(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハードドライブされたＧＴＯ（１０）用の、冷却器（４８）、ＧＴＯ（１０）及びゲートユニット（４７）のサブアッセンブリーであって、
該ゲートユニット（４７）において、駆動のために必要な少なくとも幾つかの電子要素（３７，．．．，４２）が、プリント回路基板上に配列され、且つシールド（３５）によって囲まれており、前記プリント回路基板は、低インダクタンスコンタクトを達成するために、ＧＴＯ（１０）の半導体基板（１７）に平行で、ＧＴＯ（１０）のカソード側とアノード側間にある面で前記ＧＴＯ（１０）を取り囲んでおり、且つＧＴＯ（１０）のカソードコンタクト（１４）とゲート接続（２２）に直接接続されることが可能であり、且つ、前記ＧＴＯ（１０）は、前記冷却器（４８）に隣接して、そのカソードを有しており、更に、前記電子要素（３７，．．．，４２）は、前記電子要素（３７，．．．，４２）の少なくとも幾つかは、前記冷却器（４８）を覆うプリント回路基板（３４）の一部上で、且つ前記冷却器（４８）に面する前記プリント回路基板（３４）の側に配列されるように、前記ＧＴＯ（１０）に直接接近して前記プリント回路基板（３４）上に配列されることを特徴とするサブアセンブリー。
【請求項２】
前記ＧＴＯ（１０）は、前記カソード側にある冷却器（４８）に隣接し、前記プリント回路基板（３４）は、カソード側にある冷却器（４８）を越えて横に突出し、前記プリント回路基板（３４）上に配列された電子要素は、前記ＧＴＯ（１０）のパルス化したゲート電流に対して、ゲートユニット（４７）の内側に電流源を形成する複数のキャパシタ、特に電解コンデンサー（３７，３８）を有し、且つ前記キャパシタ（３７，３８）は、前記冷却器（４８）を越えて突出するプリント回路基板上の一部に、前記冷却器（４８）の側に配列されていることを特徴とする請求項１に記載のサブアッセンブリー。
【請求項３】
前記冷却器（４８）は矩形断面を有し、且つ前記キャバシタ、または電解コンデンサー（３７，３８）は前記冷却器（４８）の少なくとも２つの側に配列されていることを特徴とする請求項２に記載のサブアッセンブリー。
【請求項４】
前記冷却器（４８）は円形断面を有し、且つ前記キャバシタ、または電解コンデンサー（３７，３８）は前記冷却器（４８）の周りにリング状に配列されていることを特徴とする請求項２に記載のサブアッセンブリー。
【請求項５】
前記プリント回路基板（３４）はＧＴＯ（１０）のカソード側にある冷却器（４８）から離間して配置され、且つ幾つかの要素（３７，．．．，４２）は前記プリント回路基板（３４）と冷却器（４８）間に配列されることを特徴とする請求項１に記載のサブアッセンブリー。
【請求項６】
前記プリント回路基板（３４）はＧＴＯ（１０）のカソード側から離れて面している側にメタライゼーションが設けられ、且つ前記メタライゼーションはゲートユニット（４７）のためのシールドとして用いられることを特徴とする請求項１または請求項５に記載のサブアッセンブリー。
【請求項７】
電気的に導電性のケーシング（３５）は要素（３７，．．．，４２）をシールドするために設けられ、前記ケーシングはＧＴＯ（１０）を横から囲み、前記ＧＴＯ（１０）のカソード側から離れて面する側に要素（３７，．．．，４２）を有して取付けられた前記プリント回路基板３４を覆っていることを特徴とする請求項１ないし請求項５の何れかに記載のサブアッセンブリー。
【請求項８】
前記ケーシング（３５）は実質的に平らな基体（３５ａ）と前記基体（３５ａ）からある角度に曲げられた側壁（３５ｂ）を有し、前記ケーシング（３５）は前記プリント回路基板に平行な基体（３５ａ）を有していて、プリント回路基板（３４）とＧＴＯ（１０）のアノード側間に配置され、且つ前記側壁（３５ｂ）は前記プリント回路基板（３４）を横から囲んでいることを特徴とする請求項７に記載のサブアッセンブリー。
【請求項９】
前記ケーシング（３５）はその基体（３５ａ）によってプリント回路基板（３４）に固定されていることを特徴とする請求項８に記載のサブアッセンブリー。
【請求項１０】
前記ケーシング（３５）は金属薄板から形成されていることを特徴とする請求項７乃至請求項９の何れかに記載のサブアッセンブリー。
【請求項１１】
前記プリント回路基板（３４）はカソード側にある冷却器を越えて横に突出し、前記ケーシング（３５）の側壁（３５ｂ）は、空間（３６）が冷却器（４８）とケーシング（３５）即ちケーシングの側壁（３５ｂ）間にあくように、冷却器（４８）の一部を囲んでおり、且つ前記要素（３７，．．．，４２）は幾つかはその空間に配列されていることを特徴とする請求項８に記載のサブアッセンブリー。
【請求項１２】
前記プリント回路基板（３４）はＧＴＯ（１０）を収容するためその中央に孔（３４ａ）を有し、前記孔（３４ａ）はＧＴＯ（１０）のカソードコンタクト（１４）が挿入され、前記カソードコンタクト（１４）を前記プリント回路基板（３４）とゲートユニット（４７）に電気的に接続する導電性のトロフ（３３）で閉じられていることを特徴とする請求項１乃至請求項１１の何れかに記載のサブアッセンブリー。
【請求項１３】
前記トロフ（３３）は前記プリント回路基板（３４）の下側に接続或いは取付けられ、前記ＧＴＯ（１０）はその環状ゲート接続（２２）によって前記プリント回路基板（３４）の上側に接続されていることを特徴とする請求項１２に記載のサブアッセンブリー。
【請求項１４】
取付け素子（４３，４４）はプリント回路基板（３４）上に配列され、且つ前記プリント回路基板（３４）をその下にある冷却器（４８）に取付けられることを特徴とする請求項１ないし請求項１３の何れかに記載のサブアッセンブリー。
【請求項１５】
追加の手段（４９，５０）は前記プリント回路基板（３４）をケーシング（３５）上に支持するために設けられることを特徴とする請求項７乃至請求項１１の何れかに記載のサブアッセンブリー。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する分野】
本発明は、パワーエレクトロニクスの分野に関する。本発明は、ハードドライブされたＧＴＯ用のゲートユニットに関し、そしてハードドライブされたＧＴＯのゲートユニットにおいて、駆動のために必要な少なくとも幾つかの電子要素はプリント回路基板上に配列され、シールドによって囲われており、またこのプリント回路基板は、低インピーダンスコンタクトを達成するために、ＧＴＯの半導体基板に平行な、ＧＴＯのアノード側とカソード側間にある面でＧＴＯを囲んでおり、且つＧＴＯのカソードコンタクトとゲート接続に直接接続される。
【０００２】
【発明の背景】
このようなゲートユニットは、例えば、９６年５月に発行のＡＢＢ技報の１４−２０頁（特に図５参照）に開示されている。
近年、ＧＴＯ:(Gate Turn Off Thyristors: ゲートターンオフサイリスタ) の型式で高電力半導体要素を用いるとき、所謂、ハードドライビングする（hard driving) ことは、非常に大きな関心を引いている。特に、例えば、主接続等に対する高電力コンバータにおいて必要とされる、多数のＧＴＯｓを含む直列回路の場合、ハードドライビングは、直列回路における個々のＧＴＯｓが同時に、非常に正確にターンオフされ、個々のＧＴＯｓの両端に有害な過電圧が発生しないことを確実にする。ハードドライビングモードにおいて、ＧＴＯは、非常に高い傾斜（従来のドライビングにおけるような３０Ａ／μｓに代えて３ｋＡ／μｓ）を伴うゲート電流ＩG によって駆動される。
【０００３】
この傾斜を生成することができるために、ＧＴＯのゲート回路は極端に低いインダクタンス（＜５ｎＨ）を有するように設計されなければならない。そしてそれは駆動のために使用されるゲートユニット（ＧＵ）ばかりでなく、ＧＴＯ自体に対しても特別な設計対策や注意を必要とする。ハードドライビングに関する詳細な情報は、導入部に示された文献、欧州特許出願EP-A1-0 498 945 、ＷＯ−９３／０９６００に見られることができる。またH. Greuing外による記事 “High Power Hard-Driven GTO Module for 4.5 kV/3 kA Snubberless Operation", PCIM '96, Nuremberg, Germany, May 21-23, 1996,に見られることができ、その内容は、この出願の開示の一部であるように明白に意図されている。
図１は、ハードドライビング用の既知のＧＵの例として、基本的な回路図を示し、それは本質的に、高電流スイッチ（Ｓ３）、複数の電解コンデンサーから形成され、逆接続された並列ダイオード（Ｄ２）を有するたキャパシターバンク（Ｃ２）、電源（１３）および駆動装置（図示せず）を有するターンオフチャネル；第２のスイッチはターンオフされたＧＴＯ（１０）を維持し；抵抗（Ｒ２）とダイオード（Ｄ３）を有する他の直列回路が更に設けられており；
中間の電流スイッチ、電源（１２）およびパルス電流源（逆接続された並列ダイオード（Ｄ１）を有するキャパシター（Ｃ１））；直列に抵抗（Ｒ１）を有する第２のスイッチ（Ｓ１）はターンオンされたＧＴＯ（１０）を維持し；
光ファイバー入力、増幅器と遅延ステージ、および電圧コンバーターを有する論理ユニット（図１には図示されていない）；及び
もし、必要なら、状態信号装置、
を有する。
【０００４】
既知のＧＵｓの設計は、本願の導入部に述べられた公報の図５における写真、および本願の図３における概略図に示されている。完全な論理ユニット、ターンオンチャネルの電力ステージ、およびゲートユニット２８におけるターンオフチャネルのステージ（図３において点線で示されている要素３０）は、ＧＴＯ２５の側で、ＧＴＯ２５からある距離のところに配列された、プリント回路基板（基板）２９上に一緒に非常に接近して配置される。要素３０を有するゲートユニット２８は、分離したハウジング３２によって囲まれ、従って外側からシールドされる。ゲートユニット２８は、その隣に配列されたＧＴＯ２５を囲んでいるプリント回路基板の一部によって、ＧＴＯ２５に接続されている。ＧＴＯ２５のアノードコンタクト２７は、上から自由にアクセスすることができる。ＧＴＯ２５の（環状）ゲート接続はプリント回路基板２９に直接接続されている。接続領域３１は、光ウェーブガイドを介して制御信号を供給するために設けられる。
【０００５】
ＧＴＯ２５自体は、同軸設計の要素である。このようなＧＴＯの（既知の）内部構造は、図２の例によって、部分的に斜線をつけた部分に示されている。ＧＴＯ１０のコアは、多数の個々の素子が既知の方法で互いに隣合って配列されているディスク形状の半導体基板１７である。半導体基板１７のエッジには、エッジ不動態化２０が施される。この半導体基板は、ＧＴＯが組み立てられたとき、アノードＡとカソードＫとの電気的および熱的コンタクトを生成するために、圧力の下で（メタライズされた）半導体基板１７に対して押圧される、ディスク状のアノードコンタクト１９とディスク状のカソードコンタクト１４間に配置される。異なる膨張係数に対して補償するために、Ｍｏディスク１６と１８が、通常コンタクト１４，１９および半導体基板１７間にも設けられる。ゲートＧと接触させるために、環状の低インダクタンスのゲートコンタクト２１が設けられ、環状の、ゲート接続２２を介してセラミックの絶縁ハウジング２３を通して外側へ放射状に接続されている。絶縁ハウジング２３は、取付けられたフランジ１５ｂ，２４ｂおよびこれらのフランジに溶接されたカバー１５ａ，２４ａによって頂部と底部において外側から密封される。
【０００６】
図３に示されるＧＴＯ２５を有する既知のゲートユニット２８は駆動装置とパワー半導体間に所要の低インダクタンス接続を生じる。ゲート回路における寄生インダクタンス（図１の符号１１）は、５ｎＨより小さい。固い、プリント回路基板２９によって、ＧＴＯ２５とゲートユニット２８を直接接続することによって、ユニットとして作られ、テストされ、且つ直列回路のスタックに挿入されることができるモジュールが通常作られる。駆動エレクトロニクスは、全ての側に接近された、ハウジングによってＥＭＩに対して良くシールドされる。
既知のゲートユニットに対するこれらの重要な利点は、多くの欠点と対照的である。しかし：
−ゲートユニットのエレクトロニクスは、かなりのサイズと量の構造に集約される；  ゲート電流のための電流源として用いられる電解コンデンサーは、特にこれに対して寄与するものである。性能スペック４ｋＡ／４．５ｋＶを有するＧＴＯは、例えば、それぞれ１５００μＦ／３５Ｖの４０個の電解コンデンサーを必要とし、（小さな）逆導通６００Ａ／６ｋＶのＧＴＯは、それぞれ１５００μＦ／３５Ｖのおよそ１０個の電解コンデンサーを必要とする；  この構造はＧＴＯと冷却器の一方の側に配置される。  それは、アノード側の冷却器に接近しすぎないように冷却器から付加的な距離をもって維持されなければならない（絶縁距離）。これは、機械的に固定するのが非常に難しく、振動や発振をまともに受けて、非常に耐久性が悪い。
−固定するのに費用がかかる。
−ゲートユニットはコンバーターの構造上のサイズをかなり増加する。何故ならば、それは困難性のみを伴う大きなスペースにわたるからである。
【０００７】
【発明の概要】
従って、本発明の目的は、これらの欠点を避ける新規なゲートユニットを提供することであり、構造がコンパクトで、容易に且つ安価に作ることができ、また機械的な高安定性を有し、同時に、低インピーダンス接続と良好なシールドを維持する。
この目的は、要素がＧＴＯのごく近くにあるプリント回路基板上に配列されている点において、導入部で述べた型式のゲートユニットによって達成される。ＧＴＯの直ぐ近くに要素或いは駆動エレクトロニクスを配列することは、サイドにある長い通路を突出して発振することができる大きさを避け、従って、機械的安定性が非常に増大される。同時に、ゲートユニットは、ＧＴＯの周りはコンパクトな構造になるので、スペースを節約する。ＧＴＯとゲートユニットを有するモジュールも扱いやすくなり、容易に取り付けられ、且つ取り外すことができる。
【０００８】
新規なゲートユニットの第１の好適な実施の形態は、ＧＴＯがカソード側のヒートシンクに接近しているという点で、プリント回路基板は、カソード側にある冷却器を越えて横方向に突出している点で、プリント回路基板上に配列された電子要素は、ＧＴＯにおけるパルス化したのゲート電流のために、ゲートユニットの内部に電流源を形成する複数のキャパシタ、特に電解コンデンサーを有する点で、且つそられのキャパシタは、冷却器を越えて突出するプリント回路基板の一部に冷却器に非常に接近して配列されている点で、特徴づけられている。これは、比較的大きなボリュームの大量のキャパシタさえＧＴＯに非常に接近して配列されているので、機械的安定性の著しい利得が生じることを意味する。
本発明のクレームされたゲートユニットの他の好適な実施の形態は、要素がＧＴＯの冷却側あるいはカソード側に面したプリント回路基板の側に主に配列されており、プリント回路基板はカソード側にある冷却器から離間されている点で、また要素の幾つかは、プリント回路基板と冷却器間に配列されている点で、特徴づけられている。これは、カソード側にある冷却器において、特に小さな要素（例えば、ＳＭＤｓ）を保護し、シールドするためだけでなく、材料とスペースを節約するために用いられる。
【０００９】
本発明の他の実施の形態に基づくと、プリント回路基板がＧＴＯのカソード側から離れて面する側上にメタライゼーションが設けられ、そのメタライゼーションがゲートユニットに対してシールドとして用いられて、シールドが達成される。
本発明の他の実施形態に基づくと、要素をシールドするために、電気的導電性ケーシングが設けられて、シールドが達成され、このケーシングはＧＴＯを横方向に取り囲み、ＧＴＯのカソード側から離れて面する側に、要素を取り付けたプリント回路基板を覆っている。
本発明で請求されたゲートユニットの他の好適な実施形態は、プリント回路基板がカソード側にある冷却器をこえて横方向に突出している点、周囲の空間が冷却器およびケーシングあるいはケーシングの側壁間にあいているような方法で、ケーシングの側壁が冷却器の一部も囲んでいる点、および幾つかの要素がその空間に配列されている点に特徴がある。これは、簡単な方法で、特に、ゲートユニットの大きな要素、例えばターンオフチャネル（図１のＣ２）における電解コンデンサーが安全に収容される、保護され、且つシールドされた領域を形成する。
【００１０】
特に高い機械的安定性に優れた他の好適な実施形態は、固定素子がプリント回路基板上に配列され、プリント回路基板をその下にある冷却器に固定するために用いられることができる点、および／または付加手段がプリント回路基板をケーシング上に支持するために設けられる点で特徴がある。
他の実施の形態は従属請求項に示されている。
【００１１】
【好適な実施の形態】
図面（ここで幾つかの図面をとおして同じ参照番号は同一あるいは対応するパーツを示す）を参照すると、図４は本発明の好適な実施の形態に基づくゲートユニット４７を有する、図２に示された既知のＧＴＯの断面図を示す。図２と同じ参照番号が図４のＧＴＯ１０に対して用いられている。唯一の相違は、ＧＴＯ１０が図２の概略図に関して、即ち下向きのカソードコンタクト１４と上向きのアノードコンタクトに関して、１８０°回転されて配列されている。
同軸の（軸対称に設計された）ＧＴＯ１０は、ゲート接続２２のレベルにある半導体基板の面に平行に配列された（一般に多層の）プリント回路基板３４によってトロイダル状に囲まれている。プリント回路基板３４は上面を下にして、取付けられている、即ち基板に取付けられた相互接続された要素３７，．．．，４２は下側に配列されている。従って、要素３７，．．．，４２は、カソード側にあって、ＧＴＯ１０のカソードコンタクト１４と熱接触し、そして水冷器として、或いは他の空冷器として設計されてもよい冷却器４８の方へ主として向けられている。冷却機能の外に、冷却器４８は、同時に、その金属部分によって、プリント回路基板の側にある要素３７，．．．，４２に対して電気的なシールド機能を有する。プリント回路基板３４の他の側で、プリント回路基板３４上に設けられたメタライゼーションは、原則的にシールドとして用いられることができる。このことは、（比較的小さなＧＴＯ１０の場合）プリント回路基板３４自体は、接続されたＧＴＯ１０を取扱い中安全に支持することができるように、充分丈夫である場合を表している。
【００１２】
しかし、大きく、且つ重い（１ｋｇ以上）ＧＴＯ１０の場合、金属薄板から作られたケーシング３５が、更なるシールドのため、更なる機械的安定性を得るため、そしてユニットの改善された取扱いのために、冷却器４８から離れて面しているプリント回路基板３４のその側に設けられる。好ましくは、このケーシング３５は、実質的に平らな基体３５ａとその基体３５ａから曲げられた側壁３５ｂを有している。このケーシング３５は、プリント回路基板３４に平行な基体３５ａを有していて、プリント回路基板３４とＧＴＯ１０のアノード側間に配列される。側壁３５ｂは、プリント回路基板３４を横から囲んでいる。ケーシング３５は、基体にある中央の孔３５ｃを有していて、そこを通してＧＴＯ１０が延びている。それは、基体３５ａによって、特にやや下に曲げられた孔３５ｃのエッジによって、プリント回路基板３４に固定され、従って、装置の機械的安定性に著しく貢献する。支持を確実にするために、追加の支持手段が、特にシリコンビーズ４９，５０等の形態で、プリント回路基板３４とケーシング３５間で外側に向かって更に設けられてもよい。
【００１３】
ゲートユニット４７は、例えば表面に取付けられた抵抗、ＭＯＳＦＥＴスイッチ或いはパルス化した電流源用の電解コンデンサーのような異なるサイズの電子要素を有する。これらの要素は、サイズに依存して、プリント回路基板３４と冷却器４８間の異なる点に配列されるのが好ましい。抵抗４１，４２或いはＭＯＳＦＥＴｓ３９，４０のような平らな要素に対しては、プリント回路基板がカソード側にある冷却器４８から離間され、またこれらの要素がプリント回路基板３４と冷却器４８間に直接配列されれば充分である。このようにして、かなりのスペースが節約され、同時に非常に良好なシールドを与える。電解コンデンサー３７，３８のような高い要素に対しては、プリント回路基板３４は、カソード側にある冷却器４８を越えてよこに突出するように設計されるのが好ましい。ケーシング３５の側壁３５ｂは、空間３６が冷却器４８とケーシング３５即ちケーシングの側壁３５ｂとの間にあくようにして、冷却器４８の一部を囲んでいる。従って、これらの要素は、冷却器４８にごく接近して、この空間３６に配置される。
【００１４】
もし、冷却器４８が矩形断面を有していれば、電解コンデンサー３７，３８は冷却器４８の少なくとも２つの（特に反対の）側に配置されるのがよい。もし、冷却器４８が円形断面を有していれば、電解コンデンサー３７，３８は冷却器４８の周りにリング状に配列されるのが好ましく、その結果、重量が均等に分布したコンパクトな構造になる。
更に、安定性を増加するために、プリント回路基板が冷却器の上に取外し可能に取付けられるようにすることが可能である。この目的のために、例えば、レール或いは案内ボルトの形状で取付け素子４３，４４がプリント回路基板状に配列され、そして例えば、レールの形状でその下にある冷却器４８上に、プリント回路基板３４を取付け装置４５，４６に取り付けるために用いられることができる。しかし、冷却器がそれに取付けられるクリップを有することが同様に考えられ、プリント回路基板３４は、積み重ねられて組み立てられたとき、正しい位置にそれをロックするために冷却器にスナップされる。
【００１５】
更に、プリント回路基板はＧＴＯ１０を収容するため、その中央に孔３４ａを有する。孔３４ａは、ＧＴＯ１０のカソードコンタクト１４が挿入され、そしてカソードコンタクト１４をプリント回路基板３４とゲートユニット４７へ電気的に接続する（金属薄板から作られる）導電性のトローフ（trough: 凹んだ部分）３３で塞がれる。この目的のために、トローフ３３はプリント回路基板の下側に接続されるか、取付けられる。最後にＧＴＯ１０は、ケーシング３５と共に環状のゲート接続２２によってプリント回路基板の上側に接続される。
本発明の枠組み内で、ゲートユニット４７が図４に示された実施の形態とは異なる多くの方法で実行され得る。例えば、入力増幅器と光学的な結合素子は、電解コンデンサー３７，３８に加えて、空間３６に収納されてもよい。ゲートユニットを動作するために必要な論理ユニットが母板として作用するプリント回路基板３４上に垂直に取付けられる分離したＳＭＤ板上に配列されることが考えられる。しかし、最後にコンバーターや電源素子におけるいろいろなゲートユニット用の論理ユニットがゲートユニットの外側のコンバーターの中心の位置に配列されることもできる。その結果、光学的な駆動接続（オプトリンクス）の接続及び個々のゲートユニット間のラッチングが著しく容易になされる。
【００１６】
結局、本発明は以下の特徴と利点によって、特徴づけられるゲートユニットを提供する。
−ゲートユニットが小さい、
−それはＧＴＯを取り囲み、（カソード側にある）冷却器と共にユニットを形成
する、
−ＧＴＯのカソードに対する接続が特に安く作られる、
−ゲートユニットとアノード間のシールドが１つのステップで作られる：それは動作において２つの機能（支持とシールド）を行い、取扱中にＧＴＯとゲート
ユニットを支持する、
−ゲートユニットとＧＴＯを有するユニットは、更に積み重ねられる、且つ
−重い要素は機械的に最適な方法で固定される。
【００１７】
明らかに、本発明のいろいろな変形や変更が上述の教示にてらして可能である。従って、特許請求の範囲の範囲内で、本発明が特にここに記載されたもの以外で実行されることが理解されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の技術に記載されたＧＴＯ用のハードドライブの基本的回路図を示す。
【図２】環状の、低インダクタンスのゲート接続のある公知の同軸ＧＴＯの内部構造の断面図を示す。
【図３】従来の技術に記載されたハードドライブ用の、同軸ＧＴＯおよび直接接続されたゲートユニットを有するモジュールの平面図を示す。
【図４】本発明の好適な実施の形態に基づくゲートユニットを有する、図２に示されたＧＴＯの断面図を示す。
【符号の説明】
１０  ＧＴＯ (Gate Turn Off Thyristor)、
１１  ストレイインダクタンス、
１２  電源（ターンオン回路）、
１３  電源（ターンオフ回路）、
１４  カソードコンタクト、
１５ａ，２４ａ  カバー、
１５ｂ，２４ｂ  フランジ、
１６，１８  Ｍｏディスク、
１７  半導体基板、
１９  アノードコンタクト、
２０  エッジの不動態化、
２１  ゲートコンタクト（環状）
２２  ゲート接続、
２３  絶縁ハウジング（例えば、セラミック）、
２５  ＧＴＯ（同軸の）、
２６  ゲート接続、
２７  アノードコンタクト、
２８  ゲートユニット、
２９  プリント回路基板、
３０  要素（電子的）、
３１  接続領域、
３２  ハウジング（ゲートユニット）、
３３  トロフ、
３４  プリント回路基板、
３４ａ  孔（プリント回路基板）、
３５  ケーシング（シールド）、
３５ａ  基体（ケーシング）、
３５ｂ  側壁（ケーシング）、
３５ｃ  孔（ケーシング）、
３６  空間（冷却器のケーシング）、
３７，３８  電解コンデンサー、
３９，４０  ＭＯＳＦＥＴ、
４１，４２  要素（抵抗等）、
４３，４４  固定要素、
４５，４６  固定装置、
４７  ゲートユニット、
４８  冷却器、
４９，５０  シリコンビード、
Ａ  アノード（ＧＴＯ）、
Ｃ１，Ｃ２  キャパシタ、
Ｄ１，．．．，Ｄ３  ダイオード、
Ｇ  ゲート（ＧＴＯ）、
Ｋ  カソード（ＧＴＯ）、
Ｒ１，Ｒ２  抵抗、
Ｓ１，．．．，Ｓ３  スイッチ（例えば、ＭＯＳＦＥＴ）、
【図１】
0004180141.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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