(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
リトグラフの投影装置において、
放射投影ビームを供給するための放射装置と、
マスクを保持するためのマスクホルダーを備えたマスクテーブルと、
基板を保持するための基板ホルダーを備えた基板テーブルと、
マスクの照射された部分を基板のターゲット部分の上へイメージとして投影するための投影装置と、
前記マスクテーブルを該テーブルの面に対してほぼ平行な所与の基準方向へ動かすための第１の駆動装置と、
前記基板テーブルを前記基準方向と平行に、前記マスクテーブルの動きと同期的に動かすための第２の駆動装置と、
前記マスクテーブルの固定された基準点に対する瞬時的な位置を測定するための第１の測定装置と、
前記基板テーブルの固定された基準点に対する瞬時的な位置を測定するための第２の測定装置と、
基板テーブルの測定された瞬時位置を基板テーブルの所望の瞬時位置と比較し、該２つの位置の間の差に関した位置誤差信号を発生させ、前記マスクテーブルの瞬時位置を調節してそのような差を補償する修正装置に前記位置誤差信号を送るための装置と、
を備え、
前記位置誤差信号が、前記修正装置へ送られる以前の時間に関して２回微分され、加速度誤差信号を前記修正装置に提供することを特徴とするリトグラフの投影装置。
【請求項２】
前記位置誤差信号の少なくとも一部分が、進み／遅れフィルターを介して前記修正装置へ送られ、該フィルターが前記補償装置におけるすべての本質的な瞬時慣性力を補償する役割を果たす、請求項１に記載された装置。
【請求項３】
前記フィルターが、前記位置誤差信号がその最大振幅を有する場合の周波数スペクトルの部分の中で、最適の特性が得られるように調節される、請求項２に記載された装置。
【請求項４】
前記フィルターが周波数領域１７５〜２２５Ｈｚの中で最適な特性が得られるように調節される、請求項２あるいは３に記載された装置。
【請求項５】
本装置が、前記マスクテーブルの測定された瞬時位置をその所望の瞬時位置と比較し、マスクテーブルのこれら２つの位置の間の差に関する第１の信号を発生し、
該信号を前記第１の駆動装置に送り、該マスクテーブルの瞬時位置を調節し、前記差を減少させるための第１のコンパレーター（比較装置）を有している、請求項１から４のいずれかに記載された装置。
【請求項６】
本装置が、前記基板テーブルの測定された瞬時位置をその所望の瞬時位置と比較し、基板テーブルのこれら２つの位置の間の差に関する第２の信号を発生し、該信号を前記第２の駆動装置に送り、該基板テーブルの瞬時位置を調節し、前記差を減少させるための第２のコンパレーターを有している、請求項１から５のいずれかに記載された装置。
【請求項７】
前記位置誤差信号が光ファイバー連絡部分を介して前記修正装置に送られる、請求項１から６のいずれかに記載された装置。
【請求項８】
デバイスの製造方法において、
放射光感光材料の層によって少なくとも部分的に被覆された基板を提供することと、
あるパターンを有するマスクを提供することと、
該マスクパターンの少なくとも一部分の画像を、前記放射光感光材料の層のターゲット領域の上へ投影するために投影用放射ビームを使用することとからなり、
前記マスクがマスクテーブル上に提供され、該マスクテーブルが該マスクテーブルを該テーブルの面に平行な所与の基準方向へ動かすための第１の駆動装置に連結されており、
前記基板が基板テーブル上に保持され、該基板テーブルが該基板テーブルを、前記マスクテーブルと同期するように、前記基準方向に平行に動かすための第２の駆動装置に連結されており、
前記マスクテーブルの瞬時位置をある固定された基準点に関して測定するための第１の測定装置を用い、
前記基板テーブルの瞬時位置をある固定された基準点に関して測定するための第２の測定装置を用い、
前記基板テーブルの測定された瞬時位置を基板テーブルの所望の瞬時位置と比較し、該２つの位置の間の差に関した位置誤差信号を発生させ、前記マスクテーブルの瞬時位置を調節してそのような差を補償する修正装置に前記位置誤差信号を送るための装置が採用されており、
前記位置誤差信号が、前記修正装置へ送られる以前の時間に関して２回微分され、加速度誤差信号を前記修正装置に提供することを特徴とするデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はリトグラフの投影装置に関するものであり、該装置は、
放射投影ビームを供給するための放射装置と、
マスクを保持するためのマスクホルダーを備えたマスクテーブルと、
基板を保持するための基板ホルダーを備えた基板テーブルと、
マスクの照射された部分を基板のターゲット部分の上へイメージとして投影するための投影装置と、
前記マスクテーブルを該テーブルの面に対してほぼ平行な与えられた基準方向へ動かすための第１駆動装置と、
前記基板テーブルを前記基準方向と平行に、前記マスクテーブルの動きと同期的に動かすための第２の駆動装置とを具備している。
【０００２】
【従来の技術】
このタイプの装置は、例えば、集積回路（ＩＣｓ）の製造に用いることができる。そのような場合には、前記マスク（レチクル）は個々のＩＣに対応した回路パターンを有していてもよく、このパターンは感光材料（抵抗体）の層で被覆された基板（シリコンウエーハ）上のターゲット領域（ダイすなわちさいの目状部分）上に投影することができる。一般的に言うと、単一のウエーハは、レチクルを介して１つづつ連続的に照射される隣接したダイの、ネットワーク全体を包含している。各々のダイは、投影ビームの下において、レチクルパターンの漸次的走査を与えられた基準方向（“走査”方向）でするとともにこの方向と平行または反平行にウエーハテーブルの同期的走査をすることによって照射され、これによってレチクルのパターンのイメージがダイの上に伝達される。一般的には、前記投影装置は倍率ファクターＭ（一般的にはＭ＜１）を有し、ウエーハテーブルでの走査速度はレチクルでの走査速度よりも前記ファクターＭの分だけ遅くなるであろう。ここで記載しているリトグラフ装置に関する他の情報は、国際特許出願ＷＯ  ９７／３３２０５から収集することができる。
【０００３】
つい最近まで、このタイプの装置は単一のマスクテーブルと単一の基板テーブルとを有していた。しかしながら、該装置は今では少なくとも２の独立的に駆動可能な基板テーブルが存在する場合にも使用可能になっており、例えば、国際特許出願ＷＯ  ９８／２８６６５およびＷＯ  ９８／４０７９１に記載された多段装置を参照するとよい。そのような多段装置における基本的な操作原理は、第１の基板テーブルが投影装置の下に位置していて、該テーブル上に位置した第１の基板を照射する間に、第２の基板テーブルが装荷位置へ走行することができ、照射済みの基板を取り出し、新しい基板をつかみ上げ、該新しい基板上に何らかの初期整列された測定操作を行い、第１基板の照射が完了するやいなやこの新しい基板を投影装置の下の照射位置へ移送する準備ができていて、このようにこのサイクルを繰り返すことからなっており、装置の処理量をかなり増加させることができ、該装置を所有していることによるコストを改善することができる。
【０００４】
リトグラフ装置は各種タイプの投影放射光、例えば、紫外線（ＵＶ）、超紫外線、Ｘ線、イオンビーム、あるいは電子ビームを採用してもよい。使用する放射光のタイプ、および装置の特別な設計要求に応じて、前記投影装置は、例えば屈折型、反射型、あるいは屈折反射型であってもよく、俯角入射鏡、選択的な多層被覆、磁気レンズおよび／あるいは静電レンズ、等を有していてもよい。該装置は、真空中で操作され、従って真空に適合する構成要素からなっている。前のパラグラフで記述したように、該装置は１つ以上のウエーハテーブルおよび／あるいはマスクテーブルを有していてもよい。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
そのような装置によってＩＣｓやその他の装置を製造することは、一般的に極めて微細なミクロン以下のパターンを、極めて高度な位置精度で複製することを含んでいる。このため、装置の各種の重要な部品（例えば、基板テーブルやマスクテーブル）をスプリアス（不要な）運動や、振動、機械的なショック、等から適切に隔離することが本質的に必要となる。一般的には、このことは慎重に設計された度量衡学的フレーム、エアーマウント、モーショナルカウンターウエイト（釣合おもり）、ダンパーのような対策装置によって達成され、該対策装置は装置の重要部品を最も望ましくない機械的な影響から隔離する役割を果たす。しかしながら、そのような対策は多数の望ましくない影響、例えば、
１．マスク取扱装置（ロボット）による振動；
２．レチクルのマスキングブレードによる振動；
３．エアーシャワーの存在による共鳴効果；
４．マスクテーブルの動きによる基板テーブルの振動、およびその逆の振動；
をなくすための効果としては不完全である。これらの影響は比較的小さいが、より高度な解決策を生み出す必要が増大するにつれて次第に重要になり、今では０．１５ミクロンオーダー以下の臨界寸法を有する大規模ＩＣｓの実現性に関する相当な障害を形成するに至っている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の目的はこの問題を軽減することにある。さらに詳しくは、本発明の目的はステップアンドスキャン（ｓｔｅｐ−ａｎｄ−ｓｃａｎ）式のリトグラフの投影装置を提供し、上述した外乱の影響を減少させることにある。特に、本発明の目的は該投影装置に、そのような外乱の結果として生じる基板テーブルとマスクテーブルとの間の動的な非同期性に対する反作用手段を含ませることにある。
【０００７】
これらおよびその他の目的は発明の属する技術分野の記載の中で特定した装置によって達成されるが、該装置はさらに、
前記マスクテーブルの固定的な基準点に対する瞬時的な位置を画定するための第１の測定装置と、
前記基板テーブルの固定的な基準点に対する瞬時的な位置を画定するための第２の測定装置と、
基板テーブルの測定された瞬時位置を基板テーブルの望みの瞬時位置（設定点）と比較し、該２つの位置の間の差に関した位置誤差信号を発生させ、該信号を、前記マスクテーブルの瞬時位置を調節して、そのような差を補償する作用をする修正装置に送るための装置とを有していることを特徴としている。
【０００８】
本発明は、上述した外乱が、リトグラフ装置に対して単に構造的な改造を行っているだけでは除去することが殆ど不可能であり、唯一の実際的な解決手段は制御理論に基づいた対策をとることであるという見識の上に立っている。本発明に至る実験において、本発明人はそのような誤差を（基板テーブルの測定位置と所期の位置とを比較することによって）定量化するための第２の測定装置を用いることによって、またそのような誤差を繰返し的に除去するために第２の駆動装置に対してフィードバックループ（ｆｅｅｄ  ｂａｃｋ  ｌｏｏｐ）を採用することによって、基板テーブル内のサーボ誤差を修正しようと試みた。しかしながら、この方法ではある種の改善はなされたが、全ての望ましくない外乱を除去することができず、さらに解析したところ、約２００ＨＺ程度の特性周波数を有した外乱はこの解決計画を用いても満足に減衰されず、一方で低周波数（例えば２０ないし８０ＨＺ）の外乱はその振幅が減少することを示した。
【０００９】
問題に対する新しい取組みにおいて、本発明人は基板テーブルにおける望ましくない動的な外乱の影響を完全に除去しようとする考えを捨て、その考えを替わりにマスクテーブルの方へ向けた。一般的にマスクテーブルは基板テーブルよりも複雑さが少なく、より軽量構造になっているので、マスクテーブルの方が基板テーブルよりも複雑さの少ない共鳴特性を有しているであろうと予想された。実験では実際にこのことが証明されたが、約２００ＨＺ程度の周波数においては、マスクテーブルにおける外乱の大きさが基板テーブルにおける外乱の大きさにほぼ等しいということがわかった。
【００１０】
しかしながら、本発明人は次に、マスクの特徴が倍率Ｍ（典型的にはＭ＝１／４あるいは１／５）で基板上に投影されるので、基板テーブルから見たマスクテーブルの外乱の大きさは大きく減少するであろうという洞察を得るに至った。基板テーブルからの望ましくない外乱を全てなくそうとする代わりに、本発明によって考えられた適当なマスクテーブルの調節を利用することによって、あらゆる残留外乱を補償しようと試みた。この方法を用いたその後の実験においては極めて良好な結果が得られた。
【００１１】
本発明による装置の特別な実施例においては、マスクテーブルの位置誤差は  （マスクテーブルの測定位置と所期の位置とを比較することによって）そのような誤差を定量化するための第１の測定装置を用いることによって、またそのような誤差を繰返し的に減少させるために、第１の駆動装置に対してフィードバックループを採用することによって、除去することができる。
【００１２】
前実施例の欠点は、そのようなマスクテーブルのフィードバックループの帯域幅が典型的には約１５０〜１７５ＨＺであって、これが前記装置の最もしつこい動的な外乱特性を示す１７５〜２２５ＨＺの周波数領域より下にあり、従って、もしこの後者の周波数領域における外乱がマスクテーブルのフィードバックループの入力に加えられた場合には、該外乱はうまく除去されないであろうという事実のために発生する。この問題を回避するために、本発明による装置の好的実施例は、前記位置誤差信号の少なくとも一部分が、前記修正装置へ送られる以前の時間に関して２回微分され、従って該修正装置に加速度誤差信号を提供することを特徴としている。この信号はマスクテーブルのフィードバックループの入力に加えられる代わりに、前記第１駆動装置に直接送ることができ、該加速度誤差にマスクテーブルの質量を掛けることによって、マスクテーブルの位置を修正するのに必要な力が瞬間的に得られる。
【００１３】
本発明による他の実施例は、前記位置誤差信号の少なくとも一部分が、進み／遅れフィルターを介して前記修正装置へ送られ、該フィルターが前記補償装置における全ての本質的な瞬時慣性力（時間遅れ）を補償する役割を果たすことを特徴としている。この対策によると、マスクテーブルを調節することによって生じる補償作用が基板テーブルにおける初期のサーボ誤差より後方へ遅れることがなく、本装置の画像位置の精度を大きく減少させることがなくなる。
【００１４】
上述の議論の中で、誤差信号を修正装置に送るために光ファイバー連結を用いることによっても、望ましくないシステムの遅れの発生を減少する助けとなっていることに注意すべきである。
【００１５】
上述した実施例の特別な改善例において、前記進み／遅れフィルターは、位置誤差信号が最大振幅を有する周波数スペクトルの部分の中で、最適な特性を得るように調節される。特別な実施例において、前記フィルターは１７５〜２２５ＨＺの領域において最適な特性を得るようになっている。
【００１６】
本発明による装置の他の実施例においては、基板テーブルにおける位置誤差は第２の測定装置を用いて（基板テーブルの測定位置と所期の位置とを比較することによって）定量化され、そのような誤差を繰返し的に除去するために、第２の駆動装置に対してフィードバックループが採用される。そのような対策は基本的な発明の方法と調和して、マスクテーブルと基板テーブルの相対位置における不正確さを減少させるように作用する。
【００１７】
上述したことにおいて、基板テーブルおよび／またはマスクテーブルの所望の瞬時位置（設定点）は、例えば、２つのテーブルの所望の／指示された同期運動に対する（数学的な）プロフィールを発生させる（ソフトウェアである）設定点発生器から送ってもよい。基板テーブルの位置を測定することに関係する固定的な基準位置と、マスクテーブルの位置を測定することに関係する固定的な基準位置とは、選択に応じて同一であったりあるいは別物であったりする。
【００１８】
本発明はまた装置の製造方法に関するものであり、これは
放射光感光材料の層によって少なくとも部分的に被覆された基板を提供することと、
あるパターンを有するマスクを提供することと、
該マスクパターンの少なくとも一部分の画像を、前記放射光感光材料の層のターゲット領域の上へ投影するために投影用放射ビームを使用することとを含む。本発明によると、そのような方法は
前記マスクがマスクテーブル上に提供され、該マスクテーブルが該マスクテーブルを該テーブルの面に平行な、与えられた基準方向へ動かすための第１駆動装置に連結されており、
前記基板が基板テーブル上に保持され、該基板テーブルが該基板テーブルを、前記マスクテーブルと同期するように、前記基準方向に平行に動かすための第２駆動装置に連結されており、
前記マスクテーブルの瞬時位置をある固定的な基準点に関して画定するための第１測定装置を用い、
前記基板テーブルの瞬時位置をある固定的な基準点に関して画定するための第２測定装置を用い、
前記基板テーブルの測定された瞬時位置を基板テーブルの所望の瞬時位置と比較し、該２つの位置の間の差に関した位置誤差信号を発生させ、該信号を、前記マスクテーブルの瞬時位置を調節してそのような差を補償する作用をする修正装置に送るための装置が採用されていることを特徴としている。
【００１９】
本発明によるリトグラフの投影装置を用いる製造工程においては、マスクにおけるパターンはエネルギー感光材料（抵抗体）の層によって少なくとも部分的に被覆された基板上に投影される。該基板はこの結像段階の前に、印刷や、抵抗被覆、ソフトベーキング（弱加熱硬化）のような各種の処理を受ける。照射後は、該基板は照射後ベーキング（ＰＥＢ）や、現像、ハードベーキング（強加熱硬化）、画像測定／点検のような他の処理を受ける。これら一連の手順は、例えばＩＣのような装置の個々の層をパターン化するための基本として用いられる。そのようなパターン化された層は次に、エッチング（腐食）や、イオン注入（化学処理）、金属化、酸化、化学的機械的な研磨等のような各種の処理を受け、これらは全て個々の層を仕上げるためのものである。もし幾つかの層が必要であれば、各々の新しい層に対して全ての処理、あるいはその変形処理を繰返さなければならないであろう。結局は、一連の装置が基板（ウェーハ）上に存在することになるであろう。これらの装置は次に方形切断あるいは鋸切断（ソーイング）のような技術によって互いに分離され、個々の装置は架台にのせられ、ピン等に接続される。そのような処理手順に関する他の情報は、例えば、マグロウヒル社から１９９７年に発刊されたピーター  ファン  ツアントによる“マイクロチップ製造；半導体処理の実際的ガイド”第３巻、ＩＳＢＮ０−０７−０６７２５０−４から得ることができる。
【００２０】
本発明による装置をＩＣｓの製造に用いることについて特定の参考例を今まで記述してきたが、そのような装置は多くの他の可能性のある用途を有していることも明確に理解しなければならない。例えば、それは集積光学系や、磁気領域記憶装置のための誘導パターンおよび検出パターン、液晶表示パネル、薄膜磁気ヘッド等の製造にも用いられる。当業者は、そのような他の適用内容において、この明細書における“レチクル”、“ウェーハ”、あるいは“ダイ”という用語が、それぞれもっと一般的な用語“マスク”、“基板”、“ターゲット領域”に置き換えて考えられることを認めるであろう。
【００２１】
本発明とその付随物の利点について、例示的な実施例と添付した概略図を用いてさらに説明する。各図において対応するものは同一の参考記号で示されている。
【００２２】
【発明の実施の形態】
実施例１；
図１は本発明による装置に用いるため修正的な概略図で示した特定の実施例を示す。上部のループはマスクテーブル（あるいはレチクルステージ：ＲＳ）を表し、機械的伝達ＨRSと制御装置ＧRSとからなっている。下部のループは基板テーブル（あるいはウェーハステージ：ＷＳ）であり、機械的伝達ＨWSと制御装置ＧWSとからなっている。前記レチクルステージはウェーハステージの設定点ＳＰの４倍分を受け留めるが、その出力は相対的なＷＳ／ＲＳ誤差の１／４しか計数しない。
【００２３】
ＷＳ誤差ｅＷＳをＲＳ設定点ＳＰＲへ送る低域フィルターＨＦ（増幅値：４）に加えて、二重微分器ＤがＷＳの加速度誤差を発生させる。この加速度をＲＳの量（ｍ）倍することによって過剰な力が発生され、これがレチクルステージに加えられた時にはＲＳに対してＷＳと同じ加速度を与えることになる。前記ＨＦはまた、実施例２の中でさらに説明するが、特定の周波数における貫通接続を最適化するための進み／遅れ要素を有している。
【００２４】
この力がＲＳ制御装置自身に加えられた時には、該ＲＳ制御装置はこの力を外乱とみなし、反作用を与えて前送り（フィードフォワード）の影響を減少させようと試みる。フィルターを通ったＷＳ誤差を付加的にＲＳ設定点へ送ることによって、この問題は解決される。もしＲＳが過剰な前送り力に対して伝達１／ｍｓ2 として反応すると、ＲＳ誤差ｅＲＳはゼロのままであり、従ってＲＳ制御装置はあらゆる過剰力注入を“感じない”状態のまま残ることになる。
【００２５】
この貫通接続形式の主な利点は、それがＲＳの帯域幅とは無関係である点にある。帯域幅が低くても、前記過剰力の前送りは必要なＲＳの応答を発生させる。ＲＳの動力が理想的な力１／ｍｓ2 から離脱した場合にのみ、前記ＲＳの応答は非理想的なものになるであろう。
【００２６】
実行目的のために、実際のフィルターの構成は少し異なって選択することができる。例えば、同一の分母多項式を有する２つのフィルターを用いることができ、この場合には、分子だけが異なっており、低域フィルターは唯一の増幅値を有し、高域フィルターはｍｓ2 の項を有している。
【００２７】
実施例２；
図１に示した貫通接続法を用いた時の有意のＷＳ／ＲＳ誤差の主な原因は、高周波数領域における位相差である。
【００２８】
図２はＷＳ位置誤差（最上部の線）と、４で割ったＲＳ位置誤差（最上部の直ぐ下の線）と、ＷＳレベルにおける正味の誤差（最下部の線）の周波数スペクトルを示しており、これはＷＳの面を画定する直交的なＸ方向（上方の図）とＹ方向（下方の図）とにおけるスペクトルであり、Ｙ方向は走査方向である。横軸はＨＺで表した周波数を示し、縦軸の単位はх１０-13 である。図からわかるように、誤差の大きさに関して、ＲＳはＷＳに極めて正確に追従する。特に、低周波数においては、結果として有意なＷＳ／ＲＳ誤差は比較的に小さくなる。しかしながら、１７５ＨＺと２２５ＨＺとの間の周波数においては、ＲＳ誤差はＷＳ誤差にかなり良く一致するが、有意な誤差は比較的大きい。この効果はＹ方向において最も明らかである。この正味の誤差の増加はＷＳ誤差とＲＳ反応との間の位相差によるものである。
【００２９】
進み／遅れフィルターを加えることによって位相差を減少させると、ＷＳレベルにおける正味の誤差が改善される。各種の最適化サイクルを経た後に、（行き過ぎを低く保つために）１７５ＨＺにおいてゼロ周波数を、２０５ＨＺにおいてポール（極）周波数を有した、分子、分母ともに０．３の減衰比を有する進み／遅れフィルターが選択された。
【００３０】
以下の表はそのようなフィルターを用いて得られた正味のＷＳ／ＲＳ誤差の大きさ（“フィルター”の欄）と、図１に示したような設定を用いて得られた結果（“ループ”の欄）と、本発明を適用しないで得られた生の結果（“無修正”の欄）とを示している。ＭＡは平均移動距離であり、ＭＳＤは移動距離の標準偏差である。全ての数値の単位はナノメートル（１０-9メートル）であり、上述したΧ方向とＹ方向を引用している。
【表１】
0004160207.tif 000002
【００３１】
実施例３；
図３は本発明によるリトグラフ投影装置の概略図である。該装置は
投影用放射ビーム３３（例えば、紫外線、ＥＵＶ、Ｘ線、あるいは荷電粒子ビーム）を供給するための放射装置７と；
マスク２９（例えばレチクル）を保持するためのマスクホルダー２７を備えたマスクテーブル５と；
基板１９（例えば抵抗体で被覆されたウエーハ）を保持するための基板ホルダー１７を備えた基板テーブル１と；
前記基板１９のターゲット部分（ダイ）３５上に前記マスク２９の照射部分の像を作るための投影装置３（例えば、レンズあるいは光の反射屈折装置、鏡群、あるいは荷電粒子描写装置）とを有する。ここで示したように、本装置は透過型の装置であり、即ち透過マスクと投影装置とを含む。しかしながら、該装置はまた反射型の装置であってもよく、即ち、例えば、反射マスクおよび／あるいは投影装置からなっていてもよい。
【００３２】
前記放射装置７は光源９（例えば、水銀ランプあるいはエキシマレーザー、荷電粒子源（例えば、熱陰極）、あるいはストレージリングまたはシンクロトロンの電子ビーム軌道周辺に設けられたアンデュレータ）を有し、これが放射ビーム３３を発生させる。該ビーム３３は各種の照明要素１１、１３、１５に沿って通過し、装置７から出たビーム２５がほぼ平行状態になり、その断面積全体に亘って均一の強度を有するようになる。
【００３３】
前記投影ビームはマスクテーブル５上のマスクホルダー２７内に保持されたレチクル２９によってほぼ遮断される。第１駆動装置３１によって該マスクテーブル５はＹ方向（いわゆる走査方向）に沿って前後へ正確に駆動することができる。
【００３４】
前記投影ビームはレチクル２９を通過した後投影装置３を通過し、該装置によってビーム２５がウエーハ１９のダイ３５上に焦点を合わせられる。第２の駆動装置２１によって基板テーブル１もまたＹ方向（走査方向）に沿って前後へ正確に駆動することができる。該基板テーブル１はまたＸ方向に沿っても前後へ駆動することができ、付加的に他の自由度も有している。
【００３５】
走査中はレチクルテーブル５は速度νで走査方向に駆動され、従って投影ビームはレチクルイメージ全体に亘って走査させられる。同時に、前記基板テーブル１は速度Ｖ＝Ｍνで同一方向あるいは反対方向に駆動され、ここでＭは投影装置３の倍率（典型的にはＭ＝１／４あるいは１／５）である。このようにして、分解能に関して妥協することなく、比較的大きなダイを照射することができる。
【００３６】
本発明は、実施例１において説明したように、マスクテーブル５と基板テーブル１の走査運動の適正な同期作用を確保するために、このように設定されて実行される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による装置において実行するのに適した制御理論の概略図。
【図２】本発明による装置の特定の実施例におけるマスクテーブルと基板テーブルの周波数応答の図。
【図３】本発明による装置の一般的な概略図。
【符号の説明】
１  基板テーブル
３  投影装置
５  マスクテーブル
７  放射装置
１７  基板ホルダー
１９  基板
２１  第２駆動装置
２９  マスク
３１  第１駆動装置
３３  投影ビーム
ＨＦ  進み／遅れフィルター
【図１】
0004160207.tif 000003
【図２】
0004160207.tif 000004
【図３】
0004160207.tif 000005