(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶層を挟持して対向配置されたアクティブマトリクス基板と対向基板とを具備する液晶装置において、
前記アクティブマトリクス基板の前記液晶層側表面には、特定の方向に傾斜して配列された少なくとも１種類の柱状構造物からなる無機配向膜が形成され、前記対向基板の前記液晶層側表面には、配向性高分子からなる有機配向膜が形成され、
前記アクティブマトリクス基板は、同極性の画像信号が供給される一方向に配置された複数の電極からなる第１電極群と、該第１電極群に隣接し、前記第１電極群とは異なる極性の画像信号が供給される一方向に配置された複数の電極からなる第２電極群とを有し、
前記液晶層は、誘電率異方性が正の液晶からなり、
前記第１電極群及び前記第２電極群に画像信号を供給していない状態において、
前記液晶層を構成する液晶分子のうち、前記アクティブマトリクス基板側の前記無機配向膜による液晶分子のプレチルト角が、前記対向基板側の前記有機配向膜による液晶分子のプレチルト角よりも大きく、
前記第１電極群及び前記第２電極群に画像信号を供給していない状態において、前記液晶層を構成する液晶分子のうち、前記アクティブマトリクス基板側の液晶分子が、その長軸方向と前記第１電極群、前記第２電極群各々の複数の電極の配列方向とが略平行になるように配列されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
液晶層を挟持して対向配置されたアクティブマトリクス基板と対向基板とを具備する液晶装置において、
前記アクティブマトリクス基板の前記液晶層側表面には、特定の方向に傾斜して配列された少なくとも１種類の柱状構造物からなる無機配向膜が形成され、前記対向基板の前記液晶層側表面には、配向性高分子からなる有機配向膜が形成され、
前記アクティブマトリクス基板は、同極性の画像信号が供給される一方向に配置された複数の電極からなる第１電極群と、該第１電極群に隣接し、前記第１電極群とは異なる極性の画像信号が供給される一方向に配置された複数の電極からなる第２電極群とを有し、
前記液晶層は、誘電率異方性が正の液晶からなり、
前記第１電極群及び前記第２電極群に画像信号を供給していない状態において、
前記液晶層を構成する液晶分子のうち、前記アクティブマトリクス基板側の前記無機配向膜による液晶分子のプレチルト角が、前記対向基板側の前記有機配向膜による液晶分子のプレチルト角よりも大きく、
前記第１電極群及び前記第２電極群に画像信号を供給していない状態において、前記液晶層を構成する液晶分子のうち、前記アクティブマトリクス基板側の液晶分子が、その長軸方向と前記第１電極群、前記第２電極群各々の複数の電極の配列方向とが交差するように配列されているとともに、前記液晶層を構成する液晶分子が、その長軸方向の一端側が前記アクティブマトリクス基板側から前記対向基板側に向けて平面視して前記第１電極群の形成領域と前記第２電極群の形成領域とに跨るようにねじれて配列されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
前記無機配向膜が、前記アクティブマトリクス基板を平面的に見て、傾斜方向の異なる複数種類の柱状構造物からなることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記第１電極群及び前記第２電極群に画像信号を供給していない状態において、
前記アクティブマトリクス基板側の液晶分子のプレチルト角が３〜３０°であることを特徴とする請求項１から３までのいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶装置及び電子機器に係り、特に、表示不良やディスクリネーションを抑制することができ、表示品質に優れたアクティブマトリクス型液晶装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
スイッチング素子としてＴＦＴ（Thin-Film Transistor）素子を用いたアクティブマトリクス型液晶装置は、走査線、データ線、画素電極、ＴＦＴ素子等が形成されたアクティブマトリクス基板（素子基板）と、共通電極が形成された対向基板とが、シール材を介して一定の間隙をもって対向配置され、この間隙の間に液晶層を挟持して構成されている。
【０００３】
より詳細には、アクティブマトリクス基板の液晶層側表面において、多数のデータ線及び多数の走査線が互いに交差するように格子状に設けられ、各データ線と各走査線の交差点の近傍にはＴＦＴ素子が形成され、各ＴＦＴ素子を介して画素電極が接続されている。そして、各画素電極及び各画素電極を囲むように配設されたデータ線、走査線、ＴＦＴ素子等が形成された領域が画素であり、マトリクス状に配置された各画素毎に、表示を行うことが可能な構造になっている。
【０００４】
また、アクティブマトリクス基板と対向基板の液晶層側最表面には、それぞれ、電圧無印加時において液晶層内の液晶分子を所定の配向状態とするための配向膜が形成されている。従来、配向膜としては、ポリイミド等の配向性高分子からなり、表面にラビング処理（布等を用いて一定方向にラビングする処理）が施された有機配向膜が広く用いられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、アクティブマトリクス基板においては、一般に、データ線、走査線、ＴＦＴ素子等が形成される領域では画素電極が形成される領域に比較して形成される層が多く、その結果、データ線、走査線、ＴＦＴ素子等が形成される画素周縁部が、画素電極が形成される画素中央部よりも高くなり、アクティブマトリクス基板表面において、画素周縁部と画素中央部との間に段差が形成されやすい。
【０００６】
特に、近年、液晶装置においては各画素の寸法を縮小して高精細化を図っているため、配向膜をラビング処理する際に、ラビング用の布等が段差近傍部分に接触せず、配向膜の全面に渡ってラビング処理を施すことが難しくなっている。
【０００７】
段差近傍部分である画素周縁部と画素中央部との境界部分において、配向膜のラビング処理が不十分であると、その部分が配向膜欠陥となり、電圧無印加時において、その近傍の液晶分子が配向膜によって充分に規制されず、種々の要因に応じて不安定な配向をとる配向不良の状態になる。その結果、電圧印加時に、画素周縁部と画素中央部との境界部分においてリバースチルトドメイン（液晶分子の立ち上がる方向が異なる領域）などが発生し、光漏れ等の表示不良が発生することがあった。
【０００８】
ところで、アクティブマトリクス型液晶装置の駆動方式の一つとして、液晶に印加する画像信号をフレーム毎に正負反転させる、いわゆるフレーム反転駆動が知られている。フレーム反転駆動を採用すると、液晶材料の寿命が長くなるという利点を有するが、隣接する画素間のクロストークなどに起因してフリッカ（画像のちらつき）が発生し、表示品質を低下させることがある。そこで、フリッカ対策のため、画像信号の極性を隣接する走査線毎に反転させるライン反転駆動や、隣接するデータ線毎に反転させるコラム反転駆動が広く用いられている。
【０００９】
しかしながら、ライン反転駆動やコラム反転駆動を採用した場合には、隣接する画素に対して異なる極性の画像信号が供給されるため、アクティブマトリクス基板上の画素電極と対向基板上の共通電極との間で発生し、液晶の駆動に直接寄与する縦電界に加えて、アクティブマトリクス基板上の隣接する画素電極間に横電界が発生し、この横電界の作用により、画素周縁部では液晶分子の配向が乱され、ディスクリネーションが発生し、光漏れ等の表示不良が発生することがあった。
【００１０】
以上の問題は、ＴＦＴ素子を用いた液晶装置に限った問題ではなく、ＴＦＤ（Thin-Film Diode）素子を用いた液晶装置等、アクティブマトリクス型液晶装置であれば、いかなる構造の液晶装置においても同様に生じる問題である。
【００１１】
そこで、本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、配向膜欠陥に起因する表示不良、あるいはライン反転駆動やコラム反転駆動を採用したときの電圧印加時において、隣接する第１電極群と第２の電極群との間に発生する横電界に起因するディスクリネーションを抑制することができ、表示品質に優れた液晶装置、及びこの液晶装置を備えた電子機器を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、上記課題を解決するべく検討を行った結果、以下の本発明の液晶装置を発明した。
本発明の液晶装置は、液晶層を挟持して対向配置されたアクティブマトリクス基板と対向基板とを具備する液晶装置において、前記アクティブマトリクス基板の前記液晶層側表面には、特定の方向に傾斜して配列された少なくとも１種類の柱状構造物からなる無機配向膜が形成され、前記対向基板の前記液晶層側表面には、配向性高分子からなる有機配向膜が形成されていることを特徴とする。
【００１３】
なお、特定の方向に傾斜して配列された少なくとも１種類の柱状構造物からなる無機配向膜は、斜方蒸着法を用いて形成することができる。ここで、斜方蒸着法とは、被蒸着基板を固定して被蒸着基板表面に対して傾斜した方向から無機材料を蒸着することにより、被蒸着基板表面に、蒸着方向に傾斜して配列された多数の柱状構造物を形成することができる方法である。なお、無機配向膜においては、柱状構造物の傾斜方向や傾斜角等を制御することにより、所望の配向膜（所望の配向方向やプレチルト角）を得ることができ、これによって液晶分子の配向を規制することができる。
【００１４】
このように無機配向膜は有機配向膜と異なり、配向膜を形成する際にラビング処理が不要であるため、配向膜を形成する下地に多数の段差があったとしても、有機配向膜を形成する場合に比較して欠陥の少ない配向膜を形成することができる。したがって、表面に段差の形成されやすいアクティブマトリクス基板側に無機配向膜を形成する構成を採用することにより、配向膜欠陥に起因する表示不良を抑制することができる。
【００１５】
ただし、１段階の斜方蒸着により無機配向膜を形成する場合には、下地に形成された段差の高さや蒸着方向等の関係から、段差の影になり、無機材料を十分に蒸着できない箇所が生じ、配向膜欠陥が形成される恐れがある。
したがって、アクティブマトリクス基板を平面的に見て、複数の方向から斜方蒸着を行い、無機配向膜を形成することが好ましい。すなわち、前記無機配向膜が、前記アクティブマトリクス基板を平面的に見て、傾斜方向の異なる複数種類の柱状構造物からなることが好ましい。このような構成とすることにより、下地に形成された段差の高さや蒸着方向等に関係なく、欠陥のない無機配向膜を形成することができ、配向膜欠陥に起因する表示不良を抑制し、表示品質に優れた液晶装置を提供することができる。
【００１６】
また、斜方蒸着法を用いて形成する無機配向膜は有機配向膜に比較して、生産コストや生産効率の点で劣っているが、本発明では表面に段差が形成されにくい対向基板側には従来と同様の有機配向膜を形成する構成としているので、両方の基板に無機配向膜を形成する場合に比較して生産コストを低く抑えることができるとともに、生産効率の低下を抑えることができる。
【００１７】
また、以上の本発明の液晶装置を、前記アクティブマトリクス基板が、同極性の画像信号が供給される一方向に配置された複数の電極からなる第１電極群と、該第１電極群に隣接し、前記第１電極群とは異なる極性の画像信号が供給される一方向に配置された複数の電極からなる第２電極群とを有するとともに、前記液晶層が正の誘電率異方性を有する液晶からなることを特徴とする液晶装置、すなわち、駆動方式としてライン反転駆動やコラム反転駆動を採用した液晶装置に適用した場合には、さらなる効果を得ることができる。
【００１８】
すなわち、上記本発明の液晶装置を、ライン反転駆動やコラム反転駆動を採用した液晶装置に適用した場合には、配向膜欠陥に起因する表示不良の他、ライン反転駆動やコラム反転駆動を採用した場合の電圧印加時において、隣接する第１電極群と第２の電極群との間に発生する横電界に起因するディスクリネーションについても抑制することができる。
【００１９】
より詳細には、アクティブマトリクス基板側に斜方蒸着法により無機配向膜を形成する場合には、プレチルト角の大きい配向膜を安定して形成することができ、電圧無印加時におけるアクティブマトリクス基板側の液晶分子のプレチルト角を大きくすることができる。
そして、電圧無印加時におけるアクティブマトリクス基板側の液晶分子のプレチルト角を大きくすることができる結果、電圧無印加時における液晶分子の長軸方向を、電圧印加時に発生する縦電界（アクティブマトリクス基板上の画素電極と対向基板上の共通電極との間で発生し、液晶の駆動に直接寄与する電界）の方向に近づけることができる。したがって、電圧印加時において、隣接する第１電極群と第２電極群との間に横電界が発生したとしても、縦電界に沿うように配列を変更する液晶分子の配向変換をより滑らかに進行させることができる。
【００２０】
このように、本発明によれば、アクティブマトリクス基板側の配向膜を無機配向膜により構成することにより、電圧無印加時におけるアクティブマトリクス基板側の液晶分子のプレチルト角を大きくすることができるので、電圧印加時における横電界に起因するディスクリネーションを抑制し、表示品質の優れた液晶装置を提供することができる。
【００２１】
なお、駆動方式としてライン反転駆動やコラム反転駆動を採用した場合の電圧印加時における横電界に起因するディスクリネーションの問題にのみ着目した場合には、第１電極群及び第２電極群に画像信号を供給していない状態において、液晶層を構成する液晶分子のうち、アクティブマトリクス基板側の液晶分子のプレチルト角が、対向基板側の液晶分子のプレチルト角よりも大きいことを特徴とする液晶装置によって解決することができると言える。
【００２２】
ここで、第１電極群及び第２電極群に画像信号を供給していない状態におけるアクティブマトリクス基板側の液晶分子のプレチルト角は３〜３０°であることが好ましい。アクティブマトリクス基板側の液晶分子のプレチルト角が３０°を超えると、白表示時の光の透過率が低下して表示が暗くなるため、好ましくない。
【００２３】
また、ライン反転駆動やコラム反転駆動を採用する場合には、前記第１電極群及び前記第２電極群に画像信号を供給していない状態において、前記液晶層を構成する液晶分子のうち、前記アクティブマトリクス基板側の液晶分子が、その長軸方向と前記第１電極群、前記第２電極群各々の複数の電極の配列方向とが略平行になるように配列されていることが好ましい。
【００２４】
本発明者は、上記構成を採用することにより、ライン反転駆動やコラム反転駆動を採用した場合の電圧印加時における横電界の影響を一層抑制することができることを見出した。以下、この理由を、図１３（ａ）を用いて簡単に説明する。図１３（ａ）はアクティブマトリクス基板の液晶層側表面を拡大して模式的に示す図である。なお、図１３（ａ）においては、第１電極群の各電極を符号１００ａ、第２電極群の各電極を符号１００ｂで示し、第１電極群の各電極１００ａ、第２電極群の各電極１００ｂに各々極性が正（＋）、負（−）の電位を印加する場合について図示している。
【００２５】
図１３（ａ）に示すように、ライン反転駆動やコラム反転駆動を採用した場合には、電圧印加時において、第１電極群の各電極１００ａと、第１電極群に隣接する第２電極群の各電極１００ｂとの間に横電界ＥLが発生する。すなわち、第１電極群、第２電極群の電極１００ａ、１００ｂの配列方向Ｘ（図示左右方向）に対して略垂直方向に横電界ＥLが発生する。
【００２６】
電圧無印加時におけるアクティブマトリクス基板側の液晶分子の配向方向が、電圧印加時に発生する横電界ＥLの方向に対して略平行である場合には、電圧印加時において、アクティブマトリクス基板と対向基板との間に、紙面に対して垂直な方向に発生する縦電界よりも横電界ＥLの影響が大きくなり、縦電界に沿うように配列を変更する液晶分子の配向変換が阻害される恐れがある。
【００２７】
これに対して、上記構成とした場合、すなわち、電圧無印加時におけるアクティブマトリクス基板側の液晶分子を、その長軸方向と第１電極群、第２電極群の電極の配列方向Ｘとが略平行になるように配列した場合には、図１３（ａ）に示すように、電圧無印加時におけるアクティブマトリクス基板側の液晶分子の配向方向Ｒａと、電圧印加時に発生する横電界ＥLの方向とが略９０°ずれるため、横電界ＥLの影響を抑制することができ、横電界ＥLに起因するディスクリネーションを抑制することができる。
【００２８】
なお、図１３（ａ）においては、電圧無印加時における対向基板側の液晶分子の配向方向をＲｂで示している。また、図１３（ａ）においては、表示モードとしてＴＮ（Twisted Nematic）モードを採用した場合、すなわち、液晶のツイスト角が９０°である場合について図示しているが、本発明はいかなる表示モードの液晶装置にも適用可能である。
【００２９】
また、ライン反転駆動やコラム反転駆動を採用する場合には、前記第１電極群及び前記第２電極群に画像信号を供給していない状態において、前記液晶層を構成する液晶分子のうち、前記アクティブマトリクス基板側の液晶分子が、その長軸方向と前記第１電極群、前記第２電極群各々の複数の電極の配列方向とが交差するように配列されているともに、前記液晶層を構成する液晶分子が、その長軸方向の一端側が前記アクティブマトリクス基板側から前記対向基板側に向けて平面視して前記第１電極群の形成領域と前記第２電極群の形成領域とに跨るようにねじれて配列されている構成を採用することによっても、横電界の影響を一層抑制することができる。
【００３０】
この理由を図１３（ａ）と同様の図１３（ｂ）を用いて簡単に説明する。なお、図１３（ａ）と同じ構成要素には同じ参照符号を付し、説明は省略する。また、図１３（ｂ）においても表示モードとしてＴＮモードを採用した場合を例として説明するが、本発明はいかなる表示モードの液晶装置にも適用可能である。
上記構成を採用した場合には、図１３（ｂ）に示すように、電圧無印加時におけるアクティブマトリクス基板側の液晶分子の配向方向Ｒａが第１電極群、第２電極群の電極１００ａ、１００ｂの配列方向Ｘに対して交差する方向に設定される。また、ＴＮモードでは、電圧無印加時における対向基板側の液晶分子の配向方向Ｒｂは配向方向Ｒａと９０°ずれた方向に設定される。
【００３１】
さらに、電圧無印加時において、液晶層を構成する液晶分子が、その長軸方向の一端側がアクティブマトリクス基板側から対向基板側に向けて平面視して第１電極群の形成領域と第２電極群の形成領域とに跨るようにねじれて配列される。具体的には、例えば、図１３（ｂ）に示すように、電圧無印加時において、アクティブマトリクス基板側の液晶分子の配向方向Ｒａの先端側（矢印の先端側）が第１電極群側であれば、対向基板側の液晶分子の配向方向Ｒｂの先端側（矢印の先端側）が第１電極群側になるように、液晶層内の液晶分子がねじれて配列される。
【００３２】
このような構成を採用した場合には、電圧無印加時におけるアクティブマトリクス基板側の液晶分子の配向方向Ｒａを、電圧印加時に発生する横電界ＥLの方向に対して略垂直方向とした図１３（ａ）に示した構成に比較して、配向方向Ｒａが電圧印加時に発生する横電界ＥLの方向に近く、アクティブマトリクス基板側の液晶分子のみを見れば、横電界ＥLの影響が相対的に大きくなっている。しかしながら、図１３（ｂ）に示す構成とした場合には、液晶層の厚さ方向の中間では、図１３（ａ）に示した構成と同様に、電圧無印加時における液晶分子の配向方向と、電圧印加時に発生する横電界ＥLの方向が略垂直になる領域が必ず存在する。したがって、この領域の液晶分子については、横電界ＥLの影響を受けにくくなり、横電界ＥLに起因するディスクリネーションの発生を抑制することができる。
【００３３】
ただし、横電界ＥLはアクティブマトリクス基板側で強く発生するため、図１３（ｂ）に示す構成は、電圧無印加時における液晶分子の配向方向と、電圧印加時に発生する横電界ＥLの方向が略垂直になる領域が、横電界ＥLが強く発生する領域に存在する場合に特に有効である。
【００３４】
以上説明したように、本発明によれば、配向膜欠陥に起因する表示不良と、ライン反転駆動やコラム反転駆動を採用した場合の電圧印加時における横電界に起因するディスクリネーションのうちいずれか若しくは双方を抑制することができ、表示品質に優れた液晶装置を提供することができる。なお、本明細書において、「電圧無印加時」、「電圧印加時」とは、それぞれ「液晶層への印加電圧が液晶のしきい値電圧未満であるとき」、「液晶層への印加電圧が液晶のしきい値電圧以上であるとき」を意味しているものとする。
また、以上の本発明の液晶装置を備えることにより、表示品質に優れた電子機器を提供することができる。
【００３５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る実施形態の液晶装置の構造について詳述する。
本実施形態の液晶装置は、スイッチング素子としてＴＦＴ素子を用いたアクティブマトリクス型液晶装置であり、特に、後述する配向膜の構造が特徴的なものとなっている。また、本実施形態では、表示モードとしてＴＮモードを採用した場合を例として説明する。
【００３６】
以下、図１〜図４に基づいて、本実施形態の液晶装置の構造について説明する。図１は液晶装置の表示領域を構成するマトリクス状に配置された複数の画素におけるスイッチング素子、信号線等の等価回路図、図２はデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板（アクティブマトリクス基板）の相隣接する複数の画素群の平面図、図３は図２のＡ−Ａ’線断面図、図４は図２のＢ−Ｂ’線断面図である。なお、各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００３７】
本実施形態の液晶装置において、図１に示すように、画像表示領域を構成するマトリクス状に配置された複数の画素には、画素電極９と当該画素電極９を制御するためのスイッチング素子であるＴＦＴ素子３０がそれぞれ形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ素子３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給されるか、あるいは相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対してグループ毎に供給される。また、走査線３ａがＴＦＴ素子３０のゲートに電気的に接続されており、複数の走査線３ａに対して走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが所定のタイミングでパルス的に線順次で印加される。画素電極９はＴＦＴ素子３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ素子３０を一定期間だけオンすることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００３８】
画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、後述する共通電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９と共通電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。
【００３９】
本実施形態の液晶装置の場合、図２に示すように、ＴＦＴアレイ基板（アクティブマトリクス基板）上に、マトリクス状に複数の透明な画素電極９（点線部９Ａにより輪郭を示す）が設けられており、画素電極９の縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ、走査線３ａ及び容量線３ｂが設けられている。本実施形態において、各画素電極９及び各画素電極９を囲むように配設されたデータ線６ａ、走査線３ａ、容量線３ｂ等が形成された領域が画素であり、マトリクス状に配置された各画素毎に表示を行うことが可能な構造になっている。
【００４０】
データ線６ａは、例えばポリシリコン膜からなる半導体層１ａのうち、後述のソース領域にコンタクトホール５を介して電気的に接続されており、画素電極９は、半導体層１ａのうち、後述のドレイン領域にコンタクトホール８を介して電気的に接続されている。また、半導体層１ａのうち、後述のチャネル領域（図中左上がりの斜線の領域）に対向するように走査線３ａが配置されており、走査線３ａはチャネル領域に対向する部分でゲート電極として機能する。なお、半導体層１ａはポリシリコンに限るものでなく、例えば単結晶シリコンを張り合わせたりして形成してもよい。
【００４１】
容量線３ｂは、走査線３ａに沿って略直線状に延びる本線部（すなわち、平面的に見て、走査線３ａに沿って形成された第１領域）と、データ線６ａと交差する箇所からデータ線６ａに沿って前段側（図中上向き）に突出した突出部（すなわち、平面的に見て、データ線６ａに沿って延設された第２領域）とを有する。そして、図２中、右上がりの斜線で示した領域には、複数の第１遮光膜１１ａが設けられている。
【００４２】
より具体的には、第１遮光膜１１ａは、夫々、画素部において半導体層１ａのチャネル領域を含むＴＦＴ素子３０をＴＦＴアレイ基板の側から見て覆う位置に設けられており、さらに、容量線３ｂの本線部に対向して走査線３ａに沿って直線状に延びる本線部と、データ線６ａと交差する箇所からデータ線６ａに沿って隣接する後段側（すなわち、図中下向き）に突出した突出部とを有する。第１遮光膜１１ａの各段（画素行）における下向きの突出部の先端は、データ線６ａ下において次段における容量線３ｂの上向きの突出部の先端と重なっている。この重なった箇所には、第１遮光膜１１ａと容量線３ｂとを相互に電気的に接続するコンタクトホール１３が設けられている。すなわち、本実施形態では、第１遮光膜１１ａは、コンタクトホール１３により前段あるいは後段の容量線３ｂに電気的に接続されている。
【００４３】
次に、断面構造を見ると、図３に示すように、本実施形態の液晶装置は、一対の透明基板を有しており、その一方の基板をなすＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置された他方の基板をなす対向基板２０とを備えている。ここで、ＴＦＴアレイ基板１０は例えば石英基板やハードガラスにより構成され、対向基板２０は例えばガラス基板や石英基板により構成されている。ＴＦＴアレイ基板１０には、例えばインジウム錫酸化物（Indium Tin Oxide, 以下、ＩＴＯと略記する）等の透明導電膜からなる画素電極９が設けられ、ＴＦＴアレイ基板１０上の各画素電極９に隣接する位置に、各画素電極９をスイッチング制御する画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０が設けられている。
【００４４】
画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、走査線３ａ、当該走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁する絶縁薄膜２、データ線６ａ、半導体層１ａの低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。
【００４５】
また、上記走査線３ａ上、絶縁薄膜２上を含むＴＦＴアレイ基板１０上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール５、及び高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８が各々形成された第２層間絶縁膜４が形成されている。つまり、データ線６ａは、第２層間絶縁膜４を貫通するコンタクトホール５を介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続されている。さらに、データ線６ａ上及び第２層間絶縁膜４上には、高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８が形成された第３層間絶縁膜７が形成されている。つまり、高濃度ドレイン領域１ｅは、第２層間絶縁膜４及び第３層間絶縁膜７を貫通するコンタクトホール８を介して画素電極９に電気的に接続されている。
【００４６】
また、本実施形態では、図３、図４に示すように、ゲート絶縁膜となる絶縁薄膜２を走査線３ａの一部からなるゲート電極に対向する位置から延設して誘電体膜として用い、半導体層１ａを延設して第１蓄積容量電極１ｆとし、さらにこれらに対向する容量線３ｂの一部を第２蓄積容量電極とすることにより、蓄積容量７０が構成されている。
【００４７】
また図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０表面の各画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０に対応する位置には、少なくとも半導体層１ａのチャネル領域１ａ’及び低濃度ソース、ドレイン領域（ＬＤＤ領域）１ｂ、１ｃへの戻り光の入射を防ぐための第１遮光膜１１ａが設けられている。また、第１遮光膜１１ａと複数の画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０との間には、第１層間絶縁膜１２が設けられている。第１層間絶縁膜１２は、画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０を構成する半導体層１ａを第１遮光膜１１ａから電気的に絶縁するために設けられるものである。
【００４８】
また、図２及び図３に示したように、ＴＦＴアレイ基板１０に第１遮光膜１１ａを設けるのに加えて、コンタクトホール１３を介して第１遮光膜１１ａは、前段あるいは後段の容量線３ｂに電気的に接続するように構成されている。また、第１遮光膜１１ａは、前述のように直線状に延びる本線部から突出した突出部にコンタクトホール１３が開孔されている。
【００４９】
他方、対向基板２０には、ＴＦＴアレイ基板１０上のデータ線６ａ、走査線３ａ、画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０の形成領域に対向する領域、すなわち各画素部の開口領域以外の領域に第２遮光膜２３が設けられている。さらに、第２遮光膜２３上を含む対向基板２０上には、そのほぼ全面にわたって共通電極２１が設けられている。共通電極２１もＴＦＴアレイ基板１０の画素電極９と同様、ＩＴＯ等の透明導電膜から形成されている。そして、第２遮光膜２３の存在により、対向基板２０の側からの入射光が画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０の半導体層１ａのチャネル領域１ａ’や低濃度ソース領域領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃに侵入することを防止する構造になっている。
【００５０】
本実施形態において、ＴＦＴアレイ基板１０の最表面（画素電極９上及び画素電極９が形成されていない領域の第３層間絶縁膜７上）には、斜方蒸着法を用い、酸化シリコン等の無機材料を蒸着することにより形成され、特定の方向に傾斜して配列された少なくとも１種類の柱状構造物からなる無機配向膜３６が形成されている。一方、対向基板２０の最表面（共通電極２１上）には、ポリイミド等の配向性高分子からなり、表面にラビング処理（布等を用いて一定方向にラビングする処理）が施された有機配向膜４２が形成されている。また、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間（配向膜３６、４２間）には、誘電率異方性が正の液晶からなる液晶層５０が挟持されている。
【００５１】
図３に示すように、アクティブマトリクス基板１０上には多数の層が形成され、無機配向膜３６は、表面に多数の段差を有する画素電極９及び第３層間絶縁膜７上に形成されている。特に、無機配向膜３６を形成する下地（画素電極９及び第３層間絶縁膜７）表面において、データ線６ａ、走査線３ａ、容量線３ｂ、画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０、第１遮光膜１１ａ等が形成された領域である画素周縁部８１は、これらが形成されていない画素中央部８２（画素電極９が形成された領域であって、容量線３ｂ等が形成された領域を除く領域）よりも形成される層が多く、画素周縁部８１と画素中央部８２との間には大きな段差８０が形成されている。
【００５２】
この段差８０の高さは例えば、２００〜１０００ｎｍ程度となっており、無機配向膜３６の膜厚（例えば、５〜５０ｎｍ）に対して無視できないものとなっている。また、近年、液晶装置の高精細化に伴って、画素ピッチを小さくして画素数を増加することが要求されており、アクティブマトリクス基板１０上に形成される段差８０の画素部を占める割合は増加する傾向にある。
【００５３】
このように段差の多いアクティブマトリクス基板１０側に、有機配向膜を形成する場合には、配向膜をラビング処理する際に、ラビング用の布等が段差８０近傍部分に接触せず、配向膜の全面に渡ってラビング処理を施すことが難しく、その結果、配向膜欠陥が生じ、表示不良が発生する恐れがある。
【００５４】
しかしながら、本実施形態では、段差の多いアクティブマトリクス基板１０側には、ラビング処理が不要であるため、有機配向膜に比較して段差８０の影響を受けずに成膜することが可能な無機配向膜３６を形成する構成を採用しているので、欠陥の少ない配向膜３６を形成することができ、配向膜欠陥に起因する表示不良を抑制することができる。
【００５５】
ただし、１段階の斜方蒸着により無機配向膜３６を形成する場合には、下地に形成された段差の高さや蒸着方向等の関係から、段差の影となり、無機材料を十分に蒸着できない箇所が生じ、配向膜欠陥が形成される恐れがある。
したがって、アクティブマトリクス基板２０を平面的に見て、複数の方向から斜方蒸着を行い、無機配向膜３６を形成することが好ましく、このように無機配向膜３６を形成することにより、下地に形成された段差の高さや蒸着方向等に関係なく、欠陥のない配向膜３６を形成することができ、配向膜欠陥に起因する電圧無印加時のディスクリネーションを抑制することができる。
【００５６】
ここで、２段階の斜方蒸着により無機配向膜３６を形成する場合を例として、複数段階の斜方蒸着により無機配向膜３６を形成する方法について具体的に説明する。例えば、図７に示すように、１回目の斜方蒸着を蒸着角度（ＴＦＴアレイ基板１０表面とのなす角度）θ１の蒸着方向ＳAから行い、２回目の斜方蒸着を、アクティブマトリクス基板１０を平面的に見て１回目の蒸着方向ＳAと角度φ離れ、蒸着角度θ２の蒸着方向ＳBから行うことにより、１回目の斜方蒸着では段差の影となり、無機材料が十分に蒸着されなかった箇所に対して、２回目の斜方蒸着で無機材料を十分に蒸着することができる。ここで、１回目の蒸着角度θ１よりも２回目の蒸着角度θ２を大きく設定することが好ましい。
【００５７】
なお、２回目の斜方蒸着では、１回目の斜方蒸着で十分に蒸着されなかった段差の近傍領域や、１回目の斜方蒸着で十分に蒸着された領域に対して蒸着が行われるが、２回目の蒸着方向によっては新たに段差の影となる部分が生じることもある。したがって、２段階の斜方蒸着により形成される無機配向膜３６は、１回目の斜方蒸着により生成された柱状構造物のみが存在する部分、２回目の斜方蒸着により生成された柱状構造物のみが存在する部分、１回目の斜方蒸着と２回目の斜方蒸着により生成された２種類の柱状構造物が混在する部分とからなり、アクティブマトリクス基板１０を平面的に見て、傾斜方向の異なる複数種類の柱状構造物が混在した状態になる。
【００５８】
これに対して、対向基板２０上には、アクティブマトリクス基板１０に比較して形成される層が少なく、対向基板２０と有機配向膜４２との間には、第２遮光膜２３と共通電極２１が形成されているにすぎない。したがって、有機配向膜４２は表面に段差の少ない下地（共通電極２１）上に形成されている。このように、対向基板２０側には段差が少ないため、有機配向膜を形成しても、その全面に渡って良好にラビング処理を施すことができ、欠陥のない配向膜４２を形成することができる。また、有機配向膜は無機配向膜に比較して生産コストが低く、生産効率に優れるため、両方の基板に無機配向膜を形成する場合に比較して生産コストを低く抑えることができるとともに、生産効率の低下を抑えることができ、好適である。
【００５９】
次に、無機配向膜３６と有機配向膜４２の配向処理について説明する。
本実施形態の液晶装置の場合、ＴＮモードの表示モードを実現するため、各基板上の無機配向膜３６、有機配向膜４２には各々の配向方向が９０°ねじれた関係となるように配向処理が施されている。すなわち、図２に示すように、ＴＦＴ素子アレイ基板１０上の無機配向膜３６には走査線３ａの延在方向に沿って図中左から右に向かう方向（実線の矢印Ｒａで示す方向）が配向方向となるように、また、対向基板２０上の有機配向膜４２にはデータ線６ａの延在方向に沿って図中下から上に向かう方向（破線の矢印Ｒｂで示す方向）が配向方向となるような配向処理がそれぞれ施されている。
【００６０】
さらに、本実施形態では、電圧無印加時において、アクティブマトリクス基板１０側の液晶分子のプレチルト角が、対向基板２０側の液晶分子のプレチルト角よりも大きくなるように、すなわち、無機配向膜３６のプレチルト角が、有機配向膜４２のプレチルト角よりも大きくなるように配向処理が施されている。具体的には、電圧無印加時において、アクティブマトリクス基板１０側の液晶分子のプレチルト角を３〜３０°とすることが好ましく、対向基板２０側の液晶分子のプレチルト角をこれよりも小さく、例えば１〜３°とすることが好ましい。なお、電圧無印加時におけるアクティブマトリクス基板１０側の液晶分子のプレチルト角が３０°を超えると、白表示時の光の透過率が低下して表示が暗くなるため、好ましくない。
【００６１】
なお、本明細書において、無機配向膜３６が複数の配向方向やプレチルト角を有する場合には、無機配向膜３６の「配向方向」、「プレチルト角」は、それぞれ「平均的な配向方向」、「平均的なプレチルト角」を意味しているものとする。
【００６２】
有機配向膜４２では、有機配向膜４２を形成する際のラビング方向等を制御することにより、その配向方向及びプレチルト角を制御することができる。
これに対して、無機配向膜３６では、無機配向膜３６を形成する際の無機材料の蒸着方向等を制御することにより、その表面形状を制御することができ、所望の配向方向及びプレチルト角を得ることができる。そして、斜方蒸着法により無機配向膜を形成する場合には、配向性高分子からなる有機配向膜を形成する場合に比較して、プレチルト角の高い配向膜を安定して得ることができる。
【００６３】
なお、１段階の斜方蒸着により無機配向膜３６を形成する場合には、無機配向膜３６の配向方向及びプレチルト角は、生成される柱状構造物の大きさやピッチ等にもよるが、例えば、生成される柱状構造物の傾斜方向と傾斜角に相当する。
これに対して、複数段階の斜方蒸着により無機配向膜３６を形成する場合には、得られる無機配向膜３６は複数種類の柱状構造物が混在した状態になるため、無機配向膜３６の配向方向及びプレチルト角は分布を有するが、一般に、２回目以降の斜方蒸着による柱状構造物は、１回目の斜方蒸着による柱状構造物の間隙を埋めるように形成されるため、無機配向膜３６全体の平均的な配向方向及びプレチルト角は、１回目の斜方蒸着で形成される柱状構造物の表面形状によってほぼ規定される。
【００６４】
このように、本実施形態では、電圧無印加時において、アクティブマトリクス基板１０側の液晶分子のプレチルト角が、対向基板２０側の液晶分子のプレチルト角よりも大きくなるように、無機配向膜３６、有機配向膜４２に各々配向処理を施す構成を採用しているので、駆動方式としてライン反転駆動やコラム反転駆動を採用した場合に、電圧印加時に、液晶の駆動に直接寄与する縦電界の他にアクティブマトリクス基板１０側に発生する横電界に起因するディスクリネーションを抑制する効果を有する。
【００６５】
なお、ライン反転駆動は画像信号の極性を隣接する走査線３ａ毎に反転させて駆動を行う駆動方式であるのに対し、コラム反転駆動は画像信号の極性を隣接するデータ線６ａ毎に反転させて駆動を行う方式であり、両者はほぼ類似した駆動方式であるため、以下、ライン反転駆動を採用した場合を例として説明する。
【００６６】
上述したように、ライン反転駆動は画像信号の極性を隣接する走査線３ａ毎に反転させて駆動を行う方式である。以下、１本の走査線３ａに沿う方向（図２中の横方向）に隣接する複数の画素電極９を第１電極群とし、これら複数の画素電極９の各々とデータ線６ａに沿う方向（図２中の縦方向）に隣接し、１本の走査線３ａに沿う方向（図２中の横方向）に隣接する複数の画素電極９を第２電極群として説明する。
【００６７】
ライン反転駆動を採用した場合には、任意の１フレームで第１電極群に極性が正（＋）の画像信号が供給されたときには第２電極群に極性が負（−）の画像信号が供給され、次のフレームで極性が反転し、第１電極群に極性が負（−）の画像信号が供給されたときには第２電極群に極性が正（＋）の画像信号が供給されるというように、第１電極群と第２電極群に、個々の画素電極９で見れば、図２中の縦方向に並ぶ２つの画素電極９に異なる極性の画像信号が供給されて、駆動が行われる。
【００６８】
図８に基づいて、ライン反転駆動を採用した場合に、電圧印加時において液晶層内５０内に発生する電界について説明する。図８は、本実施形態の液晶装置の概略断面図であって、各画素電極９と共通電極２１にそれぞれ電圧が印加されたときに発生する電界の様子を模式的に示したものである。なお、図８において、左側の画素電極９、右側の画素電極９が、各々第１電極群、第２電極群に属しているものとし、各々符号９ａ、９ｂで示している。そして、第１電極群の画素電極９ａに正の電位、第２電極群の画素電極９ｂに負の電位、共通電極２１にはグランド電位が印加されたものとして説明する。
【００６９】
図８に示すように各電極に電位を印加した場合、第１電極群の画素電極９ａの中央部では画素電極９ａから共通電極２１に向かう縦電界ＥVが発生し、第２電極群の画素電極９ｂの中央部では共通電極２１から画素電極９ｂに向かう縦電界ＥVが発生する。これら縦電界ＥVは、液晶の駆動に直接寄与する電界である。
【００７０】
一方、アクティブマトリクス基板１０上において、第１電極群の画素電極９ａと、これに隣接する第２電極群の画素電極９ｂとには極性の異なる電位が印加されているため、第１電極群の画素電極９ａから第２電極群の画素電極９ｂに向かう横電界ＥLが発生する。この横電界ＥLは液晶を駆動させるために発生されるものではなく、自然に発生してしまうものである。
【００７１】
本実施形態では、電圧無印加時において、アクティブマトリクス基板１０側の液晶分子のプレチルト角が対向基板２０側の液晶分子のプレチルト角よりも大きくなるように構成されているので、電圧無印加時におけるアクティブマトリクス基板１０側の液晶分子の長軸方向を、電圧印加時に発生する縦電界ＥV（液晶の駆動に直接寄与する電界）の方向に近づけることができる。したがって、電圧印加時において、隣接する第１電極群の画素電極９ａと第２電極群の画素電極９ｂとの間に横電界ＥLが発生したとしても、縦電界ＥVに沿うように配列を変更する液晶分子の配向変換をより滑らかに進行させることができ、電圧印加時における横電界ＥLに起因するディスクリネーションを抑制することができる。
【００７２】
さらに、本実施形態では、電圧無印加時において、アクティブマトリクス基板１０側の液晶分子が、その長軸方向と第１電極群、第２電極群の画素電極９ａ、９ｂの配列方向とが略平行になるように配列されていることが好ましい。
すなわち、電圧無印加時におけるアクティブマトリクス基板１０側の液晶分子の配向方向Ｒａと、第１電極群、第２電極群の画素電極９ａ、９ｂの配列方向との関係を、例えば図１３（ａ）に示したような関係とすることが好ましい。このような関係とすることによって、「課題を解決するための手段」の項で述べた通り、電圧無印加時におけるアクティブマトリクス基板１０側の液晶分子の配向方向Ｒａと、電圧印加時に発生する横電界ＥLの方向とが略９０°ずれるため、横電界ＥLの影響を抑制することができ、横電界ＥLに起因するディスクリネーションを一層抑制することができる。
【００７３】
また、本実施形態において、電圧無印加時に、アクティブマトリクス基板１０側の液晶分子が、その長軸方向と第１電極群、第２電極群の画素電極９ａ、９ｂの配列方向とが交差するように配列されているとともに、液晶層５０を構成する液晶分子が、その長軸方向の一端側がアクティブマトリクス基板１０側から対向基板２０側に向けて平面視して第１電極群の形成領域と第２電極群の形成領域とに跨るようにねじれて配列されている構成としてもよい。
【００７４】
すなわち、電圧無印加時におけるアクティブマトリクス基板１０側の液晶分子の配向方向Ｒａと、第１電極群、第２電極群の電極９ａ、９ｂの配列方向との関係を、例えば図１３（ｂ）に示したような関係としてもよい。このような関係とした場合においても、「課題を解決するための手段」の項で述べた通り、液晶層５０の厚さ方向の中間では、電圧無印加時における液晶分子の配向方向と、電圧印加時に発生する横電界ＥLの方向が略垂直になる領域が必ず存在するため、この領域の液晶分子については、横電界ＥLの影響を受けにくくなり、横電界ＥLに起因するディスクリネーションの発生を抑制することができる。
【００７５】
なお、本実施形態では表示モードとしてＴＮモードを採用した場合を例として説明したが、本発明は液晶のツイスト角が９０°のＴＮモードに限定されるものではなく、いかなる表示モードの液晶装置にも適用可能である。
したがって、電圧無印加時におけるアクティブマトリクス基板１０側の液晶分子の配向方向Ｒａと、対向基板２０側の液晶分子の配向方向Ｒｂと、第１電極群、第２電極群の画素電極９ａ、９ｂの配列方向との関係は、図１３（ａ）、（ｂ）に示したような関係以外に種々のパターンが考えられることは言うまでもない。
【００７６】
また、本実施形態では駆動方式としてライン反転駆動を採用した例を示したが、コラム反転駆動を採用する場合にも適用することが可能である。その場合も、ライン反転駆動の場合の説明における横電界の方向、配向方向などを９０°回転させて考えれば全く同様の作用となり、同様の効果を得ることができる。
【００７７】
また、本実施形態では、アクティブマトリクス基板１０の無機配向膜３６の下地表面に多数の段差が形成されている場合についてのみ説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、無機配向膜３６の下地表面を平坦化し、この上に無機配向膜３６を形成する構成を採用してもよい。この場合には、無機配向膜３６を形成する際に、１段階の斜方蒸着で欠陥のない無機配向膜３６を形成することができ、好適である。
【００７８】
以下、無機配向膜３６の下地を平坦化する手段について例を挙げて説明する。
例えば図５に示すように、アクティブマトリクス基板１０表面にエッチングを施し、データ線６ａ、容量線３ｂ等を形成する画素周縁部８１に予め所定の深さの溝１０ａを掘っておき、その中にデータ線６ａ、容量線３ｂ等を埋め込むようにして形成すると、無機配向膜３６の下地（画素電極９及び第３層間絶縁膜７）の表面をほぼ平坦化することができる。
【００７９】
あるいは図６に示すように、データ線６ａ、容量線３ｂ等を覆う第３層間絶縁膜７を一旦厚く形成した後、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法を用いて第３層間絶縁膜７の表面を研磨して平坦化してから画素電極９を形成することにより、無機配向膜３６の下地（画素電極９及び第３層間絶縁膜７）の表面をほぼ平坦化することができる。
【００８０】
また、最終的に図６と同様な構造を形成するための他の方法として、第３層間絶縁膜７をＢＰＳＧ（Boron Phosphorus Silicate Glass）で形成した後、熱処理でＢＰＳＧ膜をリフローさせることにより第３層間絶縁膜７の表面を平坦化してもよい。あるいは、もともと流動性の高いＳＯＧ（Spin On Glass）などの膜で第３層間絶縁膜７を形成すれば、平坦性の高い表面が得られる。なお、層間絶縁膜による平坦化処理は第３層間絶縁膜７に限ったものではなく、第２層間絶縁膜４で平坦化してもよいし、複数の層間絶縁膜で平坦化してもよいことは言うまでもない。
【００８１】
また、本実施形態では、ＴＦＴ素子を用いた液晶装置についてのみ説明したが、ＴＦＤ素子を用いた液晶装置等、いかなる構造のアクティブマトリクス型液晶装置にも適用可能である。
【００８２】
以上説明したように、本実施形態の液晶装置によれば、配向膜欠陥に起因する表示不良と、ライン反転駆動やコラム反転駆動を採用したときの電圧印加時において、隣接する第１電極群と第２の電極群との間に発生する横電界に起因するディスクリネーションの双方について抑制することができ、表示品質の優れたアクティブマトリクス型液晶装置を提供することができる。
【００８３】
［電子機器］
以下、上記の液晶装置を用いた電子機器の一例として、投射型表示装置について説明する。
図９は、３つの液晶ライトバルブを用いた、いわゆる３板式の投射型液晶表示装置の一例を示す概略構成図である。ここでは上記実施形態の液晶装置を液晶ライトバルブとして用いている。図中、符号５１０は光源、５１３，５１４はダイクロイックミラー、５１５，５１６，５１７は反射ミラー、５１８，５１９，５２０はリレーレンズ、５２２，５２３，５２４は液晶ライトバルブ、５２５はクロスダイクロイックプリズム、５２６は投射レンズ系を示す。
【００８４】
光源５１０は、メタルハライド等のランプ５１１とランプ５１１の光を反射するリフレクタ５１２とから構成されている。青色光・緑色光反射のダイクロイックミラー５１３は、光源５１０からの白色光のうちの赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー５１７で反射され、赤色光用液晶ライトバルブ５２２に入射される。
【００８５】
一方、ダイクロイックミラー５１３で反射された色光のうち、緑色光は、緑色光反射のダイクロイックミラー５１４によって反射され、緑色用液晶ライトバルブ５２３に入射される。一方、青色光は、第２のダイクロイックミラー５１４も透過する。青色光に対しては、光路長が緑色光、赤色光と異なるのを補償するために、入射レンズ５１８、リレーレンズ５１９、出射レンズ５２０を含むリレーレンズ系からなる導光手段５２１が設けられ、これを介して青色光が青色光用液晶ライトバルブ５２４に入射される。
【００８６】
各ライトバルブにより変調された３つの色光は、クロスダイクロイックプリズム５２５に入射する。このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されたものである。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ系５２６によってスクリーン５２７上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【００８７】
この投射型液晶表示装置によれば、上記実施形態の液晶装置を液晶ライトバルブとして備えたことで表示品質の高い画像を得ることができる。
【００８８】
以下、電子機器の他の例を説明する。
図１０は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１０において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は上記の液晶表示装置を用いた液晶表示部を示している。
図１１は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１１において、符号１１００は時計本体を示し、符号１１０１は上記の液晶表示装置を用いた液晶表示部を示している。
【００８９】
図１２は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１２において、符号１２００は情報処理装置、符号１２０２はキーボードなどの入力部、符号１２０４は情報処理装置本体、符号１２０６は上記の液晶表示装置を用いた液晶表示部を示している。
【００９０】
図１０〜図１２に示す電子機器は、上記実施形態の液晶装置を用いた液晶表示部を備えているので、表示品質に優れた画像を得ることができる。
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば図２や図３を用いて説明した液晶装置の具体的な構成はほんの一例に過ぎず、その他、種々の構成を有する液晶装置に本発明を適用することができる。
【００９１】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、アクティブマトリクス基板側と対向基板側に異なる構造の配向膜を形成することにより、配向膜欠陥に起因する表示不良と、ライン反転駆動やコラム反転駆動を採用したときの電圧印加時において、隣接する第１電極群と第２の電極群との間に発生する横電界に起因するディスクリネーションのうちいずれか若しくは双方を抑制することができ、表示品質の優れた液晶装置及びこれを備えた電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の一実施形態の液晶装置の表示領域を構成するマトリクス状に配置された複数の画素におけるスイッチング素子、信号線等の等価回路図である。
【図２】  同、複数の画素の平面図である。
【図３】  図２のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。
【図４】  図２のＢ−Ｂ’線に沿う断面図である。
【図５】  断面構造の他の例を示す図４に相当する断面図である。
【図６】  断面構造のさらに他の例を示す図４に相当する断面図である。
【図７】  複数段階の斜方蒸着により無機配向膜を形成する際の蒸着方向を説明するための図である。
【図８】  駆動方式としてライン反転駆動やコラム反転駆動を採用した場合に、電圧印加時に発生する電界の様子を模式的に示した図である。
【図９】  上記液晶装置を備えた投射型表示装置の一例を示す図である。
【図１０】  上記液晶装置を備えた電子機器の一例を示す図である。
【図１１】  同、電子機器の他の例を示す図である。
【図１２】  同、電子機器のさらに他の例を示す図である。
【図１３】  駆動方式としてライン反転駆動やコラム反転駆動を採用した場合に、電圧無印加時における液晶分子の配向方向と、電圧印加時に発生する横電界との関係を示す図である。
【符号の説明】
３ａ  走査線
３ｂ  容量線
６ａ  データ線
９    画素電極
９ａ、１００ａ  第１電極群の画素電極
９ｂ、１００ｂ  第２電極群の画素電極
１０  ＴＦＴアレイ基板（アクティブマトリクス基板）
２０  対向基板
２１  共通電極
３０  画素スイッチング用ＴＦＴ素子
３６  無機配向膜
４２  有機配向膜
５０  液晶層
７０  蓄積容量
８０  段差
８１  画素周縁部
８２  画素中央部
Ｒａ  アクティブマトリクス基板側の配向方向
Ｒｂ  対向基板側の配向方向
【図１】
0004095256.tif 000002
【図２】
0004095256.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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