(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
粒子を放射する陰極（１）及びこの陰極（１）から放射される粒子を加速する陽極（４）を有する粒子線発生部を備え、前記の放射される粒子は負に帯電しており、
粒子線誘導管（５）を備え、
粒子線を被検体上に集束する対物レンズ（６，７）を備え、
粒子を減速させる遅延手段（８，９）を備えており、
前記陰極（１）は接地電位に対して０．２〜５ＫＶの範囲で負極性であり、
前記陽極（４）および前記粒子線誘導管（５）は、同電位で、接地電位に対して５ＫＶより大きく、正極性であり、
前記遅延手段及び前記被検体は、共通の標本電位にあって、粒子が前記被検体に当たるときに望まれる粒子の目標エネルギーが１ｋｅｖ以下のときは接地電位から偏倚し、前記陽極の電位に対して負側の電位にある、
ことを特徴とする粒子線装置。
【請求項２】
請求項１に記載の粒子線装置において、前記遅延手段の電位ＵPは、前記被検体上での粒子の目標エネルギーを変化させるために、接地電位に対して可変である、ことを特徴とする粒子線装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の粒子線装置において、粒子の目標エネルギーが低いとき、前記被検体及び前記遅延手段は、接地電位に対して負である、ことを特徴とする粒子線装置。
【請求項４】
請求項１〜３の何れか１項に記載の粒子線装置において、前記遅延手段（８，９），前記陽極（４）及び前記陰極（１）用として、３つの調整自在の高電圧源（１２，１３，１４）が設けられている、ことを特徴とする粒子線装置。
【請求項５】
請求項１〜４の何れか１項に記載の粒子線装置において、前記被検体および前記遅延手段の共通の電位ＵPは、接地電位と前記陰極の電位との間で設定自在である、ことを特徴とする粒子線装置。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか１項に記載の粒子線装置において、前記粒子線誘導管（５）は前記粒子線発生部と前記対物レンズ（６，７）との間の領域で拡張されており、その拡張された領域には、粒子線誘導管（５）の電位にあって、前記被検体からの二次電子又は反射散乱電子を検出する検出器（１６）が設けられている、ことを特徴とする粒子線装置。
【請求項７】
請求項１〜６の何れか１項に記載の粒子線装置において、前記遅延手段は、前記粒子線誘導管（５）の被検体側端部と粒子の減速のために協働する単電極（９）から構成されている、ことを特徴とする粒子線装置。
【請求項８】
請求項７に記載の粒子線装置において、前記粒子線誘導管（５）は被検体側端部で管状電極（８）として構成されており、前記単電極（９）は、対物レンズ（６，７）の絶縁体に装着されて、前記管状電極（８）と協働して前記遅延手段を構成する、ことを特徴とする粒子線装置。
【請求項９】
粒子を放射する電極（１）及びこの放射する電極（１）から放射される粒子を加速する電極（４）を有する粒子線発生部を備え、前記の放射される粒子は正に帯電しており、
粒子線誘導管（５）を備え、
粒子線を被検体上に集束する対物レンズ（６，７）を備え、
粒子を減速させる遅延手段（８，９）を備えており、
前記放射する電極（１）は接地電位に対して０．２〜５ＫＶの範囲で正極性であり、
前記加速する電極（４）および前記粒子線誘導管（５）は、同電位で、接地電位に対して５ＫＶより大きく、負極性であり、
前記遅延手段及び前記被検体は、共通の標本電位にあって、粒子が前記被検体に当たるときに望まれる粒子の目標エネルギーが１ｋｅｖ以下のときは接地電位から偏倚し、前記加速する電極の電位に対して正側の電位にある、
ことを特徴とする粒子線装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の粒子線装置において、前記遅延手段の電位ＵPは、前記被検体上での粒子の目標エネルギーを変化させるために、接地電位に対して可変である、ことを特徴とする粒子線装置。
【請求項１１】
請求項９または１０に記載の粒子線装置において、粒子の目標エネルギーが低いとき、前記被検体及び前記遅延手段は、接地電位に対して正である、ことを特徴とする粒子線装置。
【請求項１２】
請求項９〜１１の何れか１項に記載の粒子線装置において、前記遅延手段（８，９），前記加速する電極（４）及び前記放射する電極（１）用として、３つの調整自在の高電圧源（１２，１３，１４）が設けられている、ことを特徴とする粒子線装置。
【請求項１３】
請求項９〜１２の何れか１項に記載の粒子線装置において、前記被検体および前記遅延手段の共通の電位ＵPは、接地電位と前記放射する電極の電位との間で設定自在である、ことを特徴とする粒子線装置。
【請求項１４】
請求項９〜１３の何れか１項に記載の粒子線装置において、前記遅延手段は、前記粒子線誘導管（５）の被検体側端部と粒子の減速のために協働する単電極（９）から構成されている、ことを特徴とする粒子線装置。
【請求項１５】
請求項１４に記載の粒子線装置において、前記粒子線誘導管（５）は被検体側端部で管状電極（８）として構成されており、前記単電極（９）は、対物レンズ（６，７）の絶縁体に装着されて、前記管状電極（８）と協働して前記遅延手段を構成する、ことを特徴とする粒子線装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子，陽電子又はイオンなどの帯電粒子の集束ビームによって被検体を照射し、且つその粒子エネルギーを１ｋｅＶ以下の値に設定可能であるような粒子線装置に関する。このような装置は、特に半導体の検査並びに導電率の低い物体の結像及び分析を目的とするラスタ電子顕微鏡の形態で使用される。標本表面の帯電を回避するため又は表面付近の領域を分析するために、被検体に当たったときのエネルギーは、１０ｅＶから５ｋｅＶの範囲の所定の限界エネルギーを越えてはならない。
【０００２】
【従来の技術】
粒子線を集束するために使用されている静電レンズ又は磁気レンズの結像時の色誤差は粒子エネルギーに反比例するので、粒子エネルギーが低いときの粒子線の焦点直径により規定される分解能は、粒子エネルギーが高いときと比べて悪くなる。この問題を解決するために、まず、粒子を被検体に当たるときに望まれる目標エネルギーより著しく高いエネルギーまで加速し、被検体に当たる直前に遅延手段により粒子エネルギーを低下させることは既に知られている。そのような遅延手段は、通常、２つ以上の電極から構成され、それらの電極静電遅延電界を印加する。その場合、粒子の減速は対物レンズの後部又は対物レンズから射出した後の対物レンズと被検体との間のいずれかで行うことができる。
【０００３】
従来から知られているこの種の解決方法は２つのグループに分類される。
第１のグループの装置においては、粒子線誘導管は陽極から少なくとも対物レンズの磁極片ギャップに至るまで接地電位にあり、被検体は、陰極電位と同じ符号を有する高電圧電位にある。このような構成はＫ．Ｊ．Ｐｏｌａｓｋｏ他の論文「Ｌｏｗ  ｅｎｅｒｇｙ  ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｂｅａｍ  ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ」ＯＰＴＩＣＡＬ  ＥＮＧＩＮＥＥＲＩＮＧ，１９８３年３／４月号，１９５ページ以降）、米国特許第５，３８９，７８７号及び欧州特許第Ａ２０７６９７９９号の中に記載されている。目標エネルギーが低いとき、特に目標エネルギーが１ｋｅＶ以下であり且つ粒子線誘導管内部の粒子のエネルギーは１０〜２０ｋｅＶであるとき、標本をそれに対応して９〜１９ｋＶの高電位にしなければならない。その場合に発生する標本載置台の絶縁の問題に加えて、被検体と対物レンズとの間の電圧フラッシュオーバや、高電圧のオン／オフ時に発生する内部電流に起因する標本の損傷が起こりうる。また、被検体から放射される二次電子を一次放射に影響を及ぼすことなく吸引し、加速しなければならないので、二次電子の検出は非常に困難である。
【０００４】
第２の構成では、被検体と遅延手段の被検体側電極が接地電位にあり、粒子線誘導管は陽極から減速手段の第１の電極に至るまで、粒子線誘導管から射出したときに粒子の遅延を引き起こすように選択された符号を有する高い陽極電位にある。このようなシステムはドイツ特許第２９２２３２５Ｃ２号及び欧州特許第０１８０７２３Ｂ１号などに記載されている。ドイツ特許第２９２２３２５Ｃ２号に記載の構成の場合、目標エネルギーの設定は粒子線誘導管の電位を変化させることにより行われる。この可変陽極電位に、陰極と陽極との間の一定ではあるが、逆符号の電位が重畳される。そこで、目標エネルギーが０．５から１ｋｅＶのとき、陽極から対物レンズに至るまでの粒子線誘導管全体は、陰極と陽極との電位差よりわずか０．５〜１ｋｅＶ小さい値の電位にある。これに相応して周囲に対する絶縁を考慮しなければならないので、この構成は最大エネルギーが低い場合にのみ適用可能である。目標エネルギーが０．２ｋｅＶ以下であるとき、陰極電位は接地電位とほぼ一致し、そのために、発生した漂遊電界は放射に影響を及ぼすので、目標エネルギーの低下につれて放射は徐々に不安定になる。従って、目標エネルギーが０．２ｋｅＶ以下であるとき、この構成は不適切である。
【０００５】
欧州特許第０１８０７２３Ｂ１号に記載される構成においては、出願人のＬＥＯ  １５００から、陽極及び粒子線誘導管の電位を減速手段に至るまで目標エネルギーとは関係なく一定に保持し且つ目標エネルギーの変化に応じて陰極電位を変化させることが知られている。このため、目標エネルギーが変化したときに、粒子線誘導管内部の粒子のエネルギーも絶えず変化し、それに従って、結像光学系の中の全パラメータ、特に磁気レンズの厚さを相応して適合させなければならないという欠点が生じる。設定のわずかな誤りがあっても、低エネルギーのときのその影響は大きく、従って、低エネルギー範囲、特に、２ｋＶ以下の目標エネルギーの範囲を相応して細かい段階で整合させなければならないので、上記の欠点は特に低エネルギーの場合、従って、粒子線誘導管内のエネルギーが低い場合に重大である。この装置においても、陰極電位は接地電位に対して目標エネルギーに相応するため、この構成でも目標エネルギーが０．２ｋｅＶ以下であるとき、放射は不安定になる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、０．２ｋｅＶ以下になることもある低い目標エネルギーに対しても、被検体を接地電位に対して高い電位の値にする必要なく、安定し、一定した動作を確定できる構成を提供することである。さらに、対物レンズと被検体との距離が短い場合であっても、粒子と被検体との相互作用によって発生する二次粒子又は反射散乱粒子を検出するための高い検出能力を保証すべきであろう。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、陰極及びその陰極から放射される粒子を陽極電位まで加速する陽極を有する粒子線発生部と、粒子線誘導管と、粒子線を被検体上に集束する対物レンズと、遅延手段とを具備し、陽極及び粒子線誘導管は接地電位と比較して高い、同一の高電圧電位にあり、且つ遅延手段及び被検体は、目標エネルギーが低いときは接地電位から偏移し、加速の働きをする陽極電位とは逆の減速に働く、同一の電位にある粒子線装置である。
【０００８】
本発明による粒子線装置は、陰極及び粒子を放射し且つ加速する陽極を有する粒子源と、粒子線誘導管と、粒子線を被検体上に集束する少なくとも１つの対物レンズと、遅延手段とから成る概して知られている構造を有する。陽極と粒子線誘導管は、接地電位に対して同一の高い高電圧電位にある。同時に、遅延手段の最後の電極と標本は同様に共通する電位にあり、この電位は少なくとも粒子の目標エネルギーが最低であるときに接地電位とは異なり、陽極電位とは逆の符号を有する。
【０００９】
本発明は、少なくとも粒子線誘導管又は被検体のいずれかが接地電位に保持される従来の構成方法とは異なっている。その代わりに、従来の個々の方法の特定の欠点を持ち越すことなく、同時に周知の方法の特定の利点が達成されるように、それらの方法を組合わせている。そのため、５ｋＶ以下の中程度の高電圧電位を被検体に印加したとき、絶縁に関する大きな問題又は被検体の損傷は起こらない。それと同時に、目標エネルギーがごく低い場合でも、陰極電位を接地電位に対して同様に０．２〜５ｋＶの値に保持でき、その値では放射が安定するという利点が得られる。また、目標エネルギーが高いときには、エネルギーの設定は陰極電位の値を高くすることにより実行され、その場合、被検体は接地電位にあるのが好ましい。
【００１０】
どのような目標エネルギーに対しても、陰極電位は０．２ｋＶより高く、好ましくは０．５ｋＶより高い。陰極電位の符号は、粒子の帯電の符号に従って、陰極電位の粒子は接地電位に対してより高い電位エネルギーを有するように選択されている。同時に、陽極電位の値は５ｋＶより大きく、その符号は、陽極電位の粒子は接地電位に対してより低い電位エネルギーを有するように選択されている。これにより、陰極から放射した粒子は、陰極と陽極との電位差に対応し、少なくとも５〜１０ｋＶになるはずであると考えられるエネルギーまで加速される。結像素子の色誤差を許容しうる限界内に保持するこのエネルギーによって、粒子は粒子線誘導管を通過し、粒子線誘導管から射出した後、目標エネルギーまで減速される。この場合、目標エネルギーの設定は、被検体及び遅延手段の電位を接地電位に対して調整することにより行われる。それに伴って、ゼロと陰極電位における粒子エネルギーとの間の目標エネルギーに対して、粒子線誘導管の内部のエネルギーは一定のままである。そのため、粒子光学シリンダーの精密整合は省略されるので、光学系の操作は著しく容易になり、特に、レンズの収差を減少させるための補正素子（たとえば、多重極補正装置）を付加的に使用する場合には、著しく大きな利点が得られる。目標エネルギーの設定のために必要な標本電位の値は最大でも陰極電位と等しく、多くとも５ｋＶであるので、標本電位のオン／オフ時の電圧フラッシュオーバ、絶縁の問題及び／又は標本の損傷は全く起こらない。
【００１１】
本発明による粒子線装置においては、より高い目標エネルギーの設定は陰極電位の値を高くすることにより行われる。陽極電位は一定のままであるので、二次電子又は反射散乱電子の十分な検出は常に保証される。
目標エネルギーが低い場合、特に目標エネルギーが０．５ｋｅＶ以下である場合に装置を動作させたとき、本発明による粒子線装置の遅延手段と標本は陰極電位と同じ符号を有する電位にある。これに対し、陽極電位は逆の符号を有する。本発明による粒子線装置の場合には、様々に異なる電位を調整するために、遅延手段と、陽極と、陰極の電位に対して３つの調整自在の高電圧源がそれぞれ設けられている。最適電位の設定は、目標エネルギー及び最大許容標本電位の値に従ってユーザが入力すべきパラメータとして制御装置により行われる。
【００１２】
有利な一実施態様においては、粒子線誘導管は粒子線発生部と対物レンズとの間の領域に拡張領域を有し、この拡張領域には、被検体から発出する二次電子又は反射散乱電子を検出する検出器が配置されている。この検出器は、粒子線誘導管の電位にある。被検体から放射された二次電子又は反射散乱電子は、一次放射とは逆の方向に、標本の電位と粒子線誘導管の電位との差に加速され、十分に検出しうるエネルギーを有する。
【００１３】
本発明による粒子線装置は、唯一の結像素子としての対物レンズのみで構成できるか、あるいは、対物レンズ及び集光レンズから成る少なくとも２つのレンズを含む光学系として構成できる。２段階光学系の場合、陰極から発出する粒子の有効開口は一段階光学系の場合より大きいので、集光レンズと、対物レンズとから成る２レンズ結合光学系は、粒子を相対的に無指向に放射する放射源と組合わせて適用されると有利である。集光レンズの励磁が弱いとき、粒子線の被検体側開口は縮小し、それに伴って、開口を必要条件に最適に適応させることができる。放射源の中間結像を伴う２段階結像光学系で粒子間に起こる確率的相互作用はエネルギーの放散を招き、エネルギーに従属する結像誤差がより大きくなるため、指向性の強い放射源に対しては対物レンズのみから構成される１段階結像光学系を選ぶべきである。
【００１４】
本発明による粒子線装置の場合、遅延手段は粒子線誘導管の後方端部と、１つ又は複数の別の電極とにより構成できる。この目的のため、粒子線誘導管の後方端部は管状電極として形成されていると有利である。遅延手段の別の電極は、対物レンズの絶縁体に装着されているのが好ましい。
対物レンズは基本的に磁気レンズ又は静電単レンズとして構成できる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、図面に示される実施形態に基づいてラスタ電子顕微鏡を例にとって本発明の個々の点をさらに詳細に説明する。
本発明による粒子線装置の粒子線発生部は粒子を放射する陰極１と、抽出電極２と、陽極４とから構成されている。本発明による粒子線装置をラスタ電子顕微鏡として構成する場合、陰極１は熱電界放射電極であるのが好ましい。抽出電極２により陰極１から粒子が吸い上げられるように、陰極１の構造に応じて、抽出電極２は陰極１に対して２〜５ｋＶ高い関係にある。陰極電位ＵK を発生するために、調整自在の高電圧源１４が設けられ、陰極１と抽出電極２との一定の電位差を発生するために、定電圧源３が設けられている。
【００１６】
陽極４は、同時に、粒子線誘導管５の発生源側端部でもある。導電性材料から成るこの粒子線誘導管５は、対物レンズとして作用する磁気レンズの磁極片６に形成させた孔に挿入されており、被検体片端部８で肉厚になって、管状レンズとして形成されている。粒子線誘導管５のこの肉厚の被検体側端部は、磁気レンズの磁極片ギャップの先で終わる。図中符号７は磁気レンズのコイルを示す。粒子線誘導管の次には単電極９が配置され、この単電極９は粒子線誘導管５の管状電極８と共に静電遅延手段を形成する。管状電極８は粒子線誘導管５の全体と共に、第２の調整自在の高電圧源１３により発生される陽極電位ＵA にあり、一方、単電極９と被検体載置台１０は、第３の調整自在の高電圧源により発生される共通電位ＵP にある。管状電極８と単電極９は同時に静電レンズ（液浸レンズ）としても作用し、対物レンズの作用に加え、この静電レンズにより、粒子線は被検体上に集束される。
【００１７】
粒子線装置が動作しているとき、陰極から発射された粒子は陽極に至るまで、陰極１と陽極４との電位差に対応するエネルギーの分だけ加速され、その後、この一定のエネルギーをもって粒子線誘導管５を通過する。粒子線誘導管の管状電極８と単電極９との間から射出した後、粒子線は、陰極電位ＵK と標本電位ＵP との電位差に対応する目標エネルギーまで遅延される。目標エネルギーが低いとき、この目標エネルギーの調整は、それぞれ一定の陽極電位ＵA と陰極電位ＵK に対して標本電位ＵP を変化させることにより行われる。この場合、低エネルギーとは、陰極電位に対する粒子線エネルギーより小さい値のエネルギーである。目標エネルギーが高いとき、標本エネルギーＵP はゼロであり、粒子線誘導管の内部における粒子エネルギーの一定保持は、陰極電位ＵK と陽極電位ＵA とを互いに対して同調変化させることにより行われる。電子の場合、粒子線誘導管内部の理論エネルギーが１０又は１５ｋｅＶのときの電位の組合わせの例を表１及び表２に提示する。提示した値の間の任意の目標エネルギーに対して、付随する別の電位差を容易に補足できる。本実施形態による粒子線装置においては、０ｋｅＶと粒子線誘導管内の理論エネルギーとの間の目標エネルギーに対して、粒子線誘導管内のエネルギーＵS を一定に保持することができる。適切な電位の組合わせを設定するために、目標エネルギーと、粒子線誘導管内の理論エネルギーと、最大許容標本電位ＵP の関数としての適切な電位の組合わせをユーザにより設定可能なパラメータとして選択する制御装置１５を設けることができる。
【００１８】
0004037533.tif 000002
【００１９】
0004037533.tif 000003
【００２０】
被検体の広い領域を走査するために、粒子線誘導管の外側の磁極片ギャップの高さに配置される偏向装置１１が設けられている。磁極片ギャップの高さに偏向装置１１を配置することにより、被検体を走査するための偏向が対物レンズの主平面で起こるように保証される。
【００２１】
粒子線発生部と対物レンズとの間の発生源側領域又は対物レンズの発生源側領域に粒子線誘導管は広がっている。この拡張領域には、光軸に対し同心に配置されて、二次電子又は反射散乱電子を検出する環状検出器１６が設けられている。被検体から発出した電子は一次放射とは逆方向に、単電極９と管状電極８との間の遅延電界を通過して差電位ＵA−ＵKに加速されるので、半導体検出器又はシンチレーション検出器によって検出できるような十分なエネルギーを有する。このとき、被検体からの電子の放射を強いて一次電子放射により刺激する必要はなく、むしろ、ＵＶ光又はガンマ放射により刺激が起こることも可能であり、そのために、装置は追加のＵＶ光源及び／又はガンマ放射源を有する。
【００２２】
図２の実施形態において、図１の実施形態と同一の構成要素は同じ図中符号により示されている。これら２つの実施形態の唯一の相違点は、陽極４と対物レンズ６，７との間に追加結像段として付加的に集光レンズ１７が設けられていることである。集光レンズ１７は陰極１の放射面の中間実像を形成し、この中間実像は、その後、対物レンズ６，７により被検体上に結像される。このような２段階結像光学系の場合、図１の１段階結像光学系と比較して、陰極から発射し、被検体上に集束される粒子の収量は幾分大きい。このため、陰極１の中間像、すなわち、いわゆるクロスオーバの箇所で、粒子間の確率的相互作用が発生し、その結果、結像光学系全体の色収差が大きくなる。
【００２３】
図３の対物レンズの被検体側領域の詳細図において、２０は対物レンズの磁極片であり、２１は対物レンズコイルである。対物レンズ磁極片２０に形成された孔の中には、粒子線誘導管２２を環状に取り囲む絶縁体２３を介して粒子線誘導管２２が収納されている。磁極片２０の磁極片ギャップの高さに偏向装置２４が配置されている。この場合にも、粒子線誘導管２２の被検体側端部は環状の拡張部分を有しており、粒子線誘導管２２の被検体側端部は管状電極として作用する。さらに、絶縁体２３には、粒子線誘導管２２の管状電極２５と共に減速手段を形成する第２の電極２６が装着されている。粒子線誘導管２２は、管状電極２５が一次電子放射の方向に見て磁極片ギャップの背後に、磁極片ギャップから発生する磁界がほぼ完全に減弱してしまう領域に配置されるように、先へ延び出している。従って、目標エネルギーを目指す粒子の減速は被検体の直前で行われるので、外部電界又は外部磁界による妨害影響は低減される。
【００２４】
減速電極２６は、中心に孔２９を有する、中央が平坦な円錐形リングとして構成されている。中心の孔２９は磁極片２０の孔及び粒子線誘導管２２に対して中心位置に整列させられている。電極２６が円錐形に形成されているため、被検体を傾斜させたときの電極２６と被検体との衝突は回避される。
減速電極２６への電位の供給は、対物レンズ磁極片２０の外面に沿った導線２７を介して行われる。
【００２５】
ここで、粒子の減速を対物レンズの背後で行うほうが望ましい場合であっても、それにより、粒子はできる限り長く高い運動エネルギーに保持されるので、そのような減速を強いて行う必要はないということに注意すべきである。しかしながら、冒頭に挙げた欧州特許第０１８０７２３Ｂ１号の場合のように、減速手段を対物レンズの内側に配置することも考えられる。
【００２６】
図示した実施形態に基づいて、粒子が電子である場合について本発明を説明した。本発明を正に帯電された粒子に適用するときには、陰極電位，陽極電位及び標本電位のポーリングを反転させるだけで良い。すなわち、正電位を負電位と入れ替え、負電位を正電位と入れ替える。
【００２７】
さらに、対物レンズを磁気レンズとして構成する必要性もない。特に、イオンのような重粒子を使用する場合には、粒子を集束するために、静電単レンズを適用することも考えられ、好都合である。そのような静電単レンズは周知のように３つの相前後する電極から構成でき、そのうち、外側の２つの電極は粒子線誘導管の電位にある。中央の電極は、極性に関しては陰極電位と一致するが、それよりやや小さい値を有する電位にある。そのような単レンズを収納するために、粒子線誘導管は直方体形の拡張領域を有し、その領域に中央の電極を配置することができる。外側の２つの電極は、管軸に対し垂直に位置する直方体の面により形成される。このような単レンズは、静電液浸レンズとは異なり、粒子エネルギーを変化させない。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明による粒子線装置の第１の実施形態の原理を示す断面図。
【図２】  本発明による粒子線装置の第２の実施形態の原理を示す断面図。
【図３】  本発明による粒子線装置における対物レンズ下部の詳細を示す断面図。
【符号の説明】
１…陰極、４…陽極、５…粒子線誘導管、６…磁極片、７…コイル、８…管状電極、９…単電極、１０…被検体載置台、１２，１３，１４…高電圧源、１５…制御装置、１６…環状検出器、２０…対物レンズ磁極片、２１…対物レンズコイル、２２…粒子線誘導管、２３…絶縁体。
【図１】
0004037533.tif 000004
【図２】
0004037533.tif 000005
【図３】
0004037533.tif 000006