(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子形成の終了した半導体ウェハーを、先ダイシング法にてダイシング及び裏面研削して、個片化された半導体チップを形成する工程と、
個片化された各々の半導体チップを熱可塑性樹脂、未硬化の熱硬化樹脂、及び未硬化の熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との混合物のいずれかを含み、ダイボンド剤として用いる接着剤フィルム上に接着する工程と、
前記個片化された各々の半導体チップが接着された接着剤フィルムにおける接着剤フィルム面をダイシングテープに貼り付ける工程と、
上記接着剤フィルムにおける上記各半導体チップ間の領域を、有機溶剤、酸性溶液及びアルカリ性溶液のいずれかを用いた化学的エッチングにより除去する工程とを具備する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記接着剤フィルムは、熱可塑性樹脂、未硬化の熱硬化樹脂、及び未硬化の熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との混合物のいずれかから成ることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記接着剤フィルムは、ガラスビーズ、ポリマー、及び銀フィラーのいずれかで形成されたスペーサーを備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記ダイシングテープから前記半導体チップを引き剥がす工程と、前記引き剥がした半導体チップの接着剤フィルム面側を、金属フレームもしくは有機基板上にマウントする工程とを更に具備することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体装置の製造方法に関するもので、特に先ダイシング法によって薄厚化及び個片化された半導体チップに、フィルム状のダイボンド剤を貼り付けた半導体チップの製造工程に適用されるものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体チップ（ペレット）を金属フレームや有機基板上に圧着してマウントする工程を簡単化するために、半導体チップの裏面にフィルム状のダイボンド剤を貼り付けた、いわゆる接着剤付き半導体チップが用いられている。
【０００３】
従来、このような接着剤付き半導体チップは、例えば図６（ａ）〜（ｅ）に示すような工程で製造されている。すなわち、まず、図６（ａ）に示すように、素子形成の終了した半導体ウェハー１１の裏面全面に、フィルム状の接着剤（接着剤フィルム）１２をラミネート等により接着する。
【０００４】
次に、図６（ｂ）に示すように、接着剤フィルム１２のウェハー１１に接着されていない部分を取り除いた後、接着剤フィルム面をウェハーリング１３に装着されたダイシングテープ１４に貼り付ける。
【０００５】
その後、図６（ｃ）に示すように、ダイサー１５によりダイシングライン１６に沿って、ウェハー１１を接着剤フィルム１２ごとダイシングする。
【０００６】
そして、図６（ｄ）に示すように、ダイシングが終了して個片化されたウェハー１１からピックアップニードル等で各半導体チップをピックアップし、図６（ｅ）に示すような接着剤付き半導体チップ１７を作製する。
【０００７】
その後、金属フレームもしくは有機基板上に、接着剤付き半導体チップ１７の接着剤フィルム１２面側を圧着してマウントする。
【０００８】
ところで、近年、カード状の薄いパッケージに実装するため、あるいは複数の半導体チップを積層して実装することにより実装面積を小さくするために、半導体チップの薄厚化が望まれている。しかし、素子形成の終了したウェハーの裏面を研削して薄厚化し、薄厚化したウェハーをダイシングして個々の半導体チップに分割すると、工程間の搬送時やダイシング時に、ウェハーが割れたり、裏面チッピングが発生したりする。
【０００９】
このような半導体チップの薄厚化によるウェハーの割れや裏面チッピングを極力減らすことができる方式が、先ダイシング（DBGとも呼ぶ、Dicing Before Grindingの略）法である。先ダイシング法では、ウェハーの素子形成面側から所定の深さに切り込み（溝）を入れた後、ウェハーの裏面を研磨することにより個片化と薄厚化を同時に行って分割する。
【００１０】
しかしながら、上記先ダイシング法では、ウェハーをダイシングして溝を形成した後に裏面研削を行うため、先ダイシング法で薄厚化、個片化した半導体チップで上述した接着剤付き半導体チップを作製するには、分割された半導体チップに接着剤フィルムをラミネート等により接着し、その後接着剤フィルムのみをダイシングする必要があり、製造工程が煩雑化する。
【００１１】
上記接着剤フィルムのダイシング工程を省略し、製造工程の煩雑化を防止できる方法として、図７（ａ），（ｂ）に示すような製造方法が提案されている。図７（ａ）に示すように、金属フレームもしくは有機基板２１上の半導体チップをダイマウントする位置に、予めほぼ半導体チップと同じサイズの接着剤フィルム２２を貼り付ける。
【００１２】
次に、図７（ｂ）に示すように、上記接着剤フィルム２２上に半導体チップ２３を圧着し、ダイボンドして実装する。
【００１３】
しかしながら、上記のような製造方法では、接着剤フィルム２２と半導体チップ２３を別々に圧着するため、接着剤フィルム２２と半導体チップ２３との位置ずれが発生しやすい。このため、マウント位置の精度が低下するという問題が発生する。よって、接着材フィルム２２を高い位置精度で金属フィルムもしくは有機基板２１上に圧着して貼り付けるには、新たにフィルム貼り付け機などを導入する必要がある。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように接着剤付き半導体チップを形成するための従来の半導体装置の製造方法は、先ダイシング法を適用すると製造工程が煩雑化するという問題があった。また、製造工程の煩雑化を防ごうとすると接着剤フィルムと半導体チップとの位置ずれが生じやすく、マウント位置の精度の低下を招き、高精度なフィルム貼り付け機が必要となるという問題があった。
【００１５】
この発明は上記のような事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、接着剤フィルムと半導体チップの位置ずれによるマウント位置の精度の低下を招くことなく、製造工程の簡単化が図れる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
第１の発明に係る半導体装置の製造方法は、素子形成の終了した半導体ウェハーを、先ダイシング法にてダイシング及び裏面研削して、個片化された半導体チップを形成する工程と、個片化された各々の半導体チップをダイボンド剤として用いる接着剤フィルム上に接着し、接着剤フィルム面をダイシングテープに貼り付ける工程と、上記接着剤フィルムにおける上記各半導体チップ間の間隙に露出された接着剤フィルムを化学的にエッチングして除去する工程とを具備し、上記接着剤フィルムは、熱可塑性樹脂、未硬化の熱硬化樹脂、未硬化の熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂の混合物、あるいはこれらにガラスビーズ、ポリマー、銀フィラーのスペーサーを含み、上記化学的エッチングは、有機溶剤、酸性溶液及びアルカリ性溶液のいずれかを用いて行われることを特徴としている。
【００１７】
また、第２の発明に係る半導体装置の製造方法は、素子形成の終了した半導体ウェハーを、先ダイシング法にてダイシング及び裏面研削して、個片化された半導体チップを形成する工程と、個片化された各々の半導体チップを、ＵＶ照射によって解重合を起こす成分を含み、ダイボンド剤として用いる接着剤フィルム上に接着し、接着剤フィルム面をダイシングテープに貼り付ける工程と、ウェハーの上面からＵＶ照射を行い、上記各半導体チップ間の間隙に露出された接着剤フィルムの解重合反応を起こす工程と、上記接着剤フィルムにおける上記各半導体チップ間の間隙の解重合反応を起こした領域の接着剤フィルムを除去する工程とを具備し、上記接着剤フィルムは、熱可塑性樹脂、未硬化の熱硬化樹脂、未硬化の熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂の混合物、あるいはこれらにガラスビーズ、ポリマー、銀フィラーのスペーサーを含み、上記解重合反応を起こした領域の接着剤フィルムを除去する工程は、有機溶剤、酸性溶液及びアルカリ性溶液のいずれかを用いて行われることを特徴としている。
【００１８】
更に、第３の発明に係る半導体装置の製造方法は、素子形成の終了した半導体ウェハーを、先ダイシング法にてダイシング及び裏面研削して、個片化された半導体チップを形成する工程と、個片化された各々の半導体チップを、ＵＶ照射によって架橋または重合を起こす成分を含み、ダイボンド剤として用いる接着剤フィルム上に接着し、接着剤フィルム面をダイシングテープに貼り付ける工程と、ウェハーの上面からＵＶ照射を行い、上記各半導体チップ間の間隙に露出された接着剤フィルムの架橋または重合反応を起こす工程と、各半導体チップをピックアップし、上記ダイシングテープから引き剥がす工程とを具備し、上記接着剤フィルムは、熱可塑性樹脂、未硬化の熱硬化樹脂、未硬化の熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂の混合物、あるいはこれらにガラスビーズ、ポリマー、銀フィラーのスペーサーを含み、上記各半導体チップをピックアップする際、上記接着剤フィルムの上記半導体チップに接着された部分は、上記各半導体チップに接着された状態でピックアップされ、上記接着剤フィルムの上記架橋または重合反応を起こした領域は、ダイシングテープ上に残存されることを特徴としている。
【００１９】
第４の発明に係る半導体装置の製造方法は、素子形成の終了した半導体ウェハーを、先ダイシング法にてダイシング及び裏面研削して、個片化された半導体チップを形成する工程と、個片化された各々の半導体チップをダイボンド剤として用いる接着剤フィルム上に接着し、接着剤フィルム面をダイシングテープに貼り付ける工程と、上記接着剤フィルムにおける上記各半導体チップ間の間隙に露出された接着剤フィルムに選択的にレーザーを照射して除去する工程とを具備し、上記接着剤フィルムは、熱可塑性樹脂、未硬化の熱硬化樹脂、未硬化の熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂の混合物、あるいはこれらにガラスビーズ、ポリマー、銀フィラーのスペーサーを含むことを特徴としている。
【００２０】
更にまた、第５の発明に係る半導体装置の製造方法は、素子形成の終了した半導体ウェハーを、先ダイシング法にてダイシング及び裏面研削して、個片化された半導体チップを形成する工程と、個片化された各々の半導体チップをダイボンド剤として用いる接着剤フィルム上に接着し、接着剤フィルム面をダイシングテープに貼り付ける工程と、上記各半導体チップ間の間隙の部分の接着剤フィルムを鋭利な刃物で切断する工程とを具備し、上記接着剤フィルムは、熱可塑性樹脂、未硬化の熱硬化樹脂、未硬化の熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂の混合物、あるいはこれらにガラスビーズ、ポリマー、銀フィラーのスペーサーを含むことを特徴としている。
【００２１】
上記第１の発明によれば、接着剤フィルムにおける各半導体チップ間の間隙に露出された接着剤フィルムを化学的にエッチングして除去するので、接着剤フィルムをダイシングして除去する必要がなく、製造工程の煩雑化を抑制できる。また、接着剤フィルムが半導体チップに接着された状態でマウント工程が実施されるので、接着剤フィルムと半導体チップとの位置ずれが生ずることもなく、マウント位置の精度の低下を防止できる。
【００２２】
また、上記第２の発明によれば、接着剤フィルムにおける各半導体チップ間の間隙に露出された接着剤フィルムに解重合反応を起こし、この解重合反応を起こした領域を除去するので、接着剤フィルムをダイシングして除去する必要がなく、製造工程の煩雑化を抑制できる。また、接着剤フィルムが半導体チップに接着された状態でマウント工程が実施されるので、接着剤フィルムと半導体チップとの位置ずれが生ずることもなく、マウント位置の精度の低下を防止できる。
【００２３】
更に、上記第３の発明によれば、接着剤フィルムにおける各半導体チップ間の間隙に露出された接着剤フィルムに架橋または重合反応を起こし、この架橋または重合反応を起こした領域を除去するので、接着剤フィルムをダイシングして除去する必要がなく、製造工程の煩雑化を抑制できる。また、接着剤フィルムが半導体チップに接着された状態でマウント工程が実施されるので、接着剤フィルムと半導体チップとの位置ずれが生ずることもなく、マウント位置の精度の低下を防止できる。
【００２４】
上記第４の発明によれば、接着剤フィルムにおける各半導体チップ間の間隙に露出された接着剤フィルムに選択的にレーザーを照射して除去するので、接着剤フィルムをダイシングして除去する必要がなく、製造工程の煩雑化を抑制できる。また、接着剤フィルムが半導体チップに接着された状態でマウント工程が実施されるので、接着剤フィルムと半導体チップとの位置ずれが生ずることもなく、マウント位置の精度の低下を防止できる。
【００２５】
更にまた、上記第５の発明によれば、接着剤フィルムにおける各半導体チップ間の間隙の接着剤フィルムを鋭利な刃物で切断するので、接着剤フィルムをダイシングして除去する必要がなく、製造工程の煩雑化を抑制できる。また、接着剤フィルムが半導体チップに接着された状態でマウント工程が実施されるので、接着剤フィルムと半導体チップとの位置ずれが生ずることもなく、マウント位置の精度の低下を防止できる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
［第１の実施の形態］
この発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について、図１（ａ）〜（ｅ）により説明する。
【００２７】
まず、図１（ａ）に示すように、先ダイシング法にて分割されたウェハー（個片化された半導体チップ）１を、主にポリイミドからなる熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂を混合したフィルム状の接着剤（接着剤フィルム）２上に高温でラミネートにより接着させる。そして、ウェハー１に付着していない部分を取り除いた後、図１（ｂ）に示すように接着剤フィルム面を、ウェハーリング４に装着された、例えば塩化ビニルからなるダイシングテープ３に常温でラミネートして貼り付ける。これによって、図１（ｃ）に示すように、ダイシングテープ３上に接着剤フィルム２を介在して個片化されたウェハー（半導体チップ）１が等間隔に貼り付けられる。
【００２８】
次に、図１（ｄ）に示すように、各半導体チップ１間の間隙に露出されているの接着剤フィルム２をジメチルアセトアミド（有機溶剤）で化学的にエッチングし、間隙の部分の接着剤フィルム２を除去する。
【００２９】
その後、各半導体チップ１をダイシングテープ３の裏面側からピックアップニードル等で突き上げてピックアップし、図１（ｅ）に示すような接着剤付き半導体チップ１０を作製する。
【００３０】
そして、上記接着剤付き半導体チップ１０の接着剤フィルム２面側を、金属フレームもしくは有機基板上に圧着してマウントする。
【００３１】
このような製造方法によれば、接着剤フィルム２における各半導体チップ１間の間隙に露出された部分を化学的にエッチングして除去するので、接着剤フィルム２をダイシングして除去する必要がなく、製造工程の煩雑化を抑制できる。また、接着剤フィルム２が半導体チップ１に接着された状態でマウント工程が実施されるので、接着剤フィルム２と半導体チップ１との位置ずれが生ずることもなく、マウント位置の精度の低下を防止できる。
【００３２】
なお、上記第１の実施の形態では、接着剤フィルム２がポリイミドからなる熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂を混合した接着剤の場合を例にとって説明したが、熱可塑性樹脂、未硬化の熱硬化樹脂、未硬化の熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂の混合物、あるいはこれらにガラスビーズ、ポリマー、銀フィラーのスペーサーを含むものであっても良い。また、化学的エッチングの際に、有機溶剤の一種であるジメチルアセトアミドを用いる場合について説明したが、接着剤フィルムの材質に応じて他の有機溶剤、酸性溶液及びアルカリ性溶液等を用いても良い。
【００３３】
［第２の実施の形態］
この発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について、図１（ａ）〜（ｃ）及び図２（ａ）〜（ｄ）により説明する。
【００３４】
ダイシングテープ３上に接着剤フィルム２を介在して半導体チップ１が等間隔に貼り付けられた構造を得るまでは、基本的には図１（ａ）〜（ｃ）に示した第１の実施の形態と同様である。すなわち、図１（ａ）に示したように、先ダイシング法にて分割されたウェハー（個片化された半導体チップ）１を、フィルム状の接着剤（接着剤フィルム）２上に高温でラミネートにより接着させる。この接着剤フィルム２は、主にポリイミドからなる熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂を混合したものであるが、本第２の実施の形態では上記熱可塑性樹脂としてポリメタルクリル酸メチル構造を有し、ＵＶ照射によって解重合を起こす成分を含むものを用いる。そして、ウェハー１に接着されていない部分を取り除いた後、図１（ｂ）に示したように接着剤フィルム面を、ウェハーリング４に装着された、例えば塩化ビニルからなるダイシングテープ３に常温でラミネートして貼り付ける。これによって、図２（ａ）（図１（ｃ））に示すように、ダイシングテープ３上に接着剤フィルム２を介在して半導体チップ１が等間隔に貼り付けられた構造が得られる。
【００３５】
次に、図２（ｂ）に示すように、ウェハー１の上面からＵＶ照射を行い、各半導体チップ１の間隙の部分の接着剤フィルム２の熱可塑性樹脂成分の解重合反応を起こす。その後、エタノールで各半導体チップ１の間隙の解重合反応を起こした領域（接着剤フィルム）５を除去する（図２（ｃ））。
【００３６】
そして、各半導体チップ１をダイシングテープ３の裏面側からピックアップニードル等で突き上げてピックアップし、図１（ｄ）に示すような接着剤付き半導体チップ１０を作製する。
【００３７】
その後、上記接着剤付き半導体チップ１０の接着剤フィルム２面側を、金属フレームもしくは有機基板上に圧着してマウントする。
【００３８】
上記のような製造方法によれば、接着剤フィルム２における各半導体チップ１間の間隙に露出された領域に解重合反応を起こして除去するので、接着剤フィルム２をダイシングして除去する必要がなく、製造工程の煩雑化を抑制できる。また、接着剤フィルム２が半導体チップ１に接着された状態でマウント工程が実施されるので、接着剤フィルム２と半導体チップ１との位置ずれが生ずることもなく、マウント位置の精度の低下を防止できる。
【００３９】
なお、接着剤フィルム２は、ＵＶ照射によって解重合を起こす成分を含む材料であれば、熱可塑性樹脂、未硬化の熱硬化樹脂、未硬化の熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂の混合物、あるいはこれらにガラスビーズ、ポリマー、銀フィラーのスペーサーを含むものであっても良い。また、エタノールで各半導体チップ１間の間隙の部分の接着剤フィルム２を除去する場合について説明したが、接着剤フィルム２の材質に応じて他の有機溶剤、酸性溶液及びアルカリ性溶液等を用いても良い。
【００４０】
［第３の実施の形態］
この発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について、図１（ａ）〜（ｃ）及び図３（ａ）〜（ｃ）により説明する。
【００４１】
ダイシングテープ３上に接着剤フィルム２を介在して半導体チップ１が等間隔に貼り付けられた構造を得るまでは、基本的には図１（ａ）〜（ｃ）に示した第１の実施の形態と同様である。すなわち、図１（ａ）に示したように、先ダイシング法にて分割されたウェハー（個片化された半導体チップ）１を、主にポリイミドからなる熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂を混合したフィルム状の接着剤（接着剤フィルム）２上に高温でラミネートにより接着させる。この際、本第３の実施の形態では、上記接着剤フィルム２に含まれる熱可塑性樹脂として、側鎖に活性エチレン基を含み、ＵＶ照射によって架橋反応を起こすものを使用する。
【００４２】
そして、ウェハー１に接着されていない部分を取り除いた後、図１（ｂ）に示したように接着剤フィルム面を、ウェハーリング４に装着された、例えば塩化ビニルからなるダイシングテープ３に常温でラミネートして貼り付ける。これによって、図３（ａ）（図１（ｃ））に示したように、ダイシングテープ３上に接着剤フィルム２を介在して半導体チップ１が等間隔に貼り付けられた構造が得られる。
【００４３】
次に、図３（ｂ）に示すように、ウェハーの上面からＵＶ照射を行い、各半導体チップ１間の間隙の部分の接着剤フィルム２の架橋反応を起こす。その後、各半導体チップ１をダイシングテープ３の裏面側からピックアップニードル等で突き上げてピックアップすると、接着剤フィルム２の半導体チップ１に接着された部分は、各半導体チップ１に接着された状態でピックアップされ、接着剤フィルム２の架橋反応を起こした領域６は、ダイシングテープ３上に残存される。
【００４４】
その後、図３（ｃ）に示すような接着剤付き半導体チップ１０の接着剤フィルム２面側を、金属フレームもしくは有機基板上に圧着してマウントする。
【００４５】
このような製造方法によれば、接着剤フィルム２における各半導体チップ１間の間隙に露出された領域に架橋反応（または重合反応でも良い）を起こして除去するので、接着剤フィルム２をダイシングして除去する必要がなく、製造工程の煩雑化を抑制できる。また、接着剤フィルム２が半導体チップ１に接着された状態でマウント工程が実施されるので、接着剤フィルム２と半導体チップ１との位置ずれが生ずることもなく、マウント位置の精度の低下を防止できる。
【００４６】
［第４の実施の形態］
この発明の第４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について、図１（ａ）〜（ｃ）及び図４（ａ）〜（ｃ）により説明する。
【００４７】
まず、図１（ａ）に示したように、先ダイシング法にて分割されたウェハー（個片化された半導体チップ）１を、主にポリイミドからなる熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂を混合したフィルム状の接着剤（接着剤フィルム）２上に高温でラミネートにより接着させる。そして、ウェハー１に接着されていない部分を取り除いた後、図１（ｂ）に示したように接着剤フィルム面を、ウェハーリング４に装着された、例えば塩化ビニルからなるダイシングテープ３に常温でラミネートして貼り付ける。これによって、図３（ａ）（図１（ｃ））に示すように、ダイシングテープ３上に接着剤フィルム２を介在して半導体チップ１が等間隔に貼り付けられた構造となる。
【００４８】
次に、図４（ｂ）に示すように、上記各半導体チップ１間の間隙の部分にＹＡＧまたはＣＯ２レーザーを選択的に照射することにより、接着剤フィルム２を除去する。
【００４９】
そして、各半導体チップ１をダイシングテープ３の裏面側からピックアップニードル等で突き上げてピックアップし、図４（ｃ）に示すような接着剤付き半導体チップ１０を作製する。
【００５０】
その後、上記接着剤付き半導体チップ１０の接着剤フィルム２面側を、金属フレームもしくは有機基板上に圧着してマウントする。
【００５１】
上記のような製造方法によれば、接着剤フィルム２における各半導体チップ１間の間隙の領域にレーザーを照射して除去するので、接着剤フィルム２をダイシングして除去する必要がなく、製造工程の煩雑化を抑制できる。また、接着剤フィルム２が半導体チップ１に接着された状態でマウント工程が実施されるので、接着剤フィルム２と半導体チップ１との位置ずれが生ずることもなく、マウント位置の精度の低下を防止できる。
【００５２】
［第５の実施の形態］
この発明の第５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について、図１（ａ）〜（ｃ）及び図５（ａ）〜（ｃ）により説明する。
【００５３】
まず、図１（ａ）に示したように、先ダイシング法にて分割されたウェハー（個片化された半導体チップ）１を、主にポリイミドからなる熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂を混合したフィルム状の接着剤（接着剤フィルム）２上に高温でラミネートにより接着させる。そして、ウェハー１に付着していない部分を取り除いた後、図１（ｂ）に示したように接着剤フィルム面を、ウェハーリング４に装着された、例えば塩化ビニルからなるダイシングテープ３に常温でラミネートして貼り付ける。これによって、図５（ａ）（図１（ｃ））に示したように、ダイシングテープ３上に接着剤フィルム２を介在して半導体チップ１が等間隔に貼り付けられた構造となる。
【００５４】
次に、図５（ｂ）に示すように、各半導体チップ１間の間隙の部分の接着剤フィルム２を鉄製のカッター７等の鋭利な刃物で切断する。
【００５５】
その後、各半導体チップ１をダイシングテープ３の裏面側からピックアップニードル等で突き上げてピックアップし、図５（ｃ）に示すような接着剤付き半導体チップ１０を作製する。
【００５６】
そして、上記接着剤付き半導体チップ１０の接着剤フィルム２面側を、金属フレームもしくは有機基板上に圧着してマウントする。
【００５７】
上記のような製造方法によれば、接着剤フィルム２における各半導体チップ１間の間隙の領域をカッター７で切断するので、接着剤フィルム２をダイシングして除去する必要がなく、製造工程の煩雑化を抑制できる。また、接着剤フィルム２が半導体チップ１に接着された状態でマウント工程が実施されるので、接着剤フィルム２と半導体チップ１との位置ずれが生ずることもなく、マウント位置の精度の低下を防止できる。
【００５８】
上述したように、従来は、接着剤付き半導体チップを形成する際、先ダイシング法を適用するのが困難であったが、上記第１乃至第５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法により先ダイシング法を適用しつつ接着剤付き半導体チップを作製することが可能となる。先ダイシング法は、通常のダイシング法に比べてより薄い半導体チップを作製することが可能となる技術である。よって、この発明を適用することにより、より薄い接着剤付き半導体チップを作製できる。
【００５９】
以上、第１乃至第５の実施の形態を用いてこの発明の説明を行ったが、この発明は上記各実施の形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。また、上記各実施の形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件の適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば各実施の形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題の少なくとも１つが解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果の少なくとも１つが得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
【００６０】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、接着剤フィルムと半導体チップの位置ずれによるマウント位置の精度の低下を招くことなく、製造工程の簡単化が図れる半導体装置の製造方法が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図。
【図２】この発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図。
【図３】この発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図。
【図４】この発明の第４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図。
【図５】この発明の第５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図。
【図６】接着剤付き半導体チップを作製する従来の半導体装置の製造方法について説明するための図。
【図７】接着剤付き半導体チップを作製する従来の他の半導体装置の製造方法について説明するためのもので、先ダイシング法で作製した半導体チップに適用可能な製造方法を示す図。
【符号の説明】
１，１１…ウェハー（半導体チップ）、
２，１２，２２…接着剤フィルム、
３，１４…ダイシングテープ、
４，１３…ウェハーリング、
５…解重合反応を起こした領域、
６…架橋反応を起こした領域、
７…カッター、
１０，１７…接着剤付き半導体チップ、
１５…ダイサー、
１６…ダイシングライン、
２１…金属フレームもしくは有機基板、
２３…半導体チップ。
【図１】
0004109823.tif 000002
【図２】
0004109823.tif 000003
【図３】
0004109823.tif 000004
【図４】
0004109823.tif 000005
【図５】
0004109823.tif 000006
【図６】
0004109823.tif 000007
【図７】
0004109823.tif 000008