(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転磁気式電子物品監視マーカで用いられる磁歪素子を形成する方法であって、
非晶質合金の連続リボンを与え、
焼鈍領域を通して前記連続非晶質合金リボンを移動させ、該リボンを焼鈍するために該領域において熱及び飽和磁場が加えられるようにし、更に該領域を移動する間に該連続リボンの長手方向に直交する横方向に湾曲を与え、前記焼鈍されたリボンを切断し、各々が処与の長さを有する別個のリボンになるようにすることから成る磁歪素子形成方法。
【請求項２】
前記移動段階が、前記焼鈍領域の一方側に配置される供給リールから前記連続リボンを供給し、同時に該焼鈍領域の反対側に配置される巻取リールに該連続リボンを巻き取ることを含む、請求項１の方法。
【請求項３】
前記飽和磁場が、前記連続リボンの長手方向に直交する横方向に加えられる、請求項１の方法。
【請求項４】
前記連続リボンが、鉄、コバルト、ケイ素及びホウ素の合金から成る、請求項１の方法。
【請求項５】
前記連続リボンが(Ｆｅ.5Ｃｏ. 5)79Ｓｉ6Ｂ15の組成を有する、請求項４の方法。
【請求項６】
前記連続リボンが、前記焼鈍領域で少なくとも３００℃まで加熱される、請求項１の方法。
【請求項７】
前記リボンに湾曲形状を与える前記段階が、前記焼鈍領域においてカールジグを使用し、該カールジグを通してリボンを移動させることによって実現される請求項6の方法。
【請求項８】
非晶質合金の連続リボンを焼鈍する装置であって、
炉と、
前記炉内に磁場を形成する磁場装置と、
前記炉内に配置された前記連続リボンの長手方向に直交する横方向に湾曲を与えためのカールジグ、前記炉を通る路に沿って前記連続リボンを移動させる装置とから成る焼鈍装置。
【請求項９】
前記炉の一方側に配置される供給リールであって、該連続リボンが前記供給リールから繰り出されて該炉に供給される供給リールと、
前記供給リールから離れて前記炉の反対側に配置される巻取リールであって、該炉を通過した後該連続リボンが前記巻取リール上に巻き取られる巻取リールとをさらに含む、請求項８の装置。
【請求項１０】
前記移動装置がキャプスタン及びピンチローラを含み、共に前記炉と前記巻取リールとの間に挿入され、該連続リボンが前記キャプスタンとピンチローラとの間にはめ込まれて、該キャプスタンによって前記供給リールから前記巻取リールの方向に駆動される、請求項９の装置。
【請求項１１】
前記磁場装置が前記炉を通る前記路に対して横方向に前記磁場を形成する、請求項８の装置。
【請求項１２】
前記磁場が、少なくとも５００Ｏｅの強さで前記炉内に形成される、請求項１１の装置。
【請求項１３】
前記炉が第１及び第２区域を含み、前記第１区域は、該連続リボンが移動される路に関して前記第２区域の上流に設けられると共に第１温度に保たれ、前記第２区域は、前記第１温度より低い第２温度に保たれる、請求項８の装置。
【請求項１４】
前記第１温度が、前記第２温度より少なくとも１００℃高い、請求項１３の装置。
【請求項１５】
前記第２温度が、２００℃以上である、請求項１４の装置。
【請求項１６】
前記炉が全体に亘り一様な温度に保たれる、請求項８の装置。
【請求項１７】
飽和磁場の存在下において非晶質合金の連続したリボンを焼鈍し、該焼鈍の際に該連続リボンの長手方向に直交する横方向に湾曲を与え、次いで該焼鈍した連続リボンを切断することによって形成される、回転磁気式電子物品監視マーカで用いられる磁歪素子。
【請求項１８】
前記飽和磁場が、前記連続リボンの長手方向に直交する横方向に加えられる、請求項１７の素子。
【請求項１９】
鉄、コバルト、ケイ素及びホウ素の合金から成る、請求項１７の素子。
【請求項２０】
(Ｆｅ.5Ｃｏ. 5)79Ｓｉ6Ｂ15の組成を有する、請求項１９の素子。
【請求項２１】
飽和磁場の存在下において非晶質合金の連続したリボンを焼鈍し、該焼鈍の際に該連続リボンの長手方向に直交する横方向に湾曲を与え、次いで該焼鈍した連続リボンを別個のリボンに切断することによって形成される別個の非晶質磁歪リボンから成る回転磁気式電子物品監視装置で用いられるマーカ。
【請求項２２】
前記飽和磁場が、前記連続リボンの長手方向に直交する横方向に加えられる、請求項２１のマーカ。
【請求項２３】
前記別個の磁歪リボンが、鉄、コバルト、ケイ素及びホウ素の合金から成る、請求項２１のマーカ。
【請求項２４】
前記別個の磁歪リボンが(Ｆｅ.5Ｃｏ. 5)79Ｓｉ6Ｂ15の組成を有する、請求項２１のマーカ。
【請求項２５】
回転磁気式電子物品監視装置であって、
質問区域において選択された周波数で交番する電磁波を発生させるコイルを含む交番磁場発生装置と、
前記質問区域を通過するようにされた物品に固定されるマーカであって、飽和磁場の存在下において非晶質合金の連続したリボンを焼鈍し、該焼鈍の際に該連続リボンの長手方向に直交する横方向に湾曲を与え、次いで該焼鈍された連続リボンを別個のリボンに切断することによって形成される非晶質磁歪素子と、前記磁歪素子に隣接するバイアス素子とを含み、前記交番磁場にさらされる時該磁歪素子が機械的に共振されるようにするために前記バイアス素子に磁気的にバイアスがかけられるマーカと、
該磁歪素子の前記機械的共振を検出する検出装置とから成る、回転磁気式電子物品監視装置。
【請求項２６】
前記飽和磁場が、焼鈍中前記連続リボンの長手方向に直交する横方向に加えられる、請求項２５の装置。
【請求項２７】
前記磁歪素子が、鉄、コバルト、ケイ素及びホウ素の合金から成る、請求項２５の装置。
【請求項２８】
前記磁歪素子が(Ｆｅ.5Ｃｏ. 5)79Ｓｉ6Ｂ15の組成を有する、請求項２５の装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【関連出願】
本出願は、１９９４年６月３０日付先願第08/269,651号の一部継続出願で、同先願の発明者及び譲受人は本願のものと同一である。
【０００２】
【発明の属する技術分野】
本発明は、回転磁気式電子物品監視装置のマーカで用いられる能動素子を形成する方法及び装置に関し、特に、磁場の存在下で非晶質合金材料が熱処理されるような方法及び装置に関する。
【０００３】
【従来の技術】
Anderson他に出された米国特許第4,510,489 号は、回転磁気式電子物品監視（ＥＡＳ）システムを開示している。同システムにおいては、磁歪能動素子を内臓するマーカが盗難から保護すべき物品に固定される。同マーカは、質問信号発生装置によって検出される。同装置は、所定の周波数でマーカの能動素子に機械的共振を誘発する交番磁場を発生させる。機械的共振の結果生じる信号は、受信装置で検出される。
【０００４】
Anderson特許は、能動素子に用い得る多くの材料を開示すると共に同材料を処理する技術についても記載している。開示された技術は、飽和磁場内で非晶質材料を熱処理（焼鈍）することを含む。Anderson特許は、参照することにより本明細書に組み入れる。
【０００５】
Martisに出された米国特許第5,525,144 号は、回転磁気式ＥＡＳマーカの能動素子として用いるのに適すると言われるさらなる材料及び同材料に適用される焼鈍処理（磁場を用いない）を開示している。従来の手段によれば、Martis特許に開示された焼鈍処理は予め切断された磁気材料ストリップのバッチに適用される。第１に連続したリボンからストリップを切断し、次いで切断されたストリップを焼鈍する従来の順序が必要な理由は、周知の焼鈍技術では材料が脆くなり、焼鈍が行われた後十分な切断が妨げられるためである。
【０００６】
上記共出願中の651 出願は、予め切断されたコバルトに富んだ非晶質合金ストリップのバッチが、横断飽和磁場の存在下で焼鈍される手順を開示している。その結果得られる焼鈍されたストリップは、回転磁気式マーカの能動素子として用いるのに適しており、パルス状にされた回転磁気式ＥＡＳシステムの性能を高める改良されたリングダウン特性を有する。結果的な能動素子のヒステリシスループ特性は、調波ＥＡＳシステムにさらされた結果生じる誤警報を除去若しくは低減させるように作用する。さらに、横断磁場焼鈍処理の結果として生じる比較的一様な磁気特性は、従来の鋳造非晶質材料を用いる時に必要となるように、磁気特性をしばしば測定して切断した長さを調節するよりはむしろ非晶質ストリップを所定の固定した長さに予め切断することを可能にする。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
651 出願に開示された材料及び技術は、従来のものと比較して製造上の性能及び便宜の点で有利であるが、特に非晶質材料の予め切断された断面を扱う時に遭遇する困難性から見て、さらに一層便利な製造技術を提供することが望ましい。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
従って本発明の目的は、改良された処理効率で連続した磁気材料からＥＡＳマーカ用の能動素子を形成する装置及び方法を提供することである。
【０００９】
本発明の一面によれば、回転磁気式電子物品監視マーカで用いられる磁歪素子を形成する方法は、非晶質合金の連続ストリップを与え、焼鈍領域を通して前記連続非晶質合金ストリップを移動させ、該ストリップを焼鈍するために該領域において熱及び飽和磁場が加えられるようにし、前記焼鈍されたストリップを切断し、各々が処与の長さを有する別個のストリップになるようにすることから成る。連続した合金ストリップは、平坦な連続したリボンであることが望ましい。
【００１０】
本発明の別な面によれば、連続した非晶質合金ストリップは、焼鈍領域の一方側に配置される供給リールから供給され、焼鈍領域の反対側に配置される巻取リールに巻き取られる。本発明によるさらなる手段においては、リボンの縦軸に対して横方向にリボンの湾曲形状を形成するカールジグを通してリボンを移動させることによって、焼鈍領域を通過して移動中のリボンに湾曲形状が与えられる。その代わりに、平坦な案内面を有するジグを通してリボンを移動させることによって、焼鈍領域を通過して移動中のリボンに平坦な輪郭が与えられる。
【００１１】
本発明の別な面によれば、炉と、炉内に磁場を形成する磁場装置と、炉を通る路に沿って連続したストリップを移動させる装置とから成る、非晶質合金の連続ストリップを焼鈍する装置が与えられる。
【００１２】
本発明のさらなる面によれば、移動装置は、炉の両側に配置される供給リール及び巻取リールを含み、連続ストリップが供給リールから繰り出されて巻取リール上に巻き取られるようにされる。また、移動装置は、キャプスタン及びピンチローラを含み、共に前記炉と前記巻取リールとの間に挿入され、キャプスタンによってストリップが供給リールから巻取リールの方向に駆動されるようにされる。
【００１３】
【発明の実施形態】
図１及び２は、非晶質合金の連続したリボンから回転磁気式ＥＡＳマーカの能動素子を形成する本発明による装置及び方法の構成を示す側面図及び平面図である。
【００１４】
【実施例】
参照番号２０は、概して処理装置を示す。処理装置は、炉２２及び炉２２の両側に設けられる供給リール２４及び巻取リール２６を含む。非晶質金属の連続したリボン２８が供給リール２４から繰り出され、炉２２を通して路Ｐに沿って移動され、次いで巻取リール２６上に巻き取られる。リボン２８は、炉２２と巻取リール２６との間に配置されるキャプッスタン３０とピンチローラ３２との間にはめ込まれる。キャプッスタン３０は、ピンチローラ３２と協同して炉２２を通して路Ｐに沿ってリボン２８を引っ張る。
【００１５】
並べられた永久磁石３３は、炉２２の横側に設けられ、炉２２内でリボン２８の縦軸を横切る磁場を発生するようにされる。磁場は、リボン２８を構成する材料を飽和させるに十分な強さを持つべきである。用いられる材料に依存して、最適磁場は500 Ｏｅ以上であろう。また、飽和させるためには800 Ｏｅくらいの強さが必要であろう。
【００１６】
炉２２は、従来形のものでよく、異なった温度が維持される２つの区域（図２の区域Ａ及びＢ）を含む。区域Ａは、区域Ｂより高い温度に保たれる。リボン２８の進行路に沿った２つの区域における進行距離はほぼ同一である。リボン２８はキャプスタン３０によって一定速度で移動されるので、リボン２８の各点は、区域Ａ及び区域Ｂにおいてほぼ同一の時間を費やす。好ましい実施例において炉２２を通る進行路の全長は約２米なので、区域Ａ及びＢの各々を通過する距離は約１米である。図２から分かるように、リボン２８の進行路に関して区域Ａは区域Ｂの上流である。
【００１７】
炉２２の区域Ａで保たれる温度をＴ１とし、区域Ｂで保たれる温度をＴ２とする。リボン２８上の任意の点が区域Ａを通過するのに要する時間をｔ１とし、同点が区域Ｂを通過するのに要する時間をｔ２とする。リボン上の各点によって体験される温度は図４のグラフに示す通りである。各点は、時間期間ｔ１に亘り温度Ｔ１にさらされ、次いでｔ１とほぼ等しい持続時間である時間期間ｔ２に亘り温度Ｔ２にさらされる。
【００１８】
その代わりに、両区域Ａ及びＢにおいて同一温度に保ってもよい（すなわち、Ｔ１＝Ｔ２）。その場合は炉２２全体を通してほぼ均一な温度に保たれる。
【００１９】
カールジグ３４は炉２２内に選択的に設けられ、リボン２８に横方向のカールを与えるようにする。図３から最も良く分かるように、ジグ３６はカール面３４を有する。リボン２８の縦軸に対して横方向に伸びる同面は、上昇した後降下する。もし設けるなら、ジグ３４は炉２２の区域Ａに配置され、リボン２８がジグ３４を通して縦方向に引っ張られる。ジグ３４を通過する間リボン２８に加えられる加熱は、リボン２８それ自体がカール面３６と同一形状をもつようにさせ、それによってリボン２８に横方向の曲線を与える。同処理の結果、その後リボン２８から製造される切断されたストリップは、カール面３６に対応してストリップの縦軸に横方向の曲線をもつ。横方向に湾曲した能動素子は、同素子が磁気バイアス素子に近接してＥＡＳマーカに取り付けられる時、さもなければ起こるかも知れない締付け効果を低下させるか若しくは除去するようにする。
【００２０】
図２に示す通り、ジグは上記の例では約１米の長さの区域Ａとほぼ等しい長さをもつのが望ましい。もちろんジグ３４はリボン２８を収容するに十分な幅をもち、カール面はリボン２８の曲線を与えるように輪郭付けられる。曲線は、その頂部においてリボンの横断縁の上方約0.0127cm乃至0.0254cmである。
【００２１】
図３に示すジグの代替物として、曲面の代わりに平坦な案内面３７をもつジグ３４′（図３Ａに示す）を配置し、リボン２８から切断されるほぼ平坦な断面をもつ能動素子を製造するようにできる。上記651 出願に示されている通り、平坦面上の材料の焼鈍は、能動素子の縦のカールを除去しやすくし、ＥＡＳマーカの全体的高さを低減させることができる。
【００２２】
リールモータ（図示せず）が供給リール２４及び巻取リール２６用にそれぞれ設けられる。巻取リールモータは、キャプスタン３０及びピンチローラ３２から出てくる時殆ど又は全くたるみがなくかつ適度の張力のみでリボン２８が巻き取られるように作動される。供給リールモータもまた同様に炉２２を通過する間リボン２８のたるみ及び張力が最小になるように作動される。リールモータの作動速度は、人手により制御されるか若しくは自動制御システムを設けてもよい。
【００２３】
図１及び２に示す連続的な横断磁場焼鈍処理の完了と同時に焼鈍された連続的リボンが従来技術によりストリップに切断される。しかし、本発明による連続焼鈍によって与えられる磁気特性は十分に均一なので、材料の磁気特性測定を要するのみで、鋳造された非晶質リボンを切断する時に必要とされるように、各ストリップ毎よりはむしろ千ストリップ程度の間隔でストリップの切断長さが調節される。
【００２４】
本発明による処理の特殊な適用例につき以下に述べる。
例１
“Metaglas 2726A”（鉄・コバルト・ケイ素・ホウ素合金）の名称で Allied Corporation によって販売されている材料の非晶質リボンが、上記技術により横断磁場内で焼鈍された。リボンの幅及び厚さは、それぞれ12.7mm及び0.0254mmであった。焼鈍時間の共振周波数及び信号出力に対する影響は、次の表１及び図５及び６に示す。
【００２５】
【表１】
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【００２６】
この例では、Ａ区域における温度は３５０℃に保たれ、Ｂ区域における温度は２００℃に保たれた。これらの区域の各々においてリボン２８上の任意の点によって費やされた時間は、０．８２分乃至４．５４分の範囲にあった。結果的に得られたストリップの動作特性は、６．６０ｅの縦バイアス場において測定された。表１記載のＡ０、Ａ１及びＡ２の値は、質問パルスの終端のすぐ近く、パルスの１秒後及びパルスの２秒後で示された出力信号振幅をそれぞれ示す。図４及び５に示す通り、材料の共振周波数は焼鈍時間に依存して変化される。例えば、共振周波数は、焼鈍時間の減少につれてほぼ直線的に減少し、焼鈍時間（分）当たり約２５０Ｈｚの割合で低下する。この範囲の焼鈍時間内では、出力信号振幅は高く大きく変化することはない。
【００２７】
例２
例１と同一のリボン材料が同一の方法で処理された。但し、Ａ区域では僅かに高い温度（３６０℃）に保たれかつ各区域において焼鈍時間は０．７４分乃至２．４９分の範囲にあった。結果は、以下の表２、図７及び８に示す。再び、焼鈍時間の減少につれて共振周波数がほぼ直線的に低下している。
【００２８】
【表２】
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【００２９】
例３
再び同一材料で同一処理がななれた。但し、Ａ区域及びＢ区域における温度は、それぞれ３８０℃及び２５０℃に保たれかつ各区域の焼鈍時間は０．１５分乃至０．６３分の範囲にあった。再び、共振周波数の焼鈍時間への依存性が見られた。例３ではより高い焼鈍温度が設定されたので、約２０秒程の短い合計焼鈍時間で（ｔ１＋ｔ２）満足すべき信号出力レベルを得ることが可能である。結果は、以下の表３、図９及び１０に示す。
【００３０】
【表３】
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【００３１】
例４
前例と同一材料で同一処理がななれた。但し、焼鈍時間は各Ａ及びＢ区域において２．８８分と設定され、温度はＡ区域において３１０℃乃至３５０℃の範囲内で変化させた。Ｂ区域の温度は２００℃に固定された。結果は、以下の表４、図１１及び１２に示す。焼鈍温度が低下するにつれて共振周波数が１℃当たり約２２Ｈｚの割合で低下することが分かるであろう。概して、上記範囲で焼鈍温度が低下するにつれて信号出力レベルも同様に低下した。
【００３２】
【表４】
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【００３３】
例５
図１及び２と関連して記載した連続焼鈍処理が(Ｆｅ.5Ｃｏ.5)79Ｓｉ6Ｂ15（原子百分率）の組成を有する非晶質金属リボンにも適用された。本例で用いられたリボンは、例１−４で用いられたリボンと同一寸法（幅１２．７ｍ、厚さ０．０２５４ｍｍ）を有する。しかし、焼鈍後長さ４０ｍｍのストリップに切断された。切断されたストリップの信号出力レベル及び共振周波数は、４．２Ｏｅの縦バイアス場の存在下で測定された。ある場合において、焼鈍中Ａ区域の温度は３８０℃で、各区域における時間は０．１９又は０．１３分であった。他の場合においては、Ａ区域の温度は４００℃で、各区域における時間は０．１３乃至０．６９分の範囲にあった。これらのすべて場合において、Ｂ区域の温度は、２５０℃に保たれた。結果は、以下の表５、図１３及び１４に示す。再び、概して焼鈍時間が低下するにつれて共振周波数が低下することが見られた。同様に、概して高焼鈍温度は高出力信号レベルに帰着した。
【００３４】
【表５】
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【００３５】
例３及び５で製造された材料の比較
図１５は、例３により製造された第８サンプル（表３の第８列）及び例５により製造された第５サンプル（表５の第５列）につき、用いられた縦バイアス場の関数としてＡ０及びＡ１出力レベルを示す。特に、図５の実曲線は例５のサンプルに対するＡ０出力で、点線は例５のサンプルに対するＡ１出力で、鎖線は例３のサンプルに対するＡ０出力で、点・鎖線は例３のサンプルに対するＡ１出力である。例５により製造された材料に対する最適バイアス場は、例３により製造された材料に対する最適バイアス場より実質的に低い。その結果、例５の材料を用いるマーカは、従来の回転磁気式マーカのバイアス素子にたいして必要とされるものより安価でかつより少ない量の材料から成るバイアス素子で組立てることができる。これは、バイアス素子に関してコスト節約に帰着する。
【００３６】
上記例で記載した各種の焼鈍時間は、キャプスタン３０が炉２２を通してリボン２８を引っ張る一定速度を変えることによって得ることができることを理解されたい。例えば、キャプスタン３０によってリボン２８に与えられる移動速度は、上記最短焼鈍時間に対する最高毎秒約１１．７ｃｍから最長焼鈍時間に対する毎秒約０．３３ｃｍ間で変えることができる。
【００３７】
上記例で記載したパラメータによる、本明細書で記載したリボン材料の連続焼鈍は、熱処理後の機械的切断を許容するのに十分な延性を有する加工リボンに帰着する。切断されたストリップは、回転磁気式ＥＡＳマーカにおいて能動素子として用いるのに適している。従って開示した連続焼鈍処理は、従来の焼鈍処理よりも大きな便宜性及び少ない労務コストで回転磁気式能動素子を製造するのに用いることができる。
【００３８】
図１６は、本発明により製造した能動素子を内蔵する回転磁気式マーカ１００を用いるパルス状・質問ＥＡＳ装置を例示する。同装置は、加圧回路２０１及び受信回路２０２の作動を制御する同期回路２００を含む。同期回路２００は、同期ゲートパルスを加圧回路２０１へ送り、同期ゲートパルスは、加圧回路２０１を作動させる。作動されると同時に加圧回路２０１は、同期パルスの持続時間に亘って質問信号を発生させてそれを質問コイル２０６へ送る。質問信号に応答して質問コイル２０６は、質問磁場を発生させ、それがまたマーカ１００を作動させて機械的共振を起こさせる。
【００３９】
質問信号パルスの終了と同時に、同期回路２００が受信回路２０２にゲートパルスを送り、同パルスが回路２０２を作動させる。回路２０２が作動中でかつ、もしマーカが質問磁場に存在するなら、同マーカは受信コイル２０７内にマーカの機械共振周波数で信号を発生させるであろう。この信号は受信回路２０２で検知さる。回路２０２は、検知された信号に応答して警報等を発生させるために表示器２０３に対する信号を発生させる。すなわち、受信回路２０２は加圧回路２０１と同期され、回路２０２がパルス・状質問場のパルス間の静止期間中のみに作動されるようにされる。
【００４０】
本発明の装置及び方法が適用される材料は、上記サンプルで例示した通り平坦な連続リボンの形状のものが望ましい。しかし、同方法及び装置は、例えば、２リール式で移動される連続ワイヤの焼鈍に適用することも意図されている。従って、請求の範囲における『連続ストリップ』の用語は、連続リボンのみならず連続ワイヤ（例えば、ほぼ円形の断面を有する）をも含むことを理解されたい。本発明は、さらに回転磁気式ＥＡＳ装置以外の用途にも材料の連続焼鈍を用いることを意図している。他の用途は、回転磁気式タイプ以外のＥＡＳシステムを含めてもよい。
【００４１】
本発明から逸脱することなく各種の改変が行い得る。従って本発明の好ましい実施態様は、限定の意味ではなく例示を意図するものである。真の趣旨及び範囲は以下の請求の範囲に記載される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明により提供された処理装置の側面図である。
【図２】図１の処理装置の平面図である。
【図３】図１及び２の処理装置で用いられるカールジグの透視図である。
図３Ａは金属リボンに平坦な断面輪郭を与えるように処理装置で用いられる代わりのカールジグの透視図である。
【図４】図１及び２の処理装置を通してリボンが移動される時リボンに加えられる温度変化の時間に対するグラフである。
【図５】本発明による処理の第１例における焼鈍時間の変化から結果として生じる共振周波数の変化を示すグラフである。
【図６】本発明による処理の第１例における焼鈍時間の変化から結果として生じる出力信号振幅の変化を示すグラフである。
【図７】本発明による処理の第２例における焼鈍時間の変化から結果として生じる共振周波数の変化を示すグラフである。
【図８】本発明による処理の第２例における焼鈍時間の変化から結果として生じる出力信号振幅の変化を示すグラフである。
【図９】本発明による処理の第３例における焼鈍時間の変化から結果として生じる共振周波数の変化を示すグラフである。
【図１０】本発明による処理の第３例における焼鈍時間の変化から結果として生じる出力信号振幅の変化を示すグラフである。
【図１１】本発明による処理の第４例における焼鈍時間の変化から結果として生じる共振周波数の変化を示すグラフである。
【図１２】本発明による処理の第４例における焼鈍時間の変化から結果として生じる出力信号振幅の変化を示すグラフである。
【図１３】本発明による処理の第５例における焼鈍時間の変化から結果として生じる共振周波数の変化を示すグラフである。
【図１４】本発明による処理の第５例における焼鈍時間の変化から結果として生じる出力信号振幅の変化を示すグラフである。
【図１５】本発明による処理の第３及び第５例でそれぞれ製造された材料につき出力信号振幅と最適バイアス磁場レベルとの比較を示すグラフである。
【図１６】本発明により形成された能動素子を内蔵する回転磁気式マーカを用いる電子物品監視装置の構成図である。
【符号の説明】
２０  処理装置（焼鈍装置）
２２  炉
２４  供給リール
２６  巻取リール
２８  リボン
３３  永久磁石
３４  ジグ
３６  カール面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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