(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
モールド後カットされることによって電気的に分離される複数のリードフレームを樹脂にてモールドする際、樹脂の一部に、モールド後、前記複数のリードフレームに対するワイヤボンディングを施すための窪み部を形成し、この窪み部において露出される複数のリードフレームのワイヤボンディング領域に選択的にワイヤボンディングを施す樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、
モールド金型における前記複数のリードフレームの前記ワイヤボンディング領域に対応する部位が選択的にリードフレームと非接触状態となる状態で、それら複数のリードフレームをモールド金型にてクランプする工程と、
前記モールド金型内にモールド樹脂を注入する工程と、
前記複数のリードフレームの露出面の前記ワイヤボンディング領域に対応する部位にワイヤボンディングを施す工程とを備えたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記モールド金型は、前記窪み部の形成のための領域でのリードフレームとの接触部が、他の領域でのリードフレームとの接触部に比べ、突出している請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記リードフレームにはその表面にシール性向上膜が形成されている請求項２に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記シール性向上膜はメッキ層である請求項３に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項５】
モールド後カットされることによって電気的に分離される複数のリードフレームを樹脂にてモールドする際、樹脂の一部に、モールド後、前記複数のリードフレームに対するワイヤボンディングを施すための窪み部を形成し、この窪み部において露出される複数のリードフレームのワイヤボンディング領域に選択的にワイヤボンディングを施す樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、
前記複数のリードフレームに対してワイヤボンディングを施すための窪み部を形成する窪み部形成用突部と、前記複数のリードフレームのワイヤボンディング領域に対応する部位を選択的にリードフレームと非接触状態とする凹部又は貫通孔とを有する第１の金型と、少なくとも前記複数のリードフレームのワイヤボンディング領域の裏面に接する突起が設けられた第２の金型とで前記複数のリードフレームをクランプする工程と、
前記第１の金型と前記第２の金型との間にモールド樹脂を注入する工程と、
前記複数のリードフレームの露出面の前記ワイヤボンディング領域に対応する部位にワイヤボンディングを施す工程と
を備えたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項６】
モールド後カットされることによって電気的に分離される複数のリードフレームを樹脂にてモールドする樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
モールド金型における前記複数のリードフレームのワイヤボンディング領域に対応する部位が選択的にリードフレームと非接触状態となる状態で、それら複数のリードフレームをモールド金型にてクランプする工程と、
前記モールド金型内にモールド樹脂を注入する工程と、
前記複数のリードフレームの露出面の前記ワイヤボンディング領域に対応する部位にワイヤボンディングを施す工程と
を備えたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項７】
モールド後カットされることによって電気的に分離される複数のリードフレームを樹脂にてモールドする際に用いられるモールド金型であって、
前記複数のリードフレームに対してワイヤボンディングを施すための窪み部を形成する窪み部形成用突部と、
前記窪み部において露出される複数のリードフレームのワイヤボンディング領域に対応する部位を選択的にリードフレームと非接触状態とする凹部又は貫通孔とを設けたことを特徴とするモールド金型。
【請求項８】
モールド後カットされることによって電気的に分離される複数のリードフレームを樹脂にてモールドする際に用いられるモールド金型であって、
前記複数のリードフレームに対してワイヤボンディングを施すための窪み部を形成する窪み部形成用突部と、前記複数のリードフレームのワイヤボンディング領域に対応する部位を選択的にリードフレームと非接触状態とする凹部又は貫通孔とを有する第１の金型と、
少なくとも前記複数のリードフレームのワイヤボンディング領域の裏面に接する突起が設けられた第２の金型とを備え、
これら第１および第２の金型にて前記複数のリードフレームをクランプすることを特徴とするモールド金型。
【請求項９】
前記窪み部の形成のための領域でのリードフレームとの接触部が、他の領域でのリードフレームとの接触部に比べ、突出している請求項７又は８に記載のモールド金型。
【請求項１０】
前記窪み部の形成のための領域でのリードフレームとの接触面を平滑加工面とした請求項７〜９のうちいずれか一項に記載のモールド金型。
【請求項１１】
前記窪み部の形成のための領域でのリードフレームとの接触面を鏡面加工面とした請求項７〜９のうちいずれか一項に記載のモールド金型。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、樹脂封止型半導体装置の製造方法および装置製造のためのモールド金型に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図１８に示すように、モールドＩＣ、即ち、樹脂４０を用いたトランスファ成形法により樹脂封止されたモールド形パッケージ（樹脂封止型半導体装置）において、モールド樹脂４０に封止できない素子４３がある場合には、モールド成形後に窪み部４１に素子４３を配置するとともに窪み部４１において露出させたリードフレーム４２と素子４３とをワイヤボンディングして結線することとなる。
【０００３】
その場合、一般に以下の不具合が発生し良好なワイヤボンディングができないことがある。
（１）モールド成形後、露出したリードフレーム４２上にモールド樹脂のバリが付着し、ワイヤボンディングができない。
（２）モールド成形時にリードフレーム４２上にモールド金型が直接接触するため、金型に付いている離型剤がリードフレーム４２に転写され、ワイヤボンディングができない。
（３）モールド成形時にリードフレーム４２上にモールド金型が直接接触するため、リードフレーム４２に傷が付き、良好なワイヤボンディングができない。
【０００４】
この不具合を解消するために、以下の工程を追加することで対応することが可能である。
（１）例えば特開平６−８５２２２号公報にて示されている技術を用いて、モールド成形工程後に、リードフレーム４２上のモールド樹脂４０のバリの除去を行ったり、離型剤の洗浄を行って良好なワイヤボンディング領域をリードフレーム４２上に確保する。
（２）例えば特開平６−３０２７４４号公報にて示されている技術を用いて、事前にリードフレーム４２上のワイヤボンディング領域に保護膜を形成しておき、モールド成形後にその保護膜をエッチング除去し、良好なワイヤボンディング領域を確保する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、このような手法を用いると工程の追加が必要となり、コストアップを招いてしまう。
【０００６】
そこで、この発明の目的は、工程追加等によるコストアップを招くことなく良好なワイヤボンディング領域を確保することができるようにすることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明によれば、モールド金型における複数のリードフレームのワイヤボンディング領域に対応する部位が選択的にリードフレームと非接触状態となる状態で、それら複数のリードフレームをモールド金型にてクランプする。この状態から、モールド金型内にモールド樹脂を注入する。そして、複数のリードフレームの露出面のワイヤボンディング領域に対応する部位にワイヤボンディングを施す。
【０００８】
よって、複数のリードフレームのワイヤボンディング領域がモールド金型と非接触状態となっているので、モールド成形後においてリードフレーム上のモールド樹脂のバリの除去を行ったり離型剤の洗浄を行ったり、又、リードフレーム上のワイヤボンディング領域に保護膜の形成および除去を行うことなく、良好なワイヤボンディング領域を得ることができる。その結果、良好なワイヤボンディング領域を得るための工程追加が必要なくコストアップを回避できる。
【０００９】
請求項２に記載のように、モールド金型は、窪み部の形成のための領域でのリードフレームとの接触部が、他の領域でのリードフレームとの接触部に比べ、突出しているものとすると、窪み部の形成のための領域でのリードフレームとの接触部は突出分だけ押圧力が加わりシールすることができる。
【００１０】
請求項３に記載のように、リードフレームにおいてその表面にシール性向上膜を形成すると、この膜の潰し代にてシール性の向上を図ることができる。
請求項４に記載のように、シール性向上膜をメッキ層とするとワイヤボンディングのための下地膜をシール性向上膜として使用することができる。
請求項５に記載の発明によれば、モールド金型における複数のリードフレームのワイヤボンディング領域に対応する部位が選択的にリードフレームと非接触状態となる状態で、それら複数のリードフレームをモールド金型にてクランプする。この状態から、モールド金型内にモールド樹脂を注入する。そして、複数のリードフレームの露出面のワイヤボンディング領域に対応する部位にワイヤボンディングを施す。
よって、複数のリードフレームのワイヤボンディング領域がモールド金型と非接触状態となっているので、モールド成形後においてリードフレーム上のモールド樹脂のバリの除去を行ったり離型剤の洗浄を行ったり、又、リードフレーム上のワイヤボンディング領域に保護膜の形成および除去を行うことなく、良好なワイヤボンディング領域を得ることができる。その結果、良好なワイヤボンディング領域を得るための工程追加が必要なくコストアップを回避できる。また、複数のリードフレームを挟み込む第１と第２の金型を備え、第１の金型には複数のリードフレームの表面に接する窪み部形成用突部を形成するとともに、第２の金型には少なくともリードフレームのワイヤボンディング領域の裏面に接する突起を形成すると、凹部又は貫通孔とリードフレームとの接触部におけるシール性が向上する。
請求項６に記載の発明も同様に、モールド金型における複数のリードフレームのワイヤボンディング領域に対応する部位が選択的にリードフレームと非接触状態となる状態で、それら複数のリードフレームをモールド金型にてクランプする。この状態から、モールド金型内にモールド樹脂を注入する。そして、複数のリードフレームの露出面のワイヤボンディング領域に対応する部位にワイヤボンディングを施す。
よって、複数のリードフレームのワイヤボンディング領域がモールド金型と非接触状態となっているので、モールド成形後においてリードフレーム上のモールド樹脂のバリの除去を行ったり離型剤の洗浄を行ったり、又、リードフレーム上のワイヤボンディング領域に保護膜の形成および除去を行うことなく、良好なワイヤボンディング領域を得ることができる。その結果、良好なワイヤボンディング領域を得るための工程追加が必要なくコストアップを回避できる。
【００１１】
請求項７に記載のように、モールド金型として、窪み部において露出される複数のリードフレームのワイヤボンディング領域に対応する部位を選択的にリードフレームと非接触状態とする凹部又は貫通孔を設けたものを用いると、請求項１に記載の製造方法を容易に実現できる。
請求項８に記載のように、複数のリードフレームを挟み込む第１と第２の金型を備え、第１の金型には複数のリードフレームの表面に接する窪み部形成用突部を形成するとともに、第２の金型には少なくともリードフレームのワイヤボンディング領域の裏面に接する突起を形成すると、凹部又は貫通孔とリードフレームとの接触部におけるシール性が向上する。
【００１２】
請求項１０に記載のように、窪み部の形成のための領域でのリードフレームとの接触面を平滑加工面とすると、窪み部の形成のための領域でのリードフレームとの接触部におけるシール性が向上する。
【００１３】
請求項１１に記載のように、窪み部の形成のための領域でのリードフレームとの接触面を鏡面加工面とすると、窪み部の形成のための領域でのリードフレームとの接触部におけるシール性が向上する。
【００１５】
【発明の実施の形態】
（第１の実施の形態）
以下、この発明を具体化した第１の実施の形態を図面に従って説明する。
【００１６】
図１にはモールドＩＣの平面図を示し、図２は図１のII−II断面を示す。本実施形態においては気圧測定用圧力センサに具体化している。
リードフレーム（金属板）１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ，１ｇは４２アロイよりなり、厚さは２５０μｍである。リードフレーム１ａ〜１ｇの表面には、図２に示すように、ワイヤボンディングに必要なメッキ層２が形成されている。より詳しくは、メッキ層２は厚さ１〜５μｍのＡｕ（金）のメッキ層よりなる。ここで、リードフレーム１ａ〜１ｇはＣｕ（銅）を用いてもよい。又、メッキ層２は、Ａｇメッキ層やＮｉメッキ層やＡｇ／Ｎｉメッキ層やＡｕ／Ｎｉメッキ層を用いてもよい。さらに、メッキ層２は必ずしもリードフレーム１ａ〜１ｇの全域に形成する必要はなくボンディング箇所のみに形成してもよい。
【００１７】
リードフレーム１ｄの上面（主表面）にはＩＣチップ３が実装されており、ボンディングワイヤ４ａ，４ｂにてリードフレーム１ａ，１ｆと電気的に接続されている。ワイヤ４ａ，４ｂはＡｕ（金）ワイヤ或いはＡｌ（アルミ）ワイヤを用いている。又、リードフレーム１ｃ，１ｄの下面（裏面）にはコンデンサチップ５が実装されており、同チップ５はリードフレーム１ｃ，１ｄと電気的に接続されている。ＩＣチップ３、ボンディングワイヤ４ａ，４ｂ、コンデンサチップ５を含めてリードフレーム１ａ〜１ｇが樹脂（エポキシ系熱硬化性樹脂）６にてモールドされている。
【００１８】
リードフレーム１ａ〜１ｇの上面における所定領域にはモールド樹脂６が形成されていない窪み部７が形成され、この窪み部７における底面には圧力センサチップ８が搭載されている。又、窪み部７における底面においてはリードフレーム１ａ，１ｂ，１ｄ，１ｅ，１ｆ，１ｇの一端部が露出しており、ボンディングワイヤ９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄ，９ｅ，９ｆにて圧力センサチップ８とリードフレーム１ａ，１ｂ，１ｄ，１ｅ，１ｆ，１ｇとが電気的に接続されている。ワイヤ９ａ〜９ｆはＡｕ（金）ワイヤ或いはＡｌ（アルミ）ワイヤを用いている。窪み部７内には保護材としてのシリコーンゲル１０が配置され、このシリコーンゲル１０によりセンサチップ８及びボンディングワイヤ９ａ〜９ｆが外気と遮断されている。そして、圧力センサチップ８により印加圧力が電気信号に変換されるとともに、ＩＣチップ３及びコンデンサチップ５により増幅等の信号処理が行われる。
【００１９】
次に、このように構成した半導体装置の製造工程を、図３〜図１０に基づいて説明する。尚、工程説明においては図１のII−II断面である図２〜図１０を用いている。
【００２０】
まず、図３に示すように、表面にＡｕメッキ層２を有するリードフレーム１ａ〜１ｇを用意する。ここで、リードフレームは複数の圧力センサを製造すべく多連となっている。
【００２１】
そして、図４に示すように、リードフレーム１ａ〜１ｇの上に、エポキシ系ダイボンド材１８をディスペンサ或いはスタンピングで必要量塗布し、ＩＣチップ３をマウントし、その後、ダイボンド材１８の硬化を行う。さらに、リードフレーム１ａ〜１ｇにコンデンサチップ５をマウントする。
【００２２】
引き続き、図５に示すように、ワイヤ４ａ，４ｂによるボンディングを行いＩＣチップ３とリードフレーム１ａ，１ｆを結線する。
そして、図６に示すように、上下の金型１１，１２の間にリードフレーム１ａ〜１ｇを挟み込んでリードフレーム１ａ〜１ｇをクランプする。この状態から樹脂を注入して図７に示すように樹脂６によるモールドを行う。この工程を図１１〜図１３を用いて詳細に説明する。
【００２３】
図１１に示すように、金型は上金型１１と下金型１２とからなり、下金型１２には凹部１３が形成されるとともに凹部１３の外周部には突条１４が形成されている。又、上金型１１には凹部１５が環状に形成され、その凹部１５で囲まれた領域が図２の窪み部７に対応する部位、即ち、窪み部形成用突部１６となっている。窪み部形成用突部１６の先端面（図１１では下面）１６ａは鏡面加工が施され平滑化されている。より具体的には、表面粗さは、Ｒz （１０点平均粗さ）＝０．８μｍ以下となっている。
【００２４】
さらに、窪み部形成用突部１６はそれ以外の領域におけるリードフレーム１ａ〜１ｇとの接触部分よりも１０μｍだけ突出している。即ち、窪み部形成用突部１６の先端面１６ａはそれ以外の領域におけるリードフレーム１ａ〜１ｇとの接触面（図１１では凹部１５の外周側）よりも１０μｍだけ下方に位置している。さらに、窪み部形成用突部１６の先端面１６ａには凹部１７が形成され、凹部１７の開口部位置はリードフレーム１ａ〜１ｇでのワイヤボンディング領域に対応している。
【００２５】
このような金型１１，１２を用いて、図１２に示すように、モールドプレス機にセットされた上金型１１と下金型１２との間にリードフレーム１をクランプする。このクランプ状態において、リードフレーム１上のワイヤボンディング領域が上金型１１に設けた凹部（逃がし部）１７の開口部となる。このクランプ時に、上金型１１の窪み部形成用突部１６がリードフレーム１上のメッキ層２に食い込む。つまり、上金型１１の窪み部形成用突部１６の先端面１６ａがリードフレーム１に接触する他の金型面よりも１０μｍ突き出ているので、リードフレーム１は変形せずに窪み部形成用突部１６がメッキ層２に食い込む。このように凹部（逃がし部）１７によりリードフレーム１と上金型１１との間に閉空間が形成され、リードフレーム１のワイヤボンディング領域が保護される。
【００２６】
図１２の状態から図１３に示すように、樹脂注入口１９からモールド樹脂（エポキシ系熱硬化性樹脂）２０を注入し加圧充填する（注入圧；７０〜１１０ｋｇ／ｃｍ2 ）。このとき、凹部（逃がし部）１７により形成された閉空間によりワイヤボンディング領域への傷及び離型剤の付着・樹脂バリの発生を防止でき、良好なワイヤボンディング面を得ることができる。さらに、モールド樹脂２０が硬化するまで加圧状態を保持した後（具体的には１分３０秒〜５分間）、金型１１，１２を開き成形品を取り出す。このようにして、図７に示すモールド成形が行われる。
【００２７】
引き続き、図８に示すように、窪み部７の底面における樹脂６の表面にディスペンサ或いはスタンピングで接着剤２１を必要量塗布し、さらに、センサチップ８をマウントし、さらに接着剤２１を硬化する。このようにして窪み部７の内部でのセンサチップ８のマウントが行われる。
【００２８】
次に、図９に示すように、ワイヤ９ａ〜９ｆのボンディングを行ってセンサチップ８と窪み部７内のワイヤボンディング領域をワイヤ９ａ〜９ｆにより結線する。
【００２９】
そして、図１０に示すように、リードカット・成形用金型にリードフレーム状ワーク（中間製品）をセットし、各センサ毎にリードフレーム１ａ〜１ｇをカットするとともに、リードフレーム１ａ〜１ｇの先端を所定の形状に成形する。
【００３０】
その後、図２に示すように、窪み部７にシリコーンゲル１０をディスペンサにより注入して、保護剤コートを行う。
このように本実施形態は、下記の特徴を有する。
（イ）図１２に示すように、上金型１１に凹部１７を設けることにより、モールド金型におけるリードフレーム１ａ〜１ｇでのワイヤボンディング領域に対応する部位がリードフレーム１ａ〜１ｇと非接触状態となった状態で、リードフレーム１ａ〜１ｇを金型１１，１２にてクランプする。この状態から、図１３に示すように、金型１１，１２内にモールド樹脂２０を注入する。
【００３１】
よって、クランプ時に凹部（逃がし部）１７により閉空間に形成され、リードフレーム１ａ〜１ｇでのワイヤボンディング領域がモールド金型１１，１２と非接触状態となっているので、ワイヤボンディング領域への傷及び離型剤の付着・樹脂バリの発生を防止でき、良好なワイヤボンディング面を得ることができる。その結果、モールド成形後においてリードフレーム１ａ〜１ｇ上のモールド樹脂のバリの除去を行ったり離型剤の洗浄を行ったり、又、リードフレーム１ａ〜１ｇ上のワイヤボンディング領域に保護膜の形成および除去を行う必要がなく、工程追加に伴うコストアップを回避できることとなる。
（ロ）図１１に示すように、モールド金型１１，１２は、窪み部７の形成のための領域でのリードフレームとの接触部１６ａが、他の領域でのリードフレームとの接触部に比べ１０μｍだけ突出しているので、接触部１６ａは突出分だけ押圧力が加わりシールすることができる。
（ハ）リードフレーム１ａ〜１ｇにシール性向上膜としてのメッキ層２を形成したので、図１２に示すように、この膜の潰し代にてシール性の向上を図ることができる。
（ニ）シール性向上膜をメッキ層２としたので、ワイヤボンディングのため下地膜をシール性向上膜として使用することができる。
（ホ）上金型１１における窪み部７の形成のための領域でのリードフレームとの接触面１６ａを平滑加工面（鏡面加工面）としたので、窪み部７の形成のための領域でのリードフレームとの接触部１６ａにおけるシール性が向上する。
（第２の実施の形態）
次に、第２の実施の形態を、第１の実施の形態との相違点を中心に説明する。
【００３２】
本実施形態においては、図１４の（ａ）に示すように、上金型１１に凹部１７を有する窪み部形成用突部２５を設けるとともに、下金型１２に凹部１７を有する窪み部形成用突部２６を設けている。この場合、図１４の（ｂ）に示すように、リードフレーム１の上面と下面の両面にチップ２７，２８を配置した両面タイプのモールドＩＣが形成される。
（第３の実施の形態）
次に、第３の実施の形態を、第１の実施の形態との相違点を中心に説明する。
【００３３】
図１５の（ａ）に示すように、上金型１１において窪み部形成用突部１６の先端面に突起２９が形成されている。この金型を用いてモールド成形することにより、図１５の（ｂ）に示すように、高さＨが大きなチップ３０をモールドする場合にリードフレーム１の高さよりも低い位置にチップ３０の底面を位置させることができる。いわゆる嵌め込み穴タイプのモールドＩＣに適用できる。
（第４の実施の形態）
次に、第４の実施の形態を、第１の実施の形態との相違点を中心に説明する。
【００３４】
図１６の（ａ）に示すように、リードフレーム１を挟み込む上下の金型１１，１２において、上金型１１にはリードフレーム１の表面に接する窪み部形成用突部１６が形成され、下金型１２には少なくともリードフレーム１のワイヤボンディング領域の裏面に接する突起３１が形成されている。この金型を用いたクランプの際には、リードフレーム１の剛性によりシールするのではなく下金型１２の突起３１によりリードフレーム１のワイヤボンディング領域を受けることとなり、シール性が向上して樹脂の漏れがない。
【００３５】
モールド成形後のモールドＩＣにおいては、図１６の（ｂ）に示すように、突起３１に対応する部位には空間３２が形成されることになる。
このように本実施形態は、下記の特徴を有する。
（イ）上金型（第１の金型）１１の窪み部形成用突部１６に対応して下金型（第２の金型）１２に少なくともリードフレーム１のワイヤボンディング領域の裏面に接する突起３１を形成したので、凹部１７の開口部でのリードフレーム１との接触部におけるシール性を向上させることができる。
【００３６】
本実施の形態において、図１６の（ａ）の凹部１７の代わりに図１７の（ａ）に示すように上金型１１を貫通する貫通孔３３を用いてもよい。この貫通孔３３を有する金型を用いても、図１６の（ｂ）に示すモールドＩＣと同様な図１７の（ｂ）に示すモールドＩＣを製造することができる。
【００３７】
これまで説明してきた各実施形態の他にも、樹脂封止型半導体装置として気圧を測定する圧力センサの他にも、油圧を測定する圧力センサに適用したり、圧力センサの他にも光センサ、加速度センサ等にも適用できる。
【００３８】
又、窪み部７内において素子がなく、ワイヤボンディングのみ行った半導体装置に適用することもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  第１の実施の形態におけるモールドＩＣの平面図。
【図２】  図１のII−II断面図。
【図３】  モールドＩＣの製造工程を説明するための断面図。
【図４】  モールドＩＣの製造工程を説明するための断面図。
【図５】  モールドＩＣの製造工程を説明するための断面図。
【図６】  モールドＩＣの製造工程を説明するための断面図。
【図７】  モールドＩＣの製造工程を説明するための断面図。
【図８】  モールドＩＣの製造工程を説明するための断面図。
【図９】  モールドＩＣの製造工程を説明するための断面図。
【図１０】  モールドＩＣの製造工程を説明するための断面図。
【図１１】  モールドＩＣの製造工程を説明するための断面図。
【図１２】  モールドＩＣの製造工程を説明するための断面図。
【図１３】  モールドＩＣの製造工程を説明するための断面図。
【図１４】  第２の実施の形態におけるモールドＩＣを説明するための断面図。
【図１５】  第３の実施の形態におけるモールドＩＣを説明するための断面図。
【図１６】  第４の実施の形態におけるモールドＩＣを説明するための断面図。
【図１７】  第４の実施の形態におけるモールドＩＣを説明するための断面図。
【図１８】  モールドＩＣを説明するための断面図。
【符号の説明】
１ａ〜１ｇ…リードフレーム、２…メッキ層、６…樹脂、７…窪み部、１１…上金型、１２…下金型、１７…凹部、３１…突起、３３…貫通孔。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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