(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のＸ線検出器モジュール（６０）を備えるＸ線検出器アレイであって、
複数のＸ線検出器モジュール（６０）の各々が、
（ａ）第１の幅（１２０）を持つ基体（１３２）と、
（ｂ）前記基体（１３２）上に配置され、前記第１の幅（１２０）を持つ光センサ・アレイ（１０２）と、
（ｃ）前記第１の幅よりも大きい幅（１２２）を持つ可撓性ケーブル（１１８）と、
（ｄ）前記Ｘ線検出器モジュール（６０）の長手方向軸線に沿って前記光センサ・アレイ（１０２）と整列して前記基体（１３２）上に配置され、前記光センサ・アレイ（１０２）と前記可撓性ケーブル（１１８）とを電気的に結合する、二次元アレイを形成する複数のコンタクト（１２６）とを含み、
前記複数のコンタクト（１２６）は、前記光センサ・アレイ（１０２）と前記可撓性ケーブル（１１８）が垂直となるように結合しており、
前記基体（１３２）は、垂直に折り曲げられた前記可撓性ケーブル（１１８）を受け入れる段部（２３４）を有しており、
前記垂直に折り曲げられた可撓性ケーブル（１１８）は隣接の検出器モジュール（６０）の相互間に挟まれる、Ｘ線検出器アレイ。
【請求項２】
前記ケーブル（１１８）が前記第１の幅（１２０）よりも少なくとも２５％大きい幅（１２２）を持っている、請求項１記載のＸ線検出器アレイ。
【請求項３】
前記ケーブル（１１８）が前記第１の幅（１２０）よりも少なくとも５０％大きい幅（１２２）を持っている、請求項１記載のＸ線検出器アレイ。
【請求項４】
前記ケーブル（１１８）が前記第１の幅（１２０）よりも少なくとも１００％大きい幅（１２２）を持っている、請求項１記載のＸ線検出器アレイ。
【請求項５】
前記コンタクト（１２６）は、前記長手方向軸線から少なくとも１０°の角度で並べて配置されている、請求項１記載のＸ線検出器アレイ。
【請求項６】
前記コンタクト（１２６）は、前記長手方向軸線から少なくとも２０°の角度で並べて配置されている、請求項１記載のＸ線検出器アレイ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は一般的に云えばシンチレーション型放射線検出器に関するものであり、より具体的に云えばコンピュータ断層撮影（ＣＴ）検出器用の高密度フレックス(flex)相互接続システム、並びにこの高密度フレックス相互接続システムを作製し且つ使用する方法に関するものである。
【０００２】
【発明の背景】
ＣＴイメージング（画像作成）システムにおける少なくとも一種の公知の検出器は複数の検出器モジュールを含み、その各々の検出器モジュールはシンチレータ・アレイ（配列体）と、該シンチレータ・アレイに光学的に結合されて該シンチレータ・アレイによって出力された光を検出する半導体フォトダイオード・アレイとを有している。これらのフォトダイオード・アレイはフレックス回路を介してＣＴシステムのデータ収集システム（ＤＡＳ）に電気接続されている。一種の公知のモジュール内のフォトダイオード・アレイは電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）アレイのシリコン・チップにワイヤ・ボンディングされ、該シリコンチップは次いでフレックス回路にワイヤ・ボンディングされている。このダイオード・アレイは、両端のＦＥＴチップ及び両端のフレックス回路と共に、全てセラミック製の基体上に設置されている。このワイヤ・ボンディングの相互接続密度及びフレックス・ラン（run:細導線）密度は今日の極限技術に非常に近い。従って、少なくとも部分的にこれらの密度限界を無くすようにすることが望ましい。
【特許文献１】
米国特許第６１７３０３１号
【０００３】
【発明の概要】
本発明の一面においては、検出器モジュールが、第１の幅を持つ光センサ・アレイと、該光センサ・アレイに動作上結合された可撓性（フレキシブル）ケーブルとを含んでおり、該ケーブルは第１の幅よりも大きい幅を持っている。
【０００４】
別の一面においては、データを受信するためのＤＡＳシステムを有するコンピュータ断層撮影システムに使用するために構成された光センサ・モジュールが提供される。本モジュールは、シンチレータ・アレイに光学的に結合されたフォトダイオード・アレイを有する基体と、フォトダイオード・アレイに電気接続され且つ該基体上に設置されたＦＥＴチップと、高密度相互接続体と、ＤＡＳシステムに接続されるフレックス回路とを含んでいる。フレックス相互接続体は基体上に設置し、フレックス回路の長手方向軸線は基体及びダイオードの水平軸線に対して直角にする。
【０００５】
更に別の一面においては、コンピュータ断層撮影（ＣＴ）システムが、放射線源と、該線源からの放射線を受け取るように位置決めされた検出器アレイを含む。検出器アレイは複数の検出器モジュールとを含み、各々の検出器モジュールは、第１の幅を持つ光センサ・アレイと、該光センサ・アレイに動作上結合された可撓性ケーブルとを含んでいる。ケーブルは第１の幅よりも大きい幅を持つ。
【０００６】
【発明の実施の形態】
コンピュータ断層撮影（ＣＴ）イメージング・システムの少なくとも一種の公知の構成においては、Ｘ線源が扇形Ｘ線ビームを投射し、このビームを一般に「イメージング平面」と呼ぶデカルト座標系のＸ−Ｙ平面内に存在するようにコリメートする。Ｘ線ビームは撮影対象物、例えば患者を通過する。対象物によって減弱した後のビームは放射線検出器アレイに入射する。減弱したＸ線ビームの強度は対象物によるＸ線ビームの減弱度に依存する。各々の検出器素子がその検出器位置におけるビーム減弱度の測定値である電気信号を別々に発生する。全ての検出器からの減弱度測定値は別々に収集されて透過度分布を生成する。
【０００７】
公知の第３世代のＣＴシステムでは、Ｘ線源及び検出器アレイはイメージング平面内で撮影対象物の周りをガントリと共に回転させて、Ｘ線ビームが対象物と交差する角度が絶えず変化するようにする。一ガントリ角度における検出器アレイからの一群のＸ線減弱度測定値、すなわち、投影データは、「ビュー(view)」と呼ばれている。対象物の「スキャン(scan)」が、Ｘ線源及び検出器の一回転の間に異なるガントリ角度すなわちビュー角度で得られた一組のビューで構成される。アキシャル・スキャンでは、投影データは、対象物の二次元スライスに対応する画像を構成するように処理される。一組の投影データから画像を再構成する一方法が、フィルタ補正逆投影法と呼ばれているものである。この方法は、スキャンからの源弱度測定値を「ＣＴナンバー」又は「ハウンスフィールド単位」と呼ばれる整数に変換し、これらの整数を使用して陰極線管表示装置内の対応する画素の輝度を制御する。
【０００８】
本書で単に「素子」又は「工程」という用語を使用するが、特に明記しない限り、これは単数（１つ）の素子又は工程を表すだけでなく複数の素子又は工程を表していることもあることを理解されたい。更に、本発明の「一実施形態」とは、その列挙した特徴を同様に含んでいる別の実施形態の存在を排除するものとして解釈されるべきではない。
【０００９】
図１及び２を参照すると、「第３世代」のＣＴイメージング・システムを表すガントリ１２を含むものとしてマルチスライス走査型イメージング・システム、例えば、コンピュータ断層撮影（ＣＴ）イメージング・システム１０が示されている。ガントリ１２はＸ線源１４を備えており、Ｘ線源１４はガントリ１２の反対側にある検出器アレイ１８へ向かってＸ線ビーム１６を投射する。検出器アレイ１８は、患者２２のように対象物を通過した投射Ｘ線を検知する複数の検出器素子２０を含む複数の検出器列（図示していない）によって形成されている。各々の検出器素子２０は、入射するＸ線ビームの強度、従って対象物又は患者２２を通過したＸ線ビームの減弱度を表す電気信号を発生する。Ｘ線投影データを取得するための走査中、ガントリ１２及びそれに装着された部品は回転中心の周りを回転する。図２は一列の検出器素子２０（すなわち、検出器列）のみを示している。しかしながら、マルチスライス検出器アレイ１８は、検出器素子２０の複数の並列の検出器列を含んでいて、複数の準並列又は並列のスライスに対応する投影データを一回のスキャンで同時に取得することができる。
【００１０】
ガントリ１２の回転及びＸ線源１４の動作はＣＴシステム１０の制御機構２６によって統制される。制御機構２６は、Ｘ線源１４に電力及びタイミング信号を供給するＸ線制御装置２８と、ガントリ１２の回転速度及び位置を制御するガントリ・モータ制御装置３０とを含んでいる。制御機構２６にはデータ収集システム（ＤＡＳ）３２も含まれており、該ＤＡＳ３２は、検出器素子２０から可撓性ケーブル（図１及び２に示されていない）を介して受け取ったアナログ・データをサンプリングして、該データをその後の処理のためにディジタル信号へ変換する。画像再構成装置３４はＤＡＳ３２からサンプリングされディジタル化されたＸ線データを受け取って、高速画像再構成を実行する。再構成された画像はコンピュータ３６に入力として印加され、コンピュータは該画像を大容量記憶装置３８に格納する。
【００１１】
コンピュータ３６はまた、キーボ−ドを備えたコンソール４０を介してオペレータから指令及び走査パラメータも受け取る。付設された陰極線管表示装置４２により、オペレータはコンピュータ３６から再構成された画像やその他のデータを観察することが可能になる。コンピュータ３６はオペレータから供給された指令及びパラメータを使用して、ＤＡＳ３２、Ｘ線制御装置２８及びガントリ・モータ制御装置３０へ制御信号及び情報を供給する。加えて、コンピュータ３６は、ガントリ１２内に患者２２を位置決めするために電動テーブル４６を制御するテーブル・モータ制御装置４４を動作させる。具体的に述べると、テーブル４６は患者２２の一部分をガントリ開口部４８内へ通すように移動させる。
【００１２】
一実施形態において、コンピュータ３６は、フレキシブル・ディスクやＣＤ−ＲＯＭのようなコンピュータ読出し可能な媒体５２から命令及び／又はデータを読み出すためのフレキシブル・ディスク・ドライブやＣＤ−ＲＯＭドライブのようなデバイス５０を含んでいる。別の実施形態では、コンピュータ３６はファームウエア（図示していない）に記憶されている命令を実行する。コンピュータ３６は本書で述べる機能を実行するようにプログラムされており、従って、本書で用いる用語「コンピュータ」とは当該技術分野でコンピュータと呼ばれている集積回路だけでなく、広義にコンピュータ、プロセッサ、マイクロプロセッサ、マイクロコンピュータ、プログラム可能な論理制御装置、特定用途向け集積回路、及びその他のプログラム可能な回路を表す。
【００１３】
図３は従来技術の検出器アレイ５８の斜視図であり、該検出器アレイは複数の従来技術のモジュール６０を含んでいる。図４は一つの従来技術のモジュール６０の斜視図である。各モジュール６０は複数の検出器素子を含んでいる。各検出器モジュール６０はプレート６４によって検出器ハウジング６２に固定される。各モジュール６０は多次元シンチレータ・アレイ６６及び高密度半導体アレイ（図では見えない）を含んでいる。シンチレータ・アレイ６６はアレイ（配列体）の形に配列された複数のシンチレーション素子を含んでおり、半導体アレイは同じアレイの形に配列された複数のフォトダイオードを含んでいる。フォトダイオードは基体６８上に堆積又は固着され、シンチレータ・アレイ６６は基体６８の上方に位置決めされ且つ基体６８に固定されている。
【００１４】
スイッチ及び復号器装置７０がフォトダイオード・アレイに結合されている。フォトダイオードはシンチレータ・アレイ６６に光学的に結合されていて、シンチレータ・アレイ６６によって出力される光を表す信号を送出するための電気出力線を持っている。具体的に述べると、各々のフォトダイオードは、シンチレータ・アレイ６６の特定のシンチレータについてビーム減弱度の測定値であるそれぞれ別々の低レベル・アナログ出力信号を発生する。
【００１５】
スイッチ及び復号器装置７０はフォトダイオード・アレイと同様な幅を持つ多次元半導体スイッチ・アレイであり、またスイッチ及び復号器装置７０は半導体アレイとＤＡＳとの間の電気回路内に結合されている。スイッチ及び復号器装置７０は、多次元アレイとして配列された複数の電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を含んでいる。各々のＦＥＴは、それぞれのフォトダイオード出力線の１つに電気接続された入力線と、出力線と、制御線（図示していない）とを含んでいる。ＦＥＴの出力線及び制御線は可撓性電気ケーブル７２を介してＤＡＳに電気接続される。具体的に述べると、フォトダイオード出力線の約半分がアレイの一方の側で各ＦＥＴ入力線に電気接続されており、且つフォトダイオード出力線の他の半分がアレイの他方の側でＦＥＴ入力線に電気接続されている。シンチレータ・アレイ６６と、スイッチ及び復号器装置７０と、可撓性ケーブル７２とは全て、ほぼ等しい幅７４を持っている。
【００１６】
スイッチ及び復号器装置７０はＦＥＴの動作を制御して、所望のスライス数と各スライスについてのスライス分解能とに従って、フォトダイオードの出力をイネーブル(enable)し、又はディスエーブル(disable) し、或いは組み合わせる。スイッチ及び復号器装置７０は、一実施形態では、当該分野で知られているように復号器チップ又はＦＥＴ制御器であり、またスイッチ及び復号器装置７０は、ＦＥＴ及びＤＡＳに結合される複数の出力及び制御線を含んでいる。具体的に述べると、復号器出力がスイッチ装置制御線に電気接続されていて、適切なデータを送出するようにＦＥＴをイネーブルする。復号器制御線がＦＥＴ制御線に電気接続されていて、どの出力をイネーブルするか決定する。スイッチ及び復号器装置７０を利用することにより、特定のＦＥＴがイネーブルされ、又はディスエーブルされ、或いはそれらのＦＥＴの出力を組み合わせて、特定のフォトダイオード出力をＤＡＳへ電気接続するようにする。
【００１７】
図５は検出器アレイ１８（図１に示す）の斜視図である。検出器アレイ１８は複数の検出器モジュール組立体１００（これは、「検出器モジュール」とも呼ぶ）を含んでおり、各モジュールは検出器素子２０のアレイを含んでいる。図６は１つの検出器モジュール１００の斜視図であり、該検出器モジュール１００は高密度光センサ・アレイ１０２と、該光センサ・アレイ１０２の上方に且つそれに隣接して位置決めされた多次元シンチレータ・アレイ１０４とを含んでいる。具体的に述べると、シンチレータ・アレイ１０４は複数のシンチレータ素子（図示していない）を含んでおり、他方、光センサ・アレイ１０２は複数のフォトダイオード１０６とスイッチ及び復号器装置１０８とを含んでいる。一実施形態では、フォトダイオード１０６は個別のフォトダイオードである。別の実施形態では、フォトダイオード１０６は基体１１０上に堆積又は固着される。シンチレータ・アレイ１０４はフォトダイオード１０６の上方に且つそれに隣接して位置決めされており、またフォトダイオード１０６はシンチレータ・アレイ１０４に光学的に結合されていると共に、シンチレータ・アレイ１０４によって出力された光を表す信号を送出するための電気出力を持っている。各々のフォトダイオード１０６は、シンチレータ・アレイの特定のシンチレータによって測定された通りのビーム減弱度の測定値である別々の低レベル・アナログ出力を発生する。フォトダイオード出力線（図示していない）は、例えば、モジュール１００の一側部に又はモジュール１００の複数の側部に物理的に配置してもよい。別の実施形態では、フォトダイオード出力部はフォトダイオード・アレイ１０２の対向する側部に配置される。
【００１８】
一実施形態においては、図５に示されるように、検出器アレイ１８は５７個の検出器モジュール１００含む。各々の検出器モジュール１００は光センサ・アレイ１０２及びシンチレータ・アレイ１０４を含み、各モジュールは検出器素子２０の１６×１６のアレイ寸法を持つ。結果として、アレイ１８は１６個の横列及び９１２個の縦列（１６×５７モジュール）にセグメント化されて、ガントリ１２の一回転毎にｚ軸線に沿って最大でＮ＝１６個のスライスのデータを同時に収集することが可能になる。ここで、ｚ軸線はガントリの回転軸線である。
【００１９】
スイッチ及び復号器装置１０８は多次元半導体スイッチ・アレイである。スイッチ及び復号器装置１０８は光センサ・アレイ１０２とＤＡＳ３２との間に結合される。スイッチ及び復号器装置１０８は、一実施形態では、２つの半導体スイッチ・アレイ１１２及び１１４を含んでいる。スイッチ・アレイ１１２及び１１４の各々は、多次元アレイとして配列された複数の電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）１１６を含んでいる。各々のＦＥＴ１１６は、それぞれのフォトダイオード出力線の１つに電気接続された入力と、出力と、制御部（図示していない）とを含み、これらは多次元アレイとして配列されている。
【００２０】
ＦＥＴの出力及び制御部は、可撓性電気ケーブル１１８を介してＤＡＳ３２に電気接続される線に接続されている。光センサ・アレイ１０２、シンチレータ・アレイ１０４、並びにスイッチ及び復号器装置１０８は全て、ほぼ等しい幅１２０を持っている。可撓性ケーブル１１８は幅１２０とは異なる幅１２２を持つ。模範的な実施形態では、幅１２２は幅１２０よりも大きい。一実施形態では、幅１２２は幅１２０の少なくとも１２５％である。この代わりに、幅１２２は幅１２０の少なくとも１５０％である。他の実施形態では、幅１２２は幅１２０の少なくとも２倍である。
【００２１】
更に、可撓性ケーブル１１８は、モジュール１００の長手方向軸線１２８に対して平行に又は斜めの角度（θ）で並ぶ横列及び縦列に配列された複数のより低い密度領域のコンタクト１２６からデータを受け取る。一実施形態ではθは０°であり、また別の実施形態ではθは少なくとも１０°である。代替例では、θは少なくとも２０°である。コンタクト１２６はフレックス回路１３０を形成し、フレックス回路１３０はセラミック製の基体１３２上に設置され且つ従来の設計のものに比べて９０°回転している。この回転により、一層幅広のフレックスの使用が可能になり、もってフレックス・ラン・ピッチ密度を低減させる。一実施形態では、フレックス回路１３０は、隣接の検出器モジュール１００の相互間にフレックス回路１３０を挟むことができる程に薄い。代替実施形態では、セラミック製の基体１３２は、フレックスを薄くする必要性を無くすためにフレックス回路１３０の領域に段部を有する。模範的な実施形態では、セラミック製の基体１３２は、フレックスの曲げ半径を小さくするために半径方向の縁部を有する。フレックス及び関連する相互接続体が、はんだリフロー、異方性導電フィルム（ＡＣＦ）、又はクランプ付き弾性コネクタのうちの１つによって、セラミック製の基体に取り付けられる。代替の実施形態では、凹凸のあるコンタクトが使用される。
【００２２】
フレックスの下にはダイオードが延在し、該ダイオードは相互接続体の二次元（２Ｄ）アレイを含んでいる。模範的な実施形態では、ＦＥＴアレイ１１６はダイオード上のチップである。この代わりに、ＦＥＴアレイ１１６は可撓性ケーブル１１８に装着される。別の実施形態では、ＦＥＴアレイ１１６はＤＡＳ３２内に含まれる。更に、一実施形態では各検出器素子について１つずつＤＡＳチャンネルを使用する。ダイオードはＦＥＴチップにワイヤ・ボンディングすることができ、そのときＦＥＴチップは可撓性ケーブル１１８の下に延在し且つ相互接続体の２Ｄアレイを組み込む。また、ダイオードは、フレックス回路の下に延在する別個のシリコン・チップにワイヤ・ボンディングして、同じ効果を達成することができる。後の方の方策の両方では段部の付いたセラミックを利用することができる。この２Ｄ集合の相互接続体からフレックス回路への接続は多数の方法で達成することができる。これらの方法には、はんだリフロー処理を伴うボール・グリッド・アレイ、フレックスの下の一組のパッド、二次元微細ピッチ・エラストマー介在物、又はＡＣＦフィルム又は他の手段との熱的固着が含まれる。
【００２３】
模範的な実施形態では、フォトダイオード出力線の約半分がスイッチ１０８の各々のＦＥＴ入力線に電気接続され、フォトダイオード出力線の他の半分が可撓性電気ケーブル１１８を介してＤＡＳ３２に電気接続される。具体的に述べると、フォトダイオード出力線の約半分がスイッチ１０８の各々のＦＥＴ入力線に電気接続され、フォトダイオード出力線の他の半分がスイッチ１０８のＦＥＴ入力線に電気接続される。可撓性電気ケーブル１１８は従って光センサ・アレイ１０２に電気的に結合され、例えば、ワイヤ・ボンディングによって取り付けられる。
【００２４】
図７は高密度フレックス相互接続体２２０を持つＣＴモジュールを示し、該モジュールは基体２２４上に設置されたフォトダイオード・チップ２３０を有し、フォトダイオード・チップ２３０は、容易に入手可能である６インチのウェーハ・チップの使用を例示するために半分に切断されたダイオード・アレイ２２６を持っている。代替例では、ダイオード・アレイ２２６は半分に切断しない。モジュールの各端部に１つずつ２個のＦＥＴチップ２２８がダイオード・シリコン・チップ２３０上に直接設置される（「フリップ・チップ設計」）。ダイオード・シリコン・チップはセラミック製の基体２２４の上でフレックスの下へ延在している。フレックス回路２３２が各側部から９０°折り曲げられる。二次元アレイ相互接続体２２０がフレックスの下側で且つシリコンの上部に配置される。この接続には、はんだリフロー、或いは異方性導電フィルム（ＡＣＦ）又はクランプ付きエラストマー接続又は凹凸接続が使用される。一実施形態では、接続を容易にするためにモジュールの側部に切り取り部２３４が設けられる。
【００２５】
図８は、図６及び図７に示したものと同様なモジュールを示し、図８においてはダイオード・チップが図７の場合よりも短くなっている。また図８において、ＦＥＴチップ２４０がフレックス２４２の下に延在し、またＦＥＴチップ２４０は信号ラン延長体として且つ９０°のラン折曲げのために使用される。図９は、図６に示したものと同様なモジュールを示しているが、この実施形態では図示のようにＦＥＴチップ２５０がダイオード・チップ２５２の一部分として構築されている。何ら能動回路を持たない別個のシリコン・コネクタ・チップ２５４が高密度相互接続体の下に延在する。シリコン・チップの代わりとして印刷配線板（ＰＷＢ；図示していない）を用いてもよい。シリコン・チップ又はＰＷＢは信号ラン延長体として且つ９０°のラン折曲げのために使用される。図１０は、図６に示したものと同様なモジュールを示しているが、複数の別個のＦＥＴスイッチ２６０が設けられている。一実施形態では、ＦＥＴスイッチ２６０は、公知の接着剤を使用してフレックス自体に接着される。図１１は、図６及び図１０に示したものと同様なモジュールを示し、この場合、セラミック層が多層セラミックにしてある。
【００２６】
図６〜図１１に示したモジュールは、該モジュールを検出器アレイに機械的に取り付けることによって、図１及び図５の検出器アレイ１８に接続される。モジュールの基体に複数の孔を設ける。フレックス高密度相互接続体が、フレックスをＤＡＳシステムに取り付けることによってＤＡＳに電気接続され、これにより、検出器モジュールからの電気信号がＤＡＳシステムへ伝送される。
【００２７】
従って、公知の検出器モジュールにおいて現在存在する密度限界を無くすようにした改良相互接続体／フレックス設計が説明された。これにより、撮影範囲をより大きくし、スライス数をより多くし、且つ二次元における素子をより小さくしたＣＴ検出器が可能である。上述した実施形態を作成する際、ダイオード、ＦＥＴチップ及び高密度フレックス相互接続体をシリコン・チップ及び／又はセラミック製の基体に固着することは、当業者に公知の方法によって実施される。
【００２８】
本発明を様々な実施形態で説明したが、当業者には、本発明を特許請求の範囲に記載の精神及び範囲内で変更して実施し得ることが認められよう。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＣＴイメージング・システムの絵画図である。
【図２】図１に示したシステムのブロック回路図である。
【図３】従来の検出器アレイの斜視図である。
【図４】従来の１つのモジュールの斜視図である。
【図５】図１に示した検出器アレイの斜視図である。
【図６】高密度フレックス相互接続体を持つ、図５に示した１つの検出器モジュールの斜視図である。
【図７】図６に示したモジュールと同様なモジュールの斜視図である。
【図８】図６に示したモジュールと同様なモジュールの斜視図である。
【図９】図６に示したモジュールと同様なモジュールの斜視図である。
【図１０】図６に示したモジュールと同様なモジュールの斜視図である。
【図１１】図６に示したモジュールと同様なモジュールの斜視図である。
【符号の説明】
１０  コンピュータ断層撮影（ＣＴ）イメージング・システム
１２  ガントリ
１４  Ｘ線源
１６  Ｘ線ビーム
１８  検出器アレイ
２０  検出器素子
２２  患者
２４  回転中心
２６  制御機構
４２  陰極線管表示装置
４８  ガントリ開口部
５０  デバイス
５２  コンピュータ読出し可能な媒体
１００  検出器モジュール組立体
１０２  高密度光センサ・アレイ
１０４  多次元シンチレータ・アレイ
１０６  フォトダイオード
１０８  スイッチ及び復号器装置
１１０  基体
１１２  スイッチ・アレイ
１１４  スイッチ・アレイ
１１６  電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）
１１８  可撓性電気ケーブル
１２０  幅
１２２  幅
１２６  コンタクト
１２８  長手方向軸線
１３０  フレックス回路
１３２  セラミック製の基体
２２０  高密度相互接続体
２２４  基体
２２６  ダイオード・アレイ
２２８  ＦＥＴチップ
２３０  フォトダイオード・チップ
２３２  フレックス回路
２３４  切り取り部
２４０  ＦＥＴチップ
２４２  フレックス
２５０  ＦＥＴチップ
２５２  ダイオード・チップ
２５４  シリコン・コネクタ・チップ
２６０  ＦＥＴスイッチ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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