(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
アダプタの装着時と非装着時とで異なるサイズの半導体ウェーハを収納するフロントオープンタイプのポッドが載置され、該ポッドから前記半導体ウェーハを取り出すために前記ポッドの蓋を開閉する蓋開閉器が配設されたロードポートであって、
前記アダプタの有無を検出するアダプタ検出センサを備え、該アダプタ検出センサによる検出結果を出力するようにし、
前記蓋開閉器の上部には、前記ポッドに収納されている半導体ウェーハを検出するウェーハ検出センサが配設され、
前記アダプタ検出センサは、非接触にてアダプタの有無を検出する光学式のセンサであり、前記ウェーハ検出センサの両側方に配設されることを特徴とするロードポート。
【請求項２】
アダプタの装着時と非装着時とで異なるサイズの半導体ウェーハを収納するフロントオープンタイプのポッドが載置されたロードポートを用い、該ロードポートに配設された蓋開閉器により前記ポッドの蓋が開けられた後に該ポッド内に収納されている前記半導体ウェーハを搬入する半導体製造装置であって、
前記蓋開閉器により前記ポッドの蓋が開けられたとき、前記アダプタの有無を検出する光学式のアダプタ検出センサを備え、該アダプタ検出センサによる検出結果に基づいて、半導体ウェーハのサイズに応じた処理を実施するとともに、
前記蓋開閉器の上部には、前記ポッドに収納されている半導体ウェーハを検出するウェーハ検出センサが配設され、
前記アダプタ検出センサは、非接触にてアダプタの有無を検出する光学式のセンサであり、前記ウェーハ検出センサの両側方に配設されることを特徴とする半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ロードポート及び半導体製造装置に関するものである。
【０００２】
近年、半導体製造工場では、少量多品種の生産が行われている。このため、異なるサイズの半導体ウェーハがロット単位で製造ラインにて搬送されている。そのライン上の処理装置では、ウェーハのサイズに応じて処理が行われる。ウェーハの搬送や処理にはウェーハサイズの区別を必要とするため、そのウェーハサイズを効率よく検出する必要がある。
【０００３】
【従来の技術】
従来、半導体製造ラインにおいて、半導体ウェーハは通常オープンカセットと呼ばれる開放型のカセットに収納され、エッチングやＣＶＤ、ＰＶＤ等の処理を行う所定の製造装置に運ばれていた。オープンカセットには、複数枚の半導体ウェーハが収納され、各ウェーハは上下方向に一定の間隔をおいて配置されている。近年、半導体製造技術が進歩し、半導体製造ラインで用いられる半導体ウェーハのサイズは大きくなってきている。具体的には、８インチや１２インチの半導体ウェーハが用いられており、そのウェーハの大型化に伴ってそれを収納するカセットの寸法も大きくなっている。
【０００４】
４インチ、５インチ、６インチの半導体ウェーハを収納するカセットの場合、その径方向の寸法はウェーハサイズに応じて異なるが、内部は２５枚のウェーハを４．７６ｍｍのピッチで収納可能に形成されている。８インチの半導体ウェーハを収納するカセットの場合、その径方向の寸法が大きくなるのに加え、その内部は２５枚のウェーハを６．３５ｍｍのピッチで収納可能に形成されている。同様に、１２インチのカセットの場合、径方向の寸法が大きくなり、その内部は２５枚のウェーハを１０ｍｍのピッチで収納可能に形成されている。
【０００５】
また、近年の半導体製造ラインでは、ウェーハサイズの大型化に伴い密閉型の収納容器を用いて、局所的にクリーン度を高めたシステムが実現されている。この密閉型の容器の具体例としては、図８に示すＳＭＩＦ（Standard Mechanical Interface）ＰＯＤ２０や、図９に示すＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）２１がある。ＰＯＤ２０及びＦＯＵＰ２１は、その内部を高いクリーン度で保ちつつ半導体ウェーハを各製造装置に搬送する。
【０００６】
図８のＳＭＩＦＰＯＤ２０は、内部にウェーハカセットを収納して搬送するケースである。これに対し、図９のＦＯＵＰ２１は、ＳＭＩＦＰＯＤ２０のようにカセットを入れる構成ではなく、その内側壁に半導体ウェーハを保持するための棚２２が一体的に形成されている。この棚２２には、複数段のスロット２２ａが形成され、その棚２２の各スロット２２ａに１枚ずつ半導体ウェーハが保持される。ＦＯＵＰ２１は、ＳＥＭＩ（Semiconductor Equipment and Materials International）規格に準拠したフロントオープンタイプのポッドであり、前面に設けられた蓋２３を開けることで、半導体ウェーハの出し入れが可能になっている。
【０００７】
図１０には、ＦＯＵＰ２１を用いて半導体ウェーハＷを搬送する半導体製造装置３０の概略構成を示している。同図に示されるように、半導体製造装置３０の前面には、２つのロードポート３１，３２が隣設されており、各ロードポート３１，３２にＦＯＵＰ２１が載置されている。ロードポート３１，３２もＦＯＵＰ２１と同様にＳＥＭＩ規格に準じて構成されている。ロードポート３１，３２は、ＦＯＵＰ２１の蓋２３を開閉するためのＦＯＵＰオープナ（蓋開閉器）３３を備える。そして、そのＦＯＵＰオープナ３３によりＦＯＵＰ２１の蓋２３が開けられた後に、搬送ロボット３４によりＦＯＵＰ２１から半導体製造装置３０に半導体ウェーハＷが搬入される。
【０００８】
半導体製造装置３０は、サイズが異なる半導体ウェーハ（８インチの半導体ウェーハと１２インチの半導体ウェーハ）を処理することができるよう構成されている。具体的に、半導体製造装置３０は、１２インチ（３００ｍｍ）のウェーハ用の設備をベースとして、８インチ（２００ｍｍ）のウェーハも扱うことができるように構成され、ＦＯＵＰ２１を用いて半導体ウェーハＷの出し入れが行われる。ＦＯＵＰ２１は、１２インチのウェーハ用の搬送ポッドであり、８インチの半導体ウェーハＷを保持することができない。そのため、８インチの半導体ウェーハＷをＦＯＵＰ２１で搬送する場合には、図１１に示すアダプタ２５を用いる。このアダプタ２５は、８インチの半導体ウェーハＷに合わせて設けられた一対の側壁２６を有する。この側壁２６には、複数段のスロット２６ａが形成され、各スロット２６ａに１枚ずつ半導体ウェーハＷが保持される。そして、そのアダプタ２５がＦＯＵＰ２１内に収納された状態で、同ＦＯＵＰ２１が半導体製造装置３０に搬送される。
【０００９】
ところで、８インチの半導体ウェーハＷの場合と１２インチの半導体ウェーハＷとでは、収納ピッチが異なる。また、ＦＯＵＰ２１内において、棚２２にセットされる１２インチの半導体ウェーハと、アダプタ２５を用いてセットされる８インチのウェーハは、製造装置側の端部の位置を一致させるように配置されており、それらのウェーハセンター（ウェーハＷの中心位置）が異なっている。ＦＯＵＰ２１内の半導体ウェーハＷは搬送ロボット３４におけるアーム部３４ａのハンド３４ｂに載せて搬送されるが、半導体ウェーハＷを的確に搬送するためには、ウェーハサイズを認識し、搬送ロボット３４のハンド３４ｂの中心を半導体ウェーハＷの中心に一致させる必要がある。また、半導体製造装置においては、半導体ウェーハＷに形成された位置決め用のノッチを検出することで該ウェーハＷのアライメントを行う機能を有するものがある。このアライメント機能を有する場合では、ノッチ検出のためにウェーハサイズの認識が必要となる。
【００１０】
従来では、ウェーハサイズを認識するために、図１０に示すように、ＣＣＤカメラ３６とそれを制御するコントローラ３７とを半導体製造装置３０に配設している。つまり、ＣＣＤカメラ３６が撮影した画像のデータに基づいて、ＦＯＵＰ２１内におけるアダプタ２５の有無を検出し、その検出結果により、処理すべき半導体ウェーハＷのサイズを認識している。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、図１０のように、ＣＣＤカメラ３６を用いてアダプタ２５の有無を検出する場合、ＦＯＵＰ２１の色、ＦＯＵＰ２１周辺の明るさ、ＳＥＭＩ規格に基づく設置場所等を考慮する必要があり、アダプタ２５を検出するための構成が複雑になる。また、ロードポート３１，３２は、ＳＥＭＩ規格に準じて構成されているため、そのロードポート３１，３２側にはＣＣＤカメラ３６及びコントローラ３７を収納するスペースを確保できない。このため、ＣＣＤカメラ３６及びコントローラ３７を半導体製造装置３０側に配置している。その結果、半導体製造装置３０の床面積が増大し、半導体製造装置３０の大型化を招いてしまう。
【００１２】
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであって、半導体製造装置の大型化を招くことなく、簡素な構成にてアダプタの有無を検出することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明によれば、アダプタ検出センサによりアダプタの有無が検出され、その検出結果が出力される。この場合、半導体製造装置の大型化を招くことなく、簡素な構成にてアダプタの有無を検出することができる。
【００１４】
また、蓋開閉器の上部にはポッドに収納されている半導体ウェーハを検出するウェーハ検出センサが配設され、該ウェーハ検出センサの両側方にアダプタ検出センサが配設される。このアダプタ検出センサは光学式のセンサであり、非接触にてアダプタの有無が検出される。このように、蓋開閉器の上部においてウェーハ検出センサの両側方にアダプタ検出センサを設置する場合、アダプタ検出センサの配置場所がＳＥＭＩ規定の制限に抵触することない。
【００１５】
請求項２に記載の発明によれば、蓋開閉器によりポッドの蓋が開状態とされたとき、光学式のアダプタ検出センサによりアダプタの有無が検出される。そして、その検出結果に基づいて、半導体ウェーハのサイズに応じた処理が実施される。また、蓋開閉器の上部にはポッドに収納されている半導体ウェーハを検出するウェーハ検出センサが配設され、該ウェーハ検出センサの両側方にアダプタ検出センサが配設される。このアダプタ検出センサは光学式のセンサであり、非接触にてアダプタの有無が検出される。このように、蓋開閉器の上部においてウェーハ検出センサの両側方にアダプタ検出センサを設置する場合、アダプタ検出センサの配置場所がＳＥＭＩ規定の制限に抵触することない。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を具体化した一実施の形態を図面に従って説明する。
図１及び図２には、半導体製造装置１の概略構成を示している。図１は半導体製造装置１を上方から見た構成図であり、図２は半導体製造装置１を側方から見た構成図である。なお、説明の便宜上、図１では、半導体製造装置１の筐体１ａ上部を省略して示し、図２では、半導体製造装置１の筐体１ａ側部を省略して示している。
【００１８】
図１及び図２に示すように、半導体製造装置１は、搬送ロボット２、アライメントユニット３、チャンバ（処理室）４、制御ユニット５等を備える。半導体製造装置１において、それら搬送ロボット２、アライメントユニット３、チャンバ４等を囲む筐体１ａの内側は、高いクリーン度に保持されている。また、半導体製造装置１の前面には２つのロードポート１１，１２が隣設されており、同ロードポート１１，１２のキャリアステージ１３にはＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）２１ａ，２１ｂが載置される。
【００１９】
半導体製造装置１は、８インチ（２００ｍｍ）の半導体ウェーハＷと１２インチ（３００ｍｍ）の半導体ウェーハＷとを処理することができるよう構成されている。また、本実施形態で用いられるＦＯＵＰ２１ａ，２１ｂは、図９を用いて説明した従来のＦＯＵＰ２１と同一構成である。つまり、ＦＯＵＰ２１ａ，２１ｂは、ＳＥＭＩ規格に準じて構成された１２インチの半導体ウェーハ用の搬送ポッドであり、図１１に示すアダプタ２５を用いることで８インチの半導体ウェーハＷを搬送できるようになっている。
【００２０】
搬送ロボット２は、多関節のアーム部２ａを備え、上下及び左右方向に移動可能に構成されている。搬送ロボット２は、アーム部２ａに設けられたハンド２ｂに半導体ウェーハＷを載せることで、ＦＯＵＰ２１（２１ａ，２１ｂ）とアライメントユニット３との間で半導体ウェーハＷを移送する。
【００２１】
具体的には、搬送ロボット２は、ＦＯＵＰ２１ａから半導体ウェーハＷを取り出し、そのウェーハＷをアライメントユニット３に移送する。アライメントユニット３では、半導体ウェーハＷにおける位置決め用のノッチが検出され、その検出結果に基づいて半導体ウェーハＷの位置合わせが行われた後、同ウェーハＷがアライメントユニット３からチャンバ４に搬入される。チャンバ４内では、例えば、配線パターン形成のためのエッチング等の処理が実施される。その処理後の半導体ウェーハＷがチャンバ４から搬出されると、搬送ロボット２は、その処理後の半導体ウェーハＷを取り出し、そのウェーハＷを元のＦＯＵＰ２１ａに収容する。同様に、搬送ロボット２は、ＦＯＵＰ２１ｂから半導体ウェーハＷを取り出し、処理後の半導体ウェーハＷを元のＦＯＵＰ２１ｂへ収容する。
【００２２】
次に、ロードポート１１の構成について図３〜図６を用いて説明する。なお、ロードポート１２はロードポート１１と同一構成である。
図３は、ＦＯＵＰ２１をキャリアステージ１３上に載せた状態でのロードポート１１の側面図であり、図４は、ロードポート１１の正面図である。また、図５は、図１及び図２の半導体製造装置１側から見たロードポート１１の背面図であり、図６は、ＦＯＵＰ２１をキャリアステージ１３上に載せた状態でのロードポート１１の平面図である。なお、図３では、ＦＯＵＰ２１がロードポート１１にドッキングする前の状態を示し、図６では、ＦＯＵＰ２１がロードポート１１にドッキングした後の状態を示している。
【００２３】
図３〜図６に示すように、ロードポート１１の背面側（図２における半導体製造装置側）には、ＦＯＵＰ２１の蓋２３を開閉するためのＦＯＵＰオープナ（蓋開閉器）１４が配設されている。ＦＯＵＰオープナ１４は、駆動モータ１５を備え、同モータ１５の駆動により、図３及び図５に示す範囲Ａにおいて上下方向に移動可能に構成されている。
【００２４】
また、図４に示すように、ＦＯＵＰオープナ１４において、ＦＯＵＰ２１に対向する面（対向面）には、ＦＯＵＰ２１の蓋２３に吸着する円形状の吸着部１４ａがその対向面の対角となる位置に一対設けられている。また、そのＦＯＵＰオープナ１４の対向面において、左右両側部には上下方向中央に一対の係止レバー１４ｂが設けられている。一方、図９（ｂ）に示すように、ＦＯＵＰ２１の蓋２３には、ＦＯＵＰオープナ１４の吸着部１４ａに対応する位置に円形状の被吸着部２３ａが形成されている。さらに、ＦＯＵＰ２１の蓋２３には、ＦＯＵＰオープナ１４の係止レバー１４ｂに対応する位置に長方形状をなす係止穴２３ｂが形成されている。
【００２５】
ＦＯＵＰ２１の蓋２３を開ける際には、ＦＯＵＰオープナ１４の吸着部１４ａがＦＯＵＰ２１の蓋２３の被吸着部２３ａに吸着することで、ＦＯＵＰオープナ１４とＦＯＵＰ２１の蓋２３とが位置合わせされる。なお、この吸着は、例えば、真空吸着にて行われる。そして、ＦＯＵＰオープナ１４の係止レバー１４ｂがＦＯＵＰ２１の蓋２３の係止穴２３ｂに挿入されてロックされた後に、ＦＯＵＰオープナ１４が移動することで、蓋２３がＦＯＵＰ２１から取り外される。
【００２６】
また、図５及び図６に示すように、ＦＯＵＰオープナ１４の上部には、ウェーハ検出センサ１６及びアダプタ検出センサ１７が設けられている。図６に示すように、ウェーハ検出センサ１６は、レーザビームを照射する照射部１６ａと、該レーザビームを受光する受光部１６ｂとを有し、その照射部１６ａ及び受光部１６ｂは、ＦＯＵＰオープナ１４上面における長手方向の端部となる位置にそれぞれ設けられている。ウェーハ検出センサ１６の照射部１６ａ及び受光部１６ｂは、センサケース１６ｃ，１６ｄ内に収められており、ＦＯＵＰオープナ１４によってＦＯＵＰ２１の蓋２３が開けられ後に基端（内側の端部）を支点として略９０°回動する。これにより、ウェーハ検出センサ１６は、照射部１６ａから照射されたレーザビームを受光部１６ｂにて受光するためにその先端がウェーハ側を向くように突出する。このウェーハ検出センサ１６は、透過型センサを構成している。
【００２７】
すなわち、ウェーハ有の場合には、ウェーハＷによりレーザビームＢ１が遮られるため、レーザビームＢ１は受光部１６ｂに照射されない。一方、ウェーハ無の場合には、レーザビームＢ１が遮られることはなく受光部１６ｂに照射される。そして、受光部１６ｂにて、レーザビームＢ１の照射の有無を電気信号に変換することにより、半導体ウェーハＷの有無が検出できるようになっている。また、このウェーハ検出時にはＦＯＵＰオープナ１４が下方に移動することにより、ＦＯＵＰ２１又はアダプタ２５における最上段のスロット２２ａ，２６ａから最下段のスロット２２ａ，２６ａについて、それらスロット２２ａ，２６ａにセットされている各半導体ウェーハＷの有無が検出される。
【００２８】
なお、図６に示すように、ＦＯＵＰ２１内において、棚２２にセットされる１２インチのウェーハＷ１２と、アダプタ２５を用いてセットされる８インチのウェーハＷ８は、それら端部（製造装置側の端部）の位置が一致するように配置されている。このウェーハ端部にてレーザビームＢ１が遮断される構成であるため、ウェーハサイズが１２インチと８インチのいずれであっても、半導体ウェーハＷ（Ｗ８，Ｗ１２）の有無が検出できる。
【００２９】
アダプタ検出センサ１７は、光Ｂ２を照射する照射部１７ａと、該照射部１７ａの光Ｂ２を受光する受光部１７ｂとを有している。このアダプタ検出センサ１７は、アダプタ２５の有無を非接触にて検出するレーザ式等の光学式のセンサであり、照射部１７ａ及び受光部１７ｂはアダプタ２５に対応する位置（本実施形態ではウエハ検出センサ１６（受光部１６ｂ）の両側）に配設されている。具体的に、アダプタ検出センサ１７は、照射部１７ａの光（レーザビーム）Ｂ２をアダプタ２５における側壁２６の前端に向けて照射し、その反射光を受光部１７ｂで受光するように照射部１７ａ及び受光部１７ｂの位置と光Ｂ２の照射角度及び受光角度が調節されている。このアダプタ検出センサ１７は、反射型センサを構成している。
【００３０】
従って、ＦＯＵＰ２１内にアダプタ２５がある場合（半導体製造装置１にて８インチの半導体ウェーハＷ８を処理する場合）、照射部１７ａの光Ｂ２がアダプタ２５で反射され受光部１７ｂに照射される。一方、ＦＯＵＰ２１内にアダプタ２５がない場合（半導体製造装置１にて１２インチの半導体ウェーハＷ１２を処理する場合）、照射部１７ａの光Ｂ２はアダプタ２５で反射されることはなく受光部１７ｂに照射されない。つまり、アダプタ検出センサ１７は、その受光部１７ｂに照射される光Ｂ２の有無を電気信号（検出信号）に変換することにより、アダプタ２５の有無が検出できるようになっている。
【００３１】
図７は、本実施形態における電気的なシステム構成を示すブロック図である。制御ユニット５は、ＣＰＵ６、通信回路７、入出力回路８を備え、ＣＰＵ６、通信回路７、入出力回路８は、図示しない汎用バスを介して接続され、相互にデータのやり取りを行うことができるようになっている。
【００３２】
ＣＰＵ６は、図示しない記憶装置に記憶されている処理プログラムを実行することにより、半導体製造装置１における搬送ロボット２、アライメントユニット３、チャンバ４、及びロードポート１１，１２を統括的に制御する。通信回路７は、ＲＳ−２３２Ｃプロトコルに従った通信処理を行う回路であって、ロードポート１１，１２との間で通信データの授受を行うための４つの通信端子（第１〜第４通信端子）７ａ〜７ｄを備える。入出力回路８は、デジタル信号の入力又は出力処理を行う回路であって、搬送ロボット２、アライメントユニット３、チャンバ４、及びロードポート１１，１２との間でデジタル信号の授受を行うための５つの信号端子（第１〜第５信号端子）８ａ〜８ｅを備える。
【００３３】
通信回路７の第１及び第２通信端子７ａ，７ｂは、ロードポート１１における第１及び第２通信端子１１ａ，１１ｂに接続され、通信回路７の第３及び第４通信端子７ｃ，７ｄは、ロードポート１２における第１及び第２通信端子１２ａ，１２ｂに接続されている。ロードポート１１，１２は、ＲＳ−２３２Ｃプロトコルに従った通信処理を行う通信回路（図示せず）を備え、ＦＯＵＰ２１に付加されているＩＤ情報の送信を第１通信端子１１ａ，１２ａを介して行う。また、ロードポート１１，１２は、ＦＯＵＰオープナ１４の開閉制御等を行うための制御情報の送受信を第２通信端子１１ｂ，１２ｂを介して行う。
【００３４】
入出力回路８の第１信号端子８ａは、ロードポート１１の信号端子１１ｃに接続され、入出力回路８の第２信号端子８ｂは、ロードポート１２の信号端子１１ｃに接続されている。ロードポート１１，１２は、前記アダプタ検出センサ１７の検出信号を出力するための出力回路（図示せず）を備える。ロードポート１１における検出信号は、信号端子１１ｃから出力され入出力回路８の第１信号端子８ａに取り込まれ、ロードポート１２における検出信号は、信号端子１２ｃから出力され入出力回路８の第２信号端子８ｂに取り込まれる。
【００３５】
また、入出力回路８の第３信号端子８ｃは搬送ロボット２の信号端子２ｃに接続され、同信号端子２ｃから入力される制御信号によって搬送ロボット２が制御される。入出力回路８の第４信号端子８ｄはアライメントユニット３の信号端子３ｃに接続され、同信号端子３ｃから入力される制御信号によってアライメントユニット３が制御される。入出力回路８の第５信号端子８ｅはチャンバ４の信号端子４ｃに接続され、同信号端子４ｃから入力される制御信号によってチャンバ４が制御される。
【００３６】
また、ロードポート１１の電源端子１１ｄ及びロードポート１２の電源端子１２ｄには電源装置９が接続されており、その電源装置９からの駆動電源は、ＦＯＵＰオープナ１４の駆動モータ１５、ウェーハ検出センサ１６、アダプタ検出センサ１７等に供給される。
【００３７】
次に、本実施形態における半導体製造装置１及びロードポート１１，１２の動作を説明する。
今、ＦＯＵＰ２１を載せたロードポート１１が半導体製造装置１の前面に配置された後、図示しないスタートボタンが押される。すると、半導体製造装置１の制御ユニット５は、そのボタン操作に応答して通信回路７からロードポート１１に制御信号を出力する。同制御信号によりロードポート１１が制御されＦＯＵＰ２１に収納されている半導体ウェーハＷの搬入処理が実施される。
【００３８】
具体的には、ＦＯＵＰ２１を載せたキャリアステージ１３が前方に移動し、ＦＯＵＰオープナ１４がＦＯＵＰ２１側（前方）に移動してＦＯＵＰ２１とロードポート１１とがドッキングする。このとき、ＦＯＵＰオープナ１４の吸着部１４ａがＦＯＵＰ２１の蓋２３の被吸着部２３ａに吸着することで、ＦＯＵＰオープナ１４とＦＯＵＰ２１の蓋２３とが位置合わせされた後、ＦＯＵＰオープナ１４の係止レバー１４ｂがＦＯＵＰ２１の蓋２３の係止穴２３ｂに挿入されてロックされる。そして、ＦＯＵＰオープナ１４が装置内部側（後方）に戻りＦＯＵＰ２１の蓋２３を引っ張ることでその蓋２３がＦＯＵＰ２１から取り外される。その後、蓋２３と共にＦＯＵＰオープナ１４が下方に移動する。これにより、ＦＯＵＰ２１の蓋２３が開けられる。
【００３９】
次いで、ＦＯＵＰ２１におけるアダプタ２５の検出処理が実施される。詳述すると、先ず、アダプタ検出センサ１７の位置がアダプタ２５の高さの略中央となるようＦＯＵＰオープナ１４が下方に移動する。その後、アダプタ検出センサ１７は、その照射部１７ａから光Ｂ２を出力する。ここで、アダプタ有の場合、照射部１７ａの光Ｂ２はアダプタ２５にて反射し、受光部１７ｂはその反射光を受光する。一方、アダプタ無の場合、照射部１７ａの光Ｂ２はアダプタ２５で反射しないため、受光部１７ｂは照射部１７ａの光を受光しない。アダプタ検出センサ１７は、受光部１７ｂにおける光Ｂ２の有無を電気信号に変換し、アダプタ有の場合には検出信号として「１」を出力し、アダプタ無の場合には検出信号として「０」を出力する。
【００４０】
このアダプタ検出センサ１７の検出信号は、入出力回路８を介して制御ユニット５に取り込まれる。制御ユニット５は、その検出信号に基づいて、ＦＯＵＰ２１に収納されている半導体ウェーハＷのサイズを認識する。すなわち、制御ユニット５は、検出信号が「１」である場合（アダプタ有の場合）には、半導体製造装置１にて処理すべき半導体ウェーハＷのサイズが８インチである旨を判定する。一方、検出信号が「０」である場合（アダプタ無の場合）には、処理すべき半導体ウェーハＷのサイズが１２インチである旨を判定する。
【００４１】
その後、ＦＯＵＰ２１に収納されている半導体ウェーハＷの検出処理（マッピング処理）が実施される。同検出処理において、先ず、ＦＯＵＰオープナ１４が上方向にマッピング開始位置まで移動する。ここで、マッピング開始位置は、ウェーハサイズが８インチである場合には、ウェーハ検出センサ１６の位置がアダプタ２５における最上段のスロット２６ａに収納されたウェーハＷを検出可能な位置（詳しくは下降中にそのウェハＷを検出することが可能な位置）である。また、ウェーハサイズが１２インチである場合のマッピング開始位置は、ＦＯＵＰ２１の棚２２における最上段のスロット２２ａに対応する位置である。
【００４２】
そして、ウェーハ検出センサ１６における照射部１６ａ及び受光部１６ｂがウェーハ側を向くように突出した後、ウェーハ検出センサ１６は、その照射部１６ａからレーザビームＢ１を出力する。ウェーハ検出センサ１６は、そのレーザビームＢ１を受光部１６ｂにて受光することより、ＦＯＵＰ２１に収納されている半導体ウェーハＷの有無を検出する。このウェーハ検出センサ１６による検出時には、ＦＯＵＰオープナ１４が下方に移動することにより、最上段のスロット２２ａ，２６ａから最下段のスロット２２ａ，２６ａについて、それらスロット２２ａ，２６ａにセットされている半導体ウェーハＷの有無が検出される。
【００４３】
なおここで、半導体ウェーハＷの収納ピッチは、ウェーハサイズ（８インチと１２インチ）に応じて異なる。具体的には、アダプタ２５を用いてセットされる８インチの半導体ウェーハＷ８の収納ピッチ（スロット２６ａの間隔）は６．３５ｍｍであり、アダプタ２５を用いずにセットされる１２インチの半導体ウェーハＷ１２の収納ピッチ（スロット２２ａの間隔）は１０ｍｍである。従って、ウェーハ検出センサ１６による検出ピッチも、ウェーハサイズ（アダプタ２５の有無）に応じて変更されている。
【００４４】
制御ユニット５は、ウェーハ検出センサ１６の検出信号を取り込み、その検出信号に基づいて、どのスロット２２ａ，２６ａに半導体ウェーハＷがセットされているかを示すマップデータを生成する。そして、制御ユニット５は、そのマップデータ及び半導体ウェーハＷのサイズに基づいて搬送ロボット２を制御し、同搬送ロボット２によりＦＯＵＰ２１内の半導体ウェーハＷをアライメントユニット３に搬送する。
【００４５】
また、制御ユニット５は、半導体ウェーハＷのサイズに基づいてアライメントユニット３を制御して、半導体ウェーハＷのノッチを検出するとともに、その検出結果により半導体ウェーハＷの位置合わせを行う。このアライメントユニット３にて位置合わせが行われた半導体ウェーハＷがチャンバ４内に搬入され、同チャンバ４内では、半導体ウェーハＷのサイズに応じたエッチング処理が実施される。そして、この処理後の半導体ウェーハＷは、搬送ロボット２により搬送されＦＯＵＰ２１内に収納される。
【００４６】
以上記述したように、上記実施形態によれば、下記の効果を奏する。
（１）光学式のアダプタ検出センサ１７を用いるようにしたので、従来技術のようにＣＣＤカメラ３６を用いる場合と比較して大きな設置場所を確保する必要がない。また、ＣＣＤカメラ３６を用いる場合のように、ＦＯＵＰ２１の色、その周辺の明るさ等を考慮することなくアダプタの有無を検出できる。つまり、本実施形態のように、アダプタ検出センサ１７を用いることにより、半導体製造装置１の大型化を招くことなく、簡素な構成にてアダプタ２５の有無を検出することができる。さらに、アダプタ検出センサ１７はＣＣＤカメラ３６よりも安価であり、コストの低減を図ることができる。
【００４７】
（２）ウェーハ検出センサ１６の両側方にアダプタ検出センサ１７を配置することにより、アダプタ検出センサ１７の配置場所がＳＥＭＩ規定の制限に抵触することなく、アダプタ２５の有無を検出することができる。
【００４８】
（３）ロードポート１１におけるアダプタ検出センサ１７の検出信号は制御ユニット５における入出力回路８から取り込まれて制御ユニット５に通知される。それにより、制御ユニット５は、ＦＯＵＰ２１から搬入される半導体ウェーハＷのサイズを認識でき、該半導体ウェーハＷのサイズに応じた処理を行うことができる。
【００４９】
上記実施の形態は、次に示すように変更することもできる。
・上記実施の形態において、アダプタ検出センサ１７を、ＦＯＵＰオープナ１４の上部におけるウェーハ検出センサ１６（受光部１６ｂ）の両側方に配設していたが、例えば、半導体製造装置１に配設してもよい。
【００５０】
・アダプタ検出センサ１７は、光学式のセンサであり、非接触にてアダプタ２５の有無を検出するものであったが、これに限定されるものではない。例えば、ＦＯＵＰ２１の下面に、接触式のセンサを設け、同センサにてアダプタの有無を検出するように構成してもよい。
【００５１】
・上記実施の形態では、アダプタ検出センサ１７にてアダプタ２５の有無を検出してからウェーハ検出センサ１６によるウェーハのマッピング処理を行うものであったが、マッピング処理を実施しながらアダプタ２５の検出処理を行うようにしてもよい。
【００５２】
・上記実施の形態では、半導体製造装置１のチャンバ４内において、配線パターン形成のためのエッチングが行われるものであったが、これに限定されるものではない。チャンバ内において、ＣＶＤ、ＰＶＤ等の処理、或いはウェーハ表面の欠陥を検査する処理を行うようにした半導体製造装置に具体化してもよい。
【００５３】
以上の様々な実施の形態をまとめると、以下のようになる。
（付記１）アダプタの装着時と非装着時とで異なるサイズの半導体ウェーハを収納するフロントオープンタイプのポッドが載置され、該ポッドから前記半導体ウェーハを取り出すために前記ポッドの蓋を開閉する蓋開閉器が配設されたロードポートであって、
前記アダプタの有無を検出するアダプタ検出センサを備え、該アダプタ検出センサによる検出結果を出力するようにしたことを特徴とするロードポート。
（付記２）前記アダプタ検出センサは、非接触にてアダプタの有無を検出する光学式のセンサであることを特徴とする付記１に記載のロードポート。
（付記３）前記蓋開閉器の上部には、前記ポッドに収納されている半導体ウェーハを検出するウェーハ検出センサが配設され、
前記アダプタ検出センサは、非接触にてアダプタの有無を検出する光学式のセンサであり、前記ウェーハ検出センサの両側方に配設されることを特徴とする請求項１に記載のロードポート。
（付記４）前記アダプタ検出センサは、前記蓋開閉器により前記ポッドの蓋が開けられたときに、前記アダプタの有無を検出することを特徴とする付記１〜付記３のいずれかに記載のロードポート。
（付記５）前記アダプタ検出センサは、前記ポッドの底部に設けられた接触式のセンサであることを特徴とする付記１に記載のロードポート。
（付記６）アダプタの装着時と非装着時とで異なるサイズの半導体ウェーハを収納するフロントオープンタイプのポッドが載置されたロードポートを用い、該ロードポートに配設された蓋開閉器により前記ポッドの蓋が開けられた後に該ポッド内に収納されている前記半導体ウェーハを搬入する半導体製造装置であって、前記蓋開閉器により前記ポッドの蓋が開けられたとき、前記アダプタの有無を検出する光学式のアダプタ検出センサを備え、該アダプタ検出センサによる検出結果に基づいて、半導体ウェーハのサイズに応じた処理を実施することを特徴とする半導体製造装置。
（付記７）付記１〜付記５のいずれかに記載のロードポートを用いて処理すべき半導体ウェーハを搬入する半導体製造装置において、前記アダプタ検出センサによる検出結果に基づいて、半導体ウェーハのサイズに応じた処理を実施することを特徴とする半導体製造装置。
（付記８）前記蓋開閉器により前記ポッドの蓋が開けられた後に該ポッドにおける半導体ウェーハを搬送する搬送ロボットと、前記アダプタ検出センサによる検出結果に基づいて前記搬送ロボットを制御する制御ユニットとを備えることを特徴とする付記６又は付記７に記載の半導体製造装置。
（付記９）前記半導体ウェーハの位置決めを行うアライメントユニットを備え、前記制御ユニットは、前記アダプタ検出センサによる検出結果に基づいて前記アライメントユニットを制御することを特徴とする付記８に記載の半導体製造装置。
（付記１０）アダプタの装着時と非装着時とで異なるサイズの半導体ウェーハを収納するフロントオープンタイプのポッドが載置されたロードポートを用い、該ロードポートに配設された蓋開閉器により前記ポッドの蓋が開けられた後に該ポッド内に収納されている前記半導体ウェーハを半導体製造装置に搬入する半導体製造方法において、
前記蓋開閉器により前記ポッドの蓋が開けられたとき、光学式のアダプタ検出センサにて前記アダプタの有無を検出し、その検出結果に基づいて、前記ポッド内に収納されている前記半導体ウェーハのサイズを認識し、前記半導体製造装置において前記半導体ウェーハのサイズに応じた処理を実施することを特徴とする半導体製造方法。
（付記１１）アダプタの装着時と非装着時とで異なるサイズの半導体ウェーハを収納するフロントオープンタイプのポッドが載置されたロードポートを用い、該ロードポートに配設された蓋開閉器により前記ポッドの蓋が開けられた後に該ポッド内に収納されている前記半導体ウェーハを搬入する半導体製造装置に適用されるアダプタの検出方法において、
前記蓋開閉器により前記ポッドの蓋が下方に開けられたとき、前記蓋開閉器の上部に設けられた光学式のセンサにより、非接触にて前記アダプタの有無を検出することを特徴とするアダプタの検出方法。
（付記１２）付記１〜付記５のいずれかに記載のロードポートを用いて半導体ウェーハを搬入する半導体製造装置に適用され、前記ロードポートにおけるアダプタ検出センサによって前記ポッド内のアダプタの有無を検出するアダプタの検出方法。
【００５４】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、半導体製造装置の大型化を招くことなく、簡素な構成にてアダプタの有無を検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】一実施形態の半導体製造装置を示す概略平面図である。
【図２】一実施形態の半導体製造装置を示す概略側面図である。
【図３】ロードポートを示す側面図である。
【図４】ロードポートを示す正面図である。
【図５】ロードポートを示す背面図である。
【図６】ロードポートを示す平面図である。
【図７】電気的システム構成を示すブロック図である。
【図８】ＳＭＩＦＰＯＤの側面図である。
【図９】（ａ）はＦＯＵＰの側面図、（ｂ）は同ＦＯＵＰの正面図である。
【図１０】従来の半導体製造装置を示す概略平面図である。
【図１１】アダプタの斜視図である。
【符号の説明】
１  半導体製造装置
１１，１２  ロードポート
１４  蓋開閉器としてのＦＯＵＰオープナ
１６  ウェーハ検出センサ
１７  アダプタ検出センサ
２１，２１ａ，２１ｂ  パッドとしてのＦＯＵＰ
２３  蓋
２５  アダプタ
Ｗ，Ｗ８，Ｗ１２  半導体ウェーハ
【図１】
0004118592.tif 000002
【図２】
0004118592.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
0004118592.tif 000007
【図７】
0004118592.tif 000008
【図８】
0004118592.tif 000009
【図９】
0004118592.tif 000010
【図１０】
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【図１１】
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