(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
１個あるいは複数の半導体レーザチップを、受光素子と反射面を含むシリコン基板に搭載するレーザモジュールと、対物レンズと、偏光回折格子を有する光ヘッドにおいて、前記反射面はシリコン基板の傾斜面に形成され、かつ、前記半導体レーザチップのレーザ出射面と対向するとともに、前記傾斜面は段差を有しており、一方の段の傾斜面が前記チップのレーザ出射面あるいは出射面の下端と接触し、かつ、他方の段の傾斜面で前記半導体レーザチップのレーザ光が反射し、該反射光が対物レンズを通して光ディスク内に光スポットとして集光し、光ディスクからの反射光を偏光回折格子により、レーザモジュール内の受光素子に導くことを特徴とする光ヘッド。
【請求項２】
請求の範囲第１項記載の光ヘッドと、光ディスク判別手段と光源選択手段を有し、前記判別手段の判定結果によって光源選択手段により光源を選択して発光させることを特徴とする光学的情報記録再生装置。
【請求項３】
１個あるいは複数の半導体レーザチップを、受光素子を含むシリコン基板に搭載するレーザモジュールにおいて、前記シリコン基板は、前記半導体レーザチップの長手方向の側面と対向する傾斜面を有し、前記傾斜面に段差を有し、前記段差を有した傾斜面と傾斜面の間の斜面を前記傾斜面より緩やかな傾斜面とし、この緩やかな傾斜面を経由して、前記半導体レーザチップのシリコン基板搭載側の下部電極を、前記シリコン基板の上部に配線する配線を設けたことを特徴とするレーザモジュール。
【請求項４】
請求の範囲第３項記載のレーザモジュールと、対物レンズと、偏光回析格子を有し、前記レーザモジュールからの光を対物レンズにより光ディスク内に光スポットとして集光し、光ディスクからの反射光を偏光回析格子により、レーザモジュール内の受光素子に導くことを特徴とする光ヘッド。
【請求項５】
請求の範囲第４項記載の光ヘッドと、光ディスク判別手段と光源選択手段を有し、前記判別手段の判定結果によって光源選択手段により光源を選択して発光させることを特徴とする光学的情報記録再生装置。
【請求項６】
半導体レーザチップを、受光素子と反射面を含むシリコン基板に搭載するレーザモジュールにおいて、前記反射面はシリコン基板の傾斜面に形成され、前記傾斜面は２段構成として、片方の傾斜面を前記半導体レーザチップのレーザ光を反射させる反射面とし、他方の傾斜面を前記半導体レーザチップと接触させたことを特徴とするレーザモジュール。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、レーザ光を用いて光ディスクや光磁気ディスク等の光記録媒体に記録される情報の記録や読み出しを行う為の光情報処理用のレーザモジュールに関し、特にＤＶＤとＣＤの組み合わせ等、複数の波長を取り扱うレーザモジュール及びそれを用いた光ヘッド及び光学的情報記録再生装置に関する。
背景技術
７８０ｎｍの波長のレーザ光を用いるＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ  Ｄｉｓｃ）ドライブは、ポータブルＣＤプレーヤの携帯性の向上、ＣＤ−ＲＯＭのパソコン内蔵等、装置の小型化薄型化への要求とともに、その基幹部品である光ヘッドについては、部品点数の削減と光学調整の簡素化を行う必要があった。そこで、例えば、特開平１−１５０２４４に示すような、レーザ光の反射面（以降マイクロミラーと称す）と受光素子を組み込んだシリコン基板に半導体レーザを搭載してレーザモジュール化として部品点数の削減と光学調整の簡素化に対応していた。
一方、近年、ＣＤの７倍の記録密度を持ち６５０ｎｍの波長のレーザ光を用いたＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ）が、従来のＣＤも使用できる２波長対応ドライブの形で、急速に普及し始めている。このドライブに用いる光ヘッドは、ＤＶＤ用のレーザモジュール、コリメートレンズ、対物レンズとともに、ＣＤ用のレーザモジュール、コリメートレンズ、対物レンズを含む為に、光ヘッド自体は大型化している。
更に、近年には、光ディスクに記録可能なＤＶＤ−ＲＡＭ（ＤＶＤ  Ｒｅｗｒｉｔａｂｌｅ  Ｄｉｓｃ）が市場に登場し、従来の再生専用のＣＤやＤＶＤに対して、約１０倍のパワーを持つ半導体レーザを用いている。この為、半導体レーザ自体の過熱を防ぐ放熱特性を得ることが、半導体レーザの寿命を保つ重要な課題となり、現在は半導体レーザチップと受光素子を独立した部品として構成し、半導体レーザチップ直下のサブマウントを、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）（熱伝導率１５０Ｗ／ｍ℃）やＳｉＣ（炭化珪素）（熱伝導率２６０Ｗ／ｍ℃）等、熱伝導放熱性に優れた材料を用いている。このような部品点数の増加は、光ヘッドを更に大型化させるとともに、光学調整の箇所を増やし、大幅な製造原価の上昇をまねいている。
このように、光ディスクドライブにおける、ＣＤ／ＤＶＤ双方への対応、ＤＶＤ−ＲＡＭによる記録機能の追加といった多機能化は、装置の小型化薄型化の要求と相反する状況になっている。更に、４００ｎｍ波長のブルーレーザの開発も活発化しており、近い将来、実用化も期待されている。従って、今後、ＣＤ、ＤＶＤと互換を持つとともに、ブルーレーザにも対応できる３波長対応の光ディスクドライブへの要求も考える必要がある。しかし、こうした多機能化はますます光ヘッドの部品点数を増やし、装置の小型化薄型化を難しくするばかりでなく、光学調整が複雑となって大幅なコストアップをまねくという問題がある。
従って、今後、装置の多機能化と小型化薄型化を両立していくには、例えば、特開平１０−２１５７７に示すような、受光素子と一段掘り下げた凹部部分（以降シンク部と称す）を有するシリコン基板に、２個の半導体レーザチップを貼り付け、マイクロミラーを設置したレーザモジュールを用いる必要がある。すなわち、ＣＤとＤＶＤの場合、それぞれに対応するレーザ光源と受光素子を持つレーザモジュール、光源切り替え手段、両方の波長に対応する対物レンズと偏向回折格子を用いて、ＣＤあるいはＤＶＤディスクに対応するレーザ光を選択し、レーザ光源からディスクに至る光路を、単波長のレーザモジュールの場合と同様にすることが考えられる。しかし、複数のレーザチップを、マイクロミラーと受光素子及びアンプを有するシリコン基板に集積するには、次のような問題があった。
第９図に単波長のレーザモジュールの構成図を示す。また、光ヘッドの構成図を第１０図に示す。
半導体レーザチップ１から出射されたレーザ光は、マイクロミラー５で反射し、対物レンズ６を通して光ディスク７に集光する。この時、光ディスク７での光量を確保する為、レーザチップ１と対物レンズ６の光軸を合わせる必要があるが、半導体レーザチップ１が、０．３×０．７×０．１ｍｍ程度と微小な為、チップ自体の位置制御が難しく、貼付時に微小な位置ずれを生じるという製造技術からチップ貼付時のマイクロミラー面に対するレーザ光の左右の角度精度を±２°とするのが精一杯であった。そして、この角度誤差は、レーザモジュール９を光ヘッドに組み込む際に、偏光回析格子８、対物レンズ６、光ディスク７と位置合せ調整を行って解消していた。ところが、２つのレーザチップを並べて取り付けた際の角度精度は、各々のチップが±２°を有することから、全体としての角度精度は±４°となってしまい、レーザと光ディスク間の光路精度を得られなくなる。
一方、ＣＤ及びＤＶＤの受光素子に対応するアンプを従来の単波長と同等のシリコン基板面積に形成するには、より微細化の進んだＬＳＩのデザインルールを用いる必要があるが、このプロセス技術の進展は、マイクロミラーの形成に以下に示す課題を生じさせている。すなわち、マイクロミラーは、水酸化カリウム水溶液によるウェットエッチングにて、シリコン基板（１００）面に対する（１１１）面のエッチング速度がほぼ２桁遅いという現象に基づいて形成している。この時、（１１１）傾斜面がなす角度は５４．７°であるが、シリコン基板の（０１１）方向を軸として（１００）面から角度θだけずらした結晶面（以後、角度θをオフアングルθと呼ぶ。）をエッチングすることで、傾斜面を（５４．７−θ）°と変化させ、所望の角度を得ている。即ち、レーザ光をモジュールに対して垂直に立ち上げるには、オフアングルθを９．７°とする。しかし、ＬＳＩの微細加工の進展は、極めてデリケートなプロセス制御を必要とし、このように大きなオフアングルを確保することは困難となっている。このため、対物レンズの光軸に沿ってレーザ光を出射するには、マイクロミラーの角度とともに、モジュールを搭載するパッケージ構造も考慮する必要に迫られている。
更に、ＤＶＤ−ＲＡＭ用レーザでは、記録の為、２００ｍＡ程度の大きな電流を必要とする。これに対して、従来のレーザモジュールでは、レーザチップの下部電極は、マイクロミラーをなす傾斜面と直角方向の傾斜面を経由してシリコン基板上部に配線されていたが、この傾斜面は、垂直に近い角度を有しており、傾斜面での配線膜厚が薄くなるとともに配線部の粒界も増加し、大電流を流した場合、粒界破壊を起こして断線に至るマイグレーションの恐れがでてきた。
また、ＤＶＤ−ＲＡＭ用レーザにおける発熱による短寿命化を防止する為、シリコン基板のシンク部にレーザを搭載する際に、放熱性に対する何等かの工夫をする必要に迫られている。
発明の開示
本発明においては、半導体レーザチップと、受光素子とシンク部を含むシリコン基板を有するレーザモジュールにおいて、シンク部の傾斜面に段差を設け、マイクロミラーと半導体レーザチップとの位置決め用の突き当て基準としたことを特徴とするレーザモジュールを用いる。本モジュールは、波長の異なる複数のレーザチップを有した場合にも適用可能で、マイクロミラー間に高精度の出射角度を実現し、このレーザモジュールから出射したレーザ光を、対物レンズを通じて光ディスクに集光し、その反射光を偏向回折格子を通して前記モジュール内の受光素子に導く事により、１レーザモジュールと同等の部品点数で光ヘッドの小型化を実現する。
また、（０１１）方向を軸として（１００）面にオフアングルθを設けたシリコン基板への対応としては、レーザチップとシリコン基板の取り付け面とマイクロミラー面のなす角度αは、１８０°−（５４．７−θ）＝（１２５．３＋θ）°であることから、このマイクロミラー面で反射された光は、垂直方向から、２×｛（１８０−α）°−４５°｝＝（１９．４−２θ）°オフセットされる。従って、対物レンズを通じて光ディスクに集光し、その反射光を偏向回折格子を通してモジュール内の受光素子に導く為には、このオフセット分の角度合わせを、レーザモジュールパッケージの光ヘッド取付部、あるいは、前記パッケージ内のシリコン基板取付部で行ったことを特徴とする。
そして、ＤＶＤ−ＲＡＭあるいはＣＤ−Ｒ（ＣＤ  Ｒｅｃｏｒｄａｂｌｅ  Ｄｉｓｃ）といった大きな電流を必要とするレーザモジュールにおいては、マイグレーションの発生を防止する為、シンク部側壁をなす傾斜面に段差を設け、レーザチップの下部電極のシンクの底からシリコン基板上部への配線において、レーザチップの長手方向と角度をなす傾斜面を設けて緩斜面化し、その緩斜面を経由させたことを特徴とする。
更に、ＲＡＭの放熱に対しては、レーザチップとシリコン基板の接着に熱伝導率に優れたＡｕＳｎを用いるとともに、シリコン基板の下部に位置するパッケージ材料として、従来のＫｏｖａｒ（コバール）、Ａｌ２Ｏ３（アルミナ）（熱伝導率１７Ｗ／ｍ℃）に変えて、熱伝導率に優れたＦｅ（熱伝導率７５Ｗ／ｍ℃）、あるいはＳｉＮ（熱伝導率１５０Ｗ／ｍ℃）等を用い、あるいは、ヒートシンク材料としてＣｕＷ（熱伝導率２１０Ｗ／ｍ℃）等、熱伝導率に優れた材料を用いることを特徴とする。
発明を実施するための最良の形態
以下、本発明の実施の形態を図面を用いて説明する。
本発明の第１の実施例を、第１図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示す。従来例との相違は、シリコン基板の傾斜部を２段にし、奥まった傾斜面をマイクロミラー１０とし、前方の傾斜面をレーザチップの位置決め基準面１１とした点にある。２つの傾斜面間の間隔は、マイクロミラーのＮＡ設計より求め、ここでは６０μｍとした。この寸法はマスク精度で決まる為、サブミクロンの精度を実現する。また、マイクロミラー１０の幅は、レーザ光のビーム拡がり角と、マイクロミラーコーナー近傍でのミラー面の歪みの影響を受けない範囲に設定する必要があり、ここでは１００μｍと設定した。本構造のシンクでは、第１図（Ｃ）のｄ−ｄ‘断面図に示すように、位置決め基準面１１にレーザチップ出射面１２の下端を突き当てることで、角度精度±１°を実現する。しかも、この方法は画像処理等の複雑な測定系や、位置調整の為の複雑なメカ部を必要とせずに、位置決め基準面にチップを押し当てるだけで位置決めができる為、短時間で生産することができる。なお、第１図（Ｃ）のｅ−ｅ’断面図に示すように、レーザ光はマイクロミラー面１０で反射されてモジュール外へ照射される。
２つのレーザチップを実装した実施例を第２図に示す。第２図は、２個のレーザチップを受光素子を含むシリコン基板のシンクテーブル（凹部部分）に貼り付けたところを、上から見た平面図である。２個のレーザチップは、それぞれＣＤ用７８０ｎｍ波長レーザチップ１３ａとＤＶＤ−ＲＡＭ用６５０ｎｍ波長レーザチップ１３ｂであり、シンクテーブル１４に約５０μｍの間隔をおいて並列に貼り付けている。マイクロミラー１０とチップ位置決め基準面１１の間隔は６０μｍあり、エッチング加工の為、両者間の間隔はサブミクロン精度で保たれる。この為、２個のレーザチップ１３ａ、１３ｂを位置決め基準面１１に突き当てることで、各々角度精度±１°を実現し、モジュール全体としても±１．４°を実現する。
第２図の実施例のレーザモジュール１５を光ヘッドに搭載した構成図を第３図を示す。本実施例においては、６５０ｎｍ波長のＤＶＤ用レーザチップ１３ｂの出射光を用いて、コリメータ１６、偏光回析格子８、対物レンズ６、光ディスク７間の位置調整を行う。この時、７８０ｎｍ波長のＣＤ用レーザチップ１３ｂの出射光もＤＶＤと同じ光路を経ることと、コリメータ１６、偏光回析格子８、対物レンズ６を、ＣＤ／ＤＶＤ共通部品として設計することで、従来の単波長のドライブと同等の大きさで２波長に対応する装置を実現する。ＣＤ自体の光路の位置合せを行わないことによる若干の光量低下は、ＣＤ用７８０ｎｍ波長のレーザチップ１３ａのパワーを増加することで埋め合わせをする。
本実施例との比較の為、ＤＶＤ−ＲＡＭとＣＤの２波長に対応する従来の光ヘッドの構成図を第４図に示す。ＲＡＭ用６６０ｎｍレーザダイオード１８の出射光は、コリメータ１９、分離プリズム２０、偏光回析格子８、対物レンズ６を通して、光ディスク７に集光し、ディスクで反射した光は、再び、対物レンズ６、偏光回析格子８を通して、分離プリズム２０で反射し、コリメータ２１を通してＤＶＤ用受光素子２２に入る。−方、ＣＤは、レーザと受光素子とホログラムが一体となったＣＤホログラムユニット２３を用い、コリメータ２４を通過後、ＤＶＤと同じ光路をたどり、ＣＤホログラムユニット２３中の受光素子に入る構成となっている。この従来例の部品点数は１２点あり、第３図に示す本実施例の２倍であるとともに、相互の光学調整も極めて複雑であり、光路調整に多くの時間を費やしていた。本実施例では、部品点数の削減とともに、調整箇所の簡素化にて、大幅なコスト低減を実現する。
そして、上記光ヘッドを光ドライブ装置に搭載し、ＣＤあるいはＤＶＤディスクへの切り替えに応じて、自動的に７８０ｎｍあるいは６５０ｎｍ波長の光源を選択する回路を用いることで、従来の単波長のドライブと同等の大きさで２波長対応を行う装置を実現する。
次に、レーザモジュールの半導体レーザチップ長手方向の側面と対向する傾斜面に段差を有する実施例を第５図に示す。本図はレーザチップを取り付ける前の状態であり、レーザチップの下に位置する下部電極２６が見える状態を示している。基盤面のエッチング速度差により、半導体レーザチップ長手方向の側面と対向する傾斜面ａ、ａ、ｂは垂直に近い角度を持つが、ｃ，ｄはａ，ｂより緩斜面となり、ｄの傾斜面がもっとも穏やかであることから、下部電極２５をｄ部を経由してシリコン基板上部に配線し（２６）、電極の膜厚を均一化することで、ＤＶＤ−ＲＡＭ用レーザのような大電流を必要とする場合でもマイグレーションを防止するとともに、シンク部（凹部）を深く設計した際の断線防止としても役立つ。
更に、シンク部のマイクロミラー側と、半導体レーザチップ長手方向の側面と対向する傾斜面の両方に段差を設け、レーザチップ１３ａ，１３ｂに近接する傾斜面をチップ位置決め基準とした実施例を第６図に示す。チップ位置決め基準面２７，１１は、受光素子２とそれぞれＸ、Ｙ方向の精度合わせを行う。エッチングマスクによる位置合わせとともに、エッチング条件をよく管理することで、受光素子２に対する位置精度、Ｘ方向±５μｍ、Ｙ方向±２μｍを実現する。これらを基準面として、レーザチップをＸ、Ｙ方向に突き当てて、受光素子２との位置関係を満足させる。この時、チップ位置決め基準２７に続く位置に角度を設け、傾斜角を緩和して、配線２９を下部電極から斜面２８を経由してシリコン基板の上部に配線２６し、マイグレーションや断線を防止することもできる。従って、本シンク構造を用いれば、寸法測定や画像処理を行うことなく、シンクの傾斜面にチップを押し当てることでレーザ光の必要精度を満足することができ、チップ自体の調整作業をなくして作業性を更に改善し、コスト低減に寄与する。なお、半導体レーザチップ長手方向の側面と対向する傾斜面の段差の位置は、第５図、第６図に示したものに限定されるものではなく、上記効果を奏する範囲で任意の位置に設けることは言うまでもない。また、マイクロミラー側の段差の形状も、第６図に示したものに限定されるものではなく、上記効果を奏する範囲で任意の構造が可能であり、例えば、レーザ１３ａ、１３ｂとの間の中央部の段差をなくした構造とし、片側の段差１１とレーザとの接触部分を十分に大きくすることでレーザを突き当てて位置決めを行うことも可能であり、又、基準２７と片側の段差１１とにレーザチップをＸ、Ｙ方向に突き当てることで位置決めを行うことも可能である。
更に、ＤＶＤ−ＲＡＭのようなレーザチップの放熱に考慮しなければならないレーザモジュールの実施例を第７図に示す。シリコン基板４と接触する部分のパッケージ材料としては、熱伝導率に優れ、かつ、耐環境性に優れるＡｌＮを用いる。また、レーザチップ１３ａ，１３ｂとシンクテーブル１４の接着材２９は、ＡｕＳｎハンダ（熱伝導率５７Ｗ／ｍ℃）が好ましく、あるいは、他の材料を用いる場合でもレーザーチップ自体の熱伝導率は５０Ｗ／ｍ℃以上にする必要がある。また、下部電極２５にＴｉＰｔＡｕを用いる。
下部電極２５にＡｕを含む材料とすることで、接着時に下部電極２５のＡｕがＡｕＳｎハンダに溶け込み、ＡｕＳｎハンダの融点を上昇させる。従って、レーザチップ１２ａを接着後、他方のレーザチップ１２ｂを同じＡｕＳｎ、ハンダで行う際に、レーザチップ１２ａのハンダの再溶融の心配がない。このようにＡｕを含む接着材と電極材料とすることで、放熱性とともに複数のレーザチップの接着を作業性の両立を実現する。そして、パッケージ３０からの放熱は、光ヘッドの構造体をアルミダイキャストとして、パッケージの底部とアルミダイキャスト間をＳＵＳ３０４（ステンレス）の金属板（あるいはリン青銅あるいはＦｅＮｉＣｏあるいはＡｌｌｏｙ４２：）で接触させて、熱の滞留を防止する。
また、第７図において、マイクロミラーの角度αは、前述したように、ＬＳＩプロセスの微細加工におけるオフアングルθに基づいて（１２５．３＋θ）°となっている為、レーザ光を垂直に反射する１３５°から（１９．４−２θ）°オフセットされている。この為、パッケージ３０におけるシリコン基板４への取り付け面３１と、パッケージ３０の光ヘッド装着面３２間に、角度β＝（１９．４−２θ）°を持たせて、このオフセットを補正する。
この時、α−（１２５．３＋θ）°、β＝（１９．４−２θ）°であることから、αとβの関係は、２α＋β−２７０°となる。また、パッケージ３０の光ヘッド装着面３２に角度を持たせ、パッケージ３０とシリコン基板４の取り付け面３１となす角度βを、２α＋β＝２７０°とすることも可能である。
また、本発明のシンク部に、２個のレーザチップを近接して搭載する製造方法を第８図（Ａ）、（Ｂ）に示す。第８図（Ａ）は、２個のレーザチップの一方１３ａを受光素子基板に貼り付けるところを上から見た平面図である。まず、真空吸着で移載を行うエアピット３３ａを用い、レーザチップ１３ａをシンクテーブル１４に運ぶ。次に位置決め治具３４を用いて、レーザチップ１３ａを傾斜面ｆに押しつける。次に治具３４を戻し、エアピット３３ａでレーザチップ１３ａを押し付けた状態で加熱し、接着材を溶かした後にチップに数μｍの範囲で往復振動を与えて脱泡を行った後、治具３４で再び位置決めし冷却して、レーザチップ１３ａをシリコンテーブル１４に固着させる。
レーザチップ１３ｂの位置決めも同様に行うが、２つのチップ間の間隔が５０μｍしかない為、２つのチップ長に大小を設けて、位置決め治具の作業性を確保する。また、レーザチップ１３ｂの接着時にレーザチップ１３ａが動かないよう、２つのレーザチップの接着材の融点を変えて対応する。ＡｕＳｎ系の接着材を用いる場合は、下部電極にＴｉＰｔＡｕを使い、スクラブ時に電極材のＡｕをＡｕＳｎに溶かし込み、元のＡｕＳｎより高融点化させて対応するが、ＰｂＳｎ系の接着材を用いる場合は、接着前後で融点の急激な変化は見られないことから、２個のレーザチップの接着材の融点を変え、最初に固着する接着材に高融点とする。なお、第８図（Ａ）、（Ｂ）に示すように、例えば、レーザ挿入方向に対し、その側壁部を扇状に広げた形状とすることで、レーザ挿入作業の効率を上げることが出来る。
産業上の利用可能性
本発明によれば、レーザチップを搭載するレーザモジュールの高精度で安価な供給を可能とし、光ヘッド装置の小型化とコストダウンに寄与できる。
【図面の簡単な説明】
第１図（Ａ）は、本発明の一実施例を示すレーザモジュールの斜視図である。
第１図（Ｂ）は、本発明の一実施例を示すレーザモジュールのシンク部拡大図である。
第１図（Ｃ）は、本発明の一実施例を示すレーザモジュールの断面図である。
第２図は、本発明の２レーザモジュールの一実施例を示す平面図である。
第３図は、本発明の２レーザモジュールを搭載した光ヘッド装置の概略構成図である。
第４図は、従来の２レーザ搭載光ヘッド装置の概略構成図である。
第５図は、本発明のレーザモジュールのシリコン基板の一実施例を示す平面図である。
第６図は、本発明の２レーザモジュールの−実施例を示す平面図である。
第７図は、本発明の２レーザモジュールのパッケージを含む一実施例を示す平面図と断面図である。
第８図（Ａ）は、２レーザモジュールの最初のチップの貼付方法を示す平面図である。
第８図（Ｂ）は、２レーザモジュールの後のチップの貼付方法を示す平面図である。
第９図は、従来のレーザモジュールの斜視図である。
第１０図は、従来の光ヘッドの概略を示す構成図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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