(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
感光層を具備している電子写真感光体と、波長が３８０〜５００ｎｍの範囲にあるレーザー光を発振する光源を含む露光装置とを有している電子写真装置において、
該感光層が、下記一般式（６）で示されるガリウムフタロシアニンと、下記一般式（１）で示されるアゾ顔料とを共に含有していることを特徴とする電子写真装置。
【化１】
0004155537.tif 000028
（上記一般式（１）中、Ａｒは、置換基を有してもよい芳香族炭化水素環基又は複素環基あるいはこれらを結合基を介して結合させた基を示す。Ｃｐは、下記一般式（２）で示されるカプラー残基を示す。ｎは１〜３の整数を示す。ただし、−Ｎ＝Ｎ−Ｃｐが同一ベンゼン環に複数個結合することはない。）
【化２】
0004155537.tif 000029
（上記一般式（２）中、Ｘは、ベンゼン環と縮合して多環芳香環又は複素環を形成するのに必要な残基を示す。Ｒ１及びＲ２は、水素原子又は置換基を有してもよいアルキル基、アリール基若しくは複素環基を示す。また、Ｒ１及びＲ２は、窒素原子を介して環状アミノ基を形成していてもよい。Ｚは、酸素原子又は硫黄原子を示す。ｍは０又は１を示す。）
【化３】
0004155537.tif 000030
（上記一般式（６）中、Ｘ５〜Ｘ８は、塩素又は臭素を示す。ｑ、ｒ、ｓ及びｔは０〜４の整数を示す。Ｚは水酸基又は塩素を示す。）
【請求項２】
前記光源が、波長が４００〜４５０ｎｍの範囲のレーザー光を発振する半導体レーザーである請求項１に記載の電子写真装置。
【請求項３】
前記一般式（６）で示されるガリウムフタロシアニンが、ＣｕＫαの特性Ｘ線回折におけるブラッグ角（２θ±０．２°）の７．４°及び２８．２°に強いピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニンである請求項１又は２に記載の電子写真装置。
【請求項４】
前記感光層が、電荷発生層と電荷輸送層とを導電性支持体側からこの順に積層されてなる感光層であり、
該電荷発生層が、前記一般式（６）で示されるガリウムフタロシアニンと、前記一般式（１）で示されるアゾ顔料とを共に含有している請求項１〜３のいずれかに記載の電子写真装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子写真装置に関し、詳しくは画像の高解像度化が可能な短波長の半導体レーザーに適した電子写真装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在、レーザープリンター等に代表されるレーザーを光源として使用している電子写真装置において使用されているレーザーは、８００ｎｍ付近あるいは６８０ｎｍ付近に発振波長を有する半導体レーザーが主流である。近年、出力画像の高画質化のニーズが高まりかつ、高解像度化に向けた様々なアプローチがなされている。レーザーの波長もこの高解像度化に深く関わっており、特開平９−２４００５１号公報にも記載されている様に、レーザーの発振波長が短くなるほど、レーザーのスポット径を細くすることが可能となり、高解像度の潜像形成が可能となる。
【０００３】
レーザー発振波長の短波長化には、いくつかの手法が挙げられる。一つは、非線形光学材料を利用し、第２高調波発生（ＳＨＧ）を用いてレーザー光の波長を２分の１にするものである（特開平９−２７５２４２号公報、特開平９−１８９９３０号公報、特開平５−３１３０３３号公報等）。この系は、一次光源として、既に技術が確立し高出力可能なＧａＡｓ系ＬＤやＹＡＧレーザーを使用することができるため、長寿命化や大出力化が可能である。
【０００４】
もう一つは、ワイドギャップ半導体を用いるもので、ＳＨＧ利用のデバイスと比べ、装置の小型化が可能である。ＺｎＳｅ系半導体（特開平７−３２１４０９号公報、特開平６−３３４２７２号公報等）や、ＧａＮ系半導体（特開平８−８８４４１号公報、特開平７−３３５９７５号公報等）を用いたＬＤが、その発光効率の高さから、以前から多くの研究の対象となっている。
【０００５】
しかし、これらのＬＤは素子構造、結晶成長条件、電極等の最適化が難しく、結晶中の欠陥等により、実用化に必須である室温での長時間発振が困難であった。しかし、基盤等の技術革新が進み、１９９７年１０月には日亜化学工業から、ＧａＮ系半導体を用いたＬＤで１１５０時間連続発振（５０℃条件）が報告される等、実用化が目前に迫っている状態である。
【０００６】
一方、従来のレーザーを用いた電子写真装置に使用される電子写真感光体では、７００〜８００ｎｍ付近の可視〜赤外波長域に、白色光を用いた電子写真装置に使用される電子写真感光体では、５００〜７００ｎｍ付近の可視波長域に大きな吸収帯を持ち実用的な感度特性を発現できるものの、短波長領域において十分な感度が得られない。
【０００７】
また、従来から知れている電荷発生材料を単独で用いた場合、３８０〜５００ｎｍ付近に感度を有していても、この付近で感度の環境依存性、波長依存性が大きいと言う問題があることが判った。そのため、湿度や温度等の周囲の環境や入力レーザー波長の変動によって感度の変動が生じ、適切な出力を得られないと言う問題があった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、３８０〜５００ｎｍの波長域で高くフラットな感度特性を有し、かつ感度の環境依存性の小さな電子写真感光体と短波長レーザーを使用することによって、実用的で安定した高画質な出力画像が得られる電子写真装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明に従って、感光層を具備している電子写真感光体と、波長が３８０〜５００ｎｍの範囲にあるレーザー光を発振する光源を含む露光装置とを有している電子写真装置において、
該感光層が、下記一般式（６）で示されるガリウムフタロシアニンと、下記一般式（１）で示されるアゾ顔料とを共に含有していることを特徴とする電子写真装置が提供される。
【００１０】
【化４】
0004155537.tif 000002
【００１１】
上記一般式（１）中、Ａｒは、置換基を有してもよい芳香族炭化水素環基又は複素環基あるいはこれらを結合基を介して結合させた基を示す。Ｃｐは、下記一般式（２）で示されるカプラー残基である。ｎは１〜３の整数を表す。ただし、−Ｎ＝Ｎ−Ｃｐが同一ベンゼン環に複数個結合することはない。
【００１２】
【化５】
0004155537.tif 000003
【００１３】
上記一般式（２）中、Ｘは、ベンゼン環と縮合してナフタレン環、アントラセン環等の多環芳香環又はカルバゾール環、ベンズカルバゾール環等の複素環を形成するのに必要な残基を示す。Ｒ１及びＲ２は、水素原子又は置換基を有してもよいアルキル基、アリール基若しくは複素環基を示す。また、Ｒ１及びＲ２は、窒素原子を介して環状アミノ基を形成していてもよい。Ｚは酸素原子又は硫黄原子を示し、ｍは０又は１を示す。
【００１４】
具体的には、Ａｒとしてはベンゼン、ナフタレン、フルオレン、フェナンスレン、アントラセン、ピレン等の芳香族炭化水素環、フラン、チオフェン、ピリジン、インドール、ベンゾチアゾール、カルバゾール、アクリドン、ジベンゾチオフェン、ベンゾオキサゾール、オキサジアゾール、チアゾール等の芳香族複素環、更に上記芳香族環を直接あるいは芳香族性基又は非芳香族性基で結合したもの、例えば、トリフェニルアミン、ジフェニルアミン、Ｎ−メチルジフェニルアミン、ビフェニル、ターフェニル、ビナフチル、フルオレノン、フェナンスレンキノン、アンスラキノン、ベンズアンスロン、ジフェニルオキサジアゾール、フェニルベンズオキサゾール、ジフェニルメタン、ジフェニルスルホン、ジフェニルエーテル、ベンゾフェノン、スチルベン、ジスチリルベンゼン、テトラフェニル−ｐ−フェニレンジアミン、アゾベンゼン、アゾキシベンゼン、テトラフェニルベンジジン等から誘導される有機基が挙げられる。
【００１５】
上記結合基を介して結合してよい芳香族炭化水素基又は芳香族複素基が有してもよい置換基としては、メチル基、エチル基、プロピル基又はブチル基等のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基又はプロポキシ基等のアルコキシ基、ジメチルアミノ基又はジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基、フッ素原子、塩素原子又は臭素原子等のハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、ハロメチル基等が挙げられる。
【００１６】
また、一般式（２）中、Ｒ１及びＲ２のアルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基等の基、アリール基としてはフェニル、ナフチル、アンスリル基等の基、アラルキル基としてはベンジル基、フェネチル基等の基、複素環基としてはピリジル基、チエニル基、カルバゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾチアゾリル基等の基、窒素原子を環内に含む環状アミノ基としてはピロール基、ピロリン基、ピロリジン基、ピロリドン基、インドール基、インドリン基、カルバゾール基、イミダゾール基、ピラゾール基、ピリゾリン基、オキサジン基、フェノキサジン基等が挙げられる。
【００１７】
置換基としては、メチル基、エチル基又はプロピル基等のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基又はプロポキシ基等のアルコキシ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子等ハロゲン原子、ジメチルアミノ基又はジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基、フェニルカルバモイル基、ニトロ基、シアノ基又はトリフルオロメチル等のハロメチル基等が挙げられる。
【００１８】
中でも、Ｒ１又はＲ２のどちらか一方が水素原子であり、他方が置換基を有してもよいフェニル基の場合が感度上好ましく、更にフェニル上の置換基は、アルキル基、ハロゲン原子、フェニルカルバモイル基が好ましい。なお、このフェニルカルバモイル基はフェニル上に前述の様な置換基を更に有していてもよい。
【００１９】
【化６】
0004155537.tif 000004
【００２０】
上記一般式（６）中、Ｘ５〜Ｘ８は、塩素又は臭素を示す。ｑ、ｒ、ｓ及びｔは０〜４の整数を示す。Ｚは水酸基又は塩素を示す。
【００２１】
また、好ましいガリウムフタロシアニンは、ＣｕＫαの特性Ｘ線回折におけるブラッグ角（２θ±０．２°）が、７．４°、２８．２°に強いピークを有する結晶型のヒドロキシガリウムフタロシアニン（例えば、特開平５−２６３００７号公報に記載）、７．４°、１６．６°、２５．５°、２８．２°に強いピークを有する結晶型のクロロガリウムフタロシアニン（例えば、特開平５−９８１８１号公報に記載；図面の図５）である。
【００２２】
その中でも、特にＣｕＫαの特性Ｘ線回折におけるブラッグ角（２θ±０．２°）が、７．４°、２８．２°に強いピークを有する結晶型のヒドロキシガリウムフタロシアニンが好ましい。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態を詳細に説明する。
【００２４】
以下に、本発明に用いられる電荷発生材料の具体的な化合物例を、他のアゾ顔料の具体例（Ｐ２−１〜Ｐ２−２４）と共に列挙する。構造式は、一般式（１）のＡｒ、Ｃｐに相当する部分のみを記載した。なお、ｎが２、３の場合でＣｐが相異なる場合はＣｐ１、Ｃｐ２及びＣｐ３としてその構造を示した。
【００２５】
【表１】
0004155537.tif 000005
【００２６】
【表２】
0004155537.tif 000006
【００２７】
【表３】
0004155537.tif 000007
【００２８】
【表４】
0004155537.tif 000008
【００２９】
【表５】
0004155537.tif 000009
【００３０】
【表６】
0004155537.tif 000010
【００３１】
【表７】
0004155537.tif 000011
【００３２】
【表８】
0004155537.tif 000012
【００３３】
【表９】
0004155537.tif 000013
【００３４】
以下に、本発明に用いられるガリウムフタロシアニンの具体例を、他のフタロシアニン化合物の具体例と共に表１０に列挙する。
【００３５】
フタロシアニン化合物は、下記一般式（７）で示される。表１０には、下記一般式（７）のＭに相当する部分とＣｕＫαの特性Ｘ線回折におけるブラッグ角（２θ±０．２°）を示した。
【００３６】
【化７】
0004155537.tif 000014
【００３７】
上記一般式（７）中、Ｘ９〜Ｘ１２は塩素又は臭素を示し、ｗ、ｘ、ｙ、ｚは０〜４の整数を示す。Ｍは水素原子あるいは任意の２価の基を示す。
【００３８】
【表１０】
0004155537.tif 000015
【００３９】
本発明において、一般式（１）で示されるアゾ顔料と一般式（６）で示されるガリウムフタロシアニンとの含有比は、好ましくは５０／１〜１／５０、より好ましくは２０／１〜１／２０の範囲である。
【００４０】
次に、電子写真感光体について詳しく説明する。
【００４１】
感光体の構成は、図１、図２及び図３に示される様な公知のいかなる構成であってもかまわない。特開平９−２４００５１号公報には、図１の様な導電性支持体上に電荷発生層、電荷輸送層の順に積層した感光体では、３８０〜５００ｎｍの光は電荷輸送材料に吸収され、電荷発生層まで光が届かないため、原理上感度を示さないとあるが、必ずしもその様なことはなく、電荷輸送層に使用される電荷輸送材料としてレーザーの発振波長に透過性のある電荷輸送材料を用いれば、本構成の感光体でも十分な感度が得られ使用可能である。
【００４２】
以下に導電性支持体上に電荷発生層と電荷輸送層を積層した機能分離型感光体について、その作成方法を述べる。
【００４３】
電荷発生層は、一般式（１）で示されるアゾ顔料を適当な溶剤中でバインダー樹脂と共に分散した液を導電性支持体上に公知の方法によって塗布することによって形成され、その膜厚は、好ましくは５μｍ以下、より好ましくは０．１〜１μｍである。
【００４４】
電荷発生層は、電荷発生材料を適当な溶媒中でバインダー樹脂と共に分散した液を導電性支持体上に公知の方法によって塗布することによって形成され、その膜厚は、好ましくは５μｍ以下、より好ましくは０．１〜１μｍの薄膜層である。
【００４５】
本発明においては、一般式（１）で示されるアゾ顔料と一般式（６）で示されるガリウムフタロシアニンとを適当な溶剤中でバインダー樹脂と共に分散した液、あるいは別々に分散したアゾ顔料分散液とガリウムフタロシアニン分散液とを混合させた液を塗布することで得られる単一の層でもよく、また上記した液を複数回塗布することによって得られる複数層でもよい。また、この様な複数層の場合、支持体側の層はアゾ顔料を含有していることが好ましい。
【００４６】
この際用いられるバインダー樹脂としては、広範な絶縁性樹脂あるいは有機光導電性ポリマーから選択されるが、ポリビニルブチラール、ポリビニルベンザール、ポリアリレート、ポリカーボネート、ポリエステル、フェノキシ樹脂、セルロース系樹脂、アクリル樹脂、ポリウレタン等が好ましく、これらのバインダー樹脂は置換基を有してもよく、置換基としてはハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、トリフルオロメチル基等が好ましい。また、バインダー樹脂の使用量は、電荷発生層中の含有率で好ましくは８０重量％以下、より好ましくは４０重量％以下である。
【００４７】
また、使用する溶剤は、前記のバインダー樹脂を溶解し、後述の電荷輸送層や下引き層を溶解しないものから選択することが好ましい。具体的には、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン等のエーテル類、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン等のケトン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミン類、酢酸メチル、酢酸エチル等のエステル類、トルエン、キシレン、クロロベンゼン等の芳香族類、メタノール、エタノール、２−プロパノール等のアルコール類、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエチレン、四塩化炭素、トリクロロエチレン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素類等が挙げられる。
【００４８】
電荷輸送層は、電荷発生層の上又は下に積層され電界の存在下にて電荷発生層から電荷キャリアを受け取り、これを輸送する機能を有している。電荷輸送層は、電荷輸送材料を必要に応じて適当なバインダー樹脂と共に溶剤中に溶解した塗布液を塗布することによって形成され、その膜厚は一般的には５〜４０μｍが好ましく、１５〜３０μｍがより好ましい。
【００４９】
電荷輸送材料は、電子輸送性材料と正孔輸送性材料があり、電子輸送性材料としては、例えば、２，４，７−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロフルオレノン、クロラニル、テトラシアノキノジメタン等の電子吸引性材料やこれらの電子吸引性材料を高分子化したもの等が挙げられる。
【００５０】
正孔輸送材料としては、例えば、ピレン、アントラセン等の多環芳香族化合物、カルバゾール系、インドール系、オキサゾール系、チアゾール系、オキサジアゾール系、ピラゾール系、ピラゾリン系、チアジアゾール系、トリアゾール系化合物等の複素環化合物、ヒドラゾン系化合物、スチリル系化合物、ベンジジン系化合物、トリアリールメタン系化合物、トリフェニルアミン系化合物、あるいは、これらの化合物からなる基を主鎖又は側鎖に有するポリマー（例えば、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン等）が挙げられる。
【００５１】
また、これらの電荷輸送材料は１種又は２種以上組み合わせて用いることができる。電荷輸送材料が成膜性を有していない時には、適当なバインダー樹脂を用いることができる。具体的には、アクリル樹脂、ポリアリレート、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリスチレン、アクリロニトリル−スチレンコポリマー、ポリアクリルアミド、ポリアミド、塩素化ゴム等の絶縁性樹脂あるいはポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン等の有機光導電性ポリマー等が挙げられる。
【００５２】
ただし、図１の構成の感光体に使用する場合は、前述の通り使用する半導体レーザーの発振波長に対して透過性のある電荷輸送材料やバインダー樹脂を選択する必要がある。
【００５３】
導電性支持体の材質としては、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、亜鉛、ステンレス、バナジウム、モリブデン、クロム、チタン、ニッケル、インジウム、金や白金等が挙げられる。また、これらの金属又は合金を真空蒸着法によって被膜形成したプラスチック（例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレート及びアクリル樹脂等の支持体）や導電性粒子（例えば、カーボンブラック、銀粒子等）を適当なバインダー樹脂と共に上記のようなプラスチック、金属又は合金上に被覆した支持体あるいは導電性粒子をプラスチックや紙に含浸させた支持体等を用いることができる。形状としては、ドラム状、シート状及びベルト状等が挙げられる。
【００５４】
導電性支持体と感光層の中間にバリヤー機能と接着機能を有する下引き層を設けることもできる。また、感光層を外部からの機械的及び化学的悪影響から保護すること等を目的として、保護層を設けることもできる。なお、感光層には必要に応じて酸化防止剤や紫外線吸収剤等の添加剤を使用してもかまわない。
【００５５】
次に、本発明の電子写真装置について説明する。
【００５６】
本発明の電子写真装置は、前述の電子写真感光体と３８０〜５００ｎｍの発振波長を有する半導体レーザーを用いた像露光手段、帯電手段、現像手段、及び転写手段から構成される。
【００５７】
図４に本発明の電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを用いた電子写真装置の概略構成を示す。
【００５８】
図４において、１はドラム状の電子写真感光体であり、軸２を中心に矢印方向に所定の周速度で回転駆動される。感光体１は、回転過程において、一次帯電手段３によりその周面に正又は負の所定電位の均一帯電を受け、次いで、スリット露光やレーザービーム走査露光等の露光手段（不図示）から出力される目的の画像情報の時系列電気デジタル画像信号に対応して強調変調された露光光４を受ける。こうして感光体１の周面に対し、目的の画像情報に対応した静電潜像が順次形成されていく。
【００５９】
形成された静電潜像は、次いで現像手段５によりトナー現像され、現像されたトナー像は、不図示の給紙部から感光体１と転写手段６との間に感光体１の回転と同期して取り出されて給紙された転写材７に、感光体１の表面に形成担持されているトナー画像が転写手段６により順次転写されていく。
【００６０】
トナー画像の転写を受けた転写材７は、感光体面から分離されて像定着手段８へ導入されて像定着を受けることにより画像形成物（プリント、コピー）として装置外へプリントアウトされる。
【００６１】
像転写後の感光体１の表面は、クリーニング手段９によって転写残りトナーの除去を受けて清浄面化され、更に前露光手段（不図示）からの前露光光１０により除電処理された後、繰り返し画像形成に使用される。なお、一次帯電手段３が帯電ローラー等を用いた接触帯電手段である場合は、前露光は必ずしも必要ではない。
【００６２】
上述の電子写真感光体１、一次帯電手段３、現像手段５及びクリーニング手段９等の構成要素のうち、複数のものをプロセスカートリッジとして一体に結合して構成し、このプロセスカートリッジを複写機やレーザービームプリンター等の電子写真装置本体に対して着脱自在に構成してもよい。例えば、一次帯電手段３、現像手段５及びクリーニング手段９の少なくとも一つを感光体１と共に一体に支持してカートリッジ化して、装置本体のレール１２等の案内手段を用いて装置本体に着脱自在なプロセスカートリッジ１１とすることができる。
【００６３】
また、露光光４は、電子写真装置が複写機やプリンターである場合には、原稿からの反射光や透過光、あるいは、センサーで原稿を読取り、信号化し、この信号に従って行われるレーザービームの走査、ＬＥＤアレイの駆動及び液晶シャッターアレイの駆動等により照射される光である。
【００６４】
【実施例】
以下、実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明する。なお実施例中の「部」は重量部を示す。
【００６５】
（実施例１−１）
アルミニウム支持体上にメトキシメチル化ナイロン（重量平均分子量３２０００）５部とアルコール可溶性共重合ナイロン（重量平均分子量２９０００）１０部をメタノール９５部に溶解した液をマイヤーバーで塗布し、乾燥後の膜厚が１μｍの下引き層を形成した。
【００６６】
次に、アゾ顔料Ｐ１−１  ２部とガリウムフタロシアニンＦ−５  ２部をシクロヘキサノン１００部に溶解し、ポリビニルブチラール樹脂（商品名：エスレックＢＭ−２、積水化学製）４部に添加し、１ｍｍφのガラスビーズを用いたサンドミルで２時間分散し、これに１００部のメチルエチルケトンを加えて、希釈した後に回収して、この液を下引き層上にマイヤーバーで塗布し、８０℃で１０分間乾燥することによって、膜厚が０．２５μｍの電荷発生層を形成した。
【００６７】
次いで、下記構造式（８）で示される電荷輸送材料５部
【００６８】
【化８】
0004155537.tif 000016
【００６９】
とポリカーボネートＺ樹脂（数平均分子量２００００）５部をモノクロルベンゼン４０部に溶解した溶液を電荷発生層上にマイヤーバーで塗布し、乾燥することによって、膜厚が２０μｍの電荷輸送層を形成した。
【００７０】
この様にして作成した電子写真感光体を、静電複写紙試験装置（川口電機製：ＥＰＡ−８１００）を用いて、以下の様に評価した。結果を表１−１に示す。
【００７１】
（感度）
温度２３℃／湿度５０％の環境下で、感光体の表面電位を−７００Ｖになる様にコロナ帯電器で帯電し、次いでモノクロメータで分離した４００ｎｍの単色光で露光し、表面電位が−３５０Ｖまで減衰するのに必要な光量を測定し、感度（Ｅ１／２）を求めた。同様に、４５０ｎｍ、５００ｎｍの単色光における感度を測定した。
【００７２】
（感度の環境依存性）
高温高湿度環境下（３０℃／８０％）、低温低湿度環境下（１５℃／１０％）において、同様に４００ｎｍの単色光を照射し感度（Ｅ１／２）を求めた。
【００７３】
（実施例１−２及び１−３）
実施例１−１で用いた電荷発生材料を表１−１に記載の顔料に代えた以外は、実施例１−１と同様に電子写真感光体を作成し、評価した。結果を表１−１に示す。
【００７４】
（実施例１−４）
実施例１−１での電荷発生層の代わりにアゾ顔料Ｐ１−４  ４部を加えた液で同様に作成した膜厚０．１μｍの第一電荷発生層上にガリウムフタロシアニンＦ−５  ４部を加えた液で同様に作成した膜厚０．１μｍの第二電荷発生層を積層した２層からなる電荷発生層を形成した以外は、実施例１−１と同様に電子写真感光体を作成し、評価した。結果を表１−１に示す。
【００７５】
（実施例１−５及び１−６）
実施例１−１での電荷発生層の代わりに、表１−１に記載の顔料に代えた以外は、実施例１−４と同様に電子写真感光体を作成し、評価した。結果を表１−１に示す。
【００７６】
（比較例１−１）
電荷発生材料を実施例１−１の混合顔料の代わりにフタロシアニン顔料Ｆ−１  ４部を用いた以外は、実施例１−１と同様に電子写真感光体を作成し、評価した。結果を表１−１に示す。
【００７７】
（比較例１−２）
電荷発生材料を実施例１−１の混合顔料の代わりにフタロシアニン顔料Ｆ−２  ４部を用いた以外は、実施例１−１と同様に電子写真感光体を作成し、評価した。結果を表１−１に示す。
【００７８】
（参考例２−１）
実施例１−１で用いた電荷発生材料をアゾ顔料Ｐ２−４  ２部とガリウムフタロシアニンＦ−５に代えた以外は、実施例１−１と同様に電子写真感光体を作成し、評価した。結果を表２−１に示す。
【００７９】
（参考例２−２及び２−３）
参考例２−１で用いた電荷発生材料を表２−１に記載の顔料に代えた以外は、参考例２−１と同様に電子写真感光体を作成し、評価した。結果を表２−１に示す。
【００８０】
（参考例２−４）
参考例２−１での電荷発生層の代わりにアゾ顔料Ｐ２−４  ４部を加えた液で同様に作成した膜厚０．１μｍの第一電荷発生層上にガリウムフタロシアニンＦ−５  ４部を加えた液で同様に作成した膜厚０．１μｍの第二電荷発生層を積層した２層からなる電荷発生層を形成した以外は、参考例２−１と同様に電子写真感光体を作成し、評価した。結果を表２−１に示す。
【００８１】
（参考例２−５及び２−６）
参考例２−１での電荷発生層の代わりに、表２−１に記載の顔料に代えた以外は、参考例２−４と同様に電子写真感光体を作成し、評価した。結果を表２−１に示す。
【００８２】
（比較例２−１）
電荷発生材料を参考例２−１の混合顔料の代わりにフタロシアニン顔料Ｆ−１  ４部を用いた以外は、参考例２−１と同様に電子写真感光体を作成し、評価した。結果を表２−１に示す。
【００８３】
（比較例２−２）
電荷発生材料を参考例２−１の混合顔料の代わりにフタロシアニン顔料Ｆ−２  ４部を用いた以外は、参考例２−１と同様に電子写真感光体を作成し、評価した。結果を表２−１に示す。
【００８４】
【表１１】
0004155537.tif 000017
【００８５】
【表１２】
0004155537.tif 000018
【００８６】
（実施例１−７〜１−１２及び比較例１−３、１−４）
実施例１−１〜１−６及び比較例１−１、１−２に用いた電荷輸送材料を下記構造式（９）の化合物に代えた以外は、実施例１−１と全く同様に電子写真感光体を作成し、同様に評価した。これらの結果を表１−２に示す。
【００８７】
（参考例２−７〜２−１２及び比較例２−３、２−４）
参考例２−１〜２−６及び比較例２−１、２−２に用いた電荷輸送材料を下記構造式（９）の化合物に代えた以外は、参考例２−１と全く同様に電子写真感光体を作成し、同様に評価した。これらの結果を表２−２に示す。
【００８８】
【化９】
0004155537.tif 000019
【００８９】
【表１３】
0004155537.tif 000020
【００９０】
【表１４】
0004155537.tif 000021
【００９１】
（実施例１−１３〜１−１８及び比較例１−５、１−６）
実施例１−１〜１−６及び比較例１−１、１−２で作成した感光体の電荷発生層と電荷輸送層の構成を逆にした感光体を作成し、実施例１−１と同様に感度を測定した。ただし、電荷輸送材料は下記構造式（１０）の化合物に代え、帯電極性はプラスとした。これらの結果を表１−３に示す。
【００９２】
（参考例２−１３〜２−１８及び比較例２−５、２−６）
参考例２−１〜２−６及び比較例２−１、２−２で作成した感光体の電荷発生層と電荷輸送層の構成を逆にした感光体を作成し、参考例２−１と同様に感度を測定した。ただし、電荷輸送材料は下記構造式（１０）の化合物に代え、帯電極性はプラスとした。これらの結果を表２−３に示す。
【００９３】
【化１０】
0004155537.tif 000022
【００９４】
【表１５】
0004155537.tif 000023
【００９５】
【表１６】
0004155537.tif 000024
【００９６】
以上の結果から本発明に用いる電子写真感光体は、比較例の感光体に比べ短波長レーザーの発振波長領域での感度が非常に優れ、フラットである上に、環境変動に対する感度の変動が小さいことがわかる。
【００９７】
（実施例１−１９）
１０％酸化アンチモンを含有する酸化スズで被覆した酸化チタン粉体５０部、レゾール型フェノール樹脂２５部、メチルセルソルブ２０部、メタノール５部及びシリコーンオイル（ポリジメチルシロキサンポリオキシアルキレン共重合体、平均分子量３０００）０．００２部を１ｍｍφガラスビーズを用いたサンドミル装置で２時間分散して導電層用塗料を調製した。アルミニウムシリンダー上に、上記塗料を浸漬塗布し、１４０℃で３０分間乾燥させ、膜厚が２０μｍの導電層を形成した。
【００９８】
この導電層上に、６−６６−６１０−１２四元系ポリアミド共重合体樹脂５部をメタノール７０部／ブタノール２５部の混合溶媒に溶解した溶液をディッピング法で塗布乾燥し、膜厚が１μｍの下引き層を設けた。
【００９９】
次に、アゾ顔料Ｐ１−２  ２部とガリウムフタロシアニンＦ−５  ２部をシクロヘキサノン１００部に溶解した。これにポリビニルブチラール樹脂（商品名：エスレックＢＭ−Ｓ、積水化学社製）４部添加し、１ｍｍφのガラスビーズを用いたサンドミルで２時間分散し、これに１００部のメチルエチルケトンを加えて、希釈した後に回収して、これを下引き層上に塗布した後、８０℃で１０分間乾燥して、膜厚が０．１５μｍの電荷発生層を形成した。
【０１００】
次に、下記構造式（１１）で示される電荷輸送材料９部とビスフェノールＺ型ポリカーボネート樹脂（数平均分子量２００００）１０部をモノクロルベンゼン６０部に溶解した溶液を作成し、電荷発生層上にディッピング法により塗布した。これを１１０℃の温度で１時間乾燥して、膜厚が２４μｍの電荷輸送層を形成し、電子写真感光体を作成した。
【０１０１】
【化１１】
0004155537.tif 000025
【０１０２】
この様にして作成した電子写真感光体を、パルス変調装置を搭載しているキヤノン製プリンターＬＢＰ−４０００改造機（光源として日立金属株式会社製全固体青色ＳＨＧレーザーＩＣＤ−４３０／発振波長４３０ｎｍを搭載。また、反転現像系で１２００ｄｐｉ相当の画像入力に対応できる帯電−露光−現像−転写−クリーニングからなるカールソン方式の電子写真システムに改造）に装着し、暗部電位Ｖｄ＝−６５０Ｖ、明部電位Ｖｌ＝−２００Ｖに設定し、１ドット１スペース画像と文字（５ポイント）画像の出力し、画像評価を行った。結果を表１−４に示す。
【０１０３】
（実施例１−２０〜１−２３）
電荷発生材料として表１−４に示す顔料を用いた以外は、実施例１−１９と同様に電子写真感光体を作成し、画像評価を行った。結果を表１−４に示す。
【０１０４】
（比較例１−７及び１−８）
電荷発生材料として実施例１−１９の混合顔料の代わりに表１−４に示す顔料を用いた以外は、実施例１−１９と同様に電子写真感光体を作成し、画像評価を行った。結果を表１−４に示す。
【０１０５】
（比較例１−９）
実施例１−１９で用いた評価機の光源を発振波長７８０ｎｍのＧａＡｓ系半導体レーザーに代えた以外は、実施例１−１９と同様に電子写真感光体を作成し、画像評価を行った。結果を表１−４に示す。
【０１０６】
（参考例２−１９）
実施例１−１９で用いた電荷発生材料をアゾ顔料Ｐ２−４  ２部とガリウムフタロシアニンＦ−５  ２部に代えた以外は、実施例１−１９と同様に電子写真感光体を作成し、実施例１−１９と同様に画像評価を行った。その結果を表２−４に示す。
【０１０７】
（参考例２−２０及び２−２１）
電荷発生材料として表２−４に示す顔料を用いた以外は、参考例２−１９と同様に電子写真感光体を作成し、画像評価を行った。結果を表２−４に示す。
【０１０８】
（比較例２−７及び２−８）
電荷発生材料として参考例２−１９の混合顔料の代わりに表２−４に示す顔料を用いた以外は、参考例２−１９と同様に電子写真感光体を作成し、画像評価を行った。結果を表２−４に示す。
【０１０９】
（比較例２−９）
参考例２−１９で用いた評価機の光源を発振波長７８０ｎｍのＧａＡｓ系半導体レーザーに代えた以外は、参考例２−１９と同様に電子写真感光体を作成し、画像評価を行った。結果を表２−４に示す。
【０１１０】
【表１７】
0004155537.tif 000026
【０１１１】
【表１８】
0004155537.tif 000027
【０１１２】
これらの結果から、本発明の電子写真装置は、ドットの再現性や文字の再現性に優れ高解像度の出力画像が得られることがわかる。
【０１１３】
【発明の効果】
以上説明してきたように本発明によれば、特定の構造を有する電荷発生材料を用いることにより、３８０〜５００ｎｍ付近の短波長の半導体レーザーの発振波長領域において、優れた感度特性と環境特性の良好な電子写真感光体と上記半導体レーザーを組み合わせることにより、高解像度の画像形成が可能で繰り返し使用にも安定して使用しうる電子写真装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の電子写真装置に使用される電子写真感光体の層構造（電荷発生層上に電荷輸送層）の例を示す断面図である。
【図２】  本発明の電子写真装置に使用される電子写真感光体の層構造（電荷輸送層上に電荷発生層）の例を示す断面図である。
【図３】  本発明の電子写真装置に使用される電子写真感光体の層構造の例を示す断面図である。
【図４】  本発明の電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを有する電子写真装置の概略構成の例を示す図である。
【図５】  電子写真感光体に用いられるクロロガリウムフタロシアニンの特性Ｘ線回折図である。
【符号の説明】
ａ  導電性支持体
ｂ  感光層
ｃ  電荷発生層
ｄ  電荷輸送層
ｅ  電荷発生材料
ｆ  バインター樹脂
ｇ  電荷輸送層／バインダー樹脂
１  感光体
２  軸
３  帯電手段
４  露光光
５  現像手段
６  転写手段
７  転写材
８  定着手段
９  クリーニング手段
１０  前露光光
１１  プロセスカートリッジ
１２  レール
【図１】
0004155537.tif 000031
【図２】
0004155537.tif 000032
【図３】
0004155537.tif 000033
【図４】
0004155537.tif 000034
【図５】
0004155537.tif 000035