(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザービームの照射により、記録層が相変化することによって情報の記録が行われる情報記録媒体であって、溝深さｄｇの溝形状を有する基板と、溝形状を反映した形状の記録層と、記録層のレーザービーム入射側から順に、第１干渉層、第２干渉層、第１界面層の組成の異なる３層の膜を備え、前記第１干渉層の熱伝導率が前記第２干渉層の熱伝導率よりも低く、前記第２干渉層の屈折率が前記第１干渉層及び前記記録層のいずれの屈折率よりも小さく、前記第２干渉層と前記記録層の間に、前記記録層と接して第１界面層を備え、前記第２干渉層に酸素が含有され、さらに前記第２干渉層と前記第１界面層の間に、前記第２干渉層よりも酸素含有量の少ない保護層を備え、前記第１干渉層と前記記録層の間の距離がｄｇ以下であることを特徴とする情報記録媒体。
【請求項２】
レーザービームの照射により、記録層が相変化することによって情報の記録が行われる情報記録媒体であって、溝深さｄｇの溝形状を有する基板と、溝形状を反映した形状の記録層を備え、記録層のレーザービーム入射側から順に、第１干渉層、第２干渉層の組成の異なる２層の薄膜を備えた情報記録媒体であって、前記第１干渉層の熱伝導率が前記第２干渉層の熱伝導率よりも低く、前記第２干渉層の屈折率が前記第１干渉層及び前記記録層のいずれの屈折率よりも小さく、前記第２干渉層に酸素が含有され、さらに前記第２干渉層と前記記録層の間に、前記第２干渉層よりも酸素含有量が少なく、前記第２干渉層中の被酸化元素と同一の元素を含有する保護層を備え、前記第１干渉層と前記記録層の間の距離がｄｇ以下であることを特徴とする情報記録媒体。
【請求項３】
請求項２に記載の情報記録媒体であって、少なくとも上記第２干渉層がＳｉ，Ａｌ，Ｍｇのうち、いずれか一つの元素の酸化物、あるいはＳｉ，Ａｌ，Ｍｇの酸化物の混合物からなり、上記保護層がＳｉ，Ａｌ，Ｍｇのうち、いずれか一つの元素の窒化物、あるいはこれらの混合物からなることを特徴とした情報記録媒体。
【請求項４】
請求項２に記載の情報記録媒体であって、少なくとも上記第２干渉層がＳｉ，Ａｌ，Ｍｇのうち、いずれか一つの元素の窒素酸化物、あるいは、これらの混合物からなり、上記保護層がＳｉ，Ａｌ，Ｍｇのうち、いずれか一つの元素の窒化物、あるいは、これらの混合物からなることを特徴とした情報記録媒体。
【請求項５】
請求項２に記載の情報記録媒体であって、少なくとも上記第２干渉層がＳｉ，Ａｌ，Ｍｇのうち、いずれか一つの元素の酸化物、あるいは、これらの混合物からなり、上記保護層が上記酸化物の不飽和酸化物、あるいはこれらの混合物、またはＳｉ，Ａｌ，Ｍｇのうち、いずれか一つの元素、あるいは、これらの混合物であることを特徴とした情報記録媒体。
【請求項６】
請求項１又は２に記載の情報記録媒体であって、上記保護層の膜厚が、２ｎｍ以上１５ｎｍ以下であることを特徴とした情報記録媒体。
【請求項７】
基板上に、第１干渉層を成膜する工程と、
前記第１干渉層上に、酸素を含有したスパッタガスとターゲットとを用いたスパッタ法により、前記第１干渉層の屈折率よりも屈折率の小さい第２干渉層を成膜する工程と、
前記第２干渉層上に、前記ターゲットを用い、前記第２干渉層を成膜する際のスパッタガスよりも酸素が少ないスパッタガスを使用して、前記第２干渉層の酸素含有量よりも酸素含有量の少ない保護層を成膜する工程と、
前記保護層を成膜する工程の後に、記録層を成膜する工程とを有することを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項８】
基板上に、第１干渉層を成膜する工程と、
前記第１干渉層上に、酸素を含有したスパッタガスとターゲットとを用いたスパッタ法により、前記第１干渉層の屈折率よりも屈折率の小さい第２干渉層を成膜する工程と、
前記第２干渉層上に、前記ターゲットを用い、前記第２干渉層を成膜する際のスパッタガスよりも窒素が多いスパッタガスを使用して、前記第２干渉層の酸素含有量よりも酸素含有量の少ない保護層を成膜する工程と、
前記保護層を成膜する工程の後に、記録層を成膜する工程とを有することを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項９】
請求項７又は請求項８に記載の情報記録媒体の製造方法であって、上記スパッタターゲットがＳｉ，Ａｌ，Ｍｇのいずれか一つの元素のスパッタターゲット、あるいはこれらの元素の混合物からなるスパッタターゲットであることを特徴とした情報記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
請求項７又は請求項８に記載の情報記録媒体の製造方法であって、上記スパッタターゲットがＳｉ，Ａｌ，Ｍｇのいずれか一つの元素の酸化物、あるいはいずれか一つの元素の不飽和酸化物、あるいは、これらの混合物からなるスパッタターゲットであることを特徴とした情報記録媒体の製造方法。
【請求項１１】
請求項１又は請求項２に記載の情報記録媒体であって、前記記録層が相変化記録材料であることを特徴とする情報記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レーザービームの照射により情報の記録が行われる情報記録媒体、また、上記情報記録媒体の製造方法に係り、特に、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ等の相変化光ディスク、あるいはＭＤ、ＭＯ等の光磁気ディスク、ＤＶＤ−Ｒ等の追記型光ディスクなど、記録可能な光ディスク及びその製造方法に関する。
【０００２】
なお、本発明では上記情報記録媒体を相変化光ディスク、あるいは単に光ディスクと表現することがあるが、本発明はレーザービームの照射により熱が発生し、この熱により原子配列、あるいは磁気モーメントに変化を生じさせることにより情報の記録が行われる情報記録媒体であれば適用可能であるので、特に情報記録媒体の形状によらず、光カード等の円盤状情報記録媒体以外の情報記録媒体にも適用出来る。
【０００３】
また、上記したレーザービームを単にレーザー光あるいは光と表現することがあるが、上記したように本発明は情報記録媒体上に熱を発生させることが可能なレーザービームであり、複数の屈折率の異なる干渉層により、多重干渉効果が得られるレーザービームであれば効果が得られる。また、本発明は赤色レーザー（波長６４５〜６６０ｎｍ）により発明させたものであるが、特にレーザーの波長によるものではなく、青色レーザー、紫外線レーザー等の比較的短波長のレーザーを使用した高密度光ディスクに対しても効果を発揮する。
【０００４】
【従来の技術】
近年、ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−Ｖｉｄｅｏ等の再生専用型光ディスクとの再生互換性に優れているという特徴を生かし、２．６ＧＢＤＶＤ−ＲＡＭ等の相変化光ディスクが製品化されている。しかしながら、２．６ＧＢＤＶＤ−ＲＡＭは記録容量の点で消費者の要請に充分に応えているとは言えないため、４．７ＧＢＤＶＤ−ＲＡＭや４．７ＧＢＤＶＤ−ＲＷに対する期待が高まっている。すなわち、これらの相変化光ディスクはＤＶＤ―Ｖｉｄｅｏと記録容量の点で同じになるため、ＶＴＲに代わる映像記録用光ディスクが実現するためである。
【０００５】
４．７ＧＢＤＶＤ−ＲＡＭを実現するためには多くの課題を解決する必要がある。以下に、これらの課題を解決するための従来方法を詳細に説明する。
【０００６】
一般的に、情報記録媒体のトラックピッチをレーザービームスポットの８０％程度に狭トラックピッチ化した場合、隣接情報記録トラックから再生信号のもれ込みが発生する。この隣接情報記録トラックに記録された情報からの再生信号のもれ込みをクロストークと呼ぶ。この問題を解決するため、以下に説明するランドグルーブ記録方式が開発された。
【０００７】
書き換え型光ディスクでは、プラスチック基板上にレーザービームのトラッキングのための、凹凸形状（溝形状）が設けられており、凹部、あるいは凸部に情報を記録する方法が一般的である。しかしながら、記録密度向上（狭トラックピッチ化）を目的とし、近年、上記凹凸形状を利用して、凹部と凸部のそれぞれに情報を記録する方法が開発された。ここで、上記凹凸形状の凸部と凹部を、それぞれランド、グルーブと呼ぶ。一般的に、情報記録媒体のトラックピッチをレーザービームスポットの８０％程度に狭トラックピッチ化し、ランドとグルーブの両方に情報を記録した場合、隣接情報記録トラック（ランドに対するグルーブ、あるいはグルーブに対するランド）から再生信号のもれ込みが発生する。たとえばランドに記録された情報を再生する際にグルーブに記録された情報からの再生信号がもれ込み、ランドに記録された情報を正確に再生できない等の問題が発生する。上記ランドグルーブ記録方式では上記溝深さをλ／７以上λ／５以下（λ：レーザー波長）にすることによりクロストークの問題を解決している（従来例１：特開平６−３３８０６４）。この方式の特徴はトラックピッチをレーザービームスポットの６割程度に狭くした場合においても、隣接情報記録トラックからのクロストーク（隣接情報記録トラックからの信号のもれ込み）をキャンセルできることである。
従来例１は優れた方法であるが、隣接情報記録トラック（ランド記録時の隣接グルーブ、あるいはグルーブ記録時の隣接ランド）に記録されている記録マークを消去する現象（いわゆるクロスイレーズ）を抑制する方法については十分に考慮されていない。たとえば、従来例１では記録層と熱拡散層（反射層）との間の距離が１８ｎｍと小さいため、情報記録時に熱拡散層を介して隣接情報記録トラックに熱が拡散し、クロスイレーズが発生しやすくなるという問題が発生することがわかった（問題１）。
クロスイレーズを解決するためには、特願平１０−２８５００８に記載されているように、記録層と熱拡散層との距離をグルーブ深さ以上に離すことが重要である。しかしながら、記録層と熱拡散層の距離をクロスイレーズが充分抑制される程度（レーザー波長が６４５〜６６０ｎｍ程度の場合、６５ｎｍ以上）まで離した場合、光学干渉の効果により反射率が低下するという問題が発生する（問題２）。
【０００８】
一方、反射率を向上させる方法としては、第５回相変化記録研究会シンポジウム講演予稿集、pp9-14、1993（従来例２）に記載されているように記録層のレーザービーム入射側にＺｎＳ−ＳｉＯ２層、ＳｉＯ２層の、３層の屈折率の異なる干渉層を設け多重干渉の効果により反射率を向上させる方法が知られている。
しかしながら、この方法では、記録層と接してＺｎＳ−ＳｉＯ２が存在するため、数千回程度の記録を繰り返した際に、ＺｎＳ−ＳｉＯ２層中のＳ元素が記録層中に拡散し、反射率が低下するという問題が発生する（問題３）。
このような多数回記録に伴う、反射率低下を回避するためには特開平１０−２２８６７６（従来例３）に記載されているように、記録層とＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体保護層の間にＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３等の高融点誘電体化合物からなる界面層を設ける方法が知られている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、発明者等は、上記方法では高温加湿試験等を行った場合、記録層と界面層の間において剥離が発生するという問題がおき、実用的ではないことを明らかにした（問題４）。
また、上記剥離を抑えるための方法としては特願平１０−２８５００８に記載されているようにＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２等の高融点誘電体化合物の代わりにＣｒ―Ｏ系材料，Ｇｅ−Ｎ系材料等の誘電体を界面層として設ける技術が知られている。しかしながら、上記Ｃｒ―Ｏ系材料，Ｇｅ−Ｎ系材料等の剥離に対して優れた界面層はレーザー光を吸収してしまうため、多重干渉の効果を阻害し、結果として反射率を低下させるという問題を引き起こす（問題２と同様）。
この場合、界面層の厚さを薄膜化すれば、上記問題をある程度抑えることは可能であるが、界面層の厚さを５ｎｍ以下にするとＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体保護層からのＳ原子の拡散を充分に抑制できない（問題３が発生）。
【００１０】
また、従来例２と従来例３を組み合わせた場合、記録層のレーザービーム入射側には４層の薄膜が存在することになり、層数が多すぎるため生産上好ましくない。また、上記従来例１、従来例２、従来例３ではクロスイレーズに関しては十分に考慮されておらず、トラックピッチを狭めた場合、各層の膜厚によってはクロスイレーズが発生するという問題が発生した（問題１と同様）。
したがって、本発明の第１の目的はクロスイレーズ抑制（問題１対策）と、反射率向上（問題２対策）、多数回書換え時の反射率低下抑制（問題３対策）、剥離による欠陥抑制（問題４対策）を両立させる情報記録媒体の構造を明らかにし、これを提供することに有る。
後述するように、発明者等は、これらの問題を全て解決する方法として、基板と記録層の間に、レーザービーム入射側から順に、第一干渉層、第二干渉層、第１界面層の組成の異なる３層の薄膜を備え、第２干渉層の屈折率が第１干渉層、記録層のいずれの屈折率よりも小さく、第２干渉層と記録層の間に、記録層と接して第１界面層を設ける方法を考案した。
また、この方法は優れた方法であるが、発明者等は、この方法による情報記録媒体を大量生産する場合に以下の問題点が発生することを明らかにした。
Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＭｇＯ等の低屈折率酸化物のスパッタレートが小さいため、所望の膜厚の第２干渉層を得るために、極めて長い時間を要する（問題４）。
この結果、スパッタ中に基板が加熱されることにより変形させてしまう（問題５）。
この問題を避けるためには、各層のスパッタ間に基板を冷却させるための冷却時間を設ける必要がある（問題６）。
上記、低屈折率酸化物は絶縁体であるため、スパッタ装置価格が高価なＲＦスパッタ法を使用せざるを得ない（問題７）。
上記１）〜４）の結果として、生産コストが極めて高くなってしまう（問題８）。
以上の問題は、広く一般的に知られているように、Ｓｉ，Ａｌ，Ｍｇ等の導電体のスパッタターゲットを使用するとともに、酸素を含有したスパッタガスにより、スパッタを行う方法、いわゆる、反応性スパッタ法により解決することができる。しかしながら、発明者等は反応性スパッタ法を使用した場合、以下の問題が発生することを明らかにした。
上記情報記録媒体から得られる再生信号が著しく劣化する（問題９）。
上記情報記録媒体に１００００回以上の多数回記録を行った場合、上記再生信号がさらに大幅に劣化する（問題１０）。
上記情報記録媒体の保存寿命が著しく低下する（問題１１）。
【００１１】
したがって、本発明の目的は、上記全ての問題（問題１〜１１）を解決した情報記録媒体を提供することにある。
さらに、本発明の目的は、上記情報記録媒体を低コストで生産するための情報記録媒体製造方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
発明者等は上記問題９〜１１の原因究明を行い以下のことを明らかにした。
１）問題９の再生信号劣化の原因は情報のオーバーライトの際に、すでに記録されている記録マークの消去が充分に行われていないために発生している。
問題１０の１００００回以上の多数回書換えに伴って発生する再生信号の劣化も、問題９と同様の現象が多数回書換えによって加速されることにより発生している。
問題１１の保存寿命の低下も、問題９と同様の現象が長期保存によって、さらに進行することにより発生している。
問題９〜１１は第２干渉層として窒化膜を使用した場合は発生しないが、酸化膜を使用した場合にのみ発生する。
問題９〜１１は第２干渉層として酸化膜を使用した場合にも、酸化の程度が充分ではないＳｉＯ、ＡｌＯ、Ｍｇ２Ｏ等の不飽和酸化物を使用した場合には発生しない。
以上の結果から発明者等は以下のような仮説を立てた。
１）第２干渉層の製膜時にＳｉ，Ａｌ，Ｍｇ等の金属と酸素による反応性スパッタ法によりＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，ＭｇＯを製膜した場合に、スパッタガス中の酸素が充分に反応せずに膜中に存在する。また、Ｓｉ，Ａｌ，Ｍｇ等の被酸化物が充分に反応したため、余剰な酸素が膜中に存在する。
これらの酸素が記録膜中に拡散することによって、記録膜の結晶成長速度を低下させることにより、すでに記録されている記録マークの消去が充分に行われない。
この酸素の拡散が多数回記録時の発熱、あるいは長期保存によって、さらに進行し、多数回書換え後の再生信号の劣化、保存寿命の低下を引き起こしている。
本発明の基本は、上記酸素の拡散を抑制するために第２干渉層と第１界面層の間に新たに酸素遮断層を設けることにある。以下に酸素遮断層を設けるという本発明の手段について詳細に説明する。
上記本発明の目的は、以下の情報記録媒体を用いることにより達成される。
（１）レーザービームの照射により原子配列変化、あるいは／および電子状態変化によって情報の記録が行われ、少なくとも、溝深さｄｇの溝形状を有する基板と、溝形状を反映した形状の記録層を備え、記録層のレーザービーム入射側から順に、第1干渉層、第2干渉層、第１界面層の組成の異なる３層の薄膜を備えた情報記録媒体であって、第１干渉層の熱伝導率が第２干渉層の熱伝導率よりも低く、第２干渉層の屈折率が第１干渉層、記録層のいずれの屈折率よりも小さく、第２干渉層と記録層の間に、記録層と接して第１界面層を備え、第２干渉層に酸素が含有され、さらに第２干渉層と第１界面層の間に、第２干渉層よりも酸素含有量の少ない保護層を備え、第１干渉層と記録層の間の距離がｄｇ以下である事を特徴とした情報記録媒体。
（２）レーザービームの照射により原子配列変化、あるいは／および電子状態変化によって情報の記録が行われ、少なくとも、溝深さｄｇの溝形状を有する基板と、溝形状を反映した形状の記録層を備え、記録層のレーザービーム入射側から順に、第1干渉層、第2干渉層の組成の異なる２層の薄膜を備えた情報記録媒体であって、第１干渉層の熱伝導率が第２干渉層の熱伝導率よりも低く、第２干渉層の屈折率が第１干渉層、記録層のいずれの屈折率よりも小さく、第２干渉層に酸素が含有され、さらに第２干渉層と記録層の間に、第２干渉層よりも酸素含有量が少なく、上記第2干渉層中の被酸化元素と同一の元素を含有する保護層を備え、第１干渉層と記録層の間の距離がｄｇ以下である事を特徴とした情報記録媒体。
このように、第２干渉層と、記録層の間に保護層を設けることにより、第２干渉層から拡散する、酸素による記録層の酸化を抑えることが可能となるため、優れた情報記録媒体を低コストで、しかも、多数回書換え時の書換え劣化、保存寿命の低下を引き起こすことなく製造することができる。また、（１）のように保護層と記録層の間に第1界面層を設けることにより、保護層と記録層の間で発生する剥離による欠陥を抑えることができる。さらに、発明者らは実施例に詳細に説明するように、第２干渉層に使用されるＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ等の低屈折率化合物の熱伝導率が、第１干渉層に使用されるＺｎＳ−ＳｉＯ２等の化合物と比較して大きいため、隣接トラックに熱が拡散することによるクロスイレーズが発生しやすくなってしまうことを明らかにした。また、これを避けるためには、第１干渉層と記録層の間の距離を溝深さｄｇよりも小さくすれば良いことを明らかにした。
（３）（２）に記載の情報記録媒体であって、少なくとも上記第２干渉層がＳｉ，Ａｌ，Ｍｇのうち、いずれか一つの元素の酸化物、あるいはＳｉ，Ａｌ，Ｍｇの酸化物の混合物からなり、上記保護層がＳｉ，Ａｌ，Ｍｇのうち、いずれか一つの元素の窒化物、あるいはこれらの混合物からなることを特徴とした情報記録媒体。
以上のように、第２干渉層にＳｉ，Ａｌ，Ｍｇの酸化物を含有させると、第２干渉層の屈折率を１．４〜１．７程度と小さくできるという効果があるため、本発明の情報記録媒体を構成しやすくなる。また、第１干渉層の材料としては（ＺｎＳ）ｘ（ＳｉＯ２）１−ｘ系（ｘ＝０．５〜０．９５）の誘電体が上記酸化物と比較して、屈折率が大きく、また、熱伝導率も小さくなるため最適である。また、上記保護層にＳｉ，Ａｌ，Ｍｇの窒化物を含有させることにより、光の吸収係数が小さく、しかも、第２干渉層と比較して、酸素含有量の少ない保護層を作成しやすくなるため、本発明の情報記録媒体を構成しやすくなる。この結果、本発明の情報記録媒体を低コストで、しかも、多数回書換え時の書換え劣化、保存寿命の低下を引き起こすことなく製造することができる。また、保護層を窒化物とすることにより以下のメリットがある。一般的に、窒化物は融点が高く熱的に極めて安定である。また、窒化物は化学的にも安定であるが、金属−窒素間の結合は、金属−酸素間の結合と比較して結合エネルギーが弱いため、窒化物が部分的に酸化物に変化することも可能である。例えば、第２干渉層から余剰な酸素が拡散しても、保護層を通過する際に、これらの酸素が窒素と置換することにより、酸素が、保護層中に捕獲されるのである。この場合、余剰な窒素が発生するが、窒素であれば記録膜中に拡散したとしても、記録膜の結晶化速度を大きく変化させることはない。また、以下のように、第２干渉層として窒素酸化物を使用する方法も有効である。
（４）（２）に記載の情報記録媒体であって、少なくとも上記第２干渉層がＳｉ，Ａｌ，Ｍｇのうち、いずれか一つの元素の窒素酸化物、あるいは、これらの混合物からなり、上記保護層がＳｉ，Ａｌ，Ｍｇのうち、いずれか一つの元素の窒化物、あるいは、これらの混合物からなることを特徴とした情報記録媒体。
【００１３】
この場合、第２干渉層をＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ等の純粋な酸化物とする場合と比較して、屈折率が大きくなりやすいという問題はあるが、例えば、Ｓｉ２ＯＮ２、ＳｉＡｌＯ２Ｎ、Ｓｉ３ＭｇＯＮ４等の材料であれば、屈折率を２．０以下と充分に小さくできるため使用することができる。この場合、たとえこれらの窒素酸化物中に余剰な酸素が存在しても、記録膜に拡散する前に第２干渉層中、あるいは保護層中において窒素と置換されるため、余剰な酸素が記録膜まで拡散しにくくなる。また、以下のように保護層としてＳｉ，Ａｌ，Ｍｇの不飽和酸化物を使用しても良い。
（５）（２）に記載の情報記録媒体であって、少なくとも上記第２干渉層がＳｉ，Ａｌ，Ｍｇのうち、いずれか一つの元素の酸化物、あるいは、これらの混合物からなり、上記保護層が上記酸化物の不飽和酸化物、あるいはこれらの混合物、またはＳｉ，Ａｌ，Ｍｇのうち、いずれか一つの元素、あるいは、これらの混合物であることを特徴とした情報記録媒体。
この場合、第２干渉層中の余剰酸素が酸素拡散層中を通過する際に、Ｓｉ，Ａｌ，Ｍｇを酸化することにより捕獲されるため、記録膜中に酸素が拡散しにくくなる。保護層においてレーザービームが吸収されやすくなるが、保護層の厚さが５ｎｍ以下であれば光学的には無視できる。また、保護層が不飽和酸化物であるため、酸化されていないＳｉ，Ａｌ，Ｍｇが、第１界面層を通過して直接記録膜中に拡散するという問題が発生する場合がある。この場合、例えば上記第１界面層の膜厚を５ｎｍ程度に厚くするという対策を施す必要がある。また、保護層の膜厚が厚すぎる場合、酸素遮断効果は大きくなり好ましいが、クロスイレーズの発生、反射率の低下、信号振幅の低下等の問題を引起す。また、保護層の膜厚が薄すぎる場合、クロスイレーズ、反射率、信号振幅の問題は起こりにくいが、酸素遮断効果が小さくなるという問題が発生する。しかしながら、わずかでも、保護層が存在すれば、その効果は発現する。保護層の最適膜厚は２〜１５ｎｍである。
（６）（１）、（２）に記載の情報記録媒体であって、少なくとも保護層の膜厚が、２ｎｍ以上１５ｎｍ以下であることを特徴とした情報記録媒体。
なお、従来の技術で説明したように、以上のように第１界面層と第２干渉層の間に保護層を設けた場合、記録層のレーザービーム入射側に４層の薄膜が存在することになり、層数が多すぎるため生産上好ましくないが、以下の方法を使用することにより、実質的に生産性が向上する。
（７）  基板上に、第1干渉層を成膜する工程と、
前記第１干渉層上に、酸素を含有したスパッタガスとターゲットとを用いたスパッタ法により、前記第１干渉層の屈折率よりも屈折率の小さい第２干渉層を成膜する工程と、
前記第２干渉層上に、前記ターゲットを用い、前記第２干渉層を成膜する際のスパッタガスよりも酸素が少ないスパッタガスを使用して、前記第２干渉層の酸素含有量よりも酸素含有量の少ない保護層を成膜する工程と、
前記保護層を成膜する工程の後に、記録層を成膜する工程とを有することを特徴とする情報記録媒体の製造方法。
（８）  基板上に、第1干渉層を成膜する工程と、
前記第１干渉層上に、酸素を含有したスパッタガスとターゲットとを用いたスパッタ法により、前記第１干渉層の屈折率よりも屈折率の小さい第２干渉層を成膜する工程と、
前記第２干渉層上に、前記ターゲットを用い、前記第２干渉層を成膜する際のスパッタガスよりも窒素が多いスパッタガスを使用して、前記第２干渉層の酸素含有量よりも酸素含有量の少ない保護層を成膜する工程と、
前記保護層を成膜する工程の後に、記録層を成膜する工程とを有することを特徴とする情報記録媒体の製造方法。
（９）（７）および（８）に記載の情報記録媒体の製造方法であって、上記第2のスパッタターゲットがＳｉ，Ａｌ、Ｍｇのいずれか一つ元素のスパッタターゲット、あるいはこれらの元素の混合物からなるスパッタターゲットであることを特徴とした情報記録媒体の製造方法。
（１０）（７）および（８）に記載の情報記録媒体の製造方法であって、上記第2のスパッタターゲットがＳｉ，Ａｌ、Ｍｇのいずれか一つ元素の酸化物、あるいはいずれか一つの元素の不飽和酸化物、あるいは、これらの混合物からなるスパッタターゲットであることを特徴とした情報記録媒体の製造方法。
以上のような（７）〜（１０）に記載の製造方法により、（１）〜（６）に記載の優れた情報記録媒体を廉価に製造することが可能となる。
なお、保護層には必ずしも酸素が含有されている必要はなく、第2干渉層と比較して酸素含有量が少なければ、例えば純粋な窒化物でもよい。また、上記した窒素酸化物とは、少なくとも酸化物中に窒化物を含有している酸化物を示していると同時に、少なくとも窒化物中に酸化物を含有している窒化物を示している。また、不飽和酸化物とは化学量論組成と比較して酸素が欠乏している酸化物のことを示している。
なお、上記した保護層、第１界面層、記録層等は通常、数ｎｍ程度と極めて薄い。このような場合、必ずしも層状をしておらず、島状に（まだらに）膜が存在するという現象が発生する（薄膜の島状形成）。このような場合においても、上記島状の薄膜間の距離がレーザービームの波長の１０分の1程度であれば、光学的には無視でき、島状薄膜の平均膜厚を有する層が存在すると考えても、本発明の効果は失われない。また、第１界面層の主な目的は、保護層と記録層の間において発生する剥離の防止である。したがって、第１界面層に関しては、保護層に使用される材料が記録層中に拡散しにくい場合、島状に存在していたとしても一向に差し支えない。また、第２干渉層と保護層を製膜する場合に、上記したように、反応性スパッタ法を使用すると、第２干渉層と保護層の間の界面を明確に切り分けることが困難な場合がある。つまり、第２干渉層から保護層にかけて酸素量が連続的に変化しているような場合があるが、本発明の効果は一向に失われないことは言うまでもない。
【００１４】
【発明の実施の形態】
＜情報記録媒体＞
図１に本発明の情報記録媒体の基本構造を示す。第１の情報記録部材は溝形状の情報記録トラックが設けられた基板１−１上に第１干渉層１−２、第２干渉層１−３、保護層（酸素遮断層）１−４、第１界面層１−５、記録層１−６、第２界面層１−７、第３干渉層１−８、熱緩衝層１−９、熱拡散層１−１０が順次積層された構造である。また、同様の構造の情報記録部材を、接着剤１−１１を介して貼り合せている。
基板１−１としてはポリカーボネート等のプラスチック製透明基板を用いる。通常、このような透明基板の屈折率は１．５〜１．６程度である。第１干渉層１−２の満足すべき光学特性は上記基板１−１よりも屈折率が大きく、願わくは屈折率が２．０以上であることである。これにより、基板１−１と第１干渉層１−２の間において光の反射が起こり、この反射を利用した光学干渉効果により、未記録部（結晶）と記録部（アモルファス）の反射率変化を大きくすることができる。また、第２干渉層１−３の屈折率は第１干渉層１−２の屈折率よりも小さく，さらに記録層１−６の屈折率よりも小さいことが重要である。酸素遮断層１−４は第２干渉層１−３から記録層１−６への酸素の拡散を防止するために必要である。また、第１界面層１−５は主に記録層１−６と酸素遮断層１−４の間において発生する剥離の抑制のために必要である。第１界面層１−５の屈折率はできうる限り第２干渉層１−３と同程度の値にすることが望ましいが、屈折率が第１干渉層１−２程度に大きくなってしまう場合は、上記剥離抑制効果に影響を及ぼさない範囲において、できうる限り薄い方が良い。第３干渉層１−８は熱拡散層１−１０と記録層１−６の距離を適度に離し、クロスイレーズを制御するために適度な膜厚が必要である。少なくとも膜厚は３５ｎｍ以上、願わくは溝深さ以上の厚さがあれば望ましい。また、熱伝導率が適度に低いことが要求される。第２界面層１−７は主に記録層１−６と第３干渉層１−８の間において発生する剥離の抑制、第３干渉層元素の記録層への拡散を抑制する役割を担っている。熱緩衝層１−９は記録層１−６が結晶とアモルファスの、それぞれの場合の吸収率を制御する役割と同時に、記録層１−６から熱拡散層１−１０への熱の流れを制御する役割を担っている。光学定数（ｎ、ｋ）は１．４＜ｎ＜４．５、−３．５＜ｋ＜−０．５の範囲が良く、特に２＜ｎ＜４、−３．０＜ｋ＜−０．５の材料が望ましい。熱拡散層１−１０は記録層１−６において発生した熱を速やかに拡散させ、記録時の記録層１−６の熱的なダメージを抑える役割を担っている。このため適度に熱伝導率が高いことが要求される。このため、膜厚が少なくとも３０ｎｍ以上は必要である。
以下に本発明を光学的な側面から説明する。ここでは、簡単のため、光学的に特に重要な第１干渉層、第２干渉層、記録層、第３干渉層、熱拡散層のみを用いて説明する。図２は第２干渉層がある場合と、ない場合の各層の屈折率を模式的に示した図である。縦軸は屈折率、横軸は基板内のある点からの光入射方向の距離を示している。ここで構造１とは基版上に第１干渉層、記録層、第３干渉層、反射層を順次積層した構造である。このような構造の場合、主に、４つの反射面を利用した多重干渉効果を利用し光学設計を行っている。すなわち、基板−第１干渉層間の反射面Ａ、第１干渉層―記録層間の反射面Ｂ、記録層−第３干渉層間の反射面Ｃ、第３干渉層−熱拡散層間の反射面Ｄである。このような場合、光学設計に利用できる光路はＡ−Ｂ間、Ａ−Ｃ間、 Ａ−Ｄ間、 Ｂ−Ｃ間、 Ｂ−Ｄ間、Ｃ−Ｄ間の６種類である。これに対して、第１干渉層よりも屈折率が小さな第２干渉層を第１干渉層と記録層の間に挿入した場合（構造２）、新たに多重干渉に利用できる反射面Ｅが追加される。このような場合、光学設計に利用できる光路はＡ―Ｂ間、Ａ−Ｃ間、Ａ―Ｄ間、Ａ−Ｅ間、Ｂ−Ｃ間、Ｂ−Ｄ間、Ｂ−Ｅ間、Ｃ−Ｄ間、Ｃ−Ｅ間、Ｄ−Ｅ間の１０種類であり光学設計の自由度が飛躍的に向上する。また、反射面Ｅの反射を有効に活用することにより、反射率を向上させること容易となる。
第２干渉層の屈折率が第１干渉層よりも小さい方が好ましい理由は２点ある。まず、基板の屈折率は基板に要求される諸特性を満足させるため選択できる材料が限られており、その屈折率は１．５−１．６程度である。したがって、反射面Ａにおける反射係数を大きくするためには第１干渉層の屈折率をできるだけ小さくするか、大きくする必要がある。第１干渉層に使用できる通常の無機誘電体材料の屈折率が最低でも１．４程度であることを考慮すると第１干渉層の屈折率を小さくする事は現実的ではない。したがって、第１干渉層の屈折率は基板の屈折率よりもできるだけ大きくする必要がある。しかしながら、屈折率が２．５以上となるような材料は通常光を吸収しやすいため、現実的には第１干渉層の屈折率は２−２．２程度に抑えられている。同様に反射面Ｅにおける反射係数を大きくするためには、第２干渉層の屈折率を第１干渉層の屈折率よりも大きくするか、小さくするかのどちらかである。第２干渉層の屈折率を第１干渉層の屈折率よりも大きくした場合、２つの問題が発生する。一つは、たとえば屈折率が３以上となるような透明材料を得る事が極めて困難なこと、もう一つは記録層（屈折率が４程度）と、第２干渉層との間の屈折率差を小さくしてしまうことである。この結果、反射面Ｂにおける反射係数を小さくしてしまうことになる。したがって、第２干渉層の屈折率は第１干渉層の屈折率よりも小さい方がよい。また、第１界面層は主に記録層と第２干渉層の間において発生する剥離の抑制のために必要である。第１界面層の屈折率はできうる限り第２干渉層と同程度の値にすることが望ましいが、第１干渉層程度に大きくなってしまう場合は、上記剥離抑制効果に影響を及ぼさない範囲において、できうる限り薄い方が良い。
【００１５】
次に光学計算結果を示す。
計算に用いた光学定数（ｎ、ｋ）を以下に示す。
第１干渉層：（２．１６、０．００）
第２干渉層：（１．４〜２．２、０．００）
第１界面層：（２．６,−０．０９）
記録層（結晶）：（４．５７、−５．４６）
記録層（アモルファス）：（４．５１、−２．２２）
第２界面層：（２．６、−０．０９）
第３干渉層：（２．１６、０．００）
熱緩衝層：（４．０９、−２．８８）
熱拡散層：（１．８４、−５．７４）
また、各層の膜厚を以下に示す。
第１干渉層：０〜１５０ｎｍ
第２干渉層：０〜８０ｎｍ
第１界面層：１ｎｍ
記録層：６．３ｎｍ
第２界面層：１０ｎｍ
第３干渉層：４５ｎｍ
熱緩衝層：３５ｎｍ
熱拡散層：６０ｎｍ
図３は第２干渉層膜厚と屈折率を変数とし、結晶の反射率Ｒｃとアモルファスの反射率Ｒａの比（Ｒｃ−Ｒａ）／Ｒｃが９０％以上になるように第１干渉層の膜厚を最適化した場合の計算結果である。第２干渉層の屈折率が第１干渉層の屈折率よりも大きい場合（ｎ＝２．２）第２干渉層の膜厚が０以上において（つまり第２干渉層が存在すると）結晶の反射率を低下させるが、第２干渉層の屈折率が第２干渉層の屈折率よりも小さい２．０以下の場合、反射率を向上させる効果を発揮する。目標となる反射率は４．７ＧＢＤＶＤ−ＲＡＭ規格書に記載されているように１５％以上である。本計算ではレーザービームが基板表面において反射される効果等を考慮していないため、本計算の計算結果は実質的には４％程度大きく計算されている。したがって、本計算における反射率の目標値は１９％以上である。この条件を満足する第２干渉層の屈折率は１．４〜１．８である。また、第２干渉層の屈折率が１．４〜１．８のいずれの値であったとしても第２干渉層の膜厚が２０ｎｍ以上７８ｎｍであれば、上記条件を満足することができる。したがって、第２干渉層の屈折率は少なくとも第１干渉層の屈折率よりも小さく、願わくは１．８以下がよく、膜厚は２０ｎｍ以上７８ｎｍ以下がよい。上記膜厚および屈折率の範囲は反射率の目標値が１９％の場合であるが、実用的には、光ディスク面内の均一性、量産時の歩留り等を考慮すると、さらに３％程度反射率を高めておく必要がある。したがって、実用的には反射率２２％以上が目標となる。この場合、第２干渉層の屈折率が１．４〜１．６であり膜厚が２０ｎｍ以上７０ｎｍ以下の場合に目標を満足する。
【００１６】
次に、第１干渉層の膜厚を結晶の反射率Ｒｃが２０％以上になるように最適化した場合の、再生信号の第2干渉層膜厚および屈折率依存性の計算結果を図４に示す。第２干渉層の屈折率が第１干渉層の屈折率よりも大きい場合（ｎ＝２．２）第２干渉層の膜厚が０．０以上において（つまり第２干渉層が存在すると）、再生信号振幅を低下させるが、第２干渉層の屈折率が第２干渉層の屈折率よりも小さい２．０以下の場合、再生信号振幅を向上させる効果を発揮する。特に、第２干渉層の膜厚が２０ｎｍ以上の場合、屈折率が２．０においても１ｄＢ以上の再生信号振幅向上効果が発揮される。また、最適な第2干渉層の厚さは４５ｎｍ±２５ｎｍ程度である。したがって、第２干渉層の屈折率は少なくとも第１干渉層の屈折率よりも小さく、膜厚は２０ｎｍ以上がよい。特に第２干渉層の屈折率が１．８以下であり膜厚が２０ｎｍ以上７８ｎｍ以下の場合、再生信号振幅を２ｄＢ以上向上させることができる。
また、図５は図３の計算を行った際の第２干渉層の膜厚および屈折率と最適な第１干渉層膜厚の関係を示した図である。第１干渉層と第２干渉層の膜厚の和は１３０±２０ｎｍが適しており、特に１３０±１０ｎｍの場合に最適値が集中しており、この関係を保持する事が重要である事がわかる。
以上の計算は再生レーザーの波長が６６０ｎｍについて計算を行っているが、たとえば他の波長の再生レーザーを使用する場合は、レーザー波長をλとした場合、第2干渉層膜厚をλ／４０〜λ／１０程度、さらに望ましくはλ／３０〜λ／１０にすれば良い。また、第１干渉層と第２干渉層の膜厚の和はλ／５±λ／３０、さらに望ましくはλ／５±λ／６０程度にすればよい。
以上詳細に述べたように第１干渉層、第２干渉層の屈折率および膜厚が極めて重要である。特に、第１干渉層は、少なくとも第１干渉層のレーザービーム入射側に接して存在する物質の屈折率よりも大きな屈折率を有することが好ましい。通常、第１干渉層のレーザービーム光入射側に存在する物質はポリカーボネート等のプラスチック基板、あるいは、紫外線硬化樹脂等の有機物である。また、これらの屈折率は１．４から１．６程度である。上記有機物と第１干渉層の間において、効果的に光を反射させるためには第１干渉層の屈折率は２．０以上であることが望ましい。具体的には２．０以上の高屈折率を実現できるという点、製膜レートが高くノイズを発生させないという点においてＺｎＳとＳｉＯ２の混合物が良い。特にＺｎＳ含有量が５０〜９５％の上記混合物が良い。また、第２干渉層の屈折率は２．０以下、望ましくは１．８以下であることが要求される。具体的には、第２干渉層には、屈折率が極めて小さいという点において、たとえば、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯのような低屈折率酸化物を含有されていることが望ましい。
次に、酸素遮断層の役割について詳細に説明する。すでに述べたように、発明者等は、以上のような低屈折率酸化物からなる第２干渉層中の酸素が記録層材料を酸化させ長期間保存した場合、あるいは１００００回程度の繰り返し記録を行った場合に、再生信号品質を劣化させることを明らかにした。第２干渉層と記録層の間に第１界面層を設けているが、主に光学的要因により、第１界面層の膜厚を０．５〜２．０ｎｍ程度と極めて薄くせざるを得ない。このように第１界面層が極めて薄いため、第２干渉層中の酸素が容易に記録層に達してしまうのである。特に、第２干渉層の製膜時にＳｉ，Ａｌ，Ｍｇ等の金属と酸素による反応性スパッタ法によりＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，ＭｇＯを製膜した場合に、スパッタガス中の酸素が充分に反応せずに膜中に存在する。また、製膜条件によってはＳｉ，Ａｌ，Ｍｇ等の被酸化物が充分に反応するため、余剰な酸素が膜中に存在してしまう。また、これらの酸素が記録膜中に拡散することによって、記録膜の結晶成長速度を低下させることにより、すでに記録されている記録マークの消去が充分に行われないという問題が発生する。この酸素の拡散が多数回記録時の発熱、あるいは長期保存によって、さらに進行し、多数回書換え後の再生信号の劣化、保存寿命の低下を引き起こすのである。
本発明の基本は、上記酸素の拡散を抑制するために第２干渉層と第１界面層の間に新たに酸素遮断層を設けることにある。以下に酸素遮断層について詳細に説明する。上記酸素遮断層にＳｉ，Ａｌ，Ｍｇの窒化物を含有させることにより、光の吸収係数が小さく、しかも、第２干渉層と比較して、酸素含有量の少ない酸素遮断層を作成しやすくなるため、本発明の情報記録媒体を構成しやすくなる。この結果、本発明の情報記録媒体を低コストで、しかも、多数回書換え時の書換え劣化、保存寿命の低下を引き起こすことなく製造することができる。
さらに、酸素遮断層を窒化物とすることにより以下のメリットが発現する。一般的に、窒化物は融点が高く熱的に極めて安定である。また、窒化物は化学的にも安定であるが、金属−窒素間の結合は、金属−酸素間の結合と比較して結合エネルギーが弱いため、窒化物が部分的に酸化物に変化することも可能である。例えば、第２干渉層から余剰な酸素が拡散しても、酸素遮断層を通過する際に、窒素との置換が起こることにより、酸素が、酸素遮断層中に捕獲されるのである。この場合、余剰な窒素が発生するが、窒素であれば記録膜中に拡散したとしても、記録膜の結晶化速度を大きく変化させることはない。
また、第２干渉層として窒素酸化物を使用する方法も有効である。この場合、第２干渉層をＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ等の純粋な酸化物とする場合と比較して、屈折率が大きくなりやすいという問題はあるが、例えば、Ｓｉ２ＯＮ２、ＳｉＡｌＯ２Ｎ、Ｓｉ３ＭｇＯＮ４等の材料であれば、屈折率を２．０以下と充分に小さくできるため使用することができる。この場合、たとえこれらの窒素酸化物中に余剰な酸素が存在しても、記録膜に拡散する前に第２干渉層中、あるいは酸素遮断層中において窒素と置換されるため、余剰な酸素が記録膜まで拡散しにくくなる。
また、酸素遮断層としてＳｉ，Ａｌ，Ｍｇの不飽和酸化物を使用しても良い。この場合、第２干渉層中の余剰酸素が酸素拡散層中を通過する際に、Ｓｉ，Ａｌ，Ｍｇを酸化することにより捕獲されるため、記録膜中に酸素が拡散しにくくなる。酸素遮断層においてレーザービームが吸収されやすくなるが、酸素遮断層の厚さが５ｎｍ以下であれば光学的には無視できる。また、酸素遮断層が不飽和酸化物であるため、酸化されていないＳｉ，Ａｌ，Ｍｇが、第１界面層を通過して直接記録膜中に拡散するという問題が発生する場合がある。この場合、例えば上記第１界面層の膜厚を５ｎｍ程度に厚くするという対策を施す必要がある。また、上記の情報記録媒体の製造方法として、以下に示した方法が有効である。
また、酸素遮断層と第１界面層の違いは、接着性能である。第１界面層に要求される性能のうち最も重要な特性のひとつが記録層と、記録層以外の層の接着性を向上させることである。これに対して、酸素遮断層には、第１界面層ほどの接着性は要求されない。また、第１界面層の場合は膜厚が薄いため酸化物を使用することも可能であるが、酸素遮断層には、純粋な酸化物を使用することはできない。たとえ、酸化物が含有される場合でも、窒化物との混合体（窒素酸化物）、あるいは酸化が充分に飽和していないＳｉＯ，ＡｌＯ等の不飽和酸化物である必要がある。
また、本発明の第１干渉層の熱伝導率を第２干渉層の熱伝導率よりも低くし、第１干渉層と記録層の間の距離を溝深さｄｇ以下とすることにより、クロスイレーズを、さらに抑制することが可能となる。以下に理由を説明する。クロスイレーズを抑制するためには隣接トラック方向への熱の流れを少なくすることが極めて重要である。図６に第２干渉層６−２の熱伝導率が第１干渉層６−１の熱伝導率よりも大きく、第１干渉層６−１と記録層６−４の間の距離が溝深さｄｇよりも大きい場合のグルーブ記録時の、熱の流れ６−８を示した。このような場合、グルーブ記録時の発熱部６−１１の隣接トラック方向には主に熱伝導率が高い第２干渉層６−２が存在する。したがって、隣接トラック方向に熱が拡散しやすく、結果としてクロスイレーズを引き起こすことになる。これに対して図７に示すように、第１干渉層７−１の熱伝導率が第２干渉層７−２の熱伝導率よりも低く、第１干渉層７−１と記録層７−４の間の距離が溝深さｄｇ以下の場合、グルーブ記録時の発熱部７−１１の隣接トラック方向には、主に熱伝導率が低い第１干渉層７−１が存在する。したがって、熱の流れ７−８は小さくなり、クロスイレーズが抑制される。このように、グルーブ記録時の発熱部７−１１の隣接トラック方向への熱の流れ７−８は、第１干渉層７−１と記録層７−４の間の距離に、極めて大きく依存する。
以上の説明ではグルーブ記録時のグルーブからランド方向への熱の流れについて説明したが、ランドからグルーブ方向への熱の流れの制御には第３干渉層の膜厚が重要となる。この現象についても図６、７を用いて説明する。熱拡散層６−７の熱伝導率が第３干渉層６−６の熱伝導率よりも高く、熱拡散層６−７と記録層６−４の距離が溝深さｄｇ以下の場合（図6）、ランド記録時の発熱部６−１２の隣接トラック方向に主に熱拡散層６−７が存在しているため、隣接トラック方向に熱が流れやすくなる。これに対して、図７の場合のように、熱拡散層７−７の熱伝導率が第３干渉層７−６の熱伝導率よりも高く、熱拡散層７−７と記録層７−４の距離が溝深さｄｇ以上の場合、ランド記録時の発熱部７−１２の隣接トラック方向には熱伝導率が低い第３干渉層７−６が存在しているため、隣接トラック方向に熱が流れにくくなり、結果としてクロスイレーズを抑制できる。
したがって、本発明の情報記録媒体に利用される第１干渉層、第３干渉層には熱伝導率が２Ｗ／ｍＫ以下であり、屈折率が２以上となる誘電体が適しており、例えば、熱伝導率が極めて小さいという点においてＺｎＳとＳｉＯ２の混合物が良い。特にＺｎＳ含有量が５０〜９５％の上記混合物が良い。特にＺｎＳ含有量が７０〜９０％の場合、屈折率が２〜２．２、熱伝導率が０．４〜０．５Ｗ／ｍＫ程度と低くなるため最適である。
また、本発明の情報記録媒体に利用される第２干渉層には光学的に低屈折率酸化物が適している。特に、ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，ＭｇＯ等の低屈折率酸化物を使用した場合、熱伝導率が２〜１１Ｗ／ｍＫ程度と極めて大きくなる。この場合、記録層と第１干渉層の間の距離を溝深さｄｇ以下にすることにより、クロスイレーズを抑制する効果が発現する。
また、本発明の情報記録媒体に利用される熱拡散層には熱伝導率が高く、図６，７のように熱緩衝層が存在しない場合には、反射率が高いＡｌ，Ａｕ，Ａｇ等の金属、あるいはこれらの金属を含有する合金が適している。
なお、図６，７中では第１界面層、熱緩衝層を省略している。また、以上の説明ではおもに第１干渉層、および第２干渉層の熱伝導率、および第３干渉層および熱拡散層の熱伝導率に注目して説明を行ったが、本発明の情報記録媒体では通常、酸素遮断層、および第１界面層の膜厚はともに５ｎｍ以下と極めて薄いため、これらの熱伝導率の大小は無視できる程小さい。
＜情報記録再生装置＞
以下に本発明の情報記録媒体の再生信号評価に使用した情報記録再生装置の動作を、図６を使用して説明する。なお、記録再生を行う際のモーター制御方法としては、記録再生を行うゾーン毎にディスクの回転数を変化させるＺＣＬＶ（Zone Constant Linear Velocity）方式を採用している。ディスク線速度は約８.２ｍ/秒である。
【００１７】
記録装置外部からの情報は８ビットを１単位として、８−１６変調器８−８に伝送される。情報記録媒体（以下、光ディスクと呼ぶ）８−１上に情報を記録する際には、情報８ビットを１６ビットに変換する変調方式、いわゆる８−１６変調方式を用い記録が行われた。この変調方式では媒体上に、８ビットの情報に対応させた３Ｔ〜１４Ｔのマーク長の情報の記録を行っている。図中の８−１６変調器８−８はこの変調を行っている。なお、ここでＴとは情報記録時のクロックの周期を表しており、ここでは１７．１ｎｓとした。
８−１６変調器８−８により変換された３Ｔ〜１４Ｔのデジタル信号は記録波形発生回路８−６に転送され、高パワーパルスの幅を約Ｔ／２とし、高パワーレベルのレーザー照射間に幅が約Ｔ／２の低パワーレベルのレーザー照射を行い、上記一連の高パワーパルス間に中間パワーレベルのレーザー照射が行われるマルチパルス記録波形が生成される。この際、記録マークを形成するための、高パワーレベルを１０.０ｍＷ、記録マークの消去が可能な中間パワーレベルを４.０ｍＷとした。また、上記記録波形発生回路８−６内において、３Ｔ〜１４Ｔの信号を時系列的に交互に「０」と「１」に対応させ、「０」の場合には中間パワーレベルのレーザーパワーを照射し、「１」の場合には高パワーレベルのパルスを含む一連の高パワーパルス列を照射するようにしている。この際、光ディスク１上の中間パワーレベルのレーザービームが照射された部位は結晶となり（スペース部）、高パワーレベルのパルスを含む一連の高パワーパルス列のレーザービームが照射された部位は非晶質（マーク部）に変化する。また、上記記録波形発生回路８−６内は、マーク部を形成するための高パワーレベルを含む一連の高パワーパルス列を形成する際に、マーク部の前後のスペース長に応じて、マルチパルス波形の先頭パルス幅と最後尾のパルス幅を変化させる方式（適応型記録波形制御）に対応したマルチパルス波形テーブルを有しており、これによりマーク間に発生するマーク間熱干渉の影響を極力排除できるマルチパルス記録波形を発生している。
【００１８】
記録波形発生回路８−６により生成された記録波形は、レーザー駆動回路８−７に転送され、レーザー駆動回路８−７はこの記録波形をもとに、光ヘッド８−３内の半導体レーザーを発光させる。
本記録装置に搭載された光ヘッド８−３には、情報記録用のレーザービームとして光波長６５５ｎｍの半導体レーザーが使用されている。また、このレーザー光をレンズＮＡ０.６の対物レンズにより上記光ディスク８−１の記録層上に絞り込み、上記記録波形に対応したレーザーのレーザービームを照射することにより、情報の記録を行った。
【００１９】
一般的に、レーザー波長λのレーザー光をレンズ開口数ＮＡのレンズにより集光した場合、レーザービームのスポット径はおよそ０．９×λ／ＮＡとなる。したがって、上記条件の場合、レーザービームのスポット径は約０．９８ミクロンである。この時、レーザービームの偏光を円偏光とした。
【００２０】
また、本記録装置はグルーブとランド（グルーブ間の領域）の両方に情報を記録する方式（いわゆるランドグルーブ記録方式）に対応している。本記録装置ではＬ／Ｇサーボ回路８−９により、ランドとグルーブに対するトラッキングを任意に選択することができる。
記録された情報の再生も上記光ヘッド８−３を用いて行った。レーザービームを記録されたマーク上に照射し、マークとマーク以外の部分からの反射光を検出することにより、再生信号を得る。この再生信号の振幅をプリアンプ回路８−４により増大させ、８−１６復調器８−１０に転送する。８−１６復調器８−１０では１６ビット毎に８ビットの情報に変換する。以上の動作により、記録されたマークの再生が完了する。以上の条件で上記光ディスク６−１に記録を行った場合、最短マークである３Ｔマークのマーク長はおよそ０.４２μm、最長マークである１４Ｔマークのマーク長は約１．９６μmとなる。
＜スパッタ装置＞
ここで、本発明の情報記録媒体の製造に使用するスパッタ装置の構造を説明する。本発明の情報記録媒体を生産するためのスパッタ装置としては、複数のチャンバーを有し、各チャンバーには一つのスパッタターゲットが設けられ、情報記録媒体用の基板が、順次、各チャンバー間を搬送される、いわゆる、枚葉式のスパッタ装置が適している。また、本スパッタ装置には合計１２室のチャンバーが備えられている。このうち、製膜のためのプロセスに使用するプロセスチャンバーは９室、スパッタ中の基板加熱による基板変形を避けるため２室のクーリングチャンバーが備えられている。また、スパッタ装置に基板を搬送するとともに、製膜後の情報記録媒体をスパッタ装置から搬出するためのロードロックチャンバーが１室備えられている。
また、各プロセスチャンバーにはそれぞれの層を形成するのに適したスパッタ電源、複数のスパッタガス配管、スパッタガス流量を制御するためのマスフローコントローラー等が備えられている。各基板がそれぞれのチャンバーにセットされると、各チャンバーにそれぞれ適したスパッタガスが導入され、その後、各チャンバーにおいてスパッタリングが行なわれる。発明者等は、同一チャンバー中で複数種のスパッタガスを順次導入することにより、第２干渉層と酸素遮断層をひとつのチャンバー内で製膜する方法を考案した。例えば、第２干渉層を製膜する際にはスパッタガスとして、Ａｒ＋Ｏ２ガスを使用し、酸素遮断層を製膜する際には、Ａｒ＋Ｎ２ガスを使用するのである。こうすることにより、チャンバー数を低減できるためスパッタ装置に関わる費用を低減することが可能となる。また、このように反応性スパッタ法を使用することにより、Ｓｉ，Ａｌ，Ｍｇ等の導電性ターゲットを使用して、ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，ＭｇＯ等の絶縁体の製膜が可能となるため、スパッタ電源を比較的高価なＲＦ（高周波）電源からＤＣ（直流）電源に変更することが可能となる。
また、クーリングチャンバーには基板を冷却するための冷却板と、基板の熱を冷却板に放熱させるＨｅガスを、クーリングチャンバーに導入するためのガス配管が備えられている。また、各基板を搬送するためのキャリアには基板回転用の小型の真空モーターが備え付けられている。このモーターの電源には電源ケーブルが使用できないため、各キャリアが各チャンバーにセットされると同時に、各チャンバーとの接触部から電源が供給されるよう配慮がなされている。この基板回転を行うことにより、基板上に製膜される各層の組成均一性、膜厚均一性が大幅に向上する。
図９は本発明の情報記録媒体の製造方法に使用されるスパッタ装置における、チャンバーの一例である。チャンバー９−７内は排気管９−３を通じて、真空ポンプ９−４により真空排気される。また、チャンバー９−７には３本のスパッタガス用のガス配管９−５が備え付けられており、それぞれＡｒガス、酸素ガス、窒素ガスが、マスフローコントローラー９−６により、所定の流量、チャンバー９−７内に供給される。また、チャンバー９−７にはスパッタターゲット９−８が備え付けられており、スパッタ電源９−１０から電圧が印加される。
基板９−１はスパッタ装置内に搬入されると同時に、キャリア９−２に装着され、各スパッタ室間を順次移動する。キャリア９−２には基板回転用モーター９−１１、およびモーター電源伝達部９−１２が備え付けられている。キャリア９−２がチャンバー９−７に装着されると、チャンバー９−７に装着されたモーター電源供給部９−１３から、モーター電源伝達部９−１２を通して基板回転用９−１１に電気が供給される。これと同時に基板９−１を回転させる。
例えば、第2干渉層と酸素遮断層を一つのターゲットを使用して製膜する場合、以下のプロセスにより製膜すれば良い。はじめに、Ａｒガスと酸素ガスのみをチャンバー９−７内に導入する。さらに、スパッタ電源９−１０から、スパッタターゲット９−８に電圧を印加し、スパッタターゲット９−８上で放電を起こさせる。例えばスパッタターゲットの材質がＳｉである場合、このプロセスにより基板９−１上にＳｉＯ２が製膜される。この時、マスフローコントローラー９−６により酸素流量を調整することにより、製膜された膜中のＳｉとＯの組成比をコントロールすることができる。
酸素遮断層を製膜する際には、Ａｒガスと窒素ガスのみをチャンバー９−７内に導入する。さらに、スパッタ電源９−１０から、スパッタターゲット９−８に電圧を印加し、スパッタターゲット９−８上で放電を起こさせる。例えばスパッタターゲットの材質がＳｉである場合、このプロセスにより基板９−１上にＳｉ３Ｎ４が製膜される。この時、マスフローコントローラー９−６により窒素流量を調整することにより、製膜された膜中のＳｉとＮの組成比をコントロールすることができる。ただし、スパッタパワー、スパッタガス流量によっては、第2干渉層を製膜した際にＳｉターゲット表面にＳｉの酸化物が生成されるため、Ａｒガスと窒素ガスのみを使用した場合においてもＳｉＯＮ等の窒素酸化物が製膜される場合がある。純粋なＳｉ３Ｎ４を製膜する必要がある場合は、第2干渉層製膜後に一定時間、Ａｒガスのみによるスパッタを行いターゲット表面の酸化物を取り除けば良い。
また、酸素遮断層を製膜する際に窒素ガスを使用した場合、酸素遮断層製膜後にターゲット正面が窒化される場合がある。この場合、次のキャリア上の基板には窒素酸化物の第2干渉層が製膜されることがある。純粋なＳｉＯ３を製膜する必要がある場合は、酸素遮断層製膜後に一定時間、Ａｒガスのみによるスパッタを行いターゲット表面の窒化物を取り除けば良い。
また、酸素遮断層を製膜する際に、Ａｒガスのみをチャンバー９−７内に導入した場合、基板９−１上にＳｉが製膜される。ただし、スパッタパワー、スパッタガス流量によっては、第2干渉層を製膜した際にＳｉターゲット表面にＳｉの酸化物が生成されるため、Ａｒガスのみを使用した場合においてもＳｉＯ等の不飽和酸化物が製膜される場合がある。
以上のように同一のターゲットを使用して第2干渉層と酸素遮断層の両方を製膜した後、スパッタ電源９−１０からの電気の供給を停止する。また、各マスフローコントローラー９−６により、全てのスパッタガスの流量を０にする。次に、キャリアー９−２はチャンバー９−７を離れ、次のチャンバーに向けて搬送される。
＜媒体の製造方法１＞
トラックピッチ０.６１５μｍ、溝深さ６５ｎｍであり、ランドとグルーブの両方に情報を記録するためのアドレス情報が各セクタの先頭部に設けられた厚さ０.６ｍｍのランドグルーブ記録用ポリカーボネート製の基板上に、各薄膜（第１干渉層：(ＺｎＳ)８０ (ＳｉＯ２) ２０（１0０ｎｍ）、第２干渉層：Ａｌ２Ｏ３（３０ｎｍ）、第１界面層：Ｃｒ２Ｏ３（１ｎｍ）、記録層３：Ｇｅ２８Ｓｂ１８Ｔｅ５４（7ｎｍ）、第２界面層：Ｃｒ２Ｏ３（５ｎｍ）、第３干渉層：(ＺｎＳ)８０ (ＳｉＯ２) ２０（４０ｎｍ）、熱緩衝層：Ｃｒ９０（Ｃｒ２Ｏ３）１０（３０ｎｍ）、熱拡散層：Ａｌ９９Ｔｉ１（5０ｎｍ）を製膜した。
この際に使用した各層のスパッタ条件を図１０に示す。上記構造の情報記録媒体を生産する場合、第２干渉層（Ａｌ２Ｏ３）のスパッタレートが０．９５ｎｍ／ｓと小さいため、３０ｎｍの厚さの第２干渉層を製膜するのに、３１．６秒を要する。また、他の層のスパッタレートは比較的大きいため、スパッタ時間が第２干渉層の次に長い第１干渉層でも６．５秒である。したがって、第２干渉層が生産時間短縮の障害となっている。そこで、第２干渉層を２室のチャンバーを使用して試作を行った。この結果、第２干渉層のスパッタ時間は１室あたり１５．８秒になり、１枚あたりの生産時間（いわゆるサイクルタイム）は、搬送に要する時間（2秒）を加えた１７．８秒となった。
なお、基板および各層の屈折率は以下に示した値である。
基板：（１．５８、０．００）
第１干渉層：（２．１６、０．００）
第２干渉層：（１．６５、０．００）
第１界面層：（２．６,−０．０９）
記録層（結晶）：（４．５７、−５．４６）
記録層（アモルファス）：（４．５１、−２．２２）
第２界面層：（２．６、−０．０９）
第３干渉層：（２．１６、０．００）
熱緩衝層：（４．０９、−２．８８）
熱拡散層：（１．８４、−５．７４）
この光ディスクの反射率Ｒ、１０回書換え後の再生信号ジッターJ10、１０００0回書換え後の再生信号ジッターJ10000、加速試験として９０℃中に１００時間保存後の媒体にオーバーライトを行った際に得られる再生信号ジッターJ90を、それぞれ以下に示した。
R：２０．5％
J10：８％
J10000：１０％
J90：１0％
このように、R、J10は良好であったが、J10000、J90はわずかではあるが上昇した。このことは先に示したように、多数回書換え、加速試験によって第２干渉層中の酸素が記録層に拡散し、記録層の結晶化速度が低下していることに起因している。
＜媒体の製造方法２＞
トラックピッチ０.６１５μｍ、溝深さ６５ｎｍであり、ランドとグルーブの両方に情報を記録するためのアドレス情報が各セクタの先頭部に設けられた厚さ０.６ｍｍのランドグルーブ記録用ポリカーボネート製の基板上に、各薄膜（第１干渉層：(ＺｎＳ)８０ (ＳｉＯ２) ２０（１0５ｎｍ）、第２干渉層：ＳｉＯ２（２４ｎｍ）、第１界面層：Ｃｒ２Ｏ３（１ｎｍ）、記録層３：Ｇｅ２８Ｓｂ１８Ｔｅ５４（7ｎｍ）、第２界面層：Ｃｒ２Ｏ３（５ｎｍ）、第３干渉層：(ＺｎＳ)８０ (ＳｉＯ２) ２０（４０ｎｍ）、熱緩衝層：Ｃｒ９０（Ｃｒ２Ｏ３）１０（３０ｎｍ）、熱拡散層：Ａｌ９９Ｔｉ１（5０ｎｍ）を製膜した。
この際に使用した各層のスパッタ条件を図１１に示す。上記構造の情報記録媒体を生産する場合、第２干渉層（ＳｉＯ２）のスパッタレートが２．２ｎｍ／ｓと小さいため、２４ｎｍの厚さの第２干渉層を製膜するのに、１１．０秒を要する。また、他の層のスパッタレートは比較的大きいため、スパッタ時間が第２干渉層の次に長い第１干渉層でも６．８秒である。したがって、第２干渉層が生産時間短縮の障害となっている。そこで、第２干渉層を２室のチャンバーを使用して試作を行った。この結果、第２干渉層のスパッタ時間は１室あたり５．５秒になり、第１干渉層のスパッタ時間がボトルネックとなった。１枚あたりの生産時間（いわゆるサイクルタイム）は、第１干渉層のスパッタ時間に搬送に要する時間（2秒）を加えた８．８秒となった。
なお、基板および各層の屈折率は以下に示した値である。
基板：（１．５８、０．００）
第１干渉層：（２．１６、０．００）
第２干渉層：（１．４６、０．００）
第１界面層：（２．６,−０．０９）
記録層（結晶）：（４．５７、−５．４６）
記録層（アモルファス）：（４．５１、−２．２２）
第２界面層：（２．６、−０．０９）
第３干渉層：（２．１６、０．００）
熱緩衝層：（４．０９、−２．８８）
熱拡散層：（１．８４、−５．７４）
この光ディスクの反射率Ｒ、１０回書換え後の再生信号ジッターJ10、１０００0回書換え後の再生信号ジッターJ10000、加速試験として９０℃中に１００時間保存後の媒体にオーバーライトを行った際に得られる再生信号ジッターJ90を、それぞれ以下に示した。
R：２０．1％
J10：７．７％
J10000：１０．５％
J90：１0．５％
このように、R、J10は良好であったが、J10000、J90はわずかではあるが上昇した。このことは先に示したように、多数回書換え、加速試験によって第２干渉層中の酸素が記録層に拡散し、記録層の結晶化速度が低下していることに起因している。
＜媒体の製造方法３＞
トラックピッチ０.６１５μｍ、溝深さ６５ｎｍであり、ランドとグルーブの両方に情報を記録するためのアドレス情報が各セクタの先頭部に設けられた厚さ０.６ｍｍのランドグルーブ記録用ポリカーボネート製の基板上に、各薄膜（第１干渉層：(ＺｎＳ)８０ (ＳｉＯ２) ２０（１1０ｎｍ）、第２干渉層：Ａｌ２Ｏ３（３０ｎｍ）、第１界面層：Ｃｒ２Ｏ３（１ｎｍ）、記録層３：Ｇｅ２８Ｓｂ１８Ｔｅ５４（7ｎｍ）、第２界面層：Ｃｒ２Ｏ３（５ｎｍ）、第３干渉層：(ＺｎＳ)８０ (ＳｉＯ２) ２０（４０ｎｍ）、熱緩衝層：Ｃｒ９０（Ｃｒ２Ｏ３）１０（３０ｎｍ）、熱拡散層：Ａｌ９９Ｔｉ１（5０ｎｍ）を製膜した。
この際に使用した各層のスパッタ条件を図１２に示す。試作例１との違いは、第２干渉層を製膜するためにAlとＡｒ＋O２の反応性スパッタリングによりＡｌ２Ｏ３を製膜しているという点である。この結果、スパッタ電源としてＤＣ電源を使用できるようになるため、スパッタレートが大幅に向上した。この場合、第２干渉層に要するスパッタ時間は４．５秒となり、最もスパッタ時間が長くなる層は第１干渉層となった（７．０秒）。そこで、第１干渉層を２室のチャンバーを使用して試作を行った。この結果、第１干渉層のスパッタ時間は１室あたり３．５秒になり、第２干渉層のスパッタ時間がボトルネックとなった。１枚あたりの生産時間（いわゆるサイクルタイム）は、第２干渉層のスパッタ時間に搬送に要する時間（2秒）を加えた６．５秒となった。
なお、基板および各層の屈折率は以下に示した値である。
基板：（１．５８、０．００）
第１干渉層：（２．１６、０．００）
第２干渉層：（１．７０、−０．０１）
第１界面層：（２．６,−０．０９）
記録層（結晶）：（４．５７、−５．４６）
記録層（アモルファス）：（４．５１、−２．２２）
第２界面層：（２．６、−０．０９）
第３干渉層：（２．１６、０．００）
熱緩衝層：（４．０９、−２．８８）
熱拡散層：（１．８４、−５．７４）
この光ディスクの反射率Ｒ、１０回書換え後の再生信号ジッターJ10、１０００0回書換え後の再生信号ジッターJ10000、加速試験として９０℃中に１００時間保存後の媒体にオーバーライトを行った際に得られる再生信号ジッターJ90を、それぞれ以下に示した。
R：１８．1％
J10：８．７％
J10000：１２．５％
J90：１３．５％
このように、Rは良好であったが、J10はわずかではあるが上昇した、また、J10000、J90は大幅に上昇した。このことは先に示したように、反応性スパッタリングにより第１干渉層を製膜した場合、多数回書換え、加速試験によって第２干渉層中の酸素が記録層に拡散し、記録層の結晶化速度が低下していることに起因している。
＜媒体の製造方法４＞
トラックピッチ０.６１５μｍ、溝深さ６５ｎｍであり、ランドとグルーブの両方に情報を記録するためのアドレス情報が各セクタの先頭部に設けられた厚さ０.６ｍｍのランドグルーブ記録用ポリカーボネート製の基板上に、各薄膜（第１干渉層：(ＺｎＳ)８０ (ＳｉＯ２) ２０（１1０ｎｍ）、第２干渉層：ＳｉＯ２（２４ｎｍ）、第１界面層：Ｃｒ２Ｏ３（１ｎｍ）、記録層３：Ｇｅ２８Ｓｂ１８Ｔｅ５４（7ｎｍ）、第２界面層：Ｃｒ２Ｏ３（５ｎｍ）、第３干渉層：(ＺｎＳ)８０ (ＳｉＯ２) ２０（４０ｎｍ）、熱緩衝層：Ｃｒ９０（Ｃｒ２Ｏ３）１０（３０ｎｍ）、熱拡散層：Ａｌ９９Ｔｉ１（5０ｎｍ）を製膜した。
この際に使用した各層のスパッタ条件を図１３に示す。試作例２との違いは、第２干渉層を製膜するためにＳｉとＡｒ＋O２の反応性スパッタリングによりＳｉＯ２を製膜しているという点である。この結果、スパッタ電源としてＤＣ電源を使用できるようになるため、スパッタレートが大幅に向上した。この場合、第２干渉層に要するスパッタ時間は４．４秒となり、最もスパッタ時間が長くなる層は第１干渉層となった（７．０秒）。そこで、第１干渉層を２室のチャンバーを使用して試作を行った。この結果、第１干渉層のスパッタ時間は１室あたり３．５秒になり、第２干渉層のスパッタ時間がボトルネックとなった。１枚あたりの生産時間（いわゆるサイクルタイム）は、第２干渉層のスパッタ時間に搬送に要する時間（2秒）を加えた６．4秒となった。
なお、基板および各層の屈折率は以下に示した値である。
基板：（１．５８、０．００）
第１干渉層：（２．１６、０．００）
第２干渉層：（１．７１、−０．０１）
第１界面層：（２．６,−０．０９）
記録層（結晶）：（４．５７、−５．４６）
記録層（アモルファス）：（４．５１、−２．２２）
第２界面層：（２．６、−０．０９）
第３干渉層：（２．１６、０．００）
熱緩衝層：（４．０９、−２．８８）
熱拡散層：（１．８４、−５．７４）
この光ディスクの反射率Ｒ、１０回書換え後の再生信号ジッターJ10、１０００0回書換え後の再生信号ジッターJ10000、加速試験として９０℃中に１００時間保存後の媒体にオーバーライトを行った際に得られる再生信号ジッターJ90を、それぞれ以下に示した。
R：１８．４％
J10：８．５％
J10000：１２．２％
J90：１３．0％
このように、Rは良好であったが、J10はわずかではあるが上昇した、また、J10000、J90は大幅に上昇した。このことは先に示したように、反応性スパッタリングにより第１干渉層を製膜した場合、多数回書換え、加速試験によって第２干渉層中の酸素が記録層に拡散し、記録層の結晶化速度が低下していることに起因している。
＜媒体の製造方法５＞
トラックピッチ０.６１５μｍ、溝深さ６５ｎｍであり、ランドとグルーブの両方に情報を記録するためのアドレス情報が各セクタの先頭部に設けられた厚さ０.６ｍｍのランドグルーブ記録用ポリカーボネート製の基板上に、各薄膜（第１干渉層：(ＺｎＳ)８０ (ＳｉＯ２) ２０（１1０ｎｍ）、第２干渉層：ＳｉＯ２（２２ｎｍ）、酸素遮断層：Ｓｉ３Ｎ４（5ｎｍ）、第１界面層：Ｃｒ２Ｏ３（１ｎｍ）、記録層３：Ｇｅ２８Ｓｂ１８Ｔｅ５４（7ｎｍ）、第２界面層：Ｃｒ２Ｏ３（５ｎｍ）、第３干渉層：(ＺｎＳ)８０ (ＳｉＯ２) ２０（４０ｎｍ）、熱緩衝層：Ｃｒ９０（Ｃｒ２Ｏ３）１０（３０ｎｍ）、熱拡散層：Ａｌ９９Ｔｉ１（5０ｎｍ）を製膜した。
この際に使用した各層のスパッタ条件を図１４に示す。試作例４との違いは、第２干渉層を製膜するためにＳｉとＡｒ＋O２の反応性スパッタリングによりＳｉＯ２を製膜し、その後、スパッタガスをＡｒ＋Ｎ２に変更することにより、酸素遮断層Ｓｉ３Ｎ４を得ているという点である。この結果、スパッタレートが大幅に向上した。この場合、第２干渉層に要するスパッタ時間は４．７秒となり、最もスパッタ時間が長くなる層は第１干渉層となった（７．０秒）。そこで、第１干渉層を２室のチャンバーを使用して試作を行った。この結果、第１干渉層のスパッタ時間は１室あたり３．５秒になり、第２干渉層のスパッタ時間がボトルネックとなった。１枚あたりの生産時間（いわゆるサイクルタイム）は、第２干渉層のスパッタ時間に搬送に要する時間（2秒）を加えた６．７秒となった。
なお、基板および各層の屈折率は以下に示した値である。
基板：（１．５８、０．００）
第１干渉層：（２．１６、０．００）
第２干渉層：（１．5０、−０．０１）
酸素遮断層：（２．１、−０．０２）
第１界面層：（２．６,−０．０９）
記録層（結晶）：（４．５７、−５．４６）
記録層（アモルファス）：（４．５１、−２．２２）
第２界面層：（２．６、−０．０９）
第３干渉層：（２．１６、０．００）
熱緩衝層：（４．０９、−２．８８）
熱拡散層：（１．８４、−５．７４）
この光ディスクの反射率Ｒ、１０回書換え後の再生信号ジッターJ10、１０００0回書換え後の再生信号ジッターJ10000、加速試験として９０℃中に１００時間保存後の媒体にオーバーライトを行った際に得られる再生信号ジッターJ90を、それぞれ以下に示した。
R：１８．１％
J10：７．７％
J10000：９．２％
J90：9．0％
このように、Rは良好であり、J10、J10000、J90ともに１０％以下のジッターが得られた。このことは、先に示したように、反応性スパッタリングにより第１干渉層を製膜した場合、多数回書換え、加速試験によって第２干渉層中の酸素が記録層に拡散し、記録層の結晶化速度が低下するが、第２干渉層と第１界面層の間に酸素遮断層を設けることにより、第２干渉層からの酸素の拡散を抑制することが可能となるため、多数回書換え後、および、加速試験後のジッターが向上することを示している。
さらに、上記情報記録媒体と、基板の溝深さ以外は同じ構造のディスクを試作し、クロスイレーズの有無を測定し以下に示した。
溝深さ（ｎｍ） クロスイレーズの有無
２０                   あり
２５                   あり
４０                   なし
６５                   なし
７６                   なし
この結果からも明らかなように、第１干渉層と記録膜の間の距離（第２干渉層と酸素遮断層と第１界面層の膜厚の和に相当：２８ｎｍ）が溝深さよりも小さい場合、クロスイレーズが発生するが、第１干渉層と記録膜の間の距離が溝深さ以上の場合、クロスイレーズを発生させない。
＜媒体の製造方法６＞
トラックピッチ０.６１５μｍ、溝深さ６５ｎｍであり、ランドとグルーブの両方に情報を記録するためのアドレス情報が各セクタの先頭部に設けられた厚さ０.６ｍｍのランドグルーブ記録用ポリカーボネート製の基板上に、各薄膜（第１干渉層：(ＺｎＳ)８０ (ＳｉＯ２) ２０（１1０ｎｍ）、第２干渉層：ＳｉＯ２（２２ｎｍ）、酸素遮断層：Ｓｉ３Ｎ４（5ｎｍ）、第１界面層：ＳｎＴｅＮ（２ｎｍ）、記録層３：Ｇｅ２８Ｓｂ１８Ｔｅ５４（7ｎｍ）、第２界面層：Ｃｒ２Ｏ３（５ｎｍ）、第３干渉層：(ＺｎＳ)８０ (ＳｉＯ２) ２０（４０ｎｍ）、熱緩衝層：Ｃｒ９０（Ｃｒ２Ｏ３）１０（１５ｎｍ）、熱拡散層：Ａｌ９９Ｔｉ１（5０ｎｍ）を製膜した。
この際に使用した各層のスパッタ条件を図１５に示す。試作例５との違いは、第１界面層として、Ｃｒ２Ｏ３の代わりにＳｎＴｅＮを使用していることである。なお、基板および各層の屈折率は以下に示した値である。
基板：（１．５８、０．００）
第１干渉層：（２．１６、０．００）
第２干渉層：（１．5０、−０．０１）
酸素遮断層：（２．１、−０．０２）
第１界面層：（4．4,−２．１）
記録層（結晶）：（４．５７、−５．４６）
記録層（アモルファス）：（４．５１、−２．２２）
第２界面層：（２．６、−０．０９）
第３干渉層：（２．１６、０．００）
熱緩衝層：（４．０９、−２．８８）
熱拡散層：（１．８４、−５．７４）
この光ディスクの反射率Ｒ、１０回書換え後の再生信号ジッターJ10、１０００0回書換え後の再生信号ジッターJ10000、加速試験として９０℃中に１００時間保存後の媒体にオーバーライトを行った際に得られる再生信号ジッターJ90を、それぞれ以下に示した。
R：１９．１％
J10：７．５％
J10000：８．２％
J90：８．0％
このように、Rは良好であり、J10、J10000、J90ともに１０％以下のジッターが得られた。このことは、先に示したように、反応性スパッタリングにより第１干渉層を製膜した場合、多数回書換え、加速試験によって第２干渉層中の酸素が記録層に拡散し、記録層の結晶化速度が低下するが、第２干渉層と第１界面層の間に酸素遮断層を設けることにより、第２干渉層からの酸素の拡散を抑制することが可能となるため、多数回書換え後、および、加速試験後のジッターが向上することを示している。
＜媒体の製造方法７＞
トラックピッチ０.６１５μｍ、溝深さ６５ｎｍであり、ランドとグルーブの両方に情報を記録するためのアドレス情報が各セクタの先頭部に設けられた厚さ０.６ｍｍのランドグルーブ記録用ポリカーボネート製の基板上に、各薄膜（第１干渉層：(ＺｎＳ)８０ (ＳｉＯ２) ２０（１1０ｎｍ）、第２干渉層：Ａｌ２Ｏ３（２５ｎｍ）、酸素遮断層：ＡｌＮ（5ｎｍ）、第１界面層：ＳｎＴｅＮ（２ｎｍ）、記録層３：Ｇｅ２８Ｓｂ１８Ｔｅ５４（7ｎｍ）、第２界面層：Ｃｒ２Ｏ３（５ｎｍ）、第３干渉層：(ＺｎＳ)８０ (ＳｉＯ２) ２０（４０ｎｍ）、熱緩衝層：Ｃｒ９０（Ｃｒ２Ｏ３）１０（１５ｎｍ）、熱拡散層：Ａｌ９９Ｔｉ１（5０ｎｍ）を製膜した。
この際に使用した各層のスパッタ条件を図１６に示す。試作例６との違いは、第２干渉層を製膜するためにＡｌとＡｒ＋O２の反応性スパッタリングによりＡｌ２Ｏ３を製膜し、その後、スパッタガスをＡｒ＋Ｎ２に変更することにより、酸素遮断層ＡｌＮを得ているという点である。
なお、基板および各層の屈折率は以下に示した値である。
基板：（１．５８、０．００）
第１干渉層：（２．１６、０．００）
第２干渉層：（１．７０、−０．０１）
酸素遮断層：（２．０、−０．０２）
第１界面層：（4．4,−２．１）
記録層（結晶）：（４．５７、−５．４６）
記録層（アモルファス）：（４．５１、−２．２２）
第２界面層：（２．６、−０．０９）
第３干渉層：（２．１６、０．００）
熱緩衝層：（４．０９、−２．８８）
熱拡散層：（１．８４、−５．７４）
この光ディスクの反射率Ｒ、１０回書換え後の再生信号ジッターJ10、１０００0回書換え後の再生信号ジッターJ10000、加速試験として９０℃中に１００時間保存後の媒体にオーバーライトを行った際に得られる再生信号ジッターJ90を、それぞれ以下に示した。
R：１７．１％
J10：７．９％
J10000：８．９％
J90：８．９％
このように、Rは良好であり、J10、J10000、J90ともに１０％以下のジッターが得られた。このことは、先に示したように、反応性スパッタリングにより第１干渉層を製膜した場合、多数回書換え、加速試験によって第２干渉層中の酸素が記録層に拡散し、記録層の結晶化速度が低下するが、第２干渉層と第１界面層の間に酸素遮断層を設けることにより、第２干渉層からの酸素の拡散を抑制することが可能となるため、多数回書換え後、および、加速試験後のジッターが向上することを示している。
＜媒体の製造方法８＞
トラックピッチ０.６１５μｍ、溝深さ６５ｎｍであり、ランドとグルーブの両方に情報を記録するためのアドレス情報が各セクタの先頭部に設けられた厚さ０.６ｍｍのランドグルーブ記録用ポリカーボネート製の基板上に、各薄膜（第１干渉層：(ＺｎＳ)８０ (ＳｉＯ２) ２０（１1０ｎｍ）、第２干渉層：Ａｌ２ＳｉＯ５（２５ｎｍ）、酸素遮断層：ＡｌＳｉ３Ｎ５（5ｎｍ）、第１界面層：ＳｎＴｅＮ（２ｎｍ）、記録層３：Ｇｅ２８Ｓｂ１８Ｔｅ５４（7ｎｍ）、第２界面層：Ｃｒ２Ｏ３（５ｎｍ）、第３干渉層：(ＺｎＳ)８０ (ＳｉＯ２) ２０（４０ｎｍ）、熱緩衝層：Ｃｒ９０（Ｃｒ２Ｏ３）１０（１５ｎｍ）、熱拡散層：Ａｌ９９Ｔｉ１（5０ｎｍ）を製膜した。
この際に使用した各層のスパッタ条件を図１７に示す。試作例７との違いは、第２干渉層を製膜するためにＡｌ５０Ｓｉ５０とＡｒ＋O２の反応性スパッタリングによりＡｌ２ＳｉＯ５を製膜し、その後、スパッタガスをＡｒ＋Ｎ２に変更することにより、酸素遮断層ＡｌＳｉ３Ｎ５を得ているという点である。
なお、基板および各層の屈折率は以下に示した値である。
基板：（１．５８、０．００）
第１干渉層：（２．１６、０．００）
第２干渉層：（１．６５、−０．０１）
酸素遮断層：（２．２、−０．０２）
第１界面層：（4．4,−２．１）
記録層（結晶）：（４．５７、−５．４６）
記録層（アモルファス）：（４．５１、−２．２２）
第２界面層：（２．６、−０．０９）
第３干渉層：（２．１６、０．００）
熱緩衝層：（４．０９、−２．８８）
熱拡散層：（１．８４、−５．７４）
この光ディスクの反射率Ｒ、１０回書換え後の再生信号ジッターJ10、１０００0回書換え後の再生信号ジッターJ10000、加速試験として９０℃中に１００時間保存後の媒体にオーバーライトを行った際に得られる再生信号ジッターJ90を、それぞれ以下に示した。
R：１8．１％
J10：８．0％
J10000：８．２％
J90：８．２％
このように、Rは良好であり、J10、J10000、J90ともに１０％以下のジッターが得られた。このことは、先に示したように、反応性スパッタリングにより第１干渉層を製膜した場合、多数回書換え、加速試験によって第２干渉層中の酸素が記録層に拡散し、記録層の結晶化速度が低下するが、第２干渉層と第１界面層の間に酸素遮断層を設けることにより、第２干渉層からの酸素の拡散を抑制することが可能となるため、多数回書換え後、および、加速試験後のジッターが向上することを示している。
＜媒体の製造方法９＞
トラックピッチ０.６１５μｍ、溝深さ６５ｎｍであり、ランドとグルーブの両方に情報を記録するためのアドレス情報が各セクタの先頭部に設けられた厚さ０.６ｍｍのランドグルーブ記録用ポリカーボネート製の基板上に、各薄膜（第１干渉層：(ＺｎＳ)８０ (ＳｉＯ２) ２０（１1０ｎｍ）、第２干渉層：ＭｇＳｉＯ３（２５ｎｍ）、酸素遮断層：ＭｇＳｉＯ２（5ｎｍ）、第１界面層：ＳｎＴｅＮ（２ｎｍ）、記録層３：Ｇｅ２８Ｓｂ１８Ｔｅ５４（7ｎｍ）、第２界面層：Ｃｒ２Ｏ３（５ｎｍ）、第３干渉層：(ＺｎＳ)８０ (ＳｉＯ２) ２０（４０ｎｍ）、熱緩衝層：Ｃｒ９０（Ｃｒ２Ｏ３）１０（１５ｎｍ）、熱拡散層：Ａｌ９９Ｔｉ１（5０ｎｍ）を製膜した。
この際に使用した各層のスパッタ条件を図１８に示す。試作例８との違いは、第２干渉層を製膜するためにＭｇ２ＳｉとＡｒ＋O２の反応性スパッタリングによりＭｇＳｉＯ３を製膜し、その後、スパッタガスを酸素含有量の低いＡｒ＋O２に変更することにより、酸素遮断層ＭｇＳｉＯ２（不飽和酸化物）を得ているという点である。
なお、基板および各層の屈折率は以下に示した値である。
基板：（１．５８、０．００）
第１干渉層：（２．１６、０．００）
第２干渉層：（１．７２、−０．０１）
酸素遮断層：（２．３、−０．０8）
第１界面層：（4．4,−２．１）
記録層（結晶）：（４．５７、−５．４６）
記録層（アモルファス）：（４．５１、−２．２２）
第２界面層：（２．６、−０．０９）
第３干渉層：（２．１６、０．００）
熱緩衝層：（４．０９、−２．８８）
熱拡散層：（１．８４、−５．７４）
この光ディスクの反射率Ｒ、１０回書換え後の再生信号ジッターJ10、１０００0回書換え後の再生信号ジッターJ10000、加速試験として９０℃中に１００時間保存後の媒体にオーバーライトを行った際に得られる再生信号ジッターJ90を、それぞれ以下に示した。
R：１６．１％
J10：７．５％
J10000：９．２％
J90：８．８％
このように、Rはやや低いが、J10、J10000、J90ともに１０％以下のジッターが得られた。このことは、先に示したように、反応性スパッタリングにより第１干渉層を製膜した場合、多数回書換え、加速試験によって第２干渉層中の酸素が記録層に拡散し、記録層の結晶化速度が低下するが、第２干渉層と第１界面層の間に酸素遮断層を設けることにより、第２干渉層からの酸素の拡散を抑制することが可能となるため、多数回書換え後、および、加速試験後のジッターが向上することを示している。
＜媒体の製造方法１０＞
トラックピッチ０.６１５μｍ、溝深さ６５ｎｍであり、ランドとグルーブの両方に情報を記録するためのアドレス情報が各セクタの先頭部に設けられた厚さ０.６ｍｍのランドグルーブ記録用ポリカーボネート製の基板上に、各薄膜（第１干渉層：(ＺｎＳ)８０ (ＳｉＯ２) ２０（１1０ｎｍ）、第２干渉層：ＳｉＯ２（２２ｎｍ）、酸素遮断層：ＳｉＯＮ（２ｎｍ）、第１界面層：Ｃｒ２Ｏ３（１．５ｎｍ）、記録層３：Ｇｅ２８Ｓｂ１８Ｔｅ５４（7ｎｍ）、第２界面層：Ｃｒ２Ｏ３（５ｎｍ）、第３干渉層：(ＺｎＳ)８０ (ＳｉＯ２) ２０（４０ｎｍ）、熱緩衝層：Ｃｒ９０（Ｃｒ２Ｏ３）１０（３０ｎｍ）、熱拡散層：Ａｌ９９Ｔｉ１（5０ｎｍ）を製膜した。
この際に使用した各層のスパッタ条件を図１９に示す。試作例９との違いは、第２干渉層を製膜するためにＳｉＯとＡｒ＋O２の反応性スパッタリングによりＳｉＯ２を製膜し、その後、スパッタガスをＡｒに変更することにより、酸素遮断層ＳｉＯ（不飽和酸化物）を得ているという点である。
なお、基板および各層の屈折率は以下に示した値である。
基板：（１．５８、０．００）
第１干渉層：（２．１６、０．００）
第２干渉層：（１．４８、−０．０0）
酸素遮断層：（２．１、−０．０３）
第１界面層：（２．６、−０．０９）
記録層（結晶）：（４．５７、−５．４６）
記録層（アモルファス）：（４．５１、−２．２２）
第２界面層：（２．６、−０．０９）
第３干渉層：（２．１６、０．００）
熱緩衝層：（４．０９、−２．８８）
熱拡散層：（１．８４、−５．７４）
この光ディスクの反射率Ｒ、１０回書換え後の再生信号ジッターJ10、１０００0回書換え後の再生信号ジッターJ10000、加速試験として９０℃中に１００時間保存後の媒体にオーバーライトを行った際に得られる再生信号ジッターJ90を、それぞれ以下に示した。
R：１９．１％
J10：７．９％
J10000：９．７％
J90：８．５％
このように、Rは良好であり、J10、J10000、J90ともに１０％以下のジッターが得られた。このことは、先に示したように、反応性スパッタリングにより第１干渉層を製膜した場合、多数回書換え、加速試験によって第２干渉層中の酸素が記録層に拡散し、記録層の結晶化速度が低下するが、第２干渉層と第１界面層の間に酸素遮断層を設けることにより、第２干渉層からの酸素の拡散を抑制することが可能となるため、多数回書換え後、および、加速試験後のジッターが向上することを示している。
＜媒体の製造方法１１＞
トラックピッチ０.６１５μｍ、溝深さ６５ｎｍであり、ランドとグルーブの両方に情報を記録するためのアドレス情報が各セクタの先頭部に設けられた厚さ０.６ｍｍのランドグルーブ記録用ポリカーボネート製の基板上に、各薄膜（第１干渉層：(ＺｎＳ)８０ (ＳｉＯ２) ２０（１1０ｎｍ）、第２干渉層：ＳｉＯ２（２２ｎｍ）、酸素遮断層：Ｓｉ２Ｏ２Ｎ（５ｎｍ）、第１界面層：Ｃｒ２Ｏ３（１．５ｎｍ）、記録層３：Ｇｅ２８Ｓｂ１８Ｔｅ５４（7ｎｍ）、第２界面層：Ｃｒ２Ｏ３（５ｎｍ）、第３干渉層：(ＺｎＳ)８０ (ＳｉＯ２) ２０（４０ｎｍ）、熱緩衝層：Ｃｒ９０（Ｃｒ２Ｏ３）１０（３０ｎｍ）、熱拡散層：Ａｌ９９Ｔｉ１（5０ｎｍ）を製膜した。
この際に使用した各層のスパッタ条件を図２０に示す。試作例１０との違いは、第２干渉層を製膜するためにＳｉＯとＡｒ＋O２の反応性スパッタリングによりＳｉＯ２を製膜し、その後、スパッタガスをＡｒ＋Ｎ２に変更することにより、酸素遮断層Ｓｉ２Ｏ２Ｎ（不飽和酸化物）を得ているという点である。
なお、基板および各層の屈折率は以下に示した値である。
基板：（１．５８、０．００）
第１干渉層：（２．１６、０．００）
第２干渉層：（１．４８、−０．０0）
酸素遮断層：（２．３、−０．０２）
第１界面層：（２．６、−０．０９）
記録層（結晶）：（４．５７、−５．４６）
記録層（アモルファス）：（４．５１、−２．２２）
第２界面層：（２．６、−０．０９）
第３干渉層：（２．１６、０．００）
熱緩衝層：（４．０９、−２．８８）
熱拡散層：（１．８４、−５．７４）
この光ディスクの反射率Ｒ、１０回書換え後の再生信号ジッターJ10、１０００0回書換え後の再生信号ジッターJ10000、加速試験として９０℃中に１００時間保存後の媒体にオーバーライトを行った際に得られる再生信号ジッターJ90を、それぞれ以下に示した。
R：１９．５％
J10：７．７％
J10000：９．５％
J90：８．３％
このように、Rは良好であり、J10、J10000、J90ともに１０％以下のジッターが得られた。このことは、先に示したように、反応性スパッタリングにより第１干渉層を製膜した場合、多数回書換え、加速試験によって第２干渉層中の酸素が記録層に拡散し、記録層の結晶化速度が低下するが、第２干渉層と第１界面層の間に酸素遮断層を設けることにより、第２干渉層からの酸素の拡散を抑制することが可能となるため、多数回書換え後、および、加速試験後のジッターが向上することを示している。
【００２１】
以上の例では第２干渉層を製膜する際にはＡｒ＋Ｏ２ガスにより製膜を行うことにより、低屈折率酸化物を得、酸素遮断層を製膜する際には、スパッタガス種をＡｒ＋Ｎ２に変更し、第２干渉層と比較して、酸素含有量の低い窒化物を得た。しかしながら、以上のようなプロセスを繰り返すと、意図せずに第２干渉層に窒素が混入し、また、酸素遮断層に酸素が混入する場合がある。
すなわち、たとえば第２干渉層を製膜するため、ＳｉターゲットをＡｒ＋Ｏ２ガスによりスパッタリングした場合、ＳｉＯ２が製膜される。次に、スパッタガス種をＡｒ＋Ｎ２に変更しても、速やかにＳｉ３Ｎ４は製膜されずに、Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系の窒素酸化物が製膜される。これは、ＳｉＯ２製膜時にＳｉターゲット表面にＳｉＯ２が生成し、たとえ、スパッタガス種をＡｒ＋Ｎ２に変更したとしても、Ｓｉターゲット表面中のＳｉＯ２がスパッタリングされるためである。この結果、純粋な窒化物と比較して、記録層に酸素が拡散しやすくなるが、酸素遮断層の膜圧が５ｎｍ程度あれば、第１界面層と酸素遮断層の界面付近では充分に酸素量が低下しているため特に大きな問題とはならない。
また、Ａｒ−Ｎ２スパッタガスにより酸素遮断層を製膜した場合、Ｓｉターゲット表面に、第２界面層の場合と同様に、Ｓｉ３Ｎ４が生成する。したがって、次の基板上に第２干渉層を製膜する際にＳｉＯ２が製膜されずに、Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系の窒素酸化物が製膜される。この結果、第２干渉層の屈折率がＳｉＯ２よりも大きくなるという問題が発生するがＳｉ，Ａｌ，Ｍｇ等の低屈折率酸化物を生成させやすい材料を使用すれば、特に問題とはならない。
＜各層の最適組成および最適膜厚＞
最後に、本発明の情報記録媒体に使用される、各層の最適組成、および最適膜厚について説明する。
（第１干渉層）
通常、第１干渉層の光入射側に存在する物質はポリカーボネート等のプラスチック基板、あるいは、紫外線硬化樹脂等の有機物である。また、これらの屈折率は１．４から１．６程度である。上記有機物と第１干渉層の間で反射を効果的に起こすためには第１干渉層の屈折率は２．０以上であることが望ましい。
第1干渉層は光学的には屈折率が光入射側に存在する物質（本実施例では基板に相当する）以上であり、光の吸収が発生しない範囲において屈折率が大きいほうが良い。具体的には屈折率ｎが２．０〜３．０の間であり、光を吸収しない材料であり、特に金属の酸化物、炭化物、窒化物、硫化物、セレン化物を含有することが望ましい。また、熱伝導率が少なくとも２Ｗ／ｍｋ以下である事が望ましい。特にＺｎＳ−ＳｉＯ２系の化合物は熱伝導率が低く第１干渉層として最適である。
（第２干渉層）
第２干渉層の屈折率は少なくとも第１干渉層の屈折率以下であり、２．０以下、望ましくは１．８以下であることが要求される。
特に、第２干渉層に使用される材料としてはＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＭｇＯ等の低屈折率材料が適している。あるいはこれらの混合材料でも良い。発明者等が測定したＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＭｇＯの屈折率はそれぞれ１．６５、１．４６、１．７３であった。また、混合物の屈折率は混合比に比例して変化し、いずれも１．８以下であった。通常、Ａｌ、Ｓｉ、Ｍｇのいずれかの元素の酸化物が含有されている場合、これらの酸化物の含有量に比例して屈折率が低下する。したがって、第２干渉層に含有されるＡｌ、Ｓｉ、Ｍｇの酸化物の、含有量の和が、第１干渉層に含有される上記酸化物の含有量の和よりも、大きいことが要求される。
第2干渉層に要求される特性は屈折率が第1干渉層以下であり、熱的、化学的に安定であることである。このような材料はＡｌ、Ｓｉ、Ｍｇのいずれかの酸化物が含まれており、特に第２干渉層中のＯ、Ｎ、Ｃ、Ｓの組成比の和をＸとした場合、Ｏの組成比がＸの５０%以上であり、Ａｌ、Ｓｉ、Ｍｇの組成比の和が１―Ｘの７０％以上であることが重要である。Ｏの組成比がＸの５０％以下である場合、 あるいはＡｌ，Ｓｉ、Ｍｇの組成比が１−Ｘの５０以下の場合、屈折率が大きくなる傾向があり、本発明の効果が発現しにくくなるからである。
（酸素遮断層）
酸素遮断層は、すでに述べたように第２干渉層中の酸素の拡散を抑えるため存在し、酸素の含有量が第２干渉層よりも少なく、しかも、少なくとも融点が記録膜よりも高い、高融点誘電体が適している。たとえば、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ，Ｍｇ３Ｎ２、あるいは、Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ、Ｍｇ−Ｓｉ−Ｎ、Ｍｇ−Ａｌ−Ｎ等の、上記化合物の混合物でも良い。また、たとえば、酸素含有量が小さければ、たとえ、酸素が含有されていても酸素遮断効果を発揮する。たとえば、Ｓｉ−Ｏ、Ａｌ−Ｏ、Ｍｇ−Ｏ系材料で、それぞれＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯよりも含有酸素量の少ない不飽和酸化物でも良い。また、Ｓｉ−Ｏ−Ｎ，Ａｌ−Ｏ−Ｎ，Ｍｇ−Ｏ−Ｎ系材料で、含有酸素量が、それぞれＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯよりも少ない窒素酸化物でもかまわない。また、酸素遮断層をＳｉ３Ｎ４とした場合の酸素遮断層の膜厚と、反射率および加速試験によるジッター上昇量（書換え１０回後の再生信号ジッターと９０℃中に１００時間保存後の媒体にオーバーライトを行った際に得られる再生信号ジッターの差）の関係を図２１に示した。酸素遮断層の膜厚が２ｎｍより薄い場合、急激に加速試験によるジッター上昇量が大きくなるが、２ｎｍ以上の場合、上記ジッター上昇量は１．５％以下と良好であった。また、酸素遮断層の膜厚が１５ｎｍより厚い場合、反射率が目標の１７％より低くなり、問題であったが、酸素遮断層の膜厚が１５ｎｍ以下の場合、反射率が目標の１７％以上となり問題なかった。このように、酸素遮断層の最適膜厚は2〜１５ｎｍである。
（第１界面層）
第2干渉層は通常吸収が起きにくい化学量論組成の化合物の単体、あるいは混合物が良いがこのような化合物は記録層と隣接させて積層した場合、記録層と第2干渉層との間において膜はがれによる欠陥が生じやすい。このような場合、第2干渉層と記録層との間に密着性を向上させるための第１界面層を設ければ良い。通常、 Ａｌ、Ｓｉ、Ｍｇの酸化物の含有量に応じて記録層と第２干渉層との間において剥離が発生しやすくなる。したがって、第１界面層に含有されるＡｌ、Ｓｉ、Ｍｇの酸化物の、含有量の和は、第２干渉層に含有されるＡｌ、Ｓｉ、Ｍｇの酸化物の、含有量の和よりも小さいことが要求される。また、第１界面層の材料としては、不定比化合物となりやすい遷移金属元素の酸化物、窒化物あるいはこれらの元素の混合物が特に優れている。さらに、Ｓｉ、Ｇｅ等の半導体の酸化物、窒化物も不定比化合物となりやすいため優れている。
具体的にはＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｌａ、Ｃｅ等の酸化物、窒化物あるいはこれらの混合物が適している。特にＣｒ−Ｏ系材料、Ｃｏ２Ｏ３，ＣｏＯなどのＣｏ−Ｏ系材料などの酸化物、Ｔａ―Ｎ系材料，Ａｌ―Ｎ系材料，Ｓｉ−Ｎ系材料、Ａｌ-Ｓｉ−Ｎ系材料（例えばＡｌＳｉＮ２）、Ｇｅ−Ｎ系材料などの窒化物、 ＳｉＣ、ＧｅＣ等の炭化物、また、これらの混合材料でもよい。また、金属のテルル化物、半導体のテルル化物、あるいは、これらのテルル化物の窒化物でも良い。この場合、記録膜の核形成速度向上するため、保存寿命向上、オーバーライト時の消去特性が向上する等の効果が得られる。
【００２２】
また、上記材料は通常光を吸収するため、光学的には良い効果は得られない。しかしながら、膜はがれの抑制、保存寿命の向上、多数回書換え劣化の抑制効果が大きいため第１界面層は存在した方がより実用的である。したがって、第１界面層の膜厚としては上記効果が失われない範囲において薄いほうが良い。発明者等の検討結果によると第１界面層の膜厚は０．５ｎｍ以上であれば十分であった。また、５ｎｍ以上にした場合、反射率低下、信号振幅低下等の弊害が発生しやすくなり、２０ｎｍ以上の場合、反射率低下、信号振幅低下も大きくなり実用的とは言えないレベルとなった。したがって、第１界面層の膜厚としては０．５ｎｍ以上２０ｎ以下、望ましくは０．５ｎｍ以上５ｎｍ以下が適している。
（記録層）
本発明に使用される記録層としては、特に相変化記録材料が適しており、上記実施例において用いたＧｅ２８Ｓｂ１８Ｔｅ５４の代わりの記録層材料としては、Ｇｅが２３〜３３原子％、Ｓｂが１０〜２５原子％、Ｔｅが５０〜６０原子％の範囲にある組成が特に書き換え可能回数の低下が生じにくいことがわかった。また、ＡｇＳｂＴｅ２を１〜７％添加させた場合、多数回書換え時に発生する記録膜流動を抑制する効果がある。
【００２３】
さらに、上記以外のＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５、ＧｅＳｂ２Ｔｅ４、ＧｅＳｂ４Ｔｅ７、Ｉｎ３ＳｂＴｅ２、Ｉｎ３５Ｓｂ３２Ｔｅ３３、Ｉｎ３１Ｓｂ２６Ｔｅ４３、ＧｅＴｅ、Ａｇ-Ｉｎ-Ｓｂ-Ｔｅ、 Ｃｏ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ｖ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ、 Ｎｉ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ｐｔ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ｓｉ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ａｕ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ｃｕ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ｍｏ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ｍｎ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ｆｅ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ｔｉ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ｂｉ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ｗ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ
上記の各記録層組成に窒素を５原子％以下含有させた記録層を使用した場合、再生信号出力が減少するが、多数回書き換え時の記録層流動が抑制されるという長所がある。
記録層膜厚は少なくともランドとグルーブの段差（溝深さ）以下の場合、クロスイレーズ低減効果が大きい。また、記録層膜厚が４〜２０ｎｍの場合、変調度が大きく、記録膜流動が起こりにくく良好である。さらに記録層膜厚が４〜１０ｎｍであれば、さらに良い。記録層の膜厚が４ｎｍより薄い場合、反射率、信号振幅等が著しく低下するが、オーバーライトジッター抑制効果、多数回書換え時の記録膜流動抑制効果は大きかった。また、記録層の膜厚が１０ｎｍより厚い場合、反射率、信号振幅等は良好であったが、オーバーライトジッター上昇、多数回書換え時の記録膜流動等の弊害が顕著に現れた。
なお、本実施例では光ディスクとしてＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｉｎ、Ａｇ、Ｓｎ等を主成分とする相変化記録層に対して記録を行っているが、本発明の基本はレーザービームにより熱が発生し、この熱により記録マークの記録を行う光ディスクにおける記録膜の酸化を防止することであるので、特に相変化光ディスクに限定されるものではなく、Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｄｙ、Ｇｄ等を主成分とする光磁気記録層に対する記録においても効果を発揮する。
（第２界面層）
第２界面層の材料としては、第１界面層と同様に不定比化合物となりやすい遷移金属元素の酸化物、窒化物あるいはこれらの元素の混合物がよい。また、Ｓｉ、Ｇｅ等の半導体の酸化物、窒化物も不定比化合物となりやすいため優れている。
具体的にはＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｌａ、Ｃｅ等の酸化物、窒化物あるいはこれらの混合物が適している。特にＣｒ−Ｏ系材料、Ｃｏ２Ｏ３，ＣｏＯなどのＣｏ−Ｏ系材料などの酸化物、ＴａＮ，ＡｌＮ，Ｓｉ３Ｎ４などのＳｉ−Ｎ系材料、Ａｌ-Ｓｉ−Ｎ系材料（例えばＡｌＳｉＮ２）、Ｇｅ−Ｎ系材料などの窒化物、 ＳｉＣ、ＧｅＣ等の炭化物、また、これらの混合材料でもよい。また、金属のテルル化物、半導体のテルル化物、あるいは、これらのテルル化物の窒化物でも良い。この場合、記録膜の核形成速度向上するため、保存寿命向上、オーバーライト時の消去特性が向上する等の効果が得られる。
【００２４】
また、上記材料は通常光を吸収するため、光学的には良い効果は得られない。しかしながら、膜はがれの抑制、保存寿命の向上、多数回書換え劣化の抑制効果が大きい。第１界面層と第２界面層の違いは記録層との隣接面とは反対側に存在する材料の違いである。第１界面層の場合、記録層との隣接面の反対側の面に第2干渉層が存在するのに対して、第２界面層の場合、記録層との隣接面の反対側の面には第３干渉層が存在する。第2干渉層は上記したように、Ａｌ，Ｓｉ，Ｍｇ等の酸化物を主成分としているため、熱的化学的に極めて安定である。これに対して第３干渉層は上記したようにＺｎＳ等の硫化物が主成分となるため、熱的にも化学的にも不安定である。このような場合、第２界面層が薄すぎる場合、多数回書換え時に第３干渉層中のＳ原子が記録層中に拡散し、反射率低下、結晶化速度低下等の劣化を引き起こす。したがって、第２界面層の膜厚としては上記効果が失われない範囲において薄いほうが良い。発明者等の検討結果によると第２界面層の膜厚は５ｎｍ以上であれば十分であった。また、１０ｎｍ以上にした場合、反射率低下、信号振幅低下等の弊害は発生しやすくなり、２０ｎｍ以上の場合、反射率低下、信号振幅低下も大きくなり実用的とは言えないレベルとなった。したがって、第２界面層の膜厚としては５ｎｍ以上２０ｎｍ以下、望ましくは５ｎｍ以上１０ｎｍ以下が適している。
（第３干渉層）
第３干渉層は光学的には光の吸収しない材料であること、熱的には熱伝導率ができうる限り小さいほうが良い。具体的には屈折率ｎが１．５〜３．０の間であり、光を吸収しない材料であり、特に金属の酸化物、炭化物、窒化物、硫化物、セレン化物を含有することが望ましい。特に、第３干渉層が(ＺｎＳ)８０ (ＳｉＯ２) ２０（モル比率）あるいはＺｎＳとＳｉＯ２の混合比を換えたもの（ＺｎＳが５０〜９５モル％）は特に熱伝導率が著しく低下するため、第３干渉層として最適である。
また、第３干渉層の膜厚は３５〜２００ｎｍ程度が良い。願わくはランドグルーブ間の段差（基板上の溝深さ、レーザー波長の１／７〜１／５程度）以上である方がよい。また、第３干渉層と熱緩衝層の膜厚の和がランドグルーブ間の段差以上でも良い。第３干渉層の膜厚が３５ｎｍ以下の場合、あるいは、第３干渉層と熱緩衝層の膜厚の和がランドグルーブ間の段差以下の場合、記録層に記録した際に発生する熱が熱拡散層を伝熱し、隣接トラックに記録されている記録マークが消去されやすくなる。すなわち、クロスイレーズが発生しやすくなるという問題がおきる。また第３干渉層の膜厚が２００ｎｍ以上の場合、情報記録時の記録層における冷却速度が極めて小さくなるため、アモルファス化しにくくなる（記録マークが形成されにくくなる）という弊害が現れると同時に、生産時に光ディスク面内の第３干渉層の膜厚分布により、ディスク面内の反射率分布が大きくなりすぎる等の問題が発生する。
（熱緩衝層）
熱緩衝層は複素屈折率ｎ、ｋが１．４＜ｎ＜４．５、−３．５＜ｋ＜−０．５の範囲が良く、特に２＜ｎ＜４、−３．０＜ｋ＜−０．５の材料が望ましい。熱緩衝層では光を吸収するため、熱的に安定な材料が好ましく、望ましくは融点が１０００℃以上であることが要求される。
また、第３干渉層に硫化物を添加した場合、特に大きなクロスイレーズ低減効果があったが、熱緩衝層の場合、 ＺｎＳ等の硫化物の含有量が少なくとも第３干渉層に添加される上記硫化物の含有量よりも少ないことが望ましい。融点低下、熱伝導率低下、吸収率低下等の悪影響が現れる場合があるからである。
上記熱緩衝層の組成として、金属と金属酸化物、金属硫化物、金属窒化物、金属炭化物との混合物であることが望ましく、ＣｒとＣｒ２Ｏ３の混合物が特に良好なオーバーライト特性向上効果を示した。特にＣｒが６０〜９５％の場合、本発明に適した熱伝導率、光学定数の材料を得ることができる。具体的には上記金属としてはＡｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、 Ｃｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｖ、Ｃａ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｈ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｔａ、Ｗ、Ｉｒ、Ｐｂ混合物が望ましく、金属酸化物、金属硫化物、金属窒化物、金属炭化物としてはＳｉＯ２，ＳｉＯ，ＴｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ３，ＣｅＯ，Ｌａ２Ｏ３，Ｉｎ２Ｏ３，ＧｅＯ，ＧｅＯ２，ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ２，Ｂｉ２Ｏ３，ＴｅＯ２，ＭＯ２，ＷＯ２，ＷＯ３，Ｓｃ２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ５，ＺｒＯ２が好ましい。この他にＳｉ−Ｏ−Ｎ系材料，Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ系材料、Ｃｒ２Ｏ３，などのＣｒ−Ｏ系材料、Ｃｏ２Ｏ３，ＣｏＯなどのＣｏ−Ｏ系材料などの酸化物、ＴａＮ，ＡｌＮ，Ｓｉ３Ｎ４などのＳｉ−Ｎ系材料、Ａｌ-Ｓｉ−Ｎ系材料（例えばＡｌＳｉＮ２）、Ｇｅ−Ｎ系材料などの窒化物、ＺｎＳ，Ｓｂ２Ｓ３，ＣｄＳ，Ｉｎ２Ｓ３，Ｇａ２Ｓ３，ＧｅＳ，ＳｎＳ２，ＰｂＳ,Ｂｉ２Ｓ３，などの硫化物、 ＳｎＳｅ３，Ｓｂ２Ｓ３，ＣｄＳｅ，ＺｎＳｅ，Ｉｎ２Ｓｅ３，Ｇａ２Ｓｅ３，ＧｅＳｅ，ＧｅＳｅ２，ＳｎＳｅ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ２Ｓｅ３などのセレン化物，あるいは、ＣｅＦ３，ＭｇＦ２，ＣａＦ２などの弗化物、または、上記の材料に近い組成のものを用いた熱緩衝層を用いてもよい。
また、熱緩衝層の膜厚としては１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下が望ましく、２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の場合、特に良好なオーバーライト特性向上効果が現れる。また、第３干渉層、第２界面層、熱緩衝層の膜厚の和が溝深さ以上である場合、クロスイレーズ低減効果が顕著に現れる。
先に説明したように熱緩衝層は光を吸収する性質を有している。このため、記録層が光を吸収して発熱するように熱緩衝層も光を吸収して発熱する。また、熱緩衝層における吸収率は記録層が非晶質状態の場合に、記録層が結晶状態の場合よりも大きくすることが重要である。このように、光学設計することにより、記録層が非晶質状態における記録層での吸収率Ａaを、記録層が結晶状態における記録層での吸収率Ａcよりも小さくする効果が発現する。この効果によりオーバーライト特性を大幅に向上することができる。以上の特性を得るためには熱緩衝層での吸収率を３０〜４０％程度に高める必要がある。また、熱緩衝層における発熱量は、記録層の状態が結晶状態であるか、非晶質状態であるかにより異なる。この結果、記録層から熱拡散層への熱の流れが、記録層の状態により変化することになり、この現象によりオーバーライトによるジッター上昇を抑制することができる。
【００２５】
以上の効果は、熱緩衝層における温度が上昇することにより、記録層から熱拡散層への熱の流れを遮断する効果により発現する。この効果を有効に生かすためには、第３干渉層と熱緩衝層の膜厚の和がランドグルーブ間の段差（基板上の溝深さ、レーザー波長の１／７〜１／５程度）以上である方がよい。第３干渉層と熱緩衝層の膜厚の和がランドグルーブ間の段差以下の場合、記録層に記録した際に発生する熱が熱拡散層を伝熱し、隣接トラックに記録されている記録マークが消去されやすくなる。
（熱拡散層）
熱拡散層としては高反射率、高熱伝導率の金属あるいは合金が良く、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄの総含有量が９０％以上であることが望ましい。また、Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ等の高融点で硬度が大きい材料、および、これらの材料の合金も多数回書換え時の記録層材料の流動による劣化を防止することができ好ましい。特にＡｌを９５％以上含有する熱拡散層とした場合、廉価であり、高ＣＮＲ、高記録感度、多数回書換え耐性に優れ、しかもクロスイレーズ低減効果が極めて大きい情報記録媒体を得ることができる。特に、上記熱拡散層の組成がＡｌを９５％以上含有する場合、廉価でしかも耐食性に優れた情報記録媒体を実現することができる。Ａｌに対する添加元素としてはＣｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｖ、Ｃａ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｈ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｔａ、Ｗ、Ｉｒ、Ｐｂ、ＢおよびＣが耐食性の点において優れているが、添加元素がＣｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｆｅの場合、特に耐食性向上に大きな効果がある。また、上記熱拡散層の膜厚は、３０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下であることが良い。熱拡散層の膜厚が３０ｎｍより薄い場合、記録層において発生した熱が拡散しにくくなるため、特に１０万回程度書換えた際に、記録層が劣化しやすくなり、また、クロスイレーズが発生しやすくなる場合がある。また、光を透過してしまうため反射層として使用することが困難になり再生信号振幅が低下する場合がある。また、熱緩衝層に含まれる金属元素と熱拡散層に含まれる金属元素が同じ場合、生産上は大きな利点がある。すなわち、同一ターゲットを用いて熱緩衝層と熱拡散層の２層の層を製膜することができるからである。つまり、熱緩衝層製膜時にはＡｒ−Ｏ２混合ガス、Ａｒ−Ｎ２混合ガス等の混合ガスによりスパッタリングして、スパッタリング中に金属元素と酸素、あるいは窒素を反応させることにより適当な屈折率の熱緩衝層を作成し、熱拡散層の製膜時にはＡｒガスによりスパッタリングし熱伝導率が高い金属の熱拡散層を作成するのである。
熱拡散層の膜厚は２００ｎｍ以上の場合、生産性が悪く、熱拡散層の内部応力により、基板のそり等が発生し、情報の記録再生を正確に行うことができなくなる場合がある。また、熱拡散層の膜厚は、３０ｎｍ以上９０ｎｍ以下であれば、耐食性、生産性の点で優れており、さらに望ましい。
【００２６】
【発明の効果】
以上、詳細に説明した本発明の効果を以下にまとめる。
（１）第２干渉層の屈折率を第１干渉層、記録層のいずれの屈折率よりも小さくすることにより、反射率、信号振幅を大幅に向上することができる。
（２）第１干渉層と記録層の間の距離がｄｇ以下であるような構成にすることにより、第２干渉層の熱伝導率が第１干渉層の熱伝導率よりも高い場合においても、クロスイレーズを抑制することができる。
（３）第２干渉層と記録層の間に、第２干渉層よりも酸素含有量の少ない酸素遮断層を設けることにより、第２干渉層から拡散する、酸素による記録層の酸化を抑えることが可能となる。これにより優れた情報記録媒体を低コストで、しかも、多数回書換え時の書換え劣化、保存寿命の低下を引き起こすことなく製造することができる。
（４）第２干渉層と記録層の間に、第２干渉層よりも酸素含有量の少ない酸素遮断層を設けることにより、製膜に長い時間を要するＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３，ＭｇＯ等の第２干渉層を、たとえば、Ｓｉ，Ａｌ，Ｍｇ等のスパッタターゲットと酸素を含有したスパッタガスとの反応性スパッタ法により製膜することが可能になる。反応性スパッタにより第２干渉層を製膜した際にも、第２干渉層から記録層への酸素の拡散を抑制できるからである。
（５）第２干渉層を反応性スパッタにより製膜できるため、スパッタ時間を大幅に低減させることが可能である。これにより、スパッタ中の基板温度上昇に伴う、基板変形を抑制でき、しかも、多数回書換え時の書換え劣化、保存寿命の低下を引き起こすことなく製造することができる。
（６）第２干渉層を反応性スパッタにより製膜できるため、スパッタ電源をＲＦ電源から、比較的廉価なＤＣ電源に変更することができる。
（７）第１干渉層と記録層の距離を溝深さ以上にすることにより、第２干渉層として、熱伝導率が大きいＳｉ，Ａｌ，Ｍｇの酸化物を用いた場合においても、クロスイレーズを抑制することができる。
（８）第２干渉層にＳｉ，Ａｌ，Ｍｇの酸化物を含有させると、第２干渉層の屈折率を１．４〜１．７程度と小さくできるという効果があるため、本発明の情報記録媒体を構成しやすくなる。また、第１干渉層の材料としては（ＺｎＳ）ｘ（ＳｉＯ２）１−ｘ系（ｘ＝０．５〜０．９５）の誘電体が上記酸化物と比較して、屈折率が大きく、また、熱伝導率も小さくなるため最適である。
（９）酸素遮断層にＳｉ，Ａｌ，Ｍｇの窒化物を含有させることにより、光の吸収係数が小さく、しかも、第２干渉層と比較して、酸素含有量の少ない酸素遮断層を作成しやすくなるため、本発明の情報記録媒体を構成しやすくなる。この結果、本発明の情報記録媒体を低コストで、しかも、多数回書換え時の書換え劣化、保存寿命の低下を引き起こすことなく製造することができる。
（１０）第２干渉層をＳｉ，Ａｌ，Ｍｇの窒素酸化物の混合物とし、酸素遮断層をＳｉ，Ａｌ，Ｍｇの窒化物の混合物とすることにより、たとえ第２干渉層中に余剰な酸素が存在しても、記録膜に拡散する前に第２干渉層中、あるいは酸素遮断層中において窒素と置換されるため、余剰な酸素が記録膜まで拡散しにくくなる。
（１１）第２干渉層をＳｉ，Ａｌ，Ｍｇの酸化物とし、上酸素遮断層を上記酸化物の不飽和酸化物とすることにより、第２干渉層中の余剰酸素が酸素拡散層中を通過する際に、Ｓｉ，Ａｌ，Ｍｇを酸化することにより捕獲されるため、記録膜中に酸素が拡散しにくくなる。
（１２）第２干渉層と酸素遮断層を同一のスパッタターゲットを使用して製膜し、上記第２干渉層を製膜する際には酸素を含有したスパッタガスを使用し、上記酸素遮断層を製膜する際には、少なくとも第２干渉層を製膜する際よりも、酸素含有量が少ないスパッタガスを使用することにより、スパッタ時間を大幅に低減させることが可能である。また、スパッタ装置のチャンバー数を減らすことができる。これにより、スパッタ中の基板温度上昇に伴う、基板変形を抑制できると同時に、比較的低価格なスパッタ装置を使用して、本発明の情報記録媒体を、多数回書換え時の書換え劣化、保存寿命の低下を引き起こすことなく製造することができる。
（１３）第２干渉層と酸素遮断層を同一のスパッタターゲットを使用して製膜し、上記第２干渉層を製膜する際には酸素を含有したスパッタガスを使用し、上記酸素遮断層を製膜する際には、少なくとも第２干渉層を製膜する際よりも、窒素含有量が多いスパッタガスを使用することにより、スパッタ時間を大幅に低減させることが可能である。また、スパッタ装置のチャンバー数を減らすことができる。これにより、スパッタ中の基板温度上昇に伴う、基板変形を抑制できると同時に、比較的低価格なスパッタ装置を使用して、本発明の情報記録媒体を、多数回書換え時の書換え劣化、保存寿命の低下を引き起こすことなく製造することができる。
（１４）上記同一のスパッタターゲットをＳｉ，Ａｌ、Ｍｇのいずれか一つ元素のスパッタターゲット、あるいはこれらの元素の混合物からなるスパッタターゲットにすることにより、第２干渉層の屈折率を容易に低下できるため、本発明の情報記録媒体を製造しやすくなるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の情報記録媒体の構造図である。
【図２】本発明の原理を説明するための概念図である。
【図３】本発明の一計算例を示す図である。
【図４】本発明の一計算例を示す図である。
【図５】本発明の一計算例を示す図である。
【図６】本発明の原理を説明するための概念図である。
【図７】本発明の原理を説明するための概念図である。
【図８】本発明の一実施例に使用した情報記録装置のブロック図である。
【図９】本発明に使用されるスパッタ装置の構造を示す図である。
【図１０】本発明に使用されるスパッタプロセスの条件を示す図である。
【図１１】本発明に使用されるスパッタプロセスの条件を示す図である。
【図１２】本発明に使用されるスパッタプロセスの条件を示す図である。
【図１３】本発明に使用されるスパッタプロセスの条件を示す図である。
【図１４】本発明に使用されるスパッタプロセスの条件を示す図である。
【図１５】本発明に使用されるスパッタプロセスの条件を示す図である。
【図１６】本発明に使用されるスパッタプロセスの条件を示す図である。
【図１７】本発明に使用されるスパッタプロセスの条件を示す図である。
【図１８】本発明に使用されるスパッタプロセスの条件を示す図である。
【図１９】本発明に使用されるスパッタプロセスの条件を示す図である。
【図２０】本発明に使用されるスパッタプロセスの条件を示す図である。
【図２１】酸素遮断層の膜厚に関する本発明の一実施例を示す図である。
【符号の説明】
１−１：基板
１−２：第１干渉層
１−３：第２干渉層
１−４：酸素遮断層
１−５：第１界面層
１−６：記録層
１−７：第２界面層
１−８：第３干渉層
１−９：熱緩衝層
１−１０：熱拡散層
１−１１：接着剤
６−０、７−０：基板
６−１、７−１：第１干渉層
６−２、７−２：第２干渉層
６−３、７−３：酸素遮断層
６−４、７−４：記録層
６−５、７−５：第２界面層
６−６、７−６：第３干渉層
６−７、７−７：熱拡散層
６−８、７−８：熱の流れ
６−９、７−９：対物レンズ
６−１０、７−１０：レーザービーム
６−１１、７−１１：グルーブ記録時の発熱部
６−１２、７−１２：ランド記録時の発熱部
８−１：光ディスク
８−２：モーター
８−３：光ヘッド
８−４：プリアンプ回路
８−６：記録波形発生回路
８−７：レーザー駆動回路
８−８：８−１６変調器
８−９：Ｌ／Ｇサーボ回路
８−１０：８−１６復調器
９−１：基板
９−２：キャリア
９−３：排気管
９−４：真空ポンプ
９−５：ガス配管
９−６：マスフローコントローラー
９−７：チャンバー
９−８：スパッタターゲット
９−９：スパッタ電源伝達部
９−１０：スパッタ電源
９−１１：基板回転モーター
９−１２：モーター電源伝達部
９−１３：モーター電源供給部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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