(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）
0004061659.tif 000012
〔式中、Ｒは、置換されていてもよいＣ1〜Ｃ6アルキル基（該置換基としてはＣ1〜Ｃ6アルキル基、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ基、Ｃ2〜Ｃ7アルコキシカルボニル基、Ｃ2〜Ｃ7アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ2〜Ｃ7アルカノイル基、フェニル基、ハロゲン原子を意味する。）、置換されていてもよいＣ2〜Ｃ6アルケニル基（該置換基としてはＣ1〜Ｃ6アルキル基、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ基、Ｃ2〜Ｃ7アルコキシカルボニル基、Ｃ2〜Ｃ7アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ2〜Ｃ7アルカノイル基、フェニル基、ハロゲン原子を意味する。）、置換されていてもよいＣ1〜Ｃ6アルコキシ基（該置換基としてはＣ1〜Ｃ6アルキル基、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ基、Ｃ2〜Ｃ7アルコキシカルボニル基、Ｃ2〜Ｃ7アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ2〜Ｃ7アルカノイル基、フェニル基、ハロゲン原子を意味する。）、置換されていてもよいＣ1〜Ｃ6アルキルアミノ基（該置換基としてはＣ1〜Ｃ6アルキル基、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ基、Ｃ2〜Ｃ7アルコキシカルボニル基、Ｃ2〜Ｃ7アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ2〜Ｃ7アルカノイル基、フェニル基、ハロゲン原子を意味する。）、置換されていてもよいアリール基（該置換基としてはＣ1〜Ｃ6アルキル基、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ基、Ｃ2〜Ｃ7アルコキシカルボニル基、Ｃ2〜Ｃ7アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ2〜Ｃ7アルカノイル基、フェニル基、ハロゲン原子を意味する。）又はハロゲン原子を意味し、
オキサゾリジノン環はシス配置である。〕で表わされる、ラセミ体又は光学活性体であるシス−オキサゾリジノン化合物。
【請求項２】
シス−オキサゾリジノン化合物が、式（２）
0004061659.tif 000013
〔式中、Ｒは、上述の式（１）中と同じに定義され、
＊は不斉炭素原子を意味し、その炭素原子の絶対配置はＲ又はＳを意味する。〕
で表わされる光学活性シス−オキサゾリジノン化合物である請求項１記載の化合物。
【請求項３】
Ｒがｐ−トルイル基である請求項２記載の光学活性シス−オキサゾリジノン化合物。
【請求項４】
式（３）
0004061659.tif 000014
（式中、エポキシ環はシス配置であり、ラセミ体でも光学活性体でもよい。）で表わされるシス−１，２−インデンエポキシドを、
式（４）
0004061659.tif 000015
〔式中、Ｒは、置換されていてもよいＣ1〜Ｃ6アルキル基（該置換基としてはＣ1〜Ｃ6アルキル基、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ基、Ｃ2〜Ｃ7アルコキシカルボニル基、Ｃ2〜Ｃ7アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ2〜Ｃ7アルカノイル基、フェニル基、ハロゲン原子を意味する。）、置換されていてもよいＣ2〜Ｃ6アルケニル基（該置換基としてはＣ1〜Ｃ6アルキル基、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ基、Ｃ2〜Ｃ7アルコキシカルボニル基、Ｃ2〜Ｃ7アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ2〜Ｃ7アルカノイル基、フェニル基、ハロゲン原子を意味する。）、置換されていてもよいＣ1〜Ｃ6アルコキシ基（該置換基としてはＣ1〜Ｃ6アルキル基、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ基、Ｃ2〜Ｃ7アルコキシカルボニル基、Ｃ2〜Ｃ7アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ2〜Ｃ7アルカノイル基、フェニル基、ハロゲン原子を意味する。）、置換されていてもよいＣ1〜Ｃ6アルキルアミノ基（該置換基としてはＣ1〜Ｃ6アルキル基、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ基、Ｃ2〜Ｃ7アルコキシカルボニル基、Ｃ2〜Ｃ7アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ2〜Ｃ7アルカノイル基、フェニル基、ハロゲン原子を意味する。）、置換されていてもよいアリール基（該置換基としてはＣ1〜Ｃ6アルキル基、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ基、Ｃ2〜Ｃ7アルコキシカルボニル基、Ｃ2〜Ｃ7アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ2〜Ｃ7アルカノイル基、フェニル基、ハロゲン原子を意味する。）又はハロゲン原子を意味する。〕で表わされるスルホニルイソシアネート化合物と、ハロゲン化金属触媒の存在下、反応させることを特徴とする式（１）
0004061659.tif 000016
（式中、オキサゾリジン環はシス配置でありそしてＲは上記の式（４）中と同じに定義される。）で表わされる、ラセミ体又は光学活性体であるシス−オキサゾリジノン化合物の製造法。
【請求項５】
式（１）
0004061659.tif 000017
〔式中、Ｒは、置換されていてもよいＣ1〜Ｃ6アルキル基（該置換基としてはＣ1〜Ｃ6アルキル基、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ基、Ｃ2〜Ｃ7アルコキシカルボニル基、Ｃ2〜Ｃ7アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ2〜Ｃ7アルカノイル基、フェニル基、ハロゲン原子を意味する。）、置換されていてもよいＣ2〜Ｃ6アルケニル基（該置換基としてはＣ1〜Ｃ6アルキル基、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ基、Ｃ2〜Ｃ7アルコキシカルボニル基、Ｃ2〜Ｃ7アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ2〜Ｃ7アルカノイル基、フェニル基、ハロゲン原子を意味する。）、置換されていてもよいＣ1〜Ｃ6アルコキシ基（該置換基としてはＣ1〜Ｃ6アルキル基、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ基、Ｃ2〜Ｃ7アルコキシカルボニル基、Ｃ2〜Ｃ7アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ2〜Ｃ7アルカノイル基、フェニル基、ハロゲン原子を意味する。）、置換されていてもよいＣ1〜Ｃ6アルキルアミノ基（該置換基としてはＣ1〜Ｃ6アルキル基、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ基、Ｃ2〜Ｃ7アルコキシカルボニル基、Ｃ2〜Ｃ7アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ2〜Ｃ7アルカノイル基、フェニル基、ハロゲン原子を意味する。）、置換されていてもよいアリール基（該置換基としてはＣ1〜Ｃ6アルキル基、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ基、Ｃ2〜Ｃ7アルコキシカルボニル基、Ｃ2〜Ｃ7アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ2〜Ｃ7アルカノイル基、フェニル基、ハロゲン原子を意味する。）又はハロゲン原子を意味し、
オキサゾリジノン環はシス配置である。〕で表わされる、ラセミ体又は光学活性体であるシス−オキサゾリジノン化合物を、加水分解することを特徴とする式（５）
0004061659.tif 000018
（式中、ＮＨ2基とＯＨ基はシス配置であり、ラセミ体でも光学活性体でもよい。）で表わされるシス−１−アミノ−２−インダノールの製造法。
【請求項６】
シス−１，２−インデンエポキシドが光学活性な（＋）−シス−１，２−インデンエポキシドである請求項４記載の製造法。
【請求項７】
シス−１，２−インデンエポキシドが光学活性な（−）−シス−１，２−インデンエポキシドである請求項４記載の製造法。
【請求項８】
Ｒがｐ−トルイル基である請求項４記載の製造法。
【請求項９】
式（１）の化合物が式（２）の化合物である請求項５記載の製造法。
【請求項１０】
ハロゲン化金属触媒がハロゲン化アルカリ金属化合物、ハロゲン化錫化合物及びハロゲン化亜鉛化合物から選ばれることを特徴とする請求項４記載の製造法。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、医・農薬中間体として有用なシス−１−アミノ−２−インダノールの製造法並びにその中間体である新規なシス−オキサゾリジノン化合物及びその製造法に関する。
背景技術
シス−１−アミノ−２−インダノールは、医薬中間体として重要である。
例えば、J. Med. Chem.,35, 2525（1992）、J. Med. Chem.,35, 1702（1992）、J. Med Chem.,35, 1685（1992）等には、本化合物が抗ＨＩＶ薬の中間体であることが開示されている。
従来、シス−１−アミノ−２−インダノールの製造法について幾つかの方法が知られている。
例えば、J. Am Chem. Soc.,73, 1639（1951）では、ブロムインダノールからトランス−１−アミノ−２−インダノールを経由してトランス−フェニルオキサゾリン化合物とし、シス−体に反転させてシス−１−アミノ−２−インダノールを得ている。
又、J. Org. Chem., 32,540（1967）では、インゲンにヨードソイソシアネートを付加し、トランス−ヨードカーバメート体を経由してトランス−オキサゾリジノン化合物とし、シス−体に反転させてシス−１−アミノ−２−インダノールを得ている。
更に、特開平7-316106号公報には、１，２−ジ置換インダン類もしくはシス−１，２−インデンエポキシドからリッター反応を利用してシス−オキサゾリン化合物の合成及びその加水分解によるシス−１−アミノ−２−インダノールの製造法が開示されている。
更に、エポキシ化合物が、金属触媒の存在下、ヘテロクムレン化合物と反応して付加生成物を与えることも公知である。
例えば、J. Org. Chem.,51, 2177（1986）、Chem. Lett.,1986, 1963、Bull.Chem. Soc. Jpn., 63, 1069（1990）では、各種のエポキシ化合物とヘテロクムレン化合物であるイソシアネートとの付加反応によりオキサゾリジノン化合物が合成されている。
上記のトランス−オキサゾリジノン誘導体を経由する方法は、シス−体への反転が必腰なため多工程を要し、高温が必要で、容積効率及び収率が低く、大量の廃棄物が発生する等多くの欠点を有している。
発明の開示
本発明者等は、更に効率的なシス−１−アミノ−２−インダノールの製造法について鋭意検討を重ねた結果、新規なシス−オキサゾリジノン化合物及びその製造法並びに該化合物の加水分解反応によるアミノアルコールの製造法を見出し、本発明を完成するに至った。
即ち、本発明は、式（１）
0004061659.tif 000002
〔式中、Ｒは、置換されていてもよいＣ1〜Ｃ6アルキル基（該置換基としてはＣ1〜Ｃ6アルキル基、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ基、Ｃ2〜Ｃ7アルコキシカルボニル基、Ｃ2〜Ｃ7アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ2〜Ｃ7アルカノイル基、フェニル基、ハロゲン原子を意味する。）、置換されていてもよいＣ2〜Ｃ6アルケニル基（該置換基としてはＣ1〜Ｃ6アルキル基、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ基、Ｃ2〜Ｃ7アルコキシカルボニル基、Ｃ2〜Ｃ7アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ2〜Ｃ7アルカノイル基、フェニル基、ハロゲン原子を意味する。）、置換されていてもよいＣ1〜Ｃ6アルコキシ基（該置換基としてはＣ1〜Ｃ6アルキル基、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ基、Ｃ2〜Ｃ7アルコキシカルボニル基、Ｃ2〜Ｃ7アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ2〜Ｃ7アルカノイル基、フェニル基、ハロゲン原子を意味する。）、置換されていてもよいＣ1〜Ｃ6アルキルアミノ基（該置換基としてはＣ1〜Ｃ6アルキル基、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ基、Ｃ2〜Ｃ7アルコキシカルボニル基、Ｃ2〜Ｃ7アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ2〜Ｃ7アルカノイル基、フェニル基、ハロゲン原子を意味する。）、置換されていてもよいアリール基（該置換基としてはＣ1〜Ｃ6アルキル基、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ基、Ｃ2〜Ｃ7アルコキシカルボニル基、Ｃ2〜Ｃ7アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ2〜Ｃ7アルカノイル基、フェニル基、ハロゲン原子を意味する。）又はハロゲン原子を意味し、
オキサゾリジノン環はシス配置である。〕で表わされる、ラセミ体又は光学活性体である、シス−オキサゾリジノン化合物、
特に、シス−オキサゾリジノン化合物が、式（２）
0004061659.tif 000003
（式中、＊は不斉炭素原子を意味し、その炭素原子の絶対配置はＲ又はＳを意味しそしてＲは、式（１）中と同じに定義される。）で表わされる光学活性シス−オキサゾリジノン化合物に関する。
更に、本発明は、式（３）
0004061659.tif 000004
（式中、エポキシ環はシス配置であり、ラセミ体又は光学活性体である。）で表わされるシス−１，２−インデンエポキシドを、
式（４）
0004061659.tif 000005
（式中、Ｒは、式（１）中の定義と同じに定義される。）で表わされるスルホニルイソシアネート化合物とハロゲン化金属触媒の存在下、反応させることを特徴とする式（１）で表わされるシス−オキサゾリジノン化合物の製造法に関する。
更に本発明は式（１）で表されるシス−オキサゾリジノン化合物を加水分解することを特徴とする式（５）
0004061659.tif 000006
（式中、ＮＨ2基とＯＨ基はシス配置である。）表わされる、ラセミ体又は光学活性体である、シス−１−アミノ−２−インダノールの製造法に関するものである。
以下、更に詳細に本発明を説明する。
先ず、置換基Ｒについて説明する。
Ｃ1〜Ｃ6アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−アミル基、ｉ−アミル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−アミロキシ基、ｉ−アミロキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等が挙げられる。
Ｃ2〜Ｃ7アルコキシカルボニル基としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基，ｉ−プロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｉ−ブトキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、ｎ−アミロキシカルボニル基、ｉ−アミロキシカルボニル基、ネオペンチルオキシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基等が挙げられる。
Ｃ2〜Ｃ7アルキルカルボニルオキシ基としては、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ｎ−プロピルカルボニルオキシ基，ｉ−プロピルカルボニルオキシ基、ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、ｉ−ブチルカルボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルカルボニルオキシ基、ｎ−アミルカルボニルオキシ基、ｉ−アミルカルボニルオキシ基、ネオペンチルカルボニルオキシ基、ｎ−ヘキシルカルボニルオキシ基、シクロヘキシルカルボニルオキシ基等が挙げられる。
Ｃ2〜Ｃ7アルカノイル基としては、アセチル基、エチルカルボニル基、ｎ−プロピルカルボニル基，ｉ−プロピルカルボニル基、ｎ−ブチルカルボニル基、ｉ−ブチルカルボニル基、ｓｅｃ−ブチルカルボニル基、ｎ−アミルカルボニル基、ｉ−アミルカルボニル基、ネオペンチルカルボニル基、ｎ−ヘキシルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基等が挙げられる。
Ｃ2〜Ｃ6アルケニル基としては、ビニル基、イソプロペニル基、アリル基、メタリル基、１−ブテニル基、３−ヘキセニル基、１−シクロペンテニル基、１−シクロヘキセニル基、メトキシビニル基、エトキシビニル基等が挙げられる。
Ｃ1〜Ｃ6アルキルアミノ基としては、モノアルキルアミノ基及びジアルキルアミノ基が挙げられる。
具体的には、メチルアミノ基、エチルアミノ基、ｎ−プロピルアミノ基，ｉ−プロピルアミノ基、ｎ−ブチルアミノ基、ｉ−ブチルアミノ基、ｓｅｃ−ブチルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルアミノ基、ｎ−アミルアミノ基、ｉ−アミルアミノ基、ネオペンチルアミノ基、ｎ−ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等が挙げられる。
アリール基としては、フェニル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、３，５−ジメチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、２，４，６−トリ−ｉ−プロピルフェニル基、４−ｉプロピルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−メトキシフェニル基、３，５−ジメトキシフェニル基、２−フルオロフェニル基、３−フルオロフェニル基、４−フルオロフェニル基、２−クロルフェニル基、３−クロルフェニル基、４−クロルフェニル基、２−ブロムフェニル基、３−ブロムフェニル基、４−ブロムフェニル基、２，４−ジクロルフェニル基、４−フェニルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、５−アントラセニル基、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基等が挙げられる。
ハロゲン原子としては、弗素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子等が挙げられる。
次に、式（３）のシス−１，２−インデンエポキシドと式（４）のスルホニルイソシアネート化合物の付加反応について説明する。
式（３）のシス−１，２−インデンエポキシドとしては、ラセミ−体、（＋）−シス−１，２−インデンエポキシド及び（−）−シス−１，２−インデンエポキシドの光学活性体が挙げられる。
式（４）のスルホニルイソシアネート化合物としては、メタンスルホニルイソシアネート、エタンスルホニルイソシアネート、ｎ−プロパンスルホニルイソシアネート、ｎ−ブタンスルホニルイソシアネート、トリフルオロメタンスルホニルイソシアネート、ベンゼンスルホニルイソシアネート、ｐ−トルエンスルホニルイソシアネート、クロロスルホニルイソシアネート等が挙げられ、好ましくは、メタンスルホニルイソシアネート、ｐ−トルエンスルホニルイソシアネートが挙げられる。
式（４）のスルホニルイソシアネート化合物の使用量は、式（３）のシス−１，２−インデンエポキシドに対して０．１〜１０倍モルの範囲、好ましくは、０．５〜５倍モルの範囲である。
ハロゲン化金属触媒としては、ハロゲン化アルカリ金属化合物、ハロゲン化錫化合物及びハロゲン化亜鉛化合物等が挙げられる。
ハロゲン化アルカリ金属化合物としては、ハロゲン化リチウム、ハロゲン化ナトリウム、ハロゲン化カリウム等が挙げられる。
具体的には、臭化リチウム、沃化リチウム、塩化ナトリウム、臭化ナトリウム、沃化ナトリウム、塩化カリウム、臭化カリウム、沃化カリウム等が挙げられる。
ハロゲン化錫化合物としては、ハロゲン化錫、ハロゲン化アルキル錫、ハロゲン化フェニル錫等が挙げられる。
具体的には、塩化錫、臭化錫、沃化錫、塩化ジメチル錫、臭化ジメチル錫、沃化ジメチル錫、塩化ジエチル錫、臭化ジエチル錫、沃化ジエチル錫、塩化ジ−ｎ−プロピル錫、臭化ジ−ｎ−プロピル錫、沃化ジ−ｎ−プロピル錫、塩化ジ−ｎ−ブチル錫、臭化ジ−ｎ−ブチル錫、沃化ジ−ｎ−ブチル錫、塩化ジフェニル錫、臭化ジフェニル錫、沃化ジフェニル錫、塩化トリメチル錫、臭化トリメチル錫、沃化トリメチル錫、塩化トリエチル錫、臭化トリエチル錫、沃化トリエチル錫、塩化トリ−ｎ−プロピル錫、臭化トリ−ｎ−プロピル錫、沃化トリ−ｎ−プロピル錫、塩化トリ−ｎ−ブチル錫、臭化トリ−ｎ−ブチル錫、沃化トリ−ｎ−ブチル錫、塩化トリ−ｎ−フェニル錫、臭化トリ−ｎ−フェニル錫、沃化トリ−ｎ−フェニル錫が挙げられ、好ましくは、沃化錫、沃化ジメチル錫、沃化ジ−ｎ−ブチル錫が挙げられる。
ハロゲン化亜鉛化合物としては、塩化亜鉛、臭化亜鉛、沃化亜鉛等が挙げられる。
本発明において、反応を促進するためルイス塩基を共存させて反応させることができる。
ルイス塩基としては、トリエチルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、１，８−ジアザビシクロ〔５，４，０〕−７−ウンデセン（ＤＢＵ）、１，５−ジアザビシクロ〔４，３，０〕−５−ノネン（ＤＢＮ）等のアミン類、ピリジン、ピコリン、ルチジン、メチルエチルピリジン等のピリジン類、ピリジン−Ｎ−オキシド、ピコリン−Ｎ−オキシド、ルチジン−Ｎ−オキシド、４−フェニルピリジン−Ｎ−オキシド等のピリジン−Ｎ−オキシド類、トリフェニルホスフィン、トリ−ｎ−ブチルホスフィン等のホスフィン類、トリフェニルホスフィンオキシド、トリ−ｎ−ブチルホスフィンオキシド等のホスフィンオキシド類、臭化テトラｎ−ブチルホスホニウム、臭化テトラフェニルホスホニウム、ヨウ化テトラｎ−ブチルホスホニウム、ヨウ化テトラフェニルホスホニウム等のホスホニウム塩類、ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシド、ジ−ｎ−プロピルスルホキシド、ジフェニルスルホキシド等のスルホキシド類、テトラメチル尿素、テトラブチル尿素、ジメチルプロピル尿素等の尿素類、ヘキサメチルホスホリックトリアミド（ＨＭＰＡ）、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）等が挙げられ、好ましくは、トリ−ｎ−ブチルホスフィンオキシド、テトラブチル尿素、ヘキサメチルホスホリックトリアミド（ＨＭＰＡ）が挙げられる。
ハロゲン化金属化合物の使用量は、式（３）のシス−１，２−インデンエポキシドに対して０．１〜５０モル％の範囲、好ましくは、１〜２０モル％の範囲がよい。
ルイス塩基の使用量としては、ハロゲン化金属化合物に対して、当モル〜５モル倍、好ましくは、当モル〜３モル倍がよい。
反応溶媒としては、反応に関与しないものであれば特に制限はなく、例えば、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル等のニトリル類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、クロルベンゼン、ｏ−ジクロルベンゼン等の芳香族炭化水素類、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、ｎ−オクタン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素類、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ｔ−ブチルメチルエーテル、ジメトキシエタン等のエーテル類、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、イソブタノール、シクロヘキサノール等のアルコール類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド類、１，３−ジメチルイミダゾリジノン、テトラメチル尿素、テトラブチル尿素等の尿素類等が挙げられ、好ましくは、トルエン、シクロヘキサン、酢酸エチル、テトラブチル尿素が挙げられる。
更に、これらの溶媒は、単独又は組み合わせて使用することも出来る。
反応温度は、特に制限はなく、通常−２０℃から使用する溶媒の沸点まで可能であるが、好ましくは２０℃から１００℃の範囲で行うのがよい。
反応時間は、式（４）のスルホニルイソシアネート化合物の反応性にもよるが、通常０．１〜１０００時間である。
反応終了後は、水を加えて適当な溶媒により抽出し、溶媒を減圧濃縮して粗製物を得るか、又は適当な溶媒から固体として析出させて粗製物を得ることができる。
更に、再結晶又はシリカゲルカラムクロマトグラフィー等の常法による精製を行なうことにより、純粋な式（１）のシス−オキサゾリジノン化合物を得ることができる。
次に、式（１）のシス−オキサゾリジノン化合物の加水分解反応について説明する。
加水分解反応には、酸又はアルカリが使用される。
酸としては、塩酸、硫酸、リン酸、硝酸、臭化水素酸、沃化水素酸、弗化水素酸等の無機酸類、ギ酸、酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等のカルボン酸類、ｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸等のスルホン酸類等が挙げられる。
アルカリとしては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム及び水酸化バリウム等のアルカリ金属又はアルカリ土類金属の水酸化物、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸リチウム、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム及び炭酸バリウム等のアルカリ金属又はアルカリ土類金属の炭酸塩等が挙げられ、これらアルカリを水溶液として用いることができる。
酸又はアルカリの使用量は、式（１）のシス−オキサゾリジノン化合物に対して、通常等モル以上が使用され、加水分解反応を短時間に完結させるためには、２０倍モル程度までの大過剰を使用しても良い。
本反応は、酸又はアルカリ水溶液中で行なうことができるが、有機溶媒中で行なうこともできる。
有機溶媒としては、反応に関与しないものであれば特に制限はなく、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、クロルベンゼン、ｏ−ジクロルベンゼン等の芳香族炭化水素類、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、ｎ−オクタン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素類、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素類、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ｔ−ブチルメチルエーテル、ジメトキシエタン、ジオキサン等のエーテル類、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、イソブタノール、シクロヘキサノール等のアルコール類等が挙げられ、好ましくは、アセトン、エタノール、ジオキサンが挙げられる。
更に、これらの溶媒は、単独又は組み合わせて使用することも出来る。
加水分解温度は、特に制限はなく、通常０℃から使用する溶媒の沸点まで可能であるが、好ましくは２０℃から１００℃の範囲で行なうのが良い。
反応時間は、通常０．１〜１０００時間である。
加水分解終了後は、常法により水及び適当な溶媒を加えて、抽出し、溶媒を減圧濃縮して粗製物を得るか、又は適当な溶媒から固体として析出させて粗製物を得ることができる。
更に、再結晶又はシリカゲルカラムクロマトグラフィー等の常法による精製を行なうことにより、純粋な式（５）のシス−１−アミノ−２−インダノールを得ることができる。
発明を実施するための最良の形態
以下、実施例を挙げて更に詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
実施例１
シス−Ｎ−ｐ−トルエンスルホニルインダノ［１，２−ｄ］オキサゾリジン−２−オン（６）の合成
0004061659.tif 000007
アルゴン雰囲気下、トルエン５０ｍｌ中に、（＋）−シス−１，２−インデンエポキシド５．００ｇ（３４ミリモル、純度８９．４％、光学純度９０．２％ｅｅ）、沃化ジ−ｎ−ブチル錫（ｎ−Ｂｕ2ＳｎＩ2）１．６５ｇ（上記エポキシドの１０モル％）及びヘキサメチルホスホリックトリアミド（ＨＭＰＡ）０．６０６ｇ（上記エポキシドの１０モル％）を加え、５０〜６０℃に加熱し、ｐ−トルエンスルホニルイソシアネート６．６７ｇ（３４ミリモル）のトルエン溶液２５ｍｌを１時間かけて滴下した。
６０℃で３時間撹拌した後、更に還流下１時間撹拌した。
反応液を減圧下濃縮し、アセトニトリルを加えて完全に溶解させた後、その溶液中の目的物を液体クロマトグラフ（カラム：Ｉｎｅｒｔｓｉｌ  ＯＤＳ−２  ４．６φ×２５０ｍｍ、カラム温度：４０℃、溶離液：アセトニトリル／水＝５０／５０、流量：１．０ｍｌ／ｍｉｎ．、検出：ＵＶ２５４ｎｍ）で定量したところ、目的物の含有量は９．９９ｇ（収率９０％）であった。
この溶液を濃縮後、アセトニトリルから再結晶をして、６．０ｇの精製品を得た。
精製品の光学純度は、９８．４％ｅｅであった。（ＨＰＬＣ、カラム：Ｃｈｉｒａｌｃｅｌ  ＯＪ−Ｒ  ４．６φ×２５０ｍｍ、カラム温度：３５℃、溶離液：アセトニトリル／水＝５０／５０、流量：０．５ｍｌ／ｍｉｎ．、検出：ＵＶ２５４ｎｍ）
融点  183.0-185.0℃
1H NMR(CDCl3 400MHz):7.96-7.93(3H,m),7.40-7.26(5H,m),5.88(1H,d,J=7.3Hz),5.31(1H,ddd,J=7.3,5.8,1.3Hz),3.39(1H,dd,J=5.8,17.9Hz),3.31(1H,dd,J=1.3,17.9Hz),2.42(3H,s)
IR(KBr):2991,1781,1595,1351,1171,1140,1023,815,758,666cm-1
MS m/z(rel. Int.)329(M+,5),174(25),146(100)
実施例２
シス−Ｎ−メタンスルホニルインダノ［１，２−ｄ］オキサゾリジン−２−オン（７）の合成
0004061659.tif 000008
ｐ−トルエンスルホニルイソシアネートの代わりにメタンスルホニルイソシアネート４．１２ｇ（３４ミリモル）を使用した他は、実施例１と同様に反応及び後処理を行ない目的物６．００ｇ（収率７０％）を得た。
融点  168.2-168.9℃
1H NMR(CDCl3 400MHz):7.78(1H,d,J=8.0Hz),7.45-7.25(3H,m),5.88(1H,d,J=7.2Hz),5.45-5.40(1H,m),3.41(2H,d,J=3.2Hz),3.32(3H,s)
IR(KBr):1777,1358,1162,1037,983,762,564,520cm-1
MS m/z(rel. Int.)253(M+,15),174(30),146(15),130(100),104(70)
実施例３〜８
反応溶媒を変化させた他は、実施例１と同様に反応及び後処理を行ない、シス−Ｎ−ｐ−トルエンスルホニルインダノ[１，２−ｄ］オキサゾリジン−２−オン（６）を得た。結果を下表に示す。
0004061659.tif 000009
実施例９〜１９
沃化ジ−ｎ−ブチル錫を各種のハロゲン化金属化合物（上記エポキシドの１０モル％）、ヘキサメチルホスホリックトリアミド（ＨＭＰＡ）を各種のルイス塩基（上記エポキシドの２０モル％、テトラメチル尿素のみ１０モル％）に代えた他は、実施例１と同様に反応及び後処理を行ない、シス−Ｎ−ｐ−トルエンスルホニルインダノ[１，２−ｄ］オキサゾリジン−２−オン（６）を得た。結果を下表に示す。
0004061659.tif 000010
実施例２０
アルゴン雰囲気下、ヨウ化ナトリウム３２４ｍｇ（下記エポキシドの１０モル％）のテトラブチル尿素懸濁液３０ｍｌに、２５℃で（＋）−シス−１，２−インデンエポキシド３．００ｇ（２２ミリモル、純度９６％、光学純度９０％ｅｅ）を加え、２５℃で３０分間攪拌後、４５℃に加熱した。
この混合液に、４５〜５０℃でｐ−トルエンスルホニルイソシアネート４．５６ｇ（２３ミリモル）のテトラブチル尿素溶液１５ｍｌを１時間かけて滴下後、更にこの温度で３時間攪拌した。
この反応混合液に、ヘキサメチルリン酸トリアミドとアセトニトリルを加えて完全に溶解させた後、その溶液中の目的物を液体クロマトグラフ（カラム：Ｉｎｅｒｔｓｉｌ  ＯＤＳ−２  ４．６φ×２５０ｍｍ、カラム温度：４０℃、溶離液：アセトニトリル／水＝６０／４０（０．２％酢酸）、流量：１．０ｍｌ／ｍｉｎ．、検出：ＵＶ２５４ｎｍ）で定量したところ、目的物の含有量は７．１０ｇ（収率９９％）であった。
実施例２１
アルゴン雰囲気下、ヨウ化ナトリウム２．８９ｇ（下記エポキシドの１０モル％）のテトラブチル尿素懸濁液１２５ｍｌに、２５℃で（＋）−シス−１，２−インデンエポキシド２５．０ｇ（０．１５３モル、純度８１％、光学純度９３％ｅｅ）を加え、２５℃で３０分間攪拌後、４５℃に加熱した。
この混合物に、４５〜５０℃でｐ−トルエンスルホニルイソシアネート３１．７ｇ（０．１６１モル）を１時間後、更にこの温度で３時間攪拌した。
この反応混合液を４℃に冷却後、析出物を濾過し、結晶をメタノールで洗浄した。
得られた結晶を乾燥し、目的物４６．２ｇ（純度９８％、収率９０％）を得た。
得られた結晶の光学純度は、９８％ｅｅであった。（ＨＰＬＣ、カラム：キラルセルＯＪ−Ｒ  ４．６φ×２５０ｍｍ、カラム温度：３５℃、溶離液：アセトニトリル／メタノール／水＝３／２／５、流量：０．９ｍｌ／ｍｉｎ．、検出：ＵＶ２５４ｎｍ）
実施例２２
（−）シス−１−アミノ−２−インダノール（８）の合成
0004061659.tif 000011
シス−Ｎ−ｐ−トルエンスルホニルインダノ［１，２−ｄ］オキサゾリジン−２−オン（６）１．００ｇ（３．０ミリモル、純度９９％、光学純度１００％ｅｅ）に９７％硫酸１ｍｌを加えて、６０℃で１時間撹拌した。
次に、水酸化ナトリウム水溶液を加えてｐＨ１０〜１１とし、８０℃で３０分間撹拌した後、クロロホルムを加えて抽出した。
クロロホルム層を芒硝で乾燥後濃縮し、目的物０．４１ｇ（収率９１％）を得た。光学純度は１００％ｅｅであった。
実施例２３
硫酸の代わりに４０％水酸化ナトリウム水溶液３ｍｌを使用し還流下で３日間撹拌した他は、実施例１７と同様に反応及び後処理を行ない（−）シス−１−アミノ−２−インダノール（８）０．１６ｇ（収率３５％）を得た。
光学純度は１００％ｅｅであった。
実施例２４
アルゴン雰囲気下、シス−Ｎ−ｐ−トルエンスルホニルインダノ［１，２−ｄ］オキサゾリジン−２−オン（６）９．９ｇ（２９ミリモル、純度９６．７％、光学純度１００％ｅｅ）に８５％硫酸２８ｇを加えて、７２℃で３時間攪拌した。
次に、２０℃に冷却後、水５１ｇを加え、析出した結晶を濾過した。
得られた結晶を、水で洗浄後、減圧乾燥し、オキサゾリジノン中間体（シス［１，２−ｄ］オキサゾリジン−２−オン）５．１６ｇ（純度９２％、収率９４％）を得た。
このオキサゾリジノン中間体３．２６ｇ（１７．１ミリモル）を、アルゴン雰囲気下、水酸化ナトリウム１．４４ｇを水１５．０ｇに溶解した水溶液に加え、８５℃で６時間攪拌した。
反応終了後、クロロホルムを加えて抽出し、クロロホルム層を濃縮したところ、目的物２．５４ｇ（収率９９％）を得た。
光学純度は１００％ｅｅであった。
産業上の利用可能性
本発明により、式（３）のシス−１，２−インデンエポキシドと式（４）のスルホニルイソシアネート化合物から容易に新規な式（１）のシス−オキサゾリジノン化合物を製造することができ、更に該化合物を加水分解することにより式（５）のシス−１−アミノ−２−インダノールを製造することができる。式（５）のシス−１−アミノ−２−インダノールは、医薬品、例えばＨＩＶ薬の中間体として有用である。