(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品と信号の授受を行うプローブピンの製造方法であって、
バイモルフ構造を有するバイモルフ部材を準備する部材準備工程と、
前記バイモルフ部材に、過冷却液体温度域を有するアモルファス金属を積層し、プローブピン母材を生成する積層工程と、
前記バイモルフ部材を加熱するバイモルフ加熱工程と、
前記アモルファス金属を前記アモルファス金属の過冷却液体温度域に加熱する金属加熱工程と、
前記アモルファス金属を前記アモルファス金属の過冷却液体温度域より低い温度に冷却する冷却工程と
を備え、
前記冷却工程は、前記バイモルフ部材が冷却されることにより実質的に湾曲し始める冷却速度より速い冷却速度で、前記アモルファス金属を前記過冷却液体温度域より低い温度に冷却することを特徴とするプローブピン製造方法。
【請求項２】
基板を準備する基板準備工程と、
前記プローブピン母材を前記基板に接続する接続工程と
を更に備えることを特徴とする請求項１に記載のプローブピン製造方法。
【請求項３】
前記部材準備工程は、複数の前記バイモルフ部材を準備し、
前記積層工程は、複数の前記バイモルフ部材に、過冷却液体温度域を有するアモルファス金属をそれぞれ積層し、複数の前記プローブピン母材を生成し、
前記接続工程は、複数の前記プローブピン母材を前記基板に接続することを特徴とする請求項２に記載のプローブピン製造方法。
【請求項４】
前記部材準備工程は、第１部材と、前記第１部材より線膨張係数が大きい第２部材とを有する前記バイモルフ部材を準備し、
前記積層工程は、前記第２部材の表面に、前記アモルファス金属を積層することを特徴とする請求項１に記載のプローブピン製造方法。
【請求項５】
前記部材準備工程は、第１部材と、前記第１部材より線膨張係数が大きい第２部材とを有する前記バイモルフ部材を準備し、
前記積層工程は、前記第１部材の表面に、前記アモルファス金属を積層することを特徴とする請求項１に記載のプローブピン製造方法。
【請求項６】
前記バイモルフ加熱工程は、
前記プローブピン母材の先端を当接させるための制御部材を準備する制御準備工程と、
前記制御部材を、前記プローブピン母材に対して所望の位置に配置する制御工程と、
前記バイモルフ部材を加熱して前記プローブピン母材を湾曲させる加熱工程と
を有し、
前記加熱工程において、湾曲させた前記プローブピン母材の先端を前記制御部材に当接させることにより、前記プローブピン母材の湾曲量を制御することを特徴とする請求項４又は５に記載のプローブピン製造方法。
【請求項７】
前記バイモルフ加熱工程は、
前記プローブピン母材の先端を当接させるための制御部材を準備する制御準備工程と、
前記バイモルフ部材を加熱して前記プローブピン母材を湾曲させる加熱工程と、
前記バイモルフ部材を加熱した状態で、前記制御部材を前記プローブピン母材に当接させ、前記加熱工程と逆方向に前記プローブピン母材を湾曲させる制御工程と
を有することを特徴とする請求項４又は５に記載のプローブピン製造方法。
【請求項８】
前記バイモルフ部材の少なくとも一部を除去する除去工程を更に備えることを特徴とする請求項６又は７に記載のプローブピン製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子デバイスを試験する試験装置、及び試験装置に用いられるプローブカード、及びプローブカードに用いられるプローブピン、並びに当該プローブピンの製造方法に関する。特に本発明は、電子デバイスとの接触を良好に保つことのできるプローブピンの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体デバイス等の電子デバイスを試験する試験装置は、電子デバイスと信号の授受を行うプローブカードを備える。プローブカードは、複数のプローブピンを有する。当該プローブピンは、被試験電子デバイスと対向するプローブカードの面に設けられ、被試験電子デバイスの端子と接触し、被試験電子デバイスと信号の授受を行う。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
プローブカードは、被試験電子デバイスに対して所定の距離離れた位置に配置される。つまり、プローブカードに設けられたプローブピンは、接触するべき端子と接触するために、被試験電子デバイスの方向に当該所定の距離より大きい高さを有する必要がある。また、複数のプローブピンの高さが均一でない場合、一部のプローブピンが被試験電子デバイスの端子と接触できない問題が生じる。このため、複数のプローブピンは、それぞれ被試験電子デバイスの方向に均一な高さを有するのが好ましい。
【０００４】
従来のプローブピンの製造方法は、基板にプローブピン材料を形成し、基板に貫通孔を形成し、当該貫通孔からプローブピン材料を押し上げて、プローブピンを製造していた。例えば、貫通孔に押し上げ用の部材を挿入し、プローブピン材料を押し上げていた。つまり、プローブピン材料の先端部を押し上げて、プローブピン材料を湾曲させることにより、所望の高さのプローブピンを形成していた。しかし、押し上げ用の部材とプローブピン材料との接触位置、接触角度等により、プローブピン材料の湾曲量に誤差が生じ、所望の高さのプローブピンを形成することが困難であった。同様に、それぞれのプローブピンの高さを均一に形成することが困難であった。また、押し上げ用の部材によってプローブピン材料を機械的に押し上げるため、その過程でプローブピン材料が損傷してしまう場合があった。
【０００５】
そこで本発明は、上記の課題を解決することのできるプローブピン、プローブカード、試験装置、及びプローブピン製造方法を提供することを目的とする。この目的は特許請求の範囲における独立項に記載の特徴の組み合わせにより達成される。また従属項は本発明の更なる有利な具体例を規定する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明の第１の形態によると、電子部品と信号の授受を行うプローブピンの製造方法であって、バイモルフ構造を有するバイモルフ部材を準備する部材準備工程と、バイモルフ部材に、過冷却液体温度域を有するアモルファス金属を積層し、プローブピン母材を生成する積層工程と、バイモルフ部材を加熱するバイモルフ加熱工程と、アモルファス金属をアモルファス金属の過冷却液体温度域に加熱する金属加熱工程と、アモルファス金属をアモルファス金属の過冷却液体温度域より低い温度に冷却する冷却工程とを備え、冷却工程は、バイモルフ部材が冷却されることにより実質的に湾曲し始める冷却速度より速い冷却速度で、アモルファス金属を過冷却液体温度域より低い温度に冷却することを特徴とするプローブピン製造方法を提供する。
【０００７】
また、基板を準備する基板準備工程と、プローブピン母材を基板に接続する接続工程とを更に備えてよい。また、部材準備工程は、複数のバイモルフ部材を準備し、積層工程は、複数のバイモルフ部材に、過冷却液体温度域を有するアモルファス金属をそれぞれ積層し、複数のプローブピン母材を生成し、接続工程は、複数のプローブピン母材を基板に接続してよい。また、冷却工程は、バイモルフ部材が冷却されることにより実質的に湾曲し始める冷却速度より速い冷却速度で、アモルファス金属を過冷却液体温度域より低い温度に冷却することが好ましい。
【０００８】
また、部材準備工程は、第１部材と、第１部材より線膨張係数が大きい第２部材とを有するバイモルフ部材を準備し、積層工程は、第２部材の表面に、アモルファス金属を積層してよい。また、部材準備工程は、第１部材と、第１部材より線膨張係数が大きい第２部材とを有するバイモルフ部材を準備し、積層工程は、第１部材の表面に、アモルファス金属を積層してもよい。
【０００９】
また、バイモルフ加熱工程は、プローブピン母材の先端を当接させるための制御部材を準備する制御準備工程と、制御部材を、プローブピン母材に対して所望の位置に配置する制御工程と、バイモルフ部材を加熱してプローブピン母材を湾曲させる加熱工程とを有し、加熱工程において、湾曲させたプローブピン母材の先端を制御部材に当接させることにより、プローブピン母材の湾曲量を制御してよい。また、バイモルフ加熱工程は、プローブピン母材の先端を当接させるための制御部材を準備する制御準備工程と、バイモルフ部材を加熱してプローブピン母材を湾曲させる加熱工程と、バイモルフ部材を加熱した状態で、制御部材をプローブピン母材に当接させ、加熱工程と逆方向にプローブピン母材を湾曲させる制御工程とを有してもよい。また、バイモルフ部材の少なくとも一部を除去する除去工程を更に備えてよい。
【００１０】
本発明の第２の形態においては、電子デバイスと信号の授受を行うプローブピンであって、バイモルフ構造を有するバイモルフ部材を準備する部材準備工程と、バイモルフ部材に、過冷却液体温度域を有するアモルファス金属を積層し、プローブピン母材を生成する積層工程と、バイモルフ部材を加熱するバイモルフ加熱工程と、アモルファス金属をアモルファス金属の過冷却液体温度域に加熱する金属加熱工程と、アモルファス金属をアモルファス金属の過冷却液体温度域より低い温度に冷却する冷却工程とを備える製造方法により製造されたプローブピンを提供する。
【００１１】
本発明の第３の形態においては、電子デバイスの複数の端子と接触し、電子デバイスと信号の授受を行うプローブカードであって、基板と、基板に設けられ、電子デバイスの複数の端子と接触する、複数のプローブピンと、複数のプローブピンと電気的に接続された複数の信号線とを備え、プローブピンは、バイモルフ構造を有するバイモルフ部材を準備する部材準備工程と、バイモルフ部材に、過冷却液体温度域を有するアモルファス金属を積層し、プローブピン母材を生成する積層工程と、バイモルフ部材を加熱するバイモルフ加熱工程と、アモルファス金属をアモルファス金属の過冷却液体温度域に加熱する金属加熱工程と、アモルファス金属をアモルファス金属の過冷却液体温度域より低い温度に冷却する冷却工程とを備える製造方法により製造されたプローブピンであることを特徴とするプローブカードを提供する。
【００１２】
本発明の第４の形態においては、電子デバイスを試験する試験装置であって、電子デバイスを試験するための試験信号を発生するパターン発生部と、試験信号を受け取り、受け取った試験信号を整形し、整形した試験信号を出力する波形整形部と、波形整形部が出力した試験信号を受け取り、電子デバイスに供給し、電子デバイスが試験信号に基づいて出力する出力信号を受け取るプローブカードと、プローブカードが受け取った出力信号に基づいて、電子デバイスの良否を判定する判定部とを備え、プローブカードは、基板と、基板に設けられ、電子デバイスの複数の端子と接触する、複数のプローブピンと、複数のプローブピンと電気的に接続された複数の信号線とを有し、プローブピンは、バイモルフ構造を有するバイモルフ部材を準備する部材準備工程と、バイモルフ部材に、過冷却液体温度域を有するアモルファス金属を積層し、プローブピン母材を生成する積層工程と、バイモルフ部材を加熱するバイモルフ加熱工程と、アモルファス金属をアモルファス金属の過冷却液体温度域に加熱する金属加熱工程と、アモルファス金属をアモルファス金属の過冷却液体温度域より低い温度に冷却する冷却工程とを備える製造方法により製造されたプローブピンであることを特徴とする試験装置を提供する。
【００１３】
なお上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではなく、これらの特徴群のサブコンビネーションも又発明となりうる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態はクレームにかかる発明を限定するものではなく、又実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
【００１５】
図１は、本発明に係る試験装置１００の構成の一例を示す。試験装置１００は、パターン発生部１０、波形整形部２０、プローブカード５０、及び判定部４０を備える。パターン発生部１０は、電子デバイスを試験するための試験信号を発生し、波形整形部２０に供給する。
【００１６】
波形整形部２０は、受け取った試験信号を整形し、整形した試験信号をプローブカード５０に供給する。波形整形部２０は、例えば試験信号を所望のタイミングでプローブカード５０に供給してよい。本例において、波形整形部２０は、所望のタイミングを発生するタイミング発生器を有する。
【００１７】
当該タイミング発生器は、所望のタイミングを発生する。当該タイミング発生器は、例えば可変遅延回路を有する。本例において、当該タイミング発生器は、試験装置１００の動作を制御する基準クロックを受け取り、受け取った基準クロックを可変遅延回路で所望の時間だけ遅延させ、当該所望のタイミングとして波形整形部２０に供給する。
【００１８】
プローブカード５０は、電子デバイス３０に設けられた複数の接続端子と電気的に接続し、電子デバイスに信号を供給する。また、プローブカード５０は、電子デバイスが、与えられた試験信号に基づいて出力する出力信号を受け取り、受け取った出力信号を判定部４０に供給する。
【００１９】
判定部４０は、試験信号に基づいて電子デバイス３０が出力する出力信号に基づいて、電子デバイス３０の良否を判定する。判定部４０は例えば、電子デバイス３０が与えられた試験信号に基づいて出力するべき期待値信号と、電子デバイス３０が出力した出力信号とを比較して電子デバイス３０の良否を判定してよい。この場合、パターン発生部１０は、発生した試験信号に基づいて当該期待値信号を生成し、判定部４０に供給してよい。
【００２０】
図２は、プローブカード５０の構成の一例を示す。プローブカード５０は、基板５２と、複数のプローブピン６０と、伝送線路２２とを有する。複数のプローブピン６０は、基板５２に設けられ、電子デバイス３０の複数の接続端子５６とそれぞれ電気的に接続する。プローブピン６０は、電子部品である電子デバイス３０と接触することにより、電子デバイス３０と信号の授受を行う。また、伝送線路２２は、複数のプローブピン６０と電気的に接続される。
【００２１】
プローブカード５０は波形整形部２０（図１参照）から試験信号を受け取り、伝送線路２２及びプローブピン６０を介して、電子デバイス３０に試験信号を供給する。また、プローブカード５０は、プローブピン６０及び伝送線路２２を介して受け取った電子デバイス３０の出力信号を、判定部４０に供給する。図２に示すように、プローブカード５０は、パッド２４を更に有してよい。この場合、波形整形部２０は、パッド２４に試験信号を供給する。プローブカード５０は、パッド２４に受け取った試験信号を、伝送線路２２及びプローブピン６０を介して、電子デバイス３０に供給する。本例において、伝送線路２２は、基板５２の表面及び基板５２の内部に設けられ、パッド２４とプローブピン６０とを電気的に接続する。プローブカード５０は、複数のプローブピン６０のそれぞれに対応した複数のパッド２４及び複数の伝送線路２２を有することが好ましい。
【００２２】
本例において、複数のプローブピン６０は、基板５２に対して所定の角度を有してよい。また、複数のプローブピン６０は、基板５２に対して所定の角度を有する部位を有してよい。また、複数のプローブピン６０は、電子デバイス３０の接続端子５６に対して所定の角度を有する部位を有してよい。また、試験装置１００は、プローブカード５０を所望の位置に移動させ、複数のプローブピン６０と複数の接続端子５６とを電気的に接続させる手段を有することが好ましい。
【００２３】
また、プローブカード５０は、電子デバイス３０の接地端子に対応したプローブピン６０として、図３から図５に関連して説明するプローブピン６０を備えてよい。また、本例においてプローブカード５０は、１つの電子デバイス３０と信号の授受を行ったが、他の例においては、プローブカード５０は、複数の電子デバイス３０と信号の授受を行ってよい。また、本発明に係るプローブカード５０は、プローブカードの一部であってよい。つまり、プローブカード５０は、複数のプローブピン６０を交換可能なプローブカードの、交換用部材であってよい。
【００２４】
図３は、プローブピン６０の製造方法の一例を示す。まず、基板準備工程において基板１５０を準備する。基板１５０は、例えばシリコン基板であってよい。次に、部材準備工程で、バイモルフ構造を有するバイモルフ部材１６０を準備する。バイモルフ部材１６０は、線膨張係数の異なる２種の材料を積層した部材である。一例として、バイモルフ部材１６０は、酸化シリコン（ＳｉＯ２）層と、アルミニウム（Ａｌ）層とを有してよい。本例において、部材準備工程は図３（ａ）に示すように、基板１５０にバイモルフ部材１６０を積層する。部材準備工程は、バイモルフ部材１６０の過冷却液体温度域において、後述するプローブピン母材１６２を十分湾曲させることのできる膜厚のバイモルフ部材１６０を基板１５０に積層することが望ましい。本例において、部材準備工程は、基板１５０の表面に所望のパターンを有するマスクを形成する工程と、基板１５０の表面に当該マスクのパターンに基づいて、アルミニウム層１５２及び酸化シリコン層１５４を形成する工程と有する。
【００２５】
次に図３（ａ）に示すように、積層工程で、バイモルフ部材１６０に、過冷却液体温度域を有するアモルファス金属を積層し、プローブピン母材１６２を生成する。本例において、積層工程は、線膨張係数が小さい材料側のバイモルフ部材の表面に、当該アモルファス金属を積層する。一例として、当該アモルファス金属は、金属ガラスであってよい。本例において、積層工程は、部材準備工程において形成したマスクに基づいて、バイモルフ部材１６０に金属ガラス層１５６を積層する工程と、当該マスクを除去する工程とを有する。
【００２６】
次に図３（ｂ）に示すように、基板除去工程で、基板１５０の一部を除去する。基板除去工程は、基板１５０の裏面に所望のパターンを有するマスクを形成する工程と、当該マスクに基づいて基板１５０をエッチングし、基板１５０の一部を除去する工程とを有してよい。基板除去工程は、基板１５０の一部を除去することにより、プローブピン母材１６２の裏面の一部を表出させる。
【００２７】
また、本例においては、基板１５０の表面にバイモルフ部材１６０及び金属ガラス層１５６を積層することにより、基板１５０とプローブピン母材１６２とを接続した。他の例においては、プローブピン製造方法は、基板１５０の表面にプローブピン母材１６２を接続する接続工程を備えてよい。この場合、プローブピン母材１６２を準備する工程を更に備えることが好ましい。接続工程は、半田、熱圧着等により、図３（ｂ）に示すようにプローブピン母材１６２を基板１５０の表面に接続してよい。
【００２８】
次に、図３（ｃ）に示すようにバイモルフ加熱工程で、バイモルフ部材１６０を加熱して、プローブピン母材１６２を湾曲させる。シリコン酸化膜層１５４は、アルミニウム層１５２より小さい線膨張係数を有する。このため、バイモルフ部材１６０を加熱した場合、図３（ｃ）に示すようにプローブピン母材１６２は、基板１５０と逆方向に湾曲する。また、金属加熱工程で、過冷却液体温度域を有するアモルファス金属である金属ガラス層１５６を、当該過冷却液体温度域に加熱する。バイモルフ加熱工程と金属加熱工程は、同時に行われることが好ましい。金属加熱工程で、金属ガラス層１５６を当該過冷却液体温度域に加熱することにより、バイモルフ部材１６０を湾曲させたことによるプローブピン母材１６２における熱応力を除去することができる。
【００２９】
また、本例においてバイモルフ加熱工程は、プローブピン母材１６２の先端を当接させるための制御部材１５８を準備する制御準備工程と、制御部材１５８をプローブピン母材１６２に対して所望の位置に配置する制御工程と、バイモルフ部材１６０を加熱してプローブピン母材１６２を湾曲させる加熱工程とを有する。制御部材１５８は、例えばシリコン基板、ガラス基板等であってよい。本例において、制御工程は、基板１５０の表面から距離ｄ１離れた位置に制御部材１５８を配置する。例えば、制御部材１５８がシリコン基板である場合、制御工程は、基板１５０と制御部材１５８とを距離ｄ１離れた位置に対向して配置する。加熱工程は、バイモルフ部材１６０を加熱し、プローブピン母材１６２を制御部材１５８に当接させる。加熱工程において、プローブピン母材１６２の先端を制御部材１５８に当接させ、制御工程において、距離ｄ１を制御することにより、プローブピン母材１６２の湾曲量を制御する。本例におけるバイモルフ加熱工程によれば、プローブピン母材１６２の湾曲量を精度よく制御できる。また、従来のように押し上げ用の部材を用いる必要が無いため、プローブピン母材１６２を、且つバイモルフ加熱工程におけるプローブピン母材１６２の損傷を防ぐことができる。
【００３０】
次に、冷却工程において過冷却液体温度域を有するアモルファス金属である金属ガラス層１５６を、当該過冷却液体温度域より低い温度に冷却する。冷却工程は、バイモルフ部材の形状を維持する手段を有することが好ましい。例えば、冷却工程は、金属ガラス１５６を当該過冷却液体温度域より低い温度に急冷することにより、温度変化によるバイモルフ部材１６０の形状の変化を防いでよい。この場合、冷却工程は、バイモルフ部材１６０が冷却されることにより実質的に湾曲し始める冷却速度より速い冷却速度で、アモルファス金属である金属ガラス層１５６を当該過冷却液体温度域より低い温度に冷却する。つまり、冷却工程は、温度変化によるバイモルフ部材１６０におけるバイモルフ効果が、追従できない程度の冷却速度で、金属ガラス層１５６を冷却する。また、冷却工程は、バイモルフ部材１６０の先端を固定する手段を有してよい。例えば、冷却工程は、基板１５０側からバイモルフ部材１６０の先端に固定用部材を当接させ、バイモルフ部材１６０の形状を維持してよい。
【００３１】
次に図３（ｄ）に示すように、バイモルフ除去工程で、バイモルフ部材１６０の少なくとも一部を除去し、プローブピン６０を形成する。本例において、バイモルフ除去工程は、バイモルフ部材１６０のうち、基板１５０から突出した部位を除去する。バイモルフ除去工程は、基板１５０をマスクとして、基板裏面からエッチング等により、バイモルフ部材１６０の一部を除去してよい。また、バイモルフ除去工程は、シリコン酸化膜及びアルミニウムを選択的に除去する溶液に、プローブピン母材１６２の、基板１５０から突出した部位を浸し、バイモルフ部材１６０の一部を除去してよい。
【００３２】
以上説明したプローブピン製造方法によれば、プローブピン６０の湾曲量を精度よく制御でき、且つバイモルフ加熱工程におけるプローブピン６０の損傷を低減することができる。
【００３３】
図４は、プローブピン製造方法の他の例を示す。まず、図３に関連して説明したプローブピン製造方法と同様に、基板準備工程で基板１５０を準備する。次に、図４（ａ）に示すように基板１５０の表面に所望の形状の金属ガラス層１５６を積層する。次に、金属ガラス層の表面にバイモルフ部材１６０を積層する。図４（ａ）に示すように、当該工程は、金属ガラス層１５６の表面にアルミニウム層１５２を積層し、アルミニウム層１５２の表面に酸化シリコン層１５４を積層する。図４（ａ）に関連して説明した工程においては、図３（ａ）に関連して説明した工程と同様に、基板１５０に所望のパターンを有するマスクを形成する工程と、当該マスクを除去する工程とを有してよい。
【００３４】
次に、図４（ｂ）に示すように、基板除去工程で基板１５０の一部を除去する。当該基板除去工程は、図３（ｂ）に関連して説明した基板除去工程と同様の方法で基板１５０の一部を除去する。また、本例におけるプローブピン製造方法においても、図３に関連して説明したプローブピン製造方法と同様に、プローブピン母材１６２を準備する工程と、プローブピン母材１６２と基板１５０とを接続する工程とを有してよい。この場合、プローブピン母材１６２を準備する工程は、線膨張係数が大きい材料側のバイモルフ部材の表面に、過冷却液体温度域を有するアモルファス金属を積層したプローブピン母材１６２を準備する。
【００３５】
次に、図４（ｃ）に示すようにバイモルフ加熱工程で、バイモルフ部材１６０を加熱して、プローブピン母材１６２を湾曲させる。当該バイモルフ加熱工程は、図３（ｃ）に関連して説明したバイモルフ加熱工程と同様の方法で、プローブピン母材１６２を湾曲させる。本例におけるプローブピン製造方法は、図３（ｃ）に関連して説明した金属加熱工程と、冷却工程とを有する。当該金属加熱工程において、プローブピン母材１６２における熱応力を除去する。また、当該冷却工程において、金属ガラス層１５６を冷却する。
【００３６】
次に、図４（ｄ）に示すように、バイモルフ除去工程で、バイモルフ部材１６０を除去し、プローブピン６０を形成する。本例におけるバイモルフ除去工程は、バイモルフ部材１６０の全てを除去することが好ましい。当該バイモルフ除去工程は、エッチング等により、バイモルフ部材１６０を除去してよい。
【００３７】
本例におけるプローブピン製造方法によれば、図３に関連して説明したプローブピン製造方法と同様に、プローブピン６０の湾曲量を精度よく制御でき、且つバイモルフ加熱工程におけるプローブピン６０の損傷を低減することができる。また、バイモルフ部材１６０を全て除去することができる。
【００３８】
図５は、バイモルフ加熱工程の他の例を示す。本例においては、図３に関連して説明したプローブピン製造方法におけるバイモルフ加熱工程の他の例を説明するが、図４に関連して説明したプローブピン製造方法においても、本例におけるバイモルフ加熱工程と同様のバイモルフ加熱工程を有してよい。
【００３９】
本例におけるバイモルフ加熱工程は、バイモルフ部材１６０を加熱してプローブピン母材１６２を湾曲させる加熱工程と、プローブピン母材１６２の先端を当接させるための制御部材１５８を準備する制御準備工程と、バイモルフ部材１６０を加熱した状態で、制御部材１５８をプローブピン母材１６２に当接させ、加熱工程と逆方向にプローブピン母材１６２を湾曲させる制御工程とを有する。
【００４０】
まず、図５（ａ）に示すように、加熱工程でプローブピン母材１６２を湾曲させる。加熱工程は、金属ガラス層１５６の過冷却液体温度域に、プローブピン母材１６２を加熱する。バイモルフ部材１６０の膜厚が、プローブピン母材１６２を十分に湾曲させることのできる膜厚である場合、過冷却液体温度域まで加熱したプローブピン母材１６２は、図５（ａ）に示すように湾曲する。
【００４１】
次に制御工程において、図５（ｂ）に示すように、制御準備工程において準備した制御部材１５８をプローブピン母材１６２に当接させる。制御工程は、制御部材１５８に対して、基板１５０の方向に圧力を加える手段を有することが好ましい。制御工程は、制御部材１５８を基板１５０からの距離が所望の距離ｄ１となるまで、制御部材１５８に対して圧力を加える。また、制御工程は、制御部材１５８の自重により、制御部材１５８に対して基板１５０の方向に圧力を加えてよい。この場合、制御部材１５８の重量を制御することにより、制御部材１５８と基板１５０との距離を制御することができ、プローブピン６０の湾曲量を制御することができる。本例におけるバイモルフ加熱工程では、最初にプローブピン母材１６２を制御部材１５８を用いずに十分湾曲させる。このため、プローブピン母材１６２の高さ制御が容易となる。また、複数のプローブピン母材１６２に対しても、高さ均一性を用意に保つことができる。
【００４２】
また、本例におけるバイモルフ加熱工程で加熱したプローブピン母材１６２を冷却した場合、バイモルフ部材１６０は、制御部材１５８の方向に戻ろうとする。しかし、制御部材１５８でプローブピン母材１６２を押さえているため、バイモルフ部材１６０は、制御部材１５８の方向に戻ることができない。このため、冷却工程において、プローブピン母材１６２を冷却した場合であっても、プローブピン母材１６２は、所望の高さｄ１を保つことができる。
【００４３】
また、当該バイモルフ加熱工程においても、図３又は図４に関連して説明したバイモルフ加熱工程と同様に、金属ガラス層１５６を、金属ガラス層１５６の過冷却液体温度域に加熱する金属加熱工程と同時にバイモルフ加熱工程を行ってよい。
【００４４】
図６は、複数のプローブピン６０を製造するプローブピン製造方法の一例を説明する。本例におけるプローブピン製造方法は、図３から図５に関連して説明したプローブピン製造方法と同様の工程を有する。本例においては、基板１５０に複数のプローブピン母材１６２を形成する。本例におけるプローブピン製造方法は、図３（ａ）又は図４（ａ）において説明した工程と同様の方法で、基板１５０に複数のプローブピン母材１６２を形成する。また、本例におけるプローブピン製造方法は、バイモルフ構造を有するバイモルフ部材を複数準備するバイモルフ準備工程と、当該複数のバイモルフ部材に、過冷却液体温度域を有するアモルファス金属をそれぞれ積層し、複数のプローブピン母材を生成する積層工程と、当該複数のプローブピン母材を基板に接続する接続工程を有してよい。
【００４５】
本例において、図３から図５に関連して説明したプローブピン製造方法によって、基板１５０の表面にプローブピン６０を形成する。図６に示すように、バイモルフ加熱工程は、基板１５０の表面に形成した複数のプローブピン母材１６２を加熱し、複数のプローブピン母材１６２のそれぞれを湾曲させる。次に、制御工程によって、制御部材１５８によって、複数のプローブピン母材１６２の湾曲量を制御する。当該制御工程は、図３から図５に関連して説明した制御工程と同様であってよい。本例における制御工程によれば、複数のプローブピン母材１６２の湾曲量を均一に制御することができる。また、本例におけるプローブピン製造方法は、図３又は図４に関連して説明した金属加熱工程、冷却工程、及びバイモルフ除去工程を行い、複数のプローブピン６０を形成する。本例におけるプローブピン製造方法によれば、複数のプローブピン６０の湾曲量を精度よく、且つ均一に制御することができる。また、バイモルフ加熱工程におけるプローブピン６０の損傷を低減することができる。
【００４６】
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施形態に記載の範囲には限定されない。上記実施形態に、多様な変更または改良を加えることができる。そのような変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【００４７】
【発明の効果】
上記説明から明らかなように、本発明によるプローブピン、プローブカード、及び試験装置によれば、電子デバイス等と良好な接続を保つことができる。また、本発明による試験装置によれば、電子デバイス等と良好な接続を保つことができるため、電子デバイスの試験を効率良く且つ精度良く行うことができる。また、本発明によるプローブピン製造方法によれば、プローブピンの湾曲量を精度よく制御することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明に係る試験装置１００の構成の一例を示す。
【図２】  プローブカード５０の構成の一例を示す。
【図３】  プローブピン６０の製造方法の一例を示す。
【図４】  プローブピン製造方法の他の例を示す。
【図５】  バイモルフ加熱工程の他の例を示す。
【図６】  複数のプローブピン６０を製造するプローブピン製造方法の一例を説明する。
【符号の説明】
１０・・・パターン発生部、２０・・・波形整形部、２２・・・伝送線路、２４・・・パッド、３０・・・電子デバイス、４０・・・判定部、５０・・・プローブカード、５２・・・基板、５６・・・接続端子、６０・・・プローブピン、１００・・・試験装置、１５０・・・基板、１５２・・・アルミニウム層、１５４・・・酸化シリコン層、１５６・・・金属ガラス層、１５８・・・制御部材、１６０・・・バイモルフ部材、１６２・・・プローブピン母材
【図１】
0004109851.tif 000002
【図２】
0004109851.tif 000003
【図３】
0004109851.tif 000004
【図４】
0004109851.tif 000005
【図５】
0004109851.tif 000006
【図６】
0004109851.tif 000007