(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれが画像素子を含む画素のアレイと、
第１および第２のキャパシタであって、前記第２のキャパシタが金属酸化物シリコンキャパシタである、第１および第２のキャパシタと、
データ線を前記第２のキャパシタおよび前記画像素子に接続する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）とを含むアクティブマトリクスディスプレイデバイスであって、
前記第２のキャパシタが、前記薄膜トランジスタおよび前記画像素子に接続されたソースおよびドレインを有し、
前記第１のキャパシタが、ゲート金属相互接続層の一部を形成する共通極板と、ソース金属相互接続層の一部を形成する第１極板とを有し、
前記第２のキャパシタが、前記共通極板と、高濃度ドープされたアモルファスまたはポリシリコンの一部を形成する第２極板と、前記共通極板と前記第２極板との間のゲート酸化物とを有し、
前記共通極板に印加される電圧を制御することによって、前記第２キャパシタを前記第１のキャパシタおよび前記画像素子に接続して電荷記憶容量を増大させるように、前記薄膜トランジスタから独立して切り換え可能であり、
前記第２のキャパシタのソースおよびドレインが、第２薄膜トランジスタを介して前記薄膜トランジスタおよび前記画像素子に接続されており、前記共通極板が、前記第２薄膜トランジスタのゲートに接続されていることを特徴とするアクティブマトリクスディスプレイデバイス。
【請求項２】
請求項１に記載のデバイスを含むことを特徴とする、ディスプレイ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばディスプレイとして用いられるアクティブマトリクスデバイスに関する。デバイスは、例えば、アモルファスシリコン、または、高温もしくは低温ポリシリコンに基づく、薄膜トランジスタ技術（ＴＦＴ）技術を用いて実現される液晶アクティブマトリクスディスプレイを含み得る。このようなディスプレイは、携帯用バッテリー駆動機器において用いられ得る。
【０００２】
【従来の技術】
添付の図面の図１に、画素（ピクセル）、例えばピクセル２がＮロウおよびＭカラムあるアクティブマトリクス１を含む、従来のタイプのアクティブマトリクスデバイスを示す。各カラムのピクセルは、それぞれ、データ線、例えばデータ線４によって、データ線ドライバ３に接続されている。データ線ドライバ３は、タイミング、制御、およびデータ信号を受信する入力５を有する。
【０００３】
各ロウのピクセルは、それぞれ、走査線、例えば走査線６によって、走査線ドライバ７に接続されている。走査線ドライバ７は、入力５からのタイミング信号によって同期され、連続して、繰り返し、１度に１本の走査線６をアクティブする。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
添付の図面の図２に、４つの公知のタイプのアクティブマトリクスピクセルを示す。各ピクセルは、ゲートが走査線６に接続され、ソースがデータ線４に接続されたＴＦＴ１０を含む。ＴＦＴ１０のドレインは、ピクセル電極１１、および記憶キャパシタ１２の第１の端子に接続されている。記憶キャパシタ１２の第２の端子は、同じロウのピクセルの全ての記憶キャパシタ１２によって共有されている共通電極線１３に接続されている。全てのロウの共通電極線１３は、共通ＤＣ供給電圧に接続される。
【０００５】
ピクセルのＴＦＴ１０が使用される場合、スイッチとして機能し、切り換えは、走査線６の信号によって制御される。その後、アクティブマトリクスの各ピクセル２が、フレームレートとして既知の頻度でアップデートされる。１フレームの画像データのアップデートは、概して、ロウを基準として行われる。ピクセルの各ロウについて、データ線ドライバ３は、表示される画像データのロウを受信して、Ｍ本のデータ線４を対応するアナログ電圧まで充電する。走査線ドライバ７は、走査線６のうち１本をアクティブにして、アクティブにされた走査線に接続された全てのＴＦＴ１０をオンに切り換える。ＴＦＴ１０は、データ線４から記憶キャパシタ１２に、各キャパシタにかけられる電圧がデータ線の電圧と等しくなるまで、電荷を移動させる。その後、走査線ドライバ７は、ソース−ドレイン経路が高インピーダンス状態に戻るＴＦＴ１０のロウをイナクティブにする。
【０００６】
アクティブマトリクスへのアドレスは、さらに、２つのカテゴリー、すなわち、パネル−サンプル−ホールドアドレス（ポイントアットアタイムアドレスとも呼ばれる）、および、線アットアタイムアドレスに細分され得る。前者の方式においては、データ線は、通常、走査される線の各々がアクティブにされる場合、データ線ドライバ３のデータ線充電回路から絶縁される。後者の方式において、データ線は、通常、走査線アクティブ化時間の間、連続的に駆動される。
【０００７】
オフに切り換えられるときの各ＴＦＴ１０の有限インピーダンスは、各記憶キャパシタ１２とそのカラム用のデータ線４との間での電荷のフローまたは漏れの原因となる。これは、ピクセル電極１１での電圧の望ましくない変化と、その結果としての画質の低下につながる。電圧変化の大きさは、漏れ電流の大きさ、記憶キャパシタ１２の大きさ、およびピクセルアップデートとアップデートとの間の持続時間、すなわち、フレームレートに依存する。
【０００８】
ＴＦＴの漏れ電流は、デバイス設計の変更によって低減され得る。デバイス設計の変更は、製造プロセスの変化を必要とする。例えば、高ドレインフィールドを低減するだけでなく、チャネル抵抗をも増大させる、低濃度でドープされたドレイン（ＬＤＤ）を導入することが可能である。また、各ＴＦＴスイッチは、２重または３重ゲートデバイスとしても実現され得、２つまたは３つのスイッチを、効率的に、データ線とピクセル電極との間に直列に配置する。これは、チャネル抵抗の増大、および、ＴＦＴの「オン」性能の低減につながる。
【０００９】
米国特許第５，５１７，１５０号は、添付の図面の図３に示すタイプの構成を開示している。このピクセル構成は、添付の図面の図２に示す構成とは、ソース−ドレイン経路が、ピクセル電極１１との間に接続された、さらなるＴＦＴ１５が設けられている点でＴＦＴ１０のドレインとは異なる。また、さらなるキャパシタ１６が、共通線１３と、ＴＦＴ１０およびＴＦＴ１５との間の接続に接続されている。
【００１０】
特定のピクセル用の走査線６がアクティブされる場合、トランジスタ１０とトランジスタ１５との両方がオンになり、キャパシタ１２とキャパシタ１６との両方が、データ線４から充電される。走査線がイナクティブにされる場合、両方のトランジスタは、オフに切り換えられる。上述したように、トランジスタ１０を流れる電荷の漏れは、キャパシタ１６にかけられる電圧の変動につながる。しかし、トランジスタ１５にかけられる電圧降下が非常に小さく、漏れ電流もずっと少ないので、キャパシタ１２にかけられる電圧の変化がずっと小さく、ピクセル電極１１にかけられる電圧の変化もずっと小さい。
【００１１】
電荷の漏れによって引き起こされるピクセル電圧変化は、記憶キャパシタ１２の値を増大させることによって、非常に小さくなり得る。しかし、記憶キャパシタを、任意に大きくすることはできない。例えば、ディスプレイが透過型である場合、大きい記憶キャパシタによって、ピクセルアパーチャー比が低減し、ディスプレイ輝度が低減し得る。また、利用可能な走査線アクティブ化時間の間に、比較的小さいＴＦＴを有する比較的大きい記憶キャパシタを完全に充電することができない可能性がある。パネル−サンプル−ホールドディスプレイにおいては、キャパシタンスＣｌのデータ線の電荷は、キャパシタンスＣｓの記憶キャパシタと共有される。結果として、ピクセルに書き込まれる電圧は、データ線４にサンプルされる電圧（Ｖ１）と同じではない。この電圧差ΔＶは、記憶キャパシタのキャパシタンスと共に増大し、記憶キャパシタが初期的に充電されていないと仮定する場合、以下の式によって求められる。
【００１２】
【数１】
0004140808.tif 000002
ピクセル電圧を一定に保持することが必要な持続時間を最小化するために、フレームレートを増大させることが可能であるが、これは、実用的なオプションではない。例えば、低減されたアドレス期間の間、データ線、または記憶キャパシタを充電することができない可能性があるか、そうでない場合には、電力消費は、許容範囲を越えて増大し得る。低電力の用途においては、電力消費を低減するために、アクティブマトリクスを比較的低いフレームレートでアップデートすることが所望され得る。
【００１３】
米国特許第６，０２３，０７４号は、米国特許第５，５１７，１５０号に開示されたピクセルＴＦＴ構成と類似する構成を開示する。しかし、記憶キャパシタは、金属酸化物半導体（ＭＯＳ）キャパシタとして実現される。添付の図面の図４に示すように、ＭＯＳキャパシタは、ゲートｇがキャパシタの一方の端子を形成し、ソースｓおよびドレインｄが互いに接続されて他方の端子を形成する、トランジスタ１８によって形成される。ソースとドレインとの間の接続は、別個の相互接続層への「オーム」接点接続ではなく、高濃度でドープされた半導体によって達成され得る。デバイスの実効キャパシタンスは、図４のグラフに示すように、電圧に依存する。ＭＯＳデバイスの閾値電圧Ｖｔ未満では、キャパシタンスは、ゲート−ソースオーバーラップキャパシタンス、およびゲート−ドレインオーバーラップキャパシタンスの合計と等しい。閾値電圧Ｖｔより高い場合、キャパシタンスは、オーバーラップキャパシタンスに加えて、ＭＯＳ酸化物キャパシタンスを含むように変化する。
【００１４】
米国特許第５，８３５，１７０号は、添付の図面の図５に示すタイプの構成を開示する。この構成において、共通電極線１３は、省略され、キャパシタ１２の第２の端子は、隣接するピクセルのロウの走査線６に接続されている。このようなキャパシタオンゲート構成の利点は、アクティブマトリクス１を横切る水平信号の総数が、図２に示す構成と比較すると半分になり、より高いピクセルアパーチャー比が達成され得ることである。しかし、アクティブマトリクス１の走査方向は、固定される。具体的には、アクティブマトリクスのロウは、図５における一番下のロウから上方向に走査される必要がある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明のアクティブマトリクスディスプレイデバイスは、それぞれが画像素子を含む画素のアレイと、第１および第２のキャパシタであって、前記第２のキャパシタが金属酸化物シリコンキャパシタである、第１および第２のキャパシタと、データ線を前記第２のキャパシタおよび前記画像素子に接続する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）とを含むアクティブマトリクスディスプレイデバイスであって、前記第２のキャパシタが、前記薄膜トランジスタおよび前記画像素子に接続されたソースおよびドレインを有し、前記第１のキャパシタが、ゲート金属相互接続層の一部を形成する共通極板と、ソース金属相互接続層の一部を形成する第１極板とを有し、前記第２のキャパシタが、前記共通極板と、高濃度ドープされたアモルファスまたはポリシリコンの一部を形成する第２極板と、前記共通極板と前記第２極板との間のゲート酸化物とを有し、前記共通極板に印加される電圧を制御することによって、前記第２キャパシタを前記第１のキャパシタおよび前記画像素子に接続して電荷記憶容量を増大させるように、前記薄膜トランジスタから独立して切り換え可能であり、前記第２のキャパシタのソースおよびドレインが、第２薄膜トランジスタを介して前記薄膜トランジスタおよび前記画像素子に接続されており、前記共通極板が、前記第２薄膜トランジスタのゲートに接続されていることを特徴とする。
【００２２】
本発明のディスプレイは、前記デバイスを含むことを特徴とする。
【００５７】
このように、各ピクセルでの記憶能力は変化し得、例えば、画質および電力消費性能を最適化するように、異なるモードのアクティブマトリクスの動作を可能にする。例えば、このようなデバイスは、より速く正確なアップデートを可能にして、より低い記憶容量で動作し得、高品質画像で、比較的高いフレームレートでの動作を提供する。より低い電力消費のために、ピクセルにおけるより大きい記憶容量で、より遅いフレームレートモードが選択され得、ピクセルアップデート間の間隔の間、電荷の漏れによる画像劣化を低減または防止する。
【００５８】
【発明の実施の形態】
本発明は、例示のため、添付の図面を参照しながらさらに説明される。
【００５９】
図面を通じて、同一の要素は同一の参照符号で示される。
【００６０】
図６に、例えば、液晶ディスプレイパネルの形態のアクティブマトリクスデバイスの４つのピクセルを示す。各ピクセルは、例えば図２を参照しながら上述したように、ＴＦＴ１０、記憶キャパシタ１２、およびピクセル電極１１を含む。さらに、各ピクセルは、ドレイン（またはソース）がピクセル電極１１に接続され、ソース（またはドレイン）が他の記憶キャパシタ２１の第１の極板に接続されたさらなるＴＦＴ２０を含む。記憶キャパシタ２１の他の極板は、共通電極線１３に接続されている。ＴＦＴ２０のゲートは、ピクセルのロウにとって共通のキャパシタ選択線に接続されている。キャパシタ２１のキャパシタンスＣｓ２は、キャパシタ１２のキャパシタンスＣｓ１と同じである必要はなく、実質的に高く（例えば、５倍のオーダーなど）てもよい。
【００６１】
各ピクセルは、１本の垂直信号ワイヤと関連付けられ、３本の水平信号ワイヤと関連付けられる。垂直ワイヤは、ソース金属相互接続層とともに製造され得、水平ワイヤは、ゲート金属相互接続層とともに製造され得る。
【００６２】
アクティブマトリクスデバイスは、２つのモードのいずれかで動作し得る。第１のモードにおいて、キャパシタ選択信号線は、相対的に低い電圧に接続される。このモードにおいて、全てのピクセルのＴＦＴ２０が、オフになり、キャパシタ２１は、ピクセル電極１１から効率的に切断される。これは、各ピクセルでの記憶キャパシタンスが記憶キャパシタ１２の値Ｃｓ１と実質的に等しい、相対的に低いキャパシタンスモードである。他方のより高いキャパシタンスモードにおいて、線２２は、相対的に高い電圧に接続され、全てのピクセルにおけるトランジスタ２０は、オンになり、キャパシタ２１は、各ピクセルでのキャパシタ１２と並列に接続される。このモードにおいて、記憶キャパシタンスは、キャパシタ１２のキャパシタンス値Ｃｓ１およびキャパシタンス２１のキャパシタンス値Ｃｓ２の合計と等しい。
【００６３】
図７は、マイクロ秒で表される時間に対するボルトで表される電圧を示す波形図であり、低キャパシタンスモードと高キャパシタンスモードとの両方で動作する図６のデバイスのシミュレーション結果を表す。このシミュレーションは、１つのフレームで−３．５ボルトの電圧を受け取り、次のフレームで＋３．５ボルトの電圧を受け取る液晶ピクセルセルを表す。ピクセル電圧は、６ボルトのカウンター電極電位と関連し、ピクセル電極１１に供給される電圧は、第１のフレームにおいて、２．５ボルトであり、第２のフレームにおいて、９．５ボルトである。走査線のアクティブ化の頻度および漏れは、妥当なシミュレーションの時間内で、相対的な効果を観察することができるように、調節される。キャパシタ１２の値Ｃｓ１は、１００ｆＦであり、この値は、小さい直視式アクティブマトリクス液晶ディスプレイについて、典型的である。キャパシタ２１のキャパシタンス値Ｃｓ２は、５００ｆＦである。
【００６４】
低キャパシタンス動作モードにおいて、ピクセル充電は、非常に素早く起きる。しかし、走査線がロウになる場合、ＴＦＴ１０のオーバーラップキャパシタンスからかなりの電荷注入がある。また、記憶キャパシタ１２からの漏れは、非常に大きい。高キャパシタンス動作モードにおいて、ピクセル電極電圧が、データ線電圧に向かって動くにつれて、トランジスタ１０がオフになるときの電荷注入が少なくなり、漏れは実質的に低下する。
【００６５】
シミュレーション結果は、パネル−サンプル−ホールド型のディスプレイにおける電荷の共有に起因して、データ線電圧にもたらされる低下を示さない。小さい直視型アクティブマトリクス液晶ディスプレイにおいては、データ線キャパシタンスは、典型的には、１０ｐＦである。同じ記憶キャパシタンスにおいては、低キャパシタンスモードにおいてピクセルで起きる電圧の変化は、所望のデータ線電圧の約１％である。高キャパシタンスモードにおいては、電圧の変化は、より６％に近い。このことの効果を、図８に示す。第２の走査期間の直前に、データ線は初期的に９．５ボルトである。走査線がアクティブにされる場合、データ線とキャパシタ１２および２１との両方が、電荷を共有する。正味の効果は、ピクセル電極が、最後に、所望の９．５ボルトではなく、９．１ボルトになることである。
【００６６】
各ピクセルに、さらなる５００ｆＦの記憶キャパシタ２１を、追加のＴＦＴ２０とともに実装することによって、特に、ゲートおよびソース金属相互接続層が平行板記憶キャパシタを形成するために使用される場合に、小さい透過型液晶ディスプレイのピクセルアパーチャー比が実質的に低減される。しかし、ピクセルアパーチャー比は、さらなる素子２０および２１が反射電極の下に配置され得る、反射型、または透過−反射型ディスプレイにおいては、実質的に影響されない。
【００６７】
高キャパシタンス動作モードについて増大したピクセル充電時間は、特に、ＴＦＴ１０および２０がアモルファスシリコン型である場合に、注意深く考慮される必要がある。このようなデバイスの移動度は、非常に低く、例えば、１ｃｍ2／Ｖｓであり、データ線４から記憶キャパシタ１２および２１に流れる電荷のレートを制限する。従って、ピクセルを完全に充電するため、アクティブマトリクスアドレスを遅くすることが必要とされるか、または所望される。あるいは、連続的なフレームで、同じ画像データをアクティブマトリクスに書き込んで、セルの充分な充電を確実にすることも可能である。このような技術は、データ線ドライバ３および走査線ドライバ７において、タイミングを変更することによって調整され得る。高性能ポリシリコンＴＦＴ１０および２０を用いて製造されるディスプレイは、５０ｃｍ2／Ｖｓを越える移動度を有し得、高キャパシタンスモードは、ピクセル充電期間の延長を必要とする可能性が低い。
【００６８】
ポイントアットアタイムディスプレイアドレスの、高キャパシタンスモードにおいて低減した精度は、データ線ドライバ内、または、ディスプレイが接続される液晶ドライバコントローラ（不図示）内で補償され得る。このような補償は、概して、液晶ピクセルの非線形電圧／透過応答を補償する必要があるので、標準的に実施されている。この補償は、概して「ガンマ補正」と呼ばれている。それにも関わらず、高キャパシタンスおよび低キャパシタンスモード用のドライバ回路内での二つの補償方式の調節は、大幅なオーバーヘッドを示す。ディスプレイは、主に、電力消費を低減するため、低減されたフレームレートで、高キャパシタンスモードにおいて動作する可能性が高い。この場合、高グレイスケール精度を達成することは、それほど重要ではない。例えば、ディスプレイは、低フレームレート１ビットカラーモードにおいて動作し得る。このような１ビットカラーモードにおける電荷の共有によって引き起こされる任意の不精度は、実質的な画質の問題を提起する可能性が低い。
【００６９】
図９に示す参考形態は、ＴＦＴ２０およびキャパシタ２１の位置が、交換されているという点で図６に示した参考形態とは異なる。しかし、このことによって、動作に影響はない。
【００７０】
図１０に示すデバイスは、アクティブマトリクスの各ロウを横切る水平信号数を１つ低減するために、図５に示すタイプのキャパシタオンゲート技術が用いられているという点で図６に示すデバイスとは異なる。従って、キャパシタ１２および２１の低い方の極板が、隣接するピクセルのロウの走査線６に接続され、共通線１３が、必要なくなっている。走査線は、ＤＣ電圧を、キャパシタ１２および２１の低い方の端子に供給するために用いられ、ほとんどの間、０ボルトである。しかし、走査線６は、その後、ＴＦＴ１０のピクセルのロウをアクティブにするために、高ＤＣ電圧に切り換えられる。キャパシタ１２および２１に格納される電圧の低下を避けるために、キャパシタが充電される前に、このような切り換え動作が起きる必要がある。従って、図１０に示すアクティブマトリクスは、一番下のロウから上方向に走査される必要がある。
【００７１】
図１１に示すデバイスは、共通電極線１３およびキャパシタ選択線２２の代わりに、キャパシタ１２および２１のさらなる極板、ならびに、ＴＦＴ２０のゲートに接続された単一の線２４が用いられているという点で図６に示すデバイスとは異なる。これは、キャパシタ選択信号が、動作のモードが選択された後は、実質的にＤＣ信号であるので可能である。低キャパシタンスモードにおいて、線２４は、グラウンドに接続され、ＴＦＴ２０がオフに切り換えられ、実効記憶キャパシタンスは、キャパシタ１２によって提供されるキャパシタンスである。高キャパシタンスモードにおいて、線２４は、正の供給電圧Ｖｄｄに接続され、ＴＦＴ２０がオンに切り換えられて、キャパシタ１２を介して、キャパシタ２１に接続する。この技術は、以下で説明する実施形態にも適用され得る。
【００７２】
図１２に、各キャパシタ選択および共通電極線２４がピクセルのロウの隣接する対によって共有されるという点で図１１に示すデバイスとは異なるデバイスを示す。従って、平均で、各ピクセルのロウを通って走る信号１．５個しかない。この技術は、以下で説明する実施形態にも適用され得る。
【００７３】
図１３に示すデバイスは、図６に示す参考形態と、各ピクセルのロウが、共通線１３とキャパシタ選択線２２を有するという点で類似する。しかし、キャパシタ１２および２１は、ＴＦＴ１０および２０が形成される集積構造のゲート金属相互接続層の一部を形成する共通極板を共有する。キャパシタ１２の他の極板は、ソース金属相互接続層の一部を含み、キャパシタ２１の他の極板は、例えば、Ｎ型材料の高濃度でドープされたアモルファス層またはポリシリコン層の一部を形成する。典型的なＴＦＴ構造において、キャパシタ２１の誘電体は、ゲート酸化物であり、キャパシタ２１の物質の１単位面積あたりのキャパシタンスは、実質的に、キャパシタ１２のキャパシタンスより大きい。これは、キャパシタ２１のより大きい値のキャパシタンスＣｓ２が達成されることを可能にする。
【００７４】
図１４に、図１３に示したタイプのデバイスが、ポリシリコンデュアルゲートＴＦＴ構造とともに反射型液晶ディスプレイとして実施される場合のマスク配置を示す。データ線４は、ソース金属相互接続層（ＳＬ）上に実装され、ピクセルの右側を垂直に走り、バイア３０を介して、デュアルゲート構成のＴＦＴ１０のソースに接続される。ＴＦＴ１０は、走査線６によって２度横切られ、走査線６は、ゲート金属相互接続層ＧＬにおいて形成されて、２つの直列接続ＴＦＴチャネルが互いに直角に形成される。この構成は、デバイスをマスクアラインメントのエラーに対して、よりロバストにする。
【００７５】
ＴＦＴ１０のドレインで、バイア３１は、端子を大規模ＳＬ電極に接続する。大規模ＳＬ電極は、一方の極板がＧＬ電極線の一部によって形成されるキャパシタ１２の他方の極板を形成する。ＳＬ電極は、反射型電極（ＲＥ）３２と接触する。ＴＦＴ１０のドレインは、キャパシタ選択線２２によって横切られるところで、トランジスタ２０を形成するポリシリコントラックに接続されている。次に、ポリシリコントラックは、ＧＬ共通電極線１３とともに、キャパシタ２１を形成する高濃度でドープされたポリシリコン電極に接続されている。
【００７６】
ゲート層の下のアモルファスまたはポリシリコン層の高濃度のドープは、通常、従来のＴＦＴプロセスフローによっては達成されず、高濃度でドープされた領域を規定するためには、さらなるマスクが必要とされる可能性が高い。
【００７７】
図１５に示すデバイスは、図１３に示したデバイスと類似するタイプであるが、図１１に示すように、単一のキャパシタ選択線および共通電極線２４を用い、キャパシタ１２および２１がＭＯＳキャパシタとして実施される。線２４が低電圧、例えば、グラウンドに接続される場合、ＴＦＴ２０はオフに切り換えられ、キャパシタ１２は、層ＳＬとＧＬとの間の平行板キャパシタによって形成される。線２４上の信号がハイ、例えば、Ｖｄｄである場合、ＴＦＴ２０はオンに切り換えられ、値Ｃｓ２のＭＯＳキャパシタは、キャパシタ１２と並列である。ＭＯＳキャパシタ３５は、ゲート電極の下のアモルファスまたはポリシリコン層によって形成される。ゲート電極は、層ＧＬ上にルーティングされたキャパシタ選択信号線によって形成され、ＭＯＳ構造３５の閾値電圧Ｖｔを越える電位である。従って、総キャパシタンスは、図４を参照しながら上述したように、酸化物キャパシタンスおよびオーバーラップキャパシタンスの合計と等しい。
【００７８】
図１６に、反射型ポリシリコンデュアルゲートＴＦＴ構造として実施される図１５のデバイスに対するマスク配置を示す。ピクセルを通じてルーティングされる水平信号は２つしかない。ＭＯＳキャパシタのポリシリコン層は、キャパシタのゲート金属層を越えて延びる。通常の自己アラインメントＴＦＴ製造フローにおいて、この領域は、高濃度でドープされる。参照符号３３で示すように、この領域は、ＭＯＳキャパシタの３つのエッジの周りに延び、必要なソース−ドレイン接続を形成する。
【００７９】
ＭＯＳ構造のキャパシタンスは、共通電極に印加される電圧に依存して変化する。図１７に、２つの状態におけるＭＯＳキャパシタ３５の端子電圧を示す。図１７の上の図において、共通電極は１５ボルトであり、アクティブマトリクスデバイスの典型的な供給電圧である。ピクセル電極１１は、典型的なデバイスにおいて、１．５ボルトから１０．５ボルトの間の任意の値を取り得る。キャパシタが高キャパシタンス方式になるためには、ＭＯＳ閾値電圧が４．５ボルトより低くなる必要があり、アモルファスおよびポリシリコンピクセルＴＦＴについては、一般的である。
【００８０】
図１７の下の図に示す構成において、共通電極は、０ボルトである。キャパシタが低キャパシタンス方式になるためには、ＭＯＳ閾値電圧が−１．５ボルトより高くなる必要があり、アモルファスおよびポリシリコンピクセルＴＦＴについては、一般的である。従って、共通電極電圧自体を切り換えることによって、２つのＭＯＳキャパシタ方式の間で変化して、２つの異なる記憶キャパシタンスを選択することが可能になる。
【００８１】
図１８に示すデバイスは、この能力を利用し、ＭＯＳ構造３５によってキャパシタンス切り換えが行われるので、ＴＦＴ２０が省略されているという点で図１５に示すデバイスとは異なる。このデバイスの１つのピクセルについてのマスク配置を、図１９に示す。
【００８２】
図２０に示すデバイスは、相互接続層によって形成される平行板キャパシタが省略されているという点で図１８に示すデバイスとは異なる。従って、相互接続層ＳＬ上に形成される電極は必要なく、非常に簡単なピクセル回路が得られる。恒常的に接続された記憶キャパシタは、オーバーラップキャパシタンスによって提供され、自己切り換えキャパシタは、酸化物キャパシタンスによって生成され、線２４が高電圧、例えば、Ｖｄｄに切り換えられる場合にのみ回路に切り換えられる。恒常的に接続された記憶キャパシタの値Ｃｓ１は、公知のＴＦＴチャネルエンジニアリング技術、例えば、低濃度でドープされたドレイン（ＬＤＤ）をゲート電極の下に組み込むことを用いて選択され得る。
【００８３】
アクティブマトリクスデバイスは、画素のアレイを含む。各画素は、画像素子、例えば、第１の蓄電キャパシタ１２に接続され、走査線６上の走査信号によってアクティブにされる場合に薄膜トランジスタ１０によってデータ線４に接続されるように配置されるＬＣＤセル（１１）を含む。第２の蓄電キャパシタは、ピクセルでの蓄電キャパシタンスを増大させるために所望される場合に、他の薄膜トランジスタ２０によって、第１のキャパシタ１２を横切って接続され得る。
【００８４】
【発明の効果】
本発明のアクティブマトリクスディスプレイ回路によって、Ｃｓ電極線とＣｓ選択線を組み合わせることにより追加のマトリクス配線を必要としない実装が可能である。また、アクティブマトリクスの消費電力を低減するために低いフレームレートで動作することにより、ＴＦＴピクセルの電荷の漏れを改善し、画質を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  図１は、公知のアクティブマトリクスディスプレイを示す模式図である。
【図２】  図２は、公知のタイプのディスプレイのアクティブマトリクスピクセルの回路図である。
【図３】  図３は、他の公知のタイプのディスプレイのアクティブマトリクスピクセルの回路図である。
【図４】  図４は、ＭＯＳキャパシタおよびこのようなデバイスのゲート／ソース電圧に対するキャパシタンスを示す図である。
【図５】  図５は、さらなる公知のタイプのピクセルの回路図である。
【図６】  図６は、本発明の参考形態を構成するデバイスのピクセルの回路図である。
【図７】  図７は、２つの動作モードにおける、図６に示すピクセルのシミュレーション動作を示す波形図である。
【図８】  図８は、パネル−サンプル−ホールドデバイスにおける図６のピクセルの動作のシミュレーション結果を示す波形図である。
【図９】  図９は、本発明の参考形態を構成するデバイスの４つのピクセルの回路図である。
【図１０】  図１０は、本発明の参考形態を構成するデバイスの４つのピクセルの回路図である。
【図１１】  図１１は、本発明の参考形態を構成するデバイスの４つのピクセルの回路図である。
【図１２】  図１２は、本発明の参考形態を構成するデバイスの４つのピクセルの回路図である。
【図１３】  図１３は、本発明の参考形態を構成するデバイスの４つのピクセルの回路図である。
【図１４】  図１４は、図１３に示すデバイスのピクセルのマスク配置の例を示す図である。
【図１５】  図１５は、本発明の実施形態を構成するデバイスの４つのピクセルの回路図である。
【図１６】  図１５に示すタイプのピクセルのマスク配置の例を示す図である。
【図１７】  図１７は、ＭＯＳキャパシタの動作を示す模式図である。
【図１８】  図１８は、本発明の参考形態を構成するデバイスの４つのピクセルの回路図である。
【図１９】  図１９は、図１８に示すピクセルのマスク配置の例を示す図である。
【図２０】  図２０は、本発明の参考形態を構成するデバイスの４つのピクセルの回路図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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