(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
間に発光素子が形成された第１のプラスチック基板と第２のプラスチック基板を、複数の絶縁膜が内側に積層された、可撓性を有する袋状のプラスチックフィルムの内部に入れ、
前記プラスチックフィルムの内部を排気し、
前記プラスチックフィルムの口を封じる発光装置の作製方法であって、
前記複数の絶縁膜のうち、少なくとも１つの絶縁膜は他の絶縁膜よりも内部応力が小さいことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２】
一方の面に発光素子が形成されたプラスチック基板を、複数の絶縁膜が内側に積層された、可撓性を有する袋状のプラスチックフィルムの内部に入れ、
前記プラスチックフィルムの内部を排気し、
前記プラスチックフィルムの口を封じる発光装置の作製方法であって、
前記複数の絶縁膜のうち、少なくとも１つの絶縁膜は他の絶縁膜よりも内部応力が小さいことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記プラスチック基板は、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレートまたはポリエチレンナフタレートを有することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項４】
第１の基板上に第１接着層を形成し、
前記第１接着層上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に発光素子を形成し、
前記発光素子を覆って第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜に第２の基板を第２接着層で貼り合わせ、
前記第１接着層を除去することで、前記第１の基板を取り除いて前記第１の絶縁膜を露出させ、
第３の基板と、前記第１の絶縁膜とを第３接着層で貼り合わせ、
積層された複数の絶縁膜で前記第２の基板及び前記第３の基板を覆うように、前記積層された複数の絶縁膜が内側に形成された、可撓性を有する袋状のプラスチックフィルムを設け、
前記プラスチックフィルムの内部を排気し、
前記プラスチックフィルムの口を封じる発光装置の作製方法であって、
前記第２の基板及び前記第３の基板はプラスチックで形成されており、
前記複数の絶縁膜のうち、少なくとも１つの絶縁膜は他の絶縁膜よりも内部応力が小さいことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項５】
第１の基板上に第１接着層を形成し、
前記第１接着層上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に発光素子、薄膜トランジスタ及び配線を形成し、
前記発光素子、薄膜トランジスタ及び配線を覆って第２の絶縁膜を形成し、
第２の基板と前記第２の絶縁膜とを第２接着層で貼り合わせ、
前記第１接着層を除去することで、前記第１の基板を取り除いて前記第１の絶縁膜を露出させ、
第３の基板と前記第１の絶縁膜とを第３接着層で貼り合わせ、
前記第２の基板、前記第２の絶縁膜及び前記第２接着層の一部を除去することで前記配線の一部を露出させ、異方性を有する導電性の樹脂を用いて前記配線の一部とＦＰＣが有する端子とを電気的に接続し、
積層された複数の絶縁膜で前記第２の基板及び前記第３の基板を覆うように、前記積層された複数の絶縁膜が内側に形成された、可撓性を有する袋状のプラスチックフィルムを設け、
前記プラスチックフィルムの内部を排気し、
前記プラスチックフィルムの口を封じる発光装置の作製方法であって、
前記第２の基板及び前記第３の基板はプラスチックで形成されており、
前記複数の絶縁膜のうち、少なくとも１つの絶縁膜は他の絶縁膜よりも内部応力が小さいことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項６】
第１の基板上に第１接着層を形成し、
前記第１接着層上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に発光素子、薄膜トランジスタ及び配線を形成し、
前記発光素子、薄膜トランジスタ及び配線を覆って第２の絶縁膜を形成し、
第２の基板と前記第２の絶縁膜とを第２接着層で貼り合わせ、
前記第１接着層を除去することで、前記第１の基板を取り除いて前記第１の絶縁膜を露出させ、
第３の基板と前記第１の絶縁膜とを第３接着層で貼り合わせ、
前記第３の基板、前記第１の絶縁膜及び前記第３接着層の一部を除去することで前記配線の一部を露出させ、異方性を有する導電性の樹脂を用いて前記配線の一部とＦＰＣが有する端子とを電気的に接続し、
積層された複数の絶縁膜で前記第２の基板及び前記第３の基板を覆うように、前記積層された複数の絶縁膜が内側に形成された、可撓性を有する袋状のプラスチックフィルムを設け、
前記プラスチックフィルムの内部を排気し、
前記プラスチックフィルムの口を封じる発光装置の作製方法であって、
前記第２の基板及び前記第３の基板はプラスチックで形成されており、
前記複数の絶縁膜のうち、少なくとも１つの絶縁膜は他の絶縁膜よりも内部応力が小さいことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項７】
請求項４乃至請求項６のいずれか１項において、前記第１接着層に対して流体を噴射することにより、前記第１接着層を除去することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項８】
請求項４乃至請求項６のいずれか１項において、前記第１接着層は、シリコンを有することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項９】
請求項８において、前記第１接着層をフッ化ハロゲンを用いて除去することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項４乃至請求項６のいずれか１項において、前記第１接着層は、ＳＯＧを有することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１０において、前記第１接着層を弗化水素を用いて除去することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項４乃至請求項６のいずれか１項において、前記第１接着層をレーザー光を用いて除去することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１２において、前記レーザー光は、パルス発振型または連続発光型のエキシマレーザー、ＹＡＧレーザーまたはＹＶＯ4レーザーであることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１２において、前記レーザー光は、ＹＡＧレーザーの基本波、第２高調波または第３高調波であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項４乃至請求項１４のいずれか１項において、前記第２の基板、前記第３の基板または前記プラスチックフィルムは、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレートまたはポリエチレンナフタレートを有することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項４乃至請求項１５のいずれか１項において、前記プラスチックフィルムは、ポリエステル、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ弗化ビニル、ポリスチレン、ポリアクリロニトリル、ポリエチレンテレフタレートまたはナイロンを有することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１７】
第１の基板上に第１接着層を形成し、
前記第１接着層上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に発光素子を形成し、
前記発光素子を覆って第２の絶縁膜を形成し、
第２の基板と前記第２の絶縁膜とを第２接着層で貼り合わせ、
前記第１接着層を除去することで、前記第１の基板を取り除いて前記第１の絶縁膜を露出させ、
第３の基板と前記第１の絶縁膜とを第３接着層で貼り合わせ、
前記第２接着層を除去することで、前記第２の基板を取り除いて前記第２の絶縁膜を露出させ、
積層された複数の絶縁膜で前記第３の基板及び前記第２の絶縁膜を覆うように、前記積層された複数の絶縁膜が内側に形成された、可撓性を有する袋状のプラスチックフィルムを設け、
前記プラスチックフィルムの内部を排気し、
前記プラスチックフィルムの口を封じる発光装置の作製方法であって、
前記第３の基板はプラスチックで形成されており、
前記複数の絶縁膜のうち、少なくとも１つの絶縁膜は他の絶縁膜よりも内部応力が小さいことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１８】
第１の基板上に第１接着層を形成し、
前記第１接着層上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に発光素子、薄膜トランジスタ及び配線を形成し、
前記発光素子、薄膜トランジスタ及び配線を覆って第２の絶縁膜を形成し、
第２の基板と前記第２の絶縁膜とを第２接着層で貼り合わせ、
前記第１接着層を除去することで、前記第１の基板を取り除いて前記第１の絶縁膜を露出させ、
第３の基板と前記第１の絶縁膜とを第３接着層で貼り合わせ、
前記第２接着層を除去することで、前記第２の基板を取り除いて前記第２の絶縁膜を露出させ、
前記第２の絶縁膜の一部を除去することで前記配線の一部を露出させ、異方性を有する導電性の樹脂を用いて前記配線の一部とＦＰＣが有する端子とを電気的に接続し、
積層された複数の絶縁膜で前記第３の基板及び前記第２の絶縁膜を覆うように、前記積層された複数の絶縁膜が内側に形成された、可撓性を有する袋状のプラスチックフィルムを設け、
前記プラスチックフィルムの内部を排気し、
前記プラスチックフィルムの口を封じる発光装置の作製方法であって、
前記第３の基板はプラスチックで形成されており、
前記複数の絶縁膜のうち、少なくとも１つの絶縁膜は他の絶縁膜よりも内部応力が小さいことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１９】
第１の基板上に第１接着層を形成し、
前記第１接着層上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に発光素子、薄膜トランジスタ及び配線を形成し、
前記発光素子、薄膜トランジスタ及び配線を覆って第２の絶縁膜を形成し、
第２の基板と前記第２の絶縁膜とを第２接着層で貼り合わせ、
前記第１接着層を除去することで、前記第１の基板を取り除いて前記第１の絶縁膜を露出させ、
第３の基板と前記第１の絶縁膜とを第３接着層で貼り合わせ、
前記第２接着層を除去することで、前記第２の基板を取り除いて前記第２の絶縁膜を露出させ、
前記第３の基板、前記第１の絶縁膜及び前記第３接着層の一部を除去することで前記配線の一部を露出させ、異方性を有する導電性の樹脂を用いて前記配線の一部とＦＰＣが有する端子とを電気的に接続し、
積層された複数の絶縁膜で前記第３の基板及び前記第２の絶縁膜を覆うように、前記積層された複数の絶縁膜が内側に形成された、可撓性を有する袋状のプラスチックフィルムを設け、
前記プラスチックフィルムの内部を排気し、
前記プラスチックフィルムの口を封じる発光装置の作製方法であって、
前記第３の基板はプラスチックで形成されており、
前記複数の絶縁膜のうち、少なくとも１つの絶縁膜は他の絶縁膜よりも内部応力が小さいことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１７乃至請求項１９のいずれか１項において、前記第１接着層または前記第２接着層のいずれか一方が、流体を噴射することにより除去されることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２１】
請求項１７乃至請求項１９のいずれか１項において、前記第１接着層は、シリコンを有することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２２】
請求項２１において、前記第１接着層をフッ化ハロゲンを用いて除去することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２３】
請求項１７乃至請求項１９のいずれか１項において、前記第１接着層は、ＳＯＧを有することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２４】
請求項２３において、前記第１接着層を弗化水素を用いて除去することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２５】
請求項１７乃至請求項１９のいずれか１項において、前記第１接着層または前記第２接着層のいずれか一方が、レーザー光を用いて除去されることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２６】
請求項２５において、前記レーザー光は、パルス発振型または連続発光型のエキシマレーザーや、ＹＡＧレーザーや、ＹＶＯ4レーザーであることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２７】
請求項２５において、前記レーザー光は、ＹＡＧレーザーの基本波、第２高調波または第３高調波であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２８】
請求項１７乃至請求項２７のいずれか１項において、前記第３の基板は、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレートまたはポリエチレンナフタレートを有することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２９】
請求項１７乃至請求項２８のいずれか１項において、前記プラスチックフィルムは、ポリエステル、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ弗化ビニル、ポリスチレン、ポリアクリロニトリル、ポリエチレンテレフタレートまたはナイロンを有することを特徴とする発光装置の駆動方法。
【請求項３０】
請求項１乃至請求項２９のいずれか１項において、前記複数の絶縁膜のうち、前記少なくとも１つの絶縁膜は、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテンもしくはエポキシ樹脂を有することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３１】
請求項１乃至請求項３０のいずれか１項において、前記複数の絶縁膜のうち、前記少なくとも１つの絶縁膜は、ポリエチレン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリスチレン、ベンゾシクロブテン、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリ塩化ビニルまたはポリパラキシリレン系樹脂を有することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３２】
請求項１乃至請求項３１のいずれか１項において、前記複数の絶縁膜のうち、前記他の絶縁膜は、窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウムまたは窒化酸化珪化アルミニウムを有することを特徴とする発光装置の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
半導体装置の作製方法に関し、特に、プラスチック基板上に形成された発光素子、例えば有機発光素子（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Device）を有する発光装置に関する。また、該ＯＬＥＤパネルにコントローラを含むＩＣ等を実装した、ＯＬＥＤモジュールに関する。なお本明細書において、ＯＬＥＤパネル及びＯＬＥＤモジュールを共に発光装置と総称する。本発明はさらに、該発光装置を用いた電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、基板上にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を形成する技術が大幅に進歩し、アクティブマトリクス型表示装置への応用開発が進められている。特に、ポリシリコン膜を用いたＴＦＴは、従来のアモルファスシリコン膜を用いたＴＦＴよりも電界効果移動度（モビリティともいう）が高いので、高速動作が可能である。そのため、従来、基板外の駆動回路で行っていた画素の制御を、画素と同一の基板上に形成した駆動回路で行うことが可能となっている。
【０００３】
このようなアクティブマトリクス型表示装置は、同一基板上に様々な回路や素子を作り込むことで製造コストの低減、表示装置の小型化、歩留まりの上昇、スループットの低減など、様々な利点が得られる。
【０００４】
そしてさらに、自発光型素子としてＯＬＥＤを有したアクティブマトリクス型発光装置（以下、単に発光装置と呼ぶ）の研究が活発化している。発光装置は有機発光装置（ＯＥＬＤ：Organic EL Display）又は有機ライトエミッティングダイオード（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）とも呼ばれている。
【０００５】
ＯＬＥＤは自ら発光するため視認性が高く、液晶表示装置（ＬＣＤ）で必要なバックライトが要らず薄型化に最適であると共に、視野角にも制限が無い。そのため、近年ＯＬＥＤを用いた発光装置は、ＣＲＴやＬＣＤに代わる表示装置として注目されている。
【０００６】
ＯＬＥＤは、電場を加えることで発生するルミネッセンス（Electroluminescence）が得られる有機化合物（有機発光材料）を含む層（以下、有機発光層と記す）と、陽極層と、陰極層とを有している。有機化合物におけるルミネッセンスには、一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（蛍光）と三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（リン光）とがあるが、本発明の発光装置は、上述した発光のうちの、いずれか一方の発光を用いていても良いし、または両方の発光を用いていても良い。
【０００７】
なお、本明細書では、ＯＬＥＤの陽極と陰極の間に形成された全ての層を有機発光層と定義する。有機発光層には具体的に、発光層、正孔注入層、電子注入層、正孔輸送層、電子輸送層等が含まれる。基本的にＯＬＥＤは、陽極／発光層／陰極が順に積層された構造を有しており、この構造に加えて、陽極／正孔注入層／発光層／陰極や、陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／陰極等の順に積層した構造を有していることもある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
このような発光装置を利用したアプリケーションは、様々なものが期待されているが、特に発光装置の厚みが薄いこと、従って軽量化が可能であることにより携帯機器への利用が注目されている。そのため、フレキシブルなプラスチックフィルムの上にＯＬＥＤを形成することが試みられている。
【０００９】
プラスチックフィルム等の可撓性を有する基板の上にＯＬＥＤが形成された発光装置は、厚みが薄く軽量であるということに加えて、曲面を有するディスプレイや、ショーウィンドウ等などにも用いることができる。よって、その用途は携帯機器のみに限られず、応用範囲は非常に広い。
【００１０】
しかし、プラスチックからなる基板は、一般的に水分や酸素を透過しやすく、有機発光層はこれらのものによって劣化が促進されるので、発光装置の寿命が短くなりやすい。そこで従来では、プラスチック基板とＯＬＥＤの間に窒化珪素や窒化酸化珪素などの絶縁膜を設け、水分や酸素の有機発光層への混入を防いでいた。
【００１１】
しかし、プラスチックフィルム等の基板は一般的に熱に弱く、窒化珪素や窒化酸化珪素などの絶縁膜の成膜温度を高くしすぎると、基板が変形しやすくなる。しかし成膜温度が低すぎると膜質の低下につながり、水分や酸素の透過を十分防ぐことが難しくなる。
【００１２】
さらに、水分や酸素の透過を防ぐために、窒化珪素や窒化酸化珪素などの絶縁膜の膜厚を厚くすると、内部応力が大きくなり、クラック（亀裂）が入りやすくなる。また、膜厚を厚くすると、基板を曲げたときに膜にクラックが入りやすくなする。
【００１３】
本発明は上記問題に鑑み、水分や酸素の透過による劣化を抑えることが可能な、プラスチック基板上に形成されたＯＬＥＤを有する発光装置の提供を課題とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、絶縁表面を有する基板上に設けられたＯＬＥＤを密封する技術に関するものである。本発明はＯＬＥＤを密封する際、少なくとも酸素や水分の透過を防ぐことができる無機材料からなる絶縁膜（以下、無機絶縁膜と呼ぶ）と、無機絶縁膜よりも内部応力の小さい有機材料からなる絶縁膜（以下、有機絶縁膜と呼ぶ）とが内側に積層された、プラスチックのフィルムを用いて真空封止する。
【００１５】
具体的には、無機絶縁膜を２層以上設けて、さらに該２層の無機絶縁膜の間に樹脂を有する有機絶縁膜を設ける。そして、該３層以上の絶縁膜が内側に積層された袋状のプラスチックフィルムの内部に、ＯＬＥＤが設けられた基板を入れて密封することにより、発光装置を形成する。
【００１６】
なお、無機絶縁膜が成膜されたプラスチックフィルムの柔軟性を高めるため、無機絶縁膜を成膜する際に反応ガスに希ガス元素を加え、膜の内部応力を緩和させても良い。
【００１７】
本発明では、複数の無機絶縁膜を積層することで、無機絶縁膜にクラックが生じても、他の無機絶縁膜で水分や酸素が有機発光層に入り込むのを効果的に防ぐことができる。さらに、無機絶縁膜の成膜温度が低いために無機絶縁膜の膜質が低下するようなことがあっても、複数の無機絶縁膜を積層することで、水分や酸素の有機発光層への混入を効果的に防ぐことができる。
【００１８】
また、無機絶縁膜に比べて内部応力が小さい有機絶縁膜を、有機絶縁膜の間に挟むことで、内部応力を緩和することができる。よって、トータルの無機絶縁膜の厚さは同じであっても、１層のみの無機絶縁膜に比べて、有機絶縁膜を間に挟んだ無機絶縁膜は、内部応力によるクラックが入りにくい。
【００１９】
また、無機絶縁膜と有機絶縁膜の積層により、よりフレキシブルになり、曲げたときのクラックを防ぐことができる。
【００２０】
また、前記無機絶縁膜と有機絶縁膜を積層した膜（以下、封止膜と呼ぶ）は、真空圧着によりＯＬＥＤが形成された基板と密接して設けられる。従って、前記封止膜はある程度の柔軟性を有し、且つ可視光に対して透明もしくは半透明な膜である。
【００２１】
また、本明細書において、可視光に対して透明とは可視光の透過率が８０〜１００％であることを指し、可視光に対して半透明とは可視光の透過率が５０〜８０％であることを指す。
【００２２】
また、上記構成において、上記ＯＬＥＤの劣化を抑えるために、ＯＬＥＤが形成された基板と、真空で封止されたプラスチックフィルムの間に乾燥剤を設けることが好ましい。乾燥剤は酸化バリウム、シリカゲルなどが好適である。乾燥剤は、フレキシブルプリント基板を貼りつける前後に設置すればよい。また、フレキシブルプリント基板のフレキシブルフィルムに乾燥剤を設置した後、フレキシブルプリント基板を貼りつけてもよい。また、設置する箇所は、プラスチックフィルムで真空圧着する箇所の近傍に設置することが好ましい。
【００２３】
なお、本明細書では、プラスチックフィルムで封止されて、はじめてＯＬＥＤパネルとして完成するが、プラスチックフィルムで封止する前の状態のパネルをＯＬＥＤパネルと呼んでも良い。
【００２４】
【発明の実施の形態】
まず、プラスチック基板を用いて形成されたＯＬＥＤパネル１０１に、電源の電圧や各種信号を供給するためのＦＰＣ１０３を実装する。また、ＯＬＥＤが酸素や水分等によって劣化するのを防止するため、乾燥剤１０４を設ける。乾燥剤１０４は、吸湿性物質（好ましくは酸化バリウム）もしくは酸素を吸着しうる物質を用いる。ここでは、後の真空圧着の工程で封止膜及びプラスチックフィルムが破壊されないように、乾燥剤１０４をＦＰＣ１０３と基板１０１の端面とに接する箇所に設け、封止膜及びプラスチックフィルムが局所的に延伸されないようにする。
【００２５】
次いで、内部にガスバリアー性を有する封止膜１０９が形成された、袋状のプラスチックフィルム１０５の中にＯＬＥＤパネル１０１を乾燥剤１０４と共に入れる。このときＦＰＣ１０３とＯＬＥＤパネル１０１が接続している部分をプラスチックフィルム１０５の中に配置する（図１（Ａ））。
【００２６】
封止膜１０９は、２層以上の無機絶縁膜と、該無機絶縁膜の間に設けられた有機絶縁膜とからなる。無機絶縁膜は、酸素や水分の透過を防ぐことができる無機材料を有する絶縁膜であり、有機絶縁膜は無機絶縁膜よりも内部応力の小さい有機材料を有する絶縁膜を用いる。
【００２７】
例えば本実施の形態では、プラスチックフィルム１０５に接する無機絶縁膜１０６と、無機絶縁膜１０６に接する有機絶縁膜１０７と、有機絶縁膜１０７に接する無機絶縁膜１０８とを、封止膜１０９として用いる。
【００２８】
なお、無機絶縁膜は２層以上設けていれば良い。そして無機絶縁膜は、例えば窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウムまたは窒化酸化珪化アルミニウム（ＡｌＳｉＯＮ）を用いることができる。窒化酸化珪化アルミニウムは熱伝導度が比較的高いので、無機絶縁膜に用いることで、素子で発生した熱を効率良く放熱することができる。
【００２９】
無機絶縁膜の膜厚は５０ｎｍ〜３μｍの範囲であることが望ましい。なお、無機絶縁膜の成膜方法はプラズマＣＶＤ法のみに限定されず、実施者が適宜設定することができる。例えば、ＬＰＣＶＤ法、スパッタ法等を用いて成膜しても良い。
【００３０】
また、有機絶縁膜には、透光性を有し、無機絶縁膜よりも内部応力が小さく、なおかつ後の工程の熱処理に耐えうる有機絶縁膜を形成することができる材料を用いることができる。例えば代表的には、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテンもしくはエポキシ樹脂等を用いることが可能である。なお、上述した以外の樹脂を用いることもできる。
【００３１】
有機絶縁膜の膜厚は、２００ｎｍ〜２μｍの範囲であることが望ましい。
【００３２】
そして、袋状のプラスチックフィルム１０５の中を真空に引き、袋の入り口を接着剤１０２で封止することで、プラスチックフィルム１０５の内部において、ＯＬＥＤパネル１０１が封止膜１０９に囲まれた状態で密封される。なお、ＦＰＣ１０３の一部は、電源の電圧や各種信号を供給するためにプラスチックフィルム１０５の外部に出しておく。
【００３３】
図１（Ｂ）に真空圧着後の発光装置の断面図を、図１（Ｃ）に上面図を示す。図１（Ｂ）は、図１（Ｃ）のＡ−Ａ’における断面図に相当する。なお、プラスチックフィルム１０５及び封止膜１０９は、可視光に対して透明もしくは半透明であることが肝要である。さらに、プラスチックフィルム１０５は、真空圧着が可能な材料であれば良い。
【００３４】
なお、本実施の形態では接着剤を用いてプラスチックフィルムを封止しているが、プラスチックフィルムの内部を一部封止膜で覆わない領域を設け、該領域においてプラスチックフィルムを熱圧着するようにしても良い。また、熱圧着後に圧着部分を接着剤でさらに封止を強化してもよい。なお、熱圧着の際、ＦＰＣのフレキシブルテープとも接着されるようなフィルム材料であることが好ましい。
【００３５】
プラスチックフィルムの材料としては、熱可塑性の樹脂材料（ポリエステル、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ弗化ビニル、ポリスチレン、ポリアクリロニトリル、ポリエチレンテレフタレート、ナイロン等）、代表的には、ＰＶＦ（ポリ弗化ビニル）フィルム、マイラーフィルム、またはアクリル樹脂フィルムを用いればよい。
【００３６】
ここではプラスチックフィルムとして袋状、空箱状のものを用いたが、２枚のシート状のものを重ねて四辺を全て接着剤で封止するか、熱圧着で封止するようにしてもよい。
【００３７】
また、基板上にＯＬＥＤを形成した後は、可能な限りＯＬＥＤが外気に曝されないように上記工程を行うことが望ましい。
【００３８】
こうして、本発明により、水分、酸素等による劣化が低減され、信頼性の高いＯＬＥＤを用いた発光装置を提供することができる。
【００３９】
【実施例】
以下に、本発明の実施例について説明する。
【００４０】
（実施例１）
本実施例では、袋状のプラスチックフィルムの内部に封止膜を成膜する方法について説明する。
【００４１】
図２に、プラズマＣＶＤを用いた封止膜の成膜装置の構成を示す。チャンバー２０１内にＲＦ電源２０２に接続された電極２０３と、接地されている電極２０４とが設けられている。
【００４２】
そして、電極２０３は袋状のプラスチックフィルム２０５の外側を覆うように配置されており、電極２０４は袋状のプラスチックフィルム２０５の内部に配置されている。なお、電極２０３とプラスチックフィルム２０５の距離と、電極２０４とプラスチックフィルム２０５の距離は、プラスチックフィルム２０５の外側よりも内側に積極的に封止膜が成膜されるように設定することが肝要である。具体的には、電極２０３とプラスチックフィルム２０５の距離が、電極２０４とプラスチックフィルム２０５の距離よりも長くなるように配置する。さらには、電極２０３とプラスチックフィルム２０５の距離が３ｍｍ以上、さらには１０ｍｍ以上離れていることが望ましい。
【００４３】
プラスチックフィルム２０５は、その位置がホルダー２０６で固定されている。ホルダー２０６は、袋状のプラスチックフィルム２０５の入り口を封じてしまわないような構成を有している。
【００４４】
なお、封止膜を成膜する際に、プラスチックフィルム２０５の内側の一部にホルダー２０６を密着させることで、プラスチックフィルム２０５の内側に、封止膜が成膜されずにプラスチックフィルムが露出している領域を作ることが可能である。そして、ＯＬＥＤパネルを熱圧着により封止するとき、プラスチックフィルムが露出している領域において熱圧するようにしても良い。
【００４５】
本実施例では、プラスチックフィルム２０５の内側に、２層以上の無機絶縁膜と、該無機絶縁膜の間に設けられた有機絶縁膜とからなる封止膜２０８を成膜する例について説明する。
【００４６】
無機絶縁膜は、酸素や水分の透過を防ぐことができる無機材料を有する絶縁膜であり、有機絶縁膜は無機絶縁膜よりも内部応力の小さい有機材料を有する絶縁膜を用いる。本実施例では具体的に、ＰＥＴからなるプラスチックフィルム２０５に接するように、窒化酸化珪素からなる無機絶縁膜２０９を成膜し、前記無機絶縁膜２０９に接するようにポリエチレンからなる有機絶縁膜２１０を成膜し、有機絶縁膜２１０に接するように窒化酸化珪素からなる無機絶縁膜２１１を成膜する。
【００４７】
なお、プラスチックフィルムと、無機絶縁膜の材料はこれに限定されない。プラスチックフィルムと、無機絶縁膜の材料は、実施の形態に示した材料を自由に選択して用いることが可能である。ただし、本実施例ではプラズマＣＶＤ法を用いて封止膜を成膜するので、無機絶縁膜の材料は、プラズマＣＶＤによって成膜が可能な材料であることが必要である。
【００４８】
また、有機絶縁膜の材料はポリエチレンに限定されず、透光性を有し、無機絶縁膜よりも内部応力が小さく、なおかつ後の工程の熱処理に耐えうる有機絶縁膜を形成することができる材料であれば良い。ただし、本実施例ではプラズマＣＶＤ法を用いて封止膜を成膜するので、有機絶縁膜は、プラズマＣＶＤ法によって成膜が可能な材料であることが肝要である。例えば、ポリエチレン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリスチレン、ベンゾシクロブテン、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリ塩化ビニル、ポリパラキシリレン系樹脂等を用いることが可能である。
【００４９】
まず、チャンバー２０１内を真空排気した後、反応ガスとしてＳｉＨ4、ＮＨ3、及びＮ2Ｏをチャンバー２０１内に導入し、プラズマＣＶＤ法を用いて窒化酸化珪素からなる無機絶縁膜２０９を成膜する。
【００５０】
次に、再びチャンバー２０１内を真空排気した後、反応ガスとしてエチレンをチャンバー２０１内に導入し、プラズマＣＶＤ法を用いてポリエチレンからなる有機絶縁膜２１０を成膜する。
【００５１】
次に、再びチャンバー２０１内を真空排気した後、反応ガスとしてＳｉＨ4、ＮＨ3、及びＮ2Ｏをチャンバー２０１内に導入し、プラズマＣＶＤ法を用いて窒化酸化珪素からなる無機絶縁膜２１１を成膜する。
【００５２】
なお、予め内壁に保護絶縁膜２０７を設けておくことで、チャンバー２０１の内壁に封止膜の原料が成膜されるのを防ぎ、プラスチックフィルム２０５に積極的に封止膜２０８が成膜されるようにすることができる。
【００５３】
なお本実施例では、封止膜２０８をプラズマＣＶＤ法を用いて成膜しているが、封止膜の成膜方法はこれに限定されない。例えば、熱ＣＶＤ法、蒸着法、スパッタ法、減圧熱ＣＶＤ法等を用いて成膜しても良い。
【００５４】
（実施例２）
本実施例では、プラスティックフィルムを用いたＯＬＥＤパネルの封止方法について説明する。
【００５５】
図３に、袋状のプラスティックフィルムの内部にＯＬＥＤパネルを封止する装置（封止装置）の構成を示す。封止装置は仕切り膜３０１で仕切られた２つのチャンバーＡ３０２、チャンバーＢ３０３を有している。仕切り膜３０１は弾性を有しており、外力によってひずみ(変形)を受けても、そのひずみをもとにもどそうとする力を生ずる性質を有している。
【００５６】
チャンバーＡ３０２とチャンバーＢ３０３はそれぞれ個別に排気系を有している。そして、チャンバーＢ３０３は、ヒーター３０４と、冷却器３０５を有している。
【００５７】
まず、図３（Ａ）に示すように、袋状のプラスチックフィルム３０６の内部にＯＬＥＤパネル３０７を入れ、チャンバーＢ３０３内に配置する。このときＯＬＥＤパネル３０７にＦＰＣ３１０が実装されており、袋状のプラスチックフィルム３０６の入り口付近に接着剤３０８が配置されている。
【００５８】
次に、チャンバーＡ３０２とチャンバーＢ３０３の内部を真空排気した後、チャンバーＢ３０３内に不活性ガス（本実施例ではＡｒ）を流し、再び真空排気することでチャンバーＢ３０３内の酸素や水分を除去する。
【００５９】
次に、ヒーター３０４を用いて接着剤３０８を溶解する。なお本実施例では、接着剤３０８には加熱溶融により接着するホットメルト接着剤を用いる。代表的には、エチレン‐酢酸ビニル共重合体，ポリアミド，ポリエステルなどを主剤とする接着剤を用いることが可能である。
【００６０】
次に、接着剤３０８を加熱溶融させた状態のまま、図３（Ｂ）に示すように、チャンバーＢ３０３がチャンバーＡ３０２に押しつすように、大気開放などしてチャンバーＡ３０２内の圧力を高める。その結果、弾性を有する仕切り膜３０１によってプラスチックフィルム３０６が圧迫される。そして、溶融した接着剤３０８も圧迫されるので、結果的にプラスチックフィルム３０６内部にＯＬＥＤパネル３０７が真空密封される。
【００６１】
そしてこの状態のまま、冷却器３０５を用いて接着剤３０８を冷却し、プラスチックフィルム３０６内部にＯＬＥＤパネル３０７が真空密封された状態で、接着剤３０８を固化させる。
【００６２】
次に、図３（Ｃ）に示すようにチャンバーＢ３０３内の圧力を高め、仕切り膜３０１を封止されたＯＬＥＤパネル３０７から離す。
【００６３】
上述した方法により、ＯＬＥＤパネル３０７を袋状のプラスチックフィルム内に真空封止することができる。
【００６４】
なお、ＯＬＥＤパネルの封止の仕方は本実施例に示した方法に限定されない。
【００６５】
本実施例は、実施例１と自由に組み合わせて実施することが可能である。
【００６６】
（実施例３）
本実施例では、プラスチック基板上にＯＬＥＤを有する、本発明のＯＬＥＤパネルの作製方法について説明する。なお、図４、図５に示したのは、画素部及び駆動回路における作製工程を示す断面図である。
【００６７】
図４（Ａ）において、第１基板１１０１上に、非晶質珪素膜からなる第１接着層１１０２が１００〜５００ｎｍ（本実施例では３００ｎｍ）の厚さに形成される。本実施例では第１基板１１０１としてガラス基板を用いるが、石英基板、シリコン基板、金属基板もしくはセラミックス基板を用いても構わない。第１基板１１０１は、後の作製工程における処理温度に耐えうる材料であれば良い。
【００６８】
また、第１接着層１１０２の成膜は減圧熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法もしくは蒸着法を用いれば良い。第１接着層１１０２の上には酸化珪素膜からなる絶縁膜１１０３が２００ｎｍの厚さに形成される。絶縁膜１１０３の形成は減圧熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法もしくは蒸着法を用いれば良い。絶縁膜１１０３は、第１接着層１１０２を除去して第１基板１１０１を剥離させるときに、第１基板１１０１上に形成されている素子を保護する効果がある。
【００６９】
次に、絶縁膜１１０３の上に素子を形成する（図４（Ｂ））。ここで素子とは、アクティブマトリクス型の発光装置ならば画素のスイッチング素子として用いる半導体素子（典型的にはＴＦＴ）もしくはＭＩＭ素子並びにＯＬＥＤ等を指す。また、パッシブ型の発光装置ならばＯＬＥＤを指す。図４（Ｂ）では、代表的な素子として、駆動回路１１０６のＴＦＴ１１０４ａと、画素部のＴＦＴ１１０４ｂ、１１０４ｃ及びＯＬＥＤ１１０５とを示した。
【００７０】
そして、これらの素子を覆って、絶縁膜１１０８を形成する。絶縁膜１１０８は、成膜後の表面がより平坦であることが好ましい。なお、絶縁膜１１０８は必ずしも設ける必要はない。
【００７１】
次に、図４（Ｃ）に示すように、第２接着層１１０９により第２基板１１１０を貼り合わせる。本実施例では第２基板１１１０としてプラスチック基板を用いる。具体的には、第２基板として、厚さ１０μｍ以上の樹脂基板、例えばＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）もしくはＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）を用いることができる。
【００７２】
また、第２接着層１１０９としては、後に第１接着層１１０２を除去する際に選択比のとれる材料を用いる必要がある。代表的には樹脂からなる絶縁膜を用いることができ、本実施例ではポリイミドを用いるが、アクリル、ポリアミドもしくはエポキシ樹脂を用いても良い。なお、ＯＬＥＤから見て観測者側（発光装置の使用者側）に位置する場合は、光を透過する材料であることが必要である。
【００７３】
次に、図５（Ａ）に示すように、第１基板１１０１、第２基板１１１０及び第１基板１１０１と第２基板１１１０の間に形成された全ての素子や膜全体を、フッ化ハロゲンを含むガス中に晒し、第１接着層１１０２の除去を行う。本実施例ではフッ化ハロゲンとして三フッ化塩素（ＣｌＦ3）を用い、希釈ガスとして窒素を用いる。希釈ガスとしては、アルゴン、ヘリウムもしくはネオンを用いても良い。流量は共に５００ｓｃｃｍ（８．３５×１０-6ｍ3／ｓ）とし、反応圧力は１〜１０Ｔｏｒｒ（１．３×１０2〜１．３×１０3Ｐａ）とすれば良い。また、処理温度は室温（典型的には２０〜２７℃）で良い。
【００７４】
この場合、珪素膜はエッチングされるが、プラスチックフィルム、ガラス基板、ポリイミド膜、酸化珪素膜はエッチングされない。即ち、三フッ化塩素ガスに晒すことで第１接着層１１０２が選択的にエッチングされ、最終的には完全に除去される。なお、同じく珪素膜で形成されているＴＦＴの活性層は表面に露出していないため、三フッ化塩素ガスに晒されることがなく、エッチングされることはない。
【００７５】
本実施例の場合、第１接着層１１０２は露呈した端部から徐々にエッチングされていき、完全に除去された時点で第１基板１１０１と絶縁膜１１０３が分離される。このとき、ＴＦＴ及びＯＬＥＤは薄膜を積層して形成されているが、第２基板１１１０に移された形で残る。
【００７６】
なお、ここでは第１接着層１１０２が端部からエッチングされていくことになるが、第１基板１１０１が大きくなると完全に除去されるまでの時間が長くなり好ましいものではない。従って、本実施例は第１基板１１０１が対角３インチ以下（好ましくは対角１インチ以下）の場合に実施することが望ましい。
【００７７】
こうして第１基板１１０１を剥離したら、図５（Ｂ）に示すように、第３接着層１１１３を形成し、第３基板１１１２を貼り合わせる。本実施例では第３基板１１１２としてプラスチック基板を用いる。具体的には、第３基板として、厚さ１０μｍ以上の樹脂基板、例えばＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）もしくはＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）を用いることができる。
【００７８】
第３接着層１１１３として、樹脂からなる絶縁膜（代表的にはポリイミド、アクリル、ポリアミドもしくはエポキシ樹脂）を用いることができる。なお、ＯＬＥＤから見て観測者側に位置する場合は、光を透過する材料であることが必要である。
【００７９】
こうして、二枚の可撓性を有する基板１１１０、１１１２によって挟まれたフレキシブルなＯＬＥＤパネル（発光装置）を得ることができる。なお、第２基板１１１０と第３基板１１１２とを同一材料にすると、熱膨張係数が等しくなるので、温度変化による内部応力歪みの影響を受けにくくすることができる。
【００８０】
次に、図５（Ｃ）に示すように、封止膜１１１９が成膜されたプラスチックフィルム１１１８で、ＯＬＥＤパネルを封止する。なお封止の際、封止膜１１１９がプラスチックフィルム１１１８とＯＬＥＤ１１０５との間に配置されるようにする。
【００８１】
なお本実施例では、封止膜１１１９として、プラスチックフィルム１１１８に近い側から無機絶縁膜１１１９ａ、有機絶縁膜１１１９ｂ、無機絶縁膜１１１９ｃが形成されている。
【００８２】
本実施例に基づいて作製された発光装置は、プラスチック基板の耐熱性に制限されることなく、半導体を用いた素子（例えばＴＦＴ）を形成することができるので、非常に高性能なものとすることができる。
【００８３】
なお、本実施例では、第１接着層１１０２として非晶質珪素を用い、該第１接着層１１０２をフッ化ハロゲンを含むガスで除去しているが、本発明はこの構成に限定されない。第１接着層の材料及びその除去の仕方は、実施者が設定することが可能である。第１接着層以外の、除去するのを目的としない基板、素子及び膜が、第１接着層と共に除去されることで、発光装置の動作に支障をきたすことがないように、第１接着層の材料及びその除去の仕方を設定することが肝要である。また、第１接着層の材料は、第１接着層を除去する工程以外のプロセスにおいて、除去されることのない材料であることが肝要である。
【００８４】
例えば、第１接着層として、照射するレーザー光で全部または一部が気化する有機物を用いても良い。また、第１接着層がレーザー光を吸収する特性を有するもの、例えば、ＹＡＧレーザーの第２高調波を用いる場合、効率よく第１接着層のみにレーザー光を吸収させるために、有色、あるいは黒色（例えば、黒色着色剤を含む樹脂材料）のものを用いることが望ましい。ただし、第１接着層は素子形成工程における熱処理によって気化しないものを用いる。
【００８５】
また、第１、第２または第３接着層は単層であっても積層であってもよく、接着層と基板の間にアモルファスシリコン膜またはＤＬＣ膜を設けていてもよい。
【００８６】
また、第１接着層を非晶質珪素膜で形成し、後の工程で、この第１接着層にレーザー光を照射することにより第１基板を剥離してもよい。この場合、第１基板を剥離しやすくするため、水素を多く含む非晶質珪素膜を用いることが好ましい。レーザー光を照射することにより非晶質珪素膜に含まれる水素を気化するので、第１基板が剥離しやすくなる。
【００８７】
レーザー光としては、パルス発振型または連続発光型のエキシマレーザーやＹＡＧレーザー、ＹＶＯ4レーザーを用いることができる。レーザー光を第１基板を通過させて第１接着層に照射して、第１接着層のみを気化させて第１基板を剥離する。従って、第１基板としては少なくとも照射するレーザー光が通過する基板、代表的には透光性を有する基板、例えばガラス基板、石英基板等を用い、さらに第２、第３基板よりも厚さの厚いものが好ましい。
【００８８】
本発明においては、レーザー光が第１基板を通過させるため、レーザー光の種類と第１基板を適宜選択する必要がある。例えば、第１基板として石英基板を用いるのであれば、ＹＡＧレーザー（基本波（１０６４ｎｍ）、第２高調波（５３２ｎｍ）、第３高調波（３５５ｎｍ）、第４高調波（２６６ｎｍ）あるいはエキシマレーザー（波長３０８ｎｍ）を用い、線状ビームを形成し、石英基板を通過させればよい。なお、エキシマレーザーはガラス基板を通過しない。従って、第１基板としてガラス基板を用いるのであればＹＡＧレーザーの基本波、第２高調波、または第３高調波を用い、好ましくは第２高調波（波長５３２ｎｍ）を用いて線状ビームを形成し、ガラス基板を通過させればよい。
【００８９】
また、例えば、第１接着層に対して流体（圧力が加えられた液体もしくは気体）を噴射することにより第１基板を分離する方法（代表的にはウォータージェット法）を用いてもよい。
【００９０】
また、第１接着層を非晶質珪素膜で形成した場合、第１接着層をヒドラジン（hydrazine）を用いて除去するようにしても良い。
【００９１】
また、例えば、特開平８−２８８５２２号公報に記載されたエッチングで第１基板を分離する方法を用いても良い。具体的には、第１接着層に、塗布珪素酸化膜（ＳＯＧ）を用い、弗化水素を用いて除去するようにしても良い。この場合、除去することを目的としない珪素酸化膜は、スパッタまたはＣＶＤ法を用いた緻密な膜にし、弗化水素で第１接着層を除去する際の選択比が取れるようにすることが肝要である。
【００９２】
このような構成とすることによって、第２及び第３基板の厚さが非常に薄い、具体的には５０μｍ〜３００μｍ、好ましくは１５０μｍ〜２００μｍの厚さの基板を用いても、信頼性の高い発光装置を得ることができる。また、従来ある公知の製造装置を用いて、このように厚さの薄い基板上に素子形成を行うことは困難であったが、本発明は第１基板に貼り合わせて素子形成を行うため、装置の改造を行うことなく厚さの厚い基板を用いた製造装置を使用することができる。
【００９３】
また、多層の絶縁膜で形成された封止膜を用いることで、水分や酸素の透過による劣化をより効果的に抑えることが可能になる。また、基板を曲げたときのクラックを防いで、よりフレキシブルな発光装置を実現することが可能になる。
【００９４】
本実施例は、実施例１または実施例２と自由に組み合わせて実施することが可能である。
【００９５】
（実施例４）
本実施例では、プラスチック基板上にＯＬＥＤを有する、本発明のＯＬＥＤパネルの実施例３とは異なる作製方法について説明する。なお、図６、図７に示したのは、画素部及び駆動回路における作製工程を示す断面図である。
【００９６】
図６（Ａ）において、第１基板１２０１上に、非晶質珪素膜からなる第１接着層１２０２が１００〜５００ｎｍ（本実施例では３００ｎｍ）の厚さに形成される。本実施例では第１基板１２０１としてガラス基板を用いるが、石英基板、シリコン基板、金属基板もしくはセラミックス基板を用いても構わない。第１基板１２０１は、後の作製工程における処理温度に耐えうる材料であれば良い。
【００９７】
また、第１接着層１２０２の成膜は減圧熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法もしくは蒸着法を用いれば良い。第１接着層１２０２の上には酸化珪素膜からなる絶縁膜１２０３が２００ｎｍの厚さに形成される。絶縁膜１２０３の形成は減圧熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法もしくは蒸着法を用いれば良い。絶縁膜１２０３は、第１接着層１２０２を除去して第１基板１２０１を剥離させるときに、第１基板１２０１上に形成されていた素子を保護する効果がある。
【００９８】
次に、絶縁膜１２０３の上に素子を形成する（図６（Ｂ））。ここで素子とは、アクティブマトリクス型の発光装置ならば画素のスイッチング素子として用いる半導体素子（典型的にはＴＦＴ）もしくはＭＩＭ素子並びにＯＬＥＤ等を指す。また、パッシブ型の発光装置ならばＯＬＥＤを指す。図６（Ｂ）では、代表的な素子として、駆動回路１２０６のＴＦＴ１２０４ａと、画素部のＴＦＴ１２０４ｂ、１２０４ｃ及びＯＬＥＤ１２０５とを示した。
【００９９】
そして、これらの素子を覆って、絶縁膜１２０８を形成する。絶縁膜１２０８は、成膜後の表面がより平坦であることが好ましい。なお、絶縁膜１２０８は必ずしも設ける必要はない。
【０１００】
次に、図６（Ｃ）に示すように、第２接着層１２０９により第２基板１２１０を貼り合わせる。本実施例では第２基板１２１０としてガラス基板を用いるが、石英基板、シリコン基板、金属基板もしくはセラミックス基板を用いても構わない。第２基板１２１０は、後の作製工程における処理温度に耐えうる材料であれば良い。
【０１０１】
第２接着層１２０９としては、後に第１接着層１２０２を除去する際に選択比のとれる材料を用いる必要がある。さらに後に、第３基板を貼り合わせるための第３接着層が、第２接着層と一緒に除去され第３基板が剥がれることのないような材料であることが必要である。本実施例では、特開平５−３１５６３０号に記載されている、ポリイミド樹脂の前駆体であるポリアミック酸溶液を用いる。具体的には、第２接着層１２０９として未硬化の樹脂であるポリアミック酸溶液を１０〜１５μｍの厚さで成膜した後、熱圧着により第２基板１２１０と層間絶縁膜１２０８とを貼り合わせる。そして、加熱することで仮硬化を行う。
【０１０２】
なお、本実施例において、第２接着層の材料はポリアミック酸溶液に限定されない。後に第１接着層１２０２を除去する際に選択比のとれる材料であり、なおかつ、第３基板を貼り合わせるための第３接着層が、第２接着層と一緒に除去され第３基板が剥がれることのないような材料であれば良い。また、第２接着層を除去する工程以外の工程において、除去されないような材料であることが肝要である。
【０１０３】
次に、図６（Ｄ）に示すように、第１基板１２０１、第２基板１２１０及び第１基板１２０１と第２基板１２１０の間に形成された全ての素子や膜全体を、フッ化ハロゲンを含むガス中に晒し、第１接着層１２０２の除去を行う。本実施例ではフッ化ハロゲンとして三フッ化塩素（ＣｌＦ3）を用い、希釈ガスとして窒素を用いる。希釈ガスとしては、アルゴン、ヘリウムもしくはネオンを用いても良い。流量は共に５００ｓｃｃｍ（８．３５×１０-6ｍ3／ｓ）とし、反応圧力は１〜１０Ｔｏｒｒ（１．３×１０2〜１．３×１０3Ｐａ）とすれば良い。また、処理温度は室温（典型的には２０〜２７℃）で良い。
【０１０４】
この場合、珪素膜はエッチングされるが、プラスチックフィルム、ガラス基板、ポリイミド膜、酸化珪素膜はエッチングされない。即ち、三フッ化塩素ガスに晒すことで第１接着層１２０２が選択的にエッチングされ、最終的には完全に除去される。なお、同じく珪素膜で形成されているＴＦＴの活性層は表面に露出していないため、三フッ化塩素ガスに晒されることがなく、エッチングされることはない。
【０１０５】
本実施例の場合、第１接着層１２０２は露呈した端部から徐々にエッチングされていき、完全に除去された時点で第１基板１２０１と絶縁膜１２０３が分離される。このとき、ＴＦＴ及びＯＬＥＤは薄膜を積層して形成されているが、第２基板１２１０に移された形で残る。
【０１０６】
なお、ここでは第１接着層１２０２が端部からエッチングされていくことになるが、第１基板１２０１が大きくなると完全に除去されるまでの時間が長くなり好ましいものではない。従って、本実施例は第１基板１２０１が対角３インチ以下（好ましくは対角１インチ以下）の場合に実施することが望ましい。
【０１０７】
こうして第１基板１２０１を剥離したら、図７（Ａ）に示すように、第３接着層１２１３を形成し、第３基板１２１２を貼り合わせる。本実施例では第３基板１２１０としてプラスチック基板を用いる。具体的には、第３基板として、厚さ１０μｍ以上の樹脂基板、例えばＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）もしくはＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）を用いることができる。
【０１０８】
第３接着層１２１３として、樹脂からなる絶縁膜（代表的にはポリイミド、アクリル、ポリアミドもしくはエポキシ樹脂）を用いることができる。なお、ＯＬＥＤから見て観測者側に位置する場合は、光を透過する材料であることが必要である。
【０１０９】
次に、図７（Ｂ）に示すように、第２接着層１２０９を除去することで、第２基板１２１０を剥離する。具体的には、水に約１時間ほど浸すことで第２接着層１２０９が除去され、第２基板１２１０を剥離することができる。
【０１１０】
なお、第２接着層１２０９の剥離の仕方は、第２接着層の材料、素子や膜の材料、基板の材料等によって使い分けることが肝要である。
【０１１１】
こうして、一枚のプラスチック基板１２１２を用いたフレキシブルなＯＬＥＤパネル（発光装置）を得ることができる。
【０１１２】
次に、図７（Ｃ）に示すように、封止膜１２１９が成膜されたプラスチックフィルム１２１８で、ＯＬＥＤパネルを封止する。なお封止の際、封止膜１２１９がプラスチックフィルム１２１８とＯＬＥＤ１２０５との間に配置されるようにする。
【０１１３】
なお本実施例では、封止膜１２１９として、プラスチックフィルム１２１８に近い側から無機絶縁膜１２１９ａ、有機絶縁膜１２１９ｂ、無機絶縁膜１２１９ｃが形成されている。
【０１１４】
本実施例により作製された発光装置は、プラスチック基板の耐熱性に制限されることなく、半導体を用いた素子（例えばＴＦＴ）を形成することができるので、非常に高性能なものとすることができる。
【０１１５】
なお、本実施例では、第１接着層１２０２として非晶質珪素を用い、該第１接着層１２０２をフッ化ハロゲンを含むガスで除去しているが、本発明はこの構成に限定されない。第１接着層の材料及びその除去の仕方は、実施者が設定することが可能である。第１接着層以外の、除去するのを目的としない基板、他の接着層、素子及び膜が、第１接着層と共に除去されることで、発光装置の動作に支障をきたすことがないように、第１接着層の材料及びその除去の仕方を設定することが肝要である。また、第１接着層の材料は、第１接着層を除去する工程以外のプロセスにおいて、除去されることのない材料であることが肝要である。
【０１１６】
また、本実施例では、第２接着層１２０９としてポリイミド樹脂の前駆体であるポリアミック酸溶液を用い、該第２接着層１２０９を水で除去しているが、本発明はこの構成に限定されない。第２接着層の材料及びその除去の仕方は、実施者が設定することが可能である。第２接着層以外の、除去するのを目的としない基板、他の接着層、素子及び膜が、第２接着層と共に除去されることで、発光装置の動作に支障をきたすことがないように、第２接着層の材料及びその除去の仕方を設定することが肝要である。また、第２接着層の材料は、第２接着層を除去する工程以外のプロセスにおいて、除去されることのない材料であることが肝要である。
【０１１７】
例えば、第１または第２接着層として、照射するレーザー光で全部または一部が気化する有機物を用いても良い。また、第１または第２接着層がレーザー光を吸収する特性を有するもの、例えば、ＹＡＧレーザーの第２高調波を用いる場合、効率よく第１または第２接着層のみにレーザー光を吸収させるために、有色、あるいは黒色（例えば、黒色着色剤を含む樹脂材料）のものを用いることが望ましい。ただし、第１または第２接着層は素子形成工程における熱処理によって気化しないものを用いる。
【０１１８】
また、第１、第２または第３接着層は単層であっても積層であってもよく、接着層と基板の間にアモルファスシリコン膜またはＤＬＣ膜を設けていてもよい。
【０１１９】
また、第１または第２接着層を非晶質珪素膜で形成し、後の工程で、この第１または第２接着層にレーザー光を照射することにより基板を剥離してもよい。この場合、基板を剥離しやすくするため、水素を多く含む非晶質珪素膜を用いることが好ましい。レーザー光を照射することにより非晶質珪素膜に含まれる水素を気化するので、基板が剥離しやすくなる。
【０１２０】
レーザー光としては、パルス発振型または連続発光型のエキシマレーザーやＹＡＧレーザー、ＹＶＯ4レーザーを用いることができる。第１基板を剥離する場合、レーザー光を第１基板を通過させて第１接着層に照射して、第１接着層のみを気化させて第１基板を剥離する。第２基板を剥離する場合、レーザー光を第２基板を通過させて第２接着層に照射して、第２接着層のみを気化させて第２基板を剥離する。従って、第１または第２基板としては、少なくとも照射するレーザー光が通過する基板、代表的には透光性を有する基板、例えばガラス基板、石英基板等を用い、さらに第３基板よりも厚さの厚いものが好ましい。
【０１２１】
本発明においては、レーザー光が第１または第２基板を通過させるため、レーザー光の種類と基板の種類を適宜選択する必要がある。例えば、石英基板を用いるのであれば、ＹＡＧレーザー（基本波（１０６４ｎｍ）、第２高調波（５３２ｎｍ）、第３高調波（３５５ｎｍ）、第４高調波（２６６ｎｍ）あるいはエキシマレーザー（波長３０８ｎｍ）を用い、線状ビームを形成し、石英基板を通過させればよい。なお、エキシマレーザーはガラス基板を通過しない。従って、ガラス基板を用いるのであればＹＡＧレーザーの基本波、第２高調波、または第３高調波を用い、好ましくは第２高調波（波長５３２ｎｍ）を用いて線状ビームを形成し、ガラス基板を通過させればよい。
【０１２２】
また、例えば、接着層に対して流体（圧力が加えられた液体もしくは気体）を噴射することにより基板を分離する方法（代表的にはウォータージェット法）を用いてもよい。
【０１２３】
また、接着層を非晶質珪素膜で形成した場合、接着層をヒドラジン（hydrazine）を用いて除去するようにしても良い。
【０１２４】
また、例えば、特開平８−２８８５２２号公報に記載されたエッチングで第１基板を分離する方法を用いても良い。具体的には、第１または第２接着層に、塗布珪素酸化膜（ＳＯＧ）を用い、弗化水素を用いて除去するようにしても良い。この場合、除去することを目的としない珪素酸化膜は、スパッタまたはＣＶＤ法を用いた緻密な膜にし、弗化水素で第１または第２接着層を除去する際の選択比が取れるようにすることが肝要である。
【０１２５】
このような構成とすることによって、第３基板の厚さが非常に薄い、具体的には５０μｍ〜３００μｍ、好ましくは１５０μｍ〜２００μｍの厚さの基板を用いても、信頼性の高い発光装置を得ることができる。また、従来ある公知の製造装置を用いて、このように厚さの薄い基板上に素子形成を行うことは困難であったが、本発明は第１基板及び第２基板に貼り合わせて素子形成を行うため、装置の改造を行うことなく厚さの厚い基板を用いた製造装置を使用することができる。
【０１２６】
また、多層の絶縁膜で形成された封止膜を用いることで、水分や酸素の透過による劣化をより効果的に抑えることが可能になる。また、基板を曲げたときのクラックを防いで、よりフレキシブルな発光装置を実現することが可能になる。
【０１２７】
なお、実施例１及び実施例２において、ＯＬＥＤが有する陽極を画素電極として用いても良いし、陰極を画素電極として用いても良い。
【０１２８】
本実施例は、実施例１または実施例２と自由に組み合わせて実施することが可能である。
【０１２９】
（実施例５）
本実施例では、本発明の封止前の発光装置の外観と、ＦＰＣとの接続について説明する。
【０１３０】
図８（Ａ）に、実施例３に示した、封止前の発光装置の外観図の一例を示す。１３０１は第２基板、１３０２は第３基板であり、共に可撓性を有するプラスチック基板である。第２基板１３０１と第３基板１３０２の間に画素部１３０３と、駆動回路（ソース側駆動回路１３０４、ゲート側駆動回路１３０５）が設けられている。
【０１３１】
なお、図８（Ａ）では、ソース側駆動回路１３０４とゲート側駆動回路１３０５を画素部１３０３と同じ基板上に作製された例を示しているが、ソース側駆動回路１３０４とゲート側駆動回路１３０５とに代表される駆動回路を画素部とは異なる基板上に形成し、ＦＰＣ等を介して接続するようにしても良い。
【０１３２】
またソース側駆動回路１３０４とゲート側駆動回路１３０５の数及びその配置は、図８（Ａ）に示した構成に限定されない。
【０１３３】
１３０６はＦＰＣであり、ＦＰＣ１３０６を介して、画素部１３０３、ソース側駆動回路１３０４及びゲート側駆動回路１３０５に、コントローラを含むＩＣからの信号や電源電圧が供給される。
【０１３４】
図８（Ａ）に示した、ＦＰＣ１３０６と第２基板１３０１とが接続されている点線で囲んだ部分の拡大図を、図８（Ｂ）に示す。図８（Ｃ）は、図８（Ｂ）のＡ−Ａ’における断面図である。
【０１３５】
第２基板１３０１と第３基板１３０２の間に、画素部１３０３と、ソース側駆動回路１３０４と、ゲート側駆動回路１３０５とに、信号や電源電圧を供給するために引きまわされた配線１３１０が設けられている。また、ＦＰＣ１３０６には端子１３１１が設けられている。
【０１３６】
なお、１３１４は乾燥剤であり、酸素や水分など劣化を促進させる物質がＯＬＥＤ（図示せず）に入り込むのを防ぐ効果がある。
【０１３７】
第２基板１３０１と、第２基板１３０１と引きまわしの配線１３１０の間に設けられた絶縁膜などの各種の膜が、一部レーザー等によって取り除かれることで、コンタクトホール１３１３が設けられている。よって、複数の引きまわしの配線１３１０は、コンタクトホール１３１３において露出しており、異方性を有する導電性の樹脂１３１２によって、端子１３１１とそれぞれ電気的に接続されている。
【０１３８】
なお、図８では第２基板１３０１側から引きまわしの配線の一部を露出させる例について説明したが、本発明はこれに限定されない。第３基板１３０２側から引きまわしの配線の一部を露出させるようにしても良い。
【０１３９】
図９（Ａ）に、図８（Ａ）に示した発光装置を撓めた様子を示す。実施例３に示した発光装置は、第２基板と第３基板とが共に可撓性を有しているので、図９（Ａ）に示すように、ある程度撓めることが可能である。よって、曲面を有するディスプレイや、ショーウィンドウ等などにも用いることができ、その応用範囲は非常に広い。なお実施例３に示した発光装置に限らず、実施例４で示した発光装置も、同様に撓めることが可能である。
【０１４０】
図９（Ｂ）に、図９（Ａ）に示した発光装置の断面図を示す。第２基板１３０１と第３基板１３０２との間に、複数の素子が形成されている。ここでは代表的に、ＴＦＴ１３２０ａ、１３２０ｂ、１３２０ｃと、ＯＬＥＤ１３２２とを図示した。なお、破線１３２３は、第２基板１３０１と第３基板１３０２との中心線である。
【０１４１】
第２基板１３０１は、封止膜１３２１を間に挟んでプラスチックフィルム１３２４に覆われている。また、第３基板１３０２も、封止膜１３２１を間に挟んでプラスチックフィルム１３２４に覆われている。
【０１４２】
封止膜１３２１は、プラスチックフィルム１３２４に接している無機絶縁膜１３２１ａと、無機絶縁膜１３２１ａに接している有機絶縁膜１３２１ｂと、有機絶縁膜１３２１ｂに接している無機絶縁膜１３２１ｃとを有している。
【０１４３】
次に、実施例４で示した封止前の発光装置の、ＦＰＣとの接続について説明する。図１０に、実施例４で示した封止前の発光装置とＦＰＣとが接続している部分の断面図を示す。
【０１４４】
第３基板１４０１上には、引きまわしのための配線１４０３が設けられている。
【０１４５】
第３基板１４０１と、引きまわしの配線１４０３との間に設けられた絶縁膜などの各種の膜が、一部レーザー等によって取り除かれることで、コンタクトホールが設けられている。そして、引きまわしの配線１４０３は、該コンタクトホールにおいて露出しており、異方性を有する導電性の樹脂１４０６によって、ＦＰＣ１４０４が有する端子１４０５と電気的に接続されている。
【０１４６】
なお、図１０では引きまわしの配線１４０３上の絶縁膜の一部を除去して、引きまわしの配線１４０３の一部を露出させる例について説明したが、本発明はこれに限定されない。第３基板１４０１側から引きまわしの配線１４０３の一部を露出させるようにしても良い。
【０１４７】
本実施例は、実施例１または実施例２と自由に組み合わせて実施することが可能である。
【０１４８】
（実施例６）
本実施例では、本発明の発光装置の作製方法の一例について説明する。
【０１４９】
図１１（Ａ）において、第１基板５０１上に、塗布珪素酸化膜（ＳＯＧ）からなる第１接着層５０２が１００〜５００ｎｍ（本実施例では３００ｎｍ）の厚さに形成される。本実施例では第１基板５０１としてガラス基板を用いるが、石英基板、シリコン基板、金属基板もしくはセラミックス基板を用いても構わない。第１基板５０１は、後の作製工程における処理温度に耐えうる材料であれば良い。
【０１５０】
また、塗布珪素酸化膜は、ＳＯＧ溶液にヨウ素液をスピンコートにより添加し、乾燥させてヨウ素を離脱させる。その後４００℃程度の熱処理を行って成膜する。本実施例では膜厚１００ｎｍのＳＯＧを形成した。なお、第１接着層５０２としてのＳＯＧの作製方法は、上記方法に限定されない。また、ＳＯＧは有機ＳＯＧでも無機ＳＯＧでも良い。後の工程において、弗化水素により除去することができるＳＯＧであれば良い。そして、除去することを目的としない珪素酸化膜は、スパッタまたはＣＶＤ法を用いた緻密な膜にし、弗化水素で第１接着層を除去する際の選択比が取れるようにすることが肝要である。
【０１５１】
次に、第１接着層５０２上に、減圧熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法もしくは蒸着法を用いて、Ａｌからなる保護膜を成膜する。本実施例では、スパッタ法を用いて第１接着層５０２の上に、Ａｌからなる保護膜５０３を２００ｎｍの厚さに成膜した。
【０１５２】
なお、本実施例では保護膜５０３の材料としてＡｌを用いたが、本発明はこれに限定されない。保護膜５０３は、第１接着層５０２を除去する際に一緒に除去されないような材料で、なおかつ保護膜５０３を除去する工程以外のプロセスにおいて、除去されることのない材料であることが肝要である。さらに、保護膜５０３を除去する工程において、他の膜や基板を除去することがないような材料であることが肝要である。保護膜５０３は、第１接着層５０２を除去して第１基板５０１を剥離させるときに、第１基板５０１上に形成されていた素子を保護する効果がある。
【０１５３】
次に、保護膜５０３の上に素子を形成する（図１１（Ｂ））。図１１（Ｂ）では、代表的に、駆動回路のＴＦＴ５０４ａ、５０４ｂを示した。
【０１５４】
そして本実施例では、５０４ａはｎチャネル型ＴＦＴであり、５０４ｂはｐチャネル型ＴＦＴである。そしてＴＦＴ５０４ａ、５０４ｂは、ＣＭＯＳを形成している。
【０１５５】
ＴＦＴ５０４ａは、保護膜５０３の上に形成された第１の電極５５０と、前記第１の電極５５０を覆って形成されている絶縁膜５５１と、前記絶縁膜５５１に接して形成されている半導体膜５５２と、前記半導体膜５５２に接して形成されている絶縁膜５５３と、前記絶縁膜５５３に接している第２の電極５５４とを有している。
【０１５６】
ＴＦＴ５０４ｂは、保護膜５０３の上に形成された第１の電極５６０と、前記第１の電極５６０を覆って形成されている絶縁膜５５１と、前記絶縁膜５５１に接して形成されている半導体膜５６２と、前記半導体膜５６２に接して形成されている絶縁膜５５３と、前記絶縁膜５５３に接している第２の電極５６４とを有している。
【０１５７】
なお、保護膜５０３の上には、第１の電極５５０、５６０と同時に形成された、端子５７０が設けられている。
【０１５８】
また、ＴＦＴ５０４ａとＴＦＴ５０４ｂとを覆って絶縁膜５６５が形成されている。そして、絶縁膜５６５と、絶縁膜５５１と、絶縁膜５５３とに形成されたコンタクトホールを介して、半導体膜５５２及び端子５７０に接する配線５７１と、半導体膜５５２及び半導体膜５６２に接する配線５７２と、半導体膜５６２に接する配線５７３とを形成する。
【０１５９】
さらに絶縁膜５６５上には、図示していないがＯＬＥＤが形成されている。そして、配線５７１、配線５７２、配線５７３、絶縁膜５６５及びＯＬＥＤを覆って、絶縁膜５７４が形成されている。絶縁膜５７４は、成膜後の表面がより平坦であることが好ましい。なお、絶縁膜５７４は必ずしも設ける必要はない。
【０１６０】
次に、図１１（Ｃ）に示すように、第２接着層５０９により第２基板５１０を貼り合わせる。本実施例では第２基板５１０としてプラスチック基板を用いる。具体的には、第２基板として、厚さ１０μｍ以上の樹脂基板、例えばＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）もしくはＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）を用いることができる。
【０１６１】
また、第２接着層５０９としては、後に第１接着層５０２を除去する際に選択比のとれる材料を用いる必要がある。代表的には樹脂からなる絶縁膜を用いることができ、本実施例ではポリイミドを用いるが、アクリル、ポリアミドもしくはエポキシ樹脂を用いても良い。なお、ＯＬＥＤから見て観測者側（発光装置の使用者側）に位置する場合は、光を透過する材料であることが必要である。
【０１６２】
次に、図１１（Ｄ）に示すように、弗化水素を用いて第１接着層５０２の除去を行う。本実施例では、第１基板５０１、第２基板５１０及び第１基板５０１と第２基板５１０の間に形成された全ての素子や膜全体を緩衝フッ化水素酸（ＨＦ／ＮＨ4 Ｆ＝０．０１〜０．２、例えば、０．１）に浸して、第１接着層５０２の除去を行う。
【０１６３】
このとき、除去することを目的としない珪素酸化膜は、スパッタまたはＣＶＤ法を用いた緻密な膜で形成されているので、弗化水素で第１接着層のみが除去される。
【０１６４】
本実施例の場合、第１接着層５０２は露呈した端部から徐々にエッチングされていき、完全に除去された時点で第１基板５０１と保護膜５０３が分離される。このとき、ＴＦＴ及びＯＬＥＤは薄膜を積層して形成されているが、第２基板５１０に移された形で残る。
【０１６５】
なお、ここでは第１接着層５０２が端部からエッチングされていくことになるが、第１基板５０１が大きくなると完全に除去されるまでの時間が長くなり好ましいものではない。従って、本実施例は第１基板５０１が対角３インチ以下（好ましくは対角１インチ以下）の場合に実施することが望ましい。
【０１６６】
次に、図１２（Ａ）に示すように、保護膜５０３を除去する。本実施例では、リン酸系のエッチング溶液によるウェットエッチングで、Ａｌで形成された保護膜５０３を除去し、端子５７０、第１電極５５０、５６０を露出させる。
【０１６７】
そして、図１２（Ｂ）に示すように、異方性を有する導電性の樹脂からなる第３接着層５１３を形成し、第３基板５１２を端子５７０、第１電極５５０、５６０が露出している側に貼り合わせる。
【０１６８】
本実施例では第３基板５１２としてプラスチック基板を用いる。具体的には、第３基板として、厚さ１０μｍ以上の樹脂基板、例えばＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）もしくはＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）を用いることができる。
【０１６９】
第３接着層５１３として、樹脂からなる絶縁膜（代表的にはポリイミド、アクリル、ポリアミドもしくはエポキシ樹脂）を用いることができる。なお、ＯＬＥＤから見て観測者側に位置する場合は、光を透過する材料であることが必要である。
【０１７０】
なお、第３基板５１２を接着させる前に、第３基板５１２にレーザー等でコンタクトホールを形成し、第３基板５１２の該コンタクトホールが形成されている部分と、その周辺にＡｌを蒸着させることで、第３基板５１２の両面に電気的に接続された端子５８０と５８１がそれぞれ形成されてる。なお、端子５８０と５８１の形成の仕方は上記構成に限定されない。
【０１７１】
第３基板５１２に形成された端子５８０は、第１電極５５０、５６０と同時に形成された端子５７０と、第３接着層５１３を介して電気的に接続されている。
【０１７２】
こうして、二枚のプラスチック基板５１０、５１２によって挟まれたフレキシブルな発光装置を得ることができる。なお、第２基板５１０と第３基板５１２とを同一材料にすると、熱膨張係数が等しくなるので、温度変化による内部応力歪みの影響を受けにくくすることができる。
【０１７３】
そして、図１２（Ｃ）に示すように、第３接着層５１３に接しておらず、なおかつ第３基板５１２に接して形成された端子５８１と、ＦＰＣ５９０が有する端子５９１とを、異方性を有する導電性の樹脂からなる第４接着層５９２を介して接続する。
【０１７４】
次に、図１２（Ｃ）に示すように、封止膜５２０が成膜されたプラスチックフィルム５２１で、ＯＬＥＤパネルを封止する。なお封止の際、封止膜５２０がプラスチックフィルム５２１とＯＬＥＤ（図示せず）との間に配置されるようにする。
【０１７５】
なお本実施例では、封止膜５２０として、プラスチックフィルム５２１に近い側から無機絶縁膜５２０ａ、有機絶縁膜５２０ｂ、無機絶縁膜５２０ｃが形成されている。
【０１７６】
本実施例により作製された発光装置は、プラスチック基板の耐熱性に制限されることなく、半導体を用いた素子（例えばＴＦＴ）を形成することができるので、非常に高性能なものとすることができる。
【０１７７】
なお、本実施例では、第１接着層５０２としてＳＯＧを用い、該第１接着層５０２を弗化水素を用いて除去しているが、本発明はこの構成に限定されない。第１接着層の材料及びその除去の仕方は、実施者が設定することが可能である。第１接着層以外の、除去するのを目的としない基板、素子及び膜が、第１接着層と共に除去されることで、発光装置の動作に支障をきたすことがないように、第１接着層の材料及びその除去の仕方を設定することが肝要である。また、第１接着層の材料は、第１接着層を除去する工程以外のプロセスにおいて、除去されることのない材料であることが肝要である。
【０１７８】
例えば、第１接着層として、照射するレーザー光で全部または一部が気化する有機物を用いても良い。また、第１接着層がレーザー光を吸収する特性を有するもの、例えば、ＹＡＧレーザーの第２高調波を用いる場合、効率よく第１接着層のみにレーザー光を吸収させるために、有色、あるいは黒色（例えば、黒色着色剤を含む樹脂材料）のものを用いることが望ましい。ただし、第１接着層は素子形成工程における熱処理によって気化しないものを用いる。
【０１７９】
また、第１、第２または第３接着層は単層であっても積層であってもよく、接着層と基板の間にアモルファスシリコン膜またはＤＬＣ膜を設けていてもよい。
【０１８０】
また、第１接着層を非晶質珪素膜で形成し、後の工程で、この第１接着層にレーザー光を照射することにより第１基板を剥離してもよい。この場合、第１基板を剥離しやすくするため、水素を多く含む非晶質珪素膜を用いることが好ましい。レーザー光を照射することにより非晶質珪素膜に含まれる水素を気化するので、第１基板が剥離しやすくなる。
【０１８１】
レーザー光としては、パルス発振型または連続発光型のエキシマレーザーやＹＡＧレーザー、ＹＶＯ4レーザーを用いることができる。レーザー光を第１基板を通過させて第１接着層に照射して、第１接着層のみを気化させて第１基板を剥離する。従って、第１基板としては少なくとも照射するレーザー光が通過する基板、代表的には透光性を有する基板、例えばガラス基板、石英基板等を用い、さらに第２、第３基板よりも厚さの厚いものが好ましい。
【０１８２】
本発明においては、レーザー光が第１基板を通過させるため、レーザー光の種類と第１基板を適宜選択する必要がある。例えば、第１基板として石英基板を用いるのであれば、ＹＡＧレーザー（基本波（１０６４ｎｍ）、第２高調波（５３２ｎｍ）、第３高調波（３５５ｎｍ）、第４高調波（２６６ｎｍ）あるいはエキシマレーザー（波長３０８ｎｍ）を用い、線状ビームを形成し、石英基板を通過させればよい。なお、エキシマレーザーはガラス基板を通過しない。従って、第１基板としてガラス基板を用いるのであればＹＡＧレーザーの基本波、第２高調波、または第３高調波を用い、好ましくは第２高調波（波長５３２ｎｍ）を用いて線状ビームを形成し、ガラス基板を通過させればよい。
【０１８３】
また、第１接着層に対して流体（圧力が加えられた液体もしくは気体）を噴射することにより第１基板を分離する方法（代表的にはウォータージェット法）を用いてもよいし、これらを組み合わせて用いてもよい。
【０１８４】
また、第１接着層を非晶質珪素膜で形成した場合、第１接着層をヒドラジン（hydrazine）を用いて除去するようにしても良い。
【０１８５】
また、例えば、特開平８−２８８５２２号公報に記載されたエッチングで第１基板を分離する方法を用いても良い。具体的には、第１接着層に、塗布珪素酸化膜（ＳＯＧ）を用い、弗化水素を用いて除去するようにしても良い。この場合、除去することを目的としない珪素酸化膜は、スパッタまたはＣＶＤ法を用いた緻密な膜にし、弗化水素で第１接着層を除去する際の選択比が取れるようにすることが肝要である。
【０１８６】
このような構成とすることによって、第２及び第３基板の厚さが非常に薄い、具体的には５０μｍ〜３００μｍ、好ましくは１５０μｍ〜２００μｍの厚さの基板を用いても、信頼性の高い発光装置を得ることができる。また、従来ある公知の製造装置を用いて、このように厚さの薄い基板上に素子形成を行うことは困難であったが、本発明は第１基板に貼り合わせて素子形成を行うため、装置の改造を行うことなく厚さの厚い基板を用いた製造装置を使用することができる。
【０１８７】
また、多層の絶縁膜で形成された封止膜を用いることで、水分や酸素の透過による劣化をより効果的に抑えることが可能になる。また、基板を曲げたときのクラックを防いで、よりフレキシブルな発光装置を実現することが可能になる。
【０１８８】
本実施例は、実施例１または実施例２と自由に組み合わせて実施することが可能である。
【０１８９】
（実施例７）
本実施例では、本発明の発光装置の画素部とその周辺に設けられる駆動回路部（ソース信号線側駆動回路、ゲート信号線側駆動回路）のＴＦＴを同時に作製する方法について説明する。但し、説明を簡単にするために、駆動回路部に関しては基本単位であるＣＭＯＳ回路を図示することとする。
【０１９０】
まず、図１３（Ａ）に示すように、コーニング社の＃７０５９ガラスや＃１７３７ガラスなどに代表されるバリウムホウケイ酸ガラス、またはアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラスから成る第１基板５０００上に、非晶質珪素膜からなる第１接着層５００１が１００〜５００ｎｍ（本実施例では３００ｎｍ）の厚さに形成される。第１接着層５００１の成膜は減圧熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法もしくは蒸着法を用いれば良い。本実施例ではスパッタ法を用いて成膜した。
【０１９１】
次に、第１接着層５００１上に、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜などの絶縁膜から成る下地膜５００２を形成する。下地膜５００２は、第１接着層５００１を除去して基板５０００を剥離させるときに、基板５０００上に形成されていた素子を保護する効果がある。例えば、プラズマＣＶＤ法でＳｉＨ4、ＮＨ3、Ｎ2Ｏから作製される酸化窒化シリコン膜を１０〜２００nm（好ましくは５０〜１００nm）形成し、同様にＳｉＨ4、Ｎ2Ｏから作製される酸化窒化水素化シリコン膜を５０〜２００nm（好ましくは１００〜１５０nm）の厚さに積層形成する。本実施例では下地膜５００２を２層構造として示したが、前記絶縁膜の単層膜または２層以上積層させた構造として形成しても良い。
【０１９２】
島状半導体層５００３〜５００６は、非晶質構造を有する半導体膜をレーザー結晶化法や公知の熱結晶化法を用いて作製した結晶質半導体膜で形成する。この島状半導体層５００３〜５００６の厚さは２５〜８０nm（好ましくは３０〜６０nm）の厚さで形成する。結晶質半導体膜の材料に限定はないが、好ましくはシリコンまたはシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）合金などで形成すると良い。
【０１９３】
レーザー結晶化法で結晶質半導体膜を作製するには、パルス発振型または連続発光型のエキシマレーザーやＹＡＧレーザー、ＹＶＯ4レーザーを用いる。これらのレーザーを用いる場合には、レーザー発振器から放射されたレーザー光を光学系で線状に集光し半導体膜に照射する方法を用いると良い。結晶化の条件は実施者が適宣選択するものであるが、エキシマレーザーを用いる場合はパルス発振周波数３００Hzとし、レーザーエネルギー密度を１００〜４００mJ/cm2(代表的には２００〜３００mJ/cm2)とする。また、ＹＡＧレーザーを用いる場合にはその第２高調波を用いパルス発振周波数３０〜３００kHzとし、レーザーエネルギー密度を３００〜６００mJ/cm2(代表的には３５０〜５００mJ/cm2)とすると良い。そして幅１００〜１０００μm、例えば４００μmで線状に集光したレーザー光を基板全面に渡って照射し、この時の線状レーザー光の重ね合わせ率（オーバーラップ率）を５０〜９０％として行う。
【０１９４】
次いで、島状半導体層５００３〜５００６を覆うゲート絶縁膜５００７を形成する。ゲート絶縁膜５００７はプラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用い、厚さを４０〜１５０nmとしてシリコンを含む絶縁膜で形成する。本実施例では、１２０nmの厚さで酸化窒化シリコン膜で形成する。勿論、ゲート絶縁膜はこのような酸化窒化シリコン膜に限定されるものでなく、他のシリコンを含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。例えば、酸化シリコン膜を用いる場合には、プラズマＣＶＤ法でＴＥＯＳ（Tetraethyl Orthosilicate）とＯ2とを混合し、反応圧力４０Pa、基板温度３００〜４００℃とし、高周波（１３．５６MHz）、電力密度０．５〜０．８W/cm2で放電させて形成することが出来る。このようにして作製される酸化シリコン膜は、その後４００〜５００℃の熱アニールによりゲート絶縁膜として良好な特性を得ることが出来る。
【０１９５】
そして、ゲート絶縁膜５００７上にゲート電極を形成するための第１の導電膜５００８と第２の導電膜５００９とを形成する。本実施例では、第１の導電膜５００８をＴａで５０〜１００nmの厚さに形成し、第２の導電膜５００９をＷで１００〜３００nmの厚さに形成する。
【０１９６】
Ｔａ膜はスパッタ法で、ＴａのターゲットをＡｒでスパッタすることにより形成する。この場合、Ａｒに適量のＸｅやＫｒを加えると、Ｔａ膜の内部応力を緩和して膜の剥離を防止することが出来る。また、α相のＴａ膜の抵抗率は２０μΩcm程度でありゲート電極に使用することが出来るが、β相のＴａ膜の抵抗率は１８０μΩcm程度でありゲート電極とするには不向きである。α相のＴａ膜を形成するために、Ｔａのα相に近い結晶構造をもつ窒化タンタルを１０〜５０nm程度の厚さでＴａの下地に形成しておくとα相のＴａ膜を容易に得ることが出来る。
【０１９７】
Ｗ膜を形成する場合には、Ｗをターゲットとしたスパッタ法で形成する。その他に６フッ化タングステン（ＷＦ6）を用いる熱ＣＶＤ法で形成することも出来る。いずれにしてもゲート電極として使用するためには低抵抗化を図る必要があり、Ｗ膜の抵抗率は２０μΩcm以下にすることが望ましい。Ｗ膜は結晶粒を大きくすることで低抵抗率化を図ることが出来るが、Ｗ中に酸素などの不純物元素が多い場合には結晶化が阻害され高抵抗化する。このことより、スパッタ法による場合、純度９９．９９９９または純度９９．９９ ％のＷターゲットを用い、さらに成膜時に気相中からの不純物の混入がないように十分配慮してＷ膜を形成することにより、抵抗率９〜２０μΩcmを実現することが出来る。
【０１９８】
なお、本実施例では、第１の導電膜５００８をＴａ、第２の導電膜５００９をＷとしたが、特に限定されず、いずれもＴａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕなどから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料で形成してもよい。また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン膜に代表される半導体膜を用いてもよい。本実施例以外の他の組み合わせの一例で望ましいものとしては、第１の導電膜５００８を窒化タンタル（ＴａＮ）で形成し、第２の導電膜５００９をＷとする組み合わせ、第１の導電膜５００８を窒化タンタル（ＴａＮ）で形成し、第２の導電膜５００９をＡｌとする組み合わせ、第１の導電膜５００８を窒化タンタル（ＴａＮ）で形成し、第２の導電膜５００９をＣｕとする組み合わせが挙げられる。
【０１９９】
次に、レジストによるマスク５０１０を形成し、電極及び配線を形成するための第１のエッチング処理を行う。本実施例ではＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma：誘導結合型プラズマ）エッチング法を用い、エッチング用ガスにＣＦ4とＣｌ2を混合し、１Paの圧力でコイル型の電極に５００WのＲＦ（１３．５６MHz）電力を投入してプラズマを生成して行う。基板側（試料ステージ）にも１００WのＲＦ（１３．５６MHz）電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。ＣＦ4とＣｌ2を混合した場合にはＷ膜及びＴａ膜とも同程度にエッチングされる。
【０２００】
上記エッチング条件では、レジストによるマスクの形状を適したものとすることにより、基板側に印加するバイアス電圧の効果により第１の導電層及び第２の導電層の端部がテーパー形状となる。テーパー部の角度は１５〜４５°となる。ゲート絶縁膜上に残渣を残すことなくエッチングするためには、１０〜２０％程度の割合でエッチング時間を増加させると良い。Ｗ膜に対する酸化窒化シリコン膜の選択比は２〜４（代表的には３）であるので、オーバーエッチング処理により、酸化窒化シリコン膜が露出した面は２０〜５０nm程度エッチングされることになる。こうして、第１のエッチング処理により第１の導電層と第２の導電層から成る第１の形状の導電層５０１１〜５０１６（第１の導電層５０１１ａ〜５０１６ａと第２の導電層５０１１ｂ〜５０１６ｂ）を形成する。このとき、ゲート絶縁膜５００７においては、第１の形状の導電層５０１１〜５０１６で覆われない領域は２０〜５０nm程度エッチングされ薄くなった領域が形成される。（図１３（Ａ））
【０２０１】
そして、第１のドーピング処理を行いＮ型を付与する不純物元素を添加する。ドーピングの方法はイオンドープ法もしくはイオン注入法で行えば良い。イオンドープ法の条件はドーズ量を１×１０13〜５×１０14atoms/cm2とし、加速電圧を６０〜１００keVとして行う。Ｎ型を付与する不純物元素として１５族に属する元素、典型的にはリン（Ｐ）または砒素（Ａｓ）を用いるが、ここではリン（Ｐ）を用いる。この場合、導電層５０１１〜５０１５がＮ型を付与する不純物元素に対するマスクとなり、自己整合的に第１の不純物領域５０１７〜５０２５が形成される。第１の不純物領域５０１７〜５０２５には１×１０20〜１×１０21atoms/cm3の濃度範囲でＮ型を付与する不純物元素を添加する。（図１３（Ｂ））
【０２０２】
次に、図１３（Ｃ）に示すように、レジストマスクは除去しないまま、第２のエッチング処理を行う。エッチングガスにＣＦ4とＣｌ2とＯ2とを用い、Ｗ膜を選択的にエッチングする。この時、第２のエッチング処理により第２の形状の導電層５０２６〜５０３１（第１の導電層５０２６ａ〜５０３１ａと第２の導電層５０２６ｂ〜５０３１ｂ）を形成する。このとき、ゲート絶縁膜５００７においては、第２の形状の導電層５０２６〜５０３１で覆われない領域はさらに２０〜５０nm程度エッチングされ薄くなった領域が形成される。
【０２０３】
Ｗ膜やＴａ膜のＣＦ4とＣｌ2の混合ガスによるエッチング反応は、生成されるラジカルまたはイオン種と反応生成物の蒸気圧から推測することが出来る。ＷとＴａのフッ化物と塩化物の蒸気圧を比較すると、Ｗのフッ化物であるＷＦ6が極端に高く、その他のＷＣｌ5、ＴａＦ5、ＴａＣｌ5は同程度である。従って、ＣＦ4とＣｌ2の混合ガスではＷ膜及びＴａ膜共にエッチングされる。しかし、この混合ガスに適量のＯ2を添加するとＣＦ4とＯ2が反応してＣＯとＦになり、ＦラジカルまたはＦイオンが多量に発生する。その結果、フッ化物の蒸気圧が高いＷ膜のエッチング速度が増大する。一方、ＴａはＦが増大しても相対的にエッチング速度の増加は少ない。また、ＴａはＷに比較して酸化されやすいので、Ｏ2を添加することでＴａの表面が酸化される。Ｔａの酸化物はフッ素や塩素と反応しないためさらにＴａ膜のエッチング速度は低下する。従って、Ｗ膜とＴａ膜とのエッチング速度に差を作ることが可能となりＷ膜のエッチング速度をＴａ膜よりも大きくすることが可能となる。
【０２０４】
そして、図１４（Ａ）に示すように第２のドーピング処理を行う。この場合、第１のドーピング処理よりもドーズ量を下げて高い加速電圧の条件としてＮ型を付与する不純物元素をドーピングする。例えば、加速電圧を７０〜１２０keVとし、１×１０13atoms/cm2のドーズ量で行い、図１３（Ｂ）で島状半導体層に形成された第１の不純物領域の内側に新たな不純物領域を形成する。ドーピングは、第２の形状の導電層５０２６〜５０３０を不純物元素に対するマスクとして用い、第１の導電層５０２６ａ〜５０３０ａの下側の領域にも不純物元素が添加されるようにドーピングする。こうして、第３の不純物領域５０３２〜５０３６が形成される。この第３の不純物領域５０３２〜５０３６に添加されたリン（Ｐ）の濃度は、第１の導電層５０２６ａ〜５０３０ａのテーパー部の膜厚に従って緩やかな濃度勾配を有している。なお、第１の導電層５０２６ａ〜５０３０ａのテーパー部と重なる半導体層において、第１の導電層５０２６ａ〜５０３０ａのテーパー部の端部から内側に向かって若干、不純物濃度が低くなっているものの、ほぼ同程度の濃度である。
【０２０５】
図１４（Ｂ）に示すように第３のエッチング処理を行う。エッチングガスにＣＨＦ6を用い、反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ法）を用いて行う。第３のエッチング処理により、第１の導電層５０２６ａ〜５０３１ａのテーパー部を部分的にエッチングして、第１の導電層が半導体層と重なる領域が縮小される。第３のエッチング処理によって、第３の形状の導電層５０３７〜５０４２（第１の導電層５０３７ａ〜５０４２ａと第２の導電層５０３７ｂ〜５０４２ｂ）を形成する。このとき、ゲート絶縁膜５００７においては、第３の形状の導電層５０３７〜５０４２で覆われない領域はさらに２０〜５０nm程度エッチングされ薄くなった領域が形成される。
【０２０６】
第３のエッチング処理によって、第３の不純物領域５０３２〜５０３６においては、第１の導電層５０３７ａ〜５０４１ａと重なる第３の不純物領域５０３２ａ〜５０３６ａと、第１の不純物領域と第３の不純物領域との間の第２の不純物領域５０３２ｂ〜５０３６ｂとが形成される。
【０２０７】
そして、図１４（Ｃ）に示すように、Ｐチャネル型ＴＦＴを形成する島状半導体層５００４、５００６に第1の導電型とは逆の導電型の第４の不純物領域５０４３〜５０５４を形成する。第３の形状の導電層５０３８ｂ、５０４１ｂを不純物元素に対するマスクとして用い、自己整合的に不純物領域を形成する。このとき、Ｎチャネル型ＴＦＴを形成する島状半導体層５００３、５００５および配線部５０４２はレジストマスク５２００で全面を被覆しておく。不純物領域５０４３〜５０５４にはそれぞれ異なる濃度でリンが添加されているが、ジボラン（Ｂ2Ｈ6）を用いたイオンドープ法で形成し、そのいずれの領域においても不純物濃度が２×１０20〜２×１０21atoms/cm3となるようにする。
【０２０８】
以上までの工程でそれぞれの島状半導体層に不純物領域が形成される。島状半導体層と重なる第３の形状の導電層５０３７〜５０４１がゲート電極として機能する。また、５０４２は島状のソース信号線として機能する。
【０２０９】
レジストマスク５２００を除去した後、導電型の制御を目的として、それぞれの島状半導体層に添加された不純物元素を活性化する工程を行う。この工程はファーネスアニール炉を用いる熱アニール法で行う。その他に、レーザーアニール法、またはラピッドサーマルアニール法（ＲＴＡ法）を適用することが出来る。熱アニール法では酸素濃度が１ppm以下、好ましくは０．１ppm以下の窒素雰囲気中で４００〜７００℃、代表的には５００〜６００℃で行うものであり、本実施例では５００℃で４時間の熱処理を行う。ただし、第３の形状の導電層５０３７〜５０４２に用いた配線材料が熱に弱い場合には、配線等を保護するため層間絶縁膜（シリコンを主成分とする）を形成した後で活性化を行うことが好ましい。
【０２１０】
さらに、３〜１００％の水素を含む雰囲気中で、３００〜４５０℃で１〜１２時間の熱処理を行い、島状半導体層を水素化する工程を行う。この工程は熱的に励起された水素により半導体層のダングリングボンドを終端する工程である。水素化の他の手段として、プラズマ水素化（プラズマにより励起された水素を用いる）を行っても良い。
【０２１１】
次いで、図１５（Ａ）に示すように、第１の層間絶縁膜５０５５を酸化窒化シリコン膜から１００〜２００nmの厚さで形成する。その上に有機絶縁物材料から成る第２の層間絶縁膜５０５６を形成した後、第１の層間絶縁膜５０５５、第２の層間絶縁膜５０５６、およびゲート絶縁膜５００７に対してコンタクトホールを形成し、各配線（接続配線、信号線を含む）５０５７〜５０６２、５０６４をパターニング形成した後、接続配線５０６２に接する画素電極５０６３をパターニング形成する。
【０２１２】
第２の層間絶縁膜５０５６としては、樹脂を材料とする膜を用い、その樹脂としてはポリイミド、ポリアミド、アクリル、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）等を使用することが出来る。特に、第２の層間絶縁膜５０５６は平坦化の意味合いが強いので、平坦性に優れたアクリルが好ましい。本実施例ではＴＦＴによって形成される段差を十分に平坦化しうる膜厚でアクリル膜を形成する。好ましくは１〜５μm（さらに好ましくは２〜４μm）とすれば良い。
【０２１３】
コンタクトホールの形成は、ドライエッチングまたはウエットエッチングを用い、Ｎ型の不純物領域５０１７、５０１８、５０２１、５０２３またはＰ型の不純物領域５０４３〜５０５４に達するコンタクトホール、配線５０４２に達するコンタクトホール、電源供給線に達するコンタクトホール（図示せず）、およびゲート電極に達するコンタクトホール（図示せず）をそれぞれ形成する。
【０２１４】
また、配線（接続配線、信号線を含む）５０５７〜５０６２、５０６４として、Ｔｉ膜を１００nm、Ｔｉを含むアルミニウム膜を３００nm、Ｔｉ膜１５０nmをスパッタ法で連続形成した３層構造の積層膜を所望の形状にパターニングしたものを用いる。勿論、他の導電膜を用いても良い。
【０２１５】
また、本実施例では、画素電極５０６３としてＩＴＯ膜を１１０nmの厚さに形成し、パターニングを行った。画素電極５０６３を接続配線５０６２と接して重なるように配置することでコンタクトを取っている。また、酸化インジウムに２〜２０％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合した透明導電膜を用いても良い。この画素電極５０６３がＯＬＥＤの陽極となる。（図１５（Ａ））
【０２１６】
次に、図１５（Ｂ）に示すように、珪素を含む絶縁膜（本実施例では酸化珪素膜）を５００nmの厚さに形成し、画素電極５０６３に対応する位置に開口部を形成して、バンクとして機能する第３の層間絶縁膜５０６５を形成する。開口部を形成する際、ウエットエッチング法を用いることで容易にテーパー形状の側壁とすることが出来る。開口部の側壁が十分になだらかでないと段差に起因する有機発光層の劣化が顕著な問題となってしまうため、注意が必要である。
【０２１７】
次に、有機発光層５０６６および陰極（ＭｇＡｇ電極）５０６７を、真空蒸着法を用いて大気解放しないで連続形成する。なお、有機発光層５０６６の膜厚は８０〜２００nm（典型的には１００〜１２０nm）、陰極５０６７の厚さは１８０〜３００nm（典型的には２００〜２５０nm）とすれば良い。
【０２１８】
この工程では、赤色に対応する画素、緑色に対応する画素および青色に対応する画素に対して順次、有機発光層および陰極を形成する。但し、有機発光層は溶液に対する耐性に乏しいためフォトリソグラフィ技術を用いずに各色個別に形成しなくてはならない。そこでメタルマスクを用いて所望の画素以外を隠し、必要箇所だけ選択的に有機発光層および陰極を形成するのが好ましい。
【０２１９】
即ち、まず赤色に対応する画素以外を全て隠すマスクをセットし、そのマスクを用いて赤色発光の有機発光層を選択的に形成する。次いで、緑色に対応する画素以外を全て隠すマスクをセットし、そのマスクを用いて緑色発光の有機発光層を選択的に形成する。次いで、同様に青色に対応する画素以外を全て隠すマスクをセットし、そのマスクを用いて青色発光の有機発光層を選択的に形成する。なお、ここでは全て異なるマスクを用いるように記載しているが、同じマスクを使いまわしても構わない。
【０２２０】
ここではＲＧＢに対応した３種類のＯＬＥＤを形成する方式を用いたが、白色発光のＯＬＥＤとカラーフィルタを組み合わせた方式、青色または青緑発光のＯＬＥＤと蛍光体（蛍光性の色変換層：ＣＣＭ）とを組み合わせた方式、陰極（対向電極）に透明電極を利用してＲＧＢに対応したＯＬＥＤを重ねる方式などを用いても良い。
【０２２１】
なお、有機発光層５０６６としては公知の材料を用いることが出来る。公知の材料としては、駆動電圧を考慮すると有機材料を用いるのが好ましい。例えば正孔注入層、正孔輸送層、発光層および電子注入層でなる４層構造を有機発光層とすれば良い。
【０２２２】
次に、同じゲート信号線にゲート電極が接続されたスイッチング用ＴＦＴを有する画素（同じラインの画素）上に、メタルマスクを用いて陰極５０６７を形成する。なお本実施例では陰極５０６７としてＭｇＡｇを用いたが、本発明はこれに限定されない。陰極５０６７として他の公知の材料を用いても良い。
【０２２３】
最後に、樹脂でなる平坦化膜５０６８を３００nmの厚さに形成する。平坦化膜５０６８を形成しておくことで、有機発光層５０６６を水分等から保護することができ、ＯＬＥＤの信頼性をさらに高めることが出来る。
【０２２４】
こうして図１５（Ｂ）に示すような状態まで完成する。そして、図示しないが、実施例３に記載の作製方法に従うならば、封止膜が設けられた第２基板が、平坦化膜５０６８に第２接着層を用いて張り合わされる。そして、以下の工程は、実施の形態１に示した方法に従って行えば良い。また、実施例４に記載の作製方法に従うならば、第２基板が平坦化膜５０６８に第２接着層を用いて張り合わされる。そして、以下の工程は、実施の形態２に示した方法に従って行えば良い。
【０２２５】
なお、本実施例における発光装置の作製工程においては、回路の構成および工程の関係上、ゲート電極を形成している材料であるＴａ、Ｗによってソース信号線を形成し、ソース、ドレイン電極を形成している配線材料であるＡｌによってゲート信号線を形成しているが、異なる材料を用いても良い。
【０２２６】
ところで、本実施例の発光装置は、画素部だけでなく駆動回路部にも最適な構造のＴＦＴを配置することにより、非常に高い信頼性を示し、動作特性も向上しうる。また結晶化工程においてＮｉ等の金属触媒を添加し、結晶性を高めることも可能である。それによって、ソース信号線駆動回路の駆動周波数を１０MHz以上にすることが可能である。
【０２２７】
まず、極力動作速度を落とさないようにホットキャリア注入を低減させる構造を有するＴＦＴを、駆動回路部を形成するＣＭＯＳ回路のＮチャネル型ＴＦＴとして用いる。なお、ここでいう駆動回路としては、シフトレジスタ、バッファ、レベルシフタ、線順次駆動におけるラッチ、点順次駆動におけるトランスミッションゲートなどが含まれる。
【０２２８】
本実施例の場合、Ｎチャネル型ＴＦＴの活性層は、ソース領域、ドレイン領域、ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極と重なるオーバーラップＬＤＤ領域（ＬOV領域）、ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極と重ならないオフセットＬＤＤ領域（ＬOFF領域）およびチャネル形成領域を含む。
【０２２９】
また、ＣＭＯＳ回路のＰチャネル型ＴＦＴは、ホットキャリア注入による劣化が殆ど気にならないので、特にＬＤＤ領域を設けなくても良い。勿論、Ｎチャネル型ＴＦＴと同様にＬＤＤ領域を設け、ホットキャリア対策を講じることも可能である。
【０２３０】
その他、駆動回路において、チャネル形成領域を双方向に電流が流れるようなＣＭＯＳ回路、即ち、ソース領域とドレイン領域の役割が入れ替わるようなＣＭＯＳ回路が用いられる場合、ＣＭＯＳ回路を形成するＮチャネル型ＴＦＴは、チャネル形成領域の両サイドにチャネル形成領域を挟む形でＬＤＤ領域を形成することが好ましい。このような例としては、点順次駆動に用いられるトランスミッションゲートなどが挙げられる。また駆動回路において、オフ電流を極力低く抑える必要のあるＣＭＯＳ回路が用いられる場合、ＣＭＯＳ回路を形成するＮチャネル型ＴＦＴは、ＬOV領域を有していることが好ましい。このような例としては、やはり、点順次駆動に用いられるトランスミッションゲートなどが挙げられる。
【０２３１】
また、本実施例で示す工程に従えば、発光装置の作製に必要なフォトマスクの数を抑えることが出来る。その結果、工程を短縮し、製造コストの低減及び歩留まりの向上に寄与することが出来る。
【０２３２】
本実施例は、実施例１〜５と組み合わせて実施することが可能である。
【０２３３】
（実施例８）
本実施例では、逆スタガ型のＴＦＴを用いた本発明の発光装置の構造について説明する。
【０２３４】
図１６に本発明の発光装置の断面図を示す。可撓性を有する第２基板６０２及び第３基板６７２を覆って封止膜６０１が形成されている。そして、封止膜６０１を覆ってプラスチックフィルム６７１が設けられている。封止膜６０１は、無機絶縁膜６０１ａ、有機絶縁膜６０１ｂ、無機絶縁膜６０１ｃを有している。
【０２３５】
第２基板６０２と第３基板６７２の間には、ＴＦＴ、ＯＬＥＤ、その他の素子が形成されている。本実施例では、駆動回路６１０が有するＴＦＴ６０４ａと、画素部６１１が有するＴＦＴ６０４ｂ、６０４ｃを代表例として示す。
【０２３６】
ＯＬＥＤ６０５は、画素電極６４０と、有機発光層６４１と、陰極６４２とを有している。
【０２３７】
ＴＦＴ６０４ａは、ゲート電極６１３、６１４と、ゲート電極６１３、６１４に接して形成された絶縁膜６１２と、絶縁膜６１２に接して形成された半導体膜６１５とを有している。またＴＦＴ６０４ｂは、ゲート電極６２０、６２１と、ゲート電極６２０、６２１に接して形成された絶縁膜６１２と、絶縁膜６１２に接して形成された半導体膜６２２とを有している。またＴＦＴ６０４ｃは、ゲート電極６３０と、ゲート電極６３０に接して形成された絶縁膜６１２と、絶縁膜６１２に接して形成された半導体膜６３１とを有している。
【０２３８】
なお、本実施例では実施例３に従って作製された発光装置に、逆スタガ型のＴＦＴを用いた例について説明しているが、本実施例はこの構成に限定されない。実施例４に従って作製された発光装置に、逆スタガ型のＴＦＴを用いていても良い。
【０２３９】
本実施例は、実施例１〜５と自由に組み合わせて実施することが可能である。
【０２４０】
（実施例９）
本実施例では、流体を吹きつけることにより接着層を除去する例について説明する。
【０２４１】
流体の吹きつけ方法としては、高圧の水流をノズルから噴射して吹きつける方法（ウォータージェット法と呼ばれる）や高圧のガス流を噴射して吹きつける方法を用いることができる。このとき、水の代わりに有機溶媒、酸性溶液もしくはアルカリ性溶液を用いても良い。また、ガスとしては空気、窒素ガス、炭酸ガスもしくは希ガスを用いても良いし、これらのガスをプラズマ化したものであっても良い。ただし、除去することを目的としない膜や基板が共に除去されてしまわないように、接着層の材料と、除去することを目的としない膜及び基板の材料によって、適切な流体を選択することが肝要である。
【０２４２】
そして、接着層としては、多孔質シリコン層又は水素、酸素、窒素もしくは希ガスを添加したシリコン層を用いる。また、多孔質シリコン膜を用いる場合、非晶質シリコン膜もしくは多結晶シリコン膜を陽極化成処理により多孔質化して用いても良い。
【０２４３】
図１７に、ウォータージェット法を用いて接着層を除去している様子を示す。基板１６０１と基板１６０２の間に、ＯＬＥＤ１６０４が設けられている。ＯＬＥＤ１６０４は絶縁膜１６０３で覆われている。
【０２４４】
また、基板１６０１とＯＬＥＤ１６０４との間には、絶縁膜１６０５と接着層１６０６が設けられている。そして接着層１６０６は基板１６０１に接している。なおここでは代表的にＯＬＥＤだけを示しているが、通常はＴＦＴやその他の素子も絶縁膜１６０５と絶縁膜１６０３の間に設けられている。
【０２４５】
なお、接着層１６０６の膜厚は０．１〜９００μm（好ましくは０．５〜１０μm）で良い。本実施例では、接着層１６０６として１μｍの膜厚のＳＯＧを用いる。
【０２４６】
そして、ノズル１６０８から流体１６０７を接着層１６０６に吹きつける。なお、接着層１６０６の露出している部分全てに、効率良く流体１６０７を吹き付けるために、基板と垂直な中心線を軸に接着層１６０６を矢印のように回転させながら流体を吹き付けると良い。
【０２４７】
ノズル１６０８からは１×１０7〜１×１０9Ｐａ（好ましくは３×１０7〜５×１０8Ｐａ）の圧力が加わった流体１６０７が噴射されて、接着層１６０６の露出している部分に吹きつけられる。流体１６０７は試料が回転しているため接着層１６０６の露出面に沿って吹きつけられていく。
【０２４８】
ノズル１６０８から噴射される流体が接着層１６０６に吹きつけられると、その衝撃により接着層が脆性により崩壊して除去されるか、化学的に除去される。これにより、接着層１６０６は崩壊もしくは除去され、基板１６０１と絶縁膜１６０５とが分離される。接着層の崩壊により分離させた場合、残存した接着層は改めてエッチングにより除去すれば良い
【０２４９】
なお、流体１６０７は水、有機溶媒、酸性溶液もしくはアルカリ性溶液といった液体を用いても良い、空気、窒素ガス、炭酸ガスもしくは希ガスといった気体を用いても良い。さらにこれらのガスをプラズマ化したものでも良い。
【０２５０】
本実施例は、実施例１〜８と組み合わせて実施することが可能である。
【０２５１】
（実施例１０）
本発明において、三重項励起子からの燐光を発光に利用できる有機発光材料を用いることで、外部発光量子効率を飛躍的に向上させることができる。これにより、ＯＬＥＤの低消費電力化、長寿命化、および軽量化が可能になる。
【０２５２】
ここで、三重項励起子を利用し、外部発光量子効率を向上させた報告を示す。
(T.Tsutsui, C.Adachi, S.Saito, Photochemical Processes in Organized Molecular Systems, ed.K.Honda, (Elsevier Sci.Pub., Tokyo,1991) p.437.)
【０２５３】
上記の論文により報告された有機発光材料（クマリン色素）の分子式を以下に示す。
【０２５４】
【化１】
0004190825.tif 000002
【０２５５】
(M.A.Baldo, D.F.O'Brien, Y.You, A.Shoustikov, S.Sibley, M.E.Thompson, S.R.Forrest, Nature 395 (1998) p.151.)
【０２５６】
上記の論文により報告された有機発光材料（Ｐｔ錯体）の分子式を以下に示す。
【０２５７】
【化２】
0004190825.tif 000003
【０２５８】
(M.A.Baldo, S.Lamansky, P.E.Burrrows, M.E.Thompson, S.R.Forrest, Appl.Phys.Lett.,75 (1999) p.4.) (T.Tsutsui, M.-J.Yang, M.Yahiro, K.Nakamura, T.Watanabe, T.tsuji, Y.Fukuda, T.Wakimoto, S.Mayaguchi, Jpn.Appl.Phys., 38 (12B) (1999) L1502.)
【０２５９】
上記の論文により報告された有機発光材料（Ｉｒ錯体）の分子式を以下に示す。
【０２６０】
【化３】
0004190825.tif 000004
【０２６１】
以上のように三重項励起子からの燐光発光を利用できれば原理的には一重項励起子からの蛍光発光を用いる場合より３〜４倍の高い外部発光量子効率の実現が可能となる。
【０２６２】
なお、本実施例の構成は、実施例１〜実施例９のいずれの構成とも自由に組み合わせて実施することが可能である。
【０２６３】
（実施例１１）
有機発光材料は、一般的にインクジェット法、スピンコート法、蒸着法を用いて成膜されている。本実施例では、上記方法以外の、有機発光層の成膜方法について説明する。
【０２６４】
本実施例では、有機発光材料を構成している分子の集合体を分散させたコロイド溶液（ゾルとも呼ぶ）を用いたスプレー噴射により、不活性ガス雰囲気下で基板上に有機発光材料の分子の集合体を含む膜を形成する。なお、有機発光材料は、液体中に数個の分子が集合した粒子として存在している。
【０２６５】
図１８に、有機発光材料であるイリジウム錯体、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）3）と、ホストとなる有機発光材料（以下、ホスト材料という）であるバソキュプロイン（ＢＣＰ）とをトルエンに分散させた組成物を、不活性ガス（本実施例では窒素ガス）でノズル（図示しない）から噴射させて、有機発光層６５０を成膜している様子を示す。
【０２６６】
なお、図１８では、マスク６５１を用いて選択的に有機発光層６５０を２５〜４０ｎｍの膜厚で成膜する。イリジウム錯体はトルエンに不溶であり、またＢＣＰもトルエンに不溶である。
【０２６７】
実際には、有機発光層は単層で用いる場合と、複数の層を積層して用いる場合とがある。複数の層を積層して用いる場合、有機発光層６５０を成膜した後に、別の有機発光層を同様に成膜して積層する。この場合、積層された全ての有機発光層をまとめて有機発光層と総称する。
【０２６８】
本実施例の成膜方法では、液体中の有機発光材料がどのような状態であろうとも成膜可能な手段であり、特に溶解しにくい有機発光材料を用いて良質な有機発光層を形成するのに有効な方法である。そして、キャリアガスを用いて有機発光材料を含む液体を噴射（スプレー）させて成膜を行うため、短時間で成膜が可能である。また、噴射させる有機発光材料を含む液体の作製方法は、非常に単純なものとすることができる。また、本実施例は、所望のパターンの膜を形成する場合には、マスクを用い、マスクの開口部を通過させて成膜を行う。また、高価な有機発光材料を効率よく使用するため、マスクに付着した有機発光材料を収集し、再度利用することも可能である。
【０２６９】
インクジェット法及びスピンコート法では、溶媒に対する溶解度が高い有機発光材料は用いることができないという制約があった。また蒸着法では、蒸着させる前に有機発光材料自体が分解してしまう有機発光材料は、用いることができないという制約があった。しかし本実施例の成膜方法は、上述した制約にしばられない。
【０２７０】
本実施例の成膜方法に適している有機発光材料として、キナクリドン、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム、バソキュプロイン、ポリ（１，４−フェニレンビニレン）、ポリ（１，４−ナフタレンビニレン）、ポリ（２−フェニル−１，４−フェニレンビニレン）、ポリチオフェン、ポリ（３−フェニルチオフェン）、ポリ（１，４−フェニレン）、ポリ（２，７−フルオレン）等が挙げられる。
【０２７１】
なお、本実施例の構成は、実施例１〜実施例１０のいずれの構成とも自由に組み合わせて実施することが可能である。
【０２７２】
（実施例１２）
本実施例では、本発明の発光装置の、画素部の詳細な上面構造を図１９（Ａ）に、回路図を図１９（Ｂ）に示す。図１９（Ａ）及び図１９（Ｂ）では共通の符号を用いるので互いに参照すれば良い。
【０２７３】
スイッチング用ＴＦＴ８０２のソース領域とドレイン領域は、一方ははソース配線８１５に電気的に接続され、他方はドレイン配線８０５に電気的に接続される。また、ドレイン配線８０５は電流制御用ＴＦＴ８０６のゲート電極８０７に電気的に接続される。また、電流制御用ＴＦＴ８０６のソース領域とドレイン領域は、一方は電流供給線８１６に電気的に接続され、他方はドレイン配線８１７に電気的に接続される。また、ドレイン配線８１７は点線で示される画素電極８１８に電気的に接続される。
【０２７４】
このとき、８１９で示される領域には保持容量が形成される。保持容量８１９は、電流供給線８１６と電気的に接続された半導体膜８２０、ゲート絶縁膜と同一層の絶縁膜（図示せず）及びゲート電極８０７との間で形成される。また、ゲート電極８０７、第１層間絶縁膜と同一の層（図示せず）及び電流供給線８１６で形成される容量も保持容量として用いることが可能である。
【０２７５】
本実施例は、実施例１〜１１と組み合わせることが可能である。
【０２７６】
（実施例１３）
本実施例では本発明の発光装置の回路構成例を図２０に示す。なお、本実施例ではデジタル駆動を行うための回路構成を示す。本実施例では、ソース側駆動回路９０１、画素部９０６及びゲート側駆動回路９０７を有している。
【０２７７】
ソース側駆動回路９０１は、シフトレジスタ９０２、ラッチ（Ａ）９０３、ラッチ（Ｂ）９０４、バッファ９０５を設けている。なお、アナログ駆動の場合はラッチ（Ａ）、（Ｂ）の代わりにサンプリング回路（トランスファゲート）を設ければ良い。また、ゲート側駆動回路９０７は、シフトレジスタ９０８、バッファ９０９を設けている。バッファ９０９は必ずしも設ける必要はない。
【０２７８】
また、本実施例において、画素部９０６は複数の画素を含み、その複数の画素にＯＬＥＤが設けられている。このとき、ＯＬＥＤの陰極は電流制御ＴＦＴのドレインに電気的に接続されていることが好ましい。
【０２７９】
これらソース側駆動回路９０１およびゲート側駆動回路９０７は実施例２〜４で得られるｎチャネル型ＴＦＴまたはｐチャネル型ＴＦＴで形成されている。
【０２８０】
なお、図示していないが、画素部９０６を挟んでゲート側駆動回路９０７の反対側にさらにゲート側駆動回路を設けても良い。この場合、双方は同じ構造でゲート配線を共有しており、片方が壊れても残った方からゲート信号を送って画素部を正常に動作させるような構成とする。
【０２８１】
本実施例は、実施例１〜１２と組み合わせることが可能である。
【０２８２】
（実施例１４）
発光装置は自発光型であるため、液晶ディスプレイに比べ、明るい場所での視認性に優れ、視野角が広い。従って、様々な電子機器の表示部に用いることができる。
【０２８３】
本発明の発光装置を用いた電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディをディオコンポ等）、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤＶＤ（ｄｉｇｉｔａｌ  ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  ｄｉｓｃ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げられる。特に、斜め方向から画面を見る機会が多い携帯情報端末は、視野角の広さが重要視されるため、発光装置を用いることが望ましい。それら電子機器の具体例を図２１に示す。
【０２８４】
図２１（Ａ）はデジタルスチルカメラであり、本体２１０１、表示部２１０２、受像部２１０３、操作キー２１０４、外部接続ポート２１０５、シャッター２１０６等を含む。本発明の発光装置は表示部２１０２に用いることができる。
【０２８５】
図２１（Ｂ）はモバイルコンピュータであり、本体２３０１、表示部２３０２、スイッチ２３０３、操作キー２３０４、赤外線ポート２３０５等を含む。本発明の発光装置は表示部２３０２に用いることができる。
【０２８６】
図２１（Ｃ）はゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）であり、本体２５０１、表示部２５０２、アーム部２５０３を含む。本発明の発光装置は表示部２５０２に用いることができる。
【０２８７】
ここで図２１（Ｄ）は携帯電話であり、本体２７０１、筐体２７０２、表示部２７０３、音声入力部２７０４、音声出力部２７０５、操作キー２７０６、外部接続ポート２７０７、アンテナ２７０８等を含む。本発明の発光装置は表示部２７０３に用いることができる。なお、表示部２７０３は黒色の背景に白色の文字を表示することで携帯電話の消費電力を抑えることができる。
【０２８８】
なお、将来的に有機発光材料の発光輝度が高くなれば、出力した画像情報を含む光をレンズ等で拡大投影してフロント型若しくはリア型のプロジェクターに用いることも可能となる。
【０２８９】
また、上記電子機器はインターネットやＣＡＴＶ（ケーブルテレビ）などの電子通信回線を通じて配信された情報を表示することが多くなり、特に動画情報を表示する機会が増してきている。有機発光材料の応答速度は非常に高いため、発光装置は動画表示に好ましい。
【０２９０】
また、発光装置は発光している部分が電力を消費するため、発光部分が極力少なくなるように情報を表示することが望ましい。従って、携帯情報端末、特に携帯電話や音響再生装置のような文字情報を主とする表示部に発光装置を用いる場合には、非発光部分を背景として文字情報を発光部分で形成するように駆動することが望ましい。
【０２９１】
以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に用いることが可能である。また、本実施例の電子機器は実施例１〜１３に示したいずれの構成の発光装置を用いても良い。
【０２９２】
（実施例１５）
ＯＬＥＤに用いられる有機発光材料は低分子系と高分子系に大別される。本発明の発光装置は、低分子系の有機発光材料でも高分子系の有機発光材料でも用いることができる。
【０２９３】
低分子系の有機発光材料は、蒸着法により成膜される。したがって積層構造をとりやすく、ホール輸送層、電子輸送層などの機能が異なる膜を積層することで高効率化しやすい。
【０２９４】
低分子系の有機発光材料としては、キノリノールを配位子としたアルミニウム錯体Ａｌｑ3、トリフェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）等が挙げられる。
【０２９５】
一方、高分子系の有機発光材料は低分子系に比べて物理的強度が高く、素子の耐久性が高い。また塗布により成膜することが可能であるので、素子の作製が比較的容易である。
【０２９６】
高分子系の有機発光材料を用いた発光素子の構造は、低分子系の有機発光材料を用いたときと基本的には同じであり、陰極／有機発光層／陽極となる。しかし、高分子系の有機発光材料を用いた有機発光層を形成する際には、低分子系の有機発光材料を用いたときのような積層構造を形成させることは難しく、知られている中では２層の積層構造が有名である。具体的には、陰極（Ａｌ合金／発光層／正孔輸送層／陽極（ＩＴＯ）という構造である。なお、高分子系の有機発光材料を用いた発光素子の場合には、陰極材料としてＣａを用いることも可能である。
【０２９７】
なお、素子の発光色は、発光層を形成する材料で決まるため、これらを選択することで所望の発光を示す発光素子を形成することができる。発光層の形成に用いることができる高分子系の有機発光材料は、ポリパラフェニレンビニレン系、ポリパラフェニレン系、ポリチオフェン系、ポリフルオレン系が挙げられる。
【０２９８】
ポリパラフェニレンビニレン系には、ポリ（パラフェニレンビニレン） [ＰＰＶ] の誘導体、ポリ（２，５−ジアルコキシ−１，４−フェニレンビニレン） [ＲＯ−ＰＰＶ]、ポリ（２−（２'−エチル−ヘキソキシ）−５−メトキシ−１，４−フェニレンビニレン）[ＭＥＨ−ＰＰＶ]、ポリ（２−（ジアルコキシフェニル）−１,４−フェニレンビニレン）[ＲＯＰｈ−ＰＰＶ]等が挙げられる。
【０２９９】
ポリパラフェニレン系には、ポリパラフェニレン［ＰＰＰ］の誘導体、ポリ（２，５−ジアルコキシ−１，４−フェニレン）[ＲＯ−ＰＰＰ]、ポリ（２，５−ジヘキソキシ−１，４−フェニレン）等が挙げられる。
【０３００】
ポリチオフェン系には、ポリチオフェン［ＰＴ］の誘導体、ポリ（３−アルキルチオフェン）［ＰＡＴ］、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）［ＰＨＴ］、ポリ（３−シクロヘキシルチオフェン）［ＰＣＨＴ］、ポリ（３−シクロヘキシル−４−メチルチオフェン）［ＰＣＨＭＴ］、ポリ（３，４−ジシクロヘキシルチオフェン）［ＰＤＣＨＴ］、ポリ［３−（４−オクチルフェニル）−チオフェン］［ＰＯＰＴ］、ポリ［３−（４−オクチルフェニル）−２，２ビチオフェン］［ＰＴＯＰＴ］等が挙げられる。
【０３０１】
ポリフルオレン系には、ポリフルオレン［ＰＦ］の誘導体、ポリ（９，９−ジアルキルフルオレン）［ＰＤＡＦ］、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン）［ＰＤＯＦ］等が挙げられる。
【０３０２】
なお、正孔輸送性の高分子系の有機発光材料を、陽極と発光性の高分子系有機発光材料の間に挟んで形成すると、陽極からの正孔注入性を向上させることができる。一般にアクセプター材料と共に水に溶解させたものをスピンコート法などで塗布する。また、有機溶媒には不溶であるため、上述した発光性の有機発光材料との積層が可能である。
【０３０３】
正孔輸送性の高分子系の有機発光材料としては、ＰＥＤＯＴとアクセプター材料としてのショウノウスルホン酸（ＣＳＡ）の混合物、ポリアニリン［ＰＡＮＩ］とアクセプター材料としてのポリスチレンスルホン酸［ＰＳＳ］の混合物等が挙げられる。
【０３０４】
なお、本実施例の構成は、実施例１〜実施例１４のいずれの構成とも自由に組み合わせて実施することが可能である。
【０３０５】
【発明の効果】
本発明では、封止膜を有するプラスチックフィルムでＯＬＥＤが設けられている基板全体を真空封止することによって、水分や酸素によるＯＬＥＤの劣化を防ぐ効果が増し、ＯＬＥＤの安定性を高めることができる。従って、信頼性の高い発光装置を得ることができる。
【０３０６】
本発明では、複数の無機絶縁膜を積層することで、無機絶縁膜にクラックが生じても、他の無機絶縁膜で水分や酸素の有機発光層への混入を効果的に防ぐことができる。さらに、成膜温度が低いために無機絶縁膜の膜質が低下するようなことがあっても、複数の無機絶縁膜を積層することで、水分や酸素の有機発光層への混入を効果的に防ぐことができる。
【０３０７】
また、無機絶縁膜に比べて内部応力が小さい有機絶縁膜を、有機絶縁膜の間に挟むことで、絶縁膜全体の内部応力を緩和することができる。よって、トータルの無機絶縁膜の厚さは同じであっても、１層のみの無機絶縁膜に比べて、有機絶縁膜を間に挟んだ無機絶縁膜は、内部応力によるクラックが入りにくい。
【０３０８】
したがって、１層のみの無機絶縁膜に比べて、トータルの無機絶縁膜の膜厚は同じであっても、水分や酸素の有機発光層への混入を効果的に防ぐことができ、さらに、内部応力によるクラックが入りにくい。
【図面の簡単な説明】
【図１】    本発明の発光装置の上面図及び断面図を示す図。
【図２】    封止膜の成膜装置の図。
【図３】    本発明の発光装置の封止の仕方を示す図。
【図４】    本発明の発光装置の作製方法を示す図。
【図５】    本発明の発光装置の作製方法を示す図。
【図６】    本発明の発光装置の作製方法を示す図。
【図７】    本発明の発光装置の作製方法を示す図。
【図８】    本発明の封止前の発光装置の外観図と、ＦＰＣとの接続部分の拡大図と断面図。
【図９】    本発明の発光装置を撓めた様子を示す図と、その断面図。
【図１０】  本発明の封止前の発光装置のＦＰＣとの接続部分の断面図。
【図１１】  本発明の発光装置の作製方法を示す図。
【図１２】  本発明の発光装置の作製方法を示す図。
【図１３】  本発明の発光装置のＴＦＴ及びＯＬＥＤの作製工程を示す図。
【図１４】  本発明の発光装置のＴＦＴ及びＯＬＥＤの作製工程を示す図。
【図１５】  本発明の発光装置のＴＦＴ及びＯＬＥＤの作製工程を示す図。
【図１６】  本発明の発光装置の断面図。
【図１７】  ウォータージェット法で接着層を除去している様子を示す図。
【図１８】  スプレー噴射により有機発光層を成膜している様子を示す図。
【図１９】  画素の上面図及び画素の回路図。
【図２０】  発光装置の回路構成を示す図。
【図２１】  本発明の発光装置を用いた電子機器の図。
【図１】
0004190825.tif 000005
【図２】
0004190825.tif 000006
【図３】
0004190825.tif 000007
【図４】
0004190825.tif 000008
【図５】
0004190825.tif 000009
【図６】
0004190825.tif 000010
【図７】
0004190825.tif 000011
【図８】
0004190825.tif 000012
【図９】
0004190825.tif 000013
【図１０】
0004190825.tif 000014
【図１１】
0004190825.tif 000015
【図１２】
0004190825.tif 000016
【図１３】
0004190825.tif 000017
【図１４】
0004190825.tif 000018
【図１５】
0004190825.tif 000019
【図１６】
0004190825.tif 000020
【図１７】
0004190825.tif 000021
【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
0004190825.tif 000024
【図２１】
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