(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板の上に金属膜を成膜し、当該金属膜を選択的に除去して櫛歯型の金属電極を形成する弾性表面波装置の製造方法であって、
前記圧電基板の上に前記金属膜を成膜する工程は、
成膜速度のウェハ面内分布が異なる２以上の成膜モードを周期的に繰り返して成膜する第１の工程と、
一定の成膜モードで成膜する第２の工程とを含む
ことを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、前記成膜速度の前記ウェハ面内分布が異なる２以上の前記成膜モードには、
前記ウェハの中央部における前記成膜速度が当該ウェハの周辺部よりも速い第１の成膜モードと、
当該ウェハの当該中央部における前記成膜速度が当該ウェハの当該周辺部よりも遅い第２の成膜モードと
が含まれることを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２において、前記第２の工程における一定の成膜モードは、前記ウェハの前記中央部における前記成膜速度から前記ウェハの前記周辺部における前記成膜速度を減じた成膜速度差ｖが、前記第１の成膜モードよりも小さく、且つ前記第２の成膜モードよりも大きい成膜モードであることを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
【請求項４】
圧電基板の上に金属膜を成膜し、当該金属膜を選択的に除去して櫛歯型の金属電極を形成する弾性表面波装置の製造方法であって、
前記圧電基板の上に前記金属膜を成膜する工程は、
成膜速度のウェハ面内分布が異なる２以上の成膜モードで成膜する第１の工程と、
平均成膜速度が１５０ｎｍ／ｍｉｎ以下の成膜モードで成膜する第２の工程とを具備する
ことを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４において、前記成膜速度の前記ウェハ面内分布が異なる２以上の前記成膜モードには、
前記ウェハの中央部における前記成膜速度が当該ウェハの周辺部よりも速い第１の成膜モードと、
当該ウェハの当該中央部における前記成膜速度が当該ウェハの当該周辺部よりも遅い第２の成膜モードと
が含まれることを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５において、前記第２の工程における前記成膜モードは、前記ウェハの前記中央部における前記成膜速度から前記ウェハの前記周辺部における前記成膜速度を減じた成膜速度差ｖが、前記第１の成膜モードよりも小さく、且つ前記第２の成膜モードよりも大きい前記成膜モードであることを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
【請求項７】
圧電基板上にマグネトロンスパッタリング法により金属膜を成膜し、当該金属膜を選択的に除去して櫛歯型の金属電極を形成する弾性表面波装置の製造方法であって、
前記圧電基板の上に前記金属膜を成膜する工程は、
ターゲット上に形成されるエロージョン径を周期的に変動させて成膜する第１の工程と、
前記エロージョン径を一定にして成膜する第２の工程とを具備する
ことを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７において、前記第１の工程において周期的に変動される前記エロージョン径には、
前記ウェハの中央部における成膜速度が当該ウェハの周辺部よりも速くなる第１のエロージョン径と、
当該ウェハの当該中央部における前記成膜速度が当該ウェハの当該周辺部よりも遅くなる第２のエロージョン径と
が含まれることを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８において、前記第２の工程における前記一定のエロージョン径は、前記ウェハの前記中央部における前記成膜速度から前記ウェハの前記周辺部における前記成膜速度を減じた成膜速度差ｖが、前記第１の成膜モードよりも小さく、且つ前記第２の成膜モードよりも大きくなる前記エロージョン径であることを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は弾性表面波装置の製造方法に係り、特に、移動体通信分野等において数ＧＨｚ程度の高周波を扱う分波器等として使用される弾性表面波装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
結晶基板の表面のみにエネルギーが集中した弾性表面波を利用した弾性表面波装置（ＳＡＷデバイス：Surface Acoustic Wave device）は、電磁波に比べて伝搬速度が約１０−５倍遅く、またデバイスの小型化が可能であるため、近年、フィルター、振動子、遅延素子などに応用され、ＴＶ、ＶＴＲ、通信機などの広範な分野において用いられるようになってきた。その中でも特に移動体通信分野において、その移動端末等に小型の弾性表面波装置を用いた分波器が大いに利用されている。
【０００３】
弾性表面波装置は、圧電基板と、圧電基板の上に形成された互いにかみ合う２つの櫛歯型のアルミニウム（Ａｌ）電極とを有する。圧電基板の表面を伝達する弾性表面波が、Ａｌ電極によって駆動あるいは検出される。従来、弾性表面波装置は、マグネトロンスパッタリング法を用いてＡｌ膜をウェハ状の圧電基板上に一定の成膜速度で成膜し、リソグラフィ技術、エッチング技術を用いてＡｌ膜を櫛歯形状にパターンニングすることで製造することができる。携帯電話などの移動端末に利用される分波器は数ＧＨｚ程度の高周波を扱うため、櫛歯型のＡｌ電極の形状には高い寸法精度が要求される。特に、櫛歯型のＡｌ電極の厚さ、及びその均一性には、０．１ｎｍオーダーの精度が必要とされる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上述の技術的背景における技術的課題を解決するために成されたものであり、その目的は、金属膜の膜厚及びその面内均一性を高精度に制御することが可能な弾性表面波装置の製造方法を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の特徴は、ウェハ状の圧電基板の上に金属膜を成膜し、この金属膜を選択的に除去して櫛歯型の金属電極を形成する弾性表面波装置の製造方法であって、圧電基板の上に金属膜を成膜するには、成膜速度のウェハ面内分布が異なる２以上の成膜モードの下で金属膜の一部分を成膜し、一定の成膜モードの下で金属膜の残り部分を成膜することである。
【０００６】
【発明の実施の形態】
以下図面を参照して、本発明を実施するための最良の形態（以下、「実施の形態」という）を説明する。図面の記載において、同一または類似な部分には同一または類似な符号を付している。但し、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。
【０００７】
実施の形態に係る弾性表面波装置は、ウェハに同時に複数形成される。Fig.1に示すように、弾性表面波装置は、圧電基板４と、圧電基板４上に配置された、所定の形状を有する金属膜とを具備する。金属膜は、互いにかみ合う２組の櫛歯型の金属電極８と、各金属電極８にそれぞれ接続された電極パッド９と、金属電極８の両端に配置された反射器１０とを有する。金属電極８は、かみ合う櫛歯部分である電極指１１を有する。電極パッド９には弾性表面波装置の信号入出力端子を接続することができる。反射器１０は、縦横の長さの比が大きい方形状の平面形状を有する複数の金属からなる。また、圧電基板１は、タンタル酸リチウム基板（ＬｉＴａＯ３）を使用する。金属膜は、９９．５重量％のアルミニウム（Ａｌ）に銅（Ｃｕ）が０．５重量％の割合で添加されたものを使用する。
【０００８】
圧電基板４の表面を伝達する弾性表面波は、金属電極８の電極指１１部分によって励振あるいは検出される。従って、電極指１１の平面寸法、即ち縦横の寸法、或いは隣接する電極指１１の隙間の寸法は、周知のパターニング技術により高精度に制御される。
【０００９】
次に、Fig.2を参照して、Fig.1に示した弾性表面波装置の製造方法を説明する。
【００１０】
（イ）まず、ステップＳ１において、ウェハ状の圧電基板４を金属膜の成膜装置内に配置して、圧電基板４上に金属膜を成膜する準備を整える。実施の形態では、金属膜の成膜装置として、ターゲット面に平行な磁界を発生させ、捕獲した二次電子を利用してイオン化を促進し、堆積速度を上げる高速スパッタ法を実現するマグネトロン型スパッタリング装置を用いる。
【００１１】
マグネトロン型スパッタリング装置は、焦電性を有する圧電基板への金属膜成膜に適した装置である。マグネトロン型スパッタリング装置は、９９．５重量％のＡｌにＣｕが０．５重量％の割合で添加された合金から成るターゲットを具備する。ターゲット面に平行な磁界を装置内に形成することによって、ターゲット面には円形のエロージョン溝が形成される。エロージョン溝は、ターゲットから金属がスパッタされることにより生じる溝であり、エロージョン溝の径（以後「エロージョン径」という）を変化させることにより、金属膜の成膜速度、及びウェハ面内における成膜速度の分布を変化させることができる。エロージョン径は、ターゲット面に平行な磁界の強度に従って変化する。通常、エロージョン径を小さくする（磁場強度を強くする）とウェハ中央部の成膜速度がウェハ周辺部のそれよりも速くなり、エロージョン径を大きくする（磁場強度を弱くする）とウェハ中央部の成膜速度がウェハ周辺部のそれよりも遅くなる。また、エロージョン径が小さくなるに従って、ウェハ全体の成膜速度は大きくなる。
【００１２】
（ロ）次に、ステップＳ２において、金属膜の成膜を開始する。具体的には、マグネトロン型スパッタリング装置内に配置されたカソード電極−アノード電極の間に直流電源により電圧を印加してプラズマを生成し、ターゲット金属をスパッタして圧電基板１上へのスパッター金属の堆積を開始する。
【００１３】
（ハ）次に、ステップＳ３（変速成膜工程）において、ウェハ面内での成膜速度の分布が異なる２以上の成膜モードの下で金属膜の一部分を成膜する。「金属膜の一部分を成膜する」とは、最終的な金属膜に対して、その一部分を変速成膜工程において成膜することを意味する。なお、成膜速度のウェハ面内分布が異なる２以上の成膜モードとして、
＜１＞ウェハ２の中央部における成膜速度ＶＣが、ウェハ２の周辺部における成膜速度ＶＰよりも速い成膜モード（Ａモード）と、
＜２＞成膜速度ＶＣが成膜速度ＶＰよりも遅い成膜モード（Ｆモード）と、
＜３＞成膜速度ＶＣから成膜速度ＶＰを減じた成膜速度差ｖが、Ａモードよりも小さく、且つＦモードよりも大きい第３の成膜モード（Ｅモード）を使用する。
【００１４】
各成膜モードは、エロージョン径が異なる。エロージョン径をＡモードの径で規格化すると、Ｆモードにおいてエロージョン径の規格化値ＲＥは４．６であり、ＥモードにおいてＲＥは３．６である。また、変速成膜工程において、３つの成膜モードを周期的に繰り返しながら金属膜の一部を成膜する。
【００１５】
具体的には、ステップＳ３は、ステップＳ３１乃至Ｓ３５から構成されている。ステップＳ３１においてＥモードの下で金属膜を成膜する。ステップＳ３２においてＦモードの下で金属膜を成膜する。ステップＳ３３においてＥモードの下で金属膜を成膜する。ステップＳ３４においてＡモードの下で金属膜を成膜する。ステップＳ３５において、ステップＳ３１からＳ３４までの１周期をＮ回繰り返したか否かを判断する。Ｎ回繰り返していない場合（ステップＳ３５においてＮＯ）、ステップＳ３１に戻ってステップＳ３１〜３４を繰り返し行う。ここで、Ｎは１以上の自然数であり、実施の形態における以後の説明においてＮ＝７とする。ステップＳ３１からＳ３４までの１周期を７回繰り返したと判断した場合（ステップＳ３５においてＹＥＳ）、ステップＳ４へ進む。
【００１６】
（ニ）次に、ステップＳ４（定速成膜工程）において、一定の成膜モードの下で金属膜の残り部分を成膜する。「金属膜の残り部分を成膜する」とは、最終的な金属膜の内の変速成膜工程で成膜された部分を除いた残り部分を定速成膜工程において成膜することを意味する。金属膜の残り部分を成膜する際の一定の成膜モードとして、Ｅモードを使用する。前述したように、Ｅモードは、成膜速度ＶＣから成膜速度ＶＰを減じた成膜速度差ｖが、Ａモードよりも小さく、且つＦモードよりも大きい。即ち、Ｅモードは、ウェハの中央部と周辺部との成膜速度差の絶対値（｜ｖ｜）がＡモード及びＦモードに比して小さい成膜モードである。
【００１７】
（ホ）ステップＳ４の終了後、ステップＳ５において、マグネトロン型スパッタリング装置の電力を落とし、金属膜の成膜を終了する。以上のステップＳ１〜Ｓ５によって、ウェハ２の上には、各成膜モード毎の多層構造を有する金属膜を形成することができる。
【００１８】
（へ）最後に、圧電基板１上に形成された多層構造を有する金属膜を所定のリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いてパターンニングして、Fig.1に示したような所望の平面形状を有する金属電極８などを形成する、金属膜のパターニング工程を行う。以上のステップＳ１〜Ｓ６を経て、Fig.1に示した弾性表面波装置１を製造することができる。
【００１９】
次に、Fig.3を参照して、エロージョン径の観点から、変速成膜工程（Ｓ３）及び定速成膜工程（Ｓ４）を詳細に説明する。Fig.3に示すグラフの縦軸はエロージョン径（規格値）を示し、横軸は経過時間を示す。エロージョン径は、Ａモードにおけるエロージョン径を１として規格化した場合の値を示す。また前述したように、エロージョン径は、ターゲット面に平行な磁界の強度により調整される。
【００２０】
金属膜の成膜開始（Ｓ２）後、Ｅモード（Ｓ３１）においてエロージョン径（ＲＥ）を３．６に設定する。その後続けて、Ｆモード（Ｓ３２）においてエロージョン径（ＲＥ）を４．６に設定する。Ｅモード（Ｓ３３）においてエロージョン径（ＲＥ）を３．６に設定する。Ａモード（Ｓ３４）においてエロージョン径（ＲＥ）を１．０に設定する。以上のエロージョン径の時間変化を１周期として、これを７回繰り返す。第７周期の終了後、Ｅモード（Ｓ４）においてエロージョン径（ＲＥ）を３．６に設定する。このように、エロージョン径（ＲＥ）を周期的に変化させることで、Fig.3に示した変速成膜工程（Ｓ３）及び定速成膜工程（Ｓ４）を実施する。
【００２１】
次に、Fig.4を参照して、変速成膜工程（Ｓ３）及び定速成膜工程（Ｓ４）により形成された金属膜３の断面構造を説明する。なお、Fig.4は、ステップＳ６に示したパターニング工程を実施する前の金属膜３の構成を示す。また、ウェハ中央部と周辺部との金属膜の膜厚差を明確に示す為、Fig.4に示すウェハ２及び金属膜３の縦横の寸法比は実際のものと大きく異なる。Fig.4に示すように、金属膜３は、変速成膜工程（Ｓ３）によって形成された膜と、定速成膜工程（Ｓ４）によって形成された膜とから成る。ウェハ２の上に変速成膜工程（Ｓ３）の膜が形成され、その上に定速成膜工程（Ｓ４）の膜が形成されている。変速成膜工程（Ｓ３）の膜は、更に、第１周期乃至第７周期によってそれぞれ形成された複数の膜から成る。各周期の膜は、また更に、ステップＳ３１乃至Ｓ３４によってそれぞれ形成された複数の膜から成る。
【００２２】
ステップＳ３１においてＥモードで成膜された膜（以後、「Ｓ３１（Ｅモード）の膜」という）は、ウェハ２の中央部と周辺部の膜厚の差がほとんど無い。Ｓ３２（Ｆモード）の膜は、ウェハ２の中央部の膜厚が周辺部の膜厚に比して薄い。Ｓ３３（Ｅモード）の膜は、Ｓ３１（Ｅモード）と同様である。Ｓ３４（Ａモード）の膜は、ウェハ２の中央部の膜厚が周辺部の膜厚に比して厚い。このように、各成膜モードの下で成膜される膜は、異なるウェハ面内の膜厚分布を有する。
【００２３】
第１周期（Ｓ３１〜Ｓ３４）の膜は、ウェハ２の中央部と周辺部の膜厚の差がほとんど無く、ウェハ面内で均一な膜厚分布を有する。第２乃至第７周期の膜も、第１周期の膜と同様である。即ち、ウェハ面内の膜厚分布が不均一な２以上の成膜モード（Ａモード、Ｆモード）と、ウェハ面内の膜厚分布が均一な成膜モード（Ｅモード）とを組合わせることで、１周期に形成される金属膜のウェハ面内の膜厚分布を均一にする。なお、成膜モード（Ａモード、Ｆモード）は、互いに逆の膜厚分布を有する。つまり、前述したように、Ａモードは、ウェハ２の中央部における成膜速度ＶＣがウェハ２の周辺部における成膜速度ＶＰよりも速く、Ｆモードは、成膜速度ＶＣが成膜速度ＶＰよりも遅い。
【００２４】
なお、ここでは、１周期が、Ａモード、Ｆモード、Ｅモードの３つの成膜モードから構成されている場合について示したが、１周期にウェハ面内の膜厚分布が均一な成膜モード（Ｅモード）を含めず、ウェハ面内の膜厚分布が不均一な２以上の成膜モード（Ａモード、Ｆモード）のみで構成しても構わない。この場合においても、各モードの成膜時間を調整することで、１周期ごとに形成される金属膜のウェハ面内の膜厚分布を均一にすることができる。
【００２５】
例えば、形成したい金属膜３の膜厚が１８５ｎｍであり、各周期毎の膜厚は２５ｎｍであるとする。この場合、上記の周期を７回繰り返す。これにより、２５×７＝１７５ｎｍの膜を均一な膜厚分布に形成することができる。そして、残りの膜厚１０ｎｍの膜を、定速成膜工程（Ｓ４）にて成膜することで、金属電極８全体の層厚は、２５×７＋１０＝１８５ｎｍとすることができる。従って、ウェハ面内の膜厚分布が均一な金属膜を形成することができる変速成膜工程（Ｓ３）により、所望の膜厚に近くまで成膜し、金属膜３の膜厚の最終的な微調整を定速成膜工程（Ｓ４）により行う。
【００２６】
１周期ごとに形成される金属膜のウェハ面内の膜厚分布を均一にするには、１周期を構成する各成膜モード（Ａモード、Ｆモード、Ｅモード）の成膜時間を調整する必要がある。即ち、予め、各成膜モードについて、ウェハ面内での成膜速度がどのような分布を有しているかを知っておく必要がある。また、金属膜３の膜厚の最終的な微調整を行う定速成膜工程（Ｓ４）で用いる成膜モードは、十分低い成膜速度を有していることが望ましい。そこで、発明者は、各成膜モード毎にウェハ面内の成膜速度の分布を測定した。
【００２７】
測定は、エロージョン径が異なる複数の成膜モードについて実施した。各成膜モード毎に一定時間、金属膜（Ａｌ膜）を標準試料上に成膜してその膜厚を測定した。エロージョン径は、スパッタリングの際の電磁石の電流値により制御した。使用した測定機器は、触針式段差計（メーカー：ＫＬＡテンコール、型名：Ｐ−１０）である。触針式段差計は、ウェハを針で走査して表面の段差を計測する。針は表面の段差に追従して上下に動作し、針の根本についているキャパシタンスの容量値が変化する。この容量値の変化を電気信号として読み出して表面の段差を測定する。ウェハの同じ箇所を１０回計測してその平均値を取った。
【００２８】
Fig.5に示すように、膜厚の測定箇所は、半径５０ｍｍのウェハ２の中央部分Ｐ３、中心から４０ｍｍの周辺部分（Ｐ１、Ｐ５）、及び中心から２０ｍｍの中間部分（Ｐ２、Ｐ４）の計５箇所である。Fig.6に示すように、成膜モードＡ乃至Ｆの計６通りの成膜モードについて膜厚分布を測定した。各成膜モードにおけるエロージョン径（規格値）は、Fig.6に示すとおりである。各エロージョン径の値は、Ａモードにおける値を１としたときの規格値である。
【００２９】
Fig.7に示すように、最もエロージョン径が小さいＡモードにおける膜厚の分布は、ウェハ中央部の膜厚が周辺部のそれよりも厚く、他の成膜モードに比して最も膜厚の差が大きくなった。また、Ａモードにおけるウェハ全体の成膜速度は、総てのモードの中で最も速い。エロージョン径の増加と共に、ウェハ中央部と周辺部との膜厚の差が小さくなり、ウェハ全体の成膜速度も遅くなる。最もエロージョン径が大きいＦモードにおける膜厚の分布は、ウェハ中央部の膜厚が周辺部のそれよりも薄くなり、ウェハ全体の成膜速度は、総てのモードの中で最も遅くなった。尚、各膜厚値は、モードＦで成膜したときの座標Ｐ３位置での膜厚値により規格化されている。
【００３０】
金属膜３の膜厚の最終的な微調整を行うためには、定速成膜工程（Ｓ４）で用いる成膜モードの成膜速度は、毎分１５０ｎｍ以下、好ましくは毎分１００ｎｍ以下であることが望ましい。但し、この成膜速度は、ウェハ中央部（Ｐ３）の成膜速度と周辺部（Ｐ１、Ｐ５）の成膜速度を平均した速度である。また、定速成膜工程（Ｓ４）におけるウェハ面内の膜厚分布（｜Ｗ｜）は、１２％以下であることが好ましく、より好ましくは、１１％以下であることである。但し、ウェハ中央部Ｐ３の膜厚をＴＣ、ウェハ周辺部（Ｐ１、Ｐ５）の膜厚をＴＰとした場合、ウェハ面内の膜厚分布Wを、Ｗ＝（ＴＣ−ＴＰ）／（ＴＣ＋ＴＰ）と定義する。上記の定速成膜工程の成膜条件を満たす成膜モードは、Ｄモード、Ｅモード、Ｆモードであった。実施の形態では、この中で、Ｅモードを選択した場合を示している。したがって、Ｅモードの代わりに、Ｄモード、Ｆモードを定速成膜工程で用いても構わない。
【００３１】
また、変速成膜工程における１周期を構成する各成膜モード（Ａ、Ｅ、Ｆ）の成膜時間の割合は、Fig.7に示した測定結果に基づいて設定することができる。具体的には、Ａモードによる膜厚分布ＷＡをＦモードによる膜厚分布ＷＦによって打ち消す、即ちＷＡ＋ＷＦ＝０と成るように、Ａモードの成膜時間を、Ｆモードの成膜時間よりも長くすることで、１周期毎の膜厚分布を均一なものにすることができる。
【００３２】
以上説明したように、ウェハ面内の膜厚分布が異なる２以上の成膜モード（Ａモード、Ｅモード、Ｆモード）のもとで金属膜３の一部分を成膜する（変速成膜工程）ことで、金属膜３の一部分のウェハ面内膜厚分布を高精度に制御することができる。一定の成膜条件（Ｅモード）の下で金属膜３の残り部分を成膜する（定速成膜工程）ことで、最終的な金属膜３の膜厚を高精度に制御することができる。
【００３３】
（その他の実施の形態）
上記のように、本発明は１つの実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかになろう。
【００３４】
実施の形態で述べた圧電基板１等の部品の材料や材質は、本発明の実施例の一つであり、これらが他のものに置き換わっても、本発明の効果が変わらないのは言うまでもない。例えば、実施の形態では、圧電基板４の材料がタンタル酸リチウム基板（ＬｉＴａＯ３）の場合について述べたが、ニオブ酸リチウム基板（ＬｉＮｂＯ３）、バリウム酸リチウム基板（ＬｉＢ４Ｏ７）、サファイア、水晶などの他の材料からなる圧電基板であっても構わない。また、実施の形態では、９９．５重量％のＡｌと、０．５重量％のＣｕの合金からなる金属膜について説明したが、添加物を全く含まないＡｌだけの電極膜である場合、あるいは添加金属が他の金属になった場合や組成比が上記値と異なる場合であっても構わない。
【００３５】
また、実施の形態では、圧電基板１上に金属膜を直接成膜する場合について述べたが、圧電基板１と金属膜との間に、例えば、チタン（Ｔｉ）あるいはタンタル（Ｔａ）等のバリア金属を成膜しても構わない。
【００３６】
さらに、実施の形態では、周期的に変速成膜工程の後に、定速成膜工程を行った場合を示したが、先に定速成膜工程を行い、その後に変速成膜工程を行っても構わない。また、変速成膜工程において、Ｅモード−Ｆモード−Ｅモード−Ａモードの順番で成膜速度を変化させたが、この順番に限られるわけではなく、順番を入れ替えて実施しても構わない。さらに、Ａ、Ｅ、Ｆの各モードの代わりに、Fig.6に示した他の成膜モードを使用してもかまわない。
【００３７】
さらに、実施の形態では、エロージョン径を、スパッタリング装置内の磁場強度を調節することにより決定した。しかし、エロージョン径を、磁場強度を調節する代わりに、マグネトロン型スパッタリング装置のスパッター電力を調整することによっても決定することもできる。
【００３８】
このように、本発明はここで記載していない様々な実施の形態等を包含するということを理解すべきである。したがって、本発明この開示から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ限定されるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】Fig.1は、本発明の実施の形態に係る弾性表面波装置の電極パターンを示す平面図である。
【図２】Fig.2は、本発明の実施の形態に係る弾性表面波装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図３】Fig.3は、Fig.2に示した金属膜の成膜工程における成膜方法の一例を示す図である。
【図４】Fig.4は、Fig.3の成膜方法に従って、圧電基板（ウェハ）上に形成された金属膜を示す断面図である。
【図５】Fig.5は、成膜条件をかえて金属膜を成膜したときの膜厚分布を示す（その１）。
【図６】Fig.6は、成膜条件をかえて金属膜を成膜したときの膜厚分布を示す（その２）。
【図７】Fig.7は、成膜条件をかえて金属膜を成膜したときの膜厚分布を示す（その３）。
【符号の説明】
４  圧電基板
８  金属電極
９  電極パッド
１０  反射器
１１  電極指
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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