(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
データを記憶するための集積回路と；
第２コイルに電気的に接続された第１コイルを含むインダクタと；
集積回路と、第１および第２コイルの少なくとも一つに電気的に接続された共振コンデンサであって、この共振コンデンサと少なくとも一つの接続されたコイルが第１の所定共振周波数を有しており；且つ
第１位置と第２位置とを有し、第２コイルに電流が流れることを選択的に許容するスイッチであって、そのスイッチが第１位置にあるときに、トランスポンダが第１共振周波数あるいはその近くの周波数の外部電磁界にさらされることでインダクタ中に電圧を誘起させて第１電流を第１方向にインダクタ中に流させ、それによって局部電磁界を発生させ、スイッチが第２位置にあるときに、トランスポンダが第１共振周波数あるいはその近くの周波数の外部電磁界にさらされることでインダクタに電圧を誘起させ、第１電流を第１方向にインダクタ中に流させ、これによって第１局部電磁界と、第２、すなわち、反対方向に第２コイルを流れる第２電流を発生させ、それによって第２局部電磁界を発生させ、そこにおいて第１および第２局部電磁界の和をゼロに近づけるところのスイッチと；
を具備する無線周波数インテリジェント・トランスポンダ。
【請求項２】
インダクタ中に誘起された電圧が集積回路に電力を供給するのに使用される、
請求項１に記載のトランスポンダ。
【請求項３】
スイッチが第１位置にあるときに、第１コイルと共振コンデンサが、第１共振周波数で共振する、
請求項１に記載のトランスポンダ。
【請求項４】
スイッチが第１位置にあるときに、第１コイル、第２コイルおよび共振コンデンサが第１共振周波数で共振する、
請求項１に記載のトランスポンダ。
【請求項５】
スイッチが集積回路内に記憶されたデータを伝送するための変調手段として使用される、
請求項１に記載のトランスポンダ。
【請求項６】
スイッチが電子スイッチである、
請求項１に記載のトランスポンダ。
【請求項７】
スイッチが集積回路内に配備されている、
請求項６に記載のトランスポンダ。
【請求項８】
スイッチが通常は第２位置にある、
請求項６に記載のトランスポンダ。
【請求項９】
スイッチが、第２局部電磁界の大きさが可変である可変抵抗要素を含み、第２局部電磁界が第１電磁界と実質的に等しくはなく逆向きであって、該トランスポンダが通常その環境から減結合されていない、
請求項１に記載のトランスポンダ。
【請求項１０】
スイッチが第２位置にあるとき、該トランスポンダがその環境から部分的に減結合され、これによって外部電磁界から集められた電力量が少なくなる、
請求項９に記載のトランスポンダ。
【請求項１１】
データを記憶するための集積回路と；
集積回路に電気的に接続され電力を集積回路に提供するため及びこの集積回路に記憶されたデータをデバイス読取装置に伝送するため所定共振周波数を有する、
第１コイルと共振コンデンサとを具備しているアンテナ回路と；
スイッチを介してアンテナ回路に接続された第２コイルと；
を具備するトランスポンダであって、
このトランスポンダを第１共振周波数に、あるいはその近くの周波数にある外部電磁界にさらすと、アンテナ回路を介して第１電流が第１方向に流れさせ、それによって第１局部電磁界が発生され該トランスポンダをその環境と結合させ；さらに、
第２コイルは、スイッチが第２コイルをアンテナ回路に接続するように駆動されるときは常に、該トランスポンダをその環境から減結合させるために、第１の局部電磁界と逆向きの第２局部電磁界を発生させる、
無線周波数インテリジェント・トランスポンダ。
【請求項１２】
インテリジェント共振タグであって、
データを記憶するための集積回路と；
集積回路に電気的に接続された第１アンテナ回路であって、その第１アンテナ回路を第１所定無線周波の電磁界にさらしてその中に電圧が誘起させ、それを通る第１方向に流れる電流を形成させ、それによって第１局部電磁界を生成させ、その誘起電圧が電力を集積回路にも提供し、それに記憧されたデータがそこから読み取られるとともに、第２所定無線周波数で伝送されるアンテナ回路と；
可変抵抗要素を介してアンテナ回路に接続されたコイルとを備え、
コイルは、該インテリジェント共振タグをその環境から部分的に減結合させるために、第１の局部電磁界と部分的に逆向きの第２局部電磁界を発生させる、
インテリジェント共振タグ。
【請求項１３】
コイル及び可変抵抗要素はスイッチを介してアンテナ回路に接続され、
コイルは、スイッチがコイル及び可変抵抗要素をアンテナ回路に接続するように駆動されるときは常に、第１の局部電磁界と部分的に逆向きの第２局部電磁界を発生させる、
請求項１２に記載のインテリジェント共振タグ。
【発明の詳細な説明】
発明の背景
識別および／または窃盗防止のために物品へタグ付けすることが知られている。例えば、多数の商品はスキャナの視野内をバーコードを通過させることによって読み取らせるコード化情報を含んでいるバーコードを用いて識別される。多数の物品は窃盗の検出と防止の目的で使用する共振タグも含んでいる。
より最近、ユニークな（一一対応の）またはセミユニークな識別コードをリターンする受動共振タグが開発された。これらのタグは典型的には、識別コードを記憶する集積回路（ＩＣ）を含んでいる。この種の「インテリジェント」タグは、インテロゲータ（質問機）または読取装置のゾーンで検出され、そのタグが関連している物品または人に関する情報を提供する。
そのタグは迅速に、しかも遠距離から質問を受けることができるので、望ましいものである。米国特許第５，４４６，４４７号（カーネイ他）、同第５，４３０，４４１（ビックレイ他）および同第５，３４７，２６３号（キャロル他）には、この種のインテリジェント・タグの三例が開示されている。
無線周波識別（以下ＲＩＤＦ）タグないしカードは、普通ＩＣに電気的に接続された共振アンテナ回路を含んでいる。このＩＣは本質的にはデジタル的にエンコードされた情報を記憶するためのプログラム可能メモリである。インテロゲータ（送信アンテナ）がＲＦＩＤタグの共振周波数で電磁界を形成する。
タグがインテロゲータの電磁界中に配置されると、ＡＣ電圧がタグの共振アンテナ回路中に誘起され、これがＩＣによって整流されＩＣに内部ＤＣ電圧を提供する。タグがインテロゲータの電磁界中を移動するとき、誘起電圧が増大する。
内部ＤＣ電圧がＩＣの適切な動作を保証するレベルに到達したときに、ＩＣがその記憶データを出力する。そのデータを出力するために、ＩＣがタグの共振周波数を変更し、作動周波数からタグを離調する一連のデータ・パルスの持続期間中、アンテナ回路両端のエキストラ・コンデンサをスイッチすることによりこのパルスを形成する。
すなわち、タグはそれ自体を離調することでデータ・パルスを発生し、その離調によりタグが消費するエネルギ量を変える。インテロゲータはその電磁界内でのエネルギの消費を検出し、データ・パルスとしての変化を解読する。
この種のＲＦＩＤタグないしカードが知られているものの、この種のタグにはまだ動作に関連する技術的な難しさと制限がある。インテロゲータの質問ゾーン内で多数のＲＦＩＤタグを読み取る試行における一つの問題は、一つを超えるタグがほぼ同時にインテロゲータによって作動されることもあるということである。
この種のタグが互いに接近して配置されてる場合に、一つのタグによって発生された電磁界は他のタグによって発生された電磁界を乱すことがある。この相互インダクタンスの問題は、上述したように離調によってその情報が送信されるところのＲＦＩＤタグにとっては特に顕著である。
その結果、有効読取距離が短くなり、タグの変調が、共振（またはこれに近いこと）に依存しているという事実のために、このような変調は完全に効果がなくなってしまうことがある。従って、他のタグによってもたらされるこの種の離調は記憶情報の読取りを不能にまたは不能に近くしてしまうことがある。
インテリジェント・タグまたはカードの読取りが、例えばタグがインテロゲータの電力送信アンテナの近くにある場合のように、受信電力に大きな変化がある場合にさらに他の問題に、しばしば遭遇する。
タグが送信アンテナに接近するにつれて、受信電力が増大し、過大な電圧または電力の消費のために問題を引き起こすことがあり、また、タグのＱが減少するために、上述した離調のアプローチを用いたデータでタグを十分変調することができない。このような離調または変調の問題がタグの正確な読み取りの困難性を増す。
従って、他の近くにある共振カードまたはＲＦＩＤタグが妨害または影響を与える電磁界の発生するのを回避する方法が必要である。さらに、その動作が受信電力中の大きい変動によって悪影響を受けないＲＦＩＤタグを必要とする。本発明はこれらの必要性を満たすものである。
発明の概要
簡単に説明すると、第１の実施例において、本発明は無線周波数インテリジェント・トランスポンダ（応答機）である。このトランスポンダは、データを記憶する集積回路とこの集積回路に電気的に接続されたインダクタを含んでいる。インダクタは第２コイルに電気的に接続された第１コイルを含んでいる。共振コンデンサと第１および第２コイルの少なくとも一つの接続されたコイルが、第１所定共振周波数を有するように共振コンデンサが集積回路と、少なくとも一つのコイルに電気的に接続されている。第１位置と第２位置とを有するスイッチが、第２コイルに電流を選択的に流すことを許容するために設けられている。
スイッチが第１位置にあるときに、トランスポンダが第１共振周波数に、あるいはその近くの周波数にある外部電磁界にさらされることでインダクタ中に電圧が誘起され、第１電流が第１方向にインダクタ中に流れ、これによって局部電磁界が発生される。
スイッチが第２位置にあるときに、トランスポンダが第１共振周波数に、あるいはその近くの周波数にある外部電磁界にさらされることでインダクタ中に電圧が誘起され、第１電流が第１方向にインダクタ中に流れ、これによって第１局部電磁界と、第２すなわち対向方向に第２コイルを流れる第２電流が発生され、これによって第２局部電磁界が発生される。第１および第２局部電磁界の和はゼロに近づく。
第２実施例において、本発明は、データを記憶する集積回路とアンテナ回路を含む無線周波数インテリジェント・トランスポンダである。アンテナ回路は、集積回路に電気的に接続され電力を集積回路に提供するとともにこの集積回路に記憶されたデータをデバイス読取装置に伝送する所定共振周波数をもつ共振コンデンサとを含んでいる。
このトランスポンダが第１共振周波数に、あるいはその近くの周波数にある外部電磁界にさらされると、第１方向にあるアンテナ回路を介して第１電流が流れることになり、これによってトランスポンダをその環境と結合させる第１局部電磁界が発生される。
トランスポンダは、その環境からこれを選択的に減結合するため第１および第２局部電磁界の和がゼロに近づくような第２局部電磁界を選択的に発生する手段をさらに含んでいる。
第３実施例において、本発明は、データを記憶する集積回路と集積回路に電気的に接続された第１アンテナ回路からなるインテリジェント共振タグを含んでいる。この第１アンテナ回路を第１所定無線周波で電磁界にさらすと、これに電圧が誘起され、それを通り第１方向に流れる電流が形成され、それによって第１局部電磁界が生成される。
その誘起された電圧は電力を集積回路にも提供し、これに記憶されたデータがそこから読み取られるとともに、第２所定無線周波数で伝送される。タグは第１アンテナ回路によって発生された第１局部電磁界を少なくとも部分的に相殺する第２局部電磁界を発生させるための手段をも備えている。
【図面の簡単な説明】
前述の概要及び下記の本発明の好ましい実施例の詳細な説明は添付図面に関して読めばよりよく理解できるであろう。
本発明の説明の目的で、図には現在好ましいとされている実施例を示す。しかし、本発明を図示した通りの構成と手段に限定するものではない。各図において：
図１は本発明の第１実施例に基づくインテロゲータと共振周波数識別（ＲＦＩＤ）デバイスの等価電気回路図である。
図２Ａは本発明に基づくＲＦＩＤタグの他の実施例の等価電気回路図である。図２Ｂは動作状態にある図２Ａの等価電気回路図の概略図である。
図２Ｃは非動作状態にある図２ＡのＲＦＩＤタグの等価電気回路図の概略図である。
発明の詳細な説明
以下の説明ではある用語が便宜上のみのため使用されているが、それは本発明を限定するものととられるべきではない。図において、同じ参照番号は数個の図を通して同じ要素を示すのに使用される。
本発明は、外部から選択的に印加された電磁界によってタグに誘起された電圧によりもたらされたタグの中を流れる電流により形成されるネットな電磁界がゼロに近づくような共振ＲＦＩＤタグを提供する。本発明によれば、タグのアンテナは二つのコイルつまりインダクタおよびスイッチを備えている。
一つの位置にあるスイッチで、一つのインダクタを流れる電流によって発生された電磁界が他のインダクタに流れる電流によって発生された電磁界によって本質的に相殺されるように電流が対向する方向に二つのインダクタを流れる。
他の位置にあるスイッチで、タグ回路の形態は、相殺電流がインダクタの一つに流れないように変化され、それ故相殺電磁界は発生しない。
このような方法で、タグはその環境から選択的に減結合される。タグが環境から減結合されると、タグはどの近接する共振タグの動作にも妨害するような電磁界を発生しない。
ここで図１に、本発明に基づくインテロゲータつまり読取装置１０および共振周波数識別（ＲＦＩＤ）デバイスつまりトランスポンダ１２の等価電気回路図を示す。インテロゲータ１０は、電磁界を発生するために送信アンテナないしコイル１６に電気的に接続された少なくとも電圧源１４を含んでいる。
インテロゲータ１０およびトランスポンダ１２は誘導結合によって通信する。誘導結合によって共振タグないしトランスポンダと通信するインテロゲータはよく知られている。例えば、インテロゲータは米国特許第３，７５２，９６０号、同第３，８１６，７０８号および同第４，５８０，０４１号に開示されており、これらは全てウォルトンに対して発行され、これらはすべてそれらへの言及をすることにより、それらの全内容をこの明細書の中に組み込まれた。
従って、インテロゲータ１０については詳細に示したり、または説明しない。インテロゲータ１０は、トランスポンダ１２の共振周波数で、またはその近傍で電磁界を確立すると言えば十分である。トランスポンダ１２が電磁界内にあるようにインテロゲータ１０に十分近接しているとき、電圧がトランスポンダ１２に誘起される。
トランスポンダ１２がインテロゲータ１０によって形成された電磁界中に移動するにつれて、誘起電圧は電圧レベルがトランスポンダ１２に電力を供給し、その値が増大して遂にデバイスがその所望の目的に基づいて機能するのに十分な値に達する。これについては下記で詳しく説明する。インテロゲータ１０は、一対のスマートな台座（図示省略）としたり、手持ち式ＲＦＩＤスキャナ（図示省略）としたり、またはある種の他のやり方で構成することもできる。
インテロゲータ１０によって発生されたインテロゲーション信号は、周期信号ないしパルス信号ではなく大体連続した信号であるのが好ましい。インテロゲーション・ゾーンとは、電磁界のエリアにおいてインテリジェント・トランスポンダ１２に十分な電力を供給するような電圧を誘起するエリアである。
従って、インテロゲーション・ゾーンのサイズは電磁界の強度によって規定される。インテロゲータ１０は、インテロゲーション・ゾーン内に配置された複数のトランスポンダ１２（および従ってこれらの関連物品）からの伝送を検出することができる。
インテリジェント・デバイスつまりトランスポンダは一般に知られており、また広範な使用分野で利用可能である。米国特許第５，４３０，４４１号には、インテロゲーション信号に応答してデジタル的にエンコードされた信号を伝送するトランスポンディング・タグが開示されている。
上述のタグは複数の誘電体層と導電体層とを含む剛性のある基板を有するとともに、この基板のホール（穴）内に完全に埋設された集積回路と導電性フォイルトレースに接合されたタブを含んでいる。本発明のトランスポンダ１２は集積回路（ＩＣ）１８に電気的に接続されたアンテナ回路２０を含んでいる。
このアンテナ回路２０は、以下でより詳しく説明するように、インテロゲータ１０の無線周波数に対応する所定の無線周波数（ＲＦ）で共振する共振回路を含んでいるのが好ましい。
アンテナ回路２０は一つまたはそれ以上の容量性要素に電気的に接続された一つまたはそれ以上の誘導性要素を含めることができる。好ましい実施例においては、アンテナ回路２０は、容量性要素ないし共振コンデンサ２４と直列ループをなして単一の誘導性要素、インダクタないしコイル２２に電気的に接続された組み合わせによって形成される。
当該技術に習熟した人々にとってよく知られているように、アンテナ回路２０の動作周波数はインダクタ２２と共振コンデンサ２４の値に依る。インダクタ２２のサイズとコンデンサ２４の値は、アンテナ回路２０の所望の共振周波数に基づいて決定される。
本発明の一つの実施例において、トランスポンダ１２は13.56MHZで動作するように構成される。トランスポンダ１２は約13.56MHZで共振するのが好ましいが、トランスポンダ１２は他の周波数で共振するように構成することもでき、またトランスポンダ１２のその正確な共振周波数が本発明を限定することを意味するものでもない。
従って、アンテナ回路２０は13.56MHZ以外の他の無線周波数で、実際にはマイクロウェーブのような周波数で動作してもよいことは、当該技術に習熟した人々にとって明白となろう。
抵抗器２６が、電力損失のためにインダクタ２２の等価直列抵抗を表わす第１インダクタ２２と直列接続された形で示されている。これに加えて、アンテナ回路２０は単一の誘導性要素２２と単一のコンデンサ２４で構成されているが、多数のインダクタと容量性要素も使用することができる。
例えば、多数の要素を含む共振回路は電子保安・監視技術において知られており、例えば「電子保安システムに使用する活動化可能／不活性化可能保安タグ」と称する米国特許第５，１０３，２１０号に開示されている。ここでは参考例として取り入れている。
好ましいアンテナを説明したが、ＩＣ１８との間のエネルギを結合するためのあらゆる手段を使用することも可能なことがこの説明から当該技術に習熟した人々にとって明白となろう。
本発明は共振タグの共振回路を不活性化するためのスイッチを含む既知の不活性化可能デバイスとは異なり、本発明によれば、アンテナ回路２０は決して不活性化されない。
そうではなくて、回路２０はなお共振するが、第１インダクタ２２によって形成された電磁界が次に詳しく説明するように第２インダクタによって形成されたオフセット電磁界によって効果的に中和されるのである。
データを記憶するために設けられたＩＣ１８は、インテロゲータ１０によってアンテナ回路２０に誘起された電圧によって電力を受ける受動デバイスであるのが好ましい。すなわち、トランスポンダ１２が電磁界内にあるようにインテロゲータ１０に十分接近しているとき、インダクタ２２に誘起された電圧がＩＣ１８のＡＮＴ入力端でＩＣ１８に電力を供給する。
ＩＣ１８はＡＮＴ入力端で誘起ＡＣ電圧を内部で整流し、内部ＤＣ電圧源を提供する。内部ＤＣ電圧がＩＣ１８の適正な動作を保証するレベルに達したとき、ＩＣ１８が、ＩＣ１８のＭＯＤ出力でプログラム可能なメモリに記憶されたデジタル値を出力するように機能する。
ＩＣ１８に記憶されたデータを読取装置（図示省略）に伝送する一つの方法は、ＩＣ１８のＭＯＤ出力とアンテナ回路２０とに接続された変調コンデンサ２８を使用するものである。
この方法によれば、ＭＯＤ出力におけるデータ出力パルスがアース接続を接続及び断路することによって変調コンデンサ２８をアンテナ回路２０に接離させ、記憶されたデータに基づいて回路２０の全容量を変化させ、次に回路２０の共振周波数を変化させ、第１の所定共振周波数から所定のより高い周波数へと離調させる。
こうして、トランスポンダ１２のデータ・パルスが共振アンテナ回路２０の同調・離調により作られるのであり、それによりアンテナ回路２０が単純な単一周波数応答信号をリターンするのでなく、一連の予めプログラムされた情報を含む信号をリターンする。
もちろん、当該技術に習熟した人々にとって理解できるであろうが、変調の他の適当な手段も本発明に使用することもできる。さらに、データを読取装置に伝送するこの手段は適切に実行されるが、本発明は次により詳しく説明するように、異なる方法を用いても記憶されたデータを読取装置に伝送する。
一連の情報（データ・パルス）が、通常インテロゲータ１０に関連させられている受信回路網（図示省略）によって受信、処理される。すなわち、受信回路網はインテロゲータ１０の電磁界内のエネルギ消費量の変化を感知し、ＩＣ１８からのデジタル・データ値の出力を決定する。
必要なら、データはインテロゲータ１０またはこれに関連する回路網によってデコードされ、トランスポンダ１２が関連している物品または人に関する他の識別事項または情報を提供する。
ここで好ましくは、アンテナ回路２０に誘起された電圧によって電力供給された受動ＩＣ１８が使用される。しかし、バッテリなど、ＩＣ１８に電力を供給するための他の手段は、本発明の範囲内である。
ＩＣ１８はまた、電力リターンないしＧＮＤ出力および一つまたはそれ以上の付加入力（図示省略）を含めてもよく、それらは従来の方法でＩＣ１８をプログラミングする（すなわち、これに記憶されたデジタル値を記憶または変更する）ために使用される。
この好ましい実施例においては、ＩＣ１８は不揮発性メモリの１２８ビットからなる。もちろん、ＩＣ１８はこれより大きいかまたは小さい記憶容量であってもよいことは当該技術に習熟した人々にとって明白であろう。
第１の所定共振周波数でまたはこれに近い周波数でインテロゲータ１０によって発生された電磁界のような外部電磁界にトランスポンダ１２をさらすことにより、第１電流Ｉ1が回路２０を介して矢印Ｉ1で示された第１方向に流れ、アンテナ回路２０に電圧が誘起される。
回路２０を通る電流Ｉ1の流れが第１局部電磁界を形成する。
Kdrv:resはインテロゲータ・コイル１６と第１インダクタ２２間の磁気結合係数を表わしている。
上述したように、第１インダクタ２２を通る電流Ｉ1の流れによって発生された電磁界は、トランスポンダ１２に近接して作動する他のトランスポンダないしタグの作動と干渉を生ずることもありうる。従って、本発明は第２の相殺インダクタないしコイル３０をさらに含んでいる。
図１に示す実施例において、第２インダクタ３０は第１インダクタ２２に電気的に接続されている。しかし、この説明から当該技術に習熟した人々にとって理解できるであろうが、第２インダクタ３０はその所望の機能を実行するためには第１インダクタ２２に電気的に接続する必要はない。
第２インダクタ３０と直列に接続されて示された抵抗器３２は、電力損失による、インダクタ３０の等価直列抵抗を表わしている。スイッチ３４とスイッチ抵抗器３６が第２インダクタ３０をアンテナ回路２０に接続している。スイッチ抵抗体３６はスイッチ３４の等価直列抵抗を表わしている。
第２インダクタ３０は、スイッチ３４が閉され、トランスポンダ１２が第１の所定周波数またはこれに近い周波数でインテロゲータ１０によって発生された外部電磁界にさらされたときに、第１方向に回路２０を流れる第１電流Ｉ1と、第２方向に矢印Ｉ2によって示されるように第１電流Ｉ1の方向と逆の第２インダクタ３０を流れる第２電流Ｉ2とのそれぞれに起因して電圧が第１、第２インダクタ２２、３０それぞれに誘起するよう、アンテナ回路２０に接続されている。
第２インダクタ３０を通る電流Ｉ2の流れが第２局部電磁界を生成する。Kdrv:canはインテロゲータ・コイル１６と第２（の相殺的）インダクタ３０間の磁気結合係数を表わしている。典型的には、Kdrv:resとKdrv:canは０．０１未満であり、またKres:canは１未満で０．４を超える。
第１および第２局部電磁界は、これらの第１および第２電磁界の和がゼロに近づくように互いに相互作用するのが好ましい。すなわち、インテロゲータ１０によってトランスポンダ１２に誘起される電圧からトランスポンダ１２を流れる電流によって生成された正味電磁界は選択的にゼロに近づく。
こうして、トランスポンダ１２に最も近い電磁界が測定されると、その測定値は次式によって表わされるようにインテロゲータ１０によって発生される電磁界の値に近づく：
Ｌr Ｉ1＋Ｌc Ｉ2＝＝＞０          （１）
ここに、Ｌr Ｉ1は第１インダクタ２２によって生成された磁束、またＬc Ｉ2は第２インダクタ３０によって生成された磁束である。Ｌrは第１インダクタ２２のインダクタンスで、Ｌcは第２インダクタ３０のインダクタンスである。
スイッチ３４は第２インダクタ３０に接続され、これを流れようとする電流を許容しまたは阻止する好ましくは電子スイッチである。電子スイッチ３４は、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）のような適当なデバイスでよく、また、ＩＣ１８と別体でもまたは一体でもよい。
任意に、スイッチ３４は、電力がトランスポンダ１２に印加されるかいなかでその状態が維持されるメモリを有している。この種のスイッチ３４の一例は、EPROM記憶セルに使用されたものと同様のそのゲート電極に関して電荷蓄積機構のあるＦＥＴである。
第１実施例によれば、スイッチ３４は、第２コイル３０に流れようとする電流を選択的に許容する第１位置と第２位置を有している。スイッチ３４が第１位置にあるときは、スイッチ３４は開いており、トランスポンダ１２がイテロゲータ１０によって生成された外部電磁界にさらされているときには相殺電磁界は発生しないことになる。
スイッチ３４が第２位置にあるときは、スイッチは閉じており、従って、第２インダクタ３０を流れようとする第２電流Ｉ2を許容し、トランスポンダ１２がインテロゲータ１０によって生成された外部電磁界にさらされているときには第２局部電磁界を形成する。
トランスポンダ１２の回路を分析すると、スイッチ３４が閉じているとき、ＬrとＬcの互いに（Kres:canを介して）結合された部分は、これを流れる電流Ｉ1、Ｉ2による両者の両端に誘起される電圧を持たない。
互いに結合した部分に各電流Ｉ1、Ｉ2から誘起された電圧は等しいが、符号が逆なので両者は加算されてゼロになる。従って、ＬrとＬcの結合部分は、分析の次の段階においてはないものと考えることができる。
第１インダクタ２２はインテロゲータ１０によって発生された外部電磁界からの誘起電圧を有し、この誘起電圧は（1-Kres:can）Ｌr（非結合部分のインダクタンス）と、抵抗体２６と共振コンデンサ２４と含む等価直列回路両端に発生されるものである。
（1-Kres:can）Ｌrと抵抗体２６のインピーダンスが、共振コンデンサ２４のインピーダンスと比較して低いので、これらの直列要素の複合インピーダンスは主に容量性であり、従って、この直列回路の電流Ｉ1は約９０°だけ誘起電圧より進んでいる。
同様にして、第２インダクタ３０はインテロゲータ１０によって発生された外部電磁界からの誘起電圧を有しており、この誘起電圧は（1-Kres:can）Ｌcと、抵抗体３２とスイッチ抵抗器３６を含む等価直列回路両端に発生される。
抵抗体３２、３６の直列抵抗は（1-Kres:can）Ｌcのインピーダンスと比較して低いので、これらの直列要素の複合インピーダンスは主に誘導性であり、従って、電流Ｉ2は約９０°だけ誘起電圧より遅れている。結果として、電流Ｉ1とＩ2は１８０°に近い位相関係を有していることになる。すなわち、電流Ｉ1とＩ2は本質的に逆方向に流れる。
電流Ｉ1とＩ2の相対的な大きさは、当該技術に習熟した人に理解できるように、インダクタ・コイルの巻数、サイズおよび相対的位置を調節して第１および第２インダクタ２２、３０の値を調整することによって調節することができる。もちろん、電流Ｉ1とＩ2の相対的大きさが適正に調節されるとき、上式（１）の想定は真実である。
これまでに説明したように、トランスポンダ１２はアンテナ回路２０を同調し離調することによってＩＣ１８に記憶されたデータを伝送する。本発明によれば、スイッチ３４はその片側でＩＣ１８のＭＯＤ出力に、また、その反対側でＧＮＤに接続されている。
次にスイッチ３４が開位置と閉位置の間を記憶データのパターンに基づいて移動され、それにより記憶データが読取装置に伝送されるよう、アンテナ回路２０を同調し離調する。従って、本発明はスイッチ３４と変型したアンテナ回路２０を変調コンデンサ２８の代わりに使用してアンテナ回路２０を同調し離調し、また読取装置へデータを伝送する。
ここで図２Ａを参照して、トランスポンダ４０の第２の好ましい実施例の電気的な概略図を示す。第１実施例と同様に、トランスポンダ４０はＩＣ１８と、第１および第２インダクタ２２、３０と、等価抵抗器２６と、共振コンデンサ２４と、スイッチ３４と、スイッチ抵抗器３６とを含んでいる。
（等価抵抗器２６は第１と第２のインダクタ２２、３０両方によるものである。）トランスポンダ４０は回路２０と同じ基本原理に基づいて動作する。すなわち、第２コイル３２は、第１および第２インダクタ２２、３０を流れる電流によって生成された局部電磁界の和がゼロに近づくように、相殺電磁界を発生するように設けられている。
しかし、第２実施例によれば、電流は常に第２インダクタ３０を流れる。スイッチ３４が開のとき（図２Ｂ）、トランスポンダ４０は第１および第２インダクタ２２、３０（まとめて４２で示す）と、抵抗器２６と共振コンデンサ２４とを含む直列回路を含んでいる。
一方、スイッチ３４が閉のとき（図２Ｃ）、第１電流Ｉ1が第１インダクタ２２を流れ、第２電流Ｉ2が第２インダクタ３０を流れ、電流Ｉ1とＩ2は、発生された局部電磁界が上述したように相殺されるよう逆方向に流れる。
トランスポンダ４０は次式に従って作用する：
ωＬ１＋ωＬ２＝１／ωＣ１          （２）
Ｑ  ＝（ωＬ１＋ωＬ２）／Ｒ１      （３）
ここに、Ｌ１は第１インダクタ２２、Ｌ２は第２インダクタ３０、Ｃ１は共振コンデンサ、Ｒ１は直列抵抗体２６およびωは共振周波数である。図２において、インダクタ２２、３０は直列であり、Ｌ＝Ｌ１＋Ｌ２として単一のインダクタ４２として表わされていることに注意しなければならない。
もし、第１と第２インダクタ２２、３０の巻数比が、第２インダクタ３０を流れる電流Ｉ2により生じる電磁界が第１インダクタ２２を流れる電流Ｉ1によって生成された電磁界と大きさと等しいが符号が逆であるように選定されると、そのときはゼロまたはゼロに近い正味電磁界が生成されるので、トランスポンダ４０はこれに近接する他のトランスポンダに過度に影響を与えることはない。
この効果は次式で表わすことができる：
Ｉ1＝−（Ｎ１／Ｎ２）2kL1L2I2    （４）
ここに、kL1L2は相互インダクタンス結合係数、Ｎ１およびＮ２は第１および第２インダクタ２０、３０それぞれの巻数である。第１実施例と比較して第２実施例では、共振コンデンサの値が第２実施例より小さくすることができることが利点である（コンデンサがインダクタ２２、３０両者の両端に接続されているからである。）
スイッチ３４はタグが「アクティブ」であるように通常開であるのが好ましい。スイッチ３４はＩＣ１８からの信号線４４によって制御されてもよい。この信号線４４はＩＣ１８中にあるシーケンサによって制御されてもよい。
例えば、トランスポンダ１２がＩＣ１８から読み取られたデータの伝送を完了したときに、ＩＣ１８が信号線４４を設定し、これによってスイッチ３４を閉じ、トランスポンダ１２がその環境から減結合される。
ＩＣ１８は、所定の時間周期の後スイッチ３４を開き、もしトランスポンダ１２がなおもインテロゲータ１０によって発生された外部電磁界内にあればトランスポンダ１２がそのデータ・メッセージを再送するという信号の値を決定するのに使用するタイマーを含めることもできる。スイッチ３４を制御する他の手段は当該技術に習熟した人に理解できるであろう。
これまでに説明したように、スイッチ３４はＩＣ１８から読取装置に記憶され（また読み取られた）データを伝送するのにも使用されるのが好ましい。すなわち、スイッチ３４はインテロゲータ１０によって生成された電磁界から本質的にエネルギを引き出すようにオン・オフされるのであって、他の手段によって変調されるであろう率でそれぞれされるのではない。
変調のためのこの機構は、他の変調方法を用いて作られた信号から区別できないところのインテロゲータ１０への信号を生ずる。本方法によれば、データが全て伝送された後、スイッチ３４が閉位置に置かれ、トランスポンダ１２がその環境から減結合される。
スイッチ３４は可変抵抗要素を含めることもでき、この要素の抵抗がゼロ近く（スイッチのＯＮ抵抗）から本質的に無限（スイッチのＯＦＦ抵抗）まで、また、これらの中間的などんな値にも制御することができる。
このような中間的な値は、どれだけの電力を外部電磁界からひきだすかを決定する目的に有効である。例えば、抵抗値が中間的な値（ゼロと無限の間の一つの値）に調節されれば、トランスポンダ１２の部分的な減結合が生じ、それはトランスポンダ１２がインテロゲータ１０のすぐ近くにあり、インテロゲータによって発生された外部電磁界が特に強い場合に有利である。
従来の回路構成において、外部電磁界から引き出される電力はＩＣ１８によって放散されなければならない。当該技術に習熟した人に理解できるように、この電力は時としてＩＣを過熱させ破壊してしまう程大きいことがある。
トランスポンダ１２をその環境から部分的に減結合する利点は、このことが外部電磁界から集めることのできる電力量を減じ、従ってＩＣ１８の電力放散の必要を制限することである。同様にして、トランスポンダ１２に誘起されうる電圧は最小にされ、従って過大な誘起電圧による破壊の可能性が小さくなる。
本発明の上述した実施例をその発明概念から外れることなく変形できることは当該技術に習熟した人に認められるであろう。従って、本発明は説明した特定実施例に限定されるものではなく、添付の請求の範囲に規定された本発明の概念と精神の範囲内のどんな変形も包含することを意図する。
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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