(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層に、複数の素子が形成される領域に分離する溝を形成する工程と、
その後、前記分離する溝で取り囲まれた前記領域に、前記複数の素子を形成する工程と、
前記溝及び前記複数の素子の間の領域において、前記複数の素子をそれぞれ分離する工程とを備え、
前記溝を形成する工程の後で、前記素子を形成する工程の前に、前記溝内にポリイミド樹脂を充填する工程をさらに備える、半導体素子の製造方法。
【請求項２】
前記溝を形成する工程は、前記溝を直交するように形成する工程を含み、
第１の方向に隣接する前記溝間の間隔と、前記第１の方向と直交する第２の方向に隣接する前記溝間の間隔とは、等しい、請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項３】
前記溝を形成する工程は、前記溝を前記基板に到達するように形成する工程を含む、請求項１または２に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項４】
前記溝を形成する工程は、前記基板の劈開面および前記半導体層の劈開面のいずれか一方に平行になるように前記溝を形成する工程を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体素子の製造方法に関し、より特定的には、基板上に半導体層を形成する半導体素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、発光ダイオード素子などの半導体発光素子やトランジスタなどの電子素子に用いられる半導体素子として、窒化物系化合物半導体を利用した半導体素子の開発が盛んに行われている。このような窒化物系半導体素子の製造の際には、ＧａＮからなる基板の製造が困難であるため、サファイア、ＳｉＣ、ＳｉまたはＧａＡｓなどからなる基板上に、ＧａＮからなる窒化物系半導体層をエピタキシャル成長させている。
【０００３】
この場合、サファイアなどの基板とＧａＮとでは、格子定数または熱膨張係数が異なるため、サファイアなどの基板と、その基板上に成長させた窒化物系半導体層との間に内部応力が発生する。このため、基板に反りが発生するという不都合があった。
【０００４】
そこで、従来、基板の反りを低減するために、たとえば、特開平１０―１７７９７４号公報には、基板上に成長させた半導体層に素子を形成した後、半導体層の表面から基板内部にまで達する溝を形成するとともに、基板裏面を最終デバイス厚さまで研磨した後、素子分離を行うことによって、素子分離時の基板の反りを防ぐ方法が開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記公報に開示された従来の方法では、素子形成後に溝を形成するため、素子形成前の基板上に半導体層を成長した段階で生じた基板の反りを低減することは困難である。特に、窒化物系半導体素子では、転位軽減のために基板上に窒化物系半導体層を厚く形成する必要があるので、基板上に半導体層を形成した時点で、基板と半導体層との熱膨張率の差に起因する反りが発生するという不都合があった。そのため、フォトリソグラフィ工程などの素子形成工程を行うことが困難であり、その結果、素子作製工程の歩留まりが低下するという問題点があった。
【０００６】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、
この発明の一つの目的は、素子作製工程の歩留まりを向上させることが可能な半導体素子の製造方法を提供することである。
【０００７】
この発明のもう一つの目的は、上記の半導体素子の製造方法において、反りを減少させた状態で素子を形成することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
この発明の一の局面による半導体素子の製造方法は、基板上に半導体層を形成する工程と、半導体層に、複数の素子が形成される領域に分離する溝を形成する工程と、その後、半導体層に、素子を形成する工程とを備えている。
【０００９】
この一の局面による半導体素子の製造方法では、上記のように、半導体層に複数の素子が形成される領域に分離する溝を形成した後、半導体層に素子を形成することによって、溝により基板と半導体層との熱膨張率の差に起因する応力を緩和した状態で素子を形成することができる。これにより、反りを減少させた状態で素子を形成することができるので、素子作製工程を容易に行うことができる。その結果、素子作製工程の歩留まりを向上させることができる。
【００１０】
上記一の局面による半導体素子の製造方法において、好ましくは、溝を形成する工程は、溝を実質的に直交するように形成する工程を含み、第１の方向に隣接する溝間の間隔と、第１の方向と実質的に直交する第２の方向に隣接する溝間の間隔とは、ほぼ等しい。このように構成すれば、溝によって囲まれた領域が正方形になるので、基板の表面に平行な面内でＸ方向およびＹ方向に均一に応力を緩和することができる。これにより、基板の表面に平行な面内でＸ方向およびＹ方向に均一に反りを減少することができる。
【００１１】
上記の半導体素子の製造方法において、好ましくは、溝を形成する工程の後で、素子を形成する工程の前に、溝内に樹脂を充填する工程をさらに備える。このように構成すれば、溝内に充填された樹脂により半導体層の上面の全体が平坦になるので、半導体層に素子を形成する際のレジストの塗布工程などを円滑に行うことができる。
【００１２】
上記の半導体素子の製造方法において、好ましくは、溝を形成する工程は、溝を基板に到達するように形成する工程を含む。このように構成すれば、溝部の半導体層が完全に除去されるので、半導体層は、交差する溝によって細かく分断された状態になる。これにより、基板と半導体層との熱膨張率の差に起因する応力をより緩和することができる。
【００１３】
上記の半導体素子の製造方法において、好ましくは、溝を形成する工程は、基板の劈開面および半導体層の劈開面のいずれか一方に実質的に平行になるように前記溝を形成する工程を含む。このように構成すれば、基板または半導体層の劈開面を露出する必要がある場合に、溝に沿って素子分離することにより、平坦な劈開面を容易に得ることができる。そして、その平坦な劈開面を、たとえば、半導体レーザ素子の共振面としてそのまま使用することができるので、素子特性を向上することができる。また、形状不良を減少させることができるので、素子の歩留まりを向上させることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を具体化した実施形態を図面に基づいて説明する。
【００１５】
（第１参考形態）
図１は、本発明の第１参考形態による半導体素子（窒化物系半導体レーザ素子）の素子分離工程前の状態を示した平面図である。図２は、図１に示した第１参考形態による半導体素子（窒化物系半導体レーザ素子）の素子形成領域を示した拡大平面図である。また、図３は、図１に示した第１参考形態による半導体素子（窒化物系半導体レーザ素子）の素子分離工程後の状態を示した斜視図である。
【００１６】
まず、図３を参照して、第１参考形態による窒化物系半導体レーザ素子の素子分離後の構造について説明する。この第１参考形態では、図３に示すように、サファイア基板１上に、ＡｌＧａＮ低温バッファ層２、および、ノンドープＧａＮ層３が形成されている。このノンドープＧａＮ層３上に、ｎ型ＧａＮコンタクト層４、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層５、ＩｎＧａＮからなるＭＱＷ活性層６、および、凸部を含むｐ型ＡｌＧａＮクラッド層７がこの順序で形成されている。ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層７の凸部上には、ｐ型ＧａＮコンタクト層８が形成されている。このｐ型ＡｌＧａＮクラッド層７の凸部と、ｐ型ＧａＮコンタクト層８とによって、ストライプ状のリッジ部が構成されている。なお、上記各層２〜８によって、「半導体層」１４が形成されている。
【００１７】
また、ｐ型ＧａＮコンタクト層８上に、ｐ側電極９が形成されている。さらに、ｐ側電極９の上面以外の領域を覆うとともに、ｎ型ＧａＮコンタクト層４の上面の一部を露出するように、ＳｉＯ2保護膜１０が形成されている。また、ｐ側電極９の上面に接触するように、ｐ側パッド電極１１が形成されている。また、ｎ型ＧａＮコンタクト層４の露出された上面に接触するように、ｎ側電極１２が形成されている。このｎ側電極１２上に、ｎ側パッド電極１３が形成されている。
【００１８】
次に、第１参考形態の窒化物系半導体レーザ素子の素子分離工程前の構造としては、図１および図２に示すように、円形のウェハからなるサファイア基板１上に、素子形成領域１６が形成されている。その素子形成領域１６を取り囲むように、約１００μｍ〜約２００μｍの幅を有するとともに、サファイア基板１の表面に到達する深さを有する溝部１５ａおよび溝部１５ｂが形成されている。この溝部１５ａおよび溝部１５ｂは、実質的に直交するとともに、隣接する溝部１５ａ間の間隔と、隣接する溝部１５ｂ間の間隔とが、ともに約２ｍｍになるように形成されている。このような溝部１５ａおよび１５ｂに囲まれる素子形成領域１６は、正方形形状を有するとともに、８個の窒化物系半導体レーザ素子１７を含む。なお、溝部１５ａおよび溝部１５ｂは、本発明の「溝」の一例である。
【００１９】
図４〜図８は、図１〜図３に示した第１参考形態による窒化物系半導体レーザ素子の製造プロセスを説明するための断面図である。なお、図５は、図４に示した工程における半導体層の詳細構造を示した断面図である。以下、図１〜図８を参照して、第１参考形態の窒化物系半導体レーザ素子の製造プロセスについて説明する。
【００２０】
まず、図４に示すように、ＭＯＣＶＤ法を用いて、サファイア基板１上に、半導体層１４を形成する。具体的には、図５に示すように、ＭＯＣＶＤ法を用いて、サファイア基板１上に、ＡｌＧａＮ低温バッファ層２を形成する。次に、ＡｌＧａＮ低温バッファ層２上に、ノンドープＧａＮ層３を約１５μｍの厚みで形成する。次に、このノンドープＧａＮ層３上に、ＭＯＣＶＤ法を用いて、ｎ型ＧａＮコンタクト層４、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層５、ＩｎＧａＮからなるＭＱＷ活性層６、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層７、および、ｐ型ＧａＮコンタクト層８を順次形成する。ノンドープＧａＮ層３上に形成された各層４〜８は、約５μｍの合計厚みを有するとともに、半導体素子層を構成する。
【００２１】
上記した半導体層１４の成長プロセスは、約１０００℃の高温で行われる。そのため、図６に示したように、基板温度を室温まで降温した際に、サファイア基板１と、半導体層１４との熱膨張率の差に起因する内部応力が発生する。その結果、サファイア基板１および半導体層１４に反りが発生する。
【００２２】
図６に示した状態から、第１参考形態では、図７に示すように、ワックス１９を用いて、サファイア基板１を、ガラス板１８に接合する。これにより、上記工程で生じたサファイア基板１および半導体層１４の反りを矯正する。
【００２３】
この状態で、第１参考形態では、図８に示すように、塩素ガスを用いたドライエッチングにより、半導体層１４に、サファイア基板１の表面にまで到達する深さを有する溝部１５ａおよび溝部１５ｂを形成する。ここで、溝部１５ａおよび溝部１５ｂは、図１および図２に示すように、実質的に直交するとともに、隣接する溝部１５ａ間の間隔と、隣接する溝部１５ｂ間の間隔とが、ともに約２ｍｍになるように形成する。これにより、図２に示したような、８個の窒化物系半導体レーザ素子１７を含むとともに、正方形形状を有する素子形成領域１６を形成する。
【００２４】
次に、サファイア基板１をガラス板１８から分離した後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、素子形成領域１６において、図３に示したように、ｎ型ＧａＮコンタクト層４の一部を露出させるとともに、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層７の凸部と、ｐ型ＧａＮコンタクト層８と、ｐ側電極９とからなるリッジ部を形成する。その後、ｐ側電極９の上面以外の領域を覆うとともに、ｎ型ＧａＮコンタクト層４の上面の一部を露出するようにＳｉＯ2保護膜１０を形成する。そして、ｎ側ＧａＮコンタクト層４の上面に接触するようにｎ側電極１２を形成する。さらに、ｐ側電極９およびｎ側電極１２の上面に、それぞれ接触するように、ｐ側パッド電極１１およびｎ側パッド電極１３を形成する。そして、サファイア基板１の裏面を所定の厚みまで研磨した後、ダイシングおよび劈開を用いて素子分離を行う。このようにして、第１参考形態の窒化物系半導体レーザ素子が形成される。
【００２５】
第１参考形態では、上記のように、素子形成領域１６の４辺を取り囲むように、溝部１５ａおよび溝部１５ｂを形成することによって、サファイア基板１と半導体層１４との熱膨張率の差に起因して発生する内部応力を除去することができる。これにより、反りを減少した状態で素子を形成することができるので、素子形成工程を容易に行うことができる。その結果、素子形成工程の歩留まりを向上させることができる。
【００２６】
また、第１参考形態では、上記のように、素子形成領域１６の形状が正方形になるように、溝部１５ａおよび溝部１５ｂを形成することによって、サファイア基板１の表面に平行な面内でＸ方向およびＹ方向に均一に応力を緩和することができる。これにより、サファイア基板１の表面に平行な面内でＸ方向およびＹ方向に均一に反りを減少することができる。その結果、素子形成工程をより容易に行うことができる。
【００２７】
（第２参考形態）
図９は、本発明の第２参考形態による半導体素子（窒化物系半導体レーザ素子）の素子分離工程前の状態を示した平面図である。図１０は、図９に示した第２参考形態による半導体素子（窒化物系半導体レーザ素子）の素子形成領域の拡大平面図である。図９および図１０を参照して、この第２参考形態では、上記した第１参考形態と異なり、素子形成領域が長方形の形状を有するように形成した場合の例について説明する。なお、第２参考形態のその他の構成は第１参考形態と同様である。
【００２８】
すなわち、第２参考形態の窒化物系半導体レーザ素子の製造プロセスでは、図４〜図７に示した第１参考形態と同様の製造プロセスを経た後、図８に示した溝部を形成する工程において、図９および図１０に示すように、素子形成領域２６が長方形になるように溝部２５ａおよび溝部２５ｂを形成する。具体的には、塩素ガスを用いたドライエッチングにより、互いに直交する溝部２５ａおよび溝部２５ｂをサファイア基板１の表面に到達する深さを有するように形成する。この場合、溝部２５ａは、約２ｍｍの間隔を隔てて形成するとともに、溝部２５ｂは、約１ｍｍの間隔を隔てて形成する。これにより、４個の窒化物系半導体レーザ素子２７を含むとともに、長方形の形状を有する素子形成領域２６が形成される。なお、溝部２５ａおよび溝部２５ｂは、本発明の「溝」の一例である。
【００２９】
その後、第１参考形態と同様の製造プロセスを経て、図３に示した第１参考形態の構造と同様の構造を有する第２参考形態の窒化物系半導体レーザ素子が完成される。
【００３０】
上記した第２参考形態の窒化物系半導体レーザ素子の製造プロセスにおいても、第１参考形態と同様、素子形成領域２６の４辺を取り囲むようにサファイア基板１に達する深さを有する溝部２５ａおよび溝部２５ｂを形成することによって、サファイア基板１と、半導体層との熱膨張率の差に起因して発生する内部応力を除去することができる。これにより、反りを減少した状態で素子を形成することができるので、素子形成工程を容易に行うことができる。その結果、素子形成工程の歩留まりを向上させることができる。特に、第２参考形態では、Ｘ，Ｙ方向で間隔の異なる溝部２５ａおよび溝部２５ｂを形成することによって、ウェハの反りに面内の異方性がある場合に、反りの異方性を矯正することができる。具体的には、反り量の大きい方向（たとえばＹ方向）に対して垂直な方向（Ｘ方向）に溝間隔の小さい方の溝部２５ｂを配置することによって、容易に反りの異方性を矯正することができる。
【００３１】
（第１実施形態）
図１１および図１２は、本発明の第１実施形態による半導体素子（窒化物系半導体レーザ素子）の製造プロセスを示した断面図である。この第１実施形態では、半導体層に形成された溝部をポリイミド樹脂で充填した場合の例について説明する。なお、第１実施形態のその他の構成は第１参考形態と同様である。以下、詳細に説明する。
【００３２】
すなわち、第１実施形態の窒化物系半導体レーザ素子の製造プロセスでは、図４〜図８に示した第１参考形態と同様の製造プロセスを経た後、サファイア基板１をガラス板１８から分離する。この状態が図１１に示される。その後、溝部１５ａおよび溝部１５ｂを埋め込むように、半導体層１４の上面にポリイミド樹脂（図示せず）を塗布する。そして、約３００℃の熱処理を行うことによって、そのポリイミド樹脂を硬化した後、酸素プラズマを用いたドライエッチングにより、溝部１５ａおよび溝部１５ｂ以外の領域に付着したポリイミド樹脂を除去することによって、図１２に示されるような、溝部１５ａおよび溝部１５ｂにポリイ
ミド樹脂３０が充填された形状が得られる。なお、ポリイミド樹脂３０は、本発明の「樹脂」の一例である。
【００３３】
次に、素子形成領域１６に、レジスト塗布工程やエッチング工程などを用いて素子を形成した後、酸素プラズマを用いたドライエッチングにより、ポリイミド樹脂３０を除去する。その後、第１参考形態と同様の製造プロセスを経て、図３に示した第１参考形態と同様の構造を有する第１実施形態の窒化物系半導体レーザ素子が完成される。
【００３４】
第１実施形態では、上記したように、溝部１５ａおよび溝部１５ｂを形成する工程の後で、素子を形成する工程の前に、溝部１５ａおよび１５ｂにポリイミド樹脂３０を充填することによって、半導体層１４の上面の全体が平坦になるので、半導体層１４に窒化物系半導体レーザ素子を形成する際のレジストの塗布工程などを円滑に行うことができる。
【００３５】
なお、第１実施形態の溝部１５ａおよび溝部１５ｂによる反り低減効果などのその他の効果は、第１参考形態と同様である。
【００３６】
（第３参考形態）
図１３は、本発明の第３参考形態による半導体素子（窒化物系半導体レーザ素子）の素子分離工程前の状態を示した平面図である。図１４は、図１３に示した第３参考形態による半導体素子（窒化物系半導体レーザ素子）の素子形成領域の拡大平面図である。また、図１５および図１６は、第３参考形態による半導体素子（窒化物系半導体レーザ素子）の製造プロセスを説明するための断面図である。この第３参考形態では、上記第１参考形態と異なり、溝部の深さをサファイア基板にまで達しないようにした場合の例について説明する。なお、第３参考形態のその他の構成は第１参考形態と同様である。以下、詳細に説明する。
【００３７】
すなわち、第３参考形態の窒化物系半導体レーザ素子の製造プロセスでは、図４〜図７に示した第１実施形態と同様の製造プロセスを経た後、図８に示した溝部を形成する工程において、図１５に示すように、塩素ガスを用いたドライエッチングにより、半導体層１４の全体の厚みの約３分の１の厚みを残すように、溝部４５ａおよび溝部４５ｂを形成する。なお、溝部４５ａおよび溝部４５ｂは、本発明の「溝」の一例である。また、溝部４５ａおよび溝部４５ｂは、第１参考形態と同様、図１３および図１４に示すように、実質的に直交するとともに、隣接する溝部４５ａ間の間隔と、隣接する溝部４５ｂ間の間隔とが、ともに約２ｍｍになるように形成する。これにより、図１４に示したような、８個の窒化物系半導体レーザ素子４７を含むとともに、正方形の形状を有する素子形成領域４６を形成する。その後、図１６に示すように、サファイア基板１をガラス板１８から分離する。
【００３８】
その後、第１参考形態と同様の製造プロセスを経て、図３に示した第１参考形態の構造と同様の構造を有する第３参考形態の窒化物系半導体レーザ素子が完成される。
【００３９】
第３参考形態では、上記第１参考形態と同様、素子形成前に素子形成領域４６の４辺を取り囲むように溝部４５ａおよび溝部４５ｂを形成することによって、サファイア基板１と、半導体層１４との熱膨張率の差に起因して発生する内部応力を軽減することができる。なお、第３参考形態では、半導体層１４の全体の厚みの約３分の１の厚みを残して溝部４５ａおよび溝部４５ｂを形成したが、この場合であっても、基板の反りを減少した状態で素子を形成することができるので、素子形成工程を容易に行うことができる。その結果、素子形成工程の歩留まりを向上させることができる。
【００４０】
第３参考形態のその他の効果は、第１参考形態と同様である。
【００４１】
（第４参考形態）
図１７は、本発明の第４参考形態による半導体素子（窒化物系半導体レーザ素子）の製造プロセスを説明するための平面図である。この第４参考形態では、第１参考形態の製造プロセスにおいて、一方の溝部を、サファイア基板の結晶格子の（１０−１０）面（劈開面）に平行になるように形成した場合の例について説明する。第４参考形態のその他の構成は、第１参考形態と同様である。以下、詳細に説明する。
【００４２】
すなわち、第４参考形態による窒化物系半導体レーザ素子の製造プロセスでは、図４〜図７に示した第１参考形態と同様の製造プロセスを経た後、図８に示した溝部を形成する工程において、塩素ガスを用いたドライエッチングにより、半導体層１４に、サファイア基板１の表面に到達する深さを有する溝部１５ａおよび溝部１５ｂを形成する。この場合、この溝部１５ｂは、図１７に示すように、サファイア基板１の結晶格子５１の（１０―１０）面（劈開面）に平行になるように形成する。なお、半導体層１４の結晶格子５０は、サファイア基板１の結晶格子５１に対して、３０度回転した状態で形成されている。
【００４３】
その後、第１参考形態と同様の製造プロセスを経て、図３に示した第１参考形態の構造と同様の構造を有する第４参考形態の窒化物系半導体レーザ素子が完成される。
【００４４】
第４参考形態では、上記のように、一方の溝部１５ｂを、サファイア基板１の結晶格子５１の（１０−１０）面（劈開面）と平行になるように形成することによって、サファイア基板１を劈開する場合に、溝部１５ｂに沿って素子分離することにより、平坦な劈開面を容易に得ることができる。
【００４５】
なお、第４参考形態の溝部１５ａおよび溝部１５ｂによる反り低減効果などのその他の効果は、第１参考形態と同様である。
【００４６】
（第５参考形態）
図１８は、本発明の第５参考形態による半導体素子（窒化物系半導体レーザ素子）の製造プロセスを説明するための平面図である。この第５参考形態では、第１実施形態の製造プロセスにおいて、一方の溝部を、半導体層の結晶格子の（１０−１０）面（劈開面）に平行になるように形成した場合の例について説明する。第５参考形態のその他の構成は第１参考形態と同様である。以下、詳細に説明する。
【００４７】
すなわち、第５参考形態による窒化物系半導体レーザ素子の製造プロセスでは、図４〜図７に示した第１参考形態と同様の製造プロセスを経た後、図８に示した溝部を形成する工程において、塩素ガスを用いたドライエッチングにより、半導体層１４に、サファイア基板１の表面に到達する深さを有する溝部１５ａおよび溝部１５ｂを形成する。この場合、この溝部１５ｂは、図１８に示すように、半導体層１４の結晶格子５０の（１０―１０）面（劈開面）に平行になるように形成する。なお、半導体層１４の結晶格子５０は、サファイア基板１の結晶格子５１に対して、３０度回転した状態で形成されている。
【００４８】
その後、第１参考形態と同様の製造プロセスを経て、図３に示した第１参考形態の構造と同様の構造を有する第５参考形態の窒化物系半導体レーザ素子が完成される。
【００４９】
第５参考形態では、上記のように、一方の溝部１５ｂを、半導体層１４の結晶格子５０の（１０−１０）面（劈開面）と平行になるように形成することによって、半導体層１４を劈開により素子分離する場合、溝部１５ｂに沿って素子分離することにより平坦な劈開面を容易に得ることができる。また、その平坦な劈開面を、窒化物系半導体レーザ素子の共振面としてそのまま使用することができるので、素子特性を向上させることができる。また、形状不良を減少させることができるので、素子の歩留まりを向上させることができる。
【００５０】
なお、第５参考形態の溝部１５ａおよび溝部１５ｂによる反り低減効果などのその他の効果は、第１参考形態と同様である。
【００５１】
なお、今回開示された実施形態および参考形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態および参考形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００５２】
たとえば、上記実施形態および参考形態では、サファイア基板上に、窒化物系半導体層を形成した場合の例について説明したが、本発明はこれに限らず、他の基板上に他の半導体層を形成した場合であってもよい。特に、スピネル基板などのその他の絶縁性基板や、Ｓｉ、ＧａＡｓなどの導電性基板上に、基板とは格子定数または熱膨張係数が異なる材料からなる半導体層を成長させる場合に本発明は有効である。また、ＭＢ2（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒなどの金属元素）で表されるホウ素化合物基板上に、基板とは格子定数または熱膨張係数が異なる材料からなる半導体層を成長させる場合であっても、同様の効果が得られる。
【００５３】
また、上記実施形態および参考形態では、基板上に半導体レーザ素子を形成した場合の例について説明したが、本発明はこれに限らず、基板上に他の素子を形成した場合であってもよい。たとえば、基板上に、ダイオード素子を形成した場合であっても同様の効果が得られる。
【００５４】
また、上記実施形態および参考形態では、溝部を互いに直交するように形成した場合の例について説明したが、本発明はこれに限らず、たとえば、溝部が互いに４５度の角度で交わるように形成してもよいし、半径を異にする同心円状の溝部を複数形成してもよい。
【００５５】
【００５６】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、基板の反りを減少させた状態で素子を形成することができるので、素子作製工程を容易に行うことができ、その結果、素子作製工程の歩留まりを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１参考形態による半導体素子（窒化物系半導体レーザ素子）の素子分離工程前の状態を示した平面図である。
【図２】  図１に示した第１参考形態による半導体素子（窒化物系半導体レーザ素子）の素子形成領域を示した拡大平面図である。
【図３】  図１に示した第１参考形態による半導体素子（窒化物系半導体レーザ素子）の素子分離工程後の状態を示した斜視図である。
【図４】  第１参考形態による窒化物系半導体レーザ素子の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図５】  図４に示した工程における半導体層の詳細な断面図である。
【図６】  第１参考形態による窒化物系半導体レーザ素子の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図７】  第１参考形態による窒化物系半導体レーザ素子の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図８】  第１参考形態による窒化物系半導体レーザ素子の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図９】  本発明の第２参考形態による半導体素子（窒化物系半導体レーザ素子）の素子分離工程前の状態を示した平面図である。
【図１０】  図９に示した第２参考形態による半導体素子（窒化物系半導体レーザ素子）の素子形成領域を示した拡大平面図である。
【図１１】  第１実施形態による半導体素子（窒化物系半導体レーザ素子）の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図１２】  第１実施形態による半導体素子（窒化物系半導体レーザ素子）の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図１３】  本発明の第３参考形態による半導体素子（窒化物系半導体レーザ素子）の素子分離工程前の状態を示した平面図である。
【図１４】  図１３に示した第３参考形態による半導体素子（窒化物系半導体レーザ素子）の素子形成領域を示した拡大平面図である。
【図１５】  第３参考形態による半導体素子（窒化物系半導体レーザ素子）の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図１６】  第３参考形態による半導体素子（窒化物系半導体レーザ素子）の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図１７】  本発明の第４参考形態による半導体素子（窒化物系半導体レーザ素子）の製造プロセスを説明するための平面図である。
【図１８】  本発明の第５参考形態による半導体素子（窒化物系半導体レーザ素子）の製造プロセスを説明するための平面図である。
【符号の説明】
１４  半導体層
１５ａ、１５ｂ、２５ａ、２５ｂ、４５ａ、４５ｂ  溝部（溝）
３０  ポリイミド樹脂（樹脂）
【図１】
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【図２】
0004121740.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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