(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明導電性粉末と有機成分とを含む透明導電ペーストにおいて、有機成分として少なくともカルボキシル基を有する共重合体を含む光反応性化合物を含有することを特徴とする透明導電ペースト。
【請求項２】
光反応性化合物がエチレン性不飽和基を含有することを特徴とする請求項１記載の透明導電ペースト。
【請求項３】
光反応性化合物がアクリル酸エステル化合物またはメタクリル酸エステル化合物を含有することを特徴とする請求項１記載の透明導電ペースト。
【請求項４】
透明導電性粉末が、酸化錫または酸化インジウムのうち少なくともいずれか１種を含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の透明導電ペースト。
【請求項５】
透明導電ペースト中の透明導電性粉末の含有率が、１０〜６０重量％の範囲内であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の透明導電ペースト。
【請求項６】
透明導電性粉末の平均粒子径が１０〜５００ｎｍの範囲内であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の透明導電ペースト。
【請求項７】
さらに、光重合禁止剤を含有していることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の透明導電ペースト。
【請求項８】
光重合禁止剤を溶媒を除いた有機成分全量中に、０．００１〜３重量％含有していることを特徴とする請求項７記載の透明導電ペースト。
【請求項９】
さらに、紫外線吸収剤を含有していることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の透明導電ペースト。
【請求項１０】
紫外線吸収剤を溶媒を除いた有機成分全量中に０．００１〜２重量％含有していることを特徴とする請求項９記載の透明導電ペースト。
【請求項１１】
ディスプレイ用部材の透明電極の形成に用いられることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の透明導電ペースト。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれかに記載の透明導電ペーストを用いたことを特徴とするディスプレイ用部材。
【請求項１３】
請求項１〜１１のいずれかに記載の透明導電ペーストを用いたことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項１４】
請求項１〜１１のいずれかに記載の透明導電ペーストを基板上に塗布し、露光、現像によりパターンを形成し、さらに焼成することを特徴とするディスプレイパネル用部材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、透明導電パターンの形成に用いられる透明導電ペースト、それを用いたディスプレイ用部材およびディスプレイに関するものであり、特にプラズマディスプレイパネル、プラズマディスプレイパネル用部材、ディスプレイ用部材の透明電極の形成に用いる透明導電ペーストに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、透明導電パターンの形成方法として以下の方法が採られている。
１．所望のパターンを有したスクリーン版を介在させたスクリーン印刷法
２．所望のパターンを有したマスクを介在させた蒸着・スパッタリング法
３．基板上の所望のパターン領域を含むエリアに、各種コーティング法や蒸着・スパッタリング法等により透明導電層をベタ形成した後、レジスト層を形成し、その後フォトプロセスによるレジスト層のパターン化、エッチング、レジスト層の剥離により所望のパターンを得る方法。
【０００３】
近年、透明導電パターンにおいて、高位置精度化、高密度化、高精細化の要求が高まっており、それに伴って、パターン加工技術の向上が望まれている。特に、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）用部材の透明電極部分に関しては、回路基板と異なり対角２０インチから４０インチを越すような大型基板上でのパターン形成精度や、その上での高精細化が望まれている。
【０００４】
これらの要求に対して、上記１のスクリーン印刷法では、滲みやスクリーン版の伸びが避けられず、スクリーンメッシュの大きさ、印刷条件などの最適化を図っても細幅化や高位置精度化は難しく、ファインパターン化には限界があった。
【０００５】
上記２のパターン蒸着・パターンスパッタリング法においては、上記１よりは良好な結果が得られるが、マスク遮蔽部への開口部からの回り込みがあるため、高密度化、高精細化には限界があった。
【０００６】
そこで、これらの要求に答える方法としてフォトプロセスを介在させた上記３の方法が用いられている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、この方法ではレジスト層の形成、レジスト層のパターン化そしてエッチング、レジスト層剥離と工程数が非常に多く複雑となる欠点があった。
【０００８】
そこで、本発明の目的は、透明導電パターン、特にプラズマディスプレイパネル、プラズマディスプレイパネル用部材、ディスプレイ用部材の透明電極について、精度良い微細パターンの形成を簡便にできる透明導電ペーストを提供することおよび上記欠点のないフォトプロセスによる透明導電パターンの形成方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
すなわち本発明は、透明導電性粉末と有機成分とを含む透明導電ペーストにおいて、有機成分として少なくともカルボキシル基を有する共重合体を含む光反応性の化合物を含有することを特徴とする透明導電ペーストである。また、本発明はそれを用いるディスプレイ用部材およびプラズマディスプレイパネルならびにディスプレイパネル用部材の製造方法である。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明の透明導電ペーストは、透明導電性粉末と有機成分とを含み、有機成分として少なくとも光反応性の化合物を含有する。本発明の透明導電ペーストは、フォトリソグラフィーを用いたパターン形成後に焼成を行い、実質的に無機物からなるパターンを形成する際に好適に用いられるものである。
【００１１】
本発明の透明導電ペーストに含まれる有機成分は、少なくとも光反応性化合物、例えば、光反応性モノマー、光反応性オリゴマー、光反応性ポリマーなどを含むことが必要である。ここで、反応性とは、感光性をもつペーストが活性光線の照射を受けた場合に、反応性モノマー、反応性オリゴマー、反応性ポリマーが、光架橋、光重合、光解重合、光変性などの反応を通して化学構造が変化することを意味する。
【００１２】
本発明における光反応性の化合物は、カルボキシル基を有する共重合体を含有することが好ましい。カルボキシル基を有する共重合体としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸、ビニル酢酸またはこれらの酸無水物などのカルボキシル基含有モノマーおよびメタクリル酸エステル、アクリル酸エステル、スチレン、アクリロニトリル、酢酸ビニル、２−ヒドロキシアクリレートなどのモノマーを選択し、アゾビスイソブチロニトリルのような開始剤を用いて共重合することにより得られるものが挙げられる。
【００１３】
カルボキシル基を有する共重合体としては、焼成時の熱分解温度が低いことから、（メタ）アクリル酸エステルおよび（メタ）アクリル酸を共重合成分とする共重合体が好ましく用いられる。とりわけ、スチレン／メタクリル酸メチル／メタクリル酸共重合体が好ましく用いられる。
【００１４】
カルボキシル基を有する共重合体の樹脂酸価は５０〜１５０ｍｇＫＯＨ／ｇであることが好ましい。酸価が１５０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下とすることで、現像許容幅を広くとることができる。また、酸価が５０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上とすることで、未露光部の現像液に対する溶解性が低下することなく、従って現像液濃度を濃くする必要がなく露光部の剥がれを防ぎ、高精細なパターンが得ることができる。
【００１５】
さらに、カルボキシル基を有する共重合体が側鎖にエチレン性不飽和基を有することも好ましい。エチレン性不飽和基としては、アクリル基、メタクリル基、ビニル基、アリル基などが挙げられる。このような側鎖を共重合体に付加させる方法は、共重合体中のメルカプト基、アミノ基、水酸基やカルボキシル基に対して、グリシジル基やイソシアネート基を有するエチレン性不飽和化合物やアクリル酸クロライド、メタクリル酸クロライドまたはアリルクロライドを付加反応させて作る方法がある。
【００１６】
グリシジル基を有するエチレン性不飽和化合物としては、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル、アリルグリシジルエーテル、エチルアクリル酸グリシジル、クロトニルグリシジルエーテル、クロトン酸グリシジルエーテル、イソクロトン酸グリシジルエーテルなどが挙げられる。イソシアネート基を有するエチレン性不飽和化合物としては、（メタ）アクリロイルイソシアナート、（メタ）アクリロイルエチルイソシアネートなどがある。また、グリシジル基やイソシアネート基を有するエチレン性不飽和化合物やアクリル酸クロライド、メタクリル酸クロライドまたはアリルクロライドは、ポリマー中のメルカプト基、アミノ基、水酸基やカルボキシル基に対して０．０５〜１モルを等量付加させることが好ましい。また、カルボキシル基を有する共重合体の添加量は、適切な露光量を得ることができるという点で、溶媒を除いた有機成分中の１０〜９０重量％であることが好ましい。
【００１７】
また、本発明の透明導電ペーストは、透明導電性粉末を含むことを必須とする。ここで、透明導電性粉末とは、１μｍ厚みに対して視認光透過率が８０％以上である導電性をもつ粉末のことをいうものである。このような透明導電性粉末として、酸化錫や酸化インジウム、およびその複合酸化物である酸化インジウム錫（ＩＴＯ）などの透明導電性金属酸化物を主成分とした粉末や、透明なガラス粉末などの透明非導電性無機粉末にこれら透明導電性金属酸化物を被膜した粉末などが好ましく用いられる。
【００１８】
ここで、透明導電性粉末は、ペースト中に１０〜６０重量％含まれることが好ましい。さらに好ましくは１５〜５０重量％の範囲内である。通常のディスプレイに用いられる基板上にパターン加工ができやすくなるためである。また、本発明では、さらに透明非導電性無機粉末を含むこともできる。これにより、パターン形成厚みや透明導電性粉末と透明非導電性無機粉末との比率を調整することで所望の抵抗値をとるパターンの達成や異方導電性膜の達成ができることとなる。
【００１９】
また、透明導電性粉末の平均粒子径を１０ｎｍ〜５００ｎｍであることが好ましい。それにより、パターン形成厚みが１μｍ以下という薄膜パターンを達成することができるためである。とりわけ、透明導電性粉末の平均粒子径を１０ｎｍ〜１００ｎｍとすることにより、薄膜かつ低抵抗パターンを達成することができる。なお、本発明において、透明導電性粉末の平均粒子径の測定は、ペースト中の透明導電性粉末を走査型電子顕微鏡で観察し、透明導電性粉末の長手方向の径を１００個分測り、その平均値をもって透明導電性粉末の平均粒子径とした。観察にあたっては、長手方向の径が確認、測定できるものを１００個選び、他の粉末と重なって確認できない透明導電性粉末は対象から除いた。
【００２０】
本発明の透明導電ペーストには、光重合開始剤をさらに含ませることができる。光重合開始剤は、ラジカル種を発生するものから選んで用いられる。光重合開始剤としては、ジエトキシアセトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、ベンジルジメチルケタール、１−（４−イソプロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル−（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、１−ヒドロキシシクロヘキシル−フェニルケトン、１−フェニル−１，２−プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、２−メチル−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾフェノン、ｏ−ベンゾイル安息香酸メチル、４−フェニルベンゾフェノン、４，４−ジクロロベンゾフェノン、ヒドロキシベンゾフェノン、４−ベンゾイル−４’−メチル−ジフェニルサルファイド、アルキル化ベンゾフェノン、３，３’，４，４’−テトラ（ｔ−ブチルパーオキシカルボニル）ベンゾフェノン、４−ベンゾイル−Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−［２−（１−オキソ−２−プロペニルオキシ）エチル］ベンゼンメタナミニウムブロミド、（４−ベンゾイルベンジル）トリメチルアンモニウムクロリド、２−ヒドロキシ−３−（４−ベンゾイルフェノキシ）−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチル−１−プロペンアミニウムクロリド一水塩、２−イソプロピルチオキサントン、２，４−ジメチルチオキサントン、２，４−ジエチルチオキサントン、２，４−ジクロロチオキサントン、２ーヒドロキシ−３−（３，４−ジメチル−９−オキソ−９Ｈ−チオキサンテン−２−イロキシ）−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチル−１−プロパナミニウムクロリド、２，４，６−トリメチルベンゾイルフェニルホスフィンオサイド、２，２’−ビス（ｏ−クロロフェニル）−４，５，４’，５’−テトラフェニル−１，２−ビイミダゾール、１０−ブチル−２−クロロアクリドン、２−エチルアンスラキノン、ベンジル、９，１０−フェナンスレンキノン、カンファーキノン、メチルフェニルグリオキシエステル、η5−シクロペンタジエニル−η6−クメニル−アイアン（１＋）−ヘキサフルオロフォスフェイト（１−）、ジフェニルスルフィド誘導体、ビス（η5−２，４−シクロペンタジエン−１−イル）−ビス（２，６−ジフルオロ−３−（１Ｈ−ピロール−１−イル）−フェニル）チタニウム、４，４−ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、チオキサントン、２−メチルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、４−ベンゾイル−４−メチルフェニルケトン、ジベンジルケトン、フルオレノン、２，３−ジエトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニル−２−フェニルアセトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフェノン、ｐ−ｔ−ブチルジクロロアセトフェノン、ベンジルメトキシエチルアセタール、アントラキノン、２−ｔ−ブチルアントラキノン、２−アミノアントラキノン、β−クロルアントラキノン、アントロン、ベンズアントロン、ジベンズスベロン、メチレンアントロン、４−アジドベンザルアセトフェノン、２，６−ビス（ｐ−アジドベンジリデン）シクロヘキサン、２，６−ビス（ｐ−アジドベンジリデン）−４−メチルシクロヘキサノン、２−フェニル−１，２−ブタジオン−２−（ｏ−メトキシカルボニル）オキシム、１，３−ジフェニルプロパントリオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、ナフタレンスルフォニルクロライド、キノリンスルホニルクロライド、Ｎ−フェニルチオアクリドン、４，４−アゾビスイソブチロニトリル、ベンズチアゾールジスルフィド、トリフェニルホスフィン、四臭素化炭素、トリブロモフェニルスルホン、過酸化ベンゾイルおよびエオシン、メチレンブルーなどの光還元性の色素とアスコルビン酸、トリエタノールアミンなどの還元剤の組み合わせなどが挙げられる。
【００２１】
本発明では、これらを１種または２種以上使用することができる。光重合開始剤は、溶媒を除いた有機成分全量中、好ましくは０．０５〜２０重量％、さらに好ましくは、０．１〜２０重量％である。光重合開始剤の添加量をこの範囲内とすることにより、露光部の残存率を保ちつつ良好な光感度を得ることができる。
【００２２】
光重合開始剤と共に増感剤を使用し、感度を向上させたり、反応に有効な波長範囲を拡大することができる。増感剤の具体例としては、２，４−ジメチルチオキサントン、２，４−ジエチルチオキサントン、２−イソプロピルチオキサントン、２，３−ビス（４−ジエチルアミノベンザル）シクロペンタノン、２，６−ビス（４−ジメチルアミノベンザル）シクロヘキサノン、２，６−ビス（４−ジメチルアミノベンザル）−４−メチルシクロヘキサノン、ミヒラーケトン、４，４−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４−ビス（ジメチルアミノ）カルコン、４，４−ビス（ジエチルアミノ）カルコン、ｐ−ジメチルアミノシンナミリデンインダノン、ｐ−ジメチルアミノベンジリデンインダノン、２−（ｐ−ジメチルアミノフェニルビニレン）イソナフトチアゾール、１，３−ビス（４−ジメチルアミノフェニルビニレン）イソナフトチアゾール、１，３−ビス（４−ジメチルアミノベンザル）アセトン、１，３−カルボニルビス（４−ジエチルアミノベンザル）アセトン、３，３−カルボニルビス（７−ジエチルアミノクマリン）、トリエタノールアミン、メチルジエタノールアミン、トリイソプロパノールアミン、Ｎ−フェニル−Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ−フェニルエタノールアミン、Ｎ−トリルジエタノールアミン、４−ジメチルアミノ安息香酸メチル、４−ジメチルアミノ安息香酸エチル、ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、ジエチルアミノ安息香酸イソアミル、安息香酸（２−ジメチルアミノ）エチル、４−ジメチルアミノ安息香酸（ｎ−ブトキシ）エチル、４−ジメチルアミノ安息香酸２−エチルヘキシル、３−フェニル−５−ベンゾイルチオテトラゾール、１−フェニル−５−エトキシカルボニルチオテトラゾールなどが挙げられる。
【００２３】
本発明ではこれらを１種または２種以上使用することができる。なお、増感剤の中には光重合開始剤としても使用できるものがある。増感剤を本発明の感光性ペーストに添加する場合、その添加量は溶媒を除いた有機成分全量中、好ましくは０．０５〜２０重量％、より好ましくは０．１〜２０重量％である。増感剤の添加量をこの範囲内とすることにより、露光部の残存率を保ちつつ良好な光感度を得ることができる。
【００２４】
また、本発明においては紫外線吸収剤が好ましく添加される。紫外線吸収剤を添加することで、露光光によるペースト内部の散乱光を吸収し、散乱光を弱めることができる。これにより、より微細なパターンをシャープに形成することができるため好ましく用いることができる。紫外線吸収剤としては、有機系染料からなるものが好ましく用いられる。具体的には、アゾ系染料、アミノケトン系染料、キサンテン系染料、キノリン系染料、アントラキノン系染料、ベンゾフェノン系染料、ジフェニルシアノアクリレート系染料、トリアジン系染料、ｐ−アミノ安息香酸系染料などが使用できる。有機系染料は、焼成後の絶縁膜中に残存しないので、紫外線吸収剤による絶縁膜特性の低下を少なくできるので好ましい。これらの中でも、アゾ系およびベンゾフェノン系染料が好ましい。
【００２５】
紫外線吸収剤の添加量は、溶媒を除いた有機成分全量中、好ましくは０．００１〜２重量％、より好ましくは０．０１〜１重量％の範囲内である。この範囲内とすることにより、透過限界波長および波長傾斜幅を所望範囲内にとどめ、露光光の透過率、感光性ペーストの感度を保持しつつ散乱光の吸収効果を得ることができるためである。
【００２６】
また、本発明の有機成分は、エチレン性不飽和基を有するアミン化合物を含有することもできる。その場合には、特に以下の化学式（１）、（２）で表されるエチレン性不飽和基を有するアミン化合物を含有することが好ましい
Ｒ1Ｒ2Ｒ3Ｎ            （１）
Ｒ1Ｒ3Ｎ−Ｌ−ＮＲ2Ｒ4 （２）
（ここにおいて、Ｒ3、Ｒ4はエチレン性不飽和基を有する置換基を表し、Ｒ1、Ｒ2はエチレン性不飽和基を有する置換基、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、アリール基、アラルキル基、ヒドロキシアルキル基から選ばれた基を表し、Ｒ1、Ｒ2は同じであっても異なっていてもよい。Ｌは２価の連結基を示す。）本発明において好ましく用いられるアミン化合物のうち、上記式（１）で表される化合物として、分子中に１個のエチレン性不飽和基を含むものとしては、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノエチル（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノプロピル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル（メタ）アクリルアミド、（メタ）アクロイルモルホリン、Ｎ−イソプロピル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−［３−（Ｎ’，Ｎ’−ジメチルアミノ）プロピル］（メタ）アクリルアミド、ｐ−ジメチルアミノ安息香酸ビニル、ビニルピリジン、アリルアミン、アリルアニリンから選ばれた１種以上を好ましく用いることもできる。
【００２７】
また、上記式（１）で表されるアミン化合物として、分子中に２個のエチレン性不飽和基を含むものとしてはビス（２−ヒドロキシ−３−メタクリロイルオキシプロピル）イソプロピルアミン、ビス（２−ヒドロキシ−３−メタクリロイルオキシプロピル）ノルマルプロピルアミン、ジアリルアミンから選ばれた１種以上を好ましく用いることもできる。
【００２８】
また、上記式（１）で表されるアミン化合物として、分子中に３個以上のエチレン性不飽和基を含むものとしてはトリス（２−メタクリロイルオキシエチル）アミン、トリス（２−ヒドロキシ−３−メタクリロイルオキシプロピル）アミン、トリアリルアミンから選ばれた１種以上を好ましく用いることもできる。
【００２９】
本発明において好ましく用いられるアミン化合物のうち、上記式（２）で表される化合物として、分子中に１個のエチレン性不飽和基を含むものとしては、Ｎ−（２−ヒドロキシ−３−メタクリロイルオキシプロピル）ポリオキシプロピレンジアミン、Ｎ−（２−メタクリロイルオキシエチル）ポリオキシエチレンジアミン、Ｎ−（２−メタクリロイルオキシエチル）エチレンジアミン、Ｎ−（２−メタクリロイルオキシエチル）−Ｎ’，Ｎ’−ジメチルエチレンジアミンから選ばれた１種以上を好ましく用いることもできる。
【００３０】
上記式（２）で表される化合物として、分子中に２個のエチレン性不飽和基を含むものとしては、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシ−３−メタクリロイルオキシプロピル）ポリオキシプロピレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（２−メタクリロイルオキシエチル）ポリオキシエチレンジアミンから選ばれた１種以上を好ましく用いることもできる。
【００３１】
上記式（２）で表される化合物として、分子中に３個のエチレン性不飽和基を含むものとしては、Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリス（２−ヒドロキシー３−メタクリロキシプロピル）ポリオキシプロピレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリス（２−メタクリロイルオキシエチル）ポリオキシエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリス（２−メタクリロイルオキシエチル）−Ｎ’−メチルポリオキシエチレンジアミンから選ばれた１種以上を好ましく用いることもできる。
【００３２】
上記式（２）で表される化合物として、分子中に４個以上のエチレン性不飽和基を含むものとしては、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（２−メタクリロイルオキシエチル）ポリオキシプロピレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（２−ヒドロキシー３−メタクリロキシプロピル）ポリオキシエチレンジアミンから選ばれた１種以上を好ましく用いることもできる。
【００３３】
エチレン性不飽和結合を有するアミン化合物の調製は、エチレン性不飽和結合を有するグリシジル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸クロリド、（メタ）アクリル酸無水物等をアミノ化合物と反応させればよい。複数のエチレン性不飽和基含有化合物を混合して用いてもよい。エチレン性不飽和結合を有するアミン化合物としては、以上の化合物を挙げることができるが、これらに限定されない。また、これらの化合物は混合して用いてもよい。
【００３４】
本発明においては、必要に応じて、上記アミン化合物以外のエチレン性不飽和結合を有するモノマーを用いてもよい。このような重合性モノマーとしては、１個以上の光重合可能な（メタ）アクリレート基またはアリル基を有するモノマーなどが挙げられる。これらの具体例としては、アルコール類（例えばエタノール、プロパノール、ヘキサノール、オクタノール、シクロヘキサノール、グリセリン、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトールなど）のアクリル酸またはメタクリル酸エステル、カルボン酸（例えば酢酸、プロピオン酸、安息香酸、アクリル酸、メタクリル酸、コハク酸、マレイン酸、フタル酸、酒石酸、クエン酸など）とアクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル、アリルグリシジル、またはテトラグリシジルメタキシリレンジアミンとの反応生成物、アミド誘導体（例えば、アクリルアミド、メタクリルアミド、Ｎ−メチロールアクリルアミド、メチレンビスアクリルアミドなど）、エポキシ化合物とアクリル酸またはメタクリル酸との反応物などを挙げることができる。また、多官能モノマーにおいて、不飽和基は、アクリル、メタクリル、ビニル、アリル基が混合して存在してもよい。これらは単独で用いてもよく、また組み合わせて用いてもよい。
【００３５】
ペーストを基板に塗布する時の粘度を塗布方法に応じて調整するために有機溶媒がよく用いられる。このとき使用される有機溶媒としては、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルエチルケトン、ジオキサン、アセトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、イソブチルアルコール、イソプロピルアルコール、テトラヒドロフラン、ジメチルスルフォキシド、γ−ブチロラクトン、ブロモベンゼン、クロロベンゼン、ジブロモベンゼン、ジクロロベンゼン、ブロモ安息香酸、クロロ安息香酸などや、これらのうちの１種以上を含有する有機溶媒混合物が用いられる。
【００３６】
本発明の透明導電ペーストのような感光性ペーストでは、通常、分散させる微粒子と有機成分との屈折率差から、露光光によるペースト内部の光散乱は避け難く、それに起因すると考えられるパターン形状の太りやパターン間の埋り（残膜形成）が発生しやすく、より微細な高精細なパターンにおいて影響が出やすい。
【００３７】
そこで本発明においては重合禁止剤が好ましく添加される。重合禁止剤を添加することで、露光光によるペースト内部でおこるラジカル重合の内、重合禁止剤の種類およびその添加量に応じた一定量のラジカル重合を抑制できる。これにより散乱光のような弱い光に対しての光反応を抑制することができる。よって、より微細なパターンをシャープに形成することができるため好ましく用いることができる。本発明における重合禁止剤は、重合禁止剤として使用できるものであれば特に制限はなく、例えば、ｐ−ベンゾキノン、ナフトキノン、パラ−キシロキノン、パラ−トルキノン、２，６−ジクロロキノン、２，５−ジアセトシキ−ｐ−ベンゾキノン、２，５−ジカプロキシキ−ｐ−ベンゾキノン、２，５−ジアエロキシ−ｐ−ベンゾキノン、ヒドロキノン、ｐ−ｔ−ブチルカテコール、２，５−ジブチルヒドロキノン、モノ−ｔ−ブチルヒドロキノン、２，５−ジ−ｔ−アミルヒドロキノン、ジ−ｔ−ブチル・パラクレゾール、ヒドロキノンモノメチルエーテル、α−ナフトール、アセトアニジンアセテート、ヒドラジン塩酸塩、トリメチルベンジルアンモニウムクロリド、トリメチルベンジルアンモニウムオキザレート、フェニル−β−ナフチルアミン、パラベンジルアミニノフェノール、ジ−β−ナフチルパラフェニレンジアミン、ジニトロベンゼン、トリニトロベンゼン、ピクリン酸、キノンジオキシム、シクロヘキサノオンオキシム、ピロガロール、タンニン酸、レゾルミン、トリエチルアミン塩酸塩、ジメチルアニリン塩酸塩、クペロンなどが挙げられる。
【００３８】
重合禁止剤の添加量は、溶媒を除いた有機成分全量中、好ましくは０．００１〜３重量％、より好ましくは０．０１〜２重量％の範囲内である。この範囲より少なければ重合禁止の効果が発揮されず、光散乱による低い露光量でも硬化し、パターン形状の太りが起こりやすい。また、この範囲より多くなると感度が低下し、多くの露光量を必要とするので注意を要する。
【００３９】
また、シャープなパターン形成に対し、露光−現像工程において、ある露光量以下では現像液に溶解し、それ以上では現像液に不溶となることが理想である。つまり、光散乱によって低い露光量で硬化しても現像液に溶解し、パターン形状の太りやパターン間の埋まりが解消され、露光量を多くしても解像できる範囲が広いことが好ましい。理想的には、ある露光量以下では現像液に溶解し、それ以上では現像液に不溶となることである。
【００４０】
この点において酸化防止剤を添加することが有用である。酸化防止剤とは、ラジカル連鎖禁止作用、三重項の消去作用、ハイドロパーオキサイドの分解作用をもつものである。
【００４１】
感光性ペーストに酸化防止剤を添加すると、酸化防止剤がラジカルを捕獲したり、励起された光重合開始剤や増感剤のエネルギー状態を基底状態に戻したりすることにより散乱光による余分な光反応が抑制され、酸化防止剤で抑制できなくなる露光量で急激に光反応が起こることにより、現像液への溶解、不溶のコントラストを高くすることができる。
【００４２】
具体的には、ｐ−ベンゾキノン、ナフトキノン、ｐ−キシロキノン、ｐ−トルキノン、２，６−ジクロロキノン、２，５−ジアセトキシ−ｐ−ベンゾキノン、２，５−ジカプロキシ−ｐ−ベンゾキノン、ヒドロキノン、ｐ−ｔ−ブチルカテコール、２，５−ジブチルヒドロキノン、モノ−ｔ−ブチルヒドロキノン、２，５−ジ−ｔ−アミルヒドロキノン、ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール、ヒドロキノンモノメチルエーテル、α−ナフトール、ヒドラジン塩酸塩、トリメチルベンジルアンモニウムクロリド、トリメチルベンジルアンモニウムオキザレート、フェニル−β−ナフチルアミン、パラベンジルアミノフェノール、ジ−β−ナフチルパラフェニレンジアミン、ジニトロベンゼン、トリニトロベンゼン、ピクリン酸、キノンジオキシム、シクロヘキサノンオキシム、ピロガロール、タンニン酸、トリエチルアミン塩酸塩、ジメチルアニリン塩酸塩、クペロン、（２，２’−チオビス（４−ｔ−オクチルフェノレート）−２−エチルヘキシルアミノニッケル−（II）、４，４’−チオビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、２，２’−メチレンビス−（４−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、２，２’−チオビス−（４−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、トリエチレングリコール−ビス［３−（ｔ−ブチル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、１，６−ヘキサンジオール−ビス［（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、１，２，３−トリヒドロキシベンゼン、などが挙げられるがこれらに限定されない。本発明では、これらを１種以上使用することができる。
【００４３】
酸化防止剤の添加量は、溶媒を除いた有機成分全量中に好ましくは０．０１〜１０重量％、より好ましくは、０．１〜５重量％の範囲である。酸化防止剤の添加量をこの範囲内とすることにより、感光性ペーストの光感度を維持し、また重合度を保ちパターン形状を維持しつつ、現像液への溶解、不溶のコントラストを大きくとることができる。
【００４４】
本発明の透明導電ペーストには、必要に応じて、光酸発生剤、光塩基発生剤、増感助剤、分散剤、可塑剤、増粘剤、有機溶媒、酸、塩基、沈降防止剤、酸化防止剤などの添加剤成分を加えることができる。
【００４５】
例えば、バインダー成分が必要な場合には、ポリマーとして、例えば、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、メタクリル酸エステル重合体、アクリル酸エステル重合体、アクリル酸エステル−メタクリル酸エステル共重合体、ブチルメタクリレート樹脂などを用いることができる。
【００４６】
本発明の透明導電ペーストは、上記した透明導電性粉末、透明非導電性無機粉末、感光性有機成分、バインダー成分、光重合開始剤、および有機溶媒などの各種成分を所定の組成となるように調合した後、３本ローラや混練機で均質に混合分散し作製する。
【００４７】
ペーストの粘度は透明導電性粉末、透明非導電性無機粉末、増粘剤、有機溶媒、可塑剤および沈降防止剤などの添加割合によって適宜調整されるが、その範囲は通常は１０〜２０万ｃｐｓ（センチ・ポイズ）である。例えば、基板への塗布をスピンコート法やディップコート法、スプレー法で行う場合は、１０〜５０００ｃｐｓが好ましい。スクリーン印刷法で行う場合は、５０００〜２０万ｃｐｓが好ましい。ブレードコーター法やダイコーター法などを用いる場合は、５０００〜５万ｃｐｓが好ましい。
【００４８】
かくして得られた本発明の透明導電ペーストはディスプレイ用部材の形成のために好ましく使用できる。特にプラズマディスプレイパネル用部材として使用する場合、本発明の透明導電ペーストを基板上に塗布し、露光、現像を経てパターンを形成し、さらに焼成することによって実質的に無機物からなるパターンを得ることができる。
【００４９】
また、本発明の透明導電ペーストを用いて製造された実質的に無機物からなるパターンは、ディスプレイ用途、とりわけプラズマディスプレイパネル用途において、プラズマディスプレイパネル前面板の透明電極として好適に使用できる。
【００５０】
以下に、本発明の透明導電ペーストを用いてパターン加工を行う一例について説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
基板上に、本発明の透明導電ペーストを全面塗布、もしくは部分的に塗布する。塗布方法としては、スクリーン印刷法、バーコーター、ロールコーター、ダイコーター、ブレードコーターなどの方法を用いることができる。塗布厚みは、塗布回数、スクリーンのメッシュ、ペーストの粘度を選ぶことによって調整できる。
【００５１】
ここでペーストを基板上に塗布する場合、基板と塗布膜との密着性を高めるために基板の表面処理を行うことができる。表面処理液としては、シランカップリング剤、例えば、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、トリス（２−メトキシエトキシ）ビニルシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−（メタクリロキシプロピル）トリメトキシシラン、γ−（２−アミノエチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシランなど、あるいは有機金属例えば、有機チタン、有機アルミニウム、有機ジルコニウムなどである。シランカップリング剤あるいは有機金属を有機溶媒、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、メチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、ブチルアルコールなどで０．１〜５％の濃度に希釈したものを用いる。次にこの表面処理液をスピナーなどで基板上に均一に塗布した後に８０〜１４０℃で１０〜６０分間乾燥することによって表面処理ができる。
【００５２】
塗布した後、露光装置を用いて露光を行う。露光装置としては、プロキシミティ露光機などを用いることができる。また、大面積の露光を行う場合は、基板上に本発明の透明導電ペーストを塗布した後に、搬送しながら露光を行うことによって、小さな露光面積の露光機で、大きな面積を露光することができる。
【００５３】
露光後、露光部分と未露光部分の現像液に対する溶解度差を利用して現像を行うが、この場合、浸漬法やスプレー法、ブラシ法で行う。現像処理に用いる現像液は、水を主成分とすることがコストや環境負荷の面においても好ましい。現像液には、本発明の透明導電ペースト中の有機成分が溶解可能である有機溶媒を用いることができる。例えば、エチルアルコール、メチルアルコールといったアルコール類等である。また、該有機溶媒にその溶解力が失われない範囲で水を添加してもよい。
【００５４】
感光性をもつペースト中にカルボキシル基などの酸性基をもつ化合物が存在する場合、アルカリ水溶液で現像できる。アルカリ水溶液としては水酸化ナトリウムや炭酸ナトリウム、水酸化カルシウム水溶液などが使用できるが、有機アルカリ水溶液を用いた方が焼成時にアルカリ成分を除去しやすいので好ましい。有機アルカリとしては、一般的なアミン化合物を用いることができる。具体的には、テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド、トリメチルベンジルアンモニウムヒドロキサイド、モノエタノールアミン、ジエタノールアミンなどが挙げられる。
【００５５】
アルカリ水溶液の濃度は通常０．０５〜５重量％、より好ましくは０．１〜１重量％である。アルカリ濃度が低すぎれば可溶部が除去されず、アルカリ濃度が高すぎれば、パターン部を剥離させ、また非可溶部を腐食させるおそれがあり良くない。また、現像時の現像温度は、２０〜５０℃で行うことが工程管理上好ましい。
【００５６】
次に焼成炉にて焼成を行う。焼成雰囲気や温度は、ペーストや基板の種類によって異なるが、空気中、窒素、水素などの雰囲気中で焼成する。焼成炉としては、バッチ式の焼成炉やベルト式の連続型焼成炉を用いることができる。
【００５７】
焼成は通常４００〜１０００℃で行う。ガラス基板上にパターン加工する場合は、４８０〜６１０℃の温度で１０〜１２０分間保持して焼成を行うことが好ましい。
【００５８】
【実施例】
以下に、本発明を実施例を用いて、具体的に説明する。ただし、本発明はこれに限定はされない。なお、実施例中の濃度（％）は特に断らない限り、重量％である。
（平均粒子径の測定方法）
被測定粉末を走査型電子顕微鏡（（株）日立製作所製Ｓ−２４００形）で観察し、被測定粉末の長手方向の径を１００個分測り、その平均値をもって被測定粉末の平均粒子径とした。観察にあたっては、被測定粉末の長手方向の径が確認、測定できるものを１００個選び、他の粉末と重なって確認できない被測定粉末は対象から除いた。
【００５９】
溶媒を除いた有機成分Ａ：
感光性ポリマー（Ｘ−４００７）１００重量部に対して、感光性モノマー（トリメチロールプロパントリアクリレート）５７重量部、光重合開始剤（２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノ−プロパノン−１）３５重量部
溶媒を除いた有機成分Ｂ：
感光性ポリマー（Ｘ−４００７）１００重量部に対して、感光性モノマー（トリメチロールプロパントリアクリレート）５７重量部、光重合開始剤（２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノ−プロパノン−１）３５重量部、光重合禁止剤（ハイドロキノンモノメチルエーテル）０．８重量部
溶媒を除いた有機成分Ｃ：
感光性ポリマー（Ｘ−４００７）１００重量部に対して、感光性モノマー（トリメチロールプロパントリアクリレート）５７重量部、光重合開始剤（２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノ−プロパノン−１）３５重量部、紫外線吸収剤（有機染料：ベーシックブルー７）０．１重量部
Ｘ−４００７：
４０％メタクリル酸、３０％メチルメタクリレート、３０％スチレンからなる共重合体のカルボキシル基に対して０．４当量のグリシジルメタクリレートを付加重合させたカルボキシル基とエチレン性不飽和基を含有する重量平均分子量４３，０００、酸価９５のポリマー。
【００６０】
（実施例１）
まず、前面板を作製した。
平均粒子径１μｍの透明導電粉末であるＩＴＯ粉末（三井金属（株）製：ＰＡＳＳＴＲＡＮ）を５０％、溶媒を除いた有機成分Ａを２０％および有機溶媒としてγ−ブチロラクトン３０％を溶解・混合・分散し混練機で均質に混練して透明導電ペーストを作製した。ペースト粘度は、５０００ｃｐｓであった。
【００６１】
この透明導電ペーストを旭硝子社製ガラス基板“ＰＤ２００”上に、４２０メッシュのポリエステル製スクリーン印刷版を使用してスクリーン印刷法により塗布を行い、次に塗布膜を８０℃で４０分間乾燥した。乾燥後厚みは３μｍであった。
【００６２】
ピッチ３７５μｍ、線幅１５０μｍのスキャン電極パターンを有するネガ型のフォトマスクを介して出力１５ｍＷ／ｃｍ2 の超高圧水銀灯で約３０秒間の紫外線露光を行った。
現像は、３０℃のモノエタノールアミン０．２％水溶液のシャワーで行い、露光されなかった部分を除去した。その後、純水のシャワーで残存する現像液を洗い流し、８０℃で２０分間乾燥した。焼成は、２５０℃／時の速さで昇温し、最高温度５９０℃で６０分間保持して行った。
このようにして、ピンホールや断線のない、厚み１．６μｍ、ピッチ３７５μｍ、線幅１５０μｍ、シート抵抗値２５Ω／□、比抵抗値４０Ω・ｃｍの高精細なスキャン電極が得られた。
【００６３】
また、その基板上に感光性銀ペーストを塗布し、同様にしてフォトマスクを介したマスク露光、０．３％炭酸ナトリウム水溶液を用いた現像、５８０℃１５分間の焼成工程を経て、線幅５０μｍ、厚み３μｍのバス電極を形成した。
【００６４】
次に、酸化鉛を７５重量％含有する低融点ガラスの粉末を７０％、エチルセルロース２０％、テルピネオール１０％を混練して得られたガラスペーストをスクリーン印刷により、表示エリア部分のバス電極が覆われるように２０μｍの厚みで塗布した後に、５７０℃で１５分間の焼成を行って前面誘電体を形成した。誘電体を形成した基板上に電子ビーム蒸着により厚み０．５μｍの酸化マグネシウム層を形成して前面板を作製した。
【００６５】
次に、背面板を以下の要領で作製した。
“ＰＤ２００”上に感光性銀ペースト法を用いてアドレス電極を作製した。すなわち、感光性銀ペーストを塗布、乾燥、露光、現像、焼成工程を経て、線幅５０μｍ、厚み３μｍ、ピッチ２５０μｍのアドレス電極を形成した。
続いて、酸化ビスマスを７５重量％含有する低融点ガラスの粉末を６０％、平均粒子径０．３μｍの酸化チタン粉末を１０％、エチルセルロース１５％、テルピネオール１５％を混練して得られたガラスペーストをスクリーン印刷により、２０μｍの厚みで塗布した後に、５７０℃１５分間の焼成を行って背面誘電体層を形成した。誘電体層上に、感光性ペースト法により隔壁を形成した。感光性ペーストを塗布した後に、開口部線幅３０μｍのフォトマスクを用いて露光し、次に０．５重量％のエタノールアミン水溶液中で現像し、さらに、５６０℃で１５分間焼成することにより、ピッチ２５０μｍ、線幅３０μｍ、高さ１３０μｍの隔壁を形成した。
【００６６】
次に、隣り合う隔壁間に蛍光体を塗布した。蛍光体の塗布は、６４カ所の穴（口径：１３０μｍ）が形成されたノズル先端から蛍光体ペーストを吐出するディスペンサー法により形成した。蛍光体は隔壁側面に焼成後厚み２５μｍ、誘電体上に焼成後厚み２５μｍになるように塗布した後に、５００℃で１０分間の焼成を行い、背面板を完成した。
前面板と背面板を封着ガラスを用いて封着して、Ｘｅ５％含有のＮｅガスを内部ガス圧６６５００Ｐａになるように封入した。作製したＰＤＰは全面正常に駆動した。
【００６７】
（実施例２）
透明導電性粉末として平均粒子径が１８ｎｍのＩＴＯ粉末（三井金属（株）製：ＰＡＳＳＴＲＡＮ）を用いたこと以外は実施例１を繰り返してＰＤＰを作製した。前面板のスキャン電極は、厚み１．６μｍ、シート抵抗値２０Ω／□、比抵抗値３２Ω・ｃｍとシート抵抗値および比抵抗値は２割程度減少しており、作製したＰＤＰは全面正常に駆動した。
【００６８】
（実施例３）
前面板でのスキャン電極を以下の方法にて作製した以外は実施例１を繰り返してＰＤＰを作製した。
透明導電性粉末として平均粒子径が１８ｎｍのＩＴＯ粉末を３５％、溶媒を除いた有機成分Ａを２５％および有機溶媒（γ−ブチロラクトン）４０％を溶解・混合・分散し混練機で均質に混練して透明導電ペーストを作製した。ペースト粘度は、５００ｃｐｓであった。
この透明導電ペーストを旭硝子社製ガラス基板ＰＤ２００上に、スピンコーター法にて塗布を行い、次に塗布膜を８０℃で４０分間乾燥した。乾燥後厚みは２μｍであった。
【００６９】
スキャン電極パターン（ピッチ３７５μｍ、線幅１５０μｍ）を有するネガ型のフォトマスクを介して出力１５ｍＷ／ｃｍ2 の超高圧水銀灯で約３０秒間の紫外線露光を行った。
現像は、３０℃のモノエタノールアミン０．２％水溶液のシャワーで行い、露光されなかった部分を除去した。その後、純水のシャワーで残存する現像液を洗い流し、８０℃で２０分間乾燥した。
焼成は、２５０℃／時の速さで昇温し、最高温度５９０℃で６０分間保持して行った。
【００７０】
こうして得られた前面板のスキャン電極の厚みは１．０μｍ、シート抵抗値３２Ω／□、比抵抗値３２Ω・ｃｍであり、比抵抗値が２割程度減少できたため、スキャン電極厚みが薄くなってもシート抵抗値は微増（１割程度）となり、作製したＰＤＰは全面正常に駆動した。
【００７１】
（実施例４）
透明導電ペースト中の溶媒を除いた有機成分に溶媒を除いた有機成分Ｂを用いたこと以外は実施例１を繰り返してＰＤＰを作製した。前面板のスキャン電極のエッジがシャープになり実施例１と比較してより先幅のばらつきの少ないスキャン電極が高精度で得られた。また、作製したＰＤＰは全面正常に駆動した。
【００７２】
（実施例５）
透明導電ペースト中の溶媒を除いた有機成分に溶媒を除いた有機成分Ｂを用いたこと以外は実施例３を繰り返してＰＤＰを作製した。前面板のスキャン電極のエッジがシャープになり実施例３と比較してより先幅のばらつきの少ないスキャン電極が高精度で得られた。また、作製したＰＤＰは全面正常に駆動した。
【００７３】
（実施例６）
透明導電ペースト中の溶媒を除いた有機成分に溶媒を除いた有機成分Ｃを用いたこと以外は実施例１を繰り返してＰＤＰを作製した。前面板のスキャン電極のエッジがシャープになり実施例１と比較してより先幅のばらつきの少ないスキャン電極が高精度で得られた。また、作製したＰＤＰは全面正常に駆動した。
【００７４】
（実施例７）
透明導電ペースト中の溶媒を除いた有機成分に溶媒を除いた有機成分Ｃを用いたこと以外は実施例３を繰り返してＰＤＰを作製した。前面板のスキャン電極のエッジがシャープになり実施例３と比較してより先幅のばらつきの少ないスキャン電極が高精度で得られた。また、作製したＰＤＰは全面正常に駆動した。
【００７５】
（実施例８）
透明導電ペーストを以下の組成にて作製した以外は実施例３を繰り返してＰＤＰを作製した。
透明導電性粉末として平均粒子径が１８ｎｍのＩＴＯ粉末を２０％、溶媒を除いた有機成分Ａを１５％および有機溶媒（γ−ブチロラクトン）６５％を溶解・混合・分散し混練機で均質に混練して透明導電ペーストを作製した。ペースト粘度は、５０ｃｐｓであった。
こうして得られた前面板のスキャン電極の厚みは０．５μｍであった。作製したＰＤＰは全面正常に駆動した。
【００７６】
（実施例９）
透明導電ペーストを以下の組成にて作製した以外は実施例３を繰り返してＰＤＰを作製した。
透明導電性粉末として平均粒子径が１８ｎｍのＩＴＯ粉末を１０％、溶媒を除いた有機成分Ａを７％および有機溶媒（γ−ブチロラクトン）８３％を溶解・混合・分散し混練機で均質に混練して透明導電ペーストを作製した。ペースト粘度は、１０ｃｐｓであった。
こうして得られた前面板のスキャン電極の厚みは０．２μｍであり、透明電極１本あたりの抵抗値が大きく、作製したＰＤＰを全面駆動するにはより多くの電力を必要とした。
【００７７】
（実施例１０）
透明導電ペーストを以下の組成にて作製した以外は実施例１を繰り返してＰＤＰを作製した。
透明導電性粉末として平均粒子径が１μｍのＩＴＯ粉末を６０％、溶媒を除いた有機成分Ａを２５％および有機溶媒（γ−ブチロラクトン）１５％を溶解・混合・分散し混練機で均質に混練して透明導電ペーストを作製した。ペースト粘度は、２５０００ｃｐｓであった。
【００７８】
こうして得られた前面板のスキャン電極の厚みは２．２μｍであり、作製したＰＤＰは全面駆動したが、スキャン電極の透明度が落ち、輝度が低下した。
【００７９】
（比較例１）
透明導電性粉末として平均粒子径が１μｍのＩＴＯ粉末を６０％、溶媒を除いた有機成分（エチルセルロース）を２５％および有機溶媒（テルピネオール）１５％を溶解・混合・分散し混練機で均質に混練して透明導電ペーストを作製した。ペースト粘度は、３００００ｃｐｓであった。
【００８０】
この透明導電ペーストを旭硝子社製ガラス基板“ＰＤ２００”上に、ピッチ３７５μｍ、線幅１５０μｍのパターン形成用の４２０メッシュのポリエステル製スクリーン印刷版を使用してスクリーン印刷法によりパターン印刷を行い、次に塗布膜を８０℃で４０分間乾燥した。乾燥後厚みは３μｍであった。次に、焼成は、２５０℃／時の速さで昇温し、最高温度５９０℃で６０分間保持して行った。
【００８１】
得られたスキャン電極パターンは、印刷にじみによる不均一なパターン太りが発生したため、線幅ばらつきが大きく、実用に耐えうるスキャン電極ができなかった。
【００８２】
【発明の効果】
本発明のペーストにより、高位置精度、高密度、高精細な透明導電パターンを形成することができる。また、透明導電パターン自体がフォトプロセスにて作製されたディスプレイ用部材およびＰＤＰが提供できる。