(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の長さ方向に、絶縁スリットを介して等間隔に形成された抵抗体発熱部と、
前記各抵抗体発熱部の一端部に共通接続された共通電極と、
前記各抵抗体発熱部の他端部に形成された個別電極と、を有し、
前記共通電極と前記発熱体と個別電極との配列方向に感熱記録媒体が搬送され、薄膜ヒータに対し感熱記録媒体が相対移動することにより前記感熱記録媒体を加熱する薄膜ヒータであって、
前記感熱記録媒体の前記スリットに対応する部分が前記抵抗体発熱部から一定量の熱を受けるべく前記絶縁スリットが前記感熱記録媒体の搬送方向に対し一定角度θをもって傾斜して形成されていることを特徴とする薄膜ヒータ。
【請求項２】
前記絶縁スリットの傾斜角θが、
Ｗ／ｔａｎ θ＞Ｇ
但し、Ｗは抵抗体発熱部の幅
Ｇは絶縁スリットの幅
なる式を満たすことを特徴とする請求項１記載の薄膜ヒータ。
【請求項３】
共通電極と発熱抵抗体膜と個別電極との配列方向に感熱記録媒体が搬送され、薄膜ヒータに対し感熱記録媒体が相対移動することにより前記感熱記録媒体を加熱する薄膜ヒータの製造方法であって、
基板上に前記発熱抵抗体膜を形成する第１の過程と、
前記発熱抵抗体膜に絶縁スリットを前記感熱記録媒体の前記絶縁スリットに対応する部分が発熱部から一定量の熱を受けるべく前記基板の長さ方向に対し一定角度θをもって傾斜して形成して該発熱抵抗体膜を複数の発熱部に分割する第２の過程と、
前記各発熱部に共通する前記共通電極および前記各発熱抵抗体膜の前記個別電極を形成する第３の過程と、
前記各発熱部の各抵抗値を通電トリミング法によって一定値に調整する第４の過程と、
を有することを特徴とする薄膜ヒータの製造方法。
【請求項４】
基板上に、帯状に形成された第１〜第ｎ（ｎは２より大きい正の整数）の抵抗体発熱部と、
前記第１、第ｎの各抵抗体発熱部の端部に当接して形成された電極と、を具備し、前記第１〜第ｎの抵抗体発熱部のうちの特定の抵抗体発熱部の抵抗値を高く設定し、他の抵抗体発熱部の抵抗値をそれより低く設定されてあり、
前記電極と前記抵抗体発熱部との配列方向に感熱記録媒体が搬送され、薄膜ヒータに対し感熱記録媒体が相対移動することにより前記第１〜第ｎの抵抗体発熱部のそれぞれによって前記感熱記録媒体を加熱する
ことを特徴とする薄膜ヒータ。
【請求項５】
前記抵抗体発熱部は第１〜第３の発熱部からなり、前記第２の発熱部の抵抗値を高く、第１、第３の発熱部の抵抗値を低く設定したことを特徴とする請求項４に記載の薄膜ヒータ。
【請求項６】
前記第１の抵抗体発熱部の抵抗値を最も高く設定し、以下、第ｎの抵抗体発熱部まで段階的に順次抵抗値を低く設定したことを特徴とする請求項４に記載の薄膜ヒータ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プレヒート機能付サーマルヘッド、リライト用消去ヘッド、熱定着ヘッド、オーバコート層ラミネートヘッドなどに用いて好適な薄膜ヒータに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、薄膜ヒータは、プレヒート機能付きサーマルヘッド、リライト（書き換え）カード印刷における消去ヘッド、フォトキレート昇華プリンタにおける熱定着ヘッド、オーバコート層ラミネートヘッド等種々の用途において用いられている。
この薄膜ヒータとしては、次に説明するような幾つかの構造が知られている。図２は従来の薄膜ヒータの第一例の平面図であり、図４は図２のＡ−Ａ′線断面図である。これらの図において、１はアルミナなどからなるフラットな形状に形成された基板、２は基板１の表面に被着された抵抗体膜である。３はアルミニウムなどからなる電極、４はニッケルなどからなるバインダー層、５はハンダメッキ部、６は抵抗体膜２の摩耗や酸化を防止するための保護膜である。７は抵抗体膜２の一部をなす発熱部である。
【０００３】
図５は、従来の薄膜ヒータの第二例を示す断面図であり、この図に示すものが図４に示す第一例と異なる点は、基板１の形状が単純にフラットな形状ではなく、表面の一部が凸状に盛り上げられた、部分グレーズ構造に形成されていることである。この構造の薄膜ヒータは、第一例の薄膜ヒータに比べ、発熱部７と感熱紙またはインクリボンなどとの接触面の圧力が大きく、熱伝達効率が高い特徴がある。
【０００４】
図３は、従来の薄膜ヒータの第三例を示す平面図であり、図３に示すものが図２に示すものと異なる点は、発熱部７が基板１の長さ方向に対して直角の絶縁スリット２１を介して複数に分割されていることである。絶縁スリット２１は、分割ピッチＰをサーマルヘッドと同等の１インチ当たり６００ドット程度まで小さくすることも可能である。なお、この薄膜ヒータのＡ−Ａ′線断面は図４または図５となる。
【０００５】
上述した第一〜第三例の薄膜ヒータは、機能的には全て同じであり、図６の等価回路で表わすことができる。この図において、３１は抵抗体膜、３２はスイッチ手段、３３はＤＣ電源である。なお、図２〜図５には、スイッチ手段３２とＤＣ電源３３の記載を省略している。
【０００６】
次に、従来のプレヒート機能付きサーマルヘッド（第四例）を、図７〜図９を参照して説明する。図７は同サーマルヘッドの斜視図、図８は図７のＡ−Ａ’線断面図である。このサーマルヘッドは、図７に示すように、第１発熱抵抗体４４および第２発熱抵抗体４５の２つの発熱抵抗体を具備しており、第１発熱抵抗体４４によって感熱紙やインクリボンなどの感熱記録媒体を予熱することにより、第２発熱抵抗体４５での印刷加熱時間を短縮することができる。これにより、このサーマルヘッドは印刷時間を短縮し印刷を高速化することができる。なお、プレヒート機能付きサーマルヘッドにおいて、この発明と関係するのは図７の第１発熱抵抗体４４であり、この発熱抵抗体４４は、前記した従来の第一から第三例の薄膜ヒータとほぼ同様の構成となっている。図９は図７のプレヒート機能付きサーマルヘッドの等価回路である。図７、図８には図９の等価回路のうち、第１発熱抵抗体４４、第二発熱抵抗体４５およびコントロールＩＣ４７しか表示されておらず、等価回路の接点５３とＤＣ電源部５５、５６は省略されている。
【０００７】
上述した第一〜第四例の従来の薄膜ヒータは、薄膜技術や厚膜技術により作成されるが、いずれの場合においても発熱抵抗体は基板の長さ方向の抵抗値分布が均一であることが望ましい。発熱抵抗体の抵抗値をＲ、印加電圧をＶとすると、発熱抵抗体の発熱エネルギーはＶ2／Ｒに比例する。したがって、発熱抵抗体の抵抗値Ｒがばらつくと、発熱抵抗体の発熱エネルギーもバラツキ、熱的に不均一となり、次のような固有な問題が生じる。
【０００８】
まず、プレヒートの場合には、発色状態にムラが生じ、画質が著しく劣る。リライトの場合には、白濁部が一部残留し、消去にムラが残り、また、新たな情報を記録しても視認性が劣る。熱定着の場合には、熱定着にムラが残り、耐光性のムラになる。また、光による退色が進む過程で色ムラが出る。オーバコートの場合には、部分的にオーバコート層の接着不足が生じたり、熱のかけ過ぎで表面アレが起きる。
【０００９】
このような発熱抵抗体の抵抗値のバラツキに伴い生じる加熱ムラを解消するために、抵抗値のバラツキを可能な限り小さくする必要があるが、現状は次の通りである。通常、スパッタリングによる膜厚分布はかなり良いと言われているが、薄膜ヒータやサーマルヘッドでは膜厚が薄いこともあり、長さ方向には、かなり抵抗値のバラツキが生じる。図１０はスパッタリングで形成した薄膜の発熱抵抗体の典型的な抵抗値分布の実測である。この実測によれば、発熱抵抗体は、±７．５％の範囲でばらついている。また、厚膜技術で形成した発熱抵抗体の抵抗値のバラツキは、薄膜技術で形成した発熱抵抗体の抵抗値のバラツキよりもさらに大きい。
【００１０】
また、感熱紙やインクリボンが発熱抵抗体から受ける熱は、感熱紙やインクリボンの幅方向において均一であることが望ましい。しかし、図３の従来の発熱ヒータにおいては、絶縁スリット２１に対向する感熱紙やインクリボンの部分が発熱部７から外れるために、この部分が受ける熱は発熱部７に直接接触する部分に比べて少なくなる。
【００１１】
他方、図６において、抵抗体膜３１の抵抗値をｒ、流れる電流をｉとすると、発熱電力はｉ2ｒ＝ｉＶである。単位面積当たりの発熱電力は、ｉ2ｒ／ｌｗ（図２において、ｌは発熱部７の長さ、ｗは発熱部７の幅）であり、発熱部７の全域で一様に発熱する。発熱は全域で一様であるが、熱は電極３（図２）から逃げやすい。温度分布は、図１１に示すように発熱部７の中央部付近が最高温度Ｔとなり、電極３の付近がほぼ室温に近い温度になる。電極３と発熱部７の境界部近傍には、急激な温度勾配が生じる。
【００１２】
昇華プリント方式の１種であるフォトキレートプリント方式は、Ｙ、Ｍ、Ｃプリント後キレート化反応を完結させるため、薄膜ヒータ、サーマルヘッド、ヒートローラなどで加熱処理する。熱定着温度とキレート化反応の関係は、キレート化反応がアレニウスの法則に従うと考えると、次式で表せる。
【数１】
0004035918.tif 000002
ただし、Ａ，Ｂ：定数
Ｒ：活性化エネルギー
Ｔ：温度
ｔ：ヒーティング時間（ｍｓ）
ＣA0：未反応染料初期濃度（ヒーティング開始時の濃度）
ＣA：ヒーティング開始ｔｍｓ後の染料濃度
従って、キレート化反応を完結させるためには、ヒータの表面温度は高いほどよく、ヒーティング時間も長い程よい。
【００１３】
高速プリントが要求されるプリンタでは、熱定着に費やされる時間は短ければ短いほど好ましい。一般に、熱定着は薄膜ヒータと用紙の間に薄いフィルムを挟んだ状態でヒータを発熱させるため、ヒータ温度が高いとフィルムが熱により変形し、シワの原因になったり、用紙表面が軟化し、表面アレの原因となり易い。通常、用紙の表面荒れはシワより低い温度領域で発生する。一方、逆にフィルムの熱変形や用紙の表面荒れを避けようとすると、熱定着時間が長くなり、プリント速度が遅くなる。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記の問題に鑑みてなされたもので、その目的は、発熱抵抗体の抵抗値のバラツキの小さい薄膜ヒータの製造方法を提供することにあり、また他の目的は、発熱抵抗体の熱を感熱紙やインクリボンなどに均一に与えることができる薄膜ヒータを提供することにある。さらに他の目的は、熱定着時間が短く、しかも用紙の表面アレが少ない薄膜ヒータを提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、基板上の長さ方向に、絶縁スリットを介して等間隔に形成された抵抗体発熱部と、前記各抵抗体発熱部の一端部に共通接続された共通電極と、前記各抵抗体発熱部の他端部に形成された個別電極と、を有し、前記共通電極と前記発熱体と個別電極との配列方向に感熱記録媒体が搬送され、薄膜ヒータに対し感熱記録媒体が相対移動することにより前記感熱記録媒体を加熱する薄膜ヒータであって、前記感熱記録媒体の前記スリットに対応する部分が前記抵抗体発熱部から一定量の熱を受けるべく前記絶縁スリットが前記感熱記録媒体の搬送方向に対し一定角度θをもって傾斜して形成されていることを特徴とする。
【００１６】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１記載の薄膜ヒータにおいて、前記絶縁スリットの傾斜角θを、
Ｗ／ｔａｎ θ＞Ｇ
但し、Ｗは抵抗体発熱部の幅
Ｇは絶縁スリットの幅
なる式を満たすようにしたことを特徴とする。
【００１７】
また、請求項３に記載の発明は、共通電極と発熱抵抗体膜と個別電極との配列方向に感熱記録媒体が搬送され、薄膜ヒータに対し感熱記録媒体が相対移動することにより前記感熱記録媒体を加熱する薄膜ヒータの製造方法であって、基板上に前記発熱抵抗体膜を形成する第１の過程と、前記発熱抵抗体膜に絶縁スリットを前記感熱記録媒体の前記絶縁スリットに対応する部分が発熱部から一定量の熱を受けるべく前記基板の長さ方向に対し一定角度θをもって傾斜して形成して該発熱抵抗体膜を複数の発熱部に分割する第２の過程と、前記各発熱部に共通する前記共通電極および前記各発熱抵抗体膜の前記個別電極を形成する第３の過程と、前記各発熱部の各抵抗値を通電トリミング法によって一定値に調整する第４の過程と、を有することを特徴とする。
【００１８】
また、請求項４に記載の発明は、基板上に、帯状に形成された第１〜第ｎ（ｎは２より大きい正の整数）の抵抗体発熱部と、前記第１、第ｎの各抵抗体発熱部の端部に当接して形成された電極と、を具備し、前記第１〜第ｎの抵抗体発熱部のうちの特定の抵抗体発熱部の抵抗値を高く設定し、他の抵抗体発熱部の抵抗値をそれより低く設定されてあり、前記電極と前記抵抗体発熱部との配列方向に感熱記録媒体が搬送され、薄膜ヒータに対し感熱記録媒体が相対移動することにより前記第１〜第ｎの抵抗体発熱部のそれぞれによって前記感熱記録媒体を加熱することを特徴とする。
【００１９】
また、請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の薄膜ヒータにおいて、前記抵抗体発熱部は第１〜第３の発熱部からなり、前記第２の発熱部の抵抗値を高く、第１、第３の発熱部の抵抗値を低く設定したことを特徴とする。
また、請求項６に記載の発明は、請求項４に記載の薄膜ヒータにおいて、前記第１の抵抗体発熱部の抵抗値を最も高く設定し、以下、第ｎの抵抗体発熱部まで段階的に順次抵抗値を低く設定したことを特徴とする。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態による薄膜ヒータを図面を参照して説明する。図１は第１の実施の形態による薄膜ヒータの平面図であり、図３と同一部分には同一符号を付してその説明を省略する。また、図１のＡ−Ａ’線断面図は前述した図５と同じである。図１に示す薄膜ヒータが、構造上図３の薄膜ヒータと異なる点は、発熱部７を分割する絶縁スリット１０が基板１の長さ方向に対し直角ではなく、一定角度θをもって形成されていることである。この角度θは、次の条件を満たすように決められている。
Ｗ／Ｔａｎ θ＞Ｇ
但し、Ｗは発熱抵抗体７の幅
Ｇは絶縁スリット１０の幅
【００２１】
ここで、発熱部７を分割する絶縁スリット１０を傾斜させる理由は次の通りである。従来の図３で示す薄膜ヒータは、発熱部７を分割する絶縁スリット２１が基板の長さ方向に対して直角（すなわち感熱紙やインクリボンの搬送方向と平行）になっている。したがって、感熱紙やインクリボンが薄膜ヒータから熱を受ける場合、発熱部７に接触する部分がその発熱部７から直接に熱を受けるのに対して、絶縁スリット１０に対向する部分は発熱部７から直接に熱を受けることはない。すなわち、このタイプの薄膜ヒータを用いると、感熱紙やインクリボンの幅方向の位置により、薄膜ヒータから受ける熱が不均一になる。
【００２２】
これに対し、図１の薄膜ヒータでは、絶縁スリット１０が基板の長さ方向に対して一定角度θだけ傾斜（すなわち感熱紙やインクリボンの搬送方向に対し９０°−θだけ傾斜）しているので、感熱紙やインクリボンの絶縁スリット１０に対向する部分も発熱抵抗体７から一定量の熱（１００％ではないが）を受ける。これにより、従来のものに比較し、図１のものは、感熱紙やインクリボンの各部の温度差が小さくなる。
【００２３】
上述した薄膜ヒータは、通常の薄膜プロセス技術や厚膜プロセス技術を用いて容易に作成することが可能である。
次に、薄膜プロセスを用いた製造手順を説明する。まず、アルミナなどの材料からなる基板１の表面上のゴミや油を除去するために、超音波洗浄などにより基板１の清浄を行う。洗浄後に、基板１の表面にＴａＳｉＯ2などからなる抵抗体をスパッタリング装置でスパッタリングにより被着させ、所定の厚さの抵抗体膜２を形成する。
【００２４】
次に、抵抗体膜２の上にマスキング用ＮｉＣｒを蒸着する。次に、フォトリソグラフィーにより絶縁スリット１０の形状のレジストパターンを作成する。このレジストパターンをマスクとして、ＮｉＣｒをエッチングする。その後、レジストを全て剥離し、次いで、抵抗体ＴａＳｉＯ2をエッチングして絶縁スリット１０を形成する。そして、マスキング用ＮｉＣｒを除去する。
【００２５】
次に、スパッタリングにより、抵抗体膜２の表面にアルミニウムなどの材料により所定の厚みの電極材料を被着する。そして、フォトリソグラフィーによりアルミニウムの表面に共通電極３および個別電極８を形成するためのレジストパターンを作成する。このレジストパターンをマスクとして、アルミニウムをエッチングし、共通電極３および個別電極８を形成する。次に、共通電極３および個別電極８の表面に、それぞれハンダメッキ部を被着させ、共通電極ハンダメッキ部５および個別電極ハンダメッキ部９を形成する。そして、レジストをすべて剥離する。その後、真空中で熱処理により抵抗体膜２とアルミニウム電極との密着を安定化させる。
【００２６】
次に、各発熱部７の抵抗値を測定する。次いで、スパッタリングにより、発熱部７、共通電極３および個別電極８の表面に、ＳｉＯ2＋ＳＩＡＬＯＮなどからなる保護膜６を形成する。その後、共通電極ハンダメッキ部５と個別電極ハンダメッキ部９に、外部から先に測定した各発熱部７の抵抗値に応じて適切に発熱部７に通電することにより、発熱部７の抵抗値を所定の値に調整する（これを通電トリミングと称する）。通電トリミングを実施した後、個別電極ハンダメッキ部９に結束線をハンダ付けし、分割された発熱部７を相互に短絡接続する。
【００２７】
次に、上記した通電トリミングについて説明する。図１２は抵抗体膜のヒステレシス曲線を示す図である。図１２（ａ）〜（ｃ）は、抵抗体膜をＴ１、Ｔ２、Ｔ３の異なる温度で熱処理した場合の温度上昇過程と冷却過程の典型的な抵抗値変化のヒステレシスを示す図である。図１２の横軸は温度であるが、通電による自己発熱で温度上昇させる通電トリミングの場合は、温度を通電エネルギーと見做すこともできる。Ｔ０は実機の実使用状態での温度（エネルギー）を示している。
【００２８】
発熱抵抗体の熱処理前の抵抗値が図１０に示すような分布をしていたとしても、個々の発熱部７毎に異なるエネルギーを加え、異なる熱ヒステリシスを辿らせることで、抵抗値を一定に揃えることができる。例えば、図１２（ｂ）ではＴ２の温度で熱処理することで、Ｒ０の抵抗値をＲ１に下げることができる。逆に、図１２（ｃ）ではＴ３の温度で熱処理することで、Ｒ０の抵抗値をＲ２に上げることができる。
【００２９】
なお、上記の実施形態では、基板が部分グレーズ構造の場合について説明したが、基板がフラット構造の場合にも、第１の実施形態の適用が容易である。
【００３０】
次に、この発明の第２の実施の形態について、図１３〜図１６を参照して説明する。図１３は同実施形態による薄膜ヒータの平面図、図１４は図１３におけるＡ−Ａ線断面図である。図１３，図１４において、１１はアルミナ基板、１２はグレーズガラス、１３は抵抗膜の厚い発熱体、１４，１５は抵抗膜の薄い発熱体、１６，１７は電極、１８は保護膜、１９，１９，１９はリード電極である。
このように、上記の薄膜ヒータは、発熱部が、抵抗膜が薄く抵抗値が高い発熱体１３と、それに比較して抵抗膜が厚く抵抗値が低い発熱体１４，１５とから構成されている。
【００３１】
このような構成は、薄膜または厚膜プロセスを用いて製造可能であり、以下、薄膜プロセスを用いる場合の製造過程を説明する。
まず、中央部に凸部のあるグレーズガラス１２上に一層目の抵抗体材料（ＴａＳｉＯ2）をスパッタリングなどの方法で成膜する。次に、フォトリソグラフィを用い、領域Ｌ１（図１３参照）を除く部分をレジストによってマスキングする。次に、抵抗体膜をエッチングする。エッチング完了後は、領域Ｌ１以外が抵抗体膜でカバーされる。次に、再度抵抗体材料（ＴａＳｉＯ2）をスパッタリングなどの方法で成膜する。次に、フォトリソグラフィを用い、領域Ｌ１〜Ｌ３（図１３）を全てレジストによってマスキングする。次に抵抗体膜をエッチングする。エッチング完了後は領域Ｌ１〜Ｌ３の全てが抵抗体膜でカバーされる。結果として、領域Ｌ２，Ｌ３に２層の、領域Ｌ１に１層の抵抗体膜が形成される。なお、領域Ｌ２，Ｌ３を形成する発熱体は必ずしも同一材料である必要はなく、膜厚も同一である必要はない。
【００３２】
図１５は上述した薄膜ヒータの等価回路図であり、この図においてｒ1〜ｒ3は各々領域Ｌ１〜Ｌ３の抵抗値である。この図１５に示す回路に電流ｉが流れると、各領域Ｌ１〜Ｌ３での発熱量は各々次の通りである。
領域Ｌ１：ｉ2ｒ1
領域Ｌ２：ｉ2ｒ2
領域Ｌ３：ｉ2ｒ3
【００３３】
そして、温度分布は図１６に示すように、領域Ｌ１が特に高く、領域Ｌ２，Ｌ３がそれよりも低い分布となる。この温度分布から次の利点が得られる。
▲１▼ 熱定着は高温領域Ｌ１で進む。この時のエネルギーは薄膜ヒータと用紙間に挟まれた薄いフィルムが熱ダメージを受けない範囲で高温にする。しかし、この温度で用紙に表面荒れが生じても構わない。
▲２▼ 領域Ｌ１で発生した表面荒れは、領域Ｌ３の低温領域を通過する過程で解消される。
▲３▼ 領域Ｌ２，Ｌ３の別の意味は、領域Ｌ１の高温領域の熱が電極１６，１７に直接逃げるのを防止し、ヒータとしてのエネルギー効率を高める効果を持つ。
なお、発熱体１３〜１５は、蒸着、スパッタ、ＣＶＤ等の薄膜形成装置を用いるか、または、スクリーン印刷等の厚膜形成技術によって形成される。
【００３４】
次に、この発明の第３の実施形態について説明する。上記第２の実施形態は発熱部を３分割しているが、分割する個数は２以上あれば何分割であってもよい。図１７は発熱部を５分割した場合であり、この図において６１はアルミナ基板、６２はグレーズガラス、６３，６４は電極、６５〜６９は発熱部である。ここで、発熱部６５の抵抗膜が最も薄く、従って抵抗値が最も高く、稼働時の温度が最も高温となり、一方、発熱部６９の抵抗膜が最も厚く、従って抵抗値が最も低く、稼働時の温度が最も低温となる。図１８は上記薄膜ヒータの等価回路を示し、また、図１９はその温度分布を示している。この実施形態の場合、単なる熱定着ヒータとしてだけでなく、多結晶ポリマーや、ロイコ染料を用いたリライトカードの消去用ひヒータとして用いることも可能である。
【００３５】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、薄膜ヒータの発熱抵抗体を分割する絶縁スリットを基板の長さ方向に対し一定角度θ（θ＝０〜９０°）をもって形成したので、絶縁スリットに対向した感熱紙やインクリボンの部分も薄膜ヒータから一定の熱を受けることができ、この結果、感熱紙やインクリボンの各部の温度差を小さくすることができる。
また、請求項３に記載の発明によれば、複数に分割された発熱抵抗体の抵抗値を通電トリミング法により一定値に調整するようにしたので、発熱抵抗体の抵抗値のバラツキを小さくすることができる効果がある。
【００３６】
また、請求項５に記載の発明によれば、第１〜第ｎの抵抗体発熱部のうちの特定の抵抗体発熱部の抵抗値を高く設定し、他の抵抗体発熱部の抵抗値をそれより低く設定したので、熱定着時間を短くし、しかも用紙の表面アレを少なくすることができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】  この発明の第１の実施形態による薄膜ヒータの平面図である。
【図２】  従来の薄膜ヒータの一例を示す平面図である。
【図３】  従来の薄膜ヒータの他の例を示す平面図である。
【図４】  図１、図２および図３のＡ−Ａ′線断面図である。
【図５】  図１、図２および図３のＡ−Ａ′線断面図である。
【図６】  図２，図３の薄膜ヒータの等価回路を示す図である。
【図７】  従来のプレヒート機能付きサーマルヘッドの一例を示す斜視図である。
【図８】  図７のＡ−Ａ′線断面図である。
【図９】  図７のプレヒート機能付きサーマルヘッドの等価回路を示す回路図である。
【図１０】  スパッタリングで形成した抵抗体膜の抵抗値の実測例を示す図である。
【図１１】  図２に示す薄膜ヒータの温度分布を示す図である。
【図１２】  抵抗体膜のヒステレシス特性を示す図である。
【図１３】  この発明の第２の実施形態による薄膜ヒータの平面図である。
【図１４】  同薄膜ヒータのＡ−Ａ線断面図である。
【図１５】  同薄膜ヒータの等価回路図である。
【図１６】  同薄膜ヒータの温度分布を示す図である。
【図１７】  この発明の第３の実施形態による薄膜ヒータの構成を示す断面図である。
【図１８】  同薄膜ヒータの等価回路図である。
【図１９】  同薄膜ヒータの温度分布を示す図である。
【符号の説明】
１…基板
２…抵抗体膜
３…共通電極
４…バインダー層
５…共通電極ハンダメッキ部
６…保護膜
７…発熱部
８…個別電極
９…個別電極ハンダメッキ部
１０…絶縁スリット
１１…基板
１２…グレーズガラス
１３〜１５…発熱体
１６，１７…電極
２１…絶縁スリット
３１…発熱抵抗体
３２…接点
３３…ＤＣ電源
４１…裏面グレーズガラス
４２…突出部
４３…グレーズガラス
４４…第１発熱抵抗体
４５…第２発熱抵抗体
４６…コモン電極
４７…コントロールＩＣ
５３…接点
５５、５６…ＤＣ電源部
６１…基板
６２…グレーズガラス
６３，６４…電極
６５〜６９…発熱部
【図１】
0004035918.tif 000003
【図２】
0004035918.tif 000004
【図３】
0004035918.tif 000005
【図４】
0004035918.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
0004035918.tif 000013
【図１２】
0004035918.tif 000014
【図１３】
0004035918.tif 000015
【図１４】
0004035918.tif 000016
【図１５】
0004035918.tif 000017
【図１６】
0004035918.tif 000018
【図１７】
0004035918.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
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