(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（２）
【化１】
0004061433.tif 000021
［式中、Ｗ1及びＷ2は、それぞれ独立して、水素原子、シアノ基、ニトロ基、保護基で保護されていてもよいアミノ基、ハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4アルキル基、Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ基、ハロＣ1〜Ｃ4アルキル基、カルボキシル基、ホルミル基、Ｃ2〜Ｃ5アルカノイル基、アロイル基、ハロＣ2〜Ｃ5アルカノイル基、カルバモイル基、Ｃ1〜Ｃ4アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、Ｃ1〜Ｃ4アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、スルホンアミド基、モノ又はジＣ1〜Ｃ4アルキルスルホンアミド基を意味し、Ｗ3は水素原子、Ｃ1〜Ｃ4アルキル基又はＣ1〜Ｃ4アルコキシ基を意味し、Ｗ4はＣ1〜Ｃ4アルキル基、Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ基又はフェニル基（該フェニル基は、ハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4アルキル基、Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ基で置換されていてもよい。）を意味し、又は、Ｗ3とＷ4が一緒になって
【化２】
0004061433.tif 000022
（Ｗ5、Ｗ6、Ｗ7及びＷ8は、それぞれ独立して、水素原子又はＣ1〜Ｃ4アルキル基を意味する。）を意味する。］で表されるオレフィン化合物を、式（１）
【化３】
0004061433.tif 000023
［式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ独立して水素原子、置換されていてもよいＣ1〜Ｃ4アルキル基（該置換基としては、Ｃ1〜Ｃ4アルキル基、ハロゲン原子が挙げられる。）、置換されていてもよいフェニル基（該置換基としては、ハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4アルキル基、Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ基、シアノ基、ニトロ基が挙げられる。）を意味し、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4のいずれか２つが一緒になってＣ4〜Ｃ8の環を形成してもよい。Ｒは水素原子、置換されていてもよいＣ1〜Ｃ4アルキル基（該置換基としては、Ｃ1〜Ｃ4アルキル基、ハロゲン原子が挙げられる。）、置換されていてもよいフェニル基（該置換基としては、ハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4アルキル基、Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ基、シアノ基、ニトロ基が挙げられる。）、Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ基、Ｃ2〜Ｃ5アルカノイル基、Ｃ2〜Ｃ5アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ2〜Ｃ5アルコキシカルボニル基又は置換シリル基を意味し、Ｘ-は、塩を形成しうる陰イオンを意味し、Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3、Ｙ4、Ｙ5、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3及びＺ4は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4アルキル基、Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ基、ニトロ基又はシアノ基を意味し、Ｚ1とＺ2は一緒になってベンゼン環を形成してもよい。ナフチルフェニル基はラセミ体でも光学活性体でもよい。］で表される光学活性マンガン錯体の存在下アジリジン化剤と反応させることを特徴とする式（３）
【化４】
0004061433.tif 000024
［式中、Ａは、水素原子、Ｃ1〜Ｃ4アルキルスルホニル基、フェニルスルホニル基（該フェニルスルホニル基はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4アルキル基、Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ基で置換されていてもよい。）を意味し、＊で示された炭素原子の絶対配位はＲかＳを意味する。Ｗ1、Ｗ2、Ｗ3及びＷ4は前記に同じ。］で表される光学活性アジリジン化合物の製造法。
【請求項２】
オレフィン化合物がスチレンまたはインデンである請求項１記載の製造法。
【請求項３】
Ａがｐ−トルエンスルホニル基またはクロロフェニルスルホニル基である請求項１記載の製造法。
【請求項４】
Ｒ1、Ｒ3、Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3、Ｙ4、Ｙ5、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3及びＺ4が水素原子、Ｒ2及びＲ4がメチル基、Ｒがフェニル基、Ｘ-がアセテートアニオンである化合物叉はそのエナンチオマーである前記式（１）で表される光学活性マンガン錯体。
【請求項５】
ナフチルフェニル基が光学活性体である請求項４記載の光学活性マンガン錯体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、光学活性マンガン錯体及び該マンガン錯体を使用するオレフィン化合物からの光学活性アジリジン化合物の製造法に関する。
光学活性アジリジン化合物は、医・農薬等の生理活性物質及び種々のファインケミカル化合物の重要な中間体である。
【０００２】
【従来の技術】
オレフィン化合物から光学活性アジリジン化合物を製造する方法としては、幾つかの金属錯体を触媒として使用する不斉アジリジン化反応が知られている。
例えば、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１１５，５３２８（１９９３）及びＴｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ  Ｌｅｔｔ．３２，７３７３（１９９１）等のビスオキサゾリン−銅錯体を触媒として使用する反応、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１１５，５３２６（１９９３）のジイミン−銅錯体を触媒として使用する反応、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ  Ｌｅｔｔ．３５，４６３１（１９９４）のビスアジリジン−銅錯体を触媒として使用する反応等が挙げられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
上記不斉アジリジン化反応はオレフィン化合物の種類によっては非常に高い化学収率と不斉収率で進行する場合もあるが、例えば、スチレン等の単純なオレフィン化合物は不斉収率が低く満足のいく結果が得られていない。
従って、現在も改善を計るための研究が盛んに行なわれているのが現状である。
【０００４】
本発明者は、不斉アジリジン化反応について鋭意検討を重ねた結果、新規な光学活性マンガン錯体を開発し、該マンガン錯体が不斉アジリジン化反応の触媒として極めて有用であることを見出し、本発明を完成するに至った。
即ち、本発明は、式（１）
【０００５】
【化６】
0004061433.tif 000002
【０００６】
［式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ独立して水素原子、置換されていてもよいＣ1〜Ｃ4アルキル基（該置換基としては、Ｃ1〜Ｃ4アルキル基、ハロゲン原子が挙げられる。）、置換されていてもよいフェニル基（該置換基としては、ハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4アルキル基、Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ基、シアノ基、ニトロ基が挙げられる。）を意味し、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4のいずれか２つが一緒になってＣ4〜Ｃ8の環を形成してもよい。
【０００７】
Ｒは水素原子、置換されていてもよいＣ1〜Ｃ4アルキル基（該置換基としては、Ｃ1〜Ｃ4アルキル基、ハロゲン原子が挙げられる。）、置換されていてもよいフェニル基（該置換基としては、ハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4アルキル基、Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ基、シアノ基、ニトロ基が挙げられる。）、Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ基、Ｃ2〜Ｃ5アルカノイル基、Ｃ2〜Ｃ5アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ2〜Ｃ5アルコキシカルボニル基又は置換シリル基を意味し、
Ｘ-は、塩を形成しうる陰イオンを意味し、
Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3、Ｙ4、Ｙ5、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3及びＺ4は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4アルキル基、Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ基、ニトロ基又はシアノ基を意味し、Ｚ1とＺ2は一緒になってベンゼン環を形成してもよい。
【０００８】
ナフチルフェニル基はラセミ体でも光学活性体でもよい。］
で表される光学活性マンガン錯体及び
式（２）
【０００９】
【化７】
0004061433.tif 000003
【００１０】
［式中、Ｗ1及びＷ2は、それぞれ独立して、水素原子、シアノ基、ニトロ基、保護基で保護されていてもよいアミノ基、ハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4アルキル基、Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ基、ハロＣ1〜Ｃ4アルキル基、カルボキシ基、ホルミル基、Ｃ2〜Ｃ5アルカノイル基、アロイル基、ハロＣ2〜Ｃ5アルカノイル基、カルバモイル基、Ｃ1〜Ｃ4アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、Ｃ1〜Ｃ4アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、スルホンアミド基、モノ又はジＣ1〜Ｃ4アルキルスルホンアミド基を意味し、
Ｗ3は水素原子、Ｃ1〜Ｃ4アルキル基又はＣ1〜Ｃ4アルコキシ基を意味し、
Ｗ4はＣ1〜Ｃ4アルキル基、Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ基又はフェニル基（該フェニル基は、ハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4アルキル基、Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ基で置換されていてもよい。）を意味し、
又は、Ｗ3とＷ4が一緒になって
【００１１】
【化８】
0004061433.tif 000004
【００１２】
（Ｗ5、Ｗ6、Ｗ7及びＷ8は、それぞれ独立して、水素原子又はＣ1〜Ｃ4アルキル基を意味する。）を意味する。］
で表されるオレフィン化合物を、
式（１）で表される光学活性マンガン錯体の存在下、
【００１３】
【化９】
0004061433.tif 000005
【００１４】
アジリジン化剤と反応させることを特徴とする
式（３）
【００１５】
【化１０】
0004061433.tif 000006
【００１６】
［式中、Ａは、水素原子、Ｃ1〜Ｃ4アルキルスルホニル基、フェニルスルホニル基（該フェニルスルホニル基はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4アルキル基、Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ基で置換されていてもよい。）を意味し、＊で示された炭素原子の絶対配位はＲかＳを意味する。Ｗ1、Ｗ2、Ｗ3及びＷ4は前記に同じ。］
で表される光学活性アジリジン化合物の製造法に関するものである。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、更に詳細に本発明について説明する。
先ず、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ、Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3、Ｙ4、Ｙ5、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3、Ｚ4、Ｗ1、Ｗ2、Ｗ3、Ｗ4及びＡについて説明する。
ハロゲン原子としては、弗素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子等が挙げられる。
【００１８】
Ｃ1〜Ｃ4アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基，ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等が挙げられる。
ハロＣ1〜Ｃ4アルキル基としては、フルオロメチル基、フルオロエチル基、フルオロｎ−プロピル基、フルオロｉ−プロピル基、フルオロｎ−ブチル基、フルオロｉ−ブチル基、フルオロｓｅｃ−ブチル基、フルオロｔｅｒｔ−ブチル基、クロロメチル基、クロロエチル基、クロロｎ−プロピル基、クロロｉ−プロピル基、クロロｎ−ブチル基、クロロｉ−ブチル基、クロロｓｅｃ−ブチル基、クロロｔｅｒｔ−ブチル基、ブロモメチル基、ブロモエチル基、ブロモｎ−プロピル基、ブロモｉ−プロピル基、ブロモｎ−ブチル基、ブロモｉ−ブチル基、ブロモｓｅｃ−ブチル基、ブロモｔｅｒｔ−ブチル基、アイオドメチル基、アイオドエチル基、アイオドｎ−プロピル基、アイオドｉ−プロピル基、アイオドｎ−ブチル基、アイオドｉ−ブチル基、アイオドｓｅｃ−ブチル基、アイオドｔｅｒｔ−ブチル基等が挙げられる。
【００１９】
Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基，ｉ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基基等が挙げられる。
Ｃ2〜Ｃ5アルカノイル基としては、アシル基、エチルカルボニル基、ｎ−プロピルカルボニル基、ｉ−プロピルカルボニル基、ｎ−ブチルカルボニル基、ｉ−ブチルカルボニル基、ｓｅｃ−ブチルカルボニル基、ｎ−アミルカルボニル基、ｉ−アミルカルボニル基、ネオペンチルカルボニル基等が挙げられる。
【００２０】
ハロＣ2〜Ｃ5アルカノイル基としては、フルオロアシル基、フルオロエチルカルボニル基、フルオロｎ−プロピルカルボニル基、フルオロｉ−プロピルカルボニル基、フルオロｎ−ブチルカルボニル基、フルオロｉ−ブチルカルボニル基、フルオロｓｅｃ−ブチルカルボニル基、フルオロｎ−アミルカルボニル基、フルオロｉ−アミルカルボニル基、フルオロネオペンチルカルボニル基、クロロアシル基、クロロエチルカルボニル基、クロロｎ−プロピルカルボニル基、クロロｉ−プロピルカルボニル基、クロロｎ−ブチルカルボニル基、クロロｉ−ブチルカルボニル基、クロロｓｅｃ−ブチルカルボニル基、クロロｎ−アミルカルボニル基、クロロｉ−アミルカルボニル基、クロロネオペンチルカルボニル基、ブロモアシル基、ブロモエチルカルボニル基、ブロモｎ−プロピルカルボニル基、ブロモｉ−プロピルカルボニル基、ブロモｎ−ブチルカルボニル基、ブロモｉ−ブチルカルボニル基、ブロモｓｅｃ−ブチルカルボニル基、ブロモｎ−アミルカルボニル基、ブロモｉ−アミルカルボニル基、ブロモネオペンチルカルボニル基、アイオドアシル基、アイオドエチルカルボニル基、アイオドｎ−プロピルカルボニル基、アイオドｉ−プロピルカルアシル基、アイオドエチルカルボニル基、アイオドｎ−プロピルカルボニル基、アイオドｉ−プロピルカルボニル基、アイオドｎ−ブチルカルボニル基、アイオドｉ−ブチルカルボニル基、アイオドｓｅｃ−ブチルカルボニル基、アイオドｎ−アミルカルボニル基、アイオドｉ−アミルカルボニル基、アイオドネオペンチルカルボニル基等が挙げられる。
【００２１】
アロイル基としては、ベンゾイル基、ｏ−トルイル基、ｍ−トルイル基、ｐ−トルイル基、α−ナフトイル基、β−ナフトイル基等が挙げられる。
Ｃ2〜Ｃ5アルキルカルボニルオキシ基としては、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ｎ−プロピルカルボニルオキシ基，ｉ−プロピルカルボニルオキシ基、ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、ｉ−ブチルカルボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルカルボニルオキシ基、ｎ−アミルカルボニルオキシ基、ｉ−アミルカルボニルオキシ基、ネオペンチルカルボニルオキシ基等が挙げられる。
【００２２】
Ｃ2〜Ｃ5アルコキシカルボニル基としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基，ｉ−プロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｉ−ブトキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｎ−アミロキシカルボニル基、ｉ−アミロキシカルボニル基、ネオペンチルオキシカルボニル基等が挙げられる。
【００２３】
置換シリル基としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリ−ｎ−プロピルシリル基、トリ−ｉ−プロピルシリル基、、トリ−ｎ−ブチルシリル基、トリ−ｉ−ブチルシリル基、ジメチルエチルシリル基、ジメチル−ｎ−プロピルシリル基、ジメチル−ｎ−ブチルシリル基、ジメチル−ｉ−ブチルシリル基、ジメチル−ｔ−ブチルシリル基等が挙げられる。
【００２４】
保護基で保護されていてもよいアミノ基としては、トシルアミノ基、ベンジルアミノ基、アシルアミノ基、アルコキシアミノ基等が挙げられる。
アシルアミノ基としては、アセチルアミノ基、プロピオニルアミノ基、ベンゾイルアミノ基等が挙げられる。
アルコキシアミノ基としては、メトキシカルボニルアミノ基、エトキシカルボニルアミノ基、ｎ−プロポキシカルボニルアミノ基、ｉ−プロポキシカルボニルアミノ基、ｎ−ブトキシカルボニルアミノ基、ｉ−ブトキシカルボニルアミノ基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニルアミノ基、ｔ−ブトキシカルボニルアミノ基等が挙げられる。
【００２５】
Ｃ1〜Ｃ4アルキルスルフィニル基としては、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ｎ−プロピルスルフィニル基、ｉ−プロピルスルフィニル基、ｎ−ブチルスルフィニル基、ｉ−ブチルスルフィニル基、ｓｅｃ−ブチルスルフィニル基等が挙げられる。
アリールスルフィニル基としては、ベンゼンスルフィニル基、ｏ−トルエンスルフィニル基、ｍ−トルエンスルフィニル基、ｐ−トルエンスルフィニル基等が挙げられる。
【００２６】
Ｃ1〜Ｃ4アルキルスルホニル基としては、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ｎ−プロピルスルホニル基、ｉ−プロピルスルホニル基、ｎ−ブチルスルホニル基、ｉ−ブチルスルホニル基、ｓｅｃ−ブチルスルホニル基等が挙げられる。
アリールスルホニル基としては、ベンゼンスルホニル基、ｏ−トルエンスルホニル基、ｍ−トルエンスルホニル基、ｐ−トルエンスルホニル基、α−ナフタレンスルホニル基、β−ナフタレンスルホニル基等が挙げられる。
【００２７】
モノ又はジＣ1〜Ｃ4アルキルスルホンアミド基としては、メチルスルホンアミド基、エチルスルホンアミド基、ｎ−プロピルスルホンアミド基、ｉ−プロピルスルホンアミド基、ｎ−ブチルスルホンアミド基、ジメチルスルホンアミド基、ジエチルスルホンアミド基、ジｎ−プロピルスルホンアミド基、ジｉ−プロピルスルホンアミド基、ジｎ−ブチルスルホンアミド基、ジｉ−ブチルスルホンアミド基、ジｓｅｃ−ブチルスルホンアミド基等が挙げられる。
【００２８】
Ｃ4〜Ｃ8の環としては、シクロブタン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロヘプタン環、シクロオクタン環等が挙げられる。
叉、Ｘ-の塩を形成しうる陰イオンとしては、ＯＨ-、Ｆ-、Ｃｌ-、Ｂｒ-、Ｉ-、-ＯＡｃ、ＰＦ6-、ＣｌＯ4-、ＢＦ4-、ＣＯ32-、ＳＯ42-、ＰＯ43-、ＣＨ3ＳＯ3-、ＣＦ3ＳＯ3-、ＴｓＯ-等が挙げられる。
【００２９】
サリチルアルデヒド化合物とジアミン化合物との反応による、式（１）の光学活性マンガン錯体の製造法について代表例［Ｒ1、Ｒ3、Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3、Ｙ4、Ｙ5、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3及びＺ4が水素原子、Ｒ2及びＲ4がメチル基、Ｒがフェニル基、Ｘ-がアセテートアニオン（-ＯＡｃ）、ナフチルフェニル基が光学活性体の場合］を挙げて説明する。
【００３０】
分子不斉を持つサリチルアルデヒド化合物は、スキーム１に示すように製造することができる。
【００３１】
【化１１】
0004061433.tif 000007
【００３２】
【化１２】
0004061433.tif 000008
【００３３】
［式中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、ＬＡＨはリチウムアルミニウムハイドライド、ＭＯＭはメトキシメチル基、ｔ−ＢｕＬｉはｔ−ブチルリチウム、ＤＭＦはジメチルホルムアミドを意味する。］
即ち、ラセミの１−ブロモ−２−ヒドロキシナフタレンを、（ａ）メチルエーテル化した後、（ｂ）ビフェニルボランとパラジウム触媒の存在下、カップリング反応を行い、（ｃ）メチルエーテル基を除去した後、（ｄ）光学活性なメンチルクロロフォーメートを反応させ、メンチルカーボネート体とした後に再結晶により光学的に純粋なメンチルカーボネート体とし、（ｅ）リチウムアルミニウムハイドライド（ＬＡＨ）で還元してメンチル基を除去して、更に（ｆ）メトキシメチル体として保護した後、（ｇ）オルト位をホルミル化し、（ｈ）塩酸で処理して、目的のサリチルアルデヒド化合物を製造することができる。
【００３４】
次に、光学活性マンガン錯体は、スキーム２に示すように製造することができる。
【００３５】
【化１３】
0004061433.tif 000009
【００３６】
［式中、Ｐｈはフェニル基、Ｍｅはメチル基、-ＯＡｃはアセテートアニオンを意味する。］
サリチルアルデヒド化合物とジアミン化合物の反応によるイミン化合物の反応について説明する。
ジアミン化合物は、一般に市販品を使用することができる。
【００３７】
サリチルアルデヒド化合物に対するジアミン化合物の使用量としては、０．２〜２モル当量、好ましくは０．５当量程度がよい。
反応温度としては、特に制限がなく、−２０℃から使用する溶媒の沸点まで可能であるが、好ましくは０℃から５０℃の範囲がよい。
溶媒としては、エタノール、メタノール等のアルコール系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム等のハロゲン系溶媒、ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル等のエーテル系溶媒、ヘキサン、ヘプタン等の炭化水素系溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド系溶媒が挙げられる。
【００３８】
好ましい溶媒としてはエタノール、メタノール、アセトニトリル、ジクロロメタン、トルエン、ジメチルホルムアミド等を挙げることができる。
反応において、生成する水を除去するため脱水剤を共存させてもよい。
脱水剤としては、無水硫酸マグネシウム、無水ホウ酸、モレキュラーシーブ等が挙げられる。
【００３９】
脱水剤の使用量としては、生成する水に対して当モル以上存在させればよい。
叉、生成する水を上記溶媒との共沸脱水により除去してももよい。
生成したイミン化合物は必ずしも反応系中から取り出す必要はなく、連続して光学活性マンガン錯体の製造に供するすることができる。
酢酸マンガンの使用量としては、イミン化合物に対して０．５モル〜１０モル当量、好ましくは０．８モル〜２モル当量がよい。
【００４０】
反応温度としては、特に制限がなく、−２０℃から使用する溶媒の沸点まで可能であるが、好ましくは０℃から５０℃の範囲がよい。
溶媒としては、エタノール、メタノール等のアルコール系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム等のハロゲン系の溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド系溶媒が挙げられる。
【００４１】
好ましい溶媒としてはエタノール、メタノール、アセトニトリル、ジクロロメタン、ジメチルホルムアミド等を挙げることができる。
反応は、酸素の存在下行えばよい。
酸素は大過剰の空気又は酸素ガスを反応系中に吹き込むか、又は大気中、開放系で撹拌することにより供給することができる。
【００４２】
更に、必要であればＸ-のアセテートアニオンを任意の陰イオン、例えば ＯＨ-、Ｆ-、Ｃｌ-、Ｂｒ-、Ｉ-、ＰＦ6-、ＣｌＯ4-、ＢＦ4-、ＣＯ32-、ＳＯ42-、ＰＯ43-、ＣＨ3ＳＯ3-、ＣＦ3ＳＯ3-、ＴｓＯ-、その他の陰イオンと置き換えることもできる。
例えば、等モル以上の塩化リチウムと反応させることことにより、アセテートアニオンをＣｌ-と交換することができる。
【００４３】
叉、マンガン塩を選択することにより、Ｘ-が任意の陰イオンである光学活性マンガン錯体を製造することができる。
次に、式（１）の光学活性マンガン錯体を触媒として使用する、式（２）のオレフィン化合物とアジリジン化剤との不斉アジリジン化反応による光学活性アジリジン化合物の製造法について説明する。
【００４４】
式（２）のオレフィン化合物としては、スチレン、ｏ−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、ｏ−クロルスチレン、ｐ−クロルスチレン、シス−β−メチルスチレン、トランス−β−メチルスチレン、シス−スチルベン、トランス−スチルベン、桂皮酸メチルエステル、桂皮酸フェニルエステル、インデン、１，２−ジヒドロナフタレン及び
式（４）
【００４５】
【化１４】
0004061433.tif 000010
【００４６】
［式中、Ｗ1、Ｗ2、Ｗ5及びＷ6は前記に同じ。］
で表されるベンゾピラン誘導体等が挙げられる。
ベンゾピラン誘導体の具体例としては、２，２−ジメチルクロメン、６−シアノ−２，２−ジメチルクロメン、６−アセトアミド−７−ニトロ−２，２−ジメチルクロメン等が挙げられる。
【００４７】
アジリジン化剤としては、ヨードシルイミン化合物、クロラミン−Ｔ、トシルアジド等が挙げられ、好ましいアジリジン化剤としてはヨードシルイミン化合物が挙げられる。
ヨードシルイミン化合物としては、［Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニル）イミノ］フェニルヨーディナン、［Ｎ−（ｐ−クロロフェニルスルホニル）イミノ］フェニルヨーディナン等が挙げられる。
【００４８】
アジリジン化剤の使用量としては、オレフィン化合物に対して０．０１〜２０倍モルの範囲、好ましくは０．０２〜１０倍モルの範囲がよい。
好ましい光学活性マンガン錯体触媒としては上記光学活性マンガン錯体（９）及び下記光学活性マンガン錯体（１０）並びにこれらのエナンチオマーが挙げられる。
【００４９】
【化１５】
0004061433.tif 000011
【００５０】
［式中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、-ＯＡｃはアセテートアニオンを意味する。］
光学活性マンガン錯体触媒の使用量としては、オレフィン化合物に対して０．０１〜５０モル％の範囲、好ましくは、０．１〜１０モル％の範囲がよい。
反応温度としては、通常−５０℃〜５０℃の範囲、好ましくは−２５℃〜３０℃の範囲がよい。
【００５１】
反応時間は、使用するオレフィン化合物、光学活性マンガン錯体及びアジリジン化剤の種類にもよるが、通常０．１〜１０００時間である。
本反応において、３級アミン及び３級アミンＮ−オキサイド等を反応促進剤として共存させることもできる。
これらの化合物としては、イミダゾール、１−メチルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、ピリジン、４−ｔ−ブチルピリジン、４−フェニルピリジン、４−フェニルプロピルピリジン、α−ピコリン、β−ピコリン、γ−ピコリン、４−ジメチルアミノピリジン、イミダゾール−Ｎ−オキサイド、１−メチルイミダゾール−Ｎ−オキサイド、２−メチルイミダゾール−Ｎ−オキサイド、ピリジン−Ｎ−オキサイド、４−ｔ−ブチルピリジン−Ｎ−オキサイド、４−フェニルピリジン−Ｎ−オキサイド、４−フェニルプロピルピリジン−Ｎ−オキサイド、α−ピコリン−Ｎ−オキサイド、β−ピコリン−Ｎ−オキサイド、γ−ピコリン−Ｎ−オキサイド、４−ジメチルアミノピリジン−Ｎ−オキサイド等が挙げられる。
【００５２】
３級アミン及び３級アミンＮ−オキサイドの使用量としては、オレフィン化合物に対して０．０１〜２倍モルの範囲がよい。
反応溶媒としては、反応に関与しないものであれば特に制限はなく、例えば、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル等のニトリル系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、クロルベンゼン、フルオロベンゼン、ｏ−ジクロルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、ｎ−オクタン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒、ジクロロメタン、ジクロロエタン、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ｔ−ブチルメチルエーテル、ジメトキシエタン等のエーテル系溶媒、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、イソブタノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒等が挙げられ、好ましい溶媒としては、クロルベンゼン、アセトニトリル、酢酸エチルが挙げられる。
【００５３】
更に、これらの反応溶媒は、単独叉は組み合わせて使用することもできる。
反応終了後、目的物を適当な溶媒により抽出し、溶媒を減圧濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー叉は蒸留等により光学活性アジリジン化合物を得ることができる。
目的物の光学純度は、光学活性クロマトグラフィーカラムや旋光度によって測定することができる。
【００５４】
【実施例】
以下、実施例を挙げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
実施例１［スキーム２の光学活性マンガン錯体（９）の合成］
丸底フラスコに（２Ｒ，３Ｒ）−２，３−ブタンジアジド１５．２ｍｇ（０．１０８ｍｍｏｌ）、エタノール３ｍｌ及びＰｄ／Ｃ４．５３ｍｇ（３０重量％懸濁水溶液）を入れ、水素雰囲気下撹拌した。
【００５５】
薄層クロマトグラフィーで原料のスポットの消失を確認した後、セライトを通してろ過した。
濾液に酢酸マンガン（II）４水和物２６．５ｍｇ（０．１０８ｍｍｏｌ）を加え、２５℃で３時間撹拌したところ、反応溶液は焦げ茶色に着色した。
次に、サリチルアルデヒド化合物（８）７０ｍｇ（０．２１６ｍｍｏｌ）を加え、５０℃で６時間撹拌後、室温まで冷却した。
【００５６】
反応液を濃縮後、残渣を真空ポンプで３時間乾燥し、光学活性マンガン錯体（９）６０ｍｇ（収率６８％）を得た。
分析値を以下に示す。
IR(KBr)：3053,1655,1605,1555,1475,1389,1362,1308,1225,1192,1148,1009,959,         766,740,700 cm-1
実施例２（スチレンのアジリジン化）
光学活性マンガン錯体（９）２．３ｍｇ（２．８μｍｏｌ）と４−フェニルピリジン−Ｎ−オキサイド４．８ｍｇ（２８μｍｏｌ）を無水トルエン１ｍｌに溶解し、真空ポンプで濃縮した後、無水ジクロロメタン０．０５ｍｌに溶解した。
【００５７】
この溶液に、スチレン０．２５ｍｌ（２．２ｍｍｏｌ）と［Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニル）イミノ］フェニルヨーディナン２１．１ｍｇ（５６μｍｏｌ）を加え、２５℃で３時間撹拌した。
反応液をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝１：０から１９：１）により精製したところ、目的のアジリジン化合物１１．６ｍｇ（収率７６％）を得た。
【００５８】
不斉収率は９４％ｅｅであった（ＤＡＩＣＥＬ  ＣＨＩＲＡＬＣＥＬ  ＯＪ，ヘキサン／イソプロパノール＝１／１，流速＝０．５ｍｌ／分）。
実施例３〜９（スチレンのアジリジン化）
光学活性マンガン錯体（９）の代わりに各種の光学活性マンガン錯体（１１）、（１２）、（１３）、（１４）、（１５）及び（１６）を使用した他は、実施例２と同様に反応及び後処理を行った結果を下表に示す。
【００５９】
【化１６】
0004061433.tif 000012
【００６０】
【表１】
0004061433.tif 000013
実施例１０〜１２（各種オレフィンのアジリジン化）
スチレンの代わりに各種のオレフィンを使用した他は、実施例２と同様に反応及び後処理を行った結果を下表に示す。
【００６１】
【表２】
0004061433.tif 000014
参考例１［スキーム１の光学活性サリチルアルデヒド化合物（８）の合成］
化合物（１）の合成
窒素置換した丸底フラスコに、水素化ナトリウム１．０７５ｇ（２６．９ｍｍｏｌ、６０％ oil dispersion）及び無水テトラヒドロフラン５ｍｌを加え、上澄液を注射器で除去し、更に無水テトラヒドロフラン３０ｍｌを加えた。
【００６２】
次に、氷浴で０℃に冷却した後、１−ブロモ−２−ナフトール５ｇ（２２．４ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液３０ｍｌをゆっくり加えた。
氷浴を取り外した後、無水ジメチルホルムアミド２０ｍｌとヨウ化メチル１．５５ｍｌ（２４．６ｍｍｏｌ）を順次加え反応を行った。
薄層クロマトグラフィーで原料の消失を確認した後、水を加え、酢酸エチルで２回抽出し、有機層を水で２回、飽和食塩水で１回で洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥後ろ過した。
【００６３】
ろ液を濃縮後、生成した結晶を濾取し、少量のヘキサン／酢酸エチル（１９：１）で洗浄し、化合物（１）３．３１ｇ（収率６２％）を得た。
分析値を以下に示す。
0004061433.tif 000015
化合物（２）の合成
丸底フラスコに、ビフェニルボロン酸２．７ｇ（１３．６ｍｍｏｌ）、水酸化バリウム８水和物４．２７ｇ（２７．２ｍｍｏｌ）及びテトラキス−トリフェニルホスフィンパラジウム５０１．３ｍｇ（１．３６ｍｍｏｌ）を加え窒素置換し、蒸留ジオキサン４０ｍｌ、水６．５ｍｌ及び化合物（１）を加えた後、４時間還流下反応を行った。
【００６４】
薄層クロマトグラフィーで原料の消失を確認した後、水を加えて酢酸エチルで２回抽出し、有機層を水で２回、飽和食塩水で１回洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥後ろ過した。
ろ液を濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン：トルエン＝８：１から２：１）で精製したところ、化合物（２）３．６３ｇ（収率９１％）を得た。
【００６５】
分析値を以下に示す。
0004061433.tif 000016
化合物（３）及び化合物（４）の合成
丸底フラスコに化合物（２）３．６ｇ（１１．５ｍｍｏｌ）を入れ窒素で置換し、無水ジクロロメタン６０ｍｌを加えた後、三臭化ホウ素１２．６５ｍｌ（１．１当量）を加え２５℃で撹拌した。
【００６６】
薄層クロマトグラフィーで原料の消失を確認した後、水を加えてジクロロメタンで２回抽出し、有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥後ろ過した。
ろ液を濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン／トルエン＝９／１）で精製したところ、化合物（３）３．１６ｇ（収率９３％）を得た。
【００６７】
化合物（３）３．１６ｇを丸底フラスコに入れ窒素置換した後、無水ジクロロメタン５０ｍｌを加え、次にトリエチルアミン１．５３ｍｌ（１．１当量）及び４−ジメチルアミノピリジン１．３４ｇ（１当量）を加えた後、（−）−メンチルクロロホルメート２．３０ｍｌ（１当量）を加えて２５℃で攪拌を行った。
薄層クロマトグラフィーで原料の消失を確認した後、水を加えてジクロロメタンで２回抽出し、有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウム上で関そう後ろ過した。
【００６８】
ろ液を濃縮し、残渣をシリカゲルのショートカラム（ヘキサン：酢酸エチル＝９：１）で精製（原点性のものだけを除去した。）し、再び濃縮して結晶を濾取した後、ヘキサン／酢酸エチル（９：１）で再結晶を行ったところ、化合物（４）１．６７ｇ（収率３３％）を得た。
分析値を以下に示す。
0004061433.tif 000017
化合物（５）及び化合物（６）の合成
丸底フラスコに化合物（４）１．６７ｇ（３．４９ｍｍｏｌ）を入れ、窒素置換した後、無水テトラヒドロフラン４０ｍｌを加え、更にリチウムアルミニウムハイドライド１３２．４ｍｇ（３．４９ｍｍｏｌ）を加え、２５℃でｈんの宇を行った。
【００６９】
薄層クロマトグラフィーで原料の消失を確認した後、飽和フッ化カリウム水溶液を加え、次いでセライトを加えてしばらく撹拌し、ろ過後硫酸マグネシウム上で乾燥した後、ろ過した。
ろ液を濃縮し、化合物（５）１．０３ｇを得た。
次に、水素化ナトリウム１６７．５ｍｇ（１．２当量、６０％ oil dispersion）及び無水テトラヒドロフラン５ｍｌを加え、上澄液を注射器で除去し、更に無水テトラヒドロフラン２０ｍｌを加え他溶液を氷浴で０℃に冷却し、２０ｍｌの無水テトラヒドロフランに溶解した化合物（５）１．０３ｇ（３．４８ｍｍｏｌ）をゆっくりと加えた後、無水ジメチルホルムアミド１１ｍｌ及びクロロメチルメチルエーテル０．３１８ｍｌ（１．２当量）を順次加えて、２５℃で攪拌を行った。
【００７０】
薄層クロマトグラフィーで原料の消失を確認した後、水を加え、酢酸エチルで２回抽出し、有機層を水で２回、飽和食塩水で１回洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥後、ろ過した。
ろ液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝１９：１）で精製したところ、化合物（６）１．０９ｇ（収率９２％）を得た。
【００７１】
分析値を以下に示す。
0004061433.tif 000018
化合物（７）の合成
丸底フラスコに化合物（６）１．０７ｇ（３．１３ｍｍｏｌ）を入れ窒素置換した後、無水テトラヒドロフラン１６ｍｌを加えた。
【００７２】
ドライアイス−メタノール浴で−７８℃まで冷却し、ｔ−ブチルリチウムのペンタン溶液３．９６ｍｌ（１．７Ｎ、２．２当量）を加えて２時間攪拌後、無水ジメチルホルムアミド１．０７９ｍｌ（５当量）を加え更に攪拌を行った。
薄層クロマトグラフィーで原料の消失を確認し、飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥後、ろ過した。
【００７３】
ろ液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝１９：１〜９：１）で精製したところ、化合物（７）１．００ｇ（収率８７％）を得た。
分析値を以下に示す。
0004061433.tif 000019
化合物（８）の合成
丸底フラスコに化合物（７）９９２．４ｍｇ（２．６９ｍｍｏｌ）を入れ窒素置換した後、無水テトラヒドロフラン１３ｍｌを加えた後、薄層クロマトグラフィーで原料が消失するまで塩化水素で飽和した２−プロパノール溶液を滴下した。  反応終了後、濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝１９：１〜９：１）で精製したところ、化合物（８）８５８．１ｍｇ（収率９８％）を得た。
【００７４】
分析値を以下に示す。
0004061433.tif 000020
【００７５】
【発明の効果】
本発明の新規な光学活性マンガン錯体を使用することにより、近傍官能基を有しないオレフィン化合物から光学活性な医薬品やその中間体として有用な光学活性アジリジン化合物を製造することができる。