(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
垂直磁気記録膜上の反転磁区によって情報を保持する記録媒体を用いた情報記録再生方法において、
該記録媒体に光を前記記録媒体上に照射する照射手段と、前記記録媒体に関して前記照射手段と同じ側に位置し、前記記録媒体上の光照射位置に記録磁界を印加する記録磁界印加手段及び前記記録媒体からの漏洩磁束を検出する磁束検出手段とを有する装置を用い、
前記記録媒体は、サーボ領域とユーザデータ領域を有し、前記サーボ領域は、凹凸構造を有し、前記凹凸構造上に反転磁区構造を有し、前記凹凸構造の高低分布と前記反転磁区構造の反転磁区形状は、一致しており、
前記凹凸構造により前記光のスポット位置を特定して前記照射手段のサーボを行い、前記反転磁区構造により前記磁束検出手段の位置を特定して前記磁束検出手段のサーボを行い、情報の記録再生を行うことを特徴とする情報記録再生方法。
【請求項２】
前記装置は、上記照射手段の少なくとも一部、上記磁束検出手段、及びアクチュエーターを搭載し、前記記録媒体表面を走査するスライダを有し、
上記アクチュエーターは、上記記録媒体上の上記光のスポット位置と上記磁束検出手段との相対位置関係を調節することを特徴とする請求項１に記載の情報記録再生方法。
【請求項３】
上記スライダの上記照射手段の少なくとも一部は、走査する方向に対して上記磁束検出手段よりも前に配置されていることを特徴とする請求項２に記載の情報記録再生方法。
【請求項４】
上記スライダの上記記録媒体に対する浮上量は、走査する方向に対して前側の浮上量が後側の浮上量よりも大きいことを特徴とする請求項２に記載の情報記録再生方法。
【請求項５】
上記スライダは、上記照射手段の少なくとも一部としてＳＩＬを搭載していることを特徴とする請求項２乃至４のいずれかに記載の情報記録再生方法。
【請求項６】
上記スライダは、上記照射手段の少なくとも一部としての対物レンズを搭載していることを特徴とする請求項２乃至４のいずれかに記載の情報記録再生方法。
【請求項７】
上記スライダは上記照射手段の少なくとも一部として光ファイバを搭載していることを特徴とする請求項２乃至４のいずれかに記載の情報記録再生方法。
【請求項８】
上記スライダは、上記対物レンズの位置を調節するレンズアクチュエータを搭載していることを特徴とする請求項６に記載の情報記録再生方法。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は基体表面に製膜された垂直磁気記録膜上の反転磁区によって情報を保持する記録媒体を用い、該記録媒体からの漏洩磁束を検出して情報の再生を行う情報再生装置、または基体表面に製膜された垂直磁気記録膜上の反転磁区によって情報を保持する記録媒体を用い、反転磁区を形成することにより情報を記録し、該記録媒体からの漏洩磁束を検出して情報の再生を行う情報記録再生装置に関するものである。
背景技術
特開平１０−２１５９８号公報に見られるような光磁気再生および磁気再生の両方が可能な従来の情報記録媒体およびその記録再生装置（従来技術）においては、記録媒体上に形成された光磁気記録膜に対して光源からの記録光を基板越しに照射，加熱して反転磁区を形成することにより記録を行っていた。また情報の再生は、前述の光磁気記録膜に対して光源からの再生光を基板越しに照射して反射光の偏光面の回転を検出すること、および光磁気記録膜上に第２の磁性層を形成し、この第２の磁性層から漏洩磁束再生を行うことによって行われていた。
発明の開示
従来技術においては基板に関して記録膜と反対側に光源を配置しているので基体の両面に記録膜を形成して記録を行うことができなかった。また基体が光源の波長に関して透過性を有する必要があるため基体の材質に関する自由度が低く、薄く機械特性に優れ安価な基体を用いることができなかった。さらに記録手段および再生手段を記録媒体上の任意位置に位置づける手段を別個に用意する必要があった。したがって装置サイズ，コストおよび記録媒体コストの点で不利であった。
さらに基体の厚さ誤差や、基体と光軸のなす角度の誤差に関しての許容範囲が狭く、記録再生装置および記録媒体の機械的な精度を高く保つ必要があるために装置製造コストの点で不利であった。
前記問題を解決する目的で、本発明では、垂直磁気記録膜上の反転磁区によって情報を保持する記録媒体を用いた情報記録再生装置において、
該記録媒体に電磁エネルギー又は光を前記記録媒体上に照射する照射手段と、
前記記録媒体に関して前記照射手段と同じ側に位置し、前記記録媒体からの漏洩磁束を検出する磁束検出手段と、
を有することとした。
これにより、記録媒体の両面記録ができることになる。すなわち、従来技術の単純に２倍の記録ができることになる。なお、ここでは電磁エネルギー又は光を照射しているが、例えばレンズで収束するなどして記録媒体を局所的に励起するものであればよい。電磁エネルギー又は光の例として、可視光はもちろん、赤外光、紫外光などがある。
さらに、上記照射手段の少なくとも一部及び上記磁束検出手段を搭載し前記記録媒体表面を走査するスライダをさらに有することとし、照射位置と磁束検出位置を同時に調節できることとなった。
さらに、上記スライダの上記照射手段の少なくとも一部は、走査する方向に対して上記磁束検出手段よりも前に配置されていることとし、浮上量が多少大きくてもよい照射手段を前にし、浮上量が小さい方がよい磁束検出手段を記録媒体に近づけることができた。
さらに、上記スライダは上記照射手段の少なくとも一部としてＳＩＬを搭載することとし、スライダーを記録膜に近づけ、磁気検出を容易にした。また、ＳＩＬにより、同一の光源波長でより微少な記録マークを形成することが可能となった。
さらに、上記スライダは、上記照射手段の少なくとも一部としての対物レンズを搭載することとし、磁気検出位置に対応して、照射位置を同時に移動できるようにした。
また、上記スライダは上記照射手段の少なくとも一部として光ファイバを搭載することとし、照射手段の軽量化を図り、アクセス性能を改善した。
また、上記スライダは、上記対物レンズの位置を調節するレンズアクチュエータを搭載することとし、磁気検出素子との相対位置を微妙に調節できるようにした。
この調節については、上記スライダが上記記録媒体上の上記電磁エネルギー又は光のスポット位置と上記磁束検出手段との相対位置関係を調節するアクチュエータを搭載することでも行うことができる。
また、記録媒体上の電磁エネルギー又は光のスポット位置に記録磁界を印加する記録磁界印加手段を有することとした。磁界印加手段の磁界印加範囲と関係なく、スポットの大きさで、記録マークの大きさが決まるので、マークの大きさはかなり小さい。このときの磁界の方向は記録媒体の主面に垂直な方向の方が水平な方向よりも記録密度は大きい。
本発明では、光を記録専用に用いることができるため、通常の光磁気再生での偏光方向検出が必要なくなる。従って、光源から前記記録媒体への透過率が１００％であって、反射率が０％である偏光ビームスプリッタを用いて、光の利用効率を高くできる。
また、他の発明として、記録媒体の表面に設けられた凹凸構造部分からの反射光により光照射位置を制御する光照射位置制御手段と、
該凹凸構造部分における漏洩磁束を検出して磁束検出の位置を制御する磁束検出位置制御手段とを有することで、位置制御に対して凹凸構造を光照射位置と磁束検出位置の両方の制御に共用できた。
また、他の発明として、磁界変調方式の光磁気記録では、円弧状の磁化ドメインが形成されるので、記録媒体表面に沿った磁束検出感度分布が略円弧状である磁束検出手段を有することで、効率の高い再生を実現した。
なお、副次効果として、記録媒体の基体が光源の波長に関して透過性を有する必要がなくなるため基体の材質に関する自由度が高まり、薄く機械特性に優れ安価な基体を用いることが可能となる。その結果、装置サイズおよび記録媒体コストの点で極めて有利となる。
さらにエネルギーの収束経路が基体を介さないため、基体の厚さ誤差の問題が解決され、同時に基体と光軸のなす角度の誤差に関しての許容範囲が広がる。したがって記録再生装置および記録媒体の機械的な精度を緩和でき、装置製造コストの点で極めて有利となる。
発明を実施するための最良の形態
以下、図面を用いて本発明の具体的な実施形態について詳細に説明する。
図面における符号は以下のとおりである。
１０７，３１１          …  磁気ヘッド駆動回路
１０８，３０７          …  レーザ駆動回路
１１０，３０９，９１６  …  アクチュエータ駆動回路
１１２，３２６，９１４  …  ＶＣＭ
１１３，３１２          …  半導体レーザ
１１６，３１５，９１２  …  光検出器
１１７，３１７，９０２  …  ＧＭＲ素子
１１８，３２７，９０７  …  スライダ
１２１，３２１          …  アクチュエータ
１２２，９０５          …  ＳＩＬ
１２３，３２０，９０６  …  記録コイル
１２６，９０８          …  対物レンズ
１２７，３２４，９０９  …  １／４波長板
１２８，３２５，９１０  …  偏光ビーム・スプリッタ
３１６    …  光ファイバ
５００，７０４          …  グルーブ
５０１，７０５          …  ランド
５０７    …  ピット
７０６    …  アドレス・ピット
８０１    …  円弧状ＧＭＲ素子
９０１    …  垂直磁気記録膜
９０３    …  レンズ・アクチュエータ
図１は本発明による情報記録再生装置の構成例を示した第１の図である。記録または再生動作に並行して行われる記録，再生位置情報の取得は次の通り行われる。すなわち半導体レーザ１１３から出射されたレーザ光はコリメート・レンズ１１４によって平行光に変換され、偏光ビーム・スプリッタ１２８を通過して１／４波長板１２７で円偏光に変換される。ここで偏光ビーム・スプリッタ１２８は、半導体レーザ１１３からの出射レーザ光の偏光を全透過するものとする。さらに出射光は対物レンズ１２６およびＳＩＬ（Ｓｏｌｉｄ  Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ  Ｌｅｎｓ）１２２によって基板１２０上に形成された記録膜１１９に円偏光の状態で絞り込まれ、光スポット（図示せず）を形成する。ＳＩＬを用いることにより、用いない場合に比べてＳＩＬ屈折率の分だけ、光スポット径が縮小される。ここで半導体レーザ１１３から出射されるレーザ光の強度は記録膜１１９上の記録マーク（反転磁区，図示せず）を破壊しない程度に十分に低いものとする。次に記録膜１１９からの反射光はＳＩＬ１２２，対物レンズ１２６を通過後、１／４波長板１２７によって半導体レーザ１１３からの出射レーザ光とは直交する直線偏光に変換される。さらにこの反射光は偏光ビーム・スプリッタ１２８によって全反射され、検出レンズ１１５によって光検出器１１６上に絞り込まれる。従って光検出器１１６は光スポット部分における反射光強度信号を出力する。反射光強度信号は増幅器１０９によって適当なレベルまで増幅された後に、アドレス認識回路１０５およびアクチュエータ駆動回路１１０に入力される。また、以上で説明した光による反射率検出と同時に、ＧＭＲ素子１１７は記録膜１１９の表面を走査し、磁束分布の検出を行う。記録マークまたは反転磁区の配列を反映したＧＭＲ素子１１７の出力は増幅器１１１によって必要なレベルまで増幅された後に、復号器１０６，アクチュエータ駆動回路１１０およびアドレス認識回路１０５に入力される。アドレス認識回路１０５は先の反射光強度信号およびＧＭＲ素子信号から各々の走査位置を解析し、システム・コントローラ１０４に伝達する。システム・コントローラ１０４は光スポットおよびＧＭＲ素子１１７の位置情報および外部機器からの記録再生要求に従って、アクチュエータ駆動回路１１０，磁気ヘッド駆動回路１０７，レーザ駆動回路１０８の制御を適宜行う。アクチュエータ駆動回路１１０はシステム・コントローラ１０４からの指示，反射光強度信号およびＧＭＲ素子信号に従って、目的の情報記録トラック（図示せず）の中心位置を光スポットが適切なサイズで走査するよう、あるいはＧＭＲ素子１１７が目的の情報記録トラックの中心位置を適切に走査するようにＶＣＭ（Ｖｏｉｃｅ  Ｃｏｉｌ  Ｍｏｔｏｒ）１１２，レンズ・アクチュエータ１２５，アクチュエータ１２１の駆動を行う。ＶＣＭ１１２はこの駆動信号に従いジンバル・アーム１２４の先に固定されたスライダ１１８を移動させ、記録膜１１９上の任意位置に位置づける。スライダ１１８上には記録コイル１２３，ＳＩＬ１２２，ＧＭＲ素子１１７およびレンズ・アクチュエータ１２５の基部が積載されており、ＳＩＬ１２２すなわち光スポット位置とＧＭＲ素子１１７間の相対位置関���はアクチュエータ１２１によって制御される。ＳＩＬ１２２とＧＭＲ素子１１７間の相対位置の制御は以下のいずれの方法によっても良い。すなわち光スポットの位置を基準としてスライダ１１８の位置をＶＣＭ１１２が制御し、光スポットとＧＭＲ素子１１７が同一トラックを走査するようにアクチュエータ１２１を制御するか、光スポットとＧＭＲ素子１１７が一定トラック数を隔てて走査するようにアクチュエータ１２１を制御する。またはＧＭＲ素子１１７の位置を基準としてスライダ１１８の位置をＶＣＭ１１２が制御し、ＧＭＲ素子１１７と光スポットが同一トラックを走査するようにアクチュエータ１２１を制御するか、ＧＭＲ素子１１７と光スポットが一定トラック数を隔てて走査するようにアクチュエータ１２１を制御する。これらの相対位置関係の制御は常時行っても良いし、所定の時間間隔を隔てて行っても良い。
情報の記録時においては、記録すべきユーザ・データ１００が外部機器とのインタフェース回路１０１を介してシステム・コントローラ１０４によって受け取られ、必要に応じてエラー検出，訂正情報等の付加後、符号器１０３に伝えられる。符号器１０３はユーザ・データ１００を（１，７）変調後ＮＲＺＩ変換を施し、媒体上の記録マークの配列を反映した信号を生成する。記録波形発生回路１０２はこの信号を参照し、記録磁界の制御信号およびレーザ発光強度の制御信号を発生する。磁気ヘッド駆動回路１０７はシステム・コントローラ１０４からの指示を受け、記録磁界の制御信号に従って記録コイル１２３を駆動し、光スポット部分に記録磁界を発生する。またレーザ駆動回路１０８もシステム・コントローラ１０４からの指示を受け、レーザ発光強度の制御信号に従って記録エネルギー源である半導体レーザ１１３を駆動する。半導体レーザ１１３から出射されたレーザ光はコリメート・レンズ１１４，偏光ビーム・スプリッタ１２８，１／４波長板１２７を介して対物レンズ１２６およびＳＩＬ１２２によって絞り込まれ、円偏光状態で基板上の記録膜１１９を加熱する。ここでレーザ光による加熱領域は記録磁界の印加領域に比べて広いものとする。記録膜１１９は膜面垂直方向に磁化容易軸を有する垂直磁気記録膜であり、常温での保磁力は外部から印加される記録磁界よりも高く、記録時のレーザ光による加熱時の保磁力は記録磁界よりも低いものとする。後述する通りレーザ光による加熱および記録磁界を制御することにより、記録膜１１９上に所望の記録マークを形成することができる。本実施例では従来技術とは異なり、偏光ビーム・スプリッタ１２７における光源からのレーザ光の透過率，反射率をそれぞれ１００％，０％とすることができる。従来技術ではこの透過率が７０〜８０％程度にしかできなかったのに対して、本発明では光源の光利用効率が飛躍的に改善され、低出力の光源をいち早く記録用途に利用することが可能となる。また光検出器１１６の受光量を一定とした場合、従来技術に比べて記録膜１１９面上においてより低いエネルギー密度での信号検出が可能となり、半導体レーザ１１３の波長の短縮等によってエネルギー密度が上昇した場合でも、記録膜１１９上の記録マークの破壊に関してより有利となる。
情報の再生時においては、記録膜１１９表面をＧＭＲ素子１１７によって走査し、磁束分布を検出する。記録マークの配列を反映したＧＭＲ素子１１７の出力は増幅器１１１によって必要なレベルまで増幅された後に、アクチュエータ駆動回路１１０，復号器１０６およびアドレス認識回路１０５に入力される。復号器１０６は符号器１０３の逆変換を施すことにより記録されていたデータを復元し、復元結果をシステム・コントローラ１０４に伝える。システム・コントローラ１０４は必要に応じてエラー検出，訂正等の処理を行い、インタフェース回路１０１を介して外部機器に再生されたユーザ・データ１００を受け渡す。本実施例においては記録再生チャネルに直流付近の周波数成分を透過させることが可能であるため、高密度化に有利な記録再生チャネルの符号選択が可能となる利点を有する。
図２は図１で示された本発明による情報記録再生装置の動作を詳細に説明した図である。今、記録時にユーザ・データが符号器で変換され、記録データ２００が得られたものとする。記録データ２００は記録波形発生回路を介して磁気ヘッド駆動回路に伝えられ、記録膜上の光スポット周辺に記録磁界を発生する。記録磁界は記録膜に垂直に印加されるものとする。また同時にレーザ駆動回路はレーザ発光強度２０１で示した通り、記録マーク長の最小変化単位（検出窓幅）に同期したパルス状に半導体レーザを駆動する。光スポットによる加熱領域では記録膜の保磁力が低下して記録磁界を下回り、その領域の磁化が記録磁界の方向にならう。これは熱磁気記録と呼ばれる記録方法である。記録膜は光スポットの走査にともない加熱領域の中心を一定間隔で移しながらパルス状に加熱されるので、光パルスの照射ごとに略円形領域の磁化方向が決定される。光パルスの照射間隔を短縮してゆくと前記の略円形領域が重なり合い、光パルスの照射ごとにあたかも三日月状の領域の磁化方向が決定できるようになる。記録マーク２０３はこの様子を表したもので、レーザ発光強度２０１および記録磁界２０２に示された記録動作を行った場合に形成される記録膜上の記録マーク形状を見たものである。光スポットは左から右に向かって走査し、記録磁界が正の場合には紙面上向き方向の磁区（黒色）が、記録磁界が負の場合には紙面下向きの磁区（白色）が形成される。以上は磁界変調記録方式として広く知られた記録方式である。磁界変調記録方式では記録磁区のサイズ（走査方向の磁壁間隔）が光スポットのサイズに律則されないため、微小な記録マークの形成において極めて有利な方法である。情報の再生時には記録マーク２０３をＧＭＲ素子で走査し、再生信号２０４を得る。再生信号２０４は元の記録データ２００を反映しており、必要に応じて増幅，等化，２値化，復号等の処理を施されてユーザ・データに復元される。
ここでは記録媒体における磁化反転のために光による熱励起を用いた例を説明したが、これは他の励起方法を用いても良い。
図３は本発明による情報記録再生装置の構成例を示した第２の図である。記録または再生動作に並行して行われる記録，再生位置情報の取得は次の通り行われる。すなわち半導体レーザ３１２から出射されたレーザ光はコリメート・レンズ３１３によって平行光に変換され、偏光ビーム・スプリッタ３２５を通過して１／４波長板３２４で円偏光に変換される。ここで偏光ビーム・スプリッタ３２５は、半導体レーザ３１２からの出射レーザ光の偏光を全透過するものとする。さらに出射光はカップリング・レンズ３２３によって光ファイバ３１６中に導入され、基板３１９上に形成された記録膜３１８上に絞り込まれた円偏光の状態で導かれる。ここで半導体レーザ３１２から出射されるレーザ光の強度は記録膜３１８上の記録マーク（反転磁区，図示せず）を破壊しない程度に十分に低いものとする。光ファイバの記録膜側先端部分はテーパ加工され、出射端の口径は半導体レーザ３１２の発振波長よりも短い。次に記録膜３１８からの反射光は光ファイバ３１６，カップリング・レンズ３２３を通過後、１／４波長板３２４によって半導体レーザ３１２からの出射レーザ光とは直交する直線偏光に変換される。さらにこの反射光は偏光ビーム・スプリッタ３２５によって全反射され、検出レンズ３１４によって光検出器３１５上に絞り込まれる。従って光検出器３１５は光ファイバ３１６による記録膜３１８への光照射部分における反射光強度信号を出力する。反射光強度信号は増幅器３０８によって適当なレベルまで増幅された後に、アドレス認識回路３０５およびアクチュエータ駆動回路３０９に入力される。また、以上で説明した光による反射率検出と同時に、ＧＭＲ素子３１７は記録膜３１８の表面を走査し、磁束分布の検出を行う。記録マークまたは反転磁区の配列を反映したＧＭＲ素子３１７の出力は増幅器３１０によって必要なレベルまで増幅された後に、復号器３０６，アクチュエータ駆動回路３０９およびアドレス認識回路３０５に入力される。アドレス認識回路３０５は先の反射光強度信号およびＧＭＲ素子信号から各々の走査位置を解析し、システム・コントローラ３０４に伝達する。システム・コントローラ３０４は光照射位置およびＧＭＲ素子３１７の位置情報および外部機器からの記録再生要求に従って、アクチュエータ駆動回路３０９，磁気ヘッド駆動回路３１１，レーザ駆動回路３０７の制御を適宜行う。アクチュエータ駆動回路３０９はシステム・コントローラ３０４からの指示，反射光強度信号およびＧＭＲ素子信号に従って、目的の情報記録トラック（図示せず）の中心位置を光照射位置が適切に走査するよう、あるいはＧＭＲ素子３１７が目的の情報記録トラックの中心位置を適切に走査するようにＶＣＭ３２６，アクチュエータ３２１の駆動を行う。ＶＣＭ３２６はこの駆動信号に従いジンバル・アーム３２２の先に固定されたスライダ３２７を移動させ、記録膜３１８上の任意位置に位置づける。スライダ３２７上には光ファイバ３１６の先端部，ＧＭＲ素子３１７およびアクチュエータ３２１が積載されており、光ファイバ３１６の先端部すなわち光照射位置とＧＭＲ素子１１７間の相対位置関係はアクチュエータ３２１によって制御される。アクチュエータ３２１は光照射位置とＧＭＲ素子３１７間の相対位置関係を制御する。相対位置の制御は以下のいずれの方法によっても良い。すなわち光照射位置を基準としてスライダ３２７の位置をＶＣＭ３２６が制御し、光照射位置とＧＭＲ素子３１７による走査位置が同一トラックとなるようにアクチュエータ３２１を制御するか、光照射位置とＧＭＲ素子３１７による走査位置が一定トラック数を隔てるようにアクチュエータ３２１を制御する。またはＧＭＲ素子３１７による走査位置を基準としてスライダ３２７の位置をＶＣＭ３２６が制御し、ＧＭＲ素子３１７による走査位置と光照射位置が同一トラックとなるようにアクチュエータ３２１を制御するか、ＧＭＲ素子３１７による走査位置と光照射位置が一定トラック数を隔てるようにアクチュエータ３２１を制御する。これらの相対位置関係の制御は常時行っても良いし、所定の時間間隔を隔てて行っても良い。
情報の記録時においては、記録すべきユーザ・データ３００が外部機器とのインタフェース回路３０１を介してシステム・コントローラ３０４によって受け取られ、必要に応じてエラー検出，訂正情報等の付加後、符号器３０３に伝えられる。符号器３０３はユーザ・データ３００を所定の変換規則に従って変換し、記録膜３１８上の記録マークの配列を反映した信号を生成する。記録波形発生回路３０２はこの信号を参照し、レーザ発光強度の制御信号を発生する。磁気ヘッド駆動回路３１１はシステム・コントローラからの指示を受け、記録磁界の制御信号に従って記録コイル３２０を駆動し、レーザ光照射位置に記録磁界を発生する。またレーザ駆動回路３０７もシステム・コントローラ３０４からの指示を受け、レーザ発光強度の制御信号に従って記録エネルギー源である半導体レーザ３１２を駆動する。半導体レーザ３１２から出射されたレーザ光はコリメート・レンズ３１３，偏光ビーム・スプリッタ３２５，１／４波長板３２４を経た後、カップリング・レンズ３２３および光ファイバ３１６によって導かれ、円偏光状態で基板３１９上の記録膜３１８を加熱する。ここでレーザ光による加熱領域は記録磁界の印加領域に比べて広いものとする。記録膜３１８は膜面垂直方向に磁化容易軸を有する垂直磁気記録膜であり、常温での保磁力は外部から印加される記録磁界よりも高く、記録時のレーザ光による加熱時の保磁力は記録磁界よりも低いものとする。後述する通りレーザ光による加熱を制御することにより、記録膜１１９上に所望の記録マークを形成することができる。
情報の再生時においては、記録膜３１８の表面を磁気抵抗効果素子等のＧＭＲ素子３１７によって走査し、磁束分布を検出する。記録マークの配列を反映したＧＭＲ素子３１７の出力は増幅器３１０によって必要なレベルまで増幅された後に、アクチュエータ駆動回路３０９，復号器３０６およびアドレス認識回路３０５に入力される。復号器３０６は符号器３０３の逆変換を施すことにより記録されていたデータを復元し、復元結果をシステム・コントローラ３０４に伝える。システム・コントローラ３０４は必要に応じてエラー検出，訂正等の処理を行い、インタフェース回路３０１を介して外部機器に再生されたユーザ・データ３００を受け渡す。
図４は図３で示された本発明による情報記録再生装置の動作を詳細に説明した図である。今、記録時にユーザ・データが符号器で変換され、記録データ４００が得られたものとする。記録データ４００は記録波形発生回路を介してレーザ駆動回路に伝えられる。レーザ駆動回路はレーザ発光強度４０１で示した通り、記録マーク長に対応した所定のマルチ・パルス記録波形に従って半導体レーザを駆動する。マルチ・パルス記録は公知の技術であり、特開平０５−２９８７３７号公報等に詳述されているのでここでの説明は省略する。同時にシステム・コントローラは磁気ヘッド駆動回路を制御し、記録膜３１８上の光照射位置周辺に記録磁界を印加する。記録磁界は記録膜３１８に垂直に印加されるものとし、また記録に先立って記録膜は紙面下向きに一様に磁化されているものとする。光照射によって強く加熱された部分では記録膜の保磁力が低下して記録磁界を下回り、その領域の磁化が記録磁界の方向にならう（熱磁気記録）。記録膜は光照射位置の走査にともない加熱領域の中心を移しながらパルス状に加熱されるので、光パルスの照射ごとに略円形領域の磁化方向が決定される。光パルスの照射間隔を短縮してゆくと、前記の略円形領域が重なり合い、連続した光パルスの照射によって長円形の領域の磁化方向が決定できるようになる。記録マーク４０２はこの様子を表したもので、レーザ発光強度４０１に示された記録動作を行った場合に形成される記録膜上の記録マーク形状を見たものである。光照射位置は左から右に向かって走査し、紙面上向き方向の磁区（黒色）が形成される。情報の再生時には記録マークをＧＭＲ素子で走査し、再生信号を得る。再生信号は元の記録データを反映しており、必要に応じて増幅，等化，２値化，復号等の処理を施されてユーザ・データに復元される。
図５は本発明で用いる記録媒体表面の構造例を示した図である。垂直磁気記録膜５０６は図５に示したように予め凹凸構造を有する基板５０５上に成膜されている。基板５０５はディスク状，テープ状あるいはカード状等の形状が考えられるが、特定の形状である必要はない。これは以下の説明においても共通である。基板５０５がディスク状，カード状である場合、凹凸構造の形成は従来のＣＤ−ＲＯＭ，ＤＶＤ−ＲＯＭ等と同様な射出成形あるいは紫外線硬化樹脂による転写等の方法が考えられる。基板５０５はアルミニウム等の金属板，合成樹脂，カーボン等の非金属板等が考えられるが、光源波長における光透過性は必須ではない。ユーザ・データの記録を行うトラック５０４はランド５０１を中心として等間隔に設定されており、トラック５０４の境界部にはランド５０４と高さの異なるグルーブ５００が形成されている。またトラック５０４中央にはランド５０１の平坦部と高さの異なるピット５０７が形成されている。ランド５０１およびピット５０７の深さは、記録エネルギー源の波長の１／４程度とする。一般的にランド５０１の平坦部とピット５０７，グルーブ５００では、垂直磁気記録膜５０６の厚さの違い，垂直磁気記録膜５０６内部での応力の違い，垂直磁気記録膜５０６膜面の曲率の違い，基板５０５の表面荒さの違い等に起因して保磁力が異なる。今、仮にピット５０７底部やグルーブ５００における常温保磁力Ｈｃ１がランド５０１平坦部の常温保磁力Ｈｃ２よりも低いものとする。すると例えば全体をＨｃ２よりも十分に強い膜面に垂直な磁界中で一様に磁化した後、今度は逆向きでＨｃ１よりも強くＨｃ２未満の磁界中でピット５０７底部やグルーブ５００を部分的に反転磁化すれば図５に示した所望の磁区分布が得られる。あるいは一定の外部磁界を印加した状態で垂直磁気記録膜５０６全体を垂直磁気異方性が低下しない程度に加熱して全体を一様方向に磁化した後、外部印加磁界が磁化反転を起こさせたいピット５０７底部やグルーブ５００の保磁力以上であり、磁化反転を起こさせたくないランド５０１平坦部の保磁力以下となるような温度で外部印加磁界の方向を反転後冷却すれば、図５に示した所望の磁化分布を実現できる。ここで図５中の垂直磁気記録膜５０６の塗色および矢印は磁区の磁化方向を示しており、白色は垂直磁気記録膜５０６に関して基板側に向かう磁化（下向き）、黒色は記録膜に関して基板側からの磁化（上向き）を表している。但しここでの説明はＨｃ１とＨｃ２間の大小関係や凹凸構造における磁化方向を規定するものではなく、Ｈｃ１とＨｃ２に違いがあれば部分的に反転磁区が形成できるので、先の実施例における光スポット，光照射位置，漏洩磁束検出器等に関する位置情報が取得でき、トラッキング・サーボ動作等が可能となる。また位置情報取得用の反転磁区の形成方法に関して何らの制限を加えるものでもなく、他の方法（例えばサーボ・ライタ）によっても問題ない。
光スポットあるいは光照射位置の特定は、例えばグルーブ５００による光の回折あるいはピット５０７による光の干渉を用いて行う。すなわちトラック中心５０３からの光スポット，光照射位置中心の誤差に関してはグルーブ回折光によるプッシュ・プル方式やピット５０７によるサンプル・サーボ方式によって誤差信号を生成すれば良い。また記録媒体上におけるトラック５０４の識別に関しては、所定の規則に従ってトラック識別番号を示すピット５０７を形成し、光の干渉による見かけの反射率変化で信号を取得する。グルーブ回折光によるプッシュ・プル方式、あるいはピットによるサンプル・サーボ方式は広く一般に用いられている誤差信号生成方式（例えば１９８９年，ラジオ技術社刊「光ディスク技術」，ＩＳＢＮ４−８４４３−０１９８−５の９５ページ等）であり、ここでは詳細な説明を省略する。記録媒体上における磁束検出手段の位置の特定は、後述するように、例えばピット５０７における反転磁区を用いたサンプル・サーボ方式等によって行えば良い。グルーブ５００およびピット５０７は凹構造でも凸構造でも光学的位相差という観点からは本質的な差はない。しかしランド５０１上に記録を行う場合には、磁束検出手段の検出感度および破壊の観点から、グルーブ５００およびピット５０７はランド５０１に対して凹構造であることが望ましい。またピット５０７による反転磁区はＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯＭと同様に記録媒体製造段階で予め固定されるユーザ情報そのものの記録に用いても良い。
図６は本発明で用いるトラッキング方法の例を説明する図であり、基板上の垂直磁気記録膜を漏洩磁束再生側から見た場合の模式図である。図中黒色で表された部分は紙面上向き、白色で表された部分は紙面下向きに磁化しているものとする。垂直磁気記録膜上に反転磁区を形成するためには図５で説明した基板の凹凸構造等を用いる。すなわちサーボ・パターンＡ６００およびサーボ・パターンＢ６０１の反転磁区形状と基板表面の高低分布は一致しており、情報が記録されるトラック中心から内外に１／２トラック間隔だけオフセットした位置に凹凸構造上の反転磁区によるサーボ・パターンＡ６００およびサーボ・パターンＢ６０１が形成されている。今、磁束検出手段であるＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ  Ｍａｇｎｅｔｏ−Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子６０２が図中左から右に向かって垂直磁気記録膜表面を走査するものとする。ＧＭＲ素子６０２から得られる再生信号はＧＭＲ素子６０２の感度分布と垂直磁気記録媒体上の磁束分布のコンボリューションであり、例えば図５のようにＧＭＲ素子６０２の走査位置がサーボ・パターンＢ６０１側に若干オフセットしていた場合には、サーボ・パターンＡにおける漏洩磁束再生信号振幅ＩｗＡＭとサーボ・パターンＢにおける漏洩磁束再生信号振幅ＩｗＢＭ間にＩｗＡＭ＜ＩｗＢＭなる大小関係が生ずる。逆にＧＭＲ素子６０２の走査位置がサーボ・パターンＡ６００側に若干オフセットしていた場合には、サーボ・パターンＡ６００における漏洩磁束再生信号振幅ＩｗＡＭとサーボ・パターンＢ６０１における漏洩磁束再生信号振幅ＩｗＢＭ間にＩｗＡＭ＞ＩｗＢＭなる大小関係が生ずる。従ってサーボ・パターンＡ６００，サーボ・パターンＢ６０１における漏洩磁束再生信号振幅を検出して差ＩｗＡＭ−ＩｗＢＭを求めることにより、ＧＭＲ素子６０２のトラックＮ中心６０５からの逸脱量（サーボ信号）を検出することができる。ＧＭＲ素子６０２でトラックＮ中心６０５を常に走査するためには、サーボ・パターンＡ６００およびサーボ・パターンＢ６０１をトラックに沿って一定間隔で形成しておき、各サーボ・パターンの組から得られる逸脱量を零とするようトラッキング・サーボ（サンプル・サーボ）を構成すればよい。一方光スポット６０３の位置特定は、サーボ・パターンＡ６００およびサーボ・パターンＢ６０１による光の干渉を用いて行う。光スポット６０３がサーボ・パターンＡ６００およびサーボ・パターンＢ６０１のピット上を通過すると、ピットと光スポット６０３の重なりに応じて反射光の光量が減少する。ピットの光学的深さおよび大きさを適当な値とすれば、光スポット６０３とピットによるサーボ・パターンの重なりが大きいほど反射光量が低下する。例えば図５のように光スポット６０３の走査位置が、サーボ・パターンＡ６００とサーボ・パターンＢ６０１側のちょうど中間であるトラックＮ中心６０５に一致していた場合には、サーボ・パターンＡにおける反射光強度再生信号振幅ＩｗＡＯとサーボ・パターンＢにおける反射光強度再生信号振幅ＩｗＢＯ間にＩｗＡＯ＝ＩｗＢＯなる関係が生ずる。光スポット６０３走査位置がどちらかのサーボ・パターンにオフセットしていた場合には、反射光強度再生信号振幅ＩｗＡＭ，ＩｗＢＭ間���アンバランスが生ずる。従ってサーボ・パターンＡ６００，サーボ・パターンＢ６０１における反射光強度再生信号振幅を検出して差ＩｗＡＯ−ＩｗＢＯを求めることにより、光スポット６０３のトラックＮ中心６０５からの逸脱量（サーボ信号）を検出することができる。ＧＭＲ素子６０２および光スポット６０３でトラックＮ中心６０５を常に走査するためには、サーボ・パターンＡ６００およびサーボ・パターンＢ６０１をトラックに沿って一定間隔で形成しておき、各サーボ・パターンの組から得られる各々の逸脱量を零とするようトラッキング・サーボ（サンプル・サーボ）を構成する。
図７は本発明で用いる他のトラッキング方法の他の例を説明する図であり、基板上の垂直磁気記録膜を漏洩磁束再生側から見た場合の模式図である。図中黒色で表された部分は紙面上向き、白色で表された部分は紙面下向きに磁化しているものとする。垂直磁気記録膜上に反転磁区を形成するためには図５で説明した基板の凹凸構造等を用いる。すなわちグルーブ７０４はランド７０５の両端にトラックに沿ってランド７０５面に比べて低く形成されている。トラック中心はランド７０５中心と一致しており、情報はランド７０５に記録される。またグルーブ７０４の磁化方向とランド７０５の消去磁化方向は逆向きとなっている。さらにランド７０５中央部にはランド７０５とは磁化方向が異なり、ランド７０５面に比べて低く形成されているアドレス・ピット７０６が存在する。アドレス・ピット７０６はランド７０５上に所定の間隔で形成されており、トラック番号，セクタ番号等の記録媒体上での物理的な位置を示す情報を保持している。今、磁束検出手段であるＧＭＲ素子７００，７０１が図中左から右に向かって記録膜表面を走査する。本構成ではトラックと直交して２個並列に配置されたＧＭＲ素子７００，７０１を用いて、ランド７０５からのＧＭＲ素子７００，７０１の逸脱量および再生信号を検出する。差動増幅器７０７はＧＭＲ素子７００とＧＭＲ素子７０１の出力の差を演算し、トラック逸脱量信号７０９を生成する。加算器７０８はＧＭＲ素子７００とＧＭＲ素子７０１の出力の和を演算し、漏洩磁束再生信号７１０を生成する。前述の通りＧＭＲ素子７００，７０１から得られる再生信号はＧＭＲ素子７００，７０１の各々感度分布と垂直磁気記録媒体上の磁束分布のコンボリューションである。従ってＧＭＲ素子７００，７０１の組の中心とランド７０５の中心が一致している場合には、ＧＭＲ素子７００の出力とＧＭＲ素子７０１の出力はバランスし、トラック逸脱量信号７０９は零となる。ＧＭＲ素子７００，７０１の組の中心がランド７０５の中心から逸脱した場合には、接近した側のＧＭＲ素子の出力が上昇、逆側のＧＭＲ素子の出力が低下し、トラック逸脱量信号７０９が非零となって逸脱方向と逸脱量を示す。漏洩磁束検出手段によって読み取られた記録磁区７０２およびアドレス・ピット７０６からの情報は、漏洩磁束再生信号７１０を通じて得られる。一方光スポット７０３の位置特定は、ランド７０５，グルーブ７０４間の高さの違いによる光の回折を用いて行う。信号の検出方式はプッシュ・プル法として公知の技術（例えば１９８９年，ラジオ技術社刊「光ディスク技術」，ＩＳＢＮ４−８４４３−０１９８−５の８６ページ等）であり、ここでの説明は省略する。また、アドレス・ピット７０６の読み取りはアドレス・ピット７０６による光の干渉を利用して、反射光量の大小によって行う。
以上説明した通り、凹凸構造上に反転磁区構造を有する記録媒体を用いることにより、記録媒体上の同一の領域から光スポットあるいは光照射位置に関する位置情報および磁束検出器に関する位置情報を取得することができる。これにより記録媒体のフォーマット効率を向上させ、実効的な装置の記憶容量を拡大させることができる。垂直磁気記録膜上に反転磁区を形成するためには図５で説明した基板の凹凸構造等を用いれば良い。
図８は本発明で用いる漏洩磁束検出手段を説明する図であり、基板上の垂直磁気記録膜を漏洩磁束再生側から見た場合の模式図である。図中黒色で表された部分は紙面上向き、白色で表された部分は紙面下向きに磁化しているものとする。今、再生用のＧＭＲ素子はトラックＮ８０４上を走査して、記録磁区８０２の保持する情報を再生する。前述した通り漏洩磁束検出手段であるＧＭＲ素子から得られる再生信号は、ＧＭＲ素子の感度分布と垂直磁気記録媒体上の磁束分布のコンボリューションである。従来の磁気記録再生装置では、記録磁界の印加領域が略矩形であり、形成される記録磁区も略矩形となっていた。したがってこれを再生するＧＭＲ素子の感度分布も直線状（記録媒体表面に沿った感度分布の稜線を記録媒体表面に射影した場合に略直線となる）で問題がなかった。しかし第１，２図を用いて説明した通り、本発明において高密度記録に有利な磁界変調記録方式によって反転磁区を形成すると、反転磁区の形状は図８に示した様に三日月状となる。この様な三日月状の記録磁区８０２を従来の直線状の感度分布を有するＧＭＲ素子で再生すると、従来のＧＭＲ素子による再生信号８０５で示したように隣接トラックであるトラックＮ＋１からのクロストーク量が比較的大きいのに対して、高密度に形成された記録磁区８０２からの再生信号振幅は小さくなる。記録膜に照射される光パルスの強度を大きくすれば三日月状の記録磁区の曲率はある程度低下するが、隣接トラックに対するクロス・イレーズおよびトラック中央部の強い加熱に伴う記録膜の劣化の問題を考慮すると、実用的ではない。一方、三日月状記録磁区８０２を本発明の円弧状ＧＭＲ素子８０１で再生した場合には、円弧状ＧＭＲ素子による再生信号８０６に示した様に、ＧＭＲ素子端部ではＧＭＲ素子と隣接トラック上の記録磁区の磁壁が略直交するためクロストークは低減される。さらに素子中央部ではＧＭＲ素子と再生トラック上の記録磁区の磁壁が略平行となるため再生信号振幅は大きくなる。しかし図４中に示したような長円形状記録マーク４０２を再生した場合には、記録マーク先端（先に走査される部分）ではＧＭＲ素子と再生トラック上の記録磁区の磁壁が略平行となるため再生信号振幅は大きくなる効果が得られるが、記録マーク後端（後で走査される部分）ではＧＭＲ素子と再生トラック上の記録磁区の磁壁の平行性が下がるため再生信号の分解能改善効果は得られない。以上説明した通り、磁界変調記録方式と本発明の円弧状の感度分布を有する磁束検出素子とを組み合わせれば、高密度の記録磁区反転領域においても信号対雑音比が大幅に改善され、高密度化，高信頼化の点で極めて有利となる。
図９は本発明による情報記録再生装置のやや詳細な構造例を示した図であり、記録媒体およびスライダを断面方向に見た場合の模式図である。垂直磁気記録膜９０１は基板９００の両面に製膜されている。基板９００はアルミニウム等の金属板，合成樹脂，カーボン等の非金属板等が考えられるが、光源波長における光透過性は必須ではない。図中黒色で表された部分は上向き、白色で表された部分は下向きに磁化しているものとする。記録媒体表面には左右方向に情報記録トラック（図示せず）が形成されており、記録媒体は情報記録トラックに沿って矢印で示される方向（図９中右向き）に走行している。記録媒体の表面には記録手段であるのＳＩＬ９０５，記録コイル９０６および再生手段であるＧＭＲ素子９０２が積載されたスライダ９０７が滑走している。まず光源（図示せず）から出射されたレーザ光９０４は偏光ビーム・スプリッタ９１０を通過して１／４波長板９０９で円偏光に変換される。ここで偏光ビーム・スプリッタ９１０は、光源からのレーザ光９０４の偏光を全透過するものとする。さらに出射光は対物レンズ９０８およびＳＩＬ９０５によって基板９００上に形成された垂直磁気記録膜９０１に円偏光の状態で絞り込まれ、光スポット（図示せず）を形成する。ここでレーザ光９０４の強度は垂直磁気記録膜９０１上の記録マーク（反転磁区，図示せず）を破壊しない程度に十分に低いものとする。記録コイル９０６は光スポットを中心として、光スポット位置に膜面と垂直な記録磁界を発生できるようリング状に配置されている。次に垂直磁気記録膜９０１からの反射光はＳＩＬ９０５，対物レンズ９０８を通過後、１／４波長板９０９によって光源からのレーザ光９０４とは直交する直線偏光に変換される。さらにこの反射光は偏光ビーム・スプリッタ９１０によって全反射され、検出レンズ９１１によって光検出器９１２上に絞り込まれる。従って光検出器９１２は光スポット部分における反射光強度信号を出力する。反射光強度信号は増幅器９１５によって適当なレベルまで増幅された後に、アクチュエータ駆動回路９１６に入力される。また、以上で説明した光による反射率検出と同時に、ＧＭＲ素子９０２は垂直磁気記録膜９０１の表面を走査し、磁束分布の検出を行う。記録マークまたは反転磁区の配列を反映したＧＭＲ素子９０２の出力は増幅器９１７によって必要なレベルまで増幅された後に、アクチュエータ駆動回路９１６に入力される。アクチュエータ駆動回路１１０は増幅器９１７から受け取った磁束検出信号に従って、ＧＭＲ素子９０２が目的の情報記録トラック（図示せず）を適切に走査するようにＶＣＭ９１４の駆動を行う。ＶＣＭ９１４はこの駆動信号に従いジンバル・アーム９１３の先に固定されたスライダ９０７を移動させ、ＧＭＲ素子９０２を垂直磁気記録膜９０１上の目的の位置に位置づける。レンズ・アクチュエータ９０３は基部がスライダ９０７上に固定され、目的の情報記録トラックの中心位置を光スポットが適切なサイズで走査するよう、光スポットとＧＭＲ素子９０２間の相対位置関係を制御する。すなわち光スポットのサイズに関しては、対物レンズ９０８を図９中上下方向に移動させ、対物レンズ９０８の焦点位置を垂直磁気記録膜９０１に一致するように制御を行う。また光スポットとＧＭＲ素子９０２間の相対位置関係に関しては、対物レンズ９０８を図９中紙面の前後方向に移動させ、光スポットによる走査トラックと垂直磁気記録膜９０１による走査トラックが一致するように制御を行う。スライダ９０７上における記録再生手段の配置順序は、記録媒体の走行順に情報記録手段であるＳＩＬ９０５，記録コイル９０６の組，再生手段であるＧＭＲ素子９０２となっており、記録動作時に、記録媒体の回転待ちをすることなく、記録された情報を直ちに再生して確認（ベリファイ）することができる。
本構成では各々の垂直磁気記録膜９０１に関して基板９００と反対側に記録再生手段が配置されており、従来技術とは異なり、基板の片側のみから情報の記録再生を行うことが可能である。このため基板９００の両面で情報を保持することが可能となり、装置サイズの点で極めて有利となる。また基板９００はレーザ光９０４に対しての透過性を有する必要がなくなり、従来のガラス基板やプラスティック基板に替わり、金属基板やカーボン基板等を利用することができる。このため機械特性，コストに関して有利な基板材料を選択できる利点も併せて有する。
図１０は図９におけるスライダ９０７の浮上量と記録光学系のエネルギー伝達効率，再生信号出力および記録磁界印加効率の関係を示した図である。記録媒体にはガラス製の基板９００上にＲＦスパッタ法で製膜した厚さ４０ｎｍのＴｂＦｅＣｏアモルファス垂直磁気記録膜を用い、さらに表面には厚さ１０ｎｍのＳｉＮによる保護層を設けた。記録光学系には光源波長６５５ｎｍ、対物レンズ９０８のＮＡ（Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ  Ａｐｅｒｔｕｒｅ）は０．６、ＳＩＬ９０５には屈折率１．５の半球形のものを用いた。まず初めに線速度５ｍ／ｓで０．２μｍ周期（０．１μｍ長）の記録マークを磁界変調記録方式によって記録した。光源での光パルスのパワーは１８ｍＷ、デューティ比は３３％であった。記録磁界は±２００Ｏｅとした。引き続き、スライダの浮上量を変化させながら、ＧＭＲ素子９０２の再生信号出力振幅およびＳＩＬ９０５を介して垂直磁気記録膜９０１に到達するエネルギーの伝達率を測定した。再生信号出力はスライダ浮上量３０ｎｍ時の出力を基準とした。エネルギー伝達効率は対物レンズ通過後のエネルギーと記録膜面に到達して記録マーク形成に使われたエネルギーの比を示す。浮上量の測定はスライダ後端のＧＭＲ素子９０２の位置でＳｉＮ保護膜の表面から行った。ＳＩＬ９０５はスライダのほぼ中央に配置した。スライダの前端と後端での浮上量の比はほぼ２：１であった。
浮上量を上昇させていくとＧＭＲ素子の再生信号出力は徐々に低下し、浮上量４０ｎｍ以上では所望のエラー・レートを満足する大きさの再生信号出力が得られなかった。エネルギー伝達効率も浮上量の上昇とともに減少し、十分な再生信号出力が得られる幅の記録マークを形成するために必要な記録パワーが上昇した。浮上量８５ｎｍ以上では光源に用いた半導体レーザの定格である３０ｍＷを上回ってしまったため、記録動作が不可能となった。また記録磁界印加効率は、実験の範囲内では変化が見られなかった。一般的に従来の磁界変調記録方式に用いる記録コイルを搭載したスライダは、記録媒体とのクラッシュを回避するために、数μｍ以上の浮上量を確保している。次に記録媒体の走行方向を逆転させ、同様に浮上量を変化させながら記録光学系のエネルギー伝達効率，再生信号出力および記録磁界印加効率の関係を測定した。正常な記録再生動作が期待されるＧＭＲ素子の浮上量が４０ｎｍ以下の状態にしようとしたところ、スライダ後端が記録膜表面に接触し、浮上が不安定となって正常な再生ができなかった。記録磁界印加効率に関しては浮上量との相関は認められず、常に１００％であった。
以上を総合するとＳＩＬおよびＧＭＲ素子を積載したスライダで安定した記録再生動作を行うためには、記録媒体の走行方向に関して前方にＳＩＬを、後端にＧＭＲ素子を配置し、スライダの浮上量は４０ｎｍ以下であることが必要であった。これにより浮上量の許容範囲がより広いＳＩＬをＧＭＲ素子に比べて前方に配置することにより、スライダ浮上量の許容範囲が広がり、装置の安定動作マージンが拡大される効果を有する。
本発明によれば、基体表面に製膜された垂直磁気記録膜上の反転磁区によって情報を保持する記録媒体を用いた情報記録再生装置において、基体の片側から記録および再生動作を行うことが可能となる。このことにより基体の材質に関する自由度が高まり、薄く機械特性に優れ安価な基体を用いることが可能となる。さらに記録手段および再生手段を記録媒体上の任意位置に位置づける手段を共用することが可能となる。またエネルギーの収束経路が基体を介さないため、基体の厚さ誤差の問題が解決され、同時に基体と光軸のなす角度の誤差に関しての許容範囲が広がる。以上により情報記録再生装置の高信頼化が図られ、大容量の情報記録再生装置を小型かつ安価に提供することができるようになる。
【図面の簡単な説明】
図１は、本発明による情報記録再生装置の構成例を示した第１の図である。
図２は、図１で示された本発明による情報記録再生装置の動作を詳細に説明した図である。
図３は、本発明による情報記録再生装置の構成例を示した第２の図である。
図４は、図３で示された本発明による情報記録再生装置の動作を詳細に説明した図である。
図５は、本発明で用いる記録媒体表面の構造例を示した図である。
図６は、本発明で用いる磁束検出器のトラッキング方法の例を説明する図である。
図７は、本発明で用いる磁束検出器のトラッキング方法の他の例を説明する図である。
図８は、本発明で用いる漏洩磁束検出手段を説明する図である。
図９は、本発明による情報記録再生装置のやや詳細な構造例を示した図である。
図１０は、図９におけるスライダ浮上量と記録光学系のエネルギー伝達効率，再生信号出力および記録磁界印加効率の関係を示した図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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