(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性の部材からなり、搭載面を有する搭載部材と、
受光部と、当該受光部からの電流信号を出力する信号出力電極とを有する半導体受光素子と、
前記電流信号を入力するための信号入力電極と、当該信号入力電極の両側に設けられる接地電極とを有する半導体電子素子と、
一方の面側に前記搭載面に接する電極を有し、他方の面側に並設された少なくとも３つの電極を有するダイキャップコンデンサと、を備え、
前記半導体受光素子は、ダイキャップコンデンサの前記少なくとも３つの電極のうちの中央の電極に配置され、
前記ダイキャップコンデンサは、配置された前記半導体受光素子が前記搭載面の中央部に位置するように配置され、
前記半導体電子素子は、前記信号入力電極が前記半導体受光素子の前記信号出力電極と対向するように前記ダイキャップコンデンサに隣接して前記搭載面に配置されており、
前記半導体受光素子の前記信号出力電極と前記半導体電子素子の前記信号入力電極とがボンディングワイヤにより電気的に接続され、
前記半導体電子素子の前記接地電極と前記ダイキャップコンデンサの前記半導体受光素子が配置された前記電極の両側に位置する前記電極のうち対応する側の電極とがそれぞれボンディングワイヤにより電気的に接続され、
前記半導体電子素子の前記接地電極にボンディングワイヤにより電気的に接続された前記ダイキャップコンデンサの前記電極と前記搭載面とがそれぞれボンディングワイヤにより電気的に接続されていることを特徴とする受光モジュール。
【請求項２】
前記ダイキャップコンデンサは、前記他方の面側に並設された前記少なくとも３つの電極に対して最外となる位置に電極を更に有しており、当該最外に位置する電極と前記前記半導体電子素子の電源電極とがボンディングワイヤにより電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の受光モジュール。
【請求項３】
前記半導体電子素子は、信号を出力するための信号出力電極を一対有しており、当該信号出力電極は、前記信号入力電極が近接して配置される一辺に直交する辺にそれぞれ近接して配置されていることを特徴とする請求項１に記載の受光モジュール。
【請求項４】
前記半導体受光素子は、前記受光部に電源電圧を印加するための電源電極と、前記ダイキャップコンデンサの前記半導体受光素子が配置された前記電極にボンディングワイヤにより電気的に接続された電極と、当該電極と前記電源電極との間に直列接続して設置した抵抗素子とを更に有することを特徴とする請求項１に記載の受光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、受光モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】
受光モジュール１０１は、図７に示されるように、搭載部材１１１と、リードピン１２１〜１２４と、半導体受光素子１３１と、ダイキャップコンデンサ１４１と、半導体電子素子１５１等を備える。
【０００３】
搭載部材１１１は、導電性の部材からなり、搭載面１１２を有する。リードピンのうち、搭載部材１１１に電気的に導通しているリードピン（図示せず）以外の４本のリードピン１２１〜１２４と搭載部材１１１の絶縁は、ガラス部材１２５による封止にて行っている。
【０００４】
半導体受光素子１３１は、受光部１３２と、リードピン１２１にワイヤボンディングされる第１の電極１３３と、第２の電極１３４と、受光部１３２からの電流信号を出力する第３の電極１３５とを有する。また、半導体受光素子１３１は、一端が第１の電極１３３に電気的に接続され、他端が第２の電極１３４に接続される抵抗素子１３６を有する。
【０００５】
ダイキャップコンデンサ１４１は、一方の面側に搭載面に接する電極（図示せず）を有し、他方の面側に並設された２つの電極１４２，１４３を有する。半導体受光素子１３１は、一方の電極１４２上に配置され、半導体受光素子１３１の第２の電極１３４と電極１４２とがワイヤボンディングされている。他方の電極１４３は、リードピン１２２にワイヤボンディングされている。ここで、半導体受光素子１３１の抵抗素子１３６とダイキャップコンデンサ１４１とは、ＣＲフィルタを形成しており、半導体受光素子１３１に印加する電源のデカップリングフィルタとなっている。
【０００６】
半導体電子素子１５１は、半導体受光素子１３１から出力された電流信号を電気処理するものであり、第１〜第５の電極１５２〜１５６と、搭載部材１１１（搭載面１１２）にワイヤボンディングされる接地電極１５７とを有する。第１の電極１５２は、半導体電子素子１５１に電源電圧（ＶDD）を印加するためのものであり、ダイキャップコンデンサ１４１の電極１４３にワイヤボンディングされている。第２の電極１５３は、半導体受光素子１３１からの電流信号を半導体電子素子１５１に入力するためのもので、半導体受光素子１３１の第３の電極１３５にワイヤボンディングされている。第３の電極１５４は、半導体受光素子１３１から出力された電流信号を電気処理した信号を出力するためのものであり、リードピン１２３にワイヤボンディングされている。第４の電極１５５は、第３の電極１５４から出力される信号とは位相が１８０°異なる相補信号を出力するものであり、リードピン１２４にワイヤボンディングされている。第５の電極１５６は、搭載面１１２上に配置されたダイキャップコンデンサ１６１の電極にワイヤボンディングされている。
【０００７】
搭載面１２上に配置されたダイキャップコンデンサ１６２の電極は、リードピン１２２にワイヤボンディングされている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
発明者は、上述したような構成の受光モジュールの動作速度を上げるために技術開発を行っている。最近、受光モジュールの動作速度を上げることが求められており、発明者等は、信号周波数が２．５ＧＨｚを越えるような速度を実現できるような受光モジュールが求められると考えている。信号周波数が２．５ＧＨｚを越えるような領域では、各部品間の信号伝送路（信号ライン）のインピーダンス整合を考慮しないと、満足し得る特性を得ることができない。また、電源供給路（電源ライン）を介した信号の回り込みによる動作不安定（発振）現象も生じ易くなる。
【０００９】
これらの問題点の解決手法として、電源ラインの低インピーダンス化、及び、信号ラインの低インピーダンス化がある。ここで、低インピーダンス化というのは、電源のデカップリングコンデンサの容量増大、あるいは、当該コンデンサに接続するラインの低インダクタンス化を意味する。低インダクタンス化には複数のボンディングワイヤを並列的に配線することが効果的となる。また、信号ラインの低インピーダンス化は、このラインの周囲を低インピーダンスのライン、たとえば接地ラインあるいは電源ラインで囲む構成を採用することで実現できる。この取り囲みはワイヤだけでなく、半導体電子素子内でも同様に行なうことが効果的となる。
【００１０】
しかしながら、受光モジュールの小型化を図る場合、搭載部材を小さくする必要があることから、搭載部材における部品搭載面積に制約が生じることとなる。このため、新たな部品を数多く搭載することが困難となる。また、信号ラインの周囲を低インピーダンスのラインで囲む場合、半導体電子素子内では配線の自由度が確保されているため充分な余裕を有した状態で信号ラインの周囲を低インピーダンスのラインで囲むことができるが、信号ラインのワイヤの周囲を接地ラインあるいは電源ラインのワイヤで取り囲むことは、当該ワイヤの付線時におけるワイヤ間の相互干渉の問題から困難となる。
【００１１】
本発明は上述の点に鑑みてなされたもので、信号ラインの低インピーダンス化を容易且つ確実に図ることが可能な受光モジュールを提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る受光モジュールは、導電性の部材からなり、搭載面を有する搭載部材と、受光部と、当該受光部からの電流信号を出力する信号出力電極とを有する半導体受光素子と、電流信号を入力するための信号入力電極と、当該信号入力電極の両側に設けられる接地電極とを有する半導体電子素子と、一方の面側に搭載面に接する電極を有し、他方の面側に並設された少なくとも３つの電極を有するダイキャップコンデンサと、を備え、半導体受光素子は、ダイキャップコンデンサの少なくとも３つの電極のうちの中央の電極に配置され、ダイキャップコンデンサは、配置された半導体受光素子が搭載面の中央部に位置するように配置され、半導体電子素子は、信号入力電極が半導体受光素子の信号出力電極と対向するようにダイキャップコンデンサに隣接して搭載面に配置されており、半導体受光素子の信号出力電極と半導体電子素子の信号入力電極とが電気的に接続され、半導体電子素子の接地電極とダイキャップコンデンサの半導体受光素子が配置された電極の両側に位置する電極のうち対応する側の電極とがそれぞれ電気的に接続され、半導体電子素子の接地電極に電気的に接続されたダイキャップコンデンサの電極と搭載面とがそれぞれ電気的に接続されていることを特徴としている。
【００１３】
本発明に係る受光モジュールでは、半導体電子素子において信号入力電極の両側に接地電極が設けられ、当該接地電極はダイキャップコンデンサの半導体受光素子が配置された電極の両側に位置する電極を介して搭載部材（搭載面）にそれぞれ電気的に接続されて、接地されることとなる。接地電極とダイキャップコンデンサの電極との間の配線長さ、及びダイキャップコンデンサの電極と搭載部材との間の配線長さは、接地電極を直接搭載部材に接地させた場合の配線長さに比して短くなる。これにより、配線自体が有するインダクタンス成分の影響を低く抑えることができると共に、配線が変形し難くなり、各部位に接触するのを防ぐことができる。この結果、半導体受光素子から半導体電子素子へ電流信号を送るための信号ラインを接地ラインにて囲む構造が実現され、当該信号ラインの低インピーダンス化を容易且つ確実に図ることができる。
【００１４】
また、ダイキャップコンデンサは、他方の面側に並設された少なくとも３つの電極に対して最外となる位置に電極を更に有しており、当該最外に位置する電極と半導体電子素子の電源電極とが電気的に接続されていることが好ましい。このように構成した場合、ダイキャップコンデンサは、半導体電子素子に印加する電源のカップリングコンデンサとして機能することとなり、電源ラインの低インピーダンス化を図ることができる。
【００１５】
また、半導体電子素子は、信号を出力するための信号出力電極を一対有しており、当該信号出力電極は、信号入力電極が近接して配置される一辺に直交する辺にそれぞれ近接して配置されていることが好ましい。このように構成した場合、信号出力電極から信号を取り出すための配線長さが短くなり、当該配線自体が有することとなるインダクタンス成分の影響を低く抑えることができる。
【００１６】
また、半導体受光素子は、受光部に電源電圧を印加するための電源電極と、ダイキャップコンデンサの半導体受光素子が配置された電極に電気的に接続された電極と、当該電極と電源電極との間に直列接続して設置した抵抗素子とを更に有することが好ましい。このように構成した場合、ダイキャップコンデンサと抵抗素子とがＣＲフィルタを構成することとなり、半導体受光素子の安定した動作が実現可能となる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態に係る受光モジュールについて図面を参照して説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【００１８】
（第１実施形態）
図１は受光モジュールを示す平面図であり、図２は同じく受光モジュールを示す断面図である。受光モジュール１は、たとえば光通信モジュールの受信用サブアセンブリ（ＲＯＳＡ）に用いられるもので、図１及び図２に示されるように、搭載部材１１と、複数（本実施形態においては５本）のリードピン２１〜２５、半導体受光素子３１、ダイキャップコンデンサ（平行平板コンデンサ）４１、半導体電子素子５１等を備える。
【００１９】
搭載部材１１は、半導体受光素子３１、ダイキャップコンデンサ４１、半導体電子素子５１等の部品を搭載する搭載面１２を有し、搭載面１２の裏面側に窪み部１４が形成されている。搭載面１２の直径は、約４．２２ｍｍに設定されている。この搭載部材１１は、コバール、Ｆｅ−Ｎｉ合金又はＣｕＷ等の金属からなり、金メッキが施されている。搭載部材１１には、搭載面１２から当該搭載面１２の裏面に貫通して形成された複数（本実施形態においては４つ）の孔部１５が形成されている。これらの孔部１５には、それぞれ対応するリードピン２１〜２４が挿通される。
【００２０】
リードピン２１〜２４は、一端が搭載面１２から所定の長さ（たとえば、０．３５ｍｍ程度）突出した状態で対応する孔部１５に挿通されて、搭載部材１１に電気的に絶縁された状態で固定される。リードピン２１〜２４と搭載部材１１の絶縁は、窪み部１４に充填されるガラス部材１６による封止にて行っている。
【００２１】
リードピン２１は半導体受光素子３１に電源電圧（ＶPD）を印加するためのものであり、リードピン２２は半導体電子素子５１に電源電圧（ＶDD）を印加するためのものである。リードピン２３，２４は、半導体電子素子５１にて電気処理した信号を出力するためのものである。リードピン２５は、搭載部材１１と電気的に導通した状態で、搭載面１２の裏面に固定されている。これらのリードピン２１〜２５は、コバール等の金属材料からなり、その外径は約０．４５ｍｍに設定されている。
【００２２】
ダイキャップコンデンサ４１は、一方の面側に搭載面１２に接する電極４２を有し、他方の面側に並設された少なくとも３つ（本実施形態においては４つ）の電極４３〜４５を有する。このダイキャップコンデンサ４１は、電極４３が搭載面１２の中央部に位置するように配置され、電極４２が搭載部材１１と電気的に接続されている。ダイキャップコンデンサ４１は０．７ｍｍ×２．６ｍｍ×０．２ｍｍの大きさを有し、電極４３の大きさは０．９ｍｍ×０．６ｍｍに設定され、電極４４，４５の大きさは０．３ｍｍ×０．６ｍｍに設定され、電極４６の大きさは０．８ｍｍ×０．６ｍｍに設定されている。
【００２３】
搭載面１２の中央部に位置することとなる電極４３の両側に位置する電極４４，４５は、搭載部材１１とワイヤボンディングされ電気的に接続されており、接地電位とされる。電極４４，４５と搭載部材１１とを電気的に接続するワイヤ（配線）は複数本（本実施形態においては２本）とされている。最外に位置する電極４６は、リードピン２２にワイヤボンディングされている。電極４６とリードピン２２とを電気的に接続するワイヤは複数本（本実施形態においては２本）とされている。
【００２４】
半導体受光素子３１は、たとえばフォトダイオードであって、図３にも示されるように、受光部３２、第１の電極３３（電源電極）、第２の電極３４及び第３の電極３５（信号出力電極）を有する。また、半導体受光素子３１は、第１の電極３３と第２の電極３４との間に直列接続して設置した抵抗素子３６と、抵抗素子３６に並列接続したダイオード３７とを有する。半導体受光素子３１の大きさは、０．５ｍｍ×０．５ｍｍとなっている。この半導体受光素子３１は、ダイキャップコンデンサ４１の電極４３上に配置される。言い換えると、ダイキャップコンデンサ４１は、電極４３に配置された半導体受光素子３１（受光部３２）が搭載面１２の中央部に位置するように配置されている。
【００２５】
第１の電極３３は、半導体受光素子３１に電源電圧を印加するためのものであり、半導体受光素子３１における一つの角部に近接して設けられている。この第１の電極３３は、リードピン２１にワイヤボンディングされている。これにより、半導体受光素子３１には、リードピン２１及びワイヤを介して電源電圧が印加されることとなる。
【００２６】
第３の電極３５は、受光部３２に入射した光が変換されて得られた電流信号を出力するためのものであり、第１の電極３３が近接して設けられた角部と隣り合う角部に近接して設けられている。
【００２７】
第２の電極３４は、第１及び第３の電極３３，３５が近接して設けられた角部とは反対側の一辺に沿って設けられている。この第２の電極３４は、ダイキャップコンデンサ４１の電極４３にワイヤボンディングされている。これにより、ダイキャップコンデンサ４１（電極４２，４３により構成されることとなるコンデンサ部分）と抵抗素子３６とがＣＲフィルタを構成することとなり、半導体受光素子３１の安定した動作が実現可能となる。
【００２８】
半導体電子素子５１は、たとえばプリアンプＩＣであって、半導体受光素子３１から出力された電流信号を電気処理（たとえば、増幅、電流−電圧変換等）する。半導体電子素子５１は、第１の電極５２（電源電極）、第２の電極５３（信号入力電極）、第３の電極５４（信号出力電極）、第４の電極５５（信号出力電極）、第５の電極５６、接地電極５７，５８等を有する。半導体電子素子５１は、第２の電極５３が半導体受光素子３１の第３の電極３５と対向するようにダイキャップコンデンサ４１に隣接して搭載面１２に配置されている。本実施形態においては、リードピン２３，２４間に配置されている。
【００２９】
第１の電極５２は、半導体電子素子５１に電源電圧を印加するためのものであり、ダイキャップコンデンサ４１の電極のうち最外に位置する電極４６とワイヤボンディングされ電気的に接続されている。これにより、半導体電子素子５１には、リードピン２２、ダイキャップコンデンサ４１の電極４６及びワイヤを介して電源電圧が印加されることとなる。第１の電極５２と電極４６とを電気的に接続するワイヤは複数本（本実施形態においては３本）とされている。
【００３０】
第２の電極５３は、半導体受光素子３１からの電流信号を半導体電子素子５１に入力するためのもので、半導体受光素子３１の第３の電極３５とワイヤボンディングされている。
【００３１】
第３の電極５４は、半導体受光素子３１から出力された電流信号を電気処理した信号を出力するためのものであり、リードピン２３にワイヤボンディングされている。これにより、半導体電子素子５１にて電気処理した信号は、ワイヤ及びリードピン２３を介して出力されることとなる。第４の電極５５は、第３の電極５４から出力される信号とは位相が１８０°異なる相補信号を出力するものであり、リードピン２４にワイヤボンディングされている。これにより、半導体電子素子５１にて電気処理した相補信号は、ワイヤ及びリードピン２４を介して出力されることとなる。第３の電極５４及び第４の電極５５は、第２の電極５３が近接して配置される一辺に直交し且つ互いに対向する辺（リードピン２３，２４に近接する辺）にそれぞれ近接して配置されている。
【００３２】
第５の電極５６は、ダイキャップコンデンサ６０の電極にワイヤボンディングされている。ダイキャップコンデンサ６０は、半導体電子素子５１の内部回路で用いる平滑化コンデンサとして機能し、高域遮断フィルタのカットオフ周波数を決定するためのものである。
【００３３】
接地電極５７は、第２の電極５３の両側に設けられ、ダイキャップコンデンサ４１の電極４４，４５にそれぞれワイヤボンディングされ電気的に接続されている。これにより、接地電極５７は、電極４４，４５及びワイヤを介して搭載部材１１に電気的に接続された状態となり、接地電位とされる。
【００３４】
接地電極５８は、それぞれが搭載面１２にワイヤボンディングされており、接地電位とされる。
【００３５】
以上のように、本第１実施形態においては、半導体電子素子５１において第２の電極５３の両側に接地電極５７が設けられ、当該接地電極５７はダイキャップコンデンサ４１の半導体受光素子３１が配置された電極４３の両側に位置する電極４４，４５を介して搭載部材１１（搭載面１２）にそれぞれ電気的に接続されて、接地されることとなる。接地電極５７とダイキャップコンデンサ４１の電極４４，４５との間の配線長さ、及びダイキャップコンデンサ４１の電極４４，４５と搭載部材１１との間の配線長さは、接地電極５７を直接搭載部材１１に接地させた場合の配線長さに比して短くなる。これにより、ワイヤ自体が有するインダクタンス成分の影響を低く抑えることができると共に、ワイヤが変形し難くなり、各部位に接触するのを防ぐことができる。この結果、半導体受光素子３１から半導体電子素子５１へ電流信号を送るための信号ラインを接地ラインにて囲む構造が実現され、当該信号ラインの低インピーダンス化を容易且つ確実に図ることができ、信号周波数が２．５ＧＨｚを越えるような信号に対しても安定した伝送を実現できる。
【００３６】
また、本第１実施形態においては、ダイキャップコンデンサ４１は、他方の面側に並設された少なくとも３つの電極４３〜４５に対して最外となる位置に電極４６を更に有しており、当該最外に位置する電極４６と半導体電子素子５１の第１の電極５２とが電気的に接続されている。これにより、ダイキャップコンデンサ４１（電極４２，４６により構成されることとなるコンデンサ部分）は、半導体電子素子５１に印加する電源のカップリングコンデンサとして機能することとなり、電源ラインの低インピーダンス化を図ることができる。
【００３７】
また、本第１実施形態においては、半導体電子素子５１は、信号を出力するための信号出力電極として第３の電極５４及び第４の電極５５を有しており、当該第３の電極５４及び第４の電極５５は、第２の電極５３が近接して配置される一辺に直交する辺にそれぞれ近接して配置されている。これにより、第３の電極５４及び第４の電極５５から信号を取り出すためにリードピン２３，２４にそれぞれワイヤリングされるワイヤの長さが短くなり、当該ワイヤ自体が有することとなるインダクタンス成分の影響を低く抑えることができる。
【００３８】
また、本第１実施形態においては、半導体電子素子５１の第１の電極５２とダイキャップコンデンサ４１の電極のうち最外に位置する電極４６と電気的に接続するワイヤ、及び、リードピン２２とダイキャップコンデンサの電極４６と電気的に接続するワイヤをそれぞれ複数本としている。これにより、ワイヤが有する寄生インダクタンスの影響を低減することができ、高周波領域での安定した特性を実現することができる。
【００３９】
（第２実施形態）
図４は受光モジュールを示す平面図であり、図５は同じく受光モジュールを示す断面図である。第２実施形態の受光モジュール６１は、搭載部材１１等の形状の点で第１実施形態と相違する。
【００４０】
搭載部材１１は、搭載面１２及び端子配置面１３を有する本体部７１と、この本体部７１から側方に突出する鍔部７２とを含む。この本体部７１及び鍔部７２は、コバール、Ｆｅ−Ｎｉ合金又はＣｕＷ等の金属からなり、金メッキが施されている。搭載部材１１（本体部７１）の厚みは１．１ｍｍ〜１．５ｍｍであり、本体部７１の外径は約４．２２ｍｍであり、鍔部７２の外径は約５．４ｍｍである。
【００４１】
搭載部材１１の本体部７１には、搭載面１２から端子配置面１３に貫通して形成された複数（本実施形態においては４つ）の孔部７３〜７６が形成されている。これらの孔部７３〜７６には、それぞれ対応するリードピン２１〜２４が挿通される。孔部７３，７４の内径は約０．８ｍｍに設定されており、孔部７５，７６の内径は約１．１ｍｍに設定されている。
【００４２】
リードピン２１〜２４は、一端が搭載面１２から所定の長さ（たとえば、０．３５ｍｍ程度）突出した状態で対応する孔部７３〜７６に挿通されて、搭載部材１１に電気的に絶縁された状態で固定される。リードピン２１〜２４は、孔部７３〜７６の略中心を通る。孔部７３，７４に挿通されるリードピン２１．２２の外径は約０．４５ｍｍに設定されており、孔部７５，７６に挿通されるリードピン２３，２４の外径は約０．２ｍｍに設定されている。なお、リードピン２５は、外径が約０．４５ｍｍに設定されている。
【００４３】
リードピン２１〜２４と搭載部材１１との固定は、リードピン２１〜２４の外周面と孔部７３〜７６の内周面との間隙にのみガラス部材８１〜８４を充填して当該間隙を気密に封止することにより行なわれる。ここで、ガラス部材８１〜８４の誘電率は４．１程度である。
【００４４】
孔部７５，７６の内径が約１．１ｍｍであることから、ガラス部材８３，８４の外径も約１．１ｍｍとなる。一方、リードピン２３，２４の外径は、上述したように約０．２ｍｍに設定されている。これにより、リードピン２３，２４は、信号周波数が１０ＧＨｚである信号が通るようにガラス部材８３，８４により封止された部分においてインピーダンスが５０Ω程度となり、インピーダンス整合されることとなる。
【００４５】
以上のように、本第２実施形態においても、第１実施形態と同じく、半導体受光素子３１から半導体電子素子５１へ電流信号を送るための信号ラインを接地ラインにて囲む構造が実現され、当該信号ラインの低インピーダンス化を容易且つ確実に図ることができ、信号周波数が２．５ＧＨｚを越えるような信号に対しても安定した伝送を実現できる。
【００４６】
また、本第２実施形態においては、リードピン２３，２４の外径及び孔部７５，７６の内径を適宜設定することで、リードピン２３，２４のインピーダンスが所望の値に設定されることとなり、ガラス部材８３，８４により封止された部分においてリードピン２３，２４のインピーダンス整合を容易に図ることができる。
【００４７】
また、本第２実施形態においては、搭載部材１１の厚みが、第１実施形態のものに比して厚く設定されていることから、搭載部材１１の熱抵抗が低減されることとなる。これにより、受光モジュール６１の放熱特性を改善することができる。
【００４８】
（第３実施形態）
図６は受光モジュールを示す平面図である。第３実施形態の受光モジュールは、ダイキャップコンデンサに関して第２実施形態と相違する。
【００４９】
ダイキャップコンデンサ６０は、複数（本第３実施形態においては、２つ）の電極９１，９２を有している。上述したように、ダイキャップコンデンサ６０は、半導体電子素子５１における高域遮断フィルタのカットオフ周波数を決定するためのものであり、その容量値は慎重に設定する必要がある。
【００５０】
このため、ダイキャップコンデンサ６０の電極を複数に分割しておき、半導体電子素子５１の第５の電極５６と電気的に接続する電極を適宜選択することにより、ダイキャップコンデンサ６０において平滑化コンデンサとして実質的に機能するコンデンサ部分の容量値が変更されることとなる。この結果、半導体電子素子５１における高域遮断フィルタのカットオフ周波数を適切に設定することができる。
【００５１】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。例えば、ダイキャップコンデンサ４１とダイキャップコンデンサ６０とを一体型に形成してもよい。すなわち、ダイキャップコンデンサ４１の長さを延長し、この延長した部分に電極を設け、この部分をダイキャップコンデンサ６０として用いるようにしてもよい。
【００５２】
また、リードピン２１，２２間に新たなダイキャップコンデンサを配置し、リードピン２１あるいはリードピン２２と電気的に接続するようにしてもよい。リードピン２１，２２間に新たに配置したダイキャップコンデンサとリードピン２１とを電気的に接続することで、半導体受光素子３１に印加する電源のカップリングコンデンサとして機能させることができる。リードピン２１，２２間に新たに配置したダイキャップコンデンサとリードピン２２とを電気的に接続することで、半導体電子素子５１に印加する電源のカップリングコンデンサとして機能させることができる。
【００５３】
また、ワイヤボンディングに用いるワイヤ（配線）は、通常、直径が３０μｍ〜５０μｍの金線を用いるが、これに代えて、金リボンを用いるようにしてもよい。
【００５４】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、電源ライン及び信号ラインの低インピーダンス化を容易に図ることが可能な受光モジュールを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態に係る受光モジュールを示す平面図である。
【図２】第１実施形態に係る受光モジュールを示す断面図である。
【図３】受光モジュールに含まれる半導体受光素子の構成を示す図である。
【図４】第２実施形態に係る受光モジュールを示す断面図である。
【図５】第２実施形態に係る受光モジュールを示す平面図である。
【図６】第３実施形態に係る受光モジュールを示す平面図である。
【図７】従来の受光モジュールを示す平面図である。
【符号の説明】
１，６１，１０１…受光モジュール、１１，１１１…搭載部材、１２，１１２…搭載面、３１，１３１…半導体受光素子、３２，１３２…受光部、３３，１３３…第１の電極（電源電極）、３４，１３４…第２の電極、３５，１３５…第３の電極（信号出力電極）、３６，１３６…抵抗素子、４１，１４１…ダイキャップコンデンサ、４２〜４６，１４２，１４３…電極、５１，１５１…半導体電子素子、５２，１５２…第１の電極（電源電極）、５３，１５３…第２の電極（信号入力電極）、５４，１５４…第３の電極（信号出力電極）、５５，１５５…第４の電極（信号出力電極）、５６，１５６…第５の電極、５７，５８，１５７…接地電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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