(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光軸上にある荷電粒子ビームを、第１、第２のマスク偏向器により、ブロックマスクに形成されている複数個のブロックパターンのうち、選択されたブロックパターンに偏向して断面形状を整形した後、第３、第４のマスク偏向器により、前記光軸に振り戻すと共に、前記第１、第２のマスク偏向器の偏向により生じる非点収差及び焦点ずれをそれぞれ非点収差補正コイル及び焦点補正コイルにより補正し、縮小レンズ、ラウンドアパーチャ及び投影レンズを通して露光対象上に露光するブロック露光を行う場合に必要な前記第１、第２、第３、第４のマスク偏向器を駆動するための最適偏向データと、前記非点収差補正コイル及び前記焦点補正コイルを駆動するための最適補正データとを取得する偏向データ及び補正データ取得方法において、
前記補正データを変化させるごとに、前記縮小レンズから出力される荷電粒子ビームを前記ラウンドアパーチャを含むラウンドアパーチャ板上を２次元的に走査させ、前記ラウンドアパーチャを通過してくる荷電粒子ビームの強度を測定し、前記ラウンドアパーチャを通過した荷電粒子ビームの強度として最大値を得ることができる場合の補正データを最適補正データとして取得した後、前記最適補正データを使用すると共に、前記偏向データを変化させて前記縮小レンズから出力される荷電粒子ビームの前記ラウンドアパーチャに対する軸合わせを行い、前記ラウンドアパーチャを通過した荷電粒子ビームの強度として最大値を得ることができる場合の偏向データを最適偏向データとして取得することを特徴とする偏向データ及び補正データ取得方法。
【請求項２】
前記補正データを変化させるごとの前記荷電粒子ビームの強度の測定は、前記２次元的な走査を複数回行うものとし、前記荷電粒子ビームの強度の測定時間を前記２次元的な走査を１回行うに要する時間よりも短い時間とし、各２次元的な走査時における前記荷電粒子ビームの強度の測定開始時刻を、各２次元的な走査に対する走査開始時刻を基準にして相対的に一定時間づつずらしながら行うことを特徴とする請求項１記載の偏向データ及び補正データ取得方法。
【請求項３】
ＴＡを前記２次元的な走査を１回行うに要する時間、ＴＢ１を前記２次元的な走査の１回目における荷電粒子ビーム強度測定開始時刻、ＴＣを前記２次元的な走査１回中における荷電粒子ビーム強度測定時間とする場合、ｋ回目（但し、ｋは２以上の整数である。）の２次元的な走査時における荷電粒子ビーム強度測定開始時刻ＴＢｋをＴＢ１＋（ＴＡ＋ＴＣ）×（ｋ−１）とすることを特徴とする請求項２記載の偏向データ及び補正データ取得方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、荷電粒子ビームの断面形状を整形する任意形状の透過パターン、いわゆるブロックパターンを複数個形成してなる透過マスク板、いわゆるブロックマスクを利用した露光、いわゆるブロック露光を行う場合に必要な偏向データ及び補正データを取得する偏向データ及び補正データ取得方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図６はブロック露光を行うことができるように構成された電子ビーム露光装置の一例の要部を示す概念図であり、図６中、１はコラム部、２はコラム部１を制御する制御部である。
【０００３】
また、コラム部１において、３は電子ビームを射出する電子銃、４は電子銃３から射出された電子ビーム、５は光軸、６、７は照射レンズ、８、９は整形レンズ、１０は縮小レンズ、１１、１２は投影レンズである。
【０００４】
また、１３は電子ビーム４を矩形に成形する矩形成形アパーチャ板、１４は電子ビーム４を可変矩形成形する場合に使用される成形偏向器、１５はブロックパターンを複数個形成してなるブロックマスク、１６はブロックマスク１５を保持するマスクステージである。
【０００５】
図７はブロックマスク１５を示す概略的平面図である。図７（Ａ）はブロックマスク１５の全体を示す概略的平面図であり、１９〜３０はそれぞれ電子ビームを偏向させることができる偏向領域である。なお、偏向領域１９〜３０の選択は、マスクステージ１６によるブロックマスク１５の移動により行われる。
【０００６】
また、図７（Ｂ）はブロックマスク１５の偏向領域２６を拡大して示す概略的平面図であり、３１〜３４はキャリブレーションや可変矩形成形に使用する矩形の透過パターン、３５−１、３５−２、・・・３５−４０はブロックパターンが形成されているブロックパターン部である。
【０００７】
また、図７（Ｃ）はブロックパターン部３５−２３を拡大して示す概略的平面図であり、３６−１、３６−２、・・・３６−１６はコンタクトホール用のパターンを露光するための矩形の開口である。
【０００８】
また、図６において、３８−１、３８−２は電子ビーム４を、ブロックマスク１５に設けられているブロックパターン部３５−１〜３５−４０のうち、選択されているブロックパターン部の選択されたブロックパターンに偏向するためのマスク偏向器、３８−３、３８−４は選択されたブロックパターンを通過した電子ビーム４を光軸５に振り戻すためのマスク偏向器である。
【０００９】
また、３９はマスク偏向器３８−１、３８−２による偏向により電子ビーム４に生じる非点収差を補正する非点収差補正コイル、４０はマスク偏向器３８−１、３８−２による偏向により電子ビーム４に生じる焦点ずれを補正する焦点補正コイルである。
【００１０】
また、４１は電子ビーム４の通過を制御するブランキング偏向器、４２は投影レンズ１１に対する電子ビームの開き角を決めるラウンドアパーチャ４２Ａを形成してなるラウンドアパーチャ板、４３は電磁偏向器からなる主偏向器、４４は静電偏向器からなる副偏向器、４５は露光対象であるウエハ、４６はウエハ４５を保持するウエハステージである。
【００１１】
また、制御部２において、４７は制御部２の中心をなすＣＰＵ、４８は制御部２内の各部の動作タイミングを制御するクロックを発生するクロックユニット、４９は可変矩形露光を行う場合に必要なパターンデータや、ブロック露光を行う場合に必要なブロックデータや、主偏向器４３用の偏向データ等を格納するバッファメモリである。
【００１２】
また、５０はバッファメモリ４９に格納されている可変矩形露光を行う場合に必要なパターンデータのビームサイズデータとビーム位置データとへの分割や、ブロック露光を行う場合に必要なブロックデータの個々のブロックパターンを示すパターンデータコード（ＰＤＣ）化などを行うパターンジェネレータ（ＰＧ）ユニットである。
【００１３】
また、５１はパターンデータコード毎にマスク偏向器３８−１用の偏向データＢＳＸ１、ＢＳＹ１と、マスク偏向器３８−２用の偏向データＢＳＸ２、ＢＳＹ２と、マスク偏向器３８−３用の偏向データＢＳＸ３、ＢＳＹ３と、マスク偏向器３８−４用の偏向データＢＳＸ４、ＢＳＹ４と、非点収差補正コイル３９用の補正データＤＳＸ、ＤＳＹと、焦点補正コイル４０用の補正データＤＦとを格納するマスクメモリである。
【００１４】
また、５２は成形偏向器１４及び副偏向器４４用のパターンデータ（ビームサイズデータ、ビーム位置データ）の補正を行うパターン補正ユニット、５３はバッファメモリ４９に格納されている主偏向器４３用の偏向データに基づいて主偏向器４３を制御する主偏向器制御ユニットである。
【００１５】
このように構成された電子ビーム露光装置においては、ブロック露光が行われる場合、電子銃３から射出された電子ビーム４は、矩形成形アパーチャ１３により矩形に成形された後、マスク偏向器３８−１、３８−２により、ブロックマスク１５に形成されているブロックパターンのうち、選択されたブロックパターンに偏向され、断面形状を選択されたブロックパターンと同一のパターンに整形される。
【００１６】
このようにして、ブロックパターンにより断面形状を整形された電子ビーム４は、電子レンズ９により収束され、マスク偏向器３８−３、３８−４により光軸５に振り戻されると共に、マスク偏向器３８−１、３８−２により生じる非点収差及び焦点ずれがそれぞれ非点収差補正コイル３９及び焦点補正コイル４０により補正される。
【００１７】
そして、光軸５に振り戻された電子ビーム４は、縮小レンズ１０によって縮小され、ラウンドアパーチャ４２Ａを通過し、投影レンズ１１、１２によりウエハ４５上に露光される。
【００１８】
このようにして、ブロック露光を行うためには、マスクメモリ５１に記憶されている個々のブロックパターンに対する偏向データＢＳＸ１、ＢＳＹ１〜ＢＳＸ４、ＢＳＹ４及び補正データＤＳＸ、ＤＳＹ、ＤＦは、露光前に予め測定された最適なものでなければならない。
【００１９】
従来、偏向データＢＳＸ１、ＢＳＹ１〜ＢＳＸ４、ＢＳＹ４及び補正データＤＳＸ、ＤＳＹ、ＤＦの最適値は、補正データＤＳＸ、ＤＳＹ、ＤＦを変化させるごとに、偏向データＢＳＸ１、ＢＳＹ１〜ＢＳＸ４、ＢＳＹ４を変化させて電子ビーム４のラウンドアパーチャ４２Ａに対する軸合わせを行い、図８に示すように、ファラデーカップ５５を介してラウンドアパーチャ通過電流値を測定することにより取得されていた。
【００２０】
補正データＤＳＸ、ＤＳＹ、ＤＦを変化させるごとに、偏向データＢＳＸ１、ＢＳＹ１〜ＢＳＸ４、ＢＳＹ４を変化させて電子ビーム４のラウンドアパーチャ４２Ａに対する軸合わせを行う理由は、非点収差補正コイル３９及び焦点補正コイル４０は、ラウンドアパーチャ４２Ａ上での電子ビーム４の断面形状を変化させるものであるが、補正データＤＳＸ、ＤＳＹ、ＤＦを変化させると、ラウンドアパーチャ４２Ａ上での電子ビーム４の位置も変化してしまうためである。
【００２１】
ちなみに、図９（Ａ）、図９（Ｂ）は補正データＤＳＸ、ＤＳＹを変化させた場合におけるラウンドアパーチャ板４２上での電子ビーム４の断面形状の変化と位置ずれとの関係を示す概略的平面図、図９（Ｃ）は補正データＤＦを変化させた場合におけるラウンドアパーチャ板４２上での電子ビーム４の断面形状の変化と位置ずれとの関係を示す概略的平面図である。
【００２２】
【発明が解決しようとする課題】
ここに、偏向データＢＳＸ１、ＢＳＹ１〜ＢＳＸ４、ＢＳＹ４及び補正データＤＳＸ、ＤＳＹ、ＤＦの最適値の従来の取得方法においては、補正データＤＳＸ、ＤＳＹ、ＤＦをｎ通り変化させ、補正データＤＳＸ、ＤＳＹ、ＤＦの一通りごとに軸合わせのための偏向データＢＳＸ１、ＢＳＹ１〜ＢＳＸ４、ＢＳＹ４の変化をｍ回にわたり行う必要がある場合、最適値（目標値）Ｑを求めるためには、図１０に示すように、測定ポイントＰは、ｎ×ｍとなってしまい、多大な時間を必要としてしまうという問題点があった。
【００２３】
本発明は、かかる点に鑑み、ブロック露光を行う場合に必要な偏向データ及び補正データの最適値を取得するに要する時間を短縮し、ブロック露光を行うことができる荷電粒子ビーム露光装置の効率的な運用を図ることができるようにした偏向データ及び補正データ取得方法を提供することを目的とする。
【００２４】
【課題を解決するための手段】
本発明中、第１の発明（請求項１記載の偏向データ及び補正データ取得方法）は、光軸上にある荷電粒子ビームを、第１、第２のマスク偏向器により、ブロックマスクに形成されている複数個のブロックパターンのうち、選択されたブロックパターンに偏向して断面形状を整形した後、第３、第４のマスク偏向器により、光軸に振り戻すと共に、第１、第２のマスク偏向器の偏向により生じる非点収差及び焦点ずれをそれぞれ非点収差補正コイル及び焦点補正コイルにより補正し、縮小レンズ、ラウンドアパーチャ及び投影レンズを通して露光対象上に露光するブロック露光を行う場合に必要な第１、第２、第３、第４のマスク偏向器を駆動するための最適偏向データと、非点収差補正コイル及び焦点補正コイルを駆動するための最適補正データとを取得する偏向データ及び補正データ取得方法において、補正データを変化させるごとに、縮小レンズから出力される荷電粒子ビームをラウンドアパーチャを含むラウンドアパーチャ板上を２次元的に走査させ、前記ラウンドアパーチャを通過してくる荷電粒子ビームの強度を測定し、ラウンドアパーチャを通過した荷電粒子ビームの強度として最大値を得ることができる場合の補正データを最適補正データとして取得した後、最適補正データを使用すると共に、偏向データを変化させて縮小レンズから出力される荷電粒子ビームのラウンドアパーチャに対する軸合わせを行い、ラウンドアパーチャを通過した荷電粒子ビームの強度として最大値を得ることができる場合の偏向データを最適偏向データとして取得するというものである。
【００２５】
本発明中、第１の発明によれば、補正データを変化させて補正データの最適値を取得した後に、最適補正データを使用すると共に、偏向データを変化させて偏向データの最適値を取得するとしているので、荷電粒子ビームの強度を測定する場合の補正データの値と偏向データの値との組合せ数を減らし、偏向データ及び補正データの最適値を取得するに要する時間を短縮することができる。
【００２６】
本発明中、第２の発明（請求項２記載の偏向データ及び補正データ取得方法）は、第１の発明において、補正データを変化させるごとの荷電粒子ビームの強度の測定は、２次元的な走査を複数回行うものとし、荷電粒子ビームの強度の測定時間を２次元的な走査を１回行うに要する時間よりも短い時間とし、各２次元的な走査時における荷電粒子ビームの強度の測定開始時刻を、各２次元的な走査に対する走査開始時刻を基準にして相対的に一定時間づつずらしながら行うというものである。
【００２７】
本発明中、第２の発明によれば、第１の発明と同様の作用を得ることができると共に、２次元的な走査を１回行う場合に取得する荷電粒子ビームの強度の測定データを２次元的な走査を行う全時間について荷電粒子ビームの強度の測定を行う場合に比較して少なくすることができる。
【００２８】
本発明中、第３の発明（請求項３記載の偏向データ及び補正データ取得方法）は、第２の発明において、ＴＡを２次元的な走査を１回行うに要する時間、ＴＢ１を２次元的な走査の１回目における荷電粒子ビーム強度測定開始時刻、ＴＣを２次元的な走査１回中における荷電粒子ビーム強度測定時間とする場合、ｋ回目（但し、ｋは２以上の整数である。）の２次元的な走査時における荷電粒子ビーム強度測定開始時刻ＴＢｋをＴＢ１＋（ＴＡ＋ＴＣ）×（ｋ−１）とするというものである。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態について、図６に示す電子ビーム露光装置に必要な偏向データＢＳＸ１、ＢＳＹ１〜ＢＳＸ４、ＢＳＹ４及び補正データＤＳＸ、ＤＳＹ、ＤＦを取得する場合を例にして説明する。
【００３０】
図１〜図５は本発明の一実施形態を説明するための図であり、本発明の一実施形態においては、補正データＤＳＸ、ＤＳＹ、ＤＦをｎ通り変化させることを前提として、まず、補正データＤＳＸ、ＤＳＹ、ＤＦの一通りごとに、図１に示すように、電子ビーム４をラウンドアパーチャ４２Ａを含むラウンドアパーチャ板４２上を始点６０からＹ軸方向に移動させながらＸ軸方向に走査し、ラウンドアパーチャ４２Ａを通過した電子ビームの強度を、例えば、反射電子強度として測定する。
【００３１】
ここに、電子ビーム４の走査の範囲は、非点収差補正コイル３９や焦点補正コイル４０による軸ずれが発生した場合においても、図２に二点鎖線６２で示すように、電子ビーム４がラウンドアパーチャ４２Ａ及びその周辺部を走査することができる範囲に設定される。
【００３２】
このような電子ビーム４の走査は、例えば、成形偏向器１４に対して、Ｘ軸方向走査用の駆動信号として、図３（Ａ）に示すような周期を数十〜数百μｓとするノコギリ波信号Ｓ１５Ｘを供給すると共に、Ｙ軸方向走査用の駆動信号として、図３（Ｂ）に示すような周期を数〜数百ｍｓとするノコギリ波信号Ｓ１５Ｙを供給することにより行うことができる。
【００３３】
このような走査を行うと、ラウンドアパーチャ４２Ａを通過した電子ビームの強度波形として、電子ビーム４がラウンドアパーチャ板４２上で収束している場合には、図４（Ａ）に示すような波形を得ることができ、電子ビーム４がラウンドアパーチャ板４２上で収束していない場合には、図４（Ｂ）に示すような波形を得ることができる。
【００３４】
このようなラウンドアパーチャ４２Ａを通過した電子ビームの強度測定を補正データＤＳＸ、ＤＳＹ、ＤＦをｎ通り変化させてそれぞれについて行い、ラウンドアパーチャ４２Ａを通過した電子ビームの強度として最大値を得ることができた場合の補正データＤＳＸ、ＤＳＹ、ＤＦを最適補正データとする。
【００３５】
その後、最適補正データＤＳＸ、ＤＳＹ、ＤＦを使用すると共に、偏向データＢＳＸ１、ＢＳＹ１〜ＢＳＸ４、ＢＳＹ４を変化させて電子ビーム４のラウンドアパーチャ４２Ａに対する軸合わせを行い、ラウンドアパーチャ４２Ａを通過する電子ビームの強度を測定し、ラウンドアパーチャ４２Ａを通過した電子ビームの強度として最大値を得ることができた場合の偏向データＢＳＸ１、ＢＳＹ１〜ＢＳＸ４、ＢＳＹ４を最適偏向データとする。
【００３６】
このようにする場合には、補正データＤＳＸ、ＤＳＹ、ＤＦをｎ通り変化させる必要があり、偏向データＢＳＸ１、ＢＳＹ１〜ＢＳＸ４、ＢＳＹ４をｍ通り変化させる必要がある場合においても、偏向データＢＳＸ１、ＢＳＹ１〜ＢＳＸ４、ＢＳＹ４及び補正データＤＳＸ、ＤＳＹ、ＤＦの最適値を得るために、ｎ＋ｍ回の探査を行うことで足りる。
【００３７】
ここに、例えば、走査面１回の走査時間を４０ｍｓ、ラウンドアパーチャ通過電子ビーム強度のサンプリング間隔を１.２４μｓとすると、電子ビーム４がラウンドアパーチャ４２Ａを通過している時間は、走査面全体を１回走査する時間に比べて小さく、ラウンドアパーチャ通過電子ビーム強度波形の１個の幅は１０μｓとなるので、走査面を走査する全期間にわたってラウンドアパーチャ通過電子ビーム強度のサンプリングを行うと、全測定時間に対して必要な信号が測定される時間幅が非常に小さい、即ち、デューティ比の極めて小さいラウンドアパーチャ通過電子ビーム強度波形を取得することになり、記憶容量の極めて大きな記憶装置を必要としてしまうので、本発明の一実施形態においては、ラウンドアパーチャ通過電子ビーム強度の測定は、図５に示すように行われる。
【００３８】
図５において、ＴＡは走査面を１回走査するに要する時間、ＴＢ１は走査面の１回目の走査を行う場合のラウンドアパーチャ通過電子ビーム強度測定開始時刻、ＴＣはラウンドアパーチャ通過電子ビーム強度測定時間、ＴＤはピーク値を解析するに要する時間、ＴＢ２は走査面の２回目の走査を行う場合のラウンドアパーチャ通過電子ビーム強度測定開始時刻、ＴＢ３は走査面の３回目の走査を行う場合のラウンドアパーチャ通過電子ビーム強度測定開始時刻を示している。
【００３９】
即ち、本発明の一実施形態においては、補正データＤＳＸ、ＤＳＹ、ＤＦを変化させるごとのラウンドアパーチャ通過電子ビーム強度の測定は、走査面のｋ回目（但し、ｋは２以上の整数である。）の走査時における測定開始時刻ＴＢｋがＴＢ１＋（ＴＡ＋ＴＣ）×（ｋ−１）となるように行われ、ラウンドアパーチャ通過電子ビーム強度のピーク値が極大となる場合の補正データが最適補正データとして決定される。
【００４０】
なお、このようなラウンドアパーチャ通過電子ビーム強度の測定を複数回にわたり行い、ラウンドアパーチャ通過電子ビーム強度として、最大値を得ることができた場合の補正データＤＳＸ、ＤＳＹ、ＤＦを最適補正データとする場合には、より最適な補正データを得ることができる。
【００４１】
このように、本発明の一実施形態によれば、補正データＤＳＸ、ＤＳＹ、ＤＦを変化させて最適補正データを取得した後に、偏向データＢＳＸ１、ＢＳＹ１〜ＢＳＸ４、ＢＳＹ４を変化させて最適偏向データを取得するとしているので、ラウンドアパーチャ通過電子ビーム強度を測定する場合の補正データＤＳＸ、ＤＳＹ、ＤＦの値と偏向データＢＳＸ１、ＢＳＹ１〜ＢＳＸ４、ＢＳＹ４の値との組合せ数を減らし、最適偏向データ及び最適補正データを取得するに要する時間を短縮し、図６に示すような電子ビーム露光装置の効率的な運用を図ることができる。
【００４２】
また、本発明の一実施形態によれば、補正データＤＳＸ、ＤＳＹ、ＤＦを変化させるごとのラウンドアパーチャ通過電子ビーム強度の測定は、走査面の走査を複数回行うものとし、ラウンドアパーチャ通過電子ビーム強度測定時間を走査面１回の走査に必要な時間よりも短い時間とし、走査面の走査を繰り返すごとに、ラウンドアパーチャ通過電子ビーム強度測定開始時刻を、各走査面の走査に対する走査開始時刻を基準にして、相対的に一定時間ＴＣづつずらしながら行うとしたことにより、走査面の走査を１回行う場合に取得するラウンドアパーチャ通過電子ビーム強度の測定データを走査面を走査する全時間についてラウンドアパーチャ通過電子ビーム強度の測定を行う場合に比較して少なくすることができるので、ラウンドアパーチャ通過電子ビーム強度の測定データを記憶させる記憶装置として、走査面を走査する全期間にわたってラウンドアパーチャ通過電子ビーム強度の測定を行う場合に比較して記憶容量の小さい記憶装置を用意すれば足りる。
【００４３】
【発明の効果】
本発明中、第１の発明（請求項１記載の偏向データ及び補正データ取得方法）によれば、補正データを変化させて補正データの最適値を取得した後に、最適補正データを使用すると共に、偏向データを変化させて偏向データの最適値を取得するとしたことにより、荷電粒子ビームの強度を測定する場合の補正データの値と偏向データの値との組合せ数を減らし、偏向データ及び補正データの最適値を取得するに要する時間を短縮することができるので、ブロック露光を行うことができる荷電粒子ビーム露光装置の効率的な運用を図ることができる。
【００４４】
本発明中、第２又は第３の発明（請求項２又は３記載の偏向データ及び補正データ取得方法）によれば、第１の発明と同様の効果を得ることができると共に、２次元的な走査を１回行う場合に取得する荷電粒子ビームの強度の測定データを２次元的な走査を行う全時間について荷電粒子ビームの強度の測定を行う場合に比較して少なくすることができるので、荷電粒子ビームの強度の測定データを記憶させる記憶装置として、荷電粒子ビームの２次元的な走査を行う全時間について荷電粒子ビームの強度測定を行う場合に比較して記憶容量の小さい記憶装置を用意すれば足りる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態を説明するための図である。
【図２】本発明の一実施形態を説明するための図である。
【図３】図６に示す電子ビーム露光装置が備える成形偏向器に供給する駆動信号を示す波形図である。
【図４】本発明の一実施形態を実行することにより得られるラウンドアパーチャ通過電子ビーム強度波形を示す図である。
【図５】本発明の一実施形態において行われるラウンドアパーチャ通過電子ビーム強度の測定方法を説明するための図である。
【図６】電子ビーム露光装置の一例の要部を示す概念図である。
【図７】図６に示す電子ビーム露光装置が備えるブロックマスクを示す概略的平面図である。
【図８】図６に示す電子ビーム露光装置においてブロック露光を行う場合に必要な偏向データ及び補正データの最適値の従来の取得方法を説明するための図である。
【図９】補正データを変化させた場合におけるラウンドアパーチャ板上での電子ビームの断面形状の変化と位置ずれとの関係を示す概略的平面図である。
【図１０】図６に示す電子ビーム露光装置においてブロック露光を行う場合に必要な偏向データ及び補正データの最適値の従来の取得方法が有する問題点を説明するための図である。
【符号の説明】
（図１）
４  電子ビーム
４２  ラウンドアパーチャ板
４２Ａ  ラウンドアパーチャ
６０  走査の始点
（図６）
３８−１  マスク偏向器
３８−２  マスク偏向器
３８−３  マスク偏向器
３８−４  マスク偏向器
３９  非点収差補正コイル
４０  焦点補正コイル
【図１】
0004048573.tif 000002
【図２】
0004048573.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0004048573.tif 000008
【図８】
0004048573.tif 000009
【図９】
0004048573.tif 000010
【図１０】
0004048573.tif 000011