(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学蒸着によって基板（１３、１３′）上にＳｉＣの目的物をエピタキシアル成長させる装置にして、前記基板を受容する室（１８）を包囲する円周壁（８）を有するサセプタ（７、７′）、および前記円周サセプタ壁そしてそれにより前記基板および供給手段によって前記基板へ供給される基板成長用混合ガスを加熱する手段（１１）を有するものであって、前記加熱手段（１１）が、前記サセプタ（７）を加熱して、それにより１９００℃よりも高く前記基板（１３、１３′）を加熱するように配列されていることと、前記供給手段が、正の成長が起こるような組成を以てかつそのような率において前記混合ガスを前記サセプタ内に供給するように配列されていることとを特徴とする装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置であって、前記円周サセプタ壁（８）が、事実上一様の厚さを有することを特徴とする装置。
【請求項３】
請求項２に記載の装置であって、前記円周サセプタ壁（８）が、事実上円筒形のサセプタ（７、７′）を形成していることを特徴とする装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３までの何れか１項に記載の装置であって、前記サセプタの内壁が、ＳｉＣから作られたプレートから形成されまたは該プレートによって被覆されていることを特徴とする装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４までの何れか１項に記載の装置であって、それがブール体（１９）を成長させるようにされておりそして前記基板（１３′）が種結晶であることを特徴とする装置。
【請求項６】
請求項１から請求項４までの何れか１項に記載の装置であって、それが層を成長させるようにされていることを特徴とする装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６までのいずれか１項に記載の装置であって、前記加熱手段（１１）が、前記基板を２０００℃と２５００℃との間の温度まで加熱するように配列されていることを特徴とする装置。
【請求項８】
請求項１から請求項７までの何れか１項に記載の装置であって、前記円周壁（８）が事実上垂直にガス供給方向に前記サセプタ（８）内に延びて前記サセプタ（７、７′）が位置されるようにされていることを特徴とする装置。
【請求項９】
請求項１から請求項８までの何れか１項に記載の装置であって、前記加熱手段（１１）が、前記円周サセプタ壁（８）を包囲するＲｆ電界放射手段であることを特徴とする装置。
【請求項１０】
円周壁を有するサセプタ（７、７′）内に受容された基板（１３、１３′）上に化学蒸着によってＳｉＣの目的物をエピタキシアル成長させる方法にして、前記円周サセプタ壁およびそれにより前記基板および成長させるために前記基板へ供給される混合ガスが加熱される方法であって、前記サセプタを加熱して、それにより１９００℃よりも高く前記基板（１３、１３′）が加熱されることと、前記混合ガスが正の成長が起こるような組成を以てかつそのような率で供給されることとを特徴とする方法。
【請求項１１】
サセプタ（７、７′）によって受容されるように配置された基板（１３、１３′）上に、化学蒸着によってＳｉＣの目的物をエピタキシアル成長させる方法にして、前記基板および成長させるため前記基板へ供給される混合ガスが、前記サセプタの加熱を介して加熱される方法であって、前記サセプタ（７、７′）を加熱することによって、前記基板が１９００℃よりも高く加熱されること、前記サセプタおよび基板に対する前記混合ガスのエッチング作用が、前記混合ガス中の少なくとも一つのエッチングガスの含量を変えることによって変えられることを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法であって、前記エッチング作用が、前記混合ガスの担体ガスの含量を変えることによって変えられることを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法であって、前記含量が、前記混合ガス中の前記エッチング担体ガスの含量を削減し、ノンエッチング担体ガスの含量を増すことによって、あるいはその逆で変えることを特徴とする方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法であって、前記ノンエッチング担体ガスの含量が、前記サセプタおよびそれによって前記混合ガスの温度の増強と同時に増加されることを特徴とする方法。
【請求項１５】
請求項１３または請求項１４に記載の方法であって、前記ノンエッチングガスがＡｒであることを特徴とする方法。
【請求項１６】
請求項１１から請求項１５までの何れか１項に記載の方法であって、前記エッチングガスがＨ2であることを特徴とする方法。
【請求項１７】
請求項１１に記載の方法であって、前記混合ガス中の前記少なくとも一つのエッチングガスの含量および成長させるための前記混合ガス中に含有される前駆ガスの供給率が、正の成長が生じるように、すなわち前記基板上に被成長材料を形成する元素の堆積率が、昇華およびエッチングによって前記基板上の層から材料がはなれる率より高いように、規制されることを特徴とする方法。
【請求項１８】
請求項１１から請求項１７までのいずれか１項に記載の方法であって、前記基板が２０００℃と２５００℃との間の温度で加熱されることを特徴とする方法。
【請求項１９】
請求項１１から請求項１８までの何れか１項に記載の方法であって、ブール体（１９）が種結晶の形式で基板（１３′）上に成長させられることを特徴とする方法。
【請求項２０】
請求項１１から請求項１８までの何れか１項に記載の方法であって、層が前記基板（１３）上に成長させられることを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
発明の技術的分野と先行技術
本発明は、化学蒸着（ＣＶＤ）によって、基板上にＳｉＣ、第三族−窒化物またはそれらの合金である目的物を、エピタキシアル成長させる装置であって、前記基板を受容する室を包囲する円周壁を有するサセプタ、および前記円周サセプタ壁を加熱して前記基板および基材の成長のために供給手段によって前記基板へ供給される混合ガスを加熱する手段を有するものに関係し、同様に、別添最初の方法独立請求項の前文に記載する基板上に化学蒸着によってそのような目的物をエピタキシアル成長させる方法にも関係する。
したがって、本発明は、ＳｉＣ、第三族−窒化物およびそれらのすべてのタイプの合金の成長に適用可能であるが、高い結晶品質のそのような目的物を商業的観点から妥当な成長率をもって成長させることに関する共通の問題を、次ぎに非限定例としてＳｉＣに関して詳細に説明される。
ＳｉＣの単結晶は、特に、Ｓｉと比較したときのＳｉＣの優秀な諸特性、すなわち極限条件下で良好に機能するＳｉＣの能力を有するためこのような目的で例えば様々のタイプのダイオード、トランジスタおよびサイリスタのごとき種々のタイプの半導体デバイス用として、成長により製造される。ＳｉＣの価電子帯と伝導帯との間の大きなバンドギャップは、該材料から作られたデバイスが、高温度すなわち最高１０００Ｋで動作することを可能にする。
しかし、その良好な規則成長を達成するためには高い温度が要求される。したがって、化学蒸着による炭化珪素のエピタキシアル成長は、１４００〜１７００℃の温度域内で行われる。これら高温度は、前記混合ガスのＳｉおよびＣ含有前駆ガスのクラッキングによる分解を生じさせかつ原子が規則的様式で基板上に堆積されることを保証するために必要とされる。しかし、高温度はまた種々の異なるタイプの材料から出てくる不純物による諸問題をも意味し、したがって前記温度は今までは前記温度間隔より高くは上げられず、その結果として、ＣＶＤを用いることによって例えば基板を形成するためのブール体を成長させることは問題外であるような低成長率（数μｍ毎時）を生じることになり、したがってこの方法は、層形式の目的物を成長させるため用いられるにすぎない。しかし、その商業生産が実際上関心を惹くような高い成長率をもって既知の装置によってＳｉＣ層をＣＶＤにより成長させることですら可能でない。前記温度を上げることは、サセプタの壁が、そのホットスポットのエッチングが増すことによって急速に劣化してそれからの不純物が被成長層中に許容できないほどに取込まれるという結果を招くであろうから、まだ試みられていない。また、結晶の瑕疵は、少数担体の寿命を減らすと推測されている。高い結晶完全性は、高温度または低成長率において達成され得る。少数担体の寿命は、パワーデバイスの順伝導損および開閉損を左右する。また少数担体の寿命は、Ｎタイプの被成長層中に望ましくない補償アクセプタを導入することによって減じられ、したがって、高出力バイポーラデバイスに使用しうる少数担体寿命は今まで得られなかった。したがって、補償アクセプタを導入することなしに高成長率を以て高い結晶完全性を有する層を生産することが重要である。窒素および酸素のごとき一般的な不純物もまた比較的高い成長率において比較的低い濃度で取込まれ、それらは少数担体の寿命に確実に影響を及ぼす。
既に言及したように、前記低生成長率のゆえに、ＣＶＤによって、毎時少ミリのオーダーの成長率を必要とするブール体を成長させることは不可能であり、したがって種づけ昇華テクニックが、ブール体を成長させるため現在使用されており、該ブール体があとでスライスされて基板化されている。しかし、このテクニックによって成長させられた前記ブール体の結晶品質は、ＣＶＤによってエピタキシアル成長されたＳｉＣ層のそれと比較すると劣る。このようにして生産された基板は、ミクロパイプまたはピンホールと呼ばれる複数の小孔によって多孔化されるが、これら孔はデバイスの領域を相当制限しその結果としてＳｉＣから成る高出力デバイスは依然として商業的関心を惹かない。前記種づけ昇華テクニックにおいて源材料は昇華するＳｉＣ粉末であり、そこで、ガス種は成長が起きる種結晶へと温度勾配によって運ばれる。気相における諸条件は、熱力学によってのみ決定され、その結果、Ｃ／Ｓｉ比を一定に保つことは系統からのＳｉ蒸気漏れのため困難にされる。さらに、化学蒸着のために使用されるガスの純度は、種づけ昇華成長に使用される源材料のそれより数オーダー高い。
発明の摘要
本発明の目的は、高成長率をもって化学蒸着によって目的物をエピタキシアル成長させることを、被成長目的物の高い結晶品質を依然として維持しつつ可能にする装置および方法を提供することによって以上検討された諸問題に対する解決手段を提案することである。
この目的は、本発明により、それから被成長材料の昇華が相当増進し始める温度レベルより高く前記サセプタをそしてそれにより前記基板を加熱するように前記加熱手段を配列することによって、そして正の成長が起こるような組成をもってかつそのような率で前記混合ガスを前記サセプタ内に導くように前記供給手段を配列することによって達成される。驚くべきことに、前記温度レベルより高く前記温度を上げることは、標準温度で行われる化学蒸着と比較して相当増した成長率を、依然として被成長目的物の高品質を保持しつつ達成することを可能にすることが見いだされた。したがって、前記温度は、種づけ昇華テクニックによってブール体を成長させるため通常使用されている温度にまで上げられる。本発明による装置を使用することによって実施される本発明による方法は、別添最初の方法独立請求項に記載されている。
前記ＳｉＣの場合においては、前記基板が１９００℃よりも高い温度、好ましくは２０００〜２５００℃、に加熱される。この場合、前記成長率は、従来のＣＶＤテクニックと比較して２〜３オーダー増加され得、したがって高品質の層が商業的関心を惹く率をもって生産され得る。さらに、前記基板上で成長させられる目的物の、水素またはその他のエッチングガスによるエッチングは、これら高温度において相当増進し、そして多結晶域、すなわち比較的低品質域、は単結晶域、すなわち高品質域、よりも急速にエッチングされ、その結果として、被成長結晶の品質はより高くなることが見いだされた。さらに、前記成長率が増大するとき、望ましくない荷電担体の濃度は劇的に低減され、この効果は比例的であるよりはむしろ指数関数的であり、そのことは少数担体の寿命を延ばすことを可能にし、したがって被成長ＳｉＣ層内への望ましくない補償アクセプタの導入を減らすことが可能であり、そしてそれにより十分に長い少数担体寿命を有する高出力バイポーラデバイスが生産され得ることが見いだされた。
また、驚くべきことに、本発明による温度増強によって獲得される成長率は、ＣＶＤテクニックによってブール体を成長させることに非常な関心を持たせるのに十分なほど高いことも見いだされた。かくして、ＣＶＤテクニックにおいて通常用いられている混合ガスを使用してブール体を成長させることが可能であり、このことは、前記成長のため使用される構成成分の純度が、種づけ昇華成長のために使用される源材料より数オーダー高い大きさであることを意味する。さらに、前記前駆ガスの流束を変えることによって前記成長過程を管理することが可能であり、それによって前記成長間前記Ｃ／Ｓｉ比を一定に保持することが可能である。これに加えて、前記成長率と前記ミクロパイプの形成の両者に影響を及ぼす過飽和が、いかなる熱勾配も無しに変更可能である。かくして、前記種づけ昇華テクニックを用いることによって得られるそれに比しすぐれた結晶品質を有するブール体が、本発明による高温化学蒸着（ＨＴＣＶＤ）によって商業的関心を惹くような成長率をもって獲得され得る。
本発明の一好適実施例によれば、前記円周サセプタ壁は事実上一様の厚さを有する。このことは、既知の熱壁サセプタと比較して何らのさらなる手段も無しに前記温度レベルより高く前記温度を上げることを可能にする。なぜならば、結果的に生じる過度エッチングによって前記サセプタ壁に何らのホットスポット、すなわち熱集中箇所、も発生されず、したがって前記サセプタ全体にわたって前記温度は、先行技術に基づくサセプタにおいて前記ホットスポットが有したレベル以上に、前記壁から前記被成長目的物中への不純物の取込みの付加的問題を生じることなしに、上げられ得るからである。
本発明の別の一好適実施例によれば、前記装置の前記円周壁は、事実上円筒形のサセプタを形成する。この形状のサセプタは、ホットスポットの発生を避けつつサセプタ全体にわたって一様の温度を容易に達成するのに特に有利であることがわかった。
本発明のさらなる別の一実施例によれば、前記サセプタの内壁は、ＳｉＣ、ＳｉＣと被成長材料との合金または被成長材料から作られたプレートから形成されまたは該プレートによって被覆される。そのようなプレートは、前記サセプタの壁から不純物が解放されて被成長目的物中の取込まれることを防止するのに寄与する。
また、本発明は方法に関する第２の独立請求項に記載の方法であって、本発明に従って前記サセプタおよび基板に対する前記混合ガスのエッチング作用が、前記混合ガスの少なくとも一つのエッチングガスの含量を変更することによって変えられることを特徴とするものに関する。前期エッチング作用は、前記温度に依存して増進すること、そしてそれは化学蒸着によって前記目的物を成長させるのに通常使用される温度である一特定温度を超えるとき相当増進することが知られている。前記成長間に形成される多結晶域を除去するために成長間前記基板またはより正確にはその上に成長する目的物のエッチングが比較的広い範囲に亙って生じることが望まれるが、エッチング作用の前記温度依存性は、該エッチング作用が低温度においては弱すぎそして高温度においては強すぎることを通常意味する。前記混合ガス中の少なくとも一つのエッチングガスの含量を変更することに関する本発明の特徴のおかげで、前記エッチング作用は、様々の温度のための目標レベルに保持され得る。したがって、前記混合ガス中のエッチングガスの含量を増すことによって比較的低い温度においてはエッチング作用を高めることが可能でありそして前記エッチング作用は、高い温度においては該温度における前記エッチングガスの含量を減らすことによってまたは代替的に前記混合ガス中のノンエッチングガスの含量を変えることによって、低下させられ得る。このことは、前記混合ガスのエッチング作用を最適レベルに保ちつつ、高温度で化学蒸着によって層およびブール体を成長させることを可能にする。したがって、前記エッチングは高温度においても臨界値より低く維持され、したがって前記サセプタ壁のエッチングは、先行技術による温度でのＣＶＤによる成長の場合と同じレベルに維持され得、その結果として、高成長率の達成が可能になる。このような特徴は、事実上一様の厚さの円周壁を有するサセプタを使用するという特徴と統合されることが極めて好ましい。
本発明のさらなる別の一好適実施例によれば、それから前記被成長材料の昇華が相当増し始める一温度レベルより高く前記サセプタを加熱することによって前記基板が加熱され、そして前記成長のための前記混合ガス中の前記少なくとも一つのエッチングガスの含量および前記混合ガス中に含まれる前駆ガスの供給率が、正の成長が起きるように、すなわち、前記基板上の被成長材料を形成する元素の堆積率が、昇華およびエッチングによって前記基板上に材料が層を残す率より高いように規制される。高い温度、それはＳｉＣの場合においてはＳｉＣのブール体が在来の種づけ昇華テクニックによって生成されるとき使用される温度範囲内の温度を意味する、において生じる堆積と昇華およびエッチングとの間のこのような制御された相互作用は結果的に、前記被成長目的物の高い結晶品質を、該目的物を高成長率で成長させつつ生じさせる。かくして、前記成長間における比較的広い範囲にわたるエッチングおよび昇華は、結晶の瑕疵の形成と、望ましくない補償アクセプタのごとき望ましくない不純物の被成長目的物中への取込みとに対処するように作用する。
本発明による前記装置および方法のさらなる好ましい諸特徴および諸利点は、以下の説明およびその他従属請求項から明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
続いて以下、添付図面を参照しつつ、一例として本発明の好適実施例を掲げて詳細に説明する。
図面において：
第１図は、本発明の第１の実施例による装置の縦断面図であり、
第２図は、層をエピタキシアル成長させるようにされた第１の好適実施例による第１図の装置において使用されるサセプタの透視図であって、サセプタの内部を例示するようにサセプタが部分的に破断されている図面であり、そして
第３図は、化学蒸着によってブール体を成長させるようにされた第２の好適実施例によるサセプタの第２図と同様の図面である。
発明の好適実施例の詳細な説明
第１図は、簡単化された方式で、ＳｉＣ基板上にＣＶＤにより、ＳｉＣをエピタキシアル成長させるための本発明の一好適実施例による装置を概略的に示しており、そして該装置はポンプのごときその他手段をも含んでいるが、本発明と関係のない従来の装備は、図面を明瞭にしかつ本発明の特徴に集中するため省略されてることは明らかであろう。前記装置は、事実上垂直に延びている石英から成るチューブ２と、２つの対向する端フランジ３、４とによって構成された真空ケーシング１を有する。前記端フランジ４は、前記チューブ２の内部にアクセスできるように着脱可能であることが好ましい。結晶を成長させるように意図された混合ガスの流れを供給するための導管５が、前記下端フランジ３を貫いて導入されている。前記導管５は、前記混合ガスの各成分の給源に達している別の複数の導管と接続しており、そしてこれら導管は、所望される通りに前記混合ガスの前記成分を調整するため、図示されていない流量調整手段を設置されている。
さらに、前記装置は前記導管５からサセプタ７（第２図参照）内へのガス流を濃縮するための漏斗６を有する。第１図および第２図に示される前記サセプタ７は、ＳｉＣの層をエピタキシアル成長させるようにされている。前記サセプタは事実上一様の厚さの円周壁８を有し事実上円筒形である。前記壁は黒鉛から作られているが、それらの内面は、ＳｉＣ層９によってコーティングされており、または代替的に、ＳｉＣから作られた円筒形のプレートによって被覆されている。前記サセプタを包囲している空間は、それを取り囲んでいる石英チューブ２を保護するため、断熱用の黒鉛フォーム１０によって密閉充填されている。Ｒｆコイルの形式にされたＲｆ電界放射手段１１が前記サセプタ７の長手方向に沿って前記チューブ２を包囲している。この加熱手段１１は、前記サセプタの壁８を一様に加熱しそれにより前記サセプタ内に導入される前記混合ガスを加熱するＲｆ電界を放射するように配置されている。
前記サセプタ７は、サセプタの残部と同じ材料から成る蓋１２を有しており、前記蓋の下側にＳｉＣ基板１３が配置されており前記蓋は、前記基板上に層が成長した後、前記サセプタの残部から取り外せば、該基板を取出すことができる。前記蓋１２は、その周縁部に複数のガス吐出穴１４を設けられており、したがって望ましい層状ガス流が、下入口１５を通ってサセプタ室１８に入りそして前記基板に接して流れそして上吐出口１４を通って前記サセプタから出て、次いで図示されないポンプと接続されている導管１６を通って装置から離れ去る。
前記サセプタ７の内部の温度は、窓１７を通じて前記サセプタ７内をのぞき込むことによって高温計で調べられ得る。
前記装置の作用は次ぎの通りである：ＳｉおよびＣを含有する前駆ガスおよび単一のまたは複数の担体ガスを有する混合ガスが、導管５を通じてサセプタ入口１５の方向へ導かれる。Ｓｉを含有する前駆ガスは好ましくはシランであり、一方、Ｃを含有する前駆ガスはプロパンまたは最終的にメタンである。前記担体ガスは、Ｈ2であり得るが、後に説明されるであろう目的のためには、Ａｒのごときノンエッチングガスも含有可能である。加熱手段１１は、サセプタ壁を約２２００℃の温度になるように一様に加熱し、これはおそらく、該壁の厚さが事実上一様である結果としてサセプタ壁にいわゆるホットスポットが生じないおかげである。前記サセプタ７に進入する前記前駆ガスは、該サセプタを通じて加熱されそしてＳｉ原子とＣ原子とに分解され、それら原子は、前記基板１３へと運搬されてその上に付着堆積しＳｉＣの層をエピタキシアル成長させ得る。前記サセプタ壁の垂直配置のおかげで、前記加熱されたホットガスの上昇流れが促進され、したがって該ガスは前記成長のためにより効果的に使用され得る。前記高温度は、前記基板からのＳｉＣの連続昇華を生じさせるとともにエッチング担体ガス成分（Ｈ2）によって前記基板のかなりのエッチングを生じさせるが、前記前駆ガスおよび担体ガスの供給率は、正の成長が生じるように、すなわち前記基板上に成長するＳｉＣ層を形成する元素の堆積率が、昇華およびエッチングによって前記基板上の層から離去する材料の率より大きいように、調整される。前記成長のための、一堆積とエッチングおよび昇華とのこのような相互作用は、特に多結晶質領域のエッチングが単結晶質領域のそれより速いから、高結晶品質を有する結晶の形成を促進する。しかし、混合ガス中のエッチング担体ガス含量の減少に伴うノンエッチング担体ガス含量の増加と前記温度の上昇が、高使用温度においてすらなお臨界レベル以下のエッチングを生じさせ得る。このことは、前記サセプタ壁が優勢な高温度にもかかわらず節減され得ることを意味する。Ａｒはノンエッチング担体ガスとしてそしてＨ2はエッチング担体ガスとして使用され得る。
前記成長の初期段階は、またそのあと成長せしめられる層の品質にとって特に重要である。したがって前記成長率は滑らかな一様の層を形成するために初期成長段階においては低く保たれ、そのあと前記成長率を、温度に応じて、毎時１００μｍ〜数ｍｍまで漸増させることができる。かくして、ＳｉＣ層はこの方式で高成長率、おそらく毎時１００μｍから数ｍｍ、をもって前記基板１３上に成長せしめられ、そしてこのような高成長率は、前記連続昇華およびエッチングによって、高温度にもかかわらず成長せしめられる前記層の高い品質を生じさせ、そしてこれら温度で達成されるより高い結晶品質によって、そして前記基板から伝播する結晶瑕疵のより迅速な修正によって、成長層中への望ましくない補償アクセプタの導入が、成長した結晶中における少数担体寿命の顕著な延長を結果的に生じさせる普通温度におけるＣＶＤによるそのような層のエピタキシアル成長に関して劇的に減らされる。これは高出力バイポーラデバイスの生産にとって極めて重大な改良である。
第３図は本発明の第２の好適実施例によるサセプタ７′であって１３′で示される種づけ結晶の形式にされた基板上にＳｉＣのブール体１９を成長させるようにされているものを示す。このサセプタは、第２図によるサセプタと同じ方式で第１図による装置内に組込まれるように意図されている。第３図による前記サセプタは、ガス吐出穴１４′が該サセプタの底に配置されていることによって第２図によるそれと異なるにすぎない。したがって、前記ガス流は、分解した前駆ガス成分が堆積される被成長ＳｉＣブール体領域に図示のように到達し、そして結果として生じるその成分は、反転させられて前記穴１４′を通って前記サセプタから離れ去る。
高い結晶品質を有するＳｉＣブール体は、このようにして、高い使用温度のおかげで、十分に高い成長率をもってＣＶＤによってエピタキシアル成長せしめられる。前記成長率はｌｍｍ／毎時より高いのが有利である。前記サセプタにおけるＣ／Ｓｉ比は、前記混合ガス中の前記前駆ガス含量の変更が可能であることによって一定に保たれ得る。このことは、前記成長率とミクロパイプの形成とに影響を及ぼす過飽和度が、いかなる熱勾配をも伴うことなしに変更可能であることを意味する。さらに、使用ガス純度は、種づけ昇華成長のために使用される源材料よりも数桁高い大きさであり、したがって前記ブール体の結晶品質は、以前よりも極めて高い。前記エッチングの制御は、前記層成長に関して既に説明した方式で行われる。
本発明は、いうまでもなく、上に説明した装置および方法の好適実施例に決して限定されず、むしろ、本発明の基本概念から逸脱することなしに、それらの修正型の幾つかの可能態様が当業者には明らかであろう。
既に言及したように、本発明はさらに第三族−窒化物、第三族−窒化物の合金またはＳｉＣと一つまたは複数の第三族−窒化物との合金であってそれに対応する正の結果が期待され得るものの成長にも適用可能である。
請求項における限定“目的物”は、厚いブール体はもちろん、様々の厚さの層のごときすべてのタイプの結晶のエピタキシアル成長を包含するために為される。
材料に関するすべての限定は、いうまでもなく、また意図的なドーピングに加えて不可避的不純物を包含する。
請求項における限定“含量を変える”は、混合ガスにおける当該ガスの比率を間接的に変更することになる混合ガスの他成分の変更を伴う当該ガスの定量供給をも含むことを意味する。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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