(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被露光基板に転写するパターンを有する原版を保持するステージ手段と、該ステージ手段を駆動するステージ駆動手段と、前記原版が載置されるレチクルチャックと、前記レチクルチャックに設けられた内部配管と、前記原版のアライメントの基準となる原版基準マークを有する原版基準基板を備えた原版基準部と、前記原版基準部を温調するための送風装置を備え、
前記送風装置から送風される気体は、不活性ガスであり、前記内部配管を介して前記原版基準部に吹き付けられることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記原版と前記原版基準部の間に気体が吹き付けられることを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記気体の流量、圧力、流速および送風方向のうちの少なくとも１つを、原版のパターン面積、積算露光エネルギー量、連続露光時間のうちの少なくとも１つに基づいて調節するように構成されていることを特徴とする請求項１または２記載の露光装置。
【請求項４】
前記気体の流量、圧力、流速および送風方向のうちの少なくとも１つを、原版のアライメントマーク、被露光基板のアライメントマークおよび原版基準マークのうちの少なくとも１つの計測位置の変化に基づいて調節するように構成されていることを特徴とする請求項１ないし３いずれか１項記載の露光装置。
【請求項５】
原版がレチクルであることを特徴とする請求項１ないし４いずれか１項記載の露光装置。
【請求項６】
請求項１ないし５いずれか１項記載の露光装置によってウエハを露光する工程を有するデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子や液晶表示素子等のデバイスをフォトリソグラフィ工程によって製造するための露光装置およびデバイス製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年では、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体集積回路の微細化、高集積化に伴なって、半導体製造用の露光装置も高精度化、高機能化が図られており、レチクル等原版とウエハ等被露光基板との位置合わせ（アライメント）においても、数十ナノメータのオーダの重ね合わせ精度が要求されている。
【０００３】
このような半導体製造に用いられる露光装置として、ステッパやスキャナと呼ばれる装置が知られている。これらの装置は、被露光基板をステップ移動させながら、原版（レチクル）上に形成されているパターンを被露光基板の複数箇所に順次転写していくものである。この転写を一括で行なう装置がステッパまたはステップアンドリピート装置であり、ステージをスキャンさせながら転写する装置がスキャナまたはステップアンドスキャン装置と呼ばれる。両者の相違は露光時の形態であり、ステップを繰り返し転写を行なうという基本的な動作（ステップアンドリピート）については、両者とも同じである。
【０００４】
昨今、半導体集積回路等のパターンはますます高密度および微細化されており、より一層のアライメント精度の向上が求められている。特に、露光光の透過率が低いレチクルを用いた際、レチクルは露光光の吸収による熱蓄積のために温度が上昇する。それに伴ない発生するレチクルあるいはレチクル基準部（レチクル近傍にレチクルを位置合わせする際の基準となるレチクル基準マークが形成されているレチクル基準基板と、このレチクル基準基板が接着等により固定されている基板保持部の両方を含む）の熱変形によってアライメント精度が低下する。
【０００５】
このようなレチクル基準基板等の熱変形によるアライメント精度の低下は、従来の露光装置では許容範囲量であったが、昨今の高精度化された露光装置では無視できない量になってきている。
【０００６】
上記の問題を解決する方法の一つとして、特開平４−１９２３１７号公報に公開されているものを説明する。まず初めに、露光光等の照明光の吸収によるレチクルの熱変形量を求める。レチクルの熱変形量を求める方法は、レチクルに使用しているクロム等の遮光材の種類や熱吸収率とパターンの分布等に基づいて数値計算によってレチクル内の代表的な数点の熱変形量を求める方法がある。あるいは、レチクルの計測用マーク位置を直接計測することによりレチクルの熱変形量を求める方法もある。次に、前記の結果より光学計算あるいは実例に基づく定式化によって投影光学系による結像状態の変化を予測する。この結果により、レンズ駆動等の結像状態の補正手段を用いて結像状態を一定にするか、結像状態の変動による影響を最小に抑えるための補正を行なう。
【０００７】
このように、レチクルの熱変形による結像特性の変動分を結像特性を補正する手段で補正することで、結像特性の変動をキャンセルして、常に良好な結像状態を維持するように構成されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら上記従来の技術によれば、照明光によるレチクルの熱変形を補正するために様々な手段が開発されているものの、昇温したレチクルの輻射熱によってレチクル基準部が熱変形を起こし、このためにアライメント精度が低下するのを防ぐことができないという未解決の課題がある。
【０００９】
前述のように、レチクルの非透過パターン面の材質にはクロム等が使用され、レチクルのガラス部分と比べると、透過率が低く熱吸収が高い。そのためレチクルのクロム占有率が１００％の最悪の条件を想定した場合のレチクルの温度上昇は、約８℃にも達する。
【００１０】
また、露光光の波長がおよそ１８０ｎｍ以下となると、その波長の光を透過させるレチクルの材料が螢石等に限られてくる。この螢石は石英ガラスに比べて熱膨張率が１桁大きい。従って、螢石のレチクルを使用した場合、露光光の照射によるレチクルの蓄積熱量が、石英ガラスに比べて非常に大きくなる。
【００１１】
このようなレチクルの温度上昇はレチクルからの輻射熱量を増加させ、レチクル直下に設置されているレチクル基準部の温度上昇を招き、レチクル基準部の基板（レチクル基準基板）や基板保持部の熱変形を引き起こし、レチクルのアライメント精度を著しく劣化させる。
【００１２】
本発明は上記従来の技術の有する未解決の課題に鑑みてなされたものであり、レチクルやフォトマスク等原版の位置合わせ（アライメント）の基準となる原版基準部の温度を一定に保つことで熱変形を防ぎ、原版のアライメント精度を向上させて、パターンの高密度化や微細化に大きく貢献できる露光装置およびデバイス製造方法を提供することを目的とするものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために本発明の露光装置は、被露光基板に転写するパターンを有する原版を保持するステージ手段と、該ステージ手段を駆動するステージ駆動手段と、前記原版が載置されるレチクルチャックと、前記レチクルチャックに設けられた内部配管と、前記原版のアライメントの基準となる原版基準マークを有する原版基準基板を備えた原版基準部と、前記原版基準部を温調するための送風装置を備え、前記送風装置から送風される気体は、不活性ガスであり、前記内部配管を介して前記原版基準部に吹き付けられることを特徴とする。
【００１４】
前記原版と前記原版基準部の間に気体が吹き付けられるとよい。
【００１５】
前記気体が、有機珪素化合物、アンモニア、硫酸イオンまたは有機ガスのいずれをも含まないガスであるとよい。
【００１６】
前記気体が、不活性ガスであってもよい。
【００１７】
前記気体の流量、圧力、流速および送風方向のうちの少なくとも１つを、原版のパターン面積、積算露光エネルギー量、連続露光時間のうちの少なくとも１つに基づいて調節するように構成されていてもよい。
【００１８】
前記気体の流量、圧力、流速および送風方向のうちの少なくとも１つを、原版のアライメントマーク、被露光基板のアライメントマークおよび原版基準マークのうちの少なくとも１つの計測位置の変化に基づいて調節するように構成されていてもよい。
【００１９】
【作用】
レチクル等原版のアライメントの基準となる原版基準マークを有する原版基準部は、原版の近傍にあるため、原版の輻射熱によって昇温し、熱変形のために原版のアライメント精度を低下させる。そこで、送風装置から吹き出される気体によって原版基準部の温度を調節し、原版基準部の温度変化によるアライメント精度の低下を防ぐ。
【００２０】
原版基準部の温度を調節することで、特にクロム占有面積の広いレチクルや、螢石基板のレチクル等を用いる露光装置の重ね合わせ精度を大幅に向上できる。
【００２１】
また、レチクル等原版と原版基準部の間に気体を吹き付けることで、原版からの輻射熱自体を低減することも、原版基準部の昇温を防ぐうえで大きな効果がある。
【００２２】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００２３】
図１の（ａ）は第１の実施の形態による露光装置全体を示すもので、露光光等の照明光を発生する光源１と、被露光基板であるウエハＷに転写するパターンを有する原版であるレチクルＲを搭載するステージ手段であるレチクルステージ２と、レチクルＲのパターンをウエハＷに縮小投影する投影光学系３と、ウエハＷを保持し、照明光の光軸と垂直なＸＹ方向に移動させるＸＹステージ４を有し、ウエハＷは、ＸＹステージ４上のウエハチャック４ａに吸着保持される。
【００２４】
レチクルステージ２は、レチクルＲを載置するレチクルチャック１１と、ステージ駆動手段であるレチクル駆動部１２と、原版基準部であるレチクル基準部１３を備えている。レチクル基準部１３は、図１の（ｂ）に示すように、レチクルＲに設けられたアライメントマークＲＭを重ね合わせることでレチクルＲの位置合わせを行なうためのアライメントの基準となる原版基準マークであるレチクル基準マークＳＭを有するレチクル基準基板１３ａと、該レチクル基準基板１３ａを固定保持する基板保持部１３ｂによって構成され、装置本体であるベース５の頂部に支持されている。
【００２５】
レチクル基準部１３は、レチクルチャック１１の内側に複数設けられ、レチクルＲの複数のアライメントマークＲＭとレチクル基準マークＳＭとのずれ量を複数のアライメント光学系６によって計測し、計測結果に基づいてレチクル駆動部１２を駆動することによって、投影光学系３等に対するレチクルＲの位置ずれを補正する。
【００２６】
なお、レチクルＲのアライメントマークＲＭ、レチクル基準マークＳＭを含むレチクル基準部１３、およびアライメント光学系６は、いずれもレチクルＲの露光領域の外側に配設される。これによって露光動作中にレチクルＲのアライメントを行なうことが可能となり、露光サイクルタイムの短縮によるスループットの向上が期待できる。
【００２７】
露光の手順は次のように行なう。まず、図示しないレチクル送り込みハンドによりレチクルＲを露光装置に送り込む。
【００２８】
次にレチクル基準マークＳＭとレチクルＲのアライメントマークＲＭのずれ量をアライメント光学系６によって計測し、所定範囲内になるようにレチクルＲをレチクル駆動部１２によって移動させ、位置決めする。レチクルＲの位置決め方法は以下のとおりである。
【００２９】
レチクル基準マークＳＭとレチクルＲのアライメントマークＲＭをアライメント光学系６のＴＴＲ（スルー・ザ・レチクル）顕微鏡によって観察し、両者の相対的位置ずれを検出する。上記のように、複数のＴＴＲ顕微鏡を用いれば、レチクルＲのローテーションが検出でき、アライメント精度が向上する。レチクルＲのアライメントマークＲＭとレチクル基準マークＳＭとの位置合わせは、以下のように行なう。
【００３０】
各アライメント光学系６のＴＴＲ顕微鏡は、ミラー６ａと対物レンズ６ｂがセットでレチクルＲと平行な平面上を駆動できる機構を備えている。このため、対物レンズ６ｂとリレーレンズ６ｃの間はアフォーカルとなっている。レチクル基準マークＳＭとレチクルＲのアライメントマークＲＭの検出に先立ち、上記ミラー６ａと対物レンズ６ｂを、レチクルＲを位置合わせするためのポジションに駆動しておく。
【００３１】
光源１からの光束は、ライトガイド６ｄを通り上記のＴＴＲ顕微鏡に導光され、波長選択フィルター６ｅにより、特定の波長、すなわち、露光光と同じ波長が選択され、ＴＴＲ顕微鏡内に導光される。
【００３２】
波長選択フィルター６ｅで、所定の波長幅の光束を通過させ、コンデンサーレンズ６ｆで集光し、ビームスプリッター６ｇで反射させる。そして、ビームスプリッター６ｇで反射し、対物レンズ６ｂとミラー６ａを介した光束でレチクルＲのアライメントマークＲＭとレチクル基準マークＳＭとを照明している。
【００３３】
レチクルＲ上のアライメントマークＲＭとレチクル基準マークＳＭは、対物レンズ６ｂの焦点深度以下の間隔になるように設定されている。レチクルＲのアライメントマークＲＭとレチクル基準マークＳＭからの反射光は順にミラー６ａ、対物レンズ６ｂと元の光路を戻り、ビームスプリッター６ｇを通過してＣＣＤカメラ６ｈに入射し、そのカメラ面上に双方のマーク像を形成する。これにより、レチクルＲのアライメントマークＲＭとレチクル基準マークＳＭの双方を対物レンズ６ｂの観察領域に置いたとき、同時に両者を観察することができる。
【００３４】
ＣＣＤカメラ６ｈにより光電変換された画像信号は、図示しない画像処理装置に送られ、レチクルＲのアライメントマークＲＭとレチクル基準マークＳＭとの相対ずれ量を算出する。その情報に基づき、レチクルステージ２を駆動し、レチクルＲと露光装置本体であるベース５との位置合わせを行なっている。
【００３５】
また、この計測により、レチクル倍率だけでなく、レチクル基準マークＳＭを基準としたレチクル位置、レチクル回転も同時に測定することができる。レチクル基準マーク位置をウエハステージ座標系に対して較正しておけば、ウエハ座標系に対するレチクルＲの位置を任意の時刻にモニタできることとなる。レチクルＲはレチクルチャック１１に真空吸着されてはいるが、ウエハＷを搭載するＸＹステージ４の駆動による振動や温度変化の影響で、レチクル倍率の変化だけでなく、平行シフトや回転などの動きをしてしまう場合もある。従って、位置および回転の値をアライメント補正量に反映すればさらに正確な位置合せが可能となる。
【００３６】
次に、ウエハ搬送系によりウエハＷをウエハチャック４ａに吸着させる。ＸＹステージ４はステップアンドリピート露光動作を繰り返しながらウエハＷの複数箇所を順次露光させる。ウエハＷ全体の露光処理を終了したら、ウエハＷはウエハ搬送系により搬出される。
【００３７】
上記の露光サイクルにおいて、レチクルＲが露光光を吸収して昇温し、レチクルＲからの輻射熱によってレチクルステージ２のレチクル基準部１３のレチクル基準基板１３ａ等が加熱されると、熱変形のためにレチクル基準マークＳＭがずれてしまう。そこで、レチクル基準部１３の温度を制御するための温度調節媒体である気体を吹き付ける原版基準部温調手段である一対の送風装置１４が設けられている。
【００３８】
各送風装置１４は、レチクル基準部１３の基板保持部１３ｂの近傍に設置され、基板保持部１３ｂに向かう指向性を有する気流を生じさせる２つの送風管１４ａを有し、これによって、レチクル基準部１３の下にある投影光学系３に影響を与えず、効率よくレチクル基準部１３を温調することができる。
【００３９】
送風装置１４の気体吹出し口は、２系統とは限らず、１系統でもよいし、２系統以上有していてもよい。また各系統には風量調節機構１４ｂが付随している。
【００４０】
レチクル基準部１３近傍の送風装置１４の材質は、アライメント光学系６の曇りの原因となる物質を含まないフッ素樹脂あるいはステンレスで加工されたものがよい。また、ＡｒＦレーザ等のように露光波長が短い露光光源を使用する露光装置では、レーザの発振に伴ないオゾンが発生するために、オゾンによる劣化の観点から送風装置１４に使用する材質はフッ素樹脂あるいはステンレス系の材質が望ましい。また、送風管１４ａの一部を配管の振動が伝わらないようにフレキシブルな材料としておくのが望ましい。
【００４１】
送風される気体は、不活性ガスであることが光学部品の汚染防止の点で望ましい。また、レチクル基準部が本体内部に配設されている場合や、紫外線パルス光（例えばＫｒｆエキシマレーザ等）のようなレジスト感光膜を感光する露光波長をもつ照明光を使用する投影露光装置においては、レチクル基準部に送風される気体として不活性ガスを用いるとよい。
【００４２】
次に、送風装置１４によるレチクル基準部１３の温度調節方法を説明する。送風装置１４は、レチクルＲからの輻射熱をレチクル基準部１３が吸収し、レチクル基準基板１３ａが変形したり変位することを防止するために、レチクル基準部１３に送風してレチクル基準部１３の温度変化を防ぐものである。さらに、気体をレチクル基準部１３に吹き付けることによってレチクル基準部１３の雰囲気を拡散させ、熱がこもることも軽減できる。温度調節方法としては以下の３つの方法がある。
【００４３】
第１の温度調節方法は、露光条件やレチクルの種類によりレチクルからの輻射熱が異なるため、露光条件やレチクルの種類に基づいて、空調条件を設定するものである。例えば、積算露光エネルギー量、連続露光時間、レチクルの非透過パターン面のレチクル占有率（パターン面積）、レチクルの非透過パターン面の配置等に基づいて空調条件を設定する。
【００４４】
具体的には、例えばレチクルの非透過パターン面のレチクル占有率が分かっている場合は、前記占有率により最適な送風条件を装置の操作者自身が設定し、レチクル基準部に送風する。
【００４５】
すなわち、レチクルの非透過パターン面のレチクル占有率の低いレチクルを使用する場合、レチクル基準部に送風する気体は微量送風あるいは送風停止の状態にし、レチクルの非透過パターン面のレチクル占有率の高いレチクルを使用する場合においてのみ、レチクル基準部に気体を送風する等、デバイス製造工程ごとの設定ができる。
【００４６】
最適な送風量を装置操作者自身が設定せずに、画像処理などの方法によってレチクルの非透過パターンのレチクル占有率を計測し、送風量を自動的に調節する構成をとることも可能である。
【００４７】
レチクルの非透過パターンの配置によっては送風位置を変える必要が有る。この場合は、送風系統を選択し、最適な送風位置の送風管を用いる。
【００４８】
他の条件でも同様な設定を行なうことが可能であり、また、複数の条件を合せて設定すれば、より一層効果的である。
【００４９】
第２の温度調節方法は、レチクル基準部に送風する気体の送風量等を、レチクル基準マークの位置、レチクル上の１つ以上のアライメントマーク位置、被露光基板であるウエハ上の１つ以上のアライメントマーク位置等を計測し、該計測位置の変動量あるいは２つ以上のマーク位置の相対変動量によって調節するものである。例えば、マーク位置変動量が少ない場合においては、レチクル基準部に送風する気体は微量送風あるいは送風停止の状態にし、マーク位置変動量が高い場合においてのみ、レチクル基準部に気体を送風する設定をする。
【００５０】
さらにマーク位置変動をパターン化し、数値計算により、自動的に送風量を調節することも有益である。１例を簡単に説明すると、マーク位置の変動に対応したレチクル周辺部の変形モデルを予め作成しておく。そしてマーク位置変動を計測して、その計測結果に近い変形モデルを選択し、選択した変形モデルに対応した送風条件を決定するというものである。なお、計測は常時行なって適宜送風量を調節してもよいし、スポット的に計測し、送風条件を調整してもよい。
【００５１】
あるいは、以下に述べる第３の温度調節方法を採用してもよい。レチクル周辺部の熱変形挙動は露光開始直後に急激に変動することが分かっている。そこで、予めレチクル基準部を露光開始前に暖めておけば変動量を軽減でき、温度安定状態に達するまでに要する時間も短縮できる。すなわち、第１の方法と同様に露光条件、レチクルの種類によって発生する熱変動を推測し、熱変動を軽減するように送風装置から温調された気体等をレチクル基準部に吹き付けてレチクル基準部の加温を行なう。
【００５２】
本実施の形態によれば、上述のとおり、レチクルの輻射熱によるレチクル基準部の昇温を防ぐために、レチクル基準部に温度調節媒体を吹き付けて冷却するか、あるいは予めレチクル基準部を温度調節媒体によって昇温させておくことで、レチクル基準部の熱変形によるアライメント精度の低下を防ぐことができる。これによって、転写されるパターンの重ね合わせ精度を大幅に向上できる。
【００５３】
図２は第２の実施の形態を示す。これは、第１の実施の形態と同様のレチクル基準部１３の基板保持部１３ｂに気体を吹き付けるための送風管２４ａと風量調節機構２４ｂに加えて、レチクルＲとレチクル基準基板１３ａの間の隙間に向かって送風する送風管２４ｃと風量調節機構２４ｄを備えた送風装置２４を配設したものである。
【００５４】
ベース５、レチクル基準部１３等については第１の実施の形態と同様であるから、同一符号で表わし説明は省略する。
【００５５】
レチクル基準部１３に送風するとともに、レチクル基準部１３とレチクルＲの間にも送風することで、レチクルＲからの輻射熱自体を低減し、レチクル基準基板１３ａの変形を軽減すれば、レチクルＲのアライメント精度を保つうえでより一層大きな効果がある。また、レチクルＲの周囲には、レチクルＲの温調を行なう送風ユニット２５が配設されており、レチクル基準部１３の温調を行なう送風装置２４と同じ気体供給源２６に接続されている。その他の点は第１の実施の形態と同様である。
【００５６】
図３は第３の実施の形態を示す。これは、レチクルステージ２のレチクルチャック１１の内部配管３４ａと風量調節機構３４ｂを有する送風装置３４からレチクル基準部１３に送風するものである。レチクルステージ２、レチクルチャック１１、レチクル基準部１３等は第１の実施の形態と同様であるので、同一符号で表わし、説明は省略する。
【００５７】
レチクルチャック１１の内部配管３４ａをレチクル基準部１３に向かって開口させるだけでよいから、レチクル基準部１３の周囲に送風用の配管を必要とせず、装置の簡略化、小型化に貢献できる。
【００５８】
その他の点は第１の実施の形態と同様である。
【００５９】
図４は一参考例を示す。これは、レチクル基準部１３の基板保持部１３ｂに設けられた内部配管４４ａと、熱交換器４４ｂからなる原版基準部温調手段であるレチクル基準部温度調節装置４４を設けて、これに温度調節された温度調節媒体である気体または水等の液状の媒体を流動させることで、レチクル基準部１３の温調を行なうものである。熱交換器４４ｂに供給される熱媒体はフロン等で、循環器４４ｃによって流されており、閉回路を構成している。レチクル基準部１３、レチクル基準基板１３ａ、基板保持部１３ｂ等は第１の実施の形態と同様であるので同一符号で表わし、説明は省略する。
【００６０】
レチクル基準部１３の基板保持部１３ｂを直接温調するものであるため、効率が高く、応答も早いという利点がある。その他の点は第１の実施の形態と同様である。
【００６１】
レチクル基準部を直接温調する手段は、レチクル基準部の内部配管に限らず、レチクル基準部の外側に設けてもよい。例えば、図５に示すように、レチクル基準部１３の基板保持部１３ｂにフレキシブルな管体５４ａを巻き付けて、これに温度調節された気体や液体等の媒体を流すように構成してもよい。
【００６２】
次に上記説明した露光装置を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図６は半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、あるいは液晶パネルやＣＣＤ等）の製造フローを示す。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行なう。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パターンを形成した原版であるマスクを製作する。ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。ステップ５（組立）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００６３】
図７は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。本実施例の製造方法を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度の半導体デバイスを製造することができる。
【００６４】
【発明の効果】
本発明は上述のように構成されているので、以下に記載するような効果を奏する。
【００６５】
レチクルやフォトマスク等原版のアライメント精度を大幅に向上させ、半導体デバイス等のパターンの高密度化と微細化を大きく促進できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  第１の実施の形態による露光装置を示すもので、（ａ）は露光装置全体を示す一部断面立面図、（ｂ）はレチクルステージを拡大して示す部分拡大図である。
【図２】  第２の実施の形態によるレチクルステージを示すもので、（ａ）は平面図、（ｂ）は一部断面立面図である。
【図３】  第３の実施の形態によるレチクルステージを示すもので、（ａ）は平面図、（ｂ）は一部断面立面図である。
【図４】  一参考例によるレチクル基準部を説明する図である。
【図５】  他の参考例を示す図である。
【図６】  デバイス製造方法を示すフローチャートである。
【図７】  ウエハプロセスを示すフローチャートである。
【符号の説明】
１    光源
２    レチクルステージ
３    投影光学系
４    ＸＹステージ
４ａ    ウエハチャック
５    ベース
６    アライメント光学系
１１    レチクルチャック
１２    レチクル駆動部
１３    レチクル基準部
１３ａ    レチクル基準基板
１３ｂ    基板保持部
１４，２４，３４    送風装置
１４ａ，２４ａ，２４ｃ    送風管
４４    レチクル基準部温度調節装置
３４ａ，４４ａ    内部配管
５４ａ    管体
【図１】
0004095211.tif 000002
【図２】
0004095211.tif 000003
【図３】
0004095211.tif 000004
【図４】
0004095211.tif 000005
【図５】
0004095211.tif 000006
【図６】
0004095211.tif 000007
【図７】
0004095211.tif 000008