(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一端が開口するキャップの中に、コイルが巻回されたフェライトコアが配置され、前記フェライトコアが樹脂組成物の硬化物で埋設されている先端感応部を有する近接センサにおいて、
前記樹脂組成物が島成分を軟質成分とする海島構造を有するベース樹脂と、フィラー成分とから成り、
前記硬化物の熱膨張率が４×１０-5／℃以下であり、かつ曲げ弾性率が４×１０9Pa以下であることを特徴とする近接センサ。
【請求項２】
前記ベース樹脂が、変性エポキシ樹脂である請求項１の近接センサ。
【請求項３】
前記フィラー成分はアルミナ粉であり、前記アルミナ粉の前記樹脂組成物における含有量は、１０〜３０質量％である請求項１または２の近接センサ。
【請求項４】
一端が開口するキャップの中にコイルが巻回されたフェライトコアが配置され、前記フェライトコアは樹脂組成物（１）の硬化物（１）で埋設されている先端感応部；
前記先端感応部における前記フェライトコアの後端部側に配置され、前記コイルと電気的に接続されたトリミング抵抗と回路部品が実装されている回路基板；および、
前記回路基板の周囲を覆うシールド板；
が、両端が開口する筒体ケースの中に収容され、前記筒体ケース内の空隙部には、樹脂組成物（２）の硬化物（２）が充填されている近接センサであって、
前記樹脂組成物（１）が島成分を軟質成分とする海島構造を有する変性エポキシ樹脂とアルミナ粉とから成り、
前記硬化物の熱膨張率が熱膨張率が４×１０-5／℃以下、曲げ弾性率が４×１０9Pa以下であることを特徴とする近接センサ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は金属製の検出対象物との距離が所定距離以下になると当該検出対象物を検出する近接センサに関し、更に詳しくは、高周波発振型近接センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】
高周波発振型近接センサ（以下、近接センサという）は、その先端部が金属感応部として構成され、金属感応部と金属製の検出対象物との距離に応じた信号を出力する。信号の出力形態にはアナログ出力，オンオフ出力などがある。
この近接センサにおける検出の原理を以下に説明する。
【０００３】
近接センサの金属感応部にはＬＣ発振回路を構成するコイルが埋設されている。上記したＬＣ発振回路は、その発振振幅がコイルのＱファクタ値の単調関数になるように構成されている。ここで、コイルのＱファクタ値は、次式：Ｑ＝ωＬ／Ｒ（ω：共振角周波数、Ｌ：コイルの自己インダクタンス、Ｒ：コイルの高周波抵抗）で示される。
【０００４】
ＬＣ発信回路の発振に伴い、金属感応部の前方には高周波交流磁界が形成される。この磁界内に、金属製の検出対象物が進入すると、当該検出対象物には渦電流が発生する。これによる損失分はコイルの見掛け上の高周波抵抗（Ｒ）を増大させ、コイルのＱファクタ値を低下させる。その結果として、ＬＣ発信回路の発振振幅が変化する。この変化を電気的に検出し、信号処理することにより様々な出力形態を実現して検出対象物の存在の有無を検出する。このようなことから、コイルのＱファクタ値は近接センサにとって最も重要なファクタになっている。
【０００５】
この近接センサの代表的な構造例Ａを図１に示す。なお、説明の便宜上、この近接センサＡはオンオフ出力タイプであるとする。
この近接センサＡでは、一端が開口するコップ形状のキャップ１の中に、コイル２が巻回されているフェライトコア３が配置され、そしてキャップ１の中に樹脂組成物（１）を充填したのちそれを硬化して硬化物（１）とすることにより、フェライトコア３とコイル１は硬化物（１）で埋設・固定されて、先端感応部Ａ0が形成されている。
【０００６】
そして、先端感応部Ａ0の背面側、すなわち、キャップ１の開口側には、例えばＩＣのような回路部品４と初期調整用トリミング抵抗５が実装されている回路基板６が配置されている。
また、外部からの電磁波の干渉による出力誤動作を防止するために、とりわけ、干渉を比較的受けやすいコイル線の引き出し部，ＩＣ、およびトリミング抵抗５を覆うために、回路基板６の周囲を覆って例えばＣｕ製のシールド板７が配置されている。
【０００７】
そして、先端感応部Ａ0と回路基板６とシールド板７は、両端が開口する筒体ケース８の中に収容されている。先端感応部Ａ0のキャップ１の表面は一方の開口から表出し、他方の開口はブッシュ９などで密閉され、回路基板６に接続された電源供給線兼信号取り出し線１０がブッシュ９を介して外部に引き出されている。
【０００８】
そして、筒体ケース８の空隙部には、前記した樹脂組成物（１）とは別種の樹脂組成物（２）を充填したのちそれを硬化して硬化物（２）とすることにより、回路基板６とシールド板７が固定配置されている。
コイル２に高周波電流を流すと、センサの前面には、フェライトコア３による磁場が弧を描いて形成される。そして、検出対象物が接近してきてこの磁場の中に位置すると、コイル２の高周波抵抗が増加して、コイルのＱファクタ値が低下する。そして、このＱファクタ値を所定のしきい値と比較して、検出対象物の有無を示す信号を信号取り出し線から出力する。
【０００９】
ここで、近接センサＡの組み立て時に、検出対象物と先端感応部Ａ0の表面との距離が目標とする検出距離（Ｌ0とする）であるときに、コイルのＱファクタ値が所定値となるように予めトリミング抵抗５の抵抗値を設定しておけば、検出対象物が上記した検出距離（Ｌ0）以下の距離に接近すると、そのときのコイルのＱファクタ値は設定の値よりも低下するので、発振回路は検出対象物を検出してそれをオン出力する。
【００１０】
この近接センサＡは例えば次のようにして製造されている。
まず、図２で示したように、コイル２が巻回されているフェライトコア３の背面に、コイル２と電気的に接続されている回路部品４とトリミング用の抵抗５’が実装されている回路基板６を固定する。
そして、この状態で検出距離に関する初期調整を行う。
【００１１】
目標とする検出距離（Ｌ0）の位置に検出対象物１２を置き、コイル２のＱファクタ値を観察しながら抵抗５’に対しトリミングを行い、出力が切り替わるときのＱファクタ値を与える抵抗値（Ｒ0）を求めて、抵抗５’をその値に設定する。
したがって、上記した初期調整が終了した時点で、図２で示した中間体は、抵抗５の値がＲ0になっていて、検出対象物が距離Ｌ0まで接近すると、出力が切り替わる状態になっている。
【００１２】
ついで、回路基板６の周囲を覆ってシールド板７を配置する。このことにより、コイル線の引き出し部，回路部品４、および抵抗値がＲ0に設定されているトリミング抵抗５を含む回路は外部の電磁波による外乱から防衛され、耐ノイズ性が確保される。
ついで、図４で示したように、キャップ１の中にフェライトコアを配置し、ここに、後述する樹脂組成物（１）を充填したのちそれを硬化して硬化物（１）にする。
【００１３】
この工程は、通常、１次充填と呼ばれ、製造された先端感応部Ａ0におけるキャップ内にフェライトコアとコイルを固定し、かつ外部とのシール性を確保するために行われる。
そして、図４の中間体を、図５で示したように、筒体ケース８の中に収容して一方の開口から先端感応部Ａ0の表面を表出させ、他方の開口はブッシュ９で密閉したのち、筒体ケース８の中に、後述する樹脂組成物（２）を充填し、それを硬化して硬化物（２）にする。
【００１４】
この工程は、通常、２次充填と呼ばれ、製造された近接センサＡにおける筒体ケースの中に、回路基板とシールド板、および先端感応部Ａ0を固定し、かつ外部とのシール性を確保するために行われる。
ここで、１次充填時の樹脂組成物（１）の従来例としては、エポキシ樹脂に例えば溶融シリカ粉の所定量をフィラー成分として配合することにより、その硬化物（１）の線膨張率（α）を小さくしたものが用いられている。その理由は以下のとおりである。
【００１５】
まず、フェライトコアは応力を受けるとその電磁気的特性が変化する。そして、硬化物（１）の線膨張率が大きい樹脂組成物（例えばフィラー成分を配合しない樹脂それ自体）を用いて１次充填を行うと、まず、その熱硬化時の収縮によりフェライトコアは応力を受ける。また硬化物（１）の形成後に常温に戻した時点で、フェライトコアの線膨張率と硬化物（１）の線膨張率（フェライトコアの線膨張率より３〜１０倍大きい）の差に比例する応力を常時フェライトコアは受けることになるため、そのフェライトコアが示す電磁気的特性は本来の特性から変移する。
【００１６】
したがって、フェライトコアの電磁気的特性の変移を抑制するためには、フェライトコアを固定する硬化物（１）の線膨張率は、できるだけ小さく、フェライトコアの線膨張率との差が小さくなっていることが好ましいのである。
このようなことから、硬化物（１）の形成に用いる樹脂組成物（１）としては、フィラー成分を配合してその線膨張率を小さくしたものが用いられている。
【００１７】
ところで、図２〜図５で示したようにして製造した近接センサＡの場合、図２で示した検出距離（Ｌ0）における初期調整を行った中間体に樹脂組成物（１）の１次充填を行って図４で示した中間体を製造し、その検出距離（Ｌ1）を測定すると、検出距離（Ｌ1）は、初期調整時の検出距離（Ｌ0）よりも大きくなる方向に変動し、それによりそのばらつきが大きくなる。そして、樹脂組成物（２）の２次充填により、製造された近接センサＡの検出距離（Ｌ2）は、検出距離（Ｌ1）より小さくなる方向に変動し、それによりそのばらつきも小さくなるが、依然として検出距離（Ｌ2）は検出距離（Ｌ0）よりも大きく、かつ、ばらつきも大きいという問題がある。
【００１８】
すなわち、検出距離（Ｌ0）を規格値内となるように初期調整しても、１次充填を行うと、検出対象物の位置とコイルのＱファクタ値との対応関係がずれて、製造される近接センサＡの検出距離（Ｌ2）は規格値からはずれることがあり、その歩留まりは悪くなるという問題が生じている。このことは、硬化物（１）の線膨張率とフェライトコアの線膨張率との差に基づく応力がフェライトコアに加わっているからである。
【００１９】
したがって、検出精度の高い近接センサを組み立てるためには、初期調整後に１次充填を行うことは適切ではないと考えられる。
このようなことから、例えば次のような方法が提案されている。
その方法では、図６で示したように、初期調整の前にシールド板７をフェライトコア３の上に配置し、そのとき、トリミングする抵抗５’はシールド板７の上端からはずれた位置に露出して配置し、まず、この状態で１次充填を行って硬化物（１）でフェライトコア３を固定する。
【００２０】
ついで、抵抗５’をトリミングして初期調整を行う。
この方法の場合、フェライトコア３には硬化物（１）による応力が加わった状態で検出距離（Ｌ0）の初期調整がなされているので、以後の組み立て工程では、この検出距離（Ｌ0）の変動が抑制される。
したがって、この方法で製造された近接センサは検出距離のばらつきが小さくなる。しかしながら、この近接センサの場合、トリミング抵抗はシールド板７で覆われていないので、覆われている場合に比べて耐ノイズ性は劣るという問題がある。
【００２１】
また、フェライトコアへの応力は製品出荷後に時間の経過とともに緩和されていくので、その応力緩和により検出距離の変化ならびに検出距離のばらつきが生じてくるという問題がある。
なお、上記したように、オンオフ出力タイプの近接センサの場合は、１次充填により検出対象物の位置とコイルのＱファクタ値との対応関係がずれて検出距離のばらつきが大きくなるが、アナログ出力タイプの場合は、検出対象物の位置とアナログ出力強度との対応関係におけるばらつきが問題になってくる。
【００２２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の第１の目的は、時間の経過による検出対象物の位置とＱファクタ値の対応関係のずれを小さくすることのできる近接センサを提供することである。
本発明の第２の目的は、耐ノイズ性は良好であり、かつ樹脂組成物の充填による検出対象物の位置とコイルのＱファクタ値との対応関係のずれを小さくすることができる近接センサを提供することである。詳しくは、検出距離の初期調整用の抵抗をトリミング調整したのちに、当該抵抗を覆うようにしてフェライトコアの周囲に樹脂組成物を充填して製造される近接センサの問題、すなわち、耐ノイズ性は良好であるが、検出対象物の位置とコイルのＱファクタ値との対応関係のずれが大きいという問題と、シールド板で初期調整用の抵抗を覆わないようにしてフェライトコアの周囲に樹脂組成物を１次充填したのち当該抵抗をトリミング調整して製造される近接センサの問題、すなわち、検出対象物の位置とコイルのＱファクタ値との対応関係のずれは小さいが、耐ノイズ性は劣悪であるという問題との双方を同時に解決することができる近接センサを提供することである。
【００２３】
【課題を解決するための手段】
上記した目的を達成するための研究過程で、本発明者らは次のような考察を行った。
（１）まず、耐ノイズ性を確保するためには、図１で示した構造の近接センサＡを対象にすべきである。
【００２４】
（２）近接センサＡにおける１次充填に伴う検出距離（Ｌ1）の初期調整値（Ｌ0）からの変動とばらつきの増加は、硬化物（１）によるフェライトコアへの応力負荷に基づく現象である。したがって、フェライトコアへの応力緩和を実現できれば、検出対象物の位置とコイルのＱファクタ値との対応関係のずれが小さくなり、検出距離（Ｌ1）の変動とばらつきを低減することができる。
【００２５】
（３）応力は硬化物（１）とフェライトコアとの界面に発生するが、その応力は両者の線膨張率の差に比例する。したがって、硬化物（１）の線膨張率を小さくすることは応力緩和にとって有効である。
また、硬化物（１）が軟質であれば、発生した応力を自らの変形で吸収することができるので、その場合も応力緩和にとって有効であると考えられる。
【００２６】
（４）硬化物（１）の上記した軟質度の指標としては、当該硬化物（１）の曲げ弾性率を採用することができるものと考えられる。すなわち、曲げ弾性率の小さい材料は一般に軟質であるため、応力緩和にとって有効であろう。したがって、曲げ弾性率の小さい硬化物（１）を形成する樹脂組成物（１）を１次充填に用いることが有用であると考えられる。
【００２７】
（５）以上のことから、硬化物（１）としては、線膨張率が小さく、かつ曲げ弾性率が小さければ、フェライトコアへの応力緩和を実現することができるものと考えられる。したがって、１次充填に用いる樹脂組成物（１）としては、その硬化物（１）が上記特性を併有するものが好適である。
（６）しかしながら、曲げ弾性率が小さい樹脂硬化物は、一般に、その線膨張率が大きいという事実がある。
【００２８】
本発明者らは、上記したように、１次充填で形成される硬化物（１）の評価項目として従来の線膨張率に加えて新たに曲げ弾性率に着目した。
そして、線膨張率は従来と同等の硬化物（１）に関して曲げ弾性率と検出距離（Ｌ1）との関係を調べたところ、両者の間には相関があり、曲げ弾性率がある値以下であるような硬化物（１）が充填されている近接センサの場合、検出対象物の位置とコイルのＱファクタ値との対応関係のずれは小さくなり、その検出距離の初期調整値からの変動とばらつきが小さくなるとの事実を見出し、本発明の近接センサを開発するに至った。
【００２９】
すなわち、本発明の近接センサは、一端が開口するキャップの中に、コイルが巻回されたフェライトコアが配置され、前記フェライトコアが樹脂組成物の硬化物で埋設されている先端感応部を有する近接スイッチにおいて、前記樹脂組成物が島成分を軟質成分とする海島構造を有するベース樹脂とフィラー成分とから成り、前記硬化物の線膨張率が４×１０-5／℃以下であり、かつ曲げ弾性率が４×１０9Pa以下であることを特徴とする。
【００３０】
具体的には、一端が開口するキャップの中にコイルが巻回されたフェライトコアが配置され、前記フェライトコアは樹脂組成物（１）の硬化物（１）で埋設されている先端感応部；前記先端感応部における前記フェライトコアの後端部側に配置され、前記コイルと電気的に接続されたトリミング抵抗と回路部品が実装されている回路基板；および、前記回路基板の周囲を覆うシールド板；が、両端が開口する筒体ケースの中に収容され、前記筒体ケース内の空隙部には、樹脂組成物（２）の硬化物（２）が充填されている近接センサであって、前記樹脂組成物（１）が島成分を軟質成分とする海島構造を有する変性エポキシ樹脂とアルミナ粉とから成り、前記硬化物（１）の線膨張率が４×１０-5／℃以下、曲げ弾性率が４×１０9Pa以下であることを特徴とする近接センサが提供される。
【００３１】
【発明の実施の形態】
本発明の近接センサは、先端感応部Ａ0におけるキャップ内でフェライトコアを埋設・固定する硬化物（１）が後述する樹脂組成物（１）の硬化物であって、その線膨張率と曲げ弾性率が前記した値であることを除いては、図１で示した近接センサＡとその構造が変わることはない。
【００３２】
この硬化物（１）は、線膨張率（α）が４×１０-5／℃以下であり、かつ、曲げ弾性率が４×１０9Pa以下であるという特性を備えている。すなわち、従来から１次充填に多用されているエポキシ樹脂の硬化物の曲げ弾性率は６〜７×１０9Pa程度であることに比べて、この硬化物（１）はその曲げ弾性率がおおよそ従来の２／３以下になっており、軟質になっている。
【００３３】
したがって、フェライトコアの線膨張率は０.８×１０-5／℃程度であるため、硬化物（１）とフェライトコアとの間には、（α−０.８×１０-5）×スイッチの使用温度に相当する応力（σ）が常時発生しているが、その応力の一部（Δσ）は軟質な硬化物（１）に吸収されることになるため、フェライトコアに対する応力（σ’）はσ’＝σ−Δσと減少し、検出対象物の位置とコイルのＱファクタ値との対応関係のずれは小さくなり、検出距離（Ｌ1）の初期調整値（Ｌ0）からの変動は小さくなっている。
【００３４】
ここで、硬化物（１）のα値が４×１０-5／℃より大きい場合には、曲げ弾性率が上記した値を満たしていたとしても、フェライトコアへの残存応力σ’は大きくなるため、検出距離の変動が大きくなる。
また、硬化物（１）の曲げ弾性率が４×１０9Paより大きい場合、その硬化物は硬質であるため、発生した応力σに対する吸収能は低減し、その結果、フェライトコアへの応力σ’は大きくなり、検出距離の変動が大きくなる。
【００３５】
上記した硬化物（１）は樹脂組成物（１）を熱硬化して形成されるが、そのときに用いる樹脂組成物（１）は、例えば線膨張率が約６.０×１０-5／℃のエポキシ樹脂などのベース樹脂にベース樹脂よりも線膨張率の小さいフィラー成分を配合したものである。
その場合、フィラー成分の種類と粒度、配合量などにより、硬化物の線膨張率は変化する。そして、線膨張率が小さくなると、その硬化物は一般に曲げ弾性率が大きくなる。
【００３６】
このようなことを勘案して、本発明で用いる樹脂組成物（１）のフィラー成分としては、例えばアルミナ粉，溶融シリカ粉などをあげることができる。
一般に、ベース樹脂に対するフィラー成分の配合量を多くすれば線膨張率は小さくなっていくが、あまり多くしても硬化物（１）の線膨張率は飽和するだけではなく、曲げ弾性率が大きくなり、また高粘度化して１次充填は困難になる。そして、配合量が少なすぎると、硬化物（１）の線膨張率は大きくなり、フェライトコアに対する応力緩和の効果を実現できなくなる。
【００３７】
このようなことから、フィラー成分の配合量は、用いるベース樹脂とアプリケーションに応じて、線膨張率と曲げ弾性率の双方がバランスのとれた最適値を探し出し、その値に設定すればよい。
ベース樹脂としては、硬化物（１）に転化したときのマトリックスになることからして、硬化後にあってその硬化物（１）が上記したような軟質特性を示すものであることが好ましい。
【００３８】
このようなベース樹脂としては、ゴム弾性粒子やエラストマ粒子のような軟質成分を島成分とし、エポキシ樹脂のように硬化すると硬質成分に転化する樹脂成分を海成分とする海島構造の樹脂が好適である。
この海島構造の樹脂をベース樹脂にすると、形成された硬化物（１）において、基本的には海成分間の結合により、マトリックスが形成され、そのマトリックス内に軟質な島成分が海成分に結合した状態で存在することになる。すなわち、この硬化物（１）は海成分だけの場合よりも軟質になっていて、その曲げ弾性率は海成分だけの場合よりも小さくなっている。したがって、フェライトコアとこの硬化物（１）の間で発生した応力は、海成分を媒介にして軟質な島成分に作用することになり、その応力エネルギーは島成分で吸収されることになる。
【００３９】
このようなベース樹脂としては、例えば、ストラクトボンド（商品名、三井化学（株）製）をあげることができる。
本発明の近接センサにおいて、２次充填で形成される硬化物（２）としては、回路基板とトリミング抵抗を固定し、またシール性を確保できるものであれば何であってもよいが、あまり線膨張率が大きいとヒートサイクルによってはんだ接合部での断線が起こりやすくなるので、線膨張率は小さい方がよい。このようなことから、硬化物（２）の形成時に用いる樹脂組成物（２）としては、硬化物（１）の場合と同様に、ベース樹脂にフィラー成分を配合して線膨張率を低くしたものが用いられる。
【００４０】
【実施例】
（１）１次充填用の樹脂組成物（１）の選定
実施例組成物（１）：三井化学社製のストラクトボンド（商品名、エポキシ基を有する軟質成分が島成分になっている海島構造の変性エポキシ樹脂をベース樹脂とし、これにアルミナ粉がフィラー成分として２０質量％配合されている樹脂組成物）。
【００４１】
この実施例組成物（１）に、温度１００℃で６０分間の熱処理を行って製造した硬化物は、その線膨張率が４×１０-5／℃であり、曲げ弾性率が３×１０9Paであった。
比較例組成物（１）：長瀬ケムテクス社製のＸＮＲ３６２５（商品名、海島構造ではないエポキシ樹脂をベース樹脂とし、これに、溶融シリカ粉がフィラー成分として配合されている樹脂組成物）。
【００４２】
この比較例組成物（１）に、温度１３０℃で６０分間の熱処理を行って製造した硬化物は、その線膨張率が３.８×１０-5／℃であり、曲げ弾性率が６.６×１０9Paであった。
（２）初期調整
まず、図２で示した中間体を複数個組み立てた。そして、金属検出物との距離が２mmのときの発振回路におけるＱファクタが一定値になるようにレーザトリミングを行ってトリミング抵抗の抵抗値を設定した。
【００４３】
ついで、金属検出物との距離Ｌを変化させて、発振回路におけるＱファクタを測定した。その結果を距離ＬとＱの平均値との関係として図７に◆印で示した。また、トリミング抵抗のレーザトリミングを行った上記中間体の検出距離を検出し、そのばらつき具合を図８の左側に示した。なお、実施例組成物（１）を充填した場合を○印、比較例組成物（１）を充填した場合を●印で示している。
【００４４】
（３）１次充填と検出距離
ついで、シールド板を配置し、フェライトコアをキャップ内に配置したのち、キャップ内に前記した実施例組成物（１）と比較例組成物（１）をそれぞれ１次充填し、前者の場合は温度１００℃で６０分間、後者の場合は温度１３０℃で６０分間の熱処理を行い、上記組成物をそれぞれ硬化物（１）にして、図４で示した先端感応部Ａ0を製造した。
【００４５】
得られた先端感応部Ａ0につき、表面と金属検出物との距離を変化させて発振回路におけるＱファクタを測定した。その結果を図７に示した。図中、■印は実施例組成物（１）を用いた場合、△印は比較例組成物（１）を用いた場合を表す。
また、実施例組成物（１）を用いた先端感応部Ａ0、および比較例組成物（１）を用いた先端感応部Ａ0のそれぞれの検出距離を測定し、そのばらつき具合を図８の中央に示した。その結果を図８に示した。
【００４６】
（４）近接センサの組み立て
上記した先端感応部Ａ0を筒体ケースに収容し、ホルダで密閉したのち、筒体ケースの内部に、樹脂組成物（２）を充填し、全体を熱処理して硬化物（２）を形成して図１で示した近接センサＡを製造した。この硬化物（２）の線膨張率は３.８×１０-5／℃である。
【００４７】
そして、この近接センサ全てにつき、検出距離を測定し、そのばらつき具合を図８の右側に示した。
（５）評価
図７から明らかなように、実施例の近接センサ（先端感応部Ａ0）は、その検出距離の初期調整値からの変動量が比較例の近接センサ（先端感応部Ａ0）に比べて小さい。例えば、Ｑファクタ５５μＦにおいては、変動量は初期調整値のおよそ２／３以下であり、比較例と対比して実施例の近接センサの検出距離の変動量は小さい。
【００４８】
また、図８から明らかなように、比較例の近接センサの場合、１次充填後における検出距離のばらつきは非常に大きいが、実施例の場合はそのばらつきが非常に小さくなっている。
なお、従来の充填樹脂である比較例組成物（１）の場合、フェライトコアへの残留応力が大きいため、当該フェライトコアの初期的な特性変移が大きくなる。そのため、出荷後の近接センサにおいては、経時的な応力緩和によるフェライトコアの特性変移（１次充填前の特性に戻る傾向）も大きい。換言すれば、出荷後の近接センサにおいては、検出距離の経時的なドリフトも大きくなる。
【００４９】
しかしながら、本発明の近接センサの場合には、用いる樹脂組成物によるフェライトコアへの初期的な応力負荷は低減されるので、経時的なドリフトも小さくなる。
【００５０】
【発明の効果】
請求項１〜４の近接センサによれば、フェライトコアへの初期的な応力負荷が低減されるので、時間の経過による検出対象物の位置とＱファクタ値の対応関係のずれ（経時的ドリフト）を小さくすることができる。
請求項５の近接センサによれば、フェライトコアへの初期的な応力負荷が低減されるとともに、回路部品とトリミング抵抗を実装する回路基板の周囲がシールド板で覆われているので、樹脂充填後における検出対象物の位置とＱファクタ値の対応関係のばらつきを小さくすることと、外部からの電磁波に対する耐ノイズ性を向上させることの両立を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】高周波発振型近接センサの１例Ａを示す断面図である。
【図２】フェライトコアの背面に回路基板を配置した中間体を示す断面図である。
【図３】図２の中間体にシールド板を配置した状態を示す断面図である。
【図４】１次充填で製造した先端感応部Ａ0を示す断面図である。
【図５】２次充填で製造した近接センサＡの断面図である。
【図６】先端感応部Ａ0の別の例を示す断面図である。
【図７】金属検出物との距離とＱファクタとの関係を示すグラフである。
【図８】各工程後における検出距離のばらつきを示すグラフである。
【符号の説明】
Ａ0    先端感応部
１     キャップ
２     コイル
３     フェライトコア
４     回路部品
５     トリミング抵抗
６     回路基板
７     シールド板
８     筒体ケース
９     ブッシュ
１０   ホールド
１１   信号取り出し線
１２   金属検出物
【図１】
0004178529.tif 000002
【図２】
0004178529.tif 000003
【図３】
0004178529.tif 000004
【図４】
0004178529.tif 000005
【図５】
0004178529.tif 000006
【図６】
0004178529.tif 000007
【図７】
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【図８】
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