(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ・ダイオード（ＬＤ）が出力する光の発振波長を制御するＬＤの制御回路において、
光波長に対して周期的な光透過率特性を有し、該ＬＤからの光を透過するエタロンと、
該エタロンの透過光を電気に変換する第１のフォト・ダイオードと、
該第１のフォト・ダイオードの出力に従い、該ＬＤの温度制御を行う素子を制御するドライバ部と、
該エタロンの温度検出結果と該レーザの発振波長を初期設定した時の設定波長毎の温度から温度変動を算出して該エタロンの周期的な光透過率特性の波長変動に換算し、該レーザの発振波長を初期設定した時の該エタロンの出力特性の傾斜と該波長変動の積から計算した補正量をデジタル・アナログ変換して該第１のフォト・ダイオード部の出力電圧に加え、補正された該第１のフォト・ダイオード部の出力電圧と基準電圧を比較した電圧値を該ドライバ部に与える自動周波数制御部
を備えたことを特徴とするＬＤの制御回路。
【請求項２】
請求項１記載のＬＤの制御回路において、
該ＬＤの出力光を受光する第２のフォト・ダイオードと、
該第２のフォト・ダイオードの出力と該処理部からの出力を基に該ＬＤ出力光パワーを制御するパワー制御部とを備えたことを特徴とするＬＤの制御回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レーザ・ダイオードの発振波長制御方式に係り、特に、レーザ・ダイオードの発振波長をロックするためにエタロンを用いた発振波長制御方式において、容易に発振波長をロックでき、レーザ・ダイオードの発振出力が経年変化などで変動しても同一発振波長にロック可能で、且つ、ロック波長に変動が生じた際に発出する警報の試験を容易に実施可能なレーザ・ダイオードの発振波長制御方式に関する。
【０００２】
光通信が数々の段階を経て発達を続けてきた結果、公衆網又は私設網における光通信のインフラ・ストラクチャである光ファイバ・ネットワークは、ほぼ十分に敷設され終えたと思われていた。
【０００３】
しかし、最近、音声情報のみならず画像情報、データ等を総合的に扱うマルチメディア通信、なかんずく、コンピュータ・ネットワークにおいてマルチメディア通信を行なうインターネットが予想を遙かに超える速度で普及してきたことにより、光ファイバ・ネットワークの一層の大容量化が焦眉の急となっている。
【０００４】
一方、光ファイバ自体の広帯域化と電気・光変換回路及び光・電気変換回路の高速化の研究は様々な観点から進められており、又、現行の光強度変調方式とは異なる全く新しい光通信方式の研究も鋭意進められているが、残念ながら上記事態に当たって即戦力にはなり難いと言わざるを得ない状況である。（▲１▼）
又、大容量化のために新たな光ファイバ・ネットワークを敷設するためには新たにスペースと人と金と時間というリソースが必要になるので、光ファイバ・ネットワークの新規敷設によって急速な光通信需要の増加に即応することは容易ではない。（▲２▼）
更に、地球環境問題、特に、炭酸ガス排出量規制問題に鑑み、大量な光ファイバを生産して新たに敷設することを避け、既に敷設されている光ファイバ・ネットワークのリソースを活用しながら光通信の大容量化を推進することが肝要である。（▲３▼）
上記▲１▼、▲２▼、▲３▼の三点を考慮すると、急速な光通信需要の伸長に緊急に対処するには、既設の光ファイバ・ネットワークが供給する通信帯域を使いきりながら、既に実用化されている電気・光変換回路及び光・電気変換回路の技術を基本にする、所謂、波長分割多重光通信方式（英語では「Wavelength Division Multiplexing」、略して「ＷＤＭ」である。）によるのが最も好ましい。
【０００５】
ここで、波長分割多重光通信方式の実用化に欠くことができない波長可変型光送信回路において、送信光信号の出力パワーを安定化することと、多重化される波長数の一層の増加に対応しうるだけ正確なレーザ・ダイオードの発振波長の制御が重要な技術である。本発明は、波長可変型光送信回路に関するかかる重要技術のうち後者に関するものである。
【０００６】
尚、本発明は波長分割多重光通信方式におけるレーザ・ダイオードの発振波長の制御を念頭になされたものであるが、単一波長による光通信方式においても適用できるものであることを付言しておきたい。
【０００７】
【従来の技術】
図１２は、従来の技術（その１）で、自動パワー制御によってレーザ・ダイオードの発振出力を一定に制御すると共に、自動温度制御によってレーザ・ダイオードの温度を一定に制御して発振波長を一定に制御するものである。
【０００８】
図１２において、１はレーザ・ダイオードの温度を検出して電圧を出力するサーミスタ部（図では「ＴＨ」と略記している。以降も、図では同様に記載する。）、２は第一の基準電圧源、３はサーミスタ部１が出力する電圧と第一の基準電圧源２が出力する電圧を比較して自動温度制御のための制御電圧を出力する自動温度制御部（図では「ＡＴＣ」と略記している。以降も、図では同様に記載する。）、４はレーザ・ダイオードの温度を制御するペルチエ素子（一般的に熱・電気変換効果によって温度制御する素子をThermo-Electric Controler と呼ぶので、図ではその頭文字をとって「ＴＥＣ」と略記している。以降も、図では同様に記載する。）、５は自動温度制御部３が出力する制御電圧に応ずる駆動電流をペルチエ素子４に供給するペルチエ素子ドライバ（図では、「ＴＥＣ  ＤＲＶ」と略記している。このうち「ＤＲＶ」は英語のDriverを略したものである。以降も、図では同様に記載する。）、６は電気信号を光信号に変換するレーザ・ダイオード（図では「ＬＤ」と略記している。以降も、図では同様に記載する。）、７はレーザ・ダイオード６のバック光を電気信号に再変換する第一のフォト・ダイオード部（図では、「ＰＤ＃１」と略記している。以降も、図では同様に記載するが、一部の図では「ＰＤ１」の如く記載することもある。）、８は第二の基準電圧源、９はフォト・ダイオード部７が出力する電圧と第二の基準電圧源８が出力する電圧を比較して自動パワー制御のための制御電圧を出力する自動パワー制御部（図では「ＡＰＣ」と略記している。以降も、図では同様に記載する。）、１０は自動パワー制御部９が出力する制御電圧に応じた駆動電流をレーザ・ダイオード６に供給するレーザ・ダイオード・ドライバ（図では、「ＬＤ  ＤＲＶ」と略記している。以降も、図では同様に記載する。）である。
【０００９】
図１２の構成では、電源投入当初は自動パワー制御部９を動作させず、自動温度制御部３によってレーザ・ダイオード６の温度を所定の値に制御した後に自動パワー制御部３を動作させて、レーザ・ダイオード６の出力パワーを一定に保つようにする。これは、電源投入当初にレーザ・ダイオード６の温度制御ができていないためにレーザ・ダイオード６の温度が異常に高い場合、自動パワー制御によって所定の出力パワーに制御するとレーザ・ダイオード６に過大な駆動電流を供給してレーザ・ダイオード６の破壊又は損傷に至らしめる恐れがあるのを避けるためである。
【００１０】
その後は、自動温度制御部３がレーザ・ダイオード６の温度を制御し続け、自動パワー制御部９がレーザ・ダイオード６の出力パワーを制御し続け、レーザ・ダイオード６は温度によって決まる波長の光を一定のパワーで出力し続ける。
【００１１】
図１３は、従来の技術（その２）で、自動パワー制御によってレーザ・ダイオードの発振出力を一定に制御すると共に、波長特性を有する電圧を使用してレーザ・ダイオードの温度を自動温度制御することによって発振波長を一定に制御するものである。
【００１２】
図１３において、１１はレーザ・ダイオードのバック光を電気変換してレーザ・ダイオードの発振波長に依存する電圧を出力する第三のフォト・ダイオード部で、典型的には、フォト・ダイオードとしてゲルマニウム・フォト・ダイオードを適用するものである。２は第一の基準電圧源、３は第三のフォト・ダイオード部１１が出力する電圧と第一の基準電圧源２が出力する電圧を比較して自動温度制御のための制御電圧を出力する自動温度制御部、４はレーザ・ダイオードの温度を制御するペルチエ素子、５は自動温度制御部３が出力する制御電圧に応ずる駆動電流をペルチエ素子４に供給するペルチエ素子ドライバ、６は電気信号を光信号に変換するレーザ・ダイオード、７はレーザ・ダイオード６のバック光を電気信号に再変換する第一のフォト・ダイオード部、８は第二の基準電圧源、９は第一のフォト・ダイオード部７が出力する電圧と第二の基準電圧源８が出力する電圧を比較して自動パワー制御のための制御電圧を出力する自動パワー制御部、１０は自動パワー制御部９が出力する制御電圧に応じた駆動電流をレーザ・ダイオード６に供給するレーザ・ダイオード・ドライバである。
【００１３】
図１３の構成では、電源投入当初は自動パワー制御部９を動作させず、自動温度制御部３によってレーザ・ダイオードの温度を所定の値に制御した後に自動パワー制御部９を動作させて、レーザ・ダイオード６の出力パワーを一定に保つようにする。これは、電源投入当初にレーザ・ダイオード６の温度が異常に高い場合にレーザ・ダイオード６の破壊又は損傷に至らしめる恐れがあるのを避けるためである。
【００１４】
その後は、自動温度制御部３がレーザ・ダイオード６の発振波長に応じてレーザ・ダイオード６の温度を制御し続け、自動パワー制御部９がレーザ・ダイオード６の出力パワーを制御し続け、レーザ・ダイオード６は温度によって決まる波長の光を一定のパワーで出力し続ける。
【００１５】
図１４は、従来の技術（その３）で、自動パワー制御によってレーザ・ダイオードの発振出力を一定に制御し、自動温度制御によってレーザ・ダイオードの温度を一定に制御すると共に、エタロンを併用したフォト・ダイオード部によって発振波長依存性のある電圧を生成して発振波長を一定に制御するものである。
【００１６】
図１４において、１はレーザ・ダイオードの温度を検出して電圧を出力するサーミスタ部、２は第一の基準電圧源、３はサーミスタ部１が出力する電圧と第一の基準電圧源２が出力する電圧を比較して自動温度制御のための制御電圧を出力する自動温度制御部、４はレーザ・ダイオードの温度を制御するペルチエ素子、５は駆動電流をペルチエ素子４に供給するペルチエ素子ドライバ、６は電気信号を光信号に変換するレーザ・ダイオード、７はレーザ・ダイオード６のバック光を電気信号に再変換する第一のフォト・ダイオード部、８は第二の基準電圧源、９はフォト・ダイオード部７が出力する電圧と第二の基準電圧源８が出力する電圧を比較して自動パワー制御のための制御電圧を出力する自動パワー制御部、１０は自動パワー制御部９が出力する制御電圧に応じた駆動電流をレーザ・ダイオード６に供給するレーザ・ダイオード・ドライバ、１３は波長依存性がある光透過率を有するエタロン、１４はエタロン１３の透過光を電気変換する第二のフォト・ダイオード部、１６−１乃至１６−４は発振波長を可変にするために選択して使用する抵抗、１５は抵抗１６−１乃至１６−４のいずれかを選択する第二のスイッチ、１７は第三の基準電圧源、１８は第二のフォト・ダイオード部１４の出力電圧と第三の基準電圧源１７が出力する電圧を比較してレーザ・ダイオード６の発振波長を一定に制御するための制御電圧を出力する自動周波数制御部、１２は自動温度制御部３の出力又は自動周波数制御部１８の出力の一方を切り替えてペルチエ素子ドライバ５に供給する第一のスイッチである。
【００１７】
図１４の構成では、電源投入当初は第一のスイッチを自動温度制御部３側に接続した状態で、まず自動パワー制御部９を動作させずに自動温度制御部３によってレーザ・ダイオードの温度を所定の値に制御し、その後に自動パワー制御部９を動作させて、レーザ・ダイオード６の出力パワーを一定に保つようにする。これは、電源投入当初にレーザ・ダイオード６の温度が異常に高い場合、レーザ・ダイオード６の破壊又は損傷に至らしめる恐れがあるのを避けるためである。
【００１８】
そして、レーザ・ダイオード６の温度と出力パワーが一定に制御された後に第一のスイッチ１２を自動周波数制御部１８側に接続して、第二のフォト・ダイオード部１４の出力電圧と第三の基準電圧源１７が出力する電圧とを比較してレーザ・ダイオード６の発振波長が一定になるようにペルチエ素子ドライバ５とペルチエ素子４を制御する。
【００１９】
ここで、エタロンとは、部分反射膜を形成した２枚の透明平板の間に光透過率が高い物質を封入し、該部分反射膜において反射せずに透過する光と部分反射膜間での多重反射光の干渉を利用して光の透過率に波長依存性を持たせたものである。
【００２０】
図１５は、エタロンの光透過率特性で、一方の縦軸はエタロンの光透過率、もう一方の縦軸は第二のフォト・ダイオード部１４に配置されているフォト・ダイオードの電流、横軸は光波長である。
【００２１】
エタロン内で多重反射する光は２枚の透明平板間の距離に応じて遅延するので、多重反射光とエタロン内で反射せずに透過する光が干渉することによってエタロンの光透過率は図１５の如く光波長の正弦波関数となる。
【００２２】
第二のフォト・ダイオード部１４に配置されたフォト・ダイオードは上記光透過率に比例する電流を流して抵抗１６−１乃至１６−４のいずれかにおいて電圧を発生するので、第二のフォト・ダイオード部１４の出力電圧も光波長の正弦波関数になる。
【００２３】
自動周波数制御部１８は、第二のフォト・ダイオード部１４の出力電圧と第三の基準電圧源１７が出力する電圧を比較してペルチエ素子ドライバ５に制御電圧を供給する。今、レーザ・ダイオード６の発振波長が所定の波長からなんらかの原因で変動すると、図１５の特性に沿って第二のフォト・ダイオード部の出力電圧が変動して、自動周波数制御部１８が出力する制御電圧が変動する。
【００２４】
これによってペルチエ素子４の温度が変動してレーザ・ダイオード６の発振波長が変動し、レーザ・ダイオード６の発振波長の変動に伴ってエタロン１３の透過率が変動して第二のフォト・ダイオード部１４の出力電圧が変動する。そして、レーザ・ダイオード６、エタロン１３、第二のフォト・ダイオード部１４、自動周波数制御部１８、ペルチエ素子ドライバ５、ペルチエ素子４及びレーザ・ダイオード６より成る帰還ループでは負帰還をかけているので、最終的には第二のフォト・ダイオード部１４の出力電圧が第三の基準電圧源１７が出力する電圧に等しくなるように制御される。従って、図１４の構成によってレーザ・ダイオード６の発振波長は正確に所定の波長に制御される。尚、実際には、選択された抵抗を微調整することが必要である。
【００２５】
そして、レーザ・ダイオード６の発振波長を異なる波長にしたい場合には、第二のスイッチによって抵抗１６−１乃至１６−４の異なる抵抗を選択すればよい。
【００２６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、図１２乃至図１４の構成にはそれぞれ問題があり、レーザ・ダイオードの発振波長は正確に制御することができない。
【００２７】
図１２の構成では、レーザ・ダイオード６の温度と出力パワーを一定に制御している。
【００２８】
一般にレーザ・ダイオードの発振波長はレーザ・ダイオード自体の温度と一義的な関係にあるので、レーザ・ダイオード６の温度を所定値に制御すれば発振波長を一定に制御することができる。しかし、発振波長そのものを監視していないので、レーザ・ダイオード６自体の経年変化によって特定の温度における発振波長に変動が生じている場合には、図１３の構成ではレーザ・ダイオード６の発振波長を正確に所望の値に制御することは不可能である。
【００２９】
又、図１３の構成では、レーザ・ダイオード６の温度を発振波長依存性を有する電圧によって一定に制御し、レーザ・ダイオード６の出力パワーを一定に制御している。しかし、図１３の構成における第三のフォト・ダイオード部１１に適用されるゲルマニウム・フォト・ダイオードの１・５５ミクロン帯における受光感度の波長依存性は、発振波長の変動１０００ｎｍ（ナノ・メートル。１０-9メートルである。）に対して数％程度である。
【００３０】
ここで、今後の波長多重光通信方式ではキャリアとしての光信号の波長の間隔を数十ｐｍ（ピコ・メートル。１０-12 メートルである。）にする必要がある。従って、回路のオフセット特性や半導体部品のばらつきを考慮すると、レーザ・ダイオードの発振波長を少なくとも数ｐｍの精度で制御する必要がある。言い換えると、レーザ・ダイオードの発振波長に許容される誤差が数ｐｍということになる。
【００３１】
従って、図１３の構成における第三のフォト・ダイオード部１１においては、レーザ・ダイオードの発振波長が数ｐｍ変動しただけで出力電圧が検出可能な値だけ変動しなければならない。これに対して、ゲルマニウム・フォト・ダイオードを使用した場合には数ｐｍの波長変動に対する出力電圧の変動はせいぜい０．０１％のオーダーであるので、これでは実質的にレーザ・ダイオードの発振波長の変動を検出して発振波長を制御することが不可能である。
【００３２】
更に、図１４の構成には、レーザ・ダイオード６の発振波長を制御するためにレーザ・ダイオード６の温度を制御する結果、レーザ・ダイオードに経年変化が生じた場合に自動パワー制御によってレーザ・ダイオード６の出力パワーを所定値に制御すると、これに伴ってエタロン１３の温度にも変動が生じてロック波長が所望の波長からシフトするという問題が残る。即ち、エタロンの光透過率特性は２枚の平行平板間の距離と該平行平板間に充填されている物質の屈折率によって一義的に定まるので、エタロンに無用な温度変動がある場合に発振波長を所定値に制御することができなくなるのである。技術的には、エタロンに温度変動があっても２枚の平行平板間における多重反射特性を変化させないことは不可能ではないが、このためにエタロンのコストが大幅にアップするので実用性に問題がある。
【００３３】
又、上記の如く厳しい精度でレーザ・ダイオードの発振波長を制御する場合、発振波長がシフトしたことを示す警報（よく、「ＡＦＣ警報」と呼ばれる。）を発出する必要があり、製品の出荷前にはＡＦＣ警報発出の試験を行なう必要がある。
【００３４】
これを行なうには抵抗１６−１乃至１６−４のいずれか使用している抵抗を再調整して発振波長をシフトさせて第二のフォト・ダイオード部１４の出力電圧の変動を監視しながらＡＦＣ警報発出の有無を確認すればよいが、レーザ・ダイオードの発振波長が所定値になった時に確定して固定した抵抗値を再び変化させるという矛盾を犯すことになる。即ち、実用的には図１４の構成によってＡＦＣ警報発出試験を行なうことができない。
【００３５】
しかも、図１４の構成では複数の発振波長のいずれかを得るために複数の抵抗を第二のスイッチ１５で選択しなければならず、回路の肥大化とコスト・アップの原因になる上に、自動調整が不可能である。更に、回路機能、回路性能などの仕様の変更に対して柔軟に対応できないというアナログ回路特有の問題もある。
【００３６】
本発明は、かかる従来の技術の問題点に鑑み、レーザ・ダイオードの発振波長をロックするためにエタロンを用いた発振波長制御方式において、容易に発振波長をロックでき、レーザ・ダイオードの発振出力が経年変化などで変動しても同一発振波長にロック可能で、且つ、ロック波長に変動が生じた際に発出する警報の試験を容易に実施可能なレーザ・ダイオードの発振波長制御方式を提供することを目的とする。
【００３７】
【課題を解決するための手段】
第一の発明は、レーザ・ダイオード（ＬＤ）が出力する光の発振波長を制御するＬＤの制御回路において、光波長に対して周期的な光透過率特性を有し、ＬＤからの光を透過するエタロンと、エタロンの透過光を電気に変換する第１のフォト・ダイオードと、第１のフォト・ダイオードの出力に従い、ＬＤの温度制御を行う素子を制御するドライバ部と、エタロンの温度検出結果と該レーザの発振波長を初期設定した時の設定波長毎の温度から温度変動を算出してエタロンの周期的な光透過率特性の波長変動に換算し、該レーザの発振波長を初期設定した時の該エタロンの出力特性の傾斜と該波長変動の積から計算した補正量をデジタル・アナログ変換して該第１のフォト・ダイオード部の出力電圧に加え、補正された該第１のフォト・ダイオード部の出力電圧と基準電圧を比較した電圧値をドライバ部に与える自動周波数制御部を備えることである。
【００３８】
第二の発明は、第１の発明LDの制御回路において、LDの出力光を受光する第2のフォト・ダイオードと、第2のフォト・ダイオードの出力と処理部からの出力を基にLD出力光パワーを制御するパワー制御部とを備えることである。
【００４５】
【発明の実施の形態】
以降、図面を用いて本発明の技術を詳細に説明する。
【００４６】
図１は、本発明の原理的構成（その１）である。
【００４７】
図１において、１はレーザ・ダイオードの温度を検出して電圧を出力するサーミスタ部、１９は中央処理ユニットの制御によって基準電圧を出力する第一のデジタル・アナログ変換回路（図では「Ｄ／Ａ＃１」と略記している。以降も、構成図においては同様に記載する。尚、一部の図においては「ＤＡＣ１」の如く記載することもある。）、３はサーミスタ部１が出力する電圧と第一のデジタル・アナログ変換回路１９が出力する電圧を比較して自動温度制御のための制御電圧を出力する自動温度制御部、４はレーザ・ダイオードの温度を制御するペルチエ素子、５は駆動電流をペルチエ素子４に供給するペルチエ素子ドライバ、６は電気信号を光信号に変換するレーザ・ダイオード、７はレーザ・ダイオード６のバック光を電気信号に再変換する第一のフォト・ダイオード部、２２は中央処理ユニットの制御によって基準電圧を出力する第三のデジタル・アナログ変換回路、９は第一のフォト・ダイオード部７が出力する電圧と第三のデジタル・アナログ変換回路２２が出力する電圧を比較して自動パワー制御のための制御電圧を出力する自動パワー制御部、１０は自動パワー制御部９が出力する制御電圧に応じた駆動電流をレーザ・ダイオード６に供給するレーザ・ダイオード・ドライバ、１３は波長依存性がある光透過率を有するエタロン、１４はエタロン１３の透過光を電気変換する第二のフォト・ダイオード部、２０は中央処理ユニット２３の制御によって基準電圧を出力する第二のデジタル・アナログ変換回路、２１は第二のフォト・ダイオード部１４の出力電圧と第二のデジタル・アナログ変換回路２０の出力電圧とを加算する加算回路、１７は第三の基準電圧源、１８は加算回路２１出力電圧と第三の基準電圧源１７が出力する電圧を比較してレーザ・ダイオード６の発振波長を一定に制御するための制御電圧を出力する自動周波数制御部、１２は中央処理ユニット２３の制御によって自動温度制御部３の出力又は自動周波数制御部１８の出力の一方を切り替えてペルチエ素子ドライバ５に供給する第一のスイッチである。
【００４８】
そして、２３は第一のデジタル・アナログ変換回路１９、第二のデジタル・アナログ変換回路２０、第三のデジタル・アナログ変換回路２２を制御する中央処理ユニット、２４は中央処理ユニット２３が行なう演算のためのデータを格納するメモリ、２５は中央処理ユニット２３を動作させるためのクロックを供給するクロック発生回路である。
【００４９】
尚、中央処理ユニット２３と第一のデジタル・アナログ変換回路１９、第二のデジタル・アナログ変換回路２０、第三のデジタル・アナログ変換回路２２及びメモリ２４と中央処理ユニット２３はバスで接続されるのが通常である。
【００５０】
図１の構成では、電源投入当初は第一のスイッチを自動温度制御部３側に接続した状態で、まず自動パワー制御部９を動作させずに自動温度制御部３によってレーザ・ダイオードの温度を所定の値に制御し、しかる後に自動パワー制御部９を動作させて、レーザ・ダイオード６の出力パワーを一定に保つようにする。これは、電源投入当初にレーザ・ダイオード６の温度が異常に高い場合、レーザ・ダイオード６の破壊又は損傷に至らしめる恐れがあるのを避けるためである。
【００５１】
そして、レーザ・ダイオード６の温度と出力パワーが一定に制御された後に第一のスイッチ１２を自動周波数制御部１８側に接続して、第二のフォト・ダイオード部１４の出力電圧と第二のデジタル・アナログ変換回路２０の出力電圧の和と第三の基準電圧源１７が出力する電圧とを比較してレーザ・ダイオード６の発振波長が一定になるようにペルチエ素子ドライバ５とペルチエ素子４を制御する。
【００５２】
図２は、図１の構成における初期波長制御を示すフローチャートで、特定の発振波長に一致させるための処理を示すものである。以降、図２の符号に沿って図１も参照しながら初期波長制御について説明する。
【００５３】
Ｓ１．中央処理ユニット２３は第一のスイッチ１２（図２では、「ＳＷ＃１」と略記している。）をＡＴＣモードに設定する。即ち、第一のスイッチ１２を自動温度制御部３側に接続して、レーザ・ダイオード６の自動温度制御を行なうモードに設定する。
【００５４】
Ｓ２．第一のデジタル・アナログ変換回路１９の出力電圧を、所望の発振波長に対応する電圧に設定する。
【００５５】
自動温度制御部３では、サーミスタ部１の出力電圧が第一のデジタル・アナログ変換回路１９の出力電圧に等しくなるように制御をかけるが、異なるレーザ・ダイオードの発振波長に対して制御すべきレーザ・ダイオードの温度が異なるので、上記の設定を所望の波長毎に行なうのである。尚、上記設定のためのデータはメモリに格納されている。
【００５６】
Ｓ３．自動温度制御部３をオンにして、レーザ・ダイオードの温度制御を開始する。
【００５７】
尚、この時には自動パワー制御部９の制御動作はオフにしておき、レーザ・ダイオード６が駆動されないようにしている。これは、レーザ・ダイオード６の温度が異常に高い場合に自動パワー制御部９の制御によってレーザ・ダイオード６に過大な電流が流れないようにするためである。
【００５８】
Ｓ４．例えば、自動温度制御部３の出力電圧の変動を監視していて、レーザ・ダイオード６の温度が所定の発振波長への引き込み範囲で安定になったか否か判定する。
【００５９】
レーザ・ダイオード６の温度が安定になっていないと判定した場合（Ｎｏ）には、レーザ・ダイオード６の温度制御を継続する。
【００６０】
尚、上記監視は自動温度制御部３の出力電圧を図示を省略しているアナログ・デジタル変換回路を介して中央処理ユニット２３が行なえばよい。又、サーミスタ部１の出力電圧を図示していないアナログ・デジタル変換回路を介して直接監視してもよい。
【００６１】
Ｓ５．ステップＳ４で、レーザ・ダイオード６の温度が安定したと判定した場合（Ｙｅｓ）には、自動パワー制御部９の制御動作をオンにして、レーザ・ダイオード６の出力パワーの制御を行なう。
【００６２】
この時、第三のデジタル・アナログ変換回路２２から所定の出力パワーを得るのに必要な電圧を出力する。
【００６３】
Ｓ６．レーザ・ダイオード６の出力パワーが安定になったか否か判定する。
【００６４】
レーザ・ダイオード６の出力パワーが安定化されていないと判定した場合（Ｎｏ）には、レーザ・ダイオード６の出力パワーの監視を継続して行なう。
【００６５】
Ｓ７．ステップＳ６で、レーザ・ダイオード６の出力パワーが安定になったと判定した場合（Ｙｅｓ）には、中央処理ユニット２３は第一のスイッチ１２をＡＦＣモードに設定する。即ち、第一のスイッチ１２を自動周波数制御部１８側に接続して、レーザ・ダイオード６の発振波長の波長制御を行なうモードに設定する。
【００６６】
Ｓ８．自動周波数制御部１８の制御動作をオンにする。
【００６７】
Ｓ９．自動周波数制御部１８の２つの入力電圧の残差が０であるか否か判定する。
【００６８】
自動周波数制御部１８の２つの入力電圧の残差が０である場合（Ｙｅｓ）には、第二のデジタル・アナログ変換回路２０の出力電圧の設定値（今の場合には０）をメモリに格納して一連の処理を終了する。
【００６９】
Ｓ１０．一方、ステップＳ９で、自動周波数制御部１８の２つの入力電圧の残差が０ではないと判定した場合（Ｎｏ）には、中央処理ユニット２３が第二のデジタル・アナログ変換回路２０の出力電圧を調整して自動周波数制御部１８の２つの入力電圧の残差を０にする。
【００７０】
これを行なうには、当該波長における第二のフォト・ダイオード部１４の出力電圧をメモリから読み出し、第三の基準電圧源１７が出力する基準電圧との差の電圧を第二のデジタル・アナログ変換回路２０から出力すればよい。そして、第二のデジタル・アナログ変換回路２０の出力電圧の設定値をメモリに格納して一連の処理を終了する。
【００７１】
尚、上では、ステップＳ９で自動周波数制御部１８の２つの入力電圧の残差が０であると判定した場合と、ステップＳ１０で第二のデジタル・アナログ変換回路２０の出力電圧を調整した場合のいずれにおいても直ちに一連の処理を終了すると記載しているが、複数回にわたって自動周波数制御部１８の２つの入力電圧の残差が０であるか否か判定して、所定回数連続して残差が０であると判定された時に一連の処理を終了するようにするのが好ましい。即ち、所謂保護の考え方を導入する訳である。
【００７２】
図３は、レーザ・ダイオードの発振波長の制御を示す図で、上記制御をエタロンの特性とリンクして示したものである。
【００７３】
図３において、縦軸は電圧で横軸は光波長である。そして、ロック・ポイントとしている波長が目標発振波長である。
【００７４】
今、図１における第三の基準電圧源１７の出力電圧Ｖref が図３の水平な直線（実線）の値であり、第二のフォト・ダイオード部１４の当初出力が図３の破線の正弦波であるものとする。この時、発振波長は図３の水平な直線（実線）と図３の破線の正弦波の交点の波長になるので、発振波長は目標とする発振波長とは異なっている。
【００７５】
そこで、目標発振波長における第二のフォト・ダイオード部１４の当初出力をメモリから読み出し、第三の基準電圧源１７の出力電圧との差電圧を求めて、この差電圧を第二のデジタル・アナログ変換回路２０から出力させれば、ロック・ポイントにおける発振波長を目標とする発振波長に一致させることができる。
【００７６】
上記の如くしてレーザ・ダイオード６の発振波長を所定の波長に合わせた後で、例えば周囲温度の変動によってレーザ・ダイオード６の発振波長が変化すると、自動周波数制御部１８の負帰還作用によって常に第二のデジタル・アナログ変換回路２０の出力と第二のフォト・ダイオード部１４の出力の和が第三の基準電圧源１７が出力する基準電圧に等しくなるように制御され、レーザ・ダイオード６の発振波長は一定に保たれる。
【００７７】
又、上記の如く、第二のデジタル・アナログ変換回路２０の出力を調整することによってレーザ・ダイオード６の発振波長を制御することが可能であるので、レーザ・ダイオード６の発振波長を波長計でモニタし、モニタされた波長と目標波長とを比較することによって、容易にレーザ・ダイオードの発振波長を自動的に制御することが可能になる。
【００７８】
ここで、図１の構成では第三の基準電圧源１７をレーザ・ダイオード６の動作とは独立な電源としているが、レーザ・ダイオード６の動作と関係のある電圧を基準電圧とすることも可能であり、第一のフォト・ダイオード部７の出力電圧ＶPD#1を基準電圧としてもよい。このようにすると、第一のフォト・ダイオード部７に配置されるフォト・ダイオードと第二のフォト・ダイオード部１４に配置されるフォト・ダイオードの電流変換効率の誤差が同様な場合、自動周波数制御部１８の入力端子において電流変換効率の誤差がキャンセルされるという利点が生ずる。
【００７９】
図４は、２つのフォト・ダイオードの電流変換効率の誤差をキャンセルする構成である。
【００８０】
図４において、６はレーザ・ダイオード、２６はレーザ・ダイオード６が出力するバック光を集光するレンズ、２７はレンズ２６が集光したバック光を伝送する光導波路、２８は光導波路を形成する基板、７は第一のフォト・ダイオード部、１３はエタロン、１４は第二のフォト・ダイオード部である。そして、第一のフォト・ダイオード部７の出力がＶPD#1、第二のフォト・ダイオード部１４の出力がＶPD#2である。尚、この場合には第一のフォト・ダイオード部７、エタロン１３及び第二のフォト・ダイオード部１４は基板２８上に実装しておくのが好ましく、更には、第一のフォト・ダイオード部７を構成するフォト・ダイオードと第二のフォト・ダイオード部１４を構成するフォト・ダイオードとをモノリシックで形成しておくことが好ましい。
【００８１】
上記の構成にすることによって第一のフォト・ダイオード部７を構成するフォト・ダイオードと第二のフォト・ダイオード部１４を構成するフォト・ダイオードの電流変換効率の誤差をほぼ等しくすることができ、目標の発振波長近傍で双方のフォト・ダイオードの出力電圧をほぼ等しく設定すれば、第一のフォト・ダイオード部７の出力電圧と第二のフォト・ダイオード部１４の出力電圧の誤差がほぼ等しくなるので、双方のフォト・ダイオードの電流変換効率に誤差があってもキャンセルすることが可能であり、発振波長を所定の波長に制御することができる。
【００８２】
尚、上では第一のフォト・ダイオード部７の出力を自動周波数制御部１８の基準電圧とする場合について説明したが、第二のフォト・ダイオード部１４の出力を自動周波数制御部１８の基準電圧にしてもよいことは明らかである。
【００８３】
更に、異なる発振波長に設定するには、先にも簡単に記載した如く、自動温度制御部１８によって異なる発振波長の引き込み範囲にレーザ・ダイオードの温度を設定して、上記の如き波長制御を行なえばよい。これにより、レーザ・ダイオード６の温度を変えれば発振波長が変化してエタロンの出力特性の異なる傾斜部分に引き込み範囲が移動し、新たな引き込み範囲で発振波長が制御されることになるので、エタロンの出力特性の周期を必要な発振波長のステップに等しく設定しておけば、複数の所要の発振波長を得ることができる。通常の技術により、エタロンの出力特性の周期を５０ＧＨｚ程度に設計することが可能であるので、５０ＧＨｚ間隔で発振波長を制御することが可能である。
【００８４】
次いで、図１の構成においてレーザ・ダイオードの出力パワー特性に経年変化があっても発振波長を正確に制御可能なことを説明する。
【００８５】
レーザ・ダイオードに経年変化があると通常は出力パワーが低下する。自動パワー制御部は該レーザ・ダイオードの駆動電流を増加させて上記出力パワーの低下を補償するように作用する。このため、該レーザ・ダイオードの温度が上昇すると共に発振波長が変動する。これを自動周波数制御部が補償しようとするが、レーザ・ダイオードの温度変動はエタロンの温度変動の原因になるので、エタロンの出力特性に変動が生じてロック波長が所望の波長からシフトして、発振波長に誤差が生ずる。しかし、図１の構成において上記誤差を補償することができる。
【００８６】
図５は、図１の構成におけるレーザ・ダイオードの経年変化の補償のフローチャートである。
【００８７】
図５においては、細い実線で枠を記載してＰに番号を付した符号を表示したステップと、太い実線で枠を記載してＳに番号を付した符号を表示したステップとが示されているが、前者がレーザ・ダイオードの経年変化や自動周波数制御に伴って生ずる現象を表わし、後者が自動周波数制御のステップを表わしている。以降、図１も参照しながら、符号の順に現象と自動周波数制御のステップを説明する。
【００８８】
Ｓ２１．初期にレーザ・ダイオード６の発振波長を設定した時に、設定波長毎にサーミスタ部１の温度及びロック点におけるエタロン１３の出力特性の傾斜を格納しておく。
【００８９】
サーミスタ部１の温度は、図１では図示を省略しているアナログ・デジタル変換回路を介して計測すればよく、ロック点におけるエタロンの出力特性の傾斜は自動温度制御部３によってサーミスタ部１の温度を微小にシフトさせて波長変動と出力電圧の関係から求めればよい。
【００９０】
Ｐ１．レーザ・ダイオード６に経年変化が生じて、レーザ・ダイオード６の出力パワーが低下する。
【００９１】
Ｓ２２．自動パワー制御によってレーザ・ダイオード６の電流が増加して、出力パワーが補償される。
【００９２】
Ｐ２．ステップＳ２２の制御の結果、レーザ・ダイオード６の温度が上昇し、発振波長が長波長側にシフトする。
【００９３】
Ｓ２３．自動周波数制御部１８は上記波長変動を補償すべくペルチエ素子４を制御してレーザ・ダイオード６の温度を低下させて、レーザ・ダイオード６の温度を初期のロック波長に対応する温度に設定する。
【００９４】
Ｐ３．ステップＳ２３の制御により、エタロン１３の温度も同時に低下する。
【００９５】
一般にエタロンの出力特性には図１６の如き温度特性があり、エタロンの温度変化に対応して出力特性の正弦波がシフトする。即ち、温度が高くなれば出力特性の正弦波は長波長側にシフトし、温度が低くなれば出力特性の正弦波は短波長側にシフトする。
【００９６】
従って、レーザ・ダイオード６の温度を初期のロック波長に対応する温度に戻しても発振波長は経年変化前にロックしていた波長とは異なる波長にロックされる。
【００９７】
Ｓ２４．図１では図示を省略しているアナログ・デジタル変換回路を介してサーミスタ部１の出力からエタロン１３の温度を検出する。
【００９８】
Ｓ２５．メモリ２４から初期温度を読み出す。
【００９９】
Ｓ２６．ステップＳ２４で検出した温度とステップＳ２５で読み出した温度とから温度変動ΔＴを算出して、波長変動Δλに換算する。
【０１００】
Ｓ２７．メモリ２４からロック点におけるエタロン１３の出力特性の傾斜ｋを読み出す。
【０１０１】
Ｓ２８．第二のデジタル・アナログ変換回路２０の出力の補正量を計算する。
【０１０２】
これは、ｋとΔλの積から求められる。
【０１０３】
Ｓ２９．第二のデジタル・アナログ変換回路２０の出力電圧をステップＳ２８で求めた電圧だけ補正して一連の処理を終了する。
【０１０４】
図６は、レーザ・ダイオードの経年変化の補償を図で示したものである。
【０１０５】
図６において、縦軸は電圧、横軸は光波長で、▲１▼は図１のエタロン１３の初期出力特性、▲２▼はレーザ・ダイオード６の経年変化に伴う制御後のエタロン１３の出力特性、▲３▼はサーミスタ部１の温度変化から波長変動を算出して第二のデジタル・アナログ変換回路２０の出力電圧によって波長を補正した後のエタロン１３の出力特性である。
【０１０６】
当初は、エタロン１３の初期出力特性と基準電圧Ｖref の交点に発振波長が制御されており、ロック波長は所望の波長に一致していた。
【０１０７】
上記の如く、レーザ・ダイオード６に経年変化が生じた後の制御によってエタロン１３の温度が低下するので、エタロン１３の出力特性は短波長側にシフトし、ロック波長は図６のΔλだけ波長が短くなる。このΔλは上記の如く求めることができる。
【０１０８】
一方、初期データからエタロン１３の出力特性のロック点における傾斜ｋが求められてメモリ２４に格納されている。従って、第二のデジタル・アナログ変換回路２０の出力電圧をｋ・Δλに等しい電圧だけ低下させればエタロン１３の出力特性が▲３▼のようにシフトして、初期のロック波長において基準電圧Ｖref と等しくなる。即ち、発振波長が初期のロック波長に戻される。
【０１０９】
尚、発振波長の変動Δλや第二のデジタル・アナログ変換回路２０の出力の補正量を見やすいように大きく図示しているが、実際にはこれらの量は微小量であるので上記の如く直線近似で十分正確に発振波長を制御することが可能である。この意味で、基本的には第二のデジタル・アナログ変換回路２０の出力電圧をステップＳ２８で求めた電圧だけ補正すればよい。
【０１１０】
更に正確を期すためには、ステップＳ２９の後でロック波長を確認して、万一誤差がある場合には第二のデジタル・アナログ変換回路２０の出力を微小に変化させてロック波長を所定の波長に合わせるという処理を行なってもよいが、本発明においては上記処理は実質的に不必要である。
【０１１１】
図７は、本発明の原理的構成（その２）である。
【０１１２】
図７において、１はレーザ・ダイオードの温度を検出して電圧を出力するサーミスタ部、１９は中央処理ユニット２３の制御によって基準電圧を出力する第一のデジタル・アナログ変換回路、３はサーミスタ部１が出力する電圧と第一のデジタル・アナログ変換回路１９が出力する電圧を比較して自動温度制御のための制御電圧を出力する自動温度制御部、４はレーザ・ダイオードの温度を制御するペルチエ素子、５は駆動電流をペルチエ素子４に供給するペルチエ素子ドライバ、６は電気信号を光信号に変換するレーザ・ダイオード、７はレーザ・ダイオード６のバック光を電気信号に再変換する第一のフォト・ダイオード部、２２は中央処理ユニット２３の制御によって基準電圧を出力する第三のデジタル・アナログ変換回路、９は第一のフォト・ダイオード部７が出力する電圧と第三のデジタル・アナログ変換回路２２が出力する電圧を比較して自動パワー制御のための制御電圧を出力する自動パワー制御部、１０は自動パワー制御部９が出力する制御電圧に応じた駆動電流をレーザ・ダイオード６に供給するレーザ・ダイオード・ドライバ、１３は波長依存性がある光透過率を有するエタロン、１４はエタロン１３の透過光を電気変換する第二のフォト・ダイオード部、２９は第二のフォト・ダイオード部１４の出力電圧を受けて中央処理ユニットの制御によって第二のフォト・ダイオード部１４の出力電圧に比例する電圧を出力する第四のデジタル・アナログ変換回路、１８は第一のフォト・ダイオード部７の出力電圧と第四のデジタル・アナログ変換回路２９の出力電圧を比較してレーザ・ダイオード６の発振波長を一定に制御するための制御電圧を出力する自動周波数制御部、１２は中央処理ユニット２３の制御によって自動温度制御部３の出力又は自動周波数制御部１８の出力の一方を切り替えてペルチエ素子ドライバ５に供給する第一のスイッチである。
【０１１３】
そして、２３は第一のデジタル・アナログ変換回路１９、第二のデジタル・アナログ変換回路２０、第四のデジタル・アナログ変換回路２９を制御する中央処理ユニット、２４は中央処理ユニット２３が行なう演算のためのデータを格納するメモリ、２５は中央処理ユニット２３を動作させるためのクロックを供給するクロック発生回路である。
【０１１４】
尚、中央処理ユニット２３と第一のデジタル・アナログ変換回路１９、第二のデジタル・アナログ変換回路２０、第四のデジタル・アナログ変換回路２９及びメモリ２４と中央処理ユニット２３はバスで接続されるのが通常である。
【０１１５】
図７の構成では、電源投入当初は第一のスイッチ１２を自動温度制御部３側に接続した状態で、まず自動パワー制御部９を動作させずに自動温度制御部３によってレーザ・ダイオードの温度を所定の値に制御し、この後に自動パワー制御部９を動作させて、レーザ・ダイオード６の出力パワーを一定に保つようにする。これは、電源投入当初にレーザ・ダイオード６の温度が異常に高い場合、レーザ・ダイオード６の破壊又は損傷に至らしめる恐れがあるのを避けるためである。
【０１１６】
そして、レーザ・ダイオード６の温度と出力パワーが一定に制御された後に第一のスイッチ１２を自動周波数制御部１８側に接続して、第四のデジタル・アナログ変換回路２９の出力電圧と第一のフォト・ダイオード部７の出力電圧とを比較してレーザ・ダイオード６の発振波長が一定になるようにペルチエ素子ドライバ５とペルチエ素子４を制御する。
【０１１７】
図７の構成の特徴は、自動周波数制御部１８に入力される２つの電圧が共にレーザ・ダイオード６のバック光を電気変換した電圧であることにある。この構成にすることによって、レーザ・ダイオードの経年変化も含めてレーザ・ダイオード６の出力パワーが変動することがあっても、図７の構成によってレーザ・ダイオード６の発振波長の変動を回避することができる。
【０１１８】
図８は、出力パワー変動時も発振波長が一定に制御される様子を示す図で、図８（イ）は出力パワー正常時、図８（ロ）は出力パワー変動時の波長ロック特性を示す図である。
【０１１９】
図８（イ）において、縦軸は電圧、横軸は光波長、▲１▼は出力パワー正常時の図７における第二のフォト・ダイオード部１４の出力電圧、▲２▼は出力パワー正常時の第一のフォト・ダイオード部７の出力電圧、▲３▼は出力パワー正常時の第四のデジタル・アナログ変換回路２９の出力電圧である。そして、この時には目標発振波長λに波長が制御されている。
【０１２０】
図８（ロ）において、縦軸は電圧、横軸は光波長、▲４▼は出力パワー変動時の第二のフォト・ダイオード部１４の出力電圧、▲５▼は出力パワー変動時の第一のフォト・ダイオード部７の出力電圧、▲６▼は出力パワー変動時の第四のデジタル・アナログ変換回路２９の出力電圧である。この場合にはレーザ・ダイオードの出力パワーが低下した場合を想定しているので、出力パワー正常時に比較して第一のフォト・ダイオード部７の出力電圧も第二のフォト・ダイオード部１４の出力電圧も低下し、第二のフォト・ダイオード部１４の出力電圧に比例する第四のデジタル・アナログ変換回路２９の出力電圧も低下する。
【０１２１】
さて、第一のフォト・ダイオード部７の出力電圧も第二のフォト・ダイオード部の出力電圧１４も同一のレーザ・ダイオード６のバック光から生成されており、図４に示した構成にすることによってバック光の第一のフォト・ダイオード部７と第二のフォト・ダイオード部１４への分岐比を固定にすることができる。従って、レーザ・ダイオード６の出力パワーが変化しても第一のフォト・ダイオード部７の出力電圧と第二のフォト・ダイオード部１４の出力電圧は同じ割合で変化する。
【０１２２】
しかも、第一のフォト・ダイオード部７の出力電圧と第四のデジタル・アナログ変換回路２９の出力電圧が等しい時に所定のロック波長に設定されるようになっているので、レーザ・ダイオード６の出力パワーの変動に伴う第一のフォト・ダイオード部７の出力電圧と第四のデジタル・アナログ変換回路２９の出力電圧の変動は必ず等しくなる。即ち、レーザ・ダイオード６の出力パワーに変動があっても、図７の構成によれば必ず元のロック波長にロックすることができる。従って、図７の構成によれば図５及び図６にて説明したような処理は不要になる。更に、図７の構成においては２つのフォト・ダイオードの電流変換効率が揃っていれば、電流変換効率の誤差によってロック波長が誤差を持つことはない。
【０１２３】
そして、その他の波長制御特性については図１の構成と全く同じである。
【０１２４】
図９は、図７の構成と等価な構成である。
【０１２５】
図９において、１はレーザ・ダイオードの温度を検出して電圧を出力するサーミスタ部、１９は中央処理ユニット２３の制御によって基準電圧を出力する第一のデジタル・アナログ変換回路、３はサーミスタ部１が出力する電圧と第一のデジタル・アナログ変換回路１９が出力する電圧を比較して自動温度制御のための制御電圧を出力する自動温度制御部、４はレーザ・ダイオード６の温度を制御するペルチエ素子、５は駆動電流をペルチエ素子４に供給するペルチエ素子ドライバ、６は電気信号を光信号に変換するレーザ・ダイオード、７はレーザ・ダイオード６のバック光を電気信号に再変換する第一のフォト・ダイオード部、２２は中央処理ユニット２３の制御によって基準電圧を出力する第三のデジタル・アナログ変換回路、９は第一のフォト・ダイオード部７が出力する電圧と第三のデジタル・アナログ変換回路２２が出力する電圧を比較して自動パワー制御のための制御電圧を出力する自動パワー制御部、１０は自動パワー制御部９が出力する制御電圧に応じた駆動電流をレーザ・ダイオード６に供給するレーザ・ダイオード・ドライバ、１３は波長依存性がある光透過率を有するエタロン、１４はエタロン１３の透過光を電気変換する第二のフォト・ダイオード部、３０は中央処理ユニット２３の制御により第二のフォト・ダイオード部１４の出力電圧に比例する電圧を出力するデジタル・ポテンショ・メータ、１８は第一のフォト・ダイオード部７の出力電圧とデジタル・ポテンショ・メータ３０の出力電圧を比較してレーザ・ダイオード６の発振波長を一定に制御するための制御電圧を出力する自動周波数制御部、１２は中央処理ユニット２３の制御によって自動温度制御部３の出力又は自動周波数制御部１８の出力の一方を切り替えてペルチエ素子ドライバ５に供給する第一のスイッチである。
【０１２６】
そして、２３は第一のデジタル・アナログ変換回路１９、第二のデジタル・アナログ変換回路２０、第四のデジタル・アナログ変換回路２９を制御する中央処理ユニット、２４は中央処理ユニット２３が行なう演算のためのデータを格納するメモリ、２５は中央処理ユニット２３を動作させるためのクロックを供給するクロック発生回路である。
【０１２７】
即ち、図９の構成は、図７の構成において第四のデジタル・アナログ変換回路２９をデジタル・ポテンショ・メータ３０に置換したものである。従って、図９の構成が図７の構成と等価であることは容易に理解できるので、これ以上の説明は省略したい。
【０１２８】
以上で、本発明の技術の基本的な事項の説明を終了して、最後に本発明のレーザ・ダイオードの発振波長制御方式の詳細な実施の形態についてその構成を中心に紹介する。
【０１２９】
図１０は、本発明の第一の実施の形態で、図１の構成に準ずる構成である。
【０１３０】
図１０において、１−１はサーミスタ、１−２は抵抗、１−３はボルテージ・フォロワ接続の演算増幅器で、以上の構成要素によって図１のサーミスタ部１を構成する。
【０１３１】
３−１は演算増幅器、３−２乃至３−５は抵抗で、図１の構成の自動温度制御部３を構成する。そして、サーミスタ１−１の出力電圧と後述する第一のデジタル・アナログ変換回路の出力電圧を比較してレーザ・ダイオードの自動温度制御を行なうようになっている。
【０１３２】
４はペルチエ素子である。
【０１３３】
５−１は演算増幅器、５−２乃至５−４は抵抗、５−５はコンデンサ、５−６はＮＰＮ型トランジスタ、５−７はＰＮＰ型トランジスタで、以上の構成要素によって図１のペルチエ素子ドライバ５を構成する。
【０１３４】
６はレーザ・ダイオードである。
【０１３５】
７−１はフォト・ダイオード、７−２は抵抗、７−３はボルテージ・フォロワ接続の演算増幅器で、以上の構成要素によって図１の第一のフォト・ダイオード部７を構成する。尚、レーザ・ダイオード６のバック光がフォト・ダイオード７−１に供給される。
【０１３６】
９−１は演算増幅器、９−２は抵抗、９−３はコンデンサで、以上の構成要素によって図１の自動パワー制御部９を構成する。そして、フォト・ダイオード７−１の出力電圧と後述する第三のデジタル・アナログ変換回路の出力電圧を比較してレーザ・ダイオード６の自動パワー制御を行なうようになっている。
【０１３７】
１０−１はＮＰＮ型トランジスタ、１０−２及び１０−３は抵抗で、図１のレーザ・ダイオード・ドライバ１０を構成する。
【０１３８】
１２は第一のスイッチである。
【０１３９】
１３はエタロンである。
【０１４０】
１４−１はフォト・ダイオード、１４−２は抵抗、１４−３はボルテージ・フォロワ接続の演算増幅器で、以上の構成要素によって図１の第二のフォト・ダイオード部１４を構成する。
【０１４１】
尚、レーザ・ダイオード６のバック光がエタロン１３を介してフォト・ダイオード１４−１に供給される。従って、フォト・ダイオード１４−１に供給される光の強度は波長依存性を持っている。
【０１４２】
１８−１は演算増幅器、１８−２乃至１８−６は抵抗で、以上の構成要素によって図１の自動周波数制御部１８を構成する。即ち、フォト・ダイオード７−１の出力電圧が自動周波数制御部に与えられる基準電圧となっており、フォト・ダイオード１４−１の出力電圧と第二のデジタル・アナログ変換回路２０の出力電圧の和と該基準電圧を比較して発振波長の制御を行なう構成を示している。この構成によれば、２つのフォト・ダイオードの電流変換効率比が常に揃っていれば、電流変換効率の誤差によってロック波長に誤差が生ずることはない。
【０１４３】
１９は第一のデジタル・アナログ変換回路、２０は第二のデジタル・アナログ変換回路、２２は第三のデジタル・アナログ変換回路で、いずれも後述する中央処理ユニットの制御を受けて電圧を出力する。
【０１４４】
２３は中央処理ユニット、２３−１は中央処理ユニット２３のバスである。
【０１４５】
２４はメモリである。
【０１４６】
２５は中央処理ユニット２３にクロックを供給するクロック発生回路である。
【０１４７】
最後に、３１はフォト・ダイオード７−１の出力電圧を監視する第一のアナログ・デジタル変換回路、３２はサーミスタ１−１の出力電圧を監視する第二のアナログ・デジタル変換回路、３３はフォト・ダイオード１４−１の出力電圧を監視する第三のアナログ・デジタル変換回路で、いずれも中央処理ユニット２３の制御を受けて監視している電圧をデジタル変換して中央処理ユニット２３に供給する。
【０１４８】
図１及び関連図面によって図１の構成の動作を詳細に説明しており、又、各々の部位を詳細構成には一般的な構成を適用しているので、図１０の構成についてこれ以上説明することは省略したい。
【０１４９】
図１１は、本発明の第二の実施の形態で、図７の構成に準ずる構成である。
【０１５０】
図１１において、１−１はサーミスタ、１−２は抵抗、１−３はボルテージ・フォロワ接続の演算増幅器で、以上の構成要素によって図１のサーミスタ部１を構成する。
【０１５１】
３−１は演算増幅器、３−２乃至３−５は抵抗で、図１の構成の自動温度制御部３を構成する。そして、サーミスタ１−１の出力電圧と後述する第一のデジタル・アナログ変換回路の出力電圧を比較してレーザ・ダイオードの自動温度制御を行なうようになっている。
【０１５２】
４はレーザ・ダイオードの温度を制御するペルチエ素子である。
【０１５３】
５−１は演算増幅器、５−２乃至５−４は抵抗、５−５はコンデンサ、５−６はＮＰＮ型トランジスタ、５−７はＰＮＰ型トランジスタで、以上の構成要素によって図１のペルチエ素子ドライバ５を構成する。
【０１５４】
６は電気信号を光信号に変換するレーザ・ダイオードである。
【０１５５】
７−１はフォト・ダイオード、７−２は抵抗、７−３はボルテージ・フォロワ接続の演算増幅器で、以上の構成要素によって図１の第一のフォト・ダイオード部７を構成する。尚、レーザ・ダイオード６のバック光がフォト・ダイオード７−１に供給される。
【０１５６】
９−１は演算増幅器、９−２は抵抗、９−３はコンデンサで、以上の構成要素によって図１の自動パワー制御部９を構成する。そして、フォト・ダイオード７−１の出力電圧と後述する第三のデジタル・アナログ変換回路の出力電圧を比較してレーザ・ダイオードの自動パワー制御を行なうようになっている。
【０１５７】
１０−１はＮＰＮ型トランジスタ、１０−２及び１０−３は抵抗で、図１のレーザ・ダイオード・ドライバ１０を構成する。
【０１５８】
１２は自動温度制御モードと自動周波数制御モードを切り替える第一のスイッチである。
【０１５９】
１３はレーザ・ダイオード６のバック光の透過率に波長依存性を与えるエタロンである。
【０１６０】
１４−１はフォト・ダイオード、１４−２は抵抗、１４−３はボルテージ・フォロワ接続の演算増幅器で、以上の構成要素によって図１の第二のフォト・ダイオード部１４を構成する。
【０１６１】
尚、レーザ・ダイオード６のバック光がエタロン１３を介してフォト・ダイオード１４−１に供給される。従って、フォト・ダイオード１４−１に供給される光の強度は波長依存性を持っている。
【０１６２】
１８−１は演算増幅器、１８−２乃至１８−６は抵抗で、以上の構成要素によって図１の自動周波数制御部１８を構成する。即ち、フォト・ダイオード７−１の出力電圧が自動周波数制御部に与えられる基準電圧となっており、フォト・ダイオード１４−１の出力電圧と後述する第四のデジタル・アナログ変換回路出力電圧と該基準電圧を比較して発振波長の制御を行なう構成を示している。この構成によれば、２つのフォト・ダイオードの電流変換効率比が常に揃っていれば、電流変換効率の誤差によってロック波長に誤差が生ずることはない。
【０１６３】
１９は第一のデジタル・アナログ変換回路、２０は第二のデジタル・アナログ変換回路、２２は第三のデジタル・アナログ変換回路で、いずれも後述する中央処理ユニットの制御を受けて電圧を出力する。
【０１６４】
２３は中央処理ユニット、２３−１は中央処理ユニット２３のバスである。
【０１６５】
２４はメモリである。
【０１６６】
２５は中央処理ユニット２３にクロックを供給するクロック発生回路である。
【０１６７】
２９はフォト・ダイオード１４−１の出力電圧を受けて、フォト・ダイオード１４−１の出力電圧に比例する電圧を出力する第四のデジタル・アナログ変換回路である。このように、フォト・ダイオード１４−１の出力電圧に比例する電圧を第四のデジタル・アナログ変換回路２９が出力し、自動周波数制御部において第四のデジタル・アナログ変換回路２９の出力電圧とフォト・ダイオード７−１の出力電圧を比較して自動周波数制御を行なうようになっているので、レーザ・ダイオードの経年変化を含めてレーザ・ダイオードの出力パワーに変動があってもロック波長に誤差を生ずることはない。
【０１６８】
最後に、３１はフォト・ダイオード７−１の出力電圧を監視する第一のアナログ・デジタル変換回路、３２はサーミスタ１−１の出力電圧を監視する第二のアナログ・デジタル変換回路、３３はフォト・ダイオード１４−１の出力電圧を監視する第三のアナログ・デジタル変換回路で、いずれも中央処理ユニット２３の制御を受けて監視している電圧をデジタル変換して中央処理ユニット２３に供給する。
【０１６９】
図７及び関連図面によって図７の構成の動作を詳細に説明しており、又、各々の部位を詳細構成には一般的な構成を適用しているので、図１１の構成についてこれ以上説明することは省略したい。
【０１７０】
【発明の効果】
以上詳述した如く、本発明により、レーザ・ダイオードの発振波長をロックするためにエタロンを用いた発振波長制御方式において、容易に発振波長をロックでき、レーザ・ダイオードの発振出力が経年変化などで変動しても同一発振波長にロック可能で、且つ、ロック波長に変動が生じた際に発出する警報の試験を容易に実施可能なレーザ・ダイオードの発振波長制御方式を実現することができる。
【０１７１】
即ち、第一の発明によれば、起動当初はレーザ・ダイオードの温度変動を検出して自動温度制御部にてレーザ・ダイオードの自動温度制御をした後に自動パワー制御を行ない、上記制御が終了した後にレーザ・ダイオードの発振波長の変動を検出して自動周波数制御部にてレーザ・ダイオードの自動温度制御を行なうと共に自動パワー制御を行なうことにより、レーザ・ダイオードの温度及び出力パワーが所定値になった後でレーザ・ダイオードの発振波長を所定値に制御することができる。その上、該自動周波数制御部に供給されるレーザ・ダイオードの発振波長の変動を検出した電圧又は基準電圧のいずれか一方に、レーザ・ダイオードの発振波長の変動に伴う検出電圧の変動を示すデータに基づく電圧を加算するので、複数の発振波長から所望の発振波長を選択する必要がある時に回路部品の選択や調整をする必要がなく、発振波長の変動を示す警報の発出試験も容易になる。
【０１７２】
又、第二の発明によれば、レーザ・ダイオードに経年変化の結果自動パワー制御によって生ずるレーザ・ダイオードの発振波長の変動を検出する素子の温度変動を求めてロック波長の変動に換算し、該ロック波長の変動に対応する電圧をレーザ・ダイオードの発振波長の変動に伴う検出電圧の変動を示すデータに基づいて求め、該自動周波数制御部に供給されるレーザ・ダイオードの発振波長の変動を検出した電圧又は基準電圧のいずれか一方に加算するので、レーザ・ダイオードの経年変化による発振波長の変動を補償することができる上、このために新たに回路部品を追加する必要がない。
【０１７３】
更に、第三の発明によれば、自動パワー制御のためのレーザ・ダイオードの出力パワーの変動を検出した電圧とレーザ・ダイオードの発振波長の変動を検出した電圧に比例する電圧とは共にレーザ・ダイオードの出力パワーに比例する。従って、レーザ・ダイオードの出力パワーが変動しても両者は同じ割合で変化するために、レーザ・ダイオードの出力パワーに変動があってもロック波長が変動することはなく、このために新たな回路部品を追加する必要がない。
【０１７４】
最後に、第四の発明によれば、該自動周波数制御部に供給される２つの電圧は共にレーザ・ダイオードの出力パワーに比例する電圧となるために、レーザ・ダイオードのバック光を電気変換するフォト・ダイオードの電気変換効率に誤差があっても発振波長に誤差を生ずることはない。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の原理的構成（その１）。
【図２】  図１の構成における初期波長制御を示すフローチャート。
【図３】  レーザ・ダイオードの発振波長の制御を示す図。
【図４】  ２つのフォト・ダイオードの電流変換効率の誤差をキャンセルする構成。
【図５】  図１の構成におけるレーザ・ダイオードの経年変化の補償のフローチャート。
【図６】  レーザ・ダイオードの経年変化の補償。
【図７】  本発明の原理的構成（その２）。
【図８】  出力パワー変動時も発振波長が一定に制御される様子。
【図９】  図７の構成と等価な構成。
【図１０】  本発明の第一の実施の形態。
【図１１】  本発明の第二の実施の形態。
【図１２】  従来の技術（その１）。
【図１３】  従来の技術（その２）。
【図１４】  従来の技術（その３）。
【図１５】  エタロンの光透過率特性。
【図１６】  エタロンの光透過率の温度特性。
【符号の説明】
１  サーミスタ部
２  第一の基準電圧源
３  自動温度制御部（ＡＴＣ）
４  ペルチエ素子（ＴＥＣ）
５  ペルチエ素子ドライバ（ＴＥＣ  ＤＲＶ）
６  レーザ・ダイオード
７  第一のフォト・ダイオード部（ＰＤ＃１）
８  第二の基準電圧源
９  自動パワー制御部（ＡＰＣ）
１０  レーザ・ダイオード・ドライバ（ＬＤ  ＤＲＶ）
１１  第三のフォト・ダイオード部（ＰＤ＃３）
１２  第一のスイッチ
１３  エタロン
１４  第二のフォト・ダイオード部（ＰＤ＃２）
１５  第二のスイッチ
１６−１、１６−２、１６−３、１６−４  抵抗
１７  第三の基準電圧源
１８  自動周波数制御部（ＡＦＣ）
１９  第一のデジタル・アナログ変換回路（Ｄ／Ａ＃１）
２０  第二のデジタル・アナログ変換回路（Ｄ／Ａ＃２）
２１  加算回路
２２  第三のデジタル・アナログ変換回路（Ｄ／Ａ＃３）
２３  中央処理ユニット（ＣＰＵ）
２４  メモリ
２５  クロック発生回路（ＣＬＫ）
２６  レンズ
２７  光導波路
２８  基板
２９  第四のデジタル・アナログ変換回路（Ｄ／Ａ＃４）
３０  デジタル・ポテンショ・メータ（デジタルポテンショ）
３１  第一のアナログ・デジタル変換回路（Ａ／Ｄ＃１）
３２  第二のアナログ・デジタル変換回路（Ａ／Ｄ＃２）
３３  第三のアナログ・デジタル変換回路（Ａ／Ｄ＃３）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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