(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
トレイに搭載した状態で複数の被試験電子部品の端子をテストヘッドのコンタクト部へ押し付けてテストを行う電子部品試験装置において、
前記コンタクト部に対して接近離反移動可能に設けられたリードプッシャベースおよびプッシャベースと、前記プッシャベースに一体または別体で設けられ前記コンタクト部の反対面から前記被試験電子部品に接触してこれを押圧するプッシャブロックと、前記プッシャブロックに対して前記被試験電子部品の押圧方向に弾性力を付与する弾性体と、前記プッシャブロックに設けられた吸放熱体と、を備え、
前記弾性体および前記吸放熱体は、前記リードプッシャベースおよびプッシャベースの間に、前記プッシャブロックによる押圧方向から見て重ならないような状態で配置されていることを特徴とする電子部品試験装置。
【請求項２】
前記プッシャブロックは前記プッシャベースとは別体で構成されることを特徴とする請求項１記載の電子部品試験装置。
【請求項３】
前記吸放熱体は、前記プッシャブロックによる押圧方向から見て、一対の前記弾性体の間に設けられていることを特徴とする請求項２記載の電子部品試験装置。
【請求項４】
前記吸放熱体は、前記プッシャブロックによる押圧方向から見て、前記弾性体の両側に設けられていることを特徴とする請求項２記載の電子部品試験装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路素子などの各種電子部品（以下、代表的にＩＣと称する。）をテストするための電子部品試験装置に関し、特にテスト時における電子部品の自己発熱を抑制して電子部品の損傷を防止するとともに正確な温度で試験を行うことができる電子部品試験装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置などの製造課程においては、最終的に製造されたＩＣチップなどの電子部品を試験する試験装置が必要となる。このような試験装置の一種として、常温または常温よりも高い温度条件もしくは低い温度条件で、ＩＣチップを試験するための装置が知られている。ＩＣチップの特性として、常温または高温もしくは低温でも良好に動作することの保証が必要とされるからである。
【０００３】
この種の電子部品試験装置においては、テストヘッドの上部をチャンバで覆って内部を密閉空間とし、このチャンバ内部を常温、高温または低温といった一定温度環境にしたうえで、ＩＣチップをテストヘッドの上に搬送し、そこでＩＣチップをテストヘッドに押圧して電気的に接続することで試験を行う。このような試験により、ＩＣチップは良好に試験され、少なくとも良品と不良品とに分類される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、近年におけるＩＣチップの高速化および高集積化に伴い、動作時の自己発熱量が増加する傾向となり、試験中においてもこうした自己発熱量は増加傾向にある。たとえば、ＩＣチップの種類によっては３０ワットもの自己発熱を生じるものがある。
【０００５】
このため、たとえば１２５℃前後の高温試験を行うと、この熱量に加えて自己発熱による熱量がＩＣチップに印加され、これによりＩＣチップの温度がその許容限界を超えてしまうおそれがある。また、常温試験や低温試験においても、たとえチャンバ内部を一定温度に維持したとしても、ＩＣチップの自己発熱量が生じるため目的とする試験温度で試験することが困難となる。
【０００６】
本発明は、このような従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、テスト時における電子部品の自己発熱を抑制して電子部品の損傷を防止するとともに正確な温度で試験を行うことができる電子部品試験装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
（１）上記目的を達成するために、本発明の電子部品試験装置は、トレイに搭載した状態で複数の被試験電子部品の端子をテストヘッドのコンタクト部へ押し付けてテストを行う電子部品試験装置において、前記コンタクト部に対して接近離反移動可能に設けられたリードプッシャベースおよびプッシャベースと、前記プッシャベースに一体または別体で設けられ前記コンタクト部の反対面から前記被試験電子部品に接触してこれを押圧するプッシャブロックと、前記プッシャブロックに対して前記被試験電子部品の押圧方向に弾性力を付与する弾性体と、前記プッシャブロックに設けられた吸放熱体と、を備え、前記弾性体および前記吸放熱体は、前記リードプッシャベースおよびプッシャベースの間に、前記プッシャブロックによる押圧方向から見て重ならないような状態で配置されていることを特徴とする。
【０００８】
本発明の電子部品試験装置では、被試験電子部品に接触するプッシャブロックに吸放熱体が設けられているので、被試験電子部品の自己発熱は吸放熱体を吸収されるとともにここから周囲の環境に逃げることになる。この結果、特に高温テストなどで問題とされる過熱による電子部品の破壊または損傷を防止することができる。
【０００９】
また、高温テストに限らず、吸放熱体の吸放熱効果によって自己発熱による昇温が抑制されるので、目的とする正確な温度でテストを行うことができ、テスト結果の信頼性が向上する。
【００１０】
本発明に係る吸放熱体としては特に限定されないが、熱伝導性に優れた金属等から構成され、放熱フィンなどが形成されたヒートシンクを用いることが好ましい。
【００１１】
（２）本発明の電子部品試験装置において、被試験電子部品をコンタクト部へ搬送する形態は、被試験電子部品をトレイに搭載した状態でコンタクト部へ押し付けるタイプであり、特にこのタイプでは、多数の被試験電子部品を同時測定するために多数の被試験電子部品を同時に押圧するので、被試験電子部品の周囲が過密状態となって熱が籠もり易い。したがって、本発明は、被試験電子部品をトレイに搭載した状態でコンタクト部へ押し付けるタイプの電子部品試験装置に適用することがより好ましい。
【００１２】
（３）上記発明において、プッシャブロックはプッシャベースと一体で構成されても、あるいは別体で構成されても良いが、請求項２記載の電子部品試験装置では、前記プッシャブロックは前記プッシャベースとは別体で構成されることを特徴とする。
【００１３】
本発明の電子部品試験装置では、被試験電子部品の端子をテストヘッドのコンタクト部へ押し付けるに際し、プッシャベースをコンタクト部へ接近させ、プッシャブロックにて被試験電子部品をコンタクト部側へ押圧する。
【００１４】
このとき、プッシャベースとコンタクト部との位置関係は、ストッパ等の機械的機構あるいは電動モータ等の電気的機構によって基準寸法に規制されるが、これらプッシャベースとコンタクト部との位置関係に誤差が生じた場合には、プッシャブロックが弾性体により被試験電子部品に対して弾性力を付与しながらその誤差を吸収する。したがって、被試験電子部品に過度の押圧力が作用したり、逆に押圧力不足になったりすることが防止できる。つまり、本発明の電子部品試験装置では、プッシャのストロークを管理するのではなく、プッシャブロックによる荷重を管理することで被試験電子部品に対する押圧力を均一化する。
【００１５】
本発明に係る弾性体としては特に限定されず、コイルスプリングなどの各種弾性体やアクチュエータなどを用いることができる。また、当該弾性体はプッシャベースに設ける他、その他の部位にも設けることができる。
【００１６】
プッシャベースとコンタクト部との位置関係に生じる主な誤差としては、被試験電子部品自体の厚さΔＸ、プッシャ側のストッパとプッシャ面との製造寸法ΔＹ、およびコンタクト部側のストッパとコンタクトピン先端との製造寸法ΔＺが考えられ、記述したようにこれらΔＸ〜ΔＺの積算量は通常±０．１〜±０．２ｍｍ程度にも昇る。しかしながら、たとえば弾性体としてコイルスプリングを用いた場合で考察すると、±２ｍｍの誤差が生じた場合でも被試験電子部品に作用する押圧力の誤差はたとえば基準荷重２５gf/1ballに対して±３gf/1ball程度となり、過荷重あるいは荷重不足といった問題は全くない。
【００１７】
（３）本発明に係る弾性体において、特に限定はされないが、その弾性力が可変とされていることがより好ましい。
この弾性力の可変とは、プッシャブロックに対して与えられる被試験弟子部品の押圧方向の弾性力を変更可能とすることをいい、具体的手段は特に限定されない。
【００１８】
たとえば、異なる弾性係数を有する複数種の弾性体を交換することで弾性力を可変としたり、あるいは同じ弾性体を用いてその弾性体の基本長を変更することで弾性力を可変とすることなどが挙げられる。
【００１９】
弾性体の弾性力を可変とすることで、被試験電子部品のテスト条件に応じて基準荷重（押圧力）が変動してもこれに柔軟に対応することができ、電子部品試験装置の汎用性が高くなる。
【００２０】
（４）本発明に係る吸放熱体は、特に限定されないが、前記プッシャブロックによる押圧方向から見て、前記弾性体の間や前記弾性体の両側に設けることができる。リードプッシャベースとプッシャベースとの間に弾性体と吸放熱体とを効率よく配置することで、装置の小型化を図ることができる。
【００２１】
（５）本発明において適用される被試験電子部品は、特に限定されず全てのタイプの電子部品が含まれるが、動作時の自己発熱量がきわめて大きいＩＣなどに適用すると、その効果も特に著しい。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
図１は本発明の電子部品試験装置の実施形態を示す斜視図、図２は被試験ＩＣの取り廻し方法を示すトレイのフローチャート、図３は同電子部品試験装置で用いられるテストトレイを示す一部分解斜視図である。
【００２３】
なお、図２は本実施形態の電子部品試験装置における被試験ＩＣの取り廻し方法を理解するための図であって、実際には上下方向に並んで配置されている部材を平面的に示した部分もある。したがって、その機械的（三次元的）構造は図１を参照して説明する。
【００２４】
本実施形態の電子部品試験装置１は、被試験ＩＣに高温または低温の温度ストレスを与えた状態でＩＣが適切に動作するかどうかを試験（検査）し、当該試験結果に応じてＩＣを分類する装置であって、こうした温度ストレスを与えた状態での動作テストは、試験対象となる被試験ＩＣが多数搭載されたトレイ（以下、カスタマトレイＫＳＴともいう。図示は省略する。）から当該電子部品試験装置１内を搬送されるテストトレイＴＳＴ（図３参照）に被試験ＩＣを載せ替えて実施される。
【００２５】
このため、本実施形態の電子部品試験装置１は、図１および図２に示すように、これから試験を行なう被試験ＩＣを格納し、また試験済のＩＣを分類して格納するＩＣ格納部２００と、ＩＣ格納部２００から送られる被試験ＩＣをチャンバ部１００に送り込むローダ部３００と、テストヘッドを含むチャンバ部１００と、チャンバ部１００で試験が行なわれた試験済のＩＣを分類して取り出すアンローダ部４００とから構成されている。
【００２６】
ＩＣ格納部２００
ＩＣ格納部２００には、試験前の被試験ＩＣを格納する試験前ＩＣストッカ２０１と、試験の結果に応じて分類された被試験ＩＣを格納する試験済ＩＣストッカ２０２とが設けられている。
【００２７】
これらの試験前ＩＣストッカ２０１及び試験済ＩＣストッカ２０２は、枠状のトレイ支持枠２０３と、このトレイ支持枠２０３の下部から侵入して上部に向って昇降可能とするエレベータ２０４とを具備して構成されている。トレイ支持枠２０３には、カスタマトレイＫＳＴが複数積み重ねられて支持され、この積み重ねられたカスタマトレイＫＳＴのみがエレベータ２０４によって上下に移動される。
【００２８】
そして、試験前ＩＣストッカ２０１には、これから試験が行われる被試験ＩＣが格納されたカスタマトレイＫＳＴが積層されて保持される一方で、試験済ＩＣストッカ２０２には、試験を終えた被試験ＩＣが適宜に分類されたカスタマトレイＫＳＴが積層されて保持されている。
【００２９】
なお、これら試験前ＩＣストッカ２０１と試験済ＩＣストッカ２０２とは同じ構造とされているので、試験前ＩＣストッカ２０１と試験済ＩＣストッカ２０２とのそれぞれの数を必要に応じて適宜数に設定することができる。
【００３０】
図１及び図２に示す例では、試験前ストッカ２０１に２個のストッカＳＴＫ−Ｂを設け、またその隣にアンローダ部４００へ送られる空ストッカＳＴＫ−Ｅを２個設けるとともに、試験済ＩＣストッカ２０２に８個のストッカＳＴＫ−１，ＳＴＫ−２，…，ＳＴＫ−８を設けて試験結果に応じて最大８つの分類に仕分けして格納できるように構成されている。つまり、良品と不良品の別の外に、良品の中でも動作速度が高速のもの、中速のもの、低速のもの、あるいは不良の中でも再試験が必要なもの等に仕分けされる。
【００３１】
ローダ部３００
上述したカスタマトレイＫＳＴは、ＩＣ格納部２００と装置基板１０５との間に設けられたトレイ移送アーム２０５によってローダ部３００の窓部３０６に装置基板１０５の下側から運ばれる。そして、このローダ部３００において、カスタマトレイＫＳＴに積み込まれた被試験ＩＣをＸ−Ｙ搬送装置３０４によって一旦プリサイサ（preciser）３０５に移送し、ここで被試験ＩＣの相互の位置を修正したのち、さらにこのプリサイサ３０５に移送された被試験ＩＣを再びＸ−Ｙ搬送装置３０４を用いて、ローダ部３００に停止しているテストトレイＴＳＴに積み替える。
【００３２】
カスタマトレイＫＳＴからテストトレイＴＳＴへ被試験ＩＣを積み替えるＩＣ搬送装置３０４としては、図１に示すように、装置基板１０５の上部に架設された２本のレール３０１と、この２本のレール３０１によってテストトレイＴＳＴとカスタマトレイＫＳＴとの間を往復する（この方向をＹ方向とする）ことができる可動アーム３０２と、この可動アーム３０２によって支持され、可動アーム３０２に沿ってＸ方向に移動できる可動ヘッド３０３とを備えている。
【００３３】
このＸ−Ｙ搬送装置３０４の可動ヘッド３０３には、吸着ヘッドが下向に装着されており、この吸着ヘッドが空気を吸引しながら移動することで、カスタマトレイＫＳＴから被試験ＩＣを吸着し、その被試験ＩＣをテストトレイＴＳＴに積み替える。こうした吸着ヘッドは、可動ヘッド３０３に対して例えば８本程度装着されており、一度に８個の被試験ＩＣをテストトレイＴＳＴに積み替えることができる。
【００３４】
チャンバ部１００
上述したテストトレイＴＳＴは、ローダ部３００で被試験ＩＣが積み込まれたのちチャンバ部１００に送り込まれ、当該テストトレイＴＳＴに搭載された状態で各被試験ＩＣがテストされる。
【００３５】
チャンバ部１００は、テストトレイＴＳＴに積み込まれた被試験ＩＣに目的とする高温又は低温の熱ストレスを与える恒温槽１０１と、この恒温槽１０１で熱ストレスが与えられた状態にある被試験ＩＣをテストヘッドに接触させるテストチャンバ１０２と、テストチャンバ１０２で試験された被試験ＩＣから、与えられた熱ストレスを除去する除熱槽１０３とで構成されている。
【００３６】
除熱槽１０３では、恒温槽１０１で高温を印加した場合は、被試験ＩＣを送風により冷却して室温に戻し、また恒温槽１０１で例えば−３０℃程度の低温を印加した場合は、被試験ＩＣを温風またはヒータ等で加熱して結露が生じない程度の温度まで戻す。そして、この除熱された被試験ＩＣをアンローダ部４００に搬出する。
【００３７】
図２に概念的に示すように、恒温槽１０１には、垂直搬送装置が設けられており、テストチャンバ１０２が空くまでの間、複数枚のテストトレイＴＳＴがこの垂直搬送装置に支持されながら待機する。主として、この待機中において、被試験ＩＣに高温又は低温の熱ストレスが印加される。
【００３８】
テストチャンバ１０２には、その中央にテストヘッド１０４が配置され、テストヘッド１０４の上にテストトレイＴＳＴが運ばれて、被試験ＩＣの入出力端子ＨＢをテストヘッド１０４のコンタクトピン５１に電気的に接触させることによりテストが行われる。一方、試験が終了したテストトレイＴＳＴは、除熱槽１０３で除熱され、ＩＣの温度を室温に戻したのち、アンローダ部４００に排出される。
【００３９】
また、装置基板１０５にテストトレイ搬送装置１０８が設けられ、このテストトレイ搬送装置１０８によって、除熱槽１０３から排出されたテストトレイＴＳＴは、アンローダ部４００およびローダ部３００を介して恒温槽１０１へ返送される。
【００４０】
図３は本実施形態で用いられるテストトレイＴＳＴの構造を示す分解斜視図である。このテストトレイＴＳＴは、方形フレーム１２に複数の桟（さん）１３が平行かつ等間隔に設けられ、これら桟１３の両側および桟１３と対向するフレーム１２の辺１２ａに、それぞれ複数の取付け片１４が等間隔に突出して形成されている。これら桟１３の間および桟１３と辺１２ａとの間と、２つの取付け片１４とによって、インサート収納部１５が構成されている。
【００４１】
各インサート収納部１５には、それぞれ１個のインサート１６が収納されるようになっており、このインサート１６はファスナ１７を用いて２つの取付け片１４にフローティング状態で取付けられている。このために、インサート１６の両端部には、それぞれ取付け片１４への取付け用孔２１が形成されている。こうしたインサート１６は、たとえば１つのテストトレイＴＳＴに、１６×４個程度取り付けられる。
【００４２】
なお、各インサート１６は、同一形状、同一寸法とされており、それぞれのインサート１６に被試験ＩＣが収納される。インサート１６のＩＣ収容部１９は、収容する被試験ＩＣの形状に応じて決められ、図３に示す例では方形の凹部とされている。
【００４３】
ここで、テストヘッド１０４に対して一度に接続される被試験ＩＣは、図３に示すように４行×１６列に配列された被試験ＩＣであれば、たとえば４列おきに４行の被試験ＩＣが同時に試験される。つまり、１回目の試験では、１列目から４列おきに配置された１６個の被試験ＩＣをテストヘッド１０４のコンタクトピン５１に接続して試験し、２回目の試験では、テストトレイＴＳＴを１列分移動させて２列目から４列おきに配置された被試験ＩＣを同様に試験し、これを４回繰り返すことで全ての被試験ＩＣを試験する。ただし、本発明ではこれに限定されず、全ての列および行にインサート１６を装着する必要はなく、テスト仕様に応じてインサート１６の装着位置を選択することができる。この試験の結果は、テストトレイＴＳＴに付された例えば識別番号と、テストトレイＴＳＴの内部で割り当てられた被試験ＩＣの番号で決まるアドレスに記憶される。
【００４４】
図４は同電子部品試験装置１のテストヘッド１０４におけるプッシャ３０、インサート１６（テストトレイＴＳＴ側）、ソケットガイド４０およびコンタクトピン５１を有するソケット５０の構造を示す分解斜視図、図５は図４の V-V線に添う断面図、図６は図４の VI-VI線に沿う断面図（図５および図６は何れもテストヘッド１０４においてプッシャ３０が下降した状態を示す。）、図７はマッチプレート６１の一例を示す斜視図、図８はテストチャンバ１０２内の構造を示す断面図である。
【００４５】
図８に示すように、テストヘッド１０４の上側にはＺ軸駆動装置６０が設けられており、たとえば流体圧シリンダによってＺ軸方向に上下移動する。このＺ軸駆動装置６０の下側には、図７に示すマッチプレート６１が装着されており、このマッチプレート６１はＺ軸駆動装置６０とともに昇降するように当該Ｚ軸駆動装置６０に支持されている。
【００４６】
マッチプレート６１には、被試験ＩＣの仕様に応じた形状とされたプッシャ３０が、図７に示すように一度にテストされる被試験ＩＣの間隔に応じて設けられている。
【００４７】
図４および図５に一つのプッシャ３０を示すが、このプッシャ３０は、上述したマッチプレート１６に取り付けられてＺ軸駆動装置６０とともにＺ軸方向に上下移動するリードプッシャベース３５およびプッシャベース３４と、このプッシャベース３４に二つのスプリング（本発明の弾性体に相当する。）３６，３６を介して取り付けられたプッシャブロック３１とを有している。
【００４８】
リードプッシャベース３５とプッシャベース３４とは、図５に示されるようにボルトによって固定されており、プッシャベース３４の両側には、後述するインサート１６のガイド孔２０およびソケットガイド４０のガイドブッシュ４１に挿入されるガイドピン３２が設けられている。また、プッシャベース３４には、当該プッシャベース３４がＺ軸駆動装置６０とともに下降した際に、下限を規制するためのストッパガイド３３が設けられており、このストッパガイド３３は、ソケットガイド４０のストッパ面４２に当接することで、被試験ＩＣを破壊しない適切な圧力で押し付けるプッシャの下限位置の基準寸法が決定される。
【００４９】
図５および図６に示すように、プッシャブロック３１は、たとえばアルミニウムまたは銅により構成され、プッシャベース３４の中央に開設された通孔に挿入されて、リードプッシャベース３５との間にスプリング３６，３６と必要に応じてシム（図示を省略する。）が介装されている。このスプリング３６，３６は、プッシャブロック３１を図において下方向（被試験ＩＣに向かう方向）にバネ付勢する圧縮バネ（弾性体）であり、被試験ＩＣに対する基準荷重に応じた弾性係数を有する。
【００５０】
また、スプリング３６とともに必要に応じて装着されるシムは、スプリング３６の装着状態における基準長を調節し、プッシャブロック３１に作用する初期荷重を調節するものである。つまり、同じ弾性係数のスプリング３６を用いる場合でも、シムを介装することによりプッシャブロック３１に作用する初期荷重は大きくなる。なお、スプリング３６の基準長が調節できれば足りるので、シムの介装位置は、スプリング３６とプッシャブロック３１との間であっても、リードプッシャベース３５とスプリング３６との間であってもよい。
【００５１】
二つのスプリング３６，３６の間であってプッシャブロック３１の上面には、熱伝導性に優れたたとえばアルミニウム製のヒートシンク３８（本発明の吸放熱体に相当する。）が固定されている。このヒートシンク３８は、プッシャブロック３１の上面と平面で当接し、反対面には表面積が大きくなる放熱フィンが形成されている。プッシャブロック３１は、熱伝導性に優れたアルミや銅から構成され、被試験ＩＣに直接接触するので、テスト中に生じるＩＣの自己発熱をそのまま吸熱するが、このプッシャブロック３１に伝わった熱をヒートシンク３８で吸熱し、放熱フィンから周囲へ放熱することで、ＩＣの自己発熱による破壊や損傷あるいは温度条件の変動を防止することができる。
【００５２】
インサート１６は、図３においても説明したように、テストトレイＴＳＴに対してファスナ１７を用いて取り付けられているが、その両側に、上述したプッシャ３０のガイドピン３２およびソケットガイド４０のガイドブッシュ４１が上下それぞれから挿入されるガイド孔２０が形成されている。詳細な図示は省略するが、たとえば左側のガイド孔２０は、上半分がプッシャベース３４のガイドピン３２が挿入されて位置決めが行われる小径孔とされ、下半分がソケットガイド４０のガイドブッシュ４１が挿入されて位置決めが行われる大径孔とされている。ちなみに、図５において右側のガイド孔２０と、プッシャベース３４のガイドピン３２およびソケットガイド４０のガイドブッシュ４１とは、遊嵌状態とされている。
【００５３】
図４および図５に示されるように、インサート１６の中央には、ＩＣ収容部１９が形成されており、ここに被試験ＩＣを落とし込むことで、テストトレイＴＳＴに被試験ＩＣが積み込まれることになる。
【００５４】
一方、テストヘッド１０４に固定されるソケットガイド４０の両側には、プッシャベース３４の２つのガイドピン３２が挿入されて、これら２つのガイドピン３２との間で位置決めを行うためのガイドブッシュ４１が設けられており、このガイドブッシュ４１の左側のものは、インサート１６との間でも位置決めを行う。
【００５５】
ソケットガイド４０の下側には、複数のコンタクトピン５１を有するソケット５０が固定されており、このコンタクトピン５１は、図外のスプリングによって上方向にバネ付勢されている。したがって、被試験ＩＣを押し付けても、コンタクトピン５１がソケット５０の上面まで後退する一方で、被試験ＩＣが多少傾斜して押し付けられても、全てのＩＣ端子にコンタクトピン５１が接触できるようになっている。
【００５６】
アンローダ部４００
アンローダ部４００にも、ローダ部３００に設けられたＸ−Ｙ搬送装置３０４と同一構造のＸ−Ｙ搬送装置４０４，４０４が設けられ、このＸ−Ｙ搬送装置４０４，４０４によって、アンローダ部４００に運び出されたテストトレイＴＳＴから試験済のＩＣがカスタマトレイＫＳＴに積み替えられる。
【００５７】
図１に示されるように、アンローダ部４００の装置基板１０５には、当該アンローダ部４００へ運ばれたカスタマトレイＫＳＴが装置基板１０５の上面に臨むように配置される一対の窓部４０６，４０６が二対開設されている。
【００５８】
また、図示は省略するが、それぞれの窓部４０６の下側には、カスタマトレイＫＳＴを昇降させるための昇降テーブルが設けられており、ここでは試験済の被試験ＩＣが積み替えられて満杯になったカスタマトレイＫＳＴを載せて下降し、この満杯トレイをトレイ移送アーム２０５に受け渡す。
【００５９】
ちなみに、本実施形態の電子部品試験装置１では、仕分け可能なカテゴリーの最大が８種類であるものの、アンローダ部４００の窓部４０６には最大４枚のカスタマトレイＫＳＴしか配置することができなので、これを補うために、アンローダ部４００のテストトレイＴＳＴと窓部４０６との間にバッファ部４０５を設け、このバッファ部４０５に希にしか発生しないカテゴリの被試験ＩＣを一時的に預かるようにしている。
【００６０】
次に作用を説明する。
チャンバ部１００内のテスト工程において、被試験ＩＣは、図３に示すテストトレイＴＳＴに搭載された状態、より詳細には個々の被試験ＩＣは、同図のインサート１６のＩＣ収容部１９に落とし込まれた状態でテストヘッド１０４の上部に搬送されてくる。
【００６１】
テストトレイＴＳＴがテストヘッド１０４において停止すると、Ｚ軸駆動装置６０が下降し始め、一つのプッシャ３０が一つのインサート１６に対して下降してくる。このとき、図８に示す例では二つの押圧部６２で一つのプッシャ３０が押圧される。そして、プッシャベース３４の下面に形成された２本のガイドピン３２，３２は、インサート１６のガイド孔２０，２０をそれぞれ貫通し、さらにソケットガイド４０のガイドブッシュ４１，４１に嵌合する。
【００６２】
この状態を図５および図６に示すが、テストヘッド１０４（つまり、電子部品試験装置１側）に固定されたソケット５０およびソケットガイド４０に対して、インサート１６およびプッシャ３０はある程度の位置誤差を有しているが、プッシャベース３４の左側のガイドピン３２がインサート１６のガイド孔２０の小径孔に嵌合することでプッシャ３０とインサート１６との位置合わせが行われ、その結果、プッシャベース３４に取り付けられたプッシャブロック３１は、Ｘ−Ｙ方向について適切な位置で被試験ＩＣを押し付けることができる。
【００６３】
また、インサート１６の左側のガイド孔２０の大径孔が、ソケットガイド４０の左側のガイドブッシュ４１に嵌合することで、インサート１６とソケットガイド４０との位置合わせが行われ、これにより被試験ＩＣとコンタクトピン５１とのＸ−Ｙ方向についての位置精度が高まることになる。
【００６４】
さらに、インサート１６のＩＣ収容部１９に保持された被試験ＩＣは、プッシャ３０によって押し付けられる際に、ソケット５０またはソケットガイド４０に設けられたデバイスガイド５２に呼び込まれて位置決め（姿勢修正）されるので、入出力端子とコンタクトピン５１とのＸ−Ｙ方向についての位置合わせが高精度で実現できることになる。
【００６５】
これに対して、Ｚ軸方向については、プッシャベース３４のストッパガイド３３とソケットガイド４０のストッパ面４２とが当接したときの被試験ＩＣに作用する荷重が問題となり、大き過ぎると被試験ＩＣの破損につながり、小さ過ぎるとテスト不能になる。したがって、プッシャベース３４のストッパガイド３３とプッシャブロック３１とのＺ軸方向の距離Ｙと、コンタクトピン５１とソケットガイド４０のストッパ面４２とのＺ軸方向の距離Ｚとを精度良く作り込む必要があるが、これにも限度があり、しかも被試験ＩＣ自体の厚さＸも大きく影響する。
【００６６】
しかしながら、本実施形態の電子部品試験装置１は、プッシャのストロークを管理するのではなくプッシャブロック３１による荷重を管理することで被試験ＩＣに対する押圧力を均一化するものであり、これらの基準寸法Ｘ，Ｙ，Ｚに誤差ΔＸ、ΔＹ、ΔＺが生じた場合でも、プッシャブロック３１がスプリング３６，３６からの作用により被試験ＩＣに対して弾性力を付与しながらこれらの誤差を吸収する。したがって、被試験ＩＣに過度の押圧力が作用したり、逆に押圧力不足になったりすることが防止できる。
【００６７】
また、こうした荷重管理以外にも、本実施形態ではプッシャベース３１にヒートシンク３８が設けられているので、テスト中にＩＣが自己発熱しても、ヒートシンク３８に吸収されるとともにここから周囲の環境に逃げるので、特に高温テストなどで問題とされる過熱によるＩＣの破壊または損傷を防止することができる。また、高温テストに限らず、ヒートシンク３８の吸放熱効果によって自己発熱による昇温が抑制されるので、目的とする正確な温度でテストを行うことができ、テスト結果の信頼性が向上する。
【００６８】
しかも、図４，５および図８に示すように、本例のテストチャンバ１０２においては、その風向がヒートシンク３８に対して良好に作用するので、放熱性がより高くなる。
【００６９】
その他の実施形態
本発明は上述した実施形態にのみ限定されず、種々に改変することができる。図９は本発明の他の実施形態を示す分解斜視図（図４相当図）、図１０は同実施形態のマッチプレート６１の一例を示す斜視図、図１１は同実施形態のテストチャンバ１０２内の構造を示す断面図である。
【００７０】
本例では、テストヘッドにおけるＩＣの測定数が相違しており、これにともなってマッチプレート６１およびプッシャ３０の形状が相違している。また、プッシャベース３１に設けられるヒートシンク３８の形状が相違している。
【００７１】
すなわち、上述した実施形態のマッチプレート６１では２行×８列であるのに対し、本例では図１０および図１１に示すように４行×８列とされている。このため、図９に示す一つのプッシャ３０は図４に示すものに対して約半分の大きさとする必要があるため、一つのスプリング３６の両側にヒートシンク３８を設けている。
【００７２】
本実施形態においても、プッシャブロック３１は熱伝導性に優れたアルミや銅から構成され、被試験ＩＣに直接接触するので、テスト中に生じるＩＣの自己発熱をそのまま吸熱し、このプッシャブロック３１に伝わった熱をヒートシンク３８で吸熱し、放熱フィンから周囲へ放熱することで、ＩＣの自己発熱による破壊や損傷あるいは温度条件の変動を防止することができる。
【００７３】
図１２は本発明のさらに他の実施形態を示す分解斜視図（図４相当図）、図１３は同実施形態のテストヘッド部であって図１２の XIII-XIII線に沿う断面図である。
【００７４】
本例では、プッシャブロック３１がプッシャベース３４に対して位置固定とされ、その代わりにリードプッシャベース３５の押圧部３５ａとプッシャベース３４との間にスプリング３６，３６が介装されている。すなわち、押圧部３５ａはリードプッシャベース３５に対してＺ軸方向に可動とされている。また、Ｚ軸駆動装置６０の下死点においては、プッシャベース３４のストッパガイド３３とソケットガイド４０のストッパ面４２とは当接しない寸法とされ、Ｚ軸駆動装置６０の下死点は当該Ｚ軸駆動装置６０のフレームとテストヘッドのストッパポスト１０４ａとが当接することで位置決めされる。
【００７５】
したがって、Ｚ軸駆動装置６０を下降させてその押圧部６２にてリードプッシャベース３５の押圧部３５ａを押し付けると、ＩＣはコンタクトピン５１から上向きの力を受けるとともに、スプリング３６による下向きの力を受けることになり、これら両者のバランスを調節することで、ＩＣに作用する荷重を適切な値に調節することができる。
【００７６】
こうした実施形態においては、プッシャベース３４にプッシャブロック３１を一体的に形成できるので、プッシャベース３４の頂面にヒートシンク３８を装着することが好ましい。これにより、テスト中に生じたＩＣの自己発熱は、プッシャブロック３１およびプッシャベース３４を介してヒートシンク３８に伝わり、ここから周囲へ放熱されるので、ＩＣの自己発熱による破壊や損傷あるいは温度条件の変動を防止することができる。
【００７７】
特に本実施形態では、ＩＣに接触するのがプッシャブロック３１およびプッシャベース３４といった熱容量が大きい部材であることから、自己発熱量が著しく大きいＩＣであっても充分に放熱させることができる。
【００７８】
なお、以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
【００７９】
たとえば、プッシャブロック３１とヒートシンク３８との間にペルチェ素子を介装し、このペルチェ素子にＩＣ温度に応じて所定方向の電流を流すことで、適切な温度管理を実現することができる。
【００８０】
【発明の効果】
以上述べたように本発明によれば、被試験電子部品の自己発熱は吸放熱体に吸収されるとともにここから周囲の環境に逃げるので、特に高温テストなどで問題とされる過熱による電子部品の破壊または損傷を防止することができる。
【００８１】
また、高温テストに限らず、吸放熱体の吸放熱効果によって自己発熱による昇温が抑制されるので、目的とする正確な温度でテストを行うことができ、テスト結果の信頼性が向上する。
【００８２】
これに加えて、請求項２記載の発明によれば、プッシャのストロークを管理するのではなく、プッシャによる荷重を管理するので、被試験電子部品に対する押圧力が均一化され、被試験電子部品に過度の押圧力が作用したり、逆に押圧力不足になったりすることが防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電子部品試験装置の実施形態を示す斜視図である。
【図２】図１の電子部品試験装置における被試験ＩＣの取り廻し方法を示すトレイのフローチャートである。
【図３】図１の電子部品試験装置で用いられるテストトレイを示す一部分解斜視図である。
【図４】図１のテストヘッドにおけるプッシャ、インサート（テストトレイ）、ソケットガイドおよびコンタクトピン（コンタクト部）の構造を示す分解斜視図である。
【図５】図４の V-V線に沿う断面図である。
【図６】図４の VI-VI線に添う断面図である。
【図７】マッチプレートの一例を示す斜視図である。
【図８】テストチャンバ内の構造を示す断面図である。
【図９】本発明の他の実施形態を示す分解斜視図（図４相当図）である。
【図１０】図９に示す実施形態のマッチプレートの一例を示す斜視図である。
【図１１】図９に示す実施形態のテストチャンバ内の構造を示す断面図である。
【図１２】本発明のさらに他の実施形態を示す分解斜視図（図４相当図）である。
【図１３】図１２に示す実施形態のテストヘッド部であって XIII-XIII線に沿う断面図である。
【符号の説明】
ＩＣ…被試験電子部品
１…電子部品試験装置
１００…チャンバ部
１０１…恒温槽
１０２…テストチャンバ
１０３…除熱槽
１０４…テストヘッド
３０…プッシャ
３１…プッシャブロック
３２…ガイドピン
３３…ストッパガイド
３４…プッシャベース
３５…リードプッシャベース
３６…スプリング（弾性体）
３８…ヒートシンク（吸放熱体）
４０…ソケットガイド（コンタクト部）
４１…ガイドブッシュ
４２…ストッパ面
５０…ソケット（コンタクト部）
５１…コンタクトピン
１０５…装置基板
１０８…テストトレイ搬送装置
ＴＳＴ…テストトレイ
１６…インサート
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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