(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記（Ａ）成分および（Ｂ）成分を下記（Ａ）成分１００重量部に対して０．１〜１５重量部の範囲内で含有するシラン系光硬化性組成物をパターン露光後に現像した、電気絶縁性基材としてなる回路基板。
（Ａ）一般式（１）で示される加水分解性シラン化合物、その加水分解物、およびその縮合物からなる群から選択される少なくとも一つの化合物
（Ｒ１）ＰＳｉ（Ｘ）４−Ｐ      （１）
［一般式（１）中、Ｒ１は炭素数が１〜１２である非加水分解性の有機基、Ｘは加水分解性基、およびｐは０〜３の整数である。］
（Ｂ）光酸発生剤
【請求項２】
前記（Ａ）成分における非加水分解性の有機基Ｒ１が、オキセタン基を含むことを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記光硬化性組成物中に、（Ｄ）成分として、（Ａ）成分以外の加水分解性シリル基含有ビニル系重合体を含有させてなる請求項１又は２に記載の回路基板。
【請求項４】
前記光硬化性組成物中に、（Ｅ）成分として、無機粒子を含有させてなる請求項１〜３のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項５】
前記光硬化性組成物中に、（Ｆ）成分として、反応性希釈剤を含有させてなる請求項１〜４のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項６】
前記回路基板が多層基板であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項７】
下記（Ａ）成分および（Ｂ）成分を下記（Ａ）成分１００重量部に対して０．１〜１５重量部の範囲内で含有するシラン系光硬化性組成物を成型する第１の工程と、前記シラン系光硬化性組成物をパターン露光後に現像し、電気絶縁性基材を形成する第２の工程とを含むことを特徴とする回路基板の製造方法。
（Ａ）一般式（１）で示される加水分解性シラン化合物、その加水分解物、およびその縮合物からなる群から選択される少なくとも一つの化合物
（Ｒ１）ＰＳｉ（Ｘ）４−Ｐ      （１）
［一般式（１）中、Ｒ１は炭素数が１〜１２である非加水分解性の有機基、Ｘは加水分解性基、およびｐは０〜３の整数である。］
（Ｂ）光酸発生剤。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、シラン系光硬化性組成物から得られる回路基板およびシラン系光硬化性組成物を用いた回路基板の製造方法に関する。より詳細には、酸素存在下においても光硬化可能で、かつパターン露光可能なシラン系光硬化性組成物を電気絶縁性基材に用いた回路基板およびこのようなシラン系光硬化性組成物を用いた回路基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、回路基板の形成材料として、耐熱性や寸法安定性に優れていることから、特開平７−１７６８６４号公報や特開平１０−２０９３３４号公報に開示されたようにセラミック系材料が多用されている。しかしながら、セラミック系材料は高価であり、また、微細形状の加工やエッチング（ドライエッチング）が容易でなく、回路基板、特に多層基板への応用が困難であるという問題が見られた。
そこで、例えば、熱硬化型ポリシロキサン組成物が知られており、特開昭６１−２４７７４５３号公報、特開平６−２５５９９号公報、特開平７−３３１１１５号公報および特開平１０−２３２３０１号公報等に開示されている。
しかしながら、従来の熱硬化型ポリシロキサン組成物はパターニングすることが不可能であり、微細形状への加工やエッチングが容易でなかった。また、かかる熱硬化型ポリシロキサン組成物は、一般的に主剤と硬化剤との二液性であり、取り扱いが煩雑であるという問題点も有していた。
【０００３】
また、紫外線等の光を利用して硬化させる光硬化性樹脂組成物も知られており、特開平１−１９７５７０号公報や特開平５−２７３７５３号公報等に開示されている。これらの光硬化性樹脂組成物は、パターン露光することにより、ビアホールを設けたり、所定形状に加工することが可能であるという特徴がある。
しかしながら、特開平１−１９７５７０号公報に開示された光硬化性性樹脂組成物の主成分はフッ素含有ビニル系樹脂であり、光硬化に際してラジカル重合を利用しているため、大気中の酸素による活性ラジカルの失活が顕著に生じやすく、また、厚膜化が困難であるため、回路基板へ応用することが事実上不可能であるという問題が見られた。また、特開平１−１９７５７０号公報に開示された光硬化性樹脂組成物についても、水溶性フェノール系樹脂を用いているため解像度に乏しく、さらには不純物が多くて電気特性に劣るという問題が見られた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の発明者らは上述した問題点を鋭意検討した結果、回路基板における電気絶縁性基材の材料として、加水分解性シラン化合物と、光酸発生剤とを組み合わせたシラン系光硬化性組成物を使用することにより、上述した問題を解決できることを見出した。
すなわち、耐熱性や寸法安定性に優れたシラン系化合物を用いるとともに、光酸発生剤を用いた光硬化反応を利用することにより、形成するのが容易であり、しかも微細形状の加工やエッチングが容易である電気絶縁性基材を含む回路基板を提供することを目的とする。
また、シラン系光硬化性組成物に脱水剤を添加することにより、組成物中に含まれる水分、加水分解性シラン化合物の自己縮合により生成する水分、あるいは塗工時に外気から侵入してくる水分等を有効に除去することができ、保存安定性に優れるとともに素早く光硬化反応を生じさせることができるシラン系光硬化性組成物からなる電気絶縁性基材を含む回路基板が得られることを見出した。よって、本発明は、保存安定性に優れたシラン系光硬化性組成物を用いて得られる、優れた電気特性を有する回路基板を提供することを目的とする。
【０００５】
さらに、酸素存在下においても光硬化可能であり、かつパターン露光可能なシラン系光硬化性組成物を使用することにより、微細形状の加工やエッチングが容易である電気絶縁性基材を含む回路基板を精度良く、しかも短時間で形成することが可能な回路基板の製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、下記（Ａ）成分および（Ｂ）成分を下記（Ａ）成分１００重量部に対して０．１〜１５重量部の範囲内で含有するシラン系光硬化性組成物をパターン露光後に現像した、電気絶縁性基材としてなる回路基板に関する。
（Ａ）一般式（１）で示される加水分解性シラン化合物、その加水分解物、およびその縮合物からなる群から選択される少なくとも一つの化合物
（Ｒ１）ＰＳｉ（Ｘ）４−Ｐ      （１）
［一般式（１）中、Ｒ１は炭素数が１〜１２である非加水分解性の有機基、Ｘは加水分解性基、およびｐは０〜３の整数である。］
（Ｂ）光酸発生剤
このようなシラン系光硬化性組成物からなる電気絶縁性基材を含んで回路基板を形成することにより、空気中においても酸素の影響を受けることなく光硬化することができ、しかも回路基板において、優れた耐熱性や電気特性を得ることができる。
【０００８】
また、本発明の回路基板を構成するにあたり、光硬化性組成物中の（Ａ）成分における非加水分解性の有機基Ｒ1 が、オキセタン基を含むことが好ましい。
このようにオキセタン基を含むことにより、（Ａ）成分の光硬化性を著しく高めることができる。よって、露光量が少ない場合でも、優れたパターニング性を有する回路基板を得ることができる。
【０００９】
また、本発明の回路基板を構成するにあたり、光硬化性組成物中に、（Ｄ）成分として、（Ａ）成分以外の加水分解性シリル基含有ビニル系重合体を含有することが好ましい。
このように（Ａ）成分以外の加水分解性シリル基含有ビニル系重合体を含むことにより、硬化時の収縮を低減することができ、クラック発生を有効に防止することができる。
【００１０】
また、本発明の回路基板を構成するにあたり、光硬化性組成物中に、（Ｅ）成分として、無機粒子を含有することが好ましい。
このように無機粒子を含むことにより、回路基板の耐熱性や電気特性を向上させることができる。
【００１１】
また、本発明の回路基板を構成するにあたり、光硬化性組成物中に、（Ｆ）成分として、反応性希釈剤を含有することが好ましい。
このように反応性希釈剤を含むことにより、回路基板の硬化収縮を低減させたり、あるいは回路基板の機械的強度を調節することができる。したがって、回路基板の靭性や耐クラック性を向上させることができる。
【００１２】
また、本発明の回路基板を構成するにあたり、多層基板であることが好ましい。多層基板の場合、形成材料に対して、微細形状の加工性やエッチング特性が特に要求されるため、シラン系光硬化性組成物の特徴を有効に発揮することができる。
【００１３】
また、本発明の別の態様は回路基板の製造方法であり、下記（Ａ）成分および（Ｂ）成分を下記（Ａ）成分１００重量部に対して０．１〜１５重量部の範囲内で含有するシラン系光硬化性組成物を成型する第１の工程と、シラン系光硬化性組成物をパターン露光後に現像し、電気絶縁性基材を形成する第２の工程とを含むことを特徴とする。
（Ａ）一般式（１）で示される加水分解性シラン化合物、その加水分解物、およびその縮合物からなる群から選択される少なくとも一つの化合物
（Ｒ１）ＰＳｉ（Ｘ）４−Ｐ      （１）
［一般式（１）中、Ｒ１は炭素数が１〜１２である非加水分解性の有機基、Ｘは加水分解性基、およびｐは０〜３の整数である。］
（Ｂ）光酸発生剤。
このように第１および第２工程を含んで回路基板を製造することにより、優れた耐熱性や電気特性を有する回路基板を空気中において、効率的に得ることができる。
【００１４】
また、本発明の回路基板の製造方法を実施するにあたり、第２の工程において、シラン系光硬化性組成物をパターン露光する。このようにパターン露光することにより、露光して硬化させた光硬化性組成物部分と、露光せず未硬化のシラン系光硬化性組成物部分を精度良く形成することができる。したがって、未硬化のシラン系光硬化性組成物部分は現像液に可溶性であるため、現像液を用いて容易に現像（除去）することができ、結果として寸法精度に優れた空間や隙間等を形成することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明の回路基板や回路基板の製造方法についての実施形態を具体的に説明する。
【００１６】
［第１の実施形態］
本発明の第１の実施形態は、加水分解性シラン化合物の加水分解物（Ａ成分）と、光酸発生剤（Ｂ成分）と、脱水剤（Ｃ成分）と、界面活性剤とを含有する光硬化性組成物を光硬化してなる電気絶縁性基材を含む回路基板である。
【００１７】
（１）加水分解性シラン化合物における加水分解物
▲１▼構造
第１の実施形態で使用する加水分解物は、一般式（１）で示される加水分解性シラン化合物を加水分解した化合物である。
（Ｒ1）PＳｉ（Ｘ）4-P    （１）
［一般式（１）中、Ｒ1 は炭素数が１〜１２である非加水分解性の有機基、Ｘは加水分解性基、およびｐは０〜３の整数である。］
【００１８】
ここで、Ｘで表される加水分解性基は、通常、無触媒、過剰の水の共存下、室温（２５℃）〜１００℃の温度範囲内で加熱することにより、加水分解されてシラノール基を生成することができる基、もしくはシロキサン縮合物を形成することができる基を指す。また、一般式（１）中の添え字ｐは０〜３の整数であるが、より好ましくは０〜２の整数であり、特に好ましくは１である。
ただし、一般式（１）で示される加水分解性シラン化合物の加水分解物において、一部未加水分解の加水分解性基が残っていても良く、その場合、加水分解性シラン化合物と加水分解物との混合物となる。
【００１９】
また、加水分解性シラン化合物の加水分解物というときは、加水分解反応によりアルコキシ基がシラノール基に変わった化合物ばかりでなく、一部のシラノール基同士が縮合した部分縮合物をも意味している。
さらに、加水分解性シラン化合物は、光硬化性組成物を配合する時点で加水分解されている必要は必ずしもなく、光照射する段階で、少なくとも一部の加水分解性基が加水分解されていれば良い。すなわち、第１の実施形態に使用する光硬化性組成物において、加水分解性シラン化合物を予め加水分解せずに使用した場合には、事前に水を添加して、加水分解性基を加水分解させ、シラノール基を生成することにより、光硬化性組成物を光硬化させて回路基板を形成することができる。
【００２０】
▲２▼有機基Ｒ1
一般式（１）における有機基Ｒ1 は非加水分解性である１価の有機基の中から選ぶことができる。
このような非加水分解性の有機基として、非重合性の有機基および重合性の有機基あるいはいずれか一方の有機基を選ぶことができる。なお、有機基Ｒ1 における非加水分解性とは、加水分解性基Ｘが加水分解される条件において、そのまま安定に存在する性質であることを意味する。
【００２１】
ここで、非重合性の有機基Ｒ1 としては、アルキル基、アリ−ル基、アラルキル基等が挙げられる。これらは、直鎖状、分岐状、環状あるいはこれらの組合わせであっても良い。また、非重合性の有機基Ｒ1 は、ヘテロ原子を含む構造単位とすることも好ましい。そのような構造単位としては、エーテル、エステル、スルフィド等を例示することができる。ただし、ヘテロ原子を含む場合、光硬化性を阻害することがないことから非塩基性であることが好ましい。
【００２２】
また、重合性の有機基Ｒ1 としては、分子中にラジカル重合性の官能基およびカチオン重合性の官能基あるいはいずれか一方の官能基を有する有機基であることが好ましい。このような官能基を有機基Ｒ1 中に導入することにより、ラジカル重合やカチオン重合を併用して、光硬化性組成物をより速く硬化させることができる。特に、カチオン重合性の官能基、例えば、オキセタン基やエポキシ基を有機基Ｒ1 に導入すると、光酸発生剤によって硬化反応を同時に生じさせることができることから、光硬化性組成物をより速く硬化させることができる。
【００２３】
▲３▼加水分解性基Ｘ
次に、一般式（１）における加水分解性基Ｘは、水素原子、炭素数１〜１２のアルコキシ基、ハロゲン原子、アミノ基およびカルボキシル基等が挙げられる。具体的に好ましい炭素数１〜１２のアルコキシ基を挙げると、メトキシ基やエトキシ基が挙げられ、好ましいハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素やヨウ素が挙げられ、好ましいアミノ基としてはアミノ基やジメチルアミノ基が挙げられ、好ましいカルボキシル基としては、アセトキシ基やプチロイルオキシ基が挙げられる。
【００２４】
▲４▼加水分解性シラン化合物の具体例
次に、一般式（１）で表される加水分解性シラン化合物（単に、シラン化合物と称する場合がある。）の具体例を説明する。
まず、非重合性の有機基Ｒ1 を有するシラン化合物としては、テトラクロロシラン、テトラアミノシラン、テトラアセトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラブトキシシラン、テトラフェノキシシラン、テトラベンジロキシシラン、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン等の４個の加水分解性基で置換されたシラン化合物が挙げられる。
【００２５】
また、同様に、メチルトリクロロシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリブトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリイソプロポキシシラン、エチルトリブトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、ペンタフルオロフェニルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、ｄ3 −メチルトリメトキシシラン、ノナフルオロブチルエチルトリメトキシシラン、トリフルオロメチルトリメトキシシラン等の３個の加水分解性基で置換されたシラン化合物が挙げられる。
【００２６】
また、同様に、ジメチルジクロロシラン、ジメチルジアミノシラン、ジメチルジアセトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジブチルジメトキシシラン等の２個の加水分解性基で置換されたシラン化合物、及びトリメチルクロロシラン、ヘキサメチルジシラザン、トリメチルシラン、トリブチルシラン、トリメチルメトキシシラン、トリブチルエトキシシラン等の１個の加水分解性基で置換されたシラン化合物を挙げることができる。
【００２７】
また、重合性の有機基Ｒ1 を有するシラン化合物としては、Ｘにおける非加水分解性の有機基に重合性の有機基Ｒ1 を含むシラン化合物、Ｘにおける加水分解性の有機基に重合性の有機基Ｒ1 を有するシラン化合物のいずれかを用いることができる。
【００２８】
具体的に、Ｘにおける非加水分解の有機基に重合性の有機基Ｒ1 を含むシラン化合物としては（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、グリシジロキシトリメトキシシラン、３−（３−メチル−３−オキセタンメトキシ）プロピルトリメトキシシラン、オキサシクロヘキシルトリメトキシシラン等を挙げることができる。
【００２９】
また、Ｘにおける加水分解性の有機基に重合性の有機基Ｒ1 を含むシラン化合物の例としては、テトラ（メタ）アクリロキシシラン、テトラキス［２−（メタ）アクリロキシエトキシ］シラン、テトラグリシジロキシシラン、テトラキス（２−ビニロキシエトキシ）シラン、テトラキス（２−ビニロキシブトキシ）シラン、テトラキス（３−メチル−３−オキセタンメトキシ）シラン、メチルトリ（メタ）アクリロキシシラン、メチル［２−（メタ）アクリロキシエトキシ］シラン、メチル−トリグリシジロキシシラン、メチルトリス（３−メチル−３−オキセタンメトキシ）シランを挙げることができる。これらは、１種単独または２種以上を組み合わせて使用することができる。
【００３０】
▲５▼加水分解性シラン化合物の加水分解物
次に、加水分解性シラン化合物の加水分解物における分子量について説明する。かかる分子量は、移動相にテトラヒドロフランを使用したゲルパーミエーションクロマトグラフィー（以下、ＧＰＣと略記する。）を用い、ポリスチレン換算の重量平均分子量として測定することができる。
【００３１】
そして、加水分解物の重量平均分子量を、通常５００〜１００００の範囲内の値とするのが好ましい。加水分解物における重量平均分子量の値が５００未満の場合、塗膜の成膜性が低下する傾向があり、一方、１００００を越えると光硬化性が低下する傾向がある。したがって、より好ましくは加水分解物における重量平均分子量を、１０００〜５０００の範囲内の値とすることである。
【００３２】
（２）光酸発生剤
▲１▼定義
光硬化性組成物に添加する光酸発生剤（Ｂ成分）は、光等のエネルギー線を照射することにより、（Ａ）成分である加水分解性シラン化合物を光硬化（架橋）可能な酸性活性物質を放出することができる化合物と定義される。
なお、光酸発生剤を分解させて、カチオンを発生するするために照射する光エネルギー線としては、可視光、紫外線、赤外線、Ｘ線、α線、β線、γ線等を挙げることができる。ただし、一定のエネルギーレベルを有し、硬化速度が大（速く）であり、しかも照射装置が比較的安価で、小型な観点から、紫外線を使用することが好ましい。
【００３３】
また、第１の実施形態の回路基板を形成するにおいて、光硬化性組成物に、光酸発生剤とともに後述するラジカル発生剤を併用することも好ましい。中性の活性物質であるラジカルは、シラノール基の縮合反応を促進することはないが、（Ａ）成分中にラジカル重合性の官能基を有する場合に、かかる官能基の重合を推進させることができる。したがって、光硬化性組成物をより効率的に硬化させることができる。
【００３４】
▲２▼光酸発生剤の種類
次に、第１の実施形態に使用する光酸発生剤の種類を説明する。かかる光酸発生剤としては、一般式（２）で表される構造を有するオニウム塩（第１群の化合物）や一般式（３）で表される構造を有するスルフォン酸誘導体（第２群の化合物）を挙げることができる。
【００３５】
[Ｒ2aＲ3bＲ4cＲ5dＷ]+m [ＭＺm+n] -m    （２）
［一般式（２）中、カチオンはオニウムイオンであり、ＷはＳ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｏ，Ｉ、Ｂｒ、Ｃｌまたは−Ｎ≡Ｎであり、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 およびＲ5 は同一または異なる有機基であり、ａ、ｂ、ｃおよびｄはそれぞれ０〜３の整数であって、（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）はＷの価数に等しい。また、Ｍはハロゲン化物錯体[ＭＸm+n] の中心原子を構成する金属またはメタロイドであり、例えばＢ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ａｌ、Ｃａ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏである。Ｚは、例えばＦ、Ｃｌ、Ｂｒ等のハロゲン原子またはアリール基であり、ｍはハロゲン化物錯体イオンの正味の電荷であり、ｎはＭの原子価である。］
【００３６】
Ｑs−〔Ｓ（＝Ｏ）2−Ｒ6〕t    （３）
［一般式（３）中、Ｑは１価もしくは２価の有機基、Ｒ6 は炭素数１〜１２の１価の有機基、添え字ｓは０又は１、添え字ｔは１又は２である。］
【００３７】
まず、第１群の化合物であるオニウム塩は、光を受けることにより酸性活性物質を放出することができる化合物である。このような第１群の化合物のうち、より有効なオニウム塩は芳香族オニウム塩であり、特に好ましくは下記一般式（４）で表されるジアリールヨードニウム塩である。
［Ｒ7−Ａｒ1−Ｉ+−Ａｒ2−Ｒ8］［Ｙ-］        （４）
［一般式（４）中、Ｒ7 およびＲ8 は、それぞれ１価の有機基であり、同一でも異なっていてもよく、Ｒ7 およびＲ8 の少なくとも一方は炭素数が４以上のアルキル基を有しており、Ａｒ1 およびＡｒ2 はそれぞれ芳香族基であり、同一でも異なっていてもよく、Ｙ- は１価の陰イオンであり、周期律表３族、５族のフッ化物陰イオンもしくは、ＣｌＯ4-、ＣＦ3 −ＳＯ3-から選ばれる陰イオンである。］
【００３８】
また、第２群の化合物としての一般式（３）で表されるスルフォン酸誘導体の例を示すと、ジスルホン類、ジスルホニルジアゾメタン類、ジスルホニルメタン類、スルホニルベンゾイルメタン類、イミドスルホネート類、ベンゾインスルホネート類、１−オキシ−２−ヒドロキシ−３−プロピルアルコールのスルホネート類、ピロガロールトリスルホネート類、ベンジルスルホネート類を挙げることができる。
また、一般式（３）で表されるスルフォン酸誘導体のうち、より好ましくはイミドスルホネート類であり、さらに好ましくはイミドスルホネートのうち、トリフルオロメチルスルホネート誘導体である。
【００３９】
▲３▼光酸発生剤の添加量
次に、光硬化性組成物に使用される光酸発生剤の添加量（含有割合）について説明する。かかる光酸発生剤の添加量は特に制限されるものではないが、（Ａ）成分１００重量部に対して、通常０．１〜１５重量部の範囲内の値とするのが好ましい。光酸発生剤の添加量が０．１重量部未満となると、光硬化性が低下し、十分な硬化速度が得られない傾向がある。一方、光酸発生剤の添加量が１５重量部を超えると、得られる硬化物の耐候性や耐熱性が低下する傾向がある。
したがって、光硬化性と得られる硬化物の耐候性等とのバランスがより良好な観点から、光酸発生剤の添加量を、（Ａ）成分１００重量部に対して１〜１０重量部の範囲内の値とすることがより好ましい。
【００４０】
（３）脱水剤
▲１▼定義
光硬化性組成物に使用される脱水剤は、化学反応により水以外の物質に変換する化合物、物理吸着または包接により、光硬化性および保存安定性に影響を与えなくする化合物と定義される。
すなわち、このような脱水剤を含有することにより、光硬化性組成物の耐候性や耐熱性を損なうことなく、保存安定性や光硬化性という相反する特性を向上させることができる。この理由として、外部から侵入してくる水を、脱水剤が有効に吸収するために光硬化性組成物の保存安定性が向上し、一方、光硬化反応である縮合反応においては、生成した水を順次に脱水剤が有効に吸収するために光硬化性組成物の光硬化性が向上するものと考えられる。
【００４１】
▲２▼脱水剤の種類
次に、光硬化性組成物に使用される脱水剤の種類を説明する。かかる脱水剤の種類は特に制限されるものでないが、有機化合物として、カルボン酸エステル、アセタール類（ケタール類を含む。）、およびカルボン酸無水物からなる群から選択される少なくとも一つの化合物であることが好ましい。また、無機化合物として、脱水機能を有するセラミック粉体の使用も好ましい。これらの脱水剤は、優れた脱水効果を示し、少量の添加で脱水剤の機能を効率的に発揮することができる。
【００４２】
また、脱水剤としてのカルボン酸エステルは、カルボン酸オルトエステルやカルボン酸シリルエステル等の中から選ばれる。
ここで、好ましいカルボン酸オルトエステルとしては、オルト蟻酸メチル、オルト蟻酸エチル、オルト蟻酸プロピル、オルト蟻酸ブチル、オルト酢酸メチル、オルト酢酸エチル、オルト酢酸プロピル、オルト酢酸ブチル、オルトプロピオン酸メチルおよびオルトプロピオン酸エチル等が挙げられる。また、これらのカルボン酸オルトエステルのうち、より優れた脱水効果を示し、保存安定性や光硬化性をより向上させることができる観点から、オルト蟻酸エステルが、本発明における脱水剤として特に好ましい。
また、好ましいカルボン酸シリルエステルとしては、酢酸トリメチルシリル、酢酸トリブチルシリル、蟻酸トリメチルシリル、シュウ酸トリメチルシリル等が挙げられる。
【００４３】
また、好ましいアセタール類としては、例えば、アセトンジメチルアセタール、アセトンジエチルアセタール、メチルエチルケトンジメチルアセタール、メチルエチルケトンジメチルアセタール、シクロヘキサノンジメチルアセタールおよびシクロヘキサノンジエチルアセタールを挙げることができる。これらのアセタール類は特に優れた脱水効果を示し、光硬化性組成物の保存安定性や光硬化性をより向上させることができる。
【００４４】
また、好ましいカルボン酸無水物としては、例えば、蟻酸無水物、無水酢酸、無水コハク酸、無水マレイン酸、無水フタル酸、安息香酸無水物、酢酸安息香酸無水物等が挙げられる。特に、無水酢酸および無水コハク酸は、脱水効果に特に優れており好ましい。
【００４５】
また、好ましい脱水機能を有するセラミック粉体としては、シリカゲル粒子、アルミナ粒子、シリカアルミナ粒子、活性白土、ゼオライト、タルク等が挙げられる。これらのセラミック粉体は、水に対して、強い親和力を有しており、優れた脱水効果を発揮することができる。なお、アルミナ粒子およびシリカアルミナ粒子等は、脱水機能を発揮するばかりでなく、得られた回路基板の電気特性や機械的特性を向上させるにも役立つ。
【００４６】
▲３▼脱水剤の添加量
次に、光硬化性組成物に使用される脱水剤の添加量について説明する。脱水剤の添加量は特に制限されるものではないが、（Ａ）成分１００重量部に対して、通常、０．１〜１００重量部の範囲内の値とするのが好ましい。脱水剤の添加量が０．１重量部未満となると、添加効果の発現に乏しい傾向があり、また、保存安定性や光硬化性の向上効果が低い傾向がある。一方、脱水剤の添加量が１００重量部を越えると、保存安定性や光硬化性の向上効果が飽和する傾向がある。
したがって、より好ましくは、脱水剤の添加量を（Ａ）成分１００重量部に対して、０．５〜５０重量部の範囲内の値であり、さらに好ましくは、１〜１０重量部の範囲内の値である。
【００４７】
（５）添加剤
光硬化性組成物には、本発明の目的や効果を損なわない範囲において、上述した成分以外に、ラジカル性光重合開始剤、光増感剤、有機溶剤、重合禁止剤、重合開始助剤、レベリング剤、濡れ性改良剤、界面活性剤、可塑剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤、帯電防止剤、シランカップリング剤、無機充填剤、顔料、染料等の添加剤をさらに含有させることも好ましい。
【００４８】
特に、界面活性剤を添加することにより、光硬化性組成物を塗布した場合のいわゆるストライエーション（筋むら）を防止することができ、均一な厚さの回路基板とすることができる。
ここで、好ましい界面活性剤の種類として、フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤、リン系界面活性剤等が挙げられ、より具体的な界面活性剤の種類としては、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールジラウレート等の一種単独または二種以上の組み合わせを挙げることができる。なお、これらの界面活性剤は、例えば、エフトップＥＦ３０１，ＥＦ３０３，ＥＦ３５２（以上、トーケムプロダクツ社製）、メガファックＦ１７１，Ｆ１７２，Ｆ１７３（以上、大日本インキ化学工業（株）製）、フロラードＦＣ４３０，ＦＣ４３１（以上、住友スリーエム（株）製）、アサヒガードＡＧ７１０，サーフロンＳ−３８２，ＳＣ−１０１，ＳＣ−１０２，ＳＣ−１０３，ＳＣ−１０４，ＳＣ−１０５，ＳＣ−１０６（以上、旭硝子（株）製）、ＫＰ３４１（信越化学工業（株）製）、ポリフローＮｏ．７５，Ｎｏ．９５（以上、共栄社化学（株）製）等の市販品を好適に使用することができる。
【００４９】
また、界面活性剤の添加量についても、特に制限されるものではないが、例えば、（Ａ）成分１００重量部に対して、通常、０．０１〜１０重量部の範囲内の値とするのが好ましい。界面活性剤の添加量が０．０１重量部未満となると、添加効果の発現に乏しい傾向があり、一方、界面活性剤の添加量が１０重量部を越えると、保存安定性が低下する場合がある。したがって、より好ましくは、界面活性剤の添加量を（Ａ）成分１００重量部に対して、０．０５〜５重量部の範囲内の値とすることであり、さらに好ましくは、０．１〜１重量部の範囲内の値とすることである。
【００５０】
（６）回路基板
▲１▼回路基板の構成
回路基板の構成は、特に制限されるものではないが、例えば、図１（ｃ）に示す単層型や、図２（ｅ）に示す回路両面型や、あるいは、図３（ｄ）に示す多層型が挙げられる。
【００５１】
まず、図１（ｃ）に示す単層型の回路基板１８は、導体（基材）１２の上に、光硬化性組成物の光硬化物からなる電気絶縁性基材（電気絶縁性層と称する場合もある。）１６が形成されている。したがって、このような構成の回路基板１８であれば、光硬化により容易に製造することができる。なお、図１（ｃ）に示す単層型の回路基板１８の変形例として、導体（基材）１２を挟むように、電気絶縁性基材（第１の電気絶縁性層）１６の反対面に第２の電気絶縁層を形成しても良い（図示せず。）。このように構成すると、導体１２が露出されずに、機械的かつ化学的（酸素、水分等に起因した腐食）に保護されるという特徴がある。また、第２の電気絶縁層は、熱硬化性樹脂、例えばエポキシ樹脂を用いて形成しても良いし、あるいは、第１の電気絶縁層１６と同様に、光硬化性組成物の光硬化物を用いて形成しても良い。
【００５２】
また、図２（ｅ）に示す回路両面型の回路基板は３６、導体（基材）１２の上に、光硬化性組成物からなる電気絶縁性基材３２が形成されており、さらにこの電気絶縁性基材３２のビアホール用空間３３に、導電性材料を充填またはメッキして形成したビアホール３５が形成されている。したがって、このビアホール３５を介して、下面の導体１２と、上面に位置する上側導体３４との間で、電気的導通を得ることができる。具体的に、図２（ｅ）に示す記号Ａで示される点と、同じく記号Ｂで示される点とに、抵抗測定器のプローブを接触させることにより、その間の抵抗値を測定することができる。
【００５３】
さらに、図３（ｄ）に示す多層型の回路基板５０は、図２（ｅ）に示す回路両面型の回路基板（第１の回路基板）３６上に、さらに、光硬化性組成物からなる電気絶縁性基材３２と、この電気絶縁性基材３２の内部に導電性材料を充填またはメッキして形成されたビアホール４６と、表面導体４７とからなる基板４８（第２の基板）が形成されている。したがって、ビアホール３５およびビアホール４６を介して、下面の導体１２と、表面導体４７との間で、電気的導通を取ることができる。具体的に、図３（ｄ）に示す記号Ａで示される点と、同じく記号Ｃで示される点とに、抵抗測定器のプローブを接触させることにより、その間の抵抗値を測定することができる。
【００５４】
▲２▼回路基板の形成方法
光硬化性組成物から電気絶縁性基材を形成する場合、第１の工程として、光硬化性組成物を、将来パターン化されて導体となる導電層（銅箔、アルミニウム箔、シリコンウエファ等）を含む基材や離型材にコーテイングして、一定形状に成型することが好ましい。ここで、基材の材質としては、アルミナ、窒化アルミナ、ガラス繊維強化エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。また、コーテイング方法としては、ディッピング法、スプレー法、バーコート法、ロールコート法、スピンコート法、カーテンコート法、グラビア印刷法、シルクスクリーン法、またはインクジェット法等を用いることができる。なお、光硬化性組成物をコーテイング後に、加圧したり、切断したりして、所定形状に加工することも好ましい。
【００５５】
また、光硬化性組成物を離型材にコーテイングした場合、第１の工程において光硬化性組成物を成型した直後、すなわち、第２の工程における光硬化前に導電層を含む基材を積層するのが好ましい。このように基材を積層すると、接着剤等を用いることなく、光硬化性組成物の光硬化物である電気絶縁性基材と、基材あるいは基材上の導電層との間の密着力を著しく高めることができる。
【００５６】
また、回路基板を形成するにあたり、第２の工程として、光硬化性組成物を成型した後に光硬化して電気絶縁性基材を形成する必要がある。その場合、光硬化の手段は特に制限されるものではないが、例えば、高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、エキシマーランプ等の光源を用いて、波長２００〜５００ｎｍの光を、露光量が５０〜５０００ｍＪ／ｃｍ2 の範囲内の値となるように照射することが好ましい。また、レーザ光、レンズ、ミラー等を用いて得られた収束光等を走査させながら光硬化性組成物に光照射することも好ましい。
【００５７】
▲３▼厚さ
回路基板の光硬化性組成物からなる電気絶縁性基材（光硬化物）の厚さ、例えば、図１（ｃ）に示す電気絶縁性基材１６の厚さについては特に制限されるものではないが、具体的に、１〜２００μｍの範囲内の値であることが好ましい。この理由は、光硬化物の厚さが１μｍ未満となると、機械的強度や電気特性が低下する場合があるためであり、一方、厚さが２００μｍを超えると、光硬化させて製造するのが困難となる場合があるためである。したがって、回路基板における電気絶縁性基材の厚さを５〜２００μｍの範囲内の値とするのがより好ましく、１０〜１００μｍの範囲内の値とするのがさらに好ましい。
なお、回路基板を多層基板とする場合、上述した光硬化物の厚さに、層の数を掛けた値が、回路基板における電気絶縁性基材の好ましい厚さとなる。したがって、例えば、図３（ｄ）に示す回路基板５０の場合、層数が２であり、回路基板における電気絶縁性基材の厚さ（第１の電気絶縁層３２と第２の電気絶縁層４２との厚さの合計）を１０〜４００μｍの範囲内の値とするのが好ましい。
【００５８】
また、回路基板における導体の厚さ、図１（ｃ）に示す導体１２の厚さについては特に制限されるものではないが、具体的に、０．１〜５０μｍの範囲内の値であることが好ましい。この理由は、導体の厚さが０．１μｍ未満となると、機械的強度や電気特性が低下する場合があるためであり、一方、厚さが５０μｍを超えると、導体を含む回路基板の厚さが過度に厚くなる場合があるためである。したがって、回路基板における導体の厚さを０．２〜３０μｍの範囲内の値とするのがより好ましく、０．５〜２０μｍの範囲内の値とするのがさらに好ましい。
【００５９】
［第２の実施形態］
本発明の第２の実施形態は、加水分解性シラン化合物の加水分解物（Ａ成分）、光酸発生剤（Ｂ成分）、脱水剤（Ｃ成分）および無機粒子（Ｅ成分）を含有する光硬化性組成物を基材上で光硬化して、電気絶縁性基材としてなる回路基板である。このように無機粒子を添加（配合）することにより、電気絶縁性基材、ひいては回路基板全体の硬化収縮を低減することができる。また、無機粒子を添加することにより、電気絶縁性基材の機械的強度、例えば、ヤング率の値を高くして、耐擦傷性を向上させることもできる。
以下、第２の実施形態に使用する無機粒子の詳細について説明するが、加水分解性シラン化合物の加水分解物（Ａ成分）、光酸発生剤（Ｂ成分）、脱水剤（Ｃ成分）および回路基板の構成等については、第１の実施形態と同様のものが使用できるため、ここでの説明は省略する。
【００６０】
（１）無機粒子の添加量
第２の実施形態に使用する無機粒子の添加量は、特に制限されるものではないが、例えば、（Ａ）成分１００重量部に対して、０．１〜１００重量部の範囲内の値とするのが好ましい。
無機粒子の添加量が０．１重量部未満となると、添加効果は軽微であり、一方、１００重量部を超えると保存安定性や塗装性が低下する傾向がある。
したがって、確実に添加効果が得られ、またより保存安定性が優れている観点から、無機粒子の添加量を、（Ａ）成分１００重量部に対して、０．２〜８０重量部の範囲内の値とするのがより好ましく、０．５〜５０重量部の範囲内の値とするのがさらに好ましい。
【００６１】
（２）無機粒子の種類
第２の実施形態に使用する無機粒子は、シリカ、アルミナ、シリカアルミナ、ジルコニア、マグネシア、ベリリア、ムライト、コーデュライト、スピネル、フォルステライト、アノーサイト、セルジアン、チッ化アルミ、活性白土、ゼオライト、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化硼素、酸化スズおよび酸化リンの一つまたは二種以上の組合わせが挙げられる。
【００６２】
また、無機粒子の平均粒子径を、０.００１〜２０μｍの範囲内の値とするのが好ましい。さらに、無機粒子を用いて透明な光硬化性組成物あるいは回路基板を形成することを目的とする場合には、光散乱との関係で、平均粒子径を０.００１〜０．２μｍの範囲内の値とするのが好ましく、より好ましくは０.００１〜０.０１μｍの範囲内の値とすることである。
【００６３】
また、使用する無機粒子の形状も特に制限されるものではないが、球状、中空状、多孔質状、棒状、板状、繊維状もしくは不定形状の群から選ばれる少なくとも一つの形状であることが好ましい。ただし、分散性がより良好な観点から、球状の無機粒子を使用することがより好ましい。
【００６４】
［第３の実施形態］
本発明の第３の実施形態は、加水分解性シラン化合物の加水分解物（Ａ成分）、光酸発生剤（Ｂ成分）、脱水剤（Ｃ成分）および反応性希釈剤（Ｆ成分）を含有する光硬化性組成物を基材上で光硬化し、電気絶縁性基材としてなる回路基板である。このように反応性希釈剤を添加（配合）することにより、基材に対する密着力を向上させたり、得られる回路基板の硬化収縮（耐クラック性）を低減したり、あるいは回路基板の機械的強度を制御することができる。また、ラジカル重合性の反応性希釈剤を用いた場合には、ラジカル発生剤を併用することにより、光硬化性組成物の光硬化性をよりきめ細かく調節することができる。また、カチオン重合性の反応性希釈剤を用いた場合には、光硬化性や機械的特性を調節することができる。
【００６５】
以下、第３の実施形態における反応性希釈剤（Ｆ成分）の詳細について説明するが、加水分解性シラン化合物の加水分解物（Ａ成分）、光酸発生剤（Ｂ成分）、脱水剤（Ｃ成分）および回路基板の構成等については、第１の実施形態と同様のものが使用できるため、ここでの説明は省略する。
【００６６】
▲１▼反応性希釈剤の配合量
第３の実施形態において、反応性希釈剤の配合量（添加量）は特に制限されるものではないが、例えば、（Ａ）成分１００重量部に対して、０．１〜５０重量部の範囲内の値とするのが好ましい。反応性希釈剤の配合量が１重量部未満となると、添加効果が発現しずらい傾向があり、一方、５０重量部を超えると、得られる回路基板の耐久性が低下する傾向がある。したがって、反応性希釈剤の配合量を１〜３０重量部の範囲内の値とするのがより好ましく、２〜２０重量部の範囲内の値とするのがさらに好ましい。
【００６７】
▲２▼反応性希釈剤の種類
次に、第３の実施形態に使用する反応性希釈剤の種類について説明する。かかる反応性希釈剤としてカチオン重合性モノマーおよびエチレン性不飽和モノマーあるいはいずれか一方のモノマーを配合することが好ましい。
具体的に、カチオン重合性モノマーとしては、エポキシ化合物、オキセタン化合物、オキソラン化合物、環状アセタール化合物、環状ラクトン化合物、チイラン化合物、チエタン化合物、ビニルエーテル化合物、スピロオルソエステル化合物、環状エーテル化合物、環状チオエーテル化合物等を挙げることができる。
【００６８】
また、エチレン性不飽和モノマーはエチレン性不飽和結合（Ｃ＝Ｃ）を分子中に有する化合物であり、１分子中に１個のエチレン性不飽和結合を有する単官能モノマー、および１分子中に２個以上のエチレン性不飽和結合を有する多官能モノマーと定義することができる。
好ましいエチレン性不飽和モノマーとして、例えば、イソボルニル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、ブトキシエチル（メタ）アクリレートポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ボルニル（メタ）アクリレート、メチルトリエチレンジグリコール（メタ）アクリレートを挙げることができる。
【００６９】
［第４の実施形態］
本発明の第４の実施形態は、基材と、加水分解性シラン化合物の加水分解物（Ａ成分）、光酸発生剤（Ｂ成分）、脱水剤（Ｃ成分）および（Ａ）成分以外の加水分解性シリル基含有ビニル系重合体（Ｄ成分）を含有する光硬化性組成物を基板上で光硬化し、電気絶縁性基材としてなる回路基板である。このように（Ａ）成分以外の加水分解性シリル基含有ビニル系重合体を添加（配合）することにより、電気絶縁性基材（光硬化物）の基板に対する密着力を向上させたり、電気絶縁性基材の硬化収縮を低減したり、あるいは電気絶縁性基材におけるクラック発生を防止することができる。
以下、第４の実施形態における（Ａ）成分以外の加水分解性シリル基含有ビニル系重合体（Ｄ成分）のついて詳細に説明するが、加水分解性シラン化合物の加水分解物（Ａ成分）、光酸発生剤（Ｂ成分）、脱水剤（Ｃ成分）および基材等については、第１の実施形態と同様のものが使用できるため、ここでの説明は省略する。
【００７０】
（１）種類
（Ａ）成分以外の加水分解性シリル基含有ビニル系重合体としては、分子中に少なくとも１個の加水分解性シリル基を有するビニルモノマーの重合体と定義される。そして、加水分解性シリル基含有ビニル系重合体としては、一般式（５）で表されるような共重合体であることが好ましい。
【００７１】
【化１】
0004061749.tif 000002
【００７２】
［一般式（５）中、Ｒ9 はそれぞれ独立であり、水素原子、ハロゲン原子または炭素数１〜１２の一価の有機基であり、Ｒ10は炭素数０または１〜２００の二価の有機基であり、Ｒ11は水素または炭素数１〜２００の二価の有機基であり、ｔは１〜１０００の整数であり、ｕは０または１〜１０００の整数であり、Ｒ1 、Ｘおよびｐは一般式（１）の定義内容と同様である。］
【００７３】
（２）製造方法
次に、（Ａ）成分以外の加水分解性シリル基含有ビニル系重合体の製造方法について説明する。このビニル系重合体の製造方法は特に制限されるものではないが、例えば、以下に示す第１の製造方法や第２の製造方法により製造することが好ましい。
【００７４】
（第１の製造方法）
加水分解性シリル基含有ビニル系重合体を製造する第１の製造方法は、加水分解性シリル基を有する重合性不飽和モノマーを単独重合するか、あるいは、加水分解性シリル基を有する重合性不飽和モノマーと加水分解性シリル基を有しない重合性不飽和モノマーとを共重合することである。
このような第１の製造方法に使用される加水分解性シリル基を有する重合性不飽和モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、（メタ）アクリロキシプロピルトリエトキシシラン、（メタ）アクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、（メタ）アクリロキシプロピルトリクロロシラン、ビス（メタクリロキシプロピル）ジメトキシシランなどの（メタ）アクリロキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリエトキシシラン、ジビニルジメトキシシラン、ジビニルジエトキシシランなどのビニルシラン等を挙げることができる。なお、上述した加水分解性シリル基を有する重合性不飽和モノマーは、１種を単独重合もしくは、２種以上を組み合わせて重合しても良い。
また、加水分解性シリル基を含まない重合性不飽和モノマーは、ラジカル重合性のエチレン性不飽和結合（Ｃ＝Ｃ）を分子中に有する化合物であり、１分子中に１個のエチレン性不飽和結合を有する単官能モノマーから選ばれる。このような加水分解性シリル基を有しない化合物（単官能性モノマー）としては、（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリレート類、アクリルアミド類、Ｎ−ビニル化合物、スチレン類、ビニルエーテル類、ビニルエステル類、ハロゲン化オレフィン類、ジエン類等が挙げられる。
【００７５】
（第２の製造方法）
第２の製造方法は、反応性有機基を有するビニル系重合体と、加水分解性シリル基を有する化合物とを化学反応させることにより、加水分解性シリル基含有ビニル系重合体を製造する方法である。この場合、加水分解性シリル基を有する化合物として、予め加水分解もしくは、さらに縮合させたものを使用することができる。
このように加水分解性シリル基を化学反応により導入する場合、公知の方法を用いることができ、例えば
１）不飽和二重結合を有するポリマーに対し遷移金属触媒の存在下、トリアルコキシシランを付加させるヒドロシリル化反応、
２）エポキシ基を含有するポリマーに対し、メルカプト基もしくはアミノ基を有するアルコキシシラン類を付加反応させる方法、
３）ヒドロキシ基を有するポリマーに対しイソシアネート基を有するアルコキシシランを反応させウレタン結合によりシリル化する方法
などを用いることができる。
【００７６】
（３）添加量
次に、（Ａ）成分以外の加水分解性シリル基含有ビニル系重合体の添加量について説明する。かかるビニル系重合体の添加量は特に制限されるものではないが、（Ａ）成分１００重量部に対して、１〜５００重量部の範囲内の値とするのが好ましい。この理由は、添加量が１重量部未満となると、下地に対する密着性や柔軟性、あるいは耐薬品性が低下する傾向があり、一方、添加量が５００重量部を超えると、光硬化性樹脂組成物の光硬化性や、得られた硬化物における耐久性が低下する傾向があるためである。
したがって、基板に対する密着性と得られる硬化物の耐久性等とのバランスがより良好な観点から、かかるビニル系重合体の添加量を、（Ａ）成分１００重量部に対して５〜２００重量部の範囲内の値とすることがより好ましく、１０〜１００重量部の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
【００７７】
［第５の実施形態］
本発明の第５の実施形態は、以下に示す第１の工程〜第４の工程を含む回路基板の製造方法に関する実施形態である。なお、第１の工程は、上述した第１〜４の実施形態のいずれか一つの光硬化性組成物を成型する工程（成型工程と称する場合がある。）であり、第２の工程は、露光機を用いてパターン露光することにより、光硬化性組成物を光硬化させる工程（露光工程と称する場合がある。）であり、第３の工程は、露光されずに未硬化の光硬化性組成物を現像して、ビアホール用空間を形成する工程（現像工程と称する場合がある。）であり、さらに第４の工程は、ビアホール用空間に導電材料を充填またはメッキする工程（導電化工程と称する場合がある。）である。
【００７８】
（１）第１の工程
光硬化性組成物の成型方法は特に制限されるものではないが、例えば、スピンコータやバーコータを用いて、光硬化性組成物を塗布、形成することが好ましい（図１（ａ）、図２（ａ）および図３（ａ）参照）。具体的に、スピンコータを用いた場合、スピンコータ内に、直径４インチ、厚さ０．５ｍｍのシリコンウエファーを固定した後、回転数１０００ｒｐｍの条件で、予め粘度調整した光硬化性組成物を塗布することが好ましい。
【００７９】
また、第１の実施形態で説明したように、基材として、銅箔やシリコンウエファ等を用いることにより、将来導体となる導体部材を容易に光硬化性組成物に積層することができる。すなわち、これらの導体部材に、光硬化性組成物を直接塗布することにより、接着剤等の接合手段を用いることなく、優れた密着力を得ることができる。
【００８０】
また、光硬化性組成物の成型後の厚さは特に制限されるものではないが、例えば、１〜２００μｍの範囲内の値であることが好ましい。この理由は、成型後の厚さが１μｍ未満では、所定形状に保持することが困難となる場合があり、一方、２００μｍを超えると、均一に光硬化させることが困難となる場合がある。
【００８１】
また、第１の工程において、光硬化性組成物の成型後に、１００〜１５０℃の温度で予備加熱（プリベイク）することが好ましい。このような条件で光硬化性組成物を予備加熱することにより、光硬化性組成物における揮発部分を有効に除去することができ、光硬化性組成物の成型品が型崩れすることがなくなる。また、加水分解性シラン化合物（Ａ成分）のシラノールの一部を反応させることができ、基材に対する密着力や現像時における耐薬品（現像剤）性を向上させることもできる。
ただし、過度に加熱して、現像特性が逆に低下しないように、１１０〜１４０℃の温度で加熱することがより好ましく、１１５〜１３０℃の温度で加熱することがより好ましい。
【００８２】
さらに、加熱時間については、加熱温度を考慮して定めるのが好ましいが、１００〜１５０℃の温度で予備加熱する場合、１〜２０分の加熱時間とするのが好ましい。この理由は、加熱時間が１分未満となると、シラノールの反応が不均一となる場合があり、一方、加熱時間が１０分を超えると、シラノールが過度に反応して、現像液を用いて精度良く現像することが困難となる場合があるためである。したがって、加熱時間を２〜１５分の範囲内の値とするのが好ましく、３〜１０分の範囲内の値とするのがさらに好ましい。
なお、加熱手段については特に制限されるものではなく、例えば、オーブンや赤外線ランプを用いることができる。
【００８３】
（２）第２の工程
また、第２の工程における光硬化方法は第１の実施形態で一部説明したとおりであるが、図２および図３に示すように、所定パターンを有するフォトマスク３０（光透過部２８あるいは光不透過部２６）を用い、このフォトマスク３０を介して非収束光を光硬化性組成物にパターン露光したり（図２（ｂ）および図３（ｂ）参照）、あるいは、図示しないが、多数の光ファイバーを束ねた導光部材を用い、フォトマスクのパターンに対応する光ファイバーからのみ光照射して、パターン露光することも好ましい。
このようにパターン露光することにより、図２（ｃ）に示すように、露光して硬化させた光硬化性組成物部分３２と、露光せず未硬化の光硬化性組成物部分２０を精度良く形成することができる。したがって、未硬化の光硬化性組成物部分２０のみを、現像液を用いて容易にウエット現像（除去）することができ、結果として、図２（ｄ）に示すように、ビアホール用空間３３を短時間かつ容易に形成することができる。
なお、マスクパターンのライン／スペース（比率５０／５０）が１０μｍ以上の範囲、より好ましくは３０μｍ以上の範囲、さらに好ましくは、５０μｍ以上の範囲において、光硬化させた後、ビアホール用空間を再現性良く現像することが確認されている。
【００８４】
また、光硬化性組成物を成型した後、導体１２を積層し、さらに、導体１２を積層した側と反対側から光を照射することも好ましい（図２（ｂ）および図３（ｂ）参照）。これにより、光硬化性組成物を透過した光が導体に反射して、光硬化性組成物をより均一に、しかも比較的弱い光であっても、十分に光硬化することができる。
【００８５】
さらに、光硬化させて得られた回路基板は必要に応じて、さらに加熱することも好ましい。その場合、通常、室温から基材もしくは塗膜の分解開始温度以下で、５分〜７２時間の条件で加熱するのが好ましい。このように加熱することにより、より耐熱性や耐候性に優れた回路基板を得ることができる。
【００８６】
（３）第３の工程
第２の工程で露光されずに未硬化の光硬化性組成物を現像して、取り除く方法は、特に制限されるものではないが、例えば、現像液として、テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド水溶液（濃度２．３８重量％）を用い、室温、１〜１０分間の条件で、ディッピングすることにより、再現性良く現像することができる（図２（ｃ）および（ｄ）参照）。すなわち、このような第３の工程を設けることにより、ドライエッチングすることなく、寸法精度に優れたビアホールを、現像液を用いてウエット状態にて形成することができる。
また、現像剤が残留しないように、超純水を用いて数回洗浄することが好ましい。さらに、第２の工程終了後、少なくとも１０〜６０分、室温に放置した後、現像することも好ましい。
【００８７】
また、第３の工程において形成するビアホール用空間の大きさ（直径）は、回路基板の使用用途により変わるが、具体的に、直径において１０〜２００μｍの範囲内の値、より好ましくは１０〜１５０μｍの範囲内の値、さらに好ましくは、１０〜１００μｍの範囲内の値とするのが良い。
【００８８】
（４）第４の工程
第３の工程で得られたビアホール用空間に導電材料を充填またはメッキしてビアホールを形成する方法は、特に制限されるものではないが、例えば、導電材料を充填方法としては、半田ペーストや銀ペースト、あるいは導電性樹脂を機械的に充填したり、これらをスクリーン方法により印刷する方法を採ることができる。また、導電材料をメッキする方法としては、銅や金の無電解メッキ方法や、銅や金の電界メッキ方法を採ることができる（図２（ｅ）および図３（ｄ）参照）。このようにビアホールを形成することにより、寸法精度や導電性に優れたビアホールを容易に形成することができる。
また、図２（ｅ）および図３（ｄ）に示すように、ビアホール用空間３３に導電材料を充填またはメッキすると同時に、上側導体３４、４７を形成するのも好ましい。
【００８９】
【実施例】
以下、本発明の実施例を説明するが、本発明の範囲はこれら実施例の記載に限定されるものではない。また、実施例中、各成分の配合量は特に記載のない限り重量部を意味している。
【００９０】
［実施例１］
（光硬化性組成物の調整）
撹拌機付の容器内に、メチルトリメトキシシラン（２７０ｇ、１．９８モル）と、メチルオキセタニルメトキシプロピルトリエトキシシラン（６７．２ｇ、０．２２モル）と、電気伝導率が８×１０-5Ｓ・ｃｍ-1のイオン交換水（８９．１ｇ、４．９５モル）とを収容した後、温度６０℃、６時間の条件で加熱撹拌することにより、シラン化合物の加水分解を行った。次いで、メチルイソブチルケトン（以下、ＭＩＢＫと略記）を滴下しながら、加水分解により副生したメタノールを蒸留除去した。そして、最終的に固形分を７５重量％に調整し、（Ａ）成分であるポリシロキサンを含有する溶液を得た。得られたポリシロキサン溶液について、ＧＰＣを用いてポリスチレン換算の重量平均分子量を測定したところ、１５００という値が得られた。
次いで、得られたポリシロキサン１００重量部あたり、（Ｂ）成分の光酸発生剤として、トリフェニルスルフォントリフルオロメタンスルフォネートを１重量部と、増感剤として、９−アントラセンメタノールを０．３３重量部と、界面活性剤として、メガファックＦ−１７２（大日本インキ化学工業（株）製）０．１重量部をそれぞれ添加して、光硬化性組成物を得た。
【００９１】
（回路基板の形成および評価）
（１）光硬化性
得られた光硬化性組成物（溶液）をシリコンウエファ（厚さ１ｍｍ、直径４インチ）上に、乾燥後の厚さが２０μｍとなるように塗膜を形成した。次いで、塗膜を風乾（室温、１０分）し、さらにオーブンを用いて１２０℃、１０分の条件でプレベークした後、大気下、温度２５℃、積算露光量３００ｍＪ／ｃｍ2 （照射時間３秒）、５００ｍＪ／ｃｍ2 （照射時間５秒）および１０００ｍＪ／ｃｍ2 （照射時間１０秒）の各条件で、オーク製作所（株）製の高圧水銀ランプ（２８０Ｗ）を用いて紫外線（中心波長３６５ｎｍ）を、シリコンウエファと反対側から光硬化性組成物に照射して、回路基板における電気絶縁性基材を形成した。また、窒素中、温度２５℃の条件で、同様に紫外線を照射して、電気絶縁性基材を形成した。得られた電気絶縁性基材につき、指触で表面タックを測定し、以下の基準で光硬化性を評価した。結果を表１に示す。
◎：３００ｍＪ／ｃｍ2露光後、回路基板の表面タックがない。
〇：５００ｍＪ／ｃｍ2露光後、回路基板の表面タックがない。
△：１０００ｍＪ／ｃｍ2露光後、回路基板の表面タックがない。
×：１０００ｍＪ／ｃｍ2露光後、回路基板の表面タックがある。
【００９２】
（２）基板密着性試験
上述した光硬化性組成物を、表１に示す基材に回転塗布した後、上述した高圧水銀ランプを用いて、大気中で露光量が５００ｍＪ／ｃｍ2 となるように紫外線を照射し、厚さ２５μｍの回路基板における電気絶縁性基材を形成した。次いで、ＪＩＳ  Ｋ５４００に準拠した碁盤目試験を実施し、基板密着性試験を評価した。なお、碁盤目試験は、初期および湿熱試験後（ＰＣＴ試験、温度１２１℃、湿度１００％、気圧２ａｔｍ、２４時間）に碁盤目１００個当たりの剥がれた碁盤目数を測定して行った。評価結果を表１に示す。
○：剥がれた碁盤目が０〜１個である。
△：剥がれた碁盤目が２〜１０個である。
×：剥がれた碁盤目が１０個を超える。
【００９３】
（３）固有抵抗
上述した光硬化性組成物をシリコンウエファー上に回転塗布した後、上述した高圧水銀ランプを用いて、大気中で露光量が５００ｍＪ／ｃｍ2 となるように紫外線を照射し、厚さ５０μｍの回路基板における電気絶縁性基材を形成した。次いで、抵抗測定装置８３４０Ａ（アドバンテスト（株）製）を用いて、ＪＩＳ  Ｚ３１９７に準拠して、電圧５００Ｖ、温度２３℃、空気中の条件で体積抵抗および表面抵抗率を測定した。結果を表１に示す。
【００９４】
（４）誘電率
上述した光硬化性組成物をシリコンウエファー上に回転塗布した後、上述した高圧水銀ランプを用いて、大気中で露光量が５００ｍＪ／ｃｍ2 となるように紫外線を照射し、厚さ２５μｍの回路基板における電気絶縁性基材を形成した。なお、現像後に、回路基板を加熱（ポストベーク）し、その温度を１００℃（誘電率Ａと表記）および４００℃（誘電率Ｂと表記）に変えて最終的に回路基板を形成した。
次いで、誘電率計ＨＰ４２８４Ａ（ヒューレットパッカード社製）を用いて、ＪＩＳ  Ｚ３１９７に準拠して、周波数１ＭＨｚの条件で誘電率を測定した。結果を表１に示す。
【００９５】
（５）パターニング性
上述した光硬化性組成物をシリコンウエファー上に回転塗布した後、１２０℃、１０分プリベークした後、上述した高圧水銀ランプを用いて、ライン＆スペース（２５μｍ／２５μｍ）のフォトマスク（パターン１）を介して、大気中で露光量が３００ｍＪ／ｃｍ2 となるように紫外線を照射し、厚さ６μｍの回路基板における電気絶縁性基材を形成した。また、ライン＆スペースのフォトマスクのかわりに、ドットパターン（光透過部の直径７０〜１００μｍ、ピッチ１５０μｍ）のフォトマスク（パターン２）を介して、大気中で露光量が３００ｍＪ／ｃｍ2 となるように紫外線を照射し、厚さ２０μｍの回路基板における電気絶縁性基材を形成した。次いで、現像剤としてＴＭＡＨを用い、室温、９０秒間の条件で現像し、その後、走査型電子顕微鏡を用いてフォトマスクにおけるパターンが再現されているか否かを測定した。測定結果を表１に示す。
また、図４および図５に回路基板の走査型電子顕微鏡写真（ＳＥＭ）を併せて示す。図４は、回路基板における電気絶縁性基材の断面および表面を示しており、図５は、回路基板における電気絶縁性基材の断面を示している。なお、ＳＥＭ写真の原理上、シリコンウエファからなる基材と、電気絶縁層としての光硬化物との境界面が明確に表れていない。
○：完全に再現されている。
△：一部再現が不完全である。
×：かなり再現が不完全である。
【００９６】
［実施例２］
実施例１で調整した光硬化性組成物中に、Ａ成分１００重量部あたり、シリカ粒子およびアルミナ粒子をそれぞれ５重量部添加したほかは、実施例１と同様に回路基板における電気絶縁性基材を形成して、評価した。ただし、現像条件として、ＴＭＡＨを用い、室温、２４０秒の条件を採用した。測定結果を表１に示す。
【００９７】
［実施例３］
実施例１で調整した光硬化性組成物中に、反応性希釈剤としてダイセル化学工業（株）製ＫＲＭ２１１０を、（Ａ）成分１００重量部あたり、１０重量部添加したほかは、実施例１と同様に回路基板における電気絶縁性基材を形成して、評価した。
【００９８】
［実施例４］
（１）アクリルシリコン重合体溶液の調整
５０℃に保持した撹拌機付の容器内に、メチルイソブチルケトン１００重量部を収容した後、ブチルアクリレート２０重量部と、アクリル酸１７重量部と、ｐ−イソプロペニルフェノール１８重量部と、トリシクロ［５．２．１．０2.6 ］デカ−８−イルメタクリレート３７重量部と、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン８重量部と、アゾビスイソブチロニトリル３重量部とからなる反応液を１時間かけて滴下した。次いで、容器内を温度８０℃、３時間の条件で加熱撹拌することにより、固形分５０重量％のアクリルシリコン重合体溶液を得た。得られたアクリルシリコン重合体について、ＧＰＣを用いてポリスチレン換算の重量平均分子量を測定したところ、約１０，０００という値が得られた。
【００９９】
（２）回路基板における電気絶縁性基材の形成および評価
実施例１で調整した光硬化性組成物中に、上述したアクリルシリコン重合体を、（Ａ）成分１００重量部あたり、１０重量部添加したほかは、実施例１と同様に回路基板における電気絶縁性基材を形成して、評価した。
【０１００】
【表１】
0004061749.tif 000003
＊基板密着性試験における（  ）内の値は、ＰＣＴ試験後の値である。
【０１０１】
［実施例５］
実施例１で使用した光硬化性組成物をシリコンウエファー上に回転塗布した後、実施例１で使用した高圧水銀ランプを用いて、大気中で、ドットパターン（光透過部の直径５０μｍ、ピッチ１５０μｍ）を介して、露光量が５００ｍＪ／ｃｍ2 の条件で紫外線を照射し、厚さ２０μｍの第１層目の回路基板における電気絶縁性基材を得た。次いで、現像剤としてＴＭＡＨを用い、室温で、９０秒間現像して、ビアホール用空間を形成した。このビアホール用空間および第１層目の回路基板における電気絶縁性基材の表面に、銀ペーストをスクリーン印刷し、１６０℃、１時間の条件で加熱した。次いで、表面に実施例１で使用した光硬化性組成物をシリコンウエファー上に回転塗布した後、上記高圧水銀ランプを用いて、大気中で、ドットパターン（光透過部の直径５０μｍ、ピッチ１５０μｍ）を介して、露光量が５００ｍＪ／ｃｍ2 の条件で紫外線を照射し、厚さ２０μｍの第２層目の回路基板における電気絶縁性基材を得た。次いで、第１層目と同様に現像して、ビアホール用空間を形成し、さらに銀ペーストをスクリーン印刷した後、同様に加熱することにより、多層基板を得た。シリコンウエファーと第２層目の回路基板に形成されたビアホールとの間の抵抗を測定したところ、０．１オーム以下であり、優れた抵抗値が得られることが確認された。
【０１０２】
【発明の効果】
本発明の回路基板によれば、特定のシラン系光硬化性組成物を使用していることから、酸素存在下においても光硬化反応により容易に形成可能であり、しかも得られた回路基板において、優れた電気特性を得ることが可能となった。
また、光硬化性組成物中に脱水剤を添加することにより、光硬化性組成物の保存安定性を著しく高め、さらには光硬化反応を促進することができるようになったため、いつでも優れた電気特性を有する回路基板を得ることができるようになった。
【０１０３】
また、本発明の回路基板の製造方法によれば、特定のシラン系光硬化性組成物による光硬化反応を利用しているため、酸素阻害を生じることなく、大気下で、迅速に光硬化反応を生じさせることが可能であり、回路基板を容易かつ正確に製造することができるようになった。
さらに、本発明の回路基板の製造方法においてパターン露光を行うことにより、ウエット現像で容易にビアホールを形成することができるため、多層基板を形成することが極めて容易となった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の回路基板を製造するための工程図である（その１）。
【図２】本発明の回路基板を製造するための工程図である（その２）。
【図３】本発明の回路基板を製造するための工程図である（その３）。
【図４】本発明の回路基板における電気絶縁性基材の表面および断面におけるＳＥＭ写真である。
【図５】本発明の回路基板における電気絶縁性基材の断面におけるＳＥＭ写真である。
【符号の説明】
１０、２０  光硬化性組成物
１２  基材（導体）
１４  紫外線
１６  電気絶縁層（光硬化物）
３０  フォトマスク
３２、４２  露光部（光硬化物）
３３  ビアホール用空間
３４、４７  導体
３５、４６  ビアホール
３６、４８  回路基板
【図１】
0004061749.tif 000004
【図２】
0004061749.tif 000005
【図３】
0004061749.tif 000006
【図４】
0004061749.tif 000007
【図５】
0004061749.tif 000008