(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学物質を挟持する基板上には、各画素毎に少なくとも、データ線に電気的に接続する画素スイッチング用の薄膜トランジスタと、光反射膜とを備えた電気光学装置において、
前記光反射膜の下層側のうち、当該光反射膜と平面的に重なる領域には、前記薄膜トランジスタに接続する前記データ線と同層の導電膜からなる凹凸形成層が形成されているとともに、
前記凹凸形成層の上層側には、当該凹凸形成層の上層に塗布した感光性樹脂によって、前記凹凸形成層の形成領域で厚く、前記凹凸形成層の非形成領域で薄い感光性樹脂層がなだらかな表面形状をもって形成され、
前記光反射膜の表面には、前記凹凸形成層および前記感光性樹脂層によって所定の凹凸パターンが形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１において、前記反射膜の表面側には、透明導電膜からなる画素電極が積層されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項２において、前記反射膜には、前記画素電極と平面的に重なる領域に光透過窓が形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項１において、前記反射膜のみによって画素電極が構成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかにおいて、前記電気光学物質は、液晶であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかに規定する電気光学装置を表示装置として用いたことを特徴とする電子機器。
【請求項７】
電気光学物質を挟持する基板上には、各画素毎に少なくとも、データ線に電気的に接続する画素スイッチング用の薄膜トランジスタと、光反射膜とを備えた電気光学装置の製造方法において、
前記データ線を形成する際には、前記光反射膜と平面的に重なる領域に前記データ線と同層の導電膜からなる凹凸形成層を所定のパターンで形成し、
次に、前記凹凸形成層の上層側に感光性樹脂の塗布、当該感光性樹脂に対する露光マスクを介してのハーフ露光、現像、および加熱を行って、前記凹凸形成層の形成領域で厚くて前記凹凸形成層の非形成領域で薄く、かつ、表面形状がなだらかな感光性樹脂層を形成し、
しかる後、前記感光性樹脂層の表面に、前記凹凸形成層および前記感光性樹脂層によって所定の凹凸パターンが形成された前記光反射層を積層することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７において、前記反射膜の表面側には、透明導電膜からなる画素電極を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８において、前記反射膜には、前記透明導電膜と平面的に重なる領域に開口を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項７において、前記反射膜のみによって画素電極を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気光学装置、およびそれを用いた電子機器に関するものである。さらに詳しくは、反射型、あるいは半透過・反射型の電気光学装置における画素の構成に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
液晶装置などの電気光学装置は、各種機器の直視型の表示装置として用いられている。このような電気光学装置のうち、画素スイッチング用の非線形素子としてＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型の液晶装置では、図２０に示すように、電気光学物質としての液晶５０を挟持するＴＦＴアレイ基板１０および対向基板２０のうち、ＴＦＴアレイ基板１０の方には、画素スイッチング用のＴＦＴ（薄膜トランジスタ／Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）３０と、このＴＦＴ３０を介してデータ線６ａに電気的に接続するＩＴＯ膜などの透明導電膜からなる画素電極９ａとが形成されている。
【０００３】
また、液晶装置のうち、反射型あるいは半透過・反射型のものでは、対向基板２０の側から入射してきた外光を対向基板２０の方に向けて反射するための光反射膜８ａが画素電極９ａの下層側に形成されており、対向基板２０側から入射した光をＴＦＴアレイ基板１０側で反射し、対向基板１０側から出射された光によって画像を表示する。
【０００４】
なお、対向基板２０の側に光反射膜を形成することにより、ＴＦＴアレイ基板１０側から入射した外光を対向基板２０側で反射し、ＴＦＴアレイ基板１０側から出射された光によって画像を表示する方式も可能であるが、このような方式の場合、ＴＦＴアレイ基板１０を光が透過する際、ＴＦＴ３０の形成領域などでは光が透過しないので、明るい表示を行うという点で不利である。また、ＴＦＴアレイ基板１０において、対向基板２０や液晶５０が位置する側とは反対側に反射板を設ける構造も考えられるが、明るさや視差などといった表示品質は、上記のような内面散乱構造に比べてかなり落ちる。
【０００５】
但し、半透過・反射型の液晶装置において、光反射膜８ａで反射された光の方向性が強いと、画像をみる角度で明るさが異なるなどの視野角依存性が顕著に出てしまう。そこで、従来は、液晶装置を製造する際、層間絶縁膜４、あるいはその表面に形成した表面保護膜（図示せず）の表面に、アクリル樹脂などといった感光性樹脂を８００ｎｍ〜１５００ｎｍの厚さに塗布した後、フォトリソグラフィ技術を用いて、光反射膜８ａの下層側のうち、光反射膜８ａと平面的に重なる領域に、感光性樹脂層からなる凹凸形成層１３を所定のパターンで選択的に残すことにより、その上層側に形成される光反射膜８ａの表面に凹凸パターン８ｇを付与している。また、このままでは、凹凸パターン８ｇに凹凸形成層１３のエッジがそのまま出てしまうので、凹凸形成層１３の上層にもう１層、流動性の高い感光性樹脂層７′を塗布、形成することにより、光反射膜８ａの表面にエッジのない、なだらかな形状の凹凸パターン８ｇを付与している。
【０００６】
なお、ここでは、画素スイッチング用のアクティブ素子としてＴＦＴを例として示したが、アクティブ素子としてＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  Ｍｅｔａｌ）素子などの薄膜ダイオード素子（ＴＦＤ素子／Ｔｈｉｎ  ＦｉｌｍＤｉｏｄｅ素子）を用いた場合も同様である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
このように構成した液晶装置において、凹凸形成層１３については所定のパターンで形成するので、もちろん感光性樹脂の塗布工程およびフォトリソグラフィ工程が必要であるが、上層側の感光性樹脂層７′についても、画素電極９ａをドレイン電極６ｂに電気的に接続するためのコンタクトホールなどを形成する必要があるため、フォトリソグラフィ工程が必要となる。従って、光反射膜８ａにエッジのない、なだらかな形状の凹凸パターン８ｇを付与するには、それだけで２回の感光性樹脂の塗布工程およびフォトリソグラフィ工程が必要となるため、生産性が低く、製造コストが増大するという問題点がある。
【０００８】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、製造コストの増大を最小限に抑えながら、光散乱機能を備えた光反射膜を好適な状態に形成することのできる電気光学装置、およびそれを備えた電子機器を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明では、電気光学物質を挟持する基板上には、各画素毎に少なくとも、一つまたは複数の配線に電気的に接続する画素スイッチング用のアクティブ素子と、光反射膜とを備えた電気光学装置において、前記光反射膜の下層側のうち、当該光反射膜と平面的に重なる領域には、前記配線、または当該配線の層間、上層側、もしくは下層側に形成された絶縁膜と同層の薄膜からなる凹凸形成層が少なくとも１層、形成されているとともに、前記凹凸形成層の上層側には、当該凹凸形成層の上層に塗布した感光性樹脂によって、前記凹凸形成層の形成領域で厚く、前記凹凸形成層の非形成領域で薄い感光性樹脂層がなだらかな表面形状をもって形成され、前記光反射膜の表面には、前記凹凸形成層および前記感光性樹脂層によって所定の凹凸パターンが形成されていることを特徴とする。
上記課題を解決するために、本発明では、電気光学物質を挟持する基板上には、各画素毎に少なくとも、データ線に電気的に接続する画素スイッチング用の薄膜トランジスタと、光反射膜とを備えた電気光学装置において、前記光反射膜の下層側のうち、当該光反射膜と平面的に重なる領域には、前記薄膜トランジスタに接続する前記データ線と同層の導電膜からなる凹凸形成層が形成されているとともに、前記凹凸形成層の上層側には、当該凹凸形成層の上層に塗布した感光性樹脂によって、前記凹凸形成層の形成領域で厚く、前記凹凸形成層の非形成領域で薄い感光性樹脂層がなだらかな表面形状をもって形成され、前記光反射膜の表面には、前記凹凸形成層および前記感光性樹脂層によって所定の凹凸パターンが形成されていることを特徴とする。
【００１０】
すなわち、本発明では、電気光学物質を挟持する基板上には、各画素毎に少なくとも、一つまたは複数の配線に電気的に接続する画素スイッチング用のアクティブ素子と、光反射膜とを備えた電気光学装置の製造方法において、前記配線、または当該配線の層間、上層側、もしくは下層側に絶縁膜を形成する際には、前記光反射膜と平面的に重なる領域に前記配線または前記絶縁膜と同層の薄膜からなる凹凸形成層を所定のパターンで少なくとも１層、形成し、次に、前記凹凸形成層の上層側への感光性樹脂の塗布、当該感光性樹脂に対する露光マスクを介してのハーフ露光、現像、および加熱を行って、前記凹凸形成層の形成領域で厚くて前記凹凸形成層の非形成領域で薄く、かつ、表面形状がなだらかな感光性樹脂層を形成し、しかる後、前記感光性樹脂層の表面に、前記凹凸形成層および前記感光性樹脂層によって所定の凹凸パターンが形成された前記光反射層を積層することを特徴とする。
すなわち、本発明では、電気光学物質を挟持する基板上には、各画素毎に少なくとも、データ線に電気的に接続する画素スイッチング用の薄膜トランジスタと、光反射膜とを備えた電気光学装置の製造方法において、前記データ線を形成する際には、前記光反射膜と平面的に重なる領域に前記データ線と同層の導電膜からなる凹凸形成層を所定のパターンで形成し、次に、前記凹凸形成層の上層側に感光性樹脂の塗布、当該感光性樹脂に対する露光マスクを介してのハーフ露光、現像、および加熱を行って、前記凹凸形成層の形成領域で厚くて前記凹凸形成層の非形成領域で薄く、かつ、表面形状がなだらかな感光性樹脂層を形成し、しかる後、前記感光性樹脂層の表面に、前記凹凸形成層および前記感光性樹脂層によって所定の凹凸パターンが形成された前記光反射層を積層することを特徴とする。
【００１１】
本発明において、アクティブ素子は、ＭＩＭ構造などを備えるＴＦＤ素子などといった非線形２端子素子であってもよいし、ＴＦＴであってもよい。また、ＴＦＴであれば、アモルファスＳｉを能動層に用いても、ポリＳｉを能動層に用いても構わないし、逆スタガ型、順スタガ型、コプレーナー型いずれの構造であっても差し支えない。
【００１２】
本発明では、光反射膜の下層側のうち、光反射膜と平面的に重なる領域には、前記配線あるいは前記絶縁膜と同層の薄膜が凹凸形成層として所定のパターンで形成されており、この凹凸形成層の有無に起因する段差、凹凸を利用して、光反射膜の表面に凹凸パターンが付与されている。ここで、前記配線および前記絶縁膜は、光反射膜に凹凸を付すか否かに関わらず、必ず、形成されているもので、それらは、基板の表面全体に所定の薄膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングするなどの方法により形成されるものである。このため、前記配線および前記絶縁膜を形成する工程をそのまま援用して、それらと同層の凹凸形成層を所定のパターンで選択的に形成することができる。従って、成膜工程を追加することなく、光散乱機能を備えた光反射膜を形成することができる。
【００１３】
但し、これらの配線や絶縁膜は、光反射膜に凹凸を付すことを主目的に形成されたものでないため、それらが有する膜厚では所望の高低差を有する凹凸パターンを得ることができないことが多い。また、配線や絶縁膜を利用して形成した凹凸形成層は、感光性樹脂で形成したものと違って、エッジが出やすい。しかるに本発明では、前記配線あるいは前記絶縁膜を利用して形成した凹凸形成層の表面側に、感光性樹脂を塗布した後、この感光性樹脂に対して、露光マスクを介してのハーフ露光、現像、および加熱を行って、凹凸形成層の形成領域で厚くて凹凸形成層の非形成領域で薄く、かつ、表面形状がなだらかな感光性樹脂層を形成している。このため、感光性樹脂層の表面に光反射膜を形成すれば、この光反射膜の表面に、エッジのない、なだらかな形状の凹凸パターンが付与される。
【００１４】
それ故、本発明によれば、光反射膜の表面にエッジのない、なだらかな形状の凹凸パターンを付与するにあたって、感光性樹脂の塗布工程およびフォトリソグラフィ工程で１回、行えばよいので、生産性が高く、電気光学装置の製造コストの増大を最小限に止めることができる。しかも、本発明によれば、各種配線あるいは絶縁膜のうちのいずれを用いて凹凸形成層を形成し、かつ、ハーフ露光条件などをいずれの状態に設定するかによって、光反射層の表面に対して、最適な高低差、および最適形状を有する凹凸パターンを付与することができる。
【００１５】
本発明において、前記凹凸形成層には、少なくとも、前記配線のうちの一つと同層の導電膜を用いることができる。例えば、前記アクティブ素子として、前記配線としての走査線およびデータ線に接続する薄膜トランジスタを用いた場合には、前記凹凸形成層には、前記走査線と同層の導電膜、あるいは前記データ線と同層の導電膜のうちの少なくとも一方を用いることができる。
【００１６】
また、本発明では、前記凹凸形成層には、少なくとも、前記絶縁膜が含まれている構成であってもよい。
【００１７】
本発明において、前記反射膜の表面側には、透明導電膜からなる画素電極が積層されていることが好ましい。このように構成するにあたって、前記透明導電膜として、対向基板において対向電極を構成する透明導電膜と同一材料を用いれば、液晶などの電気光学物質において分極配向が発生するのを防止することができる。
【００１８】
本発明において、前記反射膜には、前記画素電極と平面的に重なる領域に光透過窓を形成することが好ましい。このように構成すると、反射膜が形成されている領域では反射モードで表示を行うことができ、光透過窓が形成されている領域では、透過モードで表示を行うことができる。すなわち、半透過・反射型の電気光学装置を構成することができる。
【００１９】
本発明において、電気光学装置を全反射型として構成し、かつ、液晶などの電気光学物質において分極配向が問題とならない場合には、対向基板の対向電極と、画素電極とにおいて材料が異なっていてもよいので、前記反射膜のみによって画素電極を構成してもよい。このように構成すると、光反射膜の表面に透明導電膜を画素電極として形成する必要がないので、生産性が向上し、製造コストを低減することができる。
【００２０】
本発明において、前記電気光学物質は、例えば、液晶である。
【００２１】
本発明を適用した電気光学装置は、モバイルコンピュータや携帯電話機などといった電子機器の表示装置として用いることができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。
【００２３】
［実施の形態１］
（電気光学装置の基本的な構成）
図１は、本発明を適用した電気光学装置を各構成要素とともに対向基板の側から見た平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ′断面図である。図３は、電気光学装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。なお、本形態の説明に用いた各図では、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００２４】
図１および図２において、本形態の電気光学装置１００は、シール材５２において貼り合わされたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に、電気光学物質としての液晶５０が挟持されており、シール材５２の形成領域の内側領域には、遮光性材料からなる周辺見切り５３が形成されている。シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路１０１、および実装端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路１０４の間をつなぐための複数の配線１０５が設けられており、更に、周辺見切り５３の下などを利用して、プリチャージ回路や検査回路が設けられることもある。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための上下導通材１０６が形成されている。
【００２５】
なお、データ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に形成する代わりに、たとえば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ（テープ  オートメイテッド、ボンディング）基板をＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に形成された端子群に対して異方性導電膜を介して電気的および機械的に接続するようにしてもよい。なお、電気光学装置１００では、使用する液晶５０の種類、すなわち、ＴＮ（ツイステッドネマティック）モード、ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モード等々の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略してある。また、電気光学装置１００をカラー表示用として構成する場合には、対向基板２０において、ＴＦＴアレイ基板１０の各画素電極（後述する。）に対向する領域にＲＧＢのカラーフィルタをその保護膜とともに形成する。
【００２６】
このような構造を有する電気光学装置１００の画面表示領域においては、図３に示すように、複数の画素１００ａがマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素１００ａの各々には、画素電極９ａ、およびこの画素電極９ａを駆動するための画素スイッチング用のＴＦＴ３０が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ２・・・Ｓｎを供給するデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２・・・Ｓｎは、この順に線順次で供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２・・・Ｇｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのオン状態とすることにより、データ線６ａから供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２・・・Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎは、図２に示す対向基板２０の対向電極２１との間で一定期間保持される。
【００２７】
ここで、液晶５０は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイトモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶５０の部分を通過する光量が低下し、ノーマリーブラックモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶５０の部分を通過する光量が増大していく。その結果、全体として電気光学装置１００からは画素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎに応じたコントラストを持つ光が出射される。
【００２８】
なお、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎがリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量６０を付加することがある。例えば、画素電極９ａの電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量６０により保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い電気光学装置１００が実現できる。なお、蓄積容量６０を形成する方法としては、図３に例示するように、蓄積容量６０を形成するための配線である容量線３ｂとの間に形成する場合、あるいは前段の走査線３ａとの間に形成する場合のいずれであってもよい。
【００２９】
（ＴＦＴアレイ基板の構成）
図４は、本形態の電気光学装置に用いたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。図５は、電気光学装置の画素の一部を図４のＡ−Ａ′線に相当する位置で切断したときの断面図である。
【００３０】
図４において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、複数の透明なＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）膜からなる画素電極９ａがマトリクス状に形成されており、これら各画素電極９ａに対して画素スイッチング用のＴＦＴ３０がそれぞれ接続している。また、画素電極９ａの縦横の境界に沿って、データ線６ａ、走査線３ａ、および容量線３ｂが形成され、ＴＦＴ３０は、データ線６ａおよび走査線３ａに対して接続している。すなわち、データ線６ａは、コンタクトホールを介してＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続し、走査線３ａは、その突出部分がＴＦＴ３０のゲート電極を構成している。なお、蓄積容量６０は、画素スイッチング用のＴＦＴ３０を形成するための半導体膜１の延設部分１ｆを導電化したものを下電極とし、この下電極４１に容量線３ｂが上電極として重なった構造になっている。
【００３１】
このように構成した画素領域のＡ−Ａ′線における断面は、図５に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の基体たる透明な基板１０′の表面に、厚さが３００ｎｍ〜５００ｎｍのシリコン酸化膜（絶縁膜）からなる下地保護膜１１が形成され、この下地保護膜１１の表面には、厚さが５０ｎｍ〜１００ｎｍの島状の半導体膜１ａが形成されている。半導体膜１ａの表面には、厚さが約５０〜１５０ｎｍのシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜２が形成され、このゲート絶縁膜２の表面に、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍの走査線３ａが形成されている。半導体膜１ａのうち、走査線３ａに対してゲート絶縁膜２を介して対峙する領域がチャネル領域１ａ′になっている。このチャネル領域１ａ′に対して一方側には、低濃度ソース領域１ｂおよび高濃度ソース領域１ｄを備えるソース領域が形成され、他方側には低濃度ドレイン領域１ｃおよび高濃度ドレイン領域１ｅを備えるドレイン領域が形成されている。
【００３２】
画素スイッチング用のＴＦＴ３０の表面側には、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍのシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜４が形成され、この層間絶縁膜４の表面には、厚さが１００ｎｍ〜３００ｎｍのシリコン窒化膜からなる表面保護膜（図示せず）が形成されることがある。層間絶縁膜４の表面には、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍのデータ線６ａが形成され、このデータ線６ａは、層間絶縁膜４に形成されたコンタクトホールを介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続している。層間絶縁膜４の表面にはデータ線６ａと同時形成されたドレイン電極６ｂが形成され、このドレイン電極６ｂは、層間絶縁膜４に形成されたコンタクトホールを介して高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続している。
【００３３】
さらに、層間絶縁膜４の上層には感光性樹脂層７ａが形成され、この感光性樹脂７ａの表面には、アルミニウム膜などからなる光反射膜８ａが形成されている。
【００３４】
光反射膜８ａの上層にはＩＴＯ膜からなる画素電極９ａが形成されている。画素電極９ａは、光反射膜８ａの表面に直接、積層され、画素電極９ａと光反射膜８ａとは電気的に接続されている。また、画素電極９ａは、感光性樹脂層７ａおよび層間絶縁膜４に形成されたコンタクトホールを介してドレイン電極６ｂに電気的に接続している。
【００３５】
画素電極９ａの表面側にはポリイミド膜からなる配向膜１２が形成されている。この配向膜１２は、ポリイミド膜に対してラビング処理が施された膜である。
【００３６】
なお、高濃度ドレイン領域１ｅからの延設部分１ｆ（下電極）に対しては、ゲート絶縁膜２ａと同時形成された絶縁膜（誘電体膜）を介して容量線３ｂが上電極として対向することにより、蓄積容量６０が構成されている。
【００３７】
なお、ＴＦＴ３０は、好ましくは上述のようにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域１ｂ、および低濃度ドレイン領域１ｃに相当する領域に不純物イオンの打ち込みを行わないオフセット構造を有していてもよい。また、ＴＦＴ３０は、ゲート電極（走査線３ａの一部）をマスクとして高濃度で不純物イオンを打ち込み、自己整合的に高濃度のソースおよびドレイン領域を形成したセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。
【００３８】
また、本形態では、ＴＦＴ３０のゲート電極（走査線３ａ）をソース−ドレイン領域の間に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。この際、各々のゲート電極には同一の信号が印加されるようにする。このようにデュアルゲート（ダブルゲート）、あるいはトリプルゲート以上でＴＦＴ３０を構成すれば、チャネルとソース−ドレイン領域の接合部でのリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することが出来る。これらのゲート電極の少なくとも１個をＬＤＤ構造或いはオフセット構造にすれば、さらにオフ電流を低減でき、安定したスイッチング素子を得ることができる。
【００３９】
（凹凸パターンの構成）
このように構成したＴＦＴアレイ基板１０において、光反射膜８ａの表面には、凸部８ｂおよび凹部８ｃを備えた凹凸パターン８ｇが形成されており、本形態では、図４に示すように、凸部８ｂが正六角形の平面形状を有するものとして表してある。但し、凸部８ｂについては、六角形に限らず、八角形などといった多角形、円形、さらには雫形状に形成してもよい。
【００４０】
このような凹凸パターン８ｇを構成するにあたって、本形態のＴＦＴアレイ基板１０では、図５に示すように、光反射膜８ａの下層側のうち、凹凸パターン８ｇの凸部８ｂに相当する領域に、データ線６ａおよびドレイン電極６ｂと同層の導電膜からなる凹凸形成層６ｇが所定のパターンで選択的に形成されている。また、本形態のＴＦＴアレイ基板１０では、凹凸パターン８ｇの凸部８ｂに相当する領域では、感光性樹脂層７ａが厚く、凹凸パターン８ｇの凹部８ｃに相当する領域では、感光性樹脂層７ａが薄く形成され、かつ、感光性樹脂層７ａの表面はエッジのない、なだらかな形状になっている。このため、光反射膜８ａの表面において、凹凸パターン８ｇもエッジのない、なだらかな形状になっている。
【００４１】
ここで、感光性樹脂層７ａは、後述するように、凹凸形成層６ｇの上層にポジタイプの感光性樹脂を塗布した後、この感光性樹脂に対して、露光マスクを介してのハーフ露光、現像、および加熱を行ったものであり、凹凸パターン８ｇの凹部８ｃに相当する領域では、感光性樹脂が厚さ方向の途中位置まで露光、現像され、薄くなっている。これに対して、凹凸パターン８ｇの凸部８ｂに相当する領域では、感光性樹脂が露光されず、厚いままである。また、ハーフ露光、現像した後の感光性樹脂に対しては加熱処理が施されているため、この加熱処理によって、感光性樹脂が溶融する結果、感光性樹脂層７ａは、角張った部分がなく、エッジのない、なだらかな形状になっている。
【００４２】
（対向基板の構成）
図５において、対向基板２０では、ＴＦＴアレイ基板１０に形成されている画素電極９ａの縦横の境界領域と対向する領域にブラックマトリクス、あるいはブラックストライプなどと称せられる遮光膜２３が形成され、その上層側には、ＩＴＯ膜からなる対向電極２１が形成されている。また、対向電極２１の上層側には、ポリイミド膜からなる配向膜２２が形成され、この配向膜２２は、ポリイミド膜に対してラビング処理が施された膜である。
【００４３】
（ＴＦＴの製造方法）
このような構成の電気光学装置１００の製造工程のうち、ＴＦＴアレイ基板１０の製造工程を、図６ないし図９を参照して説明する。図６、図７、図８、図９はいずれも、本形態のＴＦＴアレイ基板１０の製造方法を示す工程断面図であり、いずれの図においても、図４のＡ−Ａ′線における断面に相当する。
【００４４】
まず、図６（Ａ）に示すように、超音波洗浄等により清浄化したガラス製等の基板１０′を準備した後、基板温度が１５０℃〜４５０℃の温度条件下でプラズマＣＶＤ法により、基板１０′の全面に厚さが３００ｎｍ〜５００ｎｍのシリコン酸化膜からなる下地保護膜１１を形成する。このときの原料ガスとしては、たとえばモノシランと笑気ガスとの混合ガスやＴＥＯＳと酸素、あるいはジシランとアンモニアを用いることができる。
【００４５】
次に、下地保護膜１１の表面に島状の半導体膜１ａ（能動層）を形成する。それには、基板温度が１５０℃〜４５０℃の温度条件下で、基板１０′の全面に、アモルファスのシリコン膜からなる半導体膜をプラズマＣＶＤ法により５０ｎｍ〜１００ｎｍの厚さに形成した後、半導体膜に対してレーザ光を照射してレーザアニールを施し、アモルファスの半導体膜を一度溶融させた後、冷却固化過程を経て結晶化させる。この際には、各領域へのレーザ光の照射時間が非常に短時間であり、かつ、照射領域も基板全体に対して局所的であるため、基板全体が同時に高温に熱せられることがない。それ故、基板１０′としてガラス基板などを用いても熱による変形や割れ等が生じない。次に、半導体膜の表面にフォトリソグラフィ技術を用いてレジストマスクを形成し、このレジストマスクを介して半導体膜をエッチングすることにより、島状の半導体膜１ａを形成する。なお、半導体膜１ａを形成するときの原料ガスとしては、たとえばジシランやモノシランを用いることができる。
【００４６】
次に、３５０℃以下の温度条件下で、基板１０′の全面に、ＣＶＤ法などにより半導体膜１ａの表面に厚さが５０ｎｍ〜１５０ｎｍのシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜２を形成する。このときの原料ガスは、たとえばＴＥＯＳと酸素ガスとの混合ガスを用いることができる。ここで形成するゲート絶縁膜２は、シリコン酸化膜に代えてシリコン窒化膜であってもよい。
【００４７】
次に、図示を省略するが、所定のレジストマスクを介して半導体膜１ａの延設部分１ｆに不純物イオンを打ち込んで、容量線３ｂとの間に蓄積容量６０を構成するための下電極を形成する。
【００４８】
次に、図６（Ｂ）に示すように、スパッタ法などにより、基板１０′の全面に、走査線３ａなどを形成するためのアルミニウム膜、タンタル膜、モリブデン膜、またはこれらの金属のいずれかを主成分とする合金膜からなる導電膜３を３００ｎｍ〜８００ｎｍの厚さに形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてレジストマスク５５２を形成する。
【００４９】
次に、レジストマスク５５２を介して導電膜３をドライエッチングし、図６（Ｃ）に示すように、走査線３ａ（ゲート電極）および容量線３ｂを形成する。
【００５０】
次に、図６（Ｄ）に示すように、画素ＴＦＴ部および駆動回路のＮチャネルＴＦＴ部（図示せず）の側には、走査線３ａ（ゲート電極）をマスクとして、約０．１×１０13／ｃｍ2 〜約１０×１０13／ｃｍ2 のドーズ量で低濃度の不純物イオン（リンイオン）を打ち込んで、走査線３ａに対して自己整合的に低濃度ソース領域１ｂおよび低濃度ドレイン領域１ｃを形成する。ここで、走査線３ａの真下に位置しているため、不純物イオンが導入されなかった部分は半導体膜１ａのままのチャネル領域１ａ′となる。
【００５１】
次に、図６（Ｅ）に示すように、走査線３ａ（ゲート電極）より幅の広いレジストマスク５５３を形成して高濃度の不純物イオン（リンイオン）を約０．１×１０15／ｃｍ2 〜約１０×１０15／ｃｍ2 のドーズ量で打ち込み、高濃度ソース領域１ｄおよびドレイン領域１ｅを形成する。
【００５２】
これらの不純物導入工程に代えて、低濃度の不純物の打ち込みを行わずにゲート電極より幅の広いレジストマスクを形成した状態で高濃度の不純物（リンイオン）を打ち込み、オフセット構造のソース領域およびドレイン領域を形成してもよい。また、走査線３ａをマスクにして高濃度の不純物を打ち込んで、セルフアライン構造のソース領域およびドレイン領域を形成してもよいことは勿論である。
【００５３】
なお、図示を省略するが、このような工程によって、周辺駆動回路部のＮチャネルＴＦＴ部を形成する。また、周辺駆動回路のＰチャネルＴＦＴ部を形成する際には、画素部およびＮチャネルＴＦＴ部をレジストで被覆保護して、ゲート電極をマスクとして、約０．１×１０15／ｃｍ2 〜約１０×１０15／ｃｍ2 のドーズ量でボロンイオンを打ち込むことにより、自己整合的にＰチャネルのソース・ドレイン領域を形成する。この際、ＮチャネルＴＦＴ部の形成時と同様、ゲート電極をマスクとして、約０．１×１０13／ｃｍ2 〜約１０×１０13／ｃｍ2 のドーズ量で低濃度の不純物（ボロンイオン）を導入して、ポリシリコン膜に低濃度領域を形成した後、ゲート電極より幅の広いマスクを形成して高濃度の不純物（ボロンイオン）を約０．１×１０15／ｃｍ2 〜約１０×１０15／ｃｍ2 のドーズ量で打ち込んで、ＬＤＤ構造（ライトリー・ドープト・ドレイン構造）のソース領域およびドレイン領域を形成してもよい。また、低濃度の不純物の打ち込みを行わずに、ゲート電極より幅の広いマスクを形成した状態で高濃度の不純物（リンイオン）を打ち込み、オフセット構造のソース領域およびドレイン領域を形成してもよい。これらのイオン打ち込み工程によって、ＣＭＯＳ化が可能になり、周辺駆動回路の同一基板内への内蔵が可能となる。
【００５４】
次に、図７（Ｆ）に示すように、走査線３ａの表面側にＣＶＤ法などにより、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍのシリコン酸化からなる層間絶縁膜４を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてレジストマスク５５４を形成し、このレジストマスク５５４を介して層間絶縁膜４をエッチングしてコンタクトホールを形成する。層間絶縁膜４を形成するときの原料ガスは、たとえばＴＥＯＳと酸素ガスとの混合ガスを用いることができる。
【００５５】
次に、図７（Ｇ）に示すように、層間絶縁膜４の表面側に、データ線６ａ（ソース電極）などを構成するためのアルミニウム膜、タンタル膜、モリブデン膜、またはこれらの金属のいずれかを主成分とする合金膜からなる導電膜６をスパッタ法などで３００ｎｍ〜８００ｎｍの厚さに形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてレジストマスク５５６を形成する。
【００５６】
次に、レジストマスク５５６を介して導電膜６にドライエッチングを行い、図７（Ｈ）に示すように、データ線６ａおよびドレイン電極６ｂを形成する。
【００５７】
この際、データ線６ａおよびドレイン電極６ｂと同層の導電膜からなる凹凸形成層６ｇを残す。
【００５８】
次に、図７（Ｉ）に示すように、スピンコート法などを用いて、データ線６ａ、ドレイン電極６ｂ、および凹凸形成層６ｇの表面側にポジタイプの感光性樹脂７を塗布する。
【００５９】
次に、図８（Ｊ）に示すように、露光マスク２００を介して感光性樹脂７を露光する。ここで、露光マスク２００では、図５を参照して説明した凹凸形成層６ｇの間に相当する領域が透光部２１０になっており、感光性樹脂７のうち、凹凸形成層６ｇの間に相当する領域が選択的に露光される。但し、ここで行う露光は、一般的な露光条件と比較して露光時間が短い。このため、感光性樹脂７は、厚さ方向の途中位置まで露光されるだけである。
【００６０】
次に、図８（Ｋ）に示すように、感光性樹脂７に現像を施して、感光性樹脂７のうち、露光された部分を除去する。その結果、感光性樹脂７は、凹凸パターン８ｇの凹部８ｃに相当する領域（露光された部分）では薄く、凹凸パターン８ｇの凸部８ｂに相当する領域（露光されなかった部分）は厚いままである。
【００６１】
このようにして現像した後、感光性樹脂７に対して加熱処理を行って、感光性樹脂７を溶融させる。その結果、図８（Ｌ）に示すように、表面にエッジのない、なだらかな表面形状の感光性樹脂層７ａが形成される。また、感光性樹脂層７ａは、凹凸パターン８ｇの凹部８ｃに相当する領域では薄く、凹凸パターン８ｇの凸部８ｂに相当する領域（露光されなかった部分）は厚い。
【００６２】
なお、感光性樹脂層７ａには、ドレイン電極６ｂと画素電極９ａとを電気的に接続するためのコンタクトホールを形成する必要がある。このようなコンタクトホールを形成するには、例えば、図８（Ｊ）に示す露光工程において、コンタクトホールを形成する部分については、露光マスクを交換して露光時間を延長するなどの方法を採用することができる。
【００６３】
次に、図９（Ｍ）に示すように、光反射膜８ａを形成する。それには、スパッタ法などによって、感光性樹脂層７ａの表面にアルミニウム膜などといった反射性を備えた金属膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてレジストマスクを形成し、このレジストマスクを介して金属膜にエッチングを行う。
【００６４】
このようにして形成した光反射膜８ａでは、下層側の感光性樹脂層７ａの表面形状が反映されるので、光反射膜８ａの表面には、エッジのない、なだらかな凹凸パターン８ａが形成される。
【００６５】
次に、図９（Ｎ）に示すように、光反射膜８ａの表面側に厚さが４０ｎｍ〜２００ｎｍのＩＴＯ膜からなる画素電極９ａを形成する。それには、光反射膜８ａの表面側にＩＴＯ膜をスパッタ法などで形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてレジストマスクを形成し、このレジストマスクを介してＩＴＯ膜にエッチングを行う。
【００６６】
しかる後には、図５に示すように、画素電極９ａの表面側にポリイミド膜（配向膜１２）を形成する。それには、ブチルセロソルブやｎ−メチルピロリドンなどの溶媒に５〜１０重量％のポリイミドやポリアミド酸を溶解させたポリイミド・ワニスをフレキソ印刷した後、加熱・硬化（焼成）する。そして、ポリイミド膜を形成した基板をレーヨン系繊維からなるパフ布で一定方向に擦り、ポリイミド分子を表面近傍で一定方向に配列させる。その結果、後で充填した液晶分子とポリイミド分子との相互作用により液晶分子が一定方向に配列する。
【００６７】
（本形態の電気光学装置の作用、効果）
このようにして製造したＴＦＴアレイ基板１０を用いた電気光学装置１００は、全反射型の液晶装置であり、画素電極９ａの下層側にアルミニウム膜などからなる光反射膜８ａが形成されている。このため、対向基板２０側から入射した光をＴＦＴアレイ基板１０側で反射し、対向基板２０側から出射することができるため、この間に液晶５０によって各画素１００ａ毎で光変調を行えば、外光を利用して所望の画像を表示することができる（反射モード）。
【００６８】
また、本形態では、光反射膜８ａの下層側のうち、光反射膜８ａと平面的に重なる領域には、データ線６ａと同層の薄膜を凹凸形成層６ｇとして所定のパターンで選択的に形成し、この凹凸形成層６ｇの有無に起因する段差、凹凸を利用して、光反射膜８ａの表面に凹凸パターン８ｇが形成されている。従って、反射モードで画像を表示する際、対向基板２０側から入射した光を光反射膜８ａで散乱させながら反射するので、画像に視野角依存性が発生しにくい。
【００６９】
ここで、データ線６ａおよびドレイン電極６ｂは、基板１０′の表面全体に形成した導電膜をフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングしたものであり、本形態では、このフォトリソグラフィ工程をそのまま援用して、それらと同層の凹凸形成層６ｇを形成している。従って、凹凸形成層６ｇについては、フォトリソグラフィ工程に限らず、いずれの工程をも追加することなく形成することができる。
【００７０】
但し、データ線６ａおよびドレイン電極６ｂは、光反射膜８ａに凹凸パターン８ｇを付すことを主目的に形成されたものでないため、それらが有する膜厚では所望の高低差を有する凹凸パターン８ｇを得ることができないことが多い。また、データ線６ａおよびドレイン電極６ｂを構成する導電膜を利用して形成した凹凸形成層６ｇは、感光性樹脂で形成したものと違って、エッジが出やすい。しかるに本形態では、データ線６ａを構成する導電膜を利用して形成した凹凸形成層６ｇの表面側に、感光性樹脂７を塗布した後、この感光性樹脂７に対して、露光マスク２００を介してのハーフ露光、現像、および加熱を行って、凹凸形成層６ｇの形成領域で厚くて凹凸形成層６ｇの非形成領域で薄く、かつ、表面形状がなだらかな感光性樹脂層７ａを形成している。従って、光反射膜８ａの表面には、エッジのない、なだらかな形状の凹凸パターン８ｇを付与できる。また、感光性樹脂７に対するハーフ露光条件などによって感光性樹脂層７ａの膜厚パターンを調整できるので、光反射層８ａの表面に対して、最適な高低差を有する凹凸パターン８ｇを付与することができる。
【００７１】
このように、本形態によれば、光反射膜８ａの表面にエッジのない、なだらかな形状の凹凸パターンを付与するにあたって、感光性樹脂の塗布工程およびフォトリソグラフィ工程を１回、行えばよいので、ＴＦＴアレイ基板１０の生産性が高く、液晶装置１００の製造コストを低減することができる。
【００７２】
しかも、本形態によれば、各種実施形態を後述するように、各種配線あるいは絶縁膜のうちのいずれを用いて凹凸形成層を形成し、かつ、ハーフ露光条件などをいずれの状態に設定するかによって、光反射層８ａの表面に対して、最適な高低差、および最適形状を有する凹凸パターン８ｇを付与することができる。
【００７３】
［実施の形態２］
図１０は、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置のＴＦＴアレイ基板の断面図である。なお、本形態は、実施の形態１と基本的な構成が共通しているので、共通する機能を有する部分には同一符号を付して図１０に示すことにして、それらの説明を省略する。
【００７４】
実施の形態１では、光反射膜８ａの表面に凹凸パターンを付すにあたって、光反射膜８ａと平面的に重なる領域に、データ線６ａと同層の薄膜を凹凸形成層６ｇとして所定のパターンで選択的に形成したが、図１０に示すように、さらに、凹凸形成層６ｇと平面的に重なる領域に、走査線３ａと同層の薄膜を凹凸形成層３ｇとして形成してもよい。この場合、下層側に位置する凹凸形成層３ｇについては、上層側に位置する凹凸形成層６ｇよりも広い領域に形成すれば、光反射膜８ａの凹凸パターン８ｇをなだらかな表面形状とすることができる。
【００７５】
なお、このような凹凸形成層３ｇは、実施の形態１に関して図６（Ｂ）、（Ｃ）を参照して説明した工程で、導電膜３をパターニングするためのレジストマスク５５２のマスクパターンを変更するだけで形成でき、工程の追加が必要ない。
【００７６】
また、本形態では、データ線６ａを構成する導電膜を利用して形成した凹凸形成層６ｇの表面側に、実施の形態１と同様、感光性樹脂７を塗布した後、この感光性樹脂７に対して、露光マスクを介してのハーフ露光、現像、および加熱を行って、凹凸形成層６ｇの形成領域で厚くて凹凸形成層６ｇの非形成領域で薄く、かつ、表面形状がなだらかな感光性樹脂層７ａを形成している。従って、光反射膜８ａの表面には、エッジのない、なだらかな形状の凹凸パターン８ｇを付与できる。また、感光性樹脂７に対するハーフ露光条件などによって感光性樹脂層７ａの膜厚パターンを調整できるので、光反射層８ａの表面に対して、最適な高低差を有する凹凸パターン８ｇを付与することができる。
【００７７】
なお、凹凸形成層としては、半導体膜１ａを部分的に残して凹凸形成層の一部として用いてもよい。
【００７８】
［実施の形態３］
図１１は、本発明の実施の形態３に係る電気光学装置のＴＦＴアレイ基板の断面図である。なお、本形態は、実施の形態１と基本的な構成が共通しているので、共通する機能を有する部分には同一符号を付して図１１に示すことにして、それらの説明を省略する。
【００７９】
実施の形態１、２では、光反射膜８ａの表面に凹凸パターンを付すにあたって、光反射膜８ａと平面的に重なる領域に、データ線６ａあるいは走査線３ａと同層の導電膜を凹凸形成層３ｇ、６ｇとして所定のパターンで選択的に形成したが、図１２に示すように、ゲート絶縁膜２および層間絶縁膜４と同層の絶縁膜を凹凸形成層２ｇ、４ｇとして形成してもよい。
【００８０】
なお、このような凹凸形成層２ｇ、４ｇは、実施の形態１に関して図７（Ｆ）を参照して説明した工程で、層間絶縁膜４にコンタクトホールを形成するためのレジストマスク５５４のマスクパターンを変更するだけで形成でき、工程の追加が必要ない。
【００８１】
また、本形態では、、ゲート絶縁膜２および層間絶縁膜４と同層の絶縁膜を利用して形成した凹凸形成層２ｇ、４ｇの表面側に、実施の形態１と同様、感光性樹脂７を塗布した後、この感光性樹脂７に対して、露光マスクを介してのハーフ露光、現像、および加熱を行って、凹凸形成層６ｇの形成領域で厚くて凹凸形成層６ｇの非形成領域で薄く、かつ、表面形状がなだらかな感光性樹脂層７ａを形成している。従って、光反射膜８ａの表面には、エッジのない、なだらかな形状の凹凸パターン８ｇを付与できる。また、感光性樹脂７に対するハーフ露光条件などによって感光性樹脂層７ａの膜厚パターンを調整できるので、光反射層８ａの表面に対して、最適な高低差を有する凹凸パターン８ｇを付与することができる。
【００８２】
［実施の形態４］
なお、図示を省略するが、実施の形態１、２で説明した凹凸形成層３ｇ、６ｇ、および実施の形態３で説明した凹凸形成層２ｇ、４ｇの双方を形成し、かつ、それらの上層側に、感光性樹脂７に対するハーフ露光、現像、および加熱によって感光性樹脂層７ａを形成してもよい。
【００８３】
［実施の形態５］
図１２は、本形態の電気光学装置に用いたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。図１３は、電気光学装置の画素の一部を図１２のＢ−Ｂ′線に相当する位置で切断したときの断面図である。なお、本形態は、実施の形態１と基本的な構成が共通しているので、共通する機能を有する部分には同一符号を付して図１２および図１３に示すことにして、それらの説明を省略する。
【００８４】
実施の形態１では、光反射膜８ａの表面に形成したＩＴＯ膜を画素電極として用いたが、図１２および図１３に示すように、光反射膜８ａ自身を画素電極として用い、ＩＴＯ膜の形成を省略してもよい。
【００８５】
このように構成した場合には、ＩＴＯ膜の成膜工程、およびパターニング工程を省略することができるので、ＴＦＴアレイ基板１０の生産性を向上でき、液晶装置１００の製造コストを低減することができる。
【００８６】
［実施の形態６］
図１４は、本形態の電気光学装置に用いたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。図１５は、電気光学装置の画素の一部を図１２のＣ−Ｃ′線に相当する位置で切断したときの構成を模式的に示す断面図である。なお、本形態は、実施の形態１と基本的な構成が共通しているので、共通する機能を有する部分には同一符号を付して図１４および図１５に示すことにして、それらの説明を省略する。
【００８７】
実施の形態１〜５に係る電気光学装置は、いずれも全反射型の液晶装置であり、そのうち、実施の形態１〜５では、光反射膜８ａの表面にＩＴＯ膜からなる画素電極９ａが形成されている。従って、図１４および図１５に示すように、実施の形態１〜４に係る電気光学装置において、ＩＴＯ膜からなる画素電極９ａと平面的に重なる領域で、光反射膜８ａに光透過窓８ｄを形成すれば、光反射膜８ａが形成されている領域では反射モードで表示を行うことができ、光透過窓８ｄが形成されている領域では、透過モードで表示できる半透過・反射型の電気光学装置を構成することができる。
【００８８】
すなわち、ＴＦＴアレイ基板１０の側にバックライト装置（図示せず）を配置し、このバックライト装置から出射された光をＴＦＴアレイ基板１０の側から入射させれば、図１５に矢印ＬＢで示すように、この光を、画素電極９ａが形成されている領域のうち、光反射膜８ａが形成されていない領域を介して対向基板２０側に透過することができる。このため、液晶５０によって各画素１００ａ毎で光変調を行えば、バックライト装置から出射された光を利用して所望の画像を表示することができる（透過モード）。
【００８９】
［実施の形態７］
図１６は、本形態の電気光学装置に用いたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。なお、本形態は、実施の形態１と基本的な構成が共通しているので、共通する機能を有する部分には同一符号を付して図１４および図１５に示すことにして、それらの説明を省略する。
【００９０】
実施の形態１〜６に係る電気光学装置では、１つの画素電極９ａに対して１つの画素スイッチング用のＴＦＴ３０が形成されている構成であったが、このような構成では、蓄積容量６０への電荷の蓄積が行われる分、画素への書き込みが困難になる場合がある。そこで、本形態では、図１６に示すように、１つの画素電極９ａに対して、互いに走査信号が反転して供給される２本の走査線３ａ、３ｂを設けるとともに、各走査線３ａ、３ｂによって制御される相補型の２つの画素スイッチング用のＴＦＴ３０、３０′を設けてある。このため、画素電極９ａに対しては、データ線６ａから２つのＴＦＴ３０、３０′を介して書き込みが行われるので、ゲート選択期間が短い場合でも、ゲート電圧を高めなくて信号の書き込みが行えるなどの利点がある。また、２つのＴＦＴ３０、３０′を設けても、反射型あるいは半透過・反射型の電気光学装置では、透過型の電気光学装置と違って、表示に用いられる光量が減るという弊害がない。
【００９１】
［電気光学装置の電子機器への適用］
このように構成した反射型、あるいは半透過・反射型の電気光学装置１００は、各種の電子機器の表示部として用いることができるが、その一例を、図１７、図１８、および図１９を参照して説明する。
【００９２】
図１７は、本発明に係る電気光学装置を表示装置として用いた電子機器の回路構成を示すブロック図である。
【００９３】
図１７において、電子機器は、表示情報出力源７０、表示情報処理回路７１、電源回路７２、タイミングジェネレータ７３、そして液晶装置７４を有する。また、液晶装置７４は、液晶表示パネル７５および駆動回路７６を有する。液晶装置７４としては、前述した電気光学装置１００を用いることができる。
【００９４】
表示情報出力源７０は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）等といったメモリ、各種ディスク等といったストレージユニット、デジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ７３によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路７１に供給する。
【００９５】
表示情報処理回路７１は、シリアル−パラレル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等といった周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路７６へ供給する。電源回路７２は、各構成要素に所定の電圧を供給する。
【００９６】
図１８は、本発明に係る電子機器の一実施形態であるモバイル型のパーソナルコンピュータを示している。ここに示すパーソナルコンピュータ８０は、キーボード８１を備えた本体部８２と、液晶表示ユニット８３とを有する。液晶表示ユニット８３は、前述した電気光学装置１００を含んで構成される。
【００９７】
図１９は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機９０は、複数の操作ボタン９１と、前述した電気光学装置１００からなる表示部とを有している。
【００９８】
【発明の効果】
以上説明したとおり、本発明では、光反射膜の下層側のうち、光反射膜と平面的に重なる領域には、他の機能を担う配線あるいは絶縁膜と同層の薄膜が凹凸形成層として所定のパターンで形成されており、この凹凸形成層の有無に起因する段差、凹凸を利用して、光反射膜の表面に凹凸パターンが付与されている。従って、成膜工程などを追加することなく、光散乱機能を備えた光反射膜を形成することができる。また、本発明では、凹凸形成層の表面側に、感光性樹脂を塗布した後、この感光性樹脂に対して、露光マスクを介してのハーフ露光、現像、および加熱を行って、凹凸形成層の形成領域で厚くて凹凸形成層の非形成領域で薄く、かつ、表面形状がなだらかな感光性樹脂層を形成している。このため、感光性樹脂層の表面に光反射膜を形成すれば、この光反射膜の表面に、エッジのない、なだらかな形状の凹凸パターンが付与される。それ故、本発明によれば、光反射膜の表面にエッジのない、なだらかな形状の凹凸パターンを付与するにあたって、感光性樹脂の塗布工程およびフォトリソグラフィ工程で１回、行えばよいので、生産性が高く、電気光学装置の製造コストの増大を最小限に止めることができる。しかも、各種配線あるいは絶縁膜のうちのいずれを用いて凹凸形成層を形成し、かつ、ハーフ露光条件などをいずれの状態に設定するかによって、光反射層の表面に対して、最適な高低差、および最適形状を有する凹凸パターンを付与することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】電気光学装置を対向基板の側からみたときの平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ′線における断面図である。
【図３】電気光学装置において、マトリクス状に配置された複数の画素に形成された各種素子、配線などの等価回路図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置において、ＴＦＴアレイ基板に形成された各画素の構成を示す平面図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置を、図４のＡ−Ａ′線に相当する位置での切断したときの断面図である。
【図６】（Ａ）〜（Ｅ）は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置のＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図７】（Ｆ）〜（Ｉ）は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置のＴＦＴアレイ基板の製造方法において、図６に示す工程に続いて行う各工程の工程断面図である。
【図８】（Ｊ）〜（Ｌ）は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置のＴＦＴアレイ基板の製造方法において、図７に示す工程に続いて行う各工程の工程断面図である。
【図９】（Ｍ）、（Ｎ）は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置のＴＦＴアレイ基板の製造方法において、図８に示す工程に続いて行う各工程の工程断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態２に係る電気光学装置のＴＦＴアレイ基板の断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態３に係る電気光学装置のＴＦＴアレイ基板の断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態４に係る電気光学装置において、ＴＦＴアレイ基板に形成された各画素の構成を示す平面図である。
【図１３】本発明の実施の形態４に係るＴＦＴアレイ基板を、図１２のＢ−Ｂ′線に相当する位置での切断したときの断面図である。
【図１４】本発明の実施の形態５に係る電気光学装置において、ＴＦＴアレイ基板に形成された各画素の構成を示す平面図である。
【図１５】本発明の実施の形態５に係る電気光学装置を、図１４のＣ−Ｃ′線に相当する位置での切断したときの断面図である。
【図１６】本発明の実施の形態６に係る電気光学装置において、ＴＦＴアレイ基板に形成された各画素の構成を示す平面図である。
【図１７】本発明に係る電気光学装置を表示装置として用いた電子機器の回路構成を示すブロック図である。
【図１８】本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器の一実施形態としてのモバイル型のパーソナルコンピュータを示す説明図である。
【図１９】本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器の一実施形態としての携帯電話機の説明図である。
【図２０】従来の電気光学装置の断面図である。
【符号の説明】
１ａ  半導体膜
２  ゲート絶縁膜
３ａ  走査線
３ｂ  容量線
３ｇ  走査線と同層の凹凸形成層
４  層間絶縁膜
４ｇ  層間絶縁膜と同層の凹凸形成層
６ａ  データ線
６ｂ  ドレイン電極
６ｇ  データ線と同層の凹凸形成層
７  感光性樹脂
７ａ  感光性樹脂層
８ａ  光反射膜
８ｂ  凹凸パターンの凸部
８ｃ  凹凸パターンの凹部
８ｄ  光透過窓
８ｇ  光反射膜表面の凹凸パターン
９ａ  画素電極
１０  ＴＦＴアレイ基板
１１  下地保護膜
２０  対向基板
２１  対向電極
２３  遮光膜
３０、３０′  画素スイッチング用のＴＦＴ
５０  液晶
６０  蓄積容量
１００  電気光学装置
１００ａ  画素
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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