(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
残留分極による電荷保持特性を示す強誘電体のうち、異なるキュリー温度を有する少なくとも２種を有してなり、一の強誘電体のキュリー温度以上で、かつ他の強誘電体のキュリー温度未満の温度下に保持されると、該一の強誘電体に記憶された認証信号が消去される認証回路を少なくとも備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
一の強誘電体が１次認証信号を出力可能であり、他の強誘電体が１次認証信号を入力すると２次認証信号を出力可能である請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
残留分極による電荷保持特性を示す強誘電体のうち、異なるキュリー温度を有するｎ（ｎ≧２）種を有してなり、各強誘電体のキュリー温度を低い方から順に、Ｔ１、Ｔ２、・・・、Ｔｎ−１、Ｔｎ、とした時、Ｔ１以上Ｔ２未満の温度、Ｔ２以上Ｔ３未満の温度、・・・、Ｔｎ−１以上Ｔｎ未満の温度、Ｔｎ以上の温度、に順次保持されると、保持された温度よりも低い、キュリー温度を有する前記強誘電体に記憶された認証信号が消去される請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
ｎ種の強誘電体のうち、キュリー温度が、Ｔ１であるものを強誘電体１、Ｔ２であるものを強誘電体２、・・・、Ｔｎ−１であるものを強誘電体ｎ−１、Ｔｎであるものを強誘電体ｎ、とした時、前記強誘電体１が１次認証信号を出力可能であり、前記強誘電体２が１次認証信号を入力すると２次認証信号を出力可能であり、・・・、前記強誘電体ｎ−１がｎ−２次認証信号を入力するとｎ−１次認証信号を出力可能であり、前記強誘電体ｎがｎ−１認証信号を入力するとｎ次認証信号を出力可能である請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
ｎ種の強誘電体が２種以上の元素で形成され、各強誘電体毎に元素組成が異なる請求項３又は４に記載の半導体装置。
【請求項６】
２種以上の元素が、Ｎａ、Ｋ、Ｂａ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｏ、Ｐｂ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｌａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｔｌ、Ｂｉ、希土類元素、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｆｅ、Ｃｏ及びＣｒから選択される請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
ｎ種の強誘電体が、Ｐｂ（Ｚｒ１−ｘ Ｔｉｘ）Ｏ３ (ただし、０＜ｘ＜１)、で表される元素組成を有し、該元素組成におけるｘの値が、各誘電体毎に異なる請求項３から６のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項８】
残留分極による電荷保持特性を示す強誘電体を２以上有してなり、一の強誘電体が熱刺激付与手段の近傍に配置され、該熱刺激付与手段により独立に加熱又は冷却可能であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
残留分極による電荷保持特性を示す強誘電体のうち、異なるキュリー温度を有する少なくとも２種を有してなり、一の強誘電体のキュリー温度以上で、かつ他の強誘電体のキュリー温度未満の温度下に保持されると、該一の強誘電体に記憶された認証信号が消去される認証回路を少なくとも備えたことを特徴とするＩＣカード。
【請求項１０】
一の強誘電体が１次認証信号を出力可能であり、他の強誘電体が１次認証信号を入力すると２次認証信号を出力可能である請求項９に記載のＩＣカード。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、認証回路、該認証回路を備えた半導体素子及びその使用方法、並びに、該認証回路を備えたＩＣカード及びその使用方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体素子、特に半導体メモリには様々な特徴を有するものが知られている。該半導体メモリの中でも、電源オフ時でもデータが保持されるものを特に不揮発性メモリ（nonvolatile  memory）と呼んでいる。該不揮発性メモリの中でも、電荷を保持するキャパシタ用材料として強誘電体を用い、ランダムアクセスが可能なものを特に強誘電体メモリ（Ferroelectric  random  access  memory（ＦｅＲＡＭ））と呼んでいる。
ところで、前記キャパシタ用材料が前記強誘電体でない場合、即ち常誘電体である場合には、分極は、電極から電位差がある時のみ維持され、電位差が取り除かれた時は維持されないため、不揮発性を示さず揮発性となる。一方、前記キャパシタ用材料が前記強誘電体である場合（前記ＦｅＲＡＭの場合）、極性の異なる２つの残留分極特性を利用しており、電源をオフにしても分極が維持されるので、データが保持され、不揮発性を示す。このＦｅＲＡＭの場合、２つの方向の内の一方向に分極可能であり、分極方向を区別することにより、一方向の分極に対応する“１”、及び他方向の分極に対応する“０”、の情報を記憶することが可能であり、不揮発性の目安になる書換え回数も１０１０〜１０１２回と多く、書換え速度も数十ｎｓのオーダであり高速性を有している。このため、近時、前記強誘電体を用いたシステムＬＳＩの開発が盛んに行われている。
該システムＬＳＩは、ＩＣカード、スマートカード等のマネー情報、個人情報等を取扱う機器に使用されるため、該システムＬＳＩにおいては、偽造対策が必要不可欠となる。この偽造対策としては、従来、例えば、特願平１１−２４０２２７号に示されているように、スクライブ前に記憶領域内にデータを書き込み、スクライブによってデータを書き込むパッドを切り落とし該記憶領域内にアクセスできないようにする方法が提案されている。しかしながら、この方法の場合、工場でチップを製造する際に、あるいはチップをカードに実装する際に、情報を前記記憶領域内に書込む必要があるため、カードを製造した後では適用できないという問題があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、従来における前記問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、非破壊での記憶情報の解読が不可能であり、製造後でも情報を書込乃至消去可能であり、偽造防止用として各種機器等に好適な認証回路、偽造防止能に優れ、システムＬＳＩ等に好適な半導体素子及び偽造を防止しつつ所定の機能を発現可能な該半導体素子の使用方法、並びに、偽造防止能に優れ、スマートカード等に好適なＩＣカード及び偽造を防止しつつ所定の機能を発現可能な該ＩＣカードの使用方法、を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するための手段は、後述の（付記１）〜（付記２６）として記載した通りである。
前記付記１及び２に記載の認証回路は、キュリー温度が互いに異なる強誘電体を少なくとも２種有してなり、前記付記３及び４に記載の認証回路は、ｎ種有してなる。該強誘電体は、残留分極による電荷保持特性を示すので、不揮発性メモリとして機能し、該強誘電体には、半導体素子等に所定の機能を発現させるための秘密情報としての認証信号が記憶されている。該認証回路における強誘電体のうち、一の強誘電体のキュリー温度以上で、かつ他の強誘電体のキュリー温度未満の温度下に、該認証回路が保持されると、該一の強誘電体に記憶された認証信号が消去される。該認証回路における強誘電体のうち、他の強誘電体のキュリー温度以上の温度下に、該認証回路が保持されると、該他の強誘電体に記憶された認証信号が消去される。このため、該認証回路を常温下に保持し、作動させて、前記一の強誘電体から認証信号を前記他の強誘電体に出力した後で、該一の強誘電体に記憶された記憶情報を消去し、次に、前記他の強誘電体から認証信号を半導体素子等に出力して該半導体素子等に所定の機能を発現させた後で、該他の強誘電体に記憶された記憶情報を消去すると、第三者は、該認証回路に記憶されていた半導体素子等の出力信号を非破壊で再発信することはできない。即ち、第三者は、該認証回路に備えられていた２種以上（ｎ種）の強誘電体のキュリー温度に対応した所定の温度パターンを該認証回路に付与しない限り、該認証回路に記憶されていた正規の認証信号を半導体素子等に出力することができず、該正規の認証信号を半導体素子等に出力しようとするならば、該認証回路を破壊し、そこに備えられた２種以上（ｎ種）の強誘電体のキュリー温度を調べるしかない。このため、該認証回路においては、そこに備えられた強誘電体の数だけ認証信号が存在し、この複数の認証信号は、２種以上（ｎ種）の該強誘電体のキュリー温度に対応した所定の温度パターンが付与された時にのみ正規のものが順次出力されることになるので、偽造防止能に極めて優れる。また、該認証回路においては、前記強誘電体そのものの性質を利用しているため、該認証回路を備えた半導体素子、ＩＣカード等を製造した後であっても、情報を記憶領域に書込又は消去することが可能である。
【０００５】
前記付記５に記載の認証回路は、前記付記３又は４において、ｎ種の強誘電体が２種以上の元素で形成され、各強誘電体毎に元素組成が互いに異なるので、前記付記１０又は１１におけるように、該ｎ種の強誘電体を同じ元素組成を有するもの用い、ＭＯＣＶＤ法等の気相成膜法等を利用して、該元素組成における少なくとも１種の元素を堆積又は注入することにより形成することができ、製造効率に優れ、また、該強誘電体のキュリー温度の制御が容易である。前記付記６に記載の認証回路は、前記付記５において、２種以上の元素が、Ｎａ、Ｋ、Ｂａ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｏ、Ｐｂ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｌａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｔｌ、Ｂｉ、希土類元素、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｆｅ、Ｃｏ及びＣｒから選択され、前記付記７に記載の認証回路は、ｎ種の強誘電体が、Ｐｂ（Ｚｒ１−ｘ Ｔｉｘ）Ｏ３ (ただし、０＜ｘ＜１)、で表される元素組成を有し、該元素組成におけるｘ値が、各誘電体毎にそれぞれ異なり、前記付記８及び９では、該強誘電体が更に他の所定の元素を含有してなるので、製造効率に優れ、また、該強誘電体のキュリー温度の制御が容易である。
【０００６】
前記付記１２に記載の認証回路は、強誘電体を２以上有してなる。該強誘電体は、残留分極による電荷保持特性を示すので、不揮発性メモリとして機能し、該強誘電体には、半導体素子等に所定の機能を発現させるための秘密情報としての認証信号が記憶されている。該認証回路における強誘電体のうち、一の強誘電体のみが熱刺激付与手段（例えば、発熱素子、冷却素子等）により加熱又は冷却され、あるいは、他の誘電体が加熱又は冷却され、前記一の強誘電体のみが一定温度に保持され、該一の強誘電体又は該他の強誘電体がキュリー温度以上で、かつそれとは異なる強誘電体のキュリー温度未満の温度下に、該認証回路が保持されると、該一の強誘電体又は該他の強誘電体に記憶された認証信号が消去される。このため、該認証回路を所定温度下に保持し、作動させて、該一の強誘電体又は該他の強誘電体から認証信号をそれとは異なる強誘電体に出力した後で、該一の強誘電体又は該他の強誘電体に記憶された記憶情報を消去し、次に、それとは異なる強誘電体から認証信号を半導体素子等に出力して該半導体素子等に所定の機能を発現させた後で、該一の強誘電体又は該他の強誘電体に記憶された記憶情報を消去すると、第三者は、該認証回路に記憶されていた半導体素子等の出力信号を非破壊で再発信することはできない。
【０００７】
前記付記１３に記載の半導体装置は、前記付記１から１２のいずれかに記載の認証回路を少なくとも備えてなる。該半導体装置に所定の機能を発現させるための認証信号は、該認証回路に備えられた強誘電体に記憶されている。該認証回路においては、該強誘電体が複数備えられており、該強誘電体の数だけ認証信号が存在し、この複数の認証信号は、２種以上（ｎ種）の該強誘電体のキュリー温度に対応した所定の温度パターンが付与された時にのみ初めて正規のものが順次出力されることになるので、該半導体装置は、偽造防止能に極めて優れる。前記付記１４に記載の半導体装置は、基板上に強誘電体を、該基板面に対し水平方向及び該基板面に対し交差方向の少なくともいずれかに備えてなり、平面型キャパシタ又は垂直型キャパシタとして機能し得る。
【０００８】
前記付記１５に記載のＩＣカードは、前記付記１から１２のいずれかに記載の認証回路を少なくとも備えてなる。該ＩＣカードに所定の機能を発現させるための認証信号は、該認証回路に備えられた強誘電体に記憶されている。該認証回路においては、該強誘電体が複数備えられており、該強誘電体の数だけ認証信号が存在し、この複数の認証信号は、２種以上（ｎ種）の該強誘電体のキュリー温度に対応した所定の温度パターンが付与された時にのみ初めて正規のものが順次出力されることになるので、該ＩＣカードは、偽造防止能に極めて優れる。
【０００９】
前記付記１６から２１のいずれかに記載の半導体素子の使用方法においては、前記付記１３又は１４に記載の半導体装置に対し所定の温度パターンの温度履歴を与える。すると、該半導体装置に備えられた認証回路における強誘電体に記憶された認証信号が順次消去され、該半導体装置の所定の機能が発現される。
前記付記２２に記載の半導体素子の使用方法においては、前記付記１２に記載の認証回路を備えた半導体素子に対し、一部の強誘電体にのみ所定の温度パターンの温度履歴を与える。すると、該半導体装置に備えられた認証回路における強誘電体に記憶された認証信号が順次消去され、該半導体装置の所定の機能が発現される。
【００１０】
前記付記２３から２８のいずれかに記載のＩＣカードの使用方法においては、前記付記１５に記載のＩＣカードに対し所定の温度パターンの温度履歴を与える。すると、該ＩＣカードに備えられた認証回路における強誘電体に記憶された認証信号が順次消去され、該ＩＣカードの所定の機能が発現される。
前記付記２９に記載のＩＣカードの使用方法においては、前記付記１２に記載の認証回路を備えたＩＣカードに対し、一部の強誘電体にのみ所定の温度パターンの温度履歴を与える。すると、該ＩＣカードに備えられた認証回路における強誘電体に記憶された認証信号が順次消去され、該ＩＣカードの所定の機能が発現される。
【００１１】
【発明の実施の形態】
（認証回路）
本発明の認証回路の第一の態様は、キュリー温度の異なる少なくとも２種の強誘電体を有してなり、必要に応じて適宜選択したその他の部材等を有してなる。また、本発明の認証回路の第二の態様は、残留分極による電荷保持特性を示す強誘電体を２以上有してなり、一の強誘電体が熱刺激付与手段の近傍に配置され、該熱刺激付与手段により独立に加熱又は冷却可能である。
【００１２】
−強誘電体−
前記強誘電体としては、残留分極による電荷保持特性を示し、不揮発性メモリとして機能し得るものであれば特に制限はなく、目的に応じて公知のものの中から適宜選択することができ、例えば、２種以上の元素で形成されたものなどが好適に挙げられる。
【００１３】
前記強誘電体の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、Ｎａ、Ｋ、Ｂａ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｏ、Ｐｂ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｌａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｔｌ、Ｂｉ、希土類元素、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｒ等から選択される２種以上の元素からなるものなどが挙げられる。
これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００１４】
前記強誘電体の材料の具体例としては、鉛系強誘電材料、ビスマス系強誘電材料、などが挙げられる。
前記鉛系強誘電材料としては、例えば、ＰＺＴ（Ｐｂ（ＺｒｘＴｉ１−ｘ）Ｏ３）、ＰＬＺＴ（ＰｂｙＬａ１−ｙＺｒｘＴｉ１−ｘＯ３）、などが好適に挙げられる。
前記ビスマス系強誘電材料としては、例えば、ＳＢＴ（ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９）、などが好適に挙げられる。
これらの強誘電体の材料は、Ｌａ、Ｃａ及びＳｒから選択される少なくとも１種の元素を含んでいてもよく、更にＴｌ、Ｂｉ、希土類元素、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｆｅ、Ｃｏ及びＣｒから選択される少なくとも１種の元素を含んでいてもよい。前記強誘電体がこれらの元素を含有させると、該強誘電体のキュリー温度を所望の値に変化乃至調整することができる。
【００１５】
前記強誘電体は、ある温度以上に加熱されると前記残留分極が消滅し、常誘電体となり、逆にある温度以下に下げると再び強誘電体となる性質を有している。該強誘電体における該温度は、「キュリー温度」と呼ばれる。該キュリー温度よりも高い温度では、該強誘電体のドメイン及びこれにより生じた電界が消滅するため、該強誘電体は常誘電体となる。
【００１６】
前記キュリー温度の例としては、ＰＺＴを構成する強誘電体の１種であるＰｂＺｒＯ３は２３０℃であり、ＰｂＴｉＯ３は４９０℃であり、ＮａＮｂＯ３は３６５℃であり、ＫＮｂＯ３は４１８℃であり、ＮａＴａＯ３は４８０℃であり、ＣａＴｉＯ３は−２２３〜−２１３℃であり、ＢａＴｉＯ３は１３０℃であり、ＰｂＴｉＯ３は４９０℃であり、ＰｂＺｒＯ３は２３０℃であり、ＰｂＨｆＯ３は１６３℃であり、ＣｄＨｆＯ３は５８５℃であり、ＢｉＦｅＯ３は８５０℃である。
【００１７】
本発明の認証回路においては、２種以上の前記強誘電体を、２種以上の元素で形成する場合、各強誘電体毎に元素組成が異なるようにして設計してもよく、例えば、２種以上の前記強誘電体が、Ｐｂ（Ｚｒ１−ｘ Ｔｉｘ）Ｏ３ (ただし、０＜ｘ＜１)、で表される元素組成を有する場合、該元素組成におけるｘの値が各誘電体毎にそれぞれ異なるように設計してもよい。
【００１８】
このような２種以上の前記強誘電体は、例えば、同一の元素組成を有するものに対し、該元素組成を構成する元素を堆積又は注入して該元素組成を変化させることにより得ることができる。この場合、該強誘電体を、ＭＯＣＶＤ法等の気相成膜法等を利用して形成することができるので、異なるキュリー温度を有する２種以上の強誘電体の形成が容易である。
【００１９】
図１に示すように、例えば、ＰＺＴ（Ｐｂ（ＺｒｘＴｉ１−ｘ）Ｏ３）におけるＴｉの含有量を変化させることにより、該ＰＺＴ（Ｐｂ（ＺｒｘＴｉ１−ｘ）Ｏ３）の前記キュリー温度が変化し、異なるキュリー温度を有する２種以上の前記強誘電体が得られる。該ＰＺＴ（Ｐｂ（ＺｒｘＴｉ１−ｘ）Ｏ３）の場合、Ｔｉの含有量を変化させることにより、前記キュリー温度は、２３０℃から４９０℃まで変化する。
【００２０】
ここで、前記強誘電体における元素組成の変化と前記キュリー温度の変化との関係を示すグラフを例示すると、例えば、ＰＬＺＴについては図２及び図３に示す通りであり、ＰｂＴｉＯ３・ｘＳｒＴｉＯ３・ｙＬａＭｎＯ３については図４に示す通りであり、（１−ｘ）Ｐｂ（Ｔｉ１−ｘＺｒｙ）Ｏ３・ｘＢｉＦｅＯ３については図５に示す通りであり、（Ｐｂ０．９７Ｌａ０．０２）（Ｚｒ０．９２Ｔｉ０．０８）Ｏ３については図６に示す通りであり、（Ｐｂ１−ｘＳｒｘ）（Ｔｉ１−ｙＺｒｙ）Ｏ３については図７に示す通りである。
【００２１】
前記強誘電体の前記認証回路における配置箇所としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、その一部に設けされていてもよいし（前記第二の態様）、あるいは全部に設けられていてもよい。前者において該強誘電体に記憶された情報を消去する場合には、該認証回路の一部、即ち該強誘電体が配置された箇所のみを加熱して常誘電体にすればよく、後者において該強誘電体に記憶された情報を消去する場合には、該認証回路の全部を加熱して常誘電体にすればよい。なお、前記認証回路の一部、即ち前記強誘電体が配置された箇所のみを加熱する方法としては、例えば、図９に示すように、上部電極及び下部電極に挟まれた強誘電体（図９ではＰＺＴ（Ａ））において該上部電極上に発熱素子（ヒーター）を装備させることができる。
【００２２】
前記強誘電体は、極性の異なる２つの残留分極特性を有するので、２つの方向の内の一方向に分極可能であり、分極方向を区別することにより、一方向の分極に対応する”１”、及び他方向の分極に対応する”０”、の情報を記憶することが可能であり、電源をオフにしても分極が維持されるので、データが保持され、不揮発性を示す。
なお、前記強誘電体における分極の方向は、例えば、該認証回路が半導体素子等に使用される場合には、キャパシタ前後の分極を切り換えるのに十分な電位を与えること等により感知することができる。
【００２３】
本発明の認証回路は、各種分野の機器乃至装置等に好適に使用することができ、例えば、システムＬＳＩ等の半導体素子乃至半導体装置、スマートカード等のＩＣカード、などの偽造防止の必要のある装置等に特に好適に使用することができる。本発明の認証回路を、半導体素子、ＩＣカード等に使用した場合、該認証回路においては、そこに備えられた強誘電体の数だけ認証信号が存在し、この複数の認証信号は、２種以上（ｎ種）の該強誘電体のキュリー温度に対応した所定の温度パターンが付与された時にのみ正規のものが順次出力されることになるので、偽造防止能に極めて優れる。また、該認証回路においては、前記強誘電体そのものの性質を利用しているため、該認証回路を備えた半導体素子、ＩＣカード等を製造した後であっても、情報を記憶領域に書込又は消去することが可能である。
【００２４】
なお、前記認証回路における前記強誘電体に記憶された情報の入出力の方法としては、特に制限はなく、公知の方法の中から適宜選択することができ、例えば、特開平１１−１９１１４９号公報等に記載されているように、強誘電体に記憶された認証データ生成アルゴリズムに基づいて、所定の条件下で該強誘電体が認証信号を生成し出力するようにしてもよい。
【００２５】
（半導体素子及びその使用方法並びにＩＣカード及びその使用方法）
本発明の半導体素子は、本発明の前記認証回路を有してなること以外は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択した部材等、例えば、ＲＯＭ、ＣＰＵ等を有してなる。
本発明のＩＣカードは、本発明の前記認証回路を有してなること以外は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択した部材等、例えば、ＲＯＭ等を有してなる。
本発明の半導体素子又はＩＣカードの使用方法においては、例えば、該半導体素子又はＩＣカードを、例えば、常温下で駆動させ、該認証回路における強誘電体のうち、一の強誘電体に記憶された認証信号を該一の強誘電体から認証信号を出力させる。その後、該半導体素子又はＩＣカードを、該一の強誘電体のキュリー温度以上で、かつ他の強誘電体のキュリー温度未満の温度下に、該認証回路が保持させる。すると、該一の強誘電体に記憶された認証信号が消去される。その後、該認証回路における強誘電体のうち、前記他の強誘電体のキュリー温度以上の温度下に、該認証回路が保持させる。すると、該他の強誘電体に記憶された認証信号が消去される。このため、該半導体素子又はＩＣカードを、該認証回路を常温下に保持し、作動させて、前記一の強誘電体から認証信号を前記他の強誘電体に出力した後で、該一の強誘電体に記憶された記憶情報を消去し、次に、前記他の強誘電体から認証信号を出力して該半導体素子又はＩＣカードに所定の機能を発現させた後で、該他の強誘電体に記憶された記憶情報を消去すると、第三者は、該認証回路に記憶されていた半導体素子又はＩＣカードの出力信号を非破壊で再発信することはできない。即ち、第三者は、該認証回路に備えられていた２種以上（ｎ種）の強誘電体のキュリー温度に対応した所定の温度パターンを該認証回路に付与しない限り、該認証回路に記憶されていた正規の認証信号を該半導体素子又はＩＣカードに出力することができず、該正規の認証信号を半導体素子又はＩＣカードに出力しようとするならば、該認証回路を破壊し、そこに備えられた２種以上（ｎ種）の強誘電体のキュリー温度を調べるしかない。このため、該半導体素子又はＩＣカードにおいては、２種以上（ｎ種）の該強誘電体のキュリー温度に対応した所定の温度パターンが付与された時にのみ正規の認証信号が順次生成され出力されるので、偽造防止能に極めて優れる。また、該半導体素子又はＩＣカードにおいては、前記強誘電体そのものの性質を利用しているため、製造後であっても情報を書込又は消去することが可能である。
【００２６】
【実施例】
以下、本発明の実施例を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。
【００２７】
（実施例１）
図８は、本発明の認証回路に使用した半導体素子のキャパシタ部分の一例を示す概略説明図である。該キャパシタ部分においては、上部電極と下部電極とに挟まれた強誘電体としてＰＺＴを用いた。該ＰＺＴとして、キュリー温度が互いに異なるＰＺＴ（Ａ）とＰＺＴ（Ｂ）とを用いた。
前記ＰＺＴ（Ａ）の組成は、Ｐｂ（Ｚｒ０．４０Ｔｉ０．６０）Ｏ３であり、前記ＰＺＴ（Ｂ）の組成は、Ｐｂ（Ｚｒ０．３０Ｔｉ０．７０）Ｏ３である。図１に示すように、キュリー温度（以下「Ｔｃ」と略記する）は、ＰＺＴ（Ａ）のよりもＰＺＴ（Ｂ）の方が高い。前記ＰＺＴのＴｃにおけるＴｉ組成依存性は、正確に判明しているわけではないので、ここでは線型に増加していると仮定すると、ＰＺＴ（Ａ）のＴｃは３１３℃であり、ＰＺＴ（Ｂ）のＴｃは３３４℃である。
このように、キュリー温度が互いに異なる２種（ＰＺＴ（Ａ）及びＰＺＴ（Ｂ））で形成された強誘電体を有するキャパシタ部分を作製した。
【００２８】
ここで、図８に示すキャパシタ部分を有する半導体素子の全体の温度を３１４℃に昇温すると、前記ＰＺＴ（Ａ）で形成された強誘電体は、そのＴｃ以上の温度になるので常誘電体に変化し、メモリ維持のための電源を切断すると、該ＰＺＴ（Ａ）に記憶された情報を保持できなくなる。一方、前記ＰＺＴ（Ｂ）で形成された強誘電体は、この温度条件下では強誘電体のままであるので、メモリ維持のための電源を切断しても、該ＰＺＴ（Ｂ）に記憶された情報は保持可能できる。
【００２９】
該キャパシタ部分を有する半導体素子に関し、セキュリティを保持するためには、以下のように使用すればよい。即ち、まず、（１）強誘電体（ＰＺＴ（Ａ））のＴｃを「Ｔ１」とし、強誘電体（ＰＺＴ（Ｂ））のＴｃを「Ｔ２」とした時（ただし、Ｔ１＜Ｔ２、Ｔ１＝３１３℃、Ｔ２＝３３４℃）、該キャパシタ部分を有する半導体素子の温度Ｔを初めは２５℃に保持することによって、該半導体素子の全体を不揮発性記憶素子として動作させる。次に、（２）該半導体素子の全体を駆動させるスイッチ回路を動作させるための１次認証信号を強誘電体（ＰＺＴ（Ａ））における記憶領域に書込む。次に、（３）予め登録されている暗号乃至暗号アルゴリズム等と該１次認証信号とを比較し、該１次認証信号が真であれば、該半導体素子の全体を動作させ、該１次認証信号が偽であれば、該半導体素子を動作させない。そして、（４）該半導体素子の全体の動作を有効にさせる場合は、前記１次認証信号を基に暗号化アルゴリズム等の処理を行うことによって新たに２次認証信号を生成し、強誘電体（ＰＺＴ（Ｂ））における記憶領域に前記２次認証信号を記憶させる。次に、（５）該半導体素子の温度をヒーター等を用いて３１４℃に昇温し保持することにより、該１次認証信号を消去する。その後、（６）該半導体素子の温度を通常使用温度の２５℃に降温する。この場合、前記１次認証信号は消去されたままである。そして、（７）該半導体素子が正当であることは、前記２次認証信号から認証できるので該半導体素子の動作が可能となる。
【００３０】
該キャパシタ部分を有する半導体素子においては、認証を行うために不可欠な１次認証信号は既に消去されており、前記２次認証信号から前記１次認証信号を復号することは、通常は不可能である。このため、該半導体素子を再使用に供するには、該半導体素子を初期状態に戻してから上記（１）から（７）の操作を行い、再度正規の１次認証信号を入力しない限り不可能である。該半導体素子における前記認証回路においては、強誘電体の材料に固有のキュリー温度を利用して情報の消去等を行うので（強誘電体の材料が有する固有の物性に基づくセキュリティなので）、第三者が該半導体素子を勝手に動作させることは不可能であり、該半導体素子は偽造防止能に優れる。
【００３１】
（実施例２）
実施例１において、キュリー温度が互いに異なる強誘電体として、Ｆｅｒｒｏ（Ａ）及びＦｅｒｒｏ（Ｂ）を使用した以外は実施例１と同様にして半導体素子におけるキャパシタ部分を作製した。前記Ｆｅｒｒｏ（Ａ）の組成は、ＣａＴｉＯ３（キュリー温度Ｔ２＝−２２３℃〜−２１３℃）であり、前記Ｆｅｒｒｏ（Ｂ）の組成は、Ｐｂ（Ｚｒ０．４０Ｔｉ０．６０）Ｏ３（キュリー温度Ｔ１＝３１３℃）である。
【００３２】
該キャパシタ部分を有する半導体素子に関し、セキュリティを保持するためには、以下のように使用すればよい。即ち、まず、（１）該キャパシタ部分を有する半導体素子の温度Ｔを、クーラー等の冷却機等を用いて初めは−２２５℃に降温し冷却状態で保持することによって、該半導体素子の全体を不揮発性記憶素子として動作させる。次に、（２）該半導体素子の全体を駆動させるスイッチ回路を動作させるための１次認証信号を強誘電体（Ｆｅｒｒｏ（Ａ））における記憶領域に書込む。次に、（３）予め登録されている暗号乃至暗号アルゴリズム等と該１次認証信号とを比較し、該１次認証信号が真であれば、該半導体素子の全体を動作させ、該１次認証信号が偽であれば、該半導体素子を動作させない。そして、（４）該半導体素子の全体の動作を有効にさせる場合は、前記１次認証信号を基に暗号化アルゴリズム等の処理を行うことによって新たに２次認証信号を生成し、強誘電体（Ｆｅｒｒｏ（Ｂ））における記憶領域に前記２次認証信号を記憶させる。次に、（５）該半導体素子の温度を、ヒーター等を用いて２５℃に昇温し保持することにより、該１次認証信号を消去する。（６）該半導体素子の通常使用温度である２５℃では、前記１次認証信号は消去されたままである。そして、（７）該半導体素子が正当であることは、前記２次認証信号から認証できるので該半導体素子の動作が可能となる。
【００３３】
該キャパシタ部分を有する半導体素子においては、認証を行うために不可欠な１次認証信号は既に消去されており、前記２次認証信号から前記１次認証信号を復号することは、通常は不可能である。このため、該半導体素子を再使用に供するには、該半導体素子を初期状態に戻してから上記（１）から（７）の操作を行い、再度正規の１次認証信号を入力しない限り不可能である。該半導体素子における前記認証回路においては、強誘電体の材料に固有のキュリー温度を利用して情報の消去等を行うので（強誘電体の材料が有する固有の物性に基づくセキュリティなので）、第三者が該半導体素子を勝手に動作させることは不可能であり、該半導体素子は偽造防止能に優れる。
【００３４】
（実施例３）
実施例１において、キュリー温度が互いに異なる強誘電体として、組成が、Ｐｂ（Ｚｒ０．４０Ｔｉ０．６０）Ｏ３であり、Ｔｃが３８６℃であるＰＺＴ（Ａ）を用い、２つの該強誘電体の内の一方のみに、図９に示すように発熱素子（抵抗体など、前記熱刺激付与手段に相当）を設けた以外は、実施例１と同様にして、図９に示すような、ＩＣカードにおけるキャパシタ部分を作製した。
【００３５】
該キャパシタ部分を有するＩＣカードに関し、セキュリティを保持するためには、以下のように使用すればよい。即ち、まず、（１）該キャパシタ部分を有するＩＣカードの温度Ｔを初めは２５℃に保持することによって、該ＩＣカードの全体を不揮発性記憶素子として動作させる。次に、（２）該ＩＣカードの全体を駆動させるスイッチ回路を動作させるための１次認証信号（例えば暗証）を、発熱素子が設けられた強誘電体（ＰＺＴ（Ａ））における記憶領域に書込む。次に、（３）予め登録されている暗号乃至暗号アルゴリズム等と該１次認証信号（例えば暗証）とを比較し、該１次認証信号（例えば暗証）が真であれば、該ＩＣカードの全体を動作させ、該１次認証信号（例えば暗証）が偽であれば、該ＩＣカードを動作させない。そして、（４）該ＩＣカードの全体の動作を有効にさせる場合は、前記１次認証信号（例えば暗証）を基に暗号化アルゴリズム等の処理を行うことによって新たに２次認証信号を生成し、発熱素子が設けられていない強誘電体（ＰＺＴ（Ａ））における記憶領域に前記２次認証信号を記憶させる。次に、（５）該発熱素子の温度を用いて３９０℃に昇温し保持することにより、該１次認証信号を消去する。その後、（６）該発熱素子の温度を通常使用温度の２５℃に降温する。この場合、前記１次認証信号（例えば暗証）は消去されたままである。そして、（７）該ＩＣカードが正当であることは、前記２次認証信号から認証できるので該ＩＣカードの動作が可能となる。
【００３６】
該キャパシタ部分を有するＩＣカードにおいては、認証を行うために不可欠な１次認証信号（例えば暗証）は既に消去されており、前記２次認証信号から前記１次認証信号を復号することは、通常は不可能である。このため、該ＩＣカードを再使用に供するには、該ＩＣカードを初期状態に戻してから上記（１）から（７）の操作を行い、再度正規の１次認証信号（例えば暗証）を入力しない限り不可能である。該ＩＣカードにおける前記認証回路においては、強誘電体の材料に固有のキュリー温度を利用して情報の消去等を行うので（強誘電体の材料が有する固有の物性に基づくセキュリティなので）、第三者が該ＩＣカードを勝手に動作させることは不可能であり、該ＩＣカードは偽造防止能に優れる。なお、１次認証信号（例えば暗証）が消去された場合においても、前記発熱素子が設けられていないメモリ素子に記憶されたデータ（情報）は消失しないので、それまでに記憶された、金銭情報、個人情報等は保持される。
【００３７】
（実施例４）
実施例１において、キュリー温度が互いに異なる強誘電体として、ＰＺＴ（Ａ）、ＰＺＴ（Ｂ）及びＰＺＴ（Ｃ）を使用した以外は実施例１と同様にして、図１０に示すような、ＩＣカードにおけるキャパシタ部分を作製した。前記ＰＺＴ（Ａ）の組成は、Ｐｂ（Ｚｒ０．４０Ｔｉ０．６０）Ｏ３（キュリー温度Ｔ１＝３１３℃、図１参照）であり、前記ＰＺＴ（Ｂ）の組成は、Ｐｂ（Ｚｒ０．３０Ｔｉ０．７０）Ｏ３（キュリー温度Ｔ２＝３３４℃、図１参照）であり、前記ＰＺＴ（Ｃ）の組成は、Ｐｂ（Ｚｒ０．２０Ｔｉ０．８０）Ｏ３（キュリー温度Ｔ３＝３７９℃、図１参照）である。
【００３８】
ここで、図１０に示す、キュリー温度が互いに異なる３種の強誘電体を備えたＩＣカードの全体の温度を３１４℃に昇温すると、前記ＰＺＴ（Ａ）で形成された強誘電体は、そのＴｃ以上の温度になるので常誘電体に変化し、メモリ維持のための電源を切断すると、該ＰＺＴ（Ａ）に記憶された情報を保持できなくなる。一方、前記ＰＺＴ（Ｂ）及びＰＺＴ（Ｃ）で形成された強誘電体は、この温度条件下では強誘電体のままであるので、メモリ維持のための電源を切断しても、該ＰＺＴ（Ｂ）及びＰＺＴ（Ｃ）に記憶された情報は保持可能できる。
【００３９】
該ＩＣカードに関し、セキュリティを保持するためには、以下のように使用すればよい。即ち、まず、（１）強誘電体（ＰＺＴ（Ａ））のＴｃを「Ｔ１」とし、強誘電体（ＰＺＴ（Ｂ））のＴｃを「Ｔ２」とした時（ただし、Ｔ１＜Ｔ２、Ｔ１＝３１３℃、Ｔ２＝３３４℃）、該ＩＣカードの温度Ｔを初めは２５℃に保持することによって、該ＩＣカードの全体を不揮発性記憶素子として動作させる。次に、（２）該ＩＣカードの全体を駆動させるスイッチ回路を動作させるための１次認証信号（例えば暗証）を強誘電体（ＰＺＴ（Ａ））における記憶領域に書込む。次に、（３）予め登録されている暗号乃至暗号アルゴリズム等と該１次認証信号（例えば暗証）とを比較し、該１次認証信号（例えば暗証）が真であれば、該ＩＣカードの全体を動作させ、該１次認証信号（例えば暗証）が偽であれば、該ＩＣカードを動作させない。そして、（４）該ＩＣカードの全体の動作を有効にさせる場合は、前記１次認証信号（例えば暗証）を基に暗号化アルゴリズム等の処理を行うことによって新たに２次認証信号を生成し、強誘電体（ＰＺＴ（Ｂ））における記憶領域に前記２次認証信号を記憶させる。次に、（５）該ＩＣカードの温度をヒーター等を用いて３１４℃に昇温し保持することにより、該１次認証信号（例えば暗証）を消去する。その後、（６）該ＩＣカードの温度を通常使用温度の２５℃に降温する。この場合、前記１次認証信号（例えば暗証）は消去されたままである。そして、（７）該ＩＣカードが正当であることは、前記２次認証信号から認証できるので該ＩＣカードの動作が可能となる。次に、（８）前記２次認証信号を基に暗号化アルゴリズム等の処理を行うことによって新たに３次認証信号を生成し、強誘電体（ＰＺＴ（Ｃ））における記憶領域に前記３次認証信号を記憶させる。次に、（９）該ＩＣカードの温度をヒーター等を用いて３３５℃に昇温し保持することにより、該２次認証信号を消去する。その後、（１０）該ＩＣカードの温度を通常使用温度の２５℃に降温する。この場合、前記１次認証信号及び前記２次認証信号は消去されたままである。そして、（１１）該ＩＣカードが正当であることは、前記３次認証信号から認証できるので該ＩＣカードの動作が可能となる。
【００４０】
該ＩＣカードにおいては、図１１に示すような、（１）２５℃、（２）３１４℃、（３）２５℃、（４）３３５℃、（５）２５℃の順で温度履歴を与えており、この温度パターンの温度履歴を与えることによって、該ＩＣカードに所定の機能を発現させるために必要な１次認証信号、２次認証信号及び３次認証信号を順次生成し、入出力することができる（図１２の「０」から「５」参照）。そして、該ＩＣカードにこの温度履歴を与えた場合には、認証を行うために不可欠な前記１次認証信号及び前記２次認証信号は既に消去されているので、前記３次認証信号から前記１次認証信号及び前記２次認証信号を復号することは、通常は不可能である。このため、該ＩＣカードを再使用に供するには、該ＩＣカードを初期状態に戻してから上記（１）から（１１）の操作を行い、再度正規の１次認証信号及び２次認証信号を入力しない限り不可能である。該ＩＣカードにおける前記認証回路においては、用いた３種の強誘電体の材料に固有のキュリー温度を利用して情報の消去等を行うので（強誘電体の材料が有する固有の物性に基づくセキュリティなので）、第三者が該ＩＣカードを勝手に動作させることは不可能であり、該ＩＣカードは偽造防止能に優れる。
【００４１】
ここで、本発明の好ましい態様を付記すると、以下の通りである。
（付記１）  残留分極による電荷保持特性を示す強誘電体のうち、異なるキュリー温度を有する少なくとも２種を有してなり、一の強誘電体のキュリー温度以上で、かつ他の強誘電体のキュリー温度未満の温度下に保持されると、該一の強誘電体に記憶された認証信号が消去されることを特徴とする認証回路。
（付記２）  一の強誘電体が１次認証信号を出力可能であり、他の強誘電体が１次認証信号を入力すると２次認証信号を出力可能である付記１に記載の認証回路。
（付記３）  残留分極による電荷保持特性を示す強誘電体のうち、異なるキュリー温度を有するｎ（ｎ≧２）種を有してなり、各強誘電体のキュリー温度を低い方から順に、Ｔ１、Ｔ２、・・・、Ｔｎ−１、Ｔｎ、とした時、Ｔ１以上Ｔ２未満の温度、Ｔ２以上Ｔ３未満の温度、・・・、Ｔｎ−１以上Ｔｎ未満の温度、Ｔｎ以上の温度、に順次保持されると、保持された温度よりも低い、キュリー温度を有する前記強誘電体に記憶された認証信号が消去される付記１又は２に記載の認証回路。
（付記４）  ｎ種の強誘電体のうち、キュリー温度が、Ｔ１であるものを強誘電体１、Ｔ２であるものを強誘電体２、・・・、Ｔｎ−１であるものを強誘電体ｎ−１、Ｔｎであるものを強誘電体ｎ、とした時、前記強誘電体１が１次認証信号を出力可能であり、前記強誘電体２が１次認証信号を入力すると２次認証信号を出力可能であり、・・・、前記強誘電体ｎ−１がｎ−２次認証信号を入力するとｎ−１次認証信号を出力可能であり、前記強誘電体ｎがｎ−１認証信号を入力するとｎ次認証信号を出力可能である付記３に記載の認証回路。
（付記５）  ｎ種の強誘電体が２種以上の元素で形成され、各強誘電体毎に元素組成が異なる付記３又は４に記載の認証回路。
（付記６）  ２種以上の元素が、Ｎａ、Ｋ、Ｂａ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｏ、Ｐｂ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｌａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｔｌ、Ｂｉ、希土類元素、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｆｅ、Ｃｏ及びＣｒから選択される付記５に記載の認証回路。
（付記７）  ｎ種の強誘電体が、Ｐｂ（Ｚｒ１−ｘ Ｔｉｘ）Ｏ３ (ただし、０＜ｘ＜１)、で表される元素組成を有し、該元素組成におけるｘの値が、各誘電体毎に異なる付記３から６のいずれかに記載の認証回路。
（付記８）  ｎ種の強誘電体のうちの少なくとも１つが、Ｐｂ（Ｚｒ１−ｘ Ｔｉｘ）Ｏ３ (ただし、０＜ｘ＜１)、で表される元素組成を有し、かつ該強誘電体がＬａ、Ｃａ及びＳｒから選択される少なくとも１種の元素を含む付記３から７のいずれかに記載の認証回路。
（付記９）  強誘電体が、更にＴｌ、Ｂｉ、希土類元素、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｆｅ、Ｃｏ及びＣｒから選択される少なくとも１種の元素を含む付記８に記載の認証回路。
（付記１０）  ｎ種の強誘電体が、それぞれ、同一の元素組成を有するものに対し元素を堆積させてなり、それぞれ互いに異なる元素組成を有する付記５から９のいずれかに記載の認証回路。
（付記１１）  ｎ種の強誘電体が、それぞれ、同一の元素組成を有するものに対し元素を注入させてなり、それぞれ互いに異なる元素組成を有する付記５から９のいずれかに記載の認証回路。
（付記１２）  残留分極による電荷保持特性を示す強誘電体を２以上有してなり、一の強誘電体が熱刺激付与手段の近傍に配置され、該熱刺激付与手段により独立に加熱又は冷却可能であることを特徴とする認証回路。
（付記１３）  付記１から１２のいずれかに記載の認証回路を少なくとも備えたことを特徴とする半導体装置。
（付記１４）  基板上に強誘電体を、該基板面に対し水平方向及び該基板面に対し交差方向の少なくともいずれかに備えた付記１３に記載の半導体装置。
（付記１５）  付記１から１２のいずれかに記載の認証回路を少なくとも備えたことを特徴とするＩＣカード。
（付記１６）  付記１３又は１４に記載の半導体装置の使用方法であって、所定の温度パターンの温度履歴を与えることによって、認証回路における強誘電体に記憶された認証信号を順次消去し、所定の機能を発現させることを特徴とする半導体素子の使用方法。
（付記１７）  認証回路における一の強誘電体のキュリー温度以上で、かつ他の強誘電体のキュリー温度未満の温度下に保持することにより、該一の強誘電体に記憶された認証信号を消去する付記１６に記載の半導体素子の使用方法。
（付記１８）  一の強誘電体から１次認証信号を出力させた後、該一の強誘電体のキュリー温度以上で、かつ他の強誘電体のキュリー温度未満の温度下に保持させ、該一の強誘電体に記憶された認証信号を消去し、その後、前記１次認証信号を入力した前記他の強誘電体から２次認証信号を出力させる付記１７に記載の半導体素子の使用方法。
（付記１９）  正規の１次認証信号を入力した場合にのみ他の強誘電体から２次認証信号を出力させる付記１８に記載の半導体素子の使用方法。
（付記２０）  ｎ種の強誘電体のキュリー温度を低い方から順に、Ｔ１、Ｔ２、・・・、Ｔｎ−１、Ｔｎ、とした時、半導体装置を、Ｔ１以上Ｔ２未満の温度、Ｔ２以上Ｔ３未満の温度、・・・、Ｔｎ−１以上Ｔｎ未満の温度、Ｔｎ以上の温度、に順次保持させ、保持させた温度よりも低い、キュリー温度を有する強誘電体に記憶された認証信号を消去する付記１７から１９のいずれかに記載の半導体素子の使用方法。
（付記２１）  ｎ種の強誘電体のうち、キュリー温度が、Ｔ１であるものを強誘電体１、Ｔ２であるものを強誘電体２、・・・、Ｔｎ−１であるものを強誘電体ｎ−１、Ｔｎであるものを強誘電体ｎ、とした時、
前記強誘電体１から１次認証信号を出力させた後、半導体装置を、該強誘電体１のキュリー温度以上で、かつ強誘電体２のキュリー温度未満の温度下に保持させ、該強誘電体１に記憶された１次認証信号を消去し、その後、前記１次認証信号を入力した前記強誘電体２から２次認証信号を出力させ、該半導体装置を、該強誘電体２のキュリー温度以上で、かつ強誘電体３のキュリー温度未満の温度下に保持させ、該強誘電体２に記憶された２次認証信号を消去し、その後、前記２次認証信号を入力した前記強誘電体３から３次認証信号を出力させ、・・・、ｎ−２次認証信号を入力した強誘電体ｎ−１からｎ−１次認証信号を出力させた後、該半導体装置を、該強誘電体ｎ−１のキュリー温度以上で、かつ強誘電体ｎのキュリー温度未満の温度下に保持させ、該強誘電体ｎ−１に記憶されたｎ−１次認証信号を消去し、その後、前記ｎ−１次認証信号を入力した前記強誘電体ｎからｎ次認証信号を出力させる付記２０に記載の半導体素子の使用方法。
（付記２２）  付記１２に記載の認証回路を備えた半導体装置の使用方法であって、熱刺激付与手段により一の強誘電体を独立に加熱又は冷却することによって、該一の強誘電体に記憶された認証信号を消去し、所定の機能を発現させることを特徴とする半導体素子の使用方法。
（付記２３）  付記１５に記載のＩＣカードの使用方法であって、所定の温度パターンの温度履歴を与えることによって、認証回路における強誘電体に記憶された認証信号を順次消去し、所定の機能を発現させることを特徴とするＩＣカードの使用方法。
（付記２４）  認証回路における一の強誘電体のキュリー温度以上で、かつ他の強誘電体のキュリー温度未満の温度下に保持することにより、該一の強誘電体に記憶された認証信号を消去する付記２３に記載のＩＣカードの使用方法。
（付記２５）  一の強誘電体から１次認証信号を出力させた後、該一の強誘電体のキュリー温度以上で、かつ他の強誘電体のキュリー温度未満の温度下に保持させ、該一の強誘電体に記憶された認証信号を消去し、その後、前記１次認証信号を入力した前記他の強誘電体から２次認証信号を出力させる付記２４に記載のＩＣカードの使用方法。
（付記２６）  正規の１次認証信号を入力した場合にのみ他の強誘電体から２次認証信号を出力させる付記２５に記載の半導体素子の使用方法。
（付記２７）  ｎ種の強誘電体のキュリー温度を低い方から順に、Ｔ１、Ｔ２、・・・、Ｔｎ−１、Ｔｎ、とした時、半導体装置を、Ｔ１以上Ｔ２未満の温度、Ｔ２以上Ｔ３未満の温度、・・・、Ｔｎ−１以上Ｔｎ未満の温度、Ｔｎ以上の温度、に順次保持させ、保持させた温度よりも低い、キュリー温度を有する強誘電体に記憶された認証信号を消去する付記２４から２６のいずれかに記載の半導体素子の使用方法。
（付記２８）  ｎ種の強誘電体のうち、キュリー温度が、Ｔ１であるものを強誘電体１、Ｔ２であるものを強誘電体２、・・・、Ｔｎ−１であるものを強誘電体ｎ−１、Ｔｎであるものを強誘電体ｎ、とした時、
前記強誘電体１から１次認証信号を出力させた後、半導体装置を、該強誘電体１のキュリー温度以上で、かつ強誘電体２のキュリー温度未満の温度下に保持させ、該強誘電体１に記憶された１次認証信号を消去し、その後、前記１次認証信号を入力した前記強誘電体２から２次認証信号を出力させ、該半導体装置を、該強誘電体２のキュリー温度以上で、かつ強誘電体３のキュリー温度未満の温度下に保持させ、該強誘電体２に記憶された２次認証信号を消去し、その後、前記２次認証信号を入力した前記強誘電体３から３次認証信号を出力させ、・・・、ｎ−２次認証信号を入力した強誘電体ｎ−１からｎ−１次認証信号を出力させた後、該半導体装置を、該強誘電体ｎ−１のキュリー温度以上で、かつ強誘電体ｎのキュリー温度未満の温度下に保持させ、該強誘電体ｎ−１に記憶されたｎ−１次認証信号を消去し、その後、前記ｎ−１次認証信号を入力した前記強誘電体ｎからｎ次認証信号を出力させる付記２７に記載のＩＣカードの使用方法。
（付記２９）  付記１２に記載の認証回路を備えたＩＣカードの使用方法であって、熱刺激付与手段により一の強誘電体を独立に加熱又は冷却することによって、該一の強誘電体に記憶された認証信号を消去し、所定の機能を発現させることを特徴とするＩＣカードの使用方法。
【００４２】
【発明の効果】
本発明によると、従来における前記問題を解決することができ、非破壊での記憶情報の解読が不可能であり、製造後でも情報の書込乃至消去可能であり、偽造防止用として各種機器等に好適な認証回路、偽造防止能に優れ、システムＬＳＩ等に好適な半導体素子及び偽造を防止しつつ所定の機能を発現可能な該半導体素子の使用方法、並びに、偽造防止能に優れ、スマートカード等に好適なＩＣカード及び偽造を防止しつつ所定の機能を発現可能な該ＩＣカードの使用方法、を提供することを目的とする。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、ＰＺＴ（Ｐｂ（ＺｒｘＴｉ１−ｘ）Ｏ３）におけるＴｉの含有量とキュリー温度との関係を示すグラフである。
【図２】図２は、ＰＬＺＴの元素組成とキュリー温度との関係を示すグラフである。
【図３】図３は、ＰＬＺＴの元素組成とキュリー温度との関係を示すグラフである。
【図４】図４は、ＰｂＴｉＯ３・ｘＳｒＴｉＯ３・ｙＬａＭｎＯ３の元素組成とキュリー温度との関係を示すグラフである。
【図５】図５は、（１−ｘ）Ｐｂ（Ｔｉ１−ｘＺｒｙ）Ｏ３・ｘＢｉＦｅＯ３の元素組成とキュリー温度との関係を示すグラフである。
【図６】図６は、（Ｐｂ０．９７Ｌａ０．０２）（Ｚｒ０．９２Ｔｉ０．０８）Ｏ３の元素組成とキュリー温度との関係を示すグラフである。
【図７】図７は、（Ｐｂ１−ｘＳｒｘ）（Ｔｉ１−ｙＺｒｙ）Ｏ３の元素組成とキュリー温度との関係を示すグラフである。
【図８】図８は、本発明の認証回路に使用した半導体素子のキャパシタ部分の一例（２種の強誘電体を使用）を示す概略説明図である。
【図９】図９は、本発明の認証回路に使用したＩＣカードのキャパシタ部分の一例（発熱素子を使用）を示す概略説明図である。
【図１０】図１０は、本発明の認証回路に使用したＩＣカードのキャパシタ部分の他の例（３種の強誘電体を使用）を示す概略説明図である。
【図１１】図１１は、図１０に示したＩＣカードに与えた温度履歴のパターンを示す図である。
【図１２】図１２は、図１０に示したＩＣカードにおける認証動作手順の概念図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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