(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードフレーム素材に対して１次加工によりガイド孔を形成し、その後に前記リードフレーム素材のメッキ領域に銀メッキを施し、その後に２次加工により前記メッキ領域の一部が半導体チップ搭載部および端子部となり且つ前記メッキ領域の残り部分が除去されるようリードフレーム形状に形成するリードフレームの形成方法において、
前記１次加工時に、前記メッキ領域の隅部に、少なくとも前記メッキ領域の一部に食い込むようなメッキ液用溜まり孔を形成することを特徴とするリードフレームの形成方法。
【請求項２】
前記メッキ液用溜まり孔を、前記メッキ領域の全部の隅部に形成したことを特徴とする請求項１に記載のリードフレームの形成方法。
【請求項３】
前記メッキ液用溜まり孔の形状を、メッキ領域を囲むような９０度曲折したカギ形状としたことを特徴とする請求項２に記載のリードフレームの形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体用リードフレームの形成方法に係り、特に半導体チップ搭載やワイヤボンドの工程で使用される銀（Ａｇ）メッキの処理方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
リードフレームに半導体チップを搭載し樹脂封止する際には、そのリードフレームのチップ搭載部（ダイアイランド）に搭載される半導体チップのパッドとリードフレームの端子部との間を、金（Ａｕ）ワイヤで接続する必要がある。この接続を円滑且つ欠陥なく行うために、リードフレームの端子部に金又は銀をメッキすることが行われているが、最近では経済的理由から銀メッキが一般的となっている。
【０００３】
この銀メッキは、リードフレームの端子部の周囲全面に施すよりも必要とする部分のみに施す方が、経済性の面ばかりか、銀マイグレーション防止の面からも効果的である。この銀マイグレーションは、リードフレームと半導体チップを封止したモールド樹脂との間隙から侵入する湿気や汚染物質によって、直流電圧印加により銀が析出してパッケージ外側の隣接端子間で短絡事故を起こす現象を言う。
【０００４】
そこで、リードフレームの樹脂封止には、外気を極力遮断したり、その銀メッキ部分をモールド樹脂の外部に露出させないための多くの工夫が必要とされている。
【０００５】
図５は、ＳＯＰ（スモール・アウトライン・パッケージであって、端子ピッチが1.27mm）タイプの分離前のリードフレーム素材１０’の平面図であり、各リードフレーム１１には、プレス加工によって、半導体チップ搭載部１２およびワイヤボンド用端子部１３が打ち抜き形成されている。１４は位置決め用のガイド孔である。図６は分離前のリードフレーム１１の拡大図であり、半導体チップ搭載部１２とワイヤボンド用端子部１３に銀メッキ１２ａ、１３ａ（斜線部分）が施されている。１５はリードフレーム１１を形成するための打ち抜き孔、１６はリードフレーム１１の樹脂モールド領域である。
【０００６】
図７は前記メッキを電解により行うための銀メッキ用治具２０を示す図である。２１は外筺をなすメッキスパージャ、２２はメッキ液の導入口、２３はメッキ液の導出口、２４は陽極兼用のメッキ液のノズル、２５は非メッキ部分をマスクするマスク板、２６は同様のマスクゴム、２７はリードフレーム素材１０’を押さえる押さえゴム、２８は同様の押さえ板である。
【０００７】
ここでは、図５に示したリードフレーム素材１０’の各リードフレーム１１を、銀メッキ１２ａ，１３ａを施すメッキ領域１７（図６参照）が下面に露出するように位置決めし、マスクゴム２６と押さえゴム２７で押さえ込んでから、ノズル２４側が正極、リードフレーム素材１０’が負極となるよう直流電圧を印加するとともに、導入口２２からメッキ液を所定圧力で導入してノズル２４によりメッキ領域１７に噴出して銀メッキを行う。
【０００８】
しかし、この手法では、予め個々のリードフレームへの切断分離直前の形状にまでプレス加工して打ち抜いたリードフレーム１１に銀メッキを行うので、端子部１３のワイヤボンドに必要な銀メッキ１３ａの他に、図８に示すように、ワイヤボンドに無関係な側面（切断端面）にも銀メッキ１３ｂが付着し、特に側面の銀メッキ１３ｂがパッケージ外側近くにまで、さらには外側にまで伸びる場合には、前記した銀マイグレーションの恐れがある。
【０００９】
このため、銀メッキ剥離液でこの側面のメッキ１３ｂを剥離したり半田で被覆しているが、端子ピッチが小さいこともあって、完全に除去したり半田で覆うことはできなかった。これは、端子ピッチがさらに小さい小形表面実装パッケージや超小形表面実装パッケージでは顕著であった。
【００１０】
そこで、図９に示すように、ガイド孔１４のみを形成した段階のリードフレーム素材１０’に銀メッキを施す方法が採用されている。これは、「先マスクメッキ＋スタンピング（プレス加工）法」と呼ばれるリードフレーム形成法であり、リードフレーム素材１０’にガイド孔１４のみを形成（１次プレス加工）し、このガイド孔１４を基準に位置決めして銀メッキ治具２０にセットし、前記したメッキ領域１７の面に予め銀メッキ１７ａを施し、その後に図５に示したリードフレーム１１をなす形状にプレス加工（２次プレス加工）して半導体チップ搭載部１２や端子部１３を形成し、必要に応じてオフセット（段差）を形成する形成方法であり、この方法によれば、メッキ処理後にプレス加工するので、端子部１３の側面（切断端面）に銀メッキが付着することはない。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、この「先マスクメッキ＋スタンピング法」では、リードフレーム素材１０’のメッキ領域１７がマスクゴム２６やマスク板２５で囲まれた袋領域の奥部に位置するので、図１０に示すように、ノズル２４から吹き上げられるメッキ液がこの袋領域で渦を作るように流れて、隅部分に泡が発生する。
【００１２】
このメッキ液の泡は逃げ場がないので、その部分にメッキ不着による多数の微少ボイド（３０μｍφ〜５０μｍφ）が生成して、メッキむらによりメッキ品質が劣化する問題があった。このメッキむらが生じる部分は後にプレス加工されてワイヤボンド端子部１３となる部分であり、ワイヤボンドの品質に大きな影響を与えることになる。
【００１３】
本発明は以上のような点に鑑みてなされたもので、その目的は「先マスクメッキ＋スタンピング法」等によるメッキ処理において、メッキむらが発生しないようにしたリードフレームの形成方法を提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための第１の発明は、リードフレーム素材に対して１次加工によりガイド孔を形成し、その後に前記リードフレーム素材のメッキ領域に銀メッキを施し、その後に２次加工により前記メッキ領域の一部が半導体チップ搭載部および端子部となり且つ前記メッキ領域の残り部分が除去されるようリードフレーム形状に形成するリードフレームの形成方法において、前記１次加工時に、前記メッキ領域の隅部に、少なくとも前記メッキ領域の一部に食い込むようなメッキ液用溜まり孔を形成するよう構成した。
【００１５】
第２の発明は、第１の発明において、前記メッキ液用溜まり孔を、前記メッキ領域の全部の隅部に形成するようにした。
【００１６】
第３の発明は、第２の発明において、前記メッキ液用溜まり孔の形状を、メッキ領域を囲むような９０度曲折したカギ形状とした。
【００１７】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の実施の形態のリードフレーム素材１０の平面図である。図２はメッキ領域の拡大図である。１４はメッキやプレス加工の際のセッティング用のガイド孔、１７はメッキ領域であり、図５、図９におけるものと同じである。１８はこのメッキ領域１７の４隅の部分に形成した溜まり孔である。
【００１８】
本実施形態では、リードフレーム素材１０の１次プレス加工時に、ガイド孔１４の他に溜まり孔１８を同時に形成し、その後にメッキ領域１７に銀メッキ処理を行い、その後にリードフレームの形状に打ち抜く２次プレス加工を行う。つまり、「先マスクメッキ＋スタンピング法」でリードフレームを形成する。
【００１９】
図３はこの銀メッキ処理の説明図である。図１０に示したものと同じものには同じ符号を付している。この実施形態でも、リードフレーム素材１０のメッキ領域１７がマスクゴム２６やマスク板２５で囲まれた袋領域の奥部に位置することになり、ノズル２４から吹き上げられるメッキ液がこの袋領域で渦を作るように流れて、隅部分に泡が発生する。
【００２０】
しかし、この泡はリードフレーム素材１０のメッキ領域１７の隅から溜まり孔１８に逃げるので、メッキ不着による微少ボイドが発生することはなく、メッキ領域１７の全面に高品質な銀メッキ１７ａ（例えば、メッキ厚３μｍ）を施すことが可能となる。
【００２１】
よって、このリードフレーム素材１０を２次プレス加工して、必要に応じてオフセット加工したり半導体チップ搭載部や端子部を形成すると、銀メッキの必要な箇所には確実に銀メッキ処理が施され、且つ端子の切断端面等のメッキの不要な箇所への銀メッキが皆無のリードフレームを得ることができ、銀マイグレーションの恐れは皆無となる。
【００２２】
なお、溜まり孔１８は、メッキ領域１７に少なくとも一部が食い込むように形成する必要があるが、その形状は図４(a)に示すように、９０度曲折したカギ形状の溜まり孔１８Ａに形成しても、また図４(b)に示すように丸形状の溜まり孔１８Ｂとしても、さらには別の形状に形成してもよい。図４(a)のカギ形状の場合、１次プレス後の銀メッキ後の検査で、メッキ領域のズレやハミダシの有無等の確認が容易となる。また、本発明では、プレス加工でガイド孔およびリードフレーム形状を形成したが、プレス加工とエッチング加工による方法を適宜選択組み合わせても、或いはエッチング加工のみを組み合わせても、同一の効果が得られることは言うまでもない。
【００２３】
【発明の効果】
以上から本発明によれば、微細な端子ピッチをもつリードフレームであっても、その端子部や半導体チップ搭載部に高精度に銀メッキを施すことができ、また銀マイグレーションの恐れも皆無となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明のリードフレーム素材のリードフレームのプレス加工前の平面図である。
【図２】  図１のメッキ領域とその４隅に形成した溜まり孔の拡大図である。
【図３】  メッキ領域へのメッキ処理の説明図である。
【図４】  (a)、(b)はメッキ領域に形成した溜まり孔の変形例である。
【図５】  従来のリードフレームフレーム素材のリードフレームのプレス加工済みの平面図である。
【図６】  図５のリードフレーム部分の拡大図である。
【図７】  銀メッキ用治具の断面図である。
【図８】  銀メッキされた端子部の部分斜視図である。
【図９】  従来のリードフレーム素材のリードフレームのプレス加工前の平面図である。
【図１０】従来のメッキ領域へのメッキ処理の説明図である。
【符号の説明】
１０、１０’：リードフレーム素材、１１：リードフレーム、１２：半導体チップ搭載部、１２ａ：銀メッキ、１３：ワイヤボンド端子部、１３ａ：銀メッキ、１４：ガイド孔、１５：打ち抜き孔、１６：樹脂モールド領域、１７：メッキ領域、１７ａ：銀メッキ、１８，１８Ａ，１８Ｂ：溜まり孔、
２０：銀メッキ用治具、２１：メッキスパージャ、２２：メッキ液導入口、２３：メッキ液導出口、２４：ノズル、２５：マスク板、２６：マスクゴム、２７：押さえゴム、２８：押さえ板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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