(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトマスク上の遮光部に、それぞれ隣接して、位相変化０度の透過部である０度透過部と、位相変化１８０度の透過部である１８０度透過部とを、開口部として配置して、露光の際の解像度を向上させる位相シフトマスクで、且つ、基板掘り込みタイプのレベンソン型位相シフトフォトマスクを作製のための、描画装置用フォトマスクデータの補正方法であって、位相シフトマスクの目的とする決められたマスク断面構造のアンダーカット量に対応し、０度透過部の透過率を１００％としたときの１８０度透過部の透過率を表す透過率関数を、その幅サイズと長さサイズで規定される前記遮光部の大きさと前記遮光部に隣接する前記０度透過部と１８０度透過部の開口の大きさとをパラメータとして、ウェーハ転写実験またはシミュレーションにより、予め求めておき、順次、（Ａ）前記透過率関数を用いて、その幅サイズと長さサイズで規定される遮光部の所定の大きさと遮光部に隣接する０度透過部と１８０度透過部の開口の各所定の大きさをもとに、０度透過部の透過率を１００％としたときの１８０度透過部の透過率を求める透過率設定ステップと、（Ｂ）前記透過率設定ステップにより設定された１８０度透過部の透過率と、遮光部に隣接する０度透過部と１８０度透過部との位相関係と、その幅サイズと長さサイズで二次元的に規定される遮光部の大きさと前記遮光部に隣接する前記０度透過部と１８０度透過部の開口の大きさとから、二次元シミユレーションによりウェーハ上に解像する寸法を求め、変形量を抽出する変形量抽出ステップと、（Ｃ）前記変形量抽出ステップにおいて、二次元シミユレーションによりウェーハ上に解像する寸法が目的の寸法と異なる場合、遮光部に隣接する０度透過部と１８０度透過部の開口の大きさを補正して、その二次元シミユレーションによる変形量を調整する変形量調整ステップとを、１回以上行ない、二次元シミユレーションにより得られるウェーハ上に解像する寸法と対応する、遮光部の大きさと前記遮光部に隣接する前記０度透過部と１８０度透過部の開口の大きさとから、レイアウトデータに基づく描画装置用フォトマスクデータを補正するものであることを特徴とする位相シフトマスク用データ補正方法。
【請求項２】
請求項１における透過率設定ステップは、（ａ）位相シフトマスクのマスク断面構造のアンダーカット量と、その幅サイズと長さサイズで規定される前記遮光部の大きさと前記開口部の開口の大きさとを、それぞれ、種々変化させた位相シフトマスクを三次元的に設計、あるいは製造し、前記位相シフトマスクのマスク断面構造のアンダーカット量と、その幅サイズと長さサイズで規定される前記遮光部の大きさと前記遮光部に隣接する前記０度透過部と１８０度透過部の開口の大きさから、０度透過部の透過率を１００％としたときの、０度透過部と１８０度透過部の光強度差異を表す関数である第１の光強度関数を、ウェーハ転写実験またはシミュレーションにより、予め求めておく第１の光強度関数導出ステップと、（ｂ）前記遮光部の大きさと、その幅サイズと長さサイズで規定される前記開口部の大きさを種々変化させ、更に前記位相１８０度透過部の透過率を種々変化させた位相シフトマスクを二次元的に設計し、前記遮光部の大きさと、その幅サイズと長さサイズで規定される前記遮光部の大きさと前記遮光部に隣接する前記０度透過部と１８０度透過部の開口の大きさと、０度透過部の透過率を１００％としたときの１８０度透過部の透過率とから、０度透過部の透過率を１００％としたときの、０度透過部と１８０度透過部の光強度差異を表す関数である第２の光強度関数を、シミュレーションにより、予め求めておく第２の光強度関数導出ステップと、（ｃ）目的とする決められたマスク断面構造のアンダーカット量と、第１の光強度関数導出ステップにより導き出された第１の光強度関数と、第２の強度関数導出ステップにより導き出された第２の光強度関数とから、１８０度透過部の透過率を、その幅サイズと長さサイズで規定される遮光部の大きさと前記遮光部に隣接する前記０度透過部と１８０度透過部の開口の大きさの関数として表した、透過率関数を求める、透過率関数導出ステップとを行ない、その幅サイズと長さサイズで規定される遮光部の大きさと遮光部に隣接する０度透過部と１８０度透過部の開口の大きさをもとに、前記透過率関数導出ステップにより導出された透過率関数から、対象とするマスクの１８０度透過部について、０度透過部の透過率を１００％としたときの１８０度透過部の透過率を設定するものであることを特徴とする位相シフトマスク用データ補正方法。
【請求項３】
請求項１ないし２において、変形量調整ステップは、変形量抽出ステップの結果を元に、ルール化された補正量を与えて、０度透過部と１８０度透過部の開口の大きさを補正するものであることを特徴とする位相シフトマスク用データ補正方法。
【請求項４】
請求項３において、前記変形量調整ステップにおけるルール化された補正量を与える補正を１度だけ行うことを特徴とする位相シフトマスク用データ補正方法。
【請求項５】
請求項１ないし４において、変形量抽出ステップ前に、その幅サイズと長さサイズで規定される０度透過部と１８０度透過部の大きさにより、二次元シミュレーションと補正を繰り返し、最適化しておき、その後変形量抽出ステップと変形量調整ステップを行なうことを特徴とする位相シフトマスク用データ補正方法。
【請求項６】
請求項１ないし４において、変形量抽出ステップ前に、その幅サイズと長さサイズで規定される０度透過部と１８０度透過部の大きさにより、ルール化された補正量を与えて、０度透過部と１８０度透過部の開口の大きさを補正し、その後変形量抽出ステップと変形量調整ステップを行なうことを特徴とする位相シフトマスク用データ補正方法。
【請求項７】
請求項６において、前記変形量抽出ステップ前の、ルール化された補正量を与える補正を１度だけ行うことを特徴とする位相シフトマスク用データ補正方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造に供されるフォトマスクのデータの処理に関し、特に、微細加工を目的とした、基板掘り込み型のレベンソン型位相シフトフォトマスクを作製のための、描画装置用データの補正方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体装置の高密度化、高機能化は急で、ウエーハに形成する回路の微細化、高密度化が一段と進み、１９９０年代後半からは、半導体製造において半導体露光機の光源の波長よりも小さい回路図形をウエーハ上に形成するための技術開発も盛んに行われている。
【０００３】
従来から、図１４に示すようなバイナリマスク（クロムオンマスクとも呼ばれる）が用いられているが、バイナリマスクの特性上、微小な図形をウエーハ上に形成することが、難しくなってきている。
図１４（ａ）はバイナリマスクのラインアンドスペースパタン部の一部を示した上面図で、図１４（ｂ）はそのＤ１−Ｄ２における断面の一部を拡大して示した図であり、石英ガラス基板２７１上に、クロム遮光層２７２が形成されている。
このようなバイナリマスクにおいて、クロム遮光層２７２により形成されたパタンが接近すると、例えば、図１４においてパタンが接近した場合、各開口２８１、２８２、２８３に対応するウエーハ上の光の振幅の大きさの分布は、それぞれ、図１４（ｃ）の２９１、２９２、２９３に示すようになり、バイナリマスクの透過部の光が回折現象により重複する。
その結果、ウエーハ上の光強度分布は図１４（ｄ）の３０１のように、コントラストが小さくなり、しきい値を３０２とすると、ウエーハ上ではパタンを解像しない。
【０００４】
このようなバイナリマスクの特性に対して、高い解像特性を持つフォトマスクが位相シフトマスクである。
図１２（ａ）は、基板掘り込みタイプのレベンソン型位相シフトマスクのラインアンドスペースパタン部の一部を示した上面図で上面図で、図１２（ｂ）はそのＣ１−Ｃ２における断面の一部を拡大して示した図である。
図１４（ａ）、図１４（ｂ）に示すバイナリマスクの場合と同様、クロム遮光層２３２が石英ガラス基板２３１上に配設されているが、バイナリマスクの場合とは異なり、クロム遮光層２３２が位相変化０度の透過部２３３と位相変化１８０度の透過部２３４に挟まれており、位相変化１８０度の透過部２３４を、基板を掘り込んで設けている。
石英ガラス基板２３１とクロム遮光層２３２はバイナリマスクと同じであるが、位相変化１８０度の透過部２３４を、基板を掘り込んで設けていることがバイナリマスクと異なる。
位相変化１８０度の透過部２３４は、通常、石英ガラス基板２３１のエッチングにより形成されている。
このような構造の位相シフトマスクを用いてウエーハ上に露光をしたときに、位相変化０度の透過部２４６（２３３）、位相変化１８０度の透過部２４７（２３４）、位相変化０度の透過部２４８（２３３）のウエーハ上の光の振幅の大きさの分布は、それぞれ、図１３（ａ）に示す、２５１、２５２、２５３のようになる。
位相変化０度の透過部２４６、２４８の光の振幅の大きさの分布２５１、２５３と位相変化１８０度の透過部２４７の光の振幅の大きさの分布２５２とは、位相が１８０度ずれている。
この結果、ウエーハ上の光強度分布は図１３（ｂ）に示すようになり、位相変化０度の透過部２４６、２４８の光強度２６１、２６３と位相変化１８０度の透過部２４７の光強度２６２は高いコントラストを持ち、しきい値を２６４としたときに、ウエーハ上に解像が実現する。
【０００５】
このような基板彫り込みタイプのレベンソン型位相シフトマスクの１例の上面図を図１１（ａ）に示し、その転写性を説明しておく。
クロムパタン２１２ａに隣接するように、位相変化０度の透過部２１３と位相変化１８０度の透過部２１４を配設し、クロムパタン２１３ａの間に位相変化０度の透過部２１３と位相変化１８０度の透過部２１４が存在する。
ここでは、位相変化０度の透過部２１３の幅２１３Ｗと位相変化１８０度の透過部２１４の幅２１４Ｗはいずれも同じとする。
転写によるウエーハ上の仕上がり寸法は、通常、クロムパタン２１２ａの寸法２１２Ｗにより規定され、それに伴なう透過部の寸法２１３Ｗ（＝２１４Ｗ）は、クロムパタン２１２ａの間隔で決定する。
通常、透過部の寸法が充分得られた方が良いとされるが、その論拠となる特性を図１１（ｂ）に示す。
図１１（ｂ）のグラフ２２２はクロムパタン２１２ａの幅寸法（図１１（ａ）の２１２Ｗ）が１００ｎｍの場合の、透過部の幅寸法（図１１（ａ）の２１３Ｗ（＝２１４Ｗ））と転写により形成されるクロムパタン２１３ａ部に対応する幅寸法の関係を表し、グラフ２２１はクロムパタンの幅寸法（図１１（ａ）の２１２Ｗ）が１４０ｎｍの場合の、透過部の幅寸法（図１１（ａ）の２１３Ｗ（＝２１４Ｗ））と転写により形成されるクロムパタン２１３ａ部に対応する幅寸法の関係を表している。
横軸は透過部２１３（２１４）の幅寸法（図１１（ａ）の２１３Ｗ（＝２１４Ｗ））、縦軸は転写により形成されるセンター部のクロムパタン部に対応するウエハ上での幅寸法を示している。
図１１（ｂ）から分かるように、クロム寸法が１００ｎｍの場合、透過部の寸法２１３Ｗ（＝２１４Ｗ）が４００ｎｍを超える場合は、透過部の寸法が変化してもウエーハ上の仕上がり寸法に影響しないが、透過部２１３（２１４）が小さい場合、仕上がり寸法が変動する。
このような変動を抑制するためにとられる手段として、従来の手法である光近接効果補正（ＯＰＣ）が採られる。
【０００６】
従来の位相シフトマスク最適化について図１０を元に説明する。
図１０中、Ｓ２０１〜Ｓ２０６は処理ステップを示す。
レイアウト設計（Ｓ２０１）により設計でのクロムパタン形状が決定するため、その後、位相シフタ配置（Ｓ２０２）により位相変化０度の透過部と位相変化１８０度の透過部を配置する。
レイアウト設計データには、一般的に、透過部の位相情報は入っていない。
続いて、上述したように、透過部のサイズに対する光近接効果補正（ＯＰＣ）を適用する。（Ｓ２０３）
その結果を用いてフォトマスクを製造する。（Ｓ２０４）
図１０のＯＰＣ（Ｓ２０３）は、補正量の設定が必要である。
補正量の設定には、図１０でのシフタサイズ（透過部）寸法導出（Ｓ２０５）、位相、透過率設定（Ｓ２０６）の手順を採る。
この手順は、透過部を種々準備したテストデータを準備してテストマスクを作成し、ウエーハ転写後に測長して、透過部の寸法に対する補正量を求める方法や、シミュレーションによる手法などが採られる。
【０００７】
続いて、掘り込みタイプのレベンソン型位相シフトマスクの構造を適用した場合の、遮光部、位相０度変化の透過部と位相１８０度変化の透過部の開口部の寸法による、透過光強度の振るまいを説明する。
図１５（ａ）、図１５（ｂ）は、掘り込みタイプのレベンソン型位相シフトマスクの上面図の一部を示すもので、両方とも同じ構造を持つものとする。
図１５（ａ）のものは狭ピッチパタンで、図１５（ｂ）のものは広ピッチパタンである。
図１５（ａ）におけるクロム寸法３１２Ｗ１は、図１５（ｂ）におけるクロム寸法３１２Ｗ２）と同じであるが、図１５（ａ）狭ピッチパタンの透過部３１１の幅寸法３１１Ｗと図１５（ｂ）広ピッチパタンの透過部３１６の幅寸法３１６Ｗとは異なる。
この場合、図１１（ｂ）の、透過部幅（２１３Ｗ（＝２１４Ｗ））と転写により形成されるクロムパタ部の仕上がり寸法との関係図にも図示されるように、この場合、図１５（ａ）、図１５（ｂ）の透過部の期待する光強度は、それぞれ、図１６（ａ）、図１６（ｂ）に示すように、ピッチの狭い広いにかかわらず同じであるが、実際には同じ光強度とならずに、それぞれ、図１７（ａ）、図１７（ｂ）に示すようになり、狭ピッチの場合の方が光強度小となる。
このため、遮光部の寸法は同じであるが透過部の大きさに違いが有る場合には、ウェーハ上の寸法に違いが生じることになる。
【０００８】
次に、現在利用可能なシミユレーションの位置付けを説明する。
従来のウエーハ転写シミユレーションは、半導体設計パタンを元に、ウエーハ上に解像するパタン形状をシミユレーションするもので、半導体設計パタン及びウエーハ上のパタンが二次元構造であることから、このようなシミユレーションを二次元シミユレーションと呼ぶ。
しかしながら、基板掘り込みタイプのレベンソン型位相シフトマスクのように、Ｑｚ基板エッチング等、フォトマスクの三次元構造により、ウエーハ転写特性に変化が起こる場合は、フォトマスクの断面形状も考慮した三次元シミユレーションが必要となる。
フォトマスク構造が三次元であり、その構造により、補正量も変化するため、本来、三次元シミユレーションに基づく補正が必要である。
しかしながら、三次元シミユレーションは、二次元シミユレーションに比ベ、計算する要素が格段と大きくなり、半導体回路用の設計パタンの補正用には実際的ではない。
これに比べ二次元シミュレーションは、従来から研究されており、充分に広域な領域を実際的な処理時間でシミユレーションできる。
【０００９】
次に、現在利用可能な補正システムについて説明する。
当該補正システムは光近接効果補正（ＯＰＣ）と呼ばれ、自動補正ツールとしての種々のＯＰＣツールが開発されている。
ＯＰＣツールは予め、マスクパタンの配置条件による補正量を決めておき、マスクパタンを一度に補正するルールベースＯＰＣと呼ばれるツールと、マスクパタンの変形と変形後のウエーハ上の形状のシミユレーションを繰り返して、目的のマスクパタン補正を求めるモデルベースＯＰＣと呼ばれるツールがある。
ルールベースＯＰＣは、予め補正する種類を図１８のように決めておき、補正する種類と補正量を種々準備したテストパタンを用いてフォトマスクを製造し、当該フォトマスクにより、ウエーハ転写することで最適な補正をする種類と補正量を求める。
即ち、図１８の（ａ）上面図に示すようなパタンが与えられ、遮光部寸法が３４２Ｗ、透過部寸法が３４３Ｗ（＝３４４Ｗ）のように与えられた場合、位相変化０の度透過部３４３については、図１８（ｂ）に示すように、位相変化０度の透過部の幅３４３Ｗに対し、固定の補正３４３Ｗａを加える。
また、位相変化１８０度の透過部３４４については、図１８（ｂ）に示すように、位相変化１８０度の透過部の幅３４４Ｗに対して固定の補正量３４４Ｗａが適用される。
ルールベースＯＰＣには当該補正種と補正量が組み込まれたデータ変換処理となる。
これに対し、モデルベースＯＰＣは、数百組みのテストパタンを用いて、フォトマスクを製造してウエーハ上に形成されるパタンを測定する。
この測定結果を元に、シミユレーションモデルと呼ばれるデータベースを作成する。
ウエーハ転写シミユレーションではこのシミユレーションモデルを用いてシミユレーションするため、シミユレーション結果はウエーハ転写結果に近いものとなる。
このように、シミユレーションモデルを組み込んだシミユレーションと変形処理を組み合わせ、繰り返して最適の変形量を求める処理がモデルベースＯＰＣである。
【００１０】
最後に、現状の動向について説明する。
前提条件として、補正可能な位相シフトマスク構造を設定する。
位相シフトマスクの構造は、図１９（ａ）に示す、位相１８０度変化の開口部についてＱｚ基板を掘り込こんだシングルトレンチと呼ばれる構造、図１９（ｂ）に示す、位相０度変化と１８０度変化の開口部それぞれＱｚ基板を掘り込んだデユアルトレンチ呼ばれる構造が代表的な構造である。
位相シフトマスク構造が設定され、位相変化０度の透過部の開口３６３と位相変化１８０度の透過部の開口３６４との関係により、ウエーハ転写実験または三次元シミユレータにより、透過部の寸法が小さくなった場合には遮光部の寸法を大きくする必要があるため、遮光部を太くする補正を施す。
続いて、透過部の大きさにより、位相変化０度の透過部と位相変化１８０度の透過部の透過率バランスは、透過部の開口の大きさにより変化するため、位相変化１８０度の透過部あるいは位相変化０度の透過部の透過率を設定して、自動的に二次元的に補正しようとするものである。
図２０は、実質的に、位相変化０度の透過部と位相変化１８０度の透過部の寸法による差異のグラフを示すものである。
そして、この結果を元に、透過部に透過率を設定して、二次元的に補正を行うものである。
【００１１】
上述した、現状の動向として例を挙げると、図６の従来の透過部への透過率の設定に示されるように、図６の（ａ）はピッチｐ１と狭ピッチであり、図６の（ｂ）はピツチｐ２と広ピッチである。
図７（ａ）、図７（ｂ）はそれぞれ、図６（ａ）の狭ピッチｐ１のもの、図６（ｂ）の広ピツチｐ２のものに対応した、目的とする理想の光強度を示したもので、狭ピッチであっても、広ピッチてあっても位相変化０度の透過部と位相変化１８０度の透過部の光強度は等しいことを想定している。
しかし、実際には、ピッチにより位相変化１８０度の透過部の透過率か位相変化０度の透過部の透過率より低くなるため、図６（ａ）に示すようにピッチがｐ１であるときの位相変化０度の透過部には透過率Ｔ１を設定し、位相変化１８０度の透過部には透過率Ｔ１１を設定する。
広ピッチである図６（ｂ）では、位相変化０度の透過部については透過率Ｔ２を設定し、位相変化１８０度の透過部については透過率Ｔ２１を設定する。
このような透過率設定後、二次元的にシミユレーションすることで、それぞれ、図８（ａ）、図８（ｂ）に示すように現実に近い光強度を得ることかできるため、目的の寸法を得るためには位相変化１８０度の透過部の面積を広くすることが必要であり、位相変化１８０度の透過部を広くする補正が施されることになる。
【００１２】
この結果の例を図９に示す。
図９の（ａ）は、前述した透過部及び位相差に基づく透過率設定を示したものであり、位相０度変化の透過部１８３には透過率Ｔ１、位相１８０度変化の透過部１８４には透過率Ｔ１１が設定されている。
その結果、図９（ｂ）に示すように、位相変化０度の透過部の領域に対しては補正量１８３Ｗａが適用され、位相変化１８０度の透過部の領域には補正量１８４Ｗａが適用されている。
この補正量１８３Ｗａと１８４Ｗａは独立である。
【００１３】
このように、従来における、基板掘り込みタイプのレベンソン型位相シフトマスクの開口部の補正量を求める方法は、遮光部の寸法と位相変化０度の透過部と位相変化１８０度の透過部の開口の大きさより、先ず遮光部の補正量を求め、開口部の寸法に応じて透過率を設定して、二次元的に開口部の最適値を求めるというものである。
この従来の方法の手順では、位相シフトマスクの構造が、図１９に示すように、シングルトレンチタイプであろうが、デュアルトレンチタイプであろうが、位相変化０度の透過部と位相変化１８０度の透過部の光強度が等しいものと想定し、最近の動向においても、この光強度のわずかな差異を吸収するための補正を施すものである。
位相シフトマスク製造プロセスの製造余裕度を向上させることを考慮したものではなかった。
また、従来からこのような補正技術は、対象を無限遠の線状のパタンに対してのみ検討がなされて、補正が採られてきた。
しかし、位相変化０度の透過部と位相変化１８０度の透過部の光強度の差異は、無限遠の線状のパタンのみで検討できるものではなく、透過部の面積に強く依存するという問題がある。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、従来における、基板掘り込みタイプのレベンソン型位相シフトマスクの開口部の補正量を求める方法は、位相シフトマスク製造プロセスの製造余裕度を向上させることを考慮したものではなく、且つ、有限の線状パタンを無限遠の線状のパタンとして想定したもので、この想定による影響が無視できないものであった。
本発明は、これに対応するもので、フォトマスク上の遮光部に、それぞれ隣接して、位相変化０度の透過部である０度透過部と、位相変化１８０度の透過部である１８０度透過部とを、開口部として配置して、露光の際の解像度を向上させる位相シフトマスクで、且つ、基板掘り込みタイプのレベンソン型位相シフトフォトマスクを作製のための、描画装置用フォトマスクデータの補正方法であって、位相シフトマスク製造プロセスの製造余裕度を向上させることができ、且つ、線状パタンの実際の幅と長さを考慮した方法を提供しようとするものである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明の位相シフトマスク用データ補正方法は、フォトマスク上の遮光部に、それぞれ隣接して、位相変化０度の透過部である０度透過部と、位相変化１８０度の透過部である１８０度透過部とを、開口部として配置して、露光の際の解像度を向上させる位相シフトマスクで、且つ、基板掘り込みタイプのレベンソン型位相シフトフォトマスクを作製のための、描画装置用フォトマスクデータの補正方法であって、位相シフトマスクの目的とする決められたマスク断面構造のアンダーカット量に対応し、０度透過部の透過率を１００％としたときの１８０度透過部の透過率を表す透過率関数を、その幅サイズと長さサイズで規定される前記遮光部の大きさと前記遮光部に隣接する前記０度透過部と１８０度透過部の開口の大きさとをパラメータとして、ウェーハ転写実験またはシミュレーションにより、予め求めておき、順次、（Ａ）前記透過率関数を用いて、その幅サイズと長さサイズで規定される遮光部の所定の大きさと遮光部に隣接する０度透過部と１８０度透過部の開口の各所定の大きさをもとに、０度透過部の透過率を１００％としたときの１８０度透過部の透過率を求める透過率設定ステップと、（Ｂ）前記透過率設定ステップにより設定された１８０度透過部の透過率と、遮光部に隣接する０度透過部と１８０度透過部との位相関係と、その幅サイズと長さサイズで二次元的に規定される遮光部の大きさと前記遮光部に隣接する前記０度透過部と１８０度透過部の開口の大きさとから、二次元シミユレーションによりウェーハ上に解像する寸法を求め、変形量を抽出する変形量抽出ステップと、（Ｃ）前記変形量抽出ステップにおいて、二次元シミユレーションによりウェーハ上に解像する寸法が目的の寸法と異なる場合、遮光部に隣接する０度透過部と１８０度透過部の開口の大きさを補正して、その二次元シミユレーションによる変形量を調整する変形量調整ステップとを、１回以上行ない、二次元シミユレーションにより得られるウェーハ上に解像する寸法と対応する、遮光部の大きさと前記遮光部に隣接する前記０度透過部と１８０度透過部の開口の大きさとから、レイアウトデータに基づく描画装置用フォトマスクデータを補正するものであることを特徴とするものである。
そして、上記における透過率設定ステップは、（ａ）位相シフトマスクのマスク断面構造のアンダーカット量と、その幅サイズと長さサイズで規定される前記遮光部の大きさと前記開口部の開口の大きさとを、それぞれ、種々変化させた位相シフトマスクを三次元的に設計、あるいは製造し、前記位相シフトマスクのマスク断面構造のアンダーカット量と、その幅サイズと長さサイズで規定される前記遮光部の大きさと前記遮光部に隣接する前記０度透過部と１８０度透過部の開口の大きさから、０度透過部の透過率を１００％としたときの、０度透過部と１８０度透過部の光強度差異を表す関数である第１の光強度関数を、ウェーハ転写実験またはシミュレーションにより、予め求めておく第１の光強度関数導出ステップと、（ｂ）前記遮光部の大きさと、その幅サイズと長さサイズで規定される前記開口部の大きさを種々変化させ、更に前記位相１８０度透過部の透過率を種々変化させた位相シフトマスクを二次元的に設計し、前記遮光部の大きさと、その幅サイズと長さサイズで規定される前記遮光部の大きさと前記遮光部に隣接する前記０度透過部と１８０度透過部の開口の大きさと、０度透過部の透過率を１００％としたときの１８０度透過部の透過率とから、０度透過部の透過率を１００％としたときの、０度透過部と１８０度透過部の光強度差異を表す関数である第２の光強度関数を、シミュレーションにより、予め求めておく第２の光強度関数導出ステップと、（ｃ）目的とする決められたマスク断面構造のアンダーカット量と、第１の光強度関数導出ステップにより導き出された第１の光強度関数と、第２の強度関数導出ステップにより導き出された第２の光強度関数とから、１８０度透過部の透過率を、その幅サイズと長さサイズで規定される遮光部の大きさと前記遮光部に隣接する前記０度透過部と１８０度透過部の開口の大きさの関数として表した、透過率関数を求める、透過率関数導出ステップとを行ない、その幅サイズと長さサイズで規定される遮光部の大きさと遮光部に隣接する０度透過部と１８０度透過部の開口の大きさをもとに、前記透過率関数導出ステップにより導出された透過率関数から、対象とするマスクの１８０度透過部について、０度透過部の透過率を１００％としたときの１８０度透過部の透過率を設定するものであることを特徴とするものである。
【００１６】
そしてまた、上記において、変形量調整ステップは、変形量抽出ステップの結果を元に、ルール化された補正量を与えて、０度透過部と１８０度透過部の開口の大きさを補正するものであることを特徴とするものであり、前記変形量調整ステップにおけるルール化された補正量を与える補正を１度だけ行うことを特徴とするものである。
【００１８】
また、上記において、変形量抽出ステップ前に、その幅サイズと長さサイズで規定される０度透過部と１８０度透過部の大きさにより、二次元シミュレーションと補正を繰り返し、最適化しておき、その後変形量抽出ステップと変形量調整ステップを行なうことを特徴とするものである。
また、上記において、変形量抽出ステップ前に、その幅サイズと長さサイズで規定される０度透過部と１８０度透過部の大きさにより、ルール化された補正量を与えて、０度透過部と１８０度透過部の開口の大きさを補正し、その後変形量抽出ステップと変形量調整ステップを行なうことを特徴とするものであり、前記変形量抽出ステップ前の、ルール化された補正量を与える補正を１度だけ行うことを特徴とするものである。
【００１９】
ここで、上記における二次元シミュレーションについて更に説明しておく。
光近接効果など半導体の微細化プロセスにおいては、設計データの中のパタンとウエーハ上に形成されるパタン形状に違いが発生するため、最近では、設計データの検証、ＯＰＣ適用後のデータの検証に、ウエーハ転写シミュレーションが有効な手段として取り入れられている。
このウエーハ転写シミュレーションは、一般には、表示部や入出力端末を備え、設計データのパタンを元に、ウエーハ上のパタン形状をシミュレーションするためのソフトウエアを搭載した装置（ウエーハ転写シミュレータと言う）で行われ、通常、光シミュレーション（光モデルシミュレーションとも言う）とレジストシミュレーション（現像シミュレーションとも言い、プロセスモデルシミレーションの一つ）の２段階構成であるが、更に、これにエッチングプロセスシミュレーション（プロセスモデルシミレーションの一つ）を加えた３段階構成のものもあるが、これらは、フォトマスクの二次元的なパタン形状（遮光部の形状）について、シミュレーションを行なうもので、単に、二次元シミュレーションとも言われる。
ここで言う二次元シミュレーションは、これに相当し、特に２段階構成のウエーハ転写シミュレーションを言う。
ウエーハ転写シミュレーションは、一般には、理想的な設計パタンを用い、製造されたフォトマスクには製造誤差が発生しないこと、ウエーハ転写条件も理想的なゼロデフォーカスが設定されることを前提としているが、最近では、フォーカス条件を考慮したものも提案されている。
尚、光シミュレーションは、光源波長、光源開口数（ＮＡ）、σ（コヒーレント性を示すもので、ｓｉｇｍａとも表す）により一意的に決定する結像条件があり、他に選択的に収差や露光機の振動等を考慮するものである。
レジストシミュレーションは、光シミュレーションにより一意的に決定された結果をもとに、現像プロセス（レジストプロセス）のシミュレーションを行なうものであるが、パラメータ数が多すぎるため、通常は、テストパタンをウエーハに転写、測長してプロセスモデルを合せ込む方法が採られている。
エッチングプロセスのシミュレーションは、現像プロセス（レジストプロセス）のシュミレーションと同様に行なえるもので、場合によっては、このシミュレーションは省いても良い。
【００２０】
【作用】
本発明の位相シフトマスク用データ補正方法は、このような構成にすることにより、フォトマスク上の遮光部に、それぞれ隣接して、位相変化０度の透過部である０度透過部と、位相変化１８０度の透過部である１８０度透過部とを、開口部として配置して、露光の際の解像度を向上させる位相シフトマスクで、且つ、基板掘り込みタイプのレベンソン型位相シフトフォトマスクを作製のための、描画装置用フォトマスクデータの補正方法であって、位相シフトマスク製造プロセスの製造余裕度を向上させることができ、且つ、線状パタンの実際の幅と長さを考慮した方法の提供を可能としている。
即ち、本発明の位相シフトマスク用データ補正方法は、位相シフトマスクの目的とする決められたマスク断面構造に対応し、０度透過部の透過率を１００％としたときの１８０度透過部の透過率を表す透過率関数を、その幅サイズと長さサイズで規定される前記遮光部の大きさと前記遮光部に隣接する前記０度透過部と１８０度透過部の開口の大きさとをパラメータとして、予め求めておき、透過率関数を用い、遮光部の大きさと遮光部に隣接する０度透過部と１８０度透過部の開口の大きさとから、位相シフトマスクの０度透過部の透過率を１００％としたときの１８０度透過部の透過率を設定することにより、設定された透過率をパラメータとして、位相シフトマスクを二次元構造モデルとして、その断面形状を考慮せず、二次元的にシミュレーションを行なうことを可能としている。
【００２１】
本発明によれば、予め位相シフトマスクのマスク断面構造を決め、決められたマスク断面構造と関連付けて、０度透過部の透過率を１００％としたときの、０度透過部と１８０度透過部の光強度を決めるため、予め、基板掘り込みによるひさし（図２（ａ）の１１１ａ）の長さＷｕｃを、決めており、ひさしの長さが決まった条件下で、二次元シミュレーションを行なうもので、これにより、製造プロセスの難易をこれで管理でき、製造プロセスの余裕度を確保しながらフォトマスク製造を達成できるものとしている。
尚、図２５（ａ）に示すレベンソン位相シフトマスク構造のシングルトレンチタイプでは、マスク製造過程にて、ドライエッチングとウェットエッチングを施し、クロムのひさしを形成しているが、当然クロム寸法に対して、ひさし量か大きくなれは、マスク製造は難しくなる。
【００２２】
二次元的にシミュレーションを行なうための透過率を得るための設定透過率設定ステップとしては、具体的には、（ａ）位相シフトマスクのマスク断面構造と、その幅サイズと長さサイズで規定される前記遮光部の大きさと前記開口部の開口の大きさとを、それぞれ、種々変化させた位相シフトマスクを三次元的に設計、あるいは製造し、前記位相シフトマスクのマスク断面構造と、その幅サイズと長さサイズで規定される前記遮光部の大きさと前記遮光部に隣接する前記０度透過部と１８０度透過部の開口の大きさから、０度透過部の透過率を１００％としたときの、０度透過部と１８０度透過部の光強度差異を示す関数である第１の光強度関数を、ウェーハ転写実験またはシミュレーションにより、予め求めておく第１の光強度関数導出ステップと、（ｂ）前記遮光部の大きさと、その幅サイズと長さサイズで規定される前記開口部の大きさを種々変化させ、更に前記位相１８０度透過部の透過率を種々変化させた位相シフトマスクを二次元的に設計し、前記遮光部の大きさと、その幅サイズと長さサイズで規定される前記遮光部の大きさと前記遮光部に隣接する前記０度透過部と１８０度透過部の開口の大きさと、０度透過部の透過率を１００％としたときの１８０度透過部の透過率とから、０度透過部の透過率を１００％としたときの、０度透過部と１８０度透過部の光強度差異を示す関数である第２の光強度関数を、シミュレーションにより、予め求めておく第２の光強度関数導出ステップと、（ｃ）目的とする決められたしたマスク断面構造と、第１の光強度関数導出ステップにより導き出された第１の光強度関数と、第２の強度関数導出ステップにより導き出された第２の光強度関数とから、１８０度透過部の透過率を、その幅サイズと長さサイズで規定される遮光部の大きさと前記遮光部に隣接する前記０度透過部と１８０度透過部の開口の大きさの関数として求める、透過率関数導出ステップとを行ない、その幅サイズと長さサイズで規定される遮光部の大きさと遮光部に隣接する０度透過部と１８０度透過部の開口の大きさをもとに、前記透過率関数導出ステップにより導出された透過率関数から、０度透過部の透過率を１００％としたときの１８０度透過部の透過率を設定するものが挙げられる。
このように、第１の光強度関数と第２の光強度関数の関連付けにより、二次元的にシミュレーションを行なえ、実質的に二次元的にデータ補正が行えることになる。
【００２３】
また、本発明によれば、第１の光強度関数は、マスク断面構造もパラメータとしてあるため、フォトマスク構造に自由度を持たせることができる。
マスク断面構造の自由度は、マスク製造における自由度でもあるため、期待したウェーハ上の解像を得つつ、マスク製造の歩留まりを向上することができる。
【００２４】
ここで、変形量調整ステップを、変形量抽出ステップの結果を元に、ルール化された補正量を与えて、０度透過部と１８０度透過部の開口の大きさを補正するものとすることにより、その作業を人の判断によらずに決められるものとできる。
また、変形量調整ステップを、種々の変形量抽出ステップの結果を元に、二次元シミュレーションと変形量調整の一体化した、二次元シミユレーションのシミユレーションモデルを作成し、これをもとに、変形量調整を繰り返し行ない、０度透過部と１８０度透過部の開口の大きさを補正するものとすることにより、正確な無駄のない調整を可能としている。
【００２５】
更にまた、ここで、変形量抽出ステップ前に、その幅サイズと長さサイズで規定される０度透過部と１８０度透過部の大きさにより、二次元シミュレーションと補正を繰り返し、最適化しておき、その後変形量抽出ステップと変形量調整ステップを行なうもの、あるいは、変形量抽出ステップ前に、その幅サイズと長さサイズで規定される０度透過部と１８０度透過部の大きさにより、ルール化された補正量を与えて、０度透過部と１８０度透過部の開口の大きさを補正し、その後変形量抽出ステップと変形量調整ステップを行なうもの、あるいはまた、変形量抽出ステップ前に、種々の変形量抽出ステップの結果を元に、二次元シミュレーションと変形量調整の一体化した、二次元シミユレーションのシミユレーションモデルを作成し、これをもとに、補正を最適化して、０度透過部と１８０度透過部の開口の大きさを補正し、その後変形量抽出ステップと変形量調整ステップを行なうものも挙げられる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
本発明の位相シフトマスク用データ補正方法の実施の形態例を、図に基づいて説明する。
図１は本発明の位相シフトマスク用データ補正方法の実施の形態の１例のフロー図で、図２は対象とするフォトマスク構造を説明するための断面図で、図３は図２に示フォトマスクの透過部の光の振幅の大きさの分布を示した図で、図４は図２に示フォトマスクの透過部の光強度分布を示した図で、図５はアンダカット量と透過率の関係を示した図である。
図１〜図５、図２１、図２２中、１１０は石英ガラス基板、１１１はクロム遮光部、１１１ａはひさし、１１３、１１４は開口、１１３Ａはトレンチ部（掘り込み部とも言う）、１２１、１２２、１２３は光の振幅の大きさの分布、１２４は理想的な光の振幅の大きさの分布、１３１、１３２、１３３は光強度分布、１３４は理想的な光強度分布、１４１は０度透過部の光強度分布、１４２はピッチｐ２の１８０度透過部の光強度分布、１４３はピッチｐ１の１８０度透過部の光強度分布、１４１ａ〜１４３ａは光強度、３７１は石英ガラス部、３７２はクロム部、３７３は開口、３７３Ａはトレンチ部（掘り込み部とも言う）、３７４は開口、３７６は位相変化１８０度の透過部、３７５はひさし、３７７は位相変化０度の透過部、３７６Ａ、３７７Ａは光強度分布である。
また、Ｗｕｃはアンダカット量で、Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３はＸ方向幅である。
尚、ここでも、位相変化０度の透過部、位相変化１８０度の透過部を、それぞれ、０度透過部、１８０度透過部とも言う。
【００２７】
本例の位相シフトマスク用データ補正方法を、図に基づいて説明する。
本例は、フォトマスク上の遮光部に、それぞれ隣接して、位相変化０度の透過部である０度透過部と、位相変化１８０度の透過部である１８０度透過部とを、開口部として配置して、露光の際の解像度を向上させる位相シフトマスクで、且つ、基板掘り込みタイプのレベンソン型位相シフトフォトマスクを作製のための、描画装置用フォトマスクデータの補正方法である。
【００２８】
先に、本例で対象としているフォトマスク構造について説明しておく。
図２は、対象とする位相シフトマスクの断面図である。
フォトマスクは石英ガラス基板１１０にクロム遮光部１１１を載せた形であり、ウェーハ転写時にはクロム遮光部１１はウエーハ側となる。
この位相シフトマスクでは、透過光の位相を反転するために、図２に示すように、石英ガラス基板１１０をエッチングなどにより掘り込んで、位相変化１８０度の透過部を実現している。
図２に示す位相シフトマスクは、シングルトレンチと呼ばれる構造のものであり、位相変化０度の透過部にはエッチングが施されていない。
この構造の場合には、位相変化１８０度の透過部の光強度が位相変化０度の透過部の光強度より低くなるため、ウェットエッチングが施され、その結果クロム遮光部１１１の下まで掘り込みがなされる。
そして、クロム遮光部１１１の一部が中空に飛び出すようになるが、この中空に飛び出した部分をひさし１１１ａと呼び、中空に飛び出した部分の長さをアンダカット量Ｗｕｃと呼ぶ。
クロム遮光部１１１の幅に何も補正を加えない場合、更にアンダカット量が最適値よりも小さい場合、開口１１４、１１３、１１５の光の振幅の大きさの分布は、それぞれ、図３の１２１、１２２、１２３のようになり、また対応する光強度は図４の１３１、１３２、１３３のようになる。
図３に示すように、位相変化１８０度の透過部の光の振幅の大きさの分布１２２は、位相変化０度の透過部の光の振幅の大きさの分布１２１、１２３と対称に等しい光の振幅の大きさの分布１２４となるべきところだが、光の振幅の大きさの分布１２２はこれらに比べ低くなる。
その結果、位相変化１８０度の透過部の光強度は、図４に示すように、本来位相変化０度の透過部の光強度１３１、１３３と等しくなるべきところ（１３４）、１３３のように光強度が低下する。
その結果、図４に示すように、特定の閾値１３５としたときに、ウェーハ上で、本来同じであるべき位相変化０度の透過部に対応する寸法と位相変化１８０度の透過部に対応する寸法に違いが発生する。
このような傾向は、図５の横軸にアンダカット量を採ったグラフに示されるように、ピツチである透過部の寸法が変わると、その振る舞いにも違いが出てくる。
一般的には、狭ピッチになる（グラフ１４３の場合）と位相変化０度の透過部の光強度と、位相変化１８０度の透過部の光強度の差は大きくなる。
尚、図５においてはアンダカット量αの場合、０度透過部、ピッチｐ１の１８０度透過部、ピッチｐ２の１８０度透過部の相対光強度は、それぞれ、１４１ａ、１４３ａ、１４２ａで示される。
【００２９】
次いで、図１に基づいて、本例の処理の１例を説明する。
予め、位相シフトマスクの目的とする決められたマスク断面構造に対応し、０度透過部の透過率を１００％としたときの１８０度透過部の透過率を表す透過率関数を、その幅サイズと長さサイズで規定される前記遮光部の大きさと前記遮光部に隣接する前記０度透過部と１８０度透過部の開口の大きさとをパラメータとして、求めておく。
ここでは、先ず、三次元シミュレーンョンあるいはフォトマスクを製造して転写実験をすることにより、位相０度透過部と位相１８０度透過部の光強度差を、マスク断面構造、遮光部寸法、透過部面積をパラメータとして表す、第１の光強度関数を求める。（Ｓ１１０〜Ｓ１１１）
この第１の光強度関数を求めるための三次元マスクモデルを図２１に示す。
図２１（ａ）はマスクの断面で石英ガラス部３７１とクロム部３７２から構成され、位相変化０度の透過部の開口３７４はクロム部を剥離した領域、位相変化１８０度の透過部の開口３７３から更にエッチング等により掘り込み、透過光の位相を１８０度反転できる構造を持つ領域である。
この場合、フォトマスクのマスク断面構造としては、図２１（ｂ）に、図２１（ａ）のトレンチ部３７３Ａを拡大して示すように、クロムのひさし３７５の大きさ（アンダカット量Ｗｕｃ、ひさし量とも言う））をパラメータとしている。このクロムアンダカット量Ｗｕｃを小さく押さえることができれは、一般的にはマスク製造余裕度を向上させることかできる。
図２１（ｃ）は、この位相シフトマスクの上面図を示している。
位相変化０度の透過部を３７７としたときに、位相変化１８０度の透過部は３７６で示される。
この位相変化０度の透過部３７７と位相変化１８０度の透過部３７６にはさまれたクロム領域の寸法が、遮光部寸法となる。
図２２は、図２１に示す位相シフトマスクの位相変化０度の透過部３７７と位相変化１８０度の透過部３７６の光の強度分布３７７Ａ，３７６Ａを示し、これらの光強度の目安として、Ｗ１を位相変化０度の透過部３７７の光強度、Ｗ２を位相変化１８０度の透過部３７６の光強度として代表させている。
目的の遮光部の寸法をＷ３としたときに、位相変化０度の透過部３７７と位相変化１８０度の透過部３７６との差（Ｗ１−Ｗ２）の値をｗａｌｋｉｎｇ  ｄｉｓｔａｎｃｅとしている。
【００３０】
上記フォトマスクを、マスク断面構造を含む三次元モデルとして、各種アンダカット量について、三次元シミユレーションを行ない、その結果を、このように、定義されたｗａｌｋｉｎｇ  ｄｉｓｔａｎｃｅを用いて、図２３のように表すことができる。
図２３のグラフは、上記フォトマスクを、マスク断面構造を含む三次元モデルとして扱ったものである。
図２３では、その縦軸をｗａｌｋｉｎｇ  ｄｉｓｔａｎｃｅとしている。
尚、また図２３のグラフは透過部の幅を所定の値（13ｎｍ）としたときのものであるが、透過部の幅を種々変化させたときのグラフも準備する。
図２３のグラフ中のパラメータのｕｃ７０、ｕｃ９０，ｕｃ１１０，ｕｃ１３０，ｕｃ１５０は、マスク断面構造に相当する図２１のクロムアンダカット量３７５が、それぞれ、７０μｍ、９０μｍ、１１０μｍ、１１０μｍ、１３０μｍ、１５０μｍを意味している。
結局、前述したように透過部３７７の幅を種々変化させてこのようなグラフを作成することにより、”ｗａｌｋｉｎｇ  ｄｉｓｔａｎｃｅ”により表現した第１の光強度関数を得ることができる。
第１の光強度関数は、マスク断面構造、遮光部寸法、透過部面積をパラメータとする。
【００３１】
一方また、第２の光強度関数を導出しておく。（Ｓ１２０〜Ｓ１２１）
第２の光強度関数は、マスクの断面構造を用いずに、図２１（ｃ）の上面図形状、即ち二次元形状のみを用いて関数を導出する。
その際に、位相変化０度の透過部３７７の透過率を１００％とし、位相変化１８０度の透過部３７６の透過率を種々設定して二次元的にシミユレーションすることにより、当該関数を得る。
図２４はこの二次元的なシミュレーションによる結果を示している。
縦軸と横軸は三次元モデルと同じであるが、パラメータは位相変化１８０度の透過部３７６の透過率を示している。
以上から、第２の光強度関数を得ることができる。
第２の光強度関数は、遮光部寸法、透過部面積、位相変化１８０度の透過部透過率をパラメータとする。
【００３２】
本例は、第１の光強度関数、第２の光強度関数を求めることを前段階として、次に、マスク製造プロセス依存の手順となるが、ここでは、二次元シミュレーションを用いる。
以下、二次元シミュレーションを用い、補正を行なう。
先ず、位相シフトマスクの構造決定を行ない、マスク断面構造を決める。（Ｓ１３０〜Ｓ１３１）
ここでは、アンダカット量を決める。
クロムひさしのアンダカット量は、ウェットエッチング量により決定する。
アンダカット量を決定することにより、上述した第１の光強度関数と第２の光強度関数とから、以下の手順により位相１８０度透過部へ設定すべき透過率を導出する。
先ず、第１の光強度関数、第２の光強度関数を用い、目的とする所定のマスク断面構造を与えることにより、位相変化０度の透過部３７７の透過率を１００％とした場合の、位相変化１８０度の透過部３７６の透過率を、遮光部寸法、透過部面積をパラメータとした関数である透過率関数を求める。（Ｓ１４０〜Ｓ１４１）
第１の光強度関数、第２の光強度関数が求められると、目的とする所定のマスク断面構造を与えることにより、そのアンダカット量が決められた目的とするマスク断面構造について、位相変化０度の透過部３７７の透過率を１００％とした場合の、位相変化１８０度の透過部３７６の透過率を、マスク断面構造を含まない、遮光部寸法、透過部面積をパラメータとした、関数で表すことができる。
【００３３】
次に、フォトマスク製造プロセスが決定後、実際に位相シフトマスクを製造する際の手順に移る。
一方、対象となる半導体回路のレイアウト設計が完了した後、通常、半導体回路には位相シフトマスクの情報は含まれていないため、位相変化０度の透過部と位相変化１８０度の透過部を配置する。（Ｓ１９０〜Ｓ１９１）
【００３４】
次いで、位相シフタ配置ステップ（Ｓ１９１）により配置された透過部の情報と、透過率関数導出ステップ１０７により導出された透過率関数（Ｓ１４１）により、位相１８０度透過部個々に透過率を設定する。（Ｓ１５０）
位相変化１８０度の透過部への透過率設定（Ｓ１５０）されると、二次元的な処理か可能となり、次いで、二次元シミユレーションにより変形量を抽出する。（Ｓ１６０）
次いで、二次元シミユレーションによる変形量を元に、遮光部の寸法が目的の寸法となるように透過部の形状や大きさを補正する。（Ｓ１７０）
尚、変形量抽出（Ｓ１６０）と変形量補正（Ｓ１７０）では、既に実用が始まっているツール（ＯＰＣツール）の適用も可能である。
【００３５】
必要に応じ、透過率設定（Ｓ１５０）から変形量補正（Ｓ１７０）を繰り返して、以上のデ一タ補正手順により、特定のマスク製造プロセスを適用し、ウェーハ上で目的の寸法の得られる位相シフトマスクの製造データが出来上がることになる。（Ｓ１７５）
次いで、このようにして得られたデータを用いて、フォトマスク製造１０５を実施する。（Ｓ１８０）
【００３６】
本例において、変形量調整（Ｓ１７０）は、変形量抽出（Ｓ１６０）の結果を元に、ルール化された補正量を与えて、０度透過部と１８０度透過部の開口の大きさを補正するようにしてもよい。
更に、１度のルール化された補正量を与える補正を、最終的な補正としてもよい。
また、本例において、変形量調整（Ｓ１７０）は、種々の変形量抽出（Ｓ１６０）の結果を元に、二次元シミュレーションと変形量調整の一体化した仕組みの、シミユレーションモデルを作成し、これをもとに、変形量調整を繰り返し行ない、０度透過部と１８０度透過部の開口の大きさを補正するものであってもよい。
【００３７】
また、変形量抽出（Ｓ１６０）前に、その幅サイズと長さサイズで規定される０度透過部と１８０度透過部の大きさにより、二次元シミュレーションと補正を繰り返し、最適化しておき、その後変形量抽出ステップと変形量調整ステップを行なってもよい。
また、変形量抽出（Ｓ１６０）前に、その幅サイズと長さサイズで規定される０度透過部と１８０度透過部の大きさにより、ルール化された補正量を与えて、０度透過部と１８０度透過部の開口の大きさを補正し、その後変形量抽出ステップと変形量調整ステップを行なってもよく、１度のルール化された補正量を与える補正を、最終的な補正としてもよい。
更にまた、変形量抽出（Ｓ１６０）前に、種々の変形量抽出ステップの結果を元に、二次元シミュレーションと変形量調整の一体化した仕組みの、シミユレーションモデルを作成し、これをもとに、補正を最適化して、０度透過部と１８０度透過部の開口の大きさを補正し、その後変形量抽出ステップと変形量調整ステップを行なっても良い。
【００３８】
【発明の効果】
本発明は、上記のように、フォトマスク上の遮光部に、それぞれ隣接して、位相変化０度の透過部である０度透過部と、位相変化１８０度の透過部である１８０度透過部とを、開口部として配置して、露光の際の解像度を向上させる位相シフトマスクで、且つ、基板掘り込みタイプのレベンソン型位相シフトフォトマスクを作製のための、描画装置用フォトマスクデータの補正方法であって、位相シフトマスク製造プロセスの製造余裕度を向上させることができ、且つ、線状パタンの実際の幅と長さを考慮した方法の提供を可能とした。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の位相シフトマスク用データ補正方法の実施の形態の１例のフロー図である。
【図２】対象とするフォトマスク構造を説明するための断面図である。
【図３】図２に示フォトマスクの透過部の光の振幅の大きさの分布を示した図である。
【図４】図２に示フォトマスクの透過部の光強度分布を示した図である。
【図５】アンダカット量と透過率の関係を示した図である。
【図６】図６（ａ）は狭ピッチ位相シフトマスク、図６（ｂ）は広ピッチ位相シフトマスクを示した図である。
【図７】図６に示す位相シフトマスクの透過部の理想的な光強度分布を示した図である。
【図８】図６に示す位相シフトマスクの透過部の実際の光強度分布を示した図である。
【図９】図９（ａ）は透過部及び位相差に基づく透過率設定を示したもので、図９（ｂ）は図９（ａ）に対応して補正される補正量を示した図である。
【図１０】従来の補正処理のフロー図である。
【図１１】基板彫り込みタイプのレベンソン型位相シフトマスクの１例の転写性を説明するための図である。
【図１２】図１２（ａ）は、基板掘り込みタイプのレベンソン型位相シフトマスクのラインアンドスペースパタン部の一部を示した上面図で、図１２（ｂ）はそのＣ１−Ｃ２における断面の一部を拡大して示した図である。
【図１３】図１３（ａ）は図１２に示す位相シフトマスクの各透過部の光の振幅の大きさの分布を示した図で、図１３（ｂ）は図１２に示す位相シフトマスクの各透過部の光強度を示した図である。
【図１４】図１４はバイナリマスクの各透過部の光の振幅の大きさの分布と光強度とを説明するための図である。
【図１５】図１５（ａ）は狭ピッチの掘り込みタイプのレベンソン型位相シフトマスク、図１５（ｂ）は広ピッチの掘り込みタイプのレベンソン型位相シフトマスクを示した図である。
【図１６】図１５の各位相シフトマスクに対応する理想的な光強度分布を示した図である。
【図１７】図１５の各位相シフトマスクに対応する実際の光強度分布を示した図である。
【図１８】図１８の（ａ）は透過部及び位相差に基づく透過率設定を示したもので、図１８（ｂ）は図１８の（ａ）に対応して補正される補正量を示した図である。
【図１９】図１９（ａ）はＱｚ基板を掘り込こんだシングルトレンチと呼ばれる構造、を示した図で、図１９（ｂ）はＱｚ基板を掘り込んだデユアルトレンチ呼ばれる構造を示した図である。
【図２０】位相変化０度の透過部と位相変化１８０度の透過部の寸法による差異を示した図である。
【図２１】図１に示す実施の形態における、第１の光強度関数を求めるための三次元マスクモデルを示した図である。
【図２２】Ｗａｌｋｉｎｇ  Ｄｉｓｕｔａｎｎｃｅを説明するための図である。
【図２３】第１の光強度関数をグラフ化した図である。
【図２４】第２の光強度関数をグラフ化した図である。
【符号の説明】
１１０                  石英ガラス基板
１１１                  クロム遮光部
１１１ａ                ひさし
１１３、１１４          開口
１１３Ａ                トレンチ部（掘り込み部とも言う）
１２１、１２２、１２３  光の振幅の大きさの分布
１２４                  理想的な光の振幅の大きさの分布
１３１、１３２、１３３  光強度分布
１３４                  理想的な光強度分布
１４１                  ０度透過部の光強度分布
１４２                  ピッチｐ２の１８０度透過部の光強度分布
１４３                  ピッチｐ１の１８０度透過部の光強度分布
１４１ａ〜１４３ａ      光強度
１５２                  クロム遮光層
１５２Ｗ１、１５２Ｗ２（クロム遮光層の）幅
１５３                  位相変化０度の透過部
１５４                  位相変化１８０度の透過部
Ｗｋ１、Ｗｋ２          （透過部の）幅
１８２                  クロム遮光層
１８２Ｗ１、１８２Ｗ２（クロム遮光層の）幅
１８３、１８３Ａ        位相変化０度の透過部
１８３Ｗ１、１８３Ｗ２（位相変化０度の透過部の）幅
１８４、１８４Ａ        位相変化１８０度の透過部
１８４Ｗ１、１８４Ｗ２（位相変化１８０度の透過部の）幅
１８３Ｗａ、１８４Ｗａ    補正量
２１２                  クロム遮光層
２１２Ｗ              （クロム遮光層の）幅
２１３                  位相変化０度の透過部
２１３Ｗ１            （位相変化０度の透過部の）幅
２１４                  位相変化１８０度の透過部
２１４Ｗ              （位相変化１８０度の透過部の）幅
２２１、２２２          グラフ
２３１                  石英ガラス部
２３２                  クロム遮光層
２３３、２４６、２４８  位相変化０度の透過部
２３４、２４７          位相変化１８０度の透過部
２３４Ａ                トレンチ部（掘り込み部とも言う）
２５１〜２５３          光の振幅の大きさの分布
２６１〜２６３          光強度分布
２６４                  閾値（スライスレベルとも言う）
２７１                  石英ガラス部
２７２                  クロム遮光層
２８１、２８２、２８３  開口
２９１〜２９３          光の振幅の大きさの分布
３０１                  光強度分布
３１１、３１６          透過部
３１１Ｗ、３１６Ｗ    （透過部の）幅
３１２                  クロム遮光層
３１２Ｗ、３１２Ｗ２  （クロム遮光層の）幅
３４２                  クロム遮光層
３４２Ｗ１、３４２Ｗ２（クロム遮光層の）幅
３４３                  位相変化０度の透過部
３４３Ｗ１、３４３Ｗ２（位相変化０度の透過部の）幅
３４４                  位相変化１８０度の透過部
３４４Ｗ１、３４４Ｗ２（位相変化１８０度の透過部の）幅
３４３Ｗａ、３４４Ｗａ  補正量
３６１                  透過部
３６２                  クロム遮光層
３６３、３６４          開口
３６３Ａ、３６４Ａ      トレンチ部（掘り込み部とも言う）
３７１                  石英ガラス部
３７２                  クロム部
３７３                  開口
３７３Ａ                トレンチ部（掘り込み部とも言う）
３７４                  開口
３７６                  位相変化１８０度の透過部
３７５                  ひさし
３７７                  位相変化０度の透過部
３７６Ａ、３７７Ａ      光強度分布
Ｗｕｃ                  アンダカット量
Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３        Ｘ方向幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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