(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
発振器を含み、その出力信号に応答してメモリセル内蔵のＬＳＩチップに逆バイアス電圧を印加する逆バイアス電圧発生回路と、
前記メモリセル中の電荷量を検出する電荷量検出器と、
前記電荷量検出器によって検出された電荷量に応じて、前記発振器をＯＮ／ＯＦＦして前記逆バイアス電圧発生回路のＯＮ／ＯＦＦを制御する制御回路とを備えたことを特徴とするＬＳＩチップの電圧発生装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、メモリ内蔵ＬＳＩチップの検査時に、基板に印加する逆バイアス電圧の値を変えることができる回路構成および制御構成に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来のメモリ内蔵ＬＳＩチップにおいて、基板に印加する逆バイアス電圧は発生回路の構成上、一定値であり、ＬＳＩチップを駆動する電圧および内部の回路を構成するトランジスタのしきい値電圧により決定されていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
従来のＬＳＩチップは以上のように構成されていたので、ＬＳＩチップの検査時に使用するテストパターンの量を削減するために、印加する逆バイアス電圧を変更する手法を採ることがあるが、逆バイアス電圧の値をテスト項目毎に変更するためには、ＬＳＩチップに新たな端子を設け、外部より逆バイアス電圧を印加する必要があるという問題点があった。また、メモリセル中の電荷の保持特性を向上させるために、常時一定の逆バイアス電圧を印加しており、消費電力を増加させてしまうという問題点もあった。
【０００４】
この発明は上記のような課題を解決するためになされたものであり、メモリ内蔵ＬＳＩチップの検査時に、基板に印加する逆バイアス電圧の値を可変とすることにより、検査時に使用するテストパターンの量を削減し、検査時に必要な時間を削減すると共に、コストを低減させ、更には逆バイアス電圧発生回路の消費電力を低減することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
この発明に係るＬＳＩチップの電圧発生装置は、発振器を含み、その出力信号に応答してメモリセル内蔵のＬＳＩチップに逆バイアス電圧を印加する逆バイアス電圧発生回路と、メモリセル中の電荷量を検出する電荷量検出器と、電荷量検出器によって検出された電荷量に応じて、発振器のＯＮ／ＯＦＦを制御して逆バイアス電圧発生回路のＯＮ／ＯＦＦを制御する制御回路とを備えたものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１によるＬＳＩチップの電圧発生装置を示す回路図であり、図において、１は命令及び設定値を保持する命令レジスタ、２は命令デコーダ、３は命令に基づいてリレー４のＯＮ／ＯＦＦを制御する制御回路、５は逆バイアス電圧発生回路、６は逆バイアス電圧が印加されるＬＳＩチップ基板であり、本実施形態においては、発生する逆バイアス電圧の値を可変にすることができる制御を構成している。
【００１０】
次に動作について説明する。ＬＳＩチップの外部より、設定電圧を含む電圧設定用のパターンを、元々ＬＳＩチップが持つパット及びピンから入力する。設定パターンにより命令を受けた制御回路３がリレー４のＯＮ／ＯＦＦを制御し、ＬＳＩチップ基板６に印加する逆バイアス電圧を変更する。
【００１１】
以上のように構成することにより、逆バイアス電圧をテスト項目毎に変更することにより、ＬＳＩチップの端子を増やすことなく、テスト項目に応じた逆バイアス電圧の設定が可能となり、効果的なテスト時間短縮が可能となる。
【００１２】
実施の形態２．
図２はこの発明の実施の形態２によるＬＳＩチップの電圧発生装置を示す回路図であり、図において、７は命令及び設定値を記憶するＲＯＭである。尚、その他の構成は実施の形態１の場合と同様であるので説明を省略する。
次に動作について説明する。ＬＳＩチップ外部より、各テスト項目に対して割り当てたコードを入力することにより、ＬＳＩチップ内のＲＯＭに記憶された命令を実行し、制御回路３がリレー４のＯＮ／ＯＦＦを制御し、ＬＳＩチップ基板６に印加する逆バイアス電圧の値を変更する。
以上のように構成することにより、実施の形態１の場合に比べて、外部より入力する設定用パターンの量を減らすことが可能となる。
【００１３】
実施の形態３．
図３はこの発明の実施の形態３によるＬＳＩチップの電圧発生装置を示す回路図であり、図において、８は逆バイアス電圧を発生する発振器、９は発振器８を駆動するドライバ、１０は逆バイアス電圧値を検出する電圧検出器、１１は発振器８のＯＮ／ＯＦＦを制御する制御回路である。
【００１４】
次に動作について説明する。逆バイアス電圧発生回路は、発振器の駆動により電圧を発生する。従って、逆バイアス電圧を印加している際に、発振器８の動作を止めると、逆バイアス電圧発生回路の印加電圧は徐々に０Ｖに近づく。そこで、図３に示す様に、逆バイアス電圧の電圧値を電圧検出器１０により検出し、制御回路１１によって発振器８のＯＮ／ＯＦＦを制御すると、目的の電圧値を得ることができる。
【００１５】
実施の形態４．
図４はこの発明の実施の形態４によるＬＳＩチップの電圧発生装置を示す回路図であり、図において、１２はＬＳＩチップが内蔵するメモリセル、１３はメモリセル１２中の電荷量を検出する電荷量検出器、１４は発振器８のＯＮ／ＯＦＦを制御する制御回路である。
本実施形態においては、電荷量を検出し、逆バイアス電圧の値を変更するものであり、メモリセル１２の電荷量を電荷量検出器１３が検出し、制御回路１４によって発振器８のＯＮ／ＯＦＦを制御し、逆バイアス電圧値を変更する。
【００１６】
図５で示すように、時間と共にメモリセル１２中の電荷がＬＳＩチップ基板６へリークし、メモリセル１２の電荷量が少なくなる。そこで、メモリセル１２中の電荷量に応じて逆バイアス電圧の値を変更し、電荷の基板へのリーク量を抑える。ここで、電荷量が多いときには、逆バイアス電圧を印加しないため、逆バイアス電圧発生回路の消費電力は従来より少なくなる。
以上のように、メモリセル１２の電荷量に応じて逆バイアス電圧の値を変更するため、逆バイアス電圧発生回路の消費電力を少なくすることが可能となる。
【００２０】
【発明の効果】
この発明に係るＬＳＩチップの電圧発生装置によれば、発振器を含み、その出力信号に応答してメモリセル内蔵のＬＳＩチップに逆バイアス電圧を印加する逆バイアス電圧発生回路と、メモリセル中の電荷量を検出する電荷量検出器と、電荷量検出器によって検出された電荷量に応じて、発振器のＯＮ／ＯＦＦを制御して逆バイアス電圧発生回路のＯＮ／ＯＦＦを制御する制御回路とを設けたので、逆バイアス電圧発生回路の消費電力を少なくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  この発明の実施の形態１によるＬＳＩチップの電圧発生装置を示す回路図である。
【図２】  この発明の実施の形態２によるＬＳＩチップの電圧発生装置を示す回路図である。
【図３】  この発明の実施の形態３によるＬＳＩチップの電圧発生装置を示す回路図である。
【図４】  この発明の実施の形態４によるＬＳＩチップの電圧発生装置を示す回路図である。
【図５】  時間とメモリセルの電荷量との関係を示す図である。
【符号の説明】
３，１１，１４  制御回路、４  リレー、５  逆バイアス電圧発生回路、６  ＬＳＩチップ基板、７  ＲＯＭ、８  発振器、１０  電圧検出器、１２  メモリセル、１３  電荷量検出器。
【図１】
0004121684.tif 000002
【図２】
0004121684.tif 000003
【図３】
0004121684.tif 000004
【図４】
0004121684.tif 000005
【図５】
0004121684.tif 000006