(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に非晶質の透明性導電膜を形成し、
前記非晶質の透明性導電膜中に結晶質部分を形成し、
前記結晶質部分を含む透明性導電膜の非晶質部分を除去して前記結晶質部分を含む凹凸形状を有する透明性導電膜を形成し、
前記凹凸形状を有する透明性導電膜上に反射性導電膜を形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に薄膜トランジスタ及び前記薄膜トランジスタに接続する非晶質の透明性導電膜を形成し、
前記非晶質の透明性導電膜中に結晶質部分を形成し、
前記結晶質部分を含む透明性導電膜の非晶質部分を除去して前記結晶質部分を含む凹凸形状を有する透明性導電膜を形成し、
前記凹凸形状を有する透明性導電膜上に反射性導電膜を形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、前記結晶質部分を含む透明性導電膜の表面を研磨し、前記結晶質部分を含む透明性導電膜の非晶質部分を酸性の薬液を用いて除去することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項４】
基板上に非晶質の透明性導電膜を形成し、
前記非晶質の透明性導電膜を焼成して結晶質部分を含む透明性導電膜を形成し、
前記結晶質部分を含む透明性導電膜を酸性の薬液でエッチングすることにより凹凸形状を有する透明性導電膜を形成し、
前記凹凸形状を有する透明性導電膜上に反射性導電膜を形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項５】
基板上に薄膜トランジスタ及び前記薄膜トランジスタに接続する非晶質の透明性導電膜を形成し、
前記非晶質の透明性導電膜を焼成して結晶質部分を含む透明性導電膜を形成し、
前記結晶質部分を含む透明性導電膜を酸性の薬液でエッチングすることにより凹凸形状を有する透明性導電膜を形成し、
前記凹凸形状を有する透明性導電膜上に反射性導電膜を形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項６】
請求項４又は請求項５において、前記結晶質非晶質部分を含む透明性導電膜の表面を研磨し、前記結晶質部分を含む透明性導電膜を前記酸性の薬液でエッチングすることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項７】
請求項４乃至請求項６のいずれか一において、前記酸性の薬液は、フッ酸、硝酸、硫酸、塩酸から選ばれた一種もしくは複数種であることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、前記非晶質の透明性導電膜を１５０〜２００℃で焼成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、パッシブマトリクス型、アクティブマトリクス型の液晶表示装置に関する。特に、透過型および反射型の両機能を兼ね備えた半透過型液晶表示装置の電極構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯電話に代表される携帯情報端末の爆発的な普及により、軽量・省消費電力・使用環境の変化に応じて対応可能なディスプレイが必要とされている。
【０００３】
なお、薄膜・軽量の面から考えると液晶表示装置、または有機ＥＬ表示装置が有望視されている代表格である。
【０００４】
透過型表示装置は、ディスプレイを駆動させるためだけであれば、消費電力は少ない。しかし、液晶自体は発光しないので、ディスプレイとして表示を出すためにはバックライトを必要とする。携帯電話用途では、一般にＥＬバックライトが用いられるが、このバックライトのために別途電力が必要となり、液晶特有の省消費電力の特徴が十分には活かせず、省消費電力化には不利である。また、暗い環境下ではディスプレイの表示がコントラスト良く見えるが、通常の明るい環境下では表示があまり良く見えなくなり、上方出射方式及び下方出射方式のいずれの場合においても使用環境に応じた適応性には難がある。
【０００５】
また、有機ＥＬ表示装置は、表示素子自体が発光することが特徴である。消費電力は反射型液晶表示装置よりも大きくなるが、透過型液晶表示装置よりも（バックライト付き）よりも小さい。しかし、透過型液晶表示装置の場合と同じく、暗い環境下ではディスプレイの表示が良く見えるが、通常の明るい環境下では表示があまり良く見えないので、やはり、上方出射方式及び下方出射方式のいずれの場合においても使用環境に応じた適応性には難がある。
【０００６】
さらに、反射型液晶表示装置は、表示のための光として環境中からの外光を利用する。ディスプレイ側からすると、基本的にはバックライトが不要であり、液晶と駆動回路を駆動させるための電力しか必要としないため、積極的な省消費電力化が図れる。しかし、前２者とは全く逆で、明るい環境下ではディスプレイの表示が良く見えるが、暗い環境下では表示があまり良く見えなくなる。携帯情報端末の用途を考えると、屋外の使用が主であり、比較的明るい環境で表示を見るケースが多いとはいえ、これでもやはり、使用環境に応じた適応性の点では不十分である。そのため、一部では、暗い環境下でも反射型表示装置として表示を行うことができるように、フロントライトを組み込んだものが市販されている。
【０００７】
そこで、透過型と反射型液晶表示装置を組み合わせることにより、両者の利点を有する半透過型液晶ディスプレイが注目されている。明るい環境下では、反射型のもつ省消費電力とこの環境下での視認性の良さという特徴を活かし、一方暗い環境下では、バックライトを用いて、透過型の持つコントラストの良さという特徴を活かしている。
【０００８】
半透過型の液晶表示装置としては、特開平１１−１０１９９２号において開示されており、一つの表示画素に外光を反射する反射部とバックライトからの光を透過する透過部とを作り込むことにより、周囲が真っ暗の場合にはバックライトからの透過部を透過する光と反射率の比較的高い膜により形成した反射部により反射する光を利用して表示を行う両用型液晶表示装置として、さらに外光が明るい場合には、光反射率の比較的高い膜により形成した反射部により反射する光を利用して表示を行う反射型液晶表示装置として用いることができるというような構成の反射透過両用型（半透過型）の液晶表示装置である。
【０００９】
さらに上述した半透過型の液晶表示装置においては、特に反射表示を行う反射部において光拡散性を有する特殊な凹凸構造が付与されている。反射電極は、その構造上、表面に対して、ある方向からある入射角をもって入射した光に対して、ある特定の方向のある特定の出射角のところにしか反射しない（スネルの法則）ため、表面が平坦であると光の入射に対して光の出る方向、角度が一定に決まってしまうからである。このような状態でディスプレイを作製すると非常に視認性の悪い表示になる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
半透過型の液晶表示装置は、携帯情報端末という特殊な使用条件にうまく対応したディスプレイであるといえる。特に携帯電話用途では、今後も大きな需要が見込まれると予想される。そこで、安定した需要を確保するため、もしくは膨大な需要に対応するためには、より一層のコスト削減につとめる必要があることは明らかである。
【００１１】
しかし、先に示したような凹凸構造を形成するためには、反射電極よりも下の層に凹凸形状を付けた後、その上に反射電極を形成する等の方法が必要となる。
【００１２】
また、上記例に限らず半透過型の液晶表示装置を作製するためには、画素電極を構成する反射電極および透過電極のいずれか一方、または両方の表面や、画素電極の下の層に凹凸構造を形成するためのパターニングが必要となるため、工程が増える。工程が増えることは、歩留まりの低下や、プロセス時間の延長、コストの増加といった不利な事態を招くことになる。
【００１３】
そこで、本発明では工程を特に増やすことなく形成された凹凸構造の透明電極を有する半透過型の液晶表示装置を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明では、半透過型の液晶表示装置を作製するにあたり、その製造プロセス中において、画素電極表面に凹凸形状を設けるためだけのパターニング工程を特に増やすことなく、凹凸形状を設けることを特徴とする。
【００１５】
本発明の液晶表示装置は、基板上に透明電極、および反射電極とを有し、前記透明電極は、前記基板上に非晶質（アモルファス状態を含む）の透明性導電膜を形成し、前記非晶質の透明性導電膜中に結晶質部分を形成して、結晶質部分を含む透明性導電膜を形成し、さらに結晶質部分を含む透明性導電膜の膜表面において、非晶質部分を除去することにより、残された結晶質部分により形成された凹凸形状を膜表面に有する透明性導電膜と、凹凸形状を有する透明性導電膜上に反射性導電膜を形成して得られた反射電極とを有することを特徴とする液晶表示装置である。
【００１６】
また、上記構成において、結晶質部分を含む透明性導電膜は、非晶質の透明性導電膜を焼成することにより形成することができるが、その他の公知の方法を用いることにより結晶質部分を含む透明性導電膜を形成することも可能である。さらに結晶質部分を含む透明性導電膜の膜表面における非晶質部分の除去においては、前記結晶質部分を含む透明性導電膜の表面に酸性の薬液を塗布してエッチングするといった方法を用いることができる。
【００１７】
なお、表面に凹凸形状を有する透明性導電膜からなる透明電極上に反射性導電膜からなる反射電極とが積層形成されることにより、反射電極表面は凹凸形状であるため入射した光に対する散乱機能を有する。また、透明電極上に反射電極を有さず、透明電極が表面に露出している部分では、光に対する透過性を有する透明電極となる。従って、本発明では、反射性と透過性という２種類の性質を有する電極を画素電極として有する半透過型の液晶表示装置が形成される。すなわち、本発明における画素電極は、反射電極と透明電極とからなり、凹凸形状を有する。
【００１８】
また、本発明における反射性導電膜としては、波長４００〜８００ｎｍ（可視光領域）における垂直反射特性で７５％以上の反射率をもつ導電膜を用いることとする。なお、このような材料としては、アルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）の他、これらを主成分とする合金材料を用いることができる。
【００１９】
上記に示した方法を用いることで、通常凹凸形状を形成する際に用いられるフォトリソグラフィーの工程を減らすことができるため、大幅なコスト削減と、生産性の向上を実現することができる。
【００２０】
また、本発明の他の構成における液晶表示装置は、薄膜トランジスタ、透明性導電膜、および反射性導電膜とを有し、前記透明性導電膜および前記反射性導電膜は、絶縁膜を介して前記薄膜トランジスタと電気的に接続され、前記透明性導電膜は、前記絶縁膜の表面に非晶質の透明性導電膜を形成し、前記非晶質の透明性導電膜を焼成して結晶質部分を含む透明性導電膜を形成し、前記結晶質部分を含む透明性導電膜の表面を酸性の薬液でエッチングすることにより前記表面に凹凸形状を有する透明性導電膜であり、前記反射性導電膜は、前記凹凸形状を有する透明性導電膜上に形成されていることを特徴とする液晶表示装置である。
【００２１】
この構成によれば、凹凸形状を有する透明電極上に反射性導電膜を形成することにより、凹凸形状を有する反射電極が形成されるだけでなく、反射電極と薄膜トランジスタとを電気的に接続する配線をも同時に形成することができる。
【００２２】
なお、透明電極表面の凹凸形状はランダムな形状、ランダムな配置で形成され、次に形成される反射電極と電気的に接続されている。
【００２３】
さらに、画素部において、透明電極を形成する透明性導電膜上に積層して形成される反射性導電膜の占める面積の割合は、画素部の面積の５０〜９０％であることを特徴とする。
【００２４】
さらに、本発明の液晶表示装置は、第１の透明性導電膜および反射性導電膜とを有する第１の基板と、第２の透明性導電膜を有する第２の基板と、液晶とを有し、前記第１の透明性導電膜は、前記基板上に非晶質の透明性導電膜を形成し、前記非晶質の透明性導電膜を焼成して結晶質部分を含む透明性導電膜を形成し、前記結晶質部分を含む透明性導電膜の表面を酸性の薬液でエッチングすることにより前記表面に凹凸形状を有する透明性導電膜であり、前記反射性導電膜は、前記凹凸形状を有する透明性導電膜上に形成され、前記第１の基板の膜形成面と前記第２の基板の膜形成面とが互いに向き合って配置され、かつ前記第１の基板と前記第２の基板の間に前記液晶が挟まれていることを特徴とする液晶表示装置である。
【００２５】
さらに、本発明の液晶表示装置は、薄膜トランジスタ、第１の透明性導電膜、および反射性導電膜とを有する第１の基板と、第２の透明性導電膜を有する第２の基板と、液晶とを有し、前記第１の透明性導電膜および前記反射性導電膜は、絶縁膜を介して前記薄膜トランジスタと電気的に接続され、前記第１の透明性導電膜は、前記絶縁膜の表面に非晶質の透明性導電膜を形成し、前記非晶質の透明性導電膜を焼成して結晶質部分を含む透明性導電膜を形成し、前記結晶質部分を含む透明性導電膜の表面を酸性の薬液でエッチングすることにより前記表面に凹凸形状を有する透明性導電膜であり、前記反射性導電膜は、前記凹凸形状を有する透明性導電膜上に形成され、前記第１の基板の膜形成面と前記第２の基板の膜形成面とが互いに向き合って配置され、かつ前記第１の基板と前記第２の基板の間に前記液晶が挟まれていることを特徴とする液晶表示装置である。
【００２６】
上記各構成において、前記非晶質の透明性導電膜の焼成は、加熱により結晶成長した結晶質部分と、まだ結晶を形成するに至らないで非晶質部分が混合した状態で存在するように行う。具体的には、非晶質の透明性導電膜を１５０℃〜２５０℃で焼成することにより得られるが、より好ましくは２００℃で６０分程度焼成する。
【００２７】
さらに、上記各構成において、前記非晶質の透明性導電膜を焼成した後で、透明性導電膜の表面における非晶質部分を研磨しても良い。なお、研磨方法としては、公知の機械的研磨方法や化学的研磨方法の他ＣＭＰ法（Chemical Mechanical Polishing：化学的機械研磨）を用いることができる。
【００２８】
さらに上記各構成において、前記酸性の薬液とは、フッ酸、硝酸、硫酸、塩酸等の強酸を用いることが好ましい。なお、上記酸性の薬液を焼成処理後の透明性導電膜上に塗布してエッチングすることにより、透明性導電膜表面における非晶質部分の多くが除去され、結晶質部分が残される。
【００２９】
以上により、透明性導電膜表面には、グレイン形状を有する結晶質部分を含む透明性導電膜による凹凸形状を形成することができる。
【００３０】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の態様について、図１を参照して説明する。基板１０１上には非晶質の透明性導電膜（非晶質透明性導電膜）１０２が形成されている（図１（Ａ））。
【００３１】
なお、透明性導電膜を形成する材料としては、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）膜や酸化インジウムに２〜２０[％]の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合した膜を用いて１００〜２００ｎｍの膜厚で形成する。
【００３２】
次に、この非晶質透明性導電膜１０２を２００℃で６０分間焼成することにより、透明性導電膜の一部が結晶化される。これにより、焼成後の透明性導電膜中には、領域ａ１０３における非晶質状態（アモルファス状態を含む）と領域ｂ１０４における結晶質状態が混在する（図１（Ｂ））。
【００３３】
この状態で、透明性導電膜の表面を研磨処理する。研磨方法としては、公知の機械的研磨方法や化学的研磨方法の他、ＣＭＰ法を用いて研磨することもできる。なお、透明性導電膜の表面をここで研磨処理することにより、結晶質状態にあるグレインを膜表面に露呈させることができる。これは、非晶質状態と結晶質状態とを比較すると、結晶質状態は、結晶構造を有するために非晶質状態のものよりも研磨レートが遅くなるからである。よって、後の処理で透明性導電膜の膜表面の凹凸形状を形成しやすくなるという利点があるが、本発明において上記研磨処理は、必ずしも行わなければならないものではないため省略してもよい。
【００３４】
次に、非晶質状態と結晶質状態が混在する透明性導電膜の膜表面に酸性の薬液を塗布することにより、膜表面において結晶質状態の部分のみを残し、非晶質状態の部分を除去することができる。なお、酸性の薬液としては、フッ酸、硝酸、硫酸、塩酸等を用いることができる。このように酸性を薬液により透明性導電膜の膜表面に結晶質状態のグレインを残すことにより、透明性導電膜の膜表面に凹凸形状を形成することができる。すなわち、結晶質状態を含む透明性導電膜１０５により、膜表面に凹凸形状を形成することができる（図１（Ｃ））。
【００３５】
なお、上記の処理により凹凸形状を有する透明性導電膜表面の様子を図１２に示す。図１２（Ａ）は、非晶質透明性導電膜として成膜されたＩＴＯ膜を２００℃で６０分間焼成し、０．５％のフッ酸により５ｓｅｃ処理した基板をＡＦＭ（原子間力顕微鏡）により観察した結果であり、図１２（Ｂ）は、２００℃で６０分間焼成した後、ＣＭＰによる研磨処理をし、さらに０．５％のフッ酸により５ｓｅｃ処理した基板をＡＦＭにより観察した結果である。両者を比較すると、いずれもＩＴＯ膜表面が凹凸形状を有する様子が観察されるが、ＣＭＰ処理を間に入れた図１２（Ｂ）の方が表面の凸部において、より丸みを帯びた形状を有していることが分かる。丸みを帯びることにより、凹凸形状のスロープ分布をより広くすることができるので、本発明において、ＣＭＰ処理を間に入れることは、より好ましい処理である。
【００３６】
また、図１３には、図１２と比べてフッ酸による処理時間が異なる場合について観察した結果を示している。なお、図１３（Ａ）には、非晶質透明性導電膜として成膜されたＩＴＯ膜を２００℃で６０分間焼成し、０．５％のフッ酸により１５ｓｅｃ処理した基板をＡＦＭにより観察した結果を示し、図１３（Ｂ）には、２００℃で６０分間焼成した後、ＣＭＰによる研磨処理をし、さらに０．５％のフッ酸により１５ｓｅｃ処理した基板をＡＦＭにより観察した結果を示すものである。
【００３７】
図１３に示すＩＴＯ膜表面と、図１２に示すＩＴＯ膜表面を比較すると、０．５％のフッ酸により５ｓｅｃ処理した結果を示す図１２に比べて、０．５％のフッ酸により１５ｓｅｃ処理した結果を示す図１３の方が、表面がより平坦化されている。よって、本発明においてフッ酸による処理時間を１５ｓｅｃ以下で行っても凹凸を形成することは可能であるが、後からその上に成膜される反射膜により良い散乱特性を持たせるためには、５ｓｅｃで処理を行うことがより好ましい。
【００３８】
また、図１４には、図１２と比べて非晶質透明性導電膜として成膜されたＩＴＯ膜を焼成する温度を２５０℃に変更し、ＩＴＯ膜を２５０℃で６０分間焼成した後、０．５％のフッ酸により５ｓｅｃ処理した基板をＡＦＭにより観察したものが図１４（Ａ）であり、２５０℃で６０分間焼成した後、ＣＭＰによる研磨処理をし、さらに０．５％のフッ酸により５ｓｅｃ処理した基板をＡＦＭにより観察したものが図１４（Ｂ）である。
【００３９】
図１４（Ａ）（Ｂ）に示すＩＴＯ膜表面と、図１２（Ａ）（Ｂ）に示すＩＴＯ膜表面とを比較すると、図１２（Ａ）（Ｂ）に比べて、図１４（Ａ）（Ｂ）におけるＩＴＯ表面は凹凸をほとんど有していないことが分かる。これは、２００℃で６０分間の焼成を行うことにより、ＩＴＯ膜表面に結晶質状態と非晶質状態が形成されるため、フッ酸による処理を行うと、結晶質状態にある部分のみが残されて凹凸を形成するが、２５０℃で６０分間の焼成を行うことにより、ＩＴＯ膜表面にほぼ全て結晶質状態となるため、フッ酸による処理を行ってもほとんど除去されないため凹凸が形成されないと考えられる。
【００４０】
以上より、本発明においては、非晶質透明性導電膜として成膜されたＩＴＯ膜を２００℃で６０分間焼成し、０．５％のフッ酸により５ｓｅｃ処理することにより達成される。さらに、このフッ酸処理を行う前にＣＭＰ法を行うことが、より好ましい。
【００４１】
次に結晶質状態を含む透明性導電膜１０５上に反射性導電膜１０６を形成する。なお、反射性導電膜１０６は、先に形成された結晶質状態を含む透明性導電膜１０５と重なるように形成されるが、本発明において、結晶質状態を含む透明性導電膜１０５からなる透明電極と、反射性導電膜１０６からなる反射電極とを組み合わせて画素電極を形成することにより半透過型の液晶表示装置を形成することができるため、反射性導電膜１０６は、画素部において、結晶質状態を含む透明性導電膜１０５の占める面積の５０〜９０％となるように形成される（図１（Ｄ））。
【００４２】
また、凹凸形状を有する結晶質状態を含む透明性導電膜１０５上に反射性導電膜１０６を形成することにより、反射性導電膜１０６の膜表面をも凹凸形状とすることができる。このようにして、凹凸形状を形成するための特別なフォトリソグラフィー工程を用いることなく凹凸形状の反射性導電膜を形成することができる。なお、反射性導電膜１０６の膜表面を凹凸形状とすることで、その表面に入射された光を散乱させる機能を持たせることができる。
【００４３】
また、図２（Ａ）は、本発明の透明電極と反射電極の部分断面図を示したものであり、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）に対応して示した部分上面図である。
【００４４】
図２に示すように、本発明の構造は、基板２０１上において図１（Ｄ）に示した結晶質状態を含む透明性導電膜１０５からなる透明電極２０２上に反射性導電膜１０６からなる反射電極２０３が形成されている。
【００４５】
なお、反射電極２０３に入射した光は、反射電極２０３表面の凹凸形状により反射光となり散乱するが、反射電極２０３が形成されずに透明電極２０２が露出している部分において入射した光は、透過光となり透明電極２０２を透過し、基板２０１側に出射することができる。従って、本発明の構造は、ＴＦＴプロセスを増加させることなく、ディスプレイの視認性を高めることが可能である。
【００４６】
なお、本実施の形態において説明した、基板上にＴＦＴを有する素子基板（図１）と、対向電極を有する対向基板（図示せず）とを電極形成面を向かい合わせにして合わせ、両者の間に液晶を備えることにより半透過型の液晶表示装置を形成することができる。
【００４７】
【実施例】
以下に、本発明の実施例について説明する。
【００４８】
（実施例１）
本実施例では、トップゲート型ＴＦＴを備えたアクティブマトリクス基板の作製工程の例を示す。なお、説明には画素部の一部の上面図および断面図を示した図３〜図７を用いる。
【００４９】
まず、絶縁表面を有する基板３０１上に非晶質半導体層を形成する。ここでは基板３０１として石英基板を用い、非晶質半導体層を膜厚１０〜１００ｎｍで形成する。
【００５０】
なお、基板３０１には石英基板の他に、ガラス基板、プラスチック基板を用いることができる。ガラス基板を用いる場合には、ガラス歪み点よりも１０〜２０℃程度低い温度であらかじめ熱処理しておいても良い。また、基板３０１のＴＦＴを形成する表面に、基板３０１からの不純物拡散を防ぐために、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜などの絶縁膜から成る下地膜を形成するとよい。
【００５１】
非晶質半導体層として、膜厚６０ｎｍの非晶質シリコン膜（アモルファスシリコン膜）をＬＰＣＶＤ法により形成する。次いで、この非晶質半導体層を結晶化させる。ここでは、特開平８−７８３２９号公報記載の技術を用いて結晶化させる。同公報記載の技術は、非晶質シリコン膜に対して結晶化を助長する金属元素を選択的に添加し、加熱処理を行うことで添加領域を起点として広がる結晶質シリコン膜を形成するものである。ここでは結晶化を助長する金属元素としてニッケルを用い、脱水素化のための熱処理（４５０℃、１時間）の後、結晶化のための熱処理（６００℃、１２時間）を行う。なお、ここでは、結晶化に上記公報記載の技術を用いたが特に限定されず、公知の結晶化処理（レーザー結晶化法、熱結晶化法等）を用いることが可能である。
【００５２】
また、必要があれば、結晶化率を高め結晶粒内に残される欠陥を補修するためのレーザー光（ＸｅＣｌ：波長３０８ｎｍ）の照射を行う。レーザー光には波長４００ｎｍ以下のエキシマレーザ光や、ＹＡＧレーザーの第２高調波、第３高調波を用いる。いずれにしても、繰り返し周波数１０〜１０００Hz程度のパルスレーザー光を用い、当該レーザー光を光学系にて１００〜４００mJ/cm2に集光し、９０〜９５％のオーバーラップ率をもって照射し、シリコン膜表面を走査させればよい。
【００５３】
次いで、ＴＦＴの活性層とする領域からＮｉをゲッタリングする。ここでは、ゲッタリング方法として希ガス元素を含む半導体層を用いて行う例を示す。上記レーザー光の照射により形成された酸化膜に加え、オゾン水で表面を１２０秒処理して合計１〜５ｎｍの酸化膜からなるバリア層を形成する。次いで、バリア層上にスパッタ法にてゲッタリングサイトとなるアルゴン元素を含む非晶質シリコン膜を膜厚１５０ｎｍで形成する。本実施例のスパッタ法による成膜条件は、成膜圧力を０．３Ｐａとし、ガス（Ａｒ）流量を５０（sccm）とし、成膜パワーを３ｋＷとし、基板温度を１５０℃とする。なお、上記条件での非晶質シリコン膜に含まれるアルゴン元素の原子濃度は、３×１０20/cm3〜６×１０20/cm3、酸素の原子濃度は１×１０19/cm3〜３×１０19/cm3である。その後、ランプアニール装置を用いて６５０℃、３分の熱処理を行いゲッタリングする。なお、ランプアニール装置の代わりに電気炉を用いてもよい。
【００５４】
次いで、バリア層をエッチングストッパーとして、ゲッタリングサイトであるアルゴン元素を含む非晶質シリコン膜を選択的に除去した後、バリア層を希フッ酸で選択的に除去する。なお、ゲッタリングの際、ニッケルは酸素濃度の高い領域に移動しやすい傾向があるため、酸化膜からなるバリア層をゲッタリング後に除去することが望ましい。
【００５５】
得られた結晶構造を有するシリコン膜（ポリシリコン膜とも呼ばれる）の表面にオゾン水で薄い酸化膜を形成した後、レジストからなるマスクを形成し、所望の形状にエッチング処理して島状に分離された半導体層３０５を形成する。半導体層３０５を形成した後、レジストからなるマスクを除去し、さらに半導体層３０５を覆うゲート絶縁膜３０６を１００ｎｍの膜厚で形成した後、熱酸化を行う。
【００５６】
次いで、ＴＦＴのチャネル領域となる領域にｐ型またはｎ型の不純物元素を低濃度に添加するチャネルドープ工程を全面または選択的に行う。このチャネルドープ工程は、ＴＦＴのしきい値電圧を制御するための工程である。なお、半導体に対してｐ型を付与する不純物元素には、ボロン（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）など周期律第１３族元素が知られている。また、半導体に対してｎ型を付与する不純物元素としては周期律１５族に属する元素、典型的にはリン（Ｐ）または砒素（Ａｓ）が知られている。なお、ここではジボラン（Ｂ2Ｈ6）を質量分離しないでプラズマ励起したイオンドープ法でボロンを添加する。もちろん、質量分離を行うイオンインプランテーション法を用いてもよい。
【００５７】
次いで、第１の導電膜を形成し、パターニングを行ってゲート電極３０７および容量配線３０８を形成する。ここでは、窒化タンタル（ＴａＮ）（膜厚３０ｎｍ）とタングステン（膜厚３７０ｎｍ）との積層構造を用いる。また、本実施例ではダブルゲート構造とする。なお、保持容量は、ゲート絶縁膜３０６を誘電体とし、容量配線３０８と半導体層３０５の一部である領域ａ（３０３ａ）とで構成されている。
【００５８】
次いで、ゲート電極３０７および容量配線３０８をマスクとして自己整合的にリンを低濃度に添加する。この低濃度に添加された領域のリンの濃度が、１×１０16〜５×１０18/cm3、代表的には３×１０17〜３×１０18/cm3となるように調整する。
【００５９】
次いで、マスク（図示せず）を形成してリンを高濃度に添加し、ソース領域３０２またはドレイン領域３０３となる高濃度不純物領域を形成する。この高濃度不純物領域のリンの濃度が１×１０20〜１×１０21/cm3（代表的には２×１０20〜５×１０20/cm3）となるように調整する。なお、半導体層３０５のうち、ゲート電極３０７と重なる領域はチャネル形成領域３０４となり、マスクで覆われた領域は低濃度不純物領域となりＬＤＤ領域３１１となる。さらに、ゲート電極３０７、容量配線３０８、およびマスクのいずれにも覆われない領域は、ソース領域３０２、ドレイン領域３０３を含む高濃度不純物領域となる。
【００６０】
なお、本実施例では同一基板上に画素部のＴＦＴと駆動回路のＴＦＴを形成するが、駆動回路のＴＦＴにおいてもチャネル形成領域の両側であって、ソースおよびドレイン領域との間にソースおよびドレイン領域よりも不純物濃度の低い低濃度不純物領域を設けてもよいし、片側に低濃度不純物領域を設けてもよい。しかし、必ずしも両側に低濃度不純物領域を設ける必要はなく、実施者が適宜マスクを設計すればよい。
【００６１】
次いで、ここでは図示しないが、画素と同一基板上に形成される駆動回路に用いるｐチャネル型ＴＦＴを形成するために、マスクでｎチャネル型ＴＦＴとなる領域を覆い、ボロンを添加してソース領域またはドレイン領域を形成する。
【００６２】
次いで、マスクを除去した後、ゲート電極３０７および容量配線３０８を覆う第１絶縁膜３０９を形成する。ここでは、酸化シリコン膜を５０ｎｍの膜厚で形成し、半導体層３０５にそれぞれの濃度で添加されたｎ型またはｐ型不純物元素を活性化するための熱処理工程を行う。ここでは８５０℃、３０分の加熱処理を行う（図３（Ａ））。なお、ここでの画素上面図を図４に示す。図４において、点線Ａ−Ａ’で切断した断面図が図３（Ａ）に相当する。
【００６３】
次いで、水素化処理を行った後、有機樹脂材料からなる第２絶縁膜３１３を形成する。ここでは膜厚１μｍのアクリル膜を用いることにより、第２絶縁膜３１３の表面を平坦化することができる。これにより、第２絶縁膜８１３の下層に形成されるパターンにより生じる段差の影響を防ぐことができる。次いで、第２絶縁膜３１３上にマスクを形成し、半導体層３０５に達するコンタクトホール３１２を形成する（図３（Ｂ））。そして、コンタクトホール３１２の形成後にマスクを除去する。なお、ここでの画素上面図を図５に示す。図５において、点線Ａ−Ａ’で切断した断面図が図３（Ｂ）に相当する。
【００６４】
次に、１２０ｎｍの非晶質状態の透明性導電膜（ここでは酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）膜）をスパッタリング法により成膜した後、クリーンオーブンにより２００℃、６０分の加熱処理を行う。これにより、成膜された非晶質透明性導電膜中に非晶質状態と結晶質状態とを混在させることができる。これをフォトリソグラフィーの技術を用いて矩形にパターニングする。そして、ウエットエッチング処理を行った後でマスクを除去する。
【００６５】
次に、透明性導電膜表面をＣＭＰ法により研磨する。ここでは、ＩＴＯ膜中に混在する非晶質部と結晶質部とで研磨レートが大きく異なることを利用して処理を行うため、透明性導電膜表面に存在する結晶質状態のグレインを残し、特に非晶質状態の部分を選択的に除去することができる。
【００６６】
本実施例においては、定盤（Platen or Polishing Plate）の上に研磨パッド（本明細書では、以下総称してパッド（Pad）と呼ぶ）を貼り付け、この定盤上のパッドにある一定の圧力で基板の研磨面を押しつけ、基板上に成膜されたＩＴＯ膜とパッドとの間にスラリーを供給しながら定盤と基板とを各々回転または揺動させてＩＴＯ膜の表面を化学・機械の複合作用により被加工物の表面を研磨する。なお、スラリーとしては、アンモニア水に粒径１２０ｎｍ前後のシリカ砥粒を含むものを用い、流量１００ｃｃ／ｍｉｎで供給する。また、定板の回転数を３０ｒｐｍ、基板の回転数を３０ｒｐｍ、研磨の際における研磨圧力を３００ｇ／ｃｍ2とし、研磨時間０．３ｍｉｎで行う。
【００６７】
次に、透明性導電膜表面に酸性の薬液を塗布することによりエッチングを行う。なお、本実施例においては、酸性の薬液としては、０．５％フッ酸を用い、スピンコート法により薬液を塗布してエッチングを行う。なお、薬液によるエッチングの時間としては、１５ｓｅｃ以下で行うことが可能であるが、本実施例においては、５ｓｅｃとする。そして、その後、純水を用いて基板表面を洗浄することにより酸性の薬液を除去する。
【００６８】
以上により、表面に凹凸形状を有する透明性導電膜からなる透明電極３１３を形成することができる（図３（Ｃ））。なお、ここでの画素上面図を図６に示す。図６において、点線Ａ−Ａ’で切断した断面図が図３（Ｃ）に相当する。
【００６９】
次いで、第２の導電膜を形成し、これをパターニングすることにより、透明電極３１３上に形成される反射電極３１４の他、ソース線でもある配線３１５や、ＴＦＴ３１０と透明電極３１３とを電気的に接続する配線３１６を形成する。なお、ここで形成される第２の導電膜は、本発明における反射電極を形成するための反射性導電膜であり、アルミニウム、銀等の他、これらを主成分とする合金材料を用いるのが好ましい。
【００７０】
本実施例では、上記第２の導電膜としてＴｉ膜を５０ｎｍ、Ｓｉを含むアルミニウム膜５００ｎｍをスパッタ法で連続して形成した２層構造の積層膜を用いている。
【００７１】
なお、パターニングの方法としてフォトリソグラフィーの技術を用い、透明電極３１３と重なる位置に反射電極３１４、および配線３１５、３１６を形成する。また、ここで用いるエッチング方法としては、ドライエッチング法を用いる。なお、本発明における液晶表示装置は、半透過型の液晶表示装置であることから透明電極３１３に重ねて形成される反射電極３１４の面積は、透明電極３１３が占める面積の５０〜９０％となるようにする。
【００７２】
以上により、反射電極３１４、および配線３１５、３１６が形成されたところで、レジストを除去し、図３（Ｄ）に示す構造を得る。なお、ここでの画素上面図を図７に示す。図７において、点線Ａ−Ａ’で切断した断面図が図３（Ｄ）に相当する。
【００７３】
なお、図７に示すように反射電極３１４を透明電極３１３上に形成することにより、透明電極３１３と反射電極３１４とが重なって形成されている部分においては、光は反射電極３１４により反射され、反射電極３１４が形成されずに透明電極３１３が表面に露出している部分においては、光は透明電極３１３の内部を透過し、基板３０１側へ出射する。
【００７４】
以上の様にして、ダブルゲート構造を有するｎチャネル型ＴＦＴ、及び保持容量を有する画素部と、ｎチャネル型ＴＦＴ及びｐチャネル型ＴＦＴを有する駆動回路と、を同一基板上に形成することができる。本明細書中ではこのような基板を便宜上アクティブマトリクス基板と呼ぶ。
【００７５】
なお、本実施例は一例であって本実施例の工程に限定されないことはいうまでもない。例えば、各導電膜としては、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、シリコン（Ｓｉ）から選ばれた元素、または元素を組み合わせた合金膜（代表的には、Ｍｏ―Ｗ合金、Ｍｏ―Ｔａ合金）を用いることができる。また、各絶縁膜としては、酸化シリコン膜や窒化シリコン膜や酸化窒化シリコン膜や有機樹脂材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）等）膜を用いることができる。
【００７６】
また、本実施例で示す工程に従えば、図３（Ｃ）において形成された表面に凹凸形状を有する透明電極を形成することができるので、図３（Ｄ）に示すように透明電極３１３上に形成される反射電極の表面も凹凸形状にすることができる。この凹凸形状は、透明電極を形成する透明性導電膜に上述した処理を施すことにより形成されるものであることから、フォトリソグラフィー工程やフォトマスクの数を増やすことなく形成することができる。
【００７７】
以上より、本実施例を実施することにより容易に反射電極表面を凹凸形状にすることができるため、表示パネルの視認性を向上させることができる。
【００７８】
（実施例２）
本実施例では、実施例１とは構造の異なる半透過型の液晶表示装置の作製方法について図８〜図１０を用いて詳細に説明する。
【００７９】
まず、図８（Ａ）に示すように基板８０１上に非晶質半導膜を形成し、これを結晶化した後、パターニングにより島状に分離された半導体層８０５を形成する。さらに、半導体層８０５上には、絶縁膜からなるゲート絶縁膜８０６が形成される。なお、ゲート絶縁膜８０６が形成されるまでの作製方法については、実施例１で示したのと同様であるので実施例１を参照すればよい。また、同様にして半導体層８０５を覆う絶縁膜を形成した後、熱酸化を行い、ゲート絶縁膜８０６を形成する。
【００８０】
次いで、ＴＦＴのチャネル領域となる領域にｐ型またはｎ型の不純物元素を低濃度に添加するチャネルドープ工程を全面または選択的に行う。
【００８１】
そして、ゲート絶縁膜８０６上に導電膜を形成し、これをパターニングすることによりゲート電極８０７、容量配線８０８、およびソース線となる配線８０９を形成することができる。なお、本実施例における第１の導電膜は５０〜１００ｎｍの厚さに形成したＴａＮ（窒化タンタル）と、１００〜４００ｎｍの厚さに形成したＷ（タングステン）とを積層することにより形成する。
【００８２】
なお、本実施例では、ＴａＮとＷとの積層膜を用いて導電膜を形成したが、特に限定されず、いずれもＴａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で形成してもよい。また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン膜に代表される半導体膜を用いてもよい。
【００８３】
次に、ゲート電極８０７および容量配線８０８をマスクとして自己整合的にリンを低濃度に添加する。この低濃度に添加された領域のリンの濃度が、１×１０16〜５×１０18/cm3、代表的には３×１０17〜３×１０18/cm3となるように調整する。
【００８４】
次いで、マスク（図示せず）を形成してリンを高濃度に添加し、ソース領域８０２またはドレイン領域８０３となる高濃度不純物領域を形成する。この高濃度不純物領域のリンの濃度が１×１０20〜１×１０21/cm3（代表的には２×１０20〜５×１０20/cm3）となるように調整する。なお、半導体層８０５のうち、ゲート電極８０７と重なる領域はチャネル形成領域８０４となり、マスクで覆われた領域は低濃度不純物領域となりＬＤＤ領域８１１となる。さらに、ゲート電極８０７、容量配線８０８、およびマスクのいずれにも覆われない領域は、ソース領域８０２、ドレイン領域８０３を含む高濃度不純物領域となる。
【００８５】
また、本実施例においても実施例１と同様にして、画素と同一基板上に形成される駆動回路に用いるｐチャネル型ＴＦＴを形成するために、マスクでｎチャネル型ＴＦＴとなる領域を覆い、ボロンを添加してソース領域またはドレイン領域を形成する。
【００８６】
次いで、マスクを除去した後、ゲート電極８０７、容量配線８０８および配線（ソース線）８０９を覆う第１絶縁膜８１０を形成する。ここでは、酸化シリコン膜を５０ｎｍの膜厚で形成し、半導体層８０５にそれぞれの濃度で添加されたｎ型またはｐ型不純物元素を活性化するための熱処理工程を行う。ここでは８５０℃、３０分の加熱処理を行う（図８（Ａ））。なお、ここでの画素上面図を図９に示す。図９において、点線Ａ−Ａ’で切断した断面図が図８（Ａ）に相当する。
【００８７】
次いで、水素化処理を行った後、有機樹脂材料からなる第２絶縁膜８１３を形成する。ここでは膜厚１μｍのアクリル膜を用いることにより、第２絶縁膜８１３の表面を平坦化することができる。これにより、第２絶縁膜８１３の下層に形成されるパターンにより生じる段差の影響を防ぐことができる。次いで、第２絶縁膜８１３上にマスクを形成し、半導体層８０５に達するコンタクトホール８１２をエッチングにより形成する（図８（Ｂ））。そして、コンタクトホール８１２の形成後にマスクを除去する。
【００８８】
次に、１２０ｎｍの透明性導電膜（ここでは酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）膜）をスパッタリング法により成膜した後、クリーンオーブンにより２００℃、６０分の加熱処理を行う。これにより、成膜された非晶質透明性導電膜中に非晶質状態と結晶質状態とを混在させることができる。これをフォトリソグラフィーの技術を用いて矩形にパターニングする。そして、ウエットエッチング処理を行った後でマスクを除去する。
【００８９】
次に、透明性導電膜表面をＣＭＰ法により研磨する。ここでは、ＩＴＯ膜中に混在する非晶質部と結晶質部とで研磨レートが大きく異なることを利用して処理を行うため、透明性導電膜表面に存在する結晶質状態のグレインを残し、特に非晶質状態の部分を選択的に除去することができる。
【００９０】
本実施例においては、定盤（Platen or Polishing Plate）の上に研磨パッド（本明細書では、以下総称してパッド（Pad）と呼ぶ）を貼り付け、この定盤上のパッドにある一定の圧力で基板の研磨面を押しつけ、基板上に成膜されたＩＴＯ膜とパッドとの間にスラリーを供給しながら定盤と基板とを各々回転または揺動させてＩＴＯ膜の表面を化学・機械の複合作用により被加工物の表面を研磨する。なお、スラリーとしては、アンモニア水に粒径１２０ｎｍ前後のシリカ砥粒を含むものを用い、流量１００ｃｃ／ｍｉｎで供給する。また、定板の回転数を３０ｒｐｍ、基板の回転数を３０ｒｐｍ、研磨の際における研磨圧力を３００ｇ／ｃｍ2とし、研磨時間０．３ｍｉｎで行う。
【００９１】
次に、透明性導電膜表面に酸性の薬液を塗布することによりエッチングを行う。なお、本実施例においては、酸性の薬液としては、０．５％フッ酸を用い、スピンコート法により薬液を塗布してエッチングを行う。なお、薬液によるエッチングの時間としては、１５ｓｅｃ以下で行うことが可能であるが、本実施例においては、５ｓｅｃとする。そして、その後、純水を用いて基板表面を洗浄することにより酸性の薬液を除去する。
【００９２】
以上により、表面に凹凸形状を有する透明性導電膜からなる透明電極８１３を形成することができる（図８（Ｃ））。なお、ここでの画素上面図を図９に示す。図９において、点線Ａ−Ａ’で切断した断面図が図８（Ｃ）に相当する。
【００９３】
次いで、第２の導電膜を形成し、これをパターニングすることにより、透明電極８１３上に形成される反射電極８１４の他、配線（ソース線）８０９とＴＦＴ８１０のソース領域とを電気的に接続する配線８１５や、ＴＦＴ８１０のドレイン領域とコンタクトを形成するための配線８１６や、ＴＦＴ８１０のドレイン領域と透明電極８１３とを電気的に接続する配線８１７を形成する。なお、ここで形成される第２の導電膜は、本発明における反射電極を形成するための反射性導電膜であり、アルミニウム、銀等の他、これらを含む金属材料を用いるのが好ましい。
【００９４】
本実施例では、上記第２の導電膜としてＴｉ膜を５０ｎｍ、Ｓｉを含むアルミニウム膜５００ｎｍをスパッタ法で連続して形成した２層構造の積層膜を用いている。
【００９５】
なお、パターニングの方法としてフォトリソグラフィーの技術を用い、反射電極８１４、および配線８１５、８１６、８１７を形成する。ここでは、エッチング方法としてドライエッチング法を用いる。
【００９６】
以上により、反射電極８１４、および配線８１５、８１６、８１７が形成されたところで、レジストを除去し、図８（Ｄ）に示す構造を得る。なお、ここでの画素上面図を図１０に示す。図１０において、点線Ａ−Ａ’で切断した断面図が図８（Ｄ）に相当する。
【００９７】
なお、図１０に示すように反射電極８１４を透明電極８１３上に形成することにより、透明電極８１３と反射電極８１４とが重なって形成されている部分においては、光は反射電極８１４により反射され、反射電極８１４が形成されずに透明電極８１３が表面に露出している部分においては、光は透明電極８１３の内部を透過し、基板８０１側へ出射する。
【００９８】
以上の様にして、本実施例においてもダブルゲート構造を有するｎチャネル型ＴＦＴ、及び保持容量を有する画素部と、ｎチャネル型ＴＦＴ及びｐチャネル型ＴＦＴを有する駆動回路とが同一基板上に有するアクティブマトリクス基板が形成される。
【００９９】
また、本実施例で示す工程に従えば、図８（Ｃ）において形成された表面に凹凸形状を有する透明電極を形成することができるので、図８（Ｄ）に示すように透明電極３１３上に形成される反射電極の表面も凹凸形状にすることができる。この凹凸形状は、透明電極を形成する透明性導電膜に上述した処理を施すことにより形成されるものであることから、フォトリソグラフィー工程やフォトマスクの数を増やすことなく形成することができる。
【０１００】
以上より、本実施例を実施することにより容易に反射電極表面を凹凸形状にすることができるため、表示パネルの視認性を向上させることができる。
【０１０１】
（実施例３）
本実施例では、実施例１で作製したアクティブマトリクス基板から、半透過型の液晶表示装置を作製する工程を以下に説明する。説明には図１１の断面図を用いる。
【０１０２】
まず、実施例１に従い、図３（Ｄ）のアクティブマトリクス基板を得た後、図１１に示すようにアクティブマトリクス基板上に配向膜１１１９を形成し、ラビング処理を行う。なお、本実施例では配向膜１１１９を形成する前に、基板間隔を保持するための球状のスペーサ１１２１を基板全面に散布した。また、球状のスペーサ１１２１に代えて、アクリル樹脂膜等の有機樹脂膜をパターニングすることによって柱状のスペーサを所望の位置に形成してもよい。
【０１０３】
次いで、基板１１２２を用意する。基板１１２２上に着色層１１２３（１１２３ａ、１１２３ｂ）、および平坦化膜１１２４を形成する。なお、着色層１１２３として、赤色の着色層１１２３ａ、青色の着色層１１２３ｂ、および緑色の着色層（図示せず）とが形成される。なお、ここでは図示しないが、赤色の着色層１１２３ａと青色の着色層１１２３ｂとを一部重ねたり、また、赤色の着色層１１２３ａと緑色の着色層（図示せず）とを一部重ねたりして、遮光部を形成してもよい。
【０１０４】
さらに、平坦化膜１１２４上に透明性導電膜からなる対向電極１１２５を画素部となる位置に形成し、基板１１２２の全面に配向膜１１２６を形成し、ラビング処理を施すことにより対向基板１１２８を得る。
【０１０５】
そして、その表面に配向膜１１１９が形成されたアクティブマトリクス基板と対向基板１１２８とをシール剤（図示せず）で貼り合わせる。シール剤にはフィラーが混入されていて、このフィラーと球状スペーサによって均一な間隔（好ましくは２．０〜３．０μｍ）を持って２枚の基板が貼り合わされる。その後、両基板の間に液晶材料１１２７を注入し、封止剤（図示せず）によって完全に封止する。液晶材料１１２７には公知の液晶材料を用いれば良い。このようにして図１１に示す半透過型液晶表示装置が完成する。そして、必要があれば、アクティブマトリクス基板または対向基板１１２８を所望の形状に分断する。さらに、公知の技術を用いて偏光板等を適宜設けた。そして、公知の技術を用いてＦＰＣを貼りつける。
【０１０６】
こうして得られた液晶モジュールの構成を図１５の上面図を用いて説明する。アクティブマトリクス基板１５０１の中央には、画素部１５０４が配置されている。画素部１５０４の上側には、ソース信号線を駆動するためのソース信号線駆動回路１５０２が配置されている。画素部１５０４の左右には、ゲート信号線を駆動するためのゲート信号線駆動回路１５０３が配置されている。本実施例に示した例では、ゲート信号線駆動回路１５０３は画素部に対して左右対称配置としているが、これは片側のみの配置でも良く、液晶モジュールの基板サイズ等を考慮して、設計者が適宜選択すれば良い。ただし、回路の動作信頼性や駆動効率等を考えると、図１５に示した左右対称配置が望ましい。
【０１０７】
各駆動回路への信号の入力は、フレキシブルプリント基板（Flexible Print Circuit：ＦＰＣ）１５０５から行われる。ＦＰＣ１５０５は、基板１５０１の所定の場所まで配置された配線に達するように、層間絶縁膜および樹脂膜にコンタクトホールを開口し、接続電極（図示せず）を形成した後、異方性導電膜等を介して圧着される。本実施例においては、接続電極はＩＴＯを用いて形成した。
【０１０８】
駆動回路、画素部の周辺には、基板外周に沿ってシール剤１５０７が塗布され、あらかじめアクティブマトリクス基板上に形成されたスペーサによって一定のギャップ（基板１５０１と対向基板１５０６との間隔）を保った状態で、対向基板８０６が貼り付けられる。その後、シール剤１５０７が塗布されていない部分より液晶素子が注入され、封止剤１５０８によって密閉される。以上の工程により、液晶モジュールが完成する。また、ここでは全ての駆動回路を基板上に形成した例を示したが、駆動回路の一部に数個のＩＣを用いてもよい。以上のようにして、アクティブマトリクス型液晶表示装置が完成する。
【０１０９】
（実施例４）
本発明を用いて作製された電気光学装置におけるブロック図を図１６、１７に示す。なお、図１６には、アナログ駆動を行うための回路構成が示されている。本実施例は、ソース側駆動回路９０、画素部９１およびゲート側駆動回路９２を有している電気光学装置について示している。なお、本明細書中において、駆動回路とはソース側処理回路およびゲート側駆動回路を含めた総称を指している。
【０１１０】
ソース側駆動回路９０は、シフトレジスタ９０ａ、バッファ９０ｂ、サンプリング回路（トランスファゲート）９０ｃを設けている。また、ゲート側駆動回路９２は、シフトレジスタ９２ａ、レベルシフタ９２ｂ、バッファ９２ｃを設けている。また、必要であればサンプリング回路とシフトレジスタとの間にレベルシフタ回路を設けてもよい。
【０１１１】
また、本実施例において、画素部９１は複数の画素からなり、その複数の画素各々がＴＦＴ素子を含んでいる。
【０１１２】
なお、図示していないが、画素部９１を挟んでゲート側駆動回路９２の反対側にさらにゲート側駆動回路を設けても良い。
【０１１３】
また、デジタル駆動させる場合は、図１７に示すように、サンプリング回路の代わりにラッチ（Ａ）９３ｂ、ラッチ（Ｂ）９３ｃを設ければよい。ソース側駆動回路９３は、シフトレジスタ９３ａ、ラッチ（Ａ）９３ｂ、ラッチ（Ｂ）９３ｃ、Ｄ／Ａコンバータ９３ｄ、バッファ９３ｅを設けている。また、ゲート側駆動回路９５は、シフトレジスタ９５ａ、レベルシフタ９５ｂ、バッファ９５ｃを設けている。また、必要であればラッチ（Ｂ）９３ｃとＤ／Ａコンバータ９３ｄとの間にレベルシフタ回路を設けてもよい。
【０１１４】
なお、上記構成は、実施例１または実施例２に示した製造工程に従って実現することができる。また、本実施例では画素部と駆動回路の構成のみ示しているが、本発明の製造工程に従えば、メモリやマイクロプロセッサをも形成しうる。
【０１１５】
（実施例５）
本発明を実施して作製された半透過型の液晶表示装置は様々な電気光学装置に用いることができる。そして、そのような電気光学装置を表示媒体として組み込んだ電気器具全てに本発明を適用することができる。
【０１１６】
本発明により作製した液晶表示装置を用いて作製された電気器具として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはデジタルビデオディスク（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうる表示装置を備えた装置）などが挙げられる。それら電気器具の具体例を図１８に示す。
【０１１７】
図１８（Ａ）はデジタルスチルカメラであり、本体２１０１、表示部２１０２、受像部２１０３、操作キー２１０４、外部接続ポート２１０５、シャッター２１０６等を含む。本発明により作製した液晶表示装置をその表示部２１０２に用いることにより作製される。
【０１１８】
図１８（Ｂ）はノート型パーソナルコンピュータであり、本体２２０１、筐体２２０２、表示部２２０３、キーボード２２０４、外部接続ポート２２０５、ポインティングマウス２２０６等を含む。本発明により作製した液晶表示装置をその表示部２２０３に用いることにより作製される。
【０１１９】
図１８（Ｃ）はモバイルコンピュータであり、本体２３０１、表示部２３０２、スイッチ２３０３、操作キー２３０４、赤外線ポート２３０５等を含む。本発明により作製した液晶表示装置をその表示部２３０２に用いることにより作製される。
【０１２０】
図１８（Ｄ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本体２４０１、筐体２４０２、表示部Ａ２４０３、表示部Ｂ２４０４、記録媒体（ＤＶＤ等）読み込み部２４０５、操作キー２４０６、スピーカー部２４０７等を含む。表示部Ａ２４０３は主として画像情報を表示し、表示部Ｂ２４０４は主として文字情報を表示するが、本発明により作製した液晶表示装置をこれら表示部Ａ、Ｂ２４０３、２４０４に用いることにより作製される。なお、記録媒体を備えた画像再生装置には家庭用ゲーム機器なども含まれる。
【０１２１】
図１８（Ｅ）はビデオカメラであり、本体２６０１、表示部２６０２、筐体２６０３、外部接続ポート２６０４、リモコン受信部２６０５、受像部２６０６、バッテリー２６０７、音声入力部２６０８、操作キー２６０９、接眼部２６１０等を含む。本発明により作製した液晶表示装置をその表示部２６０２に用いることにより作製される。
【０１２２】
ここで図１８（Ｆ）は携帯電話であり、本体２７０１、筐体２７０２、表示部２７０３、音声入力部２７０４、音声出力部２７０５、操作キー２７０６、外部接続ポート２７０７、アンテナ２７０８等を含む。本発明により作製した液晶表示装置をその表示部２７０３に用いることにより作製される。なお、表示部２７０３は黒色の背景に白色の文字を表示することで携帯電話の消費電力を抑えることができる。
【０１２３】
以上の様に、本発明において作製された液晶表示装置の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電気器具を作製することが可能である。また、本実施の形態の電気器具は実施例１〜実施例４を実施することにより作製された液晶表示装置を用いることにより完成させることができる。
【０１２４】
【発明の効果】
以上により、本発明を実施することにより、半透過型の液晶表示装置の作製において、画素電極を構成する透明電極の表面を凹凸形状とし、さらに反射電極の表面をも凹凸形状とすることができる。これにより、画素電極表面に凹凸形状を形成するために必要となるフォトリソグラフィー工程や、パターニング時に用いるマスク等を削減することができる。そのため、ディスプレイの視認性を向上させるだけでなく、これまでの凹凸構造の作製方法に比べて、大幅なコスト削減と、生産性の向上を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】    本発明の電極表面の凹凸形状の作製工程を説明する図。
【図２】    本発明の電極表面の凹凸形状を説明する図。
【図３】    本発明の液晶表示装置の作製工程を説明する図。
【図４】    本発明の液晶表示装置の作製工程を説明する図。
【図５】    本発明の液晶表示装置の作製工程を説明する図。
【図６】    本発明の液晶表示装置の作製工程を説明する図。
【図７】    本発明の液晶表示装置の作製工程を説明する図。
【図８】    本発明の液晶表示装置の作製工程を説明する図。
【図９】    本発明の液晶表示装置の作製工程を説明する図。
【図１０】  本発明の液晶表示装置の作製工程を説明する図。
【図１１】  本発明の液晶表示装置の構造を説明する図。
【図１２】  透明性導電膜表面のＡＦＭ写真。
【図１３】  透明性導電膜表面のＡＦＭ写真。
【図１４】  透明性導電膜表面のＡＦＭ写真。
【図１５】  本発明に用いることのできる回路構成を説明する図。
【図１６】  本発明に用いることのできる回路構成を説明する図。
【図１７】  本発明の液晶表示装置の外観を説明する図。
【図１８】  電気器具の一例を示す図。
【符号の説明】
１０１  基板
１０２  非晶質透明性導電膜
１０３  領域ａ（非晶質状態）
１０４  領域ｂ（結晶質状態）
１０５  結晶質状態を含む透明性導電膜
１０６  反射性導電膜
２０１  基板
２０２  透明電極
２０３  反射電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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