(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
［Ａ］芳香族ジヒドロキシ化合物と該芳香族ジヒドロキシ化合物１モルに対して１．００５〜１．１モルの炭酸ジエステルとを、１０-6〜１０-8モルの量のアルカリ金属またはアルカリ土類金属化合物の存在下反応させる事により得られる、末端ヒドロキシル基濃度が１〜３０モル％であり、かつＧＰＣで測定した分子量分布が２．０〜２．６であるポリカーボネート１００重量部と、［Ｂ］下記式（１）−１
【化８】
0004180719.tif 000007
（ここでＡ2、Ａ3、Ａ4、Ａ5、およびＡ6は互いに独立に炭素数１〜２０の１価の炭化水素基である。）
で示されるスルホン酸ホスホニウム塩０．００００１〜０．０１重量部、および［Ｃ］脂肪族カルボン酸と多価アルコールとの部分エステル０．００５〜０．１重量部とからなるポリカーボネート樹脂組成物。
【請求項２】
［Ｃ］脂肪族カルボン酸と多価アルコールとの部分エステルが炭素数１２〜２４の飽和一価脂肪酸のモノグリセリドおよび／またはジグリセリドであることを特徴とする請求項１記載のポリカーボネート系樹脂組成物。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ポリカーボネート組成物に関するものであり、特に光学用ディスク、レンズ等の光学用成形品を製造するのに適したポリカーボネート組成物に関するものである。
さらに詳しくはポリマー色相、耐加水分解性に優れるとともに、成形時の分子量低下、色相保持等の熱安定性および離型性、転写性等の成形性にも優れたポリカーボネート組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ポリカーボネートは耐衝撃性などの機械的物性に優れ、しかも耐熱性、透明性などにも優れており、光学用部品、各種機械部品、自動車部品をはじめとする様々な用途に広く用いられている。
【０００３】
ポリカーボネートは従来ビスフェノールＡなどの芳香族ジヒドロキシ化合物とホスゲンとをメチレンクロライト等の有機溶剤下直接重合させる方法（界面法）、あるいは芳香族ジヒドロキシ化合物と、炭酸ジエステルとをエステル交換反応させる方法（溶融重縮合法）によって製造されている。
【０００４】
これらのうち、後者は、前者界面法と比較して安価にポリカーボネートを製造することができるという利点を有するとともに、ホスゲンなどの毒性物質を用いないので、環境衛生上好ましい。
【０００５】
従来の溶融重縮合法によるポリカーボネートの製造方法では、通常触媒成分としてアルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物などが用いられる。しかしかかる触媒を用いて得られるポリカーボネート樹脂では、残存する触媒のため熱安定性に欠け、溶融時その一部が分解して分子量が低下したり、着色したりすることがあった。
【０００６】
これを解決する方法として特開平５−９２８５号公報には芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルとより、得られたポリカーボネートに、下記式（２）
【０００７】
【化３】
0004180719.tif 000002
【０００８】
（ここでＡ7はハロゲンで置換されていてもよいＣ1〜Ｃ6の炭化水素基であり、Ａ8は水素原子またはハロゲンで置換されていてもよいＣ1〜Ｃ8の炭化水素基であり、ｎは０〜３の整数である。）
で表わされるスルホン酸化合物を０．０５〜１０ｐｐｍの量で添加してポリカーボネートを製造する方法が開示されている。
【０００９】
英国特許８０８，４８８号公報あるいは英国特許８０８，４８９号公報にはジメチルサルフェート、ジブチルサルフェート等の酸性化合物を添加してポリカーボネートを製造する方法が開示されている。
【００１０】
しかしながら該方法では残存する触媒に対し酸性化合物を過剰に添加、具体的には２倍モル以上添加しているため、残存する触媒は失活安定化されるものの、過剰分の酸性化合物が得られるポリカーボネート中に残存し、結果として得られるポリカーボネートの耐湿熱性を低下させたり、光学用ディスク成形品に蒸着されるアルミ膜を腐食させたりするという問題点があった。
【００１１】
またポリカーボネートは近年光学用成形品としての需要は著しく、例えば光学用ディスク、情報ディスク、光学レンズ、プリズム等に広く用いられてきている。そして、それに伴い、熱安定性、離型性、転写性等の要求がこれまで以上に高まってきている。
【００１２】
特にコンパクトディスク、レーザーディスク等の光学用ディスク成形品の製造においては、効率的な連続生産が要求されている。成形品が金型から離型する際に離型抵抗が大きいとそりを生じ、光学歪みの原因となるため、用いられるポリカーボネートは優れた離型性が必要である。離型性を向上させるためには離型剤の使用が必要となるが、剤およびその添加量によっては成形時の色相低下、また得られる成形品の透明性の低下等が生じるという問題点があった。
【００１３】
また同時に特に光学用ディスク成形品においてはスタンパーの微細な凹凸を正確に転写することが要求され、特にデジタルビデオディスク（ＤＶＤ）ではこの要求がいっそう激しいものとなる。
【００１４】
高度な転写についても離型性が重要であることは言うまでもなく、同時に樹脂の流動性にも大きく影響されるため。そのため成形は従来より高い成形温度で行われる傾向にあるため、樹脂の熱安定性も同様に要求される。
【００１５】
このため、通常、製造後ペレットなどに成形されたポリカーボネートを再溶融し、耐熱安定剤などを添加して、熱安定性を向上させている。しかしながら、この方法では、熱安定性が低い状態でポリカーボネートに加熱処理を施すことになり、また、ポリカーボネートが受ける熱履歴回数を増加させることになる。
【００１６】
また上記耐熱安定剤の添加によって、ポリカーボネートの耐加水分解性が低下することがあり、このようなポリカーボネートから得られる成形体では使用中に透明性が低下してしまうことがあった。
【００１７】
上記の理由によりポリマー色相、耐加水分解性に優れるとともに、成形時の分子量低下、色相保持等の熱安定性および離型性、転写性等の成形性にも優れたポリカーボネート組成物の製造方法の出現が望まれている。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、ポリカーボネート組成物の製造方法に関するものであり、特に光学用ディスク、レンズ等の光学用成形品を製造するのに適したポリカーボネート組成物に関するものである。
さらに詳しくはポリマー色相、耐加水分解性に優れるとともに、成形時の分子量低下、色相保持等の熱安定性および離型性、転写性等の成形性にも優れたポリカーボネート組成物である事を見出し本発明を完成するに至った。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
本発明は［Ａ］芳香族ジヒドロキシ化合物と該芳香族ジヒドロキシ化合物１モルに対して１．００５〜１．１モルの炭酸ジエステルとを、１０-6〜１０-8モルの量のアルカリ金属またはアルカリ土類金属化合物の存在下反応させる事により得られる、末端ヒドロキシル基濃度が１〜３０モル％であり、かつＧＰＣで測定した分子量分布（重量平均分子量／数平均分子量）が２．０〜２．６であるポリカーボネート１００重量部と、
［Ｂ］下記式（１）
【００２０】
【化４】
Ａ1―ＳＯ3Ｘ1          ……（１）
（ここでＡ1は置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の炭化水素基であり、Ｘ1はアンモニウムカチオンまたはホスホニウムカチオンである。）
で示されるスルホン酸化合物０．００００１〜０．０１重量部、および
［Ｃ］脂肪族カルボン酸と多価アルコールとの部分エステル０．００５〜０．１重量部とからなるポリカーボネート系樹脂組成物である。
【００２１】
ここで溶融重縮合生成物とは芳香族ジヒドロキシ化合物１モルに対して１．０１〜１．１モルの炭酸ジエステルを１０-6〜１０-8モルの量のアルカリ金属またはアルカリ土類金属化合物の存在下反応させる事により得られるすべてのポリカーボネートを包含する。
【００２２】
本発明で使用される芳香族ジヒドロキシ化合物としては特に制限はなく種々の公知のものを使用する事ができる。芳香族ジヒドロキシ化合物は、例えば下記式（３）
【００２３】
【化５】
0004180719.tif 000003
【００２４】
中に示される化合物であり、上記式（３）中、Ｒ1、Ｒ2は同一または異なり、水素原子、ハロゲン原子または炭素数１から１２の炭化水素基である。炭化水素基としてはアルキル基等の炭素数１から１２の脂肪族炭化水素基あるいはフェニル基等の炭素数６から１２の芳香族炭化水素基が好ましい。ハロゲン原子としては塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。
【００２５】
Ｒ5は炭素数３から８のアルキレン基である。アルキレン基としては、ペンチレン基等が挙げられる。式中、Ｒ3、Ｒ4は同一または異なり、ハロゲン原子、または炭素数１から１２の１価の炭化水素基である。炭化水素基としては、アルキル基等の炭素数１から１２の脂肪族炭化水素基あるいはフェニル基等の炭素数６から１２の芳香族炭化水素基を挙げることができる。ハロゲン原子としては塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。式中、ｍ、ｎは同一または異なり、０または１から４の整数を表わす。
【００２６】
具体的にはビス（４―ヒドロキジフェニル）メタン、２，２―ビス（４―ヒドロキジフェニル）プロパン、２，２―ビス（４―ヒドロキシ―３―メチルフェニル）プロパン、４，４―ビス（４―ヒドロキシフェニル）ヘプタン、２，２―ビス（４―ヒドロキシ―３，５―ジクロロフェニル）プロパン、２，２―ビス（４―ヒドロキシ―３，５―ジブロモフェニル）プロパン、ビス（４―ヒドロキジフェニル）オキサイド、ビス（３，５―ジクロロ―４―ヒドロキジフェニル）オキサイド、ｐ，ｐ’―ジヒドロキシジフェニル、３，３’―ジクロロ―４，４’―ジヒドロキシジフェニル、ビス（ヒドロキシフェニル）スルホン、レゾルシノール、ハイドロキノン、１，４―ジヒドロキシ―２，５―ジクロロベンゼン、１，４―ジヒドロキシ―３―メチルベンゼン、ビス（４―ヒドロキシフェニル）スルフィド、ビス（４―ヒドロキジフェニル）スルホキシド、スピログリコール等が挙げられる。
【００２７】
これらの内で特に２，２―ビス（４―ヒドロキシフェニル）プロパンが好ましく用いられる。これらの芳香族ジヒドロキシ化合物は単独で用いても良く、また二種以上組み合わせて用いても良い。
【００２８】
本発明で使用される炭酸ジエステルについても特に制限はなく種々の公知のものを使用する事ができる。
【００２９】
具体的にはジフェニルカーボネート、ジトリールカーボネート、ビス（クロロフェニル）カーボネート、ｍ―クレジルカーボネート、ジナフチルカーボネート、ビス（ジフェニル）カーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、ジブチルカーボネート、ジシクロヘキシルカーボネートなどが用いられる。これらの内で特にジフェニルカーボネートが好ましく用いられる。これらの炭酸ジエステルは単独で用いても良く、また二種以上組み合わせて用いても良い。
【００３０】
本発明でポリカーボネートを製造するに際しては、上記炭酸ジエステルは芳香族ジヒドロキシ化合物１モルに対して１．００５〜１．１モル、好ましくは１．０１〜１．０９モル、さらに好ましくは１．０１〜１．０８モルの量で用いられるのが望ましい。
【００３１】
上記使用量を逸脱すると、得られるポリカーボネートの色相が低下したり、所望のポリカーボネートを得るのに著しく時間を要するため好ましくない。
【００３２】
本発明で使用されるアルカリ金属またはアルカリ土類金属化合物についても得られるポリカーボネートの色相を低下させるものでなければ特に制限はなく種々の公知のものを使用する事ができる。
【００３３】
例えばアルカリ金属の水酸化物、炭酸水素化物、炭酸塩、酢酸塩、硝酸塩、亜硝酸塩、亜硫酸塩、シアン酸塩、チオシアン酸塩、ステアリン酸塩、水素化ホウ素塩、安息香酸塩、リン酸水素化物、ビスフェノール、フェノールの塩等が挙げられる。
【００３４】
具体例としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸水素リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸リチウム、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、酢酸リチウム、硝酸ナトリウム、硝酸カリウム、硝酸リチウム、亜硝酸ナトリウム、亜硝酸カリウム、亜硝酸リチウム、亜硫酸ナトリウム、亜硫酸カリウム、亜硫酸リチウム、シアン酸ナトリウム、シアン酸カリウム、シアン酸リチウム、チオシアン酸ナトリウム、チオシアン酸カリウム、チオシアン酸リチウム、ステアリン酸ナトリウム、ステアリン酸カリウム、ステアリン酸リチウム、水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素カリウム、水素化ホウ素リチウム、フェニル化ホウ酸ナトリウム、安息香酸ナトリウム、安息香酸カリウム、安息香酸リチウム、リン酸水素ジナトリウム、リン酸水素ジカリウム、リン酸水素ジリチウム、ビスフェノールＡのジナトリウム塩、ジカリウム塩、ジリチウム塩、フェノールのナトリウム塩、カリウム塩、リチウム塩などが挙げられる。
【００３５】
上記アルカリ金属またはアルカリ土類金属化合物は芳香族ジヒドロキシ化合物１モルに対して１０-6〜１０-8モル、好ましくは１０-6〜５×１０-7モルの量で用いられるのが望ましい。
【００３６】
アルカリ金属またはアルカリ土類金属化合物の使用量が上記範囲内であると芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルの重縮合反応活性を維持できるとともに、得られるポリカーボネートの、色相等の品質に悪影響を起こさない。また触媒として使用するアルカリ金属またはアルカリ土類金属化合物の使用量が上記範囲内であれば、これらの化合物の活性を上記スルホン酸化合物で低下もしくは失活させることができ、色相、耐熱性、耐加水分解性等の品質に優れたポリカーボネートを得ることができる。
【００３７】
アルカリ金属またはアルカリ土類金属化合物の使用量が上記範囲を逸脱すると得られるポリカーボネートの品質が低下する傾向にある。
【００３８】
本発明においては触媒として上記アルカリ金属またはアルカリ土類金属化合物とともに、所望により他の塩基性化合物を用いる事が出来る。
【００３９】
上記塩基性化合物としては、例えば高温で易分解性あるいは揮発性の等が好ましく使用される。
【００４０】
含窒素化合物として具体的にはテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（Ｍｅ4ＮＯＨ）、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド（Ｅｔ4ＮＯＨ）、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド（Ｂｕ4ＮＯＨ）、ベンジルトリメチルアンモニウムヒドロキシド（φ―ＣＨ2（Ｍｅ）3ＮＯＨ）、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシドなどのアルキル、アリール、アルキルアリール基などを有するアンモニウムヒドロオキシド類、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジメチルベンジルアミン、ヘキサデシルジメチルアミンなどの３級アミン類、あるいはテトラメチルアシモニウムボロハイドライド（Ｍｅ4ＮＢＨ4）、テトラブチルアンモニウムボロハイドライド（Ｂｕ4ＮＢＨ4）、テトラブチルアンモニウムテトラフェニルボレート（Ｍｅ4ＮＢＰｈ4）、テトラブチルアンモニウムテトラフェニルボレート（Ｂｕ4ＮＢＰｈ4）などが挙げられる。
【００４１】
本発明で使用される［Ｂ］スルホン酸化合物は下記式（１）
【００４２】
【化６】
Ａ1―ＳＯ3Ｘ1          ……（１）
（ここでＡ1は置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の炭化水素基であり、Ｘ1はアンモニウムカチオンまたはホスホニウムカチオンである。）
で示され、アルカリ金属またはアルカリ土類金属化合物の活性を低下もしくは失活させることができ、色相、耐熱性、耐加水分解性等の品質に優れたポリカーボネートを得ることができる。
なかでも、スルホン酸化合物が下記式（１）−１
【００４３】
【化７】
0004180719.tif 000004
【００４４】
（ここでＡ2、Ａ3、Ａ4、Ａ5、およびＡ6は互いに独立に炭素数１〜２０の１価の炭化水素基である。）
に示されるスルホン酸ホスホニウム塩であることが好ましい。
【００４５】
具体的には、ヘキシルスルホン酸テトラメチルホスホニウム塩、ヘキシルスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩、ヘキシルスルホン酸テトラオクチルホスホニウム塩、ドデシルスルホン酸テトラメチルホスホニウム塩、ドデシルスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩、ドデシルスルホン酸テトラオクチルホスホニウム塩、ベンゼンスルホン酸テトラメチルホスホニウム塩、ベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩、ベンゼンスルホン酸テトラオクチルホスホニウム塩、トルエンスルホン酸テトラメチルホスホニウム塩、トルエンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩、トルエンスルホン酸テトラオクチルホスホニウム塩、ドデシルベンゼンスルホン酸テトラメチルホスホニウム塩、ドデシルベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩、ドデシルベンゼンスルホン酸テトラオクチルホスホニウム塩等が挙げられる。
【００４６】
上記スルホン酸化合物の使用量としては、使用されるアルカリ金属またはアルカリ土類金属化合物の活性を低下もしくは失活させるのに十分な量であればよく、具体的にはポリカーボネート樹脂１００重量部に対し０．００００１〜０．０１重量部、好ましくは０．０００５〜０．００５重量部の範囲で用いられるのが望ましい。
【００４７】
また上記スルホン酸化合物は通常アルカリ金属またはアルカリ土類金属化合物の活性を低下もしくは失活させる目的でアルカリ金属またはアルカリ土類金属化合物に対し過剰モル添加するため得られるポリカーボネート中に過剰分が残存することとなるが、上記スルホン酸化合物はそれ自身中性もしくは弱酸性であるため、得られるポリカーボネートの品質を低下させることなく、かつ触媒の活性を低下もしくは失活することができる。
【００４８】
本発明で使用される脂肪族カルボン酸と多価アルコールとの部分エステルは０．００５〜０．１重量部、好ましくは０．００７〜０．０８重量部、さらに好ましくは０．０１〜０．０１重量部で使用しうる。上記範囲を逸脱すると得られるポリカーボネート系樹脂組成物の耐熱性低下、もしくは十分な離型性およびミクロンオーダーの高度な転写を得ることができないという欠点を有するため好ましくない。
【００４９】
脂肪族カルボン酸と多価アルコールとの部分エステルとは、多価アルコールの少なくとも１つの水酸基が未反応であるものを言い、炭素数１２〜２４の飽和一価脂肪酸のモノグリセリドおよび／またはジグリセリドが好ましい。
【００５０】
上記脂肪族カルボン酸としては特に限定されず、また飽和及び不飽和脂肪族カルボン酸を共に用いることができる。上記脂肪族カルボン酸としては飽和一価脂肪酸が好ましく炭素数１２〜２４のものが特に好ましい。炭素数が上記範囲より少ないと、製造されたポリカーボネート系樹脂組成物が上記範囲のものに比べ劣り、またガスの発生が起こるので好ましくない。一方炭素数が上記範囲より大きいとポリカーボネート系樹脂組成物の離型性が上記範囲内のものに比べ劣るので好ましくない。上記脂肪族カルボン酸としては、具体的には、ドデシル酸、ペンダデシル酸、パルチミン酸、ヘプタデシル酸、ステアリン酸、ノナデカン酸、アラキン酸、ベヘン酸、リグノセリン酸などが挙げられる。
【００５１】
上記多価アルコールとしては、特に限定されず、２価、３価、４価、５価、６価いずれも用いることができるが、エチレングリコール、グリセリン、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトールなどが好ましく、グリセリンが特に好ましい。
【００５２】
本発明で用いる脂肪族カルボン酸と多価アルコールとの部分エステルは、慣用のエステル化反応によって得ることができる。
【００５３】
上記離型剤を添加した際に、その剤がポリマー中に残存する各種の物質、例えば、残存触媒、あるいは触媒失活剤と影響を与え合うが、その際に本発明において特定の触媒失活剤と離型剤の組み合わせを選択することにより、互いの悪影響を最小限に抑えて、成形時の分子量低下、色相保持等の熱安定性および離型性、転写性等の成形性にも優れたポリカーボネート組成物を提供することができる。さらに本発明においては、特定の原料の仕込み割合、特定量の特定触媒を用いて製造し、特定の末端ヒドロキシル基濃度、特定の分子量をもったポリカーボネートにより、成形時の分子量低下、色相保持等の熱安定性および離型性、転写性等の成形性にも優れたポリカーボネート組成物を提供することができる。
【００５４】
本発明では得られるポリカーボネートに本発明の目的を損なわない範囲で通常のその他の添加剤、例えば加工安定剤、耐熱安定剤、酸化防止剤、光安定剤、紫外線吸収剤、金属不活性化剤、金属石鹸類、造核剤、帯電防止剤、滑剤、難燃剤、離型剤、防黴剤、着色剤、防曇剤、天然油、合成油、ワックス、有機系充填剤、無機系充填剤などを添加してもよい。
【００５５】
これらの添加剤としては、具体的には次のようなものが挙げられる。ここで加工安定剤としては、例えば２−ｔ−ブチル−６−（３−ｔ−ブチル−２−ヒドロキシ−５−メチルｂゲンジル）−４−メチルフェニルアクリレート、２−［１−（２−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔ−ペンチルフェニル）エチル］−４，６−ジ−ｔ−ペンチルフェニルアクリレート等が挙げられる。
【００５６】
又、リン系酸化防止剤、イオウ系酸化防止剤としては、例えば、トリス（ノニルフェニル）ホスファイト、トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、ビス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、ジステアリルペンタエリスリトールジホスファイト、テトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）４，４’−ビフェニレンジホスファイト、２，２’−エチリデンビス（４，６−ジ−ｔ−ブチルフェニル）フルオロホスファイト、２，２’−メチレンビス（４，６−ジ−ｔ−ブチルフェニル）オクチルホスファイト、ジラウリル３，３’−チオジプロピオネート、ジスナアリル３，３’−チオジプロピオネート、テトラキス（３−ラウリルチオプロピオニルオキシメチル）メタン等が挙げられる。
【００５７】
光安定剤としては、例えば２−（３−ｔ−ブチル−２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−２−ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２−ヒドロキシ−５−ｔ−オクチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（３，５−ジｔ−ペンチル−２−ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾール、２−〔２−ヒドロキシ−３−（３，４，５，６−テトラヒドロフタルイミドメチル）フェニル〕ベンゾトリアゾール、２−［２−ヒドロキシ−３，５−ビス（α，α−ジメチルベンジル）フェニル］ベンゾトリアゾール、等のベンゾトリアゾール系化合物、２−ヒドロキシ−４−オクチルオキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシベンホゾフェノン等のベンゾフェノン系化合物、２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル、３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンゾエート等のヒドロキシベンゾフェノン系化合物、エチル−２−シアノ−３，３−ジフェニルアクリレート等のシアノアクリレート系化合物などの紫外線吸収剤、ニッケルジブチルジチオカーバメート、［２，２’−チオビス（４−ｔ−オクチルフェノラート）］−２−エチルヘキシルアミンニッケル、等のニッケル系クエンチャーなどが挙げられる。
【００５８】
金属不活性化剤としては、例えばＮ，Ｎ’−［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル４−ヒドロキシフェニル）プロピオニル］ヒドラジン等が、金属石鹸類としては例えばステアリン酸カルシウム、ステアリン酸ニッケル等が挙げられる。
【００５９】
又造核剤としては、例えばジ（４−ｔ−ブチルフェニル）ホスホン酸ナトリウム、ジベンジリデンソルビトール、メチレンビス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェノール）アシッドホスフェートナトリウム塩等のソルビトール系、リン酸塩系化合物が挙げられる。
【００６０】
帯電防止剤としては、例えば（β−ラウラミドプロピル）トリメチルアンモニウムメチルスルフェート等の第４級アンモニウム塩系、アルキルホスフェート系化合物が挙げられる。
【００６１】
難燃剤としては、例えばトリス（２−クロロエチル）ホスフェートなどの含ハロゲンリン酸エステル類、ヘキサブロモシクロドデカン、デカブロモフェニルオキサイドなどのハロゲン化物、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、水酸化アルミニウムなどの金属無機化合物類、これらの混合物等が挙げられる。
【００６２】
上記の各成分から本発明の樹脂組成物を製造する方法に特に制限はない。各成分の配合順序も、任意である。例えば、溶融状態にあるポリカーボネートにエステル及び他の任意的成分を加えて混練しても良く、また、ポリカーボネートの溶液にエステル及び他の任意的成分を加えて混練しても良い。より具体的には、重合反応が終了して得られる溶融状態にある反応器内または押出機内の反応生成物であるポリカーボネートに、直接、エステル及び他の任意的成分を別々にまたは同時的に加えて混練する方法、あるいは、得られたポリカーボネートをペレット化し、このペレットをエステル及び他の任意的成分と共に一軸または二軸押出機などに供給して溶融混練する方法、さらに、得られたポリカーボネートを適当な溶媒（例えば塩化メチレン、クロロホルム、トルエン、テトラヒドロフラン等）に溶解させ、この溶液にエステル及び他の任意的成分を別々にまたは同時的に加えて攪拌する方法などをあげることができるが、溶融状態の熱履歴時間および再溶融回数を減らすという点から、溶融重合で得られた溶融状態のポリカーボネートにスルホン酸化合物、エステル等の成分を添加混練しペレット化するのが好ましい。
【００６３】
本発明では、ポリカーボネート系樹脂組成物は、減圧処理を施されていることが好ましい。減圧処理に際しては、処理、装置は特に限定されないが、例えば減圧装置付反応器、減圧装置付押出機を用いることができる。減圧装置付反応器は、縦型槽型反応器、横型槽型反応器のいずれでも良いが、横型槽型反応器が好ましい。減圧装置付押出機は、ベント付の一軸押出機、二軸押出機のいずれでも良く、押出機で減圧処理をしながらペレタイズすることもできる。その際の圧力は、減圧処理を反応器において行う場合には、０．０５〜７５０ｍｍＨｇ、特に０．０５〜５ｍｍＨｇとするのが好ましく、また、押出機を用いて行う場合には、１〜７５０ｍｍＨｇ、特に５〜７００ｍｍＨｇとするのが好ましい。このような減圧処理は、２４０〜３５０℃で行うのが好ましく、また、反応器を用いる場合には５分〜３時間程度、押出機を用いる場合には１０秒〜１５分間程度の時間で行うのが好ましい。このようにしてポリカーボネート系組成物に減圧処理を施すと、残留モノマーやオリゴマーを低減させたポリカーボネート系組成物を得ることができる。また減圧処理を施す際、残留モノマーやオリゴマーを低減させる目的で水もしくは飽和脂肪族炭化水素、チッ素等を加圧添加後減圧処理を行うことも必要に応じて実施しうる。例えば、炭酸ジエステルとしてジフェニルカーボネートを用いて溶融重合を行った場合、減圧処理によってポリカーボネート中のジフェニルカーボネートの残留量を減少させることができる。
【００６４】
本発明で使用するポリカーボネートは、このようなジフェニルカーボネートを０．１重量部以下、特に０．０２重量部以下の量で含有（残存）していることが好ましい。
【００６５】
【発明の効果】
このようにして得られる本発明の樹脂組成物はポリマー色相、耐加水分解性に優れるとともに成形時の分子量低下色相保持等の熱安定性および離型性、転写性等の成形性にも優れる。
【００６６】
【実施例】
以下実施例に基づき、本発明を詳細に説明するが、本発明は、これらの実施例に限定されるものではない。
【００６７】
［実施例１〜３、比較例３〜５］
ビスフェノールＡ（以下ＢＰＡ）２２８重量部、ジフェニルカーボネート（以下ＤＰＣ）２２３重量部、およびテトラメチルアンモニウムヒドロキシド０．００９重量部、ビスフェノールＡジナトリウム塩０．０００１４重量部を攪拌装置、蒸留塔及び減圧装置を備えた反応槽に仕込み窒素置換した後、１４０℃で溶解した。３０分間攪拌後、内温を１８０℃に昇温し、内圧１００ｍｍＨｇ３０分間反応させ、生成するフェノールを溜去した。
【００６８】
ついで内温を２００℃に昇温しつつ徐々に減圧し５０ｍｍＨｇで３０分間フェノールを溜去しつつ反応させた。更に０℃、３０ｍｍＨｇまで徐々に昇温、減圧し、同温度、同圧下で３０分間、更に、２４０℃、１０ｍｍＨｇ、２６０℃、１ｍｍＨｇまで上記と同じ手順で昇温、減圧を繰り返し反応を続行した。最終的に２７０℃の温度でポリカーボネートの重縮合を継続した。
【００６９】
得られたポリカーボネートの粘度平均分子量は１５，５００であり、末端ヒドロキシル濃度は１５％、ＧＰＣ測定による分子量分布（重量平均分子量／数平均分子量）は２．２である。
【００７０】
次いで溶融状態のままで、このポリマーをギアポンプにて二軸押出機（Ｌ／Ｄ１７．５、バレル温度２７０℃）に挿入し、ポリマーに対して表１記載のスルホン酸化合物および脂肪族カルボン酸と多価アルコールとの部分エステルおよび必要に応じ表１記載の添加剤を所定量添加混練し、ダイを通してストランド状とし、カッターで切断しペレットとした。
【００７１】
［比較例１］
ＢＰＡ ２２８重量部、ＤＰＣ ２１７重量部を用いた以外は実施例１と同様にして行った。
得られたポリカーボネートの分子量は１５，５００であり末端ヒドロキシ濃度は５０％、ＧＰＣ測定による分子量分布は２．２であった。
【００７２】
［比較例２］
ＢＰＡ ２２８重量部、ＤＰＣ ２３１重量部およびテトラメチルアンモニウムヒドロキシド０．００９重量部、ビスフェノールＡジナトリウム塩０．００００３４重量部を用いた以外は実施例１と同様にして行った。
得られたポリカーボネートの分子量は１５，５００であり末端ヒドロキシ濃度は３モル％、ＧＰＣ測定による分子量分布は３．０であった。
【００７３】
［比較例６、７］
エステル化合物として、グリセリントリステアレートペンタエリスリトールテトラステアレートを用いた以外は実施例１と同様にして行った。
【００７４】
［得られたペレットの評価］
上記により得られたペレットについて以下の評価を行った。
（１）色相：ｂ値
得られたペレットから射出成形により(シリンダー温度３２０℃、金型温度８０℃、サイクルタイム３５秒)厚さ２ｍｍの成形板作成し、日本電色工業（株）製のＣｏｌｏｒ  ａｎｄ  Ｃｏｌｏｒ  Ｄｅｆｅｒｅｎｃｅ  Ｍｅｔｅｒ  Ｚ−３００Ａを用いてｂ値を測定した。
【００７５】
（２）離型性
ニッケル製のスタンパーを用い、シリンダー温度３４０、金型温度８０℃、１サイクル７秒の条件で、ＣＤ成形機にて、φ１２０のコンパクトディスク基板を連続１０００ショット成形し、ディスク又はスプルーの金型への残りを不良率（％）として評価した。
【００７６】
（３）転写性
（ｌ）の方法にて得たディスク基板に転写されたピットを光学顕微鏡（８００倍）で観察し、評価した。実施例及び比較例のそれぞれについて、ディスク基板１０枚を評価した。
【００７７】
（４）スタンパーの汚れ
（ｌ）の方法にて、１０，０００ショット成形後の金型及びスタンパーの状態を目で観察し、評価した。
【００７８】
（５）熱安定性
（１）の成形条件で、１５分間成形を止め樹脂を滞留させた後、再び成形を開始し、得られたディスク基板の色相と表面状態を評価した。表面状態は、目視にて観察した。色相（ＹＩ）は、日本電色工業（株）製のＣｏｌｏｒ  ａｎｄ  Ｃｏｌｏｒ  Ｄｅｆｅｒｅｎｃｅ  Ｍｅｔｅｒ  ＮＤ−１００１ＤＰを用いて測定した。
【００７９】
（６）湿熱安定性（耐沸水性）
（１）の方法にて得たディスク基板について１２０℃×５０時間湿熱処理後の分子量低下を評価した。
【００８０】
【表１】
0004180719.tif 000005
【００８１】
【表２】
0004180719.tif 000006