(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に導体膜からなる内部電極（１３）、（１４）を有する電子部品素体（１１）と、この電子部品素体（１１）の表面に導出された前記内部電極（１３）、（１４）に接続されるように同電子部品素体１１の表面に形成された金属膜からなる外部電極（１５）、（１５）とを有する電子部品において、前記外部電極（１５）、（１５）が、電子部品素体（１１）の表面に被着されるアンカー層（１６）を有し、このアンカー層（１６）と前記内部電極（１３）、（１４）との間に電子部品素体（１１）をアンカー層（１６）を形成する金属の融点近くの温度に保った状態で、その表面に導出した内部電極（１３）、（１４）に同内部電極（１３）、（１４）と相互拡散しやすい金属を被着して前記アンカー層（１６）を設けることで形成された中間層（１７）が設けられ、この中間層（１７）は、少なくともその一部が前記内部電極（１３）、（１４）との相互拡散により合金化されていることを特徴とする電子部品。
【請求項２】
アンカー層（１６）がＣｒまたはＣｒを含む合金からなることを特徴とする請求項（１に記載の電子部品。
【請求項３】
中間層（１７）が内部電極（１３）、（１４）より空隙が少ない金属層であることを特徴とする請求項１または２に記載の電子部品。
【請求項４】
中間層（１７）は、内部電極（１３）、（１４）より酸化傾向が強いことを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の電子部品。
【請求項５】
中間層（１７）は、外部電極（１５）、（１５）のアンカー層（１６）との相互拡散により合金化されていることを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の電子部品。
【請求項６】
内部電極（１３）、（１４）がＡｇを含む金属からなり、中間層（１７）がＡｇと相互拡散しやすいＳｎまたはＳｎを含む合金からなることを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項７】
内部に内部電極（１３）、（１４）を有する電子部品素体（１１）の表面に導出された前記内部電極（１３）、（１４）に接続されるように同電子部品素体（１１）の表面に金属膜からなる外部電極（１５）、（１５）を設けて電子部品を製造する方法において、前記外部電極（１５）、（１５）の電子部品素体（１１）の表面に被着されるアンカー層（１６）を形成するに当たり、電子部品素体（１１）を前記アンカー層（１６）を形成する金属の融点近くの温度に保った状態で、その表面に導出した内部電極（１３）、（１４）に同内部電極（１３）、（１４）と相互拡散しやすい金属を被着して前記アンカー層（１６）を設けることで中間層（１７）を形成することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項８】
中間層（１７）を形成する工程が、電子部品素体（１１）の表面に導出した内部電極（１３）、（１４）の表面に金属を乾式法により形成する工程であることを特徴とする請求項７に記載の電子部品の製造方法。
【請求項９】
中間層（１７）を形成する工程が、電子部品素体（１１）の表面に導出した内部電極（１３）、（１４）の表面を溶融金属に浸漬し、この金属を硬化させる工程であることを特徴とする請求項７に記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は積層セラミックコンデンサや積層セラミックインダクタ等の電子部品の製造方法に関し、特に、電子部品素体の内部に形成された内部電極と、同素体の表面に形成された導体膜からなる外部電極との接続部分を改善したチップ状電子部品とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子部品としては、積層セラミックコンデンサと積層セラミックインダクタがその代表的なものであるが、さらにこれらを組み合わせたＬＣ部品等の複合素子等が多く開発されている。
電子部品の代表的な例である積層セラミックコンデンサは、コンデンサとしての電子部品要素を構成する層状の内部電極がセラミック層を介して多数積み重ねられ、内部電極がセラミック層の電子部品素体の端面に引き出されている。そして、これらの内部電極が引き出された電子部品素体の端面に導体膜からなる外部電極が形成されている。
【０００３】
このような積層セラミックコンデンサの一般的な製造方法は、例えば、誘電体セラミック粉末を有機バインダーに分散させたセラミックスラリーをシート状に成形してセラミックグリーンシートを作り、スクリーン印刷法等により、このセラミックグリーンシートの上に導電ペーストで内部電極パータンを印刷する。そして、この内部電極パターンが印刷されたセラミックグリーンシートを積層し、さらにその両側に内部電極パターンが印刷されてないセラミックグリーンシートを複数枚積み重ねる。こうして得られた電子部品素体を内部電極が端面に露出するようにしてチップ状に切断し、これを焼成する。そして、この焼成された電子部品素体の端部に導電ペーストを塗布し、これを焼き付けて外部電極を形成する。これにより、積層チップコンデンサが完成する。
【０００４】
また、他の積層セラミックコンデンサの製造方法として、セラミックの電子部品素体を焼成する前に、その端部に予め導電ペーストを塗布し、その後セラミックの電子部品素体を焼成すると同時に、導電ペーストを焼き付けるという製造方法もある。さらに、電子部品素体を得る方法も、セラミックグリーンシートを使用する、いわゆるシート法の他に、セラミックペーストと導電ペーストとを交互に印刷していく、いわゆるスラリービルト法も採用されている。
このような積層セラミックコンデンサに代表される電子部品は、小型化と共に、大容量化や高インダクタンス化等が要求されている。
【０００５】
図４は、積層セラミックコンデンサの例を示す。セラミック層２の積層体からなる電子部品素体１の内部で、２組の内部電極３、４が交互に対向しており、これら２組の内部電極３、４は、それぞれ電子部品素体１の対向する端面に導出されている。電子部品素体１の両端部に導体膜からなる外部電極５、５が形成され、これら外部電極５、５が各組の内部電極３、４にそれぞれ電気的に接続されている。
【０００６】
このような積層セラミックコンデンサに代表されるチップ状電子部品は、回路基板等の上に搭載され、その外部電極が半田付けされる。このとき、半田付け性がよく、半田付け後の機械的な密着強度が強く、電気的な導通性が良好であることが要求される。このため、外部電極５、５は、単一の層ではなく、複数の金属層から構成される。
【０００７】
図５は、この外部電極５、５の金属層を示す。まず、電子部品素体１の表面上には、同素体１の表面への密着性及び内部電極３、４図４参照）との導通性の良好なアンカー層６が形成される。このアンカー層６の上には、溶融半田に金属粒子が流出しにくい、いわゆる耐半田喰われ性のある耐半田層７が形成される。さらに、この耐半田層７の上には、溶融半田に対して濡れ性の良好な半田濡れ層９が形成される。
【０００８】
前記のような外部電極５、５を形成する手段として、大別して湿式法と乾式法とがある。
湿式法は、導電ペーストの印刷及び焼き付けやメッキ浴を用いた湿式メッキ等の手段で外部電極５、５を形成するものである。この湿式法では、通常、前記のアンカー層６がＡｇの印刷膜により、耐半田層７がＮｉのメッキ膜により、さらに、半田濡れ層９が半田のメッキ膜により形成される。
【０００９】
乾式法は、真空蒸着やスパッタリング等の手段で電子部品素体１の端部に導体膜を形成することにより、外部電極５、５を形成するものである。この乾式法では、通常、前記のアンカー層６が、ＣｒまたはＣｒの合金膜により、耐半田層７がＮｉまたはＮｉの合金膜により、さらに、半田濡れ層９がＡｇ、ＳｎまたはＳｎの合金膜により形成される。
前者の湿式法は、狭いピッチで高精度の外部電極５、５を形成しにくく、しかも、メッキに際して電子部品素体１の内部にメッキ液が浸入して信頼性を低下するという問題がある。そのため、今日では乾式法が採用されることが次第に多くなっている。
【００１０】
【発明が解決しようとしている課題】
前記電子部品素体１の表面に導出した内部電極３、４の導出面は、数μｍレベルの凹凸を有する。そのため、真空蒸着やスパッタリングの手段でアンカー層６を形成する場合、内部電極３、４の導出面に対してアンカー層６を形成する金属分子が斜めに入射するとき、内部電極３、４の導出面の凹凸により、アンカー層６を形成する金属分子が付着しない、いわゆる陰となる部分が生じる。このため、アンカー層６と内部電極３、４の導出面との密着性が得られず、外部電極５、５の界面が剥離する可能性がある。これにより、内部電極３、４と外部電極５、５との接続の信頼性を得ることができない。
【００１１】
また、内部電極３、４を形成するのに使用される金属は、酸化雰囲気中で電子部品素体１と同時焼成されるため、ＰｄやＡｇ等の貴金属が使用される。他方、アンカー層６は、比較的酸素と反応しやすいＣｒやＣｒ合金が使用される。このため、内部電極３、４の内部やその表面に酸素等の軽元素が存在していると、この酸素は内部電極３、４の結晶粒界や内部電極３、４の導出部表面とアンカー層６との界面を移動しやすい。その結果、アンカー層６の内部電極３、４の導出部表面とアンカー層６との界面側から酸化が進み、高い抵抗を有する層が形成される。特に、外部電極５、５を乾式メッキ法により形成した場合、アンカー層６と内部電極３、４の導出部表面との間に酸素等の軽元素が移動しやすい界面ができるため、アンカー層６と軽元素との反応はその界面に沿って広がっていく。この点でも、内部電極３、４と外部電極５、５との間の電気的接続の信頼性を得ることができない。
【００１２】
本発明は、前記従来の電子部品における課題に鑑み、外部電極と内部電極との剥離が起こりにくく、且つこれら外部電極と内部電極との間に高抵抗の酸化層が形成されにくく、これによって内部電極と外部電極との電気的接続について高い信頼性を得ることができる電子部品とそのような電子部品を製造する方法を提供するものである。特に、本発明では、乾式法により外部電極を形成するの場合に好適である。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
前記の目的を達成するために、本発明では、電子部品素体１１の表面に被着される外部電極１５、１５のアンカー層１６と、電子部品素体１１の表面に導出した内部電極１３、１４の導出部表面との間に、少なくとも一部が内部電極１３、１４との相互拡散により合金化された中間層１７を設けたものである。このような中間層１７は、電子部品素体１１の表面に導出されている内部電極１３、１４の導出部表面に、同内部電極１３、１４の金属と相互拡散しやすい金属をその融点以上の温度で被着させることにより形成することができる。
【００１４】
本発明による電子部品は、内部に導体膜からなる内部電極１３、１４を有する電子部品素体１１と、この電子部品素体１１の表面に導出された前記内部電極１３、１４に接続されるように同電子部品素体１１の表面に形成された金属膜からなる外部電極１５、１５とを有する。前記外部電極１５、１５は、電子部品素体１１の表面に被着されるアンカー層１６を有し、このアンカー層１６と前記内部電極１３、１４との間に電子部品素体１１をアンカー層１６を形成する金属の融点近くの温度に保った状態で、その表面に導出した内部電極１３、１４に同内部電極１３、１４と相互拡散しやすい金属を被着して前記アンカー層１６を設けることで形成された中間層１７が設けられ、この中間層１７は、少なくともその一部が前記内部電極１３、１４との相互拡散により合金化されていることを特徴とする。
【００１５】
ここで、中間層１７は外部電極１５、１５のアンカー層１６とも相互拡散により合金化されているのが好ましい。この中間層１７は、内部電極１３、１４より空隙が少ない金属層であり、内部電極１３、１４より酸化傾向が強い。例えば、内部電極１３、１４がＡｇを含む金属からなり、アンカー層１６がＣｒまたはＣｒを含む合金からなるとき、中間層１７はＡｇと相互拡散しやすく、且つＡｇより酸化傾向が強いＳｎまたはＳｎ合金により形成する。
【００１６】
このような電子部品では、中間層１７と内部電極１３、１４とが相互拡散して合金化されているため、中間層１７と内部電極１３、１４との間には実質的に界面が存在しない。このため、中間層１７側に内部電極１３、１４側から酸素等の軽元素が移動してきても、電気伝導を阻害するような膜状の異層を形成することなく、軽元素は中間層１７の中を拡散していく。従って、中間層１７と内部電極１３、１４との間に高い抵抗を有する層が形成されない。
【００１７】
中間層１７に入った軽元素は、何れアンカー層１６に達する可能性があるが、中間層１７が内部電極１３、１４より酸化傾向が強い金属からなるので、中間層１７の中での軽元素の移動は内部電極１３、１４の内部に比較すると遅い。むしろ、中間層１７内部に軽元素がトラップされる可能性が高い。従って、アンカー層１６と中間層１７との間において、アンカー層１６を形成している金属と軽元素との化合物である高い抵抗を有する層が形成される速度は極めて遅く、むしろ通常の条件では殆ど形成されることはない。
【００１８】
さらに、アンカー層１６と中間層１７との間も、相互拡散により合金化した場合は、前述の内部電極１３、１４と中間層１７との間で起こるのと同様にして、その部分にも高抵抗の層が発生しない。
また、中間層１７が内部電極１３、１４より空隙が少なく、凹凸の無い滑らかな表面を有する場合は、内部電極１３、１４の導出面に対してアンカー層１６を形成する金属分子の入射が斜めになったときでも、内部電極１３、１４の導出面の凹凸により、アンカー層１６を形成する金属分子が付着しない、いわゆる陰となる部分が生じない。このため、アンカー層１６と内部電極１３、１４の導出面との密着性が得られる。
【００１９】
前記のような電子部品は、電子部品素体１１の表面に導出した前記内部電極１３、１４の表面に、同内部電極１３、１４と相互拡散しやすい金属を溶融状態で被着することにより中間層１７を形成し、さらにこの中間層１７の表面を含む電子部品素体１１の表面にアンカー層１６及びその他の金属層からなる外部電極１５、１５を形成することにより得られる。
【００２０】
中間層１７は、電子部品素体１１をその表面に被着させるアンカー層１６を形成する金属の融点近くの温度に保った状態で、同電子部品素体１１の表面に導出した内部電極１３、１４の表面に前記アンカー層１６を形成する金属を真空蒸着するか、或いは電子部品素体１１の表面に導出した内部電極１３、１４の表面を溶融金属に浸漬し、この金属を硬化させることにより形成することができる。例えば、内部電極１３、１４がＡｇを含む金属からなるとき、中間層１６はＡｇと相互拡散しやすいＳｎまたはＳｎ合金により形成する。
【００２１】
【発明の実施の形態】
次に、図面を参照しながら、本発明の実施の形態について、具体的且つ詳細に説明する。
図１〜図３は、外部電極１５、１５を有する電子部品の例として、積層セラミックコンデンサを示している。
積層セラミックコンデンサの電子部品素体１１は、セラミックの積層体であり、各セラミック層を分解した状態でその層構造を図３に示してある。既に述べた通り、この電子部品素体１１は、２組の内部電極１３、１４がセラミック層１２を介して交互に多数積み重ねられ、各組の内部電極１３、１４はセラミック層１２の電子部品素体１１の対向する一対の端面に交互に引き出されている。内部電極１３、１４は、電子部品素体１１を酸化雰囲気で焼成する時に同時焼成されるため、酸化されにくいＰｄやＡｇ等の貴金属やそれらの合金が使用される。
【００２２】
図１に示すように、これらの内部電極１３、１４が引き出された電子部品素体１１の端面に導体膜からなる外部電極１５、１５がそれぞれ形成されている。
このような積層セラミックコンデンサを製造する工程は、後に説明する外部電極１５、１５を形成する工程の一部を除いて、前述した従来の積層セラミックコンデンサの製造方法と基本的に同じである。
【００２３】
図２は、この積層セラミックコンデンサの内部電極１４と外部電極１５との接続部分の構造を模式的に示すものである。他方の内部電極１３と外部電極１５との接続部分の構造も図２と実質的に同じであるので図示を省略する。
まず、セラミックの積層体である電子部品素体１１の端面に導出された内部電極１３、１４の導出面に中間層１７を設ける。この中間層１７は、それを構成する金属材料と内部電極１３、１４を構成する金属材料とが相互拡散することにより、少なくとも一部が合金化したものである。そのため、内部電極１３、１４の導出面と中間層１７との間には、実質的な界面は存在しない。
【００２４】
このような中間層１７は、内部電極１３、１４を形成する金属材料と相互拡散しやすい金属材料をその融点より高い温度の溶融状態で被着させることにより形成することができる。例えば、内部電極１３、１４がＡｇで形成されている場合、ＳｎやＳｎ合金はその溶融状態においてＡｇと相互拡散しやすいことが知られている。
【００２５】
例えば、電子部品素体１１をＳｎの融点近くの温度（融点±２０℃）に保った状態で、電子部品素体１１の表面に導出した内部電極１３，１４の導出部表面に真空蒸着する。これにより、蒸発源から内部電極の導出部に飛来したＳｎ分子は、内部電極１３、１４の導出部表面においてそれを構成するＡｇ分子と相互拡散して合金化される。これにより、中間層１７はＡｇ−Ｓｎの合金層となり、その組成は内部電極１３，１４の導出部から中間層の表面にいくに従って連続的に変化する。
【００２６】
中間層１７を形成する他の手段としては、電子部品素体１１を溶融されているＳｎまたはＳｎ合金に浸漬することをあげることができる。内部電極１３，１４を形成しているＡｇはＳｎとの拡散性が高いため、溶融したＳｎまたはＳｎ合金は内部電極１３，１４が電子部品素体１１の表面に導出した導出部表面に付着する。そして、内部電極を形成しているＡｇは溶融したＳｎまたはＳｎ合金に拡散しやすいため、中間層はＡｇ−ＳｎまたはＡｇ−Ｓｎとその他の金属との合金となる。その組成は内部電極１３，１４の導出部から中間層１７の表面にいくに従って連続的に変化する。また、この中間層１７は溶融したＳｎまたはＳｎ合金が硬化してできたものであり、その表面は滑らかとなる。
【００２７】
電子部品素体１１の端部の表面上には、同素体１１の表面への密着性及び内部電極１３、１４（図１参照）との導通性の良好なアンカー層１６が形成される。アンカー層１６は、前記中間層１７と相互拡散し、合金化しやすい金属により形成するが、一般には従来の電子部品と同様に、ＣｒまたはＣｒ合金が使用される。このＣｒまたはＣｒ合金を真空蒸着等の手段で、電子部品素体１１の表面に被着する。被着する部分は、もちろん電子部品素体１１の内部電極１３、１４が導出した表面部分を含む領域である。これにより、内部電極１３、１４が導出した表面部分に設けられた前記中間層１７を形成する金属とアンカー層１６を形成するＣｒまたはＣｒ合金等の金属とが相互拡散し、合金化される。
【００２８】
アンカー層１６の上には、溶融半田に金属粒子が流出しにくい、いわゆる耐半田喰われ性のある耐半田層１８が形成される。耐半田層１８は、例えば半田耐熱性に優れたＮｉまたはＮｉ合金を使用し、真空蒸着やスパッタリングの手段により形成される。
さらに、この耐半田層１８の上に溶融半田に対して濡れ性の良好な半田濡れ層１９が形成される。この半田濡れ層１９は、例えば半田に対して濡れ性が良好なＳｎまたはＳｎを含む合金を使用し、真空蒸着やスパッタリングの手段により形成される。
【００２９】
図６は、電子部品の他の例として、積層チップインダクタである積層電子部品の電子部品素体の構造を示す概念図である。このような電子部品素体は、通常次のようにして多数のものが同時に製造される。
まず、フェライト粉末等の磁性体粉末をバインダー中に分散した磁性体スラリーを用い、ドクターブレード法、押出成形法等の手段で薄い磁性体セラミックグリーンシートを作る。これらのセラミックグリーンシートの所定の位置に予めスルーホールを打ち抜く。その後、Ａｇペースト等の導電ペーストを使用し、このセラミックグリーンシートの上に周回状の内部電極電極パターンを縦横に列べて多数組分印刷すると共に、上記スルーホールに導電ペーストを吸引し、スルーホール導体を印刷する。
【００３０】
必要とするコイルの巻数により、異なる形状の内部電極パターンを有するセラミックグリーンシートを適当な組数用意し、これらを順次積層する。そして、これらセラミックグリーンシートの両側に内部電極パターンが印刷されていないセラミックグリーンシートを積層する。
この積層体を圧着した後、個々のチップ毎に裁断し、この未焼成の積層チップを焼成することにより、焼成済みの電子部品素体１１を得る。
【００３１】
こうして得られた電子部品素体１１は、図６に示すように、複数のセラミック層２１、２１…、２１’、２１’…が積層され、一体となったものである。
セラミック層１１には、インダクタとしての電子部品要素を構成する周回状の内部電極２５ａ、２５ｂ…が形成されている。これら内部電極２５ａ、２５ｂ…は、スルーホール２６、２６…に設けられたスルーホール導体を介して順次接続され、電子部品素体１１の内部でコイル状に連なっている。磁性体セラミックからなるセラミック層２１、２１…は、このコイルの磁芯となる。
内部電極２５ａ、２５ｂ…を有するセラミック層２１、２１…のうち、図６において上下の端のセラミック層２１、２１に形成された内部電極積２５ｅ、２５ｆは、電子部品素体１１の対向する一対の端面にそれぞれ導出している。
【００３２】
さらに、前記内部電極２５ａ、２５ｂ…が形成されたセラミック層２１、２１…の両側に、内部電極が形成されていないセラミック層２１’、２１’…、いわゆるブランクのセラミック層２１’、２１’…が積層されている。通常の場合、このブランクのセラミック層２１’、２１’…は、前記内部電極２５ａ、２５ｂ…を有するコイル磁芯となるセラミック層２１、２１…と同じ磁性体材料からなる。
【００３３】
前記電子部品素体１１の端面に導出された内部電極２５ｅ、２５ｆの導出部表面には、前記積層セラミックコンデンサの内部電極１３，１４の導出部表面に形成されたのと同様の中間層が形成される。
さらに図７に示すように、このような電子部品素体１１の両端に、真空蒸着法やスパッタリング法により、外部電極１５、１５が形成される。この外部電極１５、１５は、既に述べた積層セラミックコンデンサと基本的に同じであり、図２に示すように、アンカー層１６、耐半田層１８及び半田濡れ層１９からなる。前記中間層は、アンカー層１６と相互拡散することにより、その一部が合金化されている。
【００３４】
なお前記の例では、電子部品素体１１の端部にそれぞれ単一の外部電極１５、１５を形成した例について説明したが、本発明は、電子部品素体１１の側面に複数の外部電極１５、１５を分離して設けた、いわゆるアレイ形電子部品にも当然のことながら本発明を適用することができる。このようなアレイ形電子部品に本発明を適用したものでは、外部電極１５、１５を半田付けしたときの密着強度の増大の効果が顕著である。
【００３５】
【実施例】
次に、本発明の実施例について、具体的数値をあげて詳細に説明する。
（実施例１）
フェライト系磁性体粉末を仮焼きした後、これらを有機バインダー中に分散し、磁性体スラリを作った。この磁性体スラリをドクターブレード法により成形し、磁性体セラミックグリーンシートを作った。
これらセラミックグリーンシートの一部の所定の位置に予めスルーホールを打ち抜いた後、Ａｇペーストを使用し、このセラミックグリーンシートの上に周回状の内部電極電極パターンを縦横に列べて多数組分印刷すると共に、上記スルーホールにＡｇペーストを吸引し、スルーホール導体を印刷した。
【００３６】
まず、前記内部電極パターンが印刷されていないブランクのセラミックグリーンシートを積層し、次に内部電極パターンを有するセラミックグリーンシートを、スルーホールを介してそれらがコイル状に連なるように順次積層した。さらに、これらセラミックグリーンシートの上に内部電極パターンが印刷されていないブランクのセラミックグリーンシートを積層した。
この電子部品素体を圧着した後、個々のチップ毎に裁断した。この未焼成の積層チップを、脱バインダー処理した後、焼成することにより、図６に示すような層構造を有する焼成済みの電子部品素体１１を得た。この電子部品素体１１は、約１．６ｍｍ×０．８ｍｍ×０．８ｍｍの概ね直方体形のものである。
【００３７】
この電子部品素体１１を２６０℃の温度で溶融されている共晶半田に３分間浸漬した。内部電極を形成しているＡｇは半田濡れ性がよいため、半田は内部電極が電子部品素体１１の表面に導出した導出部表面に付着し、中間層が形成される。そして、内部電極を形成しているＡｇは溶融半田中に拡散しやすいため、中間層はＡｇ−Ｐｂ−Ｓｎの合金となる。その組成は内部電極２５ｅ、２５ｆの導出部から中間層の表面にいくに従って連続的に変化する。また、この中間層は溶融半田が硬化してできたものであり、その表面は滑らかである。
電子部品素体１１の内部電極が導出した部分以外の部分は、磁性体セラミックの表面部分であり、半田濡れ性が極めてわるく、半田層は形成されない。
【００３８】
次に、電子部品素体１１の内部電極２５ｅ、２５ｆが導出した端面を含む端部以外の部分が陰になるように電子部品素体１１を治具にセットした。電子部品素体１１をセットした治具を真空チャンバにセットし、この真空チャンバ内を１．３×１０-3Ｐａ前後の気圧に減圧した。この状態で、ＥＢガンにより蒸発源にセットした材料を、加熱、蒸発させて、前記電子部品素体１１の端部に真空蒸着した。
【００３９】
この真空蒸着工程において、金属材料が入ったるつぼを回転機構により回転し、校正された水晶振動子膜厚計により膜厚をモニタリングしながら、次に説明する３種類の金属材料を順次連続して成膜した。まずＣｒを５０ｎｍ前後の膜厚に成膜し、アンカー層を形成した。このアンカー層の上にＮｉを１μｍ前後の膜厚に成膜し、耐半田層を形成した。次にＳｎを１．５μｍの膜厚に成膜し、半田濡れ層を形成した。これにより、外部電極が形成され、積層セラミックインダクタが完成した。なお、真空チャンバは常に常温に維持した。
【００４０】
こうして製造された約１，０００個の積層セラミックインダクタのから無作為に１００個選択し、これを１２５℃の温度環境下に置き、その時間毎の外部電極間の直流抵抗値を測定し、その平均値を求めた。その結果、図６において「実施例１」として示したような結果が得られた。なお、図６では初期直流抵抗に対する各高温放置時間後の直流抵抗の差としての直流抵抗上昇値をもって示している。
【００４１】
（実施例２）
前記実施例１と同様にして、約１．６ｍｍ×０．８ｍｍ×０．８ｍｍの概ね長方体形の電子部品素体１１を得た。
この電子部品素体１１を２６０℃の温度で溶融されている共晶半田に３分間浸漬した。前述したように、半田が内部電極が電子部品素体１１の表面に導出した導出部表面に付着し、中間層が形成され、この中間層はＡｇ−Ｐｂ−Ｓｎの合金となり、その組成は内部電極２５ｅ、２５ｆの導出部から中間層の表面にいくに従って連続的に変化する。また、この中間層は溶融半田が硬化してできたものであり、その表面は滑らかである。
【００４２】
次に、電子部品素体１１の内部電極２５ｅ、２５ｆが導出した端面を含む端部以外の部分が陰になるように電子部品素体１１を治具にセットした。電子部品素体１１をセットした治具を真空チャンバにセットし、この真空チャンバ内を１．３×１０-3Ｐａ前後の気圧に減圧した。この状態で、ＥＢガンにより蒸発源にセットした材料を、加熱、蒸発させて、前記電子部品素体１１の端部に真空蒸着した。
【００４３】
この真空蒸着工程においては、金属材料が入ったるつぼを回転機構により回転し、校正された水晶振動子膜厚計により膜厚をモニタリングしながら、次に説明する３種類の金属材料を順次連続して成膜した。まず、真空チャンバを２０５℃に加熱し、Ｃｒを５０ｎｍ前後の膜厚に成膜し、アンカー層を形成した。その後、真空チャンバを常温まで自然冷却した後、アンカー層の上にＮｉを１μｍ前後の膜厚に成膜し、耐半田層を形成した。次にＳｎを１．５μｍの膜厚に成膜し、半田濡れ層を形成した。これにより、外部電極が形成され、積層セラミックインダクタが完成した。
【００４４】
試料が２０５℃に保たれていることと、アンカー層を形成するためのＣｒ分子が入射するときのエネルギーで、中間層を形成する半田がその融点より高い温度に加熱されるため、アンカー層を形成するＣｒと中間層を形成する半田とが相互拡散し、合金化する。
こうして製造された約１，０００個の積層セラミックインダクタのから無作為に１００個選択し、これを１２５℃の温度環境下に置き、その時間毎の直流抵抗値を測定し、その平均値を求めた。その結果、図６において「実施例２」として示したような結果が得られた。
【００４５】
（比較例）
前記実施例１において、中間層を形成する工程を経ずに、同実施例１と同様にして電子部品素体１１の端部に直接アンカー層、耐半田層、半田濡れ層からなる外部電極を形成し、積層セラミックインダクタを作った。
この電子部品についても、前記実施例と同様にして、約１，０００個の積層セラミックインダクタのから無作為に選択した１００個を１２５℃の温度環境下に置き、その時間毎の直流抵抗値を測定し、その平均値を求めた。その結果、図６において「比較例」として示したような結果が得られた。
【００４６】
図８の結果から明らかな通り、実施例１と実施例２とでは、積層セラミックインダクタを１２５℃の温度環境下に置いたときでも、外部電極間の直流抵抗の上昇が小さい。これに対して、中間層を設けない比較例では、高温下での直流抵抗の増大が顕著に表れ、外部電極と内部電極間の接続抵抗の増大が推測される。
【００４７】
【発明の効果】
以上説明した通り、本発明によれば、外部電極と内部電極との間に高抵抗の酸化層が形成されにくく、これによって内部電極と外部電極との電気的接続についても高い信頼性を得ることができる電子部品を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による電子部品の例としての積層セラミックコンデンサを示す一部縦断斜視図である。
【図２】同積層セラミックコンデンサの内部電極と外部電極との接続部分を模式的に示す要部格段縦断側面図である。
【図３】同積層セラミックコンデンサの電子部品素体の層構造を示す各層を分解して示した分解斜視図である。
【図４】電子部品の従来例としての積層セラミックコンデンサを示す一部縦断斜視図である。
【図５】同積層セラミックコンデンサの外部電極の層構造を模式的に示す要部格段縦断側面図である。
【図６】積層セラミックインダクタの例を示すその電子部品素体の分解斜視図である。
【図７】同積層セラミックインダクタの完成品を示す斜視図である。
【図８】本発明による実施例と比較例の積層セラミックインダクタにおける１２５℃の温度下での放置時間と外部電極間の直流抵抗上昇値との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
１１  電子部品素体
１２  セラミック層
１３  内部電極
１４  内部電極
１５  外部電極
１６  外部電極のアンカー層
１７  中間層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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