(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
多数の電子回路ユニットを面上に整列形成したシート状基材を各電子回路ユニットの輪郭に沿って打ち抜いて、個々の電子回路ユニットを基板上に備えた電子回路素子を得るようにした電子回路素子の作成方法において、前記基材の厚さの３乃至５倍の幅を有する帯状基材部分を隔てて前記電子回路ユニットの輪郭を取り囲む補強用リングを前記基材上に形成するとともに、前記帯状基材部分における打抜き位置を、前記補強用リングの内縁から前記帯状基材部分の全幅の２０乃至４０％に相当する距離だけ離れた位置に設定したことを特徴とする電子回路素子の作成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多数の電子回路ユニットを面上に整列形成したシート状基材を各電子回路ユニットの輪郭に沿って打ち抜いて、個々の電子回路ユニットを基板上に備えた電子回路素子を得るようにした電子回路素子の作成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、コンピュータ等の外部記憶装置に用いられる記録媒体として使用されている磁気テープカートリッジにおいて、磁気テープを巻装した単一のリールが合成樹脂製のカートリッジケース内に回転可能に収容されたタイプのものが知られている。
【０００３】
このような磁気テープカートリッジにおいては、磁気テープに記録されている種々の情報の内容や磁気テープの種類等を磁気テープから読み出すことなく特定するために、メモリ素子がカートリッジケース内のテープリールの回転を妨げない部位に取り付けられる。このメモリ素子は、ＩＣチップとプリントアンテナとを備えたトランスポンダ構成の電子回路ユニットを絶縁性基板上に備えていて、磁気テープに記録された情報が電磁誘導等の非接触方式にて上記メモリ素子に記録され、かつメモリ素子に記録された内容が同様に非接触方式にて読み出されるように構成されている。
【０００４】
上記メモリ素子の生産に際しては、両側縁部に写真フィルムと同様のパーフォレーションを形成した例えばエポキシ樹脂を含浸させたガラスファイバクロスからなる長尺（例えば長さ最大９５ｍ、幅３５ｍｍ）のシート状基材を用意し、このシート状基材面上に、多数の偏平な電子回路ユニットを例えば２列に整列形成するという方法を採用している。そして、この多数の電子回路ユニットを面上に備えたシート状基材を、保護シートを挟んでリールに巻回した状態で生産工場から磁気テープカートリッジの組立て工場に送っている。
【０００５】
磁気テープカートリッジの組立て現場においては、生産工場から送られてきた上記シート状基材を、パンチングマシンを用いて上記パーフォレーションを位置決め基準として各電子回路ユニットの輪郭に沿って順次打ち抜いて、例えば２０×１０ｍｍの平面寸法を有する基板上に個々の電子回路ユニットを備えたメモリ素子を作成し、磁気テープカートリッジに取り付けている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記のようなエポキシ樹脂を含浸させたガラスファイバクロスからなるシート状基材を各電子回路ユニットの輪郭に沿って打ち抜いた場合、その打抜き部の切り口が平滑にならず毛羽立ち、これが情報ドロップの原因となるダストを磁気テープカートリッジ内で発生させるという問題があった。
【０００７】
そこで、上記基材上に、上記メモリ素子の輪郭を所定の幅の帯状基材部分を隔てて取り囲む例えば銅材からなる補強用リングを形成し、この補強用銅リングの内縁に沿って上記帯状基材部分を打ち抜くことによって、打抜き部の切り口の毛羽立ちを防止することが提案された。
【０００８】
しかして、上記帯状基材部分における打抜き位置は、補強用リングの内縁から離れる程、毛羽立ち防止効果が薄れるので、打抜き部の切り口の毛羽立ちを防止するためには、可能な限り補強用銅リングの内縁に近接した位置に打抜きラインを設定することが望ましい。
【０００９】
しかしながら、シート状基材の側縁部のパーフォレーションを位置決め基準とした打抜き工程では、打抜きラインの位置の精度に限度があり、上記打抜きラインを補強用銅リングの内縁に近付けると、補強用銅リングの内縁部分まで打ち抜いてしまう虞れがあった。そして、補強用銅リングの内縁部分まで打ち抜くことによって発生した銅ダストは、これが磁気テープに付着すると重大なトラブルを招く可能性があるため、銅ダストの発生は、磁気テープカートリッジの組立て現場では絶対に避けなければならないことである。
【００１０】
上述の事情に鑑み、本発明は、補強用リングの内縁まで打ち抜く虞れを回避しながら基材の打抜き部の切り口の毛羽立ちを防止することができる例えばメモリ素子である電子回路素子の作成方法を提供することを目的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、多数の電子回路ユニットを面上に整列形成したシート状基材を各電子回路ユニットの輪郭に沿って打ち抜いて、個々の電子回路ユニットを基板上に備えた電子回路素子を得るようにした電子回路素子の作成方法において、
上記基材の厚さの３乃至５倍の幅を有する帯状基材部分を隔てて上記電子回路ユニットの輪郭を取り囲む補強用リングを上記基材上に形成するとともに、上記帯状基材部分における打抜き位置を、上記補強用リングの内縁から上記帯状基材部分の全幅の２０乃至４０％に相当する距離だけ離れた位置に設定したことを特徴とするものである。
【００１２】
上記帯状基材部分における打抜き位置は、上記補強用リングの内縁から上記帯状基材部分の全幅の約３０％に相当する距離だけ離れた位置に設定するのが最も好ましい。すなわち、上記基材の厚さが例えば０．１６ｍｍのときに、上記帯状基材部分の幅を０．６ｍｍ（基材の厚さの３．７５倍）とした場合、この帯状基材部分における打抜き位置を、上記補強用リングの内縁から約０．２ｍｍ（帯状基材部分の全幅の約３３％に相当する）だけ離れた位置に設定するのが好ましい。
【００１３】
【発明の効果】
種々の実験の結果によれば、上記帯状基材部分の幅は基材厚さの３乃至５倍の範囲内に設定するのが好ましく、上記帯状基材部分の幅がこれよりも狭いと、電子回路ユニットを打ち抜く虞れがあり、反対にこれよりも広いと、打抜き部の切り口の毛羽立ちを防止することができる位置では、打ち抜かれた電子回路素子の基板の寸法が寸法公差をオーバーする虞れがある。
【００１４】
また、上記帯状基材部分の幅を基材厚さの３乃至５倍の範囲内に設定した場合であっても、上記帯状基材部分における打抜き位置を、上記補強用リングの内縁側から帯状基材部分の全幅の２０％未満の距離に相当する位置に設定した場合には、打抜き部の切り口の毛羽立ちを防止することができても、補強用リングを打ち抜く虞れがあり、上記帯状基材部分における打抜き位置を、上記補強用リングの内縁から帯状基材部分の全幅の４０％を超える距離に相当する位置に設定した場合には、補強用リングを打ち抜く虞れは回避できても、打抜き部の切り口の毛羽立ちを防止する効果が薄れることが判明した。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、図面に示す実施の形態に基づいて本発明を詳細に説明する。
【００１６】
図１は本発明の方法により作成されたメモリ素子を備えた磁気テープカートリッジの一実施の形態の分解斜視図である。
【００１７】
図において、磁気テープカートリッジ１は、上ケース２と下ケース３とが４本の小ねじにより締結されて一体にされるカートリッジケース４内に、先端にリーダピンＰを固着した磁気テープＴを巻装した単一のリール７が回動可能に収容されている。上下ケース２，３は略矩形状に形成され、上壁２ａおよび下壁３ａの周囲を繞ってに側壁２ｂ、３ｂが設けられ、内部にはリール７の外周に沿う円弧状の内壁３ｃ（上ケース２については図示せず）が設けられている。下ケース３は上記側壁３ｂと内壁３ｃとの間に配設された４カ所のボス部３ｄを上ケース２のボス部と当接させて、下ケース３の底面側から小ねじを締め付けて重ね合わせ状態で締結される。
【００１８】
下ケース３の中心部にはドライブ装置の駆動軸によってリール７を回転駆動するためのセンター孔３ｅが開口している。リール７の中心部には、不使用状態におけるリール７の回転を禁止するリールロック機構１５が設けられる。
【００１９】
その他、図示していないが、リール７の底面には中央部にマグネット式の回転駆動手段を吸引保持させるためのリールプレートが取り付けられ、外周部には回転駆動手段のドライブギヤと噛合するリールギヤが刻設されている。なお、リールギヤとドライブギヤが噛合した状態においては上記リールロック機構１５が解除作動してリール７が回転自在とされる。
【００２０】
上下ケース２，３の一側壁２ｂ，３ｂには、磁気テープＴを引き出すための開口部１０が形成され、この開口部１０は図示しないスプリングによって閉方向に付勢されたスライドドア１１により開閉されるように構成されている。また、この磁気テープカートリッジ１は、その不使用時に磁気テープ６が完全にリール７に巻き込まれた状態で先端のリーダピンＰが、開口部１０の近傍に形成された凹状の収納部２０に係止保持される。
【００２１】
さらに、カートリッジケース４の後方の一隅部には、磁気テープＴに記録された情報の内容等を記録するための非接触式のメモリ素子（カートリッジメモリ）３０Ａが取り付けられている。
【００２２】
図２（ａ），（ｂ）は本発明の方法により作成されたメモリ素子３０Ａの平面図および側面図を示し、このメモリ素子３０Ａは、２０×１０ｍｍの平面寸法と、０．１６ｍｍの厚さとを有する絶縁性材料からなる矩形状の基板３１の上面に、ＩＣチップ３２とプリントアンテナ３３とからなるトランスポンダ構成のメモリ回路ユニット３０が形成され、ＩＣチップ３２は厚さ０．１７ｍｍの樹脂封止材料３４で封止されている。
【００２３】
図３は、カートリッジケース４におけるメモリ素子３０Ａの取付け状態を示す断面図で、メモリ素子３０Ａはその上面がカートリッジケース４の底面に対して４５°の角度をなすようにケース４内に保持されており、上ケース２には、メモリ素子３０Ａの基板３１の上縁３１ａを支持する支持部２ｆが、下ケース３には、メモリ素子３０Ａの基板３１の下縁３１ｂを支持する支持部３ｆがそれぞれ設けられている。
【００２４】
次に、上記メモリ素子３０Ａの作成方法について、図４および図５を参照して説明する。
【００２５】
先ず、エポキシ樹脂を含浸させた厚さ約０．１６ｍｍのガラスファイバクロスからなる長尺（例えば長さ最大９５ｍ、幅３５ｍｍ）のシート状基材４０を用意し、このシート状基材４０の両側縁部に写真フィルムと同様のパーフォレーション４１を形成するとともに、シート状基材４０の一方の面上に、図２に示したメモリ回路ユニット３０を２列に整列形成する。
【００２６】
またこれと同時に、シート状基材４０の面上におけるメモリ回路ユニット３０の周囲に、幅０．６ｍｍ（シート状基材４０の厚さの３．７５倍）の帯状基材部分４２を隔てて電子回路ユニット３０の輪郭を取り囲む態様で補強用銅リング４３を形成する。
【００２７】
上記のようにメモリ回路ユニット３０および補強用銅リング４３を形成したシート状基材４０の面上には保護被膜が施され、かつ保護シートを挟んでリールに巻回した状態で磁気テープカートリッジの組立て工場に送られる。
【００２８】
磁気テープカートリッジの組立て現場では、上記シート状基材４０を上記パーフォレーション４１のうちの所定の一つ４１ａを基準として、図５に示すように、帯状基材部分４２上に補強用リング４３の内縁４３ａ側からＤ＝０．２ｍｍ（帯状基材部分４２の全幅Ｗの３３％に相当する）離れた位置に打抜きラインＣＬを設定して、メモリ回路ユニット３０の輪郭に沿ってシート状基材４０を打ち抜き、図２に示すようなメモリ素子３０Ａを得る。
【００２９】
上記帯状基材部分４２の全幅Ｗがシート状基材４０のの厚さの３乃至５倍の範囲内にあるとき、帯状基材部分４２上における打抜きラインＣＬの位置は、補強用リング４３の内縁４３ａから帯状基材部分４２の全幅Ｗの２０乃至４０％に相当する距離Ｄだけ離れた位置に設定するのが好ましく、上記距離Ｄを、帯状基材部分の全幅Ｗの２０％未満に相当する値に設定した場合には、打抜き部の切り口の毛羽立ちを防止することができても、補強用銅リング４３を打ち抜く虞れがあり、上記距離Ｄを、帯状基材部分の全幅Ｗの４０％を超える距離に相当する値に設定した場合には、補強用銅リング４３を打ち抜く虞れは回避できても、打抜き部の切り口の毛羽立ちを防止することが困難になり、最も好ましいには、Ｄ／Ｗ＝（３０±５）％であることが判明している。
【００３０】
なお、上述の実施の形態はメモリ素子の作成方法であるが、本発明の方法は、上記メモリ素子に類似した種々の電子回路素子の作成にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明により作成されるメモリ素子を備えた磁気テープカートリッジの分解斜視図
【図２】メモリ素子の拡大平面図および側面図
【図３】カートリッジケースにおけるメモリ素子の取付け状態を示す断面図
【図４】長尺のシート状基材の一方の面上に、多数の電子回路ユニットが整列形成された状態を示す部分的平面図
【図５】図４の要部拡大図
【符号の説明】
１    磁気テープカートリッジ
２    上ケース
３    下ケース
４    カートリッジケース
７    リール
３０    メモリ回路ユニット
３０Ａ    メモリ素子
３１      基板
３２      ＩＣチップ
３３      プリントアンテナ
３４      樹脂封止材料
４０      シート状基材
４１      パーフォレーション
４２      帯状基材部分
４３      補強用銅リング
ＣＴ      打抜きライン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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