(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素電極と、前記画素電極の端部上に設けられた誘電体と、前記画素電極及び前記誘電体を覆う配向膜と、前記配向膜上の液晶とを有し、前記液晶は正の誘電率異方性を有し、前記誘電体の比誘電率は前記液晶の長軸方向の比誘電率よりも大きいことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
画素電極と、前記画素電極の端部上に設けられた誘電体と、前記誘電体及び前記画素電極を覆う配向膜と、前記配向膜上の液晶とを有し、前記液晶は負の誘電率異方性を有し、前記誘電体の比誘電率は前記液晶の短軸方向の比誘電率よりも大きいことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
画素電極と、前記画素電極の端部上に設けられた誘電体と、前記誘電体及び前記画素電極を覆う配向膜と、前記配向膜上の液晶とを有し、前記誘電体の比誘電率は２０以上であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
画素電極と、前記画素電極の端部上に設けられた誘電体と、前記誘電体及び前記画素電極を覆う配向膜と、前記配向膜上の液晶とを有し、前記誘電体の比誘電率は３０以上であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
画素電極と、前記画素電極上の配向膜と、前記画素電極の端部かつ前記配向膜上に設けられた誘電体と、前記配向膜及び前記誘電体上の液晶とを有し、前記液晶は正の誘電率異方性を有し、前記誘電体の比誘電率は前記液晶の長軸方向の比誘電率よりも大きいことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
画素電極と、前記画素電極上の配向膜と、前記画素電極の端部かつ前記配向膜上に設けられた誘電体と、前記配向膜及び前記誘電体上の液晶とを有し、前記液晶は負の誘電率異方性を有し、前記誘電体の比誘電率は前記液晶の短軸方向の比誘電率よりも大きいことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
画素電極と、前記画素電極上の配向膜と、前記画素電極の端部かつ前記配向膜上に設けられた誘電体と、前記配向膜及び前記誘電体上の液晶とを有し、前記誘電体の比誘電率は２０以上であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
画素電極と、前記画素電極上の配向膜と、前記画素電極の端部かつ前記配向膜上に設けられた誘電体と、前記配向膜及び前記誘電体上の液晶とを有し、前記誘電体の比誘電率は３０以上であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
画素電極と、前記画素電極の端部上に接して設けられた誘電体と、前記画素電極及び前記誘電体を覆う配向膜と、前記配向膜上の液晶とを有し、前記液晶は正の誘電率異方性を有し、前記誘電体の比誘電率は前記液晶の長軸方向の比誘電率よりも大きいことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１０】
画素電極と、前記画素電極の端部上に接して設けられた誘電体と、前記誘電体及び前記画素電極を覆う配向膜と、前記配向膜上の液晶とを有し、前記液晶は負の誘電率異方性を有し、前記誘電体の比誘電率は前記液晶の短軸方向の比誘電率よりも大きいことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１１】
画素電極と、前記画素電極の端部上に接して設けられた誘電体と、前記誘電体及び前記画素電極を覆う配向膜と、前記配向膜上の液晶とを有し、前記誘電体の比誘電率は２０以上であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１２】
画素電極と、前記画素電極の端部上に接して設けられた誘電体と、前記誘電体及び前記画素電極を覆う配向膜と、前記配向膜上の液晶とを有し、前記誘電体の比誘電率は３０以上であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１３】
画素電極と、前記画素電極上の配向膜と、前記画素電極の端部上方に重なって前記配向膜と接するように設けられた誘電体と、前記配向膜及び前記誘電体上の液晶とを有し、前記液晶は正の誘電率異方性を有し、前記誘電体の比誘電率は前記液晶の長軸方向の比誘電率よりも大きいことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１４】
画素電極と、前記画素電極上の配向膜と、前記画素電極の端部上方に重なって前記配向膜と接するように設けられた誘電体と、前記配向膜及び前記誘電体上の液晶とを有し、前記液晶は負の誘電率異方性を有し、前記誘電体の比誘電率は前記液晶の短軸方向の比誘電率よりも大きいことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１５】
画素電極と、前記画素電極上の配向膜と、前記画素電極の端部上方に重なって前記配向膜と接するように設けられた誘電体と、前記配向膜及び前記誘電体上の液晶とを有し、前記誘電体の比誘電率は２０以上であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１６】
画素電極と、前記画素電極上の配向膜と、前記画素電極の端部上方に重なって前記配向膜と接するように設けられた誘電体と、前記配向膜及び前記誘電体上の液晶とを有し、前記誘電体の比誘電率は３０以上であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１７】
請求項４、請求項８、請求項１２、請求項１６のいずれか一項において、
セルギャップが４．５μｍ以下の液晶表示装置において、前記誘電体の高さは前記セルギャップの２５％以下であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１８】
請求項１乃至１７のいずれか一項において、
前記画素電極と対向して設けられた対向電極と前記対向電極上に設けられた配向膜とを有し、前記誘電体と前記対向電極上に設けられた配向膜との間に液晶が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１９】
請求項１乃至１８のいずれか一項において、
前記誘電体はチタン又はタンタルを含む酸化物であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２０】
請求項１乃至１９のいずれか一項において、
前記誘電体の断面が、台形状又は円弧状であることを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）、例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）で構成された回路を有する半導体装置およびその作製方法に関する。ＴＦＴとは、半導体層、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極を含む半導体素子をいう。
【０００２】
なお、本明細書中において素子基板とは、ＴＦＴのような半導体素子を形成した基板全般を指す。
【０００３】
なお、本明細書中において表示装置とは、電気的な信号の変化により明暗の表示を行う装置全般を指し、液晶に電気的な信号を印可して表示を行う表示装置を液晶表示装置という。
【０００４】
【従来の技術】
近年、絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄膜（厚さ数〜数百ｎｍ程度）を用いてＴＦＴを構成する技術が注目されている。ＴＦＴはＩＣや半導体装置のような電子デバイスに広く応用され、特に液晶表示装置のスイッチング素子として開発が急がれている。
【０００５】
液晶表示装置には大きく分けてアクティブマトリクス型とパッシブマトリクス型の二種類のタイプが知られている。アクティブマトリクス型の液晶表示装置はスイッチング素子としてＴＦＴを用いており、高品位な画像を得ることができる。アクティブマトリクス型の用途としてはノート型のパーソナルコンピュータが一般的であるが、家庭用のテレビ、携帯端末としても用途も期待されている。
【０００６】
アクティブマトリクス型の液晶表示装置のうち、投影型の液晶表示装置は画面をスクリーンに拡大して大画面の表示を得ることができる。近年、投影型の液晶表示装置において、液晶表示パネルを小型化にすることで、光学系を小型化にして携帯性を持たせる技術が開発されている。光学系を小型化にすることで、光学系のコストが低下して、安価な液晶表示装置を提供することができる。
【０００７】
ところで、アクティブマトリクス型の液晶表示装置はライン反転駆動をするのが一般的である。ライン反転駆動のうち、例えばソースライン反転駆動とは、図２１の模式図のようにｍ列の信号線に接続した画素ＴＦＴに書き込む信号電圧の極性が隣接する信号線毎に異なる。そして、奇数フレーム（図２１（ａ））と偶数フレーム（図２１（ｂ））とで信号線に接続した画素ＴＦＴに書き込む信号電圧の極性を変えていくものである。画素ＴＦＴに書き込む信号電圧の極性を変えて液晶を交流駆動することにより液晶の焼付きを防止する。ゲートライン反転駆動は、図２１の信号線を走査線に置き換えれば良い。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
アクティブマトリクス型の液晶表示装置で、光漏れ及びディスクリネーションを防止できるような素子構造を提供することが本発明の課題である。
【０００９】
配向膜の界面では、液晶がその一端を持ち上げるように配向する。本明細書では、液晶分子の配向膜の界面に近い一端から、配向膜から持ちあがったところにある一端へと向かう方向を基板面に正射影したものを「プレチルトの方向」という。さらに、配向膜の界面と、配向膜の界面近傍にある液晶の長軸とのなす角度を「プレチルト角」という。プレチルト角はラビングにより付与されるものと、電界を液晶に印加することにより配向膜界面近傍の液晶がスイッチングして付与されるものがある。
【００１０】
また、本明細書では、配向膜界面で、近接する液晶のプレチルトの方向がほぼ逆向きなことから生じる配向不良を「ディスクリネーション」と称する。また、液晶のプレチルトの方向は同一だが、電界分布、ラビングむらによりプレチルト角が局所的に異なる領域がある。このように正規の配向状態でないときに生じる液晶の配向不良は液晶パネルに二枚の偏光板を配置したときに局所的に明度が高く光が漏れたように見える。そこで、プレチルトの向きは同じだがプレチルト角が局所的に異なる液晶の配向を本明細書では「光漏れ」と称する。
【００１１】
アクティブマトリクス方式により液晶表示装置を駆動するときに、光漏れ及びディスクリネーションによって表示品質が損なわれる。つまり、ノーマリーホワイトモードにおいては、光漏れ及びディスクリネーションを隠すために遮光膜が必要であり開口率が低下する。
【００１２】
投影型の液晶表示装置のような微細な画素が形成されている液晶表示装置においては、ディスクリネーション及び光漏れが発生すると、これらが画素に占める割合が無視できないくらいに大きい。さらに、遮光膜のアライメントずれにより、光漏れ及びディスクリネーションが隠しきれないと、黒表示をするときに輝線の如く光漏れ及びディスクリネーションが視認されてコントラストが低下する。つまり、投影型の液晶表示装置において、光漏れ及びディスクリネーションをいかに抑えるかが重要となる。
【００１３】
層構造を有し配向秩序が高いスメクチック液晶に比べて、ネマチック液晶は画素電極と画素電極の間にできる電界によりディスクリネーション及び光漏れが起こりやすい。このため、特にネマチック液晶を用いた配向方式において、ディスクリネーション及び光漏れを低減するような対策を行う必要がある。
【００１４】
なぜ、光漏れ及びディスクリネーションが起こるかを図１８の液晶表示装置の画素部の断面を示す模式図を用いて説明する。図１８で互いに隣接する画素電極において、第１の画素電極１０１ａは＋５Ｖの電位を有し、第２の画素電極１０１ｂは−５Ｖの電位を有するとする。対向電極１０２は０Ｖの電位とする。画素電極の表面に対し等電位線１０３が平行にできる領域ではポジ型の液晶は画素電極の表面に対し液晶分子１０８の長軸が垂直になるように配向する。ポジ型の液晶とは、正の誘電率異方性を有する液晶をいう。しかし、画素電極の端では等電位線が屈曲するため液晶分子１０６が画素電極の表面に対し斜め方向に配向して配向不良となる。いかに画素電極の端における等電位線の屈曲を低減するかが、配向不良を低減する上で重要と考えられる。
【００１５】
画素電極の端に局所的にプレチルト角の異なる光漏れの領域１０４が発生する。等電位線が画素電極の端部で屈曲をしているため、画素電極の端部では液晶分子１０６が画素電極の表面に長軸が垂直になるようにスイッチングできないからである。
【００１６】
また、画素電極の端にできる電界により液晶のプレチルトの方向が、ラビング方向１０７により定められたプレチルトの方向と逆になった領域ができる。すると、配向膜界面のプレチルト角、プレチルトの向きが局所的に急激に変化するため、液晶の配向の歪が大きくなり、ディスクリネーションの発生する領域１０５ができる。
【００１７】
つまり、ディスクリネーション及び光漏れは画素電極の表面に平行にできる等電位線が、画素電極の端部において屈曲してしまうことが一因となってできる。以下に示す本発明は、画素電極の端部における等電位線の屈曲をできるだけ抑えるように構造的な工夫をしている。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために以下の手段を講じた。
【００１９】
なお、本明細書において、誘電体の高さとは画素電極のうち誘電体が接する面と、誘電体の最上端部との距離をいう。また、本明細書において、セルギャップとは対向電極に接する面と画素電極の主面に接する面との間の距離をいう。なお、画素電極の主面とは画素電極の３０％以上、望ましくは５０％以上を占める平坦面を言う。すなわち、画素電極の主面とは、画素電極のうち、最大の面積を占める平坦面をいう。
【００２０】
図５（Ａ）〜（Ｃ）に本発明の原理を示す。図５は液晶表示装置の画素部の断面を示す。図５（Ａ）のように平坦面上に第１の画素電極９０１ａ及び第２の画素電極９０１ｂが設けられている。画素電極と対向して対向電極９０２が設けられている。画素電極の端部では等電位線９０３が画素電極の側に屈曲して、ディスクリネーション及び光漏れの原因となる。
【００２１】
そこで、図５（Ｂ）のように、画素電極の端部上に高誘電率の誘電体９０４を形成する。画素電極の端部で高誘電率の誘電体９０４と低誘電率の誘電体つまり液晶が直列に接続していると、高誘電率の誘電体には電圧がかかりにくい。第１の画素電極９０１ａ及び第２の画素電極９０１ｂの端部上に高誘電率の誘電体９０４を設けると、高誘電率の誘電体には電圧がかかりにくいことから、高誘電率の誘電体上では、等電位線が対向電極９０２の側へと持ち上がる。つまり、高誘電率の誘電体を画素電極の端部に設けることで、画素電極の端部での等電位線の屈曲を抑える効果が生じる。そして、画素電極の表面に対し、平行な等電位線の成分が増えることで、画素電極の表面に垂直方向の電界成分が増える。
【００２２】
図５（Ｃ）のように、誘電体９０４の高さが高すぎると、等電位線９０３が対向電極９０２の側へと顕著に盛り上がるので液晶の配向には逆効果である。つまり、誘電体の高さには最適値がある。
【００２３】
ディスクリネーション及び光漏れが発生する領域は、等電位線が画素電極の表面に対し屈曲している領域と考えられる。このため、高誘電率の誘電体をディスクリネーション及び光漏れが発生する領域に形成し、等電位線の屈曲を抑えれば良い。
【００２４】
図２の液晶表示装置の画素部の断面を示すシミュレーションのモデルで、第１の画素電極３０３ａと第２の画素電極３０３ｂとに重なって比誘電率が３０である誘電体３０４を設けてシミュレーションをした。誘電体の高さ（ｈ）は０．５μｍ、誘電体の断面の幅は６．０μｍである。誘電体３０４は、第１の画素電極及び第２の画素電極上に均等な幅（Ｌ）で重なって形成されている。誘電体３０４の、第１の画素電極及び第２の画素電極との重なる幅（Ｌ）は２．０μｍである。第１の画素電極の電位は＋５Ｖ、第２の画素電極の電位は−５Ｖ、対向電極３０１の電位は０Ｖである。セルギャップ（ｄ）は４．５μｍである。ＺＬＩ４７９２(メルク社製)の室温での物性値を用いてシミュレーションをした。ＺＬＩ４７９２の長軸方向の比誘電率は８．３、短軸方向の比誘電率は３．１である。ラビング方向３０５〜３０６は互いに直交する。液晶は左巻きのツイスト配向になっている。第１の画素電極３０３ａと第２の画素電極３０３ｂとの間の距離（ｓ）は２．０μｍである。画素のピッチは１８μｍである。シミュレーションの結果を図３に示す。透光性の基板上に第１の画素電極、第２の画素電極及び対向電極が設けられている。
【００２５】
加えて、図１９のシミュレーションのモデルで、第１の画素電極及び第２の画素電極の端部上に誘電体が無い構造でシミュレーションをした。誘電体が無いこと以外は、図２のシミュレーションのモデルでしたシミュレーションの条件と同じである。図２と同じ要素を同じ符号で示している。シミュレーションの結果を図２０に示す。
【００２６】
図２０のシミュレーションの結果では、液晶の配向を二次元の断面で示したものである。等電位線、液晶のダイレクター及び透過率が示されている。透過率から第１の画素電極の端から３．４μｍの幅で光漏れがあることがわかる。また、第２の画素電極の端から３．６μｍの幅でディスクリネーションがあることがわかる。第１の画素電極と第２の画素電極との間の距離が２．０μｍのため、光漏れ及びディスクリネーションの幅の和（ｘ）は９．０μｍである。
【００２７】
しかし、画素電極の端部に誘電体を設けた図３のシミュレーションの結果では、高誘電率の誘電体により、画素電極側への等電位線の屈曲が抑えられて、画素電極の表面に平行な等電位線の成分が増加している。ディスクリネーション及び光漏れの幅の和（ｘ）は７．５μｍであった。図２０に比べて、ディスクリネーション及び光漏れが発生する領域が１６％減少した。
【００２８】
図３と図２０のシミュレーションの結果を比較すると、液晶の長軸方向の誘電率に比べて大きな誘電率を有する誘電体を画素電極の端部に形成することで、ディスクリネーション及び光漏れの幅の和（ｘ）が１．５μｍ少なくなることがわかった。画素のピッチが１８μｍのため、画素の幅の８％ほどディスクリネーション及び光漏れが発生する領域が少なくなり、開口率の向上が見込まれる。
【００２９】
図２のシミュレーションのモデルにおいて、下記の５条件で誘電体の高さ（ｈ）を変えてシミュレーションをした。セルギャップ（ｄ）、第１の画素電極と誘電体の重なる幅（Ｌ）及び第２の画素電極と誘電体の重なる幅（Ｌ）がそれぞれの条件で異なる。誘電体の比誘電率は３０である。
条件（１）：ｄ＝４．５μｍ、Ｌ＝１．０μｍ
条件（２）：ｄ＝４．５μｍ、Ｌ＝２．０μｍ
条件（３）：ｄ＝３．０μｍ、Ｌ＝１．０μｍ
条件（４）：ｄ＝２．０μｍ、Ｌ＝０．２μｍ
【００３０】
誘電体の高さとディスクリネーション及び光漏れの幅の和の関係を図４にまとめる。図４はセルギャップに対する誘電体の高さの比率を横軸に示し、光漏れ及びディスクリネーションの幅の和を縦軸に示している。
【００３１】
条件（１）と条件（２）を比較すると、条件（１）では、あまりに誘電体が画素電極に占める割合が少なくて、ディスクリネーション及び光漏れを低減する効果が小さかった。条件（２）では、誘電体がないときにディスクリネーション及び光漏れが発生するはずの位置に対し、１．３μｍ〜１．４μｍ画素電極の端に寄ったところに重なるように誘電体を形成しており、最大１．５μｍの幅でディスクリネーション及び光漏れの幅が低減している。
【００３２】
液晶表示装置に電圧を印加して駆動するときに、良質な黒レベルが達成された領域は、等電位線が画素電極の表面にほぼ平行にできている領域である。このような領域に誘電体を設けると誘電率の異なる誘電体が接することからくる等電位線の屈曲により、光漏れ及びディスクリネーションがかえって増加する。そこで、条件（４）では、誘電体がないときに、ディスクリネーション及び光漏れが発生するはずの位置の少し（０．５μｍ）内側に誘電体を設けている。これにより誘電体がないときに比べてディスクリネーション及び光漏れが最大で、０．５μｍ減っている。
【００３３】
条件（２）、条件（３）及び条件（４）を比較すると、セルギャップが大きい液晶表示装置ほど高誘電率の誘電体を設けることにより、ディスクリネーション及び光漏れが顕著に減ることがわかる。また、誘電体の高さが高すぎると等電位線が対向電極側に盛り上がりすぎてしまい、かえってディスクリネーション及び光漏れが増えることがわかる。
【００３４】
[本発明の液晶表示装置]
本明細書の発明（１）は、画素電極と、前記画素電極の端部に重なって設けられた誘電体と、前記画素電極及び前記誘電体を覆う配向膜と、前記配向膜上の液晶とを有し、前記液晶は正の誘電率異方性を有し、前記誘電体の比誘電率は前記液晶の長軸方向の比誘電率よりも大きいことを特徴とする液晶表示装置である。
【００３５】
また、本明細書の発明（２）は、（１）の発明に対し、液晶が負の誘電率異方性を有し、前記誘電体の比誘電率は前記液晶の短軸方向の比誘電率よりも大きい点が異なる。
【００３６】
（１）の発明及び（２）の発明とも、低誘電率の絶縁物である液晶と、高誘電率の誘電体とが画素電極と対向電極の間に直列接続して挟まれた回路において、低誘電率の絶縁物には、電圧が分圧されやすくなることを利用している。これにより、画素電極の端部に高誘電率の誘電体を設けると、等電位線が対向電極の側に持ちあがる。そして、画素電極の端部で、等電位線が画素電極側に屈曲することによる光漏れ及びディスクリネーションを抑えることができる。このような作用を発現するには、画素電極の端部に設けられた誘電体の比誘電率が液晶の比誘電率より大きい必要がある。
【００３７】
本明細書の発明（３）は、画素電極と、前記画素電極の端部に重なって設けられた誘電体と、前記誘電体及び前記画素電極を覆う配向膜と、前記配向膜上の液晶とを有し、前記誘電体の比誘電率は２０以上であることを特徴とする液晶表示装置である。
【００３８】
（３）の発明において、液晶の一般的な誘電率から考えて液晶の比誘電率より誘電体の比誘電率を大きくするには、誘電体の比誘電率を２０以上とすることが望ましい。
【００３９】
正の誘電率異方性を有するネマチック液晶の場合、液晶の長軸方向の比誘電率は８〜２０くらいが一般的である。そこで、正の誘電率異方性を有するネマチック液晶を用いた液晶表示装置の場合、前記誘電体の比誘電率は２０より大きくすれば良いと考えられる。
【００４０】
負の誘電率異方性を有するネマチック液晶の場合、液晶の短軸方向の比誘電率は８〜２０くらいが一般的である。そこで、負の誘電率異方性を有するネマチック液晶を用いた液晶表示装置の場合、前記誘電体の比誘電率は２０より大きくすれば良いと考えられる。
【００４１】
本明細書の発明（４）は、画素電極と、前記画素電極の端部に重なって設けられた誘電体と、前記誘電体及び前記画素電極を覆う配向膜と、前記配向膜上の液晶とを有し、前記誘電体の比誘電率は３０以上であることを特徴とする液晶表示装置である。
【００４２】
本明細書の発明（４）において、誘電体の比誘電率を３０としたときに、図２のモデルを用いたシミュレーションにおいてディスクリネーション及び光漏れを大きく低減する効果が見られた。もちろん、誘電体の誘電率が高ければ高いほど、画素電極の端部において画素電極側に屈曲する等電位線を対向電極側に持ち上げる効果が得られるため、誘電体の誘電率は３０以上でもディスクリネーション及び光漏れを大きく低減する効果が得られる。
【００４３】
本明細書の発明（５）〜（８）は、画素電極と、前記画素電極上の配向膜と、前記画素電極の端部上方に設けられた誘電体と、前記配向膜及び前記誘電体上の液晶とを有する点が（１）〜（４）に記載した発明と異なる。画素電極上に絶縁物である配向膜を形成し、その上に誘電体を形成したとしても、誘電体により画素電極の端部で等電位線を対向電極の側へと持ち上げる効果がある。もちろん、誘電体の比誘電率は、正の誘電率異方性を有する液晶を用いる液晶表示装置においては液晶の長軸方向の比誘電率よりも大きい必要がある。負の誘電率異方性する液晶を用いる液晶表示装置においては、液晶の短軸方向の比誘電率よりも大きい必要がある。液晶の一般的な誘電率から考えて、誘電体の比誘電率を２０以上としても良い。シミュレーションで効果が確認されたように、誘電体の比誘電率を３０以上としても良い。
【００４４】
また、本明細書の発明（９）は、発明（４）又は発明（８）において、セルギャップが２．０μｍ以上４．５μｍ以下の液晶表示装置であって、前記誘電体の高さは前記セルギャップの１７％以下であることを特徴とする液晶表示装置である。
【００４５】
本明細書の発明（９）を図４のグラフを用いて説明すると、誘電体の高さが高くなるにつれて光漏れ及びディスクリネーションが減少するが、ある誘電体の高さで光漏れ及びディスクリネーションの幅は一定となり、さらに誘電体を高くすると、光漏れ及びディスクリネーションは逆に増える。セルギャップが２．０μｍ以上４．５μｍ以下の液晶表示装置において、誘電体の高さがあまり高すぎるとディスクリネーション及び光漏れがかえって増加してしまうが、誘電体の高さをセルギャップの１７％以下のときは、誘電体の高さが増えるにつれて、単調に光漏れ及びディスクリネーションが減少する。
【００４６】
また、本明細書の発明（１０）は、発明（１）乃至（５）のいずれか一において、前記画素電極と対向して設けられた対向電極と前記対向電極上に設けられた配向膜とを有し、前記誘電体と前記対向電極上に設けられた配向膜との間に間隙が設けられ、その間隙に注入法により液晶が形成されていることを特徴とする液晶表示装置である。
【００４７】
なお、画素電極の端部に設けた誘電体は液晶表示装置のセルギャップを所定の厚さに維持するために設けられたスペーサーとは異なるものである。
【００４８】
本明細書の発明（１１）は、発明（１）乃至（８）のいずれか一において、前記誘電体はチタン又はタンタルを含む酸化物であることを特徴とする液晶表示装置である。例えば、五酸化二タンタル（Ｔａ2Ｏ5）、二酸化チタン（ＴｉＯ2）は比誘電率が３０以上と高く、本発明の誘電体として用いることに適している。
【００４９】
本明細書の発明（１２）は、前記誘電体の断面が、台形状又は円弧状であることを特徴とする液晶表示装置である。誘電体の断面を矩形状にすると、誘電体の矩形の頂点付近で電界が不連続になり、それに起因した液晶の配向不良が問題となるが、誘電体の断面を矩形状又は円弧状にした場合、ラビングをするうえで有効であるばかりか、電界分布の不均一性を抑えることができる。
【００５０】
[本発明の適用範囲の例]
このように定めた、本発明の画素部の構造は電界を印加した時の電気力線を画素電極の形成された平坦面に対して垂直にするものであるため、ノーマリーホワイトモード、ノーマリーブラックモードの配向方式の両方において液晶の配向不良を低減する手段として広く用いることができる。
【００５１】
また、凹凸に起因する液晶の配向欠陥を誘起しないのであれば、スメクチック液晶を用いた配向方式に本発明を適用することが可能である。例えば、強誘電性液晶、反強誘電性液晶を用いた液晶表示装置に本発明を適用可能である。また、これらのスメクチック液晶に液晶性高分子を添加して光（例えば紫外線）照射により硬化した材料を用いた液晶表示装置にも適用可能である。
【００５２】
本発明の画素部の構成は、半導体素子により電圧を調光層に印可して、調光層を光学変調させる表示装置において、電界分布を調節する手段として広く用いることができる。
【００５３】
特に、投影型の液晶表示装置においては光漏れ及びディスクリネーションがレンズ等を用いた光学系により拡大されてスクリーンに投影される。このため、本発明は投影型の液晶表示装置において特に有効である。
【００５４】
また、画素電極上と配向膜の間にさらに一層絶縁膜として、ショート防止の機能を有する無機膜があったとしても、本発明の効果は充分に発現できる。画素電極の端部上に誘電体があることで、等電位線が画素電極の側へと屈曲することを防止できるのに変わりはないからである。
【００５５】
【発明の実施の形態】
液晶表示装置の画素部の開口率を高く確保するためには、走査線、信号線、容量電極上に層間膜を設けて、走査線、信号線、容量電極上に重なって画素電極の端部を形成することが推奨される方法である。しかし、本発明の実施の形態で示す上面図においては、画素電極の特徴的な部分と走査線、信号線との位置関係をわかりやすくするために、あえて、走査線及び信号線と画素電極を重ねないで図示している。推奨される液晶表示装置の作製方法は後述の実施例をもって詳しく説明する。
【００５６】
図１の斜視図は、本発明の実施形態の一例である。第１の画素電極２０３及び第２の画素電極２０４の端部上に誘電体２０７が設けられている。もちろん、第３の画素電極２０５及び第４の画素電極２０６の端部上にも誘電体２０７が設けられている。
【００５７】
図１の斜視図を上面図で示したものが、図６である。図１の斜視図の鎖線Ａ−Ａ’、鎖線Ｂ−Ｂ’は図６の鎖線Ａ−Ａ’、鎖線Ｂ−Ｂ’の位置に対応する。図６の上面図の画素部はゲートライン反転駆動をする液晶表示装置を仮定している。走査線２０２に沿って、第１の画素電極２０３及び第２の画素電極２０４の端部に誘電体膜２０７が設けられている。誘電体膜の比誘電率は２０以上または３０以上であることが好ましい。また、走査線と交差して、信号線２０１が設けられている。第１の画素電極と信号線を挟んで第３の画素電極２０５が隣接している。第２の画素電極と信号線を挟んで第４の画素電極２０６が隣接している。
【００５８】
ゲートライン反転駆動をする液晶表示装置において、走査線に沿った画素電極の端部において、互いに異極性の電位を有する画素電極が隣接していることから、画素電極側に等電位面が屈曲しやすい。このため、走査線に沿って画素電極の端部上に誘電体２０７を設けて、画素電極の端部の等電位面を対向電極の側へと持ち上げる作用を持たせることが望ましい。
【００５９】
信号線２０１を挟んである第１の画素電極２０３と第３の画素電極２０５の端部上には、誘電体を設けても良いし設けなくても良い。第１の画素電極２０３と第３の画素電極２０５は同極性の電位で隣接しているため、第１の画素電極及び第３の画素電極の端部における等電位線の屈曲はそれほど大きくない。このため、同極性の電位で隣接する第１の画素電極２０３と第３の画素電極２０５の端部に、誘電体を設けるかどうかは、誘電体がないときに発生する光漏れの度合いにより決定すれば良い。
【００６０】
図６の上面図を鎖線Ａ−Ａ’、鎖線Ｂ−Ｂ’で切断した断面を図７（Ａ）〜図７（Ｂ）に示す。図７（Ａ）は、第１の画素電極２０３と第２の画素電極２０４が走査線（図示せず）を挟んで隣接し、第１の画素電極及び第２の画素電極の端部上に誘電体２０７が形成されていることを示す。図７（Ｂ）は、信号線（図示せず）を挟んで隣接する第２の画素電極２０４と第４の画素電極２０６上には特に、誘電体を設けていないことを示す。
【００６１】
ソースライン反転駆動をする液晶表示装置においては、図６の上面図において、信号線２０１を走査線に置き換え、走査線２０２を信号線に置き換えて考えれば良い。
【００６２】
誘電体としては、二酸化チタン（ＴｉＯ2）を用いると良い。
【００６３】
本発明の誘電体の断面は図７の断面図で図示したように矩形状である必要はない。図８（Ａ）の断面図のように、画素電極２０８の端部に設けられた誘電体２０７の断面が台形状であっても良い。また、図８（Ｂ）の断面図のように、画素電極２０８の端部に設けられた誘電体２０７の断面がなだらかな円弧状であっても良い。誘電体の断面が矩形状のときは、ラビングをするときの毛先が乱れやすく、誘電体と画素電極が接する誘電体の底辺付近において、ラビングむらが生じやすい。このため、誘電体の断面を台形状、円弧状にすることはラビングをするうえで有効である。また、誘電体の断面を矩形状にすると、誘電体の矩形の頂点付近で電界が不連続になり、それに起因した液晶の配向不良が生じやすい。このため、誘電体の断面を台形状又は円弧状にして、電界分布の不均一性を抑えると良い。誘電体の断面が台形状又であっても円弧状であっても、誘電体の高さ（ｈ）とは画素電極のうち誘電体が接する面と、誘電体の最上端部との距離をいう。誘電体の幅（Ｌ）は画素電極の端から、誘電体の側面と画素電極の上面との接線までの距離をいう。つまり、画素電極と誘電体の重なる幅である。また、ディスクリネーション及び光漏れは画素電極の端部における等電位線の屈曲により起こるものなので、等電位線の屈曲を抑える働きをする誘電体２０７は図８（Ｃ）のように、少なくとも、画素電極２０８の端部上にあれば良い。
【００６４】
また、図９（Ａ）の斜視図では、ライン反転駆動をする液晶表示装置において、第１の画素電極２０３と第３の画素電極２０５が同極性の電位を有し、第１の画素電極２０３に対し、第２の画素電極２０４及び第４の画素電極２０６が異極性の電位を有するとする。第１の画素電極２０３の頂点近傍は、第１の画素電極と異極性の電位を有する第２の画素電極２０４及び第３の画素電極２０６と近接する。このため、第１の画素電極の頂点において、特に、等電位面の画素電極側への屈曲が大きい。このため、異極性の電位で隣接する第１の画素電極２０３の端部と第２の画素電極２０４の端部の両方に重なるように設けられた誘電体２０７のうち、画素電極の頂点近傍に設けられた誘電体２０７だけを局所的に対向基板側へと盛り上げた構成とすると良い。これにより矩形にパターニングされた画素電極において矩形の頂点付近で見られる輝度の高い光漏れを低減することができる。
【００６５】
図９（Ａ）の斜視図を鎖線Ｃ−Ｃ’で切断した断面を図９（Ｂ）に示す。矩形にパターニングされた第４の画素電極２０５の頂点近傍だけ、誘電体２０７の高さが局所的に高くなっている。
【００６６】
また、図１０（Ａ）の斜視図では、ライン反転駆動をする液晶表示装置において、第１の画素電極２０３と第３の画素電極２０５が同極性の電位を有し、第１の画素電極２０３に対し、第２の画素電極２０４及び第４の画素電極２０６が異極性の電位を有するとする。このとき、異極性の電位で隣接する第１の画素電極の端部及び第２の画素電極の端部の両方に重なるように誘電体２０９〜２１０を形成する。ただし、画素電極の頂点近傍に設けられた誘電体２０９はその間にある誘電体２１０に比べて比誘電率を高くする。比誘電率の高い誘電体ほど、画素電極端部における等電位線の屈曲を、対向電極側へと持ち上げる効果が高いため、誘電体２０９の比誘電率を適切に選択することで、画素電極の頂点近傍における輝度の高い光漏れを防止することができる。
【００６７】
また、誘電体の比誘電率を変える方法であるが、誘電体の材料として、比誘電率の異なる膜を２種類用いることも可能であるし、同じ材料で成膜条件を変えて比誘電率を変えることも可能である。二酸化チタンを蒸着にて形成するときに、蒸着をするときの酸素圧を低くすることで、成膜される二酸化チタンの屈折率が高くなる（共立出版  光学薄膜  ｐ１４３）。屈折率ｎ1，真空の誘電率ε0，比誘電率εｒ，透磁率μ，は、ｎ2/ｃ2＝ε0εｒμの関係があり、透磁率μは物質によらず、ほぼ一定のため、蒸着される膜の屈折率（ｎ）が高いと、それにともなって膜の比誘電率εｒが高くなる傾向にある。このため、蒸着時の酸素圧を変えることで、屈折率が変わり、比誘電率の異なる誘電体膜を形成することが可能と考えられる。
【００６８】
図１０（Ａ）の斜視図を鎖線Ｄ−Ｄ’で切断した断面を図１０（Ｂ）に示す。第３の画素電極２０５の端部上に誘電体を設けるときに、画素電極の頂点近傍に形成する誘電体２０９の比誘電率を、誘電体２０９の間にある誘電体２１０の比誘電率に対して高くする。
【００６９】
【実施例】
［実施例１］
本発明の実施例を図１１〜図１３を用いて説明する。
【００７０】
まず、図１２（Ｂ）の断面図に示す絶縁表面を有する基板６０１上に導電膜を形成し、パターニングを施すことにより、走査線６０２を形成する。この走査線は後に形成される半導体層を光から保護する遮光膜としても機能する。ここでは、基板６０１として石英基板を用い、走査線６０２としてポリシリコン膜（膜厚５０ｎｍ）とタングステンシリサイド（Ｗ-Ｓｉ）膜（膜厚１００ｎｍ）の積層構造を用いた。また、ポリシリコン膜はタングステンシリサイドから基板への汚染を防止するものである。
【００７１】
次いで、走査線６０２を覆う絶縁膜６０３を膜厚１００〜１０００ｎｍ（代表的には３００〜５００ｎｍ）で形成する。ここでは、ＣＶＤ法を用いた膜厚１００ｎｍの酸化シリコン膜とＬＰＣＶＤ法を用いた膜厚２８０ｎｍの酸化シリコン膜を積層する。
【００７２】
次いで、非晶質半導体膜を膜厚１０〜１００ｎｍで形成する。ここでは、膜厚６９ｎｍの非晶質シリコン膜（アモルファスシリコン膜）をＬＰＣＶＤ法を用いて形成する。次いで、この非晶質シリコン膜（アモルファスシリコン膜）を結晶化させる技術として特開平８−７８３２９号記載の技術を用いて結晶化する。同公報記載の技術は、非晶質シリコン膜に対して結晶化を促進する金属元素を選択的に添加し、加熱処理を行うことで添加領域を起点として広がる結晶質シリコン膜を形成するものである。ここでは結晶化を促進する金属元素としてニッケルを用い、脱水素化のための加熱処理（４５０℃、１時間）の後、結晶化のための熱処理（６００℃、１２時間）を行う。
【００７３】
次いで、ＴＦＴの活性層とする領域からＮｉをゲッタリングする。ＴＦＴの活性層とする領域をマスク（酸化シリコン膜）で覆い、結晶質シリコン膜の一部に燐（Ｐ）を添加して、熱処理（窒素雰囲気下で６００℃、１２時間）を行う。
【００７４】
次いで、マスクを除去した後、パターニングを行い結晶質シリコン膜の不要な部分を除去して、半導体層６０４ａ、６０４ｂを形成する。半導体層６０４ａ及び６０４ｂは同一の半導体層６０４である。なお、半導体層を形成した後の画素上面図を図１１（Ａ）に示す。走査線６０２と半導体層６０４が図示されている。
【００７５】
次いで、保持容量を形成するために、レジストを形成して半導体層の一部（保持容量とする領域）６０４ｂに燐をドーピングする。
【００７６】
次いで、レジストを除去して、半導体層を覆う絶縁膜を形成する。その後保持容量の容量を大きくするため、レジストを形成して、保持容量とする領域６０４ｂ上の絶縁膜を除去する。
【００７７】
次いで、熱酸化を行い絶縁膜（ゲート絶縁膜）６０５を形成する。この熱酸化によって最終的なゲート絶縁膜の膜厚は８０ｎｍとなる。なお、保持容量とする領域上に他の領域より薄い絶縁膜を形成する。保持容量とする領域の絶縁膜は膜厚が４０〜５０ｎｍにすることが望ましい。
【００７８】
次いで、ＴＦＴのチャネル領域となる領域にｐ型又はｎ型の不純物を低濃度に添加するチャネルドープを全面または選択的に行う。このチャネルドープ工程は、ＴＦＴしきい値電圧を制御するための工程である。なお、ここでは、ジボラン（Ｂ2Ｈ6）を質量分離しないでプラズマ励起したイオンドープ法でボロンを添加する。もちろん、質量分離を行うイオンプランテーション法を用いても良い。
【００７９】
次いで、絶縁膜をエッチングして、走査線に達するコンタクトホールを形成する。
【００８０】
次いで、導電膜を形成し、パターニングを行ってゲート電極６０６ａ及び容量配線６０６ｂを形成する。ここでは、燐がドープされたシリコン膜（膜厚１５０ｎｍ）とタングステンシリサイド（膜厚１５０ｎｍ）との積層構造を用いる。なお、保持容量は、絶縁膜６０５を誘電体として、容量配線と半導体層の一部とで形成されている。
【００８１】
なお、ゲート電極及び容量配線を形成した後の画素の上面図を図１１（Ｂ）に示す。ゲート電極６０６ａはコンタクトホール８０１により、走査線６０２と導通している。半導体層６０４と容量配線６０６ｂが絶縁膜を挟んで重なる領域が保持容量として機能する。
【００８２】
次いで、ゲート電極及び容量配線をマスクとして、自己整合的に燐を低濃度に添加する。この低濃度に添加された領域の燐の濃度が、１×１０16〜５×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3、代表的には１×１０16〜５×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3となるように調整する。
【００８３】
次いで、レジストを形成し、レジストをマスクとして燐を高濃度に添加し、ソース領域又はドレイン領域となる高濃度不純物領域を形成する。この高濃度不純物領域の燐の濃度が１×１０20〜１×１０21ａｔｏｍｓ／ｃｍ3、代表的には２×１０20〜５×１０20ａｔｏｍｓ／ｃｍ3となるように調整する。なお、半導体層のうち、ゲート電極と重なる領域はチャネル領域となり、レジストで覆われた領域は低濃度不純物領域となりＬＤＤ領域として機能する。そして、不純物を添加した後、レジストを除去する。
【００８４】
次いで、ここでは図示しないが、画素と同一基板上に形成される駆動回路に用いるｐチャネル型ＴＦＴを形成するために、レジストでｎチャネル型ＴＦＴとなる領域を覆い、ボロンを添加してソース領域またはドレイン領域を形成する。
【００８５】
次いで、レジストを除去した後に、ゲート電極６０６ａ及び容量配線６０６ｂを覆うパッシベーション膜６０７を形成する。ここでは、酸化シリコン膜を７０ｎｍの膜厚で形成した。次いで、半導体層にそれぞれの濃度で添加されたｎ型又はｐ型不純物を活性化するための熱処理工程を行う。ここでは、９５０℃、３０分の加熱処理を行う。
【００８６】
次いで、無機材料からなる層間絶縁膜６０８を形成する。本実施例では、窒化酸化珪素膜を８００ｎｍの膜厚で形成した。
【００８７】
次いで、半導体層に達するコンタクトホールを形成した後、電極６１０及び信号線６０９を形成する。本実施例では、電極及び信号線を、Ｔｉ膜を６０ｎｍ、ＴｉＮ膜を４０ｎｍ、Ｓｉを含むアルミニウム膜を３００ｎｍ、ＴｉＮ膜１００ｎｍをスパッタ法で連続して形成した４層構造の積層膜とする。
【００８８】
なお、電極及び信号線を形成した後の画素の上面図を図１２（Ａ）に示す。信号線６０９はコンタクトホール８０２を介して半導体層６０４と導通する。電極６１０はコンタクトホール８０３を介して半導体層６０４と導通する。以上の工程により形成される画素部の断面図を図１２（Ｂ）に示す。
【００８９】
次いで、３５０℃、１時間の水素化処理を行う。
【００９０】
次いで、図１３（Ｂ）に示すように有機樹脂材料からなる層間絶縁膜６１２を形成する。ここでは、膜厚１．０μｍのアクリル樹脂膜を用いる。次いで、層間絶縁膜上に遮光性を有する導電膜を１００ｎｍ成膜して、遮光層６１３を形成する。
【００９１】
次いで、絶縁膜６１４を１００ｎｍの膜厚で形成する。絶縁膜は、１００ｎｍ〜３００ｎｍの膜厚の酸化窒化珪素膜を形成する。
【００９２】
次いで、電極６１０に達するコンタクトホール（図示しない）を形成する。次いで、１００ｎｍの透明導電膜（ここでは、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）膜）を形成した後、パターニングして画素電極を形成する。第１の画素電極６１６と第２の画素電極６１７の間の距離は２．０μｍとする。
【００９３】
なお、画素電極（例えば、第１の画素電極６１６）と遮光膜６１３を電極として、絶縁膜６１４を誘電体とする保持容量を形成することができる。
【００９４】
次いで、電子ビーム蒸着法にてＴｉＯ2膜を形成する。蒸着材料は水冷されたるつぼ内に装着される。高真空中でフィラメントから放出された熱電子が一定の電圧で加速され、蒸着材料に照射され、その運動エネルギーにより蒸着材料が加熱、蒸発する。蒸発した粒子は基板上で凝縮する。反応性ガスとして酸素を導入し、酸化反応を起こす。ＴｉＯ2膜は、０．５μｍの厚さで形成する。
【００９５】
次いで、レジストを形成し、弗化水素（ＨＦ）の水溶液にてＴｉＯ2膜をエッチングする。ＴｉＯ2膜は第１の画素電極６１６の端部及び第２の画素電極６１７の端部にそれぞれ２．０μｍ幅で重なるように、ストライプ状に形成する。ＴｉＯ2膜の幅は６．０μｍとする。高誘電の誘電体であるＴｉＯ2膜をエッチングして誘電体膜６１５が画素電極の端部に設けられる。
【００９６】
なお、誘電体膜６１５を形成した後の画素部の上面図を図１３（Ａ）に示す。電極６１０と画素電極（例えば、第３の画素電極６１８）がコンタクトホール８０４を介して導通している。図１３（Ａ）の上面図を鎖線Ｈ−Ｈ’、鎖線Ｇ−Ｇ’で切断した断面を図１３（Ｂ）に示す。
【００９７】
以上の工程で作製される基板を本明細書ではアクティブマトリクス基板と称する。
【００９８】
本実施例のアクティブマトリクス基板は、透過型の液晶表示装置に用いることができる。なお、画素電極として、透明導電膜の代わりに、光を反射する機能を有する導電膜を用いるときは、本実施例のアクティブマトリクス基板を反射型の液晶表示装置に用いることができる。
【００９９】
[実施例２]
本実施例では、実施例１で作製したアクティブマトリクス基板から、アクティブマトリクス型液晶表示装置を作製する工程を以下に説明する。説明には図１４を用いる。図１４において、図１３と同じ要素（第１の画素電極６１６、第２の画素電極６１７）は、図１３と同一の符号を付して図示する。
【０１００】
まず、実施例１に従い、アクティブマトリクス基板を得る。
【０１０１】
次いで、透光性の基板７００上に透明導電膜からなる透明電極７０１を形成する。以上の構成でなる基板を本実施例では対向基板と称する。
【０１０２】
次いで、アクティブマトリクス基板及び対向基板上に配向膜７０２を形成しラビング処理を行う。なお、本実施例により作製する液晶表示装置は投影型の対角０．３インチ〜１．０インチ程度のパネルとする。このようなパネルは画素のサイズが１０μｍ〜２０μｍと小さく、スペーサーによる欠陥が無視できないくらいに大きい。このため、本実施例においてスペーサーは液晶表示装置に用いない。
【０１０３】
そして、画素部と駆動回路が形成されたアクティブマトリクス基板と対向基板とをシール材（図示せず）で貼り合わせる。シール材にはフィラーが混入されていて、このフィラーによって均一な間隔を持って２枚の基板が貼り合わせられる。画素部のセルギャップは４．５μｍとする。
【０１０４】
その後、両基板の間に液晶材料７０３を注入し、封止剤（図示せず）によって完全に封止する。液晶材料７０３には公知の液晶材料を用いれば良い。このようにして図１４に示すアクティブマトリクス型液晶表示装置が完成する。そして、必要があれば、アクティブマトリクス基板または対向基板を所望の形状に分断する。さらに、公知の技術を用いて偏光板等を適宜設けた。そして、公知の技術を用いてＦＰＣを貼りつけた。
【０１０５】
実施例１と図４のグラフを参照すると、誘電体の高さを０．５μｍ、誘電体の比誘電率を３０とし、セルギャップを４．５μｍとすることで、誘電体６１５がないときに比べて光漏れ及びディスクリネーションが低減する幅の和は１．５μｍと見積もられる。
【０１０６】
以上のようにして作製される液晶表示パネルは各種電子機器の表示部として用いることができる。
【０１０７】
[実施例３]
上記各実施例１または実施例２を実施して形成された液晶表示装置は様々な電気光学装置に用いることができる。即ち、それら電気光学装置を表示部に組み込んだ電子機器全てに本発明を適用できる。
【０１０８】
その様な電子機器としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ、プロジェクター、ヘッドマウントディスプレイ（ゴーグル型ディスプレイ）、カーナビゲーション、カーステレオ、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話または電子書籍等）などが挙げられる。それらの一例を図１５、図１６及び図１７に示す。
【０１０９】
図１５（Ａ）はパーソナルコンピュータであり、本体２００１、画像入力部２００２、表示部２００３、キーボード２００４等を含む。本発明を表示部２００３に適用することができる。
【０１１０】
図１５（Ｂ）はビデオカメラであり、本体２１０１、表示部２１０２、音声入力部２１０３、操作スイッチ２１０４、バッテリー２１０５、受像部２１０６等を含む。本発明を表示部２１０２に適用することができる。
【０１１１】
図１５（Ｃ）はモバイルコンピュータ（モービルコンピュータ）であり、本体２２０１、カメラ部２２０２、受像部２２０３、操作スイッチ２２０４、表示部２２０５等を含む。本発明は表示部２２０５に適用できる。
【０１１２】
図１５（Ｄ）はゴーグル型ディスプレイであり、本体２３０１、表示部２３０２、アーム部２３０３等を含む。本発明は表示部２３０２に適用することができる。
【０１１３】
図１５（Ｅ）はプログラムを記録した記録媒体（以下、記録媒体と呼ぶ）を用いるプレーヤーであり、本体２４０１、表示部２４０２、スピーカ部２４０３、記録媒体２４０４、操作スイッチ２４０５等を含む。なお、このプレーヤーは記録媒体としてＤＶＤ（Ｄｉｇｔｉａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ）、ＣＤ等を用い、音楽鑑賞や映画鑑賞やゲームやインターネットを行うことができる。本発明は表示部２４０２に適用することができる。
【０１１４】
図１５（Ｆ）はデジタルカメラであり、本体２５０１、表示部２５０２、接眼部２５０３、操作スイッチ２５０４、受像部（図示しない）等を含む。本発明を表示部２５０２に適用することができる。
【０１１５】
図１６（Ａ）はフロント型プロジェクターであり、投射装置２６０１、スクリーン２６０２等を含む。本発明は投射装置２６０１の一部を構成する液晶表示装置２８０８に適用することができる。
【０１１６】
図１６（Ｂ）はリア型プロジェクターであり、本体２７０１、投射装置２７０２、ミラー２７０３、スクリーン２７０４等を含む。本発明は投射装置２７０２の一部を構成する液晶表示装置２８０８に適用することができる。
【０１１７】
なお、図１６（Ｃ）は、図１６（Ａ）及び図１６（Ｂ）中における投射装置２６０１、投射装置２７０２の構造の一例を示した図である。投射装置２６０１、投射装置２７０２は、光源光学系２８０１、ミラー２８０２、ミラー２８０４〜２８０６、ダイクロイックミラー２８０３、プリズム２８０７、液晶表示装置２８０８、位相差板２８０９、投射光学系２８１０で構成される。投射光学系２８１０は、投射レンズを含む光学系で構成される。本実施例は三板式の例を示したが、特に限定されず、例えば単板式であってもよい。また、図１６（Ｃ）中において矢印で示した光路に実施者が適宜、光学レンズや、偏光機能を有するフィルムや、位相差を調節するためのフィルム、ＩＲフィルム等の光学系を設けてもよい。
【０１１８】
また、図１６（Ｄ）は、図１６（Ｃ）中における光源光学系２８０１の構造の一例を示した図である。本実施例では、光源光学系２８０１は、リフレクター２８１１、光源２８１２、レンズアレイ２８１３、レンズアレイ２８１４、偏光変換素子２８１５、集光レンズ２８１６で構成される。なお、図１６（Ｄ）に示した光源光学系は一例であって特に限定されない。例えば、光源光学系に実施者が適宜、光学レンズや、偏光機能を有するフィルムや、位相差を調節するフィルム、ＩＲフィルム等の光学系を設けてもよい。
【０１１９】
ただし、図１６に示したプロジェクターにおいては、透過型の電気光学装置を用いた場合を示しており、反射型の電気光学装置での適用例は図示していない。
【０１２０】
図１７（Ａ）は携帯電話であり、本体２９０１、音声出力部２９０２、音声入力部２９０３、表示部２９０４、操作スイッチ２９０５、アンテナ２９０６等を含む。本発明を表示部２９０４に適用することができる。
【０１２１】
図１７（Ｂ）は携帯書籍（電子書籍）であり、本体３００１、表示部３００２、３００３、記憶媒体３００４、操作スイッチ３００５、アンテナ３００６等を含む。本発明は表示部３００２、表示部３００３に適用することができる。
【０１２２】
図１７（Ｃ）はディスプレイであり、本体３１０１、支持台３１０２、表示部３１０３等を含む。本発明は表示部３１０３に適用することができる。本発明のディスプレイは特に大画面化した場合において有利であり、対角１０インチ以上（特に３０インチ以上）のディスプレイには有利である。
【０１２３】
以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。また、本実施例の電子機器は実施例１〜２のどのような組み合わせからなる構成を用いても実現することができる。
【０１２４】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、黒レベルを表示するときの液晶表示装置のディスクリネーション及び光漏れといった液晶の配向不良を低減でき、コントラストが高く、視認性の良い液晶表示装置を提供することができる。
【０１２５】
液晶表示装置の光漏れ及びディスクリネーションは画素電極の端部において、等電位面が画素電極の側へと屈曲することで、画素電極の表面に対し斜め方向の電界ができ、液晶がその斜め方向の電界に従って配向することにより発生する。そこで、画素電極の端部に高誘電率の誘電体を設け、等電位面を画素電極の表面に平行にするようにすることで、液晶のディスクリネーション及び光漏れを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】    本発明の画素部を示す斜視図。
【図２】    シミュレーションのモデルを示す断面図。
【図３】    誘電体を画素電極の端部上に設けたシミュレーションの結果を示す断面図。
【図４】    誘電体の高さと光漏れ及びディスクリネーションの幅の和の関係を示す図。
【図５】    本発明の原理を模式的に示す断面図。
【図６】    本発明の画素電極の端部を示す上面図。
【図７】    本発明の画素電極の端部を示す断面図。
【図８】    本発明の画素電極の端部を示す断面図。
【図９】    本発明の画素部を示す斜視図。
【図１０】  本発明の画素部を示す斜視図。
【図１１】  アクティブマトリクス基板の作製工程を示す上面図（実施例１）。
【図１２】  アクティブマトリクス基板の作製工程を示す上面図及び断面図（実施例２）。
【図１３】  アクティブマトリクス基板の作製工程を示す上面図及び断面図（実施例１）。
【図１４】  液晶表示装置を示す断面図（実施例２）。
【図１５】  電子機器の一例を示す斜視図（実施例３）。
【図１６】  電子機器の一例を示す斜視図（実施例３）。
【図１７】  電子機器の一例を示す斜視図（実施例３）。
【図１８】  ディスクリネーション及び光漏れを説明する断面図。
【図１９】  シミュレーションのモデルを示す断面図。
【図２０】  画素電極端部の液晶の配向のシミュレーションの結果を示す断面図。
【図２１】  ソースライン反転駆動を説明するための上面図。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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