(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリマーフィルムガスセンサー（６）を加熱し、測定変量に敏感なセンサーパラメータを記録する測定ガス成分の濃度決定法において、測定変量に敏感なセンサー（６）のパラメータがセンサー（６）のキャパシタンスであり、該パラメーターをセンサーの加熱および冷却期間中に多数点で測定し、加熱および冷却期間にわたりセンサー応答のヒステリシス関数（１）を作成し、ヒステリシス関数（１）に基づき、ヒステリシス関数（１）の微分係数の極大および極小から、またはヒステリシス関数（１）の不連続点から、各測定ガス成分の濃度を決定することを特徴とする方法。
【請求項２】
測定ガス成分の濃度を、当該ヒステリシス関数（１）の微分係数における極大および極小に基づき決定する、請求項１の方法。
【請求項３】
測定ガス成分の型を、当該ヒステリシス関数（１）の微分係数における極大および極小に基づき決定する、請求項１の方法。
【請求項４】
測定したセンサーパラメータの値を１秒あたり２５回より速い速度で記録する、請求項１の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明はポリマーフィルムガスセンサーの感度を改良するための請求項１の前文に従う方法に関する。
本発明はまたセンサー構造に関する。
本発明は、適用するガス測定法を強く妨害する他の１種以上のガス成分を表す複合信号から、単一のガス成分に特有な信号を取り出すのに特に適する。
【０００２】
【従来技術】
ポリマーフィルムガスセンサーは、複数の異なるガス種に高感度なことを特徴としている。センサーの感度を改良するための典型的解決法は、異なる型の幾つかのガスセンサーを組み合わせ、次いでたとえばニューラルネットワークにより、上記センサーの組み合わせの出力信号を解析することであった。しかし、この種の測定系は複雑で費用がかかる。
ポリマーフィルムセンサーの本来の特性を回復させるために、たとえばＦＩ特許出願942,727 に記載されている方法で加熱する装置も、業界では既知である。この技術はセンサーの当初の性能を回復させるが、正常の測定状態でのガスセンサーの基本的選択性を改善するものではない。
本発明の目的は、上記従来の技術の欠点を克服し、ポリマーフィルムガスセンサーの選択性を改良する全く新規な方法を提供するにある。
【０００３】
【課題を解決するための手段】
センサーを加熱し、加熱／冷却の全サイクルにわたり、測定変量について感度が高いことが知られているセンサーパラメータを測定し、それによりサイクル中に行われた測定をヒステリシス関数としてプロットし、それから測定変量を決定することにより、本発明の目的が達成される。
【０００４】
更に詳しくは、本発明の方法は、請求項１の特徴部分に述べられたことを特徴としている。
更に、本発明によるセンサー構造は、請求項５の特徴部分に述べられたことを特徴としている。
【０００５】
本発明は著しい利点を与える。
本発明の主な利点は、測定を妨害するガス成分を、高効率で安価に測定結果から排除できることである。
この新規な測定法の別の著しい利点は、ガスのない環境では、センサーはそのエージング挙動には関係なく、常にゼロヒステリシスを示すことである。
【０００６】
以下本発明を、添付図面に示した実施態様の助けを借りながら、一層詳細に検討する。
本発明による測定法は、測定に係るガス成分を識別するために、異なるガス成分で異なる特徴的拡散時間定数を利用する。既知のように、ガス成分の拡散は、温度上昇と共に指数関数的に加速される。同時に、ポリマー層中に平衡条件で吸収されたガス量が減少する。
【０００７】
しかし、ポリマー層を急激に加熱すると、層に吸収されたガス量は平衡に達せずに、ガスの過剰量が層に残存する。この過剰量のガスは、ガスの拡散定数が温度上昇と共に十分高い値に達するまで、層に残存する。
異なるガスは異なる拡散定数をもつから、平衡に達する時間は、ガスと温度により異なる。
【０００８】
図１に示したように、ガスセンサーのポリマー層を、常温以上の十分高い（100−200℃）温度に加熱すると、実際上全てのガス成分はポリマー層から追い出される。
加熱期間後十分に迅速にポリマー層を冷却すると、常温に下がるまでポリマー層を吸収ガスを含まないで保つことができる。
【０００９】
これらの事実に基づき、その変量のために設計されたポリマーフィルムガスセンサーの変量に対するセンサー応答を測定し（記録するパラメータはたとえばセンサーのキャパシタンス、導電率または重量であることができる）、また同時に加熱期間４および冷却期間５の両者にわたりセンサー温度を測定することにより、ヒステリシスを示す温度vs.センサー応答関数の関数１を記録できる。言い換えると、所定温度におけるセンサー応答を特徴づける関数は、加熱期間中は、冷却期間とは異なる値をもつ。
【００１０】
ヒステリシスとして知られる応答関数のこの変動は、温度が高くなると減少する。最も低い温度では、ヒステリシス２は、集合的に全ガス成分により引き起こされる。ポリマー層の温度を上げると、最高の拡散係数をもつガスが先ず追い出れ、そこでセンサー応答におけるその寄与は無くなる。層温度を上げ続けると、図の点３で示すように、第２の最高拡散係数のガス成分が追い出される。
二つ以上の温度範囲にわたり、ヒステリシス関数１のループを測定することにより、異なるガス成分に対するセンサー応答を識別できる。ヒステリシス関数の微分係数の極大および極小から、またはヒステリシス関数の不連続点から、ガス成分の濃度を決定できる。
【００１１】
ガス成分のポリマー層への再吸収を達成するためには、十分長い平衡時間を、次の測定サイクルの間に置く必要がある。
【００１２】
センサー６の活性ポリマー層は、自己支持できるまたは基板に接着できるものである。典型的には、層の厚さは0.1−10μmである。ポリマー層の加熱および冷却速度は、典型的には10−1000℃／sの範囲である。
【００１３】
本発明の別の実施態様においては、測定を妨害するガス成分を追い出すのに十分なだけ高温であって、しかし測定ガス成分（すなわちヒステリシスループ３を含む図でガス成分１）を追い出すほどは高くない温度に、センサーを加熱する。この配置により、連続測定サイクルの反復速度をより速くすることができる。第１の実施態様に比較し、この場合測定温度におけるガスを含まない条件でのセンサー応答の値を知る必要がある。
【００１４】
明らかに、上記ヒステリシス値は、加熱期間または冷却期間中のある所定の温度で記録された測定したセンサーパラメータの中間値で補完することができる。連続して迅速に二つの測定サイクルを実施すると、拡散の遅いガス成分はセンサーに逆拡散して平衡に到達できないことにより、追加の情報を得ることができる。この場合、記録しようとするパラメータは、たとえば二つの連続測定の間のヒステリシス関数の変化であることができる。
【００１５】
図２を参照すると、センサー構造６の例示の実施態様が示されている。センサーチップの寸法は、7×3.5×0.4mm（たとえば、低い熱伝導率のため理想材料ではないガラス製）である。ガス測定信号は、接点Ｃ１−Ｃ２で測定されるコンデンサ７のキャパシタンス（約10pF）である。接点ＲＬ１−ＲＬ２に接続された加熱器素子（約100ohm）により、センサー６を加熱する。接点ＲＭ１−ＲＭ２に接続された別の抵抗器８（約300ohm）により、センサー温度を測定する。抵抗器８の熱係数は、典型的には約3000ppm／℃である。
センサーコンデンサ７および温度検出器８は、ヒーターエレメント９に関し最大限に対称的に位置し、それによりその温度は速い温度変化中センサー温度に確実に追随できる。
【００１６】
典型的加熱／冷却サイクルは次のように行われる。
１．接点ＲＬ１−ＲＬ２にかける加熱電圧を、400ms中0Vから10Vに線型に上げていく。
２．加熱電圧を300ms間10Vに保つ。
３．加熱電圧を、400msの間0Vに線型に下げていく。
【００１７】
サイクル中、センサーキャパシタンスおよび温度センサーの抵抗を、１秒２５回以上の速い速度で測定する。
図３に示すように、水蒸気（H2O）およびアンモニアガス（NH3）の濃度を、ヒステリシス関数の微分係数の極大から決定する。水蒸気は６０℃に極大を示し、一方アンモニアガスは１６０℃における微分係数の極大から検出される。
ヒステリシス関数の微分係数の極大／極小はまた、異なる型のガスの決定にも利用できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は本発明の方法により記録した典型的測定サイクルのグラフを示す。
【図２】図２は本発明の方法を実施するのに適したセンサー構造の模式的上面図を示す。
【図３】図３は本発明に従い、二つの異なるガスで実施した測定サイクルのグラフを示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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