(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第１単位回路と複数の第２単位回路を含む複数の単位回路を備えた電気光学装置において、
前記複数の第１単位回路のそれぞれは、第１有機エレクトロルミネッセンス素子と、該第１有機エレクトロルミネッセンス素子に接続される第１駆動トランジスタを有し、
前記複数の第２単位回路のそれぞれは、前記第１有機エレクトロルミネッセンス素子とは異なる色で発光する第２有機エレクトロルミネッセンス素子と、該第２有機エレクトロルミネッセンス素子に接続される第２駆動トランジスタを有し、
前記複数の第１単位回路に接続された第１データ線と、
前記第１データ線に接続され、前記第１有機エレクトロルミネッセンス素子の駆動レンジに応じた利得係数を有し、前記第１駆動トランジスタとカレントミラーを構成する第１変換トランジスタと、
前記複数の第２単位回路に接続された第２データ線と、
前記第２データ線に接続され、前記第２有機エレクトロルミネッセンス素子の駆動レンジに応じた利得係数を有し、前記第２駆動トランジスタとカレントミラーを構成する第２変換トランジスタと、
を備え、
前記第１変換トランジスタは、前記複数の第１単位回路に対して共通に設けられており、
前記第２変換トランジスタは、前記複数の第２単位回路に対して共通に設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記第１有機エレクトロルミネッセンス素子は、赤、緑及び青色を発光する有機材料から選ばれた１つの有機材料で形成された発光層を有し、
前記第２有機エレクトロルミネッセンス素子は、赤、緑及び青色を発光する有機材料から選ばれ、かつ、前記第１有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する有機材料とは異なる、１つの有機材料で形成された発光層を有することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
走査線をさらに備え、
前記複数の単位回路のそれぞれは、ゲート電極が前記走査線に接続されていたスイッチングトランジスタを有し、
前記スイッチングトランジスタのソース端又はドレイン端は、前記第１又は第２駆動トランジスタのゲート電極に接続されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第１データ線又は前記第２データ線に供給されるデータ信号は、デジタル−アナログ変換回路で生成されたアナログ量を有する電流であることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記第１変換トランジスタは、前記デジタル−アナログ変換回路と前記第１データ線との間に配置され、
前記第２変換トランジスタは、前記デジタル−アナログ変換回路と前記第２データ線との間に配置されていることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記デジタル-アナログ変換回路と前記第１変換トランジスタとの間に前記第１データ線が配置され、前記デジタル-アナログ変換回路と前記第２変換トランジスタとの間に前記第２データ線が配置されていることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記第１変換トランジスタ、前記第２変換トランジスタ、前記デジタル-アナログ変換回路、前記第１及び第２データ線は同一基体上に形成されていることを特徴とする請求項４乃至６の何れかに記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記第１及び第２データ線と前記デジタル-アナログ変換回路とは同一基体上に形成されていることを特徴とする請求項４乃至６の何れかに記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記第１変換トランジスタ、前記第２変換トランジスタ、及び前記第１及び第２データ線は同一基体上に形成されていることを特徴とする請求項４乃至６の何れかに記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記第１変換トランジスタ、前記第２変換トランジスタ、及び前記デジタル-アナログ変換回路とは同一基体上に形成されていることを特徴とする請求項４乃至６の何れかに記載の電気光学装置。
【請求項１１】
前記第１変換トランジスタ、前記第２変換トランジスタ、前記第１駆動トランジスタ、及び前記第２駆動トランジスタとは、薄膜トランジスタで構成されていることを特徴とする請求項１乃至１０の何れかに記載の電気光学装置。
【請求項１２】
前記第１変換トランジスタ及び前記第２変換トランジスタは、シリコンベースのＭＯＳトランジスタで構成されていることを特徴とする請求項１乃至１０の何れかに記載の電気光学装置。
【請求項１３】
前記第１データ線を駆動する第１ドライバと、
前記第２データ線を駆動する第２ドライバと、
をさらに備え、
前記第１及び第２ドライバは、同じ特性の回路で構成されることを特徴とする請求項１乃至１２の何れかに記載の電気光学装置。
【請求項１４】
前記第１駆動トランジスタを流れる電流と前記第１データ線に流れる電流とが非線形関係となるように設定され、
前記第２駆動トランジスタを流れる電流と前記第２データ線に流れる電流とが非線形関係となるように設定されてなることを特徴とする請求項１乃至１３の何れかに記載の電気光学装置。
【請求項１５】
請求項１乃至１４の何れかに記載の電気光学装置を、表示部として利用したことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電流により駆動される電流駆動素子を備えた電子装置、電子光学装置及び電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、液晶を用いた表示装置（以下、ディスプレイという）は薄型表示装置として普及しつつある。このタイプのディスプレイは、ＣＲＴのディスプレイに比べて低消費電力で省スペースである。したがって、このようなディスプレイの利点を活かし、より低消費電力で、より省スペースのディスプレイを製造することが重要となる。
【０００３】
また、このようなタイプの表示装置に、液晶ではなく電流駆動型発光素子を用いて表示を行うものがある。この電流駆動型発光素子は、液晶とは異なり、電流が供給されることにより発光する自発光素子であるため、バックライトが不要であり、低電力化という市場の要求に対応することができる。さらに高い視野角、高いコントラスト比等の面で優れた表示性能を有している。このような電流駆動型発光素子の中でもエレクトロルミネッセンス素子（Electroluminescent devices）は、大面積化、高精細化、フルカラー化を図ることができるので、ディスプレイには特に適している。
【０００４】
このエレクトロルミネッセンス素子の中でも、有機エレクトロルミネッセンス素子（Organic Electroluminescent devices）は、高い量子効率のため注目されている。
【０００５】
このような、有機エレクトロルミネッセンス素子を用いて表示を行う表示装置としては、例えば図２１に示すような表示装置が提案されている。すなわち、この表示装置は、データ線Ｘと走査線Ｙとの交点に対応して画素回路が配置され、データドライバ５１によってデータ線を駆動し、走査ドライバ５２によって走査線Ｙを駆動するようになっている。
【０００６】
前記画素回路５５は、図２２に示すように、例えば、２つのトランジスタ６１，６２と、データ保持用の容量素子６３と、有機エレクトロルミネッセンス素子６４とから構成されている。そして、走査線Ｙによってトランジスタ６１のスイッチング動作を行ってデータ線Ｘから供給されたデータ信号を電荷として容量素子６３に保持し、この容量素子６３で保持された電荷によりトランジスタ６２が導通状態となり、データ信号に対応する電流量が有機エレクトロルミネッセンス素子６４に供給され、有機エレクトロルミネッセンス素子６４が発光する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子などのように電流駆動型素子は電圧よりも電流で制御するほうがより容易である。これは、有機エレクトロルミネッセンス素子は電流量に対して輝度が決定されるので、データ信号として電流を用いたほうがより制御が正確であるためである。
【０００８】
そこで、本発明の重要な目的の一つは、データ信号に対する電流量をデータ線あるいは導通線に出力することにより、電流駆動素子を流れる電流量が決定される電子装置、電気光学装置及び電子機器を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目標を達成するために、本発明の第１の電子装置は、通電線と、当該通電線に接続された複数の単位回路と、前記通電線に接続され且つ当該通電線に流れる電流の電流量に基づいてゲート電圧が設定されるトランジスタと、を備えることを特徴としている。係る電子装置の例として、例えば、ＭＲＡＭ（Magnetoresistive RAM）セル、有機エレクトロルミネッセンス素子、またはレーザーダイオードを備えた電子装置を挙げることができる。
【００１０】
また、第２の電子装置は、上記の電子装置において、前記トランジスタのゲート電極は、当該トランジスタのソース端又はドレイン端と接続されていることを特徴としている。本明細書を通して、「前記トランジスタのゲート電極とソース端又はドレイン端が接続されている」とは、ソース端又はドレイン端とゲート電極との間にトランジスタ、ダイオードなどの抵抗素子などが接続されている場合をも含んでいる。
【００１１】
本発明の第１及び第２の電子装置では、通電線に接続されたトランジスタのゲート電圧は、この通電線に流れる電流量に基づいて設定されることとなる。
また、本発明の第３の電子装置は、通電線と、当該通電線に接続された複数の単位回路と、前記通電線に接続され且つ当該通電線に流れる電流の電流量に基づいてゲート電圧が設定される第１のトランジスタと、を備えた電子装置であって、前記単位回路は、前記第１のトランジスタとカレントミラーを構成する第２のトランジスタを有することを特徴としている。
【００１２】
また、本発明の第４の電子装置は、上記の電子装置において、前記第１のトランジスタのゲート電極は、当該第１のトランジスタのソース端又はドレイン端と接続されていることを特徴としている。
【００１３】
本発明の第３及び第４の電子装置では、通電線に接続された第１のトランジスタのゲート電圧は、この通電線に流れる電流量に基づいて設定され、第１のトランジスタのゲート電圧に基づいて第２のトランジスタに流れる電流量が設定される。
【００１４】
本発明の第５の電子装置は、通電線と、当該通電線に接続された複数の単位回路と、前記通電線に接続され、且つ、当該通電線に流れる電流の電流量に基づいてゲート電圧が設定される第１のトランジスタと、を備えた電子装置であって、前記単位回路は、その導電型がｐ型であって、前記第１のトランジスタとカレントミラーを構成する第２のトランジスタを有することを特徴としている。これによれば、第２のトランジスタに電子素子を接続した電子デバイスを形成するとき、その電子デバイスの特性に基づいて、係る電子装置を容易に形成することができる。
【００１５】
また、本発明の第６の電子装置は、上記の電子装置において、前記第１のトランジスタのゲート電極は当該第１のトランジスタのソース端又はドレイン端と接続されていることを特徴としている。
【００１６】
本発明の第７の電子装置は、通電線と、当該通電線に接続された複数の単位回路と、前記通電線に接続され、且つ、当該通電線に流れる電流の電流量に基づいてゲート電圧が設定される第１のトランジスタと、を備えた電子装置であって、前記単位回路は、前記第１のトランジスタとカレントミラーを構成する第２のトランジスタを有し、前記第２のトランジスタは、その利得係数を前記通電線に流れる電流の電流量より大きな電流量を生成するように設定したことを特徴としている。これによれば、第２のトランジスタにて生成される電流の電流量を通電線に流れる電流の電流量より大きくすることができる。
【００１７】
また、本発明の第８の電子装置は、通電線と、当該通電線に接続された複数の単位回路と、前記通電線に接続され、且つ、当該通電線に流れる電流の電流量に基づいてゲート電圧が設定される第１のトランジスタと、を備えた電子装置であって、前記単位回路は、前記第１のトランジスタとカレントミラーを構成する第２のトランジスタを有し、前記第２のトランジスタは、その利得係数を前記通電線に流れる電流の電流量より小さな電流量を生成するように設定したことを特徴としている。これによれば、第２のトランジスタにて生成される電流の電流量を通電線に流れる電流の電流量より小さくすることができる。
【００１８】
また、本発明の第９の電子装置は、上記の電子装置において、前記第１のトランジスタのゲート電極は当該第１のトランジスタのソース端又はドレイン端と接続されていることを特徴としている。
【００１９】
また、本発明の第１の電気光学装置は、データ線と、電気光学素子を有し且つ前記データ線に接続される複数の単位回路と、前記データ線に接続され、当該データ線に流れる電流の電流量によりゲート電圧が設定されるトランジスタと、を備えることを特徴としている。
【００２０】
また、本発明の第２の電気光学装置は、上記の電気光学装置おいて、走査線をさらに備え、前記複数の単位回路のそれぞれは、前記電気光学素子に電気的に接続された駆動トランジスタと、ゲート電極が前記走査線に接続されたスイッチングトランジスタ、と有し、前記データ線を介してデータ信号が前記複数の単位回路に供給されることを特徴としている。
【００２１】
また、本発明の第３の電気光学装置は、上記の電気光学装置において、前記スイッチングトランジスタのソース端又はドレイン端は、前記駆動トランジスタのゲート電極に接続されていることを特徴としている。
【００２２】
また、本発明の第４の電気光学装置は、上記の電気光学装置において、前記データ信号は、デジタル−アナログ変換回路で生成されたアナログ量を有する電流であることを特徴としている。
【００２３】
また、本発明の第５の電気光学装置は、上記の電気光学装置において、前記トランジスタと前記駆動トランジスタとは、カレントミラーを構成することを特徴としている。
【００２４】
また、本発明の第６の電気光学装置は、上記の電気光学装置において、前記データ線に接続される第１の電源の電圧値と、前記電気光学素子と前記駆動トランジスタを介して接続される第２の電源の電圧値とは、所定の比率となるように設定されることを特徴としている。
【００２５】
また、本発明の第７の電気光学装置は、上記の電気光学装置において、前記トランジスタは、前記デジタル−アナログ変換回路と前記データ線との間に配置されていることを特徴としている。
【００２６】
また、本発明の第８の電気光学装置は、上記の電気光学装置において、前記デジタル-アナログ変換回路と前記トランジスタとの間に前記データ線が配置されていることを特徴としている。
【００２７】
また、本発明の第９の電気光学装置は、上記の電気光学装置において、前記トランジスタと前記デジタル-アナログ変換回路と前記データ線とは同一基体上に形成されていることを特徴としている。
【００２８】
また、本発明の第１０の電気光学装置は、上記の電気光学装置において、前記データ線と前記デジタル-アナログ変換回路とは同一基体上に形成されていることを特徴としている。
【００２９】
また、本発明の第１１の電気光学装置は、上記の電気光学装置において、前記データ線と前記トランジスタとは同一基体上に形成されていることを特徴としている。
【００３０】
また、本発明の第１２の電気光学装置は、上記の電気光学装置において、前記デジタル-アナログ変換回路と前記トランジスタとは同一基体上に形成されていることを特徴としている。
【００３１】
上記の電気光学装置において「基体」の例としては、ガラス基板、石英基板、またはシリコン基板などを挙げることができる。
また、本発明の第１３の電気光学装置は、上記の電気光学装置において、前記トランジスタと前記単位回路に含まれるトランジスタと、は薄膜トランジスタで構成されていることを特徴としている。
【００３２】
上記の本発明の第１３の電気光学装置においては前記単位回路に含まれるトランジスタが薄膜トランジスタである場合は、ガラス基板など基体上に、前記トランジスタと、前記単位回路に含まれるトランジスタが薄膜トランジスタと、を一体形成することができる。
【００３３】
また、本発明の第１４の電気光学装置は、上記の電気光学装置において、前記トランジスタは、シリコンベースのＭＯＳトランジスタで構成されていることを特徴としている。薄膜トランジスタに比べて、シリコンベースのＭＯＳトランジスタは、そのトランジスタ特性の制御が容易であり、トランジスタ特性のバラツキを低減することができる。前記トランジスタがシリコンベースのＭＯＳトランジスタであり、前記単位回路が薄膜トランジスタにより構成されている場合は、外付のデータ線ＩＣドライバ内に配置することが可能であるが、前記トランジスタをウェハ上で作製し、前記トランジスタを前記単位回路を載置する基体上に再配置することも可能である。
【００３４】
なお、駆動トランジスタは電気光学素子に電気的に接続されていればよく、例えばこれらの間に他のトランジスタが接続されていてもよい。
また、本発明の第１５の電気光学装置は、上記の電気光学装置において、前記電気光学素子に供給される電流量を設定するための、前記データ線を流れる電流量は、前記電気光学素子に供給される電流量以上であることを特徴とする。電気光学素子に供給するための電流量が低い場合、それに対応する電流をデータ線に出力して前記トランジスタのゲート電圧を設定するのに時間を要するが、電気光学素子に供給する電流量以上の電流量をデータ線に流すことにより、前記トランジスタのゲート電圧を設定する時間を速くすることができる。
【００３５】
また、本発明の第１６の電気光学装置は、上記の電気光学装置において、前記電気光学素子に供給される電流量を設定するための、前記データ線を流れる電流量は、前記電気光学素子に供給される電流量以下であることを特徴とする。
【００３６】
前記電気光学素子に供給される電流量を設定するために、前記データ線に出力する電流量を、前記電気光学素子に供給される電流量以下にすることにより消費電力を低減することができる。
【００３７】
本発明の第１７の電気光学装置は、データ線と、前記データ線と接続され、当該データ線に流れるデータ信号の電流量によりゲート電圧が設定される変換トランジスタと、電気光学素子と、当該電気光学素子と電気的に接続され且つその導電型がｐ型である駆動トランジスタと、を有する単位回路とを備えたことを特徴としている。
【００３８】
本発明の第１７の電気光学装置では、新たな電源追加を伴わずに変換トランジスタ及び駆動トランジスタを十分にオンすることが可能となる。
また、本発明の第１８の電気光学装置は、走査線をさらに備え、前記各単位回路のそれぞれは、ゲート電極が前記走査線に接続されたスイッチングトランジスタを有し、前記データ線を介してデータ信号が前記複数の単位回路に供給されることを特徴としている。
【００３９】
また、本発明の第１９の電気光学装置は、上記の電気光学装置において、前記スイッチングトランジスタのソース端又はドレイン端は、前記駆動トランジスタのゲート電極に接続されていることを特徴としている。
【００４０】
また、本発明の第２０の電気光学装置は、上記の電気光学装置において、前記データ信号は、デジタル−アナログ変換回路で生成されたアナログ量を有する電流であることを特徴としている。
【００４１】
また、本発明の第２１の電気光学装置は、上記の電気光学装置において、前記変換トランジスタと前記駆動トランジスタとは、カレントミラーを構成することを特徴としている。
【００４２】
また、本発明の第２２の電気光学装置は、上記の電気光学装置において、前記変換トランジスタは、前記デジタル−アナログ変換回路と前記データ線との間に配置されていることを特徴としている。
【００４３】
また、本発明の第２３の電気光学装置は、上記の電気光学装置において、前記デジタル-アナログ変換回路と前記変換トランジスタとの間に前記データ線が配置されていることを特徴としている。
【００４４】
また、本発明の第２４の電気光学装置は、上記の電気光学装置において、前記変換トランジスタと前記デジタル-アナログ変換回路と前記データ線とは同一基体上に形成されていることを特徴としている。
【００４５】
また、本発明の第２５の電気光学装置は、上記の電気光学装置において、前記データ線と前記デジタル-アナログ変換回路とは同一基体上に形成されていることを特徴としている。
【００４６】
また、本発明の第２６の電気光学装置は、上記の電気光学装置において、前記データ線と前記変換トランジスタとは同一基体上に形成されていることを特徴としている。
【００４７】
また、本発明の第２７の電気光学装置は、上記の電気光学装置において、前記デジタル-アナログ変換回路と前記変換トランジスタとは同一基体上に形成されていることを特徴としている。
【００４８】
上記の電気光学装置において、「基体」の例としては、ガラス基板、石英基板、またはシリコン基板などを挙げることができる。
また、本発明の第２８の電気光学装置は、上記の電気光学装置において、前記変換トランジスタと、前記単位回路に含まれる前記スイッチングトランジスタ及び前記駆動トランジスタとは、薄膜トランジスタで構成されていることを特徴としている。
【００４９】
また、本発明の第２９の電気光学装置は、上記の電気光学装置において、前記変換トランジスタは、シリコンベースのＭＯＳトランジスタで構成されていることを特徴としている。薄膜トランジスタに比べて、シリコンベースのＭＯＳトランジスタは、そのトランジスタ特性の制御が容易であり、トランジスタ特性のバラツキを低減することができる。前記変換トランジスタがシリコンベースのＭＯＳトランジスタであり、前記単位回路が薄膜トランジスタにより構成されている場合は、外付のデータ線ＩＣドライバ内に配置することが可能であるが、前記変換トランジスタをウェハ上で作製し、前記変換トランジスタを前記単位回路を載置する基体上に再配置することも可能である。
【００５０】
なお、駆動トランジスタは電気光学素子に電気的に接続されていればよく、例えばこれらの間に他のトランジスタが接続されていてもよい。
本発明の第３０の電気光学装置は、データ線と、前記データ線と接続され、当該データ線に流れるデータ信号の電流量によりゲート電圧が設定される変換トランジスタと、前記変換トランジスタとカレントミラー回路を構成し、前記データ線に流れるデータ信号の電流量により大きな電流量を生成するようにその利得係数が設定された駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタと電気的に接続された電気光学素子と、を有する単位回路とを備えたことを特徴としている。
【００５１】
本発明の第３０の電気光学装置では、電気光学素子に供給するための電流量が低い場合、それに対応する電流をデータ線に出力して前記変換トランジスタのゲート電圧を設定するのに時間を要するが、電気光学素子に供給する電流量以上の電流量をデータ線に流すことにより、前記変換トランジスタのゲート電圧を設定する時間を速くすることができる。
【００５２】
本発明の第３１の電気光学装置は、データ線と、前記データ線と接続され、当該データ線に流れるデータ信号の電流量によりゲート電圧が設定される変換トランジスタと、前記変換トランジスタとカレントミラー回路を構成し、前記データ線に流れるデータ信号の電流量により小さな電流量を生成するようにその利得係数が設定された駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタと電気的に接続された電気光学素子と、を有する単位回路とを備えたことを特徴としている。
【００５３】
本発明の第３１の電気光学装置では、前記電気光学素子に供給される電流量を設定するために、前記データ線に出力する電流量を、前記電気光学素子に供給される電流量以下にすることにより消費電力を低減することができる。
【００５４】
本発明の第３２の電気光学装置は、上記の電気光学装置において、走査線をさらに備え、前記複数の単位回路のそれぞれは、ゲート電極が前記走査線に接続されたスイッチングトランジスタを有し、前記データ線を介してデータ信号が前記複数の単位回路に供給されることを特徴としている。
【００５５】
本発明の第３３の電気光学装置は、上記の電気光学装置において、前記スイッチングトランジスタのソース端又はドレイン端は、前記駆動トランジスタのゲート電極に接続されていることを特徴としている。
【００５６】
また、本発明の第３４の電気光学装置は、上記の電気光学装置において、前記データ信号は、デジタル−アナログ変換回路で生成されたアナログ量を有する電流であることを特徴としている。
【００５７】
また、本発明の第３５の電気光学装置は、上記の電気光学装置において、前記変換トランジスタと前記駆動トランジスタとは、カレントミラーを構成することを特徴としている。
【００５８】
また、本発明の第３６の電気光学装置は、上記の電気光学装置において、前記変換トランジスタは、前記デジタル−アナログ変換回路と前記データ線との間に配置されていることを特徴としている。
【００５９】
また、本発明の第３７の電気光学装置は、上記の電気光学装置において、前記デジタル-アナログ変換回路と前記変換トランジスタとの間に前記データ線が配置されていることを特徴としている。
【００６０】
また、本発明の第３８の電気光学装置は、上記の電気光学装置において、前記変換トランジスタと前記デジタル-アナログ変換回路と前記データ線とは同一基体上に形成されている。
【００６１】
また、本発明の第３９の電気光学装置は、上記の電気光学装置において、前記データ線と前記デジタル-アナログ変換回路とは同一基体上に形成されていることを特徴としている。
【００６２】
また、本発明の第４０の電気光学装置は、上記の電気光学装置において、前記データ線と前記変換トランジスタとは同一基体上に形成されていることを特徴としている。
【００６３】
また、本発明の第４１の電気光学装置は、上記の電気光学装置において、前記デジタル-アナログ変換回路と前記変換トランジスタとは同一基体上に形成されていることを特徴としている。
【００６４】
また、本発明の第４２の電気光学装置は、上記の電気光学装置において、前記変換トランジスタと、前記単位回路に含まれる前記スイッチングトランジスタ及び前記駆動トランジスタとは、薄膜トランジスタで構成されていることを特徴としている。
【００６５】
また、本発明の第４３の電気光学装置は、上記の電気光学装置において、前記変換トランジスタは、シリコンベースのＭＯＳトランジスタで構成されていることを特徴としている。
【００６６】
本発明の第４４の電気光学装置は、複数の第１単位回路と複数の第２単位回路を含む複数の単位回路を備えた電気光学装置において、前記複数の第１単位回路のそれぞれは、第１有機エレクトロルミネッセンス素子と、該第１有機エレクトロルミネッセンス素子に接続される第１駆動トランジスタを有し、前記複数の第２単位回路のそれぞれは、前記第１有機エレクトロルミネッセンス素子とは異なる色で発光する第２有機エレクトロルミネッセンス素子と、該第２有機エレクトロルミネッセンス素子に接続される第２駆動トランジスタを有し、前記複数の第１単位回路に接続された第１データ線と、前記第１データ線に接続され、前記第１有機エレクトロルミネッセンス素子の駆動レンジに応じた利得係数を有し、前記第１駆動トランジスタとカレントミラーを構成する第１変換トランジスタと、前記複数の第２単位回路に接続された第２データ線と、前記第２データ線に接続され、前記第２有機エレクトロルミネッセンス素子の駆動レンジに応じた利得係数を有し、前記第２駆動トランジスタとカレントミラーを構成する第２変換トランジスタと、を備え、前記第１変換トランジスタは、前記複数の第１単位回路に対して共通に設けられており、前記第２変換トランジスタは、前記複数の第２単位回路に対して共通に設けられていることを特徴とする。電気光学装置の回路構成を、駆動レンジが異なる電気光学素子の特性に合わせて形成をする必要はなく、全て同じ特性の回路で構成することができる。
【００６７】
また、本発明の第４５の電気光学装置は、上記の電気光学装置において、前記第１有機エレクトロルミネッセンス素子は、赤、緑及び青色を発光する有機材料から選ばれた１つの有機材料で形成された発光層を有し、前記第２有機エレクトロルミネッセンス素子は、赤、緑及び青色を発光する有機材料から選ばれ、かつ、前記第１有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する有機材料とは異なる、１つの有機材料で形成された発光層を有することを特徴としている。
【００６８】
また、本発明の第４６の電気光学装置は、上記の電気光学装置において、走査線をさらに備え、前記複数の単位回路のそれぞれは、ゲート電極が前記走査線に接続されていたスイッチングトランジスタを有し、前記スイッチングトランジスタのソース端又はドレイン端は、前記第１又は第２駆動トランジスタのゲート電極に接続されていることを特徴としている。
【００６９】
また、本発明の第４７の電気光学装置は、上記の電気光学装置において、前記第１データ線又は前記第２データ線に供給されるデータ信号は、デジタル−アナログ変換回路で生成されたアナログ量を有する電流であることを特徴としている。
【００７０】
本発明の第４８の電気光学装置は、上記の電気光学装置において、前記第１変換トランジスタは、前記デジタル−アナログ変換回路と前記第１データ線との間に配置され、前記第２変換トランジスタは、前記デジタル−アナログ変換回路と前記第２データ線との間に配置されていることを特徴としている。
【００７１】
本発明の第４９の電気光学装置は、上記の電気光学装置において、前記デジタル-アナログ変換回路と前記第１変換トランジスタとの間に前記第１データ線が配置され、前記デジタル-アナログ変換回路と前記第２変換トランジスタとの間に前記第２データ線が配置されていることを特徴としている。
【００７２】
本発明の第５０の電気光学装置は、上記の電気光学装置において、前記第１変換トランジスタ、前記第２変換トランジスタ、前記デジタル-アナログ変換回路、前記第１及び第２データ線は同一基体上に形成されていることを特徴としている。
【００７３】
本発明の第５１の電気光学装置は、上記の電気光学装置において、前記第１及び第２データ線と前記デジタル-アナログ変換回路とは同一基体上に形成されていることを特徴とする。
【００７４】
本発明の第５２の電気光学装置は、上記の電気光学装置において、前記第１変換トランジスタ、前記第２変換トランジスタ、及び前記第１及び第２データ線は同一基体上に形成されていることを特徴とする。
【００７５】
本発明の第５３の電気光学装置は、上記の電気光学装置において、前記第１変換トランジスタ、前記第２変換トランジスタ、及び前記デジタル-アナログ変換回路とは同一基体上に形成されていることを特徴としている。
【００７６】
本発明の第５４の電気光学装置は、上記の電気光学装置において、前記第１変換トランジスタ、前記第２変換トランジスタ、前記第１駆動トランジスタ、及び前記第２駆動トランジスタとは、薄膜トランジスタで構成されていることを特徴としている。
【００７７】
本発明の第５５の電気光学装置は、上記の電気光学装置において、前記第１変換トランジスタ及び前記第２変換トランジスタは、シリコンベースのＭＯＳトランジスタで構成されていることを特徴としている。
本発明の電気光学装置は、上記の電気光学装置であって、前記第１データ線を駆動する第１ドライバと、前記第２データ線を駆動する第２ドライバと、をさらに備え、前記第１及び第２ドライバは、同じ特性の回路で構成されることを特徴としている。
本発明の電気光学装置は、上記の電気光学装置であって、前記第１駆動トランジスタを流れる電流と前記第１データ線に流れる電流とが非線形関係となるように設定され、前記第２駆動トランジスタを流れる電流と前記第２データ線に流れる電流とが非線形関係となるように設定されてなることを特徴としている。
【００７８】
また、本発明の第５６の電気光学装置は、上記の電気光学装置において、前記電気光学素子は有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴としている。
【００７９】
さらに、本発明の電子機器は、上記の電気光学装置を、表示部として利用したことを特徴としている。
【００８０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
まず、第１の実施の形態を説明する。
【００８１】
図１は、第１の実施の形態における電気光学装置を適用した表示装置の概略構成を示すブロック図である。この表示装置は、ディスプレイに表示するデータや、表示に関するデータを生成するコントローラ１を有し、このコントローラ１は、表示パネル２に含まれるトランジスタのゲート電極に接続された走査線を駆動する走査ドライバ３と、表示パネル２に含まれるトランジスタのソースまたはドレインに接続されたデータ線を駆動するデータドライバ４と、を制御する。
【００８２】
コントローラ１は、また、走査線とデータ線との駆動タイミングのタイミング制御を行う。
表示パネル２は、図２に示すように、走査ドライバ３によって駆動される複数の走査線Ｙｎと、データドライバ４によって駆動される複数のデータ線Ｘｍが直交して配線され、これらの交点に対応して、画素回路１０が設けられている。
【００８３】
図２に示すように、各データ線Ｘｍを駆動するドライバ４ａとは逆側の端部に電源Ｖｘが配置され、電源Ｖｘとデータ線Ｘｍとの間に変換トランジスタ１２が接続されている。変換トランジスタ１２はダイオード接続されたｐ型トランジスタである。変換トランジスタ１２のゲート電圧はドライバ４ａを介してデータ信号に応じてデータ線Ｘｍに出力された電流量に基づいて設定される。
【００８４】
そして、前記画素回路１０は、図３に示すように、電気光学素子としての有機エレクトロルミネッセンス素子１４と、有機エレクトロルミネッセンス素子１４を駆動するための駆動用トランジスタＴｒ１と、前記駆動用トランジスタＴｒ１を駆動するための制御用トランジスタＴｒ２と、データ線Ｘｍのデータを保持するための容量素子Ｃとから構成されている。
【００８５】
本実施形態では、前記各トランジスタＴｒ１及びＴｒ２、及び変換トランジスタ１２は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）であり、これら各画素回路１０、データ線Ｘｍ、走査線Ｙｎ及び変換トランジスタ１２は、絶縁基板上に一体に形成されている。
【００８６】
また、駆動用トランジスタＴｒ１は、例えばｐチャネル型トランジスタであり、駆動用トランジスタＴｒ１の一端は電源Ｖｄｄが接続され、他端は有機エレクトロルミネッセンス素子１４が接続され、有機エレクトロルミネッセンス素子１４の他端は接地電位Ｖｓｓに接続されている。さらに、この駆動用トランジスタＴｒ１は、変換トランジスタ１２と駆動用トランジスタＴｒ１とはカレントミラーを構成している。
【００８７】
一方、制御用トランジスタＴｒ２は、例えばｎチャネル型トランジスタで構成され、その一端はデータ線Ｘｍに接続され、他端は駆動用トランジスタＴｒ１のゲート電極及び容量素子Ｃに接続されている。また、制御用トランジスタＴｒ２のゲート電極は、走査線Ｙｎと接続されている。
【００８８】
容量素子Ｃの一端は電源Ｖｃに接続されている。この電源Ｖｃは、例えば，駆動電源Ｖｄｄの電位、或いは接地電位Ｖｓｓ或いは任意の電位に設定される。
このような構成にすることによって、走査線駆動信号によって制御用トランジスタＴｒ２が導通状態となったとき、データ線Ｘｍの電位に応じた電荷が容量素子Ｃに蓄えられ、この電荷によって駆動用トランジスタＴｒ１が導通状態となり、容量素子Ｃに蓄えられた電荷量に応じた電流量が有機エレクトロルミネッセンス素子１４に供給される。
【００８９】
本実施形態のデータ線Ｘｍ、画素回路１０、変換トランジスタ１２、駆動用トランジスタＴｒ１、制御用トランジスタＴｒ２、電源Ｖｘ、及び電源Ｖｄｄは、それぞれ特許請求の範囲における通電線及びデータ線、単位回路、トランジスタまたは第１のトランジスタ、第２のトランジスタまたは駆動トランジスタ、スイッチングトランジスタ、第１の電源、及び第２の電源に対応している。なお、特許請求の範囲におけるデジタル−アナログ変換回路はデータドライバ４に含まれている。
【００９０】
変換トランジスタ１２と駆動用トランジスタＴｒ１との特性比または電源Ｖｄｄの電位などを任意に設定することによって、データ線Ｘｍに出力される電流量を制御することができる。すなわち、Ｖｄｄ＝Ｖｘとした場合、変換トランジスタ１２の利得係数を駆動用トランジスタＴｒ１の利得係数より高く設定すれば、データ線Ｘｍに出力する電流量を高くすることができるため、容量素子Ｃに高速で電荷を蓄積することができる。一方、変換トランジスタ１２の利得係数を駆動用トランジスタＴｒ１の利得係数より低く設定すれば、データ線Ｘｍに出力する電流量を低くすることができるため、消費電力を低減することができる。
【００９１】
例えば、駆動用トランジスタＴｒ１の変換トランジスタ１２に対する特性比が画素領域２で均一であれば、データ線Ｘｍに出力される電流量に対して所定の電流量が有機エレクトロルミネッセンス素子１４に供給されることになる。その結果、面内輝度を均一に制御することができ、表示品位を向上させることができる。
【００９２】
また、変換トランジスタ１２は同一データ線に接続される各画素回路１０に対して共通であり、各画素回路１０の駆動用トランジスタＴｒ１と共通の変換トランジスタ１２とがカレントミラー回路をなしているので、各画素回路１０毎に変換トランジスタ１２を設ける必要がなく、画素回路１０を構成する素子数を削減することができる。
【００９３】
なお、上記第１の実施の形態においては、画素回路１０において制御用トランジスタＴｒ２を、その導電型がｎ型であるｎチャネル型トランジスタで構成した場合について説明したが、これに限らず、その導電型がｐ型であるｐチャネル型トランジスタで構成してもよいことはいうまでもない。
【００９４】
また、上記第１の実施の形態において、変換トランジスタ１２及び駆動用トランジスタＴｒ１をそれぞれ、ｐチャネル型トランジスタで構成した。ここで、変換トランジスタ１２及び駆動用トランジスタＴｒ１のソースはそれぞれ電源Ｖｘ、電源Ｖｄｄに接続されている。変換トランジスタ１２及び駆動用トランジスタＴｒ１のしきい値電圧が等しくＶｔｈであるとき、電源Ｖｘ、電源Ｖｄｄの電圧値がＶｔｈ以上であれば変換トランジスタ１２及び駆動用トランジスタＴｒ１を十分にオンさせるためには、両トランジスタのドレインがとりうる電圧値以下にゲート電圧を設定すれば良いことになる。両トランジスタのドレインがとりうる電圧値とはすなわち接地電位Ｖｓｓであるので、両トランジスタのゲート電圧にＶｓｓ相当の電圧値を印可すれば、十分なオン状態が得られることになる。仮に変換トランジスタ１２及び駆動用トランジスタＴｒ１をｎチャネル型トランジスタで構成した場合には、両トランジスタを十分にオンするためにはゲート電圧としてＶｘ＋Ｖｔｈ及びＶｄｄ＋Ｖｔｈを印可する必要がある。このことは新たな電源の追加を意味し、表示装置のコスト増をまねく。
【００９５】
また、上記第１の実施の形態において、走査ドライバ３及びデータドライバ４は、薄膜トランジスタ或いはシリコンベースもＭＯＳトランジスタの何れで構成されていても良い。走査ドライバ３及びデータドライバ４が、薄膜トランジスタである場合、これらのドライバをガラス基板などの絶縁基板上に一体に形成することができる。走査ドライバ３及びデータドライバ４が、シリコンベースＭＯＳトランジスタで構成されている場合は、通常、これらのトランジスタは外付のＩＣドライバとなるが、絶縁基板上にこれらのドライバを再配置することも可能である。
【００９６】
次に、本発明の第２の実施の形態を説明する。
この第２の実施の形態は、上記第１の実施の形態において、画素領域２の構成が異なる以外は、上記第１の実施の形態と同様であるので、同一部には同一符号を付与しその詳細な説明は省略する。
【００９７】
図４に示すように、変換トランジスタ１２が各データ線Ｘｍのデータドライバ４側に配置されている。
そして、変換トランジスタ１２は上記第１の実施の形態と同様にダイオード接続され、そのゲート電極とドレイン電極とがデータ線Ｘｍに接続され、ソース電極は電源ＶＤに接続されている。
【００９８】
データドライバ４により各データ線Ｘｍに出力された電流量に基づいて変換トランジスタ１２のゲート電圧が設定される。このゲート電圧に基づいて有機エレクトロルミネッセンス素子１４に供給される電流量が決定される。第２の実施の形態の場合も上記第１の実施の形態と同様の作用効果を得ることができる。
【００９９】
なお、データドライバ４は薄膜トランジスタで構成しても良いが、シリコンベースのＭＯＳトランジスタで構成しても良い。変換トランジスタ１２は薄膜トランジスタであっても良いし、シリコンベースのＭＯＳトランジスタであっても良い。変換トランジスタ１２がシリコンベースのＭＯＳトランジスタである場合は、変換トランジスタ１２とデータドライバ４とをＩＣドライバとして一体化することも可能である。変換トランジスタ１２がシリコンベースのＭＯＳトランジスタである場合は、変換トランジスタ１２毎のトランジスタ特性を均一化することもできるので、有機エレクトロルミネッセンス素子１４に供給する電流量をより精密に制御することが可能である。
【０１００】
次に第３の実施の形態を説明する。
この第３の実施の形態は、上記第１の実施の形態において、画素領域２の構成が異なる以外は上記第１の実施の形態と同様であるので、同一部には同一符号を付与しその詳細な説明は省略する。
【０１０１】
この第３の実施の形態における画素領域２Ｂは、図５に示すように、電源Ｖｘ側にデータドライバ４が設けられ、データ線Ｘｍのデータドライバ４と逆側の端部に、変換トランジスタ１２が配置されている。この変換トランジスタ１２は、ｎチャネル型トランジスタである。
【０１０２】
そして、第３の実施の形態における画素回路１０Ａは、図６に示すように構成されている。すなわち、第３の実施の形態における駆動用トランジスタＴｒ１Ａは、ｎチャネル型トランジスタで構成され、電源Ｖｄｄと駆動用トランジスタＴｒ１Ａとの間に、有機エレクトロルミネッセンス素子１４が配置されている。そして、駆動用トランジスタＴｒ１Ａのゲート電極と、制御用トランジスタＴｒ２の一端とが接続されている。
【０１０３】
なお、この場合も、電源Ｖｃは、電源Ｖｄｄの電位、或いは接地電位Ｖｓｓ或いは任意の電位に設定されている。
そして、データドライバ４を介して各データ線Ｘｍに出力された、データ信号に応じた電流量に基づいて、変換トランジスタ１２のゲート電圧が設定される。そして、このゲート電圧に対応した電荷量が容量素子Ｃに蓄積される。この電荷量に基づいて駆動用トランジスタＴｒ１Ａが導通状態となり、有機エレクトロルミネッセンス素子１４に電流が供給される。
【０１０４】
したがって、この場合も上記第１の実施の形態と同様な作用効果を得ることができる。
なお、この場合も、上記第１の実施の形態と同様に、走査ドライバ３及びデータドライバ４は、薄膜トランジスタで構成されていても良いし、シリコンベースのＭＯＳトランジスタで構成されていても良い。
【０１０５】
また、画素回路１０Ａを構成する制御用トランジスタＴｒ２は、ｎチャネル型及びｐチャネル型の何れのトランジスタを用いてもよい。
次に、第４の実施の形態を説明する。
【０１０６】
この第４の実施の形態は、上記第３の実施の形態において、画素領域２の構成が異なる以外は、上記第３の実施の形態と同様であるので、同一部には同一符号を付与し、その詳細な説明は省略する。
【０１０７】
すなわち、この第４の実施の形態における画素領域２Ｃは、図７に示すように、データ線Ｘｍ及び走査線Ｙｎの交点に対応して画素回路１０Ａが設けられ、変換トランジスタ１２は、各データ線Ｘｍのデータドライバ４側に設けられ、データドライバ４と隣接して配置されている。
【０１０８】
そして、変換トランジスタ１２は上記第３の実施の形態と同様にダイオード接続されている。
走査ドライバ３において走査線Ｙ１を駆動し、データドライバ４によりデータ線Ｘｍに出力された、データ信号に対応した電流量に基づいて変換トランジスタ１２のゲート電圧が設定され、このゲート電圧に対応した電荷量が容量素子に蓄積される。この蓄積された電荷量に基づいて、駆動用トランジスタＴｒ１Ａが導通状態となり、有機エレクトロルミネッセンス素子１４に電流が供給される。
【０１０９】
なお、この場合も、データドライバ４は薄膜トランジスタにより構成されていても良いし、また、シリコンベースのＭＯＳトランジスタにより構成されても良いが、シリコンベースのＭＯＳトランジスタの方がより高い精度で電流量を制御するには適している場合がある。
【０１１０】
次に第５の実施の形態を説明する。
この第５の実施の形態は、上記第２の実施の形態において、データ線Ｘｍに出力される電流量と、画素回路１０の有機エレクトロルミネッセンス素子１４に供給する電流量の比を変化させるようにしたものである。
【０１１１】
画素領域２Ａとデータドライバ４との間に電流電圧変換回路５が介挿されている。この電流電圧変換回路５は、図８に示すように、データ線Ｘｍにドレイン端、ソース端に駆動電源ＶＤが接続された変換トランジスタ１２と、データ線Ｘｍとドレイン端との接続点と、ドライバ４ａとの間に介挿された抵抗１３と、から構成され、抵抗１３とドライバ４ａとの間の電位が変換トランジスタ１２のゲート電極に接続されている。
【０１１２】
ここで、例えば、駆動電源ＶＤ＝駆動電源Ｖｄｄであるとすると、各画素回路１０及び電流電圧変換回路５は、図９のように表すことができる。
前記変換トランジスタ１２のしきい値電圧と駆動用トランジスタＴｒ１のしきい値電圧とが等しく、各トランジスタがそれぞれ飽和領域で動作しているとき、これらの間には次式（１）〜（３）が成り立つ。
【０１１３】
なお、式中の、Ｉｄａｔａはドライバ４ａの出力電流量、βはトランジスタの電流供給能力を示す係数（利得係数）、ＶＧ１は抵抗１３とドライバ４ａとの間の電位、ＶＴＨは変換トランジスタ１２及び駆動用トランジスタＴｒ１のしきい値電圧、ＩＯＥＬは有機エレクトロルミネッセンス素子１４に供給される電流値、ｋはＩｄａｔａとＩＯＥＬとの電流比を表す定数、ＶＧ２は変換トランジスタ１２と抵抗１３との間の電位、Ｒは抵抗１３の抵抗値である。
【０１１４】
Ｉｄａｔａ＝（１／２）・β・（Ｖｄｄ−ＶＧ１−ＶＴＨ）２・・・（１）
ＩＯＥＬ＝（１／２）・ｋβ・（Ｖｄｄ−ＶＧ２−ＶＴＨ）２・・・（２）
ＶＧ２−ＶＧ１＝Ｒ・Ｉｄａｔａ・・・（３）
これら（１）〜（３）式から、次式（４）を得ることができる。
【０１１５】
【数１】
0004089340.tif 000002
したがって、（４）式から、ＩｄａｔａとＩＯＥＬとの関係を、図１０の特性図ように設定することができるので、図１０において、例えば、１／（２Ｒ２・β）≦Ｉｄａｔａ≦２／（Ｒ２・β）の範囲を用いるようにすれば、Ｉｄａｔａの変化とＩＯＥＬの変化とを逆向きに設定することができる。
【０１１６】
なお、この場合も、走査ドライバ３、データドライバ４及び電流電圧変換回路５を薄膜トランジスタまたはシリコンベースのＭＯＳトランジスタの何れで構成されていてもよく、また、データドライバ４と電流電圧変換回路５とを一体に形成するようにしてもよい。
【０１１７】
次に、本発明の第６の実施の形態を説明する。
この第６の実施の形態は、図１１に示すように、電源Ｖｘと画素領域２Ｃとの間に、データドライバ４及び電流電圧変換回路５Ａが介挿されている。
【０１１８】
前記画素領域２Ｃは、データ線Ｘｍ及び走査線Ｙｎの交点に対応して画素回路１０Ａが配置されて構成されている。
前記電流電圧変換回路５Ａは、図１１に示すように、ｎチャネル型の変換トランジスタ１２と抵抗１３とから構成され、変換トランジスタ１２のソース端は電源Ｖｓに接続され、ドレイン端はデータ線Ｘｍに接続されている。そして、データ線Ｘｍとドレイン端との接続点と、ドライバ４ａとの間に変換トランジスタ１２のゲート電極が接続されている。さらに、データ線Ｘｍのゲート電極の接続点とドレイン電極の接続点との間に抵抗１３が介挿されている。
【０１１９】
したがって、この場合も、上記第５の実施の形態と同様の動作となり、第５の実施の同様の作用効果を得ることができる。
次に、本発明の第７の実施の形態を説明する。
【０１２０】
この第７の実施の形態は、図１２に示すように、画素領域２Ａとデータドライバ４との間に電流電圧変換回路５Ｂが介挿されている。
前記画素領域２Ａは、データ線Ｘｍ及び走査線Ｙｎの交点に対応して配置された画素回路１０により構成されている。
【０１２１】
電流電圧変換回路５Ｂは、図１２に示すように、ｐチャネル型の変換トランジスタ１２と、抵抗１３とから構成され、変換トランジスタ１２のソース端とデータ線Ｘｍとが接続され、そのドレイン電極と駆動電源ＶＤとの間に抵抗１３が介挿されている。そして、データ線Ｘｍのソース端の接続点と、ドライバ４ａとの間に変換トランジスタ１２のゲート電極が接続されている。
【０１２２】
ここで、例えば、電源ＶＤ＝電源Ｖｄｄであるとすると、各画素回路１０及び電流電圧変換回路５は、図１３のように表すことができる。
そして、前記変換トランジスタ１２のしきい値電圧と駆動用トランジスタＴｒ１のしきい値電圧とが等しく、各トランジスタがそれぞれ飽和領域で動作しているとき、これらの間には次式（５）〜（７）が成り立つ。
【０１２３】
なお、式中の、Ｉｄａｔａはドライバ４ａの出力電流量、βはトランジスタの電流供給能力を示す係数（利得係数）、ＶＳ１は抵抗１３とドライバ４ａとの間の電位、ＶＴＨは変換トランジスタ１２及び駆動用トランジスタＴｒ１のしきい値電圧、ＩＯＥＬは有機エレクトロルミネッセンス素子１４に供給される電流値、ｋはＩｄａｔａとＩＯＥＬとの電流比を表す定数、Ｒは抵抗１３の抵抗値である。
【０１２４】
Ｉｄａｔａ＝（１／２）・β・（ＶＳ１−ＶＧ−ＶＴＨ）２・・・（５）
ＩＯＥＬ＝（１／２）・ｋβ・（Ｖｄｄ−ＶＧ−ＶＴＨ）２・・・（６）
Ｖｄｄ−ＶＳ１＝Ｒ・Ｉｄａｔａ・・・（７）
これら（５）〜（７）式から、次式（８）を得ることができる。
【０１２５】
【数２】
0004089340.tif 000003
したがって（８）式から、ＩｄａｔａとＩＯＥＬとの関係は、図１４の特性図のように表すことができる。よって、ΔＩｄａｔａとΔＩＯＥＬとの間に、非線形関係をもたせることができ、出力電流量Ｉｄａｔａの変化に対してΔＩＯＥＬをより大きく変化させることができる。
【０１２６】
次に、本発明の第８の実施の形態を説明する。
この第８の実施の形態は、図１５に示すように、データドライバ４と画素領域２Ｃとの間に、電流電圧変換回路５Ｃが介挿されている。
【０１２７】
前記画素領域２Ｃは、データ線Ｘｍと走査線Ｙｎとの交点に対応して配置された画素回路１０Ａにより構成されている。
電流電圧変換回路５Ｃは、図１５に示すように、ｎチャネル型の変換トランジスタ１２と抵抗１３とから構成され、変換トランジスタ１２のドレイン端は、データ線Ｘｍに接続され、そのソースと電源Ｖｓとの間に抵抗１３が介挿されている。また、データ線Ｘｍの変換トランジスタ１２のドレイン端との接続点と、ドライバ４ａとの間に変換トランジスタ１２のゲート電極が接続されている。
【０１２８】
したがって、この場合も、上記第７の実施の形態と同様であって、ドライバ４ａの出力電流量に対し、画素回路１０Ａの駆動用トランジスタＴｒ１Ａを流れる電流量は大きくなるから、第７の実施の形態と同様な作用効果を得ることができる。
【０１２９】
なお、前記第５乃至第８の実施の形態において、電流電圧変換回路５は、薄膜トランジスタにより構成されても良く、また、シリコンベースのＭＯＳトランジスタにより構成されていても良い。また、データドライバ４と電流電圧変換回路５とを一体に形成するようにしても良い。
【０１３０】
次に、本発明の第９の実施の形態を説明する。
この第９の実施の形態は、本発明に係る電気光学装置をフルカラーのディスプレイに適用した場合である。尚、この第９の実施の形態では、上記第１の実施の形態において、画素領域２の構成が異なる以外は上記第１の実施の形態と同様であるので、同一部または同一符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【０１３１】
図１６は、第９の実施の形態における表示装置の要部の概略構成を示すブロック図である。図１６に示すように、画素領域２Ｄは、走査線Ｙｎに沿って、赤色、緑色及び青色の光を発光する有機材料で構成された発光層を有する各色用有機エレクトロルミネッセンス素子１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂを有する赤、緑色及び青色用画素回路１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが、順次繰り返されて設けられている。また、前記画素領域２Ｄは、各データ線Ｘｍに沿って同色の画素回路１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂがそれぞれ設けられている。つまり、赤色用画素回路１０Ｒは、データ線Ｘ１，Ｘ４，Ｘ７，・・・と接続されている。緑色用画素回路１０Ｇは、データ線Ｘ２，Ｘ５，Ｘ８，・・・と接続されている。青色用画素回路１０Ｂは、青用データ線Ｘ３，Ｘ６，Ｘ９，・・・と接続されている。
【０１３２】
そして、赤色用画素回路１０Ｒと接続された前記データ線Ｘ１，Ｘ４，Ｘ７，・・・は、赤色用変換トランジスタ１２Ｒと接続されている。赤色用変換トランジスタ１２Ｒは、前記赤色用の有機エレクトロルミネッセンス素子１４Ｒが発光する駆動レンジとしての電流レンジを生成するようにその利得係数が設定されている。赤色用変換トランジスタ１２Ｒは、同赤色用変換トランジスタ１２Ｒを駆動させるための電圧を供給する赤色用電源ＶｘＲに接続されている。また、各赤色用画素回路１０Ｒと接続された前記データ線Ｘ１，Ｘ４，Ｘ７，・・・は、前記赤色用電源ＶｘＲとは逆側の端部に配置された、同データ線Ｘ１，Ｘ４，Ｘ７，・・・を駆動する赤色用ドライバ４ａＲにそれぞれ接続されている。すなわち、赤色用ドライバ４ａＲと赤色用変換トランジスタ１２Ｒとの間に前記データ線Ｘ１，Ｘ４，Ｘ７，・・・が配置されている。
【０１３３】
緑色用画素回路１０Ｇと接続された前記データ線Ｘ２，Ｘ５，Ｘ８，・・・は、緑色用変換トランジスタ１２Ｇと接続されている。緑色用変換トランジスタ１２Ｇは、前記緑色用の有機エレクトロルミネッセンス素子１４Ｇが発光する駆動レンジとしての電流レンジを生成するようにその利得係数が設定されている。緑色用変換トランジスタ１２Ｇは、同緑色用変換トランジスタ１２Ｇを駆動させるための電圧を供給する緑色用電源ＶｘＧに接続されている。また、各緑色用画素回路１０Ｇと接続された前記データ線Ｘ２，Ｘ５，Ｘ８，・・・は、前記緑色用電源ＶｘＧとは逆側の端部に配置された、同前記データ線Ｘ２，Ｘ５，Ｘ８，・・・を駆動する緑色用ドライバ４ａＧにそれぞれ接続されている。すなわち、緑色用ドライバ４ａＧと緑色用変換トランジスタ１２Ｇとの間に前記データ線Ｘ２，Ｘ５，Ｘ８，・・・が配置されている。
【０１３４】
青色用画素回路１０Ｂと接続された前記データ線Ｘ３，Ｘ６，Ｘ９，・・・は、青色用変換トランジスタ１２Ｂと接続されている。青色用変換トランジスタ１２Ｂは、前記青色用の有機エレクトロルミネッセンス素子１４Ｂが発光する駆動レンジとしての電流レンジを生成するようにその利得係数が設定されている。青色用変換トランジスタ１２Ｂは、同青色用変換トランジスタ１２Ｂを駆動させるための電圧を供給する青色用電源ＶｘＢに接続されている。また、各青色用画素回路１０Ｂと接続された前記データ線Ｘ３，Ｘ６，Ｘ９，・・・は、前記青色用電源ＶｘＢとは逆側の端部に配置された、同前記データ線Ｘ３，Ｘ６，Ｘ９，・・・を駆動する青色用ドライバ４ａＢにそれぞれ接続されている。すなわち、青色用ドライバ４ａＢと青色用変換トランジスタ１２Ｂとの間に前記データ線Ｘ３，Ｘ６，Ｘ９，・・・が配置されている。
【０１３５】
尚、前記赤、緑及び青色用変換トランジスタ１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂは、それぞれ、ｐチャネル型トランジスタである。
そして、このように構成された画素領域２Ｄを有する電気光学装置においては、前記したように、各色用変換トランジスタ１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂのそれぞれの利得係数を調整することによって、各色用の有機エレクトロルミネッセンス素子１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂを発光させる電流レンジを調整することができる。
【０１３６】
従って、各色用ドライバ４ａＲ，４ａＧ，４ａＢは、各色用の有機エレクトロルミネッセンス素子１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂの特性に合わせてそれぞれの特性の異なる回路形成をする必要はなく、全て同じ特性の回路で構成することができる。ここで、図１５における変換トランジスタ１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂの配置場所については、本実施形態で示した場所に限定されるものではなく、例えば、第２〜第８の実施の形態で示した配置を適用することも可能である。
【０１３７】
なお、上記各実施の形態においては、走査ドライバ３及びデータドライバ４を薄膜トランジスタにより構成されていても良く、またシリコンベースのＭＯＳトランジスタにより構成されていても良い。
【０１３８】
また、上記各実施の形態において、画素回路１０又は１０Ａをマトリクス状に配置した表示装置に適用した場合について説明したが、どのような形状に配置した場合であっても適用することができる。
【０１３９】
また、上記各実施の形態においては、有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた場合について説明したが、これに限るものではなく、例えば発光ダイオード（ＬＥＤ）、レーザーダイオード（ＬＤ）、ＦＥ（Ｆｉｅｌｄ  ｅｍｉｓｓｉｏｎ）素子等の電流駆動により発光する素子を備えた電子装置に対しても、本発明に係る回路構成は適用することができる。これ以外に磁気抵抗ＲＡＭ（Magnetoresistive RAM）などの非発光型の電流駆動素子を備えた電子装置に対しても本発明に係る回路構成にも適用することができる。
【０１４０】
磁気抵抗ＲＡＭは、例えば、図１７に示すように、強磁性金属層からなる２つの電極２１及び２２間に、絶縁体からなる障壁層２３が介挿されて構成されている。そして、前記電極２１及び２２巻に、前記障壁層２３を介してトンネル電流を流したときに、このトンネル電流の大きさが上下の強磁性金属の磁化の向きによって変化することを利用して、記憶を行うようにしたものである。つまり、一方の電極２２を基準層としてその磁化の向きを固定し、他方の電極２１をデータ記録層とする。そして、書き込み電極２４に電流を流し、これによって発生する磁界により、データ記録層としての電極２１の磁化の向きを変えることによって情報の記録を行う。そして、記録情報の読み出しを行う場合には、書き込み電極２４に逆方向の電流を流し、このときのトンネル抵抗の変化を電気的に読み出すことによって行っている。
【０１４１】
また、前記有機エレクトロルミネッセンス装置としては、例えば、モバイル型のパーソナルコンピュータ、携帯電話、ディジタルスチルカメラ等に適用することができる。
【０１４２】
図１８は、モバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
図１８において、パーソナルコンピュータ１００は、キーボード１０２を備えた本体部１０４と、前述の電気光学装置が適用された有機エレクトロルミネッセンス装置からなる表示ユニット１０６とから構成されている。
【０１４３】
図１９は、携帯電話の斜視図である。図１９において、携帯電話２００は、複数の操作ボタン２０２の他、受話口２０４、送話口２０６と共に、前述の電気光学装置が適用された有機エレクトロルミネッセンス装置からなる表示パネル２０８を備えている。
【０１４４】
図２０は、ディジタルスチルカメラ３００の構成を示す斜視図である。なお、外部機器との接続についても簡易的に示している。
通常のカメラは、被写体の光像によってフィルムを感光するのに対してディジタルスチルカメラ３００は被写体の光像をＣＣＤ（Charge coupled device）等の撮像素子により光電変換して撮像信号を生成するものである。ここで、ディジタルスチルカメラ３００におけるケース３０２の背面には、上述した電気光学装置が適用された有機エレクトロルミネッセンス装置からなる表示パネル３０４が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて、表示を行う構成となっている。このため、表示パネル３０４は、被写体を表示するファインダとして機能する。また、ケース３０２の観察側（図においては裏面側）には、光学レンズやＣＣＤ等を含んだ受光ユニット３０６が設けられている。
【０１４５】
ここで、撮像者が表示パネル３０４に表示された被写体像を確認して、シャッタボタン３０８を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板３１０のメモリに転送・格納される。また、このディジタルスチルカメラ３００にあっては、ケース３０２の側面にビデオ信号出力端子３１２と、データ通信用の入出力端子３１４とが設けられている。そして、図に示されるように、前者のビデオ信号出力端子３１２には、テレビモニタ４３０が、また、後者のデータ通信用の入出力端子３１４にはパーソナルコンピュータ４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作によって、回路基板３１０のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ４３０や、パーソナルコンピュータ４４０に出力される構成となっている。
【０１４６】
なお、電子機器としては、図１８のパーソナルコンピュータや、図１９の携帯電話、図２０のディジタルスチルカメラの他にも、テレビ、ビューファインダ型及びモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等を挙げることができる。そして、これらの各種電子機器に表示部として、上述した電気光学装置からなる表示装置が適用可能なのはいうまでもない。
【０１４７】
【発明の効果】
本発明によれば、電流駆動による電気光学素子の駆動制御をより高精度に行い且つ構成素子数の低減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明を適用した表示装置の概略構成を示すブロック図である。
【図２】  本発明の第１の実施の形態における表示装置の要部の概略構成を示すブロック図である。
【図３】  第１の実施の形態における画素回路の一例を示す回路図である。
【図４】  第２の実施の形態における表示装置の要部の概略構成を示すブロック図である。
【図５】  第３の実施の形態における表示装置の要部の概略構成を示すブロック図である。
【図６】  第３の実施の形態における画素回路の一例を示す回路図である。
【図７】  第４の実施の形態における表示装置の要部の概略構成を示すブロック図である。
【図８】  第５の実施の形態における表示装置の要部の概略構成を示すブロック図である。
【図９】  第５の実施の形態の動作説明に供する回路図である。
【図１０】  第５の実施の形態の動作説明に供する説明図である。
【図１１】  第６の実施の形態における表示装置の要部の概略構成を示すブロック図である。
【図１２】  第７の実施の形態における表示装置の要部の概略構成を示すブロック図である。
【図１３】  第７の実施の形態の動作説明に供する回路図である。
【図１４】  第７の実施の形態の動作説明に供する説明図である。
【図１５】  第８の実施の形態における表示装置の要部の概略構成を示すブロック図である。
【図１６】  第９の実施の形態における表示装置の要部の概略構成を示すブロック図である。
【図１７】  本発明に係る電気光学装置を適用した磁気抵抗ＲＡＭの概略構成を示す構成図である。
【図１８】  本発明に係る電気光学装置を適用した電子機器の一例たるパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図１９】  本発明に係る電気光学装置を適用した電子機器の一例たる携帯電話の構成を示す斜視図である。
【図２０】  本発明に係る電気光学装置を適用した電子機器の一例たるディジタルスチルカメラの背面側の構成を示す斜視図である。
【図２１】  従来の表示装置の一例を示すブロック図である。
【図２２】  従来の画素回路の一例を示す回路図である。
【符号の説明】
１  コントローラ
２、２Ａ、２Ｂ、２Ｃ、２Ｄ  画素領域
３  走査ドライバ
４  データドライバ
４ａ  ドライバ
５、５Ａ、５Ｂ、５Ｃ  電流電圧変換回路
１０、１０Ａ  画素回路
１２  変換トランジスタ
１３  抵抗
１４  有機エレクトロルミネッセンス素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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