(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面上に処理液の層を形成する処理を行う基板処理装置において、
基板を保持する保持台と、
前記処理液を吐出する処理ツールが略水平方向に取り付けられ、前記保持台の上方に略水平に掛け渡された架橋構造と、
前記架橋構造を前記基板の表面に沿った略水平方向に移動させるために前記架橋構造を案内する、前記保持台に対して接触式又は非接触式の移動機構と、
前記保持台の基板保持領域と前記移動機構との間に開口し、雰囲気を吸引する吸引口を有する第１のダクトと、
を備え、
前記第１のダクトが、前記保持台上に配置されたダクトカバーに前記吸引口を形成したカバー開口ダクトであり、前記ダクトカバーに設けられた前記吸引口が、前記基板保持領域側と、前記移動機構側とにそれぞれ形成されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記処理ツールが、所定の処理液を吐出するスリットノズルであることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の基板処理装置において、
前記第１のダクトが、前記基板保持領域の近傍に設けられていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項２または３に記載の基板処理装置において、
前記スリットノズルの待機位置の近傍を排気するための第２のダクト、
をさらに備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記第１のダクトが、前記保持台の台面に前記吸引口を形成した台面開口ダクトであることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記ダクトカバーに設けられた前記基板保持領域側の前記吸引口が、上方に開口しているとともに、前記移動機構側の前記吸引口が前記移動機構と対向するように開口していることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記第１のダクトが、
前記吸引口から吸引する前記雰囲気の流量を調節するために前記吸引口を覆うように移動可能に設けられ、前記吸引口の開口面積を変化させる調整板、
を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記基板が角形基板であって、前記基板保持領域が矩形となっており、
前記第１のダクトが、前記基板保持領域の前記移動機構による前記架橋構造の移動方向と平行な二辺に沿った位置に設けられていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
請求項８に記載の基板処理装置において、
前記基板保持領域の前記移動機構による前記架橋構造の移動方向と直交する辺に沿った位置に第３のダクトが設けられていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記第１のダクトが、前記保持台の上面以上の高さ位置に開口を有していることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板処理装置における技術に関する。より詳しくは、フラットパネルディスプレイ等の製造用のガラス基板等の基板に対する所定の処理を行う際に発生する粉塵や有機溶剤などを雰囲気中から除去する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
載置台上の所定の位置に保持した基板に対して、所定の処理ツールによる走査によって、種々の処理を行う技術が知られている。例えば、このような技術の例として、特開平１１−１６５１１１号公報には、ボールモータによりボールネジを回転させ、処理液を吐出するスリットノズルの両端に剛性結合された２つの移動台を移動させることにより、スリットノズルを所定の方向に移動させて走査を行う技術が提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記公報に記載されている技術では、処理ツールであるスリットノズルを移動させる際に、ボールネジなどの駆動部から潤滑油や摩擦による金属粉などの汚染物が発生する。そしてこれらが、基板上に飛散することにより、パーティクルの原因となり、処理中の基板が処理不良となるという問題があった。
【０００４】
また、基板上に塗布されたレジストなどの薬液が乾燥する際には、有機溶剤などの溶媒成分の気体が発生する。これらの気体を雰囲気中に放置すれば空気汚染の原因となるという問題があった。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、処理中に発生する汚染物や有機溶剤などを雰囲気中から速やかに除去することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、請求項１の発明は、基板の表面上に処理液の層を形成する処理を行う基板処理装置において、基板を保持する保持台と、前記処理液を吐出する処理ツールが略水平方向に取り付けられ、前記保持台の上方に略水平に掛け渡された架橋構造と、前記架橋構造を前記基板の表面に沿った略水平方向に移動させるために前記架橋構造を案内する、前記保持台に対して接触式又は非接触式の移動機構と、前記保持台の基板保持領域と前記移動機構との間に開口し、雰囲気を吸引する吸引口を有する第１のダクトとを備え、前記第１のダクトが、前記保持台上に配置されたダクトカバーに前記吸引口を形成したカバー開口ダクトであり、前記ダクトカバーに設けられた前記吸引口が、前記基板保持領域側と、前記移動機構側とにそれぞれ形成されている。
【０００７】
また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る基板処理装置において、前記処理ツールが、所定の処理液を吐出するスリットノズルである。
【０００８】
また、請求項３の発明は、請求項１または２の発明に係る基板処理装置において、前記第１のダクトが、前記基板保持領域の近傍に設けられている。
【０００９】
また、請求項４の発明は、請求項２または３の発明に係る基板処理装置において、前記スリットノズルの待機位置の近傍を排気するための第２のダクト、をさらに備える。
【００１０】
また、請求項５の発明は、請求項１ないし４のいずれかの発明に係る基板処理装置において、前記第１のダクトが、前記保持台の台面に前記吸引口を形成した台面開口ダクトである。
【００１２】
また、請求項６の発明は、請求項１ないし５の発明に係る基板処理装置において、前記ダクトカバーに設けられた前記基板保持領域側の前記吸引口が、上方に開口しているとともに、前記移動機構側の前記吸引口が前記移動機構と対向するように開口している。
【００１３】
また、請求項７の発明は、請求項１ないし６のいずれかの発明に係る基板処理装置において、前記第１のダクトが、前記吸引口から吸引する前記雰囲気の流量を調節するために前記吸引口を覆うように移動可能に設けられ、前記吸引口の開口面積を変化させる調整板を有する。
【００１４】
また、請求項８の発明は、請求項１ないし７のいずれかの発明に係る基板処理装置において、前記基板が角形基板であって、前記基板保持領域が矩形となっており、前記第１のダクトが、前記基板保持領域の前記移動機構による前記架橋構造の移動方向と平行な二辺に沿った位置に設けられている。
【００１５】
また、請求項９の発明は、請求項８の発明に係る基板処理装置において、前記基板保持領域の前記移動機構による前記架橋構造の移動方向と直交する辺に沿った位置に第３のダクトが設けられている。
また、請求項１０の発明は、請求項１の発明に係る基板処理装置において、前記第１のダクトが、前記保持台の上面以上の高さ位置に開口を有している。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態について、添付の図面を参照しつつ、詳細に説明する。
【００１７】
＜１．  実施の形態＞
＜１．１  構成の説明＞
図１は、本発明の実施の形態である基板処理装置１の概略を示す斜視図である。図２は、基板処理装置１の本体２を上方から見た平面図であり、図３は、本体２の正面図である。図４は、図３に示す切断線により本体２を切断した断面側面図である。なお、図２において、後述する架橋構造４については図示を省略する。
【００１８】
基板処理装置１は、本体２と制御系６とに大別され、液晶表示装置の画面パネルを製造するための角形ガラス基板を被処理基板９０としており、基板９０の表面に形成された電極層などを選択的にエッチングするプロセスにおいて、基板９０の表面にレジスト液を塗布する塗布装置として構成されている。したがって、この実施の形態では、スリットノズル４１はレジスト液を吐出するようになっている。なお、基板処理装置１は、液晶表示装置用のガラス基板だけでなく、一般に、フラットパネルディスプレイ用の種々の基板に処理液（薬液）を塗布する装置として変形利用することもできる。
【００１９】
本体２は、被処理基板９０を載置して保持するための保持台として機能するとともに、付属する各機構の基台としても機能するステージ３を備える。ステージ３は直方体形状の一体の石製であり、その表面（台面３０）のうち上面および側面は平坦面に加工されている。
【００２０】
ステージ３の上面中央部に設けられた矩形の領域である基板保持領域３００には多数の真空吸着口または真空吸着用の溝（図示せず）が分布して形成されており、基板処理装置１において基板９０を処理する間、基板９０を吸着することにより、基板９０を所定の水平位置に保持する。
【００２１】
基板保持領域３００（基板９０が保持される領域）を挟んだ両端部には、略水平方向に平行に伸びる一対の走行レール３１ａが固設される。走行レール３１ａは、架橋構造４の両端部に固設される支持ブロック３１ｂとともに、架橋構造４の移動を案内し（移動方向を所定の方向に規定する）、架橋構造４を基板保持領域３００の上方に支持するリニアガイドを構成する。
【００２２】
また、ステージ３の上面には、基板保持領域３００と走行レール３１ａとの間に、走行レール３１ａと略平行となるように、吸引ダクト３２，３３が設けられ、さらに、前部には吸引ダクト３４がＹ軸方向に沿って基板保持領域３００の近傍に設けられる。
【００２３】
図５ないし図７は、吸引ダクト３３の構成を示す図である。吸引ダクト３３は、ダクトカバー３３０、スリット３３１、調整板３３２および排気管３３３を備えるカバー開口ダクトである。ダクトカバー３３０は、ステージ３上に配置され、端部下面から排気管３３３により吸引される。雰囲気を吸引する吸引口としての機能を有するスリット３３１は、ダクトカバー３３０の上面（基板保持領域３００側）および側面（走行レール３１ａ側）に形成される。調整板３３２は、各スリット３３１を覆うように配置され、それぞれが移動可能とされている。
【００２４】
基板処理装置１は、調整板３３２の位置を変更することによって、各スリット３３１の開口面積が変化し、各スリット３３１からの雰囲気の流量を調整することができることから、少量の排気で効率的な吸引ができる。
【００２５】
排気管３３３は、ダクトカバー３３０の端部下面に取り付けられ、図示しない排気ボックスを介して、例えば、工場内の排気設備に接続されている。
【００２６】
このような構成により、吸引ダクト３３は、図５の矢印で示すようにスリット３３１から吸い込んだ雰囲気を排気設備から排気する機能を有する。
【００２７】
ここで、前述のようにスリット３３１は吸引ダクト３３の上面および側面に設けられており、基板９０側の雰囲気と走行レール３１ａ側の雰囲気とをそれぞれ吸引することにより、汚染物の発生源となる場所の雰囲気を選択的に吸引することができるため、効率的に汚染物を除去することができる。
【００２８】
なお、吸引ダクト３２も吸引ダクト３３とほぼ左右対称の構成を有し、同様の機能を有している。また、各スリット３３１の形状、大きさおよび個数などは本実施の形態に示すものに限られるものではなく、また、それぞれの形状および大きさなどは異なっていてもよい。
【００２９】
図８および図９は、吸引ダクト３４の構成を示す図である。吸引ダクト３４は、ダクトカバー３４０、スリット３４１、調整板３４２および排気管３４３を備え、吸引ダクト３２，３３とほぼ同様の構成を有する。ただし、吸引ダクト３４は、図９に示すように、中央部付近に排気管３４３が取り付けられる。
【００３０】
このように、基板保持領域３００と走行レール３１ａとの間に、吸引ダクト３２，３３を設けることにより、架橋構造４を移動させる際に、走行レール３１ａと支持ブロック３１ｂとの摩擦により発生する粉塵などの汚染物を除去することができる。また、基板保持領域３００の近傍に吸引ダクト３４を設けることにより、レジスト液が乾燥する際に、基板９０から発生する有機溶剤の拡散を防止することができる。
【００３１】
さらに、吸引ダクト３２ないし３４が、基板保持領域３００に保持された基板９０の三辺に沿った位置に設けられていることにより、発生する粉塵や有機溶剤などの汚染物を効率よく、雰囲気中から除去することができる。
【００３２】
なお、本実施の形態における基板処理装置１では、吸引ダクト３２ないし３４により吸引される雰囲気は、工場内に設けられた排気設備により吸引され排出されると説明したが、このような構成に限られるものではない。例えば、基板処理装置１が、独自に本体２内にブロア装置を備え、当該ブロア装置が吸引機能を発揮することにより、各スリットから雰囲気を吸い込むように構成してもよい。
【００３３】
ステージ３の上方には、このステージ３の両側部分から略水平に掛け渡された架橋構造４が設けられている。架橋構造４は、カーボンファイバ樹脂を骨材とするノズル支持部４０と、その両端を支持する昇降機構４３，４４とから主に構成される。
【００３４】
ノズル支持部４０には、スリットノズル４１とギャップセンサ４２とが取り付けられている。
【００３５】
水平Ｙ方向に伸びるスリットノズル４１には、スリットノズル４１へ薬液を供給する配管やレジスト用ポンプを含む吐出機構（図示せず）が接続されている。スリットノズル４１は、レジスト用ポンプによりレジスト液が送られ、基板９０の表面を走査することにより、基板９０の表面の所定の領域（以下、「レジスト塗布領域」と称する。）にレジスト液を吐出する。
【００３６】
ギャップセンサ４２は、スリットノズル４１の近傍となるよう、ノズル支持部４０に取り付けられ、下方の存在物（例えば、基板９０の表面や、レジスト膜の表面）との間の高低差（ギャップ）を測定して、測定結果を制御系６に伝達する。
【００３７】
このように、ノズル支持部４０にスリットノズル４１とギャップセンサ４２とが取り付けられることにより、これらの相対的な位置関係が固定される。したがって、制御系６は、ギャップセンサ４２の測定結果に基づいて、基板９０の表面とスリットノズル４１との距離を検出することができる。なお、本実施の形態における基板処理装置１では２つのギャップセンサ４２を備えているが、ギャップセンサ４２の数はこれに限られるものではなく、さらに、多くのギャップセンサ４２を備えていてもよい。
【００３８】
昇降機構４３，４４はスリットノズル４１の両側に分かれて、ノズル支持部４０によりスリットノズル４１と連結されている。昇降機構４３，４４はスリットノズル４１を並進的に昇降させるとともに、スリットノズル４１のＹＺ平面内での姿勢を調整するためにも用いられる。
【００３９】
架橋構造４の両端部には、ステージ３の両側の縁側に沿って別れて配置された一対のＡＣコアレスリニアモータ（以下、単に、「リニアモータ」と略する。）５０，５１が、それぞれ固設される。
【００４０】
リニアモータ５０は、固定子（ステータ）５０ａと移動子５０ｂとを備え、固定子５０ａと移動子５０ｂとの電磁的相互作用によって架橋構造４をＸ軸方向に移動させるための駆動力を生成するモータである。また、リニアモータ５０による移動量および移動方向は、制御系６からの制御信号により制御可能となっている。なお、リニアモータ５１もほぼ同様の機能、構成を有する。
【００４１】
リニアエンコーダ５２，５３は、それぞれスケール部および検出子を備え（図示せず）、スケール部と検出子との相対的な位置関係を検出して、制御系６に伝達する。各検出子は架橋構造４の両端部にそれぞれ固設されているため、リニアエンコーダ５２，５３は架橋構造４の位置検出を行う機能を有している。
【００４２】
図４に示すように、ステージ３の上面後方には溝３５が設けられており、当該溝３５には吸引ダクト３６が設けられる。吸引ダクト３６は、溝３５の下面（台面３０）に形成された吸引口３６０および吸引口３６０の下方側を吸引する排気管３６１により構成される台面開口ダクトであり、吸引ダクト３２ないし３４と同様に周辺部の雰囲気を吸引する機能を有する。
【００４３】
このように、スリットノズル４１の待機位置の近傍であるステージ３の後方に、吸引ダクト３６を設けることにより、待機中のスリットノズル４１やレジスト供給タンクなどから発生する有機溶剤の拡散を防止することができる。なお、排気管３６１は、排気管３３３などと同様に、図示しない排気ボックスを介して、工場内の排気設備に接続されている。
【００４４】
制御系６は、プログラムに従って各種データを処理する演算部６０、プログラムや各種データを保存する記憶部６１を内部に備える。また、前面には、オペレータが基板処理装置１に対して必要な指示を入力するための操作部６２、および各種データを表示する表示部６３を備える。
【００４５】
制御系６は、図示しないケーブルにより本体２に付属する各機構と接続されており、操作部６２および各種センサなどからの信号に基づいて、昇降機構４３，４４、リニアモータ５０，５１、吸引ダクト３２ないし３４、および吸引ダクト３６などの各構成を制御する。
【００４６】
なお、具体的には、記憶部６１としてはデータを一時的に記憶するＲＡＭ、読み取り専用のＲＯＭ、および磁気ディスク装置などが該当し、可搬性の光磁気ディスクやメモリーカードなどの記憶媒体、およびそれらの読み取り装置などであってもよい。また、操作部６２は、ボタンおよびスイッチ類（キーボードやマウスなどを含む。）などであるが、タッチパネルディスプレイのように表示部６３の機能を兼ね備えたものであってもよい。表示部６３は、液晶ディスプレイや各種ランプなどが該当する。
【００４７】
＜１．２  動作の説明＞
次に、基板処理装置１の動作について説明する。基板処理装置１では、オペレータまたは図示しない搬送機構により、基板９０が搬送されることによって、レジスト塗布処理が開始される。なお、処理を開始するための指示は、基板９０の搬送が完了した時点で、オペレータが操作部６２を操作することにより入力されてもよい。また、吸引ダクト３２ないし３４および３６は、予め雰囲気の吸引を行っており、吸引ダクト３２ないし３４に設けられている各調整板の位置は、予めオペレータにより手動調整されているものとする。
【００４８】
まず、ステージ３が基板保持領域３００に基板９０を吸着して保持する。続いて、昇降機構４３，４４が、ノズル支持部４０に取り付けられたギャップセンサ４２を基板９０の厚み分よりも高い所定の高度（以下、「測定高度」と称する。）に移動させる。
【００４９】
ギャップセンサ４２が測定高度にセットされると、リニアモータ５０，５１が、架橋構造４をＸ方向に移動させることにより、ギャップセンサ４２をレジスト塗布領域の上方まで移動させる。ここで、レジスト塗布領域とは、基板９０の表面のうちでレジスト液を塗布しようとする領域であって、通常、基板９０の全面積から、端縁に沿った所定幅の領域を除いた領域である。このとき、制御系６は、リニアエンコーダ５２，５３の検出結果に基づいて、それぞれのリニアモータ５０，５１に制御信号を与えることにより、ギャップセンサ４２の位置を制御する。
【００５０】
このように、レジスト液の塗布処理に限らず、架橋構造４が移動する際には、走行レール３１ａと支持ブロック３１ｂとの摩擦により、粉塵などの汚染物が発生するが、前述のように、これら汚染物は主に基板９０と走行レール３１ａとの間に設けられた吸引ダクト３２，３３により吸引され、効果的に除去される。
【００５１】
次に、ギャップセンサ４２が基板９０表面のレジスト塗布領域における基板９０表面とスリットノズル４１とのギャップの測定を開始する。測定が開始されると、リニアモータ５０，５１が架橋構造４をさらにＸ方向に移動させることでギャップセンサ４２がレジスト塗布領域を走査し、走査中の測定結果を制御系６に伝達する。このとき、制御系６は、ギャップセンサ４２の測定結果を、リニアエンコーダ５２，５３によって検出される水平位置と関連づけて記憶部６１に保存する。
【００５２】
架橋構造４が基板９０の上方をＸ方向に通過して、ギャップセンサ４２による走査が終了すると、制御系６は、架橋構造４をその位置で停止させ、ギャップセンサ４２からの測定結果に基づいて、スリットノズル４１のＹＺ平面における姿勢が、適切な姿勢（スリットノズル４１とレジスト塗布領域との間隔がレジスト液を塗布するために適切な間隔となる姿勢。以下、「適正姿勢」と称する。）となるノズル支持部４０の位置を算出し、算出結果に基づいて、それぞれの昇降機構４３，４４に制御信号を与える。その制御信号に基づいて、それぞれの昇降機構４３，４４がノズル支持部４０をＺ軸方向に移動させ、スリットノズル４１を適正姿勢に調整する。さらに、リニアモータ５０，５１が架橋構造４を−Ｘ方向に移動させ、スリットノズル４１を吐出開始位置に移動させる。ここで、吐出開始位置とは、レジスト塗布領域の一辺にスリットノズル４１がほぼ沿う位置である。
【００５３】
スリットノズル４１が吐出開始位置まで移動すると、制御系６が制御信号をリニアモータ５０，５１およびレジスト用ポンプ（図示せず）に与える。その制御信号に基づいて、リニアモータ５０，５１が架橋構造４を−Ｘ方向に移動させることでスリットノズル４１が基板９０の表面を走査し、そのスリットノズル４１の走査中にレジスト用のポンプを運転することでスリットノズル４１にレジストが送られ、スリットノズル４１がレジスト塗布領域にレジスト液を吐出する。これにより、基板９０の表面上にレジスト液の層が形成される。
【００５４】
スリットノズル４１が吐出終了位置まで移動すると、制御系６が制御信号をリニアモータ５０，５１およびレジスト用ポンプに与える。その制御信号に基づいて、レジスト用ポンプが停止することによってスリットノズル４１からのレジストの吐出が停止し、昇降機構４３，４４がギャップセンサ４２を測定高度に移動させる。
【００５５】
さらに、リニアモータ５０，５１が架橋構造４をＸ方向に移動させることでギャップセンサ４２がレジスト塗布領域を走査し、基板９０上に形成されたレジスト膜とのギャップを測定して制御系６に伝達する。制御系６は、レジスト塗布前に測定したギャップの値（基板９０の表面との距離）と、レジスト塗布後に測定したギャップの値（レジスト膜の表面との距離）とを比較することにより、基板９０上のレジスト膜の厚さを算出し、算出結果を表示部６３に表示する。
【００５６】
レジスト膜の検査が終了すると、制御系６は、リニアモータ５０，５１に制御信号を与えることにより、架橋構造４を−Ｘ方向に移動させ、スリットノズルをステージ３の後方の待機位置に移動させる。さらに、基板処理装置１は、塗布されたレジストが基板９０を搬送できる程度にまで乾燥するまで待機する。
【００５７】
このように、待機位置にあるスリットノズル４１においてレジスト液が乾燥するために有機溶剤の蒸気が発生するが、当該待機位置の近傍には吸引ダクト３６が設けられているため、当該有機溶剤の蒸気を効率よく除去することができ、有機溶剤の蒸気の拡散を防止することができる。また、レジスト液が塗布された基板９０からも有機溶剤の蒸気が発生するが、当該有機溶剤の蒸気は、主に吸引ダクト３２ないし３４により除去される。
【００５８】
基板処理装置１は、所定の時間が経過するまで待機した後、ステージ３による基板９０の吸着を停止し、オペレータまたは搬送機構が基板９０を基板保持領域３００から取り上げ、次の処理工程に搬送する。
【００５９】
以上により、本実施の形態における基板処理装置１では、基板保持領域３００と走行レール３１ａとの間に設けられた吸引ダクト３２，３３が雰囲気を吸引することにより、架橋構造４を移動させる際に走行レール３１ａと支持ブロック３１ｂとの摩擦により発生する粉塵などの汚染物を除去することができる。また、吸引ダクト３２ないし３４および３６により、レジスト液が塗布された基板９０や待機中のスリットノズル４１などから発生する有機溶剤の蒸気を除去することができる。
【００６０】
＜２．  変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能である。
【００６１】
例えば、吸引ダクト３２ないし３４は、ダクトカバーを有するタイプ（カバー開口ダクト）を用いるとして説明したが、これらは、吸引ダクト３６のようにステージ３の台面３０に吸引口（スリット）が形成されているタイプ（台面開口ダクト）であってもよい。また、吸引ダクト３６がカバー開口ダクトであってもよい。
【００６２】
また、吸引ダクト３２ないし３４の調整板は、手動で移動させることに限定されるものではない。例えば、各調整板を移動させる機構を別途設けて、制御系６が各調整板の移動を制御することにより、自動的に雰囲気の流量を調整するように構成してもよい。
【００６３】
また、上記実施の形態では、カバー開口ダクト（吸引ダクト３２ないし３４）に調整板が設けられている例のみ説明したが、台面開口ダクト（吸引ダクト３６）の吸引口に調整板を設けて、吸引する雰囲気の流量を調整するようにしてもよい。
【００６４】
また、上記実施の形態では、架橋構造４を移動させるために接触式の移動機構（走行レール３１ａおよび支持ブロック３１ｂ）を用いる場合を例に説明したが、これに限られるものではない。例えば、エアーベアリングなどのような非接触式の移動機構が用いられてもよい。このような場合、当該移動機構は、架橋構造４を浮上させるためのエアーを噴出させる必要があり、当該噴出により粉塵などが拡散されるため、基板処理装置１のように基板保持領域３００と移動機構との間に吸引ダクトを設けて、吸引を行うことが有効である。
【００６５】
【発明の効果】
請求項１ないし１０に記載の発明では、第１のダクトは、保持台の基板保持領域と移動機構との間に吸引口が開口していることにより、処理ツールを移動させる際に、主に移動機構から発生する粉塵などの汚染物を除去することができる。
また、請求項１ないし１０に記載の発明では、第１のダクトとして、保持台上に配置されたダクトカバーに吸引口を形成したカバー開口ダクトであることにより、当該ダクトについては、任意の位置から吸引することができるため、設計を容易にすることができる。
また、請求項１ないし１０に記載の発明では、ダクトカバーに設けられた吸引口が、基板保持領域側と、移動機構側とにそれぞれ形成されていることにより、汚染物などの発生源となる場所の雰囲気を選択的に吸引することができるため、効率的な汚染防止ができる。
【００６６】
請求項３に記載の発明では、第１のダクトが、基板保持領域の近傍に設けられていることにより、処理液が乾燥する際に、発生する有機溶剤の蒸気などの拡散を防止することができる。
【００６７】
請求項４に記載の発明では、第２のダクトが、スリットノズルの待機位置の近傍に設けられていることにより、待機中のスリットノズルから発生する有機溶剤の蒸気などの拡散を防止することができる。
【００６８】
請求項５に記載の発明では、第１のダクトとして、保持台の台面に吸引口を形成した台面開口ダクトであることにより、請求項１ないし４に記載の発明を容易に実現することができる。
【００７１】
請求項７に記載の発明では、ダクトが、吸引口から吸引する雰囲気の流量を調節する調整板を有することにより、分布調整ができるため、少量の排気で効率的な吸引ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態である基板処理装置１の概略を示す斜視図である。
【図２】基板処理装置１の本体２を上方から見た平面図である。
【図３】本体２の正面図である。
【図４】図２に示す切断線（IV−IV線）により本体２を切断した断面側面図である。
【図５】吸引ダクトの構成を示す図である。
【図６】吸引ダクトの構成を示す図である。
【図７】図６に示す切断線（VII−VII線）により吸引ダクトを切断した状態を示す図である。
【図８】吸引ダクトの構成を示す図である。
【図９】図８に示す切断線（IX−IX線）により吸引ダクトを切断した状態を示す図である。
【符号の説明】
１  基板処理装置
３  ステージ
３０  台面
３００  基板保持領域
３１ａ  走行レール
３１ｂ  支持ブロック
３２，３３  吸引ダクト
３３０  ダクトカバー
３３１  スリット
３３２  調整板
３３３  排気管
３４  吸引ダクト
３４０  ダクトカバー
３４１  スリット
３４２  調整板
３４３  排気管
３６  吸引ダクト
３６０  吸引口
３６１  排気管
４  架橋構造
４１  スリットノズル
９０  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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