(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
外周面にギヤ歯が形成された回転体と、
前記回転体のギヤ歯に向けてバイアス磁界を発生するバイアス磁石と、
前記回転体に形成されたギヤ歯と前記バイアス磁石との間に配置され、前記バイアス磁石から前記ギヤ歯に向かうバイアス磁界の方向に応じて出力値が変化する、同様に構成された磁気抵抗素子ブリッジを４個備える磁気センサと、
前記４個の磁気抵抗素子ブリッジの出力信号に対して複数段階の差動演算を行なうことにより、単一の差動出力を求める差動出力手段とを備え、
前記磁気センサを構成する４個の磁気抵抗素子ブリッジは、前記バイアス磁石の磁気的中心軸に対して対称位置に配置された第１及び第２の磁気抵抗素子ブリッジと、当該第１及び第２の磁気抵抗素子ブリッジと前記バイアス磁石の磁気的中心軸との中間位置にそれぞれ配置される第３及び第４の磁気抵抗素子ブリッジとを有し、
前記差動出力手段は、前記第１から第４の磁気抵抗素子ブリッジの出力値をそれぞれＶ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４としたとき、前記単一の差動出力Ｖｄを、Ｖｄ＝（Ｖ１−Ｖ２）−２×（Ｖ３−Ｖ４）との式によって算出することを特徴とする回転検出装置。
【請求項２】
外周面にギヤ歯が形成された回転体と、
前記回転体のギヤ歯に向けてバイアス磁界を発生するバイアス磁石と、
前記回転体に形成されたギヤ歯と前記バイアス磁石との間に配置され、前記バイアス磁石から前記ギヤ歯に向かうバイアス磁界の方向に応じて出力値が変化する、同様に構成された磁気抵抗素子ブリッジを４個備える磁気センサと、
前記４個の磁気抵抗素子ブリッジの出力信号に対して複数段階の差動演算を行なうことにより、単一の差動出力を求める差動出力手段とを備え、
前記磁気センサを構成する４個の磁気抵抗素子ブリッジは、前記バイアス磁石の磁気的中心軸に対して対称位置に配置された第１及び第２の磁気抵抗素子ブリッジと、当該第１及び第２の磁気抵抗素子ブリッジと前記バイアス磁石の磁気的中心軸との中間位置にそれぞれ配置される第３及び第４の磁気抵抗素子ブリッジとを有し、
前記差動出力手段は、前記第１から第４の磁気抵抗素子ブリッジの出力値をそれぞれＶ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４としたとき、前記単一の差動出力Ｖｄを、Ｖｄ＝（Ｖ２−Ｖ１）−２×（Ｖ４−Ｖ３）との式によって算出することを特徴とする回転検出装置。
【請求項３】
外周面にギヤ歯が形成された回転体と、
前記回転体のギヤ歯に向けてバイアス磁界を発生するバイアス磁石と、
前記回転体に形成されたギヤ歯と前記バイアス磁石との間に配置され、前記バイアス磁石から前記ギヤ歯に向かうバイアス磁界の方向に応じて出力値が変化する、同様に構成された磁気抵抗素子ブリッジを５個備える磁気センサと、
前記５個の磁気抵抗素子ブリッジの出力信号に対して複数段階の差動演算を行なうことにより、単一の差動出力を求める差動出力手段とを備え、
前記磁気センサを構成する５個の磁気抵抗素子ブリッジは、前記バイアス磁石の磁気的中心軸に対して対称位置に配置された第１及び第２の磁気抵抗素子ブリッジと、当該第１及び第２の磁気抵抗素子ブリッジと前記バイアス磁石の磁気的中心軸との中間位置にそれぞれ配置される第３及び第４の磁気抵抗素子ブリッジと、前記バイアス磁石の磁気的中心軸上に配置される第５の磁気的項素子ブリッジを有し、
前記差動出力手段は、前記第１から第５の磁気抵抗素子ブリッジの出力信号をそれぞれＶ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ５としたとき、その差動出力Ｖｄを、Ｖｄ＝｛（Ｖ１−Ｖ３）−（Ｖ３−Ｖ５）｝−｛（Ｖ５−Ｖ４）−（Ｖ４−Ｖ２）｝との式によって算出することを特徴とする回転検出装置。
【請求項４】
外周面にギヤ歯が形成された回転体と、
前記回転体のギヤ歯に向けてバイアス磁界を発生するバイアス磁石と、
前記回転体に形成されたギヤ歯と前記バイアス磁石との間に配置され、前記バイアス磁石から前記ギヤ歯に向かうバイアス磁界の方向に応じて出力値が変化する、同様に構成された磁気抵抗素子ブリッジを５個備える磁気センサと、
前記５個の磁気抵抗素子ブリッジの出力信号に対して複数段階の差動演算を行なうことにより、単一の差動出力を求める差動出力手段とを備え、
前記磁気センサを構成する５個の磁気抵抗素子ブリッジは、前記バイアス磁石の磁気的中心軸に対して対称位置に配置された第１及び第２の磁気抵抗素子ブリッジと、当該第１及び第２の磁気抵抗素子ブリッジと前記バイアス磁石の磁気的中心軸との中間位置にそれぞれ配置される第３及び第４の磁気抵抗素子ブリッジと、前記バイアス磁石の磁気的中心軸上に配置される第５の磁気的項素子ブリッジを有し、
前記差動出力手段は、前記第１から第５の磁気抵抗素子ブリッジの出力信号をそれぞれＶ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ５としたとき、その差動出力Ｖｄを、Ｖｄ＝｛（Ｖ５−Ｖ４）−（Ｖ４−Ｖ２）｝−｛（Ｖ１−Ｖ３）−（Ｖ３−Ｖ５）｝との式によって算出することを特徴とする回転検出装置。
【請求項５】
前記磁気抵抗素子ブリッジの各々は、前記バイアス磁石の磁気的中心軸に対してそれぞれ略４５度の方向に検知軸を有する第１から第４の素子部をマトリクス状に配列したものであって、当該マトリクス状配列における各列の向きは、前記バイアス磁石の磁気的中心軸と平行であり、
前記第１及び第２の素子部の検知軸と前記第３及び第４の素子部の検知軸とは互いに直交する向きに設定されており、
前記第１から第４の素子部は、第１、第２、第３、第４の素子部の順序に直列接続され、第２及び第３の素子部間の電位が、前記磁気抵抗素子の抵抗値変化に応じて変化し、出力信号として取り出されるものであって、
前記第１の素子部と第２の素子部、及び前記第３の素子部と第４の素子部が、前記マトリクス状の配列の互いに異なる列に配置されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の回転検出装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気ベクトルの変化によって抵抗値が変化する磁気抵抗素子（以下、ＭＲＥという）を用いて回転情報の検出を行なう回転検出装置に関し、特に、車両におけるエンジン制御装置や車両ブレーキにおけるＡＢＳ制御装置に好適に用いられる回転検出装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
エンジンの点火時期は、クランクの角度情報とカムの角度情報に基づいて決定される。例えば、４サイクルエンジンではクランク２回転に対してカム１回転の割合で回転しているため、カムの一回転の中に気筒判別の情報を盛り込み、クランクの回転中に点火時期情報を盛り込んでいる。
【０００３】
ここで、従来の回転検出装置においては、バイアス磁石からカムギアに向かうバイアス磁界の方向が、カムギアの回転に伴って変化するため、このバイアス磁界の方向の変化をＭＲＥで検出することにより、上記カムの回転状態を検出するものであった。
【０００４】
このため、エンジン始動時において、カムが静止状態から回転し始めたときに、カムのギア歯が「山」位置から「谷」位置もしくは「谷」位置から「山」位置に変化してバイアス磁界の方向が変わるまで、正確なギア歯の位置を検出することができない。従って、ギア歯の位置に基づいて行なわれる、点火すべき最初の１気筒の判別が不能となって、初回は未点火になる。
【０００５】
そこで、本出願人は、エンジンの始動時間を短縮できるように、ギア歯が停止している時からギア歯の位置を検出することが可能な回転検出装置について発明し、出願を行なった（特開平１１−２３７２５６号公報）。
【０００６】
この回転検出装置は、図１４に示すように、２つのＭＲＥブリッジ６，１６を備えている。これらのＭＲＥブリッジ６，１６は、バイアス磁石２の中心軸（バイアス磁界の磁気的中心）を対称軸として線対称に配置され、かつ、それぞれ２つのＭＲＥ４，５及びＭＲＥ１７，１８を直列接続することによって構成されている。直列接続される２つのＭＲＥ４，５及びＭＲＥ１７，１８は、検知軸がバイアス磁界の磁気的中心に対して４５度と−４５度の角度を成すように、すなわち互いに直交するハの字状になるように配置されている。これにより、バイアス磁界のベクトルの変化に対する、直列接続された２つのＭＲＥ４，５及びＭＲＥ７，８の中点電位の変化を大きくしている。
【０００７】
そのＭＲＥ４，５の中点電位がＭＲＥブリッジ６の出力となり、ＭＲＥ１７、１８の中点電位がＭＲＥブリッジ１６の出力となる。ＭＲＥブリッジ６とＭＲＥブリッジ１６の出力は、それぞれ差動増幅回路２０に入力される。差動増幅回路２０は、２つのＭＲＥブリッジ６、１６の中点電位の差を増幅して出力する。
【０００８】
上述のように構成されるＭＲＥブリッジ６，１６は、それぞれバイアス磁石２が発生するバイアス磁界の磁気的中心からギア１の回転方向にずらした位置に配置されている。これにより、ギア歯が「山」１ａの位置にある場合と「谷」１ｂの位置にある場合とで、それぞれのＭＲＥブリッジ６，１６に作用するバイアス磁界の方向が変化する。このため、ギア歯の「山」１ａの位置と「谷」１ｂの位置で差動増幅器２０から異なる出力値を得ることができ、ギア１の静止状態からギア歯の位置を検出できる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の回転検出装置では、ギア歯の形状が異なる場合、ギア１とＭＲＥブリッジ６，１６との距離（エアギャップ）に応じて、エアギャップ（ＡＧ）特性最小点が変動するという問題がある。ここで、ＡＧ特性最小点とは、ギア１とＭＲＥブリッジ６，１６とのエアギャップが変動した場合であっても、同じギア１の角度に対して、差動増幅器２０も同一の出力を発生するポイントをいう。なお、差動増幅器２０の出力はバイアス磁界の振れ角に対応している。
【００１０】
上記の問題点について、以下、詳しく説明する。
【００１１】
図１５（ａ）は、図１４に示すギア１に対して、ＭＲＥブリッジ６，１６を配置する距離（エアギャップ）を変化させ、かつ、それぞれの場合における、ギア１の回転に対する、磁界の振れ角に対応する差動増幅器２０の出力の関係を示したものである。図１５（ａ）に示す例では、磁界の振れ角が約−２０度となったときに、エアギャップが大きい場合とエアギャップが小さい場合との差動増幅器２０の出力が一致している。従って、この図１５（ａ）に示す例では、ＡＧ特性最小点となる磁界の振れ角は、−２０度となる。
【００１２】
一方、図１５（ｂ）は、ギアの外周に多数のギア歯を形成した場合において、そのギアとＭＲＥブリッジ６，１６とのエアギャップを変化させたときのギアの回転に対する差動増幅器２０の出力を示すものである。図１５（ｂ）に示されるように、ギアの外周に多数のギア歯を形成して、その１つ１つのギア歯の山の長さが小さくなった場合、ＡＧ特性最小点となる磁界の振れ角は約−１５度となっている。
【００１３】
このように、図１４に示す回転検出装置では、ギア歯の形状が変化すると、ＡＧ特性最小点となる磁界の振れ角が変化してしまうのである。このＡＧ特性最小点においては、エアギャップの大きさにかかわらず、ギア１の同じ角度位置に対して差動増幅器２０が同一出力を発生するため、このＡＧ特性最小点を基準として差動増幅器２０の出力を２値化するためのしきい値を設定すると、ギア１の回転角度を高精度に検出することができる。
【００１４】
しかしながら、上述したように、図１４に示す回転検出装置では、ギア歯の形状が変化した場合には、ＡＧ特性最小点となる磁界の振れ角が変化してしまうため、同一のしきい値を用いたのでは、ギア１の回転角度の検出精度が悪化してしまう。このため、それぞれギア歯の形状に応じてしきい値を個別に設定する必要が生じ、その作業負荷が大きいものとなっていた。
【００１５】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、ギア歯の形状が変化しても、ＡＧ特性最小点となる磁界の振れ角の変化を防止できる回転検出装置を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１に記載の回転検出装置は、外周面にギヤ歯が形成された回転体と、回転体のギヤ歯に向けてバイアス磁界を発生するバイアス磁石と、回転体に形成されたギヤ歯とバイアス磁石との間に配置され、バイアス磁石からギヤ歯に向かうバイアス磁界の方向に応じて出力値が変化する、同様に構成された磁気抵抗素子ブリッジを４個備える磁気センサと、４個の磁気抵抗素子ブリッジの出力信号に対して複数段階の差動演算を行なうことにより、単一の差動出力を求める差動出力手段とを備え、磁気センサを構成する４個の磁気抵抗素子ブリッジは、バイアス磁石の磁気的中心軸に対して対称位置に配置された第１及び第２の磁気抵抗素子ブリッジと、当該第１及び第２の磁気抵抗素子ブリッジとバイアス磁石の磁気的中心軸との中間位置にそれぞれ配置される第３及び第４の磁気抵抗素子ブリッジとを有し、差動出力手段は、第１から第４の磁気抵抗素子ブリッジの出力値をそれぞれＶ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４としたとき、単一の差動出力Ｖｄを、Ｖｄ＝（Ｖ１−Ｖ２）−２×（Ｖ３−Ｖ４）との式によって算出することを特徴とする。
【００１７】
また、請求項２に記載の回転検出装置は、外周面にギヤ歯が形成された回転体と、回転体のギヤ歯に向けてバイアス磁界を発生するバイアス磁石と、回転体に形成されたギヤ歯とバイアス磁石との間に配置され、バイアス磁石からギヤ歯に向かうバイアス磁界の方向に応じて出力値が変化する、同様に構成された磁気抵抗素子ブリッジを４個備える磁気センサと、４個の磁気抵抗素子ブリッジの出力信号に対して複数段階の差動演算を行なうことにより、単一の差動出力を求める差動出力手段とを備え、磁気センサを構成する４個の磁気抵抗素子ブリッジは、バイアス磁石の磁気的中心軸に対して対称位置に配置された第１及び第２の磁気抵抗素子ブリッジと、当該第１及び第２の磁気抵抗素子ブリッジとバイアス磁石の磁気的中心軸との中間位置にそれぞれ配置される第３及び第４の磁気抵抗素子ブリッジとを有し、差動出力手段は、第１から第４の磁気抵抗素子ブリッジの出力値をそれぞれＶ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４としたとき、前記単一の差動出力Ｖｄを、Ｖｄ＝（Ｖ２−Ｖ１）−２×（Ｖ４−Ｖ３）との式によって算出することを特徴とする。
【００１８】
また、請求項３に記載の回転検出装置は、外周面にギヤ歯が形成された回転体と、回転体のギヤ歯に向けてバイアス磁界を発生するバイアス磁石と、回転体に形成されたギヤ歯とバイアス磁石との間に配置され、バイアス磁石からギヤ歯に向かうバイアス磁界の方向に応じて出力値が変化する、同様に構成された磁気抵抗素子ブリッジを５個備える磁気センサと、５個の磁気抵抗素子ブリッジの出力信号に対して複数段階の差動演算を行なうことにより、単一の差動出力を求める差動出力手段とを備え、磁気センサを構成する５個の磁気抵抗素子ブリッジは、バイアス磁石の磁気的中心軸に対して対称位置に配置された第１及び第２の磁気抵抗素子ブリッジと、第１及び第２の磁気抵抗素子ブリッジとバイアス磁石の磁気的中心軸との中間位置にそれぞれ配置される第３及び第４の磁気抵抗素子ブリッジと、バイアス磁石の磁気的中心軸上に配置される第５の磁気的項素子ブリッジを有し、差動出力手段は、第１から第５の磁気抵抗素子ブリッジの出力信号をそれぞれＶ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ５としたとき、その差動出力Ｖｄを、Ｖｄ＝｛（Ｖ１−Ｖ３）−（Ｖ３−Ｖ５）｝−｛（Ｖ５−Ｖ４）−（Ｖ４−Ｖ２）｝との式によって算出することを特徴とする。
【００１９】
さらに、請求項４に記載の回転検出装置は、外周面にギヤ歯が形成された回転体と、回転体のギヤ歯に向けてバイアス磁界を発生するバイアス磁石と、回転体に形成されたギヤ歯とバイアス磁石との間に配置され、バイアス磁石からギヤ歯に向かうバイアス磁界の方向に応じて出力値が変化する、同様に構成された磁気抵抗素子ブリッジを５個備える磁気センサと、５個の磁気抵抗素子ブリッジの出力信号に対して複数段階の差動演算を行なうことにより、単一の差動出力を求める差動出力手段とを備え、磁気センサを構成する５個の磁気抵抗素子ブリッジは、バイアス磁石の磁気的中心軸に対して対称位置に配置された第１及び第２の磁気抵抗素子ブリッジと、当該第１及び第２の磁気抵抗素子ブリッジとバイアス磁石の磁気的中心軸との中間位置にそれぞれ配置される第３及び第４の磁気抵抗素子ブリッジと、バイアス磁石の磁気的中心軸上に配置される第５の磁気的項素子ブリッジを有し、差動出力手段は、第１から第５の磁気抵抗素子ブリッジの出力信号をそれぞれＶ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ５としたとき、その差動出力Ｖｄを、Ｖｄ＝｛（Ｖ５−Ｖ４）−（Ｖ４−Ｖ２）｝−｛（Ｖ１−Ｖ３）−（Ｖ３−Ｖ５）｝との式によって算出することを特徴とする。
このように、少なくとも４個の磁気抵抗素子ブリッジから磁気センサを構成し、かつ、この少なくとも４個の磁気抵抗素子ブリッジに関して、第１及び第２の磁気抵抗素子ブリッジをバイアス磁石の磁気的中心軸に対して線対称位置に配置し、第３及び第４の磁気抵抗素子ブリッジを第１及び第２の磁気抵抗素子ブリッジとバイアス磁石の磁気的中心軸との中間位置にそれぞれ配置し、これら第１から第４の磁気抵抗素子ブリッジの出力信号に対して、複数段階の差動演算を行なって単一の差動出力を求めることにより、この単一の差動出力は、回転体に形成されたギア歯の形状にかかわらず、ＡＧ特性最小点を一定に保つことが可能になる。
上記請求項３、請求項４に記載したように、磁気センサが５個の磁気抵抗素子ブリッジを有する場合、単一の作動出力Ｖｄは、Ｖｄ＝｛（Ｖ１−Ｖ３）−（Ｖ３−Ｖ５）｝−｛（Ｖ５−Ｖ４）−（Ｖ４−Ｖ２）｝との式、もしくはＶｄ＝｛（Ｖ５−Ｖ４）−（Ｖ４−Ｖ２）｝−｛（Ｖ１−Ｖ３）−（Ｖ３−Ｖ５）｝との式によって求めることができる。
上記の式を変形すると、Ｖ５の項は削除され、Ｖｄ＝（Ｖ１−Ｖ２）−２×（Ｖ３−Ｖ４）、もしくはＶｄ＝（Ｖ２−Ｖ１）−２×（Ｖ４−Ｖ３）となる。従って、磁気抵抗素子ブリッジの数が４個である場合、請求項１または請求項２に示した式に従って、第１から第４の磁気抵抗素子ブリッジの出力信号に対する複数段階の差動演算を行なうことができるのである。
【００２０】
請求項５に記載した回転検出装置は、磁気抵抗素子ブリッジの各々は、バイアス磁石の磁気的中心軸に対してそれぞれ略４５度の方向に検知軸を有する第１から第４の素子部をマトリクス状に配列したものであって、当該マトリクス状配列における各列の向きは、前記バイアス磁石の磁気的中心軸と平行であり、
第１及び第２の素子部の検知軸と第３及び第４の素子部の検知軸とは互いに直交する向きに設定されており、
第１から第４の素子部は、第１、第２、第３、第４の素子部の順序に直列接続され、第２及び第３の素子部間の電位が、磁気抵抗素子の抵抗値変化に応じて変化し、出力信号として取り出されるものであって、
第１の素子部と第２の素子部、及び前記第３の素子部と第４の素子部が、マトリクス状の配列の互いに異なる列に配置されることを特徴とする。
【００２１】
少なくとも４個の磁気抵抗素子ブリッジから磁気センサを構成する場合に、これらを共通の基板上に形成してＩＣチップとする場合が多い。そして、このＩＣチップは、銅等によって構成されるリードフレーム上に搭載されたのち、エポキシ系の熱硬化性樹脂により樹脂封止（モールド成形）される。この樹脂封止により、ＩＣチップには外部応力が印加される。すなわち、モールド成形のため１５０〜１６０℃に加熱された金型にリードフレームをセットすると、リードフレームはＩＣチップ（Ｓｉ）に比較して熱膨張係数が大きいため、リードフレームの膨張量がＩＣチップのそれよりも大きくなる。従って、モールド成形後に室温まで冷却されると、樹脂自身の収縮応力と型温によって膨張していたリードフレームの収縮応力がＩＣチップに印加される。
【００２２】
このＩＣチップに印加される外部応力は、ＩＣチップの部位によって異なり、一般的に、チップの中心から遠ざかるほど大きくなる。そして、この外部応力によってＩＣチップに形成された磁気抵抗素子ブリッジには磁歪効果、すなわち、飽和磁界や抵抗変化率等の磁気特性が変化する効果が発生する。
【００２３】
これに対し、請求項５に記載した磁気抵抗素子ブリッジによれば、第１と第２の素子部及び第３と第４の素子部は、マトリクス状配列においてそれぞれ異なる列に配置されるので、それぞれの列に異なる応力が印加されても、第１と第２の素子部への磁歪効果の影響の合計と、第３と第４の素子部への磁歪効果の影響の合計とを等しくすることができる。このため、第２の素子部と第３の素子部の間から取り出される中点電位に対する磁歪効果の影響が、第１及び第２の素子部と第３及び第４の素子部とでほぼ相殺できる。従って、請求項５に記載した磁気抵抗素子ブリッジは、磁歪効果の影響を除去し、作用する磁界の方向に正確に対応した出力信号を出力できる。
【００２４】
これは、請求項１〜４に記載したように、少なくとも４個の磁気抵抗素子ブリッジによって磁気センサを構成する場合、非常に有効となる。つまり、磁気抵抗素子ブリッジの数が増えるほど、ＩＣチップの中心から離れた位置に磁気抵抗素子ブリッジを配置せざるを得なくなり、その場合、各磁気抵抗素子ブリッジに対する磁歪効果は大きく相違することになる。このような状況で、各磁気抵抗素子ブリッジの出力信号の差動出力を求めても、その差動出力から正確な回転体の回転位置を検出することができない。それに対して、請求項５に記載の磁気センサによれば、各磁気抵抗素子ブリッジごとに、磁歪効果の影響を低減することができるため、各磁気抵抗素子ブリッジの出力信号の差動出力から回転体の回転位置を高精度に検出できる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図に示す実施形態について説明する。
（第１実施形態）
図１は本実施形態による回転検出装置の概略の構成を示す構成図である。回転転検出装置３０は、外周面にギア歯が形成された回転体（ロータ）３１、磁気センサとしての４個の磁気抵抗素子（ＭＲＥ）ブリッジが形成されたＩＣチップ４０及びバイアス磁石４１を備えている。ロータ３１は、その外周面がバイアス磁石４１に対向し、かつ、バイアス磁石４１の中心軸がロータ３２の回転軸に向くように配置されている。
【００２６】
バイアス磁石４１は中空形状に形成されており、バイアス磁石４１の中心軸がバイアス磁界の磁気的中心をなしている。そして、中空形状をなすバイアス磁石４１の端面のうちロータ３１に近い面がＮ極、遠い面がＳ極になるように着磁されている。なお、ロータ３１に近い面がＳ極、遠い面がＮ極となるように着磁しても良いことは言うまでもない。
【００２７】
ＩＣチップ４０は、共通の基板上に４個のＭＲＥブリッジを配置することによって構成される。なお、図示していないが、このＩＣチップ４０は、銅等のリードフレーム上に搭載され、エポキシ等の熱硬化性樹脂によってモールド成形される。
【００２８】
このＩＣチップ４０の詳細な構成を図５に示す。図５に示すように、ＩＣチップ４０を構成する基板５５上に４個のＭＲＥブリッジ５０，５１，５２，５３が形成されている。そして、基板５５の中心線５６がバイアス磁石４１の中心軸に一致する位置において、ＩＣチップ４０はその一部が、中空状のバイアス磁石４１の内部空間に入り込むように配置されている。
【００２９】
ＭＲＥブリッジ５０とＭＲＥブリッジ５３とは、基板の中心線５６に対して線対称となる位置に形成されている。また、ＭＲＥブリッジ５１とＭＲＥブリッジ５２も基板の中心線５６に対して線対称となる位置に形成される。さらに、ＭＲＥブリッジ５１とＭＲＥブリッジ５２とは、それぞれ基板５５の中心線５６とＭＲＥブリッジ５０，５３の中心位置との丁度中間となる位置に形成されている。これにより、図５に示すように、ＭＲＥブリッジ５０とＭＲＥブリッジ５１との距離Ｌ１、ＭＲＥブリッジ５１と基板５５の中心線５６との距離Ｌ２、基板５５の中心線５６とＭＲＥブリッジ５２との距離Ｌ３及びＭＲＥブリッジ５２とＭＲＥブリッジ５３との距離Ｌ４はすべて等しくなる（Ｌ１＝Ｌ２＝Ｌ３＝Ｌ４）。
【００３０】
４個のＭＲＥブリッジ５０，５１，５２，５３はすべて同じように構成されているため、ＭＲＥブリッジ５０を例にとって、その詳細な構成を図６（ａ），（ｂ）に基づいて説明する。
【００３１】
図６（ａ）に示すように、ＭＲＥブリッジ５０は、４個のＭＲＥ１１，１２，２１，２２から構成される。それぞれのＭＲＥ１１，１２，２１，２２は、磁気抵抗の異方性効果を有する強磁性材料（Ｎｉ−Ｃｏ合金、Ｎｉ−Ｆｅ合金等）を、複数の長辺及び短辺を接続して櫛歯状に形成したものである。このため、各ＭＲＥ１１，１２，２１，２２においては、長辺における抵抗値変化が支配的となり、長辺が設けられた向きに沿って、各ＭＲＥ１１，１２，２１，２２の検知軸が設定される。なお、各ＭＲＥ１１，１２，２１，２２は、検知軸の向きが異なるが、その長辺、短辺の長さ、本数等は同様に構成されている。
【００３２】
４個のＭＲＥ１１，１２，２１，２２は、基板５５においてマトリクス状に配列されており、その各列のＭＲＥ（１１と２１は第１列、２２と１２が第２列）はバイアス磁石４１の磁界の磁気的中心と平行な向きに並べられ、かつ各行のＭＲＥ（１１と２２は第１行、２１と１２は第２行）はロータ３１の回転方向に沿って並べられている。また、ＭＲＥ１１とＭＲＥ１２とは、バイアス磁石４１の磁界の磁気的中心に対して略４５°の角度に検知軸を持ち、ＭＲＥ２１とＭＲＥ２２とは、その磁気的中心に対して略−４５°の角度に検知軸を持つ。従って、ＭＲＥ１１，１２の検知軸とＭＲＥ２１，２２の検知軸とは、互いに直交する向きとなっている。これにより、ＭＲＥブリッジ５０に作用する磁界の方向の変化に対して、ＭＲＥ１１，１２とＭＲＥ２１，２２とは、抵抗値の増減方向が異なることとなる。
【００３３】
上記した４個のＭＲＥ１１，１２，２１，２２は、図６（ａ），（ｂ）に示すように、ＭＲＥ１１→ＭＲＥ１２→ＭＲＥ２１→ＭＲＥ２２の順番で、電源とアース間において直列接続されている。そして、ＭＲＥブリッジ５０の出力は、ＭＲＥ１２とＭＲＥ２１との間の中間電位Ｖ１として取り出される。なお、４個のＭＲＥ１１，１２，２１，２２の接続に関して、ＭＲＥ２２→ＭＲＥ２１→ＭＲＥ１２→ＭＲＥ１１の順番で電源とアース間に接続しても良い。
【００３４】
ＩＣチップ４０が熱硬化性樹脂によってリードフレームとともにモールド成形されることにより、ＩＣチップ４０の各部には外部応力が作用する。この外部応力は、一般的に基板５５の中心線５６から離れるほど大きくなる傾向があるとともに、基板５５の中心線５６からの距離が等しい部位ではほぼ同一の外部応力が作用するとみなすことができる。このため、ＭＲＥブリッジ５０の第１列に属するＭＲＥ１１とＭＲＥ２１とに作用する外部応力をσ１、第２列に属するＭＲＥ１２とＭＲＥ２２とに作用する外部応力をσ２とすると、これらの外部応力σ１，σ２による磁歪効果により、図６（ｂ）に示すように、ＭＲＥ１１，２１にはＲσ１、ＭＲＥ１２，２２にはＲσ２という抵抗値変化が発生する。
【００３５】
従って、ＭＲＥ１１，１２，２１，２２の抵抗値をそれぞれＲ１１，Ｒ１２，Ｒ２１，Ｒ２２とし、ＭＲＥブリッジ５０に印加される電圧をＥとすると、ＭＲＥブリッジ５０の中点電位Ｖ１は下記の数式１によって表すことができる。
【００３６】
【数１】
Ｖ１＝（Ｒ２１+Ｒσ１+Ｒ２２+Ｒσ２）×Ｅ／（Ｒ１１+Ｒσ１+Ｒ１２+Ｒσ２+Ｒ２１+Ｒσ１+Ｒ２２+Ｒσ２）
ここで、外部応力σ１と外部応力σ２とは異なるが、上記数式１に示すように、この２つの外部応力σ１，σ２の合計が分子、分母ともに含まれており、少なくとも各ＭＲＥ１１，１２，２１，２２の抵抗値Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ２１，Ｒ２２が等しくなった場合、外部応力σ１，σ２が中点電位Ｖ１に影響を与えることはない。
【００３７】
つまり、図６（ａ）に示すＭＲＥブリッジ５０は、ＭＲＥ１１とＭＲＥ１２及びＭＲＥ２１とＭＲＥ２２とは、マトリクス状配列においてそれぞれ異なる列に配置されるので、それぞれの列に異なる外部応力σ１，σ２が印加されても、ＭＲＥ１１とＭＲＥ１２への磁歪効果の影響の合計と、ＭＲＥ２１とＭＲＥ２２への磁歪効果の影響の合計とを等しくすることができる。このため、ＭＲＥブリッジ５０の中点電位Ｖ１に対する各ＭＲＥ１１，１２，２１，２２における磁歪効果の影響が、ＭＲＥ１１，２１からなる素子部とＭＲＥ２１，２２からなる素子部とでほぼ相殺できる。従って、ＭＲＥブリッジ５０は、磁歪効果の影響を低減し、そこに作用するバイアス磁界の方向に対応した出力信号を高精度に出力できる。
【００３８】
特に、本実施形態においては、４個のＭＲＥブリッジ５０〜５３が基板５５上に形成されるものであるため、ＭＲＥブリッジ５０，５３などは、基板５５の中心線から離れた位置に配置せざるを得ない。このような場合でも、各ＭＲＥブリッジ５０〜５３ごとに、磁歪効果による抵抗値変化を低減できるため、各ＭＲＥブリッジ５０〜５３の出力信号の差動出力から、正確なロータ３１の回転位置を検出することができる。
【００３９】
図７は、差動増幅回路４２の構成を示す回路図である。差動増幅回路４２は、３個の差動増幅器から構成され、各ＭＲＥブリッジ５０，５１，５２，５３から出力される出力信号（中間電位）Ｖ１，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ２に対して、複数段階に渡って差動演算を行い（図示の例では２段階）、単一の差動出力Ｖｄを得るものである。図７に示す差動増幅回路４２における差動演算を数式２に示す。
【００４０】
【数２】
Ｖｄ＝（Ｖ１−Ｖ２）−２×（Ｖ３−Ｖ４）
なお、図７の差動増幅回路４２において、１段目の差動増幅を行なう差動増幅器の反転入力端子と非反転入力端子とを入れ替えて、以下の数式３に示す差動演算を行なっても良い。
【００４１】
【数３】
Ｖｄ＝（Ｖ２−Ｖ１）−２×（Ｖ４−Ｖ３）
上記のように構成された回転検出装置３０において、ロータ３１に対して、ＩＣチップ４０及びバイアス磁石４１を配置する距離（エアギャップ）を３段階に変化させた時の、ロータ３１の回転に対する差動増幅回路４２の出力、すなわち、磁界の振れ角の関係を図２に示す。図２に示すように、エアギャップが大きくなるほど、ロータ３１に形成したギア歯の「山」、「谷」に対する磁界の振れ角が小さくなる。しかし、エアギャップが変動した場合であっても、同じロータ３１の回転角度に対して、差動増幅回路４２の出力が同じになる、つまり同じ磁界の振れ角となる点（ＡＧ特性最小点）が存在し、図２に示す例では、そのＡＧ特性最小点となる磁界の振れ角は約１０度である。
【００４２】
次に、ロータに形成するギア歯の形状を変えて、図２と同様の測定を行なった。その際に用いたロータ３２を図３に示し、ロータ３２を用いたときの差動増幅回路４２の出力（磁界の振れ角）との関係を図４に示す。
【００４３】
図３に示すように、ロータ３２は、ロータ３１に対して、ギア歯の数を減らしつつ、１つ１つのギア歯の長さを長くしたものである。そして、ロータ３２を用いたときのロータ３２の回転位置と磁界の振れ角と関係において、図４から明らかなように、ＡＧ特性最小点となる磁界の振れ角は約１０度であり、図２に示す例とほぼ同じである。
【００４４】
以下、本実施形態による回転検出装置３０では、ロータのギア歯の形状を変更してもＡＧ特性最小点となる磁界の振れ角がほぼ一定となる理由について説明する。
【００４５】
図８は、ロータ３１が回転したときにＩＣチップ４０を通過する磁力線Ｈの向き、すなわち磁界の振れ角の変化の様子、さらにその磁界の振れ角に応じたＭＲＥブリッジが出力する出力信号の変化の様子を示すものである。なお、図８においては、ＭＲＥブリッジ６０の出力信号についての理解を容易にするために、便宜的にＩＣチップ４０の中心位置に１個のみのＭＲＥブリッジ６０を示している。しかし、本実施形態においては、４個のＭＲＥブリッジ５０，５１，５２，５３がＩＣチップ４０の中心位置からずれた位置に配置されているため、各ＭＲＥブリッジ５０，５１，５２，５３の出力信号の波形は図８に示すものと多少異なることになる。
【００４６】
図８において、ロータ３１は矢印Ｘの方向に回転するものであり、ＭＲＥブリッジ６０は磁界が右方向に振れたとき出力が増加し、左方向に振れたとき出力が減少するものとする。この場合において、ＭＲＥブリッジ６０が、ロータ３１のギア歯の「谷」に対向する位置にある場合（Ａ位置）には、バイアス磁石４１によって放出される磁力線Ｈは、ギア歯の「谷」に向かって真っ直ぐに進む。このため、差動出力Ｖｄもほぼ中間的な出力となる。
【００４７】
ロータ３１の回転により、ＭＲＥブリッジ６０がギア歯の「谷」から「山」に変化するリーディングエッジに対向する位置になると（Ｂ位置）、バイアス磁石４１からの磁力線Ｈは、ギア歯の「山」に引き寄せられるため、山の中心に向かうように右方向に湾曲する。この際、エアギャップが小さいほど、ギア歯の「山」に引き寄せられやすくなるため、磁力線Ｈの湾曲の度合いが大きくなる。Ｂ位置における２本の磁力線Ｈは、エアギャップが大きい場合と小さい場合との湾曲度合いの違いを示している。また、Ｂ位置において、磁力線Ｈの右方向への湾曲度合い（磁界の振れ角）が最大になるため、差動出力Ｖｄも最大値を示す。
【００４８】
そして、ＭＲＥブリッジ６０がギア歯の「山」の中央に対向する位置となると（Ｃ位置）、バイアス磁石４１によって放出される磁力線Ｈは、ギア歯の「山」に向かって真っ直ぐに進む。このため、差動出力Ｖｄは、再びほぼ中間的な出力となる。そして、ＭＲＥブリッジ６０が、ギア歯の「山」から「谷」に変化するトレイリングエッジに対向する位置になると（Ｄ位置）、バイアス磁石４１からの磁力線Ｈは、ギア歯の「山」に引き寄せられるため、山の中心に向かうように左方向に湾曲する。この際、エアギャップが小さいほど、ギア歯の「山」に引き寄せられやすくなるため、磁力線Ｈの湾曲の度合いが大きくなる。従って、Ｄ位置において、磁力線Ｈの左方向への湾曲度合いが最大になるため、差動出力Ｖｄも最小値を示す。
【００４９】
図１４に示す従来の回転検出装置のＭＲＥブリッジ６，１６も基本的には上述したような出力を発生する。その２つのＭＲＥブリッジ６，１６の出力、それらの出力の差動出力Ｖｄ、及びその差動出力ＶｄにおけるＡＧ特性最小点を図９に示す。なお、図９においては、ＭＲＥブリッジ６，１６の出力として、エアギャップが小さいときのＭＲＥブリッジ６，１６の出力のみを示している。
【００５０】
図９から、従来の回転測定装置において、ＡＧ特性最小点は、ＭＲＥブリッジ６の極値点とＭＲＥブリッジ１６の変曲点付近の値との差動出力であることがわかる。ここで、極値点とは、差動増幅回路２０の出力が最大値もしくは最小値を取るポイントをいい、変曲点とは、差動増幅回路２０の出力の勾配の変化率が増加から減少もしくは減少から増加に変化するポイントをいう（図８参照）。
【００５１】
上述したように、従来の回転検出装置において、ＡＧ特性最小点は、ＭＲＥブリッジ６の極値点の値とＭＲＥブリッジ１６の変曲点付近の値との差動出力によって与えられていた。ここで、図８から理解されるように、ＭＲＥブリッジ６の極値点の値は、エアギャップの大きさとギア歯の谷１ｂから山１ａあるいは山１ａから谷１ｂへの切り替わり（リーディングエッジ及びトレイリングエッジ）によって決定される値であり、ギア歯の山１ａの長さの影響は受けない。一方、変曲点付近の値は、エアギャップ、ギア歯の山１ａのエッジ、さらにはギア歯の山１ａの長さによって決定される値である。より詳細に説明すると、変曲点付近の値は、リーディングエッジから所定角度だけギア１が回転したとき、もしくはトレイリングエッジまで所定角度となったとき現れるため、ギア歯の山１ａのエッジの影響を受ける値である。さらに、ギア歯の山１ａの長さが変われば、山１ａのエッジから変曲点となる位置までのギア１の回転角度も変化するので、変曲点付近の値は、ギア歯の山１ａの長さの影響を受けるのである。
【００５２】
このように、従来の回転検出装置では、ＡＧ特性最小点となる差動出力が、エアギャップとギア歯の山１ａのエッジによって決定される極値点と、これら２つのパラメータに加え、さらにギア歯の山１ａの長さの影響を受ける変曲点付近の値とから求められていた。従って、極値点の値と変曲点付近の値との差動出力には、ギア歯の山１ａの長さの影響が残り、ギア歯の形状が変化することによってＡＧ特性最小点も変化してしまっていたのである。
【００５３】
これに対し、本願発明者は、鋭意研究の結果、本実施形態のように、４個のＭＲＥブリッジ５０，５１，５２，５３を図５に示すように配置し、これら４個のＭＲＥブリッジ５０，５１，５２，５３の出力信号Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４に対して、複数段階の差動演算を行なって単一の差動出力Ｖｄを求めることにより、ロータ３１、３２に形成されたギア歯の形状にかかわらず、ＡＧ特性最小点となる磁界の振れ角を一定に保つことができることを見出した。
【００５４】
すなわち、図１０に示すように、ＡＧ特性最小点に該当する差動出力Ｖｄは、４個のＭＲＥブリッジ５０，５１，５２，５３の出力における、変曲点もしくは変曲点近傍の値から求められている。なお、図１０においても、ＭＲＥブリッジ５０，５１，５２，５３の出力として、エアギャップが小さいときの出力のみを示している。
【００５５】
このように、ＡＧ特性最小点に該当する差動出力Ｖｄを求めるためのＭＲＥブリッジ５０，５１，５２，５３の出力として、従来のように極値点の値を含んでいないため、ロータ３１，３２のようにギア歯の形状が変化しても、ＡＧ特性最小点となる差動出力Ｖｄ、すなわち磁界の振れ角は一定に維持されるのである。これにより、ロータ３１，３２のギア歯の形状にかかわらず、このＡＧ特性最小点に相当する一定の磁界の振れ角を基準とする共通のしきい値により、差動増幅回路４２の差動出力Ｖｄを２値化すれば、その２値化信号に基づいて高精度にロータ３１，３２の回転位置を検出することができる。このため、ロータの形状に応じて、測定回路を専用設計することが不要となり、製品コストの低減に大きく貢献することが可能になる。
【００５６】
（第２実施形態）
次に本発明の第２実施形態について説明する。
【００５７】
本実施形態においては、基板５５に５個のＭＲＥブリッジが形成される点、及びその５個のＭＲＥブリッジからの出力の差動出力を演算する差動増幅回路の構成が、第１の実施形態と異なるため、以下、その相違点に関して説明する。
【００５８】
図１１に示すように、ＩＣチップ４０ａは、共通の基板５５上に５個のＭＲＥブリッジ５０，５１，５２，５３，５４を配置することによって構成される。そして、基板５５の中心線５６がバイアス磁石４１の中心軸に一致する位置において、ＩＣチップ４０ａの一部が、中空状のバイアス磁石４１の内部空間に入り込むように配置されている点は図５に示したＩＣチップ４０と同様である。
【００５９】
図１１において、ＭＲＥブリッジ５０とＭＲＥブリッジ５３とは、基板の中心線５６に対して線対称となる位置に形成されている。また、ＭＲＥブリッジ５１とＭＲＥブリッジ５２も基板５５の中心線５６に対して線対称となる位置であって、それぞれ基板５５の中心線５６とＭＲＥブリッジ５０，５３の中心位置との丁度中間となる位置に形成されている。さらに、５番目のＭＲＥブリッジ５４は、基板５５の中心線と、自身の中心位置が一致するように形成されている。
【００６０】
これにより、図１１に示すように、各ＭＲＥブリッジ５０，５１，５４，５２，５３間の距離Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４はすべて等しくなる（Ｌ１＝Ｌ２＝Ｌ３＝Ｌ４）。
【００６１】
上記のように共通の基板５５上に形成されたＭＲＥブリッジ５０，５１，５２，５３，５４の各出力に対して、複数段階に渡って差動演算を行い単一の差動出力Ｖｄを得るための差動増幅回路４２ａの構成を図１２に示す。図１２において、差動増幅回路４２ａは、７個の差動増幅器から構成され、各ＭＲＥブリッジ５０，５１，５２，５３，５４から出力される出力信号（中間電位）Ｖ１，Ｖ３，Ｖ５，Ｖ４，Ｖ２に対して、３段階に渡って差動演算を行なうものである。図１２に示す差動増幅回路４２ａにおける差動演算を数式４に示す。
【００６２】
【数４】
Ｖｄ＝｛（Ｖ１−Ｖ３）−（Ｖ３−Ｖ５）｝−｛（Ｖ５−Ｖ４）−（Ｖ４−Ｖ２）｝
また、差動増幅回路４２ａにおいて、３段目の差動増幅を行なう差動増幅器の反転入力端子と非反転入力端子とを入れ替えて、以下の数式５に示す差動演算を行なっても良い。
【００６３】
【数５】
Ｖｄ＝｛（Ｖ５−Ｖ４）−（Ｖ４−Ｖ２）｝−｛（Ｖ１−Ｖ３）−（Ｖ３−Ｖ５）｝
上述のような構成によっても、前述の第１実施形態と同様に、ＡＧ特性最小点に該当する差動出力Ｖｄが、５個のＭＲＥブリッジ５０，５１，５２，５３，５４の出力における、変曲点もしくは変曲点近傍の値から求めることができる。従って、このＡＧ特性最小点を基準とするしきい値によって、各種の形状のロータの回転角度を高精度に検出することができる。
【００６４】
なお、上記数式４を変形すると、Ｖ５の項は削除され、上述した数式２と同様の結果となる。また、上記数式５を変形すると、上述した数式３と同様の結果となる。すなわち、ＭＲＥブリッジの数は、４個でも５個でも結果は同一となるので、回転検出装置の構成を簡素化するために、第１の実施形態において説明したように、ＭＲＥブリッジの数は４個が望ましい。
【００６５】
（他の実施形態）
図１３に、磁気センサの変形例を示す。
【００６６】
上述した第１の実施形態においては、各ＭＲＥブリッジ５０，５１，５２，５３は、４個のＭＲＥ１１，２１，２１，２２から構成されていた。しかしながら、図１３に示すように、２個のＭＲＥによって各ＭＲＥブリッジ７０，７１，７２，７３を構成することもできる。なお、図１３に示す例では、上述した磁歪効果の影響を低減するため、第１段の差動演算の対象となるＭＲＥブリッジ７０とＭＲＥブリッジ７３、及びＭＲＥブリッジ７１とＭＲＥブリッジ７２に関して、電源側に接続される電源側ＭＲＥ及びアース側に接続されるアース側ＭＲＥを、基板７５の中心線７６に対して線対称の位置に形成している。このため、出力信号Ｖ１と出力信号Ｖ２、及び出力信号Ｖ３と出力信号Ｖ４は、磁歪効果の影響によって同様に変化することになり、その差動演算を行えば、磁歪効果の影響を排除することが可能になる。
【００６７】
また、上記実施形態では、バイアス磁石２に中空形状のものを用いているが、中空形状ではない磁石、例えば円柱状のものや直方体のものを用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態による回転検出装置の概略の構成を示す構成図である。
【図２】第１図に示す回転検出装置において、ロータ３１に対して、ＩＣチップ４０及びバイアス磁石４１を配置する距離（エアギャップ）を３段階に変化させた時の、ロータ３１の回転に対する差動増幅回路４２の出力、すなわち、磁界の振れ角の関係を示すグラフである。
【図３】ロータ３２のギア歯の形状を変更した場合の回転検出装置の構成を示す構成図である。
【図４】第３図に示す回転検出装置において、ロータ３２に対して、ＩＣチップ４０及びバイアス磁石４１を配置する距離（エアギャップ）を３段階に変化させた時の、ロータ３２の回転に対する差動増幅回路４２の出力、すなわち、磁界の振れ角の関係を示すグラフである。
【図５】ＩＣチップ４０の構成を示す構成図である。
【図６】（ａ）はＩＣチップ４０に形成されたＭＲＥブリッジ５０の構成を示す構成図、（ｂ）はＭＲＥブリッジ５０を構成する各ＭＲＥの接続状態を示す回路図である。
【図７】差動増幅回路４２の構成を示す回路図である。
【図８】ロータ３１が回転したときにＩＣチップ４０を通過する磁力線Ｈの向き（磁界の振れ各）、及びその磁界の振れ角に応じたＭＲＥブリッジ６０が出力する出力信号の変化の様子を示すグラフである。
【図９】従来の回転検出装置のＭＲＥブリッジ６，１６の出力、それらの出力の差動出力Ｖｄ、及びその差動出力ＶｄにおけるＡＧ特性最小点を示すグラフである。
【図１０】第１の実施形態による回転検出装置のＭＲＥブリッジ５０，５１，５２，５３の出力、それらの出力の差動出力Ｖｄ、及びその差動出力ＶｄにおけるＡＧ特性最小点を示すグラフである。
【図１１】第２の実施形態における、ＩＣチップ４０ａの構成を示す構成図である。
【図１２】第２の実施形態における、差動増幅回路４２ａの構成を示す回路図である。
【図１３】本発明の実施形態の変形例としての磁気センサの構成を示す構成図である。
【図１４】従来の回転検出装置の構成を示す構成図である。
【図１５】（ａ）、（ｂ）は、図１４に示す従来の回転検出装置において、ギアの形状を変更した場合のそれぞれの差動増幅回路の差動出力を示すグラフである。
【符号の説明】
１１，１２，２１，２２  ＭＲＥ
３０  回転検出装置
３１，３２  ロータ
４０  ＩＣチップ
４１  バイアス磁石
４２  差動増幅回路
５０，５１，５２，５３，５４  ＭＲＥブリッジ
【図１】
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【図２】
0004190780.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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