(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ファイバであって、
（ａ）中心コアを含み、前記中心コアは、前記中心コアを伝搬する波長λ１の放射に対して透過的であり、そして光誘起による屈折率変化を生じさせる波長λ２の放射に対して感受性のドーパント濃度を有しており、さらに、
（ｂ）前記コアの屈折率よりも低い屈折率を有する、前記中心コア上に形成されたクラッド層を含み、前記クラッド層は、
（ｂ１）前記中心コア上に形成された第１のクラッド層と、
（ｂ２）前記光ファイバの外側からの前記波長λ２の放射を吸収する、前記第１のクラッド層上に形成された遮断層と、
（ｂ３）前記遮断層上に形成された第２のクラッド層とを含み、前記光ファイバはさらに、
（ｃ）前記クラッド層上に形成された光ファイバコーティングを含み、
前記遮断層は、前記中心コアを伝搬する波長λ１の放射の減衰を避けることができる距離だけ前記中心コアから離間していることを特徴とする光ファイバ。
【請求項２】
前記遮断層は金属イオンを含むことを特徴とする請求項１に記載の光ファイバ。
【請求項３】
前記クラッド層はシリカを含むことを特徴とする請求項１に記載の光ファイバ。
【請求項４】
前記金属イオンはＮｉイオンを含むことを特徴とする請求項２に記載の光ファイバ。
【請求項５】
前記第２のクラッド層は、前記第２のクラッド層に組み込まれた少なくとも３つの追加のコア領域を有し、そして前記追加のコア領域は前記クラッド層より大きい屈折率を有することを特徴とする請求項１に記載の光ファイバ。
【請求項６】
前記遮断層はλ１よりλ２でより高い吸収を有することを特徴とする請求項１に記載の光ファイバ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
関連出願
本願は、参照によって本明細書に組み込まれ、本発明の譲渡人に譲渡された、仮出願６０／２９０，１０６の利益を請求する。
【０００２】
【発明の属する技術分野】
本願は、光ファイバ伝送システムに関し、より詳細には光信号を盗むこと（ｔｈｅｆｔ）を防止するために構成された光ファイバに関する。
【０００３】
【従来の技術】
光ファイバ伝送ラインから光信号の許可されずかつ検出されないタッピングは、ユーザの多様性に関係がある。伝送ケーブルは、たとえ感受性の高い情報を搬送していても、しばしば実質的に不安定な領域の長さを横切って延びる。光ファイバが実際に切断され、盗み聞きする装置（ｅａｖｅｓｄｒｏｐｐｉｎｇ  ｄｅｖｉｃｅ）に接続されると、受信局での信号の遮断のために、可能性がある望ましくない視聴者の存在は容易に検出される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、タッピングが検出されないそのようなわずかなパワー損失を有する遮断なしに、信号部分のタッピングを可能にするより精巧な技術が利用できる。そのような１つの技術は、ファイバのコアに屈折率回折格子を形成することを含む。一般に、回折格子が書き込まれた光ファイバは、光で誘起される屈折率変化に感受性があるドーパントを有する。いったん書き込まれると、回折格子は、ファイバの側面を通って信号波長の一部を回折し、ファイバの側面で、信号波長の一部は、それからファイバに隣接して配置された光検出器によって容易に「読み取られる」。回折格子は、屈折率摂動のバンドを形成するために、適切なレーザ放射にファイバ・コアの短い長さを露出することによって作られる。これは、検出される光ファイバのバルク伝送特性を十分に損なうことなしに行うことができる。
【０００５】
より簡単な構成の他の技術は、ファイバにベンドを形成することである。これは、光ファイバ・クラッド内の信号を「漏出」させ、光ファイバ・クラッドで、信号を、ソースまたは受信局で検出されることなく傍受することができる。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
第１の侵入の場合は、高いＵＶ吸収コーティングを有する光ファイバを構成することによる本発明によって処理される。これは、アクセス回折格子を形成するために必要な「書き込み」放射のためのファイバ・コアのアクセスを防止する。この実施形態の一変形において、１つまたは複数の追加の光経路が、信号を監視するために光ファイバに提供される。追加の光経路は、光ファイバ内を伝送される、情報信号とは別のモニタリング信号が、光ファイバのクラッドを破ろうとするあらゆる試みを知らせることを可能にする。
【０００７】
第２の侵入の場合は、マイクロベンドに対する光ファイバの感受性を、ファイバのベンドが、ベンドが受信局で検出されないそのような信号の大きな減衰をおこす程度まで増大することによって処理される。
【０００８】
【発明の実施の形態】
光ファイバから電磁放射をタッピングするための技術は、従来技術において知られている。例えば、参照によって本明細書に組み込まれる米国特許第５，０６１，０３２号、第５，８３２，１５６号、および第５，８５０，３０２号を参照されたい。許可されていないとき、良く知られているワイヤ・タッピングへのこの推論を、以降ファイバ・タッピングとして呼ぶことができる。これらの特許に記載された方法は、タップされるファイバのコアにおける、焼付けられ（ｂｌａｚｅｄ）かつチャープされた（ｃｈｉｒｐｅｄ）屈折率回折格子の書き込みを必要とする。長い伝送ラインにわたって感受性の情報を搬送する光ファイバは、許可されていないユーザによって物理的なファイバへのアクセスの容易な機会を与える。ケーブル・ジャケットを剥がし、かつ露出されたファイバのコアにタップ回折格子を書き込むことは難しくない。ファイバ・コーティングは、同様にこの操作に関して容易に取り除かれることができる。ファイバ・コーティングを剥がすことが、ファイバ・タッピングに関して必要ではないことがあるとしても、ファイバ・コーティングを通して回折格子を書き込む技術が知られている。メイン信号からタップされたパワー量を、低く維持することができるので（しかし、信号を読み取ることを可能にするために依然として十分である）、受信局での信号パワー損失は、システムの通常の制限内であることができ、したがって侵入が検出されない。
【０００９】
上記されたファイバ・タッピング技術が図１に示され、図１において、光ファイバ１２が、コア２０およびクラッド２１とともに示されている。光ファイバのこのセクションを、通常の光ファイバ・コーティングを剥がして示している。ブラッグ（Ｂｒａｇｇ）回折格子１４が、許可されていないユーザによって光ファイバの露出されたセクションに書き込まれる。コア２０を移動する信号放射のわずかな部分が、回折格子によってコアから回折し、タップされたビーム２６を光検出器２４へ集束するために、レンズまたはプリズム２３を用いて検出される。屈折率マッチング媒体２２を、タップ効率を増大するために用いることができる。
【００１０】
本発明によるこのファイバ・タッピングの形成を防止するための１つの方法は、回折格子１４を形成するために必要なＵＶ放射によって、ファイバのコアへアクセスすることを防止することである。一実施形態において、光ファイバに高いＵＶ吸収クラッドを形成することによって、これを実施することができる。前述されたように、光ファイバのコーティングは容易に取り除かれる。クラッドはそうではない。物理的にクラッドはコアと連続であり、コアとクラッドは一体のガラス体を形成し、添加されたわずかな量の不純物だけが、コアとクラッドとを区別する。したがって、クラッドがＵＶ放射に対して不浸透に作られるなら、コアは、ファイバ・タップを形成するために必要な手段によって容易にアクセスされない。これは、金属などの堅牢な不透明な材料で光ファイバをコーティングすることで実現されることができる。しかしこの方法は、不透明なコーティングを取り除くことを含む方法に対して弱点がある。コーティングを取り除くことは、検出なしに容易に達成されることがある。
【００１１】
本発明の防止方法を実施するために好ましい方法は、クラッド・ガラスの本体内にＵＶ吸収センタを組み込むことである。これらは、すくなくも一部のクラッド自体を取り除くことなく取り除かれることはできず、少なくも一部のクラッド自体を取り除くことは、ファイバの光ガイド特性を壊しまたは損ない、また容易に検出される。一実施形態において、吸収センタは、例えば、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｃｏなどの遷移および高融点金属イオンなどの金属イオンである。金属イオンは、回折格子書き込みに用いられるＵＶ波長の高い吸収を有するように、および一般に１．３〜１．６ミクロンの光信号の波長帯域におけるより低い吸収を有するように選択されることができる。
【００１２】
図２は、一般的な屈折率回折格子の形成に用いられる技術、およびこの技術の使用を防止するための本発明の手段を示す。光ファイバ３１のセクションは、光ファイバを露出するために剥がされた光ファイバ・コーティング３２の部分とともに示されている。明瞭にするために、コアおよびクラッドはこの図に示されていない。光ファイバによって伝送される信号は、矢印３６によって示されている。
【００１３】
光ファイバの剥がされた部分は、位相マスク３４を介して向けられた３３で示されたＵＶレーザからの放射に露出される。これは、回折格子を形成するために従来の良く知られている方法である。結果は、コア内に形成される屈折率回折格子３５である。この回折格子は、図１の回折格子１４に対応し、このタイプのファイバ・タップの本質的な特徴である。
【００１４】
本発明のこの実施形態において、ＵＶ源３３からのＵＶ放射による光ファイバの内部すなわちコアへのアクセスは、ＵＶブロッキング層３９によって防止されるため、回折格子３５は破線によって示される。
【００１５】
様々なイオンの吸収特性は、良く知られている。吸収スペクトルが、ここで対象の波長間で様々な変化を示すことも良く知られている。対象の波長領域の１つは、ゲルマニウムがドープされた光ファイバにおける回折格子を形成するために用いられる波長領域、すなわち２００〜３００ｎｍである。一般にゲルマニウムがドープされた光ファイバの吸収ピークは、２４２ｎｍである。したがって、この波長領域において放射を用いる回折格子の有効な書き込みを防止するために、吸収層は、２００〜３００ｎｍの波長領域において比較的高い吸収を有するべきである。したがって、吸収層は、一般に１３００〜１６００ｎｍの波長領域である、信号の波長においてより低い吸収を有することが好ましい。
【００１６】
以下の例が、これらの基準に合うドーパントを与える。
アルカリ・ケイ酸ガラスにおいて、２２０ｎｍでニッケルの吸収率は、約１％ニッケル当り１．５×１０１０ｄＢ／ｋｍであり、３３０ｎｍで約１．４×１０９ｄＢ／ｋｍである。（同様の吸収スペクトルは、他の金属で見出される。）したがって、２００ｎｍでのＵＶ放射は、１％Ｎｉでドープされた１ミクロンのシリカを通る伝送の後で、約１０〜１５ｄＢづつ減衰される。
【００１７】
１３００〜１６００ｎｍの信号波長で、Ｎｉの吸収率は、１％ニッケル当り３．６×１０７ｄＢ／ｋｍであり、遮断される波長、すなわち２００ｎｍでの吸収よりほぼ４００分の１に低い。
【００１８】
したがって、例えば０．１〜５％のＮｉでドープされた例えば１〜２０ミクロンの厚みのバリア層（図２における３９）は、ファイバ・タップに必要な回折格子の書き込みを有効に防止する。ドーピング・レベルおよびバリア層厚みは、より低いドーピングを可能にするバリア層のより大きな厚みと、より薄いバリア層、およびバリア層とコアとの間ならびにバリア層とクラッド表面との間のより良好な分離を可能にするより高いドーピングとのトレードオフを可能にする。
【００１９】
ＵＶ遮断イオンの関する選択基準は、同様に、ホストであるハイ・シリカまたは純粋なシリカにおける遮断イオンの拡散係数を含む。これは、光ファイバのクラッドに効果的に遮断イオンを組み込むことは、一般の場合、プリフォーム段階でイオンを導入する必要があるという事実のためである。遮断コーティングを作るために線引きされたファイバへのイオンの拡散可能性は、特に短いファイバ・セクションに関して存在するが、プリフォームの処理より商業的により魅力がない。プリフォームの外側部分に組み込まれた遮断イオンは、ファイバ線引きに関するプリフォームの加熱（２０００〜２４００℃）の間にゆっくり拡散する。一般の光ファイバのクラッド厚みは、１０ミクロンである。したがって、遮断イオンの関する拡散距離は、損失なく２０ミクロンまで、しかし好ましくは１０ミクロン未満であることができる。一般の遷移金属イオンは、この仕様に合致する拡散特性を有することが予想される。
【００２０】
原理において、ＵＶ遮断層３９を、その幅が、回折格子の有効な書き込みを防止するために十分なＵＶ放射を吸収するために適切であれば、ファイバ・クラッド内のいずれの場所にも配置することができる。遮断層に関して考慮すべき要因のなかで、配置は、信号の減衰を避けるために遮断層とコアとの間の分離と、信号を混乱することなくその除去を防止するために可能な限り深く遮断層を埋め込む目的との間のバランスである。光ファイバ径を横切る異なる位置でのパワーは、遮断層の適切な配置により計算されることができる。図３は、一般の光ファイバ構成における径方向位置に対してプロットされた、１５５０ｎｍでの光パワー分布を示す。
【００２１】
［図３の曲線３８、３９間との差異は何か。］
１５５０ｎｍでの全光パワーの＜１０−１１が、ファイバ中心から４０ミクロンより大きな距離に伝送することを、パワー分布データが示す。したがって、１．３〜１．６ミクロンで少なくとも１０８ｄＢ／ｋｍの減衰を有するバリア層が、ファイバ中心から４０ミクロンより大きな距離に配置されているなら、伝送波長での０．００１ｄＢ／ｋｍ未満の減衰を起こす。ファイバ・コアが一般に１０ミクロンより小さいので、ファイバの中心から少なくとも１０ミクロン、または少なくとも２０ミクロンの遮断層とコアとの間の分離である、考えられる他の方法は、過剰な信号減衰を避けるために容易に適合され、一方、遮断層のための、および遮断層とクラッドの表面との間の空間のための比較的大きな空間を可能にする。
【００２２】
上述したように、遮断層を製造するための好ましい方法は、光ファイバの線引き前にプリフォームに吸収イオンを組み込む。４０ｍｍの径および１ｍの長さを有する一般のプリフォームを、１２５ミクロン径で約１００ｋｍのファイバに線引することができる。プリフォームにおいて３２０ミクロンの厚みであるＵＶ遮断層は、線引きされたファイバのほぼ１ミクロンの厚みの遮断層を作る。したがって、プリフォーム段階における遮断層の厚みは、数百ミクロンから８ｍｍ、好ましくは１００ミクロンから８ｍｍ、または１６ｍｍでさえある。プリフォーム段階における遮断層の厚みは、ほぼ５０ミクロンの遮断層に変換される。
【００２３】
遮断層に関する吸収イオンを、プリフォーム準備のための任意の知られている技術を用いてプリフォームに導入することができる。一般の準備方法の簡単な記載は、以下の通りである。
【００２４】
溶液ドーピング方法において、多孔質スート（ｓｏｏｔ）層が、シリカ・チューブの内側に堆積される。参照によって本明細書に組み込まれる、米国特許第５，１２３，９４０号を参照されたい。必要な遷移金属イオンを含む溶液を、多孔質スート層を浸すために用いる。乾燥時に、スート層が焼結され、遷移金属イオンは、所望濃度の固められたシリカ層に組み込まれる。この操作は、遮断層の所望の厚みおよび金属イオン濃度に応じて、１つのステップまたはいくつかのステップで実施されることができる。遮断層を埋め込むために、第２のスート層が、上述された固められた材料に堆積され、金属イオンを追加することなく固められる。遮断層を有するクラッドを準備した後、コア・ロッドが挿入され、通常のつぶしが実行される。ファイバがこのプリフォームから線引きされたとき、ファイバは所望の遮断層を含む。
【００２５】
ゾル・ゲル法を、同様に遮断層を組み込んだプリフォームを準備するために用いことができる。ゾル・ゲルによって作られた一般のオーバクラッドは、一般に２４〜３２ｍｍの内径を有する例えば４０ｍｍの外径を有する。遷移金属イオンは、ゾル溶液に金属塩または水酸化物を添加することによって、ゾル・ゲルに容易に組み込まれることができる。ドープされたゲル・チューブは、それから焼結され、プリフォームを形成するためにコア・ロッドをオーバクラッドするために用いられる。シリカ・ゾル・ゲル体にドーパントを組み込むことは、ゲルマニウム・ドーピングのために用いられる良く知られた方法に続くことができる。参照によって本明細書に組み込まれる、例えば米国特許第５，３７９，３６４号を参照されたい。
【００２６】
上述されたように、許可されないかつ検出されないファイバ・タッピングを、同様にベンド方法を用いて達成することができる。ファイバは、クラッドを通してコアから放射を漏出する十分に小さいベンド径でベンドされる。これは、良く知られたファイバ損失機構であり、様々な技術がマイクロベンド損失を避けるために用いられる。しかしながら、小さいベンド径を有する意図的なベンドは、任意の商業ファイバに近い信号損失を引き起こす。
【００２７】
本発明によれば、通常の目的とは反対のことが実行される。ここで望まれることは、光ファイバのベンド感受性を増大することであり、信号における情報を検出するために十分な漏出を引き起こす任意のベンドは、受信局で容易に検出されるそのような大きな信号減衰を引き起こす。高いベンド感受性ファイバを、ファイバ・コアから実質的な距離にドープされていない外側リング領域を導入することによって作ることができることが見出された。さらに、そのようなベンド感受性構成は、ファイバ・ケーブルが大きな最小ベンド径を有するために設置されるなら、伝送特性の悪い影響を与えない。
【００２８】
図４は、ベンド感受性ファイバ構成を概略的に示す。一般的な分散管理されたファイバ構成において、径方向屈折率プロファイルは、一般に低くドープされたトレンチ領域に、次いで高くドープされたリング領域に囲まれた、高くドープされたコア領域から構成される。示されたプロファイルにおいて、コア、トレンチ領域、およびリング領域は、ほぼ８ミクロンの径に延びる。これらの領域における屈折率は、一般に（Ｎ−Ｎ０）／Ｎ０として定義されることがあるデルタによって特徴付けられ、ここで、Ｎは領域の屈折率であり、Ｎ０はドープされていないシリカの屈折率である。各領域のデルタが、それぞれΔ１、Δ２、およびΔ３として識別される、一般に分散管理された構成において、デルタ値は以下の通りである。
０．００３＜Δ１＜０．０１２
−０．００７＜Δ２＜−０．０００２
０．００１＜Δ３＜０．００６
【００２９】
８ミクロンと１４ミクロンとの間に延びる、図における次の領域はドープされていない層である。本発明のこの実施形態の以下の目的である、ファイバ構成のベンド感受性は、外側の高くドープされた領域を追加することによってより大きくされる。図４において、外側の高くドープされた領域は４１で示されている。領域４１は、好ましくは０．０００５＜Δ４＜０．００３４の範囲の屈折率を有し、好ましくはファイバ中心から１２ミクロンと２６ミクロンとの間の範囲の位置を有する。
【００３０】
図５は、外側リング領域において異なる屈折率Δ４を有するファイバ構成において、１５５０ｎｍでのベンド径に対するベンド損失を示す。５本のライン５１〜５５は、それぞれＮ＝０．００２５、Ｎ＝０．００２０、Ｎ＝０．００１２、Ｎ＝０．０、およびＮ＝−０．００１２に関するデータを与える。外側リング・デルタが、−０．０００８２から＋０．００１７１まで増加すると、ベンド損失は、５００倍より大きく増加することを図は示している。米国特許第４，８０２，７２３号（参照によって本明細書に組み込まれる）に開示されるように、ファイバをベンドすることを用いるファイバ・タップにおいて、ベンド・ファイバの曲率半径は、ファイバとベンド・チューブとの間の角度α、およびＲ＝ｘ／ｓｉｎ（α／２）で結合されるファイバ・チューブ接触とチューブ・ベンドとの間の距離ｘに関係する。ベンド・ファイバ長さは、αＲまたはｘα／ｓｉｎ（α／２）として与えられる。ｘ＝１０ｍｍ、α＝１５°すなわち０．２６ラジアンに対して、Ｒは７６．６ｍｍであり、およびベンド・ファイバ長さは２０ｍｍである。
【００３１】
ベンド感受性を増大する高くドープされた層を、適切な屈折率のＧｅＯ２でドープされたチューブを用いるコア・ロッドのオーバクラッドによって、経済的に作ることができる。高くドープされたチューブを、市販で入手可能であり、スート・プロセスまたはゾル・ゲル法のいずれかによって作ることができる。オーバクラッド後、プリフォームを、伝送ファイバ・コアと外側クラッドとの間にサンドイッチされたベンド感受性層を有するように線引きすることができる。
【００３２】
ベンド損失を誘起する高くドープされた層は、好ましくはＵＶ遮断層の内側に配置され、ドープされていないシリカ層は、これらの２つの層間にサンドイッチされる。したがって、高くドープされたチューブは、第１のオーバクラッド・チューブとして用いられ、ドープされていないオーバクラッド・チューブが続き、それから高い吸収性遷移金属イオンを含むチューブによってオーバクラッドされる。
【００３３】
光ファイバ構造への物理的侵入を、光ファイバのクラッドへ侵入検出チャネルを配置することによる、本発明の他の実施形態によって知らせることができる。この処置は、例えば、回折格子を書き込むために、遮断層を取り除きかつコアを露出する試みを検出するために有用である。
【００３４】
好ましい場合における侵入検出経路の径は、３から１０ミクロンの範囲であり、中心はファイバ中心から８５ミクロンと９５ミクロンとの間に配置される。侵入検出経路は、高い屈折率および小さいコア径か、または中間の屈折率および大きなコア径のいずれかの径方向の屈折率プロファイルを有する。
【００３５】
侵入検出経路が、１．５ミクロンのコア径内で０．０２５Δからなるとき、ＬＰ０１基本モードにおける光パワーの１０−１１未満が、１６．５ミクロン径を越えて漏出することを波長計算が示す。この屈折率プロファイルは、遮断波長が１．２５ミクロンであるので、１．５５ミクロンでシングル・モードであろう。
侵入検出経路が、５ミクロンのコア径内で０．０１５Δからなるとき、ＬＰ０１基本モードにおける光パワーの１０−１１未満が、１７ミクロン径を越えて漏出する。さらにＬＰ０１基本モードにおいて１．５５ミクロンで、この屈折率プロファイルは、同様に、それぞれ３．２ミクロンと２．０ミクロンの遮断波長を有する、ＬＰ１１およびＬＰ０２のより高い次数のモードを支持する。
【００３６】
したがって、遮断層が、上記屈折率構成の侵入検出経路の中心から１７ミクロンより遠くに位置するとき、遮断層は、侵入検出コアにおける放射を不利に減衰しない。しかしながら、より大きなコア径の径方向特徴は、光ファイバが接続されたときにより容易なアラインメントの利点を有する。
【００３７】
侵入検出経路を、オーバクラッド・チューブに用いられるゾル・ゲル法によって容易に作ることができる。オーバクラッド・チューブのゲル体を、長手方向チューブ軸に平行な多数の開口部で作ることができる。乾燥および部分的な濃密化時に、十分な濃度のＧｅＯ２ドープ・ロッドは、これら開口部内側に配置されることができる。チューブ全体の完全な濃密化時に、ＧｅＯ２ドープ・ロッドは、侵入検出光経路を形成するために組み込まれる。このプリフォームのファイバ線引きは、外側ファイバ周囲の周りに侵入検出経路を結果として生じる。
【００３８】
図６は、上述の原理を３つ用いるファイバ構成を示す。図は、区切られた交互の層（明瞭にするため）を有する光ファイバ断面を示す。一般にはゲルマニウムをドープされた光ファイバ・コアが、６１で示されている。第１のクラッド層６２は、シリカ層であり、ファイバのベンド感受性を増大するために高くドープされた層６３によって囲まれている。層６４はシリカ層であり、ＵＶ遮断層である層６５によって囲まれている。層６６は、例えばシリカの外側クラッド層である。この実施形態において、層６６は、侵入検出チャネル６８を組み込む。
【００３９】
図６に示されるファイバ構成は、本発明の全て３つの実施形態を用いる。しかしながら、本発明のファイバは、これらの実施形態の１つまたは２つを用いることができる。遮断層および侵入検出経路の使用は、侵入検出経路の推奨される使用が、クラッド部分の物理的除去によって遮断層を失敗させるために、許可されていないユーザの試みを検出するものである意味で結合される。
【００４０】
本発明の開発中において、最も一般に用いられる１２５ミクロンのファイバより大きなファイバを用いることが好ましいことが明らかになった。これは、部分的には、本発明の安全性を強化した処置は、基本的な光ファイバ構造に層を加えることを含む事実による。これは、特に３つの追加の構造構成部品を有する図６のファイバ構成を有する場合である。侵入検出経路を、特に、１２５ミクロンより大きなファイバ径を用いて実施することができる。例として、２００ミクロンのファイバが、中心から８１．２５ミクロンに中心合わせされた侵入検出経路と、中心からほぼ４０ミクロンに高い吸収層の内径とを有し、従来、すなわち１２５ミクロンのファイバと同様の寸法のコア、トレンチ、およびリング領域を有することができる。侵入者は、ファイバ長手方向軸に平行にファイバ表面を研磨することによって、高い吸収層を取り除くことをせざるを得ず、適切な位相マスクが、ファイバ・コアに回折格子を形成するために配置される。これらのファイバ寸法で、研磨プロセスは、侵入検出経路の少なくとも３４％を破壊し、これら経路によって伝送される約４．７ｄＢの光強度低減を引き起こす。
【００４１】
図６に示される光ファイバ構成は、８つの追加された侵入検出経路を有する。明らかにより多くのまたはより少ない数を、用いることができる。少なくとも３つを考慮することが望ましい。
【００４２】
本発明の様々な追加の修正例は、当業者には考えられる。原理および進歩した技術によるそれらの等価物に基本的に依存する、本明細書の特定の教示からの全ての変更は、記載され請求された本発明の範囲内で適切に考慮される。
【図面の簡単な説明】
【図１】許可されていないファイバ・タッピング技術の１つのタイプを概略的に示す。
【図２】図１の構成を実施するために使用される方法、および本発明の一実施形態による防止方法を概略的に示す。
【図３】ファイバのパワー分布を示す、光ファイバの径に対する光パワーのプロットである。
【図４】マイクロベンド方法を使用し許可されていないタッピングを防止するように構成された、光ファイバの関する屈折率プロファイルである。
【図５】５つの異なる光ファイバ屈折率プロファイルに関する、ベンド径に対するベンド損失のプロットである。
【図６】本発明による許可されていないタッピングを防止するために構成された、光ファイバの概略断面である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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