(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に塗布された成膜液を乾燥させるための成膜液乾燥装置であって、
所定の乾燥温度環境下で基板を保持する基板保持手段を有する低温側乾燥装置と、
前記所定の乾燥温度よりも高い乾燥温度環境下で基板を保持する基板保持手段とを有する高温側乾燥装置と、
前記低温側乾燥装置側に保持された基板を前記高温側乾燥装置まで搬送する基板搬送手段と、
基板が前記低温側乾燥装置側に保持された後の乾燥処理の途中で、前記基板搬送手段に、基板を前記高温側乾燥装置まで搬送させる動作を行わせる搬送制御手段と、を備え、
前記低温側乾燥装置は、前記成膜液の乾燥度合に応じて変動する、基板の周辺気圧を検出可能な気圧検出手段をさらに備え、
搬送制御手段は、前記気圧検出手段からの気圧検出信号に基づいて、基板を前記高温側乾燥装置まで搬送するタイミングを制御する、成膜液乾燥装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、例えば、半導体ウエハ等の基板上に塗布された、レジスト液等の成膜液を乾燥する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造装置における成膜技術の一つとして、特開２０００−０７７３２６公報に開示されるように、スキャン塗布法によるものがある。
【０００３】
スキャン塗布法は、例えば、半導体ウエハ等の基板にレジスト液を塗布する際に適用されるもので、ノズルを基板に対して相対的に移動させて、そのノズルから線状に吐出されるレジスト液を該基板に塗布しようとするものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、このようなスキャン塗布法によれば、基板上に塗布されたレジスト液は、液状のままとなっている。レジスト液が塗布されたウエハは、通常、次のベーキング工程へ移されるが、レジスト液が液状のままであると、搬送途中にレジスト液が流動したり、また、ベーキング処理中にレジスト液の有機溶媒が大量に発生する等の問題が生じる。
【０００５】
このため、スキャン塗布を行った後、ベーキング処理する前に、余分な溶媒を揮発させてレジスト液を乾燥させる必要が生じる（ちなみに、スピンコート法によりレジスト液を塗布した場合には、基板の回転によりレジスト液が乾燥する。）。
【０００６】
しかしながら、レジスト液の乾燥を、常温雰囲気下で行うと、乾燥処理所要時間が長くなってしまう。
【０００７】
一方、レジスト液の乾燥を、所定の高温雰囲気下で行うと、乾燥処理所要時間は短くなるものの、基板表面でレジスト液が熱対流して、乾燥後の膜厚が不均一なものとなる。
【０００８】
そこで、この発明の課題は、基板上に塗布された成膜液を、乾燥後の膜厚が可及的に均一なものとなるように、可及的に短時間で乾燥できる成膜液乾燥装置を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決すべく、請求項１記載の発明は、基板に塗布された成膜液を乾燥させるための成膜液乾燥装置であって、所定の乾燥温度環境下で基板を保持する基板保持手段を有する低温側乾燥装置と、前記所定の乾燥温度よりも高い乾燥温度環境下で基板を保持する基板保持手段とを有する高温側乾燥装置と、前記低温側乾燥装置側に保持された基板を前記高温側乾燥装置まで搬送する基板搬送手段と、基板が前記低温側乾燥装置側に保持された後の乾燥処理の途中で、前記基板搬送手段に、基板を前記高温側乾燥装置まで搬送させる動作を行わせる搬送制御手段と、を備え、前記低温側乾燥装置は、前記成膜液の乾燥度合に応じて変動する、基板の周辺気圧を検出可能な気圧検出手段をさらに備え、搬送制御手段は、前記気圧検出手段からの気圧検出信号に基づいて、基板を前記高温側乾燥装置まで搬送するタイミングを制御するものである。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２１】
なお、以下の各実施の形態では、成膜液乾燥装置及び成膜液乾燥方法が、半導体ウエハ等の基板に塗布されたレジスト液を乾燥させる装置及び該レジスト液を乾燥させる方法に適用された例について説明する。
【００２２】
｛第１の実施の形態｝
＜成膜液乾燥装置の全体構成＞
図１は、成膜液乾燥装置５の全体を示す概略断面図である。
【００２３】
この成膜液乾燥装置５は、概略的に、基板１を収容保持する容器１０と、基板１に対する乾燥温度を調整可能な加熱ヒータ３０と、該加熱ヒータ３０による温度調整制御を行う制御部３５とを備えており、基板１に塗布されて液状のままとなっているレジスト液の乾燥を行う。
【００２４】
容器１０は、基板１を気密状態で収容可能に構成されている。具体的には、容器１０は、基板１が収容配置される本体部１１とその本体部１１上を覆う蓋体２０とを備えている。
【００２５】
本体部１１の平面図を図２に、蓋体２０を開いた状態における容器１０の断面図を図３に示す。図１〜図３に示すように、本体部１１は、略円盤状に形成されており、その上面側中央部に、周囲を周壁部１２によって囲まれた所定の収容空間１３が形成されている。収容空間１３は、基板１を水平姿勢のままで収容可能な形状及び大きに形成されている。ここでは、基板１は平面視略円形状に形成されており、収容空間１３はその基板１よりも一回り大きな円形穴形状に形成されている。
【００２６】
本体部１１のうち収容空間１３内の底面１４には、基板１を支承可能な突起部１５が複数形成されると共に、基板１の周縁側面に当接して基板１の水平方向の位置決めを行う位置決めガイド１６が複数形成されている。図２では、収容空間１３内に収容配置されることとなる基板１の外周方向に沿って所定間隔をあけた３つの突起部１５が形成され、各突起部１５に対応する外側位置にそれぞれ位置決めガイド１６が形成されている。
【００２７】
そして、基板１を収容空間１３内に収容すると、当該基板１は、前記各突起部１５に支承されて、前記底面１４から離間した所定位置に保持されることになる。
【００２８】
なお、本実施の形態では、これら突起部１５及び位置決めガイド１６が、基板１を保持する基板保持手段の役割を果す。
【００２９】
また、本体部１１には、上記底面１４から出退自在に突上げピン１７が設けられる（図３参照）。図２では、各位置決めガイド１６間で基板１の周縁部に当接可能な位置に３つの突上げピン１７が設けられている。突上げピン１７は、図示省略の駆動部により底面１４から出退駆動され、上方へ進出した状態では、基板１を上方に持上げて（図３に２点鎖線で示す基板１参照）、図示省略の基板搬送ロボットとの間で基板１の授受を行い、また、下方へ退避した状態では、基板１を収容空間１３内の下方へ移動させて該基板１を突起部１５に支承させる構成となっている。
【００３０】
さらに、本体部１１のうち周壁部１２の内面と底面１４とが交わる環状部分に沿って環状スリット１８が形成されると共に、その環状スリット１８から本体部１１の外面に貫通するエア吸引孔１９が形成されている。
【００３１】
エア吸引孔１９の外側開口には、吸引手段としての真空ポンプ４０が圧調整バルブ４１を介して接続されている。そして、真空ポンプ４０に吸引動作を行わせると、容器１０内の気体が吸引されることとなる。この際、本体部１１内では、環状スリット１８を通じて気体が吸引されるため、基板１の周りに可及的に均等な吸引力を作用させることができる。
【００３２】
蓋体２０は、本体部１１を気密状態に覆い、かつ、その本体部１１に対して開閉自在に取付けられる。
【００３３】
即ち、上記周壁部１２の上部は、その外周側部分が内周側部分よりも段落ちした形状を有しており、これに対応して蓋体２０の下面外周部が一段突出した形状を有している。そして、蓋体２０の下面外周部を周壁部１２の上部に嵌め込むようにして蓋体２０を本体部１１に取付けると、収容空間１３が気密状態に保たれることになる。なお、周壁部１２側にゴム等の弾性部材によりＯリング２８が設けられており、気密状態をより確実に保つようにしている。
【００３４】
さらに、蓋体２０には、その上下（容器１０を基準にするとその内外）に貫通するガス供給孔２２が形成されている。このガス供給孔２２には、ガス供給手段としての不活性ガス供給源４２がリーク量調整バルブ４３を介して接続されている。そして、蓋体２０を本体部１１に閉じた状態で、真空ポンプ４０により容器１０内の空気を吸引すると、その収容空間１３に負圧が生じ、負圧により、不活性ガス供給源４２内の不活性ガス（窒素ガス等）が前記ガス供給孔２２を通じて収容空間１３内に導入される。ここで、不活性ガスを導入しているのは、その湿度、温度等の管理を容易に行えるからである。
【００３５】
なお、蓋体２０の開閉動作は、図示省略の駆動部の駆動により行われる。
【００３６】
また、この容器１０には、その収容空間１３内の気圧を監視するための気圧計４４が設けられている。
【００３７】
加熱ヒータ３０は、容器１０内に収容された基板１に対する乾燥温度を調整する機能を有している。本実施の形態では、本体部１１の下面側及び蓋体２０の上面側に加熱ヒータ３０が設けられており、加熱ヒータ３０で生じた熱が本体部１１及び蓋体２０内を介して容器１０の収容空間１３内の気体に伝わる。これにより、基板１の周囲の気体温度が本装置の周囲温度よりも上昇し、基板１の乾燥温度を上昇させることができる。
【００３８】
なお、加熱ヒータ３０が設けられる態様は、上述したものに限られず、例えば、収容空間１３内に設けられていてもよい。
【００３９】
制御部３５は、本装置全体の制御を行うものであり、ＣＰＵ、ＲＯＭおよびＲＡＭ等を備え、予め格納されたソフトウェアプログラムによって所定の演算動作を行う一般的なマイクロコンピュータにより構成されている。
【００４０】
この制御部３５は、後述する一連の動作の制御を行う。少なくとも、後述する乾燥処理の途中で、上記加熱ヒータ３０をオンにして乾燥温度を上昇させる動作制御を行う。
【００４１】
本実施の形態では、制御部３５には、タイマ回路３６が内蔵されており、このタイマ回路３６により乾燥処理が開始した後の経過時間が計時される。そして、乾燥処理開始から予め設定された所定時間経過後に、加熱ヒータ３０をオンにして乾燥温度を上昇させる。
【００４２】
＜成膜液乾燥装置の動作＞
次に、成膜液乾燥装置５の動作について、図４を参照して説明する。
【００４３】
まず、図示省略の塗布装置（スキャン塗布装置等）により基板１に対してレジスト液が塗布された後、ステップＳ１に示すように、図示省略の基板搬送ロボットにより当該基板１が容器１０内に搬送される。該基板１は、本体部１１内の各突起部１５上に支承される。
【００４４】
この後、ステップＳ２に示すように、蓋体２０が閉じられて容器１０が気密化され、続いて、ステップＳ３に示すように、真空ポンプ４０により容器１０内の気体が吸引されると共に、不活性ガス供給源４２からの不活性ガスが容器１０内に導入される。この際、収容空間１３内は大気圧よりも減圧した所定の減圧状態となるように、圧調整バルブ４１及びリーク量調整バルブ４３の開度が調整されている。この際、基板１に塗布されたレジスト液は比較的低温下かつ減圧下で乾燥することになる。
【００４５】
そして、乾燥処理を開始した後、予め設定されたプレ乾燥時間が経過後すると、ステップＳ４に示すように、加熱ヒータ３０をオンにして乾燥温度を上昇させる。
【００４６】
ここで、乾燥処理開始時は、乾燥処理開始に伴って行われる所定の処理動作時を基準とする。例えば、基板１を容器１０内に搬送した時、又は、容器１０を気密化した時、又は、真空ポンプを動作させる時等を基準とできる。
【００４７】
また、プレ乾燥時間は、レジスト液の乾燥がある程度進んで、比較的高温雰囲気下で乾燥を行っても、基板１表面におけるレジスト液の熱対流に起因して乾燥後の膜厚が不均一とならなくなる程度の時間である。
【００４８】
即ち、基板１表面におけるレジスト液の乾燥がある程度進むと、レジスト液中の溶媒のほとんどが蒸発して、粘度が著しく上昇する。ここで、一般的に、対流の度合は液の粘度に左右され（マランゴニ数等）、粘度が上昇すると対流は生じ難くなる。従って、レジスト液の乾燥がある程度進んだ時点で、比較的高温雰囲気下で乾燥を行っても、基板１表面におけるレジスト液の熱対流が生じ難く、乾燥後の膜厚を均一に保つことができる。このようなプレ乾燥時間は、基板１やレジスト液の種類、容器１０における気圧等の乾燥条件に応じて、実験的・経験的に求められる。
【００４９】
なお、ステップＳ４における上昇された乾燥温度は、レジスト液の引火温度よりも小さい温度となるように設定される。
【００５０】
ステップＳ４において、乾燥温度を上昇させた後、ステップＳ５に示すように、予め設定された完全乾燥時間が経過すると、真空ポンプ４０による吸引を停止させて気圧を大気圧に戻すと共に、加熱ヒータ３０をオフにしてレジスト液の乾燥処理を終了させる。
【００５１】
この完全乾燥時間は、基板１にベーキング処理を施した場合に、レジスト液の有機溶媒が発生することによる問題が生じなくなる程度に、乾燥が進んだ状態となるのに必要な時間であり、この完全乾燥時間も実験的・経験的に求められる。
【００５２】
最後に、ステップＳ６において、蓋体２０を開いて図示省略の基板搬送ロボットにより容器１０内の基板１を取出すと基板１に対する乾燥処理が終了する。
【００５３】
このように乾燥された基板１は、次の図示省略のベーキング装置に搬送される。
【００５４】
以上のように構成された成膜液乾燥装置５及び成膜液乾燥方法によると、成膜液乾燥処理の途中までは、比較的低温下で乾燥が行われるため、乾燥処理におけるレジスト液の熱対流が防止され、乾燥後の膜厚を可及的に均一なものとすることができる。また、乾燥処理の途中で、乾燥がある程度進んで粘度が上昇し熱対流が生じ難くなってから、比較的高温下で乾燥を行うため、その後の乾燥を短時間で行え、全体的な乾燥時間も可及的に短時間にすることができる。
【００５５】
しかも、容器１０内の気体を吸引することにより、大気圧よりも減圧した条件下で、乾燥を行っているため、より短時間で乾燥させることができる。
【００５６】
さらに、容器１０内の気体を吸引する一方で、容器１０内に外部からの気体を導入しているため、当該容器１０内でレジスト液の溶媒が蒸発して飽和状態に近づいた気体を外部からの気体に入換えることができるため、この点からもより短時間で乾燥を行える。
【００５７】
＜第１の実施の形態についての変形例＞
上記第１の実施の形態では、乾燥処理開始後、プレ乾燥時間経過後に乾燥温度を上昇させているが、図５に示す変形例の成膜液乾燥装置５Ｂのように、基板１の周辺気圧の変動に応じて、乾燥温度を制御するようにしてもよい。
【００５８】
即ち、この成膜液乾燥装置５Ｂは、容器１０の収容空間１３内の気圧を検出可能な気圧検出部４４Ｂを備えており、この気圧検出部４４Ｂからの検出信号が制御部３５Ｂに出力される。気圧検出部４４Ｂは、収容空間１３内の気圧を検出することで、基板１の周辺気圧を検出する。
【００５９】
上記第１の実施の形態における制御部３５に対応する制御部３５Ｂは、その検出信号に基づいて乾燥温度を制御する。具体的には、制御部３５Ｂは、気圧が予め設定されたしきい値を下回ったとき、又は、その気圧の減少速度が予め設定された速度を上回ったときに、加熱ヒータ３０をオンにして乾燥温度を上昇させる。
【００６０】
この原理を、図６を参照して説明する。図６における破線は、容器１０内に基板１を収容しない状態で、収容空間１３内の吸引を行った際の気圧の変化を示しており、図６における実線は、容器１０内に基板１を収容した状態で、収容空間１３内の吸引を行った際の気圧の変化を示している。なお、真空ポンプ４０による吸引力、バルブ４１，４３の開度等の気体の吸引・導入に係る諸条件、即ち、減圧生成条件は、一定条件されている。
【００６１】
同図に示すように、容器１０内に基板１が収容されていない状態で吸引を行うと、気圧が漸次低下し、やがて不活性ガスの導入量と吸引量とが釣合って、所定の減圧下に維持される。
【００６２】
一方、容器１０内に基板１が収容されている状態で吸引を行うと、吸引当初は、急激に気圧が低下するものの（〜ｔ１）、時間ｔ１において所定圧まで減圧されると、基板１に塗布されたレジスト液中の溶媒の蒸発気化量が激増し、減圧変化が緩やかになる（ｔ１〜ｔ２）。そして、時間ｔ２においてレジスト液の乾燥がある程度進みその溶媒の蒸発気化量が少なくなると、吸引に応じて気圧が低下し（ｔ２〜ｔ３）、時間ｔ３においてやがて不活性ガスの導入量と吸引量とが釣合って、所定の減圧下に維持される（ｔ３〜）。
【００６３】
つまり、時間ｔ２〜ｔ３において、基板１にベーキング処理を施した場合に、レジスト液の有機溶媒が発生することによる問題が生じなくなる程度に、乾燥が進んだ状態となると考えることができる。
【００６４】
ここで、時間ｔ２〜ｔ３においては、気圧が所定のしきい値Ｐ１以下に低下し、または、その気圧が急に減少することから、気圧の減少速度が所定速度以上に大きくなる。
【００６５】
そこで、この変形例に係る成膜液乾燥装置５Ｂでは、制御部３５Ｂが、気圧検出部４４Ｂからの検出信号に基づいて、気圧が所定のしきい値Ｐ１を下回ったか否か、又は、気圧の減少速度が予め設定された速度を上回ったか否かを判定し、気圧が所定のしきい値Ｐ１を下回ったとき、又は、気圧の減少速度が予め設定された速度を上回ったときに、加熱ヒータ３０をオンにして乾燥温度を上昇させるようにしている。
【００６６】
この場合でも、上記第１の実施の形態の場合と同様の効果を得ることができる。
【００６７】
また、加えて、容器１０内の気圧変動に応じて乾燥温度を上昇させているため、レジスト液の塗布状況や、容器１０の雰囲気温度等の乾燥条件が変動等に対応して、適切な乾燥処理を行える。
【００６８】
なお、上記第１の実施の形態及びその変形例においては、乾燥処理中に、一度だけ乾燥温度を上昇させているが、乾燥処理が進むに従って（例えば、時間の経過に従って、或は、気圧の低下に従って）、徐々に、或は、複数回に分けて段階的に、乾燥温度を上昇させるようにしてもよい。
【００６９】
また、乾燥処理の開始直後において、基板１に塗布されたレジスト液が熱対流を生じ難い程度であれば、乾燥温度を常温より上昇させておいてもよい。
【００７０】
｛第２の実施の形態｝
次に、この発明の第２の実施の形態に係る成膜液乾燥装置について説明する。
【００７１】
図７は、成膜液乾燥装置の全体を示す概略図である。
【００７２】
同図に示すように、この成膜液乾燥装置は、低温側乾燥装置１００と高温側乾燥装置２００と、低温側乾燥装置１００側から高温側乾燥装置２００にむけて基板１を搬送する基板搬送手段３００とを備えている。
【００７３】
低温側乾燥装置１００は、第１の実施の形態における成膜液乾燥装置５と概略的に同様構成を有している。
【００７４】
上記成膜液乾燥装置５の構成要素と同様構成要素については、同一符号を付してその説明を省略し、相違点のみを説明すると、この低温側乾燥装置１００では、上記成膜液乾燥装置５から加熱ヒータ３０及びその加熱ヒータ３０の制御を行う制御部３５が省略されている。
【００７５】
この低温側乾燥装置１００では、所定の乾燥温度環境下（ここでは常温）で基板１が収容保持される。
【００７６】
また、高温側乾燥装置２００も第１の実施の形態における成膜液乾燥装置５と概略的に同様構成を有している。
【００７７】
上記成膜液乾燥装置５の構成要素と同様構成要素については、同一符号を付してその説明を省略し、相違点のみを説明する。この高温側乾燥装置２００では、上記成膜液乾燥装置５から吸引・不活性ガスの導入に係る機構を省略した構成とされている。具体的には、成膜液乾燥装置５における容器１０に代えて、上述した本体部１１に形成された環状スリット１８及びエア吸引孔１９を省略した構成の本体部２１１と、上述した蓋体２０に形成されたガス供給孔２２を省略した構成の蓋体２２０とを備える容器２１０が用いられている。また、真空ポンプ４０及び圧調整バルブ４１、不活性ガス供給源４２、リーク量調整バルブ４３が省略されている。ここで、減圧下の乾燥処理は、極めて外界の影響を受け易い乾燥初期状態でのみ有効なので、高温側乾燥装置２００側では、吸引・不活性ガスの導入に係る機構を省略しても問題はない。さらに、加熱ヒータ３０の制御を行う制御部３５も省略されている。
【００７８】
この高温側乾燥装置２００では、常時、加熱ヒータ３０がオン状態とされており、基板１が上記所定の乾燥温度よりも高い乾燥温度環境下で収容保持される。
【００７９】
基板搬送手段３００は、周知の基板搬送ロボットにより構成されており、低温側乾燥装置１００側において、蓋体２０が開いた状態で、当該低温側乾燥装置１００内に収容保持された基板１を保持して、これを高温側乾燥装置２００側に搬送し、高温側乾燥装置２００側において、蓋体２２０が開いた状態で、基板１を高温側乾燥装置２００に収容配置する。
【００８０】
この基板搬送手段３００の動作制御は、タイマ回路３５１を内蔵した制御部３５０により行われる。
【００８１】
制御部３５０は、上述した制御部３５と同様に、一般的なマイクロコンピュータにより構成されており、少なくとも、乾燥処理の途中で、基板１を低温側乾燥装置１００側から高温側乾燥装置２００側に搬送するように、前記基板搬送手段３００の動作制御を行う。
【００８２】
本実施の形態では、制御部３５０は、タイマ回路３６により乾燥処理が開始した後の経過時間が計時され、乾燥処理開始から予め設定された所定時間経過後に、基板１を低温側乾燥装置１００側から高温側乾燥装置２００側に搬送する。
【００８３】
＜成膜液乾燥装置の動作＞
この成膜液乾燥装置による動作を説明する。
【００８４】
まず、レジスト液を塗布した基板１が低温側乾燥装置１００内に搬送される。低温側乾燥装置１００においては、比較的低温下での乾燥が行われる。即ち、上記第１の実施の形態において説明した図４に示されるフローチャートのうち、ステップＳ１〜ステップＳ３迄の処理が、低温側乾燥装置１００において行われる。
【００８５】
乾燥処理を開始した後、予め設定されたプレ乾燥時間が経過後すると、基板搬送手段３００により、基板１を低温側乾燥装置１００側から高温側乾燥装置２００側に搬送する。即ち、図４に示されるフローチャートのうち、加熱ヒータ３０をオンにして温度上昇させるステップＳ４の代りに、基板１を高温側乾燥装置２００に移し換える動作が行われる。
【００８６】
なお、処理開始基準時、プレ乾燥時間については、上記第１の実施の形態で説明したのと同様に設定される。
【００８７】
高温側乾燥装置２００側では、加熱ヒータ３０が常時オンされて、比較的高い乾燥温度に設定されている。そして、基板１が高温側乾燥装置２００内に搬送されると、比較的高い乾燥温度下で、基板１の乾燥が行われ、基板１の搬送後、予め設定された完全乾燥時間が経過すると、高温側乾燥装置２００側より基板１が取出され、レジスト液の乾燥処理が終了する。即ち、図４に示されるフローチャートのうち、ステップＳ５，Ｓ６の処理が、高温側乾燥装置２００において行われる。
【００８８】
なお、ここでの乾燥温度、完全乾燥時間については、上記第１の実施の形態において説明したのと同様にして設定される。
【００８９】
以上のように構成された第２の実施の形態に係る成膜液乾燥装置によっても、成膜液乾燥処理の途中までは、比較的低温下で乾燥が行われ、その後、比較的高温下で乾燥が行われるため、基板上に塗布された成膜液を、乾燥後の膜厚が可及的に均一なものとなるように、可及的に短時間で乾燥できる。
【００９０】
また、低温側乾燥装置１００側では、容器１０内の気体を吸引することにより、大気圧よりも減圧した条件下で、乾燥を行っているため、より短時間で乾燥させることができる。
【００９１】
さらに、低温側乾燥装置１００側では、容器１０内の気体を吸引する一方で、容器１０内に外部からの気体を導入しているため、当該容器１０内でレジスト液の溶媒が蒸発して飽和状態に近づいた気体を外部からの気体に入換えることができるため、この点からもより短時間で乾燥を行える。
【００９２】
特に、上記第１の実施の形態では、繰返し基板１の乾燥処理を行う場合に、加熱ヒータ３０等が冷却するのを待つ必要があったが、この第２の実施の形態では、比較的低温で乾燥を行う低温側乾燥装置１００と比較的高温で乾燥を行う高温側乾燥装置２００とを分けているため、そのような冷却時間が不要であり、複数の基板１に対して迅速な乾燥処理を行える。
【００９３】
＜第２の実施の形態の変形例＞
なお、本第２の実施の形態に係る成膜液乾燥装置において、第１の実施の形態に係る変形例と同様に、図８に示す変形例の成膜液乾燥装置のように、基板１の周辺気圧の変動に応じて、基板１を低温側乾燥装置１００側から高温側乾燥装置２００側に搬送するタイミングを制御するようにしてもよい。
【００９４】
即ち、この成膜液乾燥装置では、低温側乾燥装置１００側にその内部の収容空間１３内の気圧を検出可能な気圧検出部１４４Ｂが設けられ、この気圧検出部１４４Ｂからの検出信号が制御部３５０Ｂに出力される。気圧検出部１４４Ｂは、収容空間１３内の気圧を検出することで、基板１の周辺気圧を検出する。
【００９５】
制御部３５０Ｂは、その検出信号に基づいて基板搬送手段３００による搬送タイミングを制御する。具体的には、制御部３５０Ｂは、気圧が予め設定されたしきい値を下回ったとき、又は、その気圧の減少速度が予め設定された速度を上回ったときに、基板搬送手段３００を動作させて、基板１を高温側乾燥装置２００に搬送する。
【００９６】
この場合でも、上記第２の実施の形態の場合と同様の効果を得ることができる。
【００９７】
また、加えて、容器１０内の気圧変動に応じて乾燥温度を上昇させているため、レジスト液の塗布状況や、容器１０の雰囲気温度等の乾燥条件が変動等に対応して、適切な乾燥処理を行える。
【００９８】
また、上記低温側乾燥装置１００と高温側乾燥装置２００との少なくとも一方側において、容器１０，２１０を複数設け、それぞれの乾燥温度を違えて、基板１を低温側のものから高温側のものへ順次移載していって、徐々に基板１を乾燥させる温度を上昇させていくようにしてもよい。
【００９９】
｛その他の変形例｝
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明は上記の例に限定されるものではない。
【０１００】
例えば、基板１として、半導体ウエハを例示したが、その他、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等であってもよい。
【０１０１】
また、基板１に塗布される成膜液としては、レジスト液の他、層間絶縁材料、低誘電体材料、強誘電体材料、配線材量、有機金属材料、金属ペースト等であってもよい。
【０１０２】
また、基板１に成膜液がスキャン塗布法により塗布されたものに限られず、その他、成膜液が基板１に塗布され液状のまま残っているものに適用できる。
【０１０７】
【発明の効果】
以上のように構成された請求項１記載の成膜液乾燥装置によると、成膜液乾燥処理の途中までは、低温側乾燥装置において比較的低温下で乾燥が行われるため、乾燥処理における成膜液の熱対流が防止され、乾燥後の膜厚を可及的に均一なものとすることができる。また、成膜液乾燥処理の途中で、乾燥がある程度進んで熱対流が生じ難くなくなる頃に、高温側乾燥装置において比較的高温下で乾燥を行うため、可及的に短時間で乾燥させることができる。
【０１０８】
特に、基板の周辺気圧の変動に応じて基板を前記高温側乾燥装置まで搬送するタイミングを制御しているため、成膜液の塗布状況や乾燥条件の変動等に対応して、適切な乾燥処理を行える。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１の実施の形態に係る成膜液乾燥装置の全体構成を示す概略断面図である。
【図２】同上の成膜液乾燥装置の容器の本体部を示す平面図である。
【図３】同上の成膜液乾燥装置の容器の開放状態を示す断面図である。
【図４】同上の成膜液乾燥装置の動作を示すフローチャートである。
【図５】第１の実施の形態に係る成膜液乾燥装置の変形例を示す概略断面図である。
【図６】吸引開始後における時間と気圧の変化を示す図である。
【図７】この発明の第２の実施の形態に係る成膜液乾燥装置の全体構成を示す概略断面図である。
【図８】発明の第２の実施の形態に係る成膜液乾燥装置の変形例を示す概略断面図である。
【符号の説明】
１  基板
５，５Ｂ  成膜液乾燥装置
１０  容器
１１  本体部
１３  収容空間
１９  エア吸引孔
２０  蓋体
２２  ガス供給孔
３０  加熱ヒータ
３５，３５Ｂ  制御部
３６  タイマ回路
４０  真空ポンプ
４２  不活性ガス供給源
４４Ｂ  気圧検出部
１００  低温側乾燥装置
１４４Ｂ  気圧検出部
２００  高温側乾燥装置
２１０  容器
２１１  本体部
２２０  蓋部
３００  基板搬送手段
３５０  制御部
３５０Ｂ  制御部
３５１  タイマ回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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