(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に配置されたストライプ状の反射性導電膜と、
前記反射性導電膜の幅方向における第１の側面及び前記第１の側面と対向する第２の側面を覆うように配置されたＩＴＯ膜と、
前記反射性導電膜上で、前記ＩＴＯ膜が形成されていない前記反射性導電膜の幅方向における中央領域に配置されたアクリル又はエポキシ樹脂で構成されたオーバーコート膜と、を有し、
前記オーバーコート膜は、少なくとも４３０ｎｍ以下の波長帯において前記ＩＴＯ膜よりも透過率が高いことを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項２】
前記反射性導電膜及び前記ＩＴＯ膜のいずれも配置されていない領域において前記基板上に配置された基板上オーバーコート膜をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置用基板。
【請求項３】
前記反射導電膜が配置されていない領域において前記基板上に配置された基板上オーバーコート膜をさらに有し、前記ＩＴＯ膜は前記反射性導電膜と前記基板上オーバーコート膜の境界を覆うように配置されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電気光学装置用基板。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板を有することを特徴とする電気光学パネル。
【請求項５】
請求項４に記載の電気光学パネルを表示部として備えることを特徴とする電子機器。
【請求項６】
基板上に反射性導電膜を形成する工程と、
前記反射性導電膜上に、部分的にアクリル又はエポキシ樹脂で構成されたオーバーコート膜を形成する工程と、
少なくとも前記オーバーコート膜が形成されていない領域において、前記反射性導電膜上にＩＴＯ膜を形成する工程と、を有し、
前記オーバーコート膜は、少なくとも４３０ｎｍ以下の波長帯において前記ＩＴＯ膜よりも透過率が高いことを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項７】
基板上に反射性導電膜を形成する工程と、
前記反射性導電膜上に、部分的にアクリル又はエポキシ樹脂で構成されたオーバーコート膜を形成する工程と、
前記基板上の、前記反射性導電膜が形成された領域及びＩＴＯ膜を形成すべき領域を除いた領域に、アクリル又はエポキシ樹脂で構成された透明な基板上オーバーコート膜を形成する工程と、
少なくとも前記オーバーコート膜が形成されていない領域において、前記反射性導電膜上にＩＴＯ膜を形成する工程と、を有し、
前記オーバーコート膜は、少なくとも４３０ｎｍ以下の波長帯において前記ＩＴＯ膜よりも透過率が高いことを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項８】
基板上に反射性導電膜を形成する工程と、
前記反射性導電膜上に、部分的にアクリル又はエポキシ樹脂で構成されたオーバーコート膜を形成する工程と、
前記基板上の、前記反射性導電膜が形成された領域を除いた領域に、アクリル又はエポキシ樹脂で構成された透明な基板上オーバーコート膜を形成する工程と、
少なくとも前記オーバーコート膜が形成されていない領域において、前記反射性導電膜上にＩＴＯ膜を形成する工程と、を有し、
前記オーバーコート膜は、少なくとも４３０ｎｍ以下の波長帯において前記ＩＴＯ膜よりも透過率が高いことを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項９】
前記反射性導電膜は所定幅の帯状の平面形状を有するように形成され、前記オーバーコート膜は前記反射性導電膜の幅方向における中央領域に形成され、前記ＩＴＯ膜は少なくとも前記反射性導電膜の幅方向の側部領域であって前記オーバーコート膜が形成配置されていない領域に形成されることを特徴とする請求項６乃至８のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶装置などの電気光学装置に関し、特に基板に形成される反射電極の製造方法に関する。
【０００２】
【背景技術】
従来から、外光を利用した反射型表示と、バックライトなどの照明光を利用した透過型表示とのいずれをも視認可能とした半透過反射型の液晶表示パネルが知られている。この半透過反射型の液晶表示パネルは、そのパネル内に外光を反射するための反射膜を有し、この反射膜をバックライトなどの照明光を透過することができるように構成したものである。この種の反射膜としては、例えば液晶表示パネルの画素毎に所定割合の開口部（スリット）を備えたパターンを持つものがある。
【０００３】
このような半透過反射型の液晶装置では、従来、反射層としてアルミニウムなどの金属膜が用いられてきたが、近年ではより一層明るい画面が求められており、そのため、アルミニウムよりも反射率が高い合金であるＡＰＣ（銀・パラジウム・銅；Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ）合金も用いられるようになっている。
【０００４】
ところが、ＡＰＣは製造プロセス中において耐水性が弱いという性質を持っており、パターン形成されたＡＰＣが電気的にイオン化して溶け出すことからエレクトロマイグレーションやこれによる電食（即ち、コロージョン）が信頼性において問題とされている。このようにＡＰＣ単独では使いにくいため、ＡＰＣの上層又は下層にＩＴＯ（インジウム錫酸化物：Indium Tin Oxide）を積層して積層膜を形成し、この積層膜を半透過反射膜として用いることが提案されている。同様に、アルミニウムを反射膜に使用する際にもアルミニウムの上層又は下層にＩＴＯを積層することが行われている。また、アルミニウムやＡＰＣなどの合金は導電性を有するので、それらの反射性導電膜とＩＴＯを積層した構造の反射膜を、半透過反射層として機能させるのと同時に、液晶駆動用の電極としても機能するように構成した液晶装置が知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、アルミニウムやＡＰＣなどの合金上にＩＴＯを積層すると、ＩＴＯ層により特定波長において光の吸収が起こり、反射膜としての反射率が低下してしまうという問題がある。図１３に、ＩＴＯの透過率分光特性を示す。図１３からわかるように、ＩＴＯは４３０ｎｍ以下の波長、特に４００ｎｍ付近の波長帯において吸収が大きく、また、それ以上の波長帯においても吸収による透過率の減少が見られる。よって、アルミニウムやＡＰＣなどの合金の上面をＩＴＯで覆う積層構造とすると、ＩＴＯで覆わない場合と比較して反射膜全体としての反射率が低下してしまう。よって、反射型表示を行った場合に、反射光量が少なくなり、表示画面の明るさが不足する傾向がある。
【０００６】
本発明は、以上の点に鑑みてなされたものであり、アルミニウムやＡＰＣなどの合金とＩＴＯの積層構造を利用して、より反射率の高い反射電極を構成することを課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置用基板は、基板上に配置されたストライプ状の反射性導電膜と、前記反射性導電膜の幅方向における第１の側面及び前記第１の側面と対向する第２の側面を覆うように配置されたＩＴＯ膜と、前記反射性導電膜上で、前記ＩＴＯ膜が形成されていない前記反射性導電膜の幅方向における中央領域に配置されたアクリル又はエポキシ樹脂で構成されたオーバーコート膜と、を有し、前記オーバーコート膜は、少なくとも４３０ｎｍ以下の波長帯において前記ＩＴＯ膜よりも透過率が高いことを特徴とする。
また、本発明に係る電気光学装置用基板は、上記に記載の電気光学装置用基板であって、前記反射性導電膜及び前記ＩＴＯ膜のいずれも配置されていない領域において前記基板上に配置された基板上オーバーコート膜をさらに有することを特徴とする。
また、本発明に係る電気光学装置用基板は、上記に記載の電気光学装置用基板であって、前記反射導電膜が配置されていない領域において前記基板上に配置された基板上オーバーコート膜をさらに有し、前記ＩＴＯ膜は前記反射性導電膜と前記基板上オーバーコート膜の境界を覆うように配置されることを特徴とする。
また、本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法は、基板上に反射性導電膜を形成する工程と、前記反射性導電膜上に、部分的にアクリル又はエポキシ樹脂で構成されたオーバーコート膜を形成する工程と、少なくとも前記オーバーコート膜が形成されていない領域において、前記反射性導電膜上にＩＴＯ膜を形成する工程と、を有し、前記オーバーコート膜は、少なくとも４３０ｎｍ以下の波長帯において前記ＩＴＯ膜よりも透過率が高いことを特徴とする。
また、本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法は、基板上に反射性導電膜を形成する工程と、前記反射性導電膜上に、部分的にアクリル又はエポキシ樹脂で構成されたオーバーコート膜を形成する工程と、前記基板上の、前記反射性導電膜が形成された領域及びＩＴＯ膜を形成すべき領域を除いた領域に、アクリル又はエポキシ樹脂で構成された透明な基板上オーバーコート膜を形成する工程と、少なくとも前記オーバーコート膜が形成されていない領域において、前記反射性導電膜上にＩＴＯ膜を形成する工程と、を有し、前記オーバーコート膜は、少なくとも４３０ｎｍ以下の波長帯において前記ＩＴＯ膜よりも透過率が高いことを特徴とする。
また、本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法は、基板上に反射性導電膜を形成する工程と、前記反射性導電膜上に、部分的にアクリル又はエポキシ樹脂で構成されたオーバーコート膜を形成する工程と、前記基板上の、前記反射性導電膜が形成された領域を除いた領域に、アクリル又はエポキシ樹脂で構成された透明な基板上オーバーコート膜を形成する工程と、少なくとも前記オーバーコート膜が形成されていない領域において、前記反射性導電膜上にＩＴＯ膜を形成する工程と、を有し、前記オーバーコート膜は、少なくとも４３０ｎｍ以下の波長帯において前記ＩＴＯ膜よりも透過率が高いことを特徴とする。
また、本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法は、上記に記載の電気光学装置用基板の製造方法であって、前記反射性導電膜は所定幅の帯状の平面形状を有するように形成され、前記オーバーコート膜は前記反射性導電膜の幅方向における中央領域に形成され、前記ＩＴＯ膜は少なくとも前記反射性導電膜の幅方向の側部領域であって前記オーバーコート膜が形成配置されていない領域に形成されることを特徴とする。
本発明の１つの観点では、電気光学装置用基板において、基板上に配置された反射性導電膜と、前記反射性導電膜上に、部分的に配置されたオーバーコート膜と、少なくとも前記オーバーコート膜が配置されていない領域において前記反射性導電膜上に配置された金属酸化物膜と、を備える。
【０００８】
上記の電気光学装置用基板は、例えば液晶装置などの基板として使用される。ガラスやプラスチックなどの基板上に、アルミニウムや銀合金などの反射性導電膜が配置される。反射性導電膜は、反射型表示の際に外光を反射する反射膜として機能するとともに、その導電性により電極としても機能する。反射性導電膜上には、部分的にオーバーコート膜が配置され、オーバーコート膜が配置されていない領域においてはＩＴＯなどの金属酸化物膜が配置される。反射性導電膜を覆うオーバーコート膜による外光の吸収は、ＩＴＯによる吸収と比べて小さいので、反射性導電膜の高反射率を生かして、より高い反射率を実現することができる。その一方で、反射性導電膜はオーバーコート膜及び金属酸化物膜により覆われているので、エレクトロマイグレーションなどの不具合が生じることがない。また、反射性導電膜上には、オーバーコート膜が配置されていない領域においてＩＴＯなどの金属酸化物膜が配置されるので、反射性導電膜と金属酸化物膜との間の導通が確保され、それらを電極として機能させることができる。よって、高反射率の反射電極を有する基板を実現することができる。
【０００９】
上記の電気光学装置用基板の一態様では、前記反射性導電膜は所定幅の帯状の平面形状を有し、前記オーバーコート膜は前記反射性導電膜の幅方向における中央領域に配置され、前記金属酸化物膜は前記反射性導電膜の幅方向の側部領域に配置されることが好ましい。これにより、反射性導電膜の中央領域はオーバーコート膜により覆われるので、高反射率で外光を反射することができ、それ以外の領域において反射性導電膜と金属酸化物膜との導通を確保することができる。
【００１０】
上記の電気光学装置基板の他の一態様では、前記金属酸化物膜は、前記反射性導電膜の幅方向において、前記反射性導電膜の前記所定幅の略１０％の幅だけ前記反射性導電膜とオーバーラップするように配置されることが好ましい。これにより、反射性導電膜と金属酸化物膜との導通を確保しつつ、オーバーコート膜により覆われる高反射領域を広くすることができる。
【００１１】
上記の電気光学装置用基板のさらに他の一態様では、前記金属酸化物膜は、前記反射性導電膜の側面を側方から覆うように前記反射性導電膜のみならず前記基板上にも配置されることが好ましい。これにより、反射性導電膜の側面においても金属酸化物膜との導通を得られるので、その分反射性導電膜上での金属酸化膜と接触領域を小さくして、オーバーコート膜が配置される領域を大きくすることができ、反射電極としての反射率をより向上させることが可能となる。
【００１２】
上記の電気光学装置用基板の他の一態様では、前記反射性導電膜及び前記金属酸化膜のいずれも配置されていない領域において前記基板上に配置された基板上オーバーコート膜をさらに設けてもよい。また、上記の電気光学装置用基板のさらに他の一態様では、前記反射導電膜が配置されていない領域において前記基板上に配置された基板上オーバーコート膜をさらに設け、前記金属酸化物膜を、前記反射性導電膜と前記基板上オーバーコート膜の境界を覆うように配置してもよい。
【００１３】
この態様によれば、当該基板の製造工程において、反射性導電膜上のオーバーコート膜の上にある金属酸化物膜と、基板用オーバーコート膜上の金属酸化物膜を同一工程でともに高精度でパターニングすることが可能となる。
【００１４】
上記の電気光学装置用基板を用いて電気光学パネルを構成することができ、その電気光学パネルを表示部として備える電子機器を構成することができる。
【００１５】
本発明の他の観点では、電気光学装置用基板の製造方法において、基板上に反射性導電膜を形成する工程と、前記反射性導電膜上に、部分的にオーバーコート膜を形成する工程と、少なくとも前記オーバーコート膜が形成されていない領域において、前記反射性導電膜上に金属酸化物膜を形成する工程と、を有する。
【００１６】
上記の製造方法によれば、反射膜として機能する反射性導電膜上には、ＩＴＯと比べて吸収の小さいオーバーコート膜が形成されるので、外光を高反射率で反射することができる。また、オーバーコート膜が形成されない領域において反射性導電膜と金属酸化物膜とを導通させるので、反射電極として機能を確保することができる。
【００１７】
本発明のさらに他の観点では、電気光学装置用基板の製造方法において、基板上に反射性導電膜を形成する工程と、前記反射性導電膜上に、部分的にオーバーコート膜を形成する工程と、前記基板上の、前記反射性導電膜が形成された領域及び金属酸化膜膜を形成すべき領域を除いた領域に、透明な基板上オーバーコート膜を形成する工程と、少なくとも前記オーバーコート膜が形成されていない領域において、前記反射性導電膜上に金属酸化物膜を形成する工程と、を有する。
【００１８】
また、本発明のさらに他の観点では、電気光学装置用基板の製造方法において、基板上に反射性導電膜を形成する工程と、前記反射性導電膜上に、部分的にオーバーコート膜を形成する工程と、前記基板上の、前記反射性導電膜が形成された領域を除いた領域に、透明な基板上オーバーコート膜を形成する工程と、少なくとも前記オーバーコート膜が形成されていない領域において、前記反射性導電膜上に金属酸化物膜を形成する工程と、を有する。
【００１９】
これらの電気光学装置用基板の製造方法によれば、反射膜として機能する反射性導電膜上に吸収の少ないオーバーコート膜が形成されるので、外光を高反射率で反射することができる。また、オーバーコート膜が形成されない領域において反射性導電膜と金属酸化物膜とを導通させるので、反射電極としての機能を確保することができる。また、反射性導電膜上のオーバーコート膜の上にある金属酸化物膜と、基板用オーバーコート膜上の金属酸化物膜を同一工程でともに高精度でパターニングすることが可能となる。
【００２０】
上記の電気光学装置用基板の製造方法の一態様では、前記反射性導電膜は所定幅の帯状の平面形状を有するように形成され、前記オーバーコート膜は前記反射性導電膜の幅方向における中央領域に形成され、前記金属酸化物膜は少なくとも前記反射性導電膜の幅方向の側部領域であって前記オーバーコート膜が形成配置されていない領域に形成することが好ましい。これにより、反射性導電膜の中央領域はオーバーコート膜により覆われるので、高反射率で外光を反射することができ、それ以外の領域において反射性導電膜と金属酸化物膜との導通を確保することができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の好適な実施の形態について説明する。
【００２２】
［液晶装置の概要］
図１に、本発明の実施形態にかかる液晶装置の一実施形態を示す。この実施形態は、単純マトリクス方式で、ＣＯＧ（Chip On Glass）方式のカラー表示が可能な液晶装置に本発明を適用した場合の実施形態である。また、図２は、図１におけるＩ−Ｉ線に従った液晶装置の断面構造を示しており、図３は、図１に示す液晶措置の１画素部分における電極の平面的構造を示している。また、図４は、図１に示す液晶装置の１画素部分における反射性導電膜とカラーフィルタとの平面的な位置関係を示している。なお、上記の各図においては、構造をわかりやすく示すために、各構成要素の膜厚や寸法の比率などは実際のものとは異なっている。
【００２３】
図１において、本実施形態に係る液晶装置１は、平面形状が矩形状である下基板２と、同じく矩形状である上基板３とが、それらの周辺において環状のシール材４によって互いに貼り合わされることにより、互いに対向して配置されている。これらの下基板２及び上基板３は、例えばガラス、プラスチックなどの透明基板によって形成される。
【００２４】
シール材４の一部は、各基板２、３の一辺（即ち、図１における上辺）側で開口して液晶注入口５となっている。また、図２に示すように、双方の基板２、３とシール材４とに囲まれた間隙内には液晶２３、例えばＳＴＮ（Super Twisted Nematic）液晶が封入され、その状態で図１の液晶注入口５が封止材６によって封止されている。
【００２５】
図１において、下基板２の外形寸法は上基板３よりも大きく形成されている。また、上基板３と下基板２は、それらの１辺（即ち、図１における上辺）において、それらの縁が揃うように貼り合わされ、残りの３辺（即ち、図１における下辺、右辺、左辺）において、下基板２の周縁部が上基板３の外部へ張り出すように貼り合わされている。そして、下基板２の下辺側の張り出し部に駆動用ＩＣ７が実装され、この駆動用ＩＣ７によって上基板３及び下基板２の双方の電極が駆動される。なお、符号８は有効表示領域の周囲を遮光するための環状の遮光層を示している。
【００２６】
図１において、下基板２上に、図中縦方向に延在する複数のセグメント電極１０が互いに平行に形成されて全体としてストライプ状に形成されている。一方、上基板３上には、セグメント電極１０と直交するように図中横方向に延在する複数の直線上のコモン電極１１が互いに平行に形成されて全体としてストライプ状に形成されている。
【００２７】
図２において、下基板２の下面側、即ち観察者の裏面側に照明装置２５がバックライトとして配置されている。また、上基板３の液晶側表面にカラーフィルタ１３が形成されている。このカラーフィルタ１３はＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色素層１３ｒ、１３ｇ、１３ｂを適宜の配列パターン、例えば図４に示すようなストライプ配列で並べることによって形成されている。なお、色素層の配列は、ストライプ配列以外に、例えばデルタ配列やモザイク配列などとすることもできる。各色素層１３ｒ、１３ｇ、１３ｂの間はブラックマスク３３によって区画されている。このブラックマスク３３は例えば樹脂ブラックや比較的反射率の低いクロムなどといった遮光性の金属によって形成される。
【００２８】
各色素層１３ｒ、１３ｇ、１３ｂは各セグメント電極１０の延在方向（即ち図２の紙面垂直方向）に対応して配置されており、図２に示す横方向に並んだＲ、Ｇ、Ｂの３個の表示ドットによって１つの画素が構成されている。下基板２の液晶側表面には、例えばアルミニウム（Ａｌ）、ＡＰＣなどの反射性導電膜１８と、金属酸化物膜としてのＩＴＯ膜１９と、アクリルやエポキシ樹脂などからなるオーバーコート膜３５とからなる積層構造によってセグメント電極１０が構成されている。ここで、反射性導電膜１８は電極を構成するとともに反射膜として機能するようになっている。また、セグメント電極１０の上にはポリイミドなどからなる配向膜２０が形成される。そして、この配向膜２０には、両基板２、３を貼り合わせる前に配向処理、例えばラビング処理が施される。なお、必要に応じて、配向膜２０の下にアクリル樹脂やエポキシ樹脂などにより保護膜を形成してもよい。
【００２９】
図１において、複数のコモン電極１１のうち、図１の上側半分のコモン電極１１については、引き回し配線１４がコモン電極１１の右端からシール材４に向けて引き出されている。そして、これらの引き回し配線１４は、シール材４の中に混入させた導電粒子からなある上下導通材４１を介して上基板３から下基板２にかけて電気的に接続され、下基板２の周縁部に引き回され、さらに駆動用ＩＣ７の出力端子に接続されている。
【００３０】
同様に、図１の下側半分のコモン電極１１については、引き回し配線１４がコモン電極１１の左端からシール材４に向けて引き出されている。そして、これらの引き回し配線１４は、シール材４の中に混入させた導電粒子からなる上下導通材４１を介して上基板３から下基板２にかけて電気的に接続され、下基板２の周縁部に引き回され、さらに駆動用ＩＣ７の出力端子に接続されている。一方、セグメント電極１０については、引き回し配線１５がセグメント電極１０の下端からシール材４に向けて引き出され、そのまま駆動用ＩＣ７の出力端子に接続されている。
【００３１】
図２において、引き回し配線１４、１５は、反射性導電膜１８とＩＴＯ膜１９との積層膜によって構成されている。また、図１において、駆動用ＩＣ７に各種信号を供給するための入力用配線１６が下基板２の下辺から駆動用ＩＣ７の入力端子に向けて設けられている。
【００３２】
図２に示されるように、セグメント電極１０及び引き回し配線１４、１５において、ＩＴＯ膜１９のエッジ部分は反射性導電膜１８の外側へ張り出しており、そのためＩＴＯ膜１９は単に反射性導電膜１８の上面に積層されるだけでなく、反射性導電膜１８の側面も覆うように形成されている。
【００３３】
上基板３の液晶側表面に形成されたカラーフィルタ１３の表面上には、各色素層間の段差を平均化すると同時に各色素層の表面を保護するための保護膜（オーバーコート膜）２１が形成されている。この保護膜２１は、アクリル、ポリイミドなどの樹脂膜でもよいし、シリコン酸化膜などの無機膜でもよい。さらに、保護膜２１の表面上にＩＴＯの単層膜からなるコモン電極１１が、図２の紙面横方向に矢印Ａ方向から見てストライプ上に形成されており、その表面上にポリイミドなどからなる配向膜２２が形成されている。この配向膜２２には、両基板２、３を貼り合わせる前に配向処理、例えばラビング処理が施される。
【００３４】
図２において、ブラックマスク３３の幅は、互いに隣接する２つの表示ドット内のＩＴＯ膜１９同士の間隔とほぼ等しく形成される。そして、基板２と基板３とが正確に貼り合わされたときに、ブラックマスク３３の側面周縁とＩＴＯ膜１９の側面周縁とが矢印Ａ方向から見て位置的に一致するように設定されている。図３はこのことを平面的に示しており、図示の通り、ブラックマスク３３の縦方向の側面と、セグメント電極１０を構成するＩＴＯ膜１９の側面とが図の縦方向に関して位置的に一致している。
【００３５】
また、図２乃至図４において、セグメント電極１０を構成するＩＴＯ膜１９の両側部、即ちＩＴＯ電極１９のうち反射性導電膜１８の外側のエッジ部分３４は、照明装置２５が発光したときにその光を透過させて液晶２３へ導くための光透過領域を構成する。一方、反射性導電膜１８は、上基板３側から太陽光、室内光などといった外部光が入射したときに、その外部光を反射する光反射領域を構成する。図３に示すように、反射性導電膜１８の外側に位置するＩＴＯ膜１９のエッジ部分３４は、ブラックマスク３３によって区画される長方形領域である個々の表示ドット内において、ブラックマスク３３の縦方向の延在方向に沿って位置している。
【００３６】
［セグメント電極］
次に、本発明のセグメント電極１０について詳しく説明する。本発明のセグメント電極１０は、反射性導電膜１８の上面を部分的にオーバーコート膜３５で覆ったことを特徴としている。
【００３７】
反射性導電膜１８としては、例えばアルミニウム合金やＡＰＣなどの銀合金が使用されるが、ＡＰＣなどはそれ自体が耐水性が弱く、使用時にエレクトロマイグレーションが起こりやすいという性質を持っている。そのため、一般的に反射性導電膜１８上をＩＴＯ膜１９で覆う構造が採用されている。しかし、反射性導電膜１８をＩＴＯ膜１９で覆うと、ＩＴＯ膜の分光特性に起因して反射性導電膜１８による反射率が低下するという問題がある。そこで、本発明では、反射性導電膜１８を透明なオーバーコート膜で部分的に覆うこととした。
【００３８】
（第１実施形態）
図５（ａ）に本発明によるセグメント電極１０の第１実施形態の断面を示し、図５（ｂ）にその一部の平面を示す。なお、図５（ａ）は図１に示すセグメント電極１０の部分を抜き出して表示したものであり、配向膜などは便宜上図示を省略している。
【００３９】
図５に示すように、本発明のセグメント電極１０においては、下基板２上に反射性導電膜１８が形成されている。また、反射性導電膜１８の中央部においては、その上にオーバーコート膜３５が形成され、反射性導電膜１８の両端部、即ちオーバーコート膜３５が形成されていない領域にはＩＴＯ膜１９が形成されている。オーバーコート膜３５は、例えばアクリルやエポキシ樹脂などの透明な樹脂により構成することができる。
【００４０】
図１３に、オーバーコート膜の透過率分光特性を、ＩＴＯの透過率分光特性とともに示す。図１３からわかるように、オーバーコート膜も４３０ｎｍ以下の波長において吸収が生じ、透過率が低下しているが、ＩＴＯと比べると透過率は高く、同一波長においては、オーバーコート膜による光の吸収は、ＩＴＯによる吸収の約１／２程度で済むことがわかる。また、約５００ｎｍ以上の波長ではオーバーコート膜による光の吸収はほとんど見られないが、ＩＴＯでは約５００ｎｍ以上の波長帯でも光の吸収が生じ、透過率が減少している。
【００４１】
図５に示す構造によれば、図５（ａ）の上方から入射し、反射性導電膜１８により反射されて観察者の方向へ進む反射表示光のオーバーコート膜３５による吸収は、ＩＴＯ膜を形成した場合と比較してかなり抑制することが可能となる。よって、同じ反射性導電膜を使用した場合に、より高い反射率を得ることができる。
【００４２】
また、オーバーコート膜３５の両側部には、反射性導電膜１８を覆うようにＩＴＯ膜１９が形成されているので、反射性導電膜１８とＩＴＯ膜１９とはそれらの接触部分において導通し、セグメント電極として機能する。また、オーバーコート膜３５とＩＴＯ膜１９が、反射性導電膜１８の上面及び側面を完全に覆うので、反射性導電膜１８としてＡＰＣなどを使用した場合でも、反射性導電膜１８がオーバーコート膜３５及びＩＴＯ膜１９により保護され、エレクトロマイグレーションなどの不具合が生じることを防止することができる。
【００４３】
このように本発明においては、反射性導電膜を使用するセグメント電極において、その一部を透明なオーバーコート膜で覆うこととしたので、反射性導電膜をＩＴＯ膜で覆った場合と比べて高い反射率を得ることができる。この際オーバーコート膜３５は、反射性導電膜１８の幅方向の両側部を所定幅だけ残すように形成される。そして、オーバーコート膜３５が形成されない領域にＩＴＯ膜１９を形成して、ＩＴＯ膜１９と反射性導電膜１８との導通を確保している。
【００４４】
次に、このセグメント電極１０の構造について詳細に検討する。図６（ａ）は、図５に示す１つのセグメント電極１０をより詳細に示した断面図である。図６（ａ）において、下基板２上に反射性導電膜１８が形成され、反射性導電膜１８上には、その中央部にオーバーコート膜３５が形成されている。また、反射性導電膜１８上の両側部、即ちオーバーコート膜３５が形成されていない領域にはＩＴＯ膜１９が形成される。
【００４５】
ここで、各部の寸法について検討する。まず、オーバーコート膜３５の厚さは、反射性導電膜１８を覆って保護するという機能が確保できる範囲内でできる限り薄いことが好ましい。これは、オーバーコート膜３５が厚くなりすぎると、誘電体として作用してしまう恐れがあるからである。従って、オーバーコート膜３５は、それを形成する際に、膜厚の均一性などの成膜精度が確保できる限りにおいて薄く形成することが好ましく、例えば０．２〜０．３μｍ程度が適当と考えられる。
【００４６】
次に、ＩＴＯ膜１９と反射性導電膜１８が重なり合うオーバーラップ幅Ｔ（図６（ａ）参照）について検討する。ＩＴＯ膜１９と反射性導電膜１８との安定的な導通を確保するという観点からは、オーバーラップ幅Ｔは大きい方が好ましい。しかし、オーバーラップ幅Ｔを大きくとると、その分オーバーコート膜３５を形成する領域が減少する。即ち、反射性導電膜１８上のＩＴＯ膜１９が占める面積が増加し、オーバーコート膜３５を設けた効果が減少し、ストライプ電極１０全体としての反射率は低下する。以上より、オーバーラップ幅Ｔは、ＩＴＯ膜１９と反射性導電膜１８との安定的な導通が得られる限りにおいて、できる限り小さいことが好ましい。
【００４７】
現実には、ＩＴＯ膜１９をパターニングする際の露光精度に制限があるため、ＩＴＯ膜１９を形成する際に、図６（ａ）の横方向においてある程度（およそ４μｍ程度）の位置ずれが想定される。よって、ＩＴＯ膜１９の位置が幅方向の両側に４μｍ程度ずれる可能性あると想定し、ＩＴＯ膜１９と反射性導電膜１８との安定的な導通を確保するためには、オーバーラップ幅Ｔとして約８μｍ程度確保することが好ましい。一方、オーバーコート膜３５の領域をなるべく大きくしてストライプ電極１０全体としての反射率を高めるためには、図６（ａ）においてオーバーラップ幅Ｔを反射性導電膜１８の幅Ｗの１０％程度以下とすることが好ましい。
【００４８】
なお、図５（ａ）及び図６（ａ）においては、ＩＴＯ膜１９はオーバーコート膜３５の外側でオーバーコート膜３５が形成されていない部分のみに形成されているが、図６（ｂ）に示すようにＩＴＯ膜１９の一部がオーバーコート膜３５の端部を部分的に覆う構造としても構わない。また、図示はしないが、図６（ａ）や図６（ｂ）に示すセグメント電極の構造において、ＩＴＯ膜１９及びオーバーコート膜３５の上にさらにアクリル樹脂やエポキシ樹脂などの透明樹脂によりオーバーコート膜を形成して、ＩＴＯ膜を保護するとともに、セグメント電極１０の上面を平坦化して配向膜２０を形成しやすいようにすることもできる。
【００４９】
次に、本発明のセグメント電極１０の第１実施形態の製造方法について図７を参照して説明する。図７は、第１実施形態のセグメント電極１０の製造工程を示す断面図である。
【００５０】
まず、ガラスなどの下基板２上に反射性導電膜１８をスパッタリングなどにより成膜する。反射性導電膜１８としては、アルミニウム単体、アルミニウム合金、ＡＰＣなどの銀合金などが使用され、より反射率の高いものが好ましい。そして、この反射性導電膜１８をフォトリソグラフィー技術及びエッチング技術を用いてパターニングして、図７（ａ）に示すように反射性導電膜１８を部分的に成膜する。
【００５１】
次に、反射性導電膜１８上にアクリル樹脂、エポキシ樹脂などの透明樹脂によりオーバーコート膜３５を形成し、フォトリソグラフィー技術を用いてパターニングすることにより、図７（ｂ）に示すようにオーバーコート膜３５を反射性導電膜１８上の中央部にのみ形成する。なお、前述のように、オーバーコート膜３５は反射性導電膜１８の両側部には形成されない。
【００５２】
次に、図７（ｃ）に示すように、反射性導電膜１８及びオーバーコート膜３５が形成された基板２上にＩＴＯ膜を成膜する。そして、図７（ｄ）に示すようにオーバーコート膜３５の領域の外側の領域にレジストパターンを形成し、ＩＴＯ膜をエッチングして図７（ｅ）に示すようにＩＴＯ膜１９をパターニングする。このエッチングの際、同時にオーバーコート膜３５上のＩＴＯ膜も除去する。こうして、第１実施形態によるセグメント電極が形成される。
【００５３】
（第２実施形態）
次に、セグメント電極の第２実施形態について説明する。図８に第２実施形態のセグメント電極１０ａの断面図を示す。第２実施形態のセグメント電極１０ａは、第１実施形態と同様に反射性導電膜１８の中央部にオーバーコート膜３５を形成して、セグメント電極全体としての反射率を向上させる一方、反射性導電膜１８の側部（オーバーコート膜３５を形成していない領域）にＩＴＯ膜１９を形成し、反射性導電膜１８と導通させて電極として機能させている。
【００５４】
第２実施形態のセグメント電極１０ａが第１実施形態のセグメント電極１０と異なる点は、隣接するセグメント電極１０ａ間にオーバーコート膜３６を形成している点である。このように構成する理由は以下の通りである。第１実施形態のセグメント電極１０の場合は、その製造方法について図７（ｄ）及び（ｅ）に示したように、最終的に残すべきＩＴＯ膜１９に対応するレジストパターンを形成した後、隣接するセグメント電極１０間のＩＴＯ膜と、オーバーコート膜３５上のＩＴＯ膜とを同一の工程においてエッチングにより除去する。しかし、実際にはガラスなどの下基板２に対するＩＴＯ膜の密着性と、オーバーコート膜３５に対するＩＴＯ膜の密着性は異なるため、ガラスなどの下基板２上のＩＴＯ膜とオーバーコート３５上のＩＴＯ膜とを同一工程でエッチングすることとすると、エッチングレートの調整が難しくなる、エッチングの精度が低下するなどの問題がある。
【００５５】
そこで、第２実施形態では、隣接するセグメント電極１０ａ間にオーバーコート膜３６を形成し、最後のエッチング工程では、オーバーコート膜３５及び３６上のＩＴＯ膜をエッチングにより除去する。こうすれば、除去するＩＴＯ膜はいずれもオーバーコート膜上に存在するので、エッチング精度を向上させ、容易かつ高精度でＩＴＯ膜を除去することとしている。
【００５６】
次に、第２実施形態のセグメント電極１０ａの製造方法について図９を参照して説明する。図９は第２実施形態のセグメント電極１０ａの製造方法の工程図である。まず、第１実施形態の場合と同様に、下基板２上に反射性導電膜１８を形成する（図９（ａ））。次に、図９（ｂ）に示すように、反射性導電膜１８の中央部上にオーバーコート膜３５を形成するとともに、隣接するセグメント電極１０ａの間の領域（即ち、最終的にＩＴＯ膜１９を残す領域以外の領域）にオーバーコート膜３６を形成する。これは、アクリル樹脂、エポキシ樹脂などの透明樹脂を塗布した後、それぞれオーバーコート膜３５及び３６の形状に対応するパターニングを行ってオーバーコート膜を部分的に除去することにより行われる。
【００５７】
次に、図９（ｃ）に示すように基板全体にＩＴＯ膜を形成し、図９（ｄ）に示すようにレジストパターンを形成してＩＴＯ膜をエッチングする。これにより、オーバーコート膜３５上のＩＴＯ膜と、隣接するセグメント電極１０ａ間のオーバーコート膜３６上のＩＴＯ膜とが同時に除去され、図９（ｅ）に示すようなセグメント電極１０ａが形成される。
【００５８】
（第３実施形態）
次に、本発明のセグメント電極の第３実施形態について説明する。図１０に第３実施形態のセグメント電極１０ｂの断面図を示す。第３実施形態のセグメント電極１０ｂは、第１実施形態と同様に反射性導電膜１８の中央部にオーバーコート膜３５を形成して、セグメント電極全体としての反射率を向上させる一方、反射性導電膜１８の端部（オーバーコート膜３５を形成していない領域）にＩＴＯ膜１９を形成し、反射性導電膜１８と導通させて電極としての機能を確保している。また、第２実施形態のセグメント電極１０ａと同様に、隣接するセグメント電極間にオーバーコート膜３６を形成し、ＩＴＯ膜のエッチング精度を向上させている。
【００５９】
第３実施形態のセグメント電極１０ｂが第２実施形態のセグメント電極１０ａと異なる点は、第２実施形態のセグメント電極１０ａではＩＴＯ膜１９が反射性導電膜１８の上面及び側面において反射性導電膜１８と接触しているのに対し、第３実施形態のセグメント電極１０ｂでは反射性導電膜１９の上面においてのみＩＴＯ膜１９と反射性導電膜１８が接触している点である。即ち、図１０（ａ）に示すように、第３実施形態のセグメント電極１０ｂでは、隣接する反射性導電膜１８の間にオーバーコート膜３６が形成されており、反射性導電膜１８とオーバーコート膜３６の上にＩＴＯ膜１９が形成されている。よって、ＩＴＯ膜１８と反射性導電膜１８とは、反射性導電膜１８上の端部においてのみ導通している。これ以外の点は、第３実施形態のセグメント電極１０ｂは第２実施形態のセグメント電極１０ａと同様である。この構造により、第３実施形態のセグメント電極１０ｂも、ＩＴＯ膜のエッチングを高精度で行うことができるという利点を有する。
【００６０】
次に、第３実施形態のセグメント電極１０ｂの製造方法について図１１を参照して説明する。図１１は第３実施形態のセグメント電極１０ｂの製造方法の工程図である。まず、第２実施形態の場合と同様に、下基板２上に反射性導電膜１８を形成する（図１１（ａ））。次に、図１１（ｂ）に示すように、反射性導電膜１８の中央部上にオーバーコート膜３５を形成するとともに、隣接する反射性導電膜１８間の領域全体にオーバーコート膜３６を形成する。これは、アクリル樹脂、エポキシ樹脂などの透明樹脂を塗布した後、それぞれオーバーコート膜３５及び３６の形状に対応するパターニングを行ってオーバーコート膜を部分的に除去することにより行われる。
【００６１】
次に、図１１（ｃ）に示すように基板全体にＩＴＯ膜を形成し、図１１（ｄ）に示すようにレジストパターンを形成してＩＴＯ膜をエッチングする。これにより、オーバーコート膜３５上のＩＴＯ膜と、隣接する反射性導電膜１８間のオーバーコート膜３６上のＩＴＯ膜とが同時に除去され、図１１（ｅ）に示すようなセグメント電極１０ｂが形成される。
【００６２】
［液晶パネルの製造方法］
次に、こうしてセグメント電極が形成された下基板２を用いて、図１及び図２に示す液晶装置１を製造する方法について説明する。
【００６３】
まず、上記の方法により、セグメント電極１０、１０ａ又は１０ｂが形成された下基板２に対して配向膜２０を形成し、配向膜２０にラビング処理を施す。
【００６４】
一方、ガラスなどからなる基板上にカラーフィルタ１３、ブラックマスク３３、オーバーコート膜２１、コモン電極１１、配向膜２２を形成して上基板３を完成させる。そして、上基板３と下基板２とをシール材４を介して貼り合わせ、基板２、３とシール材４により形成されるセルギャップ内に液晶２３を封入する。
【００６５】
こうして主要なパネル構造が完成した後に、位相差板、偏光板、バックライト２５などを必要に応じてパネル構造の外側に配置し、図１に示す液晶装置１が完成する。
【００６６】
［電子機器］
次に、本発明に係る液晶表示パネルを適用可能な電子機器の例について図１２を参照して説明する。
【００６７】
まず、本発明に係る液晶表示パネルを、可搬型のパーソナルコンピュータ（いわゆるノート型パソコン）の表示部に適用した例について説明する。図１２（ａ）は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。同図に示すように、パーソナルコンピュータ４１は、キーボード４１１を備えた本体部４１２と、本発明に係る液晶表示パネルを適用した表示部４１３とを備えている。
【００６８】
続いて、本発明に係る液晶表示パネルを、携帯電話機の表示部に適用した例について説明する。図１２（ｂ）は、この携帯電話機の構成を示す斜視図である。同図に示すように、携帯電話機４２は、複数の操作ボタン４２１のほか、受話口４２２、送話口４２３とともに、本発明に係る液晶表示パネルを適用した表示部４２４を備える。
【００６９】
なお、本発明に係る液晶表示パネルを適用可能な電子機器としては、図１２（ａ）に示したパーソナルコンピュータや図１２（ｂ）に示した携帯電話機の他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディジタルスチルカメラなどが挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る液晶装置の平面図である。
【図２】図１に示す液晶装置のＩ−Ｉ’線による断面図である。
【図３】図１に示す液晶装置のセグメント電極及びコモン電極部分の平面構造を示す平面図である。
【図４】図１に示す液晶装置のカラーフィルタ部分の平面構造を示す平面図である。
【図５】本発明の第１実施形態に係るセグメント電極の構造を示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
【図６】本発明の第１実施形態に係るセグメント電極の詳細構造を示す断面図である。
【図７】本発明の第１実施形態に係るセグメント電極の製造工程を示す図である。
【図８】本発明の第２実施形態に係るセグメント電極の構造を示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
【図９】本発明の第２実施形態に係るセグメント電極の製造工程を示す図である。
【図１０】本発明の第３実施形態に係るセグメント電極の構造を示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
【図１１】本発明の第３実施形態に係るセグメント電極の製造工程を示す図である。
【図１２】本発明に係る液晶装置を適用した電子機器の例を示す図である。
【図１３】ＩＴＯ及びオーバーコート層の透過率分光特性を示す。
【符号の説明】
１  液晶装置
２  下基板
３  上基板
４  シール材
１０  セグメント電極
１１  コモン電極
１３  カラーフィルタ
１８  反射性導電膜
１９  ＩＴＯ膜
２３  液晶
２５  照明装置
３３  ブラックマスク
３５、３６、オーバーコート膜
【図１】
0004039087.tif 000002
【図２】
0004039087.tif 000003
【図３】
0004039087.tif 000004
【図４】
0004039087.tif 000005
【図５】
0004039087.tif 000006
【図６】
0004039087.tif 000007
【図７】
0004039087.tif 000008
【図８】
0004039087.tif 000009
【図９】
0004039087.tif 000010
【図１０】
0004039087.tif 000011
【図１１】
0004039087.tif 000012
【図１２】
0004039087.tif 000013
【図１３】
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