(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも樹脂を含む接合材料（５）を回路形成体（６）又は電子部品（１）に供給する工程と、
上記電子部品の接合面の複数の凸状電極（４，２）と上記回路形成体の四角形の電子部品接合領域の電極（７）とが電気的に接触可能なように上記接合材料を介して上記電子部品と上記回路形成体とを位置決めする位置決め工程と、
加熱及び加圧で上記電子部品を熱圧着して、上記電子部品の上記凸状電極と上記回路形成体の上記電極とが電気的に接触した状態で上記電子部品の上記接合面と上記回路形成体との間の上記接合材料を硬化させる本圧着工程とを備え、
上記本圧着工程において、上記回路形成体の上記電子部品接合領域で上記接合材料が不均一に流出する部分であってかつ上記回路形成体の上記四角形の電子部品接合領域の一列に配列された隣接電極間の間隔が他の隣接電極間の間隔より大きい広幅間隔部分に備えられることにより上記隣接電極と大略等間隔に配置されかつ上記電極と形状が大略同一でありかつ電気的接合を必要としない凸部（３１３）である接合材料流動規制部材（３０３，３１３，３１９，３２９，３３９，３５５，３６９，３６０）により、上記回路形成体の上記電子部品接合領域の周辺部側への上記接合材料の流動を規制することにより上記電子部品接合領域の全体において上記接合材料が大略均一に分布保持されるようにしたことを特徴とする電子部品の実装方法。
【請求項２】
少なくとも樹脂を含む接合材料（５）を回路形成体（６）又は電子部品（１）に供給する工程と、
上記電子部品の接合面の複数の電極（４）上の複数のバンプ（２）と上記回路形成体の四角形の電子部品接合領域の電極（７）とが電気的に接触可能なように上記接合材料を介して上記電子部品と上記回路形成体とを位置決めする位置決め工程と、
加熱及び加圧で上記電子部品を熱圧着して、上記電子部品の上記電極上の上記バンプと上記回路形成体の上記電極とが電気的に接触した状態で上記電子部品の上記接合面と上記回路形成体との間の上記接合材料を硬化させる本圧着工程とを備え、
上記本圧着工程において、上記回路形成体の上記電子部品接合領域で上記接合材料が不均一に流出する部分であってかつ上記回路形成体の上記四角形の電子部品接合領域の一列に配列された隣接電極間の間隔が他の隣接電極間の間隔より大きい広幅間隔部分に備えられることにより上記隣接電極と大略等間隔に配置されかつ上記電極と形状が大略同一でありかつ電気的接合を必要としない凸部（３１３）である接合材料流動規制部材（３０３，３１３，３１９，３２９，３３９，３５５，３６９，３６０）により、上記回路形成体の上記電子部品接合領域の周辺部側への上記接合材料の流動を規制することにより上記電子部品接合領域の全体において上記接合材料が大略均一に分布保持されるようにしたことを特徴とする電子部品の実装方法。
【請求項３】
上記接合材料流動規制部材は、上記回路形成体の上記四角形の上記電子部品接合領域のうち対向する２対の辺のそれぞれに上記複数のバンプが形成されている場合にバンプが無いコーナー部に対応する上記回路形成体の上記電子部品接合領域のコーナー部に備えられかつ電気的接合を必要としない第２の凸部（３０３，３６０）をさらに備えており、上記本圧着工程において、上記第２の凸部により、上記コーナー部における上記回路形成体の上記電子部品接合領域の周辺部側への上記接合材料の流動を規制する請求項２に記載の電子部品の実装方法。
【請求項４】
上記回路形成体の上記電子部品接合領域の周辺部側への上記接合材料の流動を規制することにより、上記電子部品接合領域の全体において上記接合材料が大略均一に分布保持されるとともに上記電子部品の側面を覆うフィレットを形成する請求項１又は２に記載の電子部品の実装方法。
【請求項５】
上記接合材料流動規制部材である上記凸部は、上記接合工程において、上記電子部品側の電気的に接続不要なダミーバンプ（３）である請求項３に記載の電子部品の実装方法。
【請求項６】
上記本圧着工程において、上記接合材料流動規制部材とは別の第２の接合材料流動規制部材として上記回路形成体の上記電子部品接合領域の外側及び上記電子部品接合領域の周辺部に配置された有機膜（３１９）により、上記回路形成体の上記電子部品接合領域の周辺部側への上記接合材料の流動を規制する請求項２，３，５のいずれか１つに記載の電子部品の実装方法。
【請求項７】
上記接合工程前に、上記接合材料流動規制部材とは別の第３の接合材料流動規制部材としての有機膜（３１９）が、上記回路形成体の上記電子部品接合領域の外側及び上記電子部品接合領域の周辺部に配置される流動規制部材配置工程をさらに備える請求項２，３，５のいずれか１つに記載の電子部品の実装方法。
【請求項８】
上記本圧着工程において、上記回路形成体の上記四角形の上記電子部品接合領域のうち中央に一列の上記複数の電極が配置されている場合に上記接合材料流動規制部材とは別の第４の接合材料流動規制部材として上記回路形成体の上記電子部品接合領域の外側から上記中央の一列の上記複数の電極の近傍までに配置されたソルダーレジストの膜（３２９）により、上記回路形成体の上記電子部品接合領域の周辺部側への上記接合材料の流動を規制する請求項２，３，５〜７のいずれか１つに記載の電子部品の実装方法。
【請求項９】
上記回路形成体の上記四角形の上記電子部品接合領域のうち中央に一列の上記複数の電極が配置されている場合に上記接合材料流動規制部材とは別の第５の接合材料流動規制部材としてのソルダーレジストの膜（３２９）が、上記回路形成体の上記電子部品接合領域の外側から上記中央の一列の上記複数の電極の近傍までに配置される流動規制部材配置工程をさらに備える請求項２，３，５〜７のいずれか１つに記載の電子部品の実装方法。
【請求項１０】
上記本圧着工程において、上記回路形成体の上記四角形の電子部品接合領域のうち対向する２辺にそれぞれ上記複数のバンプが列状に形成されている場合に、上記接合材料流動規制部材とは別の第６の接合材料流動規制部材として上記電子部品の上記電極と接合に必要な上記電極の接合部を除く、上記回路形成体の上記電子部品接合領域の外側及び上記電子部品接合領域の全面に配置された有機膜（３３９）により、上記回路形成体の上記電子部品接合領域の周辺部側への上記接合材料の流動を規制する請求項２，３，５〜９のいずれか１つに記載の電子部品の実装方法。
【請求項１１】
上記回路形成体の上記四角形の接合領域のうち対向する２辺にそれぞれ上記複数のバンプが列状に形成されている場合に、上記接合材料流動規制部材とは別の第７の接合材料流動規制部材としての有機膜（３３９）が、上記電子部品の上記電極と接合に必要な上記電極の接合部を除く、上記回路形成体の上記電子部品接合領域の外側及び上記電子部品接合領域の全面に配置される流動規制部材配置工程をさらに備える請求項２，３，５〜９のいずれか１つに記載の電子部品の実装方法。
【請求項１２】
上記本圧着工程において、上記接合材料流動規制部材とは別の第８の接合材料流動規制部材として上記回路形成体の上記電子部品接合領域の外側の周辺部に配置されたフィレット形成用凸部（３４５）により、上記回路形成体の上記電子部品接合領域の周辺部側への上記接合材料の流動を規制して上記電子部品の側面を覆うフィレットを形成する請求項２，３，５〜１１のいずれか１つに記載の電子部品の実装方法。
【請求項１３】
上記接合材料流動規制部材とは別の第９の接合材料流動規制部材として備えられ、上記回路形成体の上記電子部品接合領域の外側の周辺部に配置されて上記電子部品の側面を覆うフィレットを形成するためのフィレット形成用凸部（３４５）により、上記回路形成体の上記電子部品接合領域の周辺部側への上記接合材料の流動を規制して上記電子部品の側面を覆う上記フィレットを形成する請求項２，３，５〜１１のいずれか１つに記載の電子部品の実装方法。
【請求項１４】
上記フィレット形成用凸部（３４５）は１層以上の膜より構成されている請求項１２又は１３に記載の電子部品の実装方法。
【請求項１５】
上記フィレット形成用凸部（３４５）は、１層以上の基板ソルダーレジストの膜より構成されている請求項１２又は１３に記載の電子部品の実装方法。
【請求項１６】
上記フィレット形成用凸部（３４５）は、上記回路形成体の上記電極と同じ構成でかつ上記電極より厚いダミー電極より構成されている請求項１２又は１３に記載の電子部品の実装方法。
【請求項１７】
上記本圧着工程において、上記接合材料流動規制部材とは別の第１０の接合材料流動規制部材として上記回路形成体の上記電子部品接合領域内で上記接合材料が不均一な流動を示す領域に、上記電極と大略同一厚さの凸部（３５５，３６９）により、上記回路形成体の上記電子部品接合領域の周辺部側への上記接合材料の流動を規制する請求項２，３，５〜１６のいずれか１つに記載の電子部品の実装方法。
【請求項１８】
上記回路形成体の上記電子部品接合領域内で上記接合材料が不均一な流動を示す領域に、上記電極と大略同一厚さの凸部（３５５，３６９）を備えるようにした請求項２，３，５〜１６のいずれか１つに記載の電子部品の実装方法。
【請求項１９】
少なくとも樹脂を含む接合材料（５）を回路形成体（６）又は電子部品（１）に供給する工程と、
上記電子部品の接合面の複数の電極（４）上の複数のバンプ（２）と上記回路形成体の電子部品接合領域の電極（７）とが電気的に接触可能なように上記接合材料を介して上記電子部品と上記回路形成体とを位置決めする位置決め工程と、
加熱及び加圧で上記電子部品を熱圧着して、上記電子部品の上記電極上の上記バンプと上記回路形成体の上記電極とが電気的に接触した状態で上記電子部品の上記接合面と上記回路形成体との間の上記接合材料を硬化させる本圧着工程とを備え、
上記本圧着工程において、接合材料流動規制部材（３０３，３１３，３１９，３２９，３３９，３５５，３６９，３６０）として上記回路形成体の上記電子部品接合領域内で上記接合材料が不均一な流動を示す領域に、上記電極と大略同一厚さでかつ上記回路形成体の上記電子部品接合領域の電気的配線に関与しないメッシュ状のダミー電極（３６９）により、上記回路形成体の上記電子部品接合領域の周辺部側への上記接合材料の流動を規制する電子部品の実装方法。
【請求項２０】
少なくとも樹脂を含む接合材料（５）を回路形成体（６）又は電子部品（１）に供給する工程と、
上記電子部品の接合面の複数の電極（４）上の複数のバンプ（２）と上記回路形成体の電子部品接合領域の電極（７）とが電気的に接触可能なように上記接合材料を介して上記電子部品と上記回路形成体とを位置決めする位置決め工程と、
加熱及び加圧で上記電子部品を熱圧着して、上記電子部品の上記電極上の上記バンプと上記回路形成体の上記電極とが電気的に接触した状態で上記電子部品の上記接合面と上記回路形成体との間の上記接合材料を硬化させる本圧着工程とを備え、
上記本圧着工程において、接合材料流動規制部材（３０３，３１３，３１９，３２９，３３９，３５５，３６９，３６０）として上記回路形成体の上記電子部品接合領域内で上記接合材料が不均一な流動を示す領域に、上記電極と大略同一厚さでかつ上記回路形成体の上記電子部品接合領域の電気的配線に関与せずかつ上記接合材料が貫通可能な貫通穴（３６９ｈ）を有するダミー電極（３６９）により、上記回路形成体の上記電子部品接合領域の周辺部側への上記接合材料の流動を規制する電子部品の実装方法。
【請求項２１】
請求項１〜２０のいずれか１つに記載の電子部品の実装方法により製造された電子部品実装体。
【請求項２２】
電子部品（１）の接合面の複数の電極（４）の複数のバンプ（２）が回路形成体（６）の四角形の電子部品接合領域の電極（７）に電気的に接触し、上記電子部品と上記回路形成体との間に少なくとも樹脂を含む接合材料（５）が介在し、
上記回路形成体の上記電子部品接合領域の周辺部側への上記接合材料の流動を規制する接合材料流動規制部材（３０３，３１３，３１９，３２９，３３９，３５５，３６９，３６０）が、上記回路形成体の上記四角形の電子部品接合領域の一列に配列された隣接電極間の間隔が他の隣接電極間の間隔より大きい広幅間隔部分に備えられ、上記隣接電極と大略等間隔に配置されかつ上記電極と形状が大略同一でありかつ電気的に接続されない凸部（３１３）であることを特徴とする電子部品実装体。
【請求項２３】
上記接合材料流動規制部材は、上記回路形成体の上記四角形の上記電子部品接合領域のうち対向する２対の辺のそれぞれに上記複数のバンプが形成されている場合にバンプが無いコーナー部に対応する上記回路形成体の上記電子部品接合領域のコーナー部に、電気的接合を必要とせず、かつ、上記コーナー部における上記回路形成体の上記電子部品接合領域の周辺部側への上記接合材料の流動を規制する凸部（３０３，３６０）をさらに備える請求項２２に記載の電子部品実装体。
【請求項２４】
上記電子部品接合領域の全体において上記接合材料が大略均一に分布保持されるとともに上記電子部品の側面を覆うフィレットが形成されている請求項２２に記載の電子部品実装体。
【請求項２５】
上記接合材料流動規制部材である上記凸部は、上記電子部品側の電気的に接続不要なダミーバンプ（３）である請求項２３に記載の電子部品実装体。
【請求項２６】
上記接合材料流動規制部材とは別の第１１の接合材料流動規制部材として上記回路形成体の上記電子部品接合領域の外側及び上記電子部品接合領域の周辺部に、上記回路形成体の上記電子部品接合領域の周辺部側への上記接合材料の流動を規制する有機膜（３１９）を備える請求項２２〜２５のいずれか１つに記載の電子部品実装体。
【請求項２７】
上記回路形成体の上記四角形の上記電子部品接合領域のうち中央に一列の上記複数の電極が配置されている場合に上記接合材料流動規制部材とは別の第１２の接合材料流動規制部材として上記回路形成体の上記電子部品接合領域の外側から上記中央の一列の上記複数の電極の近傍までの部分に、上記回路形成体の上記電子部品接合領域の周辺部側への上記接合材料の流動を規制するソルダーレジストの膜（３２９）を備える請求項２２〜２６のいずれか１つに記載の電子部品実装体。
【請求項２８】
上記回路形成体の上記四角形の接合領域のうち対向する２辺にそれぞれ上記複数のバンプが列状に形成されている場合に、上記接合材料流動規制部材とは別の第１３の接合材料流動規制部材として上記電子部品の上記電極と接合に必要な上記電極の接合部を除く、上記回路形成体の上記電子部品接合領域の外側及び上記電子部品接合領域の全面に、上記回路形成体の上記電子部品接合領域の周辺部側への上記接合材料の流動を規制する有機膜（３３９）を備える請求項２２〜２７のいずれか１つに記載の電子部品実装体。
【請求項２９】
上記接合材料流動規制部材とは別の第１４の接合材料流動規制部材として上記回路形成体の上記電子部品接合領域の外側の周辺部に、上記回路形成体の上記電子部品接合領域の周辺部側への上記接合材料の流動を規制して上記電子部品の側面を覆うフィレットを形成するフィレット形成用凸部（３４５）を備える請求項２２〜２８のいずれか１つに記載の電子部品実装体。
【請求項３０】
上記フィレット形成用凸部（３４５）は１層以上の膜より構成されている請求項２９に記載の電子部品実装体。
【請求項３１】
上記フィレット形成用凸部（３４５）は、１層以上の基板ソルダーレジストの膜より構成されている請求項２９に記載の電子部品実装体。
【請求項３２】
上記フィレット形成用凸部（３４５）は、上記回路形成体の上記電極と同じ構成でかつ上記電極より厚いダミー電極より構成されている請求項２９に記載の電子部品実装体。
【請求項３３】
上記接合材料流動規制部材とは別の第１５の接合材料流動規制部材として上記回路形成体の上記電子部品接合領域内で上記接合材料が不均一な流動を示す領域に、上記電極と大略同一厚さでかつ上記回路形成体の上記電子部品接合領域の周辺部側への上記接合材料の流動を規制する凸部（３５５，３６９）を備える請求項２２〜３２のいずれか１つに記載の電子部品実装体。
【請求項３４】
電子部品（１）の接合面の複数の電極（４）の複数のバンプ（２）を回路形成体（６）の電子部品接合領域の電極（７）に電気的に接触した状態で、少なくとも樹脂を含む接合材料（５）を介して上記電子部品を上記回路形成体に接合させることにより構成される電子部品実装体であって、
上記回路形成体の上記電子部品接合領域の周辺部側への上記接合材料の流動を規制する接合材料流動規制部材（３０３，３１３，３１９，３２９，３３９，３５５，３６９，３６０）を、上記回路形成体の上記電子部品接合領域で上記接合材料が不均一に流出する部分に備え、
上記接合材料流動規制部材は、上記回路形成体の上記電子部品接合領域内で上記接合材料が不均一な流動を示す領域に、上記電極と大略同一厚さでかつ上記回路形成体の上記電子部品接合領域の周辺部側への上記接合材料の流動を規制しかつ上記回路形成体の上記電子部品接合領域の電気的配線に関与しないメッシュ状のダミー電極（３６９）である電子部品実装体。
【請求項３５】
電子部品（１）の接合面の複数の電極（４）の複数のバンプ（２）を回路形成体（６）の電子部品接合領域の電極（７）に電気的に接触した状態で、少なくとも樹脂を含む接合材料（５）を介して上記電子部品を上記回路形成体に接合させることにより構成される電子部品実装体であって、
上記回路形成体の上記電子部品接合領域の周辺部側への上記接合材料の流動を規制する接合材料流動規制部材（３０３，３１３，３１９，３２９，３３９，３５５，３６９，３６０）を、上記回路形成体の上記電子部品接合領域で上記接合材料が不均一に流出する部分に備え、
上記接合材料流動規制部材は、上記回路形成体の上記電子部品接合領域内で上記接合材料が不均一な流動を示す領域に、上記電極と大略同一厚さでかつ上記回路形成体の上記電子部品接合領域の周辺部側への上記接合材料の流動を規制しかつ上記回路形成体の上記電子部品接合領域の電気的配線に関与せずかつ上記接合材料が貫通可能な貫通穴（３６９ｈ）を有するダミー電極（３６９）である電子部品実装体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板などの回路形成体に半導体素子などの電子部品を少なくとも樹脂を含む接合材料により接合固定する電子部品の実装方法及びそれにより製造された電子部品実装体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、四角形のＩＣチップの接合面の電極上に形成されたバンプを回路基板の電極に接触させるとともに、ＩＣチップと回路基板との間に接合材料を配置して、接合材料によりＩＣチップを回路基板に接合保持させるようにしたものがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記構造のものでは、四角形のＩＣチップを接合する回路基板のＩＣチップ接合領域で接合材料が不均一に流出する部分、例えば、電極間の配列の大きな隙間、又は、四角形の辺部分に電極が配列される場合に電極が配列されていない角部の隙間などにおいて、ＩＣチップを接合材料を介して回路基板に接合させるとき、ＩＣチップと回路基板との間に挟み込まれた接合材料が回路基板の電極間の上記隙間を通して 回路基板のＩＣチップ接合領域の周囲部分に不均一に流出するため、ＩＣチップ接合領域の中央部分では接合材料の密度が疎になりやすく、接合力及び封止力が低下してしまうことがある。
【０００４】
従って、本発明の目的は、上記問題を解決することにあって、電子部品と回路形成体との接合時に回路形成体の電子部品接合領域での接合材料の分布の均一化が図れ、接合及び封止の信頼性を高めることができる電子部品の実装方法及び電子部品実装体を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は以下のように構成する。
【０００６】
本発明の第１態様によれば、少なくとも樹脂を含む接合材料を回路形成体又は電子部品に供給する工程と、
上記電子部品の接合面の複数の凸状電極と上記回路形成体の四角形の電子部品接合領域の電極とが電気的に接触可能なように上記接合材料を介して上記電子部品と上記回路形成体とを位置決めする位置決め工程と、
加熱及び加圧で上記電子部品を熱圧着して、上記電子部品の上記凸状電極と上記回路形成体の上記電極とが電気的に接触した状態で上記電子部品の上記接合面と上記回路形成体との間の上記接合材料を硬化させる本圧着工程とを備え、
上記本圧着工程において、上記回路形成体の上記電子部品接合領域で上記接合材料が不均一に流出する部分であってかつ上記回路形成体の上記四角形の電子部品接合領域の一列に配列された隣接電極間の間隔が他の隣接電極間の間隔より大きい広幅間隔部分に備えられることにより上記隣接電極と大略等間隔に配置されかつ上記電極と形状が大略同一でありかつ電気的接合を必要としない凸部である接合材料流動規制部材により、上記回路形成体の上記電子部品接合領域の周辺部側への上記接合材料の流動を規制することにより上記電子部品接合領域の全体において上記接合材料が大略均一に分布保持されるようにしたことを特徴とする電子部品の実装方法を提供する。
【０００７】
本発明の第２態様によれば、少なくとも樹脂を含む接合材料を回路形成体又は電子部品に供給する工程と、
上記電子部品の接合面の複数の電極上の複数のバンプと上記回路形成体の四角形の電子部品接合領域の電極とが電気的に接触可能なように上記接合材料を介して上記電子部品と上記回路形成体とを位置決めする位置決め工程と、
加熱及び加圧で上記電子部品を熱圧着して、上記電子部品の上記電極上の上記バンプと上記回路形成体の上記電極とが電気的に接触した状態で上記電子部品の上記接合面と上記回路形成体との間の上記接合材料を硬化させる本圧着工程とを備え、
上記本圧着工程において、上記回路形成体の上記電子部品接合領域で上記接合材料が不均一に流出する部分であってかつ上記回路形成体の上記四角形の電子部品接合領域の一列に配列された隣接電極間の間隔が他の隣接電極間の間隔より大きい広幅間隔部分に備えられることにより上記隣接電極と大略等間隔に配置されかつ上記電極と形状が大略同一でありかつ電気的接合を必要としない凸部である接合材料流動規制部材により、上記回路形成体の上記電子部品接合領域の周辺部側への上記接合材料の流動を規制することにより上記電子部品接合領域の全体において上記接合材料が大略均一に分布保持されるようにしたことを特徴とする電子部品の実装方法を提供する。
【０００８】
本発明の第３態様によれば、上記接合材料流動規制部材は、上記回路形成体の上記四角形の上記電子部品接合領域のうち対向する２対の辺のそれぞれに上記複数のバンプが形成されている場合にバンプが無いコーナー部に対応する上記回路形成体の上記電子部品接合領域のコーナー部に備えられかつ電気的接合を必要としない第２の凸部をさらに備えており、上記本圧着工程において、上記第２の凸部により、上記コーナー部における上記回路形成体の上記電子部品接合領域の周辺部側への上記接合材料の流動を規制する第２の態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【０００９】
本発明の第４態様によれば、上記回路形成体の上記電子部品接合領域の周辺部側への上記接合材料の流動を規制することにより、上記電子部品接合領域の全体において上記接合材料が大略均一に分布保持されるとともに上記電子部品の側面を覆うフィレットを形成する第１又は２の態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００１０】
本発明の第５態様によれば、上記接合材料流動規制部材である上記凸部は、上記接合工程において、上記電子部品側の電気的に接続不要なダミーバンプである第３の態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００１１】
本発明の第６態様によれば、上記本圧着工程において、上記接合材料流動規制部材とは別の第２の接合材料流動規制部材として上記回路形成体の上記電子部品接合領域の外側及び上記電子部品接合領域の周辺部に配置された有機膜により、上記回路形成体の上記電子部品接合領域の周辺部側への上記接合材料の流動を規制する第２，３，５のいずれか１つの態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００１２】
本発明の第７態様によれば、上記接合工程前に、上記接合材料流動規制部材とは別の第３の接合材料流動規制部材としての有機膜が、上記回路形成体の上記電子部品接合領域の外側及び上記電子部品接合領域の周辺部に配置される流動規制部材配置工程をさらに備える第２，３，５のいずれか１つの態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００１３】
本発明の第８態様によれば、上記本圧着工程において、上記回路形成体の上記四角形の上記電子部品接合領域のうち中央に一列の上記複数の電極が配置されている場合に上記接合材料流動規制部材とは別の第４の接合材料流動規制部材として上記回路形成体の上記電子部品接合領域の外側から上記中央の一列の上記複数の電極の近傍までに配置されたソルダーレジストの膜により、上記回路形成体の上記電子部品接合領域の周辺部側への上記接合材料の流動を規制する第２，３，５〜７のいずれか１つの態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００１４】
本発明の第９態様によれば、上記回路形成体の上記四角形の上記電子部品接合領域のうち中央に一列の上記複数の電極が配置されている場合に上記接合材料流動規制部材とは別の第５の接合材料流動規制部材としてのソルダーレジストの膜が、上記回路形成体の上記電子部品接合領域の外側から上記中央の一列の上記複数の電極の近傍までに配置される流動規制部材配置工程をさらに備える第２，３，５〜７のいずれか１つの態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００１５】
本発明の第１０態様によれば、上記本圧着工程において、上記回路形成体の上記四角形の接合領域のうち対向する２辺にそれぞれ上記複数のバンプが列状に形成されている場合に、上記接合材料流動規制部材とは別の第６の接合材料流動規制部材として上記電子部品の上記電極と接合に必要な上記電極の接合部を除く、上記回路形成体の上記電子部品接合領域の外側及び上記電子部品接合領域の全面に配置された有機膜により、上記回路形成体の上記電子部品接合領域の周辺部側への上記接合材料の流動を規制する第２，３，５〜９のいずれか１つの態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００１６】
本発明の第１１態様によれば、上記回路形成体の上記四角形の接合領域のうち対向する２辺にそれぞれ上記複数のバンプが列状に形成されている場合に、上記接合材料流動規制部材とは別の第７の接合材料流動規制部材としての有機膜が、上記電子部品の上記電極と接合に必要な上記電極の接合部を除く、上記回路形成体の上記電子部品接合領域の外側及び上記電子部品接合領域の全面に配置される流動規制部材配置工程をさらに備える第２，３，５〜９のいずれか１つの態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００１７】
本発明の第１２態様によれば、上記本圧着工程において、上記接合材料流動規制部材とは別の第８の接合材料流動規制部材として上記回路形成体の上記電子部品接合領域の外側の周辺部に配置されたフィレット形成用凸部により、上記回路形成体の上記電子部品接合領域の周辺部側への上記接合材料の流動を規制して上記電子部品の側面を覆うフィレットを形成する第２，３，５〜１１のいずれか１つの態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００１８】
本発明の第１３態様によれば、上記接合材料流動規制部材とは別の第９の接合材料流動規制部材として備えられ、上記回路形成体の上記電子部品接合領域の外側の周辺部に配置されて上記電子部品の側面を覆うフィレットを形成するためのフィレット形成用凸部により、上記回路形成体の上記電子部品接合領域の周辺部側への上記接合材料の流動を規制して上記電子部品の側面を覆う上記フィレットを形成する第２，３，５〜１１のいずれか１つの態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００１９】
本発明の第１４態様によれば、上記フィレット形成用凸部は１層以上の膜より構成されている第１２又は１３の態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００２０】
本発明の第１５態様によれば、上記フィレット形成用凸部は、１層以上の基板ソルダーレジストの膜より構成されている第１２又は１３の態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００２１】
本発明の第１６態様によれば、上記フィレット形成用凸部は、上記回路形成体の上記電極と同じ構成でかつ上記電極より厚いダミー電極より構成されている第１２又は１３の態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００２２】
本発明の第１７態様によれば、上記本圧着工程において、上記接合材料流動規制部材とは別の第１０の接合材料流動規制部材として上記回路形成体の上記電子部品接合領域内で上記接合材料が不均一な流動を示す領域に、上記電極と大略同一厚さの凸部により、上記回路形成体の上記電子部品接合領域の周辺部側への上記接合材料の流動を規制する第２，３，５〜１６のいずれか１つの態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００２３】
本発明の第１８態様によれば、上記回路形成体の上記電子部品接合領域内で上記接合材料が不均一な流動を示す領域に、上記電極と大略同一厚さの凸部を備えるようにした第２，３，５〜１６のいずれか１つの態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００２４】
本発明の第１９態様によれば、少なくとも樹脂を含む接合材料を回路形成体又は電子部品に供給する工程と、
上記電子部品の接合面の複数の電極上の複数のバンプと上記回路形成体の電子部品接合領域の電極とが電気的に接触可能なように上記接合材料を介して上記電子部品と上記回路形成体とを位置決めする位置決め工程と、
加熱及び加圧で上記電子部品を熱圧着して、上記電子部品の上記電極上の上記バンプと上記回路形成体の上記電極とが電気的に接触した状態で上記電子部品の上記接合面と上記回路形成体との間の上記接合材料を硬化させる本圧着工程とを備え、
上記本圧着工程において、接合材料流動規制部材として上記回路形成体の上記電子部品接合領域内で上記接合材料が不均一な流動を示す領域に、上記電極と大略同一厚さでかつ上記回路形成体の上記電子部品接合領域の電気的配線に関与しないメッシュ状のダミー電極により、上記回路形成体の上記電子部品接合領域の周辺部側への上記接合材料の流動を規制する電子部品の実装方法を提供する。
【００２５】
本発明の第２０態様によれば、少なくとも樹脂を含む接合材料を回路形成体又は電子部品に供給する工程と、
上記電子部品の接合面の複数の電極上の複数のバンプと上記回路形成体の電子部品接合領域の電極とが電気的に接触可能なように上記接合材料を介して上記電子部品と上記回路形成体とを位置決めする位置決め工程と、
加熱及び加圧で上記電子部品を熱圧着して、上記電子部品の上記電極上の上記バンプと上記回路形成体の上記電極とが電気的に接触した状態で上記電子部品の上記接合面と上記回路形成体との間の上記接合材料を硬化させる本圧着工程とを備え、
上記本圧着工程において、接合材料流動規制部材として上記回路形成体の上記電子部品接合領域内で上記接合材料が不均一な流動を示す領域に、上記電極と大略同一厚さでかつ上記回路形成体の上記電子部品接合領域の電気的配線に関与せずかつ上記接合材料が貫通可能な貫通穴を有するダミー電極により、上記回路形成体の上記電子部品接合領域の周辺部側への上記接合材料の流動を規制する電子部品の実装方法を提供する。
【００２６】
本発明の第２１態様によれば、第１〜２０のいずれか１つの態様に記載の電子部品の実装方法により製造された電子部品実装体を提供する。
【００２７】
本発明の第２２態様によれば、電子部品の接合面の複数の電極の複数のバンプを回路形成体の四角形の電子部品接合領域の電極に電気的に接触した状態で、少なくとも樹脂を含む接合材料を介して上記電子部品を上記回路形成体に接合させることにより構成される電子部品実装体であって、
上記回路形成体の上記電子部品接合領域の周辺部側への上記接合材料の流動を規制する接合材料流動規制部材を、上記回路形成体の上記電子部品接合領域で上記接合材料が不均一に流出する部分であってかつ上記回路形成体の上記四角形の電子部品接合領域の一列に配列された隣接電極間の間隔が他の隣接電極間の間隔より大きい広幅間隔部分に備えられることにより上記隣接電極と大略等間隔に配置されかつ上記電極と形状が大略同一でありかつ電気的接合を必要としない凸部であることを特徴とする電子部品実装体を提供する。
【００２８】
本発明の第２３態様によれば、上記接合材料流動規制部材は、上記回路形成体の上記四角形の上記電子部品接合領域のうち対向する２対の辺のそれぞれに上記複数のバンプが形成されている場合にバンプが無いコーナー部に対応する上記回路形成体の上記電子部品接合領域のコーナー部に、電気的接合を必要とせず、かつ、上記コーナー部における上記回路形成体の上記電子部品接合領域の周辺部側への上記接合材料の流動を規制する凸部をさらに備える第２２の態様に記載の電子部品実装体を提供する。
【００２９】
本発明の第２４態様によれば、上記電子部品接合領域の全体において上記接合材料が大略均一に分布保持されるとともに上記電子部品の側面を覆うフィレットが形成されている第２２の態様に記載の電子部品実装体を提供する。
【００３０】
本発明の第２５態様によれば、上記接合材料流動規制部材である上記凸部は、上記電子部品側の電気的に接続不要なダミーバンプである第２３の態様に記載の電子部品実装体を提供する。
【００３１】
本発明の第２６態様によれば、上記接合材料流動規制部材とは別の第１１の接合材料流動規制部材として上記回路形成体の上記電子部品接合領域の外側及び上記電子部品接合領域の周辺部に、上記回路形成体の上記電子部品接合領域の周辺部側への上記接合材料の流動を規制する有機膜を備える第２２〜２５のいずれか１つの態様に記載の電子部品実装体を提供する。
【００３２】
本発明の第２７態様によれば、上記回路形成体の上記電子部品接合領域が四角形でありかつ上記四角形の上記電子部品接合領域のうち中央に一列の上記複数の電極が配置されている場合に上記接合材料流動規制部材とは別の第１２の接合材料流動規制部材として上記回路形成体の上記電子部品接合領域の外側から上記中央の一列の上記複数の電極の近傍までの部分に、上記回路形成体の上記電子部品接合領域の周辺部側への上記接合材料の流動を規制するソルダーレジストの膜を備える第２２〜２６のいずれか１つの態様に記載の電子部品実装体を提供する。
【００３３】
本発明の第２８態様によれば、上記回路形成体の上記四角形の接合領域のうち対向する２辺にそれぞれ上記複数のバンプが列状に形成されている場合に、上記接合材料流動規制部材とは別の第１３の接合材料流動規制部材として上記電子部品の上記電極と接合に必要な上記電極の接合部を除く、上記回路形成体の上記電子部品接合領域の外側及び上記電子部品接合領域の全面に、上記回路形成体の上記電子部品接合領域の周辺部側への上記接合材料の流動を規制する有機膜を備える第２２〜２７のいずれか１つの態様に記載の電子部品実装体を提供する。
【００３４】
本発明の第２９態様によれば、上記接合材料流動規制部材とは別の第１４の接合材料流動規制部材として上記回路形成体の上記電子部品接合領域の外側の周辺部に、上記回路形成体の上記電子部品接合領域の周辺部側への上記接合材料の流動を規制して上記電子部品の側面を覆うフィレットを形成するフィレット形成用凸部を備える第２２〜２８のいずれか１つの態様に記載の電子部品実装体を提供する。
【００３５】
本発明の第３０態様によれば、上記フィレット形成用凸部は１層以上の膜より構成されている第２９の態様に記載の電子部品実装体を提供する。
【００３６】
本発明の第３１態様によれば、上記フィレット形成用凸部は、１層以上の基板ソルダーレジストの膜より構成されている第２９の態様に記載の電子部品実装体を提供する。
【００３７】
本発明の第３２態様によれば、上記フィレット形成用凸部は、上記回路形成体の上記電極と同じ構成でかつ上記電極より厚いダミー電極より構成されている第２９の態様に記載の電子部品実装体を提供する。
【００３８】
本発明の第３３態様によれば、上記接合材料流動規制部材とは別の第１５の接合材料流動規制部材として上記回路形成体の上記電子部品接合領域内で上記接合材料が不均一な流動を示す領域に、上記電極と大略同一厚さでかつ上記回路形成体の上記電子部品接合領域の周辺部側への上記接合材料の流動を規制する凸部を備える第２２〜３２のいずれか１つの態様に記載の電子部品実装体を提供する。
【００３９】
本発明の第３４態様によれば、電子部品の接合面の複数の電極の複数のバンプを回路形成体の電子部品接合領域の電極に電気的に接触した状態で、少なくとも樹脂を含む接合材料を介して上記電子部品を上記回路形成体に接合させることにより構成される電子部品実装体であって、
上記回路形成体の上記電子部品接合領域の周辺部側への上記接合材料の流動を規制する接合材料流動規制部材を、上記回路形成体の上記電子部品接合領域で上記接合材料が不均一に流出する部分に備え、
上記接合材料流動規制部材は、上記回路形成体の上記電子部品接合領域内で上記接合材料が不均一な流動を示す領域に、上記電極と大略同一厚さでかつ上記回路形成体の上記電子部品接合領域の周辺部側への上記接合材料の流動を規制しかつ上記回路形成体の上記電子部品接合領域の電気的配線に関与しないメッシュ状のダミー電極である電子部品実装体を提供する。
【００４０】
本発明の第３５態様によれば、電子部品（１）の接合面の複数の電極（４）の複数のバンプ（２）を回路形成体（６）の電子部品接合領域の電極（７）に電気的に接触した状態で、少なくとも樹脂を含む接合材料（５）を介して上記電子部品を上記回路形成体に接合させることにより構成される電子部品実装体であって、
上記回路形成体の上記電子部品接合領域の周辺部側への上記接合材料の流動を規制する接合材料流動規制部材（３０３，３１３，３１９，３２９，３３９，３５５，３６９，３６０）を、上記回路形成体の上記電子部品接合領域で上記接合材料が不均一に流出する部分に備え、
上記接合材料流動規制部材は、上記回路形成体の上記電子部品接合領域内で上記接合材料が不均一な流動を示す領域に、上記電極と大略同一厚さでかつ上記回路形成体の上記電子部品接合領域の周辺部側への上記接合材料の流動を規制しかつ上記回路形成体の上記電子部品接合領域の電気的配線に関与せずかつ上記接合材料が貫通可能な貫通穴を有するダミー電極である電子部品実装体を提供する。
【００４１】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明にかかる実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、各平面図において各バンプ及びダミーバンプは、簡略化のため、四角形で示すが、実際の形状はこれに限られるものではない。
【００４２】
なお、この明細書で回路形成体とは、樹脂基板、紙−フェノール基板、セラミック基板、フィルム基板、ガラス・エポキシ（ガラエポ）基板、フィルム基板などの回路基板、単層基板若しくは多層基板などの回路基板、部品、筐体、又は、フレームなど、回路が形成されている対象物を意味する。
【００４３】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態にかかる電子部品の実装方法及びその方法により製造される電子部品実装体の一例としての、ＩＣチップの実装方法及びその方法により製造されるＩＣチップ実装体を図１〜図６基づいて説明する。図１（Ａ），（Ｂ）は第１実施形態にかかるＩＣチップの実装方法の接合工程前の回路基板の側面図及び平面図であり、図２（Ａ），（Ｂ）は圧着工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の一部断面側面図及びＩＣチップを透視して回路基板上での接合材料の動きを示す平面図であり、図３は圧着工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の部分的に拡大した一部断面側面図である。また、図４（Ａ），（Ｂ）は第１実施形態を説明するための従来例にかかるＩＣチップの実装方法の接合工程前の上記回路基板の側面図及び平面図であり、図５（Ａ），（Ｂ）は図２の従来例の圧着工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の一部断面側面図及びＩＣチップを透視して回路基板上での接合材料の動きを示す平面図であり、図６は図２の従来例の圧着工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の部分的に拡大した一部断面側面図である。
【００４４】
第１実施形態では、図１（Ａ），（Ｂ）に示すように、回路形成体の一例としての回路基板６−１の正方形のＩＣチップ接合領域６ａ−１に接合される、電子部品の一例としての正方形のＩＣチップ１−１には、その四隅のコーナー部付近を除く４辺の各辺の辺部近傍に一列のバンプ２２，…，２２を有する場合、回路基板６−１のＩＣチップ接合領域６ａ−１の四隅の各コーナー部付近、すなわち、ＩＣチップ１−１の元々バンプの無い部分に対応する部分に、接合材料流動規制部材の一例である凸部としてのダミー電極３０３を形成して、ダミー電極３０３により接合材料５の流動規制を行うものである。
【００４５】
なお、本明細書において、ＩＣチップ接合領域とは、ＩＣチップを接合すべき回路基板上の領域であって、ＩＣチップと同一形状又はＩＣチップより若干大きい領域のことを意味する。
【００４６】
従来では、図４（Ａ），（Ｂ）に示すように、回路基板７０６の正方形のＩＣチップ接合領域７０６ａの各辺の辺部近傍のそれぞれにおいて電極７０７，…，７０７上に電極７０７，…，７０７が大略等間隔に一列に配列されている一方、回路基板７０６のＩＣチップ接合領域７０６ａの四隅の各コーナー部付近には電極７０７が全く無いと仮定する。このように電極７０７，…，７０７がＩＣチップ７０１に配置されている状態で、接合材料７０５を回路基板７０６に供給したのち、回路基板７０６の接合領域７０６ａの電極７０７にバンプ７０２が形成されたＩＣチップ７０１の上記接合面と上記回路基板７０６との間に上記接合材料７０５を介して、上記ＩＣチップ７０１の上記電極７０４上の上記バンプ７０２と上記回路基板７０６の電極７０７とが電気的に接触するように接合し、基台７１０上に上記回路基板７０６を載置し、ＩＣチップ７０１に加熱された押圧部材７０８を当接させて加圧することにより、加熱及び加圧状態で上記ＩＣチップ７０１を圧着して上記ＩＣチップ７０１の上記接合面と上記回路基板７０６の上記接合領域７０６ａとの間の上記接合材料７０５を硬化させる。このような場合、ヒーターにより加熱しながら本圧着を行うとき、ＩＣチップ７０１と基板７０６との間の接合材料７０５について、基板７０６のＩＣチップ接合領域７０６ａの中央部内で、ＩＣチップ７０１の接合面に形成されたＳｉＮのパッシベーション膜５０９と基板７０６のＩＣチップ接合領域７０６ａとの間での接合材料７０５の流動速度をＳＰ１とする。一方、基板７０６のＩＣチップ接合領域７０６ａの周辺部で、基板７０６のＩＣチップ接合領域７０６ａの電極表面のＡｕメッキとＩＣチップ７０１との間での接合材料７０５の流動速度をＳＰ２とすると、ＩＣチップ接合領域７０６ａの周辺部の流動速度ＳＰ２は上記ＩＣチップ接合領域７０６ａの中央部内の流動速度ＳＰ１より大きくなり、かつ、基板７０６のＩＣチップ接合領域７０６ａの周辺部、特に、大略等間隔に配列されている電極７０７，…，７０７が配置されている辺部近傍よりも、電極７０７が欠けている位置すなわち各コーナー部付近７０３から接合材料７０５がより大きな流動速度でＩＣチップ接合領域７０６ａの外側に基板沿いに流れ出して接合材料７０５の密度が低下してしまい、ＩＣチップ７０１の側面を封止する樹脂量が不足となり、ＩＣチップ７０１の側面を封止するフィレットが小さくなり、ＩＣチップ接合領域の周辺部でのＩＣチップ７０１と接合材料７０５との間で剥離が発生したり、基板７０６の電極７０７と接合材料７０５との間で剥離が発生したりすることになる。
【００４７】
このような剥離の発生を防止するため、第１実施形態では、上記接合材料供給工程の前に、図１（Ａ），（Ｂ）に示すように、正方形のＩＣチップ１−１の電極７の無い各コーナー部付近において、ダミー電極３０３を１個又は複数個配置する。ここで、コーナー部付近にダミー電極３０３を１個又は複数個配置するとは、図４６に示すように上記ＩＣチップ１−１の上記接合面の辺部近傍の一列の電極７，…，７の配置列の延長線Ｌ１及びＬ２が大略９０度でＩＣチップ１−１の上記接合面のコーナー部で交差するとき、交差領域の外側領域Ｒ１内に３０３Ａ，３０３Ｂのように配置したり、又は、各列の最もコーナー部に近い電極７を通り上記延長線Ｌ１，Ｌ２とそれぞれ直交する基準線Ｌ３，Ｌ４で囲まれた領域Ｒ２内に３０３Ａ，３０３Ｂ，３０３Ｃのように配置することを意味する。この結果、回路基板６−１の正方形のＩＣチップ接合領域６ａ−１の各コーナー部付近においても電極３０３が存在することになり、全ての辺部近傍及びコーナー部付近において大略均一に電極７，…，７又はダミー電極３０３，…，３０３がそれぞれ配列されている状態となる。
【００４８】
なお、各ダミー電極３０３は各電極７と同様に形成されることが好ましいが、他の方法で形成するようにしてもよい。
【００４９】
このように電極７，…，７又はダミー電極３０３，…，３０３の列が回路基板６−１の正方形のＩＣチップ接合領域６ａ−１の各辺部近傍に形成されている状態で、接合材料供給工程において、ＩＣチップ１−１の接合領域又は回路基板６−１のＩＣチップ接合領域６ａ−１の少なくともいずれか一方に、少なくとも絶縁性の熱硬化性樹脂を含む接合材料５を供給する。接合材料５の供給方法としては、接合材料５が液体の場合には塗布することにより行い、接合材料５がシート状になどの固体の場合には載置又は貼り付けることにより行う。
【００５０】
接合材料の一例としては、液体状の場合には異方性導電ペースト又は封止樹脂ペーストなどがあり、固体状の場合にはシート状の異方性導電膜又は封止樹脂フィルムなどがある。
【００５１】
次いで、接合工程において、接合材料５を間に挟んで回路基板６−１のＩＣチップ接合領域６ａ−１にＩＣチップ１−１の接合面を重ね合わせて、上記各電極４上にバンプ２が形成されたＩＣチップ１−１の上記接合面と上記回路基板６−１のＩＣチップ接合領域６ａ−１との間に上記接合材料５を介して、上記ＩＣチップ１−１の上記各電極４上の上記バンプ２と上記回路基板６−１の各電極７とが電気的に接触するように位置決めしたのち接合する。この接合工程は、回路基板６−１が基台１０上に載置された状態で行うようにしてもよいし、別の個所で接合材料５を介してＩＣチップ１−１が回路基板６−１に重ね合わされて接合工程を行ったのち、本圧着工程において、接合材料５を介してＩＣチップ１−１が重ね合わされている回路基板６−１が基台１０上に載置されるようにしてもよい。
【００５２】
次いで、本圧着工程において、押圧部材８をＩＣチップ１−１に当接させて、接合材料５を介してＩＣチップ１−１が重ね合わされている回路基板６−１が載置された基台１０に向けて押圧部材８から押圧力を作用させるとともに、押圧部材８内に内蔵されたヒータの熱を押圧部材８からＩＣチップ１−１に伝達する。この結果、所定温度を加えつつ所定の加圧力を作用させて、ＩＣチップ１−１の接合面を回路基板６−１のＩＣチップ接合領域６ａ−１に押圧することにより、ＩＣチップ１−１の接合面の各電極４上のバンプ２が回路基板６−１のＩＣチップ接合領域６ａ−１内の各電極７に接触する。このとき、上記ＩＣチップ１−１の上記接合面と上記回路基板６−１のＩＣチップ接合領域６ａ−１との間の上記接合材料５を、上記ＩＣチップ１−１の上記接合面の中央部から周辺部へ向けて押し出そうとする。ここで、上記したように電極７が欠けている位置すなわちコーナー部付近にダミー電極３０３が配置されている結果として、ＩＣチップ１−１の上記接合面の各コーナー部付近においても、いずれの辺の辺部近傍と同様に電極７，…，７及びダミー電極３０３が大略等間隔に配置されており、図５（Ｂ）に矢印で示すように各辺の辺部近傍及び各コーナー部付近においても同様に接合材料５の中央部から周辺部へ向けての流動が規制されて、基板６−１のＩＣチップ接合領域６ａ−１の中央部での流動速度ＳＰ１と、基板６−１のＩＣチップ接合領域６ａ−１の周辺部での流動速度ＳＰ２とが大略同じになるようにして、ＩＣチップ接合領域６ａ−１の中央部と周辺部でのＩＣチップ１−１と接合材料５との密着性を増加させるとともに、基板６−１の電極７又はダミー電極３１３と接合材料５との間での密着性を増加させることにより、上記剥離を防止できるようにし、回路基板６−１の少なくともＩＣチップ接合領域６ａ−１全体において接合材料５が大略均一に分布保持されて上記熱により硬化させられてＩＣチップ実装体を製造することができる。すなわち、上記本圧着工程において、上記ＩＣチップ１−１に備えたダミー電極３０３，…，３０３により、回路基板６−１の上記ＩＣチップ接合領域６ａ−１の中央部から周辺部特にコーナー部への圧着時の上記接合材料５の不均一な押し出しを規制することができる。
【００５３】
上記接合材料流動規制部材の例としての各ダミー電極３０３の高さは、電極７の高さと大略同一であることが好ましい。なお、通常、基板の電極高さは、多層基板、例えば、松下電子部品株式会社製のアリブ（ＡＬＩＶＨ）のガラエポ基板では、一例として１２〜２５μｍ（Ａｕ／Ｎｉメッキ含む）であり、セラミック基板では、一例として２〜１５μｍ（Ａｕ／Ｎｉメッキ含む）である。また、各ダミー電極３０３は耐熱性を有することが好ましい。ここで、耐熱性の一例としては、例えば、リフロー工程が不要な場合には２００℃で２０秒、リフロー工程を通過させる場合には２５０℃で１０秒程度の熱に耐える性質を持つことを意味する。
【００５４】
また、接合材料５としては、絶縁性の熱硬化性樹脂のみから構成するものに限らず、絶縁性樹脂中に導電性粒子を含む導電性材料を含むようにしてもよいし、無機フィラーを含むようにしてもよい。このように接合材料５に、導電性材料又は無機フィラーを含める場合においても、上記接合材料流動規制部材により、圧着時に樹脂の流動がＩＣチップ１−１の接合面内で均一化されて、導電性材料又は無機フィラーを均一に配置することができる。これに対して、上記接合材料流動規制部材が無い場合には、無機フィラーが添加された樹脂においては、圧着時の樹脂の流動が不均一になると無機フィラーが粗密になり、部分的に樹脂物性が異なることにより品質が劣化しやすい場合があり、導電性材料が添加された樹脂においては、圧着時の樹脂の流動が不均一になると、導電性材料が粗密になり部分的にショートを生じる場合がある。
【００５５】
なお、上記説明においては、接合工程においてＩＣチップ１−１の各バンプ２と回路基板６−１の各電極７とが接触するように記載したが、これに限られるものではなく、接合工程ではＩＣチップ１−１の各バンプ２と回路基板６−１の各電極７とが接触せず、本圧着工程で初めてＩＣチップ１−１の各バンプ２と回路基板６−１の各電極７とが接触するようにしてもよい。
【００５６】
上記第１実施形態によれば、回路基板６−１の正方形ＩＣチップ接合領域６ａ−１において、その四隅のコーナー部を除く４辺の各辺の辺部近傍に大略等間隔に一列の電極７，…，７を有するものであって、回路基板６−１のＩＣチップ接合領域６ａ−１の上記辺の辺部近傍での電極７の無いコーナー部にダミー電極３０３，…，３０３を形成することによって、電極７，…，７の配列状態をＩＣチップ１−１の各辺の辺部近傍及び各コーナー部付近とも大略同一にすることができて、上記圧着工程での上記ＩＣチップ１−１の上記接合領域と上記回路基板６−１のＩＣチップ接合領域６ａ−１との間の上記接合材料５の中央部から周辺部のコーナー部への接合材料５の流動時にダミー電極３０３が接合材料流動規制部材として機能し、基板６−１のＩＣチップ接合領域６ａ−１の中央部での流動速度ＳＰ１と、基板６−１のＩＣチップ接合領域６ａ−１の周辺部での流動速度ＳＰ２とが大略同じになり、ＩＣチップ接合領域６ａ−１の各辺の辺部近傍及び各コーナー部付近での上記接合材料５の中央部から周辺部のコーナー部への流動の大略均一化を図り、かつ、ＩＣチップ１−１の接合面言い替えれば上記回路基板６−１のＩＣチップ接合領域６ａ−１内での接合材料５の分布の均一化が図れる。このように、ＩＣチップ１−１の接合面内及び回路基板６−１のＩＣチップ接合領域６ａ−１内での接合材料５の分布の均一化が図れる結果として接合材料５の密度の低下を防止することができて、ＩＣチップ接合領域６ａ−１の中央部と周辺部、特にコーナー部、でのＩＣチップ１−１と接合材料５との密着性を増加させるとともに、基板６−１の電極７又はダミー電極３０３と接合材料５との間での密着性を増加させることにより、上記剥離を防止できるようにして、接合及び封止の信頼性を高めることができる。
【００５７】
なお、上記コーナー部に配置されたダミー電極３０３と，そのダミー電極３０３に隣接する電極７，７との配置間隔は電極７，…，７の配置間隔と大略同一にすれば、４つの辺部近傍からコーナー部にかけて同様に電極７，…，７が形成されているような状態となり、上記接合材料５の中央部から周辺部への流動の大略均一化をより一層図ることができ、かつ、回路基板６−１のＩＣチップ接合領域６ａ−１内での接合材料５の分布のより一層の均一化を図ることができる。しかしながら、これに限られるものではなく、全く上記ダミー電極３０３，…，３０３が存在しない場合よりも均一性を高めるため、ダミー電極３０３と，そのダミー電極３０３に隣接する電極７，７との配置間隔は、電極７，…，７の配置間隔より大きくしてもよい。
【００５８】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態にかかる電子部品の実装方法及びその方法により製造される電子部品実装体の一例としての、ＩＣチップの実装方法及びその方法により製造されるＩＣチップ実装体を図７〜図１２に基づいて説明する。図７（Ａ）及び（Ｂ）は第２実施形態にかかるＩＣチップの実装方法の接合工程前の上記ＩＣチップの側面図及び裏面図であり、図８（Ａ）は接合工程前の回路基板の側面図であり、図８（Ｂ）は圧着工程での接合材料の流動状態を示し、ＩＣチップを透視して回路基板上での接合材料の動きを示す平面図である。また、図９は上記圧着工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の部分的に拡大した一部断面側面図である。また、図１０（Ａ）及び（Ｂ）は第２実施形態を説明するための従来例にかかる電子部品の実装方法の接合工程前のＩＣチップの側面図及び裏面図であり、図１１（Ａ）は図１０の従来例の接合工程前の回路基板の側面図であり、図１１（Ｂ）は図１０の従来例の圧着工程での接合材料の流動状態を示し、ＩＣチップを透視して回路基板上での接合材料の動きを示す平面図である。また、図１２は図１０の従来例の上記圧着工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の部分的に拡大した一部断面側面図である。
【００５９】
上記ＩＣチップの実装方法は、図７に示すように、四角形すなわち正方形又は長方形のＩＣチップ１−２（図７では正方形のＩＣチップ１−２）の接合面において、その四隅のコーナー部を除く４辺の各辺部の端縁近傍部分に各辺と大略平行にかつ大略等間隔に一列のバンプ２，…，２を有するものであって、ＩＣチップ１−２の接合面の上記辺部近傍のうちのバンプ２の無い箇所（図７（Ｂ）ではＩＣチップ１−２の４辺のうちの上下の２辺及び左右の２辺の辺部近傍のうちのバンプ２の無い箇所）に接合材料流動規制部材の一例としてのダミーバンプ３を形成して、ダミーバンプ３により接合材料５の流動規制を行うものである。一方、基板側においても、図８に示すように、上記四角形すなわち正方形又は長方形のＩＣチップ１−２（図７では正方形のＩＣチップ１−２）の接合面に対応する回路基板６−２の四角形すなわち正方形又は長方形のＩＣチップ接合領域６ａ−２（図７では正方形のＩＣチップ接合領域６ａ−２）において、その四隅のコーナー部を除く４辺の各辺部の端縁近傍部分に各辺と大略平行にかつ大略等間隔に一列の電極７，…，７を有するものであって、ＩＣチップ接合領域６ａ−２の上記辺部近傍のうちの電極７の無い箇所（図８（Ｂ）ではＩＣチップ接合領域６ａ−２の４辺のうちの上下の２辺の辺部近傍のうちの電極７の無い箇所（ダミーバンプ３が形成される箇所）及び左右の２辺の辺部近傍のうちの電極７の無い箇所（ダミーバンプ３が形成される箇所））に接合材料流動規制部材の一例である凸部としてのダミー電極３１３を形成して、ダミー電極３１３により接合材料５の流動規制を行うものである。
【００６０】
従来では、図１０及び図１１に示すように、正方形のＩＣチップ７０１の対向する２辺（図１０（Ｂ）では上下の２辺及び左右の２辺）の辺部近傍のそれぞれにおいて、電極７０４，…，７０４上にバンプ７０２，…，７０２が大略等間隔に配列されている中でバンプ７０２が欠けている位置７０３、言い換えれば、隣接するバンプ７０２，７０２との間隔が他の間隔より大きく離れている広幅間隔部分７０３があるとともに、図１１（Ａ）に示すように、基板７０６側にも上記広幅間隔部分７０３に対応する位置に電極７０７が無く、隣接する電極７０７，７０７との間隔が他の間隔より大きく離れている広幅間隔部分があると仮定する。このようにバンプ７０２，…，７０２がＩＣチップ７０１に配置されているとともに電極７０７，…，７０７が基板７０６に配置されている状態で、接合材料７０５を回路基板７０６に供給したのち、図１１（Ｂ）及び図１２に示すように、接合面の電極７０４上にバンプ７０２が形成されたＩＣチップ７０１の上記接合面と上記回路基板７０６のＩＣチップ接合領域７０６ａとの間に上記接合材料７０５を介して、上記ＩＣチップ７０１の上記電極７０４上の上記バンプ７０２と上記回路基板７０６の電極７０７とが電気的に接触するように接合し、基台７１０上に上記回路基板７０６を載置し、ＩＣチップ７０１に加熱された押圧部材７０８を当接させて加圧することにより、加熱及び加圧状態で上記ＩＣチップ７０１を圧着して上記ＩＣチップ７０１の上記接合面と上記回路基板７０６のＩＣチップ接合領域７０６ａとの間の上記接合材料７０５を硬化させる。このような場合、大略等間隔に配列されているバンプ７０２，…，７０２間の隙間よりも、バンプ７０２が欠けている広幅間隔部分７０３及び大略等間隔に配列されている電極７０７，…，７０７間の隙間よりも、電極７０７が欠けている広幅間隔部分から接合材料７０５が上記ＩＣチップ７０１の上記接合面及び回路基板７０６のＩＣチップ接合領域７０６ａの外側の外周部に大きく流れ出し、接合材料７０５の密度が低下することになる。この結果、図１２に示すように、ＩＣチップ７０１の側面を封止する樹脂量が不足となり、ＩＣチップ７０１の側面を封止するフィレットが小さく又は全く無くなり、ＩＣチップ接合領域７０６ａの周辺部でのＩＣチップ７０１と接合材料７０５との間で剥離が発生したり、基板７０６の電極７０７と接合材料７０５との間で剥離が発生したりすることになる。
【００６１】
このような剥離を防止するため、第２実施形態では、上記接合材料供給工程の前に、図７（Ａ），（Ｂ）に示すように、ＩＣチップ１−２の４辺のうちの対向する２辺（図７（Ｂ）では上下の２辺及び左右の２辺）の辺部近傍のそれぞれにおいて、バンプ２，…，２が大略等間隔に配列されている中でバンプ２が欠けている広幅間隔部分（図１０（Ｂ）及び図１１（Ｂ）の上下の２辺及び左右の２辺の７０３参照）、言い換えれば、隣接するバンプ２，２との間隔が他の間隔より大きく離れている位置にダミーバンプ３を他のバンプ２と同様に形成して大略等間隔にバンプ２が配列されているようにする。この結果、ＩＣチップ１−２の上記対向する各２辺（図７（Ｂ）では上下の２辺）が、各２辺の辺部近傍のそれぞれにおいてバンプ２が欠けることなくバンプ２，…，２が大略等間隔に配列されている状態と同様な状態となる。
【００６２】
一方、基板側においても、上記接合材料供給工程の前に、図８（Ａ），（Ｂ）に示すように、回路基板６−２のＩＣチップ接合領域６ａ−２の４辺のうちの互いに対向する２辺（図８（Ｂ）では上下の２辺及び左右の２辺）の辺部近傍のそれぞれにおいて、電極７，…，７が大略等間隔に配列されている中で電極７が欠けている広幅間隔部分（図１０（Ｂ）及び図１１（Ｂ）の上下の２辺及び左右の２辺の７０３参照）、言い換えれば、隣接する電極７，７との間隔が他の間隔より大きく離れている位置にダミー電極３１３を他の電極７と例えば同様に形成して大略等間隔に電極７が配列されているようにする。この結果、回路基板６−２のＩＣチップ接合領域６ａ−２の上記対向する各２辺（図８（Ｂ）では上下の２辺及び左右の２辺）が、各辺の辺部近傍のそれぞれにおいて電極７が欠けることなく電極７，…，７が大略等間隔に配列されている状態と同様な状態となる。
【００６３】
なお、各バンプ２及び各ダミーバンプ３が形成される方法は、図４７に示すバンプ形成方法などがある。図７（Ａ），（Ｂ）のＩＣチップ１−２に各バンプ２及び各ダミーバンプ３を形成する一例について説明する。ＩＣチップ１−２に相当するＩＣチップ４０１においてＩＣチップ４０１のＡｌパッド電極４０４（電極４に相当）にワイヤボンディング装置により図４７（Ａ）〜図４７（Ｆ）のごとき動作によりバンプ（突起電極）４０２（各バンプ２及び各ダミーバンプ３に相当）を形成する。すなわち、図４７（Ａ）でホルダ１９３から突出したワイヤ１９５の下端にボール１９６を形成し、図４７（Ｂ）でワイヤ１９５を保持するホルダ１９３を下降させ、ボール１９３をＩＣチップ４０１の電極４０４に接合して大略バンプ４０２の形状を形成し、図４７（Ｃ）でワイヤ１９５を下方に送りつつホルダ１９３の上昇を開始し、図４７（Ｄ）に示すような大略四角形のループ１９９にホルダ１９３を移動させて図４７（Ｅ）に示すようにバンプ４０２の上部に湾曲部１９８を形成し、引きちぎることにより図４７（Ｆ）に示すようなバンプ４０２を形成する。あるいは、図４７（Ｂ）でワイヤ１９５をホルダ１９３でクランプして、ホルダ１９３を上昇させて上方に引き上げることにより、金ワイヤ１９５を引きちぎり、図４７（Ｇ）のようなバンプ４０２の形状を形成するようにしてもよい。このように、ＩＣチップ４０１の各電極４０４にバンプ４０２を形成した状態を図４７（Ｂ）に示す。
【００６４】
このようにバンプ２，…，２及び電極７，…，７が形成されている状態で、接合材料供給工程において、ＩＣチップ１−２の接合面又は回路基板６−２のＩＣチップ接合領域６ａ−２の少なくともいずれか一方に、少なくとも絶縁性の熱硬化性樹脂を含む接合材料５を供給する。接合材料５の供給方法としては、接合材料５が液体の場合には塗布することにより行い、接合材料５がシート状になどの固体の場合には載置又は貼り付けることにより行う。
【００６５】
接合材料の一例としては、液体状の場合には異方性導電ペースト又は封止樹脂ペーストなどがあり、固体状の場合にはシート状の異方性導電膜又は封止樹脂フィルムなどがある。
【００６６】
次いで、接合工程において、接合材料５を間に挟んで回路基板６−２のＩＣチップ接合領域６ａ−２にＩＣチップ１−２の接合面を重ね合わせて、上記各電極４上にバンプ２が形成されたＩＣチップ１−２の上記接合面と上記回路基板６−２のＩＣチップ接合領域６ａ−２との間に上記接合材料５を介して、上記ＩＣチップ１−２の上記各電極４上の上記バンプ２と上記回路基板６−２の各電極７とが電気的に接触するように位置決めしたのち接合する。この接合工程は、回路基板６−２が基台１０上に載置された状態で行うようにしてもよいし、別の個所で接合材料５を介してＩＣチップ１−２が回路基板６−２に重ね合わされて接合工程を行ったのち、本圧着工程において、接合材料５を介してＩＣチップ１−２が重ね合わされている回路基板６−２が基台１０上に載置されるようにしてもよい。
【００６７】
次いで、本圧着工程において、押圧部材８をＩＣチップ１−２に当接させて、接合材料５を介してＩＣチップ１−２が重ね合わされている回路基板６−２が載置された基台１０に向けて押圧部材８から押圧力を作用させるとともに、押圧部材８内に内蔵されたヒータの熱を押圧部材８からＩＣチップ１−２に伝達する。この結果、所定温度を加えつつ所定の加圧力を作用させて、ＩＣチップ１−２の接合面を回路基板６−２のＩＣチップ接合領域６ａ−２に押圧することにより、ＩＣチップ１−２の接合面の各電極４上のバンプ２が回路基板６−２のＩＣチップ接合領域６ａ−２内の各電極７に接合工程時よりもさらに接触する。このとき、上記ＩＣチップ１−２の上記接合面と上記回路基板６−２のＩＣチップ接合領域６ａ−２との間の上記接合材料５を、上記ＩＣチップ１−２の上記接合面の中央部から周辺部へ向けて押し出そうとする。ここで、上記したようにバンプ２が欠けている広幅間隔部分にダミーバンプ３及び電極７が欠けている広幅間隔部分にダミー電極３１３が配置されている結果として、ＩＣチップ１−２の上記接合面言い替えれば基板６−２のＩＣチップ接合領域６ａ−２の各辺の辺部近傍においては、いずれの辺の辺部近傍でも同様にバンプ２，…，２及びダミーバンプ３及び電極７，…，７及びダミー電極３１３が大略等間隔に配置されており、図８（Ｂ）に矢印で示すように各辺の辺部近傍において同様に接合材料５の中央部から周辺部へ向けての流動が規制されて、不均一に接合材料５が流動するのを防止し、少なくともＩＣチップ１−２の接合面及び回路基板６−２のＩＣチップ接合領域６ａ−２の全体において接合材料５が大略均一に分布保持されて上記熱により硬化させられてＩＣチップ実装体を製造することができる。すなわち、上記本圧着工程において、上記ＩＣチップ１−２に備えられたダミーバンプ３及び回路基板６−２に備えられたダミー電極３１３により、上記ＩＣチップ１−２の上記接合面言い替えれば基板６−２のＩＣチップ接合領域６ａ−２の中央部から周辺部への圧着時の上記接合材料５の不均一な押し出しを規制することができる。
【００６８】
上記接合材料流動規制部材の例としての各ダミーバンプ３の高さは、ＩＣチップ１−２と回路基板６−２との接合後のＩＣチップ１−２と回路基板６−２との間の間隔の１０％〜３０％が好ましく、一例として２０％が好ましい。具体的な数値例として、接合後のＩＣチップ１−２と回路基板６−２との間の間隔の高さ寸法が３０μｍ〜４０μｍのとき、ダミーバンプ３の高さは７μｍ程度とする。
【００６９】
各ダミーバンプ３としては耐熱性を有するものが好ましい。耐熱性の一例としては、例えば、リフロー工程が不要な場合には２００℃で２０秒、リフロー工程を通過させる場合には２５０℃で１０秒程度の熱に耐える性質を意味する。
【００７０】
また、回路基板６−２のダミー電極３１３の高さは、電極７の高さと大略同一であることが好ましい。
【００７１】
また、接合材料５としては、絶縁性の熱硬化性樹脂のみから構成するものに限らず、絶縁性樹脂中に導電性粒子を含む導電性材料を含むようにしてもよいし、無機フィラーを含むようにしてもよい。このように接合材料５に、導電性材料又は無機フィラーを含める場合においても、ダミーバンプ３及びダミー電極３１３により、圧着時に樹脂の流動がＩＣチップ１−２の接合面内で均一化されて、導電性材料又は無機フィラーを均一に配置することができる。これに対して、ダミーバンプ３及びダミー電極３１３が無い場合には、無機フィラーが添加された樹脂においては、圧着時の樹脂の流動が不均一になると無機フィラーが粗密になり、部分的に樹脂物性が異なることにより品質が劣化しやすい場合があり、導電性材料が添加された樹脂においては、圧着時の樹脂の流動が不均一になると、導電性材料が粗密になり部分的にショートを生じる場合がある。
【００７２】
なお、上記説明においては、接合工程においてＩＣチップ１−２の各バンプ２と回路基板６−２の各電極７とが接触するように記載したが、これに限られるものではなく、接合工程ではＩＣチップ１−２の各バンプ２と回路基板６−２の各電極７とが接触せず、本圧着工程で初めてＩＣチップ１−２の各バンプ２と回路基板６−２の各電極７とが接触するようにしてもよい。
【００７３】
また、上記第２実施形態において、電極７が欠けている広幅間隔部分、言い換えれば、隣接電極７，７間の間隔が他の隣接電極７，７間の間隔より大きい広幅間隔部分に、ダミー電極３１３を形成する場合、隣接電極７，７間の間隔が間隔が必ずしも大略均一ではない場合には、隣接電極７，７間の間隔が許容値を越えている部分にのみダミー電極３１３を形成するようにすればよい。具体的には、図４６に示すように、回路基板６−２の電極７，７間又は電極７とダミー電極３１３との間のピッチのうちの最大ピッチＰｍａｘと最小ピッチＰｍｉｎとの関係が、  Ｐｍａｘ≦（Ｐｍｉｎ×２α）  ［ここで、αは１〜６の任意の値である。］となるようにダミー電極３１３を配置するようにすることにより、上記と同様な効果を奏することができる。
【００７４】
上記第２実施形態によれば、四角形すなわち正方形又は長方形のＩＣチップ１−２の接合面において、その四隅のコーナー部を除く４辺の各辺の辺部近傍に大略等間隔に一列のバンプ２，…，２を有するものであって、ＩＣチップ１−２の接合面の上記辺の辺部近傍でのバンプ２の無い箇所にダミーバンプ３を形成するとともに、回路基板６−２のＩＣチップ接合領域６ａ−２の上記辺の辺部近傍での電極７の無い箇所にダミー電極３１３を形成することによって、バンプ２，…，２の配列状態をＩＣチップ１−２の各辺の辺部近傍とも大略同一にすることができるとともに電極７，…，７の配列状態を回路基板６−２のＩＣチップ接合領域６ａ−２の各辺の辺部近傍とも大略同一にすることができて、上記圧着工程での上記ＩＣチップ１−２の上記接合面と上記回路基板６−２のＩＣチップ接合領域６ａ−２との間の上記接合材料５の中央部から周辺部への接合材料５の流動時にダミーバンプ３及びダミー電極３１３が接合材料流動規制部材として機能し、ＩＣチップ１−２の各辺の辺部近傍及び回路基板６−２のＩＣチップ接合領域６ａ−２の各辺の辺部近傍での上記接合材料５の中央部から周辺部への流動の大略均一化を図り、かつ、ＩＣチップ１−２の接合面内及び回路基板６−２のＩＣチップ接合領域６ａ−２内での接合材料５の分布の均一化が図れ、密着力が向上し、接合及び封止の信頼性を高めることができる。また、図９に示すように、ＩＣチップ１−２の接合面内及び回路基板６−２のＩＣチップ接合領域６ａ−２内での接合材料５の分布の均一化が図れる結果として接合材料５の密度の低下を防止することができて、ＩＣチップの側面を封止する樹脂量が十分供給され、ＩＣチップ１−２の側面を封止するフィレット５Ａを大きくすることができて、ＩＣチップ接合領域６ａ−２の周辺部でのＩＣチップ１−２と接合材料５との間で剥離や基板６−２の電極７と接合材料５との間で剥離を効果的に防止することができる。このように、ＩＣチップの側面を封止する樹脂量が十分供給されると、ＩＣチップ１−２の側面を封止するフィレット５Ａを大きくすることができる理由は、ＩＣチップと基板との間隔は、バンプ材質、形状で決まるため、接合樹脂量が十分に供給されて多くなると、圧着時にＩＣチップの外部にはみ出す樹脂量が増加して、フィレットを大きくすることができる。
【００７５】
上記接合材料流動規制部材の一例としてのダミーバンプは、ＩＣチップ１−２の接合面での配置位置は上記対向する一対の辺部近傍に限定されるものではなく、いずれか１つの辺部近傍のバンプ２，…，２の列において、隣接するバンプ２，２との間隔が他の間隔より大きく離れている位置にダミーバンプ３を他のバンプ２と同様に形成して大略等間隔にバンプ２が配列されているようにすればよい。
【００７６】
また、上記接合材料流動規制部材の一例としてのダミー電極３１３は、回路基板６−２のＩＣチップ接合領域６ａ−２での配置位置は上記対向する一対の辺部近傍に限定されるものではなく、いずれか１つの辺部近傍の電極７，…，７の列において、隣接する電極７，７との間隔が他の間隔より大きく離れている位置にダミー電極３１３を他の電極７と同様に形成して大略等間隔に電極７が配列されているようにすればよい。
【００７７】
（第３実施形態）
本発明の第３実施形態にかかる電子部品の実装方法及びその方法により製造される電子部品実装体の一例としての、ＩＣチップの実装方法及びその方法により製造されるＩＣチップ実装体を図１３〜図１６に基づいて説明する。図１３（Ａ）及び（Ｂ）は第３実施形態にかかるＩＣチップの実装方法の接合工程前の上記回路基板の側面図及び平面図であり、図１３（Ｃ）及び図１４は上記圧着工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の一部断面側面図及び部分的に拡大した一部断面側面図である。また、図１５（Ａ）及び（Ｂ）は第３実施形態を説明するための従来例にかかるＩＣチップの実装方法の接合工程前の上記回路基板の側面図及び平面図であり、図１５（Ｃ）及び図１６は上記従来例の圧着工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の一部断面側面図及び部分的に拡大した一部断面側面図である。
【００７８】
上記第１及び第２実施形態においては、接合材料流動規制部材の一例として、ダミー電極３０３を電極７が配置されていない位置に配置させるものであるが、これに限られるものではない。例えば、ＩＣチップ１−３の接合面には、その接合面のアクティブ面（配線面）を保護するパッシベーション膜３０９を備えるとともに、図１３（Ｂ）に示すように、回路基板６−３のＩＣチップ接合領域６ａ−３の外側の周囲の四角形領域に、有機膜３１９を備えるものがある。このとき、有機膜３１９は、例えばソルダーレジストであって、回路基板６−３のＩＣチップ接合領域６ａ−３の外側の周囲のみならず、その周囲からＩＣチップ接合領域６ａ−３の各辺の内側でかつ各辺の辺部近傍の四角形枠領域（図中、梨地領域）３２０において、上記電極７，…，７のうちバンプ２，…，２との接合部を除く部分及び電極以外の回路基板６−３の表面に形成される。よって、このＩＣチップ接合領域６ａ−３の外側の周囲からＩＣチップ接合領域６ａ−３の各辺の内側でかつ各辺の辺部近傍の四角形枠領域３２０の有機膜３１９が、接合材料流動規制部材の一例の接合材料流動規制膜として機能して、有機膜３１９により接合材料５の流動規制を行うようにしてもよい。ここで、有機膜３１９の代りに無機膜でも同様の効果が得られるが、無機膜の場合、樹脂との密着が弱いために、ヒートサイクルなどの環境試験下において、封止樹脂と無機膜との間で剥離が起こり、封止樹脂としての機能が低下する恐れがある。これに対して、有機膜３１９とすれば、封止樹脂との密着が無機膜よりも有機膜の方が強く、信頼性及び品質を向上させることができるからである。
【００７９】
上記有機膜３１９は、例えば、他の配線又はバンプなどとの電気的な接触を防止して絶縁性を保持し導体を保護する耐熱性コーティングとして機能する、ポリイミド又はポリベンザオキサゾール（ＰＢＯ）などのソルダーレジストより構成され、そのような有機膜３１９を例えば厚さ３〜７μｍ程度だけスピンコートして、図１３（Ｂ）に示すように、回路基板６−３のＩＣチップ接合領域６ａ−３の外側の周囲、及び、ＩＣチップ接合領域６ａ−３の各辺の内側でかつ各辺の辺部近傍の四角形枠領域（図中、梨地領域）３２０に全面的に塗布する。その後、電極７，…，７のうちバンプ２，…，２との接合に必要な接合部を帯状に除去して当該接合部を露出させる。除去する領域は帯状に独立していてもよいし、連結されて枠状に形成されていてもよい。この結果、有機膜３１９を、ＩＣチップ接合領域６ａ−３の外側の周囲及び上記四角形枠領域（図中、梨地領域）３２０であって、上記電極７，…，７のうちバンプ２，…，２との接合部を除く部分及び電極以外の回路基板６−３の表面に対して形成することができる。有機膜３１９は、図１４に示す様に、ＩＣチップ外周部のＩＣチップと基板との間の距離を縮め、ＩＣチップ外周部の樹脂量を上げる機能を有するものである。この有機膜３１９によって、封止樹脂とＩＣチップとの界面での剥離、及び、封止樹脂と基板との界面での剥離をそれぞれ防止できるとともに、封止樹脂密度を上げてボイドの防止を行うことができ、高湿環境下での水分の進入を極力防止でき、高温高湿環境下での信頼性及び品質を向上させることができる。
【００８０】
従来では、図１５に示すように、正方形のＩＣチップ７０１の接合面のバンプ７０２，…，７０２を有しかつ４辺のバンプ７０２，…，７０２で囲まれた正方形の領域にパッシベーション膜５０９（図中、梨地領域）を配置しているとともに、ＩＣチップ７０１を接合する回路基板７０６のＩＣチップ接合領域７０６ａの各辺の外側の周囲に所定間隔をあけて四角形枠状に有機膜５１９が配置されていると仮定する。このように有機膜５１９が回路基板７０６のＩＣチップ接合領域７０６ａの周囲に配置されている状態で、接合材料７０５を回路基板７０６に供給したのち、接合面の電極７０４上にバンプ７０２が形成されたＩＣチップ７０１の上記接合面と上記回路基板７０６との間に上記接合材料７０５を介して、上記ＩＣチップ７０１の上記電極７０４上の上記バンプ７０２と上記回路基板７０６の電極７０７とが電気的に接触するように接合し、基台７１０上に上記回路基板７０６を載置し、ＩＣチップ７０１に加熱された押圧部材７０８を当接させて加圧することにより、加熱及び加圧状態で上記ＩＣチップ７０１を圧着して上記ＩＣチップ７０１の上記接合面と上記回路基板７０６との間の上記接合材料７０５を硬化させる。このような場合、パッシベーション膜５０９が配置されているＩＣチップ７０１の上記接合面内で４辺のバンプ７０２，…，７０２で囲まれた正方形の領域よりも、４辺のバンプ７０２，…，７０２間の位置及び４辺のバンプ７０２，…，７０２の外側の位置すなわちＩＣチップ接合領域７０６ａ内の周囲部分においては、ＩＣチップ側にパッシベーション膜５０９が無いとともに基板側に有機膜５１９が無いため、ＩＣチップ７０１と基板７０６との隙間が他の部分より大きくなり、当該部分で接合材料７０５の流れる流動速度が遅くなり、接合材料７０５の密度が低下することにより、ＩＣチップ接合領域７０６ａ内の周囲部分での密着力すなわち接合力及び封止力が低下し、剥離が発生することになる。言いかえれば、ＩＣチップ７０１と基板７０６との隙間が他の部分より大きくなると、局部的なＩＣチップと基板との間の体積も大きくなり、このことにより、そこを埋める封止樹脂量も多くなる。よって、ＩＣチップ外周部にはみ出す樹脂量がこの部分で減少し、結果として、フィレットが小さくなる。このように、ＩＣチップ７０１の接合面の周囲部分で接合材料７０５との間で剥離が発生すると、その剥離部分に水分が入り込み、吸湿によるＩＣチップ７０１などが腐食などが生じてしまうことになる。
【００８１】
このような接合力及び封止力の低下を防止するため、第３実施形態では、上記接合材料供給工程の前に、図１３（Ａ），（Ｂ）に示すように、回路基板６−３の正方形のＩＣチップ接合領域６ａ−３の各辺の内側でかつ各辺の辺部近傍の四角形領域（図中、梨地領域）において、上記電極７，…，７のうちバンプ２，…，２との接合部を除く部分及び電極以外の回路基板の表面にも、接合材料流動規制部材の一例の接合材料流動規制膜として、有機膜３１９（図中、梨地領域）を配置する。この結果、パッシベーション膜３０９が配置されているＩＣチップ１−３の上記接合面内で４辺のバンプ２，…，２で囲まれた正方形の領域と、ＩＣチップ側にパッシベーション膜３０９が無いが代わりに基板側に有機膜３１９が配置されている４辺のバンプ２，…，２の外側の位置すなわちＩＣチップ接合領域６ａ−３のやや内側の周囲部分とでは接合材料５の流れる流動速度が大略同じになり、接合材料５の密度の低下を防止することができ、ＩＣチップ接合領域６ａ−３のやや内側の周囲部分すなわちＩＣチップ接合領域６ａ−３の各辺の内側でかつ各辺の辺部近傍での密着力すなわち接合力及び封止力の低下を防止することができる。その結果、ＩＣチップの側面を封止する樹脂量が十分供給され、ＩＣチップ１−３の側面を封止するフィレット５Ａを大きくすることができて、ＩＣチップ接合領域６ａ−３の周辺部でのＩＣチップ１−３と接合材料５との間で剥離や基板６−３の電極７と接合材料５との間で剥離を効果的に防止することができる。
【００８２】
このように有機膜３１９が形成されている状態で、接合材料供給工程において、ＩＣチップ１−３の接合面又は回路基板６−３のＩＣチップ接合領域６ａ−３の少なくともいずれか一方に、少なくとも絶縁性の熱硬化性樹脂を含む接合材料５を供給する。接合材料５の供給方法は第１実施形態と同様である。
【００８３】
次いで、接合工程において、接合材料５を間に挟んで回路基板６−３のＩＣチップ接合領域６ａ−３にＩＣチップ１−３の接合面を重ね合わせて、上記各電極４上にバンプ２が形成されたＩＣチップ１−３の上記接合面と上記回路基板６−３のＩＣチップ接合領域６ａ−３との間に上記接合材料５を介して、上記ＩＣチップ１−３の上記各電極４上の上記バンプ２と上記回路基板６−３の各電極７とが電気的に接触するように位置決めしたのち接合する。この接合工程は、回路基板６−３が基台１０上に載置された状態で行うようにしてもよいし、別の個所で接合材料５を介してＩＣチップ１−３が回路基板６−３に重ね合わされて接合工程を行ったのち、本圧着工程において、接合材料５を介してＩＣチップ１−３が重ね合わされている回路基板６−３が基台１０上に載置されるようにしてもよい。
【００８４】
次いで、本圧着工程において、押圧部材８をＩＣチップ１−３に当接させて、接合材料５を介してＩＣチップ１−３が重ね合わされている回路基板６−３が載置された基台１０に向けて押圧部材８から押圧力を作用させるとともに、押圧部材８内に内蔵されたヒータの熱を押圧部材８からＩＣチップ１−３に伝達する。この結果、所定温度を加えつつ所定の加圧力を作用させて、ＩＣチップ１−３の接合面を回路基板６−３のＩＣチップ接合領域６ａ−３に押圧することにより、ＩＣチップ１−３の接合面の各電極４上のバンプ２が回路基板６−３のＩＣチップ接合領域６ａ−３内の各電極７に接触する。このとき、ＩＣチップ１−３が回路基板６−３に対して短手方向すなわち幅方向にの両側に有機膜３１９が配置されていることにより、上記ＩＣチップ接合領域６ａ−３の中央部から周辺部への上記接合材料５の流動に対して流動抵抗を増加させることができて、バンプ２，…，２の列の両側において、有機膜３１９が無い場合と比較して、図１４に示すようにＩＣチップ１−３と回路基板６−３との間での流動速度を低下させることができ、回路基板６−３のＩＣチップ接合領域６ａ−３内の各辺の辺部近傍において同様に接合材料５の中央部から周辺部へ向けての流動が規制されて、不均一に接合材料５が流動するのを防止し、少なくともＩＣチップ接合領域６ａ−３全体において接合材料５が大略均一に分布保持されて上記熱により硬化させられてＩＣチップ実装体を製造することができる。すなわち、上記本圧着工程において、上記有機膜３１９により、上記ＩＣチップ接合領域６ａ−３の中央部から周辺部への圧着時の上記接合材料５の不均一な押し出しを規制することができる。
【００８５】
なお、上記説明においては、接合工程においてＩＣチップ１−３の各バンプ２と回路基板６−３の各電極７とが接触するように記載したが、これに限られるものではなく、接合工程ではＩＣチップ１−３の各バンプ２と回路基板６−３の各電極７とが接触せず、本圧着工程で初めてＩＣチップ１−３の各バンプ２と回路基板６−３の各電極７とが接触するようにしてもよい。
【００８６】
上記第３実施形態によれば、回路基板６−３のＩＣチップ接合領域６ａ−３の外側の周囲の四角形領域に有機膜３１９を配置することにより、有機膜３１９が、接合材料流動規制部材の一例の接合材料流動規制膜として接合材料５の流動規制を行う。この結果、有機膜３１９が無い場合と比較して、図１４に示すように、上記圧着工程での上記ＩＣチップ１−３の上記接合面と上記回路基板６−３のＩＣチップ接合領域６ａ−３との間の上記接合材料５の中央部から周辺部への接合材料５の流動時に、有機膜３１９が接合材料流動規制部材として機能してＩＣチップ１−３と回路基板６−３との間での流動速度を低下させることができ、上記接合材料５の中央部から周辺部への流動の大略均一化を図り、かつ、ＩＣチップ１−３の接合面内での接合材料５の分布の均一化が図れ、密着力が向上し、接合及び封止の信頼性を高めることができる。
【００８７】
（第４実施形態）
本発明の第４実施形態にかかる電子部品の実装方法及びその方法により製造される電子部品実装体の一例としての、ＩＣチップの実装方法及びその方法により製造されるＩＣチップ実装体を図１７〜図２２に基づいて説明する。図１７（Ａ）及び（Ｂ）は第４実施形態にかかるＩＣチップの実装方法の接合工程前の上記ＩＣチップの側面図及び裏面図であり、図１８は圧着工程での接合材料の流動状態を示し、ＩＣチップを透視して回路基板上での接合材料の動きを示す平面図であり、図１９は圧着工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の一部断面側面図である。また、図２０（Ａ）及び（Ｂ）は第４実施形態を説明するための従来例にかかるＩＣチップの実装方法の接合工程前の上記ＩＣチップの側面図及び裏面図であり、図２１は圧着工程での接合材料の流動状態を示し、ＩＣチップを透視して回路基板上での接合材料の動きを示す平面図であり、図２２は圧着工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の一部断面側面図である。
【００８８】
上記第３実施形態においては、四角形すなわち正方形又は長方形のＩＣチップ接合領域６ａ−４の各辺の内側でかつ各辺の辺部近傍の四角形枠領域３２０に有機膜３１９を配置しているが、これに限られるものではない、例えば、ＩＣチップ１−４が４辺の各辺の辺部近傍に一列のバンプ２，…，２を有するものであったが、本第４実施形態では、図１７に示すように、電子部品の一例としての長方形のＩＣチップ１−４の接合面において、短手方向の中央部に長手方向沿いに１列に延びかつ大略等間隔に配置されたバンプ２，…，２を有するものであって、図１８に示すように、１列のバンプ２，…，２の両側付近まで、接合材料流動規制部材の一例としての有機膜３２９を配置して、有機膜３２９により接合材料５の流動規制を行うものである。
【００８９】
上記有機膜３２９は、例えば、他の配線又はバンプなどとの電気的な接触を防止して絶縁性を保持し導体を保護する耐熱性コーティングとして機能する、ポリイミド又はポリベンザオキサゾール（ＰＢＯ）などのソルダーレジストより構成され、そのような有機膜３２９を例えば厚さ３〜７μｍ程度だけスピンコートして、図１８に示すように、回路基板６−４のＩＣチップ接合領域６ａ−４の外側から、ＩＣチップ接合領域６ａ−４の短手方向の中央部に長手方向沿いに１列延びかつ大略等間隔に配置された電極７，…，７が形成されている長手方向沿いの中央部分を残し、その両側まで、全面的に塗布することにより形成することができる。
【００９０】
従来では、図２０及び図２１に示すように、長方形のＩＣチップ７０１の接合面において、短手方向の中央部に長手方向沿いに１列に延びかつ大略等間隔に配置されたバンプ７０２，…，７０２を有すると仮定する。このようにバンプ７０２，…，７０２がＩＣチップ７０１に配置されている状態で、接合材料７０５を回路基板７０６に供給したのち、ＩＣチップ７０１の接合面の電極７０４上にバンプ７０２が形成されたＩＣチップ７０１の接合面と上記回路基板７０６との間に上記接合材料７０５を介して、上記ＩＣチップ７０１の上記電極７０４上の上記バンプ７０２と上記回路基板７０６の電極７０７とが電気的に接触するように接合し、基台７１０上に上記回路基板７０６を載置し、ＩＣチップ７０１に加熱された押圧部材７０８を当接させて加圧することにより、加熱及び加圧状態で上記ＩＣチップ７０１を圧着して上記ＩＣチップ７０１の上記接合面と上記回路基板７０６との間の上記接合材料７０５を硬化させる。このような場合、短手方向の中央部に長手方向沿いに１列に延びかつ大略等間隔に配置されているバンプ７０２，…，７０２を中心に、バンプ７０２，…，７０２の列の両側において、図２２に示すように長方形のＩＣチップ７０１が回路基板７０６に対して短手方向すなわち幅方向に大きな流動速度で移動してしまい、接合材料７０５の密度が低下することにより、ＩＣチップ接合領域７０６ａ内の短手方向の中央部以外の周囲部分での密着力すなわち接合力及び封止力が低下してしまい、剥離が発生することになる。
【００９１】
このような接合力及び封止力の低下を防止するため、第４実施形態では、上記接合材料供給工程の前に、図１８に示すように、長方形のＩＣチップ１−４の接合面において、短手方向の中央部に長手方向沿いに１列に延びかつ大略等間隔に配置されたバンプ２，…，２に対向する、回路基板６−４のＩＣチップ接合領域６ａ−４の短手方向の中央部に長手方向沿いに１列延びかつ大略等間隔に配置された電極７，…，７付近まで、接合材料流動規制部材の一例としての有機膜３２９を配置する。この結果、ＩＣチップ１−４の接合面言い替えれば回路基板６−４のＩＣチップ接合領域６ａ−４の外側周囲及びＩＣチップ接合領域６ａ−４の短手方向の中央部の両側付近まで、有機膜３２９により覆うようにすることにより、有機膜３２９が配置された領域でＩＣチップ１−４の接合面と回路基板６−４のＩＣチップ接合領域６ａ−４との間の隙間が狭くなり、接合材料５の流動に抵抗をもたらせることができて、有機膜３２９が無い場合よりも、ＩＣチップ１−４の接合面内及び回路基板６−４のＩＣチップ接合領域６ａ−４内での接合材料５の分布の均一化が図れる。この結果、接合材料５の密度の低下を防止することができて、ＩＣチップの側面を封止する樹脂量が十分供給され、ＩＣチップ１−４の側面を封止するフィレット５Ａを大きくすることができて、ＩＣチップ接合領域６ａ−４の周辺部でのＩＣチップ１−４と接合材料５との間で剥離や基板６−４の電極７と接合材料５との間で剥離を効果的に防止することができる。
【００９２】
なお、有機膜３２９が形成される方法は、第３実施形態の有機膜３１９の形成方法と同様である。
【００９３】
このように有機膜３２９が形成されている状態で、接合材料供給工程において、ＩＣチップ１−４の接合面又は回路基板６−４のＩＣチップ接合領域６ａ−４の少なくともいずれか一方に、少なくとも絶縁性の熱硬化性樹脂を含む接合材料５を供給する。接合材料５の供給方法は第１実施形態と同様である。
【００９４】
次いで、接合工程において、接合材料５を間に挟んで回路基板６−４のＩＣチップ接合領域６ａ−４にＩＣチップ１−４の接合面を重ね合わせて、上記各電極４上にバンプ２が形成されたＩＣチップ１−４の上記接合面と上記回路基板６−４のＩＣチップ接合領域６ａ−４との間に上記接合材料５を介して、上記ＩＣチップ１−４の上記各電極４上の上記バンプ２と上記回路基板６−４の各電極７とが電気的に接触するように位置決めしたのち接合する。この接合工程は、回路基板６−４が基台１０上に載置された状態で行うようにしてもよいし、別の個所で接合材料５を介してＩＣチップ１−４が回路基板６−４に重ね合わされて接合工程を行ったのち、本圧着工程において、接合材料５を介してＩＣチップ１−４が重ね合わされている回路基板６−４が基台１０上に載置されるようにしてもよい。
【００９５】
次いで、本圧着工程において、押圧部材８をＩＣチップ１−４に当接させて、接合材料５を介してＩＣチップ１−４が重ね合わされている回路基板６−４が載置された基台１０に向けて押圧部材８から押圧力を作用させるとともに、押圧部材８内に内蔵されたヒータの熱を押圧部材８からＩＣチップ１−４に伝達する。この結果、所定温度を加えつつ所定の加圧力を作用させて、ＩＣチップ１−４の接合面を回路基板６−４のＩＣチップ接合領域６ａ−４に押圧することにより、ＩＣチップ１−４の接合面の各電極４上のバンプ２が回路基板６−４のＩＣチップ接合領域６ａ−４内の各電極７に接触する。このとき、長方形のＩＣチップ１−４が回路基板６−４に対して短手方向すなわち幅方向にの両側に有機膜３２９が配置されていることにより流動抵抗を増加させることができて、バンプ２，…，２の列の両側において、有機膜３２９が無い場合と比較して、図１９に示すようにＩＣチップ１−４と回路基板６−４との間での流動速度を低下させることができ、回路基板６−４のＩＣチップ接合領域６ａ−４内の各辺の辺部近傍において同様に接合材料５の中央部から周辺部へ向けての流動が規制されて、不均一に接合材料５が流動するのを防止し、少なくともＩＣチップ接合領域６ａ−４全体において接合材料５が大略均一に分布保持されて上記熱により硬化させられてＩＣチップ実装体を製造することができる。すなわち、上記本圧着工程において、上記有機膜３２９により、上記ＩＣチップ１−４の上記接合領域６ａ−４の中央部から周辺部への圧着時の上記接合材料５の不均一な押し出しを規制することができる。
【００９６】
なお、上記説明においては、接合工程においてＩＣチップ１−４の各バンプ２と回路基板６−４の各電極７とが接触するように記載したが、これに限られるものではなく、接合工程ではＩＣチップ１−４の各バンプ２と回路基板６−４の各電極７とが接触せず、本圧着工程で初めてＩＣチップ１−４の各バンプ２と回路基板６−４の各電極７とが接触するようにしてもよい。
【００９７】
上記第４実施形態によれば、長方形ＩＣチップ接合領域６ａ−４において、長方形のＩＣチップ１−４が回路基板６−４に対して短手方向すなわち幅方向に１点で支持され、かつ、その両側に有機膜３２９を配置することにより、バンプ２，…，２の列の両側において、有機膜３２９が無い場合と比較して、図１９に示すようにＩＣチップ１−４と回路基板６−４との間での流動速度を低下させることができて、上記圧着工程での上記ＩＣチップ１−４の上記接合面と上記回路基板６−４のＩＣチップ接合領域６ａ−４との間の上記接合材料５の中央部から周辺部への接合材料５の流動時に有機膜３２９が接合材料流動規制部材として機能し、上記接合材料５の中央部から周辺部への流動の大略均一化を図り、かつ、ＩＣチップ１−４の接合面内での接合材料５の分布の均一化が図れ、密着力が向上し、接合及び封止の信頼性を高めることができる。
【００９８】
（第５実施形態）
本発明の第５実施形態にかかる電子部品の実装方法及びその方法により製造される電子部品実装体の一例としての、ＩＣチップの実装方法及びその方法により製造されるＩＣチップ実装体を図２３〜図２６に基づいて説明する。図２３（Ａ）及び（Ｂ）は第５実施形態にかかるＩＣチップの実装方法の接合工程前の上記ＩＣチップの側面図及び裏面図であり、図２４は圧着工程での接合材料の流動状態を示し、ＩＣチップを透視して回路基板上での接合材料の動きを示す平面図である。また、図２５（Ａ）及び（Ｂ）は第５実施形態を説明するための従来例にかかるＩＣチップの実装方法の接合工程前の上記ＩＣチップの側面図及び裏面図であり、図２６は圧着工程での接合材料の流動状態を示し、ＩＣチップを透視して回路基板上での接合材料の動きを示す平面図である。
【００９９】
上記第４実施形態においては、四角形のＩＣチップ１−５の中央部に一列のバンプ２，…，２を有するものであったが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、第５実施形態では、図２３に示すように、電子部品の一例としての長方形のＩＣチップ１−５の接合面において、４辺のうちの対向する２辺（図２３（Ｂ）では左右の２辺）の辺部近傍にのみそれぞれ辺と大略平行にかつ大略等間隔に一列のバンプ２，…，２を有するものであって、ＩＣチップ１−５の接合面の残りの２辺（図２３（Ｂ）では上下の２辺）の辺部近傍にはバンプ２が無く、回路形成体の一例としての回路基板６−５のＩＣチップ接合領域６ａ−５の外側及び内側全域に、各電極７の各バンプ２との接合部を除いて、大略全面的に、接合材料流動規制部材の一例としての有機膜３３９を配置して、有機膜３３９により接合材料５の流動規制を行うものである。
【０１００】
上記有機膜３３９は、例えば、他の配線又はバンプなどとの電気的な接触を防止して絶縁性を保持し導体を保護する耐熱性コーティングとして機能する、ポリイミド又はポリベンザオキサゾール（ＰＢＯ）などのソルダーレジストより構成され、そのような有機膜３３９を例えば厚さ３〜７μｍ程度だけスピンコートして、回路基板６−５のＩＣチップ接合領域６ａ−５及びその外側に全面的に塗布する。その後、図２４に示すように、電極７，…，７のうちバンプ２，…，２との接合に必要な接合部を含む領域３４０を帯状に除去して当該接合部を露出させる。除去する領域３４０は帯状に独立していてもよいし、連結されて枠状に形成されていてもよい。この結果、有機膜３３９を、回路基板６−５のＩＣチップ接合領域６ａ−５外側及び内側全域に、各電極７の各バンプ２との接合部を除いて、大略全面的に、形成することができる。
【０１０１】
従来では、図２５に示すように、長方形のＩＣチップ７０１の対向する２辺（図２５（Ｂ）では左右の２辺）の辺部近傍のそれぞれにおいて電極７０４，…，７０４上にバンプ７０２，…，７０２が大略等間隔に配列されている一方、ＩＣチップ７０１の接合面の残りの２辺（図２５（Ｂ）では上下の２辺）の辺部近傍にはバンプ７０２が全く無いとともに、回路基板７０６のＩＣチップ接合領域７０６ａの外側の周囲に有機膜５３９を配置していると仮定する。このようにバンプ７０２，…，７０２がＩＣチップ７０１に配置されている状態で、接合材料７０５を回路基板７０６に供給したのち、接合面の電極７０４上にバンプ７０２が形成されたＩＣチップ７０１の上記接合面と上記回路基板７０６のＩＣチップ接合領域７０６ａとの間に上記接合材料７０５を介して、上記ＩＣチップ７０１の上記電極７０４上の上記バンプ７０２と上記回路基板７０６の電極７０７とが電気的に接触するように接合し、基台７１０上に上記回路基板７０６を載置し、ＩＣチップ７０１に加熱された押圧部材７０８を当接させて加圧することにより、加熱及び加圧状態で上記ＩＣチップ７０１を圧着して上記ＩＣチップ７０１の上記接合面と上記回路基板７０６のＩＣチップ接合領域７０６ａとの間の上記接合材料７０５を硬化させる。このような場合、有機膜５３９が無い回路基板７０６のＩＣチップ接合領域７０６ａ内から有機膜５３９が配置されている回路基板７０６のＩＣチップ接合領域７０６ａ外に向けて接合材料７０５が流れ出すとき、ＩＣチップ７０１の接合面の大略等間隔に配列されているバンプ７０２，…，７０２が配置されている辺部近傍よりも、バンプ７０２が欠けている位置の辺部近傍において接合材料７０５が大きく流れ出すことになる。この結果、ＩＣチップ７０１の中央部分では接合材料７０５の密度が疎になり、接合力及び封止力が低下することになる。
【０１０２】
このような接合力及び封止力の低下を防止するため、第５実施形態では、上記接合材料供給工程の前に、図２３（Ａ），（Ｂ）に示すように、回路基板６−５のＩＣチップ接合領域６ａ−５の外側及び内側全域に、電極７のバンプ２との接合部を除いて、大略全面的に、接合材料流動規制部材の一例としての有機膜３３９を配置して、有機膜３３９により接合材料５の流動規制を行うものである。この結果、長方形のＩＣチップ１−５のバンプ２，…，２を有する上記対向する２辺（図２３（Ｂ）では左右の短辺の２辺）の辺部近傍と、バンプ２が無い２対向する別の２辺（図２３（Ｂ）では上下の長辺の２辺）の辺部近傍とのそれぞれにおいて、有機膜３３９が同様に配置されているため、流動抵抗も同様なものとなり、有機膜３３９が無い場合と比較して、流動抵抗が高まり、接合材料５の流動規制が同様に行われる。
【０１０３】
このように回路基板６−５のＩＣチップ接合領域６ａ−５の外側及び内側全域に、電極７のバンプ２との接合部を除いて、大略全面的に、有機膜３３９が配置されている状態で、接合材料供給工程において、ＩＣチップ１−５の接合面又は回路形成体の一例としての回路基板６−５のＩＣチップ接合領域６ａ−５の少なくともいずれか一方に、少なくとも絶縁性の熱硬化性樹脂を含む接合材料５を供給する。接合材料５の供給方法は第１実施形態と同様である。
【０１０４】
次いで、接合工程において、接合材料５を間に挟んで回路基板６−５のＩＣチップ接合領域６ａ−５にＩＣチップ１−５の接合面を重ね合わせて、上記各電極４上にバンプ２が形成されたＩＣチップ１−５の上記接合面と上記回路基板６−５のＩＣチップ接合領域６ａ−５との間に上記接合材料５を介して、上記ＩＣチップ１−５の上記各電極４上の上記バンプ２と上記回路基板６−５の各電極７とが電気的に接触するように位置合わせしたのち接合する。この接合工程は、回路基板６−５が基台（例えば、図１９の基台１０参照）上に載置された状態で行うようにしてもよいし、別の個所で接合材料５を介してＩＣチップ１−５が回路基板６−５に重ね合わされて接合工程を行ったのち、本圧着工程において、接合材料５を介してＩＣチップ１−５が重ね合わされている回路基板６−５が基台上に載置されるようにしてもよい。
【０１０５】
次いで、本圧着工程において、押圧部材（例えば、図１９の押圧部材８参照）をＩＣチップ１−５に当接させて、接合材料５を介してＩＣチップ１−５が重ね合わされている回路基板６−５が載置された基台に向けて押圧部材から押圧力を作用させるとともに、押圧部材内に内蔵されたヒータの熱を押圧部材からＩＣチップ１−５に伝達する。この結果、所定温度を加えつつ所定の加圧力を作用させて、ＩＣチップ１−５の接合面を回路基板６−５のＩＣチップ接合領域６ａ−５に押圧することにより、ＩＣチップ１−５の接合面の各電極４上のバンプ２が回路基板６−５のＩＣチップ接合領域６ａ−５内の各電極７に接触する。このとき、上記ＩＣチップ１−５の上記接合面と上記回路基板６−５のＩＣチップ接合領域６ａ−５との間の上記接合材料５を、上記ＩＣチップ１−５の上記接合面の中央部から周辺部へ向けて押し出そうとする。ここで、上記したようにバンプ２が欠けている位置にも配置されている位置にも有機膜３３９が配置されている結果として、ＩＣチップ１−５の上記接合面の各辺の辺部近傍においては、いずれの辺の辺部近傍でも流動速度が、大略一定となり、同様に接合材料５の中央部から周辺部へ向けての流動が規制されて、不均一に接合材料５が流動するのを防止し、少なくともＩＣチップ１−５の接合面全体において接合材料５が大略均一に分布保持されて上記熱により硬化させられてＩＣチップ実装体を製造することができる。すなわち、上記本圧着工程において、上記ＩＣチップ１−５に備えた有機膜３３９により、上記ＩＣチップ１−５の上記接合面の中央部から周辺部への圧着時の上記接合材料５の不均一な押し出しを規制することができる。
【０１０６】
上記接合材料流動規制部材の例としての各有機膜３３９の高さ、各有機膜３３９の耐熱性、及び、接合材料５の例については、第４実施形態と同様である。
【０１０７】
なお、上記説明においては、接合工程においてＩＣチップ１−５の各バンプ２と回路基板６−５の各電極７とが接触するように記載したが、これに限られるものではなく、接合工程ではＩＣチップ１−５の各バンプ２と回路基板６−５の各電極７とが接触せず、本圧着工程で初めてＩＣチップ１−５の各バンプ２と回路基板６−５の各電極７とが接触するようにしてもよい。
【０１０８】
上記第５実施形態によれば、回路基板６−５のＩＣチップ接合領域６ａ−５の外側及び内側全域に、電極７のバンプ２との接合部を除いて、大略全面的に、接合材料流動規制部材の一例としての有機膜３３９を配置することにより、上記圧着工程での上記ＩＣチップ１−５の上記接合面と上記回路基板６−５のＩＣチップ接合領域６ａ−５との間の上記接合材料５の中央部から周辺部への接合材料５の流動時に有機膜３３９が接合材料流動規制部材として機能し、ＩＣチップ１−５の各辺の辺部近傍での上記接合材料５の中央部から周辺部への流動の大略均一化を図り、かつ、ＩＣチップ１−５の接合面内での接合材料５の分布の均一化が図れ、密着力が向上し、接合及び封止の信頼性を高めることができる。
【０１０９】
（第６実施形態）
本発明の第６実施形態にかかる電子部品の実装方法及びその方法により製造される電子部品実装体の一例としての、ＩＣチップの実装方法及びその方法により製造されるＩＣチップ実装体を図２７〜図３０に基づいて説明する。図２７（Ａ），（Ｂ）は第６実施形態にかかるＩＣチップの実装方法の接合工程前の回路基板の側面図及び平面図であり、図２７（Ｃ）及び図２８は圧着工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の一部断面側面及び部分的に拡大した一部断面側面図である。また、図２９（Ａ），（Ｂ）は第６実施形態を説明するための従来例にかかるＩＣチップの実装方法の接合工程前の上記回路基板の側面図及び平面図であり、図２９（Ｃ）及び図３０は上記従来例の圧着工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の一部断面側面及び部分的に拡大した一部断面側面図である。
【０１１０】
上記接合材料流動規制部材の一例としての有機膜３３９を配置する位置は、回路基板６−６のＩＣチップ接合領域６ａ−６内に限るものではなく、この第６実施形態のように、回路基板６−６のＩＣチップ接合領域６ａ−６の外側に配置するようにしてもよい。すなわち、上記第６実施形態においては、図２７（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）及び図２８に示すように、回路形成体の一例としての回路基板６−６のＩＣチップ接合領域６ａ−６の外側の接合材料はみ出し領域に、ＩＣチップ接合領域６ａ−６を囲むような四角形枠状に構成されて回路基板表面より大きく突出したフィレット形成用凸部としてのダム部３４５を上記接合材料流動規制部材の一例として設けて、電子部品の一例としての正方形のＩＣチップ１−６の接合面と回路基板６−６のＩＣチップ接合領域６ａ−６との間に挟みこまれる接合材料５が圧着工程で回路基板６−６のＩＣチップ接合領域６ａ−６の外側に流れ出したとき、上記ダム部３４５により盛り上がるようにほぼ堰き止められてＩＣチップ１−６の側面を覆うフィレット５Ａを大きくして、封止樹脂として機能する接合材料５によるＩＣチップ１−６の封止効果を向上させて、信頼性の向上を図ることができるようにすることもできる。
【０１１１】
上記ダム部３４５は、例えば、ソルダーレジストなどの有機膜、又は、上記回路基板６−６の上記電極７と同じ構成でかつ上記電極７より厚いダミー電極より構成することができる。
【０１１２】
上記ダム部３４５を上記有機膜から構成する場合には、例えば２層の有機膜、すなわち、下側の有機膜３４９と上側の有機膜３４８とより構成することができる。下側の有機膜３４９は、例えば、他の配線又はバンプなどとの電気的な接触を防止して絶縁性を保持し導体を保護する耐熱性コーティングとして機能する、ポリイミド又はポリベンザオキサゾール（ＰＢＯ）などのソルダーレジストより構成され、そのような有機膜３４９を例えば厚さ３〜７μｍ程度だけスピンコートして、図２７（Ｂ）に示すように、回路基板６−６のＩＣチップ接合領域６ａ−６の外側に四角形枠状に塗布する。その後、有機膜３４９の上に、ＩＣチップ接合領域６ａ−６のすぐ外側の近傍にのみ、小さな幅の上側の有機膜３４８を配置して形成している。この上側の有機膜３４８は、ペースト樹脂のスクリーン印刷（通常のソルダーレジスト印刷と凸部印刷の組み合わせ）、又は、フィルムの貼り付け若しくはラミネートにより形成される。ここで、上記ダム部３４５の各層の具体例は、レジスト材料をそのまま使うことを中心に考えれば、エポキシ樹脂又はウレタン樹脂が好ましい。フィルムの貼り付けなどで形成する場合には、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ポリエチレン、若しくは、ポリプロピレン樹脂等の熱可塑性樹脂、又は、エポキシ（未硬化）フィルムが使用できる。基板側との密着性を考えれば、エポキシ系樹脂が好ましい。
【０１１３】
従来では、図２９に示すように、正方形のＩＣチップ７０１に対応する回路基板７０６のＩＣチップ接合領域７０６ａの外側の周囲に四角形枠状に有機膜５４９を配置していると仮定する。このように有機膜５４９が配置されている状態で、接合材料７０５を回路基板７０６に供給したのち、ＩＣチップ７０１の上記接合面と上記回路基板７０６のＩＣチップ接合領域７０６ａとの間に上記接合材料７０５を介して、上記ＩＣチップ７０１の上記電極７０４上の上記バンプ７０２と上記回路基板７０６の電極７０７とが電気的に接触するように接合し、基台７１０上に上記回路基板７０６を載置し、ＩＣチップ７０１に加熱された押圧部材７０８を当接させて加圧することにより、加熱及び加圧状態で上記ＩＣチップ７０１を圧着して上記ＩＣチップ７０１の上記接合面と上記回路基板７０６のＩＣチップ接合領域７０６ａとの間の上記接合材料７０５を硬化させる。このような場合、有機膜５３９が無い回路基板７０６のＩＣチップ接合領域７０６ａ内から有機膜５４９が配置されている回路基板７０６のＩＣチップ接合領域７０６ａ外に向けて接合材料７０５が流れ出すとき、ＩＣチップ接合領域７０６ａの外側に離れて配置された有機膜５４９に接合材料７０５が接触するまで、上記ＩＣチップ７０１の上記接合面と上記回路基板７０６のＩＣチップ接合領域７０６ａとの間から流れ出し、有機膜５４９に接合材料７０５が接触すると、接合材料７０５が盛り上がってＩＣチップ７０１の側面を一部覆うようになる。しかしながら、ＩＣチップ７０１の側面の一部しか覆われていないため、接合材料７０５による封止は不充分なものとなっている。
【０１１４】
このような不充分な封止を防止するため、第６実施形態では、上記接合材料供給工程の前に、図２７（Ａ），（Ｂ）に示すように、回路基板６−６のＩＣチップ接合領域６ａ−６の外側の接合材料はみ出し領域、言い替えれば、ＩＣチップ接合領域６ａ−６から所定間隔を空けてＩＣチップ接合領域６ａ−６を囲むような四角形枠状の領域に、ソルダーレジストなどの有機膜から構成されて回路基板表面より大きく突出したダム部３４５を接合材料流動規制部材の一例として配置して、ダム部３４５により接合材料５の流動規制を行うものである。この結果、ダム部３４５が配置されていることにより、ダム部３４５が無い又は低い従来の場合と比較して、上記ダム部３４５により接合材料５が盛り上がるように、接合材料５が回路基板表面沿いに流れ出ようとするのをほぼ堰き止めることができて、ＩＣチップ１−６の側面を覆うようにフィレット５Ａを大きくすることができる。
【０１１５】
このようにダム部３４５が配置されている状態で、接合材料供給工程において、ＩＣチップ１−６の接合面又は回路形成体の一例としての回路基板６−６のＩＣチップ接合領域６ａ−６の少なくともいずれか一方に、少なくとも絶縁性の熱硬化性樹脂を含む接合材料５を供給する。接合材料５の供給方法は第１実施形態と同様である。
【０１１６】
次いで、接合工程において、接合材料５を間に挟んで回路基板６−６のＩＣチップ接合領域６ａ−６にＩＣチップ１−６の接合面を重ね合わせて、上記各電極４上にバンプ２が形成されたＩＣチップ１−６の上記接合面と上記回路基板６−６のＩＣチップ接合領域６ａ−６との間に上記接合材料５を介して、上記ＩＣチップ１−６の上記各電極４上の上記バンプ２と上記回路基板６−６の各電極７とが電気的に接触するように位置合わせしたのち接合する。この接合工程は、回路基板６−６が基台１０上に載置された状態で行うようにしてもよいし、別の個所で接合材料５を介してＩＣチップ１−６が回路基板６−６に重ね合わされて接合工程を行ったのち、本圧着工程において、接合材料５を介してＩＣチップ１−６が重ね合わされている回路基板６−６が基台１０上に載置されるようにしてもよい。
【０１１７】
次いで、本圧着工程において、押圧部材８をＩＣチップ１−６に当接させて、接合材料５を介してＩＣチップ１−６が重ね合わされている回路基板６−６が載置された基台１０に向けて押圧部材８から押圧力を作用させるとともに、押圧部材８内に内蔵されたヒータの熱を押圧部材８からＩＣチップ１−６に伝達する。この結果、所定温度を加えつつ所定の加圧力を作用させて、ＩＣチップ１−６の接合面を回路基板６−６のＩＣチップ接合領域６ａ−６に押圧することにより、ＩＣチップ１−６の接合面の各電極４上のバンプ２が回路基板６−６のＩＣチップ接合領域６ａ−６内の各電極７に接触する。このとき、上記ＩＣチップ１−６の上記接合面と上記回路基板６−６のＩＣチップ接合領域６ａ−６との間の上記接合材料５を、上記ＩＣチップ１−６の上記接合面と上記回路基板６−６のＩＣチップ接合領域６ａ−６との間から外側に向けて押し出そうとする。ここで、上記したように、ＩＣチップ接合領域６ａ−６から所定間隔を空けてＩＣチップ接合領域６ａ−６を囲むような四角形枠状の領域に配置されたダム部３４５により、上記押し出されて回路基板表面沿いに流れ出てきた接合材料５が堰止められる結果として、ＩＣチップ１−６の側面において、接合材料５がダム部３４５により盛り上がり、ＩＣチップ１−６の側面の少なくとも回路基板側の半分程度まで覆うことができたのち、上記熱により硬化させられてＩＣチップ実装体を製造することができる。すなわち、上記本圧着工程において、上記ＩＣチップ１−６に備えたダム部３４５により、上記ＩＣチップ１−６の側面に大きなフィレット５Ａを形成することができて、ＩＣチップ１−６の側面の封止力を向上させることができる。
【０１１８】
上記接合材料流動規制部材の例としてのダム部３４５の高さとしては、上記効果を確実に奏するためには、従来の有機膜３３９よりも少なくとも２倍以上の厚みを有することが好ましい。ダム部３４５を構成する各有機膜３４８，３４９の耐熱性、及び、接合材料５の例については、第５実施形態と同様である。
【０１１９】
なお、上記説明においては、接合工程においてＩＣチップ１−６の各バンプ２と回路基板６−６の各電極７とが接触するように記載したが、これに限られるものではなく、接合工程ではＩＣチップ１−６の各バンプ２と回路基板６−６の各電極７とが接触せず、本圧着工程で初めてＩＣチップ１−６の各バンプ２と回路基板６−６の各電極７とが接触するようにしてもよい。
【０１２０】
なお、図２７（Ｃ）及び図２８では、ＩＣチップ１−６の接合面にはパッシベーション膜３０９が配置されているが、これに限られるものではなく、パッシベーション膜３０９が無くてもよい。
【０１２１】
上記第６実施形態によれば、回路基板６−６のＩＣチップ接合領域６ａ−６から所定間隔を空けてＩＣチップ接合領域６ａ−６を囲むような四角形枠状の領域にダム部３４５を接合材料流動規制部材の一例として配置することにより、上記圧着工程での上記ＩＣチップ１−６の上記接合面と上記回路基板６−６のＩＣチップ接合領域６ａ−６との間の上記接合材料５のＩＣチップ接合領域６ａ−６の外側への接合材料５の流動時に、ダム部３４５により、上記押し出されて回路基板表面沿いに流れ出てきた接合材料５が堰止められて盛り上がり、ＩＣチップ１−６の側面に大きなフィレット５Ａを形成することができて、ＩＣチップ１−６の側面の封止力を向上させることができて、密着力が向上し、接合及び封止の信頼性を高めることができる。
【０１２２】
（第７実施形態）
本発明の第７実施形態にかかる電子部品の実装方法及びその方法により製造される電子部品実装体の一例としての、ＩＣチップの実装方法及びその方法により製造されるＩＣチップ実装体を図３１〜図３４に基づいて説明する。図３１（Ａ），（Ｂ）は第７実施形態にかかるＩＣチップの実装方法の接合工程前の回路基板の側面図及び平面図であり、図３１（Ｃ）は圧着工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の一部断面側面であり、図３２は圧着工程での接合材料の流動状態を示し、ＩＣチップを透視して回路基板上での接合材料の動きを示す平面図である。図３３（Ａ），（Ｂ）は第７実施形態を説明するための従来例にかかるＩＣチップの実装方法の接合工程前の回路基板の側面図及び平面図であり、図３３（Ｃ）は図３３の従来例の圧着工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の一部断面側面であり、図３４は図３３の従来例の圧着工程での接合材料の流動状態を示し、ＩＣチップを透視して回路基板上での接合材料の動きを示す平面図である。
【０１２３】
第７実施形態では、図３１（Ｂ）に示すように、電子部品の一例としての正方形のＩＣチップ１−７の接合面に対応する、回路形成体の一例としての回路基板６−７のＩＣチップ接合基板６−７内で、配線密度が所定値以下の領域でかつ中心より偏心した領域（言い替えれば、接合材料５が不均一な流動を示す領域）に、回路基板６−７の電極７の厚みと大略同一厚みの接合材料流動規制部材としての凸部３５５を備える。この突起３５５は、ソルダーレジスト又は銅箔より構成されている。凸部３５５の形成方法としては、銅箔の場合には、配線と同時に形成（例えば、樹脂に貼り付けた銅箔のエッチング、又は、樹脂板上へのメッキで形成）する。ソルダーレジストを使用する場合には、基板上へのソルダーレジスト形成時に同時に行うのが好ましい。
【０１２４】
このように凸部３５５を配置することにより、回路基板６−７のＩＣチップ接合基板６−７内で電極パターンの配線密度の均一化を図ることができ、封止樹脂である接合材料５の流動の均一化を図り、ＩＣチップ１−７と回路基板６−７との間から外側にはみ出る接合材料５のはみ出し量を均一化させて、接合の安定化を図ることができる。
【０１２５】
これに対して、従来では、図３３及び図３４に示すように、回路基板７０６のＩＣチップ接合領域７０６ａ内で配線密度が所定値以下の領域７０６ｄが存在し、パターン配線密度が不均一なものとなっている場合には、以下のような問題がある。接合材料７０５を回路基板７０６に供給したのち、接合面の電極７０４上にバンプ７０２が形成されたＩＣチップ７０１の上記接合面と上記回路基板７０６のＩＣチップ接合領域７０６ａとの間に上記接合材料７０５を介して、上記ＩＣチップ７０１の上記電極７０４上の上記バンプ７０２と上記回路基板７０６の電極７０７とが電気的に接触するように接合し、基台上に上記回路基板７０６を載置し、ＩＣチップ７０１に加熱された押圧部材を当接させて加圧することにより、加熱及び加圧状態で上記ＩＣチップ７０１を圧着して上記ＩＣチップ７０１の上記接合面と上記回路基板７０６のＩＣチップ接合領域７０６ａとの間の上記接合材料７０５を硬化させる。このような場合、回路基板７０６のＩＣチップ接合領域７０６ａ内から外に向けて接合材料７０５が流れ出すとき、接合材料７０５の流動が不均一なものとなり、ＩＣチップ７０１と回路基板７０６との間から外側にはみ出る接合材料７０５のはみ出し量が不均一となり、接合の安定化を図ることができないものになる。
【０１２６】
このような接合力及び封止力の低下を防止するため、第７実施形態では、上記接合材料供給工程の前に、図３１（Ａ），（Ｂ）に示すように、回路基板６−７のＩＣチップ接合基板６−７の内の電極配線密度が所定値以下の領域でかつ中心より偏心した領域に、回路基板６−７の電極７の厚みと大略同一厚みの接合材料流動規制部材としての凸部３５５を備えるようにしている。
【０１２７】
このように凸部３５５が配置されている状態で、接合材料供給工程において、ＩＣチップ１−７の接合面又は回路基板６−７のＩＣチップ接合基板６−７の少なくともいずれか一方に、少なくとも絶縁性の熱硬化性樹脂を含む接合材料５を供給する。接合材料５の供給方法は第１実施形態と同様である。
【０１２８】
次いで、接合工程において、接合材料５を間に挟んで回路基板６−７のＩＣチップ接合基板６−７にＩＣチップ１−７の接合面を重ね合わせて、上記各電極４上にバンプ２が形成されたＩＣチップ１−７の上記接合面と上記回路基板６−７のＩＣチップ接合基板６−７との間に上記接合材料５を介して、上記ＩＣチップ１−７の上記各電極４上の上記バンプ２と上記回路基板６−７の各電極７とが電気的に接触するように位置合わせしたのち接合する。この接合工程は、回路基板６−７が基台１０上に載置された状態で行うようにしてもよいし、別の個所で接合材料５を介してＩＣチップ１−７が回路基板６−７に重ね合わされて接合工程を行ったのち、本圧着工程において、接合材料５を介してＩＣチップ１−７が重ね合わされている回路基板６−７が基台１０上に載置されるようにしてもよい。
【０１２９】
次いで、本圧着工程において、押圧部材８をＩＣチップ１−７に当接させて、接合材料５を介してＩＣチップ１−７が重ね合わされている回路基板６−７が載置された基台１０に向けて押圧部材８から押圧力を作用させるとともに、押圧部材８内に内蔵されたヒータの熱を押圧部材８からＩＣチップ１−７に伝達する。この結果、所定温度を加えつつ所定の加圧力を作用させて、ＩＣチップ１−７の接合面を回路基板６−７のＩＣチップ接合基板６−７に押圧することにより、ＩＣチップ１−７の接合面の各電極４上のバンプ２が回路基板６−７のＩＣチップ接合基板６−７内の各電極７に接触する。このとき、上記ＩＣチップ１−７の上記接合面と上記回路基板６−７のＩＣチップ接合基板６−７との間で上記接合材料５が、上記ＩＣチップ接合基板６−７の中央部から周辺部へ流動するとき、凸部３５５が無い場合と比較して、図３２に示すように、凸部３５５がある場合にはＩＣチップ接合基板６−７の内の電極配線密度が大略均一化され、ＩＣチップ接合基板６−７の中心部から周辺部に向けて接合材料５が流動するとき、不均一に接合材料５が流動するのを防止し、ＩＣチップ接合基板６−７全体において接合材料５が大略均一に分布保持されて上記熱により硬化させられてＩＣチップ実装体を製造することができる。すなわち、上記本圧着工程において、上記凸部３５５により、上記ＩＣチップ接合基板６−７の中央部から周辺部への圧着時の上記接合材料５の不均一な押し出しを規制することができる。なお、接合材料５の例については、第５実施形態と同様である。
【０１３０】
なお、上記説明においては、接合工程においてＩＣチップ１−７の各バンプ２と回路基板６−７の各電極７とが接触するように記載したが、これに限られるものではなく、接合工程ではＩＣチップ１−７の各バンプ２と回路基板６−７の各電極７とが接触せず、本圧着工程で初めてＩＣチップ１−７の各バンプ２と回路基板６−７の各電極７とが接触するようにしてもよい。
【０１３１】
なお、図３１（Ｃ）では、ＩＣチップ１−７の接合面にはパッシベーション膜３０９が配置されているが、これに限られるものではなく、パッシベーション膜３０９が無くてもよい。また、従来の有機膜５４９と同様な有機膜３５６をＩＣチップ接合基板６−７の外側に所定間隔をおいて四角形枠状に配置しているが、このような有機膜３５６が無くてもよい。
【０１３２】
上記第７実施形態によれば、回路基板６−７のＩＣチップ接合基板６−７の内の電極配線密度が所定値以下の領域でかつ中心より偏心した領域に、回路基板６−７の電極７の厚みと大略同一厚みの接合材料流動規制部材としての凸部３５５を備えることにより、回路基板６−７のＩＣチップ接合基板６−７内でパターン配線密度の均一化を図ることができ、封止樹脂である接合材料５の流動の均一化を図り、ＩＣチップ１−７と回路基板６−７との間から外側にはみ出る接合材料５のはみ出し量を均一化させて、接合の安定化を図ることができる。
【０１３３】
（第８実施形態）
本発明の第８実施形態にかかる電子部品の実装方法及びその方法により製造される電子部品実装体の一例としての、ＩＣチップの実装方法及びその方法により製造されるＩＣチップ実装体を図３５〜図３９に基づいて説明する。図３５（Ａ），（Ｂ）は第８実施形態にかかるＩＣチップの実装方法の接合工程前の回路基板の側面図及び平面図であり、図３６（Ａ），（Ｂ）は圧着工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の一部断面側面及び一部拡大断面側面図であり、図３７は圧着工程での接合材料の流動状態を示し、ＩＣチップを透視して回路基板上での接合材料の動きを示す平面図である。図３８及び図３９は第７実施形態を説明するための比較例にかかるＩＣチップの実装方法の圧着工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の一部拡大断面側面である。
【０１３４】
第８実施形態では、第７実施形態のソルダーレジスト又は銅箔による凸部３５５において、接合材料５と基板６−８との密着性を向上させるものである。すなわち、第７実施形態のような凸部３５５を例えば電極７と同一構成で構成しようとすると、図３８〜図３９に示すように、接合材料５によりＩＣチップ１と基板６とが接合されているとき接合材料５と基板６との間の凸部３５５は、接合材料側から順に、Ａｕ層３５５ａ、Ｎｉ層３５５ｂ、Ｃｕ層３５５ｃが配置されて、Ｃｕ層３５５ｃが基板６に接触しており、接合材料５とＡｕ層３５５ａとの密着性が弱く、両者の間で、３９５に示すようなハガレ部分が生じる可能性がある。
【０１３５】
そこで、本第８実施形態では、凸部３５５の代わりに、接合材料流動規制部材の一例としてメッシュ状の電極３６９とする。すなわち、回路形成体の一例としての回路基板６−８のＩＣチップ接合領域６ａ−８の中で、配線密度が所定値以下の領域でかつ中心より偏心した領域に、回路基板６−８の接合材料流動規制部材の一例としてのメッシュ状の電極３６９を備える。このメッシュ状の電極３６９は、例えば金製の電極をメッシュにして、封止樹脂の接合材料５に対するアンカー効果により、接合材料５と接着しやすいものとすることができる。
【０１３６】
このように、第８実施形態によれば、メッシュ状の電極３６９を配置することにより、回路基板６−８のＩＣチップ接合領域６ａ−８内での電極パターンの配線密度の均一化を図ることができ、接合材料５の流動の均一化を図り、電子部品の一例としての正方形のＩＣチップ１−８の接合面と回路基板６−８のＩＣチップ接合領域６ａ−８との間から外側にはみ出る接合材料５のはみ出し量を均一化させて、接続の安定化を図ることができる。さらに、このような効果に加えて、メッシュ状の電極３６９のメッシュを構成する貫通穴部分３６９ｈ，…，３６９ｈで基板６−８が露出し、メッシュ状の電極３６９上に配置する接合材料５が上記貫通穴部分３６９ｈ，…，３６９ｈを貫通して基板６−８に直接接触することになる。この結果、メッシュ状電極３６９の貫通穴部分３６９ｈ，…，３６９ｈで接合材料５が基板６−８と直接密着接合することになり、接合材料５と基板６−８との密着性を向上させることができる。
【０１３７】
（第９実施形態）
本発明の第９実施形態にかかる電子部品の実装方法及びその方法により製造される電子部品実装体の一例としての、ＩＣチップの実装方法及びその方法により製造されるＩＣチップ実装体を図４０〜図４１に基づいて説明する。図４０（Ａ），（Ｂ）は第９実施形態にかかるＩＣチップの実装方法の接合工程前の回路基板の側面図及び平面図であり、図４１（Ａ），（Ｂ）は圧着工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の一部断面側面及び一部拡大断面側面図である。
【０１３８】
第９実施形態では、第７実施形態のソルダーレジスト又は銅箔による凸部３５５において、接合材料５と凸部３５５との密着性を向上させるものである。すなわち、第７実施形態のような凸部３５５を形成したのち、回路基板６−９のＩＣチップ接合領域６ａ−９の外側及び内側全域に、凸部３５５を含み、かつ、各電極７の各バンプ２との接合に必要な接合部を含む領域３４０を除いて、大略全面的に、接合材料流動規制部材の一例としての有機膜３３９を配置して、有機膜３３９により接合材料５の流動規制を行うものである。よって、この第９実施形態では、凸部３５５と有機膜３３９との両方が接合材料流動規制部材の一例として機能する。
【０１３９】
上記有機膜３３９は、第５実施形態で使用した有機膜３３９と同様なものであり、例えば、他の配線又はバンプなどとの電気的な接触を防止して絶縁性を保持し導体を保護する耐熱性コーティングとして機能する、ポリイミド又はポリベンザオキサゾール（ＰＢＯ）などのソルダーレジストより構成される。そのような有機膜３３９を例えば厚さ３〜７μｍ程度だけスピンコートして、回路基板６−９のＩＣチップ接合領域６ａ−９及びその外側に全面的に塗布する。その後、図４０に示すように、電極７，…，７のうちバンプ２，…，２との接合に必要な接合部を含む領域３４０を帯状に除去して当該接合部を露出させる。除去する領域３４０は帯状に独立していてもよいし、連結されて枠状に形成されていてもよい。この結果、有機膜３３９を、凸部３５５を含む、回路基板６−９のＩＣチップ接合領域６ａ−９外側及び内側全域に、各電極７の各バンプ２との接合部を除いて大略全面的に形成する。
【０１４０】
上記第９実施形態によれば、上記したように、凸部３５５を含む、回路基板６−９のＩＣチップ接合領域６ａ−９外側及び内側全域に、各電極７の各バンプ２との接合部を除いて大略全面的に有機膜３３９を配置することにより、上記圧着工程での上記ＩＣチップ１−９の上記接合面と上記回路基板６−９のＩＣチップ接合領域６ａ−９との間の上記接合材料５の中央部から周辺部への接合材料５の流動時に有機膜３３９が接合材料流動規制部材として機能し、ＩＣチップ１−９の各辺の辺部近傍での上記接合材料５の中央部から周辺部への流動の大略均一化を図り、かつ、ＩＣチップ１−９の接合面内での接合材料５の分布の均一化が図れ、密着力が向上し、接合及び封止の信頼性を高めることができる。
【０１４１】
（第１０実施形態）
本発明の第１０実施形態にかかる電子部品の実装方法及びその方法により製造される電子部品実装体の一例としての、ＩＣチップの実装方法及びその方法により製造されるＩＣチップ実装体を図４２〜図４５に基づいて説明する。図４２は第１０実施形態にかかるＩＣチップの実装方法の接合工程前の回路基板の平面図であり、図４３は圧着工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の部分的に拡大した一部断面側面図である。図４４は第１０実施形態を説明するための従来例にかかるＩＣチップの実装方法の接合工程前の回路基板の平面図であり、図４５は従来例の圧着工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の部分的に拡大した一部断面側面図である。
【０１４２】
第１実施形態では、正方形のＩＣチップ１−１０の電極７の無い各コーナー部付近において、ダミー電極３０３を１個又は複数個配置するようにしていたが、第１０実施形態として、ダミー電極３０３に替えて、接合材料流動規制部材の一例として有機膜３６０を配置することにより、第１実施形態と同様な作用効果を奏するようにすることもできる。
【０１４３】
すなわち、図４２に示すように、接合材料５の一例としてのシート材を使用し、電子部品の一例としての正方形のＩＣチップ１−１０の接合面に対応する、回路形成体の一例としての回路基板６−１０の正方形のＩＣチップ接合領域６ａ−１０の電極７が配置されていない各コーナー部付近を全て覆うように、接合材料流動規制部材の一例として、有機膜３６０を配置して、有機膜３６０により接合材料５の流動規制を行うものである。
【０１４４】
有機膜３６０は、各コーナー部付近のみに配置したり、各コーナー部付近に配置したものを相互に連結して四角形枠状に配置してもよい。
【０１４５】
従来では、図４４及び図４５に示すように、基板７０６のＩＣチップ接合領域７０６ａの電極７０７が欠けている位置すなわち各コーナー部付近から接合材料７０５がより大きな流動速度でＩＣチップ接合領域７０６ａの外側に基板沿いに流れ出して接合材料７０５の密度が低下してしまい、ＩＣチップ７０１の側面を封止する樹脂量が不足となり、ＩＣチップ７０１の側面を封止するフィレットが小さくなり、ＩＣチップ接合領域の周辺部でのＩＣチップ７０１と接合材料７０５との間で剥離が発生したり、基板７０６の電極７０７と接合材料７０５との間で剥離が発生したりすることになる。
【０１４６】
これに対して、第１０実施形態では、ＩＣチップ接合領域６ａ−１０の電極７が配置されていない各コーナー部付近を全て覆うように、接合材料流動規制部材の一例として、有機膜３６０を配置して、上記問題を解決するようにしている。
【０１４７】
上記第１０実施形態によれば、回路基板６−１０の正方形ＩＣチップ接合領域６ａ−１０において、その四隅のコーナー部を除く４辺の各辺の辺部近傍に大略等間隔に一列の電極７，…，７を有するものであって、回路基板６−１０のＩＣチップ接合領域６ａ−１０の上記辺の辺部近傍での電極７の無いコーナー部に有機膜３６０を配置することによって、上記圧着工程での上記ＩＣチップ１−１０の上記接合領域と上記回路基板６−１０のＩＣチップ接合領域６ａ−１０との間の上記接合材料５の中央部から周辺部のコーナー部への接合材料５の流動時に、電極７の無いコーナー部においても有機膜３６０が接合材料流動規制部材として機能し、基板６−１０のＩＣチップ接合領域６ａ−１０の中央部での流動速度ＳＰ１と、基板６−１０のＩＣチップ接合領域６ａ−１０の周辺部での流動速度ＳＰ２とが大略同じになり、ＩＣチップ接合領域６ａ−１０の各辺の辺部近傍及び各コーナー部付近での上記接合材料５の中央部から周辺部のコーナー部への流動の大略均一化を図り、かつ、ＩＣチップ１−１０の接合面言い替えれば上記回路基板６−１０のＩＣチップ接合領域６ａ−１０内での接合材料５の分布の均一化が図れるとともに、各コーナー部において有機膜３６０により接合材料５の回路基板表面沿いの流動を堰止めて盛り上げることにより、ＩＣチップ１−１０の側面を覆うフィレット５Ａを形成することができる。このように、ＩＣチップ１−１０の接合面内及び回路基板６−１０のＩＣチップ接合領域６ａ−１０内での接合材料５の分布の均一化が図れる結果として接合材料５の密度の低下を防止することができて、ＩＣチップ接合領域６ａ−１０の中央部と周辺部、特にコーナー部、でのＩＣチップ１−１０と接合材料５との密着性を増加させるとともに、基板６−１０の電極７又は有機膜３６０と接合材料５との間での密着性を増加させることにより、上記剥離を防止できるようにして、接合及び封止の信頼性を高めることができる。
【０１４８】
なお、上記した第１〜第１０実施形態において、上記各バンプ２は予めレベリングして高さを揃えたのち回路基板の各電極７に接触させるものの他、予めレベリングを行うことなく、各バンプ２を回路基板の各電極７に接触させて各電極７でレベリングを行ういわゆるノンスタッドバンプ（ＮＳＤ）形式の実装方法を採用することもできる。このノンスタッドバンプ（ＮＳＤ）形式の実装方法について以下に説明する。
【０１４９】
上記各実施形態における回路基板（以下では代表的に４０６で示す。）へのＩＣチップ（以下では代表的に４０１で示す。）の実装方法を図４８（Ａ）〜図５１（Ｃ）を用いて説明する。
【０１５０】
図４８（Ａ）のＩＣチップ４０１においてＩＣチップ４０１のＡｌパッド電極（以下では代表的に４０４で示す。）にワイヤボンディング装置により図４７（Ａ）〜図４７（Ｆ）のごとき動作によりバンプ（突起電極）（以下では代表的に４０２で示す。）を形成する。すなわち、図４７（Ａ）でホルダ１９３から突出したワイヤ１９５の下端にボール１９６を形成し、図４７（Ｂ）でワイヤ１９５を保持するホルダ１９３を下降させ、ボール１９３をＩＣチップ４０１の電極４０４に接合して大略バンプ４０２の形状を形成し、図４７（Ｃ）でワイヤ１９５を下方に送りつつホルダ１９３の上昇を開始し、図４７（Ｄ）に示すような大略四角形のループ１９９にホルダ１９３を移動させて図４７（Ｅ）に示すようにバンプ４０２の上部に湾曲部１９８を形成し、引きちぎることにより図４７（Ｆ）に示すようなバンプ４０２を形成する。あるいは、図４７（Ｂ）でワイヤ１９５をホルダ１９３でクランプして、ホルダ１９３を上昇させて上方に引き上げることにより、金ワイヤ１９５を引きちぎり、図４７（Ｇ）のようなバンプ４０２の形状を形成するようにしてもよい。このように、ＩＣチップ４０１の各電極４０４にバンプ４０２を形成した状態を図４８（Ｂ）に示す。一例としては、上記各ダミーバンプも上記バンプ４０２と同様に形成する。
【０１５１】
次に、図４８（Ｃ）に示す回路基板４０６の電極４０７上に、図４８（Ｄ）に示すように、ＩＣチップ４０１の大きさより若干大きな寸法にてカットされた接合材料の一例としての熱硬化性樹脂シート（以下では代表的に４０５で示す。）を配置し、例えば８０〜１２０℃に熱せられた貼付けツール４０８Ａにより、例えば４９〜９８Ｎ（５〜１０ｋｇｆ／ｃｍ2）程度の圧力で上記接合材料の具体例としての熱硬化性樹脂シート４０５を基板４０６の電極４０７上に貼り付ける。この後、熱硬化性樹脂シート４０５のツール４０８Ａ側に取り外し可能に配置されたセパレータ４０５ａを剥がすことにより、基板４０６の準備工程が完了する。このセパレータ４０５ａは、ツ−ル４０８Ａに熱硬化性樹脂シート４０５が貼り付くのを防止するためのものである。ここで、熱硬化性樹脂シート４０５は、シリカなどの無機系フィラーを入れたもの（例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミドなど）、無機系フィラーを全く入れないもの（例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミドなど）が好ましいとともに、後工程のリフロー工程での高温に耐えうる程度の耐熱性（例えば、２４０℃に１０秒間耐えうる程度の耐熱性）を有することが好ましい。
【０１５２】
次に、図４８（Ｅ）及び図４９（Ｆ）に示すように、熱せられた接合ツール４０８により、上記前工程でバンプ４０２が電極４０４上に形成されたＩＣチップ４０１を、上記前工程で準備された基板４０６のＩＣチップ４０１の電極４０４に対応する電極４０７上に位置決めしたのち押圧する。このとき、バンプ４０２は、その頭部４０２ａが、基板４０６の電極４０７上で図５１（Ａ）から図５１（Ｂ）に示すように変形されながら押しつけられていく、このときＩＣチップ４０１を介してバンプ４０２側に印加する荷重は、バンプ４０２の径により異なるが、折れ曲がって重なり合うようになっているバンプ４０２の頭部４０２ａが、必ず図５１（Ｃ）のように変形する程度の荷重を加えることが必要である。この荷重は最低でも１９６ｍＮ（２０ｇｆ）を必要とする。荷重の上限は、ＩＣチップ４０１、バンプ４０２、回路基板４０６などが損傷しない程度とする。場合によって、その最大荷重は９８０ｍＮ（１００ｇｆ）を越えることもある。なお、４０５ｍ及び４０５ｓは熱硬化性樹脂シート４０５が接合ツール４０８の熱により溶融した溶融中の熱硬化性樹脂及び溶融後に熱硬化された樹脂である。
【０１５３】
なお、セラミックヒータ又はパルスヒータなどの内蔵するヒータにより熱せられた接合ツール４０８により、上記前工程でバンプ４０２が電極４０４上に形成されたＩＣチップ４０１を、上記前工程で準備された基板４０６のＩＣチップ４０１の電極４０４に対応する電極４０７上に位置決めする位置決め工程と、位置決めしたのち押圧接合する工程とを１つの位置決め兼押圧接合装置で行うようにしてもよい。しかしながら、別々の装置、例えば、多数の基板を連続生産する場合において位置決め作業と押圧接合作業とを同時的に行うことにより生産性を向上させるため、位置決め工程は位置決め装置で行い、押圧接合工程は接合装置で行うようにしてもよい。
【０１５４】
このとき、一例として、回路基板４０６は、ガラス布積層エポキシ基板（ガラエポ基板）やガラス布積層ポリイミド樹脂基板などが用いられる。これらの基板４０６は、熱履歴や、裁断、加工により反りやうねりを生じており、必ずしも完全な平面ではないため、適宜、回路基板４０６の反りが矯正された状態で、例えば１４０〜２３０℃の熱が、ＩＣチップ４０１と回路基板４０６の間の熱硬化性樹脂シート４０５に例えば数秒〜２０秒程度印加され、この熱硬化性樹脂シート４０５が硬化される。このとき、最初は熱硬化性樹脂シート４０５を構成する熱硬化性樹脂が流れてＩＣチップ４０１のエッヂまで封止する。また、樹脂であるため、加熱されたとき、当初は自然に軟化するためこのようにエッヂまで流れるような流動性が生じる。熱硬化性樹脂の体積はＩＣチップ４０１と回路基板との間の空間の体積より大きくすることにより、この空間からはみ出すように流れ出て、封止効果を奏することができる。このとき、上記した各実施形態の接合材料流動規制部材により適宜流動規制が行われる。
【０１５５】
この後、加熱されたツール４０８が上昇することにより、加熱源がなくなるためＩＣチップ４０１と熱硬化性樹脂シート４０５の温度が急激に低下して、熱硬化性樹脂シート４０５は流動性を失い、図４９（Ｇ）及び図５１（Ｃ）に示すように、ＩＣチップ４０１は硬化した熱硬化性樹脂４０５ｓにより回路基板４０６上に固定される。また、回路基板４０６側をステージ４１０により加熱しておくと、接合ツール４０８の温度をより低く設定することができる。
【０１５６】
また、熱硬化性樹脂シート４０５を貼り付ける代わりに、図５０（Ｈ）に示すように熱硬化性接着剤４０５ｂを回路基板４０６上に、ディスペンスなどによる塗布、又は印刷、又は転写するようにしてもよい。熱硬化性接着剤４０５ｂを使用する場合は、基本的には上記した熱硬化性樹脂シート４０５を用いる工程と同一の工程を行う。熱硬化性樹脂シート４０５を使用する場合には、固体ゆえに取り扱いやすいとともに、液体成分が無いため高分子で形成することができ、ガラス転移点の高いものを形成しやすいといった利点がある。これに対して、熱硬化性接着剤４０５ｂを使用する場合には、基板４０６の任意の位置に任意の大きさに塗布、印刷、又は転写することができる。
【０１５７】
また、熱硬化性樹脂に代えて異方性導電膜（ＡＣＦ）を用いてもよく、さらに、異方性導電膜に含まれる導電粒子として、ニッケル粉に金メッキを施したものを用いることにより、電極４０７とバンプ４０２との間での接続抵抗値を低下せしめることができて尚好適である。
【０１５８】
なお、図４８（Ａ）から図４８（Ｇ）には熱硬化性樹脂シート４０５を回路基板４０６側に形成することについて説明し、図５０（Ｈ）には熱硬化性接着剤４０５ｂを回路基板４０６側に形成することについて説明したが、これに限定されるものではなく、図５０（Ｉ）又は図５０（Ｊ）に示すように、ＩＣチップ４０１側に形成するようにしてもよい。この場合、特に、熱硬化性樹脂シート４０５の場合には、熱硬化性樹脂シート４０５の回路基板側に取り外し可能に配置されたセパレータ４０５ａとともにゴムなどの弾性体１１７にＩＣチップ４０１を押し付けて、バンプ４０２の形状に沿って熱硬化性樹脂シート４０５がＩＣチップ４０１に貼り付けられるようにしてもよい。
【０１５９】
このようなノンスタッドバンプ（ＮＳＤ）形式の実装方法では、各バンプの先端部分を回路基板の各電極上で潰すため回路基板に対するＩＣチップの押し込み量（押圧量）が大きくなる。すると、接合材料をＩＣチップの接合面の周辺部側に流動させる力が大きくなり、上記ダミーバンプ又は凸部又は有機膜などの上記接合材料流動規制部材による接合材料の流動規制機能がより効果的に働くことになり、ＮＳＢ（ノンスタッドバンプ）ではより規制効果が大きくなる。
【０１６０】
一例として、ノンスタッドバンプ（ＮＳＤ）形式の実装方法では、例えば、直径７５μｍのバンプにおいて回路基板の電極に対して押し付けて潰すことにより電気的接合を得るとき高さにおいて３５μｍだけ短くなるようにバンプを潰すようにしている。このとき、ＩＣチップを回路基板に向けて押し付けるとき両者の間から接合材料が大きく押し出されるため、上記接合材料流動規制部材により上記接合材料の流出を規制し規制することにより、ＩＣチップ中央部分での接合材料の密度の低下を効果的に防止することができる。よって、このようなノンスタッドバンプ形式の実装方法では、接合材料の流出に対する抑制力が大きく期待できる。
【０１６１】
なお、上記第２実施形態において、バンプ２とダミーバンプ３との形状は大略同一であることが接合材料の流動規制を大略均一に行うためには好ましいが、これに限られるものではなく、許容される範囲内で異なる形状や高さとしてもよい。また、バンプとダミーバンプとの材質は異なるものにしてもよい。
【０１６２】
また、上記第２実施形態において、バンプ２とバンプ２の間隔、又はバンプ２とダミーバンプ３との間隔、ダミーバンプ３とダミーバンプ３の間隔は大略均一である場合を中心として説明したが、これに限られるものではなく、許容される範囲内で不均一な間隔となっていてもよい。この場合、許容される範囲外の部分にダミーバンプ３を配置することになる。
【０１６３】
なお、上記第１及び第２実施形態において、電極７２とダミー電極３０３又は３１３との形状は大略同一であることが接合材料の流動規制を大略均一に行うためには好ましいが、これに限られるものではなく、許容される範囲内で異なる形状や高さとしてもよい。また、電極７とダミー電極３０３又は３１３との材質は異なるものにしてもよい。
【０１６４】
また、上記第１及び第２実施形態において、電極７と電極７の間隔、又は電極７とダミー電極３０３又は３１３との間隔、ダミー電極３０３又は３１３とダミー電極３０３又は３１３の間隔は大略均一である場合を中心として説明したが、これに限られるものではなく、許容される範囲内で不均一な間隔となっていてもよい。この場合、許容される範囲外の部分にダミー電極３０３又は３１３を配置することになる。
【０１６５】
上記第２実施形態においては、接合材料流動規制部材として、ＩＣチップの電極４上にダミーバンプ３を形成する例について説明したが、本発明はこれに限られるものではなく、図５２に示すように、樹脂ペーストの印刷又はディペンスなどにより、上記ＩＣチップに直接的にダミーバンプと大略同等の高さのダミーバンプ状の突部２３Ａを形成するようにしてもよい。
【０１６６】
また、上記電子部品の接合面の電極４上にバンプ２を形成するようにしているが、バンプ２の代わりに、上記電子部品の接合面に電極４上に突出した凸状電極を形成するようにしてもよい。
【０１６７】
また、上記各実施形態において、ＩＣチップと回路基板との間からはみ出る接合材料５が、上記接合材料流動規制部材により流動規制を受けて、ＩＣチップの側面に対する盛り上がり部分であるフィレット５Ａを大きくする場合、ＩＣチップの側面をその厚みにおいて回路基板側から半分程度まで覆うように盛り上げることができる。すなわち、従来では、バンプ又はパッシベーション膜が配置されている部分では流動規制を受けるが、バンプ又はパッシベーション膜が配置されていない部分ではそのような規制を受けないため、フィレットを大きくすることができず、例えば、ＩＣチップの厚さが０．４ｍｍのとき０．１ｍｍ程度しかフィレットを形成することができなかった。しかしながら、上記各実施形態では、上記したように上記接合材料５が流動規制を受けるため、例えば、ＩＣチップの厚さが０．４ｍｍのとき０．２〜０．３ｍｍの高さまでフィレットが形成されることになり、フィレット５Ａを大きくすることができる。この結果、フィレットが小さい場合には、ＩＣチップと接合材料と又は基板と接合材料との界面に水分の侵入経路が形成されやすく、また、その経路も短いものであり、耐湿信頼性に劣るものであり、かつ、ヒートサイクル時に基板のソリに対して弱いものであった。しかしながら、フィレット５Ａが大きくなる結果、ＩＣチップと接合材料５と又は回路基板と接合材料５との界面に水分の侵入経路が形成されにくくなり、また、その経路も長くすることができて、耐湿信頼性に優れたものとなり、かつ、例えば−６５℃〜１５０℃までのヒートサイクル時での熱による基板のソリに対して強いものとなる。
【０１６８】
なお、上記実施形態のうち、ダミーバンプが配置されていない実施形態でも、ダミーバンプを配置するようにすれば、ＩＣチップ全面で接合樹脂の流動を均一化させることができる。
【０１６９】
なお、上記様々な実施形態のうちの任意の実施形態を適宜組み合わせることにより、それぞれの有する効果を奏するようにすることができる。
【０１７０】
【発明の効果】
本発明によれば、四角形すなわち正方形又は長方形のＩＣチップなどの電子部品を回路基板などの回路形成性体に押圧力により押し付けて接合材料を介して両者を接合するものにおいて、接合材料が不均一に流出する部分に上記接合材料流動規制部材を配置するようにしたので、上記電子部品を上記回路形成体に接合するとき両者の間の上記接合材料の流動が上記接合材料流動規制部材により規制されて、上記電子部品接合領域の中央部から周辺部への上記接合材料の流動の大略均一化を図り、かつ、電子部品接合領域内での接合材料の分布の均一化が図れ、密着力が向上し、接合及び封止の信頼性を高めることができる。
【０１７１】
より具体的には、本発明の一態様によれば、上記回路形成体の上記電子部品接合領域が四角形であり、その四角形の上記電子部品接合領域のうち対向する２対の辺のそれぞれに上記複数のバンプが形成されている場合にバンプが無いコーナー部に対応する上記回路形成体の上記電子部品接合領域のコーナー部に備えられかつ電気的接合を必要としない凸部を形成する場合、凸部がダミー電極であるときには、電極の配列状態を電子部品の各辺の辺部近傍及び各コーナー部付近とも大略同一にすることができる一方、凸部が有機膜であるときには、電子部品の各辺の辺部近傍及び各コーナー部付近に電極に代わる有機膜の凸部を配置することができる。この結果、圧着工程での上記電子部品の上記接合領域と上記回路形成体の電子部品接合領域との間の上記接合材料の中央部から周辺部のコーナー部への接合材料の流動時に上記凸部が接合材料流動規制部材として機能し、回路形成体の電子部品接合領域の中央部での流動速度と、回路形成体の電子部品接合領域の周辺部での流動速度とが大略同じになり、電子部品接合領域の各辺の辺部近傍及び各コーナー部付近での上記接合材料の中央部から周辺部のコーナー部への流動の大略均一化を図り、かつ、電子部品の接合面言い替えれば上記回路形成体の電子部品接合領域内での接合材料の分布の均一化が図れる。このように、電子部品の接合面内及び回路形成体の電子部品接合領域内での接合材料の分布の均一化が図れる結果として接合材料の密度の低下を防止することができて、電子部品接合領域の中央部と周辺部、特にコーナー部、での電子部品と接合材料との密着性を増加させるとともに、回路形成体の電極又は上記凸部と接合材料との間での密着性を増加させることにより、上記剥離を防止できるようにして、接合及び封止の信頼性を高めることができる。
【０１７２】
また、本発明の別の態様によれば、四角形すなわち正方形又は長方形の電子部品の接合面において、その四隅のコーナー部を除く４辺の各辺の辺部近傍に大略等間隔に一列のバンプを有するものであって、電子部品の接合面の上記辺の辺部近傍でのバンプの無い箇所にダミーバンプを形成するとともに、回路形成体の電子部品接合領域の上記辺の辺部近傍での電極の無い箇所にダミー電極を形成する場合には、バンプの配列状態を電子部品の各辺の辺部近傍とも大略同一にすることができるとともに電極の配列状態を回路形成体の電子部品接合領域の各辺の辺部近傍とも大略同一にすることができて、上記圧着工程での上記電子部品の上記接合面と上記回路形成体の電子部品接合領域との間の上記接合材料の中央部から周辺部への接合材料の流動時にダミーバンプ及びダミー電極が接合材料流動規制部材として機能し、電子部品の各辺の辺部近傍及び回路形成体の電子部品接合領域の各辺の辺部近傍での上記接合材料の中央部から周辺部への流動の大略均一化を図り、かつ、電子部品の接合面内及び回路形成体の電子部品接合領域内での接合材料の分布の均一化が図れ、密着力が向上し、接合及び封止の信頼性を高めることができる。また、電子部品の接合面内及び回路形成体の電子部品接合領域内での接合材料の分布の均一化が図れる結果として接合材料の密度の低下を防止することができて、電子部品の側面を封止するために十分な量の接合材料が供給され、電子部品の側面を封止するフィレットを大きくすることができて、電子部品接合領域の周辺部での電子部品と接合材料との間で剥離や回路形成体の電極と接合材料との間で剥離を効果的に防止することができる。
【０１７３】
また、本発明の別の態様によれば、回路形成体の電子部品接合領域の外側及び上記電子部品接合領域の周辺部に有機膜を配置する場合には、有機膜が、接合材料流動規制部材の一例の接合材料流動規制膜として接合材料の流動規制を行うことができる。この結果、有機膜が無い場合と比較して、上記圧着工程での上記電子部品の上記接合面と上記回路形成体の電子部品接合領域との間の上記接合材料の中央部から周辺部への接合材料の流動時に、有機膜が接合材料流動規制部材として機能して電子部品と回路形成体との間での流動速度を低下させることができ、上記接合材料の中央部から周辺部への流動の大略均一化を図り、かつ、電子部品の接合面内での接合材料の分布の均一化が図れ、密着力が向上し、接合及び封止の信頼性を高めることができる。
【０１７４】
また、本発明の別の態様によれば、上記回路形成体の上記電子部品接合領域が四角形でありかつ上記四角形の上記電子部品接合領域のうち中央に一列の上記複数の電極が配置されて電子部品が回路形成体に対して短手方向すなわち幅方向に１点で支持され、かつ、その両側に有機膜を配置する場合には、バンプの列の両側において、有機膜が無い場合と比較して、電子部品と回路形成体との間での流動速度を低下させることができて、上記圧着工程での上記電子部品の上記接合面と上記回路形成体の電子部品接合領域との間の上記接合材料の中央部から周辺部への接合材料の流動時に有機膜が接合材料流動規制部材として機能し、上記接合材料の中央部から周辺部への流動の大略均一化を図り、かつ、電子部品の接合面内での接合材料の分布の均一化が図れ、密着力が向上し、接合及び封止の信頼性を高めることができる。
【０１７５】
また、本発明の別の態様によれば、回路形成体の電子部品接合領域の外側及び内側全域に、電極のバンプとの接合部を除いて、大略全面的に、接合材料流動規制部材の一例としての有機膜を配置する場合には、上記圧着工程での上記電子部品の上記接合面と上記回路形成体の電子部品接合領域との間の上記接合材料の中央部から周辺部への接合材料の流動時に有機膜が接合材料流動規制部材として機能し、電子部品の各辺の辺部近傍での上記接合材料の中央部から周辺部への流動の大略均一化を図り、かつ、電子部品の接合面内での接合材料の分布の均一化が図れ、密着力が向上し、接合及び封止の信頼性を高めることができる。
【０１７６】
また、本発明の別の態様によれば、回路形成体の電子部品接合領域から所定間隔を空けて電子部品接合領域を囲むような四角形枠状の領域にフィレット形成用凸部を接合材料流動規制部材の一例として配置する場合には、上記圧着工程での上記電子部品の上記接合面と上記回路形成体の電子部品接合領域との間の上記接合材料の電子部品接合領域の外側への接合材料の流動時に、フィレット形成用凸部により、上記押し出されて回路基板表面沿いに流れ出てきた接合材料が堰止められて盛り上がり、電子部品の側面に大きなフィレットを形成することができて、電子部品の側面の封止力を向上させることができて、密着力が向上し、接合及び封止の信頼性を高めることができる。
【０１７７】
また、本発明の別の態様によれば、回路形成体の電子部品接合領域の内で上記接合材料が不均一な流動を示す領域、例えば、電子部品接合領域内の電極配線密度が所定値以下の領域でかつ中心より偏心した領域に、回路形成体の電極の厚みと大略同一厚みの接合材料流動規制部材としての凸部を備える場合には、回路形成体の電子部品接合領域内でパターン配線密度の均一化を図ることができ、接合材料の流動の均一化を図り、電子部品と回路形成体との間から外側にはみ出る接合材料のはみ出し量を均一化させて、接合の安定化を図ることができる。また、フィレット形成用凸部が１層以上の膜で構成されている場合でソルダーレジストで形成される場合には、フィレットを形成する樹脂との密着性が高く、封止力がより向上する。
【０１７８】
また、本発明の別の態様によれば、上記凸部としてメッシュ状の電極又は貫通穴を有する電極を配置する場合には、回路形成体の電子部品接合領域内での電極パターンの配線密度の均一化を図ることができ、接合材料の流動の均一化を図り、電子部品の一例としての正方形の電子部品の接合面と回路形成体の電子部品接合領域との間から外側にはみ出る接合材料のはみ出し量を均一化させて、接続の安定化を図ることができる。さらに、このような効果に加えて、上記電極のメッシュを構成する貫通穴部分又は上記貫通穴で回路形成体が露出し、上記電極上に配置する接合材料が上記貫通穴部分又は上記貫通穴を貫通して回路形成体に直接接触することになる。この結果、上記電極の貫通穴部分又は上記貫通穴で接合材料が回路形成体と直接密着接合することになり、接合材料と回路形成体との密着性を向上させることができる。
【０１７９】
また、本発明の別の態様によれば、上記凸部を含む、回路形成体の電子部品接合領域外側及び内側全域に、各電極の各バンプとの接合部を除いて大略全面的に有機膜を配置する場合には、上記圧着工程での上記電子部品の上記接合面と上記回路形成体の電子部品接合領域との間の上記接合材料の中央部から周辺部への接合材料の流動時に有機膜が接合材料流動規制部材として機能し、電子部品の各辺の辺部近傍での上記接合材料の中央部から周辺部への流動の大略均一化を図り、かつ、電子部品の接合面内での接合材料の分布の均一化が図れ、密着力が向上し、接合及び封止の信頼性を高めることができる。
【０１８０】
また、本発明の別の態様によれば、回路形成体の正方形電子部品接合領域において、その四隅のコーナー部を除く４辺の各辺の辺部近傍に大略等間隔に一列の電極を有するものであって、回路形成体の電子部品接合領域の上記辺の辺部近傍での電極の無いコーナー部に有機膜を配置する場合には、上記圧着工程での上記電子部品の上記接合領域と上記回路形成体の電子部品接合領域との間の上記接合材料の中央部から周辺部のコーナー部への接合材料の流動時に、電極の無いコーナー部においても有機膜が接合材料流動規制部材として機能し、回路形成体の電子部品接合領域の中央部での流動速度と、回路形成体の電子部品接合領域の周辺部での流動速度とが大略同じになり、電子部品接合領域の各辺の辺部近傍及び各コーナー部付近での上記接合材料の中央部から周辺部のコーナー部への流動の大略均一化を図り、かつ、電子部品の接合面言い替えれば上記回路形成体の電子部品接合領域内での接合材料の分布の均一化が図れるとともに、各コーナー部において有機膜により接合材料の回路基板表面沿いの流動を堰止めて盛り上げることにより、電子部品の側面を覆うフィレットを形成することができる。このように、電子部品の接合面内及び回路形成体の電子部品接合領域内での接合材料の分布の均一化が図れる結果として接合材料の密度の低下を防止することができて、電子部品接合領域の中央部と周辺部、特にコーナー部、での電子部品と接合材料との密着性を増加させるとともに、回路形成体の電極又は有機膜と接合材料との間での密着性を増加させることにより、上記剥離を防止できるようにして、接合及び封止の信頼性を高めることができる。
【０１８１】
また、上記各態様にかかる方法より製造された電子部品実装体、又は、上記各態様に記載したような接合材料流動規制部材を備える電子部品実装体では、接合材料流動規制部材により接合材料の不均一な流動が規制されて電子部品接合領域内での接合材料の分布の均一化が図れた状態で、当該接合材料により電子部品と回路形成体とが密着接合されかつ封止されているため、接合及び封止の信頼性が高いものとすることができ、高品質のものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  （Ａ），（Ｂ）はそれぞれ本発明の第１実施形態にかかるＩＣチップの実装方法の接合工程前の回路基板の側面図及び平面図である。
【図２】  （Ａ），（Ｂ）はそれぞれ第１実施形態にかかるＩＣチップの実装方法の圧着工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の一部断面側面図及びＩＣチップを透視して回路基板上での接合材料の動きを示す平面図である。
【図３】  第１実施形態にかかるＩＣチップの実装方法の圧着工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の部分的に拡大した一部断面側面図である。
【図４】  （Ａ），（Ｂ）はそれぞれ第１実施形態を説明するための従来例にかかるＩＣチップの実装方法の接合工程前の上記回路基板の側面図及び平面図である。
【図５】  （Ａ），（Ｂ）はそれぞれ図４に続く従来例にかかるＩＣチップの実装方法の圧着工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の一部断面側面図及びＩＣチップを透視して回路基板上での接合材料の動きを示す平面図である。
【図６】  図５に続く従来例にかかるＩＣチップの実装方法の圧着工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の部分的に拡大した一部断面側面図である。
【図７】  （Ａ），（Ｂ）はそれぞれ本発明の第２実施形態にかかるＩＣチップの実装方法の接合工程前のＩＣチップの側面図及び平面図である。
【図８】  （Ａ），（Ｂ）はそれぞれ第２実施形態にかかるＩＣチップの実装方法の接合工程前の回路基板の側面図及び圧着工程での接合材料の流動状態を示し、ＩＣチップを透視して回路基板上での接合材料の動きを示す平面図である。
【図９】  第２実施形態にかかるＩＣチップの実装方法の圧着工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の部分的に拡大した一部断面側面図である。
【図１０】  （Ａ）及び（Ｂ）は第２実施形態を説明するための従来例にかかる電子部品の実装方法の接合工程前のＩＣチップの側面図及び裏面図である。
【図１１】  （Ａ）は図１０に続く従来例にかかる電子部品の実装方法の接合工程前の回路基板の側面図であり、（Ｂ）は図１０の従来例の圧着工程での接合材料の流動状態を示し、ＩＣチップを透視して回路基板上での接合材料の動きを示す平面図である。
【図１２】  図１１に続く従来例にかかる電子部品の実装方法の上記圧着工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の部分的に拡大した一部断面側面図である。
【図１３】  （Ａ）及び（Ｂ）は本発明の第３実施形態にかかるＩＣチップの実装方法の接合工程前の上記回路基板の側面図及び平面図であり、（Ｃ）は上記圧着工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の一部断面側面図である。
【図１４】  上記第３実施形態にかかる上記ＩＣチップの実装方法の上記接合工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の部分的に拡大した一部断面側面図である。
【図１５】  （Ａ）及び（Ｂ）はそれぞれ上記第３実施形態を説明するための従来例にかかる電子部品の実装方法の接合工程前の上記回路基板の側面図及び平面図であり、（Ｃ）は上記従来例の圧着工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の一部断面側面図である。
【図１６】  図１５の上記従来例の圧着工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の部分的に拡大した一部断面側面図である。
【図１７】  （Ａ）及び（Ｂ）はそれぞれ本発明の第４実施形態にかかるＩＣチップの実装方法の接合工程前の上記ＩＣチップの側面図及び裏面図である。
【図１８】  上記第４実施形態にかかるＩＣチップの実装方法の圧着工程での接合材料の流動状態を示し、ＩＣチップを透視して回路基板上での接合材料の動きを示す平面図である。
【図１９】  上記第４実施形態にかかるＩＣチップの実装方法の圧着工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の一部断面側面図である。
【図２０】  （Ａ）及び（Ｂ）は上記第４実施形態を説明するための従来例にかかるＩＣチップの実装方法の接合工程前の上記ＩＣチップの側面図及び裏面図である。
【図２１】  図２０の従来例の圧着工程での接合材料の流動状態を示し、ＩＣチップを透視して回路基板上での接合材料の動きを示す平面図である。
【図２２】  図２０の従来例の圧着工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の一部断面側面図である。
【図２３】  （Ａ）及び（Ｂ）はそれぞれ本発明の第５実施形態にかかるＩＣチップの実装方法の接合工程前の上記ＩＣチップの側面図及び裏面図である。
【図２４】  上記第５実施形態にかかるＩＣチップの実装方法の圧着工程での接合材料の流動状態を示し、ＩＣチップを透視して回路基板上での接合材料の動きを示す平面図である。
【図２５】  （Ａ）及び（Ｂ）はそれぞれ第５実施形態を説明するための従来例にかかるＩＣチップの実装方法の接合工程前の上記ＩＣチップの側面図及び裏面図である。
【図２６】  図２５の従来例の圧着工程での接合材料の流動状態を示し、ＩＣチップを透視して回路基板上での接合材料の動きを示す平面図である。
【図２７】  （Ａ），（Ｂ）はそれぞれ本発明の第６実施形態にかかるＩＣチップの実装方法の接合工程前の回路基板の側面図及び平面図であり、（Ｃ）は圧着工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の一部断面側面及び部分的に拡大した一部断面側面図である。
【図２８】  第６実施形態にかかるＩＣチップの実装方法の圧着工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の部分的に拡大した一部断面側面図である。
【図２９】  （Ａ），（Ｂ）はそれぞれ第６実施形態を説明するための従来例にかかるＩＣチップの実装方法の接合工程前の上記回路基板の側面図及び平面図であり、（Ｃ）は上記従来例の圧着工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の一部断面側面である。
【図３０】  図２９の従来例の圧着工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の部分的に拡大した一部断面側面図である。
【図３１】  （Ａ），（Ｂ）はそれぞれ本発明の第７実施形態にかかるＩＣチップの実装方法の接合工程前の回路基板の側面図及び平面図であり、（Ｃ）は圧着工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の一部断面側面である。
【図３２】  圧着工程での接合材料の流動状態を示し、ＩＣチップを透視して回路基板上での接合材料の動きを示す平面図である。
【図３３】  （Ａ），（Ｂ）は第７実施形態を説明するための従来例にかかるＩＣチップの実装方法の接合工程前の回路基板の側面図及び平面図であり、（Ｃ）は圧着工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の一部断面側面である。
【図３４】  図３３の従来例の圧着工程での接合材料の流動状態を示し、ＩＣチップを透視して回路基板上での接合材料の動きを示す平面図である。
【図３５】  （Ａ），（Ｂ）はそれぞれ本発明の第８実施形態にかかるＩＣチップの実装方法の接合工程前の回路基板の側面図及び平面図である。
【図３６】  （Ａ），（Ｂ）はそれぞれ第８実施形態にかかるＩＣチップの実装方法の圧着工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の一部断面側面及び一部拡大断面側面図である。
【図３７】  圧着工程での接合材料の流動状態を示し、ＩＣチップを透視して回路基板上での接合材料の動きを示す平面図である。
【図３８】  第７実施形態を説明するための比較例にかかるＩＣチップの実装方法の圧着工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の一部拡大断面側面である。
【図３９】  第７実施形態を説明するための比較例にかかるＩＣチップの実装方法の圧着工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の一部拡大断面側面である。
【図４０】  （Ａ），（Ｂ）はそれぞれ本発明の第９実施形態にかかるＩＣチップの実装方法の接合工程前の回路基板の側面図及び平面図である。
【図４１】  （Ａ），（Ｂ）はそれぞれ第９実施形態にかかるＩＣチップの実装方法の圧着工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の一部断面側面及び一部拡大断面側面図である。
【図４２】  本発明の第１０実施形態にかかるＩＣチップの実装方法の接合工程前の回路基板の平面図である。
【図４３】  第１０実施形態にかかるＩＣチップの実装方法の圧着工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の部分的に拡大した一部断面側面図である。
【図４４】  第１０実施形態を説明するための従来例にかかるＩＣチップの実装方法の接合工程前の回路基板の平面図である。
【図４５】  図４４の従来例の圧着工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の部分的に拡大した一部断面側面図である。
【図４６】  上記実施形態においてダミーバンプの配置箇所を説明するための説明図である。
【図４７】  （Ａ），（Ｂ），（Ｃ），（Ｄ），（Ｅ），（Ｆ），（Ｇ）はそれぞれ上記実施形態における実装方法において、ワイヤボンダーを用いたＩＣチップのバンプ形成工程を示す説明図である。
【図４８】  （Ａ），（Ｂ），（Ｃ），（Ｄ），（Ｅ）はそれぞれ上記実施形態においてＩＣチップの実装方法の一例としてノンスタッドバンプ（ＮＳＤ）形式の実装方法を仕様する場合を示す説明図である。
【図４９】  （Ｆ），（Ｇ）はそれぞれ図２７に続く上記実施形態においてＩＣチップの実装方法を示す説明図である。
【図５０】  （Ｈ），（Ｉ），（Ｊ）はそれぞれ図２８に続く上記実施形態においてＩＣチップの実装方法を示す説明図である。
【図５１】  （Ａ），（Ｂ），（Ｃ）はそれぞれ上記実施形態にかかる実装方法において、回路基板とＩＣチップの接合工程を示す説明図である。
【図５２】  （Ａ），（Ｂ）はそれぞれ本発明の第２実施形態の変形例にかかるＩＣチップの実装方法の接合工程前のＩＣチップの側面図及び平面図である。
【符号の説明】
１，１−１，１−２，１−３，１−４，１−５，１−６，１−７，１−８，１−９，１−１０…ＩＣチップ、２…バンプ、３…ダミーバンプ、４…ＩＣチップの電極、５…接合材料、６，６−１，６−２，６−３，６−４，６−５，６−６，６−７，６−８，６−９，６−１０…回路基板、６ａ−１，６ａ−２，６ａ−３，６ａ−４，６ａ−５，６ａ−６，６ａ−７，６ａ−８，６ａ−９，６ａ−１０…回路基板のＩＣチップ接合領域、７…回路基板の電極、８…押圧部材、１０…基台、２３Ａ…ダミーバンプ状の突部、３０３，３１３…ダミー電極、３０９…パッシベーション膜、３１９，３２９，３３９，３５６，３６０…有機膜、３２０…四角形枠領域、３４０…接合に必要な接合部を含む領域、３４５…ダム部、３４８…上側の有機膜、３４９…下側の有機膜、３５５…凸部、３６９…メッシュ状の電極、３９５…ハガレ部分。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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