(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
中心導体の外周に絶縁体層、銅を主成分とする金属からなる外部導体、ジャケットが順次積層された極細同軸ケーブルの端末の上記ジャケット及び外部導体を切断又は除去する端末加工方法において、複数本の極細同軸ケーブルをフラットケーブル状に並べ、それらの極細同軸ケーブルの端末のジャケットを剥離して上記外部導体を露出させ、該外部導体をはんだ付けにより一体化させた後、その外部導体の材質に対して反射率の低い、波長が６００ｎｍ以下のレーザ光を上記外部導体の所望の切断位置に照射することにより該外部導体を切断又は除去することを特徴とする極細同軸ケーブルの端末加工方法。
【請求項２】
中心導体の外周に絶縁体層、銅を主成分とする金属からなる外部導体、ジャケットが順次積層された極細同軸ケーブルの端末の上記ジャケット及び上記外部導体を切断又は除去する端末加工方法において、複数本の極細同軸ケーブルをフラットケーブル状に並べて保持し、上記外部導体の材質に対して反射率の低い、波長が６００ｎｍ以下のレーザ光を上記外部導体の所望の切断位置に照射することにより該外部導体を切断又は除去することを特徴とする極細同軸ケーブルの端末加工方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ノート型パソコンの本体と液晶とを繋ぐ配線や医療用超音波診断装置の本体と探触子とを繋ぐケーブルに使用される極細同軸ケーブルの端末加工方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、ノート型パソコンの本体と液晶とを繋ぐ配線や、医療用超音波診断装置の本体と探触子とを繋ぐケーブルとして、極細同軸ケーブルが使用されている。
【０００３】
この極細同軸ケーブルは、中心導体の外周に、絶縁体、シールド導体、ジャケットが順次積層されて構成されており、上述した機器と接続する際には、中心導体とシールド導体を露出させる端末加工が施される。
【０００４】
従来の極細同軸ケーブルの端末加工方法としては、図３に示すように、複数本の極細同軸ケーブルをフラットケーブル状に並べ３１、ジャケットを剥離し３２、シールド導体にグランドバーを接続し３３、その後、グランドバーを起点に折り曲げ３４、シールド導体を切断・除去する３５方法が、特開平１０−１４４１４５号公報にて開示されている。
【０００５】
また、図４に示すように、複数本の極細同軸ケーブルをフラットケーブル状に並べ４１、ジャケットを剥離し４２、シールド導体にグランドバーを接続し４３、その後、シールド導体の折曲角を３０°以内に限定し、超音波等の振動をかけながらグランドバーを起点に折り曲げ４４、シールド導体を切断・除去する４５方法が、特開２００１−６９６２９号公報にて開示されている。
【０００６】
また、図５に示すように、複数本の極細同軸ケーブルをフラットケーブル状に並べ５１、ジャケットを剥離し５２、シールド導体を一括はんだ付けし５３、その中間部分にＹＡＧレーザを照射し５４、レーザ照射部を起点に折り曲げ５５、シールド導体を切断・除去する５６方法が、特開２０００−２４５０２６号公報にて開示されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特開平１０−１４４１４５号公報及び特開２００１−６９６２９号公報に記載された発明は、グランドバーを起点に折り曲げるなどの外力を極細同軸ケーブルに与えるため、中心導体にも外力がかかるという問題がある。中心導体に外力がかかると、時には断線するという不具合が生じるため、中心導体にかかる外力を極力低減する必要がある。
【０００８】
また、特開２０００−２４５０２６号公報に記載された発明は、一括はんだ部にＹＡＧレーザを照射しているが、実際には、はんだが昇華するだけでシールド導体の切断には至らないことが確認されている。これはＹＡＧレーザの波長（１０６４ｎｍ）の光をシールド導体（主成分：銅）が反射してしまうためである。そのため、この方法にあってもレーザ照射部を起点に外力を加えないとシールド導体を切断・除去はできない。
【０００９】
そこで、本発明の目的は、中心導体に大きな外力をかけることなくシールド導体を切断・除去できる、信頼性の高い極細同軸ケーブルの端末加工方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために請求項１の発明は、中心導体の外周に絶縁体層、銅を主成分とする金属からなる外部導体、ジャケットが順次積層された極細同軸ケーブルの端末の上記ジャケット及び外部導体を切断又は除去する端末加工方法において、複数本の極細同軸ケーブルをフラットケーブル状に並べ、それらの極細同軸ケーブルの端末のジャケットを剥離して上記外部導体を露出させ、該外部導体をはんだ付けにより一体化させた後、その外部導体の材質に対して反射率の低い、波長が６００ｎｍ以下のレーザ光を上記外部導体の所望の切断位置に照射することにより該外部導体を切断又は除去する方法である。
【００１１】
請求項２の発明は、中心導体の外周に絶縁体層、銅を主成分とする金属からなる外部導体、ジャケットが順次積層された極細同軸ケーブルの端末の上記ジャケット及び上記外部導体を切断又は除去する端末加工方法において、複数本の極細同軸ケーブルをフラットケーブル状に並べて保持し、上記外部導体の材質に対して反射率の低い、波長が６００ｎｍ以下のレーザ光を上記外部導体の所望の切断位置に照射することにより該外部導体を切断又は除去する方法である。
【００１２】
すなわち、本発明の要点は、シールド導体層を切断するために６００ｎｍ以下の波長のレーザ光を適用した。
【００１３】
上記請求項１の構成によれば、レーザ光が従来のＹＡＧレーザ（波長：１０６４ｎｍ）に比べてシールド導体層に吸収される効率が高いため、シールド導体層を直接切り込むことが可能になる。また、レーザ照射によりシールド導体層を完全に切断できない場合においても、小さな外力で切断・除去することができる。
上記請求項２の構成によれば、端末のジャケットとシールド導体層が同時に切断・除去される。
【００１４】
上記請求項１及び２の構成によれば、銅に対しては波長が６００ｎｍ以下のレーザ光の吸収効率が高く、切断されやすくなる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の好適一実施の形態を添付図面に基づいて詳述する。
【００１６】
図１に本発明にかかる極細同軸ケーブルの端末加工方法を説明するための流れ図を示す。
【００１７】
本実施の形態では、極細同軸ケーブルとして、中心導体の外周に絶縁体、シールド導体（外部導体）、ジャケットが順次積層されたものを用いる場合について説明する。
【００１８】
図１に示すように、先ず、複数本の極細同軸ケーブル（コア）をフラットケーブル状に並べる１１。そして、そのコアの端末部のジャケットを適宜な長さだけ剥離して、シールド導体を露出させる１２。そして、各コアのシールド導体をはんだ浴に浸漬して一体化させる１３。そして、シールド導体層の所望の切断位置に、このシールド導体の材質に対して反射率の低い波長のレーザ光を極細同軸ケーブルの幅方向に直線状に照射する１４。最後に、レーザ光による切断位置から端末側のシールド導体を引き抜き、シールド導体の切断部分を除去する１５。
【００１９】
このシールド導体に照射するレーザ光としては、シールド導体の材質の主成分が銅の場合には、６００ｎｍ以下の波長のレーザ光を適用すれば良く、例えばＹＡＧレーザの第２高調波（波長：５３２ｎｍ）を用いる。
【００２０】
すなわち、６００ｎｍ以下の範囲のレーザ光は、ＹＡＧレーザ（波長：１０６４ｎｍ）に比べ、銅に吸収される効率が高いため、シールド導体を直接切り込むことが可能になる。また、エネルギー不足などでシールド導体を完全に切断できなかった場合においても、小さな外力で切断・除去することができる。
【００２１】
次に、本発明の他の実施の形態について述べる。
【００２２】
図２に他の実施の形態を説明するための流れ図を示す。
【００２３】
図２に示すように、先ず、複数本の極細同軸ケーブル（コア）をフラットケーブル状に並べて保持する２１。そして、コアの所望の切断位置に、内部のシールド導体の材質に対して反射率の低い波長のレーザ光を極細同軸ケーブルの幅方向に直線状に照射する２２。最後に、レーザ光による切断位置から端末側のジャケットとシールド導体を引き抜き、ジャケットとシールド導体の切断部分を除去する２３。
【００２４】
このように構成しても、コアに照射するレーザ光としては、シールド導体の材質の主成分が銅の場合には、６００ｎｍ以下の波長のレーザ光を適用すれば良く、例えばＹＡＧレーザの第２高調波（波長：５３２ｎｍ）を用いる。
【００２５】
これにより、ジャケット上から照射されたレーザ光は、ジャケットと共に内部の銅に効率良く吸収されるので、ジャケットとシールド導体とを同時に切断・除去することができる。
【００２６】
次に、本発明と従来技術により以下に示す極細同軸ケーブルの端末を加工し、中心導体の様子を観察した。
【００２７】
（実施例１）
１６心の極細同軸ケーブルをフラットケーブル状に並べ、ジャケットの上からＣＯ2 レーザを照射してレーザ照射位置から端末側のジャケットを剥離し、シールド導体を露出させ、はんだ浴に浸漬した後、ＹＡＧレーザの第２高調波（波長：５３２ｎｍ）を照射し、レーザ照射部を起点にケーブルを折り曲げることなく、シールド導体を切断・除去した。
【００２８】
（実施例２）
１６心の極細同軸ケーブルをフラットケーブル状に並べ、ジャケットの上からＹＡＧレーザの第２高調波（波長：５３２ｎｍ）を照射し、レーザ照射部を起点にケーブルを折り曲げることなく、ジャケット、シールド導体を切断・除去した。
【００２９】
（比較例）
１６心の極細同軸ケーブルをフラットケーブル状に並べ、ジャケットの上からＣＯ2 レーザを照射してレーザ照射位置から端末側のジャケットを剥離し、シールド導体を露出させ、はんだ浴に浸漬した後、ＹＡＧレーザ（波長：１０６４ｎｍ）を照射し、レーザ照射部を起点にケーブルを折り曲げることにより、シールド導体を切断・除去した。
【００３０】
その結果、実施例１，２からは中心導体の断線は確認されなかったが、比較例からは中心導体の断線が確認された。
【００３１】
尚、本実施の形態で使用したレーザ光は、ＹＡＧレーザの第２高調波を用いたが、これに限定されず、エキシマレーザ等の使用が考えられる。
【００３２】
また、端末加工する極細同軸ケーブルのシールド導体の材質は、アルミなどの金属である場合には、その材質に応じて適宜反射率の低い波長のレーザ光を適用すれば良い。
【００３３】
【発明の効果】
以上要するに本発明によれば、中心導体に大きな外力をかけることなく、外部導体を切断・除去でき、信頼性の高い極細同軸ケーブルの端末加工が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の一実施の形態を示す端末加工方法を説明するための流れ図である。
【図２】  本発明の他の実施の形態を示す端末加工方法を説明するための流れ図である。
【図３】  従来の端末加工方法を説明するための流れ図である。
【図４】  従来の端末加工方法を説明するための流れ図である。
【図５】  従来の端末加工方法を説明するための流れ図である。
【符号の説明】
１１  コアのフラット化
１２  ジャケットの剥離
１３  シールド導体の一括はんだ付け
１４  レーザ照射
１５  外部導体の切断・除去
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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