(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
連続的に基板に処理を施すための複数の処理部と、
前記処理部にある基板に軟Ｘ線を照射して基板を除電する軟Ｘ線照射除電装置と、
前記軟Ｘ線が基板に所定時間以上照射されないように制御を行う制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記処理部による基板に対する連続的な処理が一時的に停止して前記処理部内に長時間基板が保持されるときにだけ軟Ｘ線が基板に照射されないように制御する、
基板処理装置。
【請求項２】
基板に処理を施す処理部と、
前記処理部にある基板に軟Ｘ線を照射して基板を除電する軟Ｘ線照射除電装置と、
前記軟Ｘ線が基板に所定時間以上照射されないように制御を行うとともに、基板や処理に関する情報を基に軟Ｘ線の照射時間及び軟Ｘ線の出力を制御する制御部と、
を備えた基板処理装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記軟Ｘ線照射除電装置の作動をオン／オフする、請求項１又は２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
基板に処理を施す処理部と、
前記処理部にある基板に軟Ｘ線を照射して基板を除電する軟Ｘ線照射除電装置と、
前記軟Ｘ線が基板に所定時間以上照射されないように制御を行う制御部と、
前記処理部にある基板と前記軟Ｘ線照射除電装置との間に移動して前記処理部にある基板に対する軟Ｘ線の照射を遮蔽し得る遮蔽部材と、
を備え、
前記制御部は、前記遮蔽部材を移動させる、
基板処理装置。
【請求項５】
基板に処理を施す処理部と、
前記処理部にある基板に軟Ｘ線を照射して基板を除電する軟Ｘ線照射除電装置と、
前記軟Ｘ線が基板に所定時間以上照射されないように制御を行う制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記軟Ｘ線照射除電装置の向き、あるいは前記軟Ｘ線照射除電装置が照射する軟Ｘ線の照射の向きを変える、
基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板処理装置、特に、連続して基板に処理を施す処理部と処理部にある基板に軟Ｘ線を照射する軟Ｘ線照射除電装置とを備えた基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体や液晶の基板に処理を施す半導体製造装置や液晶製造装置が多数提供されている。それぞれ製造においては複数の工程が存在し、各工程において異なる処理が施される。
【０００３】
例えば、液晶ディスプレイを構成する液晶パネルであるＴＦＴアレイ基板を製造する工程には、図１に示すような複数の工程が存在する。ここでは、無アルカリガラスの素板を工程初めの材料として、基板の洗浄、各種薄膜の成膜、フォトレジスト塗布、パターンの露光、現像、エッチング、フォトレジスト剥離の工程を複数回繰り返すことになる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
このような半導体や液晶の製造工程はクリーンルーム下で行われるが、静電気が発生すると基板へのパーティクルの付着や素子の絶縁破壊が起こる恐れがあるため、発生した静電気を除電する必要がある。この除電を行う装置として、主として、針状の電極に高電圧を印加してイオンを放出する除電装置と、軟Ｘ線（波長が１．３×１０-4〜４．１×１０-4μｍの光）を照射して周囲の空気をイオン化する軟Ｘ線照射除電装置とが知られている。
【０００５】
後者の軟Ｘ線照射除電装置は、前者の除電装置に較べて精密な除電が可能になり周囲に誘導電荷が発生しにくいという有利な面を有する反面、レジストが塗布されているような基板に長い時間照射を続けると感光して現像後にムラが発生するという欠点を有している。このような欠点を有しているため、従来においては、基板の洗浄、成膜、エッチング、及び剥離のような工程においては使用されていることもあるが、レジスト塗布、露光、現像に関する工程においては使用されていない。
【０００６】
本発明の課題は、軟Ｘ線照射除電装置を使った場合にも基板処理に不具合が起こらないような基板除電方法を提供すること、及び軟Ｘ線照射除電装置を使った基板処理装置の基板処理の不具合を抑えることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係る基板処理装置は、複数の処理部と、軟Ｘ線照射除電装置と、制御部とを備えている。複数の処理部では、連続的に基板に処理を施す。軟Ｘ線照射除電装置は、処理部にある基板に対して軟Ｘ線を照射し、基板を除電する。制御部は、軟Ｘ線が基板に所定時間以上照射されないように、制御を行う。また、制御部は、処理部による基板に対する連続的な処理が一時的に停止して処理部内に長時間基板が保持されるときにだけ軟Ｘ線が基板に照射されないように制御する。
【０００８】
通常、除電装置による除電処理は常時連続して行われているが、ここでは、軟Ｘ線が基板に所定時間以上照射されないように制御を行っており、除電を間歇的に行わせている。すなわち、基板に必要な除電が行われた後は、基板処理に支障が出ないように軟Ｘ線の照射が基板に当たらないようにする。ここで、連続基板処理が滞りなく行われているときには、軟Ｘ線照射除電装置により処理部にある基板に軟Ｘ線が照射し続けられていても、基板処理に支障が出る量の軟Ｘ線が基板に照射されることは少ない。しかしながら、装置の異常停止時や交換部品の交換時等に一時的に処理部内に長時間基板が保持されることがあり、この時に軟Ｘ線が基板に照射し続けられると基板処理に支障が出ることがある。
【０００９】
ここでは、このように基板の連続的な処理が一時的に停止するときに、軟Ｘ線が基板に照射されないように制御部が制御する。これにより、基板処理に不具合が出ることが抑えられる。
【００１０】
このような制御を行うことにより、軟Ｘ線照射除電装置を使って精密な除電を行い、周囲に発生する誘導電荷を抑えるとともに、軟Ｘ線照射除電装置の欠点である基板処理の不具合の発生を抑えることができる。
【００１１】
請求項２に係る基板処理装置は、基板に処理を施す処理部と、軟Ｘ線照射除電装置と、制御部とを備えている。軟Ｘ線照射除電装置は処理部にある基板に軟Ｘ線を照射して基板を除電する。制御部は、軟Ｘ線が基板に所定時間以上照射されないように制御を行うとともに、基板や処理に関する情報を基に軟Ｘ線の照射時間及び軟Ｘ線の出力を制御する。
【００１２】
請求項３に係る基板処理装置は、請求項１又は２に記載の装置において、制御部は、軟Ｘ線照射除電装置の作動をオン／オフする。
【００１３】
ここでは、軟Ｘ線照射除電装置の作動をオンすることによって基板に軟Ｘ線が当たるようにし、軟Ｘ線照射除電装置の作動をオフすることによって基板に軟Ｘ線が当たらないようにする。
【００１４】
請求項４に係る基板処理装置は、基板に処理を施す処理部と、処理部にある基板に軟Ｘ線を照射して基板を除電する軟Ｘ線照射除電装置と、軟Ｘ線が基板に所定時間以上照射されないように制御を行う制御部と、遮蔽部材とを備えている。遮蔽部材は、処理部にある基板と軟Ｘ線照射除電装置との間に移動して、処理部にある基板に対する軟Ｘ線の照射を遮蔽し得る部材である。そして、制御部は、遮蔽部材を移動させる制御を行う。
【００１５】
ここでは、基板と軟Ｘ線照射除電装置との間から遮蔽部材を遠ざけて基板に軟Ｘ線が当たるようにし、基板と軟Ｘ線照射除電装置との間に遮蔽部材を移動させて基板に軟Ｘ線が当たらないようにする。
【００１６】
請求項５に係る基板処理装置は、基板に処理を施す処理部と、処理部にある基板に軟Ｘ線を照射して基板を除電する軟Ｘ線照射除電装置と、軟Ｘ線が基板に所定時間以上照射されないように制御を行う制御部とを備えている。そして、制御部は、軟Ｘ線照射除電装置の向き、あるいは軟Ｘ線照射除電装置が照射する軟Ｘ線の照射の向きを変える制御を行う。
【００１７】
ここでは、軟Ｘ線照射除電装置の向き、あるいは軟Ｘ線照射除電装置が照射する軟Ｘ線の照射の向きを変えることによって、基板に軟Ｘ線が当たっている状態と基板に軟Ｘ線が当たっていない状態とを切り替える。
【００１８】
【発明の実施の形態】
［第１実施形態］
＜構成＞
本発明の基板処理装置の一実施形態を図２に示す。基板処理装置１は、複数の処理ユニットを接続して一貫した処理を可能にしたコータ／デベロッパ装置であって、露光機５０、タイトラー６０、及びエッジ露光機７０と接続し、フォトリソグラフィ工程においてレジスト塗布前洗浄からレジスト塗布・露光・現像までを連続して行えるようにするものである。なお、ここでは複数の処理ユニットを接続したシステムを基板処理装置１としているが、各処理ユニットをそれぞれ基板処理装置と認識しても良く、また、各処理ユニットの主要な処理部をそれぞれ基板処理装置と認識することもできる。また、露光機５０等もそれぞれ基板処理装置である。
【００１９】
基板処理装置１は、主として、インデクサー部２、洗浄ユニット１０、脱水ベークユニット２０ａ，２０ｂ、レジスト塗布ユニット３０、プリベークユニット４０ａ，４０ｂ、現像ユニット８０、及びポストベークユニット９０ａ，９０ｂ、空冷ユニット９９の各処理部と、旋回ロボット４ａ〜４ｅとを備えている。インデクサー部２から露光機５０までの行きラインには、洗浄ユニット１０、ポストベークユニット９０ｂ、脱水ベークユニット２０ａ、レジスト塗布ユニット３０、プリベークユニット４０ａ等が配置される。露光機５０からの帰りラインには、プリベークユニット４０ｂ、現像ユニット８０、脱水ベークユニット２０ｂ、ポストベークユニット９０ａ、空冷ユニット９９等が配置される。また、旋回ロボット４ｅの近傍には、露光機５０に対して基板を受け渡す際の受け渡し場所あるいは一時的な待避場所となるバッファ部８ａ〜８ｃが設けられている。この基板処理装置１はユニカセット方式であり、インデクサー部２に載置されたカセット３からガラス基板（以下、基板という。）を取り出して各処理部へ送り出し、各処理工程を終えた基板を同じカセット３に収納する。カセット３からの取り出し及びカセット３への収納は、基板を保持して旋回可能なアームを備えカセット３の列に沿って移動可能なインデクサーロボット２ａによって行う。
【００２０】
洗浄ユニット１０は、連続枚葉式の処理部であって、搬入部１２、洗浄部１３、液滴除去部１４、及び搬出部１５からなる。また、搬入部１２の上部には、ＵＶオゾン洗浄室１１が設けられている。すなわち、洗浄ユニット１０の上にＵＶオゾン洗浄室１１が重ねられている。ＵＶオゾン洗浄室１１から搬入部１２まではインデクサーロボット２ａにより基板を搬送する。搬入部１２から搬出部１５までは、コンベアによって基板を搬送しつつ、洗浄や液滴除去等の処理を行う。洗浄部１３では、純水あるいは薬液を用いたブラシ，超音波，高圧スプレー等による洗浄が行われる。なお、コンベアはクリーンルーム内に対応した発塵性の少ないローラコンベアを採用している。
【００２１】
脱水ベークユニット２０ａ，２０ｂは、静止式の加熱処理室及び冷却処理室、密着強化室、コンベア室、バッファ室、通過室が多段に積み上げられたユニットである。
【００２２】
レジスト塗布ユニット３０は、枚葉式の処理部であって、搬入部３１、スピンコータ部３２、レベリング処理部３３、エッジリンス部３４、及び搬出部３５から構成される。搬入部３１から搬出部３５までは、基板を隣接する処理部へ順送りしてゆくスライダー５ａ〜５ｄによって基板を搬送する。
【００２３】
プリベークユニット４０ａ，４０ｂは、静止式の加熱処理室及び冷却処理室、コンベア室、通過室が多段に積み上げられたものである。
【００２４】
現像ユニット８０は、連続枚葉式の処理部であって、搬入部８１、現像部８２、水洗部８３、乾燥部８４、及び搬出部８５からなる。搬入部８１から搬出部８５までは、コンベアによって基板を水平方向に搬送する。
【００２５】
ポストベークユニット９０ａ，９０ｂは、静止式の加熱処理室及び冷却処理室、コンベア室、バッファ室、通過室が多段に積み上げられたユニットである。
【００２６】
旋回ロボット４ａ〜４ｅは、旋回することはできるが水平方向に移動するような機構は有していない、いわゆるクラスタタイプのロボットである。また、スライダー５ａ〜５ｄは、矩形運動により基板の位置を一方向に対して所定距離だけスライドさせるものであり、レジスト塗布ユニット３０の各部間に設けられている。
【００２７】
＜基板処理＞
次に、基板処理装置１による基板の処理について、順に説明する。インデクサー部２においてインデクサーロボット２ａによりカセット３から取り出された基板は、まず、ＵＶオゾン洗浄室１１に運ばれ、紫外線の照射によって表面の有機汚染物が酸化分解される。この処理を終えた基板は、インデクサーロボット２ａによって搬入部１２に移される。基板は、搬入部１２から洗浄部１３へと運ばれ、ロールブラシによるスクラブ洗浄、超音波スプレー洗浄、及び高圧ジェットスプレーによる純水での洗浄が行われる。ここでの洗浄は、例えばアルカリ洗浄液等を用いて処理するものであってもよい。この後、基板は、液滴除去部１４において、エアーナイフにより表面に残留する純水の液滴が飛ばされる。
【００２８】
洗浄ユニット１０での処理を終えて搬出部１５に移された基板は、図示しないコンベアによりポストベークユニット９０ｂの中を通過して脱水ベークユニット２０ａに入る。脱水ベークユニット２０ａ，２０ｂにおいては、基板は旋回ロボット４ａによって各処理室に運ばれる。脱水ベークユニット２０ａのコンベア室に搬送されてきた基板は、加熱室に運ばれる。ここで基板は、ホットプレートによって加熱されて水分が取り除かれる。なお、このとき、後段の露光機５０におけるマスクチェンジやスピンコータ部３２の装置洗浄等を行う際等においては、基板は適宜バッファ室で一時保管された後、加熱室へ運ばれる。次に基板は密着強化室に運ばれる。密着強化室では、レジスト膜と基板との密着性向上を目的として、基板に対して加熱を施しつつＨＭＤＳを蒸気状にして塗布する。この後、基板は、さらに冷却室に運ばれ、クールプレートによって冷却される。このようにレジスト塗布処理の前処理として脱水ベークが行われた基板は、レジスト塗布ユニット３０の搬入部３１に運ばれる。
【００２９】
レジスト塗布ユニット３０では、まずスライダー５ａによって基板がスピンコータ部３２に運ばれ、基板に対してレジストの塗布が行われる。スピンコータ部３２は、レジスト供給系、スピンモータ、カップ等により構成されており、水平にした基板上にレジストを滴下し基板を回転させることによって基板上に均一なレジスト膜を形成させる。レジスト膜が形成された基板は、スライダー５ｂによりレベリング処理部３３に運ばれて、レジスト膜のレベリング及び乾燥処理が行われる。この後、基板はスライダー５ｃによってエッジリンス部３４に移される。エッジリンス部３４では、基板端面のレジスト膜が剥がれて発塵してしまうことを防止するために、基板表面の周辺や端面部分のレジストを溶剤により取り除く処理が行われる。これらのレジスト塗布に関する各処理を終えた基板は、スライダー５ｄによって搬出部３５に運ばれる。
【００３０】
搬出部３５から搬出部３５に隣接するプリベークユニット４０ａに運ばれた基板は、旋回ロボット４ｃによって、加熱室に移される。ここでは、基板上のレジスト膜中の残留溶剤の蒸発と基板の密着性強化を目的として、加熱処理が行われる。その後基板は冷却室で冷却され、旋回ロボット４ｃにより多段受渡部９に運ばれる。
【００３１】
さらに基板は、旋回ロボット４ｄ，４ｅにより露光機５０に移され、露光処理が施される。具体的には、基板上のレジストに対し原画上にあるパターンを感光させる処理が施される。露光された基板は、露光機５０から旋回ロボット４ｅにより取り出されて、バッファ部８ｃを介して、旋回ロボット４ｄに保持される。なお、露光機５０への搬入，搬出の際には、基板はもし必要があればバッファ部８ａ，８ｂ，８ｃにおいて一時的に保管される。
【００３２】
次に基板は、旋回ロボット４ｄからタイトラー６０及びエッジ露光機７０に移されて、それぞれ印字焼き付け、エッジ露光が行われる。エッジ露光では、基板上のディスプレイ部を除く基板周辺のレジストを除去すべく露光処理される。ここではエッジ露光機７０をこの位置に配しているが、必要に応じて、ここに裏面露光ユニットを配してもよい。また、タイトラー６０の代わりに裏面露光ユニットを配しても良い。これらの処理を終えた基板は、旋回ロボット４ｄによって多段受渡部９に移されて、図示しないスライダーによってコンベア部７９に載せられる。そして、基板はコンベア部７９からプリベークユニット４０ｂを通過して現像ユニット８０の搬入部８１に搬送される。
【００３３】
現像ユニット８０において、基板は搬入部８１から搬出部８５へとコンベアによって搬送される。そして、現像部８２においては、ノズルより噴霧状の現像液を基板表面にシャワー状にかけるスプレー現像、または基板上に現像液たまりを形成するパドル現像が行われる。水洗部８３，乾燥部８４においては、現像後の基板に対して純水等のリンス液による洗浄及び乾燥が行われる。これらの処理を終えた基板は、搬出部８５からプリベークユニット２０ｂを通過する図示しないコンベアによりポストベークユニット９０ａに運ばれる。
【００３４】
ポストベークユニット９０ａ，９０ｂでは、基板上のレジスト膜中または表面に残留したリンス液を蒸発除去し、レジストの硬化及び基板との密着性強化を目的とした熱処理を行う。具体的には、加熱室のホットプレートによって基板を加熱し、冷却室のクールプレートによって基板を冷却する。また、適宜バッファ室に基板が一時的に保管される。これらの処理が施された基板は、空冷ユニット９９に運ばれる。そして、空冷ユニット９９で空冷された基板は、インデクサーロボット２ａによって元のカセット３に収容される。
【００３５】
＜イオナイザ＞
上記の各処理ユニットの各処理部あるいは各室、露光機５０、タイトラー６０、エッジ露光機７０、バッファ部８ａ，８ｂ，８ｃには、それぞれ軟Ｘ線イオナイザ（軟Ｘ線照射除電装置）１０１が配備されている。これらの軟Ｘ線イオナイザ１０１は、波長が１．３×１０-4〜４．１×１０-4μｍの光である微弱Ｘ線（軟Ｘ線）を利用した静電気除去装置であり、軟Ｘ線の持つ電離作用により照射範囲の空間に高濃度のイオンを生成し、瞬時に帯電物体の静電気を除去することが可能なものである。また、光照射方式の装置であって、微粒子、オゾン、誘電電圧等の発生がないものである。
【００３６】
軟Ｘ線イオナイザ１０１は、各処理部内や各室内に配置されるヘッド部１０２と、安全回路や各種表示機能を備えたコントローラ部１０３とから構成され、ヘッド部１０２から軟Ｘ線を照射する。ヘッド部１０２は、長さが１００ｍｍ、幅が４０ｍｍ、高さが８０ｍｍ程度の小さなものであって、各処理部や各室等の上部に取り付けられる。例えば、ホットプレート１２１を有する加熱室１２２に対して、図３に示すような位置に取り付けられる。図３に示す軟Ｘ線イオナイザ１０１の照射範囲は前方１２０度円錐状の範囲であり、基板Ｗの表面全体に照射されるわけではないが、基板Ｗ内で電荷が移動するため、図３に示すような照射でも十分に基板Ｗの除電ができる。
【００３７】
この軟Ｘ線イオナイザ１０１から帯電物体である基板Ｗに向けて軟Ｘ線（図３及び図４において、Ｘと表示する。）が照射されると、図４に示すように、照射範囲にある安定している原子／分子１３０から電子がはじき出されてプラスイオン１３１が生成される。そして、はじき出された電子が安定している原子／分子に付着してマイナスイオン１３２が生成される。このように均等なバランスで生成されるプラスイオン１３１及びマイナスイオン１３２は、軟Ｘ線が当たっているところ全てにおいて生成されるため、基板Ｗの近傍で生成されたプラスイオン１３１あるいはマイナスイオン１３２が基板Ｗの電荷を吸収して基板Ｗを除電する。一方、その他の生成イオン１３１，１３２は元の安定状態に戻っていく。
【００３８】
＜イオナイザ制御部＞
各処理ユニット等に配備された軟Ｘ線イオナイザ１０１は、イオナイザ制御部１４２によってオン／オフ制御される（図５参照）。このイオナイザ制御部１４２は、基板処理装置１全体を制御するメインコントローラ１４０とつながっている。また、メインコントローラ１４０は、図５に示すように、各ユニットの制御を行うＣＰＵ１４１と接続されており、操作入力パネル１４５から処理に関する各種の情報がインプットされる。
【００３９】
基板Ｗが各ユニット等に搬送されてくると、各ユニット等における処理が基板Ｗに施された後に、メインコントローラ１４０からの指令によってイオナイザ制御部１４２はオン／オフスイッチ１０６をオンの状態とする。オン／オフスイッチ１０６が入ると、電源１０５から軟Ｘ線イオナイザ１０１に電流が流れ、基板Ｗに軟Ｘ線が照射される。そして、所定時間の照射の後に、イオナイザ制御部１４２はオン／オフスイッチ１０６をオフの状態とする。このように、各ユニット等においては、基板Ｗに対する処理を行った後に、所定時間だけ軟Ｘ線を基板Ｗに照射して基板Ｗの除電を行う。
【００４０】
基板Ｗに軟Ｘ線を照射する時間や軟Ｘ線イオナイザ１０１の出力は、基板の種類や大きさ等によって必要とされる値が異なるため、イオナイザ制御部１４２はメインコントローラ１４０からの基板や処理に関する情報を基に適当な時間及び軟Ｘ線イオナイザ１０１の出力を選択する。具体的には、イオナイザ制御部１４２が有しているデータ、例えば段階的な１０秒、２０秒、３０秒といった時間のデータや５０ボルト、１００ボルト、２００ボルトといった出力のデータの中から、適当なデータが選択される。したがって、基板の種類によっては、１０秒間基板Ｗに軟Ｘ線が照射されることもあれば、２０秒間照射されることもある。また、イオナイザ制御部１４２には、静電モニタ（帯電電位測定手段）１４３による基板Ｗの帯電電位の情報が常時送られてきている。そして、除電終了時において基板Ｗの帯電電位が所定値を超えているときには、メインコントローラ１４０を介して警報が発せられる。
【００４１】
この基板処理装置１では、レジスト塗布から現像に至るまでのレジスト塗布ユニット３０、プリベークユニット４０ａ，４０ｂ、露光機５０、タイトラー６０、エッジ露光機７０、及び現像ユニット８０のように一定量以上の光が照射されると感光して現像ムラが発生する恐れのあるユニット等においても、軟Ｘ線イオナイザ１０１を配備して効率的な除電を行っている。そして、基板Ｗに一定量以上の軟Ｘ線が照射されないように、イオナイザ制御部１４２による制御が行われている。したがって、軟Ｘ線を常時照射し続ける場合に較べて、現像後の基板Ｗの現像ムラの発生が抑えられている。
【００４２】
＜その他＞
なお、前述のように、基板Ｗ内では電荷が自由に移動するので必ずしも基板Ｗの表面全体に軟Ｘ線を照射する必要はないが、除電するために比較的長い時間の軟Ｘ線の照射が必要な場合には、図６及び図７に示すように、あるいは図８に示すようにして軟Ｘ線イオナイザ１０１のヘッド部１０２を基板Ｗに対して相対的に移動させることが望ましい。
【００４３】
図６及び図７に示すヘッド部１０２は、基板Ｗの上方においてロータリーアクチュエータ１５１に支持されており、図示しない駆動装置によって揺動する。これによって基板Ｗ表面上の特定の部分に軟Ｘ線の照射が集中することが抑えられ、多少感光してしまうような場合にも現像後の基板Ｗにムラができにくくなる。
【００４４】
また、図８に示すヘッド部１０２は、基板Ｗの上方において図示しない支持装置によって支持されており、この支持装置を水平移動させる図示しないボールねじ電動シリンダ等の駆動装置によって水平移動する。すなわち、ヘッド部１０２は、基板Ｗの表面に対して平行に移動する。このようにヘッド部１０２を移動させることによって、基板Ｗ表面上の特定の部分に軟Ｘ線の照射が集中することが抑えられ、多少感光してしまうような場合にも現像後の基板Ｗにムラができにくくなる。
【００４５】
［参考例］
上記第１実施形態においては、イオナイザ制御部１４２は、所定時間だけ軟Ｘ線イオナイザ１０１を作動させて基板Ｗの除電をおこなっているが、以下に記載するように、静電モニタ１４３による基板Ｗの帯電電位を基にして軟Ｘ線イオナイザ１０１の作動／非作動を切り替えることもできる。
【００４６】
この例では、基板Ｗが各ユニット等に搬送されてくると、各ユニット等における処理が基板Ｗに施された後に、メインコントローラ１４０からの指令によってイオナイザ制御部１４２はオン／オフスイッチ１０６をオンの状態とする。オン／オフスイッチ１０６が入ると、電源１０５から軟Ｘ線イオナイザ１０１に電流が流れ、基板Ｗに軟Ｘ線が照射される。そして、静電モニタ１４３によって監視している基板Ｗの帯電電位が所定値以下となり十分に除電されたと判断されると、イオナイザ制御部１４２はオン／オフスイッチ１０６をオフの状態とする。このように、各ユニット等においては、基板Ｗに対する処理を行った後に、基板Ｗの帯電電位が所定値以下となるまで軟Ｘ線を基板Ｗに照射して基板Ｗの除電を行う。
【００４７】
ここでは、基板Ｗに必要な除電が施された後は、基板Ｗ表面のレジストが不要な感光をしないように軟Ｘ線の照射を停止している。イオナイザ制御部１４２によってこのような制御が行われることにより、軟Ｘ線イオナイザ１０１を使って精密な除電を行い、周囲に発生する誘導電荷を抑えるとともに、不要な感光が起こらないようにされている。
【００４８】
［第２実施形態］
上記第１実施形態においては、オン／オフスイッチ１０６を切り替えることによって基板Ｗに軟Ｘ線が当たっている状態と基板Ｗに軟Ｘ線が当たっていない状態とを切り替えているが、図９あるいは図１０に示すように、軟Ｘ線イオナイザ１０１のヘッド部１０２の向き、すなわちヘッド部１０２が照射する軟Ｘ線の照射の向きを変えることによって基板Ｗに軟Ｘ線が当たっている状態と基板Ｗに軟Ｘ線が当たっていない状態とを切り替えることもできる。
【００４９】
図９に示すヘッド部１０２は、図示しない駆動装置によってヘッド部１０２を１８０度近く回転させて照射の向きを下方から上方に切り替える。図１０に示すヘッド部１０２は、図示しない駆動装置によってヘッド部１０２を９０度近く回転させて照射の向きを下方から側方に切り替える。この図１０に示す場合でも、基板Ｗが収容されているチャンバーの天井部１５５の存在により、基板Ｗ付近には軟Ｘ線は到達しない。
【００５０】
ここでは、図９あるいは図１０に示すようにヘッド部１０２の向きを変えることで基板Ｗへの照射を切り替えられるので、軟Ｘ線イオナイザ１０１を常時作動させておくことができる。
【００５１】
［第３実施形態］
上記第１実施形態においては、オン／オフスイッチ１０６を切り替えることによって基板Ｗに軟Ｘ線が当たっている状態と基板Ｗに軟Ｘ線が当たっていない状態とを切り替えているが、図１１及び図１２に示すように、シャッター（遮蔽部材）１６１及びこれを移動させるシリンダー１６０によって基板Ｗに軟Ｘ線が当たっている状態と基板Ｗに軟Ｘ線が当たっていない状態とを切り替えることもできる。
【００５２】
シャッター１６１は、シリンダー１６０のロッドに固定されており、基板Ｗと軟Ｘ線イオナイザ１０１のヘッド部１０２との間に配置され、基板Ｗに対する軟Ｘ線の照射を遮蔽している（図１２参照）。そして、イオナイザ制御部１４２からの指令により、シリンダー１６０が作動して、所定時間だけ図１１に示すようにシャッター１６１をヘッド部１０２から遠ざけ、基板Ｗ付近へ軟Ｘ線を照射させる。
【００５３】
ここでは、このようにシャッター１６１を移動させることで基板Ｗへの照射を切り替えられるので、軟Ｘ線イオナイザ１０１を常時作動させておくことができる。
【００５４】
［第４実施形態］
上記第１実施形態においては、イオナイザ制御部１４２は、各ユニット等における処理が基板Ｗに施された後にメインコントローラ１４０からの指令によってオン／オフスイッチ１０６をオンの状態とし、所定時間後にオフの状態とする。このように、第１実施形態では、各ユニット等において、基板Ｗに対する処理を行った後に、所定時間だけ軟Ｘ線を基板Ｗに照射して基板Ｗの除電を行っている。
【００５５】
本実施形態では、イオナイザ制御部１４２によるこのような制御は行わず、原則として常時軟Ｘ線イオナイザ１０１による基板Ｗへの軟Ｘ線の照射を行う。そして、レジスト塗布ユニット３０のスピンコータ部３２内を洗浄するような場合、露光機５０においてマスクの交換を行う場合などのように、基板Ｗに対する連続的な処理が一時的に停止するときにだけ、オン／オフスイッチ１０６を切り替えて軟Ｘ線イオナイザ１０１の作動を止める。
【００５６】
通常、基板処理装置１においては、連続的に基板Ｗの処理が行われて各ユニット等を基板Ｗが搬送されている。このように連続的な基板Ｗの処理が滞りなく行われているときには、軟Ｘ線イオナイザ１０１から各ユニット等にある基板Ｗに軟Ｘ線が照射し続けられていても、基板Ｗの種類によっては現像ムラが出るほどの光を基板Ｗが受けないこともある。したがって、この場合には、軟Ｘ線イオナイザ１０１の作動を細かく制御しなくとも、現像後の基板Ｗに現像ムラが出ることは少ない。しかしながら、基板Ｗに対する連続的な処理が一時的に停止するときには、各ユニット等の内部に長時間基板Ｗが保持されることとなるため、この時に軟Ｘ線が基板Ｗに照射し続けられていると現像ムラが発生する程の量の光を基板Ｗが浴びてしまうことになる。
【００５７】
ここでは、基板Ｗの連続的な処理が一時的に停止するときに、その情報を各ユニットＣＰＵ１４１から得たメインコントローラからの指令によって、イオナイザ制御部１４２が軟Ｘ線イオナイザ１０１の作動を止める。これにより、レジスト塗布ユニット３０のスピンコータ部３２内を洗浄するような場合、露光機５０でマスクの交換を行う場合などに、長時間基板Ｗに軟Ｘ線が当たり続けることが回避され、現像ムラが発生するのを防ぐことができる。
【００５８】
【発明の効果】
本発明では、基板に所定時間以上軟Ｘ線を照射すると基板処理に支障がある場合でも、軟Ｘ線が基板に所定時間以上照射されないように制御しながら基板を除電しているため現像ムラのような基板処理の不具合が抑えられる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＴＦＴアレイ基板の製造工程図。
【図２】本発明の一実施形態における基板処理装置の平面概略図。
【図３】軟Ｘ線イオナイザの構成図。
【図４】軟Ｘ線イオナイザの動作図。
【図５】軟Ｘ線イオナイザの制御図。
【図６】軟Ｘ線イオナイザのヘッド部の揺動図。
【図７】軟Ｘ線イオナイザのヘッド部の支持状態図
【図８】軟Ｘ線イオナイザのヘッド部の移動図
【図９】第２実施形態の軟Ｘ線イオナイザのヘッド部の回転図。
【図１０】第２実施形態の軟Ｘ線イオナイザのヘッド部の回転図。
【図１１】第３実施形態の軟Ｘ線イオナイザのヘッド部とシャッターとの状態図。
【図１２】第３実施形態の軟Ｘ線イオナイザのヘッド部とシャッターとの状態図。
【符号の説明】
１  基板処理装置
１０１  軟Ｘ線イオナイザ（軟Ｘ線照射除電装置）
１４２  イオナイザ制御部（制御部）
１４３  静電センサー（帯電電位測定手段）
１６１  シャッター（遮蔽部材）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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