(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）ベース要素と、
（ｂ）片持ち梁式要素と、
（ｃ）一対の電極とを有し、
上記片持ち梁式要素は、上記ベース要素から延在し、第１の位置にあり、
上記片持ち梁式要素は、低熱膨張係数を有する誘電材料から構成される第１の層、及び、上記第１の層に取り付けられ金属間化合物のアルミニウム化チタンを有する第２の層を有し、
上記一対の電極は、上記第２の層に電流を流すことにより上記第２の層の温度を上昇させることを可能にするために上記第２の層に接続され、
上記片持ち梁式要素は、上記第２の層の上記温度が上昇した結果第２の位置にそれ、上記第２の層を通る上記電流が止められ上記第２の層の上記温度が低下すると上記第１の位置に戻る、マイクロ電気機械式装置のためのサーマルアクチュエータ。
【請求項２】
上記第２の層は、Ａｌ４−ｘＴｉｘの関係によって特徴付けられ、このとき、
【数１】
0004040288.tif 000006
である請求項１記載のサーマルアクチュエータ。
【請求項３】
上記第２の層は、約１よりも大きい効率（ε）を有し、
上記効率（ε）は、式
【数２】
0004040288.tif 000007
によって定義され、このとき、Ｙはヤング率、ρは密度、αは熱膨張係数、及びｃｐは材料の比熱である請求項１記載のサーマルアクチュエータ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マイクロ電気機械式装置、より特定的には、インクジェットプリンタヘッドにおいて使用されるようなタイプのマイクロ電気機械式サーマルアクチュエータに関わる。
【０００２】
【従来の技術】
マイクロ電気機械式システム（ＭＥＭＳ）は、比較的新しい進展である。このようなＭＥＭＳは、アクチュエータ、バルブ、及び、ポジショナーのような従来の電気機械式装置の代替品として使用されている。マイクロ電気機械式装置は、超小型電子製造技術の使用により、可能性として低コストである。新しい適用法も小規模のＭＥＭＳ装置により発見されている。
【０００３】
ＭＥＭＳ技術の多くの可能な適用法は、このような装置において必要とされる動きを与えるためにサーマルアクチュエータを利用する。例えば、多くのアクチュエータ、バルブ、及び、ポジショナーは、動きのためにサーマルアクチュエータを使用する。サーマルアクチュエータの設計において、動き度を最大にする一方で、活性化によりアクチュエータによって供給される力の度合いを最大にすることが望ましい。同時に、アクチュエータの動きによって消費される電力を最小にすることも望ましい。
【０００４】
２０℃乃至３００℃の温度の間でアクチュエータが繰り返し熱作動すると固有応力、及び、繰り返し可能なアクチュエータの動きに関して片持ち梁式のサーマルアクチュエータが変化を示さないことも有利である。結果となるＭＥＭＳ装置が標準のＣＭＯＳ集積回路製造と互換性がある材料を用いてバッチ式に生産されることが可能であることも望ましい。これにより、信頼性があり、繰り返し可能であり、コストが低い有利なＭＥＭＳ装置が生ずる。ＣＭＯＳ処理と互換性があることにより、同じ装置上で制御回路がアクチュエータと一体となることを可能にし、更に、コスト及び信頼性を高める。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明は、動きの度合いが改善されたアクチュエータはりを有するマイクロ機械式装置のためのサーマルアクチュエータを提供することを目的とする。
【０００６】
本発明は、活性化により高められた力の度合いを与えるアクチュエータはりを有するマイクロ機械式装置のためのサーマルアクチュエータを提供することを更なる目的とする。
【０００７】
本発明は、２０℃乃至３００℃の温度でアクチュエータが繰り返し熱作動すると緩和を略示さない片持ち梁式のサーマルアクチュエータを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
簡単に説明するに、本発明の前述及び多数の他の特徴、目的、及び、利点は、本願記載の詳細な説明、特許請求の範囲、及び図面を参照することにより容易に明らかになる。これら特徴、目的、及び、利点は、ベース要素と、ベース要素から延在する片持ち梁式要素とを有するマイクロ電気機械装置のためのサーマルアクチュエータを製造することによって実現され、片持ち梁式要素は、通常第１の作動しない位置にある。片持ち梁式要素は、低熱膨張係数を有する誘電材料から成る第１の層、及び、第１の層に取り付けられる金属間化合物のアルミニウム化チタン（intermetallic  titaniumu  aluminide）（Ｔｉ／Ａｌ）の第２の層を有する。第２の層に電流を流し、それにより第２の層の温度を上昇させる一対の電極が第２の層に接続される。金属間化合物のアルミニウム化チタンの抵抗により発生する熱は、片持ち梁式要素を作動する第２の位置にそらせる。片持ち梁式要素は、第２の層を流れる電流が止まり、第２の層の温度が下がると第１の位置に戻る。第２の層を有する金属間化合物のアルミニウム化チタンの薄膜は、高熱膨張係数を有し、導電性である。更に、金属間化合物のアルミニウム化チタンの薄膜は、ヒータとして使用するのに好適な抵抗力を有する。選択された堆積条件、及び、堆積後アニーリングを用いて、正しく調節された応力及び熱安定性を有する膜が形成される。
【０００９】
本発明は、サーマルアクチュエータインクジェットプリンタ装置として特に有用である。この好ましい実施例では、サーマルアクチュエータの片持ち梁式要素は、ポート又はノズルを含むインク貯蔵器又はチャンバ中にあり、このポート又はノズルを通ってインクが吐出される。サーマルアクチュエータの作動を通じて、片持ち梁式要素は、チャンバの中に反れ、ノズル中にインクを通させる。
【００１０】
上記の通り、片持ち梁式要素は、低熱膨張係数を有する誘電材料から構成される第１の層を有する。本願で使用する「低熱膨張係数」といった用語は、１ｐｐｍ／℃以下の熱膨張係数を指す。
【００１１】
【発明の実施の形態】
図１を参照するに、サーマルアクチュエータのインクジェットプリントヘッド１０の一部分の平面図を示す。サーマルアクチュエータのインクジェット装置１２のアレイは、基板１３上に一体構造的に製造される。各サーマルアクチュエータのインクジェット装置１２は、インクチャンバ１６中にある片持ち梁式要素又ははり１４を含む。ノズル又はポート１８を通りインクがチャンバ１６から吐出される。ノズル又はポート１８は、チャンバ１６のポンピング部２０にある。片持ち梁式要素又ははり１４は、その自由端２２がポンピング部２０の中におかれるようチャンバ１６を越えて延在する。片持ち梁式要素又ははり１４は、ポンピング部２０の壁と合うことなくこの壁の内にぴったりと嵌められる。片持ち梁式要素又ははり１４をノズル１８に非常に接近させて配置し、片持ち梁式はり１４をポンピング部２０中でぴったりと閉じ込めることにより、インク滴の吐出の効率が改善される。片持ち梁式はり１４に隣接するチャンバ１６の開領域２６は、ノズル１８を通って滴が吐出された後の補充を早める。インクは、インクチャンバ１６の下で基板１３中にエッチングされるインク送りチャネル２８（図７参照）によってサーマルアクチュエータのインクジェット装置１２に供給される。片持ち梁式はり１４から２つのアドレス指定電極３０及び３２が延在する。
【００１２】
次に図２を参照するに、片持ち梁式はり１４の断面図を示す。片持ち梁式はり１４は、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、又は、これら２つの組合せのような、低熱膨張係数を有する材料からなる第１の又は上層３４を有する。片持ち梁式はり１４は、後で説明するように導電性であり、高い効率を有する第２の又は下層３６も有する。第２の層３６は、金属間化合物のアルミニウム化チタンから成ることが好ましい。
【００１３】
図３乃至図６は、一つのサーマルアクチュエータインクジェット装置１２に対する処理段階を示す。図３を参照するに、２つのアドレス指定電極３０及び３２が第２の層３６に接続されている。２つの電極３０及び３２に電圧が印加されると、電流が金属間化合物のアルミニウム化チタン層３６を流れ、この層を加熱させ、片持ち梁式はり１４をノズル１８の方にポンピング部２０の中へ曲げ又はそらす。インクは、このようにしてノズル１８を通じて吐出される。
【００１４】
サーマルアクチュエータのインクジェット装置１２で一滴のインクの吐出を最適化するためには、片持ち梁式はり１４の力及びたわみを最適化することが重要である。関係式、
【００１５】
【数３】
0004040288.tif 000002
片持ち梁式はり１４の第２の層３６の材料の効率εを説明する無次元パラメータを提供し、このときαは熱膨張係数、Ｙはヤング率、ρは密度、及びｃｐは材料の比熱である。分子は、サーマルアクチュエータの力及び変位に比例する材料特性を有する。分母は、第２の層３６がどれだけ効率的に加熱され得るかに寄与する材料特性を有する。
【００１６】
表１は、本発明の金属間化合物のアルミニウム化チタンの薄膜材料に比較して従来技術のサーマルアクチュエータのために使用される様々な材料に対するεを示す。材料特性は、本発明の金属間化合物のアルミニウム化チタンの薄膜以外は文献から得られ、金属間化合物のアルミニウム化チタンの薄膜に対する材料値は実験から得られる。
【００１７】
【表１】
0004040288.tif 000003
アルミニウム化チタンは、従来技術の２番目に善いの膜よりも７０％効率的である。金属間化合物のアルミニウム化チタンの膜のヤング率は、Ｔｉ／Ａｌ酸化ケイ素の片持ち梁の共振振動数に対するフィットから得られる。金属間化合物のアルミニウム化チタンの膜の熱膨張係数は、金属間化合物のアルミニウム化チタン酸化ケイ素の片持ち梁を加熱し、たわみ対温度をフィットさせることで得られる。
【００１８】
本発明の実施において第２の又は下層３６のために使用される材料は、約１よりも大きい効率（ε）を有する。このような材料は、１よりも大きい効率（ε）を有することが好ましい。更に、このような材料は、１．１よりも大きい効率（ε）を有することがより好ましい。
【００１９】
片持ち梁式ばり１４を有するサーマルアクチュエータ装置１２の場合、上記の通り第１の層３４及び第２の層３６を有する２層構造が形成される。第２の層３６は、金属間化合物のアルミニウム化チタンであることが好ましく、第１の層３４の材料は実質的により低い熱膨張係数を有する。典型的には、第１の層３４の材料は、酸化ケイ素又は窒化ケイ素から選択される。片持ち梁式はり１４に対する変位及び力が層３４及び３６に対して選択される２つの材料の厚さ及び厚さ比を変えることで最適化され得ることは当業者に明らかとなるべきである。特に、平衡状態では、最大のたわみ及び力に関して、関係式
【００２０】
【数４】
0004040288.tif 000004
が第１の及び第２の材料の厚さの比を決定することが公知であり、ｈ１、ｈ２は、２層３４及び３６の厚さであり、Ｙ１、Ｙ２は２層３４及び３６の材料のヤング率である。
【００２１】
図３に示すように、二酸化ケイ素から典型的に成る薄層４０がサーマルアクチュエータインクジェット装置１２に対してインクからの底保護層として機能し、基板１３からサーマルアクチュエータインクジェット装置１２を電気的に絶縁するために最初に基板１３上に堆積される。金属間化合物のアルミニウム化チタンの膜が次に堆積され、下層３６及び装置上の制御回路に接続するよう延在されるアドレス指定電極３０及び３２のパターンが付けられる。
【００２２】
誘電層４１を形成するために酸化ケイ素、又は、酸化ケイ素及び窒化ケイ素の組合せが薄層４０及び下層３６の上に堆積される（図４参照）。誘電層４１は、図４に示すように上層３４を形成するようパターン化される。結果として生ずるパターンは、薄層４０を通って基板１３までエッチングされる。この層３４のパターン化は、下層３６の両側に酸化物／窒化物の保護層を残すよう下層３６のパターンを越えて延在する。このパターン化及びエッチングは、インク補充のために片持ち梁式ばり１４の各側に開領域２６を画成し、効率的な滴の吐出のために片持ち梁式はり１４の自由端２２の周りにポンピング部２０の第１の層を画成する。
【００２３】
図５では、ポリイミド犠牲層４２が堆積され、パターン化され、完全に固化される。ポリイミド犠牲層４２は、片持ち梁式はり１４を越えて延在するよう画成され、開領域２６及びポンピング部２０をふさぐ。ポリイミド犠牲層４２の固化された画成部はインクチャンバ１６を画成する。ポリイミドは、平坦な上表面４３を提供する表面を平面化する。ポリイミド犠牲層の傾斜が付けられた側壁４５は、インクチャンバ壁を形成することを助ける。
【００２４】
図６に示すように、次に上壁層４６が誘電層４１の上に堆積される。典型的にはこの上壁層４６は、ポリイミド犠牲層４２の上に適応して堆積されるプラズマ堆積された酸化物及び窒化物から成る。ポリイミド犠牲層４２の傾斜が付けられた側壁４５は、（上壁層４６の一部である）チャンバ壁層４４が上エッジで割れることを防止するために重要である。ノズル穴１８がチャンバ壁層４４を通ってエッチングされる。
【００２５】
基板１３は、裏側にパターンがつけられ、前側に整列され、インク送り線２８を形成するためにエッチングされる。インクチャンバ１６をふさぐポリイミド犠牲層４２は、酸素及びフッ素源を用いてドライエッチングすることで除去される。この段階は、片持ち梁式はり１４を解放し、従って、はりを形成する。インクチャンバ１６の中にくずが入ることを防止するためにこの段階の前にチップダイシングが行われ得ることに注意する。
【００２６】
図７に最終構造の断面を示す。片持ち梁式はり１４の断面は、底保護層４０、金属間化合物のアルミニウム化チタンから成る下アクチュエータ層３６、及び、上アクチュエータ層３４を示す。片持ち梁式はり１４は、インクチャンバ１６の中にあり、ノズル穴１８の近傍において自由端２２の周囲についてきつく閉じ込められ、その残りの長さにわたって両側に開いた充填領域２６を有する。
【００２７】
図７に示すようにはり１４をまっすぐに維持するためには、片持ち梁式はり１４の材料の応力を制御できるようにすることが重要となる。片持ち梁式はり１４の層３４と３６の間の応力差は、片持ち梁式はり１４を曲げさせる。従って、各層３４及び３６の応力を制御できるようにすることが重要となる。好ましくは、上のアクチュエータ層３４は、ゼロに近い応力で堆積され得る酸化ケイ素から主に形成され、その上に、第２の層３６の全ての引張り応力を打ち消すよう引張り応力を有して堆積され得る窒化ケイ素のような第２の材料がある。しかしながらはりの効率を最大にするためには、必要な窒化ケイ素の量を最小にすることが重要である。従って、金属間化合物のアルミニウム化チタン膜の引張り応力を最小にすることが重要である。
【００２８】
金属間化合物のアルミニウム化チタンの膜を堆積することは、アルゴンガスでＲＦ又はパルス化ＤＣマグネトロンスパッタリングのいずれか一方を用いて行われる。ＴｉＡｌ３スパッタターゲットは、９９．５％の純度及び９９．８％よりも密であると保証されている。最適な膜の特性は、圧力及び基板のバイアスの堆積パラメータを変えることで得られる。パルス化ＤＣマグネトロンスパッタリングの場合、パルシングのデューティサイクルも変化される。堆積後、膜は、固有応力における更なる変化が膜でもはや見られなくなるのに十分に長い期間にわたって窒素環境で１時間以上３００℃乃至３５０℃でアニーリングされる。アニーリングされた膜は、Ｘ線回折によって決定されるように大部分が乱れた面心立方（ｆｃｃ）構造を示す。金属間化合物のアルミニウム化チタンの組成は、選択されたスパッタリング条件に依存するラザフォード後方散乱分光測測定（ＲＢＳ）によって決定されるように６５乃至８５％の範囲内のチタン対アルミニウムのモル分率を有する。これは、本願記載の通り、熱作動の膜に対して現在教授されている全てのものよりも優れている特性の膜を生成する。この金属間材料は、関係式、Ａｌ４−ｘＴｉｘによって特徴付けられ、このとき
【００２９】
【数５】
0004040288.tif 000005
である組合せでチタン及びアルミニウムを有する。
【００３０】
この大部分がｆｃｃの膜が４５０℃より上に加熱されるとき、結晶構造は、乱れたｆｃｃから大部分が正方Ｔｉ５Ａｌ１１構造に変化する。構造におけるこの変化は、晶子の大きさを相当増大させ、フィルムの割れを生じ得る引張力を減少させる。
【００３１】
図８は、堆積後の測定された応力、及び、アニーリング後の結果となる応力の実験的結果を示す。堆積パラメータを制御することにより、膜の最終応力はゼロに減少され得る。この表示されたデータは、５ミリトール（ｍＴ）の圧力の堆積条件に対するデータであることに注意する。更に、堆積圧力が６ｍＴより下に下げられると、堆積された膜でバイアスを増加するのに類似する圧縮応力の増加が見られる。更にＤＣマグネトロンスパッタリングに関して、パルスのデューティサイクルを変化させることが応力を調節するために使用できることが分かる。従って、最終応力は、両方の基板のバイアス、堆積圧力及びパルシングデューティサイクルを正しく選択することで調整され得る。
【００３２】
繰り返しの作動に対して材料が熱的に安定し、塑性変形又は応力緩和を全く示さないことも重要である。図９は、６インチ（１５．２４センチメートル）のシリコンウェーハ上で測定される、堆積されアニーリングされた金属間化合物のアルミニウム化チタンの膜からの応力対温度のデータを表示する。曲線は、ヒステリシスを示さない。図１０に示す、純粋なアルミニウム膜に対する同じ測定は、大きいヒステリシス及び非線形の曲線を示す。製造された片持ち梁式はり１４（本願記載のように金属間化合物のアルミニウム化チタン膜を含む）に関して、はりのプロファイル又は作動率において変化が測定され無い、何十もの、何万もの試験的作動が実施された。
【００３３】
ＴｉＡｌ（Ｎ）又はＴｉＡｌ（Ｏ）化合物を作るためにスパッタガスに酸素又は窒素を加えることは、本発明には不都合であることが分かる。例えば、図１１は、シリコンウェーハ上に堆積される、７％の酸素が組み込まれた、及び、酸素が組み込まれていない金属間化合物のアルミニウム化チタンに対する応力対温度曲線を比較する。ウェーハの曲率を測定すると、膜の応力は技術において周知のストーニー（Stoney’s）の式を用いて導かれる。曲線の傾きは、材料のヤング率及び熱膨張係数に比例する。従って、小さい傾きは、より効率的でないアクチュエータ材料を示す。酸素を加えることは、アクチュエータ材料の効率を劣化させる。
【００３４】
層３６のために使用される金属間化合物のアルミニウム化チタン材料は、従来技術のサーマルアクチュエータ装置において使用される材料に対する顕著な利点を示す。このような材料は、所与の温度上昇に対して片持ち梁式はり１４が実現することができるたわみの量に比例する高い熱膨張係数を有する。更に、所与の温度上昇に対して片持ち梁式はり１４が加えることができる力の量にも比例する。更に、金属間化合物のアルミニウム化チタン材料は、高いヤング率を有する。ヤング率が高いということは、同じ力がより薄い片持ち梁式はり１４で加えられ、それにより片持ち梁式はり１４のたわみの可能性を上げることを意味する。金属間化合物のアルミニウム化チタンも低密度及び低比熱を有する。材料を所与の温度に加熱するためにより低いエネルギー入力が要求される。これらの特性は、印刷のためのインク滴吐出器としての使用に一貫する高速の応答時間を実現し得る小規模のサーマルアクチュエータの片持ち梁式はり１４の製造を可能にする。例によって、２０μｍの幅×１００μｍの長さの寸法及び２．８μｍの厚さを有する本発明の片持ち梁式はり１４が効果的に生産され、インクジェット印刷の作動において試験された。
【００３５】
層３６のために使用される金属間化合物のアルミニウム化チタン材料は、３００℃に繰り返し加熱することにより塑性緩和又はヒステリシスを示さない。片持ち梁式はり１４は、特性が全く変化されることなく何万回もサイクルされ得る。
【００３６】
当業者は、層３６のために金属間化合物のアルミニウム化チタン材料を使用するサーマルアクチュエータがＣＭＯＳウェーハに組み込まれ得、集積制御回路を可能にすることを認識すべきである。更に、アルミニウム化チタン材料は、ＣＭＯＳウェーハ製造において使用される標準のスパッタリングシステムを用いて堆積され得る。更に、アルミニウム化チタン材料は、ＣＭＯＳウェーハ製造において使用される標準塩素ベースのエッチングシステムでエッチングされ、パターン化され得る。アルミニウム化チタン材料が堆積される温度は３５０℃より低い。これにより、本発明のサーマルアクチュエータ装置をＣＭＯＳ製造処理の後半に容易に組み込むことを可能にする。
【００３７】
金属間化合物のアルミニウム化チタンは、ヒータには適宜な抵抗率である１センチメートル当たり１６０マイクロオーム（１６０μオーム−ｃｍ）の抵抗率を有する。比較として、純粋な金属はより低い抵抗率を有する。従って、金属間化合物のアルミニウム化チタンは、サーマルアクチュエータにおいてヒータとしても、且つ、曲げ要素としても使用される。
【００３８】
金属間化合物のアルミニウム化チタンは、＜１０ｐｐｍの非常に低いＴＣＲ（熱抵抗率）を有し、アクチュエータが加熱されるとその抵抗が同じままであることを意味する。実際には、これは、材料を加熱するために印加された電圧パルスに対して電流は同じままであり、それにより完全な線形応答を可能にする。
【００３９】
本発明のサーマルアクチュエータは、他のマイクロ電気機械式システム（ＭＥＭＳ）にも適用され得る。例えば、熱的に作動されたマイクロバルブが流体の流れを制御するよう構成され得る。本発明のサーマルアクチュエータによって与えられる動きは、マイクロポジショニング又は切換の適用法のために使用され得る。他の形態のサーマルアクチュエータも好ましい実施例の原理に従って構成され得る。座屈アクチュエータも金属間化合物のアルミニウム化チタンから構成され得る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の複数のサーマルアクチュエータインクジェット装置が中に形成されたサーマルアクチュエータインクジェットプリントヘッドの一部の平面図である。
【図２】本発明のサーマルアクチュエータインクジェット装置の片持ち梁式はりの一部の側面図である。
【図３】二酸化ケイ素から典型的に成る薄層が基板上に最初に堆積され、金属間化合物のアルミニウム化チタンの膜が次に堆積され下層にパターンがつけられる、サーマルアクチュエータインクジェット装置の製造における始めの斜視図である。
【図４】上層を形成するために誘電層がパターン化され、結果となるパターンが図３の薄層を通じて基板までエッチングされる、図３に示す製造の段よりも後の製造の段におけるサーマルアクチュエータインクジェット装置の斜視図である。
【図５】図４に示す構造上に犠牲層が堆積され、パターン化され、完全に固化された、図４に示す製造の段よりも後の製造の段におけるサーマルアクチュエータインクジェット装置の斜視図である。
【図６】図５に示す誘電層及び犠牲層の上に上壁層が次に堆積される、図５に示す製造の段よりも後の製造の段におけるサーマルアクチュエータインクジェット装置の斜視図である。
【図７】本発明のサーマルアクチュエータインクジェット装置の分解斜視図である。
【図８】アルミニウム化チタン膜に対する、基板のバイアス（３００℃でアニーリングする前及び後）の関数として膜の応力をプロットしたグラフを示す図である。
【図９】６インチのシリコンウェーハ上で測定された、堆積されアニーリングされた金属間化合物のアルミニウム化チタン膜に対する温度の関数として応力をプロットしたグラフを示す図である。
【図１０】６インチのシリコンウェーハ上で測定された、スパッタリングされたアルミニウム膜に対する温度の関数として応力をプロットしたグラフを示す図である。
【図１１】シリコンウェーハ上に堆積される、７％の酸素が組み込まれた金属間化合物のアルミニウム化チタン、及び、酸素が組み込まれていない金属間化合物のアルミニウム化チタンに対する応力対温度曲線の比較を示す、温度の関数として応力をプロットしたグラフを示す図である。
【符号の説明】
１０  サーマルアクチュエータインクジェットプリントヘッド
１２  サーマルアクチュエータインクジェット装置のアレイ
１３  基板
１４  片持ち梁式要素又ははり
１６  インクチャンバ
１８  ノズル又はポート
２０  ポンピング部
２２  自由端
２６  開領域
２８  インク送りチャネル
３０、３２  アドレス指定電極
３４  第１の又は上層
３６  第２の又は下層
４０  薄層
４１  誘電層
４２  ポリイミド犠牲層
４３  平坦な上表面
４４  チャンバ壁層
４５  傾斜が付けられた側壁
４６  上壁層
【図１】
0004040288.tif 000008
【図２】
0004040288.tif 000009
【図３】
0004040288.tif 000010
【図４】
0004040288.tif 000011
【図５】
0004040288.tif 000012
【図６】
0004040288.tif 000013
【図７】
0004040288.tif 000014
【図８】
0004040288.tif 000015
【図９】
0004040288.tif 000016
【図１０】
0004040288.tif 000017
【図１１】
0004040288.tif 000018