(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
相変化型の記録層を有する光記録媒体を初期化する方法であって、
前記記録層の非晶質部における波長λＩでの反射率をＡＩ、結晶質部における波長λＩでの反射率をＣＩとしたとき、
ＡＩ≦８．０％かつ
ＣＩ／ＡＩ≧３．０
となる波長λＩの光で初期化を行うことを特徴とする光記録媒体の初期化方法。
【請求項２】
記録光および／または再生光の波長をλＲＷとしたとき、
λＩ＞λＲＷ
であることを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体の初期化方法。
【請求項３】
λＩ−λＲＷ≧１００nm
であることを特徴とする請求項２に記載の光記録媒体の初期化方法。
【請求項４】
前記光記録媒体が、基体上に、第１誘電体層、前記記録層、第２誘電体層および反射層を有し、第１誘電体の厚さをｄ１としたとき、
６５nm＜ｄ１≦１４３nm
であることを特徴とする請求項２または３に記載の光記録媒体の初期化方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、相変化型光記録媒体を初期化（記録層の結晶化）して、相変化型光記録媒体を製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、高密度記録が可能で、しかも記録情報を消去して書き換えることが可能な光記録媒体が注目されている。書き換え可能型の光記録媒体のうち相変化型のものは、レーザービームを照射することにより記録層の結晶状態を変化させて記録を行い、このような状態変化に伴なう記録層の反射率変化を検出することにより再生を行うものである。相変化型の光記録媒体は単一のレーザービームの強度を変調することによりオーバーライトが可能であり、また、駆動装置の光学系が光磁気記録媒体のそれに比べて単純であるため、注目されている。
【０００３】
相変化型の記録層には、結晶質状態と非晶質状態とで反射率の差が大きいこと、非晶質状態の安定度が比較的高いことなどから、Ｇｅ−Ｔｅ系やＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系等のカルコゲナイド系材料が用いられることが多い。また、この他、最近、カルコパイライトと呼ばれる化合物を応用することが提案されている。カルコパイライト型化合物は化合物半導体材料として広く研究され、太陽電池などにも応用されている。カルコパイライト型化合物は、化学周期律表を用いるとIb-IIIb-VIb2やIIb-IVb-Vb2で表わされる組成であり、ダイヤモンド構造を２つ積み重ねた構造を有する。カルコパイライト型化合物はＸ線構造解析によって容易に構造を決定することができ、その基礎的な特性は、例えば月刊フィジクスvol.8,No.8,1987,pp-441や、電気化学vol.56,No.4,1988,pp-228などに記載されている。これらのカルコパイライト型化合物の中で特にＡｇＩｎＴｅ2は、ＳｂやＢｉを用いて希釈することにより、線速度７m/s前後の光記録媒体の記録層材料として使用できることが知られている（特開平３−２４０５９０号公報、同３−９９８８４号公報、同３−８２５９３号公報、同３−７３３８４号公報、同４−１５１２８６号公報等）。このようなカルコパイライト型化合物を用いた相変化型光記録媒体の他、特開平４−２６７１９２号公報や特開平４−２３２７７９号公報、特開平６−１６６２６８号公報には、記録層が結晶化する際にＡｇＳｂＴｅ2相が生成する相変化型光記録媒体が開示されている。
【０００４】
一般に相変化型光記録媒体において情報を記録する際には、まず、記録層全体を結晶質状態としておき、記録層が融点以上まで昇温されるような高パワー（記録パワー）のレーザービームを照射する。記録パワーが加えられた部分では記録層が溶融した後、急冷され、非晶質の記録マークが形成される。一方、記録マークを消去する際には、記録層がその結晶化温度以上であってかつ融点未満の温度まで昇温されるような比較的低パワー（消去パワー）のレーザービームを照射する。消去パワーが加えられた記録マークは、結晶化温度以上まで加熱された後、徐冷されることになるので、結晶質に戻る。したがって、相変化型光記録媒体では、単一のレーザービームの強度を変調することにより、オーバーライトが可能である。
【０００５】
相変化型光記録媒体では、真空成膜装置などを用いて記録層を形成しているため、形成直後の記録層は非晶質状である。これをオーバーライト可能な媒体として利用する場合には、一般に初期化と呼ばれる処理により、記録層を結晶化する必要がある。
【０００６】
初期化の方法としては、成膜後に記録層の結晶化温度まで基板を加熱して結晶化させる方法（特開平２−３１３１号公報）、成膜後にレーザービームを照射して結晶化させる固相初期化と呼ばれる方法（特開平４−３６６４２４号公報、同２−２０１７３４号公報、同３−７６０２７号公報）、高周波を用いて誘導加熱によって結晶化させる方法、成膜中に基板を加熱して結晶化させる方法（特開平２−９８８４７号公報）、第１層目の誘電体を形成し、次いで記録層を形成した後、これを加熱して結晶化し、さらに誘電体を形成する方法（特開平２−５２４６号公報）などが提案されている。
【０００７】
しかし、記録に利用するようなビームスポット径の小さなレーザービームを用いて１トラックごとに初期化を行うと、処理に長時間を要し、生産性を低下させる。また、媒体全体を加熱する方法では、安価な樹脂基板を使いにくいという問題がある。すなわち、初期化処理の際の加熱によって樹脂基板が歪み、トラッキングなどに支障をきたすようになってしまう。そこで、現在、工業的に適当な方法として利用されているのは、バルクイレーザーと呼ばれる装置を用いる方法である。バルクイレーザーは、出力の高いガスレーザーや半導体レーザーのビームをあまり絞らずに照射して、多数のトラックを一挙に結晶化させる装置である。バルクイレーザーでは、記録層を限定的に加熱できるため基板の温度上昇が小さくなるので、耐熱性の低い樹脂基板の利用が可能である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、バルクイレーザーを用いた場合でも、光記録ディスク１枚を初期化するために数分間程度の処理時間が必要で、生産工程上の律速となるので、処理速度をより向上させる必要がある。バルクイレーザーによる処理時間を短縮するためには、より高い出力のレーザーを用いた上で、ディスクの回転数を上げたり、レーザービームのビームスポット径を拡大すると共に送り量を増やしたり、両者を併用したりすればよい。すなわち、単位面積当たりに照射されるパワーを初期化処理に必要な値に保ったまま、単位時間当たりの照射面積を増やせばよい。しかし、レーザー出力の向上には限界がある。
【０００９】
このような事情から、初期化処理に必要な単位面積当たりのレーザーパワーを低減できる手段が望まれている。単位面積当たりに必要なレーザーパワーを低減できれば、初期化処理速度の向上が可能であるほか、処理速度をやや犠牲にすればレーザーの全出力を抑制できるので、レーザー発振装置の寿命を延ばすことができる。
【００１０】
本発明の目的は、単位面積当たりのレーザーパワーが低いレーザーを用いて、相変化型光記録媒体を初期化することができる相変化型光記録媒体の初期化方法を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
このような目的は、下記（１）〜（４）の本発明により達成される。
（１）相変化型の記録層を有する光記録媒体を初期化する方法であって、
前記記録層の非晶質部における波長λＩでの反射率をＡＩ、結晶質部における波長λＩでの反射率をＣＩとしたとき、
ＡＩ≦８．０％かつ
ＣＩ／ＡＩ≧３．０
となる波長λＩの光で初期化を行うことを特徴とする光記録媒体の初期化方法。
（２）記録光および／または再生光の波長をλＲＷとしたとき、
λＩ＞λＲＷ
であることを特徴とする上記（１）に記載の光記録媒体の初期化方法。
（３）λＩ−λＲＷ≧１００nm
であることを特徴とする上記（２）に記載の光記録媒体の初期化方法。
（４）前記光記録媒体が、基体上に、第１誘電体層、前記記録層、第２誘電体層および反射層を有し、第１誘電体の厚さをｄ１としたとき、
６５nm＜ｄ１≦１４３nm
であることを特徴とする上記（２）または（３）に記載の光記録媒体の初期化方法。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明の光記録媒体は、相変化型の記録層を有する。
【００１３】
初期化に使用する光の波長をλIとし、記録層の非晶質部における波長λIでの反射率をＡI、結晶質部における波長λIでの反射率をＣIとしたとき、本発明の光記録媒体では
ＡI≦８．０％、好ましくは
ＡI≦６．０％
であり、かつ、
ＣI／ＡI≧３．０、好ましくは
ＣI／ＡI≧３．５
である。
【００１４】
まず、ＡIの限定理由を説明する。ＡIが上記のように低ければ、初期化時の記録層の光吸収率が大きくなるので、初期化処理に必要な単位面積当たりのレーザーパワーを低減することができる。なお、ＡIは低いほど好ましいので、記録再生特性を阻害しない範囲で、可能な限りＡIを低くする光学的設計とすることが好ましい。ただしＡIが低すぎると、初期化装置のフォーカス制御が困難となるので、好ましくは
ＡI≧３．０％
とする。
【００１５】
次に、ＣI／ＡIの限定理由を説明する。初期化の際には、ビームスポット径の大きなレーザービームで走査することにより、結晶化が必要な領域の全面に満遍なくレーザービームを照射する。例えばディスク媒体の場合には、媒体を回転させながらレーザービームを照射し、１回転につきレーザービームのビームスポット径と同じかそれより少ない量だけ媒体半径方向にレーザービームを送る。このときの送り量をＰ、ビームスポット径をＬとすると、Ｌ≧Ｐである。Ｌ＝Ｐとすれば、計算上は必要な領域の全面を隙間なく照射することができるが、ビームスポットはエネルギー分布をもつため、スポット内全域を均一に初期化することが難しい。そのため、Ｌ＞Ｐとしてビームスポットを重複して照射することが一般的である。この場合には、結晶化領域に再度レーザービームが照射されることになる。このとき、結晶化領域の反射率ＣIが低いと、結晶化領域において光エネルギーの吸収が大きくなって温度が上昇するので、結晶状態が変化してしまう。そのため、ビームスポットが重複照射された領域では、ビームスポットが１回しか照射されなかった領域に対し反射率が異なることになる。初期化時のレーザービームスポット径は記録トラック幅に比べ著しく大きいので、反射率の異なるトラックが周期的に存在することになり、また、ビームが横切ったトラックでは、トラック内で反射率変動が生じることになる。これに対しＣI／ＡIを上記のように設定すれば、初期化前の非晶質領域では反射率が相対的に十分に低く、いったん結晶化した領域では反射率が相対的に十分に高くなるので、低パワーで初期化が行え、かつ、いったん結晶化した領域の結晶状態変化を防ぐことができる。
【００１６】
なお、ＣI／ＡIは大きいほど好ましい。ただし、記録層の組成、反射層の有無、反射層の組成などの各種条件によっても異なるが、ＣIは一般に５０％以下であり、また、上述したようにＡIには好ましい下限が存在するので、これらに対応してＣI／ＡIには上限が存在する。
【００１７】
初期化には大パワーのレーザーが必要であり、一般に長波長のレーザーは大パワーを得やすい。一方、高密度記録およびその再生のためには短波長ほど好ましいので、本発明では
λI＞λRW
であることが好ましい。なお、λRWとλIとが近接しすぎていると、初期化の際に短波長のレーザーを利用することになって大パワーを得にくくなるか、記録または再生の際に長波長のレーザーを利用することになって高密度記録に適用することが困難となる。そのため、好ましくは
λI−λRW≧１００nm
とする。
【００１８】
λIおよびλRWは特に限定されない。λIはＡIおよびＣI／ＡIが上記限定範囲内となるように決定すればよいが、現在のところ出力やコストの点で工業的に使いやすい範囲としては、一般に６００〜８５０nm程度である。一方、λRWは、高密度記録を考慮すると７００nm以下であることが好ましい。ただし、著しく短いλRWにおいて十分な記録再生特性が得られるように記録層組成や媒体構造を選択すると、ＡIおよびＣI／ＡIを本発明で限定する範囲内とすることが難しくなるため、λRWは３８０nm以上であることが好ましい。
【００１９】
本発明の光記録媒体の構成例を、図１に示す。この光記録媒体は、基体２上に、第１誘電体層３１、記録層４、第２誘電体層３２、反射層５および保護層６をこの順で有する。
【００２０】
この構成の光記録媒体において、第１誘電体３１の厚さをｄ1としたとき、本発明では、
６５nm＜ｄ1≦１４３nm
であることが好ましく、
７１．５nm≦ｄ1≦１４３nm
であることがより好ましい。第１誘電体層３１の厚さをこの範囲とすることにより、光学設計上、ＡIおよびＣI／ＡIを上記限定範囲内に設定することが容易となり、かつ、その際に、λIを波長６００〜８５０nm程度の長波長に設定することが容易となる。第１誘電体層３１の厚さ変更により反射率は周期的に変化するため、１４３nm＜ｄ1であっても、ＡIを低くすることは可能である。しかし、その場合、第１誘電体層３１が厚くなりすぎて内部応力が大きくなるので、高温、高湿環境下で保存したときにクラックが生じやすくなる。一方、ｄ1が小さすぎると、基体２側に熱が逃げやすくなり、オーバーライト特性が悪化してしまう。なお、ｄ1が１４３nmに近くなるにしたがって反射率が増大して記録感度が低下するため、好ましくは
ｄ1＜１０６nm
とし、より好ましくは
ｄ1≦１０２nm
とする。
【００２１】
なお、図１に示す構成では、初期化時のレーザービームの入射方向は記録再生時の入射方向と同じである。
【００２２】
媒体構成
次に、図１に示す光記録媒体の各部の構成を説明するが、本発明は、図１に示される構造の光記録媒体に限らず、例えば図２に示す構成の媒体にも適用できる。図２に示す媒体は、基体２を通さずに記録再生光を照射する構成であり、基体２側から、反射層５、第２誘電体層３２、記録層４および第１誘電体層３１をこの順に積層し、最後に保護層６を形成したものである。
【００２３】
基体２
図１に示す構成の光記録媒体では基体２を通して記録層４にレーザービームが照射されるので、基体２は、用いるレーザービームに対して実質的に透明である材質、例えば、樹脂やガラスなどから構成されることが好ましい。用いる樹脂は特に限定されず、例えばポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン等のいずれであってもよい。基体２の厚さは、通常、０．１〜３mm程度であるが、本発明は基体の厚さが薄い場合に、特に０．８mm以下である場合に効果が高い。従来、初期化処理を高速に行うためには前述したように高パワーのレーザービームが必要であったが、高パワーで初期化処理を行うと、基体の反りが大きくなってしまう。この反りは、初期化パワーが高いほど大きくなる。例えば、初期化前後での樹脂基体の反り角の差は、基体厚さが１．２mmのとき、初期化パワー６００mWでは０．０１°、初期化パワーを９００mWに上げても０．０１°のままであるが、基体厚さが０．６mmであると、初期化パワー６００mWでは０．１４°と比較的小さいが、初期化パワーを９００mWとした場合には０．４４°にもなってしまう。これに対し本発明では、初期化処理を高速化するに際し初期化パワーを抑えることができるので、厚さ０．８mm以下の薄い基体をもつ媒体の初期化処理を、基体の反り増大を抑えた上で高速化することができる。
【００２４】
第１誘電体層３１、第２誘電体層３２
第１誘電体層３１は、媒体全体の光学特性（反射率等）の制御のため、また、記録層から基体に伝わる熱を制御して基体を保護するために設けられる。第２誘電体層３２は、記録層を保護すると共に、記録後、記録層に残った熱の放出を調整するために設けられる。
【００２５】
第１誘電体層および第２誘電体層に用いる誘電体材料は特に限定されず、各種誘電体やそれらの混合物、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素、硫化亜鉛と酸化ケイ素との混合物など、透明な各種誘電体材料を用いればよく、また、各種ガラスなどを用いてもよい。また、例えば、Ｌａ、Ｓｉ、ＯおよびＮを含有する所謂LaSiONや、Ｓｉ、Ａｌ、ＯおよびＮを含有する所謂SiAlON、あるいはＹを含有するSiAlON等も好ましく用いることができる。
【００２６】
第１誘電体層３１の厚さは、前記条件を満足するように設定する。第２誘電体層３２の厚さは、通常、１０〜５０nm程度の範囲から選択すればよい。
【００２７】
各誘電体層は均質であってもよいが、組成分布が厚さ方向に段階的および／または連続的に変化するものであってもよい。
【００２８】
誘電体層は、スパッタ法等の気相成長法により形成することが好ましい。
【００２９】
記録層４
記録層の組成は特に限定されないが、以下に説明するＩｎ−Ａｇ−Ｔｅ−Ｓｂ系組成やＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系組成、特にＩｎ−Ａｇ−Ｔｅ−Ｓｂ系組成とした場合に、本発明はより有効である。
【００３０】
Ｉｎ−Ａｇ−Ｔｅ−Ｓｂ系組成の記録層では、構成元素の原子比を
式Ｉ  ｛（ＩｎaＡｇbＴｅ1-a-b）1-cＳｂc｝1-dＭd
で表したとき、好ましくは
ａ＝０．１〜０．３、
ｂ＝０．１〜０．３、
ｃ＝０．５〜０．８、
ｄ＝０〜０．１
である。式Ｉにおける元素Ｍは、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｈ、Ｓｉ、Ｃ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｃｅ、ＴｂおよびＹから選択される少なくとも１種の元素である。
【００３１】
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系組成の記録層では、構成元素の原子比を
式II  ＧｅaＳｂbＴｅ1-a-b
で表わしたとき、好ましくは
０．０８≦ａ≦０．２５、
０．２０≦ｂ≦０．４０
である。
【００３２】
記録層の厚さは、通常、１０〜５０nmとすることが好ましい。
【００３３】
記録層は、スパッタ法等の気相成長法により形成することが好ましい。
【００３４】
反射層５
反射層５の材質は特に限定されないが、通常、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ等の単体あるいはこれらの１種以上を含む合金などの高反射率金属から構成すればよい。反射層は、スパッタ法や蒸着法等の気相成長法により形成することが好ましい。
【００３５】
なお、相変化型光記録媒体では、記録マーク以外の領域（結晶状態）における光吸収率（Ａｃ）と記録マーク（非結晶状態）における光吸収率（Ａａ）とが異なることが多く、一般にＡｃ＜Ａａとなっている。このため、オーバーライト領域が結晶であったか非結晶であったかによって記録感度および消去率が異なることになる。この結果、オーバーライトによって形成される記録マークに長さおよび幅のばらつきが生じて、ジッターが大きくなり、エラーとなることもある。この問題を解決するためには、ＡｃをＡａに近づけ、好ましくはＡｃ／Ａａ≧１とし、より好ましくは、潜熱の影響を考慮してＡｃ／Ａａ＞１とすることが望ましい。このためには、記録層やそれを挟んで設けられる誘電体層の厚さを制御すればよいが、通常の構造の媒体では、Ａｃ／Ａａを大きくしていくと記録マーク以外の領域における媒体からの反射率（Ｒｃ）と記録マークにおける媒体からの反射率（Ｒａ）との差が小さくなって、Ｃ／Ｎが低くなるという問題が生じてしまう。このような事情から、例えば特開平８−１２４２１８号公報では、基体上に第１誘電体層、記録層、第２誘電体層、反射層、第３誘電体層、紫外線硬化樹脂層を順に積層した構成の光学情報記録媒体において、Ａｃ＞Ａａとし、反射層として透過性の極薄金属膜、ＳｉまたはＧｅを用い、第３誘電体層として屈折率が１．５より大きな誘電体を用いる旨の提案がなされている。光透過性の反射層と高屈折率の第３誘電体層とを設けることにより、Ｒｃ−Ｒａを大きく保ったままＡｃ／Ａａを上記範囲とすることが可能となる。本発明は、このような媒体にも適用可能である。
【００３６】
保護層６
保護層６は、耐擦傷性や耐食性の向上のために設けられる。この保護層は種々の有機系の物質から構成されることが好ましいが、特に、放射線硬化型化合物やその組成物を、電子線、紫外線等の放射線により硬化させた物質から構成されることが好ましい。保護層の厚さは、通常、０．１〜１００μm程度であり、スピンコート、グラビア塗布、スプレーコート、ディッピング等、通常の方法により形成すればよい。
【００３７】
【実施例】
射出成形によりグルーブ（幅０．３μm、深さ２５nm、ピッチ０．７４μm）を同時形成した直径１２０mm、厚さ０．６mmのディスク状ポリカーボネート基体２の表面に、第１誘電体層３１、記録層４、第２誘電体層３２、反射層５および保護層６を以下に示す手順で形成し、図１に示す構成を有する光記録ディスクサンプルとした。
【００３８】
第１誘電体層３１は、ターゲットとしてＺｎＳ（８５モル％）−ＳｉＯ2（１５モル％）を用い、Ａｒ雰囲気中においてスパッタ法により形成した。第１誘電体層３１は、波長λRW（６３５nm）での屈折率が２．２２であった。第１誘電体３１の厚さｄ1を、表１に示す。
【００３９】
記録層４は、ターゲットとしてＩｎ−Ａｇ−Ｔｅ−Ｓｂ合金を用い、Ａｒ雰囲気中においてスパッタ法により形成した。記録層４の組成は
（ＩｎaＡｇbＴｅ1-a-b）1-cＳｂc
において
ａ＝０．１２、
ｂ＝０．１６、
ｃ＝０．６４
とした。記録層４の厚さは２３nmとした。
【００４０】
第２誘電体層３２は、ターゲットとしてＺｎＳ（８５モル％）−ＳｉＯ2（１５モル％）を用い、Ａｒ雰囲気中においてスパッタ法により形成した。第２誘電体層３２の厚さは２５nmとした。
【００４１】
反射層５は、ターゲットとしてＡｌ−１．７モル％Ｃｒ合金を用い、Ａｒ雰囲気中においてスパッタ法により形成した。反射層５の厚さは１００nmとした。
【００４２】
保護層６は、紫外線硬化型樹脂をスピンコート法により塗布後、紫外線照射により硬化して形成した。硬化後の保護層厚さは５μm であった。
【００４３】
このようにして作製したサンプルについて、基体２を通して入射させた光の反射率を分光光度計により測定し、ＡIを求めた。また、各サンプルに初期化処理を施した後、同様にしてＣIを求めた。なお、
λI＝８１０nm
とした。また、初期化処理は、波長８１０nm、ビームスポット径１００μm、送り量６０μmのバルクイレーザーを用い、線速３m/sで行った。記録層の結晶化に要したレーザーパワーを、初期化パワーとして表１に示す。また、初期化後、反射率変動を調べた。結果を表１に示す。表１に示す反射率変動は、記録トラック１周における反射率の最高値をＲtop、最低値をＲbottomとして、
［（Ｒtop−Ｒbottom）／Ｒtop］×１００  [%]
により算出した値である。なお、反射率変動の測定は、記録領域中央付近の１０トラックについて行った。表１に示す値はその平均値である。
【００４４】
また、各サンプルを８０℃、８０％ＲＨの高温高湿環境下に５０時間保存し、保存後に第１誘電体層３１のクラックの有無を調べた。結果を表１に示す。
【００４５】
また、各サンプルを光記録媒体評価装置に載せ、繰り返しオーバーライトに伴うジッターの変化を測定し、オーバーライト可能回数を調べた。結果を表１に示す。なお、この場合のオーバーライト可能回数とは、ジッターが１３％以下に収まる最大のオーバーライト回数である。オーバーライトは下記条件で行った。
【００４６】
オーバーライト条件
レーザー波長（λRW）：６３５nm、
開口数ＮＡ＝０．６、
記録パワー：表１に示す値（ジッターが最小になる値）、
消去パワー：６．０mW、
線速：３．５m/s
【００４７】
【表１】
0004121231.tif 000002
【００４８】
表１から、ＡIが本発明で限定する範囲内にあるサンプルでは、初期化パワーを著しく低減できることがわかる。また、ＣI／ＡIが本発明で限定する範囲内にあるサンプルでは、反射率変動が１０％以下であり、反射率の安定性が高いことがわかる。これに対し、ＡIが大きいサンプルでは大きな初期化パワーが必要であり、また、ＣI／ＡIが小さいサンプルでは、反射率変動が大きいことがわかる。
【００４９】
サンプルNo.７では、１４３nm＜ｄ1となっているため、高温高湿環境下での保存において第１誘電体層にクラックが発生している。また、ｄ1≦１４３nmを満足しても、ｄ1が１４３nmに近くなると、サンプルNo.５のように記録に要するパワーが増大する、すなわち記録感度が悪くなることがわかる。また、ｄ1＝６５nmであると、オーバーライト可能回数が著しく少なくなってしまうことがわかる。
【００５０】
表１に示すサンプルNo.３および６について、波長４００〜９００nmの範囲で非晶質部の反射率ＡRと結晶質部の反射率ＣRとを測定した。サンプルNo.６（比較例）の分光反射率グラフを図３（Ａ）に、サンプルNo.３の分光反射率グラフを図３（Ｂ）に、それぞれ示す。これらのグラフから、サンプルNo.３は波長６６０〜８４０nmの範囲でＡR≦８．０％かつＣR／ＡR≧３．０を満足するが、サンプルNo.６では、ＡR≦８．０％かつＣR／ＡR≧３．０を満足する波長が存在しないことがわかる。
【００５１】
【発明の効果】
本発明によれば、初期化処理に必要な単位面積当たりのレーザーパワーを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明が適用される光記録媒体の構成例を示す部分断面図である。
【図２】本発明が適用される光記録媒体の構成例を示す部分断面図である。
【図３】（Ａ）および（Ｂ）は、光記録媒体の分光反射率を示すグラフである。
【符号の説明】
２  基体
３１  第１誘電体層
３２  第２誘電体層
４  記録層
５  反射層
６  保護層
【図１】
0004121231.tif 000003
【図２】
0004121231.tif 000004
【図３】
0004121231.tif 000005