(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ｉ）
【化１】
0004045474.tif 000020
（式中、Ｒは炭素原子数３〜１０のアルケニル基を表し、Ｚはフッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基又は２，２，２−トリフルオロエトキシ基を表し、Ｘ１及びＸ２はフッ素原子を表す。）で表されるフルオロテルフェニル誘導体。
【請求項２】
一般式（Ｉ）において、Ｚがフッ素原子又はトリフルオロメトキシ基であるところの請求項１記載のフルオロテルフェニル誘導体。
【請求項３】
一般式（Ｉ）において、Ｒが炭素原子数４〜７の直鎖状アルケニル基を表すところの請求項１又は２記載のフルオロテルフェニル誘導体。
【請求項４】
請求項１乃至３記載の一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する液晶組成物。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電気光学的液晶表示用、特に低電圧駆動と高速応答が可能なネマチック液晶材料として有用な新規液晶性化合物である、フルオロテルフェニル誘導体とそれを含有する液晶組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示素子は、時計、電卓をはじめとして、各種測定機器、自動車用パネル、ワードプロセッサー、電子手帳、プリンター、コンピューター、テレビ等に用いられるようになっている。液晶表示方式としては、その代表的なものにＴＮ（捩れネマチック）型、ＳＴＮ（超捩れネマチック）型、ＤＳ（動的光散乱）型、ＧＨ（ゲスト・ホスト）型あるいはＦＬＣ（強誘電性液晶）等があり、また駆動方式としても従来のスタティック駆動からマルチプレックス駆動が一般的になり、さらに単純マトリックス方式、最近ではアクティブマトリックス方式が実用化されている。
【０００３】
これらの表示方式や駆動方式に応じて、液晶材料としても種々の特性が要求されているが、中でも応答の高化と駆動電圧の低下は最近特に重要視されている。
応答を高速化するために液晶材料に求められる物性は直接的には(i)粘性を小さくするか、あるいは(ii)弾性定数を大きくすることである。また、間接的には(iii)セル厚を薄くすることも非常に有効である。しかしながら、液晶素子においては干渉縞の発生による着色やむらを防止するために、セル厚（ｄ）と屈折率異方性（Δｎ）の積（Δｎ・ｄ）をある一定の値（0.5、1.0、1.6、2.2、通常前二者が用いられる。）に設定する必要がある。従って、セル厚を薄くするためには液晶材料として屈折率異方性（Δｎ）が大きいことが重要である。また、光反射型や光散乱型の液晶表示素子においては屈折率異方性（Δｎ）が大きいことはコントラストを大きくするために特に重要である。
【０００４】
一方、閾値電圧を低下させて低電圧駆動を可能とするためには(i)誘電率異方性（Δε）を大きくすること、あるいは(ii)弾性定数を小さくすることが必要であるが、前述のように弾性定数を小さくするとその応答性に悪影響がある。
【０００５】
従って、高速応答と低電圧駆動を両立させるためには、誘電率異方性（Δε）が大きいいわゆるＰ型の液晶であって、屈折率異方性（Δｎ）が大きくかつその粘性が小さいことが重要である。
【０００６】
また、液晶材料にとって、広い温度範囲を示すことも常に重要な特性であり、他の液晶化合物との相溶性に優れ、相分離を起こすことのない化合物であることも重要である。
【０００７】
従って、屈折率異方性（Δｎ）が大きく、かつ誘電率異方性（Δε）が大きく、他の液晶化合物との相溶性のすぐれた低粘性の液晶化合物が望まれている。
現在、こうした条件を比較的よく満足させている３環性液晶化合物としては例えば、一般式（ＩＩ）
【０００８】
【化２】
0004045474.tif 000002
【０００９】
（式中、Ｒaはアルキル基を表す。）で表されるフッ素系テルフェニル誘導体をあげることができる。しかし、この（ＩＩ）の化合物は、屈折率異方性（Δｎ）に関しては充分に大きいものの、誘電率異方性（Δε）は決して充分に大きなものとは言えず、また他の液晶化合物との相溶性が悪いため、液晶組成物を調製した場合に析出が生じやすいといった欠点があった。そこで、同様に大きい屈折率異方性（Δｎ）を有しながら、さらに誘電率異方性（Δε）が大きく、他の液晶化合物との相溶性にも優れた液晶化合物が望まれている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明が解決しようとする課題は、以上の目的に応じるため、屈折率異方性（Δｎ）が大きいテルフェニル誘導体であって、かつ誘電率異方性（Δε）が大きく、他の液晶化合物との相溶性にも優れた液晶化合物を提供し、さらにこれを用いて液晶温度範囲が広く、かつ高速応答と低電圧駆動の可能な液晶組成物を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するために、
１．一般式（Ｉ）
【００１２】
【化３】
0004045474.tif 000003
【００１３】
（式中、Ｒは炭素原子数１〜１０のアルキル基又は炭素原子数３〜１０のアルケニル基を表し、Ｚはフッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基又は２，２，２−トリフルオロエトキシ基を表し、Ｘ1及びＸ2はそれぞれ独立的に水素原子又はフッ素原子を表す。）で表されるフルオロテルフェニル誘導体。
２．一般式（Ｉ）において、Ｚがフッ素原子又はトリフルオロメトキシ基であるところの上記１記載のフルオロテルフェニル誘導体。
３．一般式（Ｉ）において、Ｒが炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基又は炭素原子数４〜７の直鎖状アルケニル基を表すところの上記１又は２記載のフルオロテルフェニル誘導体。
４．一般式（Ｉ）において、Ｘ1及びＸ2のうち少なくとも１個がフッ素原子を表すところの上記１、２又は３記載のフルオロテルフェニル誘導体。
５．一般式（Ｉ）において、Ｘ1及びＸ2がともにフッ素原子を表すところの上記４記載のフルオロテルフェニル誘導体。
６．上記１乃至５記載の一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する液晶組成物。
を前記課題の解決手段として見出した。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の一例について説明する。
本発明は、一般式（Ｉ）
【００１５】
【化４】
0004045474.tif 000004
【００１６】
で表されるフルオロテルフェニル誘導体を提供する。
式中、Ｒは炭素原子数１〜１０のアルキル基又は炭素原子数３〜１０のアルケニル基を表すが、炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基又は炭素原子数４〜７の直鎖状アルケニル基が好ましく、アルケニル基としては３−アルケニル基が好ましく、特に炭素原子数２〜５の直鎖状アルキル基又は３−ブテニル基が好ましい。Ｚはフッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基又は２，２，２−トリフルオロエトキシ基を表すが、フッ素原子又はトリフルオロメトキシ基が好ましく、フッ素原子が特に好ましい。
Ｘ1及びＸ2はそれぞれ独立的に水素原子又はフッ素原子を表すが、しきい値電圧の低減効果を高めるためにはその少なくとも１個はフッ素であることが好ましく、ともにフッ素原子であることがさらに好ましい。
【００１７】
一般式（Ｉ）の化合物は以下の工程に基づいて製造することができる。
即ち、式（ＩＩＩ）
【００１８】
【化５】
0004045474.tif 000005
【００１９】
で表される２−フルオロ−４−ブロモ−４’−ヨードビフェニル（この化合物は２−フルオロ−４−ブロモビフェニルを直接ヨウ素化することにより容易に得ることができる。）と一般式（ＩＶ）
【００２０】
【化６】
0004045474.tif 000006
【００２１】
（式中、Ｘ1、Ｘ2及びＺは一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表し、ＷはＭｇＩ、ＭｇＢｒ、ＭｇＣｌ、Ｌｉ、Ｂ(ＯＨ)2等のベンゼン環に直結した金属を含む原子団を表す。）で表される有機金属反応剤とを遷移金属触媒存在下に反応させることにより、一般式（Ｖ）
【００２２】
【化７】
0004045474.tif 000007
【００２３】
の化合物を得る。遷移金属触媒としてはパラジウム(0)系、パラジウム(II)系、ニッケル(II)系が好ましく、特にテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム(0)等のパラジウム(0)錯体、及びジクロロ［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］ニッケル(II)、ジクロロ［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ニッケル(II)等のニッケル(II)錯体が好ましい。
【００２４】
この一般式（Ｖ）の化合物と一般式（ＶＩ）
【００２５】
【化８】
0004045474.tif 000008
【００２６】
（Ｒ’はＲよりも炭素原子数が２少ないアルキル基を表す。）で表されるアルキン化合物とをパラジウム系触媒及び銅(I)触媒の存在下反応させることにより一般式（ＶＩＩ）
【００２７】
【化９】
0004045474.tif 000009
【００２８】
（式中、Ｘ1、Ｘ2及びＺは一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表し、Ｒ’は一般式（ＶＩ）におけるとおなじ意味を表す。）で表される化合物を得る。ここでパラジウム系触媒としてはテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム(0)等のパラジウム(0)錯体、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム(II)等のパラジウム(II)錯体及び塩化パラジウム(II)等のパラジウム(II)塩等を用いることができ、銅(I)触媒としてはヨウ化銅(I)が好ましい。
【００２９】
次いでこの（ＶＩＩ）の化合物の３重結合をパラジウム、ニッケル、白金、ロジウム、ルテニウム等の遷移金属触媒の存在下、水素により接触還元することにより一般式（Ｉ）の化合物を製造することができる。。
【００３０】
あるいは、中間体として得られた一般式（Ｖ）の化合物を、ジクロロ［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］ニッケル(II)、ジクロロ［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ニッケル(II)等のニッケル(II)錯体触媒の存在下、ＲＭｇＢｒ、ＲＭｇＩ、ＲＬｉ等のアルキル（又はアルケニル）金属化合物（式中、Ｒは一般式（Ｉ）におけるとおなじ意味を表す。）と直接反応させることによっても、一般式（Ｉ）の化合物を製造することができる。
【００３１】
斯くして製造された本発明の代表的な化合物をその相転移温度とともに第１表にまとめて示す。
【００３２】
【表１】
0004045474.tif 000010
【００３３】
（表中、Ｓはスメクチック相を、Ｃrは結晶相を、Ｉは等方性液体相をそれぞれ示す。相転移温度は「℃」である。）
一般式（Ｉ）の化合物を液晶組成物中に添加することにより得られる優れた効果は以下の通りである。
【００３４】
一般式（Ｉ）で表される代表的な化合物で、第１表中に示された(No.1)
【００３５】
【化１０】
0004045474.tif 000011
【００３６】
の化合物３０重量％及び温度範囲が広くかつ低粘性のホスト液晶組成物（Ｍ）
【００３７】
【化１１】
0004045474.tif 000012
【００３８】
７０重量％からなる液晶組成物（Ｍ−１）を調製した。ここで（Ｍ）の特性値は以下の通りである。
閾値電圧（Ｖｔｈ）：        ２．１４Ｖ
誘電率異方性（Δε）：      ４．８
屈折率異方性（Δｎ）：      ０．０９０
ここで、閾値電圧（Ｖｔｈ）は厚さ６．０μｍのＴＮセルに封入して２０℃で測定した値であり、誘電率異方性及び屈折率異方性はすべて２０℃における測定値である。
【００３９】
これに対して（Ｍ−１）の特性値は以下の通りとなった。
閾値電圧（Ｖｔｈ）：        １．５３Ｖ
誘電率異方性（Δε）：      ７．９
屈折率異方性（Δｎ）：      ０．１２２
このように、No.1の化合物を混合することにより、組成物のΔεが大きくなり、これにより、閾値電圧をかなり低減することができた。しかも屈折率異方性が大きく増大し、セル厚をより薄くすることが可能となった。また、この組成物は−２０℃で１週間放置しても結晶の析出や相分離は生じなかった。一般にテルフェニル誘導体は他の液晶化合物との相溶性が悪い場合が多いが、(No.1)の化合物ではその側方に導入したフッ素原子の効果により相溶性が改善されたものと考えられる。
【００４０】
これに対して一般式（ＩＩ）で表される代表的な化合物である（Ａ）
【００４１】
【化１２】
0004045474.tif 000013
【００４２】
を（Ｍ）に対して同様に３０重量％添加して調製した液晶組成物（Ｍ−Ａ）の特性値は以下の通りであった。
閾値電圧（Ｖｔｈ）：        １．９０Ｖ
誘電率異方性（Δε）：      ７．７
屈折率異方性（Δｎ）：      ０．１３３
従って、（Ａ）の化合物は、屈折率異方性の増大効果は、(No.1)の化合物に比べ大きいが、誘電率異方性の増大効果は（Ｍ−１）には及ばず、このため閾値電圧の低減効果も小さい。しかもこの組成物を−２０℃で１週間放置したところ、結晶の析出が観察された。
【００４３】
このように、本発明の（Ｉ）の化合物は、他の液晶化合物との相溶性に優れ、誘電率異方性が大きいので、これにより閾値電圧の低い液晶組成物を得ることができ、さらには、屈折率異方性が大きいので、応答性に優れた液晶組成物を得ることができ、従来の化合物より優れた効果を示すことが明らかである。
【００４４】
従って、（Ｉ）の化合物は、他のネマチック液晶化合物との混合物の状態で、ＴＮ型あるいはＳＴＮ型等の電界効果型表示セル用として、特に高速応答と低電圧駆動が可能な液晶材料として好適に使用することができる。またその大きい屈折率異方性を利用して、光反射型や光散乱型等の各種表示素子にも好適である。また（Ｉ）の化合物は分子内に強い極性基を含有することなく、大きい比抵抗と高い電圧保持率を得ることが容易であり、アクティブマトリックス駆動用液晶材料の構成成分として使用することも可能である。本発明はこのように一般式（Ｉ）で表される化合物の少なくとも１種類をその構成成分として含有する液晶組成物をも提供するものである。
【００４５】
この組成物中において、（Ｉ）の化合物と混合して使用することのできるネマチック液晶化合物の好ましい代表例としては、例えば、４−置換安息香酸４−置換フェニル、４−置換シクロヘキサンカルボン酸４−置換フェニル、４−置換シクロヘキサンカルボン酸４’−置換ビフェニリル、４−（４−置換シクロヘキサンカルボニルオキシ）安息香酸４−置換フェニル、４−（４−置換シクロヘキシル）安息香酸４−置換フェニル、４−（４−置換シクロヘキシル）安息香酸４−置換シクロヘキシル、４，４’−置換ビフェニル、１−（４−置換シクロヘキシル）−４−置換ベンゼン、４，４’−置換ビシクロヘキサン、１−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］−４−置換ベンゼン、１−（４−置換シクロヘキシル）−２−（４−置換シクロヘキシル）エタン、４，４”−置換テルフェニル、４−（４−置換シクロヘキシル）−４’−置換ビフェニル、４−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］−４’−置換ビフェニル、４−（４−置換フェニル）−４’−置換ビシクロヘキサン、４−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］−４’−置換ビフェニル、４−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］シクロヘキシル−４’−置換ベンゼン、４−［２−（４−置換フェニル）エチル］−４’−置換ビシクロヘキサン、１−（４−置換フェニルエチニル）−４−置換ベンゼン、１−（４−置換フェニルエチニル）−４−（４−置換シクロヘキシル）ベンゼン、２−（４−置換フェニル）−５−置換ピリミジン、２−（４’−置換ビフェニリル）−５−置換ピリミジン及び上記各化合物においてベンゼン環が側方置換基を有する化合物等を挙げることができる。
【００４６】
このうちアクティブマトリックス駆動用としては４，４’−置換ビフェニル、１−（４−置換シクロヘキシル）−４−置換ベンゼン、４，４’−置換ビシクロヘキサン、１−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］−４−置換ベンゼン、１−（４−置換シクロヘキシル）−２−（４−置換シクロヘキシル）エタン、４，４”−置換テルフェニル、４−（４−置換シクロヘキシル）−４’−置換ビフェニル、４−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］−４’−置換ビフェニル、４−（４−置換フェニル）−４’−置換ビシクロヘキサン、４−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］−４’−置換ビフェニル、４−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］シクロヘキシル−４’−置換ベンゼン、４−［２−（４−置換フェニル）エチル］−４’−置換ビシクロヘキサン、１−（４−置換フェニルエチニル）−４−置換ベンゼン、１−（４−置換フェニルエチニル）−４−（４−置換シクロヘキシル）ベンゼン及び上記においてベンゼン環がフッ素置換されている化合物が適している。
【００４７】
【実施例】
以下に本発明の実施例を示し、本発明を更に説明する。しかし、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００４８】
化合物の構造は、核磁気共鳴スペクトル（ＮＭＲ）、質量スペクトル（ＭＳ）及び赤外吸収スペクトル（ＩＲ）により確認した。組成物の「％」は『重量％』を表す。
（参考例１）  ３，４，５，２”−テトラフルオロ−４”−プロピル−ｐ−テルフェニル（第１表（No.1）の化合物）の合成
（１−ａ）  ３，４，５，２”−テトラフルオロ−４”−ブロモ−ｐ−テルフェニルの合成
【００４９】
【化１３】
0004045474.tif 000014
【００５０】
マグネシウム８．７ｇを乾燥したテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）２０ｍｌ中に懸濁させた。これに３，４，５−トリフルオロ−１−ブロモベンゼン６８ｇのＴＨＦ２７０ｍｌ溶液を溶媒が穏やかに還流を続ける速度で滴下した。滴下後さらに１時間攪拌した後、室温まで放冷してグリニヤール反応剤を調製した。次に２−フルオロ−４−ブロモ−４’−ヨードビフェニル１００ｇをＴＨＦ４００ｍｌに溶解し、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム(0)１．６ｇを加えた。これに上記で調製したグリニヤール反応剤を２０〜４０℃で３時間かけて滴下した。さらに１時間攪拌した後、水及び少量の稀塩酸を加え、酢酸エチルで抽出した。水、次いで飽和食塩水で洗滌した後、無水硫酸ナトリウムで脱水乾燥させた。溶媒を溜去して得られた粗生成物１０４ｇをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で精製して３，４，５，２”−テトラフルオロ−４”−ブロモ−ｐ−テルフェニルの白色結晶１０１ｇを得た。
（１−ｂ）  ３，４，５，２”−テトラフルオロ−４”−（１−プロピニル）−ｐ−テルフェニルの合成
【００５１】
【化１４】
0004045474.tif 000015
【００５２】
上記（１−ａ）で得た３，４，５，２”−テトラフルオロ−４”−ブロモ−ｐ−テルフェニル３０ｇをＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）１５０ｍｌ及びトリエチルアミン３０ｍｌに溶解し、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム(0)０．９ｇ及びヨウ化銅(I)０．３ｇを加えた。１−プロピンを２０〜４０℃で３時間かけて溶液中に導入した。少量の水を加え、トルエンで抽出し、水、次いで飽和食塩水で洗滌した後、無水硫酸ナトリウムで脱水乾燥させた。溶媒を溜去して得られた粗生成物３０ｇをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン）で精製して３，４，５，２”−テトラフルオロ−４”−（１−プロピニル）−ｐ−テルフェニルの白色結晶２６ｇを得た。
（１−ｃ）  ３，４，５，２”−テトラフルオロ−４”−プロピル−ｐ−テルフェニルの合成
【００５３】
【化１５】
0004045474.tif 000016
【００５４】
上記（１−ｂ）で得た３，４，５，２”−テトラフルオロ−４”−（１−プロピニル）−ｐ−テルフェニル２６ｇを酢酸エチル２５０ｍｌに溶解し、５％パラジウムカーボン５ｇを加え、２０℃、水素圧１気圧で６時間撹拌した。触媒を濾別した後、溶媒を溜去して得られた粗生成物２６ｇをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で精製して３，４，５，２”−テトラフルオロ−４”−プロピル−ｐ−テルフェニルの白色結晶２４ｇを得た。さらに、エタノールから再結晶して相転移温度を測定したところ、７３℃で結晶相からスメクチック相に転移し、７８℃でスメクチック相から等方性液体相に転移した。
【００５５】
同様にして、以下の化合物を得ることができる。
３，４，５，２”−テトラフルオロ−４”−エチル−ｐ−テルフェニル
３，４，５，２”−テトラフルオロ−４”−ブチル−ｐ−テルフェニル
３，４，５，２”−テトラフルオロ−４”−ペンチル−ｐ−テルフェニル
３，５，２”−トリフルオロ−４−クロロ−４”−エチル−ｐ−テルフェニル
３，５，２”−トリフルオロ−４−クロロ−４”−プロピル−ｐ−テルフェニル
３，５，２”−トリフルオロ−４−クロロ−４”−ブチル−ｐ−テルフェニル
３，５，２”−トリフルオロ−４−クロロ−４”−ペンチル−ｐ−テルフェニル
３，５，２”−トリフルオロ−４−トリフルオロメチル−４”−エチル−ｐ−テルフェニル
３，５，２”−トリフルオロ−４−トリフルオロメチル−４”−プロピル−ｐ−テルフェニル
３，５，２”−トリフルオロ−４−トリフルオロメチル−４”−ブチル−ｐ−テルフェニル
３，５，２”−トリフルオロ−４−トリフルオロメチル−４”−ペンチル−ｐ−テルフェニル
３，５，２”−トリフルオロ−４−トリフルオロメトキシ−４”−エチル−ｐ−テルフェニル
３，５，２”−トリフルオロ−４−トリフルオロメトキシ−４”−プロピル−ｐ−テルフェニル
３，５，２”−トリフルオロ−４−トリフルオロメトキシ−４”−ブチル−ｐ−テルフェニル
３，５，２”−トリフルオロ−４−トリフルオロメトキシ−４”−ペンチル−ｐ−テルフェニル
３，５，２”−トリフルオロ−４−ジフルオロメトキシ−４”−エチル−ｐ−テルフェニル
３，５，２”−トリフルオロ−４−ジフルオロメトキシ−４”−プロピル−ｐ−テルフェニル
３，５，２”−トリフルオロ−４−ジフルオロメトキシ−４”−ブチル−ｐ−テルフェニル
３，５，２”−トリフルオロ−４−ジフルオロメトキシ−４”−ペンチル−ｐ−テルフェニル
３，５，２”−トリフルオロ−４−（２，２，２−トリフルオロエトキシ）−４”−エチル−ｐ−テルフェニル
３，５，２”−トリフルオロ−４−（２，２，２−トリフルオロエトキシ）−４”−プロピル−ｐ−テルフェニル
３，５，２”−トリフルオロ−４−（２，２，２−トリフルオロエトキシ）−４”−ブチル−ｐ−テルフェニル
３，５，２”−トリフルオロ−４−（２，２，２−トリフルオロエトキシ）−４”−ペンチル−ｐ−テルフェニル
３，４，２”−トリフルオロ−４”−エチル−ｐ−テルフェニル
３，４，２”−トリフルオロ−４”−プロピル−ｐ−テルフェニル
３，４，２”−トリフルオロ−４”−ブチル−ｐ−テルフェニル
３，４，２”−トリフルオロ−４”−ペンチル−ｐ−テルフェニル
３，２”−ジフルオロ−４−クロロ−４”−エチル−ｐ−テルフェニル
３，２”−ジフルオロ−４−クロロ−４”−プロピル−ｐ−テルフェニル
３，２”−ジフルオロ−４−クロロ−４”−ブチル−ｐ−テルフェニル
３，２”−フルオロ−４−クロロ−４”−ペンチル−ｐ−テルフェニル
３，２”−ジフルオロ−４−トリフルオロメチル−４”−エチル−ｐ−テルフェニル
３，２”−ジフルオロ−４−トリフルオロメチル−４”−プロピル−ｐ−テルフェニル
３，２”−ジフルオロ−４−トリフルオロメチル−４”−ブチル−ｐ−テルフェニル
３，２”−ジフルオロ−４−トリフルオロメチル−４”−ペンチル−ｐ−テルフェニル
３，２”−フルオロ−４−トリフルオロメトキシ−４”−エチル−ｐ−テルフェニル
３，２”−ジフルオロ−４−トリフルオロメトキシ−４”−プロピル−ｐ−テルフェニル
３，２”−ジフルオロ−４−トリフルオロメトキシ−４”−ブチル−ｐ−テルフェニル
３，２”−ジフルオロ−４−トリフルオロメトキシ−４”−ペンチル−ｐ−テルフェニル
３，２”−ジフルオロ−４−ジフルオロメトキシ−４”−エチル−ｐ−テルフェニル
３，２”−ジフルオロ−４−ジフルオロメトキシ−４”−プロピル−ｐ−テルフェニル
３，２”−ジフルオロ−４−ジフルオロメトキシ−４”−ブチル−ｐ−テルフェニル
３，２”−ジフルオロ−４−ジフルオロメトキシ−４”−ペンチル−ｐ−テルフェニル
３，２”−ジフルオロ−４−（２，２，２−トリフルオロエトキシ）−４”−エチル−ｐ−テルフェニル
３，２”−ジフルオロ−４−（２，２，２−トリフルオロエトキシ）−４”−プロピル−ｐ−テルフェニル
３，２”−ジフルオロ−４−（２，２，２−トリフルオロエトキシ）−４”−ブチル−ｐ−テルフェニル
３，２”−ジフルオロ−４−（２，２，２−トリフルオロエトキシ）−４”−ペンチル−ｐ−テルフェニル
４，２”−ジフルオロ−４”−エチル−ｐ−テルフェニル
４，２”−ジフルオロ−４”−プロピル−ｐ−テルフェニル
４，２”−ジフルオロ−４”−ブチル−ｐ−テルフェニル
４，２”−ジフルオロ−４”−ペンチル−ｐ−テルフェニル
４−クロロ−２”−フルオロ−４”−エチル−ｐ−テルフェニル
４−クロロ−２”−フルオロ−４”−プロピル−ｐ−テルフェニル
４−クロロ−２”−フルオロ−４”−ブチル−ｐ−テルフェニル
４−クロロ−２”−フルオロ−４”−ペンチル−ｐ−テルフェニル
４−トリフルオロメチル−２”−フルオロ−４”−エチル−ｐ−テルフェニル
４−トリフルオロメチル−２”−フルオロ−４”−プロピル−ｐ−テルフェニル
４−トリフルオロメチル−２”−フルオロ−４”−ブチル−ｐ−テルフェニル
４−トリフルオロメチル−２”−フルオロ−４”−ペンチル−ｐ−テルフェニル
４−トリフルオロメトキシ−２”−フルオロ−４”−エチル−ｐ−テルフェニル
４−トリフルオロメトキシ−２”−フルオロ−４”−プロピル−ｐ−テルフェニル
４−トリフルオロメトキシ−２”−フルオロ−４”−ブチル−ｐ−テルフェニル
４−トリフルオロメトキシ−２”−フルオロ−４”−ペンチル−ｐ−テルフェニル
４−ジフルオロメトキシ−２”−フルオロ−４”−エチル−ｐ−テルフェニル
４−ジフルオロメトキシ−２”−フルオロ−４”−プロピル−ｐ−テルフェニル
４−ジフルオロメトキシ−２”−フルオロ−４”−ブチル−ｐ−テルフェニル
４−ジフルオロメトキシ−２”−フルオロ−４”−ペンチル−ｐ−テルフェニル
４−（２，２，２−トリフルオロエトキシ）−２”−フルオロ−４”−エチル−ｐ−テルフェニル
４−（２，２，２−トリフルオロエトキシ）−２”−フルオロ−４”−プロピル−ｐ−テルフェニル
４−（２，２，２−トリフルオロエトキシ）−２”−フルオロ−４”−ブチル−ｐ−テルフェニル
４−（２，２，２−トリフルオロエトキシ）−２”−フルオロ−４”−ペンチル−ｐ−テルフェニル
（実施例１）  ３，４，５，２”−テトラフルオロ−４”−（３−ブテニル）−ｐ−テルフェニルの合成
（１−ａ）で得られた３，４，５，２”−テトラフルオロ−４”−ブロモ−ｐ−テルフェニル３０ｇ及び１．５ｇのジクロロ［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］ニッケル(II)をＴＨＦ１５０ｍｌに溶解した。これに１−ブロモ−３−ブテンから調製したグリニヤール反応剤のＴＨＦ溶液をチッソ雰囲気下、室温で滴下した。少量の水及び稀塩酸を加え、トルエンで抽出し、水、次いで飽和食塩水で洗滌した後、無水硫酸ナトリウムで脱水乾燥させた。溶媒を溜去して得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で精製し、さらにエタノールから再結晶させて３，４，５，２”−テトラフルオロ−４”−（３−ブテニル）−ｐ−テルフェニルの白色結晶１６ｇを得た。
【００５６】
同様にして、以下の化合物を得ることができる。
３，４，５，２”−テトラフルオロ−４”−（トランス−３−ペンテニル）−ｐ−テルフェニル
３，４，２”−トリフルオロ−４”−（３−ブテニル）−ｐ−テルフェニル
３，４，２”−トリフルオロ−４”−（トランス−３−ペンテニル）−ｐ−テルフェニル
４，２”−ジフルオロ−４”−（３−ブテニル）−ｐ−テルフェニル
４，２”−ジフルオロ−４”−（トランス−３−ペンテニル）−ｐ−テルフェニル
３，５，２”−トリフルオロ−４−クロロ−４”−（３−ブテニル）−ｐ−テルフェニル
３，５，２”−トリフルオロ−４−クロロ−４”−（トランス−３−ペンテニル）−ｐ−テルフェニル
３，２”−ジフルオロ−４−クロロ−４”−（３−ブテニル）−ｐ−テルフェニル
３，２”−ジフルオロ−４−クロロ−４”−（トランス−３−ペンテニル）−ｐ−テルフェニル
３，５，２”−トリフルオロ−４−トリフルオロメトキシ−４”−（３−ブテニル）−ｐ−テルフェニル
３，５，２”−トリフルオロ−４−トリフルオロメトキシ−４”−（トランス−３−ペンテニル）−ｐ−テルフェニル
３，２”−ジフルオロ−４−トリフルオロメトキシ−４”−（３−ブテニル）−ｐ−テルフェニル
３，２”−ジフルオロ−４−トリフルオロメトキシ−４”−（トランス−３−ペンテニル）−ｐ−テルフェニル
３，５，２”−トリフルオロ−４−トリフルオロメチル−４”−（３−ブテニル）−ｐ−テルフェニル
３，５，２”−トリフルオロ−４−トリフルオロメチル−４”−（トランス−３−ペンテニル）−ｐ−テルフェニル
３，２”−ジフルオロ−４−トリフルオロメチル−４”−（３−ブテニル）−ｐ−テルフェニル
３，２”−ジフルオロ−４−トリフルオロメチル−４”−（トランス−３−ペンテニル）−ｐ−テルフェニル
３，５，２”−トリフルオロ−４−ジフルオロメトキシ−４”−（３−ブテニル）−ｐ−テルフェニル
３，５，２”−トリフルオロ−４−ジフルオロメトキシ−４”−（トランス−３−ペンテニル）−ｐ−テルフェニル
３，２”−ジフルオロ−４−ジフルオロメトキシ−４”−（３−ブテニル）−ｐ−テルフェニル
３，２”−ジフルオロ−４−ジフルオロメトキシ−４”−（トランス−３−ペンテニル）−ｐ−テルフェニル
３，５，２”−トリフルオロ−４−（２，２，２−トリフルオロメトキシ）−４”−（３−ブテニル）−ｐ−テルフェニル
３，５，２”−トリフルオロ−４−（２，２，２−トリフルオロメトキシ）−４”−（トランス−３−ペンテニル）−ｐ−テルフェニル
３，２”−ジフルオロ−４−（２，２，２−トリフルオロメトキシ）−４”−（３−ブテニル）−ｐ−テルフェニル
３，２”−ジフルオロ−４−（２，２，２−トリフルオロメトキシ）−４”−（トランス−３−ペンテニル）−ｐ−テルフェニル
（参考例２）  液晶組成物の調製
温度範囲が広く、低粘性で特にＳＴＮ表示用やアクティブマトリックス駆動用のホスト液晶として好適な液晶組成物（Ｍ）
【００５７】
【化１６】
0004045474.tif 000017
【００５８】
を調製した。この組成物の２０℃における誘電率異方性（Δε）、これを用いて作成したセル厚６．０μｍのＴＮセルの閾値電圧（Ｖｔｈ）、そのときの屈折率異方性（Δｎ）は以下の通りであった。
【００５９】
閾値電圧（Ｖｔｈ）：        ２．１４Ｖ
誘電率異方性（Δε）：      ４．８
屈折率異方性（Δｎ）：      ０．０９０
次にこのホスト液晶（Ｍ）の７０％と本発明の化合物である（No.1）
【００６０】
【化１７】
0004045474.tif 000018
【００６１】
３０％からなる液晶組成物（Ｍ−１）を調製した。この組成物の物性値及び電気光学的特性は以下の通りであった。
閾値電圧（Ｖｔｈ）：        １．５３Ｖ
誘電率異方性（Δε）：      ７．９
屈折率異方性（Δｎ）：      ０．１２２
このように、（No.1）の化合物を混合することにより、組成物の誘電率異方性を増大させ、その結果、閾値電圧をかなり低減することができた。しかも屈折率異方性が大きく増大し、セル厚をより薄くすることが可能となった。また、この組成物は−２０℃で１週間放置しても結晶の析出や相分離は生じなかった。
（比較例）
実施例３において、（No.1）の化合物に換えて、一般式（ＩＩ）で表される代表的な化合物である（Ａ）
【００６２】
【化１８】
0004045474.tif 000019
【００６３】
を（Ｍ）に同量（３０％）添加して液晶組成物（Ｍ−Ａ）を調製した。この組成物の特性値は以下の通りであった。
閾値電圧（Ｖｔｈ）：        １．９０Ｖ
誘電率異方性（Δε）：      ７．７
屈折率異方性（Δｎ）：      ０．１３３
このように、屈折率異方性の増大効果については、（No.1）の化合物に比べ優れているものの、誘電率異方性の増大及び閾値電圧の低減効果は（Ｍ−１）には及ばなかった。さらに、−２０℃で１週間放置したところ、結晶の析出が観察され、相溶性についても（No.1）の化合物に比べ劣るものであった。
【００６４】
【発明の効果】
本発明により提供される、一般式（Ｉ）のフルオロテルフェニル誘導体は、実施例にも示したように工業的にも容易に製造することができ、無色で光、熱、水等に対し化学的にも極めて安定である。従来の液晶組成物に対する相溶性にも優れる。しかも屈折率異方性が極めて大きく、誘電率異方性も大きい。従って、温度範囲が広く、高速応答性に優れ、かつ低電圧駆動が必要な液晶表示用組成物の構成材料として有用である。