(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つの基板と、
前記基板上に置かれた光感応層と、
前記光感応層の第１部分から形成され、粗アライメントを決定する第１サブ検出器と、
前記光感応層の第２部分から形成され、微細アライメントを決定する第２サブ検出器と、
前記光感応層の第３部分から形成され、イメージ品質の情報を提供する第３サブ検出器と、
前記第２および第３サブ検出器の一部を覆うように設けられ、複数の開口をもつ不透明層とを有し、
前記複数の開口は、予め決められた形状および位置を有し、整合されたレチクルのイメージが前記不透明層および前記光感応層上に投射される時に位置情報およびイメージ品質が得られる、
ことを特徴とする多機能検出器。
【請求項２】
前記光感応層が１つのアレーである、請求項第１項記載の多機能検出器。
【請求項３】
前記アレーが電荷結合素子である、請求項第２項記載の多機能検出器。
【請求項４】
複数の孔を有する１つのレチクルと、
前記レチクルのイメージを投射する光学装置と、
可動ステージ上に設けられた１つの光感応層と、
前記光感応層の第１部分から形成され、粗アライメントを決定する第１サブ検出器と、
前記光感応層の第２部分から形成され、微細アライメントを決定する第２サブ検出器と、
前記光感応層の第３部分から形成され、イメージ品質の情報を提供する第３サブ検出器と、
前記サブ検出器を覆うように設けられ、複数の開口をもつ不透明層とを有し、
前記レチクルのイメージが前記不透明層および前記光感応層上に投射される時、前記レチクル内の前記複数の孔のイメージが前記不透明層内の複数の開口上に投射されるよう、複数の孔および複数の開口が関連づけられることにより、前記光感応層によって発生された信号から結像情報が得られる、
ことを特徴とする光リソグラフィー装置。
【請求項５】
前記光感応層が１つのアレーである、請求項第４項記載の光リソグラフィー装置。
【請求項６】
前記アレーが電荷結合素子である、請求項第５項記載の光リソグラフィー装置。
【請求項７】
１つの信号分析回路を含み、
前記信号分析回路は、前記不透明層内の複数の開口によって露光された前記光感応層の部分からの複数信号を受け取る、請求項第４項記載の光リソグラフィー装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般的には半導体の製造において用いられるような光リソグラフィーに、そしてより特定化すると結像情報を提供するために用いられる多目的検出器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体回路の製造は、キーステップとして、光リソグラフィー技術を使用する。光リソグラフィー処理においては、一般的に光レジストとして知られている、光感応化合物で覆われたウェーハを、その上に回路パターンを含んでいるマスクまたはレチクルのイメージに対して位置決めする必要がある。この処理は、ウェーハ上に設けられるべき多数の層を必要とするため、これら多数の層の精密な位置決めが必要となる。レチクルイメージとウェーハの位置が知られ、そして数ナノメータの範囲内で整列されるべきである。
【０００３】
そのようなアライメント装置の１つがフレデリックＹ．ユーによって１９８７年９月２９日に出願された“走査型リソグラフィーアライナのための反転暗視野アライメント装置”と題する米国特許第４，６９７，０８７号内に開示されており、本明細中に参照として組み込まれている。そこで開示されているのは、ウェーハターゲットをその上に持つウェーハと、マスクターゲットをその上に持つマスクとが互いに他に対して整列されるアライメント装置である。このアライメント装置においては、ウェーハ上のターゲットとレチクル上のターゲットが互いに他に対して相対的に走査される。反射された光線が検出され、そして比較されて何らかの不整列が求められる。別のアライメント装置は、１９８５年１０月２２日にデビッドＡ．マークルにより出願された“走査型マスクアライナのためのアライメントおよび焦点合わせ装置”と題する米国特許第４，５４９，０８４号に開示されており、本明細内に参照として組み込まれている。そこで開示されているのはマスク上のパターンと、パターンの方向および広がりに相当する光学格子を含むウェーハとを用いるアライメント装置であって、格子を通過して伝達された光線が強烈に変調されるものである。マスクとウェーハアライメントターゲットから変調された光線はアライメントエラー信号を得るのと同時に、マスクがウェーハ上にどの程度良好によく焦点合わせされているかを測定するのに用いられる。別のアライメント装置は、１９９５年１２月１９日にデビッドアングレー他によって出願された“走査光リソグラフィーのためのオフ軸アライメント装置”と題する米国特許第５，４７７，０５７号において開示されている。そこにおいて開示されているのは、ウェーハ上に設けられた複数のアライメントマークから散乱され、そして反射された光線の検出のための多数の検出器を持つアライメント装置である。
【０００４】
それらのアライメント装置が、走査型光リソグラフィーおよび連続光源に関して意図された目的については証明された妥当性を有しているとはいえ、それらは例えば、走査が用いられないパルス化された照射源または静止またはステップ型の光リソグラフィー技術を用いる他の用途においては適切なアライメント信号を提供するうえでの困難さを有している。このため、アライメント情報を得るためにパルス化された照射源が用いられるとき、およびレチクルとウェーハの走査移動に依存しないときに、レチクルとウェーハ間に適切なアライメントを提供する必要がある。付加的に、比較的簡単にそして容易に製造または変更できる単独検出器から、焦点またはイメージ品質モニタのような、他のイメージ情報を、そして望まれる結像情報を得ることが、特定用途に依存して必要とされている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
多目的を持つ比較的単純な検出器を提供することが本発明の１つの目的である。
【０００６】
特定用途に依存して容易に製造され、そして更新されることのできる検出器を提供することが本発明の付加的目的である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
予め決められた複数開口が不透明層内に設けられ、これはレチクル内の予め決められた複数の孔に整合しており、そして得られた複数の信号が本発明の目的のために用いることの出来る情報を含んでいることが本発明の特徴である。
【０００８】
１つのモノリシック検出器が、異なる機能を持つ複数のサブ検出器に分割されて用いられることが本発明のさらに別の特徴である。
【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明は、予め検出器アレー上に存在するパターンにレチクルイメージを整列させることによって、予め半導体ウェーハ上に存在するパターンにレチクルを整列させるための結像情報を、そして／またはイメージ品質情報を得るための検出器および装置に関する。予め決められた孔をその中に持つレチクルのイメージは、Ｘ−Ｙステージ上に設けられた検出器上に投射される。検出器は光感応層を有し、この層はＣＣＤまたは電荷結合素子のような、個別の素子またはセルの長方形または他の規則正しいアレーを形成する。不透明層が光感応層の一部を覆っている。不透明層は、レチクル内の孔に整合する予め決められた開口を有している。この開口は、個別の素子から読み出された信号から、位置決め情報および焦点および非点収差のようなイメージ品質情報が得られるように構成されている。光源によって照射されたレチクルのイメージは投射光学装置によって、不透明層内の予め決められた、または整合された開口上に投射され、これによって信号が発生される。検出器がサブ検出器領域に分割される場合には、多数の開口が単独のモノリシック光感応素子上で利用されることができる。多数の、独立した、個別の素子を持つことができる１つのサブ検出器領域は、不透明層内に複数開口を有する。隣接した複数開口の照射充満された、または露光された部分からの照射をバランスさせることにより、サブ検出器領域の位置を決めることができる。照射充満された部分は、レチクル内の孔からの予め決められた照射パターンによって照射される。他のサブ検出器領域は、不透明層における予め決められたまたは整合された穴上に、レチクル内の予め決められた、または整合された孔のイメージを投射することにより、焦点および非点収差のようなイメージ品質を検出する。１つの実施例においては予め決められた照射パターンを予め決められた開口上に焦点合わせし、そして信号を最大とすることにより最適焦点が得られる。他の実施例においては、レチクル内の１つの孔の予め決められたイメージを、直交軸を持つ不透明層内の予め決められた開口上に連続的に焦点合わせすることにより、非点収差が得られる。
【００１０】
【実施例】
本発明の目的、利点および特色は以下の詳細な説明を読むことによって容易に明らかとなるであろう。
【００１１】
図１は本発明を用いる光リソグラフィー装置を全体的に描いている。照射源１１はレチクル１５のイメージを光学装置１３を通して、光感応レジストに覆われたウェーハ１２上に投射する。ウェーハ１２は、Ｘ−Ｙステージ１０上におかれている。検出器１４は、Ｘ−Ｙステージ１０上におかれている。レチクル１５内の孔は検出器１４上の開口に整合している。検出器１４は、適切なレチクルパターンのイメージが不透明層内の孔の上に落ちるように移動される。検出器１４からの信号は機能ボックス１１４におけるデータの信号分析によって解釈される。整合した孔および開口は、アライメントおよび位置情報並びにイメージ品質情報のような、望ましい結像情報を提供する。
【００１２】
図２はステージ１０の上面を明確に描いたものである。ステージ１０の中央に位置決めされるのはウェーハ１２である。検出器１４はステージ１０の１つの角に位置決めされることが望ましい。ステージはＸおよびＹ軸に沿って移動可能であり、検出器１４の正確な位置決めを可能とする。
【００１３】
図３は、本発明による検出器の構造を明確に描いたものであるが、限定的なものではない。検出器１４は、複数のサブ検出器１６，１８および２０から成り立っている。サブ検出器１６は粗位置決めに関する情報を提供する。サブ検出器１８は微細位置決めに関する情報を提供する。サブ検出器２０はイメージ品質に関する情報を提供する。サブ検出器１６は露光される検出器アレー３４で構成される。全体の検出器アレーはＣＣＤまたは電荷結合素子のような一般的な検出器アレーであってもよい。用いることの出来る他のアレーは、例えばＣＭＯＳアレー、ＣＭＯＳスマートピクセルアレー、およびフォトダイオードアレーである。これは全体の装置が働く波長において適切な感度を必要とする。ＣＣＤまたは自己走査型アレーのようなアレーは、可能性のある３６５、２４８および１９３ナノメータの主波長において利用できる。Ｘ線アレーもまた利用可能である。照射パターン２２はＸ字形として描かれているが、他の予め決められたどのような形状であっても良い。このパターンが、露光される検出器アレー３４上に投射される。この照射パターンはレチクルまたはマスク内の孔から発生される。検出器アレー３４はまた、照射パターン２２の全体的な場所に関する情報を提供することができ、それによって標準的なパターン認識技術を用いて粗位置決め情報を提供する。粗位置決め情報は、微細位置決め情報を確立するのに用いられるサブ検出器１８の位置決めを容易にするよう、数ミクロンまでの、検出器１４のかなり精密な場所を得るのに用いられる。サブ検出器１８は不透明クロム層４２を有しており、クロム層の中には開口２４、２４’、２６、２６’、２８、２８’、２９および２９’が設けられている。開口２４、２４’、２６、２６’、２８、２８’、２９および２９’は、ＣＣＤまたは電荷結合素子のような検出器アレーまたは光感応表面または層の１部を露光する。開口２４および２４’はＸ方向における位置決めを決定するのに用いられる。開口２６および２６’はＹ方向における位置決めを決定するのに用いられる。開口２８、２８’、２９および２９’は図１および図２に示されているステージ１０のＸおよびＹ移動に対して斜めになっており、そしてＸおよびＹ位置決め情報を得るのに用いられる。開口２８、２８’、２９および２９’の長さ方向軸は図１および図２に示されるステージ１０のＸおよびＹ軸から斜めになるか、または４５゜オフセットされていることが望ましい。開口２８、２８’、２９および２９’は本発明の検出器が類似の形状で斜めになったアライメント孔を用いる従来レチクルを用いることも可能とする。サブ検出器２０は不透明クロム層４２’内に形成された開口３０、３１および３２によって形成される。開口３０は、最適焦点合わせ情報を得るのに用いられる。開口３１および３２は、非点収差に関する情報を得るのに用いられる。不透明クロム層４２’内の開口３０、３１および３２は、ＣＣＤまたは電荷結合素子のような光感応表面または層を露光する。露光された検出器アレー３４および不透明層４２および４２’の下の光感応表面または層は単独なモノリシック素子から作られることが望ましい。検出器１４は、開口２４、２４’、２６、２６’、２８、２８’、２９、２９’、３０、３１および３２を有しており、それら開口は図１に示されるレチクル１５内に形成された孔に整合している。整合するということは、孔の寸法が開口の寸法に関連して、望ましい結像情報が得られることを意味し、そしてまた適切な開口が用いられている検出器のアレーの素子サイズに整合していることを意味している。レチクル内に形成された孔は、照射源からの光線を予め決められた方法で開口２４、２４’、２６、２６’、２８、２８’、２９、２９’３０、３１および３２上に投射させ、こうして位置決めおよびイメージ品質のような結像情報を確立させる。検出器１４に関して単に３つのサブ検出器１６，１８および２０が描かれているとしても、３つのサブ検出器１６、１８および２０よりも多いサブ検出器がＣＣＤまたは電荷結合素子のような単独のモノリシック光感応表面上に形成できることは明らかである。不透明クロム層４２または４２’の光感応表面の部分への適応と、そして開口が製造される容易さとは、柔軟さを提供し、そして多数のサブ検出器が用いられることを可能とする。付加的に、冗長性および信号平均化を容易にするため、各サブ検出器は複数の類似開口を有することが出来る。
【００１４】
図４は、サブ検出器１８の一部およびその動作をより明確に説明する。不透明クロム表面４２内に形成された長方形開口２４および２４’は、光感応層または表面３６および３６’を露光させる。照射源からの電磁放射によって照射されるとき、光感応表面３６および３６’は電気信号を発生する。光感応表面は、たとえばＣＣＤまたは電荷結合素子によるアレーとして形成されることが望ましい。長方形開口２４および２４’は、距離ｄだけ離されている。整合された、または予め決められた孔を持つレチクルまたはマスクは、サブ検出器１８上に投射されるべき照射パターン３８を作り出す。照射パターン３８の一部は光感応表面３６および３６’上に落とされる。光感応表面３６および３６’上に落ちた照射３８の部分は、照射充満部分４０および４０’それぞれを作り出す。照射３８の幅は、単に開口２４と２４’との間の距離ｄよりも大きく、そして距離ｄプラス２つの開口２４および２４’の組み合わせ幅よりも小さくされる必要がある。こうして、照射充満部分４０および４０’は幅において変化することができ、それは異なる照射充満比を作り出す。検出器が取り付けられているステージとレチクルの精密な位置決めは、照射充満部分４０および４０’によって発生される電気信号をバランスさせることにより容易に得られる。照射充満部分４０および４０’が等しいとき、照射パターン３８は開口２４と２４’との間に精密に中央位置決めされる。こうして、検出器を、そしてそのためステージを、参照しながらレチクルは精密に位置決めされる。これは何らの走査も要せずに完成され、そして検出器およびレチクルを走査する必要のない静止的環境において実行することができる。付加的に、アライメントのために用いられる正確な信号は、パルス化された照射源によって得られる。照射の単独パルスはアライメント情報を提供する。照射充満部分４０および４０’から発生されるバランスされた信号を検出するのに必要とされる回路は、比較的単純であり、そしてよく知られており、さらには極めて正確に作ることができる。この回路は図１に描かれている信号分析器１１４内に組み込まれることができる。比較的簡単な、そして経済的な構造はまた、１つの検出器内に複数の類似の開口を、そして１つのレチクル内に複数の孔を形成することをも可能とし、これは冗長性および平均化を可能とし、信頼性および正確性を増大させる。こうして、１つの軸に沿った位置は極めて正確に得ることができる。交差または直交する軸、ＸおよびＹ、を持つ複数の開口および孔を組み合わせるここにより、正確なアライメントおよび位置決めが極めて容易に得られる。ノイズレベルや、時間とともに変化する位置におけるマイクロ変動は、多時間分散測定によって求めることができる。
【００１５】
図５は、図４における線５−５に沿って切り取られた断面図であり、そしてサブ検出器１８の平面的な層構造を描いている。不透明クロム層４２は、２酸化シリコンの保護層４４上に形成される。不透明さの要求は、照射充満比が高くなるに従って、高くする必要がない。保護層４４は、照射に対して透明であり、そして光感応層４６を保護する。光感応層４６は基板層４８上に形成される。層４４、４６および４８は、市場で入手できるＣＣＤまたは電荷結合素子を全体的に説明するための例である。しかし、市販されている装置においては、保護層４４は約３ミクロン厚である。この保護層４４は、１ミクロンまで減少させることができ、そのようにして不透明クロム層４２が保護層４６に、より近くできる。これは光散開による検出器アレーの素子間のクロストークを除去する。図５は、照射パターン３８と、そして光感応層４６を照射する照射充満部分４０および４０’を明確に描いている。
【００１６】
図６は、サブ検出器１８の別の部分を描いている。図６は、異なる開口構造への本発明の適用をより明確に描いている。不透明クロム層４２’内の開口２８、２８’、２９および２９’は電磁照射に光感応表面を露光させる。レチクル内の類似の整合された、または予め決められた形状の孔が照射パターン１３８、１３８’、１３９および１３９’を形成する。照射パターン１３８、１３８’、１３９および１３９’の一部は開口２８、２８’、２９および２９’によって露光された光感応表面を照射し、その結果、照射充満部分１４０、１４０’、１４１および１４１’を形成する。図４において描かれた実施例と同様、照射充満部分１４０、１４０’、１４１および１４１’から発生された信号はバランス、または等しくされ、その結果ステージ１０に固定されている検出器１４とレチクルとの間には精密なアライメントが得られる。図６に描かれている実施例は、現存するレチクルとコンパチブルであるという利点を有している。付加的に、照射パターン１３８，１３８’、１３９および１３９’の対は、開口１４０、１４０’、１４１および１４１’の各対それぞれと共に用いられる。しかし、照射パターンは分割される必要があるものではなく、照射パターンの単独の対とすることもでき、各々が開口２８、２８’、２９および２９’それぞれの間の距離にまで広がることができる。
【００１７】
図７は、図４、図５および図６に描かれている照射パターンを作り出すのに用いられるレチクルを描いている。レチクル１５における孔は、検出器１４における開口に整合している。レチクルまたはマスク１５はサブレチクル１７，１９および２１からなり、これらは図３に描かれているサブ検出器１６、１８および２０に相当している。サブレチクル１７は、その中にＸ形状孔２２’を有している。孔２２’は、図３に描かれているＸ形照射パターン２２を形成する。サブレチクル１７は、全体的な、または粗いアライメントまたは位置決めを得るために用いられる。サブレチクル１９は、その中に孔３８’、３９’、２３８、２３８’、２３９および２３９’を有している。これらの孔３８’、３９’、２３８、２３８’、２３９および２３９’は図３に描かれているサブ検出器１８内の開口に整合している予め決められた形状および場所を有している。孔３８’、３９’、２３８、２３８’、２３９および２３９’は図３に描かれているサブ検出器１８上に投射またはイメージされる。光感応層上に落ちた照射から得られる信号は、図４、５および６を参照しながら説明されたのと同様にバランスされ、正確な位置決めおよびアライメント情報が得られる。倍率を持つ光学装置が用いられるとき、レチクル１５内の孔の寸法は適切に比例し、位置およびアライメント情報を提供する信号を得るための望ましい関係を得ることができるのは明らかである。例えば４対１の縮小比を持つ縮小光学装置が用いられるならば、マスクは４の係数によって増加された予め決められたサイズの孔を持つよう適切に比例されるべきである。サブレチクル２１は、孔３０’、３１’および３２’をその中に有し、これらは図３に描かれているサブ検出器２０における開口３０、３１および３２のそれと整合する予め決められた位置および形状を有している。孔３０’、３１’および３２’は、図３に描かれているサブ検出器２０における開口３０，３１および３２上に結像される。孔３０’および３１’および３２’並びに開口３０、３１および３２は、予め決められた形状およびサイズであるか、または焦点および非点収差のようなイメージ品質情報を提供するために整合される。この実施例においては、孔３０’、３１’および３２は、その当焦点強度ポイントがサブ検出器２０のサイズに整合しているイメージを発生できるようなサイズである。明瞭に結像しているときに、または焦点があっているときに、信号は最大となる。ガラス基板上にクロムの不透明層を設けるような、いずれかの一般的なレチクル製造処理を用いてレチクル１５を作ることができる。クロムの不透明層は標準的な処理によって、その中に孔を形成するようエッチされる。検出器を覆うパターン化された不透明層の実施例は、検出器をクロムコーティングし、そしてＥ−ビーム技術によってその層をパターンニングすることにより実行することができ、それらは標準的なレチクル製造技術である。このことはデバイス製造のウェーハ段階において実行することができる。検出器の表面が要求される正確さにまで平坦に作られることが期待される。付加的に、レチクル１５は、一般的に回路パターンをその上に含む大きなレチクルの小さな部分に過ぎないと言うことは明らかである。
【００１８】
図８−Ａおよび図８−Ｂは、焦点イメージ品質がどのようにして得られるかを説明するものである。比較的長く、狭い長方形開口３０が図３に描かれているサブ検出器２０内に形成される。整合する孔３１は、図７に描かれているようにサブレチクル２１内に形成され、合焦点状態においては孔３０’のイメージと開口３０のエッジが合致する。その結果、装置が最適焦点にあるとき、最大信号が得られ、そして装置が焦点外れのとき、幾らか少ない信号が得られる。このことは、図８−Ｂのグラフにおいて描かれている。合焦点信号または最適焦点は、最大信号振幅を持つ波形５０として描かれている。波形５２は、装置が焦点外れの状態にあり、より低い振幅を提供するときの信号を描いている。
【００１９】
図９−Ａおよび図９−Ｂは、非点収差を測定するための同様な技術を描いている。長方形開口３１および３２は、直交する長さ方向軸を有しており、図７に描かれているサブレチクル２１内の予め決められたサイズの孔３１’および３２’と整合する。孔３１’および３２’は開口３１および３２のエッジと合致する最適または合焦点イメージを提供するサイズとされている。結果的に、装置の何らかの非点収差に依存して装置焦点がズームインおよびアウトされるとき、開口３２に相当するＸ軸に沿った最適焦点が、そして開口３１に相当するＹ軸に沿った最適焦点が、得られる。これは図９−Ｂのグラフに描かれており、グラフのＸ軸は焦点を、そしてグラフのＹ軸は信号振幅を表している。波形５４は開口３２から得られる最大信号を表している。最大ポイント５８は、グラフのＸ軸上のｆｘに相当する。同様に、波形５６はグラフのＹ軸上のｆｙに相当する開口３１からの信号を表している。ｆｘおよびｆｙ間の距離は装置の非点収差を表している。
【００２０】
種々の形状および機能が上の実施例において説明されてはいるが、容易にそして安価に製造される単独のモノリシック検出器上に、イメージ品質と同様、位置決めおよびアライメント情報のような結像情報を提供するために様々の形状が容易に得られるということは明らかである。付加的に、容易に冗長性を提供するのと同様、わずかなコストで容易に変化または変更できる複数の機能を本検出器が提供できることも明らかである。いくつかの繰り返される開口は、いくつかの素子の不具合の場合における冗長性を与えるのに用いることができる。付加的に、複数の、または多数の繰り返される開口の使用は、より信頼性のある情報を得るための信号平均化を可能とする。付加的に、本発明はパルス化された照射源を用いて、または走査のない装置において、イメージ品質情報と同様、位置決めおよびアライメント情報を得ることができる。結果として、アライメント情報は、パルス化されたレーザのような、照射源の各パルスに関して得ることができる。例えば標準的にはレーザは１０００Ｈｚでパルス化されることができる。このことは、各ミリ秒ごとに更新されたアライメント信号を提供する。付加的に、安定状態条件における信号の変動または雑音が本装置において振動レベルの測定として得られる。検出器装置の正確さは孔および開口の正確さに依存する。標準的には、１ミクロンの開口の幅を用い、そして照射パターンによってその幅の約半分、０．５ミクロン、が照射充満されるならば、１％の程度の感度を持つ標準的に市場で入手可能なＣＣＤを用いて２．５ナノメータの感度を得ることができる。この数値は、照射充満部分または照射充満比を調節することにより変化する。既知の量または距離だけ互いにオフセットされている多数の開口の対を用いることにより、バーニア装置を得ることができ、その結果信号は多数の組から得ることができ、そのもっともバランスされた組がアライメント情報を提供する。付加的に、イメージ品質の他の特色を測定するのに異なる構造を用いることができる。例えば、照射パターンのラインエッジに移動することもできる約１ミクロン平方の小さなサンプリングウィンドウを用いることによって散乱を近似することができる。この信号は照射パターンのエッジからの距離で変化し、そして回折制限された予報からの偏りはリソグラフィーツールの散乱レベルをモニタするのに用いることができる。イメージ品質および位置に関する多様な情報を提供するために存在することのできる、多数のレチクル開口／不透明層孔の組み合わせが存在することは当業技術者にとっては明らかなことである。その結果、詳細における食い違いの可能性が存在するが、これは当業技術者にとっては明らかなことである。結果的に、望ましい実施例が描かれそして説明されたとはいっても、当業技術者にとっては整合されたレチクルと検出器孔の対を用いるという本発明の精神および範囲から離れることなく種々の変更が可能であることが明らかとなるであろう。
【００２１】
【発明の効果】
パルス化された光源を用いて、アライメントまたは位置決め情報のような結像情報が得られる。
【００２２】
走査の必要なく、アライメントまたは位置決め情報が得られる。
【００２３】
冗長のための多素子数が容易に製造できる構造の検出器である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による装置を説明するためのブロック図である。
【図２】ウェーハステージの概略平面図である。
【図３】その中の開口を説明するための検出器の概略平面図である。
【図４】図３に描かれている検出器の１部の概略平面図である。
【図５】図４における線５−５に沿って切り取られた断面図である。
【図６】図３に描かれている検出器の別の部分の概略平面図である。
【図７】その中の孔を説明するための、レチクルまたはマスクの概略平面図である。
【図８】焦点合わせ情報を得るために用いられる開口を説明するための平面図、およびその開口から得られる信号を描いた図である。
【図９】非点収差情報を得るために用いられる開口を説明する平面図、およびその開口から得られる信号を描いた図である。
【符号の説明】
１０  ステージ
１１  照射源
１２  ウェーハ
１３  光学装置
１４  検出器
１５  レチクル
１６  サブ検出器
１７  サブレチクル
１８  サブ検出器
１９  サブレチクル
２０  サブ検出器
２１  サブレチクル
２２  照射パターン
２４，２６，２８，２９  開口
３０，３１，３２  開口
３４  検出器アレー
３６  光感応層
３８，３９  照射パターン
４０  照射充満部分
４２  不透明クロム層
４４  保護層
４６  光感応層
４８  基板層
５０  最大信号振幅を持つ波形
５２  焦点外れの状態にある波形
５４，５６  最大信号波形
５８，６０  最大ポイント
１１４  機能ボックス
１３８，１３９  照射パターン
１４０，１４１  照射充満部分
２３８，２３９  孔
【図１】
0004174097.tif 000002
【図２】
0004174097.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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