(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体部品又は半導体装置の搬送に用いられる搬送トレイであって、二枚の金属板同士が面接合された積層構造を有し、上層の金属板の内方に、その厚さ方向に貫通形成された半導体部品又は半導体装置の収容部を有し、かつ上層及び／又は下層の金属板の少なくとも一面に、その両端縁にそれぞれ開口し、長手方向及び／又は幅方向に沿って形成される第１の溝が設けられていることを特徴とする搬送トレイ。
【請求項２】
下層の金属板の内方であって、前記収容部の形成箇所と対応する位置に、前記収容部の開口面積よりも小さい開口面積を有する貫通孔が形成されていることを特徴とする請求項１記載の搬送トレイ。
【請求項３】
二枚の金属板同士が拡散接合により面接合されていることを特徴とする請求項１又は２記載の搬送トレイ。
【請求項４】
第１の溝が、上層及び下層の金属板の相互の接合面のうちのいずれか一方又は双方の面に設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１に記載の搬送トレイ。
【請求項５】
第１の溝が、さらに上層の金属板の上面及び／又は下層の金属板の底面に設けられていることを特徴とする請求項４記載の搬送トレイ。
【請求項６】
下層の金属板の底面に、その両端縁及び両側端縁にそれぞれ開口させず、かつ第１の溝が形成されているときには、該第１の溝と連通させないように形成される第２の溝が設けられていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１に記載の搬送トレイ。
【請求項７】
面接合された二枚の金属板の表面上に、潤滑金属皮膜層を有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１に記載の搬送トレイ。
【請求項８】
半導体部品又は半導体装置の搬送に用いられる搬送トレイの製造方法であって、第１の金属板に対し、半導体部品又は半導体装置の収容部を、その内方に、厚さ方向に貫通形成する工程と、前記収容部が形成された第１の金属板と、所定の形状に形成された第２の金属板とを面接合する工程と、第１及び／又は第２の金属板の少なくとも一面に、その両端縁にそれぞれ開口し、長手方向及び／又は幅方向に沿って形成される第１の溝を設ける工程とを含むことを特徴とする搬送トレイの製造方法。
【請求項９】
第２の金属板に対し、前記収容部の開口面積よりも小さい開口面積を有する孔部を、その内方であって、前記収容部の形成箇所と対応する位置に貫通形成した後、該第２の金属板と第１の金属板とを面接合したことを特徴とする請求項８記載の搬送トレイの製造方法。
【請求項１０】
前記収容部及び／又は前記孔部を、エッチングにより形成したことを特徴とする請求項８又は９記載の搬送トレイの製造方法。
【請求項１１】
第１の金属板と第２の金属板とを、拡散接合により面接合したことを特徴とする請求項８乃至１０のいずれか１に記載の搬送トレイの製造方法。
【請求項１２】
第２の金属板の下面に、その両端縁及び両側端縁にそれぞれ開口させず、かつ第１の溝が形成されているときには、該第１の溝と連通させないように形成される第２の溝を設ける工程を含むことを特徴とする請求項８乃至１１のいずれか１に記載の搬送トレイの製造方法。
【請求項１３】
前記第１の溝及び／又は前記第２の溝を、エッチングにより形成したことを特徴とする請求項８又は１２記載の搬送トレイの製造方法。
【請求項１４】
面接合された第１及び第２の金属板の表面上に、潤滑金属皮膜層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項８乃至１３のいずれか１に記載の搬送トレイの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、半導体部品又は半導体装置の搬送に用いられる搬送トレイ及びその製造方法に関する。
【０００２】
なお、本明細書においては、最終製品である半導体集積回路を構成し、その製造過程における途中工程品、例えば、半導体素子、半導体素子が搭載される基板などを「半導体部品」として、また、最終製品である半導体集積回路、例えば、ＢＧＡ（Ball Grid Array）、ＬＧＡ（Land Grid Array）又はＰＧＡ（Pin Grid Array）などのＩＣチップを含むパッケージを「半導体装置」として、また、半導体装置の組立工程で用いられる製造装置を「半導体製造装置」として、それぞれ定義する。
【０００３】
【従来の技術】
従来、半導体部品や半導体装置を所定の場所に移動させたり保管するために、半導体部品や半導体装置を複数収容可能な搬送トレイが用いられている。
例えば、特開平８−２４４８７７号公報には、図８に示したように、トレイ１００を他の同一形状のトレイ１００’と積み重ねて使用し得るように、周囲に嵌合構造１１０を有し、上面に半導体素子１４０を収める表ポケット１２０が設けられていると共に、表ポケット１２０の丁度裏側に同一の縦横形状を持った裏ポケット１３０を有する半導体素子の搬送トレイ１００が開示されている。
【０００４】
また、特開平１０−２８４８７８号公報には、図９に示したように、パッケージ基板２５０などが搭載される略矩形状の開口部２１０と、この開口部２１０の辺部にそれぞれ設けられ、パッケージ基板２５０の側面の位置を規制する第一の凸部２２０と、同じく開口部２１０の辺部にそれぞれ設けられ、パッケージ基板２５０の一表面の位置を規制する第二の凸部２３０と、開口部２１０の対向する２つの角部にそれぞれ可撓変位可能に設けられ、パッケージ基板２５０の他表面の位置を規制する可動片２４０とを有する半導体部品用搬送トレイ２００が開示されている。
【０００５】
また、特開平９−１４８４２４号公報には、図１０に示したように、バンプ電極３４０を有するパッケージ３３０が収められるパッケージ収容領域３１０を備え、パッケージ３３０をそのバンプ電極３４０がパッケージ収容領域３１０に対向するように収めた状態で搬送する場合に、バンプ電極３４０がパッケージ収容領域３１０の表面に接触しないように、パッケージ収容領域３１０の所定の位置に、パッケージ３３０を点で支える突起部３２０を有する搬送トレイ３００が開示されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、この種の搬送トレイは、半導体部品や半導体装置を収容するための収容部（収容領域）を有して構成されるが、この収容部は、半導体部品等を略水平な姿勢で安定支持し得るものであることが要求される。この点、上記した従来の搬送トレイ１００乃至３００では、半導体部品等を安定支持するための種々の工夫がなされているが、このうち搬送トレイ２００では、図９（ｂ）に示したように、パッケージ基板２５０の側面の位置を規制する第一の凸部２２０と、パッケージ基板２５０の一表面の位置を規制する第二の凸部２３０とが、トレイ本体の底面２６０よりも下方に突出した構造であるため、その第一及び第二の凸部２２０，２３０に変形が生じ易く、従って、繰り返し使用した場合等に、パッケージ基板２５０を略水平な姿勢で安定支持することができなくなるおそれがある。
【０００７】
また、この種の搬送トレイは、積み重ねて使用できることが望まれているが、上記搬送トレイ２００では、第一及び第二の凸部２２０，２３０がトレイ本体の底面２６０よりも下方に突出した構造であるため、また、上記搬送トレイ３００では、パッケージ収容領域３１０を下方に膨出させた構造であるため、いずれも積み重ねた際にバランスを崩し易く、その安定性に問題がある。この点、上記搬送トレイ１００では、周囲に嵌合構造１１０を有するため、積み重ねた際の安定性に優れているが、嵌合構造１１０に加えて、表ポケット１２０及び裏ポケット１３０を有する構造では、トレイ全体の厚さが厚くなり過ぎて、半導体製造装置上等において、多くのトレイを積み重ねられないという欠点がある。
【０００８】
また、この種の搬送トレイとしては、一般に、上記搬送トレイ２００のように厚さの薄い金属板から構成されるものが多く用いられているが、半導体装置の製造過程において加えられる熱により搬送トレイ自体に反りが生じるという問題があった。このため、搬送トレイ自体の反りをなくすために、加熱工程前に予熱工程を設けて、搬送トレイ自体の反りをなくした後あるいは反りを矯正した後、その搬送トレイに半導体部品を収容して加熱工程に搬送しなければならなかった。
【０００９】
また、半導体装置の製造過程において、収容されている半導体素子等を搬送トレイから取り外すときには、搬送トレイをエア吸着させているが、この際に従来の搬送トレイでは、搬送トレイを吸着させる部位と搬送トレイの吸着面との間に隙間ができやすく、そのため吸着が不十分となって、搬送トレイ自体が横滑りしたり、半導体素子等をうまく取り外せなかったりすることがあった。
【００１０】
本発明は上記した点に鑑みなされたものであり、半導体部品等を安定支持し得ると共に、積み重ね使用が可能で、積み重ね時の安定性にも優れた搬送トレイ及びその製造方法を提供することを課題とする。また、常温下から高温下への急激な温度変化に対しても反りが生じ難い搬送トレイ及びその製造方法を提供すること、さらに、エアによる吸着性を向上させた搬送トレイ及びその製造方法を提供することを課題とする。
【００１１】
上記課題を解決するため、請求項１に記載の本発明は、半導体部品又は半導体装置の搬送に用いられる搬送トレイであって、二枚の金属板同士が面接合された積層構造を有し、上層の金属板の内方に、その厚さ方向に貫通形成された半導体部品又は半導体装置の収容部を有し、かつ上層及び／又は下層の金属板の少なくとも一面に、その両端縁にそれぞれ開口し、長手方向及び／又は幅方向に沿って形成される第１の溝が設けられていることを特徴とする搬送トレイを提供する。
請求項２に記載の本発明は、下層の金属板の内方であって、前記収容部の形成箇所と対応する位置に、前記収容部の開口面積よりも小さい開口面積を有する貫通孔が形成されていることを特徴とする請求項１記載の搬送トレイを提供する。
請求項３に記載の本発明は、二枚の金属板同士が拡散接合により面接合されていることを特徴とする請求項１又は２記載の搬送トレイを提供する。
請求項４に記載の本発明は、第１の溝が、上層及び下層の金属板の相互の接合面のうちのいずれか一方又は双方の面に設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１に記載の搬送トレイを提供する。
請求項５に記載の本発明は、第１の溝が、さらに上層の金属板の上面及び／又は下層の金属板の底面に設けられていることを特徴とする請求項４記載の搬送トレイを提供する。
請求項６に記載の本発明は、下層の金属板の底面に、その両端縁及び両側端縁にそれぞれ開口させず、かつ第１の溝が形成されているときには、該第１の溝と連通させないように形成される第２の溝が設けられていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１に記載の搬送トレイを提供する。
請求項７に記載の本発明は、面接合された二枚の金属板の表面上に、潤滑金属皮膜層を有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１に記載の搬送トレイを提供する。
請求項８に記載の本発明は、半導体部品又は半導体装置の搬送に用いられる搬送トレイの製造方法であって、第１の金属板に対し、半導体部品又は半導体装置の収容部を、その内方に、厚さ方向に貫通形成する工程と、前記収容部が形成された第１の金属板と、所定の形状に形成された第２の金属板とを面接合する工程と、第１及び／又は第２の金属板の少なくとも一面に、その両端縁にそれぞれ開口し、長手方向及び／又は幅方向に沿って形成される第１の溝を設ける工程とを含むことを特徴とする搬送トレイの製造方法を提供する。
請求項９に記載の本発明は、第２の金属板に対し、前記収容部の開口面積よりも小さい開口面積を有する孔部を、その内方であって、前記収容部の形成箇所と対応する位置に貫通形成した後、該第２の金属板と第１の金属板とを面接合したことを特徴とする請求項８記載の搬送トレイの製造方法を提供する。
請求項１０に記載の本発明は、前記収容部及び／又は前記孔部を、エッチングにより形成したことを特徴とする請求項８又は９記載の搬送トレイの製造方法を提供する。
請求項１１に記載の本発明は、第１の金属板と第２の金属板とを、拡散接合により面接合したことを特徴とする請求項８乃至１０のいずれか１に記載の搬送トレイの製造方法を提供する。
請求項１２に記載の本発明は、第２の金属板の下面に、その両端縁及び両側端縁にそれぞれ開口させず、かつ第１の溝が形成されているときには、該第１の溝と連通させないように形成される第２の溝を設ける工程を含むことを特徴とする請求項８乃至１１のいずれか１に記載の搬送トレイの製造方法を提供する。
請求項１３に記載の本発明は、前記第１の溝及び／又は前記第２の溝を、エッチングにより形成したことを特徴とする請求項８又は１２記載の搬送トレイの製造方法を提供する。
請求項１４に記載の本発明は、面接合された第１及び第２の金属板の表面上に、潤滑金属皮膜層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項８乃至１３のいずれか１に記載の搬送トレイの製造方法を提供する。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいてさらに詳しく説明する。
図１は、本発明の一の実施形態に係る搬送トレイ１０を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は底面図、（ｃ）は正面図である。また、図２は、本実施形態に係る搬送トレイ１０を構成する第１及び第２の金属板２０，３０を示す図であり、（ａ）は第１の金属板２０の底面図、（ｂ）は第２の金属板３０の平面図である。また、図３は、図１（ａ）のＡ−Ａ部拡大断面図であり、図４は、図３のＡ部拡大図である。
【００１３】
本実施形態に係る搬送トレイ１０は、図１（ｃ）及び図３に示したように、二枚の金属板、すなわち、第１及び第２の金属板２０，３０同士が面接合された積層構造を有する。
【００１４】
上層を形成する第１の金属板（上層の金属板）２０は、図１（ａ）、図２（ａ）及び図３に示したように、その内方に、その厚さ方向に貫通形成された収容部２１を有する。この収容部２１は、平面視で、その内部に収容される半導体部品等の大きさ・形状にほぼ沿った大きさ・形状に形成される。すなわち、例えば、平面視で略四角形の半導体素子が収容されるとすれば、収容部２１は、本実施形態のように、四辺の長さが、該半導体素子の対応する四辺の長さとほぼ同じ長さを有する略四角形に形成される。それにより、収容部２１を形成する周囲の各側壁と収容される半導体素子の各側面との間にほとんど隙間を生じさせることなく、収容部２１内に半導体素子を収容することが可能となる。このため、搬送途中の振動等により、半導体素子が収容部２１内において水平方向に揺動することを防止することができる。また、このように収容部２１内に収容された半導体部品に水平方向の位置ずれが起き難いため、例えば、収容部２１内に半導体素子を収容した状態で搬送トレイ１０を半導体製造装置にセットし、その半導体素子上の所要の位置に正確にバンプを形成すること等が可能である。
【００１５】
第１の金属板２０の幅、長手方向長さ及び厚さ（高さ）は、半導体製造装置の仕様や収容する半導体部品又は半導体装置の大きさ等に合わせて適宜決定される。なお、収容部２１の深さを収容部２１内に収容される半導体部品や半導体装置の厚さ（高さ）よりも大きくすることで、半導体部品等の収容時に、搬送トレイ１０の上面（第１の金属板２０の上面）から該半導体部品等を突出させないようにすることができ、搬送トレイ１０と同一形状の他の搬送トレイを積み重ねたときに、該半導体部品等が上に重ねられた搬送トレイに接触することを回避することができる。
【００１６】
下層を形成する第２の金属板（下層の金属板）３０は、その幅及び長手方向長さが少なくとも第１の金属板２０の収容部２１が形成される領域の幅及び長手方向長さよりも大きいものであればよい。本実施形態では、上記第１の金属板２０と略同一の幅及び長手方向長さを有するものが用いられている。また、その厚さ（高さ）寸法も上記第１の金属板２０の厚さ（高さ）寸法と略同一であるが、適宜変更が可能である。
【００１７】
第２の金属板３０としては、単なる平坦な金属板を用いることも可能であるが、図１、図２（ｂ）及び図３に示したように、その内方であって、第１の金属板２０と重ね合わせたときに、第１の金属板２０の収容部２１が形成された箇所と対応する位置に、収容部２１の開口面積よりも小さい開口面積を有する貫通孔３１が形成されているものを採用することが好ましい。第２の金属板３０が、かかる貫通孔３１を有することにより、例えば、収容部２１内に収容された半導体部品を搬送トレイ１０の下面（第２の金属板３０の下面）側からロッドなどにより上方に押し上げて取り外すタイプの半導体製造装置に搬送トレイ１０を適用した場合には、貫通孔３１を上下動するロッドの挿通孔として機能させることができる。また、図１０に示した従来の搬送トレイ３００のように、バンプ電極３４０を有する半導体装置（パッケージ）３３０を収容する場合には、例えば、そのバンプ電極３４０をかかる貫通孔３１内に配置して半導体装置３３０を収容部２１内に収容することが可能であり、これにより、搬送途中にバンプ電極３４０が衝撃を受けて変形したり、剥離したりすること防止することもできる。
【００１８】
本実施形態の搬送トレイ１０は、上記のように、第１及び第２の金属板２０，３０同士を面接合した積層構造を有し、収容部２１が従来の搬送トレイ２００又は３００のように、下方に突出あるいは膨出した構造ではないため、積み重ねて使用した場合でもバランスを崩し難く、その安定性に優れている。
【００１９】
第１の金属板２０と第２の金属板３０の接合方法としては、金属表面同士を相互に分子レベル程度の距離になるよう接触させ、あるいは第１及び第２の金属板２０，３０の間にＮｉ、Ａｇ、Ａｕ等の薄膜を設け、それを触媒として、母材を溶融させることなく加熱、加圧、真空度、時間などの条件をコントロールすることによって、接合材料間の相互拡散を制御することにより金属同士の金属結合を形成して接合する拡散接合によることが好ましい。拡散接合にて積層されることにより、高温下で使用しても剥離することがなく、高温下での連続使用が可能となり、また、スポット溶接にて積層されたもの等と比較して、耐熱的に反り難いものとすることができる。
【００２０】
上記した第１及び第２の金属板２０，３０の各底面には、図１（ｂ）及び図２（ａ）に示したように、それらの両端縁２０ａ，２０ｂ，３０ａ，３０ｂにそれぞれ開口し、長手方向に沿って直線状に形成される第１の溝４０が設けられている。この第１の溝４０は、半導体装置の製造過程において、搬送トレイ１０が常温下から高温下へと移動し、急激に加熱されたときに、その際に生じる応力を分散して搬送トレイ１０の反りを防止する働きをするものである。
【００２１】
上記したように第１の金属板２０と第２の金属板３０とを拡散接合により面接合し、さらに第１の溝４０を設けることで、例えば、半導体素子を基板に搭載する際の一連の工程の中の熱が加えられる工程のように、半導体部品を常温下から高温下へ搬送するときに、その工程前に搬送トレイ１０の予熱工程を設けなくても、搬送トレイ１０自体にほとんど反りが発生することがないので、事前の予熱工程を省略することができると共に、収容部２１内に収容されている半導体部品をそのまま保持した状態で熱を加える工程に送ることが可能となるので、半導体部品を収容し直したりする作業も省略することができる。
【００２２】
この第１の溝４０は、第１及び／又は第２の金属板２０，３０の少なくとも一面、例えば、第１及び第２の金属板２０，３０の相互の接合面のうちのいずれか一方の面、又は第１の金属板２０の上面若しくは第２の金属板３０の底面に形成されていれば、搬送トレイ１０を反り難いものにすることができるが、さらに反り難いものとすべく、第１及び第２の金属板２０，３０の相互の接合面の双方に設けたり、あるいは、第１及び第２の金属板２０，３０の相互の接合面のうちのいずれか一方若しくは双方の面、及び第１の金属板２０の上面及び／又は第２の金属板３０の底面にそれぞれ設けることが好ましい。なお、第１の溝４０は、第１及び第２の金属板２０，３０の形状に対応したかたちで、長手方向のみならず幅方向にも形成してもよいし、また、幅方向のみに形成してもよい。
【００２３】
上記した第２の金属板３０の底面には、図１（ｂ）に示したように、その両端縁３０ａ，３０ｂ及び両側端縁３０ｃ，３０ｄにそれぞれ開口させず、かつ第１の溝４０が形成されているときには、該第１の溝４０と連通させないように形成される第２の溝５０が設けられている。
【００２４】
この第２の溝５０は、半導体装置の製造過程において、搬送トレイ１０がエア吸着される際の吸着性を高める働きをするものであり、第２の溝５０が上記のように形成されることによって、それが形成されないものと比較してエアによる吸着性を向上させることができると共に、吸着時における搬送トレイ１０の横滑りなどを防止することが可能となる。
【００２５】
なお、上記した第１及び第２の溝４０，５０は、図５乃至図７に示したように、様々なパターンで形成することができ、形成する数及び配置は何ら限定されるものではない。また、例えば、図７（ｂ）に示したように、搬送トレイ１０の底面（第２の金属板３０の底面）に第１の溝４０を形成しないときには、当該底面に第２の溝５０のみを設けた構造を採用することもできる。
【００２６】
また、本実施形態に係る搬送トレイ１０は、図４に示したように、面接合された二枚の金属板（第１及び第２の金属板２０，３０）の表面上に、潤滑金属皮膜層６０を有する。この潤滑金属皮膜層６０は、例えば、分散めっきを利用し、ニッケルめっきやクロムめっきの皮膜中にふっ化黒鉛、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）、二硫化モリブデンの固体微粒子を分散含有させて、潤滑性、耐摩耗性、耐食性などをよくする潤滑めっきにより形成することができる。潤滑金属皮膜層６０が形成されることによって、搬送トレイ１０表面の潤滑性等を高めることができるので、収容時において、半導体部品又は半導体装置に対し損傷を負わせることを少なくしたり、静電気の発生を抑制すること等ができ、半導体部品等に対する悪影響を小さくすることが可能となる。また、耐摩耗性が向上するため、搬送トレイ１０の長期にわたる繰り返し使用が可能となるというメリットがある。
【００２７】
次に、本実施形態に係る搬送トレイ１０の製造方法の一例を説明する。
まず、所定の幅及び長手方向長さを有する略長方形の第１の金属板２０に対して収容部２１を形成すると共に、第１の金属板２０と略同一の大きさ・形状に形成された第２の金属板３０に対して収容部３１の開口面積よりも小さい開口面積を有する孔部（貫通孔３１）を形成する。
【００２８】
ここで、第１及び第２の金属板２０，３０の材質は、種々の金属材料から適宜選択しうるが、本実施形態では、両者ともに耐熱性、耐食性に優れたステンレス（ＳＵＳ３０４）を採用している。また、収容部２１及び貫通孔３１の形成方法は限定されるものではなく、例えば、プレス加工などにより形成することも可能である。但し、プレス加工では、金型を要するので、製造コストが高くついたり、バリや歪みが発生する等の加工上の不具合が生ずるおそれがあるため、加工コストの低廉化を図ることができ、バリや歪みの発生をなくすことができるエッチング加工により収容部２１及び貫通孔３１をそれぞれ形成することが好ましい。
【００２９】
エッチング液としては、例えば塩化第二鉄エッチング液を用いることができ、第１及び第２の金属板２０，３０の上面又は下面側から耐エッチング材料で被覆された部分以外の部分を腐食溶解させて除去することにより、収容部２１及び貫通孔３１をそれぞれ形成することができる。
【００３０】
次に、第１及び第２の金属板２０，３０の各底面に第１の溝４０を形成すると共に、第２の金属板３０の底面に第２の溝５０をそれぞれ形成する。かかる第１及び第２の溝４０，５０は、例えば、ハーフエッチングにより形成することができる。なお、上記した収容部２１及び貫通孔３１と第１及び第２の溝４０，５０とを一工程で行うことも勿論可能である。
【００３１】
次に、第１の金属板２０と第２の金属板３０とを拡散接合により面接合して一体化させ、その後、搬送トレイ１０の表面上に潤滑めっき処理、例えば、ＰＴＦＥ粒子を含有した無電解ニッケルめっき処理することにより、潤滑金属皮膜層６０を形成する。
【００３２】
なお、搬送トレイ全体を一枚の金属板から構成し、ハーフエッチングにより収容部を形成することも考えられるが、この場合、収容部の深さの大きさに比例した大きさの断面略円弧状の部位が該角部に形成されることとなり、この角部に半導体部品等の底面側の略直角の角部が当接してしまうため、該半導体部品等を安定支持することができなくなる。一方、断面略円弧状の部位をより小さくして該角部を略直角とするために、鍛造などにより搬送トレイを成形することもできるが、金型を必要とするので加工コストが高くつく。この点、本実施形態では、二枚の金属板２０，３０を面接合したことにより、図４に示したように、第２の金属板３０の上面側であって、貫通孔３１の周囲の部分から形成される収容部２１の底面周囲に、略直角の角部７０を形成することができる。従って、半導体部品等を安定支持することができる。
【００３３】
上記のように製造された本実施形態の搬送トレイ１０は、半導体部品又は半導体装置を収容部２１内に収容し、その半導体部品等を搬送及び保管するトレイとして有用である。また、半導体部品を保持した状態のまま、半導体製造装置に供給することが可能であり、特に加熱工程においては、事前に予熱工程を経なくても反りが生じないため、半導体部品の半導体製造装置への供給効率を向上させることが可能となる。また、全体として、上面及び底面が平坦な厚さの薄い板状に形成されているため、多数積み重ねることができ、積み重ね時の安定性にも優れている。なお、収容部２１の形状・深さなどを収容対象物に合わせて適宜変更することにより、半導体素子、基板などの半導体部品のみならず、ＩＣチップを含むパッケージなどの半導体装置の搬送トレイとしても使用することができる。
【００３４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の搬送トレイ及びその製造方法によれば、半導体部品又は半導体装置を安定支持し得ると共に、積み重ね使用が可能で、積み重ね時の安定性にも優れた、半導体部品等の搬送に有用な搬送トレイを提供することができる。また、常温下から高温下への急激な温度変化に対してもほとんど反りが発生しない搬送トレイを提供することができ、半導体部品の半導体製造装置への供給効率を向上させることが可能となる。さらに、エアによる吸着性が向上した搬送トレイを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の一の実施形態に係る搬送トレイを示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は底面図、（ｃ）は正面図である。
【図２】図２は、上記実施形態に係る搬送トレイを構成する第１及び第２の金属板を示す図であり、（ａ）は第１の金属板の底面図、（ｂ）は第２の金属板の平面図である。
【図３】図３は、図１（ａ）のＡ−Ａ部拡大断面図である。
【図４】図４は、図３のＡ部拡大図である。
【図５】図５（ａ）及び（ｂ）は、本発明の他の実施形態における第２の金属板を示す底面図である。
【図６】図６（ａ）及び（ｂ）は、本発明の他の実施形態における第２の金属板を示す底面図である。
【図７】図７（ａ）及び（ｂ）は、本発明の他の実施形態における第２の金属板を示す底面図である。
【図８】図８は、従来の搬送トレイを示す図である。
【図９】図９は、従来の搬送トレイを示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【図１０】図１０は、従来の搬送トレイを示す図である。
【符号の説明】
１０  搬送トレイ
２０  第１の金属板
２１  収容部
３０  第２の金属板
３１  貫通孔
４０  第１の溝
５０  第２の溝
６０  潤滑金属皮膜層
【図１】
0004045096.tif 000002
【図２】
0004045096.tif 000003
【図３】
0004045096.tif 000004
【図４】
0004045096.tif 000005
【図５】
0004045096.tif 000006
【図６】
0004045096.tif 000007
【図７】
0004045096.tif 000008
【図８】
0004045096.tif 000009
【図９】
0004045096.tif 000010
【図１０】
0004045096.tif 000011