(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｂａ及び／又はＳｒを含有するペロブスカイト型又はＢｉ層状ペロブスカイト型酸化物薄膜を成膜するための原料溶液において、
該溶液中にシリコーンを含有することを特徴とするペロブスカイト型又はＢｉ層状ペロブスカイト型酸化物薄膜形成用原料溶液。
【請求項２】
請求項１において、シリコーンがジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイル及びメチル水素シリコーンオイルよりなる群から選ばれる１種又は２種以上であることを特徴とするペロブスカイト型又はＢｉ層状ペロブスカイト型酸化物薄膜形成用原料溶液。
【請求項３】
請求項２において、シリコーンがポリジメチルシロキサン及び／又はジメチルシロキサンであることを特徴とするペロブスカイト型又はＢｉ層状ペロブスカイト型酸化物薄膜形成用原料溶液。
【請求項４】
請求項１において、シリコーンがポリアルキレンオキシド変性シリコーン、極性シリコーン、ヒドロキシタイプシリコーン、カチオンタイプシリコーン及び両性タイプシリコーンよりなる群から選ばれる１種又は２種以上であることを特徴とするペロブスカイト型又はＢｉ層状ペロブスカイト型酸化物薄膜形成用原料溶液。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか１項において、シリコーンの含有量が１０００ｐｐｍ以下であることを特徴とするペロブスカイト型又はＢｉ層状ペロブスカイト型酸化物薄膜形成用原料溶液。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか１項において、Ｂａ及び／又はＳｒとＴｉを含有するペロブスカイト型酸化物薄膜を成膜するための原料溶液であることを特徴とするペロブスカイト型酸化物薄膜形成用原料溶液。
【請求項７】
請求項１ないし５のいずれか１項において、Ｂｉ，Ｓｒ及びＴａを含有するＢｉ層状ペロブスカイト型酸化物薄膜を成膜するための原料溶液であることを特徴とするＢｉ層状ペロブスカイト型酸化物薄膜形成用原料溶液。
【請求項８】
請求項１ないし５のいずれか１項において、Ｓｒ及びＲｕを含有するペロブスカイト型酸化物薄膜を成膜するための原料溶液であることを特徴とするペロブスカイト型酸化物薄膜形成用原料溶液。
【請求項９】
請求項１ないし５のいずれか１項において、Ｌａ，Ｓｒ及びＣｏを含有するペロブスカイト型酸化物薄膜を成膜するための原料溶液であることを特徴とするペロブスカイト型酸化物薄膜形成用原料溶液。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれか１項に記載される原料溶液を基板に塗布した後、焼成することを特徴とするペロブスカイト型又はＢｉ層状ペロブスカイト型酸化物薄膜の形成方法。
【請求項１１】
請求項１０の方法で形成されたペロブスカイト型又はＢｉ層状ペロブスカイト型酸化物薄膜。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気的及び／又は光学的性質により各種のデバイスへの応用が期待できる金属酸化物系のペロブスカイト型又はＢｉ層状ペロブスカイト型酸化物薄膜を、ゾルゲル法等により形成するためのＢａ及び／又はＳｒを含有するペロブスカイト型又はＢｉ層状ペロブスカイト型酸化物薄膜形成用原料溶液、このペロブスカイト型又はＢｉ層状ペロブスカイト型酸化物薄膜の形成方法及びペロブスカイト型又はＢｉ層状ペロブスカイト型酸化物薄膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】
Ｂａ及び／又はＳｒを含むペロブスカイト型又はＢｉ層状ペロブスカイト型酸化物薄膜、例えばＢＳＴ薄膜やＳＢＴ薄膜は、その高い誘電率、優れた強誘電特性から種々の誘電体デバイスへの応用が期待されている。また、Ｓｒを含むペロブスカイト型又はＢｉ層状ペロブスカイト型酸化物薄膜のうち、例えば、ＳＲＯ薄膜やＬＳＣＯ薄膜は、その優れた導電特性から電極材等として注目されており、種々のデバイスへの応用が期待されている。
【０００３】
これらの金属酸化物薄膜の成膜法としては、スパッタリング法、ＭＯＣＶＤ法などがあるが、比較的安価で簡便に薄膜を作製する手法として、有機金属溶液を基板に塗布するゾルゲル法がある。
【０００４】
ゾルゲル法は、原料となる各成分金属の加水分解性の化合物、その部分加水分解物及び／又はその部分重縮合物を含有する原料溶液を基板に塗布し、塗膜を乾燥させた後、例えば空気中で約４００℃に加熱して金属酸化物の膜を形成し、さらにその金属酸化物の結晶化温度以上（例えば、約７００℃）で焼成して膜を結晶化させることにより強誘電体薄膜を成膜する方法である。
【０００５】
このゾルゲル法に似た方法として、有機金属分解（ＭＯＤ）法がある。ＭＯＤ法では、熱分解性の有機金属化合物、例えば、金属のβ−ジケトン錯体（例えば、金属アセチルアセトネート）やカルボン酸塩（例えば、酢酸塩）を含有する原料溶液を基板に塗布し、例えば空気中又は含酸素雰囲気中等で加熱して、塗膜中の溶媒の蒸発及び金属化合物の熱分解を生じさせて金属酸化物の膜を形成し、さらに結晶化温度以上で焼成して膜を結晶化させる。従って、原料化合物の種類が異なるだけで、成膜操作はゾルゲル法とほぼ同様である。
【０００６】
このようにゾルゲル法とＭＯＤ法は成膜操作が同じであるので、両者を併用した方法も可能である。即ち、原料溶液が加水分解性の金属化合物と熱分解性の金属化合物の両方を含有していてもよく、その場合には塗膜の加熱中に原料化合物の加水分解と熱分解が起こり、金属酸化物が生成する。
【０００７】
従って、以下において、ゾルゲル法、ＭＯＤ法、及びこれらを併用した方法を包含して「ゾルゲル法等」と称す。
【０００８】
ゾルゲル法等は、安価かつ簡便で量産に適しているという利点に加えて、膜の組成制御が容易で、成膜厚みが比較的均一であるという優れた特長を有する。従って、比較的平坦な基板上に強誘電体薄膜を形成するのには最も有利な成膜法であると言える。
【０００９】
このゾルゲル法等の有機金属原料としては金属アルコキシド又は有機酸塩が一般に使用されている。また、これらの有機金属原料を溶解する溶媒としては、アルコール、カルボン酸、エステル、ケトン、エーテル、シクロアルカン、芳香族系溶媒等の有機溶媒があるが、水溶液等の無機溶媒でも良い。また、溶液中の金属原料を安定化させるために、β−ジケトン類、ケトン酸類、ケトン酸のメチル，プロピル，ブチル等の低級アルキルエステル類、オキシ酸類、オキシ酸類の低級アルキルエステル類、オキシケトン類、α−アミノ酸類、アルカノールアミン類等の安定化剤を配合する場合もある。
【００１０】
これらの溶媒及び安定化剤の重要な選択基準として、原料溶液塗布後のストリエーションの有無が挙げられる。原料溶液の経時安定性、成膜後の酸化物特性（例えばボイドが無く緻密化されていること、クラックが生じないこと、低温で結晶化すること、表面モフォロジーが良好である等）が良好な原料溶液であっても、ストリエーションが生じるために薄膜形成用原料として用い得ない場合があり、また、限定されたスピン条件で塗布する必要があるために、工業生産に不適当である場合がある。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記従来の実情に鑑みてなされたものであって、経時安定性、成膜後の酸化物特性が良好である上に、特に塗布後のストリエーションの問題のないペロブスカイト型又はＢｉ層状ペロブスカイト型酸化物薄膜形成用原料溶液と、この原料溶液を用いるペロブスカイト型又はＢｉ層状ペロブスカイト型酸化物薄膜の形成方法及びペロブスカイト型又はＢｉ層状ペロブスカイト型酸化物薄膜を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明のペロブスカイト型又はＢｉ層状ペロブスカイト型酸化物薄膜形成用原料溶液は、Ｂａ及び／又はＳｒを含有するペロブスカイト型又はＢｉ層状ペロブスカイト型酸化物薄膜を成膜するための原料溶液において、該溶液中にシリコーンを含有することを特徴とする。
【００１３】
即ち、本発明者らは、ストリエーションの問題のないペロブスカイト型又はＢｉ層状ペロブスカイト型酸化物薄膜形成用原料溶液を開発すべく鋭意研究を重ねた結果、原料溶液中にシリコーンを含有させることにより、ストリエーションが解消されることを見出し、本発明を完成させた。
【００１４】
シリコーンを用いることによりストリエーションが解消することの作用機構の詳細は明らかではないが、シリコーンは化学的安定性が非常に高く、他の有機物と反応しにくいこと、及び非常に低い表面張力を有するため、ストリエーションが消滅するものと考えられる。
【００１５】
本発明において、用いるシリコーンとしては、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイル及びメチル水素シリコーンオイルよりなる群から選ばれる１種又は２種以上、好ましくは、ポリジメチルシロキサン及び／又はジメチルシロキサン、或いは、ポリアルキレンオキシド変性シリコーン、極性シリコーン、ヒドロキシタイプシリコーン、カチオンタイプシリコーン及び両性タイプシリコーンよりなる群から選ばれる１種又は２種以上が挙げられる。
【００１６】
このようなシリコーンの含有量は１０００ｐｐｍ以下であることが好ましい。
【００１７】
本発明のペロブスカイト型又はＢｉ層状ペロブスカイト型酸化物薄膜形成用原料溶液は、特に、Ｂａ及び／又はＳｒとＴｉを含有するペロブスカイト型酸化物薄膜、Ｂｉ，Ｓｒ及びＴａを含有するＢｉ層状ペロブスカイト型酸化物薄膜、Ｓｒ及びＲｕを含有するペロブスカイト型酸化物薄膜、Ｌａ，Ｓｒ及びＣｏを含有するペロブスカイト型酸化物薄膜を成膜するための原料溶液として好適である。
【００１８】
本発明のペロブスカイト型又はＢｉ層状ペロブスカイト型酸化物薄膜の形成方法は、このような本発明の原料溶液を基板に塗布した後、焼成することを特徴とする。
【００１９】
本発明のペロブスカイト型又はＢｉ層状ペロブスカイト型酸化物薄膜は、このような本発明の酸化物薄膜の形成方法により形成されたものである。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下に本発明を詳細に説明する。
【００２１】
まず、本発明で用いるシリコーンについて説明する。
【００２２】
シリコーンとは無機質のシロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）を骨格としており、天然には存在しないポリマーで、その骨格構造、重合度、側鎖の有機基を変えることにより、無色透明なオイル状物、弾性を示すゴム状物、加熱により硬化するレジンが得られる。特に、シリコーンオイルの分子構造は次の通りであり、その反応性により非反応性シリコーンと反応性シリコーンとに大別される。
【００２３】
【化１】
0004061806.tif 000002
（Ｒはメチル基、エチル基、その他のアルキル基、フェニル基、水素、アラルキル基、プロピル基を介在したポリアルキレンオキシ基、ヒドロキシ基、第四級アンモニウム基、ビニル基などを示す。）
【００２４】
非反応性シリコーンオイルとしては、ポリジメチルシロキサンベースの一般オイル（ポリジメチルシロキサン又はジメチルシロキサン）と主な下記の特殊オイルがある。
【００２５】
▲１▼  耐熱性オイル
・ジメチルシロキサン−ジフェニルシロキサンコポリマー
・ジメチルシロキサン−フェニルメチルシロキサンコポリマー
・フェニルメチルシロキサンホモポリマー
・フェニルメチルシロキサン−ジフェニルシロキサンコポリマー
・フェニルメチルシロキサンオリゴマー（１，１，５，５−テトラフェニル−１，３，３，５−テトラメチルトリシロキサン）
・フェニルメチルシロキサンオリゴマー（１，１，３，５，５−ペンタフェニル１，３，５−トリメチルトリシロキサン）
・テトラクロロフェニルシルセスキオキサン−ジメチルシロキサンコポリマー
【００２６】
▲２▼  有機変性シリコーンオイル
・アルキルメチルシロキサンコポリマー（ポリオクチルメチルシロキサン、ポリテトラデシルメチルシロキサン、ポリオクタデシルメチルシロキサン）
・アルキルメチルシロキサン−アラルキルメチルシロキサンコポリマー（エチルメチル−２−フェニルプロピルメチル、ヘキシルメチル−２−フェニルプロピルメチル、デシルメチル−ブチル化アリロキシプロピルメチル、ドデシルメチル−２−フェニルプロピルメチル）
・アルキルメチルシロキサン−ジメチルシロキサンコポリマー（オクタデシルメチル−ジメチルシロキサン、トリアコンチルメチル−ジメチルシロキサン）
・ジアルキルシロキサンホモポリマー（ジシクロペンチルシロキサン）
【００２７】
▲３▼  フロロシリコーンオイル
・ポリ（３，３，３−トリフルオロプロピルメチルシロキサン）
・３，３，３−トリフルオロプロピルメチルシロキサン−ジメチルシロキサンコポリマー
・ビス（トリデカフロロオクチル）テトラメチルシロキサン
・フロロカーボン−フロロシリコーングリース
【００２８】
▲４▼  親水性シリコーンオイル
(1)   ポリアルキレンオキシド変性シリコーン
・ジメチルシロキサン−エチレンオキシドブロックコポリマー
・ジメチルシロキサン−（プロピレンオキサイド−エチレンオキサイド）ブロックコポリマー
(2)   極性シリコーン
・（Ｎ−ピロリドンプロピル）メチルシロキサン−ジメチルシロキサンコポリマー
・シアノプロピルメチルシロキサン−ジメチルシロキサンコポリマー
(3)   ヒドロキシ及びカチオンタイプシリコーン
・ヒドロキシシリコーン
・カチオニックシリコーン
(4)   両性タイプシリコーン
・ドデシルメチルシロキサン−ヒドロキシポリアルキレンオキシプロピルメチルシロキサンコポリマー
【００２９】
▲５▼  低温用シリコーンオイル
・ジエチルシリコーンオイル（トリエチルシロキシ末端ポリジエチルシロキサン）
・分岐シリコーンオイル（トリエチルシロキシ末端ポリジエチルシロキサン）
また、主な反応性シリコーンオイルは次の通りである。
<１>  ビニルシリコーン
・末端ビニルポリジメチルシロキサン
・ヒュームドシリカ強化ビニル末端ポリジメチルシロキサン
・ビニル末端ジフェニルシロキサン−ジメチルシロキサンコポリマー
・ビニル末端ポリフェニルメチルシロキサン
・ビニル末端トリクロロプロピルメチルシロキサン−ジメチルシロキサンコポリマー
・ビニル末端ジエチルシロキサン−ジメチルシロキサンコポリマー
・ビニルメチルシロキサン−ジメチルシロキサンコポリマー、トリメチルシロキシ基末端
・ビニルガム（ジメチルシロキサン）
・ビニルＱレジンディスパージョン
・ビニルメチルシロキサンホモポリマー
・ビニルＴ構造ポリマー
・ビニルメチルシロキサン三元ポリマー
・ビニルメトキシシロキサンホモポリマー
<２>  Ｈシリコーン
・Ｈ末端ポリジメチルシロキサン
・メチルＨシロキサン−ジメチルシロキサンコポリマー
・ポリメチルＨシロキサン
・ポリエチルＨシロキサン
・ポリフェニル（ジメチルＨシロキシ）シロキサンＨ末端
・メチルＨシロキサン−フェニルメチルシロキサンコポリマー
・メチルＨシロキサン−オクチルメチルシロキサンコポリマー
・ＨシロキサンＱレジン
<３>  シラノールシリコーン
・シラノール末端ポリジメチルシロキサン
・シラノール末端ジフェニルシロキサン−ジメチルシロキサンコポリマー
・シラノール末端ポリジフェニルシロキサン
・シラノール末端ポリトリフロロプロピルメチルシロキサン
<４>  アミノシリコーン
・アミノプロピル末端ポリジメチルシロキサン
・アミノプロピルメチルシロキサン−ジメチルシロキサンコポリマー
・アミノプロピルメチルシロキサン−ジメチルシロキサンコポリマー
・アミノエチルアミノイソブチルメチルシロキサン−ジメチルシロキサンコポリマー
・アミノエチルアミノプロピルメトキシシロキサン−ジメチルシロキサンコポリマー
・（テトラメチルピペリジニル）オキシプロピルメチルシロキサン
<５>  エポキシシリコーン
・エポキシプロポキシプロピル末端ポリジメチルシロキサン
・（エポキシシクロヘキシルエチル）メチルシロキサン−ジメチルシロキサンコポリマー
<６>  カルビノールシリコーン
・カルビノール（ヒドロキシ）末端ポリジメチルシロキサン
<７>  メタクリレート・アクリレートシリコーン
・メタクリロキシプロピル末端ポリジメチルシロキサン
・アクリロキシプロピル末端ポリジメチルシロキサン
・（メタクリロキシプロピル）メチルシロキサン−ジメチルシロキサンコポリマー
・（アクリロキシプロピル）メチルシロキサン−ジメチルシロキサンコポリマー
・メタクリロキシプロピルＴ構造シロキサン
<８>  メルカプトシリコーン
・（メルカプトプロピル）メチルシロキサン−ジメチルシロキサンコポリマー
<９>  クロロプロピルシリコーン
・（クロロプロピル）メチルシロキサン−ジメチルシロキサンコポリマー
<10>  カルボキシルシリコーン
・（カルボキシプロピル）ジメチル末端ポリジメチルシロキサン
・コハク酸無水物末端ポリジメチルシロキサン
<11>  加水分解性シリコーン
・クロル末端ポリジメチルシロキサン
・ジアセトキシメチル末端ポリジメチルシロキサン
・ジメチルアミノ末端ポリジメチルシロキサン
・メトキシ末端ポリジメチルシロキサン
・メトキシメチルシロキサン−ジメチルシロキサンコポリマー（メトキシ末端分岐ポリマー）
<12>  マクロマー：片末端反応性シリコーン
・ビニル片末端
・メタクリロキシ片末端
・カルビノール片末端
・エポキシ片末端
・アリル−トリメチルシロキサン末端ＰＥＯ
・メタクリロキシ−トリメチルシロキシ末端ＰＥＯ
・カルボキシデシル片末端
<13>  反応性シリコーンエマルジョン
・シラノールエマルジョン
・ジアミノアルコキシシロキサンエマルジョン
<14>  水系−シルセスキオキサンオリゴマー
これらのシリコーンの中でも、常温で流動性のあるシリコーンオイル、例えば、２５℃の粘度が１０〜１００００ｃＳｔ程度のシリコーンオイルが取り扱い性の面で好ましく、その中でも特に一般のシリコーンオイル（ポリジメチルシロキサン、ジメチルシロキサン）、親水性シリコーンオイルが、入手性、溶解性、純度、コストの面から適している。
【００３０】
これらのシリコーンは、予め調整されたものを用いても良く、原料溶液中でシリコーンを調製しても良い。原料溶液中でシリコーンを調製する場合には、次のようなシリコーン用触媒、修飾剤及び架橋剤を原料溶液中に配合することができる。
（１）  Ｓｉ−Ｈ付加反応用触媒
・白金カルボニルビニルメチル錯体
・白金−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体
・白金−シクロビニルメチルシロキサン錯体
・白金−オクチルアルデヒド／オクタノール錯体
（２）  ビニル付加シリコーン用修飾剤
(2-1)   ヒドロシリル化の抑制剤，調整剤
・１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサン
・１，３，５，７−テトラビニル−１，３，５，７−テトラメチル−シクロテトラシロキサン
(2-2)   接着向上剤
・アリルトリメトキシシラン
(2-3)   特殊架橋剤
・１，３−ジフェニル−１，１，３，３−テトラキス（ジメチルシロキシ）−ジシロキサン
(2-4)   ゲル硬度及び指触乾燥度調節用希釈剤
・ポリジメチルシロキサン
・ポリオクチルメチルシロキサン
（３）  縮合硬化シリコーン用架橋剤
(3-1)   アセトキシタイプ架橋剤
・ジ−ｔ−ブトキシジアセトキシシラン
・エチルトリアセトキシシラン
・メチルトリアセトキシシラン
・メチルトリアセトキシシラン−エチルトリアセトキシシラン混合物
・ビニルトリアセトキシシラン
(3-2)   アルコキシタイプ架橋剤
・ビス（トリエトキシシリル）エタン
・メチルトリエトキシシラン
・メチルトリメトキシシラン
・テラトエトキシシラン
・テトラ−ｎ−プロポキシシラン
・ビニルトリメトキシシラン
(3-3)   オキシムタイプ架橋剤
・メチルトリス（メチルエチルケトキシム）シラン
・ビニルトリス（メチルエチルケトキシイミノ）シラン
(3-4)   フェノキシ（アセトン）タイプ架橋剤
・ビニルトリイソプロペノキシシラン
(3-5)   アミノ及びベンゾアミドタイプ架橋剤
・ビス（Ｎ−メチルベンゾアミド）エトキシメチルシラン
・トリス（シクロヘキシルアミノ）メチルシラン
このようなシリコーンの原料溶液中の含有量は１０００ｐｐｍ以下とするのが好ましい。シリコーンの含有量が１０００ｐｐｍを超えるとＳｉを意図的に含有させない場合では、ペロブスカイト酸化物薄膜にＳｉのドーピング効果が認められる可能性があるため好ましくない。シリコーンの含有量が少な過ぎると十分なストリエーション防止効果が得られないため、シリコーンは特に、原料溶液に対して１〜１００ｐｐｍ添加するのが好ましい。
【００３１】
本発明で成膜するペロブスカイト型又はＢｉ層状ペロブスカイト型酸化物薄膜は、Ｂａ及び／又はＳｒを含有する酸化物材料である。かかるペロブスカイト型又はＢｉ層状ペロブスカイト型酸化物薄膜の例としては、Ｂａ及び／又はＳｒとＴｉとからなるペロブスカイト型酸化物薄膜、例えばＢＳＴ薄膜、Ｂｉ，Ｓｒ及びＴａを含有するＳＢＴ薄膜、Ｓｒ及びＲｕを含有するＳＲＯ薄膜、Ｌａ，Ｓｒ及びＣｏを含有するＬＳＣＯ薄膜が挙げられる。
【００３２】
この酸化物材料には、主構成元素以外に微量のドープ元素を含有させることができる。ドープ元素の例としては、Ｃａ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｈｆ、Ｓｎ、Ｔｈ、Ｙ、Ｓｍ、Ｄｙ、Ｃｅ、Ｂｉ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｕ、Ｓｃ、Ｖ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｌａなどが挙げられ、その含有量は薄膜中の金属原子の原子分率で０．１以下とするのが好ましい。
【００３３】
本発明で用いる有機溶媒としては、アルコール、カルボン酸、エステル、ケトン、エーテル、シクロアルカン、芳香族系溶媒などが挙げられ、このうち、アルコールとしては、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、２−メチル−１−プロパノール、２−メチル−２−プロパノール、１−ペンタノール、２−ペンタノール、２−メチル−２−ペンタノールなどのアルカノール類、シクロヘキサノールといったシクロアルカノール類、ならびに２−メトキシエタノール、１−エトキシ−２−プロパノールといったアルコキシアルコール類が使用できる。
【００３４】
また、カルボン酸溶媒の例としては、ｎ−酪酸、α−メチル酪酸、ｉ−吉草酸、２−エチル酪酸、２，２−ジメチル酪酸、３，３−ジメチル酪酸、２，３−ジメチル酪酸、３−メチルペンタン酸、４−メチルペンタン酸、２−エチルペンタン酸、３−エチルペンタン酸、２，２−ジメチルペンタン酸、３，３−ジメチルペンタン酸、２，３−ジメチルペンタン酸、２−エチルヘキサン酸、３−エチルヘキサン酸などが挙げられる。
【００３５】
エステル系溶媒としては、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｓｅｃ−ブチル、酢酸ｔｅｒｔ−ブチル、酢酸イソブチル、酢酸ｎ−アミル、酢酸ｓｅｃ−アミル、酢酸ｔｅｒｔ−アミル、酢酸イソアミルなどが挙げられる。
【００３６】
ケトン系溶媒としては、アセトン、メチルエチルエトン、メチルイソブチルケトンが挙げられ、エーテル系溶媒としては、ジメチルエーテル、ジエチルエーテルといった鎖式エーテル、並びにテトラヒドロフラン、ジオキサンといった環式エーテルが挙げられる。また、シクロアルカン系溶媒としては、シクロヘプタン、シクロヘキサンなどが挙げられ、芳香族系溶媒としては、トルエン、キシレンなどが挙げられる。
【００３７】
なお、本発明において、溶媒は上記有機溶媒に限らず、水、酢酸、硝酸、塩酸、アンモニアの水溶液等の無機溶媒であっても良い。
【００３８】
また、本発明においては、原料溶液中に安定化剤としてβ−ジケトン類を配合するのが好ましく、安定化剤の配合により、原料溶液の加速分解速度、重縮合速度が抑えられ、その保存安定性が改善される。この場合、安定化剤としてのβ−ジケトン類の添加量は、原料溶液中に存在する金属元素の合計原子数に対するβ−ジケトン類の分子数で０．１〜５倍の量が好ましく、より好ましくは０．２〜３倍である。β−ジケトン類は添加量が多すぎると安定性の低下が危惧され、少なすぎるとβ−ジケトン類の効果が十分に得られない。使用するβ−ジケトン類としては、アセチルアセトン、ベンゾイルアセトン、ジベンゾイルアセトン、ジイソブチルメタン、ジピバロイルメタン、３−メチルペンタン−２，４−ジオン、２，２−ジメチルペンタン−３，５−ジオン、ヘプタフルオロブタノイルピバロイルメタン、トリフルオロアセチルアセトン等が挙げられるが、これらの中でも特に経済性、膜の緻密性、ハロゲン化物を含まない等の観点からアセチルアセトンが望ましい。
【００３９】
安定化剤としてのβ−ジケトン類は、原料溶液の製造工程のどの段階で添加しても良いが、後述する共沸蒸留を行う場合には、この蒸留後に添加することが好ましい。また、金属アルコキシドの部分加水分解を行う場合には、その前にβ−ジケトン類を添加しておく方が、加水分解速度の制御が容易となることから好ましい。なお、β−ジケトン類を添加した場合には、塗布後の加水分解を促進させるために、原料溶液に少量の水を添加しても良い。
【００４０】
本発明のペロブスカイト型又はＢｉ層状ペロブスカイト型酸化物薄膜形成用原料溶液は、シリコーンを配合すること以外は常法に従って調製することができる。
【００４１】
原料金属化合物としては、各成分金属又は２以上の成分金属を含む金属化合物、その部分加水分解物並びにその部分重縮合物を用いることができるが、特に好ましい金属化合物は、加水分解性又は熱分解性の有機金属化合物である。例えば、アルコキシド、有機酸塩、β−ジケトン錯体などが代表例であるが、金属錯体については、アミン錯体をはじめとして、各種の他の錯体も利用できる。ここでβ−ジケトンとしては、アセチルアセトン（＝２，４−ペンタンジオン）、ヘプタフルオロブタノイルピバロイルメタン、ジピバロイルメタン、トリフルオロアセチルアセトン、ベンゾイルアセトンなどが挙げられる。
【００４２】
原料として好適な有機金属化合物の具体例を示すと、バリウム化合物、ストロンチウム化合物、チタン化合物は、金属アルコキシド、その部分加水分解物や有機酸が挙げられ、このうち、ストロンチウム化合物としては、例えば２−エチルヘキサン酸ストロンチウムなどの有機酸塩、ストロンチウムジイソプロポキシドなどのアルコキシドが挙げられる。バリウム化合物、チタン化合物、ビスマス化合物としても、このようなストロンチウム化合物と同様の有機酸塩やアルコキシドなどを用いることができる。タンタル化合物としては、タンタルペンタエトキシド等のアルコキシドが挙げられる。ルテニウム化合物としては、オクチル酸ルテニウム等の有機酸塩が挙げられる。ランタン化合物としてはランタン−２−メトキシエトキシド等のアルコキシドが挙げられ、コバルト化合物としては、オクチル酸コバルト等の有機酸塩が挙げられる。
【００４３】
なお、原料の金属化合物は、上述したような１種類の金属を含有する化合物の他に、２種以上の成分金属を含有する複合化した金属化合物であってもよい。
【００４４】
本発明では、これらの各成分金属の原料として使用する金属化合物を、有機溶媒又は無機溶媒に溶解し、好ましくは、安定化剤としてβ−ジケトン類を添加して、更にシリコーンを添加して、形成するペロブスカイト型又はＢｉ層状ペロブスカイト型酸化物薄膜の複合金属酸化物（２以上の金属を含有する酸化物）の前駆体を含有する原料溶液を調製する。
【００４５】
原料溶液中に含有させる各金属化合物の割合は、成膜しようとするペロブスカイト型又はＢｉ層状ペロブスカイト型酸化物薄膜の金属原子比とほぼ同じでよい。但し、一般に鉛化合物は揮発性が高く、金属酸化物に変化させるための加熱中又は結晶化のための焼成中に蒸発による鉛の欠損が起こることがある。そのため、この欠損を見越して、鉛をやや過剰（例えば、２〜２０％過剰）に存在させても良い。この鉛の欠損の程度は、鉛化合物の種類や成膜条件によって異なり、予め実験により求めることができる。
【００４６】
なお、原料溶液の金属化合物濃度は特に制限されず、利用する塗布法や部分加水分解の有無によっても異なるが、一般に金属酸化物換算の合計金属含有量として０．１〜２０重量％の範囲が好ましい。
【００４７】
金属化合物をシリコーンと共に有機溶媒又は無機溶媒中に溶解させた溶液は、そのまま原料溶液としてゾルゲル法等による成膜に使用することができる。或いは、造膜を促進させるため、この溶液を加熱して、加水分解性の金属化合物（例えば、アルコキシド）を部分加水分解ないし部分重縮合させて成膜に使用してもよい。即ち、この場合には、原料溶液は、少なくとも一部の金属化合物については、その部分加水分解物及び／又は部分重縮合物を含有することになる。
【００４８】
部分加水分解のための加熱は、温度や時間を制御して、完全に加水分解が進行しないようにする。完全に加水分解すると、原料溶液の安定性が著しく低下し、ゲル化し易くなる上、均一な成膜も困難となる。加熱条件としては、温度８０〜２００℃で、０．５〜５０時間程度が適当である。加水分解中に、加水分解物が−Ｍ−Ｏ−結合（Ｍ＝金属）により部分的に重縮合することがあるが、このような重縮合は部分的であれば許容される。
【００４９】
原料溶液が、金属アルコキシドと金属カルボン酸塩の両者を含有する場合には、金属アルコキシドと混合する前に、金属カルボン酸塩に付随する結晶水を除去しておくことが好ましい。この結晶水の除去は、金属カルボン酸だけをまず溶媒に溶解させ、この溶液を蒸留して溶媒との共沸蒸留により脱水することにより実施できる。従って、この場合の溶媒は水と共沸蒸留可能なものを使用する。金属カルボン酸塩の結晶水を除去せずに金属アルコキシドと混合すると、金属アルコキシドの加水分解が進行しすぎたり、その制御が困難となることがあり、部分加水分解後に沈殿を生ずることがある。
【００５０】
このような本発明のペロブスカイト型又はＢｉ層状ペロブスカイト型酸化物薄膜形成用原料溶液によれば、従来のゾルゲル法等と同様にして、本発明の方法に従って、次のような手順に従ってペロブスカイト型又はＢｉ層状ペロブスカイト型酸化物薄膜を成膜することができる。
【００５１】
まず、本発明のペロブスカイト型又はＢｉ層状ペロブスカイト型酸化物薄膜形成用原料溶液を基板上に塗布する。塗布は、スピンコーティングにより行うのが一般的であるが、ロール塗布、噴霧、浸漬、カーテンフローコート、ドクターブレードなど他の塗布法も適用可能である。塗布後、塗膜を乾燥させ、溶媒を除去する。この乾燥温度は溶媒の種類によっても異なるが、通常は８０〜２００℃程度であり、好ましくは１００〜１８０℃の範囲でよい。但し、原料溶液中の金属化合物を金属酸化物に転化させるための次工程の加熱の際の昇温中に、溶媒は除去されるので、塗膜の乾燥工程は必ずしも必要とされない。
【００５２】
その後、仮焼工程として、塗布した基板を加熱し、有機金属化合物を完全に加水分解又は熱分解させて金属酸化物に転化させ、金属酸化物からなる膜を形成する。この加熱は、一般に加水分解の必要なゾルゲル法では水蒸気を含んでいる雰囲気、例えば、空気又は含水蒸気雰囲気（例えば、水蒸気を含有する窒素雰囲気）中で行われ、熱分解させるＭＯＤ法では含酸素雰囲気中で行われる。加熱温度は、金属酸化物の種類によっても異なるが、通常は１５０〜５５０℃の範囲であり、好ましくは、３００〜４５０℃である。加熱時間は、加水分解及び熱分解が完全に進行するように選択するが、通常は１分ないし２時間程度である。
【００５３】
ゾルゲル法等の場合は、１回の塗布で、ペロブスカイト型又はＢｉ層状ペロブスカイト型酸化物薄膜に必要な膜厚とすることは難しい場合が多いので、必要に応じて、上記の塗布と（乾燥と）仮焼を繰返して、所望の膜厚の金属酸化物の膜を得る。こうして得られた膜は、非晶質であるか、結晶質であっても結晶性が不十分であるので、分極性が低く、強誘電体薄膜として利用できない。そのため、最後に結晶化アニール工程として、その金属酸化物の結晶化温度以上の温度で焼成して、ペロブスカイト型の結晶構造を持つ結晶質の金属酸化物薄膜とする。なお、結晶化のための焼成は、最後に一度で行うのではなく、各塗布した塗膜ごとに、上記の仮焼に続けて行ってもよいが、高温での焼成を何回も繰返す必要があるので、最後にまとめて行う方が経済的には有利である。
【００５４】
この結晶化のための焼成温度は通常は５００〜８００℃の範囲であり、例えば５００〜７５０℃である。従って、基板としては、この焼成温度に耐える程度の耐熱性を有するものを使用する。結晶化のための焼成（アニール）時間は、通常は１分から２時間程度であり、焼成雰囲気は特に制限されないが、通常は空気又は酸素である。
【００５５】
このようなペロブスカイト型又はＢｉ層状ペロブスカイト型酸化物薄膜の形成に用いられる耐熱性の基板材料としては、シリコン（単結晶又は多結晶）、白金、ニッケルなどの金属類、酸化ルテニウム、酸化イリジウム、ルテニウム酸ストロンチウム（ＳｒＲｕＯ３）又はコバルト酸ランタンストロンチウム（（ＬａＸＳｒ１−Ｘ）ＣｏＯ３）などのぺロブスカイト型導電性酸化物など、石英、窒化アルミニウム、酸化チタンなどの無機化合物が挙げられる。キャパシター膜の場合には、基板は下部電極であり、下部電極としては、例えば、Ｐｔ、Ｐｔ／Ｔｉ、Ｐｔ／Ｔａ、Ｒｕ、ＲｕＯ２、Ｒｕ／ＲｕＯ２、ＲｕＯ２／Ｒｕ、Ｉｒ、ＩｒＯ２、Ｉｒ／ＩｒＯ２、Ｐｔ／Ｉｒ、Ｐｔ／ＩｒＯ２、ＳｒＲｕＯ３又は（ＬａＸＳｒ１−Ｘ）ＣｏＯ３などのぺロブスカイト型導電性酸化物などとすることができる（なお、「／」を用いた２層構造のものは「上層／下層」として示してある。）。
【００５６】
このようにして成膜される本発明のペロブスカイト型又はＢｉ層状ペロブスカイト型酸化物薄膜の膜厚は、誘導体デバイスの用途によっても異なるが、通常は５０〜４００ｎｍ程度が好ましく、得られた強誘電体薄膜は、各種の誘導体デバイスに有用である。
【００５７】
【実施例】
以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をより具体的に説明する。
【００５８】
なお実施例及び比較例で用いた原料金属化合物は次の通りである。
【００５９】
0004061806.tif 000003
実施例１〜８、比較例１〜４（ＢＳＴ薄膜）
有機溶媒として、表１に示す溶媒を使用し、これにＢａ原料化合物、Ｓｒ原料化合物及びＴｉ原料化合物を溶解させ、溶媒の沸点下で２４時間還流して複合化を行い、更に、表１に示すシリコーンを表１に示す量添加して（ただし、比較例１〜４ではシリコーン添加せず）酸化物換算で５重量％濃度の金属化合物を含有するゾルゲル液を得た。このゾルゲル液の金属原子比はＢａ／Ｓｒ／Ｔｉ＝５０／５０／１００であった。
【００６０】
このゾルゲル液をＰｔ（２０００Å）／ＳｉＯ２（５０００Å）／Ｓｉ（１００）ウェーハの基板上にスピンコート法により塗布し（２０００ｒｐｍ、１５秒）、４００℃で５分間空気中で仮焼した。この塗布、仮焼を５回繰返して行った後、７００℃で１分間酸素雰囲気中で焼成して結晶化アニール処理して強誘電体薄膜を形成した。
【００６１】
この強誘電体薄膜のＸ線回折像により、薄膜のペロブスカイト相への結晶化の有無を調べ、結果を表１に示した。
【００６２】
また、膜のストリエーションについては、各ゾルゲル液をＰｔ（２０００Å）／ＳｉＯ２（５０００Å）／Ｓｉ（１００）ウェーハの基板上にスビンコート法により塗布し（２０００ｒｐｍ，３０００ｒｐｍ，４０００ｒｐｍ、１５秒）、４００℃で５分間空気中で仮焼したもの（１回塗り）について光学顕微鏡で観察することにより調べた。
【００６３】
【表１】
0004061806.tif 000004
【００６４】
実施例９〜１６、比較例５〜８（ＳＢＴ薄膜）
有機溶媒として、表２に示す溶媒を使用し、これにＳｒ原料化合物、Ｂｉ原料化合物及びＴａ原料化合物を溶解させ、溶媒の沸点下で２４時間還流して複合化を行い、更に、表２に示すシリコーンを表２に示す量添加して（ただし、比較例５〜８ではシリコーン添加せず）酸化物換算で約１２重量％濃度の金属化合物を含有するゾルゲル液を得た。このゾルゲル液の金属原子比はＳｒ／Ｂｉ／Ｔａ＝５０／５０／１００であった。
【００６５】
このゾルゲル液を用いて、実施例１と同様にして強誘電体薄膜を形成し、同様に薄膜のペロブスカイト相への結晶化の有無及び膜のストリエーションを調べ、結果を表２に示した。
【００６６】
【表２】
0004061806.tif 000005
【００６７】
実施例１７〜２４、比較例９〜１２（ＬＳＣＯ薄膜）
有機溶媒として、表３に示す溶媒を使用し、これにＬａ原料化合物、Ｓｒ原料化合物及びＣｏ原料化合物を溶解させ、溶媒の沸点下で２４時間還流して複合化を行い、更に、表３に示すシリコーンを表３に示す量添加して（ただし、比較例９〜１２ではシリコーン添加せず）酸化物換算で約８重量％濃度の金属化合物を含有するゾルゲル液を得た。このゾルゲル液の金属原子比はＬａ／Ｓｒ／Ｃｏ＝５０／５０／１００であった。
【００６８】
このゾルゲル液を用いて、実施例１と同様にして強誘電体薄膜を形成し、同様に薄膜のペロブスカイト相への結晶化の有無及び膜のストリエーションを調べ、結果を表３に示した。
【００６９】
【表３】
0004061806.tif 000006
【００７０】
実施例２５〜３２、比較例１３〜１６（ＳＲＯ薄膜）
有機溶媒として、表４に示す溶媒を使用し、これにＳｒ原料化合物及びＲｕ原料化合物を溶解させ、溶媒の沸点下で２４時間還流して複合化を行い、更に、表４に示すシリコーンを表４に示す量添加して（ただし、比較例１３〜１６ではシリコーン添加せず）酸化物換算で約７重量％濃度の金属化合物を含有するゾルゲル液を得た。このゾルゲル液の金属原子比はＳｒ／Ｒｕ＝１００／１００であった。
【００７１】
このゾルゲル液を用いて、実施例１と同様にして強誘電体薄膜を形成し、同様に薄膜のペロブスカイト相への結晶化の有無及び膜のストリエーションを調べ、結果を表４に示した。
【００７２】
【表４】
0004061806.tif 000007
【００７３】
表１〜４より、シリコーンを配合することにより、成膜性や結晶化等に悪影響を及ぼすことなく、ストリエーションを解消することができることがわかる。
【００７４】
【発明の効果】
以上詳述した通り、本発明によれば、経時安定性、成膜後の酸化物特性が良好である上に、特に塗布後のストリエーションの問題のないペロブスカイト型又はＢｉ層状ペロブスカイト型酸化物薄膜形成用原料溶液により、高特性ペロブスカイト型又はＢｉ層状ペロブスカイト型酸化物薄膜が提供される。