(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の絶縁層と、絶縁層に支持された回路導体からなる複数の回路導体層と、絶縁層と回路導体層および／または絶縁層と絶縁層を接着する絶縁接着層と、前記回路導体と電気的に接続された導体をその内壁に有するスルーホールと、半導体チップを納めるためのキャビティとを有する多層配線板において、絶縁接着層が、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂と熱硬化性成分からなり、前記シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂と前記熱硬化性成分との重量比は、前記シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂１００重量部に対して、前記熱硬化性成分１０〜１５０重量部の範囲であり、Ｂステージでの貯蔵弾性率が３０℃で１０００ＭＰａ〜５０００ＭＰａの範囲にあり、Ｃステージでの貯蔵弾性率が３００℃で３０ＭＰａ以上であり、かつ、ガラス転移温度が１８０℃以上であることを特徴とする多層配線板。
【請求項２】
隣接する回路導体層間に、電気的な接続を行うバイアホールを有することを特徴とする請求項１に記載の多層配線板。
【請求項３】
キャビティが、半導体チップを接着固定する箇所に最も近い絶縁層から順に、その大きさを同じかあるいは大きくし、それぞれの絶縁層上に形成されキャビティ内に露出した回路導体に、半導体チップと電気的に接続を行うための内部端子を有することを特徴とする請求項１または２に記載の多層配線板。
【請求項４】
キャビティがスルーホールであり、そのスルーホールの一方の開口部に、その開口部を塞ぐようにヒートシンクが設けられていることを特徴とする請求項１〜３のうちいずれかに記載の多層配線板。
【請求項５】
他の配線板との電気的接続を行うための外部端子が設けられていることを特徴とする請求項１〜４のうちいずれかに記載の多層配線板。
【請求項６】
外部端子が、はんだボールによる電気的接続を行うためのランド部であることを特徴とする請求項５に記載の多層配線板。
【請求項７】
予め半導体チップを納めるためのキャビティ部分をくり抜き加工した絶縁層と、絶縁接着層と、絶縁層および／または銅箔を重ねて、加熱・加圧して積層一体化し、スルーホールとなる穴をあけ、その穴の内壁に回路導体と電気的に接続された導体を形成し、外層の回路導体を形成する多層配線板の製造法において、絶縁接着層がシロキサン変性ポリアミドイミド樹脂と熱硬化性成分からなり、前記シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂と前記熱硬化性成分との重量比は、前記シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂１００重量部に対して、前記熱硬化性成分１０〜１５０重量部の範囲であり、Ｂステージでの貯蔵弾性率が３０℃で１０００ＭＰａ〜５０００ＭＰａの範囲にあり、Ｃステージでの貯蔵弾性率が３００℃で３０ＭＰａ以上であり、かつ、ガラス転移温度が１８０℃以上であるものを用いることを特徴とする多層配線板の製造法。
【請求項８】
少なくとも一方の面に回路導体を形成した回路板と、絶縁接着層と、予め半導体チップを納めるためのキャビティ部分をくり抜き加工した絶縁層とを重ねて、加熱・加圧して積層一体化し、スルーホールとなる穴をあけ、その穴の内壁に回路導体と電気的に接続された導体を形成し、外層の回路導体を形成する多層配線板の製造法において、絶縁接着層がシロキサン変性ポリアミドイミド樹脂と熱硬化性成分からなり、前記シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂と前記熱硬化性成分との重量比は、前記シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂１００重量部に対して、前記熱硬化性成分１０〜１５０重量部の範囲であり、Ｂステージでの貯蔵弾性率が３０℃で１０００ＭＰａ〜５０００ＭＰａの範囲にあり、Ｃステージでの貯蔵弾性率が３００℃で３０ＭＰａ以上であり、かつ、ガラス転移温度が１８０℃以上であるものを用いることを特徴とする多層配線板の製造法。
【請求項９】
複数の絶縁接着層と複数の回路板および／または絶縁層に、半導体チップを納めるためのキャビティ部をくり抜き加工して設け、これらを重ねて、加熱・加圧して積層一体化し、スルーホールとなる穴をあけ、その穴の内壁に回路導体と電気的に接続された導体を形成し、外層の回路導体を形成する多層配線板の製造法において、絶縁接着層がシロキサン変性ポリアミドイミド樹脂と熱硬化性成分からなり、前記シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂と前記熱硬化性成分との重量比は、前記シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂１００重量部に対して、前記熱硬化性成分１０〜１５０重量部の範囲であり、Ｂステージでの貯蔵弾性率が３０℃で１０００ＭＰａ〜５０００ＭＰａの範囲にあり、Ｃステージでの貯蔵弾性率が３００℃で３０ＭＰａ以上であり、かつ、ガラス転移温度が１８０℃以上であるものを用いることを特徴とする多層配線板の製造法。
【請求項１０】
複数の絶縁接着層と複数の回路板および／または絶縁層にくり抜き加工して設けた半導体チップを納めるためのキャビティ部を、半導体チップを接着固定する箇所に最も近い絶縁層から順に、その大きさを同じか大きくしたものを用いることを特徴とする請求項９に記載の多層配線板の製造法。
【請求項１１】
少なくとも隣接する回路導体層間に、電気的な接続を行うバイアホールを形成する工程を有することを特徴とする請求項７〜１０のうちいずれかに記載の多層配線板の製造法。
【請求項１２】
全ての絶縁接着層と絶縁層および／または回路板に、予め半導体チップを納めるためのキャビティ部をくり抜き加工し、絶縁層と、絶縁接着層と、絶縁層および／または回路板を重ねて、加熱・加圧して積層一体化し、スルーホールとなる穴をあけ、その穴の内壁に、回路板の回路導体と電気的に接続された導体を形成した後、キャビティ部の一方の開口部に、開口部を塞ぐようにヒートシンクを設けることを特徴とする請求項７〜１１のうちいずれかに記載の多層配線板の製造法。
【請求項１３】
ヒートシンクに、半導体チップを搭載する支持部と、支持部の周囲に支持部より薄い鍔部を設けたものを用い、最外層の絶縁層に支持部とほぼ同じ大きさの穴を設け、その穴にヒートシンクの支持部を嵌合・接着することを特徴とする請求項１２に記載の多層配線板の製造法。
【請求項１４】
予め半導体チップを納めるためのキャビティ部分をくり抜き加工した絶縁層と、絶縁接着層と、絶縁板および／または回路板を重ねて、加熱・加圧して積層一体化するにあたり、積層時の層構成を、プレス鏡板／製品の表面を保護するフィルム状物／（絶縁層と絶縁接着層と絶縁層および／または回路板を複数段重ねたもの）／クッション材／キャビティの大きさと同じ穴をあけた成形品／プレス鏡板の順に重ね、加熱・加圧して積層一体化することを特徴とする請求項７〜１３のうちいずれかに記載の多層配線板の製造法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多層配線板、特に半導体チップ用パッケージに用いる多層配線板とその製造法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
多層配線板は、通常、絶縁接着層と、電源層と、グランド層と、その表面に形成された回路導体と、内部に形成された内層回路と、各層の回路の電気的接続を行うスルーホールあるいはバイアホールと、表面の回路の絶縁化を行うソルダーレジストから成るものである。
【０００３】
このような多層配線板の製造法の多くは、例えば、内層回路や電源層及びグランド層を有する内層回路板を、銅張積層板の銅箔の不要な箇所をエッチング除去して作製し、その上に、プリプレグと銅箔を重ねて、加熱・加圧して積層一体化した後、接続に必要な箇所に穴をあけて、無電解めっき等でその内壁を金属化し、表面の銅箔の不要な箇所をエッチング除去して、ソルダーレジストを塗布・乾燥して作製する方法が一般的に知られている。
【０００４】
また、各層の内層回路板を別々に作製しておき、ガイドピンを用いて位置合わせし、一括して積層一体化した後、スルーホールの形成、表面の回路の形成、ソルダーレジストの形成を行う方法も一般的に知られている。
【０００５】
半導体チップ用パッケージに関するものとしては、パッケージの外側の一部に半導体チップと接続された端子部を内部から延長して形成するリードレスチップキャリアとすることが、特開昭５９−１５８５７９号公報に記載されている。
また、パッケージを搭載する、他の配線板のスルーホールに接続するための端子ピンを複数有するピングリットアレイとその製造法が、特公昭５８−１１１００号公報に開示されている。
さらに、ピングリッドアレイのピンに代えて、ランド部にはんだボールを融着し、はんだ付けによって電気的接続を行うボールグリッドアレイとすることが、特公昭５８−１１１００号公報に開示されている。
また、端子部を先に形成し、テープ状絶縁フィルムで絶縁化したテープ自動化キャリアとすることも、特公昭５８−２６８２８号公報に開示されている。
【０００６】
このような半導体チップ用パッケージ（以下、チップキャリアという。）には、絶縁材料にセラミックスが多く使用されており、そのチップキャリアに半導体チップを搭載してワイヤボンディングによって電気的接続を行い、有機絶縁材料は、これらのチップキャリアに半導体チップを搭載した後、環境から半導体チップや接続部を保護するための封止材料として用いられていた。
【０００７】
さらに、近年では、セラミックスのチップキャリアを使用することが、セラミックスの製造工程で焼成を行うための工程が多くなるので経済的でないことから、有機絶縁材料を用いた多層配線板の技術によって、チップキャリアを製造する方法が開発されている。
例えば、ピングリッドアレイのチップキャリアを有機絶縁材料を用いて製造する方法が、特公平３−２５０２３号公報に開示されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、多層配線板においても、近年では、電気機器の小型化・多機能化が求められ、配線の高密度化・薄型化が必要となっており、内層回路間の絶縁接着層に使用する絶縁材料にも、薄型化が求められ、従来のガラス織布や不織布等を使用したプリプレグでは、ガラス織布や不織布の厚さによる対応ができなくなってきているので、ガラス織布や不織布を使用せずに、絶縁樹脂を塗布したり、フィルム化した絶縁樹脂を絶縁接着層として用いることが行われている。
【０００９】
しかし、このように、絶縁接着層に、ガラス織布や不織布等の強化材を含まないものを使用すると、絶縁接着層中にボイドや剥離の発生が見られるようになり、接続信頼性やはんだ耐熱性が低下するという課題があった。
【００１０】
本発明は、接続信頼性やはんだ耐熱性の高い多層配線板、特に半導体チップ用パッケージに用いる多層配線板と、そのような多層配線板を効率よく製造する方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の多層配線板は、例えば図１（ａ）に示すように、複数の絶縁層２と、絶縁層２に支持された回路導体３からなる複数の回路導体層と、絶縁層２と回路導体層または絶縁層２とを接着する絶縁接着層１と、回路導体３と電気的に接続された導体をその内壁に有するスルーホール４と、半導体チップ６を納めるためのキャビティ５とを有する多層配線板において、絶縁接着層１がシロキサン変性ポリアミドイミド樹脂と熱硬化性成分からなり、Ｂステージでの貯蔵弾性率が３０℃で、１０００ＭＰａ〜５０００ＭＰａの範囲にあり、Ｃステージでの貯蔵弾性率が３００℃で３０ＭＰａ以上であり、かつ、ガラス転移温度が１８０℃以上であることを特徴とする。
【００１２】
また、図１（ｂ）に示すように、隣接する回路導体層間に、電気的な接続を行うバイアホール７を有するものでもよく、配線密度を高めることができ好ましい。
【００１３】
また、図１（ｃ）に示すように、キャビティ５が、半導体チップを接着固定する箇所に最も近い絶縁層から順に、その大きさを同じかあるいは大きくし、それぞれの絶縁層２上に形成されキャビティ５内に露出した回路導体３に、半導体チップ６と電気的に接続を行うための内部端子を有するものでもよく、接続端子の数を増加することが容易であり好ましい。
【００１４】
また、図１（ｄ）に示すように、キャビティ５がスルーホールであり、そのスルーホールの一方の開口部に、その開口部を塞ぐようにヒートシンク８が設けられているものでもよく、半導体チップ６の放熱を効率よく行うことができ、好ましい。
【００１５】
また、他の配線板との電気的接続を行うための外部端子が設けられているものでもよく、例えば、図１（ｅ）に示すように、外部端子が、はんだボール１０による電気的接続を行うためのランド部であるものでもよい。
【００１６】
このような多層配線板は、予め半導体チップを納めるためのキャビティ部分をくり抜き加工した絶縁層と、絶縁接着層と、絶縁層を重ねて、加熱・加圧して積層一体化し、スルーホールとなる穴をあけ、その穴の内壁に回路導体と電気的に接続された導体を形成し、外層の回路導体を形成することにより製造することができ、絶縁接着層に、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂と熱硬化性成分からなり、Ｂステージでの貯蔵弾性率が３０℃で１０００ＭＰａ〜５０００ＭＰａの範囲にあり、Ｃステージでの貯蔵弾性率が３００℃で３０ＭＰａ以上であり、かつ、ガラス転移温度が１８０℃以上であるものを用いる。
このときに、予め半導体チップを納めるためのキャビティ部分をくり抜き加工した絶縁層と、絶縁接着層と、絶縁層および銅箔を重ねて、加熱・加圧して積層一体化し、スルーホールとなる穴をあけ、その穴の内壁に回路導体と電気的に接続された導体を形成し、外層の回路導体を形成することにより製造することもできる。
さらにまた、予め半導体チップを納めるためのキャビティ部分をくり抜き加工した絶縁層と、絶縁接着層と、銅箔を重ねて、加熱・加圧して積層一体化し、スルーホールとなる穴をあけ、その穴の内壁に回路導体と電気的に接続された導体を形成し、外層の回路導体を形成することにより製造することもできる。
【００１７】
また、少なくとも一方の面に回路導体を形成した回路板と、絶縁接着層と、予め半導体チップを納めるためのキャビティ部分をくり抜き加工した絶縁層とを重ねて、加熱・加圧して積層一体化し、スルーホールとなる穴をあけ、その穴の内壁に回路導体と電気的に接続された導体を形成し、外層の回路導体を形成する多層配線板の製造法において、絶縁接着層がシロキサン変性ポリアミドイミド樹脂と熱硬化性成分からなり、Ｂステージでの貯蔵弾性率が３０℃で１０００ＭＰａ〜５０００ＭＰａの範囲にあり、Ｃステージでの貯蔵弾性率が３００℃で３０ＭＰａ以上であり、かつ、ガラス転移温度が１８０℃以上であるものを用いることによっても製造することができる。
【００１８】
また、複数の絶縁接着層と複数の回路板および絶縁層に、半導体チップを納めるためのキャビティ部をくり抜き加工して設け、これらを重ねて、加熱・加圧して積層一体化し、スルーホールとなる穴をあけ、その穴の内壁に回路導体と電気的に接続された導体を形成し、外層の回路導体を形成する多層配線板の製造法において、絶縁接着層がシロキサン変性ポリアミドイミド樹脂と熱硬化性成分からなり、Ｂステージでの貯蔵弾性率が３０℃で１０００ＭＰａ〜５０００ＭＰａの範囲にあり、Ｃステージでの貯蔵弾性率が３００℃で３０ＭＰａ以上であり、かつ、ガラス転移温度が１８０℃以上であるものを用いることによっても製造することができる。
このときに、複数の絶縁接着層と複数の回路板に、半導体チップを納めるためのキャビティ部をくり抜き加工して設け、これらを重ねて、加熱・加圧して積層一体化し、スルーホールとなる穴をあけ、その穴の内壁に回路導体と電気的に接続された導体を形成し、外層の回路導体を形成することによっても製造することができる。
さらにまた、複数の絶縁接着層と複数の絶縁層に、半導体チップを納めるためのキャビティ部をくり抜き加工して設け、これらを重ねて、加熱・加圧して積層一体化し、スルーホールとなる穴をあけ、その穴の内壁に回路導体と電気的に接続された導体を形成し、外層の回路導体を形成することによっても製造することができる。
【００１９】
このような製造方法において、複数の絶縁接着層と複数の回路板および／または絶縁層にくり抜き加工して設けた半導体チップを納めるためのキャビティ部を、半導体チップを接着固定する箇所に最も近い絶縁層から順に、その大きさを同じか大きくしたものを用いることができ、複数の導体回路層にワイヤボンディング用のランド部を形成でき好ましい。
【００２０】
また、少なくとも隣接する回路導体層間に、電気的な接続を行うバイアホールを形成する工程を設ければ、配線の密度を高めることができ好ましい。
【００２１】
全ての絶縁接着層と絶縁層および／または回路板に、予め半導体チップを納めるためのキャビティ部をくり抜き加工し、絶縁層と、絶縁接着層と、絶縁層および／または回路板を重ねて、加熱・加圧して積層一体化し、スルーホールとなる穴をあけ、その穴の内壁に、回路板の回路導体と電気的に接続された導体を形成した後、キャビティ部の一方の開口部に、開口部を塞ぐようにヒートシンクを設けることもできる。
【００２２】
このヒートシンク８には、図２に示すように、半導体チップを搭載する支持部８１と、支持部８１の周囲に支持部８１より薄い鍔部８２を設けたものを用い、最外層の絶縁層２に支持部８１とほぼ同じ大きさの穴を設け、その穴にヒートシンク８の支持部８１を嵌合・接着することもできる。
【００２３】
また、予め半導体チップを納めるためのキャビティ部分をくり抜き加工した絶縁層と、絶縁接着層と、絶縁板および／または回路板を重ねて、加熱・加圧して積層一体化するにあたり、図３（ａ）に示すように、積層時の層構成を、プレス鏡板１０１／製品の表面を保護するフィルム状物１０５／（絶縁層と絶縁接着層と絶縁層および／または回路板を複数段重ねたもの１０４）／クッション材１０３／キャビティの大きさと同じ穴をあけた成形品１０２／プレス鏡板１０１の順に重ね、加熱・加圧して積層一体化することによって製造することができ、積層精度が高く好ましい。
また、図２に示すようなヒートシンク８を用いるときには、図３（ｂ）に示すように、プレス鏡板１０１／融点の高いフィルム１１０／融点の低いフィルム１１１／（絶縁層と絶縁接着層と絶縁層および／または回路板を複数段重ねたもの１０４）／クッション材１０３／キャビティの大きさと同じ穴をあけた成形品１０２／プレス鏡板１０１の順に重ね、加熱・加圧して積層一体化することによって製造することができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
本発明に用いる絶縁接着層は、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂と熱硬化性成分からなり、Ｂステージでの貯蔵弾性率が３０℃で、１０００ＭＰａ〜５０００ＭＰａの範囲にあり、Ｃステージでの貯蔵弾性率が３００℃で３０ＭＰａ以上であり、かつ、ガラス転移温度が１８０℃以上である必要があり、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂を用いることにより、一般的な芳香族ポリアミドイミド樹脂に比べ、溶媒の揮発性が上がり、低温での処理が可能なことで、寸法変化率が小さい。
また、Ｂステージでの貯蔵弾性率が３０℃で、１０００ＭＰａ未満であると、樹脂の流動が大きく、キャビティへの染み出しが大きくなり、５０００ＭＰａを超えると内層の回路導体の充填性が低くなったりする。
さらに、Ｃステージでの貯蔵弾性率が３００℃で３０ＭＰａ未満であるか、ガラス転移温度が１８０℃未満であると、樹脂の流動や絶縁層２とのガラス転移温度の差により、接続信頼性やはんだ耐熱性が低下する。
【００２５】
このシロキサン変性ポリアミドイミド樹脂には、芳香族環を３個以上有するジアミンとシロキサンジアミンの混合物と無水トリメリット酸を反応させて得られる芳香族ジイミドジカルボン酸とシロキサンジイミドジカルボン酸の混合物と、芳香族ジイソシアネートとを反応させて得られるものを使用することが好ましい。
【００２６】
芳香族環を３個以上有するジアミンには、２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン、２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕メタン、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕エーテル、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ケトン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン等を単独またはこれらを組合わせて用いることができる。
【００２７】
シロキサンジアミンには、アミノ変性シリコーンオイルであるＸ−２２−１６１ＡＳ（信越化学工業株式会社製、商品名）、Ｘ−２２−１６１Ａ（信越化学工業株式会社製、商品名）、Ｘ−２２−１６１Ｂ（信越化学工業株式会社製、商品名）、ＢＹ１６−８５３（東レダウコーニングシリコーン株式会社製、商品名）、ＢＹ１６−８５３Ｂ（東レダウコーニングシリコーン株式会社製、商品名）等を、単独またはこれらを組み合わせて用いることができる。
【００２８】
また、芳香族ジイソシアネートには、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、ナフタレン−１，５−ジイソシアネート、２，４−トリレンダイマー等を単独でまたは組み合わせて用いることができる。
【００２９】
また、本発明の熱硬化性成分は、エポキシ樹脂とその硬化剤もしくは硬化促進剤であることを特徴とする。
エポキシ樹脂は、グリシジル基を２つ以上有しているものであればどのようなものでも良く、グリシジル基が３つ以上であればさらに好ましい。このエポキシ樹脂は、室温で液状でも固形でもよい。
市販のものとしては、液状エポキシ樹脂として、ビスフェノールＡ型の、ＹＤ１２８（東都化成株式会社製、商品名）、ＹＤ８１２５（東都化成株式会社製、商品名）、Ｅｐ８１５（油化シェルエポキシ株式会社製、商品名）、Ｅｐ８２８（油化シェルエポキシ株式会社製、商品名）、ビスフェノールＦ型の、ＹＤＦ１７０（東都化成株式会社製、商品名）、ＹＤＦ２００４（東都化成株式会社製、商品名）等が使用できる。
また、固形のエポキシ樹脂としては、ＹＤ９０７（東都化成株式会社製、商品名）、ＹＤＣＮ７０４Ｓ（東都化成株式会社製、商品名）、ＹＤＰＮ１７２（東都化成株式会社製、商品名）、Ｅｐ１００１（油化シェルエポキシ株式会社製、商品名）、Ｅｐ１０１０（油化シェルエポキシ株式会社製、商品名）、Ｅｐ１８０Ｓ７０（油化シェルエポキシ株式会社製、商品名）、ＥＳＡ０１９（ダウケミカル工業株式会社製、商品名）、ＤＥＮ４３８（ダウケミカル工業株式会社製、商品名）、ＥＯＣＮ１０２０（日本化薬株式会社製、商品名）等が挙げられる。
さらに、難燃性を向上するためには、臭素化エポキシ樹脂を用いてもよく、例えば市販のものとして、ＹＤＢ４００（東都化成株式会社製、商品名）、Ｅｐ５０５０（油化シェルエポキシ株式会社製、商品名）、ＥＳＢ４００（住友化学工業株式会社製、商品名）等が使用できる。
また、これらは単独でもよいが、必要に応じて複数のエポキシ樹脂を選択してもよい。
【００３０】
エポキシ樹脂の硬化剤もしくは硬化促進剤としては、アミン類、イミダゾール類、多官能フェノール類、酸無水物、イソシアネート類等が使用できる。
アミン類としては、ジシアンジアミド、ジアミノジフェニルメタン、グアニル尿素等があり、イミダゾール類としては、アルキル置換イミダゾール、ベンズイミダゾール等があり、多官能フェノール類としては、ヒドロキノン、レゾルシノール、ビスフェノールＡ及びハロゲン化合物、さらに、これにアルデヒドとの縮合物であるノボラック、レゾール樹脂等があり、酸無水物としては、無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸等がある。イソシアネート類としては、トリレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート等があり、このイソシアネートをフェノール類等でマスクしたものを使用してもよい。
【００３１】
これらの硬化剤もしくは硬化促進剤の必要な量は、アミン類の場合は、アミンの活性水素の当量とエポキシ樹脂のエポキシ当量がほぼ等しくなる量が好ましい。
例えば、１級アミンの場合は、水素が２つであり、エポキシ樹脂１当量に対して、この１級アミンは０．５当量必要であり、２級アミンの場合は、１当量必要である。
次に、イミダゾール類の場合は、単純に活性水素との当量比とならず、経験的にエポキシ樹脂１００重量部に対して、１〜１０重量部必要となる。
多官能フェノール類や酸無水物の場合は、エポキシ樹脂１当量に対して、０．８〜１．２当量必要である。
イソシアネート類の場合は、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂とエポキシ樹脂のどちらとも反応するため、それぞれ１当量に対して、０．８〜１．２当量必要である。
これらの硬化剤もしくは硬化促進剤は、単独で用いてもよいが、必要に応じて複数の硬化剤もしくは硬化促進剤を選択してもよい。
【００３２】
また、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂と熱硬化性成分との重量比は、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂１００重量部に対して、熱硬化性成分１０〜１５０重量部の範囲であることが好ましく、１０重量部未満であると、ガラス転移温度〜３５０℃までの線膨張係数大きく、３００℃の貯蔵弾性率が低いという、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂の特性がそのまま現れ、１５０重量部を超えると、相溶性が低下し、攪拌時にゲル化する。
【００３３】
この他に、必要に応じてバイアホールまたはスルーホール内壁等のめっき密着性を上げること、及びアディティブ法で配線板を製造するために、無電解めっき用触媒を加えることもできる。
【００３４】
本発明の回路板は、通常の配線板に用いる銅張積層板の不要な銅箔をエッチング除去して、得られたものを用いることができる。
この銅張積層板の絶縁層には、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂等の熱硬化性樹脂や、これらの樹脂をガラス布、ガラス紙、アラミド紙等の強化繊維に含浸したもの、あるいはこれらの樹脂に前記のガラスチョップストランド、樹脂による短繊維、セラミックスファイバ、ウィスカ等の強化繊維を混入したものが使用できる。
この銅張積層板の銅箔には、通常の圧延銅箔や電解銅箔に加えて、薄い銅箔とそれを支持するキャリア金属箔として、アルミニウム箔に離型処理して銅箔と貼り合わせたものや、薄い銅層／ニッケル層／厚い銅層のように、中間に銅と異なるエッチング処理が行える金属層を設け、エッチング除去するときのストッパとして用いるもの等がある。
【００３５】
このような回路板は、上記のような、不要な箇所の銅箔をエッチング除去したものを用いることもできるが、先に、バイアホールを形成しておくこともできる。
それは、例えば、銅張積層板に両面銅張積層板を用い、通常の両面配線板を作製する要領で、バイアホールとなる穴をあけ、少なくともその穴内壁にめっきによって導体を形成し、不要な銅をエッチング除去して、両面に配線導体を有する回路板を作製することである。
また、回路導体を形成した回路板の上に絶縁接着層を介して、バイアホールとなる穴をあけた銅張積層板を重ね、加熱・加圧して積層一体化し、銅めっきを行って、バイアホールの内壁を金属化し、不要な銅をエッチング除去して作製することもできる。
さらに、その上に、絶縁接着層を介してバイアホールなる穴をあけた銅張積層板を重ね、加熱・加圧して積層一体化し、銅めっきを行って、バイアホールの内壁を金属化し、不要な銅をエッチング除去して、これを繰り返し、全ての回路導体を必要な層数にすることもできる。
【００３６】
【実施例】
（シリコーン変性ポリアミドイミド樹脂の合成）
還流冷却器を連結したコック付き２５ｍｌの水分定量受器、温度計、攪拌器を備えた１リットルのセパラブルフラスコに芳香族環を３個以上有するジアミンして、２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン６５．７ｇ（０．１６ｍｏｌ）、シロキサンジアミンとしてアミノ変性シリコーンオイルであるＸ−２２−１６１ＡＳ（信越化学工業株式会社製、商品名）３３．３ｇ（０．０４ｍｏｌ）、無水トリメリット酸８０．７ｇ（０．４２ｍｏｌ）を、非プロトン性極性溶媒としてＮ−メチルピロリドン５６０ｇに仕込み、８０℃で３０分間攪拌した。
そして、水と共沸可能な芳香族炭化水素として、トルエン１００ｍｌを投入してから温度を上げ、約１６０℃で２時間還流させた。水分定量器に水が約７．２ｍｌ以上溜まっていること、水の流出が見られなくなっていることを確認し、水分定量受器に溜まっている流出液を除去しながら、１９０℃まで温度を上げて、トルエンを除去した。
その後、溶液を室温に戻し、芳香族ジイソシアネートとして、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート６０．１ｇ（０．２４ｍｏｌ）を投入し、１９０℃で２時間反応させた。
反応終了後、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂のＮ−メチルピロリドン溶液樹脂を得た。
【００３７】
実施例１
この実施例を図４〜図６を参照して説明する。
絶縁層２として、図４（ａ）に示すような、厚さが０．４ｍｍのＢＴレジン系片面銅張積層板であるＣＣＨ−ＨＬ８３０（三菱瓦斯化学株式会社製、商品名）の銅箔を除去したものの片面に、０．２ｍｍの深さで座ぐり加工し、キャビティとなる凹部１１を形成した基板２ａと、絶縁接着層１として、図４（ｂ）に示すような、Ｂステージでの貯蔵弾性率が３０℃で３４００ＭＰａ、Ｃステージでの貯蔵弾性率が３００℃で７０ＭＰａ、ガラス転移温度が２３１℃である、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂／エポキシ樹脂ＥＯＣＮ１０２０（日本化薬株式会社製、商品名）／多官能フェノール樹脂ＫＡ１１６０（大日本インキ化学工業株式会社製、商品名）の重量比が、１００／２８／１５で構成される厚さ０．０５ｍｍの接着フィルムに、基板２ａの座ぐり加工部１１より大きいキャビティとなる開口部１２ｂを設けた接着フィルム１ｂと、図４（ｃ）に示すような、厚さが０．４ｍｍのＣＣＨ−ＨＬ８３０（三菱瓦斯化学株式会社製、商品名）に、接着フィルム１ｂのキャビティとなる開口部１２ｂと同じ大きさのキャビティとなる開口部１２ｃを設け、基板２ｅと重ねたときに露出する部分に、半導体チップ６とボンディングワイヤ１３で接続するための内部端子となる回路導体３を形成した基板２ｃと、図４（ｄ）に示すような、Ｂステージでの貯蔵弾性率が３０℃で３４００ＭＰａ、Ｃステージでの貯蔵弾性率が３００℃で７０ＭＰａ、ガラス転移温度が２３１℃である、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂／エポキシ樹脂ＥＯＣＮ１０２０（日本化薬株式会社製、商品名）／多官能フェノール樹脂ＫＡ１１６０（大日本インキ化学工業株式会社製、商品名）の重量比が、１００／２８／１５で構成される材質で厚さが０．０７５ｍｍの接着フィルムに、基板２ｃのキャビティとなる開口部１２ｃより大きい開口部１２ｄを設けた接着フィルム１ｄと、図４（ｅ）に示すような、厚さが０．４ｍｍのＣＣＨ−ＨＬ８３０（三菱瓦斯化学株式会社製、商品名）の銅箔を除去し、接着フィルム１ｄのキャビティとなる開口部１２ｄと同じ大きさの開口部１２ｅを設けた基板２ｅと、図４（ｆ）に示すような、Ｂステージでの貯蔵弾性率が３０℃で３４００ＭＰａ、Ｃステージでの貯蔵弾性率が３００℃で７０ＭＰａ、ガラス転移温度が２３１℃である、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂／エポキシ樹脂ＥＯＣＮ１０２０（日本化薬株式会社製、商品名）／多官能フェノール樹脂ＫＡ１１６０（大日本インキ化学工業株式会社製、商品名）の重量比が、１００／２８／１５で構成される材質で厚さが０．１ｍｍの接着フィルムに、基板２ｅのキャビティとなる開口部１２ｅと同じ大きさのキャビティとなる開口部１２ｆを設けた接着フィルム１ｆと、図４（ｇ）に示すような、厚さが０．２ｍｍのＣＣＨ−ＨＬ８３０（三菱瓦斯化学株式会社製、商品名）の銅箔を除去した基板２ｇを準備し、図５に示すように、厚さ２ｍｍのステンレス製の鏡板１０１／ポリエチレンテレフタレート製の保護フィルム１０５／上記図４に示す多層配線板の構成１０４／クラフト紙製のクッション材１０３／エポキシ樹脂製絶縁板を用いたキャビティの形状に穴をあけた成形品１０２／厚さ２ｍｍのステンレス製の鏡板１０１、の順に重ねて、１５０℃、３０ｋｇｆ／ｃｍ2で１２０分の条件で、加熱・加圧して積層一体化した。
図６（ａ）に示すように、前記積層したものに、スルーホール４となる穴をあけ、図６（ｂ）に示すように、穴内壁及び表面への無電解めっき１４を行い、図６（ｃ）に示すように、不要な銅をエッチング除去して外層の回路導体３を形成し、さらにキャビティを形成するために、図６（ｄ）に示すように、基板２ｅのキャビティとなる開口部１２ｅと同じ箇所に同じ大きさの開口部１５を、基板２ｇの該当する箇所に、ルーター加工により設け、スルーホール４に複数のピン９を固定してキャビティを有するピングリッドアレイを作製した。
【００３８】
実施例２
絶縁層２として、図７（ａ）に示すような、厚さが０．２ｍｍのＣＣＨ−ＨＬ８３０（三菱瓦斯化学株式会社製、商品名）から銅箔を除去した基板２ｈと、絶縁接着層１として、図７（ｂ）に示すような、Ｂステージでの貯蔵弾性率が３０℃で３４００ＭＰａ、Ｃステージでの貯蔵弾性率が３００℃で７０ＭＰａ、ガラス転移温度が２３１℃である、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂／エポキシ樹脂ＥＯＣＮ１０２０（日本化薬株式会社製、商品名）／多官能フェノール樹脂ＫＡ１１６０（大日本インキ化学工業株式会社製、商品名）の重量比が、１００／２８／１５で構成される材質の厚さが０．０５ｍｍの接着フィルムに、キャビティを形成する開口部１２ｉを設けた接着フィルム１ｉと、図７（ｃ）に示すような、厚さが０．４ｍｍのＣＣＨ−ＨＬ８３０（三菱瓦斯化学株式会社製、商品名）に、接着フィルム１ｉのキャビティとなる開口部１２ｉと同じ大きさの開口部１２ｊを設け、基板２ｌと重ねたときに露出する部分に、半導体チップ６とボンディングワイヤ１３で接続するための内部端子となる銅箔回路３を形成した基板２ｊと、図７（ｄ）に示すような、Ｂステージでの貯蔵弾性率が３０℃で３４００ＭＰａ、Ｃステージでの貯蔵弾性率が３００℃で７０ＭＰａ、ガラス転移温度が２３１℃である、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂／エポキシ樹脂ＥＯＣＮ１０２０（日本化薬株式会社製、商品名）／多官能フェノール樹脂ＫＡ１１６０（大日本インキ化学工業株式会社製、商品名）の重量比が、１００／２８／１５で構成される材質の厚さが０．０５ｍｍの接着フィルムに、基板２ｊのキャビティとなる開口部１２ｊより大きい開口部１２ｋを設けた接着フィルム１ｋと、図７（ｅ）に示すような、厚さが０．４ｍｍのＣＣＨ−ＨＬ８３０（三菱瓦斯化学株式会社製、商品名）に、接着フィルム１ｋのキャビティとなる開口部１２ｋと同じ大きさの開口部１２ｌを設け、基板２ｎと重ねたときに露出する部分に、半導体チップ６とボンディングワイヤ１３で接続するための内部端子となる回路導体３を形成した基板２１と、図７（ｆ）に示すような、Ｂステージでの貯蔵弾性率が３０℃で３４００ＭＰａ、Ｃステージでの貯蔵弾性率が３００℃で７０ＭＰａ、ガラス転移温度が２３１℃である、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂／エポキシ樹脂ＥＯＣＮ１０２０（日本化薬株式会社製、商品名）／多官能フェノール樹脂ＫＡ１１６０（大日本インキ化学工業株式会社製、商品名）の重量比が、１００／２８／１５で構成される材質で厚さが０．５ｍｍの接着フィルムに、基板２ｌのキャビティとなる開口部１２ｌより大きい開口部１２ｍを設けた接着フィルム１ｍと、図７（ｇ）に示すような、厚さが０．４ｍｍのＣＣＨ−ＨＬ８３０（三菱瓦斯化学株式会社製、商品名）の銅箔を除去し，接着フィルム１ｍのキャビティとなる開口部１２ｍと同じ大きさの開口部１２ｎを設けた基板２ｎと、図７（ｈ）に示すような、Ｂステージでの貯蔵弾性率が３０℃で３４００ＭＰａ、Ｃステージでの貯蔵弾性率が３００℃で７０ＭＰａ、ガラス転移温度が２３１℃である、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂／エポキシ樹脂ＥＯＣＮ１０２０（日本化薬株式会社製、商品名）／多官能フェノール樹脂ＫＡ１１６０（大日本インキ化学工業株式会社製、商品名）の重量比が、１００／２８／１５で構成される材質の厚さが０．５ｍｍの接着フィルムに、基板１２ｎのキャビティとなる開口部１２ｎと同じ大きさの開口部１２ｏを設けた接着フィルム１ｏと、図７（ｉ）に示すような、厚さが０．４ｍｍのＣＣＨ−ＨＬ８３０（三菱瓦斯化学株式会社製、商品名）の銅箔を除去した基板２ｐを準備し、図５に示すように、厚さ２ｍｍのステンレス製の鏡板１０１／ポリエチレンテレフタレート製の保護フィルム１０５／上記図７に示す構成の多層配線板の構成１０４／クラフト紙製のクッション材１０３／エポキシ樹脂悦円板を用いたキャビティの形状に穴をあけた成形品１０２／厚さ２ｍｍのステンレス製の鏡板１０１、の順に重ね、１５０℃、３０ｋｇｆ／ｃｍ2で１２０分の条件で、加熱・加圧して積層一体化した。
図８（ａ）に示すように、積層成形したものに、スルーホール４となる穴をあけ、図８（ｂ）に示すように、穴内壁及び表面に無電解によるめっき１４を行い、図８（ｃ）に示すように、はんだボール１０を融着するためのランドを含む回路導体３を形成し、さらにキャビティを形成するための、図８（ｄ）に示すように、基板１ｏの開口部１２ｏと同じ箇所に同じ大きさの開口部１５を、基板１２ｐの該当する箇所に、ルーター加工により設け、ソルダーレジストを塗布・乾燥して、ボールグリッドアレイを作製した。
【００３９】
実施例３
実施例１において、基板２ａの座ぐり加工に代えて、スルーホールを設け、図２に示すような鍔を有するヒートシンク８を準備し、図３（ｂ）に示すように、積層の構成を、厚さ２ｍｍのステンレス製の鏡板１０１／クラフト紙製のクッション材１０３／塩化ビニル製の融点の低いフィルム１１１／ポリイミド製の融点の高いフィルム１１０／上記絶縁層２と絶縁接着層１と絶縁層２または回路板を重ねた多層配線板の構成１０４／クラフト紙製のクッション材１０３／エポキシ樹脂絶縁板を用いたキャビティの形状に穴をあけた成形品１０２／厚さ２ｍｍのステンレス製の鏡板１０１、の順に重ねた以外は同じ条件でピングリッドアレイを作製した。
【００４０】
実施例４〜６
実施例１〜３に用いたＣＣＨ−ＨＬ８３０（三菱瓦斯化学株式会社製、商品名）を、エポキシ樹脂含浸ガラス布銅張積層板であるＭＣＬ−Ｅ−６７（日立化成工業株式会社製、商品名）に代えた以外は、同じ条件でピングリッドアレイまたはボールグリッドアレイを作製した。
【００４１】
実施例７
絶縁層２として、図９（ａ）に示すような、厚さが０．２ｍｍのＭＣＬ−Ｅ−６７（日立化成工業株式会社製、商品名）の銅箔を除去したものの片面に０．１ｍｍの深さで座ぐり加工し、キャビティとなる凹部１１を形成した基板２ｑと、絶縁接着層１として、図９（ｂ）に示すような、Ｂステージでの貯蔵弾性率が３０℃で３４００ＭＰａ、Ｃステージでの貯蔵弾性率が３００℃で７０ＭＰａ、ガラス転移温度が２３１℃である、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂／エポキシ樹脂ＥＯＣＮ１０２０（日本化薬株式会社製、商品名）／多官能フェノール樹脂ＫＡ１１６０（大日本インキ化学工業株式会社製、商品名）の重量比が、１００／２８／１５で構成される材質の厚さが０．０５ｍｍの接着フィルムに、基板２ｑの座ぐり加工１１より大きいキャビティとなる開口部１２ｒを設けた接着フィルム１ｒと、図９（ｃ）に示すような、予め、厚さが０．１ｍｍのＭＣＬ−Ｅ−６７を２枚２０１、２０２にそれぞれ回路導体と後にバイアホール７となる穴を形成したものを、Ｂステージでの貯蔵弾性率が３０℃で３４００ＭＰａ、Ｃステージでの貯蔵弾性率が３００℃で７０ＭＰａ、ガラス転移温度が２３１℃である、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂／エポキシ樹脂ＥＯＣＮ１０２０（日本化薬株式会社製、商品名）／多官能フェノール樹脂ＫＡ１１６０（大日本インキ化学工業株式会社製、商品名）の重量比が、１００／２８／１５で構成される材質で厚さが０．１ｍｍの接着フィルム２１１を介して、１５０℃、３０ｋｇｆ／ｃｍ2、１２０分の条件で積層接着したものに、図９（ｄ）に示すような、接着フィルム１ｒのキャビティとなる開口部１２ｒと同じ大きさの開口部１２ｓを設け、基板２ｕと重ねたときに露出する部分に、半導体チップ６とボンディングワイヤ１３で接続するための内部端子となる回路導体３を形成した基板２ｓを準備し、図９（ｅ）に示すような、Ｂステージでの貯蔵弾性率が３０℃で３４００ＭＰａ、Ｃステージでの貯蔵弾性率が３００℃で７０ＭＰａ、ガラス転移温度が２３１℃である、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂／エポキシ樹脂ＥＯＣＮ１０２０（日本化薬株式会社製、商品名）／多官能フェノール樹脂ＫＡ１１６０（大日本インキ化学工業株式会社製、商品名）の重量比が、１００／２８／１５で構成される材質で厚さが０．０５ｍｍの接着フィルムに、基板２ｓのキャビティとなる開口部１２ｓより大きい開口部１２ｔを設けた接着フィルム１ｔと、図９（ｆ）に示すような、予め、厚さが０．１ｍｍのＭＣＬ−Ｅ−６７（日立化成工業株式会社製、商品名）を２枚２０３、２０４に、それぞれ回路導体３と、バイアホール７となる穴を形成したものを、Ｂステージでの貯蔵弾性率が３０℃で３４００ＭＰａ、Ｃステージでの貯蔵弾性率が３００℃で７０ＭＰａ、ガラス転移温度が２３１℃である、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂／エポキシ樹脂ＥＯＣＮ１０２０（日本化薬株式会社製、商品名）／多官能フェノール樹脂ＫＡ１１６０（大日本インキ化学工業株式会社製、商品名）の重量比が、１００／２８／１５で構成される材質で厚さが０．１ｍｍの接着フィルム２１２を介して、１５０℃、３０ｋｇｆ／ｃｍ2、１２０分の条件で積層接着したものに、さら���バイアホール７となる穴を形成し、図９（ｇ）に示すような、接着フィルム１ｔのキャビティとなる開口部１２ｔと同じ大きさの開口部１２ｕを設け、基板２ｗと重ねたときに露出する部分に、半導体チップ６とボンディングワイヤ１３で接続するための内部端子となる回路導体３を形成した基板２ｕと、図９（ｈ）に示すような、Ｂステージでの貯蔵弾性率が３０℃で３４００ＭＰａ、Ｃステージでの貯蔵弾性率が３００℃で７０ＭＰａ、ガラス転移温度が２３１℃である、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂／エポキシ樹脂ＥＯＣＮ１０２０（日本化薬株式会社製、商品名）／多官能フェノール樹脂ＫＡ１１６０（大日本インキ化学工業株式会社製、商品名）の重量比が、１００／２８／１５で構成される材質で厚さが０．０５ｍｍの接着フィルムに、基板２ｕのキャビティとなる開口部１２ｕより大きい開口部１２ｖを設けた接着フィルム１ｖと、図９（ｉ）に示すような、厚さが０．４ｍｍのＭＣＬ−Ｅ−６７（日立化成工業株式会社製、商品名）の銅箔を除去し、接着フィルム１ｖのキャビティとなる開口部１２ｖと同じ大きさの開口部１２ｗを設けた基板２ｗと、図９（ｊ）に示すような、Ｂステージでの貯蔵弾性率が３０℃で３４００ＭＰａ、Ｃステージでの貯蔵弾性率が３００℃で７０ＭＰａ、ガラス転移温度が２３１℃である、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂／エポキシ樹脂ＥＯＣＮ１０２０（日本化薬株式会社製、商品名）／多官能フェノール樹脂ＫＡ１１６０（大日本インキ化学工業株式会社製、商品名）の重量比が、１００／２８／１５で構成される材質で厚さが０．０５ｍｍの接着フィルムに、基板２ｗのキャビティとなる開口部１２ｗと同じ大きさの開口部１２ｘを設けた接着フィルム１ｘと、図９（ｋ）に示すような、厚さが０．４ｍｍのＭＣＬ−Ｅ−６７（日立化成工業株式会社製、商品名）の銅箔を除去した基板２ｙを準備し、図５に示すように、鏡板１０１／保護フィルム１０５／上記図９に示す構成の多層配線板の構成１０４／クッション材１０３／キャビティの形状に穴をあけた成形品１０２／鏡板１０１、の順に重ね、１５０℃、３０ｋｇｆ／ｃｍ2で１２０分の条件で、加熱・加圧して積層一体化した。
積層成形したものに、スルーホール４となる穴をあけ、穴内壁及び表面に無電解によるめっき１４を行い、さらに電気めっきを行い、外層の回路導体３を形成し、さらにキャビティを形成するために、基板２ｗのキャビティとなる開口部１２ｗと同じ箇所に同じ大きさの開口部１５を、基板２ｙの該当する箇所に、ルーター加工により設け、図１０に示すような多層チップキャリア用配線板を作製した。
【００４２】
実施例８〜１１
実施例１〜３において、ＣＣＨ−ＨＬ８３０（三菱瓦斯化学株式会社製、商品名）と、実施例７において、ＭＣＬ−Ｅ−６７（日立化成工業株式会社製、商品名）に代えて、ポリイミド樹脂含浸ガラス布銅張積層板であるＭＣＬ−Ｉ−６７１（日立化成工業株式会社製、商品名）を用いた以外は、実施例１〜３及び７と同じ条件で、ピングリッドアレイ、ボールグリッドアレイ、または多層チップキャリア用配線板を作製した。
【００４３】
実施例１２〜２２
実施例１〜１１に用いた絶縁接着層に代えて、Ｂステージでの貯蔵弾性率が３０℃で３０００ＭＰａ、Ｃステージでの貯蔵弾性率が３００℃で１０３ＭＰａ、ガラス転移温度が２２８℃であるシロキサン変性ポリアミドイミド樹脂／エポキシ樹脂ＥＯＣＮ１０２０（日本化薬株式会社製、商品名）／多官能フェノール樹脂ＫＡ１１６０（大日本インキ化学工業株式会社製、商品名）の重量比が、１００／５０／２６の接着フィルムを用いた以外は、それぞれの実施例と同じ条件で、ピングリッドアレイ、ボールグリッドアレイ、または多層チップキャリア用配線板を作製した。
【００４４】
比較例１〜８
実施例１〜８に用いた絶縁接着層に代えて、Ｂステージでの貯蔵弾性率が３０℃で２５００ＭＰａ、Ｃステージでの貯蔵弾性率が３００℃で６．７ＭＰａ、ガラス転移温度が２３７℃であるシロキサン変性ポリアミドイミド樹脂のみからなる接着フィルムを用いた以外は、それぞれの実施例と同じ条件で、ピングリッドアレイ、ボールグリッドアレイ、または多層チップキャリア用配線板を作製した。
【００４５】
比較例９〜１６
実施例１〜８に用いた絶縁接着層に代えて、Ｂステージでの貯蔵弾性率が３０℃で３０００ＭＰａ、Ｃステージでの貯蔵弾性率が３００℃で１００ＭＰａ、ガラス転移温度が２１７℃である芳香族ポリアミドイミド樹脂ＫＳ−６０００（日立化成工業株式会社製、商品名）／エポキシ樹脂ＥＯＣＮ１０２０（日本化薬株式会社製、商品名）／多官能フェノール樹脂ＫＡ１１６０（大日本インキ化学工業株式会社製、商品名）の重量比が、１００／２１／１１からなる接着フィルムを用いた以外は、それぞれの実施例と同じ条件で、ピングリッドアレイ、ボールグリッドアレイ、または多層チップキャリア用配線板を作製した。
【００４６】
このようにして作製した多層配線板は、初期状態では、剥離、ボイドともに無く良好であった。
しかし、２６０℃、２分間のはんだフロートを行うと、実施例のものでは絶縁接着層に剥離、ボイドの発生は無かったが、比較例１〜８のものでは、Ｃステージでの貯蔵弾性率が低いため、絶縁接着層中に剥離、ボイドが多数発生した。
また、比較例９〜１６のものでは、芳香族ポリアミドイミド樹脂を用いたため、溶媒の揮発性が低く、多層配線板作製後の絶縁接着層中に溶媒が、実施例では２〜４重量％と低かったのに対して、約１３重量％程度残存していたため、溶媒の揮発によりボイドが発生した。しかし、積層条件を１８０℃とすることにより、ボイドの発生を抑制できる。
【００４７】
【発明の効果】
以上に説明したように、本発明により、多層配線板に用いる絶縁接着層を、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂と熱硬化性成分からなる、Ｂステージでの貯蔵弾性率が３０℃で１０００ＭＰａ〜５０００ＭＰａの範囲にあり、Ｃステージでの貯蔵弾性率が３００℃で３０ＭＰａ以上であり、かつ、ガラス転移温度が１８０℃以上とすることで、低温での積層が可能で、かつ、接続信頼性や耐熱性に優れた多層配線板とその製造法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）〜（ｅ）はそれぞれ、本発明の一実施例を説明するための断面図である。
【図２】本発明の他の実施例を示す断面図である。
【図３】（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ本発明のさらに他の実施例を説明するための概略断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｇ）は、それぞれ本発明の一実施例の構成を示す断面図である。
【図５】本発明の一実施例の方法を説明するための断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｅ）は、それぞれ本発明の第１の実施態様における方法を説明するための断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｉ）は、それぞれ本発明の他の実施例の構成を示す断面図である。
【図８】（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ本発明の他の実施例における方法を説明するための断面図である。
【図９】（ａ）〜（ｋ）は、それぞれ本発明のさらに他の実施例の構成を示す断面図である。
【図１０】本発明のさらに他の実施例における構造を説明するための断面図である。
【符号の説明】
１．絶縁接着層
２．絶縁層
３．回路導体
４．スルーホール
５．キャビティ
６．半導体チップ
７．バイアホール
８．ヒートシンク
８１．支持部
８２．鍔部
１０．はんだボール
１１．キャビティとなる凹部
１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｆ、１２ｉ、１２ｊ、１２ｋ、１２ｌ、１２ｍ、１２ｎ、１２ｏ、１２ｒ、１２ｓ、１２ｔ、１２ｕ、１２ｖ、１２ｗ、１２ｘ．キャビティとなる開口部
１３．ボンディングワイヤ
１４．めっき
１５．開口部
１０１．鏡板
１０２．成形品
１０３．クッション材
１０４．絶縁層と絶縁接着層と絶縁層および／または回路板を複数段重ねたもの
１０５．保護フィルム
１１０．融点の高いフィルム
１１１．融点の低いフィルム
１ｂ、１ｄ、１ｆ、１ｉ、１ｋ、１ｍ、１ｏ、１ｒ、１ｔ、１ｖ、１ｘ、２１１２１２．接着フィルム
２ａ、２ｃ、２ｅ、２ｇ、２ｈ、２ｊ、２ｌ、２ｎ、２ｐ、２ｑ、２ｓ、２ｕ、２ｗ、２ｙ、２０１、２０２、２０３、２０４．基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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