(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に形成されたＴＦＴと、
前記ＴＦＴ上に形成された無機材料からなる第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成された有機材料からなる第２の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜に形成されたコンタクトホールと、
前記第２の絶縁膜上に形成された無機材料からなる第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜に全体が重なって形成された第１の電極と、
前記第１の電極と、有機化合物層と、第２の電極とを有する発光素子と、
を有し、
前記第２の絶縁膜の前記コンタクトホールが形成されている部分には、前記第３の絶縁膜が形成されていないことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
絶縁表面上に形成されたＴＦＴと、
前記ＴＦＴ上に形成された無機材料からなる第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成された有機材料からなる第２の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜に形成されたコンタクトホールと、
前記第２の絶縁膜上に形成された無機材料からなる第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜に全体が重なって形成された第１の電極と、
前記第１の電極と、有機化合物層と、第２の電極とを有する発光素子と、
を有し、
前記ＴＦＴは、前記コンタクトホールに形成された配線を介して前記第１の電極と電気的に接続されており、
前記第２の絶縁膜の前記コンタクトホールが形成されている部分には、前記第３の絶縁膜が形成されていないことを特徴とする発光装置。
【請求項３】
絶縁表面上に形成されたＴＦＴと、
前記ＴＦＴ上に形成された無機材料からなる第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成された有機材料からなる第２の絶縁膜と、
前記ＴＦＴが有するゲート絶縁膜、前記第１の絶縁膜、および前記第２の絶縁膜に形成されたコンタクトホールと、
前記第２の絶縁膜上に形成された無機材料からなる第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜に全体が重なって形成された第１の電極と、
前記第１の電極と、有機化合物層と、第２の電極とを有する発光素子と、
を有し、
前記ＴＦＴは、前記コンタクトホールにおいて、前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜および前記ゲート絶縁膜と接して形成された配線を介して前記第１の電極と電気的に接続されており、
前記第２の絶縁膜の前記コンタクトホールが形成されている部分には、前記第３の絶縁膜が形成されていないことを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜は、窒化酸化珪素膜または窒化珪素膜であり、珪素の含有比率が２５．０ａｔｏｍｉｃ％以上３５．０ａｔｏｍｉｃ％以下であり、かつ窒素の含有比率が３５．０ａｔｏｍｉｃ％以上６５．０ａｔｏｍｉｃ％以下であることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記有機材料は、アクリル、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミドまたはベンゾシクロブテンであることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の発光装置を表示部に有することを特徴とする表示装置、デジタルスチルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、モバイルコンピュータ、記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置、ゴーグル型ディスプレイ、ビデオカメラまたは携帯電話。
【請求項７】
絶縁表面上にＴＦＴを形成し、
前記ＴＦＴ上に無機材料からなる第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に有機材料からなる第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上に無機材料からなる第３の絶縁膜を形成し、
前記第３の絶縁膜上に導電膜を形成し、
マスクを用いた第１のエッチングにより、前記導電膜から第１の電極を形成し、
前記マスクを用いた第２のエッチングにより前記第１の電極と重なる部分を残して前記第３の絶縁膜を除去し、
前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜および前記ＴＦＴのゲート絶縁膜にコンタクトホールを形成し、
前記コンタクトホールに配線を前記ＴＦＴおよび前記第１の電極と接して形成し、
前記第１の電極上に有機化合物層を形成し、
前記有機化合物層上に第２の電極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項８】
絶縁表面上にＴＦＴを形成し、
前記ＴＦＴ上にスパッタリング法により無機材料からなる第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に塗布法により有機材料からなる第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上にスパッタリング法により無機材料からなる第３の絶縁膜を形成し、
前記第３の絶縁膜上に導電膜を形成し、
マスクを用いたウエットエッチング法により、前記導電膜から第１の電極を形成し、
前記マスクを用いたドライエッチング法により前記第１の電極と重なる部分を残して前記第３の絶縁膜を除去し、
前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜および前記ＴＦＴのゲート絶縁膜にコンタクトホールを形成し、
前記コンタクトホールに配線を前記ＴＦＴおよび前記第１の電極と接して形成し、
前記第１の電極上に有機化合物層を形成し、
前記有機化合物層上に第２の電極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項９】
請求項７または８において、
前記第１の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜は、珪素をターゲットとし、希ガスと窒素を含有するガスを用いて、珪素の含有比率が２５．０ａｔｏｍｉｃ％以上３５．０ａｔｏｍｉｃ％以下であり、かつ窒素の含有比率が３５．０ａｔｏｍｉｃ％以上６５．０ａｔｏｍｉｃ％以下である膜となるように形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一対の電極間に有機化合物を含む膜（以下、「有機化合物層」と記す）を設けた素子に電界を加えることで、蛍光又は燐光が得られる発光素子を用いた発光装置及びその作製方法に関する。なお、本明細書中における発光装置とは、画像表示デバイス、発光デバイス、もしくは光源を指す。また、発光装置にコネクター、例えばFPC（Flexible printed circuit）もしくはTAB（Tape Automated Bonding）テープもしくはTCP（Tape Carrier Package）が取り付けられたモジュール、TABテープやTCPの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子にCOG（Chip On Glass）方式によりIC（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。
【０００２】
【従来の技術】
近年、基板上にＴＦＴを形成する技術が大幅に進歩し、アクティブマトリクス型表示装置への応用開発が進められている。特に、ポリシリコン膜を用いたＴＦＴは、従来のアモルファスシリコン膜を用いたＴＦＴよりも電界効果移動度（モビリティともいう）が高いため高速動作が可能である。
【０００３】
このようなアクティブマトリクス型表示装置は、同一基板上に様々な回路や素子を作り込むことで製造コストの低減、表示装置の小型化、歩留まりの上昇、スループットの低減など、様々な利点が得られるとして注目されている。
【０００４】
中でも、陽極と有機化合物層と陰極とからなる発光素子をマトリクス状に配置した表示装置（以下、アクティブマトリクス型発光装置と呼ぶ）は、各画素のそれぞれにＴＦＴからなるスイッチング素子（以下、スイッチング用ＴＦＴという）を設け、そのスイッチング用ＴＦＴによって電流制御を行う駆動素子（以下、電流制御用ＴＦＴという）を動作させて発光素子を発光させるというものである。
【０００５】
なお、発光素子は、電界を加えることにより発光する素子である。その発光機構は、電極間に有機化合物層を挟んで電圧を印加することにより、陰極から注入された電子および陽極から注入された正孔が有機化合物層中で再結合して、励起状態の分子（以下、分子励起子という）を形成し、その分子励起子が基底状態に戻る際にエネルギーを放出して発光すると言われている。
【０００６】
このような発光素子において、通常、有機化合物層は1μmを下回るほどの薄膜で形成される。また、発光素子は、有機化合物層そのものが光を放出する自発光型の素子であるため、従来の液晶ディスプレイに用いられているようなバックライトも必要ない。したがって、発光素子は極めて薄型軽量に作製できることが大きな利点である。
【０００７】
こういった薄型軽量・高速応答性・直流低電圧駆動などの特性から、発光素子は次世代のフラットパネルディスプレイ素子として注目されている。また、自発光型であり視野角が広いことから、視認性も比較的良好であり、電気器具の表示画面に用いる素子として有効と考えられているが、以下の点が問題になっていた。
【０００８】
通常、基板上にＴＦＴが画素１つに対して少なくとも１つ又は２つ設けられ、さらにＴＦＴを選択して、ＯＮするためにソース信号線およびゲート信号線が形成されている。そして、ＴＦＴと、発光素子とを絶縁するためにＴＦＴ上に酸化珪素や、窒化珪素などの絶縁材料からなる層間絶縁膜が形成されるが、ＴＦＴの厚さは、０．２〜１μｍと凹凸があるので、これを避けて画素電極を形成しなければならなかった。なお、このような場合には、実質的に画素電極を形成する領域が小さくなるために画素部の開口率が低下するという問題があった。
【０００９】
これに対して、特開平１０−１８９２５２号公報では、スピンコーティング法により成膜したポリイミドコーティング膜や、シリカにポリマーコーティングを行った後、エッチバック法を用いて形成した膜を用いてＴＦＴ上に層間絶縁膜を形成することにより平坦化を行い、さらにその上に発光素子を形成することにより発光装置の開口率を向上させる技術が開示されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、このような発光装置は、基板上に形成されたＴＦＴと層間絶縁膜を介して電気的に接続される構造を有する。なお、層間絶縁膜を形成する材料としては、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素といった珪素を含む無機材料や、ポリイミド、ポリアミド、アクリルといった有機樹脂等の有機材料により形成される。
【００１１】
無機材料は、酸素や水分を透過させないという特性を持つが、膜厚が厚くなるとクラックを生じる等の欠点を有する。
【００１２】
これに対して、有機材料は、膜厚を厚く形成することができるとともに平坦性に優れていることからＴＦＴ上を平坦化するための膜としては非常に適しているが、酸素を透過し、水分を透過もしくは吸収するという欠点を有している。
【００１３】
なお、発光素子を形成する有機化合物層は、酸素や水分にきわめて弱いため、すぐに劣化してしまうという欠点を有している。すなわち、酸素や水は発光素子の劣化の原因となり、ダークスポット等の劣化の原因となる。
【００１４】
さらに、有機材料からなる第２の層間絶縁膜と、無機材料からなる第３の層間絶縁膜とを積層した場合において、積層膜のパターニングを良好に行うために技術的な困難を生じる。具体的には、上記積層膜を成膜した後で、ＴＦＴと発光素子の電極を接続する配線形成のためのコンタクトホールを形成すると、コンタクトホールの端部であり、第１の層間絶縁膜と第２の層間絶縁膜とが積層されている断面が露出している部分で、第３の層間絶縁膜が膜剥がれ（もしくは、ピーリング）を起こすといった問題がある。
【００１５】
そこで本発明では、ＴＦＴと発光素子の間に形成される層間絶縁膜に含まれる水や酸素により発光素子が劣化するのを防ぐ構造を提供すると共に、無機材料からなる絶縁膜と有機材料からなる絶縁膜とを積層した際に生じる問題を解決することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明では、基板上に形成されたＴＦＴの上に無機材料からなる無機絶縁膜で第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜上に有機材料からなる有機絶縁膜で第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜上に無機材料からなる無機絶縁膜で第３の絶縁膜を積層し、第３の絶縁膜上に陽極、有機化合物層、および陰極からなる発光素子を形成することを特徴とする。
【００１７】
さらに、本発明では第２の絶縁膜と第３の絶縁膜とを積層して、第２の絶縁膜からの水分及び酸素の放出を防ぐ構造とするだけでなく、コンタクトホールが形成される部分には、第３の絶縁膜が積層されないような構造とすることを特徴とする。
【００１８】
具体的には、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜と第３の絶縁膜とを積層して形成した後、発光素子の第１の電極となる導電膜を成膜し、第１の電極を形成するパターニングの際に、第３の絶縁膜も部分的にエッチングし、エッチングにより表面が露呈している第２の絶縁膜、第１の絶縁膜およびゲート絶縁膜にコンタクトホールが形成される。
【００１９】
本発明において開示する発明の構成は、絶縁表面上に形成されたＴＦＴと、前記ＴＦＴ上に形成された無機材料からなる第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に形成された有機材料からなる第２の絶縁膜と、第１の電極、有機化合物層、および第２の電極からなる発光素子とを有する発光装置であって、前記第１の電極と重なる位置に無機材料からなる第３の絶縁膜を有することを特徴とする発光装置である。
【００２０】
また、他の発明の構成は、絶縁表面上に形成されたＴＦＴと、前記ＴＦＴ上に形成された無機材料からなる第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に形成された有機材料からなる第２の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜において形成されたコンタクトホールと、第１の電極、有機化合物層、および第２の電極からなる発光素子と、前記第２の絶縁膜および前記第１の電極に挟まれ、かつ前記第１の電極と重なる位置に形成された無機材料からなる第３の絶縁膜とを有する発光装置であって、前記ＴＦＴは、前記コンタクトホールに形成された配線を介して前記第１の電極と電気的に接続されることを特徴とする発光装置である。
【００２１】
また、他の発明の構成は、絶縁表面上に形成されたＴＦＴと、前記ＴＦＴ上に形成された無機材料からなる第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に形成された有機材料からなる第２の絶縁膜と、前記ＴＦＴが有するゲート絶縁膜、前記第１の絶縁膜、および前記第２の絶縁膜において形成されたコンタクトホールと、第１の電極、有機化合物層、および第２の電極からなる発光素子と、前記第２の絶縁膜および前記第１の電極に挟まれ、かつ前記第１の電極と重なる位置に形成された無機材料からなる第３の絶縁膜とを有する発光装置であって、前記コンタクトホールにおいて、前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜およびゲート絶縁膜と接して形成された配線を有し、前記配線は、前記ＴＦＴと前記第１の電極とを電気的に接続することを特徴とする発光装置である。
【００２２】
なお、上記各構成において、無機材料としては、窒化酸化珪素膜、窒化珪素膜を用いることができ、珪素の含有比率が２５.０atomic％以上３５.０atomic％以下であり、窒素の含有比率が３５.０atomic％以上６５.０atomic％以下であることが望ましい。なお、酸化珪素膜を用いることもできるが、アルカリ金属などのブロッキング性の面を考慮すると窒化酸化珪素膜又は窒化珪素膜を用いるのが好ましい。
【００２３】
なお、上記各構成において、有機材料としては、熱硬化型又は光硬化型の有機樹脂材料を用いることができ、アクリル、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）等を用いることができる。
【００２４】
また、本発明における他の構成は、絶縁表面上にＴＦＴを形成し、前記ＴＦＴ上にスパッタリング法により無機材料からなる第１の絶縁膜を形成し、前記第１の絶縁膜上に塗布法により有機材料からなる第２の絶縁膜を形成し、前記第２の絶縁膜上にスパッタリング法により無機材料からなる第３の絶縁膜を形成し、前記第３の絶縁膜上に発光素子の第１の電極となる導電膜を形成し、マスクを用いた第１のエッチングにより、前記導電膜から第１の電極を形成し、第２のエッチングにより前記第１の電極と重なる部分を残して前記第３の絶縁膜を除去することを特徴とする発光装置の作製方法である。
【００２５】
さらに、本発明における他の構成は、絶縁表面上にＴＦＴを形成し、前記ＴＦＴ上にスパッタリング法により無機材料からなる第１の絶縁膜を形成し、前記第１の絶縁膜上に塗布法により有機材料からなる第２の絶縁膜を形成し、前記第２の絶縁膜上にスパッタリング法により無機材料からなる第３の絶縁膜を形成し、前記第３の絶縁膜上に発光素子の第１の電極となる導電膜を形成し、マスクを用いた第１のエッチングにより、前記導電膜から第１の電極を形成し、第２のエッチングにより前記第１の電極と重なる部分を残して前記第３の絶縁膜を除去し、前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜および前記ＴＦＴが有するゲート絶縁膜において、コンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールに配線を形成し、前記配線を前記ＴＦＴおよび前記第１の電極と接して形成し、前記第１の電極上に有機化合物層を形成し、前記有機化合物層上に発光素子の第２の電極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法である。
【００２６】
上記各構成において、無機材料の成膜法として、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、イオンビームスパッタリング法、ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）スパッタリング法、イオン化蒸着法等の気相成膜法を用いることができる。なお、これらの成膜方法は、いずれも物理的に原子又は分子を基板上に被着させる方法なので、先に形成されている有機材料からなる層間絶縁膜と殆ど反応せず、化学的に変質させてしまう恐れがない。また、室温〜３００℃の温度範囲であっても緻密な膜を形成できるという特徴がある。そして、酸素や水分の透過を阻止する特性を有している。
【００２７】
なお、上記スパッタリング法を用いる場合には、室温〜３００℃の基板温度において、光透過率の良好な珪素及び窒素を主成分とする無機絶縁膜を形成することができる。この無機絶縁膜を有機材料からなる層間絶縁膜と、陽極、陰極及び有機化合物層からなる発光素子との間に設けることにより、有機材料からなる層間絶縁膜から酸素や水分が放出されるのを遮蔽することができるので発光素子の劣化を防止することができる。
【００２８】
なお、前記珪素及び窒素を主成分とする無機絶縁膜をスパッタリング法により成膜する場合には、珪素を主成分とするターゲットを用い、スパッタガスとして、アルゴン、窒素、酸素、窒素酸化物、を使用して形成する。なお、前記珪素及び窒素を主成分とする無機絶縁膜は、成膜時のガス流量により、窒素と、酸素との組成比が変わる。そこで、本明細書中では、前記組成比において、珪素以外の主成分が窒素である膜を、窒化珪素膜とよび、また、前記組成比において、珪素以外の主成分が酸素および窒素である膜を、酸化窒化珪素膜とよぶことにする。
【００２９】
また、前記珪素及び窒素を主成分とする無機絶縁膜を前記スパッタリング法により成膜する場合には、珪素をターゲットとして、希ガスと窒素を含有するガスを用いて成膜を行うことで珪素の含有比率が２５.０atomic％以上３５.０atomic％以下であり、窒素の含有比率が３５.０atomic％以上６５.０atomic％以下である膜を形成することができる。
【００３０】
以上の工程では、基板を３００℃以上に加熱することがないため、樹脂基板、またはフレキシブルな基板材料（プラスチック）上にＴＦＴを形成する場合にも同様に適用することができる。
【００３１】
また、上記各構成において、無機材料からなる無機絶縁膜を形成した後、無機絶縁膜上に透明導電膜を形成し、これをフォトリソグラフィーによりマスクを形成し、第１のエッチングを行うことにより第１の電極が形成される。さらに、マスクを除去せずに第２のエッチングを行うことによりマスクと重ならない位置にある無機絶縁膜がエッチングされる。なお、エッチング方法としては、ウエットエッチング法とドライエッチング法があるが、本発明においては、第１のエッチングにはウエットエッチング法を用い、第２のエッチングには、ドライエッチング法を用いる。
【００３２】
なお、本発明の発光装置から得られる発光は、一重項励起状態又は三重項励起状態のいずれか一方、またはその両者による発光を含むものとする。
【００３３】
【発明の実施の形態】
［実施の形態１］
本発明の実施の形態について、図１を用いて説明する。なお、図１には、本発明において、発光装置の画素部に形成される発光素子の断面構造を示す。また、ここで示す発光素子は、有機化合物層で生じた光を基板側（以下に示す、第１の電極側）から取り出す構造（いわゆる、下方出射型）の場合について説明する。
【００３４】
図１において、基板１０１上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成されている。なお、ここでは、発光素子１１８の第１の電極１１１と電気的に接続され、発光素子１１８に供給される電流を制御する機能を有する電流制御用ＴＦＴ２０２と、電流制御用ＴＦＴ２０２のゲート電極１０６に印加されるビデオ信号を制御するためのスイッチング用ＴＦＴ２０１を示している。本実施の形態の場合には、電流制御用ＴＦＴ２０２は、ｐチャネル型ＴＦＴで形成され、スイッチング用ＴＦＴ２０１は、ｎチャネル型ＴＦＴで形成されている。
【００３５】
基板１０１としては、透光性を有する基板としてガラス基板を用いるが、石英基板や樹脂基板、またはフレキシブルな基板材料（プラスチック）を用いても良い。また、各ＴＦＴの活性層は、少なくともチャネル形成領域１０２、ソース領域１０３、ドレイン領域１０４を備えている。
【００３６】
また、各ＴＦＴの活性層は、ゲート絶縁膜１０５で覆われ、ゲート絶縁膜１０５を介してチャネル形成領域１０２と重なるゲート電極１０６が形成されている。また、ゲート電極１０６を覆う第１の層間絶縁膜１０８が設けられ、その第１の層間絶縁膜１０８上に第２の層間絶縁膜１０９が形成され、さらに、第２の層間絶縁膜１０９上に第３の層間絶縁膜１１０が形成されている。
【００３７】
なお、第１の層間絶縁膜１０８は、酸化珪素、窒化珪素、窒化酸化珪素および塗布シリコン酸化膜（ＳＯＧ：Spin On Glass）等の珪素を含む無機材料により形成され、第２の層間絶縁膜１０９は、ポリイミド、ポリアミド、アクリル（感光性アクリルを含む）、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）といった有機材料を用いて形成される。また、第３の層間絶縁膜１１０は、酸化珪素、窒化珪素、窒化酸化珪素およびＳＯＧ等の珪素を含む無機材料により形成される。
【００３８】
そして、第３の層間絶縁膜１１０を形成した後、透明導電膜を形成し、これをパターニングすることにより光取り出し電極である第１の電極１１１が形成される。
【００３９】
なお、本実施の形態においては第１の電極１１１を陽極として機能する電極とすることから、ここで用いる透明導電膜としては、仕事関数が４．５ｅＶ以上の仕事関数の大きい材料を用いる。具体的には、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ: indium tin oxide）膜、酸化インジウムに２〜２０[％]の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合した（ＩＺＯ:indium zinc oxide）膜、といった透光性の導電膜の他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）等の長周期型の周期表における３〜１１族に属する元素を導電性材料として用いることができる。
【００４０】
一方、後から形成される第２の電極が光取り出し電極となる場合には、第１の電極１１１を透光性の陽極材料により形成する。なお、この場合には、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）等の長周期型の周期表における３〜１１族に属する元素を可視光に対する透過率が１０％未満となるような膜厚で形成することにより用いることができる。
【００４１】
なお、第３の層間絶縁膜１１０および透明導電膜１２０が成膜された状態を図２（Ａ）に示す。また、図１と同じものに関しては、共通の記号を用いるものとする。
【００４２】
次に、透明導電膜１２０上にフォトリソグラフィーによりマスク１２１を形成し、透明導電膜１２０のエッチングを行う。なお、透明導電膜１２０のエッチングには、ウエットエッチング法を用いる。これにより第１の電極１１１がパターン形成される（図２（Ｂ））。
【００４３】
さらに、マスク１２１を除去せずにドライエッチング法により、第３の層間絶縁膜１１０をエッチングする。この時、マスク１２１で覆われ、第１の電極１１１と重なる位置に形成されている第３の層間絶縁膜１１０はエッチングされずに残り、それ以外の部分がエッチングされる（図２（Ｃ））。
【００４４】
マスク１２１を除去した後で、第２の層間絶縁膜１０９、第１の層間絶縁膜１０８およびゲート絶縁膜１０５に各ＴＦＴのソースまたはドレインに到達するコンタクトホールを形成する。そして、コンタクトホール形成後に各ＴＦＴのソース領域またはドレイン領域とを電気的に接続する配線１１２〜１１５が形成される（図２（Ｄ））。
【００４５】
このような工程を経て、図１に示すような構造の第３の層間絶縁膜１１０を第２の層間絶縁膜１０９と第１の電極１１１との間に形成することで、有機材料からなる第２の層間絶縁膜１０９からの水分や酸素が発光素子１１８側に放出されるのを無機材料からなる第３の層間絶縁膜１１０により防ぐことができると共に、第３の層間絶縁膜が除去された第１の層間絶縁膜および第２の層間絶縁膜において、各ＴＦＴのソース領域又はドレイン領域に到達するコンタクトホールが形成されるため、第２の層間絶縁膜と第３の層間絶縁膜とが積層部分にコンタクトホールが形成された場合に問題となる膜剥がれを防ぐことができる。
【００４６】
なお、第１の電極１１１は、配線１１４を介して電流制御用ＴＦＴ２０２のドレイン領域１０４と接続されており、電流制御用ＴＦＴ２０２から第１の電極１１１に供給される電流値により発光素子１１８における発光輝度が制御される。
【００４７】
また、図１に示すように第１の電極１１１の端部、及び配線（１１２〜１１５）は第１の絶縁層１１９、第２の絶縁層１２０により覆われている。なお、第１の絶縁層１１９、第２の絶縁層１２０を形成する材料としては、酸化珪素、窒化珪素、窒化酸化珪素および塗布シリコン酸化膜（ＳＯＧ：Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）等の珪素を含む無機材料の他、ポリイミド、ポリアミド、アクリル（感光性アクリルを含む）、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）といった有機材料からなる絶縁膜を用いる。なお、膜厚は、０．１〜２μｍで形成することができるが、特に酸化珪素、窒化珪素および窒化酸化珪素等の珪素を含む材料を用いる場合には０．１〜０．３μｍの膜厚で形成することが望ましい。
【００４８】
第１の絶縁層１１９は第１の電極１１１と重なる位置に開口部を有している。また、第１の絶縁層１１９上に第２の絶縁層１２０が形成される。なお、第２の絶縁層１２０も第１の電極１１１と重なる位置に開口部を有している。
【００４９】
また、第１の電極１１１（陽極）上には有機化合物層１１６が形成されており、有機化合物層１１６上に形成された第２の電極（陰極）１１７とにより発光素子１１８が形成される。なお、有機化合物層１１６を形成する材料としては、低分子系の材料であっても良いし、高分子系の材料であっても良い。また、第２の電極（陰極）１１７に用いる仕事関数の小さい（具体的には、仕事関数が３．８ｅＶ以下）材料としては、元素周期律の１族または２族に属する元素、すなわちアルカリ金属及びアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金や化合物の他、希土類金属を含む遷移金属を用いることができる。第２の電極（陰極）１１７は、蒸着法又はスパッタリング法により形成することができる。
【００５０】
本実施の形態１において、第１の電極１１１に陽極となる透明導電膜を用いることから有機化合物層１１６におけるキャリアの再結合により生じた光が、第１の電極１１１側から出射される構造となる。なお、第２の電極１１７は、遮光性の材料により形成されることが望ましい。
【００５１】
また、本実施の形態においては、有機化合物層１１６と第２の電極１１７との界面にバッファー層（図示せず）を設ける構造とする。なお、バッファー層を形成する材料としては、フッ化バリウム（ＢａＦ2）、フッ化カルシウム（ＣａＦ2）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）等を用いることができるが、膜厚を１ｎｍ程度で形成する必要がある。その他にもセシウム（Ｃｓ）、バリウム（Ｂａ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム合金（Ｍｇ：Ａｇ）およびランタノイド系の材料を用いることができる。ここでは、フッ化バリウム（ＢａＦ2）を１ｎｍの膜厚で成膜してバッファー層を形成する。そして、バッファー層の上に第２の電極１１７となるＡｌを１００ｎｍの膜厚で成膜する。なお、本実施の形態では、バッファー層を第２の電極１１７に含めるものとする。
【００５２】
以上により、第１の電極１１１、有機化合物層１１６、および第２の電極１１７とからなる発光素子１１８を有する発光装置を形成することができる。
【００５３】
［実施の形態２］
次に、本実施の形態２では、図３〜図６を用いて同一基板上に画素部と、画素部の周辺に設ける駆動回路のＴＦＴ（ｎチャネル型ＴＦＴ及びｐチャネル型ＴＦＴ）を同時に作製する方法について詳細に説明する。
【００５４】
まず、基板６００上に下地絶縁膜６０１を形成し、結晶構造を有する第１の半導体膜を得た後、所望の形状にエッチング処理して島状に分離された半導体層６０２〜６０５を形成する。
【００５５】
基板６００としては、ガラス基板、石英基板、セラミック基板などを用いることができる。また、下地絶縁膜６０１としては、プラズマＣＶＤ法で成膜温度４００℃、原料ガスＳｉＨ4、ＮＨ3、Ｎ2Ｏから作製される酸化窒化珪素膜６０１ａを５０ｎｍ（好ましくは１０〜２００ｎｍ）形成する。次いで、プラズマＣＶＤ法で成膜温度４００℃、原料ガスＳｉＨ4、Ｎ2Ｏから作製される酸化窒化珪素膜６０１ｂを１００ｎｍ（好ましくは５０〜２００ｎｍ）の厚さに積層形成し、さらにプラズマＣＶＤ法で成膜温度３００℃、成膜ガスＳｉＨ4で非晶質構造を有する半導体膜（ここではアモルファスシリコン膜）を５４ｎｍの厚さ（好ましくは２５〜８０ｎｍ）で形成する。
【００５６】
本実施の形態では下地膜６０１を２層構造として示したが、前記絶縁膜の単層膜または２層以上積層させた構造として形成しても良い。また、半導体膜の材料に限定はないが、好ましくはシリコン（珪素）またはシリコンゲルマニウム（ＳｉXＧｅ1-X（Ｘ＝０．０００１〜０．０２））合金などを用い、公知の手段（スパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、またはプラズマＣＶＤ法等）により形成すればよい。
【００５７】
次いで、非晶質構造を有する半導体膜を結晶化させて結晶構造を有する半導体膜を形成する。なお、ここでの結晶化としては、公知の結晶化技術、例えば固相成長法やレーザー結晶化法を用いることができる。
【００５８】
なお、レーザー結晶化を行う場合には、パルス発振型または連続発振型のエキシマレーザーやＹＡＧレーザー、ＹＶＯ4レーザー、ＹＬＦレーザーを用いることができる。ＹＡＧレーザー、ＹＶＯ4レーザー、ＹＬＦレーザーを用いる場合には、その第２高調波〜第４高調波を利用する。これらのレーザーを用いる場合には、レーザー発振器から放出されたレーザー光を光学系で線状に集光し半導体膜に照射する方法を用いると良い。結晶化の条件は、実施者が適宜選択すればよい。
【００５９】
その他の結晶化法として、ニッケルなどの半導体の結晶化に対し触媒作用のある金属元素を添加して結晶化させても良い。例えば、ニッケルを含有する溶液を非晶質珪素膜上に保持させた後、脱水素化（５００℃、１時間）続けて熱結晶化（５５０℃、４時間）を行い、更に結晶性を向上させるためＹＡＧレーザー、ＹＶＯ4レーザー、ＹＬＦレーザーから選ばれた連続発振レーザー光の第２高調波を照射する。
【００６０】
次いで、得られた結晶構造を有する珪素膜（ポリシリコン膜とも呼ばれる）の表面にレジストからなるマスクを形成し、所望の形状にエッチング処理して島状に分離された半導体層６０２〜６０５を形成する。半導体層を形成した後、レジストからなるマスクを除去する。
【００６１】
また、半導体層を形成した後、ＴＦＴのしきい値（Ｖｔｈ）を制御するためにｐ型あるいはｎ型を付与する不純物元素を添加してもよい。なお、半導体に対してｐ型を付与する不純物元素には、ボロン（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）など周期律第１３族元素が知られている。なお、半導体に対してｎ型を付与する不純物元素としては周期律１５族に属する元素、典型的にはリン（Ｐ）または砒素（Ａｓ）が知られている。
【００６２】
次いで、半導体層６０２〜６０５を覆うゲート絶縁膜６０７を形成する。ゲート絶縁膜６０７はプラズマＣＶＤ法やスパッタ法で、酸化珪素又は酸化窒化珪素などの無機絶縁体材料を用いて形成し、その厚さを４０〜１５０ｎｍとして珪素を含む絶縁膜で形成する。勿論、このゲート絶縁膜は、珪素を含む絶縁膜を単層或いは積層構造として用いることができる。
【００６３】
次いで、図３（Ａ）に示すように、ゲート絶縁膜６０７上に膜厚２０〜１００ｎｍの第１の導電膜６０８と、膜厚１００〜４００ｎｍの第２の導電膜６０９とを積層形成する。本実施の形態では、ゲート絶縁膜６０７上に膜厚３０ｎｍの窒化タンタル膜、膜厚３７０ｎｍのタングステン膜を順次積層する。
【００６４】
第１の導電膜及び第２の導電膜を形成する導電性材料としてはＴａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料で形成する。なお、第１の導電膜及び第２の導電膜としてリン等の不純物元素をドーピングした多結晶珪素膜に代表される半導体膜や、Ａｇ：Ｐｄ：Ｃｕ合金を用いてもよい。
【００６５】
次に、図３（Ｂ）に示すように光露光工程によりレジストからなるマスク６１０〜６１３を形成し、ゲート電極及び配線を形成するための第１のエッチング処理を行う。第１のエッチング処理では第１及び第２のエッチング条件で行う。エッチングにはＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma：誘導結合型プラズマ）エッチング法を用いると良い。ＩＣＰエッチング法を用い、エッチング条件（コイル型の電極に印加される電力量、基板側の電極に印加される電力量、基板側の電極温度等）を適宜調節することによって所望のテーパー形状に膜をエッチングすることができる。なお、エッチング用ガスとしては、Ｃｌ2、ＢＣｌ3、ＳｉＣｌ4、ＣＣｌ4などを代表とする塩素系ガスまたはＣＦ4、ＳＦ6、ＮＦ3などを代表とするフッ素系ガス、またはＯ2を適宜用いることができる。
【００６６】
本実施の形態では、基板側（試料ステージ）にも１５０ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。なお、基板側の電極面積サイズは、１２．５ｃｍ×１２．５ｃｍであり、コイル型の電極面積サイズ（ここではコイルの設けられた石英円板）は、直径２５ｃｍの円板である。
【００６７】
本実施例では第１のエッチング条件として、ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma：誘導結合型プラズマ）エッチング法を用い、エッチング用ガスにＣＦ4とＣｌ2とＯ2とを用い、それぞれのガス流量比を２５／２５／１０（ｓｃｃｍ）とし、１Paの圧力でコイル型の電極に５００ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入してプラズマを生成してエッチングを行う。基板側（試料ステージ）にも１５０ＷのＲＦ（13.56MHz）電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。この第１のエッチング条件によりＷ膜をエッチングして第１の導電層の端部をテーパー形状とする。
【００６８】
この後、レジストからなるマスク６１０〜６１３を除去せずに第２のエッチング条件に変え、エッチング用ガスにＣＦ4とＣｌ2とを用い、それぞれのガス流量比を３０／３０（ｓｃｃｍ）とし、１Ｐａの圧力でコイル型の電極に５００ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入してプラズマを生成して約３０秒程度のエッチングを行った。基板側（試料ステージ）にも２０ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。ＣＦ4とＣｌ2を混合した第２のエッチング条件ではＷ膜及びＴａＮ膜とも同程度にエッチングされる。
【００６９】
こうして、第１のエッチング処理により第１の導電層と第２の導電層から成る第１の形状の導電層６１５〜６１８（第１の導電層６１５ａ〜６１８ａと第２の導電層６１５ｂ〜６１８ｂ）を形成する。ゲート絶縁膜となる絶縁膜６０７は、１０〜２０ｎｍ程度エッチングされ、第１の形状の導電層６１５〜６１８で覆われない領域が薄くなったゲート絶縁膜６２０となる。
【００７０】
次いで、レジストからなるマスクを除去せずに第２のエッチング処理を行う。ここでは、エッチング用ガスにＳＦ6とＣｌ2とＯ2とを用い、それぞれのガス流量比を２４／１２／２４（ｓｃｃｍ）とし、１．３Ｐａの圧力でコイル型の電極に７００ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入してプラズマを生成してエッチングを行う。基板側（試料ステージ）にも１０ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。
【００７１】
この第２のエッチング処理により第２の導電層６２１ｂ〜６２４ｂを形成する。一方、第１の導電層は、ほとんどエッチングされず、第１の導電層６２１ａ〜６２４ａとなる。なお、第１の導電層６２１ａ〜６２４ａは、第１の導電層６１５ａ〜６１８ａとほぼ同一サイズである。
【００７２】
次いで、レジストからなるマスクを除去した後、第１のドーピング処理を行って図４（Ａ）の状態を得る。ドーピング処理はイオンドープ法、もしくはイオン注入法で行えば良い。イオンドープ法の条件はドーズ量を６．０×１０13atoms/cm2とし、加速電圧を６０〜１００ｋｅＶとして行う。ｎ型を付与する不純物元素として、典型的にはリン（Ｐ）または砒素（Ａｓ）を用いる。この場合、第１の導電層及び第２の導電層６２１〜６２４がｎ型を付与する不純物元素に対するマスクとなり、自己整合的に第１の不純物領域６２６〜６２９が形成される。第１の不純物領域６２６〜６２９には１×１０16〜１×１０17/cm3の濃度範囲でｎ型を付与する不純物元素を添加する。ここでは、第１の不純物領域と同じ濃度範囲の領域をｎ--領域とも呼ぶ。
【００７３】
次いで、図４（Ｂ）に示すようにレジストからなるマスク６３１〜６３３を形成し第２のドーピング処理を行う。マスク６３１は駆動回路のｐチャネル型ＴＦＴを形成する半導体層のチャネル形成領域及びその周辺の領域を保護するマスクであり、マスク６３２は画素部のＴＦＴを形成する半導体層のチャネル形成領域及びその周辺の領域とを保護するマスクである。
【００７４】
第２のドーピング処理におけるイオンドープ法の条件はドーズ量を３．０×１０15atoms/cm2とし、加速電圧を６０〜１００ｋｅＶとしてリン（Ｐ）をドーピングする。ここでは、第２の導電層６２１ｂをマスクとして各半導体層に不純物領域が自己整合的に形成される。勿論、マスク６３１〜６３３で覆われた領域には添加されない。こうして、第２の不純物領域６３４、６３５と、第３の不純物領域６３７が形成される。第２の不純物領域６３４、６３５には１×１０20〜１×１０21/cm3の濃度範囲でｎ型を付与する不純物元素を添加されている。ここでは、第２の不純物領域と同じ濃度範囲の領域をｎ+領域とも呼ぶ。
【００７５】
また、第３の不純物領域は第１の導電層により第２の不純物領域よりも低濃度に形成され、１×１０18〜１×１０19/cm3の濃度範囲でｎ型を付与する不純物元素を添加されることになる。なお、第３の不純物領域は、テーパー形状である第１の導電層の部分を通過させてドーピングを行うため、テーパ−部の端部に向かって不純物濃度が増加する濃度勾配を有している。ここでは、第３の不純物領域と同じ濃度範囲の領域をｎ-領域とも呼ぶ。また、マスク６３２で覆われた領域は、第２のドーピング処理で不純物元素が添加されず、第１の不純物領域６３８となる。
【００７６】
次いで、レジストからなるマスク６３１〜６３３を除去した後、新たにレジストからなるマスク６３９、６４０を形成して図４（Ｃ）に示すように第３のドーピング処理を行う。
【００７７】
駆動回路において、上記第３のドーピング処理により、ｐチャネル型ＴＦＴを形成する半導体層および保持容量を形成する半導体層にｐ型の導電型を付与する不純物元素が添加された第４の不純物領域６４１、６４２及び第５の不純物領域６４３、６４４を形成する。
【００７８】
また、第４の不純物領域６４１、６４２には１×１０20〜１×１０21/cm3の濃度範囲でｐ型を付与する不純物元素が添加されるようにする。尚、第４の不純物領域６４１、６４２には先の工程でリン（Ｐ）が添加された領域（ｎ--領域）であるが、ｐ型を付与する不純物元素の濃度がその１．５〜３倍添加されていて導電型はｐ型となっている。ここでは、第４の不純物領域と同じ濃度範囲の領域をｐ+領域とも呼ぶ。
【００７９】
また、第５の不純物領域６４３、６４４は第２の導電層１２５ａのテーパー部と重なる領域に形成されるものであり、１×１０18〜１×１０20/cm3の濃度範囲でｐ型を付与する不純物元素が添加されるようにする。ここでは、第５の不純物領域と同じ濃度範囲の領域をｐ-領域とも呼ぶ。
【００８０】
以上までの工程でそれぞれの半導体層にｎ型またはｐ型の導電型を有する不純物領域が形成される。導電層６２１〜６２４はＴＦＴのゲート電極となる。
【００８１】
次いで、ほぼ全面を覆う絶縁膜を形成する。本実施の形態では、無機材料からなる絶縁膜を形成し、これを第１の層間絶縁膜６４５とよぶ。具体的には、プラズマＣＶＤ法により膜厚１００ｎｍの窒化珪素膜を形成する。勿論、この絶縁膜は窒化珪素膜に限定されるものでなく、他の珪素を含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。
【００８２】
次いで、それぞれの半導体層に添加された不純物元素を活性化処理する工程を行う。この活性化工程は、ランプ光源を用いたラピッドサーマルアニール法（ＲＴＡ法）、或いはＹＡＧレーザーまたはエキシマレーザーを裏面から照射する方法、或いは炉を用いた熱処理、或いはこれらの方法のうち、いずれかと組み合わせた方法によって行う。
【００８３】
次いで、熱処理（３００〜５５０℃で１〜１２時間の熱処理）を行い、半導体層を水素化する工程を行う（図５（Ａ））。この工程は第１の層間絶縁膜６４５に含まれる水素により半導体層のダングリングボンドを終端する工程である。酸化珪素膜からなるゲート絶縁膜６２０の存在に関係なく半導体層を水素化することができる。
【００８４】
次いで、第１の層間絶縁膜６４５上に有機絶縁材料からなる第２の層間絶縁膜６４６を形成する。本実施の形態では、塗布法によりアクリルからなる膜を１．０〜２．０μｍの膜厚に形成する。有機絶縁材料としてはアクリル、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）等を用いることができる。
【００８５】
このように、第２の層間絶縁膜６４６を有機材料で形成することにより、表面を良好に平坦化させることができる。また、有機材料６４６は一般に誘電率が低いので、寄生容量を低減することができる。しかし、吸湿性があり保護膜としては適さないので、本実施の形態のように、第１の層間絶縁膜６４５として形成した酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜、窒化珪素膜などと組み合わせて用いると良い。
【００８６】
さらに、第２の層間絶縁膜６４６上に無機材料からなる第３の層間絶縁膜６４７を形成する。
【００８７】
その後、スパッタリング法により、窒化珪素膜もしくは酸化窒化珪素膜を成膜し、第３の層間絶縁膜６４７を形成する。本実施例では、窒化珪素膜を膜厚を１００ｎｍで形成している。ターゲットは珪素を用い、スパッタガスにＮ２およびＡｒとを用い、それぞれのガスの流量比を２０／２０（ｓｃｃｍ）とする。また、成膜時の圧力は０．４Ｐａ、成膜電力は８００Ｗで、半径６ｉｎｃｈの円型ターゲットを用いる。なお、成膜温度は、室温〜２００℃程度で行うことができるが、本実施の形態では．２００℃で成膜を行う。
【００８８】
次に、第３の層間絶縁膜６４７上に透光性の透明導電膜６４８が形成される。透明導電膜６４８を形成する材料としては、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）膜や酸化インジウムに２〜２０[％]の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合した透明導電膜を用い、スパッタリング法により１１０ｎｍの膜厚で形成される。
【００８９】
そして、透明導電膜６４８上にレジストからなるマスクを形成した後、これを酸系のエッチャントを用いたウエットエッチング法によりエッチングして第１の電極６４９を形成する。
【００９０】
さらに、マスクを除去しない状態で、ドライエッチング法により第３の層間絶縁膜６４７をエッチングする。この場合のエッチング条件としては、ＣＦ4とＯ2とＨｅとを原料ガスに用い、それぞれのガス流量比を６０／４０／３５（ｓｃｃｍ）とし、基板側（試料ステージ）に４００ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入し、５３．２Ｐａの圧力でコイル型の電極に４５０ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入してプラズマを生成して第３の層間絶縁膜６４７のエッチングを行う。
【００９１】
以上により、第１の電極６４９と重なっている部分を残して第３の層間絶縁膜６４７をエッチングすることができるので、図５（Ｃ）に示すように、第１の電極６４９と重なっている部分にのみ第３の層間絶縁膜６４７を有する構造を形成することができる。
【００９２】
その後、それぞれのＴＦＴが有するソース領域またはドレイン領域に達するコンタクトホールを形成する。なお、コンタクトホールの形成にはドライエッチング法を用い、以下に示す条件で第２の層間絶縁膜６４６、第１の層間絶縁膜６４５およびゲート絶縁膜６２０をエッチングすることにより形成する。
【００９３】
初めに第２の層間絶縁膜６４６のエッチングを行う。この場合のエッチング条件としては、ＣＦ4とＯ2とＨｅとを原料ガスに用い、それぞれのガス流量比を５／９５／４０（ｓｃｃｍ）とし、基板側（試料ステージ）に５００ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入し、６６．５Ｐａの圧力でコイル型の電極に４５０ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入してプラズマを生成して第２の層間絶縁膜６４６のエッチングを行う。
【００９４】
次いで、第１の層間絶縁膜６４５のエッチングを行う。この場合のエッチング条件としては、ＣＦ4とＯ2とＨｅとを原料ガスに用い、それぞれのガス流量比を４０／６０／３５（ｓｃｃｍ）とし、基板側（試料ステージ）に４００ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入し、４０Ｐａの圧力でコイル型の電極に４５０ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入してプラズマを生成して第１の層間絶縁膜６４５のエッチングを行う。
【００９５】
さらに、ゲート絶縁膜６２０のエッチングを行う。この場合のエッチング条件としては、ＣＨＦ3を原料ガスに用い、それぞれのガス流量を３５（ｓｃｃｍ）として、ゲート絶縁膜６２０のエッチングを行う。
【００９６】
その後、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗなどを用いて配線を形成する。これらの電極及び画素電極の材料は、ＡｌまたはＡｇを主成分とする膜、またはそれらの積層膜等の反射性の優れた材料を用いることが望ましい。こうして、配線６５１〜６５８が形成される（図６（Ａ））。
【００９７】
次に有機材料からなる第１の絶縁層６７０を成膜する。なお、ここでは第１の絶縁層６７０を形成する材料として感光性アクリルからなる膜を用いているが、ポリイミド、ポリアミド、アクリル、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）といった材料を用いることもできる。
【００９８】
具体的には、感光性アクリルを用いてスピンコーティング法により膜厚１．４５μｍで成膜した後、フォトリソグラフィ−法によりパターニングを行った後で、第１の電極（陽極）６４９と重なる位置に開口部を形成するようにエッチング処理を行うことにより第１の絶縁層６７０を形成する（図６（Ｂ））。
【００９９】
なお、この場合のエッチング条件としては、ＣＦ4とＯ2とＨｅとを原料ガスに用い、それぞれのガス流量比を１０／９０／４０（ｓｃｃｍ）とし、６６．５Ｐａの圧力下でエッチングを行う。
【０１００】
次に無機材料からなる第２の絶縁膜６７１を成膜する。なお、ここでは第２の絶縁膜６７１を形成する材料として窒化珪素からなる膜を用いているが、酸化珪素、酸化窒化珪素およびＳＯＧといった珪素を含む材料を用いることもできる。
【０１０１】
具体的には、スパッタリング法により、窒化珪素膜を膜厚１００ｎｍで形成する。ターゲットには珪素を用い、成膜ガスにＮ2およびＡｒとを原料ガスに用い、それぞれのガスの流量比を２０／２０（ｓｃｃｍ）とする。また、成膜時の圧力は０．４Ｐａ、成膜電力は８００Ｗで、半径６ｉｎｃｈの円型ターゲットを用いる。なお、成膜温度は、室温〜２００℃程度で行うことができるが、本実施の形態では．２００℃で成膜を行う。そして、成膜した窒化珪素をフォトリソグラフィ−法によりパターニングを行った後で、第１の電極（陽極）６４９と重なる位置に開口部を形成するようにエッチング処理を行うことにより第２の絶縁層６７１を形成する（図６（Ｂ））。
【０１０２】
なお、この場合のエッチング条件としては、ＣＦ4とＯ2とＨｅとを原料ガスに用い、それぞれのガス流量比を６０／４０／３５（ｓｃｃｍ）として、５３．２Ｐａの圧力下でエッチングを行う。
【０１０３】
次に、第２の絶縁層６７１の開口部において露出している第１の電極（陽極）６４９上に有機化合物層６７２を蒸着法により形成する（図６（Ｂ））。
【０１０４】
ここでは、１画素しか示していないが、本実施の形態において画素部に複数形成される各画素には赤、緑、青の３種類の発光を示す有機化合物層のうちのいずれかが形成され、フルカラー化が可能となることから、３種類の発光色を示す有機化合物層を形成する有機化合物の組み合わせについて、図７により説明する。
【０１０５】
なお、図７（Ａ）に示す発光素子は、第１の電極（陽極）７０１、有機化合物層７０２、及び第２の電極（陰極）７０３からなり、有機化合物層７０２は、正孔輸送層７０４、発光層７０５、ブロッキング層７０６、および電子輸送層７０７の積層構造を有しており、また、第２の電極７０３は、有機化合物層７０２（ここでは、電子輸送層７０７）と接して形成された陰極バッファー層７０８を有している。なお、赤色発光を示す発光素子を構成する材料及び膜厚について図７（Ｂ）に示し、緑色発光を示す発光素子を構成する材料及び膜厚について図７（Ｃ）に示し、青色発光を示す発光素子を構成する材料及び膜厚について図７（Ｄ）にそれぞれ示す。
【０１０６】
はじめに、赤色発光を示す有機化合物層を形成する。具体的には、先に形成された第１の電極（陽極）７０１上に正孔輸送層７０４として、正孔輸送性の有機化合物である、４，４'−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェニル（以下、α−ＮＰＤと示す）を４０ｎｍの膜厚に成膜し、発光層７０５として、発光性の有機化合物である、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ、２３Ｈ−ポルフィリン−白金（以下、ＰｔＯＥＰと示す）をホストとなる有機化合物（以下、ホスト材料と示す）である４，４’−ジカルバゾール−ビフェニル（以下、ＣＢＰと示す）と共に共蒸着させて３０ｎｍの膜厚に成膜し、ブロッキング層７０６として、ブロッキング性の有機化合物である、バソキュプロイン（以下、ＢＣＰと示す）を１０ｎｍの膜厚に成膜し、電子輸送層７０７として、電子輸送性の有機化合物である、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（以下、Ａｌｑ3と示す）を４０ｎｍの膜厚に成膜することにより赤色発光の有機化合物層を形成する。
【０１０７】
なお、ここでは赤色発光の有機化合物層として、５種類の機能の異なる有機化合物を用いて形成する場合について説明したが、本発明は、これに限られることはなく、赤色発光を示す有機化合物として公知の材料を用いることができる。
【０１０８】
次に、緑色発光を示す有機化合物層を形成する。具体的には、先に形成された第１の電極（陽極）７０１上に正孔輸送層７０４として、正孔輸送性の有機化合物である、α−ＮＰＤを４０ｎｍの膜厚で成膜し、発光層７０５として、正孔輸送性のホスト材料としてＣＢＰを用い、発光性の有機化合物であるトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（以下、Ｉｒ（ｐｐｙ）3と示す）と共に共蒸着することにより３０ｎｍの膜厚で成膜し、ブロッキング層７０６として、ブロッキング性の有機化合物であるＢＣＰを１０ｎｍの膜厚で成膜し、電子輸送層７０７として、電子輸送性の有機化合物である、Ａｌｑ3を４０ｎｍの膜厚で成膜することにより緑色発光の有機化合物を形成することができる。
【０１０９】
なお、ここでは緑色発光の有機化合物層として、４種類の機能の異なる有機化合物を用いて形成する場合について説明したが、本発明はこれに限られることはなく、緑色発光を示す有機化合物として公知の材料を用いることができる。
【０１１０】
次に、青色発光を示す有機化合物層を形成する。具体的には、先に形成された第１の電極（陽極）７０１上に発光層７０５として、発光性および正孔輸送性の有機化合物である、α−ＮＰＤを４０ｎｍの膜厚で成膜し、ブロッキング層７０６として、ブロッキング性の有機化合物である、ＢＣＰを１０ｎｍの膜厚に成膜し、電子輸送層７０７として、電子輸送性の有機化合物である、Ａｌｑ3を４０ｎｍの膜厚で成膜することにより青色発光の有機化合物層を形成することができる。
【０１１１】
なお、ここでは青色発光の有機化合物層として、３種類の機能の異なる有機化合物を用いて形成する場合について説明したが、本発明はこれに限られることはなく、青色発光を示す有機化合物として公知の材料を用いることができる。
【０１１２】
以上に示した有機化合物を第１の電極（陽極）上に形成することにより画素部において、赤色発光、緑色発光及び青色発光を示す有機化合物層を形成することができる。
【０１１３】
次に、図６（Ｃ）に示すように有機化合物層６７２及び第２の絶縁層６７１を覆って、第２の電極（陰極）６７３を形成する。なお、本実施の形態において第２の電極６７３は、電子の注入性を向上させるために仕事関数の小さい材料で形成することが望ましい。なお、本実施の形態において、有機化合物層６７２と接して形成されるフッ化カルシウム（ＣａＦ2）もしくはフッ化バリウム（ＢａＦ2）からなる陰極バッファー層（図示せず）とアルミニウムからなる導電膜を積層することにより第２の電極（陰極）６７２を形成する。なお、本実施の形態においては、陰極バッファー層としてフッ化カルシウムからなる膜を１ｎｍの膜厚で形成し、アルミニウムを１００ｎｍの膜厚で形成することにより、第２の電極（陰極）６７２を形成することができる。
【０１１４】
なお、第２の電極６７３を形成するための陰極材料としては、仕事関数の小さい導電膜であれば、公知の他の材料を用いることもできる。
【０１１５】
以上の様にして、ｎチャネル型ＴＦＴ７０１、ｐチャネル型ＴＦＴ７０２を有する駆動回路７０５と、ｎチャネル型ＴＦＴからなるスイッチング用ＴＦＴ７０３、ｐチャネル型ＴＦＴからなる電流制御用ＴＦＴ７０４とを有する画素部７０６を同一基板上に形成することができる（図６（Ｃ））。
【０１１６】
なお、図１に示した発光装置の画素部は、図６（Ｃ）に示す画素部７０６に該当しており、ここで同時に形成されている。
【０１１７】
画素部７０６において、スイッチング用ＴＦＴ７０３（ｎチャネル型ＴＦＴ）にはチャネル形成領域５０３、ゲート電極を形成する導電層６２３の外側に形成される第１の不純物領域（ｎ--領域）６３８とソース領域、またはドレイン領域として機能する第２の不純物領域（ｎ+領域）６３５を有している。
【０１１８】
また、画素部７０６において、電流制御用ＴＦＴ７０４（ｐチャネル型ＴＦＴ）にはチャネル形成領域５０４、ゲート電極を形成する導電層６２４の外側に形成される第４の不純物領域（ｎ--領域）６４４とソース領域、またはドレイン領域として機能する第５の不純物領域（ｎ+領域）６４２を有している。なお、本発明においては、第５の不純物領域（ｎ+領域）６４２と電気的に接続された配線６５６を介して、発光素子の電極と接続される。本実施の形態の場合においては、電流制御用ＴＦＴ７０４がｐチャネル型ＴＦＴで形成されているため、発光素子の陽極が形成されるのが好ましい。
【０１１９】
また、駆動回路７０５において、ｎチャネル型ＴＦＴ７０１はチャネル形成領域５０１、ゲート電極を形成する導電層６２１の一部と絶縁膜を介して重なる第３の不純物領域（ｎ-領域）６３７とソース領域、またはドレイン領域として機能する第２の不純物領域（ｎ+領域）６３４を有している。
【０１２０】
また、駆動回路７０５において、ｐチャネル型ＴＦＴ７０２にはチャネル形成領域５０２、ゲート電極を形成する導電層６２２の一部と絶縁膜を介して重なる第５不純物領域（ｐ-領域）６４３と、ソース領域またはドレイン領域として機能する第４の不純物領域（ｐ+領域）６４１を有している。
【０１２１】
これらのＴＦＴ７０１、７０２を適宜組み合わせてシフトレジスタ回路、バッファ回路、レベルシフタ回路、ラッチ回路などを形成し、駆動回路７０５を形成すればよい。例えば、ＣＭＯＳ回路を形成する場合には、ｎチャネル型ＴＦＴ７０１とｐチャネル型ＴＦＴ７０２を相補的に接続して形成すればよい。
【０１２２】
なお、信頼性が最優先とされる回路には、ゲート絶縁膜を介してＬＤＤ（ＬＤＤ：Lightly Doped Drain）領域をゲート電極と重ねて配置させた、いわゆるＧＯＬＤ（Gate-drain Overlapped LDD）構造であるｎチャネル型ＴＦＴ７０１の構造が適している。
【０１２３】
なお、駆動回路７０５におけるＴＦＴ（ｎチャネル型ＴＦＴ、ｐチャネル型ＴＦＴ）は、高い駆動能力（オン電流：Ｉｏｎ）およびホットキャリア効果による劣化を防ぎ信頼性を向上させることが要求されていることから本実施の形態では、ホットキャリアによるオン電流値の劣化を防ぐのに有効である構造として、ゲート電極がゲート絶縁膜を介して低濃度不純物領域と重なる領域（ＧＯＬＤ領域）を有するＴＦＴを用いている。
【０１２４】
これに対して、画素部７０６におけるスイッチング用ＴＦＴ７０３は、低いオフ電流（Ｉｏｆｆ）が要求されていることから、本実施の形態ではオフ電流を低減するためのＴＦＴ構造として、ゲート電極がゲート絶縁膜を介して低濃度不純物領域と重ならない領域（ＬＤＤ領域）を有するＴＦＴを用いている。
【０１２５】
なお、本実施の形態における発光装置の作製工程においては、回路の構成および工程の関係上、ゲート電極を形成している材料を用いてソース信号線を形成し、ソース、ドレイン電極を形成している配線材料を用いてゲート信号線を形成しているが、それぞれ異なる材料を用いることは可能である。
【０１２６】
ここで、本実施の形態において説明した発光装置の画素部の詳細な上面構造を図８（Ａ）に示し、回路図を図８（Ｂ）に示す。図８（Ａ）及び図８（Ｂ）は共通の符号を用いるので互いに参照すればよい。
【０１２７】
図８において、基板上に設けられたスイッチング用ＴＦＴ８００は図６のスイッチング用（ｎチャネル型）ＴＦＴ７０３を用いて形成される。従って、構造の説明はスイッチング用（ｎチャネル型）ＴＦＴ７０３の説明を参照すれば良い。また、８０２で示される配線は、スイッチング用ＴＦＴ８００のゲート電極８０１（８０１ａ、８０１ｂ）を電気的に接続するゲート配線である。
【０１２８】
なお、本実施の形態ではチャネル形成領域が二つ形成されるダブルゲート構造としているが、チャネル形成領域が一つ形成されるシングルゲート構造もしくは三つ形成されるトリプルゲート構造であっても良い。
【０１２９】
また、スイッチング用ＴＦＴ８００のソースはソース配線８０３に接続され、ドレインはドレイン配線８０４に接続される。また、ドレイン配線８０４は電流制御用ＴＦＴ８０５のゲート電極８０６に電気的に接続される。なお、電流制御用ＴＦＴ８０５は図６の電流制御用（ｐチャネル型）ＴＦＴ７０４を用いて形成される。従って、構造の説明は電流制御用（ｐチャネル型）ＴＦＴ７０４の説明を参照すれば良い。なお、本実施の形態ではシングルゲート構造としているが、ダブルゲート構造もしくはトリプルゲート構造であっても良い。
【０１３０】
また、電流制御用ＴＦＴ８０５のソースは電流供給線８０７に電気的に接続され、ドレインはドレイン配線８０８に電気的に接続される。また、ドレイン配線８０８は点線で示される第１の電極（陽極）８０９に電気的に接続される。
【０１３１】
また、８１０で示される配線は、消去用ＴＦＴ８１１のゲート電極８１２と電気的に接続するゲート配線である。なお、消去用ＴＦＴ８１１のソースは、電流供給線８０７に電気的に接続され、ドレインはドレイン配線８０４に電気的に接続される。
【０１３２】
なお、消去用ＴＦＴ８１１は、図６の電流制御用（ｐチャネル型）ＴＦＴ７０４と同様にして形成される。従って、構造の説明は電流制御用（ｐチャネル型）ＴＦＴ７０４の説明を参照すれば良い。なお、本実施の形態ではシングルゲート構造としているが、ダブルゲート構造もしくはトリプルゲート構造であっても良い。
【０１３３】
また、８１３で示される領域には保持容量（コンデンサ）が形成される。コンデンサ８１３は、電流供給線８０７と電気的に接続された半導体膜８１４、ゲート絶縁膜と同一層の絶縁膜（図示せず）及びゲート電極８０６との間で形成される。また、ゲート電極８０６、第１層間絶縁膜および第２層間絶縁膜と同一の層（図示せず）及び電流供給線８０７で形成される容量も保持容量として用いることが可能である。
【０１３４】
なお、図８（Ｂ）の回路図で示す発光素子８１５は、第１の電極（陽極）８０９と、第１の電極（陽極）８０９上に形成される有機化合物層（図示せず）と有機化合物層上に形成される第２の電極（陰極）（図示せず）からなる。本発明において、第１の電極（陽極）８０９は、電流制御用ＴＦＴ８０５のソース領域またはドレイン領域と接続している。
【０１３５】
発光素子８１５の第２の電極（陰極）には対向電位が与えられている。また電流供給線Ｖは電源電位が与えられている。そして対向電位と電源電位の電位差は、電源電位が陽極に与えられたときに発光素子が発光する程度の電位差に常に保たれている。電源電位と対向電位は、本発明の発光装置に、外付けのＩＣ等により設けられた電源によって与えられる。なお対向電位を与える電源を、本明細書では特に対向電源８１６と呼ぶ。
【０１３６】
なお、本実施の形態において、ＴＦＴの駆動電圧は、１．２〜１０Ｖであり、好ましくは、２．５〜５．５Ｖである。
【０１３７】
また、画素部の表示が動作しているとき（動画表示の場合）には、発光素子が発光している画素により背景の表示を行い、発光素子が非発光となる画素により文字表示を行えばよいが、画素部の動画表示がある一定期間以上静止している場合（本明細書中では、スタンバイ時と呼ぶ）には、電力を節約するために表示方法が切り替わる（反転する）ようにしておくと良い。具体的には、発光素子が発光している画素により文字を表示し（文字表示ともいう）、発光素子が非発光となる画素により背景を表示（背景表示ともいう）するようにする。
【０１３８】
［実施の形態３］
本実施の形態では、本発明のアクティブマトリクス型発光装置の外観図について図９を用いて説明する。なお、図９（Ａ）は、発光装置を示す上面図、図９（Ｂ）は図９（Ａ）をＡ−Ａ’で切断した断面図である。点線で示された９０１はソース信号線駆動回路、９０２は画素部、９０３はゲート信号線駆動回路である。また、９０４は封止基板、９０５はシール剤であり、シール剤９０５で囲まれた内側は、空間９０７になっている。
【０１３９】
なお、９０８はソース信号線駆動回路９０１及びゲート信号線駆動回路９０３に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）９０９からビデオ信号やクロック信号を受け取る。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基盤（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。
【０１４０】
次に、断面構造について図９（Ｂ）を用いて説明する。基板９１０上には駆動回路及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路としてソース信号線駆動回路９０１と画素部９０２が示されている。
【０１４１】
なお、ソース信号線駆動回路９０１はｎチャネル型ＴＦＴ９１３とｐチャネル型ＴＦＴ９１４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される。また、駆動回路を形成するＴＦＴは、公知のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバー一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、基板上ではなく外部に形成することもできる。
【０１４２】
また、画素部９０２は電流制御用ＴＦＴ９１１とそのドレインに電気的に接続された第１の電極（陽極）９１２を含む複数の画素により形成される。
【０１４３】
また、第１の電極（陽極）９１２の両端には絶縁層９１３が形成され、第１の電極（陽極）９１２上には有機化合物層９１４が形成される。さらに、有機化合物層９１４上には第２の電極（陰極）９１６が形成される。これにより、第１の電極（陽極）９１２、有機化合物層９１４、及び第２の電極（陰極）９１６からなる発光素子９１８が形成される。
【０１４４】
第２の電極（陰極）９１６は全画素に共通の配線としても機能し、接続配線９０８を経由してＦＰＣ９０９に電気的に接続されている。
【０１４５】
また、基板９１０上に形成された発光素子９１８を封止するためにシール剤９０５により封止基板９０４を貼り合わせる。なお、封止基板９０４と発光素子９１８との間隔を確保するために樹脂膜からなるスペーサを設けても良い。そして、シール剤９０５の内側の空間９０７には窒素等の不活性気体が充填されている。なお、シール剤９０５としてはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、シール剤９０５はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。さらに、空間９０７の内部に酸素や水を吸収する効果をもつ物質を含有させても良い。
【０１４６】
また、本実施の形態では封止基板９０４を構成する材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Fiberglass-Reinforced Plastics）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、マイラー、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。また、シール剤９０５を用いて封止基板９０４を接着した後、さらに側面（露呈面）を覆うようにシール剤で封止することも可能である。
【０１４７】
以上のようにして発光素子を空間９０７に封入することにより、発光素子を外部から完全に遮断することができ、外部から水分や酸素といった有機化合物層の劣化を促す物質が侵入することを防ぐことができる。従って、信頼性の高い発光装置を得ることができる。
【０１４８】
なお、本実施の形態の構成は、実施の形態１または、実施の形態２に示したいずれの構成と自由に組み合わせて実施することが可能である。
【０１４９】
［実施の形態４］
発光素子を用いた発光装置は自発光型であるため、液晶表示装置に比べ、明るい場所での視認性に優れ、視野角が広い。従って、本発明の発光装置を用いて様々な電気器具を完成させることができる。
【０１５０】
本発明により作製した発光装置を用いて作製された電気器具として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはデジタルビデオディスク（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうる表示装置を備えた装置）などが挙げられる。特に、斜め方向から画面を見る機会が多い携帯情報端末は、視野角の広さが重要視されるため、発光素子を有する発光装置を用いることが好ましい。それら電気器具の具体例を図１０に示す。
【０１５１】
図１０（Ａ）は表示装置であり、筐体２００１、支持台２００２、表示部２００３、スピーカー部２００４、ビデオ入力端子２００５等を含む。本発明により作製した発光装置をその表示部２００３に用いることにより作製される。発光素子を有する発光装置は自発光型であるためバックライトが必要なく、液晶表示装置よりも薄い表示部とすることができる。なお、表示装置は、パソコン用、ＴＶ放送受信用、広告表示用などの全ての情報表示用表示装置が含まれる。
【０１５２】
図１０（Ｂ）はデジタルスチルカメラであり、本体２１０１、表示部２１０２、受像部２１０３、操作キー２１０４、外部接続ポート２１０５、シャッター２１０６等を含む。本発明により作製した発光装置をその表示部２１０２に用いることにより作製される。
【０１５３】
図１０（Ｃ）はノート型パーソナルコンピュータであり、本体２２０１、筐体２２０２、表示部２２０３、キーボード２２０４、外部接続ポート２２０５、ポインティングマウス２２０６等を含む。本発明により作製した発光装置をその表示部２２０３に用いることにより作製される。
【０１５４】
図１０（Ｄ）はモバイルコンピュータであり、本体２３０１、表示部２３０２、スイッチ２３０３、操作キー２３０４、赤外線ポート２３０５等を含む。本発明により作製した発光装置をその表示部２３０２に用いることにより作製される。
【０１５５】
図１０（Ｅ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本体２４０１、筐体２４０２、表示部Ａ２４０３、表示部Ｂ２４０４、記録媒体（ＤＶＤ等）読み込み部２４０５、操作キー２４０６、スピーカー部２４０７等を含む。表示部Ａ２４０３は主として画像情報を表示し、表示部Ｂ２４０４は主として文字情報を表示するが、本発明により作製した発光装置をこれら表示部Ａ、Ｂ２４０３、２４０４に用いることにより作製される。なお、記録媒体を備えた画像再生装置には家庭用ゲーム機器なども含まれる。
【０１５６】
図１０（Ｆ）はゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）であり、本体２５０１、表示部２５０２、アーム部２５０３を含む。本発明により作製した発光装置をその表示部２５０２に用いることにより作製される。
【０１５７】
図１０（Ｇ）はビデオカメラであり、本体２６０１、表示部２６０２、筐体２６０３、外部接続ポート２６０４、リモコン受信部２６０５、受像部２６０６、バッテリー２６０７、音声入力部２６０８、操作キー２６０９、接眼部２６１０等を含む。本発明により作製した発光装置をその表示部２６０２に用いることにより作製される。
【０１５８】
ここで図１０（Ｈ）は携帯電話であり、本体２７０１、筐体２７０２、表示部２７０３、音声入力部２７０４、音声出力部２７０５、操作キー２７０６、外部接続ポート２７０７、アンテナ２７０８等を含む。本発明により作製した発光装置をその表示部２７０３に用いることにより作製される。なお、表示部２７０３は黒色の背景に白色の文字を表示することで携帯電話の消費電力を抑えることができる。
【０１５９】
なお、将来的に有機材料の発光輝度が高くなれば、出力した画像情報を含む光をレンズ等で拡大投影してフロント型若しくはリア型のプロジェクターに用いることも可能となる。
【０１６０】
また、上記電気器具はインターネットやＣＡＴＶ（ケーブルテレビ）などの電子通信回線を通じて配信された情報を表示することが多くなり、特に動画情報を表示する機会が増してきている。有機材料の応答速度は非常に高いため、発光装置は動画表示に好ましい。
【０１６１】
また、発光装置は発光している部分が電力を消費するため、発光部分が極力少なくなるように情報を表示することが好ましい。従って、携帯情報端末、特に携帯電話や音響再生装置のような文字情報を主とする表示部に発光装置を用いる場合には、非発光部分を背景として文字情報を発光部分で形成するように駆動することが好ましい。
【０１６２】
以上の様に、本発明の作製方法を用いて作製された発光装置の適用範囲は極めて広く、本発明の発光装置を用いてあらゆる分野の電気器具を作製することが可能である。また、本実施の形態の電気器具は実施の形態１〜実施の形態３を実施することにより作製された発光装置を用いることにより完成させることができる。
【０１６３】
【発明の効果】
本発明において、有機材料からなる膜に、無機材料からなる膜を積層させて層間絶縁膜を形成することにより、無機材料が有する酸素や水分を透過させないという特性と、有機材料が有する厚膜化が可能であり、かつ平坦性に優れているという両者の特性を併せ持つ層間絶縁膜を形成することができる。これにより発光素子を酸素や水分から防ぐことができるため、発光素子の劣化を防止することができる。
また、本発明の発光装置は、有機材料からなる膜が除去された箇所にコンタクトホールが形成されるという構造を有するため、有機材料からなる膜が存在する箇所にコンタクトホールを形成した場合に生じる問題を解決することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】    本発明の発光装置の素子構造を説明する図。
【図２】    本発明の発光装置の素子構造を説明する図。
【図３】    本発明の発光装置の素子構造を説明する図。
【図４】    本発明の発光装置の素子構造を説明する図。
【図５】    本発明の発光装置の作製工程を説明する図。
【図６】    本発明の発光装置の作製工程を説明する図。
【図７】    本発明の発光装置の素子構造を説明する図。
【図８】    本発明に用いることのできる画素部の構成を説明する図。
【図９】    本発明の発光装置の外観を説明する図。
【図１０】  電気器具の一例を示す図。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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