(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転軸に連結して設けた複数のアームに立設した複数の支持杆からなる回転駆動手段に基板を支持させて設け、前記回転軸を回転駆動する間に前記基板に所定の処理液を加温した状態で供給して、遠心力の作用でこの基板の表面全体に処理液を塗り広める基板の液処理方法において、
前記基板の裏面側にヒータを当接させることによって、この基板を処理液の温度にまで加熱する基板加熱工程と、
加熱した基板を前記回転駆動手段の前記支持杆上に載置し、前記回転軸を駆動することにより前記基板を回転させ、この間に基板の表面に加温した処理液を供給する液処理工程とからなり、
前記液処理工程時に、前記回転軸の中心部に配置した基板加温手段から前記基板の裏面に対して、この基板の全面より広くない角度範囲に拡散するように温水を噴射させて、この基板を加温する
ことを特徴とする基板の液処理方法。
【請求項２】
前記液処理工程時に、前記基板を回転させる回転軸の近傍に加温されたエアを吹き付けることを特徴とする請求項１記載の基板の液処理方法。
【請求項３】
加温された処理液により液処理が行われる基板に対して、その裏面と当接して、この基板を処理液の温度に加熱する基板加熱部と、
前記基板加熱部で加熱された前記基板を支持して回転駆動するために、回転軸に複数のアームを連結して設け、これら各アームに前記基板の裏面を支持する複数の支持杆を設けた回転駆動手段と、
前記支持杆上に載置した前記基板の表面に所定の温度に加温した処理液を供給し、遠心力の作用によりこの基板の表面全体に処理液を塗り広める処理液供給手段と、
前記回転軸の中心位置に配設されて、前記基板の裏面に向けて温水を拡散させるように噴射する基板加温手段と
を備える構成としたことを特徴とする基板の液処理装置。
【請求項４】
前記基板加温手段は、温水配管の先端に装着したノズルチップを有するものであり、このノズルチップは、円錐形状のもので、その中心位置に鉛直状の温水噴射口と、円錐面に設けた複数の温水噴射口とを備える構成としたことを特徴とする請求項３記載の基板の液処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば液晶パネルのＴＦＴ基板やカラーフィルタ、半導体ウエハ等の基板の表面に処理液を供給することによって、所定の液処理を行う方法及び装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
例えば、液晶パネルのＴＦＴ基板を製造する工程においては、現像液の塗布，エッチング液の塗布，レジスト膜を剥離するための剥離液の供給等のウエットプロセスにより所定の処理が行われ、またこれら各プロセス間には洗浄工程及び乾燥工程が加わる。このような基板の液処理は、基板を回転駆動手段に装着して、それを回転させながら、この基板の表面に処理液を供給して、回転による遠心力で処理液を基板表面全体に塗り広めるようにして行うのが一般的である。
【０００３】
このウエットプロセスを行う液処理装置は、例えば特開平１０−５７８７７号公報等に示されている。即ち、カップ状のハウジング内に基板回転手段を配置し、この基板回転手段はモータにより回転駆動される回転軸の上端部に十字状にアームを連結して設け、このアームに複数の支持ピンや位置決めピンを所定の位置に立設して、基板をこれらのピン上に載置した状態で回転軸を回転駆動することにより基板を水平状態に保持して回転させる。そして、基板の上部位置には、処理液の供給ノズルを対向配設させ、回転軸で基板を高速回転させる間に、ノズルから処理液を基板上に供給し、回転による遠心力の作用でスピンコートされるようになり、基板全体に処理液がむらなく塗布される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、基板に対する処理液の塗布、例えば現像液やレジスト膜の剥離液を塗布する場合において、処理液は温度によって粘度が変化したり、反応に影響が生じる等の理由から、処理液を所定の温度となるように加温した状態で供給ノズルから噴射させる。このために、基板の液処理を行うには、供給される処理液の温度管理を正確に行う必要がある。例えば、レジスト膜の剥離処理はフォトレジスト膜が成膜された基板を現像した後にパターン形状に応じてレジスト膜の一部を取り除くものであるが、レジスト膜の剥離を正確に行い、剥離不良等が生じないようにするには、一定の温度状態となった剥離液が基板全体に均一に広がるようにしなければならず、しかも剥離液を必要以上供給する等、その消費量に無駄が発生しないようにする必要もある。処理液を加温するのは、このためであり、処理液の温度管理を正確に行うことによりその粘度等が一定化される。従って、処理液が基板に供給されて、周囲に広がっていく間に処理液の温度が低下しないように保持しなければならない。特に、処理液に対して有効に遠心力を働かせるには、基板を高速回転させるが、基板の回転速度が速くなれば速い程、基板及びこの基板に供給された処理液の温度低下が激しくなる。しかも、基板には、その回転周速に差があり、回転中心部より周辺部の方が回転周速が速くなることから、処理液が周辺部に向かうに応じて急速に冷却されるというように、基板上での処理液の温度に大きな勾配が生じて、基板全体に対する処理液の塗布条件が安定しなくなるという問題点がある。
【０００５】
本発明は以上の点に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、ウエットプロセスにおいて、処理液を基板に供給した時に、その温度が低下しないように厳格に温度管理を行うようにすることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
前述した目的を達成するために、回転軸に連結して設けた複数のアームに立設した複数の支持杆からなる回転駆動手段に基板を支持させて設け、前記回転軸を回転駆動する間に前記基板に所定の処理液を加温した状態で供給して、遠心力の作用でこの基板の表面全体に処理液を塗り広める基板の液処理方法の発明としては、前記基板の裏面側にヒータを当接させることによって、この基板を処理液の温度にまで加熱する基板加熱工程と、加熱した基板を前記回転駆動手段の前記支持杆上に載置し、前記回転軸を駆動することにより前記基板を回転させ、この間に基板の表面に加温した処理液を供給する液処理工程とからなり、前記液処理工程時に、前記回転軸の中心部に配置した基板加温手段から前記基板の裏面に対して、この基板の全面より広くない角度範囲に拡散するように温水を噴射させて、この基板を加温することをその特徴とするものである。
【０００７】
また、液処理装置の発明は、加温された処理液により液処理が行われる基板に対して、その裏面と当接して、この基板を処理液の温度に加熱する基板加熱部と、前記基板加熱部で加熱された前記基板を支持して回転駆動するために、回転軸に複数のアームを連結して設け、これら各アームに前記基板の裏面を支持する複数の支持杆を設けた回転駆動手段と、前記支持杆上に載置した前記基板の表面に所定の温度に加温した処理液を供給し、遠心力の作用によりこの基板の表面全体に処理液を塗り広める処理液供給手段と、
前記回転軸の中心位置に配設されて、前記基板の裏面に向けて温水を拡散させるように噴射する基板加温手段とを備える構成としたことをその特徴とするものである。そして、基板加温手段の構成としては、温水配管の先端に装着したノズルチップを有するものであり、このノズルチップは、円錐形状のもので、その中心位置に鉛直状の温水噴射口と、円錐面に設けた複数の温水噴射口とを備えるようにするのが望ましい。
【０００８】
【発明の実施の形態】
そこで、図１乃至図６に本発明の実施の一形態における液処理方法を実施するための装置構成を示す。なお、以下においては、処理される基板の一例として、液晶パネルを構成するＴＦＴ基板にレジスト膜の剥離液等を供給して行うウエットプロセスを行うものとして説明する。ただし、他の処理液を塗布する場合や、さらに液晶パネルのカラーフィルタや、その他の基板である半導体ウエハ等の基板を製造する際に必要な種々の液処理を行うためにも応用することができる。
【０００９】
まず、図１に液処理装置の概略構成を示す。同図において、１は液処理ステーションであって、この液処理ステーション１には、基板搬入・搬出部２と、基板加熱部３と、液処理部４とが設けられると共に、基板搬送用のロボット５が設置されている。また、１０は基板を示し、基板１０は適宜の搬送手段で基板搬入部２にまで搬送されるようになっており、基板搬入・搬出部２の位置にまで搬送された基板１０はロボット５によって、基板搬入・搬出部２から液処理ステーション１内に取り込まれて、レジスト剥離等の液処理が行われる。
【００１０】
基板加熱部３にはプレートヒータ６が設けられており、ロボット５で基板搬入・搬出部２から搬入された基板１０は、このプレートヒータ６上に設置されて、所定の時間だけ加熱されるようになっている。そして、基板１０が加熱されると、再びロボット５により取り出されて、液処理部４に設けた液処理装置７で所定の液処理が行われることになる。ここで、液処理ステーション１には常に２枚の基板１０が位置し、一方の基板１０が加熱されている間に、他方の基板１０は液処理されるようにしている。そして、液処理が終了した基板１０が基板搬入・搬出部２から搬出される際に、新たな基板１０を取り込み、この新たな基板１０を基板加熱部３に移行させる際に、この基板加熱部３で加熱された基板１０を取り出して、液処理部４に送り込む。従って、ロボット５では２枚の基板１０を同時に保持できるように構成する。これによって、処理の効率化が図られる。
【００１１】
次に、基板１０の液処理装置７の全体構成を図２及び図３に示す。１１は基板回転手段であって、この基板回転手段１１は中空の回転軸１２を有し、この回転軸１２は基台１３に立設した保持筒１４に軸受１５で回転自在に支持されている。回転軸１２の上端部には、４本のアーム１６が水平方向に延在され、かつ各アーム１６には複数の支持杆１７が立設されており、これらの支持杆１７の先端は球面形状となっている。また、各アーム１６の先端部分には、それぞれ一対からなる位置決め杆１８が立設されている。基板１０は、図３から明らかなように、長方形のガラス板等から構成されるものであって、アーム１６に立設した複数の支持杆１７上に点接触状態で載置されて平面度を保持するようになし、また基板１０の４つの角隅部は各一対の位置決め杆１８により水平方向に移動できないように規制される。
【００１２】
基板回転手段１１の回転軸１２は基台１３の下方位置に延在されて、その端部にプーリ１９が連結して設けられている。基台１３の下部位置にはモータ２０が設けられ、このモータ２０の出力軸には駆動プーリ２１が連結されており、駆動プーリ２１と回転軸１２のプーリ１９との間には伝達ベルト２２が巻回して設けられている。従って、モータ１４により回転軸１２を回転駆動すると、アーム１６に載置した基板１０が回転することになる。この基板１０の回転中に、その表面１０ａ側には、例えばレジスト膜の剥離液等の処理液が塗布されるようになっている。
【００１３】
以上の液処理は、基板１０を回転駆動することにより処理液に遠心力を作用させて、基板１０の表面１０ａに沿って処理液を拡散させる。そして、余剰の処理液は基板１０のエッジからほぼ水平な方向に飛散するが、この飛散液を回収するために、基板１０は上端が開口したハウジング２３で囲繞されるようになっている。そして、ハウジング２３の外側の位置には、基板１０に対して処理液等を供給する供給手段が設けられている。そこで、図４に処理液供給手段２４の構成を示す。処理液供給手段２４は、水平方向に設けた支持アーム２５を有し、この支持アーム２５に液供給ノズル２６が取り付けられている。支持アーム２５の基端部には取付板２８に連結されており、この取付板２８にはスプライン軸２９の先端が連結され、このスプライン軸２９は、回動軸３０に挿嵌されて、昇降可能で、相対回動不能に連結されている。そして、回動軸３０は基台１３に装着した軸受部材３１に回動自在に支持されている。
【００１４】
回動軸３０は基台１３の下方に延在されており、またスプライン軸２９はこの回動軸３０よりさらに下方に延在されている。スプライン軸２９の端部に昇降駆動手段３２が、回動軸３０の端部には回動駆動手段３３がそれぞれ設けられている。昇降駆動手段３２はシリンダ３４を有し、このシリンダ３４のロッドには連結板３５が連結されており、この連結板３５は軸受３６を介してスプライン軸２９に相対回動自在に連結されている。従って、シリンダ３４を作動させると、スプライン軸２９は実線で示した下降位置と、仮想線で示した上昇位置とに昇降変位できるようになる。また、回動駆動手段３３は、回動軸３０に固着して設けた作動レバー３７を有し、この作動レバー３７を水平方向に回動させることによって、それに連結した回動軸３０を回動させて、図３に実線で示したように、ハウジング２３から外れた位置と、同図に仮想線で示したように、ハウジング２３の上部の開口に臨む位置との間に往復回動する。
【００１５】
処理液供給手段２４を以上のように構成することによって、支持アーム２５を上昇させて、ハウジング２３の外部に位置させると退避位置となり、ロボット５によって基板１０を基板回転手段１１に装着したり、それから取り出したりすることができる。また、基板回転手段１１に載置した基板１０と対面し、かつ所定の高さ位置まで下降させることによって、液供給ノズル２６が基板１０の表面１０ａに近接して処理液を供給できる作動位置となる。そして、液供給ノズル２６は噴射された洗浄液が基板１０の全面に円滑かつ確実に、しかもむらなく広がるようにするために、支持アーム２５に複数箇所設けられて、これら各液供給ノズル２６から所定の処理液を噴射させるようにしている。また、液供給ノズル２６は基板１０に対して斜め方向から噴射されるようになっており、これにより噴射した処理液が基板１０から跳ね返るのを防止するようにしている。
【００１６】
処理液の塗布は基板１０の回転による遠心力の作用を利用して行うことから、余剰の処理液が基板１０の外周におけるエッジ部分から飛散する。そこで、飛散処理液を有効に回収するために、液処理槽を構成するハウジング２３が設けられている。このハウジング２３は、底壁２３ａの周囲に、上端が内向きに曲成した外側周壁２３ｂと内側周壁２３ｃとが連設されている。これによって、外側周壁２３ｂと内側周壁２３ｃとの間に第１の液回収チャンバ４０が形成され、また内側周壁２３ｃの内側は第２の液回収チャンバ４１が形成される。このように構成すると、液処理装置７で異なる２種類の処理液（洗浄液を含む）を塗布する際に、それぞれ別個の液回収チャンバ４０，４１で回収できることになる。なお、単一の処理液を塗布する場合には、第２の液回収チャンバを設ける必要はない。
【００１７】
ハウジング２３における外側周壁２３ｂ及び内側周壁２３ｃの上端部は略水平方向に向いており、それらの開口の直径は少なくとも基板１０の対角線の長さより大きくなし、これにより基板１０の搬入及び搬出が可能となっている。また、底壁２３ａは保持筒１４の周囲を囲繞しており、その中央の部位は円筒状に立ち上がる円筒部２３ｄとなっている。さらに、底壁２３ａは外周側に向けて傾斜しており、また外側周壁２３ｂ及び内側周壁２３ｃは下方が垂直で、上方が傾斜した壁となっている。従って、第１の液回収チャンバ４０及び第２の液回収チャンバ４１に向けて飛散した処理液はこれら垂直壁及び傾斜壁を伝って流下することになる。そして、第１の液回収チャンバ４０及び第２の液回収チャンバ４１の底面にはそれぞれ１または複数の吸引配管４２，４３が接続され、これら吸引配管４２，４３は負圧ポンプ４４，４５に接続されると共に、回収タンク４６，４７に接続されている。
【００１８】
従って、一の処理液を基板１０に塗布する際には、基板１０を外側周壁２３ｂと内側周壁２３ｃとの間に位置させて、基板１０の外周エッジから飛散する余剰の処理液を第１の液回収チャンバ４０内に取り込み、負圧ポンプ４４による負圧吸引力によって、第１の液回収チャンバ４０内の処理液を回収タンク４６に回収する。また、他の処理液（洗浄液を含む）の供給時に、基板１０の回転により飛散する他の処理液は、前述した処理液と混ざらないようにして第２の液回収チャンバ４１に回収することができる。このために、ハウジング２３を上昇させて、内側周壁２３ｃを基板１０の位置より上方の位置にまでハウジング２３を持ち上げて、負圧ポンプ４５を作動させる。これによって、基板１０から飛散する処理液は第２の液回収チャンバ４１内に取り込まれ、吸引配管４３から回収タンク４７に回収できるようになる。
【００１９】
以上の理由から、ハウジング２３は昇降可能になっている。ハウジング２３を昇降させるために、図５に示したように、ハウジング２３の両側にブラケット４８を連結して設け、これら両ブラケット４８に昇降ロッド４９を連結している。そして、この昇降ロッド４９は、基台１３に取り付けた軸受部材５０を貫通して下方に延び、これら２本の昇降ロッド４９の下端部を掛け渡すように昇降板５１が取り付けられている。さらに、この昇降板５１には、両端を固定した固定板５２，５３間に連結して設けたガイドロッド５４にスライド部材５５を介して連結されており、また固定板５２，５３間に設けた送りねじ５６を挿嵌したナット５７が連結されている。そして、送りねじ５６には駆動モータ５８が連結されており、この駆動モータ５８により送りねじ５６を回転させると、昇降板５１が上下動して、この昇降板５１から昇降ロッド５３を介してハウジング２３を上下動させて、基板１０の延長線上に第１の液回収チャンバ４０が臨む位置と、第２の液回収チャンバ４１が臨む位置とに昇降駆動されることになる。
【００２０】
以上の構成を有する基板の液処理装置７を用いて基板１０に対する液処理を行うには、ロボット５により基板１０をこの液処理装置７を設けた液処理部４に搬入する。この時には、ハウジング２３を下降した状態に保持するようになし、基板１０が回転駆動手段１１におけるアーム１６上の所定の位置に保持させて、ロボット５を液処理部４から退避させた後に、処理液供給手段２４における支持アーム２５を旋回させて、基板１０に対面させる。この状態でモータ２０を作動させることによって、回転軸１２を回転駆動すると、基板１０が回転することになり、この基板１０の回転が定常状態になると、支持アーム２５に設けた液供給ノズル２６から処理液を噴出させる。基板１０に供給された処理液は基板１０の回転による遠心力の作用でその表面全体に広がるようになり、余剰の処理液は基板１０のエッジから飛散することになる。飛散した処理液は、例えば第１の液回収チャンバ４０を構成するハウジング２３における内側周壁２３ｃに沿って流下することになり、負圧ポンプ４４による負圧吸引力によって、第１の液回収チャンバ４０内の処理液を回収タンク４６に回収される。
【００２１】
ここで、基板１０に供給される処理液は、その種類や組成等により異なるが、所定の温度にまで加温した状態とする。これによって、一定の粘度の処理液が噴射されて、基板１０の表面全体にわたって均一な膜厚となるように広がり、正確かつ効率的な液処理が行われる。基板１０そのものの温度が低いと、たとえ加温した処理液を供給しても、基板１０に接触すると、直ちに処理液の温度が低下してしまう。また、基板１０に供給された処理液は基板１０上で広がっていく間にもさらに温度が下がることになる。
【００２２】
そこで、基板１０を液処理部４に搬入して行う液処理工程の前段階に、基板加熱部３において基板１０を加熱する基板加熱工程を設けたのはこのためである。即ち、基板加熱部３にはプレートヒータ６が設けられており、基板搬入・搬出部２から取り込まれた基板１０は、直接液処理部４に移行するのではなく、この基板加熱部３に搬入されて、この基板１０の裏面１０ｂ全体をこのプレートヒータ６上に当接させることにより基板１０を加熱する。ここで、プレートヒータ６による加熱は基板１０を処理液と同じ温度とするためのものであり、従って基板１０を所定の時間だけプレートヒータ６に当接させておくことにより、基板１０を実質的に処理液と同じ温度にまで加熱される。
【００２３】
以上の基板加熱工程を経た後、加熱された基板１０を液処理部４に搬入して、基板回転手段１１に装着して回転させる間に、加温した処理液を基板１０に供給した時に、この処理液の温度が低下するのを防止でき、かつ基板１０の表面に沿って広がる間にも、処理液の温度が低下することはない。この結果、処理液は一定の粘度状態で基板１０の全面に均等に塗布されるようになり、塗布効率及び塗布精度等が極めて良好になる。特に、レジスト膜の剥離液を基板１０に供給する場合等にあっては、処理液が基板１０の表面におけるパターンの形成による凹凸に馴染むようになり、かつ処理液の基板１０への接触時間が一定になることから、迅速かつ効率的に、しかも確実に必要な箇所のレジスト膜が剥離され、剥離不良等が生じるおそれはない。従って、基板１０に対して必要以上の剥離液を供給する必要がなくなるので、処理液の消費量を最小限に抑制できる。
【００２４】
ところで、処理液を基板１０に供給する際には、基板回転手段１１により基板１０を回転させるが、この基板１０の回転を高速で行うと、基板１０の表裏面に沿って空気流が生じることになる。従って、たとえ基板１０をプレートヒータ６により加熱したとしても、この空気の流れにより基板１０の温度が低下することになる。特に、基板１０の回転による空気流は、その回転中心位置では殆ど発生せず、周辺部に向かうに応じて空気の流れが大きくなり、外周エッジの部位が最も流速が速くなる。つまり、基板１０を高速回転させると、たとえ基板１０を加温しても、その回転中心部から周辺部に向けて連続的に低くなる温度勾配が生じることになる。
【００２５】
以上の点を考慮して、基板１０の回転中に、この基板１０の温度状態を維持するために、その裏面１０ｂ側に向けて温水を噴射させて、基板１０を加温するようにしている。ここで、温水は、不純物を含まない純水を所定の温度にまで加温したものである。そして、温水は基板１０の裏面側に対して所定の間隔を置いた位置から供給する。
【００２６】
このために、基板１０を回転駆動する回転軸１２を中空回転軸となし、その内部に基板加温手段６０を配置する構成としている。この基板加温手段６０は、温水供給源として、ヒータ等からなる加温手段を備えた温水タンク６１と、温水配管６２と、この温水配管６２の先端に設けたノズルチップ６３とから構成され、温水配管６２の途中には、先端側から温度センサ６４，圧力調整弁６５及び開閉弁６６が装着されている。温水配管６２は中空となった回転軸１２内に挿通されて、この回転軸１２に軸受６７で相対回転自在に支持されており、この温水配管６２に先端に連結したノズルチップ６３は基板１０の回転中心位置に所定の間隔を置いて対面する状態に設けられる。そして、例えば温水タンク６１を加圧する等により、この温水タンク６１内の温水を温水配管６２内に圧送して、ノズルチップ６３から基板１０の裏面に向けて噴出させるように構成している。
【００２７】
図６に示したように、ノズルチップ６３の外形は概略円錐形状乃至裁頭円錐形状となった本体部６３ａに内面にねじを設けたスカート部６３ｂを連設したものであって、スカート部６３ｂが温水配管６２の先端部分に螺合されることになる。そして、この螺合長を調整することによって、ノズルチップ６３の高さ位置を調整できるようにしている。ノズルチップ６３における本体部６３ａの円錐面には複数の温水噴射口６８が開口している。これらの温水噴射口６８は、その中心部では鉛直方向に向けられているが、周辺部に向かうに応じて温水配管６２の軸線に対して傾斜しており、各温水噴射口６７の傾斜角度を適宜設定することによって、ノズルチップ６３から所定の角度範囲にわたって拡開するように温水が噴出することになる。また、各々の温水噴射口６７から温水を噴射させた時に、その圧力が高いほど拡散することになり、従って、温水噴射圧に応じても、温水の広がりが変化する。そこで、各温水噴射口６７の角度と、温水の供給圧力とによって、ノズルチップ６３からの温水の噴射角度が定まり、そしてノズルチップ６３と基板１０との間隔によって、基板１０の裏面１０ｂに対する温水の噴射範囲を設定及び調整できる。
【００２８】
而して、ノズルチップ６３は、温水配管６２に対してねじ嵌合されるようになっており、しかも所定の螺合長を有するものであり、従ってノズルチップ６３を交換すれば、異なる角度の温水噴射口を持ったノズルチップを交換して用いることができ、またノズルチップ６３のスカート部６３ｂの温水配管６２に対する螺合長を調整することによって、基板１０との間隔の調整を行うことができる。さらに、温水配管６２には圧力調整弁６５が設けられているから、この圧力調整弁６５によってノズルチップ６３からの温水の噴出圧を調整でき、これにより基板１０への温水の噴射範囲を任意に設定できる。基板１０の全体をむらなく加温する必要があるから、温水はできるだけ基板１０の全面に噴射できるようにするのが望ましい。ただし、基板１０の回転により、その裏面側に供給された温水は遠心力の作用で、ある程度の広がり期待できる。従って、実際には基板１０のほぼ全面に温水が直接噴射されるようになっておれば良い。ただし、温水の噴射範囲は基板１０の全面より広くしないようにする。
【００２９】
以上のように、基板１０の回転中に、その裏面１０ｂ側に温水を噴射させることによって、基板１０は、基板加熱部３におけるプレートヒータ６で加熱した温度状態に保持され、この基板１０の回転による空気の流れで基板１０が冷却されるのを防止できるようになり、従って処理液の塗布による処理時間が長くかかる場合であっても、基板１０は確実に処理液温度とほぼ等しい温度状態に保持されて、基板１０に対して最適の塗布温度条件に保持される。ここで、基板回転手段１１に複数のサイズの基板１０を装着できるように構成されている場合には、基板１０のサイズに応じてノズルチップ６３を交換して使用すれば良い。
【００３０】
また、基板１０の回転により生じる空気流により基板１０が部分的に冷却されるのを防止するために、基板１０の回転速度を調整することによって、さらに回転中における基板１０の温度低下を防止できる。そこで、基板回転手段１１による基板１０の回転数としては、基板１０に供給された処理液が基板１０の全体に円滑に広がらせることができ、しかもその回転中に空気流により部分的な冷却が生じない程度の回転数を選択する。また、基板１０の回転による空気流の発生を抑制するために、図２に示したように、回転軸１２の近傍に噴射ノズル５９を設けて、この噴射ノズル５９から、加温されたクリーンエア等を噴出させるようにすることもできる。
【００３１】
このように、基板加温手段６０を設けることによって、液処理工程において、その処理時間が長い場合等であっても、確実に基板１０の全体を実質的に処理液の温度に等しい状態に保持できると共に、温水は基板１０の裏面１０ｂのほぼ全体に及んでおり、従って裏面１０ｂは温水の膜が形成された状態に保持されることから、処理液の裏面側への回り込みの防止も図ることができる。
【００３２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明は、基板を回転させながら、この基板に処理液を供給することにより行われるウエットプロセスにおいて、液処理工程に先立って、基板を処理液の温度とほぼ同じ温度となるように加熱し、かつ液処理工程時に基板の裏面側に拡散する状態にして温水を供給することから、基板に供給された処理液の温度を正確に管理でき、少量の処理液で効率的、かつ確実に基板の液処理を行える等の効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の一形態を示す基板の液処理方法を実施するための装置の概略構成図である。
【図２】液処理装置の概略構成図である。
【図３】図２の平面図である。
【図４】処理液供給手段の断面図である。
【図５】図２の外観図である。
【図６】基板加温手段の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
１  液処理チャンバ            ２  基板搬入・搬出部
３  基板加熱部                ４  液処理部
５  ロボット                  ６  プレートヒータ
７  液処理装置                １０  基板
１１  基板回転手段            ２４  処理液供給手段
２７  液供給ノズル            ６０  基板加温手段
６１  温水タンク              ６８  温水噴射口
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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