(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の処理を行うための処理室と連結可能な搬送室内において、密閉した真空下で所定の電離用ガスを導入した後、処理対象物に電離光を照射することによって当該処理対象物の周囲にある前記電離用ガスを電離させる電離工程を有する真空処理方法であって、
前記処理室に対して前記処理対象物を搬出入する際には、前記搬送室の圧力を、真空下の第１の圧力に保つ一方で、
前記電離工程においては、前記搬送室の圧力を、当該搬送室内に前記電離用ガスを導入することにより、前記第１の圧力より高く、かつ、大気圧より低く前記電離用ガスを電離させるための第２の圧力に保つことを特徴とする処理対象物の処理方法。
【請求項２】
前記処理室において処理対象物に第一の処理を施した後、さらに当該処理対象物に第二の処理を施す場合には、当該第一の処理と当該第二の処理の間に、当該処理対象物に前記電離工程の処理を施すことを特徴とする請求項１記載の処理対象物の処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、基板を静電吸着した状態で処理を行う真空処理装置に関し、特に、静電吸着の際に基板に生じた残留電荷を除電する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、基板に成膜などの種々の処理を真空下で一貫して行う際には、搬送室を中心としてその周囲に複数の処理室を配置して構成されるマルチチャンバ式の真空処理装置が用いられる。この真空処理装置においては、各処理室に応じた処理が、基板を静電チャック上に静電吸着した状態で順次行われる。
【０００３】
ところで、一般に、一様な電界内に誘電体をおくと、誘電体には正と負の拘束電荷につき相対的に変位する分極が生じ、誘電体中の電束密度Ｄは電界強度Ｅと比例関係にある（Ｄ＝εＥ、ε：誘電率）。
【０００４】
しかし、変化する電界内に誘電体をおき、誘電損ｔａｎδ（電気エネルギの損失）が生じた場合には、電束密度Ｄと電界強度Ｅとの関係はヒステリシスループに示され、電界強度Ｅをゼロにしても電束密度Ｄが残るため、誘電体には残留電荷が存在し、このような誘電体を再度電界内におくと残留電荷に応じた残留吸着力が生じる。
【０００５】
そのため、従来、例えばガラスなどの誘電体を用いた基板を静電チャックに適用する場合には、静電吸着の終了後、静電吸着の際に印加した電圧と逆の電圧を、電圧値の大きさや通電時間の調整を図りつつ静電チャックに印加することにより、基板を静電チャックから円滑に離脱していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来技術においては、静電チャックから離脱後の基板になお残留電荷が存在し、この残留電荷が各処理を経る過程で静電吸着の繰り返しにより基板に徐々に蓄積され、これに起因して、静電チャック上で基板に生じる残留吸着力が大きくなるため、その後の処理において、基板の残留吸着力と静電チャックの静電吸着力とが相加した場合には、基板が必要以上に静電チャックに吸着されることによって基板の破損や基板の位置ずれが生じるという問題があり、その一方で、基板の残留吸着力と静電チャックの静電吸着力とが相殺した場合には、基板が静電チャック上で十分に吸着されないという問題があった。
【０００７】
本発明は、このような従来の技術の課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、基板の静電吸着が繰り返し行われても残留電荷が基板に蓄積されず基板を安定して静電吸着することが可能な真空処理装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するためになされた請求項１記載の発明は、所定の処理を行うための処理室と連結可能な搬送室内において、密閉した真空下で所定の電離用ガスを導入した後、処理対象物に電離光を照射することによって当該処理対象物の周囲にある前記電離用ガスを電離させる電離工程を有する真空処理方法であって、前記処理室に対して前記処理対象物を搬出入する際には、前記搬送室の圧力を、真空下の第１の圧力に保つ一方で、前記電離工程においては、前記搬送室の圧力を、当該搬送室内に前記電離用ガスを導入することにより、前記第１の圧力より高く、かつ、大気圧より低く前記電離用ガスを電離させるための第２の圧力に保つことを特徴とする処理対象物の処理方法である。
本発明では、請求項２の発明のように、請求項１記載の発明において、処理室において処理対象物に第一の処理を施した後、さらに当該処理対象物に第二の処理を施す場合には、当該第一の処理と当該第二の処理の間に、処理対象物に電離工程の処理を施すことも効果的である。
【０００９】
本発明によれば、搬送室において、真空下で電離用ガスを導入し、搬送手段により搬送された処理対象物に対し、処理室で静電吸着される側から電離光を照射することにより、処理対象物に生じた残留電荷を除電できるため、その後の処理室での処理において、静電吸着手段による静電吸着が繰り返されても、処理対象物には残留電荷が蓄積されず、静電吸着手段に基づく適正な静電吸着力のみによって処理対象物を安定して静電吸着することができる。
また、本発明によれば、搬送室において搬送手段の支軸を中心に旋回するハンド部材に支持される処理対象物に対して処理対象物を搬送する際に、又はハンド部材に対して下側の位置から電離光を照射することにより、処理対象物の搬送に要する期間内に処理対象物の除電を行うことができるため、時間当たりの処理量を落とさずに処理対象物を処理することができる。
本発明によれば、搬送室を密閉した真空下でその搬送室に電離用ガスを導入することにより、処理室に電離用ガスが侵入した場合に想定される種々の弊害を予め解消しておく一方で、搬送室を、処理室の処理ガスや外部の空気から一切遮断した安定した状態で電離用ガスのみを電離して処理対象物を除電することができる。
また、本発明によれば、処理室に対して処理対象物を搬出入する際には、搬送室の圧力を、真空下の第１の圧力に保つ一方で、電離工程においては、搬送室の圧力を、この第１の圧力より高く、かつ、大気圧より低く電離用ガスを電離させるための第２の圧力に保つことにより、仮に電離工程を大気圧下で行う場合と比較して、大気圧より低い第２の圧力から第１の圧力まで減圧するために要する時間を短縮することができ、また、逆に搬送室内の圧力を第２の圧力から第１の圧力まで上昇させるために要する時間を短縮することができる。
さらに、本発明によれば、第一の処理と第二の処理との間に処理対象物を除電することにより、第二の処理において静電吸着する際に不要な残留吸着力を排除することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る真空処理装置の実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
【００１１】
図１は、本実施の形態の真空処理装置の概略構成を示す平面図である。
図２は、同真空処理装置の概略構成を図１の直線ＯＡ上に搬送ロボットを配置した状態で切断して示す側面図、図３は、同真空処理装置の概略構成を図１の直線ＯＢに搬送ロボットを配置した状態で切断して示す側面図である。
【００１２】
図１に示すように、本実施の形態の真空処理装置１は、基板（処理対象物）２に成膜などの種々の処理を真空下で一貫して行うためのもので、例えば、搬入室３と、第１の処理室４と、第２の処理室５と、搬出室６と、搬送室７とを有している。
【００１３】
搬入室３、第１、第２の処理室４、５、搬出室６は、搬送室７を中心にした周囲に配置され、それぞれの内側の壁部３ａ、４ａ、５ａ、６ａが、搬送室７の対応する壁部７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄと連結されている。
【００１４】
図１又は図２に示すように、第１の処理室４が搬送室７と連結する部分には、基板２の通過口８Ａが所定の大きさで開口して形成され、また、この通過口８Ａを開閉するように構成された内部弁機構９Ａが設けられている。
【００１５】
そして、内部弁機構９Ａによって通過口８Ａが開かれた場合には、搬送室７と第１の処理室４との間で基板２の出入りが確保され、また、内部弁機構９Ａによって通過口８Ａが閉じられた場合には、第１の処理室４の気密性が保持される。
【００１６】
第２の処理室５、搬入室３、搬出室６についても、第１の処理室４の場合と同様、搬送室７と連結する部分には、それぞれ、基板２の通過口８Ｂ、８Ｃ、８Ｄ及び内部弁機構９Ｂ、９Ｃ、９Ｄが設けられ、これにより、搬送室７と第２の処理室５との間、搬送室７と搬入室３との間、搬送室７と搬出室６との間で、それぞれ、基板２の出入りが確保され、また、第２の処理室５の気密性、及び搬送室７の気密性が保持される。
【００１７】
さらに、搬入室３の外側の壁部３ｂには、複数の基板２を搬入する搬入口１０が所定の大きさで開口して形成され、また、この搬入口１０を開閉するように構成された外部弁機構１１が設けられている。
【００１８】
そして、外部弁機構１１による搬入口１０の開閉により、搬入室３への基板２の一括した搬入が確保され、また、搬入室３の気密性が保持される。
【００１９】
搬出室６についても、搬入室３の場合と同様、外側の壁部６ｂには、複数の基板２を搬出する搬出口１２及び外部弁機構１３が設けられ、これにより、搬出室６からの基板２の一括した搬出が確保され、また、搬出室６の気密性が保持される。
【００２０】
なお、すべての通過口８Ａ、８Ｂ、８Ｃ、８Ｄ、搬入室３の搬入口１０及び搬出室６の搬出口１２は、同一の高さになるように配置されている。
【００２１】
真空処理装置１の真空排気系については、搬送室７には、第１の真空ポンプ２１と連結した排気管２２が真空バルブ２３を介して接続されている。そして、搬送室７は、真空バルブ２３を開いた状態で第１の真空ポンプ２１を作動することにより、所定の圧力まで真空排気されるようになっている。
【００２２】
第１の処理室４には、第２の真空ポンプ２４と連結した排気管２５から２系統に分岐した第１、第２の支流管２５ａ、２５ｂのうち、第１の支流管２５ａが第１の真空バルブ２６を介して接続され、第２の処理室５には、第２の支流管２５ｂが第２の真空バルブ２７を介して接続されている。
【００２３】
搬入室３及び搬出室５の真空排気系は、第１、第２の処理室４、５のものと同様、搬入室３には、第３の真空ポンプ２８と連結した排気管２９から２系統に分岐した第１、第２の支流管２９ａ、２９ｂのうち、第１の支流管２９ａが第１の真空バルブ３０を介して接続され、搬出室６には、第２の支流管２９ｂが第２の真空バルブ３１を介して接続されている。
【００２４】
また、真空処理装置１のガス導入系については、本実施の形態の場合、搬送室７には、所定の電離用ガスを充填した電離用ガスボンベ３２と連結した導入管３３がバルブ３４を介して接続されている。ここで、電離用ガスとしては、紫外線（電離光）の波長とイオン化断面積との関係から、例えば、窒素ガスやアルゴンガスなどが好ましく、本実施の形態の電離用ガスには、窒素ガスを用いている。
【００２５】
第１の処理室４には、所定の処理ガス（例えばアルゴンガスなど）を充填した第１の処理ガスボンベ３５と連結した第１の導入管３６がバルブ３７を介して接続され、また、第２の処理室５には、第２の処理ガスボンベ３８と連結した第２の導入管３９がバルブ４０を介して接続されている。
【００２６】
搬送室７の中央部分には、搬送ロボット（搬送手段）５０が設けられている。搬送ロボット５０は、第１の駆動軸５１及び第２の駆動軸５２が搬送室７の鉛直方向の中心線を通る同一軸上で回転可能に構成された駆動機構５３を有している。
【００２７】
第１の駆動軸５１及び第２の駆動軸５２は、別個の駆動モータ（図示しない）から動力を受けることにより、同方向に一体的に又は互いに逆方向に独立して回転するように構成されている。
【００２８】
第１、第２の駆動軸５１，５２には、アーム機構５４が設けられている。このアーム機構５４は、同一長さの第１、第２、第３、第４のアーム部材５４Ａ、５４Ｂ、５４Ｃ、５４Ｄを用いて４節リンク機構として構成されている。第１のアーム部材５４Ａは、第１の駆動軸５１と固定され、また、第２のアーム部材５４Ｂは、第２の駆動軸５２と固定されている。
【００２９】
これにより、アーム機構５４は、第１、第２の駆動軸５１，５２の互いに逆方向の回転に伴って第３、第４のアーム部材５４Ｂ、５４Ｃを連結している支軸５５が、第１、第２の駆動軸５１，５２に対して接近又は離間する方向、すなわち、第１、第２の駆動軸５１、５２と第３、第４のアーム部材５４Ｂ、５４Ｃの支軸５５とを結ぶ搬送直線Ｌの方向にアーム機構５４自身を伸縮する方向に移動し、また、第１、第２の駆動軸５１、５２の同方向の回転に伴ってアーム機構５４自体が第１、第２の駆動軸５１、５２を中心に回転するようになっている。
【００３０】
第３、第４のアーム部材５４Ｃ、５４Ｄの支軸５５の近傍には、基板２を位置決めした状態で支持するハンド部材５６が、搬送直線Ｌの方向に対して同一姿勢を保持するように取り付けられている。
【００３１】
ここで、本実施の形態の場合、真空処理装置１に用いられる基板２は、誘電体からなるもので、例えばガラスを用いて四角形状に形成され、これに対し、ハンド部材５６は、一対の爪部５６ａによって基板２の縁部分とのみ当接するように構成されている。これにより、ハンド部材５６上の基板２は、その裏面の大部分がハンド部材５６から露出するようになっている。
【００３２】
そして、このような搬送ロボット５０は、ハンド部材５６が、通過口８、搬入口１０及び搬出口１２を含む同一の水平面上において、アーム機構５４の伸縮方向に移動するとともに、アーム機構５４自体の回転に伴って第１、第２の駆動軸５１、５２を中心に旋回するようになっている。
【００３３】
図１又は図３に示すように、本実施の形態の場合、搬送室７には、ＵＶ照射装置（電離光照射手段）６０が設けられている。このＵＶ照射装置６０は、紫外線ランプ（図示しない）に対し、基板２の外形より大きい幅をもつ帯状の溝を有するスリット６１を介在させることによって一定幅の紫外線を照射するように構成されたもので、基板２に対してその下側（静電吸着される側）から紫外線を照射する観点から、スリット６１を上側に向けた状態で搬送室７の底面７ｅに配置されている。
【００３４】
ここで、ＵＶ照射装置６０は、搬送室７での搬送過程において基板２に紫外線を照射する観点から、スリット６１が搬送ロボット５０のアーム機構５４の回転に伴いハンド部材５６が通過する水平面と搬送室７の底面７ｅとから画定される空間領域に含まれていることが好ましく、特に、第１の処理室４と第２の処理室５との搬送過程において基板２に紫外線を照射する観点から、第１、第２の駆動軸５１、５２の中心と第１の処理室の中心とを結ぶ直線ＯＡと、第１、第２の駆動軸５１，５２の中心と第２の処理室５の中心とを結ぶ直線ＯＣとの間にあって、第１、第２の駆動軸５１、５２の中心を通る直線ＯＢ上にスリット６１がのるように配置されている。
このようなＵＶ照射装置６０は、図示しない電源と電気的に接続されている。
【００３５】
第１の処理室５の中央部分には、サセプタ７１が設けられ、このサセプタ７１上に静電チャック（静電吸着手段）７０が固定されている。静電チャック７０は、基板２と全面的に接触した状態でこの基板２を載置可能なプレート７２を有している。このプレート７２は、搬送ロボット５０のハンド部材５６の高さより低い位置に配置されている。
【００３６】
プレート７２の直下には、正極電極７３ａと負極電極７３ｂとからなる静電電極７３が設けられ、この静電電極７３は、図示しない電源と電気的に接続されている。そして、静電電極７３に所定の大きさの電圧が印加されることによりプレート７２上の基板２に静電吸着力が生じ、基板２がプレート７２上で静電吸着されるようになっている。
【００３７】
また、プレート７２の直下には、例えば、加熱器７４が設けられ、この加熱器７４は、図示しない電源と電気的に接続されている。そして、加熱器７４に所定の大きさの電圧が印加されることにより、プレート７２上の基板２が所期の温度に調節されるようになっている。
【００３８】
さらに、プレート７２の下部には、基板２を先端部分で支持するリフトピン７５が、上下動可能に設けられ、これに対し、プレート７２には、リフトピン７５に対応した貫通孔７２ａが設けられている。そして、リフトピン７２の上下動により、基板２が、搬送ロボット５０のハンド部材５６によって支持される位置と、プレート７２上に載置される位置のいずれかに配置されるようになっている。
【００３９】
第２の処理室５の中央部分には、第１の処理室４のものと同様の静電チャック７０が設けられている。
【００４０】
搬入室３の中央部分には、基板昇降機構８０が設けられている。この基板昇降機構８０は、搬送ロボット５０のハンド部材５６の高さを基準にして、複数の基板２を一定の間隔ごとに積層した状態でその間隔分だけ上方向又は下方向に移動するように構成されている。これにより、搬送ロボット５０は、基板昇降機構８０から基板２を一枚ずつ受け取れるようになっている。
【００４１】
搬出室６の中央部分には、搬入室３のものと同様の基板昇降機構８０が設けられている。ただし、搬出室６では、搬送ロボット５０は、基板昇降機構８０に基板２を一枚ずつ受け渡すようになっている。
【００４２】
図４〜図８は、本実施の形態の真空処理装置の各処理を説明するための図である。
以下、これらの図面を参照して、本実施の形態の基板の処理方法を説明する。
【００４３】
図４に示すように、基板２の処理方法においては、まず、搬送室７の周囲のすべての内部弁機構９を閉じて搬送室７、第１、第２の処理室４、５のすべてを密閉した後、第１の真空ポンプ２１及び第２の真空ポンプ２４（第１の真空バルブ２６：開、第２の真空バルブ２７：開）を作動し、真空バルブ２３、２６、２７の各コンダクタンスを調節して排気管２２、２５内の排気速度をそれぞれ一定にすることにより（図１参照）、搬送室７、第１、第２の処理室４、５を第１の圧力Ｐ1まで真空排気する。
【００４４】
この第１の圧力Ｐ1は、第１、第２の処理室４、５での処理に適用され、また、搬送室７、搬入室３、搬出室６にも基板２の搬送の際に適用される圧力であって、標準大気圧Ｐ0（＝１０１.３２５ｋＰａ）より低く、１×１０-2Ｐａ以下の圧力である。
【００４５】
以下の処理においては、特に言及しない限り、搬送室７、第１、第２の処理室４、５は、すべて、第１の圧力Ｐ1に保たれている。
【００４６】
次に、搬入室３の内部弁機構９Ｃを閉じて搬送室７を密閉した状態のまま、搬入室３の外部弁機構１１を開き、基板昇降機構８０に複数の基板２を装填する。
【００４７】
その後、搬入室２の外部弁機構１１を閉じて搬入室３を密閉した後、第３の真空ポンプ２８（第１の真空バルブ３０：開、第２の真空バルブ３１：閉）を作動し、搬入室３を第１の圧力Ｐ1まで真空排気する。
【００４８】
そして、搬入室３の内部弁機構９Ｃのみを開いた後、搬送ロボット５０につき、ハンド部材５６を搬入室３の搬入口８Ｃに対向させた状態でアーム機構５４を伸ばすことにより、基板昇降機構８０から第１の基板２をハンド部材５６上に載置し、アーム機構５４を縮めることにより、第１の基板２を搬入室３から搬送室７に取り出し、搬入室３の内部弁機構９Ｃを閉じる。
【００４９】
その後、搬送ロボット５０のアーム機構５４を、ハンド部材５６が第１の処理室４の通過口８Ａと対向する位置まで回転させ、第１の処理室４の内部弁機構９Ａのみを開いた後、アーム機構５４を伸ばすことにより、ハンド部材５４上の第１の基板２を第１の処理室４に侵入させて静電チャック７０のプレート７２の上方にまで移動させる。
【００５０】
その一方で、リフトピン７５の上移動により、第１の基板２をリフトピン７５の先端部分に支持してハンド部材５４から若干離す。
【００５１】
そして、アーム機構５４を縮めてハンド部材５６を第１の処理室４から退避させる一方で、リフトピン７５の下移動により、第１の基板２をプレート７２上に載置する。
【００５２】
その後、第１の処理室４の内部弁機構９Ａを閉じて第１の処理室４を密閉した上で、真空バルブ２６を開いて排気管２５及び第１の支流管２５ａ内の排気速度を小さくしてから、バルブ３７を開いて第１の処理ガスボンベ３５から処理ガスを第１の処理室４に導入し、圧力を上昇させる。
【００５３】
また、静電チャック７０の静電電極７３につき、正極電極７３ａに正極の電圧及び負極電極７３ｂに負極の電圧を印加するとともに、加熱器７４に電圧を印加することにより、第１の基板２をプレート７２上に静電吸着した状態で温度調節し、このような第１の基板２に対し、スパッタリングやＣＶＤ等の第１の処理室４に割り当てられた第１の処理を施す。
【００５４】
第１の処理の終了後、第１の処理室４を、密閉した状態のまま、真空バルブ２６を閉じて排気管２５及び第１の支流管２５ａ内の排気速度を元の大きさに戻すことによって、真空排気して処理ガスを除去しつつ、再び第１の圧力Ｐ1にする。
【００５５】
その後、静電電極７３及び加熱器７４の各電源を切断するが、この場合、第１の処理中に静電電極７３に印加した電圧と逆極性の電圧として、静電電極７３につき、正極電極７３ａに負極の電圧及び負極電極７３ｂに正極の電圧を印加しつつ、第１の基板２をリフトピン７５によりリフトアップさせてプレート７２から離脱させる。
【００５６】
第１の処理室４の内部弁機構９Ａのみを開いた後、アーム機構５４を伸ばすことにより、ハンド部材５６を静電チャック７０のプレート７２の上方に移動させてハンド部材５６上に第１の基板２を載置し、アーム機構５４を縮めることにより、ハンド部材５６上の第１の基板２を第１の処理室４から取り出す。
【００５７】
図５に示すように、第１の処理室４の内部弁機構９Ａを閉じるとともに他のすべての内部弁機構９Ｂ、９Ｃ、９Ｄを閉じた状態のまま搬送室７を密閉した上で、第１の真空ポンプ２１のバルブ２３を開いて排気管２２内の排気速度を小さくしてから、バルブ３４を開いて電離用ガスボンベ３２から電離用ガスを流量制限しながら搬送室７に導入する。ここでの搬送室７は、圧力Ｐ2に保たれる。この第２の圧力Ｐ2は、搬送室７において電離用ガスを導入する際に適用される圧力であって、標準大気圧Ｐ0より低く、かつ、第１の圧力Ｐ1より大きい圧力、好ましくは１Ｐａ〜１５０Ｐａである。
【００５８】
その後、ＵＶ照射装置６０に電圧を印加することによりスリット６１から紫外線を照射させる。
【００５９】
そして、図６に示すように、ハンド部材５６上の第１の基板２が第１の処理室４から第２の処理室５に向かう方向にアーム機構５４自体を回転させ、第１の基板２に対してその下側から紫外線を照射させる。
【００６０】
この場合、第１の基板２の下面には、静電チャック７０から離脱後もなお残留電荷が生じているが、第１の基板２の下面にある電離ガスに紫外線が照射されると、その周囲にある電離用ガスが電離し、このイオンガスが第１の基板２に吸着した部分についての残留電荷が消滅する。
【００６１】
そして、第１の基板２を第１の処理室４から第２の処理室５へ搬送する過程においてハンド部材５６の旋回に伴い第１の基板２に全面的に紫外線が照射されると、第１の基板２全体から残留電荷が消滅し、第１の基板２はほぼ完全に除電される。
【００６２】
図７に示すように、ハンド部材５６上の第１の基板２を第２の処理室５の通過口８Ｂと対応する位置に停止させた後、搬送室７を密閉した状態のまま、真空バルブ３４を閉じて排気管２２内の排気速度を元の大きさに戻すことによって、真空排気して電離用ガス（イオンガスを含む）を除去しつつ、再び第１の圧力Ｐ1にする。
【００６３】
その後、第２の処理室５の内部弁機構９Ｂのみを開き、第１の処理室４の場合と同様、第１の基板２を静電チャック７０のプレート７２上に載置し、第２の処理室５の内部弁機構９Ｂを閉じて密閉した第２の処理室５に第２のガスボンベ３８から処理ガスを導入するとともに、第１の基板２をプレート７２上に静電吸着した状態で温度調節する。
【００６４】
この場合、第１の処理後に第１の基板２に生じていた残留電荷は、搬送室７内ですでに消滅しているため、第１の基板２は、静電チャック７０に基づく静電吸着力のみによってプレート７２上に静電吸着される。そして、このような第１の基板２に対し、第２の処理室５に割り当てられた第２の処理を施す。
【００６５】
その一方で、第２の処理の間に、第１の基板２の場合と同様、搬送ロボット５０により搬入室３から取り出した第２の基板２を、第１の処理室４に搬送し、第１の処理室４において第２の基板２に第１の処理を施す。
【００６６】
第２の処理室５において第２の処理が終了すると、第１の処理室４の場合と同様、第２の処理室５を密閉した状態で真空排気して処理ガスを除去しつつ、再び第１の圧力Ｐ1にしてから、第１の基板２を第２の処理室５からハンド部材５６上に取り出す。
【００６７】
図８に示すように、搬出室６を、密閉した状態で、第３の真空ポンプ２８（第１の真空バルブ３０：閉、第２の真空バルブ３１：開）を作動して、真空バルブ３１のコンダクタンスの調節により、第１の圧力Ｐ1まで真空排気し、第１の基板２を、搬送ロボット５０により、搬出室６の基板昇降機構８０に格納する。
【００６８】
その一方で、第１の処理室４において第１の処理が終了すると、第１の基板２の場合と同様、第１の処理室４を、密閉した状態のまま、第１の圧力Ｐ1まで真空排気して処理ガスを除去してから、第２の基板２を第１の処理室４から取り出し、搬送室７を、密閉した状態で排気速度を小さくして第２の圧力Ｐ2にしつつ、搬送室７に電離用ガスを導入した後、第２の基板２を第１の処理室４から第２の処理室５に搬送する際に紫外線を照射することによって、第２の基板２を除電する。
【００６９】
その後の第２の基板２についての第２の処理室５、搬出室６における処理は、第１の基板２と同様であり、また、搬入室３の基板昇降機構８０内の第３の基板２以降については、先行する基板２との間に、第１の基板２に対する第２の基板２との関係を満たしつつ処理される。
【００７０】
以上述べたように本実施の形態によれば、搬送室７に密閉状態で電離用ガスを導入した後、基板２に対し第１の処理室４で静電吸着された側から紫外線を照射するようにしたことから、搬送室７と遮断された第１、第２の処理室４、５において各処理やコンタミについての条件を均一に保持できる一方で、第１の処理室４と第２の処理室５との間で基板２を搬送する際に必ず通過する搬送室７において基板２に生じた残留電荷を除電できるため、その後の処理において、静電吸着が繰り返されても、基板２には残留電荷が蓄積されず、静電チャック７０に基づく適正な静電吸着力のみによって基板２を安定して静電吸着することができる。
【００７１】
また、本実施の形態によれば、第１の処理室４と第２の処理室５との間で基板２を搬送する際にその基板２に紫外線を照射するようにしたことから、基板２の搬送に要する期間内に基板２の除電を行うことができるため、時間当たりの基板処理量（スループット）を落とさずに基板２を処理することができる。
【００７２】
さらに、本実施の形態によれば、搬送室７を密閉した真空下でその搬送室７に電離用ガスを導入するようにしたことから、第１、第２の処理室４、５に電離用ガスが侵入した場合に想定される種々の弊害を予め解消しておく一方で、搬送室７を、第１、第２の処理室４、５の処理ガスや外部の空気から一切遮断した安定した状態で電離用ガスのみを電離することができる。
【００７３】
さらにまた、本実施の形態によれば、搬送室７に電離用ガスを導入して電離工程を行う際に適用する第２の圧力Ｐ2を、第１、第２の処理室４、５において基板２を処理する際及び第１、第２の処理室４、５との間で基板２を搬出入する際に適用する第１の圧力Ｐ1より高く、標準大気圧Ｐ0より低くしたことから、仮に標準大気圧Ｐ0で電離工程を行う場合と比べ、搬送室７内の圧力を、第１の圧力Ｐ1から第２の圧力Ｐ2まで上昇させるために要する時間を短縮することができ、また、第２の圧力Ｐ2から第１の圧力Ｐ1に減圧するのに要する時間を短縮することができる。
【００７４】
なお、本発明は上述の実施の形態に限られることなく、種々の変更を行うことができる。
【００７５】
例えば、本発明においては、基板に紫外線を照射する際に、予め、基板に生じている残留電荷の大きさを表面電位計により測定して測定値を表示させ、その測定値に応じて紫外線の強度を最適な値に調節することも可能である。ここでの表面電位計は、基板の下面から距離ｄをおいた面積Ｓの電極板によってコンデンサを構成するもので、静電容量Ｃ（＝ε0Ｓ／ｄ、ε0：真空の誘電率）に基づく電圧値を出力するようになっている。
【００７６】
また、本発明においては、電離光としての紫外線についてその波長と反比例の関係にある光子エネルギより小さいイオン化エネルギをもつ気体を電離用ガスに適用すればよく、また、特定の電離用ガスについてそのイオン化エネルギより大きい光子エネルギをもつ光（例えばＸ線）を電離光に適用すればよい。
【００７７】
さらに、上記実施の形態においては、基板の処理におけるスループットを維持する観点から、ＵＶ照射装置を、ハンド部材が旋回する領域のうち、特に第１の処理室と第２の処理室との間の領域に配置したが、本発明の場合、搬送室の内部弁機構がすべて閉じられ、かつ、基板に対し静電吸着される側から紫外線を照射するという条件を満たす限りにおいて、ＵＶ照射装置が配置される位置は、搬送室内のいずこでもよく、例えば、搬送ロボットにつき、アーム機構の伸縮に伴ってハンド部材が通過する領域であってもよい。
【００７８】
さらにまた、上記実施の形態においては、基板の処理におけるスループットを維持する観点から、基板を支持したハンド部材がＵＶ照射装置のスリットの上方を１回通過する例を示したが、本発明の場合、ハンド部材が、ＵＶ照射装置のスリットの上方を同方向又は正逆方向の旋回によって複数回通過してもよい。
【００７９】
さらに加えて、上記実施の形態においては、二つの処理室を有する真空処理装置の例を示したが、本発明の場合、真空処理装置が有する処理室の数は、一つ又は三つ以上であってもよい。処理室の数が一つである真空処理装置にあっては、基板に同じ処理を繰り返し行うような場合が該当し、上記実施の形態で述べた、既に行った処理と次に行う処理との間に基板を除電することに関しては、同じ処理室で基板に処理を施すごとに、その基板を搬送室内のＵＶ照射装置を通過させればよい。また、処理室の数が三つ以上である真空処理装置にあっては、搬送ロボットの仕事を最小にする観点から、互いに隣接する処理室の間を搬送する基板に対し紫外線を照射できるようにＵＶ照射装置を複数配置してもよい。
【００８０】
さらに、処理室の数が三つ以上である真空処理装置にあっては、基板を取り出す処理室と基板を搬送する処理室との間で基板を除電する期間中に、これら二つの処理室を除く他の処理室において他の基板にそれぞれの処理を行うことにより、基板の処理におけるスループットを維持することもできる。
【００８１】
【実施例】
上記実施の形態の真空処理装置１を用いて基板２の静電吸着を繰り返し行い、静電吸着の終了ごとに除電した基板２と、除電をしなかった基板２のそれぞれの残留電荷量（ｋＶ）を測定した。図９は、これらの関係を示すグラフである。
【００８２】
図９に示すように、除電をしなかった基板２については、静電吸着を行うごとに基板２に残留電荷が蓄積されて残留電荷量が徐々に大きくなるのに対し、静電吸着の終了ごとに除電した基板２については、静電吸着の終了後の基板２には微小の残留電荷が存在するものの、除電後の基板２からほぼ完全に残留電荷が消滅することが明らかになった。
【００８３】
このことは、基板２に微小の残留電荷が存在しているのは、第一の処理が終了した後から基板２がＵＶ照射装置６０を通過するまでであって、基板２の静電吸着と何ら関係のない処理中であり、基板２がＵＶ照射装置６０を通過してから次の第二の処理において静電吸着されるまでの処理中には、基板２に残留電荷がほとんど存在しないことを示している。
【００８４】
【発明の効果】
以上述べたように本発明によれば、基板の静電吸着が繰り返し行われても残留電荷が基板に蓄積されず基板を安定して静電吸着することが可能な真空処理装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態の真空処理装置の概略構成を示す平面図である。
【図２】同真空処理装置の概略構成を図１の直線ＯＡ上に搬送ロボットを配置した状態で切断して示す側面図である。
【図３】同真空処理装置の概略構成を図１の直線ＯＢに搬送ロボットを配置した状態で切断して示す側面図である。
【図４】同真空処理装置の各処理を説明するための図である。
【図５】同真空処理装置の各処理を説明するための図である。
【図６】同真空処理装置の各処理を説明するための図である。
【図７】同真空処理装置の各処理を説明するための図である。
【図８】同真空処理装置の各処理を説明するための図である。
【図９】本実施の形態の真空処理装置を用いて基板を除電した場合としなかった場合とについて、静電吸着の回数と残留電荷量との比較を示すグラフである。
【符号の説明】
４…第１の処理室  ５…第２の処理室  ７…搬送室  ５０…搬送ロボット（搬送手段）  ５６…ハンド部材  ６０…ＵＶ照射装置（電離光照射手段）  ７０…静電チャック（静電吸着手段）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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