(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）
［Ｍ（Ｌ1)(Ｌ2p)m（Ｌ3q）n] abs(A-n)Ｙ （１）
（ただし式中、Ｍはロジウム、イリジウムおよびルテニウムから選ばれる貴金属原子を表し、Ｌ1は一般式（２）
【化１】
0004162441.tif 000018
（ただし式中、Ｒ1 、Ｒ2 は互いに独立に水素原子または炭素数１ないし１０の炭化水素基を表す。）
または一般式（３）
【化２】
0004162441.tif 000019
（ただし式中、Ｒ1 、Ｒ2 は前記定義に同じ。）
で示されるジホスフィン型２座配位子を表す。Ｌ2 は中性配位子を表し、ｐは中性配位子の配位座数を表し、ｍは中性配位子の配位子数を表す。Ｌ3はアニオン性配位子を表し、ｑはアニオン性配位子の配位座数を表し、ｎはアニオン性配位子の配位子数を表す。
式中、Ｍがロジウムまたはイリジウムのとき、ｍ×ｐ＋ｎ×ｑ＝２であり、Ａ＝１である。
式中、Ｍがルテニウムのとき、ｍ×ｐ＋ｎ×ｑ＝４であり、Ａ＝２である。
式中、ａｂｓ（Ａ−ｎ）はＡ−ｎの絶対値を示す。このとき、Ａ−ｎが０より大きいときはＹは貴金属錯体の電荷に対するカウンターアニオンである。また、Ａ−ｎが０のときＹは必要とせず、Ａ−ｎが０より小さい場合Ｙは貴金属イオンの電荷に対するカウンターカチオンである。）
で示される貴金属−ホスフィン錯体。
【請求項２】
前記一般式（１）において、Ｌ2 が、アミン、ホスフィン、モノオレフィンの単座配位子またはジホスフィン（前記一般式（２）または（３）のジホスフィンを含む）、ジオレフィン等の２座配位子から選ばれ、Ｌ3がアセチルカルボキシレート、メタクリレート等のカルボキシレートまたはハロゲン類であることを特徴とする請求項１に記載の貴金属−ホスフィン錯体。
【請求項３】
前記一般式（１）のＹにおいて、カウンターアニオンがＢＦ4-、ＰＦ6-、Ｃｌ-、ＣｌＯ4-およびＢＰｈ-4から選ばれ、カウンターカチオンがＮａ+またはＫ+であることを特徴とする請求項１または２に記載の貴金属−ホスフィン錯体。
【請求項４】
前記一般式（２）または一般式（３）のＲ1 またはＲ2 の炭化水素基が、低級アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または置換基を有してもよいベンジル基を表すことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の貴金属−ホスフィン錯体。
【請求項５】
前記一般式（１）で表される貴金属−ホスフィン錯体が、化学式（４）又は化学式（２１）
【化３】
0004162441.tif 000020
で表される化合物であることを特徴とする請求項１に記載の貴金属−ホスフィン錯体。
【請求項６】
前記請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の貴金属−ホスフィン錯体を含むことを特徴とする不斉還元用触媒。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、各種有機合成ならびに不斉合成、すなわち不斉水素化反応、不斉還元反応、不斉異性化などに工業的触媒として用いられる新規貴金属−ホスフィン錯体および不斉還元用触媒に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、多くの遷移金属錯体が有機合成反応の触媒として使用されている。特に貴金属錯体は高価であるが、安定で取り扱いが容易であるため、これを触媒として使用する多くの合成研究がなされており、特に不斉合成すなわち不斉水素化反応などに用いられる不斉触媒について多くの報告がなされている。
【０００３】
一般的にニッケル、パラジウム、ロジウム、ルテニウムなどの金属錯体に、光学活性な配位子として第３級ホスフィンを供与したものがよい結果を与えており、たとえば不斉水素化触媒として、特開昭５５−６１９３７号公報には、キラルなホスフィンをロジウムに配位させたロジウム−ホスフィン錯体およびそれを用いた選択還元の技術が開示されており、特開昭６４−６８３８７号公報には、キラルなホスフィンをルテニウムに配位させたルテニウム−ホスフィン錯体およびそれを用いた選択還元の技術が開示されている。
【０００４】
しかしながら、本発明者らの検討によれば、これらに開示されたホスフィン錯体を用いても、単純ケトンの不斉還元においては、わずかの光学収率を得るのみであった。したがって、単純ケトンの不斉還元触媒としては不十分であり、改善が求められていた。
【０００５】
また、特開平９−１９４４８０号公報には、ロジウム−ホスフィン錯体による単純ケトンの一種である３−キヌクリジノンの還元例が開示されている。しかしながら同技術開示においても３−キヌクリジノンを特定の誘導体に転換しない場合には、開示技術を用いても、その光学収率が１％以下しか得られず、また３−キヌクリジノンを特定の誘導体に転換した場合にも、煩雑な製造工程が必要とされており、簡便でしかも単純ケトンの不斉還元に関して高性能な触媒の開発が求められていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明が解決しようとする課題は、単純ケトン類においても煩雑な製造工程せず高選択率で選択還元可能な新規貴金属−ホスフィン錯体を提供することである。
【０００７】
【発明を解決するための手段】
本発明者らは、選択還元触媒に関して鋭意検討を重ねた結果、特定の構造を有する貴金属−ホスフィン錯体が還元触媒として優れていることを見出した。特に３−キヌクリジノンをはじめとする単純ケトンの不斉還元においても、高い不斉収率が得られることを見出した。
【０００８】
すなわち、上記課題を解決するための第１の発明は、一般式（１）
［Ｍ（Ｌ1）（Ｌ2p）m（Ｌ3q）n］abs(A-n)Ｙ            （１）
（ただし式中、Ｍはロジウム、イリジウム、ルテニウムから選ばれる貴金属原子を表し、Ｌ1 は一般式（２）
【０００９】
【化４】
0004162441.tif 000002
【００１０】
（ただし式中、Ｒ1 、Ｒ2 は互いに独立に水素原子または炭素数１ないし１０の炭化水素基を表す。）
または一般式（３）
【００１１】
【化５】
0004162441.tif 000003
【００１２】
（ただし式中、Ｒ1 、Ｒ2 は前記定義に同じ。）
【００１３】
で示されるジホスフィン型２座配位子を表す。Ｌ2は中性配位子を表し、ｐは中性配位子の配位座数を表し、ｍは中性配位子の配位子数を表す。Ｌ3はアニオン性配位子を表し、ｑはアニオン性配位子の配位座数を表し、ｎはアニオン性配位子の配位子数を表す。
【００１４】
式中、Ｍがロジウムまたはイリジウムのとき、ｍ×ｐ＋ｎ×ｑ＝２であり、Ａ＝１である。
【００１５】
式中、Ｍがルテニウムのとき、ｍ×ｐ＋ｎ×ｑ＝４であり、Ａ＝２である。
式中、abs（Ａ−ｎ）はＡ−ｎの絶対値を示す。このとき、Ａ−ｎが０より大きいときはＹは貴金属錯体の電荷に対するカウンターアニオンである。また、
Ａ−ｎが０のときＹは必要とせず、Ａ−ｎが０より小さい場合Ｙは貴金属イオンの電荷に対するカウンターカチオンである。）
で示される貴金属−ホスフィン錯体に関するものである。
【００１６】
上記課題を解決するための第２の発明は、上記第１の発明であって、前記一般式（１）において、Ｌ2が、アミン、ホスフィン、モノオレフィンの単座配位子またはジホスフィン（前記一般式（２）または（３）のジホスフィンを含む）、ジオレフィン等の２座配位子から選ばれ、Ｌ3がアセチルカルボキシレート、メタクリレート等のカルボキシレートまたはハロゲン類であることを特徴とするものである。
【００１７】
上記課題を解決するための第３の発明は、前記一般式（１）のＹにおいて、カウンターアニオンがＢＦ4-、ＰＦ6-、Ｃｌ-、ＣｌＯ4-およびＢＰｈ-4から選ばれ、カウンターカチオンがＮａ+またはＫ+であることを特徴とするものである。
【００１８】
上記課題を解決するための第４の発明は、上記第１ないし第３の発明であって、前記一般式（２）または一般式（３）のＲ1またはＲ2の炭化水素基が、低級アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または置換基を有してもよいベンジル基を表すことを特徴とするものである。
【００１９】
上記課題を解決するための第５の発明は、上記第１の発明であって、前記一般式（１）で表される貴金属−ホスフィン錯体が、化学式（４）又は（２１）
【００２０】
【化６】
0004162441.tif 000004
【００２１】
で表される化合物であることを特徴とするものである。
【００２２】
上記課題を解決するための第６の発明は、上記第１ないし第５の発明の貴金属−ホスフィン錯体を含むことを特徴とする不斉還元用触媒に関するものである。
【００２３】
【発明実施の形態】
本発明の新規貴金属−ホスフィン錯体は前記一般式（１）で表される化合物であるが、中心金属の選択により４座配位または６座配位をとり得る。中心金属がロジウムまたはイリジウムの場合は４座配位型であり、前記一般式（１）の貴金属−ホスフィン錯体は、配位子がすべて電荷を持たないとき、以下の一般式（５）または一般式（６）で表される。
【００２４】
【化７】
0004162441.tif 000005
【００２５】
【化８】
0004162441.tif 000006
【００２６】
式中、Ｍはロジウムもしくはイリジウムを表わす。
【００２７】
式中、Ｒ1 、Ｒ2 は各々独立に水素原子または炭素数１〜１０の炭化水素基を示すが、より好ましくは触媒の溶解性の理由により水素またはメチル基，エチル基，プロピル基，ブチル基の低級アルキル基、或いはシクロヘキシル基の様なシクロアルキル基、フェニル基等のアリール基または置換基を有してもよいベンジル基がより好ましい。
【００２８】
一部のＲ1 およびＲ2 が水素又は炭素数１０以下の炭化水素であれば、異なっても良いが、製造法上Ｒ1 グループとＲ2 グループはそれぞれ同一である場合がより好ましい。
【００２９】
式中、配位子１および配位子２は、配位子が有する非共有電子対を中心金属と共有する形で配位する単座配位子であっても、配位子１および配位子２がひとつの分子を形成し座数が２である２座配位子であってもよく、配位子自体が配位する際、負電荷を有するアニオン性配位子であってもよい。
【００３０】
単座配位子としては、例えばアミン、ホスフィンが挙げられる。
【００３１】
また２座配位子として、配位子が所有するπ電子を共有する形で配位するオレフィン、ジオレフィン類であってもよい。非共有電子対による配位配位子と同様に配位子１および配位子２は、別々の分子から提供されても良く、単一分子中の２つの２重結合で配位しても良い。別々の分子が２分子配位する場合の好適例は、エチレンであり、一分子中の２つの二重結合が配位する場合の好適例は、１，３−ブタジエン、ノルボルナジエン、１，５−シクロオクタジエンを挙げることができる。
【００３２】
式中Ｙは、本発明錯体のカウンターイオンである。配位子の所有する電荷と錯体への配位子数により金属錯体がカチオン性になればカウンターアニオンであり、金属錯体がアニオン性になればカチオンカウンターとなる。錯体に対するカウンターイオンの付加数（前記一般式（１）でのＡ−ｎ）は錯体の電荷数の絶対値により変化する。
【００３３】
カウンターアニオンとしては、例えばＢＦ-4、ＰＦ-6、Ｃｌ-、ＣｌＯ-4およびＢＰｈ-4を挙げることができ、より好ましくは取扱の点で、Ｃｌ-およびＢＦ-4が望ましい。
【００３４】
カウンターカチオンとしては、例えばＮａ+またはＫ+が挙げられる。
【００３５】
中心金属がルテニウムの場合６座配位型であるから、前記一般式（１）の貴金属−ホスフィン錯体は、配位子がすべて電荷を持たないとき、下記一般式（７）または一般式（８）で示される。
【００３６】
【化９】
0004162441.tif 000007
【００３７】
【化１０】
0004162441.tif 000008
【００３８】
（但し、式中Ｍは、ルテニウムを示し、Ｒ1 、Ｒ2 およびＹの詳細は前述と同じ）
配位子３および配位子４は、前述の配位子１および配位子２と同等なものである。
【００３９】
本発明の新規貴金属−ホスフィン錯体の具体例として、下記化学式（４）に示すように、一般式（１）における中心貴金属がロジウムであり、一般式（２）のジホスフィン配位子を有し、Ｒ1 をメチル基、Ｒ2 をフェニル基、配位子１および配位子２が、１，５−シクロオクタジエン、ＹがＢＦ4-である化合物を挙げることができる。
【００４０】
【化１１】
0004162441.tif 000009
【００４１】
一般式（１）で示される新規な貴金属−ホスフィン錯体は、公知の方法を用いて以下の方法で製造することができる。
【００４２】
ジホスフィン配位子の製法
ジホスフィン配位子は、イノシトール類を出発物質として数段階の化学反応を行うことにより得る事ができる。前記一般式（２）のジホスフィンは、２−Ｏ−メチル−Ｄ−chiro−イノシトール或いはＤ−chiro−イノシトールを用いて製造できる。また前記一般式（３）のジホスフィンは、出発物質を２−Ｏ−メチル−Ｌ−chiro−イノシトール或いはＬ−chiro−イノシトールとすることで、同様の製造工程で製造することができる。
【００４３】
以下に一般式（２）のジホスフィンの製造方法を２−Ｏ−メチル−Ｄ−chiro−イノシトールを出発物質として詳細に説明する。
【００４４】
【化１２】
0004162441.tif 000010
【００４５】
出発原料である化学式（９）で示される２−Ｏ−メチル−Ｄ−chiro−イノシトールを、例えば塩酸、硫酸、硝酸、沃化水素酸のような強酸の水溶液中で脱メチルし、冷却後、例えばメタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノールのようなアルコール系溶媒を用いて晶析することによって化学式（１０）で示されるＤ−chiro−イノシトールを得る。
【００４６】
次に化学式（１０）で示されるＤ−chiro−イノシトールを例えばｐ−トルエンスルホン酸のような酸触媒の存在下に例えばメタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、アセトンのような単一、もしくは２種類以上の有機溶媒中で、２，２' −ジメトキシプロパンと反応させ、酸触媒を例えば苛性ソーダ、苛性カリ、トリエチルアミンのようなアルカリで中和し、生成した塩を濾別後、溶媒を留去することによって化学式（１１）の化合物を得ることができる。
【００４７】
【化１３】
0004162441.tif 000011
【００４８】
次に化学式（１１）の化合物を例えば塩酸、硫酸、硝酸、酢酸のような酸の水溶液中で加熱せしめ、その後例えばトルエン、ヘキサン、塩化メチレン、クロロホルムのような有機溶媒を用いて結晶化させることにより化学式（１２）の化合物を得ることができる。
【００４９】
この時、イノシトール平面に対してトランス状に保護を掛けていた２−２’−ジメトキシプロパンのみを脱プロテクトさせる。
【００５０】
次に化学式（１２）の化合物を例えばメタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール 、トルエン、ＴＨＦ、ＤＭＦ、ＤＭＳＯ、ＤＭＩのような有機溶媒中で、例えばナトリウムアルコキシド、ナトリウムハイドライドのような縮合剤の存在下、脱離可能な例えばハロゲン化ベンジルを反応させ、溶媒を留去させることによって、化学式（１３）の化合物を得る。
【００５１】
【化１４】
0004162441.tif 000012
【００５２】
次に、化学式（１３）の化合物を例えば塩酸、硫酸、硝酸、酢酸、トリフルオロ酢酸のような酸の水溶液と反応せしめ、溶媒を留去することに化学式（１４）の化合物を得ることができる。
【００５３】
次に化学式（１４）の化合物を例えばメタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、トルエン、ＴＨＦ、ＤＭＦ、ＤＭＳＯ、ＤＭＩのような有機溶媒中で、例えばナトリウムアルコキシド、ナトリウムハイドライドのような縮合剤の存在下、下記一般式（１６）で示されるハロゲン化アルキルを反応させ、例えばメタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノールのようなアルコール溶媒でクエンチし、溶媒を留去することによって一般式（１５）の化合物を得ることができる。尚、一般式（２）或いは一般式（５）或は一般式（７）においてＲ1 が水素原子であるジホスフィン配位子を合成する場合は、一般式（１５）への変換は行わない。
【００５４】
Ｒ1 −Ｘ （１６）
（Ｒ1 は炭素数１〜１０の炭化水素基を表す。）
【００５５】
【化１５】
0004162441.tif 000013
【００５６】
次に一般式（１５）の化合物をメタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、トルエン、ＴＨＦ、ＤＭＦ、ＤＭＳＯ、ＤＭＩのような有機溶媒中、またはこれらに塩酸、硫酸、硝酸、酢酸、トリフルオロ酢酸のような酸を添加した溶液中で、例えばパラジウム炭素、パラジウムアルミナ、白金炭素、酸化白金のような還元触媒の存在下、常圧〜１０ＭＰａの水素圧下、０〜１５０℃の反応温度にて水素化反応を行い、触媒を濾別後、溶媒を留去することにより一般式（１７）の化合物を得ることができる。
【００５７】
次に一般式（１７）の化合物をメタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、トルエン、ＴＨＦ、ＤＭＦ、ＤＭＳＯ、ＤＭＩのような有機溶媒中、一般式（１９）の化合物で示されるハロゲン化ジアルキルホスフィンを反応させ、反応後溶媒を留去することにより、一般式（１８）の化合物のジホスフィン型配位子を得ることができる。
【００５８】
【化１６】
0004162441.tif 000014
【００５９】
（但し式中Ｒ2 は互いに独立に水素または炭素数１〜１０の炭化水素基を表し、Ｘはハロゲン、より好ましくは塩素、臭素、沃素を表す。］
【００６０】
また、一般式（３）で示されるジホスフィン配位子に関しては、前述の製造方法において、出発物質を２−Ｏ−メチル−Ｌ−chiro−イノシトール或いはＬ−chiro−イノシトールに変更することにより、同様の方法で一般式（２０）のジホスフィン配位子を得ることができる。
【００６１】
【化１７】
0004162441.tif 000015
【００６２】
（式中、Ｒ1 およびＲ2 は各々独立に水素原子または炭素数１〜１０の炭化水素基を示す）
【００６３】
錯体の製法
前述の方法で得られた一般式（１８）のジホスフィン型配位子を用いることにより一般式（５）または一般式（７）で示される新規貴金属−ホスフィン錯体が合成され、一般式（２０）のジホスフィン型配位子を用いることにより一般式（６）または一般式（８）で示される新規貴金属−ホスフィン錯体が公知の方法で合成される。
【００６４】
以下に一般式（５）の貴金属−ホスフィン錯体の製造方法に関して、配位子１および配位子２がオレフィンである場合の製造方法に関して詳細に述べる。
【００６５】
例えば中心金属がロジウムの場合一般式（１８）のジホスフィン配位子をメタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、トルエン、ＴＨＦ、ＤＭＳＯ、ＤＭＩのような有機溶媒中、公知の方法で選得られるロジウム−オレフィン配位錯体に不活性雰囲気中に反応させた後、必要に応じてカウンターイオンにより錯塩を作り、本発明の新規ロジウム−ホスフィン錯体を合成する。
【００６６】
この時、貴金属−オレフィン錯体の中心金属モル数に対して一般式（１８）のジホスフィン配位子の添加量はホスフィンの一部が酸化を受ける場合があるので１．０〜１．２倍モル、より好ましくは１．０５〜１．１倍モル使用することが望ましい。
【００６７】
本発明に用いられるロジウム−オレフィン配位錯体としては、一般式（５）および一般式（６）のオレフィン配位子の選択よって種々取り扱う事が可能であるが、入手の容易性より、１，５−シクロオクタジエンのロジウム錯体である［Ｒｈ（ＣＯＤ）Ｃｌ］2 （式中ＣＯＤは１，５−シクロオクタジエンを示す）やノルボルナジエンのロジウム錯体である［Ｒｈ（ＮＢＤ）Ｃｌ］2 （式中ＮＢＤは２，５−ノルボルナジエンを示す）が特に好ましい。
【００６８】
錯塩化の工程においては例えば４−フルオロホウ酸銀と反応させて、ＢＦ4-塩とするのが、取り扱いの面で特に好ましい。
【００６９】
配位子１および配位子２がアミン、ジアミン等の求核性がオレフィンに比較して強い配位子の新規貴金属−ホスフィン錯体の調製は、前述の配位子１および配位子２がオレフィンである新規貴金属−ホスフィン錯体を調製後、導入したい配位子を反応させることにより調製できる。
【００７０】
一般式（５）または（６）で示されるロジウム−ホスフィン錯体において配位子１あるいは配位子２に、ジアミン、ジホスフィンを配位させた錯体の調製法に関して詳細に述べる。
【００７１】
先述した方法により得たロジウム−ホスフィン錯体（オレフィン）の錯塩と種々のジアミン配位子をメタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、のような溶媒中、不活性ガス雰囲気下で反応させることで合成される。
【００７２】
ジアミンとしては、エチレンジアミンおよび光学活性なエチレンジアミン類が挙げられる。具体的なものとしては、１，２−ジフェニルエチレンジアミン、１，１−ビス（ｐ−メトキシフェニル）−２−イソプロピル−１，２−ジアミン等が挙げられる。
【００７３】
中心金属がルテニウムである場合即ち、一般式（７）または一般式（８）の構造を有する新規貴金属−ルテニウム錯体の製造方法に関しても同様の操作で、一般式（１８）または一般式（２０）に示されるジホスフィン配位子とルテニウム−オレフィン錯体との反応および、目的とする配位子とオレフィン配位子の交換反応により、容易に調製できる。本発明に用いられるルテニウム−オレフィン配位錯体として、１，５−シクロオクタジエンのルテニウム錯体であるＲｕＣｌ2 （ＣＯＤ）（式中ＣＯＤは１，５−シクロオクタジエンを示す）を用いることが好ましい。
【００７４】
不斉水素化反応への使用
本発明の新規貴金属−ホスフィン錯体は不斉還元用触媒として、公知の方法により選択水素化反応に利用できる。
【００７５】
反応温度は基質の相違により異なるが、例えば０〜１５０℃の範囲で水素化することができる。水素圧としては０．１〜１５ＭＰａの範囲で水素化することができる。必要があれば溶媒を１種乃至は２種以上混合して使用することも可能であり、好適例としてはメタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、アセトン、ＭＩＢＫ、酢酸メチル、酢酸エチル、シクロヘキサン、トルエン、キシレン、ＴＨＦ、ＤＭＦ、ＤＭＳＯ、ＤＭＩなどがあげられる。触媒量は、基質に対して１／１０００００〜１／１００モル濃度の範囲で水素化することができる。触媒量が基質に対して１／１０００００モル濃度未満の添加では、触媒としての効果が発現しないので好ましくなく、１／１００モル濃度以上加えても触媒効果の上昇が無く経済的に不利になり好ましくない。
【００７６】
特に本発明の新規貴金属−ホスフィン錯体は、従来の貴金属−ホスフィン触媒では困難とされた単純ケトンの不斉還元を高収率で実現できる他、各種不斉還元に触媒作用を有する有用な物質である。
【００７７】
以下に参考例および実施例を挙げるが、本発明はこれら参考例、実施例により何ら制約を受けるものではない。
【００７８】
【実施例】
以下の方法により化学式（２１）で示され、中心金属がロジウムである新規ロジウム−ホスフィン錯体を合成した。
【００７９】
【化１８】
0004162441.tif 000016
【００８０】
以後の表記において、一般式（１）におけるＲ1 がメチル基であり、Ｒ2 がフェニル基であるジホスフィン配位子をＬ−CandyPhos （Me−Ph）、と称することにする。従って、化学式（２１）による物質は、［Ｒｈ（Ｄ−CandyPhos （Me−Ph））（ＣＯＤ）］ＢＦ4 と簡便に表記する。
【００８１】
製造例１
５５％の沃化水素酸水溶液５０ｍｌ中に、２−Ｏ−メチル−Ｌ−chiro−イノシトール２０ｇを加えて加熱還流を４時間行った後、冷却した。エタノール中に加え、終夜結晶化させた。結晶を濾別した後エタノールで洗浄し、乾燥させ、１Ｌ−chiro−イノシトールを得た（収量１５．９ ｇ、収率８６％）。
ｍｐ：２４０−２４２ ℃
1 Ｈ ＮＭＲ（Ｄ2 Ｏ）：d 4.06 (br. s, 2 H, H-1 および H-6), 3.79 (m, 2 H, H-2および H-5), 3.63 (m, 2 H, H-3および H-4); 13C NMR (D2O): d 75.6 (C-3 および C-4), 74.5 (C-1および C-6), 73.3 (C-2および C-5) 。
【００８２】
製造例２
アセトン１５０ｍｌ、ＤＭＦ １００ｍｌと２，２’−ジメトキシプロパン８０ｍｌ中に、１Ｌ−chiro−イノシトール１２ｇとｐ−トルエンスルホン酸２．２ｇを加え、室温で終夜撹拌した。
【００８３】
溶液のｐＨをトリエチルアミンを用いて７とした後、濾別して溶媒を留去し、１Ｌ−１，２：３，４：５，６−ｔｒｉ−Ｏ−イソプロピリデン−chiro−イノシトールを得た（収量１５．２ｇ，収率７８％）。
ｍｐ：２１５−２１６ ℃，ｌｉｔ．２１６．５ ℃
［ａ］＋３８°（ｃ ０．９８，ＣＨＣｌ3 ），ｌｉｔ． ＋３５．９６° 1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）： d 4.45-4.33 (m, 4 H, H-1, H-6 and H-2, H-5), 3.66 (m, 2 H, H-3,H-4), 1.51 (s, 3 H, CH3); 1.45 (s, 3 H, CH3), 1.35 (s, 3 H, CH3)
13Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）： d 113.9, 111.1 (4°C), 79.8 (C-1 および C-6), 78.5 (C-3および C-4), 76.9 (C-2および C-5), 27.6 (CH3), 27.4 (CH3), 24.9 (CH3).
【００８４】
製造例３
酢酸６５ｍｌおよび水３．３ｍｌ中に、１Ｌ−１，２：３，４：５，６−ｔｒｉ−Ｏ−イソプロピリデン−chiro−イノシトール１２ｇを加えて７５℃で１時間加熱撹拌した。冷却後、溶媒を留去した。ジクロロメタン２５０ｍｌを加えて加温し、濾別後濾過液を留去した。トルエン２００ｍｌを加え、終夜室温下放置した。
【００８５】
析出した結晶を濾別し、乾燥させて１Ｌ−１，２： ５，６−ジ−Ｏ−イソプロピリデン−chiro−イノシトールを得た（収量１１．１ｇ，収率８０％）。
ｍｐ：１５７−１５８℃，ｌｉｔ． １５３．２℃
［ａ］−１４ ° （ｃ， ＣＨＣｌ3 ）， ｌｉｔ． −２５８ °
1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）： 4.37 (m, 2 H, H-1 および H-6), 4.18 (m, 2 H, H-2および H-5), 3.57 (m, 2 H, H-3および H-4), 2.74 (s, 2 H , OH), 1.51 (s, 6 H, CH3), 1.30 (s, 6 H, CH3)
13Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）： d 110.0 (iPr), 79.0, 76.6, 72.9 (C-1 and C-6, C-2 and C-5, C-3 and C-4), 20.1 (CH3), 25.5 (CH3).
【００８６】
製造例４
ＤＭＦ１５０ｍｌ中に１Ｌ−１，２：３，４：５，６−ｔｒｉ−Ｏ−イソプロピリデン−chiro−イノシトールを加えて０℃まで冷却した。アルゴン雰囲気下、この溶液に６０％水素化ナトリウム２．９５ｇを加えた後にベンジルブロマイド８．８ｍｌを加えた。
【００８７】
室温に戻した後、５日間撹拌を続けた。エタノール５０ｍｌを加えた後、溶媒を留去させ、カラムを用いて精製し（酢酸エチル：ヘキサン＝１：４）、１Ｌ−３，４−ジ−Ｏ−ベンジル−１，２： ５，６−ジ−Ｏ−イソプロピリデン−chiro−イノシトールを得た（収量１２．５ｇ，収率９２％）。
［ａ］−１４．５ °（ｃ １．２， ＣＨＣｌ3 ）
1 Ｈ ＮＭＲ （ＣＤＣｌ3 ）： 7.39-7.04 (m, 10 H, Ar), 4.83 (dd, 4 H, CH2), 4.29 (m, 2 H, H-2 および H-5), 4.25 (m, 2 H , H-1 および H-6), 3.58 (dd, JHH 2.4, 4.3, H-3および H-4), 1.48 (s, 6 H, iPr), 1.35 (s, 6 H, iPr)
13Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）： d 138.9 (4 OBn), 128.6, 128.3, 127.9 (Ar), 109.9 (iPr), 80.3 (C-3 and C-4), 79.7 (C-2 and C-5), 76.9 (C-1 and C-6), 74.2 (CH2), 28.2 (CH3), 25.8 (CH3)
ＦＡＢ＋-ＭＳ （ＮＢＡ／ＤＣＭ）： Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ26Ｈ31Ｏ6
（Ｍ−Ｈ）＋４３９．２１２１ ｍ／ｚ． Ｆｏｕｎｄ： ４３９．２１１８
Ａｎａｌ． Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ26Ｈ32Ｏ6 ： Ｃ ７０．８９％ Ｈ ７．３２％．
Ｆｏｕｎｄ： Ｃ ７０．９７％ Ｈ ７．２９％．
【００８８】
製造例５
５０％トリフルオロ酢酸水溶液１００ｍｌ中に１Ｌ−３，４−ｄｉ−Ｏ−ベンジル−１，２：５，６−ジ−Ｏ−イソプロピリデン−chiro−イノシトール１２．３ｇを加えて、室温下３時間撹拌した。溶媒を留去し、カラム精製を行い、酢酸エチル−ヘキサンより結晶化させ、１Ｌ−３，４−ジ−Ｏ−ベンジル−chiro−イノシトールを得た（収量７．９ｇ，収率７８％）；
ｍｐ：１３８−１４０℃
［ａ］＋３．６° （ｃ １．０， ＭｅＯＨ）
1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤ3 ＯＤ）： d 7.38-7.22 (m, 10 H, Ar), 4.89 (d, 2 H, J 11.0 Hz, CH'H), 4.79 (d, 2 H, J 11.1 Hz, CH'H), 3.93 (obsc., 2 H, H-1 および H-6), 3.90 (dd, 2 H, J 5.1, 2.2 Hz, H-2,H-5 もしくは H-3,H-4), 3.66 (dd, 2 H, J 6.6, 2.7 Hz, H-3,H-4 もしくは H-2,H-5)
13Ｃ ＮＭＲ（ＣＤ3 ＯＤ）： d 141.0, 129.6, 129.4, 128.8 (Ar), 83.9 (C-3,C-4 もしくは C-2,C-5), 76.6 (CH2), 74.3 (C-1 および C-6), 73.1 (C-2,C-5もしくは C-3,C-4)
ＦＡＢ＋-ＭＳ （ＮＢＡ／ＭｅＯＨ）： Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ20Ｈ25Ｏ6 （Ｍ＋Ｈ）＋ ３６１．１６５１ ｍ／ｚ． Ｆｏｕｎｄ： ３６１．１６４１
Ａｎａｌ． Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ20Ｈ24Ｏ6 ： Ｃ ６６．６５％ Ｈ ６．７１％．
Ｆｏｕｎｄ： Ｃ ６５．９３％ Ｈ ６．６２％．
【００８９】
製造例６
ＤＭＦ２００ｍｌにアルゴン雰囲気下１Ｌ−３，４−ジ−Ｏ−ベンジル−chiro−イノシトール１０ｇを加え、０℃に冷却した。６０％水素化ナトリウム２．９９ｇを加え、その後沃化メチル５．１８ｍｌを加えた。徐々に室温に戻し、１時間室温で撹拌した。溶液を０℃に冷却し、６０％水素化ナトリウム２．９９ｇを加え、その後沃化メチル５．１８ｍｌを加えた。徐々に室温に戻し、終夜室温で撹拌した。エタノール１００ｍｌを加えてクエンチした後、溶媒を留去し、カラム精製にて１Ｌ−３，４−ジ−Ｏ−ベンジル−１，２，５，６−tetra −Ｏ−メチル−chiro−イノシトールを得た（収量７．５ｇ，収率９５％）。
［ａ］＋２０．３° （ｃ １．１， ＣＨＣｌ3 ）
1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）： d 7.36-7.7.22 (m, 10 H, Ar), 4.85 (d, 2 H, J 10.8 Hz, CHH’), 4.79 (d, 2 H, J 10.8 Hz, CHH ’), 3.75 (d, 2 H, J 2.6 Hz, H-1 および H-6), 3.73 (dd, 2 H, J 7.1, 2.6 Hz, H-2 および H-5), 3.53 (s, 6 H, CH3), 3.51 (obsc., 2 H, H-3 および H-4), 3.49 (s, 6 H, CH3)
13Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣl3）： d 139.2, 128.6, 128.3, 127.7 (Ar), 82.3 (C-2 and C-5), 82.2 (C-3 and C-4), 76.2 (C-1 and C-6), 76.1(CH2), 59.5 (CH3), 59.4 (CH3)
ＦＡＢ＋-ＭＳ （ＮＢＡ／ＤＣＭ）： Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ24Ｈ31Ｏ6
（Ｍ−Ｈ＋） ４１５．２１２１ ｍ／ｚ． Ｆｏｕｎｄ： ４１５．２１１１；
Ａｎａｌ． Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ24Ｈ32Ｏ6 ： Ｃ ６９．２１％， Ｈ ７．７４％． Ｆｏｕｎｄ： Ｃ ６８．８２％； Ｈ ７．７５％．
【００９０】
製造例７
エタノール６４ｍｌおよびトリフルオロ酢酸７ｍｌ中に１Ｌ−３，４−ジ−Ｏ−ベンジル−１，２，５，６−tetra −Ｏ−メチル−chiro−イノシトール７．５ｇ、５％パラジウム炭素触媒２．３ｇを加え、水素雰囲気下２４時間室温で撹拌した。触媒を濾別後、溶媒を留去し、残渣をカラム精製により１Ｌ−１，２，５，６−tetra −Ｏ−メチル−chiro−イノシトールを得た（収量３．８ｇ， 収率８９％）。
［ａ］−６７° （ｃ １．４， ＣＨＣｌ3 ）
1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）： d 3.82 (d, 2 H, J 2.1 Hz, H-1 and H-6), 3.78 (dd, 2 H, J 6.8, 2.1 Hz, H-3 and H-4), 3.49 (s, 6 H, Me), 3.51 (s, 6 H, Me), 3.38 (br. s, 2 H, H-2 および H-5)
13Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）： d 81.5 (C-2 および C-5), 75.4 (C-1 および C-6), 72.6 (C-3 および C-4), 59.7 (CH3), 58.5 (CH3)
ＦＡＢ＋-ＭＳ （ＭｅＯＨ／Ｇｌｙｃｅｒｏｌ）： Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ24Ｈ33Ｏ6
（Ｍ−Ｈ）＋ ２３７．１３３８ ｍ／ｚ． Ｆｏｕｎｄ： ２３７．１３３５Ａｎａｌ． Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ24Ｈ32Ｏ6 ： Ｃ ５０．８４％ Ｈ ８．５３％．
Ｆｏｕｎｄ： Ｃ ４９．９４％ Ｈ ８．４１％．
【００９１】
製造例８
アルゴン雰囲気下、十分に乾燥させた１Ｌ−１，２，５，６−tetra −Ｏ−メチル−chiro−イノシトール５３６ｍｇに、乾燥ＴＨＦ３．５ｍｌに蒸留したクロロジフェニルホスフィン８２７ ｍｌを加えた溶液を加えた。この溶液を室温下終夜撹拌し、濾別後溶媒を留去し、残渣を乾燥トルエンで洗浄し、乾燥させて１Ｌ−３，４−ビス（Ｏ−ジフェニルホスフィノ）−１，２，５，６−tetra −Ｏ−メチル−chiro−イノシトール（Ｌ−CandyPhos （Me−Ph））を得た（収量１．３０ｇ，収率９５％）。
1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）： d 7.55-6.96 (m, 20 H, Ar), 4.35 (m, 2 H, H-3 and H-4), 3.67 (d, 2 H, J 1.7 Hz, H-1 および H-6), 3.46 (s, 6 H, CH3), 3.38 (m, 2 H, H-2 および H-5), 2.67 (s, 6 H, CH3)
13Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）： d 131.2, 130.9, 129.5, 129.2, 129.0, 128.3, 128.2, 127.9 (Ar), 83.0, 82.8 (C-3 および C-4), 81.4 (C-2 および C-5), 74.5 (C-1 および C-6), 59.8 (CH3), 56.6 (CH3)
31Ｐ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ） １１３．４．
【００９２】
製造例９
ＴＨＦ５ｍｌに１Ｌ−３，４−ビス（Ｏ−ジフェニルホスフィノ）−１，２，５，６−tetra−Ｏ−メチル−chiro−イノシトール（Ｌ−CandyPhos (Me−Ph））１２２ｍｇを加え、ＴＨＦ５ｍｌに［Ｒｈ(ＣＯＤ)Ｃｌ］２ ４９ｍｇを滴下した。室温下、１７時間撹拌した後、ＡｇＢＦ4 ０．０３９ｇを加えて更に２時間撹拌した。濾過後溶媒を留去し、ＣＨＣｌ3 ／ペンタンより再結晶して
［Ｒｈ（Ｌ−CandyPhos （Ｍｅ−Ｐｈ））（ＣＯＤ）］ＢＦ4 のＣＨＣｌ3 溶液として得た（収量０．０７８ｇ，収率７６％）。
31Ｐ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ） １３４．８，Ｊ＝２０Ｒｈ−Ｐ ＝３Ｄ １７８ Ｈｚ．
Ａｎａｌ． Ｃａｌｃｄ． ｆｏｒ Ｃ43Ｈ51ＢＣｌ3 Ｆ4 Ｏ6 Ｐ2 Ｒｈ： Ｃ ５０．５４％ Ｈ ５．０３％． Ｆｏｕｎｄ： Ｃ ＝５０．４４％ Ｈ ５．００％．
【００９３】
製造例１０
2−O−メチル−D−chiro−イノシトールを出発原料として、製造例１〜９に準じて、[Rh(D-CandyPhos(Me-Ph))(COD)]BF4を製造した。
【００９４】
製造例１１
2−O−メチル−D−chiro−イノシトールより、製造例１〜７に準じて、1D−１，２，５，６−テトラ−O−メチル−chiro−イノシトールを製造した。1D−１，２，５，６−テトラ−O−メチル−chiro−イノシトール0.42g及びビス（3，5−ジメチルフェニル）クロロホスフィン1.11gより、製造例8に準じて、1D−3，4−ビス(O−3，5−ジメチルホスフィノ)−１，２，５，６−テトラ−O−メチル−chiro−イノシトールを得た（収量0.74g、収率57％）。
13C NMR(CDCl3)  ：144.8，142.8，137.4，136.8，136.7，130.8，219.5，129.2，128.8，126.6，126.3，83.6，83.4，81.5，74.7，59.7，56.8，21.6，21.5
31P NMR(CDCl3) ：116.2
【００９５】
製造例１２
2−O−メチル−D−chiro−イノシトールより、製造例１〜５に準じて、１D−３，４−ジ−O−ベンジル−chiro−イノシトールを製造し、１D−３，４−ジ−O−ベンジル−chiro−イノシトール及び沃化エチルより、製造例６〜８に準じて、1D−3，4−ビス(O−ホスフィノ)−１，２，５，６−テトラ−O−エチル−chiro−イノシトールを得た。
13C NMR(CDCl3)  ：130.7，130.4，129.6，129.3，128.8，128.1，127.8，83.5，79.4，74.2，67.5，64.8，16.2，15.2
31P NMR(CDCl3) ：110.7
【００９６】
製造例１〜９を通して製造した［Ｒｈ（Ｌ−CandyPhos (Me−Ph））（ＣＯＤ）］ＢＦ4 を用いて、従来のロジウム−ホスフィン型錯体では選択還元困難な単純ケトンの一種３−キヌクリジノンの選択還元を同物質の誘導体化を行わない選択還元として、以下の方法にしたがっておこなった。
【００９７】
比較例としては、従来の貴金属−ホスフィン型錯体としてはＢＩＮＡＰ配位子を有する貴金属−ホスフィン錯体即ち、ロジウム−ＢＩＮＡＰ錯体およびルテニウム−ＢＩＮＡＰ錯体を用いた。実験の結果、本発明新規貴金属−ホスフィン錯体は、従来の触媒に比較して、優れた触媒作用、選択率を示した。
【００９８】
実施例１
100mLオートクレーブに、3-キヌクリジノン1gとTHF10gを仕込み、ここに[Rh(L-CandyPhos(Me-Ph))(COD)]BF4 0.003gを含むTHF溶液1mLをアルゴン下で仕込み、オートクレーブ内に水素を導入し、水素圧を5MPaとし、室温で終夜水素化を行った。触媒を濾別後、残渣に水及びトルエンをそれぞれ10ml加えて水層を分取して濃縮乾固させた。収量0.85 g、旋光度 +10.5 (C=2, 1mol/L HCl)。
【００９９】
実施例２
100mLオートクレーブに、3-キヌクリジノン1gとエタノール9mLを仕込み、ここに[Rh(L-CandyPhos(Me-Ph))(COD)]BF4 0.003gを含むTHF溶液1mLをアルゴン下で仕込み、オートクレーブ内に水素を導入し、水素圧を3.5MPaとし、室温で終夜水素化を行った。触媒を濾別後、残渣に水及びトルエンをそれぞれ10ml加えて水層を分取して濃縮乾固させた。収量0.85 g、旋光度 +10.5 (C=2, 1mol/L HCl)。
【０１００】
実施例３
実施例２の方法に準じて、エタノールの代わりにメタノール9mLを仕込み、水素圧2.0MPa、30℃の条件で、3−キヌクリジノールの製造を行った。
【０１０１】
実施例４
実施例２の方法に準じて、反応温度40℃の条件で、3−キヌクリジノールの製造を行った。
【０１０２】
実施例５
100mLオートクレーブに、3-キヌクリジノン1gとエタノール9mLを仕込み、ここに[Rh(COD)Cl]2 0.002g及びL−CandyPhos(Me-Ph) 0.005 gを溶解したTHF溶液1mLをアルゴン下で仕込み、オートクレーブ内に水素を導入し、水素圧を3.5MPaとし、30℃で終夜水素化を行い、3−キヌクリジノールの製造を行った。
【０１０３】
実施例６
100mLオートクレーブに、3-キヌクリジノン1gとエタノール9mLを仕込み、ここにクロロノルボルナジエンロジウム(I)ダイマー 0.002g及びL−CandyPhos(Me-Ph) 0.005 gを溶解したTHF溶液1mLをアルゴン下で仕込み、反応温度30℃の条件下で、実施例２の方法に準じて3−キヌクリジノールの製造を行った。
【０１０４】
実施例７
200mLオートクレーブに、3-キヌクリジノン1gとエタノール9mLを仕込み、ここに[Rh(D-CandyPhos(Me-Ph))(COD)]BF4 0.003gを含むTHF溶液1mLをアルゴン下で仕込み、反応温度30℃の条件下で、実施例２の方法に準じて3−キヌクリジノールの製造を行った。
【０１０５】
実施例８
100mLオートクレーブに、[Rh(D-CandyPhos(Me-Ph))(COD)]BF4 30mgを含むTHF1mL溶液に、アルゴン雰囲気下で、(1R,2R)−(+)−１，２−ジフェニルエチレンジアミン7mg、3-キヌクリジノン0.50g、エタノール9mLを仕込み、25℃の条件下において、実施例２の方法に準じて3−キヌクリジノールの製造を行った。
【０１０６】
実施例９
100mLオートクレーブに、[Rh(D-CandyPhos(Me-Ph))(COD)]Cl 30mgを含むTHF1mL溶液に、アルゴン雰囲気下で、(R)−1，1−ビス(p−メトキシフェニル)−2−イソプロピルエタン−1，2−ジアミン10 mg、3-キヌクリジノン0.50g、エタノール9mLを仕込み、実施例２の方法に準じて3−キヌクリジノールの製造を行った。
【０１０７】
実施例１０
200mLオートクレーブに、ジクロロ（ｐ−シメン）ルテニウム(II)ダイマー  6.0mg及びD-CandyPhos(Me-Ph)  12.8mgを溶解したTHF1mL溶液に、アルゴン雰囲気下で、(1R,2R)−(+)−１，２−ジフェニルエチレンジアミン7mg、3-キヌクリジノン0.50g、エタノール9mLを仕込み、実施例２の方法に準じて3−キヌクリジノールの製造を行った。
【０１０８】
実施例１１
100mLオートクレーブに、3-キヌクリジノン1gとエタノール9mLを仕込み、ここに[Rh(COD)Cl]2 0.002g及びL−CandyPhos(Me-3,5-Ph) 0.0055 gを溶解したTHF溶液1mLをアルゴン下で仕込み、反応温度30℃の条件で、実施例２の方法に準じて3−キヌクリジノールの製造を行った。
【０１０９】
実施例１２
100mLオートクレーブに、3-キヌクリジノン1gとエタノール9mLを仕込み、ここに[Rh(COD)Cl]2 0.002g及びD−CandyPhos(Et-Ph) 0.0055 gを溶解したTHF溶液1mLをアルゴン下で仕込み、反応温度30℃の条件で、実施例２の方法に準じて3−キヌクリジノールの製造を行った。
【０１１０】
比較例  １
200mLオートクレーブに、3-キヌクリジノン25gとメタノール75gを仕込み、ここに[RhCl(BINAP)]2 0.028gを仕込み、オートクレーブ内をアルゴンで置換した。更に、オートクレーブ内を水素で置換した後に、水素圧を8.0MPa、80℃で終夜水素化を行った。反応後、溶媒を減圧下で留去し、残渣に水及びトルエンをそれぞれ120ml加え、抽出後、水層を濃縮乾固させた。収量  25.21 g。旋光度 +1.3 (C=2, 1mol/L HCl)。
【０１１１】
比較例２
200mlオートクレーブに、3-キヌクリジノン25gとメタノール75gを仕込み、ここに[RuCl2(BINAP)]  0.028gを仕込み、比較例１の方法に準じて、３−キヌクリジノールを製造した。
【０１１２】
実施例１３
200mLオートクレーブに、N,N-ジメチルアミノアセトン1.02gとエタノール9mLを仕込み、ここに[Rh(COD)Cl]2  5.0mg、D-CandyPhos(Me-Ph)  12.6mgを溶解したTHF溶液1mLをアルゴン雰囲気下で仕込み、オートクレーブ内に水素を導入し、水素圧を3.5MPaとし、40℃で終夜水素化を行った。反応終了後、触媒を濾した残渣に水及びトルエンをそれぞれ10ml加えて水層を分取して濃縮乾固させた。収量  0.89g。旋光度＋13.1(C=4,エタノール)。
【０１１３】
比較例３
200mLオートクレーブに、N,N-ジメチルアミノアセトン1.02gをエタノール9mLに溶解し、ここに [Ru((R)-BINAP)((R,R)-DPEN)]Cl2  20mgのTHF溶液1mLをアルゴン雰囲気下で仕込み、オートクレーブ内に水素を導入し、水素圧を5.0MPaとし、80℃での条件下で実施例１３の方法に準じて、N,N-ジエチルアミノ−２−プロパノールを製造した。
【０１１４】
【表１】
0004162441.tif 000017
【０１１５】
【発明の効果】
本発明の新規な貴金属−ホスフィン錯体は、不斉還元用の触媒として有用である。
【０１１６】
また、本発明の不斉還元用触媒は、単純ケトン類においても煩雑な製造工程せず高選択率で不斉還元が可能である。