(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも光により記録及び再生する光学的記憶媒体において、
物理的形状の変化により構成されるグルーブとランドを有する基板と、
前記基板に設けられた記録層とを有し、
前記グルーブ又はランドは、前記光照射により前記記録層を前記グルーブ又はランドで分離し、記録密度を高めるためのアニール処理の有無を示すアニール管理情報を書き換え可能に有することを
特徴とする光学的記憶媒体。
【請求項２】
請求項１の光学的記憶媒体において、
前記ランド又はグルーブのアニール領域に、ピット形状のコンテンツを形成したことを
特徴とする光学的記憶媒体。
【請求項３】
少なくとも光により記録及び再生する光学的記憶媒体の製造方法において、
物理的形状の変化により構成されるグルーブとランドを有する基板を形成するステップと、
前記基板に記録層を形成するステップと、
前記グルーブ又はランドに、前記光照射により前記記録層を前記グルーブ又はランドで分離し、記録密度を高めるためのアニール処理の有無を示すアニール管理情報を書き換え可能に形成するステップとを有することを
特徴とする光学的記憶媒体の製造方法。
【請求項４】
請求項３の光学的記憶媒体の製造方法において、
前記基板を形成するステップは、前記ランド又はグルーブのアニール領域に、ピット形状のコンテンツを形成するステップを有することを
特徴とする光学的記憶媒体の製造方法。
【請求項５】
光学的記憶媒体を少なくとも光により記録及び再生する光学的記憶装置において、
物理的形状の変化により構成されるグルーブとランドと、記録層を有する光学的記憶媒体を読み取る光学ヘッドと、
前記光学的記憶媒体から読み取ったアニール処理の有無を示すアニール管理情報に応じて、光照射により前記記録層を前記グルーブ又はランドで分離し、記録密度を高めるためのアニール処理を実行するコントローラとを有することを
特徴とする光学的記憶装置。
【請求項６】
請求項５の光学的記憶装置において、
前記コントローラは、前記アニール処理後、前記光学的記録媒体の前記アニール管理情報を更新することを
特徴とする光学的記憶装置。
【請求項７】
請求項５の光学的記憶装置において、
前記コントローラは、前記光学的記憶媒体の前記アニール管理情報を参照して、前記光学的記憶媒体のユーザー領域への記録密度を決定することを
特徴とする光学的記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】  本発明は、光学ヘッドにより光学的に記録及び再生を行うための光学的記憶媒体、光学的記憶媒体の製造方法及び光学的記憶装置に関し、特に、グルーブ又はランドで区分された各ランド又はグルーブの記録層に、データを記録、再生する光学的記憶媒体、光学的記憶媒体の製造方法及び光学的記憶装置に関する。
【背景技術】  情報記録メディアの高密度化競争は激化しており、それに伴い１個の記録メディア当たりの大容量化が進んでいる。一方、情報記録メディアの価格も激化しており、低価格化が進んでいる。１個の記録メディアあたり大容量化により、媒体のサーティファイ（品質保証）や初期化に要する時間が増大し、品質保証含めた製造コストが増大する傾向にある。
例えば、光磁気ディスク（ＭＯ  Ｄｉｓｋ）においては、ＤＷＤＤ（Ｄｏｍａｉｎ  Ｗａｌｌ  Ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ  Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）の採用により、ほぼ同じ光学系を用いながら、従来のＭｉｎｉ  Ｄｉｓｋの１０倍近い記録容量を実現している。このＤＷＤＤを用いた更なる高密度化のために、深溝基板を用いたランドグルーブ記録や、ＬａｎｄとＧｒｏｏｖｅの側壁をアニールし、トラック間の記録データの干渉を防止し、狭トラックを実現することが提案されている（例えば、非特許文献１、特許文献１）。
このような磁壁移動検出においては、磁壁が、トラック方向のみならず、トラック横断方向にも移動する。この磁区のトラック横断方向の移動は、トラック間のデータの干渉を招く。図３１、図３２により、具体的に説明する。図３１に示すように、ＭＯ基板４００に、ランド４０２で分離されたグルーブ４０４が形成されている。グルーブ４０４のトラックには、ビームスポット４１２により、光磁気記録マーク４１０が記録され、同様に、ビームスポット４１２により、再生される。
図３２に示すように、基板４００には、ランド４０２、グルーブ４０４に渡って、記録層４０６が一様に形成されている。アニール処理は、例えば、ランド４０２に強度の強いレーザー光４２０を照射して、基板４００内部の記録層４０６を切断乃至機能低下する。同様に、ランド４０２とグルーブ４０４間の高さ、即ち溝を深くすることにより、同様のトラック間の干渉防止が期待できる。
［非特許文献１］論文「１５Ｇｂｉｔ／ｉｎ２  ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ  ｏｎ  ａ  ＤＷＤＤ  ｄｉｓｃ  ｕｓｉｎｇ  ａ  ｌａｎｄ／ｇｒｏｏｖｅ  ｓｕｂｓｔｒａｔｅ  ｗｉｔｈ  ａ  ｒｅｄ  ｌａｓｅｒ  ｅｎａｂｌｅｄ  ｂｙ  ａ  ｓｉｄｅ−ｗａｌｌ−ａｎｎｅａｌｉｎｇ  ｐｒｏｃｅｓｓ」、ＳＰＩＥ（Ｔｈｅ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ  ｆｏｒ  ｏｐｔｉｃａｌ  Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ）Ｖｏｌ．５０６９（２００３年ＳＰＩＥ）
［特許文献１］特開平１１−２７３１７０号公報
しかしながら、深溝基板を用いたランドグルーブ記録方法では、狭トラックピッチ化により、ランドおよびグルーブの両方で、特性を満足するような深溝を形成することが困難になってくる。
一方、ランドや側壁をアニール処理する際には、記録媒体へのフォーカシングおよび各トラックの側壁へのトラッキングが必要となる。このため、アニール処理を何万トラックという記録媒体全面に施すには、非常に長い時間（例えば、一枚当たり１５分程度）を必要とし、記録媒体の製造メーカーで、この処理を行うため、製造コストがかなりアップする。
【発明の開示】
従って、本発明の目的は、媒体製造メーカーでアニール処理しなくても、高密度記録可能な光学的記憶媒体、光学的記憶媒体の製造方法及び光学的記憶装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、アニール処理していない記憶媒体を提供しても、高密度記録可能な記憶媒体に変更するための光学的記憶媒体、光学的記憶媒体の製造方法及び光学的記憶装置を提供することにある。
更に、本発明の他の目的は、高密度記録媒体の製造コストを低減するための光学的記憶媒体、光学的記憶媒体の製造方法及び光学的記憶装置を提供することにある。
この目的の達成のため、本発明の光学的記憶媒体は、少なくとも光により記録及び再生する光学的記憶媒体において、物理的形状の変化により構成されるグルーブとランドを有する基板と、前記基板に設けられた記録層とを有し、前記グルーブ又はランドは、前記光照射により前記記録層を前記グルーブ又はランドで分離し、記録密度を高めるためのアニール処理の有無を示すアニール管理情報を書き換え可能に有する。
又、本発明の光学的記憶媒体では、好ましくは、前記アニール管理情報は、前記グルーブ又はランドに、ピット形状で形成された。
又、本発明の光学的記憶媒体では、好ましくは、前記アニール管理情報は、前記グルーブ又はランドの前記記録層に形成された。
又、本発明の光学的記憶媒体では、好ましくは、前記アニール管理情報が形成されたシステム領域とユーザー領域とを有する。
又、本発明の光学的記憶媒体では、好ましくは、前記記録層が、光磁気層で構成された。
又、本発明の光学的記憶媒体では、好ましくは、前記ランド又はグルーブのアニール領域に、ピット形状のコンテンツを形成した。
更に、本発明の光学的記憶媒体の製造方法は、物理的形状の変化により構成されるグルーブとランドを有する基板を形成するステップと、前記基板に記録層を形成するステップと、前記グルーブ又はランドに、前記光照射により前記記録層を前記グルーブ又はランドで分離し、記録密度を高めるためのアニール処理の有無を示すアニール管理情報を書き換え可能に形成するステップとを有する。
又、本発明の光学的記憶媒体の製造方法は、好ましくは、前記アニール管理情報を形成するステップは、前記グルーブ又はランドに、ピット形状で形成するステップからなる。
又、本発明の光学的記憶媒体の製造方法は、好ましくは、前記アニール管理情報を形成するステップは、前記グルーブ又はランドの前記記録層に形成するステップからなる。
又、本発明の光学的記憶媒体の製造方法は、好ましくは、前記基板を形成するステップは、前記ランド又はグルーブのアニール領域に、ピット形状のコンテンツを形成するステップを有する。
更に、本発明の光学的記憶装置は、物理的形状の変化により構成されるグルーブとランドと、記録層を有する光学的記憶媒体を読み取る光学ヘッドと、前記光学的記憶媒体から読み取ったアニール処理の有無を示すアニール管理情報に応じて、光照射により前記記録層を前記グルーブ又はランドで分離し、記録密度を高めるためのアニール処理を実行するコントローラとを有する。
又、本発明の光学的記憶装置では、好ましくは、前記光学ヘッドは、前記グルーブ又はランドに、ピット形状で形成された前記アニール管理情報を読み取る。
又、本発明の光学的記憶装置では、好ましくは、前記光学ヘッドは、前記グルーブ又はランドの前記記録層に形成された前記アニール管理情報を読み取る。
又、本発明の光学的記憶装置では、好ましくは、前記光学ヘッドは、アニール管理情報が形成されたシステム領域とユーザー領域とを有する前記光学的記憶媒体を読み取り、前記コントローラは、前記アニール管理情報に応じて、前記ユーザー領域をアニール処理する。
又、本発明の光学的記憶装置では、好ましくは、前記光学的記憶媒体の前記記録層が、光磁気層で構成された。
又、本発明の光学的記憶装置では、好ましくは、前記光学ヘッドは、前記ランド又はグルーブのアニール領域に形成されたピット形状のコンテンツを、前記アニール処理時に読み出す。
又、本発明の光学的記憶装置では、好ましくは、前記コントローラは、前記アニール処理後、前記光学的記録媒体の前記アニール管理情報を更新する。
又、本発明の光学的記憶装置では、好ましくは、前記コントローラは、前記光学的記憶媒体の前記アニール管理情報を参照して、前記光学的記憶媒体のユーザー領域への記録密度を決定する。
又、本発明の光学的記憶装置では、好ましくは、前記コントローラは、前記光学的記憶媒体の前記アニール管理情報がアニール済みを示す時は、前記光学的記憶媒体のユーザー領域へ比較的高密度で記録再生し、前記光学的記憶媒体の前記アニール管理情報がアニール済みでないことを示す時は、前記光学的記憶媒体のユーザー領域へ比較的低密度で、記録再生する。
又、本発明の光学的記憶装置では、好ましくは、前記コントローラは、前記光学的記憶媒体の前記アニール管理情報がアニール済みでないことを示す時に、前記光学的記憶媒体のユーザー領域のアニール処理を実行する。
【図面の簡単な説明】  図１は、本発明の一実施の形態の光学的記憶媒体の膜構成を示す断面図である。
図２は、図１の媒体のピットとＭＯマークとの関係図である。
図３は、図１の媒体のアニール管理領域の説明図である。
図４は、図３のアニール管理領域の記録方法の説明図である。
図５は、図３のアニール管理領域の管理情報の説明図である。
図６は、図３のアニール管理領域の他の管理情報の説明図である。
図７は、本発明の一実施の形態の光学的記憶装置の全体ブロック図である。
図８は、図７のドライブの信号処理系のブロック図である。
図９は、図８のディテクタの配置と生成信号の関係図である。
図１０は、本発明の第１の実施の形態の記録密度変更システムの構成図である。
図１１は、本発明の第１の実施の形態の記録密度変更処理のフロー図である。
図１２は、図１１の照射光パワーと印加磁界強度との関係図である。
図１３は、記録ピークパワーとＭＯジッターの関係図である。
図１４は、ピット再生パワーとＭＯジッターの関係図である。
図１５は、図１１のアニール管理情報の記録処理フロー図である。
図１６は、図１１のアニール管理情報の他の記録処理の説明図である。
図１７は、本発明の第１の実施の形態の他の記録密度変更処理のフロー図である。
図１８は、本発明の記録密度変更方法の第２の実施の形態の処理フロー図である。
図１９は、図１８のためのコンテンツ管理テーブルの説明図である。
図２０は、本発明の記録密度変更方法の第２の実施の形態の他の処理フロー図である。
図２１は、本発明の記録密度変更方法の第２の実施の形態の更に他の処理フロー図である。
図２２は、図２１のアニール管理領域の構成図である。
図２３は、本発明の他の実施の形態のアニール管理領域の説明図である。
図２４は、本発明の他の実施の形態のトラック構成図である。
図２５は、本発明の光学的記憶媒体の製造方法の第１の実施の形態の説明図である。
図２６は、本発明の光学的記憶媒体の製造方法の第２の実施の形態の説明図である。
図２７は、本発明の他の実施の形態の光学的記憶媒体の膜構成図である。
図２８は、図２７の媒体のピットと相変化マークとの関係図である。
図２９は、図２７の照射光パワーと相変化マークの関係図である。
図３０は、本発明の記録密度変更方法の第３の実施の形態の処理フロー図である。
図３１は、従来の光学的記憶媒体の構成図である。
図３２は、従来のアニール処理の説明図である。
【発明を実施するための最良の形態】  以下、本発明の実施の形態を、光学的記憶媒体、光学的記憶装置、記録密度変更方法の第１の実施の形態、第２の実施の形態、他のアニール処理、光学的記憶媒体の製造方法、他の光学的記憶媒体の記録密度変更方法、他の実施の形態の順で説明する。
［光学的記憶媒体］
図１は、本発明の一実施の形態の光学的記憶媒体の膜構成を示す断面図、図２は、図１の媒体のピットとＭＯマークとの関係図、図３は、図１の媒体のアニール管理領域の説明図、図４は、図３のアニール管理領域の記録方法の説明図、図５は、図３のアニール管理領域の管理情報の説明図、図６は、図３のアニール管理領域の他の管理情報の説明図である。
図１は、光学的記憶媒体として、前述のＤＷＤＤディスクの膜構成を示す。図１に示すように、ＤＷＤＤディスク４は、光学的に透明なプラスチック基板４Ａ上に、順番にＳｉＮｘ等の誘電体層４Ｂ，ＧｄＦｅＣｏからなる再生層４Ｃ、低いキュリー温度組成のＴｂＦｅＣｏからなるスイッチング層４Ｄ、高いキュリー温度を有するＴｂＦｅＣｏからなる記録層４Ｅ、ＳｉＮｘ等の誘電体層４Ｆ、Ａｌ等の金属保護層４Ｇが一般にスパッタリング法により形成される。
この再生層４Ｃとスイッチング層４Ｄの間には、磁壁の移動を調整するコントロール層を別途設けても良い。金属保護層４Ｇの上には、一般に紫外線硬化型の樹脂層４Ｈがスピンコート法により形成され、スピンコート後の紫外線の照射により、樹脂層４Ｈが、安定化する。ランド（ピットを含む）やグルーブの物理的構造は、このプラスチック基板４Ａにより、後述するスタンパ法で形成される。
このＤＷＤＤディスク４は、照射光Ｘを照射すると、記録媒体進行方向Ｙに、スイッチング層４Ｄに高温領域ＨＴＡを作成され、再生層４Ｃから記録層４Ｅへの磁化転移が生じ（記録）、記録層４Ｅから再生層４Ｃへの磁化遷移が生じ（読み出し）、光の解像度以上の密度で、記録／再生が可能となる。
図２は、図１のＤＷＤＤを用いた情報記憶媒体基板のランド、グルーブ構成を示す摸式図であり、情報記憶媒体のピットとＭＯマークとの関係を示す。ＭＯマーク４１０の記録再生にあたっては、ピット列４−１のピット４１４が、案内溝（ランド）の役割を果たす。即ち、この例は、ランドを、情報ピット４１４で形成し、グルーブに、ＭＯ信号列４−２を記録したものである。
この例では、アニール処理を兼ねたピット情報の再生を行う。この再生時には、ピット列４−１のほぼ中心に、ビームスポット４１６を集光させる。ＭＯ信号４１０の記録または再生時には、ピット列４−１間のほぼ中心に、ビームスポット４１２を集光させる。アニール処理領域４１８は、ＭＯ信号列４−２の間のピット列４−１である。
又、この例では、例えば、直径φ９０ｍｍのディスク形状に、トラックピッチ（ピット列４−１間隔）１μｍ、ピット幅０．３５μｍ、ピット深さ９０ｎｍの基板を使用している。図２では、グルーブ部にのみＭＯマークを記録しているが、ランド部またはランドとグルーブの両方に記録を行っても良い。又、後述するように、ピットの代わりに、ランドを形成しても良い。
図３は、図２の記憶媒体４のアニール管理領域の説明図、図４は、図３のアニール管理領域の記録方法の説明図、図５及び図６は、図３のアニール処理の状態と管理領域のデータとの関係図である。図３の例では、ディスク４の最内周に設けたシステム領域（ディスクの仕様、ディスクの領域情報等を格納する）に、アニール管理領域４０を設けている。従って、最内周側のシステム領域以外は、データ領域４２として、ユーザーに開放される。
図３に示すように、アニール管理領域４０は、ユーザー領域４２がアニール処理済みか否かを示す管理情報を格納するものであり、媒体製造メーカーの出荷時には、アニール処理未が記録される。このアニール管理領域４０の記録方法として、１つは、光磁気信号４０−１で記録する方法であり、もう１つは、ピット信号４０−２で記録する方法である。
即ち、図４に示すように、光磁気記録方式で記録する方法には、この管理領域を含めたシステム領域を、アニール処理無しで記録する場合と、アニール処理してから記録する場合がある。媒体製造メーカーで、アニール処理しないで管理情報を記録した場合に、この領域は、低密度記録される。一方、媒体製造メーカーで、アニール処理して、管理情報を記録した場合には、この領域は、高密度記録される。
又、ピット記録の場合には、基板４にピットにより、ＲＯＭ信号として、管理情報を記録する。アニール処理が行われると、高パワーレーザー処理により、この管理情報のピットを破壊し、アニール処理済みを示す。いずれも、媒体の出荷時には、ユーザー領域４２は、アニール処理されていない。
このアニール管理情報は、図５に示すように、アニール済みなら、「１」、未アニールなら、「０」の値を格納する。図６の例では、更に、管理情報に、ユーザー領域４２のデータ記録状態を反映したものである。即ち、未アニールで、データ部が未記録なら、「００」、未アニールで、データ部に低密度記録済みなら、「０１」、アニール済みで、データ部が未記録なら、「１０」、アニール済みで、データ部に高密度記録済みなら、「１１」の値を格納する。
このように、本発明では、光学記憶媒体４を、アニール処理しないで、媒体メーカーから提供し、アニール処理の実行可否をユーザーに任せる。このため、光学記憶媒体４に、アニール管理領域４０を設け、アニールした場合に、この管理領域４０の情報を更新し、アニール済みが未アニールかを光学的記憶装置に認識させ、高密度記録か低密度記録かを判断させるものである。
［光学的記憶装置］
次に、本発明にかかわる光学的記憶装置を説明する。図７は、本発明の一実施の形態の光学的記憶装置の全体ブロック図、図８は、図７のドライブの信号処理系のブロック図、図９は、図８のディテクタの配置と生成信号の関係図である。
図７は、光学的記憶装置として、光磁気ディスクドライブを示す。図７に示すように、モーター１８は、光情報記録媒体（ＭＯディスク）４を回転する。通常、ＭＯディスク４は、図１乃至図３で説明したリムーバブルな媒体であり、図示しないドライブの挿入口から挿入される。光ピックアップ５は、この光情報記録媒体４を挟むように配置された磁気ヘッド３５と光学ヘッド７とを有する。
光ピックアップ５は、ボールネジ送り機構等のトラックアクチュエータ６により移動し、光情報記録媒体４の半径方向の任意の位置へアクセスが可能である。又、光学ヘッド７のレーザーダイオードＬＤを駆動するＬＤ（レーザーダイオード）ドライバ３１と、光ピックアップ５の磁気ヘッド３５を駆動する磁気ヘッドドライバ３４とが設けられる。
アクセス用サーボコントローラ１５−２は、光学ヘッド７からの出力により、トラックアクチュエータ６と、モーター１８と、光学ヘッド７のフォーカスアクチュエータ１９をサーボ制御する。コントローラ１５−１は、ＬＤドライバ３１、磁気ヘッドドライバ３４、アクセス用サーボコントローラ１５−２を稼動させて、情報の記録再生を行う。
光学ヘッド７の詳細を、図８で説明する。発振波長約λ＝６６０ｎｍのレーザーダイオードＬＤより出射された光は、コリメータレンズ１０により平行光となり、偏光ビームスプリッター１１を介して対物レンズ１６により、情報記録媒体４に集光される。ここで、レーザーダイオードＬＤから出射された発散光は、前記コリメータレンズ１０により、開口数約ＮＡ＝０．１８が平行光とされ、そのうち、ＮＡ＝０．１５分が、対物レンズ１６の有効成分として利用される。対物レンズ１６はＮＡ＝０．５５であり、厚み約１．２ｍｍの前記光記録媒体４の記録膜上に、径約φ＝１μｍのビームスポットが形成される。
レーザーダイオードＬＤからの出射光は、直線偏光であり、偏光ビームスプリッター１１の特性は、Ｐ偏光成分を７０％透過、３０％反射し、Ｓ偏光成分をほぼ１００％反射する構成である。この偏光ビームスプリッター１１に対して、Ｐ偏光として入射した光のうち、約３０％は反射され、集光レンズ１２によりＡＰＣ（Ａｕｔｏ  Ｐｏｗｅｒ  Ｃｏｎｔｒｏｌ）用ディテクター１３上に集光される。
ＬＤコントローラ（ドライバ）３１は、ＡＰＣ用ディテクター１３からの出力信号より負帰還を掛けて、レーザーダイオードＬＤの発光パワーを調整する。一方、光情報記録媒体４上に集光された光は、再生層の磁化の向きに応じて、約±０．８度のカー回転角度を有する光として反射される。
この反射光は、再び対物レンズ１６を介して偏光ビームスプリッター１１に入射し、そのうちＰ偏光成分の約３０％およびＳ偏光成分のほぼ１００％が反射される。該反射された光は、偏光ビームスプリッター１４により、Ｐ偏光成分のうち約６０％とＳ偏光成分のほぼ１００％が反射される。
該反射光は、ウォラストンプリズム２６により２つの偏光成分に分離され、集光レンズ１７を介して２分割ディテクター２５−２上に集光される。この２分割ディテクター２５−２の各出力を差動演算器３０で差動演算することにより、ＭＯ信号が検出され、また、２分割ディテクター２５−２の各出力を加算演算器２９で加算演算することにより、ピット信号が検出される。
一方、前記偏光ビームスプリッター１４に入射した光のうち、Ｐ偏光成分約４０％が透過し、集光レンズ２２および円筒面レンズ２１を介して、領域を４分割したサーボディテクター２５−１上に集光される。図９に、サーボディテクター２５−１の構成図を示す。サーボディテクター２５−１は、Ａ〜Ｄの４領域に分割されており、サーボ検出スポット光Ｓによる出力信号を用いて、ＦＥＳ信号生成回路２３が、フォーカスエラーＦＥＳ（Ｆｏｃｕｓｉｎｇ  Ｅｒｒｏｒ  ｓｉｇｎａｌ）信号として、非点収差法により、
ＦＥＳ＝（Ａ＋Ｃ）−（Ｂ＋Ｄ）
の演算で検出を行う。
また、ＴＥＳ信号生成回路２４は、トラックエラーＴＥＳ（Ｔｒａｃｋｉｎｇ  Ｅｒｒｏｒ  ｓｉｇｎａｌ）信号として、プッシュプル法により，
ＴＥＳ＝（Ａ＋Ｄ）−（Ｂ＋Ｃ）
の演算で検出を行う。
このＦＥＳ信号およびＴＥＳ信号で、サーボアクチュエータドライバ１５−２Ｓが、対物レンズアクチュエータ１９を動かして、フォーカシングおよびトラッキングを行う。尚、モータドライバ１５−２Ｍは、スピンドルモータ１８を指定速度で回転駆動する。
なお、上記した構成は、本発明に関する実施手段の一例であり、フォーカシングとしては、スポットサイズディテクション法、フーコー法などを用いても何ら問題無い。また、トラッキングに関しては、３ビーム法、ディファレンシャルプッシュプル法、ヘテロダイン法、位相差法なども使用できる。更に、前記した構成では、スピンドルモータによる回転を考慮して、ディスクタイプの情報記録媒体を想定しているが、案内溝相当のトラックを有するテープ媒体でも実現可能である。
［記録密度変更方法の第１の実施の形態］
図１０は、本発明の第１の実施の形態の記録密度変更システムの構成図、図１１は、本発明の第１の実施の形態の記録密度変更処理のフロー図、図１２は、図１１の照射光パワーと印加磁界強度との関係図、図１３は、記録ピークパワーとＭＯジッターの関係図、図１４は、ピット再生パワーとＭＯジッターの関係図、図１５は、図１１のアニール管理情報の記録処理フロー図、図１６は、図１１のアニール管理情報の他の記録処理の説明図である。
図１０は、本発明の第１の実施の形態としての広告付き情報記録媒体の配信による記録密度変更システムの構成を示す。図１０に示すように、スポンサー２００からの依頼により、広告代理店２０２は、媒体メーカー２０４に広告情報Ａを送る。媒体メーカー２０４は、広告情報を、位相ピット情報として、情報記録媒体４の案内溝部４−１に記録し、後述するように、アニール管理情報をアニール管理領域４０に記録する。この状態では、媒体４のユーザー領域４２は、アニール処理されていない。従って、高密度記録再生は、できない。
この広告情報が記録された媒体４Ｘを、市場に提供され、ユーザー２０６により購入される。この情報媒体４の価格は、スポンサー２００からの広告料により補充され、ユーザー２０６は、安価に光情報媒体４を購入できる。
ユーザー２０６が、購入したこの媒体４Ｘに、図７等で説明した光磁気記録装置でアニール処理すれば、高密度に記録可能な書き換え可能媒体４Ｙとして、使用できる。この時、アニール処理を行うと、アニール処理のレーザー照射により、位相ピット情報が再生される。つまり、スポンサー２００の意図している広告情報が、ユーザー２０６に伝わることになる。
このようにすれば、ユーザー２０６は、安価に高密度記録可能な媒体４Ｘを購入でき、且つ媒体メーカー２０４もアニール処理しないので、製造コストを低減でき、安価に媒体を提供できる。しかも、広吉スポンサー２００の広告料も媒体コストに反映でき、一層、媒体４Ｘの提供価格を低減できる。
図１１は、ユーザーのアニール処理管理のフローチャートを示す。
（Ｓ１０）ユーザーがＭＯ媒体を、図７のＭＯドライブに挿入すると、ＭＯドライブが起動する。即ち、スピンドルモータ１８が、ＭＯ媒体４を回転し、光学ヘッド５が、媒体４のシステム領域を読み出す。
（Ｓ１２）このシステム領域内のアニール管理領域４０のアニール管理情報（図５乃至図６）を、コントローラ１５−１が取得する。
（Ｓ１４）コントローラ１５−１は、アニール管理情報から、媒体４の全面アニール済みかを判定する。
（Ｓ１６）コントローラ１５−１は、全面アニール済みでない、即ち、未アニール領域があると判定する場合には、ユーザーに、コンテンツ再生確認要求（全面アニール処理確認要求）を出力する。ユーザーが、コンテンツ再生を拒否すると、アニール処理されず、一旦媒体を排出する。この場合、ＭＯ媒体４のデータ部は、低記録密度での記録再生が可能となる。低記録密度の具体的な値であるが、ＭＯマークの最短マーク長ＭＬ＝０．１７μｍに対して、約４倍の長さであるピットの最短マーク長と同じレベルでの記録密度が望ましい。
（Ｓ１８）ユーザーがコンテンツ再生を了承すると、光学ヘッド５は、高パワーで、アニール処理しながら、未アニール部のコンテンツを再生する。全領域にアニールが終了すると、アニール管理領域４０にアニール済の情報を記録する。
（Ｓ２０）ステップＳ１４で全面アニール済みと判定され、又は、ステップＳ１８でアニール処理されると、上記したような高密度での、データ部４２の記録再生が可能となる。ユーザーの操作により、必要に応じて、記録、再生が行われる。
尚、ユーザーの操作で、途中でアニールを中止した場合には、アニール管理情報の更新が実行されず、再び、コンテンツ再生確認の要求が出される。又、ユーザーが全領域アニール済みの媒体４を装置に挿入し、かつピット部４−１に記録されているコンテンツ情報を再び確認したい場合には、低パワーでのコンテンツ情報の再生ができる。
アニール処理による、データ部の記録再生特性の効果は、おもにアニールパワーに依存するが、アニールの回数にも影響する。即ち、低いパワーでのアニール時には、複数回のアニールにより、１回きりのアニールよりも特性が改善する場合もある。又、実用上は最適パワー付近での１回きりのアニールが望ましい。
図１２は、ＭＯ媒体４に照射する光強度（Ｌｉｇｈｔ  Ｐｏｗｅｒ）と印加磁界（Ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｆｉｅｌｄ）との時間的な関係を示す。図１２に示すように、磁界は、通常印加されていないが、ＭＯ信号記録時には、記録マークに応じた間隔で反転する磁界を印加する。その際に、ライトパワーであるピークパワーＰｗｐおよびボトムパワーＰｗｂの２値の間で、基準クロックＴ間隔で，変調した光を照射する。
ＭＯ信号記録時には、一定パワーの光を照射しながら、磁界を反転させて記録することも可能であるが、記録マークのＳＮＲ（Ｓｉｇｎａｌ  ｔｏ  Ｎｏｉｓｅ  Ｒａｔｉｏ）を上げるために、パルス光を照射することが望ましい。特に、ピークパワーＰｗｐのパワー間隔は、クロックＴに対するデューティーを、５０％またはそれ以下にすることが望ましい。
ＭＯ信号の再生時には、ライトパワーより小さい光パワー（リードパワー）Ｐｒで行う。更に、案内溝のアニールを兼ねたピット信号再生時には、ライトパワーのピークパワーＰｗｐより大きい光強度Ｐａｎで行う。尚、図１２において、Ｐｒ，Ｐａｎは、説明の簡単化のため、一定の光強度で記述しているが、光ピックアップ７におけるレーザーダイオードＬＤへの戻り光によるノイズ低減のため数百ＭＺの高周波の重畳を掛けることが望ましい。
光パワー強度の関係は、図１２に示すように、Ｐａｎ≧Ｐｗｐ＞Ｐｒ≧Ｐｗｂとすることが望ましい。即ち、アニールパワーＰａｎ≧ライトピークパワーＰｗｐとし、図２に示したように、媒体４のＭＯマーク４１０を挿むピット４１４によって形成された案内溝部分を、アニール領域として光照射することにより、アニール領域の部分のＭＯディスク４の記録膜に特性変化が生じる。
これにより、前述のＤＷＤＤによるトラックに対して垂直方向への磁壁移動を抑制し、アニール領域間に記録されたＭＯマーク４１０のＳＮＲを改善する。また、リードパワーＰｒ≧ライトボトムパワーＰｗｂとすることで、パルス光照射による情報記録時のＳＮＲ改善効果が高まる。
図１３及び図１４は、本発明の実施例の説明図である。図７のＭＯドライブにおいて、線速度３ｍ／ｓｅｃの一定の条件で、スピンドルモータ１８を回転させ、評価した。ＭＯマーク４１０は、最短マーク長ＭＬ＝０．１７μｍのＲＬＬ１−７変調信号で記録した。なお、ピット信号４１４は、最短マーク長ＭＬ＝０．６８μｍのＲＬＬ１−７変調信号にて記録した。
光照射パワー条件は、リードパワーＰｒ＝２．２ｍＷ、ライトボトムパワーＰｗｂ＝１ｍＷとし、アニールパワーＰａｎとライトピークパワーＰｗｐを変化させ、ＭＯ信号のジッター特性を調べた。図１３は、アニールパワーＰａｎを、０ｍＷから１３ｍＷに変化させた時のライトピークパワーＰｗｐに対するＭＯジッター（％）の測定結果を示す。又、図１４は、図１３で、ＭＯジッターが最小となるライトピークパワーＰｗｐでの、アニールパワーＰａｎに対するＭＯジッター（％）の特性図である。
図１３で理解されるように、アニールパワーＰａｎが、小さい場合（図では、Ｐａｎ＝５ｍＷ）や、大きい場合（図では、Ｐａｎ＝１３ｍＷ）では、アニール処理しない場合（図では、Ｐａｎ＝０ｍＷ）と、ＭＯジッター特性に変化がなく、アニールパワーが大きいと逆に、ＭＯジッターが増大している。
一方、アニールパワーＰａｎを適切に選ぶと、例えば、アニールパワーＰａｎ＝９ｍＷ、未アニールに比し、ＭＯジッターは、２／３程度まで低下する。また、図１３では、ライトピークパワーＰｗｐは、９ｍＷ程度が、ＭＯジッターが最小となる。
図１４は、このＭＯジッターが最小となるライトピークパワーＰｗｐ（＝９ｍＷ）でのピット再生パワー（アニールパワー）ＰａｎとＭＯジッターとの関係を示す。図１４に示すように、アニールパワーＰａｎ＝９ｍＷ付近で、ＭＯジッターが極小となっている。アニールパワーＰａｎをさらに増大させていくと、ＭＯジッターは増大していく傾向がある。この原因は、アニール処理による記録膜の変化が、ＭＯマーク４１０の記録領域にまで達して，線速方向の磁壁移動特性まで阻害しているためと考えられる。
この実施例によれば、１枚のＭＯディスク４あたり、線速３ｍ／ｓｅｃで約１５分かかるアニール処理を、ユーザー側で行うことで、媒体製造メーカーでは、アニール装置が不要となる上、１枚あたり１５分かかるアニール処理が不要となり、製造コストを大幅に下げることが出来る。
また、アニール処理の方法としては、スピンドルモータを一定の角速度で回転させ、媒体の半径位置に比例したパワーでアニール処理を兼ねてピット情報を再生することも可能である。これにより、線速度一定とするような複雑な制御を行わずにアニール処理が行える。
次に、アニール管理情報の書き込み、更新を説明する。図１５は、光磁気記録によるアニール管理情報の記録処理（書き込み及び更新）フロー図である。
（Ｓ２２）アニール管理データ（図５乃至図６）をデータスクランブルする。
（Ｓ２４）スクランブルデータに、ＥＣＣ（エラー訂正コード）及びパリテイを付加し、ＲＬＬ１−７変調して、光磁気記録する。
一方、アニール管理情報をピットで形成する場合には、後述するように、媒体４のアニール領域４０に、ピットで、アニール未を記録する。このアニール領域４０を、アニール処理に伴い、更新するには、図１６に示すように、媒体４のアニール領域４０のピット部４−１に、高パワーの光Ｘ−１を照射し、ピット部４−１を変形させる。このピット部の変形４−１ａにより、ピット信号４１４は、「０」から「１」に反転する。
更に、光情報記録媒体４へのアニール処理の有無を確認する方法として、高パワーでの案内溝部４−１の再生時に磁界を印加し、この案内溝部４−１の磁化の方向によりアニールの有無を確認することも可能である。上述したようにアニール情報管理領域を設けて、アニールの有無を管理することは、管理が厳密で有効であるが、一方、管理が必要である。
そこで、アニール処理時に例えば、一定周波数の交番磁界を印加することで、次の再生時に、この案内溝部４−１の光磁気信号より、アニール処理の有無が確認できる。ただし、案内溝４−１からの光磁気信号は、ピット信号により変調されるため、ピット信号よりも長い、例えば、５μｍ長さの単一マークを記録し、その周波数に応じた成分を検知することが望ましい。
図１７は、ユーザーのアニール処理管理の他のフローチャートを示し、図６のアニール管理情報を使用する例である。
（Ｓ３０）ユーザーがＭＯ媒体を、図７のＭＯドライブに挿入すると、ＭＯドライブが起動する。即ち、スピンドルモータ１８が、ＭＯ媒体４を回転し、光学ヘッド５が、媒体４のシステム領域を読み出す。
（Ｓ３２）このシステム領域内のアニール管理領域４０のアニール管理情報（図６）を、コントローラ１５−１が取得する。
（Ｓ３４）コントローラ１５−１は、アニール管理情報から、媒体４の全面アニール済みかを判定する。
（Ｓ３６）コントローラ１５−１は、全面アニール済みでない、即ち、未アニール領域があると判定する場合には、ユーザーに、コンテンツ再生確認要求（全面アニール処理確認要求）を出力する。
（Ｓ３８）ユーザーが、コンテンツ再生を拒否すると、アニール処理されず、ＭＯ媒体４のデータ部は、低記録密度での記録再生を、ユーザーの要求に応じて行い、その後、アニール管理領域４０の情報を、アニール不可領域（例えば、図６の「０１」）に更新して、媒体４を排出する。低記録密度の具体的な値であるが、ＭＯマークの最短マーク長ＭＬ＝０．１７μｍに対して、約４倍の長さであるピットの最短マーク長と同じレベルでの記録密度が望ましい。
（Ｓ４０）一方、ユーザーがコンテンツ再生を了承すると、光学ヘッド５は、高パワーで、アニール処理しながら、未アニール部のコンテンツを再生する。全領域にアニールが終了すると、アニール管理領域４０にアニール済の情報（例えば、図６の「１０」）を記録する。
（Ｓ４２）ステップＳ３４で全面アニール済みと判定され、又は、ステップＳ４０でアニール処理されると、上記したような高密度での、データ部４２の記録再生が可能となる。ユーザーの操作により、必要に応じて、記録、再生が行われる。
このようにして、ユーザーにアニール処理の選択権を与えることにより、ユーザーの判断で、高密度化の変更を選択できる。
［記録密度変更方法の第２の実施の形態］
案内溝であるピット部４−１に記録されるコンテンツ情報のサイズは、アニール処理時に途切れることなく、再生するためには、媒体４の全面に記録されることが望ましい。第１の実施の形態は、この形態に対応している。
一方、一定のクロック周波数で、全面領域に相当するコンテンツを用意できない場合がある。その場合には、コンテンツ情報を、いくつかのセクションに分解し、セクション間にダミーデータを挿入し、ピット情報の容量を調整することが可能である。
図１８は、本発明の記録密度変更方法の第２の実施の形態の処理フロー図、図１９は、図１８のためのコンテンツ管理テーブルの説明図である。ここでは、コンテンツが４つ設けられており、その各々が、未再生である例で説明する。
（Ｓ５０）ユーザーがＭＯ媒体を、図７のＭＯドライブに挿入すると、ＭＯドライブが起動する。即ち、スピンドルモータ１８が、ＭＯ媒体４を回転し、光学ヘッド５が、媒体４のシステム領域を読み出す。
（Ｓ５２）このシステム領域内のアニール管理領域４０は、図１９に示すように、各コンテンツＮｏ．１〜Ｎｏ．４のアニール判別値（アニール管理情報）と、そのコンテンツの開始セクタアドレス、終了セクタアドレスを格納する。ここでは、４つのコンテンツを、１枚の媒体４に記録した例を示す。コントローラ１５−１は、このアニール管理情報を、取得する。
（Ｓ５４）コントローラ１５−１は、ユーザーに、コンテンツ再生確認要求（即ち、アニール処理確認要求）を出力する。ユーザーが、コンテンツ再生を拒否すると、アニール処理されず、一旦媒体を排出する。この場合、ＭＯ媒体４のデータ部は、低記録密度での記録再生が可能となる。低記録密度の具体的な値であるが、ＭＯマークの最短マーク長ＭＬ＝０．１７μｍに対して、約４倍の長さであるピットの最短マーク長と同じレベルでの記録密度が望ましい。
（Ｓ５６）ユーザーがコンテンツ再生を了承し、再生コンテンツを選択する（この例では、コンテンツＮｏ．２を選択する）と、コントローラ１５−１は、アニール管理領域４０の対応するコンテンツの開始アドレスと終了アドレスを取得し、光学ヘッド５で、媒体４のそのコンテンツの領域を高パワーで、アニール処理しながら、そのコンテンツを再生する。
（Ｓ５８）そのコンテンツの領域のアニールが終了すると、アニール管理領域４０にそのコンテンツのアニール判別値を、アニール済の情報に更新する。このアニール処理により、上記したような高密度での、データ部４２のコンテンツＮｏ．２の領域の記録再生が可能となる。ユーザーの操作により、必要に応じて、記録、再生が行われる。そして、媒体４を排出する。
同様に、コンテンツＮｏ．１，Ｎｏ．３，Ｎｏ．４を選択した場合も同様である。このようにすると、ユーザーが、再生コンテンツ数に応じた記録密度の選択が可能であり、且つユーザーのアニール処理を分割して、実行できる。例えば、必要な容量分（ここでは、コンテンツ）アニール処理して、高密度再生・記録を行い、その後、更に、容量が必要な場合に、他のコンテンツ領域をアニール処理するという使用形態が実現できる。
図２０は、本発明の記録密度変更方法の第２の実施の形態の他の処理フロー図であり、図１８と同様に、図１９のコンテンツ管理テーブルを使用する例であり、コンテンツが４つ設けられており、その各々が、未再生である例で説明する。
（Ｓ６０）ユーザーがＭＯ媒体を、図７のＭＯドライブに挿入すると、ＭＯドライブが起動する。即ち、スピンドルモータ１８が、ＭＯ媒体４を回転し、光学ヘッド５が、媒体４のシステム領域を読み出す。
（Ｓ６２）このシステム領域内のアニール管理領域４０は、図１８の例と同様に、図１９に示したように、各コンテンツＮｏ．１〜Ｎｏ．４のアニール判別値（アニール管理情報）と、そのコンテンツの開始セクタアドレス、終了セクタアドレスを格納する。ここでは、４つのコンテンツを、１枚の媒体４に記録した例を示す。コントローラ１５−１は、このアニール管理情報を、取得する。
（Ｓ６４）コントローラ１５−１は、ユーザーに、コンテンツ再生確認要求（即ち、アニール処理確認要求）を出力する。ユーザーが、コンテンツ再生を拒否すると、アニール処理されず、一旦媒体を排出する。この場合、ＭＯ媒体４のデータ部は、低記録密度での記録再生が可能となる。低記録密度の具体的な値であるが、ＭＯマークの最短マーク長ＭＬ＝０．１７μｍに対して、約４倍の長さであるピットの最短マーク長と同じレベルでの記録密度が望ましい。
（Ｓ６６）ユーザーがコンテンツ再生を了承し、再生コンテンツを選択する（この例では、コンテンツＮｏ．２を選択する）と、コントローラ１５−１は、アニール管理領域４０の対応するコンテンツの開始アドレスと終了アドレスを取得し、光学ヘッド５で、媒体４のそのコンテンツの領域を高パワーで、アニール処理しながら、そのコンテンツを再生する。そのコンテンツの領域のアニールが終了すると、アニール管理領域４０にそのコンテンツのアニール判別値を、アニール済の情報に更新する。このアニール処理により、上記したような高密度での、データ部４２のコンテンツＮｏ．２の領域の記録再生が可能となる。
（Ｓ６８）ユーザーの操作により、記録再生を行う場合には、先ず、コンテンツＮｏ．１のデータ領域は、アニールされていないため、低密度で、記録再生を行い、アニール管理領域４０のそのコンテンツのアニール判別値を、アニール不可（図６の「０１」）に更新する。
（Ｓ７０）次に、コンテンツＮｏ．２のデータ領域は、前述のアニール管理領域４０のアニール判別値に応じて、高密度で記録、再生が行われる。
（Ｓ７２）更に、ユーザーの操作により、コンテンツＮｏ．３，４のデータ領域の記録再生を行う場合には、アニールされていないため、低密度で、記録再生を行い、アニール管理領域４０のそのコンテンツのアニール判別値を、アニール不可（図６の「０１」）に更新する。そして、媒体４を排出する。
同様に、コンテンツＮｏ．１，Ｎｏ３，Ｎｏ４を選択した場合にも、同様の動作を行う。又、ステップＳ６４，６６で、複数のコンテンツを選択することもできる。
又、セクター単位やブロック単位に、アニール処理を行うこともできる。図２１は、本発明の記録密度変更方法の第２の実施の形態の更に他の処理フロー図であり、図２２は、図２１のアニール管理領域の構成図である。
（Ｓ８０）ユーザーがＭＯ媒体を、図７のＭＯドライブに挿入すると、ＭＯドライブが起動する。即ち、スピンドルモータ１８が、ＭＯ媒体４を回転し、光学ヘッド５が、媒体４のシステム領域を読み出す。
（Ｓ８２）このシステム領域内のアニール管理領域４０は、図２２に示すように、各セクターＮｏ．１〜Ｎｏ．６５２３７のアニール判別値（アニール管理情報）を格納する。ここでは、１枚の媒体４に、６５２３７セクター存在する例を示す。コントローラ１５−１は、このアニール管理情報を、取得する。
（Ｓ８４）コントローラ１５−１は、アニール管理情報を調べ、未アニールセクターが有るかを判定する。
（Ｓ８６）コントローラ１５−１は、未アニールセクターが無いと判定すると、ユーザーに、コンテンツ再生確認要求を出力する。ユーザーが、コンテンツ再生が不要と選択すると、全セクターは、アニール済みのため、データ部への高密度記録再生を行う。そして、媒体４を排出する。一方、コンテンツ再生が必要と選択すると、媒体４のピット部４−１のコンテンツを低パワー（例えば、リードパワーＰｒ）で読み出し、コンテンツを再生して、媒体４を排出する。
（Ｓ８８）ステップＳ８４で、未アニールセクターが有ると判定すると、コントローラ１５−１は、ユーザーにコンテンツ再生確認（即ち、アニール処理確認要求）を出力する。
（Ｓ９０）ユーザーが、コンテンツ再生を拒否すると、アニール処理されず、ＭＯ媒体４のデータ部は、低記録密度での記録再生が可能となる。そして、アニール管理領域４０のそのセクター（単数又は複数）のアニール判別値を、アニール不可（図６の「０１」）に更新する。
（Ｓ９２）一方、ユーザーがコンテンツ再生を了承し、再生コンテンツを選択すると、コントローラ１５−１は、光学ヘッド５で、媒体４のコンテンツの領域を高パワーで、アニール処理しながら、コンテンツを再生する。全領域のアニールが終了したかを判定し、全領域のアニールが終了していない場合には、ステップＳ８８に戻る。
（Ｓ９４）一方、全領域のアニールが完了すると、アニール管理領域４０のアニール判別値を、アニール済の情報に更新する。このアニール処理により、上記したような高密度でのユーザー領域の記録再生が可能となる。そして、媒体４を排出する。
このように、アニール処理をセクター単位に管理できる。このようにすると、ユーザーが、必要なセクター数に応じた記録密度の選択が可能であり、且つユーザーのアニール処理を分割して、実行できる。ブロック単位に管理する場合も、同様である。
［他のアニール処理］
図２３は、本発明のアニール管理領域の他の配置例の構成図である。この例では、媒体４のユーザー領域４２を２つに分け、その２つのユーザー領域４０の間に、アニール管理領域４０を含むシステム領域を設ける。即ち、アニール管理領域４０は、最内周に限らず、ユーザー領域の間や、最外周等、特定の位置に設ければ良い。
図２４は、本発明に適用するウォブルピットの構成図である。ウオブルピットは、例えば、特開平１１−３２８６７８号公報等に開示されている。即ち、ＭＯディスク４のＭＯトラックに、プレピット部を設けてアドレス管理を行う方法では、ランドのＭＯ信号の記録時に，プレピット部の光パワーを下げる必要がある。ピット部４１４をウオブルトラック４−１で構成する、即ち、回転に伴い、揺れる（蛇行する）トラック構成を採用すると、この揺れの周波数から得られるウォブル信号からアドレスを検知できる。このため、プレピット部は不要であり、そのような煩雑な制御が不要となる。
［光学的記憶媒体の製造方法］
次に、本発明に好適な光記憶媒体４の製造方法を説明する。図２５は、本発明のアニール管理情報を有する光記憶媒体の製造方法の第１の実施の形態の工程説明図であり、アニール管理情報を光磁気記録する例を示す。
図２５に示すように、光学研磨後に、洗浄したガラス原盤１００に、スピンコート法により、レジスト層１０２を形成する。レジスト層１０２は、ピットの深さに近い８０ｎｍの厚みで、一様に形成する。又、レジスト１０２とガラス原盤１００とのヌレ性を向上するため、レジスト塗布前に、ガラス原盤１００上に、アゾカップリング剤を塗布しておくことが望ましい。
レジスト塗布後は、レジストに含まれていた有機溶剤を揮発させるため、例えば、９０℃で、１時間程加熱を行う。レジスト層１０２が形成されたガラス原盤１００を、スピンドルモータで精密回転させながら、ピット形状を形成するための露光を行う。例えば、Ｈｅ−Ｃｄレーザー（λ＝４４６．１ｎｍ）からの光を、高ＮＡ（例えば、ＮＡ＝０．９）の対物レンズにより、レジスト上に集光し、ピット形状を形成するための露光を行う。
露光済みのガラス原盤１００は、所定濃度の水酸化ナトリウム溶液により所定時間現像されて、ピット形状のレジスト層１０２が、ガラス原盤１００に形成される。このガラス原盤１００に、無電解メッキ法により薄い導電膜を形成後、電解メッキ法により、約３００μｍの厚みのニッケルメッキを施し、金属層１０４を形成する。
この金属層１０４を、ガラス原盤１００より剥離後、レジストの残りを除去するため、洗浄し、その後、裏面研磨加工、外形打ち抜き加工を行って、金属スタンパー１０６を作成する。
この金属スタンパー１０６と、所定ディスクサイズにあった金型とを用いて、ポリカーカーボネートを原料としたプラスチック基板４Ａの成形を行う。成形された基板４Ａは、水分除去のため、約８０℃のオーブンで、１時間程加熱する。十分水分を除去した基板４Ａは、真空槽に挿入後、スパッタリング法により、図１で示した誘電体層４Ｂ，再生層４Ｃ，スイッチング層４Ｄ，記録層４Ｅ，誘電体層４Ｆ，金属保護層４Ｇが形成される。
真空槽より取り出された媒体４は、スピンコート法により保護層４Ｈが塗布される。保護層４Ｈには、紫外線硬化型樹脂を用いる。厚みは、約１０μｍ程度で、均一に形成される。その後、紫外線を照射して、保護層４Ｈを硬化させ、媒体４を作成する。
本発明の一実施の形態では、更に、媒体４の記録層４Ｅのアニール管理領域４０に、磁気ヘッド３５と対物レンズ１６を介した照射光とにより、アニール管理情報を記録する。書き込まれるアニール管理情報は、図５の未アニールを示す情報、又は図６の未アニール且つ未記録を示す情報である。このアニール管理領域４０は、図４で示したように、未アニール状態で低密度記録する場合と、アニール処理を施し、高密度記録する場合とがある。
このようにして、媒体製造メーカーでは、アニール管理情報を記録し、且つユーザー領域４２を未アニール状態で、媒体４を市場に提供する。尚、前述のピット形状は、前述のコンテンツの情報に合わせて、形成される。このコンテンツの情報としては、音声、画像、ソフトウェア等が好適である。
図２６は、本発明のアニール管理情報を有する光記憶媒体の製造方法の第２の実施の形態の工程説明図であり、アニール管理情報をピット列で記録する例を示す。
図２６に示すように、光学研磨後に、洗浄したガラス原盤１００に、スピンコート法により、レジスト層１０２を形成する。レジスト層１０２は、ピットの深さに近い８０ｎｍの厚みで、一様に形成する。
レジスト塗布後は、レジストに含まれていた有機溶剤を揮発させるため、例えば、９０℃で、１時間程加熱を行う。レジスト層１０２が形成されたガラス原盤１００を、スピンドルモータで精密回転させながら、ピット形状を形成するための露光を行う。例えば、Ｈｅ−Ｃｄレーザー（λ＝４４６．１ｎｍ）からの光Ｘを、高ＮＡ（例えば、ＮＡ＝０．９）の対物レンズ１６により、レジスト上に集光し、ピット形状を形成するための露光を行う。
本発明の他の実施の形態では、レジスト層１０２のアニール管理領域４０に相当する領域に、対物レンズ１６を介した照射光により、アニール管理情報を露光する。露光するアニール管理情報は、図５の未アニールを示す情報、又は図６の未アニール且つ未記録を示す情報である。
このアニール管理領域露光済みのガラス原盤１００は、所定濃度の水酸化ナトリウム溶液により所定時間現像されて、ピット形状のレジスト層１０２が、ガラス原盤１００に形成される。このガラス原盤１００に、無電解メッキ法により薄い導電膜を形成後、電解メッキ法により、約３００μｍの厚みのニッケルメッキを施し、金属層１０４を形成する。
この金属層１０４を、ガラス原盤１００より剥離後、レジストの残りを除去するため、洗浄し、その後、裏面研磨加工、外形打ち抜き加工を行って、金属スタンパー１０６を作成する。
この金属スタンパー１０６と、所定ディスクサイズにあった金型とを用いて、ポリカーカーボネートを原料としたプラスチック基板４Ａの成形を行う。成形された基板４Ａは、水分除去のため、約８０℃のオーブンで、１時間程加熱する。十分水分を除去した基板４Ａは、真空槽に挿入後、スパッタリング法により、図１で示した誘電体層４Ｂ，再生層４Ｃ，スイッチング層４Ｄ，記録層４Ｅ，誘電体層４Ｆ，金属保護層４Ｇが形成される。
真空槽より取り出された媒体４は、スピンコート法により保護層４Ｈが塗布される。保護層４Ｈには、紫外線硬化型樹脂を用いる。厚みは、約１０μｍ程度で、均一に形成される。その後、紫外線を照射して、保護層４Ｈを硬化させ、媒体４を作成する。
このようにして、アニール管理情報をピット記録した媒体４を作成する。この例でも、ユーザー領域４２は、未アニール状態で、媒体製造メーカーから市場に提供される。
［他の光学的記憶媒体の記録密度変更方法］
前述の説明では、光磁気記録媒体を、光学的記憶媒体として、説明したが、これ以外の光学的記憶媒体にも、適用できる。以下、他の光学的記憶媒体として、相変化型媒体を使用した例を説明する。
図２７は、本発明の他の実施の形態の光学的記憶媒体の断面図であり、相変化型媒体の膜構成を示す。光学的に透明な基板（ポリカーボネート基板）４Ａ上に、順番にＺｎＳ・ＳｉＯ２等の誘電体層４Ｉ、ＧｅＳｂＴｅからなる記録再生層４Ｊ，ＺｎＳ・ＳｉＯ２等の誘電体層４Ｋ、Ａｌの金属保護層４Ｇが、一般にスパッタリング法により形成される。金属保護層４Ｇの上には、一般に紫外線硬化型の樹脂４Ｈがスピンコート法により形成され、紫外線の照射により安定化する。
図２８は、図２７の相変化型媒体のピットと相変化マークとの関係を示す関係図、図２９は、図２８の相変化マークを記録する際の光強度の説明図である。図２８に示すように、予め基板４に、物理的凹凸により記録されたピット信号４１４に対して、相変化マーク４３０は、ＧｅＳｂＴｅからなる記録再生層４Ｊの相状態（結晶かアモルファスか）により記録されている。具体的には、記録再生層４Ｊは、反射率の高い結晶状態と、反射率の低いアモルファス状態とに相変化でき、その光学的屈折率の変化で、相変化マーク４３０が形成される。
アニール領域４１８は、図２の例と同様に、ピット列４−１の領域である。図２９に示すように、ほぼ再生光パワー（リードパワー）に近いバイアス光パワーＰｂに対して、アモルファス状態を作るための高光パワーＰｗａと、結晶状態を作るための光パワーＰｗｃを設定する。
高パワーＰｗａで、ＧｅＳｂＴｅからなる記録再生層４Ｊを照射すると、記録媒体４は高温に加熱された後、急激に冷却されてアモルファス状態となる。一方、光パワーＰｗａに比べて，低いパワーＰｗｃの光を照射すると、記録再生層４Ｊが加熱後に、媒体４がゆっくり冷却されるため、結晶状態が形成される。この差により、相変化マーク４３０が形成される（書き込まれる）。
図２９に示すように、高パワーＰｗａよりも高い強度の光パワーＰａｎを、照射することで、ＧｅＳｂＴｅ層４Ｊがダメージを受け、物理的特性が変化する。即ち、図２８に示すようなピット４１４に、光パワーＰａｎで光４３２を照射することにより、ピット列４−１によって形成されたトラック列部にあるＧｅＳｂＴｅ層４Ｊが変質し、トラックに垂直方向へのマーク４３０の広がりを抑制することが出来る。即ち、アニール処理により、ピット列４−１の間に記録される相変化マーク４３０の記録再生特性が改善される。
又、相変化マーク４３０の読み出しは、光強度Ｐｂのリード光を照射して、前述の反射率の差により、相変化マークによる記録データを再生する。
同様に、図３１で示したピットを形成しないランド／グルーブ構成の媒体を使用できる。例えば、図３１のランド部４０２をアニール処理し、グルーブ部４０４にＭＯ信号を記録する。逆に、グルーブ部４０４をアニール処理して、ランド部４０２にＭＯ信号を記録しても、良い。
次に、本発明の第３の実施の形態の記録密度変更方法を説明する。前述の実施の形態では、図１０に示したようなビジネスモデルにより、広告をピットで形成したが、このような形態に係わらず、図３１のようなピットを形成しない媒体にも適用できる。
図３０は、本発明の第３の実施の形態の記録密度変更処理フロー図であり、図６のアニール管理情報を使用する例である。
（Ｓ１００）ユーザーがＭＯ媒体を、図７のＭＯドライブに挿入すると、ＭＯドライブが起動する。即ち、スピンドルモータ１８が、ＭＯ媒体４を回転し、光学ヘッド５が、媒体４のシステム領域を読み出す。
（Ｓ１０２）このシステム領域内のアニール管理領域４０のアニール管理情報（図６）を、コントローラ１５−１が取得する。
（Ｓ１０４）コントローラ１５−１は、アニール管理情報から、媒体４の全面アニール済みかを判定する。
（Ｓ１０６）コントローラ１５−１は、全面アニール済みでない、即ち、未アニール領域があると判定する場合には、図６のアニール管理情報からユーザー領域４２に低密度記録されているかを判定する。
（Ｓ１０８）低密度記録されている場合には、ＭＯ媒体４のユーザー領域に、低記録密度での記録再生を、ユーザーの要求に応じて行い、その後、アニール管理領域４０の情報を更新して、媒体４を排出する。
（Ｓ１１０）一方、ユーザー領域４２が全く低密度記録されていない場合には、ユーザーに、全面アニールするかを問い合わせる。ユーザーが全面アニールをしないと選択すると、ステップＳ１０８に進み、低密度記録する。一方、ユーザーが全面アニールすることを了承すると、コントローラ１５−１は、光学ヘッド５により、高パワーで、アニール処理する。この場合、ピットによるコンテンツが形成されていないため、コンテンツ再生は行われない。全領域にアニールが終了すると、アニール管理領域４０にアニール済の情報（例えば、図６の「１０」）を記録する。
（Ｓ１１２）ステップＳ１０４で全面アニール済みと判定され、又は、ステップＳ１１０でアニール処理されると、上記したような高密度での、データ部４２の記録再生が可能となる。ユーザーの操作により、必要に応じて、記録、再生が行われる。
このようにして、ユーザーにアニール処理の選択権を与えることにより、ユーザーの判断で、高密度化の変更を選択できる。即ち、媒体全体にアニール処理を施したかどうかにより、高密度記録と低密度記録を選択する。又、低密度で既に記録されている場合には、ユーザーデータを保護するために、アニール処理が行えないため、今後は、ずっと低密度で記録再生を行うことになる。
更に、低密度記録が行われていない場合には、アニール処理を行うか否かの選択が可能となり、アニール処理を施した場合には、高密度記録媒体として記録再生が出来る。アニール処理を選択しない場合には、低密度記録媒体として使用可能となる。なお、低密度記録媒体として使用した場合でも、ディスク全体をフォーマットし直し、アニール処理することで、高密度記録再生が可能になる。
前述の実施の形態は、アニール処理を全面単位としていたが、アニール処理をブロック単位や、セクター単位で行うことも可能である。但し、実用性を考えると、セクター単位では、管理情報が膨大となるため、１ディスクあたり数十ブロックに分割して扱うことが望ましい。
ブロック単位でアニール情報を管理する場合には、アニール済み領域と未アニール領域に対して、それぞれ高密度記録再生、低密度記録再生が可能となる。その際、一方の領域の使用可能領域がいっぱいとなった場合には、他方の使用領域へ移動し、かつ、記録密度の切り替えが必要となる。
［他の実施の形態］
以上、本発明を実施の形態により説明したが、本発明の趣旨の範囲内において、本発明は、種々の変形が可能であり、これらを本発明の技術的範囲から排除するものではない。例えば、位相ピットのサイズは、前述の数値に限らず、他のものを適用できる。又、光磁気記録膜は、他の光磁気記録材料を適用できる。同様に、光磁気記録媒体は、円盤形状に限らず、カード形状等を採用しうる。
更に、高パワーの光照射による前記コンテンツ情報の再生時に、該再生情報の誤り率または前記再生情報を含む検出光成分振幅値に基づいて、前記記録膜への記録再生を行うセクターの欠陥量を推定し、該推定された欠陥量に基づいて欠陥セクターを管理することもできる。
又、コンテンツ情報は、物理的凹凸による位相ピットにより形成され、且つ位相ピットはアドレス情報やクロック検出するために蛇行している。媒体の案内溝は、同心円または螺旋状のトラックを形成し、回転することにより情報の記録再生が行われる。高パワーの光照射による前記コンテンツ情報の再生は、トラック方向に線速度一定の条件で行われることもできる。
更に、案内溝は、同心円または螺旋状のトラックを形成し、回転することにより情報の記録再生が行われる構成からなる。特定の半径位置に関して回転数一定の条件回転し、半径位置に逆比例した光パワーで前記高パワーの光照射による前記コンテンツ情報の再生が行われる。
このコンテンツ情報は、前記高パワーの光を前記案内溝に照射しながらコンテンツ情報を再生する際に、自動的に起動し、音声情報、画像情報等を出力できるように、実行形式のファイルから構成されている。
【産業上の利用可能性】  光記憶媒体にアニール処理を施さずに、アニール管理情報を記録し、ユーザーに提供するため、ユーザーの選択により、アニール処理を行い、記録トラック間の領域のアニール効果により高密度記録再生を可能とする。その際、記録媒体メーカーにおける初期化処理（アニール処理）が省略できるため、媒体が安価に提供できる。また、アニール効果により、深溝媒体にする必要が無いため、媒体に用いる基板の製造が容易になる。さらに、望ましくは、ピット部に、コンテンツ情報として、広告情報を記録することで、アニール処理中に自動的にコンテンツが再生でき、媒体価格を広告費で補うことも可能となる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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