(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板の一方の主面上に互いに離間して配置された複数の第１電極ラインと、前記主面及び前記第１電極ライン上に前記第１電極ラインと交差する方向に互いに離間して形成され、工字型の断面形状を有した複数の隔壁と、前記主面上又は前記主面及び前記第１電極ライン上に前記複数の隔壁を取り囲むように形成された枠とを含んだ有機エレクロルミネッセンス表示素子用基板の製造方法であって、
前記複数の第１電極ラインが設けられた前記基板の前記主面及び前記第１電極ライン上に、紫外線吸収剤又は色材を含んだネガ型フォトレジスト膜を塗布し、前記ネガ型フォトレジスト膜に対して、前記複数の隔壁及び前記枠の頂面形状に対応した形状の複数の光透過窓を有したフォトマスクを用いて紫外線露光を行い、前記ネガ型フォトレジスト膜を現像し、前記現像により得られたパターンに電子線を照射し、その後、ポストベークを行うことにより、前記複数の隔壁と前記枠とを同時に形成することを具備したことを特徴とする方法。
【請求項２】
基板と、前記基板の一方の主面上に互いに離間して配置された複数の第１電極ラインと、前記主面及び前記第１電極ライン上に前記第１電極ラインと交差する方向に互いに離間して形成され、工字型の断面形状を有した複数の隔壁と、前記主面上又は前記主面及び前記第１電極ライン上に前記複数の隔壁を取り囲むように形成された枠と、前記複数の隔壁の間に形成された有機エレクトロルミネッセンス媒体と、前記有機エレクトロルミネッセンス媒体上に形成された第２電極ラインとを含んだ有機エレクトロルミネッセンス表示素子の製造方法であって、
前記複数の第１電極ラインが設けられた前記基板の前記主面及び前記第１電極ライン上に、紫外線吸収剤又は色材を含んだネガ型フォトレジスト膜を塗布し、前記ネガ型フォトレジスト膜に対して、前記複数の隔壁及び前記枠の頂面形状に対応した形状の複数の光透過窓を有したフォトマスクを用いて紫外線露光を行い、前記ネガ型フォトレジスト膜を現像し、前記現像により得られたパターンに電子線を照射し、ポストベークを行うことにより、前記複数の隔壁と前記枠とを同時に形成し、その後、前記複数の隔壁の間に前記有機エレクトロルミネッセンス媒体を形成し、前記有機エレクトロルミネッセンス媒体上に前記第２電極ラインを形成することを具備したことを特徴とする方法。
【請求項３】
前記枠で囲まれた領域を覆うカバーを前記枠上に載置し、前記枠及び前記カバーにより囲まれた空間を減圧することを更に具備したことを特徴とする請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、テレビおよび高度な情報処理用端末表示装置としての発光型ディスプレイである有機エレクトロルミネッセンス表示素子用基板および有機エレクトロルミネッセンス表示素子の製造方法に関する。
【０００２】
以下の記載において、「エレクトロルミネッセンス」を「ＥＬ」と表記する。
【０００３】
【従来の技術】
フラットパネル型ディスプレイ装置の一つである有機ＥＬディスプレイ装置は、基本的に、有機ＥＬ媒体層を第１電極（陽極または陰極）と第１電極に設けられた第２電極（陰極または陽極）で狭持した構造を取り、両電極間に所定の電流を流すことにより有機ＥＬ媒体層が発光する。有機ＥＬ媒体層は、自己発光型であるため、これを用いたディスプレイは、高輝度、高視野角を示し、かつ低電圧で駆動し得るという特徴を有する。通常、第１電極および第２電極は、それぞれ複数の電極ラインにより構成され、これら第１電極ラインと第２電極ラインとを互いに交差させてマトリックス構造とされる。各第１電極ラインと各第２電極ラインとの交点に存在する有機ＥＬ媒体層は一つの画素を形成する。
【０００４】
このようなマトリックス電極構造を有し、大容量で高精細の有機ＥＬディスプレイ装置を製造するためには、第２電極ラインに非常に微細なパターニング加工が必要となる。第２電極ラインを微細にパターニングするための方法として、第１電極ラインを交差する方向に互いに離間して延びる複数の隔壁を使用する方法が知られている（特開平８−３１５９８号公報、特開平９−１０２３９３号公報）。また、本出願人によっても、隔壁を使用する方法について、提案がなされている（特願平１０−１１７２３６号、特願平１０−２４７４１２）。このような隔壁の存在により、有機ＥＬ媒体層と第２電極ラインは、蒸着と同時にパターニングも可能となる。
【０００５】
このようにして作製された有機ＥＬ表示素子において、有機ＥＬ媒体層および第２電極ラインを大気露出させたままにしておくと、これらは大気中の水分、酸素等によって劣化する。このような水分や酸素等による第２電極や有機ＥＬ媒体の劣化を防止するために、第２電極ラインおよび有機ＥＬ媒体を覆うカバーを用いて第２電極ラインおよび有機ＥＬ媒体層の封止を行うことが、有効であることが見出されてきた。すなわち、真空状態または不活性ガス雰囲気中で、第２電極ラインおよび有機ＥＬ媒体層を覆う上箱形状等のカバーを用い、これを基板上に接着することにより第２電極ラインおよび有機ＥＬ媒体が封止された構造である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、カバーを用いることに伴って、いくつかの問題が生じ得る。一つには、上箱形状等のカバーを基板上に載置する際に、誤ってカバーの壁底面を直接第２電極ラインと接触させ、第２電極や有機ＥＬ媒体層をも傷つけ、短絡や発光不良の原因となる可能性がある。
【０００７】
また、上箱形状等のカバーは、基板前面に面するカバーの壁底面に接着剤を塗布し、基板上に接着される。接着剤は流動性を有するため、その一部は有機ＥＬ媒体層や第２電極ラインに移動し接触し、これらを劣化させる場合がある。
【０００８】
本発明は、カバーを用いることに伴う上記問題点を解決するためになされたものであって、第２電極ラインおよび有機ＥＬ媒体層の損傷や劣化を防止し、これらを簡便に封止する有機ＥＬ表示素子用基板および有機ＥＬ表示素子の製造方法の提供を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
第２電極ラインおよび有機ＥＬ媒体層を封止するためのカバーを用いることに伴う問題点を解決するために、本発明では、カバーを載置するための枠をあらかじめ基板上に形成することとした。すなわち、本発明によれば、基板と、前記基板の一方の主面上に互いに離間して配置された複数の第１電極ラインと、前記主面及び前記第１電極ライン上に前記第１電極ラインと交差する方向に互いに離間して形成され、工字型の断面形状を有した複数の隔壁と、前記主面上又は前記主面及び前記第１電極ライン上に前記複数の隔壁を取り囲むように形成された枠とを含んだ有機エレクロルミネッセンス表示素子用基板の製造方法であって、前記複数の第１電極ラインが設けられた前記基板の前記主面及び前記第１電極ライン上に、紫外線吸収剤又は色材を含んだネガ型フォトレジスト膜を塗布し、前記ネガ型フォトレジスト膜に対して、前記複数の隔壁及び前記枠の頂面形状に対応した形状の複数の光透過窓を有したフォトマスクを用いて紫外線露光を行い、前記ネガ型フォトレジスト膜を現像し、前記現像により得られたパターンに電子線を照射し、その後、ポストベークを行うことにより、前記複数の隔壁と前記枠とを同時に形成することを具備したことを特徴とする方法が提供される。
【００１１】
また、本発明によれば、基板と、前記基板の一方の主面上に互いに離間して配置された複数の第１電極ラインと、前記主面及び前記第１電極ライン上に前記第１電極ラインと交差する方向に互いに離間して形成され、工字型の断面形状を有した複数の隔壁と、前記主面上又は前記主面及び前記第１電極ライン上に前記複数の隔壁を取り囲むように形成された枠と、前記複数の隔壁の間に形成された有機エレクトロルミネッセンス媒体と、前記有機エレクトロルミネッセンス媒体上に形成された第２電極ラインとを含んだ有機エレクトロルミネッセンス表示素子の製造方法であって、前記複数の第１電極ラインが設けられた前記基板の前記主面及び前記第１電極ライン上に、紫外線吸収剤又は色材を含んだネガ型フォトレジスト膜を塗布し、前記ネガ型フォトレジスト膜に対して、前記複数の隔壁及び前記枠の頂面形状に対応した形状の複数の光透過窓を有したフォトマスクを用いて紫外線露光を行い、前記ネガ型フォトレジスト膜を現像し、前記現像により得られたパターンに電子線を照射し、ポストベークを行うことにより、前記複数の隔壁と前記枠とを同時に形成し、その後、前記複数の隔壁の間に前記有機エレクトロルミネッセンス媒体を形成し、前記有機エレクトロルミネッセンス媒体上に前記第２電極ラインを形成することを具備したことを特徴とする方法が提供される。
【００１２】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示素子の製造方法は、前記枠で囲まれた領域を覆うカバーを前記枠上に載置し、前記枠及び前記カバーにより囲まれた空間を減圧することを更に具備していてもよい。
【００１３】
本発明の方法では、枠の外周面に接着剤を塗布し、カバーと枠とを接着してもよい。
【００１４】
本発明の方法では、基板上に、基板端と第１電極ラインを取り囲む領域との間の領域において、該第１電極ラインと間隔を置き、枠の内側から該枠を交差して該枠の外側に互いに離間して延びる、第２電極ラインと接続するための補助電極ラインを設けてもよい。
【００１５】
この場合において、補助電極ラインが、第１電極ラインと同一材料からなることが好ましい。
【００１６】
【発明の実施の形態】
図１を参照して、本発明による有機ＥＬ表示素子用基板の製造方法に関する実施の形態を説明する。
【００１７】
図１に示すように、本発明の方法により製造される有機ＥＬ表示素子用基板は、石英、ガラス、プラスチック等の透光性絶縁材料、好ましくは透明材料で形成された基板２の上に、複数のストライプ状の第１電極ライン（本例では、陽極ライン）３を備えている。さらに、基板端と第１電極ラインを取り囲む領域との間の領域において、第１電極と間隔を置いた複数のストライプ状の補助電極ライン４を備えることが好ましい。この補助電極ライン４は、後述の枠６で囲まれた領域から枠６の外側へ交差して延びるように形成され、後述の第２電極ラインと接続させるための電極として用いることができる。なお図１では、複数の第１電極ライン３は、互いに一定の間隔をもって離間して配置されているものとして示され、また、複数の補助電極ライン４は、基板端側の第１電極の一方の側端縁と一定の間隔を置いた位置から第１電極ラインに直角な方向に基板端方向に延びて、互いに離間して配置されるものとして示されている。
【００１８】
複数の第１電極ライン３は、基板２の前面に電極材料を形成し、これを通常のフォトリソグラフィー等の技術によりパターニングすることによって形成することができる。ここで、好ましくは、第１電極ライン３の形成後に、補助電極ライン４を形成する。すなわち、第１電極ラインと同様に、基板前面に補助電極用の電極材料を形成し、これをフォトリソグラフィー等の技術によりパターニングして形成する。より好ましくは、第１電極ライン３および補助電極ライン４の電極材料を同一にして、これらを同時に形成する。
【００１９】
本実施の形態では、上記のように第１電極が陽極を構成するので、電極材料としては、透明な導電性材料、好ましくはインジウムスズ複合酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛複合酸化物、亜鉛アルミニウム複合酸化物等を使用することができる。また補助電極ライン４の材料も第１電極材料と同様とすることができる。
【００２０】
これらの電極材料はスパッタ法により基板２上に被着させることができる。
【００２１】
また、本発明の方法により製造される有機ＥＬ表示素子用基板は、基板上に形成された複数の第１電極ラインと交差する方向に互いに離間して延びる複数の隔壁５および隔壁５を取り囲む枠６を備えている。枠６は、好ましくは、第１電極ライン３と交差して、第１電極ライン３が枠の外側に出て延びるように配置される。また、補助電極ライン４が形成された好ましい形態の場合、枠６は、補助電極ライン４と交差して補助電極ライン４が枠６の内側から外側へ出て延びるように形成される。
【００２２】
隔壁５や枠６を形成するために、特願平１０−１１７２３６号または特願平１０−２４７４１２号に開示された方法を用いることができる。すなわち、まず、基板２の第１電極ライン３側の表面（前面）上に、ネガ型フォトレジスト膜を塗布する。このネガ型フォトレジスト膜には、露光用の光、特に紫外光を吸収する物質、例えば紫外線吸収剤や色材をあらかじめ混合しておく。ネガ型フォトレジストに配合する紫外線吸収剤としては、通常紫外線吸収剤として使用されているベンゾフェノン系、フェニルサリチル酸系、シアノアクリレート系、ベンゾトリアゾール系、シュウ酸アニリド系等の有機紫外線吸収剤、および／または通常紫外線吸収剤として使用されているガラス紛、酸化セリウム粉等の無機紫外線吸収剤を使用することができる。また、色材としては、隔壁５および／または枠６をブラックストライプとしても機能させるためには、黒色顔料、または赤、緑および青の３色混合顔料を用いることが望ましいが、隔壁５および／または枠６の形成のためだけならば、単色顔料を用いることができる。いうまでもなく、ネガ型フォトレジスト膜は、電気絶縁性である。
【００２３】
光吸収性物質を配合したネガ型フォトレジスト膜を塗布し、所定時間乾燥させた後、ネガ型フォトレジスト膜の表面上に、隔壁５および枠６の頂面形状に対応する形状の複数の光透過窓を有するフォトマスクを載置する。そして、露光用の光を照射して、隔壁５および枠６の頂面形状に対応する領域を選択的に露光する。すると、フォトレジストの表面から一定の深さの部分までは感光するが、紫外線が吸収されるために深部まで到達できず下部は未露光のまま残る。この状態で現像を行うと、表面層では露光部が溶解されずに残るが、未露光部は除去される。表面層より下部側は、全て未露光部であるためサイドから溶解が進行し、順テーパのすそが形成される。また、条件を選べば、ひさしよりもすそを長くすることが可能である。このようにして断面工字型の隔壁５および／または枠６を形成することができる。
【００２４】
上記方法により、複数の隔壁５および１つの枠６を同時に同一材料で形成することができる。
【００２５】
隔壁および枠を形成するに当たっては、上記方法に加えて、当該分野で既知の方法もしくはこれらを組み合わせた方法を採用して、隔壁５および／または枠６の各部を多様な形状に形作ることができる。図１では、複数の隔壁５は、工字型断面を有する形状として示され、それに対して枠６は、垂直な側面を有するものとして示されている。また、図１では、隔壁５は、互いに離間して第１電極ラインに直交する方向に延びるものとして示され、枠６は、各第１電極および各補助電極に直交して交差する方形形状であるものとして示されている。
【００２６】
これら枠６および隔壁５は、電子線を照射された後ポストベークを施され、本発明の有機ＥＬ表示素子用基板が完成する。ここで、隔壁５および枠６の最終高さは、好ましくは１ないし１０μｍである。
【００２７】
次に、図２を参照して、本発明の有機ＥＬ表示素子の製造方法に関する実施の形態を説明する。
【００２８】
図２は、本発明による有機ＥＬ表示素子の製造方法の実施の形態を説明するための概略断面図である。
【００２９】
本発明で提供される有機エレクトロルミネッセンス表示素子は、上述の有機ＥＬ表示素子用基板を用いたものである。
【００３０】
本発明では、有機ＥＬ媒体８が少なくとも隔壁間に備えられる。有機ＥＬ媒体は、当該分野で知られているように、蛍光物質を含む単層膜、あるいは多層膜で形成することができる。
【００３１】
多層膜構造の有機ＥＬ媒体は、正孔注入輸送層と電子輸送性発光層または正孔輸送性発光層と電子輸送層からなる２層構造、あるいは正孔注入輸送層、発光層および電子輸送層からなる３層構造等をとることができる。有機ＥＬ媒体は、さらにより多層で形成することも可能であり、各層を基板上に順に形成する。
【００３２】
正孔注入輸送材料は、銅フタロシアニン、テトラ（ｔ−ブチル）銅フタロシアニン等の金属フタロシアニン類や無金属フタロシアニン類、キナクリドン化合物、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ（１‐ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン等の芳香族アミン系低分子正孔注入輸送材料や、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリアニリン等の高分子正孔輸送材料、ポリチオフェンオリゴマー材料、その他の既知の正孔輸送材料の中から選ぶことができる。
【００３３】
発光材料としては、９，１０−ジアリールアントラセン誘導体、ピレン、コロネン、ペリレン、ルブレン、１，１，４，４−テトラフェニルブタジエン、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム錯体、トリス（４−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム錯体、ビス（８−キノリノラート）亜鉛錯体、トリス（４−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノリノラート）アルミニウム錯体、トリス（４−メチル−５−シアノ−８−キノリノラート）アルミニウム錯体、ビス（２−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノリノラート）［４−（４−シアノフェニル）フェノラート］アルミニウム錯体、ビス（２−メチル−５−シアノ−８−キノリノラート）［４−（４−シアノフェニル）フェノラート］アルミニウム錯体、トリス（８−キノリノラート）スカンジウム錯体、ビス［８−（ｐ−トシル）アミノキノリン］亜鉛錯体およびカドミウム錯体、１，２，３，４−テトラフェニルシクロペンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、ポリ−２，５−ジヘプチルオキシ−ｐ−フェニレンビニレン、クマリン系蛍光体、ペリレン系蛍光体、ピラン系蛍光体、アンスロン系蛍光体、ポリフィリン系蛍光体、キナクリドン系蛍光体、Ｎ，Ｎ’−ジアルキル置換キナクリドン系蛍光体、ナフタルイミド系蛍光体、Ｎ，Ｎ’−ジアリール置換ピロロピロール系蛍光体等を例示することができ、これらを単独、または他の低分子や高分子と混合して用いることができる。
【００３４】
有機電子輸送材料としては、２−（４−ビフィニルイル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、および浜田らの合成したオキサジアゾール誘導体（日本化学会誌、１５４０頁、１９９１年）やビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリノラート）ベリリウム錯体、特開平７−９０２６０号公報に開示されているトリアゾール化合物等を例示することができる。
【００３５】
有機ＥＬ媒体８は、真空蒸着法により形成することができ、その厚さは、単層または多層のいずれの場合においても１μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは５０ないし１５０ｎｍである。有機ＥＬ媒体８は、隔壁の存在により、蒸着と同時にパターニングもされる。
【００３６】
また、本発明では、少なくとも隔壁間に形成された有機ＥＬ媒体層上に第２電極ライン９が備えられる。また、前述の好ましい形態である補助電極ライン４が形成されている場合、これと第２電極ラインとを接続させることができる。ここでは、第１電極ラインが陽極であるので、第２電極ラインは、陰極である。
【００３７】
陰極材料としては、電子注入効率の高い物質を用いる。具体的には、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）や、イッテルビウム（Ｙｂ）等の金属単体を用いたり、有機ＥＬ媒体と接する界面にリチウムや酸化リチウム、フッ化リチウム等の化合物を１ｎｍ程度挟んで、安定性、導電性の高いアルミニウムや銅を積層して用いる。
【００３８】
あるいは、電子注入効率と安定性を両立させるため、陰極材料として、低い仕事関数の金属（例えば、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ等）の１種以上と、安定な金属（例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ等）の１種以上との合金、例えば、Ｍｇ／Ａｇ合金、Ａｌ／Ｌｉ合金、Ｃｕ／Ｌｉ合金等を用いることができる。
【００３９】
陰極の形成には、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ法を用いることができる。陰極の厚さは、１０ｎｍないし１μｍ程度が望ましい。ここでは陰極である第２電極ラインもまた、隔壁５の存在によって被着と同時にパターニングもされる。
【００４０】
また本発明の一態様では、基板上に形成された枠６の上に、カバー１１が載置される。
【００４１】
カバー１１は、少なくとも枠６頂面および枠で囲まれた領域を覆い、好ましくは枠６の頂面の外側端縁よりも外側に延びる部分を有する。
【００４２】
本発明の方法により製造された有機ＥＬ表示素子用基板においては、基板上に枠があらかじめ形成されているので、たとえば平坦なカバーを載置するだけで、第２電極ラインや有機ＥＬ表示素子を簡便に覆うことができる。また、あらかじめ形成された枠の存在によって、カバーを載置する際に、誤ってカバーを第２電極に接触させてしまうという可能性を回避することができる。
【００４３】
なお図２では、カバー１１は平坦なプレート状で、枠６頂面の外側端縁よりも外側に延びる部分を、明瞭に示されてはいないが、全周にわたって有するものとして示されている。
【００４４】
カバーの材料としては、ガラスや金属等の材料を用いることができる。
【００４５】
また、本発明では、枠６およびカバー１１で囲まれた空間が減圧された有機ＥＬ表示素子の製造方法が提供される。減圧することによって、枠、カバーおよび基板で囲まれた空間に残留する水分や酸素を減少させることができ、第２電極ライン９や有機ＥＬ媒体８の劣化を抑制することができる。減圧後に不活性ガスを封入することもできる。
【００４６】
枠６とカバー１１とは接着剤によって接着される。特に、接着剤が塗布される場所としては、枠の外周面が最も望ましい。すなわち、接着剤の塗布する場所を枠６の外周面とすることにより、接着剤は、枠６内側の領域に流動し得ず、それゆえ第２電極や有機ＥＬ媒体に接触することを確実に防止できる。カバー１１が枠６頂面の外側端縁から少し外側に延びる部分を有するような好ましい形態においては、枠６の頂面の外側端縁よりも外側に延びたカバー端部の基板前面に対向する後面、枠６の外周面および枠６よりも外側のカバー後面に対向する基板前面で囲まれた領域が形成されるため、この領域に接着剤を塗布することによって接着剤は枠６の内側領域に流動し得ず、なおかつ基板２、枠６およびカバー１１を一体的に接着することができる。なお図２では、明瞭に示されてはいないが、接着剤が枠６の全外周面にわたって塗布されているものとして示されている。
【００４７】
接着剤としては、通常の常温硬化型樹脂を用いてもよいが、効率的に接着するために、好ましくは硬化速度の速い紫外線硬化樹脂を用いることができる。
【００４８】
【実施例】
実施例１
図１に関して、本発明の実施の形態に従い、有機ＥＬ表示素子用基板を作製した。
【００４９】
まず、ガラス基板２上にスパッタ法によりＩＴＯ層を０．１μｍの厚さに形成した。さらに透明性と導電性を向上させるために空気中２３０℃で１時間加熱処理を行いＩＴＯを結晶化させた。
【００５０】
次に、フォトリソグラフィーおよびウエットエッチングによってＩＴＯ層をパターニングし、図１のような複数の第１電極ライン３と複数の補助電極ライン４とを形成した。各第１電極ライン３の幅は、２００μｍであり、その間隔は５０μｍであった。他方、各補助電極ライン４の幅は、２００μｍであり、その間隔は、５０μｍであった。
【００５１】
その上に、微粒子グラファイトからなる黒色材を分散したネガ型フォトレジストを塗布し、これをプリベークした。
【００５２】
そして、フォトマスクを用い紫外線露光を行うことによって、隔壁５の頂部相当領域および枠６の頂部相当領域を露光した。
【００５３】
ついでアルカリ現像液による現像によって、図１のように複数の隔壁５と枠６を形成した。
【００５４】
さらに隔壁５および枠６の全面に電子線照射を行った後、１５０ないし３００℃で１０ないし１２０分間ポストベークを行い、有機ＥＬ表示素子用基板７を完成した。隔壁５と枠６の最終高さは、隔壁５は、４．５μｍであり、枠６は、５μｍであった。
【００５５】
実施例２
本実施例では、実施例１で作製した有機ＥＬ表示素子用基板を用いて、図２に関して説明した実施の形態に従い、有機ＥＬ表示素子を作製した。
【００５６】
実施例１で作製した有機ＥＬ表示素子用基板に対して、銅フタロシアニン、Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミンおよびトリス（８−キノリノラート）アルミニウム錯体を、各膜厚を２０ｎｍ、６０ｎｍ、７０ｎｍとして順次真空蒸着させて有機ＥＬ媒体８を形成した。
【００５７】
次いで、ガラス基板２を回転させながら、Ｍｇ／Ａｇ合金を真空蒸着させて第２電極ライン９を形成した。第２電極ライン９の厚さは、０．２μｍであった。
【００５８】
最後に、枠６上にガラスカバー１１を載置し、有機ＥＬ表示素子用基板、枠６およびガラスカバー１１によって囲まれた空間を減圧し、枠６の外周面に紫外線硬化樹脂を塗布してガラスカバー１１を接着し、有機ＥＬ表示素子７を完成した。
【００５９】
上記有機ＥＬ表示素子の初期輝度は、３００ｃｄ／ｍ２であり、半減寿命は、５０００時間と非常に優れた特性を示し、従って残留水分や酸素等を減圧によって減少でき、劣化を抑制することができた。また、枠があらかじめ形成されているので、カバーを第２電極等に接触させることなく、なおかつ接着剤が流動ｂして第２電極や有機ＥＬ媒体と接触することも確実に防止することができた。
【００６０】
実施例３
本実施例では、実施例１に準ずる有機ＥＬ表示素子用基板を用い、実施例２と同様に有機ＥＬ媒体および第２電極を作製し、ガラスカバーを載置した後、有機ＥＬ表示素子用基板、枠およびガラスカバーで囲まれた空間を減圧した。
【００６１】
その後、減圧した空間にアルゴンガスを封入し、枠の外周面に接着剤を塗布して、ガラスカバーを接着し、有機ＥＬ表示素子を完成した。
【００６２】
上記有機ＥＬ表示素子の初期輝度は、３００ｃｄ／ｍ２であり、半減寿命は、４０００時間と優れた特性を示し、従って残留水分や酸素等を減圧によって減少でき、劣化を抑制することができた。また、実施例２と同じく、枠があらかじめ形成されているので、カバーを第２電極等に接触させることなく、なおかつ接着剤が流動して、第２電極や有機ＥＬ媒体と接触することも確実に防止することができた。
【００６３】
実施例４
本実施例では、有機ＥＬ表示素子用基板、枠およびガラスカバーで囲まれた空間に対して減圧や不活性ガス封入をしない以外は、実施例２や３と同様にして有機ＥＬ表示素子を作製した。
【００６４】
得られた有機ＥＬ表示素子の初期輝度は、３００ｃｄ／ｍ２であり実施例２および実施例３と同値であった。しかし、実施例２、３の素子に比べ、非発光部の面積が増大し、劣化を抑制することはできなかった。
【００６５】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、有機ＥＬ表示素子用基板において、隔壁を備えるとともに、あらかじめ枠を備えることによって、この枠上にカバーを載置するだけで第２電極ラインおよび有機ＥＬ媒体を覆うことができる。また、枠が基板上にあらかじめ備えられていることによって、カバーを載置する際に、カバーが第２電極ラインに接触することを防止できる。さらに、枠とカバーとで囲まれた空間が減圧されるので、残留水分や酸素等を減少させることができ、第２電極ラインや有機ＥＬ媒体の劣化を抑制することができる。さらにまた、カバーを接着するための接着剤の塗布場所を枠の外周面とすることによって、接着剤は枠内部に流動し得ず、接着剤と第２電極ラインや有機ＥＬ媒体との接触を確実に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る有機ＥＬ表示素子用基板の製造方法の実施の形態を説明するための概略図。
【図２】本発明に係る有機ＥＬ表示素子の製造方法の実施の形態を説明するための概略断面図。
【符号の説明】
１…有機ＥＬ表示素子用基板
２…基板
３…第１電極ライン
４…補助電極ライン
５…隔壁
６…枠
７…有機ＥＬ表示素子
８…有機ＥＬ媒体
９…第２電極ライン
１０…接着剤
１１…カバー
【図１】
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【図２】
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