(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
中空部上に梁部が配置された構造体の製造方法であって、
比抵抗が略０．０００１Ω・ｃｍ以上で略１Ω・ｃｍ以下のｐ型シリコンからなる下部シリコン層と、該下部シリコン層上に設けられ、比抵抗が略２Ω・ｃｍ以上で略３０００００Ω・ｃｍ以下のｐ型シリコンからなる上部シリコン層とを有するシリコン基板を準備する工程と、
該上部シリコン層の表面を弗化水素を含むエッチング溶液に接触させ、かつ、該エッチング溶液に対して該シリコン基板を高電位に保持するエッチング条件の設定工程と、
該エッチング条件の下で、該上部シリコン層をエッチングして、該上部シリコン層を貫通し略平行に配置された少なくとも一組の孔部を形成し、更に、該孔部の底面に露出した該下部シリコン層をエッチングして、一組の該孔部の双方に繋った中空部を該下部シリコン層に形成し、一組の該孔部に挟まれ、該中空部の上方に残された該上部シリコン層から梁部を形成する工程とを含むことを特徴とする構造体の製造方法。
【請求項２】
上記設定工程に先立って、上記上部シリコン層の表面の、上記孔部が形成される領域に、予め凹部を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
上記上部シリコン層のエッチングが、該上部シリコン層の表面に対して略垂直方向に上記孔部を形成する異方性エッチングからなり、上記下部シリコン層のエッチングが、該孔部の底面に露出した該下部シリコン層を、該底面から等方的にエッチングして上記中空部を形成する等方性エッチングからなることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、シリコン基板に形成された中空部の上に梁部が設けられた構造体の製造方法に関し、特に、可動な梁部を有する構造体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図８は、特開平０５−３０４３０３号公報に記載された、全体が８００で表される加速度センサの製造工程の一断面である。加速度センサ８００は、表面加工法を用いて製造される。
即ち、表面加工法を用いた製造方法では、単結晶シリコン基板８１上に絶縁膜である酸化シリコン膜８２を介して単結晶シリコン層８３を形成する。続いて、単結晶シリコン層８３を薄層化し加工する。更に、単結晶シリコン層８３を支持する酸化シリコン膜８２を部分的に除去することにより、単結晶シリコン層８３の一部が中空に浮いた片持ち梁（梁部）８４となる。片持ち梁８４の膜厚は十分に薄いため、単結晶シリコン基板８１の表面に平行な方向に可動となっている。
【０００３】
また、図９は、特開平０６−２７３４４１号公報に記載された、全体が９００で表される加速度センサであり、図９（ａ）は加速度センサ９００の上面図、図９（ｂ１）〜（ｂ３）は、Ａ−Ａ方向に見た場合の断面の製造工程であり、また、図９（ｃ１）〜（ｃ３）は、Ｂ−Ｂ方向に見た場合の断面の製造工程である。加速度センサ９００は、バルク加工法を用いて製造される。
即ち、バルク加工法を用いた製造方法では、酸化シリコン等の絶縁層９３を介して導体パターン９９が表面に形成されたガラス基板９１と、裏面に溝部９８が形成されたシリコン基板９２を準備する（図９（ｂ１）（ｃ１））。続いて、導体パターン９９の上にシリコン基板９２を固定する（図９（ｂ２）（ｃ２））。最後に、溝部９８の位置でシリコン基板９２を切断し、導体パターン９９で片方が支持された片持ち梁９７を形成する（図９（ｂ３）（ｃ３））。片持ち梁９７の先端は所定の質量を有する質量部９４となり、ガラス基板９１に対して可動となっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図８の加速度センサ８００では、酸化シリコン膜８２と、その上に形成された単結晶シリコン層８３との間の熱膨張係数の違いにより、片持ち梁８４の反り等が発生し、加速度センサとしての特性に影響を与えるという問題があった。また、単結晶シリコン基板８１と片持ち梁８４との間隔は、酸化シリコン膜８２の膜厚で決まるが、膜応力が発生すために酸化シリコン膜８２は厚くできない。このため、製造工程において、片持ち梁８４の先端が単結晶シリコン基板８１の表面に固着するという問題があった。
【０００５】
一方、図９の加速度センサ９００でも、ガラス基板９１と、片持ち梁９７を形成するシリコン基板９２との熱膨張率係数の違いにより、片持ち梁９７の反り等が発生するという問題があった。
【０００６】
そこで、本発明は、梁部と、梁部を支持する基板とを同一材料から形成した構造体及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、中空部上に梁部が配置された構造体の製造方法であって、比抵抗が略０．０００１Ω・ｃｍ以上で略１Ω・ｃｍ以下のｐ型シリコンからなる下部シリコン層と、該下部シリコン層上に設けられ、比抵抗が略２Ω・ｃｍ以上で略３０００００Ω・ｃｍ以下のｐ型シリコンからなる上部シリコン層とを有するシリコン基板を準備する工程と、該上部シリコン層の表面を弗化水素を含むエッチング溶液に接触させ、かつ、該エッチング溶液に対して該シリコン基板を高電位に保持するエッチング条件の設定工程と、該エッチング条件の下で、該上部シリコン層をエッチングして、該上部シリコン層を貫通し略平行に配置された少なくとも一組の孔部を形成し、更に、該孔部の底面に露出した該下部シリコン層をエッチングして、一組の該孔部の双方に繋った中空部を該下部シリコン層に形成し、一組の該孔部に挟まれ、該中空部の上に残された該上部シリコン層から梁部を形成する工程とを含むことを特徴とする構造体の製造方法である。
かかる製造方法を用いることにより、中空部と、中空部上に支持された梁部とが、一回のエッチング工程で形成できる。このため、構造体の製造工程の簡略化が可能となる。
特に、可動な梁部を形成する場合に、中空部のエッチング量を調整することにより、梁部と下部シリコン層との固着を防止できる。
【０００８】
上記設定工程に先立って、上記上部シリコン層の表面の、上記孔部が形成される領域に、予め凹部を形成する工程を含むものであっても良い。
かかる凹部を形成することにより、凹部を出発点として、上部シリコン層の表面に略垂直な孔部を形成することができる。
【０００９】
上記上部シリコン層のエッチングが、該上部シリコン層の表面に対して略垂直方向に上記孔部を形成する異方性エッチングからなり、上記下部シリコン層のエッチングが、該孔部の底面に露出した該下部シリコン層を、該底面から等方的にエッチングして上記中空部を形成する等方性エッチングからなることが好ましい。
このように、異方性エッチングと等方性エッチングとを組み合わせることにより、一回のエッチングで孔部と中空部の形成が可能となる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
図１は、全体が１００で表される、本発明の実施の形態にかかる可動部を有する構造体であり、図１（ａ）に斜視図を、図１（ｂ）に図１（ａ）のＩ−Ｉ方向に見た場合の断面図を示す。
構造体１００は、下部シリコン層１と上部シリコン層２とを含む。下部シリコン層１の抵抗率は略０．１Ω・ｃｍ、上部シリコン層２の抵抗率は略２０Ω・ｃｍである。かかるシリコン層１、２は、共にｐ型の単結晶シリコンからなり、表面が（１００）面となっている。下部シリコン層１には中空部３が形成され、その上に上部シリコン層２からなる片持ち梁（梁部）４が形成されている。片持ち梁４の両側には、溝部５が設けられている。
片持ち梁４は、中空部３の上方で可動であり、かかる構造体１００は、例えば加速度センサに使用される。
【００１１】
次に、図２を参照しながら、構造体１００の製造方法について説明する。かかる製造方法では、まず、図２（ａ）に示すように、抵抗率が略０．１Ω・ｃｍのｐ型の下部シリコン層１と、抵抗率が略２０Ω・ｃｍのｐ型の上部シリコン層２からなるシリコン基板１０を準備する。
【００１２】
次に、図２（ｂ）に示すように、上部シリコン層２の上面にエッチングマスク層１６を形成する。エッチングマスク層１６は、後述する電気化学エッチング工程において耐性のある材料であればよい。好適には、酸化シリコン、窒化シリコンから形成される。
【００１３】
次に、図２（ｃ）に示すように、一般的なフォトリソグラフィ技術を用いてエッチングマスク層１６を加工して、エッチングマスク６を形成する。続いて、アルカリ溶液を用いて上部シリコン層２のエッチングを行う。これにより、上部シリコン層２の表面に、ストライプ状の凹部７が形成される。凹部７は、後に行われるエッチングの開始点を規定する。凹部７の開口幅は略２μｍで、隣接する凹部７の間隔は略５μｍである。
なお、凹部７の形成には、上述のようなアルカリ溶液を用いたエッチングに代えて、プラズマエッチングを用いても良い。
【００１４】
次に、図２（ｄ）に示すように、上部シリコン層２のエッチングを行う。エッチング工程は、図３に示すエッチング装置３０を用いて行われる。
エッチング装置３０は、容器３１を含む。容器３１には、フッ化水素酸を１５ｇ、ジメチルホルムアミドを２７０ｇ、水を１５ｇ、テトラブチルアンモニウムパーコレートを３０ｇ含むエッチング溶液３２が満たされている。
シリコン基板１０は、銅ホルダ３３に取り付けられ、上部シリコン層２の表面がエッチング溶液３２に接触するように配置される。シリコン基板１０と容器３１との間は、例えばＯリング３４によりシールされる。また、シリコン基板１０の裏面には、電位が均一に印加できるようにアルミニウム膜が形成されている。
エッチング溶液３２中には、更に白金電極３５が設けられ、銅ホルダ３３と白金電極３５との間が外部電源３６を介して接続される。シリコン基板１０の表面と白金電極３５との間隔は略３ｃｍである。外部電極３６により、シリコン基板１０が白金電極３５に対して略０．８Ｖ高電位に保持される。かかる状態で、上部シリコン層２を電気化学エッチング（電解エッチング）すると、凹部７の先端部分近傍に正孔が吸引され、かかる部分でエッチングが進行する。この結果、図２（ｄ）に示すように、エッチング開始点より表面に対して略垂直方向にエッチングが進行し、上部シリコン層２に第１エッチング孔１５が形成される。
【００１５】
更に、電気化学エッチングを続けると、図２（ｅ）に示すように、下部シリコン層１に第２エッチング孔１３が形成される。下部シリコン層１では、第１エッチング孔５の底面を起点として、等方的にエッチングが進行する。エッチング時間を適当に調整することにより、第２エッチング孔１３が繋がって中空部３となる。中空部３の上方に残された上部シリコン層２は片持ち梁４となる。下部シリコン層１のエッチング中は、上部シリコン層２のエッチングは殆ど進行しない。
【００１６】
このように、本実施の形態にかかる構造体の製造方法では、中空部３と、中空部３の上に支持された可動部である片持ち梁４とが、一回のエッチング工程で形成できる。
また、下部シリコン層１の等方エッチングの時間を制御することにより、中空部３の厚み（深さ）を制御でき、片持ち梁４がシリコン基板に固着するのを防止できる。
なお、下部シリコン層１をエッチングする等方性エッチングの時間を変化させても第１エッチング孔１５（溝部５）の幅は変化しないため、中空部３のエッチング時間によらず、一定の幅の片持ち梁４が形成できる。
【００１７】
また、本実施の形態にかかる構造体では、可動部である片持ち梁４を含む構造体全体がシリコン基板より形成されているため、熱膨張係数の違いによる機械的特性の劣化が防止できる。
【００１８】
次に、比較例として、シリコン基板１０とは比抵抗の異なるシリコン基板１１を用いた構造体の製造方法について説明する。
比較例では、下部シリコン層１の比抵抗を１Ω・ｃｍとし、上部シリコン層２の比抵抗を２Ω・ｃｍとした。それぞれの層は、ｐ型シリコンであり、表面は（１００）面である。このような比抵抗を有するシリコン基板１１を用いる以外は、上述の実施の形態と同様の製造工程を適用して構造体を作製した。
比較例として作製した構造体では、溝部１５の幅が、上述のシリコン基板１０を用いた場合より広がり、片持ち梁４の幅Ｄ（図１参照）が、シリコン基板１０を用いた場合の略３分の１となった。
また、下部シリコン層１のエッチング速度は、シリコン基板１０の場合の方が、シリコン基板１１の場合の、略１．５倍と速かった。
【００１９】
このように、比較例に用いたシリコン基板１１の下部シリコン層１、上部シリコン層２では、電気化学エッチング工程において、異方性エッチングと等方性エッチングとが混在するため、エッチング形状やエッチング速度の制御が、シリコン基板１０を用いた場合に比べて困難となる。
従って、比較例のようなシリコン基板１１を用いた場合であっても、図１のような構造体の形成は可能であるが、片持ち梁４の機械的強度や、製造プロセスの迅速性を考慮した場合、シリコン基板１０のように、下部シリコン層１と上部シリコン層２との比抵抗の差が大きいシリコン基板を用いた方が好ましい。
【００２０】
次に、シリコン基板の比抵抗（抵抗率）と、エッチング形状の関係について説明する。
ここでは、比抵抗が０．１Ω・ｃｍから１００．０Ω・ｃｍの７種類のシリコン基板を用いて、電気化学エッチングを行い、その断面形状を調べた。シリコン基板のエッチングは、上述の図３に示すエッチング装置３０を用いて行った。エッチングに使用したシリコン基板はｐ型の単一層からなり、シリコン基板内の比抵抗は略均一とした。また、エッチング溶液３２は、ジメチルホルムアミド溶液２７０ｇ、フッ化水素酸１５ｇ、テトラブチルアンモニウムパーコレート３０ｇ、水４５ｇの組成とした。他のエッチング条件は、上述のシリコン基板１０のエッチング条件と同様とした。
以下の表１に、エッチングに用いたシリコン基板の比抵抗とエッチング形状との関係を示す。また、図４には、エッチングしたシリコン基板の断面図を示す。
【００２１】
【表１】
0004150530.tif 000002
【００２２】
図４において、図４（ａ）は、エッチング前のシリコン基板５０の断面図であり、表面にはエッチング開始点である凹部７が形成されている。図４（ｂ）〜（ｄ）は、このような凹部７を形成したシリコン基板５０をエッチングした場合の断面図である。図４（ｂ）（ｃ）（ｄ）は、比抵抗が高いシリコン基板（１００Ω・ｃｍ）、低いシリコン基板（０．１Ω・ｃｍ）、及びそれらの中間の抵抗率の基板（１．５Ω・ｃｍ）を用いた場合の断面形状である。
【００２３】
図４（ｂ）に示すように、比抵抗の高い（１００．０Ω・ｃｍ）シリコン基板５０を用いた場合、エッチング開始点である凹部７からシリコン基板５０の表面に対して略垂直にエッチングが進行し、溝状のエッチング部５１が形成された。
これに対して、図４（ｃ）に示すように、比抵抗の低い（０．１Ω・ｃｍ）シリコン基板５０では、凹部から等方的にエッチングが進み、シリコン基板５０の表面がエッチングされ、あたかもシリコン基板５０の表面が研磨されたようなエッチング部５２となった。
また、比抵抗がこれらの中間（１．５Ω・ｃｍ）であるシリコン基板５０を用いた場合、図４（ｄ）に示すように、垂直異方性と等方性が混在したエッチング形状のエッチング部５３が形成された。
【００２４】
表１に示すように、シリコン基板５０の比抵抗によりエッチング部の形状が異なり、シリコン基板５０の比抵抗が１．５Ω・ｃｍ近傍の場合に垂直異方性と等方性とが混在する。シリコン基板５０の比抵抗が１．０Ω・ｃｍより小さく（低く）なると、エッチングは等方性となる。一方、シリコン基板５０の比抵抗が２．０Ω・ｃｍより大きく（高く）なると、エッチングは垂直異方性となる。
【００２５】
表１に示す実験結果から明らかなように、シリコン基板を、比抵抗が１Ω・ｃｍ以下の下部シリコン層と、比抵抗が２Ω・ｃｍ以上の上部シリコン層とから形成し、上述の電気化学エッチングを行うことにより、上部シリコン層では垂直異方性エッチングとなり、下部シリコン層では等方性エッチングとなる。この結果、一回のエッチング工程で、中空部上に、可動な片持ち梁を有する構造体の作製が可能となる。
【００２６】
ここで、シリコン層の比抵抗は、シリコン層内の不純物濃度を変えることにより調整できる。上部シリコン層における比抵抗の上限値は、不純物をドーピングしない真性半導体の比抵抗である。即ち、室温におけるシリコンの真性半導体の比抵抗である、３×１０５Ω・ｃｍとなる。かかる比抵抗のシリコン層であっても、同様のエッチング特性（垂直異方性エッチング）が得られる。
また、下部シリコン層の比抵抗の下限値は、不純物添加による結晶の歪みを考慮して、不純物濃度が略１０２１ｃｍ−３の場合の比抵抗１．０×１０−４Ω・ｃｍとなる。
【００２７】
図５は、全体が１１０で表される、本実施の形態にかかる他の構造体であり、図５（ａ）は斜視図、図５（ｂ）は、図５（ａ）の構造体１１０をＶ−Ｖ方向に見た場合の断面図である、図中、図１と同一符号は同一又は相当箇所を示す。
構造体１１０では、中空部３の上方に梁部１４が形成されているが、かかる梁部１４は両端が固定されており、可動部にはなっていない。
構造体１１０は、比抵抗の小さい下部シリコン層１と、比抵抗の大きな上部シリコン層２とからなるシリコン基板１０に、図２に示す製造工程を適用して作製する。この場合、図２（ｃ）の工程で形成した凹部７は、図５（ａ）に示す溝部５に対応する位置、即ち、上部シリコン基板２の一部のみに形成する。これにより、梁部１４の両端が固定され、その下方に中空部３が設けられた構造体１１０が作製できる。
【００２８】
このように、本実施の形態にかかる製造方法では、両端が固定された梁部１４を有する構造体１１０を、一回のエッチング工程で作製できる。
【００２９】
また、かかる構造体１１０では、構造体全体がシリコン基板より形成されているため、熱膨張係数の違いによる機械的特性の劣化が防止できる。
【００３０】
【実施例１】
図６は、全体が２００で表される加速度センサの製造工程の断面図である。図６中、左側に上面図、右側に図６（ａ）のVI−VI方向に見た場合の断面図を示す。
【００３１】
加速度センサ２００の製造工程では、まず、図６（ａ）に示すように、下部シリコン層６１の比抵抗が略０．１Ω・ｃｍ、上部シリコン層６２の比抵抗が略２０Ω・ｃｍであるｐ型のシリコン基板を準備する。続いて、上部シリコン層６２の上に、窒化シリコン膜６３を形成し、一般的なフォトリソグラフィ技術でパターニングを行い、開口部６４を形成する。
【００３２】
次に、図６（ｂ）に示すように、例えばリンイオンを注入イオンに用いたイオン注入により、開口部６４中の上部シリコン層６２にｎ型領域６５を形成する。即ち、窒化シリコン膜６３で覆われていない上部シリコン層６２に、ｎ型領域６５が形成される。
【００３３】
次に、図６（ｃ）に示すように、エッチングマスク層を形成する。エッチングマスク層の材料は、後述する電気化学エッチングに対して耐性のある材料であれば良い。好適には、酸化シリコン膜や窒化シリコン膜である。続いて、一般的なフォトリソグラフィ法を用いてエッチングマスク層を加工してエッチングマスク６６を形成する。更に、エッチングマスク６６を用いて、アルカリ溶液によるシリコン基板６０のエッチングを行う。これにより、上部シリコン層６２の表面に、微小な凹部６７が形成される。凹部６７は、後のエッチング工程において、エッチングの開始点となる。なお、凹部６７の形成には、アルカリ溶液を用いたエッチングのほか、プラズマを用いたエッチングを適用しても良い。
【００３４】
次に、図３に示したエッチング装置３０を用いてシリコン基板６０のエッチング工程を行う。エッチング工程では、フッ化水素酸を１５ｇ、ジメチルホルムアミドを２７０ｇ、水を１５ｇ、テトラブチルアンモニウムパーコレートを３０ｇ含むエッチング溶液を上部シリコン層６２に接触させる。更に、エッチング溶液中に、シリコン基板から略３ｃｍ離して白金電極を配置し、白金電極に対してシリコン基板が略０．８Ｖ高電位となるように電圧を印加する。
これにより、上部シリコン層６２の電気化学エッチングを行う。図６（ｄ）に示すように、かかるエッチング工程では、エッチング開始点から表面に対して垂直にエッチングが進行し、上部シリコン層６２に溝部６８が形成される。
【００３５】
更に、電気化学エッチングを続けると、溝部６８の底面に露出した下部シリコン層６１のエッチングが始まる。下部シリコン層６１のエッチングは等方的に進み、図６（ｅ）に示すような中空部６９が形成される。また、中空部６９の上方には、上部シリコン層６２からなる可動部７０が形成される。このように、本実施例では、一回の電気化学エッチングで、溝部６８と中空部６９とが形成できる。なお、上面図に示すように、可動部７０は、一端が固定部７２に固定された片持ち梁からなる。
【００３６】
次に、図６（ｆ）に示すように、エッチングマスク６６を除去する。続いて、図６（ｇ）に示すように、ｎ型領域６５に接触するように、可動部７０および固定部７１の上に、金属電極７２を形成する。以上の工程で、加速度センサ２００が完成する
【００３７】
加速度センサ２００では、ｎ型領域６５が歪みゲージとして機能する。従って、加速度センサ２００に加速度が加わり可動部７０が撓むと、ｎ型領域６５が、撓みにより生じた歪みを検知する。金属電極７２を介してこれを電気信号として取り出すことにより、加速度を検知することができる。
【００３８】
【実施例２】
図７は、全体が３００で表される他の加速度センサの製造工程の断面図である。図７中、左側に上面図、右側に図７（ａ）のVII−VII方向に見た場合の断面図を示す。図中、図６と同一符号は、同一又は相当箇所を示す。
【００３９】
加速度センサ３００の製造工程では、まず、図７（ａ）に示すように、実施例い１と同様に、下部シリコン層６１と上部シリコン層６２からなるｐ型のシリコン基板６０を準備する。続いて、上部シリコン層６２の上に、酸化シリコンや窒化シリコンからなるエッチングマスク層を形成し、更に、エッチングマスク層をパターニングして、図７（ｂ）に示すエッチングマスク７３を形成する。
【００４０】
次に、実施例１と同様に、エッチングマスク７３を用いて上部シリコン層６２の表面をエッチングし、凹部６７を形成する（図７（ｂ））。
【００４１】
次に、実施例１と同様に、図３に示すエッチング装置３０を用いて、上部シリコン層６２、下部シリコン層６１をエッチングする（図７（ｃ）（ｄ））。これにより、中空部６９と、中空部６９の上方に設けられた可動部７０が形成される。可動部７０は、一端が固定部７１に固定された片持ち梁からなる。
【００４２】
次に、図７（ｅ）に示すように、化学気相成長法によりシリコン基板６０の表面に、酸化シリコン等の絶縁膜７４を形成する。
【００４３】
次に、図７（ｆ）に示すように、蒸着法やスパッタリング法により、シリコン基板６０の上面、及び溝部６８の側面に導電膜７５を形成する。このとき、図７（ｆ）に示すように、中空部６９の底面の一部に導電膜７５が形成されても構わない。以上の工程で、加速度センサ３００が完成する。
【００４４】
加速度センサ３００では、可動部７０の側面に形成された導電膜７５と、溝部６８を挟んで固定部７１の側面に形成された導電膜７５とが、間に挟まれた空気層を誘電体層としたキャパシタを形成する。キャパシタの容量は、可動部７０と固定部７１との距離により変化する。加速度が加わって可動部７０が撓むと、キャパシタの容量が変化するため、かかるキャパシタの容量を読み出すことにより、加速度を検知することができる。
【００４５】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明にかかる構造体の製造方法では、中空部と、中空部上に支持された梁部とが、一回のエッチング工程で形成できる。
【００４６】
また、可動な梁部を形成する場合、梁部と基板とが固着するのを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施の形態にかかる構造体である。
【図２】  本発明の実施の形態にかかる構造体の製造工程の断面図である。
【図３】  本発明の実施の形態にかかる構造体の製造工程に用いるエッチング装置の概略図である。
【図４】  シリコン基板の断面図である。
【図５】  本発明の実施の形態にかかる他の構造体である。
【図６】  実施例１にかかる加速度センサの製造工程の断面図である。
【図７】  実施例２にかかる加速度センサの製造工程の断面図である。
【図８】  従来の加速度センサの製造工程の断面図である。
【図９】  従来の加速度センサの製造工程の概略図である。
【符号の説明】
１  下部シリコン層、２  上部シリコン層、３  中空部、４  片持ち梁、５  溝部、６  エッチングマスク、７  凹部、１０  シリコン基板、１３  第２エッチング孔、１５  第１エッチング孔、１６  エッチングマスク層、１００  構造体。
【図１】
0004150530.tif 000003
【図２】
0004150530.tif 000004
【図３】
0004150530.tif 000005
【図４】
0004150530.tif 000006
【図５】
0004150530.tif 000007
【図６】
0004150530.tif 000008
【図７】
0004150530.tif 000009
【図８】
0004150530.tif 000010
【図９】
0004150530.tif 000011