(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に順次、ｎ‐ＡｌＩｎＰ下クラッド層、ＡｌＧａＩｎＰ活性層、ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層、ｐ‐ＧａＡｓ層およびｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層を積層する半導体発光素子の製造方法において、
上記ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層のエッチャントとしてヨウ素系エッチャントを、上記ｐ‐ＧａＡｓ層のエッチャントとして硫酸系エッチャントを、上記ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層のエッチャントとしてリン酸系エッチャントをそれぞれ用いることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体発光素子の製造方法において、
上記ヨウ素系エッチャントは、ヨウ素、ヨウ化アンモニウム、エタノールおよび水から作製されたエッチャントであり、
上記硫酸系エッチャントは、硫酸、過酸化水素および水から作製されたエッチャントであり、
上記リン酸系エッチャントは熱リン酸であることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項３】
基板上に順次、ｎ‐ＡｌＩｎＰ下クラッド層、ＡｌＧａＩｎＰ活性層、ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層、ｐ‐ＧａＡｓ層およびｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層を積層する半導体発光素子の製造方法において、
上記ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層のエッチャントとしてヨウ素系エッチャントを、上記ｐ‐ＧａＡｓ層のエッチャントとして硫酸系エッチャントを、上記ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層のエッチャントとして塩酸系エッチャントをそれぞれ用いることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体発光素子の製造方法において、
上記ヨウ素系エッチャントは、ヨウ素、ヨウ化アンモニウム、エタノールおよび水から作製されたエッチャントであり、
上記硫酸系エッチャントは、硫酸、過酸化水素および水から作製されたエッチャントであり、
上記塩酸系エッチャントは、塩化水素、酢酸および過酸化水素から作製されたエッチャントであることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項５】
基板上に順次、ｎ‐ＡｌＩｎＰ下クラッド層、ＡｌＧａＩｎＰ活性層、ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層、ｐ‐ＧａＡｓ層およびｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層を積層する半導体発光素子の製造方法において、
上記ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層のエッチャントとしてフッ酸系エッチャントを、上記ｐ‐ＧａＡｓ層のエッチャントとして硫酸系エッチャントを、上記ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層のエッチャントとしてリン酸系エッチャントをそれぞれ用いることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体発光素子の製造方法において、
上記フッ酸系エッチャントは、フッ化水素と水とから作製されたエッチャントであり、
上記硫酸系エッチャントは、硫酸、過酸化水素および水から作製されたエッチャントであり、
上記リン酸系エッチャントは熱リン酸であることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項７】
基板上に順次、ｎ‐ＡｌＩｎＰ下クラッド層、ＡｌＧａＩｎＰ活性層、ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層、ｐ‐ＧａＡｓ層およびｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層を積層する半導体発光素子の製造方法において、
上記ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層のエッチャントとしてフッ酸系エッチャントを、上記ｐ‐ＧａＡｓ層のエッチャントとして硫酸系エッチャントを、上記ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層のエッチャントとして塩酸系エッチャントをそれぞれ用いることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体発光素子の製造方法において、
上記フッ酸系エッチャントは、フッ化水素と水とから作製されたエッチャントであり、
上記硫酸系エッチャントは、硫酸、過酸化水素および水から作製されたエッチャントであり、
上記塩酸系エッチャントは、塩化水素、酢酸および過酸化水素から作製されたエッチャントであることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体発光素子の製造方法に関するもので、例えばメサエッチ工程に使用される。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】
従来より、半導体発光素子の製造方法としては、図６に示すように、ＧａＡｓ層のない基板１０００上に順次、ＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）層１０１、ｎ‐ＡｌＩｎＰ下クラッド層１０２、ＡｌＧａＩｎＰ活性層１０３、ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層１０４、ｐ‐ＧａＡｓ層１０５、ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層１０６、絶縁膜１０７、電極１０８およびフォトレジスト１０９を積層し、ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層１０６を硫酸系エッチャント（硫酸：過酸化水素：水＝３：１：１）でエッチングするものがある。
【０００３】
ところが、その硫酸系エッチャントだとｐ‐ＧａＡｓ層１０５へのサイドエッチングが大きくなって、図７に示すようなｐ‐ＧａＡｓ層１０５ａおよびｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層１０６ａが形成されてしまう。そして、上記ｐ‐ＧａＡｓ層１０５ａを起点にして、ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層１０４のエッチングを行うと、サイドエッチが進んみ、図８に示すようｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層１０４ａが形成されてしまう。このように、上記ｐ‐ＧａＡｓ層１０５ａおよびｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層１０４ａにおいて異常なサイドエッチが生じて、良好なメサエッチ形状にならないという問題がある。その異常なサイドエッチングは、剥がれなどの不具合が生じる原因となる。
【０００４】
例えば、上記従来の半導体発光素子の製造方法を用いて４元モノリシックＬＥＤ（発光ダイオード）を作製した場合、少なくともＡｌＧａＡｓ窓層からＧａＡｓ層、ＡｌＧａＡｓ上クラッド層までをメサエッチにより除去し各セグメントを分離する必要があるが、各層のエッチングレートに差があるため、不均一なサイドエッチが発生してしまう。
【０００５】
そこで、本発明の課題は、異常なサイドエッチの発生を阻止して、良好なメサエッチ形状を得ることができる半導体発光素子の製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明の半導体発光素子の製造方法は、
基板上に順次、ｎ‐ＡｌＩｎＰ下クラッド層、ＡｌＧａＩｎＰ活性層、ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層、ｐ‐ＧａＡｓ層およびｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層を積層する半導体発光素子の製造方法において、
上記ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層のエッチャントとしてヨウ素系エッチャントを、上記ｐ‐ＧａＡｓ層のエッチャントとして硫酸系エッチャントを、上記ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層のエッチャントとしてリン酸系エッチャントをそれぞれ用いることを特徴としている。
【０００７】
上記構成の半導体発光素子の製造方法によれば、上記ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層のエッチャントとして、ＡｌＧａＡｓのエッチングレートよりもＧａＡｓのエッチングレートが非常に小さいヨウ素系エッチャントを用いている。これにより、上記ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層を例えばメサエッチングした場合、ｐ−ＧａＡｓ層でエッチングストップして、ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層の所望部分のみ除去される。
【０００８】
また、上記ｐ‐ＧａＡｓ層のエッチャントとして、ＧａＡｓのエッチングレートよりもＡｌＩｎＰ，ＡｌＧａＡｓのエッチングレートが非常に小さい硫酸系エッチャントを用いている。これにより、上記ｐ−ＧａＡｓを例えばメサエッチングした場合、ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層でエッチングストップして、ｐ−ＧａＡｓ層の所望部分のみ除去される。しかも、上記ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層のサイドエッチが無視できる程度に押さえられる。
【０００９】
また、上記ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層のエッチャントとして、ＡｌＩｎＰのエッチングレートよりもＡｌＧａＡｓ，ＧａＡｓのエッチングレートが低いリン酸系エッチャントを用いている。これにより、上記ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層を例えばメサエッチングした場合、ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層およびｐ‐ＧａＡｓ層のサイドエッチが無視できる程度に抑えることができる。
【００１０】
このように、上記ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層のエッチャントとしてヨウ素系エッチャントを、ｐ‐ＧａＡｓ層のエッチャントとして硫酸系エッチャントを、ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層のエッチャントとしてリン酸系エッチャントをそれぞれ用いることにより、異常なサイドエッチの発生を阻止して、良好なメサエッチ形状を得ることができる。
【００１１】
本明細書において、下クラッド層とは基板側のクラッド層を意味し、上クラッド層とは基板と反対側のクラッド層を意味する。
【００１２】
一実施形態の半導体発光素子の製造方法は、
上記ヨウ素系エッチャントは、ヨウ素、ヨウ化アンモニウム、エタノールおよび水から作製されたエッチャントであり、
上記硫酸系エッチャントは、硫酸、過酸化水素および水から作製されたエッチャントであり、
上記リン酸系エッチャントは熱リン酸である。
【００１３】
また、本発明の半導体発光素子の製造方法は、
基板上に順次、ｎ‐ＡｌＩｎＰ下クラッド層、ＡｌＧａＩｎＰ活性層、ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層、ｐ‐ＧａＡｓ層およびｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層を積層する半導体発光素子の製造方法において、
上記ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層のエッチャントとしてヨウ素系エッチャントを、上記ｐ‐ＧａＡｓ層のエッチャントとして硫酸系エッチャントを、上記ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層のエッチャントとして塩酸系エッチャントをそれぞれ用いることを特徴としている。
【００１４】
上記構成の半導体発光素子の製造方法によれば、上記ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層のエッチャントとして、ＡｌＧａＡｓのエッチングレートよりもＧａＡｓのエッチングレートが非常に小さいヨウ素系エッチャントを用いている。これにより、上記ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層を例えばメサエッチングした場合、ｐ−ＧａＡｓ層でエッチングストップして、ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層の所望部分のみ除去される。
【００１５】
また、上記ｐ‐ＧａＡｓ層のエッチャントとして、ＧａＡｓのエッチングレートよりもＡｌＩｎＰ，ＡｌＧａＡｓのエッチングレートが非常に小さい硫酸系エッチャントを用いている。これにより、上記ｐ−ＧａＡｓを例えばメサエッチングした場合、ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層でエッチングストップして、ｐ−ＧａＡｓ層の所望部分のみ除去される。しかも、上記ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層のサイドエッチが無視できる程度に押さえられる。
【００１６】
また、上記ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層のエッチャントとして、ＡｌＩｎＰのエッチングレートよりもＡｌＧａＡｓ，ＧａＡｓのエッチングレートが低い塩酸系エッチャントを用いている。これにより、上記ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層を例えばメサエッチングした場合、ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層およびｐ‐ＧａＡｓ層のサイドエッチが無視できる程度に抑えることができる。
【００１７】
このように、上記ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層のエッチャントとしてヨウ素系エッチャントを、ｐ‐ＧａＡｓ層のエッチャントとして硫酸系エッチャントを、ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層のエッチャントとして塩酸系エッチャントをそれぞれ用いることにより、異常なサイドエッチの発生を阻止して、良好なメサエッチ形状を得ることができる。
【００１８】
一実施形態の半導体発光素子の製造方法は、
上記ヨウ素系エッチャントは、ヨウ素、ヨウ化アンモニウム、エタノールおよび水から作製されたエッチャントであり、
上記硫酸系エッチャントは、硫酸、過酸化水素および水から作製されたエッチャントであり、
上記塩酸系エッチャントは、塩化水素、酢酸および過酸化水素から作製されたエッチャントである。
【００１９】
また、本発明の半導体発光素子の製造方法は、
基板上に順次、ｎ‐ＡｌＩｎＰ下クラッド層、ＡｌＧａＩｎＰ活性層、ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層、ｐ‐ＧａＡｓ層およびｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層を積層する半導体発光素子の製造方法において、
上記ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層のエッチャントとしてフッ酸系エッチャントを、上記ｐ‐ＧａＡｓ層のエッチャントとして硫酸系エッチャントを、上記ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層のエッチャントとしてリン酸系エッチャントをそれぞれ用いることを特徴としている。
【００２０】
上記構成の半導体発光素子の製造方法によれば、上記ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層のエッチャントとして、ＡｌＧａＡｓのエッチングレートよりもＧａＡｓのエッチングレートが非常に小さいフッ酸系エッチャントを用いている。これにより、上記ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層を例えばメサエッチングした場合、ｐ−ＧａＡｓ層でエッチングストップして、ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層の所望部分のみ除去される。
【００２１】
また、上記ｐ‐ＧａＡｓ層のエッチャントとして、ＧａＡｓのエッチングレートよりもＡｌＩｎＰ，ＡｌＧａＡｓのエッチングレートが非常に小さい硫酸系エッチャントを用いている。これにより、上記ｐ−ＧａＡｓを例えばメサエッチングした場合、ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層でエッチングストップして、ｐ−ＧａＡｓ層の所望部分のみ除去される。しかも、上記ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層のサイドエッチが無視できる程度に押さえられる。
【００２２】
また、上記ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層のエッチャントとして、ＡｌＩｎＰのエッチングレートよりもＡｌＧａＡｓ，ＧａＡｓのエッチングレートが低いリン酸系エッチャントを用いている。これにより、上記ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層を例えばメサエッチングした場合、ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層およびｐ‐ＧａＡｓ層のサイドエッチが無視できる程度に抑えることができる。
【００２３】
このように、上記ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層のエッチャントとしてフッ酸系エッチャントを、ｐ‐ＧａＡｓ層のエッチャントとして硫酸系エッチャントを、ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層のエッチャントとしてリン酸系エッチャントをそれぞれ用いることにより、異常なサイドエッチの発生を阻止して、良好なメサエッチ形状を得ることができる。
【００２４】
一実施形態の半導体発光素子の製造方法は、
上記フッ酸系エッチャントは、フッ化水素と水とから作製されたエッチャントであり、
上記硫酸系エッチャントは、硫酸、過酸化水素および水から作製されたエッチャントであり、
上記リン酸系エッチャントは熱リン酸である。
【００２５】
また、本発明の半導体発光素子の製造方法は、
基板上に順次、ｎ‐ＡｌＩｎＰ下クラッド層、ＡｌＧａＩｎＰ活性層、ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層、ｐ‐ＧａＡｓ層およびｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層を積層する半導体発光素子の製造方法において、
上記ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層のエッチャントとしてフッ酸系エッチャントを、上記ｐ‐ＧａＡｓ層のエッチャントとして硫酸系エッチャントを、上記ｎ‐ＡｌＩｎＰ下クラッド層のエッチャントとして塩酸系エッチャントをそれぞれ用いることを特徴としている。
【００２６】
上記構成の半導体発光素子の製造方法によれば、上記ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層のエッチャントとして、ＡｌＧａＡｓのエッチングレートよりもＧａＡｓのエッチングレートが非常に小さいフッ酸系エッチャントを用いている。これにより、上記ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層を例えばメサエッチングした場合、ｐ−ＧａＡｓ層でエッチングストップして、ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層の所望部分のみ除去される。
【００２７】
また、上記ｐ‐ＧａＡｓ層のエッチャントとして、ＧａＡｓのエッチングレートよりもＡｌＩｎＰ，ＡｌＧａＡｓのエッチングレートが非常に小さい硫酸系エッチャントを用いている。これにより、上記ｐ−ＧａＡｓを例えばメサエッチングした場合、ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層でエッチングストップして、ｐ−ＧａＡｓ層の所望部分のみ除去される。しかも、上記ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層のサイドエッチが無視できる程度に押さえられる。
【００２８】
また、上記ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層のエッチャントとして、ＡｌＩｎＰのエッチングレートよりもＡｌＧａＡｓ，ＧａＡｓのエッチングレートが低い塩酸系エッチャントを用いている。これにより、上記ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層を例えばメサエッチングした場合、ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層およびｐ‐ＧａＡｓ層のサイドエッチが無視できる程度に抑えることができる。
【００２９】
このように、上記ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層のエッチャントとしてフッ酸系エッチャントを、ｐ‐ＧａＡｓ層のエッチャントとして硫酸系エッチャントを、ｎ‐ＡｌＩｎＰ下クラッド層のエッチャントとして塩酸系エッチャントをそれぞれ用いることにより、異常なサイドエッチの発生を阻止して、良好なメサエッチ形状を得ることができる。
【００３０】
一実施形態の半導体発光素子の製造方法は、
上記フッ酸系エッチャントは、フッ化水素と水とから作製されたエッチャントであり、
上記硫酸系エッチャントは、硫酸、過酸化水素および水から作製されたエッチャントであり、
上記塩酸系エッチャントは、塩化水素、酢酸および過酸化水素から作製されたエッチャントである。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の半導体発光素子の製造方法を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００３２】
図１〜図４は本発明の実施の一形態の半導体発光素子の製造方法を示す工程断面図であり、図５は上記半導体発光素子のセグメント構造を説明するための図である。
【００３３】
以下、図１〜図５を用いて、上記半導体発光素子の製造方法について説明する。
【００３４】
まず、図１に示すように、ＧａＡｓ基板１０上に順次、ＤＢＲ層１、ｎ‐ＡｌＩｎＰ下クラッド層２、ＡｌＧａＩｎＰ活性層３、ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層４、ｐ‐ＧａＡｓ層５、ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層６、絶縁膜７、電極８およびフォトレジスト９を積層する。このフォトレジスト９は、図５に示すように、絶縁膜７と電極８を覆って、セグメントを分離するためのパターンを形成している。
【００３５】
そして、ヨウ素系エッチャントを用いてｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層６をエッチング処理して、図２に示すようなｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層６ａを形成する。このとき、部外発光を抑えるために、サイドエッチングを十分に行う。また、上記ヨウ素系エッチャントは、例えば、ヨウ素１５０ｇ、ヨウ化アンモニウム１５００ｇ、エタノール４５０ｍｌおよび水３０００ｍｌの比率で作製されたエッチャントである。
【００３６】
次に、硫酸系エッチャントを用いてｐ‐ＧａＡｓ層５のエッチング処理を行い、引き続いて、リン酸系エッチャントを用いてｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層４をエッチグ処理して、図３に示すようなｐ‐ＧａＡｓ層５ａおよびｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層４ａを形成する。上記硫酸系エッチャントは、硫酸、過酸化水素および水から作製されたエッチャントである。その硫酸、過酸化水素および水の比率は、例えば、硫酸：過酸化水素：水＝１：２：５０とする。また、リン酸系エッチャントは６０℃の熱リン酸である。
【００３７】
このように、上記ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層６のエッチャントとして、ＧａＡｓのエッチングレートが非常に小さいヨウ素系エッチャントを用いているから、ｐ−ＧａＡｓ層５でエッチングストップして、ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層６に対してのみエッチング処理を施せる。
【００３８】
また、上記ｐ‐ＧａＡｓ層５のエッチャントとして、ＡｌＩｎＰ，ＡｌＧａＡｓのエッチングレートが非常に小さい硫酸系エッチャントを用いているから、ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層４でエッチングストップして、ｐ−ＧａＡｓ層５に対してのみエッチング処理を施せる。しかも、上記ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層６ａのサイドエッチが無視できる程度に押さえられる。
【００３９】
また、上記ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層４のエッチャントとして、ＡｌＧａＡｓ，ＧａＡｓのエッチングレートが低いリン酸系エッチャントを用いているから、ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層６ａ，ｐ‐ＧａＡｓ層５ａのサイドエッチが無視できる程度に抑えることができる。
【００４０】
その結果、異常なサイドエッチの発生を阻止して、良好なメサエッチ形状を得ることができる。
【００４１】
上記実施の形態では、ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層のエッチャントとしてリン酸系エッチャントを用いていたが、塩酸系エッチャントを用いてもよい。すなわち、ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層のエッチャントとしてヨウ素系エッチャントを、ｐ‐ＧａＡｓ層のエッチャントとして硫酸系エッチャントを、ｎ‐ＡｌＩｎＰ下クラッド層のエッチャントとして塩酸系エッチャントをそれぞれ用いてもよい。この場合、上記塩酸系エッチャントとして、例えば、塩化水素、酢酸および過酸化水素から作製されたものを用いてもよい。その塩化水素、酢酸および過酸化水素の比率は、塩化水素：酢酸：過酸化水素＝３１：６２：７とする。
【００４２】
また、上記実施の形態では、ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層のエッチャントとしてヨウ素系エッチャントを用いていたが、フッ酸系エッチャントを用いてもよい。すなわち、ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層のエッチャントとしてフッ酸系エッチャントを、ｐ‐ＧａＡｓ層のエッチャントとして硫酸系エッチャントを、ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層のエッチャントとしてリン酸系エッチャントをそれぞれ用いてもよい。あるいは、ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層のエッチャントとしてフッ酸系エッチャントを、ｐ‐ＧａＡｓ層のエッチャントとして硫酸系エッチャントを、ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層のエッチャントとして塩酸系エッチャントをそれぞれ用いてもよい。これらの場合、上記フッ酸系エッチャントとして、例えば、フッ化水素と水とから作製されたものを用いてもよい。そのフッ化水素と水の比率は、例えばフッ化水素：水＝１：４とする。
【００４３】
また、上記実施の形態では、ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層４、ｐ‐ＧａＡｓ層５およびｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層６のエッチング処理を行ったが、ＤＢＲ層１、ｎ‐ＡｌＩｎＰ下クラッド層２、ＡｌＧａＩｎＰ活性層３のエッチング処理も行ってもよい。この場合、図４に示すようなＤＢＲ層１ａ、ｎ‐ＡｌＩｎＰ下クラッド層２ａ、ＡｌＧａＩｎＰ活性層３ａが形成される。要するに、少なくともｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層、ｐ‐ＧａＡｓ層およびｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層の所望部分を完全に除去する必要があるが、場合によってはＡｌＧａＩｎＰ活性層やｎ‐ＡｌＩｎＰ下クラッド層の所望部分を除去してもよい。
【００４４】
また、上記半導体発光素子の製造方法を用いれば、ｎ‐基板／(ＤＢＲ)／ｎ‐ＡｌＩｎＰ下クラッド層／ＡｌＧａＩｎＰ活性層／ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層／ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層という構造を有する４元エピウェハを用いたモノリシックＬＥＤアレイを作製できる。すなわち、上記半導体発光素子の製造方法を用いて、良好なメサエッチ形状を有する４元モノリシックＬＥＤを作製することができる。
【００４５】
【発明の効果】
以上より明らかなように、本発明の半導体装置の製造方法は、ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層のエッチャントとしてヨウ素系エッチャントを、ｐ‐ＧａＡｓ層のエッチャントとして硫酸系エッチャントを、ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層のエッチャントとしてリン酸系エッチャントをそれぞれ用いるから、それぞれのエッチャントで各層に対し異常なサイドエッチングが起こらず、良好なメサエッチ形状が得られる。
【００４６】
また、各エッチャントは次の層に対して、ほぼエッチングストップをするため、作業が容易になる。
【００４７】
また、本発明の半導体発光素子の製造方法は、ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層のエッチャントとしてヨウ素系エッチャントを、ｐ‐ＧａＡｓ層のエッチャントとして硫酸系エッチャントを、ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層のエッチャントとして塩酸系エッチャントをそれぞれ用いるから、それぞれのエッチャントで各層に対し異常なサイドエッチングが起こらず、良好なメサエッチ形状が得られる。
【００４８】
また、各エッチャントは次の層に対して、ほぼエッチングストップをするため、作業が容易になる。ただし、塩酸系エッチャントは次の層であるＡｌＧａＩｎＰ活性層でストップせず、基板でストップする。
【００４９】
また、本発明の半導体発光素子の製造方法は、ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層のエッチャントとしてフッ酸系エッチャントを、ｐ‐ＧａＡｓ層のエッチャントとして硫酸系エッチャントを、ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層のエッチャントとしてリン酸系エッチャントをそれぞれ用いるから、それぞれのエッチャントで各層に対し異常なサイドエッチングが起こらず、良好なメサエッチ形状が得られる。
【００５０】
また、各エッチャントは次の層に対して、ほぼエッチングストップをするため、作業が容易になる。
【００５１】
また、本発明の半導体発光素子の製造方法は、ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層のエッチャントとしてフッ酸系エッチャントを、ｐ‐ＧａＡｓ層のエッチャントとして硫酸系エッチャントを、ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層のエッチャントとして塩酸系エッチャントをそれぞれ用いるから、それぞれのエッチャントで各層に対し異常なサイドエッチングが起こらず、良好なメサエッチ形状が得られる。
【００５２】
また、各エッチャントは次の層に対して、ほぼエッチングストップをするため、作業が容易になる。ただし、塩酸系エッチャントは次の層であるＡｌＧａＩｎＰ活性層でストップせず、基板でストップする。
【図面の簡単な説明】
【図１】  図１は本発明の実施の一形態の半導体発光素子の製造方法の製造工程断面図である。
【図２】  図２は上記半導体発光素子の製造方法の製造工程断面図である。
【図３】  図３は上記半導体発光素子の製造方法の製造工程断面図である。
【図４】  図４は上記半導体発光素子の製造方法の製造工程断面図である。
【図５】  図５は上記半導体発光素子のセグメント構造を説明するための図である。
【図６】  図６は従来の半導体発光素子の製造方法の製造工程断面図である。
【図７】  図７は上記従来の半導体発光素子の製造方法の製造工程断面図である。
【図８】  図８は上記従来の半導体発光素子の製造方法の製造工程断面図である。
【符号の説明】
１    ＤＢＲ層
２    ｎ‐ＡｌＩｎＰ下クラッド層
３    ＡｌＧａＩｎＰ活性層
４    ｐ−ＡｌＩｎＰ上クラッド層
５    ｐ−ＧａＡｓ層
６    ｐ−ＡｌＧａＡｓ窓層
７    絶縁膜
８    電極
９    フォトレジスト
１０  ＧａＡｓ基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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