(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板の上に形成された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜の上に形成された下層配線と、
前記第１の絶縁膜及び前記下層配線の上に形成された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に形成されたヒューズと、
前記第２の絶縁膜内に形成され、前記ヒューズと前記下層配線とを電気的に接続するビアコンタクト部と、
前記ヒューズの下に配置され、前記第２の絶縁膜よりも高強度で、且つ、前記ヒューズに接する保護部材と
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記保護部材が、１個のヒューズに対し複数個配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ヒューズが、所定の領域に複数個並んで配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
半導体基板と、前記半導体基板の上に形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の上に形成された配線と、前記第１の絶縁膜及び前記配線の上に形成された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜の上に形成されたヒューズと、前記第２の絶縁膜内に形成されて前記ヒューズと前記配線とを電気的に接続するビアコンタクト部と、前記第２の絶縁膜よりも高強度に形成され前記ヒューズの下に相互に離隔して配置された複数の保護部材とを有する半導体装置のヒューズ切断方法において、
前記複数の保護部材のうちの１又は２以上の保護部材の直上部分にそれぞれレーザを照射して前記ヒューズを切断することを特徴とするヒューズ切断方法。
【請求項５】
半導体基板と、前記半導体基板の上に形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の上に形成された配線と、前記第１の絶縁膜及び前記配線の上に形成された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜の上に形成されたヒューズと、前記第２の絶縁膜内に形成されて前記ヒューズと前記配線とを電気的に接続するビアコンタクト部と、前記第２の絶縁膜よりも高強度に形成され前記ヒューズの下に相互に離隔して配置された複数の保護部材とを有する半導体装置のヒューズ切断方法において、
前記ヒューズの前記複数の保護部材の間の部分にレーザを照射して前記ヒューズを切断することを特徴とするヒューズ切断方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レーザにより切断するヒューズを備えた半導体装置、及び半導体装置に設けられたヒューズの切断方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体装置のより一層の高性能化が要求されており、素子の微細化及び高集積化が促進されている。しかし、素子の微細化及び高集積化が進むと欠陥が発生しやすくなり、製造歩留まりの低下を招く。これを回避するために、半導体装置内に冗長回路を設けておくことがある。このような冗長回路を備えた半導体装置では、一般的にヒューズを用いて、欠陥回路と冗長回路との切換えを行うようになっている。
【０００３】
図１４はヒューズによる回路の切換え方法の一例を示す図である。
【０００４】
冗長回路５１は基本回路５２と同一の構成を有している。この冗長回路５１はスイッチ回路５３の接点ａに接続され、基本回路５２はスイッチ回路５３の接点ｂに接続されている。スイッチ回路５３の中間接点ｃはバッファ５４に接続されている。また、スイッチ回路５３の制御端子ｓは抵抗ＲとヒューズＦとの接続点（ノード）Ｎに接続されている。抵抗Ｒ及びヒューズＦは、電源ラインＶｈと接地ラインＶgnd との間に直列に接続されている。
【０００５】
ヒューズＦが切断されていないときは、スイッチ回路５３の制御端子ｓの電位は接地ラインＶgnd の電位と同じ（“Ｌ”レベル）であり、スイッチ回路５３の中間接点ｃは接点ｂに接続されている。従って、バッファ５４は基本回路５２と電気的に接続され、冗長回路５１から電気的に分離されている。
【０００６】
基本回路５２に欠陥がある場合は、ヒューズＦをレーザで切断する。これにより、スイッチ回路５３の制御端子ｓの電位が電源ラインＶｈと同じ電位（“Ｈ”レベル）になり、中間端子ｃと接点ａとが接続される。従って、バッファ回路５４は冗長回路５１と電気的に接続され、基本回路５２から電気的に分離される。
【０００７】
このようにして、ヒューズＦをレーザで切断することによって、欠陥が発生した回路を冗長回路に切換えることができる。
【０００８】
図１５は、ヒューズを備えた従来の半導体装置を示す断面図である。半導体基板６１の上には絶縁膜６２が形成されており、この絶縁膜６２の上には配線６３ａ，６３ｂを含む下層配線が形成されている。絶縁膜６２及び下層配線の上には絶縁膜６４が形成されており、絶縁膜６４の上にはヒューズ６５が形成されている。このヒューズ６５の両端部は、それぞれ絶縁膜６４内に形成されたビアコンタクト部６４ａ，６４ｂを介して下層配線６３ａ，６３ｂに電気的に接続されている。絶縁膜６４及びヒューズ６５の上には絶縁膜６６が形成されている。
【０００９】
このように構成された半導体装置において、ヒューズ６５を切断するときには絶縁膜６６を介してヒューズ６５の中央部にレーザを照射する。これにより、レーザ照射されたヒューズ６５の中央部が溶解温度以上に達して固相から液相又は気相に相変化し、圧力が急激に上昇していわゆる熱爆発が起こる。この熱爆発によりヒューズ６５が切断されるとともに、図１６に示すように、絶縁膜６６の一部（ヒューズの切断部の上方の部分）が剥離する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本願発明者らは、上述した従来の半導体装置及びヒューズ切断方法には、以下に示す問題点があると考える。
【００１１】
上述したように、ヒューズ６５をレーザで切断するときには熱爆発が発生する。このとき、ヒューズ６５の下方の絶縁膜６４にも大きな圧力がかかり、絶縁膜６４，６２の一部が剥離したり、絶縁膜６４，６２に亀裂が発生することもある。このように絶縁膜６４，６２に剥離や亀裂等のダメージが発生すると、半導体基板６１や配線層に水分が浸入しやすくなり、特性劣化の原因となる。
【００１２】
なお、特開平９−３６２３４号には、絶縁膜を介して上下に配置された第１及び第２のヒューズ素子と、これらの第１及び第２のヒューズ素子の先端部を電気的に接続するコンタクト部とにより構成されるヒューズが提案されている。また、この特開平９−３６２３４号には、第１及び第２のヒューズ素子を同一の層に形成し、第１及び第２のヒューズ素子をコンタクト部で電気的に接続して構成したヒューズも提案されている。これらのヒューズは、いずれもコンタクト部にレーザを照射することにより確実に切断できるとしている。
【００１３】
また、特開平４−１４２４５号には、アルミニウム配線の一部を細くしてヒューズとし、このヒューズの下方にポリシリコン膜のようにレーザで加熱しやすい部材（加熱部材）を配置することが提案されている。この公報では、レーザにより加熱部材を加熱して熱爆発させることにより、アルミニウムからなるヒューズを確実に切断できるとしている。
【００１４】
しかし、これらの公報に記載されたヒューズにおいても、切断時にヒューズの下方の絶縁膜にダメージを与えることを避けることはできない。
【００１５】
以上から、本発明の目的は、レーザによりヒューズを切断するときに、ヒューズ下方の絶縁膜へのダメージを軽減できる半導体装置及びヒューズ切断方法を提供することである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板の上に形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の上に形成された下層配線と、前記第１の絶縁膜及び前記下層配線の上に形成された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜上に形成されたヒューズと、前記第２の絶縁膜内に形成され、前記ヒューズと前記下層配線とを電気的に接続するビアコンタクト部と、前記ヒューズの下に配置され、前記第２の絶縁膜よりも高強度で、且つ、前記ヒューズに接する保護部材とを有することを特徴とする。
【００１７】
本発明の半導体装置においては、ヒューズの切断個所の下に高強度の保護部材が配置されている。ヒューズの切断個所にレーザを照射すると、切断個所の温度が急激に上昇して熱爆発が起こる。このとき、保護部材により下方の絶縁膜が保護され、剥離や亀裂等のダメージの発生が回避される。また、高強度の保護部材の上で熱爆発が起きるので、破壊圧力は保護部材の上側に集約される。これにより、ヒューズを効率よく切断することができる。更に、ヒューズの破壊形状も安定化される。
【００１８】
１個のヒューズに対し保護部材の数は１個だけでもよく、複数個配置してもよい。また、複数のヒューズを有する半導体装置の場合は、ヒューズ切断時の作業性を考慮して、これらのヒューズを所定の領域に並べて配置しておくことが好ましい。
【００２１】
また、本発明のヒューズ切断方法は、半導体基板と、前記半導体基板の上に形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の上に形成された配線と、前記第１の絶縁膜及び前記配線の上に形成された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜の上に形成されたヒューズと、前記第２の絶縁膜内に形成されて前記ヒューズと前記配線とを電気的に接続するビアコンタクト部と、前記第２の絶縁膜よりも高強度に形成され前記ヒューズの下に相互に離隔して配置された複数の保護部材とを有する半導体装置のヒューズ切断方法において、前記複数の保護部材のうちの１又は２以上の保護部材の直上部分にそれぞれレーザを照射して前記ヒューズを切断することを特徴とする。
【００２２】
本発明においては、ヒューズの下に複数の保護部材を設けておく。そして、ヒューズを切断するときには、これらの保護部材の上方の部分にレーザを照射する。すなわち、ヒューズを複数の部分で切断する。これにより、ヒューズを確実に切断することができる。また、レーザ照射時には、各保護部材によりヒューズ下方の絶縁膜が保護され、剥離や亀裂等のダメージの発生が防止される。
【００２３】
保護部材の間の部分にレーザを照射してヒューズを切断するようにしてもよい。この場合も、各保護部材によりヒューズ下方の絶縁膜が保護され、剥離や亀裂等のダメージの発生が防止される。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。
【００２５】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明を半導体メモリ装置に適用した第１の実施の形態を示すブロック図である。
【００２６】
本実施の形態の半導体メモリ装置では、１６個のメモリセルＡ0 〜Ａ15により１組のメモリセルユニットが構成される。また、半導体メモリ装置には、１つのメモリセルユニット毎に、１つの冗長メモリセルＡx と、１６個のスイッチ回路Ｓ0 〜Ｓ15と、１６個のバッファＢ0 〜Ｂ15と、１個の抵抗Ｒと、１６個のヒューズＦ0 〜Ｆ15とが設けられている。この１組のメモリセルユニットには、１６ビットのデータが記憶される。
【００２７】
冗長メモリセルＡx 及びメモリセルＡ0 は、スイッチ回路Ｓ0 によりいずれか一方がバッファＢ0 に接続される。また、メモリセルＡ0 及びメモリセルＡ1 は、スイッチ回路Ｓ1 によりいずれか一方がバッファＢ1 に接続される。以下、同様に、メモリセルＡn-1 （但し、ｎは１から１５までの任意の整数）及びメモリセルＡn は、スイッチ回路Ｓn によりいずれか一方がバッファＢn に接続される。
【００２８】
各スイッチ回路Ｓ0 〜Ｓ15は、いずれも、１個のインバータINV と、２個のスイッチ素子Ｍ1 ，Ｍ2 とにより構成されている。本実施の形態では、スイッチ素子Ｍ1 ，Ｍ2 はいずれもＭＯＳトランジスタからなる。スイッチ素子Ｍ1 のゲートはインバータINV の入力端に接続され、スイッチ素子Ｍ2 のゲートはインバータINV の出力端に接続されている。
【００２９】
抵抗Ｒ及びヒューズＦ0 〜Ｆ15は、電源ライン（＋Ｖｈ）と接地ライン（Ｖgnd ）との間に直列に接続されている。スイッチ回路Ｓ0 の制御端子、すなわちインバータINV の入力端とスイッチ素子Ｍ１のゲートとの接続点は、抵抗ＲとヒューズＦ0 との接続点（Ｎ0 ）に接続されている。
【００３０】
接続点Ｎ0 の電位が“Ｌ”レベルのときは、スイッチ回路Ｓ0 内のスイッチ素子Ｍ1 がオフ、スイッチ素子Ｍ2 がオンになって、冗長メモリセルＡx がバッファＢ0 から電気的に分離され、メモリセルＡ0 がバッファＢ0 と接続される。また、接続点Ｎ0 の電位が“Ｈ”レベルのときは、スイッチ回路Ｓ0 内のスイッチ素子Ｍ1 がオン、スイッチ素子Ｍ2 がオフになって、冗長メモリセルＡx がバッファＢ0 と電気的に接続され、メモリセルＡ0 がバッファＢ0 から電気的に分離される。
【００３１】
以下同様に、スイッチ回路Ｓn （但し、ｎは１から１５までの任意の整数）は、ヒューズＦn-1 とヒューズＦn との接続点Ｎn の電位が“Ｌ”レベルのときにはバッファＢn とメモリセルＡn とを電気的に接続し、接続点Ｎn の電位が“Ｈ”レベルのときにはバッファＢn とメモリセルＡn-1 とを電気的に接続する。
【００３２】
メモリセルＡ0 〜Ａ15に欠陥が無いときは、ヒューズＦ0 〜Ｆ15はいずれも切断されないので、接続点Ｎ0 〜Ｎ15の電位はいずれも“Ｌ”レベルである。従って、スイッチ回路Ｓ0 〜Ｓ15では、いずれもスイッチ素子Ｍ1 がオフ、スイッチ素子Ｍ2 がオンになる。すなわち、バッファＢ0 はメモリセルＡ0 に電気的に接続され、バッファＢ1 はメモリセルＡ1 に電気的に接続され、バッファＢn はメモリセルＡn に電気的に接続される。
【００３３】
例えば、検査によりメモリセルＡ3 に不良が検出されたとする。この場合、ヒューズＦ3 をレーザで切断する。これにより、接続点Ｎ0 〜Ｎ3 の電位は“Ｈ”レベルになり、接続点Ｎ4 〜Ｎ15の電位は“Ｌ”レベルのままになる。その結果、スイッチ回路Ｓ0 〜Ｓ3 では、スイッチ素子Ｍ1 がオン、スイッチ素子Ｍ2 がオフになる。すなわち、バッファＢ0 は冗長メモリセルＡx に接続され、バッファＢ1 はメモリセルＡ0 に接続され、バッファＢ2 はメモリセルＡ1 に接続され、バッファＢ3 はメモリセルＡ2 に接続される。
【００３４】
一方、接続点Ｎ4 〜Ｎ15の電位はいずれも“Ｌ”レベルのままであるので、バッファＢ4 はメモリセルＡ4 に接続され、以下同様に、バッファＢm （ｍは４から１５までの任意の整数）はメモリセルＡm に接続される。このようにして、欠陥があるメモリセルＡ3 を使用することなく、１６ビットのデータを保持することができる。
【００３５】
図２（ａ），（ｂ）は本実施の形態の半導体装置のヒューズ形成部の構造を示す断面図である。図２（ａ）はヒューズの長さ方向の断面を示し、図２（ｂ）はヒューズの幅方向の断面を示している。
【００３６】
半導体基板１１には、図１に示すような回路を構成するためのトランジスタ及び抵抗（いずれも図示せず）等が形成されている。また、半導体基板１１の上には例えばシリコン酸化物からなる絶縁膜１２が形成されており、この絶縁膜１２の上には配線１３ａ，１３ｂを含む下層配線が形成されている。これらの下層配線は、アルミニウム又はアルミニウム合金（以下、単に「アルミニウム」という）、又はその他の金属材料により形成される。なお、絶縁膜１２は、ＰＳＧ（Phospho-Silicate Glass）、ＦＳＧ又はその他の材料により形成されていてもよい。
【００３７】
絶縁膜１２及び下層配線の上には、シリコン酸化物からなる絶縁膜１４が形成されている。また、絶縁膜１４の上にはヒューズ１５が形成されている。本実施の形態において、ヒューズ１５はアルミニウムにより形成されている。但し、ヒューズ１５の材料はアルミニウムに限定されるものではなく、例えばポリシリコン、銅又はその他の材料により形成されていてもよい。
【００３８】
ヒューズ１５の両端部は、絶縁膜１４内に形成されたビアコンタクト部１４ａ，１４ｂを介してそれぞれ配線１３ａ，１３ｂに電気的に接続されている。また、ヒューズ１５の切断個所（レーザ照射する部分：この例ではヒューズ１５の中央部）の下には保護部材１４ｃが配置されている。これらのビアコンタクト部１４ａ，１４ｂ及び保護部材１４ｃは、絶縁膜１４の所定部分にホールを形成した後、これらのホール内にタングステン（Ｗ）を埋め込むことにより形成されたものである。
【００３９】
なお、保護部材１４ｃの材料はタングステンに限定されるものではない。しかし、保護部材１４ｃはその周囲の絶縁膜に比べて強度が高いことが必要である。また、製造上の観点から、保護部材１４ｃはビアコンタクト部１４ａ，１４ｂと同じ材料で形成することが好ましいが、保護部材１４ｃをビアコンタクト部１４ａ，１４ｂと異なる材料で形成してもよい。例えば、ビアコンタクト部１４ａ，１４ｂをタングステン（Ｗ）で形成し、保護部材１４ｃを銅（Ｃｕ）で形成してもよい。
【００４０】
絶縁膜１４及びヒューズ１５の上には、シリコン酸化物からなる絶縁膜１６が形成されている。
【００４１】
なお、本実施の形態では、絶縁膜１２，１４，１６がいずれもシリコン酸化物で形成されているものとしたが、絶縁膜１２，１４，１６が他の絶縁材料で形成されていてもよい。
【００４２】
このように構成された半導体装置において、ヒューズ１５を切断するときには、絶縁膜１６を介してヒューズ１５の中央部にレーザを照射する。これにより、ヒューズ１５の中央部が加熱されて溶融温度以上に達し、熱爆発が発生する。そして、図３（ａ）．（ｂ）に示すように、ヒューズ１５が切断され、その上の絶縁膜１６が部分的に剥離される。
【００４３】
このとき、ヒューズ１５の切断個所の下方にも大きな圧力が加えられるが、本実施の形態では、ヒューズ１５の切断個所の下方にタングステンからなる高強度の保護部材１４ｃが配置されているので、絶縁膜１３は保護部材１４ｃにより保護され、剥離及び亀裂等のダメージの発生が防止される。
【００４４】
また、本実施の形態では、高強度の保護部材１４ｃの上で熱爆発を発生させるので、破壊圧力が保護部材１４ｃの上側に集約される。これにより、ヒューズ１５を効率よく切断することができるとともに、ヒューズ１５の破壊形状が安定化される。更に、ヒューズ切断後の余エネルギーは半導体基板１１に到達して熱ダメージを与えるが、本実施の形態では保護部材１４ｃがレーザ光を反射及び吸収するので、半導体基板１１への熱ダメージを軽減することができる。
【００４５】
図４（ａ）は上述したように下方に保護部材が配置されたヒューズを複数個並べて配置した半導体装置の例を示す上面図、図４（ｂ）は同じくその半導体装置のヒューズを切断した状態を示す上面図である。図４（ａ），（ｂ）において、図２，図３と同一物には同一符号を付している。
【００４６】
この図４（ａ），（ｂ）に示すように、半導体基板上の所定の領域にヒューズ１５をまとめて配置することが好ましい。これにより、ヒューズ１５の切断作業を効率よく行うことができる。
【００４７】
以下、本実施の形態の半導体装置の製造方法の一例について、図２（ａ），（ｂ）を参照して説明する。
【００４８】
まず、半導体基板１１にトランジスタ等の素子を形成した後、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）法により、半導体基板１１の上側全体にシリコン酸化物を堆積させて、絶縁膜１２を形成する。その後、フォトリソグラフィ技術を使用して絶縁膜１２の所定の位置にホールを形成し、ホール内にタングステン等の導電体材料を埋め込んで、素子と電気的に接続したビアコンタクト部（図示せず）を形成する。
【００４９】
次に、スパッタ法により、絶縁膜１２の上側全体にアルミニウム膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を使用してアルミニウム膜をパターニングし、配線１３ａ，１３ｂを含む下層配線を形成する。
【００５０】
次に、ＣＶＤ法により、絶縁膜１２及び下層配線の上にシリコン酸化物を堆積させて、絶縁膜１４を形成する。その後、フォトリソグラフィ技術を使用して、絶縁膜１４の所定位置にホールを形成した後、ホール内にタングステン（Ｗ）を埋め込んで、ビアコンタクト部１４ａ，１４ｂ及び保護部材１４ｃを形成する。そして、必要に応じて絶縁膜１４の表面をＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing ：化学的機械研磨）により平坦化させる。
【００５１】
次に、絶縁膜１４上にアルミニウム膜を形成し、このアルミニウム膜をパターニングして、ヒューズ１５を形成する。このとき、図２（ａ）に示すように、ヒューズ１５の両端部がそれぞれビアコンタクト部１４ａ，１４ｂに接続し、切断個所が保護部材１４ｃの上に配置されるようにする。
【００５２】
次いで、ＣＶＤ法により、絶縁膜１４及びヒューズ１５の上にシリコン酸化物を堆積させて、絶縁膜１６を形成する。その後、必要に応じてヒューズ１５の切断個所の上方の絶縁膜１６をエッチングして膜厚を薄くする。
【００５３】
このようにして、本実施の形態の半導体装置が完成する。上述した方法によれば、ビアコンタクト部１４ａ，１４ｂと同時に保護部材１４ｃを形成するので、製造工程を増やすことなく、ヒューズ１５の下に保護部材１４ｃを備えた半導体装置を製造することができる。
【００５４】
なお、上述した方法において、絶縁膜１４をエッチングしてホールを形成する際に、ビアコンタクト部１４ａ，１４ｂの形成部ではホール内に配線１３ａ，１３ｂが露出した時点でエッチングが実質的に終了する。一方、保護部材１４ｃの形成部では、絶縁膜１４と絶縁膜１２との界面でエッチングを終了させることは困難であり、図５に示すように保護部材１４ｃの下端が絶縁膜１２と絶縁膜１４との界面よりも下側になることが考えられる。しかし、このように保護部材１４ｃの下端が絶縁膜１４と絶縁膜１２との界面より下方に位置していても、何ら問題はない。
【００５５】
また、図６に示すように、デバイスによっては配線層や素子部への水分の浸入を防止するために、Ｓｉ3 Ｎ4 等で保護絶縁膜２１を形成することもある。図６に示す例では絶縁膜１２と絶縁膜１４との間に保護絶縁膜２１を形成している。この場合、保護絶縁膜（Ｓｉ3 Ｎ4 ）２１に対し絶縁膜（ＳｉＯ2 ）１４のエッチングレートが高くなるような条件で絶縁膜１４をエッチングしてホールを形成することにより、ホールの深さを制御することができる。但し、図７に示すように、保護部材１４ｃの下端が保護絶縁膜２１よりも下方に位置していても何ら問題はない。
【００５６】
更にまた、図８に示すように、保護部材１４ｃの下に、配線１３ａ，１３ｂと同じ工程でアルミニウム膜からなるストッパ（金属膜）１３ｃを形成しておいてもよい。これにより、保護部材１４ｃ用のホールを形成する際に、絶縁膜１２までエッチングしてしまうことを防止できる。
【００５７】
図９は、第１の実施の形態の変形例を示す図である。なお、図９において、図２（ａ）と同一物には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
【００５８】
半導体装置に設けられたヒューズを切断する際に、より確実に切断することを目的として、２箇所又はそれ以上の個所にレーザを照射することがある。本実施の形態では、複数の切断個所に対応させて、複数の保護部材を設けておく。
【００５９】
すなわち、図９に示すように、ヒューズ１５の切断個所（図では２箇所）の下方に、保護部材１４ｄ，１４ｅを形成しておく。これらの保護部材１４ｄ，１４ｅは、ビアコンタクト部１４ａ，１４ｂと同様に、絶縁膜１４にホールを形成した後、ホール内にタングステン（Ｗ）を埋め込んで形成される。
【００６０】
なお、このように１個のヒューズに対し複数の保護部材を有する半導体装置において、全ての保護部材の直上部分にレーザを照射してヒューズを複数箇所で切断することが好ましいが、複数の保護部材の全てではなく、１又は２以上の保護部材の直上部分にレーザを照射してヒューズを切断してもよい。
【００６１】
図１０（ａ）は上述したように下方に複数の保護部材が配置されたヒューズを複数個並べて配置した半導体装置の例を示す上面図、図１０（ｂ）は同じくその半導体装置のヒューズを切断した状態を示す上面図である。図１０（ａ），（ｂ）において、図９と同一物には同一符号を付している。
【００６２】
この図１０（ａ），（ｂ）に示すように、半導体基板上の所定の領域にヒューズ１５をまとめて配置することにより、ヒューズ１５の切断作業を効率よく行うことができる。
【００６３】
（第２の実施の形態）
図１１は本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置のヒューズ切断方法を示す断面図である。図１１において、図２（ａ）と同一物には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
【００６４】
本実施の形態においては、ヒューズ１５と下層配線１３ａとを接続するビアコンタクト部１４ａを保護部材として兼用している。すなわち、本実施の形態では、ビアコンタクト部１４ａとヒューズ１５との接続部であるヒューズ端部を切断個所としている。ビアコンタクト部１４ａには、第１の実施の形態と同様にタングステンが埋め込まれている。
【００６５】
本実施の形態では、ヒューズ１５を切断する際に、ヒューズ１５の端部にレーザを照射する。これにより、ヒューズ１５の端部が加熱されて溶融温度以上に達し、熱爆発が発生する。このとき、本実施の形態ではビアコンタクト部１４ａが高強度のタングステンにより形成されているので、絶縁膜１４は熱爆発による圧力から保護される。また、ヒューズ切断時の余エネルギーがビアコンタクト部１４ａで反射又は吸収されるので、半導体基板１１への熱ダメージが軽減される。更に、ビアコンタクト部１４ａにより、熱爆発時の圧力がビアコンタクト部１４ａの上側に集約されるので、ヒューズ１５を効率よく切断できるとともに、ヒューズ１５の破壊形状が安定化される。
【００６６】
（第３の実施の形態）
図１２は本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置のヒューズ切断方法を示す断面図である。図１２において、図２（ａ）と同一物には同一符号を付してその詳しい説明は省略する。
【００６７】
本実施の形態においては、ヒューズ１５の切断個所（ヒューズ中央部）の近傍であって切断個所を挟む２箇所の位置に、保護部材１４ｄ，１４ｅを形成している。これらの保護部材１４ｄ，１４ｅは、ビアコンタクト部１４ａ，１４ｂと同様に、絶縁膜１４にホールを形成した後、ホール内にタングステン（Ｗ）を埋め込んで形成される。
【００６８】
このように構成された本実施の形態に半導体装置において、ヒューズ１５を切断するときには、保護部材１４ｄ，１４ｅの間にレーザを照射する。本実施の形態では、絶縁膜１４内に保護部材１４ｄ，１４ｅが埋め込まれているので、ヒューズ切断時の熱爆発による圧力が保護部材１４ｄ，１４ｅで緩和される。これにより、絶縁膜１４へのダメージが抑制される。
【００６９】
（第４の実施の形態）
図１３は本発明の第４の実施の形態半導体装置を示す断面図である。
【００７０】
半導体基板２１の上にはシリコン酸化物からなる絶縁膜２２が形成されており、この絶縁膜２２の上にはヒューズ２４が形成されている。このヒューズ２４の中央部の下には、タングステン（Ｗ）により形成された保護部材２３が配置されている。この保護部材２３は、絶縁膜２２にホールを形成し、ホール内にタングステンを埋め込むことにより形成されたものである。
【００７１】
絶縁膜２２及びヒューズ２４の上にはシリコン酸化物からなる絶縁膜２５が形成されており、この絶縁膜２５の上には配線２６ａ，２６ｂを含む上層配線が形成されている。配線２６ａ，２６ｂは、絶縁膜２５内に形成されたビアコンタクト部２５ａ，２５ｂを介してヒューズ２４の両端部にそれぞれ電気的に接続されている。絶縁膜２５及び上層配線の上には絶縁膜２７が形成されている。
【００７２】
このように構成された半導体装置において、ヒューズ２４を切断するときには、絶縁膜２５，２７を介してヒューズ２４の中央部にレーザを照射する。これにより、ヒューズ２４の中央部が加熱されて溶融温度以上に達し、熱爆発が発生する。そして、ヒューズ２４が切断され、その上の絶縁膜２５，２７が部分的に剥離される。
【００７３】
本実施の形態においても、保護部材２３によりヒューズ２４の下方の絶縁膜２２が保護され、剥離及び亀裂等のダメージの発生が防止される。
【００７４】
なお、上述した各実施の形態はいずれも本発明を半導体メモリ装置に適用した場合について説明したが、これにより本発明の適用範囲が半導体メモリ装置に限定されるものではない。例えば、アナログデバイスの精度補正にヒューズを使用した半導体装置や、ロジック回路の回路変更にヒューズを使用した半導体装置に本発明を適用することもできる。
【００７５】
（付記１）半導体基板と、前記半導体基板の上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の上に形成されたヒューズと、前記絶縁膜よりも高強度に形成され前記ヒューズの切断個所の下に配置された保護部材とを有することを特徴とする半導体装置。
【００７６】
（付記２）半導体基板と、前記半導体基板の上に形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の上に形成された下層配線と、前記第１の絶縁膜及び前記下層配線の上に形成された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜上に形成されたヒューズと、前記第２の絶縁膜内に形成され、前記ヒューズと前記下層配線とを電気的に接続するビアコンタクト部と、前記第２の絶縁膜よりも高強度に形成され前記ヒューズの下に配置された保護部材とを有することを特徴とする半導体装置。
【００７７】
（付記３）前記保護部材は、前記ビアコンタクト部と同じ材料により形成されていることを特徴とする付記２に記載の半導体装置。
【００７８】
（付記４）前記保護部材は、前記ビアコンタクト部と異なる材料により形成されていることを特徴とする付記２に記載の半導体装置。
【００７９】
（付記５）前記保護部材と前記第１の絶縁膜との間に金属膜が形成されていることを特徴とする付記２に記載の半導体装置。
【００８０】
（付記６）前記保護部材と前記第１の絶縁膜との間に、前記第２の絶縁膜と異なる材料からなる第３の絶縁膜を有することを特徴とする付記２に記載の半導体装置。
【００８１】
（付記７）前記保護部材が、１個のヒューズに対し複数個配置されていることを特徴とする付記２に記載の半導体装置。
【００８２】
（付記８）前記ヒューズが、所定の領域に複数個並んで配置されていることを特徴とする付記２又は７に記載の半導体装置。
【００８３】
（付記９）半導体基板と、前記半導体基板の上に形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の上に形成されたヒューズと、前記第１の絶縁膜よりも高強度に形成され、前記ヒューズの下に配置された保護部材と、前記第１の絶縁膜及び前記ヒューズの上に形成された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜上に形成された配線と、前記第２の絶縁膜内に形成され、前記ヒューズと前記配線とを電気的に接続するビアコンタクトとを有することを特徴とする半導体装置。
【００８４】
（付記１０）半導体基板と、前記半導体基板の上に形成された第１の絶縁と、前記第１の絶縁膜の上に形成された配線と、前記第１の絶縁膜及び前記配線の上に形成された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜の上に形成されたヒューズと、前記第２の絶縁膜内に形成されて前記ヒューズと前記配線とを電気的に接続するビアコンタクト部とを有する半導体装置のヒューズ切断方法において、前記ヒューズの前記ビアコンタクト部との接続部にレーザを照射して前記ヒューズを切断することを特徴とするヒューズ切断方法。
【００８５】
（付記１１）半導体基板と、前記半導体基板の上に形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の上に形成された配線と、前記第１の絶縁膜及び前記配線の上に形成された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜の上に形成されたヒューズと、前記第２の絶縁膜内に形成されて前記ヒューズと前記配線とを電気的に接続するビアコンタクト部と、前記第２の絶縁膜よりも高強度に形成され前記ヒューズの下に相互に離隔して配置された複数の保護部材とを有する半導体装置のヒューズ切断方法において、前記複数の保護部材のうちの１又は２以上の保護部材の直上部分にそれぞれレーザを照射して前記ヒューズを切断することを特徴とするヒューズ切断方法。
【００８６】
（付記１２）半導体基板と、前記半導体基板の上に形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の上に形成された配線と、前記第１の絶縁膜及び前記配線の上に形成された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜の上に形成されたヒューズと、前記第２の絶縁膜内に形成されて前記ヒューズと前記配線とを電気的に接続するビアコンタクト部と、前記第２の絶縁膜よりも高強度に形成され前記ヒューズの下に相互に離隔して配置された複数の保護部材とを有する半導体装置のヒューズ切断方法において、前記ヒューズの前記複数の保護部材の間の部分にレーザを照射して前記ヒューズを切断することを特徴とするヒューズ切断方法。
【００８７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の半導体装置によれば、ヒューズの下に高強度の保護部材が配置されているので、ヒューズ下方の絶縁膜がヒューズ切断時の熱爆発から保護され、絶縁膜の剥離や亀裂の発生が回避される。また、高強度の保護部材の上で熱爆発が起きるので、破壊圧力が保護部材の上側に集約される。これにより、ヒューズを効率よく切断できるとともに、ヒューズの破壊形状が安定化される。
【００８８】
本発明のヒューズ切断方法によれば、ビアコンタクト部を保護部材として兼用し、このビアコンタクト部の上方の部分にレーザを照射してヒューズを切断する。このとき、ビアコンタクト部によりヒューズ下方の絶縁膜が保護され、絶縁膜の剥離や亀裂の発生が回避される。
【００８９】
また、本発明の他のヒューズ切断方法によれば、ヒューズの下方に複数の保護部材を相互に離隔して配置し、これらの保護部材の上方の部分にレーザを照射してヒューズを切断する。これにより、ヒューズを確実に切断することができるとともに、ヒューズ下方の絶縁膜が保護され、絶縁膜の剥離や亀裂の発生が回避される。保護部材の間の上方の部分にレーザを照射してヒューズを切断しても、同様の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明を半導体メモリ装置に適用した第１の実施の形態を示すブロック図である。
【図２】図２（ａ）は第１の実施の形態の半導体装置のヒューズの長さ方向の断面図、図２（ｂ）は同じくそのヒューズ幅方向の断面を示している。
【図３】図３（ａ）はヒューズ切断後の半導体装置のヒューズの長さ方向の断面図、図３（ｂ）は同じくそのヒューズ幅方向の断面を示している。
【図４】図４（ａ）は下方に保護部材が配置されたヒューズを複数個並べて配置した半導体装置の例を示す上面図、図４（ｂ）は同じくその半導体装置のヒューズを切断した状態を示す上面図である。
【図５】図５は保護部材の下端が２つの絶縁膜の界面よりも下方に位置している半導体装置の断面図である。
【図６】図６は保護部材の下に保護絶縁膜が形成されている半導体装置の断面図である。
【図７】図７は保護部材の下端が保護絶縁膜の下方に位置している半導体装置の断面図である。
【図８】図８は保護部材の下にストッパ（金属膜）が形成されている半導体装置の断面図である。
【図９】図９は第１の実施の形態の変形例を示す断面図であり、複数の保護部材を有する半導体装置の断面図である。
【図１０】図１０（ａ）は下方に複数の保護部材が配置されたヒューズを複数個並べて配置した半導体装置の例を示す上面図、図１０（ｂ）は同じくその半導体装置のヒューズを切断した状態を示す上面図である。
【図１１】図１１は本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置のヒューズ切断方法を示す断面図である。
【図１２】図１２は本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置のヒューズ切断方法を示す断面図である。
【図１３】図１３は本発明の第４の実施の形態の半導体装置の断面図である。
【図１４】図１４はヒューズによる回路の切換え方法の一例を示す図である。
【図１５】図１５はヒューズを備えた従来の半導体装置を示す断面図である。
【図１６】図１６はヒューズ切断後の従来の半導体装置を示す断面図である。
【符号の説明】
１１，２１，６１…半導体基板、
１２，１４，１６，２２，２５，２７，６２，６４，６６…絶縁膜、
１３ａ，１３ｂ，２６ａ，２６ｂ，６３ａ，６３ｂ…配線、
１３ｃ…ストッパ、
１４ａ，１４ｂ，２５ａ，２５ｂ．６４ａ，６４ｂ…ビアコンタクト部、
１４ｃ，１４ｄ，１４ｅ…保護部材、
１５，２４，６５…ヒューズ、
２１…保護絶縁膜、
Ａ0 〜Ａ15…メモリセル、
Ａx …冗長メモリセル、
Ｂ0 〜Ｂ15…バッファ、
Ｆ0 〜Ｆ15…ヒューズ、
Ｍ1 ，Ｍ2 …スイッチ素子、
Ｒ…抵抗、
INV …インバータ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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