(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
検査対象の集積回路における信号用端子並びに当該集積回路における電源端子およびグランド端子のいずれか一方の端子がそれぞれ接続されるべき各回路パターンに検査用プローブを各々接触させ、前記信号用端子および前記一方の端子の間に介在する前記集積回路内の内部ダイオードに前記両検査用プローブを介して所定電流を供給し、前記内部ダイオードの導通状態を示す電気的パラメータを測定し、当該測定した電気的パラメータに基づいて前記回路パターンに対する前記集積回路についての端子浮き検査を実行する集積回路の端子浮き検査方法において、
交流成分が重畳した直流を前記所定電流として供給した状態で、前記集積回路を加熱または冷却することにより当該集積回路の内部温度を所定温度に変化させると共に、その温度変化前後における前記内部ダイオードを導通した前記所定電流に含まれている前記交流成分波形の歪率を前記電気的パラメータとして測定し、当該測定した歪率の変化に基づいて前記端子浮き検査を実行することを特徴とする集積回路の端子浮き検査方法。
【請求項２】
検査対象の集積回路における信号用端子並びに当該集積回路における電源端子およびグランド端子のいずれか一方の端子がそれぞれ接続されるべき各回路パターンに接触可能な複数の検査用プローブと、前記信号用端子および前記一方の端子の間に介在する前記集積回路内の内部ダイオードに前記検査用プローブを介して所定電流を供給する電源部と、前記内部ダイオードの導通状態を示す電気的パラメータを測定するパラメータ測定部と、当該測定された電気的パラメータに基づいて前記回路パターンに対する前記集積回路についての端子浮きを判別する判別部とを備えて構成されている回路基板検査装置において、
加熱または冷却することにより前記集積回路の内部温度を所定温度に制御する温度制御手段を備え、
前記電源部は、交流成分が重畳した直流を前記所定電流として供給し、
前記パラメータ測定部は、前記温度制御手段によって前記内部温度が所定温度に制御された前記集積回路の当該温度変化前後における前記内部ダイオードを導通した前記所定電流に含まれている前記交流成分波形の歪率を前記電気的パラメータとして測定し、
前記判定部は、前記パラメータ測定部によって測定された前記歪率の変化に基づいて前記端子浮きを判別することを特徴とする回路基板検査装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プリント基板やＩＣパッケージ、ハイブリッド用基板およびＭＣＭ（Multi Chip Module ）などの回路基板における集積回路の端子浮きを検査する集積回路の端子浮き検査方法、および、この集積回路の端子浮き検査方法を実行可能に構成された回路基板検査装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
回路基板に実装された集積回路の端子が接続されるべき回路パターンに対して確実に半田付けされているか否かを検査する端子浮き検査方法として、集積回路内の寄生ダイオードを導通状態にし、その導通状態を示す電気的パラメータに基づいて集積回路の端子浮きを判別する検査方法が用いられている。
【０００３】
この検査方法では、図６に示すように、集積回路２の信号用端子１５１が半田付けされるべき回路パターン１６１に電流導通用プローブ１７１を接触させると共に、集積回路２のグランド端子１５２が半田付けされるべき回路パターン１６２に電流導通用プローブ１７２を接触させ、その状態において、両プローブ１７１，１７２間に電流計１８１を介して接続した定電圧源１８２によって、例えば０．９Ｖの定電圧を印加する。一方、集積回路２のグランド端子１５２と内部主要回路５１のグランド部位５１ａとの間には、いわゆるサブストレート抵抗１５５が存在し、かつ内部主要回路５１のグランド部位５１ａと信号用端子１５１，１５３との間、および信号用端子１５１，１５３と電源端子１５４との間には、寄生ダイオード５２，５２・・がそれぞれ存在する。したがって、定電圧源１８２、電流計１８１、電流導通用プローブ１７２、サブストレート抵抗１５５、寄生ダイオード５２、電流導通用プローブ１７１および定電圧源１８２からなる電流経路が形成される。ここで、電流計１８１を用いて、この電流経路を導通する電流ｉ22の電流値を測定する。この場合、定電圧源１８２によって印加されている電圧が、寄生ダイオード５２の作動電圧よりも高電圧であるため、電流ｉ22が導通することにより、寄生ダイオード５２の順方向電圧およびサブストレート抵抗１５５の両端電圧は、それぞれ約０．７Ｖおよび約０．２Ｖになると予測される。
【０００４】
次に、同図においてスイッチ１９１をオンすることにより、他の信号用端子１５３が半田付けされるべき回路パターン１６３および回路パターン１６２にそれぞれ接触させられている電流導通用プローブ１７３，１７４の間に、定電圧源１８３によって１．２Ｖ程度の電圧を印加する。この状態では、他の信号用端子１５３およびグランド端子１５２間における寄生ダイオード５２の順方向電圧が約０．７Ｖになるため、サブストレート抵抗１５５の両端電圧は、約０．５Ｖになる。したがって、信号用端子１５１に接続されている寄生ダイオード５２は、その両端電圧が作動電圧よりも低電圧の約０．４Ｖになって遮断状態にさせられる結果、電流ｉ22の電流値が低減する。この場合、検査対象の信号用端子１５１が回路パターン１６１から浮いているときには、電流ｉ22の電流値が変化しないため、信号用端子１５１に他の集積回路の信号用端子が共通接続されている場合であっても、検査対象の信号用端子１５１についての端子浮きを検査することができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、従来の端子浮き検査方法には、以下の問題点がある。
すなわち、回路パターン１６１，１６２間には、実際には、バイパスコンデンサや浮遊容量などが存在する。このため、図６に示すように、回路パターン１６１，１６２間には、ＩＣ２の寄生ダイオード５２およびサブストレート抵抗１５５以外にも、抵抗２０１および容量２０２からなる直列回路２０３が等価的に存在する。したがって、電流計１８１を導通する電流ｉ21には、ＩＣ２内のサブストレート抵抗１５５および寄生ダイオード５２を流れる電流ｉ22以外に、直列回路２０３を導通する電流ｉ23も含まれる。この場合、電流ｉ23は、図７に示すように、定電圧源１８２による電流供給開始時ｔ１の時に最大となり、その後、直列回路２０３の時定数に応じて徐々に減少する。この場合、電流ｉ21は、電流ｉ22およびｉ23の合計値であるため、電流供給開始時ｔ１の時に最大となり、電流ｉ23が流れ終わる時間ｔ２の時以降に初めて寄生ダイオード５２のみを流れる電流値となる。したがって、電流ｉ22の真の電流値を測定するためには、直列回路２０３による過渡現象が整定するのに十分な時間（ｔ２−ｔ１）を経過した後でなければならない。このため、この検査方法には、電流ｉ22の測定にある程度の時間を必要とするため、特に、回路基板上に数多くの集積回路が実装されている場合には、その分電流ｉ22の測定回数が増える結果、検査に要する時間が長時間化して検査コストが高騰しているという問題がある。
【０００６】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、集積回路の端子浮きについての検査コストを低減可能な集積回路の端子浮き検査方法および回路基板検査装置を提供することを主目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成すべく請求項１記載の集積回路の端子浮き検査方法は、検査対象の集積回路における信号用端子並びに集積回路における電源端子およびグランド端子のいずれか一方の端子がそれぞれ接続されるべき各回路パターンに検査用プローブを各々接触させ、信号用端子および一方の端子の間に介在する集積回路内の内部ダイオードに両検査用プローブを介して所定電流を供給し、内部ダイオードの導通状態を示す電気的パラメータを測定し、測定した電気的パラメータに基づいて回路パターンに対する集積回路についての端子浮き検査を実行する集積回路の端子浮き検査方法において、交流成分が重畳した直流を所定電流として供給した状態で、集積回路を加熱または冷却することにより集積回路の内部温度を所定温度に変化させると共に、その温度変化前後における内部ダイオードを導通した所定電流に含まれている交流成分波形の歪率を電気的パラメータとして測定し、測定した歪率の変化に基づいて端子浮き検査を実行することを特徴とする。
【０００８】
この集積回路の端子浮き検査方法では、例えば、集積回路の信号用端子とグランド端子との間に介在する集積回路内の内部ダイオードが導通するのに十分な電流（所定周波数の交流成分が重畳した直流）を検査用プローブを介して供給し、この状態において集積回路を加熱または冷却することにより集積回路の内部温度を所定温度に変化させると共に、その温度変化前後における内部ダイオードを導通した所定電流に含まれている交流成分波形の歪率を測定する。この場合、集積回路の信号用端子が接続されるべき回路パターンと集積回路のグランド端子が接続されるべき回路パターンとの間に上記した直列回路２０３が等価的に接続されているときには、この検査用プローブを介して供給される電流の一部は、この直列回路２０３にも流れる。ここで、直列回路２０３を流れる直流電流は過渡現象を伴って時間と共に変化するが、交流成分の周期が直列回路２０３の時定数にくらべて十分小さい場合には、直列回路２０３を流れる交流成分の電流値は、時間の経過に対して一定値の状態で推移する。このため、内部ダイオードを導通した所定電流に含まれている交流成分についての交流成分波形の歪率を電気的パラメータとして測定する際に、直列回路２０３における過渡現象が整定するまで待つ必要がなく、電流を供給すると同時に測定できる。また、集積回路を加熱または冷却することにより集積回路の内部温度を変化させたときの内部ダイオードの順方向電圧に対する導通直流電流特性は加熱前後で変化し、導通電流に含まれる交流成分波形の歪率も変化する。したがって、信号用端子が回路パターンに半田付けされていないときには、集積回路の内部温度が変化したとしても、測定した導通電流の交流成分波形の歪率は、温度変化前の導通電流の交流成分波形の歪率とほぼ同じ値になる。一方、信号用端子が半田付けされているときには、温度変化後に測定した導通電流についての交流成分波形の歪率は、温度変化前の導通電流についての交流成分波形の歪率とは明らかに相違する。したがって、温度変化の前後における導通電流の交流成分波形の歪率に基づいて、信号用端子の端子浮きを迅速、かつ確実に検査することが可能となる。
【０００９】
請求項２記載の回路基板検査装置は、検査対象の集積回路における信号用端子並びに集積回路における電源端子およびグランド端子のいずれか一方の端子がそれぞれ接続されるべき各回路パターンに接触可能な複数の検査用プローブと、信号用端子および一方の端子の間に介在する集積回路内の内部ダイオードに検査用プローブを介して所定電流を供給する電源部と、内部ダイオードの導通状態を示す電気的パラメータを測定するパラメータ測定部と、測定された電気的パラメータに基づいて回路パターンに対する集積回路についての端子浮きを判別する判別部とを備えて構成されている回路基板検査装置において、加熱または冷却することにより集積回路の内部温度を所定温度に制御する温度制御手段を備え、電源部は、交流成分が重畳した直流を所定電流として供給し、パラメータ測定部は、温度制御手段によって内部温度が所定温度に制御された集積回路の温度変化前後における内部ダイオードを導通した所定電流に含まれている交流成分波形の歪率を電気的パラメータとして測定し、判定部は、パラメータ測定部によって測定された歪率の変化に基づいて端子浮きを判別することを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して、本発明に係る集積回路の端子浮き検査方法および回路基板検査装置の好適な実施の形態について説明する。
【００１１】
図２は、本発明に係る回路基板検査装置に相当するピンボード方式のインサーキットテスタ１における主要部の斜視図である。同図に示すように、インサーキットテスタ１は、検査対象の回路基板Ｐ上に搭載された集積回路（以下、「ＩＣ」ともいう）２における信号用端子３，３・・、グランド端子３ｇ、および電源端子３ｐに接続されるべき回路パターン４，４・・，４ｇ，４ｐ（以下、他の回路パターンを含めて総称して、「回路パターン４」ともいう）にそれぞれ接触可能な検査用プローブ５，５・・，５ｇ，５ｐ（以下、他の検査用プローブを含めて総称して、「検査用プローブ５」ともいう）と、各ＩＣ２に対して上下動可能に構成された接触式のヒータ部６とを備えている。
【００１２】
また、インサーキットテスタ１は、上下動可能なピンボード１１と、所定距離分上方に離間させられてピンボード１１に固定された図外のヒータ部固定用ボードとを備えており、ピンボード１１には検査用プローブ５，５・・のすべてがそれぞれ固定され、ヒータ部固定用ボードには、ヒータ部６に連結されヒータ部６を上下動させるためのエアシリンダ１２が固定されている。ヒータ部６は、本発明における温度制御手段に相当し、その内部には、温度に応じて抵抗値が変化するＰＴＣ型やＮＴＣ型のサーミスタまたは白金抵抗体などの発熱体（図示せず）が備えられている。この発熱体には、後述する電力供給部４１から電源供給ピン１３ａ，１３ｂを介して加熱用電流が供給され、これにより、発熱体が発熱してＩＣ２を加熱する。
【００１３】
なお、このインサーキットテスタ１では、独立した各回路パターン４には１つの検査用プローブ５が接触するように対応配置させられており、検査時にピンボード１１が同図の矢印Ａ方向に下動させられると、各検査用プローブ５，５・・は、一点鎖線で示すように、対応する各回路パターン４，４・・にそれぞれ接触させられる。なお、同図では、１つの信号用端子３および電源端子３ｐのみを一点鎖線で示している。また、各ＩＣ２には１つヒータ部６が接触可能に対応配置させられており、ヒータ部６は、ピンボード１１が下動させられた際には、ピンボード１１の下面と回路基板Ｐの上面との中間位置に位置させられ、その状態においてエアシリンダ１２にエアが供給されると下動させられ、一点鎖線で示すように、ＩＣ２のパッケージの表面Ｆに接触する。これにより、ＩＣ２の内部温度は所定温度まで上昇させられる。
【００１４】
次に、インサーキットテスタ１の電気的な構成について、図３を参照して説明する。
【００１５】
同図に示すように、インサーキットテスタ１は、ＣＰＵ３１、スキャナ部３２、計測部３６、ＲＡＭ３７、ＲＯＭ３８、電力供給部３９、エア供給部４０および電磁弁４１，４１・・，４２を備えている。
【００１６】
ＣＰＵ３１は、本発明における判別部に相当し、計測部３６による検査処理を制御したり計測値から端子浮きの有無を判別したりする。スキャナ部３２は、ＣＰＵ３１の制御に従って、複数の検査用プローブ５，５・・から１対の検査用プローブ５，５を選択する。計測部３６は、本発明における電源部に相当し例えば０．７ボルトの直流電圧を出力する定電圧源３３および振幅が例えば０．１ボルトで周波数が１ｋＨｚの交流電圧を出力する交流電圧源３４と、本発明におけるパラメータ測定部に相当し検査用プローブ５，５間を導通する電流に含まれる１ｋＨｚの交流成分の実効値を測定する電流測定回路３５とを備えている。なお、定電圧源３３、交流電圧源３４および電流測定回路３５は、ＣＰＵ３１の制御に従い、それぞれ電圧を出力し、または測定をする。ＲＡＭ３７は、ＩＣ２の端子浮きを判別する際の基準データおよび測定値に基づく演算結果などを一時的に記憶し、ＲＯＭ３８は、ＣＰＵ３１の動作プログラムなどを記憶する。電力供給部３９は、ＣＰＵ３１の制御に従って前述したようにヒータ部６の発熱体に電力を供給する。
【００１７】
エア供給部４０は、各電磁弁４１，４１・・，４２に圧縮エアを供給する。電磁弁４１は、各エアシリンダ１２とエア供給部４０との間にそれぞれ接続されており、ＣＰＵ３１の開閉信号に従って開閉することにより、エア供給用パイプ４３を介しての圧縮エアの各エアシリンダ１２への供給および供給停止を制御する。この場合、電磁弁４１が作動して圧縮エアを供給することにより、エアシリンダ１２は、ヒータ部６をＩＣ２の表面Ｆに接触させる。一方、電磁弁４２は、エア供給部４０とピンボード１１を上下動させるためのエアシリンダ（図示せず）との間に接続されており、ＣＰＵ３１の開閉信号に従って開閉することにより、エア供給パイプ４４を介しての圧縮エアのエアシリンダへの供給および供給停止を制御する。この場合、電磁弁４２が作動して圧縮エアを供給することにより、エアシリンダは、ピンボード１１を下動させる。
【００１８】
次いで、ＩＣ２における信号用端子３の端子浮き検査の検査原理について、図１，４を参照して説明する。なお、検査対象の回路基板Ｐ上には、実際には、複数のＩＣ２，２・・が実装され、かつ同一回路パターン４に複数のＩＣ２，２・・の各々の信号用端子３，３・・が共通接続されているが、理解を容易にするため、ここでは、回路基板Ｐ上に２つの検査対象のＩＣ２ａ，２ｂが実装されている場合を想定して説明する。
【００１９】
図１に示すように、両ＩＣ２ａ，２ｂの信号用端子３とグランド端子３ｇとの間、および信号用端子３と電源端子３ｐとの間には、本発明における内部ダイオードに相当する寄生ダイオード５２，５２・・がそれぞれ存在する。また、回路パターン４，４ｇ間には、バイパスコンデンサや浮遊容量などが存在するため、抵抗１１１と容量１１２とからなる直列回路１１３が等価的に存在する。このインサーキットテスタ１では、信号用端子３の端子浮きを検査する際に、まず、ＩＣ２ａにおける信号用端子３とグランド端子３ｇとの間に介在する寄生ダイオード５２、およびＩＣ２ｂにおける信号用端子３とグランド端子３ｇとの間に介在する寄生ダイオード５２が導通するのに十分な電圧を検査用プローブ５，５ｇを介して定電圧源３３および交流電圧源３４から供給する。この場合、この電圧の波形は、０．７ボルトの直流に振幅０．１ボルト、周波数１ｋＨｚの交流電圧が重畳された脈流状の波形となる。このため、検査用プローブ５，５ｇ間を導通する電流Ｉ1 の波形も、直流に１ｋＨｚの交流成分が重畳した脈流状の波形となる。また、電流Ｉ1 は、ＩＣ２ａ内の寄生ダイオード５２を導通する電流Ｉ2 、ＩＣ２ｂ内の寄生ダイオード５２を導通する電流Ｉ3 、および直列回路１１３を導通する電流Ｉ4 の合計値となる。次に、この状態において、電流測定回路３５が、電流Ｉ1 に含まれる１ｋＨｚの交流成分の実効値Ｉ11を測定する。
【００２０】
次いで、ヒータ部６を下動させてＩＣ２ａの表面Ｆに接触させることにより、ＩＣ２ａの内部温度を所定温度まで上昇させる。続いて、内部温度が所定温度に達した後に、電流測定回路３５が、電流Ｉ1 に含まれる１ｋＨｚの交流成分の実効値Ｉ12を再度測定する。ここで、加熱後における寄生ダイオード５２の順方向電圧に対する導通直流電流特性は、図４に示すように、加熱前の特性ＣＨ１から特性ＣＨ２に変化する。この場合、加熱前の特性ＣＨ１においては、交流電圧源３４から出力される交流成分の電圧波形をＷINとすれば、寄生ダイオード５２から出力される電流波形Ｗ1 は、加熱後よりも振幅値が小さく、かつ、順方向電圧が低電圧となる低レベル側の波形部位で歪むため、全体として歪率が悪化している。逆に、加熱後の特性ＣＨ２においては、寄生ダイオード５２から出力される電流波形Ｗ２は、寄生ダイオード５２の順方向電圧に対して導通電流が、より流れる傾向になるため、加熱前よりも振幅値が大きく、かつ全体として歪率が向上している。
【００２１】
一方、直列回路１１３を導通する電流に含まれる１ｋＨｚの交流成分の実効値は、直列回路１１３の時定数よりも１ｋＨｚの交流成分の周期の方が極めて小さいため、直列回路１１３を導通する直流電流が過渡状態であったとしても常に一定となる。このため、この温度変化させた前後における電流Ｉ1 に含まれる１ｋＨｚの交流成分の実効値Ｉ11，Ｉ12は、寄生ダイオード５２の周囲温度に応じて変化し、周囲温度が所定温度に設定されると、電流Ｉ1 に含まれる交流成分の実効値Ｉ11，Ｉ12もほぼ所定値に定まる。したがって、所定温度に温度変化させた後の交流成分の実効値Ｉ12と、良品の回路基板Ｐにおける同一の信号用端子３について予め測定した温度変化後の交流成分の実効値である基準実効値とを比較すれば、ＩＣ２ａにおける検査対象信号用端子３の端子浮きを判別することができる。これは、信号用端子３が回路パターン４に半田付けされていないときには、ＩＣ２ａの内部温度が所定温度に変化したとしても、交流成分の実効値Ｉ12は、交流成分の実効値Ｉ11とほぼ同じで変化しないのに対し、信号用端子３が半田付けされているときには、実効値Ｉ12は、温度変化前における交流成分の実効値Ｉ11とは明らかに相違するからである。
【００２２】
同様にして、ＩＣ２ｂについても温度変化前における電流Ｉ1 に含まれる交流成分の実効値および温度変化後における交流成分の実効値を測定することにより、ＩＣ２ｂにおける検査対象信号用端子３の端子浮きを検出する。これにより、回路パターン４に接続されるべき各信号用端子３における端子浮きを検査することができる。
【００２３】
次に、実際の端子浮き検査方法の具体的な手順について、ＩＣ２の端子浮きを検査する際の基準データを作成する基準データ作成処理、および実際の端子浮きを検査する検査処理について、図５を参照して説明する。
【００２４】
図５（ａ）に示す基準データ作成処理では、最初に、良品回路基板Ｐの回路パターン４，４ｇに検査用プローブ５，５ｇを介して交流電圧源３４および電流測定回路３５をそれぞれ接続させ、その状態で、検査用プローブ５，５ｇを介して脈流電圧を供給させると共に、電流測定回路３５に対して、その際の導通電流に含まれる交流成分の実効値Ｉ01を測定させる（ステップ７１）。次いで、そのＩＣ２を所定温度まで加熱し（ステップ７２）、導通電流に含まれる交流成分の実効値Ｉ02を測定する（ステップ７３）。次に、実効値Ｉ02から実効値Ｉ01を減算することにより正常データΔＩを演算する（ステップ７４）。
【００２５】
この場合、両実効値Ｉ02，Ｉ01の差異値を正常データΔＩとするのは、以下の理由からである。すなわち、図１において、データ作成対象がＩＣ２ａとすれば、測定した交流成分の実効値Ｉ01は、電流Ｉ2 における交流成分の実効値Ｉ2R，電流Ｉ3 における交流成分の実効値Ｉ3R、および電流Ｉ4 における交流成分の実効値Ｉ4Rの合計であって、下記の（１）式で表される。
Ｉ01＝Ｉ2R＋Ｉ3R＋Ｉ4R・・・・・・・（１）式
一方、温度上昇後における実効値Ｉ02は、温度上昇後における実効値Ｉ2Rの増加分をΔｉとすれば、下記の（２）式で表される。
Ｉ02＝（Ｉ2R＋Δｉ）＋Ｉ3R＋Ｉ4R・・（２）式
したがって、実効値Ｉ02と実効値Ｉ01との差異値である正常データΔＩは、下記の（３）式で表される。この式によれば、他のＩＣ２内の寄生ダイオード５２の導通電流のばらつきおよび直列回路１１３の導通電流のばらつきが相殺されるため、ＩＣ２ａにおけるデータ作成対象の信号用端子３に接続されている寄生ダイオード５２を導通する交流成分のみについての温度上昇前後における差異値を求めることができる。
ΔＩ＝Ｉ02−Ｉ01
＝Δｉ・・・・・・・・・・・・・（３）式
【００２６】
次いで、ＣＰＵ３１は、演算した正常データΔＩをＲＡＭ３９に記憶させる（ステップ７５）。この後、ＣＰＵ３１は、他のすべての信号用端子３，３・・についても同様にして正常データΔＩを測定すると共に、その正常データΔＩをＲＡＭ３９に記憶させる。すべての信号用端子３について正常データΔＩを測定したと判別したときに（ステップ７６）、ＣＰＵ３１は、各正常データΔＩに対してそれぞれ所定の範囲を定めることにより基準データを作成する（ステップ７７）。この作成した基準データが基準電流範囲となる。以上により、この処理を終了する。
【００２７】
次に、実際の検査処理について、図５（ｂ）を参照して説明する。
【００２８】
同図に示すように、ＣＰＵ３１は、検査すべき信号端子３に応じてスキャナ部３２を設定する（ステップ９１）。次に、ＣＰＵ３１は、スキャナ部３２によって選択された検査用プローブ５，５ｇを介して検査対象の信号用端子３およびグランド端子３ｇに脈流電圧を供給させ、その状態で導通電流に含まれる１ｋＨｚの交流成分の実効値Ｉ11を測定する（ステップ９２）。次いで、ＣＰＵ３１は、電磁弁４１を制御することにより、ヒータ部６を下動させて検査対象のＩＣ２に接触させる。これにより、検査対象のＩＣ２は所定温度まで加熱される（ステップ９３）。所定時間が経過して所定温度まで達したと判別したときに、ＣＰＵ３１は、導通電流に含まれる１ｋＨｚの交流成分の実効値Ｉ12を測定する（ステップ９４）。
【００２９】
続いて、ＣＰＵ３１は、実効値Ｉ12から実効値Ｉ11を減算することにより、温度上昇の前後における実効値Ｉ12，Ｉ11の差異値を演算し、その信号用端子３が端子浮きしているか否かを判別する（ステップ９６）。この場合、ＣＰＵ３１は、差異値が基準電流範囲内にある場合には、その信号用端子３が端子浮きしていないと判別し、基準電流範囲を外れているときには、端子浮きと判別する。次いで、すべての信号用端子３について端子浮きを検査したか否かを判別し（ステップ９７）、検査していないときには、ステップ９１〜ステップ９７を繰り返し実行し、すべてを検査したと判別したときには、この検査処理を終了する。
【００３０】
このように、このインサーキットテスタ１では、定電圧源３３および交流電圧源３４が検査用プローブ５，５を介して所定の１対の回路パターン４，４ｇに対して交流電圧を重畳させた脈流電圧を供給し、その際に電流測定回路３５が検査用プローブ５，５間を導通する電流に含まれる交流成分の実効値を測定し、ＣＰＵ３１が温度上昇の前後における交流成分の実効値の差異値に基づいて端子浮きを判別する。このため、このインサーキットテスタ１では、その実効値の差異値からバイパスコンデンサや浮遊容量を含めた回路基板Ｐ上の周辺回路の影響を排除することができる結果、集積回路の端子浮きを正確に検査することができる。加えて、その実効値の測定に際して、周辺回路における過渡現象の整定を待つ必要がないため、短時間で端子浮きを検査することができる。
【００３１】
なお、本発明は、上記した実施形態に限定されない。例えば、導通電流に含まれる交流成分波形の歪率に基づいて端子浮きを検査してもよい。この場合、上記したように、図４に示す加熱後の電流波形Ｗ２の歪率が加熱前における電流波形Ｗ１の歪率よりも向上するため、加熱前後における歪率の変化に基づいて端子浮きを判別することができる。また、導通電流に含まれる交流成分の振幅値に基づいて端子浮きを検査することができるのも勿論である。
【００３２】
また、本発明の実施の形態では、基準データを良品回路基板Ｐから測定することによって作成しているが、基準データとして、回路基板Ｐの設計時に想定される計算値を用いることもできる。
【００３３】
さらに、本発明の実施の形態では、温度制御手段としてのヒータ部６によって検査対象ＩＣ２を所定温度まで加熱することにより端子浮きを検査しているが、温度制御手段としてペルチェ素子などの冷却装置を用いてＩＣ２を所定温度まで冷却することにより端子浮きを検査することもできる。また、加熱装置として、例えば、ペルチェ素子や、電力をジュール熱に変換する抵抗発熱体などを用いることが可能である。
【００３４】
また、本実施形態では、定電圧源としての定電圧源３３および交流電圧源３４を用いることによって導通電流に含まれる交流成分の変化量に基づいて端子浮きを検査する例について説明したが、信号用端子３およびグランド端子３ｇ（または電源端子３ｐ）間に直流定電流源、交流定電流源および電圧測定回路を接続することにより、加熱または冷却の前後における寄生ダイオード５２の電圧に含まれる交流成分を測定した後、両測定値の差異値に基づいて端子浮きを検査してもよい。
【００３５】
【発明の効果】
以上のように、請求項１記載の集積回路の端子浮き検査方法および請求項２記載の回路基板検査装置によれば、交流成分が重畳した直流を両検査用プローブを介して集積回路の内部ダイオードに供給し、この状態において集積回路を加熱または冷却することにより集積回路の内部温度を所定温度に変化させると共に、その温度変化前後における内部ダイオードを導通した所定電流に含まれている交流成分波形の歪率を測定することにより、周辺回路の影響を受けることなく、集積回路の端子浮き検査を短時間に、かつ確実に検査することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  検査対象集積回路の等価回路を含めた測定系の概略を示す回路図である。
【図２】  本発明の実施の形態に係るインサーキットテスタの主要部の斜視図である。
【図３】  本発明の実施の形態に係るインサーキットテスタの電気的構成を示すブロック図である。
【図４】  加熱前と加熱後における集積回路内の寄生ダイオードの順方向電圧に対する導通直流電流および導通交流電流の特性図である。
【図５】  （ａ）は基準データ作成処理のフローチャート、（ｂ）は検査処理のフローチャートである。
【図６】  従来の集積回路の端子浮き検査方法を実施する際における検査対象集積回路の等価回路を含めた測定系の概略を示す回路図である。
【図７】  検査対象集積回路の等価回路を含めた従来の測定系における各部の電流の過渡的な推移を示す過渡特性図である。
【符号の説明】
１  インサーキットテスタ
２  集積回路
３  信号用端子
３ｇ  グランド端子
３ｐ  電源端子
４  回路パターン
５  検査用プローブ
６  ヒータ部
３１  ＣＰＵ
３３  定電圧源
３４  交流電圧源
３５  電流測定回路
３６  計測部
５２  寄生ダイオード
【図１】
0004040741.tif 000002
【図２】
0004040741.tif 000003
【図３】
0004040741.tif 000004
【図４】
0004040741.tif 000005
【図５】
0004040741.tif 000006
【図６】
0004040741.tif 000007
【図７】
0004040741.tif 000008