(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材フィルムの片面に、少なくとも、金属薄膜層と、金属化合物薄膜層と、を設けてなる金属化合物薄膜層積層材であって、
前記金属薄膜層が、金、又は銀から選ばれた一種以上からなり、かつ乾式薄膜形成法により形成されてなり、そしてその厚みが３ｎｍ〜１００ｎｍであり、
前記金属化合物薄膜層が、ケイ素酸化物、又は酸化インジウムから選ばれた一種以上からなり、かつ乾式薄膜形成法により形成されてなり、そしてその厚みが５ｎｍ〜３００ｎｍであること、
を特徴とする、金属化合物薄膜層積層材。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は金属化合物薄膜層を被転写材例えばプラスチック製品、紙製品、セラミック製品等の表面に一部又は全面に転写するために、又は金属化合物薄膜層を剥離して単独で箔、粉にする等に使用する金属化合物薄膜層積層材に関する。さらに詳しくは従来の転写材の金属薄膜層と基材との剥離を容易化する離型材層として使用されている樹脂やワックスを全く使用しない、すなわち樹脂やワックスが転写された又は剥離された金属化合物薄膜層表面に残存することの無い金属化合物薄膜層転写材等に使用されるに金属化合物薄膜層積層材に関する。
【０００２】
【従来の技術】
金属薄膜層や金属化合物薄膜層の被転写材への転写に使用される金属薄膜層等転写材は装飾体、情報記録媒体、等に広く利用され種々の転写材が提案されている。例えば、▲１▼基材（フイルム等）に樹脂やワックスを塗布し離型層として形成しその上に金属蒸着膜等の金属薄膜層を設けた金属薄膜層転写材、▲２▼基材に樹脂やワックスを塗布せず基材が離型性を有しておりその基材上に直接金属蒸着膜等の金属薄膜層を設けた金属薄膜層転写材などである。
また金属化合物薄膜層を基材フイルムなどから剥離して、金属化合物薄膜層を箔や粉として利用する際、基材フイルムに有機系剥離材や有機高分子樹脂等を設けその上に金属化合物薄膜層を設けて剥離しやすくして、剥離し箔や粉にすることは知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
従来の▲１▼基材（フイルム等）に樹脂やワックスを塗布し離型層として形成しその上に金属の蒸着膜を設けた金属薄膜層転写材は、装飾性に優れた金属光沢を被転写材に付与するなどに使用されているが、使用される離型層の樹脂やワックスが金属薄膜層と共に被転写材に転写移行することが多く、また該離型層の樹脂やワックスを選定して離型層が被転写材に転写移行することなく基材側に残るようにしたものも提案されてはいるが完全に基材側に残り被転写材には全く移行しないということは困難であった。
▲２▼基材に樹脂やワックスを塗布せず基材が離型性を有しておりその基材上に直接金属化合物や金属の蒸着薄膜層を設けた転写材は、離型層を使用していないから▲１▼における離型層の被転写材への移行の問題はないが、離型層として樹脂やワックスを使用したものに比べて離型性が充分でない場合が多く、転写性において問題があり、また剥離して箔や粉にする場合においても剥離性が充分でない場合が多かった。
本発明は、かかる従来の金属化合物や金属薄膜層の転写材又は積層材の抱える課題を解決せんとするものであり、離型層として金属薄膜層を利用することで、樹脂やワックスを全く使用しないでかつ、金属化合物薄膜層の離型の困難さを解消した、金属薄膜層転写材を提供せんとするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
すなわち本発明は、基材フイルムの片面に、少なくとも、金属薄膜層、５〜３００ｎｍ厚さの金属化合物薄膜層を設けた金属化合物薄膜層積層材であって、基材フイルムと金属薄膜層との密着力が金属薄膜層と金属化合物薄膜層との密着力より大であることを特徴とする金属化合物薄膜層積層材であり、また金属化合物薄膜層がケイ素、インジウム、スズ、チタン、アルミニウムの酸化物、酸窒化物、窒化物から選ばれた一種以上から選ばれた一種以上からなる前記の金属化合物薄膜層積層材であり、さらにまた金属薄膜層が金、銀、白金から選ばれた一種以上からなる前記の金属化合物薄膜層積層材であります。
かかる本発明により、表面硬度不可機能、気体遮断機能、透明導電性機能等の種々機能を有する金属化合物薄膜層を、他の余分な有機物を持ち込むことなく、容易に被転写材表面に転写しうる等の金属化合物薄膜層転写材や金属化合物箔や金属化合物粉となし得る。
【０００５】
【発明の実施の形態】
本発明における、基材フイルムとしては、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィンフイルム、ポリエチレンテレフタレート，ポリエチレンナフタレート等のポリエステルフイルム、66ナイロン、６ナイロン等のポリアミドフイルム、ポリカーボネートフイルム、トリアセテートフイルム、ポリイミドフイルム等が挙げられるが特に限定されるものではない。
これらのフイルムの厚さは４μｍから８０μｍ程度であり、４μｍに満たないものは、工程等で取り扱い性に問題が多く、８０μｍを超えると、柔軟性に乏しくなり、剥離等に問題が多くなる。
【０００６】
本発明おける金属薄膜層を構成する金属としては、基材フイルムとの密着力が金属化合物薄膜層との密着力より大のものであれば、また基材フイルムに設けられた他層との密着力が金属化合物薄膜層との密着力より大のものであれば特に限定されないが、金、銀、白金、銅、インジウム、パラジウム、ニッケル、亜鉛、錫、チタンまたはこれらの金属を主成分とする合金が挙げられる。なかでも金、銀、白金が金属薄膜層形成性、金属化合物薄膜層からの離型性等の点から好適なものである。
これらの金属薄膜層の形成は、その方法において特に限定されるものではないが、蒸着、スパッタリング、イオンプレーテイングなど所謂乾式薄膜形成法が好ましく採用されるが、なかでも蒸着が、金属化合物薄膜層からの離型性、金属薄膜層形成性の点から好ましい。
これらの金属薄膜層の厚さは、特に限定されないが３〜１００ｎｍ、好ましくは１０〜７０ｎｍであり、３ｎｍに満たないときは基材フイルムや基材フイルムに設けられた他層との密着が弱くなり、また、該金属薄膜層上に形成した金属化合物薄膜層との剥離性が均一でなくなることや剥離面の不均一等の課題が生じ、１００ｎｍを超えるときは、前記の剥離性等の機能の向上はこれ以上見られず経済的にも得策でない。
本発明においては、金属薄膜層は、公知のようにそのごく表面等においては酸化された状態等を有している場合もあるが、かかる状態をも敢えて金属として表現し、本発明に包含するものである。
【０００７】
本発明における金属化合物薄膜層は、基材フイルムに高密着力で形成された金属薄膜層上に形成されるもので、金属薄膜層との密着力が低いものであり、該金属薄膜層との密着力とのバランスによって適宜選択して使用されるものであり、特に限定はされないが、ケイ素、インジウム、スズ、チタン、アルミニウム、の酸化物、酸窒化物、窒化物等が挙げられ、例えばケイ素の酸化物、ケイ素の酸窒化物、アルミニウムの酸窒化物、チタンの酸化物、インジウムの酸化物、スズの酸化物から選ばれるものの単独又は混合物等が挙げられる。これらの金属化合物薄膜層は例えばアルミニウム金属酸素雰囲気蒸着薄膜のように、その金属蒸着薄膜は純金属ではなくその蒸着薄膜は蒸着時又はその後の時間経過によって幾分かの雰囲気ガスにより変性され、例えばアルミニウムの酸化物になるが、本発明においてはかかる状態の薄膜をも金属化合物薄膜層として包含するものである。
これらの金属化合物薄膜層の形成は、その方法において特に限定されるものではないが、ゾル−ゲル法による形成、蒸着、スパッタリング、イオンプレーテイングがあるが、蒸着、スパッタリング、イオンプレーテイングなど所謂乾式薄膜形成法が好ましく採用される。
これらの金属化合物薄膜層の厚さは、特に限定されないが５〜３００ｎｍ、好ましくは１０〜１００ｎｍであり、５ｎｍに満たないときは離型性において充分でなく薄膜としても均一な薄膜でなくなる場合が多く、３００ｎｍを超えるときは、離型性の向上はこれ以上見られず、ひび割れなどを起こし、かつ経済的にも得策でない。
【０００８】
基材フイルム上に形成された金属薄膜層、そしてこの金属薄膜層の上に形成された金属化合物薄膜層によって、本発明は基本的に構成され、基材フイルムと金属薄膜層との密着力が金属薄膜層と金属化合物薄膜層との密着力より大であるものであるが、本発明の主旨を逸脱しない限り、他層、例えばプライマー樹脂層、印刷層、着色層、接着剤層等を付与してもよいものである。例えば、基材フイルム上に形成された金属薄膜層、そしてこの金属薄膜層の上に形成された金属化合物薄膜層更にこの金属化合物薄膜層上に接着剤層を形成した転写材であってもよい。
【０００９】
以下実施例を以って本発明を説明するが、これらの実施例に限定されるものではない。
【実施例】
＊＊実施例１
厚さ１２μｍのポリエチレンテレフタレートフイルムに、金を２０ｎｍの厚さに蒸着し、この金薄膜層上に、ケイ素酸化物を５０ｎｍの厚さに蒸着形成して、ケイ素の酸化物蒸着薄膜層を形成して本発明の金薄化合物膜層転写材を得た。
得られた金薄膜層転写材をポリアクリル板上にウレタン−アクリル系透明接着材を塗布し接着剤層を形成し、該接着剤層上にケイ素の酸化物蒸着薄膜層を接合し熱プレスによって転写した、ケイ素の酸化物蒸着薄膜層の転写性は良好であり、基材フイルムには金薄膜層が残存し、ケイ素の酸化物蒸着薄膜層上には有機物の痕跡も見られないものであった。
【００１０】
＊＊実施例２
厚さ２０μｍのポリエチレンテレフタレートフイルムに、銀を８０ｎｍの厚さに蒸着し、銀蒸着薄膜層を形成し、該銀蒸着薄膜層上にインジウムに８モル％のスズが含まれるものの酸化物を４０ｎｍの厚さに蒸着、インジウム−スズ酸化物薄膜層を形成し、該インジウム−スズ酸化物薄膜層上に実施例１と同じ接着剤を塗布し接着剤層付きの本発明のインジウム−スズ酸化物薄膜層転写材を得た。得られたインジウム−スズ酸化物薄膜層転写材を塩ビシート表面に熱圧して、インジウム−スズ酸化物薄膜層を転写したがインジウム−スズ酸化物薄膜層の転写性は良好であり、インジウム−スズ酸化物薄膜層上には有機物の痕跡も見られないものであり、基材フイルム上には銀蒸着薄膜層が残存した。
【００１１】
【発明の効果】
本発明により、極めて薄い金属化合物蒸着薄膜層を、被転写材表面に金属化合物表面の有機物による汚染の全く無い状態で転写性よく転写できることや、金属化合物表面の有機物による汚染の全く無い状態で箔や粉として製造できることが判った。