(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
塩化ニッケルガスに還元ガスを接触させて気相化学反応を起こさせることによりＮｉ粉末を生成させるＮｉ粉末の製造装置であって、
塩化ニッケルガスを発生させる塩化ニッケルガス発生装置と、
この塩化ニッケルガス発生装置に接続され、該装置で発生する塩化ニッケルガスが導入されるマニフォールドと、
このマニフォールドに接続され、マニフォールドから塩化ニッケルガスが供給される複数の還元炉とを具備することを特徴とするＮｉ粉末の製造装置。
【請求項２】
前記塩化ニッケルガス発生装置は、塩化ニッケルを加熱蒸発させて塩化ニッケルガスを発生させることを特徴とする請求項１に記載のＮｉ粉末の製造装置。
【請求項３】
前記塩化ニッケルガス発生装置は、金属ニッケルに塩素ガスを反応させて塩化ニッケルガスを発生させることを特徴とする請求項１に記載のＮｉ粉末の製造装置。
【請求項４】
前記還元炉には、該還元炉内に前記マニフォールドから前記塩化ニッケルガスを吐出させるノズルが設けられ、該ノズルは、複数の塩化ニッケルガス吐出口を有していることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のＮｉ粉末の製造装置。
【請求項５】
前記ノズルには還元ガス吐出口が設けられ、この還元ガス吐出口の周囲に、該還元ガス吐出口に近接して前記複数の塩化ニッケルガス吐出口が配置されていることを特徴とする請求項４に記載のＮｉ粉末の製造装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載のＮｉ粉末の製造装置における前記複数の還元炉のうち、少なくとも１つの還元炉の運転条件を他の還元炉の運転条件と異ならせ、異なる粒径のＮｉ粉末を同時に生成させることを特徴とするＮｉ粉末の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれかに記載のＮｉ粉末の製造装置における前記複数の還元炉の運転条件を同じくし、同じ粒径のＮｉ粉末を同時に生成させることを特徴とするＮｉ粉末の製造方法。
【請求項８】
前記マニフォールド内の圧力を検出し、この圧力に応じて前記塩化ニッケルガス発生装置の塩化ニッケルガス発生量を制御することを特徴とする請求項６または７に記載のＮｉ粉末の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば電子部品等に用いられる導電ペーストフィラーの材料として有用な超微粉状のＮｉ粉末を気相化学反応により生成するにあたって好適なＮｉ粉末の製造装置およびＮｉ粉末の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ等の導電性の金属粉末は、積層セラミックコンデンサの内部電極形成用として有用であり、とりわけＮｉ粉末は、そのような用途として最近注目され、中でも乾式の製造方法によって製造したＮｉ超微粉が有望視されている。このようなＮｉ超微粉にあっては、コンデンサーの小型化、大容量化に伴う内部電極の薄層化・低抵抗化等の要求から、粒径１μｍ以下は勿論のこと、粒径０．５μｍ以下、さらには０．３μｍ以下の超微粉が要望されている。
【０００３】
このようなＮｉ粉末の製造装置の一例として、気相還元法を用いたものが挙げられる。これは、塩化ニッケルガス発生装置で発生させた塩化ニッケルガスを、還元ガスである水素ガス雰囲気とされた還元炉内に供給し、塩化ニッケルガスに気相化学反応を起こさせてＮｉ粉末を生成させる構造が一般的である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来装置では、還元炉に供給する塩化ニッケルガスの流量や分圧等の運転条件を変えると、生成するＮｉ粉末の粒径が変化する特性を有している。したがって、上記運転条件を変えることにより任意の粒径のＮｉ粉末を生成させることができる。ところが、塩化ニッケルガス発生装置と還元炉とを１組として構成されるものである故に、粒径の異なるＮｉ粉末を生成させる場合には、その都度運転条件を変える必要があり、きわめて効率が悪かった。また、複数の装置を具備すれば粒径の異なるＮｉ粉末を同時に製造することができるものの、この場合には、運転管理が煩雑化したり装置の設置スペースが増大したりするほか、コスト的にも不利であることは否めない。
【０００５】
したがって、本発明は以下を目的としている。
（１）１基の塩化ニッケルガス発生装置により異なる物性を有するＮｉ粉末を同時に生成して生産効率を向上させる。
（２）１基の塩化ニッケルガス発生装置により同じ物性を有するＮｉ粉末を大量に製造する装置および製法を提供する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明のＮｉ粉末の製造装置は、塩化ニッケルガスに還元ガスを接触させて気相化学反応を起こさせることによりＮｉ粉末を生成させるＮｉ粉末の製造装置であって、塩化ニッケルガスを発生させる塩化ニッケルガス発生装置と、この塩化ニッケルガス発生装置に接続され、該装置で発生する塩化ニッケルガスが導入されるマニフォールドと、このマニフォールドに接続され、マニフォールドから塩化ニッケルガスが供給される複数の還元炉とを具備することを特徴としている。
【０００７】
上記構成によれば、塩化ニッケルガス発生装置で発生した塩化ニッケルガスは、マニフォールドを経て複数の還元炉内に供給される。還元炉内では、塩化ニッケルガスが還元ガスに接触して気相化学反応を起こし、Ｎｉ粉末が生成する。気相化学反応が起こる際には、還元炉内への塩化ニッケルガスの吐出状態に応じたＬＰＧ等の気体燃料の燃焼炎に似た輝炎が生じ、気相化学反応は主にこの輝炎の表層部分で進行していく。マニフォールドから還元炉へ供給する塩化ニッケルガスの流量や分圧等の還元炉における運転条件を、少なくとも１つの還元炉に関して変えることにより、異なる粒径のＮｉ粉末を同時に製造することができる。運転条件を還元炉ごとに変えれば、還元炉の設置数に応じた粒径の異なる複数種のＮｉ粉末が同時に製造される。
【０００８】
本発明の塩化ニッケルガス発生装置としては、塩化ニッケルガスを適宜に発生させ得る装置であればいかなるものでも採用することができるが、塩化ニッケルを加熱蒸発させて塩化ニッケルガスを発生させる蒸発方式か、もしくは金属ニッケルに塩素ガスを接触させて塩化ニッケルガスを発生させる塩化方式のいずれかが実用的である。
【０００９】
本発明のマニフォールドとしては、塩化ニッケルガスが充満し得る空間を画成する管や容器等が適当であるが、例えば複数の還元炉に塩化ニッケルガスを分配する分岐管を有する管状のものが好適に用いられる。また、マニフォールドから還元炉内に塩化ニッケルガスを供給するためのノズルとして、複数の塩化ニッケルガス吐出口を有するノズルを還元炉に設けることを本発明の好ましい形態としている。このようなノズルは、還元炉内に挿入されたマニフォールドの分岐管の先端部に設けられる。
【００１０】
上記ノズルによれば、塩化ニッケルガス吐出口が複数配置されていることによって、気相化学反応に伴う輝炎が複数発生し、それら輝炎全体の表面積は輝炎が１つの場合と比べると増大したものとなるので、気相化学反応が多く起こる。また、輝炎の長さは比較的短くなり、Ｎｉ粉末の輝炎に対する滞留時間が短くなるのでＮｉ粉末の過度な成長が抑えられる。これらの結果、粒径が微細なＮｉ粉末を効率よく生成させることができる。
【００１１】
また、ノズルとしては、塩化ニッケルガスの他に還元ガスを吐出する還元ガス吐出口を中心に設け、この還元ガス吐出口をとり囲むように上記複数の塩化ニッケルガス吐出口を近接して配置したものも好ましい形態の一つである。この場合、還元ガス吐出口から吐出する還元ガスが、発生する複数の輝炎の内側を通過することになるので、複数の塩化ニッケルガスの流れが相互に干渉することがなく、かつ各輝炎の発生状態（形状、流速、温度等）が還元ガス吐出口から吐出する還元ガスによって整えられるので、表層で起こる気相化学反応が安定する。その結果、粒径が微細なＮｉ粉末を効率よく安定して製造することができる。
【００１２】
次に、本発明のＮｉ粉末の製造方法は、上記Ｎｉ粉末の製造装置の好ましい使用形態であって、上記複数の還元炉のうち、少なくとも１つの還元炉の運転条件を他の還元炉の運転条件と異ならせ、異なる粒径のＮｉ粉末を同時に生成させることを特徴としている。このような運転方法により、上述したように複数の粒径のＮｉ粉末を同時に製造することができる。勿論、複数の還元炉の運転条件を同じくし、同じ粒径のＮｉ粉末を同時に生成させることも可能である。なお、ここで言う還元炉の運転条件とは、還元炉へ供給する塩化ニッケルガスの流量や分圧等、生成するＮｉ粉末の粒径を変化させる因子のことである。
【００１３】
また、本発明のＮｉ粉末の製造方法にあっては、上記Ｎｉ粉末の製造装置において塩化ニッケルガスを受けるマニフォールド内の圧力を一定にすることが、塩化ニッケルガス発生装置の運転条件ならびに各還元炉への塩化ニッケルガスの供給量を制御しやすい。したがって、マニフォールド内の圧力を検出し、この圧力に応じて塩化ニッケルガス発生装置の塩化ニッケルガス発生量を制御することを好ましい形態とする。
【００１４】
塩化ニッケルガスに接触させる還元ガスとしては、水素ガス、硫化水素ガス等を用いることができるが、生成したＮｉ粉末への影響を考慮すると水素ガスが好適である。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。
図１は、本実施形態に係るＮｉ粉末の製造装置の基本的構成を示している。当該装置は、塩化ニッケルガス発生装置１に接続管２を介してマニフォールド３が接続され、このマニフォールド３が備える複数（この場合４つ）の分岐管４に、還元炉５がそれぞれ接続された構成となっている。マニフォールド３の各分岐管４には、還元炉５内への塩化ニッケルガスの供給量を調整したり分岐管４の流路を遮断したりするためのバルブ６が装着されている。塩化ニッケルガス発生装置１には塩化ニッケルガス発生装置１内の圧力を検出する圧力計７が、また、マニフォールド３にはマニフォールド３内の圧力を検出する圧力計８が、それぞれ設けられている。各還元炉５内は還元温度に加熱されるとともに、還元ガスとして水素ガスが供給されることにより水素ガス雰囲気とされる。
【００１６】
上記装置によれば、塩化ニッケルガス発生装置１で発生した塩化ニッケルガスが、まず接続管２からマニフォールド３に送られ、次いでマニフォールド３から各還元炉５内に供給される。還元炉５内では、塩化ニッケルガスが水素ガスに接触して気相化学反応を起こし、Ｎｉ粉末が生成する。少なくとも１つの還元炉５の運転条件を変える（マニフォールド３からの塩化ニッケルガスの流量をバルブにより調整したり塩化ニッケルガスの分圧を調整したりする）ことにより、異なる粒径の塩化ニッケルガスを同時に製造することができる。例えば、塩化ニッケルガスの分圧を還元炉５ごとに全て変えれば、都合４種類の粒径のＮｉ粉末が同時に製造される。また、全ての還元炉５の運転条件を同じにすれば、同じ粒径のＮｉ粉末を同時に生成させることができる。
【００１７】
次に、上記装置の各構成要素をより具体化した実施形態を説明する。
Ａ．塩化ニッケルガス発生装置
上記塩化ニッケルガス発生装置１における塩化ニッケルガスの発生プロセスとしては、主として、固体状の塩化ニッケルを加熱蒸発させて塩化ニッケルガスを発生させる蒸発方式と、金属ニッケルに塩素ガスを接触・反応させて塩化ニッケルガスを生成させる塩化方式のいずれかが好適に用いられる。
【００１８】
図２は、蒸発方式による塩化ニッケルガス発生装置の一例を示している。該装置１Ａでは、蒸発容器１１内に投入された固体状の塩化ニッケルが、加熱手段１２により加熱されることにより蒸発して塩化ニッケルガスが発生する。蒸発容器１１には、上記接続管２に接続されるガス供給管１３が貫通しており、このガス供給管１３の一方から不活性ガスをキャリアガスとして送り込むと、蒸発容器１１内の塩化ニッケルガスはガス導入口１３ａからガス供給管１３に流入し、キャリアガスとともに接続管２を経て上記マニフォールド３に移送される。塩化ニッケルガスは、キャリアガスにより適宜な濃度に希釈される。このような構成において、ガス供給管１３内のガス導入口１３ａ付近に、ガス供給管１３の流路を狭めて流れる塩化ニッケルガスの流速を上げるベンチュリー機構を設ければ、塩化ニッケルガスを効率的に移送することができる。
【００１９】
図３は、塩化方式による塩化ニッケルガス発生装置の一例を示している。該装置１Ｂでは、横に延びる円筒管２１内に、多孔板２２によって複数（この場合２つ）の金属Ｎｉ充填室２３が設けられており、これら金属Ｎｉ充填室２３に、ホッパ２４から金属Ｎｉを投入する。多孔板２２は、塩素ガスに侵されない材質が選ばれ、例えばセラミック製が好ましく用いられる。円筒管２１の上流側（図３で左側）には原料ガス供給口２５が設けられており、この原料ガス供給口２５から塩素ガスを円筒管２１内に流して金属Ｎｉと接触させることにより、塩化ニッケルガスが発生する。
【００２０】
発生した塩化ニッケルガスは、円筒管２１の下流側に設けられ上記接続管２に接続されるガス排出管２６から接続管２を経て上記マニフォールド３に移送される。円筒管２１から排出される塩化ニッケルガスは、希釈ガス導入口２７からガス排出管２６に導入される希釈ガス（不活性ガス）により、必要に応じて適宜な濃度に希釈される。塩化ニッケルガスの発生量は、蒸発方式よりも塩化方式が制御しやすく、必要とする塩化ニッケルガスを確実に発生させることができる観点から、図３に示すような塩化方式の塩化ニッケルガス発生装置を用いることがより好ましい。
【００２１】
図４は、上記塩化ニッケルガス発生装置１Ｂを用いたＮｉ粉末の製造装置を示している。ガス排出管２６には直管状のマニフォールド３が塩化ニッケルガス発生装置１Ｂの円筒管２１と平行に接続され、マニフォールド３が備える複数（この場合３つ）の分岐管４に、円筒状の縦型還元炉５が接続されている。
【００２２】
Ｂ．マニフォールド
上記マニフォールド３としては、ある程度の圧力を保持しながら塩化ニッケルガスが充満し得る空間を画成する管状部品が適当であり、その形状は、直線状、放射状、ループ状等、いずれであってかまわない。直線状やループ状であれば、還元炉５への接続をなす分岐管４はその途中に適宜な間隔をおいて分岐し、放射状であればそれらの末端に分岐管４が設けられる。マニフォールド３の材質は、石英ガラス、セラミックスあるいは金属の中から適宜に選択される。金属製の場合には、高温耐久性や汚染防止の面からＮｉがきわめて好適に用いられる。ちなみにマニフォールド３は、還元炉５内と同じ温度、すなわちＮｉ粉末を生成する還元温度あるいはその近辺に加熱・保温されることが好ましい。また、不活性ガスをマニフォールド３内に導入して塩化ニッケルガスを適宜な濃度に希釈させることができる。
【００２３】
また、マニフォールド３内の圧力が一定であることが各還元炉５の連続運転に必要であり、その圧力は、塩化ニッケルガス発生装置１での塩化ニッケルガスの発生状態によって変動する。したがって、上記圧力計８が示すマニフォールド３内の圧力が一定となるよう、この圧力信号をフィードバックさせながら塩化ニッケルガス発生装置１の運転条件を制御するとよい。上記塩化方式の塩化ニッケルガス発生装置１Ｂにおける運転条件は、金属Ｎｉの供給量および塩素ガスの供給量に係り、このような塩化方式の塩化ニッケルガス発生装置１Ｂを用いれば、マニフォールド３内の圧力検出、塩化ニッケルガス発生装置１の運転条件の制御、塩化ニッケルガスの発生量の制御、マニフォールド３内の圧力一定化、といった一連のフィードバック制御を、きわめて速やかに進行させることができるので好ましい。
【００２４】
なお、上記接続管２とは別途にマニフォールド３と塩化ニッケルガス発生装置１とを連通する戻し管を設け、マニフォールド３内の塩化ニッケルガスを塩化ニッケルガス発生装置１内に環流させると、圧力制御が行いやすくなり好ましい。マニフォールド３から分岐管４を経て還元炉５内に供給される塩化ニッケルガスの供給量は、上記バルブ４により調整されるが、バルブ４の下流側にベンチュリー機構を設け、これの上流側と下流側の圧力差を検出して還元炉５内への塩化ニッケルガスの供給量を検出することもできる。
【００２５】
Ｃ．還元炉
複数の還元炉５は、その形状に特に制限はなく、また、各還元炉５が異なる形状であってもかまわないが、Ｎｉ粉末の生成条件が均一となり、かつ運転方法が共通化するなどの観点から、同じ形状、特に円筒状の縦型還元炉が好ましい。図５は、縦型還元炉の一例を示しており、該還元炉５Ａの炉壁の上部には、還元ガス供給管３１が接続され、炉壁の周囲には、還元炉５Ａを加熱する加熱手段３２が配置されている。また、還元炉５Ａの下端部には、生成したＮｉ粉末を回収する回収管３３が設けられている。還元炉５Ａの頂部には、上記接続管２に接続され、塩化ニッケルガスを還元炉５Ａ内に吐出する管状のノズル３４が貫通している。
【００２６】
この還元炉５Ａによれば、加熱手段３２により適宜な還元温度（９５０〜１２００℃程度）に加熱されるとともに、還元ガス供給管３１から水素ガスが供給されて水素ガス雰囲気とされた炉内に、ノズル３４から塩化ニッケルガスが吐出される。塩化ニッケルガスは水素ガスと接触・反応し、気相化学反応が起こってＮｉ粉末が生成する。ノズル３４から吐出する塩化ニッケルガスの分圧は、０．１〜１．０の範囲から適宜に選択され、その調整は、希釈ガスの配分で調整される。ノズル３４からの塩化ニッケルガスの吐出速度は、還元温度における線速度が０．５〜３０ｍ／秒の範囲から選択される。塩化ニッケルガスの吐出速度は、還元炉ごとに変えてもよい。
【００２７】
Ｄ．ノズル
図６は、上記ノズル３４に代えて二重管構造のノズル４１が設けられた還元炉５Ａを示している。このノズル４１は、外管４２内に内管４３が同軸的に組み込まれたものであり、外管４２は上記接続管２に接続され、一方、内管４３には水素ガスが流される。外管４２および内管４３の還元炉５Ａ内での開口が、それぞれ塩化ニッケルガス吐出口４２ａおよび水素ガス吐出口（還元ガス吐出口）４３ａとして構成されている。このノズル４１が挿入された還元炉５Ａによれば、水素ガスを、気相化学反応に必要な理論値の３０モル％〜全量をノズル４１の水素ガス吐出口４３ａから吐出させ、その他に必要な水素ガスを還元ガス供給管３１から供給する。このノズル４１によれば、塩化ニッケルガスと水素ガスが同軸の管（外管４２と内管４３）に流されるので、これらガスの温度は還元炉５Ａ内に吐出する時点でほぼ同じか、かなり近いものとなる。これによって気相化学反応の均一性が維持され、Ｎｉ粉末の生成がより安定化する。
【００２８】
図７はさらに別の形態のノズルを示している。このノズル５１は、図６に示したノズル４１の先端に、複数（この場合４つ）の塩化ニッケルガス吐出口４２ａが設けられた構成となっている。塩化ニッケルガス吐出口４２ａは、水素ガス吐出口４３ａを中心とした円周等分４箇所に配置されており、外管４２に連通する吐出管４３Ａにより形成されている。
【００２９】
このノズル５１によれば、塩化ニッケルガス吐出口４２ａが複数配置されていることにより、気相化学反応に伴う輝炎が複数発生し、それら輝炎全体の表面積は輝炎が１つの場合と比べると増大したものとなるので、気相化学反応が多く起こる。また、輝炎の長さは比較的短くなり、Ｎｉ粉末の輝炎に対する滞留時間が短くなるのでＮｉ粉末の過度な成長が抑えられる。さらに、塩化ニッケルガスの吐出によって発生する輝炎の内側を水素ガスが通過することになるので、複数の塩化ニッケルガスの流れが相互に干渉することがなく、かつ各輝炎の発生状態（形状、流速、温度等）が水素ガス吐出口４３ａから吐出する水素ガスによって整えられるので、表層で起こる気相化学反応が安定する。これらの結果、粒径が微細なＮｉ粉末を効率よく安定して製造することができる。なお、このようなノズルにあっては、塩化ニッケルガス吐出口４２ａへのＮｉ粉末の析出を防止したり除去したりするための塩素ガス吐出口を設けてもよい。
【００３０】
以上が本発明の実施形態であり、全体的に言えることとして、還元炉に供給される水素ガスの供給量は、還元ガス供給管および／またはノズルに設けた水素ガス吐出口から、気相化学反応に必要な理論値の１００モル％以上、好ましくは１１０〜２００モル％が好ましい。また、各還元炉へ供給する塩化ニッケルガスの分圧、吐出速度、塩化ニッケルガスに対する水素ガスの割合、還元炉の還元温度、ノズルの形状や構造等は、還元炉ごとに同じでも異なっていてもよい。また、ノズルには、塩化ニッケルガスを希釈する希釈ガス導入口を設けてもよい。
【００３１】
【実施例】
以下、上記実施形態に基づく本発明の実施例を説明する。
（１）実施例１：１品種（粒径同一）製造
図５に示した還元炉５Ａを、図４に示したＮｉ粉末の製造装置の還元炉５に適用し、次の運転条件でＮｉ粉末を製造した。塩化ニッケルガス発生装置１は１基、還元炉５Ａは３基とし、各還元炉５Ａの運転条件を同一とした。
「塩化ニッケルガス発生装置１Ｂの運転条件」
・金属Ｎｉの純度：９９．９％
・原料ガス供給口２５からの塩素ガスの流量：７Ｎｌ／分
・希釈ガス導入口２７からのＮ２ガスの流量：２Ｎｌ／分
「還元炉５Ａの運転条件」
・還元ガス供給管３１からの水素ガスの流量：５Ｎｌ／分・炉
・ノズル３４からの塩化ニッケルガスの流量：２．３Ｎｌ／分・炉
【００３２】
以上の条件で連続運転を行った結果、平均粒径０．４５μｍの球状Ｎｉ粉末が得られた。
【００３３】
（２）実施例１：複数品種（粒径相違）製造
図５に示した還元炉５Ａを、図４に示したＮｉ粉末の製造装置の還元炉５に適用し、次の運転条件でＮｉ粉末を製造した。塩化ニッケルガス発生装置１は１基、還元炉５Ａは２基（以下、還元炉I，IIと表示）とし、各還元炉５Ａの運転条件を異ならせた。
「塩化ニッケルガス発生装置１Ｂの運転条件」
・金属Ｎｉの純度：９９．９％
・原料ガス供給口２５からの塩素ガスの流量：１０Ｎｌ／分
「還元炉５Ａの運転条件」
・還元ガス供給管３１からの水素ガスの流量
還元炉I：１４Ｎｌ／分・炉    還元炉II：９Ｎｌ／分・炉
・ノズル３４からの塩化ニッケルガスの流量
還元炉I：７Ｎｌ／分・炉      還元炉II：３Ｎｌ／分・炉
・還元炉へ直接供給した希釈ガス（Ｎ２ガス）の流量
還元炉I：２Ｎｌ／分・炉      還元炉II：３Ｎｌ／分・炉
・還元炉へ吐出する塩化ニッケルガスの分圧
還元炉I：０．７８            還元炉II：０．５０
【００３４】
以上の条件で連続運転を行った結果、還元炉Iでは平均粒径０．４５μｍのＮｉ粉末が生成し、一方、還元炉IIでは平均粒径０．３５μｍのＮｉ粉末が生成した。いずれのＮｉ粉末も球状であり、これら粒径の異なるＮｉ粉末を同時に生成することができた。
【００３５】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、塩化ニッケルガス発生装置で発生する塩化ニッケルガスをマニフォールドを経て複数の還元炉に分配し、これら還元炉において気相化学反応を起こさせてＮｉ粉末を生成させるので、粒径の異なるＮｉ粉末を同時に得ることができ生産効率の向上が図られる。また、塩化ニッケルガス発生装置を１基備えるだけで済むので生産コストの上昇が抑えられる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施形態に係るＮｉ粉末の製造装置の基本的構成を示す平面図である。
【図２】  本発明に係る塩化ニッケルガス発生装置の一具体例を示す縦断面図である。
【図３】  本発明に係る塩化ニッケルガス発生装置の他の具体例を示す縦断面図である。
【図４】  本発明の実施形態に係るＮｉ粉末の製造装置の一具体例を示す斜視図である。
【図５】  本発明に係る還元炉の一具体例を示す縦断面図である。
【図６】  本発明に係る還元炉の他の具体例を示す縦断面図である。
【図７】  本発明に係るノズルの実施形態を示す（ａ）縦断面図、（ｂ）下面図である。
【符号の説明】
１，１Ａ，１Ｂ…塩化ニッケルガス発生装置
３…マニフォールド
５，５Ａ…還元炉
３４，４１，５１…ノズル
４２ａ…塩化ニッケルガス吐出口
４３ａ…水素ガス吐出口（還元ガス吐出口）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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