(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面上に複数の第一の電極が配列された第一の半導体素子と、
前記第一の半導体素子の主面上に、少なくとも前記第一の電極が配置されている領域の一部を露出するように積層された、主面上に複数の第二の電極が配列された第二の半導体素子と、
前記第一の半導体素子の主面上および、前記第二の半導体素子の主面上に形成され、少なくとも前記第一の電極が配置されている領域および、前記第二の電極が配置されている領域の一部に開口部を有するように形成された第一の絶縁性樹脂と、
前記第一の電極および、前記第二の電極から、前記第一の絶縁層に形成された開口部を介して、前記第一の絶縁層上に延在された、第一のめっき配線と、
少なくとも前記第一のめっき配線が形成されている領域の一部を露出するように積層された、主面上に複数の第三の電極が配列された第三の半導体素子と、
少なくとも前記第三の半導体素子の主面上に形成され、少なくとも前記第三の電極が配置されている領域および、前記第一のめっき配線が配置されている領域の一部に開口部を有するように形成された第二の絶縁性樹脂と、
少なくとも前記第三の電極および、前記第一のめっき配線から、第二の絶縁性樹脂の開口部を介して、第二の絶縁性樹脂上に延在された第二のめっき配線と、
少なくとも前記第二のめっき配線上の一部の領域に開口部を有する、第三の絶縁性樹脂と、
前記第三の絶縁性樹脂の開口部を介して、前記第二のめっき配線と電気的に接続された、外部電極端子とからなる半導体装置。
【請求項２】
複数の第一の電極が配置された第一の半導体素子の主面上に、前記第一の電極が配置されている領域が露出するように、主面上に複数の第二の電極が配列された第二の半導体素子を積層する第一の工程と、
前記第一の半導体素子の主面上および、前記第二の半導体素子の主面上に、少なくとも前記第一の電極が配置されている領域および、前記第二の電極が配置されている領域の一部に開口部を有する第一の絶縁性樹脂を形成する第二の工程と、
前記第一の電極および、前記第二の電極から、前記第一の絶縁層に形成された開口部を介して、前記第一の絶縁層上に第一のめっき配線を延在する第三の工程と、
少なくとも前記第一のめっき配線の一部の領域に開口部を有する、第二の絶縁性樹脂を形成する第四の工程と、
前記第二の絶縁性樹脂の開口部を介して、前記第一のめっき配線と電気的に接続された、外部電極端子を形成する第五の工程とを有し、
少なくとも、前記第一の工程、前記第二の工程、前記第三の工程、および前記第四の工程を、前記第一の半導体素子がウェハの状態で行われ、
さらに、前記第一の半導体素子をウェハ状態から個片に分割する第六の工程とを有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
主面上に複数の第一の電極が配列された第一の半導体素子の主面上に、少なくとも前記第一の電極が配置されている領域の一部を露出するように、第二、第三以降複数の半導体素子を積層する第一の工程と、
前記第一の半導体素子の主面上および、前記第二、第三以降複数の半導体素子の主面上に、少なくとも前記第一の電極が配置されている領域および、前記第二、第三以降複数の半導体素子上に形成された電極が配置されている領域の、一部に開口部を有するように、第一の絶縁性樹脂を形成する第二の工程と、
前記第一の電極および、前記第二、第三以降複数の半導体素子上に形成された電極から、前記第一の絶縁層に形成された開口部を介して、前記第一の絶縁層上に、第一のめっき配線を一括で形成する第三の工程と、
少なくとも前記第一のめっき配線上の一部の領域に開口部を有するように、第二の絶縁性樹脂を形成する第四の工程と、
前記第二の絶縁性樹脂の開口部を介して、前記第一のめっき配線と電気的に接続された、外部電極端子を形成する第五の工程とを有し、
少なくとも、前記第一の工程、前記第二の工程、前記第三の工程、および前記第四の工程を、前記第一の半導体素子がウェハの状態で行われ、
さらに、前記第一の半導体素子をウェハ状態から個片に分割する第六の工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
主面上に複数の第一の電極が配列された第一の半導体素子の主面上に、少なくとも前記第一の電極が配置されている領域の一部を露出するように、主面上に複数の第二の電極が配列された第二の半導体素子を積層する第一の工程と、
前記第一の半導体素子の主面上および、前記第二の半導体素子の主面上に、少なくとも前記第一の電極が配置されている領域および、前記第二の電極が配置されている領域の一部に開口部を有するように第一の絶縁性樹脂を形成する第二の工程と、
前記第一の電極および、前記第二の電極から、前記第一の絶縁層に形成された開口部を介して、前記第一の絶縁層上に、第一のめっき配線を延在する第三の工程と、
少なくとも前記第一のめっき配線が形成されている領域の一部を露出するように、主面上に複数の第三の電極が配列された第三の半導体素子を積層する第四の工程と、
少なくとも前記第三の半導体素子の主面上に、少なくとも前記第三の電極が配置されている領域および、前記第一のめっき配線が配置されている領域の一部に開口部を有するように、第二の絶縁性樹脂を形成する第五の工程と、
少なくとも前記第三の電極および、前記第一のめっき配線から、第二の絶縁性樹脂の開口部を介して、第二の絶縁性樹脂上に、第二のめっき配線を延在する第六の工程と、
少なくとも前記第二のめっき配線上の一部の領域に開口部を有する、第三の絶縁性樹脂を形成する第七の工程と、
前記第三の絶縁性樹脂の開口部を介して、前記第二のめっき配線と電気的に接続された、外部電極端子を形成する第八の工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４に係る半導体装置の製造方法において、少なくとも、前記第一の工程、前記第二の工程、前記第三の工程、前記第四の工程、前記第五の工程、前記第六の工程、および前記第七の工程を、前記第一の半導体素子がウェハの状態で行われ、
さらに、前記第一の半導体素子をウェハ状態から個片に分割する第九の工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
主面上に複数の第一の電極が配列された第一の半導体素子の主面上に、主面上に複数の第二の電極が配列された第二の半導体素子を積層する第一の工程と、
前記第二の半導体素子の主面上に、第一の絶縁性樹脂を形成する第二の工程と、
少なくとも前記第一の電極が配置されている領域および、前記第二の電極が配置されている領域の一部に、第一の開口部を形成する第三の工程と、
前記第一の電極および、前記第二の電極から、前記第一開口部を介して、前記第一の絶縁層上に、第一のめっき配線を延在する第四の工程と、
少なくとも前記第一絶縁性樹脂上および、前記第一のめっき配線上に、主面上に複数の第三の電極が配列された第三の半導体素子を積層する第五の工程と、
前記第三の半導体素子の主面上に、第二の絶縁性樹脂を形成する第六の工程と
少なくとも前記第三の電極が配置されている領域および、前記第一のめっき配線が配置されている領域の一部に、第二の開口部を形成する第七の工程と、
少なくとも前記第三の電極および、前記第一のめっき配線から、第二の開口部を介して、第二の絶縁性樹脂上に、第二のめっき配線を延在する第八の工程と、
少なくとも前記第二のめっき配線上の一部の領域に開口部を有する、第三の絶縁性樹脂を形成する第九の工程と、
前記第三の絶縁性樹脂の開口部を介して、前記第二のめっき配線と電気的に接続された、外部電極端子を形成する第十の工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に係る半導体装置の製造方法において、少なくとも、前記第一の工程、前記第二の工程、前記第三の工程、前記第四の工程、前記第五の工程、前記第六の工程、前記第七の工程、前記第八の工程、および前記第九の工程を、前記第一の半導体素子がウェハの状態で行われ、
さらに、前記第一の半導体素子をウェハ状態から個片に分割する第十一の工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、トランジスタ等の半導体素子を有する半導体装置であって、特に複数の半導体素子を積層する、半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体装置およびその製造方法は、電子機器の小型化、高機能化に伴い、小型化、高密度化、高速化を要求されるようになり、たとえばスタックドＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）のような、複数の半導体素子を積層して、高密度化を図るパッケージが開発されている。
【０００３】
以下、従来のスタックドＣＳＰと呼ばれる半導体装置について図面を参照しながら説明する。
【０００４】
図１０は、従来のスタックドＣＳＰと呼ばれる半導体装置を示す断面図である。
【０００５】
図１０において、２０１は第一の半導体素子、２０２は第一の半導体素子上電極、２０３は、第二の半導体素子、２０４は第二の半導体素子上電極、２０５はインターポーザー、２０６は第一の金属細線、２０７は第二の金属細線、２０８は接着剤、２０９は封止樹脂、２１０は外部電極端子、２１１は、インターポーザー上に形成された金属配線である。
【０００６】
図示するように、従来のスタックドＣＳＰと呼ばれる半導体装置は、第一の半導体素子２０１上に第二の半導体素子２０３を積層し、第一の半導体素子上電極２０２および第二の半導体素子上電極２０４をそれぞれ第一の金属細線２０６および、第二の金属細線２０７を介して、インターポーザー上に形成された金属配線２１１に電気的に接続された構造であり、封止樹脂２０９で、第一の半導体素子２０１、第二の半導体素子２０３、第一の金属細線２０６、第二の金属細線２０７、インターポーザー上に形成された金属配線２１１を封止している。
【０００７】
同図に示すように、従来のスタックドＣＳＰと呼ばれる半導体装置は、第一の半導体素子２０１上に第二の半導体素子２０３を積層する構造により、高密度化を達成している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら前記従来の半導体装置において、第一の半導体素子上電極２０２および第二の半導体素子上電極２０４と、インターポーザー上に形成された金属配線２１１との電気的な接合は、それぞれ第一の金属細線２０６および、第二の金属細線２０７を介して行われているため、インターポーザー２０５は、第一の半導体素子２０１よりも、インターポーザー上に形成された金属配線２１１の領域分だけ、大きくする必要があり、半導体装置の小型化を妨げる要因となっていた。
【０００９】
本発明は前記従来の課題を解決するもので、複数の半導体素子を積層し、かつ、小型化を可能とする、半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するために本発明の半導体装置およびその製造方法は以下の構成を有している。
【００１１】
請求項１記載の半導体装置は、主面上に複数の第一の電極が配列された第一の半導体素子と、前記第一の半導体素子の主面上に、少なくとも前記第一の電極が配置されている領域の一部を露出するように積層された、主面上に複数の第二の電極が配列された第二の半導体素子と、前記第一の半導体素子の主面上および、前記第二の半導体素子の主面上に形成され、少なくとも前記第一の電極が配置されている領域および、前記第二の電極が配置されている領域の一部に開口部を有するように形成された第一の絶縁性樹脂と、前記第一の電極および、前記第二の電極から、前記第一の絶縁層に形成された開口部を介して、前記第一の絶縁層上に延在された、第一のめっき配線と、少なくとも前記第一のめっき配線の一部の領域に開口部を有する、第二の絶縁性樹脂と、前記第二の絶縁性樹脂の開口部を介して、前記第一のめっき配線と電気的に接続された、外部電極端子とからなる。
【００１２】
請求項２記載の半導体装置は、主面上に複数の第一の電極が配列された第一の半導体素子と、前記第一の半導体素子の主面上に、少なくとも前記第一の電極が配置されている領域の一部を露出するように積層された、第二、第三以降複数の半導体素子と、前記第二、第三以降複数の半導体素子上に形成された電極と、前記第一の半導体素子の主面上および、前記第二、第三以降複数の半導体素子の主面上に形成され、少なくとも前記第一の電極が配置されている領域および、前記第二、第三以降複数の半導体素子上に形成された電極が配置されている領域の、一部に開口部を有するように形成された第一の絶縁性樹脂と、前記第一の電極および、前記第二、第三以降複数の半導体素子上に形成された電極から、前記第一の絶縁層に形成された開口部を介して、前記第一の絶縁層上に延在された、第一のめっき配線と、少なくとも前記第一のめっき配線上の一部の領域に開口部を有する、第二の絶縁性樹脂と、前記第二の絶縁性樹脂の開口部を介して、前記第一のめっき配線と電気的に接続された、外部電極端子とからなる。
【００１３】
請求項３記載の半導体装置は、主面上に複数の第一の電極が配列された第一の半導体素子と、前記第一の半導体素子の主面上に、少なくとも前記第一の電極が配置されている領域の一部を露出するように積層された、主面上に複数の第二の電極が配列された第二の半導体素子と、前記第一の半導体素子の主面上および、前記第二の半導体素子の主面上に形成され、少なくとも前記第一の電極が配置されている領域および、前記第二の電極が配置されている領域の一部に開口部を有するように形成された第一の絶縁性樹脂と、前記第一の電極および、前記第二の電極から、前記第一の絶縁層に形成された開口部を介して、前記第一の絶縁層上に延在された、第一のめっき配線と、少なくとも前記第一のめっき配線が形成されている領域の一部を露出するように積層された、主面上に複数の第三の電極が配列された第三の半導体素子と、少なくとも前記第三の半導体素子の主面上に形成され、少なくとも前記第三の電極が配置されている領域および、前記第一のめっき配線が配置されている領域の一部に開口部を有するように形成された第二の絶縁性樹脂と、少なくとも前記第三の電極および、前記第一のめっき配線から、第二の絶縁性樹脂の開口部を介して、第二の絶縁性樹脂上に延在された第二のめっき配線と、少なくとも前記第二のめっき配線上の一部の領域に開口部を有する、第三の絶縁性樹脂と、前記第三の絶縁性樹脂の開口部を介して、前記第二のめっき配線と電気的に接続された、外部電極端子とからなる。
【００１４】
請求項４記載の半導体装置の製造方法は、複数の第一の電極が配置された第一の半導体素子の主面上に、前記第一の電極が配置されている領域が露出するように、主面上に複数の第二の電極が配列された第二の半導体素子を積層する第一の工程と、前記第一の半導体素子の主面上および、前記第二の半導体素子の主面上に、少なくとも前記第一の電極が配置されている領域および、前記第二の電極が配置されている領域の一部に開口部を有する第一の絶縁性樹脂を形成する第二の工程と、前記第一の電極および、前記第二の電極から、前記第一の絶縁層に形成された開口部を介して、前記第一の絶縁層上に第一のめっき配線を延在する第三の工程と、少なくとも前記第一のめっき配線の一部の領域に開口部を有する、第二の絶縁性樹脂を形成する第四の工程と、前記第二の絶縁性樹脂の開口部を介して、前記第一のめっき配線と電気的に接続された、外部電極端子を形成する第五の工程とを有することを特徴とする。
【００１５】
請求項５記載の半導体装置の製造方法は、請求項４に係る半導体装置の製造方法において、少なくとも、前記第一の工程、前記第二の工程、前記第三の工程、および前記第四の工程を、前記第一の半導体素子がウェハの状態で行われ、さらに、前記第一の半導体素子をウェハ状態から個片に分割する第六の工程とを有することを特徴とする。
【００１６】
請求項６記載の半導体装置の製造方法は、主面上に複数の第一の電極が配列された第一の半導体素子の主面上に、少なくとも前記第一の電極が配置されている領域の一部を露出するように、第二、第三以降複数の半導体素子を積層する第一の工程と、前記第一の半導体素子の主面上および、前記第二、第三以降複数の半導体素子の主面上に、少なくとも前記第一の電極が配置されている領域および、前記第二、第三以降複数の半導体素子上に形成された電極が配置されている領域の、一部に開口部を有するように、第一の絶縁性樹脂を形成する第二の工程と、前記第一の電極および、前記第二、第三以降複数の半導体素子上に形成された電極から、前記第一の絶縁層に形成された開口部を介して、前記第一の絶縁層上に、第一のめっき配線を延在する第三の工程と、少なくとも前記第一のめっき配線上の一部の領域に開口部を有するように、第二の絶縁性樹脂を形成する第四の工程と、前記第二の絶縁性樹脂の開口部を介して、前記第一のめっき配線と電気的に接続された、外部電極端子を形成する第五の工程とを有することを特徴とする。
【００１７】
請求項７記載の半導体装置の製造方法は、請求項６に係る半導体装置の製造方法において、少なくとも、前記第一の工程、前記第二の工程、前記第三の工程、および前記第四の工程を、前記第一の半導体素子がウェハの状態で行われ、さらに、前記第一の半導体素子をウェハ状態から個片に分割する第六の工程とを有することを特徴とする。
【００１８】
請求項８記載の半導体装置の製造方法は、主面上に複数の第一の電極が配列された第一の半導体素子の主面上に、少なくとも前記第一の電極が配置されている領域の一部を露出するように、主面上に複数の第二の電極が配列された第二の半導体素子を積層する第一の工程と、前記第一の半導体素子の主面上および、前記第二の半導体素子の主面上に、少なくとも前記第一の電極が配置されている領域および、前記第二の電極が配置されている領域の一部に開口部を有するように第一の絶縁性樹脂を形成する第二の工程と、前記第一の電極および、前記第二の電極から、前記第一の絶縁層に形成された開口部を介して、前記第一の絶縁層上に、第一のめっき配線を延在する第三の工程と、少なくとも前記第一のめっき配線が形成されている領域の一部を露出するように、主面上に複数の第三の電極が配列された第三の半導体素子を積層する第四の工程と、少なくとも前記第三の半導体素子の主面上に、少なくとも前記第三の電極が配置されている領域および、前記第一のめっき配線が配置されている領域の一部に開口部を有するように、第二の絶縁性樹脂を形成する第五の工程と、少なくとも前記第三の電極および、前記第一のめっき配線から、第二の絶縁性樹脂の開口部を介して、第二の絶縁性樹脂上に、第二のめっき配線を延在する第六の工程と、少なくとも前記第二のめっき配線上の一部の領域に開口部を有する、第三の絶縁性樹脂を形成する第七の工程と、前記第三の絶縁性樹脂の開口部を介して、前記第二のめっき配線と電気的に接続された、外部電極端子を形成する第八の工程と、を有することを特徴とする。
【００１９】
請求項９記載の半導体装置の製造方法は、請求項８に係る半導体装置の製造方法において、少なくとも、前記第一の工程、前記第二の工程、前記第三の工程、前記第四の工程、前記第五の工程、前記第六の工程、および前記第七の工程を、前記第一の半導体素子がウェハの状態で行われ、さらに、前記第一の半導体素子をウェハ状態から個片に分割する第九の工程とを有することを特徴とする。
【００２０】
請求項１０記載の半導体装置の製造方法は、主面上に複数の第一の電極が配列された第一の半導体素子の主面上に、主面上に複数の第二の電極が配列された第二の半導体素子を積層する第一の工程と、前記第二の半導体素子の主面上に、第一の絶縁性樹脂を形成する第二の工程と、少なくとも前記第一の電極が配置されている領域および、前記第二の電極が配置されている領域の一部に、第一の開口部を形成する第三の工程と、前記第一の電極および、前記第二の電極から、前記第一開口部を介して、前記第一の絶縁層上に、第一のめっき配線を延在する第四の工程と、少なくとも前記第一絶縁性樹脂上および、前記第一のめっき配線上に、主面上に複数の第三の電極が配列された第三の半導体素子を積層する第五の工程と、前記第三の半導体素子の主面上に、第二の絶縁性樹脂を形成する第六の工程と少なくとも前記第三の電極が配置されている領域および、前記第一のめっき配線が配置されている領域の一部に、第二の開口部を形成する第七の工程と、少なくとも前記第三の電極および、前記第一のめっき配線から、第二の開口部を介して、第二の絶縁性樹脂上に、第二のめっき配線を延在する第八の工程と、少なくとも前記第二のめっき配線上の一部の領域に開口部を有する、第三の絶縁性樹脂を形成する第九の工程と、前記第三の絶縁性樹脂の開口部を介して、前記第二のめっき配線と電気的に接続された、外部電極端子を形成する第十の工程とを有することを特徴とする。
【００２１】
請求項１１記載の半導体装置の製造方法は、請求項１０に係る半導体装置の製造方法において、少なくとも、前記第一の工程、前記第二の工程、前記第三の工程、前記第四の工程、前記第五の工程、前記第六の工程、前記第七の工程、前記第八の工程、および前記第九の工程を、前記第一の半導体素子がウェハの状態で行われ、さらに、前記第一の半導体素子をウェハ状態から個片に分割する第十一の工程とを有することを特徴とする。
【００２２】
請求項１の構成により、第一の半導体素子と同じサイズで、２つの半導体素子を積層した半導体装置が得られる。
【００２３】
請求項２の構成により、第一の半導体素子と同じサイズで、３つ以上の半導体素子を積層した半導体装置が得られる。
【００２４】
請求項３の構成により、第一の半導体素子と同じサイズで、３つ以上の半導体素子を積層した半導体装置がえられるとともに、第二の半導体素子と第三の半導体素子のサイズを第一の半導体素子と同じサイズにすることができる。
【００２５】
請求項４の半導体装置の製造方法により、請求項１記載の半導体素子を製造することができる。
【００２６】
請求項５の半導体装置の製造方法により、請求項１記載の半導体素子をウェハ状態で製造することができる。
【００２７】
請求項６の半導体装置の製造方法により、請求項２記載の半導体素子を製造することができる。
【００２８】
請求項７の半導体装置の製造方法により、請求項２記載の半導体素子をウェハ状態で製造することができる。
【００２９】
請求項８の半導体装置の製造方法により、請求項３記載の半導体素子を製造することができる。
【００３０】
請求項９の半導体装置の製造方法により、請求項３記載の半導体素子をウェハ状態で製造することができる。
【００３１】
請求項１０の半導体装置の製造方法により、請求項３記載の半導体素子を製造することができる。
【００３２】
請求項１１の半導体装置の製造方法により、請求項３記載の半導体素子をウェハ状態で製造することができる。
【００３３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００３４】
（第一の実施形態）
図１は本発明の第一の実施形態に係る半導体装置の例を示す斜視図であり、図２は本発明の第一の実施形態に係る半導体装置の例を示す断面図である。
【００３５】
図１および、図２において、１は第一の半導体素子、２は第一の半導体素子上電極、３は第二の半導体素子、４は第二の半導体素子上電極、５は接着剤、６は第一の絶縁性樹脂、７は第二の絶縁性樹脂、８はめっき配線、９は外部電極端子、１０は第一の絶縁性樹脂に形成された開口部である。
【００３６】
図１，図２において、第二の半導体素子３は、第一の半導体素子１の上に、第一の半導体素子上電極２が露出するように、接着剤５を介して積層された構造である。このとき、第二の半導体素子３の厚みは、２００［μｍ］以下が望ましい。また、接着剤５は絶縁性を有しかつ、線膨張係数は１０［ｐｐｍ］以下が望ましい。
【００３７】
第一の絶縁性樹脂６は、第一の半導体素子１および第二の半導体素子３上に、第一の半導体素子上電極２および第二の半導体素子上電極４が開口するように形成されている。めっき配線８は第一の絶縁性樹脂６上に形成され、さらに、第一の絶縁性樹脂６に形成された開口部１０を介して、第一の半導体素子上電極２および第二の半導体素子上電極４と電気的に接続されている構造である。このときめっき配線８は必ずしも第一の半導体素子上電極２および第二の半導体素子上電極４と電気的に接続する必要はなく、また、第一の半導体素子上電極２と、第二の半導体素子上電極４は、第一の絶縁性樹脂６上に形成されためっき配線８を介して電気的に接続されていてもよい。ここでめっき配線８の材質は電気特性上、銅が望ましい。
【００３８】
第二の絶縁性樹脂７は、めっき配線８の一部を開口するように形成されており、この開口部（図示せず）を介して外部電極端子９とめっき配線８は電気的に接続されている構造である。
【００３９】
（第一の実施形態の製造方法）
図３は本発明の第一の実施形態に係る半導体装置の製造方法の例を示す断面図である。
【００４０】
図３において、１は第一の半導体素子、２は第一の半導体素子上電極、３は第二の半導体素子、４は第二の半導体素子上電極、５は接着剤、６は第一の絶縁性樹脂、７は第二の絶縁性樹脂、８はめっき配線、９は外部電極端子、１０は第一の絶縁性樹脂に形成された開口部である。
【００４１】
まず、図３−Ａに示すように第一の半導体素子上電極２を有した第一の半導体素子１を用意し、そして図３−Ｂに示すように、第二の半導体素子３を第一の半導体素子１の上に接着剤５によって接着する。このとき接着剤５は、液状の熱硬化型樹脂でも、フィルム状の熱硬化型樹脂でもよい。接着剤５に液状の熱硬化型樹脂を用いた場合は、予め第一の半導体素子１上に適量塗布しておき、第二の半導体素子を積層した後、高温槽またはホットプレートを用いて接着剤５を硬化する。また、接着剤５にフィルム状の熱硬化型樹脂を用いた場合は、予め第二の半導体素子３の裏面に貼り付けておき、第一の半導体素子１または、第二の半導体素子３を加熱しながら、第一の半導体素子１に接着する。
【００４２】
次に、図３−Ｃに示すように、第一の絶縁性樹脂６を第一の半導体素子１および第二の半導体素子３上に塗布する。このとき第一の絶縁性樹脂６には液状の感光性樹脂を用いて、印刷法または、スピンコートで塗布する。ここで、第一の絶縁性樹脂６はフィルム状の感光性樹脂でもよい。
【００４３】
その後に、図３−Ｄに示すように、第一の絶縁性樹脂６を仮硬化し、第一の半導体素子上電極２および、第二の半導体素子上電極４を開口するように、露光、現像、本硬化する。
【００４４】
次に、図３−Ｅに示すように、第一の絶縁性樹脂６上および、第一の絶縁性樹脂に形成された開口部１０を介して、少なくとも第一の半導体素子上電極２または、第二の半導体素子上電極４の一部と電気的に接続するように、めっき配線８を形成する。めっき配線８はフォトリソによって形成し、その材質には銅が望ましい。
【００４５】
次に、図３−Ｆおよび図３−Ｇに示すように、第一の絶縁性樹脂６を形成するのと同様の方法で、第二の絶縁性樹脂７をめっき配線８の一部が開口するように形成する。
【００４６】
最後に、図３−Ｈに示すように外部電極端子９を第二の絶縁性樹脂７の開口部を介してめっき配線８と電気的に接続する。ここで、外部電極端子９の接続法には、ボール転写法や、はんだ印刷法を用いる。
【００４７】
図３において、第一の半導体素子１は個片で図示しているが、個片に分割する前のウェハ状態で製造してもよい。このときウェハ状態から個片への分割は、図３−Ｈに示す外部電極端子９を接続する工程の前または後に行うことが望ましい。
【００４８】
（第二の実施形態）
図４は本発明の第二の実施形態に係る半導体装置の例を示す断面図である。
【００４９】
図４において、１は第一の半導体素子、２は第一の半導体素子上電極、３は第二の半導体素子、４は第二の半導体素子上電極、５は接着剤、６は第一の絶縁性樹脂、７は第二の絶縁性樹脂、８はめっき配線、９は外部電極端子、１０は第一の絶縁性樹脂に形成された開口部、１１は第三の半導体素子、１２は第三の半導体素子上電極である。
【００５０】
図４において、第二の半導体素子３は、第一の半導体素子１の上に、第一の半導体素子上電極２が露出するように、また、第三の半導体素子１１は、第二の半導体素子３の上に、第二の半導体素子上電極４が露出するように、接着剤５を介して積層された構造である。このとき、第二の半導体素子３および第三の半導体素子１１の厚みは、２００［μｍ］以下が望ましい。また、接着剤５は絶縁性を有しかつ、線膨張係数は１０［ｐｐｍ］以下が望ましい。
【００５１】
第一の絶縁性樹脂６は、第一の半導体素子１、第二の半導体素子３および第三の半導体素子１１上に、第一の半導体素子上電極２、第二の半導体素子上電極４および第三の半導体素子上電極１２が開口するように形成されている。めっき配線８は第一の絶縁性樹脂６上に形成され、さらに、第一の絶縁性樹脂６に形成された開口部１０を介して、第一の半導体素子上電極２、第二の半導体素子上電極４および第三の半導体素子上電極１２と電気的に接続されている構造である。このときめっき配線８は必ずしも第一の半導体素子上電極２、第二の半導体素子上電極４および第三の半導体素子上電極１２と電気的に接続する必要はなく、また、第一の半導体素子上電極２、第二の半導体素子上電極４および第三の半導体素子上電極１２はそれぞれ、第一の絶縁性樹脂６上に形成されためっき配線８を介して電気的に接続されていてもよい。ここでめっき配線８の材質は電気特性上、銅が望ましい。
【００５２】
第二の絶縁性樹脂７は、めっき配線８の一部を開口するように形成されており、この開口部（図示せず）を介して外部電極端子９とめっき配線８は電気的に接続されている構造である。
【００５３】
ここでは、３つの半導体素子を積層しているが、第三の半導体素子１２の上にさらに、第四、第五と複数の半導体素子を積層してもよい。
【００５４】
（第二の実施形態の製造方法）
図５は本発明の第一の実施形態に係る半導体装置の製造方法の例を示す断面図である。
【００５５】
図５において、１は第一の半導体素子、２は第一の半導体素子上電極、３は第二の半導体素子、４は第二の半導体素子上電極、５は接着剤、６は第一の絶縁性樹脂、７は第二の絶縁性樹脂、８はめっき配線、９は外部電極端子、１０は第一の絶縁性樹脂に形成された開口部、１１は第三の半導体素子、１２は第三の半導体素子上電極であるである。
【００５６】
まず、図５−Ａに示すように第一の半導体素子上電極２を有した第一の半導体素子１を用意し、そして図５−Ｂに示すように、第二の半導体素子３を第一の半導体素子１の上に接着剤５によって接着する。このとき接着剤５は、液状の熱硬化型樹脂でも、フィルム状の熱硬化型樹脂でもよい。接着剤５に液状の熱硬化型樹脂を用いた場合は、予め第一の半導体素子１上に適量塗布しておき、第二の半導体素子を積層した後、高温槽またはホットプレートを用いて接着剤５を硬化する。また、接着剤５にフィルム状の熱硬化型樹脂を用いた場合は、予め第二の半導体素子３の裏面に貼り付けておき、第一の半導体素子１または、第二の半導体素子３を加熱しながら、第一の半導体素子１に接着する。
【００５７】
さらに、図５−Ｃに示すように、第二の半導体素子３を第一の半導体素子１の上に接着するのと同様の方法で、第三の半導体素子１１を第二の半導体素子３の上に接着する。
【００５８】
次に、図５−Ｄに示すように、第一の絶縁性樹脂６を第一の半導体素子１、第二の半導体素子３および第三の半導体素子１１上に塗布する。このとき第一の絶縁性樹脂６には液状の感光性樹脂を用いて、印刷法または、スピンコートで塗布する。ここで、第一の絶縁性樹脂６はフィルム状の感光性樹脂でもよい。
【００５９】
その後に、図５−Ｅに示すように、第一の絶縁性樹脂６を仮硬化し、第一の半導体素子上電極２、第二の半導体素子上電極４および、第三の半導体素子上電極１２を開口するように、露光、現像、本硬化する。
【００６０】
次に、図５−Ｆに示すように、第一の絶縁性樹脂６上および、第一の絶縁性樹脂に形成された開口部１０を介して、少なくとも第一の半導体素子上電極２、第二の半導体素子上電極４および、第三の半導体素子上電極１２の一部と電気的に接続するように、めっき配線８を形成する。めっき配線８はフォトリソによって形成し、その材質には銅が望ましい。
【００６１】
次に、図５−Ｇおよび図５−Ｈに示すように、第一の絶縁性樹脂６を形成するのと同様の方法で、第二の絶縁性樹脂７をめっき配線８の一部が開口するように形成する。
【００６２】
最後に、図５−Ｉに示すように外部電極端子９を第二の絶縁性樹脂７の開口部を介してめっき配線８と電気的に接続する。ここで、外部電極端子９の接続法には、ボール転写法や、はんだ印刷法を用いる。
【００６３】
図５において、第一の半導体素子１は個片で図示しているが、個片に分割する前のウェハ状態で製造してもよい。このときウェハ状態から個片への分割は、図５−Ｉに示す外部電極端子９を接続する工程の前または後に行うことが望ましい。
【００６４】
（第三の実施形態）
図６は本発明の第三の実施形態に係る半導体装置の例を示す断面図である。
【００６５】
図６において、１０１は第一の半導体素子、１０２は第一の半導体素子上電極、１０３は第二の半導体素子、１０４は第二の半導体素子上電極、１０５は第三の半導体素子、１０６は第三の半導体素子上電極、１０７は第一の接着剤、１０８は第二の接着剤、１０９は第一の絶縁性樹脂、１１０は第二の絶縁性樹脂、１１１は第三の絶縁性樹脂、１１２は第一のめっき配線、１１３は第二のめっき配線、１１４は第一の絶縁性樹脂に形成された開口部、１１５は第二の絶縁性樹脂に形成された開口部、１１６は外部電極端子である。
【００６６】
図６において、第二の半導体素子１０３は、第一の半導体素子１０１の上に、第一の半導体素子上電極１０２が露出するように、接着剤１０７を介して積層された構造である。
【００６７】
第一の絶縁性樹脂１０９は、第一の半導体素子１０１、および第二の半導体素子１０３上に、少なくとも第一の半導体素子上電極１０２、または第二の半導体素子上電極１０４が開口するように形成されている。
【００６８】
第一のめっき配線１１２は第一の絶縁性樹脂１０９上に形成され、さらに、第一の絶縁性樹脂に形成された開口部１１４を介して、少なくとも第一の半導体素子上電極１０２、または第二の半導体素子上電極１０４と電気的に接続されている構造である。このとき第一のめっき配線１１２は必ずしも第一の半導体素子上電極１０２、および第二の半導体素子上電極１０４と電気的に接続する必要はなく、また、第一の半導体素子上電極１０２と、第二の半導体素子上電極１０４が、第一の絶縁性樹脂１０９上に形成された第一のめっき配線１１２を介して電気的に接続されていてもよい。
【００６９】
第三の半導体素子１０５は、第一のめっき配線１１２が形成された第二の半導体素子１０３の上に、少なくとも第二の半導体素子上電極１０４または、第一のめっき配線１１２が露出するように、接着剤１０８を介して積層された構造である。
【００７０】
第二の絶縁性樹脂１１０は、第二の半導体素子１０５、および第三の半導体素子１０５上に、少なくとも第二の半導体素子上電極１０４、第三の半導体素子上電極１０６および、第一のめっき配線１１２のいずれかが開口するように形成されている。
【００７１】
第二のめっき配線１１３は第二の絶縁性樹脂１１０上に形成され、さらに、第二の絶縁性樹脂に形成された開口部１１５を介して、少なくとも第二の半導体素子上電極１０４または、第三の半導体素子上電極１０６または、第一のめっき配線１１２と電気的に接続されている構造である。このとき第二のめっき配線１１３は、必ずしも第二の半導体素子上電極１０４、第三の半導体素子上電極１０６および、第一のめっき配線１１２と電気的に接続する必要はなく、また、第二の半導体素子上電極１０４、第三の半導体素子上電極１０６および、第一のめっき配線１１２は、それぞれ第一の絶縁性樹脂１０９上に形成された第二のめっき配線１１３を介して電気的に接続されていてもよい。
【００７２】
ここで第一のめっき配線１１２および第二のめっき配線１１３の材質は電気特性上、銅が望ましい。
【００７３】
また、このとき第二の半導体素子１０３および第三の半導体素子１０５の厚みは、２００μｍ以下が望ましい。また、接着剤１０７および接着剤１０８は絶縁性を有しかつ、線膨張係数は１０ｐｐｍ以下が望ましい。
【００７４】
第三の絶縁性樹脂１１１は、第二のめっき配線１１３の一部を開口するように形成されており、この開口部（図示せず）を介して外部電極端子１１６と第二のめっき配線１１３は電気的に接続されている構造である。
【００７５】
ここでは、３つの半導体素子を積層しているが、第三の半導体素子１０５の上にさらに、第四、第五と複数の半導体素子を積層してもよい。
【００７６】
（第三の実施形態の製造方法）
図７は本発明の第三の実施形態に係る半導体装置の製造方法の例を示す断面図である。
【００７７】
図７において、１０１は第一の半導体素子、１０２は第一の半導体素子上電極、１０３は第二の半導体素子、１０４は第二の半導体素子上電極、１０５は第三の半導体素子、１０６は第三の半導体素子上電極、１０７は第一の接着剤、１０８は第二の接着剤、１０９は第一の絶縁性樹脂、１１０は第二の絶縁性樹脂、１１１は第三の絶縁性樹脂、１１２は第一のめっき配線、１１３は第二のめっき配線、１１４は第一の絶縁性樹脂に形成された開口部、１１５は第二の絶縁性樹脂に形成された開口部、１１６は外部電極端子である。
【００７８】
まず、図７−Ａに示すように、第二の半導体素子１０３を第一の半導体素子１０１の上に第一の接着剤１０７によって接着する。このとき第一の接着剤１０７は、液状の熱硬化型樹脂でも、フィルム状の熱硬化型樹脂でもよい。接着剤１０７に液状の熱硬化型樹脂を用いた場合は、予め第一の半導体素子１０１上に適量塗布しておき、第二の半導体素子１０３を積層した後、高温槽またはホットプレートを用いて第一の接着剤１０７を硬化する。また、第一の接着剤１０７にフィルム状の熱硬化型樹脂を用いた場合は、予め第二の半導体素子１０３の裏面に貼り付けておき、第一の半導体素子１０１または、第二の半導体素子１０３を加熱しながら、第一の半導体素子１０１に接着する。
【００７９】
次に、図７−Ｂに示すように、第一の絶縁性樹脂１０９を第一の半導体素子１０１および第二の半導体素子１０３上に塗布する。このとき第一の絶縁性樹脂１０９には液状の感光性樹脂を用いて、印刷法または、スピンコートで塗布する。ここで、第一の絶縁性樹脂１０９はフィルム状の感光性樹脂でもよい。その後に、第一の絶縁性樹脂１０９を仮硬化し、第一の半導体素子上電極１０２および、第二の半導体素子上電極１０４を開口するように、露光、現像、本硬化する。
【００８０】
次に、図７−Ｃに示すように、第一の絶縁性樹脂１０９上および、第一の絶縁性樹脂に形成された開口部１１４を介して、少なくとも第一の半導体素子上電極１０２または、第二の半導体素子上電極１０４の一部と電気的に接続するように、第一のめっき配線１１２をフォトリソによって形成する。
【００８１】
次に、図７−Ｄに示すように、第二の半導体素子１０３を第一の半導体素子１０１の上に第一の接着剤１０７によって接着するのと同様にして、第三の半導体素子１０５を第二の半導体素子１０３の上に、少なくとも第一のめっき配線１１２の一部が露出するように、第二の接着剤１０８によって接着する。
【００８２】
次に、図７−Ｅに示すように、第一の絶縁性樹脂１０９を形成するのと同様の方法で、第二の絶縁性樹脂１１０を第一のめっき配線１１２の一部が開口するように形成する。
【００８３】
次に、図７−Ｆに示すように、第二の絶縁性樹脂１１０上に、第二の絶縁性樹脂に形成された開口部１１５を介して、少なくとも第一のめっき配線１１２の一部と電気的に接続するように、第二のめっき配線１１３をフォトリソによって形成する。
【００８４】
次に、図７−Ｇに示すように、第一の絶縁性樹脂１０９を形成するのと同様の方法で、第三の絶縁性樹脂１１１を第二のめっき配線１１３の一部が開口するように形成する。
【００８５】
最後に、図７―Ｈに示すように外部電極端子１１６を第三の絶縁性樹脂１１１の開口部を介して第二のめっき配線１１３と電気的に接続する。ここで、外部電極端子１１６の接続法には、ボール転写法や、はんだ印刷法を用いる。
【００８６】
図７において、第一の半導体素子１０１は個片で図示しているが、個片に分割する前のウェハ状態で製造してもよい。このときウェハ状態から個片への分割は、図７−Ｈに示す外部電極端子１１６を接続する工程の前または後に行うことが望ましい。
【００８７】
（第四の実施形態）
図８は本発明の第四の実施形態に係る半導体装置の例を示す断面図である。
【００８８】
図８において、１０１は第一の半導体素子、１０２は第一の半導体素子上電極、１０３は第二の半導体素子、１０４は第二の半導体素子上電極、１０５は第三の半導体素子、１０６は第三の半導体素子上電極、１０７は第一の接着剤、１０８は第二の接着剤、１０９は第一の絶縁性樹脂、１１０は第二の絶縁性樹脂、１１１は第三の絶縁性樹脂、１１２は第一のめっき配線、１１３は第二のめっき配線、１１４は第一の絶縁性樹脂に形成された開口部、１１５は第二の絶縁性樹脂に形成された開口部、１１６は外部電極端子、１１７は第二の半導体素子に形成された開口部、１１８は第三の半導体素子に形成された開口部である。
【００８９】
図８において、第二の半導体素子１０３は、第一の半導体素子１０１の上に、第二の半導体素子に形成された開口部１１７によって、第一の半導体素子上電極２が露出するように、接着剤１０７を介して積層された構造である。
【００９０】
第一の絶縁性樹脂１０９は、第二の半導体素子１０３上に、第一の半導体素子上電極１０２、および第二の半導体素子上電極１０４が開口するように形成されている。
【００９１】
第一のめっき配線１１２は第一の絶縁性樹脂１０９上に形成され、さらに、第一の絶縁性樹脂に形成された開口部１１４を介して、第二の半導体素子上電極１０４と、また、第一の絶縁性樹脂に形成された開口部１１４および、第二の半導体素子に形成された開口部１１７を介して第一の半導体素子上電極１０２と電気的に接続されている構造である。このとき第一のめっき配線１１２は必ずしも第一の半導体素子上電極１０２、および第二の半導体素子上電極１０４と電気的に接続する必要はなく、また、第一の半導体素子上電極１０２、および第二の半導体素子上電極１０４は、第一の絶縁性樹脂１０９上に形成された第一のめっき配線１１２を介して電気的に接続されていてもよい。
【００９２】
第三の半導体素子１０５は、第一のめっき配線１１２が形成された第二の半導体素子１０３の上に、少なくとも、第三の半導体素子に形成された開口部１１８によって、第一のめっき配線１１２が露出するように、接着剤１０８を介して積層された構造である。
【００９３】
第二の絶縁性樹脂１１０は、第三の半導体素子１０５上に、少なくとも第三の半導体素子上電極１０６、または、第一のめっき配線１１２が開口するように形成されている。
【００９４】
第二のめっき配線１１３は第二の絶縁性樹脂１１０上に形成され、さらに、第二の絶縁性樹脂に形成された開口部１１５を介して、第三の半導体素子上電極１０６と、また、第二の絶縁性樹脂に形成された開口部１１５および、第三の半導体素子に形成された開口部１１８を介して、第一のめっき配線１１２と電気的に接続されている構造である。このとき第二のめっき配線１１３は、必ずしも第三の半導体素子上電極１０６または、第一のめっき配線１１２と電気的に接続する必要はなく、また、第三の半導体素子上電極１０６と、第一のめっき配線１１２は、第一の絶縁性樹脂１０９上に形成された第二のめっき配線１１３を介して電気的に接続されていてもよい。
【００９５】
ここで第一のめっき配線１１２および第二のめっき配線１１３の材質は電気特性上、銅が望ましい。
【００９６】
また、このとき第二の半導体素子１０３および第三の半導体素子１０５の厚みは、２００［μｍ］以下が望ましい。また、接着剤１０７および接着剤１０８は絶縁性を有しかつ、線膨張係数は１０［ｐｐｍ］以下が望ましい。
【００９７】
第三の絶縁性樹脂１１１は、第二のめっき配線１１３の一部を開口するように形成されており、この開口部（図示せず）を介して外部電極端子１１６と第二のめっき配線１１３は電気的に接続されている構造である。
【００９８】
ここでは、３つの半導体素子を積層しているが、第三の半導体素子１０５の上にさらに、第四、第五と複数の半導体素子を積層してもよい。
【００９９】
（第四の実施形態の製造方法）
図９は本発明の第四の実施形態に係る半導体装置の製造方法の例を示す断面図である。
【０１００】
図９において、１０１は第一の半導体素子、１０２は第一の半導体素子上電極、１０３は第二の半導体素子、１０４は第二の半導体素子上電極、１０５は第三の半導体素子、１０６は第三の半導体素子上電極、１０７は第一の接着剤、１０８は第二の接着剤、１０９は第一の絶縁性樹脂、１１０は第二の絶縁性樹脂、１１１は第三の絶縁性樹脂、１１２は第一のめっき配線、１１３は第二のめっき配線、１１４は第一の絶縁性樹脂に形成された開口部、１１５は第二の絶縁性樹脂に形成された開口部、１１６は外部電極端子、１１７は第二の半導体素子に形成された開口部、１１８は第三の半導体素子に形成された開口部である。
【０１０１】
まず、図９−Ａに示すように、第二の半導体素子１０３を第一の半導体素子１０１の上に第一の接着剤１０７によって接着する。このとき第一の接着剤１０７は、液状の熱硬化型樹脂でも、フィルム状の熱硬化型樹脂でもよい。接着剤１０７に液状の熱硬化型樹脂を用いた場合は、予め第一の半導体素子１０１上に適量塗布しておき、第二の半導体素子１０３を積層した後、高温槽またはホットプレートを用いて第一の接着剤１０７を硬化する。また、第一の接着剤１０７にフィルム状の熱硬化型樹脂を用いた場合は、予め第二の半導体素子１０３の裏面に貼り付けておき、第一の半導体素子１０１または、第二の半導体素子１０３を加熱しながら、第一の半導体素子１０１に接着する。
【０１０２】
次に、図９−Ｂに示すように、第一の絶縁性樹脂１０９を第一の半導体素子１０１および第二の半導体素子１０３上に塗布する。このとき第一の絶縁性樹脂１０９には液状の感光性樹脂を用いて、印刷法または、スピンコートで塗布する。ここで、第一の絶縁性樹脂１０９はフィルム状の感光性樹脂でもよい。
【０１０３】
次に、図９−Ｃに示すように、第一の絶縁性樹脂１０９を仮硬化、露光、現像、本硬化して第二の半導体素子上電極１０４を開口するとともに、第一の半導体素子上電極１０２が露出するように、第二の半導体素子１０３をエッチングして第二の半導体素子に形成された開口部１１７を形成する。
【０１０４】
エッチングには、第一の絶縁性樹脂１０９をマスクとしたドライエッチングを用いる。
【０１０５】
次に、図９−Ｄに示すように、第一の絶縁性樹脂に形成された開口部１１４を介して第二の半導体素子上電極１０４の一部と、また、第一の絶縁性樹脂に形成された開口部１１４および、第二の半導体素子に形成された開口部１１７を介して、第一の半導体素子上電極１０２の一部と電気的に接続するように、第一の絶縁性樹脂１０９上に第一のめっき配線１１２をフォトリソによって形成する。
【０１０６】
次に、図９−Ｅに示すように、第二の半導体素子１０３を第一の半導体素子１０１の上に第一の接着剤１０７によって接着するのと同様にして、第三の半導体素子１０５を第一の半導体素子１０３の上に第二の接着剤１０８によって接着する。
【０１０７】
次に、図９−Ｆに示すように、第一の絶縁性樹脂１０９を形成するのと同様の方法で、第二の絶縁性樹脂１１０を形成する。
【０１０８】
次に、図９−Ｇに示すように、第二の絶縁性樹脂１１０を仮硬化、露光、現像、本硬化して第三の半導体素子上電極１０６を開口するとともに、第一のめっき配線１１２の一部が露出するように、第三の半導体素子１０５をエッチングして第三の半導体素子に形成された開口部１１８を形成する。
【０１０９】
エッチングには、第二の絶縁性樹脂１１０をマスクとしたドライエッチングを用いる。
【０１１０】
次に、図９−Ｈに示すように、第二の絶縁性樹脂に形成された開口部１１５を介して第三の半導体素子上電極１０６の一部と、また、第二の絶縁性樹脂に形成された開口部１１５および、第三の半導体素子に形成された開口部１１８を介して、第一のめっき配線１１２の一部と電気的に接続するように、第二の絶縁性樹脂１１０上に第二のめっき配線１１３をフォトリソによって形成する。
【０１１１】
次に、図９−Ｉに示すように、第二の絶縁性樹脂１１０を形成するのと同様の方法で、第三の絶縁性樹脂１１１を第二のめっき配線１１３の一部が開口するように形成する。
【０１１２】
最後に、図９―Ｊに示すように外部電極端子１１６を第三の絶縁性樹脂１１１の開口部を介して第二のめっき配線１１３と電気的に接続する。ここで、外部電極端子１１６の接続法には、ボール転写法や、はんだ印刷法を用いる。
【０１１３】
図９において、第一の半導体素子１０１は個片で図示しているが、個片に分割する前のウェハ状態で製造してもよい。このときウェハ状態から個片への分割は、図７−Ｈに示す外部電極端子１１６を接続する工程の前または後に行うことが望ましい。
【０１１４】
【発明の効果】
請求項１の構成により、第一の半導体素子と同じサイズで、２つの半導体素子を積層した半導体装置が得られる。
【０１１５】
請求項２の構成により、第一の半導体素子と同じサイズで、３つ以上の半導体素子を積層した半導体装置が得られる。
【０１１６】
請求項３の構成により、第一の半導体素子と同じサイズで、３つ以上の半導体素子を積層した半導体装置がえられるとともに、第二の半導体素子と第三の半導体素子のサイズを第一の半導体素子と同じサイズにすることができる。
【０１１７】
請求項４の半導体装置の製造方法により、請求項１記載の半導体素子を製造することができる。
【０１１８】
請求項５の半導体装置の製造方法により、請求項１記載の半導体素子をウェハ状態で製造することができる。
【０１１９】
請求項６の半導体装置の製造方法により、請求項２記載の半導体素子を製造することができる。
【０１２０】
請求項７の半導体装置の製造方法により、請求項２記載の半導体素子をウェハ状態で製造することができる。
【０１２１】
請求項８の半導体装置の製造方法により、請求項３記載の半導体素子を製造することができる。
【０１２２】
請求項９の半導体装置の製造方法により、請求項３記載の半導体素子をウェハ状態で製造することができる。
【０１２３】
請求項１０の半導体装置の製造方法により、請求項３記載の半導体素子を製造することができる。
【０１２４】
請求項１１の半導体装置の製造方法により、請求項３記載の半導体素子をウェハ状態で製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第一の実施形態に係る半導体装置を示す斜視図
【図２】本発明の第一の実施形態に係る半導体装置を示す断面図
【図３】本発明の第一の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図
【図４】本発明の第二の実施形態に係る半導体装置を示す断面図
【図５】本発明の第二の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図
【図６】本発明の第三の実施形態に係る半導体装置を示す断面図
【図７】本発明の第三の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図
【図８】本発明の第四の実施形態に係る半導体装置を示す断面図
【図９】本発明の第四の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図
【図１０】従来の半導体装置を示す断面図
【符号の説明】
１  第一の半導体素子
２  第一の半導体素子上電極
３  第二の半導体素子
４  第二の半導体素子上電極
５  接着剤
６  第一の絶縁性樹脂
７  第二の絶縁性樹脂
８  めっき配線
９  外部電極端子
１０  第一の絶縁性樹脂に形成された開口部
１１  第三の半導体素子
１２  第三の半導体素子上電極
１０１  第一の半導体素子
１０２  第一の半導体素子上電極
１０３  第二の半導体素子
１０４  第二の半導体素子上電極
１０５  第三の半導体素子
１０６  第三の半導体素子上電極
１０７  第一の接着剤
１０８  第二の接着剤
１０９  第一の絶縁性樹脂
１１０  第二の絶縁性樹脂
１１１  第三の絶縁性樹脂
１１２  第一のめっき配線
１１３  第二のめっき配線
１１４  第一の絶縁性樹脂に形成された開口部
１１５  第二の絶縁性樹脂に形成された開口部
１１６  外部電極端子
１１７  第二の半導体素子に形成された開口部
１１８  第三の半導体素子に形成された開口部
２０１  第一の半導体素子
２０２  第一の半導体素子上電極
２０３  第二の半導体素子
２０４  第二の半導体素子上電極
２０５  インターポーザー
２０６  第一の金属細線
２０７  第二の金属細線
２０８  接着剤
２０９  封止樹脂
２１０  外部電極端子
２１１  インターポーザー上に形成された金属配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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