(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に電子部品を装着する電子部品装着装置であって、
基板を静電気力により保持する基板用ステージと、
前記基板表面をプラズマ洗浄させるために前記基板用ステージの下に高周波電圧を印加するためのベースと、
前記基板用ステージが内部に配置されるチャンバと、
吸引口から吸引にて対象物を吸引する機構部と電圧を付与して対象物を静電気力により保持させる電圧付与部とからなり前記電子部品の電極以外を保持するための突出部をもった保持具と、
前記電子部品を前記基板用ステージに保持された前記基板に装着する装着部と、
前記チャンバ内にて前記電子部品が載置される電子部品用ステージと、
前記電子部品用ステージ上の電子部品を前記保持具で保持して反転し、前記電子部品を前記装着部に渡す反転部と、
前記基板を前記チャンバに搬入する搬入基板保持機構と、
前記基板を前記チャンバから搬出する前記搬入基板保持機構と異なる基板保持機構とからなることを特徴とする電子部品装着装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板に電子部品を装着する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型化および高機能化に伴い、高密度にて電子部品を基板に実装する技術が求められており、基板に形成される配線の微細化および狭ピッチ化が進められている。微細化および狭ピッチ化された配線への電子部品の実装には高い信頼性が必要となることから、電子部品装着前の配線の表面改質、洗浄等の処理が重要視されている。
【０００３】
特に、基板表面に塩素が残留している場合、回路を流れる電流等の影響により配線が腐食する可能性があるため、電子部品の装着前にプラズマ処理により塩素を除去する技術が必要となる。また、プラズマ処理では、アルゴンイオンや酸素イオンによるスパッタリング作用を利用した洗浄も同時に行うことができるという利点を有している。
【０００４】
そこで、近年では実装ラインから独立したプラズマ処理装置を別途追加配置し、実装ラインに基板をロードする前に作業者が手作業にてプラズマ処理装置に基板を搬出入しながら基板にプラズマ処理を行うようにしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、プラズマ処理装置では減圧環境にて処理が行われ、処理後の基板は高度な洗浄が行われた状態となるが、基板が作業者により大気中に取り出されると再び汚染される可能性が生じる。したがって、プラズマ処理後の基板への電子部品の装着はプラズマ処理直後に行われることが好ましいといえる。しかしながら、プラズマ処理直後の基板は所定のガスが充填された減圧雰囲気下とされるため、電子部品の取り扱いには通常の吸引吸着を行うチャックを利用することができない。
【０００６】
本発明は上記課題に鑑みなされたものであり、減圧環境下にて処理された基板を大気中に搬出することなく電子部品を装着することにより、基板への電子部品実装の信頼性を向上することを主たる目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の発明は、基板に電子部品を装着する電子部品装着装置であって、
基板を静電気力により保持する基板用ステージと、前記基板表面をプラズマ洗浄させるために前記基板用ステージの下に高周波電圧を印加するためのベースと、前記基板用ステージが内部に配置されるチャンバと、吸引口から吸引にて対象物を吸引する機構部と電圧を付与して対象物を静電気力により保持させる電圧付与部とからなり前記電子部品の電極以外を保持するための突出部をもった保持具と、前記電子部品を前記基板用ステージに保持された前記基板に装着する装着部と、前記チャンバ内にて前記電子部品が載置される電子部品用ステージと、
前記電子部品用ステージ上の電子部品を前記保持具で保持して反転し、前記電子部品を前記装着部に渡す反転部と、前記基板を前記チャンバに搬入する搬入基板保持機構と、前記基板を前記チャンバから搬出する前記搬入基板保持機構と異なる基板保持機構とからなることを特徴とする電子部品装着装置を用いる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の第１の実施の形態に係るプラズマ処理装置１の概略構成を示す正面図であり、図２は平面図である。プラズマ処理装置１は、回路配線が形成されたセラミック基板（以下、「基板」という。）９１にプラズマ処理を行うと共に電子部品であるベアＩＣチップを装着する装着装置としての動作も行う。
【００１７】
プラズマ処理装置１は、基台１１上にカバー１２を被せた外観をしており、基台１１上面には、基板９１を保持するパレット９２（図２参照）を２本のガイドレールの間で搬送するパレット搬送機構２１、ＩＣチップが並べられた部品トレイ９３を収納ラック９４から取り出すトレイ搬送機構２２、基板９１のプラズマ処理および電子部品の装着が行われるチャンバ３、並びに、パレット搬送機構２１とチャンバ３との間で基板９１を搬送する基板搬送機構２３（図２参照）が配置される。
【００１８】
チャンバ３内には、図２に示すように、部品トレイ９３が載置される部品用ステージ３１および基板９１が載置される基板用ステージ３２が設けられ、部品用ステージ３１および基板用ステージ３２のそれぞれはモータおよびボールネジを複数組み合わせた機構により図２中に示すＸおよびＹ方向に移動可能とされる。また、部品用ステージ３１のおよそ上方には部品トレイ９３からＩＣチップを取り出して反転させる反転機構３３（図１参照）が配置され、基板用ステージ３２のおよそ上方には反転機構３３からＩＣチップを受け取って基板９１に装着する装着機構３４が配置される。
【００１９】
反転機構３３は、静電気力を利用して（いわゆる、静電チャックとしての構造により）ＩＣチップを吸着保持する反転用保持部３３１、反転用保持部３３１の上下を反転させる反転部３３２、および、反転部３３２をＸ方向に移動させる移動部３３３を有する。装着機構３４は、静電気力を利用してＩＣチップを吸着保持する装着用保持部３４１、装着用保持部３４１をＺ方向に昇降させる昇降部３４２、および、昇降部３４２をＸ方向に移動させる移動部３４３を有する。
【００２０】
チャンバ３のトレイ搬送機構２２側の側面には部品トレイ９３用の開閉自在な搬出入口３５１が設けられ、基板搬送機構２３側の側面にも基板９１用の開閉自在な搬出入口３５２（図２参照）が設けられる。また、図１に示すように基台１１内には搬出入口３５１，３５２が閉じられた状態でチャンバ３内を減圧するポンプ等を有する減圧機構３６１、および、チャンバ３内に酸素やアルゴン等の所定のガスを供給するガス供給部３６２が配置される。
【００２１】
基台１１内にはさらに、収納ラック９４を昇降させるラック昇降機構２４、および、プラズマ処理装置１の各種構成を制御するコンピュータである全体制御部２５が配置される。
【００２２】
部品トレイ９３がチャンバ３内に搬入される際には、まず、トレイ搬送機構２２の保持部２２１が収納ラック９４から待避した状態でラック昇降機構２４が適宜、収納ラック９４を昇降させ、保持部２２１が収納ラック９４内の所望の部品トレイ９３の下方に挿入される。その後、保持部２２１が僅かに上昇して部品トレイ９３を保持し、搬出入口３５１を介して部品トレイ９３を部品用ステージ３１の上方へと搬送する。保持部２２１は部品トレイ９３が載置された状態で部品用ステージ３１へと下降し、部品トレイ９３の下面に設けられた突起が部品用ステージ３１と当接した段階で保持部２２１が収納ラック９４側へと待避する。これにより、部品トレイ９３の部品用ステージ３１への移載が完了する。なお、部品トレイ９３が収納ラック９４に収納される際にはトレイ搬送機構２２が逆の動作を行う。
【００２３】
基板搬送機構２３は、図２に示すように基板９１を吸引吸着により（いわゆる、真空チャックとしての構造により）保持する２つの基板保持部２３１ａ，２３１ｂを有し、各基板保持部２３１ａ，２３１ｂは進退部材２３３の先端に取り付けられる。進退部材２３３は、進退機構２３２によりＹ方向に進退およびＺ方向に昇降移動を行う。進退機構２３２は移動機構２３４によりＸ方向に移動可能とされる。
【００２４】
基板９１がチャンバ３内に搬入される際には、進退機構２３２および移動機構２３４により基板保持部２３１ａがパレット搬送機構２１上のパレット９２の上方へと移動して下降し、基板９１を吸引吸着する。その後、基板保持部２３１ａが上昇して搬出入口３５２を介して基板用ステージ３２の上方へと移動し、さらに下降して基板９１を基板用ステージ３２に当接させる。基板用ステージ３２は後述のように基板９１を静電気力を利用して保持する静電チャックとなっており、基板用ステージ３２が基板９１を保持した後に基板保持部２３１ａによる吸引吸着が解除されるとともに吸引口からブローが行われ、進退機構２３２により基板保持部２３１ａが上昇するとともにチャンバ３外へと待避する。
【００２５】
基板９１へのＩＣチップの装着が完了して基板９１が基板用ステージ３２からパレット９２へと移載される際には基板保持部２３１ｂが利用される。すなわち、進退機構２３２および移動機構２３４により基板保持部２３１ｂが搬出入口３５２と対向する位置へと移動し、基板用ステージ３２上の基板９１を吸引吸着するとともに基板用ステージ３２による保持が解除され、基板保持部２３１ｂにより基板用ステージ３２からパレット９２へと基板９１が移載される。このように、基板９１の搬入時と搬出時とでは異なる基板保持部が利用され、搬入時の基板９１の汚染が搬出時の基板９１へと広がらないようにされている。
【００２６】
図３は反転用保持部３３１および反転部３３２を示す斜視図である。反転用保持部３３１の取付軸はフランジ３３２１を貫通してアクチュエータ３３２２に取り付けられ、取付軸が軸方向に僅かに移動可能とされる。また、アクチュエータ３３２２はフランジ３３２１に対してスライド可能とされ、フランジ３３２１とアクチュエータ３３２２との間にはバネ３３２３が取り付けられる。バネ３３２３により、反転用保持部３３１がＩＣチップの受け渡しを行う際にＩＣチップに過大な力が作用することが防止される。
【００２７】
フランジ３３２１はフレーム３３２４に対して回転可能なプーリ３３２５に取り付けられ、プーリ３３２５はモータ３３２６により回転可能する。フレーム３３２４上にはもう１つのプーリ３３２７が取り付けられており、両プーリ３３２５，３３２７の間にはタイミングベルト３３２８が捲回され、プーリ３３２７はエンコーダ３３２９が取り付けられる。反転部３３２では、モータ３３２６により反転用保持部３３１がＹ方向を向く軸を中心に回転して上下が反転し、反転動作の制御はエンコーダ３３２９からの出力を確認しながら行われる。
【００２８】
反転用保持部３３１がＩＣチップを受け取る際には反転用保持部３３１の保持面が下方に向けられて図２に示す部品用ステージ３１が移動して所望のＩＣチップが反転用保持部３３１の真下へと移動される。そして、アクチュエータ３３２２により反転用保持部３３１が僅かに下降してＩＣチップに当接した段階で反転用保持部３３１が静電気力を利用してＩＣチップを保持する。その後、反転用保持部３３１が僅かに上昇するとともにモータ３３２６により上下が反転し、上方を向く反転用保持部３３１上にＩＣチップが保持された状態とされる。反転用保持部３３１により、汚染防止のために電極が上方を向いた状態で搬入されるＩＣチップの姿勢が、電極が下方を向くように変更される。
【００２９】
図４は装着用保持部３４１の近傍を示す斜視図である。装着用保持部３４１は昇降部３４２の軸３４２１に取り付けられ、昇降および軸周りに回動可能とされる。軸３４２１にはフランジ３４２２が取り付けられ、フランジ３４２２には装着用保持部３４１に超音波振動を与える超音波発生部３４２３が取り付けられる。
【００３０】
装着用保持部３４１が反転用保持部３３１からＩＣチップを受け取る際には、装着機構３４の移動部３４３および反転機構３３の移動部３３３により装着用保持部３４１と反転用保持部３３１とが図５に示すように対向する。そして、装着用保持部３４１が下降して反転用保持部３３１上のＩＣチップ９５と当接し、装着用保持部３４１が静電気力を利用してＩＣチップを吸着するとともに反転用保持部３３１による保持が解除され、装着用保持部３４１が上昇する。これにより、図６に示すようにＩＣチップ９５が装着用保持部３４１に保持される。
【００３１】
なお、図５に示すように反転用保持部３３１および装着用保持部３４１はそれぞれセラミック板３０１内に電極板３０２が埋め込まれた構造となっており、ＤＣ電源３０３がＯＮ状態にされるとＩＣチップ９５が静電気力により保持される。また、反転用保持部３３１は中央が僅かに突出しており、ＩＣチップ９５の電極９５１以外の部分を保持する。
【００３２】
図７は基板用ステージ３２の構造を示す図である。基板用ステージ３２は導体のベース３２１上にセラミック板３２２が取り付けられた構造となっており、セラミック板３２２内にはＤＣ電源３２３に接続された電極板３２４が埋め込まれている。ＤＣ電源３２３により電極板３２４に電圧が与えられるとセラミック板３２２上の基板９１が静電気力により吸着保持される。一方、ベース３２１には高周波電源３２５が接続されており、チャンバ３内が酸素やアルゴンを含む減圧雰囲気とされた後にベース３２１に高周波の電圧が付与されるとラジカルやイオンが発生し、化学反応による塩素や有機物の除去、スパッタリング作用による表面改質等の洗浄処理としての役割を果たすプラズマ処理が基板９１の表面に施される。すなわち、基板用ステージ３２が基板９１の洗浄（および、後述のＩＣチップの洗浄）を行う洗浄部を兼ねている。
【００３３】
図８および図９はプラズマ処理装置１の全体動作の流れを示す図であり、図１０ないし図１４は動作途上のプラズマ処理装置１の様子を示す図である。以下、これらの図を参照しながらプラズマ処理装置１の全体動作について説明する。なお、図１においてパレット搬送機構２１は基板９１を保持するパレット９２を右側から左側に搬送し、プラズマ処理装置１が使用される際には、例えば、上流側にはパレット搬送機構２１にパレット９２を渡すローダが配置され、下流側にはパレット搬送機構２１からパレット９２を受け取って装着後のＩＣチップに封止を行う封止装置が配置される。
【００３４】
プラズマ処理装置１では、まず、図１０に示すようにチャンバ３の２つの搬出入口３５１，３５２が開放された状態で、トレイ搬送機構２２が収納ラック９４から部品トレイ９３をチャンバ３に搬入して部品用ステージ３１上に載置し、この動作に並行して基板搬送機構２３が基板保持部２３１ａを用いて基板９１をパレット９２からチャンバ３に搬入し、基板用ステージ３２が基板９１を静電吸着する（ステップＳ１１，Ｓ１２）。
【００３５】
その後、搬出入口３５１，３５２が閉じられてチャンバ３が密閉状態とされ（ステップＳ１３）、図１に示す減圧機構３６１によりチャンバ３内のガスが排気される。このとき、ガス供給部３６２から酸素またはアルゴンがチャンバ３内へと導入され、チャンバ３内（すなわち、基板用ステージ３２の周囲）が所定の減圧雰囲気とされる（ステップＳ１４）。
【００３６】
図１１に示すように反転用保持部３３１は下方に向けられ、所望のＩＣチップを部品トレイ９３から静電吸着により保持する。さらに、反転用保持部３３１の上下が反転され（ステップＳ１５）、図１２に示すように反転用保持部３３１と装着用保持部３４１とが互いに対向するように位置する。図５および図６に示したように装着用保持部３４１はＩＣチップを静電吸着し、反転用保持部３３１は静電吸着を解除し、ＩＣチップが反転用保持部３３１から装着用保持部３４１へと渡される（ステップＳ１６）。
【００３７】
装着用保持部３４１は基板用ステージ３２側へと移動し、基板９１と装着用保持部３４１に保持されたＩＣチップとが対向する状態で、図７に示す高周波電源３２５が能動化され、基板用ステージ３２上の基板９１およびＩＣチップにプラズマ処理が施される（ステップＳ１７）。すなわち、基板９１およびＩＣチップの電極にプラズマを利用した化学的または物理的な洗浄作用を有する処理が施される。なお、チャンバ３の側面は接地された導体にて形成され、プラズマを発生するための対向電極としての役割も果たす。
【００３８】
プラズマ処理が完了すると、上下方向の観察が可能なカメラ（図示省略）がＩＣチップと基板９１との間に進入し、ＩＣチップと基板９１との相対的な位置関係が確認され、基板用ステージ３２および装着用保持部３４１の移動、並びに、装着用保持部３４１の回転（水平面内での回転）が行われた後に、図１３に示すように基板用ステージ３２上の基板９１の所望の位置へと下降し、ＩＣチップを基板９１に装着する（ステップＳ１８）。このとき、図４に示す超音波発生部３４２３からの超音波振動が装着用保持部３４１を介してＩＣチップへと与えられ基板９１およびＩＣチップの洗浄された電極同士が癒着し、ＩＣチップが基板９１上に固定される。
【００３９】
１つのＩＣチップの装着が完了すると、再び反転用保持部３３１が下方を向いてＩＣチップを部品トレイ９３から受け取り、一連の動作を経て装着用保持部３４１によるＩＣチップの装着が繰り返される（ステップＳ１９，Ｓ１５〜Ｓ１８）。これにより、図７に示すように基板９１上には複数のＩＣチップ９５が順次装着される。最後のＩＣチップが基板９１上に装着されると、チャンバ３内が大気圧に戻され、搬出入口３５１，３５２が開放される（図９：ステップＳ２１，Ｓ２２）。
【００４０】
その後、図１４に示すようにトレイ搬送機構２２が部品トレイ９３をチャンバ３から搬出して収納ラック９４へと収納し（ステップＳ２３）、基板搬送機構２３は基板保持部２３１ｂを用いて基板９１をチャンバ３から搬出し、パレット搬送機構２１上のパレット９２へと移載する（ステップＳ２４）。なお、部品トレイ９３に次の基板９１に装着するだけのＩＣチップが残存している場合には、部品トレイ９３の搬出は行われない。
【００４１】
以上に説明したように、プラズマ処理装置１では基板９１およびＩＣチップにプラズマ処理が施された直後にチャンバ３内にてＩＣチップの装着が行われる。したがって、ＩＣチップが装着される前に基板９１およびＩＣチップが汚染されることはなく、適切なＩＣチップの装着が実現される。
【００４２】
また、プラズマ処理装置１では、反転用保持部３３１および装着用保持部３４１として静電吸着にてＩＣチップを保持する構造が採用されるため、チャンバ３内が減圧雰囲気であってもＩＣチップの適切な取り扱いが実現される。
【００４３】
図１５は本発明の第２の実施の形態に係るプラズマ処理装置１ａを示す正面図であり、図１６は平面図である。プラズマ処理装置１ａは、図１６に示すように部品用ステージ３１がチャンバ３外に配置され、反転機構３３（図１５に図示）が移動部３３３によりチャンバ３と外部空間との間を移動するという点で第１の実施の形態と相違している。また、チャンバ３内には反転機構３３の下方に高周波電圧が印加されるステージ３１ａが配置され、基板用ステージ３２上へと進退可能な対向電極３２ａも設けられる（図２０参照）。他の構成は第１の実施の形態と同様である。
【００４４】
図１７は反転機構３３の反転用保持部３３１の構造を示す図である。反転用保持部３３１は第１の実施の形態と同様にセラミック板３０１の内部に電極板３０２を有する構造となっており、電極板３０２はＤＣ電源３０３に接続される。セラミック板３０１および電極板３０２には吸引口３３１ａが形成されており、吸引口３３１ａは反転用保持部３３１の取付軸内を通ってエジェクタ３０４に接続される。ＤＣ電源３０３およびエジェクタ３０４は全体制御部２５により制御される。
【００４５】
このような構成により、反転用保持部３３１では静電気力を利用した静電吸着によりＩＣチップ９５を保持することができるのみならず、吸引口３３１ａから吸引によりＩＣチップ９５を吸引吸着することも可能とされている。
【００４６】
図１８はプラズマ処理装置１ａの全体動作の流れを示す図である。以下、プラズマ処理装置１ａでは１つの基板９１に１つのＩＣチップが装着されるものとしてプラズマ処理装置１ａの動作について説明する。
【００４７】
プラズマ処理装置１ａでは、図１６に示すように予めトレイ搬送機構２２により部品トレイ９３が収納ラック９４からチャンバ３外の部品用ステージ３１へと搬送されている。この状態でまず、第１の実施の形態と同様に、基板搬送機構２３の基板保持部２３１ａがパレット搬送機構２１上のパレット９２から基板９１を吸引吸着し、チャンバ３の搬出入口３５２を通って基板用ステージ３２に基板９１を載置する。基板用ステージ３２は静電吸着により基板９１を保持し、基板保持部２３１ａはパレット搬送機構２１側へと待避する（ステップＳ３１）。
【００４８】
ステップＳ３１と並行して、図１９に示すように反転機構３３の移動部３３３が、反転部３３２を搬出入口３５１からチャンバ３外へと移動させ、部品用ステージ３１上に位置させる。そして、反転用保持部３３１が部品トレイ９３の所望のＩＣチップに当接すると共に吸引口３３１ａから吸引が行われ、ＩＣチップを吸引吸着する（ステップＳ３２）。その後、反転用保持部３３１の上下が反転されるとともに反転部３３２がチャンバ３内へと移動し、ＩＣチップの搬入が行われる（ステップＳ３３）。
【００４９】
基板９１およびＩＣチップの搬入が完了するとチャンバ３が密閉され（ステップＳ３４）、反転用保持部３３１によるＩＣチップの保持手法が静電吸着へと切り替えられる（ステップＳ３５）。すなわち、図１７に示すエジェクタ３０４による吸引吸着が解除される前にＤＣ電源３０３がＯＮ状態とされ、静電吸着が行われる。
【００５０】
その後、第１の実施の形態と同様に、図１５に示す減圧機構３６１およびガス供給部３６２が全体制御部２５により制御されてチャンバ３内が所定の減圧雰囲気とされ、図２０に示すように基板用ステージ３２の上方に対向電極３２ａが進入し、反転用保持部３３１がステージ３１ａの上方に位置する。そして、基板用ステージ３２およびステージ３１ａに接続された高周波電源が能動化されて基板９１および反転用保持部３３１に保持されたＩＣチップにプラズマ処理が施される（ステップＳ３６，Ｓ３７）。対向電極３２ａを基板用ステージ３２に対して進退可能（基板用ステージ３２が対向電極３２ａに対して進退してもよい。）に設けることにより、基板９１に効率よくプラズマ処理を行うことが実現される。
【００５１】
プラズマ処理が完了すると、反転用保持部３３１が図１５に示すように装着機構３４の装着用保持部３４１と対向する位置へと移動し、反転用保持部３３１から装着用保持部３４１へとＩＣチップが渡される（ステップＳ３８）。すなわち、静電吸着式の保持部同士のＩＣチップの受け渡しが行われる。装着用保持部３４１は反転用保持部３３１の待避後に下降して、ＩＣチップを基板９１に装着する（ステップＳ３９）。
【００５２】
ＩＣチップの装着が完了すると、チャンバ３内が大気圧へと戻され（ステップＳ４０）、搬出入口３５１，３５２が開放され、図１６に示す基板保持部２３１ｂが基板９１を基板用ステージ３２から受け取って搬出し、パレット９２に載置する（ステップＳ４２）。
【００５３】
以上のように、プラズマ処理装置１ａでは反転用保持部３３１がＩＣチップを吸引吸着および静電吸着により保持することが可能とされており、チャンバ３外において吸引吸着によりＩＣチップを保持し、チャンバ３内が減圧される際にはＩＣチップを静電吸着により保持する。これにより、例えば、ＩＣチップが粘着シート上に配置された状態（すなわち、ウェハをダイシングした状態）で供給される場合であってもＩＣチップを大きな力で確実に受け取ることができ、かつ、減圧雰囲気下へと移行してもＩＣチップを適切に保持することができる。
【００５４】
さらに、部品用ステージ３１がチャンバ３外に配置されることからチャンバ３の容積を小さくすることができ、チャンバ３の減圧の際に消費されるエネルギーを低減することも実現される。
【００５５】
図２１および図２２は装着用保持部の他の例を示す正面図および左側面図である。図２１および図２２に示す装着用保持部３４１ａは、図４に示す装着用保持部３４１の超音波発生部３４２３に代えてヒータ３４１１が装着用保持部３４１の取付軸３４１０に設けられる。また、内部に電極板３０２を有する静電吸着用のセラミック板３０１とヒータ３４１１との間には温度を計測してヒータ３４１１への電力を制御するための熱電対３４１３が取り付けられる。さらに、真空中では加熱対象から大気中に熱が伝播することがなく、ヒータのみで温度制御を行うことが困難となることから、熱を除去するための冷却水を循環させる冷却管３４１２がヒータ３４１１の上方に取り付けられる。
【００５６】
装着用保持部３４１ａでは、セラミック板３０１がヒータ３４１１により加熱され、静電吸着されたＩＣチップも加熱された状態で基板９１への装着が行われる。これにより、ＩＣチップの電極と基板９１の電極との接合が促進され、ＩＣチップを確実に基板９１上に固定することができる。
【００５７】
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能である。
【００５８】
上記第１の実施の形態において、後工程にて基板９１が複数の個片に切断されることを前提として同種のＩＣチップが多数装着されてもよい。また、複数の基板９１が基板用ステージ３２に載置されてもよい。基板９１はセラミック基板に限定されず、ポリイミド等のフィルム基板でもよく、半導体基板であってもよい。さらに、基板９１はパレット９２とともにチャンバ３に搬入されてもよい。
【００５９】
基板９１に装着される電子部品はＩＣチップ以外のものであってもよく、例えば、複数のＩＣチップが実装された微細電極を有する実装済基板であってもよい。
【００６０】
上記実施の形態では、プラズマ処理により基板９１およびＩＣチップの洗浄が行われるが、水素、窒素、アルゴン等の高速原子ビームや紫外線等の他の処理により減圧雰囲気下にて洗浄が行われてもよい。
【００６１】
反転部３３２は、エンコーダ３３２９からの信号を用いて制御される必要はなく、例えば、２つの停止位置を有する電磁式の回動アクチュエータでもよい。
【００６２】
上記実施の形態における反転用保持部３３１や装着用保持部３４１の先端は板状となっているが、保持部の形状は他の形状でもよい。例えば、微小部品のみを取り扱う場合には、先端が微小なノズル状の保持部が用いられてもよい。
【００６３】
また、上記実施の形態における反転機構３３および装着機構３４は適宜変更されてよく、例えば、駆動部分がチャンバ３外に配置されてもよい。
【００６４】
【発明の効果】
請求項１ないし６の発明では、減圧雰囲気下にて基板に電子部品を装着することができる。また、請求項７ないし９の発明では、減圧雰囲気下および大気圧下において対象物を適切に保持することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態に係るプラズマ処理装置の概略構成を示す正面図
【図２】プラズマ処理装置の概略構成を示す平面図
【図３】反転用保持部および反転部を示す斜視図
【図４】装着用保持部の近傍を示す斜視図
【図５】装着用保持部および反転用保持部を示す図
【図６】装着用保持部および反転用保持部を示す図
【図７】基板用ステージの構造を示す図
【図８】プラズマ処理装置の全体動作の流れを示す図
【図９】プラズマ処理装置の全体動作の流れを示す図
【図１０】動作途上のプラズマ処理装置の様子を示す図
【図１１】動作途上のプラズマ処理装置の様子を示す図
【図１２】動作途上のプラズマ処理装置の様子を示す図
【図１３】動作途上のプラズマ処理装置の様子を示す図
【図１４】動作途上のプラズマ処理装置の様子を示す図
【図１５】第２の実施の形態に係るプラズマ処理装置の概略構成を示す正面図
【図１６】プラズマ処理装置の概略構成を示す平面図
【図１７】反転用保持部の構造を示す図
【図１８】プラズマ処理装置の全体動作の流れを示す図
【図１９】動作途上のプラズマ処理装置の様子を示す図
【図２０】動作途上のプラズマ処理装置の様子を示す図
【図２１】反転用保持部の他の例を示す正面図
【図２２】反転用保持部の他の例を示す側面図
【符号の説明】
１  プラズマ処理装置
３  チャンバ
３１  部品用ステージ
３２  基板用ステージ
３３  反転機構
３４  装着機構
９１  基板
９５  ＩＣチップ
３０３  ＤＣ電源
３０４  エジェクタ
３３１  反転用保持部
３３１ａ  吸引口
３３３  移動部
Ｓ１２，Ｓ１４，Ｓ１５，Ｓ１８，Ｓ３２，Ｓ３５  ステップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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