(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベアチップＩＣと回路基板とを異方性導電接着剤を用いて導通接続するためのＩＣチップ搭載基板であって、
上記回路基板が可撓性を有し、該回路基板の上記ベアチップＩＣの各電極部と接続する部分の裏側で、かつ、該ベアチップＩＣのスクライブラインと重ならない位置に、平坦な頂面を有し、その高さが５００μｍ以下であって、銅又はポリイミドからなる凸部を設けたことを特徴とするＩＣチップ搭載基板。
【請求項２】
ベアチップＩＣと回路基板とが異方性導電接着剤を用いて導通接続されたＩＣチップ搭載基板であって、
上記回路基板が可撓性を有し、該回路基板の上記ベアチップＩＣの各電極部と接続する部分の裏側で、かつ、該ベアチップＩＣのスクライブラインと重ならない位置に、平坦な頂面を有し、その高さが上記異方性導電接着剤中に含まれる導電粒子の粒径より大きく、銅又はポリイミドからなる凸部を設けたことを特徴とするＩＣチップ搭載基板。
【請求項３】
凸部の高さの精度が、±５μｍ以内であることを特徴とする請求項１又は２のいずれか１項記載のＩＣチップ搭載基板。
【請求項４】
凸部の材質が、軟化点が２００℃以上のポリイミドであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載のＩＣチップ搭載基板。
【請求項５】
凸部の基部の面積が、ベアチップＩＣの電極部の面積の８０％以上であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載のＩＣチップ搭載基板。
【請求項６】
ベアチップＩＣと回路基板とを異方性導電接着剤を用いて導通接着して製造するＩＣチップ搭載基板の製造方法であって、
ポリイミド層と銅箔とが接しているフレキシブル基板、又はポリイミド層の両面に銅箔が接しているフレキシブル基板を用意する工程と、
上記フレキシブル基板のポリイミド層又は銅箔に対し、上記ベアチップの各電極部と接続する部分の裏側で、かつ、該ベアチップＩＣのスクライブラインと重ならない位置に、平坦な頂面を有し、その高さが該異方性導電接着剤中に含まれる導電粒子より大きい凸部を形成する工程と、
上記ベアチップを上記回路基板上に搭載して熱圧着する工程とを有することを特徴とするＩＣチップ搭載基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばＬＳＩチップ等のＩＣチップを基板上に直接実装するためのＩＣチップ搭載基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯機器等においては、軽量薄型化や狭額縁化が進展しており、これに適用する実装方式として、ＩＣチップを基板上に直接実装（ベアチップ実装）する方式が注目を集めている。
【０００３】
従来、基板上にＩＣチップを直接実装する方法としては、次のようなものが知られている。
【０００４】
(1)  基板上にＩＣチップをダイボンディングし、その後、このＩＣチップに対して直接ワイヤーボンディングを行い、さらに樹脂封止する方法。
(2)  ＩＣチップの電極部にはんだバンプを形成し、リフロー又は熱圧着を行いフェースダウンによって基板上に実装する方法。
(3)  ＩＣチップの電極部にスタッドバンプを形成し、その先端部に導電性接着剤を付けて基板に実装し、ＩＣチップと基板との間に液状の封止樹脂を流し込む方法。
(4)  ＩＣチップの電極部にバンプを形成し、紫外線硬化型接着剤を塗布した基板上にフェースダウンで圧着し、紫外線硬化型接着剤を硬化させて実装する方法。
(5)  ＩＣチップの電極部にバンプを形成し、基板とＩＣチップとの間に異方性導電膜（ＡＣＦ）を介在させて熱圧着により実装する方法。
【０００５】
これらの方法のうち、(5)の異方性導電膜を用いてＩＣチップを実装する方法は、手軽で導通信頼性が高く、しかも封止の必要がないことから、最小コストで高密度実装が可能になる等のメリットがあり、ＣＯＧ（Chip On Glass）、ＣＯＢ（Chip On Board）、ＣＯＦ（Chip On Film）等の方式において使用されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような異方性導電膜を用いて接続を行う際には、通常の場合、ＩＣチップの電極部に接続用のバンプを設ける必要があるため、ＩＣチップのコストアップの原因となっている。
【０００７】
一方、図６に示すように、バンプを形成しないＩＣチップ１０１を用い、その電極部１０２と回路基板１０３のベースフィルム１０４上に形成されたリードパターン１０５とを接続しようとすると、異方性導電膜１０６のバインダー１０７中の導電粒子１０８がＩＣチップ１０１のスクライブライン１０１ａと回路基板１０３のリードパターン１０５とに接触し、これらの間にショートが発生するという問題があった。
【０００８】
この場合、回路基板１０３のリードパターン１０５上に絶縁膜を形成することも考えられるが、ＩＣチップ１０１と回路基板１０３のリードパターン１０５との間のスペースはきわめて小さい（数μｍ程度）ため、リードパターン１０５上に絶縁膜を形成すると、圧着の際に異方性導電膜１０６の導電粒子１０８が円滑に流れず、ＩＣチップ１０１と回路基板１０３との接続が困難になる等の問題が発生する。
【０００９】
さらに、ＩＣチップ１０１の電極部１０２にバンプを形成しないで回路基板１０３との接続を行おうとすると、異方性導電膜１０６の導電粒子１０８によってＩＣチップ１０１の回路領域（図中、パッシベーション膜１０９で覆われた回路パターン領域（図示せず））へダメージを与えるおそれもあるという問題があった。
【００１０】
本発明は、このような従来の技術の課題を解決するためになされたもので、電極部にバンプを形成しないＩＣチップを異方性導電接着剤を用いて回路基板に直接実装する場合に、ショートや回路パターンへのダメージを与えることなく確実な接続を行いうるＩＣチップ搭載基板を提供することを目的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は、ベアチップＩＣと回路基板とを異方性導電接着剤を用いて導通接続するためのＩＣチップ搭載基板であって、上記回路基板が可撓性を有し、該回路基板の上記ベアチップＩＣの各電極部と接続する部分の裏側で、かつ、該ベアチップＩＣのスクライブラインと重ならない位置に、平坦な頂面を有し、その高さが５００μｍ以下であって、銅又はポリイミドからなる凸部を設けたことを特徴とする。
また、本発明は、ベアチップＩＣと回路基板とが異方性導電接着剤を用いて導通接続されたＩＣチップ搭載基板であって、上記回路基板が可撓性を有し、該回路基板の上記ベアチップＩＣの各電極部と接続する部分の裏側で、かつ、該ベアチップＩＣのスクライブラインと重ならない位置に、平坦な頂面を有し、その高さが上記異方性導電接着剤中に含まれる導電粒子の粒径より大きく、銅又はポリイミドからなる凸部を設けたことを特徴とする。
また、本発明は、ベアチップＩＣと回路基板とを異方性導電接着剤を用いて導通接着して製造するＩＣチップ搭載基板の製造方法であって、ポリイミド層と銅箔とが接しているフレキシブル基板、又はポリイミド層の両面に銅箔が接しているフレキシブル基板を用意する工程と、上記フレキシブル基板のポリイミド層又は銅箔に対し、上記ベアチップの各電極部と接続する部分の裏側で、かつ、該ベアチップＩＣのスクライブラインと重ならない位置に、平坦な頂面を有し、その高さが該異方性導電接着剤中に含まれる導電粒子より大きい凸部を形成する工程と、上記ベアチップを上記回路基板上に搭載して熱圧着する工程とを有することを特徴とする。
【００１２】
本発明の場合、異方性導電接着剤としては、ペースト状及びフィルム状のいずれのものを用いることができる。
【００１３】
ベアチップＩＣと回路基板とを異方性導電接着剤を用いて導通接続するには、通常の場合、平坦な受け台上に載置した回路基板に対し、異方性導電接着剤を挟んでベアチップＩＣを加圧し、異方性導電接着剤に含まれる導電粒子を介して双方の接続電極を電気的に接続させる。その際には、異方性導電接着剤が当該接続部分の周囲に押し流されるが、本発明の場合、回路基板のベアチップＩＣと接続する部分の裏側に平坦な頂面を有する凸部が設られ、これによって受け台との間に間隙が形成されていることから、可撓性を有する回路基板は異方性導電接着剤に押されて加圧部材の側に撓み、回路基板がベアチップＩＣに対して離れるようになる。
【００１４】
その結果、本発明によれば、導電粒子がベアチップＩＣのスクライブラインと回路基板の接続パターンの双方に接触することはないため、この部分においてショートが発生することはない。
【００１５】
また、回路基板によって導電粒子がベアチップＩＣの回路パターン領域に対して押圧されることがないため、回路パターンにダメージが与えられることもない。
【００１６】
このように、本発明によれば、ベアチップＩＣにバンプを形成することなく、回路基板に対して良好な接続を行うことができる。
【００１７】
本発明の場合、凸部の高さを、異方性導電接着剤中に含まれる導電粒子の粒径より大きくすることもできる。
【００１８】
このような本発明によれば、導通接続の際に回路基板が十分に撓むため、より確実にベアチップＩＣのスクライブラインにおけるショート及び回路パターンへのダメージを防止することができる。
【００１９】
ただし、凸部の高さは、５００μｍ以下とすることが好ましい。凸部の高さを５００μｍより高くすると、物理的に不安定となり、圧着時に圧力が不均一になるという不都合がある。
【００２０】
また、本発明の場合、凸部の高さの精度が、±５μｍ以内であることも効果的である。
【００２１】
このような本発明によれば、ベアチップＩＣと回路基板との導通接続の際に、各電極部同士を均一な状態で接続することができる。
【００２２】
一方、凸部の高さの精度が±５μｍより大きい場合には、一部の接続部分において導通不良が発生するおそれがある。
なお、凸部の高さの精度は、より好ましくは±２μｍ以下とするとよい。
【００２３】
さらに、凸部の材質としては種々のものを用いることができるが、凸部の材質として、軟化点が２００℃以上の樹脂材料を用いると効果的である。
【００２４】
このような本発明によれば、ベアチップＩＣと回路基板とを熱圧着する際に、異方性導電接着剤のバインダーのみを軟化させることができ、安定した導通接続を行うことができる。
【００２５】
これに対し、凸部の材質として軟化点が２００℃より低い樹脂材料を用いた場合には、ベアチップＩＣと回路基板とを熱圧着する際に凸部が軟化してその高さや形状が変化するおそれがある。
【００２６】
なお、軟化点が２００℃以上の樹脂材料としては、ポリイミド等の樹脂があげられる。また、凸部の材料としては、銅等の金属材料を用いることもできる。
【００２７】
さらにまた、凸部の頂部の形状は、四角形状、円形形状など種々の形状とすることができるが、本発明では、凸部の基部の面積が、ベアチップＩＣの電極部の面積の８０％以上とすることもできる。
【００２８】
このような本発明によれば、ベアチップＩＣと回路基板とを加圧する際、回路基板の接続部に、ベアチップＩＣの電極部に対して導電粒子を押圧するための支持部を十分に確保することができ、これによりベアチップＩＣと回路基板との確実な導通接続を行うことが可能になる。
【００２９】
一方、凸部の基部の面積が、ベアチップＩＣの電極部の面積の８０％より小さいと、回路基板の接続部に、ベアチップＩＣの電極部に対して導電粒子を押圧するための支持部を十分に確保することができず、導通不良が生ずるおそれがある。
【００３０】
ただし、回路基板の凸部は、ベアチップＩＣのスクライブラインと重ならない大きさとする必要がある。回路基板の凸部が、ベアチップＩＣのスクライブラインと重なる場合には、回路基板の撓みが不十分となるため、ベアチップＩＣのスクライブラインの部分においてショートが発生するおそれがある。
【００３１】
他方、本発明に係る凸部は、銅等の金属箔をエッチングすることにより形成することができ、また、例えばポリイミド等の樹脂の前駆体を用い、フォトリソグラフィ技術を施すことによって形成することもできる。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係るＩＣチップ搭載基板の好ましい実施の形態を図１〜図５を参照して詳細に説明する。
【００３３】
図１（ａ）（ｂ）は、本実施の形態に係るフレキシブル基板（ＩＣチップ搭載基板）１と、ＩＣチップ（ベアチップＩＣ）２の要部の断面を示すもので、図１（ａ）は、異方性導電接着剤３によって接続する前の状態を示すもの、図１（ｂ）は、接続後の状態を示すものである。
【００３４】
また、図２は、同実施の形態のフレキシブル基板１を裏面側から見た平面図、図３は、同実施の形態におけるＩＣチップ２の電極部８、フレキシブル基板１のリードパターン５及びフレキシブル基板１の凸部１１の位置と大きさの関係を示す説明図である。
【００３５】
本実施の形態のフレキシブル基板１は、厚み２５μｍ程度のポリイミド等の可撓性の樹脂からなるベースフィルム３の一方の面（表面）に、銅等の金属からなる多数のリードパターン５が形成されているものである。
【００３６】
図２に示すように、リードパターン５は、ベースフィルム４の中央部から例えばベースフィルム４の一対の長縁部に向って延びるように形成され、各リードパターン５の内側の接続部分が、搭載すべきＩＣチップ２の各電極部８の位置と対応するように配列されている。
【００３７】
ＩＣチップ２は、回路パターン（図示せず）が形成されその上にパッシベーション膜６が形成された半導体基板７をチップ状にダイシングしたもので、その周縁部にスクライブライン７ａが形成されている。また、電極部８にはバンプが形成されていないものである。
【００３８】
そして、このＩＣチップ２は、後述するように、バインダー９中に導電粒子１０を含有する例えばフィルム状の異方性導電接着剤３を用いてフレキシブル基板１のリードパターン５の接続部５ａと接続されるものである。
【００３９】
図１及び図２に示すように、本実施の形態においては、ベースフィルム４の裏面側、すなわち、リードパターン５が形成されていない側の面に、ＩＣチップ２の各電極部８に対応する凸部１１が設けられている。
【００４０】
図３に示すように、これらの凸部１１は、各リードパターン５の接続部５ａの裏側に設けられている。また、凸部１１は、後述するように、例えば銅等の金属又はポリイミド等の樹脂を用いて形成される。
【００４１】
図１（ａ）に示すように、この凸部１１は、その頂部１１ａが平坦な四角形状に形成されている。この場合、ベースフィルム４の裏面から各凸部１１の頂部１１ａまでの高さＨは、接続に用いられる異方性導電接着剤３の導電粒子１０の直径Ｄより大きくなるように構成されている。
【００４２】
ただし、各凸部１１の高さＨは５００μｍを超えないようになされ、また、各凸部１１の高さ精度は±５μｍ以内となるように調整されている。
【００４３】
また、凸部１１の基部１１ｂの面積、すなわち、ベースフィルム４と隣接する部分の面積は、ＩＣチップ２の電極部８の面積の８０％以上となるように構成されている。
【００４４】
例えば、本実施の形態の場合は、図３に示すように、ＩＣチップ２の電極部８の幅Ｗと凸部１１の幅ｗとを等しくする一方、ＩＣチップ２の電極部８の長さＬ1に対する凸部１１の長さＬ2の比が、Ｌ2/Ｌ1≧０．８となるように設定することによって、凸部１１の基部１１ｂの面積をＩＣチップ２の電極部８の面積の８０％以上となるようにしている。
【００４５】
その一方、本実施の形態においては、ＩＣチップ２のスクライブライン７ａにおいてショートが発生しないように、フレキシブル基板１の凸部１１がＩＣチップ２のスクライブライン７ａの内側に位置するように構成されている。
【００４６】
図４は、フレキシブル基板１の凸部１１の形成方法の一例を工程順に示すものである。
【００４７】
まず、図４（ａ）に示すように、例えば銅箔をエッチングすることによりベースフィルム４の一方の面にリードパターン５が形成されたフレキシブル基板２０を用意する。
【００４８】
そして、図４（ｂ）に示すように、このベースフィルム４のリードパターン５が形成されていない面に、ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸のワニスを塗布してポリアミド酸の膜２１を形成する。
【００４９】
次いで、図４（ｃ）に示すように、ポリアミド酸の膜２１上に例えば酸性のフォトレジスト２２を塗布し、公知のフォトリソグラフィ技術によって露光、現像を行い、図４（ｄ）に示すように、形成すべき凸部１１に対応したレジストパターン２３を形成する。
【００５０】
そして、図４（ｅ）に示すように、例えばアルカリ溶液を用いて凸部１１を形成しない部分をエッチングし、さらに、レジストパターン２３を除去することにより、図４（ｆ）に示すように、ＩＣチップ２の各電極部８に対応するポリアミド酸の膜２１ａを形成する。
【００５１】
このフレキシブル基板２０Ａに対し、４００℃程度の温度で加熱することによりポリアミド酸を硬化（イミド化）させ、目的とする凸部１１を有するフレキシブル基板１を得る。
【００５２】
図５は、フレキシブル基板１の凸部１１の形成方法の他の例を工程順に示すものである。
【００５３】
この例においては、まず、図５（ａ）に示すように、銅箔３０の表面に、上記ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸のワニスを厚めに塗布してポリアミド酸の膜３１を形成し、乾燥後、図５（ｂ）に示すように、ポリアミド酸の膜３１の上に例えば酸性のフォトレジストを塗布してフォトレジスト膜３２を形成する。
【００５４】
その後、上記フォトリソグラフィ技術によって露光、現像を行い、図５（ｃ）に示すように、形成すべき凸部１１に対応したレジストパターン３３を形成する。
【００５５】
そして、例えばアルカリ溶液を用い、図５（ｄ）に示すように、凸部１１を形成しない部分についてハーフエッチングを行い、さらに、図５（ｅ）に示すように、レジストパターン３２を除去してＩＣチップ２の各電極部８に対応する凸部３１ａを形成し、基板３４を得る。
【００５６】
さらに、この基板３４に対し、４００℃程度の温度で加熱することにより凸部１１ａ及びベースフィルム部３１ａのポリアミド酸を硬化（イミド化）させ、図５（ｆ）に示すように、ベースフィルム部４Ａ及び凸部１１Ａを形成する。
【００５７】
その後、図５（ｇ）に示すように、銅箔３０に対してエッチングを行うことにより、リードパターン５を形成する。
【００５８】
一方、本実施の形態のフレキシブル基板１とＩＣチップ２との接続を行う場合には、図１（ａ）（ｂ）に示すように、平坦な受け台１２上でフレキシブル基板１のリードパターン５の接続部５ａに異方性導電接着剤３を仮圧着し、ＩＣチップ２の電極部８とフレキシブル基板１のリードパターン５の接続部５ａとのアライメントをした後に、所定の温度及び圧力でＩＣチップ２の上から押圧することにより本圧着を行う。
【００５９】
これにより、図１（ｂ）に示すように、ＩＣチップ２の電極部８とフレキシブル基板１のリードパターン５の接続部５ａとが、異方性導電接着剤３の導電粒子１０によって電気的に接続される。
【００６０】
この場合、異方性導電接着剤３のバインダー９と導電粒子１０はＩＣチップ２の電極部８の周囲に押し流されるが、本実施の形態においては、ベースフィルム４のリードパターン５の接続部５ａの裏面に凸部１１が設けられていることから、図１（ｂ）に示すように、ベースフィルム４が受け台１２側に撓み、フレキシブル基板１がＩＣチップ２に対して離れるようになる。
【００６１】
その結果、導電粒子１０がＩＣチップ２のスクライブライン７ａとフレキシブル基板１のリードパターン５の双方に接触することはないため、この部分においてショートが発生することはない。
【００６２】
また、ベースフィルム４によって導電粒子１０がＩＣチップ２のパッシベーション膜６に押圧されることがないため、回路パターンにダメージが与えられることはない。
【００６３】
このように、本実施の形態によれば、ＩＣチップ２とフレキシブル基板１との良好な接続を行うことができ、しかも、ＩＣチップ２にバンプを形成する必要がないことから、ＩＣチップ２のコストダウンを図ることができる。
【００６４】
【実施例】
以下、本発明に係るＩＣチップ搭載基板の実施例を比較例とともに詳細に説明する。
【００６５】
〔実施例１〕
両面に厚み１８μｍの銅箔が設けられた厚み２５μｍのポリイミドからなるベースフィルム４に対し、エッチングによって一方の面にＩＣチップ２の電極部８に対応したリードパターン５を形成し、さらに、ベースフィルム４の裏面側でリードパターン５の接続部５ａに対応する位置に、エッチングによって高さ１８μｍの凸部１１を１６０個形成した。
【００６６】
この場合、ＩＣチップ２の電極部８は、正方形状（Ｗ＝Ｌ1＝１００μｍ）とし、凸部１１は、電極部８の８０％の大きさの長方形状（ｗ＝１００μｍ、Ｌ2＝８０μｍ）とした。
【００６７】
このようなフレキシブル基板１に対し、厚み３０μｍの異方性導電接着剤３（ソニーケミカル社製  ＣＰ８４３０ＩＱ  粒子径５μｍ）を、温度１００℃、圧力５Ｋｇ/ｃｍ2、時間３秒の条件で仮圧着し、このフレキシブル基板１とＩＣチップ２とを、温度１８０℃、圧力電極１つ当たり４０ｇ、時間１０秒の条件で本圧着を行った。
【００６８】
このようにして接続された部分の断面を観察したところ、圧着時の異方性導電接着剤３の流れによりフレキシブル基板１が撓み、フレキシブル基板１のリードパターン５とＩＣチップ２のスクライブライン７ａとのスペースが押し拡げられたため、ＩＣチップ２のスクライブライン７ａにおいてはショートは発生しなかった。
【００６９】
また、ＩＣチップ２の回路パターンにおいても、導電粒子１０による強い圧力が加わらないため、ダメージは発生しなかった。
【００７０】
〔比較例１〕
実施例１と同様のベースフィルム４に対し、ＩＣチップ２の電極部８に対応したリードパターン５を形成する一方、裏面側に凸部を形成しないフレキシブル基板を用い、実施例１と同様の条件でＩＣチップ２との接続を行ったところ、ＩＣチップ２のスクライブライン７ａ上においてショートが発生した。
【００７１】
〔比較例２〕
フレキシブル基板１の凸部１１の長さＬ2を１８０μｍとし、ＩＣチップ２のスクライブライン７ａに重なるようにしたところ、ＩＣチップ２のスクライブライン７ａ上においてショートが発生した。
【００７２】
〔実施例２〕
厚み２５μｍのポリイミドからなるベースフィルム４の一方の面にスパッタリングによって厚み８μｍの銅箔を形成し、この銅箔に対してエッチングによりＩＣチップ２の電極部８に対応したリードパターン５を形成した。
【００７３】
そして、このベースフィルム４の裏面側にポリアミド酸のワニスを塗布し、乾燥後、酸性のフォトレジストを塗布し、所定の領域を露光、現像した後、アルカリ溶液（ＫＯＨ、５％）によってエッチングを行い、ＩＣチップ２の電極部８と同じ大きさ（１００μｍ×１００μｍ）で高さ１０μｍの凸部１１を１６０個形成した。この基板を硬化炉に入れて４００℃の温度で加熱し、ポリアミド酸をイミド化することによりポリイミドの凸部１１を形成した。なお、このポリイミドのガラス転移温度は３００℃以上であった。
【００７４】
このフレキシブル基板１を用い、実施例１の場合と同一の条件で熱圧着を行ったところ、ＩＣチップ２のスクライブライン７ａにおけるショートは発生せず、また、回路パターンにおいてもダメージは発生しなかった。
【００７５】
〔比較例３〕
実施例２のフレキシブル基板１に対し、導電粒子１０の直径と同一の厚みの異方性導電接着剤３（ソニーケミカル社製  ＣＰ８４３０ＩＱ  粒子径５μｍ）を用い、実施例１の場合と同一の条件で熱圧着を行ったところ、凸部１１が設けられていない領域において一部接続不良が生じた。また、ＩＣチップ２のスクライブライン７ａにおいて一部ショートが発生した。
【００７６】
〔比較例４〕
アクリル系の感光材料（ソニーケミカル社製  ＵＶ−１１００）を用い、実施例２と同様の方法によってベースフィルム４の裏面に軟化点が１１０℃の凸部１１を形成した。
【００７７】
このフレキシブル基板１を用い、実施例２の場合と同一の条件で熱圧着を行ったところ、圧着時の熱と圧力により凸部が大きく変形してしまい、ＩＣチップ２のスクライブライン７ａにおいてショートが発生した。
【００７８】
〔比較例５〕
厚み２５μｍのポリイミドフィルム上に、厚み約２０μｍのアクリルゴム／エポキシ系の接着剤によって厚み１８μｍの銅のリードパターンが貼付された３層のフレキシブル基板（ソニーケミカル社製  ＣＫ−０１０２）を用い、実施例２と同様の方法によってベースフィルムの裏面にポリイミドによる凸部１１を形成した。
【００７９】
このフレキシブル基板１を用い、実施例２の場合と同一の条件で熱圧着を行ったところ、接着剤が軟化して凸部１１の周辺に流動してしまい、ＩＣチップ２のスクライブライン７ａにおいてショートが発生した。
【００８０】
【発明の効果】
以上述べたように本発明によれば、電極部にバンプを形成しないＩＣチップを異方性導電接着剤を用いて回路基板に直接実装する場合に、ＩＣチップのスクライブライン上においてショートを発生させることなく確実な導通接続を行うことができる。
また、異方性導電接着剤の導電粒子によって回路パターンへダメージが与えられることがないことから、信頼性の高い接続を行うことができる。
このように、本発明によれば、ＩＣチップにバンプを形成する必要がなくなるため、ＩＣチップのコストダウンを図ることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施の形態に係るフレキシブル基板とＩＣチップの要部を示すもので、図１（ａ）は、異方性導電接着剤によって接続する前の状態を示す断面図、図１（ｂ）は、接続後の状態を示す断面図である。
【図２】  同実施の形態のフレキシブル基板を裏面側から見た平面図である。
【図３】  同実施の形態におけるＩＣチップの電極部、フレキシブル基板のリードパターン及びフレキシブル基板の凸部の位置と大きさの関係を示す説明図である。
【図４】（ａ）〜（ｇ）：同実施の形態のフレキシブル基板の凸部の形成方法の一例を示す工程図である。
【図５】（ａ）〜（ｇ）：同実施の形態のフレキシブル基板の凸部の形成方法の他の例を示す工程図である。
【図６】  従来技術に係るフレキシブル基板にＩＣチップを接続した状態を示す断面図である。
【符号の説明】
１    フレキシブル基板（回路基板）
２    ＩＣチップ（ベアチップＩＣ）
３    異方性導電接着剤
４    ベースフィルム
５    リードパターン
５ａ  接続部
６    パッシベーション膜
７    半導体基板
７ａ  スクライブライン
８    電極部
９    バインダー
１０    導電粒子
１１    凸部
１１ａ  頂面
１１ｂ  基部
【図１】
0004118974.tif 000002
【図２】
0004118974.tif 000003
【図３】
0004118974.tif 000004
【図４】
0004118974.tif 000005
【図５】
0004118974.tif 000006
【図６】
0004118974.tif 000007