(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁フィルムから成る第１テープ基材の片面上に信号回路を持つ配線パターンを形成し、該配線パターンの一部を絶縁皮膜で覆い、その絶縁皮膜で覆われていない導通ビア用接続領域部分に、上記第１テープ基材を貫くビアホールを設けて第１配線テープを構成し、この第１配線テープ下に、絶縁フィルムから成る第２テープ基材の片面に金属箔層を設けた第２配線テープを貼り合わせ、上記貼り合わせにより得られた２メタル２基材配線テープ下に接着剤を介してスティフナを貼り合わせた半導体素子搭載用テープにおいて、
前記第１配線テープ及び前記第２配線テープにはそれぞれ半導体素子とのワイヤボンディングを行うためのウィンドウホールを設け、前記第２配線テープのウィンドウホールは前記第１配線テープのウィンドウホール内に現出するようにより小径に形成し、
前記第１配線テープのウィンドウホールは、予め前記配線層の電解メッキを目的としてメッキ給電用中継配線が暫定的にウィンドウホールより内側に環状に設けられ、且つ前記メッキ給電用中継配線の周囲の半導体素子搭載用配線と接続されていた前記メッキ給電用中継配線を除去して半導体素子搭載用配線から分離させるように設け、
また前記第２配線テープには、その金属箔層の一部に、前記ビアホールにより前記第１配線テープの配線パターンと電気的に接続される電源用配線を形成し、その一部を、前記第１配線テープのウィンドウホール内に、前記メッキ給電用中継配線に較べて小面積のワイヤボンディング可能な露出部分として出現させ、
前記第１配線テープの導通ビア用接続領域部分に設けられるビアホールが電源用半田ボール搭載用ビアホールとグランド用半田ボール搭載用ビアホールから成り、
前記電源用半田ボール搭載用ビアホールに搭載した前記電源用半田ボールと前記第２配線テープの金属箔層側に設けた電源用配線とを電気的に接続し、
前記グランド用半田ボール搭載用ビアホールに搭載した前記グランド用半田ボールと前記第２配線テープ側に設けた金属箔層とを電気的に接続したことを特徴とする半導体素子搭載用テープ。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体素子搭載用テープを使用し、そのスティフナ上に半導体素子を搭載し、前記第１配線テープ側に設けた電源用半田ボール搭載用ビアホール上に電源用半田ボールを搭載し、この電源用半田ボール搭載用ビアホールを介して電源用半田ボールと前記第２配線テープの金属箔層側に設けた電源用配線とを電気的に接続し、前記第２配線テープの金属箔層側に設けた電源用配線がウィンドウホールに露出しているワイヤボンディング可能な露出部分と、半導体素子の電極とを、ワイヤボンディングにより電気的に接続したことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体素子搭載用テープを使用し、そのスティフナ上に半導体素子を搭載し、前記第１配線テープ側に設けたグランド用半田ボール搭載用ビアホール上にグランド用半田ボールを搭載し、このグランド用半田ボール搭載用ビアホールを介して、グランド用半田ボールと前記第２配線テープの金属箔層とを電気的に接続し、前記ウィンドウホールに露出している前記第２配線テープの金属箔層の露出部分と、半導体素子の電極とを、ワイヤボンディングにより電気的に接続したことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、スティフナと称される放熱板兼補強板の付いた半導体素子搭載用テープとそれを用いた半導体装置に係わり、特に配線層を二層有するＴＡＢ（Tape Automated Bonding）テープ（配線テープ）とそれを用いたテープＢＧＡ（Ball Grid Array ）タイプの半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来のＴ−ＢＧＡ（Tape BGA）構造の半導体装置を図６に示す。また、そこに用いられている半導体素子搭載用テープ５０の外観を図７に、またその詳細図を図８に示す。
【０００３】
従来の半導体素子搭載用テープ５０は、ポリイミド樹脂製絶縁フィルム４１の片面に導体回路パターン４２を付けたＴＡＢテープ４０を、接着剤層５を介して、中央部に半導体チップ搭載用の凹部６ａを設けてあるスティフナ６と貼り合わせた構造を有する。
【０００４】
このＴＡＢテープ４０上に形成される導体回路パターン４２には３系統がある。第１は、図７及び図８の如く設けられた半田ボール搭載用パッド部５１、引き回しリード部５１ａ及びボンディングパッド部５９を含む信号用回路配線４４であり、第２は、信号用回路配線４４より内側（半導体搭載用ウィンドウホール５３側）の領域において、図７及び図８の如く半導体搭載用ウィンドウホール５３周囲に設けられた電源用ライン５４、引き回しリード部５４ａ及び半田ボール搭載用パッド部５１を含む給電用回路配線４５であり、第３は電源用ライン５４よりさらに内側にて半導体搭載用ウィンドウホール５３周囲に設けられたグランド用ライン５２である。
【０００５】
半導体装置は、上記スティフナ６の凹部６ａに素子固定材（チップ固定用ペースト）を用いて半導体チップ９を貼り付け、この半導体チップ９の電極と前記ボンディングパッド部５９とをボンディングワイヤ７にて結線し、さらに前記半導体チップ９とボンディングワイヤ７とを封止樹脂８によって封止することで構成される。なお、半田ボール搭載用パッド部５１上には半田ボール１が搭載される。
【０００６】
ところで、半導体素子搭載用テープ５０の配線パターンには金メッキが必要であるが、製造方法としては量産性を考慮し電解メッキ法を採用している。そのため、メッキ給電用配線１５が設けられている。
【０００７】
このメッキ給電用配線１５は、図７の如く、半導体素子搭載用テープ５０の両端側に位置する搬送及び位置決め用のスプロケットホール５７と平行に設けられた幹線１５ａと、これらを架橋する形の架橋線１５ｂとで構成され、全体として半導体装置外形１６を囲っている。そして、このメッキ給電用配線１５から、図８の如く、各半田ボール搭載用パッド部５１まで引き込み線１５ｃをさらに設け、半田ボール搭載用パッド部５１およびボンディングパッド部５９へのメッキを設けている。
【０００８】
この引き込み線１５ｃはあくまでもメッキ用の配線であり、半導体装置として完成してしまえば不要であるばかりでなく、高速な半導体素子を搭載するとノイズが発生し、動作に悪影響を及ぼす場合がある。
【０００９】
そこで、この引き込み線１５ｃを少なくしたパターンが図９、図１０である。メッキ給電用配線１５から１本の共通引き込み線１５ｄをボンディングパッド部５９の周辺の共通ライン１５ｅまで伸ばし、それから枝路１５ｆにて分岐して、各ボンディングパッド部５９に連結する。そして、この共通引き込み線１５ｄ、共通ライン１５ｅ及び枝路１５ｆを通して給電することにより、半田ボール搭載用パッド部５１およびボンディングパッド部５９へメッキを施す。そして、メッキ後に金型によるプレス加工により、連結した部分（共通ライン１５ｅと枝路１５ｆとの分岐点）に貫通穴６０を設けて切断し、電気的にボンディングパッド部５９をメッキ給電系統から分離したパターンとするものである。
【００１０】
この方法は、メッキ給電用配線１５から半田ボール搭載用パッド部５１に直接つながる引き込み線の数が前記従来パターンより極端に少ないため、半導体装置の高速化に効果的である。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図９、図１０に示した従来の半導体素子搭載用テープの場合、ボンディングパッド部５９を相互に、且つメッキ給電系統から分離するために設ける前記貫通穴６０が、直径０．５mm程度と細く、且つ半導体素子搭載用テープ１ヶ当たりの必要数が数十個以上になるため、金型費用が高価であり、また打ち抜きによるためバリの発生も懸念される。
【００１２】
そこで本発明の目的は、上記課題を解決し、片面配線テープを複数層用いて、余分なメッキ給電用の配線を可能な限り設けず、設計自由度に優れ、且つ高速半導体素子を搭載するのに適したＴＢＧＡタイプの半導体素子搭載用テープとそれを用いた半導体装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は、次のように構成したものである。
【００１４】
（１）請求項１の発明に係る半導体素子搭載用テープは、絶縁フィルムから成る第１テープ基材の片面上に信号回路を持つ配線パターンを形成し、該配線パターンの一部を絶縁皮膜で覆い、その絶縁皮膜で覆われていない導通ビア用接続領域部分に、上記第１テープ基材を貫くビアホールを設けて第１配線テープを構成し、この第１配線テープ下に、絶縁フィルムから成る第２テープ基材の片面に金属箔層を設けた第２配線テープを貼り合わせ、上記貼り合わせにより得られた２メタル２基材配線テープ下に接着剤を介してスティフナを貼り合わせた半導体素子搭載用テープにおいて、
前記第１配線テープ及び前記第２配線テープにはそれぞれ半導体素子とのワイヤボンディングを行うためのウィンドウホールを設け、前記第２配線テープのウィンドウホールは前記第１配線テープのウィンドウホール内に現出するようにより小径に形成し、
前記第１配線テープのウィンドウホールは、予め前記配線層の電解メッキを目的としてメッキ給電用中継配線が暫定的にウィンドウホールより内側に環状に設けられ、且つ前記メッキ給電用中継配線の周囲の半導体素子搭載用配線と接続されていた前記メッキ給電用中継配線を除去して半導体素子搭載用配線から分離させるように設け、また前記第２配線テープには、その金属箔層の一部に、前記ビアホールにより前記第１配線テープの配線パターンと電気的に接続される電源用配線を形成し、その一部を、前記第１配線テープのウィンドウホール内に、前記メッキ給電用中継配線に較べて小面積のワイヤボンディング可能な露出部分として出現させ、前記第１配線テープの導通ビア用接続領域部分に設けられるビアホールが電源用半田ボール搭載用ビアホールとグランド用半田ボール搭載用ビアホールから成り、前記電源用半田ボール搭載用ビアホールに搭載した前記電源用半田ボールと前記第２配線テープの金属箔層側に設けた電源用配線とを電気的に接続し、前記グランド用半田ボール搭載用ビアホールに搭載した前記グランド用半田ボールと前記第２配線テープ側に設けた金属箔層とを電気的に接続したことを特徴とする。
【００１５】
（２）請求項２の発明は、請求項１に記載の半導体素子搭載用テープを使用し、そのスティフナ上に半導体素子を搭載し、前記第１配線テープ側に設けた電源用半田ボール搭載用ビアホール上に電源用半田ボールを搭載し、この電源用半田ボール搭載用ビアホールを介して電源用半田ボールと前記第２配線テープの金属箔層側に設けた電源用配線とを電気的に接続し、前記第２配線テープの金属箔層側に設けた電源用配線がウィンドウホールに露出しているワイヤボンディング可能な露出部分と、半導体素子の電極とを、ワイヤボンディングにより電気的に接続したことを特徴とする。
【００１６】
（３）請求項３の発明は、請求項１に記載の半導体素子搭載用テープを使用し、そのスティフナ上に半導体素子を搭載し、前記第１配線テープ側に設けたグランド用半田ボール搭載用ビアホール上にグランド用半田ボールを搭載し、このグランド用半田ボール搭載用ビアホールを介して、グランド用半田ボールと前記第２配線テープの金属箔層とを電気的に接続し、前記ウィンドウホールに露出している前記第２配線テープの金属箔層の露出部分と、半導体素子の電極とを、ワイヤボンディングにより電気的に接続したことを特徴とする。
【００１７】
＜発明の要点＞
本発明の半導体素子搭載用テープは、信号用配線層としての第１配線テープ（１メタル配線テープ）下に、電源及びグランド用配線層としての第２配線テープ（第２メタル用テープ）を貼り合わせた２メタル２基材配線テープを用いることを前提とする。そして、本発明の要点は、信号用配線層と電源及びグランド用配線層という異なる配線層の上下関係を利用して、半導体搭載用ウィンドウホール周辺に電解メッキ用電源ライン及びグランド用ラインというリング状配線を設けないようにする点にある。
【００１８】
すなわち、上側の信号用配線層（第１配線テープ）のウィンドウホールよりも下側の電源及びグランド用配線層（第２配線テープ）のウィンドウホールの方を小径に形成して、下側のウィンドウホールの周辺が上側のウィンドウホール内に現出するようにする。
【００１９】
この上側の信号用配線層（第１配線テープ）のウィンドウホールは、予め暫定的に当該ウィンドウホールより内側に環状に設けて周囲の半導体素子搭載用配線と接続されていたメッキ給電用中継配線を、ウィンドウホール形成と同時に切り落として半導体素子搭載用配線から分離させるように設けたものである。具体的には、メッキ給電用中継配線を通じて半田ボール搭載用パッド部やワイヤボンディングパッド部等に金メッキ等のメッキを設けた後に、ウィンドウホールのプレス加工により一括してメッキ給電用中継配線を打ち抜き除去する。
【００２０】
これにより余分な配線を設けず、高速半導体素子に対応可能となる。すなわち、メッキ給電用中継配線は、あくまでもメッキ用の配線であり、半導体装置として完成してしまえば不要であるばかりでなく、高速な半導体素子を搭載するとノイズ発生の原因となり、動作に悪影響を及ぼす場合があるが、これを防止することができる。
【００２１】
また、従来のように、ボンディングパッド部を相互に、且つメッキ給電系統から分離するために多数の細い貫通穴を設ける必要がないので、これによるバリの発生がなく、また高価な金型を用意する必要がなくなるので、全体として安価に製造することができる。
【００２２】
一方、下側の電源及びグランド用配線層（第２配線テープ）には、その金属箔層の一部に、ビアホールを介して上側の信号用配線層（第１配線テープ）と電気的に接続される電源用配線を形成し、その一部を、上側の信号用配線層（第１配線テープ）のウィンドウホール内に出現させる。この電源用配線は、上記打ち抜きにより除去される電解メッキ用給電配線に較べて小面積のものであり、ワイヤボンディング可能な露出部分として出現していても、高速な半導体素子を搭載した場合にノイズの発生や、動作への悪影響を生じさせない。
【００２３】
よって、発明の半導体素子搭載用テープによれば、片面配線ＴＡＢテープを２枚用いることにより、半田ボールを搭載する側の配線層に給電配線面積をほとんど設けない半導体素子搭載用テープとすることができ、これにより余分な配線を設けず、高速半導体素子に対応可能な、電気特性的には理想的な性能を得ることができる。
【００２４】
また、第１配線テープの配線パターンに対しては、薄い絶縁層であるテープ基材の直下に第１配線テープの金属箔層がグランド層として存在しているので、信号回路の配線に高周波信号が負荷された際、グランド層に、それぞれの配線に流れる電流により発生する磁束を打ち消すような方向に渦電流が流れる結果、見かけ上、配線のインダクタンスと誘導性クロストークを低減することができる。これにより、電気信号の信頼性及び伝播速度の高速化がはかられる。
【００２５】
さらにまた、本発明の半導体装置は、上記請求項１に記載の半導体素子搭載用テープを使用することを前提とするものであるから、上述した特長を全て有し、優れた電気特性を必要とする半導体素子を搭載したＴＢＧＡタイプの半導体装置を得ることができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図示の実施形態に基づいて説明する。
【００２７】
図１に本発明の半導体素子搭載用テープの外観を、図２にそれを用いて構成したＴ−ＢＧＡ（Tape BGA）構造の半導体装置を示す。
【００２８】
図２において、１０は本発明により構成した２メタル２基材配線テープから成る半導体素子搭載用テープであり、１メタル１基材配線テープから成る第１配線テープ２０及び第２配線テープ３０を、接着剤層５を介して貼り合わせたものから構成されている。
【００２９】
＜第１配線テープ２０＞
図２において、第１配線テープ２０は、ポリイミド樹脂製絶縁フィルムから成る第１テープ基材４の片面上に、銅箔で、図４に示すように、半導体素子接続用のボンディングパッド部１９、半田ボール搭載用パッド部１１及び引き回しリード部１９ａを含む信号回路を持つ配線パターン３を形成し、該配線パターン３の一部をフォトソルダレジスト（ＰＳＲ）による絶縁皮膜（配線保護膜）２で覆った構成を有する。
【００３０】
即ち、配線パターン３のうち、引き回しリード部１９ａは絶縁皮膜２で覆われているが、電気的接続が必要となる接続領域である、ボンディングパッド部１９、半田ボール搭載用パッド部１１といった部分は、絶縁皮膜２に覆われずに露出したまま残されている。配置的には、配線パターン３の一端部に半導体素子接続用のボンディングパッド部１９を形成するとともに、他端部に半田ボール搭載用パッド部１１を形成し、半田ボール搭載用パッド部１１の存在する領域の配線パターン３の面上に絶縁皮膜２を形成している。
【００３１】
図３は、半導体素子搭載用テープ１０の一構成要素である上記第１配線テープ（信号用配線テープ）２０の外観を、ウィンドウホール１３を形成する前の状態で示したものであり、図４はその詳細図である。
【００３２】
図３に示すように、第１配線テープ（信号用配線テープ）２０には、その半導体搭載用ウィンドウホール１３の予定開口ラインよりも内側に、予定開口に沿って環状の共通のメッキ給電用中継配線（リング状配線）２４が設けられている。そして、半導体装置外形１６より外側に、全体として半導体装置外形１６を囲うように設けてあるメッキ給電用配線１５から、一本の引き込み線１５ｇが引き出され、上記メッキ給電用中継配線２４の角部に接続されている。このメッキ給電用配線１５は、図３の如く、第１配線テープ２０の両端側にスプロケットホール１７と平行に設けられた幹線１５ａと、これらを架橋する形の架橋線１５ｂから成る。
【００３３】
さらにメッキ給電用中継配線２４から、図４に示すように、半田ボール搭載用パッド部１１およびボンディングパッド部１９の先端に、給電用配線１５ｈにより接続し、これを電気通路として利用して半田ボール搭載用パッド部１１およびボンディングパッド部１９に電解メッキ法により金メッキを設ける。
【００３４】
メッキ後に、プレス加工によりウィンドウホール１３を設ける。このプレス加工の際、上記のメッキ給電用中継配線２４と、そしてメッキ給電用中継配線２４およびボンディングパッド部１９を接続するメッキ給電用引き込み線１５ｈとを、一括して打ち抜く。すなわち、図３及び図４に点線で示す半導体搭載用ウィンドウホール１３の予定開口ラインよりも内側の部分、つまりメッキ給電用中継配線２４の全体（電解メッキ時に使用した電源及びグランド用のリング状配線）とメッキ給電用引き込み線１５ｈの一部を切り落として除去する。
【００３５】
また第１配線テープ２０の第１テープ基材４には、後に搭載される半田ボール１との接続用に、電源配線用ビアホール（電源用半田ボール搭載用ビアホール）２２とグランド配線用ビアホール（グランド用半田ボール搭載用ビアホール）２６とを設ける。この電源配線用ビアホール２２とグランド配線用ビアホール２６は、上記配線パターン３の配線と交わらない位置において１個又は２個以上設けられ、予め半田を充填することにより又は後に半田ボール１を溶融搭載することにより導通化される。
【００３６】
かくして、余分なメッキ給電用中継配線２４の全体とメッキ給電用引き込み線１５ｈの一部を除去した第１配線テープ２０が得られる。
【００３７】
＜第２配線テープ３０＞
一方、図５に半導体素子搭載用テープ１０の他の構成要素である第２配線テープ（電源及びグランド配線テープ）３０の外観を示す。
【００３８】
第２配線テープ３０は、ポリイミド樹脂製の絶縁フィルムから成る第２テープ基材３４の片面に、グランド層（電気伝導層）として機能する銅箔層から成る金属箔層１２を有する。本実施形態の場合、この金属箔層１２にはテープ全体に金メッキが施されている。なお、金属箔層１２のメッキとしては、全面にＡｕ／Ｎｉめっきを施してもよいし、或いは、その一部即ち電気的接続のなされる部分にのみメッキを設けることもできる。
【００３９】
また、この第２配線テープ３０には、半導体素子とのワイヤボンディングを行うため、上記第１配線テープ２０のウィンドウホール１３と相似形で、且つ面積の小さいウィンドウホール２３が設けられている。
【００４０】
上記金属箔層１２の一部には、半田ボール搭載用パッド部１１の１つに対応するパッド部１４ａと、そこからウィンドウホール２３の中心に向かうリード部１４ｂとから成る電源用配線１４が、適数本（この例では５本）形成され、これらの電源用配線１４は、周囲の溝状のスペース（電源及びグランド配線間スペース）２１により金属箔層１２から電気的に切り離されている。
【００４１】
すなわち、第２配線テープ３０の金メッキには電源用配線１４としてのリード部分を設けており、その他の金属箔層１２の大部分の面積はグランド用配線として使用する。両者の金属箔層１２と電源用配線１４とは、電源用配線１４とグランド用配線たる金属箔層１２との間に幅０．１mm程度の溝状のスペース２１をエッチングにより設けると共に、中央側に半導体搭載用ウィンドウホール２３を設けることにより電気的に切り離される。
【００４２】
第２配線テープ３０の上に第１配線テープ２０を重ねた場合、電源用配線１４のパッド部１４ａは、電源配線用ビアホール２２により第１配線テープ２０の配線パターンと電気的に接続される。また、第２配線テープ３０のウィンドウホール２３は第１配線テープ２０のウィンドウホール１３内に現出するように小径に形成されていることから、図１に示すように、電源用配線１４のリード部１４ｂの一部が、第１配線テープ２０のウィンドウホール１３内に出現する。これは、従来の電解メッキ給電用配線２４に較べると非常に小面積の露出部分として存在しているに過ぎない。また、グランド用配線として機能する金属箔層１２の一部（ウィンドウホール２３の周辺部分１２ｂ）も第１配線テープ２０のウィンドウホール１３内に出現する。
【００４３】
＜貼り合わせ＞
図１に本発明の信号用半導体素子搭載用テープと電源及びグランド配線テープを重ねた外観図を示す。
【００４４】
上記した第１配線テープ２０と第２配線テープ３０とは、図１及び図２の如く、接着剤層５を介して、第１テープ基材４の他方の片面側つまり配線パターン３の存在しない側に、金属箔層１２が位置するように貼り合わせられる。その際、上記ウィンドウホール１３、２３の大小関係から、第２配線テープ３０の金属箔層１２には第１配線テープ２０により覆われていない露出部分（ウィンドウホール２３の周辺部分１２ｂ）が残されると共に、ウィンドウホール１３内には電源用配線１４のリード部１４ｂも現出する。これら第１配線テープ２０のウィンドウホール１３内に現出する、電源及びグランド配線テープの一部（電源用配線１４のリード部１４ｂ、金属箔層１２のウィンドウホール周辺部分１２ｂ）は、半導体素子との接続用ワイヤボンディングパッドとして使用することができる。
【００４５】
上記貼り合わせにより得られた２メタル２基材配線テープから成る半導体素子搭載用テープ１０には、その第２配線テープ３０側に、接着剤３５を介して、図２の如く、金属板から成るスティフナ６を貼り合わせ、以てスティフナ付きＴＡＢテープを完成する。
【００４６】
このスティフナ付きＴＡＢテープによれば、製作が容易な第１配線テープ２０と第２配線テープ３０とを接着剤層５を介して貼り合わせた構成の２メタル２基材配線テープから成る半導体素子搭載用テープ１０を用いているため、従来の１つのテープ基材の両面に金属箔を有するものを加工した２メタル１基材ＴＡＢテープを用いた場合に較べ、非常に簡単に安価に製造することができる。
【００４７】
＜半導体装置の組立＞
次に、上記スティフナ付き半導体素子搭載用テープ１０を用いた半導体装置の構成について説明する。
【００４８】
図１の半導体装置の場合には、次のように組み立てる。まず、上記スティフナ付き半導体素子搭載用テープ１０を用い、そのスティフナ６の凹部６ａに、素子固定剤を介して半導体素子９を搭載する。そして、配線パターン３のボンディングパッド部１９とこれに対応する半導体素子９の電極のうちの信号用電極とをボンディングワイヤ７ａにより接続し、第２配線テープ３０の電源用配線１４とこれに対応する半導体素子９の電極のうちの電源用電極とをボンディングワイヤ７ｂにより接続する。
【００４９】
また、半田ボール搭載用パッド部１１に半田ボール１を搭載する。その際、上記ビアホール２２、２６及び金属箔層１２から成るブラインドビアホールに半田ボール１を溶融搭載することにより、電源配線用ビアホール２２及びグランド配線用ビアホール２６を通して、第１配線テープ２０直下の金属箔層１２に特定のグランド電位を与える。これにより、第１配線テープ２０の片面側の配線パターン３におけるリード間の電磁界結合によるノイズ発生を抑え、伝搬速度の高速化を図ることができる。
【００５０】
さらに、この金属箔層１２における半導体素子９に近い側の部分領域（ウィンドウホール２３の周辺部分１２ｂ）を、第１配線テープ２０のウィンドウホール１３内へ露出させ、その露出部分と半導体素子９の電極のうちのグランド用電極とをボンディングワイヤ７ｃにより接続し、半導体素子９のグランドラインを金属箔層１２及びグランド配線用ビアホール２６を通して、グランド電位に落とす。これにより、伝送速度の早い半導体素子９の動作特性の安定化を図ることができる。
【００５１】
そして、半導体素子９の周辺領域における電気的な接続を保護するために、封止樹脂８により、半導体素子９、ワイヤボンディング７ａ、７ｂ、７ｃ、配線パターン３等を包み込むようにして封止する。
【００５２】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、次のような優れた効果が得られる。
【００５３】
(1)本発明の半導体素子搭載用テープは、信号用配線層（第１配線テープ）と電源及びグランド用配線層（第２配線テープ）という異なる配線層の上下関係を利用して、半導体搭載用ウィンドウホール周辺から、電解メッキ時に使用した電源及びグランド用のリング状配線を削除した構成であるので、余分な配線を設けず、高速半導体素子に対応したＴＢＧＡを製造することが可能になる。
【００５４】
また、第１配線テープの配線パターンに対しては、薄い絶縁層であるテープ基材の直下に第２配線テープの金属箔層がグランド層として存在しているので、信号回路の配線に高周波信号が負荷された際、グランド層に、それぞれの配線に流れる電流により発生する磁束を打ち消すような方向に渦電流が流れる結果、見かけ上、配線のインダクタンスと誘導性クロストークを低減することができる。これにより、電気信号の信頼性及び伝播速度の高速化がはかられる。
【００５５】
さらにまた、本発明の半導体素子搭載用テープは、信号用配線層（第１配線テープ）及び電源及びグランド用配線層（第２配線テープ）に１メタル１基材配線テープを用い、その第１配線テープ下に第２配線テープを貼り合わせて成る２メタル２基材配線テープ（擬似２メタル配線テープ）をスティフナに搭載した構成であるので、従来の２メタル１基材配線テープを用いた場合に較べて、製造が容易であり安価に作成することができる。
【００５６】
(2)本発明の半導体装置は、上記請求項１に記載の半導体素子搭載用テープを使用することを前提とするものであって、上述した特長を全て有し、優れた電気特性を必要とする半導体素子を搭載したＴＢＧＡタイプの半導体装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の信号用半導体素子搭載用テープと電源及びグランド配線テープを重ねて構成した半導体素子搭載用テープの平面図である。
【図２】  本発明の半導体装置の断面図である。
【図３】  本発明の半導体素子搭載用テープの一構成要素である第１配線テープの平面図である。
【図４】  図３の一部を拡大して示した図である。
【図５】  本発明の半導体素子搭載用テープの一構成要素である第２配線テープの平面図である。
【図６】  従来の半導体装置の断面図である。
【図７】  従来の半導体素子搭載用テープの平面図である。
【図８】  図７の一部を拡大して示した図である。
【図９】  従来の半導体素子搭載用テープの他の構成を示した部分拡大平面図である。
【図１０】  図９の半導体素子搭載用テープに貫通穴を設けてボンディングパッド部を分離した状態を示した図である。
【符号の説明】
１  半田ボール
２  絶縁皮膜
３  配線パターン
６  スティフナ
８  封止樹脂
９  半導体素子
１０  半導体素子搭載用テープ
１１  半田ボール搭載用パッド部
１２  金属箔層
１３  ウィンドウホール
１４  電源用配線
１４ａ  パッド部
１４ｂ  リード部
１５  メッキ給電用配線
１９  ボンディングパッド部
２０  第１配線テープ
２２  電源配線用ビアホール
２３  ウィンドウホール
２４  メッキ給電用中継配線
２６  グランド配線用ビアホール
３０  第２メタル用テープ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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