(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成されているすべての標識部の表面高さを基板高さ測定部で測定する全標識部高さ測定工程と、
前記基板上に形成されている液状体吐出領域に近接する少なくとも３カ所の標識部を特定する標識部特定工程と、
前記標識部特定工程で特定された少なくとも３カ所の各標識部の表面高さの情報に基づいて前記液状体吐出領域における表面高さを推測する液状体吐出領域高さ推測工程と、
前記推測工程で得られた前記液状体吐出領域の高さ情報に基づき液状体を吐出する吐出部の先端部の前記液状体吐出領域の表面に対する高さを調整する吐出部高さ調整工程と、
前記吐出部高さ調整工程で調整された後、前記吐出部が前記液状体を吐出する吐出工程と、
を備えることを特徴とする塗布方法。
【請求項２】
前記基板には複数のパターンが形成され、前記液状体吐出領域がこれら複数のパターンの周囲に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の塗布方法。
【請求項３】
前記液状体がシール剤であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の塗布方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板の所定の液状体吐出領域に対して液状体を吐出する塗布装置及び塗布方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、例えば有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ）パネルを製造する場合は、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ−Ｆｉｌｍ−Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）基板上に有機ＥＬ等からなる画素部を配置し、この画素部を覆うようにガラスを配置する。
そして、このガラスはシール剤を介して配置されるためガラスで覆われた内部に充填される不活性ガス等が外部に漏れない構造となっている。
【０００３】
このようなシール剤を塗布するためシール剤塗布装置が用いられている。このシール剤塗布装置は、図１１に示すように、シール剤を直接、ＴＦＴ基板上に塗布するノズル１０を有している。このノズル１０の先端部にはノズル口１１を備え、具体的にはこのノズル口１１からシール剤がＴＦＴ基板２０上に塗布させるようになっている。
また、このノズル１０のノズル口１１からシール剤を塗布する際は、ＴＦＴ基板２０の表面とノズル口１１との間隔であるギャップｇを一定の間隔に保持する必要がある。
【０００４】
すなわち、このギャップｇが変化すると吐出されるシール剤の幅が変化してしまう。具体的には、ギャップｇである間隔が小さすぎると塗布されたシール剤の幅が広くなりすぎ、シール剤を塗布すべきでない部分にシール剤が塗布され、有機ＥＬパネルの不良の原因となってしまう。
逆に、ギャップｇである間隔が大きすぎると、シール剤の幅が狭くなり、ガラスとＴＦＴ基板２０との封止が破壊されやすくなり、不活性ガスが漏れて不良の原因となってしまう。
【０００５】
したがって、ノズル１０は図１１に示すようにＺ方向に移動可能に形成されており、ＴＦＴ基板２０とノズル口１１とのギャップｇを一定の間隔にするためノズル口１１の高さが変化するようになっている。
具体的には、シール剤を塗布する前に、塗布対象となるＴＦＴ基板２０の特定の位置にノズル１０を移動（図１１のＸ軸方向又はＹ軸方向）させ、その地点におけるノズル口１１とＴＦＴ基板２０の表面とのギャップｇを所定の間隔になるように調整する。そして、その後シール剤の塗布開始位置まで移動してシール剤の塗布を開始するようになっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
このようにＴＦＴ基板２０毎にその表面とノズル口１１とのギャップｇを調整しても、ＴＦＴ基板２０自体の厚みの変化、基板の反りやうねり、更にＴＦＴ基板２０を載置するテーブルのうねり等があるため、ＴＦＴ基板２０の表面とノズル口１１とのギャップｇを常に一定にすることは困難である。
そのため、ノズル１０から吐出されるシール剤の幅は一定ではなくなるので、上述のようなシール剤の塗布不良による有機ＥＬパネルの不良が生じるという問題があった。
【０００７】
本発明は上記問題に鑑み、基板の表面変化に応じて、吐出部とのギャップを的確に調整でき、吐出部が吐出する液状体の塗布不良の発生を有効に防止できる塗布装置及び塗布方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
前記目的は、請求項１の発明によれば、液状体吐出領域を備える基板と、前記基板を載置する載置部と、前記基板を前記載置部に載置した際の前記基板の表面の高さを測定する基板高さ測定部と、前記基板の前記液状体吐出領域に対して液状体を吐出する吐出部と、前記基板高さ測定部で測定した前記基板の表面の高さに基づき前記吐出部を移動させる吐出部移動手段と、を備える塗布装置であって、前記基板の表面には、前記基板高さ測定部が前記基板の表面の高さを測定するための標識部が少なくとも３カ所形成されていることを特徴とする塗布装置により達成される。
【０００９】
請求項１の構成によれば、前記基板の表面には、前記基板高さ測定部が前記基板の表面の高さを測定するための標識部が少なくとも３カ所形成されているので、これら少なくとも３カ所の標識部の高さ情報に基づき前記液状体吐出領域に高さ情報を推測することができる。したがって、この推測された高さ情報に基づき前記吐出部の高さを所定の範囲に正確に移動させることができる。
このため、前記基板の表面変化に応じて、前記吐出部とのギャップを的確に調整することができ、前記吐出部が吐出する液状体の塗布不良を有効に防ぐことができる。
【００１０】
好ましくは請求項２の発明によれば、請求項１の構成において、前記基板には複数のパターンが形成され、前記液状体吐出領域がこれら複数のパターンの周囲に形成され、前記標識部が前記基板の表面のうち複雑な凹凸が形成されていない平面領域に配置されていることを特徴とする塗布装置である。
【００１１】
請求項２の構成によれば、前記基板には複数のパターンが形成され、前記液状体吐出領域がこれら複数のパターンの周囲に形成され、前記標識部が前記基板の表面のうち複雑な凹凸が形成されていない平面領域に配置されている。このため、前記標識部を配置するための領域を特別に形成する必要がないので、低コストで前記標識部を形成することができる。
さらに前記複数のパターンのそれぞれのパターンの周囲に形成されている前記液状体吐出領域について高さ情報を推測することができる。
【００１２】
好ましくは、請求項３の発明によれば、請求項１又は請求項２の構成において、前記液状体がシール剤であることを特徴とする記載の塗布装置である。
【００１３】
請求項３の構成によれば、前記液状体がシール剤であるので、シール剤を所望の幅で前記基板に配置することができる。したがって、前記基板を精度良くシールすることができる。
【００１４】
好ましくは、請求項４の発明によれば、請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の構成において、前記載置部を前記吐出部移動手段の移動方向であるＺ軸方向と略直交する２方向であるＸ軸方向及びＹ軸方向に移動させる載置部移動手段を備えることを特徴とする塗布装置である。
【００１５】
請求項４の構成によれば、前記載置部を前記吐出部移動手段の移動方向であるＺ軸方向と略直交する２方向であるＸ軸方向及びＹ軸方向に移動させる載置部移動手段を備えるので、載置された前記基板を容易に前記Ｘ軸方向及びＹ軸方向に移動させることができる。
【００１６】
好ましくは、請求項５の発明によれば、請求項１乃至請求項４のいずれかに記載に構成において、前記標識部が金属膜で形成されていることを特徴とする塗布装置である。
【００１７】
請求項５の構成によれば、前記標識部が金属膜で形成されているので、前記標識部を容易に形成することができる。また、前記標識部が金属膜で形成されているので、前記基板高さ測定部をレーザ変位計で構成することで、前記金属膜の高さ情報を容易に得ることができる。
【００１８】
前記目的は、請求項６の発明によれば、基板上に形成されているすべての標識部の表面高さを基板高さ測定部で測定する全標識部高さ測定工程と、基板上に形成されている液状体吐出領域に近接する少なくとも３カ所の標識部を特定する標識部特定工程と、前記標識部特定工程で特定された少なくとも３カ所の各標識部の表面高さの情報に基づいて前記液状体吐出領域における表面高さを推測する液状体吐出領域高さ推測工程と、前記推測工程で得られた液状体吐出領域の高さ情報に基づき液状体を吐出する吐出部の先端部の前記液状体吐出領域の表面に対する高さを調整する吐出部高さ調整工程と、前記吐出部高さ調整工程で調整された後、吐出部が液状態を吐出する吐出工程と、を備えることを特徴とする塗布方法により達成される。
【００１９】
請求項６の構成によれば、基板上に形成されているすべての標識部の表面高さを基板高さ測定部で測定する全標識部高さ測定工程を有するので、この工程で各標識部の基板上における位置情報と前記表面高さ情報を結合させることができる。
また、基板上に形成されている液状体吐出領域に近接する少なくとも３カ所の標識部を特定する標識部特定工程と、前記標識部特定工程で特定された少なくとも３カ所の各標識部の表面高さの情報に基づいて前記液状体吐出領域における表面高さを推測する液状体吐出領域高さ推測工程とを有する。
このため、液状体を吐出しようとする当該液状体吐出領域に近接する少なくとも３カ所の各標識部の表面高さの情報に基づいて、この液状体吐出領域における表面高さを推測するので、より正確に表面高さを推測することができる。
また、前記推測工程で得られた液状体吐出領域の高さ情報に基づき液状体を吐出する吐出部の先端部の前記液状体吐出領域の表面に対する高さを調整する吐出部高さ調整工程と、前記吐出部高さ調整工程で調整された後、吐出部が液状態を吐出する吐出工程とを備えるため、前記基板の表面変化に応じて、前記吐出部とのギャップを的確に調整することができ、前記吐出部が吐出する液状体の塗布不良を有効に防ぐことができる塗布方法である。
【００２０】
好ましくは請求項７の発明によれば、請求項６の構成において、前記基板には複数のパターンが形成され、前記液状体吐出領域がこれら複数のパターンの周囲に形成されていることを特徴とする塗布方法である。
【００２１】
請求項７の構成によれば、前記基板には複数のパターンが形成され、前記液状体吐出領域がこれら複数のパターンの周囲に形成されているので、各パターンに周囲の液状吐出領域の表面高さをより正確に推測し、前記吐出部とのギャップを的確に形成することができるので、液状体の吐出不良を有効に防止することができる。
【００２２】
好ましくは、請求項８の発明によれば、請求項６又は請求項７の構成において、前記液状体がシール剤であることを特徴とする塗布方法である。
【００２３】
請求項８の構成によれば、前記液状体がシール剤であるので、シール剤を所望の幅で前記液状体吐出領域に配置することができる塗布方法である。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。
なお、以下に述べる実施の形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。
【００２５】
図１は、本発明に係る塗布装置の実施の形態である有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ）パネル封止用シール剤塗布装置１００を示す概略斜視図である。
図１に示すように有機ＥＬパネル封止用シール剤塗布装置１００は、後述する基板である有機ＥＬ基板２００を載置する載置部であるテーブル１１０と、このテーブル１１０に有機ＥＬ基板２００を載置した際の有機ＥＬ基板の表面高さを測定する基板高さ測定部であるレーザ変位計１２０とを有している。
【００２６】
このレーザ変位計１２０は、テーブル１１０の上面に対してその計測用先端部が対向するように配置されると共に、レーザ変位計１２０は有機ＥＬパネル封止用シール剤塗布装置本体に固定されている。したがって、レーザ変位計１２０とテーブル１１０の表面との距離はテーブル１１０の表面側に変化がない限り一定となるように構成されている。
また、このレーザ変位計１２０は、レーザを照射することで対象物との間の距離を正確に計測できる構成となっている。
【００２７】
ところで、図１に示すテーブル１１０に関しては、前記ディスペンサ移動手段１４０の移動方向であるＺ軸方向と略直交する２方向であるＸ軸方向及びＹ軸方向に移動させる載置部移動手段であるＸ軸移動手段１５０とＹ軸移動手段１６０が設けられている。
このためテーブル１１０はＸ軸移動手段１５０とＹ軸移動手段１６０によりＸ軸方向及びＹ軸方向の任意の位置に移動可能な構成となっている。
したがって、上述のレーザ変位計１２０をテーブル１１０上の任意の位置に配置したい場合は、テーブル１１０をＸ軸移動手段１５０及びＹ軸移動手段１６０で移動させることにより容易にレーザ変位計１２０を配置させることができる。さらに、テーブル１１０にはその表面に載置される真空引き用の孔が複数個形成されており（図示せず）、これら孔は真空引き装置（図示せず）に接続されている。
【００２８】
また、有機ＥＬパネル封止用シール剤塗布装置１００は、有機ＥＬ基板２００に対して液状体であるシール剤を吐出する吐出部であるディスペンサ１３０と、前記レーザ変位計１２０で測定した前記有機ＥＬ基板２００の表面高さに基づきディスペンサ１３０を移動させるディスペンサ移動手段１４０とを有している。このディスペンサ１３０は、シール剤であるエポキシＵＶ硬化樹脂が収容されているシリンジ１３１と、このシリンジ１３１内に収容されているエポキシＵＶ硬化樹脂を吐出するノズル１３２を有している。
このシリンジ１３１とノズル１３２の形態を示したのが、図４のシリンジ１３１とノズル１３２の概略説明図である。
このようにシール剤を収容し吐出する機能を有するディスペンサ１３０は図１に示すようにディスペンサ移動手段１４０によりＺ軸方向に移動可能に構成されているで、テーブル１１０の上面に対する距離を任意に変更できるように構成されている。
【００２９】
また、テーブル１１０に載置される有機ＥＬ基板２００の表面にはレーザ変位計１２０が有機ＥＬ基板２００の表面の高さを測定するための標識部である金属膜２１０が少なくとも３カ所以上形成されている。
この金属膜２１０は、図２に示すように、例えばＣｒ（クロム）等からなる例えば四角形の膜であるため、この金属膜２１０に対してレーザ変位形１２０でレーザを照射することで、固定されているレーザ変位計１２０と当該金属膜２１０との距離を正確に計測することができる。
または、有機ＥＬ基板２００上の表面のうち複雑な凹凸が形成されていない平面領域の少なくとも３カ所以上にレーザを照射することで、距離を測定しても良い。
【００３０】
また、前記有機ＥＬ基板２００には、図２に示すように、複数又は多数のパターンである有機ＥＬパネル２２０が形成されている。
図２は、有機ＥＬ基板２００における有機ＥＬパネル２２０と金属膜２１０の配置状態を示す概略説明図である。
図２に示すように有機ＥＬパネル２２０が有機ＥＬ基板２００上に所定の間隔で例えば９個形成されている。
ところで、図２に示すように金属膜２１０は有機ＥＬパネル２２０が形成されていない有機ＥＬパネル２２０の間に所定の間隔で例えば１２個配置されている。したがって、金属膜２１０は、有機ＥＬパネル２２０の製造の妨げとならない位置に配置される。
このため、特に金属膜２１０を配置するための特別の領域を形成する必要がないので、低コストで金属膜２１０を配置することができる。
または、特別な金属膜を形成せずとも有機ＥＬパネル２２０領域外の有機ＥＬ基板２００上の平面との距離を計測しても良い。
【００３１】
ところで、これら複数の有機ＥＬパネル２２０の周囲には液状体吐出領域であるシール剤塗布領域２２１が形成されている。
図３は、有機ＥＬパネル２２０の構成を示す概略断面図である。図３に示すように有機ＥＬ基板２２０は有機ＥＬ基板２００、具体的にはＴＦＴ（Ｔｈｉｎ−Ｆｉｌｍ−Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）基板上に、画素部２２２が形成され、その周囲にシール剤塗布領域２２１が形成されている。
この画素部２２２は、図３に示すように、バンク２２２ａ内に有機ＥＬ２２２ｂが配置され、Ｃａを介してＡｌで覆うことにより形成されている。
【００３２】
また、この画素部２２２をガラス２２３で封止し、内部に不活性ガスを充填することで有機ＥＬパネル２２０が形成されることになる。
このとき、画素部２２２の外側には図３に示すようにシール剤塗布領域２２１が形成され、これは図２に示すように有機ＥＬパネル２２０に周囲に一定の幅、例えば約２ｍｍ程度に形成される。
そして、このシール剤塗布領域２２１に所望の幅となるように適量のシール剤がディスペンサ１３０から塗布され、図３に示すようにガラス２２３を配置することで画素部２２２をシールすることが可能となる。
【００３３】
図５は、有機ＥＬパネル封止用シール剤塗布装置１００主な内部構成を示すブロック図である。
図１に示すディスペンサ移動手段１４０、Ｘ軸移動手段１５０及びＹ軸移動手段１６０には、それぞれディスペンサ移動手段モータ、Ｘ軸移動手段モータ及びＹ軸移動手段モータが備えられ、これらの各モータによって移動可能に構成されている。
そして、これら各モータは制御部によってその動作が制御されるようになっている。
【００３４】
一方、図１のレーザ変位計１２０によって計測された前記金属膜２１０との距離データは、図５の記憶部に格納され、制御部の指示により演算部に入力され、演算された後、再び記憶部に格納されるようになっている。
そして、このように所定の演算された距離データに基づいて制御部が前記各モータを制御する構成となっている。
また、制御部には外部から指示等を入力する入力部も接続されている。
【００３５】
本実施の形態に係る有機ＥＬパネル封止用シール剤塗布装置１００は以上のように構成されるが、以下の本発明の塗布方法に係る有機ＥＬパネル封止用シール剤塗布方法を有機ＥＬパネル封止用シール剤塗布装置１００の動作等と共に説明する。
先ず、図２に示すような有機ＥＬ基板２００を図１に示すテーブル１１０上に載置する。
このとき、テーブル１１０に設けられている真空引き装置が動作して真空引き用孔を介して有機ＥＬ基板２００をテーブル１１０上に強固に固定することになる。
したがって、有機ＥＬ基板２００をテーブル１１０上に精度良く固定することが可能となる。
【００３６】
図６は、有機ＥＬパネル封止用シール剤塗布方法の主な工程を示す概略フローチャートである。
図６のＳＴ１に示すように先ず、ノズル高さ測定によるノズル原点出し工程が行われる。
図７は、この工程の詳細を示したフローチャートであり、図８はこのフローチャートを図示等した説明図である。
したがって、以下、図７のフローチャートに従いノズル原点出し工程を説明する。
【００３７】
先ず、図７のＳＴ２のノズルを機械原点位置へ移動させることになる。具体的には、図１に示すディスペンサ１３０の図４に示すノズル１３２部分をテーブル１１０の上方の機械原点位置に移動させる。
この状態を示したのが図８の矢印ａで示す状態である。図８に示すようにテーブル１１０に配置される有機ＥＬ基板２００の上面から一定の間隔を保持してノズル１３２が配置されるようにディスペンサ１３０が配置される。
すなわち、予め記憶部に入力されているノズル原点出しのデータに基づいて、図５に示す制御部、ディスペンサ移動手段モータを介して、図１に示すディスペンサ移動手段１４０がディスペンサ１３０を機械原点位置まで移動させる。
【００３８】
ところで、ディスペンサ１３０には、図８に示すように変位センサ１７０が備わっている。このため、ノズル１３２が有機ＥＬ基板２００の上面に当接し、その移動が停止したときは、そのことを変位センサ１７０が感知するようになっている。
【００３９】
機械原点位置に移動させられたノズル１３２は、次に図７のＳＴ３に示すように測定開始位置まで下降させられる。
この状態を示したのが図８の矢印ｂである。この測定開始の位置までは高速で移動させられることになる。
その後、ノズル１３２を５０μｍずつ下降させる（ＳＴ４）。この状態を示したのが図８のグラフの矢印Ｆの部分である。
矢印Ｆの部分のうち、最も下の下向き矢印の部分でノズル１３２が有機ＥＬ基板２００の上面に当接する。その後もディスペンサ移動手段１４０は下降を続け、変位センサ１７０がＯＮ状態となるまで下降する。
この状態を示したのが、図８の矢印ｃであり、グラフの矢印Ｇの部分である。
【００４０】
その後、図７のＳＴ５に示すようにディスペンサ１３０を７０μｍ程度上昇させ、変位センサ１７０をＯＦＦ状態にさせる。
そして、ＳＴ６に示すようにノズル１３２が１μｍずつ下降するようにディスペンサ１３０を下降させ、ノズル１３２が有機ＥＬ基板２００の表面に当接し、変位センサ１７０がＯＮ状態となるまで下降させる。この状態が図８の矢印ｅ及び矢印Ｈで示すグラフ部分である。
この変位センサ１７０がＯＮした位置をノズル原点とし、制御部はその位置情報をノズル原点情報として記憶部（図５参照）に入力される。
【００４１】
ところで、このノズル原点は正確には、原点として測定したノズルの高さ情報から押し込み量を差し引いた数値となる。この押し込み量についての説明図が図９である。
図９に示すように、押し込み量とは、ディスペンサ１３０のノズル１３２が有機ＥＬ基板２００の表面に当接し、ノズル１３２の移動が停止したにも拘わらずディスペンサ移動手段１４０が更に下降を続け変位センサ１７０がＯＮするまでの距離を意味する。この押し込み量は変位センサ１７０が感知するまでの誤差なので、押し込み量を実際の測定数値から差し引くことで、より正確な原点情報となる。
【００４２】
このようにしてノズル１３２の原点出し工程が終了した後、基板（有機ＥＬ基板２００）上に形成されているすべての標識部（金属膜２１０）の表面高さを基板高さ測定部（レーザ変位計１２０）で測定する全標識部高さ測定工程が行われる。この工程が、図６の基板上の金属膜（１２カ所）測定工程（ＳＴ８）である。
具体的には、図２に示すように有機ＥＬ基板２００に形成された例えば１２カ所の金属膜２１０（Ｐ１乃至Ｐ１２）の各別について図１に示すレーザ変位計１２０でその高さを測定する。
【００４３】
すなわち、予め、図２に示すように配置されている金属膜２１０のＰ１乃至Ｐ１２の図におけるＸ軸方向及びＹ軸方向の情報（ＸＹ座標）は、図５の記憶部に記録されている。例えばＰ１（Ｘ１、Ｙ１）、Ｐ２（Ｘ２，Ｙ２）等のように特定されている。
したがって、このＸＹ座標に基づいて、図５の制御部がＸ軸移動手段モータ及びＹ軸移動手段モータを駆動させ、図１のＸ軸移動手段１５０及びＹ軸移動手段１６０を動作させる。そして、固定されているレーザ変位計１２０の直下に、上述の金属膜２１０のＰ１乃至Ｐ１２を順番に配置させる。そして、それぞれの金属膜２１０について距離、すなわち表面高さを測定する。
【００４４】
このとき、レーザ変位計１２０は、固定されているので、有機ＥＬ基板２００に反りがあったり、基板の厚みが部分によって異なる場合、又はテーブル１１０にうねり等がある場合は、測定された表面高さのデータが金属膜２１０のＰ１乃至Ｐ１２についてすべて同一ではなく、地点によって異なった値となる。
この値を金属膜２１０のＰ１乃至Ｐ１２について、それぞれ、例えば図１のＺ軸情報（Ｚ座標）として、Ｐ１（Ｘ１，Ｙ１，Ｚ１）、Ｐ２（Ｘ２，Ｙ２、Ｚ２）等のようにし、図５に示すようにレーザ変位計１２０から記憶部に登録されることになる。
【００４５】
次に、基板（有機ＥＬ基板２００）上に形成されている液状体吐出領域（シール剤塗布領域２２１）に近接する少なくとも３カ所の標識部（金属膜２１０）を特定する標識部特定工程である、図６に示すＳＴ９を行う。
すなわち、ＳＴ９では、塗布対象である有機ＥＬパネルの中心から各金属膜との距離を演算し、近傍の３カ所の金属膜を特定する。
具体的には、図２に示すように有機ＥＬパネル２２０の９枚（Ｅ１乃至Ｅ９）のいずれか一つの有機ＥＬパネル２２０、例えばＥ５の有機ＥＬパネル２２０のシール剤塗布領域２２１にシール剤を塗布する場合について以下説明する。
【００４６】
このＥ５の有機ＥＬパネル２００の中心点２２０ａについては、予めＸＹ座標が図５の記憶部に登録されている。このため、図５の演算部でこのＥ５の有機ＥＬパネル２００の中心点２２０ａのＸＹ座標と近いＸＹ座標を有する金属膜２１０を３点求め、且つこの３点を結んだ仮想三角形の内側に当該中心点２２０ａが含まれるように演算する。
Ｅ５の有機ＥＬパネル２２０の場合、３点は金属膜２１０（Ｐ１，Ｐ２、Ｐ５）となる。
【００４７】
次に、標識部特定工程（ＳＴ９）で特定された少なくとも３カ所の各標識部（金属膜２１０）の表面高さの情報に基づいて前記液状体吐出領域（シール剤塗布領域２２１）における表面高さを推測する液状体吐出領域高さ推測工程である、図６のＳＴ１０を行う。
すなわち、ＳＴ９で特定された近傍の３カ所の金属膜のデータに基づいてシール剤塗布領域の高さデータを演算で推測する（ＳＴ１０）こととなる。
具体的には、上述のＥ５の有機ＥＬパネル２２０の例で説明すると、金属膜２１０（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ５）の表面高さの情報であるＺ座標そしてＸＹ座標等は図５の記憶部に登録されているので、これらのデータを演算部で演算してＥ５の有機ＥＬパネル２２０の中心点２２０ａの表面高さ情報（Ｚ座標）を求める。
【００４８】
具体的には、金属膜２１０（Ｐ１）のＸ、Ｙ、Ｚの各軸の数値を（ｘ１、ｙ１，ｚ１）とし、金属膜２１０（Ｐ２）のＸ、Ｙ、Ｚの各軸の数値を（ｘ２、ｙ２，ｚ２）とし、そして、金属膜２１０（Ｐ５）のＸ、Ｙ、Ｚの各軸の数値を（ｘ５、ｙ５、ｚ５）となる。
また、Ｅ５の有機ＥＬパネル２２０の中心点２２０ａのＸＹ座標は既に与えられているので、これらを（ｘ１３、ｙ１３）とし、演算で求めたい中心点２２０ａのＺ座標を（ｚ１３）とする。
すると、以下の式となる。
【００４９】
先ずはｋの値を以下の式で求め、
ｋ＝ｘ５ｙ２ｚ１＋ｘ１ｙ５ｚ２＋ｘ２ｙ１ｚ５−ｘ１ｙ２ｚ５−ｘ２ｙ５ｚ１
−ｘ５ｙ１ｚ２
このｋを以下の式に代入し、ａ乃至ｃの値を求める。
ａ＝（ｙ２ｚ５−ｙ５ｚ２＋ｙ５ｚ１−ｙ１ｚ５＋ｙ１ｚ２−ｙ２ｚ１）／ｋ
ｂ＝（ｘ５ｚ２−ｘ２ｚ５＋ｘ１ｚ５−ｘ５ｚ１＋ｘ２ｚ１−ｘ１ｚ２）／ｋ
ｃ＝（ｘ２ｙ５−ｘ５ｙ２＋ｘ５ｙ１−ｘ１ｙ５＋ｘ１ｙ２−ｘ２ｙ１）／ｋ
そして、ａ乃至ｃの式を以下の式に代入し、ｄの値を求める。
ｄ＝−（ａｘ１＋ｂｙ１＋ｃｚ１）
そして、これらａ乃至ｄの値を以下の式に代入する。
ｚ１３＝−（ａｘ１３＋ｂｙ１３＋ｄ）／ｃ
したがって、ここで中心点２２０ａのＺ座標を（ｚ１３）が求められ推測できる。
【００５０】
このようにして演算部によって推測されたＥ５の有機ＥＬパネル２２０の中心点２２０ａの表面高さ（Ｚ座標、ｚ１３）の値をシール剤塗布領域２２１の表面高さと推定する。そして、図５の記録部にＥ５の有機ＥＬパネル２２０のシール剤塗布領域２２１の表面高さを記録することになる。
【００５１】
次に、推測工程（ＳＴ１１）で得られた液状体吐出領域（シール剤塗布領域２２１）の高さ情報に基づき液状態（シール剤）を吐出する吐出部（ディスペンサ１３０）の先端部（ノズル１３２）の液状体吐出領域（シール剤塗布領域２２１）の表面に対する高さを調整する吐出高さ調整工程である、図６のＳＴ１１が行われる。
すなわち、推測された高さデータに基づきノズル高さを補正する（ＳＴ１１）こととなる。
具体的には、先ず、図５の制御部はＸ軸移動手段モータとＹ軸移動手段モータを動かし、図１のディスペンサ１３０のノズル１３２をＥ５の有機ＥＬパネル２２０のシール剤塗布開始位置に配置させる。
【００５２】
その後、図５の制御部は記録部に記録されているＥ５の有機ＥＬパネル２２０のシール剤塗布領域２２１の表面高さのデータに基づきディスペンサ移動手段モータでディスペンサ１３０を下降させ、ノズル１３２とシール剤塗布領域２２１の表面との間に適正なギャップを保持させるように調整する。
【００５３】
図１０は、このギャップ保持の具体例を示す説明図である。
すなわち、図１０の左側の有機ＥＬ基板２００と右側の有機ＥＬ基板２００は、それぞれ異なった部分を示し、上述の変位センサ１２０で高さを計測したとき異なった値を示した部分である。具体的には、右側の有機ＥＬ基板２００の方が基板の厚みが厚く形成されている。
このような基板の厚みの変化は、上述の図６のＳＴ１１で認識され、その厚み変化に対応した、この場合は、ノズル１３２を上昇させる方向に調整することになる。
これが図１０におけるワーク高さ変化の調整である。そしてこのワーク高さ変化に上述の指定されたギャップを加えた距離が、具体的な調整距離となる。
【００５４】
次に、吐出部高さ調整工程（ＳＴ１２）で調整された後、吐出部（ディスペンサ１３０）が液状体（シール剤）を吐出する吐出工程である図６のＳＴ１２が行われる。
すなわち、図４のシリンジ１３１内に収容されたシール剤がノズル１３２より定量塗布される。
このとき、ノズル１３２の先端とシール剤塗布領域２２１とのギャップは適正に保持されるので、塗布されたシール剤の幅を略一定にすることができる。したがって、シール剤の幅が広がりすぎて図３の画素部２２２に悪影響を与えることがなく、また、シール剤の幅が狭すぎてシール不良となることもない。
このため、良好な有機ＥＬパネル２２０を製造することができる。
【００５５】
以上のように図２のＥ５の有機ＥＬパネル２２０についてシール剤の塗布が終了したら、次に、例えばＥ６の有機ＥＬパネル２２０について、Ｅ５の有機ＥＬパネル２２０と同様の工程が繰り返される。そして、この工程は有機ＥＬパネル２２０の各別に行われ、すべての有機ＥＬパネル２２０についてシール剤の塗布が終了することで、当該有機ＥＬ基板２００は有機ＥＬパネル封止用シール剤塗布装置１００から排出されることになる。
【００５６】
このように有機ＥＬ基板２００の各有機Ｅｌパネル２２０毎にその高さ情報を計測してノズル１３２高さを補正し調整するため、例えば有機ＥＬ基板２００の厚みが均一でなかったり、基板が反っていたり、うねっていた場合や、テーブル１１０の表面がうねっているため基板がうねっていても、ノズル１３２の基板上の高さを補正することで常に正確にシール剤を塗布することができ、シール剤の塗布不良による有機ＥＬパネル２２０の不良を未然に防ぐことができる。
【００５７】
本発明の実施の形態は、以上のように構成され、動作等するが、本発明は、上記実施の形態に限定されず、特許請求の範囲を逸脱しない範囲で種々の変更を行うことができる。そして、上記実施の形態の構成は、その一部を省略したり、上述していない他の任意の組み合わせに変更することができる。
【００５８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、基板の表面変化に応じて、吐出部とのギャップを的確に調整でき、吐出部が吐出する液状体の塗布不良の発生を有効に防止できる塗布装置及び塗布方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明に係る塗布装置の実施の形態である有機ＥＬパネル封止用シール剤塗布装置を示す概略斜視図である。
【図２】  有機ＥＬ基板における有機ＥＬパネルと金属膜の配置状態を示す概略説明図である。
【図３】  有機ＥＬパネルの構成を示す概略断面図である。
【図４】  シリンジとノズルの概略説明図である。
【図５】  有機ＥＬパネル封止用シール剤塗布装置の主な内部構成を示すブロック図である。
【図６】  有機ＥＬパネル封止用シール剤塗布方法の主な工程を示す概略フローチャートである。
【図７】  図６のＳＴ１のノズル高さ測定によるノズル原点出し工程の詳細を示したフローチャートである。
【図８】  図７のフローチャートを図示等した説明図である。
【図９】  押し込み量についての説明図である。
【図１０】  ギャップ保持の具体例を示す説明図である。
【図１１】  ノズルでシール剤を直接、ＴＦＴ基板上に塗布する状態を示す概略説明図である。
【符号の説明】
１００・・・有機ＥＬパネル封止用シール剤塗布装置、１１０・・・テーブル、１２０・・・レーザ変位計、１３０・・・ディスペンサ、１３１・・・シリンジ、１３２・・・ノズル、１４０・・・ディスペンサ移動手段、１５０・・・Ｘ軸移動手段、１６０・・・Ｙ軸移動手段、１７０・・・変位センサ、２００・・・有機ＥＬ基板、２１０・・・金属膜、２２０・・・有機ＥＬパネル、２２０ａ・・・中心点、２２１・・・シール剤塗布領域、２２２・・・画素部、２２２ａ・・・バンク、２２２ｂ・・・有機ＥＬ、２２３・・・ガラス
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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