(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属板よりなるフレーム本体と、前記フレーム本体の略中央領域内に配設された半導体素子搭載用のダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を支持し、他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部と、少なくとも先端部が前記ダイパッド部に向かって延在し、他端部が前記フレーム枠と接続したリード部と、前記リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた切断部とよりなるリードフレームを用意する工程と、前記用意したリードフレームの前記ダイパッド部上に半導体素子を搭載する工程と、前記ダイパッド部上に搭載した前記半導体素子の主面上の電極パッドと、前記リードフレームのリード部の各上面とを金属細線により接続する工程と、少なくとも前記リードフレームの前記半導体素子、ダイパッド部、金属細線、および前記リード部の底面と前記リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた切断部を除く領域を封止樹脂により樹脂封止する工程と、少なくとも前記リード部の切断部に対してブレードにより第１の切断溝を形成し、前記第１の切断溝に対して再度ブレードにより第２の切断溝を形成して切断部を切断し、樹脂封止型半導体装置を得る工程とよりなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項２】
金属板よりなるフレーム本体と、前記フレーム本体の略中央領域内に配設された半導体素子搭載用のダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を支持し、他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部と、少なくとも先端部が前記ダイパッド部に向かって延在し、他端部が前記フレーム枠と接続したリード部と、前記リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた切断部とよりなるリードフレームを用意する工程と、前記用意したリードフレームの前記ダイパッド部上に半導体素子を搭載する工程と、前記ダイパッド部上に搭載した前記半導体素子の主面上の電極パッドと、前記リードフレームのリード部の各上面とを金属細線により接続する工程と、前記リードフレームの裏面側の少なくともリード部の各底面に封止シートを密着させる工程と、少なくとも前記リード部の端部に押圧力を付加し、前記リード部の底面を前記封止シートに押圧した状態で、前記リードフレームの上面側として前記半導体素子、ダイパッド部、金属細線、および前記リード部の底面と前記リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた切断部を除く領域を封止樹脂により樹脂封止する工程と、樹脂封止後に前記封止シートを前記リードフレームより除去する工程と、少なくとも前記リード部の切断部に対してブレードにより第１の切断溝を形成し、前記第１の切断溝に対して再度ブレードにより第２の切断溝を形成して切断部を切断し、樹脂封止型半導体装置を得る工程とよりなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項３】
少なくともリード部の切断部に対してブレードにより第１の切断溝を形成し、前記第１の切断溝に対して再度ブレードにより第２の切断溝を形成して切断部を切断し、樹脂封止型半導体装置を得る工程は、少なくともリード部の切断部に対してブレードにより第１の切断溝を形成し、前記第１の切断溝に対して再度ブレードにより第２の切断溝を形成し、前記第２の切断溝に対して再々度ブレードにより第３の切断溝を形成して切断部を切断し、樹脂封止型半導体装置を得る工程であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項４】
ブレードはその断面形状がＶ型であるブレードを用いることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項５】
金属板よりなるフレーム本体と、前記フレーム本体の略中央領域内に配設された半導体素子搭載用のダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を支持し、他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部と、少なくとも先端部が前記ダイパッド部に向かって延在し、他端部が前記フレーム枠と接続したリード部と、前記リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた切断部とよりなるリードフレームを用意する工程と、前記用意したリードフレームの前記ダイパッド部上に半導体素子を搭載する工程と、前記ダイパッド部上に搭載した前記半導体素子の主面上の電極パッドと、前記リードフレームのリード部の各上面とを金属細線により接続する工程と、少なくとも前記リードフレームの前記半導体素子、ダイパッド部、金属細線、および前記リード部の底面と前記リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた切断部を除く領域を封止樹脂により樹脂封止する工程と、少なくとも前記リード部の切断部に対して第１の面側からブレードにより第１の切断溝を形成する工程と、前記第１の切断溝が形成されたリード部の切断部の第２の面側から再度ブレードにより第２の切断溝を形成して切断部を切断し、樹脂封止型半導体装置を得る工程とよりなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項６】
金属板よりなるフレーム本体と、前記フレーム本体の略中央領域内に配設された半導体素子搭載用のダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を支持し、他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部と、少なくとも先端部が前記ダイパッド部に向かって延在し、他端部が前記フレーム枠と接続したリード部と、前記リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた切断部とよりなるリードフレームを用意する工程と、前記用意したリードフレームの前記ダイパッド部上に半導体素子を搭載する工程と、前記ダイパッド部上に搭載した前記半導体素子の主面上の電極パッドと、前記リードフレームのリード部の各上面とを金属細線により接続する工程と、前記リードフレームの裏面側の少なくともリード部の各底面に封止シートを密着させる工程と、少なくとも前記リード部の端部に押圧力を付加し、前記リード部の底面を前記封止シートに押圧した状態で、前記リードフレームの上面側として前記半導体素子、ダイパッド部、金属細線、および前記リード部の底面と前記リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた切断部を除く領域を封止樹脂により樹脂封止する工程と、樹脂封止後に前記封止シートを前記リードフレームより除去する工程と、少なくとも前記リード部の切断部に対して第１の面側からブレードにより第１の切断溝を形成する工程と、前記第１の切断溝が形成されたリード部の切断部の第２の面側から再度ブレードにより第２の切断溝を形成して切断部を切断し、樹脂封止型半導体装置を得る工程とよりなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項７】
金属板よりなるフレーム本体と、前記フレーム本体の略中央領域内に配設された半導体素子搭載用のダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を支持し、他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部と、少なくとも先端部が前記ダイパッド部に向かって延在し、他端部が前記フレーム枠と接続したリード部と、前記リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた切断部とよりなるリードフレームを用意する工程と、前記用意したリードフレームの前記ダイパッド部上に半導体素子を搭載する工程と、前記ダイパッド部上に搭載した前記半導体素子の主面上の電極パッドと、前記リードフレームのリード部の各上面とを金属細線により接続する工程と、少なくとも前記リードフレームの前記半導体素子、ダイパッド部、金属細線、および前記リード部の底面と前記リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた切断部を除く領域を封止樹脂により樹脂封止する工程と、少なくとも前記リード部の切断部に対して、その断面形状がＶ型である第１のブレードにより、断面Ｖ型の第１の切断溝を形成し、前記断面Ｖ型の第１の切断溝に対して第２のブレードにより第２の切断溝を形成して切断部を切断し、樹脂封止型半導体装置を得る工程とよりなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項８】
金属板よりなるフレーム本体と、前記フレーム本体の略中央領域内に配設された半導体素子搭載用のダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を支持し、他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部と、少なくとも先端部が前記ダイパッド部に向かって延在し、他端部が前記フレーム枠と接続したリード部と、前記リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた切断部とよりなるリードフレームを用意する工程と、前記用意したリードフレームの前記ダイパッド部上に半導体素子を搭載する工程と、前記ダイパッド部上に搭載した前記半導体素子の主面上の電極パッドと、前記リードフレームのリード部の各上面とを金属細線により接続する工程と、前記リードフレームの裏面側の少なくともリード部の各底面に封止シートを密着させる工程と、少なくとも前記リード部の端部に押圧力を付加し、前記リード部の底面を前記封止シートに押圧した状態で、前記リードフレームの上面側として前記半導体素子、ダイパッド部、金属細線、および前記リード部の底面と前記リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた切断部を除く領域を封止樹脂により樹脂封止する工程と、樹脂封止後に前記封止シートを前記リードフレームより除去する工程と、少なくとも前記リード部の切断部に対して、その断面形状がＶ型である第１のブレードにより、断面Ｖ型の第１の切断溝を形成し、前記断面Ｖ型の第１の切断溝に対して第２のブレードにより第２の切断溝を形成して切断部を切断し、樹脂封止型半導体装置を得る工程とよりなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項９】
第２のブレードはその先端部が平坦であるブレードを用いることを特徴とする請求項７または請求項８に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
第２のブレードは第１のブレードと同等のブレードを用いることを特徴とする請求項７または請求項８に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
金属板よりなるフレーム本体と、前記フレーム本体の略中央領域内に配設された半導体素子搭載用のダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を支持し、他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部と、少なくとも先端部が前記ダイパッド部に向かって延在し、他端部が前記フレーム枠と接続したリード部と、前記リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた切断部とよりなるリードフレームを用意する工程と、前記用意したリードフレームの前記ダイパッド部上に半導体素子を搭載する工程と、前記ダイパッド部上に搭載した前記半導体素子の主面上の電極パッドと、前記リードフレームのリード部の各上面とを金属細線により接続する工程と、少なくとも前記リードフレームの前記半導体素子、ダイパッド部、金属細線、および前記リード部の底面と前記リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた切断部を除く領域を封止樹脂により樹脂封止する工程と、少なくとも前記リード部の切断部に対して第１の幅を有する第１のブレードにより第１の切断溝を形成する第１の切断工程と、前記第１の切断溝に対して前記第１のブレードよりもブレード幅の小さい第２のブレードにより第２の切断溝を形成して切断部を切断し、樹脂封止型半導体装置を得る第２の切断工程とよりなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
金属板よりなるフレーム本体と、前記フレーム本体の略中央領域内に配設された半導体素子搭載用のダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を支持し、他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部と、少なくとも先端部が前記ダイパッド部に向かって延在し、他端部が前記フレーム枠と接続したリード部と、前記リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた切断部とよりなるリードフレームを用意する工程と、前記用意したリードフレームの前記ダイパッド部上に半導体素子を搭載する工程と、前記ダイパッド部上に搭載した前記半導体素子の主面上の電極パッドと、前記リードフレームのリード部の各上面とを金属細線により接続する工程と、前記リードフレームの裏面側の少なくともリード部の各底面に封止シートを密着させる工程と、少なくとも前記リード部の端部に押圧力を付加し、前記リード部の底面を前記封止シートに押圧した状態で、前記リードフレームの上面側として前記半導体素子、ダイパッド部、金属細線、および前記リード部の底面と前記リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた切断部を除く領域を封止樹脂により樹脂封止する工程と、樹脂封止後に前記封止シートを前記リードフレームより除去する工程と、少なくとも前記リード部の切断部に対して第１の幅を有する第１のブレードにより第１の切断溝を形成する第１の切断工程と、前記第１の切断溝に対して前記第１のブレードよりもブレード幅の小さい第２のブレードにより第２の切断溝を形成して切断部を切断し、樹脂封止型半導体装置を得る第２の切断工程とよりなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
第１のブレードの幅は１５０［μｍ］であり、第２のブレードの幅は１００［μｍ］であるブレードを用いることを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
第１のブレードはその断面形状がＶ型であるブレードを用いることを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
第２のブレードはその断面形状がＶ型であるブレードを用いることを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
第１のブレード，第２のブレードはその断面形状がそれぞれＶ型であるブレードを用いることを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ  Ｐａｃｋａｇｅ）と称される外部端子となるリード部が片面封止された小型／薄型の樹脂封止型半導体装置の製造方法に関するものであり、特に生産効率を向上させるとともに、リード部の信頼性を向上させた樹脂封止型半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型化に対応するために、樹脂封止型半導体装置などの半導体部品の高密度実装が要求され、それにともなって、半導体部品の小型、薄型化が進んでいる。また小型で薄型でありながら、多ピン化が進み、高密度の小型、薄型の樹脂封止型半導体装置が要望されている。
【０００３】
以下、従来のＱＦＮ型の樹脂封止型半導体装置に使用するリードフレームについて説明する。
【０００４】
図３２は、従来のリードフレームの構成を示す図であり、図３２（ａ）は平面図であり、図３２（ｂ）は図３２（ａ）のＡ−Ａ１箇所の断面図である。
【０００５】
図３２に示すように、従来のリードフレームは、フレーム枠１０１と、そのフレーム枠１０１内に、半導体素子が載置される矩形状のダイパッド部１０２と、ダイパッド部１０２の角部をその先端部で支持し、端部がフレーム枠１０１と接続した吊りリード部１０３と、半導体素子を載置した場合、その載置した半導体素子と金属細線等の接続手段により電気的に接続するビーム状のリード部１０４とより構成されている。そしてリード部１０４は、封止樹脂で封止された際、封止樹脂部に埋設される部分はインナーリード部１０４ａを構成し、封止樹脂部より露出する部分はアウターリード部１０４ｂを構成するものであり、インナーリード部１０４ａとアウターリード部１０４ｂとは、一体で連続して設けられている。図３２において、破線で示した領域は、半導体素子を搭載して樹脂封止型半導体装置を構成する場合、封止樹脂で封止する領域を示しており、また一点鎖線で示した部分は、半導体素子を搭載して樹脂封止し、樹脂封止型半導体装置を構成した後、リード部１０４（アウターリード部１０４ｂ）を金型で切断する部分を示している。
【０００６】
また、従来のリードフレームは、図３２（ｂ）に示すように、ダイパッド部１０２は吊りリード部１０３によって支持されているが、その吊りリード部１０３に設けたディプレス部によってダイパッド部１０２がリード部１０４上面に対して上方に配置されるよう、アップセットされているものである。
【０００７】
次に従来の樹脂封止型半導体装置について説明する。図３３は、図３２に示したリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置を示す図であり、図３３（ａ）は、内部構成を破線で示した透視平面図であり、図３３（ｂ）は図３３（ａ）のＢ−Ｂ１箇所の断面図である。
【０００８】
図３３に示すように、リードフレームのダイパッド部１０２上に半導体素子１０５が搭載され、その半導体素子１０５とリード部１０４のインナーリード部１０４ａとが金属細線１０６により電気的に接続されている。そしてダイパッド部１０２上の半導体素子１０５、インナーリード部１０４ａの外囲は封止樹脂１０７により封止されている。そしてそのリード部１０４（インナーリード部１０４ａ）の底面部分は封止樹脂１０７の底面からスタンドオフを有して露出して、外部端子１０８を構成している。なお、封止樹脂１０７の側面からはアウターリード部１０４ｂが露出しているが、実質的に封止樹脂１０７の側面と同一面である。
【０００９】
次に従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法について説明する。
【００１０】
まず図３４に示すように、フレーム枠と、そのフレーム枠内に、半導体素子が載置される矩形状であって、アップセットされたダイパッド部１０２と、ダイパッド部１０２の角部をその先端部で支持し、端部がフレーム枠と接続した吊りリード部と、半導体素子を載置した場合、その載置した半導体素子と金属細線等の接続手段により電気的に接続するビーム状のリード部１０４とを有したリードフレームを用意する。
【００１１】
そして図３５に示すように、ダイパッド部１０２上に銀ペースト等の接着剤により半導体素子１０５を搭載しボンディングする。
【００１２】
次に図３６に示すように、ダイパッド部１０２上に搭載された半導体素子１０５の表面の電極パッド（図示せず）とリード部１０４のインナーリード部１０４ａとを金属細線１０６により電気的に接続する。
【００１３】
次に図３７に示すように、半導体素子１０５が搭載された状態のリードフレームの少なくともリード部１０４の底面に封止シート１０９を密着させる。この封止シート１０９はリード部１０４の底面に封止樹脂が回り込まないように保護し、リード部１０４の底面を露出させるための部材である。
【００１４】
次に図３８に示すように、リードフレームを金型内に載置し、金型によりリード部１０４を封止シート１０９に対して押圧した状態でエポキシ系樹脂よりなる封止樹脂１０７を注入し、リードフレームの外囲としてダイパッド部１０２、半導体素子１０５、リード部１０４の上面領域と金属細線１０６の接続領域を封止する。図３９には外囲を封止樹脂１０７で封止した状態を示している。
【００１５】
次に図４０に示すように、リードフレームのリード部１０４の底面に密着させていた封止シートをピールオフ等により除去する。
【００１６】
次に図４１に示すように、リード部１０４の切断部１１０に対して、金型による切断刃１１１でリードカットを行う。
【００１７】
そして図４２に示すように、リードフレームのダイパッド部１０２上に半導体素子１０５が搭載され、その半導体素子１０５とリード部１０４のインナーリード部１０４ａとが金属細線１０６により電気的に接続され、外囲が封止樹脂１０７により封止され、そしてそのリード部１０４（インナーリード部１０４ａ）の底面部分は封止樹脂１０７の底面からスタンドオフを有して露出して、外部端子１０８を構成するとともに、封止樹脂１０７の側面からはアウターリード部１０４ｂが露出し、実質的に封止樹脂１０７の側面と同一面を構成した樹脂封止型半導体装置を得る。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら従来のリードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法では、特にリードフレームに対して樹脂封止した後は、金型の切断刃によるリードカットを行っていたため、その切断工程において、リードカット時の衝撃によりリード部の隣接する封止樹脂の部分に樹脂カケ、クラック等が起こり、またリード部が封止樹脂部分から脱落するといった課題があった。従来の樹脂封止型半導体装置の構造は、リード部がその上面だけを封止樹脂で覆われたいわゆる片面封止構造であるため、金型の切断刃によるリードカットでは、その衝撃いかんによって、リード部、封止樹脂部の破損が発生しやすい状況であった。
【００１９】
さらに近年、大型のリードフレーム基板上に半導体素子を搭載し、金属細線で接続した後、外囲を全体で封止する一括成形が進んでいるが、この一括成形では、リードフレーム上面全体を封止樹脂が覆った構成の場合は、リードカットだけでなく、封止樹脂部もカットしなければならないため、金型の切断刃によるカット手段では対応できないという課題が顕在化してきている。
【００２０】
本発明は前記した従来の課題および今後の樹脂封止型半導体装置の製造工程の動向に対応できる樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供するものであり、生産性を高め、リードフレーム、基板から樹脂封止型半導体装置を分離する際の切断工程でリード部、封止樹脂部に欠陥、欠損の発生しない樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供するものである。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
前記従来の課題を解決するために、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、金属板よりなるフレーム本体と、前記フレーム本体の略中央領域内に配設された半導体素子搭載用のダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を支持し、他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部と、少なくとも先端部が前記ダイパッド部に向かって延在し、他端部が前記フレーム枠と接続したリード部と、前記リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた切断部とよりなるリードフレームを用意する工程と、前記用意したリードフレームの前記ダイパッド部上に半導体素子を搭載する工程と、前記ダイパッド部上に搭載した前記半導体素子の主面上の電極パッドと、前記リードフレームのリード部の各上面とを金属細線により接続する工程と、少なくとも前記リードフレームの前記半導体素子、ダイパッド部、金属細線、および前記リード部の底面と前記リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた切断部を除く領域を封止樹脂により樹脂封止する工程と、少なくとも前記リード部の切断部に対してブレードにより第１の切断溝を形成し、前記第１の切断溝に対して再度ブレードにより第２の切断溝を形成して切断部を切断し、樹脂封止型半導体装置を得る工程とよりなる樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００２２】
また、金属板よりなるフレーム本体と、前記フレーム本体の略中央領域内に配設された半導体素子搭載用のダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を支持し、他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部と、少なくとも先端部が前記ダイパッド部に向かって延在し、他端部が前記フレーム枠と接続したリード部と、前記リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた切断部とよりなるリードフレームを用意する工程と、前記用意したリードフレームの前記ダイパッド部上に半導体素子を搭載する工程と、前記ダイパッド部上に搭載した前記半導体素子の主面上の電極パッドと、前記リードフレームのリード部の各上面とを金属細線により接続する工程と、前記リードフレームの裏面側の少なくともリード部の各底面に封止シートを密着させる工程と、少なくとも前記リード部の端部に押圧力を付加し、前記リード部の底面を前記封止シートに押圧した状態で、前記リードフレームの上面側として前記半導体素子、ダイパッド部、金属細線、および前記リード部の底面と前記リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた切断部を除く領域を封止樹脂により樹脂封止する工程と、樹脂封止後に前記封止シートを前記リードフレームより除去する工程と、少なくとも前記リード部の切断部に対してブレードにより第１の切断溝を形成し、前記第１の切断溝に対して再度ブレードにより第２の切断溝を形成して切断部を切断し、樹脂封止型半導体装置を得る工程とよりなる樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００２３】
その具体的手段は、少なくともリード部の切断部に対してブレードにより第１の切断溝を形成し、前記第１の切断溝に対して再度ブレードにより第２の切断溝を形成して切断部を切断し、樹脂封止型半導体装置を得る工程は、リード部の切断部に対してブレードにより第１の切断溝を形成し、前記第１の切断溝に対して再度ブレードにより第２の切断溝を形成し、前記第２の切断溝に対して再々度ブレードにより第３の切断溝を形成して切断部を切断し、樹脂封止型半導体装置を得る工程である樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００２４】
また、ブレードはその断面形状がＶ型であるブレードを用いる樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００２５】
また、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、金属板よりなるフレーム本体と、前記フレーム本体の略中央領域内に配設された半導体素子搭載用のダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を支持し、他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部と、少なくとも先端部が前記ダイパッド部に向かって延在し、他端部が前記フレーム枠と接続したリード部と、前記リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた切断部とよりなるリードフレームを用意する工程と、前記用意したリードフレームの前記ダイパッド部上に半導体素子を搭載する工程と、前記ダイパッド部上に搭載した前記半導体素子の主面上の電極パッドと、前記リードフレームのリード部の各上面とを金属細線により接続する工程と、少なくとも前記リードフレームの前記半導体素子、ダイパッド部、金属細線、および前記リード部の底面と前記リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた切断部を除く領域を封止樹脂により樹脂封止する工程と、少なくとも前記リード部の切断部に対して第１の面側からブレードにより第１の切断溝を形成する工程と、前記第１の切断溝が形成されたリード部の切断部の第２の面側から再度ブレードにより第２の切断溝を形成して切断部を切断し、樹脂封止型半導体装置を得る工程とよりなる樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００２６】
また本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、金属板よりなるフレーム本体と、前記フレーム本体の略中央領域内に配設された半導体素子搭載用のダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を支持し、他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部と、少なくとも先端部が前記ダイパッド部に向かって延在し、他端部が前記フレーム枠と接続したリード部と、前記リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた切断部とよりなるリードフレームを用意する工程と、前記用意したリードフレームの前記ダイパッド部上に半導体素子を搭載する工程と、前記ダイパッド部上に搭載した前記半導体素子の主面上の電極パッドと、前記リードフレームのリード部の各上面とを金属細線により接続する工程と、前記リードフレームの裏面側の少なくともリード部の各底面に封止シートを密着させる工程と、少なくとも前記リード部の端部に押圧力を付加し、前記リード部の底面を前記封止シートに押圧した状態で、前記リードフレームの上面側として前記半導体素子、ダイパッド部、金属細線、および前記リード部の底面と前記リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた切断部を除く領域を封止樹脂により樹脂封止する工程と、樹脂封止後に前記封止シートを前記リードフレームより除去する工程と、少なくとも前記リード部の切断部に対して第１の面側からブレードにより第１の切断溝を形成する工程と、前記第１の切断溝が形成されたリード部の切断部の第２の面側から再度ブレードにより第２の切断溝を形成して切断部を切断し、樹脂封止型半導体装置を得る工程とよりなる樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００２７】
また、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、金属板よりなるフレーム本体と、前記フレーム本体の略中央領域内に配設された半導体素子搭載用のダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を支持し、他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部と、少なくとも先端部が前記ダイパッド部に向かって延在し、他端部が前記フレーム枠と接続したリード部と、前記リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた切断部とよりなるリードフレームを用意する工程と、前記用意したリードフレームの前記ダイパッド部上に半導体素子を搭載する工程と、前記ダイパッド部上に搭載した前記半導体素子の主面上の電極パッドと、前記リードフレームのリード部の各上面とを金属細線により接続する工程と、少なくとも前記リードフレームの前記半導体素子、ダイパッド部、金属細線、および前記リード部の底面と前記リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた切断部を除く領域を封止樹脂により樹脂封止する工程と、少なくとも前記リード部の切断部に対して、その断面形状がＶ型である第１のブレードにより、断面Ｖ型の第１の切断溝を形成し、前記断面Ｖ型の第１の切断溝に対して第２のブレードにより第２の切断溝を形成して切断部を切断し、樹脂封止型半導体装置を得る工程とよりなる樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００２８】
また、金属板よりなるフレーム本体と、前記フレーム本体の略中央領域内に配設された半導体素子搭載用のダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を支持し、他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部と、少なくとも先端部が前記ダイパッド部に向かって延在し、他端部が前記フレーム枠と接続したリード部と、前記リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた切断部とよりなるリードフレームを用意する工程と、前記用意したリードフレームの前記ダイパッド部上に半導体素子を搭載する工程と、前記ダイパッド部上に搭載した前記半導体素子の主面上の電極パッドと、前記リードフレームのリード部の各上面とを金属細線により接続する工程と、前記リードフレームの裏面側の少なくともリード部の各底面に封止シートを密着させる工程と、少なくとも前記リード部の端部に押圧力を付加し、前記リード部の底面を前記封止シートに押圧した状態で、前記リードフレームの上面側として前記半導体素子、ダイパッド部、金属細線、および前記リード部の底面と前記リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた切断部を除く領域を封止樹脂により樹脂封止する工程と、樹脂封止後に前記封止シートを前記リードフレームより除去する工程と、少なくとも前記リード部の切断部に対して、その断面形状がＶ型である第１のブレードにより、断面Ｖ型の第１の切断溝を形成し、前記断面Ｖ型の第１の切断溝に対して第２のブレードにより第２の切断溝を形成して切断部を切断し、樹脂封止型半導体装置を得る工程とよりなる樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００２９】
その具体的手段は、第２のブレードはその先端部が平坦であるブレードを用いる樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００３０】
また、第２のブレードは第１のブレードと同等のブレードを用いる樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００３１】
また、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、金属板よりなるフレーム本体と、前記フレーム本体の略中央領域内に配設された半導体素子搭載用のダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を支持し、他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部と、少なくとも先端部が前記ダイパッド部に向かって延在し、他端部が前記フレーム枠と接続したリード部と、前記リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた切断部とよりなるリードフレームを用意する工程と、前記用意したリードフレームの前記ダイパッド部上に半導体素子を搭載する工程と、前記ダイパッド部上に搭載した前記半導体素子の主面上の電極パッドと、前記リードフレームのリード部の各上面とを金属細線により接続する工程と、少なくとも前記リードフレームの前記半導体素子、ダイパッド部、金属細線、および前記リード部の底面と前記リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた切断部を除く領域を封止樹脂により樹脂封止する工程と、少なくとも前記リード部の切断部に対して第１の幅を有する第１のブレードにより第１の切断溝を形成する第１の切断工程と、前記第１の切断溝に対して前記第１のブレードよりもブレード幅の小さい第２のブレードにより第２の切断溝を形成して切断部を切断し、樹脂封止型半導体装置を得る第２の切断工程とよりなる樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００３２】
また、金属板よりなるフレーム本体と、前記フレーム本体の略中央領域内に配設された半導体素子搭載用のダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を支持し、他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部と、少なくとも先端部が前記ダイパッド部に向かって延在し、他端部が前記フレーム枠と接続したリード部と、前記リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた切断部とよりなるリードフレームを用意する工程と、前記用意したリードフレームの前記ダイパッド部上に半導体素子を搭載する工程と、前記ダイパッド部上に搭載した前記半導体素子の主面上の電極パッドと、前記リードフレームのリード部の各上面とを金属細線により接続する工程と、前記リードフレームの裏面側の少なくともリード部の各底面に封止シートを密着させる工程と、少なくとも前記リード部の端部に押圧力を付加し、前記リード部の底面を前記封止シートに押圧した状態で、前記リードフレームの上面側として前記半導体素子、ダイパッド部、金属細線、および前記リード部の底面と前記リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた切断部を除く領域を封止樹脂により樹脂封止する工程と、樹脂封止後に前記封止シートを前記リードフレームより除去する工程と、少なくとも前記リード部の切断部に対して第１の幅を有する第１のブレードにより第１の切断溝を形成する第１の切断工程と、前記第１の切断溝に対して前記第１のブレードよりもブレード幅の小さい第２のブレードにより第２の切断溝を形成して切断部を切断し、樹脂封止型半導体装置を得る第２の切断工程とよりなる樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００３３】
その具体的手段は、第１のブレードの幅は１５０［μｍ］であり、第２のブレードの幅は１００［μｍ］であるブレードを用いる樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００３４】
また、第１のブレードはその断面形状がＶ型であるブレードを用いる樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００３５】
また、第２のブレードはその断面形状がＶ型であるブレードを用いる樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００３６】
また、第１のブレード，第２のブレードはその断面形状がそれぞれＶ型であるブレードを用いる樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００３７】
前記構成の通り、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、特に切断分離したリード部の端面に発生するカエリ部（金属バリ）の発生を抑えるものであり、特にリードカット工程では、リード部に対して徐々に切削を行い、またその切削をブレードの形状、幅、切断する面の方向を変えて実施することにより、１度に切削する量を低減し、回転ブレードの切削によるリード部材料である金属材のはね上がりの度合いを低減し、リード部の端面に残留するカエリ部の発生を抑えることができる。
【００３８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法の一実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００３９】
まず本実施形態のリードフレームについて説明する。
【００４０】
図１は本実施形態のリードフレームの一部分を示す図であり、図１（ａ）は平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＣ−Ｃ１箇所の断面図である。
【００４１】
図１に示すように、本実施形態のリードフレームは、フレーム枠１と、そのフレーム枠１内に、半導体素子が載置される矩形状のダイパッド部２と、ダイパッド部２の角部をその先端部で支持し、端部がフレーム枠１と接続した吊りリード部３と、半導体素子を載置した場合、その載置した半導体素子と金属細線等の接続手段により電気的に接続するビーム状のリード部４とより構成されている。そしてリード部４は、封止樹脂で封止された際、封止樹脂部に埋設される部分はインナーリード部４ａを構成し、封止樹脂部より露出する部分はアウターリード部４ｂを構成するものであり、インナーリード部４ａとアウターリード部４ｂとは、一体で連続して設けられている。図１において、破線で示した領域は、半導体素子を搭載して樹脂封止型半導体装置を構成する場合、封止樹脂で封止する領域を示しており、また一点鎖線で示した部分は、半導体素子を搭載して樹脂封止し、樹脂封止型半導体装置を構成した後、リード部４（アウターリード部４ｂ）を切断する切断部５を示している。
【００４２】
また、本実施形態のリードフレームは、図１（ｂ）に示すように、ダイパッド部２は吊りリード部３によって支持されているが、その吊りリード部３に設けたディプレス部によってダイパッド部２がリード部４上面に対して上方に配置されるよう、アップセットされているものである。
【００４３】
なお、リードフレームは、図１に示した構成よりなるパターンが１つではなく、複数個、左右、上下に連続して配列されるものである。
【００４４】
次に本実施形態のリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置について説明する。図２は、図１に示したリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置を示す図であり、図２（ａ）は、内部構成を破線で示した透視平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＤ−Ｄ１箇所の断面図である。
【００４５】
図２に示すように、リードフレームのダイパッド部２上に半導体素子６が搭載され、その半導体素子６とリード部４のインナーリード部４ａとが金属細線７により電気的に接続されている。そしてダイパッド部２上の半導体素子６、インナーリード部４ａの外囲は封止樹脂８により封止されている。そしてそのリード部４（インナーリード部４ａ）の底面部分は封止樹脂８の底面からスタンドオフを有して露出して、外部端子９を構成している。なお、封止樹脂８の側面からはアウターリード部４ｂが露出しているが、実質的に封止樹脂８の側面と同一面である。
【００４６】
次に本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法について説明する。
【００４７】
まず図３に示すように、フレーム枠と、そのフレーム枠内に、半導体素子が載置される矩形状であって、アップセットされたダイパッド部２と、ダイパッド部２の角部をその先端部で支持し、端部がフレーム枠と接続した吊りリード部と、半導体素子を載置した場合、その載置した半導体素子と金属細線等の接続手段により電気的に接続するビーム状のリード部４とを有したリードフレームを用意する。
【００４８】
そして図４に示すように、ダイパッド部２上に銀ペースト等の接着剤により半導体素子６を搭載しボンディングする。
【００４９】
次に図５に示すように、ダイパッド部２上に搭載された半導体素子６の表面の電極パッド（図示せず）とリード部４のインナーリード部４ａとを金属細線７により電気的に接続する。
【００５０】
次に図６に示すように、半導体素子６が搭載された状態のリードフレームの少なくともリード部４の底面に封止シート１０を密着させる。この封止シート１０はリード部４の底面に封止樹脂が回り込まないように保護し、リード部４の底面を露出させるための部材である。
【００５１】
次に図７に示すように、リードフレームを金型内に載置し、金型によりリード部４を封止シート１０に対して押圧した状態でエポキシ系樹脂よりなる封止樹脂８を注入し、リードフレームの外囲としてダイパッド部２、半導体素子６、リード部４の上面領域と金属細線７の接続領域を封止する。図８には外囲を封止樹脂８で封止した状態を示している。
【００５２】
次に図９に示すように、リードフレームのリード部４の底面に密着させていた封止シート１０をピールオフ等により除去する。
【００５３】
次に図１０に示すように、リード部４の切断箇所５に対して、回転ブレード１１でリードカットを行う。
【００５４】
そして図１１に示すように、リードフレームのダイパッド部２上に半導体素子６が搭載され、その半導体素子６とリード部４のインナーリード部４ａとが金属細線７により電気的に接続され、外囲が封止樹脂８により封止され、そしてそのリード部４（インナーリード部４ａ）の底面部分は封止樹脂８の底面からスタンドオフを有して露出して、外部端子９を構成するとともに、封止樹脂８の側面からはアウターリード部４ｂが露出し、実質的に封止樹脂８の側面と同一面を構成した樹脂封止型半導体装置を得るものである。
【００５５】
以上、本実施形態のリードフレームを用いて樹脂封止型半導体装置を製造する際、樹脂封止後のリードカット工程では、金型の切断刃に代えて、基板ダイシング等で用いるような回転ブレード１１で切削して切断することにより、切断されるリード部４（切断部５）に対しては、切断時の押圧力による衝撃が印加されず、リード部４、そのリード部４近傍の封止樹脂８に対するダメージを解消してリードカットすることができる。そのため、リード部、封止樹脂部に欠陥、欠損の発生をなくして信頼性の高い樹脂封止型半導体装置を得ることができる。
【００５６】
次に本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法で得られた樹脂封止型半導体装置に起こり得る別の課題について説明する。
【００５７】
図１２は本実施形態の樹脂封止型半導体装置の課題を示す断面図である。図１２に示す樹脂封止型半導体装置は、基本構成は前記した図２に示した樹脂封止型半導体装置と同様であるが、製造過程において、回転ブレードでリード部４の切断部５を切削してリードカットしているため、回転ブレードによる回転力とリード部４の素材である金属材料（銅材）との関係により、切断したリード部４のアウターリード部４ｂの面に金属材によるカエリ部１２（金属バリ）が形成されてしまう。このカエリ部１２により、樹脂封止型半導体装置を基板実装する際、実装不良を誘発したり、ハンダ接合時のハンダブリッジを起こしたりする可能性があり、カエリ部１２が発生しないようリードカット、または発生したカエリ部１２を除去する必要性が生じている。なお、図１２では、カエリ部１２は、リード部４の底面側に示しているが、リード部４の側面側、およびリード部４の上面側にも発生する場合もある。
【００５８】
通常、カエリ部１２の発生要因としては、リード切断で用いる回転ブレードの切削によって、リード部４を構成している材料である金属材（例えばＣｕ材）がはね上げられ、金属材の一部が薄膜状に突出し、カエリ部１２として切断されたリード部４の端面に残留するものと考えられる。
【００５９】
以下、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法について、主としてリード部４の側面側と底面側とに発生するカエリ部１２の除去、またはそれ自体の発生を防止する実施形態について、課題解決における実施形態として図面を参照しながら説明する。
【００６０】
まず本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法におけるカエリ部発生防止の実施形態の第１の実施形態について説明する。
【００６１】
図１３〜図１７は、樹脂封止型半導体装置の製造方法として、リードフレームのダイパッド部２上に半導体素子６を搭載し、リード部４と金属細線で電気的に接続し、外囲を封止樹脂８で封止した後のリードフレームから樹脂封止型半導体装置を分離する際のリードカット工程を示す断面図である。なお、それ以前の工程については、図３〜図９と同等である。
【００６２】
本実施形態では、図１３に示すように、樹脂封止後のリードフレームのダイパッド部２上に半導体素子６が搭載され、その半導体素子６の電極とリード部４のインナーリード部４ａとが金属細線７により接続され、外囲を封止樹脂８で封止された状態のリード部４の切断部５に対して、回転ブレード１１によりリード部４の上面部分に第１の切断溝１３を形成する。図１４には第１の切削溝１３を形成した状態を示す。
【００６３】
そして図１５，図１６に示すように、リード部４の上面に形成した第１の切断溝１３に対して、再度、回転ブレード１１により第２の切断溝１４を形成して切断部を切断し、リード部４をフレーム枠と分離して樹脂封止型半導体装置を得る。
【００６４】
図１７には、切断分離後のダイパッド部２上に半導体素子６が搭載され、その半導体素子６とリード部４のインナーリード部４ａとが金属細線７により電気的に接続され、外囲が封止樹脂８により封止され、そしてそのリード部４（インナーリード部４ａ）の底面部分は封止樹脂８の底面からスタンドオフを有して露出して、外部端子９を構成するとともに、封止樹脂８の側面からはアウターリード部４ｂが露出し、実質的に封止樹脂８の側面と同一面を構成した樹脂封止型半導体装置を示し、リード部４の切断した端面にはカエリ部の発生はない。
【００６５】
なお、本実施形態では、第１の切断溝１３を形成した後、第２の切断溝１４を形成してリード部４を切断するという２段階のブレードによるリード切断の実施形態を示したが、２段階ではなく、リードフレームの材質、回転ブレード１１の回転数、ブレード材質、切断時の被切断物の送り速度によっては、２段階ではなく、例えば３段階以上の複数回に分けて切断溝を形成し、リード部４の切断した端面部分へのカエリ部の発生を確実に防止することができる。
【００６６】
また、使用するブレードはその断面形状がＶ型であるブレードを用いることによっても、リード部４の切断した端面部分へのカエリ部の発生を低減できるものである。
【００６７】
以上、本実施形態では、樹脂封止した後のリードフレームに対して、リード切断して樹脂封止型半導体装置を分離する際、リード部の切断部に対して、２段階以上の複数回に分けて回転ブレードによる切断溝を形成していき、リード部を切断することにより、リード部の切断した端面部分へのカエリ部の発生を防止することができる。これはリード部の切断部を徐々に切断することにより、１度に切削する量を低減し、回転ブレードの切削によるリード部材料である金属材のはね上がりの度合いを低減し、リード部の端面に残留するカエリ部の発生を抑えることができるためである。
【００６８】
次に本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法におけるカエリ部発生防止の実施形態の第２の実施形態について説明する。
【００６９】
図１８〜図２２は、樹脂封止型半導体装置の製造方法として、リードフレームのダイパッド部２上に半導体素子６を搭載し、リード部４と金属細線で電気的に接続し、外囲を封止樹脂８で封止した後のリードフレームから樹脂封止型半導体装置を分離する際のリードカット工程を示す断面図であり、多段リードカットの変形形態である。なお、それ以前の工程については、図３〜図９と同等である。
【００７０】
本実施形態では、図１８、図１９に示すように、樹脂封止後のリードフレームのダイパッド部２上に半導体素子６が搭載され、その半導体素子６の電極とリード部４のインナーリード部４ａとが金属細線７により接続され、外囲を封止樹脂８で封止された状態のリード部４の切断部５に対して、回転ブレード１１によりリード部４の上面部分（第１の面）に第１の切断溝１３を形成する。
【００７１】
そして図２０に示すように、第１の切削溝１３を形成した状態のリードフレームの底面側（第２の面）から、回転ブレード１１によりリード部４の第１の切断溝１３に相当するリード部分に対して第２の切断溝を形成する。
【００７２】
そして図２１に示すように、第２の切断溝１４によりリード部４を切断し、リード部４をフレーム枠と分離して樹脂封止型半導体装置を得る。
【００７３】
図２２には、切断分離後のダイパッド部２上に半導体素子６が搭載され、その半導体素子６とリード部４のインナーリード部４ａとが金属細線７により電気的に接続され、外囲が封止樹脂８により封止され、そしてそのリード部４（インナーリード部４ａ）の底面部分は封止樹脂８の底面からスタンドオフを有して露出して、外部端子９を構成するとともに、封止樹脂８の側面からはアウターリード部４ｂが露出し、実質的に封止樹脂８の側面と同一面を構成した樹脂封止型半導体装置を示し、リード部４の切断した端面にはカエリ部の発生はない。
【００７４】
なお、使用するブレードはその断面形状がＶ型であるブレードを用いることによっても、リード部４の切断した端面部分へのカエリ部の発生を低減できるものである。
【００７５】
以上、本実施形態では、樹脂封止した後のリードフレームに対して、リード切断して樹脂封止型半導体装置を分離する際、リード部に第１の切断部を形成した後、その第１の切断部の裏面側から第２の切断部を形成することによってリード部を切断することにより、リード部の切断した端面部分へのカエリ部の発生を防止することができる。これはリード部の切断部を徐々に切断することにより、１度に切削する量を低減し、回転ブレードの切削によるリード部材料である金属材のはね上がりの度合いを低減し、リード部の端面に残留するカエリ部の発生を抑えることができるためである。
【００７６】
次に本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法におけるカエリ部発生防止の実施形態の第３の実施形態について説明する。
【００７７】
図２３〜図２６は、樹脂封止型半導体装置の製造方法として、リードフレームのダイパッド部２上に半導体素子６を搭載し、リード部４と金属細線で電気的に接続し、外囲を封止樹脂８で封止した後のリードフレームから樹脂封止型半導体装置を分離する際のリードカット工程を示す断面図であり、多段リードカットの変形形態である。なお、それ以前の工程については、図３〜図９と同等である。
【００７８】
本実施形態では、図２３に示すように、樹脂封止後のリードフレームのダイパッド部２上に半導体素子６が搭載され、その半導体素子６の電極とリード部４のインナーリード部４ａとが金属細線７により接続され、外囲を封止樹脂８で封止された状態のリード部４の切断部５に対して、第１のブレードとして、ブレード先端の断面形状がＶ型の回転ブレード１５によりリード部４の上面部分にＶ型の第１の切断溝１６を形成する。図２４にはＶ型の第１の切削溝１６を形成した状態を示す。
【００７９】
そして図２５に示すように、リード部４の上面に形成したＶ型の第１の切断溝１６に対して、再度、第２のブレードとして、通常用いるブレード先端が平坦な回転ブレード１１により第２の切断溝を形成して切断部を切断し、リード部４をフレーム枠と分離して樹脂封止型半導体装置を得る。
【００８０】
図２６には樹脂封止型半導体装置を切断分離した状態を示し、ダイパッド部２上に半導体素子６が搭載され、その半導体素子６とリード部４のインナーリード部４ａとが金属細線７により電気的に接続され、外囲が封止樹脂８により封止され、そしてそのリード部４（インナーリード部４ａ）の底面部分は封止樹脂８の底面からスタンドオフを有して露出して、外部端子９を構成するとともに、封止樹脂８の側面からはアウターリード部４ｂが露出し、実質的に封止樹脂８の側面と同一面を構成した樹脂封止型半導体装置を示し、リード部４の切断した端面にはカエリ部の発生はない。図２６中、切断分離した部分が第２の切断溝１４を示している。
【００８１】
また本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、切断分離の際に形成した第１の切断溝１６がＶ型であるため、その形状が残り、リード部４の切断した端面の上面部分（アウターリード部４ｂ）は、テーパー状（ベベル形状）を有しているものであり、基板実装時のハンダ接合においては、ハンダのフィレットがよりリード表面に形成されるため、樹脂封止型半導体装置として実装強度が向上する構造を有している。
【００８２】
なお、本実施形態では、Ｖ型の第１の切断溝１６を形成した後、第２の切断溝１４を形成してリード部４を切断するという２段階のブレードによるリード切断の実施形態を示したが、２段階ではなく、リードフレームの材質、回転ブレード１１の回転数、ブレード材質、切断時の被切断物の送り速度によっては、２段階ではなく、例えば３段階の複数回に分けて切断溝を形成し、リード部４の切断した端面部分へのカエリ部の発生を確実に防止することができる。
【００８３】
また、第２のブレードとして、第１のブレードと同様にその断面形状がＶ型であるブレードを用いることによっても、リード部４の切断した端面部分へのカエリ部の発生を低減できるものである。
【００８４】
以上、本実施形態では、樹脂封止した後のリードフレームに対して、リード切断して樹脂封止型半導体装置を分離する際、リード部の切断部に対して、複数回に分けて回転ブレードによる切断溝を順次形成していき、リード部を切断することにより、リード部の切断した端面部分へのカエリ部の発生を防止することができる。これはリード部の切断部を徐々に切断することにより、１度に切削する量を低減し、回転ブレードの切削によるリード部材料である金属材のはね上がりの度合いを低減し、リード部の端面に残留するカエリ部の発生を抑えることができるためである。またＶ型のブレードによってＶ型の切断溝を形成することにより、リード部の断面方向への切断を徐々に行うため、リード部端面への垂直位置への回転ブレードの切削によるリード部材料である金属材のはね上がりの度合いを低減し、リード部の端面に残留するカエリ部の発生を抑えることができる。
【００８５】
次に本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法におけるカエリ部発生防止の実施形態の第４の実施形態について説明する。
【００８６】
図２７〜図３１は、樹脂封止型半導体装置の製造方法として、リードフレームのダイパッド部２上に半導体素子６を搭載し、リード部４と金属細線で電気的に接続し、外囲を封止樹脂８で封止した後のリードフレームから樹脂封止型半導体装置を分離する際のリードカット工程を示す断面図であり、多段リードカットの変形形態である。なお、それ以前の工程については、図３〜図９と同等である。
【００８７】
本実施形態では、図２７に示すように、樹脂封止後のリードフレームのダイパッド部２上に半導体素子６が搭載され、その半導体素子６の電極とリード部４のインナーリード部４ａとが金属細線７により接続され、外囲を封止樹脂８で封止された状態のリード部４の切断部５に対して、第１のブレードとして、ブレード幅が通常使用するブレードよりも広い幅広の回転ブレード１７により、リード部４の上面部分に切削して第１の切断溝１８を形成する。図２８には第１の切削溝１８を形成した状態を示す。
【００８８】
そして図２９，図３０に示すように、リード部４の上面に形成した第１の切断溝１８に対して、再度、第２のブレードとして、通常用いるブレード先端が平坦な回転ブレード１１により第２の切断溝１４を形成して切断部を切断し、リード部４をフレーム枠と分離して樹脂封止型半導体装置を得る。すなわち、第２のブレードは第１のブレードよりも幅が狭いブレードで切断するものである。図３０中、切断分離した部分が第２の切断溝１４を示している。
【００８９】
図３１には樹脂封止型半導体装置を切断分離した状態を示し、ダイパッド部２上に半導体素子６が搭載され、その半導体素子６とリード部４のインナーリード部４ａとが金属細線７により電気的に接続され、外囲が封止樹脂８により封止され、そしてそのリード部４（インナーリード部４ａ）の底面部分は封止樹脂８の底面からスタンドオフを有して露出して、外部端子９を構成するとともに、封止樹脂８の側面からはアウターリード部４ｂが露出し、実質的に封止樹脂８の側面と同一面を構成した樹脂封止型半導体装置を示し、リード部４の切断した端面にはカエリ部の発生はない。
【００９０】
また本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、使用するブレードの違いにより、切断分離の際に形成した第１の切断溝１８が第２の切断溝１４よりも幅広であるため、その段差形状が残り、リード部４の切断した端面の上面部分（アウターリード部４ｂ）は、階段状の段差形状を有しているものであり、基板実装時のハンダ接合においては、ハンダのフィレットがよりリード表面に形成されるため、樹脂封止型半導体装置として実装強度が向上する構造を有している。
【００９１】
なお、本実施形態では、幅広の第１の切断溝１８を形成した後、第２の切断溝１４を形成してリード部４を切断するという２段階のブレードによるリード切断の実施形態を示したが、２段階ではなく、リードフレームの材質、回転ブレード１１の回転数、ブレード材質、切断時の被切断物の送り速度によっては、２段階ではなく、例えば３段階以上の複数回に分けて切断溝を形成し、リード部４の切断した端面部分へのカエリ部の発生を確実に防止することができる。
【００９２】
また、本実施形態の回転ブレードとしては、第１のブレード１７の幅は、１００〜２００［μｍ］であって、好ましくは１５０［μｍ］であり、第２のブレード１１の幅は、５０［μｍ］〜１００［μｍ］であって、好ましくは１００［μｍ］である。
【００９３】
また、第２のブレードとして、その断面形状がＶ型であるブレードを用いることによっても、リード部４の切断した端面部分へのカエリ部の発生を低減できるものである。
【００９４】
以上、本実施形態では、樹脂封止した後のリードフレームに対して、リード切断して樹脂封止型半導体装置を分離する際、リード部の切断部に対して、複数回に分けて回転ブレードによる切断溝を順次形成していき、リード部を切断することにより、リード部の切断した端面部分へのカエリ部の発生を防止することができる。これはリード部の切断部を徐々に切断することにより、１度に切削する量を低減し、回転ブレードの切削によるリード部材料である金属材のはね上がりの度合いを低減し、リード部の端面に残留するカエリ部の発生を抑えることができるためである。またＶ型のブレードによってＶ型の切断溝を形成することにより、リード部の断面方向への切断を徐々に行うため、リード部端面への垂直位置への回転ブレードの切削によるリード部材料である金属材のはね上がりの度合いを低減し、リード部の端面に残留するカエリ部の発生を抑えることができる。
【００９５】
さらに本実施形態では、フレーム枠内に１つのダイパッド部と、それに対向して配置された複数のリード部とにより構成されたユニットをその領域内に複数ユニット有したリードフレームに対して、各ユニットごとに樹脂封止してパッケージ部を構成し、各ユニット間に露出したリード部をその切断部で切断する例を示したが、本実施形態で示したように、リード部に対して徐々に切削を行い、またその切削をブレードの形状、幅、切断する面の方向を変えてリードカットを実施する手段によって、一括成形としてリードフレーム内の各ユニットを包括して全面樹脂封止し、各ユニット間のリード部の上面、すなわち各ユニット間のリード部の切断部に封止樹脂が形成された場合においても、同様な作用効果を奏するものである。
【００９６】
以上、リード部の側面側と底面側とに発生するカエリ部の除去、またはそれ自体の発生を防止する各実施形態について説明した通り、リード部に対して徐々に切削を行い、またその切削をブレードの形状、幅、切断する面の方向を変えて実施することにより、１度に切削する量を低減し、回転ブレードの切削によるリード部材料である金属材のはね上がりの度合いを低減し、リード部の端面に残留するカエリ部の発生を抑えることができる。もちろん各実施形態で示したブレード幅、ブレード形状、切削する面の方向等については、組み合わせることによっても、リード部の端面に残留するカエリ部の発生を抑えることができる。
【００９７】
【発明の効果】
以上、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、樹脂封止後のリードカット工程では、金型の切断刃に代えて、基板ダイシング等で用いるような回転ブレードで切削して切断することにより、切断されるリード部に対しては、切断時の押圧力による衝撃が印加されず、リード部、そのリード部近傍の封止樹脂に対するダメージを解消してリードカットすることができる。そのため、リード部、封止樹脂部に欠陥、欠損の発生をなくして信頼性の高い樹脂封止型半導体装置を得ることができる。
【００９８】
また、リードカット工程では、リード部に対して徐々に切削を行い、またその切削をブレードの形状、幅、切断する面の方向を変えて実施することにより、１度に切削する量を低減し、回転ブレードの切削によるリード部材料である金属材のはね上がりの度合いを低減し、リード部の端面に残留するカエリ部の発生を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態のリードフレームを示す図
【図２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図
【図３】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図４】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図５】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図６】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図７】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図８】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図９】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図１０】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図１１】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図１２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の課題を示す断面図
【図１３】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図１４】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図１５】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図１６】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図１７】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図１８】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図１９】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図２０】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図２１】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図２２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図２３】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図２４】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図２５】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図２６】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図２７】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図２８】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図２９】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図３０】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図３１】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図３２】従来のリードフレームを示す図
【図３３】従来の樹脂封止型半導体装置を示す図
【図３４】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図３５】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図３６】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図３７】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図３８】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図３９】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図４０】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図４１】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図４２】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【符号の説明】
１  フレーム枠
２  ダイパッド部
３  吊りリード部
４  リード部
５  切断部
６  半導体素子
７  金属細線
８  封止樹脂
９  外部端子
１０  封止シート
１１  回転ブレード
１２  カエリ部
１３  第１の切断溝
１４  第２の切断溝
１５  Ｖ型の回転ブレード
１６  Ｖ型の第１の切断溝
１７  幅広の回転ブレード
１８  第１の切断溝
１０１  フレーム枠
１０２  ダイパッド部
１０３  吊りリード部
１０４  リード部
１０５  半導体素子
１０６  金属細線
１０７  封止樹脂
１０８  外部端子
１０９  封止シート
１１０  切断部
１１１  切断刃
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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