(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学的に再生及び記録が可能である光ディスクの製造方法において、
記録再生光の案内溝が形成された第１の基板上に剥離層を形成した後、
少なくともその剥離層上に第１の保護層と記録層と第２の保護層と反射層とを順次形成し、
この反射層を第１の接着剤層を介して第２の基板と貼り合わせ、
その後に前記第１の基板を前記剥離層を境に前記第１の保護層より剥離し、
この第１の保護層の剥離面に第２の接着剤層を介して前記第２の基板より板厚の薄い第３の基板の基板面を貼り合わせて光ディスクを製造するようにしたことを特徴とする光ディスクの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載された光ディスクの製造方法において、
前記第３の基板の第２の接着剤層が接合される面には前記案内溝はなく、前記第２の接着剤層と接合される前記第１の保護層側に前記第１の基板より転写された案内溝を有するように構成したことを特徴とする光ディスクの製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載された光ディスクの製造方法において、
前記第３の基板の板厚は、０．０５ｍｍ乃至０．３ｍｍとしたことを特徴とする光ディスクの製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載された光ディスクの製造方法において、
前記第２の保護層の膜厚は、前記第１の保護層の膜厚より薄くすると共に、２ｎｍ乃至５０ｎｍとしたことを特徴とする光ディスクの製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載された光ディスクの製造方法において、
前記反射層の膜厚は、３０ｎｍ乃至３００ｎｍとすることを特徴とする光ディスクの製造方法。
【請求項６】
光学的に再生及び記録が可能である光ディスクにおいて、
基板上に接着剤層を介して、
第１の保護層、記録層、第２の保護層、及び反射層がこの順で積層され、その上に更に、
他の接着剤層を介して、前記基板より板厚の厚い基板が積層されよう構成して、
前記反射層はその両側に形成される反射面のうちはじめに成膜される方の反射面が前記第２の保護層面と接合されるように配置されたことを特徴とする光ディスク。
【請求項７】
請求項６に記載された光ディスクにおいて、
前記基板の第２の接着剤層が接合される面には前記案内溝はなく、前記第２の接着剤層と接合される前記第１の保護層に転写された再生及び記録の為の案内溝を有するように構成したことを特徴とする光ディスク。
【請求項８】
請求項６に記載された光ディスクにおいて、
前記基板の板厚は、０．０５ｍｍ乃至０．３ｍｍとしたことを特徴とする光ディスク。
【請求項９】
請求項６に記載された光ディスクにおいて、
前記第２の保護層の膜厚は、前記第１の保護層より薄くすると共に、２ｎｍ乃至５０ｎｍとしたことを特徴とする光ディスク。
【請求項１０】
請求項６に記載された光ディスクにおいて、
前記反射層の膜厚は、３０ｎｍ乃至３００ｎｍとすることを特徴とする光ディスク。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は光学的に情報の記録、再生が可能な光ディスク及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
案内溝が形成された基板上に第１の保護層と相変化型記録層と第２の保護層と反射層とをこの順番に設け、保護膜を形成して光ディスクを得ていた。
このような光ディスクは、例えば開口率（ＮＡ）０．６の光学系を使用したＤＶＤとして知られている。
【０００３】
記録容量を高めるために、記録波長を短くし、高ＮＡの対物レンズを用いた大容量光ディスクシステムが提案されている。
高ＮＡにした場合に、透過する基板の厚さによる収差を抑えるため基板の光ビーム入射側の板厚を薄くする必要がある。
【０００４】
ところが、薄い基板上に案内溝を形成したり、記録媒体を成膜することは、製造上の難易度が高く、また基板の反りも大きくなる。
このため、基板の反りなくす方法として、通常とは逆順に積層する方法が知られている。
【０００５】
この従来の方法について、図６と共に説明する。
図６に矢印Ｃで示されるように、通常とは逆順にして、基板厚の厚い一方の厚さ１．１ｍｍのＰＣ (Ｐｏｌｙ‐Ｃａｒｂｏｎａｔｅ) 基板Ａ（１８）上に、まず、反射層（Ａｌ-Ａｌｌｏｙ）１６と第１の保護層(ＺｎＳ-ＳｉＯ2)１５と記録層(ＧｅＳｂＴｅ)１４と第２の保護層(ＺｎＳ-ＳｉＯ2)１３からなる積層膜を設ける。
その後に基板厚の薄い１００μｍの他方のＰＣ 基板Ｂ（１１）を接着剤層１２を介して貼り合わせて光ディスクの相変化記録媒体とするものである。
よって、この図６に示されるものは、出来た積層膜を上下逆にして、配置された構造のものとなっている（O plus E 2000年2月号 ｐ175〜181）。
【０００６】
この反射層（Ａｌ-Ａｌｌｏｙ）１６には、下からレーザー光が２群レンズを介して照射されて、基板(ＰＣ) １１を介して入射されたレーザー光線は、この反射層１６の両反射面１６Ｐ，１６Ｑのうち、Ａｌ層の成長過程で後から形成される最上面（第１の保護膜１５と反射層１６の接合面）１６Ｑで反射させる。
この反射層１６に形成されるＡｌは、柱状の結晶が成長し易く、このため、反射層最上面１６Ｑ、すなわち反射層１６と第１の保護層１５の界面の表面性は、基板１８側にはじめに成膜される反射層１６の反射面１６Ｐと比較すると悪く、平滑性の点でも劣っている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
（１）上記の大容量光ディスクは、従来の光ディスク（例えばＤＶＤ−ＲＡＭ、
ＤＶＤ−ＲＷ）とは逆の順番で積層膜を形成するので、一番最初に形成される反射層の形態がこの後に設ける保護層や記録層に反映される。
反射層は一般的にはＡｌ合金が用いられ、柱状の結晶が成長し易い。このため、反射層最上面、すなわち反射層と第２の保護層界面の表面性が悪く、平滑性に劣るため、板厚の薄い基板側からレーザー光を入射させた時に記録信号の品質を低くする。従来の光ディスクに比べ、ノイズが高く、ジッターが高くなる。
【０００８】
（２）相変化記録材料を記録層に用いた場合には書き換え回数が低下する。
【０００９】
（３）上記の大容量光ディスクは、カッティング時のランドとグルーブの関係が逆になるため、レジスト表面が複製されるランド部分、すなわち、逆付けディスクではグルーブのノイズが高くなりやすい。グルーブ記録を行う場合に不利となる。
【００１０】
（４）相変化材料を記録層に用いた場合に、反射層の膜厚は他の層に比べ厚い。
案内溝の上に反射層や保護層を堆積していくと溝幅が狭まり、記録層での溝幅は成形基板の溝幅と大きく異なる。その結果、ジッターや信号振幅等が劣化する。新たに溝形状の最適化が必要となる。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、
請求項１の発明は、
光学的に再生及び記録が可能である光ディスクの製造方法において、
記録再生光の案内溝が形成された第１の基板上に剥離層を形成した後、
少なくともその剥離層上に第１の保護層と記録層と第２の保護層と反射層とを順次形成し、
この反射層を第１の接着剤層を介して第２の基板と貼り合わせ、
その後に前記第１の基板を前記剥離層を境に前記第１の保護層より剥離し、
この第１の保護層の剥離面に第２の接着剤層を介して前記第２の基板より板厚の薄い第３の基板の基板面を貼り合わせて光ディスクを製造するようにしたことを特徴とする光ディスクの製造方法を提供し、
請求項２の発明は、
請求項１に記載された光ディスクの製造方法において、
前記第３の基板の第２の接着剤層が接合される面には前記案内溝はなく、前記第２の接着剤層と接合される前記第１の保護層側に前記第１の基板より転写された案内溝を有するように構成したことを特徴とする光ディスクの製造方法を提供し、
請求項３の発明は、
請求項１に記載された光ディスクの製造方法において、
前記第３の基板の板厚は、０．０５ｍｍ乃至０．３ｍｍとしたことを特徴とする光ディスクの製造方法を提供し、
請求項４の発明は、
請求項１に記載された光ディスクの製造方法において、
前記第２の保護層の膜厚は、前記第１の保護層の膜厚より薄くすると共に、２ｎｍ乃至５０ｎｍとしたことを特徴とする光ディスクの製造方法を提供し、
請求項５の発明は、
請求項１に記載された光ディスクの製造方法において、
前記反射層の膜厚は、３０ｎｍ乃至３００ｎｍとすることを特徴とする光ディスクの製造方法を提供し、
請求項６の発明は、
光学的に再生及び記録が可能である光ディスクにおいて、
基板上に接着剤層を介して、
第１の保護層、記録層、第２の保護層、及び反射層がこの順で積層され、その上に更に、
他の接着剤層を介して、前記基板より板厚の厚い基板が積層されよう構成して、
前記反射層はその両側に形成される反射面のうちはじめに成膜される方の反射面が前記第２の保護層面と接合されるように配置されたことを特徴とする光ディスクを提供し、
請求項７の発明は、
請求項６に記載された光ディスクにおいて、
前記基板の第２の接着剤層が接合される面には前記案内溝はなく、前記第２の接着剤層と接合される前記第１の保護層に転写された再生及び記録の為の案内溝を有するように構成したことを特徴とする光ディスクを提供し，
請求項８の発明は、
請求項６に記載された光ディスクにおいて、
前記基板の板厚は、０．０５ｍｍ乃至０．３ｍｍとしたことを特徴とする光ディスクを提供し、
請求項９の発明は、
請求項６に記載された光ディスクにおいて、
前記第２の保護層の膜厚は、前記第１の保護層より薄くすると共に、２ｎｍ乃至５０ｎｍとしたことを特徴とする光ディスクを提供し、
請求項１０の発明は、
請求項６に記載された光ディスクにおいて、
前記反射層の膜厚は、３０ｎｍ乃至３００ｎｍとすることを特徴とする光ディスクを提供するものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明の光ディスクの製造方法の一実施例の各工程について、以下に図と共に説明する。
図１乃至図５に、本発明の光ディスクの製造方法の一実施例の各製造工程を示す。
【００１３】
板厚０．６ｍｍ〜１．２ｍｍを有する第１の基板１には、レーザー光を案内するプリグルーブやプリピットの案内溝が設けられ、ポリカーボネート、ポリオレフィン、アクリル等のプラスチック基板やガラス基板が用いられる。
【００１４】
レーザー光を案内するプリグルーブやプリピットは、直接、射出成形されたり、平滑な第１の基板１上に２Ｐ法（フォトポリマー法）で形成される。
【００１５】
また、ＣＡＶ（Ｃｏｎｓｔａｎｔ  Ａｎｇｕｌａｒ  Ｖｅｌｏｃｉｔｙ 角速度一定）やＣＬＶ（Ｃｏｎｓｔａｎｔ  Ｌｉｎｅａｒ  Ｖｅｌｏｃｉｔｙ  線速度一定）あるいはＺＣＡＶ（Ｚｏｎｅ  Ｃｏｎｓｔａｎｔ  Ａｎｇｕｌａｒ  Ｖｅｌｏｃｉｔｙ ）やＺＣＬＶ（Ｚｏｎｅ  Ｃｏｎｓｔａｎｔ  Ｌｉｎｅａｒ  Ａｎｇｕｌａｒ  Ｖｅｌｏｃｉｔｙ）のフォーマットがなされ、各セクターの先頭にはアドレス信号がエンボスピットとして予め記録されてもよい。
【００１６】
ユーザーが使用する情報エリアは、空溝で構成され、必要に応じてウォブルされている。
グルーブ記録またはランド記録またはランドグルーブ記録方式が選択される。ランドとグルーブに記録を行う場合には、ランド部とグルーブ部の再生信号がそれぞれ同等になるようランドとグルーブの幅が決められる。
【００１７】
トラックピッチは、０．１６μｍ〜１．６μｍ、溝深さは、１０ｎｍ〜２００ｎｍが好ましい。
第１の基板の厚さは、０．６μｍ〜１．２ｍｍ、反りを低減するために好ましくは０．３ｍｍ以上が選ばれる。
【００１８】
図１に示されるように、まずはじめに基板１上に剥離層２を形成する。
形成方法は、真空蒸着、スパッタリング等のドライプロセスならびにスピンコート、ディップコート等のウエットプロセスが用いられる。案内溝の形状を積層膜に転写するためには真空成膜が好ましい。
第１の基板１を真空成膜装置に設置し、剥離層２と第１保護層３と記録層４と第２保護層５と反射層６とを順次、矢印Ｃで示される方向に形成していく（図２参照）。
【００１９】
この剥離層２の成膜には、抵抗加熱型や電子ビーム型の真空蒸着、直流や交流スパッタリング、反応性スパッタリング、イオンビームスパッタリング、イオンプレーティング等が用いられる。
この剥離層２には、第１の保護層３との密着力が低い薄膜が用いられる。
【００２０】
剥離層２には、有機材料として、グアニン、アデニン、キサトン、ピレン、ポリエチレン、スチルベン、トリフェニルメタン、アゾジカーボンアミド、ＰＭＭＡ、オキシビス（ベンゼンスルホニルヒドラジド）、ビスフェノールＡ、ステアリン酸アミド、Ｍｎフタロシアニン、チミン、アントラキノン、無機材料として、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ等の金属が用いられる。
【００２１】
溝形状を忠実にトレースすることと平滑性に優れることが要求される。さらに、剥離層２上に記録層４を含む積層膜を形成するため、スパッタリングや蒸着時に発生する熱に対し不変であることが必要である。
【００２２】
図２に示されるように、連続に形成された第１の保護層３、記録層４、第２の保護層５、及び反射層６は剥離層２の上に順番に、矢印Ｃで示される方向に形成される。
前記第１の保護層３ならびに第２の保護層５には、金属の酸化物、窒化物、硫化物、あるいはこれらの混合物が用いられる。
【００２３】
前記第１の保護層３ならびに第２の保護層５には、例えば、ＺｎＳ−ＳｉＯ2、ＺｎＳ、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、Ａｌ2Ｏ3、ＡｌＳｉＯＮ，ＺｒＯ2、ＴｉＯ2などの単体あるいはこれらの混合物が用いられる。これらの酸化物、窒化物、硫化物は剥離層２との密着力が低い。
【００２４】
前記第１の保護層３は、１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲にある。使用する光源の波長によって最適膜厚は変動するが、好ましくは、再生信号を増大させるために、４０ｎｍ〜１５０ｎｍとするのがよい。
【００２５】
記録レーザ光が青色（波長４００ｎｍ程度）の場合には、３０ｎｍ〜６０ｎｍにすると変調度が大きく取れる。
記録再生光の波長域において、前記第１の保護層３の屈折率ｎは、１．８＜ｎ＜２．５、消衰係数ｋは、０＜ｋ＜０．２の範囲にある。
【００２６】
記録層４には、アモルファス−結晶間の反射率変化あるいは屈折率変化を利用する相変化材料、または磁気光学効果を利用する光磁気材料が用いられる。
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ａｇ−Ｉｎ−Ｔｅ−Ｓｂ系、Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｃｕ−Ａｌ−Ｓｂ−Ｔｅ系などが相変化材料としてあげられる。
ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏなどが光磁気材料としてあげられる。書換型以外にもライトワンスの色素材料を記録層としてもよい。
【００２７】
前記記録層４の膜厚は１０ｎｍ〜１００ｎｍ、好ましくは、再生信号を増大させるために、１０ｎｍ〜３０ｎｍとするのがよい。
光磁気材料の場合には、必要に応じて記録層をメモリ層、再生層、制御層等に多層化することも出来る。
【００２８】
相変化記録層を用いる場合には、第２の保護層５の膜厚は、第１の保護層３よりも薄くした急冷構造を採用し、前記第２の保護層５の膜厚を２ｎｍ〜５０ｎｍと薄くして、第２の保護層の熱を反射層６に逃がすようにして、熱的ダメージを軽減するようにしている。
【００２９】
この第２の保護層５の成膜速度は、第１の保護層３の成膜速度よりも遅くする。
こうすることにより、書換えによる、ジッタの増加が抑制され、書換え回数が延びる。
【００３０】
反射層６は、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｉｎ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｐｔ、Ｓｉなどの金属あるいはこれらの合金や半導体が用いられる。
この反射層６の膜厚は、３０ｎｍ〜３００ｎｍにすると、その反射率が良好に保持出来る。この反射層６の膜厚は、薄いと反射率が低く、厚過ぎると記録感度が低下してしまう。
【００３１】
基板を１枚ずつ搬送し、各層を複数の真空槽で成膜する枚葉式スパッタ装置を用いて反射層を形成する場合、２つ以上の真空槽で反射層を分割して形成し、成膜に要する時間を短縮することが出来る。
【００３２】
こうして形成した反射層６の断面の電子線回折像を見ると２層以上に分割し、反射層６が２層以上から構成されているように見えるが、機能的には１層の反射層とみなせる。
成膜速度を遅くすると反射層６の表面粗さが低減され、再生時のノイズ成分が抑制される。
さらに書換えによるジッターの増加が抑制され、書換え回数が延びる。
【００３３】
つぎに図３に示されるように、反射層６の上に第１の接着剤層７を塗布し、第２の基板８を前記の第１の基板１と貼り合わせる。
第１の接着剤層７は、成膜したディスクを大気中に取り出し、反射層６上に紫外線硬化樹脂や熱硬化性樹脂を塗布して形成される。
その膜厚は、１μｍ〜２００μｍである。
【００３４】
塗布方法としては、スピンコート法、スプレー法、ディップ法、ブレードコート法、ロールコート法、スクリーン印刷法等が用いられる。
紫外線硬化樹脂は、少なくともプレポリマー、単官能アクリレートモノマー、多官能アクリレートモノマー等と光重合開始剤からなる。
【００３５】
第２の基板８にはポリカーボネート、ポリオレフィン、アクリル等のプラスチック基板やガラス基板が用いられる。
前記第２の基板８の板厚は、０．６ｍｍ〜１．２ｍｍである。
この第２の基板８側からは光は入射しないので、不透明な金属板やセラミック板を用いることも出来る。
【００３６】
必要に応じて第２の基板８上にハードコートや帯電防止剤を設けることも出来る。
また、記録面を有する基板を第２の基板８の上に貼り合わせることにより記録層が２面設けられた両面タイプ（両面ディスク）を作製することも出来る。
【００３７】
つぎに図４に示されるとおり、第１の基板１を剥離層２を境にして第２の基板８より剥離する。
第１の保護層３と剥離層２の密着力が弱いため、第１の基板１を下方に引き離すだけで簡単に剥がすことが出来る。必要に応じてくさび状のジグを第２の基板８、第１の基板１の間に挿入してもよい。
第１の保護層３の剥離層２側の界面には、第１の基板１の上に設けられた案内溝の凹凸が転写されていて、この形状は固定されている。
【００３８】
つぎに図５に示されるように、前記案内溝の凹凸が転写されている第１の保護層３の上に第２の接着剤層１０を塗布し、第２の基板８より薄い第３の基板９を前記第２の基板８と貼り合わせる。
【００３９】
第２の接着剤層１０は、第１の接着剤層７と同様の紫外線硬化樹脂や熱硬化性樹脂を塗布して形成される。
その膜厚は、１μｍ〜２００μｍである。塗布方法としては、スピンコート法、スプレー法、ディップ法、ブレードコート法、ロールコート法、スクリーン印刷法等が用いられる。紫外線硬化樹脂は、少なくともプレポリマ−、単官能アクリレートモノマー、多官能アクリレートモノマー等と光重合開始剤からなる。
【００４０】
第３の基板９にはポリカーボネート、ポリオレフィン、アクリル等のプラスチック基板やガラス基板が用いられる。
第３の基板９の板厚は、前記第２の基板８の板厚より薄くして、記録密度を上げるため高ＮＡの対物レンズを用いる場合には、０．０５ｍｍ〜０．３ｍｍの透光性の薄い基板とする。
【００４１】
必要に応じて第３の基板９上にハードコートや帯電防止剤を設けることも出来る。
記録装置への装着性やハンドリング上の保護性を向上させるために、媒体をカートリッジに入れて使用することも出来る。
【００４２】
なお、第２基板の第１の保護層３より剥離した第１の基板１は、処理して何度でも利用出来、効率的である。
【００４３】
つぎに、本発明の光ディスクの構成（構造）の一実施例について、図と共に以下に説明する。
図５に示されるように本発明の光ディスクの構成の一実施例は、基板（第３の基板）９、第２の接着剤層１０、第１の保護層３、記録層４、第２の保護層５、反射層６、第１の接着剤層７、及び前記基板より板厚の厚い基板（第２の基板）８とより構成されている。
【００４４】
本発明の光ディスクは、光学的に再生及び記録が可能である光ディスクにおいて、基板９上に第２の接着剤層１０を介して、第１の保護層３、記録層４、第２の保護層５、反射層６、及び第１の接着剤層７、及び前記基板９より板厚の厚い基板８は少なくともこの順に、矢印Ｃに示される方向に形成されるようにして、前記反射層６はその両側に形成される反射面６Ｐ，６Ｑのうち最初に製膜形成される方の反射面６Ｐが前記第２の保護膜層５と接合されるように配置したものである。
【００４５】
よつて、従来の光ディスクの構成と異なる第１の点は、前記基板（第３の基板）９には、レーザー光を案内するプリグルーブやプリピットは設けられおらず、単にフラットなプラスチック基板やガラス基板が用いられていることである。
これにより、加工歪みが少なく出来、負担も少ないので基板の膜厚も薄くすることが出来、光学的な精度を上げることが出来る。
【００４６】
従来の光ディスクの構成と異なる第２の点は、前記第２の基板８より薄い基板９を使用しているにも係わらず、前記反射層６の両側に形成される反射面６Ｐ，６Ｑのうちはじめに成膜される面精度が出ている方の反射面６Ｐを利用することが出来る構造としていることである。
【００４７】
これにより、反射層６の反射面６Ｐの表面性は良好で、平滑性に優れたものとなるため、記録時に光学的な精度を上げることが出来、記録信号の品質を向上させることが出来る。
【００４８】
【発明の効果】
本発明によると、従来の光ディスクと同じ順番に積層膜を形成出来るので、反射層はその両側に形成される反射面のうちはじめに成膜されるよりフラットな方の反射面を使用する構造なので、ノイズの増加がない。
このためジッタ値が低下して、信号品質が向上する。ボトムジッタ値が低下するため基板の反りに対する許容度や書換え時のジッタ上昇等の性能が改善される。
【００４９】
本発明によると、従来のカッティング条件や成膜条件等のプロセスがそのまま利用することが出来るので、新たな設備も余りなく、新たに最適条件を検討する必要がないので、コストの点でも効率が良い。
【００５０】
本発明によると、レーザー光を案内するプリグルーブやプリピットの案内溝は第１の保護膜に形成されており、入射光が最初に供給される基板には設ける必要はないので、加工歪みが少なく出来、しかも薄い基板を使用することが出来る。
【００５１】
本発明によると、反射層の膜厚は３０ｎｍ〜３００ｎｍに形成されており、反射率は良好に確保出来、記録感度も低下しないで済む。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光ディスク及び光ディスクの製造方法の一実施例の各工程を示した図である。
【図２】本発明の光ディスク及び光ディスクの製造方法の一実施例の各製造工程を示した図である。
【図３】本発明の光ディスク及び光ディスクの製造方法の一実施例の各製造工程を示した図である。
【図４】本発明の光ディスク及び光ディスクの製造方法の一実施例の各製造工程を示した図である。
【図５】本発明の光ディスク及び光ディスクの製造方法の一実施例の各製造工程を示した図である。
【図６】従来の光ディスクの製造方法の一例を示した図である。
【符号の説明】
１  第１の基板
２  剥離層
３  第１の保護層
４  記録層
５  第２の保護層
６  反射層
６Ｐ  反射面（最初に成膜される反射面）
６Ｑ  反射面
７  第１の接着剤層
８  第２の基板（厚い基板）
９  第３の基板（薄い基板）
１０  第２の接着剤層
Ｃ  矢印の方向
【図１】
0004174957.tif 000002
【図２】
0004174957.tif 000003
【図３】
0004174957.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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