(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面（３ａ）および下面（３ｂ）を有する支持スラブ（３）によって互いに隔てられた上階（１）および下階（６）を有し、上面（２ａ）および下面（２ｂ）を有する疑似床板（２）を並置して形成した疑似床を支持するとともに、それ自体でクリーンルーム（１）を構成する前記上階内に配置された少なくとも１つのプロセスチャンバ（１ａ）と、前記プロセスチャンバ（１ａ）内で制御された真空を発生させ維持する真空発生手段（４）とを備える建築物において、前記真空発生手段（４）が少なくとも部分的に前記支持スラブ（３）と前記疑似床（２）の間にある中間スペース（２ｃ）内に配置され、前記疑似床板（２）がその上面（２ａ）と下面（２ｂ）の間に貫通通路（７）を有し、前記支持スラブ（３）がその上面（３ａ）と下面（３ｂ）の間に通路開口（８）を有する半導体コンポーネント製造プラントであって、前記クリーンルーム（１）から前記下階（６）に周囲空気を吸い込み、前記疑似床板（２）の前記貫通開口（７）から前記中間スペース（２ｃ）に入って、前記中間スペース（２ｃ）内の前記真空発生手段（４）の周囲を通り、前記支持スラブ（３）の前記通路開口（８）に入って前記下階（６）に移動するガス流（５）を生成する、吸込手段（９）が前記下階（６）内に設けられることを特徴とするプラント。
【請求項２】
前記真空発生手段（４）が、前記下方の支持スラブ（３）内の通路開口（８）の上に配置される請求項１に記載のプラント。
【請求項３】
前記真空発生手段（４）が、前記下方の支持スラブ（３）の通路開口（８）間の堅固な区域の上に配置される請求項１に記載のプラント。
【請求項４】
前記疑似床板（２）が、導電性金属製であり、アース（２ｄ）に電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載のプラント。
【請求項５】
前記疑似床板（２）が、電気絶縁材または半電気絶縁材製の表面層で覆われた上面（２ａ）を備えることを特徴とする請求項４に記載のプラント。
【請求項６】
前記真空発生手段（４）を、前記支持スラブ（３）の上面（３ａ）および前記疑似床板（２）の下面（２ｂ）から離し、それによって、前記真空発生手段（４）の上下でガス流が自由に循環できるようにすることを特徴とする請求項１に記載のプラント。
【請求項７】
前記真空発生手段（４）が、連結脚（１７〜２０）によって前記支持スラブ（３）の上面（３ａ）に載置されたプラットホーム（１００）によって支持されることを特徴とする請求項６に記載のプラント。
【請求項８】
前記連結脚（１７〜２０）が、振動伝達を阻止する弾性的減衰連結体を装備することを特徴とする請求項７に記載のプラント。
【請求項９】
前記中間スペース（２ｃ）に配置された前記真空発生手段（４）が、直列に連結されかつ吸込ダクト（４ａ）によって少なくとも１つのプロセスチャンバ（１ａ）に連結された１つまたは複数の真空ポンプ（４ｃ）を備え、ポンプ輸送されたガスを放出ダクト（４ｂ）を介して周囲空気中に放出することを特徴とする請求項１に記載のプラント。
【請求項１０】
前記真空発生手段（４）が、前記中間スペース（２ｃ）および／または前記下階（６）内に配置された、前記放出ガス（４ｄ）の分析手段および／または処理手段を備えることを特徴とする請求項９に記載のプラント。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体コンポーネント製造プラントにおいて、支持スラブとクリーンルーム疑似床の間にある中間スペース内の真空ポンプ輸送ラインを少なくとも部分的に統合することを可能にする手段に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、半導体コンポーネント製造プラントのクリーンルームの床は、縦横８０ｃｍ×４０ｃｍの通路開口を一定の間隔であけた厚さ９０ｃｍのコンクリート製支持スラブの上に載置された疑似床からなる。この通路開口は、ダクトおよびケーブルを地階に通すのに使用する。
【０００３】
この支持スラブ上に、プラントに応じて高さを変更できるジャッキ脚を６０ｃｍメッシュ間隔で固定し、その上に、６０ｃｍ×６０ｃｍのアルミニウム製有孔疑似床板を並置する。ジャッキ脚の高さは、プラントに応じて約４３ｃｍ〜約１２０ｃｍとすることができる。疑似床板上に、半導体コンポーネント製造装置群、特にプロセスチャンバが配置される。疑似床下の体積内に、疑似床板からなる疑似床上に配置された装置の動作に必要な様々なダクトおよびケーブルが通る。
【０００４】
支持スラブと疑似床の間の中間スペースにおいて、少なくとも真空ラインの一部分、たとえば、ポンプ輸送されたガスを処理する関連装置をおそらく備える一次ポンプからなる真空ポンプ輸送システムを統合する提案が、最近、たとえば文献、国際公開第０１／８２０１９号明細書でなされている。
【０００５】
【特許文献１】
国際公開第０１／８２０１９号明細書
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、スラブと疑似床の間のスペース内にある真空ポンプ輸送システムを少なくとも部分的に統合することの主たる下記の利点を利用することを目的とする。
−クリーンルーム内にあるポンプと真空チャンバを近接させることによる有効ポンプ輸送能力の向上
−従来方式では真空ポンプが設置される地階の省スペース化
−長くてときには加熱されることがある、地階から機械装置までのポンプ輸送ラインの短縮化
【０００７】
しかし、真空発生手段を近接させると、有害な化学的作用及び物理的作用を招くことになる。これらの有害な作用は、ガスプラズマ微細加工動作が行われるプロセスチャンバの動作を妨げやすい。これらの動作は、外部の妨害の影響を非常に受けやすいからである。また、これらの有害な作用は、微細加工の前後で製品が取り扱われるクリーンルームを汚染しやすい。
【０００８】
本発明は、真空発生手段を近接した状態に保ちながら、特に、クリーンルームおよびプロセスチャンバの汚染リスクを著しく低減することを可能にすることによって、従来技術システムの欠点を回避することを目的とする。
【０００９】
このために、本発明の根底にある考えは、真空発生手段と、プロセスチャンバ、エントリーロックチャンバ、エグジットロックチャンバ、トランスファーチャンバを収容するクリーンルームとの間に追加の分離を実施し、以下のすべての汚染、すなわち、振動汚染、騒音汚染、熱汚染、さらには化学的汚染、そしてことによると電気的汚染を回避することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記その他の目的を達成するために、本発明は、上面および下面を有する支持スラブによって互いに隔てられた上階および下階を有し、上面および下面を有する疑似床板を並置して形成した疑似床を支持するとともに、それ自体でクリーンルームを構成する上階内に配置された少なくとも１つのプロセスチャンバと、プロセスチャンバ内で制御された真空を発生させ維持する真空発生手段とを備える建築物において、真空発生手段が少なくとも部分的に支持スラブと疑似床の間にある中間スペース内に配置され、疑似床板がその上面と下面の間に貫通通路を有し、支持スラブがその上面と下面の間に通路開口を有する半導体コンポーネント製造プラントを提供する。本発明によれば、クリーンルームから下階に周囲空気を吸い込み、疑似床板の貫通開口から中間スペースに入って、中間スペース内の真空発生手段の周囲を通り、支持スラブの通路開口に入って下階に移動するガス流を生成する、吸込手段が下階内に設けられる。
【００１１】
したがって、疑似床板の貫通開口に入るガス流は、クリーンルームへのガス漏れ逆流を阻止し、クリーンルームへの熱の伝播を阻止し、クリーンルームへの音の伝播を阻止する。
【００１２】
したがって、疑似床は、疑似床下に統合された真空発生手段に起因する騒音、熱汚染または化学汚染に対する逆流防止機構として働く。
【００１３】
真空発生手段の周りのガス流を定常的にすることが重要である。このために、本発明の一実施形態によれば、真空発生手段は、下方の支持スラブ内の通路開口の上に配置される。
【００１４】
代替方法では、真空発生手段は、下方の支持スラブの通路開口間の堅固な区域に対向して配置される。
【００１５】
いずれの場合でも、真空発生手段を、支持スラブの上面および疑似床板の下面から離すことにより、真空発生手段の上下でガス流が自由に循環できるように配置することが有利である。
【００１６】
たとえば、真空発生手段を、連結脚によって支持スラブの上面に載置されたプラットホームによって支持することができる。
【００１７】
この連結脚は、有利には、真空発生手段から支持スラブおよび疑似床への振動伝達を阻止する弾性的減衰連結体を装備することができる。
【００１８】
疑似床下に統合された真空発生手段に起因する電気汚染を阻止するために、導電性金属製であってアースに電気的に接続された疑似床板を使用することもできる。
【００１９】
この場合、疑似床板が、絶縁材または半絶縁材製の表面層で覆われた上面を備えると有利である。このようにして、クリーンルーム内で荷電粒子の拡散が回避される。
【００２０】
本発明の他の目的、特徴、および利点は、下記の特定の実施形態の説明を添付の図と併せ読めば、明らかになるであろう。
【００２１】
【発明の実施の形態】
図１に示す実施形態では、半導体コンポーネント製造プラントは、支持スラブ３および疑似床２によって互いに隔てられた上階１および下階６を有する建築物からなる。上階はクリーンルームそのものであり、そこでは操作要員が少なくとも１つのプロセスチャンバ１ａの周りを動き回る。
【００２２】
疑似床２は、支持スラブ３から離れてその上方に保持され、中間スペース２ｃを形成する。
【００２３】
真空ラインは、プロセスチャンバ１ａ内部の低圧空気を生成し維持することを可能にする。この真空ラインは、支持スラブ３と疑似床２の間にある中間スペース２ｃ内に少なくとも部分的に配置された真空発生手段４を備える。
【００２４】
支持スラブ３は、たとえば、コンクリートスラブであり、上面３ａおよび下面３ｂを有する。支持スラブ３は、その上面３ａと下面３ｂの間に通路開口８を有する。
【００２５】
疑似床２は、たとえば矩形の、並置された疑似床板からなる。疑似床板は、上面２ａおよび下面２ｂを有し、上面２ａと下面２ｂとを貫く貫通通路７を備える。貫通通路７は、たとえば、直径約２〜４ｃｍの円形穴とすることができ、疑似床板表面全体に一様に分布しており、表面の約３分の１から半分を占める。
【００２６】
真空発生手段４は、図に系統的に破線で示す吸込ダクト４ａでプロセスチャンバ１ａに連結される。吸込ダクト４ａは、知られている方式で構成される。
【００２７】
本発明によれば、クリーンルーム１から下階６に周囲空気を吸い込むことを可能にする吸込手段９が下階６に設けられ、それによって、疑似床板２の貫通開口７から中間スペース２ｃに入って、中間スペース２ｃ内の真空発生手段４の周囲を通り、支持スラブ３の通路開口８に入って下階６に移動するガス流（５）が生成される。
【００２８】
疑似床板２の表面全体にわたって小径貫通通路７が一様に分布しているので、ガス流５は、中間スペース２ｃ内で真空発生手段４の周り全体に一様に分布し、クリーンルーム１内でプロセスチャンバ１ａの周りに一様に分布する。
【００２９】
図１に示す実施形態では、真空発生手段４は、下方の支持スラブ３の、通路開口８など複数の通路開口間の堅固な区域の上に配置される。このようにして、真空発生手段４が、通路開口８を通るガス流５の流れに対する干渉をできる限り少なくし、それによって、ガス流５は、真空発生手段４の側壁を一様に掃くように流れる。
【００３０】
しかし、真空発生手段４が下方の支持スラブ３内の通路開口８の上に配置される、図２の実施形態の方が好ましいかもしれない。このようにすると、ガス流が弱まり汚染粒子の蓄積を招くリスクをもつ区域である、真空発生手段４の下のデッドスペースの形成が回避される。
【００３１】
図２の実施形態では、真空発生手段４を、支持スラブ３の上面３ａおよび疑似床板２の下面２ｂからさらに離すことにより、真空発生手段４の上下でガス流５が自由に循環できるようになっている。
【００３２】
この場合、真空発生手段４は、連結脚１７、１８、１９、および２０によって支持スラブ３の上面３ａに載置されたプラットホーム１００によって支持される。連結脚１７〜２０は、長さ調節手段、たとえばスクリュージャッキ１７ａを有し、支持スラブ３に対してプラットホーム１００の垂直位置を適合させることが好ましい。各連結脚１７〜２０は、プラットホーム１００のＵ字断面体１３または１４中に設けられた複数の穴の１つにはめ込まれる垂直シャフト１７ｂを有する上端を備える。各連結脚１７〜２０は、その基部にプレート１７ｃなどの固定プレートを有し、ねじ留めまたは任意の他の手段で支持スラブ３に固定される。
【００３３】
連結脚１７〜２０は、プラットホーム１００よりもサイズが小さい区画内に配設することができる。
【００３４】
支持スラブ３は、たとえば、厚さ９０ｃｍのコンクリート製であり、一定の間隔で穴をあけ、通路開口８を形成することができる。通路開口８は、たとえば、縦横８０ｃｍ×４０ｃｍのサイズであり、ガス流５の通路のみならず、中間スペース２ｃと下階６の間でダクトおよびケーブルを通すのにも使用される。
【００３５】
図１の実施形態を再度参照すると、疑似床板２が、電気的接続２ｅによってアース２ｄに接続されていることがわかる。この場合、疑似床板２は導電性金属製であり、真空発生手段４からクリーンルーム１への電磁波伝播を阻止する等電位バリアを形成する。
【００３６】
この場合も、有利には、疑似床板２は、電気絶縁材または半電気絶縁材製の表面層で覆われた上面２ａを備えることができる。たとえば、クリーンルーム１の周囲空気中にある粒子の帯電を回避する高分子層を使用することができる。
【００３７】
前記中間スペース２ｃに配置された真空発生手段４は、直列に連結されかつ吸込ダクト４ａによって少なくとも１つのプロセスチャンバ１ａに連結された１つまたは複数の真空ポンプ４ｃ（図２）を備えることができ、ポンプ輸送されたガスを放出ダクト４ｂを介して周囲空気中に放出する。真空発生手段４は、中間スペース２ｃおよび／または下階６内に配置された、放出ガス４ｄの分析手段および／または処理手段を備えることもできる。
【００３８】
本発明は、明示的に述べてきた実施形態に限られるものではなく、当業者の能力の範囲内にある様々な変形および一般化も含むものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態による半導体コンポーネント製造プラントの概略斜視図である。
【図２】疑似床下に真空発生手段を保持する手段の一実施形態を示す概略斜視図である。
【符号の説明】
１  上階、クリーンルーム
１ａ  プロセスチャンバ
２  疑似床、疑似床板
２ａ、３ａ  上面
２ｂ、３ｂ  下面
２ｃ  中間スペース
２ｄ  アース
２ｅ  電気的接続
３  支持スラブ
４  真空発生手段
４ａ  吸込ダクト
４ｂ  放出ダクト
４ｃ  真空ポンプ
４ｄ  放出ガス
５  ガス流
６  下階
７  貫通通路
８  通路開口
９  吸込手段
１３、１４  Ｕ字断面体
１７、１８、１９、２０  連結脚
１７ａ  スクリュージャッキ
１７ｂ  垂直シャフト
１７ｃ  プレート
１００  プラットホーム
【図１】
0004118732.tif 000002
【図２】
0004118732.tif 000003