(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
収納された被処理体を熱処理する処理室と、処理室の外面に沿って形成された流体通路と、流体通路に配設された前記熱処理用の加熱手段と、流体を加熱手段の加熱面に接触して流体通路を通過させる流体通過手段と、加熱手段および流体通過手段を制御する制御手段とを備えた熱処理装置を用いて熱処理を行うに際し、
熱処理が、予め設定された熱処理温度に到達するまでの昇温期間、前記予め設定された熱処理温度を一定範囲で維持する維持期間および熱処理が終了するまでの降温期間からなり、
制御手段が、前記昇温期間に、処理室または被処理体の温度を検知して流体の温度および／または流量を変えながら、予め設定された熱処理温度に到達する直前に前記流体を流体通路に通過させるよう流体通過手段に指令を行い、流体の温度および／または流量を制御する熱処理方法。
【請求項２】
収納された被処理体を熱処理する処理室と、処理室の外面に沿って形成された流体通路と、流体通路に配設された前記熱処理用の加熱手段と、流体を加熱手段の加熱面に接触して流体通路を通過させる流体通過手段と、加熱手段および流体通過手段を制御する制御手段とを備えた熱処理装置を用いて熱処理を行うに際し、制御手段が、熱処理中の少なくとも一時期に、流体の温度および／または流量を変えながら流体通路に流体を通過させるよう流体通過手段に指令を行い、さらに、予め設定された熱処理温度に到達する直前まで、平均＋１０℃／分以上の温度上昇率で、かつ設定温度に対しオーバーシュートが＋１℃以下で昇温させるよう加熱手段および／または流体通過手段に指令を行う熱処理方法。
【請求項３】
熱処理が、予め設定された熱処理温度に到達するまでの昇温期間、前記予め設定された熱処理温度を一定範囲で維持する維持期間および熱処理が終了するまでの降温期間からなり、制御手段が、前記期間の少なくとも一時期に、処理室または被処理体の温度を検知して流体の温度および／または流量を制御する請求項２に記載の熱処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、熱処理装置およびそれを用いた熱処理方法に関し、特に、半導体製造において半導体基板に膜形成等を行うための熱処理装置および熱処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、半導体装置の製造においては、熱処理成膜装置やＣＶＤ装置など（以下、熱処理装置と総称する）を使用して、半導体基板上にポリシリコン膜、酸化膜、窒化膜などの薄膜を形成する工程が多用されている。
これら熱処理工程は、デバイスの微細化に伴って、低温化が求められるとともに、生産性の向上のために処理時間の短縮が求められている。
【０００３】
特開平６−５３１４１号公報には、図１０に示すように、空冷装置を有し、スループットの向上が図られた熱処理装置が開示されている。
図１０において、熱処理装置１００は、ボート２上に収納された半導体ウエハ１に熱処理を施すための処理室３と、処理室３との間に流体通路８、９を形成して処理室の外側を覆う保温部材７と、流体通路８、９に配設され処理室３内を加熱するヒーター６と、ヒーター６の加熱面に接触するよう流体通路８、９に流体１４（空気）を通過させる送風機２１（空冷装置）と、流体通路８、９の入口に配設された開閉バルブ１９とからなる。送風機２１は一定風量で駆動され、流体通路８、９を空冷する。
【０００４】
半導体ウエハ１に熱処理を施す際の処理室３の最高温度は、処理内容によって異なり、例えば、低温（１００〜５００℃）、中温（５００〜９００℃）および高温（９００〜１３００℃）に分けることができる。
ウエハ１を処理室３から取り出すには処理室３を冷却する必要があるが、熱処理装置１００では、中温（例えば、約８００℃）での処理後の冷却時に、処理室３を−３０℃／分程度の速さで降温することが可能となり、空冷装置をもたない装置（自然冷却による降温速度が−５℃／分程度）に比べてスループットが大きく向上する。
開閉バルブ１９は、冷却時のみ開かれて高温の排気を排出し、冷却時以外では熱が無駄に放出されるのを防ぐために閉じられる。
【０００５】
特開平７−１３５１８２号公報には、図１１に示すように、上記と同様の空冷装置を有するとともに、熱交換器２０が介設された排気循環路を備えた熱処理装置２００が開示されている。
熱処理装置２００では、排気循環路に排出された高温の排気を熱交換器２０で冷却し、処理室３に戻して再利用される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
前記の熱処理装置１００および熱処理装置２００では、処理室３内を短時間で冷却することができる。
しかしながら、これらの熱処理装置では、処理室３での熱処理完了後に、室温程度の空気を大量に流体通路８、９に流すため、処理室３が高温状態（例えば、１２００℃位）にある場合には、急激な温度変化により、ヒーター６および処理室３を破損するおそれがあるという問題があった。
【０００７】
別の問題としては、昇温時のオーバーシュートがある。通常、熱処理開始時に処理室３を高速で設定温度まで上げると、温度のオーバーシュートが生じる。  図１２は、このオーバーシュートの一例を示す。
図１２において、グラフ１は、＋３０℃／分で１００℃から４００℃まで昇温した場合の処理室３内の温度変化を示す。
この場合、設定温度４００℃に対して＋８０℃のオーバーシュートが起きており、処理室３内のウエハは不必要な加熱を受ける。また、設定温度で反応を進めるには、温度が収束するまで待たなければならず、スループットが低下する。
【０００８】
温度のオーバーシュートを防ぐため、昇温レートを段階的に低下させる方法がある。図１２のグラフ２は、設定温度を段階的に設定して設定温度４００℃まで昇温した場合の処理室３内の温度変化を示す。
この場合、昇温完了までの時間が長くなり、結果的には不必要な熱処理が行われることに変わりはなく、スループットも同様に低下する。
また、デバイスシミュレーションを行う場合には、オーバーシュートを考慮せずにシミュレーションを行うことが多く、実際のデバイスとシミュレーションの結果との間に大きな差が出る。
すなわち、オーバーシュートは各熱処理装置間でばらつきがあるため、実験を行ってデータを取得せねばならず、シミュレーションへフィードバックするには長時間を要するのである。
【０００９】
このように、従来の熱処理装置は、昇温速度には優れているが、その後の温度収束に要する時間が長く、安定した熱処理プロセスを構築する上で障害となっていた。
【００１０】
さらに、別の問題として、熱処理時における処理室３内の温度の安定性がある。
図１３は、従来の熱処理装置（特に拡散炉）で、処理室３内の温度を４５０℃から＋３℃／分の昇温速度で７００℃まで昇温し、昇温開始２時間経過後（０分）からの処理室３内の温度を記録したものである。
また、図１４は、従来の熱処理装置で、処理室３内の温度を４５０℃から−３℃／分の降温速度で２００℃まで降温し、降温開始２時間経過後（０分）からの処理室３内の温度を記録したものである。
【００１１】
図１３に示すように、処理室３内を中・高温に維持する場合の温度安定性は  よいが、図１４に示すように、処理室３内を低温（例えば、２００℃位）に維持する場合の温度安定性はよくない。このため、配線形成工程で必要な低温の熱処理を行うには、低温専用ヒーター等を搭載した熱処理装置を別途用意する必要があった。
【００１２】
本発明は、上記の従来の問題点を解決するためになされたものであり、熱処理温度の収束が速く、かつ広い処理温度範囲で温度安定性が高い熱処理装置を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
この発明によれば、収納された被処理体を熱処理する処理室と、処理室の外面に沿って形成された流体通路と、流体通路に配設された前記熱処理用の加熱手段と、流体を加熱手段の加熱面に接触して流体通路を通過させる流体通過手段と、流体通路を通過する流体の温度および／または流量を制御する制御手段とを備えた熱処理装置が提供される。
【００１４】
すなわち、流体通路を通過させる流体の温度および／または流量を制御する流体制御手段を備えた上記構成により、加熱手段による熱処理を行う際に、昇温および降温（すなわち、冷却）の速度を高めることができるとともに、加熱手段からの伝熱を微調整することができるので、熱処理温度の収束が速く、さらに広い処理温度範囲で高い温度安定性を得ることができ、スループットが向上する。
また、処理室を高温状態から中温状態まで冷却する際においても、処理室に急激な温度変化を生じないよう流体を制御することにより、処理室を破損することがない。
【００１５】
この発明における被処理体としては、半導体基板（ウェハー）等が挙げられるが、これに限定されるものではない。
この発明における熱処理装置としては、半導体基板の表面に薄膜や酸化膜を積層したり、あるいは不純物の拡散等を行うためのＣＶＤ装置、酸化膜形成装置および拡散装置等が挙げられる。
この発明における流体通路とは、処理室の外面に加熱用流体あるいは冷却用流体を接触させて処理室内と処理室外との間で熱の授受を行う通路であり、具体的には、処理室の外面とその外側の保温材からなる外壁との間に形成される通路が挙げられる。
【００１６】
この発明における加熱手段としては、その表面に流体と接触する十分な接触面積を有する加熱面を備え、流体への伝熱が良好に行えるものが好ましい。
この発明における流体として空気等の気体あるいは液体が用いられる。特に、冷却効果を高めたい場合には、水等の液体を使用することが好ましい。
この発明における制御手段は、流体通路を通過する流体を流体通路の上流で冷却または加熱する温度調整手段と、流体通路を通過する流体の流量を制御する流量制御手段と、処理室または被処理体の温度を検知して温度調整手段と流量制御手段の駆動を制御する流体制御部とからなるものが挙げられる。
【００１７】
流量制御手段としては、流体通路に配設された流量制御バルブが挙げられる。
流体通過手段としては、送風量可変のファンまたは送液量可変のポンプが挙げられる。流体通過手段が、流体通路に並列に配置され流量が互いに異なる複数の送風量可変のファンであれば、きめ細かい流量調整が可能になる。
制御手段は、処理室または被処理体の温度を熱電対等の温度測定手段で検知して加熱手段および温度調整手段をオンオフ制御するものが挙げられる。この場合処理室に収納された被処理体の条件、すなわち、被処理体の種類、数量、設定温度や外因による様々な変動に対応して、高い温度安定性を得ることができる。
なお、この発明において予め設定されたプログラムに基づいて温度制御を行うプログラム制御等を行えば、温度測定手段を設けなくてもよい。
【００１８】
この発明の別の観点によれば、収納された被処理体を熱処理する処理室と、処理室の外面に沿って形成された流体通路と、流体通路に配設された前記熱処理用の加熱手段と、流体を加熱手段の加熱面に接触して流体通路を通過させる流体通過手段と、加熱手段および流体通過手段を制御する制御手段とを備えた熱処理装置を用いて熱処理を行うに際し、制御手段が、熱処理中の少なくとも一時期に、流体の温度および／または流量を変えながら流体通路に流体を通過させるよう流体通過手段に指令を行う熱処理方法が提供される。
この発明では、熱処理が、予め設定された処理温度に到達するまでの昇温期間、前記設定温度を一定範囲で維持する維持期間および熱処理が終了するまでの降温期間からなり、制御手段が、前記期間の少なくとも一時期に、処理室または被処理体の温度を検知して流体の温度および／または流量を制御する。
【００１９】
また、制御手段が、予め設定された処理温度に到達する直前に、前記流体を流体通路に通過させるよう流体通過手段に指令を行うことにより、昇温のために過剰に与えられた熱を除去できるので、温度のオーバーシュートが抑制できる。
また、制御手段が、被処理体の熱処理に際し、熱処理設定温度に対して、例えば、−１００℃に制御した流体を流し続けるよう流体通過手段に指令を行うことにより、所定温度での熱処理の際に熱処理温度を安定させることができる。
特に低温での熱処理の際、流体通路に極低温（例えば、−１００〜１００℃程度）に制御した流体を流し続けることにより、熱処理温度を安定させることができる。
【００２０】
さらに、制御手段が、予め設定された熱処理温度に到達する直前まで、平均＋１０℃／分以上の温度上昇率で、かつ設定温度に対しオーバーシュートが＋１℃以下で昇温させるよう加熱手段に指令を行うので、温度の安定に要する時間、すなわち、オーバーシュートから設定温度に下げるために要する時間または設定温度からオーバーしないように温度上昇率を下げた場合に設定温度に到達する時間を短縮することができる。
この発明の熱処理装置は、半導体基板上に薄膜を形成する際の熱処理に使用することができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づいてこの発明の実施の形態を説明するが、これらによってこの発明は限定されるものではない。
実施の形態１
図１は、この発明の実施の形態１による熱処理装置の基本的な構成を示す断面図である。
【００２２】
図１に示すように、拡散炉である熱処理装置１０は、半導体ウエハ１を載置するためのボート２と、所望の温度下で前記半導体ウエハ１に熱処理を施すための処理室３と、半導体ウエハ１の載置されたボート２を前記処理室３内へ出し入れするためのエレベーター機構４と、処理室３内を所望の温度にするために処理室３の外壁５の側部を囲むように配設されたヒーター６と、ヒーター６の周囲および処理室３の外壁５の上部を囲むように配設された保温材７とを備える。
【００２３】
また、処理室３と保温材７の間には、流体１４（空気）をヒーター６の表裏に形成された加熱面６ａに接触させて通過させる流体通路８、９がそれぞれ形成されている。
流体通路８、９の下流側（図中上方）には送風機２１が配設されている。送風機２１は、送風量が可変であり、室内の空気を流体入口２２から流体通路８、９へ吸引し、吸引された空気を加熱面６ａに接触させて通過させた後、熱処理装置１０外へ排出することができる。
流体入口２２の近傍には処理室３へガスを導入するガス導入口１１および処理室３内のガスを排気するガス排気口１２がそれぞれ配設されている。
処理室３には処理室３内の温度を測定するための熱電対１３が配設されている。熱電対１３は、設定温度に基づいて処理室３内の温度を制御するための温度制御手段（図示せず）に接続されている。
【００２４】
熱処理装置１０を用いて、ヒーター６の加熱により処理室３内を１００℃から設定温度４００℃まで、＋３０℃／分の昇温速度で昇温するに際し、処理室３の温度が３５０℃となった時点で、送風機２１の送風量が最大送風量の１０％、３０％、５０％となるように、送風機２１の出力を変えて流体入口２２から室温の空気を流体通路８、９に流した際の処理室３内の温度測定結果を図２に示す（グラフ１〜３）。
さらに、従来装置による処理室３内の温度測定結果との比較例を挙げた（グラフ４）。この従来例（グラフ４）は、熱処理装置１０を用いて上記と同様に処理室３の温度を３５０℃まで昇温させるが、送風機２１による送風は行わない、すなわち、本発明による冷却動作を行わない構成とした。
【００２５】
図２に示すように、グラフ２に示した本発明による冷却動作を行った測定結果では、上記の冷却動作を行わない従来例による測定結果（グラフ４）に比べ、設定温度への収束が速かった。
しかし、送風量を１０％とした場合（グラフ１）には、冷却能力が低すぎて、約１０℃のオーバーシュートが生じた。また、送風量を５０％とした場合（グラフ３）には、冷却能力が強すぎたため、いったん温度が落ち込み、その後昇温した。
送風量を３０％とした場合（グラフ２）には、オーバーシュートの発生がなく、昇温の終了と同時に設定温度に収束していることがわかる。
このように、昇温中に（昇温工程の終了前に）、冷却動作を加えることにより、半導体ウエハ１は不必要な熱処理を受けることがなく、また段階的に昇温する従来の方法と比べた場合、昇温に要する時間は飛躍的に短くなった。
【００２６】
実施の形態２
図３は、この発明の実施の形態２による熱処理装置の基本的な構成を示す断面図である。
実施の形態１による熱処理装置１０では、流体通路８、９の下流側に一基の送風機２１を配置する構成としたが、この実施の形態２による熱処理装置３０は、図３に示すように、流体通路８、９の下流側に第１の流量コントローラ１５と第２の流量コントローラ１６を配置する構成とした。この点以外の構成は、熱処理装置１０と基本的に同一の構成であるため、各部の構成の説明は省略する。
【００２７】
第１および第２の流量コントローラ１５、１６は、送風機とその送風量を制御するコントローラとからなる。
第１流量コントローラ１５では、例えば、流量制御範囲が５〜１００ＳＬＭ（リットル毎分）程度の大送風量が制御され、第２流量コントローラ１６では、例えば、流量制御範囲が５００ＳＣＭ（立方センチメートル毎分）〜１０ＳＬＭ程度の小送風量が制御される。
第１および第２流量コントローラ１５、１６の位置は、流体通路８、９の上流側、すなわち、流体入口２２の近傍でもよい。
この実施の形態２による熱処理装置３０では、流量制御範囲が異なる大小二基のコントローラ１５、１６を備えているので、さらにきめ細かい流量制御が可能となる。
【００２８】
熱処理装置３０を用いて、ヒーター６にかかるパワーと、第１および第２流量コントローラ１５、１６の送風量を変化させて、流体入口２２から室温の空気を流体通路８、９に流した際の処理室３内の温度測定結果を図４に示す。なお、図中の送風量は１００ＳＬＭを１００％としたときの百分率で示す。
この例では、ヒーター６の加熱により処理室３内の温度を１００℃から設定温度４００℃まで＋３０℃／分の昇温速度で昇温する際、処理室３の温度が３５０℃となった時点で第１流量コントローラ１５を３０ＳＬＭで駆動し、処理室３の温度が３５０℃を超えて収束した後、第１の流量コントローラ１５の送風量を徐々に低下させ、送風量が１０ＳＬＭ以下となった時点で、第２の流量コントローラ１６に切り替え、さらに流量を徐々に低下させ、ヒーター６にかかるパワーも前記送風量の低下に伴い、徐々に低下させた。
【００２９】
処理室３内の温度は、図２のグラフ２で示した送風量３０％の場合と略同じように変化するが、冷却能力を低下させながら、つまり、送風量を低下させながら、ヒーター６のパワーも低下させているので、無駄なエネルギー消費を低減することができる。
【００３０】
実施の形態３
図５は、この発明の実施の形態３による熱処理装置の基本的な構成を示す断面図である。
実施の形態３による熱処理装置５０では、実施の形態１による熱処理装置１０の流体入口２２に第２の加熱器１７を配設する構成とした。この点以外の構成は、熱処理装置１０と基本的に同一の構成であるため、各部の構成の説明は省略する。
【００３１】
熱処理装置５０を用いて、ヒーター６の駆動により１１００℃となった処理室３内の温度を、ヒーター６の駆動を停止して冷却するに際し、流体入口２２から第２のヒーター１７で７５０℃に加熱した空気を流体通路８、９に流した場合の処理室３内の温度測定結果を図６にグラフ１として示す。
本発明による上記の冷却動作、すなわち強制冷却を行わずに、自然に冷却されるのを待った場合の処理室３内の温度測定結果を図６にグラフ２として示す。
この例では、従来のように自然冷却した場合（グラフ２）には、−５℃／分程度の降温速度であったが、本発明による冷却動作を行った場合（グラフ１）には、−１５℃／分程度の降温速度を得ることができた。
なお、上記の冷却動作の際に流体通路８、９に流す流体の温度を７５０℃にしたのは、流体の温度をより低温（例えば、処理室３内との温度差が５００℃以上となる流体の温度）にした場合には、急激な温度変化により、熱処理装置５０の各部に損傷が生じるのを防止するためである。
【００３２】
実施の形態４
図７は、この発明の実施の形態４による熱処理装置の基本的な構成を示す断面図である。
実施の形態４による熱処理装置７０では、実施の形態１による熱処理装置１０の流体入口２２に冷却器１８を配設する構成とした。この点以外の構成は、熱処理装置１０と基本的に同一の構成であるため、各部の構成の説明は省略する。
【００３３】
熱処理装置７０を用いて、処理室３内の温度を１００℃、２００℃および７００℃に設定し、上記各設定温度で処理室３内の温度制御を行った場合の処理室３内の温度測定結果を図８に示す（グラフ１〜５）。
なお、この例では、ヒーター６は高温用のヒーターを使用した。
設定温度７００℃では、本発明による冷却動作、すなわち、流体通路８、９に流体を通過させる冷却を行わないで、ヒーター６のオンオフ制御だけによる従来の温度制御を行った（グラフ１）。
【００３４】
設定温度２００℃では、ヒーター６のオンオフ制御だけによる従来の温度制御を行った場合（グラフ２）と、この温度制御に加えて、この発明の冷却動作として、流体入口２２から室内の空気（２６℃）〔以下、外気と称する〕を、送風機２１の送風量を７０％に設定して流体通路８、９に流した場合（グラフ３）の結果を示す。
また、設定温度１００℃では、ヒーター６のオンオフ制御に加えて、この発明の冷却動作として、送風機２１の送風量を１００％に設定し、流体入口２２から外気（２６℃）を流体通路８、９に流した場合（グラフ４）と、ヒーター６のオンオフ制御に加えて、この発明の温度調整用の冷却として、送風機２１の送風量を１００％に設定し、流体入口２２から取り込んだ外気（２６℃）を冷却器１８で０℃に冷却して流体通路８、９に流した場合（グラフ５）の結果を示す。
【００３５】
図８に示すように、設定温度７００℃では、ヒーター６のオンオフ制御だけで処理室３内の温度が安定したが（グラフ１）、設定温度２００℃では、±５℃以上の温度の振れが発生した（グラフ２）。
【００３６】
このような温度の振れが発生する原因の一つは、設定温度に対して処理室３内の温度が高くなった場合、高温の処理室３内では外気温度との差が大きいため温度が下がるのは速いが、低温では外気温度との差が小さいため、自然冷却に時間がかかるためである。
上記の原因のもう一つは、ヒーター６が高温仕様であるため、ヒーターにかかる出力がわずかに揺らいだだけで、処理室３内の温度が大きく変動するためである。よって、処理室３内の温度と外気温度との差を大きくすれば、設定温度１００℃程度の低温でも処理室３内の温度は安定すると考えられる。
【００３７】
この考えに基づいて行われた実験例が、図８のグラフ３として結果が得られた、この発明の冷却動作を行った場合である。
図８のグラフ３が示すように、温度の振れは±１℃以内に収まり、この発明の冷却動作を行わない場合に比べて、処理室３内の温度の安定性が非常によくなっている。
図８のグラフ４として結果が得られた、外気を取り込んで行う冷却動作を行った場合には、上記の冷却動作による温度降下が小さいため、温度の振れは±１０℃以上となり、処理室３内の温度の安定性がよくなかった。
図８のグラフ５として結果が得られた冷却した外気（０℃）による上記の温度制御では、温度の振れは±１℃以内に収まり、グラフ４の場合に比べて処理室３内の温度の安定性は格段に向上した。
【００３８】
実施の形態５
実施の形態５では、熱処理装置１０を用い、処理室３内に配置された熱電対１３で処理室３内の温度を監視しながら、処理室３内の温度に応じて送風機２１のパワーを変化させてこの発明の冷却を行った。
この例では、処理室３内の温度を４００℃に設定し、１００℃となった処理室３内の温度を設定温度４００℃まで＋３０℃／分の温度上昇率で昇温して、設定温度４００℃に維持した。
送風機２１のパワーは、実施の形態１で図２を用いて説明したように、送風機２１の送風量が最大送風量の３０％となるように設定した。
【００３９】
実施の形態５に基づいて処理室３内の温度制御を行った場合の処理室３内の温度測定結果を図９に示す（グラフ１および２）。なお、図９のグラフ２は、ヒーター６をオンオフ制御で制御しながら送風機２１のパワーを一定に維持して行った従来の温度制御による処理室３内の温度測定結果である。
【００４０】
この発明の温度制御では、処理室３内の温度を熱電対１３で監視しながら自動的に送風機２１のパワーを変化させているため（グラフ１）、送風機２１のパワーを変化させない場合（グラフ２）と比較して、昇温の最終段階においても昇温速度をほとんど下げることなく、また温度のオーバーシュートも＋１℃以内に収まり、温度収束までの時間が短縮された。
【００４１】
前記の各実施の形態では、流体に空気を用いたが、熱処理の条件等に応じて比熱等が異なる種々の気体あるいは液体を流体として用いることができる。特に、冷却効果を高めたい場合には、水等の液体を使用することが好ましい。
【００４２】
【発明の効果】
この発明の熱処理装置では、流体通路を通過させる流体の温度および／または流量を制御する流体制御手段を備えた上記構成により、加熱手段による熱処理を行う際に、昇温および降温（すなわち、冷却）の速度を高めることができるとともに、加熱手段からの伝熱を微調整することができるので、熱処理温度の収束が速く、さらに広い処理温度範囲で高い温度安定性を得ることができ、スループットが向上する。
また、処理室を高温状態から中温状態まで冷却する際においても、処理室に急激な温度変化を生じないよう流体を制御することにより、処理室を破損することがない。
【００４３】
この発明では、特に、中温からの冷却速度を高めることができるとともに、高温から中温までの冷却を円滑に行うことができるので、処理室の破損が確実に防止される。
熱処理温度のオーバーシュートが抑制できるため、デバイスシミュレーションとの整合性もよく、生産性および品質が向上する。さらに、低温でも温度を安定させることができるので、半導体装置等の被処理体の品質が向上する。
また、１台の装置で高温から低温までの熱処理ができるので、設備投資も少なくて済む。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態１による熱処理装置の基本的な構成を示す断面図である。
【図２】図１の熱処理装置を用いて行った熱処理方法の一例による処理室内の温度測定結果を示すグラフである。
【図３】この発明の実施の形態２による熱処理装置の基本的な構成を示す断面図である。
【図４】図３の熱処理装置を用いて行った熱処理方法の一例による処理室内の温度測定結果を示すグラフである。
【図５】この発明の実施の形態３による熱処理装置の基本的な構成を示す断面図である。
【図６】図５の熱処理装置を用いて行った熱処理方法の一例による処理室内の温度測定結果を示すグラフである。
【図７】この発明の実施の形態４による熱処理装置の基本的な構成を示す断面図である。
【図８】図７の熱処理装置を用いて行った熱処理方法の一例による処理室内の温度測定結果を示すグラフである。
【図９】図１の熱処理装置を用いて行った熱処理方法の一例による処理室内の温度測定結果を示すグラフである。
【図１０】従来の熱処理装置の基本的な構成を示す断面図である。
【図１１】従来の熱処理装置の基本的な構成を示す断面図である。。
【図１２】従来の熱処理装置の用いて行った熱処理方法の一例による処理室内の温度測定結果を示すグラフである。
【図１３】従来の熱処理装置の用いて行った熱処理方法の一例による処理室内の温度測定結果を示すグラフである。
【図１４】従来の熱処理装置の用いて行った熱処理方法の一例による処理室内の温度測定結果を示すグラフである。
【符号の説明】
１     半導体ウエハ（被処理体）
２     ボート
３     処理室
４     エレベータ機構
５     外壁
６     ヒーター（加熱手段）
６ａ    加熱面
７     保温材
８     流体通路
９     流体通路
１０     熱処理装置
１１     ガス導入口
１２     ガス排気口
１３     熱電対
１４     空気（流体）
１５     第１の流量コントローラ（流体通過手段）
１６     第２の流量コントローラ（流体通過手段）
１７     第２のヒーター（温度調整手段）
１８     冷却機（温度調整手段）
１９     開閉バルブ
２１     送風機（流体通過手段）
３０     熱処理装置
【図１】
0004149687.tif 000002
【図２】
0004149687.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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