(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンタクトボードにおけるコンタクト部分を受け持つバンプ付きメンブレンリングの製造方法であって、
所定の温度で熱硬化性接着剤によってリング上に貼り付けた絶縁性フィルムの表面に導電性金属膜を形成する工程と、
前記絶縁性フィルムの所定の位置にバンプホールを形成し、前記導電性金属膜表面を保護し、該導電性金属膜にメッキ用電極の一方を接続して電気メッキを行い、バンプを形成する工程と、
前記導電性金属膜上にレジスト膜を形成したのち、露光、現像することによりレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクにして前記導電性金属膜を選択的にエッチングして、前記絶縁性フィルム上の前記バンプに対応する位置に導電性金属膜材料からなる孤立したパッドを形成する工程と、
前記レジスト膜を除去する工程とを有することを特徴とするバンプ付きメンブレンリングの製造方法。
【請求項２】
前記絶縁性フィルムは、前記所定の温度で熱膨張した状態よりも膨張させた状態で、前記リング上に貼り付けることを特徴とする請求項に１記載のバンプ付きメンブレンリングの製造方法。
【請求項３】
前記導電性金属膜は、前記所定の温度以下で成膜することを特徴とする請求項１又は２に記載のバンプ付きメンブレンリングの製造方法。
【請求項４】
前記導電性金属膜は、前記バンプ付きメンブレンリングを使用する環境における雰囲気の温度で成膜することを特徴とする請求項３に記載のバンプ付きメンブレンリングの製造方法。
【請求項５】
前記絶縁性フィルムの表面の付着性を向上させる処理を行った後、この絶縁性フィルムの表面に導電性金属膜を形成することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のバンプ付きメンブレンリングの製造方法。
【請求項６】
前記バンプホールは、前記絶縁性フィルムにレーザー光を照射し除去することによって形成することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のバンプ付きメンブレンリングの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、コンタクトボード等におけるコンタクト部分を受け持つバンプ付きメンブレンリングの製造方法等に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイス等の素子の検査に使用されるコンタクトボード等においては、被検査素子と直接接触する部分としてコンタクト部分を受け持つバンプ付きメンブレンリングが使用される。
例えば、半導体チップの電気的特性試験に用いられるプローブカードにおいては、半導体チップの周縁又はセンターライン上に形成されたパッドに対応して約６００〜１０００ピン程度のバンプがメンブレン上に形成されている。
また、ウェハー上に多数形成された半導体デバイスを一括して検査するために用いられるバーンインボード（コンタクトボード）（特開平７−２３１０１９号公報）においては、プローブカードのピン数にチップ数を乗じた数のバンプがメンブレン上に形成されている。メンブレンは、通常、ポリイミド等のフィルムをリングに展開した状態で接着したもので、フィルムの一方の面にはバンプが、他方の面にはパッドが形成されている。メンブレン上のパッドは、異方性導電ゴムシートを介して多層配線基盤のパッドと接続される。
【０００３】
バンプ付きメンブレンリングの製造方法を以下に示す。
図４は、バンプ付きメンブレンリングの製造工程を示す断面図である。
まず、厚さ約１８μｍの銅箔２にポリイミド前駆体を約２５μｍの厚みにキャスティングした後、ポリイミド前駆体を加熱して乾燥及び硬化させて、銅箔２とポリイミドフィルム１を貼りあわせた構造のフィルム８を形成する（図４（ａ））。  次いで、シリコンゴムシート１４（図示せず）上に、銅箔とポリイミドフィルムを貼りあわせた構造のフィルム８を銅箔２側を下にして均一に展開した状態で吸着させる。
次に、直径約８インチ、厚さ約２ｍｍの円形のＳｉＣリング１１の接着面に熱硬化性接着剤（図示せず）を薄く均一に（５０〜１００μｍ）塗布し、フィルム８上に置く。ここで、熱硬化性接着剤としては、バーンイン試験の設定温度（８０〜１５０℃）よりも０〜５０℃高い温度で硬化するものを使用する。
さらに、平坦度の高いアルミニウム板（重さ約２．５ｋｇ）（図示せず）を重石としてリング上に載せる。
上記準備工程を終えたものをバーンイン試験の設定温度（８０〜１５０℃）以上の温度（２００℃、２．５時間）で加熱して前記フィルム８と前記リング１１を接着する。
上記加熱接着工程を終えたものを常温まで冷却し、加熱前の状態まで収縮させる。カッターでリング１１の外周に沿ってリング１１の外側のフィルム８を切断除去する（図４（ｂ））。
【０００４】
ポリイミドフィルム１の所定の位置に、エキシマレーザーを用いて、直径約３０μｍφのバンプホール１ａを形成する（図４（ｃ））。
次いで、銅箔２の表面がメッキされないように保護した後、銅箔２にメッキ用電極の一方を接続してＮｉの電気メッキを行う。メッキはバンプホール１ａを埋めるようにして成長した後、ポリイミドフィルム１の表面に達すると、等方的に広がってほぼ半球状に成長し、硬質Ｎｉ合金からなるバンプ３が形成される（図４（ｄ））。
銅箔２上にレジストを塗布し、露光、現像によりレジストパターン４を形成する（図４（ｅ））。
レジストパターン４をマスクにして、銅箔２をエッチングして直径約１５０μｍφのパッド５を形成する（図４（ｆ））。
レジスト剥離後、接触抵抗を安定させるため、パッド５の表面に無電解メッキにより厚さ約５００Åの金メッキ６を行う（図４（ｇ））。
以上の工程を経てバンプ付きメンブレンリングが製造される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記方法では、銅箔（導電性金属膜）とポリイミド（絶縁膜）を貼りあわせた構造のフィルム８をセラミックリング１１に熱硬化性接着剤にて加熱接着しているので、接着後、常温に戻した際に、銅箔の収縮張力がリングの中心方向にかかる状態になる。その際セラミックリングについても、銅箔の張力により収縮が起こっていると考えられる。
その後、パッドを形成するため、銅箔をエッチングすることで、銅箔によって中心方向にかかっていた張力が開放され、セラミックリングは元の形状に戻ろうとするので、柔軟なポリイミドフィルムは、リングが元に戻る動きに追従するため、孤立パターンとなったポリイミドフィルム上のパッドは外周部に向って引張られる現象が起こり、バンプ及びパッド位置精度が悪化するという問題があった。特に、近年においては半導体ウエハの狭ピッチ化（１６０μｍ以下）が進んでおり、パッドの位置精度の要求が厳しくなってきており（±１０μｍ以内）、その近年の要求に応えることができなかった。
また、パッドの位置ずれにより、多層配線基盤と接続するための異方性導電ゴムとの位置ずれが起こり、ショートが発生してバーンイン試験で検査不良が発生した。
【０００６】
本発明は上述した背景の下になされたものであり、上述した問題を解消できるバンプ付きメンブレンリングの製造方法等の提供を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明は、以下に示す構成としてある。
【０００８】
（構成１）コンタクトボードにおけるコンタクト部分を受け持つバンプ付きメンプレンリングの製造方法であって、所定の温度で熱硬化性接着剤によってリング上に貼り付けた絶縁性フィルムの表面に導電性金属膜を形成する工程と、
前記絶縁性フィルムの所定の位置にバンプホールを形成し、前記導電性金属膜表面を保護し、該導電性金属膜にメッキ用電極の一方を接続して電気メッキを行い、バンプを形成する工程と、前記導電性金属膜上にレジスト膜を形成したのち、露光、現像することによりレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクにして前記導電性金属膜を選択的にエッチングして、前記絶縁性フィルム上の前記バンプに対応する位置に導電性金属膜材料からなる孤立したパッドを形成する工程と、前記レジスト膜を除去する工程とを有することを特徴とするバンプ付きメンブレンリングの製造方法。
【０００９】
（構成２）前記絶縁性フィルムは、前記所定の温度で熱膨張した状態よりも膨張させた状態で、前記リング上に貼り付けることを特徴とする構成１に記載のバンプ付きメンブレンリングの製造方法。
【００１０】
（構成３）前記導電性金属膜は、前記所定の温度以下で成膜することを特徴とする構成１又は２に記載のバンプ付きメンブレンリングの製造方法。
【００１１】
（構成４）前記導電性金属膜は、前記バンプ付きメンブレンリングを使用する環境における雰囲気温度で成膜することを特徴とする構成３に記載のバンプ付きメンブレンリングの製造方法。
【００１２】
（構成５）  前記絶縁性フィルムの表面の付着性を向上させる処理を行った後、この絶縁性フィルムの表面に導電性金属膜を形成することを特徴とする構成１乃至４のいずれかに記載のバンプ付きメンブレンリングの製造方法。
【００１３】
（構成６）前記バンプホールは、前記絶縁性フィルムにレーザー光を照射し除去することによって形成することを特徴とする構成１乃至５のいずれかに記載のバンプ付きメンブレンリングの製造方法。
【００１４】
【作用】
本発明のバンプ付きメンブレンリングの製遠方法においては、導電性薄膜を、リングに絶縁性フィルムを貼りあわせた後に成膜しているので、導電性薄膜をエッチングしてパッド（孤立パターン）を形成する際に、導電性薄膜の張力解除が起こらないため、メンブレンフィルムが外周部方向に伸びることは発生せず、導電性薄膜の張力解除によって発生するパッド及びバンプの位置精度の悪化は起こらず、したがって、パッド及びバンプの位置精度か高く（設計値と一致）、高精度のバンプ付きメンブレンリングが得られる。このため、例えば、バーンイン試験において、検査不良が発生しない。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明のバンプ付きメンブレンリングの製造方法においては、導電性金属膜は、ポリイミドフィルムにレーザー光を照射することによって形成したバンプホールに対し、電気メッキによってバンプを形成する際の電極と、多層配線基盤に接続するためのパッドの材料となるものである。なお、バンプを形成する際の電極や、パッド材料は同種の材料でもよく、または異種の材料としてもよい。
【００１６】
導電性金属膜の材料、形成方法、厚さ等は適宜選択できる。
バンプを形成する際の電極となる導電性金属膜の材料としては、例えば、Ｎｉ／Ｃｕ、Ｃｕ、Ｃｒ／Ｃｕなどが挙げられる。パッドのエッチングという観点からＮｉ／Ｃｕが好ましい。また、ポリイミドフィルムとの付着性においては、Ｃｒ／Ｃｕが好ましい。
また、パッドの材料となる導電性金属膜としては、例えば、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌなどか挙げられる。なお、導電性がよく安価で形成が容易であるという観点からＣｕが好ましい。
【００１７】
これらの導電性金属膜の形成方法としては、スパッタ法や蒸着法などの成膜方法や、無電解メッキ、電気メッキなどのメッキ法などを利用することができる。なお、パッドの材料となる導電性金属膜は、機械的強度が要求されているので、比較的厚膜である必要性から、メッキ法（無電解メッキ、電気メッキ）で形成することが望ましい。
【００１８】
電極用の導電性金属膜の厚さは、レーザー光によって穴の空かない程度の厚さ（１００Å〜５μｍ程度）であればよい。また、パッド用の導電性金属膜の厚さは、強度及びコンタクト性の観点から、１０μｍ程度以上が好ましい。
【００１９】
パッドの表面には、パッドの機械的強度をさらに向上する目的で、通常、保護膜が形成される。保護膜の材料としては、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｕ−Ｃｏ、Ｒｈ、Ｐｄなど抵抗値を下げる目的で貴金属が使用される。保護膜はこれらの材料の単層でもよく、また、複数層の構造としてもよい。
【００２０】
なお、好ましくは、製造容易の観点から、Ｎｉ／Ａｕの複数層の構造とするとよい。この場合、Ｎｉはパッド表面にＡｕ層を形成するための中間層としての役割があり、又、パッド強度を向上させる目的で形成され、膜厚は０．５〜２μｍ程度がよい。また、Ａｕは、パッド表面の酸化防止及び、異方性導電ゴム（ＰＣＲ）との接触抵抗を下げる目的で形成され、膜厚は０.１〜０.５μｍ程度がよい。保護膜の形成法は特に制限されない。例えば、Ｃｕパッド表面にＰｄの触媒をつけて無電解メッキによりＮｉメッキを形成する。その後、Ｎｉの一部をＡｕに置換させる（Ｎｉ置換型Ａｕメッキ）か、または、Ｎｉ上にＡｕを成長させる（自己触媒型Ａｕメッキ）によって、Ａｕ膜を形成する。
【００２１】
リング状に熱硬化性接着剤によって絶縁性フィルムを貼りつける方法は、特に制限されない。但し、リングに絶縁性フィルムを接着した際に、皺や撓み、弛みか生じないように行う。
例えば、絶縁性フィルムを、所定の温度（バーンイン試験に使用するバンプ付きメンブレンリングの場合は、５０〜１８０℃よりも０〜５０℃高い温度）で、熱膨張した状態（割合）よりも膨張させた状態で、リング上に貼り付け接着することが好ましい。より具体的な方法としては、本願出願人による先願（特願平９−２２７２９３号公報）に記載の方法、すなわち、絶縁性フィルムを、この絶縁性フィルムをよりも熱膨張率の大きいシートに吸着させた後、所定の温度に加熱することで、絶縁性フィルムをシートと同じだけ熱膨張させる。これによって、絶縁性フィルムを単に所定温度で加熱した場合に比べ、より熱膨張した状態でリングに貼り付けることが可能となる。なお、この方法以外に、上記所定の温度で熱膨張した状態よりも膨張させた状態で、リング上に貼り付けられる方法であれば、機械的な方法で絶縁性フィルムを伸ばして貼り付けても構わない。
【００２２】
絶縁性フィルム（シート）の材料、形成方法、厚さ等は適宜選択できる。例えば、絶縁性フィルムの場合は、厚さ２５μｍ（１２〜５０μｍ）程度のポリイミドフィルムを使用することができる。絶縁性フィルムの形成方法は、コーティング法で形成したり、市販のフィルム又はシート（例えば厚さ０．１〜０．５ｍｍ）を利用したりできる。
【００２３】
バンプは、電気メッキ法で形成する。バンプの形成材料は特に制限されず、Ｎｉ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｐｄなどが挙げられる。なお、導電性がよく安価で形成が容易であるという観点からはＮｉが好ましい。また、バンプ表面に、接触抵抗を安定させるためにＡｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、をメッキ法等によって形成することもできる。
【００２４】
また、本発明においては、前記導電性金属膜は、前記絶縁性フィルムとリングを接着する際に加熱する温度以下で成膜することが好ましい。これは、絶縁性フィルムを貼り付けたときの温度に近づけると絶縁性フィルムが弛み、この状態で導電性金属膜を成膜すると、導電性金属膜が弛んでしまうからである。
より好ましくは、前記導電性金属膜は、バンプ付きメンブレンリングを使用する環境における雰囲気温度で成膜することが好ましい。これにより、使用する際のバンプの位置精度を高精度にし、フィルムの伸びによるパッドの伸び（フィルム面内での）を最小限に抑えることができる。バンプ付きメンブレンリングをバーンインボードとして使用する場合は、バーンイン試験の設定温度（８０〜１５０℃）の範囲内で成膜するとよい。
【００２５】
本発明においては、前記絶縁性フィルムの表面の付着性を向上させる処理を行った後、この絶縁性フィルムの表面に導電性金属膜を形成することが好ましい。例えば、絶縁性フィルムの表面をプラズマアッシングすることにより、表面を荒らして、導電性金属膜の付着性を向上させることができる。
【００２６】
本発明においては、バンプホールをレーザー加工によって形成することにより、他の形成方法（例えば、エッチング（ドライ、ウエット）法に比べ、加工が容易であるので好ましい。使用するレーザーは特に限定されない。ＣＯ2レーザー、ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー等が挙げられる。微細な孔の加工が可能であり、しかも孔の断面が滑らかである点でエキシマレーザーを使用することが好ましい。ＣＯ2レーザーやＹＡＧレーザーは熱（機械的）加工により孔を形成するのに対し、エキシマレーザーは、光化学反応での分子の分解によって加工（孔を形成）するからである。
【００２７】
なお、本発明のバンプ付きメンブレンリングの用途は特に制限されないが、バーンインボード以外に、例えば、プローブカードや、その他の配線基盤におけるコンタクト部分として使用することができる。
【００２８】
【実施例】
以下、本発明の実施例について説明する。
（実施例１）
（メンブレンリングの作製）
まず、図１（ａ）に示すように、平坦度の高いアルミニウム板１３上に平均厚さ５ｍｍのシリコンゴムシート１４を置く。
次いで、上記シリコンゴムシート１４上に、厚さ約２５μｍのポリイミドフィルム７を均一に展開した状態で吸着させる。この際、シリコンゴムシート１４にポリイミドフィルム７が吸着する性質を利用し、皺や撓みが生じないように、空気層を追い出しつつ吸着させることで、均一に展開した状態で吸着させる。
次に、直径約８インチ、厚さ約２ｍｍの円形のＳｉＣリング１１の接着面に熱硬化性接着剤１２を薄く均一に（５０〜１００μｍ）塗布し、ポリイミドフィルム７上に置く。ここで、熱硬化性接着剤１２としては、バーンイン試験の設定温度（８０〜１５０℃）よりも０〜５０℃高い温度で硬化するものを使用する。本実施例では、ボンドハイチップＨＴ−１００Ｌ（主剤：硬化剤＝４：１）（コニシ（株）社製）を使用した。
さらに、平坦度の高いアルミニウム板（重さ約２．５ｋｇ）（図示せず）を重石としてリング１１上に載せる。                                            上記準備工程を終えたものをバーンイン試験の設定温度（８０〜１５０℃）以上の温度（２００℃、２．５時間）で加熱して前記ポリイミドフィルム７と前記リング１１を接着する（図１（ｂ））。
【００２９】
この際、シリコンゴムシート１４の熱膨張率は、ポリイミドフィルム７の熱膨張率よりも大きいので、シリコンゴムシート１４に吸着したポリイミドフィルム７はシリコンゴムシート１４と同じだけ熱膨張する。即ち、ポリイミドフィルム７を単にバーンイン試験の設定温度（８０〜１５０℃）以上の温度で加熱した場合に比べ、より熱膨張する。このテンションの大きい状態で、熱硬化性接着剤１２が硬化し、ポリイミドフィルム７とリング１１が接着される。また、シリコンゴムシート１４上のポリイミドフィルム７は、皺や撓み、弛みなく均一に展開した状態で吸着されているので、ポリイミドフィルム７に皺や撓み、弛みなく、リング１１にポリイミドフィルム７を接着することができる。さらに、シリコンゴムシート１４は平坦性が高く、弾力性を有するので、リング１１の接着面に、均一にむらなくポリイミドフィルム７を接着できる。
なお、熱硬化性接着剤を使用しない場合、フィルムが収縮し、張力が弱まるほかに、接着剤の硬化時期が場所によってばらつくため、リングの接着面に均一にむらなく接着ができない。
【００３０】
上記加熱接着工程を終えたものを常温まで冷却し、加熱前の状態まで収縮させる。カッターでリング１１の外周に沿ってリング１１の外側のポリイミドフィルム７を切断除去する（図１（ｃ））。
次に、リング１１上に貼ったポリイミドフィルム７上に、Ｎｉスパッタターゲットを用いてアルゴンガス雰囲気中でスパッタし、導電性金属であるＮｉ膜１５を厚さ約５００Åで形成した（図１（ｄ））。このＮｉ膜は、次に形成するＣｕメッキ層を成長させるための電極用の膜や、バンプホールに電気メッキによってバンプを形成するための電極用の膜である。次に、Ｎｉ膜１５にメッキ用電極の一方を接続して、Ｎｉ膜１５上に、導電性金属である厚さ約１８μｍのＣｕメッキ層１６を電気メッキにより形成した（図１（ｅ））。なお、これらＮｉ膜１５及びＣｕメッキ層１６の形成時の温度は７０〜８０℃程度とした。
【００３１】
（バンプ形成工程）
図２に示すように、ポリイミドフィルム７の所定位置に、エキシマレーザーを用いて、直径約３０μｍφのバンプホール１ａを形成する（図２（ａ）、（ｂ））。
次いで、Ｃｕメッキ層１６の表面がメッキされないようにメッキ冶具によって保護した後、Ｎｉ膜１５にメッキ用電極の一方を接続してバンプホール１ａにＮｉ電気メッキを行う。メッキはバンプホール１ａを埋めるようにして成長した後、ポリイミドフィルムの表面に達すると、等方的に広がってほぼ半球状に成長し、硬質Ｎｉ合金からなるバンプ３が形成される（図２（ｃ））。この場合、バンプの高さが約２０〜３０μｍになるまでメッキを行う。コンタクト抵抗（接触抵抗）を安定させるため、バンプの表面に貴金属、例えばＡｕ、Ｒｈ、Ｐｄからなる電気メッキ層（厚さ１〜２μｍ）（図示せず）を形成する場合がある。
【００３２】
Ｃｕメッキ層１６及び、上記工程で形成したバンプを覆うようにレジスト膜４を塗布し、パッドを形成する部分（Ｃｕメッキ層１６側）のレジストを露光、現像によって除去し、レジストパターン４１を形成する（図２（ｄ））。
次いで、レジストパターン４１をマスクにして、塩化第二鉄水溶液（濃度４０ボーメイ）によって、Ｃｕメッキ層１６、Ｎｉ膜１５の露出部分をエッチングして除去した後、レジストパターン４１及びレジスト膜４を剥離して、Ｃｕパッドを形成する（図２（ｅ））。
次いで、バンプ面をレジストなどで保護し（図示せず）、孤立パターンとなったＣｕパッド表面に無電解メッキにてＮｉメッキ（厚さ１μｍ）、Ａｕメッキ（厚さ０．３μｍ）を順次行い、Ａｕメッキされたパッドを形成する（図２（ｆ））。
以上の工程を経て、バンプ付きメンブレンリングが製造される。
【００３３】
（比較例１）
上述の実施例１のバンプ付きメンブレンリングの製造工程において、導電性金属膜を、ポリイミドシートとシリコンゴムシートを接着する前に、ポリイミドシート上に形成したこと以外は、実施例１と同様にバンプ付きメンブレンリングを作製した。
なお、シリコンゴムシートに接着する銅箔付きポリイミドシートは、従来技術で説明した方法で作成した、すなわち、厚さ約１８μｍの銅箔にポリイミド前駆体を約２５μｍの厚みにキャスティングした後、ポリイミド前駆体を加熱して乾燥及び硬化させて、銅箔とポリイミドフィルムを貼りあわせた構造のフィルムを形成した。そして、銅箔とポリイミドフィルムを貼りあわせた構造のフィルムを銅箔側を上にしてシリコンゴムシートに実施例１と同様に接着し、実施例１に記載のバンプ形成工程と同様の方法でバンプ付きメンブレンリングを作製した。
【００３４】
（実施例２〜３、参考例１）
導電性金属膜を成膜する際の温度を、５０℃（実施例２）、１６０℃（実施例３）、２００℃（参考例１）にしたこと例外は、実施例１と同様にして、バンプ付きメンブレンリングを作製した。
【００３５】
（評価）
以下、実施例１〜３、比較例１、及び参考例１で作製したバンプ付きメンブレンリングの評価結果を示す。
（パッド（バンプ）の位置精度評価）
（位置精度評価方法）
ここで、孤立パターンとバンプとの位置関係はエッチング前に決まっているので、伸び量を測定するにはバンプの位置を測定すればよいことになるので、以下、バンプ位置精度の評価方法について説明する。
まず、測定原点とするバンプを画像処理用カメラの中心にて認識させる。
次に、その位置を仮想原点としたバンプ位置座標データによって、個々のバンプが画像処理用カメラの視野内に入る位置にワークを移動し、視野内に入ったバンプを画像処理にて認識することによって、全てのバンプ位置データを取得する。
測定はバンプ位置測定用仮想原点から行われるため、データ取得後、原点を（０，０）とする位置データへの変換を行い設計値との誤差を求める。仮想原点としたバンプ位置の絶対座標値を測定値から引く処理を行うことによって、仮想原点のパンプ位置と原点（０，０）との位置座標変換を行う。なお、この位置座標変換は、全体の誤差をできるだけ小さくするために、測定したバンプについて外周部の８点をモニターし、測定データと設計値との誤差が最小になるように原点（０，０）の位置を設定する処理を行う。
【００３６】
（評価結果）
実施例１〜３の場合、孤立パターン形成のＣｕエッチングにおけるＣｕの張力解除が起こらないため、メンブレンフィルムが外周部方向に伸びることは発生せず、Ｃｕの張力解除によって発生する孤立パターン及びバンプは設計値と一致しており、パッド及びバンプの位置精度は良好であった。
一方、比較例１では、孤立パターン形成のＣｕエッチングによってＣｕの張力が解除され、メンブレンフィルムが外周部方向に伸び、メンブレンフィルムの中心と、最外周部のバンプ（パッド）との距離において、設計値と比較し最大１７５ｐｐｍの伸び量（±１７．５μｍ）が発生した。
また、参考例１では、熱硬化性接着剤の接着温度以上にて導電性金属膜を成膜するので、一旦、メンブレンリングに熱硬化性接着剤によって接着したフィルムが撓むので、平坦性が得られず、したがって形成した孤立バターンの位置精度が悪化するので好ましくない。
【００３７】
次に、上記の工程を経て得られた実施例１〜３、比較例１、及び参考例１のバンプ付きメンブレンリングを使って、バーンイン試験を行った。なお、バーンイン試験の際に使用するガラス多層配線基盤は以下のようにして作製したものを使用した。
【００３８】
（ガラス多層配線基盤の作製）
ガラス多層配線基盤は、低膨張アルカリガラス（例えば、ＮＡ４０：ＨＯＹＡ社製）等の基板上に、Ｃｒ（約２００Å）／Ｃｕ（約２．５μｍ）／Ｎｉ（約０．２μｍ）層をスパッタ法で順次形成し、これを周知のリソグラフィー法でパターニングして１層目の配線層を形成し、その上に、ポリイミド樹脂をコートし、これを周知のリソグラフィー法でパターニングし１層目の絶縁層を形成する。これを繰り返し配線層及び絶縁層を積層して、４層構造の多層配線基盤を作製した。なお、最上層のＣｕ層は機械的強度を考慮して、１０μｍ以上の厚さとした。
【００３９】
（バーンイン試験）
バーンイン試験は、設定温度８０〜１５０℃の雰囲気で行う。この雰囲気内で図３に示すように、バキュームチャック（図示せず）上に載せた１６０μｍピッチのＳｉウェハー３０上に、本発明の製造方法によって作製したバンプ付きメンブレンリング１０、異方性導電ゴムシート４０、上述の工程によって作製されたガラス多層配線基盤２０の順に載せ、全体を吸着固定してウェハー３０上の各デバイスをガラス多層配線基盤２０にプリントボードを介して接続したテスターにて評価を行った。なお、上述の異方性専電ゴムシート４０は、上述のバンプ付きメンブレンリングのパッドと対応するように、シート上に凸状の突起を形成させたものである。
【００４０】
その結果、実施例の製造方法によって作製されたバンプ付きメンブレンリングを使用した場合は、上述のパッド（バンプ）の位置精度評価結果にあるように、パッドとバンプの位置は設計値と一致しており、位置精度も±１０μｍ以内に抑えることができたので、パッドと異方性導電ゴムとの位置ずれ及び、バンプとウエハー上のパターンとの位置ずれによるショートなどによるエラーは発生しなかった。
一方、比較例の製造方法によって作製されたバンプ付きメンブレンリングを使用した場合、上述のパッドの位置精度評価結果にあるように、最外周部において最大伸び量が１７．５μｍとなり、位置精度が±１７．５μｍとなり、パッドと異方性導電ゴムとの位置ずれ及び、バンプとウエハー上のパターンとの位置ずれによるショートが発生して検査不良（ウェハーダメージが発生した）となった。
【００４１】
本発明は、上記実施例に限定されず、本発明の範囲内で適宜変形実施できる。
【００４２】
例えば、バンプホールの形成や、バンプ成長工程及びそのメッキ工程は、パッドの形成工程やそのメッキ工程め後に行ってもよい。
【００４３】
また、ＳｉＣリングの代わりに、ＳｉＮや、その他のＳｉに近い熱膨張率を有し、強度の高いセラミックス、低膨張ガラス、金属、その他の材料からなるリングを用いてもよい。さらに、リングは、円形に限らず、メンブレンを展開した状態で支持できる支持枠であれば形状は任意である。
【００４４】
さらに、ガラス多層配線基盤において、Ｓｉと膨張率か同じか、またはＳｉと膨張率が近いガラス基板を用いてもよい。これらのガラス基板は、セラミックス基板に比べ、安価で、高精度研磨によってフラットネス等がよく、透明であるのでアライメントがしやすく、無アルカリガラスであればアルカリの表面溶出等による悪影響がない。
【００４５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のバンプ付きメンブレンリングの製造方法によれば、導電性薄膜を、リングに絶縁性フィルムを貼りあわせた後に成膜して、パッドを形成するので、パッドの位置精度か高く、高精度のバンプ付きメンブレンリングが得られる。
したがって、例えば、バーンイン試験において、検査不良が発生しない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態に係るメンブレンリングの形成工程を説明するための断面図である。
【図２】本発明の一実の形態に係るバンプ付きメンブレンリングの形成工程を説明するための断面図である。
【図３】バーンイン試験のを説明するための模式図である。
【図４】従来のバンプ付きメンブレンリングの形成工程を説明するための断面図である。
【符号の説明】
１    ポリイミドフィルム
１ａ  バンプホール
２    銅箔
３    バンプ
４    レジスト膜
５    パッド
７    ポリイミドフィルム
１１      リング
１０      バンプ付きメンブレンリング
１２      熱硬化性接着剤
１３      アルミニウム板
１４      シリコンゴムシート
１５      Ｎｉ膜
１６      Ｃｕメッキ層
２０      多層配線基盤
３０      シリコンウエハー
４０      異方性導電ゴムシート
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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