(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部からの電圧を内部電源によって内部電圧に変換し、この内部電圧をシフトレジスタに供給し、シフト・クロック信号に同期した走査信号を出力して、表示パネルの走査線を駆動する半導体集積回路装置において、
前記内部電源によりシフトレジスタに供給される電圧および／または電流の能力を、表示パネルに応じて切り替え可能にしたことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２】
前記電流能力を、前記シフト・クロック信号の周波数に対応して切り替え可能にしたことを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路装置。
【請求項３】
異なる表示サイズの表示パネルに併用可能としたことを特徴とする請求項２記載の半導体集積回路装置。
【請求項４】
静止画用および動画用に併用可能としたことを特徴とする請求項２記載の半導体集積回路装置。
【請求項５】
前記電圧能力を、前記シフトレジスタのＭＯＳＦＥＴの動作する段数に対応して切り替え可能にしたことを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は表示パネルの走査線を駆動する半導体集積回路装置に関し、特に外部からの電圧を内部電源によって内部電圧に変換し、この内部電圧をシフトレジスタに供給して、シフト・クロック信号に同期した走査信号を出力する半導体集積回路装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
アクティブマトリックス方式の液晶表示装置の液晶表示モジュールは、図４に示すように、表示パネルとしての液晶パネル１００と、液晶パネル１００の外周に配置した駆動装置２００とを具備している。液晶パネル１００は、図示しないが、画素を構成する画素電極およびＴＦＴ（薄膜トランジスタ）がマトリックス状に形成されたリア側のガラス基板と、コモン電極およびカラーフィルタが形成されたフロント側のガラス基板とが液晶を介して互いに対向配置され、ＴＦＴと画素電極に、水平方向に延在し垂直方向に並設される走査線と、垂直方向に延在し水平方向に並設されるデータ線が接続されて構成されている。駆動装置２００は、液晶パネル１００のデータ線に接続される水平ドライバＩＣ２１０と、走査線に接続される垂直ドライバＩＣ２２０とで構成されている。垂直ドライバＩＣ２２０から各走査線に線順次に走査信号が供給されることにより、走査信号が供給された走査線に接続されている各ＴＦＴがオンし、水平ドライバＩＣ２１０から各データ線に供給された駆動電圧がこのオンしたＴＦＴを介して対応する画素電極に供給され、コモン電極に供給される電圧との電位差で液晶を駆動する。
【０００３】
各ドライバＩＣ２１０，２２０のモジュールへの実装は、例えばＸＧＡ（１０２４×７６８画素）表示およびＳＸＧＡ（１２８０×１０２４画素）表示の場合、次のようになる。
▲１▼水平ドライバＩＣ２１０
１画素を表示するためにデータ線はＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）用の３本が必要なため、ＸＧＡ表示では１０２４×３＝３０７２本およびＳＸＧＡ表示では１２８０×３＝３８４０本のデータ線を駆動する必要があり、例えば、データ線３８４本分の駆動能力を有する水平ドライバＩＣ２１０を使用した場合、同じＩＣをＸＧＡ表示にもＳＸＧＡ表示にも使用でき、液晶パネル１００の上側外周にＸＧＡ表示では８個およびＳＸＧＡ表示では１０個がカスケード接続で配置される。
▲２▼垂直ドライバＩＣ２２０
ＸＧＡ表示では７６８本およびＳＸＧＡ表示では１０２４本の走査線を駆動する必要があり、例えば２５６本分の駆動能力を有する垂直ドライバＩＣ２２０を使用した場合、水平ドライバＩＣ２１０と同様に、同じＩＣをＸＧＡ表示にもＳＸＧＡ表示にも使用でき、液晶パネル１００の左側外周にＸＧＡ表示では３個およびＳＸＧＡ表示では４個がカスケード接続で配置される。
【０００４】
以下に、上記垂直ドライバＩＣ２２０としての従来の垂直ドライバＩＣ１０について、走査線２５６本分の駆動能力を有し、ＸＧＡ表示にもＳＸＧＡ表示にも使用できるものとして、図５を参照して説明する。垂直ドライバＩＣ１０は、第１レベルシフタ１１、シフトレジスタ１２、第２レベルシフタ１３、出力回路１４、および内部電源１５を有している。
【０００５】
第１レベルシフタ１１は、シフトレジスタ１２への入力信号であるシフト方向切り替え入力Ｒ／Ｌ、およびシフト・クロック入力ＣＬＫをＣＭＯＳレベル（ＶDD1−ＶSS）から内部動作レベル（ＶCC−ＶEE）にそれぞれレベルシフトしてシフトレジスタ１２に供給するとともに、シフトレジスタ１２の入出力信号であるスタート・パルス入出力ＳＴＶＲ,ＳＴＶＬを、入力時にはＣＭＯＳレベルから内部動作レベルにレベルシフトしてシフトレジスタ１２に供給し、出力時には内部動作レベルからＣＭＯＳレベルにレベルシフトしてシフトレジスタ１２から出力する。
【０００６】
シフトレジスタ１２は、２５６ビット双方向性で、シフト方向切換え信号Ｒ／Ｌにより、例えば、Ｒ／Ｌ＝“Ｈ”レベルのとき右シフトの方向となり、クロック信号ＣＬＫの立ち上がりエッジでスタート・パルスＳＴＶＲの“Ｈ”レベルを読込み、シフト信号ＳＲ１,ＳＲ２,…,ＳＲ２５６を順次、第２レベルシフタ１３に出力するとともに、左シフト・スタート・パルス入出力ＳＴＶＬ端子から次段のドライバＩＣにスタート・パルスＳＴＶＲとして出力する。
【０００７】
第２レベルシフタ１３は、シフトレジスタ１２からのシフト信号ＳＲ１,ＳＲ２,…,ＳＲ２５６を内部動作レベル（ＶCC−ＶEE）から出力レベル（ＶDD2−ＶEE）にそれぞれレベルシフトして出力回路１４に供給する。
【０００８】
出力回路１４は、第２レベルシフタ１３でレベルシフトされたシフト信号ＳＲ１,ＳＲ２,…,ＳＲ２５６を駆動能力を上げて走査信号Ｏ１,Ｏ２, …,Ｏ２５６として出力する。
【０００９】
内部電源１５は、外部電源電圧ＶDD1を供給することにより、シフトレジスタ１２に内部電圧Ｖccを供給する。内部電源１５は、図６に示すように、抵抗１６、Ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴ１７、Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴ１８およびＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴ１９からなる直列回路２０が外部電源ＶDD1とＶEE間に接続されて構成されている。抵抗１６の一端は外部電源ＶDD1に、他端はＭＯＳＦＥＴ１７のソースに接続され、抵抗１６とＭＯＳＦＥＴ１７の接続点から内部電圧ＶCCを出力するようにしている。ＭＯＳＦＥＴ１７とＭＯＳＦＥＴ１８とはドレイン同士で接続され、ＭＯＳＦＥＴ１８のソースはＭＯＳＦＥＴ１９のドレインに接続され、ＭＯＳＦＥＴ１９のソースは外部電源ＶEEに接続されている。各ＭＯＳＦＥＴ１７,１８,１９はそれぞれゲートをドレインに接続している。
【００１０】
この電源回路１５の電流能力は、ＩＣ１０がＸＧＡ表示にもＳＸＧＡ表示にも使用できるように、次のように設定されている。液晶パネルのフレーム周波数を６０Ｈｚとすると、ＳＸＧＡ表示の場合、１秒間に走査線１０２４本×６０回＝延べ６１４４０本の走査が必要になり、シフト・クロックＣＬＫの周波数は６１．４４ｋＨｚとなり、ＸＧＡ表示の場合、１秒間に走査線７６８本×６０回＝延べ４６０８０本の走査が必要になり、シフト・クロックＣＬＫの周波数は４６．０８ｋＨｚとなる。ＩＣ１０のシフトレジスタ１２をこれらの周波数で動作させる場合、ＳＸＧＡ表示の場合の電流能力を１とすると、ＸＧＡ表示の場合の電流能力は、約０．７５でよい。しかし、ＸＧＡ表示とＳＸＧＡ表示のどちらにも使用できるように、ＳＸＧＡ表示の場合の能力に設定している。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
上述のＩＣ１０は、ＸＧＡ表示とＳＸＧＡ表示のどちらにも使用できるように、内部電源１５の電流の能力を、ＸＧＡ表示の能力より大きいＳＸＧＡ表示の能力に設定しているため、このＩＣ１０をＸＧＡ表示に使用した場合、シフトレジスタ１２の機能をＸＧＡ表示として果たすのに、必要以上の電力を消費することになる。また、上記において、説明しなかったが、次のような問題もある。ＩＣ１０が動画表示の能力を有している場合、このＩＣ１０を静止画表示の用途に使用する場合のシフト・クロックＣＬＫは、動画の場合よりも低い周波数でよいため、この場合も必要以上の電力を消費することになる。また、ＩＣ１０において、シフトレジスタを構成するＭＯＳＦＥＴの縦積み段数が多くあり、用途に応じてこのＭＯＳＦＥＴの動作する段数を切り替える際、少段数での用途の場合、多段数での用途の場合より低い電圧でよいため、多段数に対しての電圧が供給されると、この場合も必要以上の電力を消費することになる。
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、表示パネルの走査線を駆動する半導体集積回路装置を複数用途に使用する場合でも、シフトレジスタの電圧・電流能力を用途に応じた能力に内部電源で切換えることにより、用途に応じた最適な電力を消費するようにして、必要以上の電力消費をしないようにした半導体集積回路装置を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
（１）本発明の半導体集積回路装置は、外部電源電圧から内部電源で変換した内部電圧により動作するシフトレジスタにシフト・クロック信号を供給して、走査信号を出力する表示パネルの走査線を駆動する複数用途の半導体集積回路装置において、前記シフトレジスタの電圧および／または電流の能力を、用途に応じ、前記内部電源への選択信号により切り替え可能にしたことを特徴とする。
（２）本発明の半導体集積回路装置は、上記（１）項において、前記電流能力を、前記シフト・クロック信号の周波数に対応して切り替え可能にしたことを特徴とする。
（３）本発明の半導体集積回路装置は、上記（２）項において、異なる表示サイズの表示パネルに併用可能としたことを特徴とする。
（４）本発明の半導体集積回路装置は、上記（２）項において、静止画用および動画用に使用可能としたことを特徴とする。
（５）本発明の半導体集積回路装置は、上記（１）項において、前記電圧能力を、前記シフトレジスタのＭＯＳＦＥＴの動作する段数に対応して切り替え可能にしたことを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に基づき、一実施例の垂直ドライバＩＣ２２０としての垂直ドライバＩＣ３０について、走査線２５６本分の駆動能力を有し、ＸＧＡ表示にもＳＸＧＡ表示にも使用できるものとして、図１を参照して説明する。垂直ドライバＩＣ３０は、複数の第１レベルシフタ３１と、シフトレジスタ３２と、第２レベルシフタ３３と、出力回路３４と、内部電源３５とを有している。
【００１４】
各第１レベルシフタ３１は、外部からの入力信号をＣＭＯＳレベル（ＶDD1−ＶSS）から内部動作レベル（ＶCC−ＶEE）にそれぞれレベルシフトし、または、外部への出力信号を内部動作レベルからＣＭＯＳレベルにレベルシフトして出力する。すなわち、シフトレジスタ３２への入力信号であるシフト方向切り替え入力Ｒ／Ｌ、およびシフト・クロック入力ＣＬＫをＣＭＯＳレベルから内部動作レベルにそれぞれレベルシフトしてシフトレジスタ３２に供給する。また、シフトレジスタ３２の入出力信号であるスタート・パルス入出力ＳＴＶＲ,ＳＴＶＬを、入力時にはＣＭＯＳレベルから内部動作レベルにレベルシフトしてシフトレジスタ３２に供給し、出力時には内部動作レベルからＣＭＯＳレベルにレベルシフトしてシフトレジスタ３２から出力する。さらに、内部電源３５への入力信号である選択信号ＳＥをＣＭＯＳレベルから内部動作レベルにレベルシフトして内部電源３５に供給する。
【００１５】
シフトレジスタ３２は、２５６ビット双方向性で、シフト方向切換え信号Ｒ／Ｌにより、例えば、Ｒ／Ｌ＝“Ｈ”レベルのとき右シフトの方向となり、クロック信号ＣＬＫの立ち上がりエッジでスタート・パルスＳＴＶＲの“Ｈ”レベルを読込み、シフト信号ＳＲ１,ＳＲ２,…,ＳＲ２５６を順次、第２レベルシフタ３３に出力するとともに、左シフト・スタート・パルス入出力ＳＴＶＬ端子から次段のドライバＩＣにスタート・パルスＳＴＶＲとして出力する。
【００１６】
第２レベルシフタ３３は、シフトレジスタ３２からのシフト信号ＳＲ１,ＳＲ２,…,ＳＲ２５６を内部動作レベル（ＶCC−ＶEE）から出力レベル（ＶDD2−ＶEE）にそれぞれレベルシフトして出力回路３４に供給する。
【００１７】
出力回路３４は、第２レベルシフタ３３でレベルシフトされたシフト信号ＳＲ１,ＳＲ２,…,ＳＲ２５６を駆動能力を上げて走査信号Ｏ１,Ｏ２, …,Ｏ２５６として出力する。
【００１８】
内部電源３５は、外部電源電圧ＶDD1を供給した状態で、選択信号ＳＥのオン信号を供給することにより、シフトレジスタ３２にＳＸＧＡ表示の場合に必要な能力の内部電圧Ｖccを供給し、選択信号ＳＥのオフ信号を供給することにより、シフトレジスタ３２にＸＧＡ表示の場合に必要な能力の内部電圧Ｖccを供給する。内部電源３５は、図２に示すように、抵抗３６ａ、Ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴ３７ａ、Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴ３８ａおよびＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴ３９ａからなる直列回路４０ａと、抵抗３６ｂ、Ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴ３７ｂ、Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴ３８ｂおよびＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴ３９ｂからなる直列回路４０ｂとが、スイッチ４１ａ,４１ｂを介して並列接続され外部電源ＶDD1とＶEE間に接続されて構成されている。抵抗３６ａの一端およびスイッチ４１ａを介した抵抗３６ｂの一端は外部電源ＶDD1に、抵抗３６ａ,３６ｂの他端はＭＯＳＦＥＴ３７ａ,３７ｂのソースにそれぞれ接続され、抵抗３６ａ,３６ｂとＭＯＳＦＥＴ３７ａ,３７ｂのそれぞれの接続点同士は短絡され、そこから内部電圧ＶCCを出力するようにしている。ＭＯＳＦＥＴ３７ａ,３７ｂとＭＯＳＦＥＴ３８ａ,３８ｂとはそれぞれドレイン同士で接続され、ＭＯＳＦＥＴ３８ａ,３８ｂのソースはＭＯＳＦＥＴ３９ａ,３９ｂのドレインにそれぞれ接続され、ＭＯＳＦＥＴ３９ａのソースおよびスイッチ４１ｂを介したＭＯＳＦＥＴ３９ｂのソースは外部電源ＶEEに接続されている。各ＭＯＳＦＥＴ３７ａ,３７ｂ,３８ａ,３８ｂ,３９ａ,３９ｂはそれぞれゲートをドレインに接続している。
【００１９】
この電源回路３５の電流能力は、ＳＸＧＡ表示の場合の電流能力を１とすると、ＸＧＡ表示の場合の電流能力が、約０．７５となるように、次の２つの条件で、直列回路４０ａおよび直列回路４０ｂの各抵抗の抵抗値と各ＭＯＳＦＥＴのサイズを設定している。
▲１▼選択信号ＳＥのオン信号を供給し、直列回路４０ａに直列回路４０ｂを電気的に並列接続して、両回路の動作を有効としたときに、シフトレジスタ３２にＳＸＧＡ表示の場合に必要な電流能力の内部電圧Ｖccが供給できる。
▲２▼選択信号ＳＥのオフ信号を供給し、直列回路４０ａから直列回路４０ｂを電気的に切り離して、直列回路４０ａのみの動作を有効としたときに、シフトレジスタ３２にＸＧＡ表示の場合に必要な電流能力の内部電圧Ｖccが供給できる。
上記条件を満たすように、直列回路４０ａと直列回路４０ｂとの電流能力の比は、０．７５：０．２５＝３：１と設定すればよく、抵抗３６ａ，３６ｂの抵抗値は、抵抗３６ａの抵抗値をＲとすると，抵抗３６ｂの抵抗値を３Ｒに設定し、各ＭＯＳＦＥＴのサイズは、ＭＯＳＦＥＴ３７ｂ，３８ｂ，３９ｂのサイズ（ゲート幅／ゲート長）をＷ１／Ｌ，Ｗ２／Ｌ，Ｗ３／Ｌとすると、ＭＯＳＦＥＴ３７ａ，３８ａ，３９ａのサイズを３Ｗ１／Ｌ，３Ｗ２／Ｌ，３Ｗ３／Ｌと設定している。
【００２０】
以上のように、内部電源３５を選択信号ＳＥにより切り替えることにより、ＩＣ３０をＳＸＧＡ表示に使用する場合は、シフトレジスタ３２にＳＸＧＡ表示の場合に必要な電流能力の内部電圧Ｖccを供給でき、ＩＣ３０をＸＧＡ表示に使用する場合は、シフトレジスタ３２にＸＧＡ表示の場合に必要な電流能力の内部電圧Ｖccを供給できるので、ＩＣ３０をＸＧＡ表示に使用する場合に、シフトレジスタ３２を最適な電流能力で動作でき、必要以上の電力を消費しなくてもよい。
【００２１】
次に、図１の内部電源３５に替わる他の実施例の内部電源４５を図３を参照して説明する。内部電源４５は、外部電源電圧ＶDD1を供給した状態で、選択信号ＳＥを４水準で供給することにより、シフトレジスタ３２に必要な電圧能力と電流能力を切り替えて内部電圧Ｖccを供給する。この電源４５を用いたＩＣ３０の場合、４つの用途に最適な電源を選択でき、電流能力だけでなく電圧能力も最適なものを選択できる。電圧能力の選択は、例えば、シフトレジスタを構成するＭＯＳＦＥＴの縦積み段数が多くあり、用途に応じてこのＭＯＳＦＥＴの動作する段数を切り替えたいときに必要となる。内部電源４５は、抵抗４６ａ,４６ｂと、Ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴ４７ａ、Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴ４８ａおよびＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴ４９ａからなる直列回路５０ａと、Ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴ４７ｂ、Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴ４８ｂおよびＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴ４９ｂからなる直列回路５０ｂと、切り替えスイッチ５１とを有している。切り替えスイッチ５１は切り替え端子ａ,ｂ,ｃ,ｄと共通端子ｅとを有し、選択信号ＳＥの水準により、端子ａ−ｅ間と端子ｂ−ｅ間とが相補的にスイッチオン・オフされ、端子ｃ−ｅ間と端子ｄ−ｅ間とが相補的にスイッチオン・オフされる。抵抗４６ａ,４６ｂの一端は外部電源ＶDD1に共通接続され、抵抗４６ａ,４６ｂの他端は切り替えスイッチ５１の端子ａ,ｂにそれぞれ接続されている。切り替えスイッチ５１の端子ｃ,ｄはＭＯＳＦＥＴ４７ａ,４７ｂのソースにそれぞれ接続されており、端子ｅから内部電圧ＶCCを出力する。ＭＯＳＦＥＴ４７ａ,４７ｂとＭＯＳＦＥＴ４８ａ,４８ｂとはそれぞれドレイン同士で接続され、ＭＯＳＦＥＴ４８ａ,４８ｂのソースはＭＯＳＦＥＴ４９ａ,４９ｂのドレインにそれぞれ接続され、ＭＯＳＦＥＴ４９ａ,４９ｂのソースは外部電源ＶEEに共通接続されている。各ＭＯＳＦＥＴ４７ａ,４７ｂ,４８ａ,４８ｂ,４９ａ,４９ｂはそれぞれゲートをドレインに接続している。
【００２２】
この電源回路４５の電圧・電流の能力は、４つの用途の電圧・電流能力を有するように、次の４つの条件で、抵抗４６ａ,４６ｂの抵抗値と直列回路５０ａ，５０ｂの各ＭＯＳＦＥＴのサイズを設定している。
▲１▼選択信号ＳＥの水準信号ＳＥ１を供給し、切り替えスイッチ５１の端子ａ−ｅ間と端子ｃ−ｅ間とがスイッチオンされ、抵抗４６ａと直列回路５０ａとを電気的に直列接続してこの回路の動作を有効としたときに、シフトレジスタ３２に第１の用途の場合に必要な能力の内部電圧Ｖccが供給できる。
▲２▼選択信号ＳＥの水準信号ＳＥ２を供給し、切り替えスイッチ５１の端子ｂ−ｅ間と端子ｄ−ｅ間とがスイッチオンされ、抵抗４６ｂと直列回路５０ｂとを電気的に直列接続してこの回路の動作を有効としたときに、シフトレジスタ３２に第２の用途の場合に必要な能力の内部電圧Ｖccが供給できる。
▲３▼選択信号ＳＥの水準信号ＳＥ３を供給し、切り替えスイッチ５１の端子ａ−ｅ間と端子ｄ−ｅ間とがスイッチオンされ、抵抗４６ａと直列回路５０ｂとを電気的に直列接続してこの回路の動作を有効としたときに、シフトレジスタ３２に第３用途の場合に必要な能力の内部電圧Ｖccが供給できる。
▲４▼選択信号ＳＥの水準信号ＳＥ４を供給し、切り替えスイッチ５１の端子ｂ−ｅ間と端子ｃ−ｅ間とがスイッチオンされ、抵抗４６ｂと直列回路５０ａとを電気的に直列接続してこの回路の動作を有効としたときに、シフトレジスタ３２に第４の用途の場合に必要な能力の内部電圧Ｖccが供給できる。
【００２３】
以上のように、内部電源４５を選択信号ＳＥの水準を選択することにより、ＩＣ３０を４つの表示用途のそれぞれに必要な能力の内部電圧Ｖccを供給でき、必要以上の電力を消費しなくてもよい。
尚、上記実施例では、液晶パネルの走査線を駆動するＩＣを例に説明したが、これに限定されることなく、外部電源電圧から内部電源で変換した内部電圧により動作するシフトレジスタを用いて走査信号を出力する複数用途に用いるＩＣであれば適用可能である。また、上記一実施例では、ＳＸＧＡ表示とＸＧＡ表示の切り替えを例にして説明したが、他の表示サイズで切り替える用途に適用してもよい。また、同じ表示サイズでのフレーム周波数を切り替える用途に適用してもよい。また内部電源での能力の切り替えを２水準と４水準を例に説明したが、これに限定されることなく、必要に応じて、２水準以上の他の水準で切り替える内部電源であってもよい。
【００２４】
【発明の効果】
本発明によれば、外部からの電圧を内部電源によって内部電圧に変換し、この内部電圧をシフトレジスタに供給して、シフト・クロック信号に同期した走査信号を出力するとき、シフトレジスタの電圧および／または電流の能力を表示パネルに応じて切り替え可能にしたので、必要以上の電力消費をしないようにした表示パネルの走査線を駆動する半導体集積回路装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の一実施例である垂直ドライバＩＣの概略構成を示すブロック図。
【図２】  図１の垂直ドライバＩＣに用いられる一実施例の内部電源の回路図。
【図３】  図１の垂直ドライバＩＣに用いられる他の実施例の内部電源の回路図。
【図４】  液晶表示モジュールの概略構造図。
【図５】  従来の垂直ドライバＩＣの概略構成を示すブロック図。
【図６】  図５の垂直ドライバＩＣに用いられる内部電源の回路図。
【符号の説明】
３０  垂直ドライバＩＣ
３１  第１レベルシフタ
３２  シフトレジスタ
３３  第２レベルシフタ
３４  出力回路
３５、４５  内部電源
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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