(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜樹脂板の上面に、高周波回路配線を含む第１の配線層が形成されると共に、高周波回路及び高周波回路部品が配設された回路基板と、
前記回路基板の上面に形成されており、前記第１の配線層、高周波回路及び高周波回路部品を封止する樹脂パッケージとを有し、
前記回路基板の下面にグランド膜を形成すると共に、前記高周波回路部品が搭載される位置に前記グランド膜が内部に介在する開口部を形成し、該開口部内のグランド膜上に前記高周波回路部品が搭載された構成とし、
かつ、前記回路基板の前記高周波回路部品が搭載される位置に複数の開口部を形成することにより、前記グランド膜を蛇腹形状としたことを特徴とする高周波モジュール。
【請求項２】
請求項１に記載の高周波モジュールにおいて、
前記回路基板の下面に第２の配線層を形成すると共に前記回路基板にバイアホールを形成し、
前記第１の配線層と前記第２の配線層を前記バイアホールを介して電気的に接続する構成としたことを特徴とする高周波モジュール。
【請求項３】
請求項１または２に記載の高周波モジュールにおいて、
前記樹脂パッケージの上面に導電性材料を塗布した構成としたことを特徴とする高周波モジュール。
【請求項４】
請求項２または３に記載の高周波モジュールにおいて、
前記バイアホールの前記下面における直径寸法に対して前記上面における直径寸法が小さくなるよう構成したことを特徴とする高周波モジュール。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の高周波モジュールにおいて、
前記回路基板に対して前記高周波回路部品をフリップチップボンディングしたことを特徴とする高周波モジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は高周波モジュールに係り、特に薄型化に適した高周波モジュールに関する。
例えば、携帯用移動端末等の電子機器は、小型薄型化及び軽量化が急速に進んでいる。この携帯用移動端末は、その内部にパワーアンプに代表されるような高周波モジュールや高周波回路基板が搭載されている。
【０００２】
よって、携帯用移動端末等の小型薄型化及び軽量化を図るためには、高周波モジュールにおいても、小型薄型化及び軽量化を図る必要がある。
【０００３】
【従来の技術】
図１は、従来の高周波モジュールの一例を示している。図１（Ａ）は高周波モジュール１の概略構成を示す平面図であり、図１（Ｂ）は高周波モジュール１の概略構成を示す断面図である。
この高周波モジュール１は、大略すると高周波回路基板２，高周波アクティブチップ３，チップ部品４等により構成されている。高周波回路基板２は、セラミック，ガラス・セラミック，或いはガラス・エポキシ等よりなる基材１５を有している。そして、この基材１５の上面には高周波回路配線６，７、直流回路配線８，９（ＤＣ回路配線という）、及びパッド部１２〜１４が所定のパターンで形成され、また下面にはグランド膜１８及びランド部１９が形成されている。
【０００４】
上記構成とされた高周波回路基板２の所定位置には基材１５に開口部１６が形成されており、高周波アクティブチップ３はこの開口部１６の内部に搭載されている。また、高周波アクティブチップ３と各配線６〜９は、ワイヤ１７により電気的に接続されている。
また、高周波回路基板２には複数のチップ部品４が搭載されており、各チップ部品４は各配線６〜９と導電性材料を用いて接合（例えば、はんだ接合，金錫接合，銀ペースト接合等）されている。更に、パッド部１２〜１４は、基材１５を貫通するよう形成されたバイアホール（図に現れず）により、基材下面に形成されたグランド膜１８と電気的に接続された構成とされている。
【０００５】
一方、各配線６〜９の所定端部には、高周波入力端子ＲＦIn，高周波出力端子ＲＦout,及びバイアス端子１０，１１が形成されている。この各端子ＲＦIn，ＲＦout,１０，１１は、基材１５を貫通するよう形成されたバイアホール２０により外部接続端子として機能するランド部１９に電気的に接続されている。このランド部１９は、高周波モジュール１を実装する際に実装基板に電気的に接続されるものである。また、高周波回路基板２の上面は、金属キャップ（図示せず）等により封止されている。
【０００６】
尚、高周波モジュールではないが、高周波対応の半導体チップ単体を実装した半導体チップ収納パッケージとしては、例えば特開平１１−１７０６３号公報に開示されているものがある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかるに従来では、高周波モジュール１に設けられる高周波回路基板２の基材１５としてセラミックを用いた場合には、セラミックは樹脂材料に比べて高コストであるため、高周波モジュール装置１のコスト上昇を招いてしまうという問題点があった。
【０００８】
また、高周波回路基板２の基材１５としてセラミック，ガラス・セラミック，或いはガラス・エポキシ等を用いた場合には、基材１５の厚さを１００μｍ以下とすることが困難で、薄型化を図ることができないという問題点がある。
更に、基材１５としてセラミック或いはガラス・セラミックを用いた場合には、グリーシートの焼成時に発生する収縮を考慮すると、バイアホール２０の直径寸法を任意に設定することが困難である。また、基材１５としてガラス・エポキシを用いた場合には、バイアホール２０を形成するための貫通孔は機械加工により形成されるため、バイアホール２０の直径寸法を小さくするには限界があり、やはりバイアホール２０の直径寸法を任意に設定することが困難である。
【０００９】
ところで、高周波モジュール１は高周波信号を処理するため、バイアホール２０は電気回路的に図２に示す、Ｌ（インダクタンス），Ｃ（静電容量），Ｒ（抵抗）よりなる等価回路を形成する。
この等価回路は、高周波信号を処理する高周波モジュール１にあっては、その特性を劣化させる原因となる。特に、バイアホール２０の直径が小さい場合、及び基材１５の厚さが大きい場合にこの等価回路のインピーダンスは大きくなる。
【００１０】
この等価回路のインピーダンスは、なるべく小さくすることが望ましい。しかるに、上記のように従来の高周波モジュール１は、基材１５の厚さ及びバイアホール２０の直径寸法を任意に設定することが困難であったためインピーダンスの低減を図ることができず、バイアホール２０に起因した特性劣化を避けることができなかった。
【００１１】
また、この特性劣化を避けるために、高周波モジュール１の設計時においてバイアホール２０の特性を含み回路設計する等の方法もあるが、上記のように等価回路の特性はバイアホール２０の直径及び基材１５の厚さにより変化するため、バイアホール２０に起因した損失を確実に除去することは困難であつた。特に、この影響は周波数が高くなる程大きくなり、高周波数における上記の回路設計は非常に困難であった。
【００１２】
また、高周波モジュール１においては、同一の信号ライン幅での広帯域化が望まれている。この同一の信号ライン幅での広帯域化を図るためには、高周波回路基板２を構成する基材１５の厚さを薄くし、かつ比誘電率を小さくする必要がある。
しかるに、従来用いられていた基材材料（セラミック，ガラス・セラミック，ガラス・エポキシ等）では、基材１５の厚さ及び比誘電率が大きいため、同一の信号ライン幅における広帯域化が困難であった。このため、比誘電率が高いセラミックを用いたミリ波領域での回路設計では、５０Ω信号ライン幅が非常に狭くなり、その形成が困難であった。
【００１３】
更に、実装部品（高周波アクティブチップ３）の発熱に対する対策としては、図１に示すようにサーマルビア２１をつけることが考えられる。また、高周波アクティブチップ３の発熱量が大きく、よって高周波回路基板２の熱抵抗を下げる必要がある場合には、このサーマルビア２１の数を増やすことにより対処することは可能である。
【００１４】
しかるに、高周波回路基板２の強度の観点からは、サーマルビア２１の数を増やすことは望ましくない。即ち、放熱特性を向上させようとした場合には基板強度が低下し、基板強度を向上させようとした場合には放熱特性が低下するという問題点があった。
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、良好な高周波特性及び熱特性を実現できると共に低コスト化をも図りうる高周波モジュールを提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴とするものである。
請求項１記載の発明に係る高周波モジュールは、
薄膜樹脂板の上面に、高周波回路配線を含む第１の配線層が形成されると共に、高周波回路及び高周波回路部品が配設された回路基板と、
前記回路基板の上面に形成されており、前記第１の配線層，高周波回路及び高周波回路部品を封止する樹脂パッケージとを有し、
前記回路基板の下面にグランド膜を形成すると共に、前記高周波回路部品が搭載される位置に前記グランド膜が内部に介在する開口部を形成し、該開口部内のグランド膜上に前記高周波回路部品が搭載された構成とし、
かつ、前記回路基板の前記高周波回路部品が搭載される位置に複数の開口部を形成することにより、前記グランド膜を蛇腹形状としたことを特徴とするものである。
また、請求項２に記載の発明は、
請求項１に記載の高周波モジュールにおいて、
前記回路基板の下面に第２の配線層を形成すると共に前記回路基板にバイアホールを形成し、
前記第１の配線層と前記第２の配線層を前記バイアホールを介して電気的に接続する構成としたことを特徴とするものである。
また、請求項３に記載の発明は、
請求項１または２に記載の高周波モジュールにおいて、
前記樹脂パッケージの上面に導電性材料を塗布した構成としたことを特徴とするものである。
また、請求項４に記載の発明は、
請求項２または３に記載の高周波モジュールにおいて、
前記バイアホールの前記下面における直径寸法に対して前記上面における直径寸法が小さくなるよう構成したことを特徴とするものである。
また、請求項５に記載の発明は、
請求項１乃至４のいずれかに記載の高周波モジュールにおいて、
前記回路基板に対して前記高周波回路部品をフリップチップボンディングしたことを特徴とするものである。
【００２０】
上記の各手段は、次のように作用する。
【００２１】
請求項１に記載の発明によれば、回路基板の高周波回路部品が搭載される位置に複数の開口部を形成し、グランド膜を蛇腹形状としたことにより、高周波回路部品に対する放熱特性を良好な状態に維持しつつ、高周波回路部品を保持する機械的強度の向上を図ることができる。尚、回路基板として薄膜樹脂板を用いることにより、従来のセラミックを基材とする回路基板に比べ、低コスト化，小型化，薄型化，及び軽量化を図ることが可能となり、更に広帯域の高周波特性を得ることができる。以下、これについて、図３乃至図６を用いて説明する。
【００２２】
図３は、回路基板の基材として比誘電率が３．１のものを用いると共に２ＧＨｚの高周波信号を用いた場合の、５０Ωライン幅と基材厚さとの関係を示している。また、図４は、回路基板の基材の厚さを５０μｍとすると共に２ＧＨｚの信号高周波数を用いた場合における、５０Ωライン幅と基材の比誘電率との関係を示している。
【００２３】
図３より、比誘電率が３．１と小さい基材であっても、この基材の厚さを小さくすると５０Ωライン幅を狭くすることができることが分かる。例えば、従来用いられていた１００μｍの基板厚では、５０Ωラインのライン幅は約２００μｍとなり、高周波回路基板上における５０Ωラインの占める面積が大きくなり、高周波モジュールの小型化を図ることができなくなってしまう。
【００２４】
これに対し、薄膜樹脂板を用いた場合には、その厚さを２５μｍ〜７５μｍまで薄くすることができ、よって５０Ωラインのライン幅を約５０μｍ〜１５０μｍと狭くすることができ、高周波回路基板上における５０Ωラインの占める面積を小さくできる。このように、基材として薄膜樹脂板を用いることにより、高周波モジュールの小型薄型化を図ることができる。
【００２５】
一方、図４から分かるように、一般に比誘電率（εｒ）を大きくした方が５０Ωライン幅を狭くすることができる。しかるに、回路基板の基材として薄膜樹脂板を用い、その基材厚を薄くした場合（図では基板厚５０μｍを示している）には、低い比誘電率であっても、５０Ωラインのライン幅を狭くすることができることが分かる。
【００２６】
具体的には、薄膜樹脂板の材料としてポリイミドを用いた場合には、その比誘電率（εｒ）は約３．１であり、この時の５０Ωライン幅は図４より約１００μｍである。このように、低比誘電率である薄膜樹脂板を用いても、その厚さを薄くすることにより５０Ωライン幅を狭くできる。
よって、従来のように基材厚が厚くなる高比誘電率を有する基材材料（例えば、セラミック，ガラス・セラミック，ガラス・エポキシ等）を使用する必要はなくなり、これによっても高周波モジュールの小型薄型化を図ることができる。
【００２７】
一方、図５は薄膜樹脂板の材料として比誘電率（εｒ）が３．１である厚さの異なるポリイミド（厚さｈ：５０μｍ，１００μｍ，２００μｍ）を用いた場合におけるインピーダンスと周波数との関係を示しており、また図６は回路基板の基材として比誘電率（εｒ）が９．６である厚さの異なるセラミック（厚さｈ：５０μｍ，１００μｍ，２００μｍ）を用いた場合におけるインピーダンスと周波数との関係を示している。
【００２８】
各図に示されるように、使用する周波数が高周波となるほど、各配線のインピーダンスは増加する特性を示す。しかるに、各図に示すように、基材の厚さが薄い程、インピーダンスの増加率は低減することが分かる。
また、図５と図６を比べると、図５に示される低比誘電率の材料（ポリイミド）を用いた方が、図６に示される高比誘電率の材料（セラミック等）を用いた場合よりも、インピーダンスの増加率が低いことが分かる。
【００２９】
よって、基材として低比誘電率の材料を用いると共に、その厚さを薄く設定することにより広帯域においてインピーダンスを略一定値に保つことができ、広帯域において高周波特性の優れた高周波回路を実現することが可能となる。
一方、回路基板の上面に第１の配線層，高周波回路及び高周波回路部品を封止する樹脂パッケージを設けたことにより、第１の配線層，高周波回路及び高周波回路部品を確実に保護することができる。この樹脂パッケージは回路基板の形状に拘わらず形成することができるため、従来用いられていた金属キャップに比べて低コストであり、また回路基板の形状変更にも容易に対応することができる。
【００３０】
また、請求項２に記載の発明によれば、
薄膜樹脂板よりなる回路基板の下面に形成された第２の配線層と、上面に形成された第１の配線層とを、回路基板に形成されたバイアホールにより電気的に接続した構成としたことにより、バイアホールに形成される電気的等価回路のインピーダンスを低減することができる。以下、これについて説明する。
【００３１】
前記したように、回路基板にバイアホールを形成した場合、図２に示すようなＬ，Ｃ，Ｒよりなる等価回路が形成される。バイアホールのインピーダンスを低減し、高周波モジュールの特性改善を図るには、図２の等価回路におけるＬとＲを低減させる必要がある。具体的には、バイアホールの直径寸法（面積）を広げ、かつ回路基板の厚さを薄くする必要がある。
【００３２】
よって、回路基板として薄膜樹脂板を用いることにより、上記のように回路基板の厚さを薄くすることができ、また薄膜樹脂板は例えばエッチング等の化学的処理を用いることでバイアホールの直径を任意に形成することができる。
これにより、バイアホールのインピーダンスを低減することが可能となり、従来の構成に比べて高周波モジュールの特性改善を図ることができる。尚、バイアホールの形状を調整することで図２に示すＬ、Ｒ、Ｃの値を変え、簡易的なフィルタ的特性を加味することも可能である。
【００３３】
また、請求項３に記載の発明によれば、
樹脂パッケージの上面に導電性材料を塗布したことにより、導電性材料はシールド材として機能する。よって、部品実装時に発生する筐体（高周波モジュールを搭載する電子機器のケース等）との接近による高周波特性の変動及び劣化を防止することができる。
【００３４】
また、請求項４に記載の発明によれば、
バイアホールの下面における直径寸法に対して上面における直径寸法が小さくなるよう構成したことにより、回路基板上面におけるバイアホールが占める面積を小さくすることができる。よって、回路基板上面における高周波回路部品等の電子部品の配設位置をコンパクト化することができるため、高周波モジュールの小型化を図ることができる。
【００３５】
また、請求項５に記載の発明によれば、
回路基板に対して高周波回路部品をフリップチップボンディングしたことにより、ワイヤボンディングにより高周波回路部品を回路基板に接続する構成に比べてワイヤ高さ分だけ高周波モジュールの低背化を図ることができる。
【００３６】
尚、フリップチップボンディングにより高周波回路部品を高周波回路基板に搭載する場合には、フリップリップのバンプ部を開口部の近傍位置に配置することで、放熱特性の向上を図ることができる。
【００３７】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について図面と共に説明する。
図７は、本発明の第１実施例である高周波モジュール３０Ａを示している。図７（Ａ）は高周波モジュール３０Ａの概略構成を示す平面図（封止樹脂３５の図示は省略している）であり、図７（Ｂ）は高周波モジュール３０Ａの概略構成を示す断面図である。この高周波モジュール３０Ａは、例えば携帯用移動端末のパワーアンプとして用いられるものであり、前述したように小型薄型化及び軽量化が望まれているものである。
【００３８】
本実施例に係る高周波モジュール３０Ａは、大略すると高周波回路基板３２Ａ，高周波アクティブチップ３３，チップ部品３４，及び封止樹脂３５（パッケージ）等により構成されている。高周波回路基板３２Ａは本発明の要部となるものであり、その基材４５Ａとしてポリイミドよりなる薄膜樹脂板を用いている。
この基材４５Ａの厚さは２５μｍ〜７５μｍの間で選定されており、本実施例では５０μｍとされている（尚、以下説明する各実施例で用いている基材４５Ｂ〜４５Ｅも、全てポリイミドよりなる薄膜樹脂板を用いており、その厚さは５０μｍとされている）。
【００３９】
先に図１を用いて説明した、従来の高周波モジュール装置１では、高周波回路基板２としてセラミック等を用いていたため、その厚さを１００μｍ以下とするのは困難であった。しかるに、基材４５Ａとして樹脂であるポリイミドを用いることにより、その厚さを上記の厚さ２５μｍ〜７５μｍに容易に設定することができる。
【００４０】
また、この基材４５Ａの上面には高周波回路配線３６，３７（マイクロストリップライン，コプレナーライン等）、直流回路配線３８，３９（ＤＣ回路配線という）、及びパッド部４２〜４４が所定のパターンで形成されている。この内、高周波回路配線３６，３７は、いわゆる５０Ωラインとされている。
この各配線３６〜３９及びパッド部４２〜４４は、例えば膜厚３５ミクロンの銅膜或いは金膜により形成されており、その内の高周波回路配線３６，３７及びＤＣ回路配線３８，３９の所定領域はマイクロストリップライン及びλ／４のバイアス回路を構成している。また、基材４５Ａの下面には、接地されたグランド膜４８が形成されている。
【００４１】
上記構成とされた高周波回路基板３２Ａには、高周波アクティブチップ３３が搭載される。基材４５Ａの高周波アクティブチップ３３が搭載される位置には、開口部４６が形成されている。また、この開口部４６の底部の開口部分は、グランド膜４８により閉塞された構成とされている。従って、高周波回路基板３２Ａの高周波アクティブチップ３３が搭載される位置には、開口部４６及びグランド膜４８により凹部が形成された構成となっている。
【００４２】
高周波アクティブチップ３３は、この開口部４６の内部に搭載され、底部に位置しているグランド膜４８に金−錫合金により接合される。このように、基材４５Ａにグランド膜４８及び開口部４６を形成し、開口部４６内のグランド膜４８上に高周波アクティブチップ３３を搭載する構成としたことにより、高周波アクティブチップ３３で発生する熱を効率よく放熱することができる。
【００４３】
即ち、グランド膜４８の外側は露出された構成であり、高周波アクティブチップ３３はこのグランド膜４８に接合された構成となっている。このため、高周波アクティブチップ３３で発生する熱はグランド膜４８を介して外界に効率よく放熱され、よって高周波アクティブチップ３３の放熱特性を向上させることができる。
【００４４】
また、高周波アクティブチップ３３と各配線３６〜３９は、ワイヤボンディング装置を用いてワイヤ４７により電気的に接続される。この際、高周波アクティブチップ３３は、開口部４６の内部に位置するため、高周波アクティブチップ３３のワイヤボンディング位置と各配線３６〜３９のワイヤボンディング位置の高さは略等しくなり、ワイヤボンディング性の向上、及びワイヤループの低背化を図ることができる。
【００４５】
また、高周波回路基板３２Ａの上面には複数のチップ部品３４が搭載されており、この各チップ部品３４は各配線３６〜３９或いはパッド部４２〜４４にはんだ付けされている。本実施例におけるチップ部品３４はチップコンデンサーであり、前記の高周波回路配線３６，３７と共に入／出力整合回路を形成する。また、本実施例では示していないが、高周波回路基板３２Ａの上面にハイブリッド回路（ブランチライン，カプラー，ラットレース，位相反転形ハイブリッド，高周波フィルタ等）を配設する構成としてもよい。
【００４６】
更に、パッド部４２〜４４は、基材４５Ａを貫通するよう形成されたバイアホール（図に現れず）により、基材４５Ａの下面に形成されたグランド膜４８と電気的に接続された構成とされている。
一方、各配線３６〜３９の所定端部には、高周波入力端子５３Ａ，高周波出力端子５４Ａ，及びバイアス端子４０Ａ，４１Ａが形成されている。この各端子５３Ａ，５４Ａ，４０Ａ，４１Ａは、それぞれ基材４５Ａの外周縁部より外側に延出するよう形成されておりリード（外部接続端子）を構成している。
【００４７】
尚、図７では各端子５３Ａ，５４Ａ，４０Ａ，４１Ａが基材４５Ａの外周縁部より単に延出する構成としているが、この延出部分を例えばガルウイング状に成形し表面実装対応型の高周波モジュールとすることも可能である。
また、高周波回路基板３２Ａの上面には、樹脂パッケージを構成する封止樹脂３５が形成されている。この封止樹脂３５は、ポッティングあるいはモールドにより形成されており、高周波回路基板３２Ａの上面に配設された高周波アクティブチップ３３，チップ部品３４，及び各配線３６〜３９等を保護する機能を奏する。尚、上記した封止樹脂３５に代えて、金属キャップを高周波回路基板３２Ａの上面に配設する構成としてもよい。
【００４８】
上記構成とされた高周波モジュール３０Ａは、高周波回路基板３２Ａの基材４５Ａとしてポリイミドよりなる薄膜樹脂板を用いている。ポリイミドはセラミックに比べて安価であるため、本実施例に係る高周波回路基板３２Ａを用いることにより、従来のセラミック等を基材１５とする高周波回路基板２（図１参照）に比べて低コスト化を図ることができる。
【００４９】
また、先に図３乃至図６を用いて説明したように、高周波回路基板３２Ａの基材４５Ａとしてポリイミドよりなる薄膜樹脂板を用いているため、基材４５Ａの厚さを２５μｍ〜７５μｍまで薄くすることができる。これにより、５０Ωラインのライン幅を約５０μｍ〜１５０μｍと狭くすることができ、高周波回路基板３２Ａ上における５０Ωラインの占める面積を小さくできる。このように、基材４５Ａとしてポリイミド製の薄膜樹脂板を用いることにより、高周波モジュール３０Ａの小型薄型化を図ることができる。
【００５０】
また、ポリイミドは、比誘電率が約３．１と低比誘電率である。しかるに、このような低比誘電率であるポリイミド製の薄膜樹脂板を用いても、その厚さを薄くすることにより５０Ωライン幅を狭くできる。よって、従来のように基材厚が厚くなる高比誘電率を有する基材材料（例えば、セラミック，ガラス・セラミック，ガラス・エポキシ等）を使用する必要はなくなり、これによっても高周波モジュール３０Ａの小型薄型化を図ることができる。
【００５１】
更に、一般に使用する周波数が高周波となるほど、各配線３６，３７のインピーダンスは増加する特性を示すが、図５及び図６を用いて先に説明したように、基材４５Ａの厚さが薄い程、インピーダンスの増加率は低減する。よって、基材４５Ａとして低比誘電率のポリイミドを用いても、その厚さを薄く設定することにより、広帯域の周波数において低インピーダンスを維持させることができ、広帯域において高周波特性の優れた高周波回路を実現することが可能となる。
【００５２】
上記したように基材４５Ａとして、ポリイミドよりなる薄膜樹脂板を用いることで、広帯域で高周波特性が優れ、低熱抵抗、低コストの高周波回路基板３２Ａを実現することができる。よって、本実施例の高周波モジュール３０Ａを携帯用移動端末に組み込むことにより、薄型の携帯用移動端末を低コストで実現することが可能となる。
【００５３】
更に、基材４５Ａはフリキシブルな基板であるため、高周波モジュール３０Ａを携帯用移動端末に搭載した際、この基材４５Ａのフリキシブル性を生かして携帯用移動端末の形状に左右されない低コストな高周波モジュール３０Ａを提供することが可能となる。
続いて、本発明の第２実施例について説明する。
【００５４】
図８は、本発明の第２実施例である高周波モジュール３０Ｂを示している。尚、以下説明する各実施例において、図７に示した構成と同一或いは対応する構成については、同一符合を付してその説明を省略する。
図７を用いて説明した第１実施例に係る高周波モジュール３０Ａは、外部接続端子となる各端子４０Ａ，４１Ａ，５３Ａ，５４Ａが、基材４５Ａの上面外周縁から外側に向け延出した構成とされていた。
【００５５】
これに対して本実施例に係る高周波モジュール３０Ｂでは、各端子４０Ｂ，４１Ｂ，５３Ｂ，５４Ｂは基材４５Ｂから外側に向け延出した構成とはされておらず、基材４５Ｂを貫通するよう形成されたバイアホール５０により外部接続端子として機能するランド部４９に電気的に接続されている。このランド部４９は基材４５Ｂの下面にグランド膜４８と電気的に分離された状態で形成されており、高周波モジュール３０Ｂを実装する際に実装基板（図示せず）に電気的に接続されるものである。
【００５６】
図９（Ａ）は、本実施例で用いているバイアホール５０の断面図である。同図では、バイアホール５０を構成する孔５７Ａのみが形成された状態（内部に金属材が充填される前の状態）を示している。このバイアホール５０を構成する孔５７Ａは、基材４５Ｂがポリイミドにより形成されているため、例えばエッチング等の化学的処理を用いることで形成することができる。また、このエッチング時には、必然的にオーバエッチが発生するため、図示されるように孔５７Ａの形状は円錐台形状（断面形状では台形形状）となる。
【００５７】
この際、本実施例では、基材４５Ｂに対するエッチングを基材４５Ｂの下面４５Ｂ-2側から行なう構成としている。このように基材４５Ｂの下面４５Ｂ-2側からエッチングを行なうことにより、孔５７Ａ（即ち、バイアホール５０）の上面４５Ｂ-1における直径寸法（図中、矢印Ｌ１で示す）は、下面４５Ｂ-2における直径寸法（図中、矢印Ｌ２で示す）に対して小さくなる（Ｌ１＜Ｌ２）。
【００５８】
これに対し、基材４５Ｂの上面４５Ｂ-1側からエッチングを行なった場合には、図９（Ｂ）に示すように、孔５７Ｂの上面４５Ｂ-1における直径寸法（図中、矢印Ｌ３で示す）は、下面４５Ｂ-1における直径寸法（図中、矢印Ｌ４で示す）に対して大きくなってしまう（Ｌ３＞Ｌ４）。
この図９（Ｂ）の構成では、高周波アクティブチップ３３及びチップ部品３４等が搭載される上面４５Ｂ-1に大きな開口が形成され、この開口上にはアクティブチップ３３及びチップ部品３４は配設できないため、必然的に高周波回路基板が大型化してしまう。
【００５９】
しかしながら、本実施例のように基材４５Ｂの下面４５Ｂ-2側からエッチングを行なうことにより、高周波アクティブチップ３３及びチップ部品３４等が搭載される上面４５Ｂ-1には小さな開口が形成される。従って、上面４５Ｂ-1におけるバイアホール５０が占める面積は小さくなり、高周波アクティブチップ３３及びチップ部品３４等の配設位置に自由度を持たせることができる。
【００６０】
これにより、各チップ３３，３４をコンパクトに配置することが可能となり、高周波回路基板３２Ｂ（即ち、高周波モジュール３０Ｂ）の小型化を図ることができる。
また、上記のように本実施例では、各端子４０Ｂ，４１Ｂ，５３Ｂ，５４Ｂと外部接続端子となるランド部４９とを接続するのに、バイアホール５０を用いている。よって、本実施例の構成においても、バイアホール５０の形成位置には、図２に示したようなＬ，Ｃ，Ｒよりなる等価回路が形成される。
【００６１】
バイアホール５０のインピーダンスを低減し高周波モジュールの特性改善を図るには等価回路のＬとＲを低減させる必要があり、具体的にはバイアホールの直径寸法（面積）を広げ、かつ基材４５Ｂの厚さを薄くする必要があることは前述した通りである。
これに対し、本実施例では基材４５Ｂとしてポリイミドよりなる薄膜樹脂板を用いているため、基材４５Ｂの厚さを容易に薄くすることができる。また、ポリイミドよりなる基材４５Ｂは、エッチング等の化学的処理を用いることでバイアホール５０の直径を任意に形成することができる。即ち、エッチング時間を長くすればバイアホール５０の直径は大きくなり、逆にエッチング時間を短くすればバイアホール５０の直径は小さくなる。
【００６２】
よって、基材４５Ｂとしてポリイミドを用いることにより、バイアホール５０のインピーダンスを低減することが可能となり、従来の構成に比べて高周波モジュール３０Ｂの特性改善を図ることができる。尚、基材４５Ｂの厚さ及びバイアホール５０の形状を調整することで、図２に示すＬ，Ｒ，Ｃの値を変え、高周波回路に簡易的なフィルタ的特性を加味することも可能である。
【００６３】
続いて、本発明の第３実施例について説明する。
図１０は、本発明の第３実施例である高周波モジュール３０Ｃを示している。
本実施例に係る高周波モジュール３０Ｃは、先に図８を用いて説明した第２実施例に係る高周波モジュール３０Ｂと類似した構成とされている。しかるに、本実施例では、封止樹脂３５の上面に導電性材料５５を塗布したことを特徴とするものである。
【００６４】
この導電性材料５５は、樹脂よりなる塗料基材に、例えば銅，金等の導電性金属を含有させたものであり、塗布し乾燥させることにより、封止樹脂３５の上面に金属膜が形成された等価の状態となる。即ち、導電性材料５５を塗布することにより、導電性塗料５５は高周波回路基板３２Ｂの上面をシールドするシールド材として機能する。
【００６５】
よって、高周波モジュール３０Ｃを携帯用移動端末のケース内に搭載する際、ケースとの接近により高周波モジュール３０Ｃの高周波特性に変動及び劣化が発生することを防止することができる。
また、導電性材料５５を接地することにより、シールド効果を更に高める構成としてもよい。導電性材料５５を接地する方法としては、▲１▼高周波回路基板３２Ｂに設けられているグランドに基板側面において導電性材料５５を接続し、これによりグランドを共通化してシールド効果を高める方法、▲２▼高周波モジュール３０Ｃを携帯用移動端末のケース内に実装する場合において、携帯用移動端末内に設けられているグランドに導電性材料５５を接触させることにより、携帯用移動端末に実装時に接地してシールド効果を高める方法等が考えられる。
【００６６】
続いて、本発明の第４実施例について説明する。
図１１は、本発明の第４実施例である高周波モジュール３０Ｄを示している。本実施例に係る高周波モジュール３０Ｄは、先に図７を用いて説明した第１実施例に係る高周波モジュール３０Ａと類似した構成とされている。
しかるに、本実施例では、高周波アクティブチップ３３を搭載する位置に形成される開口部５６を基材４５Ｃの下部からエッチングすることにより、図９を用いて説明したように開口部５６の基材上面における開口面積を小さくしたことを特徴としている。また、基材４５Ｃに形成された開口部５６の上面は、グランド膜４８により覆われるよう構成されており、その上部に高周波アクティブチップ３３が搭載された構成とされている。
【００６７】
本実施例のように、バイアホール５０ばかりでなく、開口部５６を基材４５Ｃの下部からエッチングすることにより、開口部５６の基材上面における開口面積を小さくすることができる。よって、チップ部品３４及び各配線３６〜３９等の配設位置に自由度を持たせることができ、高周波回路基板３２Ｃ（即ち、高周波モジュール３０Ｄ）の更なる小型化を図ることができる。
【００６８】
続いて、本発明の第５実施例について説明する。
図１２は、本発明の第５実施例である高周波モジュール３０Ｅを示している。
本実施例に係る高周波モジュール３０Ｅは、先に図１１を用いて説明した第４実施例に係る高周波モジュール３０Ｄと類似した構成とされている。しかしながら、図１１を用いて説明した第４実施例に係る高周波モジュール３０Ｄは、外部接続端子となる各端子４０Ａ，４１Ａ，５３Ａ，５４Ａが、基材４５Ｃの上面外周縁から外側に向け延出した構成とされていた。
【００６９】
これに対して本実施例に係る高周波モジュール３０Ｅでは、各端子４０Ｂ，４１Ｂ，５３Ｂ，５４Ｂは基材４５Ｄから外側に向け延出した構成とはされておらず、基材４５Ｄを貫通するよう形成されたバイアホール５０により外部接続端子として機能するランド部４９に電気的に接続された構成としたことを特徴とするものである。
【００７０】
このように、各端子４０Ｂ，４１Ｂ，５３Ｂ，５４Ｂとランド部４９とを接続するのにポリイミドよりなる基材４５Ｄに形成されたバイアホール５０を用いることにより、先に図８を用いて説明した第２実施例と同様に、バイアホール５０のインピーダンスを低減することが可能となり、従来の構成に比べて高周波モジュール３０Ｅの特性改善を図ることができる。
【００７１】
続いて、本発明の第６実施例について説明する。
図１３は、本発明の第６実施例である高周波モジュール３０Ｆを示している。
本実施例に係る高周波モジュール３０Ｆは、先に図１１を用いて説明した第４実施例に係る高周波モジュール３０Ｄと類似した構成とされている。しかしながら、図１１を用いて説明した第４実施例に係る高周波モジュール３０Ｄでは、高周波アクティブチップ３３と高周波回路基板３２Ｃを電気的に接続するのにワイヤ１７を用いていた。
【００７２】
これに対して本実施例に係る高周波モジュール３０Ｆでは、高周波アクティブチップ３３と高周波回路基板３２Ｃを電気的に接続するのに、高周波アクティブチップ３３にバンプ５８を設け、高周波アクティブチップ３３を高周波回路基板３２Ｃにフリップチップボンディングしたことを特徴とするものである。
このように、高周波アクティブチップ３３を高周波回路基板３２Ｃにフリップチップボンディングする構成とすることにより、第４実施例に示すワイヤボンディングにより高周波アクティブチップ３３を高周波回路基板３２Ｃに接続する構成に比べ、ワイヤ４７のループ高さ分だけ封止樹脂３５を薄くでき、よって高周波モジュール３０Ｆの低背化を図ることが可能となる。
【００７３】
尚、フリップチップボンディングにより高周波アクティブチップ３３を高周波回路基板３２Ｃに搭載する場合には、フリップリップするバンプ５８を開口部５６の近傍位置に配置することで、放熱特性の向上を図ることができる。
続いて、本発明の第７実施例について説明する。
図１４は、本発明の第７実施例である高周波モジュール３０Ｇを示している。
【００７４】
本実施例に係る高周波モジュール３０Ｇは、先に図１３を用いて説明した第６実施例に係る高周波モジュール３０Ｆと類似した構成とされている。しかしながら、図１３を用いて説明した第６実施例に係る高周波モジュール３０Ｆは、外部接続端子となる各端子４０Ａ，４１Ａ，５３Ａ，５４Ａが、基材４５Ｃの上面外周縁から外側に向け延出した構成とされていた。
【００７５】
これに対して本実施例に係る高周波モジュール３０Ｇでは、各端子４０Ｂ，４１Ｂ，５３Ｂ，５４Ｂは基材４５Ｂから外側に向け延出した構成とはされておらず、基材４５Ｄを貫通するよう形成されたバイアホール５０により外部接続端子として機能するランド部４９に電気的に接続された構成としたことを特徴とするものである。
【００７６】
このように、各端子４０Ｂ，４１Ｂ，５３Ｂ，５４Ｂとランド部４９とを接続するのにポリイミドよりなる基材４５Ｄに形成されたバイアホール５０を用いることにより、先に図８を用いて説明した第２実施例と同様に、バイアホール５０のインピーダンスを低減することが可能となり、従来の構成に比べて高周波モジュール３０Ｇの特性改善を図ることができる。
【００７７】
続いて、本発明の第８実施例について説明する。図１５は、第８実施例に係る高周波モジュール３０Ｈを示している。
上記した第１乃至第７実施例に係る高周波モジュール３０Ａ〜３０Ｇは、高周波回路基板３２Ａ〜３２Ｄ上に、高周波アクティブチップ３３に加えてチップ部品３４及び各種配線３６〜３９を配設した構成とされていた。
【００７８】
これに対して本実施例に係る高周波モジュール３０Ｈは、高周波回路基板３２Ｅを構成するポリイミド製の基材４５Ａ上に、高周波アクティブチップ３３及び外部接続端子となるリード５９のみが配設された構成とされている。この各リード５９は、基材４５Ａの外周縁部より外方に向け延出する構成とされている。
尚、この各リード５９の延出部分を、例えばガルウイング状に成形して表面実装対応型の高周波モジュールとすることも可能である。
【００７９】
また、基材４５Ａの下面にはグランド膜４８が形成されると共に、高周波アクティブチップ３３の配設位置には開口部４６が形成されている。更に、グランド膜４８は、開口部４６の下部を塞ぐように構成されている。
高周波アクティブチップ３３は、この開口部４６の内部に搭載され、底部に位置しているグランド膜４８に金−錫合金により接合される。よって、本実施例においても、先に第１実施例で説明したように、高周波アクティブチップ３３で発生する熱をグランド膜４８を介して外界に効率よく放熱することができ、よって高周波アクティブチップ３３の放熱特性を向上させることができる。また、高周波アクティブチップ３３は、ワイヤ４７により各リード５９と電気的に接続されている。
【００８０】
また、高周波回路基板３２Ｅの上面には、封止樹脂３５が形成されている。この封止樹脂３５は、ポッティングあるいはモールドにより形成されており、高周波回路基板３２Ｅの上面に配設された高周波アクティブチップ３３及びリード５９の一部を保護する機能を奏する。
上記構成とされた高周波モジュール３０Ｈによれば、基材４５Ａとしてポリイミド製の薄膜樹脂板を用いてるため先に説明した第１実施例と同様の効果を得ることができる。また、チップ部品３４及び各種配線３６〜３９が設けられてないため、上記した各実施例に比べ、高周波モジュール３０Ｈを更に小型化することができる。
【００８１】
続いて、本発明の第９実施例について説明する。図１６は、本発明の第９実施例である高周波モジュール３０Ｉを示している。
図１５を用いて説明した第８実施例に係る高周波モジュール３０Ｈは、外部接続端子となる各リード５９が基材４５Ａの上面外周縁から外側に向け延出した構成とされていた。これに対して本実施例に係る高周波モジュール３０Ｉでは、各リード５９に代えてボンディングパッド６０を設けたことを特徴とするものである。
【００８２】
この各ボンディングパッド６０は、基材４５Ｂから外側に向け延出した構成とはされておらず、基材４５Ｂを貫通するよう形成されたバイアホール５０により外部接続端子として機能するランド部４９に電気的に接続されている。このランド部４９は、基材４５Ｂの下面にグランド膜４８と電気的に分離された状態で形成されており、高周波モジュール３０Ｉを実装する際に実装基板（図示せず）に電気的に接続されるものである。
【００８３】
尚、本実施例のバイアホール５０も、先に図９（Ａ）に示した構成と同一構成とされており、よって高周波回路基板３２Ｆ（即ち、高周波モジュール３０Ｉ）の小型化を図ることができる。
また、バイアホール５０を用いていることにより、本実施例においてもバイアホール５０の形成位置には、図２に示したようなＬ，Ｃ，Ｒよりなる等価回路が形成される。しかるに、本実施例でも基材４５Ｂとしてポリイミドよりなる薄膜樹脂板を用いているため、基材４５Ｂの厚さを容易に薄くすることができ、またバイアホール５０の直径を任意に形成することができるため、バイアホール５０のインピーダンスを低減することが可能となり、従来の構成に比べて高周波モジュール３０Ｉの特性改善を図ることができる。
【００８４】
続いて、本発明の第１０実施例について説明する。図１７は、本発明の第１０実施例である高周波モジュール３０Ｊを示している。
本実施例に係る高周波モジュール３０Ｊは、先に図１６を用いて説明した第９実施例に係る高周波モジュール３０Ｉと類似した構成とされている。
しかるに、本実施例では、高周波アクティブチップ３３を搭載する位置に形成される開口部５６を基材４５Ｃの下部からエッチングすることにより、図９を用いて説明したように開口部５６の基材上面における開口面積を小さくしたことを特徴としている。また、基材４５Ｃの形成された開口部５６の上面は、グランド膜４８により覆われるよう構成されており、その上部に高周波アクティブチップ３３が搭載された構成とされている。
【００８５】
本実施例の構成によれば、先に説明した第４実施例（図１１参照）と同様に、開口部５６の基材上面における開口面積を小さくすることができ、高周波回路基板３２Ｇ（即ち、高周波モジュール３０Ｊ）の更なる小型化を図ることが可能となる。
続いて、本発明の第１１実施例について説明する。図１８は、本発明の第１１実施例である高周波モジュール３０Ｋを示している。
【００８６】
本実施例に係る高周波モジュール３０Ｋは、先に図１７を用いて説明した第１０実施例に係る高周波モジュール３０Ｊと類似した構成とされている。しかしながら、図１７を用いて説明した第１０実施例に係る高周波モジュール３０Ｊは、外部接続端子となる各リード５９が、基材４５Ｃの上面外周縁から外側に向け延出した構成とされていた。
【００８７】
これに対して本実施例に係る高周波モジュール３０Ｋは、リード５９に代えてボンディングパッド６０が設けられている。このボンディングパッド６０は、基材４５Ｄから外側に向け延出した構成とはされておらず、基材４５Ｄを貫通するよう形成されたバイアホール５０によりランド部４９に電気的に接続されている。
【００８８】
よって、本実施例によれば、先に説明した第９実施例の高周波モジュール３０Ｉ（図１６参照）と同様に、高周波回路基板３２Ｈ（即ち、高周波モジュール３０Ｋ）の小型化を図ることができ、かつ、従来の構成に比べて高周波モジュール３０Ｋの特性改善を図ることができる。
続いて、本発明の第１２実施例について説明する。図１９は、本発明の第１２実施例である高周波モジュール３０Ｌを示している。
【００８９】
本実施例に係る高周波モジュール３０Ｌは、先に図１８を用いて説明した第１１実施例に係る高周波モジュール３０Ｋと類似した構成とされている。しかしながら、図１８を用いて説明した第１１実施例に係る高周波モジュール３０Ｋでは、高周波アクティブチップ３３と高周波回路基板３２Ｈを電気的に接続するのにワイヤ４７を用いていた。
【００９０】
これに対して本実施例に係る高周波モジュール３０Ｌでは、高周波アクティブチップ３３と高周波回路基板３２Ｉを電気的に接続するのに、高周波アクティブチップ３３にバンプ５８を設け、高周波アクティブチップ３３を高周波回路基板３２Ｉにフリップチップボンディングしたことを特徴とするものである。
このように、高周波アクティブチップ３３を高周波回路基板３２Ｉにフリップチップボンディングする構成とすることにより、ワイヤボンディングにより高周波アクティブチップ３３を高周波回路基板３２Ｇに接続する構成に比べ、ワイヤ４７のループ高さ分だけ封止樹脂３５を薄くでき、よって高周波モジュール３０Ｌの低背化を図ることができる。
【００９１】
続いて、本発明の第１３実施例について説明する。図２０は、本発明の第１３実施例である高周波モジュール３０Ｍを示している。
本実施例に係る高周波モジュール３０Ｍは、先に図１９を用いて説明した第１２実施例に係る高周波モジュール３０Ｌと類似した構成とされている。しかしながら、図１９を用いて説明した第１２実施例に係る高周波モジュール３０Ｌは、外部接続端子となる各リード５９が、基材４５Ｃの上面外周縁から外側に向け延出した構成とされていた。
【００９２】
これに対して本実施例に係る高周波モジュール３０Ｍは、リード５９に代えてボンディングパッド６０が設けられている。このボンディングパッド６０は、基材４５Ｄから外側に向け延出した構成とはされておらず、基材４５Ｄを貫通するよう形成されたバイアホール５０によりランド部４９に電気的に接続されている。
【００９３】
よって、本実施例によれば、先に説明した第９実施例の高周波モジュール３０Ｉ（図１６参照）と同様に、高周波回路基板３２Ｊ（即ち、高周波モジュール３０Ｍ）の小型化を図ることができ、かつ、従来の構成に比べて高周波モジュール３０Ｍの特性改善を図ることができる。
図２１は、図２０に示した高周波回路基板３２Ｊの変形例である高周波回路基板３２Ｋを示している。図２０に示した高周波回路基板３２Ｊは、開口部５６が高周波アクティブチップ３３の搭載位置の略全面に渡り形成された構成とされていた。この構成では、高周波アクティブチップ３３から発生する熱を効率よく放熱できる利点があるが、その反面で高周波アクティブチップ３３をグランド膜４８のみで支持するため、機械的強度が低下するという問題点がある。
【００９４】
そこで本変形例では、高周波回路基板３２Ｋを構成する基材４５Ｅの高周波アクティブチップ３３が搭載される位置に複数の溝状の開口部６１を形成し、この開口部６１の表面にグランド膜４８を形成した構成としたことを特徴とするものである。この構成とすることにより、グランド膜４８は蛇腹状の形状となる。
このように、開口部６１内に複数の溝状開口部６１を形成することにより、高周波アクティブチップ３３（図２１（Ａ）では一点鎖線で示す）を基材３２Ｋに搭載した際、高周波アクティブチップ３３が基材４５Ｅと対向する位置では高周波アクティブチップ３３を保持する機械的強度を高めることができ、また高周波アクティブチップ３３がグランド膜４８と直接接触する位置においては高周波アクティブチップ３３の放熱特性を向上させることができる。
【００９５】
よって、本実施例の構成によれば、高周波アクティブチップ３３に対する放熱特性を良好に維持しつつ、高周波アクティブチップ３３を保持する機械的強度の向上を図ることができる。
続いて、本発明の第１４実施例について説明する。図２２は、本発明の第１４実施例である高周波モジュール３０Ｎを示している。
【００９６】
上記した各実施例に係る高周波モジュール３０Ａ〜３０Ｍでは、高周波回路基板３２Ａ〜３２Ｋの基材４５Ａ〜４５Ｅは単層構造とされていた。これに対して本実施例では、複数（本実施例では３層）の基材４５Ｆ〜４５Ｈを積層した構造としたことを特徴とするものである。即ち、本実施例に係る高周波回路基板３２Ｌは積層基板構造とされている。
【００９７】
各基材４５Ｆ〜４５Ｈは、ポリイミドよりなる薄膜樹脂基板とされており、その上面及び下面には配線層が形成されている。最下部に位置する基材４５Ｆの下面にはグランド膜４８Ｂが形成されると共にランド部４９が形成されている。また、基材４５Ｆとその上部に位置する基材４５Ｇとの間には、ＤＣ回路配線３８，３９が配設されている。
【００９８】
また、基材４５Ｇとその上部に位置する基材４５Ｈとの間には、グランド膜４８Ａが形成されている。更に、基材４５Ｈの上面には、チップ部品３４及び高周波回路配線３６，３７が配設されている。上記した各配線３６〜３９は、各基材４５Ｆ〜４５Ｈを貫通形成されたバイアホール５０，５１により層間接続された構成とされている。
【００９９】
また、高周波回路基板３２Ｌの高周波アクティブチップ３３の搭載位置には、各基材４５Ｆ〜４５Ｈを貫通して形成された開口部６２が形成されており、その底面部分はグランド膜４８Ｂにより塞がれた構成とされている。高周波アクティブチップ３３は、この開口部６２の底面部分に位置するグランド膜４８Ｂに金−錫合金により接合される。
【０１００】
更に、高周波アクティブチップ３３は、ワイヤ４７により高周波回路基板３２Ｌと電気的に接続した構成とされている。上記構成とされた高周波回路基板３２Ｌの上面には封止樹脂３５が配設され、高周波アクティブチップ３３，チップ部品３４等を保護している。
本実施例のように高周波化回路基板３２Ｌを多層化することにより、各配線３６〜３９の配線ルールの自由度を向上させることができ、よって更に小型化された高周波モジュール３０Ｎを実現することができる。また、高周波回路配線３６，３７とＤＣ回路配線３８，３９をグランド膜４８Ａで分離形成することが可能となるため、電気的特性の良好な高周波モジュール３０Ｎを実現することができる。
【０１０１】
【発明の効果】
上述の如く本発明によれば、次に述べる種々の効果を実現することができる。
請求項１に記載の発明によれば、開口部内のグランド膜を蛇腹形状としたことにより、グランド膜の機械的強度が増大し、よって高周波回路部品の実装強度を向上させることができる。
【０１０２】
また、請求項２に記載の発明によれば、
薄膜樹脂板よりなる回路基板に形成されたバイアホールにより第１及び第２の配線層を電気的に接続したことにより、バイアホールに形成される電気的等価回路のインピーダンスを低減することができ、従来の構成に比べて高周波モジュールの特性改善を図ることができる。
【０１０３】
また、請求項３に記載の発明によれば、樹脂パッケージに塗布された導電性材料はシールド材として機能するため、部品実装時に発生する筐体（高周波モジュールを搭載する電子機器のケース等）との接近による高周波特性の変動及び劣化を防止することができる。
また、請求項４に記載の発明によれば、回路基板上面におけるバイアホールが占める面積を小さくすることができ、よって回路基板上面における高周波回路部品等の電子部品の配設位置をコンパクト化することができるため、高周波モジュールの小型化を図ることができる。
【０１０４】
また、請求項５に記載の発明によれば、回路基板に対して高周波回路部品をフリップチップボンディングしたことにより、ワイヤボンディングにより高周波回路部品を回路基板に接続する構成に比べてワイヤ高さ分だけ高周波モジュールの低背化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の一例である高周波モジュールを説明するための図である。
【図２】従来の一例である高周波モジュールのバイアホールの電気的等価回路を示す図である。
【図３】回路基板の基材厚−５０Ωライン幅特性を示す図である。
【図４】回路基板の基材の比誘電率−５０Ωライン幅特性を示す図である。
【図５】比誘電率が３．１である場合の周波数−インピーダンス特性を示す図である。
【図６】比誘電率が９．１である場合の周波数−インピーダンス特性を示す図である。
【図７】本発明の第１実施例である高周波モジュール及び高周波回路基板を説明するための図である。
【図８】本発明の第２実施例である高周波モジュール及び高周波回路基板を説明するための図である。
【図９】第２実施例である高周波回路基板に設けられたバイアホールの断面図である。
【図１０】本発明の第３実施例である高周波モジュール及び高周波回路基板を説明するための図である。
【図１１】本発明の第４実施例である高周波モジュール及び高周波回路基板を説明するための図である。
【図１２】本発明の第５実施例である高周波モジュール及び高周波回路基板を説明するための図である。
【図１３】本発明の第６実施例である高周波モジュール及び高周波回路基板を説明するための図である。
【図１４】本発明の第７実施例である高周波モジュール及び高周波回路基板を説明するための図である。
【図１５】本発明の第８実施例である高周波モジュール及び高周波回路基板を説明するための図である。
【図１６】本発明の第９実施例である高周波モジュール及び高周波回路基板を説明するための図である。
【図１７】本発明の第１０実施例である高周波モジュール及び高周波回路基板を説明するための図である。
【図１８】本発明の第１１実施例である高周波モジュール及び高周波回路基板を説明するための図である。
【図１９】本発明の第１２実施例である高周波モジュール及び高周波回路基板を説明するための図である。
【図２０】本発明の第１３実施例である高周波モジュール及び高周波回路基板を説明するための図である。
【図２１】本発明の第１３実施例である高周波回路基板の変形例を示す図である。
【図２２】本発明の第１４実施例である高周波モジュール及び高周波回路基板を説明するための図である。
【符号の説明】
３０Ａ〜３０Ｎ  高周波モジュール
３２Ａ〜３２Ｌ  高周波回路用基板
３３  高周波アクティブチップ
３４  チップ部品
３５  封止樹脂
３６，３７  高周波回路配線
３８，３９  ＤＣ回路配線
４０Ａ，４０Ｂ，４１Ａ，４１Ｂ  バイアス端子
４２  〜４４  パッド部
４５Ａ〜４５Ｅ  基材
４６，５６，６１，６２  開口部
４７  ワイヤ
４８，４８Ａ，４８Ｂ  グランド膜
４９  ランド部
５０，５１  バイアホール
５３Ａ，５３Ｂ  高周波入力端子
５４Ａ，５４Ｂ  高周波出力端子
５５  導電性塗料
５８  バンプ
５９  リード
６０  ボンディングパツド
【図１】
0004190111.tif 000002
【図２】
0004190111.tif 000003
【図３】
0004190111.tif 000004
【図４】
0004190111.tif 000005
【図５】
0004190111.tif 000006
【図６】
0004190111.tif 000007
【図７】
0004190111.tif 000008
【図８】
0004190111.tif 000009
【図９】
0004190111.tif 000010
【図１０】
0004190111.tif 000011
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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