(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、活性領域と非活性領域を定義して前記半導体基板内に形成された素子隔離膜と、前記半導体基板上に形成され、隣接して配置された２本のゲート電極、各ゲート電極上のゲートマスク、及び各ゲート電極側面のゲートスペーサを有する２つのトランジスタを含む半導体装置の自己整列コンタクト形成方法において、
前記トランジスタを含む前記半導体基板全面に物質層を形成する段階と、
前記物質層上に平坦な上部表面を有する層間絶縁膜を形成する段階と、
前記層間絶縁膜上に、前記２つのトランジスタが形成された活性領域と、該活性領域のうちの前記２本のゲート電極の間にある部分に連続する非活性領域の一部とが露出されるようにマスクパターンをＴ字形のオープン領域を有するように形成する段階と、
前記マスクパターンを使用して前記ゲートスペーサ間の前記半導体基板上部表面が露出される時まで前記層間絶縁膜及び前記物質層を順にエッチングする段階と、
前記マスクパターンを除去する段階と、
前記オープン領域が完全に充填される時まで前記層間絶縁膜上に導電層を形成する段階と、
前記ゲートマスクの上部表面が露出される時まで前記導電層及び前記層間絶縁膜を平坦化エッチングして少なくとも二つ以上のコンタクトパッドを形成する段階と、
前記コンタクトパッドの上部の一部をエッチングする段階と、を含み、
前記コンタクトパッドの上部の一部をエッチングする段階は、隣接する前記コンタクトパッド間の導電ストリンガを除去するために湿式エッチング工程または乾式エッチング工程で遂行されることを特徴とする半導体装置の自己整列コンタクト形成方法。
【請求項２】
前記ゲートマスク、ゲートスペーサ、及び物質層は、前記層間絶縁膜とエッチング選択比を有する絶縁物質で形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の自己整列コンタクト形成方法。
【請求項３】
前記絶縁物質は、ＳｉＮ又はＳｉＯＮであることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の自己整列コンタクト形成方法。
【請求項４】
前記ゲートマスクは、１０００オングストロームから２０００オングストロームまでの厚さで形成され、前記ゲートスペーサは５００オングストロームから１０００オングストロームまでの厚さで形成され、前記物質層は１００オングストローム以下の厚さで形成されることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の自己整列コンタクト形成方法。
【請求項５】
前記ゲートマスク、ゲートスペーサ、及び物質層は、前記層間絶縁膜エッチング時エッチング停止層として使われることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の自己整列コンタクト形成方法。
【請求項６】
前記層間絶縁膜は、３０００オングストロームから９０００オングストロームまでの厚さで形成された後、平坦化エッチングされて前記平坦な上部表面を有するものとされ、前記導電層は３０００オングストロームから７０００オングストロームまでの厚さで形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の自己整列コンタクト形成方法。
【請求項７】
前記Ｔ字形のオープン領域は、少なくとも二つ以上のコンタクト領域を含むマージコンタクト領域であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の自己整列コンタクト形成方法。
【請求項８】
前記導電層及び前記層間絶縁膜を平坦化エッチングして少なくとも二つ以上のコンタクトパッドを形成する段階は、ＣＭＰ工程、エッチバック工程、及びこれらの複合工程のうちのいずれか一つで遂行されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の自己整列コンタクト形成方法。
【請求項９】
半導体基板と、該半導体基板上に形成され、隣接して配置された２つの構造物および該構造物を取り囲むように形成されたキャッピング層を含む半導体装置の自己整列コンタクト形成方法において、
前記半導体基板全面に平坦な上部表面を有する層間絶縁膜を形成する段階と、
前記層間絶縁膜上にマスクパターンを少なくとも二つ以上のコンタクト領域を含むオープン領域を有するように形成する段階と、
前記マスクパターンを使用して前記キャッピング層間の半導体基板の上部表面が露出される時まで前記層間絶縁膜をエッチングする段階と、
前記マスクパターンを除去する段階と、
前記オープン領域が完全に充填される時まで前記層間絶縁膜上に導電層を形成する段階と、
前記キャッピング層の上部表面が露出される時まで前記導電層及び前記層間絶縁膜を平坦化エッチングして少なくとも二つ以上のコンタクトパッドを形成する段階と、
前記コンタクトパッドの上部の一部をエッチングする段階と、を含み、
前記コンタクトパッドの上部の一部をエッチングする段階は、隣接する前記コンタクトパッド間の導電ストリンガを除去するために湿式エッチング工程または乾式エッチング工程で遂行されることを特徴とする半導体装置の自己整列コンタクト形成方法。
【請求項１０】
半導体基板と、活性領域と非活性領域を定義して前記半導体基板内に形成された素子隔離膜と、前記半導体基板上に形成され、隣接して配置された２本のゲート電極、各ゲート電極上のゲートマスク、及び各ゲート電極側面のゲートスペーサを有する２つのトランジスタを含む半導体装置の自己整列コンタクト形成方法において、
前記トランジスタを含んで前記半導体基板全面に物質層を形成する段階と、
前記物質層上に平坦な上部表面を有する層間絶縁膜を形成する段階と、
前記層間絶縁膜上に、前記２つのトランジスタが形成された活性領域と、該活性領域のうちの前記２本のゲート電極の間にある部分に連続する非活性領域の一部とが露出されるようにマスクパターンをＴ字形のオープン領域を有するように形成する段階と、
前記マスクパターンを使用して前記ゲートスペーサ間の前記物質層が露出される時まで前記層間絶縁膜をエッチングする段階と、
前記マスクパターンを除去する段階と、
前記オープン領域及び前記層間絶縁膜上に少なくとも前記物質層の厚さ以上の補償マスク層を、前記ゲートマスク上の厚さが前記ゲートスペーサ間の前記半導体基板の上部表面上の厚さより厚くなるように形成する段階と、
前記ゲートスペーサ間の前記半導体基板の上部表面が露出される時まで前記補償マスク層及び前記物質層を順にエッチングする段階と、を含み、
前記補償マスク層は、前記補償マスク層及び前記物質層を順にエッチングする段階が終了した時点で、前記ゲートマスク上に残存していることを特徴とする半導体装置の自己整列コンタクト形成方法。
【請求項１１】
前記ゲートマスク、ゲートスペーサ、及び物質層は前記層間絶縁膜とエッチング選択比を有する絶縁物質で形成されることを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置の自己整列コンタクト形成方法。
【請求項１２】
前記絶縁物質は、ＳｉＮ及びＳｉＯＮ中いずれか一つであることを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置の自己整列コンタクト形成方法。
【請求項１３】
前記ゲートマスク、ゲートスペーサ、及び物質層は、前記層間絶縁膜エッチング時エッチング停止層として使われることを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置の自己整列コンタクト形成方法。
【請求項１４】
前記Ｔ字形のオープン領域は、少なくとも二つ以上のコンタクト領域を含むマージコンタクト領域であることを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置の自己整列コンタクト形成方法。
【請求項１５】
前記補償マスク層は、ＳｉＮ及びＳｉＯＮ中いずれか一つで形成されることを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置の自己整列コンタクト形成方法。
【請求項１６】
前記補償マスク層は、ＰＥＣＶＤを用いてステップカバレージを不良に形成されることを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置の自己整列コンタクト形成方法。
【請求項１７】
前記補償マスク層は、２００オングストロームから１５００オングストロームまでの厚さで形成されることを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置の自己整列コンタクト形成方法。
【請求項１８】
前記補償マスク層及び前記物質層を順にエッチングする段階後、前記オープン領域が完全に充填される時まで前記層間絶縁膜上に導電層を形成する段階と、前記補償マスク層の上部表面が露出される時まで前記導電層及び前記層間絶縁膜を平坦化エッチングして少なくとも二つ以上のコンタクトパッドを形成する段階とをさらに含むことを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置の自己整列コンタクト形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置の製造方法に関するものであり、より詳しくは半導体装置の自己整列コンタクト(ｓｅｌｆ−ａｌｉｇｎｅｄ  ｃｏｎｔａｃｔ)形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体素子が高集積化されるによって、ギガビットＤＲＡＭ(ｇｉｇａ  ｂｉｔ  ＤＲＡＭ)時代を迎えるようになった。しかし、ギガビットＤＲＡＭ時代に入りながら、素子の大きさが０.１８μｍ以下の線幅(ｃｒｉｔｉｃａｌ  Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ)で形成されることによって、素子と素子、層と層を連結するコンタクトホールの大きさと誤整列マージン(ｍｉｓａｌｉｇｎｍｅｎｔ  ｍａｒｇｉｎ）が共に減少するようになった。
【０００３】
これにより、フォトリソグラフィ(ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ)工程で製作されるコンタクトホールの大きさを減少させ、フォト設備上で整列の正確度を高めるため自己整列コンタクトが提案された。
【０００４】
自己整列コンタクトの長所は、フォト工程時誤整列マージンを増やすことができ、コンタクト抵抗を省くことができるということである。従って、自己整列コンタクトは、今後、高集積素子に使われる重要なコンタクト形成方法の中の一つと見なされている。
【０００５】
図１は、従来の半導体装置の自己整列コンタクト形成方法により形成された自己整列コンタクト構造を示す平面図であり、図２及び図３は、図１のＡ−Ａ'ラインを追って切開された断面図であり、自己整列コンタクト形成方法の工程を順次的に示す断面図である。
【０００６】
まず、図２を参照すると、従来の半導体メモリ装置の自己整列コンタクトパッド形成方法は、まず半導体基板１上に活性領域２と非活性領域を定義するために素子隔離膜３が形成される。素子隔離膜３は、一般的によく知られたＬＯＣＯＳ(Ｌｏｃａｌ  Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｓｉｌｉｃｏｎ)方法又は浅いトレンチ隔離(ｓｈａｌｌｏｗ  ｔｒｅｎｃｈ  ｉｓｏｌａｔｉｏｎ)方法で形成される。
【０００７】
半導体基板１上にゲート酸化膜(図示せず）が形成された後、ゲート酸化膜上にゲート電極(ｇａｔｅ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ)用導電物質層及びゲートマスク(ｇａｔｅ  ｍａｓｋ)用絶縁物質層が順に蒸着される。絶縁物質層は後続工程で形成される層間絶縁膜６とエッチング選択比を有する絶縁物質、例えばＳｉＮ又はＳｉＯＮ等で形成される。絶縁物質層及び導電物質層がこの分野でよく知られた写真エッチング(ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ)工程でパターニングされてゲート電極層４、即ちゲートマスク４ｂ及びゲート電極４ａが各々形成される。
【０００８】
ゲート電極４ａ両側の活性領域２上にＬＤＤ(ｌｉｇｈｔｌｙ  ｄｏｐｅｄ  ｄｒａｉｎ)構造形成のための低濃度ソース/ドレーン不純物イオンが注入される。ゲート電極４ａ及びゲートマスク４ｂの両側壁にゲートスペーサ(ｇａｔｅ  ｓｐａｃｅｒ)５が形成される。ゲートスペーサ５も、後続工程で形成される層間絶縁膜６とエッチング選択比を有する絶縁物質、例えばＳｉＮ又はＳｉＯＮ等で形成される。ゲートスペーサ５の両側の活性領域２上に高濃度ソース/ドレーン不純物イオンが注入されてトランジスタ(ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ)が完成される。
【０００９】
半導体基板１全面に層間絶縁膜６が蒸着され、自己整列コンタクト形成のためのフォトパターン(図示せず)を使用して層間絶縁膜６がエッチングされてコンタクトホール７ａ、７ｂが形成される。
【００１０】
次に、図３において、フォトレジストパターンが除去された後、コンタクトホール７ａ、７ｂが完全に充填されるように層間絶縁膜６上にポリシリコン膜が蒸着される。層間絶縁膜６の上部表面が露出される時までポリシリコン膜がＣＭＰ(ｃｈｅｍｉｃａｌｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ)工程又はエッチバック(ｅｔｃｈ  ｂａｃｋ)工程等で平坦化エッチングされる。すると、自己整列コンタクトパッド８ａ、８ｂ即ち、ストレージノードコンタクトパッド８ａ及びビットラインコンタクトパッド８ｂが各々形成される。
【００１１】
しかし、前述したような従来方法において、高集積素子であるほど図２に示したように、コンタクトホール７ａ、７ｂ間の層間絶縁膜６の幅Ｗが非常に狭いために、コンタクトホール７ａ、７ｂを形成するためのフォト工程時、フォトレジストパターン形成が難しくなる。
【００１２】
現在メモリセル(ｍｅｍｏｒｙ  ｃｅｌｌ)構造の最小デザインルール(ｄｅｓｉｇｎ  ｒｕｌｅ）が小さくなりながらセル内のビットライン及びストレージノード連結のためのソース／ドレーンコンタクト形成方法が非常に重要な技術として台頭してきている。コンタクト形成方法の中、前述したような自己整列コンタクト形成方法はＩＥＤＭ９５、ｐ.９０７及びＩＥＤＭ９６、ｐ.５９７に開示されたように、既に素子に搭載されている。
【００１３】
しかし、これらが提示した典型的な自己整列コンタクトパターン形状は図１に示されたように、円形(ｃｉｒｃｌｅ  ｔｙｐｅ)又は楕円形(ｅｌｌｉｐｓｅ  ｔｙｐｅ)であった。このような自己整列コンタクトパターン形成のための工程進行において、パターンの大きさが小さくなれば小さくなるほど、即ちコンタクトホールの大きさが小さくなるほどエッチング工程でエッチングされる面積が小さくなって、コンタクトホールの相対的な深さは深くなるようになる。その結果、エッチング速度が減少されたり、甚だしい場合コンタクトホール内で反応副産物が拡散されて出てくることができないにつれエッチング反応速度が顕著に減少されるエッチング停止(ｅｔｃｈ  ｓｔｏｐ)、現象が発生する。
【００１４】
問題点を解決するために、ポリマー(ｐｏｌｙｍｅｒ)発生を抑制する条件でエッチングが進行されたり、エッチング時間を増やすことができる。しかし、層間絶縁膜に対するＳｉＮ又はＳｉＯＮ等のエッチング選択比が減少されて層間絶縁膜が選択的にエッチングされず、従って自己整列コンタクト形成の固有目的を失うようになる。
【００１５】
これにより、Ｙ．Ｋｏｈｙａｍａ等がコンタクトホールを一つに縛った新しい構造を提示した。("Ａ  Ｆｕｌｌｙ  Ｐｒｉｎｔａｂｌｅ、Ｓｅｌｆ−ａｌｉｇｎｅｄ  ａｎｄ Ｐｌａｎａｒｉｚｅｄ  Ｓｔａｃｋｅｄ  ＣａｐａｃｉｔｏｒＤＲＡＭ  Ｃｅｌｌ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  ｆｏｒ  １Ｇｂｉｔ  ＤＲＡＭａｎｄ  ｂｅｙｏｎｄ"、ｓｙｍｐ．ｏｎ  ＶＬＳＩ  ｔｅｃｈ.ｄｉｇｅｓｔｏｆ  ｔｅｃｈｎｉｃａｌ  ｐａｐｅｒｓ、ｐｐ.１７-１８、１９９７)
【００１６】
しかし、これらの構造は、フォトレジストパターンが占める面積が小さいためコンタクトホール形成のためのエッチング工程時ポリマー生成が少ないという問題点を有する。ポリマーは層間絶縁膜に対するエッチング速度とエッチング選択比を変化させるが、フォトレジストパターンの面積が十分に大きい時エッチング選択比が高くなる。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上述の諸般問題点を解決するため提案されたものとして、自己整列コンタクト形成において、コンタクトホールの縦横比増加によるエッチング停止現像が防止できる半導体装置の自己整列コンタクト形成方法を提供することにその目的がある。
【００１８】
本発明の他の目的は、自己整列コンタクト形成において、層間絶縁膜のエッチング選択比が十分に確保できる半導体装置の自己整列コンタクト形成方法を提供することにある。
【００１９】
本発明のまた他の目的は、自己整列コンタクトホール形成のためのエッチング工程時、消耗されるゲートマスク層を補償することによって、後続平坦化工程が容易にでき、ポリストリンガによるコンタクトパッド間のブリッジングが防止できる半導体装置の自己整列コンタクト形成方法を提供することにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
（構成）
上述の目的を達成するための本発明によると、半導体装置の自己整列コンタクト形成方法は、半導体基板と、活性領域と非活性領域を定義して半導体基板内に形成された素子隔離膜と、半導体基板上に形成されたゲート電極、ゲートマスク、そしてゲートスペーサを有するトランジスタを含む半導体装置の自己整列コンタクト形成方法において、トランジスタを含んで半導体基板全面に物質層を形成する段階と、物質層上に平坦な上部表面を有する層間絶縁膜を形成する段階と、層間絶縁膜上に非活性領域の一部と活性領域が露出されるようにマスクパターンを形成するが、'Ｔ'字形のオープン領域を有するように形成する段階と、マスクパターンを使用してゲートスペーサ間の活性領域の上部表面が露出される時まで層間絶縁膜及び物質層を順にエッチングする段階と、マスクパターンを除去する段階と、オープン領域が完全に充填される時まで層間絶縁膜上に導電層を形成する段階と、ゲートマスクの上部表面が露出される時まで導電層及び層間絶縁膜を平坦化エッチングして少なくとも二つ以上のコンタクトパッドを形成する段階とを含む。
【００２１】
この方法の望ましい実施形態において、導電層及び層間絶縁膜平坦化エッチング工程後、コンタクトパッドの上部の一部をエッチングする段階を付加的に含むことができる。
【００２２】
上述の目的を達成するための本発明によると、半導体装置の自己整列コンタクト形成方法は、半導体基板と、活性領域と非活性領域を定義して半導体基板内に形成された素子隔離膜と、半導体基板上に形成されたゲート電極、ゲートマスク、そしてゲートスペーサを有するトランジスタを含む半導体装置の自己整列コンタクト形成方法において、トランジスタを含んで半導体基板全面に物質層を形成する段階と、トランジスタを完全に覆う時まで物質層上に第１層間絶縁膜を形成する段階と、ゲートマスクの上部表面が露出される時まで第１層間絶縁膜の上部表面を平坦化エッチングする段階と、第１層間絶縁膜上に第２層間絶縁膜を形成する段階と、第２層間絶縁膜上に非活性領域の一部と活性領域が露出されるようにマスクパターンをＴ字形のオープン領域を有するように形成する段階と、マスクパターンを使用してゲートスペーサ間の活性領域の上部表面が露出される時まで第２及び第１層間絶縁膜、そして物質層を順にエッチングする段階と、マスクパターンを除去する段階と、オープン領域が完全に充填される時まで第２層間絶縁膜上に導電層を形成する段階と、ゲートマスクの上部表面が露出される時まで導電層及び第２層間絶縁膜を平坦化エッチングして少なくとも二つ以上のコンタクトパッドを形成する段階とを含む。
【００２３】
上述の目的を達成するための本発明によると、半導体装置の自己整列コンタクト形成方法は、半導体基板と、半導体基板上に形成された構造物(ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ)、そして構造物を取り囲むように形成されたキャッピング層(ｃａｐｐｉｎｇ  ｌａｙｅｒ)を含む半導体装置の自己整列コンタクト形成方法において、半導体基板全面に層間絶縁膜を形成する段階と、層間絶縁膜上にマスクパターンを少なくとも二つ以上のコンタクト領域を含むオープン領域を有するように形成する段階と、マスクパターンを使用してキャッピング層間の半導体基板の上部表面が露出される時まで層間絶縁膜をエッチングする段階と、マスクパターンを除去する段階と、オープン領域が完全に充填される時まで層間絶縁膜上に導電層を形成する段階と、キャッピング層の上部表面が露出される時まで導電層及び層間絶縁膜を平坦化エッチングして少なくとも二つ以上のコンタクトパッドを形成する段階とを含む。
【００２４】
上述の目的を達成するための本発明によると、半導体装置の自己整列コンタクト形成方法は、半導体基板と、活性領域と非活性領域を定義して半導体基板内に形成された素子隔離膜と、半導体基板上に形成されたゲート電極、ゲートマスク、そしてゲートスペーサを有するトランジスタを含む半導体装置の自己整列コンタクト形成方法において、トランジスタを含んで半導体基板全面に素子隔離膜を保護するための物質層を形成する段階と、物質層上に平坦な上部表面を有する層間絶縁膜を形成する段階と、層間絶縁膜上に非活性領域の一部と活性領域が露出されるようにマスクパターンを形成するが、'Ｔ'字形のオープン領域を有するように形成する段階と、マスクパターンを使用してゲートスペーサ間の物質層が露出される時まで層間絶縁膜をエッチングする段階と、マスクパターンを除去する段階と、オープン領域及び層間絶縁膜上に少なくとも物質層の厚さ以上の補償マスク層を形成するが、高段差部位に相対的にさらに厚く形成されるようにする段階と、ゲートスペーサ間の活性領域の上部表面が露出される時まで補償マスク層及び物質層を順にエッチングする段階とを含む。
【００２５】
この方法の望ましい実施形態において、半導体装置の自己整列コンタクト形成方法は、補償マスク層及び物質層エッチング工程後、オープン領域が完全に充填される時まで層間絶縁膜上に導電層を形成する段階と、補償マスク層の上部表面が露出される時まで導電層及び層間絶縁膜を平坦化エッチングして少なくとも２つ以上のコンタクトパッドを形成する段階とをさらに含むことができる。
【００２６】
（作用）
図１０、図１７、図２１、そして図２２を参照すると、本発明の実施形態による新規した半導体装置の自己整列コンタクト形成方法は、'Ｔ'字形のオープン領域(ｏｐｅｎ  ｒｅｇｉｏｎ)を有するマスクパターン(ｍａｓｋ  ｐａｔｔｅｒｎ)を使用して層間絶縁膜及び物質層がエッチングされる。オープン領域が完全に充填されるように層間絶縁膜上に導電層が形成された後、導電層及び層間絶縁膜が平坦化エッチングされてコンタクトパッドが形成される。このように、ストレージノードコンタクト領域とビットラインコンタクト領域を'Ｔ'字形でマージ(ｍｅｒｇｅ)させることによって、再現性のある自己整列コンタクトが形成でき、コンタクトホールの縦横比増加によるエッチング停止現象が防止でき、フォトレジストパターンが占める面積を十分に確保することによって層間絶縁膜エッチング時、エッチング選択比の減少が防止できる。また、マージコンタクト領域形成のためのエッチング工程により損失するゲートマスクを補償するためのマスク層形成工程を追加することによって、マージコンタクト領域内のゲートマスクとその他の領域のゲートマスク間の段差を最小化させることができ、これで後続コンタクトパッド形成のための平坦化工程が容易にでき、ポリストリンガによるコンタクトパッド間ブリッジングを防止できる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、図３から図２２までを参照して本発明の実施形態を詳しく説明する。
【００２８】
図１１から図１７において、図４から図１０に示された半導体装置の自己整列コンタクトの構成要素と同一な機能を有する構成要素に対しては同一の符号を併記する。
【００２９】
（実施形態１）
図４から図１０までは、本発明の第１実施形態による半導体装置の自己整列コンタクト形成方法の工程を順次的に示す平面図であり、図１１から図１７は、各々、図４から図１０のＢ-Ｂ'ラインを追って切開された断面図である。
【００３０】
図４及び図１１を参照すると、本発明の実施形態による半導体メモリ装置の自己整列コンタクトパッド形成方法は、まず半導体基板１００上に活性領域１０１と非活性領域を定義するために素子隔離膜１０２が形成される。素子隔離膜１０２は、例えばＬＯＣＯＳ方法及び浅いトレンチ隔離方法の中、いずれか一つで形成される。活性領域１０１は半導体基板１００の上部から見ると、例えば、長い楕円形態で形成される。半導体基板１００上にゲート酸化膜(図示せず)を間に置いて、ゲート電極用導電物質層及びゲートマスク用絶縁物質層が順に形成される。ゲート電極用導電物質層は例えば、ポリシリコン膜又はポリシリコン膜及びシリサイド膜が積層された多層膜で形成される。ゲートマスク用絶縁物質層は後続工程で形成される層間絶縁膜１０８とエッチング選択比を有する物質例えば、ＳｉＮ又はＳｉＯＮ等の絶縁物質で形成される。絶縁物質層は１０００オングストロームから２０００オングストロームの厚さ範囲内で形成される。
【００３１】
導電物質層及び絶縁物質層は、この分野でよく知られた写真エッチング工程によりパタニングされて半導体基板１００上にライン(ｌｉｎｅ)形態のゲート電極層１０４、即ちゲート電極１０４ａ及びゲートマスク１０４ｂが形成される。この時、パスゲート(ｐａｓｓ  ｇａｔｅ）は活性領域の周辺を折って曲げるように形成することによって、ゲートスペーサ間の活性領域のオープン部位の幅を増加させるようになり、従って自己整列コンタクトエッチング時コンタクトナットオープン(ｃｏｎｔａｃｔ  ｎｏｔ  ｏｐｅｎ)を減らすようになる。ゲート電極１０４ａ両側の活性領域１０１上にＬＤＤ(ｌｉｇｈｔｌｙ  ｄｏｐｅｄ  ｄｒａｉｎ)構造のための低濃度ソース/ドレーン不純物イオンが注入される。
【００３２】
図５及び図１２において、ゲート電極１０４ａ及びゲートマスク１０４ｂの両側壁にゲートスペーサ１０５が形成される。ゲートスペーサ１０５は、ゲートマスク１０４ｂと同じく、後続工程により形成される層間絶縁膜１０８とエッチング選択比を有する物質、例えばＳｉＮ又はＳｉＯＮ等の絶縁物質で形成される。即ち、半導体基板１００全面にＳｉＮ又はＳｉＯＮが５００オングストロームから１０００オングストロームの厚さ範囲内で形成された後、エッチバック工程でエッチングされて形成される。ゲートスペーサ１０５両側の活性領域１０１上に高濃度ソース/ドレーン不純物イオンが注入されてトランジスタが完成される。
【００３３】
図６及び図１３を参照すると、トランジスタを含んで半導体基板１００全面に活性領域１０１、素子隔離膜１０２、ゲートマスク１０４ｂ、そしてゲートスペーサ１０５等を保護するための物質層１０６が形成される。物質層１０６もまた、後続工程により形成される層間絶縁膜１０８とエッチング選択比を有する物質、例えばＳｉＮ又はＳｉＯＮ等の絶縁物質で形成される。物質層１０６は約１００  の厚さを有するように薄く形成され、後続工程で層間絶縁膜に対するエッチング停止層として使われる。
【００３４】
トランジスタが完全に覆われる時まで物質層１０６上に層間絶縁膜１０８、例えば酸化膜が３０００オングストロームから９０００オングストロームの厚さ範囲内で形成される。層間絶縁膜１０８はボイド(ｖｏｉｄ)を発生させない充填(ｆｉｌｌｉｎｇ)特性が優秀な膜質で形成される。層間絶縁膜１０８がＣＭＰ工程乃至エッチバック工程により平坦化エッチングされてその上部表面が平坦化される。即ち、層間絶縁膜１０８がゲートマスク１０４ｂの上部表面が露出されない範囲内で平坦化エッチングされる。
【００３５】
一方、層間絶縁膜１０８がゲートマスク１０４ｂの上部表面が露出される時までエッチングされた後、層間絶縁膜１０８及びゲートマスク１０４ｂ上に他の層間絶縁膜(図示せず）が形成されるようにすることもできる。
【００３６】
次、図１４を参照すると、層間絶縁膜１０８上にフォトレジストパターン１１０が形成される。フォトレジストパターン１１０は図７のように、活性領域１０１及び非活性領域の一部を含む'Ｔ'字形のオープン領域１１１を有するように形成される。オープン領域１１１は、ストレージノードコンタクト領域ａとビットラインコンタクト領域ｂを含むマージコンタクト領域になる。このようなマージコンタクト領域は、従来コンタクト領域よりその大きさが増加されたことであり、コンタクト領域の大きさが小さくなる時、発生されるエッチング停止現像を防止するようになる。また、Ｋｏｈｙａｍａ等が提案した構造に比べてフォトレジストパターンが占める面積が増加されてエッチング選択比を向上させるようになる。
【００３７】
図８及び図１５において、フォトレジストパターン１１０をマスクとして使用して層間絶縁膜１０８がエッチングされてコンタクトオプニング１１１ａが形成される。この時、ゲートマスク１０４ｂ、ゲートスペーサ１０５、そして物質層１０６がゲート電極１０４ａ及び素子隔離膜１０２のエッチングを防止するようになる。即ち、エッチング停止層として使われる。次、ゲートスペーサ１０５の間の活性領域１０１の上部表面が露出される時まで物質層１０６がエッチングされる。
【００３８】
フォトレジストパターン１１０が除去された後、コンタクトオプニング１１１ａが完全に充填される時まで層間絶縁膜１０８上に導電層、例えばポリシリコン膜１１２が形成される。ポリシリコン膜１１２は３０００オングストロームから７０００オングストロームの厚さ範囲内で形成される。ポリシリコン膜１１２が図９及び図１６のように、層間絶縁膜１０８の上部表面が露出される時までＣＭＰ工程乃至エッチバック工程で平坦化エッチングされる。ポリシリコン膜１１２がＣＭＰ工程でエッチングされる場合、例えば通常のポリシリコンエッチング用スラリー(ｓｌｕｒｒｙ)を使用して遂行される。
【００３９】
最後に、ゲートマスク１０４ｂの上部表面が露出される時まで層間絶縁膜１０８及びポリシリコン膜１１２がＣＭＰ工程で平坦化エッチングされると図１０及び図１７に示されたように、自己整列されたストレージノードコンタクトパッド１１２ａ及びビットラインコンタクトパッド１１２ｂが各々形成される。層間絶縁膜１０８及びポリシリコン膜１１２に対するＣＭＰ工程は例えば、通常の酸化膜エッチング用スラリーを使用して遂行される。
【００４０】
コンタクトオープニング１１１ａ形成時、ゲートマスク１０４ｂの損失により発生されることができるポリストリンガ(ｐｏｌｌｙ  ｓｔｒｉｎｇｅｒ)を除去するためにコンタクトパッド１１２ａ、１１２ｂの一部をエッチングする工程が遂行される。このエッチング工程は、ストレージノードコンタクトパッド１１２ａとビットラインコンタクトパッド１１２ｂ間のポリストリンガによるブリッジングを防止するために遂行され、湿式エッチング方法又は乾式エッチング方法で遂行される。
【００４１】
湿式エッチングは、例えばＳＣ１溶液(ＮＨ3及びＨ2Ｏ2、そしてＤ．Ｉウォーター(ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ  ｗａｔｅｒ）の混合溶液)を使用して遂行され、乾式エッチングは、例えばＣｌ2ガスを含むエッチングガスを使用して遂行される。
【００４２】
実際に、ゲートマスク１０４ｂの上部が露出される時まで層間絶縁膜１０８が平坦化エッチングされた後、コンタクトオープニング１１１ａ形成工程が遂行されると、オープン領域１１１内のゲートマスク１０４ｂの損失が５００オングストロームから９００オングストローム程度に甚だしくなる。これにより、オープン領域１１１内のゲートマスクとその他の領域のゲートマスク間の段差によってポリストリンガの除去が難しくなる。
【００４３】
しかし、本発明のように層間絶縁膜１０８の一部を平坦化エッチングしてゲートマスク１０４ｂの上部にある程度層間絶縁膜１０８を残したり、ゲートマスク１０４ｂの上部が露出されるように、層間絶縁膜１０８が平坦化エッチングされた後他の層間絶縁膜が形成される場合、ゲートマスクが約２００オングストローム程度しか損失されないのでポリストリンガのない安定されたコンタクトパッド１１２ａ、１１２ｂ形成が可能になる。
【００４４】
(実施形態２)
図１８から図２１は、本発明の第２実施形態による半導体装置の自己整列コンタクト形成方法の工程を順次的に示す断面図である。
【００４５】
図１８を参照すると、本発明の第２実施形態による半導体装置の自己整列コンタクト形成方法は、半導体基板２００上に活性領域２０１と非活性領域を定義するために素子隔離膜２０２が形成される。素子隔離膜２０２は、例えばL０C０S方法及び浅いトレンチ隔離方法の中、いずれか一つで形成される。活性領域２０１は半導体基板２００の上部から見ると、例えば長い楕円形態で形成される。半導体基板２００上にゲート酸化膜（図示せず）を間に置いて、ゲート電極用導電物質層及びゲートマスク用絶縁物質層が順に形成される。ゲート電極用導電物質層は例えば、ポリシリコン膜又はポリシリコン膜及びシリサイド膜が積層された多層膜で形成される。ゲートマスク用絶縁物質層は後続工程で形成される層間絶縁膜２０８とエッチング選択比を有する物質、例えばＳｉＮ又はＳｉＯＮ等の絶縁物質で形成される。絶縁物質層は１０００オングストロームから２０００オングストロームの厚さ範囲内で形成される。
【００４６】
導電物質層及び絶縁物質層がこの分野でよく知られた写真エッチング工程によりパタニングされてゲート電極層２０４即ち、ゲート電極２０４ａ及びゲートマスク２０４ｂが形成される。ゲート電極２０４ａ両側の活性領域２０１上にＬＤＤ(ｌｉｇｈｔｌｙｄｏｐｅｄ  ｄｒａｉｎ)構造のための低濃度ソース/ドレーン不純物イオンが注入される。
【００４７】
ゲート電極２０４ａ及びゲートマスク２０４ｂの両側壁にゲートスペーサ２０５が形成される。ゲートスペーサ２０５はゲートマスク２０４ｂと同じく、後続工程により形成される層間絶縁膜２０８とエッチング選択比を有する物質例えば、ＳｉＮ又はＳｉＯＮ等の絶縁物質で形成される。即ち、半導体基板２００全面に絶縁物質(ＳｉＮ又はＳｉＯＮ）が５００オングストロームから１０００オングストロームの厚さ範囲内で形成された後、エッチバック工程でエッチングされて形成される。ゲートスペーサ２０５両側の活性領域２０１上に高濃度ソース/ドレーン不純物イオンが注入されてトランジスタが完成される。
【００４８】
トランジスタを含んで半導体基板２００全面に活性領域２０１、素子隔離膜２０２、ゲートマスク４０４ｂ、そしてゲートスペーサ２０５を保護するための物質層２０６が形成される。物質層２０６もまた、後続工程により形成される層間絶縁膜２０８とエッチング選択比を有する物質例えば、ＳｉＮ又はＳｉＯＮ等の絶縁物質で形成される。物質層２０６は約１００オングストロームの厚さを有するように薄く形成され、後続工程で層間絶縁膜に対対するエッチング停止層として使われる。
【００４９】
物質層２０６上に層間絶縁膜２０８例えば、酸化膜が３０００オングストロームから９０００オングストロームの厚さ範囲内で形成される。層間絶縁膜２０８はボイド(ｖｏｉｄ)を発生させない充填(ｆｉｌｌｉｎｇ)特性が優秀な膜質で形成される。層間絶縁膜２０８がＣＭＰ工程乃至エッチバック工程により平坦化エッチングされてその上部表面が平坦化される。
【００５０】
次に、図１９において、層間絶縁膜２０８上にフォトレジストパターン２１０が形成される。フォトレジストパターン２１０は第１実施形態の図１４に示されたように、活性領域２０１及び非活性領域の一部を含む'Ｔ'字形のオープン領域２１１を有するように形成される。オープン領域２１１はストレージノードコンタクト領域ａとビットラインコンタクト領域ｂを含むマージコンタクト領域２１１になる。このようなマージコンタクト領域は従来コンタクト領域よりその大きさが増加されたことであり、コンタクト領域の大きさが小さくなる時発生されるエッチング停止現像を防止するようになる。また、Ｋｏｈｙａｍａ等が提案した構造に比べてフォトレジストパターンが占める面積が増加されてエッチング選択比を向上させるようになる。
【００５１】
図２０を参照すると、フォトレジストパターン２１０をマスクとして使用して層間絶縁膜２０８がエッチングされてコンタクトオプニング２１１ａが形成される。この時、ゲートマスク２０４ｂ、ゲートスペーサ２０５、そして物質層２０６がゲート電極２０４ａ及び素子隔離膜２０２のエッチングを防止するようになる。即ち、エッチング停止層として使われる。
【００５２】
図２１において、フォトレジストパターン２１０が除去された後、コンタクトオプニング２１１ａ及び層間絶縁膜２０８上に本発明の第２実施形態による新規した少なくとも物質層２０６厚さ以上の補償マスク層２２０が形成される。補償マスク層２２０は高段差部位即ち、ゲートマスク２０４ｂ上に相対的にさらに厚く形成されるようにする。このために、ＰＥＣＶＤ(ｐｌａｓｍａ  ｅｎｈａｎｃｅｄ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ)のように、故意的に不良なステップカバレージ(ｓｔｅｐ  ｃｏｖｅｒａｇｅ)を形成することができる方法で遂行される。
【００５３】
補償マスク層２２０はゲートスペーサ２０５間の活性領域２０１上の物質層２０６を除去するためのエッチング工程時ゲートマスク２０４ｂの損失を補償するために形成される。
【００５４】
補償マスク層２２０は、ゲートマスク２０４ｂと同じくＳｉＮ又はＳｉＯＮ等の絶縁物質で形成され、その厚さは２００オングストロームから１５００オングストロームの厚さ範囲内で形成される。
【００５５】
ゲートスペーサ２０５間の活性領域２０１が露出されるように補償マスク層２２０及び物質層２０６がエッチバック工程等でエッチングされると、図５Ｅに示されたように、オープン領域２１１内のゲート電極とその他の領域のゲート電極間に段差がほとんどなくなる。
【００５６】
以下工程は、第１実施形態と同一な段階で遂行される。即ち、コンタクトオプニング２１１ａが完全に充填される時まで層間絶縁膜２０８上に導電層、例えばポリシリコン膜が形成される。ポリシリコン膜が層間絶縁膜２０８の上部表面が露出される時までＣＭＰ工程乃至エッチバック工程で平坦化エッチングされる。ポリシリコン膜がＣＭＰ工程でエッチングされる場合、例えば通常のポリシリコンエッチング用スラリー(ｓｌｕｒｒｙ)を使用して遂行される。
【００５７】
最後に、ゲートマスク２０４ｂの上部表面が露出される時まで層間絶縁膜２０８及びポリシリコン膜がＣＭＰ工程で平坦化エッチングされると各々自己整列されたストレージノードコンタクトパッド(図面に未図示)及びビットラインコンタクトパッド(図示せず)が同時に形成される。層間絶縁膜２０８及びポリシリコン膜に対するＣＭＰ工程は、例えば通常の酸化膜エッチング用スラリーを使用して遂行される。
【００５８】
前述したように、オープン領域２１１のゲートマスクとその他の領域のゲートマスク間の段差を最小化することによって、平坦化エッチング工程がより容易に遂行される。
【００５９】
【発明の効果】
本発明は、ストレージノードコンタクト領域とビットラインコンタクト領域を'Ｔ'字形でマージさせることによって、再現性のある自己整列コンタクトが形成でき、コンタクトホールの縦横比増加によるエッチング停止現像が防止でき、またフォトレジストパターンが占める面積を十分に確保することによって層間絶縁膜エッチング時、エッチング選択比減少が防止できる効果がある。
【００６０】
本発明はマージコンタクト領域形成のためのエッチング工程により損失されるゲートマスクを補償するためのマスク層形成工程を追加することによって、マージコンタクト領域内のゲートマスクとその他の領域のゲートマスク間の段差を最小化させることができ、これで後続コンタクトパッド形成のための平坦化工程が容易にでき、ポリストリンガによるコンタクトパッド間ブリッジングが防止できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】  従来の半導体装置の自己整列コンタクト形成方法により形成された自己整列コンタクト構造を示す平面図である。
【図２】  図１のＡ-Ａ'ラインを追って切開された断面図であり、自己整列コンタクト形成方法の工程を示す断面図である。
【図３】  図１のＡ-Ａ'ラインを追って切開された断面図であり、自己整列コンタクト形成方法の工程を示す断面図である。
【図４】 本発明の第１実施形態による半導体装置の自己整列コンタクト形成方法の工程を示す平面図である。
【図５】 本発明の第１実施形態による半導体装置の自己整列コンタクト形成方法の工程を示す平面図である。
【図６】 本発明の第１実施形態による半導体装置の自己整列コンタクト形成方法の工程を示す平面図である。
【図７】 本発明の第１実施形態による半導体装置の自己整列コンタクト形成方法の工程を示す平面図である。
【図８】 本発明の第１実施形態による半導体装置の自己整列コンタクト形成方法の工程を示す平面図である。
【図９】 本発明の第１実施形態による半導体装置の自己整列コンタクト形成方法の工程を示す平面図である。
【図１０】  本発明の第１実施形態による半導体装置の自己整列コンタクト形成方法の工程を示す平面図である。
【図１１】  図４のＢ-Ｂ'ラインを折って切開した断面図である。
【図１２】  図５のＢ-Ｂ'ラインを折って切開した断面図である。
【図１３】  図６のＢ-Ｂ'ラインを折って切開した断面図である。
【図１４】  図７のＢ-Ｂ'ラインを折って切開した断面図である。
【図１５】  図８のＢ-Ｂ'ラインを折って切開した断面図である。
【図１６】  図９のＢ-Ｂ'ラインを折って切開した断面図である。
【図１７】  図１０のＢ-Ｂ'ラインを折って切開した断面図である。
【図１８】  本発明の第２実施形態による半導体装置の自己整列コンタクト形成方法の工程を示す断面図である。
【図１９】  本発明の第２実施形態による半導体装置の自己整列コンタクト形成方法の工程を示す断面図である。
【図２０】  本発明の第２実施形態による半導体装置の自己整列コンタクト形成方法の工程を示す断面図である。
【図２１】  本発明の第２実施形態による半導体装置の自己整列コンタクト形成方法の工程を示す断面図である。
【図２２】  本発明の第２実施形態による半導体装置の自己整列コンタクト形成方法の工程を示す断面図である。
【符号の説明】
１、１００、２００：半導体基板
２、１０１、２０１：活性領域
３、１０２、２０２：素子隔離膜
４ａ、１０４ａ、２０４ａ： ゲート電極
４ｂ、１０４ｂ、２０４ｂ： ゲートマスク
５、１０５、２０５： ゲートスペーサ
６、１０８、２０８： 層間絶縁膜
７ａ、７ｂ： コンタクトホール
８ａ、１１２ａ： ストレージノードコンタクトパッド
８ｂ、１１２ｂ： ビットラインコンタクトパッド
１０６、２０６： 物質層
１１０、２１０： フォトレジストパターン
１１１、２１１： マージコンタクト領域、T字形オープン領域
１１１ａ、２１１ａ： コンタクトオ−プニング
２２０：補償マスク層
【図１】
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【図２】
0004040781.tif 000003
【図３】
0004040781.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0004040781.tif 000008
【図８】
0004040781.tif 000009
【図９】
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【図１０】
0004040781.tif 000011
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
0004040781.tif 000017
【図１７】
0004040781.tif 000018
【図１８】
0004040781.tif 000019
【図１９】
0004040781.tif 000020
【図２０】
0004040781.tif 000021
【図２１】
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【図２２】
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