(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器内に配置されてその内部にプロセスガスを供給する複数のガス分散孔を有する第１の電極と、第１の電極と所定間隔を空けて対向し且つ第１の電極との間でプラズマを発生させて被処理体にプラズマ処理を施す第２の電極と、これら両電極間のプラズマ処理を監視するために上記第１の電極に装着された計測光の光路を複数有する窓部材とを備え、上記第１の電極は、下面に凹陥部を有する電極本体と、この電極本体の下面に接合されて中空部を形成し且つ所定間隔を空けて規則的に形成された上記複数のガス分散孔を有する電極板と、を備えたプラズマ処理装置であって、
上記窓部材は、下端部が上記電極本体に形成された孔を貫通して上記電極板に達する本体と、上記本体の上端面に形成された凹陥部に嵌め込まれて密着する透明部材と、を有しており、
上記電極板には、一つの上記ガス分散孔を囲み且つこのガス分散孔と隣り合う他のガス分散孔との間に介在する開口部を複数設け、また、
上記窓部材の上記本体の下端部には上記電極本体の孔に嵌入する縮径部を設けると共にこの縮径部から上記複数の開口部それぞれに達する複数の突起を設け、更に、
上記窓部材の上記本体には上記凹陥部から上記複数の突起それぞれを上下に貫通して上記複数の開口部に至る複数の光路を設けた
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
上記窓部材の上記光路は、アスペクト比が７以上に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
処理容器内に配置された中空状の第１の電極の下面に形成された複数のガス分散孔を介して上記処理容器内にプロセスガスを供給し、第１の電極と所定間隔を空けて対向する第２の電極との間で発生するプラズマにより被処理体に施されるプラズマ処理を監視するために上記第１の電極に装着された計測光の光路を複数有するプラズマ処理監視用窓部材であって、
上記第１の電極は、下面に凹陥部を有する電極本体と、この電極本体に接合されて中空部を形成し且つ所定間隔を空けて規則的に形成された上記複数のガス分散孔を有する電極板と、を備えており、
上記窓部材は、下端部が上記電極本体に形成された孔を貫通して上記電極板に達する本体と、上記本体の上端面に形成された凹陥部に嵌め込まれて密着する透明部材と、を有しており、
上記電極板には、一つの上記ガス分散孔を囲み且つこのガス分散孔と隣り合う他のガス分散孔との間に介在する開口部を複数設け、また、
上記窓部材の上記本体の下端部には上記電極本体の孔に嵌入する縮径部を設けると共にこの縮径部から上記複数の開口部それぞれに達する複数の突起を設け、更に、
上記窓部材の上記本体には上記凹陥部から上記複数の突起それぞれを上下に貫通して上記複数の開口部に至る複数の光路を設けた
ことを特徴とするプラズマ処理監視用窓部材。
【請求項４】
上記窓部材の光路は、アスペクト比が７以上に形成されていることを特徴とする請求項３に記載のプラズマ処理監視用窓部材。
【請求項５】
下面に凹陥部を有する電極本体に接合されて上記凹陥部との間で形成された中空部を有する電極を形成し、且つ、上記電極の中空部からプロセスガスを吐出する複数のガス分散孔が規則的に形成されたプラズマ処理装置用の電極板であって、上記電極の上記電極本体側にはプラズマ処理を監視するために計測光の光路を複数有する窓部材が装着されており、
上記窓部材は、下端部が上記電極本体に形成された孔を貫通して上記電極板に達する本体と、上記本体の上端面に形成された凹陥部に嵌め込まれて密着する透明部材と、を有しており、
上記電極板には、一つの上記ガス分散孔を囲み且つこのガス分散孔と隣り合う他のガス分散孔との間に介在する開口部を複数設け、また、
上記窓部材の上記本体の下端部には上記電極本体の孔に嵌入する縮径部を設けると共にこの縮径部から上記複数の開口部それぞれに達する複数の突起を設け、更に、
上記窓部材の上記本体には上記凹陥部から上記複数の突起それぞれを上下に貫通して上記複数の開口部に至る複数の光路を設けた
ことを特徴とするプラズマ処理装置用の電極板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、プラズマ処理装置、プラズマ処理監視用窓部材及びプラズマ処理装置用の電極板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
特開平４−９４５３３号公報及び特開平１０−６４８８４号公報では、ウエハを載置する電極に対向する電極の中央部に光が透過する窓を設け、エッチング装置の外部からウエハに投光した光の反射光を装置の外部に設けた検出器で検出することによりエッチング状態をモニターする技術が提案されている。また、特開平２−２０１９２４号公報では、加熱式アッシング装置の外部からオゾン分散板に２本の光ファイバーを通し、一方の光ファイバーを介してオゾン分散板と対向するウエハに光を投光し、他方の光ファイバーを介してウエハからの反射光を装置の外部に設けた検出器で検出することによりアッシング状態をモニターする技術が提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特開平４−９４５３３号公報及び特開平１０−６４８８４号公報に記載のモニター技術の場合には、モニター用の窓の形態及び電極の形態によっては電極間の電界が大きく影響され、均一なプラズマ処理が難しくなるにも拘らず、これら両者の形態について何等考慮されていない。更に、後者の公報に記載のように光ファイバーが電極面まで達していると、光ファイバーによって電極間の電界が影響され、しかも光ファイバーに反応生成物が付着し、光の透過率が低下するにも拘らず、このような点について何等配慮されていない。また、特開平２−２０１９２４号公報に記載のモニター技術の場合には、光ファイバーがオゾン分散板を貫通し、光ファイバーがアッシング環境に曝されているため、反応生成物が光ファイバーに付着し、光の透過率が低下するにも拘らず、このような点について何等考慮されていない。
【０００４】
また、プラズマ処理装置の機種によっては電極全面にガス供給用の分散孔が形成されたものもある。このような機種のモニター用の窓は、モニターに必要な光量を確保するためにガス分散孔に比べて大きな監視用窓が必要になるため、複数のガス分散孔が監視用窓によって潰されて監視用窓の犠牲になり、犠牲になったガス分散孔からプロセスガスを供給することができなくなるため、電極間のプロセスガス濃度が不均一になり、ひいてはプラズマ密度が不均一になってプラズマ処理の均一性が損なわれるという課題があった。また、監視用窓の口径が大きいと、監視用窓の光路内へプラズマが拡散してプラズマ中の浮遊粒子や反応生成物が石英ガラスを短時間（例えば、３０分程度）で曇らし、ウエハＷの処理状況を短時間で監視できなくなるという課題があった。
【０００５】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、  監視用窓を設けても処理容器内にプロセスガスを均一に供給して均一なプラズマ処理を施すことができると共に長時間に渡って被処理体の処理状況を監視することができるプラズマ処理装置、プラズマ処理監視用窓及びプラズマ処理装置用電極板を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１に記載のプラズマ処理装置は、処理容器内に配置されてその内部にプロセスガスを供給する複数のガス分散孔を有する第１の電極と、第１の電極と所定間隔を空けて対向し且つ第１の電極との間でプラズマを発生させて被処理体にプラズマ処理を施す第２の電極と、これら両電極間のプラズマ処理を監視するために上記第１の電極に装着された計測光の光路を複数有する窓部材とを備え、上記第１の電極は、下面に凹陥部を有する電極本体と、この電極本体の下面に接合されて中空部を形成し且つ所定間隔を空けて規則的に形成された上記複数のガス分散孔を有する電極板と、を備えたプラズマ処理装置であって、上記窓部材は、下端部が上記電極本体に形成された孔を貫通して上記電極板に達する本体と、上記本体の上端面に形成された凹陥部に嵌め込まれて密着する透明部材と、を有しており、上記電極板には、一つの上記ガス分散孔を囲み且つこのガス分散孔と隣り合う他のガス分散孔との間に介在する開口部を複数設け、また、上記窓部材の上記本体の下端部には上記電極本体の孔に嵌入する縮径部を設けると共にこの縮径部から上記複数の開口部それぞれに達する複数の突起を設け、更に、上記窓部材の上記本体には上記凹陥部から上記複数の突起それぞれを上下に貫通して上記複数の開口部に至る複数の光路を設けたことを特徴とするものである。
【０００７】
また、本発明の請求項２に記載のプラズマ処理装置は、請求項１に記載の発明において、上記窓部材の上記光路は、アスペクト比が７以上に形成されていることを特徴とするものである。
【０００８】
また、本発明の請求項３に記載のプラズマ処理監視用窓部材は、処理容器内に配置された中空状の第１の電極の下面に形成された複数のガス分散孔を介して上記処理容器内にプロセスガスを供給し、第１の電極と所定間隔を空けて対向する第２の電極との間で発生するプラズマにより被処理体に施されるプラズマ処理を監視するために上記第１の電極に装着された計測光の光路を複数有するプラズマ処理監視用窓部材であって、上記第１の電極は、下面に凹陥部を有する電極本体と、この電極本体に接合されて中空部を形成し且つ所定間隔を空けて規則的に形成された上記複数のガス分散孔を有する電極板と、を備えており、上記窓部材は、下端部が上記電極本体に形成された孔を貫通して上記電極板に達する本体と、上記本体の上端面に形成された凹陥部に嵌め込まれて密着する透明部材と、を有しており、上記電極板には、一つの上記ガス分散孔を囲み且つこのガス分散孔と隣り合う他のガス分散孔との間に介在する開口部を複数設け、また、上記窓部材の上記本体の下端部には上記電極本体の孔に嵌入する縮径部を設けると共にこの縮径部から上記複数の開口部それぞれに達する複数の突起を設け、更に、上記窓部材の上記本体には上記凹陥部から上記複数の突起それぞれを上下に貫通して上記複数の開口部に至る複数の光路を設けたことを特徴とするものである。
【０００９】
また、本発明の請求項４に記載のプラズマ処理監視用窓部材は、請求項３に記載の発明において、上記窓部材の光路は、アスペクト比が７以上に形成されていることを特徴とするものである。
【００１０】
また、本発明の請求項５に記載のプラズマ処理装置用の電極板は、下面に凹陥部を有する電極本体に接合されて上記凹陥部との間で形成された中空部を有する電極を形成し、且つ、上記電極の中空部からプロセスガスを吐出する複数のガス分散孔が規則的に形成されたプラズマ処理装置用の電極板であって、上記電極の上記電極本体側にはプラズマ処理を監視するために計測光の光路を複数有する窓部材が装着されており、上記窓部材は、下端部が上記電極本体に形成された孔を貫通して上記電極板に達する本体と、上記本体の上端面に形成された凹陥部に嵌め込まれて密着する透明部材と、を有しており、上記電極板には、一つの上記ガス分散孔を囲み且つこのガス分散孔と隣り合う他のガス分散孔との間に介在する開口部を複数設け、また、上記窓部材の上記本体の下端部には上記電極本体の孔に嵌入する縮径部を設けると共にこの縮径部から上記複数の開口部それぞれに達する複数の突起を設け、更に、上記窓部材の上記本体には上記凹陥部から上記複数の突起それぞれを上下に貫通して上記複数の開口部に至る複数の光路を設けたことを特徴とするものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、図１〜図４に示す実施形態に基づいて本発明を説明する。
本実施形態のプラズマ処理装置は、例えば図１に示すように、処理容器１、接地された上部電極２、及び被処理体（例えば、ウエハ）Ｗの載置台を兼ねた下部電極３を備え、下部電極３に高周波電圧を印加することによりウエハＷのプラズマ処理（例えばエッチング処理）を行うようにしてある。上部電極２の中心にはプラズマ処理監視用の窓部材４が設けられ、この窓部材４を介してウエハＷのエッチング処理の終点をモニターするようにしてある。終点検出方法としては例えば処理容器１内のウエハＷの表面状態をモニターする方法や処理容器１内のプラズマをモニターする方法等がある。
【００１２】
ウエハＷの表面状態をモニターする前者の方法としては例えば光学的反射によるレーザ干渉を利用した方法が用いられている。この方法では、図１に示すようにエッチング中に例えばレーザ測定器５のＨｅ−Ｎｅ光源から処理容器１内のウエハＷ表面にレーザ光Ｌを照射しその反射する干渉光をレーザ干渉計により測定し、干渉光の変化から膜厚のin situ変化を図示しない終点検出装置を介して検出している。レーザ干渉計は、例えば、ハーフミラー、ミラー及びフォトセンサを備えている。尚、図１において、６はプロセスガスを供給するガス供給管、７は処理容器１内のガスを排出するガス排出管である。
【００１３】
また、プラズマをモニターする後者の方法としては例えば質量分析、発光分光分析等の機器分析手法が用いられており、それらの中でも比較的簡易で高感度なプラズマの発光分光分析が終点検出方法として広く用いられている。この場合には処理容器周面に設けられた監視用窓から特定の発光スペクトルを採光し、その特定波長の発光強度の変化を測定することにより終点を検出している。例えば、ＣＦ４等のＣＦ系のエッチング用ガスを用いてシリコン酸化膜をエッチングする場合の終点検出には反応生成物であるＣＯ*の特定波長（４８３.５ｎｍ等）を検出している。
【００１４】
ところで、本実施形態では、上部電極２及び窓部材４に特徴を有し、後述するように窓部材４はガス分散孔の配列を乱すことなく、換言すれば本来必要なガス分散孔の数を犠牲にするこなく上部電極２に形成され、エッチング用ガスを上部電極２の各ガス分散孔から均一に供給し、しかも長時間に渡ってエッチング状況をモニターできるようになっている。
【００１５】
即ち、本実施形態の上部電極２は、図１、図２に示すように、処理容器１の上壁の中央部分を形成し且つ下面に凹陥部が形成された電極本体２Ａと、この電極本体２Ａの下面にネジ等の締結部材９で着脱可能に接合されて凹陥部を被う電極板２Ｂとを有し、凹陥部でプロセスガスを受け入れる空間２Ｃが形成されている。電極本体２Ａは例えばアルマイト処理されたアルミニウムにより形成されている。この電極本体２Ａの中心から偏倚した位置には図１に示すようにガス供給管６が接続されている。電極板２Ｂは例えばアルマイト処理されたアルミニウム、シリコン、シリコンカーバイトあるいはカーボンにより消耗品として例えば２５０ｍｍ径で形成されている。この電極板２Ｂの全面には図１、図２に示すように例えば０．８ｍｍ径のガス分散孔２Ｄがマトリックス状に配置されて多数形成されている。従って、ガス供給管６から上部電極２Ｂ内へエッチング用ガスを供給すると、エッチング用ガスは電極板２Ｂの各ガス分散孔２Ｄから下部電極３に向けて均一に吐出する。
【００１６】
また、図３、図４に拡大して示すように電極本体２Ａの中心には孔２Ｅが形成され、この孔２Ｅには本実施形態の窓部材４が着脱可能に装着されている。この窓部材４には例えば４個の円形の光路１１がレーザ光の導入出路として形成されている。電極板２Ｂには光路１１と同一径の開口部２Ｆが４個の光路１１に対応してそれぞれの真下に形成され、４箇所の連続する開口部２Ｆ及び光路１１によりモニターに必要なレーザ光量が入出射し、レーザ計測器５を用いて処理容器１内で処理されるウエハＷの膜厚変化をin situで計測するようにしてある。開口部２Ｆ及び光路１１はいずれも例えば５ｍｍ径に形成されている。しかも開口部２Ｆは、図２に示すように、ガス分散孔２Ｄを潰すことなく隣合うガス分散孔２Ｄの間に形成され、電極板２Ｂ全面からエッチング用ガスを均一に供給できるようになっている。
【００１７】
ところで、上記窓部材４は、図３に示すように、電極本体２Ａの孔２Ｅに装着された本体４Ａと、この本体４Ａの上面に形成された凹陥部４Ｂに装着された透明部材例えば石英ガラス４Ｃと、この石英ガラス４Ｃを凹陥部４Ｂ内に固定するリング状の押さえ部材４Ｄとを備え、４個の光路１１はそれぞれ本体４Ａを上下方向に貫通している。本体４Ａはアルマイト処理されたアルミニウムやセラミックス等の耐食性材料によって形成されている。また、本体４Ａは反応生成物の付着によりレーザ測定器５への入射光量が影響を受けないように非透光性材料によって形成されている。本体４Ａの上面及び凹陥部４Ｂの底面は同図に示すように互いに平行で、水平面に対して多少傾斜している。石英ガラス４Ｃは凹陥部４Ｂの傾斜した底面に固定されているため、石英ガラス４Ｃを入出射するレーザ光は石英ガラス４Ｃにおいて表面からの反射光を低減し、膜厚変化の計測を阻害しないようになっている。また、図示してないが、本体４Ａは電極本体２Ａに対してネジ等の締結部材で固定され、押さえ部材４Ｄは本体４Ａに対してネジ等の締結部材で固定されている。
【００１８】
また、上記本体４Ａの下部には円柱状の縮径部４Ｅが形成され、この縮径部４Ｅの周囲にはフランジ部が形成され、窓部材４を上部電極２に装着した時には縮径部４Ｅが上部電極２の孔２Ｅに嵌入すると共にフランジ部が電極本体２Ａと密着するようになっている。縮径部４Ｅの下面は電極本体２Ａの内面と面一になっている。この縮径部４Ｅの下面には４箇所の開口部２Ｆにそれぞれ対応する４個の円形突起４Ｆが突出部として光路１１より大径に形成され、これらの円形突起４Ｆの中心を光路１１がそれぞれ貫通している。そして、同一口径の開口部２Ｆ及び光路１１は互いに連接されてレーザ光の光路として一体化し、光路１１の上端が本体４Ａの凹陥部４Ｂで開口している。開口部２Ｆ及び光路１１からなる一体化した光路の長さと直径の比（アスペクト比）は約９．８に形成され、処理容器１内で発生したプラズマ中の浮遊粒子や反応生成物が光路を拡散し難くしてあり、ひいて浮遊粒子や反応生成物の石英ガラス４Ｃへの付着、堆積を抑制するようになっている。石英ガラス４Ｃへの浮遊粒子や反応生成物の付着、堆積を防止するためには、光路のアスペクト比は少なくとも７以上に設定することが好ましい。
【００１９】
また、上記電極板２Ｂの内面には４箇所の開口部２Ｆを囲む溝２Ｇがそれぞれ形成され、これらの溝２ＧにはＯリング等のシール部材２Ｈが装着されている。また、電極本体２Ａの外面には孔２Ｅを囲む溝２Ｉが形成され、この溝２ＩにはＯリング等のシール部材２Ｊが装着されている。従って、窓部材４を上部電極２に装着して本体４Ａの縮径部４Ｅ上部電極２の孔２Ｅに嵌入すると、本体４Ａのフランジ部及び円形突起４Ｆがそれぞれ電極本体２Ａの外面及び電極板２Ｂの内面に接触し、それぞれの箇所のシール部材２Ｉによって上部電極２の空間２Ｃを処理容器１の内部空間から遮断している。更に、窓部材４の凹陥部４Ｂの底面には４個の光路１１を囲む溝４Ｇが形成され、この溝４ＧにはＯリング等のシール部材４Ｈが装着され、処理容器１内を外部から遮断している。
【００２０】
次に、動作について説明する。処理容器１内を所定の真空度に保ち、ウエハＷを下部電極３に載置した状態でエッチング用ガスを上部電極２の空間２Ｃ内に供給すると、図１の矢印で示すようにエッチング用ガスは電極板２Ｂの各ガス分散孔２Ｄから処理容器１内へ吐出する。ガス分散孔２Ｄは開口部２Ｆの犠牲になることなく、マトリックス状に電極板２Ｂ全面に均等に配置されているため、上部電極２の電極板２Ｂ全面から処理容器１内へ均一に供給され、処理容器１内の上部電極２と下部電極３の間でプラズマを発生する。この際、開口部２Ｆは径が小さいため、電極板２Ｂの電界に悪影響を及ぼすことがなく、均一なプラズマを発生し、ウエハＷに対して均一なエッチングを施すことができる。
【００２１】
この際、ウエハＷ表面をモニターするためのレーザ光は窓部材４の光路１１及び電極板２Ｂの開口部２Ｆを介して処理容器１内のウエハＷ表面へ入射し、その反射光が開口部２Ｆ及び光路１１から出射してレーザ干渉計へ入射しウエハＷの膜厚のin situ変化をモニターすることができる。連続する光路１１及び開口部２Ｆからなる光路はアスペクト比が大きいため、プラズマ中の浮遊粒子、反応生成物は光路内を拡散し難く、これらが石英ガラス４Ｃへ付着、堆積するのを抑制することができ、石英ガラス４Ｃを透明度を長時間に渡って維持し、レーザ干渉計を長時間使用することができ、ひいては長時間に渡ってエッチングの終点検出を行うことができる。
【００２２】
エッチングを長時間に渡って実施し、電極板２Ｂに反応生成物等が付着した場合には電極板２Ｂを電極本体２Ａから取り外してクリーニングすることができ、また、長時間の実施により電極板２Ｂがプラズマのスパッタリング作用により損傷した場合には新規の電極板２Ｂと交換することができる。
【００２３】
以上説明したように本実施形態によれば、必要光量を確保できる４個の開口部２Ｆをガス分散孔２Ｄの間にその配列を犠牲にすることなく介在させて上部電極２に設け、これらの開口部２Ｆを窓部材４の４個の光路１１にそれぞれ連接したため、電極板２Ｂにモニター用の開口部２Ｆを設けても電極板２Ｂから処理容器１内にエッチング用ガスを均一に供給することができ、ひいてはウエハＷに対して均一なエッチングを施すことができる。
【００２４】
また、本実施形態によれば、窓部材４の本体４Ａと電極板２Ｂの接合面にシール部材２Ｈを介在させ、窓部材４の光路１１を周囲の分散孔２Ｄから遮断してあるため、上部電極２の内部空間２Ｃから窓部材４の光路１１内へプロセスガスが入り込むことがなく、エッチング用ガスを上部電極２内から処理容器１内へ漏れなく確実に供給することができ、エッチング用ガスを電極板２Ｂから更に均一に供給することができる。
【００２５】
また、本実施形態によれば、測定光の光路がアスペクト比の高い、プラズマの拡散し難い細長形状の開口部２Ｆ及び光路１１から形成されているため、プラズマ中の浮遊粒子や反応生成物が窓部材４の石英ガラス４Ｃに付着、堆積し難く、石英ガラス４Ｃの透明度を長時間に渡って維持することができ、ウエハの処理状況を長時間に渡って監視することができる。
【００２６】
尚、本発明は上記実施形態に何等制限されるものではなく、必要に応じて各構成部材を適宜設計変更することができる。例えば、本実施形態では上部電極２の中央に一つの窓部材４を設けた場合について説明したが、窓部材は他の場所に設けても良く、また、窓部材を複数箇所に設けても良い。本実施形態では４個の開口部２Ｆを設けた場合について説明したが、光量に応じてその数を増減することができ、また、電極板２Ｂにはガス分散孔２Ｄをマトリックス状に配列した場合について説明したが、それ以外の配列であっても良い。また、上記実施形態では終点検出用としてレーザ光を照射する場合について説明したが、その他の白色光等の測定光として使用できるものであれば良く、また、ウエハをエッチングするプラズマ処理装置について説明したが、本発明はエッチング以外でプラズマを使用するプラズマ処理装置に広く適用することができる。また、本発明はウエハ以外の処理装置にも適用することができる。
【００２７】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の請求項１、請求項３及び請求項５に記載の発明によれば、監視用窓を設けても処理容器内にプロセスガスを均一に供給して均一なプラズマ処理を施すことができると共に長時間に渡って被処理体の処理状況を監視することができるプラズマ処理装置、プラズマ監視用窓部材及びプラズマ処理装置用の電極板を提供することができる。
【００２８】
また、本発明の請求項２または請求項４に記載の発明によれば、請求項１または請求項３に記載の発明において、より確実に長時間に渡って被処理体の処理状況を監視することができるプラズマ処理装置及びプラズマ監視用窓部材を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のプラズマ処理装置の一実施形態を示す概念図である。
【図２】図１に示すプラズマ処理装置の上部電極の電極板を示す平面図である。
【図３】図１に示すプラズマ処理装置の上部電極の要部を拡大して示す断面図である。
【図４】図３の下方からの平面図である。
【符号の説明】
１ 処理容器
２ 上部電極（第１の電極）
２Ｂ 電極板（プラズマ処理装置用の電極）
２Ｄ ガス分散孔
２Ｆ 開口部
３ 下部電極（第２の電極、他の電極）
４ 窓部材
１１ 光路
Ｗ ウエハ（被処理体）
【図１】
0004055880.tif 000002
【図２】
0004055880.tif 000003
【図３】
0004055880.tif 000004
【図４】
0004055880.tif 000005