(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）配向膜を有する液晶装置用基板を、該配向膜を上にして、前記液晶装置用基板の周辺部に対応する領域では密状態、中央部に対応する領域では疎状態の分布にて配置された吸着孔を有する載置台に載置する工程と、
（ｂ）前記液晶装置用基板を、前記吸着孔より吸引することにより前記載置台に吸着固定する工程と、
（ｃ）前記載置台の位置を基準にして、前記液晶装置用基板の表面の垂直方向での位置をセンサーにより測定することにより、吸着固定された状態の前記液晶装置用基板の厚みを測定する工程と、
（ｄ）前記液晶装置用基板の厚みの測定結果に基づいてラビング条件を設定し、前記配向膜をラビングする工程とを具備し、
前記液晶装置用基板は、前記液晶装置用基板の中央部より周辺部の方が高い吸着圧にて吸着固定されてなり、
前記液晶装置用基板は、アクティブ領域と、前記液晶装置用基板の厚みの測定が行われる検出領域とからなり、
前記検出領域は、前記液晶装置用基板端部に形成されてなることを特徴とする液晶装置用基板のラビング方法。
【請求項２】
前記アクティブ領域は、表示画素領域と該表示画素領域の表示を制御する周辺駆動回路領域とからなる請求項１に記載の液晶装置用基板のラビング方法。
【請求項３】
前記（ａ）〜（ｄ）工程は、異なる液晶装置用基板毎に行われることを特徴とする請求項１または２のいずれか一項に記載の液晶装置用基板のラビング方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶装置の技術分野に属し、特に配向膜のラビング処理の技術分野に属する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶装置は、対向基板とＴＦＴアレイ基板との間に液晶層を挟持して構成され、液晶層に電圧を印加し液晶分子の光学特性を変化させることにより表示を行う。対向基板及びＴＦＴアレイ基板の液晶層に接する面上には配向膜が配置されており、配向膜により電圧無印加時の液晶分子の配列が決定される。配向膜は、ポリイミドなどの有機膜の表面を、布などで所定の方向に擦するラビング方法を施すことにより形成される。
【０００３】
具体的なラビング方法は次の通りである。まず、ラビング装置の載置台にポリイミド膜を有する基板をポリイミド膜を上にして配置する。次に、ローラーのまわりにラビング布が取りつけられたラビングローラーをポリイミド膜と接するように配置し、ラビングローラー若しくは載置台を所定の方向に移動させて、ポリイミド膜を擦ることにより、ラビング処理された配向膜を形成する。そして、このようなラビング装置においては、ある一枚の基板の厚みを基準にしてラビングローラーと基板の位置関係を所定の値に設定し、常にこの値を固定させた状態で他の基板のラビング処理を行っていた。また、基板の厚みの測定は、基板が載置台に載置される前に予め行っていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、基板の厚みの測定時において、例えばＴＦＴアレイ基板は石英基板上に複数のＴＦＴなどが配置されたアクティブ領域を形成していることや、基板の熱履歴、また積層された膜収縮等のため、基板に例えば１００μｍの反りが発生し、正確な基板厚の測定が困難であった。例えば、反りが生じた状態における基板厚の測定結果に基づいてラビング処理を行うと、所望のラビング圧が得られず、結果的に表示品位が著しく劣化した液晶装置となってしまうという問題があった。また、基板間で厚みが異なるため、ラビングローラーと基板の位置関係を所定の値に設定してラビング処理を行うと、基板間でラビング強度のばらつきが発生していた。例えば、厚さが薄い基板と厚い基板とを比較すると、薄い基板では、厚い基板と比較してラビング布と配向膜との接触長の値が小さくなるため、ラビング強度が小さくなる。このため、液晶分子の配向が弱くなり、液晶分子のチルトむら、及びリバースツイストドメインが発生する原因となる。一方、厚い基板では、ラビング強度が大きくなるため、液晶の配向が強くなりすぎて、配向膜の削れによる微小な異物の発生、及び液晶分子のチルト低下要因になる。液晶駆動デバイスにＴＦＴを用い画素間、あるいはライン間で極性反転駆動した場合、横電界の発生によりディスクリネーションが発生する。このようなチルトむら、リバースツイスト、ディスクリネーションは、液晶装置の表示品位を著しく劣化させてしまう。特に、このような液晶装置を投射型表示装置のライトバルブとして用いた場合、投射型表示装置では拡大投影されるため、液晶の配向むらは致命的な表示不良となってしまっていた。
【０００５】
このように、従来のラビング方法では、液晶装置用基板の反り、及び基板間の厚み変動により一定のラビング圧力が得られなかった為、表示品位が高い液晶装置を得ることができず、生産効率が悪いという問題があった。
【０００６】
本発明は、このような課題を解決するためになされたものであり、表示品質の高い液晶装置を得ることができるラビング装置、並びにラビング方法及び液晶装置用基板、並びにこれにより製造された液晶装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
このような課題を解決するため、本発明は以下のような構成を採用している。
【０００８】
本発明のラビング装置は、一方の面に配向膜が形成された基板が、配向膜を上にして吸着固定される載置台と、前記基板に接し、前記基板の一端部から他端部に向かって相対的に移動することにより前記配向膜をラビング処理するラビングローラーと、前記吸着固定された前記基板の厚みを測定する基板厚測定機構と、
前記基板厚測定機構による測定結果に基づいて、前記ラビングローラーまたは前記載置台を移動させる移動機構と、を具備することを特徴とする。
本発明のラビング装置は、一方の面に配向膜が形成された基板が、配向膜を上にして前記基板の中央部より周辺部の方が高い吸着圧にて吸着固定されるように、前記基板の周辺部に対応する領域では密状態、中央部に対応する領域では疎状態の分布にて配置された吸着孔を有する載置台と、前記基板に接し、前記基板の一端部から他端部に向かって相対的に移動することにより前記配向膜をラビング処理するラビングローラーと、前記載置台の位置を基準にして、前記基板の表面の垂直方向での位置をセンサーにより測定することにより、前記吸着固定された前記基板の厚みを測定する基板厚測定機構と、前記基板厚測定機構による測定結果に基づいて、前記ラビングローラーまたは前記載置台を移動させる移動機構と、を具備することを特徴とする。
本発明の液晶装置用基板のラビング方法は、配向膜を有する液晶装置用基板を、該配向膜を上にして、前記液晶装置用基板の周辺部に対応する領域では密状態、中央部に対応する領域では疎状態の分布にて配置された吸着孔を有する載置台に載置する工程と、前記液晶装置用基板を、前記吸着孔より吸引することにより前記載置台に吸着固定する工程と、前記載置台の位置を基準にして、前記液晶装置用基板の表面の垂直方向での位置をセンサーにより測定することにより、吸着固定された状態の前記液晶装置用基板の厚みを測定する工程と、前記液晶装置用基板の厚みの測定結果に基づいてラビング条件を設定し、前記配向膜をラビングする工程とを具備し、
前記液晶装置用基板は、前記液晶装置用基板の中央部より周辺部の方が高い吸着圧にて吸着固定されてなることを特徴とする。
【０００９】
本発明のこのような構成によれば、基板を載置台に吸着固定することにより基板の反りが解消される。このような基板の反りのない状態下で基板の厚みが測定されることにより正確な基板の厚みの検出を可能とする。本発明では、この測定結果に基づいてラビング条件を設定するので、所望のラビング圧にてラビング処理することができるという効果を有する。
【００１０】
本発明のラビング装置は、一方の面に配向膜が形成された基板が、配向膜を上にして吸着固定される載置台と、前記基板に接し、前記基板の一端部から他端部に向かって相対的に移動することにより前記配向膜をラビング処理するラビングローラーと、前記吸着固定された前記基板における前記ラビングローラーの回転トルク値を検出する回転トルク検出機構と、前記回転トルク検出機構による検出結果に基づいて、前記ラビングローラーまたは前記載置台を移動させる移動機構と、を具備することを特徴とする。
【００１１】
本発明のこのような構成によれば、ラビング圧力に対応するラビングローラーの回転トルクを所望の範囲で管理することにより、基板間の厚みばらつきによる変動を解消し、所望のラビング圧にてラビング処理することができるという効果を有する。
【００１２】
また、前記載置台には、前記基板を吸着固定する吸着孔が前記基板の周辺部に対応する領域では密状態、中央部に対応する領域では疎状態の分布にて配置されていることを特徴とする。このような構成とすることにより、特に基板を載置台上に配置した際に基板周辺部が上に反りあがる場合に、基板の反りを効率良く解消することが可能で、基板をフラットな状態で載置台に吸着固定することができるという効果を有する。
【００１３】
また、前記基板は、前記基板の中央部より周辺部の方が高い吸着圧にて吸着固定されてなることを特徴とする。このような構成とすることにより、特に基板を載置台上に配置した際に基板周辺部が上に反りあがる場合に、基板の反りを効率良く解消することが可能で、基板をフラットな状態で載置台に吸着固定することができるという効果を有する。
【００１４】
本発明の液晶装置用基板のラビング方法は、（ａ）配向膜を有する液晶装置用基板を、該配向膜を上にして吸着孔を有する載置台に載置する工程と、（ｂ）前記液晶装置用基板を、前記吸着孔より吸引することにより前記載置台に吸着固定する工程と、（ｃ）吸着固定された状態の前記液晶装置用基板の厚みを測定する工程と、（ｄ）前記液晶装置用基板の厚みの測定結果に基づいてラビング条件を設定し、前記配向膜をラビングする工程とを具備することを特徴とする。
【００１５】
本発明のこのような構成によれば、液晶装置用基板を載置台に吸着固定することにより基板の反りが解消され、このような基板の反りのない状態下で基板の厚みが測定されることにより正確な基板の厚みを測定できる。本発明では、この測定結果に基づきラビングロールと基板を位置調整することによりラビング条件を設定するので、所望のラビング圧にてラビング処理することができるという効果を有する。これにより、表示品位の高い液晶装置を得ることができる。ここで、ラビング条件には、ラビング時における基板が載置されるステージとラビングローラーとの距離、ラビング時のラビングローラの移動速度、ラビング時におけるラビング圧を決定する条件のことを指す。尚、基板厚みを測定する際に基板が載置される載置台と、ラビング処理される際に基板が載置される載置台とは、別々に設けても良く、また共通としても構わない。
【００１６】
本発明の液晶装置用基板のラビング方法は、（ａ）配向膜を有する液晶装置用基板を、該配向膜を上にして吸着孔を有する載置台に載置する工程と、（ｂ）前記吸着孔から吸引することにより、前記液晶装置用基板を前記載置台に吸着固定する工程と、（ｃ）吸着固定された状態の前記液晶装置用基板に接して配置されるラビングローラの回転トルク値が所定の範囲となるように、前記液晶装置用基板と前記ラビングローラーとの距離を制御する工程と、（ｄ）前記回転トルク値が所定の範囲に設定された状態で、前記配向膜をラビングする工程とを具備することを特徴とする。
【００１７】
本発明のこのような構成によれば、液晶装置用基板を載置台に吸着固定することにより基板の反りが解消され、このような基板の反りのない状態下でラビングローラの回転トルク値が測定されることにより正確な回転トルク値を測定できる。本発明では、この測定結果に基づきラビングロールと基板を位置調整することによりラビング条件を設定するので、所望のラビング圧にてラビング処理することができるという効果を有する。これにより、表示品位の高い液晶装置を得ることができる。ここで、ラビング条件には、ラビング時における基板が載置されるステージとラビングローラーとの距離、ラビング時のラビングローラの移動速度、ラビング時におけるラビング圧を決定する条件のことを指す。尚、基板厚みを測定する際に基板が載置される載置台と、ラビング処理される際に基板が載置される載置台とは、別々に設けても良く、また共通としても構わない。
【００１８】
更に、前記液晶装置用基板は、アクティブ領域と、前記液晶装置用基板の厚みの測定または前記回転トルク値の検出が行われる検出領域とからなることを特徴とする。このような構成によれば、検出領域にて基板の厚みの測定または回転トルク値の検出が行われるため、表示部を含むアクティブ領域には測定による不具合が発生しない。また、測定結果にてラビングローラーと基板の位置関係が調整される為、表示部を含むアクティブ領域には一定強度のラビング処理が可能となる。
【００１９】
また、前記アクティブ領域は、表示画素領域と該表示画素領域の表示を制御する周辺駆動回路領域とからなることを特徴とする。このような構成によれば、駆動回路一体型液晶装置にも適用できる。
【００２０】
また、前記検出領域は、前記液晶装置用基板端部に形成されてなることを特徴とする。このような構成によれば、検出領域は基板の一端部に位置するため、このような領域で回転トルク値を検出することにより、ラビングローラーが他端部に向かって配向膜上を移動するという動作の流れの中で、回転トルク値の検出工程、ラビングローラーと基板の位置調整工程、及びラビング処理工程を行うことができるので、効率良くかつ適正なラビング強度にてラビング処理を施すことができる。
【００２１】
また、前記（ａ）〜（ｄ）工程は、異なる液晶装置用基板毎に行われることを特徴とする。これにより、異なる基板間で一定のラビング圧強度のラビング処理が可能となり、配向膜が形成された基板である液晶装置用基板の製品品質が安定化する。例えば厚さばらつきのある複数の基板を処理しても、常に一定の回転トルク値、すなわち一定のラビング圧力にてそれぞれの基板にラビング処理を行うことが可能となる。その結果、基板間のラビング強度ばらつきがなく、常に製品特性が安定した液晶表示用基板、そしてこの基板を用いた液晶装置を得ることができる。
【００２２】
本発明の液晶装置用基板は、上述の液晶装置用基板のラビング方法を用いて製造されたことを特徴とする。このような構成によれば、常に適切なラビング処理が施された液晶装置用基板を安定して得ることができるという効果を有する。
【００２３】
本発明の液晶装置は、上述の液晶装置用基板を具備することを特徴とする。このような構成によれば、良好で安定した表示品質を有する液晶装置を得ることができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
（第１実施形態）
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００２５】
まず、本発明のラビング方法を用いてラビング処理された基板が組み込まれた液晶装置の構造について図６〜図８を用いて簡単に説明する。図６は本発明の液晶装置用基板を示し、ラビング処理時における液晶装置用基板の斜視図である。ラビング処理後の液晶装置用基板は、液晶装置組立時などに必要に応じて検出領域１０１の一部が切断される場合がある。図７は、液晶装置用基板にＴＦＴアレイ基板を用いたときの、液晶装置の表示画素領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。図８は、データ線、走査線、画素電極、遮光膜等が形成されたＴＦＴアレイ基板の表示領域中の縦断面図である。尚、各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を適宜設定している。
【００２６】
図６に示すように、液晶装置用基板１０は、液晶装置を形成するアクティブ領域１００と、基板の厚み測定を行う検出領域１０１とを有する。
【００２７】
図８に示すように、液晶装置３１は、液晶装置用基板としてのＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される対向基板２０とを備え、両基板間に液晶層５０が挟持されて構成されている。ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０は、それぞれ液晶層５０と接する側に配向膜１６及び２２を有している。配向膜１６及び２２は、それぞれ互いに交差する方向にラビング処理が施されており、液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６及び２２により所定の配向状態を採る。
【００２８】
図７に示すように、液晶装置用基板１０の液晶装置を形成するアクティブ領域１００は、表示画素領域とこの表示画素領域の表示を制御する周辺駆動回路領域１０４、１０５とからなる。表示画素領域には、互いに交差する複数の走査線３と複数のデータ線６とが配置され、各交差部毎に画素電極９ａが配置され、この画素電極９ａを制御するための薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴ）３０が配置され、更に走査線３とほぼ平行に容量線３ｂが配置されている。そして、周辺駆動回路領域には、走査線３に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…Ｇｎを供給する走査線駆動回路１０４、データ線６に画像信号Ｓ１、Ｓ２…、Ｓｎを供給するデータ線駆動回路１０５が配置されている。図８に示すように、ＴＦＴアレイの形成された液晶装置用基板１０では、石英基板６０上にＴＦＴ３０に対応して配置される遮光膜１１ａと、遮光膜１１ａ上に配置される下地絶縁膜１２と、下地絶縁膜１２上に配置されるＴＦＴ３０の一部を構成する半導体層１と、半導体層１を覆うゲート絶縁膜２と、ゲート絶縁膜２上に配置される走査線３の一部をなすゲート電極３ａ及び容量線３ｂと、ゲート電極３ａ及び容量線３ｂとを覆う絶縁膜４とが形成されている。更に、絶縁膜４上にはデータ線６が配置され、データ線６は絶縁膜４に形成されるコンタクトホール５を介して半導体層１のソース領域１ｄと電気的に接続されている。更に、データ線６上には層間絶縁膜７が配置され、層間絶縁膜７上に配置される画素電極９ａは絶縁膜４及び層間絶縁膜７に形成されるコンタクトホール８により半導体層１のドレイン領域１ｅと電気的に接続されている。そして、画素電極９ａ上には、基板前面にポリイミド膜からなる配向膜１６が配置されている。この配向膜１６は、走査線３に沿った方向でラビング処理が施されており、詳細な処理方法については後述する。半導体層１は、チャネル領域１ａを挟むように両側に低濃度不純物領域１ｂ、１ｃ、更にこれらを挟んで高濃度不純物領域１ｄ、１ｅが配置されたＬＤＤ構造となっている。また、半導体層１の一部は容量用電極１ｆとして機能し、容量線３ｂとゲート絶縁膜２を介して蓄積容量７０を形成している。一方、検出領域１１０には、表示用スイッチング素子領域に形成される下地絶縁膜１２、絶縁膜４、層間絶縁膜７、配向膜１６が延在して配置され、各膜はベタ膜状に形成されている。
【００２９】
一方、対向基板２０は、例えばガラス基板８０上に、格子状に設けられた遮光層２３と、これを覆うように配置された対向電極２１と、更に対向電極２１上に配置されたポリイミドからなる配向膜２２とから構成される。配向膜２２は、ＴＦＴアレイ基板側に配置される配向膜１６に施されるラビング処理方向とほぼ直交した方向にラビング処理が施されている。
【００３０】
ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０それぞれに形成される配向膜１６、２２は、次に示すラビング装置を用いてラビング処理が施され、以下、ＴＦＴアレイ基板１０をラビング処理する場合を例に挙げて説明する。
【００３１】
本発明のラビング装置４８は、図１に示すように、液晶装置用基板１０を載置し、上下方向（図中、Ａで示す矢印方向）及び基板平面と平行な直線方向（図中、Ｂで示す矢印方向）に移動可能な移動機構を有する載置台としてのステージ４０と、ＴＦＴアレイ基板１０と接するように配置されたラビング布がローラに巻きついたラビングローラー４１と、ラビングローラーを回転させる回転用モーター（図示せず）とを具備する。ステージ４０には、図２に示すように、複数の吸着孔４９が形成される。吸着孔は、基板１０を載置したときに基板１０の反りを吸収するように、基板周辺部に対応した領域が密、中央部に対応した領域が疎状態となるように形成されている。尚、図２はステージ４０上に基板１０を配置した状態であり、基板１０と吸着孔４９との位置関係を示す図である。ここで、本実施形態においては、ラビングローラー４１の位置は固定し、ステージ４０を移動することによりラビング処理を行い、更に基板１０とラビングローラー４１との距離の制御はステージ４０の上下移動により行うが、このような形態に限定されない。例えば、ステージ４０を固定し、ラビングローラ４１自体を上下方向、基板面と平行な方向に移動させても良く、ステージ４０及びラビングローラ４１の両方を移動可能としても良い。
【００３２】
次に、図１及び図３を用いて、ラビング装置の動作について説明する。
【００３３】
まず、配向膜１６となるポリイミド膜が基板全面に形成された図６に示す液晶装置用基板１０を用意する。次に、図３の（１）工程に示すように、このＴＦＴアレイ基板１０を配向膜１６を上面にして、図１に示すラビング装置４８のステージ４０上に、ＴＦＴアレイ基板１０が搬送され、載置される。この際、ステージ４０とラビングローラー４１とは十分に離間されている。
【００３４】
次に（２）工程に示すように、ステージ４０の吸着孔４９より吸引し、基板１０をステージ４０に吸着固定する。
【００３５】
次に、（３）工程に示すように、検出領域１０１の任意の1箇所における基板の厚みを測定する。測定の方法としては、例えばステージの位置を基準として、基板表面の垂直方向での位置をセンサーにより測定することができる。
【００３６】
次に、（３）工程で測定された基板厚みの測定結果を基に、適正なラビング圧が得られるように基板１０とラビングローラー４１との距離が計算される。そして、この距離となるように（４）工程で示されるようにステージ４０を上昇させる。この際、ラビングローラー４１は基板１０の一端部上に位置し、この一端部側がラビング処理の開始側となる。
【００３７】
次に、（５）工程に示すように、ステージは、所定速度で基板面と平行な方向（図１中、矢印Ａで示される方向）に移動される。移動は、図６の矢印に示すように、基板の一端部から他端部に向かって一方向に行われ、これにより配向膜にラビング処理が施される。
【００３８】
次に、ラビング処理が終了すると、（６）工程、（７）工程に示すように、ステージが下降され、基板の吸着が解除される。
【００３９】
次に、（８）工程に示すようにラビング処理された基板がステージ４０から搬出される。
【００４０】
これらのラビングに関する一連の動作は、基板毎に行われる。本実施形態においては、基板を吸着した状態で基板厚が測定されるため、基板厚を正確に設定することができ、所望のラビング圧でラビング処理を施すことができる。
【００４１】
また、本実施形態においては、基板厚を測定する際に基板を載置するステージと、ラビング処理を行う際に基板を載置するステージとを同一ステージとしているが、ラビング用ステージと基板厚み測定時用ステージとを別々に設け、ラビング装置とは別に基板厚測定用ユニットを設けても構わない。
【００４２】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について図４、図５を用いて説明する。第１実施形態では、基板厚みの測定によりラビング条件を設定し、ラビング処理するのに対し、第２実施形態では、ラビングローラーの回転トルク値を所定の範囲内に設定してラビング処理する点が異なる。以下の説明では、第１実施形態と同様の説明については省略する。
【００４３】
第２実施形態においては、配向膜が形成された液晶装置用基板１０は、次に示すラビング装置を用いてラビング処理が施される。
【００４４】
本実施形態のラビング装置４８は、図４に示すように、液晶装置用基板１０を載置し、上下方向（図中、Ａで示す矢印方向）及び基板平面と平行な直線方向（図中、Ｂで示す矢印方向）に移動可能な移動機構を有する載置台としてのステージ４０と、液晶装置用基板１０と接するように配置されたラビング布がローラに巻きついたラビングローラー４１と、ラビングローラーを回転させる回転用モーター（図示せず）とを具備する。ステージ４０には、第１実施形態と同様に吸着孔４９が形成されている。更に、ラビング装置４８には、回転用モーターのトルクを検出するトルク検出機構としてのトルク検出回路４２と、ステージの位置を検出する位置検出回路４３と、トルク検出回路４２及び位置検出回路４３により検出されたデータが入力され、これらのデータを処理するコンピュータ４４と、コンピュータ４４により処理されたデータに基づきステージの動作を制御する制御回路４５と、制御回路４５により指示されてステージを上下方向に移動させる移動機構としての上下移動モーター４６と、制御回路４５により指示されたステージを基板平面と平行な直線方向に移動させる移動機構としての基板面方向移動モーター４７とを具備する。トルク検出回路４２では、基板１０のラビング処理開始側の一端部における検出領域１０１でトルクを検出する。尚、本実施形態においては、ラビングローラー４１の位置は固定し、ステージ４０を移動することによりラビング処理を行い、更に基板１０とラビングローラー４１との距離の制御はステージ４０の上下移動により行うが、このような形態に限定されない。例えば、ステージ４０を固定し、ラビングローラ４１自体を上下方向、基板面と平行な方向に移動させても良く、ステージ４０及びラビングローラ４１の両方を移動可能としても良い。
【００４５】
次に、図４及び図５を用いて、ラビング装置の動作について説明する。
【００４６】
まず、配向膜１６となるポリイミド膜が基板全面に形成された図６に示すＴＦＴアレイ基板１０を用意する。次に、図５の（１）工程に示すように、このＴＦＴアレイ基板１０を配向膜１６を上面にして、図４に示すラビング装置４８のステージ４０上に、ＴＦＴアレイ基板１０が搬送され、載置される。この際、ステージ４０とラビングローラー４１とは十分に離間されている。
【００４７】
次に（２）工程に示されるように、ステージ４０に面内均一に複数形成された吸引孔４９から吸引し、基板１０をステージ４０に吸着固定させる。
【００４８】
次に（３）工程に示すように、基板１０とラビングローラー４１とが接する程度にステージ４０を所定位置まで上昇させる。この際、ラビングローラー４１は基板１０の一端部である検出領域１０１に位置し、この一端部側がラビング処理の開始側となる。
【００４９】
次に、（４）工程に示すように、検出領域１０１におけるラビングローラの回転モーターのトルク値がトルク検出回路４２により測定される。また、ステージ位置は位置検出回路４３によって検出される。
【００５０】
次に、（５）工程、（６）工程に示すように、検出領域１０１におけるトルク値とステージ位置のデータがコンピュータ４４に入力され、トルク値が所定トルク値範囲に適合されるかどうか判断される。
【００５１】
ここで、コンピュータ４４により所定トルク値範囲に適合すると判断されると、制御回路４５により基板面方向移動モーター４７が作動し、（７）工程に示すように、ステージは、所定速度で基板面と平行な方向（図４中、矢印Ａで示される方向）に移動される。移動は、図４の矢印に示すように、基板の一端部から他端部に向かって一方向に行われ、これにより配向膜にラビング処理が施される。
【００５２】
次に、ラビング処理が終了すると、（８）工程に示すように、ステージが下降され、（９）工程に示すように基板吸着が解除される。
【００５３】
次に、（１０）工程に示すようにラビング処理された基板がステージ４０から搬出される。
【００５４】
一方、（６）工程において、所定トルク値範囲に適合されないと判断されると、測定されたトルク値とステージ位置のデータを基に、制御回路４５により上下移動モーター４６が作動し、（１１）工程に示すようにステージが上昇または下降される。そして、再び（４）工程に戻って、トルク値が測定される。このようにトルク値が所定トルク値範囲内になるまで（４）工程、（５）工程、（６）工程、（１１）工程は順に繰り返される。
【００５５】
これらのラビングに関する一連の動作は、基板毎に行われる。本実施形態においては、基板を吸着した状態で回転トルク値が測定されるため、所望の回転トルク値を正確に設定することができ、所望のラビング圧でラビング処理を施すことができる。また、異なる基板毎に回転トルクを所定の範囲に設定することができるため、例えば厚みばらつきのある複数の基板を処理しても、常に一定の回転トルク値にてそれぞれの基板のラビング処理を行うことができ、基板間のラビング圧ばらつきがなく、常に表示品質が安定した液晶装置を得ることができる。また、トルク値の検出を、製品構成上ラビング処理が必要ない検出領域で行い、このトルク値の検出に基づいて所望のトルク値で表示領域中のラビング処理を行うため、トルク検出とラビング処理を連続した動作で行うことができ、製造効率が良い。
【００５６】
以上説明した第１実施形態または第２実施形態に記載するラビング方法を施した液晶装置は、適正なラビング処理が施されるため表示特性が良く、液晶配向むらが表示特性に大きく影響する投射型表示装置に適用するのに特に効果が発揮される。
【００５７】
また、第１実施形態及び第２実施形態において、ラビング時のラビング処理を施す基板は、１枚の基板から複数個の液晶装置用基板を形成できる多面取り基板であっても良いし、1枚の基板から１枚の液晶装置用基板がとれる単個取りであっても良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態におけるラビング装置を示す図である。
【図２】第１実施形態及び第２実施形態におけるステージの吸着孔と基板との配置関係を示す平面図である。
【図３】第１実施形態におけるラビング方法を説明するフローチャート図である。
【図４】第２実施形態におけるラビング装置を示す図である。
【図５】第２実施形態におけるラビング方法を説明するフローチャート図である。
【図６】ＴＦＴアレイ基板の概略斜視図である。
【図７】液晶装置の表示用スイッチング素子領域中の等価回路図である。
【図８】液晶装置の縦断面図である。
【符号の説明】
１６、２２…配向膜
１０…ＴＦＴアレイ基板
２０…対向基板
４０…ステージ
４１…ラビングローラー
４２…トルク検出回路
４３…位置検出回路
４４…コンピュータ
４５…制御回路
４６…上下移動モーター
４７…基板面方向移動モーター
４８…ラビング装置
４９…吸着孔
１００…アクティブ領域
１０１…検出領域
１０４、１０５…周辺駆動回路領域
【図１】
0004098449.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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