(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路部品が配置されるベースプレートと、このベースプレートの前記回路部品が配置される領域を所定の高さで囲み、一部が誘電体部材で形成された金属製枠体と、この金属製枠体で囲まれた内側で、前記誘電体部材の部分に隣接して前記ベースプレート上に設けられた誘電体基板と、前記誘電体部材を貫通して前記誘電体基板上まで伸び、前記誘電体部材を貫通する部分で同軸線路を形成し、前記誘電体基板上でマイクロストリップ線路を形成する幅が一様の帯状線路導体とを具備した高周波パッケージにおいて、前記金属製枠体の一部を形成する前記誘電体部材の比誘電率よりも前記誘電体基板の比誘電率を大きくしたことを特徴とする高周波パッケージ。
【請求項２】
金属製枠体の一部を形成する誘電体部材は、帯状線路導体の延長方向に垂直な面での断面が矩形状である請求項１記載の高周波パッケージ。
【請求項３】
金属製枠体の一部を形成する誘電体部材および誘電体基板がガラス材料である請求項１記載の高周波パッケージ。
【請求項４】
帯状線路導体を形成する材料がコバールである請求項１ないし請求項３のいずれか１つに記載の高周波パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は高周波の回路部品などを収納する高周波パッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】
高周波パッケージは、ベースプレート上の回路部品が配置される領域を所定高さをもつ矩形状の枠体で囲み、この枠体部分の外側から内側に線路導体が貫通する構造をしている。そして、枠体の内側に突出した線路導体と枠体内のベースプレート上に配置された回路部品がワイヤボンディングなどで接続される。
【０００３】
上記した高周波パッケージの１つとして、ベースプレートおよび枠体部分を金属で形成し、枠体で囲まれた内部空間をシールドする、いわゆるメタルウォールパッケージ型がある。
【０００４】
メタルウォールパッケージ型は、金属製枠体の一部が誘電体部材たとえばセラミックで形成され、この誘電体部材の部分を線路導体が貫通している。また、金属製枠体の内側に位置する線路導体部分は誘電体基板上に形成されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
従来の高周波パッケージたとえばメタルウォールパッケージ型は、金属製枠体の一部に設けられた誘電体部材の部分を線路導体が貫通し、金属製枠体内に伸びた線路導体部分は誘電体基板上に設けられている。この場合、金属製枠体を貫通する部分では、金属製枠体やベースプレートを外導体とする同軸線路が形成され、金属製枠体の内側では、ベースプレートを接地導体とするマイクロストリップ線路が形成される。
【０００６】
上記した構造の高周波パッケージの場合、たとえば金属製枠体の一部に設けられる誘電体部材と金属製枠体の内側に位置する誘電体基板が一体に形成され、同じ誘電体材料が使用されている。そのため、金属製枠体の貫通部分に形成される同軸線路と、金属製枠体の内側に形成されるマイクロストリップ線路との特性インピーダンスが相違し、たとえばマイクロストリップ線路の特性インピーダンスの方が同軸線路よりも高くなり、電圧定在波比など電気的特性を悪化させている。
【０００７】
この場合、金属製枠体の内側に位置する線路導体の幅を広くし、マイクロストリップ線路の特性インピーダンスを小さくすることが考えられる。しかし、金属製枠体の誘電体部材に線路導体を貫通させる場合、通常、誘電体部材に線路導体が通る穴をあけ、この穴に線路導体を通した後、誘電体部材を加熱し、線路導体を気密に封着する方法が取られている。したがって、線路導体の先端部分の幅が広いと、これに合わせて誘電体部材にあける穴も大きくなる。その結果、誘電体部材を加熱し線路導体を封着する際に、先端部分に比べて幅が狭くなっている線路導体と誘電体部材との気密性の確保が困難になる。
【０００８】
本発明は、上記した欠点を解決し、良好な電圧定在波比および気密性が得られる高周波パッケージを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、回路部品が配置されるベースプレートと、このベースプレートの前記回路部品が配置される領域を所定の高さで囲み、一部が誘電体部材で形成された金属製枠体と、この金属製枠体で囲まれた内側で、前記誘電体部材の部分に隣接して前記ベースプレート上に設けられた誘電体基板と、前記誘電体部材を貫通して前記誘電体基板上まで伸び、前記誘電体部材を貫通する部分で同軸線路を形成し、前記誘電体基板上でマイクロストリップ線路を形成する幅が一様の帯状線路導体とを具備した高周波パッケージにおいて、前記金属製枠体の一部を形成する前記誘電体部材の比誘電率よりも前記誘電体基板の比誘電率を大きくしたことを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態について図１を参照して説明する。
【００１１】
符号１１は金属製ベースプレートで、金属製ベースプレート１１上の回路部品が配置される領域を囲んで、たとえば矩形状の金属製枠体１２が所定の高さに形成されている。金属製枠体１２のたとえば対向する２つの枠体辺１２１、１２２の一部に、それぞれ断面が矩形の貫通口１２ａ、１２ｂが設けられている。この貫通口１２ａ、１２ｂの部分は所定の比誘電率をもつ誘電体部材１３ａ、１３ｂたとえばガラスで封止されている。また、金属製枠体１２の内側に、金属製枠体１２の一部を構成する誘電体部材１３ａ、１３ｂに隣接して、誘電体部材１３ａ、１３ｂよりも大きい比誘電率をもつガラス製の誘電体基板１４ａ、１４ｂがベースプレート１１上に設けられている。なお、誘電体基板１４ａは図面の関係から示されていない。
【００１２】
そして、たとえばコバール材の帯状線路導体１５ａ、１５ｂが誘電体部材１３ａ、１３ｂの部分を貫通し、金属製枠体１２内側の誘電体基板１４ａ、１４ｂ上まで伸びている。線路導体１５ａ、１５ｂは、その幅部分を利用して、金属製枠体１２内に配置された回路部品（図示せず）とたとえばワイヤボンディングによって接続される。
【００１３】
なお、線路導体１５ａ、１５ｂと回路部品をワイヤボンディングした後、金属製枠体１２の上部開口は蓋（図示せず）で封止される。
【００１４】
ここで、図１の高周波パッケージを上方から見た構造を図２（ａ）に示す。また、図２（ａ）を線分ａ−ａで断面にした断面図を図２（ｂ）に示す。図２では、図１に対応する部分には同じ符号を付し重複する説明を省略する。
【００１５】
上記した構成の場合、線路導体１５ａ、１５ｂは、枠体１２を貫通する部分では、金属製枠体１２およびベースプレート１１を外導体とする同軸線路を構成している。金属製枠体１２の内側では、ベースプレート１１を接地導体とするマイクロストリップ線路を構成している。この場合、金属製枠体１２の一部を構成する誘電体部材１３ａ、１３ｂよりも金属製枠体１２内側の誘電体基板１４ａ、１４ｂの比誘電率を大きくしている。そのため、金属製枠体１２部分の同軸線路と金属製枠体１２内側のマイクロストリップ線路の特性インピーダンスの差が小さくなり、電圧定在波比が低減する。
【００１６】
たとえば金属製枠体１２の一部を構成する誘電体部材１３ａ、１３ｂとして比誘電率が４．１のガラスを用い、また、誘電体基板１４ａ、１４ｂの誘電体として比誘電率が７．０のガラスを用いた場合、この両方に比誘電率が４．１の誘電体材料を用いた場合に比べ、高周波入出力端子の電圧定在波比が２．１から１．３に低減した。
【００１７】
上記の実施形態では、金属製枠体部分の誘電体部材および金属製枠体内側の誘電体基板にガラスを使用している。セラミックに比べた場合、ガラスの方が比誘電率の範囲が広く、この発明に適している。
【００１８】
また、上記の構成の場合、線路導体の幅が一様であるため、製造時に、金属製枠体部分の誘電体部材に設ける穴を大きくする必要がなく、線路導体と誘電体部材の気密性が確保される。
【００１９】
なお、上記の実施形態では、帯状線路導体としてコバールを用いている。この場合、コバールの熱膨張率が誘電体材料のガラスとほぼ同じであるため、帯状線路導体と誘電体部材との気密性が確保される。
【００２０】
【発明の効果】
本発明によれば、良好な電圧定在波比および気密性が得られる高周波パッケージが実現される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態を説明するための斜視図である。
【図２】本発明の実施形態を説明するための上面図および断面図である。
【符号の説明】
１１…ベースプレート
１２…金属製枠体
１３ａ、１３ｂ…誘電体部材
１４ａ、１４ｂ…誘電体基板
１５ａ、１５ｂ…帯状線路導体
【図１】
0004095263.tif 000002
【図２】
0004095263.tif 000003