(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応器内に配置された基板上にガリウムのハロゲン化物含有ガスと窒素源含有ガスとを供給し、前記基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を気相成長させる窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法において、
１ａｔｍ、２５℃で気体あるいは液体である有機化合物であって、水素ガスより還元力の小さい還元性ガスとなる、炭化水素、アルコール、カルボン酸、エーテル、ケトン、アルデヒド、アミンまたはアミドのいずれかの有機化合物を、前記反応器内に気体状態で供給するとともに、
水素によって還元され、ドーパントとして用いられる原料ガスとしてＳｉを含むｎ型不純物のハロゲン化物ガスを基板上に供給してドーパントを窒化ガリウム系化合物半導体にドーピングすることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
【請求項２】
前記ガリウムのハロゲン化物含有ガスと、前記窒素源含有ガスと、前記ドーパントの原料ガスとが、それぞれキャリアガスにより基板上に供給され、該キャリアガスの少なくとも１つに、前記の有機化合物を含有させることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記キャリアガスが、前記の有機化合物と水素との混合ガスであることを特徴とする請求項１又は２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記キャリアガス中の有機化合物が炭化水素であって、該炭化水素の濃度が、１０ｐｐｍ〜１００％であることを特徴とする請求項１又は２に記載の製造方法。
【請求項５】
前記の有機化合物が炭化水素であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の製造方法。
【請求項６】
前記炭化水素が、炭素数が１から１０の炭化水素であることを特徴とする請求項４又は５に記載の製造方法。
【請求項７】
前記炭化水素が飽和炭化水素であることを特徴とする請求項４〜６のいずれか一つに記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法に関し、より詳しくは、ハイドライド気相成長法を用いた窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長法として、ガリウムのハロゲン化物を窒素源を含む化合物と基板上で反応させ、基板上に気相成長を行うハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ法）が注目されている。ＨＶＰＥ法は、窒化ガリウム系化合物半導体の場合、成長速度が１００μｍ／ｈｏｕｒ以上の高速成長が可能であり、厚膜形成に適した方法として期待されている。
【０００３】
ＨＶＰＥ法により窒化ガリウム系化合物半導体を形成する場合、例えば、以下のような方法で行われている。
反応器内にサファイア基板を配置し、サファイア基板を所定温度、例えば１０００℃に保持する。サファイア基板上に、ガリウムのハロゲン化物、例えばＧａＣｌと、窒素源、例えばアンモニアとを供給して、ＧａＮを生成させサファイア基板上で成長させる。ここで、ＧａＣｌは、ガリウム金属に、キャリアガスに水素を用いてＨＣｌを流すことにより生成させる。
【０００４】
さらに、ＧａＮにｎ型及び／又はｐ型不純物、例えばＳｉをドーピングする時は、ドーパントの原料ガスとしてケイ素化合物、例えばＳｉＨ２Ｃｌ２を、上記のＧａＣｌやアンモニアと同時にサファイア基板上に供給する。キャリアガスにより基板表面に導かれたケイ素化合物は、基板表面で加熱され、熱分解あるいは還元されてＳｉが析出し、結晶中に混入する。これにより、ＳｉをドーピングしたＧａＮを成長させている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、キャリアガスに水素を用いた場合、表面の平坦な窒化ガリウム系化合物半導体が得られる一方、Ｓｉをドーピングすると、Ｓｉ源のＳｉＨ２Ｃｌ２の一部が重合して供給管や反応器の内面に付着してしまい、ドーパント濃度を上げることができず、ドーパント濃度の制御が困難であるという問題があった。
【０００６】
そこで、本発明は、ドーパント濃度の制御の容易な窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法を提供することを目的とした。
【０００７】
なお、本発明は不純物の中でも特にＳｉについて記載しているが、これに限定されるわけではなく、ｎ型不純物のＧｅ、Ｓｎ、Ｓ等や、ｐ型不純物のＭｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｂｅ等についても同様である。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
ＨＶＰＥ法を用いた窒化ガリウム系化合物半導体のＳｉドーピングは、高温に保持された基板上で、Ｓｉ源が熱分解して又はキャリアガスである水素により還元されてＳｉ原子となり、窒化ガリウム系化合物半導体結晶中に導入されることにより進行する。
本発明者らは、Ｓｉの重合体の生成がキャリアガスに用いる水素ガスの還元力が強過ぎることによるものと考え、水素ガスに比べ還元力の小さい還元性ガスを用いればＳｉの重合体の生成を抑制できることを見出して本発明を完成させたものである。
すなわち、本発明の窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法は、反応器内に配置された基板上にガリウムのハロゲン化物含有ガスと窒素源含有ガスとを供給し、前記基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を気相成長させる窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法において、１ａｔｍ、２５℃で気体あるいは液体である有機化合物であって、水素ガスより還元力の小さい還元性ガスとなる、炭化水素、アルコール、カルボン酸、エーテル、ケトン、アルデヒド、アミンまたはアミドのいずれかの有機化合物を、前記反応器内に気体状態で供給するとともに、水素によって還元され、ドーパントとして用いられる原料ガスとしてＳｉを含むｎ型不純物のハロゲン化物ガスを基板上に供給してドーパントを窒化ガリウム系化合物半導体にドーピングすることを特徴とする。
【０００９】
本発明によれば、ドーパントの原料ガスを基板上に供給してドーパントを窒化ガリウム系化合物半導体にドーピングするに際し、還元性物質として、少なくとも炭素と水素とを含む化合物（以下、炭化水素系化合物と呼ぶ。）を反応器内に気体状態で供給することにより、水素ガスの量を減らすことができる。これにより、ドーパントがｎ型不純物の場合、例えば、Ｓｉ源が還元されるのを抑制し、Ｓｉの重合体の生成を抑制できるので、ｎ型不純物濃度の制御が容易となる。また、ドーパントがｐ型不純物の場合においても、ｐ型不純物源の還元を抑制することができるので、ｐ型不純物濃度の制御が容易となる。なお、炭化水素系化合物は、基板の表面を滑らかにする効果を有するので、水素ガスを減らしても面荒れを抑制することができる。
【００１０】
また、本発明の製造方法は、前記ガリウムのハロゲン化物含有ガスと、前記窒素源含有ガスと、前記ドーパントの原料ガスとを、それぞれキャリアガスにより基板上に供給することができ、そのキャリアガスの少なくとも１つに、前記の有機化合物を含有させることができる。
【００１１】
また、本発明の製造方法は、前記ドーパントに、ｎ型不純物とｐ型不純物の少なくとも一方を含むものを用いることができる。ここで、ｎ型不純物にはＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、そしてＳの少なくとも１種を含むもの、そしてｐ型不純物にはＭｇ、Ｚｎ、Ｃａ、そしてＢｅの少なくとも１種を含むものを用いることができる。
【００１２】
また、本発明の製造方法は、前記の有機化合物に炭化水素を用いることができる。その炭化水素には、炭素数が１から１０の炭化水素を用いることができる。さらに、その炭素数が１から１０の炭化水素には、飽和炭化水素を用いることができる。
【００１３】
また、本発明の製造方法は、前記キャリアガスに、前記の有機化合物と水素との混合ガスを用いることができる。その場合、前記キャリアガス中の前記の有機化合物の濃度を、１０ｐｐｍ〜１００％とすることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態について説明する。
窒化ガリウム系化合物半導体は、ＨＶＰＥ法を用い以下のようにして成長させる。
反応器内のＧａメタルを入れた石英ボートから離れた位置に基板を設置する。反応器内の圧力は約１ａｔｍ、そして基板の温度を約１０００℃に保持する。ＨＣｌ等のハロゲンガスをキャリアガスと共にハロゲンガス供給管より反応器内に導入する。このハロゲンガスとＧａ等の金属とを反応させることによりＩＩＩ族元素のハロゲン化物を生成させる。次に、このガリウムのハロゲン化物と、窒素源供給管より供給したアンモニアガスとを基板上で反応させ、窒化ガリウム系化合物半導体を基板上に成長させる。ガリウムのハロゲン化物とアンモニアガスと反応させる際に、同時にＳｉドーピングの原料ガスをドーピングガス供給管を用いて基板表面に供給して、Ｓｉをドーピングする。ここで、Ｓｉドーピングの原料ガスのキャリアガスとして、炭化水素系化合物を含んだガスを用いる。また、条件により水素ガスを含んだ混合ガスを用いる。これにより、Ｓｉをドーピングした窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる。
【００１６】
本発明に用いる、炭化水素系化合物とは、常温、常圧で炭化水素系化合物同士を混合した状態で安定な化合物である。この化合物は、気体状態で反応器内に導入できるものが好ましく、標準状態、すなわち、１ａｔｍ、２５℃（２９８Ｋ）で、気体あるいは液体である有機化合物が好ましい。この有機化合物としては、炭化水素、含酸素化合物である、アルコール、カルボン酸、エーテル、ケトン、そしてアルデヒドや、含窒素化合物である、アミンやアミド等を挙げることができる。なお、窒化ガリウム系化合物半導体中に金属元素が混入するのを防止するため、この有機化合物は実質的に目的とするドーパント元素を除いた金属元素を含まないことが必要である。
【００１７】
本発明に使用できる炭化水素には、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ｎ−ペンタン、イソペンタン、ｎ−へキサン、イソへキサン、ｎ−へプタン、オクタン、ノナン、ｎ−デカン、イソデカン、ｎ−ウンデカン、ｎ−ドデカン、ｎ―トリデカン、ｎ−テトラデカン、ｎ−ペンタデカン、そしてｎ―ヘキサデカン等の直鎖又は分岐飽和炭化水素や、シクロペンタン、シクロヘキサン、そしてシクロオクタン等の環状飽和炭化水素や、エチレン、プロピレン、ブテン、ペンテン、ヘキセン、ヘプテン、オクテン、イソプレン、そしてアセチレン等の不飽和炭化水素や、ベンゼン、トルエン、そしてキシレン等の芳香族炭化水素を挙げることができる。
この中で、標準状態で気体である炭素数が１から１０の炭化水素を用いることが好ましい。反応器内へ容易に導入することができ、また水素との混合ガスを容易に調製できる。具体例としては、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ｎ−ペンタン、そしてイソペンタンのいずれか、あるいはこれらの混合ガスを用いることが好ましい。
【００１８】
また、本発明に使用できる含酸素化合物としては、アルコール、カルボン酸、エーテル、ケトン、エステル、そしてアルデヒドが挙げられる。
アルコールには、一価アルコールとして、メチルノール、エチルノール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ｓｅｃ−ブチルアルコール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール、ｎ−アミルアルコール、イソアミルアルコール、ヘキシルアルコール、へプチルアルコール、オクチルアルコール、カプリルアルコール、ノニルアルコール、デシルアルコール、ウンデシルアルコール、そしてラウリルアルコール等の脂肪族飽和アルコールや、アリルアルコール、クロチルアルコール、そしてプロパルギルアルコール等の脂肪族不飽和アルコールや、シクロペンタノール、そしてシクロヘキサノール等の脂環式アルコールや、ベンジルアルコール、そしてシンナミルアルコール等の芳香族アルコールや、フルフリルアルコール等の複素環式アルコール、二価アルコールとして、エチレングリコール、プロピレングリコール、トリメチレングリコール、１,４−ブタンジオール、そして１,５−ペンタンジオール、三価アルコールとして、グリセリン等を挙げることができる。
【００１９】
また、カルボン酸としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、エナント酸、カプリル酸、そしてぺラルゴン酸等の飽和脂肪酸、アクリル酸、クロトン酸、そしてイソクロトン酸等の不飽和脂肪酸等を挙げることができる。
【００２０】
また、エーテルとしては、メチルエーテル、エチルエーテル、プロピルエーテル、イソプロピルエーテル、ブチルエーテル、イソブチルエーテル、ｎ−アミルエーテル、イソアミルエーテル、メチルエチルエーテル、メチルプロピルエーテル、メチルイソプロピルエーテル、メチルブチルエーテル、メチルイソブチルエーテル、メチルｎ−アミルエーテル、メチルイソアミルエーテル、エチルプロピルエーテル、エチルイソプロピルエーテル、エチルブチルエーテル、エチルイソブチルエーテル、エチルｎ−アミルエーテル、そしてエチルイソアミルエーテル等の脂肪族飽和エーテル、ビニルエーテル、アリルエーテル、メチルビニルエーテル、メチルアリルエーテル、エチルビニルエーテル、そしてエチルアリルエーテル等の脂肪族不飽和エーテル、アニソール、フェネトール、フェニルエーテル、そしてベンジルエーテル等の芳香族エーテル、酸化エチレン、酸化プロピレン、酸化トリメチレン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、そしてジオキサン等の環式エーテルを挙げることができる。
【００２１】
また、ケトンとしては、アセトン、エチルメチルケトン、メチルプロピルケトン、イソプロピルメチルケトン、ブチルメチルケトン、イソブチルメチルケトン、ピナコロン、ジエチルケトン、ジプロピルケトン等の脂肪族飽和ケトン、メチルビニルケトン、メシチルオキシド、そして６−メチル−５−ヘプテン−２−オン等の脂肪族不飽和ケトン、シクロブタノン、シクロペンタノン、そしてシクロへキサン等の脂環式ケトン等を挙げることができる。
【００２２】
また、エステルとしては、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、ギ酸イソブチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸プロピル、プロピオン酸イソプロピル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸イソブチル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸プロピル、酪酸イソプロピル、酪酸ブチル、酪酸イソブチル、吉草酸メチル、吉草酸エチル、吉草酸プロピル、そして吉草酸ブチル等を挙げることができる。
【００２３】
また、アルデヒドとしては、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ブチルアルデヒド、イソブチルアルデヒド、バレルアルデヒド、イソバレルアルデヒド、ビバリンアルデヒド、カピロンアルデヒド、ヘプトアルデヒド、カプリルアルデヒド、そしてぺラルゴンアルデヒド等の脂肪族飽和アルデヒド、グリオキサールやスクシンアルデヒド等の脂肪族ジアルデヒド、アクロレイン、クロトンアルデヒド、そしてプロピオールアルデヒド等の脂肪族不飽和アルデヒド、ベンズアルデヒドやトルアルデヒド等の芳香族アルデヒドを挙げることができる。
【００２４】
また、本発明に使用できる含窒素化合物として、アミンには、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、イソプロピルアミン、ブチルアミン、アミルアミン、ヘキシルアミン、へプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、そしてデシルアミン等の脂肪族第１アミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジブチルアミン、そしてジアミルアミン等の脂肪族第２アミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、そしてトリアミルアミン等の脂肪族第３アミン、シクロプロピルアミン、シクロブチルアミン、シクロペンチルアミン、そしてシクロヘキシルアミン等の脂環式アミン、アニリン、メチルアニリン、ジメチルアニリン、エチルアニリン、ジエチルアニリン、トルイジン、そしてベンジルアミン等の芳香族アミンを挙げることができる。
【００２５】
また、アミドには、ホルムアミド、Ｎ，Ｎ′−ジメチルホルムアミド、そしてＮ，Ｎ′−ジメチルアセトアミド等の脂肪族アミド、Ｎ，Ｎ′−ジエチル−ｍ−トルアミド等の芳香族アミドを挙げることができる。
【００２６】
上記の含酸素化合物及び含窒素化合物の中では、標準状態で気体であり、毒性のないものが好ましい。
【００２７】
また、本発明に使用する有機化合物は、ハロゲンガス供給用のキャリアガス、窒素源供給用のキャリアガス、そしてドーピングガス供給用のキャリアガスの少なくともいずれかのキャリアガスとして用いることができる。この場合、輸送するハロゲンガスや窒素源、そしてドーパント源との混合が容易で、これらの物質と標準状態で反応しないものが望ましい。
【００２８】
また、有機化合物と水素ガスとの混合ガスをキャリアガスとして用いることもできる。水素ガスと混合することにより、ドーパント源に対する還元力を調整することが可能となる。その混合ガス中の、有機化合物の濃度は、０．１％〜１００％、より好ましくは１０％〜１００％である。０．１％より少ないと水素ガスの還元力が低下せず、１０％以上で効率良くＳｉがドーピングされるようになる。
【００２９】
また、本発明の製造方法において、Ｓｉのドーピングには、従来公知の有機ケイ素化合物を用いることができる。具体例として、シラン、ジシラン、トリシラン、ジクロロシラン、トリクロロシラン、テトラクロロシラン、テトラメトキシシラン（ＴＭＯＳ）、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）等を挙げることができる。
【００３０】
また、Ｓｉの不純物濃度は、５×１０１６  個／ｃｍ３〜５×１０２１  個／ｃｍ３の範囲でドーピングすることが好ましい。５×１０１６  個／ｃｍ３よりも少ないと窒化ガリウム系化合物半導体層中のキャリア濃度が不十分となり抵抗率が高くなり、また、５×１０２１  個／ｃｍ３よりも多いと結晶性が悪くなるからである。
【００３１】
また、窒化ガリウム系化合物半導体の成長条件としては、成長速度が０．５ｍｍ／ｈｏｕｒ以上、より好ましくは１〜１００ｍｍ／ｈｏｕｒである。
窒化ガリウム系化合物半導体の膜厚としては、２０μｍ〜１ｍｍ、より好ましくは５０μｍ〜２００μｍである。
【００３２】
また、窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる基板には、異種基板や窒化ガリウム系化合物半導体からなる基板を用いることができる。
異種基板には、基板にＣ面、Ｒ面、及びＡ面のいずれかを主面とするサファイアやＳｉＣ（６Ｈ，４Ｈ，３Ｃ）、スピネル、ＺｎＳ、ＺｎＯ、ＧａＡｓ、そしてＳｉ等を用いることができる。
【００３３】
また、窒化ガリウム系化合物半導体から成る基板には、例えば、異種基板上にＨＶＰＥ法により窒化ガリウム系化合物半導体層を形成し、その後、異種基板を研磨等により除去したものを用いることができる。
【００３４】
また、異種基板上にバッファ層を形成したものを基板に用いることもできる。バッファ層を基板上に形成することにより、基板との格子定数不整合を緩和させることができる。バッファ層の具体例としては、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、及びＩｎＡｌＧａＮが挙げられる。キャリアガスに水素、原料ガスにはトリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、トリメチルインジウム等を用い、サファイア基板上に３００℃以上９００℃以下の温度、１０Å以上０．５μｍ以下の膜厚で成長させる。尚、このバッファ層は基板の種類により省略することもできる。
【００３５】
なお、本実施の形態では、有機化合物をキャリアガスとして、あるいはキャリアガスに含有させることにより、反応器内に連続して供給する例を示したが、成長反応の所定の時間毎、あるいは成長反応開始前のみに、水素ガスのキャリアガス中に所定量の有機化合物を添加する方法を用いることもできる。
【００３６】
【実施例】
実施例１．
本実施例では、異種基板上に窒化ガリウム系化合物半導体層を形成し、この窒化ガリウム系化合物半導体層を異種基板から研磨して、窒化ガリウム系化合物半導体基板とした。
【００３７】
異種基板としてＣ面を主面、オリフラ面をＡ面とするサファイア基板を用い、ＭＯＣＶＤ装置にセットし、温度１０５０℃で１０分間のサーマルクリーニングを行い水分や表面の付着物を除去した。
【００３８】
次に、温度を５１０℃にして、キャリアガスに水素、原料ガスにアンモニアとトリメチルガリウムを用い、ＧａＮのバッファ層を２００Åの膜厚で成長させた。
【００３９】
次に、窒化ガリウム系化合物半導体基板となる基板層として、ＧａＮから成り平坦性を有する層を成長温度１０５０℃で膜厚２０μｍで形成した。本実施例では、成長時のキャリアガスとして水素を２０．５Ｌ／分、原料ガスとしてアンモニアを５Ｌ／分、トリメチルガリウムを２５ｃｃ／分、流した。
【００４０】
次に、サファイア基板上に、ＧａＮ下地層を有する窒化ガリウム系化合物半導体を新たな基板とし、ＨＶＰＥ装置内にセットした。
【００４１】
ハロゲン含有ガスの供給管よりＨＣｌガスをＧａメタルに流してＧａＣｌ３を生成させ、窒素源含有ガスの供給管からはアンモニアガスを流し、さらに、Ｓｉ源含有ガスの供給管からはＨ２Ｃｌ２を含みキャリアガスに（ＣＨ４／Ｈ２混合ガスでＣＨ４濃度が８０％）を用いたドーピングガスを流し、サファイア基板上でそれらのガスを反応させ、ＳｉをドープしたＧａＮを成長させた。ＳｉをドープしたＧａＮの成長温度は１０００℃、そして成長速度を４５μｍ／ｈｏｕｒとして、膜厚１００μｍで成長させた。この後、サファイア基板、バッファ層、そしてＧａＮ下地層を研磨にて除去した。
【００４２】
ガスの供給管や反応器の内壁には、Ｓｉの重合体の生成は認められなかった。また、得られたＳｉをドープしたＧａＮのＳｉの濃度は、５×１０１８個／ｃｍ３）であり、Ｓｉ源含有ガスのキャリアガスに水素ガスを用いた場合に比べ、５００倍増加した。
【００４３】
実施例２．
実施例１のＣＨ４に代えてＣ５Ｈ１０（シクロペンタン）を用いた以外は、実施例１と同様の条件で行った。
【００４４】
ガスの供給管や反応器の内壁には、Ｓｉの重合体の生成は認められなかった。また、得られたＳｉをドープしたＧａＮのＳｉの濃度は、５×１０１８個／ｃｍ３であり、Ｓｉ源含有ガスのキャリアガスに水素ガスを用いた場合に比べ、５００倍増加した。効果は実施例１と同様であった。
【００４５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法は、ＨＶＰＥ法を用いてドーピングした窒化ガリウム系化合物半導体を成長させるに際し、反応器内に少なくとも炭素と水素とを含む化合物を気体状態で供給するようにしたので、ドーパント源の還元反応を抑制することができ、ドーパント濃度の制御を容易に行うことが可能となる。
【００４６】
また、少なくとも炭素と水素とを含む化合物をキャリアガスに含有させるようにしたので、基板上にその化合物を容易に供給することができ、ドーパント濃度の制御をより容易に行うことができる。
【００４７】
また、キャリアガスに、少なくとも炭素と水素とを含む化合物と、水素ガスとの混合ガスを用いるようにしたので、Ｓｉ源に対する還元力を調整することが可能となり、より効率良くＳｉドーピングを行うことができる。
【００４８】
また、少なくとも炭素と水素とを含む化合物に炭化水素を用いるようにしたので、キャリアガスと原料ガスとが配管内で反応しないまま基板まで到達できるので、効率良くＳｉをドーピングすることができる。
【００４９】
また、炭化水素に炭素数が１から１０の炭化水素を用いて、反応器内へ気体の炭化水素を導入するようにしたので、導入量の制御が容易で、Ｓｉドーピングを効率良く行うことができる。
【００５０】
また、炭化水素に飽和炭化水素を用いることにより、炭化水素と、ハロゲン含有ガスや窒素源含有ガスとの反応をさらに抑制するようにしたので、Ｓｉドーピングをさらに効率良く行うことができる。