(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
ピクセルとピクセル間隔とを画定しており、前記基板の上にパターニングされた反射率変調器と、
前記パターニングされた反射率変調器の上に形成され、所定範囲の波長にわたる光を反射する底部誘電体積層体と、
レーザ発光のために前記底部誘電体積層体の上に形成されている有機活性領域と、
離間されたレーザピクセルのアレイを画定するように、前記有機活性領域の上に形成され、前記底部誘電体層と離間されており、所定範囲の波長にわたる光を反射する頂部誘電体積層体と、
を備え、
前記パターニングされた反射率変調器によって前記底部誘電体積層体と前記反射率変調器との界面の反射率を調整し、前記ピクセル領域の反射率を前記ピクセル間領域の反射率と異ならせるようにし、
前記アレイからコヒーレントな位相固定レーザ光を発する垂直共振器型有機レーザアレイデバイス。
【請求項２】
前記活性領域は、
前記活性領域の面に垂直な方向に周期的なゲイン領域と、
前記周期的なゲイン領域のいずれか一方の側に配置され、前記周期的なゲイン領域が前記デバイスの定常波の電磁場の波の波腹に位置するように、設けられた有機スペーサ層と
を含む、請求項１に記載の垂直共振器型有機レーザアレイデバイス。
【請求項３】
基板と、
ピクセルとピクセル間隔とを画定しており、前記基板の上にパターニングされた反射率変調器と、
前記パターニングされた反射率変調器の上に形成され、所定範囲の波長にわたる光を反射する底部誘電体積層体と、
レーザ発光のために前記底部誘電体積層体の上に形成されている有機活性領域と、
離間されたレーザピクセルのアレイを画定するように、前記有機活性領域の上に形成され、前記底部誘電体層と離間されており、所定範囲の波長にわたる光を反射する金属層と、
を備え、
前記パターニングされた反射率変調器によって前記底部誘電体積層体と前記反射率変調器との界面の反射率を調整し、前記ピクセル領域の反射率を前記ピクセル間領域の反射率と異ならせるようにし、
前記アレイからコヒーレントな位相固定レーザ光を発する垂直共振器型有機レーザアレイデバイス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、垂直共振器型有機レーザ光デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】
ケイス（Keith B. Kahen）によって米国特許庁に２０００年２月４日に出願された米国特許出願第１０／０６６、８２９号を本願明細書の一部をなすものとしてここに挙げておく。
【０００３】
ＡｌＧａＡｓ等の無機半導体を用いた垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）は、８０年代半ば以来、開発されている（K. Kinoshita et al., IEEE J. Quant. Electron. QE-23, 882 [1987]）。それによって、波長８５０ｎｍの光を発光するＡｌＧａＡｓベースの垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）が多くの会社によって製造され、それらは１００年を超える寿命に達している（K. D. Choquette et al., Proc. IEEE 85, 1730 [1997]）。近年の近赤外レーザにおける成功に乗って、可視波長領域で発光する垂直共振器型面発光レーザを製造するため、他の無機材料の系統へ注意が向けられている（C. Wilmsen et al., Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers, Cambridge University Press, Cambridge, 2001）。可視光領域レーザには、ディスプレイ、光記録媒体の読み出し／書き込み、レーザプリント、それにプラスチック光ファイバを用いた短距離通信等の多くの用途がある（T. Ishigure et al., Electron. Lett. 31, 467 [1995]）。世界中の産学の研究所による努力にもかかわらず、端面発光型レーザであれ垂直共振器型面発光レーザであれ、可視スペクトルにかかる可視光領域レーザダイオードを生み出すにとどまっている。
【０００４】
可視光領域の垂直共振器型面発光レーザを生み出す努力のなかで、有機ベースのゲイン材料（gain material）は、低い非励起散乱／吸収損失と高い量子効率の特性を有しているので、無機ベースの材料を断念し、有機ベースのレーザシステムに絞ることは有利となる。無機系レーザシステムと比較すると、有機レーザは、相対的に安価に製造でき、可視光領域全体にわたって発光させることができ、任意の大きさにすることができ、最も重要なこととしては、一つのチップから赤、緑、青等の複数波長の光を発光させることができることである。
【０００５】
レーザダイオードシステムの普通の製造方法では、光励起よりも電子注入を行ってデバイスの活性領域に必要な反転分布を生み出している。これは、無機システムにおける広範囲のデバイスについて光励起のしきい値は１０４Ｗ／ｃｍ２程度の大きさを持つためである（P. L. Gourley et al）。このような高出力密度は、励起光源としての他のレーザを用いることによってのみ達成でき、その結果、共振器型無機系レーザを用いる道は除外される。非励起有機レーザシステムは、特に、能動媒質（active media）としてホスト−ドーパントの組み合わせを用いた場合には、レーザ波長における散乱及び吸収損失を大幅に減らすことができる（〜０．５ｃｍ−１）。その結果、特に、活性体積（active volume）を最小にするために、微細な共振器の垂直共振器型面発光レーザを用いた場合、５Ｗ／ｃｍ２より低い光励起パワー密度の閾値を達成できる。５Ｗ／ｃｍ２より低いパワー密度の閾値の重要性とは、安価な、オフ・ザ・シェルフ（off-the-shelf）の、非コヒーレントＬＥＤの光励起レーザ共振器を得ることができる可能性があるということである。
【０００６】
垂直共振器型面発光有機レーザデバイスからシングルモードのミリワット出力を得るために、通常、発光領域の直径として１０μｍ程度の大きさが必要である。そのため、出力１ｍＷのためには、デバイスを光源によって〜６０００Ｗ／ｃｍ２（出力変換効率として２５％を仮定している）に励起する必要がある。このパワー密度レベル（及びピクセルサイズ）は、ＬＥＤの能力をはるかに超えており、さらに、連続波（continuous wave（ｃｗ））で駆動した場合には、有機材料の劣化を引き起こすという問題が生じると思われる。その問題を避ける方法は、有機レーザ発光領域の直径を約３５０μｍに大きくすることであり、それによって、１ｍＷの出力を得るための励起パワー密度を４Ｗ／ｃｍ２程度の大きさに減らすことができる。このパワー密度の大きさとピクセルサイズとは、既成の波長４００ｎｍ用の無機ＬＥＤによって達成できる。しかし残念ながら、発光領域の直径３５０μｍの広範囲用デバイスは、マルチモード出力であって、低いパワー変換効率を招き、その結果、光はフィラメント状になってしまう。そこで、良好なパワー変換効率とシングルモード出力が得られる大面積の垂直共振器型面発光有機レーザデバイスを作製することには非常に大きな利点がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、特に、ミクロンサイズの有機レーザピクセルの２次元アレイからの位相固定レーザ発光が可能な面発光有機レーザデバイスを提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、以下の本発明に係る垂直共振器型有機レーザアレイデバイスによって解決できる。このデバイスは、基板と、
ピクセルとピクセル間隔とを画定しており、前記基板の上に配置されているパターニングされた反射率変調器と、
前記パターニングされた反射率変調器の上に配置され、所定範囲の波長を超える光を反射する底部誘電体積層体と、
レーザ発光のために前記底部誘電体積層体の上に配置されている有機活性領域と、
離間されたレーザピクセルのアレイが画定されるように前記底部誘電体層と離間されており、ピクセルがピクセル間領域より高い反射率を有し、アレイがコヒーレントな位相固定レーザ光を発するように、所定範囲の波長を超える光を反射する頂部誘電体積層体と
を備える。
【０００９】
【発明の実施の形態】
シングルモードで発光する面積を大きくするために、図１に典型的に示されるように、本発明に係る２次元位相固定レーザアレイデバイス１００を構成する必要がある。光励起及びレーザ発振の方向に応じて、基板１１０は、光伝導性、又は、不透明のいずれであってもよい。基板１１０は、透明なガラス又はプラスチックであってもよい。別の場合として、光励起する面と同じ面からレーザ発振する場合に、シリコン等の半導体材料又はセラミック材料を含む不透明な基板を用いてもよい。
【００１０】
図２に示すように、２次元位相固定レーザアレイデバイス１００を形成するために、ＶＣＳＥＬの表面には、ピクセル間領域２１０によって分離されたレーザピクセル２００を画定する必要がある。位相固定を行うために、強度及び位相情報をピクセル間で変換しなければならない。これは、レーザ発振をわずかな内蔵インデックス又はゲインを導くピクセル領域に弱く制限することにより最も行うことができる。２次元無機レーザアレイに適用されているように、この弱制限（weak confinement）を行う方法は、金属を加える（E. Kapon and M. Orenstein,米国特許第5,086,430号）か、頂部の誘電体層を深くエッチングして（P. L. Gourley et al., Appl. Phys. Lett. 58, 890[1991]）、頂部の誘電体層の反射率を調整することである。どちらの無機レーザアレイの場合にも、レーザピクセルは、幅が３〜５μｍであって、シングルモードで動作させることができ、ピクセル間隔が１〜２μｍであった。有機物層はいったん成膜するとレーザ構造体の上にミクロンサイズのパターンを形成することは非常に困難なため、上記の結果を有機レーザシステムに応用するには注意が必要である。そのため、好ましい実施の形態において、底部の誘電体層１２０の成膜前に基板の上にパターニングされた反射率調整器１５０を形成するため、反射率の調整は金属又は金属合金の成膜及びパターニングによって影響を受ける。金属は従来の加熱蒸発、スパッタリング、又は、電子ビーム成膜法のいずれによって成膜してもよい。金属は、通常のフォトリソグラフィ法とエッチング法を用いてパターニングされ、基板の表面に円形の金属ピットの２次元アレイを形成することができる。図２を参照すると、金属はレーザピクセル領域２００から除去され、一方、ピクセル間領域２１０には金属が残留している。
【００１１】
好ましい実施の形態において、レーザピクセルの形状は円形であるが、矩形等の他の形状であってもよい。レーザピクセルの直径は、それより大きなピクセル径では座出力がマルチモードになるので、２〜５μｍの範囲である。ピクセル間隔は０．２５〜４μｍの範囲である。また、位相固定アレイの動作はより大きなピクセル間隔について生じるが、その場合には光励起エネルギーの非効率な消費を招くことになる。パターニングされた反射率調整器１５０の上に画定しているピクセル及びピクセル間領域は、高い屈折率の誘電体と低い屈折率の誘電体とをそれぞれ交互に重ねた底部の誘電体層１２０の上に成膜されている。底部の誘電体層１２０は、所定範囲の波長を超えるレーザ光を反射するように設けられている。通常の屈折率を持つ材料として、酸化チタンＴｉＯ２及び酸化ケイ素ＳｉＯ２がある。底部の誘電体層１２０は、通常、成膜温度が２４０℃の電子ビーム成膜法によって成膜される。金属がピクセル間領域に残存するので、底部の誘電体層１２０は、金属が存在しない場合の反射に対して金属の存在によって積層反射が減るように底部の誘電体層１２０が設けられている。したがって、正味のゲインはレーザピクセル領域において最大となり、その結果、レーザ発振する。また、反射率調整に影響することに加えて、ピクセル間領域の金属は、励起しているデバイスからのレーザ発振の方向への自発的な発振の抑制を補助している。
【００１２】
なお、Ｍｏｒｇａｎらの無機位相固定レーザシステムは、（頂部の誘電体層）誘電体層のいずれか一つに金属を用いてより低い反射率とし、金属パターンを介して位相固定レーザ発振を得ていた（Morgan et al., Apply. Phys. Lett. 61, 1160 [1992]）。頂部の誘電体１４０の下に有機活性領域１３０が設けられているために、誘電体層１４０の頂部にミクロンサイズの金属を作製することは非常に困難なのでこれらの設計は有機レーザシステムには応用されていない。パターニングされた反射率調整器１５０の形成の結果、レーザ発振はレーザピクセル２００に弱く制限され、ピクセル間領域２１０からはレーザ光は照射されず、コヒーレントな位相固定レーザ光がアレイ１００によって発振される。
【００１３】
有機活性領域１３０は、底部誘電体層１２０にわたって成膜される。活性領域は、低分子有機材料、共役の高分子有機材料、又は、その２つの結合体からなる。低分子有機材料は、高真空（１０−６Ｔｏｒｒ（＝１．３３×１０−４Ｐａ））加熱蒸着法で成膜され、一方、共役高分子材料は通常回転成膜法（spin casting）によって成膜される。図１には、有機活性領域１３０がバルク層でなく、多層複合体であることが示されている。無機レーザについてのＢｒｕｅｃｋらによる示唆によれば、有機活性領域１３０には有機スペーサ層１７０で分離された一以上の周期的ゲイン領域１６０が含まれている（米国特許第4,881,236号）。周期的なゲイン領域１６０の厚さは、通常、５０ｎｍ未満であり、好ましくは１０〜３０ｎｍである。有機スペーサ層１７０の厚さは、周期的なゲイン領域がレーザ共振器の受けている電磁場の波腹（antinode）に並べられるように選択される。活性層に周期的なゲイン領域を用いることによって、より大きなパワー変換効率が得られ、望まれていない自発的な発振を大幅に減らすことができる。そこで、活性領域１３０には、一以上の周期的なゲイン領域１６０と、周期的なゲイン領域のいずれか一方の側に配置され、周期的なゲイン領域がレーザ共振器の受けている電磁場の波腹（antinode）に並べられている有機スペーサ層１７０が含まれるように設けられている。
【００１４】
周期的なゲイン領域１６０は、高い量子効率で蛍光を発する低分子有機材料又は高分子有機材料のいずれかからなる。高分子材料としては、例えば、米国特許第6,194,119号に記載の、ポリフェニレンビニレン誘導体、ジアルコキシ−ポリフェニレンビニレン、ポリ−パラフェニレン誘導体、それにポリフルオレン誘導体である。この実施の形態では、ホスト−ドーパントの組み合わせが直ちに利用でき、（Ｆｏｒｓｔｅｒエネルギー遷移機構を介し）その結果、レーザ発振波長でのゲイン媒体について、非励起バンド間の吸収係数が１ｃｍ−１より非常に低くなるので、低分子有機材料が好ましい（M. Berggren et al., Nature 389, 466 [1997]）。赤色発光レーザについてのホスト−ドーパントの組み合わせの有用な例として、ホストとしてのアルミニウム・トリス（８−ヒドロキシキノリン）（Ａｌｑ）と、体積比で１．０％のドーパントとしての［４−（ジシアノメチレン）−２−ｔ−ブチル−６（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジル−９−エニル）−４Ｈ−ピラン］（ＤＣＪＴＢ：[4-(dicyanomethylene)-2-t-butyl-6-(1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran]）が挙げられる。青や緑等の他の波長での発振について他のホスト−ドーパントの組み合わせを用いてもよい。有機スペーサ層１７０について、レーザ発光１９０と励起ビーム１８０との両方に対して透明度が高い材料を用いることが好ましい。この実施の形態において、１，１−ビス−（４−ビス（４−メチル−フェニル）−アミノフェニル）−シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）は、可視及び近紫外スペクトルにわたって吸収が非常に低く、その屈折率がほとんどの有機ホスト材料よりわずかに低いので、スペーサ材料として選択される。この屈折率の差は、受けている電場の波腹（アンチノード（antinode））と周期的なゲイン領域１６０との間の重なりを最大にするように働く。
【００１５】
次の活性領域１３０は、頂部誘電体層１４０に成膜される。頂部誘電体層１４０は、底部誘電体層から離間されており、所定波長の範囲を超えるレーザ光を反射する。その組成は、底部誘電体層１２０の組成と類似する。頂部誘電体層は有機ベースの活性領域にわたって成膜されているので、有機材料の溶融を避けるために成膜温度は低く保たなければならない。その結果、通常、頂部誘電体層１４０についての成膜温度は７０℃である。良好なレーザ特性を得るために、頂部及び底部誘電体層１４０、１２０のピーク反射率は、それ以下の値の場合に広いレーザ光の線幅となる９９％を超えていることが好ましい。
【００１６】
図２のレーザピクセル２００は、位相固定動作において、各要素がその４つの最近傍について１８０°の位相のずれを持つ正方形の２次元アレイ状に配置されている（E. Kapon and M. Orenstein, 米国特許第5,086,430号）。レーザピクセル２００は、ピクセルの線形アレイや他の２次元周期的配置等の別の配置であってもよい。しかし、米国特許第5,086,430号に記載されているように、（六方格子アレイ等の）最密充填された２次元配置では、近接するピクセル間の位相関係がより複雑になる。
【００１７】
２次元位相固定レーザアレイデバイス１００は、投射励起ビーム光源１８０によって光学的に駆動され、位相固定されたレーザ発光１９０を発する。有機レーザ共振器のレーザパワー密度しきい値に応じて、励起ビームは合焦されたレーザ光又はインコヒーレントなＬＥＤ光であってもよい。図１には、底部誘電体層１２０を介してのレーザ発光が示されている。別の例では、シリコン等の不透明な基板の場合には、光励起及びレーザ発光のいずれについても頂部誘電体層１４０を介して行われる。光学的に励起された有機レーザアレイデバイスの動作は以下の手段によって行われる。励起ビーム１８０は、頂部誘電体層１４０を介して伝達され、周期的なゲイン領域１６０で吸収され、励起ビームエネルギーの幾分かはより長い波長のレーザ光として再発光する。励起ビーム１８０が頂部誘電体層１４０を介して入射した場合には、主に底部誘電体層１２０及び基板１１０を介してのレーザ出力を確保するために、ピーク反射率が底部誘電体層の反射率よりも大きな頂部誘電体層１２０を選ぶ必要がある。デバイスのパワー変換効率を改善するため、両方の誘電体層に別の誘電体層を追加することは常識であり、それによって頂部誘電体層１４０は励起ビーム１８０をほとんど透過させ、底部誘電体層１２０は励起ビームをほとんど反射する。レーザ光は、レーザピクセル２００によって発せられ、その結果、弱制限となり、位相及び強度の情報はピクセル間で交換される。そして、コヒーレントな位相固定レーザ発光が基板１１０を介して生じる。
【００１８】
本発明の別の実施の形態においては、頂部誘電体層１４０に代えて、反射性の金属鏡面層を成膜している。金属膜は、通常、反射率が９０％を超える銀又はアルミニウムである。下に設けられている有機層にダメージを与えないように、金属は真空加熱蒸着によって成膜することが好ましい。別の実施の形態では、励起ビーム１８０とレーザ発光１９０の両方が基板１１０を介して進む。
【００１９】
以下に本発明の理解を用意にするために実施例を用いて説明する。なお、これは本発明を制限するものと解釈してはならない。
【００２０】
実施例１．
図１及び図２の２次元位相固定レーザアレイのレーザ特性を測定するために、レーザ構造体は、あらかじめ清浄にされた６インチ径のクオーツ基板の上に形成された。厚さ１００ｎｍのＴｉＡｌ３金属合金膜が通常のマグネトロンスパッタリングによって基板１１０の上にわたって成膜された。次いで、通常のフォトリソグラフィ法で金属をパターニングして、エッジ間隔が１μｍであって、径５μｍの円形ピットの２次元正方形アレイを作成した。通常の塩素ベースプラズマで金属を介してレーザピクセル領域２００にエッチングした。パターニングされた反射率変調器１５０の上にわたって、屈折率が高低のＴｉＯ２とＳｉＯ２がそれぞれ交互に重なる頂部誘電体層１２０を通常の電子ビーム成膜法で成膜した。そうして得られた誘電体鏡面は、６６０ｎｍで反射率が〜９９．４４％のピーク反射率が測定された。底部誘電体層１２０の上に、高真空加熱蒸着によって、厚さ１７３ｎｍのＴＡＰＣ、厚さ３０ｎｍの１５のＤＣＪＴＢを含むＡｌｑ、厚さ１８５ｎｍのＴＡＰＣの順に有機活性領域１３０を成膜した。最後に、頂部誘電体層１４０を、クオーツ基板の測定温度を７２℃以下に保持して低温電子ビーム成膜法で成膜した。それは、屈折率が高低のＴｉＯ２とＳｉＯ２がそれぞれ交互に重ねられている。得られた誘電体鏡面は、６６０ｎｍでピーク反射率が９９．９８％であった。
【００２１】
スペクトルとパワー特性についてデバイスをテストするため、デバイスの頂部側に日亜化学工業（株）製の５ｍＷのレーザダイオードレーザから４０３ｎｍの出力を与えて、共振器を光学的に励起した。励起レーザによって５ＫＨｚの反復率で５０ナノ秒のレーザパルスを発生させた。励起エネルギー強度は、２つのニュートラル・デンシティ・ホイール（neutral density wheel）の組み合わせによって調整され、１０００ｍｍのレンズを用いてレーザ共振器の表面に合焦された。その結果、励起ビームのデバイス表面におけるスポットサイズは、１７７×２４３μｍの大きさの楕円形であった。共振器からのレーザ出力１９０は、スリット近傍の５０ｍｍｆ２レンズと１００ｍｍｆ４レンズの組み合わせ（その結果、レーザのニアフィールドイメージが２倍になった）によるダブルモノクロメータ（０．２２ｍ）の入口スリットに合焦された。モノクロメータの解像度は、およそ０．４５ｎｍであり、その出力は、冷却されたハママツ製の光電子増倍管によって検出された。
【００２２】
図３と図４（２つのレーザ特性の高分解能スキャン）には、開口数ＮＡ０．２５のレンズによって集光されたレーザスペクトルが示されている。この例では２つのレーザピークがあり、６６３．１ｎｍのＴＥＭ０，０と６５９．６ｎｍのＴＥＭ１、０があり、半値幅（ＦＷＨＭ）がそれぞれ０．６６ｎｍと０．７８ｎｍである。ＴＥＭ０、０ピークの長波長側には自発性発光の信号がスペクトロメータのノイズの中にある。ＴＥＭ１，０の短波長側には、ＴＥＭ０，０のレーザピーク強度より２０ｄＢ小さい平均強度のより大きな自発性発光の信号がある。
【００２３】
図５には、励起ビームパワーとレーザパワー出力との関係が示されている。図５に示されているように、ＶＣＳＥＬアレイは、〜０．０３Ｗ／ｃｍ２のパワー密度しきい値を持つ。この結果は、小さい径（２．５μｍ）の広範囲デバイスについて得られる結果より大きさが２段階低く、有機レーザの文献（Berggren et al。、Nature 389, 466 [1997]）で報告されているよりも大きさが３段階分は優れている。小径の広範囲デバイスについて、しきい値における大きな落差（drop）は、およそ少ない局所的な加熱、及び、大きく減少した回折損失（diffraction losses）によると思われる。図には、レーザしきい値を超えると鋭い上昇が示されており、その傾きは、レーザ発光を超えて入力パワー密度が１段階のところで再び落ち始めることが示されている。広範囲デバイスについて同じ傾向が生じた。即ち、その効果は、そのアレイに特有のものではなく、一般の有機ＶＣＳＥＬについてのものである。現在、それは主に熱効果によると考えられている。レーザ遷移領域のクローズアップ画像を得るために、レーザ出力曲線を図６に実スケールで再プロットした。図には、非常に鋭いターンオンを持ち、レーザしきい値を超えてほぼ１段階の大きさで線形のレーザ出力を持つアレイが示されている。
【００２４】
【発明の効果】
本発明によれば、大面積の光源を用いて電気的又は光学的に駆動可能であって、位相固定レーザ出力を生み出すミクロンサイズのレーザピクセルを用いた２次元有機レーザアレイデバイスを提供する。このデバイスは、頂部及び底部反射器用の高反射率の誘電体層と、低分子有機材料を含むゲイン媒体とを組み込んだマイクロ共振器を用いている。デバイスのミクロンサイズのレーザピクセルは、底部誘電体層を変形して設けられている。ピクセルからの発光は位相固定され、デバイスは大面積の光源によって駆動でき、その上レーザ出力はシングルモードにほぼ維持されている。低パワー密度のしきい値を大面積の光源と組み合わせることによって、安価なインコヒーレントＬＥＤによってデバイスを光学的に駆動させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明による光励起２次元位相固定の垂直共振器型有機レーザアレイの側面概略図である。
【図２】  本発明による光励起２次元位相固定の垂直共振器型有機レーザアレイの平面概略図である。
【図３】  強度と波長との関係を示すグラフであって、光励起２次元位相固定の垂直共振器型有機レーザアレイからのレーザ発光スペクトルを表している。
【図４】  図３と同様の、２次元位相固定の垂直共振器型有機レーザアレイからのより高い解像度を有する集光されたレーザ発光スペクトルのグラフである。
【図５】  ２次元位相固定の垂直共振器型有機レーザアレイに関する光出力と入力との関係を示すグラフである。
【図６】  ２次元位相固定の垂直共振器型有機レーザアレイに関する励起パワーとレーザ遷移領域近傍でのレーザ出力との関係を示す図５と同様のグラフである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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