(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＰＳ液晶モードの液晶表示装置に使用する電極基板であって、基板面と平行に凸形状の画素電極と凸形状の共通電極とを有する電極基板の製造方法において、
基板上にネガ型の透明感光性樹脂を塗布して感光性樹脂層を形成する第１工程と、
開口部を備えた電極用のフォトマスクを所定のギャップを設けるようにして前記感光性樹脂層上に配置し、該フォトマスクを介して前記感光性樹脂層を露光する第２工程と、
前記感光性樹脂層を現像することにより、長手方向に垂直な断面が角部のない緩やかな凸形状の電極基部を前記基板の基板面と平行に形成する第３工程と、
前記電極基部を被覆するように導電膜を形成し、その後、パターニングすることにより、電極基部上に導電膜を設け凸形状の電極とする第４工程と、からなる電極形成工程を有することを特徴とする電極基板の製造方法。
【請求項２】
ＩＰＳ液晶モードの液晶表示装置に使用する電極基板であって、基板面と平行に凸形状の画素電極と凸形状の共通電極とを有する電極基板の製造方法において、
基板上にレジスト現像液によりエッチング可能な物質からなる基材層と、この基材層上にポジ型のレジスト層を形成する第１工程と、
遮光部を備えた電極用のフォトマスクを所定のギャップを設けるようにして前記レジスト層上に配置し、該フォトマスクを介して前記レジスト層を露光する第２工程と、
前記レジスト現像液を用いて前記レジスト層を現像してレジストパターンを形成するとともに前記基材層をエッチングして、前記レジストパターンの下方部分に凸形状の基材パターンを形成する第３工程と、
前記レジストパターンを剥離除去し、さらに、希釈した前記レジスト現像液により凸形状の前記基材パターンをエッチングすることにより長手方向に垂直な断面が角部のない緩やかな凸形状の電極基部を形成する第４工程と、
前記電極基部を被覆するように導電膜を形成し、その後、パターニングすることにより、電極基部上に導電膜を設け凸形状の電極とする第５工程と、からなる電極形成工程を有することを特徴とする電極基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶表示装置に係り、特にＩＰＳ (In-Plane Switching) 液晶モードの液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、フラットディスプレイとして、カラーの液晶表示装置が注目されている。カラー液晶表示装置の一例として、ブラックマトリックス、複数の色（通常、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色）からなるカラーフィルタおよび共通電極を備えたカラーフィルタ基板と、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ素子）等の半導体駆動素子と画素電極とを備えた対向電極基板とを所定の間隙をもたせて向かい合わせ、この間隙部にＴＮ（捩れネマティック）液晶を注入して液晶層としたＴＦＴ方式のカラー液晶表示装置がある。このようなカラー液晶表示装置では、両基板の対向する電極によって液晶層に電界を印加するので、液晶層に印加される電界の方向は基板の界面にほぼ垂直な方向となる。しかし、このようなＴＮモードのカラー液晶表示装置は視野角が狭く、表示面に対して斜めの方向から観察すると階調反転や色変化が起こり画質が劣化するという問題がある。
【０００３】
一方、近年、ＩＰＳ (In-Plane Switching) 液晶モードのカラー液晶表示装置が注目されている。これは、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）の透明薄膜（厚み２００〜２０００Å）からなる画素電極と共通電極とを基板面と平行に櫛歯状に形成した電極基板を使用することにより、基板の界面とほぼ平行な方向の横電界を液晶層に印加する方式であり、いわゆる広視野角特性を有するものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のＩＰＳ液晶モードのカラー液晶表示装置は、上記のように櫛歯状に形成された画素電極と共通電極とにより横電界を液晶層に印加しているので、カラーフィルタ基板、特にブラックマトリックスの導電率や外部電界の影響を受けて電界パターンに乱れが生じやすく、コントラストの低下や色ムラが発生して良好な表示画像が得られないという欠点がある。このため、導電率の低い材料を用いてカラーフィルタ基板を作製したり、カラーフィルタ基板や電極基板の裏面に電界シールドとしての透明導電膜を形成することが必要となり、製造工程が煩雑となったり、製造コストの増大を来すという問題があった。
【０００５】
本発明は、上記のような事情に鑑みてなされたものであり、広視野角特性を有し表示ムラのない良好な画像表示を可能とする液晶表示装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するために、本発明は、ＩＰＳ液晶モードの液晶表示装置に使用する電極基板であって、基板面と平行に凸形状の画素電極と凸形状の共通電極とを有する電極基板の製造方法において、基板上にネガ型の透明感光性樹脂を塗布して感光性樹脂層を形成する第１工程と、開口部を備えた電極用のフォトマスクを所定のギャップを設けるようにして前記感光性樹脂層上に配置し、該フォトマスクを介して前記感光性樹脂層を露光する第２工程と、前記感光性樹脂層を現像することにより、長手方向に垂直な断面が角部のない緩やかな凸形状の電極基部を前記基板の基板面と平行に形成する第３工程と、前記電極基部を被覆するように導電膜を形成し、その後、パターニングすることにより、電極基部上に導電膜を設け凸形状の電極とする第４工程と、からなる電極形成工程を有するような構成とした。
【０００７】
また、本発明は、ＩＰＳ液晶モードの液晶表示装置に使用する電極基板であって、基板面と平行に凸形状の画素電極と凸形状の共通電極とを有する電極基板の製造方法において、基板上にレジスト現像液によりエッチング可能な物質からなる基材層と、この基材層上にポジ型のレジスト層を形成する第１工程と、遮光部を備えた電極用のフォトマスクを所定のギャップを設けるようにして前記レジスト層上に配置し、該フォトマスクを介して前記レジスト層を露光する第２工程と、前記レジスト現像液を用いて前記レジスト層を現像してレジストパターンを形成するとともに前記基材層をエッチングして、前記レジストパターンの下方部分に凸形状の基材パターンを形成する第３工程と、前記レジストパターンを剥離除去し、さらに、希釈した前記レジスト現像液により凸形状の前記基材パターンをエッチングすることにより長手方向に垂直な断面が角部のない緩やかな凸形状の電極基部を形成する第４工程と、前記電極基部を被覆するように導電膜を形成し、その後、パターニングすることにより、電極基部上に導電膜を設け凸形状の電極とする第５工程と、からなる電極形成工程を有するような構成とした。
【０００８】
このような本発明では、電極基板の画素電極および共通電極を凸形状とし、例えば、画素電極と共通電極の基板面に垂直な方向の高さを２〜６μｍとなるように厚みをもたせることにより、画素電極と共通電極により形成される基板の界面とほぼ平行な方向の横電界の安定性を増すことができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の最良の実施形態について図面を参照して説明する。
【００１０】
図１は本発明のＩＰＳ液晶モードの液晶表示装置の１実施形態を示す１画素分の断面図であり、図２は図１に示される液晶表示装置を構成する電極基板の平面図であり、Ａ−Ａ線における縦断面が図１の電極基板の断面に相当する。図１および図２において、液晶表示装置１は電極基板１１とカラーフィルタ基板３１とを所定の間隔で対向させ、両基板間に液晶物質を挟持して液晶層４１を形成したものである。
【００１１】
液晶表示装置１を構成する電極基板１１は、基板１２と、この基板１２上に所定のパターンで形成された共通電極１３、走査配線１４および共通配線１５と、絶縁層１６を介して所定のパターンで形成された画素電極１７、信号配線１８と、これらを覆うように形成された保護層１９とを備えている。尚、電極基板１１の基板１２の電極形成面と反対側には偏光板（図示せず）が設けられ、また、保護層１９上には配向膜（図示せず）が設けられている。
【００１２】
上記の共通電極１３は、共通配線１５から画素領域内に延在するように基板面上に設けられており、この共通電極１３は凸形状に形成されており、その基板面に垂直な方向の高さｈ1 は２〜６μｍの範囲内である。また、画素電極１７は、後述する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）部２１のソース電極に接続され、画素領域をほぼ２分するように画素領域内に延在して基板面と平行に形成されており、この画素電極１７は凸形状に形成されており、その基板面に垂直な方向の高さｈ2 は２〜６μｍの範囲内である。本発明では、上記のように共通電極１３および画素電極１７に厚みをもたせているので、共通電極１３と画素電極１７との間に形成される電気力線がカラーフィルタ基板の導電率や外部電界に影響されることが大幅に減少し、その電界パターンは基板１２の界面とほぼ平行な方向の安定した横電界となる。共通電極１３および画素電極１７の基板面に垂直な方向の高さｈ1 ，ｈ2 が２μｍ未満であると、上記の横電界の安定性が不十分で外部電界やカラーフィルタ基板の導電率の影響を受けやすくなり、６μｍを超えると、電極基板１１とカラーフィルタ基板３１との間隔（液晶層４１の厚み）の制御に支障を来すことになり好ましくない。
【００１３】
尚、共通電極１３の幅は２〜１０μｍ、画素電極１７の幅は２〜８μｍの範囲で設定でき、共通電極１３と画素電極１７との間隔は１０〜３０μｍの範囲で設定できる。
【００１４】
上記の走査配線１４の所定位置にはアモルファスシリコンａ−Ｓｉからなる半導体活性層２０が形成されており、この半導体活性層２０上には、画素電極１７に接続されたソース電極１７s と信号配線１８から延在して形成されたドレイン電極１８ｄとが若干離間されて配設され薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）部２１が形成されている。また、画素電極１７の先端部は絶縁層１６を介して共通配線１５と重畳されて付加容量を形成している。
【００１５】
一方、液晶表示装置１を構成するカラーフィルタ基板３１は、基板３２と、この基板３２の一方の面に画素領域を区画するように形成されたブラックマトリックス３３と、各画素領域に形成された赤色パターン、緑色パターンおよび青色パターンからなるカラーフィルタ３４（図示例では赤色パターン３４Ｒが形成されている）と、これらを覆うように形成された保護層３５とを備えている。尚、カラーフィルタ基板３１の基板３２のカラーフィルタ形成面と反対側には偏光板（図示せず）が設けられ、また、保護層３５上には配向膜（図示せず）が設けられている。
【００１６】
上述の電極基板１１とカラーフィルタ基板３１に使用する基板１２，３２としては、石英ガラス、パイレックスガラス、合成石英板等の可撓性のない透明なリジット材、あるいは透明樹脂フィルム、光学用樹脂板等の可撓性を有する透明なフレキシブル材を用いることができる。この中で特にコーニング社製７０５９ガラスは、熱膨脹率の小さい素材であり寸法安定性および高温加熱処理における作業性に優れ、また、ガラス中にアルカリ成分を含まない無アルカリガラスであるため、ＩＰＳ液晶モードのカラー液晶表示装置に適している。
【００１７】
基板１２上への共通電極１３の形成は、次のようにして行うことができる。まず、基板１２上にネガ型の透明感光性樹脂を塗布して感光性樹脂層５１を形成する（図３（Ａ））。次に、開口部ｍを備えた共通電極１３用のフォトマスクＭを所定のギャップを設けるようにして感光性樹脂層５１上に配設し、このフォトマスクＭを介して感光性樹脂層５１を露光する（図３（Ｂ））。この露光においては、フォトマスクＭの開口部ｍを通過して拡散した光により露光部５１ａが感光性樹脂層５１に形成される。その後、現像することにより断面が緩やかな凸形状の電極基部５２が形成される（図３（Ｃ））。次いで、基板１２上にスパッタリング等により酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の透明薄膜を形成し、その後、パターニングすることにより、電極基部５２上に透明電極５３を形成して共通電極１３とする（図３（Ｄ））。
【００１８】
図４は共通電極１３の他の形成方法を示す図であり、まず、基板１２上にレジスト現像液によりエッチングできるような物質（例えば、ポリアミック酸等）からなる基材層６１と、この基材層６１上にポジ型のレジスト層６２を形成する（図４（Ａ））。次に、遮光部ｍ´を備えた共通電極１３用のフォトマスクＭ´を所定のギャップを設けるようにしてレジスト層６２上に配設し、このフォトマスクＭ´を介してレジスト層６２を露光する（図４（Ｂ））。この露光における未露光部６２ａは、次の現像工程においてレジストパターン６２ａとして残り、現像工程では、同時に基材層６１が現像液によりエッチングされ、レジストパターン６２ａの下方部分に凸形状の基材パターン６１ａが形成される（図４（Ｃ））。次いで、レジストパターン６２ａを剥離除去し、さらに、希釈した現像液により凸形状の基材パターン６１ａをエッチングすることにより断面が緩やかな凸形状の電極基部６３が形成される（図４（Ｄ））。次いで、基板１２上にスパッタリング等により酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の透明薄膜を形成し、その後、パターニングすることにより、電極基部６３上に透明電極６４を形成して共通電極１３とする（図４（Ｅ））。尚、レジスト現像液によりエッチングできるようなポリアミック酸等からなる樹脂層６１を形成する代わりに、金属薄膜を形成し、レジストパターン（未露光部６２ａ）をマスクとして金属薄膜をエッチングすることにより共通電極１３を形成することができる。
【００１９】
電極基板１１を構成する走査配線１４、共通配線１５は、上記の共通電極１３と同一の工程で形成し、スパッタリング等による金属導電膜の形成、レジストのフォトリソグラフィーによるパターニング、金属導電膜のエッチング、レジスト除去の手順により形成することができる。
【００２０】
電極基板１１を構成する絶縁層１６は、ＣＶＤ法による窒化シリコン薄膜の成膜等により形成することができる。また、アモルファスシリコンａ−Ｓｉからなる半導体活性層２０は、この絶縁層１６と同一の工程で形成することができる。
【００２１】
また、電極基板１１を構成する画素電極１７は、上記の共通電極１３と同様にして形成することができる。
【００２２】
さらに、電極基板１１を構成する信号配線１８は、画素電極１７と同一の工程で形成し、スパッタリング等による金属導電膜の形成、レジストのフォトリソグラフィーによるパターニング、金属導電膜のエッチング、レジスト除去の手順により形成することができる。
【００２３】
カラーフィルタ基板３１を構成するブラックマトリックス３３は、各画素領域に形成された赤色パターン、緑色パターンおよび青色パターンからなるカラーフィルタ３４の画素領域の間およびカラーフィルタ３４の形成領域の外側に設けられている。このようなブラックマトリックス３３は、スパッタリング法、真空蒸着法等により厚み１０００〜２０００Å程度のクロム等の金属薄膜を形成し、この薄膜をパターニングして形成したもの、カーボン微粒子や金属酸化物等の遮光性粒子を含有させたポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂等の樹脂層を形成し、この樹脂層をパターニングして形成したもの、カーボン微粒子や金属酸化物等の遮光性粒子を含有させた感光性樹脂層を形成し、この感光性樹脂層をパターニングして形成したもの等、いずれであってもよい。
【００２４】
また、カラーフィルタ３４は、赤色パターン、緑色パターンおよび青色パターンが所望のパターン形状で配列されており、所望の着色材を含有した感光性樹脂を使用した顔料分散法により形成することができ、さらに、印刷法、電着法、転写法、染色法等の公知の方法により形成することができる。また、カラーフィルタ３４を、例えば、赤色パターンが最も薄く、緑色パターン、青色パターンの順に厚くすることにより、カラーフィルタ３４の各色ごとに最適な液晶層厚み（セル・ギャップ）を設定するようにしてもよい。
【００２５】
保護層１９，３５は、電極基板１１やカラーフィルタ基板３１の表面を平坦化するとともに、カラーフィルタ基板３１ではカラーフィルタ３４に含有される成分の液晶層への溶出を防止するために設けられたものである。この保護層１９，３５の厚みは、使用される材料の光透過率、電極基板１１やカラーフィルタ基板３１の表面状態等考慮して設定することができ、例えば、０．２〜１．５μｍの範囲で設定することができる。
【００２６】
【実施例】
次に、実施例を示して本発明を更に詳細に説明する。
電極基板の作製
（試料１）
ＩＰＳ液晶モードの電極基板用の基板（コーニング社製７０５９ガラス）を定法にしたがって洗浄した後、ネガ型のアクリル感光性樹脂（日本合成ゴム（株）製ＪＮＰＣ−３３）を塗布して厚み５μｍの感光性樹脂層を形成した。
【００２７】
次いで、櫛歯状の電極パターンに相当する開口部（開口幅１μｍ）を有するフォトマスクを、５０μｍのギャップを設けるようにして感光性樹脂層上に配設し、このフォトマスクを介して感光性樹脂層を露光（露光量１０００ｍＪ／ｃｍ2 ）し、現像した。これにより、高さ３μｍ、幅８μｍの断面が緩やかな凸形状をなす電極基部を形成した。
【００２８】
次に、上記基板にスパッタリングにより酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）の薄膜（厚み１０００Å）を形成し、その後、パターニングして電極基部上に透明電極を形成した。これにより、図５に示されるような櫛歯状の電極パターン１０１，１０２を形成した。この櫛歯状の電極パターン１０１、１０２を構成する各電極１０１ａ，１０２ａの間隔Ｐは２０μｍとした。次いで、ポリイミド樹脂の希釈液を基板上に塗布、乾燥して保護層を形成し、さらに、この保護層上にポリイミド樹脂の希釈液を塗布、乾燥して配向層を形成して電極基板（試料１）を得た。
（試料２）
ＩＰＳ液晶モードの電極基板用の基板（コーニング社製７０５９ガラス）を定法にしたがって洗浄した後、ポリアミック酸（日本合成ゴム（株）製ＡＬ３０４６）を用いて基材層（厚み６μｍ）を形成し、この基材層上にポジ型レジスト（東京応化工業（株）製ＯＦＰＲ−８００）を塗布してレジスト層（厚み０．４μｍ）を形成した。
【００２９】
次に、櫛歯状の電極パターンに相当する遮光部を備えたフォトマスクを、３０μｍのギャップを設けるようにしてレジスト層上に配設し、このフォトマスクを介してレジスト層を露光（露光量１００ｍＪ／ｃｍ2 ）した。この露光により、櫛歯状の電極パターンに対応するレジスト層には幅７μｍの未露光部が形成された。
【００３０】
次いで、現像液（東京応化工業（株）製ＮＭＤ−３の２．３８％水溶液）で９０秒現像した。この現像により、レジスト層の露光領域が除去されてレジストパターンが形成されるとともに、ポリアミック酸からなる基材層もエッチングされてレジストパターンの下方部分に凸形状の基材パターンが形成された。
【００３１】
次に、アセトンを用いてレジストパターンを除去し、その後、上記の現像液を１０００倍に希釈ものを用いて基材パターンを２０秒間エッチングした。次いで、２３０℃で１時間硬化させることにより、高さ５μｍ、幅４μｍの断面が緩やかな凸形状をなす電極基部を形成した。
【００３２】
次に、この電極基部上に試料１と同様にしてＩＴＯ透明電極を形成して、図５に示されるような櫛歯状の電極パターン１０１，１０２を形成した。次いで、試料１と同様にして保護層、配向層を形成して電極基板（試料２）を得た。
（比較試料１）
アクリル感光性樹脂層の厚みを１．１μｍとし、露光時の露光量を５００ｍＪ／ｃｍ2 とした他は、試料１と同様にして、高さ１μｍ、幅５μｍの断面がやや凸形状をなす電極基部を形成した。
【００３３】
次に、この電極基部上に試料１と同様にしてＩＴＯ透明電極を形成して、図５に示されるような櫛歯状の電極パターン１０１，１０２を形成した。次いで、試料１と同様にして保護層と配向層を形成して電極基板（比較試料１）を得た。
（比較試料２）
ＩＰＳ液晶モードの電極基板（コーニング社製７０５９ガラス）に、スパッタリングにより酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）の薄膜（厚み１０００Å）を形成し、その後、パターニングして図５に示されるような櫛歯状の電極パターン１０１，１０２を形成した。この櫛歯状の電極パターン１０１、１０２を構成する各電極１０１ａ，１０２ａの間隔Ｐは２０μｍとした。次いで、試料１と同様にして保護層と配向層を形成して電極基板（比較試料２）を得た。
カラーフィルタ基板の作製
（試料Ａ）
カラーフィルタ用の基板として厚さ１．１ｍｍのガラス基板（コーニング社製７０５９ガラス）を準備した。この基板を定法にしたがって洗浄した後、基板の片側全面にスパッタリングによりクロム薄膜（厚み１０００Å）を形成し、次いでパターニングしてブラックマトリックスを形成した。このブラックマトリックスの導電率は１．３×１０-5Ω-1ｃｍ-1であった。
【００３４】
次に、公知の顔料分散法にしたがって画素領域に赤色パターン、緑色パターン、青色パターンを形成した。次いで、ポリイミド樹脂の希釈液を基板上に塗布、乾燥して保護層を形成し、さらに、この保護層上にポリイミド樹脂の希釈液を塗布、乾燥して配向層を形成してカラーフィルタ基板（試料Ａ）を作製した。
（試料Ｂ）
カラーフィルタ用の基板として厚さ１．１ｍｍのガラス基板（コーニング社製７０５９ガラス）を準備した。この基板を定法にしたがって洗浄した後、基板の片側全面に下記組成のブラックマトリックス用組成物を塗布し、所定のフォトマスクを介して露光した後、現像してブラックマトリックス（厚み１．２μｍ）を形成した。このブラックマトリックスの導電率は２×１０-8Ω-1ｃｍ-1であった。
【００３５】
（ブラックマトリックス用組成物）
・ベンジルメタクリレート／メタクリル酸共重合体  …  １００重量部
・コーティングカーボン                          …    ７０重量部
・重合開始剤イルガキュア３６９                  …      ３重量部
（チバ・ガイギー社製）
・ペンタエリスリトールテトラアクリレート (PETA) …    １０重量部
次いで、試料Ａと同様に赤色パターン、緑色パターン、青色パターンを形成した後、さらに、試料Ａと同様にして保護層と配向層を形成してカラーフィルタ基板（試料Ｂ）を作製した。
（試料Ｃ）
ブラックマトリックスを形成しない点以外は、赤色パターン、緑色パターン、青色パターン、保護層および配向層を試料Ａ、Ｂと同様に形成してカラーフィルタ基板（試料Ｃ）を作製した。
評価
上記のように作製した電極基板（試料１、試料２、比較試料１、比較試料２）と、カラーフィルタ基板（試料Ａ、試料Ｂおよび試料Ｃ）とを、下記表１に示される組み合わせで使用して、櫛歯状の電極パターン１０１と１０２により形成される横電界の安定性を外部電界（３０Ｖの電圧を印加した距離３ｍｍの平行電極間に設置する）の存在する条件と存在しない条件にて下記評価方法で評価し、結果を下記の表１に示した。
【００３６】
評価方法
各々の横電界セルを２枚の偏光子の間に設置し、赤色、緑色、青色の各色の電圧対透過率特性を調べる。この電圧対透過率特性を、同一電極基板とカラーフィルタ基板（試料Ｃ）との組み合わせにおいて外部電界が存在しない場合と比較し、しきい値電圧の差により下記の評価基準にしたがって評価を行う。
【００３７】
（評価基準）
〇：同一電極基板とカラーフィルタ基板（試料Ｃ）の組み合わせで外部電界なしの場合とのしきい値電圧の差が０．０５Ｖ未満
△：同一電極基板とカラーフィルタ基板（試料Ｃ）の組み合わせで外部電界なしの場合とのしきい値電圧の差が０．０５Ｖ以上０．１Ｖ未
満
×：同一電極基板とカラーフィルタ基板（試料Ｃ）の組み合わせで外部電界なしの場合とのしきい値電圧の差が０．１Ｖ以上
【００３８】
【表１】
0004203155.tif 000002
表１に示されるように、電極基板として試料１、試料２を使用した場合の横電界は、カラーフィルタ基板のブラックマトリックスの導電率や外部電界の有無にほとんど影響されず、これらの電極基板を使用することにより表示画像品質が良好な液晶表示装置が得られることが確認された。
【００３９】
これに対して、電極基板として比較試料１を使用した場合の横電界は、カラーフィルタ基板のブラックマトリックスの導電率や外部電界の影響を受けやすく、この傾向は電極基板として比較試料２を使用した場合に更に顕著であった。
【００４０】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば画素電極と共通電極を凸形状とし、また、それらの基板面に垂直な方向の高さが２〜６μｍとなるように厚みをもたせ、画素電極と共通電極とで形成する基板の界面とほぼ平行な方向の横電界の安定性を増大させるので、液晶層に印加される電界がカラーフィルタ基板の導電率や外部電界から受ける影響が大幅に減少し、広視野角特性を有し表示ムラのない良好な画像表示が可能な液晶表示装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のＩＰＳ液晶モードの液晶表示装置の１実施形態を示す１画素分の断面図である。
【図２】図１に示される液晶表示装置を構成する電極基板の平面図であり、Ａ−Ａ線における縦断面が図１の電極基板の断面に相当する。
【図３】本発明の液晶表示装置の電極基板のおける共通電極と画素電極の形成方法を説明するための図である。
【図４】本発明の液晶表示装置の電極基板のおける共通電極と画素電極の他の形成方法を説明するための図である。
【図５】実施例における電極基板の櫛歯状の電極を示す平面図である。
【符号の説明】
１…液晶表示装置
１１…電極基板
１２…基板
１３…共通電極
１７…画素電極
２１…薄膜トランジスタ部
３１…カラーフィルタ基板
３２…基板
３３…ブラックマトリックス
３４…カラーフィルタ
【図１】
0004203155.tif 000003
【図２】
0004203155.tif 000004
【図３】
0004203155.tif 000005
【図４】
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【図５】
0004203155.tif 000007