(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の方向に延びる複数の第１の仕切壁と、第１の方向と直交する第２の方向に延びる複数の第２の仕切壁と、第１及び第２の仕切壁の端部を連結する外周枠部とを有し、
第１の仕切壁と第２の仕切壁とで囲まれた領域は半導体集積回路装置を収納する収納部を構成し、
第２の方向に沿って隣接する収納部の間には１つの第１の仕切壁が配されており、第１の方向に沿って隣接する収納部の間には２つの第２の仕切壁が配されており、該２つの第２の仕切壁の間には開口部が設けられていることを特徴とする半導体集積回路装置用トレー。
【請求項２】
開口部の大きさは、収納部の面積の１／２０以上であることを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路装置用トレー。
【請求項３】
第１の仕切壁と第２の仕切壁とで囲まれそして開口部が形成された領域内を開口部が占める面積的な割合は０．２以上であることを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路装置用トレー。
【請求項４】
第１の方向に延びる複数の第１の仕切壁と、第１の方向と直交する第２の方向に延びる複数の第２の仕切壁と、第１及び第２の仕切壁の端部を連結する外周枠部とを有し、
第１の仕切壁と第２の仕切壁とで囲まれた領域は半導体集積回路装置を収納する収納部を構成し、
第２の方向に沿って隣接する収納部の間には２つの第１の仕切壁が配されており、該２つの第１の仕切壁の間には開口部が設けられており、第１の方向に沿って隣接する収納部の間には２つの第２の仕切壁が配されており、該２つの第２の仕切壁の間には開口部が設けられていることを特徴とする半導体集積回路装置用トレー。
【請求項５】
開口部の大きさは、収納部の面積の１／２０以上であることを特徴とする請求項４に記載の半導体集積回路装置用トレー。
【請求項６】
第１の仕切壁と第２の仕切壁とで囲まれそして開口部が形成された領域内を開口部が占める面積的な割合は０．２以上であることを特徴とする請求項４に記載の半導体集積回路装置用トレー。
【請求項７】
第１の方向に延びる複数の第１の仕切壁と、第１の方向と直交する第２の方向に延びる複数の第２の仕切壁と、第１及び第２の仕切壁の端部を連結する外周枠部とを有し、
第１の仕切壁と第２の仕切壁とで囲まれた領域は半導体集積回路装置を収納する収納部を構成し、
第２の方向に沿って隣接する収納部の間には１つの第１の仕切壁が配されており、第１の方向に沿って隣接する収納部の間には２つの第２の仕切壁が配されており、該２つの第２の仕切壁の間には開口部が設けられている半導体集積回路装置用トレーを用いた半導体集積回路装置ベーキング処理方法であって、
樹脂封止された半導体集積回路装置を収納部に収納した状態の半導体集積回路装置用トレーを熱風乾燥機内に積み重ね、半導体集積回路装置の封止樹脂の加熱乾燥を行うことを特徴とする半導体集積回路装置ベーキング処理方法。
【請求項８】
熱風乾燥機内には多数の開口部を有する金属板が配設され、この金属板の上に半導体集積回路装置用トレーを積み重ねた状態で半導体集積回路装置の封止樹脂の加熱乾燥を行うことを特徴とする請求項７に記載の半導体集積回路装置ベーキング処理方法。
【請求項９】
開口部の大きさは、収納部の面積の１／２０以上であることを特徴とする請求項７に記載の半導体集積回路装置ベーキング処理方法。
【請求項１０】
第１の仕切壁と第２の仕切壁とで囲まれそして開口部が形成された領域内を開口部が占める面積的な割合は０．２以上であることを特徴とする請求項７に記載の半導体集積回路装置ベーキング処理方法。
【請求項１１】
第１の方向に延びる複数の第１の仕切壁と、第１の方向と直交する第２の方向に延びる複数の第２の仕切壁と、第１及び第２の仕切壁の端部を連結する外周枠部とを有し、
第１の仕切壁と第２の仕切壁とで囲まれた領域は半導体集積回路装置を収納する収納部を構成し、
第２の方向に沿って隣接する収納部の間には２つの第１の仕切壁が配されており、該２つの第１の仕切壁の間には開口部が設けられており、第１の方向に沿って隣接する収納部の間には２つの第２の仕切壁が配されており、該２つの第２の仕切壁の間には開口部が設けられている半導体集積回路装置用トレーを用いた半導体集積回路装置ベーキング処理方法であって、
樹脂封止された半導体集積回路装置を収納部に収納した状態の半導体集積回路装置用トレーを熱風乾燥機内に積み重ね、半導体集積回路装置の封止樹脂の加熱乾燥を行うことを特徴とする半導体集積回路装置ベーキング処理方法。
【請求項１２】
熱風乾燥機内には多数の開口部を有する金属板が配設され、この金属板の上に半導体集積回路装置用トレーを積み重ねた状態で半導体集積回路装置の封止樹脂の加熱乾燥を行うことを特徴とする請求項１１に記載の半導体集積回路装置ベーキング処理方法。
【請求項１３】
開口部の大きさは、収納部の面積の１／２０以上であることを特徴とする請求項１１に記載の半導体集積回路装置ベーキング処理方法。
【請求項１４】
第１の仕切壁と第２の仕切壁とで囲まれそして開口部が形成された領域内を開口部が占める面積的な割合は０．２以上であることを特徴とする請求項１１に記載の半導体集積回路装置ベーキング処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数個の半導体集積回路装置を収納した状態でこれらの半導体集積回路装置のベーキング処理を実行するための半導体集積回路装置用トレー、及びかかる半導体集積回路装置用トレーを用いた半導体集積回路装置ベーキング処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
樹脂製の半導体集積回路装置用トレー（以下、ＩＣ用トレーと略称する場合がある）が、半導体集積回路装置の加熱乾燥工程や、検査工程を含む製造検査時、あるいはその搬送時に使用されている。通常、樹脂封止された半導体集積回路装置（以下、単にＩＣと呼ぶ場合がある）は、その製造工程において高温で半田付けが行われるが、その際、ＩＣの封止樹脂（通常、エポキシ樹脂が使用される）に水分が含有されている場合、半田付け工程における熱により封止樹脂中の水分が急激に蒸発し、封止樹脂にクラックが発生するという問題がある。このような問題を解決するために、ＩＣ製造工程には、ＩＣの封止樹脂中に含有される水分を取り除くためのベーキング処理工程が設けられている。
【０００３】
ベーキング処理工程においては、通常、複数個のＩＣを搭載・収納したＩＣ用トレーを熱風乾燥機の中に数十枚程積み重ねた状態で配置して、１２０〜１４０゜Ｃの温度で２４時間以上乾燥を行う。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このベーキング処理工程においては、加熱乾燥中、特に加熱開始直後にＩＣ用トレーが捻れ変形を起こし、積み重ねたＩＣ用トレーが崩れたり、ＩＣがＩＣ用トレーから脱落したりすることが原因で、ＩＣが損傷して作動不良になるなどの問題がある。このベーキング処理工程におけるＩＣ用トレーの捻れ変形発生原因の１つは、以下のとおりであると考えられている。即ち、樹脂製のＩＣ用トレーを幾重にも積み重ねた状態で加熱乾燥させるので、形状的にも材料的にも、伝熱がＩＣ用トレーの中央部にまで均一に且つ速やかに行われず、ＩＣ用トレーの外周部と中央部の温度分布が著しく不均一になる結果、ＩＣ用トレーに局所的にあるいは不均一に応力が発生するからである。
【０００５】
ＩＣ用トレーのベーキング処理時の加熱乾燥効率を上げるための従来の技術として、例えば、特開平２−２３２９４４号公報あるいは特開平３−４３３８３号公報が知られている。特開平２−２３２９４４号公報には、ＩＣ用トレーのＩＣ収納部における面実装形ＩＣのリード部分下方に任意形状の開口部を設けたＩＣ用トレーが開示されている。このように、開口部を設けることによって、ＩＣ用トレー上下方向の通気性を向上させ得る結果、ベーキング処理時間を短縮し得るとされている。また、特開平３−４３３８３号公報には、ＩＣ収納部に形成された仕切壁及びトレー外周枠部に切込みを設けたＩＣ用トレーが開示されている。このように、切込みを設けることによって、ＩＣ用トレーの水平方向の通気性を向上させ得るとされている。
【０００６】
しかしながら、これらの特許公開公報に開示されたＩＣ用トレーにおいては、ＩＣ収納部に開口部や切込みが設けられているので、ＩＣ収納部にＩＣを収納すると開口部や切込みがＩＣで殆ど塞がれてしまう。あるいは又、ＩＣ収納部に設けられた開口部、あるいは、ＩＣ収納部に形成された仕切壁及びトレー外周枠部に設けられた切込みそれ自体の面積が小さいこと等から、ＩＣ用トレーそれ自体の温度分布を均一にする効果は著しく小さい。更には、これらの特許公開公報に開示されたＩＣ用トレーは、ＩＣの封止樹脂中の水分を効率良く蒸発させることを目的としており、ＩＣ用トレーの捻れ変形を防止させることを目的としたものではない。また、ＩＣ用トレーのベーキング処理工程における捻れ変形は、ＩＣ用トレーの温度分布の不均一のみならず、ＩＣ用トレー形状あるいは構造そのものにも大きく起因しており、この点について、これらの特許公開公報には何ら言及されていない。
【０００７】
従って、本発明の目的は、半導体集積回路装置の封止樹脂の加熱乾燥工程（ベーキング処理中）において捻れ変形が生じ難い半導体集積回路装置用トレー、及びかかる半導体集積回路装置用トレーを用いた半導体集積回路装置ベーキング処理方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するための本発明の第１の態様に係る半導体集積回路装置用トレーは、
第１の方向に延びる複数の第１の仕切壁と、第１の方向と直交する第２の方向に延びる複数の第２の仕切壁と、第１及び第２の仕切壁の端部を連結する外周枠部とを有し、
第１の仕切壁と第２の仕切壁とで囲まれた領域は半導体集積回路装置を収納する収納部を構成し、
第２の方向に沿って隣接する収納部の間には１つの第１の仕切壁が配されており、第１の方向に沿って隣接する収納部の間には２つの第２の仕切壁が配されており、該２つの第２の仕切壁の間には開口部が設けられていることを特徴とする。
【０００９】
上記の目的を達成するための本発明の第１の態様に係る半導体集積回路装置ベーキング処理方法は、上記の本発明の第１の態様に係る半導体集積回路装置用トレーを用い、
樹脂封止された半導体集積回路装置を収納部に収納した状態の半導体集積回路装置用トレーを乾燥機内に積み重ね、半導体集積回路装置の封止樹脂の加熱乾燥を行うことを特徴とする。
【００１０】
上記の目的を達成するための本発明の第２の態様に係る半導体集積回路装置用トレーは、
第１の方向に延びる複数の第１の仕切壁と、第１の方向と直交する第２の方向に延びる複数の第２の仕切壁と、第１及び第２の仕切壁の端部を連結する外周枠部とを有し、
第１の仕切壁と第２の仕切壁とで囲まれた領域は半導体集積回路装置を収納する収納部を構成し、
第２の方向に沿って隣接する収納部の間には２つの第１の仕切壁が配されており、該２つの第１の仕切壁の間には開口部が設けられており、第１の方向に沿って隣接する収納部の間には２つの第２の仕切壁が配されており、該２つの第２の仕切壁の間には開口部が設けられていることを特徴とする。
【００１１】
上記の目的を達成するための本発明の第２の態様に係る半導体集積回路装置ベーキング処理方法は、上記の本発明の第２の態様に係る半導体集積回路装置用トレーを用い、
樹脂封止された半導体集積回路装置を収納部に収納した状態の半導体集積回路装置用トレーを乾燥機内に積み重ね、半導体集積回路装置の封止樹脂の加熱乾燥を行うことを特徴とする。
【００１２】
本発明の第１若しくは第２の態様に係る半導体集積回路装置ベーキング処理方法においては、熱風乾燥機内に多数の開口部を有する金属板、例えば金属製の金網を配設し、この金属板の上に半導体集積回路装置用トレーを積み重ねた状態で半導体集積回路装置の封止樹脂の加熱乾燥を行うことが、効率のよいベーキング処理を行う上で好ましい。
【００１３】
本発明の第１若しくは第２の態様に係る半導体集積回路装置用トレー（以下、ＩＣ用トレーと略称する）、あるいは又、これらの半導体集積回路装置用トレーを用いた半導体集積回路装置ベーキング処理方法（以下、これらを総称して、単に本発明と呼ぶ場合がある）においては、外周枠部に切欠き部を設けてもよい。
【００１４】
本発明において、ＩＣ用トレーの開口部の大きさは、その面積が収納部の面積の１／２０以上、より好ましくは１／１０以上、更に好ましくは１／５以上となるように設計することが望ましい。尚、ＩＣ用トレーの開口部の大きさの上限は、ＩＣ用トレーの収納部の大きさや数、ＩＣ用トレーの外形寸法、ＩＣ用トレーに要求される強度等に依存して決定すればよい。また、開口部の平面形状は任意の形状でよいが、より好ましくは矩形であることが望ましい。第１の仕切壁と第２の仕切壁とで囲まれそして開口部が形成された領域内を開口部が占める面積的な割合は、１であることが望ましいが、これに限定されるものではなく、０．２以上であればよい。
【００１５】
本発明においては、開口部を設けているので、ＩＣ用トレー全体の剛性に与える仕切壁の寄与が高くなる。それ故、仕切壁の肉厚を均一にすることが望ましい。仕切壁の肉厚が均一でなく、ＩＣ用トレーの剛性のバランスが悪いと、ＩＣ用トレーに大きな捻れ変形が発生する可能性がある。仕切壁の肉厚は、０．５乃至５ｍｍ、好ましくは１乃至３ｍｍとすることが望ましい。第１の仕切壁の肉厚と第２の仕切壁の肉厚は同じであっても異なっていてもよく、要は、ＩＣ用トレーの剛性のバランスを考慮して決定すればよい。仕切壁の高さは、ＩＣの高さ、ＩＣ用トレーに要求される剛性等に基づき決定すればよく、５乃至２０ｍｍ、好ましくは５乃至１０ｍｍを例示することができるが、かかる範囲に限定するものではない。
【００１６】
本発明においては、ＩＣ用トレーは、例えば、ポリプロピレン樹脂等の汎用熱可塑性樹脂、ポリカーボネート樹脂、変性ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリアミド樹脂、芳香族ポリアミド樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂等の汎用エンジニアリングプラスチックス、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー等の特殊エンジニアリングプラスチックスを使用した射出成形法あるいは射出圧縮成形法にて作製することができる。尚、これらの樹脂には、例えば炭素繊維、カーボンブラック等の導電材料、フィラーやウィスカー等の充填材や各種添加剤を必要に応じて加えることができる。樹脂封止された半導体集積回路装置のパッケージ形態に基づく種類を例示すると、例えば、スモールアウトラインパッケージ（ＳＯＰ）、スモールアウトラインＩ−リードパッケージ（ＳＯＩ）、スモールアウトラインＪ−リードパッケージ（ＳＯＪ）、シュリンクスモールアウトラインパッケージ（ＳＳＯＰ）、薄型スモールアウトラインパッケージ（ＴＳＯＰ）、デュアルインラインパッケージ（ＤＩＰ）、クワッドフラットパッケージ（ＱＦＰ）、クワッドフラットＩ−リードパッケージ（ＱＦＩ）、クワッドフラットＪ−リードパッケージ（ＱＦＰ）、クワッドフラットリードレスパッケージ（ＱＦＮ）、ガードリングクワッドフラットパッケージ（ＧＱＦＰ）、バンパードクワッドフラットパッケージ（ＢＱＦＰ）、シュリンクジグザグインラインパッケージ（ＳＺＩＰ）、ピングリッドアレイパッケージ（ＰＧＡ）、シングルインラインパッケージ（ＳＩＰ）を挙げることができる。
【００１７】
本発明においては、たとえ、何らかの原因でＩＣ用トレーが均一に加熱されず、加熱によってＩＣ用トレーに局所的にあるいは不均一に応力が発生した場合であっても、ＩＣ用トレーに開口部が設けられているので、ＩＣ用トレーの各部位で発生した応力がＩＣ用トレー全体に伝達されない。その結果、ＩＣ用トレーの変形は局部的なものになり、捻り変形のようなＩＣ用トレー全体に及ぶ変形を抑えることができ、形状的に捻れ変形し難くなる。
【００１８】
しかも、ＩＣ用トレーに開口部を設けることによって、ＩＣ用トレーを何十枚積み重ねた状態にあっても、開口部は最上段に位置するＩＣ用トレーから最下段に位置するＩＣ用トレーに至るまで上下方向にＩＣ用トレーを貫通しており、これらの開口部は熱の流路としての役割を果たす。従って、ＩＣ用トレーにおける上下方向の伝熱が著しく改善され、ＩＣ用トレー自体の温度分布を均一化させることができる。また、外周枠部に切欠き部を設ければ、水平方向の伝熱を改善することができる。更には、開口部と収納部とが交互に配置されているので、それぞれの収納部における加熱乾燥条件の差異を少なくすることができる。
【００１９】
【実施例】
以下、図面を参照して、実施例に基づき本発明を説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。
【００２０】
（実施例１）
実施例１は、本発明の第１の態様に係るＩＣ用トレー、及び係るＩＣ用トレーを使用した本発明の第１の態様に係る半導体集積回路装置ベーキング処理方法に関する。実施例１のＩＣ用トレーの模式的な平面図を図１に示し、図１の矢印Ａ−Ａ、Ｂ−Ｂ、Ｃ−Ｃ、Ｄ−Ｄ、Ｅ−Ｅに沿った模式的な断面図を、それぞれ、図２の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）及び（Ｅ）に示す。このＩＣ用トレー１０は、第１の方向（例えば横方向）に延びる複数の第１の仕切壁１１と、第１の方向と直交する第２の方向（例えば縦方向）に延びる複数の第２の仕切壁１２と、第１及び第２の仕切壁１１，１２の端部を連結する外周枠部１３とを有している。そして、一対の第１の仕切壁１１と一対の第２の仕切壁１２とで囲まれた領域１４は、半導体集積回路装置を収納する収納部１６を構成している。更に、一対の第１の仕切壁１１と１つの第２の仕切壁１２と１つの外周枠部１３とで囲まれた領域１５Ａ、１つの第１の仕切壁１１と一対の第２の仕切壁１２と１つの外周枠部１３とで囲まれた領域１５Ｂ、１つの第１の仕切壁１１と１つの第２の仕切壁１２と２つの外周枠部１３とで囲まれた領域１５Ｃは、半導体集積回路装置を収納する収納部１６を構成している。尚、収納部１６は、例えば、第１の仕切壁１１及び第２の仕切壁１２の側面から一体的に延びている。
【００２１】
更には、第２の方向（例えば縦方向）に沿って隣接する収納部１６，１６の間には１つの第１の仕切壁１１が配されており、第１の方向（例えば横方向）に沿って隣接する収納部１６，１６の間には２つの第２の仕切壁１２，１２が配されており、これらの２つの第２の仕切壁１２，１２の間には開口部１７が設けられている。即ち、例えば、２つで一組の第２の仕切壁１２，１２と２つで一組の第１の仕切壁１１，１１とで格子状の収納部１６が構成されており、一組の第２の仕切壁１２，１２の間に開口部１７が設けられている。言い換えれば、第１の方向（例えば横方向）に沿って、開口部１７と収納部１６とが交互に配置されている。また、外周枠部１３の一部分には切欠き部１８が設けられている。尚、ＩＣ用トレー１０を何十枚積み重ねた状態においても、開口部１７は最上段に位置するＩＣ用トレーから最下段に位置するＩＣ用トレーに至るまで上下方向に貫通している。ここで、図１並びに図２の（Ａ）〜（Ｅ）に示したＩＣ用トレー１０における収納部１６の数は、図面の簡素化のために、実際に作製したＩＣ用トレー１０における収納部１６の数とは相違している。尚、外周枠部１３の上面に凹部（若しくは凸部）を設け、外周枠部１３の下面に凸部（若しくは凹部）を設け、ＩＣ用トレーを積み重ねたとき、ＩＣ用トレー１０の外周枠部１３の下面に設けられた凸部（若しくは凹部）と、その下に位置するＩＣ用トレー１０の外周枠部１３の上面に設けられた凹部（若しくは凸部）とが係合する構造とすれば、複数のＩＣ用トレーを確実に積み重ねることができる。
【００２２】
実施例１のＩＣ用トレー１０には、縦方向に１５箇所、横方向に６箇所の合計９０箇所の収納部１６を設けた。外形寸法を、縦３３５ｍｍ、横１８０ｍｍとした。射出成形後であってベーキング処理前のＩＣ用トレー１０の基本設計形状に対する外形寸法許容範囲は、縦方向及び横方向共に−１．５ｍｍ〜＋０ｍｍであり、射出成形後であってベーキング処理前のＩＣ用トレー１０の基本設計形状に対する厚さ方向の許容反り量は１ｍｍ以下である。尚、射出成形後であってベーキング処理前のＩＣ用トレー１０の基本設計形状に対する縦方向及び横方向の外形寸法許容範囲、並びに、厚さ方向の許容反り範囲を、それぞれ、以下、単に、外形寸法許容範囲、許容反り範囲と呼ぶ。ＩＣを収納する収納部１６の大きさを２０ｍｍ×２０ｍｍとした。また、第１の方向に沿って隣接する収納部１６，１６の間に位置する２つの第２の仕切壁１２，１２の間の距離を３．５ｍｍとした。従って、開口部１７の大きさは３．５ｍｍ×２０ｍｍである。第１の仕切壁１１の肉厚を２．０ｍｍ、第２の仕切壁１２の肉厚を１．５ｍｍとした。ＩＣ用トレー１０は、高耐熱変性ＰＰＥ樹脂（三菱エンジニアリングプラスチックス株式会社製「ユピエースＥＨＭ１１１０Ａ」）を用い、射出成形法にて作製した。作製されたＩＣ用トレー１０の縦方向及び横方向の寸法及び厚さ方向の反り量を測定したところ、全て、外形寸法許容範囲内及び許容反り範囲内であり、射出成形時の寸法精度という観点からは問題は全くなかった。
【００２３】
実施例１においては、図３に模式的に示すように、樹脂封止された半導体集積回路装置を収納部１６に収納した状態のＩＣ用トレー１０を２０枚積み重ねて、１３５゜Ｃに設定した熱風乾燥機２０内に配設された金網２１上に積み重ねた状態で配置し、２４時間、半導体集積回路装置の封止樹脂の加熱乾燥を行った。ベーキング処理時におけるＩＣ用トレー１０の温度分布が定常状態となる前のベーキング処理初期段階において、従来、非常に発生し易かった捻れ変形や挫屈のような急激な大変形によるＩＣ用トレーからのＩＣの落下、ＩＣを積載したＩＣ用トレーの崩れ等は発生しなかった。ベーキング処理終了後、ＩＣ用トレー１０の温度を室温まで下げた際にも、その後の使用に支障をきたす捻れ変形のような残存永久変形は全く起こらなかった。更に、その後、３回ベーキング処理を実施しても、ＩＣ用トレー１０に捻れ変形は全く起こらなかった。また、３回ベーキング処理を実施した後、ＩＣ用トレーの縦方向外形寸法、横方向外形寸法、及び厚さ方向の反り量を測定したところ、全て、外形寸法許容範囲内及び許容反り範囲内であり、熱サイクル負荷時の寸法精度及び耐久性という観点からも問題は全くなかった。
【００２４】
尚、図１１に模式的に示すように、ベーキング処理に用いられる従来の熱風乾燥機２０においては、アルミニウム等から作製された金属板２２（開口部は設けられていない）が熱風乾燥機内に配設されており、この金属板２２上にＩＣ用トレーを積み重ねている。ところが、金属板２２を用いたのでは、最下段に位置するＩＣ用トレーの開口部が金属板２２によって塞がれることになり、ＩＣ用トレー内部には自然対流伝熱でしか熱が伝わらなくなってしまい、加熱効果が著しく小さくなる。図３に示したように、熱風乾燥機２０内に金属製の金網２１を配設し、この金属製の金網２１の上に積み重ねたＩＣ用トレー１０を配置して加熱乾燥を行えば、最下段に位置するＩＣ用トレー１０と最上段に位置するＩＣ用トレー１０の間に熱の流路が確保でき、中間段に位置するＩＣ用トレー１０の内部に強制対流伝熱によって熱を伝えることができるため、ＩＣ用トレー１０の温度均一化に大きな効果がある。但し、図１１に示す従来の熱風乾燥機２０内に配設された金属板２２上に実施例１にて作製したＩＣ用トレーを積み重ねた状態で配置し、２４時間、半導体集積回路装置の封止樹脂の加熱乾燥を行ったが、加熱処理中及び処理後においても、ＩＣ用トレー１０に捻れ変形は全く起こらなかった。また、ベーキング処理を実施した後、ＩＣ用トレーの縦方向外形寸法、横方向外形寸法、及び厚さ方向の反り量を測定したところ、全て、外形寸法許容範囲内及び許容反り範囲内であり、熱サイクル負荷時の寸法精度及び耐久性という観点からも問題は全くなかった。
【００２５】
（比較例１）
実施例１におけるＩＣ用トレーとほぼ同様の形状を有し、開口部のみが樹脂によって塞がれている形状のＩＣ用トレーを用いて、ベーキング処理を実施した。図１２の（Ａ）及び（Ｂ）に、開口部が形成されていない比較例１のＩＣ用トレーの模式的な断面図を示す。尚、図１２の（Ａ）及び（Ｂ）のそれぞれは、図１の矢印Ａ−Ａ及びＣ−Ｃに沿ったと同様の断面図である。ＩＣ用トレーを作製するために用いた樹脂材料及び作製方法は、実施例１と同一とした。
【００２６】
比較例１においても、図３に模式的に示したと同様に、樹脂封止された半導体集積回路装置を収納部１６に収納した状態のＩＣ用トレーを２０枚積み重ねて、１３５゜Ｃに設定した熱風乾燥機２０内に配設された金網２１上に積み重ねた状態で配置し、半導体集積回路装置の封止樹脂の加熱乾燥を行った。その結果、ベーキング処理工程開始時から暫くして、最上段及び最下段に位置するＩＣ用トレーから中段に位置するＩＣ用トレーに向かって徐々に捻れ変形が生じ、ベーキング処理の開始から８時間を経過した時点で、積み重ねたＩＣ用トレー全体が急激に大きく変形（挫屈）した。更に、４０時間、加熱乾燥を続けた結果、捻れ変形が治まり、ＩＣ用トレーが平坦な状態に戻った。
【００２７】
（実施例２）
実施例２は、本発明の第２の態様に係るＩＣ用トレー、及び係るＩＣ用トレーを使用した本発明の第２の態様に係る半導体集積回路装置ベーキング処理方法に関する。実施例２のＩＣ用トレーの模式的な平面図を 図４に示し、図４の矢印Ａ−Ａ、Ｂ−Ｂ、Ｃ−Ｃ、Ｄ−Ｄ、Ｅ−Ｅ及びＦ−Ｆに沿った模式的な断面図を、それぞれ、図５の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）及び（Ｆ）に示す。このＩＣ用トレー１０Ａは、第１の方向（例えば横方向）に延びる複数の第１の仕切壁１１と、第１の方向と直交する第２の方向（例えば縦方向）に延びる複数の第２の仕切壁１２と、第１及び第２の仕切壁１１，１２の端部を連結する外周枠部１３とを有している。そして、一対の第１の仕切壁１１と一対の第２の仕切壁１２とで囲まれた領域１４は、半導体集積回路装置を収納する収納部１６を構成している。更に、一対の第１の仕切壁１１と１つの第２の仕切壁１２と１つの外周枠部１３とで囲まれた領域１５Ａ、１つの第１の仕切壁１１と一対の第２の仕切壁１２と１つの外周枠部１３とで囲まれた領域１５Ｂ、１つの第１の仕切壁１１と１つの第２の仕切壁１２と２つの外周枠部１３とで囲まれた領域１５Ｃは、半導体集積回路装置を収納する収納部１６を構成している。尚、収納部１６は、例えば、第１の仕切壁１１及び第２の仕切壁１２の側面から一体的に延びている。
【００２８】
更には、第２の方向（例えば縦方向）に沿って隣接する収納部１６，１６の間には２つの第１の仕切壁１１，１１が配されており、これらの２つの第１の仕切壁１１，１１の間には開口部１７Ａが設けられている。また、第１の方向（例えば横方向）に沿って隣接する収納部１６，１６の間には２つの第２の仕切壁１２，１２が配されており、これらの２つの第２の仕切壁１２，１２の間には開口部１７Ｂが設けられている。即ち、例えば、２つで一組の第１の仕切壁１１，１１と２つで一組の第２の仕切壁１２，１２とで格子状の収納部１６が構成されており、一組の第１の仕切壁１１，１１の間に開口部１７Ａが設けられており、一組の第２の仕切壁１２，１２の間に開口部１７Ｂが設けられている。言い換えれば、第２の方向（縦方向）に沿って、開口部１７Ａと収納部１６とが交互に配置されている。一方、第１の方向（横方向）に沿って、開口部１７Ｂと収納部１６とが交互に配置されている。また、外周枠部１３には切欠き部１８が設けられている。尚、ＩＣ用トレー１０Ａを何十枚積み重ねた状態においても、開口部１７Ａ，１７Ｂは最上段に位置するＩＣ用トレーから最下段に位置するＩＣ用トレーに至るまで上下方向に貫通している。
【００２９】
実施例２のＩＣ用トレー１０Ａには、縦方向に１５箇所、横方向に６箇所の合計９０箇所の収納部１６を設けた。外形寸法を、縦４００ｍｍ、横１８０ｍｍとした。ＩＣを収納する収納部１６の大きさを２０ｍｍ×２０ｍｍとした。また、隣接する収納部１６，１６の間に位置する２つの第１の仕切壁１１，１１の間の距離を３．５ｍｍとし、２つの第２の仕切壁１２，１２の間の距離を３．５ｍｍとした。従って、開口部１７Ａ及び開口部１７Ｂのそれぞれの大きさは３．５ｍｍ×２０ｍｍである。第１の仕切壁１１の肉厚を１．５ｍｍ、第２の仕切壁１２の肉厚を１．５ｍｍとした。ＩＣ用トレー１０Ａは、実施例１と同様に、高耐熱変性ＰＰＥ樹脂（三菱エンジニアリングプラスチックス株式会社製「ユピエースＥＨＭ１１１０Ａ」）を用い、射出成形法にて作製した。作製されたＩＣ用トレー１０の縦方向及び横方向の寸法及び厚さ方向の反り量を測定したところ、全て、外形寸法許容範囲内及び許容反り範囲内であり、射出成形時の寸法精度という観点からは問題は全くなかった。
【００３０】
実施例２においても、図３に模式的に示すように、樹脂封止された半導体集積回路装置を収納部１６に収納した状態のＩＣ用トレー１０Ａを２０枚積み重ねて、１３５゜Ｃに設定した熱風乾燥機２０内の金網２１上に積み重ねた状態で配置し、２４時間、半導体集積回路装置の封止樹脂の加熱乾燥を行った。ベーキング処理時におけるＩＣ用トレー１０Ａの温度分布が定常状態となる前のベーキング処理初期段階において、従来、非常に発生し易かった捻れ変形や挫屈のような急激な大変形によるＩＣ用トレーからのＩＣの落下、ＩＣを積載したＩＣ用トレーの崩れ等は発生しなかった。ベーキング処理終了後、ＩＣ用トレー１０Ａの温度を室温まで下げた際にも、その後の使用に支障をきたす捻れ変形のような残存永久変形は全く起こらなかった。更に、その後、３回ベーキング処理を実施しても、ＩＣ用トレー１０Ａに捻れ変形は全く起こらなかった。また、３回ベーキング処理を実施した後、ＩＣ用トレーの縦方向外形寸法、横方向外形寸法、及び厚さ方向の反り量を測定したところ、全て、外形寸法許容範囲内及び許容反り範囲内であり、熱サイクル負荷時の寸法精度及び耐久性という観点からも問題は全くなかった。
【００３１】
以上、本発明を、好ましい実施例に基づき説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。実施例にて説明したＩＣ用トレーの形状、大きさ、各部の寸法、製作に用いた材料、作製方法、ベーキング処理の条件等は例示であり、適宜変更することができる。実施例においては、第１の方向を横方向とし、第２の方向を縦方向としたが、第１の方向を縦方向とし、第２の方向を横方向としてもよい。例えば、図６及び図７に模式的な平面図を示すように、収納部１６に矩形の貫通孔３０を形成してもよい。ここで貫通孔３０の形状は任意であるし、１つの収納部１６当たりの数も任意である。尚、図６の矢印Ａ−Ａに沿った模式的な断面図を 図８に示す。また、実施例においては、第１の仕切壁１１と第２の仕切壁１２によって囲まれた領域（但し、ＩＣの収納部は除く）の全てに開口部１７，１７Ａ，１７Ｂを設けたが、場合によっては、一部の領域にのみ開口部１７，１７Ａ，１７Ｂを設けてもよい。
【００３２】
更には、第１の仕切壁１１と第２の仕切壁１２によって囲まれたそれぞれの領域（但し、ＩＣの収納部は除く）は、開口部１７，１７Ａ，１７Ｂによって全てが占められていなくともよい。図９の（Ａ）にこのような構成のＩＣ用トレーの１つの収納部１６及びその近傍を含む模式的な平面図を示し、図９の（Ｂ）及び（Ｃ）に模式的な部分断面図を示す。尚、図９の（Ｂ）及び（Ｃ）は、図９の（Ａ）の矢印Ｂ−Ｂ及びＣ−Ｃに沿ったと同様の断面図である。この例においては、第１の仕切壁１１と第２の仕切壁１２によって囲まれたそれぞれの領域（但し、ＩＣの収納部は除く）には、開口部１７が設けられているだけでなく、第１及び第２の仕切壁１１，１２の水平方向延在部１９が形成されている。尚、図９の（Ａ）〜（Ｃ）には、実施例１のＩＣ用トレーの変形を示したが、かかる変形は実施例２にて説明したＩＣ用トレーにも適用することができる。更には、水平方向延在部１９を、第１の仕切壁１１あるいは第２の仕切壁１２の一方のみから延在させてもよい。
【００３３】
また、実施例においては、第１の仕切壁１１と第２の仕切壁１２とで囲まれた領域１４だけでなく、第１の仕切壁１１と第２の仕切壁１２と外周枠部１３とで囲まれた領域１５Ａ，１５Ｂ，１５ＣによってもＩＣを収納する収納部１６を構成したが、このような構造に限定するものではない。例えば、実施例１にて説明したＩＣ用トレーを例にとり説明すれば、図１０の（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、最外周に位置する収納部１６と外周枠部１３との間に１つの第１の仕切壁１１と１つの第２の仕切壁１２を設けてもよいし、図１０の（Ｃ）及び（Ｄ）に示すように、最外周に位置する収納部１６と外周枠部１３との間に１つの第１の仕切壁１１と２つの第２の仕切壁１２を設け、２つの第２の仕切壁１２，１２の間に開口部１７を設けてもよい。尚、図１０の（Ａ）及び（Ｃ）は、図１の矢印Ａ−Ａに沿ったと同様の断面図であり、図１０の（Ｂ）及び（Ｄ）は、図１の矢印Ｃ−Ｃに沿ったと同様の断面図である。また、これらの変形は実施例２にて説明したＩＣ用トレーにも適用することができる。
【００３４】
【発明の効果】
本発明によれば、半導体集積回路装置用トレーに、仕切壁等で囲まれた半導体集積回路装置を収納する収納部と、仕切壁等で囲まれた開口部を設け、しかも、これらの収納部と開口部を、第１の方向あるいは第１の方向と第２の方向に沿って交互に配置することにより、半導体集積回路装置用トレーの加熱によって発生した応力が半導体集積回路装置用トレー全体に伝達されることを抑制することが可能となり、ベーキング処理時、半導体集積回路装置用トレーに捻れ変形が発生することを効果的に抑制することができる。しかも、ベーキング処理時、半導体集積回路装置用トレーを幾重にも積み重ねた状態においても、半導体集積回路装置用トレー中央部への伝熱効率を著しく改善することができる。従って、ベーキング処理時間の短縮が可能となるし、半導体集積回路装置の不良品発生率が低下する。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１の半導体集積回路装置用トレーの模式的な平面図である。
【図２】図１の矢印Ａ−Ａ、Ｂ−Ｂ、Ｃ−Ｃ、Ｄ−Ｄ及びＥ−Ｅに沿った半導体集積回路装置用トレーの模式的な断面図である。
【図３】実施例１の半導体集積回路装置ベーキング処理方法を説明するための熱風乾燥機等の模式図である。
【図４】実施例２の半導体集積回路装置用トレーの模式的な平面図である。
【図５】図４の矢印Ａ−Ａ、Ｂ−Ｂ、Ｃ−Ｃ、Ｄ−Ｄ、Ｅ−Ｅ及びＦ−Ｆに沿った半導体集積回路装置用トレーの模式的な断面図である。
【図６】実施例１の半導体集積回路装置用トレーの変形例を示す模式的な平面図である。
【図７】実施例２の半導体集積回路装置用トレーの変形例を示す模式的な平面図である。
【図８】図６に示す実施例１の半導体集積回路装置用トレーの変形例の矢印Ａ−Ａに沿った模式的な断面図である。
【図９】開口部の形状の変形例を示す半導体集積回路装置用トレーの１つの収納部及びその近傍を含む模式的な平面図、並びに、その部分断面図である。
【図１０】実施例１の半導体集積回路装置用トレーの変形例を示す模式的な断面図である。
【図１１】従来の半導体集積回路装置ベーキング処理に用いられる熱風乾燥機等の模式図である。
【図１２】比較例１の半導体集積回路装置用トレーの、図１の矢印Ａ−Ａ及びＣ−Ｃに沿ったと同様の断面図である。
【符号の説明】
１０，１０Ａ・・・半導体集積回路装置用トレー（ＩＣ用トレー）
１１・・・第１の仕切壁
１２・・・第２の仕切壁
１３・・・外周枠部
１４・・・第１の仕切壁と第２の仕切壁とで囲まれた領域
１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ・・・第１の仕切壁と第２の仕切壁と外周枠部とで囲まれた領域
１６・・・収納部
１７，１７Ａ，１７Ｂ・・・開口部
１８・・・切欠き部
２０・・・熱風乾燥機
２１・・・金網
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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