(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型の半導体基板内に形成されたｐ型の半導体導電層と、
受光面上の基線長方向の入射光位置に応じて前記半導体導電層の両端部からそれぞれ出力される電流値が可変する半導体位置検出器において、
前記半導体基板上に形成され、該電流がそれぞれ取り出される一対の信号取出電極と、
前記半導体基板内に形成され、前記両端部の少なくとも一方と前記信号取出電極との間の電流経路内に介在するｐ型の外側半導体領域とを備え、
前記外側半導体領域は前記半導体導電層よりも前記基線長方向単位長当たりの抵抗値が小さく且つ入射光を受光可能なように前記両端部の少なくとも一方に連続して設けられており、
前記半導体基板の外周部に形成されたロの字形でｎ型の外枠半導体層と、
前記外枠半導体層上に設けられた外枠電極と、
を更に備え、
前記外枠半導体層の長辺の内側からはｎ型の隔離層が延びており、
前記外側半導体領域は、前記外枠半導体層と前記隔離層との間に位置している、
ことを特徴とする半導体位置検出器。
【請求項２】
ｎ型の半導体基板内に形成されたｐ型の半導体導電層と、
受光面上の前記半導体基板の長手方向の入射光位置に応じて前記半導体導電層の両端部からそれぞれ出力される電流値が可変する半導体位置検出器において、
前記半導体基板上に形成され、該電流がそれぞれ取り出される一対の信号取出電極と、
前記半導体基板内に形成され、前記両端部の少なくとも一方と前記信号取出電極との間の電流経路内に介在するｐ型の外側半導体領域とを備え、
前記外側半導体領域は前記半導体導電層よりも前記半導体基板の長手方向の単位長当たりの抵抗値が小さく且つ入射光を受光可能なように前記両端部の少なくとも一方に連続して設けられており、
前記半導体基板の外周部に形成されたロの字形でｎ型の外枠半導体層と、
前記外枠半導体層上に設けられた外枠電極と、
を更に備え、
前記外枠半導体層の長辺の内側からはｎ型の隔離層が延びており、
前記外側半導体領域は、前記外枠半導体層と前記隔離層との間に位置している、
ことを特徴とする半導体位置検出器。
【請求項３】
前記半導体導電層から前記受光面に沿って延びた複数のｐ型の分枝導電層を備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体位置検出器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体位置検出器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
特開昭６４−７８１１０号公報に記載の半導体位置検出器は、入射光位置に応じて発生した光電流を抵抗分割し、分割された電流をそれぞれ取り出す一対の信号取出電極の外側にホトダイオード領域を具備しており、超至近距離からの入射光の検出を行っている。しかしながら、その位置を検出する場合には、信号取出電極が入射光を遮光するため、正確な位置検出を行うことはできない。
【０００３】
また、図１８乃至図２０に示される半導体位置検出器も知られている。
【０００４】
図１８は従来の半導体位置検出器の平面図、図１９は図１８に示した半導体位置検出器のＡ−Ａ矢印断面図、図２０は図１８に示した半導体位置検出器のＢ−Ｂ矢印断面図である。半導体基板１上には半導体導電層（基幹導電層）２、分枝導電層３、信号取出用高濃度層４が形成されており、それぞれの機能層を包囲する外枠層６及び外枠電極７、隔離する隔離層（分枝導電層隔離用半導体層）６’が設けられている。裏面電極９を介して高濃度層８と表面層２，３との間に逆バイアス電圧を印加し、この状態で光が入射すると、入射に応じて内部で電荷（正孔／電子対）が発生する。発生した電荷は、半導体導電層２の基線長方向に沿った位置、すなわち抵抗値に逆比例するようにその両端に設けられた電極５を介して外部に出力される。
【０００５】
図２１は、スポット光が入射した場合の半導体位置検出器の平面図である。半導体位置検出器にスポット光が入射すると、信号取出電極５が受光領域端部の入射光を遮光するため、その位置検出性能を向上させることが困難であり、検出可能範囲を検出希望範囲まで拡大させることができない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、受光領域を基線長方向に延ばして半導体位置検出器自体を大型化すれば、本来であれば信号取出電極に掛かっていた入射光も検出することができる。しかしながら、基線長方向に単に受光領域を延ばした場合、抵抗分割される半導体導電層が長くなることによって、逆に位置分解能は低下する。本発明はこのような課題に鑑みてなされたものであり、高性能な半導体位置検出器を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明に係る半導体位置検出器は、ｎ型の半導体基板内に形成されたｐ型の半導体導電層と、受光面上の基線長方向の入射光位置に応じて半導体導電層の両端部からそれぞれ出力される電流値が可変する半導体位置検出器において、半導体基板上に形成され、該電流がそれぞれ取り出される一対の信号取出電極と、半導体基板内に形成され、両端部の少なくとも一方と信号取出電極との間の電流経路内に介在するｐ型の外側半導体領域とを備え、外側半導体領域は半導体導電層よりも基線長方向単位長当たりの抵抗値が小さく且つ入射光を受光可能なように両端部の少なくとも一方に連続して設けられており、半導体基板の外周部に形成されたロの字形でｎ型の外枠半導体層と、外枠半導体層上に設けられた外枠電極とを更に備え、外枠半導体層の長辺の内側からはｎ型の隔離層が延びており、外側半導体領域は、外枠半導体層と隔離層との間に位置していることを特徴とする。
また、本発明に係る半導体位置検出器は、ｎ型の半導体基板内に形成されたｐ型の半導体導電層と、受光面上の半導体基板の長手方向の入射光位置に応じて半導体導電層の両端部からそれぞれ出力される電流値が可変する半導体位置検出器において、半導体基板上に形成され、該電流がそれぞれ取り出される一対の信号取出電極と、半導体基板内に形成され、両端部の少なくとも一方と信号取出電極との間の電流経路内に介在するｐ型の外側半導体領域とを備え、外側半導体領域は前記半導体導電層よりも半導体基板の長手方向の単位長当たりの抵抗値が小さく且つ入射光を受光可能なように両端部の少なくとも一方に連続して設けられており、半導体基板の外周部に形成されたロの字形でｎ型の外枠半導体層と、外枠半導体層上に設けられた外枠電極とを更に備え、外枠半導体層の長辺の内側からはｎ型の隔離層が延びており、外側半導体領域は、外枠半導体層と隔離層との間に位置していることを特徴とする。
この半導体位置出器は、半導体導電層から受光面に沿って延びた複数のｐ型の分枝導電層を備えることが好ましい。
【０００８】
本発明の半導体位置検出器によれば、外側半導体領域が入射光を受光可能なように半導体導電層の外側に連続して設けられているため、本来であれば信号取出電極によって遮光されていた入射光も外側半導体領域によって受光することができ、半導体導電層或いは外側半導体領域に入射した光に応じて発生した電流を信号取出電極から取り出すことによって、入射光位置を検出することができる。また、外側半導体領域は、半導体導電層よりも基線長方向単位長当たりの抵抗値が小さい、すなわち、好ましくはその不純物濃度が高濃度であって位置検出のための抵抗分割への寄与が小さいため、位置分解能の低下を抑制することができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、実施の形態に係る半導体位置検出器について説明する。同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いるものとし、重複する説明は省略する。
【００１０】
（第１実施形態）
図１は第１実施形態に係る半導体位置検出器の平面図、図２は図１に示した半導体位置検出器のＡ−Ａ矢印断面図、図３は図１に示した半導体位置検出器のＢ−Ｂ矢印断面図である。なお、説明に用いる半導体位置検出器の断面図は、その端面を示す。
【００１１】
本実施形態に係る半導体位置検出器は、低濃度ｎ型Ｓｉからなる半導体基板１と、半導体基板１の裏面に形成された高濃度ｎ型Ｓｉからなる裏面側ｎ型半導体層８とを備えている。半導体基板１の表面は長方形である。
【００１２】
以下の説明では、裏面側ｎ型半導体層８からｎ型半導体基板１へ向かう方向を上方向とし、ｎ型半導体基板１の長方形表面の長辺の伸延方向を長さ方向（長手方向）Ｘ、短辺の伸延方向を幅方向Ｙ、長さ方向Ｘ及び幅方向Ｙ双方に垂直な方向を深さ方向（厚さ方向）Ｚとする。すなわち、方向Ｘ、Ｙ及びＺは互いに直交している。
【００１３】
本半導体位置検出器は、半導体基板１内に形成され、長さ方向Ｘに沿って延びた半導体導電層２を備えている。半導体導電層２はｐ型Ｓｉからなり、半導体導電層２の抵抗率は半導体基板１の抵抗率よりも低い。半導体導電層２は、実質的に均一な不純物濃度、すなわち抵抗率ρを有しており、ｎ型半導体基板１の表面から厚さ方向Ｚに沿って実質的に同一の深さまで延びている。
【００１４】
本半導体位置検出器は、半導体導電層２から受光面に沿ってそれぞれ延びた複数のｐ型半導体の導電層からなる分枝導電層３を備えている。分枝導電層３の不純物濃度は半導体導電層２の不純物濃度と略同一であり、分枝導電層３の幅方向Ｙに沿った長さは入射光スポットの直径よりも長い。
【００１５】
なお、分枝導電層３は、半導体導電層２の不純物濃度よりも高濃度のｐ型Ｓｉからなることとしてもよい。すなわち、分枝導電層３の抵抗率は半導体導電層２の抵抗率よりも低い。この場合、半導体導電層２は、複数のｐ型の抵抗領域が不純物濃度の異なる分枝導電層の一端部を介在して長さ方向Ｘに沿って連続してなる。
【００１６】
このように、分枝導電層３の検出精度への影響を低減させるために、その不純物濃度を高くし、抵抗率を低下させることが望ましいが、本実施形態においては、分枝導電層３と半導体導電層２の抵抗率は、略同一であることとし、これらを同一工程において製造して、製造時間の短縮を図ることとした。
【００１７】
本半導体位置検出器は、半導体導電層２の両端にそれぞれ連続し、半導体基板１内に形成された一対の外側半導体領域１１を備えている。外側半導体領域１１は、高濃度ｐ型Ｓｉからなる。外側半導体領域１１は、半導体基板１の表面から厚み方向Ｚに沿って半導体導電層２の深さよりも深い位置まで延びている。
【００１８】
本半導体位置検出器は、半導体基板１の長方形表面の外周部に形成された外枠半導体層６を備える。外枠半導体層６は高濃度ｎ型Ｓｉである。外枠半導体層６は、半導体基板１の長方形表面の外縁領域内に形成されてロの字形をなし、半導体導電層２、分枝導電層３、及び外側半導体領域１１の形成された基板表面領域を包囲し、ｎ型半導体基板１の表面から厚み方向Ｚに沿って所定の深さまで延びている。
【００１９】
本半導体位置検出器は、半導体基板１内に形成された分枝導電層隔離用半導体層６’を備える。分枝導電層隔離用半導体層６’は、高濃度ｎ型Ｓｉである。分枝導電層隔離用半導体層６’は、ロの字形の外枠半導体層６の長辺の内側から幅方向Ｙに沿って半導体導電層２方向に延びた複数のｎ型の分枝領域からなる。各分枝領域は、厚み方向Ｚに沿ってｎ型半導体基板１の表面から所定深さまで延びている。このｎ型の分枝領域は、ｐ型の分枝導電層３よりも深く、分枝導電層３間及び分枝導電層３と外側半導体領域１１との間に介在し、それらを電気的に隔離している。すなわち、分枝領域は、分枝導電層３の隣接するもの同士間及び分枝導電層３と外側半導体領域１１との間を長さ方向Ｘに沿って流れる電流を阻止している。
【００２０】
本半導体位置検出器は、ｎ型半導体基板１の長方形表面を覆うパッシベーション膜（絶縁膜）１０を備える。なお、図１及び以下の実施形態に係る半導体位置検出器の平面図においてはパッシベーション膜１０の記載を省略する。パッシベーション膜１０は、信号取出電極用の１対の長方形開口を長さ方向両端部に有し、外枠電極用のロの字形開口を外周部に有する。
【００２１】
信号取出電極５は、パッシベーション膜１０の信号取出電極用の１対の開口をそれぞれ介して、対向する外側半導体領域１１の内側領域が入射光に対して露出するように外側半導体領域１１の外側領域上に形成されており、外側半導体領域１１にオーミック接触している。
【００２２】
外側半導体領域１１は、半導体導電層２よりも基線長方向単位長当たりの抵抗値が小さい、すなわち、好ましくはその不純物濃度が高濃度である。本半導体位置検出器では、外側半導体領域１１が入射光を受光可能なように半導体導電層２の外側に連続して設けられているため、従来であれば信号取出電極５によって遮光されていた入射光も外側半導体領域１１の入射光に対する内側露出領域によって受光することができる。
【００２３】
外側半導体領域１１は抵抗値が低いため、半導体導電層２及び分枝導電層３に入射光スポットが照射された時には、これは半導体導電層２の抵抗分割には殆ど寄与せず、正確な入射光位置に応じた信号電流が、半導体導電層２の抵抗分割比に反比例するようにそれぞれの信号取出電極５から出力される。
【００２４】
また、外側半導体領域１１は抵抗値が低いため、この上に入射光スポットが照射された時には、この光電変換に呼応して発生した電荷は、基線長方向（Ｘ）の抵抗分割に影響を与えることなく、最も近接した方の信号取出電極５にその殆どが流れ込み、この場合においても、正確な入射光位置に応じた信号電流が半導体導電層２の抵抗分割比に反比例するようにそれぞれの信号取出電極５から出力されることとなる。
【００２５】
本半導体位置検出器は、パッシベーション膜１０の外枠電極用の開口を介して、ｎ型の外枠半導体層６上に形成された外枠電極７を備える。外枠電極７は、外枠半導体層６とオーミック接触している。外枠電極７は、半導体基板１外周部への光の入射を阻止する。また、外枠電極７と信号取出電極５との間に所定の電圧を印加することもできる。
【００２６】
本半導体位置検出器は、裏面側ｎ型半導体層８の下面に形成された下面電極９を備える。下面電極９は、裏面側ｎ型半導体層８とオーミック接触している。
【００２７】
１対の信号取出電極５と下面電極９との間に、ｐ型分枝導電層３及びｎ型半導体基板１から構成されるｐｎ接合ダイオードに逆バイアス電圧が印加されるような電圧を与えた状態で、半導体導電層２，３，１１の形成されたｎ型半導体基板１の表面領域で規定される受光面に入射光がスポット光として入射すると、この入射光に応じて半導体位置検出器内部で電子正孔対（電荷）が発生し、拡散及び半導体位置検出器内部の電界にしたがってその一方は分枝導電層３内に流れ込む。 この電荷は、分枝導電層３を伝導して半導体導電層２の所定位置に流れ込み、半導体導電層２の長さ方向Ｘの位置に応じて、半導体導電層２の両端までの抵抗値に反比例するようにその電荷量が分配され、分配された電荷はそれぞれ半導体導電層２の両端及び外側半導体領域１１を介してそれぞれの信号取出電極５から取り出される。半導体導電層２或いは外側半導体領域１１に入射した光に応じて発生した電流を双方の信号取出電極５から取り出すことによって、入射光位置を検出することができる。
【００２８】
すなわち、各信号取出電極５から出力される信号電流の電流値の割合は、入射光位置に応じて変化するため、これから入射光位置を特定することができる。
【００２９】
図２２は、図２１に示した通常の半導体位置検出器（従来例Ａとする）の等価回路（図２２（ａ））、及び上記実施形態に係る半導体位置検出器の等価回路（図２２（ｂ））を示す。同図中のＰは電流源、Ｄは理想的ダイオード、Ｃｊは接合容量、Ｒｓｈは並列抵抗、Ｒｐは半導体導電層２による抵抗値を示す。なお、信号取出電極によって入射光が遮られない基線長方向の限界位置をＸＬ、−ＸＬとする。同図に示すように、実施形態に係る半導体位置検出器は、外側半導体領域１１に光が入射した場合においても、その位置を検出することができるので、従来に比して入射光の位置検出範囲を拡大することができる。
【００３０】
図２３は、入射光スポット位置Ｘに対する電極５から出力される信号電流Ｉ１，Ｉ２の関係を示すグラフ（図２３（ａ））、及び入射光スポット位置Ｘに対する位置検出誤差の関係を示すグラフ（図２３（ｂ））である。従来例Ａにおいては、位置ＸＬ又は−ＸＬよりも外側に光が入射した場合には、入射光スポットの欠けによって信号電流が著しく低下する。一方、本実施形態においては、外側半導体領域１１が欠けの位置に相当する入射光を収集するように機能するため、このようなことが抑制される。また、本実施形態においては、この領域における位置検出誤差も従来例Ａに比較して低減されている。
【００３１】
以上、説明したように、本実施の形態に係る半導体位置検出器は、受光面上の基線長方向Ｘの入射光位置に応じて半導体導電層２の両端部からそれぞれ出力される電流値が可変する半導体位置検出器において、半導体導電層２よりも基線長方向単位長当たりの抵抗値が小さく且つ入射光を受光可能なように前記両端部に連続して設けられた一対の外側半導体領域１１と、入射光に応じて発生した電流が外側半導体領域１１を介して取り出される位置に配置された一対の信号取出電極５とを備える。なお、外側半導体領域１１は、前記両端部の一方のみに設けられることとしてもよく、両端部の少なくとも一方と信号取出電極との間の電流経路内に介在している。
【００３２】
なお、従来の半導体位置検出器の受光領域を、基線長方向（Ｘ）に沿って単に延ばした場合、抵抗分割される半導体導電層が長くなることによって、逆に位置分解能は低下するが、本実施の形態においては、外側半導体領域１１は、半導体導電層２よりも基線長方向単位長当たりの抵抗値が小さい、すなわち、好ましくはその不純物濃度が高濃度であって位置検出のための抵抗分割への寄与が小さいため、位置分解能の低下を抑制することができる。
【００３３】
（第２実施形態）
図４は第２実施形態に係る半導体位置検出器の平面図、図５は図４に示した半導体位置検出器のＡ−Ａ矢印断面図、図６は図４に示した半導体位置検出器のＢ−Ｂ矢印断面図である。
【００３４】
本実施形態では、半導体導電層２，３に代えて半導体導電層１２を用いた点のみが異なる。半導体導電層１２は、受光面内の位置検出方向（Ｘ）に対して斜めに交差するようなジグザグ形状を有している。入射光に応じて発生するキャリアは分枝導電層等の間接的な光収集手段を介在することなく半導体導電層１２上に収集されるので、直接的な位置検出を行うことができる。
【００３５】
（第３実施形態）
図７は第３実施形態に係る半導体位置検出器の平面図、図８は図７に示した半導体位置検出器のＡ−Ａ矢印断面図、図９は図７に示した半導体位置検出器のＢ−Ｂ矢印断面図である。
【００３６】
本形態の半導体位置検出器は、第２実施形態の半導体位置検出器と比較して、その半導体導電層１２の形状のみを変えて半導体導電層１３としたものである。
【００３７】
すなわち、本半導体位置検出器においては、半導体導電層１３は、受光面内の位置検出方向（Ｘ）に対して直交して延びる複数の直線部分と、この直線部分の隣接するもの同士の片端のみを位置検出方向に沿って交互に接続する接続部分とからなる形状を有している。本実施形態においても、入射光に応じて発生するキャリアは分枝導電層等の間接的な光収集手段を介在することなく半導体導電層１３にて収集される。
【００３８】
（第４実施形態）
図１０は第４実施形態に係る半導体位置検出器の平面図、図１１は図１０に示した半導体位置検出器のＡ−Ａ矢印断面図、図１２は図１０に示した半導体位置検出器のＢ−Ｂ矢印断面図である。
【００３９】
本形態の半導体位置検出器は、第２実施形態の半導体位置検出器と比較して、その半導体導電層１２の形状のみを変えて半導体導電層１４としたものである。
【００４０】
すなわち、本半導体位置検出器においては、半導体導電層１４は、受光面内の位置検出方向（Ｘ）に沿ってストライプ状に延びた複数の直線部分からなる。また、半導体基板１内に形成された半導体導電層隔離用半導体層１５を備える。半導体導電層隔離用半導体層１５は高濃度ｎ型Ｓｉであり、半導体導電層１２間に介在し、それらの隣接するもの同士間を流れる電流を阻止している。本実施形態においても、入射光に応じて発生するキャリアは分枝導電層等の間接的な光収集手段を介在することなく半導体導電層１４上にて収集される。
【００４１】
（第５実施形態）
図１３は第５実施形態に係る半導体位置検出器の平面図、図１４は図１３に示した半導体位置検出器のＡ−Ａ矢印断面図である。
【００４２】
本形態の半導体位置検出器は、第２実施形態の半導体位置検出器と比較して、その半導体導電層１２の形状のみを変えて半導体導電層１６としたものである。
【００４３】
すなわち、本半導体位置検出器においては、半導体導電層１６は、受光面内の全面に形成されるような形状を有している。本実施形態においても、入射光に応じて発生するキャリアは分枝導電層等の間接的な光収集手段を介在することなく半導体導電層１６上にて収集される。
【００４４】
（第６実施形態）
図１５は第６実施形態に係る半導体位置検出器の平面図、図１６は図１５に示した半導体位置検出器のＡ−Ａ矢印断面図、図１７は図１５に示した半導体位置検出器のＢ−Ｂ矢印断面図である。
【００４５】
本形態の半導体位置検出器は、第１実施形態の半導体位置検出器と比較して、その信号取出電極５の形状のみを変えて信号取出電極１７としたものである。信号取出電極１７は、それぞれ外側半導体領域１１のＹ方向の端部に設けられている。これにより、半導体位置検出器自体のチップ面積を小さくすることができる。
【００４６】
【発明の効果】
以上、説明したように、本発明に係る半導体位置検出器は、半導体導電層端部に抵抗値の小さい外側半導体領域を具備することにより半導体層端部での信号取出電極による入射光欠けを防止し、位置分解能を低下させることなく高精度に検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態に係る半導体位置検出器の平面図。
【図２】図１に示した半導体位置検出器のＡ−Ａ矢印断面図。
【図３】図１に示した半導体位置検出器のＢ−Ｂ矢印断面図。
【図４】第２実施形態に係る半導体位置検出器の平面図。
【図５】図４に示した半導体位置検出器のＡ−Ａ矢印断面図。
【図６】図４に示した半導体位置検出器のＢ−Ｂ矢印断面図。
【図７】第３実施形態に係る半導体位置検出器の平面図。
【図８】図７に示した半導体位置検出器のＡ−Ａ矢印断面図。
【図９】図７に示した半導体位置検出器のＢ−Ｂ矢印断面図。
【図１０】第４実施形態に係る半導体位置検出器の平面図。
【図１１】図１０に示した半導体位置検出器のＡ−Ａ矢印断面図。
【図１２】図１０に示した半導体位置検出器のＢ−Ｂ矢印断面図。
【図１３】第５実施形態に係る半導体位置検出器の平面図。
【図１４】図１３に示した半導体位置検出器のＡ−Ａ矢印断面図。
【図１５】第６実施形態に係る半導体位置検出器の平面図。
【図１６】図１５に示した半導体位置検出器のＡ−Ａ矢印断面図。
【図１７】図１５に示した半導体位置検出器のＢ−Ｂ矢印断面図。
【図１８】通常の半導体位置検出器の平面図。
【図１９】図１８に示した半導体位置検出器のＡ−Ａ矢印断面図。
【図２０】図１８に示した半導体位置検出器のＢ−Ｂ矢印断面図。
【図２１】スポット光が入射した場合の半導体位置検出器の平面図。
【図２２】図２１に示した通常の半導体位置検出器の等価回路図（図２２（ａ））、及び実施形態に係る半導体位置検出器の等価回路図（図２２（ｂ））。
【図２３】入射光スポット位置Ｘに対する電極５から出力される信号電流Ｉ１，Ｉ２の関係を示すグラフ（図２３（ａ））、及び入射光スポット位置Ｘに対する位置検出誤差の関係を示すグラフ（図２３（ｂ））。
【符号の説明】
２…半導体導電層、１１…外側半導体領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
0004197775.tif 000011
【図１１】
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【図１２】
0004197775.tif 000013
【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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