(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
構造式（Ｉ）：
0004043050.tif 000009
［式中、
Ｒ1はＣ1-20アルキル、Ｃ2-20アルケニル、Ｃ2-20アルキニル、または構造式：
0004043050.tif 000010
（各々は、その炭素原子の５個までが酸素原子、硫黄原子、ハロゲン原子、窒素原子、ベンゼン環、チオフェン環、ナフタレン環、炭素原子４ないし７個の炭素環、カルボニル基、カルボニルオキシ基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アジド基および／またはニトロ基で置換されていてもよいＣ1-20アルキル、Ｃ2-20アルケニルまたはＣ2-20アルキニルから独立して選択される１または２個の置換基で置換されていてもよい）で示される基を意味し；
Ｒ2は水素またはＣ1-6アルキルを意味し；
Ｒ3は水素、ハロゲン、ヒドロキシ、ニトロ、一般式−ＣＯＯＲ6（ここで、Ｒ6は水素またはＣ1-6アルキルを意味する）で示される基、Ｃ1-6アルキル、Ｃ1-6アルコキシまたはＣ1-6アルキルチオを意味し；
Ａは一重結合あるいは１、２または３個のＣ1-10アルキルおよび／またはフェニル基で置換されていてもよいビニレン、プロペニル−１−エン、ブテニル−１−エン、ブタジエニル−１−エンもしくはエチニレン基を意味する；ただし、Ｒ1およびＡによって形成される基は式（Ｉ）の化合物のカルボニル基に隣接して二重または三重結合を提供し；
Ｒ4はＯＨを意味し、かつ、Ｒ5はＣＯＣＨ3を意味するか、またはＲ4およびＲ5は一緒になって式（ｉ）：
0004043050.tif 000011
で示される基を形成する］
で示される化合物の製法であって、式（ＩＩ）：
0004043050.tif 000012
［式中、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4およびＲ5は式（Ｉ）で定義するとおりである］
で示される化合物を式（ＩＩＩ）：
Ｒ1−Ａ−Ｘ
（ＩＩＩ）
［式中、Ｒ1およびＡは式（Ｉ）で定義するとおりであって、Ｘは金属触媒の存在下で金属挿入を可能にするのに適当な基を意味する］
で示される化合物および一酸化炭素と反応させ、その後
・塩またはＮ−オキシドの形成
・得られた式（Ｉ）の化合物の、式（Ｉ）で示される別の化合物への変換
を行ってもよいことからなる製法。
【請求項２】
触媒がパラジウム触媒である請求項１記載の製法。
【請求項３】
Ｘがハロゲンまたはトリフラート基を意味する請求項１または２記載の製法。
【請求項４】
Ｒ1およびＡが式（ｉｉ）：
0004043050.tif 000013
で示される基を形成する請求項１ないし３のいずれか１項記載の製法。
【請求項５】
Ｒ4およびＲ5が一緒になって式（ｉ）：
0004043050.tif 000014
で示される基を形成する請求項１ないし４のいずれか１項記載の製法。
【請求項６】
調製される化合物が４−オキソ−８−［４−（４−フェニルブトキシ）ベンゾイルアミノ］−２−（テトラゾール−５−イル）−４Ｈ−１−ベンゾピランまたはその塩、水和物もしくはＮ−オキシドである、請求項１ないし４のいずれか１項記載の製法。
【請求項７】
調製される化合物が３−［４−（フェニルブトキシ）ベンゾイルアミノ］−２−ヒドロキシ−アセトフェノンである請求項１ないし４のいずれか１項記載の製法。
【発明の詳細な説明】
本発明は、当該分野で治療薬として周知のある種の置換ベンゾピラン化合物の調製において中間体として有用な特定の置換ベンゾピラン化合物の製法に関する。
当該分野において置換ベンゾピラン化合物は周知である。例えば、ＥＰ０ １７３ ５１６−Ａでは、ロイコトリエンアンタゴニストおよび５−α−リダクターゼインヒビターとしての活性を有し、ロイコトリエンまたは５−α−リダクターゼ活性により引き起こされるまたは悪化される疾患の処置における治療に有用な化合物として記載される、ある種の置換ベンゾピラン化合物を開示している。かかる化合物を調製するための種々の方法が当該分野において周知であるが、市販用に大量に製造する場合に若干の不都合がある。従って、本発明は比較的工程段階が少なく高収率で所望の化合物が得られる、置換ベンゾピラン化合物の改善された調製経路を提供する。
従って、第１の態様では、構造式（Ｉ）：
0004043050.tif 000002
［式中、
Ｒ1はＣ1-20アルキル、Ｃ2-20アルケニル、Ｃ2-20アルキニル、または構造式：
0004043050.tif 000003
（各々は、その炭素原子の５個までが酸素原子、硫黄原子、ハロゲン原子、窒素原子、ベンゼン環、チオフェン環、ナフタレン環、炭素原子４ないし７個の炭素環、カルボニル基、カルボニルオキシ基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アジド基および／またはニトロ基で置換されていてもよいＣ1-20アルキル、Ｃ2-20アルケニルまたはＣ2-20アルキニルから独立して選択される１または２個の置換基で置換されていてもよい）で示される基を意味し；
Ｒ2は水素またはＣ1-6アルキルを意味し；
Ｒ3は水素、ハロゲン、ヒドロキシ、ニトロ、一般式−ＣＯＯＲ6（ここで、Ｒ6は水素またはＣ1-6アルキルを意味する）で示される基、Ｃ1-6アルキル、Ｃ1-6アルコキシまたはＣ1-6アルキルチオを意味し；
Ｒ1およびＡにより形成される基が式（Ｉ）の化合物のカルボニル基に隣接した二重または三重結合を提供する場合；Ａは一重結合あるいは１、２または３個のＣ1-10アルキルおよび／またはフェニル基で置換されていてもよいビニレン、プロペニル−１−エン、ブテニル−１−エン、ブタジエニル−１−エンまたはエチニレン基を意味し；
Ｒ4はＯＨを意味し、かつ、Ｒ5はＣＯＣＨ3を意味するか、あるいはＲ4およびＲ5はそれらが結合しているフェニル環と一緒になって、式（ｉ）：
0004043050.tif 000004
で示される置換ベンゾピラン化合物構造を形成する］
で示される化合物の製法であって、式（ＩＩ）：
0004043050.tif 000005
［式中、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4およびＲ5は式（Ｉ）で定義するとおりである］
で示される化合物を式（ＩＩＩ）：
0004043050.tif 000006
［式中、Ｒ1およびＡは式（Ｉ）で定義するとおりであって、Ｘは金属触媒および一酸化炭素の存在下で金属挿入を可能にするのに適当な基を意味する］
で示される化合物と反応させ、その後
・塩またはＮ−オキシドの形成
・得られた式（Ｉ）の化合物の、式（Ｉ）で示される別の化合物への変換
を行ってもよいことからなる製法を提供する。
適当には、金属触媒の存在下高温で反応を行う。金属触媒には、Ｎｉ、Ｒｈ、ＦｅおよびＣｏのカルボニル複合体またはパラジウム複合体等がある。パラジウム複合体を使用する場合の特に有利な態様は、これらを触媒量で使用することができることであり、それにより毒性の高い金属カルボニルを使用せずにすみ、所望の生成物を金属残留物からより容易に分離できる。適当なパラジウム触媒には、Ｐｄ（ＯＡｃ）2、（Ｐｈ3Ｐ）4Ｐｄ、（Ｐｈ3Ｐ）2ＰｄＸ2［例えば、Ｘ＝Ｉ、Ｂｒ、Ｃｌ］、（ビｐｙｒ）2Ｐｄ、ビス（ジベンジリデン・アセトン）Ｐｄ（０）等がある。ギ酸アンモニウムまたはヒドラジン水和物のごとき還元剤の存在下で反応を行うことができる。好ましくは、Ｐｈ3Ｐ、スルホン化Ｐｈ3Ｐ、トリ−トリルホスフィン、ビス（ジイソプロピルホスフィニル）プロパン、ポリマー結合Ｐｈ2Ｐ、および１，１’−ビス−（ジフェニルホスフィノ）フェロセンのごとき付加的なリガンドの存在下で反応を行うことができる。
好ましくは、塩基の存在下で反応を行う。適当な塩基には、Hunig塩基、トリ−ｎ−ブチルアミン、ＤＢＵ、ＤＡＢＣＯまたは酢酸ナトリウム等がある。
適当には、２極性非プロトン性溶媒中、例えば、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルーピロリジノンもしくはジメチルアセトアミドのごときアミドの溶媒中またはジメチルスルホキシドもしくはピリジン中で反応を行う。スルホン化Ｐｈ3Ｐのごとき水溶性リガンドを有する触媒の場合、水中で反応を行うことができる。
適当には、Ｘは金属挿入を可能にする基、例えば、ハロゲンまたはトリフラート基を意味する。
金属を挿入するには、式（Ｉ）の化合物においてＲ1およびＡにより形成される基が式（Ｉ）の化合物のカルボニル基に隣接する二重または三重結合を提供しなければならないことは、当業者にとって明らかであろう。換言すれば、式（Ｉ）の化合物のカルボニル基に隣接した炭素原子は、ｓｐ2またはｓｐ混成炭素でなければならない。
とりわけ、本明細書において特許請求される反応は、式（Ｉ）（ここで、Ｒ1およびＡは式（ｉｉ）：
0004043050.tif 000007
で示される基を形成する）で示される化合物の調製において有用である。
好ましくは、Ｒ2およびＲ3は共に水素を意味する。
好ましくは、Ｒ4およびＲ5は一緒になって前記で定義した式（ｉ）で示される基を形成し、その結果、Ｒ4およびＲ5はそれらが結合しているフェニル環と共に置換ベンゾピラン化合物構造を形成する。Ｒ4がＯＨを意味し、かつ、Ｒ5がＣＯＣＨ3を意味する場合、得られる式（Ｉ）の化合物は、ＷＯ９４／１２４９２で開示された方法を用いて、Ｒ4およびＲ5が一緒になって式（ｉ）で示される基を形成する式（Ｉ）の化合物に変換できる。
最も好ましくは、本発明の方法を用いて、Pranlukast化合物、すなわち４−オキソ−８−［４−（４−フェニルブトキシ）ベンゾイルアミノ］−２−（テトラゾール−５−イル）−４Ｈ−１−ベンゾピランまたはその塩、水和物もしくはＮ−オキシドを調製することができる。
式（ＩＩ）の化合物は、周知の方法、例えば、ＥＰ ０ １７３ ５１６−Ａに開示される化学反応を用いて調製できる。
式（ＩＩＩ）の化合物は標準的な化学反応、例えば、以下：
0004043050.tif 000008
1.Ｐｈ（ＣＨ2）4Ｂｒ、ＤＭＦ、Ｋ2ＣＯ3、加熱。
に示されるような反応を用いて、対応するフェノールから調製できる。
以下の実施例は本発明を説明するために提示するものである。
４−（４−フェニルブトキシ）ハロベンゼン誘電体の調製
実施例１
４−（４−フェニルブトキシ）ブロモベンゼンの調製
炭酸カリウム（７．６ｇ、５５．１ミリモル）、４−ブルモフェノール（５ｇ、２８．９ミリモル）および４−フェニルブチルブロミド（５．７ｇ、２６．８ミリモル）をジメチルホルムアミド（３０ｍｌ）中で攪拌し、１００℃で２時間加熱した。反応混合物を水（１５０ｍｌ）中でクエンチし、水層をエーテル（２ｘ７５ｍｌ）で抽出した。合わせたエーテル抽出物を水酸化ナトリウム溶液（〜０．５Ｍ、１２０ｍｌ）および水（１００ｍｌ）で洗浄した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、濾過し、真空下で濃縮して油状物を得た。
粗生成物をカラムクロマトグラフィー［固定相：シリカ；溶出液：石油エーテル（６０／８０）、次いで９：１（容量／容量）石油エーテル（６０／８０）：ジクロロメタン］を用いて精製し、４−（４−フェニルブトキシ）ブロモベンゼン（５．７８ｇ、７１％）を得た。
ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）ｐｐｍ，１．７２−１．８２，４Ｈ，ｍ；２．１１−２．６７，２Ｈ，ｍ；３．８５−３．８９，２Ｈ，ｍ；６．７１，２Ｈ，ｄ；７．１４，５Ｈ，ｍ；７．３１，２Ｈ，ｄ
ＭＳ（Ｅ．Ｉ．）ｍ／ｚ（％）６５（１８），９１（１００），１０４（１５），１１７（１０），１３２（１７），１７２（１６），３０４（３）
実施例２
４−（４−フェニルブトキシ）ヨードベンゼンの調製
４−ブルモフェノールの代わりに４−ヨードフェノールを使用する以外は４−（４−フェニルブトキシ）ブロモベンゼンの製法を用いて、４−（４−フェニルブトキシ）ヨードベンゼンを収率８０％で得た。
ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）ｐｐｍ，１．７０−１．７７，４Ｈ，ｍ；２．６１−２．６６，２Ｈ，ｍ；３．８１−３．８６，２Ｈ，ｍ；６．５９，２Ｈ，ｄ；７．１１−７．２８，５Ｈ，ｍ；７．４８，２Ｈ，ｄ
ＭＳ（Ｅ．Ｉ．）ｍ／ｚ（％）６５（１２），９１（１００），１０４（８），１３２（８），２２０（３５），３５２（６）
カルボニル化法１．８−アミド−４−オキソ−２−（テトラゾール−５−イル）−４Ｈ−１−ベンゾピラン誘導体の調製
実施例３ａ
４−オキソ−８−［４−（４−フェニルブトキシ）ベンゾイルアミノ］−２−（テトラゾール−５−イル）−４Ｈ−１−ベンゾピラン半水和物の調製
４−（４−フェニルブトキシ）ブロモベンゼン（０．５０ｇ、１．６４ミリモル）、８−アミノ−４−オキソ−２−（テトラゾール−５−イル）−４Ｈ−１−ベンゾピラン（０．７５ｇ、３．２８ミリモル）、塩化ビス−（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）（０．１３５ｇ、０．１９ミリモル）および１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン（０．８７ｇ、５．７４ミリモル）の混合物をＮ−メチルピロリジノン（１０ｍｌ）中１００−１１０℃にて一酸化炭素の雰囲気下、大気圧で４．５時間攪拌した。反応混合物を水（１５ｍｌ）で希釈し、濃塩酸（５ｍｌ）を用いて酸性化した。沈殿物を濾過し、水およびメタノールで洗浄し、次いで濃塩酸（８ｍｌ）中で攪拌して、未反応の８−アミノ−４−オキソ−２−（テトラゾール−５−イル）−４Ｈ−１−ベンゾピランを溶解した。溶解しなかった固体を濾過し、濃塩酸（２ｘ１．５ｍｌ）、水、次いでメタノールで洗浄した。湿ったケークをメタノール（１０ｍｌ）中で酢酸ナトリウム（０．１５ｇ、１．８３ミリモル）と共に攪拌し、溶液を濾過した。上澄液を濃塩酸（０．２ｍｌ）で酸性化し、生成物を濾過し、メタノールで洗浄し、乾燥して、標記化合物を得た（４２２ｍｇ、５３％）。
ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6）ｐｐｍ，１．７０−１．８６，４Ｈ，ｍ；２．６６−２．７１，２Ｈ，ｍ；４．１０−４．１４，２Ｈ，ｍ；７．０９，２Ｈ，ｄ；７．１０，１Ｈ，ｓ；７．１８−７．３３，５Ｈ，ｍ；７．５７，１Ｈ，ｄｄ；７．９０，１Ｈ，ｄｄ；８．０３，２Ｈ，ｄ；８．２９，１Ｈ，ｄｄ；９．９７，１Ｈ，ｓ
ＭＳ（陽イオンイオンスプレー）ｍ／ｚ（％）１０７（１００），１２６（１０），１６９（１３），４８２（９７），９６３（４０）
ＭＳ（陰イオンイオンスプレー）ｍ／ｚ（％）４５２（１１），４８０（１００），９６１（１０）
実施例３ｂ
４−（４’−フェニルブトキシ）ブロモベンゼンの代わりに４−（４−フェニルブトキシ）ヨードベンゼンを用いてカルボニル化法１を繰り返して標記化合物を収率５５％で得た。
実施例４ａ
６−クロロ−４−オキソ−８−［４−（４−フェニルブトキシ）ベンゾイルアミノ］−２−（テトラゾール−５−イル）−４Ｈ−１−ベンゾピランの調製
８−アミノ−４−オキソ−２−（テトラゾール−５−イル）−４Ｈ−１−ベンゾピランの代わりに８−アミノ−６−クロロ−４−オキソ−２−（テトラゾール−５−イル）−４Ｈ−１−ベンゾピランを用いてカルボニル化法１を繰り返して、６−クロロ−４−オキソ−８−［４−（４−フェニルブトキシ）ベンゾイルアミノ］−２−（テトラゾール−５−イル）−４Ｈ−１−ベンゾピランを収率１０％で得た。
ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6）ｐｐｍ，１．７３−１．７９，４Ｈ，ｍ；２．６４−２．７０，２Ｈ，ｍ；４．０９，２Ｈ，ｍ；７．１０，２Ｈ，ｄ；７．１５，６Ｈ，ｍ；７．８０，１Ｈ，ｄ；８．０１，１Ｈ，ｄ；８．４３，２Ｈ，ｄ；１０．０２，１Ｈ，ｓ
ＭＳ（陽イオンイオンスプレー）ｍ／ｚ（％）５１６（１００）
ＭＳ（陰イオンイオンスプレー）ｍ／ｚ（％）５１４（１００），１０２９（３）
実施例４ｂ
８−アミノ−４−オキソ−２−（テトラゾール−５−イル）−４Ｈ−１−ベンゾピランおよび４−（４−フェニルブトキシ）ブロモベンゼンの代わりに８−アミノ−６−クロロ−４−オキソ−２−（テトラゾール−５−イル）−４Ｈ−１−ベンゾピランおよび４−（４−フェニルブトキシ）ヨードベンゼンを用いてカルボニル化法１を繰り返して、６−クロロ−４−オキソ−８−［４−（４−フェニルブトキシ）ベンゾイルアミノ］−２−（テトラゾール−５−イル）−４Ｈ−１−ベンゾピランを収率９２％で得た。
カルボニル化法２．３−ベンズアミド−２−ヒドロキシアセトフェノン誘導体の調製
実施例５ａ
５−クロロ−３−［４−（４−フェニルブトキシ）ベンゾイルアミノ］−２−ヒドロキシアセトフェノンの調製
４−（４−フェニルブトキシ）ブロモベンゼン（０．５０ｇ、１．６４ミリモル）、５−クロロ−３−アミノ−２−ヒドロキシアセトフェノン（０．５３ｇ、２．８９ミリモル）、塩化ビス（トリフェニルホスフイン）パラジウム（ＩＩ）（０．１０ｇ、０．１４ミリモル）および１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン（０．８７ｇ、５．７４ミリモル）をＮ−メチルピロリジノン（１０ｍｌ）中１００−１１０℃にて一酸化炭素の雰囲気下、大気圧で１．７５時間攪拌した。反応混合物を冷却し、濃塩酸（５ｍｌ）を含有する水（５０ｍｌ）中でクエンチし、ジクロロメタン（５０ｍｌおよび２ｘ２５ｍｌ）で抽出した。合わした抽出物を木炭で処理し、乾燥し（ＭｇＳＯ4）、真空下で濃縮し、イソプロパノール（３０ｍｌ）中０−５℃で粗生成物を攪拌した。沈殿物を濾過し、冷イソプロパノールで洗浄し、乾燥して５−クロロ−３−［４−（４−フェニルブトキシ）ベンゾイルアミノ］−２−ヒドロキシアセトフェノンを得た（０．５２ｇ、７２％）。
ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）ｐｐｍ，１．７６−１．９１，４Ｈ，ｍ；２．６５，３Ｈ，ｓ；２．６８−２．７３，２Ｈ，ｍ；４．０１−４．０６，２Ｈ，ｍ；６．９６，２Ｈ，ｄ；７．１６−７．３４，５Ｈ，ｍ；７．４３，１Ｈ，ｄ；７．８５，２Ｈ，ｄ；８．５７，１Ｈ，ｓ；８．８３，１Ｈ，ｄ；１２．９０，１Ｈ，ｓ
ＭＳ（陽イオンイオンスプレー）ｍ／ｚ［Ｍ＋Ｈ］+４３８
ＭＳ（陰イオンイオンスプレー）ｍ／ｚ［Ｍ＋Ｈ］-４３６
実施例５ｂ
４−（４−フェニルブトキシ）ブロモベンゼンの代わりに４−（４−フェニルブトキシ）ヨードベンゼンを用いてカルボニル化法２を繰り返して５−クロロ−３−［４−（４−フェニルブトキシ）ベンゾイルアミノ］−２−ヒドロキシアセトフェノンを収率８２％で得た。
実施例６
３−［４−（４−フェニルブトキシ）ベンゾイルアミノ］−２−ヒドロキシアセトフェノンの調製
３−アミノ−５−クロロ−２−ヒドロキシアセトフェノンおよび４−（４−フェニルブトキシ）ブロモベンゼンの代わりに３−アミノ−２−ヒドロキシアセトフェノンおよび４−（４−フェニルブトキシ）ヨードベンゼンを用いてカルボニル化法２を繰り返して３−［４−（４−フェニルブトキシ）ベンゾイルアミノ］−２−ヒドロキシアセトフェノンを収率６８％で得た。
ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）ｐｐｍ，１．７８−１．８８，４Ｈ，ｍ；２．６６，３Ｈ，ｓ；２．６６−２．７３，２Ｈ，ｍ；４．０１−４．０５，２Ｈ，ｍ；６．９３−６．９９，３Ｈ，ｍ；７．１６−７．３３，５Ｈ，ｍ；７．４８，１Ｈ，ｄｄ；７．８７，２Ｈ，ｄ；８．５８，１Ｈ，ｓ；８．７６，１Ｈ，ｄｄ；１２．９８，１Ｈ，ｓ
ＭＳ（陽イオンイオンスプレー）ｍ／ｚ［Ｍ＋Ｈ］+４０４
ＭＳ（陰イオンイオンスプレー）ｍ／ｚ［Ｍ＋Ｈ］-４０２