(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベアチップの表面弾性波素子を金−金接合で搭載するＳＡＷ素子搭載用表面電極及びはんだ部品搭載用表面電極を表面に有するセラミック多層基板の表面電極構造において、
少なくとも最下層を、一部がセラミック多層基板に埋設される銀焼結導体とし、ニッケル又はニッケル合金層を中間に含み、最表層を金層とし、
前記銀焼結導体の厚みを１０μｍ以上４０μｍ以下とし、前記銀焼結導体の前記セラミック多層基板に対する埋設部分の深さを前記銀焼結導体の厚みの６０％以上９５％以下としたことを特徴とするセラミック多層基板の表面電極構造。
【請求項２】
前記ニッケル又はニッケル合金層が１μｍ以上１０μｍ以下の厚さであり、前記金層が０．３μｍ以上３μｍ以下の厚さである請求項１記載のセラミック多層基板の表面電極構造。
【請求項３】
前記ＳＡＷ素子搭載用表面電極同士の高さのギャップが３μｍ以下である請求項１又は２記載のセラミック多層基板の表面電極構造。
【請求項４】
ベアチップの表面弾性波素子を金−金接合で搭載するＳＡＷ素子搭載用表面電極及びはんだ部品搭載用表面電極を表面に有するセラミック多層基板の表面電極の製造方法において、
銀導体ペーストを塗布した焼成前のセラミック多層基板にプレス処理を施し、次いで焼成することにより、厚みが１０μｍ以上４０μｍ以下で厚みの６０％以上９５％以下がセラミック多層基板に埋設される最下層の銀焼結導体を形成する工程と、
中間層として無電解メッキによってニッケル又はニッケル合金層を形成する工程と、
最表層として電解又は無電解メッキにより金層を形成する工程とを備えることを特徴とするセラミック多層基板の表面電極の製造方法。
【請求項５】
前記ニッケル又はニッケル合金層の厚さを１μｍ以上１０μｍ以下とし、前記金層の厚さを０．３μｍ以上３μｍ以下とする請求項４記載のセラミック多層基板の表面電極の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、セラミック多層基板上に、はんだ搭載型表面実装部品とフリップチップ実装型表面弾性波素子を搭載する高周波モジュール部品において、各々の部品の安定した搭載を可能にし、信頼性の向上を図ることのできるセラミック多層基板の表面電極構造及び表面電極の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子機器において、その小型化は市場要求が常にあり、使用される部品についても小型化、軽量化が要求される。携帯電話に代表される、高周波機器においてはこの傾向が著しく、使用する部品においても、特にこの傾向が顕著に見られる。高周波機器においては、部品の搭載においても、高密度化が進み、小型、軽量化の要求に対応してきている。素子を搭載する基板も、このような小型化に対応するために、導体層が単層の基板に代わって多層基板が主に用いられている。
【０００３】
セラミック多層基板は多層基板の絶縁層を電気的に絶縁体のセラミックで、また、導体層を銀等で形成する。一般的な樹脂多層基板に比べて、高周波での損失が少ない、熱伝導がよい、寸法精度がよい、信頼性に優れる等の特徴を併せ持つ。
【０００４】
また、セラミック多層基板においては、内導体をコイル形状にする、あるいは平行に対向させることによって、それぞれ内部にインダクタンス、キャパシタンスを形成することが可能で、さらに、低損失で寸法精度がよいことから、Ｑの高くまた、公差の小さい素子を内部に形成することができる。
【０００５】
こうした特徴は、特に携帯電話等の高周波回路において、表面に様々な部品を搭載し、あわせて高特性、小型化を併せ持つ集合素子、つまり、モジュールとして活かされている。
【０００６】
高周波モジュールは、一方で、回路をその機能毎にまとめるために、従来のディスクリート部品を一つ一つ搭載して、回路を形成していく手法に比べて、機器の構造がシンプルになり、信頼性、特性に優れるものを提供できるようになる。また、従来のデスクリート部品においては各部品ごとの特性を組み合わせて、機能を果たしていくために、設計が複雑になっているが、モジュール化をすることによってモジュール毎に特性仕様が決まっているために、機器の設計を行う際に、設計の構造化ができ、短期間化、省力化ができる。
【０００７】
図６に全世界でもっとも端末数の多いＧＳＭデュアルバンド型携帯電話のブロック図を示す。図中、ＡＮＴは電波の送受信用のアンテナ、ＤＰＸは複数周波分離フィルタとしてのダイプレクサ（２周波切り換えフィルタ）、Ｔ／Ｒ  ＳＷは送受信切り替え手段としての送受切り替えスイッチ、ＬＰＦは送信段高調波抑圧フィルタとしてのローパスフィルタ、ＢＰＦは受信段のバンドパスフィルタである。
【０００８】
このような携帯電話用回路において、モジュール化はいくつかの機能で行われており、例えばアンテナスイッチ部で実際に多層基板上に素子を搭載することで進められている。
【０００９】
図７にアンテナスイッチ部にあたるモジュールの例を示す。図中、１０はセラミック多層基板であり、内部にインダクタ部１１、キャパシタ部１２が設けられ、外部電極１３を有している。また、セラミック多層基板１０上にはスイッチ素子としてのダイオードや抵抗等のチップ部品１５が搭載され、さらにセラミック多層基板上部全体を覆うようシールドケース１６が設けられている。但し、図７のモジュールは表面弾性波素子（以下、ＳＡＷ素子という）は含んではいないか、含むとしてもパッケージ部品を搭載していた。
【００１０】
現在は、パワーアンプ、アンテナスイッチモジュール等の単機能でモジュール化が実現されているが、より広範の機能がモジュール化されれば、さらに、モジュール化の利点が引き出されることになる。勿論ＳＡＷ素子を加えたモジュール化も重要となる。
【００１１】
従来のＳＡＷ素子は、いわゆるパッケージ部品を用いていた。勿論、パッケージ部品を搭載してモジュール化を行うことも可能であるが、本発明で後述するように素子チップを直接基板に搭載する方が、小型、低背形状が実現でき、さらに低コストが実現できると思われる。
【００１２】
セラミック多層基板はインダクタンス、キャパシタンスが内蔵でき、そのために小型化ができることが特徴になるが、反面、そのために、低背化が困難になる。そのため、基板にさらにパッケージを搭載する一般的なモジュールにおいては、今後進む低背化の需要に十分にこたえられない。また、パッケージ品においては、もともとのベアチップに比べて広い占有面積を必要とする。使用部品の中で、ＳＡＷ素子はもっとも高背のもので、また、占有面積も広い。こうした状況では、ＳＡＷチップを何らかの形で、パッケージを用いずに、直接、セラミック多層基板に搭載することが望まれている。
【００１３】
一方、ＳＡＷ素子の製造においては、ＳＡＷチップを作成する工程とパッケージに搭載、密閉する工程の各々があり、各々のコストが同程度かかっている。仮に、セラミック多層基板に直接搭載が可能ならば、パッケージに搭載、密閉する工程を経ることがないために、安価なものを作成することもできる。
【００１４】
以上、記してきたように高周波モジュールにおいては、ＳＡＷ素子をチップのまま直接、他の部品をはんだ付けでセラミック多層基板に搭載することが望ましい。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述したものを実現するためにはセラミック多層基板上に対して、ＳＡＷ素子のフリップ実装工程と、はんだ搭載部品のはんだ付け工程を両立させる必要がある。
【００１６】
ＳＡＷ素子の接合はセラミック多層基板の表面電極の最表層を金（Ａｕ）として金−金のバンプ接合で行うのが一般的であり、はんだ接合の場合は基板上のランド部分の表面は錫、又ははんだ皮膜が一般的であり、各々メッキで形成するのが通常である。
【００１７】
また、はんだ付け工程は、一般的に、基板表面のランド部分にはんだペーストを塗布し、次いで、はんだ搭載部品を載せ、リフロー等の熱処理を行うことによって固着する。この場合、はんだペースト中のフラックスが気化して、表面電極との界面を活性化してはんだの濡れ性を確保する。
【００１８】
本発明の場合、ＳＡＷ素子は露出したかたちで搭載することを前提とするので、先に搭載された場合、はんだ搭載部品のはんだ付けの際にフラックスの付着がおき、ＳＡＷ素子の特性に大きな影響を与えることになる。このため、本発明のように、ベア状態のＳＡＷ素子と、はんだによる搭載部品を混載する方法は確立していない。
【００１９】
現行の小型ＳＡＷ素子の場合は、例えば特開平１０−７９６３８号公報に示すように、フリップチップ搭載と呼ばれる方法で、セラミック基板、又は樹脂基板に固定されている。これを図８に示し、図中、２０は基板、３０はＳＡＷ素子としてのフリップチップである。基板２０には表面が金（Ａｕ）の電極２１が形成され、フリップチップ３０はＳＡＷ用の梯子状電極を形成した主面に金スタッドバンプ３１を形成したものである。そして、ＳＡＷ用の梯子状電極を形成した主面を下向きとしてフリップチップ３０は金−金接合によりフリップ搭載（フェースダウンボンディング）される。
【００２０】
本発明においても、ＳＡＷ素子の搭載においてはこの方法に倣うことが有効と考えるが、他のはんだ接合部品と混載しても問題の無いものとしなければならない。とくに、ＳＡＷ素子単体の場合と異なり、他の部品との複合モジュールを組む場合、セラミック多層基板は厚いものとなる。この場合、接合部にかかる応力は通常のパッケージ品に比べ大きなものとなる。
【００２１】
特開平６−９７３１５号公報にＳＡＷ素子と他の回路部品を搭載し、封止した先行例が開示されている。この先行例においては、樹脂基板に、ＳＡＷ素子を表向きに固定し、ワイヤーボンドにより、電気的接続を取っていて、本発明のように、セラミック多層基板にＳＡＷ素子をフリップチップ搭載することを想定したものと明らかに異なる。本発明においては、フリップチップ搭載を行うことによって、さらに小型化ができる。またフリップチップという形態をとることによって基板との熱膨張率の差による影響を小さくできる点が相違する。前記の特開平６−９７３１５号公報においては、セラミック基板は熱膨張率の差があって、そのために、問題があるとしているが、本発明の場合には、そのような影響は極めて小さくなる。特に、ＳＡＷ素子の温度係数と、熱膨張率の差は打ち消す方向にあり、フリップチップ搭載した樹脂基板の場合とセラミック基板の場合のフリップチップ中心周波数の温度特性は図５に示すようにセラミック基板の方がむしろ良好になる。
【００２２】
また、前記の特開平６−９７３１５号公報は、一見、他の受動部品との混載を開示しているように見えるが、本発明のように、はんだ搭載部品との混載を前提とするものではない。特に封止にはんだを用いているが、この場合、フラックスによる汚染を避けるために、瞬間加熱方式を開示している。つまり、はんだ搭載部品との混載は、極めて難しいことを示唆している。
【００２３】
上述したことにおいては、２つの課題が含まれている。一つは、はんだ付け工程とＳＡＷフリップチップ搭載の両方で接続が可能な電極構造であり、さらに一つは、各々の工程で、影響を与えない工程フローである。例えば、工程フローにおいては、先にはんだ付け部品を搭載し、ドライエッチング等の処理によりＳＡＷ素子搭載面のフラックスを除去することで、搭載が可能となる。
【００２４】
本発明においては、特に前者の電極構造を課題とする。この場合次に示すような解決すべき問題がある。
【００２５】
(1)  最上層を金−金接合、はんだ接合の両方に適した、材質及び構造にする。
【００２６】
(2)  金−金接合を安定して行うために電極間で高低差の少ないもの、さらに表面の凹凸の少ないものとする必要がある。
【００２７】
そこで、本発明は、上記の点に鑑み、ＳＡＷ素子の金−金接合及びはんだ部品のはんだ付けによる搭載の両方に適し、セラミック多層基板を用いた各々の部品の安定した搭載を可能にし、信頼性の向上が可能なセラミック多層基板の表面電極構造及び表面電極の製造方法を提供することを目的とする。
【００２８】
本発明のその他の目的や新規な特徴は後述の実施の形態において明らかにする。
【００２９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本願請求項１の発明は、
ベアチップの表面弾性波素子を金−金接合で搭載するＳＡＷ素子搭載用表面電極及びはんだ部品搭載用表面電極を表面に有するセラミック多層基板の表面電極構造において、
少なくとも最下層を、一部がセラミック多層基板に埋設される銀焼結導体とし、ニッケル又はニッケル合金層を中間に含み、最表層を金層とし、
前記銀焼結導体の厚みを１０μｍ以上４０μｍ以下とし、前記銀焼結導体の前記セラミック多層基板に対する埋設部分の深さを前記銀焼結導体の厚みの６０％以上９５％以下としたことを特徴としている。
【００３０】
本願請求項２の発明は、請求項１において、前記ニッケル又はニッケル合金層が１μｍ以上１０μｍ以下の厚さであり、前記金層が０．３μｍ以上３μｍ以下の厚さであることを特徴としている。
【００３１】
本願請求項３の発明は、請求項１又は２において、前記ＳＡＷ素子搭載用表面電極同士の高さのギャップが３μｍ以下であることを特徴としている。
【００３２】
本願請求項４の発明は、
ベアチップの表面弾性波素子を金−金接合で搭載するＳＡＷ素子搭載用表面電極及びはんだ部品搭載用表面電極を表面に有するセラミック多層基板の表面電極の製造方法において、
銀導体ペーストを塗布した焼成前のセラミック多層基板にプレス処理を施し、次いで焼成することにより、厚みが１０μｍ以上４０μｍ以下で厚みの６０％以上９５％以下がセラミック多層基板に埋設される最下層の銀焼結導体を形成する工程と、
中間層として無電解メッキによってニッケル又はニッケル合金層を形成する工程と、
最表層として電解又は無電解メッキにより金層を形成する工程とを備えることを特徴としている。
【００３３】
本願請求項５の発明は、請求項４において、前記ニッケル又はニッケル合金層の厚さを１μｍ以上１０μｍ以下とし、前記金層の厚さを０．３μｍ以上３μｍ以下とすることを特徴としている。
【００３４】
(1)  前記［発明が解決しようとする課題］の項で述べた最上層を金−金接合、はんだ接合の両方に適した、材質及び構造にする点については、表面電極の最表層を金によって形成すればよい。ただし金−金接合に用いる金は超音波印加時の接着性をよくするために９９．９９％以上の純金を用いることが望ましい。この場合、純金ははんだ濡れ性に富み、はんだ搭載部品の表面電極としても適している。しかしながら、純金は柔らかく、また、はんだ溶融時にいわゆるはんだ食われが起こり、電極としては形状を維持できなくなることがある。
【００３５】
一方、セラミック多層基板においては、その表面導体には一般的に焼結銀が用いられる。この焼結銀はセラミック材料との密着性を確保するために微量のガラスが添加される。焼結銀はもともと粉体であったものを粒成長させたものであり、もとより表面の平滑性が悪い。また、本発明で対象とする電極構造に必要な、金との接合性、また、はんだ濡れ性も乏しい。
【００３６】
このような、銀焼結導体と金層との２層構造をとれば、上述の問題は一見して解決するように思えるが、銀と金の密着性が悪い、また、銀も条件によってははんだ食われを起こす、下地の凹凸を金層だけでは吸収しきれない、その結果、金バンプの接合を安定して行うことができない、等の問題が残り実用的ではない。
【００３７】
これらを問題は、銀と金の間に適当な厚さのニッケル層又はニッケル合金層をはさむことで解決される。ニッケル層又はニッケル合金層は、例えばメッキによって比較的厚くつけることができ、銀、金とも非常によく密着する。また、はんだに対しては侵食されず、また、銀焼結導体の表面の凹凸を吸収できる。
【００３８】
また、銀焼結導体を焼結前に、プレス等の処理で平坦化を施すことによって、大きく改善することができる。また、プレス処理を施して、銀焼結導体の一部をセラミック焼結体に埋設することで、セラミック基板と銀焼結導体の密着性を向上させることができる。
【００３９】
(2)  金−金接合を安定して行うために基板上の表面電極間の高低差を小さくする必要がある点については、以下のことが言える。つまり、銀焼結導体の形成においては、通常ペースト状態の銀をスクリーン印刷によってセラミック多層基板上に形成する。この場合、スクリーンに設けたパターンの大きさによって、ペーストの塗布量は一定でなく、大きいパターンほど厚くなる傾向がある。仮に表面電極間に段差があった場合には、ＳＡＷ素子側の金バンプと表面電極との間で接合不良が発生することになる。
【００４０】
これについては、もともとの銀焼結導体の平坦化処理を行う効果は顕著で、後述するように焼結後の高低差を著しく吸収することができる。さらに、メッキ処理においてもこの高低差は拡大する傾向にある。特に銀表面の凹凸を覆うためには、５μｍ程度のニッケルメッキを付けることがあるが、この場合、メッキの付着厚みがパターン間でばらつくことを防がなければならない。こうした目的には無電解メッキがとくにふさわしい。
【００４１】
一方で、金においては、付着厚みが少ないことで、一定の膜厚が確保できれば、特に問題とはならないが、薄く均一につけることがコスト削減につながり、このような目的には、やはり無電解メッキが好ましい。
【００４２】
本発明によれば、これらはすべて、問題なく解決することができる。
【００４３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係るセラミック多層基板の表面電極構造及び表面電極の製造方法の実施の形態を図面に従って説明する。
【００４４】
図１（Ａ）は本発明の実施の形態であって、ＳＡＷ素子を含む高周波モジュール部品を構成するときのセラミック多層基板の表面電極構造を、同図（Ｂ）の比較例の表面電極構造と対比して示し、図２は実施の形態における表面電極の平坦化処理工程を示し、図３はＳＡＷ素子を含む高周波モジュール部品を構成した場合の表面導体パターン及び部品配置を示し、図４はその高周波モジュール部品の回路図を示す。
【００４５】
図１（Ａ）において、４０はセラミック多層基板であり、このセラミック多層基板には、例えばアルミナガラス複合セラミックを絶縁層とし、内導体層（図示せず）を１５層有するものを用いた。外形は約６mm×４mmで厚みは０．８mmとした。セラミック多層基板４０の表面導体層、つまり表面電極５０のパターン、及びＳＡＷ素子、ダイオードＤｉ、抵抗Ｒ、インダクタＬ等の部品搭載位置を図３に示す。
【００４６】
前記セラミック多層基板４０の表面電極５０は、最下層を銀の焼結導体５１で形成する。この場合、図２（Ａ）のようにセラミック多層基板４０となる焼成前のセラミック銀積層体４０Ａに対して、その焼結処理前に、銀の焼結導体となるべき銀導体ペースト５１Ａをスクリーン印刷で塗布した表面にプレス体４５を押し当てて加圧プレスを行い、同図（Ｂ）のように平坦化処理する。その後、セラミック銀積層体４０Ａと銀導体ペースト５１Ａとを同時焼成して一部がセラミック多層基板に埋設された銀の焼結導体５１を有するセラミック多層基板４０を得る。
【００４７】
セラミック多層基板４０の焼成後、銀の焼結導体５１の厚みが１０μｍ以上４０μｍ以下となるようにし、銀の焼結導体５１の前記セラミック多層基板４０に対する埋設部分の深さを当該銀の焼結体５１の厚みの６０％以上９５％以下に設定することが好ましい。
【００４８】
なお、前記プレス圧を変化させた場合における銀の焼結導体５１の焼成後の埋設状態と各焼結導体５１同士のギャップ（高低差）、表面粗さの状態の関係については、表１の説明の所で後述する。
【００４９】
図１（Ａ）のように最下層の銀の焼結導体５１を有するセラミック多層基板４０に対して、中間層となる下地メッキ層としてニッケル又はニッケル合金層５２を電解メッキ又は無電解メッキで所定膜厚で形成する（但し、後述するように無電解メッキの方が好ましい）。
【００５０】
その後、最表層の金層５３となる金皮膜を電解メッキ又は無電解メッキで所定膜厚で形成する。
【００５１】
この結果、最下層の銀の焼結導体５１、中間層のニッケル又はニッケル合金層５２及び金層５３からなる表面電極５０がセラミック多層基板４０上に形成される。
【００５２】
このような表面電極構造を持つセラミック多層基板４０にはんだ部品を搭載する場合、表面電極５０のうちのはんだ接合部に、はんだペーストを塗布し、インダクタ、キャパシタ、ダイオード、抵抗等のそれぞれの部品を搭載し、続いて、リフロー炉に通して、はんだの固着を行う。その後、プラズマ洗浄を行い、後でＳＡＷ素子を搭載するＳＡＷ素子搭載面のフラックスを除去する。
【００５３】
ＳＡＷ素子の搭載は、ＳＡＷ素子を金−金接合（金ボールボンド法による接合）によりフリップ実装するものであり、ＳＡＷ素子は、パッケージ品ではなくフリップチップ実装型ＳＡＷ素子、つまりベアチップである図８のようなフリップチップ３０を用いる。フリップチップ３０は、パッケージ品と同様のプロセスを経て、ＳＡＷ用の梯子状電極を形成した主面に金スタッドバンプ３１を形成したものである（つまり、パッケージ品における後半のパッケージに搭載、密閉する工程を省略して得られる）。そして、セラミック多層基板４０上の表面電極５０に対して、ＳＡＷ用の梯子状電極を形成した主面を下向きとしてフリップチップ３０は金−金接合によりフリップ搭載（フェースダウンボンディング）される。なお、図１（Ａ）では表面電極５０上に搭載されるフリップチップ３０を仮想線で示した。このフリップチップ３０のフェースダウンボンディングは、セラミック多層基板４０にフリップチップ３０を伏せた形で、所定の位置におき、フリップチップ３０側から９Ｗの超音波を０．６秒間、同時に３００ｇの荷重をかけながら印加して、金スタッドバンプ３１と基板側表面電極５０の金表面との接合を超音波ボンディングで行った。
【００５４】
なお、表面電極５０のメッキの種類、厚み、ギャップ、横押し強度の関係等を表２の説明の所で後述する。なお、表１及び表２の測定に際しては電子顕微鏡で断面の観察を行った。
【００５５】
この実施の形態において、セラミック多層基板４０上に、図３のようにダイオードＤｉ、抵抗Ｒ、インダクタＬ等のはんだ部品をはんだ付けし、ＳＡＷ素子としてのフリップチップ３０をフェースダウンボンディングして図４の回路の高周波モジュール部品を作製した場合、その外形は、縦横約６mm×４mmで、高さは１．５mmとすることが可能である。
【００５６】
図４の回路図のうち、ＳＡＷ素子を除く部分は、モジュールとしてすでに製品化しており、その大きさは同様に約６mm×４mmの大きさとなっている。今回同様の大きさのものに、ＳＡＷ素子を２個搭載でき、そのことでも小型化が可能であることが十分わかる。また、本実施の形態に係るモジュール部品の高さは１．５mmであり、従来製品（セラミック多層基板上にはんだ部品を装着したモジュール）に単にＳＡＷパッケージ品を搭載する場合に比べて低背化が十分に行えることがわかる。
【００５７】
図５は本実施の形態のようにセラミック基板にＳＡＷ素子のフリップチップを搭載した場合（点線）と、樹脂基板に同様にフリップチップを搭載した場合（実線）の中心周波数の温度特性を示す。セラミック多層基板の方が温度変化に伴う周波数変化が小さいことが判る。
【００５８】
以下の表１は、基板４０上の表面電極５０の最下層となる銀の焼結導体５１の厚みを１０μｍ、３０μｍ、４０μｍと変え、かつプレス圧を変化させて基板４０に対する導体５１の埋設量を５０〜１００％の範囲で変化させた試料を作製し、導体５１相互のギャップ（高低差）、表面粗さを測定したものである。このとき用いた導体パターンは図３であり、実際の測定点はＡ、Ｂとした。図中のＡ、Ｂは実際に金バンプの接触位置に当たる。
【００５９】
【表１】
0004172566.tif 000002
図２のプレス工程を省略した場合には、図１（Ｂ）の比較例のように最下層の銀の焼結導体５１が埋設されないため、表面電極５０間のギャップが大きくなり、かつ表面粗さも大きくなるが、プレス工程で最下層の銀の焼結導体５１の一部を基板４０中に埋設することで、表１のようにギャップは縮小し、かつ表面粗さも小さくなる。表１中のギャップについてはこの後のメッキ工程によって大きく左右されるが、この段階で概ね３μｍ程度以下に収めておくことが望ましい。また表面粗さについては、やはりこのあとのメッキ工程で軽減することができるが５μｍ程度以下に収めることが望ましい。銀の焼結導体５１の導体厚さは１０μｍ、３０μｍ、４０μｍのいずれにおいても、ギャップ及び表面粗さを満足させる範囲が存在する。但し、銀の焼結導体５１の導体厚さ１０μｍ〜４０μｍの範囲において、埋設量が６０％に満たない場合、プレス工程を省略したものよりはギャップ、表面粗さ共に若干の改善が見られるが著しい改善は見られない。また９５％を超えて埋設させると、焼成時にセラミックとの界面でクラックが入る。望ましい埋設量の範囲は６０％以上９５％以下であり、とくに８０％以上９０％以下が好ましい。
【００６０】
次に、ニッケルメッキの検討を行う。電解メッキと無電解メッキを比較するために、銀の焼結導体の厚さが３０μｍ、９５％埋設量のものに、各々実際に処理時間を変えてメッキを行った。
【００６１】
電解メッキを用いた場合、電極個所によって厚みのバラツキが大きく、すべてを覆うためには、もっとも厚い部分が３μｍ以上となった。また後で記すように、銀の焼結導体５１の凹凸を吸収するためには２μｍ以上の厚みのニッケル層が望ましいが、最薄部を２μｍにするためには最厚部を６μｍとする必要があり、結局ギャップが４μｍ程度発生した。
【００６２】
同様に無電解メッキを用いた場合、このようなギャップは、最厚部を５μｍとした場合でも、最薄部は３μｍ程度であり、こうした目的については、ニッケル無電解メッキを用いることが望ましいことがわかった。
【００６３】
ニッケル無電解メッキについては、広くＮｉＰ，ＮｉＢの系統が知られているが、本実施の形態ではいわゆる広義のＮｉメッキをさすもので、各々はもちろん含んでいる。
【００６４】
以下の表２はニッケルメッキ、金メッキの種類、厚みと、電極間のギャップ、横押し強度、熱衝撃試験結果との関係を示す。
【００６５】
【表２】
0004172566.tif 000003
ここで、ニッケルメッキは無電解メッキとし、膜厚０．５μｍ〜１５μｍの範囲で変化させ、その後の金メッキは無電解又は電解メッキとし、膜厚０．１μｍ〜１０μｍの範囲で変化させた試料を作製して測定を行った。横押し強度の測定に際しては、ＳＡＷチップにあらかじめ金スタッドバンプを形成し、これを多層基板に伏せた形で所定の位置におき、ＳＡＷ素子側から９Ｗの超音波を０．６秒、同時に３００ｇの荷重をかけながら印加して、金バンプと基板の金表面との接合を行い、この状態で、各条件試料の横押し強度を測定し、また、電子顕微鏡で断面の観察を行った。熱衝撃試験はさらに条件を明確にするために行ったものであり、試験条件は低温側で−４０℃、高温側で８５℃、各々３０分間保持を１００サイクル実施した。評価は基板４０上に搭載したＳＡＷ素子の挿入損失の測定を行い、初期に２ｄＢ程度であったものが、５ｄＢ以上となったものを不合格とし、試料１００個中の不合格数で判断した。
【００６６】
表２において、ニッケル無電解メッキを１μｍ以上にした場合、概ね、表面の平滑状態が実現できた。１０μｍを超えると、メッキ延びが発生し、パターン間のショートが頻発した。従って、ニッケル無電解メッキの好ましい膜厚は、１μｍ以上１０μｍ以下であり、より好ましい範囲は２μｍ以上５μｍ以下である。
【００６７】
また、金メッキ層は厚さが０．３μｍよりも少ないと、金接合強度が著しく劣化し、横押し強度が著しく低下した。また、３μｍを超えるとやはり劣化し、このときに、メッキが剥がれる現象が見られた。従って、０．３μｍ以上３μｍ以下の範囲が好ましい。ギャップの大きさを３μｍ以下、あるいは表面粗さを３μｍ以下にすると、金−金接合の密着性（横押し強度、熱衝撃試験）がさらに安定することがわかる。
【００６８】
この実施の形態によれば、次の通りの効果を得ることができる。
【００６９】
(1)  セラミック多層基板４０に、フリップチップ実装型ＳＡＷ素子やはんだ搭載部品を実装して高周波電子回路モジュール部品を構成するような場合において、ＳＡＷ素子搭載用表面電極、はんだ搭載部品用表面電極を、前記基板４０に一部埋設される銀焼結導体５１の最下層、中間層のニッケル又はニッケル合金層５２、最表層の金層５３を順に重ねることによって構成したので、ＳＡＷ素子としてのフリップチップ３０の金−金接合（フェースダウンボンディング）による搭載、はんだ部品のはんだ付けによる搭載を両立して行え、かつ、ＳＡＷ素子搭載部における安定した金−金接合、及び、はんだ接合部の機械的強度、はんだ濡れ性を同時に確保できる電極構造を実現できる。
【００７０】
(2)  ニッケル又はニッケル合金層５２が１μｍ以上１０μｍ以下の厚さ、金層５３が０．３μｍ以上３μｍ以下の厚さとなるようにメッキ処理を施すことで、表面粗さを小さくし、必要十分な横押し強度を確保するとともに熱衝撃試験による不良発生を無くすことができる。
【００７１】
(3)  セラミック多層基板４０及び銀焼結導体５１の焼成前において、所定圧のプレス加工を施すことで、銀焼結導体５１の厚みを１０μｍ以上４０μｍ以下、銀焼結導体５１のセラミック多層基板４０に対する埋設部分の深さを銀焼結導体５１の厚みの６０％以上９５％以下とすることで、最下層の銀焼結導体５１同士のギャップ（高低差）を小さくし、かつ表面粗さも小さくできる。このことは、後工程で中間層のニッケル又はニッケル合金層のメッキ、最表層の金層のメッキ処理後のギャップ及び表面粗さを小さくできることになり、ＳＡＷ素子の金−金接合を良好に実行できる。
【００７２】
なお、本発明は、ＳＡＷ素子の金−金接合による搭載及びはんだ部品のはんだ付けによる搭載の両方が必要とされる多様なセラミック多層基板を用いたモジュール部品に適用可能であり、図３の部品配置や図４の回路構成のみに限定されないことは勿論である。
【００７３】
以上本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明はこれに限定されることなく請求項の記載の範囲内において各種の変形、変更が可能なことは当業者には自明であろう。例えば、さらに中間層としてメッキ第３層を入れても同様の効果が得られることは明らかである。
【００７４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、セラミック多層基板に、フリップチップ実装型ＳＡＷ素子やはんだ搭載部品を実装して高周波電子回路モジュール部品を構成するような場合において、ＳＡＷ素子搭載用表面電極、はんだ搭載部品用表面電極を、前記基板に一部埋設される銀焼結導体の最下層、中間層のニッケル又はニッケル合金層、最表層の金層を順に重ねることによって構成したので、ＳＡＷ素子としての金−金接合による搭載、はんだ部品のはんだ付けによる搭載を両立して行え、かつ、ＳＡＷ素子搭載部における安定した金−金接合、及び、はんだ接合部の機械的強度、はんだ濡れ性を同時に確保できる電極構造を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の場合のセラミック多層基板の表面電極構造を、比較例の場合と対比して示す断面図である。
【図２】焼成前の銀導体ペーストを塗布したセラミック多層基板をプレス加工する工程を示す説明図である。
【図３】実施の形態において高周波モジュール部品を構成するときの表面電極パターン及び部品配置の例を示す平面図である。
【図４】高周波モジュール部品の回路図である。
【図５】ＳＡＷ素子の温度特性を示すセラミック基板及び樹脂基板の特性図である。
【図６】ＧＳＭデュアルバンド型携帯電話の高周波回路ブロック図である。
【図７】アンテナスイッチ部を含むフロントエンドモジュールの例を示す正断面図である。
【図８】ＳＡＷ素子の金−金接合によるフェースダウンボンディング（フリップチップ搭載）の例を示す正面図である。
【符号の説明】
１０，４０  セラミック多層基板
１１  インダクタ部
１２  キャパシタ部
１３  外部電極
１５  チップ部品
１６  シールドケース
３０  フリップチップ
３１  金スタッドバンプ
４５  プレス体
５０  表面電極
５１  銀の焼結導体
５１Ａ  銀導体ペースト
５２  ニッケル又はニッケル合金層
５３  金層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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