(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
面発光素子からの出射光を反射させるための光通信用の光路変換体であって、本体の設置面と該設置面の背面を略平行に形成して成るとともに、前記本体の一側面を前記設置面と１３３°〜１３７°の角度を成す素子配設面とし、前記素子配設面に前記面発光素子から出射光を受光してモニタするとともに、該出射光の一部を反射させる受光素子が配設され、前記素子配設面と前記本体の設置面との間に、オーミックコンタクト用の不純物拡散領域が形成されていることを特徴とする光路変換体。
【請求項２】
前記本体の設置面と該設置面の背面をダイシング加工により形成したことを特徴とする請求項１に記載の光路変換体。
【請求項３】
高低差のある高位置面及び低位置面を形成した基板の低位置面に、面発光素子及び該面発光素子の出射光を反射させる請求項１または２に記載の光路変換体を配設するとともに、前記高位置面に前記光路変換体からの反射光を入射させる光伝送体を配設したことを特徴とする光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信及び光情報通信分野等において使用される光路変換体及びそれを用いた光モジュールに関する。
【０００２】
【発明の背景】
表面実装型の光伝送モジュールにおいて、動作電流や温度特性に優れた面発光レーザー（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ｃａｖｉｔｙ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｓｅｒ、以下、ＶＣＳＥＬともいう）の出射光を、所定形状の基体の反射面により光路を変えて、光ファイバ等の光素子に光学的接続を容易に行わせることが可能である。また、基体の反射面となる面に受光素子を搭載することで、ＶＣＳＥＬの出力監視が容易になる。
【０００３】
ところで、上述の光路変換体を、光伝送モジュールの基板として好適に用いられる単結晶シリコンで形成する場合、例えば特開平１１−１１２０１４号に開示されているように、光路変換体の反射面は基板の異方性エッチングで形成することにより、高精度に平坦な反斜面を作製できる。
【０００４】
しかし、基板を異方性エッチングにより高精度に平坦な反斜面を作製するには、不純物の少ない基板を選択しなければならず、そのための製法が限定されしかもコスト高となる。すなわち、例えばＦＺ（フローティング・ゾーン）法によって製作された、コストの高い単結晶シリコン基板が選ばれる。これは、例えばＣＺ（チョコラルスキー）法などの比較的安価な手法によって製作されたシリコン基板は、製法プロセス上、不純物が混入し、結晶中に欠陥を作りやすいためである。このような欠陥は異方性エッチングの際に、エッチング面にピットを形成し、平坦な反斜面が作製できない。
【０００５】
また、上記ＦＺ法で製作された単結晶シリコン基板を用いた場合でも、高精度に平坦な反斜面を作製するには、エッチング条件を最適化しなければならず、このような最適化は容易ではない。
【０００６】
また、異方性エッチング技術を用いる場合、一般に使用されている単結晶シリコン基板と異なった基板の面方位とオフ角度に限定する必要があり、コスト高につながる。
【０００７】
また、光路変換体の反射面を形成するためには、長時間の異方性エッチングを行い、深い溝に形成された広い傾斜面、つまり反射面でなければ、光路変換体の高さを精度良く設計・作製しないと光路変換体の機能が不十分となる。
【０００８】
また、受光素子のような光半導体素子を上記のような光路変換体を利用して搭載する場合、異方性エッチングで形成された面に搭載することになり、この面は基板表面に対し傾斜しているので、多数の光半導体素子を精度良く搭載するのが困難であるという問題が生じる。
【０００９】
また、光路変換体の実装基板への搭載時に、光路変換体を実装基板へマウントする際に加圧・密着させることになるため、光路変換体のエッジ部で、受光素子に接続する電極配線が断線する恐れがあるという問題があった。
【００１０】
また、ＬＤ（レーザーダイオード）やＰＤ（フォトダイオード）のサブキャリアよりも大きな光路変換体を実装基板へ搭載するために、従来のダイボンディング条件では実装基板との密着力が不十分となり、光路変換体が離脱する恐れがあるという問題があった。
【００１１】
さらに、例えば特開平１１−１２１８６３号に開示されている上面が突出した形の光路変換体は、平面を吸着して本体を操作するコレットでは操作性が悪く、実装基板への加圧・密着が困難である。
【００１２】
そこで本発明では、上述の問題を解消し、光路変換体を容易にかつ迅速に提供でき、さらに、面発光素子と光伝送体との光接続を高効率にできる信頼性の高い光モジュールを提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の光路変換体は、面発光素子からの出射光を反射させるための光通信用の光路変換体であって、本体の設置面と該設置面の背面を略平行に形成して成るとともに、前記本体の一側面を前記設置面と１３３°〜１３７°の角度を成す素子配設面とし、前記素子配設面に前記面発光素子から出射光を受光してモニタするとともに、該出射光の一部を反射させる受光素子が配設され、前記素子配設面と前記本体の設置面との間に、オーミックコンタクト用の不純物拡散領域が形成されていることを特徴とする。特に、光反射面は研磨された平滑なシリコン単結晶表面とする。
【００１４】
また特に、前記柱状をなす本体の上下面（本体の設置面と該設置面の背面）はダイシング加工で形成し、その表面粗さＲａ（算術平均粗さ）は１０００Å〜５０００Åとなる。
【００１５】
また、本発明の光路変換体の製造方法は、単結晶ウエハの両主面上に交互に位置するＶ溝を複数条に形成することにより断面が平行四辺形状の柱状部を形成する工程を含み、柱状をなす本体の研磨された平滑な単結晶基板表面の一部を入射光を所定方向へ光路変換させるための光反射面または光半導体素子を設ける素子配設面とする。
【００１６】
また、本発明の光モジュールは、高低差のある低位置面及び高位置面を形成した基板の低位置面に面発光素子及び該面発光素子の出射光を反射させる光路変換体を配設するとともに、前記高位置面に前記光路変換体からの反射光を入射させる光伝送体を配設したことを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に係る実施形態の例について模式的に示した図面に基づき詳細に説明する。
【００１９】
図１に本発明を説明するための光モジュールＭ１の断面図を示す。光モジュールＭ１は、高低差のある低位置面１ａ及び高位置面を形成した基板１の低位置面１ａに、面発光素子３、及び面発光素子３の出射光Ｌ１を反射させる光路変換体２をそれぞれ配設し、高位置面に形成され光軸に直交する断面形状がＶ字状を成す搭載用溝１ｂに、光路変換体２からの反射光Ｌ２を先端４ａに入射させる光ファイバやその他の光導波路体から成る光伝送体４を配設している。
【００２０】
ここで、光路変換体２は上下の２主面が平行な柱状である。すなわち、本体の設置面（下面）２ｂと該設置面の背面（上面）２ａを略平行に形成して成り、さらに本体の一側面を面発光素子３の光反射面（以下、傾斜面ともいう）２ｃとし、この傾斜面と下面２ｂとの成す角度αを１３３°〜１３７°としている。この本体の上下面２ａ，２ｂがダイシング加工で形成されている。また、側面の研磨された平滑なシリコン単結晶基板表面である傾斜面２ｃが、面発光素子３からの入射光Ｌ１を所定方向へ光路変換させるための光反射面または受光素子等の光半導体素子を配設するための素子配設面としている。
【００２１】
この光路変換体２において、特に本体が単結晶シリコンから成り、傾斜面２ｃが単結晶基板表面から４３°〜４７°傾斜させた面（α＝１３３°〜１３７°）であると、面発光素子３からのほぼ垂直な出射光を、光路変換体２の傾斜面２ｃで８６°〜９４°の角度で光路変換させて（略水平方向へ）水平に配設された光伝送体４へ入射させることができ、効率よく光接続できる。このように、光ファイバの開口比を考慮して、光反射面は入射光に対して９０±４°の角度で光路変換させるように形成されているとよい。
【００２２】
光路変換体２は、以下のようにして製造される。まず、図２に平面図、図３に図２のＡ−Ａ’線断面図にて示すように、単結晶ウエハＷの両主面１０，１４に対し、所定のフォトレジスト１１により形成された線をマーカーとし、先端の角度が９０°を有するＶ状の砥石を利用したダイシングによる機械加工を施すことにより、両主面１０，１４上に交互に位置するＶ溝１２を所定方向に複数条に形成する。これにより、Ｖ溝１２の両側に形成され断面が平行四辺形状となる柱状部１３が形成される。
【００２３】
なお、光路変換体２の傾斜面２ｃは光反射面とし、または光半導体素子を高精度に配設する面とするため、単結晶ウエハの一主面１０は、ＭＣＰ（メカノケミカルポリッシュ）により鏡面（算術平均粗さＲａが１００Å以下）に研磨されたものを用いる。
【００２４】
次に、柱状部１４の両側に示したラインＤにおいてダイシングすることにより個々の柱状部１４を分離する。なお、図３において、θは４４．０°±１．０°あるいは４６．０°±１．０°となる。先端が角度９０°を有するＶ状の砥石を利用したダイシングでは、砥石の精度、機械の加工精度によりθは±１．０°の幅が発生するためである。また、θの中心値を４４．０°あるいは４６．０°とするのは、光ファイバの光学軸に対して光線が垂直に入射した場合、反射戻り光が入射光と同じ経路に発生し、その戻り光がＶＣＳＥＬ表面で反射して再び光ファイバに結合されるのを防ぐ目的としている。このような戻り光の光ファイバへの結合効率が高い場合、光モジュールの特性を大きく劣化させることになる。特に、伝送速度が高い場合は、このような反射光を十分に小さくする必要がある。
【００２５】
このようにして得た、柱状をなす本体の研磨された平滑なシリコン単結晶基板表面の一部を、入射光を所定方向へ光路変換させるための光反射面、または光半導体素子を設ける素子配設面とする。
【００２６】
面発光素子３は、例えばＶＣＳＥＬを用いるが、実装基板表面に対し法線方向に発光している形状であれば適用可能である。
【００２７】
光伝送体４は、光ファイバのほかに各種形状の光導波路体や基板１に直接形成した光導波路であってもよい。
【００２８】
かくして、異方性エッチング技術を用いた傾斜面を光反射用の斜面として用いず、片面研磨されたウエハの一主面を光反射面または光半導体素子の素子配設面とすることができ、平坦性の優れた光反射面（または素子配設面）を備えた優れた光路変換体を提供できる。
【００２９】
また、光路変換体２の基板１と接する面２ｂは、ダイシング加工の結果、斜面の表面の算術平均粗さＲａは約１０００Å〜５０００Åとなり、研磨された基板表面の算術平均粗さＲａに比べ１０倍以上大きい。そのため、半田膜に接する面積が広く、接着力が大きくなり信頼性の高い光モジュールが作製可能となる。
【００３０】
また、光路変換体はウエハプロセスによる一括作製が可能なため、非常に低コストに作製可能である。
【００３１】
また、ウエハ面方位により入射光に対して所定角度で光路変換させる光路変換体を提供できるため、任意の傾斜角を形成でき、面発光素子からの出射光を効率的に入射光学系へ入射する光学系を提供できる。
【００３２】
さらに、光路変換体として単結晶シリコンを用いることにより、光半導体素子をシリコン基板上に直接形成したり、光半導体素子としてシリコンとは異なる化合物半導体材料を用いる場合、別の化合物半導体基板上に複数の光半導体素子を形成し、複数の光路変換体が形成されたシリコン基板表面へ、一括して貼り合わせる接着が可能なため、実装コストを削減した優れた受光素子付き光路変換体が実現される。
【００３３】
次に、本発明に係る実施形態について説明する。
【００３４】
図４に斜視図にて示すように、光路変換体２の研磨された平滑なシリコン単結晶基板表面である傾斜面（素子配設面）２ｃに、フォトダイオード等の受光素子である光半導体素子５を配設し、さらに、この光半導体素子５の電気信号線路，電流供給線路である電極パターン７，８を形成している。ここで、５ａは受光部、５ｂは電極パッドであり、電極パッド５ｂと電極パターン８とがボンディングワイヤ９で接続されている。
【００３５】
また、光路変換体２において、その本体の下面２ｂと傾斜面２ｃとの間、すなわち、傾斜面２ｃとエッチング面である下面２ｂとの境界部において、オーミックコンタクト用の不純物拡散領域が形成されている。
【００３６】
このようにして構成した光路変換体２を用い、図５に断面図にて示すように、光モジュールＭ２は、高低差のある低位置面及び高位置面を形成した基板１の低位置面１ａに、面発光素子３及びこれからの出射光を反射させる光路変換体２を配設するとともに、前記高位置面に光路変換体２からの反射光を入射させる光伝送体４を配設している。なお、光モジュールＭ２において、光路変換体２に光半導体素子５を配設すること以外の構成は、図１に示す光モジュールＭ１とほぼ同様であり、同一構成要素については同一符号を付し説明を省略する。
【００３７】
かくして、光モジュールＭ２によれば、光モジュールＭ１と同様な効果を奏する上に、傾斜面と光路変換体の下面との間に所定以上（例えば１×１０18ｃｍ-3以上）の不純物濃度が拡散されているため、金属薄膜等で形成される受光素子の電気信号線路、電流供給線路を２面に形成する必要が無くなり、電気配線が光路変換体のエッジで断線することがない。
【００３８】
以上のように、本発明の光路変換体によれば、断面が平行四辺形状であるために、従来のボンディング装置のコレットで操作でき、精度良く実装基板にマウントすることが可能な光路変換体を提供できる。
【００３９】
また、本発明の光路変換体によれば、基板の面方位に強く依存する異方性エッチング技術の代わりにダイシング加工を用いることにより、基板の面方位や加工方向さらにエッチング条件を最適化することなく傾斜面を形成することができ、非常に低コストの光路変換体が作製可能である。
【００４０】
また、本発明の光路変換体によれば、光路を変換させる反射面に相当する傾斜面の角度を４４．０°±１．０°あるいは４６．０°±１．０°とし、ファイバ表面での反射戻り光の影響を抑えることにより特性の優れた光モジュールを提供することができる。
【００４１】
また、本発明の光路変換体及びその製造方法によれば、ウエハプロセスによる一括作製が可能なため、非常に低コストの光路変換体が作製可能である。
【００４２】
また、本発明の光路変換体によれば、機械加工を用いて作製した傾斜面の粗さを利用して実装基板との接着力を増すことが可能となり、信頼性の向上した光モジュールを提供できる。
【００４３】
また、本発明の光路変換体によれば、ウエハ面方位により入射光に対して所定角度で光路変換させるようにできるため、面発光素子からの出射光を効率的に入射光学系へ効率的に光接続できる光モジュールを提供できる。
【００４４】
また、本発明の光路変換体において、素子配設面に受光素子が配設させることにより、面発光素子の出射光を精度よくモニタすることができるとともに、受光素子からの反射光を効率的に光伝送体へ入射させることが可能な優れた光モジュールを提供できる。
【００４５】
さらに、本発明の光路変換体の下面と素子配設面との間に、オーミックコンタクト用の不純物拡散領域が形成されているので、金属薄膜で光半導体素子の電極パターンを光路変換体の２面に形成する必要が無くなり、光路変換体のエッジで金属薄膜の断線がない信頼性に優れた光モジュールを提供できる。
【００４６】
【実施例】
次に、本発明の光モジュールをより具体化した参考例および実施例について説明する。
＜参考例＞
図１に示す光モジュールＭ１において、単結晶シリコンから成り高低差のある基板１の低位置面１ａに光路変換体２及び面発光レーザー３が配設され、基板１の高位置面に形成された断面Ｖ字形状の搭載溝１ｂに光ファイバ４が配設されたものとした。
【００４７】
ここで、基板１は特に材質がＣＺ法で作製されたコストが安いことに特徴のあるシリコンを用い、段差は異方性エッチングにより形成した。また、光ファイバ４の搭載溝１ｂは異方性エッチングにより形成した。また、面発光レーザー３はＧａＡｓ系材料を用いた。
【００４８】
また、光路変換体２は以下のようにして作製した。
【００４９】
まず、図２に示すように、ＭＣＰにより鏡面に研磨された表面１０が（１００）面を有するウエハＷを用い、表裏面において、フォトリソグラフィー技術により、［１１０］方向へ沿って直線状にフォトレジスト１１を等間隔に被着形成し、このラインをマーカーとして、先端が角度９０°を有するＶ状の砥石を利用したダイシングによる機械加工を施した。これにより、図３に示すように、単結晶基板表面（１００）面に対してθは４４．０°の傾斜を有する断面Ｖ字状の溝１２が形成された。
【００５０】
この時、シリコン基板表面の面方位は（１００）以外であっても、断面Ｖ字状の溝の方向が［１１０］方向以外であっても、研削面端部のチッピングも大きな差異は認められない。その為、特定の基板面方位および溝方向は限定されることはない。
【００５１】
また、４４．０°斜面を有する光路変換体用柱状体１３を形成するように、表面１０と裏面１４でフォトレジスト１１の形成領域をずらした。
【００５２】
次に、光路変換体用柱状体１３の上下面１０，１４に光反射膜を形成するべく金属薄膜を形成した。ここで、金属薄膜の最上層には反射率の高いＡｕを用いた。また、この最上層金属膜をウエハＷのシリコン基体上に有効に形成させるために、最上層金属薄膜とシリコン基体の間に下地金属膜としてＣｒ層を用い、シリコン基体表面にシリコン酸化膜層を形成した。金属薄膜の合計膜厚は約１μｍとした。
【００５３】
そして、図３に示すラインＤに沿って、ダイシングにより切断を行い、個々の光路変換体となるように切り分けて作製できた。
【００５４】
次に、こうして作製された光路反射体２は、図１に示すように、実装基板である基板１上の位置合わせマーカー（不図示）を利用して、正確に位置決めし実装固定した。この際の固定材にはＡｕＳｕ系の半田を用いた。この時、基板１と接する面は表面粗さが斜面の表面の算術平均粗さＲａは約２０００Åであり、研磨された基板表面の算術平均粗さＲａに比べ１０倍以上大きいものであった。そのため、半田膜に接する面積が広く、接着力が大きくなり信頼性の高い光モジュールを作製することができた。
【００５５】
また、面発光レーザー３を加圧・密着させ、実装する基板１に形成された薄膜半田（不図示）を溶解・冷却し、基板１上に実装固定した。次いで、光ファイバ４を搭載用溝１ｂ上に搭載し、例えば樹脂、或いはガラス板等の平板基板で押圧固定する等の方法で実装固定した。
【００５６】
かくして、この参考例で得た光モジュールＭ１によれば、光反斜面はミラー加工された｛１００｝面を利用するので、高精度に平坦化された反斜面を実現できる。また、光路反射体はシリコンウエハの両面からＶ溝形状のダイシングを行うことにより、断面が略平行四辺形で、光路変換体の上面が平坦になることから、光路変換体は従来のダイボンディング技術による高精度の実装も可能となった。
【００５７】
＜実施例＞
次に、図４及び図５に示した実施例について説明する。
【００５８】
光路変換体２の作製は参考例と同様にして行った。
【００５９】
そして、図４に示すように、光路変換体２の斜面２ｃに、光半導体素子５を以下のようにして配設した。
【００６０】
また、図５に示す光モジュールＭ２は、光路変換体２に光半導体素子５を配設し、その配線等を施した以外については、既に説明した光モジュールＭ１と同様に構成した。
【００６１】
この実施例では、光路変換体２の光反射面である傾斜面２ｃと下面２ｂの境界部分にＢ（ボロン）をイオン注入し、その不純物濃度を１×１０18ｃｍ-3以上とした。なおこの時、Ａｌなど半導体の不純物であればＢ以外でも良い。
【００６２】
次いで、光半導体素子５用の電気信号線路７、電流供給線路８を金属薄膜で形成した。この金属薄膜は上層／下層で、Ａｕ／Ｃｒとし、その厚みは合計で約１μｍとした。このとき、各線路の一端は不純物拡散領域２０，２１まで配置した。
【００６３】
そして、別の半導体基板、例えばｎ+型ＧａＡｓ基板上に厚み１．０μｍ、不純物濃度１×１０18ｃｍ-3のｎ型ＧａＡｓ層、厚み４．０μｍ、不純物濃度１×１０15ｃｍ-3のｉ型ＧａＡｓ層、厚み０．５μｍ、不純物濃度１×１０15ｃｍ-3のｉ型ＧａＡｓ層を形成し、最上層のｐ型ＧａＡｓ層の窓部からｐ型不純物のＺｎを約０．５μｍ拡散し、メサエッチ後、ｐ，ｎ電極を形成し、フォトダイオードである光半導体素子５を作製した。
【００６４】
その後、光ファイバへの反射する所望の光強度を得るために、上記の光半導体素子５上へ高屈折材料、低屈折材料を用いた誘電体多層膜を真空蒸着により作製しても良い。ここで、光半導体素子５は、ＧａＡｓ以外のＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰなどの化合物半導体材料でも、また、ＰＩＮ型フォトダイオード以外のアバランシェ・フォト・ダイオードなど、フォトダイオードの機能を有するものであれば良い。
【００６５】
そして、光半導体素子５を形成したＧａＡｓ基板表面とガラス基板をＷＡＸで固定した後、光半導体素子形成領域を残し、ＧａＡｓ基板をエッチング除去した。
【００６６】
さらに、ガラス基板に固定された光半導体素子を、シリコン基板表面の反射面に位置合わせし、水素結合により接触させ、ＷＡＸを除去し、３００〜４００℃の熱処理を行い、光半導体素子５を水素結合だけでなく、酸素を介してさらに強固に接着させた。同時に、受光素子の電気信号線路７、電流供給線路８と光路変換体２の不純物拡散領域２０，２１もアニールされ、オーミック接合された。
【００６７】
また、接着部材６を用いる場合は、ＡｕＳｉ系、ＡｕＳｕ系、ＰｂＳｎ系、Ｉｎ系の半田等を用いても、実装強度や信頼性に優れた実装が行える。
【００６８】
このようにして得た受光素子付き光路変換体２は、実装基板１上の位置合わせマーカー（不図示）を用いて、正確に位置決めし実装した。その後、光半導体素子が搭載された光路変換体と実装基板に対して３００〜４００℃の熱処理を行い、実装基板上の電気信号線路、電流供給線路と受光素子の不純物拡散領域をアニールすることによりオーミック接合された。
【００６９】
かくして、光モジュールＭ２によれば、光モジュールＭ１の作用・効果に加えて、以下のような効果を奏する。すなわち、受光素子はダイシング・カット前のシリコン基板表面に基板同士の貼り合わせで一括接着させるために、従来、個々の受光素子をエッチングされた斜面に実装するのに比べて、実装時間の削減・高精度の実装が実現できた。
【００７０】
さらに、受光素子を他の基板で作製したが、シリコン基板表面に固相拡散やイオン注入などの技術を用いて、シリコンのフォトダイオードを形成しても、実装時間の削減・高精度の実装が実現できた。
【００７１】
また、受光素子付き光路変換体の端部に存在する高濃度の不純物領域を介して、実装基板と受光素子付き光路変換体の電極が結合される。その結果、受光素子付き光路変換体のエッジ部に電極が配線されていないことから断線することがなくなる。
【００７２】
【発明の効果】
本発明の光路変換体によれば、例えば断面が平行四辺形状とすることができ、従来のボンディング装置のコレットで操作でき、精度良く実装基板にマウントすることが可能な光路変換体を提供できる。
【００７３】
また、基板の面方位に強く依存する異方性エッチング技術の代わりにダイシング加工で本体の設置面と該設置面の背面を形成することにより、基板の面方位や加工方向さらにエッチング条件を最適化することなく傾斜面を形成することができ、非常に低コストの光路変換体が作製可能である。また、その表面粗さを利用して、実装基板との接着力を増すことが可能となり、信頼性の向上した光モジュールを提供できる。
【００７４】
また、本発明の光路変換体は、例えば単結晶のウエハ面方位により入射光に対して所定角度で光路変換させるように作製できるため、面発光素子からの出射光を効率的に入射光学系へ効率的に光接続できる光モジュールを提供できる。
【００７５】
また、素子配設面に受光素子が配設させることにより、面発光素子の出射光を精度よくモニタすることができるとともに、受光素子からの反射光を効率的に光伝送体へ入射させることが可能な優れた光モジュールを提供できる。
【００７６】
さらに、本発明の光路変換体の下面と素子配設面との間に、例えばオーミックコンタクト用の不純物拡散領域を形成することにより、金属薄膜で光半導体素子の電極パターンを光路変換体の２面に形成する必要が無くなり、光路変換体のエッジで金属薄膜の断線がない信頼性に優れた光モジュールを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明を説明するための光路変換体及び光モジュールを模式的に説明する断面図である。
【図２】  本発明に係る光路変換体の製造方法を模式的に説明するための平面図である。
【図３】  図２におけるＡ−Ａ’線断面図である。
【図４】  本発明に係る光路変換体を模式的に説明する斜視図である。
【図５】  本発明に係る光モジュールを模式的に説明する斜視図である。
【符号の説明】
１：基板
１ａ：基板１の低位置面
１ｂ：搭載用溝
２：光路変換体
２a、２b：光路変換体の上下面
２ｃ：光路変換体の傾斜面
３：面発光素子
４：光伝送体
４ａ：光伝送体の先端
５：光半導体素子（受光素子、フォトダイオード）
５ａ：受光部
５ｂ：電極パッド
６：接着面
７：電気信号線路
８：電流供給線路
９：ボンディングワイヤ
１０、１４：単結晶ウエハＷの両主面
１１：フォトレジスト
１２：Ｖ溝
１３：光路変換体用柱状部
２０，２１：不純物拡散領域
Ｍ１，Ｍ２：光モジュール
Ｌ１，Ｌ２：出射光
Ｗ：単結晶ウエハ
α、θ：傾斜角度
【図１】
0004057828.tif 000002
【図２】
0004057828.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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