(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に支持部材を介して基板から離間してセンサ部を配設したセンサであって、複数のセンサ部が基板から離間してマトリクス状に配設され、センサ部を外部回路に接続する信号処理部を備え、基板は、絶縁性基板であるガラス基板よりなり、センサ部は、赤外線を検出する赤外線検出素子よりなり、信号処理部は、基板の厚み方向においてセンサ部と重なるようにセンサ部上においてセンサ部に密接して形成されてなるアモルファスシリコンを用いた薄膜トランジスタよりなることを特徴とするセンサ。
【請求項２】
赤外線検出素子は、半導体材料を用いたボロメータ形の素子であることを特徴とする請求項１記載のセンサ。
【請求項３】
赤外線検出素子は、アンテナを結合したボロメータ形の素子であることを特徴とする請求項１記載のセンサ。
【請求項４】
支持部材は絶縁膜およびセンサ部と信号処理部とを電気的に接続する金属膜よりなり、センサ部は半導体材料を用いた薄膜サーミスタおよび赤外線吸収膜よりなり、支持部材、センサ部、信号処理部が４５０℃以下の低温製造プロセスによって形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のセンサ。
【請求項５】
支持部材、センサ部、信号処理部は、直径が３００ｍｍのシリコン基板よりも大きな基板に対応できる製造プロセスによって形成されてなることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のセンサ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、センサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、マイクロ加工技術を利用して単結晶シリコン基板上に支持部材を介して単結晶シリコン基板の主表面から離間してセンサ部を配設したセンサが提案されている。この種のセンサとしては、例えば、赤外線エネルギを熱エネルギに変換する赤外線検出素子をセンサ部として備えた赤外線センサなどがある。
【０００３】
ところで、温度分布を検出することができるように多数の赤外線検出素子を２次元配列した赤外線アレイセンサが提案されており、この種の赤外線アレイセンサを用いると温度分布を画像情報と同様に扱うことが可能になる。この種の用途に用いる赤外線検出素子は高集積化する必要があるから、各赤外線検出素子を小型化しなければならない。
【０００４】
また、この種の赤外線アレイセンサでは、センサ部を外部回路に接続する信号処理部を構成するスイッチング素子として消費電力の少ないＣＭＯＳを用いるために、基板として単結晶シリコン基板を用いている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、赤外線検出素子のサイズ（検出面積）が小さくなると、赤外線検出素子への入射エネルギ量が低下し検出感度が低下するという問題が生じる。一方、赤外線検出素子のサイズが大きくなると、一枚のウェハからの収量が少なくなるので、コストが高くなるという問題が生じる。特に、上述の赤外線アレイセンサでは、基板として単結晶シリコン基板を用いており、コストが高いという問題があった。例えば、赤外線検出素子よりなるセンサ部のサイズを５０μｍ×５０μｍとし、センサ部をＶＧＡ（Video  Graphics  Array）の４分の１の画素数である３２０×２４０個並べると、センサ部の占有面積が通常の半導体素子と比較して非常に大きく、コストアップの原因となる。
【０００６】
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、低コスト化が可能なセンサおよびその製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、上記目的を達成するために、基板上に支持部材を介して基板から離間してセンサ部を配設したセンサであって、複数のセンサ部が基板から離間してマトリクス状に配設され、センサ部を外部回路に接続する信号処理部を備え、基板は、絶縁性基板であるガラス基板よりなり、センサ部は、赤外線を検出する赤外線検出素子よりなり、信号処理部は、基板の厚み方向においてセンサ部と重なるようにセンサ部上においてセンサ部に密接して形成されてなるアモルファスシリコンを用いた薄膜トランジスタよりなることを特徴とするものであり、基板として単結晶シリコン基板を用いる場合に比べて、基板のコストを低減でき、センサの低コスト化を図ることができ、しかも、センサのサイズを小型化することができる。また、請求項１の発明は、複数のセンサ部が基板から離間して配設され、各センサ部がそれぞれ赤外線検出素子よりなるので、低コストの赤外線アレイセンサを構成できて赤外線画像を得ることができ、より高度な情報を得ることが可能となる。
【０００８】
また、請求項１の発明は、基板が、ガラス基板よりなるので、基板コストを低減できるとともに、大面積化が容易になり一枚のガラス基板からのセンサの収量を多くすることができてコストを低減でき、また、液晶ディスプレイ装置の製造装置などを用いてセンサの製造が可能となる。
【００１１】
また、請求項１の発明は、信号処理部が、アモルファスシリコンを用いた薄膜トランジスタよりなるので、信号処理部を低温で大面積ガラス基板に形成でき、液晶ディスプレイに用いられる薄膜トランジスタと同様のプロセスで信号処理部を形成することができ、液晶ディスプレイ装置の製造装置を流用することができる。
【００１４】
また、請求項１の発明は、信号処理部が、基板の厚み方向においてセンサ部と重なるようにセンサ部上においてセンサ部に密接して形成されているので、センサ部と信号処理部とを連続的に形成することにより製造プロセスを簡略化することができ、低コスト化を図ることができる。
【００１７】
請求項２の発明は、請求項１の発明において、赤外線検出素子が、半導体材料を利用したボロメータ形の素子なので、赤外線検出素子を半導体製造プロセスを用いて形成することができ、信号処理部の製造プロセスとの整合性もよく、低コスト化を図ることができる。
【００１８】
請求項３の発明は、請求項１の発明において、赤外線検出素子が、アンテナを結合したボロメータ形の素子なので、赤外線検出素子の指向性を高めることが可能となる。
【００２０】
請求項４の発明は、請求項１ないし請求項３の発明において、支持部材は絶縁膜およびセンサ部と信号処理部とを電気的に接続する金属膜よりなり、センサ部は半導体材料を用いた薄膜サーミスタおよび赤外線吸収膜よりなり、支持部材、センサ部、信号処理部が４５０℃以下の低温製造プロセスによって形成されているので、液晶ディスプレイ装置の製造装置を流用するとともにプロセスを利用することができる。
【００２２】
請求項５の発明は、請求項１ないし請求項４の発明において、支持部材、センサ部、信号処理部は、直径が３００ｍｍのシリコン基板よりも大きな基板に対応できる製造プロセスによって形成されているので、液晶ディスプレイの製造装置を流用することができ、設備投資を少なくすることが可能となる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
（参考例１）
本参考例のセンサは、多数の赤外線検出素子を２次元配列した赤外線アレイセンサ（赤外線画像センサ）であって、図１に示すように、薄膜サーミスタ２ａを備えた赤外線検出素子よりなるセンサ部２は、ガラス基板よりなる絶縁性基板１上に形成されたＳｉＮＸ膜よりなる絶縁膜１１上に支持部材４を介して絶縁膜１１から離間して配設されている。また、絶縁性基板１とセンサ部２との間で絶縁性基板１上には薄膜素子であるアモルファスシリコン薄膜トランジスタ（以下、アモルファスシリコンＴＦＴと称す）よりなるスイッチング素子３が形成されている。ここに、スイッチング素子３が信号処理部を構成している。
【００２４】
この赤外線アレイセンサは、図２に示すような回路構成を有する。すなわち、多数の薄膜サーミスタ２ａが２次元配列してマトリクス状に配設され、薄膜サーミスタ２ａは各列ごとに１本のデータ線Ｌ2に一端が接続された各スイッチング素子３に直列接続されている。また、各行ごとにスイッチング素子３の制御電極（後述のゲート電極３１）が一本の制御線Ｌ1に接続されている。また、この赤外線アレイセンサは、制御線Ｌ1を介してスイッチング素子３のゲートに接続されスイッチング素子３をオンオフする制御線駆動回路５と、データ線Ｌ2を介してスイッチング素子３に直列に接続されるデータ線駆動回路６とを備えている。
【００２５】
ところで、本参考例では、各センサ部２、各スイッチング素子３、各支持部材４、制御線駆動回路５、データ線駆動回路６は１枚の絶縁性基板１に対して配設されている。
【００２６】
センサ部２は、薄膜サーミスタ２ａと、薄膜サーミスタ２ａ上に形成された赤外線吸収膜２２とで構成される。ここに、薄膜サーミスタ２ａは、プラズマＣＶＤ法により堆積したアモルファス半導体薄膜よりなるサーミスタ素子と、サーミスタ素子の両端部にそれぞれ形成される電極膜とから構成されているが、サンドイッチ型電極構造であってもよいし、プレーナ型電極構造であってもよい。また、赤外線吸収膜２２はＳｉＯＮ膜よりなり、１０μｍの波長の赤外線を吸収するために設けた膜であり、プラズマＣＶＤ法により堆積している。なお、センサ部２は、スイッチング素子３を形成した絶縁性基板１上に例えばポリイミド膜よりなる犠牲層を形成した後に、犠牲層上に支持部材４を形成し、支持部材４上にセンサ部２を形成した後に犠牲層をエッチング除去することにより支持部材４によって支持される。また、赤外線検出素子よりなるセンサ部２は、赤外線吸収膜２２により赤外線を吸収して薄膜サーミスタ２ａの抵抗値変化により赤外線を吸収するボロメータ形の素子である。
【００２７】
なお、センサ部２としては、マイクロマシンニング技術を用いて作製した赤外線の波長に合わせたアンテナで赤外線を吸収しアンテナに接続された薄膜サーミスタに電流を流してジュール熱を発生させ、薄膜サーミスタの抵抗値変化により赤外線を検出する素子、つまり、アンテナを結合したボロメータ形の素子を用いてもよい。
【００２８】
支持部材４は、プラズマＣＶＤ法により積層されたＳｉＯX膜、ＳｉＮX膜と、電子ビーム蒸着により蒸着したメタル配線とで構成され、図３に示す形状に形成されている。ここに、メタル配線は、薄膜サーミスタ２ａをスイッチング素子３とアースとの間に挿入するために設けられる。
【００２９】
スイッチング素子３は、いわゆる逆スタガ型のアモルファスシリコンＴＦＴ（ａ−Ｓｉ  ＴＦＴ）であって、絶縁性基板１上に形成されたタンタル（Ｔａ）膜よりなるゲート電極３１と、ゲート電極３１上に形成されたＳｉＮXよりなるゲート絶縁膜３２と、ゲート絶縁膜３２上に形成された水素化アモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉ：Ｈと称す）よりなる半導体薄膜（チャネル層）３３と、半導体薄膜３３上に形成されたＳｉＮX膜よりなるチャネル保護膜３４と、半導体薄膜３３上でチャネル保護膜３４の両側に形成された一対のオーミックコンタクト層３８，３９と、一方のオーミックコンタクト層３８上に形成されたドレイン電極３５と、他方のオーミックコンタクト層３９上に形成されたソース電極３６と、ドレイン電極３５，ソース電極，チャネル保護膜３４を覆うように形成されたパッシベーション膜３７とを備えている。なお、図１中の１２はＳｉＯX膜またはＳｉＮX膜よりなる絶縁膜である。
【００３０】
スイッチング素子３は、ゲート電極３１が制御線Ｌ1に接続されるとともに、ドレイン電極３５がデータ線Ｌ2に接続され、ソース電極３６が支持部材４の一方の支持部４ｂの一部を構成するメタル配線により薄膜サーミスタ２ａの一方の電極膜に接続され、一方、薄膜サーミスタ２ａの他方の電極膜は支持部材４の他方の支持部４ａの一部を構成するメタル配線により接地される。
【００３１】
なお、スイッチング素子３は、絶縁性基板１上にタンタル膜を蒸着してパターニングすることによりゲート電極３１を形成し、ＳｉＮX膜よりなるゲート絶縁膜３２、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜、ＳｉＮXをプラズマＣＶＤ法により連続的に堆積した後にパターニングすることによってａ−Ｓｉ：Ｈ膜よりなる半導体薄膜３３およびＳｉＮXよりなるチャネル保護膜３４を形成し、ｎ+ａ−Ｓｉ：Ｈ膜を堆積した後にパターニングすることによりｎ+ａ−Ｓｉ：Ｈ膜よりなるオーミックコンタクト層３８，３９を形成し、アルミニウムを蒸着した後にパターニングすることによりドレイン電極３５およびソース電極３６を形成し、ＳｉＯ2またはＳｉＮX膜をプラズマＣＶＤ法により堆積させた後にパターニングすることによってパッシベーション膜３７を形成することにより、製造される。しかして、信号処理部たるスイッチング素子３は、ガラス基板よりなる絶縁性基板１上に形成され、膜形成をプラズマＣＶＤ法および蒸着法により行っているので、６００℃以下の低温プロセスで作製することができるのである。
【００３２】
また、本参考例では、信号処理部たるスイッチング素子３をアモルファスシリコンＴＦＴで構成することで、基板としてガラス基板などの安価で大面積の絶縁性基板１を用いることができ、しかも１枚の基板からの収量を直径が３００ｍｍのシリコンウェハからの収量に比べて多くすることが可能なので、低コスト化を実現することができる。
【００３３】
なお、プラズマＣＶＤ法によるａ−Ｓｉ：Ｈ膜の堆積条件の一例としては、基板温度を２７０℃、放電圧力を０．９Ｔｏｒｒ、放電電力を１００Ｗ、ＳｉＨ4ガスの流量を５０ｓｃｃｍ、ＣＨ4ガスの流量を１７０ｓｃｃｍ、Ｂ2Ｈ6ガスの流量を１ｓｃｃｍ、Ｈ2ガスの流量を２４９ｓｃｃｍとした。
【００３４】
ところで、制御線駆動回路５、データ線駆動回路６のような周辺回路を構成するＴＦＴには高い駆動能力と安定性が必須なので、アモルファスシリコンＴＦＴに比べて移動度が高く駆動速度の速い多結晶シリコン薄膜トランジスタを用いて構成している。ここに、多結晶シリコン薄膜トランジスタのチャネル層となる多結晶シリコン薄膜は、いわゆる触媒ＣＶＤ法により堆積したアモルファスシリコン薄膜をレーザーアニールにより結晶化することにより形成している。ところで、多結晶シリコン薄膜を触媒ＣＶＤ法を利用して形成するのは、アモルファスシリコン薄膜としては膜中に水素を含む方が膜質は良好であるが、結晶化する際にこの水素が突沸を起こすなどの問題があるので、結晶化するためには水素は少ない方がよく、一般に触媒ＣＶＤ法で堆積したアモルファスシリコン薄膜はプラズマＣＶＤ法で堆積したアモルファスシリコン薄膜に比べて膜中の水素の量が少ないからである。ここに、触媒ＣＶＤ法とは、試料基板の近傍に置かれた加熱触媒体と原料ガスとの接触分解反応を利用することで、プラズマを用いずに基板温度を３００℃前後の低温として成膜ができる薄膜堆積法である。
【００３５】
本参考例では、触媒ＣＶＤ法によるアモルファスシリコン膜の堆積条件の一例としては、触媒材料をタングステン、触媒温度を１８００℃、基板温度を３００℃、反応圧力を０．００５Ｔｏｒｒ、ＳｉＨ４ガスの流量を１．５ｓｃｃｍ、Ｈ２ガスの流量を２０ｓｃｃｍとした。しかして、本参考例では、赤外線アレイセンサを６００℃よりも更に低温である４５０℃以下の低温プロセスで製造することが可能となり、無アルカリガラスや低アルカリガラスといった安価で大面積化可能な基板を用いることができ、また樹脂基板のような安価な基板を用いることができる。
【００３６】
なお、本参考例では、信号処理部たるスイッチング素子３をアモルファスシリコンＴＦＴにより構成しているが、スイッチング素子３を多結晶シリコンＴＦＴにより構成すれば、制御線駆動回路５およびデータ線駆動回路６などの周辺回路を構成する多結晶シリコンＴＦＴと同じ製造プロセスで同時に形成することができるので、さらなる低コスト化が可能となる。
【００３７】
ところで、図２の回路構成に類似の回路構成を有する液晶ディスプレイ装置は、マトリクス状に配列された液晶素子に順次電圧を印加するものであるが、近年、液晶表示装置におけるスイッチング素子および駆動回路には薄膜トランジスタが用いられている。ここに、液晶ディスプレイ装置における薄膜トランジスタは大面積の透明基板上に形成されるのが一般的であり、現在は、例えば５５ｃｍ×４５ｃｍ程度のガラス基板が用いられており、基板面積はさらに大面積化（１００ｃｍ×１００ｃｍ）の傾向にある。つまり、液晶ディスプレイ装置では、直径が３００ｍｍのシリコン基板よりも大きなガラス基板（透明基板）に対応できる製造プロセスによって形成されている。一方、本参考例のセンサは、４５０℃以下の低温プロセスで大面積基板に対応できるプラズマＣＶＤ法などにより製造できるので、液晶ディスプレイ装置の製造装置を利用することができ、設備投資を少なくすることが可能となり、製造コストを低減することができる。
【００３８】
（参考例２）
本参考例のセンサの基本構成は、参考例１とほぼ同じであって、図４に示すように、信号処理部たるスイッチング素子３がセンサ部２との位置をずらしてある点に特徴がある。なお、参考例１と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００３９】
参考例１では、絶縁性基板１とセンサ部２との間で絶縁性基板１上にスイッチング素子３を形成していたので、赤外線アレイセンサのサイズを小型化することができるが、絶縁性基板１、スイッチング素子３、センサ部２を順次形成する必要がある。
【００４０】
これに対し、本参考例では、スイッチング素子３とセンサ部２との位置をずらしてあるので、スイッチング素子３とセンサ部２とで同じ材料よりなる膜を一括して同時に形成することが可能となり、工程数の削減化を図ることができ、低コスト化を図ることができる。
【００４１】
（実施形態）
本実施形態の基本構成は、参考例１とほぼ同じであって、図５に示すように、信号処理部たるスイッチング素子３がセンサ部２に密接して配設されている点に特徴がある。なお、参考例１と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００４２】
本実施形態においては、センサ部２、スイッチング素子３を連続的に形成することができるので、製造プロセスを簡略化することが可能となり、低コスト化を図ることができる。なお、本実施形態では、支持部材４の一方の支持部４ｂに、該支持部４ｂの一部を構成するメタル配線として、参考例１で説明した制御線Ｌ１（図２参照）に接続されるメタル配線と、データ線Ｌ２（図２参照）接続されるメタル配線とを備えている。
【００４３】
（参考例３）
本参考例の基本構成は参考例１とほぼ同じであり、信号処理部たるスイッチング素子３として、アモルファスシリコンＴＦＴを用いる替りに、図６および図７に示すように、ＭＩＭ（Metal  Insulator  Metal）ダイオードを用いる点が相違する。なお、参考例１と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。本参考例では、ＭＩＭダイオードよりなるスイッチング素子３は、タンタル（Ｔａ）膜１３１、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）膜１３２、クロム（Ｃｒ）膜１３３が積層された３層構造であり、クロム膜１３３が制御線Ｌ１に接続され、タンタル膜１３１がデータ線Ｌ２に接続される。スイッチング素子３としてＭＩＭダイオードを用いることにより、アモルファスシリコンＴＦＴを用いた場合に比べてスイッチング速度は遅くなるが、素子の構造が２端子構造であり、ＴＦＴに比べて構造が簡単になるとともに、製造プロセスが簡単になり、製造コストを低減することができる。なお、タンタル膜１３１，クロム膜１３３の形成はスパッタ蒸着により行い、フォトリソグラフィ技術を利用してパターニングし、酸化タンタル膜１３２はタンタル膜１３１の表面を陽極酸化して得られる。なお、上記参考例および実施形態におけるスイッチング素子３の替りにＭＩＭダイオードを用いることも考えられる。
【００４４】
ところで、上記実施形態および上記各参考例では、絶縁性基板１またはセンサ部２のいずれかの一部に信号処理部たるスイッチング素子３を形成しているが、スイッチング素子３を支持部材４に形成することも考えられる。要するに、スイッチング素子３を、絶縁性基板１とセンサ部２と支持部材４との少なくとも一部に形成される薄膜素子とすることも考えられる。
【００４５】
また、上記実施形態および上記各参考例では、絶縁性基板１としてガラス基板のような平板状の基板を利用しているが、絶縁性基板１として樹脂フィルムを用い、絶縁性基板１を図８に示すように円筒状に湾曲させることも考えられる。この場合には、樹脂フィルムよりなる絶縁性基板１に上述のセンサ部（図示せず）、信号処理部（図示せず）、支持部材（図示せず）を配設した後に樹脂フィルムを湾曲させるようにすればよい。また、絶縁性基板１を図９に示すようにレンズ状に加工して該レンズ状の絶縁性基板１に信号処理部たるスイッチング素子３、センサ部（図示せず）、支持部材（図示せず）を配設するようにしてもよい。
【００４６】
なお、樹脂フィルムは、耐熱フィルムであればよく、例えば、カプトンフィルム、耐熱プラスチックを用いることにより、基板コストを低減することができる。
また、絶縁性基板１として樹脂フィルムを用いる場合には、樹脂フィルムを基板として太陽電池を製造する太陽電池用の製造装置を用いてセンサの製造が可能となる。また、絶縁性基板１をレンズ状に加工したものでは、赤外線アレイセンサ自身がレンズ機能を有するので、従来必要であったレンズが不要となる。
【００４７】
【発明の効果】
請求項１の発明は、基板上に支持部材を介して基板から離間してセンサ部を配設したセンサであって、複数のセンサ部が基板から離間してマトリクス状に配設され、センサ部を外部回路に接続する信号処理部を備え、基板は、絶縁性基板であるガラス基板よりなり、センサ部は、赤外線を検出する赤外線検出素子よりなり、信号処理部は、基板の厚み方向においてセンサ部と重なるようにセンサ部上においてセンサ部に密接して形成されてなるアモルファスシリコンを用いた薄膜トランジスタよりなるものであり、基板として単結晶シリコン基板を用いる場合に比べて、基板のコストを低減でき、センサの低コスト化を図ることができ、しかも、センサのサイズを小型化することができるという効果がある。また、請求項１の発明は、複数のセンサ部が基板から離間して配設され、各センサ部がそれぞれ赤外線検出素子よりなるので、低コストの赤外線アレイセンサを構成できて赤外線画像を得ることができ、より高度な情報を得ることが可能となるという効果がある。
【００４８】
また、請求項１の発明は、基板が、ガラス基板よりなるので、基板コストを低減できるとともに、大面積化が容易になり一枚のガラス基板からのセンサの収量を多くすることができてコストを低減でき、また、液晶ディスプレイ装置の製造装置などを用いてセンサの製造が可能となるという効果がある。
【００５１】
また、請求項１の発明は、信号処理部が、アモルファスシリコンを用いた薄膜トランジスタよりなるので、信号処理部を低温で大面積ガラス基板に形成でき、液晶ディスプレイに用いられる薄膜トランジスタと同様のプロセスで信号処理部を形成することができ、液晶ディスプレイ装置の製造装置を流用することができるという効果がある。
【００５４】
また、請求項１の発明は、信号処理部が、基板の厚み方向においてセンサ部と重なるようにセンサ部上においてセンサ部に密接して形成されているので、センサ部と信号処理部とを連続的に形成することにより製造プロセスを簡略化することができ、低コスト化を図ることができるという効果がある。
【００５７】
請求項２の発明は、請求項１の発明において、赤外線検出素子が、半導体材料を利用したボロメータ形の素子なので、赤外線検出素子を半導体製造プロセスを用いて形成することができ、信号処理部の製造プロセスとの整合性もよく、低コスト化を図ることができるという効果がある。
【００５８】
請求項３の発明は、請求項１の発明において、赤外線検出素子が、アンテナを結合したボロメータ形の素子なので、赤外線検出素子の指向性を高めることが可能となるという効果がある。
【００６０】
請求項４の発明は、請求項１ないし請求項３の発明において、支持部材は絶縁膜およびセンサ部と信号処理部とを電気的に接続する金属膜よりなり、センサ部は半導体材料を用いた薄膜サーミスタおよび赤外線吸収膜よりなり、支持部材、センサ部、信号処理部が４５０℃以下の低温製造プロセスによって形成されているので、液晶ディスプレイ装置の製造装置を流用するとともにプロセスを利用することができるという効果がある。
【００６２】
請求項５の発明は、請求項１ないし請求項４の発明において、支持部材、センサ部、信号処理部は、直径が３００ｍｍのシリコン基板よりも大きな基板に対応できる製造プロセスによって形成されているので、液晶ディスプレイの製造装置を流用することができ、設備投資を少なくすることが可能となるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】  参考例１を示す要部概略構成図である。
【図２】  同上の回路構成図である。
【図３】  同上の要部概略斜視図である。
【図４】  参考例２を示す要部概略構成図である。
【図５】  実施形態を示す要部概略構成図である。
【図６】  参考例３を示す要部断面図である。
【図７】  同上の要部回路図である。
【図８】  本発明の他の構成例の要部説明図である。
【図９】  本発明の別の構成例の要部説明図である。
【符号の説明】
１  絶縁性基板
２  センサ部
２ａ  薄膜サーミスタ
３  スイッチング素子
４  支持部材
４ａ  支持部
４ｂ  支持部
３１  ゲート電極
３２  ゲート絶縁膜
３３  半導体薄膜
３５  ドレイン電極
３６  ソース電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0004089033.tif 000008
【図８】
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【図９】
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