(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
高位領域と、前記高位領域に対して段差を有する低位領域と、前記高位領域の表面に形成された、情報信号に対応する強磁性薄膜パターンとをディスク状基体の表面に備え、３．５インチ磁気ディスクと重ね合わされて、前記強磁性薄膜パターンを前記磁気ディスクの表面に密着させた状態で、外部磁界を印加することにより、前記情報信号を前記磁気ディスクに転写記録するためのマスター情報担体であって、
前記高位領域を複数備え、前記磁気ディスクと重ね合わされたときに、前記複数の高位領域はすべて、その内方端縁部が、磁気ディスクの内孔端縁より半径方向の外側に位置し、かつ前記複数の高位領域の少なくとも一部は、その内方端縁部と磁気ディスクの内孔端縁との距離が０．２ｍｍ以上、６ｍｍ以下であり、前記強磁性薄膜パターンの形成領域の最内周半径が２０ｍｍであることを特徴とするマスター情報担体。
【請求項２】
高位領域と、前記高位領域に対して段差を有する低位領域と、前記高位領域の表面に形成された、情報信号に対応する強磁性薄膜パターンとをディスク状基体の表面に備え、３．５インチ磁気ディスクと重ね合わされて、前記強磁性薄膜パターンを前記磁気ディスクの表面に密着させた状態で、外部磁界を印加することにより、前記情報信号を前記磁気ディスクに転写記録するためのマスター情報担体であって、
前記高位領域を複数備え、前記磁気ディスクと重ね合わされたときに、前記複数の高位領域はすべて、その内方端縁部が、磁気ディスクの内孔端縁より半径方向の外側に位置し、かつ前記複数の高位領域の少なくとも一部は、その内方端縁部と磁気ディスクの内孔端縁との距離が０．２ｍｍ以上、２ｍｍ以下であり、前記強磁性薄膜パターンの形成領域の最内周半径が１８〜２２ｍｍであることを特徴とするマスター情報担体。
【請求項３】
略同一平面を形成する第１及び第２の高位領域と、前記第１及び第２の高位領域に対して段差を有する低位領域と、前記第１の高位領域の表面に形成された、情報信号に対応する強磁性薄膜パターンとをディスク状基体の表面に備え、３．５インチ磁気ディスクと重ね合わされて、前記強磁性薄膜パターンを前記磁気ディスクの表面に密着させた状態で、外部磁界を印加することにより、前記情報信号を前記磁気ディスクに転写記録するためのマスター情報担体であって、
前記磁気ディスクと重ね合わされたときに、前記第２の高位領域の内方端縁部が、前記磁気ディスクの内孔端縁より半径方向の外側に位置し、かつ両者間の半径方向の距離が０．２ｍｍ以上、６ｍｍ以下であり、前記強磁性薄膜パターンの形成領域の最内周半径が２０ｍｍであることを特徴とするマスター情報担体。
【請求項４】
略同一平面を形成する第１及び第２の高位領域と、前記第１及び第２の高位領域に対して段差を有する低位領域と、前記第１の高位領域の表面に形成された、情報信号に対応する強磁性薄膜パターンとをディスク状基体の表面に備え、３．５インチ磁気ディスクと重ね合わされて、前記強磁性薄膜パターンを前記磁気ディスクの表面に密着させた状態で、外部磁界を印加することにより、前記情報信号を前記磁気ディスクに転写記録するためのマスター情報担体であって、
前記磁気ディスクと重ね合わされたときに、前記第２の高位領域の内方端縁部が、前記磁気ディスクの内孔端縁より半径方向の外側に位置し、かつ両者間の半径方向の距離が０．２ｍｍ以上、２ｍｍ以下であり、前記強磁性薄膜パターンの形成領域の最内周半径が１８〜２２ｍｍであることを特徴とするマスター情報担体。
【請求項５】
前記第２の高位領域は、前記第１の高位領域の内方端縁部よりも半径方向の中心側に配置されていることを特徴とする請求項３又は４に記載のマスター情報担体。
【請求項６】
前記第１及び第２の高位領域をそれぞれ複数備え、前記第２の高位領域の個数が、前記第１の高位領域の個数以下、且つ、前記第１の高位領域の個数の１／４以上であることを特徴とする請求項３又は４に記載のマスター情報担体。
【請求項７】
請求項１〜４のいずれかに記載のマスター情報担体と磁気ディスクとを重ね合わせる工程と、
前記磁気ディスクの内孔より排気し、前記マスター情報担体と前記磁気ディスクとの間の空間を負圧にすることにより、前記マスター情報担体と前記磁気ディスクとを密着する工程と、
外部磁界を印加することにより、前記マスター情報担体に形成された前記強磁性薄膜パターンに対応する情報信号を前記磁気ディスクに転写記録する工程と
を備えることを特徴とする磁気ディスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気ディスクに対してプリフォーマット情報などの情報信号を記録するときに使用されるマスター情報担体に関する。特に、基体の表面に、プリフォーマット情報などの情報信号に対応する強磁性薄膜パターンが、他の領域よりも高くした高位領域内に形成されたマスター情報担体に関する。更に、本発明は、このようなマスター情報担体を用いた磁気ディスクの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在、磁気記録再生装置は、小型でかつ大容量のものを実現するために、高記録密度化の傾向にある。代表的な磁気記録再生装置であるハードディスクドライブの分野においては、すでに面記録密度が２０Ｇｂｉｔｓ／ｉｎ2（３１．０Ｍｂｉｔｓ／ｍｍ2）を超える装置が商品化されており、数年後には、面記録密度が４０Ｇｂｉｔｓ／ｉｎ2（６２．０Ｍｂｉｔｓ／ｍｍ2）の装置の実用化が予測されるほどの急激な技術の進歩が認められる。
【０００３】
このような高記録密度化が可能となった技術的背景として、磁気記録媒体及びヘッド・ディスクインターフェースの性能の向上やパーシャルレスポンス等の新規な信号処理方式の出現による線記録密度の向上が挙げられる。
【０００４】
しかし、近年では、トラック密度の増加傾向が線記録密度の増加傾向を大きく上回り、面記録密度の向上の主な要因となっている。これは、従来の誘導型磁気ヘッドに比べて再生出力性能がはるかに優れた磁気抵抗素子型ヘッド（ＭＲヘッド）の実用化によるものである。
【０００５】
現在、磁気抵抗素子型ヘッドの実用化により、数μｍ以下のトラック幅内に記録された信号を高いＳ／Ｎ比をもって再生することが可能となっている。一方、今後のさらなるヘッド性能の向上に伴い、近い将来には、トラックピッチがサブミクロン領域に達するものと予想されている。
【０００６】
磁気ヘッドがこのような狭いトラックを正確に走査し、高いＳ／Ｎ比をもって信号を再生するためには、磁気ヘッドのトラッキングサーボ技術が重要な役割を果たしている。現在のハードディスクドライブでは、磁気記録媒体である磁気ディスクの１周、すなわち角度にして３６０度中に、一定の角度間隔でトラッキング用サーボ信号、アドレス情報信号、再生クロック信号等が記録されたプリフォーマット記録領域が設けられている。これにより、磁気ヘッドは、一定の間隔でこれらの信号を再生して自己の位置を確認し、磁気ディスクの径方向における変位を必要に応じて修正しながら正確にトラック上を走査することができる。
【０００７】
上記したトラッキング用サーボ信号、アドレス情報信号および再生クロック信号等のプリフォーマット情報信号は、磁気ヘッドが正確にトラック上を走査するための基準信号となるものであるから、その記録時には、正確なトラック位置決め精度が要求される。
【０００８】
以下、本発明が対象とするマスター情報担体が開発されるようになった技術歴史的展開について、その概略を説明する。
【０００９】
（１）第１段階：専用のサーボトラック記録装置の使用
現在のハードディスクドライブでは、磁気記録媒体（ハードディスク）及び磁気ヘッドをドライブ内に組み込んだ後、専用のサーボトラック記録装置を用いて、ドライブ内に組み込まれた固有の磁気ヘッドにより、トラッキング用サーボ信号、アドレス情報信号および再生クロック信号等の記録が行われている。この場合、ドライブ内に組み込まれた固有の磁気ヘッドを、サーボトラック記録装置に装備された外部アクチュエータによって精密に位置制御しながらプリフォーマット記録を行うことにより、必要なトラック位置決め精度が実現されている。
【００１０】
しかし、専用のサーボトラック記録装置を用い、ドライブ内に組み込まれた固有の磁気ヘッドによってプリフォーマット記録を行う従来の技術には、以下のような問題点があると指摘されている。
【００１１】
第１に、このような記録方式は「相対的な移動による線記録」であるということである。すなわち、磁気ヘッドによる記録は、基本的に磁気ヘッドと磁気記録媒体との相対的な移動による線記録であるため、専用のサーボトラック記録装置を用い、磁気ヘッドを精密に位置制御しながら記録を行う上記方法では、プリフォーマット記録に多くの時間を要するという問題がある。
【００１２】
さらに、専用のサーボトラック記録装置を用いるということにも問題がある。すなわち、磁気ヘッドによる記録に使用する専用のサーボトラック記録装置はかなり高価であるため、プリフォーマット記録に要するコストが高くなるという問題もある。
【００１３】
この問題は、磁気記録再生装置のトラック密度が向上するほど顕著に認められる。それは、ディスクの径方向のトラック数が増加することに加え、記録密度の増加に伴いトラック密度が向上するほど、磁気ヘッドの位置決めに高精度が要求されるため、ディスクの１周においてトラッキング用サーボ信号等の情報信号を記録するプリフォーマット記録領域を設ける角度間隔を小さくしなければならないことによる。したがって、装置の記録密度が高くなるほど磁気ディスクにプリフォーマット記録すべき信号量が多くなり、プリフォーマット記録に多くの時間を要することになる。
【００１４】
また、磁気ディスク媒体は２．５インチ、１．８インチといった小径化の傾向にあるものの、依然として３．５インチディスクに対する需要も多い。ディスクの記録面積が大きいほどプリフォーマット記録すべき信号量が多くなる。このような大径ディスクのコストパフォーマンスに関しても、プリフォーマット記録に要する時間が大きく影響している。
【００１５】
第２に、「相対的な移動による動的な線記録」に基づく問題がある。即ち、（ａ）磁気ヘッドと磁気記録媒体との間のスペーシング、および（ｂ）磁気ヘッドの先端ポール形状に起因して、記録磁界が広がるため、プリフォーマット記録されたトラック端部の磁化遷移が急峻性に欠けるという問題がある。
【００１６】
磁気ヘッドによる記録は、基本的に磁気ヘッドと磁気記録媒体との相対的な移動による動的な線記録であるため、磁気ヘッドと磁気記録媒体との間のインターフェース性能の観点から、磁気ヘッドと磁気記録媒体との間に一定量のスペーシングを設けざるを得ない。また、現在の磁気ヘッドの先端ポール形状は、通常、記録と再生を別々に担う２つのエレメントを有する構造であり、記録ギャップの後縁側ポールの幅が記録トラック幅に相当し、前縁側ポールの幅は記録トラック幅の数倍以上と大きくなっている。この大きな前縁側ポールは、再生用のＭＲヘッドをシールドする役割を兼ねている。
【００１７】
しかし、上記スペーシングおよび磁気ヘッドの先端ポール形状はいずれも、記録トラック端部において記録磁界の広がりを生じさせる要因となる。その結果、プリフォーマット記録された記録トラック端部の磁化遷移が急峻性に欠ける、あるいはトラック端両側に消去領域を生じるといった問題が生じる。
【００１８】
現在のトラッキングサーボ技術では、磁気ヘッドがトラックを外れて走査した際の再生出力の変化量に基づいて磁気ヘッドの位置を検出している。このため、サーボ領域間に記録されたデータ信号を再生する際のように、磁気ヘッドがトラック上を正確に走査したときのＳ／Ｎ比に優れることだけではなく、磁気ヘッドがトラックを外れて走査したときの再生出力変化量、すなわちオフトラック特性が急峻であることが要求される。
【００１９】
したがって、上記のようにプリフォーマット記録されたトラック端部の磁化遷移が急峻性に欠けると、今後のサブミクロントラック記録における正確なトラッキングサーボ技術の実現が困難になる。
【００２０】
（２）第２段階：マスター情報担体の採用（転写的記録の技術）
上記のような磁気ヘッドによるプリフォーマット記録における２つの問題点を解決するため、基体の表面にプリフォーマット情報信号に対応する強磁性薄膜パターンが形成されたマスター情報担体を原本として用いる考え方がある。
【００２１】
すなわち、特許文献１において、マスター情報担体の表面を磁気記録媒体の表面に接触させた後に、マスター情報担体に形成された情報信号に対応する強磁性薄膜パターンを磁化させることにより、強磁性薄膜パターンに対応する磁化パターンを磁気記録媒体に転写的に記録する技術が提案されている。
【００２２】
このプリフォーマット記録技術によれば、記録媒体のＳ／Ｎ比、インターフェース性能等の他の重要性能を犠牲することなく、良好なプリフォーマット記録を効率的に行うことができる。
【００２３】
ところで、特許文献１において提案されているマスター情報記録技術を真に効果的なものとするためには、転写記録時に、マスター情報担体上に形成された情報信号に対応する強磁性薄膜パターンと磁気記録媒体との間に均一な密着性を実現する必要がある。
【００２４】
（３）第３段階：マスター情報担体のさらなる改善（高位領域と低位領域）
そこで、特許文献２において、情報信号に対応する強磁性薄膜パターンが形成されていない領域の少なくとも一部分の表面高さを、強磁性薄膜パターンが形成されている領域の表面高さよりも低くする技術が提案されている。情報信号に対応する強磁性薄膜パターンが形成されている、より高い領域のことを高位領域と呼び、強磁性薄膜パターンが形成されていない、より低い領域のことを低位領域と呼ぶことにする。
【００２５】
この技術によれば、マスター情報担体が磁気記録媒体に密着する部位を情報信号に対応する強磁性薄膜パターンが形成されている高位領域に限定することができ、強磁性薄膜パターンの非形成領域である低位領域は磁気記録媒体に接触しない。すなわち、全面密着ではなく部分密着であるがゆえに、情報信号に対応する強磁性薄膜パターンの磁気記録媒体に対する密着性を高度なものとなし得る。また、マスター情報担体と磁気記録媒体とを接触させたとき、マスター情報担体の低位領域と磁気記録媒体との間にできる空隙に存在する気体を排気することにより負圧を生じさせ、大気圧の作用で強磁性薄膜パターンが形成されている高位領域と磁気記録媒体との密着性を更に高めることができる。
【００２６】
図９Ａ、図９Ｂに、そのようなマスター情報担体の一例を示す。図９Ａは、マスター情報担体の平面図であり、図９Ｂは図９Ａにおける円周方向に沿った一点鎖線９Ｂ−９Ｂに沿った拡大断面図である。図９Ａに示すマスター情報担体４１は、オリエンテーションフラット（オリフラ）４１ａを有する略円形である。マスター情報担体４１は、プリフォーマット情報信号に対応した強磁性薄膜パターン４２ｐ（ハッチング領域）が形成された高位領域４２の表面高さに比べて、強磁性薄膜パターンが形成されていない低位領域４３の表面高さが低くなるように加工されて、これら高位領域４２と低位領域４３とが凹凸を形成している。
【００２７】
【特許文献１】
特開平１０−４０５４４号公報
【００２８】
【特許文献２】
特開平１０−２６９５６６号公報
【００２９】
【発明が解決しようとする課題】
表面にこのような凹凸形状を有するマスター情報担体４１を用いてプリフォーマット情報信号を磁気ディスクに記録する際には、マスター情報担体４１を磁気ディスク５１（図９Ｂにおいて２点鎖線で図示）に密着させる。このとき、高さｈ１の高位領域４２と高さｈ２の低位領域４３との差に基づいて排気用通路４５が形成される。この排気用通路４５に存在する気体を磁気ディスクの内孔から排気することにより、低位領域４３に負圧を生じさせ、大気圧の作用により高位領域４２と磁気ディスク５１とを均一に密着させる。そして、この密着状態を維持した状態で、外部磁界を印加し、強磁性薄膜パターン４２ｐに対応するプリフォーマット情報信号を磁気ディスク５１の表面の磁気記録層に転写的に記録する。
【００３０】
ところで、低位領域４３と磁気ディスク５１との間にできる排気用通路４５に存在する気体を磁気ディスク５１の内孔から排気することにより、マスター情報担体４１の中央部により大きな負圧が生じ、磁気ディスク５１の内孔に対応する部分においてマスター情報担体４１が吸い込まれて変形するおそれがある。
【００３１】
図１０はマスター情報担体によって磁気ディスクに情報信号を転写的に記録するための装置の概略断面図を示したものである。被転写磁気ディスク５１はディスク保持体６１によって保持されている。ディスク保持体６１には吸引孔６１ａが設けられ、吸引孔６１ａの端部に排気ダクト６１ｂが接続されている。排気ダクト６１ｂの端部にはさらに排気装置６１ｃが装着されており、この排気装置６１ｃを始動させることにより、排気ダクト６１ｂ、ディスク保持体６１の吸引孔６１ａ、磁気ディスク５１の内孔５１ｂを通して、磁気ディスク５１とマスター情報担体４１との間の空間が負圧状態になり、この結果、マスター情報担体４１が磁気ディスク５１の方向に吸引される。マスター情報担体４１の高位領域の間に形成されている低位領域も負圧状態になるが、磁気ディスク５１の内孔５１ｂに対向するマスター情報担体４１の中央部においてより大きな負圧が作用して、マスター情報担体４１はこの中央部における高い吸引力によって変形しやすくなる。図１０のマスター情報担体４１は、その中央部が吸引されて変形した様子を誇張して示している。マスター情報担体４１を構成する基体は剛体であるため、このような変形によって、マスター情報担体４１の高位領域４２の磁気ディスク５１に対する密着性が悪くなる部分が発生するおそれがある。
【００３２】
このように、マスター情報担体を用いた転写記録に際して、強磁性薄膜パターンが形成されていない低位領域と磁気ディスクとの間にできる空隙に存在する気体を吸引して、強磁性薄膜パターンが形成されている高位領域と磁気ディスクとを密着させる場合には、吸引に際してマスター情報担体が変形しないようにすることが重要な課題となっている。
【００３３】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、マスター情報担体を用いて、プリフォーマット情報信号を磁気ディスクに転写的に記録する際に、高位領域に形成された強磁性薄膜パターンと磁気ディスクとを均一に密着させ得る、信頼性の高いマスター情報担体を提供することを目的とする。また、本発明は、マスター情報担体を用いて情報信号を正確に磁気転写することができる磁気ディスクの製造方法を提供することを目的とする。
【００３４】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記の目的を達成するために以下の事項からなる。
【００３５】
本発明のマスター情報担体は、高位領域と、前記高位領域に対して段差を有する低位領域と、前記高位領域の表面に形成された、情報信号に対応する強磁性薄膜パターンとをディスク状基体の表面に備え、３．５インチ磁気ディスクと重ね合わされて、前記強磁性薄膜パターンを前記磁気ディスクの表面に密着させた状態で、外部磁界を印加することにより、前記情報信号を前記磁気ディスクに転写記録するためのマスター情報担体であって、前記高位領域を複数備え、前記磁気ディスクと重ね合わされたときに、前記複数の高位領域はすべて、その内方端縁部が、磁気ディスクの内孔端縁より半径方向の外側に位置し、かつ前記複数の高位領域の少なくとも一部は、その内方端縁部と磁気ディスクの内孔端縁との距離が０．２ｍｍ以上、６ｍｍ以下であり、前記強磁性薄膜パターンの形成領域の最内周半径が２０ｍｍであることを特徴とする。
本発明の別のマスター情報担体は、高位領域と、前記高位領域に対して段差を有する低位領域と、前記高位領域の表面に形成された、情報信号に対応する強磁性薄膜パターンとをディスク状基体の表面に備え、３．５インチ磁気ディスクと重ね合わされて、前記強磁性薄膜パターンを前記磁気ディスクの表面に密着させた状態で、外部磁界を印加することにより、前記情報信号を前記磁気ディスクに転写記録するためのマスター情報担体であって、前記高位領域を複数備え、前記磁気ディスクと重ね合わされたときに、前記複数の高位領域はすべて、その内方端縁部が、磁気ディスクの内孔端縁より半径方向の外側に位置し、かつ前記複数の高位領域の少なくとも一部は、その内方端縁部と磁気ディスクの内孔端縁との距離が０．２ｍｍ以上、２ｍｍ以下であり、前記強磁性薄膜パターンの形成領域の最内周半径が１８〜２２ｍｍであることを特徴とする。
【００３６】
また、本発明の更に別のマスター情報担体は、略同一平面を形成する第１及び第２の高位領域と、前記第１及び第２の高位領域に対して段差を有する低位領域と、前記第１の高位領域の表面に形成された、情報信号に対応する強磁性薄膜パターンとをディスク状基体の表面に備え、３．５インチ磁気ディスクと重ね合わされて、前記強磁性薄膜パターンを前記磁気ディスクの表面に密着させた状態で、外部磁界を印加することにより、前記情報信号を前記磁気ディスクに転写記録するためのマスター情報担体であって、前記磁気ディスクと重ね合わされたときに、前記第２の高位領域の内方端縁部が、前記磁気ディスクの内孔端縁より半径方向の外側に位置し、かつ両者間の半径方向の距離が０．２ｍｍ以上、６ｍｍ以下であり、前記強磁性薄膜パターンの形成領域の最内周半径が２０ｍｍであることを特徴とする。
本発明の更に別のマスター情報担体は、略同一平面を形成する第１及び第２の高位領域と、前記第１及び第２の高位領域に対して段差を有する低位領域と、前記第１の高位領域の表面に形成された、情報信号に対応する強磁性薄膜パターンとをディスク状基体の表面に備え、３．５インチ磁気ディスクと重ね合わされて、前記強磁性薄膜パターンを前記磁気ディスクの表面に密着させた状態で、外部磁界を印加することにより、前記情報信号を前記磁気ディスクに転写記録するためのマスター情報担体であって、前記磁気ディスクと重ね合わされたときに、前記第２の高位領域の内方端縁部が、前記磁気ディスクの内孔端縁より半径方向の外側に位置し、かつ両者間の半径方向の距離が０．２ｍｍ以上、２ｍｍ以下であり、前記強磁性薄膜パターンの形成領域の最内周半径が１８〜２２ｍｍであることを特徴とする。
【００３７】
更に、本発明の磁気ディスクの製造方法は、上記の本発明のいずれかのマスター情報担体と磁気ディスクとを重ね合わせる工程と、前記磁気ディスクの内孔より排気し、前記マスター情報担体と前記磁気ディスクとの間の空間を負圧にすることにより、前記マスター情報担体と前記磁気ディスクとを密着する工程と、外部磁界を印加することにより、前記マスター情報担体に形成された前記強磁性薄膜パターンに対応する情報信号を前記磁気ディスクに転写記録する工程とを備えることを特徴とする。
【００３８】
【発明の実施の形態】
本発明者らは、図１０に示すようなマスター情報担体４１の変形の原因について鋭意検討した結果、マスター情報担体４１に形成されている高位領域が、磁気ディスク５１の内孔５１ｂの近くには形成されていないためであるとの結論に達した。
【００３９】
図９Ａに、マスター情報担体４１と磁気ディスク５１とを重ね合わせて密着させたときの、磁気ディスク５１の内孔の端縁５１ａを２点鎖線で示している。磁気ディスクにおいて情報信号の記録領域は、磁気ディスク内孔の近傍にまで及んでいるわけではない。これは、ハードディスクドライブに具備されているスピンドルモータに、磁気ディスクを固定するための領域が必要になるからである。具体的には、一般的な３．５インチタイプのハードディスクドライブの場合、磁気ディスクの内孔の半径が１２．５ｍｍであるのに対し、情報信号の記録領域の最内周半径は１８〜２２ｍｍである。
【００４０】
従来より、強磁性薄膜パターンが形成されている高位領域４２を画定する端縁部（高位領域と低位領域との境界部）は、強磁性薄膜パターンの形成領域を包含しながらなるべく小さな領域になるように決定されていた。したがって、図９Ａに示すように、マスター情報担体４１と磁気ディスク５１とを重ね合わせたとき、高位領域４２を画定する端縁部のうち、半径方向内方の端縁部（以下、「内方端縁部」という）４２ａと、磁気ディスク５１の内孔端縁５１ａとの距離ｄは比較的離れていた。これが、マスター情報担体４１が中央部において変形しやすくなっている原因と考えられる。仮に、高位領域４２の内方端縁部４２ａがマスター情報担体４１の中央部にまで及んでいるならば、マスター情報担体４１は中央部においても磁気ディスク５１と接触し、中央部における変形を小さくすることができると考えられる。
【００４１】
本発明者らは、マスター情報担体の変形による磁気ディスクとの密着性悪化をこのような見地から防止することを検討し、本発明を完成した。
【００４２】
すなわち、本発明の第１のマスター情報担体は、高位領域と、前記高位領域に対して段差を有する低位領域と、前記高位領域の表面に形成された、情報信号に対応する強磁性薄膜パターンとをディスク状基体の表面に備え、磁気ディスクと重ね合わされて、前記強磁性薄膜パターンを前記磁気ディスクの表面に密着させた状態で、外部磁界を印加することにより、前記情報信号を前記磁気ディスクに転写記録するためのマスター情報担体であって、前記磁気ディスクと重ね合わされたときに、前記高位領域の少なくとも一部が前記磁気ディスクの内孔端縁の近傍と接触することを特徴とする。
【００４３】
また、本発明の第２のマスター情報担体は、略同一平面を形成する第１及び第２の高位領域と、前記第１及び第２の高位領域に対して段差を有する低位領域と、前記第１の高位領域の表面に形成された、情報信号に対応する強磁性薄膜パターンとをディスク状基体の表面に備え、磁気ディスクと重ね合わされて、前記強磁性薄膜パターンを前記磁気ディスクの表面に密着させた状態で、外部磁界を印加することにより、前記情報信号を前記磁気ディスクに転写記録するためのマスター情報担体であって、前記磁気ディスクと重ね合わされたときに、前記第２の高位領域の少なくとも一部が前記磁気ディスクの内孔端縁の近傍と接触することを特徴とする。
【００４４】
上記第１のマスター情報担体と磁気ディスクとを重ね合わせたとき、第１のマスター情報担体の高位領域が、磁気ディスクの内孔端縁の近傍と接触する。また、上記第２のマスター情報担体と磁気ディスクとを重ね合わせたとき、第２のマスター情報担体の第２の高位領域が、磁気ディスクの内孔端縁の近傍と接触する。これにより、磁気ディスクの内孔より排気してマスター情報担体の低位領域と磁気ディスクとの間の排気用通路を負圧にする場合に、マスター情報担体の中央部においてより強い負圧が生じて変形を伴っても、その変形を最小限にすることができ、マスター情報担体の高位領域（または第１の高位領域）に形成された強磁性薄膜パターンと磁気ディスクとの良好な密着性を確保することが可能になる。よって、情報信号の転写記録において信頼性の高いマスター情報担体を得ることができる。
【００４５】
上記の第１及び第２のマスター情報担体と前記磁気ディスクとを重ね合わせたときに、高位領域（または、第２の高位領域）の内方端縁部が、磁気ディスクの内孔端縁より半径方向の外側に位置することが好ましい。
【００４６】
磁気ディスクの内孔端縁の近傍には、内孔の加工などによってバリや異物が存在している可能性があり、この部分に高位領域（または、第２の高位領域）が接触しないことにより、強磁性薄膜パターンと磁気ディスクとの密着性が低下するのを防止できる。
【００４７】
上記の第１及び第２のマスター情報担体と磁気ディスクとを重ね合わせたときに、高位領域（または、第２の高位領域）の内方端縁部と磁気ディスクの内孔端縁との半径方向距離は６ｍｍ以下、更には２ｍｍ以下であることが好ましい。
【００４８】
前記半径方向距離がこれより大きくなると、マスター情報担体と磁気ディスクとを重ね合わせて、磁気ディスクの内孔より排気したとき、マスター情報担体の変形量が増加して、強磁性薄膜パターンと磁気ディスクとの密着性が悪化する。
【００４９】
また、前記半径方向距離は０．２ｍｍ以上であることが好ましい。
【００５０】
前記半径方向距離がこれより小さくなると、磁気ディスクの内孔端縁の近傍に存在するバリや異物によって、強磁性薄膜パターンと磁気ディスクとの密着性が低下することがある。
【００５１】
上記の第１のマスター情報担体は前記高位領域を複数備え、前記磁気ディスクと重ね合わされたときに、複数の前記高位領域のうちの一部の高位領域の内方端縁部のみが前記磁気ディスクの内孔端縁の近傍と接触することが好ましい。
【００５２】
これにより、隣り合う高位領域間の間隔を十分に確保することができるので、磁気ディスクの内孔より排気したときに、強磁性薄膜パターンと磁気ディスクとを確実に密着させることができる。
【００５３】
また、上記の第２のマスター情報担体において、前記第２の高位領域は、前記第１の高位領域の内方端縁部よりも半径方向の中心側に配置されていることが好ましい。
【００５４】
これにより、第１の高位領域の配置とは無関係に、マスター情報担体の変形防止等の観点から第２の高位領域の配置パターンを最適化することができる。
【００５５】
また、上記の第２のマスター情報担体は前記第１及び第２の高位領域をそれぞれ複数備え、前記第２の高位領域の個数が、前記第１の高位領域の個数以下、且つ、前記第１の高位領域の個数の１／４以上であることが好ましい。
【００５６】
第２の高位領域の個数が、第１の高位領域の個数より多いと、隣り合う第２の高位領域間の間隔を十分に確保することができず、従って、磁気ディスクの内孔より排気したときに、強磁性薄膜パターンと磁気ディスクとの密着性が低下する。
【００５７】
また、第２の高位領域の個数が、第１の高位領域の個数の１／４未満であると、磁気ディスクの内孔より排気したときに、第２の高位領域と接触する磁気ディスクの部分に大きな圧力が作用して、磁気ディスクが損傷する場合がある。
【００５８】
次に、本発明の磁気ディスクの製造方法は、上記の本発明の第１又は第２のマスター情報担体と磁気ディスクとを重ね合わせる工程と、前記磁気ディスクの内孔より排気し、前記マスター情報担体と前記磁気ディスクとの間の空間を負圧にすることにより、前記マスター情報担体と前記磁気ディスクとを密着する工程と、外部磁界を印加することにより、前記マスター情報担体に形成された前記強磁性薄膜パターンに対応する情報信号を前記磁気ディスクに転写記録する工程とを備えることを特徴とする。
【００５９】
これにより、磁気ディスクの内孔より排気したときに、マスター情報担体の変形を抑えることができるので、マスター情報担体に形成された強磁性薄膜パターンと磁気ディスクとの良好な密着性を確保することが可能になる。よって、情報信号が正確に転写記録された、信頼性の高い磁気ディスクを得ることができる。
【００６０】
以下に、本発明にかかるマスター情報担体の具体的な実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００６１】
（実施の形態１）
本発明の実施の形態１におけるマスター情報担体の構成を図１Ａ、図１Ｂに示す。図１Ａはマスター情報担体の平面図である。ディスク形状のマスター情報担体１１の表面には、プリフォーマット情報信号に対応した微細な強磁性薄膜パターン１２ｐ（ハッチング領域）が形成された領域を含む、ほぼ半径方向に沿って細長い領域１２が、周方向に所定の角度間隔で設けられている。図１Ａの円弧状の一点鎖線１Ｂ−１Ｂにおけるマスター情報担体１１の拡大断面図を図１Ｂに示す。図１Ｂに示すように、強磁性薄膜パターンが形成されていない領域１３（パターン非形成領域）の表面高さは、強磁性パターン１２ｐが形成された領域（パターン形成領域）を含む領域１２の表面高さよりも低くしてある。表面高さがより高い領域１２のことを高位領域と呼び、表面高さがより低い領域１３のことを低位領域と呼ぶ。高位領域１２および低位領域１３は、非磁性基体２０の表面に形成されている。
【００６２】
なお、図１Ａおよび図１Ｂは説明の便宜のため簡略化されており、実際のマスター情報担体において、強磁性薄膜パターン１２ｐが形成されている領域の寸法および数は、図示されているものとは異なっている。実際には、例えば、高位領域１２の個数は１００〜３００個程度である。
【００６３】
図１Ａに示す高位領域１２内の一部分である領域IIの拡大図を図２に示す。図２に示すように、トラッキング用サーボ信号Ｓｔ、アドレス情報信号Ｓａ、再生クロック信号Ｓｃに対応する強磁性薄膜パターンが順番に円周方向に沿って配列されている。図２において、ハッチングを施した部分がＣｏ（コバルト）などの強磁性材料で構成された薄膜パターン部分である。
【００６４】
このようなトラッキング用サーボ信号、アドレス情報信号、再生クロック信号からなるプリフォーマット情報信号に対応した微細な強磁性薄膜パターンをマスター情報担体１１の表面に形成する方法を図３に基づいて以下に説明する。
【００６５】
まず、図３Ａに示すように、ガラスやシリコンウエハーなど、表面粗度が細かくて平坦性の良好な非磁性基体２０の表面に、レジスト層２２を形成する。次に、図３Ｂに示すように、フォトリソグラフィ法あるいは電子ビームを用いたリソグラフィ法を用いて、レジスト層２２を露光し現像してパターニングしてレジストパターン２２ａを形成する。
【００６６】
次に、図３Ｃに示すように、ドライエッチング等によってレジスト層２２が形成されていない領域をエッチングした後、図３Ｄに示すように、Ｃｏ等からなる強磁性薄膜２１をスパッタリング法によって成膜する。このとき、強磁性薄膜２１は、非磁性基体２０をエッチングした部分と、レジストパターン２２ａとの上に堆積される。次に、図３Ｅに示すように、レジストパターン２２ａ上に堆積した強磁性薄膜２１をレジストパターン２２ａとともに例えば薬液等で除去することにより、強磁性薄膜パターン１２ｐを形成する。
【００６７】
なお、強磁性薄膜２１を非磁性基体２０の表面に製膜する方法は、スパッタリング法に限定されるものではなく、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、めっき法などの従来から行われている一般的な薄膜形成方法を用いることができる。
【００６８】
また、強磁性薄膜２１の材料はＣｏに限定されるものではなく、硬質磁性材料、半硬質磁性材料、軟質磁性材料を問わず、多くの種類の磁性材料を用いることができ、例えば、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｆｅ−Ｃｏ合金などを用いることができる。プリフォーマット情報信号が記録される磁気記録媒体の種類によらずに十分な記録磁界を発生させるためには、磁性材料の飽和磁束密度が大きいほどよい。特に、２０００エルステッド（１５９ｋＡ／ｍ）を超える高い保磁力を持つ磁気ディスクや磁性層の厚みの大きなフレキシブルディスクに対しては、飽和磁束密度が０．８テスラ以下になると十分な記録を行うことができない場合があるので、一般的には、０．８テスラ以上、好ましくは１．０テスラ以上の飽和磁束密度を有する磁性材料が用いられる。
【００６９】
また、強磁性薄膜パターン１２ｐの膜厚は、ビット長や磁気記録層の飽和磁化や磁気記録層の膜厚にもよるが、例えばビット長約１μｍ、飽和磁化約５００ｅｍｕ／ｃｃ（５００ｋＡ／ｍ）、磁気記録層厚さが約２０ｎｍの場合では、５０ｎｍ〜５００ｎｍ程度あればよい。
【００７０】
以上のようにして、図３Ｅに示すように非磁性基体２０上に強磁性薄膜パターン１２ｐが形成される。次いで、高位領域１２及び低位領域１３を形成する工程を以下に説明する。
【００７１】
まず、図３Ｆに示すように、強磁性薄膜パターン１２ｐが形成された非磁性基体２０にレジスト層２３を形成し、次いで、図３Ｇに示すように、フォトリソグラフィ法等を用いて、強磁性薄膜パターン１２ｐを含む領域のみがレジスト層２３に被覆されるように、レジスト層２３をパターニングにより除去する。次に、図３Ｈに示すように、ドライエッチング法等によりレジスト層２３が除去された領域の表層を除去する。この結果、エッチングされた領域は低位領域１３となり、レジスト層２３によりエッチングされなかった領域は高位領域１２となり、両者の上表面間に高低差（段差）が形成される。その後、図３Ｉに示すように、残留レジスト層２３を例えば薬液で除去する。これにより、強磁性薄膜パターン１２ｐが形成された高位領域１２と、強磁性薄膜パターンが形成されていない低位領域１３とが非磁性基体２０上に形成されたマスター情報担体１１が得られる。
【００７２】
本発明者らが鋭意検討した結果、高位領域１２の表面高さと低位領域１３の表面高さとの差である段差ｈ（図１Ｂ参照）が３μｍ以上であれば、強磁性薄膜パターン１２ｐと磁気記録媒体とを均一に密着させることが可能であることがわかった。より好ましい段差ｈは、１０〜２０μｍである。段差ｈは、イオンエッチングの条件を適宜選択することによって所定の値とすることができる。
【００７３】
本実施の形態１においては、図１Ａに示すように、高位領域１２を画定する端縁部のうち、半径方向内方の端縁部（以下、「内方端縁部」という）１２ａの位置を、強磁性薄膜パターン１２ｐの近傍ではなく、マスター情報担体１１の中央部まで延設している。この結果、マスター情報担体１１と磁気ディスクとを重ね合わせたときに、磁気ディスクの内孔端縁（図１Ａの２点鎖線で示す）１ａの近傍において、高位領域１２の内方端縁部１２ａが磁気ディスクと接触する。なお、フォトリソグラフィ法によって高位領域とすべき領域にのみレジスト層を被覆することにより、簡易な方法で所望の形状の高位領域１２を形成することが可能である。
【００７４】
高位領域１２の内方端縁部１２ａが磁気ディスクの内孔端縁１ａよりも内側になるまで、高位領域１２を延設することも可能であるが、この場合、マスター情報担体１１と磁気ディスクとを重ね合わせたとき、磁気ディスクの内孔端縁１ａと高位領域１２とが接触することになる。磁気ディスクの内孔端縁１ａの近傍には、内孔の加工などによってバリや異物が存在している可能性があり、これらによって高位領域１２と磁気ディスクとの密着性が阻害される可能性がある。このため、高位領域１２と磁気ディスクの内孔端縁１ａとは接触しないようにするのが好ましい。したがって、高位領域１２の内方端縁部１２ａは、磁気ディスクの内孔端縁１ａより外側にあることが好ましく、両者の半径方向距離ｄは０．２ｍｍ以上とするのがより好ましい。
【００７５】
また、その距離ｄは６ｍｍ以下とするのが好ましい。上述したように、高位領域１２の内方端縁部１２ａが磁気ディスクの内孔端縁１ａから離れている場合には、低位領域１３と磁気ディスクとの間にできる排気用通路に存在する気体を排気する際、マスター情報担体１１の中央部の変形が大きくなり、高位領域１２と磁気ディスクとの密着の均一性を確保できなくなるおそれがあるためである。
【００７６】
本実施の形態１を３．５インチ磁気ディスクの磁気転写記録に適用した実施例を以下に示す。
【００７７】
図４は、本実施の形態１にかかるマスター情報担体１１を用いて３．５インチ磁気ディスク５１にプリフォーマット情報信号を記録する様子を示した断面図である。図４において、図１Ａ、図１Ｂと同一の構成要素には同一の符号を付して、それらについての詳細な説明を省略する。
【００７８】
図４において、Ｃは、磁気ディスク５１及びマスター情報担体１１の中心線である。図示したように、マスター情報担体１１と磁気ディスク５１とを、それぞれの中心線が一致するようにして重ね合わせた。中心線Ｃから、磁気ディスク５１の内孔端縁１ａまでの距離（すなわち、磁気ディスク５１の中心に形成された内孔の半径）をＲIN、磁気ディスク５１の外周端縁までの距離（すなわち、磁気ディスク５１の外周半径）をＲOUT、マスター情報担体１１の強磁性薄膜パターン１２ｐの形成領域の内方端縁部までの距離（すなわち、強磁性薄膜パターン１２ｐの形成領域の最内周半径）をＲPとしたとき、ＲIN＝１２．５ｍｍ、ＲOUT＝４７．５ｍｍ、ＲP＝２０．０ｍｍであった。また、高位領域１２の表面と低位領域１３の表面との段差（高低差）ｈ＝５μｍであった。マスター情報担体１１は、外径１００ｍｍ、厚さ０．５２５ｍｍのシリコン基板を用いて図３Ａ〜図３Ｉに従って作成した。マスター情報担体１１に記録したプリフォーマット情報信号の記録波長（すなわち、強磁性薄膜パターン１２ｐの周方向の配列ピッチ）は２μｍとした。
【００７９】
次いで、磁気ディスク５１の内孔より排気して、マスター情報担体１１と磁気ディスク５１とを密着させた。排気圧力は、大気圧に対して−５０ｋＰａとした。
【００８０】
その後、直流外部磁界（図示せず）を印加して、マスター情報担体１１に形成された強磁性薄膜パターン１２ｐに対応する情報信号を磁気ディスク５１に転写記録した。
【００８１】
以上において、中心線Ｃから高位領域１２の内方端縁部１２ａまでの距離のみが異なる複数のマスター情報担体１１を作成し、これらを用いて同一条件で磁気ディスク５１にプリフォーマット情報信号を記録した。
【００８２】
そして、得られた各磁気ディスク５１について、中心線Ｃから半径２０ｍｍの地点に記録された信号の再生出力値Ｓ20に対する、半径４５ｍｍの地点に記録された信号の再生出力値Ｓ45の比Ｓ45／Ｓ20を求めた。図５は、その結果をまとめたものである。横軸は、マスター情報担体１１の高位領域１２の内方端縁部１２ａと磁気ディスク５１の内孔端縁１ａとの半径方向距離ｄを示す。これより、距離ｄが６ｍｍを超えると、比Ｓ45／Ｓ20が急速に低下することが分かる。これは、吸引圧力により、マスター情報担体１１の外周側が磁気ディスク５１から浮き上がり、両者の密着性が低下しているためである。従って、距離ｄを６ｍｍ以下とすることが好ましいことが実験的に確認できた。
【００８３】
上記の実施例では、プリフォーマット情報信号の記録波長を２μｍとしたが、これを１μｍに変更して同様に実験を行ったところ、比Ｓ45／Ｓ20が低下し始める距離ｄはおよそ２ｍｍであった。従って、より高密度記録のためには距離ｄは２ｍｍ以下であることが好ましい。
【００８４】
図１Ａに示すマスター情報担体１１においては、全ての高位領域１２の内方端縁部１２ａの位置を、磁気ディスクの内孔端縁１ａの近傍まで延設しているが、図６Ａに示すように、複数ある高位領域１２のうちの一部のみを、磁気ディスクの内孔端縁１ａの近傍にまで延設しても良い。図６Ａに示すマスター情報担体の例では、内方端縁部１２ａを延設した高位領域１２をひとつおきに配置している。このような構成においても図１Ａと同様の効果が得られる。
【００８５】
図１Ａのマスター情報担体の例では、隣り合う高位領域１２間の最小間隔は、内方端縁部１２ａにおける間隔ｗ１である（図１Ａ参照）。一方、図６Ａのマスター情報担体の例では、隣り合う高位領域１２間の最小間隔は、図６Ａに示す間隔ｗ２になる。高位領域１２の個数が増えた場合、あるいは、内方端縁部１２ａと中心との距離が小さい場合、隣り合う高位領域１２間の間隔が小さくなり、高位領域１２間に形成される低位領域１３と磁気ディスクとの間の空間の排気が困難になって、負圧が十分に生じないおそれがある。図６Ａに示すようなマスター情報担体によれば、低位領域１３と磁気ディスクとの間の空間に負圧をより確実に生じさせ、高位領域１２と磁気ディスクとの均一な密着性を確保しうる。結果として、より信頼性の高いマスター情報担体が提供されることになる。なお、図６Ｂは図６Ａの円弧状の一点鎖線６Ｂ−６Ｂにおけるマスター情報担体１１の拡大断面図である。
【００８６】
（実施の形態２）
本発明の実施の形態２におけるマスター情報担体の構成を図７Ａ、図７Ｂに示す。図７Ａはマスター情報担体の平面図である。ディスク形状のマスター情報担体３１の表面には、プリフォーマット情報信号に対応した微細な強磁性薄膜パターン３２ｐ（ハッチング領域）が形成された領域を含む、ほぼ半径方向に沿って細長い領域３２１が、周方向に所定の角度間隔で設けられている。図７Ａの一点鎖線７Ｂ−７Ｂにおけるマスター情報担体３１の拡大断面図を図７Ｂに示す。図７Ｂに示すように、強磁性薄膜パターンが形成されていない領域３３（パターン非形成領域）の表面高さは、強磁性薄膜パターン３２ｐが形成された領域（パターン形成領域）を含む領域３２１の表面高さよりも低くしてある。表面高さがより高い領域３２１を第１の高位領域と呼び、表面高さがより低い領域３３を低位領域と呼ぶ。第１の高位領域３２１及び低位領域３３は、非磁性基体２０の表面に形成されている。さらに、マスター情報担体３１には、強磁性薄膜パターン３２ｐが形成されている第１の高位領域３２１とは別に、これと略同一高さの第２の高位領域３２２が非磁性基体２０の表面に形成されている。第２の高位領域３２２には、強磁性薄膜パターンは形成されていない。
【００８７】
なお、図７Ａおよび図７Ｂは説明の便宜のため簡略化されており、実際のマスター情報担体において、強磁性薄膜パターン３２ｐが形成されている領域の寸法および数は、図示されているものとは異なっている。実際には、例えば、第１の高位領域３２１の個数は１００〜３００個程度である。
【００８８】
第１の高位領域３２１に形成される強磁性薄膜パターン３２ｐの詳細、および強磁性薄膜パターン３２ｐを非磁性基体２０の表面に形成する方法については実施の形態１で説明したものと同様であるので、その説明を省略する（図２，図３Ａ〜図３Ｉ参照）。
【００８９】
また、低位領域３３の表面高さを第１，第２の高位領域３２１，３２２の表面高さよりも低くする方法についても、実施の形態１と同様である（図３Ａ〜図３Ｉ参照）。
【００９０】
すなわち、強磁性薄膜パターンが形成された基体にレジスト層を形成した後、フォトリソグラフィ法等を用いて、第１，第２の高位領域３２１，３２２を形成しようとする領域のみがレジスト層で被覆されるように、レジスト層をパターニングにより除去する。次に、ドライエッチング法等によりレジスト層が除去された領域の表層を除去する。この結果、エッチングされた領域は低位領域３３となり、レジスト層によりエッチングされなかった領域は第１，第２の高位領域３２１，３２２となり、両者の上表面間に高低差（段差）が形成される。その後、残留レジスト層を例えば薬液で除去する。これにより、強磁性薄膜パターン３２ｐが形成された第１の高位領域３２１および強磁性薄膜パターンが形成されていない第２の高位領域３２２と、強磁性薄膜パターンが形成されていない低位領域３３とが非磁性基体上に形成されたマスター情報担体３１が得られる。
【００９１】
本実施の形態２においては、図７Ａに示すように、第１の高位領域３２１を画定する端縁部のうち、半径方向内方の端縁部（以下、「内方端縁部」という）３２１ａの位置は、強磁性薄膜パターン３２ｐの形成領域の半径方向内方の端縁部の近傍にある。このままの状態で、磁気ディスクと第１の高位領域３２１内に形成された強磁性薄膜パターン３２ｐとを密着させるために、低位領域３３と磁気ディスクとの間の排気用通路に存在する気体を、磁気ディスク内孔より排気すると、上述したように、マスター情報担体３１の中央部が変形して、第１の高位領域３２１内の強磁性薄膜パターン３２ｐと磁気ディスクとの密着性が低下してしまう。これを防止するために、本実施の形態２では、第１の高位領域３２１の内方端縁部３２１ａよりもさらに半径方向内方に、第２の高位領域３２２を形成している。第２の高位領域３２２の形状については、四角形、円形など任意の形とすることができる。但し、第２の高位領域３２２を設ける位置およびその大きさは、マスター情報担体３１と磁気ディスクとを重ね合わせたときに、磁気ディスク内孔端縁１ａと第２の高位領域３２２とが接触しないように設定するのが好ましい。これは、磁気ディスクの製造過程における内孔の加工などによって、内孔端縁１ａの近傍にはバリや異物が存在する可能性があり、これらによって強磁性薄膜パターンと磁気ディスクとの密着性が阻害される可能性があるためである。したがって、第２の高位領域３２２の、マスター情報担体３１の中央部に最も近い端縁部（「内方端縁部」）３２２ａは、マスター情報担体３１と磁気ディスクとを重ね合わせたとき、磁気ディスクの内孔端縁１ａよりも外側になるように構成されていることが好ましい。具体的には、実施の形態１と同様に、第２の高位領域３２２の内方端縁部３２２ａと、磁気ディスクの内孔端縁１ａとの半径方向距離ｄは０．２ｍｍ以上、６ｍｍ以下（更には２ｍｍ以下）とするのが好ましい。
【００９２】
また、第２の高位領域３２２の個数は、強磁性薄膜パターン３２ｐが形成されている第１の高位領域３２１の個数の１／４の個数〜同個数とするのが好ましく、更には第１の高位領域３２１の個数の半分程度が好ましい。第２の高位領域３２２のひとつあたりの大きさが小さく、かつその個数が少ない場合には、磁気ディスクとマスター情報担体３１との密着工程において、磁気ディスクと第２の高位領域３２２が接触する部分において大きな圧力が加わり、磁気ディスクが損傷するおそれがある。逆に、第２の高位領域３２２のひとつあたりの大きさが大きく、かつその個数が多い場合には、第１の高位領域３２１間に形成される低位領域３３と磁気ディスクとの間の空間の排気が困難になって、十分な密着が得られにくくなるおそれがある。
【００９３】
いずれにしても、第２の高位領域３２２はその大きさ、位置、個数にかかわりなく、強磁性薄膜パターン３２ｐが形成される第１高位領域３２１とともに、フォトリソグラフィ法によって簡易に形成することができる。そして、この第２の高位領域３２２を非磁性基体２０に形成することにより、磁気ディスクとマスター情報担体３１との密着工程において、磁気ディスク内孔からの吸引によってマスター情報担体３１が変形するのを最小限に抑えることができ、第１の高位領域３２１と磁気ディスクとの均一な密着性を確保しうる。結果として、信頼性の高いマスター情報担体を提供することが可能となるのである。
【００９４】
なお、図７Ａでは、第１及び第２の２種類の高位領域３２１，３２２を備える場合を説明したが、高位領域の種類はこれに限らず、これらと略同一高さの更に別の高位領域が第１の高位領域３２１の内方端縁部３２１ａよりも内側に配置されていてもよい。また、この別の高位領域には強磁性薄膜パターンは形成されていてもされていなくてもよい。
【００９５】
上記の実施の形態１，２では、マスター情報担体１１，３１に形成された強磁性薄膜パターン１２ｐ，３２ｐは高位領域１２，３２１の上面に埋め込まれていたが、強磁性薄膜パターン１２ｐ，３２ｐを高位領域１２，３２１の上面から突出して形成してもよい。このような強磁性薄膜パターンの形成方法を図８Ａ〜図８Ｈを用いて説明する。
【００９６】
まず、図８Ａに示すように、ガラスやシリコンウエハーなど、表面粗度が細かくて平坦性の良好な非磁性基体２０の表面に、Ｃｏ等からなる強磁性薄膜２１をスパッタリング法等によって成膜する。
【００９７】
次に、図８Ｂに示すように、非磁性基体２０の表面に成膜した強磁性薄膜２１上にレジスト層２２を形成した後、図８Ｃに示すように、フォトリソグラフィ法あるいは電子ビームを用いたリソグラフィ法を用いて、レジスト層２２を露光・現像してパターニングしてレジストパターン２２ａを形成する。その後、図８Ｄに示すように、ドライエッチング等によって強磁性薄膜パターン１２ｐを形成する。
【００９８】
次いで、高位領域１２及び低位領域１３を以下の工程により形成する。
【００９９】
まず、図８Ｅに示すように、強磁性薄膜パターン１２ｐが形成された非磁性基体２０にレジスト層２３を形成し、次いで、図８Ｆに示すように、フォトリソグラフィ法等を用いて、強磁性薄膜パターン１２ｐを含む領域のみがレジスト層２３に被覆されるように、レジスト層２３をパターニングにより除去する。次に、図８Ｇに示すように、ドライエッチング法等によりレジスト層２３が除去された領域の表層を除去する。この結果、エッチングされた領域は低位領域１３となり、レジスト層２３によりエッチングされなかった領域は高位領域１２となり、両者の上表面間に高低差（段差）が形成される。その後、図８Ｈに示すように、残留レジスト層２３を例えば薬液で除去する。
【０１００】
以上により、強磁性薄膜パターン１２ｐが突出して形成された高位領域１２と、強磁性薄膜パターンが形成されていない低位領域１３とが非磁性基体２０上に形成されたマスター情報担体１１が得られる。
【０１０１】
【発明の効果】
以上のように、本発明のマスター情報担体では、マスター情報担体と磁気ディスクとを重ね合わせたときに、マスター情報担体の高位領域（または、第２の高位領域）が、磁気ディスクの内孔端縁の近傍と接触する。これにより、磁気ディスクの内孔より排気してマスター情報担体の低位領域と磁気ディスクとの間の排気用通路を負圧にする場合に、マスター情報担体の中央部においてより強い負圧が生じて変形を伴っても、その変形を最小限にすることができ、マスター情報担体の高位領域（または第１の高位領域）に形成された強磁性薄膜パターンと磁気ディスクとの良好な密着性を確保することが可能になる。よって、情報信号の転写記録において信頼性の高いマスター情報担体を得ることができる。
【０１０２】
また、本発明の磁気ディスクの製造方法によれば、情報信号が正確に転写記録された、信頼性の高い磁気ディスクを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  図１Ａは、本発明の実施の形態１におけるマスター情報担体の構造を模式的に示した平面図、図１Ｂは、図１Ａの円弧１Ｂ−１Ｂにおける拡大断面図である。
【図２】  マスター情報担体の表面に形成されたプリフォーマット情報信号に対応する強磁性薄膜パターンの一例を示す、図１Ａの領域IIの拡大平面図である。
【図３】  図３Ａ〜図３Ｉは、本発明の実施の形態１におけるマスター情報担体の製造方法の一例を工程順に示した断面図である。
【図４】  本発明の実施の形態１かかるマスター情報担体を用いて３．５インチ磁気ディスクにプリフォーマット情報信号を記録する様子を示した断面図である。
【図５】  マスター情報担体の高位領域の内方端縁部と磁気ディスクの内孔端縁との半径方向距離ｄに対する、磁気ディスクの外周部に記録される信号強度の変化の様子を示した図である。
【図６】  図６Ａは、本発明の実施の形態１における別のマスター情報担体の構造を模式的に示した平面図、図６Ｂは、図６Ａの円弧６Ｂ−６Ｂにおける拡大断面図である。
【図７】  図７Ａは、本発明の実施の形態２におけるマスター情報担体の構造を模式的に示した平面図、図７Ｂは、図７Ａの円弧７Ｂ−７Ｂにおける拡大断面図である。
【図８】  図８Ａ〜図８Ｈは、本発明のマスター情報担体の製造方法の別の一例を工程順に示した断面図である。
【図９】  図９Ａは、従来のマスター情報担体の構造を模式的に示した平面図、図９Ｂは、図９Ａの円弧９Ｂ−９Ｂにおける拡大断面図である。
【図１０】  マスター情報担体と磁気ディスクとを密着させるための装置の構造を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
１ａ、５１ａ  磁気ディスクの内孔端縁
５１  磁気ディスク
１１、３１、４１  マスター情報担体
１２、３２１、４２  強磁性薄膜パターンが形成されている高位領域
１３、３３、４３  強磁性薄膜パターンが形成されていない低位領域
１２ａ、３２１ａ、４２ａ  高位領域の内方端縁部
１２ｐ、３２ｐ、４２ｐ  強磁性薄膜パターン
３２２  第２の高位領域
３２２ａ  第２の高位領域の内方端縁部
２０  非磁性基体
２１  強磁性薄膜
２２、２３  レジスト層
６１  ディスク保持体
６１ａ  吸引孔
６１ｂ  排気ダクト
６１ｃ  排気装置
【図１】
0004035043.tif 000002
【図２】
0004035043.tif 000003
【図３】
0004035043.tif 000004
【図４】
0004035043.tif 000005
【図５】
0004035043.tif 000006
【図６】
0004035043.tif 000007
【図７】
0004035043.tif 000008
【図８】
0004035043.tif 000009
【図９】
0004035043.tif 000010
【図１０】
0004035043.tif 000011