(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザダイオードのカソードとフォトダイオードのアノードとが共通端子とされて３つの端子を有するようにレーザダイオードとフォトダイオードがパッケージされた第１半導体レーザ、および、レーザダイオードのカソードとフォトダイオードのカソードとが共通端子とされて３つの端子を有するようにレーザダイオードとフォトダイオードがパッケージされた第２半導体レーザを駆動可能な半導体レーザ駆動回路であって、
レーザダイオードのアノードと接続するための第１端子と、
フォトダイオードのカソードまたはアノードを接続するための第２端子と、
前記共通端子を接続するための第３端子と、
第１半導体レーザのフォトダイオードが第２および第３端子間に接続されるとき抵抗を介して第２端子から第３端子に電流が流れるように構成する第１基準電圧回路と、
第２半導体レーザのフォトダイオードが第２および第３端子間に接続されるとき抵抗を介して第３端子から第２端子に電流が流れるように構成する第２基準電圧回路と、
第１又は第２半導体レーザのレーザダイオードが第１および第３端子間に接続されるとき第１又は第２基準電圧回路から出力されたフォトダイオードの端子電圧と基準電圧との差を増幅しレーザダイオードを駆動するための電流を第１端子から第３端子へ供給する増幅回路と、
第１半導体レーザが第１〜３端子に接続された場合には第１基準電圧回路を作動させ、第２半導体レーザが第１〜３端子に接続された場合には第２基準電圧回路を作動させるスイッチ回路を備える半導体レーザ駆動回路。
【請求項２】
レーザダイオードのアノードとフォトダイオードのアノードとが共通端子とされて３つの端子を有するようにレーザダイオードとフォトダイオードがパッケージされた第１半導体レーザ、および、レーザダイオードのアノードとフォトダイオードのカソードとが共通端子とされて３つの端子を有するようにレーザダイオードとフォトダイオードがパッケージされた第２半導体レーザを駆動可能な半導体レーザ駆動回路であって、
レーザダイオードのカソードと接続するための第１端子と、
フォトダイオードのカソードまたはアノードを接続するための第２端子と、
前記共通端子を接続するための第３端子と、
第１半導体レーザのフォトダイオードが第２および第３端子間に接続されるとき抵抗を介して第２端子から第３端子に電流が流れるように構成する第１基準電圧回路と、
第２半導体レーザのフォトダイオードが第２および第３端子間に接続されるとき抵抗を介して第３端子から第２端子に電流が流れるように構成する第２基準電圧回路と、
第１又は第２半導体レーザのレーザダイオードが第１および第３端子間に接続されるとき第１又は第２基準電圧回路から出力されたフォトダイオードの端子電圧と基準電圧との差を増幅しレーザダイオードを駆動するための電流を第３端子から第１端子へ供給する増幅回路と、
第１半導体レーザが第１〜３端子に接続された場合には第１基準電圧回路を作動させ、第２半導体レーザが第１〜３端子に接続された場合には第２基準電圧回路を作動させるスイッチ回路を備える半導体レーザ駆動回路。
【請求項３】
レーザダイオードのカソードとフォトダイオードのアノードとが共通端子とされて３つの端子を有するようにレーザダイオードとフォトダイオードがパッケージされた第１半導体レーザ、および、レーザダイオードのアノードとフォトダイオードのアノードとが共通端子とされて３つの端子を有するようにレーザダイオードとフォトダイオードがパッケージされた第２半導体レーザを駆動可能な半導体レーザ駆動回路であって、
レーザダイオードのアノードまたはカソードと接続するための第１端子と、
フォトダイオードのカソードを接続するための第２端子と、
前記共通端子を接続するための第３端子と、
第１又は第２半導体レーザのフォトダイオードが第２および第３端子間に接続されるとき抵抗を介して第２端子から第３端子へ電流が流れるように構成する基準電圧回路と、
第１半導体レーザのレーザダイオードが第１および第３端子間に接続されるとき基準電圧回路から出力されたフォトダイオードの端子電圧と基準電圧との差を増幅しレーザダイオードを駆動するための電流を第１端子から第３端子に供給する第１増幅回路と、
第２半導体レーザのレーザダイオードが第１および第３端子間に接続されるとき基準電圧回路から出力されたフォトダイオードの端子電圧と基準電圧との差を増幅しレーザダイオードを駆動するための電流を第３端子から第１端子に供給する第２増幅回路と、
第１半導体レーザが第１〜３端子に接続された場合には第１増幅回路を作動させ、第２半導体レーザが第１〜３端子に接続された場合には第２増幅回路を作動させるスイッチ回路を備える半導体レーザ駆動回路。
【請求項４】
レーザダイオードのアノードとフォトダイオードのカソードとが共通端子とされて３つの端子を有するようにレーザダイオードとフォトダイオードがパッケージされた第１半導体レーザ、および、レーザダイオードのカソードとフォトダイオードのカソードとが共通端子とされて３つの端子を有するようにレーザダイオードとフォトダイオードがパッケージされた第２半導体レーザを駆動可能な半導体レーザ駆動回路であって、
レーザダイオードのカソードまたはアノードと接続するための第１端子と、
フォトダイオードのアノードを接続するための第２端子と、
前記共通端子を接続するための第３端子と、
第１又は第２半導体レーザのフォトダイオードが第２および第３端子間に接続されるとき抵抗を介して第３端子から第２端子へ電流が流れるように構成する基準電圧回路と、
第１半導体レーザのレーザダイオードが第１および第３端子間に接続されるとき基準電圧回路から出力されたフォトダイオードの端子電圧と基準電圧との差を増幅しレーザダイオードを駆動するための電流を第３端子から第１端子に供給する第１増幅回路と、
第２半導体レーザのレーザダイオードが第１および第３端子間に接続されるとき基準電圧回路から出力されたフォトダイオードの端子電圧と基準電圧との差を増幅しレーザダイオードを駆動するための電流を第１端子から第３端子に供給する第２増幅回路と、
第１半導体レーザが第１〜３端子に接続された場合には第１増幅回路を作動させ、第２半導体レーザが第１〜３端子に接続された場合には第２増幅回路を作動させるスイッチ回路を備える半導体レーザ駆動回路。
【請求項５】
レーザダイオードのカソードとフォトダイオードのアノードとが共通端子とされて３つの端子を有するようにレーザダイオードとフォトダイオードがパッケージされた第１半導体レーザ、レーザダイオードのカソードとフォトダイオードのカソードとが共通端子とされて３つの端子を有するようにレーザダイオードとフォトダイオードがパッケージされた第２半導体レーザ、レーザダイオードのアノードとフォトダイオードのアノードとが共通端子とされて３つの端子を有するようにレーザダイオードとフォトダイオードがパッケージされた第３半導体レーザ、および、レーザダイオードのアノードとフォトダイオードのカソードとが共通端子とされて３つの端子を有するようにレーザダイオードとフォトダイオードがパッケージされた第４半導体レーザを駆動可能な半導体レーザ駆動回路であって、
レーザダイオードのカソードまたはアノードと接続するための第１端子と、
フォトダイオードのカソードまたはアノードを接続するための第２端子と、
前記共通端子を接続するための第３端子と、
第１又は第３半導体レーザのフォトダイオードが第２および第３端子間に接続されるとき抵抗を介して第２端子から第３端子に電流が流れるように構成する第１基準電圧回路と、
第２又は第４半導体レーザのフォトダイオードが第２および第３端子間に接続されるとき抵抗を介して第３端子から第２端子に電流が流れるように構成する第２基準電圧回路と、
第１又は第２半導体レーザのレーザダイオードが第１および第３端子間に接続されるとき第１又は第２基準電圧回路から出力されたフォトダイオードの端子電圧と基準電圧との差を増幅しレーザダイオードを駆動するための電流を第１端子から第３端子に供給する第１増幅回路と、
第３又は第４半導体レーザのレーザダイオードが第１および第３端子間に接続されるとき第１又は第２基準電圧回路から出力されたフォトダイオードの端子電圧と基準電圧との差を増幅しレーザダイオードを駆動するための電流を第３端子から第１端子に供給する第２増幅回路と、
第１半導体レーザが第１〜３端子に接続された場合には第１基準電圧回路と第１増幅回路を作動させ、第２半導体レーザが第１〜３端子に接続された場合には第２基準電圧回路と第１増幅回路を作動させ、第３半導体レーザが第１〜３端子に接続された場合には第１基準電圧回路と第２増幅回路を作動させ、第４半導体レーザが第１〜３端子に接続された場合には第２基準電圧回路と第２増幅回路を作動させるスイッチ回路を備える半導体レーザ駆動回路。
【請求項６】
前記半導体レーザが測定装置の光源である請求項１〜５の何れか１項に記載の半導体レーザ駆動回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は半導体レーザの駆動回路に関し、とくにレーザダイオードとその発光パワーを検出するモニタ用フォトダイオードとを１つのパッケージに収容した半導体レーザの駆動回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のレーザダイオードとモニタ用フォトダイオードを１つのパッケージに納めた半導体レーザの駆動回路においては、レーザダイオードの発光パワーをフォトダイオードで検出し、その検出値が所定値になるようにレーザダイオードへの供給電流を制御するようにした駆動回路が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、レーザダイオードとフォトダイオードを１つのパッケージに納めた半導体レーザは、レーザダイオードの２端子（カソードとアノード）とフォトダイオードの２端子（カソードとアノード）内のいずれかの２端子を共通端子（コモン端子）とし、３端子のパッケージ素子として一般に製作されている。
【０００４】
つまり、半導体レーザとしては、コモン端子として共通化される端子の組合せにより、図１３に示すようにレーザダイオードＬＤのカソードとフォトダイオードＰＤのアノードを共通にしたタイプと、図１４に示すようにレーザダイオードＬＤのカソードとフォトダイオードのカソードを共通にしたタイプと、図１５に示すようにレーザダイオードＬＤのアノードとフォトダイオードＰＤのアノードを共通にしたタイプと、図１６に示すようにレーザダイオードＬＤのアノードとフォトダイオードＰＤのカソードを共通にしたタイプの４種類が存在する。
【０００５】
従って、このような半導体レーザを光学装置や測定装置の光源として適用する場合には、半導体レーザのタイプに応じて４種類の駆動回路を準備する必要があるため、駆動回路の共通化が要望されてきた。
【０００６】
この発明はこのような事情を考慮してなされたもので、４種類のタイプの半導体レーザの内、少なくとも２種類のタイプについて共通して適用できる駆動回路を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
この発明は、レーザダイオードのカソードとフォトダイオードのアノードとが共通端子とされて３つの端子を有するようにレーザダイオードとフォトダイオードがパッケージされた第１半導体レーザ、および、レーザダイオードのカソードとフォトダイオードのカソードとが共通端子とされて３つの端子を有するようにレーザダイオードとフォトダイオードがパッケージされた第２半導体レーザを駆動可能な半導体レーザ駆動回路であって、レーザダイオードのアノードと接続するための第１端子と、フォトダイオードのカソードまたはアノードを接続するための第２端子と、前記共通端子を接続するための第３端子と、  第１半導体レーザのフォトダイオードが第２および第３端子間に接続されるとき抵抗を介して第２端子から第３端子に電流が流れるように構成する第１基準電圧回路と、第２半導体レーザのフォトダイオードが第２および第３端子間に接続されるとき抵抗を介して第３端子から第２端子に電流が流れるように構成する第２基準電圧回路と、第１又は第２半導体レーザのレーザダイオードが第１および第３端子間に接続されるとき第１又は第２基準電圧回路から出力されたフォトダイオードの端子電圧と基準電圧との差を増幅しレーザダイオードを駆動するための電流を第１端子から第３端子へ供給する増幅回路と、第１半導体レーザが第１〜３端子に接続された場合には第１基準電圧回路を作動させ、第２半導体レーザが第１〜３端子に接続された場合には第２基準電圧回路を作動させるスイッチ回路を備える半導体レーザ駆動回路を提供するものである。
【０００８】
スイッチ回路により第１基準電圧回路が作動するように選択されると、フォトダイオードには第２端子から第３端子の方向に電流が流れ、レーザダイオードには第１端子から第３端子へ電流が供給されるので、図１３に示す半導体レーザＬ１が駆動可能になる。
【０００９】
また、スイッチ回路により第２基準電圧回路が作動するように選択されると、フォトダイオードには第３端子から第２端子の方向に電流が流れ、レーザダイオードには第１端子から第３端子へ電流が供給されるので、図１４に示す半導体レーザＬ２が駆動可能となる。
従って、この駆動回路は、図１３と図１４に示す２つのタイプの半導体レーザＬ１，Ｌ２に共通して適用できる。
【００１０】
また、この発明は、レーザダイオードのアノードとフォトダイオードのアノードとが共通端子とされて３つの端子を有するようにレーザダイオードとフォトダイオードがパッケージされた第１半導体レーザ、および、レーザダイオードのアノードとフォトダイオードのカソードとが共通端子とされて３つの端子を有するようにレーザダイオードとフォトダイオードがパッケージされた第２半導体レーザを駆動可能な半導体レーザ駆動回路であって、レーザダイオードのカソードと接続するための第１端子と、フォトダイオードのカソードまたはアノードを接続するための第２端子と、前記共通端子を接続するための第３端子と、第１半導体レーザのフォトダイオードが第２および第３端子間に接続されるとき抵抗を介して第２端子から第３端子に電流が流れるように構成する第１基準電圧回路と、第２半導体レーザのフォトダイオードが第２および第３端子間に接続されるとき抵抗を介して第３端子から第２端子に電流が流れるように構成する第２基準電圧回路と、第１又は第２半導体レーザのレーザダイオードが第１および第３端子間に接続されるとき第１又は第２基準電圧回路から出力されたフォトダイオードの端子電圧と基準電圧との差を増幅しレーザダイオードを駆動するための電流を第３端子から第１端子へ供給する増幅回路と、第１半導体レーザが第１〜３端子に接続された場合には第１基準電圧回路を作動させ、第２半導体レーザが第１〜３端子に接続された場合には第２基準電圧回路を作動させるスイッチ回路を備える半導体レーザ駆動回路を提供するものである。
【００１１】
スイッチ回路により第１基準電圧回路が作動するように選択されると、フォトダイオードには第２端子から第３端子の方向に電流が流れ、レーザダイオードには第３端子から第１端子へ電流が供給されるので、図１５に示す半導体レーザＬ３が駆動可能となる。
【００１２】
また、スイッチ回路により第２基準電圧回路が作動するように選択されると、フォトダイオードには第３端子から第２端子の方向に電流が流れ、レーザダイオードには第３端子から第１端子へ電流が供給されるので、図１６に示す半導体レーザＬ４が駆動可能となる。
従って、この駆動回路は、図１５と図１６に示す２つのタイプの半導体レーザＬ３，Ｌ４に共通して適用できる。
【００１３】
また、この発明は、レーザダイオードのカソードとフォトダイオードのアノードとが共通端子とされて３つの端子を有するようにレーザダイオードとフォトダイオードがパッケージされた第１半導体レーザ、および、レーザダイオードのアノードとフォトダイオードのアノードとが共通端子とされて３つの端子を有するようにレーザダイオードとフォトダイオードがパッケージされた第２半導体レーザを駆動可能な半導体レーザ駆動回路であって、  レーザダイオードのアノードまたはカソードと接続するための第１端子と、フォトダイオードのカソードを接続するための第２端子と、前記共通端子を接続するための第３端子と、  第１又は第２半導体レーザのフォトダイオードが第２および第３端子間に接続されるとき抵抗を介して第２端子から第３端子へ電流が流れるように構成する基準電圧回路と、第１半導体レーザのレーザダイオードが第１および第３端子間に接続されるとき基準電圧回路から出力されたフォトダイオードの端子電圧と基準電圧との差を増幅しレーザダイオードを駆動するための電流を第１端子から第３端子に供給する第１増幅回路と、第２半導体レーザのレーザダイオードが第１および第３端子間に接続されるとき基準電圧回路から出力されたフォトダイオードの端子電圧と基準電圧との差を増幅しレーザダイオードを駆動するための電流を第３端子から第１端子に供給する第２増幅回路と、第１半導体レーザが第１〜３端子に接続された場合には第１増幅回路を作動させ、第２半導体レーザが第１〜３端子に接続された場合には第２増幅回路を作動させるスイッチ回路を備える半導体レーザ駆動回路を提供するものである。
【００１４】
スイッチ回路により第１増幅回路が作動するように選択されると、フォトダイオードには第２端子から第３端子の方向に電流が流れ、レーザダイオードには第１端子から第３端子へ電流が供給されるので、図１３に示す半導体レーザＬ１が駆動可能となる。
【００１５】
また、スイッチ回路により第２増幅回路が作動するように選択されると、フォトダイオードには第２端子から第３端子の方向に電流が流れ、レーザダイオードには第３端子から第１端子へ電流が供給されるので、図１５に示す半導体レーザＬ３が駆動可能となる。
従って、この駆動回路は、図１３と図１５に示す２つの半導体レーザＬ１，Ｌ３に共通して適用できる。
【００１６】
この発明は、レーザダイオードのアノードとフォトダイオードのカソードとが共通端子とされて３つの端子を有するようにレーザダイオードとフォトダイオードがパッケージされた第１半導体レーザ、および、レーザダイオードのカソードとフォトダイオードのカソードとが共通端子とされて３つの端子を有するようにレーザダイオードとフォトダイオードがパッケージされた第２半導体レーザを駆動可能な半導体レーザ駆動回路であって、レーザダイオードのカソードまたはアノードと接続するための第１端子と、フォトダイオードのアノードを接続するための第２端子と、前記共通端子を接続するための第３端子と、  第１又は第２半導体レーザのフォトダイオードが第２および第３端子間に接続されるとき抵抗を介して第３端子から第２端子へ電流が流れるように構成する基準電圧回路と、第１半導体レーザのレーザダイオードが第１および第３端子間に接続されるとき基準電圧回路から出力されたフォトダイオードの端子電圧と基準電圧との差を増幅しレーザダイオードを駆動するための電流を第３端子から第１端子に供給する第１増幅回路と、第２半導体レーザのレーザダイオードが第１および第３端子間に接続されるとき基準電圧回路から出力されたフォトダイオードの端子電圧と基準電圧との差を増幅しレーザダイオードを駆動するための電流を第１端子から第３端子に供給する第２増幅回路と、第１半導体レーザが第１〜３端子に接続された場合には第１増幅回路を作動させ、第２半導体レーザが第１〜３端子に接続された場合には第２増幅回路を作動させるスイッチ回路を備える半導体レーザ駆動回路を提供するものである。
【００１７】
スイッチ回路により第１増幅回路が作動するように選択されると、フォトダイオードには第３端子から第２端子の方向に電流が流れ、レーザダイオードには第１端子から第３端子へ電流が供給されるので、図１４に示す半導体レーザＬ２が駆動可能となる。
【００１８】
また、スイッチ回路により第２増幅回路が作動するように選択されると、フォトダイオードには第３端子から第２端子の方向に電流が流れ、レーザダイオードには第３端子から第１端子へ電流が供給されるので、図１６に示す半導体レーザＬ４が駆動可能となる。
従って、この駆動回路は、図１４と図１６に示す２つの半導体レーザＬ２，Ｌ４に共通して適用できる。
【００１９】
この発明は、レーザダイオードのカソードとフォトダイオードのアノードとが共通端子とされて３つの端子を有するようにレーザダイオードとフォトダイオードがパッケージされた第１半導体レーザ、レーザダイオードのカソードとフォトダイオードのカソードとが共通端子とされて３つの端子を有するようにレーザダイオードとフォトダイオードがパッケージされた第２半導体レーザ、レーザダイオードのアノードとフォトダイオードのアノードとが共通端子とされて３つの端子を有するようにレーザダイオードとフォトダイオードがパッケージされた第３半導体レーザ、および、レーザダイオードのアノードとフォトダイオードのカソードとが共通端子とされて３つの端子を有するようにレーザダイオードとフォトダイオードがパッケージされた第４半導体レーザを駆動可能な半導体レーザ駆動回路であって、レーザダイオードのカソードまたはアノードと接続するための第１端子と、  フォトダイオードのカソードまたはアノードを接続するための第２端子と、前記共通端子を接続するための第３端子と、第１又は第３半導体レーザのフォトダイオードが第２および第３端子間に接続されるとき抵抗を介して第２端子から第３端子に電流が流れるように構成する第１基準電圧回路と、第２又は第４半導体レーザのフォトダイオードが第２および第３端子間に接続されるとき抵抗を介して第３端子から第２端子に電流が流れるように構成する第２基準電圧回路と、第１又は第２半導体レーザのレーザダイオードが第１および第３端子間に接続されるとき第１又は第２基準電圧回路から出力されたフォトダイオードの端子電圧と基準電圧との差を増幅しレーザダイオードを駆動するための電流を第１端子から第３端子に供給する第１増幅回路と、第３又は第４半導体レーザのレーザダイオードが第１および第３端子間に接続されるとき第１又は第２基準電圧回路から出力されたフォトダイオードの端子電圧と基準電圧との差を増幅しレーザダイオードを駆動するための電流を第３端子から第１端子に供給する第２増幅回路と、第１半導体レーザが第１〜３端子に接続された場合には第１基準電圧回路と第１増幅回路を作動させ、第２半導体レーザが第１〜３端子に接続された場合には第２基準電圧回路と第１増幅回路を作動させ、第３半導体レーザが第１〜３端子に接続された場合には第１基準電圧回路と第２増幅回路を作動させ、第４半導体レーザが第１〜３端子に接続された場合には第２基準電圧回路と第２増幅回路を作動させるスイッチ回路を備える半導体レーザ駆動回路を提供するものである。
【００２０】
スイッチ回路により第１基準電圧回路と第１増幅回路とが作動するように選択されると、フォトダイオードには第２端子から第３端子の方向に電流が流れ、レーザダイオードには第１端子から第３端子へ電流が供給されるので、図１３に示す半導体レーザＬ１が駆動可能となる。
【００２１】
また、スイッチ回路により第２基準電圧回路と第１増幅回路とが作動するように選択されると、フォトダイオードには第３端子から第２端子の方向に電流が流れ、レーザダイオードには第１端子から第３端子へ電流が供給されるので、図１４に示す半導体レーザＬ２が駆動可能となる。
【００２２】
また、スイッチ回路により第１基準電圧回路と第２増幅回路とが作動するように選択されると、フォトダイオードには第２端子から第３端子の方向に電流が流れ、レーザダイオードには第３端子から第１端子へ電流が供給されるので、図１５に示す半導体レーザＬ３が駆動可能となる。
【００２３】
また、スイッチ回路により第２基準電圧回路と第２増幅回路とが作動するように選択されると、フォトダイオードには第３端子から第２端子の方向に電流が流れ、レーザダイオードには第３端子から第１端子へ電流が供給されるので、図１６に示す半導体レーザＬ４が駆動可能となる。
従って、この駆動回路は、図１３〜図１６に示す４つのタイプの半導体レーザＬ１〜Ｌ４に共通して適用できる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
この発明において、第１および第２基準電圧回路は、例えば互いに極性が異なり同一電圧を出力する直流電源から構成できる。
また、第１増幅回路は、オペアンプとＰＮＰトランジスタとを組合せて構成でき、第２増幅回路は、オペアンプとＮＰＮトランジスタとを組合せて構成される。
この発明の駆動回路を駆動する電源には、正電位と接地電位と負電位を出力する直流電源を好適に用いることができる。その場合、半導体レーザの共通端子は接地電位に接続される。
【００２５】
【実施例】
以下、図面に示す実施例に基づいてこの発明を詳述する。図面において共通の部品には同じ参照記号を付して説明の重複を避けた。
【００２６】
第１実施例
図１は、図１３と図１４に示す２つのタイプの半導体レーザＬ１，Ｌ２に共通して適用可能な、この発明の第１実施例の半導体レーザ駆動回路を示す。
【００２７】
図１に示す駆動回路は、半導体レーザを接続するための端子Ｔ１〜Ｔ３、起動スイッチＳ１、電圧ＶRを出力する直流電源ＰＳ、バッファＢ１、反転バッファＲＢ１〜ＲＢ３、２連切換スイッチＳ２、印加される端子電圧を１／２に分圧する直列分圧抵抗Ｒ１，Ｒ２、レーザパワー調整用可変抵抗Ｒ、オペアンプＡｍｐ２、抵抗Ｒｓ２，Ｒｆ２、コンデンサＣｆ２、ダイオードＤ２、ＮＰＮトランジスタＴＲ２を備え、図のように結線される。
【００２８】
図１に示す回路構成において、端子Ｔ１〜Ｔ３に半導体レーザＬ１を接続した場合の動作を説明する。
【００２９】
まず、スイッチＳ１が閉のとき、バッファＢ１の入力は０Ｖとなり反転バッファＲＢ３は出力０Ｖとなる。オペアンプＡｍｐ２は誤差増幅器として働くが、非反転入力端子には基準電圧（−ＶR／２）が、反転入力側の入力抵抗Ｒｓ２には０Ｖがそれぞれ入力され、Ａｍｐ２の出力Ｖｏｕｔ２は以下のように負電圧となりトランジスタＴＲ２はＯＮしないのでレーザダイオードＬＤの電流Ｉｏｐは流れない。
Vout2=-VR/2-(Rf2/Rs2)VR/2=-(1+Rf2/Rs2)VR/2……（１）
【００３０】
なお、ＶR＝４．９９Ｖ、Ｒｓ２＝１００ＫΩ、Ｒｆ２＝１０ＭΩとすると、出力Ｖｏｕｔ２は実際には負電圧側に飽和することになる。また、ダイオードＤ２はトランジスタＴＲ２およびレーザダイオードＬＤの保護用である。
【００３１】
次にスイッチＳ１を開いた時、最初はフォトダイオードＰＤの電流Ｉｓが０であるのでバッファＢ１の入力には電圧ＶRが現れる。従って、オペアンプＡｍｐ２の入力抵抗Ｒｓ２には電圧（−ＶR）が入力され、オペアンプＡｍｐ２の出力はコンデンサＣｆ２の作用により徐々に上昇していき、レーザダイオードＬＤの電流Ｉｏｐが流れ始める。
【００３２】
電流Ｉｏｐが流れ始めレーザダイオードＬＤが発光すると、フォトダイオードＰＤの電流Ｉｓがレーザパワー調整用可変抵抗Ｒに流れ出すため、バッファＢ１の入力には（ＶR−ＲＩｓ）の電圧が現れる。従って反転バッファＲＢ３の出力には（−ＶR＋ＲＩｓ）の電圧が現れ、オペアンプＡｍｐ２の働きで
−ＶR＋ＲＩｓ≒−ＶR／２
となる。
【００３３】
すなわちフォトダイオードＰＤ電流Ｉｓ≒ＶR／（２Ｒ）となるようにレーザダイオードＬＤの電流Ｉｏｐが制御されることになる。なお、電流Ｉｓが一定に制御されるということはレーザダイオードＬＤの光出力が一定に制御されるということである。
【００３４】
次に図２に示すように端子Ｔ１〜Ｔ３に半導体レーザＬ２を接続した場合の動作を説明する。この場合、切換えスイッチＳ２は図１に示す状態から図２に示す状態に設定される。
【００３５】
まず、スイッチＳ１が閉のとき、バッファＢ１の入力は０Ｖとなり反転バッファＲＢ１の出力、反転バッファＲＢ３の出力とも０Ｖとなる。オペアンプＡｍｐ２は誤差増幅器として働くが、非反転入力端子には基準電圧（−ＶR／２）が、反転入力側の入力抵抗Ｒｓ２には０Ｖがそれぞれ入力され、オペアンプＡｍｐ２の出力Ｖｏｕｔ２は前述の式（１）のように負電圧となりトランジスタＴＲ２はＯＮしないので、レーザダイオードＬＤの電流Ｉｏｐは流れない。
【００３６】
次に、スイッチＳ１を開いた時、最初はフォトダイオードＰＤの電流Ｉｓが０であるのでバッファＢ１の入力には電圧（−ＶR）が現れる。従ってオペアンプＡｍｐ２の入力抵抗Ｒｓ２にも電圧（−ＶR）が入力され、オペアンプＡｍｐ２の出力はコンデンサＣｆ２の作用により徐々に上昇していき、レーザダイオードＬＤの電流Ｉｏｐが流れ始める。
【００３７】
電流Ｉｏｐが流れ始めレーザダイオードＬＤが発光するとフォトダイオードＰＤ電流Ｉｓが可変抵抗Ｒに流れ出すためバッファＢ１の入力には（−ＶR＋ＲＩｓ）の電圧が現れる。従って、反転バッファＲＢ３の出力にも（−ＶR＋ＲＩｓ）の電圧が現れオペアンプＡｍｐ２の働きで
−ＶR＋ＲＩｓ≒−ＶR／２
となる。
すなわち、フォトダイオードＰＤの電流Ｉｓ≒ＶR／（２Ｒ）となるようにレーザダイオードＬＤの電流Ｉｏｐが制御されることになる。
【００３８】
第２実施例
図３は、図１５と図１６に示す２つのタイプの半導体レーザＬ３，Ｌ４に共通して適用可能な、この発明の第２実施例の半導体レーザ駆動回路を示す。
【００３９】
図３に示す駆動回路は、図１に示すオペアンプＡｍｐ２、抵抗Ｒｓ２，Ｒｆ２、コンデンサＣｆ２、ダイオードＤ２、ＮＰＮトランジスタＴＲ２を、それぞれオペアンプＡｍｐ１、抵抗Ｒｓ１，Ｒｆ１、コンデンサＣｆ１、ダイオードＤ１、ＰＮＰトランジスタＴＲ１で置換したもので、その他の構成部品は図１に示すものと同等である。
【００４０】
図３に示す回路構成において、端子Ｔ１〜Ｔ３に半導体レーザＬ３を接続した場合の動作を説明する。
まず、スイッチＳ１が閉のとき、バッファＢ１の入力は０ＶとなりバッファＢ１の出力も０Ｖとなる。オペアンプＡｍｐ１は誤差増幅器として働くが、非反転入力端子には基準電圧（ＶR／２）が、反転入力側の入力抵抗Ｒｓ１には０Ｖがそれぞれ入力され、オペアンプＡｍｐ１の出力Ｖｏｕｔ１は以下のように正電圧となりトランジスタＴＲ１はＯＮしないのでレーザダイオードＬＤの電流Ｉｏｐは流れない。
Vout1=VR/2+(Rf1/Rs1)VR/2=(1+Rf1/Rs1)VR/2……（２）
【００４１】
なお、ＶR＝４．９９Ｖ、Ｒｓ１＝１００ＫΩ、Ｒｆ１＝１０ＭΩとすると、出力Ｖｏｕｔ１は正電圧側に飽和することになる。ダイオードＤ１はトランジスタＴＲ１およびレーザダイオードＬＤの保護用である。
【００４２】
次に、スイッチＳ１を開いた時、最初はフォトダイオードＰＤの電流Ｉｓが０であるのでバッファＢ１の入力には電圧ＶRが現れる。従ってオペアンプＡｍｐ１の入力抵抗Ｒｓ１には電圧ＶRが入力されオペアンプＡｍｐ１の出力はコンデンサＣｆ１の作用により徐々に下降していきレーザダイオードＬＤの電流Ｉｏｐが流れ始める。
【００４３】
電流Ｉｏｐが流れ始めレーザダイオードＬＤが発光するとフォトダイオードＰＤの電流Ｉｓが可変抵抗Ｒに流れ出すためバッファＢ１の入力には（ＶR−ＲＩｓ）の電圧が現れる。従って入力抵抗Ｒｓ１にも（ＶR−ＲＩｓ）の電圧が入力されオペアンプＡｍｐ１の働きで
ＶR−ＲＩｓ≒ＶR／２
となる。
すなわちフォトダイオードＰＤ電流Ｉｓ≒ＶR／（２Ｒ）となるようにレーザダイオードＬＤの電流Ｉｏｐが制御されることになる。
【００４４】
次に、図４に示すように端子Ｔ１〜Ｔ３に半導体レーザＬ４を接続した場合の動作を説明する。この場合、切換スイッチＳ２は図３に示す状態から図４に示す状態に設定される。
【００４５】
まず、スイッチＳ１が閉のとき、バッファＢ１入力は０Ｖとなり反転バッファＲＢ１の出力も０Ｖとなる。オペアンプＡｍｐ１は誤差増幅器として働くが、非反転入力端子には基準電圧ＶR／２が、反転入力側の入力抵抗Ｒｓ１には０Ｖがそれぞれ入力されるのでオペアンプＡｍｐ１の出力Ｖｏｕｔ１は前述の式（２）のように正電圧となりトランジスタＴＲ１はＯＮしないのでレーザダイオードＬＤの電流Ｉｏｐは流れない。
【００４６】
次に、スイッチＳ１を開いた時、最初はフォトダイオードＰＤの電流Ｉｓが０であるのでバッファＢ１の入力には電圧（−ＶR）が現れる。従ってオペアンプＡｍｐ１の入力抵抗Ｒｓ１には電圧ＶRが入力されオペアンプＡｍｐ１の出力はコンデンサＣｆ１の作用により徐々に下降していきレーザダイオードＬＤの電流Ｉｏｐが流れ始める。
【００４７】
電流Ｉｏｐが流れ始めレーザダイオードＬＤが発光するとフォトダイオードＰＤ電流Ｉｓが可変抵抗Ｒに流れ出すためバッファＢ１の入力には（−ＶR＋ＲＩｓ）の電圧が現れる。従って反転バッファＲＢ１の出力に（ＶR−ＲＩｓ）の電圧が現れオペアンプＡｍｐ１の働きで
ＶR−ＲＩｓ≒ＶR／２
となる。
すなわちフォトダイオードＰＤの電流Ｉｓ≒ＶR／（２Ｒ）となるようにレーザダイオードＬＤの電流Ｉｏｐが制御されることになる。
【００４８】
第３実施例
図５は図１３と図１５に示す２つのタイプの半導体レーザＬ１，Ｌ３に共通して適用可能な、この発明の第３実施例の半導体レーザ駆動回路を示す。
【００４９】
図５に示す駆動回路は、図１に示す回路から反転バッファＲＢ１と切換スイッチＳ２を除去し、印加される端子電圧を１／２に分圧する分圧抵抗Ｒ３，Ｒ４と、オペアンプＡｍｐ１と、抵抗Ｒｓ１，Ｒｆ１と、コンデンサＣｆ１とダイオードＤ１と、ＰＮＰトランジスタＴＲ１と切換スイッチＳ３を追加した構成になっている。
【００５０】
図５に示す回路構成において、端子Ｔ１〜Ｔ３に半導体レーザＬ１を接続した場合、トランジスタＴＲ１が作動せず、基準電圧（−ＶR／２）は分圧抵抗Ｒ３，Ｒ４により設定されるので、図５の回路は図１に示す回路と実質的に等価となる。
【００５１】
次に、図５の回路のスイッチＳ３を図６の状態に切り換えて、端子Ｔ１〜Ｔ３に半導体レーザＬ３を接続すると、トランジスタＴＲ２が作動しなくなるので、図６の回路は図３に示す回路と実質的に等価となる。
【００５２】
第４実施例
図７は図１６と図１４に示す２つのタイプの半導体レーザＬ４，Ｌ２に共通して適用可能なこの発明の第４実施例の半導体レーザ駆動回路を示す。
【００５３】
図７に示す駆動回路は、図５に示す回路に反転バッファＲＢ１を追加した構成になっている。図７に示す回路構成において、端子Ｔ１〜Ｔ３に半導体レーザＬ４を接続した場合、トランジスタＴＲ２が作動しないので、図７に示す回路は図４に示す回路と実質的に等価となる。
【００５４】
次に図７の回路のスイッチＳ３を図８の状態に切換えて、端子Ｔ１〜Ｔ３に半導体レーザＬ２を接続すると、トランジスタＴＲ１が作動しなくなるので、図８の回路は図２の回路と実質的に等価となる。
【００５５】
第５実施例
図９は図１３〜図１６に示す４つのタイプの半導体レーザＬ１〜Ｌ４のすべてに共通して適用可能なこの発明の第５実施例の半導体レーザ駆動回路を示す。
【００５６】
図９に示す駆動回路は、図７の回路に２連切換スイッチＳ２を追加した構成になっている。この回路構成において、端子Ｔ１〜Ｔ３に半導体レーザＬ１を接続し、切換スイッチＳ２，Ｓ３を図９の状態に設定すると、図９の回路は図１の回路と実質的に等価となる。
【００５７】
また、端子Ｔ１〜Ｔ３に半導体レーザＬ２を接続し、切換スイッチＳ２，Ｓ３を図１０の状態に設定すると、図１０の回路は図２の回路と実質的に等価となる。
【００５８】
また、端子Ｔ１〜Ｔ３に半導体レーザＬ３を接続し、切換スイッチＳ２，Ｓ３を図１１の状態に設定すると、図１１の回路は図３の回路と実質的に等価となる。
【００５９】
また、端子Ｔ１〜Ｔ３に半導体レーザＬ４を接続し、切換スイッチＳ２，Ｓ３を図１２の状態に設定すると、図１２の回路は図４に示す回路と実質的に等価となる。
【００６０】
従って、図９に示す駆動回路は切換スイッチＳ２，Ｓ３を設定するだけで、４種類のタイプの半導体レーザＬ１〜Ｌ４のいずれかにも適用可能となる。
【００６１】
【発明の効果】
この発明によれば、レーザダイオードの端子とモニタ用フォトダイオードの端子とを選択的に共通化した複数種類の半導体レーザに対して、共通的に適用可能な駆動回路が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１実施例に係る電気回路図である。
【図２】この発明の第１実施例に係る電気回路図である。
【図３】この発明の第２実施例に係る電気回路図である。
【図４】この発明の第２実施例に係る電気回路図である。
【図５】この発明の第３実施例に係る電気回路図である。
【図６】この発明の第３実施例に係る電気回路図である。
【図７】この発明の第４実施例に係る電気回路図である。
【図８】この発明の第４実施例に係る電気回路図である。
【図９】この発明の第５実施例に係る電気回路図である。
【図１０】この発明の第５実施例に係る電気回路図である。
【図１１】この発明の第５実施例に係る電気回路図である。
【図１２】この発明の第５実施例に係る電気回路図である。
【図１３】この発明に適用される半導体レーザの構成を示す説明図である。
【図１４】この発明に適用される半導体レーザの構成を示す説明図である。
【図１５】この発明に適用される半導体レーザの構成を示す説明図である。
【図１６】この発明に適用される半導体レーザの構成を示す説明図である。
【符号の説明】
Ｌ１      半導体レーザ
Ｌ２      半導体レーザ
Ｌ３      半導体レーザ
Ｌ４      半導体レーザ
Ｔ１      端子
Ｔ２      端子
Ｔ３      端子
Ｓ１      スイッチ
Ｓ２      ２連切換スイッチ
Ｓ３      切換スイッチ
Ｂ１      バッファ
ＲＢ１    反転バッファ
ＲＢ２    反転バッファ
ＲＢ３    反転バッファ
Ａｍｐ１  オペアンプ
Ａｍｐ２  オペアンプ
Ｄ１      ダイオード
Ｄ２      ダイオード
ＴＲ１    ＰＮＰトランジスタ
ＴＲ２    ＮＰＮトランジスタ
Ｒ１      抵抗
Ｒ２      抵抗
Ｒ３      抵抗
Ｒ４      抵抗
Ｒｓ１    抵抗
Ｒｆ１    抵抗
Ｒｓ２    抵抗
Ｒｆ２    抵抗
Ｃｆ１    コンデンサ
Ｃｆ２    コンデンサ
【図１】
0004087102.tif 000002
【図２】
0004087102.tif 000003
【図３】
0004087102.tif 000004
【図４】
0004087102.tif 000005
【図５】
0004087102.tif 000006
【図６】
0004087102.tif 000007
【図７】
0004087102.tif 000008
【図８】
0004087102.tif 000009
【図９】
0004087102.tif 000010
【図１０】
0004087102.tif 000011
【図１１】
0004087102.tif 000012
【図１２】
0004087102.tif 000013
【図１３】
0004087102.tif 000014
【図１４】
0004087102.tif 000015
【図１５】
0004087102.tif 000016
【図１６】
0004087102.tif 000017