(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、第１の電極と、活性層と、第２の電極とを有する積層構造を含み、第１不純物イオンをドープすることにより前記積層構造の光出射端面近傍に無秩序化領域が形成された半導体レーザ装置であって、前記光出射端面から見て前記無秩序化領域より遠い位置に、第２不純物イオンをドープすることにより比抵抗が高くなった高抵抗化領域が形成されており、前記高抵抗化領域の光出射端面側の端部が、前記第１の電極および前記第２の電極の光出射端面側の端部の少なくとも一方よりも、前記光出射端面に近い位置に形成されたことを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
高抵抗化領域が、積層構造の第１の電極および第２の電極を除く各層を横断するように形成されたことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
高抵抗化領域の比抵抗が、１Ω・ｍ以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
第２不純物イオンが、水素および酸素から選択される少なくとも１種のイオン種であることを特徴とする請求項１〜３に記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
第１不純物イオンが、マグネシウム、炭素、ケイ素および硫黄から選択される少なくとも１種のイオン種であることを特徴とする請求項１〜３に記載の半導体レーザ装置。
【請求項６】
（ａ）半導体基板と、第１の電極と、活性層と、第２の電極とを有する積層構造を形成し、前記第１の電極および前記第２の電極の少なくとも一方について、前記積層構造の光出射端面から所定幅を除去する工程と、
（ｂ）前記光出射端面から第１不純物イオンをドープする工程と、
（ｃ）前記第１不純物イオンがドープされる領域よりも前記光出射端面から見て遠い位置に、第２不純物イオンをドープして、高抵抗化領域を形成する工程と、
（ｄ）少なくとも前記第１不純物イオンをドープした領域をアニールすることで、無秩序化領域を形成する工程とを含み、
前記工程（ａ）において、前記高抵抗化領域の光出射端面側の端部が、前記第１の電極および前記第２の電極の光出射端面側の端部の少なくとも一方よりも前記光出射端面に近くなるように、前記所定幅を設定することを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項７】
工程（ｃ）において、第２不純物イオンを、積層構造の第１の電極および第２の電極を除く各層にドープすることを特徴とする請求項６に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は 光ディスクシステムの光源などに用いられる半導体レーザ装置に関し、光出射端面近傍に発振光に対して吸収を少なくした窓構造領域を有する半導体レーザ装置、およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光ディスクシステム用半導体レーザ装置は、高倍速記録に伴い、さらなる高出力化が求められている。高出力半導体レーザ装置を得るためには、光学損傷（ＣＯＤ）を抑制する必要がある。ＣＯＤとは、半導体レーザ装置の光出射端面が融点に達して融け（端面破壊）、光出力が急激に低下する現象である。半導体レーザ装置の最大出力は端面破壊が発生する光出力で決定される。ＣＯＤは、レーザ光に対して吸収を少なくした窓構造領域を光出射端面近傍に形成することにより抑制できる。
【０００３】
図３（ａ）〜（ｃ）に、上記窓構造領域を有する半導体レーザ装置を示す。図３（ａ）は同半導体レーザ装置の斜視図であり、Ｘ−Ｘ′およびＹ−Ｙ′での断面をそれぞれ図３（ｂ）、図３（ｃ）に示す。同半導体レーザ装置では、ｎ−ＧａＡｓ基板３０１上に、ｎ−ＡｌＧａＡｓ下クラッド層３０２、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ活性層３０３、ｐ−ＡｌＧａＡｓ第１上クラッド層３０４、リッジ形状のｐ−ＡｌＧａＡｓ第２上クラッド層３０５が順に積層されている。ｐ−ＡｌＧａＡｓ第２上クラッド層３０５の周囲およびｐ−ＡｌＧａＡｓ第１上クラッド層３０４上にはｎ−ＡｌＧａＡｓ電流ブロック層３０６が形成され、ｎ−ＡｌＧａＡｓ電流ブロック層３０６上にｐ−ＧａＡｓコンタクト層３０７が積層されている。ｎ−ＡｌＧａＡｓ下クラッド層３０２が形成された面の反対側のｎ−ＧａＡｓ基板面にはｎ側電極３０８が形成され、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層３０７上にはｐ側電極３０９が形成された積層構造となっている。レーザ光は、端面３１４（以下「光出射端面」と呼ぶ）から放出される。
ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ活性層３０３、ｎ−ＡｌＧａＡｓ下クラッド層３０２およびｐ−ＡｌＧａＡｓ第１上クラッド層３０４の光出射端面３１４の近傍には、窓構造領域３１０が形成されている。
【０００４】
端面破壊の原因は、レーザ光の吸収により、光出射端面近傍における活性層の温度が上昇し、その熱により活性層のバンドギャップが縮小し、バンドギャップの縮小によって光吸収および発熱が促進されることにある。窓構造領域３１０では、光出射端面近傍における活性層のバンドギャップエネルギーが高くなっているため、レーザ光の吸収が少ない。よって、光出射端面近傍に窓構造領域を設けることで、ＣＯＤを抑制することができる。
窓構造領域３１０は、ケイ素イオン等の不純物イオンをドープして、その後の熱処理（アニール）により不純物イオンを熱拡散させ、無秩序化させることによって形成することができる。
【０００５】
次に、図４（ａ）〜（ｆ）を用いて、図３に示した半導体レーザ装置の製造方法について説明する。
まず、図４（ａ）に示すように、有機金属気相法（ＭＯＣＶＤ法）等を用いてｎ−ＧａＡｓ基板３０１上に、ｎ−ＡｌＧａＡｓ下クラッド層３０２、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ活性層３０３、ｐ−ＡｌＧａＡｓ第１上クラッド層３０４、ｐ−ＡｌＧａＡｓ第２上クラッド層３０５の順に積層する。
【０００６】
次に、図４（ｂ）に示すように、ｐ−ＡｌＧａＡｓ第２上クラッド層３０５上にレジスト等のマスク材料を塗布し、フォトリソグラフィー技術を用いて、イオン注入を行わない領域にマスク３１１を形成する。続いて、上記マスク３１１で覆われていない部分に、ケイ素イオン等の不純物イオンを注入する。次に、マスク３１１を全面除去した後に、アニールを行うことで、不純物イオンが拡散され無秩序化された拡散領域３１２を形成する。
【０００７】
次に、図４（ｃ）および図４（ｄ）に示すように、ｐ−ＡｌＧａＡｓ第２上クラッド層３０５上に、ストライプ状に形成した誘電体膜３１３を形成する。図４（ｄ）は図４（ｃ）のＸ−Ｘ′の箇所の断面図であり、以下、この箇所での断面図となっている。
【０００８】
次に、図４（ｅ）に示すように、誘電体膜３１３をマスクとして、ｐ−ＡｌＧａＡｓ第２上クラッド層３０５をウェットエッチングし、リッジ形状に加工する。次に、誘電体膜３１３をマスクとして、ｐ−ＡｌＧａＡｓ第２上クラッド層３０５の周囲およびｐ−ＡｌＧａＡｓ第１上クラッド層３０４上にｎ−ＡｌＧａＡｓ電流ブロック層３０６を形成する。
【０００９】
次に、図４（ｆ）に示すように、誘電体膜３１３を除去し、ｎ−ＡｌＧａＡｓ電流ブロック層３０６およびｐ−ＡｌＧａＡｓ第２上クラッド層３０５上にｐ−ＧａＡｓコンタクト層３０７を形成する。ｎ−ＡｌＧａＡｓ下クラッド層３０２が形成されていないｎ−ＧａＡｓ基板面にｎ側電極３０８を、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層上にｐ側電極３０９をそれぞれ形成する。最後に、拡散領域３１２の所定の位置で劈開し、半導体レーザ装置の共振器となる反射面（光出射端面）を形成する。形成された光出射端面近傍のＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ活性層３０３、ｎ−ＡｌＧａＡｓ下クラッド層３０２およびｐ−ＡｌＧａＡｓ第１上クラッド層３０４が、窓構造領域３１０となる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
上記の方法によって製造される半導体レーザ装置には以下の問題がある。活性層３０３における窓構造領域３１０は、光利得領域とならないことから、窓構造領域３１０の光出射端面から見た厚さが、ＣＯＤの抑制に必要最小限度の厚さとなるように形成されることが好ましい。しかし、劈開の位置の精度が数１０μｍオーダーであるため、光出射端面３１４から見た窓構造領域３１０の厚さをそれより小さくすることができない。したがって、活性層における光出射端面から見た光利得領域とならない領域が厚いため、レーザの出力効率が低下する。また、劈開の位置も不確定であることから、素子の特性分布も大きくなる。
【００１１】
上記の問題を解決する方法として、反射面を形成した後に、この端面から不純物イオンをイオン注入する方法が考えられる。イオン注入法によれば、不純物イオンを侵入させる領域の反射面（光出射端面）から見た深さを±０．０５μｍの精度で制御することができるので、その後に行うアニールの温度等を適切に制御すれば、活性層における光出射端面から見た窓構造領域の厚さを精度よくコントロールできる。しかし、この方法では、アニール時に不純物イオンが活性化することで、ｎ電極およびｐ電極を除いた各層の光出射端面近傍における導電性が上昇し、光出射端面近傍で電流がリークするという問題がある。
【００１２】
この問題を解決する方法として、上記の方法と同様に、反射面の形成後に光出射端面から不純物イオンを注入し、ＣＯＤが生じない程度の発振出力下で半導体レーザ装置を動作させ、自己の発熱で昇温させることによりアニールを行う方法が開示されている（特開平１−３１９９８１号公報）。
【００１３】
この方法によれば、半導体レーザ装置自身の発振出力によってアニールを行うことになるので、光出射端面から注入された不純物イオンのうち窓構造領域となる部分の不純物イオンのみを選択的に活性化することができる。したがって、他の注入領域の不純物イオンは活性化されないため、光出射端面近傍における窓構造領域を除いた領域の導電性は変化せず、出射端面近傍での電流のリークを抑制することができる。
【００１４】
しかしながら、上記方法では、レーザ個々の発振出力等の特性にバラツキがあるため、素子を安定供給できない。また、素子ごとにアニールを行わなければならず生産効率が良くない。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体レーザ装置は、半導体基板と、第１の電極と、活性層と、第２の電極とを有する積層構造を含み、第１不純物イオンをドープすることにより前記積層構造の光出射端面近傍に無秩序化領域が形成された半導体レーザ装置であって、前記光出射端面方向から見て前記無秩序化領域より遠い位置に、第２不純物イオンをドープすることにより比抵抗が高くなった高抵抗化領域が形成されており、前記高抵抗化領域の光出射端面側の端部が、前記第１の電極および前記第２の電極の光出射端面側の端部の少なくとも一方よりも、前記光出射端面に近い位置に形成されたことを特徴とする。
【００１６】
この半導体レーザ装置では、光出射端面から注入された第１不純物イオンがアニールによって活性化され、光出射端面近傍における導電性が変化しても、前記光出射端面から見て前記無秩序化領域より遠い位置にある高抵抗化領域が障壁となり、電流のリークを抑制することができる。
【００１７】
本発明の半導体レーザ装置の製造方法は、（ａ）半導体基板と、第１の電極と、活性層と、第２の電極とを有する積層構造を形成し、前記第１の電極および前記第２の電極の少なくとも一方について、前記積層構造の光出射端面から所定幅を除去する工程と、
（ｂ）前記光出射端面から第１不純物イオンをドープする工程と、
（ｃ）前記第１不純物イオンがドープされる領域よりも前記光出射端面から見て遠い位置に第２不純物イオンをドープして、高抵抗化領域を形成する工程と、
（ｄ）少なくとも前記第１不純物イオンをドープした領域をアニールすることで、無秩序化領域を形成する工程とを含み、
前記工程（ａ）において、前記高抵抗化領域の光出射端面側の端部が、前記第１の電極および前記第２の電極の光出射端面側の端部の少なくとも一方よりも光出射端面に近くなるように、前記所定幅を設定することを特徴とする。
【００１８】
上記のような製造方法とすることで、光出射端面から注入された不純物イオンがアニールによって活性化され、光出射端面近傍における導電性が変化しても、電流リークを抑制できる半導体レーザ装置を提供できる。また、例えば拡散炉や赤外線ランプによって、大量の素子を一括してアニールすることができるので、安定かつ効率良く製造できる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
本発明における好ましい実施の形態を、図面を参照しながら説明する。
【００２０】
図１に、本発明の半導体レーザ装置の一例を示す。図１（ａ）に示すように、本実施の形態における半導体レーザ装置は、ｎ−ＧａＡｓ半導体基板１０１上に、ｎ−ＡｌＧａＡｓ下クラッド層１０２、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ活性層１０３、ｐ−ＡｌＧａＡｓ第１上クラッド層１０４がこの順に積層され、ｐ−ＡｌＧａＡｓ第１上クラッド層１０４上には、リッジ形状のｐ−ＡｌＧａＡｓ第２上クラッド層１０５が形成されている。ｐ−ＡｌＧａＡｓ第２上クラッド層１０５の周囲およびｐ−ＡｌＧａＡｓ第１上クラッド層１０４上にｎ−ＡｌＧａＡｓ電流ブロック層１０６が形成され、その上にｐ−ＧａＡｓコンタクト層１０７が形成されている。ｎ−ＡｌＧａＡｓ下クラッド層１０２が形成されていないｎ−ＧａＡｓ半導体基板面には第１の電極１０８が形成されている。ｐ−ＧａＡｓコンタクト層１０７上には、第２の電極１０９が形成されている。
【００２１】
図１（ｂ）は、図１（ａ）のＸ−Ｘ′の箇所での断面を示したものである。図１（ｂ）に示すように、光出射端面１１３の近傍には、無秩序化領域１１２が形成され、光出射端面１１３からみて無秩序化領域１１２よりも深い位置に高抵抗化領域１１１が形成されている。高抵抗化領域１１１の光出射端面側の端部１１１ａは、第２の電極１０９の光出射端面側の端部１０９ａよりも光出射端面１１３に近い位置に形成されている。第２の電極１０９の端部１０９ａは、光出射端面１１３から２０〜３０μｍの位置に形成することが好ましい。
【００２２】
無秩序化領域１１２は、光出射端面１１３から第１不純物イオンがイオン注入され、その後のアニール処理により第１不純物イオンが熱拡散して形成された領域である。図１に示す例では、無秩序化領域１１２は、両電極１０８、１０９を除く積層構造１０１〜１０７を横断するように形成されている。無秩序化領域１１２における活性層１０３ａのバンドギャップエネルギーは、他の領域の活性層１０３ｂのバンドギャップエネルギーよりも大きい。また、無秩序化領域１１２の導電性は、注入された第１不純物イオンが、アニールにより活性化されたことによって、他の領域の導電性よりも高くなっている。
【００２３】
高抵抗化領域１１１は、光出射端面１１３から第２不純物イオンがイオン注入されて形成されている。高抵抗化領域１１１の比抵抗は注入された第２不純物イオンにより相対的に高くなっている。高抵抗化領域１１１の比抵抗は１Ω・ｍ以上が好ましい。さらに好ましくは１０Ω・ｍ以上である。
【００２４】
図１に示した例においては、高抵抗化領域１１１も、積層構造の第１の電極１０８および第２の電極１０９とを除く各層を横断するように形成されている。この半導体レーザ装置では、高抵抗化領域１１１が障壁となるため、光出射端面１１３に近い領域へと電流が回り込むこともなく、効果的に電流のリークを抑制することができる。
【００２５】
無秩序化領域１１２にドープされる第１不純物イオンは、ガリウム、アルミニウム、ホウ素、フッ素、マグネシウム、炭素、ケイ素および硫黄から選択される少なくとも１種のイオン種が好ましい。さらに、好ましくは、マグネシウム、炭素、ケイ素および硫黄から選択される少なくとも１種のイオン種である。
【００２６】
第１不純物イオンの打ち込み深さは、０．０１〜０．１０μｍとするのが好ましい。
【００２７】
また、第１不純物イオンのドーズ量は、結晶性の悪化を抑制するという理由から、１×１０12〜１×１０14／ｃｍ2とするのが好ましい。
【００２８】
また、ドープされた第１不純物イオンを熱拡散して無秩序化領域１１２を形成する。無秩序化領域１１２は、好ましくは光出射端面１１３から０．０１〜０．１０μｍに形成される。
【００２９】
高抵抗化領域１１１にドープする第２不純物イオンは、水素、酸素、窒素、ヘリウムおよびアルゴンから選択される少なくとも１種のイオン種が好ましい。さらに好ましくは、ドーパントの活性化を抑制するという理由から、水素および酸素から選択される少なくとも１種のイオン種である。
【００３０】
第２不純物イオンの打ち込み深さは、０．１〜１．０μｍが好ましい。
【００３１】
また、第２不純物イオンのドーズ量は、結晶性の悪化の抑制という理由から、１×１０13〜１×１０16／ｃｍ2が好ましい。
【００３２】
第２不純物イオンのイオン注入によって形成された高抵抗化領域１１１の比抵抗は１Ω・ｍ以上、特に、１０Ω・ｍ以上が好ましい。
【００３３】
図１に示した例では、第２の電極１０９の端部１０９ａが、高抵抗化領域１１１の光出射端面１１３から遠い位置にある端部１１１ｂよりも、光出射端面１１３からみて遠くに形成されているが、第２の電極１０９が高抵抗化領域１１１と接していてもよい。
【００３４】
また、第２の電極１０９の代わりに、第１の電極１０８の端部を、光出射端面１１３から後退させて形成しても良い。高抵抗化領域１１１の光出射端面側の端部１１１ａが、第１の電極１０８および第２の電極１０９の光出射端面側の端部の少なくとも一方よりも光出射端面１１３に近い位置に形成されていれば、高抵抗化領域１１１の光出射端面側の端部１１１ａから光出射端面１１３までの領域において、電流は流れないからである。
【００３５】
また、本実施の形態では、ＡｌＧａＡｓ系赤外半導体レーザ装置を例に説明したが、ＡｌＧａＩｎＰ系赤色レーザ装置、ＡｌＧａＩｎＮ系青色レーザ装置等の他の半導体レーザ装置についても適用可能である。
【００３６】
次に、本発明の半導体レーザ装置の製造方法について説明する。
【００３７】
図２は、図１に示した半導体レーザ装置の製造方法の一例を示す図である。まず、図２（ａ）に示すように、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）等により、ｎ−ＧａＡｓ第１導電型基板１０１上に、ｎ−ＡｌＧａＡｓ下クラッド層１０２、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ活性層１０３、ｐ−ＡｌＧａＡｓ第１上クラッド層１０４、ｐ−ＡｌＧａＡｓ第２上クラッド層１０５の順に形成する。
【００３８】
次に、図２（ｂ）に示すように、ｐ−ＡｌＧａＡｓ第２上クラッド層１０５の上面に、例えばＳｉＯ2膜等の誘電体膜を成膜し、フォトグラフ工程とエッチングによりストライプ状の誘電体膜１１０を形成する。次に、この誘電体膜１１０をマスクとして所定の深さまでウエットエッチングし、ｐ−ＡｌＧａＡｓ第２上クラッド層１０５をリッジ形状に加工する。次に、誘電体膜１１０をマスクとしてリッジ形状のｐ−ＡｌＧａＡｓ第２上クラッド層１０５の周囲およびｐ−ＡｌＧａＡｓ第１上クラッド層１０４上にｎ−ＡｌＧａＡｓ電流ブロック層１０６を形成する。
【００３９】
次に、図２（ｃ）に示すように、リッジ形状のｐ−ＡｌＧａＡｓ第２上クラッド層１０５から誘電体膜１１０を除去し、その上にｐ−ＧａＡｓコンタクト１０７層を形成し、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層側１０７上に第２の電極１０９を形成する。
【００４０】
次に、図２（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィー技術を用いてレジストをパターンニングし、それをマスクとして端面１１４から２０μｍまでの領域にある第２の電極１０９をエッチングにより除去する。次に、ｎ−ＧａＡｓ基板１０１の、ｎ−ＡｌＧａＡｓ下クラッド層１０２が形成された面の反対側の面に第１の電極１０８を形成する。次に、端面１１４から所定の位置で劈開し、共振器となる反射面（光出射端面）を形成する。
【００４１】
次に、図２（ｅ）（図２（ｄ）のＸ−Ｘ′の箇所での断面を示した図）に示すように、まず、第２不純物イオンとして、例えば水素イオンを光出射端面１１３からイオン注入法によりドープし、高抵抗化領域１１１を形成する。水素イオンのイオン注入は、第１の電極および第２の電極を除く積層構造の各層に行うことが好ましい。高抵抗化領域１１１が、第１の電極および第２の電極を除く積層構造の各層を横断するように形成されるので、無秩序化領域１１２が、第１の電極および第２の電極を除く積層構造の各層を横断するように形成された場合であっても、電流のリークを抑制することができるからである。
【００４２】
第２不純物イオンの注入条件は、例えば、加速電圧を５０ｋｅＶ、ドーズ量を１×１０15／ｃｍ2 とする。水素イオンの打ち込み深さは平均０．４μｍである。高抵抗化領域１１１の比抵抗は１０Ω・ｍである。
【００４３】
次に、第１不純物イオンとして、例えば、ケイ素イオンをイオン注入法により、光出射端面１１３からドープする。
【００４４】
第１不純物イオンの注入の条件は、例えば、加速電圧を３０ｋｅＶ、ドーズ量を１×１０13／ｃｍ2 とする。ケイ素イオンの打ち込み深さは平均０．０３μｍである。
【００４５】
もう片方の光出射端面１１３についても、同様にして、水素イオンおよびケイ素イオンをドープする。
【００４６】
次に、光出射端面１１３の酸化を防止するために誘電体膜によってコーティングを行った後、例えば、拡散炉等により、１００分間、６００℃でアニールを行い、ケイ素イオンをドープした領域を無秩序化させる。無秩序化領域１１２は光出射端面１１３から０．０３μｍの領域に形成される。
【００４７】
上記の半導体レーザ装置の製造方法によれば、イオン注入法により、光出射端面から第１不純物イオンをドープすることによって、第１不純物イオンが注入される端面からの深さを精度よく制御することができ、その後のアニールによる無秩序化の程度も精度よく制御することができる。したがって、活性層における無秩序化領域の光出射端面からみた深さ方向の厚さを、ＣＯＤの抑制に必要最小限度な厚さとし、かつその厚みを一定にすることが可能であり、高出力半導体レーザ装置を得ることができる。
加えて、アニールによる第１不純物イオンの活性化によって、光出射端面近傍における導電性が変化した場合であっても、光出射端面からみて無秩序化領域よりも遠くに形成された高抵抗化領域が障壁となり電流のリークを抑制することができる。
また、例えば拡散炉や赤外線ランプによって、大量の素子を一括してアニールすることができるので、安定かつ効率良く製造できる。
【００４８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、光出射端面からの電流リークが抑制された、高出力半導体レーザ装置を提供できる。また、上記半導体レーザ装置を安定かつ効率よく製造できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は、本実施の形態の半導体レーザ装置の斜視図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ′断面図である。
【図２】（ａ）、（ｂ）および（ｃ）は図１の半導体レーザ装置の製造方法を説明するための断面図、（ｄ）は斜視図、（ｅ）は（ｄ）のＸ−Ｘ′断面図である。
【図３】（ａ）は従来例の窓構造領域を有する半導体レーザ装置の斜視図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ′断面図、（ｃ）は（ａ）のＹ−Ｙ′断面図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）および（ｃ）は図３の半導体レーザ装置の製造方法を説明するための斜視図、（ｄ）は（ｃ）のＸ−Ｘ′断面図、（ｅ）および（ｆ）は断面図である。
【符号の説明】
１０１、３０１    ｎ−ＧａＡｓ基板
１０２、３０２    ｎ−ＡｌＧａＡｓ下クラッド層
１０３、３０３    活性層
１０３ａ          無秩序化領域１１２における活性層
１０３ｂ          他の領域の活性層
１０４、３０４    ｐ−ＡｌＧａＡｓ第１上クラッド層
１０５、３０５    ｐ−ＡｌＧａＡｓ第２上クラッド層
１０６、３０６    ｎ−ＡｌＧａＡｓ電流ブロック層
１０７、３０７    ｐ−ＧａＡｓコンタクト層
１０８、３０８    第１の電極
１０９、３０９    第２の電極
１０９ａ          第２の電極の光出射端面側の端部
１１０、３１３    誘電体膜
１１１            高抵抗化領域
１１１ａ          高抵抗化領域１１１の光出射端面側の端部
１１１ｂ          高抵抗化領域１１１の光出射端面１１３から遠い位置にある端部
１１２            無秩序化領域
１１３、３１４    光出射端面
３１０            窓構造領域
３１１            マスク
３１２            拡散領域
【図１】
0004138358.tif 000002
【図２】
0004138358.tif 000003
【図３】
0004138358.tif 000004
【図４】
0004138358.tif 000005