(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体チップに相当する素子が形成されている半導体基板を、前記半導体チップを個々に搭載可能な電極及び外部接続用電極が形成されると共に、その平面内に貫通する孔部が形成されているパッケージ基板に対して、前記半導体基板と前記パッケージ基板との間に所定幅の間隙を形成した状態で搭載し、前記半導体基板と前記パッケージ基板とを相互に電気接続する工程と、
前記孔部から絶縁性樹脂を注入し、前記半導体基板と前記パッケージ基板との間に形成された所定幅の前記間隙に充填する工程と、
前記半導体基板と前記パッケージ基板とを一体的に切断して、複数個の半導体チップとパッケージベースとに分離する工程と、を含み、
前記パッケージ基板には、前記半導体基板と前記パッケージ基板とを一体的に切断する際の切断軌跡上に、エア抜き用孔部が貫通して形成されており、前記半導体基板と前記パッケージ基板とを一体的に切断する際に、前記エア抜き用孔部を横断して切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記孔部を、前記半導体基板の前記複数の素子が形成されている領域の略中央部に対応する位置に形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記孔部から絶縁性樹脂を充填する際に、前記半導体基板と前記パッケージ基板とを回転させることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップをワイヤボンディングを用いることなくパッケージする半導体装置とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体チップのパッケージ構造として、ワイヤボンディングを用いない構造が提案されている。例えば、特許第２８００８０６号公報には、複数の半導体チップに相当する素子が形成されている半導体基板を、半導体チップを個々に搭載可能な電極及び外部接続用電極が形成されているパッケージ基板に搭載し、半導体基板とパッケージ基板とを相互に電気接続し、その後半導体基板とパッケージ基板とを一体的に切断して、複数個の半導体チップとパッケージベースとに分離して、パッケージベースと半導体チップとが同一平面形状及び平面寸法に形成する半導体装置が開示されている。
【０００３】
また、上述した特許第２８００８０６号公報においては、パッケージ基板の表面に、接続用電極を露呈させるようにポリイミド膜が成膜されており、半導体基板（半導体チップ）とパッケージ基板（パッケージベース）との電気接続部を保護している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上述したようにパッケージ基板の表面に予めポリイミド膜を成膜する構成では、接続用電極を露呈させるようにポリイミド膜を成膜させる必要があり、成膜工程が複雑になる。また、ポリイミド膜の厚さの管理が難しく、半導体基板をパッケージ基板に搭載した際に、ポリイミド膜の表面と半導体基板の表面との間に間隙が生じ、半導体基板（半導体チップ）とパッケージ基板（パッケージベース）との電気接続部位の保護が不十分になるおそれがある。これらの問題点を解決するために、半導体基板をパッケージ基板に搭載し、半導体基板とパッケージ基板とを相互に電気接続した後に、半導体基板とパッケージ基板との間の間隙にアンダーフィル樹脂等の絶縁性樹脂を充填することが考えられる。
【０００５】
しかしながら、半導体基板とパッケージ基板との間の間隙にアンダーフィル樹脂等の絶縁性樹脂を充填する際に、気泡等のエア残りを発生させることなく均一に絶縁性樹脂を充填する必要がある。万一、エア残りが生じた場合には、エア残りにより鬆が形成されると半導体装置の温度変化により生じる応力の分布が不均一になる。この不均一な応力分布の発生により、素子あるいは半導体基板とパッケージ基板との電気接続部に応力が作用して、これらの部分が破損してしまい、半導体装置の信頼性が低下するおそれがある。
【０００６】
本発明は上述の点に鑑みてなされたもので、半導体基板とパッケージ基板との間の間隙に絶縁性樹脂を充填する際のエア残りの発生を抑制し、半導体装置の信頼性の低下を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、複数の半導体チップに相当する素子が形成されている半導体基板を、半導体チップを個々に搭載可能な電極及び外部接続用電極が形成されると共に、その平面内に貫通する孔部が形成されているパッケージ基板に対して、半導体基板とパッケージ基板との間に所定幅の間隙を形成した状態で搭載し、半導体基板とパッケージ基板とを相互に電気接続する工程と、孔部から絶縁性樹脂を注入し、半導体基板とパッケージ基板との間に形成された所定幅の間隙に充填する工程と、半導体基板とパッケージ基板とを一体的に切断して、複数個の半導体チップとパッケージベースとに分離する工程と、を含み、パッケージ基板には、半導体基板とパッケージ基板とを一体的に切断する際の切断軌跡上に、エア抜き用孔部が貫通して形成されており、半導体基板とパッケージ基板とを一体的に切断する際に、エア抜き用孔部を横断して切断することを特徴としている。
【０００８】
このような構成を採用した場合、半導体基板を、その平面内に貫通する孔部が形成されているパッケージ基板に対して、半導体基板とパッケージ基板との間に所定幅の間隙を形成した状態で搭載した後に、孔部から絶縁性樹脂を注入して間隙に充填し、半導体基板とパッケージ基板とを一体的に切断して、複数個の半導体チップとパッケージベースとに分離して個々の半導体装置を形成しているので、孔部から注入された絶縁性樹脂は、半導体基板とパッケージ基板との間に形成された間隙内をパッケージ基板及び半導体基板の外側に向かって広がり、半導体基板とパッケージ基板との間の間隙に絶縁性樹脂を充填する際のエア残りの発生が抑制される。エア残り発生の抑制により、半導体装置の温度変化により生じる応力の分布をより均一にでき、素子あるいは半導体基板とパッケージ基板との電気接続部への応力の作用が抑制されて、これらの部分の破損を防ぎ、半導体装置の温度変化に対する信頼性の低下を防ぐことが可能となる。
また、本発明では、パッケージ基板に、エア抜き用孔部が貫通して形成されている。この場合、絶縁性樹脂を充填する際に、半導体基板とパッケージ基板との間に形成された間隙に存在するエアがエア抜き用孔部を介して排出されるので、絶縁性樹脂を速やかに充填することができると共に、絶縁性樹脂を充填した後のエア残りの発生を更に抑制することができる。
更に、本発明では、エア抜き用孔部が、半導体基板とパッケージ基板とを一体的に切断する際の切断軌跡上に形成されており、半導体基板とパッケージ基板とを一体的に切断する際に、エア抜き用孔部を横断して切断する。この場合、エア抜き用孔部を横断して、半導体基板とパッケージ基板とを一体的に切断するので、個々の半導体装置に分離した際に、エア抜き用孔部の一部がパッケージベースの端部に切り欠かれた状態で残ることになる。このパッケージベースの端部に切り欠かれた状態で残るエア抜き用孔部の一部を位置決め用の位置決め部として用いることができ、パッケージベースの端部に容易に位置決め用の位置決め部を設けることが可能となるとともに、半導体装置の位置決め精度を向上させることが可能となる。

【０００９】
また、孔部を、半導体基板の複数の素子が形成されている領域の略中央部に対応する位置に形成することが好ましい。このような構成を採用した場合、孔部から注入された絶縁性樹脂は、半導体基板とパッケージ基板との間に形成された間隙内をパッケージ基板及び半導体基板の外側に向かって均一に広がると共に、孔部とパッケージ基板及び半導体基板の外側端部までの距離が短くなり、絶縁性樹脂の充填する時間を短縮することが可能となる。
【００１０】
また、孔部から絶縁性樹脂を充填する際に、半導体基板とパッケージ基板とを回転させることが好ましい。このような構成を採用した場合、孔部から注入された絶縁性樹脂は、半導体基板とパッケージ基板との間に形成された間隙内をパッケージ基板及び半導体基板の外側に向かって速やかに広がるため、絶縁性樹脂の充填する時間を、更に短縮することが可能となる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付しており、重複する説明は省略する。
【００１４】
図１は、本発明の実施形態を、製造工程順に説明する説明図であり、図２は半導体基板の平面図、図４はパッケージ基板の平面図である。図１（ａ）に示されるように、シリコン等の半導体基板１０は、一方の面１０ａに、ボンディングパッド１１と、パッケージ基板２０に対する半導体基板１０の位置合わせを行うための第１アライメントパターン１２が形成されている。ボンディングパッド１１上には、電気接続用に、Ａｕあるいは半田等によるバンプ１３が設けられている。
【００１５】
半導体基板１０は、図２に示されるように、後に切断分離される多数個の半導体チップ１を含んでいる。各半導体チップ１は、図３に示されるように、所定波長（例えば、近紫外から近赤外までの波長）の光を受光する受光部１４を有しており、受光部１４の外側にボンディングパッド１１（本実施形態においては、４箇所）が設けられている。第１アライメントパターン１２は、図２に示されるように、半導体基板１０の直径方向の外周部分の２箇所に設けられており、フォトエッチング技術等を用いて「＋」字状に形成されている。この第１アライメントパターン１２は、ボンディングパッド１１と同じ配線を利用して形成することも可能である。
【００１６】
先ず、この半導体基板１０を、図１（ｂ）に示されるように、半導体基板１０より大きい面積を有した矩形のパッケージ基板２０上に搭載し、一体化する。パッケージ基板２０は、受光部１４が受光する光の波長に対して光学的に透明な、透光性ガラスからなる。パッケージ基板２０の一方の面２０ａには、第１配線電極２１と、パッケージ基板２０に対する半導体基板１０の位置合わせを行うための第２アライメントパターン２２とが形成されている。パッケージ基板２０の他方の面２０ｂには、外部基板（図示せず）と接続される第２配線電極２３が形成されており、この第２配線電極２３には、外部基板（図示せず）との接続用に、Ａｕあるいは半田等によるバンプ２４が設けられている。また、パッケージ基板２０には、図１（ｂ）及び図４に示されるように、パッケージ基板２０を貫通する第１貫通孔２５及び第２貫通孔２６が、フォトエッチング技術を用いて形成されている。ここで、第１配線電極２１及び第２配線電極２３は、各請求項における外部接続用電極を構成している。第１貫通孔２５は、各請求項におけるエア抜き用孔部を構成し、第２貫通孔２６は、各請求項における孔部を構成している。
【００１７】
第１配線電極２１は、図４及び図５に示されるように、受光部１４に対応する位置の外側で半導体基板１０のバンプ１３（ボンディングパッド１１）と対応する位置に設けられており、パッケージ基板２０を貫通して設けられたスルーホール２７内部の配線電極（図示せず）を介して第２配線電極２３と導通されている。第２アライメントパターン２２は、同じく図４に示されるように、半導体基板１０の第１アライメントパターン１２が形成された位置に対応する位置に、２箇所設けられており、フォトエッチング技術等を用いて第１アライメントパターン１２より大きい「＋」字状に形成されている。第１貫通孔２５は、図５に示されるように、後に半導体基板１０とパッケージ基板２０とを一体的に切断する際の切断軌跡Ｃ上に形成されており、受光部１４に対応する位置Ｄの外側で、矩形に形成される各半導体チップ１の角部に対応する位置するように設けられる。
【００１８】
第２貫通孔２６は、図４及び図６に示されるように、半導体基板１０の複数の半導体チップ１が形成されている領域の略中央部に対応する、パッケージ基板２０の略中央部に形成されている。半導体基板１０の複数の半導体チップ１が形成されている領域の略中央部となる位置には、図２に示されるように、半導体チップ１が形成されていない領域Ｅを設けており、この領域に対応して第２貫通孔２６が位置するようになっている。
【００１９】
半導体基板１０をパッケージ基板２０に搭載する際には、半導体基板１０の受光部１４及び第１アライメントパターン１２が形成された一方の面１０ａとパッケージ基板２０の第２アライメントパターン２２が形成された一方の面２０ａとを対向させた状態で、パッケージ基板２０に形成された第２アライメントパターン２２と半導体基板１０に形成された第１アライメントパターン１２とを合致させて、位置合わせを行う（図６に示された状態）。半導体基板１０とパッケージ基板２０との位置合わせが終わった後、パッケージ基板２０の第１配線電極２１と半導体基板１０のバンプ１３とを公知の熱圧着等の接続技術を用いて接続（フリップチップ接続）する。半導体基板１０とパッケージ基板２０とが電気接続された状態（図１（ｂ）に示された状態）において、半導体基板１０とパッケージ基板２０との間には所定幅（例えば、１００μm程度）の間隙３０が形成されており、この間隙３０の幅はボンディングパッド１１、バンプ１３及び第１配線電極２１の厚さにより規定、管理されることになる。
【００２０】
半導体基板１０をパッケージ基板２０に搭載し一体化すると、図１（ｃ）に示されるように、樹脂充填装置（図示せず）から第２貫通孔２６を通してアンダーフィル樹脂３１を注入し、半導体基板１０とパッケージ基板２０との間に形成された間隙３０にアンダーフィル樹脂３１を充填する。間隙３０に注入されたアンダーフィル樹脂３１は、間隙３０内を半導体基板１０及びパッケージ基板２０の外側に向かって広がっていく（図１（ｃ）中の矢印方向）。この際、注入されたアンダーフィル樹脂３１に押し出される形で、間隙内に存在していたエアが第１貫通孔２５から排出される。充填されたアンダーフィル樹脂３１は、間隙内への充填が終わった後、硬化させる。アンダーフィル樹脂３１は、受光部１４が受光する光の波長に対して光学的に透明で且つ絶縁性を有しており、例えば、シリコーン樹脂等にて構成される。
【００２１】
しかる上で、公知のダイシング技術等を用いて、一体化された半導体基板１０及びパッケージ基板２０を同時に切断する。一体化された半導体基板１０及びパッケージ基板２０は、半導体基板１０の他方の面１０ｂ（パッケージ基板２０と対向する面の裏面）を下面とされた状態（図１（ｃ）に示される状態）で、ダイシング装置（図示せず）に固定される。半導体基板１０及びパッケージ基板２０がダイシング装置に固定されると、パッケージ基板２０の他方の面２０ｂ（半導体基板１０と対向する面の裏面）に形成された目印パターン（図示せず）等を基準として、一体化された半導体基板１０及びパッケージ基板２０が一体的に切断されて、図１（ｅ）に示されるように、複数個の半導体装置Ａに分離される。半導体基板１０及びパッケージ基板２０は、２５μｍ程度の厚さを有する切刃を用いて、第１貫通孔２５を横断して切断される。
【００２２】
上述したようにして製造された半導体装置Ａは、図１（ｅ）及び図７に示されるように、パッケージ基板２０から分割された平面視矩形の四角が欠けた形状のパッケージベース２と、半導体基板１０から分割された平面視矩形の半導体チップ１とを有することになる。半導体チップ１の一方の面を１ａ、他方の面を１ｂ、パッケージベース２の一方の面を２ａ、他方の面を２ｂとする。半導体チップ１の一方の面１ａ（パッケージベース２と対向する面）には、受光部１４が設けられており、この受光部１４がパッケージベース２を透過した所定波長の光を受光することにより生成される信号は、受光部１４からボンディングパッド１１、バンプ１３、第１配線電極２１、スルーホール２７内部の配線電極（図示せず）、第２配線電極２３及びバンプ２４を介して、外部基板の電極（図示せず）に送られる。パッケージベース２の角部（４箇所）には、第１貫通孔２５を横断して半導体基板１０とパッケージ基板２０とを一体的に切断したので、個々の半導体装置Ａに分離した際に、第１貫通孔２５の一部がパッケージベース２の角部を切り欠いた状態の凹部３として残り、この凹部３が位置決め用の位置決め部として用いられる。この半導体装置Ａを外部基板（図示せず）に搭載する際には、対角２箇所の凹部３に対して外部基板側に設けられるガイドピン（図示せず）を立てて位置合わせを行う。
【００２３】
上述した実施形態によれば、半導体基板１０の複数の半導体チップ１が形成されている領域の略中央部に対応する、パッケージ基板２０の略中央部に第２貫通孔２６を形成し、半導体基板１０とパッケージ基板２０との間に所定幅の間隙３０を形成した状態で半導体基板１０をパッケージ基板２０に搭載し、第２貫通孔２６からアンダーフィル樹脂３１を注入し、この間隙３０にアンダーフィル樹脂３１を充填した後に、半導体基板１０とパッケージ基板２０とを一体的に切断して、複数個の半導体チップ１とパッケージベース２とに分離して個々の半導体装置Ａを形成しているので、間隙３０に注入されたアンダーフィル樹脂３１は、間隙３０内を半導体基板１０及びパッケージ基板２０の外側に向かって均一に広がり、半導体基板１０とパッケージ基板２０との間の間隙にアンダーフィル樹脂３１を充填する際のエア残りの発生が抑制される。このエア残りの発生を抑制することにより、半導体装置Ａの温度変化により生じるアンダーフィル樹脂３１内での応力分布をより均一化でき、受光素子（半導体チップ１）自体、あるいは、上述された接続部位への応力の作用が抑制されて、これらの部分の破損を防ぎ、半導体装置Ａの温度変化に対する信頼性の低下を防ぐことが可能となる。また、間隙３０へのアンダーフィル樹脂３１の注入、充填を容易に行うことも可能である。
【００２４】
また、パッケージ基板２０及び半導体基板１０の略中央部から外側に広がるので、第２貫通孔２６からパッケージ基板２０及び半導体基板１０の外側端部までの距離が短く、アンダーフィル樹脂３１の充填する時間を短縮することが可能となる。また、間隙３０に充填されて硬化されたアンダーフィル樹脂３１によりパッケージ基板２０に形成された第１配線電極２１と半導体基板１０に形成されたバンプ１３との接続部位、及び、バンプ１３とボンディングパッド１１との接続部位を確実に保護することができると共に、半導体基板１０とパッケージ基板２０とがアンダーフィル樹脂３１により接続され、機械的強度を増大させることができる。
【００２５】
また、パッケージ基板２０に第１貫通孔２５を形成しているので、アンダーフィル樹脂３１を充填する際に、注入されたアンダーフィル樹脂３１に押し出される形で、間隙内に存在していたエアが第１貫通孔２５を介して排出されるので、アンダーフィル樹脂３１を速やかに充填することができると共に、アンダーフィル樹脂３１を充填した後のエア残りの発生を更に抑制することができる。
【００２６】
また、後に半導体基板１０とパッケージ基板２０とを一体的に切断する際の切断軌跡Ｃ上となる、各受光部１４に対応する位置Ｄの外側で且つ矩形に形成される各半導体チップ１の角部に対応する位置するように第１貫通孔２５をパッケージ基板２０に形成し、半導体基板１０とパッケージ基板２０とを一体的に且つ第１貫通孔２５を横断して切断して、複数個の半導体チップ１とパッケージベース２とに分離して個々の半導体装置Ａを形成しているので、個々の半導体装置Ａに分離した際に、第１貫通孔２５の一部がパッケージベース２の端部に切り欠いた状態の凹部３として残ることになり、パッケージベース２の角部に容易に位置決め用の位置決め部を設けることでき、パッケージベース２に位置合わせ用の凹部３が形成された半導体装置Ａを容易に製造することも可能となる。
【００２７】
また、パッケージ基板２０は、所定波長の光に対して光学的に透明な透光性ガラスからなり、半導体基板１０の一方の面１０ａ（パッケージ基板２０と対向する面）の直径方向の外周部分に第１アライメントパターン１２を形成し、パッケージ基板２０の一方の面２０ａ（半導体基板１０と対向する面）の第１アライメントパターン１２と対応する位置に第２アライメントパターン２２を形成し、半導体基板１０をパッケージ基板２０に搭載する際に、第１アライメントパターン１２及び第２アライメントパターン２２を利用して両者の位置決めを行うので、パッケージ基板２０が所定波長の光に対して光学的に透明であることを利用して、パッケージ基板２０側に位置決め用窓等を新たに形成することなく、半導体基板１０とパッケージ基板２０との位置決めを行うことができ、半導体装置Ａの製造工程の簡略化を図ることが可能となる。
【００２８】
一方、半導体装置Ａについては、個々の半導体装置Ａに分離した際に、第１貫通孔２５の一部がパッケージベース２の角部を切り欠いた状態の凹部３として残り、この凹部３を基準として、半導体装置Ａの搭載位置、搭載方向等の位置合わせを行え、外部基板（図示せず）への半導体装置Ａを搭載する際の位置合わせ精度を向上させることが可能となる。また、第１貫通孔２５はフォトエッチング技術を用いて形成されるので、より高精度に位置合わせを行うことができる。本実施形態においては、特に、半導体チップ１を受光素子としていることから、受光部１４が適切に光を受光するように、半導体チップ１（半導体装置Ａ）の搭載位置、搭載方向等の位置合わせに対して、高精度さが求められるが、パッケージベース２（半導体装置Ａ）に位置決め用の凹部３が形成されるため、高精度に半導体チップ１（半導体装置Ａ）を搭載することが可能となる。
【００２９】
また、凹部３が、平面視矩形の四角が欠けた形状のパッケージベース２の各角部に設けられることから、受光素子（半導体チップ１）に対して複数箇所設けられることになるので、半導体装置Ａの搭載位置の位置合わせを更に確実に行え、外部基板（図示せず）への半導体装置Ａを搭載する際の位置合わせ精度を更に向上させることが可能となる。
【００３０】
また、第１貫通孔２５は、各受光部１４に対応する位置Ｄの外側で且つ矩形に形成される各半導体チップ１の角部に対応する位置にパッケージ基板２０に形成されるので、個々の半導体装置Ａに分離した際に、第１貫通孔２５の一部で構成される凹部３が、平面視で、素子の受光部１４と重ならない位置に形成されることになり、受光部１４での光の受光が凹部３で妨げられることが回避され、受光部１４（受光素子）の受光性能の低下を防止することが可能となる。
【００３１】
図８は、本発明の実施形態の変形例を説明する説明図である。半導体基板１０をパッケージ基板２０に搭載し一体化すると、一体化された半導体基板１０及びパッケージ基板２０を樹脂充填装置４０に固定する。樹脂充填装置４０は、一体化された半導体基板１０及びパッケージ基板２０を載置、固定するステージ４１と、回転軸４２を介してステージ４１を回転させる回転駆動部４３とを有している。一体化された半導体基板１０及びパッケージ基板２０をステージ４１に載置、固定した後、樹脂充填装置のノズル部４４から第２貫通孔２６を通してアンダーフィル樹脂３１を注入し、半導体基板１０とパッケージ基板２０との間に形成された間隙３０にアンダーフィル樹脂３１を充填する。
【００３２】
第２貫通孔２６を通してアンダーフィル樹脂３１を注入する際に、制御部（図示せず）からの制御信号に基づいて、回転駆動部４３がステージ４１を回転させる。このステージ４１の回転により、間隙３０に注入されたアンダーフィル樹脂３１は、間隙３０内を半導体基板１０及びパッケージ基板２０の外側に向かって速やかに広がっていく。このため、アンダーフィル樹脂３１を速やかに充填することができ、アンダーフィル樹脂３１を充填する時間を更に短縮することが可能となる。なお、ステージ４１は、第２貫通孔２６を通してアンダーフィル樹脂３１を注入した後に、回転させてもよいし、アンダーフィル樹脂３１を注入している途中から回転させるようにしてもよい。もちろん、アンダーフィル樹脂３１を注入する前から回転させるようにしてもよい。ステージ４１の回転速度は、アンダーフィル樹脂３１の粘性、間隙３０の幅等を考慮して設定されている。
【００３３】
なお、本実施形態において、第２貫通孔２６を、半導体基板１０の複数の半導体チップ１が形成されている領域の略中央部に対応する、パッケージ基板２０の略中央部に形成しているが、この位置に限られることなく、パッケージ基板２０の平面内の位置であればよい。
【００３４】
また、半導体基板１０（半導体チップ１）に形成される受光部１４は、上述した波長範囲を受光するものに限られるものではなく、狭帯域の波長を選択的に受光するものでもよい。また、半導体基板１０（半導体チップ１）には、受光部１４に限られず、所定波長の光を投光する投光部を始め、演算回路等が形成されてもよい。また、第２アライメントパターン２２をパッケージ基板２０の一方の面２０ａ（半導体基板１０と対向する面）に形成しているが、パッケージ基板２０は透光性ガラスからなるため、パッケージ基板２０の他方の面２０ｂ（半導体基板１０と対向する面の裏面）に形成してもよい。
【００３５】
また、半導体基板１０（半導体チップ１）に形成される素子が受光部１４あるいは投光素子でない場合等には、パッケージ基板２０を透光性ガラスとする必要はなく、透光性を有さないセラミック基板等をパッケージ基板２０として用いてもよい。透光性を有さないセラミック基板等をパッケージ基板２０として用いる場合には、第２アライメントパターン２２を形成する代わりに、パッケージ基板２０を貫通する位置決め用窓を形成し、この位置決め用窓と第１アライメントパターン１２とにより、半導体基板１０とパッケージ基板２０との位置合わせを行うことになる。
【００３６】
また、パッケージ基板２０に形成される第１貫通孔２５は、上述した位置に限られることなく、第１貫通孔２５を、半導体基板１０とパッケージ基板２０とを一体的に切断する際の切断軌跡Ｃ上に形成し、受光部１４に対応する位置Ｄの外側で、矩形に形成される各半導体チップ１の辺部に対応する位置、あるいは、パッケージ基板２０の半導体チップ１に対応する平面内の位置に設けてもよい。また、第１貫通孔２５（凹部３）の数も、上述した数に限られるものではない。
【００３７】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、半導体基板とパッケージ基板との間の間隙に絶縁性樹脂を充填する際のエア残りの発生を抑制し、半導体装置の信頼性の低下を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態を、製造工程順に説明する説明図である。
【図２】本発明の実施形態にかかる半導体基板の平面図である。
【図３】本発明の実施形態にかかる半導体基板の要部拡大平面図である。
【図４】本発明の実施形態にかかるパッケージ基板の平面図である。
【図５】本発明の実施形態にかかるパッケージ基板の要部拡大平面図である。
【図６】図１（ｃ）の状態における平面図である。
【図７】本発明の実施形態にかかる半導体装置の斜視図である。
【図８】本発明の実施形態の変形例を説明する説明図である。
【符号の説明】
１…半導体チップ、２…パッケージベース、３…凹部、１０…半導体基板、１１…ボンディングパッド、１２…第１アライメントパターン、１４…受光部、２０…パッケージ基板、２１…第１配線電極、２２…第２アライメントパターン、２３…第２配線電極、２５…第１貫通孔、２６…第２貫通孔、３０…間隙、３１…アンダーフィル樹脂、４０…樹脂充填装置、４１…ステージ、４２…回転軸、４３…回転駆動部、４４…ノズル部、Ａ…半導体装置、Ｃ…切断軌跡、Ｄ…パッケージ基板（パッケージベース）の受光部に対応する位置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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