(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
フレキシブル隆起物（３）の表面（１０）上の導電材料（８）を含む電気的接触部（１）を電子部品（９）上に製造する方法であって、
絶縁層（７）を該電子部品（９）の上に堆積する工程と、
該絶縁層（７）に凹部（１２）を作成する工程と、
少なくとも該凹部（１２）の領域において該絶縁層（７）をメタライズする工程と、
絶縁材料のフレキシブル隆起物（３）を少なくとも該凹部（１２）にわたって該絶縁層（７）のメタライズされた表面（４）上に堆積する工程と、
レーザーにより、該凹部（１２）の上方にある該フレキシブル隆起物（３）に該電子部品（９）の表面に対して垂直な窪み（５）を形成する工程であって、該凹部（１２）は該窪み（５）を形成するレーザーを散乱させる、工程と、
導電材料（８）を該フレキシブル隆起物（３）の表面（１０）の上に少なくとも部分的に堆積する工程と
を包含する、方法。
【請求項２】
フレキシブル隆起物（３）の表面（１１）上の導電材料（８）を含む電気的接触部（１）を電子部品（９）上に製造する方法であって、
絶縁層（７）を該電子部品（９）の上に堆積する工程と、
該絶縁層（７）に少なくとも２つの凹部（１２）を作成する工程と、
少なくとも該凹部（１２）の領域において該絶縁層（７）をメタライズする工程と、
絶縁材料のフレキシブル隆起物（３）を該凹部（１２）のうちの隣接する２つの間の該絶縁層（７）のメタライズされた表面（４）上に堆積する工程と、
レーザーにより、該凹部（１２）の上方にある該フレキシブル隆起物（３）に該電子部品（９）の表面に対して平行な窪み（６）を形成する工程であって、該凹部（１２）は該窪み（６）を形成するレーザーを散乱させる、工程と、
導電材料（８）を該フレキシブル隆起物（３）の表面（１１）の上に少なくとも部分的に堆積する工程と
を包含する、方法。
【請求項３】
フレキシブル隆起物（３）の表面（１０）上の導電材料（８）を含む電気的接触部（１）を電子部品（９）上に製造する方法であって、
絶縁層（７）を該電子部品（９）の上に堆積する工程と、
該絶縁層（７）の表面の少なくとも一部を凸凹にする工程と、
少なくとも該凸凹にされた領域において該絶縁層（７）をメタライズする工程と、
絶縁材料のフレキシブル隆起物（３）を少なくとも該凸凹にされた領域にわたって該絶縁層（７）のメタライズされた表面（４）上に堆積する工程と、
レーザーにより、該凸凹にされた領域の上方にある該フレキシブル隆起物（３）に該電子部品（９）の表面に対して垂直な窪み（５）を形成する工程であって、該凸凹にされた領域は該窪み（５）を形成するレーザーを散乱させる、工程と、
導電材料（８）を該フレキシブル隆起物（３）の表面（１０）の上に少なくとも部分的に堆積する工程と
を包含する、方法。
【請求項４】
前記絶縁層（７）を印刷プロセスによって堆積することを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記少なくとも１つの凹部（１２）または凸凹の表面をレーザーにより形成することを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記絶縁層（７）の表面を凸凹とした後で、前記メタライゼーション（４）を該絶縁層（７）の前記表面上に堆積する前に、核（keim）またはシーズを該絶縁層（７）の該表面上に堆積し、該核またはシーズがパラジウムからなることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記フレキシブル隆起物（３）を印刷プロセスによって堆積することを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記フレキシブル隆起物（３）を堆積した後、該フレキシブル隆起物（３）の前記表面には、少なくとも導電材料（８）により覆われるべき領域において、レーザーによって窪みが設けられることを特徴とする、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記フレキシブル隆起物（３）の前記表面に窪みが設けられた後で、前記導電材料（８）を該隆起物（３）の前記表面の上に堆積する前に、核またはシーズを該隆起物（３）の該表面上に堆積することを特徴とする、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記核またはシーズがパラジウムからなることを特徴とする、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記フレキシブル隆起物（３）の前記表面のうち前記窪み（５、６）の表面以外の表面上に前記導電材料を堆積することを特徴とする、請求項１〜１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
前記フレキシブル隆起物（３）の前記表面のうち前記窪み（５、６）の表面上に前記導電材料を堆積することを特徴とする、請求項１〜１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
少なくとも１つの垂直な窪み（５）を有する第１の電子装置と少なくとも１つの平行な窪みを有する第２の電子装置とを備える電子モジュールであって、該第１および第２の装置の各々は、請求項１〜１２のいずれかに記載の方法に従って製造され、該第１の電子装置のフレキシブル隆起物（３）の該窪み（５）は、該第２の電子装置のフレキシブル隆起物（３）とかみ合うか、係合する、電子モジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
（説明）
本発明は、電子装置の少なくとも第１の表面上の電気的接触部を含む電子装置（ｅｌｅｋｔｒｏｎｉｓｃｈｅ  Ａｎｏｒｄｎｕｎｇ）に関し、上記接触部は、電子装置に接触するために機能する。この場合、電子装置は、例えば、電子構成要素または構成要素キャリア（Ｂａｕｅｌｅｍｅｎｔｔｒａｇｅｒ）として形成され得る。
【０００２】
これらの装置を接触する（例えば、半田のグロビュール、接触ピンまたは直接的な半田接続を介して、電子装置と別の装置との間（例えば、構成要素と構成要素に取り付けられたキャリアとの間））場合、熱的応力により電子装置間の異なる熱的伸長に至り得るという問題がある。これにより、電子装置の間（すなわち、例えば、構成要素キャリアと電子構成要素との間）の半田接続に機械的な張力が生じる。しかし、そのような張力はまた、装置上の他の機械的応力によっても生じ得る。これらの張力の結果の１つにより、電子装置の間の半田接続が損傷したり、破壊される危険が生じる。
【０００３】
フレキシブル層上に電気的接触物を配置することは、米国特許第５，６８５，８８５号の従来技術から公知である。しかし、これでは、生じる機械的張力を最適に吸収するのに弾性が不十分であることが示されている。さらに、そこで開示された層で構成要素を製造すると、比較的費用が高くなる。
【０００４】
従って、本発明の目的は、機械的張力へのより大きい耐性を電気的接触部のエリアに与える電子装置およびその電子装置を製造する方法を提供することである。
【０００５】
この目的は、特許請求項１、１０および１１の特徴によって解決される。
【０００６】
本発明に従って、絶縁材料からなる少なくとも１つのフレキシブル隆起物（ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｅｒｈｅｂｕｎｇ）が電子装置の第１の表面上に提供される。その装置の電気的接触部がその上に配置される。少なくとも１つの電気的接触部は、少なくとも部分的にフレキシブル隆起物の表面を覆う導電材料の形態で少なくとも１つのフレキシブル隆起物の上に配置される。従って、電気的接触部は、構成要素が熱的または機械的に応力を受ける場合に、対応する張力がフレキシブル隆起物によって吸収されるように、電子構成要素に弾性的に取り付けられる。これは、隆起物がより大きな運動の自由度を示し、それゆえ、より大きな耐性を相殺し得るか、または補償し得るので、従来技術に従う連続的な層と異なる隆起物で実施可能である。この目的のために、フレキシブル隆起物は、隆起物のフレキシブル性をさらに増加する窪み（Ａｕｓｎｅｈｍｕｎｇ）を含む。
【０００７】
原理的に、フレキシブル隆起物全体はまた、異なる材料からなる個別の導体経路によってではなく、フレキシブル材料自体によって導電性接続が生じるようなフレキシブルな導電材料から製造され得る。しかし、この点で、フレキシブル材料およびその組成の選択を限定するかなり特別な材料が必要とされる。さらに、そのような材料は、一般に、導体経路を形成する純度が高い導電材料より高い抵抗を有する。従って、導電材料がフレキシブル隆起物の表面を覆う本発明に従った好適な解決法において、隆起物のフレキシブル性な性質および導体の性質が個別に最適化され得る。
【０００８】
本発明に従うこの装置は、例えば、構成要素の電子回路および／または回路チップのサイズ（所謂チップサイズの構成要素）に大きく対応し得るサイズの電子構成要素に対して特別な重要性を有する。まさにこの特定の場合に、実用的には、電子回路および／または回路チップを除いて電子構成要素で張力を吸収し得る他のハウジング要素は提供されない。電気的接触部の損傷を受けるかまたは破壊されたそのような構成要素において特に重大な危険が存在する。まさにそのような場合、本発明に従って提案される隆起物は、あまりにも高く生じる機械的張力を避け得、従って、構成要素の動作上の安全性を保証する。しかし、本発明に従う教示はまた、任意の他の電子装置で有利に使用され得る。
【０００９】
従って、電子構成要素の電気的接触部は、生じる機械的張力を相殺するか、または生じる機械的張力を補償するフレキシブル隆起物の上に配置される。隆起物上の電気的接触部への導電的な接続を生成するために、例えば、フレキシブル隆起物の外部表面上、すなわち窪みの外部に導体経路を配置することが提供され得る。フレキシブル隆起物の外部表面上の導電経路の代替物として、導体経路はまた、フレキシブル隆起物の窪み内に配置され得る。従って、導電接続は、フレキシブル隆起物の内部表面、すなわち窪みによって形成される表面を介して導かれる。
【００１０】
次いで、例えば、電子回路は、電気的接触部に電気的に接続される電子装置に提供され得る。例えば、電子回路は、フレキシブル隆起物に直接的に面し得るが、フレキシブル隆起物が電子回路から一定の距離で配置され得るように、さらなる導体トラックもまたフレキシブル隆起物と電子回路との間で配置され得ることが提供され得る。
【００１１】
さらなる導体トラックが、例えば、電子回路とフレキシブル隆起物との間に設けられる場合、これらは、電子構成要素の第１の表面を少なくとも部分的に覆う絶縁層上に配置され得る。その絶縁層は、フレキシブル隆起物と面する。これは、例えば、間接的に構築すると、すなわち絶縁層を構築することによって導体トラックが構築され得るという利点を有する。
【００１２】
フレキシブル隆起物に提供される窪みは、様々な方法で形成され得る。窪みは、第１の表面に対して平行にフレキシブル隆起物内に拡大することが提供され得る。この場合、窪みは、特に、フレキシブル隆起物の表面のノッチによって第１の表面に対して平行に形成され得る。しかし、窪みはまた、例えば、フレキシブル隆起物を通るチャネルまたは管の形態を示し得る。
【００１３】
あるいは、窪みは、第１の表面に垂直にフレキシブル隆起物内に拡大することが提供され得る。この場合、窪みは、例えば、フレキシブル隆起物の表面のスルー型またはトレンチ型のノッチによって、第１の表面に垂直に形成され得る。しかし、それはまた、第１の表面に垂直に、例えば、フレキシブル隆起物のケトル型の窪みとして形成され得る。
【００１４】
フレキシブル隆起物のフレキシブル性に関するさらなる大幅な改良は、フレキシブル隆起物の窪みを適切に形成することにより達成され得る。これは、窪みによって引き起こされるように、フレキシブル隆起物の断面積を減らすことによって達成され得る。
【００１５】
しかし、他方で、フレキシブル隆起物の形成はまた、それぞれ２つのフレキシブル隆起物が互いに協働して、電気的接触部を形成するように互いに適合し得る。例えば、このように、それぞれ、窪みが第１の表面に平行に拡大する隆起物は、プッシュボタン原理（Ｄｒｕｃｋｋｎｏｐｆｐｒｉｎｚｉｐ）に従って、それぞれ窪みが第１の表面に垂直に拡大する隆起物と協働し得る。第１の隆起物は第２の隆起物の窪みをかみ合うか、または係合する。このように、例えば、電気的接触部は、導電性接続が第１の電子装置と第２の電子装置との間に生成され得るように電子モジュール内に形成され得る。この場合、例えば、第１の電子装置が電子構成要素として形成され得、第２の装置が構成要素キャリアとして、または、別の電子構成要素として形成され得る。
【００１６】
以下では、上で説明してきたような電子装置を製造するための、発明に従う方法が示される。この目的のため、絶縁層は、第１の工程において、絶縁層が第１の表面を少なくとも部分的に覆うように第１の表面上に堆積される。次いで、凹部（Ｖｅｒｔｉｅｆｕｎｇ）が絶縁層に構築されるか、または絶縁層の表面は、フレキシブル隆起物が配置されるエリアまたは隣のエリアにおいて少なくとも凸凹となる。次いで、絶縁層には、少なくとも１つの凹部のエリアにおいて少なくともメタライゼーションが提供される。最後に、フレキシブル隆起物が少なくとも１つの凹部上に配置されるか、または少なくとも１つの凹部のすぐ隣に配置される。そして、窪みがレーザーにより形成される。この方法は、特に利点となることが証明される。なぜなら、望まれる窪みを生産するにはあまりにも不正確であり得、比較的高価な手段を用いて実行され得るしかないレーザーを単に用いて窪みを構築しないからである。むしろ、その方法は、凹部およびフレキシブル隆起物が第１の表面に適切に配置され、さらにフレキシブル隆起物に作用するレーザー放射の焦点を合わせる場合、絶縁層に凹部を予め形成し、次いでメタライゼーションすることにより、第１の表面に焦点鏡を生成するという事実を利用し、それにより、適切な場合に所望の形状の窪みの形成を行うかまたは促進する。例えば、フレキシブル隆起物が凹部上に直接配置される場合、第１の表面に垂直にレーザーを放射することにより、フレキシブル隆起物において、漏斗型でなく、トラフまたはケトル型の窪みを得る。対照的に、１つ以上の凹部のすぐ隣にフレキシブル隆起物が配置される場合、第１の表面に垂直にレーザーを放射することにより、ノッチが第１の表面に平行に形成されるように、レーザー放射の焦点をフレキシブル隆起物の側壁に合わせる。凹部の代わりに、凸凹部が絶縁層に生成され、次いでメタライゼーションされる場合、同じことが適用される。これにより、散乱反射鏡を形成する。その反射鏡は、様々な空間的な方向に入射光を再散乱させ、同じくレーザー放射の入射方向（理想的には垂直方向）とは逸脱した方向に窪みが構築され得る。メタライゼーションは、また、電子装置上の導体経路または導体トラックを形成するために同時に使用し得るので、メタライゼーションを堆積することはさらなる方法工程を意味しない。
【００１７】
絶縁層は、好適には、簡単に、費用効果を高く、さらに、要求される精度で実行され得る印刷プロセスにより、第１の表面に堆積される。フレキシブル隆起物はまた、そのような印刷プロセスによって堆積され得る。絶縁層の少なくとも１つの凹部もまた、窪みのようにレーザーにより形成され得る。
【００１８】
導体トラックおよび／または導体経路ならびに電気的接触部を生成する導電材料は、例えば、スパッタメタライゼーションまたは化学的メタライゼーション等の従来の方法によってフレキシブル隆起物上および／または絶縁層に堆積され得る。この点についての特定の方法は、ＷＯ  ９８／５５  ６６９およびＷＯ  ９９／０５  ８９５に記載され、ここでは最初に核形成が絶縁層になされ、次いでそれらのエリアがメタライゼーションされる。従来技術から上記の方法の代替的な方法として、フレキシブル隆起物の表面およびおそらくフレキシブル層の表面をもレーザー処理することにより、または別の適切な方法により表面が凸凹となり、次いでその表面が後に付与されるメタライゼーションの導電材料へのより良い接着性をもたらすことが提供され得る。このように、表面が凸凹となった後にのみメタライゼーションが堆積される前に、金属核あるいは他の適切な核が凸凹表面上に堆積され、上記の核は、例えば、パラジウム等の任意の適切な材料からなり得る。
【００１９】
ここで、本発明の特定の実施形態は、図１〜図２４によって説明される。ここでは、例示によりチップサイズの半導体要素を参照する。
【００２０】
図１〜図６は、チップサイズの半導体要素を例とする電子構成要素を接触するために使用され得るフレキシブル隆起物の製造を説明する。このように、絶縁層７を、最初に半導体チップ９の第１の表面２上に堆積する。この層の堆積および可能な最初の構築は、例えば印刷プロセスによって容易に達成され得る。次いで凹部１２は、一般的に任意の態様で、例えば、先述した印刷プロセスのコンテキスト内でまたは図２に示すようにレーザーにより、絶縁層７に構築される。
【００２１】
このように、絶縁層７の表面は、レーザー工程においてメタライゼーション４が形成される少なくともそれらのエリアにおいてレーザーによって凸凹になり得る。このように、凸凹の表面は、特にメタライゼーション４の導電材料がその表面により接着することを保証する。類似した工程はまた、フレキシブル隆起物３の表面が導電材料８に対するより良い接着性を生じるために本発明の方法の後の工程において実行され得る。
【００２２】
しかし、絶縁層７の表面は、またあるいはさらに、フレキシブル隆起物３が後で堆積されるエリアまたは隣のエリアにおいて凸凹となり得る。上で説明したように、凹部１２をこの点で生成する場合、凹部１２の表面は凸凹となる。しかし、表面のそのような凸凹により、凹部１２で散乱することさえ可能になる。次いでこれにより、絶縁層１２上に凸凹の表面を提供し、その表面の上に同様に凸凹のメタライゼーション４が生成される。メタライゼーションの後、凹部１２は焦点鏡のように機能する一方で、メタライゼーション４を備える凸凹の表面は、散乱反射鏡のように作用する。その反射鏡は、垂直に入射する光を一般には入射方向と一致しない様々な空間的方向に反射して、返す。
【００２３】
一旦、凹部１２が構築され、絶縁層の表面が適切なように凸凹になると、メタライゼーション４を絶縁層７上に堆積し、それにより絶縁層７は、少なくとも部分的にメタライゼーション４によって覆われる。しかし、それによって、少なくとも凹部１２のエリアは、メタライゼーション４によって覆われる。凹部１２の構築化または凸凹およびメタライゼーション４の堆積化は、後の方法工程のための所望の集束効果を有して、後の工程用の鏡が形成されるように実行される。以下に示すように、凹部１２のみを検討する。
【００２４】
次いで、フレキシブル隆起物３が凹部１２のエリアに堆積され、凹部１２はフレキシブル隆起物３によって覆われる。同様に、フレキシブル隆起物３は、例えば印刷プロセスなどの任意の方法で堆積され得る。次いで、窪み５がフレキシブル隆起物３に構築される。ここで、半導体チップ９の表面２に垂直なレーザーがフレキシブル隆起物３の表面１０に作用する。フレキシブル隆起物３の表面１０から最初に始まって、レーザー放射がフレキシブル隆起物３を貫通し、それによってフレキシブル隆起物３の窪み５の第１の部分を構築する。凹部１２に形成される鏡のさらなる反射効果および集束効果によって、窪み５は内部表面１１を有するトラフまたはケトル型構造を得る。そのような構造は、単なる漏斗型の窪みよりフレキシブル隆起物のフレキシブル性および安定性の点でさらに都合が良い。メタライゼーションされた凸凹表面が凹部１２に加えて、または、代わりに提供される場合、トラフまたはケトル型の構造は、または凸凹表面の散乱反射鏡によって、付加的にまたは排他的に得られる。
【００２５】
最終的に、フレキシブル隆起物３の表面１０、１１がメタライゼーションされる。ここで、フレキシブル隆起物の表面（例えば、外部表面１０のみ、または、内部表面１１のみ）は、原理的には、部分的にメタライゼーションされ得る。これは、さらに以下に説明するように接触の所望のタイプに依存する。既に形成された電気的接触部１とおそらく存在する導体経路または導体トラック４との間で導電接続が生成され得ることのみが保証されなければならない。
【００２６】
半導体チップ９に接触するために、図７に示されるように、電気的接触部１を形成するフレキシブル隆起物は、チップキャリアを例とする別の電子装置１２上の接触エリアにプレスされることが提供され得る。本実施例において、フレキシブル隆起物３の、少なくとも外部表面１０はメタライゼーション８を含むことがこの点において必要である。一旦、フレキシブル隆起物３が接触エリア１３にプレスされると、図８に示すようにフレキシブル隆起物は与えられた圧力によって歪められ、半導体チップ９と他の電子装置１４との間のフレキシブルな接続、すなわちフレキシブルで、導電的な接続を生成する。
【００２７】
図１７は、図８の原理に従って電気的接続部を有する半導体チップ９の全般的な示す模式図を示す。このように、半導体チップは、電気的接触部１ａ〜１ｆを形成する多数のフレキシブル隆起物を含む。これらの電気的接触部１ａ〜１ｆは、別の電子装置１４の接触エリア１３ａ〜１３ｆに対する導電性接続を形成する。導体トラック４ａ〜４ｆは、電気的接触部１ａ〜１ｆのそれぞれから始まり、例えば電子回路に接続され得る。
【００２８】
図９〜１２は、フレキシブル隆起物を製造する代替的な方法を示す。ここでも、絶縁層を、最初に半導体チップ９上に堆積する。従って、この方法工程は図１に従う方法工程に対応する。
【００２９】
次いで、１つ以上の凹部１２は絶縁層２に構築され、２つの凹部が図１０に従う本実施例に示される。しかし、例えば、１つの環状の凹部もまた形成され得る。あるいは、凸凹部はまた、図１ｆｆの説明と類似して散乱反射鏡として機能する凹部１２を形成するのに加えて、または、形成する代わりに、生成され得る。しかし、例示として、凹部１２のみを以下のように検討する。この凹部１２（単数または複数）はまた、レーザーにより構築され得る。次いで、絶縁層７は、再度、少なくとも部分的に、かつ、少なくとも凹部１２のエリアにおいてメタライゼーションされる。
【００３０】
次いで、フレキシブル隆起物３は凹部１２の隣にまたは凹部１２の間に配置される。次いで、窪みは、フレキシブル隆起物に構築され、再び半導体チップ９の第１の表面２に垂直なレーザーがフレキシブル隆起物３を照射する。この場合も鏡として機能する凹部１２の反射効果および集束効果を介して、レーザー放射は、図１３に従う実施例において、フレキシブル隆起物３の側壁に方向付けられ、それにより、半導体チップ９の第１の表面２に平行に配置され、内部表面１１を含むフレキシブル隆起物３の側壁にノッチ６を形成する。最後に、フレキシブル隆起物３の表面１０、１１は、この表面１０、１１が導電材料によって覆われるようにここでもメタライゼーションされ、従ってフレキシブル隆起物３が電気的接触部１を形成する。図１９に示されるように、そのような電気的接触部は、図１７と類似して別の電子装置の接触エリア１３にプレスされ得る。この接続において、図１９は、別の電子装置１４の接触エリア１３ａ〜１３ｆにプレスされる多数の電気的接触部１ａ〜１ｆを有する半導体チップの模式的な図を示す。導体トラック４ａ〜４ｆがここでも提供され、それぞれが電気的接触部１ａ〜１ｆへの導電接続を有する。
【００３１】
しかし、フレキシブル隆起物の適切に適応された実施形態において、２つのフレキシブル隆起物３、１０３はまた協働され得る。ここで、図１５が示すように、フレキシブル隆起物３の一方がトラフまたはケトル型の窪み５を含み、対照的に他方のフレキシブル隆起物１０３がノッチ１０６を含む。従って、第１のフレキシブル隆起物３は、半導体チップを例とする第１の電子装置９上に電気的接触部１を形成し、第２のフレキシブル隆起物１０３は、チップキャリアまたは別の半導体チップを例とする別の電子装置１０９に電気的接触部１０１を形成する。この点において、第１のフレキシブル隆起物３は、少なくともその内部表面１１上にメタライゼーション４を含み、第２のフレキシブル隆起物１０３は、ノッチ１０６によって形成される少なくとも内部表面１１１上にメタライゼーション１０４を含む。図１６が示すように、２つの隆起物３、１０３が適切に形成される場合、２つのフレキシブル隆起物が合わされ、第２のフレキシブル隆起物１０３は、第１のフレキシブル隆起物３のトラフまたはケトル型の窪み５でかみ合わせるかまたは係合する。第２のフレキシブル隆起物１０３のノッチ１０６は、それ自体が第１のフレキシブル隆起物３にロックされ、第２のフレキシブル隆起物１０３が第１のフレキシブル隆起物３の窪み５から滑ることを防ぐことを保証する。従って、安定だがそれにも関わらずフレキシブルな電気的接続は、半導体チップ９と別の電子装置１０９、例えば、チップキャリア等との間に容易に形成される。そのような電気的接続は、十分な安定性およびフレキシブル性を保証し、同時にモジュールの個別の要素が容易に置換されることを可能にするので、電子モジュールを形成することに特に適している。図１８は、そのようなモジュールの全般的な模式図を示し、半導体チップ９は、電気的接触部を形成する多数のフレキシブル隆起物３ａ〜３ｆを含み、チップキャリアを例とする別の電子装置１０９のフレキシブル隆起物１０３ａ〜１０３ｆは、フレキシブル隆起物３ａ〜３ｆによりかみ合わせるか、または係合し、導電接続を生成する。ここで、フレキシブル隆起物３ａ〜３ｆおよび１０３ａ〜１０３ｆのそれぞれは、導体トラック４ａ〜４ｆおよび／または１０４ａ〜１０４ｆによって接続される。これらの導体トラックは、順に電子回路への電気的接続を形成し得る。
【００３２】
図２０〜図２３は、フレキシブル隆起物３のさらに可能な実施形態を示す。チップ９上に印刷されたフレキシブル隆起物３から再度始めると、図２０に示されるように、フレキシブル隆起物３の窪みは、異なって構築され得る。図２１に示されるように、対向する要素が変わらないままであり得、個々の要素は、図２３のそのような隆起物３の平面図に示されるように例えばセクタ化された形状を含む。フレキシブル隆起物のバネ作用は、セクタの数およびサイズならびに窪みの深さによってさらに変化され得る。ここで、バネ移動の端、すなわち垂直な圧力を用いるフレキシブル隆起物の変形により、個々の１セクタが接触する点を設定することさえ可能となる。しかし、例えば図２３からの個々の１セクタまたは２セクタに対応する個々の１要素はまた、図２２に示されるように変わらないままでもよい。
【００３３】
一般に、バネ作用は、さらにフレキシブル隆起物３の表面上の導電材料８の層のタイプおよび厚みを介して、全てのフレキシブル隆起物に対して設定され得る。図１〜２３において、実際的にはフレキシブル隆起物３の全表面が導電材料８によって覆われる装置を一貫して示した。しかし、これらの装置のそれぞれでは、例えば図２４における外部表面の実施例において示されるように本実施例に関して、表面の一部のみが導電材料８によって覆われることもまた提供され得る。これは、おそらく凸凹の表面に核（例えば、パラジウム）を形成した後に、例えば外部表面のターゲットの凸凹および次のメタライゼーションによって達成され得る。
【図面の簡単な説明】
【図１】  図１は、絶縁層が半導体チップに印刷された後の半導体チップを示す。
【図２】  図２は、レーザーにより凹部を絶縁層に構築した半導体チップを示す。
【図３】  図３は、メタライゼーションを絶縁層に堆積した半導体チップを示す。
【図４】  図４は、フレキシブル隆起物をメタライゼーションに堆積した半導体チップを示す。
【図５】  図５は、ケトル型の窪みをフレキシブル隆起物に構築したされる半導体チップを示す。
【図６】  図６は、フレキシブル隆起物の表面をメタライゼーションした半導体チップを示す。
【図７】  図７は、フレキシブル隆起物を接触エリアにプレスする半導体チップを示す。
【図８】  図８は、接触エリアにプレスされた後のフレキシブル隆起物を示す。
【図９】    図９は、絶縁層が印刷された後の半導体チップを示す。
【図１０】  図１０は、レーザーにより２つの凹部を絶縁層に構築した半導体チップを示す。
【図１１】  図１１は、メタライゼーションを絶縁層に堆積した半導体チップを示す。
【図１２】  図１２は、フレキシブル隆起物を凹部間に堆積した半導体チップを示す。
【図１３】    図１３は、レーザーにより、ノッチをフレキシブル隆起物の側壁に構築した半導体チップを示す。
【図１４】  図１４は、フレキシブル隆起物の表面をメタライゼーションした半導体チップを示す。
【図１５】  図１５は、ノッチを含むフレキシブル隆起物とケトル型の窪みを含むフレキシブル隆起物とを合わせた半導体チップを示す。
【図１６】  図１６は、ノッチを含むフレキシブル隆起物をケトル型の窪みを含むフレキシブル隆起物とかみ合わせまたは係合するフレキシブル隆起物が半導体チップを示す。
【図１７】  図１７は、図８に従う電子構成要素と電子装置との間の電気的接続の全般的な模式図である。
【図１８】  図１８は、図１６に従う電子装置を図１７に示すように示す。
【図１９】  図１９は、図１４に従う電子装置を図１７に示すように示す。
【図２０】  図２０は、フレキシブル隆起物のさらなる代替物を示す。
【図２１】    図２１は、フレキシブル隆起物のさらなる代替物を示す。
【図２２】  図２２は、フレキシブル隆起物のさらなる代替物を示す。
【図２３】  図２３は、フレキシブル隆起物のさらなる代替物を示す。
【図２４】  図２４は、フレキシブル隆起物のさらなる代替物を示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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