(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光の緩和時間が１μ秒以上ある発光分子を用いる有機発光素子において、
陰極電極と、陽極電極と、前記陰極電極と前記陽極電極間に配置された発光層と、を有し、
前記陰極電極及び前記陽極電極は、透明導電膜であり、
前記陰極電極及び前記陽極電極に対して前記発光層の位置とは反対側の位置にそれぞれ配置された一対の反射層を有し、
前記一対の反射層のうち一方の反射層は、金属反射膜であり、
前記金属反射膜と前記透明導電膜間に配置された金属反射光沢維持低反応性膜を有し、
前記一対の反射層間が光共振器として機能することを特徴とする有機発光素子。
【請求項２】
請求項１に記載の有機発光素子において、
前記金属反射膜は、クロムで構成されたクロム膜であり、
前記金属反射光沢維持低反応性膜は、窒化シリコンで構成された窒化シリコン膜であることを特徴とする有機発光素子。
【請求項３】
発光の緩和時問が１μ秒以上ある発光分子を用いる有概発光素子において、
陰極電極と、陽極電極と、前記陰極電極と前記陽極電極間に配置された発光層と、を有し、
前記陰極電極と前記陽極電極は、透明導電膜であり、
前記陰極電極と前記陽極電極に対して前記発光膚の位置とは反対側の位置にそれぞれ配置された一対の反射層を有し、
前記一対の反射層のうち一方の反射層は、酸化シリコン膜と、金属反射膜と、前記酸化シリコン膜と前記金属反射膜間に形成され、前記金属反射膜の金属の反射光沢を保持させるための空隙と、を有し、
前記一対の反射層間が光共振器として機能し、
前記一対の基板の一方と前記一対の反射層の一方の反射層の前記金属反射膜とは接触され、
前記一対の基板の他方と前記一対の反射層の他方の反射層間は接触されていることを特徴とする有機発光素子。
【請求項４】
３重項励起状態を利用する発光分子を用いる有機発光素子において、
陰極電極と、陽極電極と、前記陰極電極と前記陽極電極間に配置された発光層と、を有し、
前記陰極電極及び前記陽極電極は、透明導電膜であり、
前記陰極電極及び前記陽極電極に対して前記発光層の位置とは反対側の位置にそれぞれ配置された一対の反射層を有し、
前記一対の反射層のうち一方の反射層は、金属反射膜であり、
前記金属反射膜と前記透明導電膜間に配置された金属反射光沢維持低反応性膜を有し、
前記一対の反射層間が光共振器として機能することを特徴とする有機発光素子。
【請求項５】
請求項４に記載の有機発光素子において、
前記金属反射膜は、クロムで構成されたクロム膜であり、
前記金属反射光沢維持低反応性膜は、窒化シリコンで構成された窒化シリコン膜であることを特徴とする有機発光素子。
【請求項６】
３重項励起状態を利用する発光分子を用いる有機発光素子において、
陰極電極と、陽極電極と、前記陰極電極と前記陽極電極間に配置された発光層と、を有し、
前記陰極電極及び前記陽極電極は、透明導電膜であり、
前記陰極電極及び前記陽極電極に対して前記発光層の位置とは反対側の位置にそれぞれ配置された一対の反射層を有し、
前記一対の反射層のうちの一方の反射層は、酸化シリコン膜と、金属反射膜と、前記酸化シリコン膜と前記金属反射膜間に形成され、前記金属反射膜の金属の反射光沢を保持させるための空隙を有し、
前記一対の反射層間が光共振器として機能し、
前記一対の基板の一方と前記一対の反射層の一方の反射層の前記金属反射膜とは接触され、
前記一対の基板の他方と前記一対の反射層の他方の反射層間は接触されていることを特徴とする有機発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜発光表示パネルにおいて、高効率発光を実現する構造に関する。本発明は、光源、情報表示パネル等に用いられる。
【背景技術】
【０００２】
干渉（共振）とは、干渉性のある複数の波動の重ね合わせの結果として得られる波動の現象であり、共振器とは干渉（共振）を生じさせる装置・機構を指す。
【０００３】
有機発光素子発光前面に半透明反射鏡を設置し往復の光学的長さが所望の発光波長の整数倍になる共振器（微小共振器）にすることにより、発光スペクトルを単色化し、同時に発光ピーク強度をエンハンスすることが可能である（下記特許文献１に記載の「有機電界発光素子及びその基板」を参照）。
【０００４】
その素子構造の例を図６Ａに示す。１０１は半透明反射膜、１０２は透明導電膜、１０３はホール輸送層、１０４は発光層、１０５は電子輸送層、１０６はアルカリ金属化合物などの電子注入層、１０７はアルミニウムなどの陰極である。共振器構造に関係した物性については、下記非特許文献１に詳説されている。
【０００５】
また、「透明な発光パネル」を実現する目的で、不透明な金属電極の代わりに透明電極を用いた透明素子構造が提唱されている（下記特許文献２など）。その素子構造の例を図６Ｂに示す。１０２Ａ，１０２Ｂは透明導電膜、１０３はホール輸送層、１０４は発光層、１０５は電子輸送層、１０６はアルカリ金属化合物などの電子注入層である。
【特許文献１】特開平８−２１３１７４号公報
【特許文献２】特開２００２−２３１０５４号公報
【非特許文献１】T.Nakayama:"Organic luminescent devices with a microcavity structure",included in "Organic electroluminescent materials and devices",edited by S.Miyata,published by Gorden & Breach Science Publisher （１９９７）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
高輝度発光用の共振器構造素子では、素子内部膜厚方向の電磁界分布を最適設計することが高輝度化・高効率化のために重要となる（１９９０年、春季応用物理学会、ａ−ＰＢ−１１など）。しかし、従来の共振器構造素子では、素子の電荷バランス調整のために電子輸送層の膜厚調整の自由度が殆どないため、発光層から出て金属電極に反射し発光層に再び至るときの電磁波の位相を調整することが殆どできなかった。透明素子構造は、もともと発光を素子内部に戻して共振を発生させる構造を持っていないので電磁界分布の最適設計は行なわれていない。
【０００７】
π電子発光を利用する電界発光は、発光に用いる分子は、それが主に発光に利用する励起状態により２つのグループに分けて考えることができる。第１のグループは、１重項励起状態を利用する分子であり、（１）内部量子効率が２５％を越えない、（２）励起状態の緩和時間（発光強度の１／ｅ低下に要する特性時間）が短い（１００ｎｓ以下）、といった特徴がある。
【０００８】
第２のグループは、３重項励起状態も発光に利用するグループで、（１）内部量子効率が２５％を越える、（２）励起状態の緩和時間が長い（１μs以上）、（３）イリジウム、プラチナなどの、軌道−スピン交換相互作用を生じさせる重金属と結合（配位）している、といった特徴がある。
【０００９】
第２のグループの、励起状態の緩和寿命が数μ秒以上と長い材料は、励起状態が緩和するまでに発光層から長距離移動拡散する。そのため、そういった発光材料を用いる場合は、従来構造の共振器構造素子では、金属電極上に到達した励起状態が非発光失活し、高輝度・高効率化できないという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この両者の問題は、陽極と陰極の両方に透明導電膜を用い、そのそれぞれ外側に光反射機能を有する膜を設け、その間が光共振器として機能する構造をとることにより、同時に解決できる。
【００１１】
すなわち、共振器長（上下反射鏡間の距離と反射による位相シフト相当分の和）を、所望の発光波長の整数倍にすることにより、進行波と反射波との干渉で、膜中に定常波をたてることができる。
【００１２】
発光層の発光部がこの定常波の振幅の腹にくるように透明電極の膜厚を調整することにより高輝度領域での効率を向上させることができる。また、この構造では金属膜を電極として使用しないので、従来の共振器構造で起きていた金属電極上に到達した励起状態の非発光失活は解消される。
【００１３】
図１に本発明の基本構成を示す。図１Ａにおいて、２０１は半透明反射膜、２０２Ａ，２０２Ｂは透明導電膜、２０３はホール輸送層、２０４は発光層、２０５は電子輸送層、２０６は電子注入層、２０７は高反射・透過遮断膜である。
【００１４】
２０３〜２０６は発光素子の半導体薄膜部分であり、その層構成に関しては、電荷輸送機能の兼用や役割分離により修正可能であることは、通常の有機ＬＥＤと同様である。
【００１５】
半透明反射構造２０１の実現には、屈折率の異なる透明物質の積層による界面反射を用いればよい。また、複数の界面を構成し、それら界面間の光学的距離の２倍と反射による位相シフト分の和が所望の反射波長の整数倍になるようにとることにより、反射を重畳させることができる。もちろん、透明導電膜外側の界面もこの反射に利用できる。
【００１６】
高反射・透過遮断膜２０７は、図６Ｂの公知例の素子のように、素子自体が透明となっているために、反対側の外光が透過してくるのを防ぎ、素子の発光を１方向に集積させて取り出す機能を果たしている。
【００１７】
透過してくる外光の強度が、素子で発生して出てくる光の強度と同程度ではディスプレイとしては視認性に問題が生じる。使用環境と用途に依存する問題ではあるが、例えば、外光が５０ｃｄ／ｍ2であれば１／１０以下程度には落とすのか望ましいと考えられる。
【００１８】
高反射・透過遮断膜２０７を構成するためには、屈折率の異なる膜を多積層して反射を重畳させる、金属反射をする膜と組み合わせる、などの方法がある。酸化膜等と金属反射を保持する金属膜を安定に積層する手法として、金属反射面に保持膜(金属反射光沢維持低反応性膜)として窒化シリコンを形成したり、金属膜としてセラミクスと積層しても金属光沢を失いにくいクロム、タングステン、チタン、金などを用いることができる。
【００１９】
さらに、界面反応進行を抑制する低温プロセスを用いたりすることにより、用途によってはアルミニウムが使える場合もある。また、これらの金属膜には電極としての導電性は必要ないので、有機発光素子と別基板上に作製した金属薄膜を素子に近接して設置しても有効である。また、反射機能を有する膜構成の外部に、外光遮断の機能の膜を組み合わせて用いる方法もある。
【００２０】
ホール注入層２０６としては、ＬｉＦなどの、仕事関数の小さいアルカリ金属化合物を、連続膜にならない１ｎｍ厚程度の厚さで形成して用いられる。
【００２１】
図１Ａの右側の説明図には、反射面により素子を上下に往復する光が矢印で記入されているが、干渉ないし共振は、それぞれの光の重ねあわせにより生じる。
【００２２】
図１Ｂは、発光取り出し方向が図１Ａと逆の陰極方向であり、半透明反射構造２０１と高反射・透過遮断膜２０７の位置が入れかわっている。
【００２３】
図１Ａ、図１Ｂともに、素子を形成するベースとなる基板は、図の積層構造のどちらにあってもよい。無論、光取り出し側に基板がある場合は、用途に対して十分な透明性が要請される。
【００２４】
発光層材料としては、発光スペクトルと励起スペクトルの重なりが大きいものが望ましく、共振器の固有振動数（波長）としては、その重なりの度合いが強い値を用いると効果が大きい。
【００２５】
共振器構造有機発光素子の原理と構成要件、積層透明膜の透過特性などについては、上記非特許文献１に詳説されている。共振器の光学的長さは、発光の角度依存性や膜厚を変えたサンプルとの比較などから検証される。
【発明の効果】
【００２６】
本発明により、共振器長（上下反射鏡間の距離と反射による位相シフト相当分の和）を、所望の発光波長の整数倍にすることにより、進行波と反射波との干渉で、膜中に定常波をたてることができる。
【００２７】
発光層の発光部がこの定常波の振幅の腹にくるように透明電極の膜厚を調整することにより高輝度領域での効率を向上させることができる。
【００２８】
また、この構造では金属膜を電極として使用しないので、従来の共振器構造で起きていた金属電極上に到達した励起状態の非発光失活は解消される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明の実施例を参考例と共に詳細に説明する。
【参考例１】
【００３０】
図２に本発明の参考例１を示す。図２Ａにおいて、半透明反射層３０１として、誘電体膜を外側より順に、酸化チタンＴｉＯ2(厚さ５６ｎｍ)／酸化シリコンＳｉＯ2(厚さ８９ｎｍ)／ＴｉＯ2(厚さ５６ｎｍ)／ＳｉＯ2(厚さ８９ｎｍ)の４積層膜を用いる。本構造においては、中間の３界面に加えて、外部とＴｉＯ2界面、ＳｉＯ2ト透明電極３０２Ａの界面の合計５面が反射面をなしている。
【００３１】
透明電極３０２Ａとして、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を１７５ｎｍ厚さ形成する。ホール注入層３０３としてα−ＮＰＤを厚さ４０ｎｍ、発光層３０４としてＣＢＰにＩｒ（ｐｐｙ）3ヲ６体積％混入させた膜を厚さ２０ｎｍ、電子輸送層３０５としてＡＬＱを厚さ５０ｎｍ形成する(それぞれの有機分子の構造を図５に示す)。電子注入層３０６として、ＬｉＦ（厚さ１．０ｎｍ）を形成する。透明電極３０２Ｂとして、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を厚さ３１５ｎｍ形成する。
【００３２】
高反射率層３０７として、誘電体膜を発光層側から順に、ＳｉＯ2(厚さ８９ｎｍ)／ＴｉＯ2(厚さ５６ｎｍ)／ＳｉＯ2(厚さ８９ｎｍ)／ＴｉＯ2(厚さ５６ｎｍ)／ＳｉＯ2(厚さ８９ｎｍ)／ＴｉＯ2(厚さ５６ｎｍ)／ＳｉＯ2(厚さ８９ｎｍ)／ＴｉＯ2(厚さ５６ｎｍ)の８積層膜を用いる。
【００３３】
この参考例においては、積層反射膜の積総数ないし重畳する反射界面の数を変えて反射率を大きくし透過率を小さくすることにより半透明反射層３０１及び高反射層３０７を得ているが、積層膜厚を変えて反射率の波長特性を変えるといった方法も適用できる。
【００３４】
図２Ｂは、発光取り出し方向が図２Ａと逆の陰極方向であり、半透明反射構造３０１と高反射・透過遮断膜３０７の位置が入れかわっている。ともに、素子を形成するベースとなる基板は、図の積層構造のどちらにあってもよい。基板には、ガラス基板、石英基板、透明樹脂基板などを用いることができる。また、光取り出し方向と逆の方向に基板がある場合は、透明基板である必要はなく、不透明基板や、透明基板に不透明構造を形成した基板を用いることも可能である。
【実施例１】
【００３５】
図３に本発明の実施例１を示す。図３Ａ、３Ｂは多積層半透明反射膜（４０７Ａ，４０７Ｂ，４０７Ａ又は４０１Ａ，４０１Ｂ，４０１Ｃ）の外部に窒化シリコン、クロムの薄膜（４０７Ｃ，４０７Ｄ）を反射膜として積層している。片側の透明電極側からの出射を抑えて閉じ込め効率を上げ遮断側とし、もう一方の透明電極側からのみ発光を取り出している。
【００３６】
図３Ａにおいて、半透明反射層４０１として、外側より順に、Ｓｉ3Ｎ4／ＳｉＯ2／Ｓｉ3Ｎ4ノ３積層膜４０１Ａ，４０１Ｂ，４０１Ｃを用いている。この膜は、有機ＬＥＤディスプレイ画素駆動用に同一基板上に形成される薄膜トランジスタ作成時に形成される薄膜などを兼用することができる。それぞれ膜厚が所望の波長の１／４、３／４、… （２ｎ＋１）／４倍に近くなるようにプロセスをすり合わせることにより望ましい特性が得られる。
【００３７】
透明電極４０２Ａとして、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）を厚さ１７５ｎｍ形成する。ホール注入層４０３としてα−ＮＰＤを厚さ４０ｎｍ、発光層４０４としてＣＢＰにＩｒ（ｐｐｙ）3ヲ６体積％混入させた膜を厚さ２０ｎｍ、電子輸送層４０５としてＡＬＱを厚さ５０ｎｍ形成する。電子注入層４０６として、ＬｉＦ（１．０ｎｍ）を形成する。透明電極４０２Ｂとして、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を厚さ３１５ｎｍ形成する。
【００３８】
反射層４０７Ａ，４０７Ｂとして、発光層側から順に、ＳｉＯ2(厚さ８９ｎｍ)／ＴｉＯ2(厚さ５６ｎｍ)／ＳｉＯ2(厚さ８９ｎｍ)の３積層膜４０７Ａ，４０７Ｂ，４０７Ａを用いる。
【００３９】
金属反射面構造４０７Ｃ，４０７Ｄとして、窒化シリコン、クロムの薄膜を積層している。透明電極４０２Ｂ側からの出射を抑えて閉じ込め効率を上げ遮断側とし、もう一方の透明電極４０２Ａ側からのみ発光を取り出している。
【００４０】
窒化シリコン４０７Ｃは、金属の反射光沢を保持させるための反射面保護層(金属反射光沢維持低反応性膜)として用いており、同じ機能を有するのであれば他の膜でも良い。クロムは金属反射面を保持しやすい金属として用いており、反射を十分維持できるのであれば、金などのほかの金属や金属光沢物質などでも良い。クロム、タングステン、チタンなどで、低温形成プロセスなどを用いることにより、透明導電膜上に直接形成しても必要とされる反射特性が得られる場合は、窒化シリコン４０７Ｃを省略しても良い。
【００４１】
図３Ｂにおいては、透明電極４０２Ａ側からの出射を抑えて閉じ込め効率を上げ遮断側とし、もう一方の透明電極４０２Ｂ側からのみ発光を取り出している。金属反射面構造４０７Ｃ，４０７Ｄを半透明反射層４０１の積層膜４０１Ａの外側に配置している。
【００４２】
図３Ｃにおいては、図３Ａの金属反射面構造４０７Ｄを、発光素子と別の基板４０８Ｂに形成して、発光素子の基板４０８Ａと張り合わせる構造を採っている。この構造においては金属膜４０７Ｄが下側の酸化膜等との反応により金属反射機能を低下させる悪影響を避けられるため、空隙距離４０９により金属反射面構造４０７Ｃは省略可能となる。基板間の密閉空間４１０は、真空でも、適当なガスを封入しても良い。空隙距離４０９の長さは、反射層４０７Ａ，４０７Ｂ，４０７Ａらの界面反射と重畳するように取る方法と、発光波長に対して十分大きい値にすることにより干渉周期が十分小さくなるようにする方法とがある。
【００４３】
図３Ｄは、図３Ａにおいて、高反射・透過遮断膜４０７を金属反射面構造４０７Ｃ，４０７Ｄのみにして反射層４０７Ａ，４０７Ｂ，４０７Ａを省略した素子である。図３Ｄの構造においては、図３Ａの構造に比べると、発光層４０４と金属薄膜４０７Ｄが接近し、励起子の非発光消滅の確率が大きくなることが危惧されるが、それでも公知例の図６Ａの構造に比べると、両者の間隔は３倍程度以上になっていて大きく改善されている。
【００４４】
図３Ｅは、図３Ｂにおいて、高反射・透過遮断膜４０７を金属反射面構造４０７Ｃ，４０７Ｄのみにして半透明反射層４０１Ａ，４０１Ｂ，４０１Ｃを省略した素子である。
【００４５】
図３Ｆは、図３Ｅにおいて、半透明反射層４０１を簡略化したものである。このように簡略した構造で、少しでも高い効果を得ようとする場合は、半透明反射層４０１Ｂと４０２Ｂの屈折率差が重要になる。半透明反射層４０１Ｂに酸化チタンを用いる場合には、透明電極４０２Ｂにできるだけ小さい屈折率の膜を用いるのが良い。逆に、半透明反射層４０１Ｂに酸化シリコンを用いる場合は、透明電極４０２Ｂの屈折率は通常それより大きいので、逆にできるだけ大きい屈折率の膜を用いるのが良い。
【参考例２】
【００４６】
図４に本発明の参考例２を示す。図４Ａは、図３の金属反射面構造４０７Ｃ、４０７Ｄの代わりに反射機能のない膜５０８を用いた構造である。共振器機能を果たす反射構造は積層反射膜５０７であり、反射機能のない膜５０８は素子外部からの光が光取り出し方向に抜けるのを防止する遮断膜の役割のみを果たしている。
【００４７】
図４Ａにおいて、半透明反射層５０１Ａ，５０１Ｂ，５０１Ｃとして、外側より順に、Ｓｉ3Ｎ4／ＳｉＯ2／Ｓｉ3Ｎ4ノ３積層膜を用いている。この膜は、有機ＬＥＤディスプレイ画素駆動用に同一基板上に形成される薄膜トランジスタ作成時に形成される薄膜などを兼用することができる。それぞれ膜厚が所望の波長の１／４、３／４、… （２ｎ＋１）／４倍に近くなるようにプロセスをすり合わせることにより望ましい特性が得られる。
【００４８】
透明電極５０２Ａとして、ＩＴＯを厚さ１７５ｎｍ形成する。ホール注入層５０３としてα−ＮＰＤを厚さ５０ｎｍ、発光層５０４としてＣＢＰにＩｒ（ｐｐｙ）3ヲ６体積％混入させた膜を厚さ２０ｎｍ、電子輸送層５０５としてＡＬＱを厚さ５０ｎｍ形成する。電子注入層５０６として、ＬｉＦ（厚さ１．０ｎｍ）を形成する。透明電極５０２Ｂとして、ＩＴＯを厚さ３１５ｎｍ形成する。
【００４９】
反射層５０７Ａ、５０７Ｂとして、発光層側から順に、ＳｉＯ2(厚さ８９ｎｍ)／ＴｉＯ2(厚さ５６ｎｍ)／ＳｉＯ2(厚さ８９ｎｍ)）／ＴｉＯ2(厚さ５６ｎｍ)の４積層膜を用いる。
【００５０】
遮断層５０８として、アルミニウム薄膜（厚さ１．５μｍ）を形成する。蒸着時の熱や自然拡散による反応により、遮断層５０８と反射層５０７の界面では金属反射は失われるため、遮断層５０８の機能は、素子外部からの光が光取り出し方向に抜けるのを防止する遮断膜の役割が主となる。
【００５１】
遮断層５０８には、外光の通り抜けを遮断する膜（構造）なら何を用いても良く、反射光をランダムな方向に拡散させる機能や、反射光に偏向を生じさせる機能、黒色膜、反射色修正フィルタ機能など、有機ＬＥＤ素子の特性を支援する機能を有する膜（構造）を用いることができる。
【００５２】
図４Ｂは、遮断層508を図４Ａと反対側に設置した構造であり、光取り出し方向は逆の陰極側になる。
【００５３】
図４Ｃは、図４Ａの遮断膜構造５０８を、発光素子と別の基板５１１Ｂに形成して、発光素子の基板５１１Ａと張り合わせる構造を採っている。この場合は、遮断膜構造５０８の反射を共振に利用するわけではないため、空隙距離５０９は任意の値にとって良い。基板間の密閉空間５１０は、真空でも、適当なガスを封入しても良い。
【００５４】
図４Ｄは、図４Ｂの半透明反射層５０１を簡略化したものである。このように簡略した構造で、すこしでも高い効果を得ようとする場合は、半透明反射層５０１Ｂと透明電極５０２Ｂの屈折率差が重要になる。半透明反射層５０１Ｂに酸化チタンを用いる場合には、透明電極５０２Ｂにできるだけ小さい屈折率の膜を用いるのが良い。逆に、半透明反射層５０１Ｂに酸化シリコンを用いる場合は、透明電極５０２Ｂの屈折率は通常それより大きいので、逆にできるだけ大きい屈折率の膜を用いるのが良い。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明に係る有機発光素子の基本構造図であって、図１Ａは陽極側取り出し構造の有機発光素子の基本構造図で、図１Ｂは陰極側取り出し構造の有機発光素子の基本構造図である。
【図２】本発明の参考例１である有機発光素子の構造図であって、図２Ａは陽極側取り出し構造の有機発光素子の構造図で、図２Ｂは陰極側取り出し構造の有機発光素子の構造図である。
【図３】本発明の実施例１である金属反射・遮断膜を用いた有機発光素子の構造図であって、図３Ａは陽極側取り出し構造の有機発光素子の構造図で、図３Ｂは陰極側取り出し構造の有機発光素子の構造図で、図３Ｃ〜図３Ｆは各種構造の有機発光素子の構造図である。
【図４】本発明の参考例２である非反射遮断膜を用いた有機発光素子の構造図であって、図４Ａは陽極側取り出し構造の有機発光素子の構造図で、図４Ｂは陰極側取り出し構造の有機発光素子の構造図で、図４Ｃ〜図４Ｄは各種構造有機発光素子の構造図である。
【図５】有機材料分子の構造図である。
【図６】従来の有機発光素子の構造図であって、図６Ａは共振器構造の有機発光素子の構造図で、図６Ｂは透明型の有機発光素子の構造図である。
【符号の説明】
【００５６】
１０１:半透明反射膜、１０２:透明導電膜、１０２Ａ，１０２Ｂ:透明導電膜、１０３:ホール輸送層、１０４:発光層、１０５:電子輸送層、１０６:アルカリ金属化合物などの電子注入層、１０７:アルミニウムなどの陰極、２０１:半透明反射膜、２０２Ａ，２０２Ｂ:透明導電膜、２０３:ホール輸送層、２０４：発光層、２０５:電子輸送層、２０６:電子注入層、２０７:高反射・透過遮断膜、３０１:半透明反射層（酸化チタンＴｉＯ2(厚さ５６ｎｍ)／酸化シリコンＳｉＯ2(厚さ８９ｎｍ)／ＴｉＯ2(厚さ５６ｎｍ)／ＳｉＯ2(厚さ８９ｎｍ)の４積層膜）、３０２Ａ，３０２Ｂ:透明電極（ＩＴＯ(Indium Tin Oxide)）、３０３:ホール注入層（α−ＮＰＤ）、３０４：発光層（ＣＢＰ＋Ｉｒ（ｐｐｙ）3）、３０５：電子輸送層（ＡＬＱ）、３０６：電子注入層（ＬｉＦ（１．０ｎｍ））、３０７：高反射率層（ＳｉＯ2(厚さ８９ｎｍ)／ＴｉＯ2(厚さ５６ｎｍ)／ＳｉＯ2(厚さ８９ｎｍ)／ＴｉＯ2(厚さ５６ｎｍ)／ＳｉＯ2(厚さ８９ｎｍ)／ＴｉＯ2(厚さ５６ｎｍ)／ＳｉＯ2(厚さ８９ｎｍ)／ＴｉＯ2(厚さ５６ｎｍ)の８積層膜）、４０１：半透明反射層、４０１Ａ:窒素シリコン膜、４０１Ｂ:酸化シリコン膜、４０１Ｃ:窒素シリコン膜、４０２Ａ，４０２Ｂ：透明電極（ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ））、４０３：ホール注入層(α−ＮＰＤ)、４０４：発光層(ＣＢＰ＋Ｉｒ（ｐｐｙ）3)、４０５:電子輸送層（ＡＬＱ）、406：電子注入層(LiF(1.0nm))、407：高反射率層、407A：酸化シリコン膜、407B：酸化チタン膜、４０７Ｃ:窒素シリコン膜、４０７Ｄ:反射膜（クロム）、４０８Ａ，４０８Ｂ：ガラス基板、４０９:空隙距離、４１０：基板間密閉空間、５０１:半透明反射層、５０１Ａ:窒素シリコン膜、５０１Ｂ:酸化シリコン膜、５０１Ｃ:窒素シリコン膜、５０２Ａ，５０２Ｂ:透明電極（ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ））、５０３：ホール注入層(α−ＮＰＤ)、５０４：発光層（ＣＢＰ＋Ｉｒ（ｐｐｙ）3）、５０５:電子輸送層（ＡＬＱ）、５０６:電子注入層（ＬｉＦ（１．０ｎｍ））、５０７:高反射率層、５０７Ａ：酸化シリコン膜、５０７Ｂ:酸化チタン膜、５０８：遮断膜（アルミ膜）、５０９：空隙距離、５１０:基板間密閉空間、５１１Ａ，５１１Ｂ:ガラス基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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