光用ガスレーザ装置は主放電の繰返しによるパルス発振を行い、放出するレーザ光はパルス光となる。現状、露光に用いられているレーザ装置のレーザパルスの繰返し周波数は２ｋＨｚ程度であるが、近年、スループットの増大、露光量のバラツキの減少のため、繰返し周波数４ｋＨｚ以上が要請されている。
【０００４】
上記した露光用ガスレーザ装置において、上記したようにレーザチェンバ内で放電を発生させレーザガスを励起させるための高電圧パルス発生回路の例を図１２に示す。
図１２の高電圧パルス発生回路は、可飽和リアクトルからなる３個の磁気スイッチＳＲ１，ＳＲ２，ＳＲ３を用いた２段の磁気パルス圧縮回路からなる。磁気スイッチＳＲ１はＩＧＢＴ等の半導体スイッチング素子である固体スイッチＳＷでのスイッチングロスの低減用のものであり、磁気アシストとも呼ばれる。
第１の磁気スイッチＳＲ２と第２の磁気スイッチＳＲ３により２段の磁気パルス圧縮回路を構成している。
ここで、図１２（ａ）は磁気圧縮回路に加え昇圧トランスＴＲ１を含む回路、図１２（ｂ）は昇圧トランスを含まず、昇圧トランスの代わりにコンデンサＣ０の充電用のリアクトルＬ１を含む例である。
【０００５】
以下に、図１２（ａ）にしたがって、回路の構成と動作を説明する。なお、図１２（ｂ）の回路は昇圧トランスにより昇圧される動作が無いだけで、他の動作は図１２（ａ）と同様なので、説明を省略する。
まず、高電圧電源ＣＨの電圧が所定の値Ｖｉｎに調整され、主コンデンサＣ０が充電される。このとき、固体スイッチＳＷはオフになっている。主コンデンサＣ０の充電が完了し、固体スイッチＳＷがオンとなったとき、固体スイッチＳＷ両端にかかる電圧は主に磁気スイッチＳＲ１の両端にかかる。
磁気スイッチＳＲ１の両端にかかる主コンデンサＣ０の充電電圧Ｖｏの時間積分値が磁気スイッチＳＲ１の特性で決まる限界値に達すると、磁気スイッチＳＲ１が飽和して磁気スイッチＳＲ１が導通状態となり、主コンデンサＣ０、磁気スイッチＳＲ１、昇圧トランスＴＲ１の１次側、固体スイッチＳＷのループに電流が流れる。同時に、昇圧トランスＴＲ１の２次側、コンデンサＣ１のループに電流が流れ、主コンデンサＣ０に蓄えられた電荷が移行してコンデンサＣ１に充電される。
【０００６】
この後、コンデンサＣ１における電圧Ｖ１の時間積分値が磁気スイッチＳＲ２の特性で決まる限界値に達すると、磁気スイッチＳＲ２が飽和して磁気スイッチＳＲ２が導通状態となり、コンデンサＣ１、コンデンサＣ２、磁気スイッチＳＲ３のループに電流が流れ、コンデンサＣ１に蓄えられた電荷が移行してコンデンサＣ２に充電される。
さらにこの後、コンデンサＣ２における電圧Ｖ２の時間積分値が磁気スイッチＳＲ３の特性で決まる限界値に達すると、磁気スイッチＳＲ３が飽和して磁気スイッチＳＲ３が導通状態となり、コンデンサＣ２、ピーキングコンデンサＣｐ、磁気スイッチＳＲ３のループに電流が流れ、コンデンサＣ２に蓄えられた電荷が移行してピーキングコンデンサＣｐが充電される。
【０００７】
予備電離のためのコロナ放電は、第１電極ｅ１が挿入されている誘電体チューブＴｕと第２電極ｅ２とが接触している個所を基点として誘電体チューブＴｕの外周面に発生するが、ピーキングコンデンサＣｐの充電が進むにつれてその電圧Ｖｐが上昇し、Ｖｐが所定の電圧になるとコロナ予備電離部の誘電体チューブＴｕ表面にコロナ放電が発生する。このコロナ放電によって誘電体チューブＴｕの表面に紫外線が発生し、主放電電極Ｅ１，Ｅ２間のレーザ媒質であるレーザガスが予備電離される。
ピーキングコンデンサＣｐの充電がさらに進むにつれて、ピーキングコンデンサＣｐの電圧Ｖｐが上昇し、この電圧Ｖｐがある値（ブレークダウン電圧）Ｖｂに達すると、主放電電極Ｅ１，Ｅ２間のレーザガスが絶縁破壊されて主放電が開始し、この主放電によりレーザ媒質が励起され、レーザ光が発生する。
この後、主放電によりピーキングコンデンサＣｐの電圧が急速に低下し、やがて充電開始前の状態に戻る。
このような放電動作が固体スイッチＳＷのスイッチング動作に上って繰り返し行われることにより、所定の繰り返し周波数でのパルスレーザ発振が行われる。ここで、磁気スイッチＳＲ２、ＳＲ３及びコンデンサＣ１、Ｃ２で構成される各段の容量移行型回路のインダクタンスを後段に行くにつれて小さくなるように設定することにより、各段を流れる電流パルスのパルス幅が順次狭くなるようなパルス圧縮動作が行われ、主放電電極Ｅ１，Ｅ２間に短パルスの強い放電が実現される。
【０００８】
図１２（ａ）における３個の磁気スイッチＳＲ１、ＳＲ２、ＳＲ３、コンデンサＣ１, Ｃ２、トランスＴＲ１（図１２（ａ）で点線で囲んだ部分）、図１２（ｂ）における３個の磁気スイッチＳＲ１、ＳＲ２、ＳＲ３、コンデンサＣ１、Ｃ２（図１２（ｂ）で点線で囲んだ部分）は、動作時の発熱量が大きいので冷却する必要がある。通常これらは、冷却のため絶縁性冷媒、例えば、絶縁オイルによって満たされたタンクの中に設置される。
レーザパルスの繰返し周波数２ｋＨｚ程度の条件における、磁気スイッチ、トランス、コンデンサ等の冷却構造の例を図１３に示す。
なお、図１３は図１２（ａ）の回路に対応しており、絶縁性冷媒が満たされたタンク内の概略構成例を示したものである。図１２（ｂ）に対応する例は、図１３からトランスＴＲ１を省略した構成であり、その他の構成は図１３と同様であるので省略する。
【０００９】
図１３において、タンク１０内には、前記した昇圧トランスＴＲ１、磁気スイッチＳＲ１，ＳＲ２，ＳＲ３が重箱状に積み重ねられており、磁気スイッチＳＲ３，ＳＲ２の周囲にはコンデンサＣ１，Ｃ２が取り付けられている。磁気スイッチＳＲ１〜ＳＲ３、昇圧トランスＴＲ１のコアはリボン状の強磁性体材料を多重に巻いたものが良く使用され、その形状は、円形（円筒) 状のものが一般的である。図１３では、円筒状のコアをその中心軸を含む平面で切ったときの断面形状を示している。
タンク１０の底面は導電性ベース１１よりなり、導電性ベース１１は接地されている。導電性ベース１１に設けられた絶縁部材１２を貫通する負高電圧導入部材１３を介して、負高電圧が電極Ｅ１に供給される。
タンク１０内上部には、冷却水により冷却されるラジエター１４が配置される。ラジエター近傍の絶縁性冷媒１５は冷却され、磁気スイッチＳＲ１，ＳＲ２，ＳＲ３、トランスＴＲ１、コンデンサＣ１，Ｃ２近傍の絶縁性冷媒１５は加熱される。よって、温度差により、同図の矢印に示すように絶縁性冷媒１５の自然対流が発生する。
絶縁性冷媒１５は、自然対流により磁気スイッチＳＲ１，ＳＲ２，ＳＲ３やトランスＴＲ１のコア表面やコンデンサＣ１，Ｃ２表面上を流れ、その際に行われる熱交換により、磁気スイッチＳＲ１，ＳＲ２，ＳＲ３、トランスＴＲ１、コンデンサＣ１，Ｃ２を冷却する。
【００１０】
なお、図１２に示した回路における磁気スイッチＳＲ２, ＳＲ３のパルス幅を圧縮する性能（圧縮性能) は、磁気スイッチ飽和後のインダクタンスが小さいほど良くなることが知られている。そのため、図１３に示すように、通常、コンデンサＣ１，Ｃ２、磁気スイッチＳＲ２，ＳＲ３のコアの巻線を複数並列に設け、コンデンサＣ１，Ｃ２の寄生インダクタンス、磁気スイッチＳＲ２，ＳＲ３のコイルのインダクタンスを小さくして、上記磁気スイッチ飽和後のインダクタンスを小さくしている。
一方、浮遊インダクタンスを小さくすることによっても、磁気スイッチ飽和後のインダクタンスを小さくすることが可能である。そのためには、例えば、コンデンサと磁気スイッチとを結ぶ配線を短くすればよく、図１３に示すように、複数のコンデンサＣ１，Ｃ２は磁気スイッチＳＲ２，ＳＲ３に近接して配置される。
また、図１３に示すように、磁気スイッチＳＲ１、ＳＲ２、ＳＲ３及びトランスＴＲ１を重箱状に配置して、磁気スイッチ間、磁気スイッチとトランス間の配線を短くして、浮遊インダクタンスを小さくしている。
さらに〔コンデンサＣ２−磁気スイッチＳＲ３−コンデンサＣｐ〕間のループはできるだけ短くなるように配線される。
なお、図１３に示す重箱状の配置構造では、各磁気スイッチやトランスの表面を流れる絶縁性冷媒の温度はそれぞれ異なる。すなわち、各磁気スイッチやトランスと絶縁性冷媒との熱交換効率はそれぞれ異なる。よって、ラジエターの太ささは一番熱交換効率の小さい部分においてもコアの発熱が定格を越えないように設定する必要があり、ある程度大型化する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
前述したように、近年、スループットの増大、露光量のバラツキの減少のため、繰返し周波数４ｋＨｚ以上が要請されている。
このような運転条件の場合、磁気スイッチ、トランスのコアにおける自己発熱が増大し、コアの定格を越える恐れがあり、また、絶縁性冷媒の温度も上昇する。このような状況に対処するには、ラジエターを大型化して冷却効率を上昇させる必要がある。よって、タンクが大型化する。
【００１２】
繰返し周波数４ｋＨｚ以上の運転条件においても、ある程度ラジエター、タンクの大型化を抑えることができる構造例を図１４に示す。
図１４は、前記図１３において、タンク１０の内部に軸流ファン１６を設け、タンク内部における絶縁性冷媒１５を強制対流させるようにしたものである。
これにより、磁気スイッチＳＲ１〜ＳＲ３やトランスＴＲ１のコア表面やコンデンサＣ１，Ｃ２表面上、および、ラジエター１４表面を流れる絶縁性冷媒の流速が増加する。よって、熱交換効率が上昇するので、繰返し周波数４ｋＨｚ以上の運転条件においても、自然対流のときと比較してある程度ラジエター１４の大型化を抑えて、磁気スイッチＳＲ１〜ＳＲ３、トランスＴＲ１、コンデンサＣ１，Ｃ２を冷却することが可能となる。
【００１３】
なお、上記したように浮遊インダクタンスを小さくするため、磁気スイッチＳＲ１，ＳＲ２，ＳＲ３及びトランスＴＲ１を重箱状に配置しているので、各磁気スイッチやトランスと絶縁性冷媒との熱交換効率はそれぞれ異なる。よって、ラジエター１４の大きさは一番熱交換効率の小さい部分においてもコアの発熱が定格を越えないように設定する必要があり、ある程度大型化する。
図１４では軸流ファン１６を１個設ける場合について示したが、軸流ファン１６を複数配置することも考えられる。
また、以下の説明するように、磁気スイッチＳＲ３の形状を、長円形状（レーストラック形状) とする場合にも、軸流ファンを長手方向へ複数配置することが望ましい。
【００１４】
露光用ガスレーザ装置の高電圧パルス発生回路においては、特に磁気パルス圧縮回路の最終段にあたるコンデンサＣ２−磁気スイッチＳＲ３−ピーキングコンデンサＣｐの浮遊インダクタンスを小さくして、コンデンサＣ２からピーキングコンデンサＣｐに、エネルギー（電圧）が移行するスピードを速くする必要がある。すなわち、移行スピードが速いと十分な放電電圧で放電するが、移行スピードが遅いと低い電圧で放電が生じ、レーザの発光エネルギーが小さくなるからである。
ここで、前記したように、磁気スイッチのコアはリボン状の強磁性体材料を多重に巻いたものが良く使用され、その形状は、円形（円筒）状のものが一般的である。
この場合は、図１５に示すように、コンデンサＣ２の一方端からの配線は、磁気スイッチＳＲ３を介し、放電電極Ｅ１の配線接続部Ｐに接続される。なお、図１５は前記図１３において、磁気スイッチＳＲ３、コンデンサＣ２等を図１３の上方から見た上面図である。
上記配線接続部Ｐは、磁気スイッチＳＲ３のコアの形状が円形であるため、コアの中心部付近にしか設けることができず、配線接続部Ｐから各ピーキングコンデンサＣｐまでの距離が、それぞれ異なることとなる。このため、〔コンデンサＣ２−磁気スイッチＳＲ３−ピーキングコンデンサＣｐの距離〕も異なり、この距離が長くなる配線ルートにおいては、浮遊インダクタンスが大きくなり、磁気スイッチＳＲ３の圧縮性能が低下する。
【００１５】
上記事情のため、最近では、前記したように磁気スイッチＳＲ３の形状を、円形状から長円形状（レーストラック形状) とすることが多くなってきた。
例えば、図１６に示すように、磁気スイッチＳＲ３のコアの長手方向と、放電電極Ｅ１，Ｅ２（Ｅ２は図示していないが、放電電極Ｅ１と所定距離離間して対向させて配置されている）の長手方向を略一致させて配置し、コンデンサＣ２を磁気スイッチＳＲ３のコアの周辺に沿って配置し、各コンデンサＣ２は各ピーキングコンデンサＣｐの近傍に配置する。
コンデンサＣ２からの配線は、磁気スイッチＳＲ３を介し、放電電極Ｅ１上に設けられた配線接続部Ｐ１〜Ｐ３に接続される。また、コンデンサＣ２とピーキングコンデンサＣｐとはグランドを介して接続される。
【００１６】
磁気スイッチＳＲ３のコアの形が長円形状であるので、コンデンサＣ２を放電電極Ｅ１に沿って設けることができるとともに、配線接続部Ｐ１〜Ｐ３を放電電極Ｅ１の任意の位置に複数設けることができ、コンデンサＣ２からの配線を近傍の配線接続部Ｐ１〜Ｐ３に接続することができる。
したがって、ピーキングコンデンサＣｐの接続位置が放電電極Ｅ１の端部であっても、〔コンデンサＣ２−磁気スイッチＳＲ３−配線接続部Ｐ１〜Ｐ３−放電電極Ｅ１−ピーキングコンデンサＣｐまでの距離〕を短くすることができ、また、配線接続部Ｐ１〜Ｐ３から各ピーキングコンデンサＣｐまでの距離をほぼ等しくすることができる。
このため、コンデンサＣ２とピーキングコンデンサＣｐとの間の電流経路をほぼ等しくすることができる。
【００１７】
上記のように磁気スイッチＳＲ３のコア形状が長円状の場合には、図１４における軸流ファン１６を、図１７に示すように、磁気スイッチＳＲ３のコアの長手方向に沿って複数設けるのが望ましい。ここで、ここで図１７は、磁気スイッチＳＲ３のコア形状が長円形状のとき、図１４をタンク１０の上方から見た上面図である。
図１７に示すように、軸流ファンを長手方向に沿って複数設ける構造においては、図１８に示すように、絶縁性冷媒の流れの分布が不均一となって流速分布が生じる。このため、流速分布における一番流速が小さい領域においても熱交換が充分に行われるように設定する必要があり、軸流ファンの駆動モータが大型化してしまうといった問題が生ずる。
本発明は上記事情に鑑みなされたものであって、本発明の目的は、冷却対象となる機器の長手方向に関して、絶縁性性冷媒の流速をほぼ均一化させて冷却効率を向上させ、ファン駆動モータの小型化を図るとともに、高繰り返し周波数の放電を可能とすることである。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明においては、上記課題を次のようにして解決する。
（１）磁気圧縮回路もしくは磁気圧縮回路および昇圧トランス回路を含む高電圧パルス発生装置において、高電圧パルス発生装置を構成する磁気スイッチ、コンデンサ、または、磁気スイッチ、コンデンサ、トランスを絶縁性冷媒に満たされた容器中に配置し、容器中にクロスフローファンを設け、クロスフローファンの流入口に上記絶縁性冷媒を冷却するためのラジエターを設ける。そして、クロスフローファンによって上記絶縁性冷媒を循環させて、上記高電圧パルス発生装置を構成する磁気スイッチ、コンデンサ、または、磁気スイッチ、コンデンサ、トランスを冷却する。
上記構成とすることにより、絶縁性冷媒の流速分布をほぼ均一化することが可能となり、コアの温度分布をほぼ均一とすることができる。また、流速分布のバラツキが小さいので、クロスフローファンを駆動モータのパワーも小さくてよく、モータの小型化が可能となる。特に、磁気スイッチのコアとして長円形状のコアを用いる場合、クロスフローファンをその長手方向が長円形状のコアの長手と略平行になるように配置すれば、長円形状のコアの温度分布をほぼ均一とすることができる。
さらに、流速が速いクロスフローファンの流入口にラジエターを設けることにより、熱交換効率を向上させることができ、これによりラジエターの小型化を図ることができる。
（２）磁気圧縮回路もしくは磁気圧縮回路および昇圧トランス回路を含む高電圧パルス発生装置において、高電圧パルス発生装置を構成する磁気スイッチ、コンデンサ、または、磁気スイッチ、コンデンサ、トランスを絶縁性冷媒に満たされた容器中に配置し、容器中に複数個のクロスフローファンを設け、クロスフローファンの流入口に上記絶縁性冷媒を冷却するためのラジエターを設ける。そして、クロスフローファンによって上記絶縁性冷媒を循環させて、上記高電圧パルス発生装置を構成する磁気スイッチ、コンデンサ、または、磁気スイッチ、コンデンサ、トランスを冷却する。
上記構成とすることにより、上記（１）と同様、絶縁性冷媒の流速分布をほぼ均一化することが可能となり、コアの温度分布をほぼ均一とすることができる。  また、複数のクロスフローファンを設けることにより、容器中の冷媒の流れを均一化させることができ、各コアを均一に冷却することができる。
（３）上記（２）において、上記冷媒が満たされた容器中にラジエターを設ける。これにより、冷媒を効果的に冷却することができる。
（４）上記（１）（２）（３）において、クロスフローファンの流出口から出た流体が充分に冷却されることなくクロスフローファンの流入口に達しないように、クロスフローファンの流出口と流入口の間に壁を設ける。
上記のような壁を設けることにより、流出口から出た流体が冷却されることなくクロスフローファンの流入口に達することがないので、熱交換効率を向上させることができる。（５）上記（１）（２）（３）（４）において、クロスフローファンの流出口に対向する部分に、流体の流路を変更するためのガイドを設ける。
上記ガイドを設けることにより、容器内の冷媒の流れを円滑にすることができ、熱交換効率を一層向上させることができる。
（６）上記（１）（２）（３）（４）（５）において、最終段の磁気スイッチのコアを長円形とし、その長手方向を、クロスフローファンの長手方向と略平行に配置し、該長円形のコアの上に、上記最終段以外の磁気スイッチのコア、または上記最終段以外の磁気スイッチおよび昇圧トランスのコアを、その中心軸が上記長円形のコアの長手方向と平行になるように配置する。
上記構成とすることにより、最終段以外の磁気スイッチ、昇圧トランスの間に流れる冷媒の流れを均一化させることができ、各コアを均一に冷却することができる。また、容器中に無駄なスペースが無くなるので、装置の小型化を図ることができる。
（７）上記（６）において、長円形のコアと、これらを収納する容器の底面との間に空間を設ける。
これにより、上記空間に冷媒を流すことができ、長円形のコアを効果的に冷却することができる。
（８）レーザチェンバ内に配置された一対の電極と、上記電極に並列に接続されたピーキングコンデンサとを有する放電励起ガスレーザ装置の高電圧パルス発生装置として、上記（１）〜（７）の高電圧パルス発生装置を用い、該高電圧パルス発生装置の出力端に、上記一対の電極を接続する。
（９）上記（８）の放電励起ガスレーザ装置を、ＫｒＦエキシマレーザ装置、ＡｒＦエキシマレーザ装置、または、フッ素分子レーザ装置とする。
（１０）上記（９）において、高電圧パルス発生装置の繰り返し周波数を、ＫｒＦエキシマレーザ装置またはＡｒＦエキシマレーザ装置においては４ｋＨｚ以上とし、フッ素分子レーザ装置においては、２ｋＨｚ以上とする。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例について説明する。
以下の実施例では、前記したＡｒＦエキシマレーザ装置、ＫｒＦエキシマレーザ装置、フッ素分子レーザ装置に適用される高電圧パルス発生装置について説明する。以下で説明する高電圧パルス発生装置は、レーザチェンバ内に設けられた放電電極Ｅ１，Ｅ２間に高繰り返し周波数を持つ高電圧パルスを印加して、レーザチェンバ内で放電を発生させレーザガスを励起させる。
上記繰り返し周波数は、ＡｒＦエキシマレーザ装置およびＫｒＦエキシマレーザ装置においては４ｋＨｚ以上、フッ素分子レーザ装置においては２ｋＨｚ以上である。なお、フッ素分子レーザ装置は、投入エネルギーが大きいため、２ｋＨｚ以上の繰り返し周波数でも発熱量が大きくなり、ＡｒＦエキシマレーザ装置およびＫｒＦエキシマレーザ装置を４ｋＨｚ以上の繰り返し周波数でレーザ発振させる場合と同様の冷却が必要となる。
【００２０】
図１に本発明の実施例の高電圧パルス発生装置の構成を示す。図１は前記図１３と同様、前記図１２（ａ）の回路構成を採用した場合のタンク内の概略構成例を示しており、前記図１２（ｂ）の回路構成の場合は、トランスＴＲ１が省略される。
図１において、タンク１０内には、図１３と同様、昇圧トランスＴＲ１、磁気スイッチＳＲ１，ＳＲ２，ＳＲ３が重箱状に積み重ねられており、磁気スイッチＳＲ３，ＳＲ２の周囲にはコンデンサＣ１，Ｃ２が取り付けられている。磁気スイッチＳＲ１〜ＳＲ２、昇圧トランスＴＲ１のコアの形状は、円形（円筒) 状であり、磁気スイッチＳＲ３のコアの形状は前記図１６に示したように長円形状である。図１では、磁気スイッチＳＲ３のコアを、長円形状の短軸を含む垂直な平面で切ったときの断面を示しており、磁気スイッチＳＲ１〜ＳＲ２、昇圧トランスＴＲ１のコアは、上記長円形状のコアのほぼ中心上に配置される。
タンク１０の底面は導電性ベース１１よりなり、導電性ベース１１は接地されている。導電性ベース１１の下側に、電極Ｅ１，Ｅ２を備えたレーザチェンバ（図示せず）が設けられ、導電性ベース１１に設けられた絶縁部材１２を貫通する負高電圧導入部材１３を介して、負高電圧が上記電極Ｅ１に供給され、上記電極Ｅ２は接地される。タンク１０内には絶縁性冷媒１５が満たされる。
【００２１】
冷却用ファンとしては、本実施例では、従来の軸流ファンを複数配置する代わりに、クロスフローファン１７を用い、クロスフローファン１７の流入口には冷却水により冷却されるラジエター１４を配置した。
クロスフローファン１７はその長手方向が磁気スイッチＳＲ３の長円形状のコアの長手方向と略平行となるように配置され、また、クロスフローファン１７の長手方向の長さは、磁気スイッチＳＲ３のコアの長手方向の長さと略一致するか、それ以上となるように設定してある。
クロスフローファンのファン１７ａは一対の円形の側板が複数のブレードにより接続された構成であって、この複数のブレードは、側板の半径方向を向き、ブレードの各両端は側板の円周方向に配置されている。クロスフローファンは、図１に示すように、ファン１７ａの周囲にガイド１７ｂと仕切板１７ｃを設けて使用される。クロスフローファン１７の流出側に設けられるガイド１７ｂの形状は通常螺旋形状であって、ファン１７ａとガイドウォール１７ａとの間には、所定の隙間が設けられている。
また、流出口１７ｄに対向するタンク１０の内側にはガイド１８が設けられており、クロスフローファン１７から流出する絶縁性冷媒１５がタンク１０内を円滑に流れるようにしている。
【００２２】
図１において、ファン１７ａを図示しない駆動装置により時計方向に回転させると、絶縁性冷媒１５は、ラジエター１４により冷却され、クロスフローファン１７の流入口１７ｅから吸い込まれ、流出口１７ｄから流出する。
磁気スイッチＳＲ１，ＳＲ２，ＳＲ３やトランスＴＲ１等の被冷却対象とクロスフローファン１７の位置関係を模式的に表すと、図２（ａ）（ｂ）のようになる。
流出口１７ｄから流出する絶縁性冷媒１５は、図１、図２の矢印に示すように磁気スイッチＳＲ１，ＳＲ２，ＳＲ３やトランスＴＲ１のコア表面やコンデンサＣ１，Ｃ２の表面上を流れ、その際に行われる熱交換により、磁気スイッチＳＲ１，ＳＲ２，ＳＲ３、トランスＴＲ１、コンデンサＣ１，Ｃ２を冷却する。そして、クロスフローファン１７の流入口に設けられたラジエター１４に達し、ここで冷却されてクロスフローファン１７の流入口１７ｅに達する。
【００２３】
本実施例においては、上記のように、冷却用ファンとして、クロスフローファンを用いたので、従来不均一であった磁気スイッチＳＲ３の長円形状コア付近での絶縁性冷媒の流速をほぼ均一化することが可能となり、コアの温度分布をほぼ均一とすることができる。
軸流ファンを用いた場合とクロスフローファンを用いた場合について、必要となる駆動モータのパワーを、平均流速の観点から考察すると以下のようになる。図３（ａ）に示すように、複数の軸流ファンを設けた場合、流速分布のバラツキが大きく、流速分布の一番流速が小さい領域においても熱交換が充分に行われるように設定する必要があるので、その平均流速は、必要流速よりもかなり大きくする必要がある。
これに対し、クロスフローファンは、図３（ｂ）に示すように流速分布のバラツキが小さい。したがって、流速分布の一番流速が小さい領域において、熱交換が充分に行われるように設定しても、その平均流速は、軸流ファンのときと比べて小さくなる。
すなわち、冷却ファンとしてクロスフローファンを用いれば、駆動する駆動モータのパワーも小さくてよく、モータの小型化が可能となる。
【００２４】
また、本実施例では、クロスフローファン１７の流入口にラジエター１４を設けているので、以下に説明するように、熱交換効率を向上させ、ラジエター１４を小型化することができる。
ラジエター１４は、一般に表面に冷却フィンが設けられ、内部を冷却水等を循環させる構造となっている。したがって、絶縁性冷媒がラジエター１４の冷却フィンが設けられた表面を通過する流速が高速である程、熱交換効率が大きい。
上記のようにラジエター１４は表面に冷却フィンが設けられた構造であるので、流れに対して抵抗が大きく、流れが不均一となる。よって、ラジエターをタンク１０内に設ける場合には、できるだけ絶縁性冷媒の流速が速い位置に置くことが好ましい。すなわち、絶縁性冷媒のコア、コンデンサと熱交換により加熱されたあとの流速が速い位置に置くことが望ましい。
【００２５】
自然対流で冷却する場合、絶縁性冷媒の流れはゆるやかで、場所による速度の差はあまりなく、対流により加熱された絶縁性冷媒はタンク内の上部の液面近くに移動する。よって、ラジエター１４はタンク内上部で絶縁性冷媒の液面より下に配置することとなる。
一方、前記したように軸流ファンを用いた場合、絶縁性冷媒が加熱されたあと流速が速い位置は、軸流ファンの裏側である。したがって、ラジエター１４は軸流ファンの裏側に配置するのが望ましい。
しかしながら裏側の空間はタンクの壁面に近いので狭く、ここにラジエター１４を設置すると絶縁性冷媒の流れが極端に遅くなり、熱交換効率も低下する。よって、自然対流の場合と同様、ラジエターはタンク内上部で絶縁性冷媒の液面より下に配置されることが多い。
【００２６】
一方、クロスフローファン１７は流入方向と流出方向が略直交しているので、図１、図２に示したように、ラジエター１４をクロクフローファン１７の流入口１７ｅ近傍に配置することができる。
すなわち、クロスフローファン１７の仕切り板１７ｃ、ガイド１７ｂを流体（絶縁性冷媒１５) が上部から流入するように構成すれば、図１、図２に示すようにラジエター１４をクロスフローファン１７の流入口１７ｅに設けることが可能である。
クロスフローファン１７上部の流入口１７ｅ近傍は流速が一番速いので、上記構成とすることにより、絶縁性冷媒のコア、コンデンサと熱交換により加熱されたあとの流速が速い位置にラジエター１４を配置することが可能となる。
また、この位置は、加熱されたあとの流体が流れる位置でもあり、流体を効果的に冷却することができる。
さらに、流速が速いので、前記図１３、図１４に示したように、タンク内上部で絶縁性冷媒の液面より下に配置する場合より、熱交換効率が向上する。よって、ラジエターを小型化することが可能である。
【００２７】
ところで、図１で説明した実施例の場合は、図４（ａ）に示すように、クロスフローファン１７から流出した絶縁性冷媒１５が、ラジエター１４により充分冷却される前に、クロスフローファン１７の上部の流体流入口１７ｅから流入し、熱交換効率が低下することが考えられる。
そこで、図４（ｂ）に示すように、ラジエター１４により冷却される前に、クロスフローファン１７の上部の流体流入口１７ｅから流入しないように、壁１９を設けるのが望ましい。
これにより、ラジエター１４により冷却されていない絶縁性冷媒が、ファンから送り出される絶縁性冷媒が混ざり合って、磁気スイッチやトランスのコアとの熱交換効率が低下するのを防止することができる。
【００２８】
また、図１〜図４の実施例では、浮遊インダクタンスを小さくするため、磁気スイッチＳＲ１〜ＳＲ３、昇圧トランスＴＲ１を重箱状に積み重ねた場合について示したが、磁気スイッチＳＲ１〜ＳＲ３、昇圧トランスＴＲ１を図５に示すように横方向配置してもよい。
すなわち、図１〜図４の配置の場合、上部ほど絶縁性冷媒の温度が高くなるので、熱交換効率が低下する。ラジエター１４の大きさはー番熱交換効率の小さい部分においてもコアの発熱が定格を越えないように設定する必要があり、上部に配置されたコアを効率良く冷却しようとすると、ラジエターがある程度大型化する。
そこで、磁気スイッチＳＲ１〜ＳＲ３と昇圧トランスＴＲ１を、図５に示すように横方向に配置し、クロスフローファン１７を、その長手方向が、磁気スイッチＳＲ１〜ＳＲ３と昇圧トランスＴＲ１のコアの中心軸の方向に平行になるように配置する。なお、図５（ａ）はタンク１０を上方向から見た上面図、図５（ｂ）は側面図である。
図５のような配置にすれば、各磁気スイッチＳＲ１〜ＳＲ３や昇圧トランスＴＲ１の表面を流れる絶縁性冷媒の温度をほぼ同じにすることができる。すなわち、各磁気スイッチＳＲ１〜ＳＲ３や昇圧トランスＴＲ１と絶縁性冷媒１５の熱交換効率はほぼ同じとなる。
この熱交換効率は、各磁気スイッチやトランスを重箱状に配置したときの一番熱交換効率の小さい部分における値よりも高い。従って、前記重箱状の配置のときと比較すれば、ラジエターの大きさを小型化することが可能となる。
【００２９】
なお、この配置の場合、磁気スイッチＳＲ３のコアとして、長円形のものを用いることも可能であるが、各コアを均一に冷却する上では、円形（円筒形）であることが望ましい。また、この配置では磁気スイッチＳＲ３のコアに複数並列に設けられた巻線が作る複数の〔コンデンサＣ２−磁気スイッチＳＲ３−コンデンサＣｐ〕間のループの距離がそれぞれ異なることになる。
したがって、この距離が長くなる配線ルートにおいては、浮遊インダクタンスが大きくなり、磁気スイッチＳＲ３の圧縮性能が低下する。
【００３０】
そこで、最終段の磁気スイッチＳＲ３のコアを前記図１６に示したように長円形とし、最終段以外の他の磁気スイッチＳＲ１，ＳＲ２、および昇圧トランスＴｒ１を、図６、図７に示すように横方向に配置するようにしてもよい。
すなわち、長円形のコアを持つ磁気スイッチＳＲ３を前記図１に示したように水平に配置するとともに、クロスフローファン１７を、その長手方向が磁気スイッチＳＲ３のコアの長手方向に平行になるように配置し、他の磁気スイッチＳＲ１，ＳＲ２、昇圧トランスＴｒ１をその中心軸が上記長円形のコアの長手方向に平行になるように、上記磁気スイッチＳＲ３の上に配置する。なお、昇圧トランスＴＲ１を含まない回路の場合には、上記磁気スイッチＳＲ１，ＳＲ２のみが横方向に配置されることになる。
図６は、図５と同様、タンク１０を上方向から見た上面図を示しており、図７は、図６のＡ方向からタンク１０を見た図を示している。
【００３１】
本実施例においては、図７に示すように、タンク１０内の底部に長円形のコアを持つ最終段の磁気スイッチＳＲ３がその長手方向が水平になるように配置され、磁気スイッチＳＲ３のコアと、タンク１０の底面には絶縁性冷媒１５が流れる空間が形成される。
横方向に配置された磁気スイッチＳＲ１，ＳＲ２、昇圧トランスＴｒ３の周囲にはコンデンサＣ１が取り付けられ、長円形の磁気スイッチＳＲ３の周囲にはコンデンサＣ２が配置される。
磁気スイッチＳＲ１〜ＳＲ２、昇圧トランスＴＲ１のコアの形状は、円形（円筒) 状、磁気スイッチＳＲ３のコアの形状は長円形状であり、磁気スイッチＳＲ１〜ＳＲ２、昇圧トランスＴＲ１のコアは、その中心軸が長円形状のコアの長手方向と平行になるように、上記長円形状のコアのほぼ真上に配置されている。
図１に示したものと同様、タンク１０の底面は導電性ベース１１よりなり、導電性ベース１１は接地されている。導電性ベース１１の下側に、電極Ｅ１，Ｅ２を備えたレーザチェンバ（図示せず）が設けられ、導電性ベース１１に設けられた絶縁部材１２を貫通する負高電圧導入部材１３を介して、負高電圧が上記電極Ｅ１に供給され、上記電極Ｅ２は接地される。タンク１０内には絶縁性冷媒１５が満たされる。
冷却用ファンとしては、図１と同様、クロスフローファン１７を用い、クロスフローファン１７の流入口には冷却水により冷却されるラジエター１４が配置されている。また、クロスフローファン１７の長手方向の長さは、磁気スイッチＳＲ３のコアの長手方向の長さと略一致するか、それ以上となるように設定してある。
【００３２】
本実施例においては、上記のように、長円形のコアを持つ磁気スイッチＳＲ３を、その長手方向がクロスフローファン１７の長手方向と略平行になるように配置し、上記磁気スイッチＳＲ３の上に、他の磁気スイッチＳＲ１，ＳＲ２、昇圧トランスＴｒ１を、その中心軸が上記長円形のコアの長手方向に平行になるように配置したので、各コアを均一に冷却することができる。
前記図１の配置の場合には、磁気スイッチＳＲ１，ＳＲ２、昇圧トランスＴｒ１が重箱状に積み重ねられているので、これらのコアの間を流れる絶縁性冷媒の流れは必ずしも等しくならないが、図６、図７のように配置すれば、クロスフローファン１７から流出する絶縁性冷媒は、磁気スイッチＳＲ１，ＳＲ２、昇圧トランスＴｒ１のコアの間を均一に流れ、各コアを均一に冷却することができる。また、本実施例のように配置することにより、無駄な空間を減少させ、小型化を図ることができる。
すなわち、磁気スイッチＳＲ１，ＳＲ２，昇圧トランスＴｒ１を縦方向に重ねて配置した場合、前記図１７に示したように、磁気スイッチＳＲ１，ＳＲ２，昇圧トランスＴｒ１の両側の部分（図１７においてＡ，Ｂ部分）が無駄なスペースとなるが、図６、図７のように配置することにより、この部分を有効に利用することができ、図１と図７を比較すれば明らかなように、タンク１０の高さを小さくすることができる。
【００３３】
さらに、長円形の磁気スイッチＳＲ３と、タンク１０の底面に絶縁性冷媒１５が流れる空間を形成しておけば、絶縁性冷媒がこの空間を流れるので、磁気スイッチＳＲ３も効率的に冷却することができる。なお、この場合コンデンサＣ２とタンク１０の底面の間に空間を設けておけば、絶縁性冷媒の流れをよりスムースにすることができる。
また、上記のように、最終段の磁気スイッチＳＲ３を長円形とし、コンデンサＣ２を磁気スイッチＳＲ３のコアの周辺に沿って配置し、各コンデンサＣ２は各ピーキングコンデンサＣｐの近傍に配置すれば、前記図１６に示したように、コンデンサＣ２とピーキングコンデンサＣｐとの間の電流経路をほぼ等しくすることができ、磁気スイッチＳＲ３の圧縮性能が低下することがない。
【００３４】
以上では、クロスフローファン１７を長手方向が水平になるように配置し、ラジエター１４をタンクの上部に設けた場合について説明したが、図８に示すように、クロスフローファン１７をその長手方向が略垂直になるように配置してもよい。この場合においても、ラジエター１４を前記図１に示したように、クロクフローファン１７の流入口１７ｅ近傍に配置するのが望ましい。
【００３５】
以上の実施例では、タンク内にクロスフローファンを１個取り付ける場合について説明したが、次に、タンク内に複数のクロスフローファンを設ける場合の実施例について説明する。
図９は、タンク１０内を上下に分割し、２個のクロスフローファンにより冷却する場合の実施例を示している。
同図において、タンク１０は絶縁板２０により上下に分割されており、上側の領域には、第１のクロスフローファン２１ａと磁気スイッチＳＲ１と昇圧トランスＴＲ１が設けられ、下側の領域には、第２のクロスフローファン２１ｂと、磁気スイッチＳＲ３，ＳＲ２が設けられている。また、第１、第２のクロスフローファン２１ａ，２１ｂ対向するタンク１０の内側には、絶縁性冷媒１５の流れを円滑にするためのガイド２２ａ〜２２ｃが取り付けられている。
また、第１のクロスフローファン２１ａ、第２のクロスフローファン２１ｂの流入口にはラジエター１４が取り付けられている。
【００３６】
第１、第２のクロスフローファン２１ａ，２２ｂから流出する絶縁性冷媒は、同図の矢印のようにタンク１０内を流れ、上記磁気スイッチＳＲ１〜ＳＲ３、昇圧トランスＴＲ１、コンデンサＣ１，Ｃ２を冷却する。そして、絶縁性媒体１５は第１、第２のクロスフローファン２１ａ，２１ｂの流入口に取り付けられたラジエター１４で冷却され、第１、第２のクロスフローファン２１ａ，２１ｂに流入する。
本実施例においては、上記のようにタンクを上下に分割し、分割された各領域にクロスフローファンを設けて絶縁性冷媒を循環させ磁気スイッチ、昇圧トランス等を冷却しているので、タンク１０内における絶縁性冷媒の流れを均一化することができ、各磁気スイッチＳＲ１〜ＳＲ３や昇圧トランスＴＲ１をほぼ均一に冷却することができる。
なお、図９では絶縁板２０を設けているが、絶縁板２０は必須ではなく、上記タンク１０の内壁にガイド２２ｂ，２２ｃを設けるだけでも、絶縁性媒体を図９の矢印の示すように循環させることができる。
【００３７】
図１０は、２個のクロスフローファンをタンク内の対角線の位置に配置した実施例を示している。
第１のクロスフローファン２１ａ、第２のクロスフローファン２１ｂの流入口にはラジエター１４が取り付けられ、また、第１、第２のクロスフローファン２１ａ，２１ｂの流出口に対向するタンク１０の内側には、絶縁性冷媒１５の流れを円滑にするためのガイド２２ａが取り付けられている。
第１、第２のクロスフローファン２１ａ，２１ｂから流出する絶縁性冷媒は、同図の矢印のようにタンク１０内を流れ、上記磁気スイッチＳＲ１〜ＳＲ３、昇圧トランスＴＲ１、コンデンサＣ１，Ｃ２を冷却する。そして、絶縁性媒体１５は第１、第２のクロスフローファン２１ａ，２１ｂの流入口に取り付けられたラジエター１４で冷却され、第１、第２のクロスフローファン２１ａ，２１ｂに流入する。
【００３８】
本実施例においても、タンク１０内に２個のクロスフローファンを設けて絶縁性冷媒を循環させ磁気スイッチ、昇圧トランス等を冷却しているので、タンク１０内における絶縁性冷媒の流れを均一化することができ、各磁気スイッチＳＲ１〜ＳＲ３や昇圧トランスＴＲ１をほぼ均一に冷却することができる。
なお、図１０では、クロスフローファンをタンク内の対角線の位置に配置した場合について示したが、クロスフローファンをタンクの一方の側に取り付けてもよい。
また、図９、図１０において、前記図４（ｂ）に示したように、壁１９を設けて、ラジエター１４により冷却される前に、クロスフローファン１７の上部の流体流入口１７ｅから流入しないようにしてもよい。
【００３９】
図１１は、前記図９に示した横方向に配置した磁気スイッチ、昇圧トランスを、２個のクロスフローファンを用いて冷却する場合の実施例を示しており、図１１は、タンクの側方から見た図を示しており、磁気スイッチＳＲ１〜ＳＲ３、昇圧トランスＴＲ１の配置は前記図５（ａ）と同じである。
同図に示すように、磁気スイッチングＳＲ１〜ＳＲ３、昇圧トランスＴＲ１の両側には、第１、第２のクロスフローファン２１ａ，２１ｂが設けられ、第１、第２のクロスフローファン２１ａ，２１ｂと、磁気スイッチングＳＲ１〜ＳＲ３、昇圧トランスＴＲ１の間には、ガイドとなる仕切り板２３ａ，２３ｂが設けられ、また、タンク１０の下面には、絶縁性冷媒の流れを円滑にするためのガイド２２ａ〜２２ｂが設けられている。また、本実施例では、タンクの上方にラジエター１４が設けられている。
【００４０】
図１１に示すように、第１、第２のクロスフローファン２１ａ，２１ｂから流出する絶縁性冷媒１５は、同図の矢印に示すように磁気スイッチＳＲ１，ＳＲ２，ＳＲ３やトランスＴＲ１のコア表面やコンデンサＣ１，Ｃ２表面上を流れ、その際に行われる熱交換により、磁気スイッチＳＲ１，ＳＲ２，ＳＲ３、トランスＴＲ１、コンデンサＣ１，Ｃ２を冷却する。そして、タンク１０の上部に設けられたラジエター１４に達し、ここで冷却されて第１、第２のクロスフローファン２１ａ，２１ｂ流入口に達する。
本実施例においては、上記のように第１、第２のクロスフローファンを設けて磁気スイッチＳＲ１，ＳＲ２，ＳＲ３やトランスＴＲ１のコア等を冷却しているので、前記した実施例と同様、磁気スイッチＳＲ１〜ＳＲ３や昇圧トランスＴＲ１をほぼ均一に冷却することができる。
【００４１】
なお、図１１では、ラジエターをタンクの上部に設けているが、前記したように、ラジエター１４を、前記図５に示したように、クロクフローファンの流入口近傍に配置してもよい。
また、図９〜図１１の実施例では、タンク１０の中にラジエター１４を設けた場合について説明したが、タンク１０中にラジエター１４を設ける代わりに、タンク１０の周囲に冷却パイプ等の冷却手段を取り付け、絶縁性冷媒を冷却するようにしてもよい。
【００４２】
【発明の効果】
以上説明したように本発明においては、以下の効果を得ることができる。
（１）冷却用ファンをクロスフローファンとしたので、長手方向に関して、絶縁性性冷媒の流速をほぼ均一化することが可能となり、長手方向の冷却対象物（磁気スイッチのコア等) の温度をほぼ均一にすることができる。
（２）また、流速分布のバラツキを小さくすることができるので、流速分布の一番流速が小さい領域においても熱交換が充分に行われるように設定しても、その平均流速は、長手方向に複数並べた軸流ファンのときと比べて小さくなる。すなわち、ファンを駆動する駆動モータのパワーも軸流ファンのときより小さくてよく、モータの小型化が可能となる。
（３）クロスフローファンの流入口にラジエターを設けることにより、流速が一番速い部分、すなわち、絶縁性冷媒のコア、コンデンサと熱交換により加熱されたあとの流速が速い部分にラジエターを配置することとなるのでラジエターでの熱交換効率が向上する。よって、ラジエターを小型化することが可能となる。
（４）最終弾の磁気スイッチを長円形とし、その長手方向がクロスフローファンの長手方向と略平行になるように配置し、長円形の磁気スイッチの上に、その他の磁気スイッチ、昇圧トランスを、その中心軸が上記長円形のコアの長手方向に平行になるように配置することにより、各コアを均一に冷却することができる。
また、無駄な空間を減少させ、小型化を図ることができる。
さらに、上記長円形のコアと容器の底部の間に絶縁性冷媒が流れる空間を設けることにより、長円形コアを効果的に冷却することができる。
（５）タンク内に複数個のクロスフローファンを設けることにより、タンク内の絶縁性冷媒の流れを一層均一化することができ、熱交換効率を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例の高電圧パルス発生装置の構成を示す図である。
【図２】図１のラジエターとクロスフローファンの位置関係を模式的に示す図である。
【図３】軸流ファンを用いた場合とクロスフローファンを用いた場合の流速分布を示す図である。
【図４】クロスフローファンの流入口と流出口の間に壁を設けた実施例を示す図である。
【図５】磁気スイッチ、昇圧トランス等を横方向に配置した実施例を示す図である。
【図６】図５において長円形のコアを水平に配置した実施例を示す図である。
【図７】図６に示す高電圧パルス発生装置のＡ−Ａ断面図である。
【図８】クロスフローファンを、その長手方向が略垂直になるように配置した実施例を示す図である。
【図９】タンクを上下に分割し、２個のクロスフローファンにより冷却する場合の実施例を示す図である。
【図１０】２個のクロスフローファンをタンク内の対角線の位置に配置した実施例を示す図である。
【図１１】横方向に配置した磁気スイッチ等を２個のクロスフローファンを用いて冷却する場合の実施例を示す図である。
【図１２】高電圧パルス発生回路の構成例を示す図である。
【図１３】従来の冷却構造の１例を示す図である。
【図１４】図１３において、タンクの内部に軸流ファンを設けた場合を示す図である。
【図１５】磁気スイッチＳＲ３のコアとして円形（円筒）状のものを用いた場合の構成例を示す図である。
【図１６】磁気スイッチＳＲ３のコアとして長円形状のものを用いた場合の構成例を示す図である。
【図１７】磁気スイッチＳＲ３のコアの長手方向に沿って軸流ファンを複数設けた場合を示す図である。
【図１８】軸流ファンを長手方向に沿って複数設けた場合の流速分布を示す図である。
【符号の説明】
１０            タンク
１１            導電性ベース
１２            絶縁部材
１３            負高電圧導入部材
１４            ラジエター
１７            クロスフローファン
１５            絶縁性冷媒
１８            ガイド
１９            壁
２０            絶縁板
２１ａ，２１ｂ  クロスフローファン
２２ａ〜２２ｄ  ガイド
２３ａ，２３ｂ  仕切り板
ＴＲ１          昇圧トランス
ＳＲ１〜ＳＲ３  磁気スイッチ
Ｃ１，Ｃ２      コンデンサ
Ｃｐ            ピーキングコンデンサ
Ｅ１，Ｅ２      電極
【図１】
0004101579.tif 000002
【図２】
0004101579.tif 000003
【図３】
0004101579.tif 000004
【図４】
0004101579.tif 000005
【図５】
0004101579.tif 000006
【図６】
0004101579.tif 000007
【図７】
0004101579.tif 000008
【図８】
0004101579.tif 000009
【図９】
0004101579.tif 000010
【図１０】
0004101579.tif 000011
【図１１】
0004101579.tif 000012
【図１２】
0004101579.tif 000013
【図１３】
0004101579.tif 000014
【図１４】
0004101579.tif 000015
【図１５】
0004101579.tif 000016
【図１６】
0004101579.tif 000017
【図１７】
0004101579.tif 000018
【図１８】
0004101579.tif 000019