(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上に形成された第１の導電層と、前記第１の導電層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された第２の導電層とを有する第１の基板と、前記第１の基板に対向配置された第２の基板と、前記第１及び第２の基板間に封止された液晶とを備えた液晶表示装置の欠陥を修復する欠陥修復方法において、
前記絶縁膜と前記第１の導電層とを貫通するピンホール部を介して前記第１及び第２の導電層の間に生じた層間短絡を、前記第１の基板側からレーザ光を照射して前記ピンホール部内の前記第２の導電層を除去することにより修復すること
を特徴とする液晶表示装置の欠陥修復方法。
【請求項２】
請求項１記載の液晶表示装置の欠陥修復方法において、
前記レーザ光は、前記第１の導電層が溶融せず、前記第２の導電層が溶融する照射エネルギーで照射されること
を特徴とする液晶表示装置の欠陥修復方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、情報機器等の表示部に用いられる液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその欠陥修復方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置は、画素毎に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が形成されたＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向して配置された対向基板とが貼り合わされ、両基板間に液晶が封止されて形成されている。
【０００３】
図１２は、従来の液晶表示装置をＴＦＴ基板側から見た１画素の構成を示している。図１２に示すように、ＴＦＴ基板を構成するガラス基板１０２上には、図中左右方向に延びるゲートバスライン１１０が互いに平行に複数形成されている。また、不図示の絶縁膜（ゲート絶縁膜）を介してゲートバスライン１１０に交差して、図中上下方向に延びるドレインバスライン１１２が互いに平行に複数形成されている。複数のゲートバスライン１１０とドレインバスライン１１２とで囲まれた各領域が画素領域となる。
【０００４】
ゲートバスライン１１０及びドレインバスライン１１２の交差位置近傍には、ＴＦＴ１１４が形成されている。ＴＦＴ１１４のドレイン電極１１８は、ドレインバスライン１１２から引き出され、ゲートバスライン１１０上に形成された動作半導体層及びその上に形成されたチャネル保護膜（ともに図示せず）の一端辺側に位置するように形成されている。一方、ＴＦＴ１１４のソース電極１２０は、ドレイン電極１１８に所定の間隙を介して対向し、動作半導体層及びチャネル保護膜の他端辺側に位置するように形成されている。ゲートバスライン１１０のチャネル保護膜直下の領域は、ＴＦＴ１１４のゲート電極として機能するようになっている。また、ソース電極１２０は、コンタクトホール（図示せず）を介して画素電極１１６に電気的に接続されている。
【０００５】
これらのＴＦＴ１１４や各バスライン１１０、１１２はフォトリソグラフィ工程で形成され、「成膜→レジスト塗布→現像→エッチング→レジスト剥離」という一連の半導体プロセスを繰り返して形成される。
【０００６】
ところで、絶縁膜には、例えば成膜工程でピンホール部１２２が形成されてしまうことがある。導電層が絶縁膜を挟んで積層される領域にピンホール部が形成されると、層間短絡が生じてしまう。また、ピンホール部１２２により露出された領域がその後の現像やエッチング等の工程で除去され、導電層にもピンホール部１２２が形成されてしまうことがある。
【０００７】
図１２では、ピンホール部１２２がゲートバスライン１１０とドレインバスライン１１２との交差位置に形成されている。ピンホール部１２２は、ゲート電極形成層で形成されたゲートバスライン１１０と絶縁膜に形成されている。ゲートバスライン１１０とドレインバスライン１１２との間には、ピンホール部１２２を介して層間短絡が生じている。
【０００８】
図１３は、従来の他の液晶表示装置をＴＦＴ基板側から見た構成を示している。図１３に示すように、ゲートバスライン１１０とＴＦＴ１１４のソース電極１２０との間には、ピンホール部１２２を介して層間短絡が生じている。
【０００９】
図１４は、蓄積容量バスライン１２４が形成されている従来の液晶表示装置をＴＦＴ基板側から見た構成を示している。図１４に示すように、蓄積容量バスライン１２４は、画素領域のほぼ中央を横切って形成されている。蓄積容量バスライン１２４は、ゲート電極形成層で形成されている。蓄積容量バスライン１２４とドレインバスライン１１２との間には、ピンホール部１２２を介して層間短絡が生じている。
【００１０】
図１５は、蓄積容量電極１２６が形成されている液晶表示装置をＴＦＴ基板側から見た構成を示している。図１５に示すように、蓄積容量電極１２６は、蓄積容量バスライン１２４上にドレイン電極形成層で形成されている。蓄積容量バスライン１２４と蓄積容量電極１２６との間には、ピンホール部１２２を介して層間短絡が生じている。
【００１１】
図１６は、いわゆるＣｓ−ｏｎ−Ｇａｔｅ構造の液晶表示装置をＴＦＴ基板側から見た構成を示している。図１６に示すように、画素領域の図中下方には、蓄積容量電極１２７がドレイン電極形成層で形成されている。蓄積容量電極１２７と、図中下方に隣接するゲートバスライン１１０と、不図示の絶縁膜とで蓄積容量Ｃｓが形成される。ゲートバスライン１１０と蓄積容量電極１２７との間には、ピンホール部１２２を介して層間短絡が生じている。
【００１２】
図１７は、液晶表示装置のほぼ２フレーム分の駆動波形を示すグラフである。横軸は時間を表し、縦軸は電圧レベルを表している。波形Ｖｇはあるゲートバスライン１１０に印加されるゲート電圧Ｖｇを示し、波形Ｖｄはあるドレインバスライン１１２に印加される階調電圧Ｖｄを示している。また、波形Ｖｃｏｍは蓄積容量バスライン１２４や対向基板に形成された共通電極に印加されるコモン電圧Ｖｃｏｍを示している。
【００１３】
一般に液晶の劣化を防止するため、液晶表示装置は、ほぼ一定のコモン電圧Ｖｃｏｍを中心に、階調電圧Ｖｄがフレーム毎に極性反転するフレーム反転駆動により駆動される。
【００１４】
ゲートバスライン１１０にゲートパルス電圧Ｖｇｏｎが印加されると、当該ゲートバスライン１１０に接続されたＴＦＴ１１４はオン状態になる。図１７の第１フレームでは、ＴＦＴ１１４がオン状態になると画素電極１１６に階調電圧Ｖｄ１が印加される。このとき当該画素の液晶には画素電極１１６電位と対向電極電位との差の電圧（Ｖｄ１−Ｖｃｏｍ）が印加される。第２フレームでは、ＴＦＴ１１４がオン状態になると画素電極１１６に階調電圧Ｖｄ２が印加される。このとき当該画素の液晶には第１フレームと逆極性の電圧（Ｖｄ２−Ｖｃｏｍ）が印加される。
【００１５】
また、ゲートバスライン１１０にゲートオフ電圧Ｖｇｏｆｆが印加されると、当該ゲートバスライン１１０に接続されたＴＦＴ１１４はオフ状態になる。階調電圧Ｖｄが画素電極１１６に印加された後に、ＴＦＴ１１４を確実にオフ状態にして次フレームまで当該階調電圧を保持するため、ゲートオフ電圧Ｖｇｏｆｆは、最小レベルの階調電圧Ｖｄ２よりも低くなっている。
【００１６】
図１７に示すように、ゲートバスライン１１０には、ほぼ常時ゲートオフ電圧Ｖｇｏｆｆが印加され、１フレームに１回だけ、当該ゲートバスライン１１０にゲート電極が接続されたＴＦＴ１１４をオン状態にするときのみにゲートパルス電圧Ｖｇｏｎが印加される。
【００１７】
図１２に示すようにゲートバスライン１１０とドレインバスライン１１２との間に層間短絡が生じていると、当該ドレインバスライン１１２には、ほぼ常時ゲートオフ電圧Ｖｇｏｆｆが印加されてしまう。すなわち、ＴＦＴ１１４を介して当該ドレインバスライン１１２に接続された各画素では、ほぼ常時液晶に電圧（Ｖｇｏｆｆ−Ｖｃｏｍ）が印加され、表示画面上で線欠陥として視認されてしまう。電位差｜Ｖｇｏｆｆ−Ｖｃｏｍ｜は電位差｜Ｖｄ−Ｖｃｏｍ｜より大きい（｜Ｖｇｏｆｆ−Ｖｃｏｍ｜＞｜Ｖｄ−Ｖｃｏｍ｜）ため、ノーマリブラックモードの液晶表示装置では当該線欠陥は輝線として表示される。
【００１８】
図１３に示すようにゲートバスライン１１０とＴＦＴ１１４のソース電極１２０との間に層間短絡が生じていると、当該ソース電極１２０に接続された画素電極１１６には、ほぼ常時ゲートオフ電圧Ｖｇｏｆｆが印加されてしまう。ほぼ常時液晶には電圧（Ｖｇｏｆｆ−Ｖｃｏｍ）が印加されるため、表示画面上で点欠陥として視認されてしまう。ノーマリブラックモードの液晶表示装置では当該点欠陥が輝点として表示される。
【００１９】
図１４に示すように蓄積容量バスライン１２４とドレインバスライン１１２との間に層間短絡が生じていると、当該ドレインバスライン１１２には、ほぼ常時コモン電圧Ｖｃｏｍが印加されてしまう。すなわち、当該ドレインバスライン１１２にＴＦＴ１１４を介して接続された各画素では、ほぼ常時液晶に電圧が印加されず、表示画面上で線欠陥として視認されてしまう。ノーマリブラックモードの液晶表示装置では当該線欠陥は暗線として表示される。
【００２０】
図１５に示すように蓄積容量バスライン１２４と蓄積容量電極１２６との間に層間短絡が生じていると、当該蓄積容量電極１２６に電気的に接続された画素電極１１６にはほぼ常時コモン電圧Ｖｃｏｍが印加されてしまう。すなわち、ほぼ常時液晶には電圧が印加されず、表示画面上で点欠陥として視認されてしまう。ノーマリブラックモードの液晶表示装置では当該点欠陥は暗点として表示される。
【００２１】
図１６に示すようにゲートバスライン１１０と蓄積容量電極１２７との間に層間短絡が生じていると、当該蓄積容量電極１２７に電気的に接続された画素電極１１６にはほぼ常時ゲートオフ電圧Ｖｇｏｆｆが印加されてしまう。すなわち、ほぼ常時液晶層には電圧（Ｖｇｏｆｆ−Ｖｃｏｍ）が印加されるため、表示画面上で点欠陥として視認されてしまう。ノーマリブラックモードの液晶表示装置では当該点欠陥は輝点として表示される。
【００２２】
【発明が解決しようとする課題】
上記の欠陥のうち、線欠陥として視認される図１２及び図１４に示す層間短絡を修復するには、まず層間短絡が生じている領域の前後でドレインバスライン１１２を切断する。次に、予めＴＦＴ基板の外周部や液晶表示パネルを駆動させる周辺回路部に形成されているリペア配線と当該ドレインバスライン１１２との間を電気的に接続させる。このように、リペア配線を用いて階調信号を迂回させることにより欠陥を修復できる。
【００２３】
しかしながら、リペア配線を用いて層間短絡を修復する工程は上記のように煩雑であるため、製造コストが増加してしまうという問題が生じる。また、液晶表示装置の挟額縁化の要求等により、形成されるリペア配線の本数は限られている。上記の方法でドレインバスライン１１２を修復できるのは、予め設けられているリペア配線の本数分のみであるため、リペア配線の本数より多い本数のドレインバスライン１１２に層間短絡等が生じると修復することができない。また、点欠陥として視認される図１３、図１５及び図１６に示す層間短絡は修復することができない。これらの修復できない欠陥を有する液晶表示装置は廃棄せざるを得ないため、液晶表示装置の製造歩留まりが低下してしまうという問題が生じる。
【００２４】
本発明の目的は、短絡欠陥を容易に修復でき、製造歩留まりを向上できる液晶表示装置及びそれに用いられる液晶表示装置用基板及びその欠陥修復方法を提供することにある。
【００２５】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、透明基板上に形成された第１の導電層と、前記第１の導電層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された第２の導電層とを有する第１の基板と、前記第１の基板に対向配置された第２の基板と、前記第１及び第２の基板間に封止された液晶とを備えた液晶表示装置の欠陥を修復する欠陥修復方法において、前記絶縁膜と前記第１の導電層とを貫通するピンホール部を介して前記第１及び第２の導電層の間に生じた層間短絡を、前記第１の基板側からレーザ光を照射して前記ピンホール部内の前記第２の導電層を除去することにより修復することを特徴とする液晶表示装置の欠陥修復方法によって達成される。
【００２６】
【発明の実施の形態】
本発明の一実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその欠陥修復方法について図１乃至図１１を用いて説明する。図１は、本実施の形態による液晶表示装置の構成を示す断面図である。図１に示すように、液晶表示装置は、画素毎にＴＦＴが形成されたＴＦＴ基板１００と、ＴＦＴ基板１００に対向配置された対向基板１０１とを有している。両基板１００、１０１は、周囲に塗布されたシール材１３０を介して貼り合わされており、両基板１００、１０１間には液晶１３２が封止されている。
【００２７】
図２は、ＴＦＴ基板１００のゲート電極形成層で形成されたゲートバスライン１１０とドレイン電極形成層で形成されたドレインバスライン１１２との交差位置の断面構成を示している。図２に示すように、ボトムゲート構造のＴＦＴ基板１００は、透明なガラス基板１０２上に、例えば膜厚１５０ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）からなるゲート電極形成層（第１の導電層）１４０を有している。ゲート電極形成層１４０は、Ａｌを主成分とする合金により形成されていてもよいし、Ａｌ又はＡｌを主成分とする合金と高融点金属（例えばモリブデン（Ｍｏ））との積層膜で形成されていてもよい。ゲート電極形成層１４０上には、例えば膜厚３５０ｎｍのシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）からなる絶縁膜（ゲート絶縁膜）１４２が形成されている。絶縁膜１４２上には、例えばチタン（Ｔｉ）、Ａｌがこの順に成膜された膜厚１５０ｎｍのドレイン電極形成層（第２の導電層）１４４が形成されている。
【００２８】
次に、本実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法について説明する。図３乃至図５は、ゲート電極形成層１４０とドレイン電極形成層１４４との間に層間短絡による欠陥が生じてしまう状態を示す工程断面図である。図３に示すように、ガラス基板１０２上に形成されたゲート電極形成層１４０上に絶縁膜１４２を成膜するときに、絶縁膜１４２にピンホール部１２２’が形成されることがある。この場合、ＴＦＴ１１４を形成する際の絶縁膜１４２上層のパターニング時のレジストの現像やエッチング、又は動作半導体層表面の自然酸化膜の除去等の工程で、図４に示すように、ピンホール部１２２’下層のゲート電極形成層１４０が除去されて、絶縁膜１４２とゲート電極形成層１４０とを貫通するピンホール部１２２が形成される。特に、Ａｌ等で形成された本実施の形態によるゲート電極形成層１４０は、レジストの現像で用いられる現像液やエッチングで用いられるフッ酸等で腐食し易く、除去され易い。この後、絶縁膜１４２上にドレイン電極形成層１４４を形成すると、図５に示すようにゲート電極形成層１４０とドレイン電極形成層１４４との間に層間短絡が生じる。
【００２９】
ピンホール部１２２は、顕微鏡等を用いてガラス基板１０２の裏面側（図中下方）から視認できる。このため、短絡箇所を特定することができる。したがって、絶縁膜１４２にピンホール部１２２’が形成される場合には、ガラス基板１０２の裏面側から短絡箇所を容易に視認できるようにするため、ゲート電極形成層１４０まで貫通するピンホール部１２２が形成されるのがむしろ好ましい。上述のようなＡｌ又はＡｌを主成分とする合金、あるいはＡｌ又はＡｌを主成分とする合金と高融点金属との積層膜でゲート電極形成層１４０を形成するとピンホール部１２２の形成が容易になる。
【００３０】
図６は、ＴＦＴ基板１００の裏面に偏光板１５０が貼り付けられた液晶表示装置の断面構成を示している。このようにＴＦＴ基板１００の裏面に偏光板が貼り付けられた状態でも短絡箇所の特定は可能である。
【００３１】
次に、図５に示すようなピンホール部１２２を介して、ゲート電極形成層１４０とドレイン電極形成層１４４との間に層間短絡が生じている液晶表示装置の欠陥修復方法について図７乃至図１１を用いて説明する。図７及び図８は、本実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法を示す断面図である。本実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法の前提として、２枚の基板を貼り合わせて液晶を封止した後、顕微鏡等を用いた検査によりＴＦＴ基板１００側からピンホール部１２２の位置が確認されているものとする。
【００３２】
図７に示すように、液晶表示装置のピンホール部１２２にＴＦＴ基板１００側（図中下側）から、レーザ光（図中矢印で示す）を照射する。このとき、例えば発振波長１０６４ｎｍのＹＡＧレーザ装置を用いれば、他のリペア配線とドレインバスライン１１２との間の接続等を当該レーザ装置により行うことができるため、工数を削減することができる。また、これにより従来から用いられている欠陥修復装置を利用して本実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法を実施することができるため、初期費用を削減することができる。
【００３３】
ピンホール部１２２に照射されたレーザ光は、ピンホール部１２２内のドレイン電極形成層１４４を溶融／飛散させる。これにより、図８に示すように、短絡していたゲート電極形成層１４０とドレイン電極形成層１４４とが電気的に分離される。
【００３４】
図９は、本実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法の変形例を示している。図９に示すように、レーザ光は、ピンホール部１２２の幅Ｗ１より広い幅Ｗ２で照射されている。このように、レーザ光は、ガラス基板１２２面に垂直方向に見て、ピンホール部１２２より広い範囲に照射されてもよい。
【００３５】
図１０は、レーザ光の照射エネルギーとゲート電極形成層１４０及びドレイン電極形成層１４４の溶融の程度の関係を示すグラフである。横軸はレーザ光の照射エネルギーを表し、縦軸は溶融の程度を表している。曲線Ａはドレイン電極形成層１４４の溶融の程度を示し、曲線Ｂはゲート電極形成層１４０の溶融の程度を示している。図１０に示すように、照射エネルギーがエネルギーＥ１未満のレーザ光ではドレイン電極形成層１４４が充分に溶融せず、短絡欠陥の修復ができない。また照射エネルギーがエネルギーＥ２より大きいレーザ光ではゲート電極形成層１４０が溶融し、ゲート電極形成層１４０とドレイン電極形成層１４４とが電気的に接続されてしまう。すなわち、照射エネルギーがエネルギーＥ１以上でエネルギーＥ２以下のレーザ光を用いれば、図９に示すようにピンホール部１２２より広い範囲に当該レーザ光を照射しても短絡欠陥を修復できる。ピンホール部１２２の照射範囲が広がるため、短絡欠陥の修復が容易になる。
【００３６】
例えば、本実施の形態による液晶表示装置では、０．５μＪ以上の照射エネルギーのレーザ光（照射スポットの大きさは８μｍ角）を照射すると、ピンホール部１２２内のドレイン電極形成層１４４が充分に溶融する。また、２．２μＪ以上の照射エネルギーのレーザ光を照射すると、ゲート電極形成層１４０が溶融してしまう。したがって、本実施の形態では、Ｅ１＝０．６μＪ、Ｅ２＝２．２μＪとする。
【００３７】
また、レーザ光の照射回数は１回が望ましい。上記の範囲の照射エネルギーで照射されたレーザ光は、照射回数が多くなるにしたがってゲート電極形成層１４０を溶融させ易くなってしまい、図１０に示すグラフでは曲線Ｂが左方に移動してしまう。レーザ光の照射回数を最小限の１回にすることにより、ゲート電極形成層１４０とドレイン電極形成層１４４とが電気的に接続される確率を低減させ、確実に短絡欠陥を修復することができる。
【００３８】
また、ゲート電極形成層１４０は、ドレイン電極形成層１４４の膜厚より厚く形成してもよい。金属層を溶融するために必要なレーザ光の照射エネルギーは金属層の膜厚に依存している。このため、ゲート電極形成層１４０の膜厚が厚くなればゲート電極形成層１４０が溶融する照射エネルギーＥ２が大きくなる。ゲート電極形成層１４０とドレイン電極形成層１４４との膜厚の差が大きくなれば、図１０に示すグラフの曲線Ｂが相対的に右方に移動し、照射エネルギーの許容範囲が広くなる。
【００３９】
図１１は、本実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法の変形例を示し、所定の照射エネルギーのレーザ光をピンホール部１２２に照射した後のＴＦＴ基板１００の断面構成を示している。図１１に示すように、ドレイン電極形成層１４４は、ピンホール部１２２の端部からの距離Ｌ１が絶縁膜１４２の膜厚Ｄ１の１．５倍以上の範囲で除去されている。ドレイン電極形成層１４４がピンホール部１２２より広い範囲で除去されるようにレーザ光を照射することにより、ゲート電極形成層１４０とドレイン電極形成層１４４との間に生じるリーク電流を低減でき、確実に短絡欠陥を修復できる。
【００４０】
なお、本実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法は、ＴＦＴ基板１００の裏面に偏光板１５０が貼り付けられた後でも可能である。このため、液晶表示装置の点灯表示検査により欠陥位置を確認した後の工程でも短絡欠陥を修復できる。
【００４１】
また、本実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法は、ゲート電極形成層１４０及び絶縁膜１４２にピンホール部１２２が形成され、ゲート電極形成層１４０とドレイン電極形成層１４４との間にピンホール部１２２を介して層間短絡が生じていれば、従来の液晶表示装置にも適用できる。
【００４２】
本実施の形態によれば、リペア配線を用いずに、線欠陥として視認される図１２及び図１４に示すゲート電極形成層１４０とドレイン電極形成層１４４との間の層間短絡を修復できる。このため、リペア配線の本数より多いドレインバスライン１１２に生じた層間短絡を新たな点欠陥を生じさせることなく容易に修復できる。また、本実施の形態によれば、点欠陥として視認される図１３、図１５及び図１６に示す層間短絡を容易に修復できる。このため、液晶表示装置の欠陥修復工程の工数が削減でき、製造歩留まりの高い液晶表示装置が実現できる。
【００４３】
本発明は、上記実施の形態に限らず種々の変形が可能である。
例えば、上記実施の形態では、ボトムゲート型の液晶表示装置用基板を例に挙げたが、本発明はこれに限らず、トップゲート型の液晶表示装置用基板にも適用できる。
【００４４】
以上説明した実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその欠陥修復方法は、以下のようにまとめられる。
（付記１）
透明基板上に形成された第１の導電層と、前記第１の導電層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された第２の導電層とを有する第１の基板と、前記第１の基板に対向配置された第２の基板と、前記第１及び第２の基板間に封止された液晶とを備えた液晶表示装置の欠陥を修復する欠陥修復方法において、
前記絶縁膜と前記第１の導電層とを貫通するピンホール部を介して前記第１及び第２の導電層の間に生じた層間短絡を、前記第１の基板側からレーザ光を照射して前記ピンホール部内の前記第２の導電層を除去することにより修復すること
を特徴とする液晶表示装置の欠陥修復方法。
【００４５】
（付記２）
付記１記載の液晶表示装置の欠陥修復方法において、
前記レーザ光は、前記第１の導電層が溶融せず、前記第２の導電層が溶融する照射エネルギーで照射されること
を特徴とする液晶表示装置の欠陥修復方法。
【００４６】
（付記３）
付記１又は２に記載の液晶表示装置の欠陥修復方法において、
前記レーザ光は、１回のみ照射されること
を特徴とする液晶表示装置の欠陥修復方法。
【００４７】
（付記４）
付記１乃至３のいずれか１項に記載の液晶表示装置の欠陥修復方法において、
前記レーザ光は、基板面に垂直方向に見て、前記ピンホール部より広い範囲に照射されること
を特徴とする液晶表示装置の欠陥修復方法。
【００４８】
（付記５）
付記１乃至４のいずれか１項に記載の液晶表示装置の欠陥修復方法において、
前記レーザ光は、前記ピンホール部の端部からの距離が前記絶縁膜の膜厚の１．５倍以上の範囲の前記第２の導電層を除去するように照射されること
を特徴とする液晶表示装置の欠陥修復方法。
【００４９】
（付記６）
付記１乃至５のいずれか１項に記載の液晶表示装置の欠陥修復方法において、
前記第１の基板の裏面には、偏光板が貼り付けられていること
を特徴とする液晶表示装置の欠陥修復方法。
【００５０】
（付記７）
透明な基板と、
上層にピンホール部の形成された領域が除去され易くなるように、アルミニウム若しくはアルミニウムを主成分とする合金による単層膜、又はアルミニウム若しくはアルミニウムを主成分とする合金と高融点金属との積層膜により前記基板上に形成された第１の導電層と、
前記第１の導電層上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された第２の導電層と
を有することを特徴とする液晶表示装置用基板。
【００５１】
（付記８）
付記７記載の液晶表示装置用基板において、
前記第１の導電層は、前記第２の導電層より厚い膜厚を有していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【００５２】
（付記９）
付記１乃至６のいずれか１項に記載の液晶表示装置の欠陥修復方法において、
前記第１の基板に、付記７又は８に記載の液晶表示装置用基板を用いること
を特徴とする液晶表示装置の欠陥修復方法。
【００５３】
（付記１０）
対向配置された２枚の基板と、前記基板間に封止された液晶とを有する液晶表示装置であって、
前記基板の一方に、付記７又は８に記載の液晶表示装置用基板が用いられていること
を特徴とする液晶表示装置。
【００５４】
【発明の効果】
以上の通り、本発明によれば、短絡欠陥を容易に修復でき、製造歩留まりを向上できる液晶表示装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態による液晶表示装置の構成を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施の形態による液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。
【図３】本発明の一実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法を説明する断面図である。
【図４】本発明の一実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法を説明する断面図である。
【図５】本発明の一実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法を説明する断面図である。
【図６】本発明の一実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法を説明する断面図である。
【図７】本発明の一実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法を示す断面図である。
【図８】本発明の一実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法を示す断面図である。
【図９】本発明の一実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法の変形例を示す断面図である。
【図１０】レーザ光の照射エネルギーとゲート電極形成層及びドレイン電極形成層の溶融の程度の関係を示すグラフである。
【図１１】本発明の一実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法の他の変形例を示す断面図である。
【図１２】従来の液晶表示装置の構成を示す図である。
【図１３】従来の液晶表示装置の構成を示す図である。
【図１４】従来の液晶表示装置の構成を示す図である。
【図１５】従来の液晶表示装置の構成を示す図である。
【図１６】従来の液晶表示装置の構成を示す図である。
【図１７】液晶表示装置の駆動波形を示す図である。
【符号の説明】
１００  ＴＦＴ基板
１０１  対向基板
１０２  ガラス基板
１１０  ゲートバスライン
１１２  ドレインバスライン
１１４  ＴＦＴ
１１６  画素電極
１１８  ドレイン電極
１２０  ソース電極
１２２、１２２’  ピンホール部
１２４  蓄積容量バスライン
１２６、１２７  蓄積容量電極
１３０  シール材
１３２  液晶
１４０  ゲート電極形成層
１４２  絶縁膜
１４４  ドレイン電極形成層
１６０  偏光板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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