(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上のレジストを除去するための処理空間を構成する処理室と、
前記処理室内で前記基板を支持し、前記処理室内で前記基板を上下方向に移動せしめ、前記処理空間を自在に調節する機構を有する基板支持手段と、
紫外線を照射する紫外線照射機構を有し、前記基板の前記レジスト上に活性酸素を含む液膜を形成する液膜生成手段と
を含み、
前記液膜を形成するに際して、前記基板支持手段の前記移動機構により、前記基板表面と前記処理室内の上面部とが近接するように距離調節し、前記基板上の前記レジストの略全面を覆うように、前記液膜の状態を前記距離に規制された膜厚となるように制御し、前記紫外線照射機構により前記液膜に紫外線を照射することを特徴とするレジスト除去装置。
【請求項２】
前記紫外線照射手段から照射する紫外線の波長が１７２ｎｍ〜３１０ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載のレジスト除去装置。
【請求項３】
前記紫外線照射手段が低圧紫外線ランプであることを特徴とする請求項１又は２に記載のレジスト除去装置。
【請求項４】
前記基板表面と前記処理室内の上面部との距離が１ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のレジスト除去装置。
【請求項５】
前記液膜生成手段は、前記液膜にオゾン水を供給するオゾン供給機構を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のレジスト除去装置。
【請求項６】
前記液膜生成手段は、前記液膜に過酸化水素水を供給する過酸化水素水供給機構を含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のレジスト除去装置。
【請求項７】
基板上のレジストを除去するための処理空間を構成する処理室と、
前記処理室内で前記基板を支持し、前記処理室内で前記基板を上下方向に移動せしめ、前記処理空間を自在に調節する機構を有する基板支持手段と、
紫外線を照射する紫外線照射機構を有し、前記基板の前記レジスト上に活性酸素を含む液膜を形成する液膜生成手段と
を含み、
前記液膜を形成するに際して、前記基板支持手段の前記移動機構により、前記基板表面と前記処理室内の上面部とを離間させ、前記液膜の状態を前記基板上の前記レジスト表面で液滴として結露するように前記処理空間を調節し、前記紫外線照射機構により前記液膜に紫外線を照射することを特徴とするレジスト除去装置。
【請求項８】
前記紫外線照射手段から照射する紫外線の波長が１７２ｎｍ〜３１０ｎｍであることを特徴とする請求項７に記載のレジスト除去装置。
【請求項９】
前記紫外線照射手段が低圧紫外線ランプであることを特徴とする請求項７又は８に記載のレジスト除去装置。
【請求項１０】
前記液膜生成手段は、ミスト含有水蒸気を供給する機構を含むことを特徴とする請求項７〜９のいずれか１項に記載のレジスト除去装置。
【請求項１１】
前記液膜生成手段は、前記ミスト含有水蒸気供給機構で生成されたミスト含有水蒸気にオゾンガスを供給し、前記基板上に形成される前記液膜内に前記活性酸素を発生せしめるオゾン供給機構を含むことを特徴とする請求項１０に記載のレジスト除去装置。
【請求項１２】
基板上のレジストを除去するための処理空間を構成する処理室と、
前記処理室内で前記基板を支持し、前記処理室内で前記基板を上下方向に移動せしめ、前記処理空間を自在に調節する機構を有する基板支持手段と、
多孔質セラミック板を有しており、前記多孔質セラミック板の空孔からミスト含有水蒸気を前記処理空間内に供給し、前記基板の前記レジスト上に活性酸素を含む液膜を形成する液膜生成手段と
を含み、
前記液膜を形成するに際して、前記基板支持手段の前記移動機構により前記処理空間を調節し、前記液膜の状態を制御することを特徴とするレジスト除去装置。
【請求項１３】
前記基板支持手段の前記移動機構により前記基板表面と前記処理室内の上面部とを離間させ、前記液膜の状態を前記基板上の前記レジスト表面で液滴として結露するように調節することを特徴とする請求項１２に記載のレジスト除去装置。
【請求項１４】
前記液膜生成手段は、前記ミスト含有水蒸気にオゾンガスを供給し、前記基板上に形成される前記液膜内に前記活性酸素を発生せしめるオゾン供給機構を含むことを特徴とする請求項１２又は１３に記載のレジスト除去装置。
【請求項１５】
表面にレジストが設けられた基板と、前記レジストを除去するための処理空間を構成する処理室内の上面部とが近接するように距離調節し、前記基板上の前記レジストの略全面を覆うように、活性酸素を含む液膜を前記距離に規制された膜厚となるように形成し、
前記液膜に紫外線を照射して、前記液膜内に前記活性酸素の発生を促進せしめ、
前記活性酸素の作用により前記レジストを溶解除去することを特徴とするレジスト除去方法。
【請求項１６】
前記基板表面と前記処理室内の上面部との前記距離を１ｍｍ以下に調節することを特徴とする請求項１５に記載のレジスト除去方法。
【請求項１７】
前記液膜にオゾン水を供給することにより、前記液膜内に前記活性酸素を発生せしめることを特徴とする請求項１５又は１６に記載のレジスト除去方法。
【請求項１８】
前記液膜に過酸化水素水を供給することにより、前記液膜内に前記活性酸素を発生せしめることを特徴とする請求項１５〜１７のいずれか１項に記載のレジスト除去方法。
【請求項１９】
表面にレジストが設けられた基板と、前記レジストを除去するための処理空間を構成する処理室内の上面部とが離間するように距離調節し、活性酸素を含むミスト含有水蒸気を供給して前記レジスト表面に液滴を結露させ、
前記液膜に紫外線を照射して、前記液膜内に前記活性酸素の発生を促進せしめ、
前記活性酸素の作用により前記レジストを溶解除去することを特徴とするレジスト除去方法。
【請求項２０】
前記液膜にオゾンガスを供給することにより、前記液膜内に前記活性酸素を発生せしめることを特徴とする請求項１９に記載のレジスト除去方法。
【請求項２１】
前記液膜に過酸化水素水を供給することにより、前記液膜内に前記活性酸素を発生せしめることを特徴とする請求項１９に記載のレジスト除去方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路等の微細構造形成のためのリソグラフィー工程において不可欠であるレジスト除去装置及びレジスト除去方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在、レジスト膜を除去する手法としては、酸素プラズマによりレジスト膜を灰化除去する方法と、有機溶媒（フェノール系・ハロゲン系など有機溶媒、９０℃〜１３０℃）を用いてレジスト膜を加熱溶解させる方法、または濃硫酸・過酸化水素を用いる加熱溶解法がある。これら何れの手法も、レジスト膜を分解し溶解するための時間、エネルギー及び化学材料が必要であり、リソグラフィー工程の負担となっている。このような灰化や溶解による除去に替わる新しいレジスト除去技術への要求は大きいが、剥離技術の開発は未だ数少ない。その代表例は、剥離液を開発し高周波超音波の剥離作用を用いる新技術である。剥離液として例えば「ＩＰＡ−Ｈ2Ｏ2成分系＋フッ化物などの塩類」の剥離効果が認められている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、レジストに液膜を形成し、液膜内で発生する活性酸素を利用してレジストを溶解除去することを可能とし、資源・エネルギー多消費型技術からの脱却、即ちレジストの除去に高エネルギーや化学溶剤に依存しない環境共生型技術を実現するレジスト除去装置及びレジスト除去方法を提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明のレジスト除去装置は、基板上のレジストを除去するための処理空間を構成する処理室と、前記処理室内で前記基板を支持し、前記処理室内で前記基板を上下方向に移動せしめ、前記処理空間を自在に調節する機構を有する基板支持手段と、紫外線を照射する紫外線照射機構を有し、前記基板の前記レジスト上に活性酸素を含む液膜を形成する液膜生成手段とを含み、前記液膜を形成するに際して、前記基板支持手段の前記移動機構により、前記基板表面と前記処理室内の上面部とが近接するように距離調節し、前記基板上の前記レジストの略全面を覆うように、前記液膜の状態を前記距離に規制された膜厚となるように制御し、前記紫外線照射機構により前記液膜に紫外線を照射する。
本発明のレジスト除去装置の一態様では、前記紫外線照射手段から照射する紫外線の波長が１７２ｎｍ〜３１０ｎｍである。
本発明のレジスト除去装置の一態様では、前記紫外線照射手段が低圧紫外線ランプである。
本発明のレジスト除去装置の一態様では、前記基板表面と前記処理室内の上面部との距離が１ｍｍ以下である。
本発明のレジスト除去装置の一態様では、前記液膜生成手段は、前記液膜にオゾン水を供給するオゾン供給機構を含む。
本発明のレジスト除去装置の一態様では、前記液膜生成手段は、前記液膜に過酸化水素水を供給する過酸化水素水供給機構を含む。
本発明のレジスト除去装置は、基板上のレジストを除去するための処理空間を構成する処理室と、前記処理室内で前記基板を支持し、前記処理室内で前記基板を上下方向に移動せしめ、前記処理空間を自在に調節する機構を有する基板支持手段と、紫外線を照射する紫外線照射機構を有し、前記基板の前記レジスト上に活性酸素を含む液膜を形成する液膜生成手段とを含み、前記液膜を形成するに際して、前記基板支持手段の前記移動機構により、前記基板表面と前記処理室内の上面部とを離間させ、前記液膜の状態を前記基板上の前記レジスト表面で液滴として結露するように前記処理空間を調節し、前記紫外線照射機構により前記液膜に紫外線を照射する。
本発明のレジスト除去装置の一態様では、前記紫外線照射手段から照射する紫外線の波長が１７２ｎｍ〜３１０ｎｍである
本発明のレジスト除去装置の一態様では、前記紫外線照射手段が低圧紫外線ランプである。
本発明のレジスト除去装置の一態様では、前記液膜生成手段は、ミスト含有水蒸気を供給する機構を含む。
本発明のレジスト除去装置の一態様では、前記液膜生成手段は、前記ミスト含有水蒸気供給機構で生成されたミスト含有水蒸気にオゾンガスを供給し、前記基板上に形成される前記液膜内に前記活性酸素を発生せしめるオゾン供給機構を含む。
本発明のレジスト除去装置は、基板上のレジストを除去するための処理空間を構成する処理室と、前記処理室内で前記基板を支持し、前記処理室内で前記基板を上下方向に移動せしめ、前記処理空間を自在に調節する機構を有する基板支持手段と、多孔質セラミック板を有しており、前記多孔質セラミック板の空孔からミスト含有水蒸気を前記処理空間内に供給し、前記基板の前記レジスト上に活性酸素を含む液膜を形成する液膜生成手段とを含み、前記液膜を形成するに際して、前記基板支持手段の前記移動機構により前記処理空間を調節し、前記液膜の状態を制御する。
本発明のレジスト除去装置の一態様では、前記基板支持手段の前記移動機構により前記基板表面と前記処理室内の上面部とを離間させ、前記液膜の状態を前記基板上の前記レジスト表面で液滴として結露するように調節する。
本発明のレジスト除去装置の一態様では、前記液膜生成手段は、前記ミスト含有水蒸気にオゾンガスを供給し、前記基板上に形成される前記液膜内に前記活性酸素を発生せしめるオゾン供給機構を含む。
本発明のレジスト除去方法では、表面にレジストが設けられた基板と、前記レジストを除去するための処理空間を構成する処理室内の上面部とが近接するように距離調節し、前記基板上の前記レジストの略全面を覆うように、活性酸素を含む液膜を前記距離に規制された膜厚となるように形成し、前記液膜に紫外線を照射して、前記液膜内に前記活性酸素の発生を促進せしめ、前記活性酸素の作用により前記レジストを溶解除去する。
本発明のレジスト除去方法の一態様では、前記基板表面と前記処理室内の上面部との前記距離を１ｍｍ以下に調節する。
本発明のレジスト除去方法の一態様では、前記液膜にオゾン水を供給することにより、前記液膜内に前記活性酸素を発生せしめる。
本発明のレジスト除去方法の一態様では、前記液膜に過酸化水素水を供給することにより、前記液膜内に前記活性酸素を発生せしめる。
本発明のレジスト除去方法は、表面にレジストが設けられた基板と、前記レジストを除去するための処理空間を構成する処理室内の上面部とが離間するように距離調節し、活性酸素を含むミスト含有水蒸気を供給して前記レジスト表面に液滴を結露させ、前記液膜に紫外線を照射して、前記液膜内に前記活性酸素の発生を促進せしめ、前記活性酸素の作用により前記レジストを溶解除去する。
本発明のレジスト除去方法の一態様では、前記液膜にオゾンガスを供給することにより、前記液膜内に前記活性酸素を発生せしめる。
本発明のレジスト除去方法の一態様では、前記液膜に過酸化水素水を供給することにより、前記液膜内に前記活性酸素を発生せしめる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を適用した好適な諸実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２６】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態のレジスト除去装置の概略構成を示す模式図である。
このレジスト除去装置は、リソグラフィー工程においてシリコンウェーハやガラス基板等の基板１０上に形成されたレジストを除去するためのものであり、基板１０上のレジストを除去するための処理空間を構成する処理室であり、基板出し入れ自在とされてなる枚葉式の処理チャンバー１と、処理チャンバー１内に設けられ、基板１０が支持固定される基板ステージ２と、処理チャンバー１の上面部に設けられ、合成石英ガラスからなる紫外線透過板３と、紫外線透過板３の上部に設けられ、紫外線透過板３を介して処理チャンバー１内に紫外線を照射する低圧の紫外線ランプ４と、処理チャンバー１の流入口１ａを介して超純水及び各種薬液を供給する液膜生成手段５と、処理チャンバー１の流出口１ｂを介して処理チャンバー１内の排液及び排気を行う排液・排気手段６とを備えて構成されている。
【００２７】
基板ステージ２は、設置された基板１０の温度を温水／冷水により調節する温度調節機構２ｃを有し、更には、設置された基板１０を自在に回転させる回転機構２ａとともに、上述のように設置された基板１０を上下方向に自在に移動せしめる上下移動機構２ｂを有しており、基板１０上のレジスト除去時には、後述するように上下移動機構２ｂの作動により基板１０表面と紫外線透過板３とを所定距離に近接させる。
【００２８】
液膜生成手段５は、処理チャンバー１内に超純水を供給するための超純水供給部１１と、オゾン水（Ｏ3水）水を生成して供給するためのＯ3水供給部１２と、過酸化水素水の水溶液（Ｈ2Ｏ2水）を生成して供給するためのＨ2Ｏ2水供給部１３と、レジスト除去処理の後に基板１０表面に残存する薬液を除去して基板１０の取り出しを容易にするため、基板１０表面にＯ2／Ｎ2ガスを供給するＯ2／Ｎ2ガス供給部１４とを備えて構成されている。
【００２９】
超純水供給部１１は、外部から供給された超純水を貯蔵する超純水タンク２１と、貯蔵された超純水の液位を測定する液位計２２と、所定量の超純水を例えば周期的に正確に吸引し送出するダイヤフラムポンプ２３と、ダイヤフラムポンプ２３によって送出する超純水量を計測するフローメータ２４とを備えて構成されている。
【００３０】
Ｈ2Ｏ2水供給部１３は、Ｈ2Ｏ2水を貯蔵する圧送タンク２５と、超純水にＨ2Ｏ2を供給しＨ2Ｏ2水を生成するＨ2Ｏ2供給ライン２６と、所定量のＨ2Ｏ2水を圧送タンク２５から圧送するため、圧送タンク２５内にＮ2を供給する圧送機構２７と、貯蔵されたＨ2Ｏ2水の液位を測定する液位計２８と、送出されるＨ2Ｏ2水量を制御するフローコントロールバルブ２９とを備えて構成されている。
【００３１】
Ｏ2／Ｎ2ガス供給部１４は、Ｏ2ガス及びＮ2ガスの各流路をそれぞれ形成し、両者の混合ガスの流路が設けられており、Ｏ2ガス及びＮ2ガスの各流路にはそれぞれ圧力調節器３１及びガスの流量を調節するマスフローコントローラ３２が設けられている。
【００３２】
排液・排気手段６は、気液分離機構３３を有しており、この気液分離機構３３の作動により排液及び排気を分離して行う。
【００３３】
このレジスト除去装置を用いて基板１０上のレジストを除去するには、先ず、基板ステージ２の下移動機構２ｂにより、基板１０表面と紫外線透過板３との距離を所定距離に調節する。この距離としては、後述するように照射した紫外線を減衰させない範囲内とすることを考慮して、０．１ｍｍ〜１ｍｍとすることが好ましい。
【００３４】
この状態で、基板ステージ２の回転機構２ａにより基板１０を回転させつつ、Ｏ3水供給部１２からＯ3水を、処理チャンバー１の基板１０表面と紫外線透過板３との間に形成される処理空間に供給する。これにより、図２に示すように、当該処理空間をＯ3水で満たし、基板１０表面と紫外線透過板３との距離（０．１ｍｍ〜１ｍｍ）の薄膜状態に膜厚が規制されてなり、基板１０上のレジスト４２の略全面を覆う液膜４１が形成される。
【００３５】
液膜４１のＯ3水中では、Ｏ3の水溶液への溶解により、以下の一連の（式１）に示すように、ＯＨ-とＯ3との反応によりＯ3が分解し、ＨＯ2、Ｏ2-、ＯＨ等の種々の活性酸素が発生する。
（式１）：
Ｏ3＋ＯＨ-→ＨＯ2＋Ｏ2-
Ｏ3＋ＨＯ2→２Ｏ2＋ＯＨ
Ｏ3＋ＯＨ→Ｏ2＋ＨＯ2
２ＨＯ2→Ｏ3＋Ｈ2Ｏ
ＨＯ2＋ＯＨ→Ｏ2＋Ｈ2Ｏ
【００３６】
従って、水溶液中では、Ｏ3による直接酸化の他、副生成したＯ2-，ＨＯ2，ＯＨ等の活性酸素によるラジカル的酸化が進行することになる（この場合、Ｏ3以外の選択性は低下するが、酸化は強力である。）。
【００３７】
そして、液膜４１が形成された状態で、紫外線ランプ４により当該液膜４１に紫外線を均一に照射する。このとき、以下の一連の（式２）に示すように、Ｏ3が紫外線により分解し、これにより生じた励起酸素原子と水分子の反応によりヒドロキシラジカル（ＯＨ）の生成が助長される。この場合、照射する紫外線の波長としては、Ｏ3を分解するためには３１０ｎｍ以下であることを要し、また、波長が１７２ｎｍの紫外線の空気に対する５０％透過距離が、酸素の光吸収断面積（０．２５９×１０-18分子数／ｃｍ2）から３．１ｍｍとなるが、５０％透過距離が３．１ｍｍ以下では装置化が困難であることから、１７２ｎｍ〜３１０ｎｍのものを用いることが好ましい。本実施形態では比較的短い１８４．９ｎｍ付近を採用する。ここで、当該紫外線は、水溶液中でＯ3を発生させ、また発生したＯ3を分解する反応を惹起するものであるため、上記のような比較的広域にわたる波長であっても良い。
（式２）：
Ｏ3＋ｈν（λ＜３１０ｎｍ）→Ｏ（1Ｄ）＋Ｏ2（ａ1ΔＰ）
Ｈ2Ｏ＋Ｏ（1Ｄ）→２ＯＨ
ＯＨ＋Ｏ3→Ｏ2＋ＨＯ2
ＨＯ2＋Ｏ3→２Ｏ2＋ＯＨ
【００３８】
上述のように液膜４１内で生成された各種の活性酸素の有する活性作用により、有機物であるレジストがＨ2Ｏ／ＣＯ2に分解し、溶解除去されることになる。
【００３９】
また、液膜４１の生成時に、Ｏ3水に替わって、又はこれと共に、Ｈ2Ｏ2水供給部１３からＨ2Ｏ2水を供給しても良い。この場合、以下の一連の（式３）に示すように、Ｈ2Ｏ2がＯ3と反応とし、ヒドロキシラジカル（ＯＨ）の生成が助長される。
（式３）：
Ｈ2Ｏ2→Ｈ＋ＨＯ2-
ＨＯ2-＋Ｏ3→ＯＨ＋Ｏ2-＋Ｏ2
【００４０】
更に、Ｈ2Ｏ2水を含む液膜４１に、前記紫外線を照射することにより、以下の（式４）に示すように、Ｈ2Ｏ2が直接分解し、ヒドロキシラジカル（ＯＨ）の生成が更に助長される。
（式４）：
Ｈ2Ｏ2＋ｈν（λ＜３１０ｎｍ）→２ＯＨ
【００４１】
以上説明したように、本実施形態によれば、基板１上のレジストに液膜４１を形成し、液膜４１内で発生する各種の活性酸素を利用してレジストを溶解除去することを可能とし、資源・エネルギー多消費型技術からの脱却、即ちレジストの除去に高エネルギーや化学溶剤に依存しない環境共生型技術を実現することができる。
【００４２】
（第２の実施形態）
本実施形態では、第１の実施形態と略同様に構成された処理チャンバー及び基板ステージを備えたレジスト除去装置を開示するが、レジスト上の供給される液膜の状態が異なる点で相違する。なお、第１の実施形態と共通する構成部材等については同符号を記して説明を省略する。
【００４３】
図３は、第２の実施形態のレジスト除去装置の主要構成である処理チャンバー近傍の様子を示す模式図である。
このレジスト除去装置は、第１の実施形態のレジスト除去装置と同様に紫外線透過板３や紫外線ランプ４等が設けられた処理チャンバー１と、上下移動機構２ｂを有する基板ステージ２と、液膜生成手段５１と、処理チャンバー１の流出口を介して処理チャンバー１内の排液及び排気を行う排液・排気手段（不図示：排液・排気手段６と同様）を備えて構成されている。
【００４４】
ここで、液膜生成手段５１は、処理チャンバー１内に水蒸気を供給する蒸気供給部５２と、処理チャンバー１内に高濃度のＯ3ガスを供給するＯ3ガス供給部（オゾナイザー）５３とを備えて構成されている。
【００４５】
このレジスト除去装置を用いて基板１０上のレジストを除去するには、先ず、基板ステージ２の下移動機構２ｂにより、基板１０表面と紫外線透過板３との距離を所定距離に調節する。本実施形態では、この距離を第１の実施形態に比して離間（１０ｍｍ〜３０ｍｍ）させる。ここで、処理チャンバー１内の温度を８０℃〜９０℃、基板温度を常温〜６０℃に調節する。
【００４６】
この状態で、基板ステージ２の回転機構２ａにより基板１０を回転させつつ、蒸気供給部５２から蒸気を、Ｏ3ガス供給部５３からＯ3ガスをそれぞれ処理チャンバー１の基板１０表面と紫外線透過板３との間に形成される処理空間に供給する。このとき前記蒸気はミストを含有する蒸気であり、処理チャンバー１内は飽和蒸気の状態のミスト含有蒸気／Ｏ3ガスの混合雰囲気となる。このミスト含有蒸気とは、粒径が１０μｍ〜５０μｍのミストと蒸気が混合したものである。ミストはほぼ球状であるために表面積が大きく、従ってＯ3ガスが浸透し易いことから、このミスト含有蒸気を用いることによりＯ3ガスを十分に供給することができる。
【００４７】
そして、処理チャンバー１内の温度と基板温度との温度差に加え、飽和した前記混合雰囲気により、液滴が基板１０のレジスト上に、Ｏ3ガスの溶解した多数の微小な薄い液膜６１として結露する。このとき、液膜６１においては、第１の実施形態で説明した一連の（式１）の反応が惹起され、Ｏ3の水溶液への溶解によりＯＨ-とＯ3との反応によりＯ3が分解し、ＨＯ2、Ｏ2-、ＯＨ等の種々の活性酸素が発生する。
【００４８】
従って、水溶液中では、Ｏ3による直接酸化の他、副生成したＯ2-，ＨＯ2，ＯＨ等の活性酸素によるラジカル的酸化が進行することになる。
【００４９】
そして、液膜６１が形成された状態で、第１の実施形態と同様の条件で紫外線ランプ４により当該液膜６１に紫外線を均一に照射する。このとき、第１の実施形態で説明した一連の（式２）の反応が惹起され、Ｏ3が紫外線により分解し、これにより生じた励起酸素原子と水分子の反応によりヒドロキシラジカル（ＯＨ）の生成が助長される。
【００５０】
上述のように液膜６１内で生成された各種の活性酸素の有する活性作用により、有機物であるレジストがＨ2Ｏ／ＣＯ2に分解し、溶解除去されることになる。
【００５１】
以上説明したように、本実施形態によれば、基板１上のレジストに液膜６１を形成し、液膜６１内（特にその表層）で発生する各種の活性酸素を利用してレジストを溶解除去することを可能とし、資源・エネルギー多消費型技術からの脱却、即ちレジストの除去に高エネルギーや化学溶剤に依存しない環境共生型技術を実現することができる。
【００５２】
−変形例−
ここで、第２の実施形態の変形例について説明する。
この変形例では、第２の実施形態と略同様に構成されたレジスト除去装置を開示するが、紫外線ランプの替わりに多孔質セラミック板が設けられている点で相違する。
【００５３】
図４は、本変形例のレジスト除去装置の主要構成である処理チャンバー近傍の様子を示す模式図である。
このレジスト除去装置は、第１の実施形態のレジスト除去装置と同様の処理チャンバー１と、紫外線ランプの替わりに設けられた多孔質セラミック板７１と、上下移動機構２ｂを有する基板ステージ２と、高濃度のＯ3ガス供給部５３と、処理チャンバー１の流出口を介して処理チャンバー１内の排液及び排気を行う排液・排気手段（不図示：排液・排気手段６と同様）を備えて構成されている。
【００５４】
多孔質セラミック板７１は、その空孔７２を介して、小粒径の均一なミストを含むミスト含有水蒸気や更にＯ3ガスを含むミスト含有水蒸気が基板１０に供給されるように構成されている。
【００５５】
このレジスト除去装置を用いて基板１０上のレジストを除去するには、先ず、基板ステージ２の下移動機構２ｂにより、基板１０表面と多孔質セラミック板７１との距離を所定距離に調節する。本実施形態では、この距離を第１の実施形態に比して離間（１０ｍｍ〜３０ｍｍ）させる。ここで、処理チャンバー１内の温度を８０℃〜９０℃、基板温度を常温〜６０℃に調節する。
【００５６】
この状態で、基板ステージ２の回転機構２ａにより基板１０を回転させつつ、多孔質セラミック板７１の空孔７２から蒸気を、高濃度のＯ3ガス供給部５３からＯ3ガスをそれぞれ処理チャンバー１の基板１０表面と多孔質セラミック板７１との間に形成される処理空間に供給する。このとき前記蒸気はミスト含有水蒸気であり、処理チャンバー１内は飽和蒸気の状態のミスト含有水蒸気／Ｏ3ガスの混合雰囲気となり、Ｏ3ガスがミスト含有水蒸気に溶解する。
【００５７】
そして、処理チャンバー１内の温度と基板温度との温度差に加え、飽和した前記混合雰囲気により、基板１０のレジスト上に液滴が多数の微小な薄い液膜６１として結露する。
【００５８】
従って、水溶液中では、Ｏ3による直接酸化の他、副生成したＯ2-，ＨＯ2，ＯＨ等の活性酸素によるラジカル的酸化が進行することになる。
【００５９】
上述のように、液膜内で生成された各種の活性酸素の有する活性作用により、有機物であるレジストがＨ2Ｏ／ＣＯ2に分解し、溶解除去されることになる。
【００６０】
以上説明したように、本変形例によれば、レジスト上にＯ3を溶解した液滴が結露して液膜が形成され、各種の活性酸素を利用してレジストを溶解除去することを可能とし、資源・エネルギー多消費型技術からの脱却、即ちレジストの除去に高エネルギーや化学溶剤に依存しない環境共生型技術を実現することができる。
【００６１】
【発明の効果】
本発明によれば、レジストに液膜を形成し、液膜内で発生する活性酸素を利用してレジストを溶解除去することを可能とし、資源・エネルギー多消費型技術からの脱却、即ちレジストの除去に高エネルギーや化学溶剤に依存しない環境共生型技術を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態のレジスト除去装置の概略構成を示す模式図である。
【図２】第１の実施形態のレジスト除去装置において、基板表面の近傍を拡大して示す模式図である。
【図３】第２の実施形態のレジスト除去装置の主要構成である処理チャンバー近傍の様子を示す模式図である。
【図４】第２の実施形態の変形例のレジスト除去装置の主要構成である処理チャンバー近傍の様子を示す模式図である。
【符号の説明】
１  処理チャンバー
２  基板ステージ
２ａ  回転機構
２ｂ  上下移動機構
２ｃ  温度調節機構
３  紫外線透過板
４  紫外線ランプ
５，５１  液膜生成手段
６  排液・排気手段
１０  基板
１１  超純水供給部
１２  Ｏ3水供給部
１３  Ｈ2Ｏ2水供給部
１４  Ｎ2ガス供給部
２１  超純水タンク
２２，２８  液位計
２３  ダイヤフラムポンプ
２４  フローメータ
２５  圧送タンク
２６  Ｈ2Ｏ2供給ライン
２７  圧送機構
２９  フローコントロールバルブ
３１  圧力調節器
３２  マスフローコントローラ
３３  気液分離機構
４１  液膜
５２  蒸気供給部
５３  Ｏ3ガス供給部
６１  液滴
７１  多孔質セラミック板
７２  空孔
【図１】
0004038557.tif 000002
【図２】
0004038557.tif 000003
【図３】
0004038557.tif 000004
【図４】
0004038557.tif 000005