(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学気相成長法で薄膜を形成する方法において、
基板上に紫外線を照射する第1の工程と、
前記基板上の一部分または複数部分に薄膜原料を含む液体を配置する第２の工程と、
前記液体から薄膜原料を気化させて前記基板上に供給する第３の工程と、
前記液体の気化せずに残った部分を剥がす第４の工程と、
を含み、
前記液体が配置された領域以外の部分に薄膜を形成することを特徴とする薄膜形成方法。
【請求項２】
前記第３の工程において、
過熱することで前記薄膜原料を気化させると共に前記薄膜原料を分解することを特徴とする請求項１に記載の薄膜形成方法。
【請求項３】
前記液体は、液状のトリメチルアルミニウムであることを特徴とする請求項２に記載の薄膜形成方法。
【請求項４】
前記第３の工程において、前記気化せずに残った部分が、前記薄膜の厚さよりも厚いアルミニウム膜となるように加熱することを特徴とする請求項３に記載の薄膜形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、化学気相成長（ＣＶＤ）法で薄膜パターンを形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
化学気相成長（ＣＶＤ）法は、薄膜原料の気体を基板に供給し、この気体を熱や光等により分解して基板上に所望の薄膜を堆積する方法である。この方法は、半導体装置の製造工程において、半導体膜、絶縁膜、導電膜等の薄膜形成法として広く用いられている。このＣＶＤ法では、液体を気化させた気化物を原料として用いる場合もある。また、有機金属化合物を利用したＣＶＤ法は、特に有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法と称されている。通常、これらの気体原料や液体原料の気化物は反応室の外部で生成され、配管を通って反応室内に導入されている。
【０００３】
半導体装置の製造工程では、基板の全面に薄膜を形成した後、この薄膜の必要な部分だけを残して不要な部分を除去するパターニング工程が行われる。このパターニング工程は、通常次のような方法で行われている。先ず、薄膜の上にレジスト膜を形成した後に、このレジスト膜に対してフォトマスクを介して光照射を行うことでレジストパターンを形成する。次に、このレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことにより、薄膜の不要な部分を除去する。次に、レジストパターンを除去する。
【０００４】
なお、ＣＶＤ法は化学反応を伴う成膜であるため、基板上の薄膜が不要な領域を不活性な状態とすることによって、必要な領域にだけ薄膜を形成すること（選択成長）も可能である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のＣＶＤ法やＭＯＣＶＤ法は、反応性の高い危険な気体を反応室内に導入して行われるため、反応室内の気体を反応中には外部に漏らさず、反応後には確実に回収する必要がある。そのために、従来のＣＶＤ装置およびＭＯＣＶＤ装置には、大掛かりな真空排気装置が装備されていている。また、反応室に導入された気体のうち反応して薄膜になる量は一部分であり、大部分は回収して無害化処理する必要がある。
【０００６】
このように、従来のＣＶＤ法による薄膜形成方法には、大掛かりな真空排気装置および無害化処理装置が必要なことから、コストの点で改善の余地がある。
【０００７】
また、特に大型の液晶ディスプレイ等では、大面積の基板に画素毎のスイッチング素子のアレイを形成する必要があるが、このアレイ形成を従来の方法（基板全面に薄膜を形成した後に前述のパターニング工程を行う方法）で行うと、薄膜の基板上に残す量は極僅かであって、大部分はパターニング工程で除去されることになる。
【０００８】
なお、薄膜をＣＶＤ法で選択成長させた場合でも、形成された薄膜のパターンからはみ出した部分を除去する工程を行っているのが現状である。すなわち、薄膜をＣＶＤ法で選択成長させることによって、除去される薄膜量を少なくすることはできるが、この場合でも、薄膜形成後に薄膜除去を全く行う必要がないというわけではない。
【０００９】
このように、従来のＣＶＤ法による薄膜形成方法で大型の液晶ディスプレイ等を作製する方法には、薄膜原料を無駄にしているという問題点がある。
【００１０】
一方、特開２０００−１２４６５号公報には、膜形成面に液体原料が塗布された第１のシリコン膜被形成体と、第２のシリコン膜被形成体とを、互いの膜形成面同士を対向させて配置することにより、第１のシリコン膜被形成体と第２のシリコン膜被形成体の両方の膜形成面に、一度にシリコン膜を形成する方法が開示されている。
【００１１】
この方法では、第１のシリコン膜被形成体の膜形成面には、塗布されている液体原料の分解反応によってシリコン膜を形成し、第２のシリコン膜被形成体の膜形成面には、第１のシリコン膜被形成体の膜形成面上の液体原料の気化物の分解反応によってシリコン膜を形成すると記載されている。この公報では、２枚の基板に一度にシリコン膜を形成できることと、第２のシリコン膜被形成体の全面に膜厚が均一なシリコン膜が形成できることを、発明の効果として挙げている。
【００１２】
しかしながら、この公報に記載の方法でも、所定パターンのシリコン薄膜を得るためには、薄膜形成後にパターニング工程を行う必要がある。
【００１３】
本発明は、このような従来技術の問題点に着目してなされたものであり、ＣＶＤ法による薄膜形成方法において、大掛かりな真空排気装置や無害化処理装置が不要であり、少量の原料液体で基板の一部に薄膜を形成することができる方法、さらには、薄膜形成後にパターニング工程を行わなくても薄膜パターンが得られる方法を提供することを課題とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明のひとつは、化学気相成長法で薄膜を形成する方法において、基板上に紫外線を照射する第1の工程と、前記基板上の一部分または複数部分に薄膜原料を含む液体を配置する第２の工程と、前記液体から薄膜原料を気化させて前記基板上に供給する第３の工程と、前記液体の気化せずに残った部分を剥がす第４の工程と、
を含み、前記液体が配置された領域以外の部分に薄膜を形成することを特徴とする。
前記第３の工程において、
過熱することで前記薄膜原料を気化させると共に前記薄膜原料を分解することが好ましい。
また、前記液体は、液状のトリメチルアルミニウムであることが好ましい。
こり場合、前記第３の工程において、前記気化せずに残った部分が、前記薄膜の厚さよりも厚いアルミニウム膜となるように加熱することが好ましい。
上記課題を解決するために、本発明の他のひとつは、化学気相成長法で薄膜を形成する方法において、基板上に化学気相成長に対して活性な領域と不活性な領域とを薄膜形成面に形成する第一工程と、前記活性な領域の近傍に薄膜原料を含む液体を配置する第二工程と、前記液体から前記薄膜原料を気化させて薄膜形成面に供給する第三工程と、を含み、  前記第三工程は、基板の液体配置面と平行に不活性ガス、水素ガス、または不活性ガスと水素ガスの混合ガスを流しながら行うことを特徴とする。
前記第一工程は、紫外線の照射により前記基板上にヒドロキシル基を生成する工程と、  前記ヒドロキシル基が存在している薄膜形成面に、一般式ＲＳｉＸ3 （Ｒは、アルキル基の末端側の水素がフッ素で置換されているフルオロアルキル基、Ｘはアルコキシ基またはハロゲン基）で表されるシラン誘導体を用いて自己組織化膜を形成する工程と、前記自己組織化膜にフォトマスクを介した紫外線照射または必要な部分への電子線照射を行い、化学気相成長に対して活性な領域とする部分の自己組織化膜を除去する工程と、を含むことが好ましい。
上記課題を解決するために、本発明は、化学気相成長法で薄膜を形成する方法
において、基板上の一部分または複数部分に薄膜原料を含む液体を配置し、この
液体から薄膜原料を気化させて薄膜形成面の一部分または複数部分に供給するこ
とにより、当該薄膜形成面に薄膜を所定パターンで形成することを特徴とする薄
膜形成方法を提供する。
【００１５】
この方法によれば、大面積の基板の極一部にのみ薄膜が存在する薄膜パターンを形成する場合でも、薄膜原料の使用量を極少量にすることができる。また、薄膜原料を気体状で反応室内に導入する必要がないため、大掛かりな真空排気装置や無害化処理装置が不要である。
【００１６】
本発明の方法においては、基板の一方の面を液体配置面とし、この液体配置面の液体が配置された領域以外の部分に薄膜を形成することにより、薄膜を形成する基板のみを用いて、液体配置のためのダミーの基板を用いずに、この基板に本発明の方法により薄膜パターンを形成することができる。
【００１７】
本発明の方法においては、液体を配置する第１基板と薄膜を形成する第２基板とを、第１基板の液体配置面と第２基板の薄膜形成面とを対向させて配置し、第１基板上の一部分または複数部分に配置された液体から薄膜原料を気化させて、第２基板の薄膜形成面に供給することにより、第１基板の液体配置部分と対向する第２基板の薄膜形成面の部分に薄膜パターンを形成することができる。
【００１８】
この２枚の基板を用いる方法においては、第２基板を、薄膜形成面が薄膜原料の気化物を分解可能な温度になるように加熱し、この加熱によって第２基板から放射された熱で、第１基板を前記液体から薄膜原料が気化する温度に加熱することにより、２枚の基板を用いる方法にかかるコストを低減することができる。
【００１９】
本発明の方法においては、液体配置工程を行う前に、化学気相成長に対して活性な領域と不活性な領域とを薄膜形成面に形成することにより、薄膜を選択成長させることが好ましい。
【００２０】
化学気相成長に対して活性な領域と不活性な領域の形成は、ヒドロキシル基（ＯＨ基）が存在している薄膜形成面に、一般式ＲＳｉＸ3 （Ｒは、アルキル基の末端側の水素がフッ素で置換されているフルオロアルキル基、Ｘは加水分解されてＯＨ基となり得る基であって、アルコキシ基またはハロゲン基）で表されるシラン誘導体を用いて自己組織化膜を形成した後、この自己組織化膜にフォトマスクを介した紫外線照射を行い、化学気相成長に対して活性な領域とする部分の自己組織化膜を除去することにより行うことが好ましい。これにより、薄膜形成と同時に薄膜パターンが得られるため、薄膜形成後のパターニング工程が不要となる。
【００２１】
本発明において「自己組織化膜」とは、膜形成面の構成原子と結合可能な官能基が直鎖分子に結合されている化合物を、気体または液体の状態で膜形成面と共存させることにより、前記官能基が膜形成面に吸着して膜形成面の構成原子と結合し、直鎖分子を外側に向けて形成された単分子膜である。この単分子膜は、化合物の膜形成面に対する自発的な化学吸着によって形成されることから、自己組織化膜と称される。
【００２２】
なお、自己組織化膜については、Ａ．Ｕｌｍａｎ著の「Ａｎ  Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ  ｔｏ  Ｕｌｔｒａｔｈｉｎ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｆｉｌｍ  ｆｒｏｍＬａｎｇｍｕｉｒ−Ｂｌｏｄｇｅｔｔ  ｔｏ  Ｓｅｌｆ−Ａｓｓｅｍｂｌｙ」（Ａｃａｄｅｍｉｃ  Ｐｒｅｓｓ  Ｉｎｃ．Ｂｏｓｔｏｎ，１９９１）の第３章に詳細に記載されている。
【００２３】
ヒドロキシル基が存在している薄膜形成面に気体または液体の前記シラン誘導体（ＲＳｉＸ3 ）を共存させると、先ず、Ｘが空気中の水分で加水分解されてフルオロアルキルシラノール（ＲＳｉ（ＯＨ）3 ）となる。このシラノールのヒドロキシル基と膜形成面のヒドロキシル基との脱水反応によってシロキサン結合が生じ、フルオロアルキル基（Ｒ）を外側に向けた単分子膜（自己組織化膜）が膜形成面に形成される。この自己組織化膜の表面は、フルオロアルキル基の存在によって不活性な状態（表面エネルギーが低く、反応性が低い状態）となる。
【００２４】
一般式ＲＳｉＸ3 で表されるシラン誘導体としては、（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロ）デシル−トリエトキシシラン、（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロ）デシル−トリメトキシシラン、（トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロ）オクチル−トリメトキシシラン、（トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロ）オクチル−トリエトキシシシラン等のフルオロアルキルアルコキシシランを使用することが好ましい。
【００２５】
したがって、前述の方法で自己組織化膜が除去された薄膜形成面の部分は、化学気相成長に対して活性な領域となり、薄膜形成面の自己組織化膜が残っている部分は、化学気相成長に対して不活性な領域となる。
【００２６】
本発明の方法においては、薄膜原料の気化工程を基板の液体配置面と平行に、不活性ガス（窒素ガス等）、水素ガス、または不活性ガスと水素ガスの混合ガスを流しながら行うことが好ましい。これにより、薄膜を形成する基板面に液体を配置する場合には、配置された液体からの気化物を液体配置位置の周囲に容易に向かわせることができる。２枚の基板を使用して、第１基板に配置された液体からの気化物を第２基板に向かわせる場合には、第２基板に向かう気化物の量を制御することができる。これにより、形成される薄膜の膜厚を制御することができる。
【００２７】
本発明の方法においては、液体配置工程はインクジェット法で行なうことが好ましい。
【００２８】
本発明の方法で使用する液体（薄膜原料を含む液体）としては、加熱によって薄膜原料が気化する液体であればよい。一般的なＣＶＤ法やＭＯＣＶＤ法で使用されている、公知の液体材料（例えば、液体状の有機金属化合物や液体状のシラン化合物等）を使用することができる。
【００２９】
有機金属化合物の具体例としては、トリメチルアルミニウム、トリメチルガリウム、トリメチルフォスフィン、トリエチルアルミニウム等があげられる。シラン化合物の具体例としては、トリシラン、テトラシラン、ペンタシラン、ヘキサシラン等の水素化シラン化合物、テトラクロロシランやトリクロロシラン等のハロゲン化シラン化合物、上述のフルオロアルキルアルコキシシラン、一般式Ｒn ＳｉＸ(4-n) で表されるシランカップリング剤、さらにテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）等が挙げられる。
本発明の方法において、基板（液体配置と薄膜形成の両方がなされる基板、液体配置のみがなされる第１基板、薄膜形成のみがなされる第２基板）としては、シリコン（Ｓｉ）ウエハ、石英板、ガラス板、プラスチックフィルム、金属板等が挙げられる。これらの基板の表面に、半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜等が形成されているものを、基板として用いてもよい。
【００３０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について説明する。
【００３１】
図１を用いて本発明の方法の第１実施形態を説明する。
【００３２】
先ず、図１（ａ）に示すように、ガラス基板１の薄膜形成面１１に紫外線２を照射して、薄膜形成面１１をクリーニングした。これにより、ガラス基板１の薄膜形成面１１は全面にヒドロキシル基が存在する状態となる。ここでは、紫外線の照射条件は、紫外線の波長１７２ｎｍ、紫外線強度１０ｍＷ／ｃｍ2 、照射時間１０分とした。
【００３３】
次に、図１（ｂ）に示すように、窒素ガス雰囲気で、ガラス基板１の薄膜形成面１１の複数箇所に、液状のトリメチルアルミニウムをインクジェット法により吐出して、液滴５を配置した。ここでは、直径５０μｍの液滴３を１００μｍ間隔で格子状に配置した。
【００３４】
次に、図１（ｃ）に示すように、ガラス基板１を窒素ガスが封入された密封容器４内に入れて、密封容器４内の温度を２００℃に保持して１０分間放置することにより、トリメチルアルミニウムからなる液滴５を気化させた。これにより、液滴５の一部が気化して気体状のトリメチルアルミニウムとなり、薄膜形成面１１の液滴５が配置されていない部分に供給された。そして、この気体が熱により分解されて、薄膜形成面１１の液滴５が配置されていない部分にアルミニウムが堆積し、図１（ｄ）に示すように、アルミニウム薄膜５０が形成された。アルミニウム薄膜５０の膜厚は３０ｎｍであった。
【００３５】
なお、薄膜形成面１１の液滴５が配置された部分では、気化しなかったトリメチルアルミニウムが熱分解されて、厚さが約１００ｎｍのアルミニウム厚膜５１が形成された。このアルミニウム厚膜５１は、膜質が悪くて基板に対する密着力も低く、薄膜形成面１１からすぐに剥がれた。その結果、アルミニウム薄膜５０が、厚膜５１の部分が開口部となったパターンで形成された。
【００３６】
図２および３を用いて本発明の方法の第２実施形態を説明する。
【００３７】
先ず、図２（ａ）に示すように、ガラス基板１の薄膜形成面１１に紫外線２を照射して、薄膜形成面１１をクリーニングした。紫外線の照射条件は、紫外線の波長１７２ｎｍ、紫外線強度１０ｍＷ／ｃｍ2 、照射時間１０分とした。これにより、ガラス基板１の薄膜形成面１１は全面にヒドロキシル基が存在する状態となる。
【００３８】
次に、図２（ｂ）に示すように、ガラス基板１の薄膜形成面１１の複数箇所に、液状の（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロ）デシル−トリエトキシシラン（以下、「ＦＡＳ１７」と略称する。）を、インクジェット法により吐出して液滴３を配置した。ここでは、直径５０μｍの液滴３を１ｍｍ間隔で格子状に配置した。ＦＡＳ１７の化学式（示性式）は、ＣＦ3 （ＣＦ2 ）7 （ＣＨ2 ）2 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 である。
【００３９】
次に、図２（ｃ）に示すように、ガラス基板１を密封容器４内に入れて、密封容器４内の温度を１００℃に保持して１時間放置することにより、ＦＡＳ１７からなる液滴３を気化させた。これにより、液滴３は全て気化され、この気化物がガラス基板１の薄膜形成面１１の全面に供給された。
【００４０】
その結果、図２（ｄ）および図３（ａ）に示すように、ＦＡＳ１７のエトキシ基が加水分解されて生じたシラノールのヒドロキシル基と、ガラス基板１の薄膜形成面１１のヒドロキシル基との脱水反応によってシロキサン結合が生じて、ガラス基板１の薄膜形成面１１の全面に、フルオロアルキル基（ＣＦ3 （ＣＦ2 ）7 （ＣＨ2 ）2 −）が外側に向いた状態で単分子膜（自己組織化膜）３０が形成された。この単分子膜３０の表面はフルオロアルキル基の存在により、化学気相成長に対して不活性な状態になっている。
【００４１】
次に、図３（ｂ）に示すように、紫外線遮蔽部６１が格子状に形成され紫外線透過部６２が長方形であるフォトマスク６を用意し、このフォトマスク６を介して単分子膜３０に紫外線２を照射した。これにより、単分子膜３０の紫外線透過部６２の真下に配置されていた部分が除去されて、長方形の開口部３１を多数有する格子状の単分子膜パターン３０ａが、ガラス基板１の薄膜形成面１１に形成された。図３（ｃ）はこの状態を示す。
【００４２】
ここでは、紫外線の照射条件は、紫外線の波長１７２ｎｍ、紫外線強度１０ｍＷ／ｃｍ2 、照射時間１５分とした。また、フォトマスクの紫外線透過部６２をなす長方形の寸法は１０μｍ×５０μｍとし、紫外線透過部６２の配置間隔は５００μｍとした。
【００４３】
この単分子膜パターン３０ａの開口部３１には、ガラス基板１の薄膜形成面１１が露出している。この露出面１１ａにはヒドロキシル基が存在しており、この露出面１１ａは化学気相成長に対して活性な状態にある。また、薄膜形成面１１の単分子膜が残っている部分（単分子膜パターン３０ａの表面）は化学気相成長に対して不活性な状態にある。そのため、この単分子膜パターン３０ａにより、ガラス基板１の薄膜形成面１１に化学気相成長に対して活性な領域と不活性な領域が形成された。
【００４４】
次に、図３（ｄ）に示すように、窒素ガス雰囲気で、単分子膜パターン３０ａの表面（単分子膜残存部）の全ての開口部３１の近傍に、各開口部３１に対応させて一つずつ、インクジェット法により液状のトリメチルアルミニウムを吐出して、直径５０μｍの液滴５を配置した。各液滴５の配置位置は、各開口部３１をなす長方形の短辺（すべての開口部３１で同じ側の短辺、図３（ｄ）に示すように、開口部３１の左側の短辺）から５０μｍ離れた位置とした。
【００４５】
次に、この状態で、ガラス基板１の薄膜形成面（液体配置面でもある）１１と平行で、液滴５から近接の開口部３１に向かう向き（矢印で示すように、図３（ｄ）の左から右に向けて）に窒素ガスを流しながら、ガラス基板１を１５０℃に加熱して１０分間保持することにより、トリメチルアルミニウムからなる液滴５を気化させた。
【００４６】
これにより、液滴５は全て気化して気体状のトリメチルアルミニウムとなり、それぞれ対応する開口部（図３（ｄ）で液滴５の右側の開口部）３１内に供給された。そして、この気体が熱により分解されて、前記開口部３１内にアルミニウム薄膜５０が形成された。単分子膜パターン３０ａの表面（単分子膜残存部）には、アルミニウム薄膜５０が形成されなかった。アルミニウム薄膜５０の膜厚は１０ｎｍであった。これにより、アルミニウム薄膜５０が、単分子膜パターン３０ａの全ての開口部３１に対応する位置に長方形が配置されているパターンで形成された。
【００４７】
図４を用いて本発明の方法の第３実施形態を説明する。
【００４８】
２枚のガラス基板７，８を用意し、先ず、一方のガラス基板（第２基板）７の薄膜形成面７１に、第２実施形態の方法で、ＦＡＳ１７を用いて単分子膜（自己組織化膜）からなるパターン３０ａを形成した。
【００４９】
次に、他方のガラス基板（第１基板）８の上面（液体配置面）８１の複数箇所に、窒素ガス雰囲気で、インクジェット法により液状のトリメチルアルミニウムを吐出して、液滴５を配置した。この液滴５の配置は、第２基板７に形成された単分子膜パターン３０ａの、全ての開口部３１に対応させた各位置に行った。
【００５０】
次に、第２基板７を、単分子膜パターン３０ａが形成されている薄膜形成面７１を下側に向けて、第１基板８の上方に所定の間隔（例えば１ｍｍ）を開けて平行に配置した。この時、第２基板７に形成された単分子膜パターン３０ａの開口部３１と第１基板８の液滴５の位置が全て合うように、２枚の基板７，８を対向配置する。そのために、例えば両基板に位置合わせ用のマークを形成しておき、このマークを合わせることにより開口部３１と液滴５の位置を合わせる。図４（ａ）はこの状態を示す。
【００５１】
次に、図４（ｂ）に示すように、この状態で、両基板７，８の間に基板面と平行に窒素ガスを流しながら、第２基板７を３００℃に加熱して５分間保持した。これにより、第１基板８が第２基板７から放射された熱で間接的に加熱され、第１基板８上のトリメチルアルミニウムからなる液滴５が気化して、この気体が第２基板７に形成された単分子膜パターン３０ａの開口部３１内に供給された。
【００５２】
その結果、気体状のトリメチルアルミニウムは熱により分解されて、第２基板７の単分子膜パターン３０ａの開口部３１内にアルミニウムが堆積し、図４（ｃ）に示すように、この開口部３１内にアルミニウム薄膜５０が形成された。単分子膜パターン３０ａの単分子膜残存部の表面には、アルミニウム薄膜５０が形成されなかった。アルミニウム薄膜５０の膜厚は２０ｎｍであった。
【００５３】
以上のように、第１〜３の実施形態の方法によれば、液状の薄膜原料を基板上に部分的に配置して気化させることにより、少量の薄膜原料でＣＶＤ法により容易に薄膜パターンを形成することができる。そのため、これらの方法では、大掛かりな真空排気装置や無害化処理装置が不要である。また、液体の配置をインクジェット法で行っているため、液体の配置が簡単にしかも精度よくできる。
【００５４】
特に、第２および第３実施形態の方法によれば、液状の薄膜原料を配置する前に、薄膜形成面に単分子膜パターン３０ａを形成して、単分子膜パターン３０ａの開口部３１に薄膜を選択成長させているため、薄膜形成と同時に薄膜パターンが得られる。したがって、薄膜形成後のパターニング工程が不要となる。
【００５５】
このうち第３実施形態の方法によれば、２枚の基板７，８を対向配置して、各液滴５からの気化物を単分子膜パターン３０ａの各開口部３１に向かわせることにより、第２実施形態の方法と比較して、一つの開口部３１内での膜厚の均一性と、複数の開口部３１間での膜厚の均一性が高くなる。
【００５６】
また、第３実施形態の方法によれば、第２基板７のみを直接加熱し、この第２基板７から放射された熱で、第１基板８を間接的に加熱しているため、加熱にかかるコストを低減することができる。
【００５７】
なお、第３実施形態で、第１基板８にも第２基板７と同じ単分子膜パターン３０ａを形成して、各開口部３１内に液滴５を配置することにより、原料の使用量をより少なくすることができる。
【００５８】
このようにして製造されたアルミニウムからなる薄膜を電極として用いることができる。例えば、表示装置に形成されている表示用の電極として、上記のようなアルミニウムからなる薄膜を用いることができる。また、配線の幅を細くすることにより、表示装置に形成される配線にも用いることが可能である。
【００５９】
このように形成した表示装置を用いることで、例えば図５に示すノート型のパーソナルコンピュータ６００（電子機器）が製造される。図５は、本発明の一実施形態による表示装置を備える電子機器の一例を示す図である。尚、図５において６０１は筐体であり、６０２は液晶表示装置であり、６０３はキーボードである。表示装置に関しては、ここでは液晶表示装置を例示したが、有機ＥＬ装置、を用いることも可能であり、又プラズマディスプレイにも適用できる。
【００６０】
図６は、他の電子機器としての携帯電話機を示す斜視図である。図６に示した携帯電話機７００は、アンテナ７０１、受話器７０２、送話器７０３、液晶表示装置７０４、及び操作釦部７０５等を備えて構成されている。ここでも、表示装置としては液晶表示装置を例示したが、前述の通り表示装置に関しては有機ＥＬ装置を用いることも可能である。
【００６１】
また、上記実施形態では、電子機器としてノート型コンピュータ及び携帯電話機を例に挙げて説明したが、これらに限らず、液晶プロジェクタ、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）及びエンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページャ、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等の電子機器に、前述の薄膜を適用することが可能である。
【００６２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の方法によれば、ＣＶＤ法による薄膜形成方法において、大掛かりな真空排気装置や無害化処理装置が不要であり、少量の原料液体で基板に薄膜パターンを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態の方法を説明する図である。
【図２】本発明の第２および第３実施形態で行った単分子膜（自己組織化膜）の形成方法を説明する図である。
【図３】本発明の第２実施形態の方法を説明する図である。
【図４】本発明の第３実施形態の方法を説明する図である。
【図５】本発明を用い、電子機器に適用した例を示す図である。
【図６】本発明を用い、電子機器に適用した別の例を示す図である。
【符号の説明】
１  ガラス基板
１１  薄膜形成面
１１ａ  薄膜形成面の露出面
２  紫外線
３  液滴
３０  単分子膜（自己組織化膜）
３０ａ  単分子膜パターン
３１  開口部
４  密封容器
５  液滴
５０  アルミニウム薄膜
５１  アルミニウム
６  フォトマスク
６１  紫外線遮蔽部
６２  紫外線透過部
７  ガラス基板（第２基板）
８  ガラス基板（第１基板）
【図１】
0004138312.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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