(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
前工程から基板を搬入し、または、後工程に基板を排出するためのインターフェース部と、基板に薬液を供給することにより薬液処理する薬液処理ユニットを含む複数の処理ユニットと、前記インターフェース部に搬入された基板を前記薬液処理ユニットを含む複数の処理ユニットに順次搬送する搬送ユニットとを有する基板処理装置において、
処理不良が生じた基板を収納するための前記インターフェース部に配設された不良基板回収カセットと、
前記インターフェース部、各処理ユニットまたは搬送ユニットの動作不良に起因する基板の処理不良の発生を検知する検知手段と、
前記検知手段により処理不良の発生を検知した場合に、前記搬送ユニットを制御することにより、処理不良が発生した基板を、基板に薬液を供給しない状態で各処理ユニットを通過させた後、前記不良基板回収カセットに収納する制御手段と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前工程から基板を搬入し、または、後工程に基板を排出するためのインターフェース部と、基板に薬液を供給することにより薬液処理する薬液処理ユニットを含む複数の処理ユニットと、前記インターフェース部と前記薬液処理ユニットを含む複数の処理ユニットとの間で基板を搬送する搬送ユニットとを有する基板処理装置を使用し、基板を前記インターフェース部から各処理ユニットに順次搬送することによりその処理を行う基板処理方法において、
前記インターフェース部、各処理ユニットまたは搬送ユニットの動作不良に起因する基板の処理不良の発生を検知手段により検知した場合に、前記搬送ユニットを制御することにより、処理不良が発生した基板を、基板に薬液を供給しない状態で各処理ユニットを通過させた後、前記インターフェース部に配設された不良基板回収カセットに収納することを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板あるいは半導体製造装置用マスク基板等の基板を処理するための基板処理装置および基板処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
このような基板処理装置は、前工程から処理を行うべき基板を基板搬送カセットに収納した状態で搬入するとともに、処理の終了した基板を再度基板搬送カセットに収納して排出するための基板搬送カセットの載置部を有する第１のインターフェース部と、基板に薬液を供給することにより薬液処理するスピンコータやスピンデベロッパ等の薬液処理ユニットと、基板を加熱または冷却することにより熱処理するホットプレートやクールプレート等の熱処理ユニットと、薬液処理ユニットおよび熱処理ユニットにおいて処理された基板を基板処理装置に連結して配設された露光装置に搬出するとともに、露光装置により露光を終了した基板を搬入するための第２のインターフェース部と、第１のインターフェース部、薬液処理ユニット、熱処理ユニットおよび第２のインターフェース部間で基板を搬送する搬送ユニットとを有し、基板を第１または第２のインターフェース部から薬液処理ユニットおよび熱処理ユニットに順次搬送することによりその処理行っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
このような基板処理装置において、第１、第２のインターフェース部、薬液処理ユニット、熱処理ユニットまたは搬送ユニットの動作不良に起因する基板の処理不良が発生した場合、処理不良が発生した基板に対してそのままその後の処理を継続した場合においては、薬液処理ユニットにおいて薬液が無駄に消費されたり、基板の処理に必要以上の時間を要したりするという問題を生ずる。
【０００４】
より具体的には、スピンコータやスピンデベロッパ等の薬液処理ユニットにおいて、基板の回転塗布動作に問題が生じたり、基板に塗布すべき薬液の流量が不足する等の薬液処理ユニットの動作不良に起因する基板の処理不良が生ずる場合がある。また、基板をホットプレートに搬送して加熱処理を開始した後、設定時間経過後においてもこの基板をホットプレートから排出できないという、搬送ユニット等の動作不良に起因する基板の処理不良が生ずる場合がある。さらに、ホットプレートによる基板の加熱処理の終了後、所定時間内にこの基板をクールプレートに搬送できないという、搬送ユニット等の動作不良に起因する基板の処理不良が生ずる場合がある。
【０００５】
このような基板の処理不良が発生した場合には、その基板は製品の製造には使用し得ない。しかしながら、従来の基板処理装置においては、処理不良が生じた基板に対しても、正常な基板と同様の処理が施されている。
【０００６】
このため、例えば薬液処理ユニットにおいては、処理不良が生じた基板に対しても薬液が塗布されることになり、高価な薬液が無駄に消費されることになる。また、この種の基板処理装置においては、後段の露光装置等との基板処理速度の差を解消するため、第２のインターフェース部等にバッファカセットを配置しているが、このバッファカセットに処理不良が生じた基板が収納された場合には、基板処理装置全体の基板の処理効率が低下する。さらに、基板を露光装置等の他の装置に搬送して処理を行う場合においても、処理不良が生じた基板に対して正常な基板と同様の処理が施されることになり、基板処理全体の効率が低下することになる。
【０００７】
この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、処理不良が生じた基板を効果的に回収することにより、基板の処理を効率的に実行することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、前工程から基板を搬入し、または、後工程に基板を排出するためのインターフェース部と、基板に薬液を供給することにより薬液処理する薬液処理ユニットを含む複数の処理ユニットと、前記インターフェース部に搬入された基板を前記薬液処理ユニットを含む複数の処理ユニットに順次搬送する搬送ユニットとを有する基板処理装置において、処理不良が生じた基板を収納するための前記インターフェース部に配設された不良基板回収カセットと、前記インターフェース部、各処理ユニットまたは搬送ユニットの動作不良に起因する基板の処理不良の発生を検知する検知手段と、前記検知手段により処理不良の発生を検知した場合に、前記搬送ユニットを制御することにより、処理不良が発生した基板を、基板に薬液を供給しない状態で各処理ユニットを通過させた後、前記不良基板回収カセットに収納する制御手段とを備えたことを特徴とする。
【０００９】
請求項２に記載の発明は、前工程から基板を搬入し、または、後工程に基板を排出するためのインターフェース部と、基板に薬液を供給することにより薬液処理する薬液処理ユニットを含む複数の処理ユニットと、前記インターフェース部と前記薬液処理ユニットを含む複数の処理ユニットとの間で基板を搬送する搬送ユニットとを有する基板処理装置を使用し、基板を前記インターフェース部から各処理ユニットに順次搬送することによりその処理を行う基板処理方法において、前記インターフェース部、各処理ユニットまたは搬送ユニットの動作不良に起因する基板の処理不良の発生を検知手段により検知した場合に、前記搬送ユニットを制御することにより、処理不良が発生した基板を、基板に薬液を供給しない状態で各処理ユニットを通過させた後、前記インターフェース部に配設された不良基板回収カセットに収納することを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１はこの発明に係る基板処理装置の斜視図である。
【００１１】
この基板処理装置は、第１のインターフェース部１２と、薬液処理ユニットとしてのスピンコータ１３およびスピンデベロッパ１４と、熱処理ユニットとしてのホットプレート１５およびクールプレート１６と、基板搬送ユニット１７と、第２のインターフェース部１８と、制御手段としてのメインコントローラ１９とから構成される。
【００１２】
前記第１のインターフェース部１２は、前工程から処理を行うべき基板Ｗを基板搬送カセット１に収納した状態で搬入するとともに、処理の終了した基板Ｗを再度基板搬送カセット１に収納して排出するためのものであり、基板搬送カセット１および不良基板回収カセット２を載置するための載置部３１と、基板搬送カセット１から基板Ｗを取り出し、または、この基板搬送カセット１または不良基板回収カセット２に基板Ｗを収納するための搬送アーム３２を有する基板搬入搬出機構３３と、インターフェース部コントローラ２１とを備える。
【００１３】
前記スピンコータ１３は、前工程から搬送された基板Ｗに対して薬液としてのレジストを供給してレジスト塗布処理を行うためのものであり、水平方向に保持した基板Ｗを鉛直軸周りに回転させながらこの基板Ｗにレジストを供給塗布する塗布部３４と、スピンコータコントローラ２２とを備える。
【００１４】
前記スピンデベロッパ１４は、図示しない露光装置において露光が完了した基板Ｗに対して薬液としての現像液を塗布して現像処理するためのものであり、水平方向に保持した基板Ｗを鉛直軸周りに回転させながらこの基板Ｗに現像液を供給する現像部３５と、スピンデベロッパコントローラ２３とを備える。
【００１５】
熱処理ユニットとしてのホットプレート１５およびクールプレート１６は、それぞれレジスト塗布処理後の基板Ｗまたは現像処理前の基板Ｗを加熱、冷却するためのものであり、図示しない加熱板または冷却板と、これらのホットプレート１５およびクールプレート１６を一括して制御する熱処理部コントローラ２６とを備える。
【００１６】
前記第２のインターフェース部１８は、基板処理装置においてレジスト塗布処理および熱処理された基板Ｗを図示しない露光装置に搬出するとともに、露光装置により露光を終了した基板を搬入するためのものであり、不良基板回収カセット２およびバッファカセット３を載置するための載置部３６と、図示しない露光装置に基板Ｗを送るための露光送り用テーブル３７と、露光装置により露光された基板Ｗを受け取るための露光戻り用テーブル３８と、不良基板回収カセット２、バッファカセット３または露光送り用テーブル３７に向けて基板を搬送し、また、バッファカセット３または露光戻り用テーブル３８から基板Ｗを受け取るための搬送アーム３９を有する基板搬入搬出機構４１と、インターフェース部コントローラ２４とを備える。
【００１７】
前記基板搬送ユニット１７は、基板Ｗを、第１のインターフェース部１２の搬送アーム３２、スピンコータ１３、スピンデベロッパ１４、ホットプレート１５、クールプレート１６および第２のインターフェース部１８の搬送アーム３９との間で受け渡しするためのものであり、Ｘ、Ｙ、Ｚ、θ方向に移動可能な搬送アーム４２と、基板搬送ユニットコントローラ２５とを備える。なお、この基板搬送ユニット１７における搬送アーム４２は、第１のインターフェース部１２の搬送アーム３２、スピンコータ１３、スピンデベロッパ１４、ホットプレート１５、クールプレート１６および第２のインターフェース部１８の搬送アーム３９に対して、基板Ｗの搬入と搬出とを同時に実行するため、互いに重畳した状態で配設された一対のアームを有している。
【００１８】
前記メインコントローラ１９は、この基板処理装置全体を制御するためのものであり、基板処理装置全体の制御に必要な動作プログラムが格納されたＲＯＭと、制御時にデータ等が一時的にストアされるＲＡＭと、論理演算を実行するＣＰＵとを含む。
【００１９】
このメインコントローラ１９は、上述した第１、第２のインターフェース部１２、１８、スピンコータ１３、スピンデベロッパ１４、ホットプレート１５、クールプレート１６および基板搬送ユニット１７の各々（以下、「各ユニット」という）を個別に制御するための、上述したインターフェース部コントローラ２１、２４、スピンコータコントローラ２２、スピンデベロッパコントローラ２３、基板搬送ユニットコントローラ２５および熱処理部コントローラ２６と接続されている。また、このメインコントローラ１９は、図２に示すように、表示手段としてのＣＲＴ４３および入力手段としてのキーボード４４とも接続されている。
【００２０】
なお、このメインコントローラ１９は、基板処理装置の各ユニットを個別に制御するためのインターフェース部コントローラ２１、２４、スピンコータコントローラ２２、スピンデベロッパコントローラ２３、基板搬送ユニットコントローラ２５および熱処理部コントローラ２６との間で、処理を行うべき各基板Ｗを識別するために使用するＩＤデータを交換している。このＩＤデータは、図３に示すように、カセット番号、カセット溝番号、レシピ番号と、後述する処理不良が生じた基板Ｗを識別するためのフラグ情報とを含む。
【００２１】
このような基板処理装置においては、基板搬送カセット１に収納された状態で第１のインターフェース部１２に搬入された基板Ｗは、基板搬送ユニット１７によりホットプレート１５に搬送され、ホットプレート１５により加熱されて脱水ベークをなされた後、クールプレート１６により冷却される。そして、この基板Ｗはスピンコータ１３においてレジストを塗布される。しかる後、この基板Ｗは、ホットプレート１５により加熱されてプリベークをなされた後、クールプレート１６により冷却され、第２のインターフェース部１８を介して図示しない露光装置に搬送される。また、このとき、基板処理装置と露光装置との処理速度差を解消するため、必要に応じ、基板Ｗが一時的にバッファカセット３に収納される。
【００２２】
一方、露光装置において露光を完了した基板Ｗは、第２のインターフェース部１８から基板搬送ユニット１７によりホットプレート１５に搬送され、ホットプレート１５により加熱されてポストエクスポージャベーク（ＰＥＢ）をなされた後、クールプレート１６により冷却される。そして、この基板Ｗはスピンデベロッパ１４において現像処理される。しかる後、この基板Ｗは、ホットプレート１５により加熱されてポストベークをなされた後、クールプレート１６により冷却され、第１のインターフェース部１２を介して後段の処理工程に向け搬送される。
【００２３】
次に、この基板処理装置において、各ユニットの動作不良に起因する基板Ｗの処理不良に対応するための構成について説明する。
【００２４】
上述した基板処理装置の各ユニットを個別に制御するためのインターフェース部コントローラ２１、２４、スピンコータコントローラ２２、スピンデベロッパコントローラ２３、基板搬送ユニットコントローラ２５および熱処理部コントローラ２６は、基板処理装置における各ユニットの動作不良に起因する基板Ｗの処理不良が生じた場合に、この処理不良の発生を検知する検知手段としても機能する。
【００２５】
すなわち、基板処理装置の各ユニットには、各ユニットが正常に動作しているか否かを監視するための各種の検出器が配設されており、インターフェース部コントローラ２１、２４、スピンコータコントローラ２２、スピンデベロッパコントローラ２３、基板搬送ユニットコントローラ２５および熱処理部コントローラ２６は、これらの検出器からの信号を受信することにより、各ユニットにおける動作不良に起因する基板Ｗの処理不良の発生を検知する。そして、インターフェース部コントローラ２１、２４、スピンコータコントローラ２２、スピンデベロッパコントローラ２３、基板搬送ユニットコントローラ２５および熱処理部コントローラ２６は、基板Ｗ処理不良の発生を検知した場合には、図３に示す基板ＷのＩＤデータにフラグを立て、このＩＤデータをメインコントローラ１９に転送する。
【００２６】
この処理不良検知のための動作について、基板処理装置における各ユニットのうち、スピンコータ１３を例にして具体的に説明する。図２は、上述した各ユニットの一つとしてのスピンコータ１３における処理不良の検出機構の概要を示す説明図である。
【００２７】
このスピンコータ１３は、上述したように、基板Ｗにレジストを供給塗布する塗布部３４とスピンコータコントローラ２２とを備える。そして、塗布部３４は、モータ５１の駆動により基板Ｗを保持して回転するスピンチャック５２と、基板Ｗに向けてレジストを吐出するためレジスト吐出ノズル５３と、モータ５４の駆動によりレジスト吐出ノズル５３を基板Ｗと対向するレジスト供給位置と待機位置との間で移動させるノズル移動機構５５と、レジスト貯留槽５６に貯留されたレジストをレジスト吐出ノズル５３に向けて送液するためのポンプ５７とを有する。
【００２８】
また、モータ５１の回転状況はロータリエンコーダ６１により監視されており、モータ５４の回転状況はロータリエンコーダ６２により監視されている。さらに、ポンプ５７によりレジスト吐出ノズル５３に向けて送液されるレジストの流量は、流量計６３により監視されている。そして、これらのロータリエンコーダ６１、６２および流量計６３は、スピンコータコントローラ２２と接続されている。
【００２９】
このため、モータ５１、５４またはポンプ５７の動作に異常が生じた場合においては、スピンコータコントローラ２２はロータリエンコーダ６１、６２または流量計６３からの信号を受信することにより、スピンコータ１３においてスピンコータ１３の動作不良に起因する基板Ｗの処理不良が発生したことを検知する。そして、スピンコータコントローラ２２は、図３に示す基板ＷのＩＤデータにフラグを立て、このＩＤデータをメインコントローラ１９に転送する。
【００３０】
一方、メインコントローラ１９においては、処理不良の発生をＣＲＴ４３に表示するとともに、処理不良が発生した基板ＷのＩＤデータをインターフェース部コントローラ２１、２４、スピンデベロッパコントローラ２３、基板搬送ユニットコントローラ２５および熱処理部コントローラ２６に転送する。そして、後述するように、基板搬送ユニット１７の基板搬送ユニットコントローラ２５を介して搬送アーム４２を制御し、処理不良が生じた基板Ｗを基板搬送カセット１または不良基板回収カセット２に収納する。
【００３１】
なお、インターフェース部コントローラ２１、２４、スピンデベロッパコントローラ２３、基板搬送ユニットコントローラ２５および熱処理部コントローラ２６も、上記スピンコータコントローラ２２と同様、各種の検出器により各ユニットの動作不良に起因する基板Ｗの処理不良の発生を検知することにより基板ＷのＩＤデータにフラグを立て、このＩＤデータをメインコントローラ１９に転送する構成となっている。
【００３２】
次に、この基板処理装置において、各ユニットの動作不良に起因する基板Ｗの処理不良が発生した場合の、第１実施形態に係る処理動作について説明する。
【００３３】
図４は、メインコントローラ１９が、インターフェース部コントローラ２１、２４、スピンコータコントローラ２２、スピンデベロッパコントローラ２３、基板搬送ユニットコントローラ２５または熱処理部コントローラ２６から、処理不良が発生した基板ＷのＩＤデータを転送された後の処理動作を示すフローチャートである。
【００３４】
上述したように、各種の検出器によりインターフェース部コントローラ２１、２４、スピンコータコントローラ２２、スピンデベロッパコントローラ２３、基板搬送ユニットコントローラ２５または熱処理部コントローラ２６のうちのいずれかのコントローラが、各ユニットの動作不良に起因する基板Ｗの処理不良の発生を検知することにより、基板ＷのＩＤデータにフラグを立て、このＩＤデータをメインコントローラ１９に転送すれば、メインコントローラ１９は、インターフェース部コントローラ２１、２４、スピンコータコントローラ２２、スピンデベロッパコントローラ２３、基板搬送ユニットコントローラ２５および熱処理部コントローラ２６（以下、必要に応じ「各コントローラ」という）に対してこのＩＤデータを転送する（ステップＳ１１）。
【００３５】
また、メインコントローラ１９は、基板搬送ユニット１７の基板搬送ユニットコントローラ２５を介して搬送アーム４２を制御し、処理不良が生じた基板Ｗを第１のインターフェース部１２の載置部３１に載置された不良基板回収カセット２に収納した後（ステップＳ１２）、処理不良の発生をＣＲＴ４３に表示する（ステップＳ１３）。なお、不良基板回収カセット２に収納された不良基板Ｗは、基板再生行程に送られる。
【００３６】
次に、この基板処理装置において、各ユニットの動作不良に起因する基板Ｗの処理不良が発生した場合の、第２実施形態に係る処理動作について説明する。
【００３７】
図５は、図４と同様、メインコントローラ１９が、インターフェース部コントローラ２１、２４、スピンコータコントローラ２２、スピンデベロッパコントローラ２３、基板搬送ユニットコントローラ２５または熱処理部コントローラ２６から、処理不良が発生した基板ＷのＩＤデータを転送された後の処理動作を示すフローチャートである。
【００３８】
各種の検出器によりインターフェース部コントローラ２１、２４、スピンコータコントローラ２２、スピンデベロッパコントローラ２３、基板搬送ユニットコントローラ２５または熱処理部コントローラ２６のうちのいずれかのコントローラが、各ユニットの動作不良に起因する基板Ｗの処理不良の発生を検知することにより、基板ＷのＩＤデータにフラグを立て、このＩＤデータをメインコントローラ１９に転送すれば、メインコントローラ１９は、各コントローラに対してこのＩＤデータを転送する（ステップＳ２１）。
【００３９】
また、メインコントローラ１９は、処理不良が発生した基板Ｗが、露光装置に搬送される前のものであるのか、すでに露光装置で露光を完了したものであるのかを判断する（ステップＳ２２）。
【００４０】
そして、処理不良が発生した基板Ｗを通常の基板Ｗと同様の行程で各ユニットに順次通過させ、第１のインターフェース部１２または第２のインターフェース部１８のうち、次に通過するインターフェース部に載置された不良基板回収カセット２内に収納する。より具体的には、処理不良が発生した基板Ｗが露光前のものである場合には、この基板Ｗを基板搬送ユニット１７により第２のインターフェース部１８の載置部３６に載置された不良基板回収カセット２に収納する（ステップＳ２４）。また、処理不良が発生した基板Ｗが露光後のものである場合には、この基板Ｗを基板搬送ユニット１７により第１のインターフェース部１２の載置部３１に載置された不良基板回収カセット２に収納する（ステップＳ２３）。
【００４１】
そして、処理不良の発生をＣＲＴ４３に表示する（ステップＳ２５）。不良基板回収カセット２に収納された不良基板Ｗは、基板再生行程に送られる。
【００４２】
なお、上述した処理不良が発生した基板Ｗを通常の基板Ｗと同様の行程で各ユニットに順次搬送する行程においては、メインコントローラ１９から転送されたＩＤデータに基づき、スピンコータ１３またはスピンデベロッパ１４はこの基板Ｗを単に通過させる動作のみを実行する。すなわち、スピンコータ１３やスピンデベロッパ１４においては、この基板Ｗを塗布部３４や現像部３５には載置するが、この基板Ｗに対するレジストや現像液の供給は行わない。このため、高価な薬液が無駄に消費することを防止することができる。
【００４３】
次に、この基板処理装置において、各ユニットの動作不良に起因する基板Ｗの処理不良が発生した場合の、第３実施形態に係る処理動作について説明する。
【００４４】
図６は、図４と同様、メインコントローラ１９が、インターフェース部コントローラ２１、２４、スピンコータコントローラ２２、スピンデベロッパコントローラ２３、基板搬送ユニットコントローラ２５または熱処理部コントローラ２６から、処理不良が発生した基板ＷのＩＤデータを転送された後の処理動作を示すフローチャートである。
【００４５】
各種の検出器によりインターフェース部コントローラ２１、２４、スピンコータコントローラ２２、スピンデベロッパコントローラ２３、基板搬送ユニットコントローラ２５または熱処理部コントローラ２６のうちのいずれかのコントローラが、各ユニットの動作不良に起因する基板Ｗの処理不良の発生を検知することにより、基板ＷのＩＤデータにフラグを立て、このＩＤデータをメインコントローラ１９に転送すれば、各コントローラに対してこのＩＤデータを転送する（ステップＳ３１）。
【００４６】
また、メインコントローラ１９は、基板搬送ユニット１７の基板搬送ユニットコントローラ２５を介して搬送アーム４２を制御し、処理不良が生じた基板Ｗを第１のインターフェース部１２の載置部３１に載置された基板搬送カセット１に収納した後（ステップＳ３２）、処理不良の発生をＣＲＴ４３に表示する（ステップＳ３３）。
【００４７】
このとき、処理不良が発生した基板Ｗは、オペレータにより基板搬送カセット１内から速やかに取り出され、基板再生行程に送られる。ただし、処理不良が発生した基板Ｗが基板搬送カセット１から速やかに取り出されない場合に対応するため、処理不良が発生した基板Ｗは、基板搬送カセット１における本来この基板Ｗが収納されるべき位置に収納される。
【００４８】
なお、この第３実施形態の場合においても、上述した第２実施形態の場合と同様、処理不良が発生した基板Ｗを通常の基板Ｗと同様の行程で各ユニットに順次通過させた後、基板搬送カセット１に収納するようにしてもよい。
【００４９】
なお、上記の発明の実施の形態における薬液処理ユニットとしてのスピンコータ１３およびスピンデベロッパ１４と熱処理ユニットとしてのホットプレート１５およびクールプレート１６のそれぞれが、特許請求の範囲における各処理ユニットに相当する。
【００５０】
また、上記発明の実施の形態において薬液処理ユニットがスピンコータおよびスピンデベロッパである場合について説明したが、これらに限られるものではなく、基板を洗浄液を用いて洗浄するユニットである場合も含まれる。
【００５１】
【発明の効果】
請求項１または請求項２に記載の発明によれば、処理不良が発生した基板を、基板に薬液を供給しない状態で各処理ユニットを通過させた後、不良基板回収カセットに収納することから、薬液処理ユニットにおいて薬液が無駄に消費されるという問題を解消することができる。また、基板を露光装置等の他の装置に搬送して処理を行う場合においても、不良基板に対して処理が行われることはないため、基板処理全体の効率を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  この発明に係る基板処理装置の斜視図である。
【図２】  スピンコータ１３における処理不良の検出機構の概要を示す説明図である。
【図３】  ＩＤデータの説明図である。
【図４】  メインコントローラ１９が各コントローラから処理不良が発生した基板ＷのＩＤデータを転送された後の処理動作を示すフローチャートである。
【図５】  メインコントローラ１９が各コントローラから処理不良が発生した基板ＷのＩＤデータを転送された後の処理動作を示すフローチャートである。
【図６】  メインコントローラ１９が各コントローラから処理不良が発生した基板ＷのＩＤデータを転送された後の処理動作を示すフローチャートである。
【符号の説明】
１      基板搬送カセット
２      不良基板回収カセット
１２    第１のインターフェース部
１３    スピンコータ
１４    スピンデベロッパ
１５    ホットプレート
１６    クールプレート
１７    基板搬送ユニット
１８    第２のインターフェース部
１９    メインコントローラ
２１    インターフェース部コントローラ
２２    スピンコータコントローラ
２３    スピンデベロッパコントローラ
２４    インターフェース部コントローラ
２５    基板搬送ユニットコントローラ
２６    熱処理部コントローラ
３１    載置部
３３    基板搬入搬出機構
３６    載置部
４１    基板搬入搬出機構
４２    基板搬送アーム
【図１】
0004172553.tif 000002
【図２】
0004172553.tif 000003
【図３】
0004172553.tif 000004
【図４】
0004172553.tif 000005
【図５】
0004172553.tif 000006
【図６】
0004172553.tif 000007