(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基板上に、少なくとも、軟磁性材料からなる軟磁性下地膜と、直上の膜の配向性を制御する配向制御膜と、磁化容易軸が基板に対し主に垂直に配向した垂直磁性膜と、保護膜が設けられ、
前記配向制御膜が、Ｎｉを３３〜８０ａｔ％含み、かつＺｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｔａのうち１種または２種以上を含む非磁性材料からなり、
前記配向制御膜がｈｃｐ構造を有し、
前記垂直磁性膜が、ＣｏＣｒＰｔを主成分とする組成を有し、かつＣｒの含有率が１６ａｔ％以上２４ａｔ％以下、Ｐｔの含有率が１４ａｔ％以上２４ａｔ％以下であり、保磁力（Ｈｃ）が３０００（Ｏｅ）以上、逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）が０（Ｏｅ）以上２５００（Ｏｅ）以下、残留磁化（Ｍｒ）と飽和磁化（Ｍｓ）との比Ｍｒ／Ｍｓが０．９以上であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
垂直磁性膜の垂直磁気異方性定数Ｋｕが、１×１０６ｅｒｇ／ｃｃ以上であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
配向制御膜の結晶粒径が、２ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
配向制御膜の厚さが、０．５ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３のうちいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
垂直磁性膜が、０．１ａｔ％以上５ａｔ％以下のＢを含有し、Δθ５０が２〜１０°の範囲であることを特徴とする請求項１〜４のうちいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
非磁性基板と軟磁性下地膜との間に、硬磁性材料からなる硬磁性膜が設けられていることを特徴とする請求項１〜５のうちいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【請求項７】
非磁性基板上に、少なくとも、軟磁性材料からなる軟磁性下地膜と、直上の膜の配向性を制御する配向制御膜と、磁化容易軸が基板に対し主に垂直に配向した垂直磁性膜と、保護膜とを設け、前記配向制御膜を、Ｎｉを３３〜８０ａｔ％含み、かつＺｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｔａのうち１種または２種以上を含む非磁性材料からなるものとし、
前記配向制御膜をｈｃｐ構造とし、
前記垂直磁性膜を、ＣｏＣｒＰｔを主成分とする組成を有し、かつＣｒの含有率が１６ａｔ％以上２４ａｔ％以下、Ｐｔの含有率が１４ａｔ％以上２４ａｔ％以下であり、保磁力（Ｈｃ）が３０００（Ｏｅ）以上、逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）が０（Ｏｅ）以上２５００（Ｏｅ）以下、残留磁化（Ｍｒ）と飽和磁化（Ｍｓ）との比Ｍｒ／Ｍｓが０．９以上であるものとすることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項８】
磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッドとを備えた磁気記録再生装置であって、
磁気ヘッドが単磁極ヘッドであり、
磁気記録媒体は、非磁性基板上に、少なくとも、軟磁性材料からなる軟磁性下地膜と、直上の膜の配向性を制御する配向制御膜と、磁化容易軸が基板に対し主に垂直に配向した垂直磁性膜と、保護膜とが設けられ、
前記配向制御膜がＮｉを３３〜８０ａｔ％含み、かつＺｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｔａのうち１種または２種以上を含む非磁性材料からなり、
前記配向制御膜がｈｃｐ構造を有し、
前記垂直磁性膜が、ＣｏＣｒＰｔを主成分とする組成を有し、かつＣｒの含有率が１６ａｔ％以上２４ａｔ％以下、Ｐｔの含有率が１４ａｔ％以上２４ａｔ％以下であり、保磁力（Ｈｃ）が３０００（Ｏｅ）以上、逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）が０（Ｏｅ）以上２５００（Ｏｅ）以下、残留磁化（Ｍｒ）と飽和磁化（Ｍｓ）との比Ｍｒ／Ｍｓが０．９以上であることを特徴とする磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気記録媒体、その製造方法、およびこの磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
現在市販されている磁気記録媒体は、磁性膜内の磁化容易軸が主に基板に対し水平に配向した面内磁気記録媒体がほとんどである。
このような面内磁気記録媒体では、高記録密度化するとビット体積が小さくなりすぎ、熱揺らぎ効果により記録再生特性が悪化する可能性がある。また、高記録密度化した際に、記録ビット境界での反磁界の影響により媒体ノイズが増加する。
これに対し、磁性膜内の磁化容易軸が主に垂直に配向した、いわゆる垂直磁気記録媒体は、高記録密度化した際にもビット境界での反磁界の影響が小さく、境界が鮮明な記録磁区が形成されるため低ノイズ化が可能であり、しかも比較的ビット体積が大きくても高記録密度化が可能であることから熱揺らぎ効果にも強く、近年大きな注目を集めており、垂直磁気記録に適した媒体の構造が提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
近年では、磁気記録媒体の更なる高記録密度化が要望されており、垂直磁性膜に対する書き込み能力に優れる単磁極ヘッドを用いるために、記録層である垂直磁性膜と基板との間に、裏打ち層と称される軟磁性材料からなる層を設け、単磁極ヘッドと、磁気記録媒体の間の磁束の出入りの効率を向上させた磁気記録媒体が提案されている。
しかしながら、上記裏打ち層を設けた磁気記録媒体を用いた場合でも、記録再生時の記録再生特性や、熱揺らぎ耐性、記録分解能において満足できるものではなく、これらの特性に優れる磁気記録媒体が要望されていた。
特許第２６６９５２９号公報には、Ｔｉ下地膜に他の元素を含有させることにより、下地膜とＣｏ合金磁性膜との間の格子の整合性を高め、Ｃｏ合金磁性膜のｃ軸配向性を向上させることが提案されている。
しかしながら、Ｔｉ合金下地膜を用いると、Ｃｏ合金磁性膜中の磁気クラスター径が大きくなり、その結果、媒体ノイズが大きくなり、更なる高記録密度化は困難である。
特開平８−１８０３６０号公報には、ＣｏとＲｕからなる下地膜を用いることにより、Ｃｏ合金磁性膜のｃ軸配向性を向上させることが提案されている。
しかしながら、ＣｏとＲｕからなる下地膜は結晶粒径が大きくなり、その結果Ｃｏ合金磁性膜中の磁性粒子径が大きくなり、媒体ノイズが大きくなり、更なる高密度化は困難である。
特開昭６３−２１１１１７号公報には、炭素含有下地膜を用いることが提案されている。
しかしながら、炭素含有下地膜を用いると、この膜がアモルファス構造であるために、垂直磁性膜のｃ軸配向性が悪化するため、熱揺らぎ耐性が悪化し、更なる高記録密度化は困難である。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、記録再生特性、熱揺らぎ耐性を向上させ、高密度の情報の記録再生が可能な磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
本発明の磁気記録媒体は、非磁性基板上に、少なくとも、軟磁性材料からなる軟磁性下地膜と、直上の膜の配向性を制御する配向制御膜と、磁化容易軸が基板に対し主に垂直に配向した垂直磁性膜と、保護膜が設けられ、前記配向制御膜が、Ｎｉを３３〜８０ａｔ％含み、かつＺｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｔａのうち１種または２種以上を含む非磁性材料からなり、前記配向制御膜がｈｃｐ構造を有し、前記垂直磁性膜が、ＣｏＣｒＰｔを主成分とする組成を有し、かつＣｒの含有率が１６ａｔ％以上２４ａｔ％以下、Ｐｔの含有率が１４ａｔ％以上２４ａｔ％以下であり、保磁力（Ｈｃ）が３０００（Ｏｅ）以上、逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）が０（Ｏｅ）以上２５００（Ｏｅ）以下、残留磁化（Ｍｒ）と飽和磁化（Ｍｓ）との比Ｍｒ／Ｍｓが０．９以上であることを特徴とする。
垂直磁性膜の垂直磁気異方性定数Ｋｕは、１×１０６ｅｒｇ／ｃｃ以上とするのが好ましい。
配向制御膜の結晶粒径は、２ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることが好ましい。
配向制御膜の厚さは、０．５ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることが好ましい。
垂直磁性膜は、０．１ａｔ％以上５ａｔ％以下のＢを含有し、Δθ５０が２〜１０°の範囲であることが好ましい。
非磁性基板と軟磁性下地膜との間には、硬磁性材料からなる硬磁性膜を設けることができる。
【０００５】
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、非磁性基板上に、少なくとも、軟磁性材料からなる軟磁性下地膜と、直上の膜の配向性を制御する配向制御膜と、磁化容易軸が基板に対し主に垂直に配向した垂直磁性膜と、保護膜とを設け、前記配向制御膜を、Ｎｉを３３〜８０ａｔ％含み、かつＺｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｔａのうち１種または２種以上を含む非磁性材料からなるものとし、前記配向制御膜をｈｃｐ構造とし、前記垂直磁性膜を、ＣｏＣｒＰｔを主成分とする組成を有し、かつＣｒの含有率が１６ａｔ％以上２４ａｔ％以下、Ｐｔの含有率が１４ａｔ％以上２４ａｔ％以下であり、保磁力（Ｈｃ）が３０００（Ｏｅ）以上、逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）が０（Ｏｅ）以上２５００（Ｏｅ）以下、残留磁化（Ｍｒ）と飽和磁化（Ｍｓ）との比Ｍｒ／Ｍｓが０．９以上であるものとすることを特徴とする。
【０００６】
本発明の磁気記録再生装置は、磁気ヘッドが単磁極ヘッドであり、磁気記録媒体が、非磁性基板上に、少なくとも、軟磁性材料からなる軟磁性下地膜と、直上の膜の配向性を制御する配向制御膜と、磁化容易軸が基板に対し主に垂直に配向した垂直磁性膜と、保護膜とが設けられ、配向制御膜がＮｉを３３〜８０ａｔ％含み、かつＺｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｔａのうち１種または２種以上を含む非磁性材料からなり、前記配向制御膜がｈｃｐ構造を有し、前記垂直磁性膜が、ＣｏＣｒＰｔを主成分とする組成を有し、かつＣｒの含有率が１６ａｔ％以上２４ａｔ％以下、Ｐｔの含有率が１４ａｔ％以上２４ａｔ％以下であり、保磁力（Ｈｃ）が３０００（Ｏｅ）以上、逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）が０（Ｏｅ）以上２５００（Ｏｅ）以下、残留磁化（Ｍｒ）と飽和磁化（Ｍｓ）との比Ｍｒ／Ｍｓが０．９以上であることを特徴とする。
【０００７】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の磁気記録媒体の第１の実施形態を示すもので、ここに示す磁気記録媒体は、非磁性基板１上に、軟磁性下地膜２と、配向制御膜３と、中間膜４と、垂直磁性膜５と、保護膜６と、潤滑膜７とが順次形成されて構成されている。
非磁性基板１としては、アルミニウム、アルミニウム合金等の金属材料からなる金属基板を用いてもよいし、ガラス、セラミック、シリコン、シリコンカーバイド、カーボンなどの非金属材料からなる非金属基板を用いてもよい。
ガラス基板としては、アモルファスガラス、結晶化ガラスがある。アモルファスガラスとしては汎用のソーダライムガラス、アルミノケートガラス、アルミノシリケートガラスを使用できる。また、結晶化ガラスとしては、リチウム系結晶化ガラスを用いることができる。セラミック基板としては、汎用の酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素などを主成分とする焼結体や、これらの繊維強化物などが使用可能である。
非磁性基板１としては、上記金属基板や非金属基板の表面にメッキ法やスパッタ法によりＮｉＰ膜が形成されたものを用いることもできる。
【０００８】
軟磁性下地膜２は、磁気ヘッドからの磁束を基板垂直方向成分を大きくするためと、情報が記録される垂直磁性膜５の磁化を、より強固に基板１に垂直な方向に固定するために設けられているものである。
この作用は特に、記録再生用の磁気ヘッドとして垂直記録用の単磁極ヘッドを用いる場合に、より顕著となる。
【０００９】
軟磁性下地膜２は、軟磁性材料からなるもので、この材料としては、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏを含む材料を用いることができる。
この材料としては、ＦｅＣｏ系合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＶなど）、ＦｅＮｉ系合金（ＦｅＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＮｉＣｒ、ＦｅＮｉＳｉなど）、ＦｅＡｌ系合金（ＦｅＡｌ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＡｌＳｉＣｒ、ＦｅＡｌＳｉＴｉＲｕ、ＦｅＡｌＯなど）、ＦｅＣｒ系合金（ＦｅＣｒ、ＦｅＣｒＴｉ、ＦｅＣｒＣｕなど）、ＦｅＴａ系合金（ＦｅＴａ、ＦｅＴａＣ、ＦｅＴａＮなど）、ＦｅＭｇ系合金（ＦｅＭｇＯなど）、ＦｅＺｒ系合金（ＦｅＺｒＮなど）、ＦｅＣ系合金、ＦｅＮ系合金、ＦｅＳｉ系合金、ＦｅＰ系合金、ＦｅＮｂ系合金、ＦｅＨｆ系合金、ＦｅＢ系合金などを挙げることができる。
またＦｅを６０ａｔ％以上含有するＦｅＡｌＯ、ＦｅＭｇＯ、ＦｅＴａＮ、ＦｅＺｒＮ等の微結晶構造を有する材料を用いてもよいし、微細な結晶粒子がマトリクス中に分散されたグラニュラー構造を有する材料を用いてもよい。
軟磁性下地膜２の材料としては、上記のほか、Ｃｏを８０ａｔ％以上含有し、かつＺｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏのうち少なくとも１種を含有し、アモルファス構造を有するＣｏ合金を用いることができる。
この材料としては、ＣｏＺｒ系合金、ＣｏＺｒＮｂ系合金、ＣｏＺｒＴａ系合金、ＣｏＺｒＣｒ系合金、ＣｏＺｒＭｏ系合金などを好適なものとして挙げることができる。
【００１０】
軟磁性下地膜２の保磁力Ｈｃは２００（Ｏｅ）以下（好ましくは５０（Ｏｅ）以下）とするのが好ましい。
この保磁力Ｈｃが上記範囲を超えると、軟磁気特性が不十分となり、再生波形がいわゆる矩形波でなく、歪みをもった波形になるため好ましくない。
軟磁性下地膜２の飽和磁束密度Ｂｓは、０．６Ｔ以上（好ましくは１Ｔ以上）とするのが好ましい。このＢｓが上記範囲未満であると、再生波形がいわゆる矩形波でなく、歪みをもった波形になるため好ましくない。
また、軟磁性下地膜２の飽和磁束密度Ｂｓと軟磁性下地膜２の膜厚ｔとの積Ｂｓ・ｔは、４０Ｔ・ｎｍ以上（好ましくは６０Ｔ・ｎｍ以上）であること好ましい。このＢｓ・ｔが上記範囲未満であると、再生波形が歪みをもつようになったり、ＯＷ特性（オーバーライト特性）が悪化するため好ましくない。
【００１１】
軟磁性下地膜２の表面（配向制御膜３側の面）は、軟磁性下地膜２を構成する材料が部分的または完全に酸化されていることが好ましい。
これにより、軟磁性下地膜２の表面の磁気的な揺らぎを抑えることができるので、この磁気的な揺らぎに起因するノイズを低減して、磁気記録媒体の記録再生特性を改善することができる。また、軟磁性下地膜２上に形成される配向制御膜３の結晶粒を微細化して、記録再生特性を改善することができる。
【００１２】
この軟磁性下地膜２の表面の酸化部分（酸化層）は、例えば軟磁性下地膜２を形成した後、軟磁性下地膜２の表面を、酸素を含む雰囲気に曝す方法や、軟磁性下地膜２の表面に近い部分を成膜する際のプロセス中に酸素を導入する方法により形成することができる。
具体的には、軟磁性下地膜２の表面を酸素含有雰囲気に曝す場合には、酸素単体、または酸素をアルゴンや窒素などで希釈したガス雰囲気中に０．３〜２０秒程度保持しておけばよい。また、軟磁性下地膜２を大気に曝す方法をとることもできる。
特に酸素をアルゴンや窒素などで希釈したガスを用いる場合には、軟磁性下地膜２表面の酸化の度合いの調節が容易になるので、安定した製造を行うことができる。
また、軟磁性下地膜２の成膜用のガスに酸素を導入する場合には、例えば成膜法としてスパッタ法を用いるならば、成膜時間の一部のみに、酸素を導入したプロセスガスを用いてスパッタを行えばよい。このプロセスガスとしては、例えばアルゴンに酸素を体積率で０．０５％〜５０％（好ましくは０．１〜２０％）程度混合したガスが好適に用いられる。
【００１３】
配向制御膜３は、直上に設けられた中間膜４および垂直磁性膜５の配向性や粒径を制御するもので、Ｎｉを３３〜８０ａｔ％（好ましくは５０〜８０ａｔ％）含み、かつＳｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａのうち１種または２種以上を含む非磁性材料からなるものである。
Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａのうち１種または２種以上の含有率は、２０ａｔ％以上とするのが好ましい。
Ｎｉの含有率が３３ａｔ％未満となると、エラーレート改善効果がなくなるため好ましくない。Ｎｉの含有率が８０ａｔ％を超えると、配向制御膜３が磁性を持つようになり、媒体ノイズが増加するため好ましくない。
【００１４】
配向制御膜３は、ＮｉＴａ合金、ＮｉＮｂ合金、ＮｉＴｉ合金、ＮｉＺｒ合金からなる群から選ばれた少なくとも１種からなるものであることが好ましい。
ＮｉＴａ合金としては、ＮｉとＴａからなる合金（ＮｉＴａ）を用いてもよいし、この合金を主成分とし、他の元素を含むものを用いることもできる。
ＮｉＮｂ合金としては、ＮｉとＮｂからなる合金（ＮｉＮｂ）を用いてもよいし、この合金を主成分とし、他の元素を含むものを用いることもできる。
ＮｉＴｉ合金としては、ＮｉとＴｉからなる合金（ＮｉＴｉ）を用いてもよいし、この合金を主成分とし、他の元素を含むものを用いることもできる。
ＮｉＺｒ合金としては、ＮｉとＺｒからなる合金（ＮｉＺｒ）を用いてもよいし、この合金を主成分とし、他の元素を含むものを用いることもできる。
【００１５】
配向制御膜３は、ｈｃｐ構造を有することが好ましい。
配向制御膜３をｈｃｐ構造を有するものとすることによって、垂直磁性膜５の配向性を向上させ、記録再生特性および熱揺らぎ耐性を改善することができる。
配向制御膜３がｈｃｐ構造を有するものであるかどうかは、例えば電子線回折像を調べることによって判断することができる。
図２は、６０Ｎｉ−４０Ｔａ（６０ａｔ％Ｎｉ−４０％Ｔａを意味する）からなる配向制御膜３の電子回折像を示すものである。
この図より、ｈｃｐ−Ｎｉに対応する回折像が確認され、配向制御膜３がｈｃｐ構造を有することがわかる。
【００１６】
配向制御膜３の厚さは、０．５ｎｍ以上２０ｎｍ以下（好ましくは１〜１０ｎｍ）とするのが好ましい。
配向制御膜３の厚さが０．５〜２０ｎｍ（好ましくは１〜１０ｎｍ）の範囲であるときには、垂直磁性膜５の垂直配向性が特に高くなり、かつ記録時における磁気ヘッドと軟磁性下地膜２との距離を小さくすることができるので、再生信号の分解能を低下させることなく記録再生特性を高めることができる。
この厚さが上記範囲未満であると、垂直磁性膜５における垂直配向性が低下し、記録再生特性および熱揺らぎ耐性が劣化する。
また、この厚さが上記範囲を超えると、垂直磁性膜５の垂直配向性が低下し、記録再生特性および熱揺らぎ耐性が劣化する。また記録時における磁気ヘッドと軟磁性下地膜２との距離が大きくなるため、再生信号の分解能や再生出力が低下するため好ましくない。
【００１７】
配向制御膜３の表面形状は、垂直磁性膜５、保護膜６の表面形状に影響を与えるため、磁気記録媒体の表面凹凸を小さくして、記録再生時における磁気ヘッド浮上高さを低くするには、配向制御膜３の表面平均粗さＲａを２ｎｍ以下とするのが好ましい。
表面平均粗さＲａを２ｎｍ以下とすることによって、磁気記録媒体の表面凹凸を小さくし、記録再生時における磁気ヘッドの浮上高さを十分に低くし、記録密度を高めることができる。
【００１８】
配向制御膜３は、酸素と窒素のうち少なくともいずれかを含有させることができる。酸素や窒素を含有させるには、配向制御膜３を形成する際に、成膜ガス（プロセスガス）に酸素または窒素を含有させる方法をとることができる。
例えば、成膜法としてスパッタ法を用いるならば、成膜用ガスとして、アルゴンに酸素を体積率で０．０５〜５０％（好ましくは０．１〜２０％）程度混合したガス、アルゴンに窒素を体積率で０．０１〜２０％（好ましくは０．０２〜１０％）程度混合したガスが好適に用いられる。
酸素、窒素を含有させることによって、配向制御膜３の結晶粒を微細化することができる。
【００１９】
配向制御膜３の結晶粒径（平均粒径）は、小さすぎれば垂直磁性膜５の配向性が低下し、大きすぎれば垂直磁性膜５における結晶粒子の粗大化を招くため、２ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることが好ましい。
この平均粒径は、例えば配向制御膜３の結晶粒子をＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）で観察し、観察像を画像処理することにより求めることができる。
【００２０】
中間膜４には、ｈｃｐ構造を有する材料を用いるのが好ましい。中間膜４には、ＣｏＣｒ合金やＣｏＣｒＸ1合金やＣｏＸ1合金（Ｘ1：Ｐｔ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｒｕ，Ｎｂ、Ｃｕ、Ｒｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、ＮおよびＢのうち１種または２種以上）を用いるのが好適である。
中間膜４のＣｏの含有率は３０〜７０ａｔ％であることが好ましい。
中間膜４の厚さは、垂直磁性膜５における磁性粒子の粗大化による記録再生特性の悪化や、磁気ヘッドと軟磁性下地膜２との距離が大きくなることによる記録分解能の低下を起こさないようにするために、２０ｎｍ以下（好ましくは１０ｎｍ以下）とするのが好ましい。
中間膜４を設けることによって、垂直磁性膜５の垂直配向性を高め、垂直磁性膜５の保磁力を高め、記録再生特性および熱揺らぎ耐性をさらに向上させることができる。
【００２１】
垂直磁性膜５は、その磁化容易軸が基板に対して主に垂直方向に向いた磁性膜であり、ＣｏＣｒＰｔを主成分とする組成を有し、かつＣｒの含有率が１６ａｔ％以上２４ａｔ％以下（好ましくは１８ａｔ％以上２２ａｔ％以下）、Ｐｔの含有率が１４ａｔ％以上２４ａｔ％以下（好ましくは１５ａｔ％以上２０ａｔ％以下）であることが好ましい。
Ｃｒの含有率が１６ａｔ％未満であると、磁性粒子間の交換結合が大きくなり、その結果、磁気クラスター径が大きくなり、ノイズが増大するため好ましくない。また、Ｃｒの含有率が２４ａｔ％を超えると、残留磁化（Ｍｓ）と飽和磁化（Ｍｒ）の比Ｍｒ／Ｍｓ、および保磁力Ｈｃが低下するため好ましくない。
Ｐｔの含有率が１４ａｔ％未満であると、記録再生特性の改善効果が不十分となるとともに、残留磁化（Ｍｓ）と飽和磁化（Ｍｒ）の比Ｍｒ／Ｍｓが低下し熱揺らぎ耐性が悪化するため好ましくない。また、Ｐｔの含有率が２４ａｔ％を超えると、ノイズが増大するため好ましくない。
なお本明細書において、主成分とは、当該成分を５０ａｔ％を超えて含むことを意味する。
【００２２】
垂直磁性膜５は、上記Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔに加え、Ｂを０．１ａｔ％以上、５ａｔ％以下含有することが好ましい。Ｂの使用により、磁気クラスターサイズを低減することができ、記録再生特性を改善することが可能となる。
垂直磁性膜５にＣｏＣｒＰｔ系合金を用いる場合には、Ｂ以外にも任意の元素を添加することも可能である。この元素としては、特に限定されるものではないが、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｉｒ、Ｃｕ、Ｒｕを挙げることができる。
【００２３】
垂直磁性膜５は、上記ＣｏＣｒＰｔ系材料からなる１層構造とすることもできるし、上記ＣｏＣｒＰｔ系合金材料からなる層と、ＣｏＣｒＰｔ系合金材料とは異なる材料からなる層とを含む２層以上の構造とすることもできる。
また、Ｃｏ系合金（ＣｏＣｒ、ＣｏＢ、Ｃｏ−ＳｉＯ2等）層とＰｄ系合金（ＰｄＢ、Ｐｄ−ＳｉＯ2等）層を積層した構造や、ＴｂＦｅＣｏ等のアモルファス材料層とＣｏＣｒＰｔ系合金材料層とを含む複層構造とすることもできる。
【００２４】
垂直磁性膜５の厚さは、３〜６０ｎｍ（好ましくは５〜４０ｎｍ）とするのが好ましい。垂直磁性膜５の厚さが上記範囲未満であると、十分な磁束が得られず、再生出力が低下する。また、垂直磁性膜５の厚さが上記範囲を超えると、垂直磁性膜５内の磁性粒子の粗大化が起き、記録再生特性が低下するため好ましくない。
【００２５】
垂直磁性膜５の保磁力Ｈｃは、３０００（Ｏｅ）以上とすることが好ましい。この保磁力が３０００（Ｏｅ）未満の磁気記録媒体は、高記録密度化に不適であり、また熱揺らぎ耐性にも劣るため好ましくない。
【００２６】
垂直磁性膜５の残留磁化（Ｍｓ）と飽和磁化（Ｍｒ）の比Ｍｒ／Ｍｓは、０．９以上であることが好ましい。このＭｒ／Ｍｓが０．９未満の磁気記録媒体は、熱揺らぎ耐性に劣るため好ましくない。
【００２７】
垂直磁性膜５の逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）は、０（Ｏｅ）以上２５００（Ｏｅ）以下であることが好ましい。この逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）が０（Ｏｅ）未満の磁気記録媒体は、熱揺らぎ耐性に劣るため好ましくない。
【００２８】
以下、逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）について説明する。
図３に示すように、ＭＨ曲線において、磁化が飽和した状態から外部磁界を減少させる過程で外部磁界が０となる点をａとし、磁化が０になった点をｂとし、点ｂでのＭＨ曲線の接線と飽和磁化を示す直線との交点をｃとすると、逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）は、点ａと点ｃとの距離（Ｏｅ）で表すことができる。
なお、逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）は、外部磁界が負となる領域に点ｃがある場合に正の値をとり（図３を参照）、逆に、外部磁界が正となる領域に点ｃがある場合に負の値をとる（図４を参照）。
【００２９】
垂直磁性膜５の垂直磁気異方性定数Ｋｕは、１×１０6ｅｒｇ／ｃｃ以上であることが好ましい。
以下、垂直磁気異方性定数Ｋｕの測定方法について説明する。
磁気トルク装置を用いて、試料に十分に大きな磁場を加え、磁性膜の磁区を単一磁区とすると、磁性膜内部に、磁化容易軸を磁場方向に一致させるための回転力がはたらく。
磁場が加えられている方向と磁化容易軸方向との角度をφとすると、トルクＴは、Ｋｕ・ｃｏｓ４φで表すことができる。
このように、トルクはφの周期関数となり、トルクを表す曲線をフーリエ解析することによって、垂直磁気異方性定数Ｋｕを決定することができる。
【００３０】
この磁気記録媒体では、配向制御膜３がＮｉを３３〜８０ａｔ％含み、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａのうち１種または２種以上含む非磁性材料からなるものとすることにより、優れたエラーレート、熱揺らぎ耐性を得ることができる。
この効果は、垂直磁性膜５の垂直磁気異方性定数Ｋｕが１×１０6ｅｒｇ／ｃｃ以上であるときに、特に優れたものとなる。
【００３１】
表１は、配向制御膜３にＮｉＴａ、ＴｉまたはＣを用い、垂直磁気異方性定数Ｋｕを０．７×１０6〜０．９×１０6ｅｒｇ／ｃｃとした場合（例１〜３）と、１．５×１０6〜１．８×１０6ｅｒｇ／ｃｃとした場合（例４〜６）の特性を示すものである。
【００３２】
【表１】
0004040276.tif 000002
【００３３】
表１より、配向制御膜３にＴｉまたはＣを用いた場合（例２、３、５、６）に比べ、配向制御膜３にＮｉＴａを用いた場合（例１、４）には、記録再生特性（エラーレート）および熱揺らぎ耐性が改善されたことがわかる。
この改善効果を、垂直磁性膜５のＫｕが小さい媒体（例１〜３）と、Ｋｕが大きい媒体（例４〜６）との間で比較すると、Ｋｕが大きい場合（例４）において、より大きな改善効果が得られたことがわかる。
このことから、配向制御膜３にＮｉＴａを用いた場合に得られる磁気特性改善効果は、Ｋｕが大きい場合に、より優れたものとなることがわかる。
【００３４】
垂直磁性膜５のΔθ50は、２〜１０°であることが好ましい。
このΔθ50は、２°未満であると、磁性粒子間の交換結合が大きくなり、記録再生特性が劣化するため好ましくない。Δθ50が１０°を超えると、残留磁化（Ｍｓ）と飽和磁化（Ｍｒ）の比Ｍｒ／Ｍｓが悪化し、熱揺らぎ耐性が悪化するため好ましくない。
【００３５】
ここでいうΔθ50とは、当該膜の結晶面の傾き分布を示すものであり、具体的には、膜表面における特定の配向面に関するロッキング曲線のピークの半値幅をいう。Δθ50は、数値が小さいほど当該膜の結晶配向性が高いということができる。
【００３６】
以下、Δθ50を測定する方法の一例を説明する。
（１）ピーク位置決定
図５に示すように、表面側に垂直磁性膜５が形成されたディスクＤに、入射Ｘ線２１を照射し、回折Ｘ線２２を回折Ｘ線検出器２３によって検出する。
検出器２３の位置は、この検出器２３によって検出される回折Ｘ線２２の入射Ｘ線２１に対する角度（入射Ｘ線２１の延長線２４に対する回折Ｘ線２２の角度）が、入射Ｘ線２１のディスクＤ表面に対する入射角θの２倍、すなわち２θとなるように設定する。
入射Ｘ線２１を照射する際には、ディスクＤの向きを変化させることにより入射Ｘ線２１の入射角θを変化させるとともに、これに連動させて、検出器２３の位置を、回折Ｘ線２２の入射Ｘ線２１に対する角度が２θ（すなわち入射Ｘ線２１の入射角θの２倍の角度）を維持するように変化させつつ、回折Ｘ線２２の強度を検出器２３により測定するθ−２θスキャン法を行う。
これによって、θと回折Ｘ線２２の強度との関係を調べ、回折Ｘ線２２の強度が最大となるような検出器２３の位置を決定する。この検出器位置における回折Ｘ線２２の入射Ｘ線２１に対する角度２θを、２θｐという。
得られた角度２θｐより、膜表面において支配的な結晶面を知ることができる。
【００３７】
（２）ロッキング曲線の決定
図６に示すように、検出器２３を、回折Ｘ線２２の角度２θが２θｐとなった位置に固定した状態で、ディスクＤの向きを変化させることにより入射Ｘ線２１の入射角θを変化させ、入射角θと、検出器２３によって検出された回折Ｘ線２２の強度との関係を示すロッキング曲線を作成する。
検出器２３の位置を、回折Ｘ線２２の角度２θが２θｐとなった位置に固定するため、ロッキング曲線は、膜表面の結晶面のディスクＤ面に対する傾きの分布を表すものとなる。
図７は、ロッキング曲線の例を示すものである。Δθ50とは、このロッキング曲線において当該配向面を示すピークの半値幅をいう。
【００３８】
垂直磁性膜５は、結晶粒子の平均粒径が５〜１５ｎｍであることが好ましい。この平均粒径は、例えば垂直磁性膜５の結晶粒子をＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）で観察し、観察像を画像処理することにより求めることができる。
【００３９】
保護膜６は垂直磁性膜５の腐食を防ぐとともに、磁気ヘッドが媒体に接触したときに媒体表面の損傷を防ぐためのもので、従来公知の材料を使用でき、例えばＣ、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2を含むものが使用可能である。
保護膜６の厚さは、１〜１０ｎｍとするのが望ましい。
潤滑剤７には、パーフルオロポリエーテル、フッ素化アルコール、フッ素化カルボン酸などを用いるのが好ましい。
【００４０】
上記構成の磁気記録媒体にあっては、配向制御膜３がＮｉを３３〜８０ａｔ％含み、かつＳｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａのうち１種または２種以上を含む非磁性材料からなるものであるので、保磁力Ｈｃを高め、Ｍｒ／Ｍｓを向上させ、逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）を増加させることができる。
従って、優れた熱揺らぎ耐性を得ることができる。さらには、記録再生特性を向上させることができる。
なお、熱揺らぎとは、記録ビットが不安定となり記録したデータの熱消失が起こる現象をいい、磁気記録媒体装置においては、記録したデータの再生出力の経時的な減衰として現れる。
【００４１】
なお、本発明において、垂直磁性膜が複数の層からなる複層構造を有するものである場合には、これら層のうち少なくとも１つが、上記第１実施形態における垂直磁性膜５の構成を備えたものであればよい。
【００４２】
図８は、本発明の磁気記録媒体の第２の実施形態を示すもので、この磁気記録媒体では、非磁性基板１と軟磁性下地膜２との間に、硬磁性材料からなる硬磁性膜８が設けられている。
硬磁性膜８にはＣｏＳｍ合金や、ＣｏＣｒＰｔＸ2合金（Ｘ2：Ｐｔ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ｒｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、ＮおよびＢのうち１種または２種以上）を用いるのが好適である。
硬磁性膜８は、保磁力Ｈｃが５００（Ｏｅ）以上（好ましくは１０００（Ｏｅ）以上）であることが好ましい。
硬磁性膜８の厚さは、１５０ｎｍ以下（好ましくは７０ｎｍ以下）であることが好ましい。硬磁性膜８の厚さが１５０ｎｍを超えると、配向制御膜３の表面平均粗さＲａが大きくなるため好ましくない。
硬磁性膜８は、軟磁性下地膜２と交換結合しており、磁化方向が基板半径方向に向けられた構成とするのが好ましい。
硬磁性膜８を設けることにより、より効果的に軟磁性下地膜２での巨大な磁区の形成を抑えることができるので、磁壁によるスパイクノイズの発生を防止して、記録再生時のエラーレートを十分に低くすることができる。
硬磁性膜８の配向性を高めるために、非磁性基板１と硬磁性膜８との間にＣｒ合金材料やＢ２構造材料からなる下地膜を形成してもよい。
【００４３】
図９は、本発明の磁気記録媒体の第３の実施形態を示すもので、この磁気記録媒体では、垂直磁性膜５と保護膜６との間に軟磁性材料からなる磁化安定膜９が設けられている。
磁化安定膜９の材料としては、ＦｅＣｏ系合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＶなど）、ＦｅＮｉ系合金（ＦｅＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＮｉＣｒ、ＦｅＮｉＳｉなど）、ＦｅＡｌ系合金（ＦｅＡｌ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＡｌＳｉＣｒ、ＦｅＡｌＳｉＴｉＲｕ、ＦｅＡｌＯなど）、ＦｅＣｒ系合金（ＦｅＣｒ、ＦｅＣｒＴｉ、ＦｅＣｒＣｕなど）、ＦｅＴａ系合金（ＦｅＴａ、ＦｅＴａＣ、ＦｅＴａＮなど）、ＦｅＭｇ系合金（ＦｅＭｇＯなど）、ＦｅＺｒ系合金（ＦｅＺｒＮなど）、ＦｅＣ系合金、ＦｅＮ系合金、ＦｅＳｉ系合金、ＦｅＰ系合金、ＦｅＮｂ系合金、ＦｅＨｆ系合金、ＦｅＢ系合金などを挙げることができる。
またＦｅを６０ａｔ％以上含有するＦｅＡｌＯ、ＦｅＭｇＯ、ＦｅＴａＮ、ＦｅＺｒＮ等の微結晶構造、または微細な結晶粒子がマトリクス中に分散されたグラニュラー構造を有する材料を用いてもよい。
磁化安定膜９の材料としては、上記のほか、Ｃｏを８０ａｔ％以上含有し、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ等のうち少なくとも１種を含有し、アモルファス構造を有するＣｏ合金を用いることができる。
この材料としては、ＣｏＺｒ系合金、ＣｏＺｒＮｂ系合金、ＣｏＺｒＴａ系合金、ＣｏＺｒＣｒ系合金、ＣｏＺｒＭｏ系合金などを好適なものとして挙げることができる。
【００４４】
磁化安定膜９の保磁力Ｈｃは２００（Ｏｅ）以下（好ましくは５０（Ｏｅ）以下）とするのが好ましい。
磁化安定膜９の飽和磁束密度Ｂｓは、０．４Ｔ以上（好ましくは１Ｔ以上）とするのが好ましい。
また、磁化安定膜９の飽和磁束密度Ｂｓと膜厚ｔとの積Ｂｓ・ｔが７．２Ｔ・ｎｍ以下であること好ましい。このＢｓ・ｔが上記範囲を超えると、再生出力が低下するため好ましくない。
【００４５】
垂直磁性膜５と保護膜６との間に軟磁性膜からなる磁化安定膜９を設けることにより、熱揺らぎ耐性の向上、再生出力の増加を図ることができる。
これは、垂直磁性膜５の表面に存在する磁化の揺らぎを、この磁化安定化膜９が安定化することにより、漏れ磁束が揺らぎの影響を受けなくなり、再生出力が増加するためであると考えられる。また、この磁化安定膜９が設けられていることにより、垂直磁性膜５の基板に対し垂直な方向の磁化と、軟磁性下地膜２および磁化安定膜９の面内方向の磁化が、閉回路を形成する。この作用により、垂直磁性膜４の磁化がより強固に固定されるので、優れた熱揺らぎ耐性が得られると考えられる。
【００４６】
上記構成の磁気記録媒体を製造するには、基板１上に、軟磁性下地膜２、配向制御膜３、中間膜４、垂直磁性膜５を順次、スパッタ法、真空蒸着、イオンプレーティングなどにより形成する。
軟磁性下地膜２の表面には、必要に応じて酸化処理を施すこともできる。
配向制御膜３を形成する際には、Ｎｉを３３〜８０ａｔ％含み、かつＳｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａのうち１種または２種以上を含む非磁性材料を用いる。
配向制御膜３は、酸素と窒素のうち少なくともいずれかを含有させることができる。酸素や窒素を含有させるには、配向制御膜３を形成する際に、成膜ガス（プロセスガス）に酸素または窒素を含有させる方法をとることができる。
【００４７】
垂直磁性膜５を形成する際には、垂直磁気異方性定数Ｋｕが１×１０6ｅｒｇ／ｃｃ以上となるように材料や成膜条件を選択するのが好ましい。
垂直磁性膜５を形成する際には、Δθ50が、２〜１０°となるように材料や成膜条件を選択するのが好ましい。
次いで保護膜６を、好ましくはプラズマＣＶＤ法、イオンビーム法、スパッタ法などにより形成する。
潤滑剤７を形成するには、ディッピング法、スピンコート法などの従来公知の方法を採用することができる。
図８に示す磁気記録媒体を製造するには、基板１と軟磁性下地膜２との間に、スパッタ法などにより硬磁性膜８を形成する。図９に示す磁気記録媒体を製造するには、垂直磁性膜５と保護膜６との間にスパッタ法などにより磁化安定膜９を形成する。
【００４８】
図１０は、上記磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置の例を示すものである。ここに示す磁気記録再生装置は、上記実施形態の磁気記録媒体１０と、磁気記録媒体１０を回転駆動させる媒体駆動部１１と、磁気記録媒体１０に情報を記録再生する磁気ヘッド１２と、ヘッド駆動部１３と、記録再生信号処理系１４とを備えている。記録再生信号処理系１４は、入力されたデータを処理して記録信号を磁気ヘッド１２に送ったり、磁気ヘッド１２からの再生信号を処理してデータを出力することができるようになっている。
磁気ヘッド１２としては、垂直記録用の単磁極ヘッドを例示することができる。
図１０（ｂ）に示すように、この単磁極ヘッドとしては、主磁極１２ａと、補助磁極１２ｂと、これらを連結する連結部１２ｃに設けられたコイル１２ｄとを有する構成のものを好適に用いることができる。
【００４９】
上記磁気記録再生装置によれば、上記磁気記録媒体１０を用いるので、熱揺らぎ耐性および記録再生特性を高めることができる。
従って、データ消失などのトラブルを未然に防ぐとともに、高記録密度化を図ることができる。
【００５０】
【実施例】
以下、実施例を示して本発明の作用効果を明確にする。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
（実施例１）
洗浄済みのガラス基板１（オハラ社製、外形２．５インチ）をＤＣマグネトロンスパッタ装置（アネルバ社製Ｃ−３０１０）の成膜チャンバ内に収容して、到達真空度１×１０-5Ｐａとなるまで成膜チャンバ内を排気した後、このガラス基板１上に８９Ｃｏ−４Ｚｒ−７Ｎｂ（Ｃｏ含有率８９ａｔ％、Ｚｒ含有率４ａｔ％、Ｎｂ含有率７ａｔ％）のターゲットを用いて１００℃以下の基板温度で厚さ１００ｎｍの軟磁性下地膜２をスパッタリングにより成膜した。この膜の飽和磁束密度Ｂｓ（Ｔ）と膜厚ｔ（ｎｍ）の積Ｂｓ・ｔ（Ｔ・ｎｍ）が１１０（Ｔ・ｎｍ）であることを振動式磁気特性測定装置（ＶＳＭ）で確認した。
次いで、基板を２００℃に加熱して、上記軟磁性下地膜２上に、６０Ｎｉ−４０Ｔａターゲットを用いて厚さ８ｎｍの配向制御膜３を形成し、６５Ｃｏ−３０Ｃｒ−５Ｂターゲットを用いて厚さ５ｎｍの中間膜４を形成し、６１Ｃｏ−２０Ｃｒ−１７Ｐｔ−２Ｂターゲットを用いて厚さ２５ｎｍの垂直磁性膜５を形成した。なお、上記スパッタリング工程においては、成膜用のプロセスガスとしてアルゴンを用い、圧力０．５Ｐａにて成膜した。
次いで、ＣＶＤ法により厚さ５ｎｍの保護膜６を形成した。
次いで、ディッピング法によりパーフルオロポリエーテルからなる潤滑膜７を形成し、磁気記録媒体を得た（表２を参照）。
配向制御膜３の結晶構造を確認するため、基板１上に軟磁性下地膜２（８９Ｃｏ−４Ｚｒ−７Ｎｂ）を形成し、その上に６０Ｎｉ−４０Ｔａからなる厚さ８ｎｍの配向制御膜３を形成し、この配向制御膜３の電子回折像を調べたところ、配向制御膜３の結晶はｈｃｐ構造となったことがわかった。
【００５１】
（実施例２〜１３及び参考例１〜３）
配向制御膜３の組成または厚さを変えた以外は、実施例１に準じて磁気記録媒体を作製した。（表２参照）
【００５２】
（比較例１〜３）
Ｔｉ、６０Ｒｕ−４０Ｃｏ、またはＣからなるターゲットを用いて配向制御膜３を形成すること以外は、実施例１に準じて磁気記録媒体を作製した（表２を参照）。
【００５３】
（比較例４、５）
８５Ｎｉ−１５Ｔａまたは２５Ｎｉ−７５Ｔａからなるターゲットを用いて配向制御膜３を形成すること以外は、実施例１に準じて磁気記録媒体を作製した（表２を参照）。
【００５４】
これら実施例および比較例の磁気記録媒体について、記録再生特性および静磁気特性を評価した。この評価は、ＧＵＺＩＫ社製リードライトアナライザＲＷＡ１６３２、およびスピンスタンドＳ１７０１ＭＰを用いて行った。
記録再生特性の評価には、書込部に単磁極を用い、再生部にＧＭＲ素子を用いた磁気ヘッドを用いて、記録周波数５２０ｋＦＣＩにて測定した。
熱揺らぎ特性の評価については、７０℃の条件下で記録周波数５０ｋＦＣＩにて書き込みをおこなった後の再生出力の減衰率を（Ｓｏ−Ｓ）×１００／（Ｓｏ×３）に基づいて算出した。この式において、Ｓｏは磁気記録媒体に書き込み後１秒経過時の再生出力を示し、Ｓは１０００秒後の再生出力を示す。
また、垂直磁性膜５のｃ軸分散度を、ロッキングカーブから算出した。最大強度の半価幅（Δθ50）で示す。
これらの試験結果を表２に示す。
【００５５】
【表２】
0004040276.tif 000003
【００５６】
表２より、配向制御膜３に、Ｎｉを３３〜８０ａｔ％含み、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａのうち１種または２種以上を２０ａｔ％以上含む非磁性材料を用いた実施例では、比較例に比べ、優れた記録再生特性を示すことが分かる。
【００５７】
（実施例１４〜２２）
垂直磁性膜５を表３に示すとおりとする以外は、実施例１に準じて磁気記録媒体を作製した。（表３参照）
これらの実施例および比較例の磁気記録媒体についての評価試験の結果を表３に示す。
【００５８】
【表３】
0004040276.tif 000004
【００５９】
表３より、Ｃｒの含有率が１６ａｔ％以上２４ａｔ％以下、Ｐｔの含有率が１４ａｔ％以上２４ａｔ％以下である磁気記録媒体は、Ｃｒ含有率またはＰｔ含有率が上記範囲を外れる実施例に比べ、優れた磁気特性を示すことが分かる。
また、保磁力（Ｈｃ）が３０００（Ｏｅ）以上、逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）が０（Ｏｅ）以上２５００（Ｏｅ）以下、Ｍｒ／Ｍｓが０．９以上である実施例は、比較例４、５に比べ優れた磁気特性を示すことが分かる。
【００６０】
（実施例２３〜２９）
軟磁性下地膜２の組成を表４に示すとおりとする以外は、実施例１に準じて磁気記録媒体を作製した。（表４参照）
これらの実施例の磁気記録媒体についての評価試験の結果を表４に示す。
【００６１】
【表４】
0004040276.tif 000005
【００６２】
表４より、いずれの実施例においても、優れた記録再生特性を得ることができたことが分かる。
【００６３】
（実施例３０〜３２）
軟磁性下地膜２の表面を酸素含有ガス（純酸素（１００％Ｏ2）、５０％Ｏ2−５０％Ａｒ、または大気）に曝すことによって、軟磁性下地膜２に酸化処理を施すこと以外は実施例１に準じて磁気記録媒体を作製した。（表５参照）
これらの実施例の磁気記録媒体についての評価試験の結果を表５に示す。
【００６４】
【表５】
0004040276.tif 000006
【００６５】
表５より、軟磁性下地膜２の酸化によって、優れた記録再生特性が得られたことが分かる。
【００６６】
（実施例３３〜３９）
中間膜４の材料およびその厚さを表６に示すとおりとする以外は、実施例１に準じて磁気記録媒体を作製した。（表６参照）
これらの実施例の磁気記録媒体についての評価試験の結果を表６に示す。
【００６７】
【表６】
0004040276.tif 000007
【００６８】
表６より、いずれの実施例においても、優れた記録再生特性が得られたことが分かる。
【００６９】
（実施例４０〜４２）
非磁性基板１と軟磁性下地膜２との間に、９４Ｃｒ−６Ｍｏからなる下地膜（厚さ２０ｎｍ）を設け、その上に、表７に示す硬磁性膜８を設けた以外は、実施例１に準じて磁気記録媒体を作製した。（表７参照）
これらの実施例の磁気記録媒体についての評価試験の結果を表７に示す。
【００７０】
【表７】
0004040276.tif 000008
【００７１】
表７より、記録再生特性を悪化させることなく、軟磁性下地膜２における磁壁に起因するスパイク状ノイズを抑えることができたことがわかる。
【００７２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の磁気記録媒体にあっては、非磁性基板上に、直上の膜の配向性を制御する配向制御膜と、磁化容易軸が基板に対し主に垂直に配向した垂直磁性膜と、保護膜とが設けられ、前記配向制御膜がＮｉを３３〜８０ａｔ％含み、かつＳｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａのうち１種または２種以上を含む非磁性材料からなるものであるので、記録再生特性および熱揺らぎ耐性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】   本発明の磁気記録媒体の第１の実施形態を示す一部断面図である。
【図２】   配向制御膜の電子回折像である。
【図３】   ＭＨ曲線の一例を示すグラフである。
【図４】   ＭＨ曲線の他の例を示すグラフである。
【図５】   Δθ50の測定方法を説明する説明図である。
【図６】   Δθ50の測定方法を説明する説明図である。
【図７】   ロッキング曲線の一例を示すグラフである。
【図８】   本発明の磁気記録媒体の第２の実施形態を示す一部断面図である。
【図９】   本発明の磁気記録媒体の第３の実施形態を示す一部断面図である。
【図１０】   本発明の磁気記録再生装置の一例を示す概略図であり、（ａ）は全体構成を示し、（ｂ）は磁気ヘッドを示す。
【符号の説明】
１…非磁性基板、２…軟磁性下地膜、３…配向制御膜、４…中間膜、５…垂直磁性膜、６…保護膜、７…潤滑膜、８…硬磁性膜、９…磁化安定膜、１０…磁気記録媒体、１１…媒体駆動部、１２…磁気ヘッド、１２ａ…主磁極、１２ｂ…補助磁極、１２ｃ…連結部、１２ｄ…コイル、１３…ヘッド駆動部、１４…記録再生信号処理系
【図１】
0004040276.tif 000009
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
0004040276.tif 000016
【図９】
0004040276.tif 000017
【図１０】
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