(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
式１で表されるジエン化合物。
【化１】
0004041928.tif 000012
（式中、Ａは、１−ヘプテニル基、３−ジメチルｔｅｒｔ−ブチルシロキシ−４−フェノキシ−１−ブテニル基、３−ジメチルｔｅｒｔ−ブチルシロキシ−３−シクロヘキシル−１−プロペニル基、３−ジメチルｔｅｒｔ−ブチルシロキシ−１−プロペニル基、３−ｎ−ブチル−１−ヘプテニル基である。ＢおよびＣの一方は水素原子であり、他方は水酸基である。）
【請求項２】
式２で表される化合物
【化２】
0004041928.tif 000013
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は、水素原子または酸素含有官能基もしくはケイ素含有官能基で置換されていても良い炭素数１０以下の炭化水素基を表す。Ｃ1とＣ4とは直接または２価の炭化水素基を介して結合して環を形成しても良い。Ｒ5は、炭素数１０以下の炭化水素基、酸素含有官能基またはケイ素含有官能基である。Ｔは、アシル基または炭酸モノエステル残基である。）
をニッケル触媒の存在下において
式３で表されるボレート
【化３】
0004041928.tif 000014
（式３）
（式中、Ｒは炭素数１０以下の飽和炭化水素基である。Ｍは、アルカリ金属である。）
と反応させることを特徴とする式４で表されるジエン化合物の製造方法。
【化４】
0004041928.tif 000015
（式４）
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4およびＲ5は、式２におけると同様である。Ｒは、式３におけると同様である。）
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、医薬品などの中間体として有用な新規なシクロペンテン化合物およびその合成法に適した新規なジエン化合物の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来技術】
従来、トランス−３−（３−ジメチルｔｅｒｔ−ブチルシロキシ−１−オクテニル）−５−ヒドロキシ−シクロペンテンは、プロスタグランジン中間体として有用な化合物として知られている。また、上記の化合物のようにシクロペンテン化合物にアルケニル基を導入したジエン化合物は、医薬品などの中間体として有用と考えられる。
【０００３】
このようなジエン化合物を合成する方法としては、例えば、シクロペンタジエンモノエポキシドをパラジウム触媒の存在下にビニル基を有するスズ試薬と反応させて、トランス−４−ビニル−１−ヒドロキシ−２−シクロペンテンを合成する方法が報告されている（Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ、ＶＯＬ．４５、Ｎｏ．４、ｐｐ９７９−９９２、１９８９)。しかし、この反応では、反応原料としてエポキシ化合物を使用しているので、目的物の他に位置異性体であるトランス−５−ビニル−１−ヒドロキシ−３−シクロペンテンも副成してしまい、位置的な反応選択性を得ことができなかった。
【０００４】
また、シス−３−ヒドロキシ−４−シクロペンテニルアセテートを原料とし、ニッケル触媒の存在下でトリメトキシフリルボレートと反応させ、トランス−４−フリル−１−ヒドロキシ−２−シクロペンテンを合成する方法が知られている（Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，ＶＯＬ．３７，Ｎｏ．３４，ｐｐ６１２５−６１２８、１９９６）。この方法に従って、使用されているボレートのフリル基をアルケニル基に代えて反応を行ったが、反応は進行しなかった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明者は、アルケニル化されたシクロペンテン化合物を効率よく得るべく鋭意検討を行った結果、ニッケル触媒下に特定のボレートを１−アセトキシ−５−ヒドロキシ−シクロペンテンなどの原料と反応させることにより、高選択的にアルケニル基を導入したジエン化合物が得られることを見出し、この知見に基づいて本発明に至った。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
かくして、本発明によれば、式１で表されるジエン化合物が提供される。
【化５】
（式中、Ａは、１−ヘプテニル基、３−ジメチルｔｅｒｔ−ブチルシロキシ−４−フェノキシ−１−ブテニル基、３−ジメチルｔｅｒｔ−ブチルシロキシ−３−シクロヘキシル−１−プロペニル基、３−ジメチルｔｅｒｔ−ブチルシロキシ−１−プロペニル基、３−ｎ−ブチル−１−ヘプテニル基である。ＢおよびＣの一方は水素原子であり、他方は水酸基である。）
【０００７】
また、式２で表される化合物
【化６】
0004041928.tif 000002
（式２）
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は、水素原子または酸素含有官能基もしくはケイ素含有官能基で置換されていても良い炭素数１０以下の炭化水素基を表す。Ｃ1とＣ4とは直接または２価の炭化水素基を介して結合して環を形成しても良い。Ｒ5は、炭素数１０以下の炭化水素基、酸素含有官能基またはケイ素含有官能基である。Ｔは、アシル基または炭酸モノエステル残基である。）
をニッケル触媒の存在下において
式３で表されるボレート
【化７】
（式３）
（式中、Ｒは炭素数１０以下の飽和炭化水素基である。Ｍは、アルカリ金属である。）
と反応させて得られる式４で表されるジエン化合物の製造方法が提供される。
【化８】
0004041928.tif 000003
（式４）
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4およびＲ5は、式２におけると同様である。Ｒは、式３におけると同様である。）
【０００８】
【発明の実施の形態】
本発明のジエン化合物は、式１で表される。
【化９】
0004041928.tif 000004
（式１）
（式中、Ａは、１−ヘプテニル基、３−ジメチルｔｅｒｔ−ブチルシロキシ−４−フェノキシ−１−ブテニル基、３−ジメチルｔｅｒｔ−ブチルシロキシ−３−シクロヘキシル−１−プロペニル基、３−ジメチルｔｅｒｔ−ブチルシロキシ−１−プロペニル基、３−ｎ−ブチル−１−ヘプテニル基である。ＢおよびＣの一方は水素原子であり、他方は水酸基である。）
【０００９】
式中のＢが水素原子でＣが水酸基のときのジエン化合物は、３−置換−５−ヒドロキシ−シクロペンテンである。また、式中のＢが水酸基でＣが水素原子のときのジエン化合物は、３−置換−４−ヒドロキシ−シクロペンテンである。
【００１０】
３−置換−５−ヒドロキシ−シクロペンテンは、具体的には、３−（１−ヘプテニル）−５−ヒドロキシ−シクロペンテン、３−（３−ジメチルｔｅｒｔ−ブチルシロキシ−４−フェノキシ−１−ブテニル）−５−ヒドロキシ−シクロペンテン、３−（３−ジメチルｔｅｒｔ−ブチルシロキシ−３−シクロヘキシル−１−プロペニル）−５−ヒドロキシ−シクロペンテン、３−（３−ジメチルｔｅｒｔ−ブチルシロキシ−１−プロペニル）−５−ヒドロキシ−シクロペンテン、３−（３−ｎ−ブチル−１−ヘプテニル）−５−ヒドロキシ−シクロペンテンである。
【００１１】
３−置換−４−ヒドロキシ−シクロペンテンは、具体的には、３−（１−ヘプテニル）−４−ヒドロキシ−シクロペンテン、３−（３−ジメチルｔｅｒｔ−ブチルシロキシ−４−フェノキシ−１−ブテニル）−４−ヒドロキシ−シクロペンテン、３−（３−ジメチルｔｅｒｔ−ブチルシロキシ−３−シクロヘキシル−１−プロペニル）−４−ヒドロキシ−シクロペンテン、３−（３−ジメチルｔｅｒｔ−ブチルシロキシ−１−プロペニル）−４−ヒドロキシ−シクロペンテン、３−（３−ｎ−ブチル−１−ヘプテニル）−４−ヒドロキシ−シクロペンテンである。
【００１２】
本発明の製造方法は、式２で表される化合物
【化１０】
0004041928.tif 000005
（式２）
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は、水素原子または酸素含有官能基もしくはケイ素含有官能基で置換されていても良い炭素数１０以下の炭化水素基を表す。Ｃ1とＣ4とは直接または２価の炭化水素基を介して結合して環を形成しても良い。Ｒ5は、炭素数１０以下の炭化水素基、酸素含有官能基またはケイ素含有官能基である。Ｔは、アシル基または炭酸モノエステル残基である。）
をニッケル触媒の存在下において
式３で表されるボレート
【化１１】
0004041928.tif 000006
（式３）
（式中、Ｒは炭素数１０以下の飽和炭化水素基である。Ｍは、アルカリ金属である。）
と反応させることを特徴とする式４で表されるジエン化合物の製造方法である。
【００１３】
【化１２】
0004041928.tif 000007
（式４）
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4およびＲ5は、式２におけると同様である。Ｒは、式３におけると同様である。）
【００１４】
本製造方法で使用される原料は、前記式２で表される化合物である。
式２で表わされる化合物のＲ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は、水素原子または酸素含有官能基もしくはケイ素含有官能基で置換されていてもよい炭素数１０以下の炭化水素基を表す。
【００１５】
炭素数１０以下の炭化水素基は、分岐しても良い鎖状もしくは環状の飽和炭化水素基またはアリール基であり、酸素含有官能基もしくはケイ素含有官能基に置換されていても良い。
分岐しても良い鎖状の飽和炭化水素基の炭素数は、好ましくは５以下である。分岐しても良い鎖状の飽和炭化水素基の具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基等が挙げられる。
【００１６】
環状の飽和炭化水素基の炭素数は、好ましくは６以下である。環状の飽和炭化水素基の具体例としては、例えば、シクロブチル基、メチルシクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
アリール基の炭素数は、好ましくは１０以下である。アリール基の具体例としては、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基、キシリル基等が挙げられる。
【００１７】
上記炭化水素基は、酸素含有官能基もしくはケイ素含有官能基で置換されていてもよい。
酸素含有官能基としては、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシル基などを例示することができる。ケイ素含有官能基としては、トリアルキルシロキシ基、トリアルキルシリル基等を例示することができる。
【００１８】
アルコキシ基の具体例としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等が挙げられる。
アシル基の具体例としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基等が挙げられる。
【００１９】
トリアルキルシロキシ基の具体例としては、例えば、トリメチルシロキシ基、トリエチルシロキシ基、ジメチル−ｔｅｒｔ−ブチルシロキシ基等が挙げられる。
トリアルキルシリル基の具体例としては、例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）シリル基等が挙げられる。
【００２０】
また、式２の化合物は、Ｃ1とＣ4とが直接結合しても良いし、２価の炭化水素基を介して結合して環を形成しても良い。
上記Ｃ1とＣ4とが直接結合して環を形成結合する場合は、式２のＣ1とＣ4とにそれぞれ結合しているＲ1とＲ4は、式２から除かれる。
【００２１】
式２のＣ1とＣ4とが直接結合した場合は、式２の化合物は、シクロブテン化合物となる。
上記Ｃ1とＣ4とが２価の炭化水素基を介して結合して環を形成結合する場合は、式２のＣ1が２価の炭化水素基に当たり、Ｃ4に結合しているＲ4は式２から除かれる。
２価の炭化水素基の具体例としては、例えば、メチレン基、エチレン基、ｎ−プロピレン基、ｎ−ブチレン基等が挙げられる。
【００２２】
式２のＣ1とＣ4とが２価の炭化水素基を介して結合して環を形成した場合は、式２の化合物は、例えば、シクロペンテン化合物、シクロヘキセン化合物、シクロヘプテン化合物等となり、好ましくは、シクロペンテン化合物である。
【００２３】
式２のＲ5は、炭素数１０以下の炭化水素基、酸素含有官能基またはケイ素含有官能基である。
炭素数１０以下の炭化水素基は、上記のＲ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4と同様である。
酸素含有官能基およびケイ素含有官能基は、上記のＲ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4と同様である。
【００２４】
式２で表される化合物のＴは、アシル基または炭酸モノエステル残基である。
アシル基は、その炭素数が５以下である。アシル基の具体例としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基等が挙げられる。
【００２５】
炭酸モノエステル残基は、その炭素数が５以下である。炭酸モノエステル残基の具体例としては、例えば、炭酸モノメチルエステル基（−ＣＯＯ−ＣＨ3）、炭酸モノエチルエステル基（−ＣＯＯ−Ｃ2Ｈ5）、炭酸モノプロピルエステル基（−ＣＯＯ−Ｃ3Ｈ7）等が挙げられる。
【００２６】
式２で表される化合物としては、鎖状化合物、環状化合物がある。
鎖状化合物の具体例としては、例えば、２−ブテン−１，４−ジオールモノ酢酸エステル、２−ブテン−１，４−ジオールモノプロピオン酸エステル、２−ブテン−１，４−ジオールモノ安息香酸エステル、１−トリメチルシロキシメチル−２−ブテン−１，４−ジオールモノ酢酸エステル（１位のモノエステルと４位のモノエステルの２種）、１，４−ジフェニル−２−ブテン−１，４−ジオールモノ酢酸エステルなどのブテン化合物；２−ペンテン−１，４−ジオールモノ酢酸エステル（１位のモノエステルと４位のモノエステルの２種）などのペンテン化合物；２−ヘキセン−１，４−ジオールのモノ酢酸エステル（１位のモノエステルと４位のモノエステルの２種）、３−ヘキセン−２，５−ジオールモノ酢酸エステルなどのヘキセン化合物；２，７−ジメチル−４−オクテン−３，６−ジオールモノ酢酸エステルなどのオクテン化合物；などが挙げられる。
【００２７】
環状化合物の具体例としては、ジオールモノエステルとして、例えば、シス−シクロペンテン−３，５−ジオールモノ酢酸エステル、シス−シクロペンテン−３，５−ジオールモノプロピオン酸エステル、シス−シクロペンテン−３，５−ジオールモノ安息香酸エステル、シス−シクロヘキセン−３，６−ジオールモノ酢酸エステル、トランス−シクロペンテン−３，５−ジオールモノ酢酸エステル、トランス−シクロペンテン−３，５−ジオールモノプロピオン酸エステル、トランス−シクロペンテン−３，５−ジオールモノ安息香酸エステル、トランス−シクロヘキセン−３，６−ジオールモノプロピオン酸エステル等；カルボン酸エステルとしては、例えば、（以下“／／”で結ばれた置換基は互いにシスであり、“／”の両側は互いにトランスであることを示す）４−メチル／／３−アセトキシ／／５−ヒドロキシシクロペンテン、４−メチル／３−アセトキシ／／５−ヒドロキシシクロペンテン、４−メチル／３−ベンゾイルオキシ／／５−ヒドロキシシクロペンテン、４／／４−ジメチル−３−アセトキシ−５−ヒドロキシシクロペンテン、４−メトキシメチル／／３−アセトキシ／／５−ヒドロキシシクロペンテン、４−メトキシメチル／３−アセトキシ／／５−ヒドロキシシクロペンテン、４／／５−ジメチル、３−アセトキシ／／６−ヒドロキシシクロヘキセン、４／／５−ジメチル／３−アセトキシ／／６−ヒドロキシシクロヘキセン、４−メチル／／３−アセトキシ／５−ヒドロキシシクロペンテン等；エポキシ化合物としては、例えば、シクロペンタジエンモノエポキシド、シクロヘキサジエンモノエポキシド等；などがあげられる。
【００２８】
なかでも、高い立体選択性を発現できることから環状が好ましく、特に、シス−シクロペンテン−３／／５−ジオールモノ酢酸エステル、シス−シクロペンテン−３／／５−ジオールモノプロピオン酸エステル、シス−シクロペンテン−３／／５−ジオールモノ安息香酸エステル、シス−シクロヘキセン−３／／６−ジオールモノ酢酸エステル、４−メチル／／３−アセトキシ／／５−ヒドロキシシクロペンテン、４−メチル／３−アセトキシ、５−ヒドロキシシクロペンテン、４−メチル／３−ベンゾイルオキシ／／５−ヒドロキシシクロペンテン等のシクロペンテン系化合物が好ましい。
【００２９】
式２で表される化合物は、公知の方法（例えば、ＪｏｕｒｎａｌｏｆＡｍｅｒｉｃａｎＣｈｅｍｉｃａｌＳｏｃｉｅｔｙ、１９８４、１０６、３６９５またはＳｙｎｔｈｅｓｉｓ、１９８８、１９などに記載されている）に従って合成することができる。
【００３０】
本反応で使用されるボレートは、前記式３で表される。
式中、Ｒは、炭素数１０以下の飽和炭化水素基であり、その具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基等のペンチル基類、ｎ−ヘキシル基などのヘキシル基類、ｎ−ヘプチル基やシクロヘキシルメチル基などのヘプチル基類、ｎ−オクチル基などのオクチル基類、等が挙げられる。
【００３１】
また、上記飽和炭化水素基の水素原子を、酸素含有官能基またはケイ素含有官能基で置換したものでもよい。
酸素含有官能基およびケイ素含有官能基は、上記のＲ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4と同様である。
【００３２】
Ｍは、アルカリ金属であり、ナトリウム、カリウム、リチウムが好ましく、リチウムがもっとも好ましい。
ボレートの具体例としては、例えば、Ｂ−ビニル−Ｂ−（ｎ−ブチル）−１−ボラ−２，５−ジオキサ−３，４−ジメチルシクロペンタンのリチウム塩、Ｂ−（１−プロペニル）−Ｂ−（ｎ−ブチル）−１−ボラ−２，５−ジオキサ−３，４−ジメチルシクロペンタンのリチウム塩、Ｂ−（１−ブテニル）−Ｂ−（ｎ−ブチル）−１−ボラ−２，５−ジオキサ−３，４−ジメチルシクロペンタンのリチウム塩等が挙げられる。
【００３３】
ボレートの使用量は、式２で表される化合物に対して、通常、１〜２倍モル、好ましくは１．２〜１．８倍モルである。
式３で表されるボレートは、公知の方法（Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌ，１９８３，２，１３１６−１３１９、Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌ，１９８３，２，１３１１−１３１６等に記載されている）に従って調製することができる。
【００３４】
本発明で使用されるニッケル触媒は、特に制限はないが、ハロゲン化ニッケルにホスフィンが配位した錯体が挙げられる。
かかるニッケル錯体の具体例としては、例えば、二塩化ニッケルビストリフェニルホスフィン、二臭化ニッケルビストリフェニルホスフィン、二塩化ニッケルビストリブチルホスフィン、二塩化ニッケルジフェニルホスフィノエタン、二塩化ニッケルジフェニルホスフィノプロパン等が挙げられる。なかでも二塩化ニッケルビストリフェニルホスフィンが好適である。これらのニッケル触媒は、単独で使用してもよく、２種以上組み合わせて使用することもできる。
【００３５】
ニッケル触媒の使用量は、上記式（１）で表される化合物に対して０．１〜２０モル％の範囲であり、好ましくは１〜１５モル％、特に好ましくは１〜１０モル％である。使用量は、少ないほど経済的であるが、反応効率との兼ね合いで決められる。
【００３６】
さらに、上記のニッケル触媒に、助触媒として、極性物質と金属ヨウ化物を適当量加えることにより、ジエン化合物を効率よく合成することができる。
極性物質としては、ニトリル化合物、アミド化合物、スルホキシド化合物等が挙げられ、なかでもニトリル化合物が好ましい。かかるニトリル化合物としては、２，２−ジメチルプロピオニトリル、バレロニトリル、ブチロニトリル等が好ましい。
【００３７】
これらの極性物質は、単独で使用してもよく、２種以上組み合わせて使用することもできる。
極性物質の使用量は、通常、上記式（１）で表される化合物に対し１〜１０倍モル、好ましくは１〜７倍モル、特に好ましくは２〜５倍モルである。
【００３８】
また、金属ヨウ化物は、アルカリ金属ヨウ化物、アルカリ土類金属ヨウ化物、遷移金属ヨウ化物などが挙げらる。
アルカリ金属ヨウ化物の具体例としては、例えば、ヨウ化リチウム、ヨウ化ナトリウム、ヨウ化カリウム等；アルカリ土類金属ヨウ化物の具体例としては、例えば、ヨウ化マグネシウム、ヨウ化カルシウム等；遷移金属ヨウ化物の具体例としては、例えば、ヨウ化亜鉛、ヨウ化鉄等；等が挙げられ、好ましくは、アルカリ金属ヨウ化物であり、なかでもヨウ化ナトリウムが特に好ましい。
【００３９】
これらの金属ヨウ化物は、単独で使用してもよく、２種以上組み合わせて使用することもできる。
金属ヨウ化物の使用量は、上記式（１）で表される化合物に対し通常０．０１〜２倍モル、好ましくは０．１〜１．５倍モル、特に好ましくは０．５〜１倍モルである。
【００４０】
本反応には溶剤を用いてもよい。溶剤としては、通常、極性溶剤であり、好ましくは、エーテル系溶剤、アミド系溶剤、スルホキシド系溶剤であり、より好ましくはエーテル系溶剤である。エーテル系溶剤としては、例えば、テトラヒドロフラン、１、４−ジオキサン、ジメチルエーテルが挙げられる。
溶剤の使用量は、特に制限されないが、通常、上記式２で表される化合物の重量に対して１〜２０倍であり、好ましくは５〜１０倍である。
【００４１】
反応の圧力は、特に制限されるものではないが、常圧程度の圧力が推奨される。
反応温度も、また、特に限定されるものではないが、−２０〜＋５０℃程度が好ましく、さらに０〜２５℃が好ましい。
【００４２】
反応終了後の操作としては、反応液を水に投入し、有機層を酢酸エチル等の有機溶媒で抽出し、乾燥させ、濃縮する。得られた残渣は、シリカカラムクロマトグラフィーまたは蒸留等の通常の方法で精製すればよい。
【００４３】
本反応で得られるジエン化合物は、前記式４で表される。
式４で表わされる化合物のＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4およびＲ5は、式２におけると同様である。式４のＲは、式３におけると同様である。
また、式４の化合物は、Ｃ1とＣ4とが直接結合しても良いし、２価の炭化水素基を介して結合して環を形成しても良いことは、式（１）で表される化合物と同様である。
【００４４】
式４で表わされる化合物の基本構造は、鎖状または環状であり、環状が好ましい。
式４で表される化合物としては、鎖状化合物、環状化合物があり、環状化合物が好適である。
【００４５】
式４で表される環状化合物の具体例としては、例えば、３−ビニル−５−ヒドロキシ−シクロペンテン、３−ビニル−５−エチル−シクロペンテン、３−（３−ジメチルｔｅｒｔ−ブチルシロキシ−１−ヘプテニル）−５−メトキシ−シクロペンテン、３−（１−ヘプテニル）−５−ヒドロキシ−シクロペンテン、３−（３−ジメチルｔｅｒｔ−ブチルシロキシ−１−オクテニル）−５−ヒドロキシ−シクロペンテン、３−（３−ジメチルｔｅｒｔ−ブチルシロキシ−４−フェノキシ−１−ブテニル）−５−ヒドロキシ−シクロペンテン、３−（３−ジメチルｔｅｒｔ−ブチルシロキシ−３−シクロヘキシル−１−プロペニル）−５−ヒドロキシ−シクロペンテン、３−（３−ジメチルｔｅｒｔ−ブチルシロキシ−１−プロペニル）−５−ヒドロキシ−シクロペンテン、３−（３−ｎ−ブチル−１−ヘプテニル）−５−ヒドロキシ−シクロペンテンなどが挙げられる。
【００４６】
式２で表される化合物が環状で式中の−Ｏ−ＴがＲ5に対してトランス配置であるとき、反応生成物である式４で表されるジエン化合物のＲ5と−ＣＨ＝ＣＨ−Ｒは、シス配置が高い選択比で生成する。また、式２の環状化合物の−Ｏ−ＴがＲ5に対してシス配置であるとき、反応生成物である式４で表されるジエン化合物のＲ5と−ＣＨ＝ＣＨ−Ｒは、トランス配置が高い選択比で生成する。
【００４７】
発明の好ましい実施の形態を以下にまとめる。
１．式２で表わされる化合物のＲ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は、水素原子、炭素数１０以下の炭化水素基または酸素含有官能基もしくはケイ素含有官能基で置換されていてもよい炭化水素基である。
２．式２で表される化合物のＴは、アシル基または炭酸モノエステル残基である。
３．上記３のアシル基は、アセチル基、プロピオニル基である。
４．上記３の炭酸モノエステル残基は、炭酸モノメチルエステル基（−ＣＯＯ−Ｍｅ）、炭酸モノエチルエステル基（−ＣＯＯ−Ｅｔ）、炭酸モノプロピルエステル基（−ＣＯＯ−Ｐｒ）である。
【００４８】
５．式２で表される化合物は、鎖状化合物、環状化合物があり、環状化合物が好適である。
６．式３のＭは、アルカリ金属であり、ナトリウム、カリウム、リチウムが好ましく、リチウムがもっとも好ましい。
７．ボレートの使用量は、式２で表される化合物に対して、１．２〜１．８倍モルである。
８．ニッケル触媒は、ハロゲン化ニッケルにホスフィンが配位した錯体である。
９．ニッケル触媒の使用量は、上記式（１）で表される化合物に対して１〜１５モル％、特に好ましくは１〜１０モル％である。
【００４９】
１０．ニッケル触媒に、助触媒として、極性物質と金属ヨウ化物を使用する。
１１．極性物質の使用量は、上記式（１）で表される化合物に対し１〜７倍モルである。
１２．金属ヨウ化物は、ヨウ化ナトリウムである。
１３．金属ヨウ化物の使用量は、上記式（１）で表される化合物に対して、０．１〜１．５倍モルである。
【００５０】
以下、実施例により本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれらの例によって制限されるものではない。
【００５１】
【実施例１−７】
よく乾燥し、窒素ガスで十分に内部の空気を置換した反応器に、テトラヒドロフラン６ｇ、二塩化ニッケルビストリフェニルホスフィン０．０９２ｇおよびヨウ化ナトリウム０．２６ｇ（１．７ミリモル）を加え、室温下に２０〜３０分撹拌しニッケル触媒を調製した。
上記の溶液温度を０℃とし、この中に式５で表わされるボロネート１．７ミリモル、リチウム化合物ＬｉＲ6（２．１ミリモル、表１にＲ6を示す。）の順に撹拌しながら加えボレートを調製した。
【化１３】
0004041928.tif 000008
【００５２】
次に、ここに溶媒である２、２−ジメチルプロピオニトリル０．５８ｇを加え、最後に１−アセトキシ−５−ヒドロキシ−シクロペンテン１．４ミリモルを滴下した。滴下後、２時間かけて温度を室温（２５℃）に上昇させ、そのままの状態で撹拌を続けた。反応時間は、ボレートや原料により変化するが、原料の滴下終了後から１２時間以内とした。
反応終了後、反応液を水に投入し、有機層を酢酸エチルで抽出した後、減圧濃縮し、残渣をシリカカラムクロマトグラフィーで精製した。表１の収率で生成物が得られた。
【表１】
0004041928.tif 000009
【００５３】
得られた生成物中、目的物である３−Ｒ6−５−ヒドロキシシクロペンテン（Ａ）と副生成物である３−Ｒ6−４−ヒドロキシシクロペンテン（Ｂ）の生成比は、表１のとおりであった。
【００５４】
実施例１−７で得られた３−Ｒ6−５−ヒドロキシシクロペンテン（Ａ）と副生成物である３−Ｒ6−４−ヒドロキシシクロペンテン（Ｂ）のデータを以下に示す。
【００５５】
実施例１
目的物（Ａ）；３−（トランス−１−ヘプテニル）−５−ヒドロキシ−シクロペンテン（ラセミ体）：
1ＨＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）ｄ０．９０（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，３Ｈ），１．１−１．５（ｍ，７Ｈ），１．７８−１．９７（ｍ，４Ｈ），３．４７（ｑ，Ｊ＝７Ｈｚ，１Ｈ），４．８５−４．９１（ｍ，１Ｈ），５．２２（ｄｄｔ，Ｊ＝８，１５，１Ｈｚ，１Ｈ），５．４４（ｄｔ，Ｊ＝１５，７Ｈｚ，１Ｈ），５．８２（ｂｒｓ，２Ｈ）．
13ＣＮＭＲ（７５ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）ｄ１３９．３，１３３．１，１３２．８，１３０．２，７７．１，４７．０，４１．２，３２．２，３１．２，２９．０，２２．４，１３．９．
ＩＲ（ｎｅａｔ）３３５０，３０４９，１６０６ｃｍ-1．
Ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ12Ｈ20Ｏ：Ｃ，７９．９４；Ｈ，１１．１８．Ｆｏｕｎｄ：Ｃ，７９．７９；Ｈ，１１．２４．
【００５６】
副生成物（Ｂ）；３−（トランス−１−ヘプテニル）−４−ヒドロキシ−シクロペンテン（ラセミ体）：
1ＨＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）ｄ０．８７（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，３Ｈ），１．１−１．５（ｍ，６Ｈ），１．７０（ｄ，Ｊ＝５Ｈｚ，１Ｈ），１．９７（ｑ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，２Ｈ），２．２６（ｄｏｕｂｌｅｔ  ｏｆ  ｓｅｘｔｅｔ，Ｊ＝１７，２Ｈｚ，１Ｈ），２．６８（ｄｄｑ，Ｊ＝７，１７，２Ｈｚ，１Ｈ），３．０９−３．１８（ｍ，１Ｈ），４．１０−４．１８（ｍ，１Ｈ），５．３２（ｄｄ，Ｊ＝８，１５Ｈｚ，１Ｈ），５．４９（ｄｔ，Ｊ＝７，１５Ｈｚ，１Ｈ），５．６１（ｄｑ，Ｊ＝６，２Ｈｚ，１Ｈ），５．７０（ｄｑ，Ｊ＝６，２Ｈｚ，１Ｈ）．
ＩＲ（ｎｅａｔ）３３８６，３０５５，１６１０，１５１０ｃｍ-1
【００５７】
実施例２
目的物（Ａ）；３−（シス−１−ヘプテニル）−５−ヒドロキシ−シクロペンテン（ラセミ体）：
1ＨＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）ｄ０．９１（ｔ，Ｊ＝７Ｈ，３Ｈ），１．２−１．５（ｍ，６Ｈ），１．６（ｂｒｓ，１Ｈ），１．８５（ｄｄｄ，Ｊ＝５，７，１４Ｈｚ，１Ｈ），２．０１（ｄｄｄ，Ｊ＝２．５，８，１４Ｈｚ，１Ｈ），２．０８（ｄｑ，Ｊ＝１，７Ｈｚ，２Ｈ），３．７８−３．８９（ｍ，１Ｈ），４．８６−４．９４（ｍ，１Ｈ），５．０９（ｔｔ，Ｊ＝１．５，１０Ｈｚ，１Ｈ），５．３８（ｄｄｔ，Ｊ＝１，１０，７Ｈｚ，１Ｈ），５．８０（ｄｄ，Ｊ＝２，５．５Ｈｚ，１Ｈ），５．８７（ｄｔ，Ｊ＝２，５．５Ｈｚ，１Ｈ）．
13ＣＮＭＲ（７５ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）ｄ１４０．０，１３３．１，１３２．５，１３０．４，７７．２，４１．９，４１．４，３１．３，２９．３，２７．３，２２．４，１３．９．
ＩＲ（ｎｅａｔ）３３９０，１５９５，７５２，６９０ｃｍ-1．
Ａｎａｌ．Ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ12Ｈ20Ｏ：Ｃ，７９．９４；Ｈ，１１．１８．Ｆｏｕｎｄ：Ｃ，７９．８１；Ｈ，１０．９７．
【００５８】
副生成物（Ｂ）；３−（シス−１−ヘプテニル）−４−ヒドロキシ−シクロペンテン（ラセミ体）：
1ＨＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）ｄ０．９０（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，３Ｈ），１．２−１．５（ｍ，６Ｈ），１．７（ｂｒｓ，１Ｈ），２．１４（ｑ，Ｊ＝７Ｈｚ，２Ｈ），２．３０（ｄ  ｏｆ  ｓｅｘｔｅｔ，Ｊ＝１７，２Ｈｚ，１Ｈ），２．７２（ｄｄｑ，Ｊ＝７，１７，２Ｈｚ，１Ｈ），３．４９（ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，１Ｈ），４．１１−４．１９（ｍ，１Ｈ），５．１１（ｔ，Ｊ＝１１Ｈｚ，１Ｈ），５．４７（ｄｄｔ，Ｊ＝１，１１，７Ｈｚ，１Ｈ），５．５５（ｄｑ，Ｊ＝６，２Ｈｚ，１Ｈ），５．７２（ｄｑ，Ｊ＝６，２Ｈｚ，１Ｈ）．
ＩＲ（ｎｅａｔ）３３９０，１５９５ｃｍ-1．
【００５９】
実施例３
目的物（Ａ）；３−（３−ジメチルｔｅｒｔ−ブチルシロキシ−１−オクテニル）−５−ヒドロキシ−シクロペンテン（ジアステレオ混合物）：
1ＨＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）（ｓｅｌｅｃｔｅｄ  ｄａｔａ）ｄ３．４９（ｑ，Ｊ＝７Ｈｚ，１Ｈ），３．９９（ｑ，Ｊ＝６Ｈｚ，１Ｈ），４．８４−４．９４（ｍ，１Ｈ），５．３５（ｄｄ，Ｊ＝７，１５Ｈｚ，１Ｈ），５．４２（ｄｄ，Ｊ＝６，１５Ｈｚ，１Ｈ），５．８１−５．８９（ｍ，２Ｈ）．
Ａｎａｌ．Ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ19Ｈ36Ｏ2Ｓｉ：Ｃ，７０．３１；Ｈ，１１．１８．Ｆｏｕｎｄ：Ｃ，７０．３０；Ｈ，１１．２８．
【００６０】
副生成物（Ｂ）；３−（３−ジメチルｔｅｒｔ−ブチルシロキシ−１−オクテニル）−４−ヒドロキシ−シクロペンテン（ジアステレオ混合物）：
1ＨＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）ｄ−０．００２  ａｎｄ  ０．０２３（２ｓ，６Ｈ），０．８７（ｂｒｓ，１２Ｈ），１．１−１．７（ｍ，９Ｈ），２．２６（ｄ，Ｊ＝１７Ｈｚ，１Ｈ），２．６８（ｄｄｑ，Ｊ＝６，１７，２Ｈｚ，１Ｈ），３．１２−３．１９（ｍ，１Ｈ），３．９７−４．０７（ｍ，１Ｈ），４．１０−４．１８（ｍ，１Ｈ），５．３９−５．５１（ｍ，２Ｈ），５．６３（ｄｑ，Ｊ＝６，２Ｈｚ，１Ｈ），５．７４（ｄｑ，Ｊ＝６，２Ｈｚ，１Ｈ）．
ＩＲ（ｎｅａｔ）３３９８，３０２６，１６２６，７５０，６９２ｃｍ-1．
【００６１】
目的物（Ａ）（光学活性体）：
1ＨＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）ｄ−０．００３（ｓ，３Ｈ），０．０２（ｓ，３Ｈ），０．８７（ｓ，１２Ｈ），１．１８−１．５６（ｍ，８Ｈ），１．６（ｂｒｓ，１Ｈ），１．８２−２．０４（ｍ，２Ｈ），３．４９（ｑ，Ｊ＝７Ｈｚ，１Ｈ），３．９９（ｑ，Ｊ＝６Ｈｚ，１Ｈ），４．８４−４．９４（ｍ，１Ｈ），５．３５（ｄｄ，Ｊ＝７，１５Ｈｚ，１Ｈ），５．４２（ｄｄ，Ｊ＝６，１５Ｈｚ，１Ｈ），５．８６（ｓ，２Ｈ）．
13ＣＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）ｄ１３８．７，１３３．５３，１３３．５１，１３２．５，７７．２，７３．５，４６．６，４１．０，３８．２，３１．７，２５．８，２４．９，２２．５，１８．１，１３．９，−４．３，−４．９．
ＩＲ（ｎｅａｔ）３４０２，３０５７，１２５７ｃｍ-1．
［ａ］２１Ｄ＝＋１５２（ｃ０．７２８，ＣＨＣｌ3）
【００６２】
目的物（Ａ）（光学活性体）：
1ＨＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）ｄ−０．０１（ｓ，３Ｈ），０．０１（ｓ，３Ｈ），０．８６（ｓ，１２Ｈ），１．２０−１．５６（ｍ，８Ｈ），１．７６（ｂｒｓ，１Ｈ），１．８２−２．０２（ｍ，２Ｈ），３．４６（ｑ，Ｊ＝６Ｈｚ，１Ｈ），３．９９（ｑ，Ｊ＝７Ｈｚ，１Ｈ），４．８３−４．９２（ｍ，１Ｈ），５．３４（ｄｄ，Ｊ＝７，１６Ｈｚ，１Ｈ），５．４１（ｄｄ，Ｊ＝６，１６Ｈｚ，１Ｈ），５．８０−５．８９（ｍ，２Ｈ）．
13ＣＮＭＲ（７５ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）ｄ１３８．７，１３３．５３，１３３．４６，１３２．５，７７．１，７３．４，４６．６，４０．９，３８．２，３１．６，２５．８，２４．９，２２．５，１８．１，１３．９，−４．３，−４．９．
ＩＲ（ｎｅａｔ）３３２５，３０５５，１１７３ｃｍ-1．
［ａ］２０Ｄ＝−１５３（ｃ０．９８，ＣＨＣｌ3）
【００６３】
実施例４
目的物（Ａ）；３−（３−ジメチルｔｅｒｔ−ブチルシロキシ−４−フェノキシ−１−ブテニル）−５−ヒドロキシ−シクロペンテン（ラセミ体）：
1ＨＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）ｄ０．０９（ｓ，６Ｈ），０．９０（ｓ，９Ｈ），１．８６（ｍ，３Ｈ），３．５６（ｑ，Ｊ＝６Ｈｚ，１Ｈ），３．８４（ｄ，Ｊ＝６Ｈｚ，２Ｈ），４．４６（ｑ，Ｊ＝６Ｈｚ，１Ｈ），４．８８−４．９１（ｍ，１Ｈ），５．５５（ｄｄ，Ｊ＝６，１５Ｈｚ，１Ｈ），５．６３（ｄｄｄ，Ｊ＝２，６，１５Ｈｚ，１Ｈ），５．８３−５．９１（ｍ，２Ｈ），６．８７−６．９５（ｍ，３Ｈ），７．２４−７．３１（ｍ２Ｈ）．
13ＣＮＭＲ（７５ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）ｄ１５８．９，１３８．２３，１３８．２０，１３４．９５，１３４．９１，１３３．８，１２９．４，１２９．０６，１２９．０３，１２０．６，１１４．５，７６．９０，７６．８９，７２．２，７１．６７，７１．６３，４６．６２，４６．５９，４０．７７，４０．７４，２５．７，１８．２，−４．７７，−４．８３．
ＩＲ（ｎｅａｔ）３３４６，３０５９，１６０１，１４９６，１２４８ｃｍ-1．Ａｎａｌ．Ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ21Ｈ32Ｏ3Ｓｉ：Ｃ，６９．９５；Ｈ，８．９４．Ｆｏｕｎｄ：Ｃ，６９．４９；Ｈ，８．８４．
【００６４】
副生成物（Ｂ）；３−（３−ジメチルｔｅｒｔ−ブチルシロキシ−４−フェノキシ−１−ブテニル）−４−ヒドロキシ−シクロペンテン（ラセミ体）：
1ＨＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）ｄ０．０８（ｓ，６Ｈ），０．８９（ｓ，９Ｈ），１．７２（ｂｒｓ，１Ｈ），２．２７，（ｄ，Ｊ＝１７Ｈｚ，１Ｈ），２．６９（ｄｄ，Ｊ＝６，１７Ｈｚ，１Ｈ），３．１７−３．２５（ｍ，１Ｈ），３．８４（ｄ，Ｊ＝６Ｈｚ，２Ｈ），４．１３−４．２０（ｍ，１Ｈ），４．４８（ｑ，Ｊ＝６Ｈｚ，１Ｈ），５．５６−５．７９（ｍ，４Ｈ），６．８４−６．９７（ｍ，３Ｈ），７．２２−７．３２（ｍ，２Ｈ）．
ＩＲ（ｎｅａｔ）３３６９，３０４７，１５９５，７５４ｃｍ-1．
【００６５】
実施例５
目的物（Ａ）；３−（３−ジメチルｔｅｒｔ−ブチルシロキシ−３−シクロヘキシル−１−プロペニル）−５−ヒドロキシ−シクロペンテン（ラセミ体）：
1ＨＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）ｄ−０．０３（ｓ，３Ｈ），０．００３（ｓ，３Ｈ），０．８７（ｓ，９Ｈ），１．０５−１．８８（ｍ，１２Ｈ），１．８８−２．０４（ｍ，２Ｈ），３．５０（ｑ，Ｊ＝７Ｈｚ，１Ｈ），３．６９（ｄｔ，Ｊ＝２，７Ｈｚ，１Ｈ），４．８４−４．９４（ｍ，１Ｈ），５．３１（ｄｄ，Ｊ＝７，１５Ｈｚ，１Ｈ），５．３８（ｄｄ，Ｊ＝７，１５Ｈｚ，１Ｈ），５．８３−５．８９（ｍ，２Ｈ）．
13ＣＮＭＲ（７５ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）ｄ１３８．８，１３８．６，１３３．６０，１３３．５６，１３３．５１，１３２．１，７８．１，７７．１８，７７．１５，４６．７，４４．４，４１．０，４０．９，２９．０，２８．６，２８．５，２６．６，２６．１７，２６．１２，２５．８，１８．１，−４．１，−４．９．
ＩＲ（ｎｅａｔ）３４２１，１７０１，１２５４，８３５，７７５ｃｍ-1．
Ａｎａｌ．Ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ20Ｈ36Ｏ2Ｓｉ：Ｃ，７１．３７；Ｈ，１０．７８．Ｆｏｕｎｄ：Ｃ，７１．４０；Ｈ，１０．５５．
【００６６】
副生成物（Ｂ）；３−（３−ジメチルｔｅｒｔ−ブチルシロキシ−３−シクロヘキシル−１−プロペニル）−４−ヒドロキシ−シクロペンテン（ラセミ体）：
1ＨＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）ｄ−０．０３５，−０．０２１，０．００３ａｎｄ０．０１１（４ｓ，６Ｈ），０．８６５ａｎｄ０．８７４（２ｓ，９Ｈ），１．１−１．９（ｍ，１２Ｈ），２．２７（ｄ，Ｊ＝１７Ｈｚ，１Ｈ），２．６９（ｄｍ，Ｊ＝１７Ｈｚ，１Ｈ），３．１４−３．２０（ｍ，１Ｈ），３．７０−３．７５（ｍ，１Ｈ），４．１１−４．１８（ｍ，１Ｈ），５．３４−５．４９（ｍ，２Ｈ），５．５９−５．６５（ｍ，１Ｈ），５．７２−５．７７（ｍ，１Ｈ）．
ＩＲ（ｎｅａｔ）３３６７，１５９５，１２５２ｃｍ-1．
【００６７】
実施例６
目的物（Ａ）；３−（３−ジメチルｔｅｒｔ−ブチルシロキシ−１−プロペニル）−５−ヒドロキシ−シクロペンテン（ラセミ体）：
1ＨＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）ｄ０．０６（ｓ，６Ｈ），０．８９（ｓ，９Ｈ），１．５（ｂｒｓ，１Ｈ），１．８７−２．０３（ｍ，２Ｈ），３．５４（ｑ，Ｊ＝７Ｈｚ，１Ｈ），４．１２（ｄ，Ｊ＝４．５Ｈｚ，１Ｈ），４．８４−４．９３（ｍ，１Ｈ），５．４８（ｄｄ，Ｊ＝７，１６Ｈｚ，１Ｈ），５．５６（ｄｔ，Ｊ＝１６，４．５Ｈｚ，１Ｈ），５．８７（ｂｒｓ，２Ｈ）．
13ＣＮＭＲ（７５ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）ｄ１３８．７，１３３．６，１３３．５，１２８．９，７７．１，６３．７，４６．６，４０．９，２５．９，１８．３，−５．３．
ＩＲ（ｎｅａｔ）３３６９，１２５５，８３７，７７５ｃｍ-1．
Ａｎａｌ．Ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ14Ｈ26Ｏ2Ｓｉ：Ｃ，６６．０９；Ｈ，１０．３０．Ｆｏｕｎｄ：Ｃ，６６．１２；Ｈ，１０．３０．
【００６８】
副生成物（Ｂ）；３−（３−ジメチルｔｅｒｔ−ブチルシロキシ−１−プロペニル）−４−ヒドロキシ−シクロペンテン（ラセミ体）：
1ＨＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）（ｄｉａｇｎｏｓｔｉｃ  ｓｉｇｎａｌｓ）ｄ３．１５−３．２２（ｍ，１Ｈ），５．５７−５．６６（ｍ，３Ｈ），５．７２−５．７７（ｍ，１Ｈ）．
ＩＲ（ｎｅａｔ）３３９８，８３７，７７５ｃｍ-1．
【００６９】
実施例７
目的物（Ａ）；３−（３−ｎ−ブチル−１−ヘプテニル）−５−ヒドロキシ−シクロペンテン（ラセミ体）：
1ＨＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）ｄ０．８６（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，６Ｈ），１．０５−１．４０（ｍ，１２Ｈ），１．６４（ｂｒｓ，１Ｈ），１．７７−１．８８（ｍ，１Ｈ），１．９０（ｄｄｄ，Ｊ＝５，７，１４Ｈｚ，１Ｈ），１．９８（ｄｄｄ，Ｊ＝３，８，１４Ｈｚ，１Ｈ），３．４４−３．５２（ｍ，１Ｈ），４．８６−４．９２（ｍ，１Ｈ），５．０７−５．２１（ｍ，２Ｈ），５．８２−５．８８（ｍ，２Ｈ）．
13ＣＮＭＲ（７５ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）ｄ１３９．４，１３４．８，１３３．０，１３２．５，７７．１，４７．１，４２．５，４１．３，３４．９８，３４．９２，２９．３，２２．６４，２２．６２，１３．９．
ＩＲ（ｎｅａｔ）３３５０，３０５５，１０２２ｃｍ-1．
Ａｎａｌ．Ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ16Ｈ28Ｏ：Ｃ，８１．２９；Ｈ，１１．９４．Ｆｏｕｎｄ：Ｃ，８１．１０；Ｈ，１１．７３．
【００７０】
副生成物（Ｂ）；３−（３−ｎ−ブチル−１−ヘプテニル）−４−ヒドロキシ−シクロペンテン（ラセミ体）：
1ＨＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）ｄ０．８７（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，６Ｈ），１．１−１．４（ｍ，１２Ｈ），１．６２−１．９２（ｍ，２Ｈ），２．２５（ｄｏｆｓｅｘｔｅｔ，Ｊ＝１７，２Ｈｚ，１Ｈ），２．６８（ｄｄｑ，Ｊ＝６，１７，３Ｈｚ，１Ｈ），３．０９−３．１６（ｍ，１Ｈ），４．１３（ｄｔ，Ｊ＝６，３Ｈｚ，１Ｈ），５．１８（ｄｄ，Ｊ＝８，１５Ｈｚ，１Ｈ），５．２４（ｄｄ，Ｊ＝７，１５Ｈｚ，１Ｈ），５．６２（ｄｑ，Ｊ＝６，２Ｈｚ，１Ｈ），５．７２（ｄｑ，Ｊ＝６，２Ｈｚ，１Ｈ）．
ＩＲ（ｎｅａｔ）３３６５，３０５７，８０２，７１４ｃｍ-1．
【００７１】
【発明の効果】
本発明によれば、医薬品などの中間体として有用と思われる上記式１で表される新規なジエン化合物が得られる。また、本発明の製造方法により、トランス−３−（３−ジメチルｔｅｒｔ−ブチルシロキシ−１−オクテニル）−５−ヒドロキシ−シクロペンテン等のジエン化合物を効率よく合成することができる。
【化５】
0004041928.tif 000010
【化５】
0004041928.tif 000011