(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトマスクの製造方法において、フォトマスク上にパターンを形成した後、このパターンの寸法を測定する工程と、
前記パターンの描画位置を測定する工程と、
前記パターンの寸法測定結果から、前記フォトマスクを使用した場合の、寸法精度に起因する露光裕度１を求める工程と、
前記パターンの描画位置測定結果から、前記フォトマスクを使用した場合の、描画位置精度に起因する露光裕度２を求める工程と、
前記寸法精度に起因する露光裕度１及び前記描画位置精度に起因する露光裕度２から、前記フォトマスクを使用した場合の露光裕度を求める工程と、
前記求められた露光裕度が所望の露光裕度を満たしているか否かで、前記フォトマスクの合否を判断する工程と
を具備することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項２】
フォトマスクの製造方法において、フォトマスク上に位相シフト膜を含むパターンを形成した後、このパターンの寸法を測定する工程と、
前記パターンの描画位置を測定する工程と、
前記位相シフト膜の性質を測定する工程と、
前記パターンの寸法測定結果から、前記フォトマスクを使用した場合の、寸法精度に起因する露光裕度１を求める工程と、
前記パターンの描画位置測定結果から、前記フォトマスクを使用した場合の、描画位置精度に起因する露光裕度２を求める工程と、
前記位相シフト膜の性質測定結果から、前記フォトマスクを使用した場合の、位相シフト膜の性質に起因する露光裕度３を求める工程と、
前記寸法精度に起因する露光裕度１、前記描画位置精度に起因する露光裕度２、及び前記位相シフト膜の性質に起因する露光裕度３から、前記フォトマスクを使用した場合の露光裕度を求める工程と、
前記求められた露光裕度が所望の露光裕度を満たしているか否かで、前記フォトマスクの合否を判断する工程と
を具備することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項３】
前記パターンが所望の形状に形成されているか否かを検査し、所望の形状に形成されていない部分を欠陥として検出する工程と、
前記検出された欠陥部分の大きさを測定する工程と、
前記検出された欠陥部分の透過率を測定する工程と、
前記欠陥部分の大きさ及び透過率測定結果から、前記欠陥部分を含むフォトマスクを使用した場合の、欠陥部分に起因する露光裕度４を求める工程と、をさらに具備し、
前記露光裕度は、前記寸法精度に起因する露光裕度１、前記描画位置精度に起因する露光裕度２、及び前記欠陥部分に起因する露光裕度４から求められることを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項４】
前記パターンが所望の形状に形成されているか否かを検査し、所望の形状に形成されていない部分を欠陥として検出する工程と、
前記検出された欠陥部分の大きさを測定する工程と、
前記検出された欠陥部分の透過率を測定する工程と、
前記欠陥部分の大きさ及び透過率測定結果から、前記欠陥部分を含むフォトマスクを使用した場合の、欠陥部分に起因する露光裕度４を求める工程と、をさらに具備し、
前記露光裕度は、前記寸法精度に起因する露光裕度１、前記描画位置精度に起因する露光裕度２、前記位相シフト膜の性質に起因する露光裕度３、及び前記欠陥部分に起因する露光裕度４から求められることを特徴とする請求項２に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項５】
前記パターンが所望の形状に形成されているか否かを検査し、所望の形状に形成されていない部分を欠陥として検出する工程と、
前記検出された欠陥部分を修正する工程と、
前記修正部分の大きさを測定する工程と、
前記修正部分の透過率を測定する工程と、
前記修正部分の大きさ及び透過率測定結果から、前記修正部分を含むフォトマスクを使用した場合の、修正部分に起因する露光裕度５を求める工程と、をさらに具備し、
前記露光裕度は、前記寸法精度に起因する露光裕度１、前記描画位置精度に起因する露光裕度２、及び前記修正部分に起因する露光裕度５から求められることを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項６】
前記パターンが所望の形状に形成されているか否かを検査し、所望の形状に形成されていない部分を欠陥として検出する工程と、
前記検出された欠陥部分を修正する工程と、
前記修正部分の大きさを測定する工程と、
前記修正部分の透過率を測定する工程と、
前記修正部分の大きさ及び透過率測定結果から、前記修正部分を含むフォトマスクを使用した場合の、修正部分に起因する露光裕度５を求める工程と、をさらに具備し、
前記露光裕度は、前記寸法精度に起因する露光裕度１、前記描画位置精度に起因する露光裕度２、前記位相シフト膜の性質に起因する露光裕度３、及び前記修正部分に起因する露光裕度５から求められることを特徴とする請求項２に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項７】
前記欠陥部分の大きさは、この欠陥部分の面積で規定されることを特徴とする請求項３及び請求項４いずれかに記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項８】
前記欠陥部分の大きさは、この欠陥部分のＸ方向の寸法と、前記Ｘ方向に直交するＹ方向の寸法とで規定されることを特徴とする請求項３及び請求項４いずれかに記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項９】
前記修正部分の大きさは、この修正部分の面積で規定されることを特徴とする請求項５及び請求項６いずれかに記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項１０】
前記修正部分の大きさは、この修正部分のＸ方向の寸法と、前記Ｘ方向に直交するＹ方向の寸法とで規定されることを特徴とする請求項５及び請求項６いずれかに記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項１１】
前記位相シフト膜の性質を測定する工程は、
前記位相シフト膜の位相を測定する工程を含み、
前記位相シフト膜の性質に起因する露光裕度３は、前記位相から求められることを特徴とする請求項２、請求項４及び請求項６いずれか一項に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項１２】
前記位相シフト膜の位相を測定する工程は、
前記位相の平均値を求める工程と、
前記位相のばらつきを求める工程とを含み、
前記位相シフト膜の性質に起因する露光裕度３を求める工程は、
前記位相の平均値から、前記フォトマスクを使用した場合の、位相の平均値に起因する露光裕度Ｅを求める工程と、
前記位相のばらつきから、前記フォトマスクを使用した場合の、位相のばらつきに起因する露光裕度Ｆを求める工程とを含むことを特徴とする請求項１１に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項１３】
前記位相シフト膜の性質を測定する工程は、
前記位相シフト膜の位相を測定する工程と、
前記位相シフト膜の透過率を測定する工程とを含み、
前記位相シフト膜の性質に起因する露光裕度３は、前記位相差及び前記透過率から求められることを特徴とする請求項２、請求項４及び請求項６いずれか一項に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項１４】
前記位相シフト膜の位相を測定する工程は、
前記位相の平均値を求める工程と、
前記位相のばらつきを求める工程とを含み、
前記位相シフト膜の透過率を測定する工程は、
前記透過率の平均値を求める工程と、
前記透過率のばらつきを求める工程とを含み、
前記位相シフト膜の性質に起因する露光裕度３を求める工程は、
前記位相の平均値から、前記フォトマスクを使用した場合の、位相の平均値に起因する露光裕度Ｅを求める工程と、
前記位相のばらつきから、前記フォトマスクを使用した場合の、位相のばらつきに起因する露光裕度Ｆを求める工程と、
前記透過率の平均値から、前記フォトマスクを使用した場合の、透過率の平均値に起因する露光裕度Ｇを求める工程と、
前記透過率のばらつきから、前記フォトマスクを使用した場合の、透過率のばらつきに起因する露光裕度Ｈを求める工程とを含むことを特徴とする請求項１３に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項１５】
前記パターンの寸法を測定する工程は、
前記パターンの平均寸法を求める工程と、
前記パターンの寸法の面内均一性を求める工程とを含み、
前記寸法精度に起因する露光裕度１を求める工程は、
前記平均寸法から、前記フォトマスクを使用した場合の、平均寸法に起因する露光裕度Ａを求める工程と、
前記面内均一性から、前記フォトマスクを使用した場合の、面内均一性に起因する露光裕度Ｂを求める工程とを含むことを特徴とする請求項１乃至請求項６いずれか一項に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項１６】
前記パターンの描画位置を測定する工程は、
前記パターンの描画位置の位置ずれの平均値を求める工程と、
前記パターンの描画位置の位置ずれのばらつきを求める工程とを含み、
前記描画位置精度に起因する露光裕度２は、前記位置ずれの平均値、及び前記ばらつきから求められることを特徴とする請求項１乃至請求項６いずれかに記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項１７】
前記パターンの寸法を測定する工程は、
前記パターンのＸ方向の平均寸法を求める工程と、
前記パターンのＹ方向の平均寸法を求める工程とを含み、
前記寸法精度に起因する露光裕度１を求める工程は、
前記Ｘ方向の平均寸法から、前記フォトマスクを使用した場合の、Ｘ方向の平均寸法に起因する露光裕度Ｃを求める工程と、
前記Ｙ方向の平均寸法から、前記フォトマスクを使用した場合の、Ｙ方向の平均寸法に起因する露光裕度Ｄを求める工程とを含むことを特徴とする請求項１乃至請求項６いずれか一項に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項１８】
前記パターンの描画位置を測定する工程は、
前記パターンを形成する時に発生する単位描画領域どうしのつなぎ誤差を求める工程、前記フォトマスク全体の伸縮成分を求める工程、前記フォトマスク全体の直交ずれ成分を求める工程、前記フォトマスク全体の局所位置ずれ量を求める工程の少なくともいずれか一つの工程を含み、
前記描画位置精度に起因する露光裕度２は、前記つなぎ誤差、前記伸縮成分、前記直交ずれ成分、及び前記局所位置ずれ量の少なくともいずれか一つから求められることを特徴とする請求項１乃至請求項６いずれか一項に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項１９】
前記露光裕度は、前記フォトマスクからウェハにパターンを転写する工程における、フォーカス裕度と露光量裕度とで規定されることを特徴とする請求項１乃至請求項６いずれか一項に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項２０】
前記フォトマスクの合否判断の結果、所望の露光裕度を満たしていないと判断されたフォトマスクに対し、このフォトマスクの使用者が、このフォトマスクからウェハにパターンを転写する工程の工程管理条件を含んで、フォトマスクの合否を再度判断する工程を、さらに具備することを特徴とする請求項１乃至請求項６いずれか一項に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項２１】
前記工程管理条件は、前記フォトマスクからウェハにパターンを転写する工程に用いられる装置を指定する項目を含むことを特徴とする請求項２０に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項２２】
前記工程管理条件は、前記フォトマスクからウェハにパターンを転写する工程における露光量管理の回数を増加させる項目を含むことを特徴とする請求項２０に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項２３】
前記フォトマスクの合否判断の結果、所望の露光裕度を満たしていないと判断されたフォトマスクに対し、このフォトマスクの使用者が、デバイス各部の機能に応じてフォトマスクの合否を再度判断する工程を、さらに具備することを特徴とする請求項１乃至請求項６いずれか一項に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項２４】
前記デバイス各部の機能に応じてフォトマスクの合否を再度判断する工程は、このフォトマスクの、所望の露光裕度を満たしていない部分が局所的であったとき、この局所的な部分に対応するデバイスの部分を、使用者がデバイスとして機能させないようにする工程を含むことを特徴とする請求項２３に記載のフォトマスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明はフォトマスクの製造方法に係わり、特に製造されたフォトマスクの合否判断に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の製造工程において、各種パターンを半導体ウェハに形成するパターン形成工程、いわゆるリソグラフィー工程があるが、このリソグラフィー工程では、フォトマスク、位相シフトマスク等のマスクが用いられている。
【０００３】
近年、半導体装置の微細化に伴って、この種のフォトマスクに求められている寸法精度は急速に厳しくなり、例えばマスク面内の寸法均一性は１０ｎｍ以下が必要とされている。
【０００４】
従来、フォトマスクの製造方法において、マスク基材に仕様に基づいてマスクパターンを形成した後、マスクが良品か不良品かを判断している。その判断項目は多数有り、その項目の中の一つでも仕様値を満たさないものが有れば不良品とされてきた。例えば、ハーフトーン型位相シフトマスクにおいては、代表的な仕様項目と仕様値は、図３２の表に示したように、１１項目有り、従来は、これら項目の内、１項目でも仕様値を超えるマスクは、不良品としていた。
【０００５】
そのため、マスク製造技術の高精度化も進んでいるもののマスクの歩留まりは、極めて低い。
【０００６】
このように、従来のマスク製造方法では、多数有る良品か不良品かの判断項目のうち、１項目でも仕様を満たさないものが有れば不良品としているため、マスクの歩留まりが、極めて低いという事情があった。
【０００７】
この事情を解消するために、本願発明者らは、従来の不良品とされたマスクについて、種々分析した結果、以下の事実を見出した。
【０００８】
即ち、一般に、フォトマスクの仕様は、半導体ウェハへのパターン露光において、所望の露光裕度を得るために必要で、各項目が全て仕様値ぎりぎりの値になった場合でも、所望の露光裕度が得られるように決められているが、実際のフォトマスクでは、全ての項目が仕様値ぎりぎりの値になることは、極めて希で、殆どのフォトマスクは、ある項目は仕様値を超えても、他の項目は余裕を持って仕様値の中に収まっていることが多く、仮に、仕様値を超える項目が存在しても、他の項目が余裕を持って仕様値に収まっている場合には、仕様値を超える項目による露光裕度の減少分が、余裕を持って仕様値に収まっている項目の露光裕度の増加分を下回れば、全体としては所望の露光裕度を得ることができる。例えば、図３３の表に示すように、従来不良品とされていたハーフトーン型位相シフトマスクの測定例において、例えば、出来上がったマスクのパターン寸法平均値の目標値からのズレが、１３ｎｍで仕様値の±１０ｎｍを超えていても、そのマスクのパターン寸法面内均一性が４ｎｍ（３σ）と仕様値である８ｎｍ（３σ）より余裕を持って小さい値であった場合、実際に、このマスクをウェハ露光し、デフォーカス裕度と露光量裕度とを測定すると、所望の露光裕度が得られることが確認された。これに関する本件出願人による先願として、特願２０００−２６０２８５（平成１２年８月３０日出願）がある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
この先願では、フォトマスクの場合、露光裕度を決めている主項目が、パターン寸法の平均値及び面内均一性であるとし、これらパターン寸法の平均値及び面内均一性を測定し、この測定データから露光裕度を計算し、所望の露光裕度を有するマスクを、良品として判断するようにしている。
【００１０】
また、位相シフトマスク、例えばハーフトーン型位相シフトマスクの場合には、パターン寸法の平均値及び面内均一性の他に、半遮光部の透過率の平均値及び面内均一性と、この半遮光部の位相シフト量の平均値及び面内均一性とを測定し、これら測定データから露光裕度を計算し、所望の露光裕度を有するマスクを、良品として判断するようにしている。
【００１１】
しかし、露光裕度を決める項目には、パターン寸法の平均値及び面内均一性の他にも存在する。この項目を新たに測定し、この測定データとパターン寸法の平均値及び面内均一性の測定データとを用いて露光裕度を求めれば、より精度の高い合否判断が可能となる。
【００１２】
この発明は、上記事情に鑑みなされたもので、その目的は、歩留まりを向上させることができ、かつ合否判断の精度も高いフォトマスクの製造方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、この発明の一の態様では、フォトマスク上にパターンを形成した後、このパターンの寸法を測定し、前記パターンの描画位置を測定し、前記パターンの寸法測定結果から、前記フォトマスクを使用した場合の、寸法精度に起因する露光裕度１と、前記パターンの描画位置測定結果から、前記フォトマスクを使用した場合の、描画位置精度に起因する露光裕度２とをそれぞれ求める。そして、さらに前記寸法精度に起因する露光裕度１及び前記描画位置精度に起因する露光裕度２から、前記フォトマスクを使用した場合の露光裕度を求め、この求められた露光裕度が所望の露光裕度を満たしているか否かで、前記フォトマスクの合否を判断することを特徴としている。
【００１４】
また、上記目的を達成するために、この発明の他の態様では、フォトマスク上に位相シフト膜を含むパターンを形成した後、このパターンの寸法を測定し、前記パターンの描画位置を測定し、前記位相シフト膜の性質を測定し、前記パターンの寸法測定結果から、前記フォトマスクを使用した場合の、寸法精度に起因する露光裕度１と、前記パターンの描画位置測定結果から、前記フォトマスクを使用した場合の、描画位置精度に起因する露光裕度２と、前記位相シフト膜の性質測定結果から、前記フォトマスクを使用した場合の、位相シフト膜の性質に起因する露光裕度３とをそれぞれ求める。そして、さらに前記寸法精度に起因する露光裕度１、前記描画位置精度に起因する露光裕度２、及び前記位相シフト膜の性質に起因する露光裕度３から、前記フォトマスクを使用した場合の露光裕度を求め、この求められた露光裕度が所望の露光裕度を満たしているか否かで、前記フォトマスクの合否を判断することを特徴としている。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施形態を、図面を参照して説明する。この説明に際し、全図にわたり、共通する部分には共通する参照符号を付す。
【００１６】
（第１実施形態）
以下、この発明の第１実施形態に係わるフォトマスクの製造方法について、図１〜図５を参照しながら説明する。
【００１７】
図１はこの発明の第１実施形態に係るフォトマスクの製造方法を示す流れ図、図２Ａ、図２ＢはＣｒマスクを示す平面図、図３Ａ、図３Ｂは寸法測定方法を示す図、図４は描画位置測定方法を示す図、図５はフォーカス裕度と露光量裕度との関係を示す図である。
【００１８】
まず、マスクブランクスに、マスクパターンを形成する（ＳＴ．１）。
【００１９】
本例では、ポジ型化学増幅レジストが塗布してあるＣｒマスクブランクスに、０．６０μｍのラインアンドスペースパターン（以下Ｌ／Ｓパターン）を描画、現像し、レジストパターンを形成した。次いで、このレジストパターンをエッチングマスクとしてＣｒ膜をエッチングし、Ｃｒパターン（マスクパターン）を形成した。Ｃｒパターン形成後のＣｒマスクの平面図を図２Ａに、この図２Ａ中の破線枠２Ｂ内の拡大図を図２Ｂに示す。
【００２０】
次に、マスクパターンの寸法を測定する（ＳＴ．２）。
【００２１】
また、マスクパターンの描画位置を測定する（ＳＴ．３）。
【００２２】
本例では、寸法測定の項目とし、Ｃｒパターン寸法の平均値と目標寸法値との差、及びＣｒパターン寸法の面内均一性を求めた。その結果は、平均値と目標寸法値との差が１０ｎｍ、面内均一性が２０ｎｍ（３σ）であった。
【００２３】
寸法測定方法の具体的一例は、図３Ａに示すように、寸法測定ポイント１０を、Ｃｒマスクの面内にマトリクス状に設定する。そして、図３Ｂに示すように、例えばＣｒパターンのライン幅寸法を、これらポイント１０毎に測定することである。このようにして、寸法測定データをポイント１０毎に得て、得られた寸法測定データから、Ｃｒパターン寸法の平均値と目標寸法値との差、及びＣｒパターン寸法の面内均一性を求める。
【００２４】
また、本例では、描画位置測定の項目とし、Ｃｒパターンの位置ずれの平均値、及び位置ずれのばらつきを求めた。その結果は、位置ずれの平均値が５ｎｍ、位置ずれのばらつきが１０ｎｍ（３σ）であった。
【００２５】
この描画位置測定方法の具体的一例は、図４に示すように、例えば十字形の位置測定用マーク１１を、Ｃｒマスクの面内にマトリクス状に配置しておき、ターゲットとなる描画位置１２と実際に描画された描画位置１３とのずれ成分を、位置測定用マーク１１毎に測定することである。このようにして、描画位置測定データをマーク１１毎に得て、得られた描画位置測定データから、Ｃｒパターンの位置ずれの平均値、及び位置ずれのばらつきを求める。
【００２６】
次に、寸法測定結果から、このマスクを用いてウェハ上にパターンを転写する場合の、寸法精度に起因する露光裕度１を求める（ＳＴ．４）。
【００２７】
本例では、寸法精度に起因する露光裕度１とし、ターゲットからのずれが全く無い完全なマスク（以下完全マスク）の露光量裕度からの劣化度合いを計算した。
【００２８】
この計算に用いた露光条件は、実際にそのマスクを使用する露光条件にし、ＫｒＦステッパ（露光波長２４８ｎｍ）、ＮＡ＝０．６８、σ＝０．７５、輪帯遮蔽率２／３とした。
【００２９】
まず、完全マスクの露光裕度を計算した。この計算の結果、完全マスクの露光裕度は、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．５μｍ確保した場合、露光量裕度として１５％得られる、であった（図５、▲１▼：露光裕度曲線（完全マスク）参照）。
【００３０】
また、Ｃｒマスクの露光裕度１は、計算の結果、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．５μｍ確保した場合、Ｃｒマスクの露光量裕度は完全マスクの露光量裕度から９．４％劣化する（ΔＥＬｃｄ）、であった（図５、▲２▼：露光裕度１曲線参照）。
【００３１】
また、描画位置測定結果から、同じくこのマスクを用いてウェハ上にパターンを転写する場合の、描画位置精度に起因する露光裕度２を求める（ＳＴ．５）。
【００３２】
本例では、描画位置精度に起因する露光裕度２とし、完全マスクの露光量裕度からの劣化度合いを計算した。露光条件は、露光裕度１と場合と同じである。
【００３３】
計算の結果、Ｃｒマスクの露光裕度２は、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．５μｍ確保した場合、Ｃｒマスクの露光量裕度は完全マスクの露光量裕度から２．６％劣化する（ΔＥＬｐｏｓ）、であった（図５、▲３▼：露光裕度２曲線参照）。
【００３４】
次に、露光裕度１、２から、このマスクを用いてウェハ上にパターンを転写する場合の露光裕度を求める（ＳＴ．６）。
【００３５】
本例では、形成されたＣｒマスクの露光裕度とし、上記劣化度合いΔＥＬｃｄ及びΔＥＬｐｏｓから、トータルの劣化度合いΔＥＬを計算した。この計算式の例は、次の通りである。
【００３６】
ΔＥＬ＝√（（ΔＥＬｃｄ）2＋（ΔＥＬｐｏｓ）2）
計算の結果、Ｃｒマスクの露光裕度は、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．５μｍ確保した場合、Ｃｒマスクの露光量裕度は完全マスクの露光量裕度から９．７５％劣化する、であった。
【００３７】
このことから、Ｃｒマスクの露光裕度は、パターン寸法変動が１０％以内で、フォーカス裕度を０．５μｍ確保した場合、露光量裕度を５．２５％得ることができる、と求められた（図５、▲４▼：露光裕度曲線参照）。
【００３８】
次に、このマスクの露光裕度が、基準を満たしているか否かを判断する（ＳＴ．７）。
【００３９】
基準となる所望の露光裕度は、本例の場合、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．５μｍ確保した場合、露光量裕度が５％以上、であった（図５、▲５▼：露光裕度曲線（良否ライン）参照）。
【００４０】
形成されたＣｒマスクの露光量裕度は、ＳＴ．６において求めた通り、５．２５％である。このため、図５に示すように、Ｃｒマスクは基準を満たしている。よって、本Ｃｒマスクは良品である、と判断された。ちなみに、従来、このＣｒマスクの仕様値は、パターン寸法の面内均一性が１６ｎｍ（３σ）以内である。よって、パターン寸法の面内均一性が仕様を満たさず、不良品として処分されていた。
【００４１】
この実施形態によれば、次のような効果がある。
【００４２】
従来では、パターン寸法の平均値及び面内均一性の仕様値が各々決められており、どちらかが仕様値を満たさない場合、不良品マスクとされていた。
【００４３】
しかし、この実施形態では、寸法精度に起因した露光裕度１及び描画位置精度に起因した露光裕度２から、形成されたマスクの露光裕度を求め、この求めた露光裕度が、基準となる所望の露光裕度を満たしているか否かで合否判断をする。このため、従来、不良品とされていたマスク、例えば、平均値は余裕を持って仕様値を満たすが、面内均一性は仕様値を満たさないマスクで、基準となる所望の露光裕度を満たすマスクを、新たに良品として救済でき、マスクの歩留まりを向上させることができる。
【００４４】
さらに本実施形態によれば、本件出願人による先願（特願２０００−２６０２８５（平成１２年８月３０日出願））に比較し、マスクの露光裕度を、描画位置の測定データ、例えばＣｒパターンの位置ずれの平均値及び位置ずれのばらつき等を、さらに考慮して求めるようにしていることから、より精度の高い合否判断が可能となる。
【００４５】
（第２実施形態）
本第２実施形態が第１実施形態と特に異なるところは、ＳＴ．６における合否判断において、完全マスクの露光量裕度に代え、形成したＣｒマスクから寸法精度が良好なパターン、例えば寸法平均値のずれが少ないパターンを抽出し、このパターンを実際にウェハに露光した結果から求めた露光量裕度を使用するようにしたことである。
【００４６】
図６はこの発明の第２実施形態に係るフォトマスクの製造方法を示す流れ図、図７はフォーカス裕度と露光量裕度との関係を示す図である。
【００４７】
まず、図６に示すように、マスクブランクスに、マスクパターンを形成する（ＳＴ．１）。
【００４８】
本例では、ポジ型化学増幅レジストが塗布してあるＣｒマスクブランクスに、０．６０μｍのＬ／Ｓパターンを描画、現像し、レジストパターンを形成した。次いで、このレジストパターンをエッチングマスクとしてＣｒ膜をエッチングし、Ｃｒパターン（マスクパターン）を形成した。
【００４９】
次に、マスクパターンの寸法を測定する（ＳＴ．２）。
【００５０】
また、マスクパターンの描画位置を測定する（ＳＴ．３）。
【００５１】
本例では、寸法測定の項目とし、Ｃｒパターン寸法の平均値と目標寸法との差、及びＣｒパターン寸法の面内均一性を求めた。その結果は、平均値と目標寸法との差が１０ｎｍ、面内均一性が２０ｎｍ（３σ）であった。
【００５２】
また、本例では、描画位置測定の項目とし、Ｃｒパターンの位置ずれの平均値、及び位置ずれのばらつきを求めた。その結果は、位置ずれの平均値が５ｎｍ、位置ずれのばらつきが１０ｎｍ（３σ）であった。
【００５３】
次に、寸法測定結果から、このマスクを用いてウェハ上にパターンを転写する場合の、寸法精度に起因する露光裕度１を求める（ＳＴ．４）。
【００５４】
本例では、寸法精度に起因する露光裕度１とし、完全マスクの露光量裕度からの劣化度合いを計算した。
【００５５】
この計算に用いた露光条件は、実際にそのマスクを使用する露光条件にし、ＫｒＦステッパ、ＮＡ＝０．６８、σ＝０．７５、輪帯遮蔽率２／３とした。
【００５６】
最初に完全マスクの露光裕度を計算した。この計算の結果、完全マスクの露光裕度は、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．５μｍ確保した場合、露光量裕度が１５％得られる、であった（図７、▲１▼：露光裕度曲線（完全マスク）参照）。
【００５７】
また、計算の結果、Ｃｒマスクの露光裕度１は、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．５μｍ確保した場合、Ｃｒマスクの露光量裕度は、完全マスクの露光量裕度から９．４％劣化する（ΔＥＬｃｄ）、であった（図７、▲２▼：露光裕度１曲線参照）。
【００５８】
また、描画位置測定結果から、同じくこのマスクを用いてウェハ上にパターンを転写する場合の、描画位置精度に起因する露光裕度２を求める（ＳＴ．５）。
【００５９】
露光裕度１と同じ条件による計算の結果、描画位置精度に起因する露光裕度２は、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．５μｍ確保した場合、Ｃｒマスクの露光量裕度が完全マスクの露光量裕度から２．６％劣化する（ΔＥＬｐｏｓ）、であった（図７、▲３▼：露光裕度２曲線参照）。
【００６０】
次に、露光裕度１、２から、このマスクを用いてウェハ上にパターンを転写する場合の露光裕度を求める（ＳＴ．６）。
【００６１】
本例では、形成されたＣｒマスクの露光裕度とし、まず、劣化度合いΔＥＬｃｄ及びΔＥＬｐｏｓから、トータルの劣化度合いΔＥＬを計算した。
【００６２】
計算の結果、形成されたＣｒマスクの露光裕度は、パターン寸法変動が１０％以内で、フォーカス裕度を０．５μｍ確保した場合、露光量裕度が完全マスクの露光量裕度から９．７５％劣化する、であった。
【００６３】
また、このＣｒマスク上から、Ｃｒパターン寸法の平均値と目標寸法値とのずれが少ないパターンを抽出し、このパターンを、ＫｒＦステッパ、ＮＡ＝０．６８、σ＝０．７５、輪帯遮蔽率２／３の条件にて、実際にウェハ上に露光した。次いで、現像、エッチングプロセスを経てウェハ上に形成されたパターンの寸法を測定した。このように実際に露光した結果から、このＣｒマスクの、Ｃｒパターン寸法の平均値と目標寸法値とのずれが少ないパターンの露光裕度は、フォーカス裕度を０．５μｍ確保した場合、露光量裕度が１７％得られる、ことが分かった（図７、▲６▼：露光裕度曲線（寸法精度が良好なパターン）参照）。
【００６４】
このことから、このＣｒマスクの露光裕度は、フォーカス裕度を０．５μｍ確保した場合、露光量裕度を７．２５％得ることができる、と求められた（図７、▲４▼：露光裕度曲線参照）。
【００６５】
次に、このマスクの露光裕度が、基準を満たしているか否かを判断する（ＳＴ．７）。
【００６６】
基準となる所望の露光裕度は、本例の場合、フォーカス裕度を０．５μｍ確保した場合、露光量裕度が４％以上、であった（図７、▲５▼：露光裕度曲線（良否ライン）参照）。
【００６７】
形成されたＣｒマスクの露光量裕度は、ＳＴ．６において求めた通り、７．２５％である。このため、図７に示すように、本Ｃｒマスクは基準を満たしている。よって、本Ｃｒマスクは良品である、と判断された。ちなみに、従来、このＣｒマスクの仕様値は、パターン寸法の面内均一性が１３ｎｍ（３σ）以内である。よって、パターン寸法の面内均一性が仕様を満たさず、不良品として処分されていた。
【００６８】
この第２実施形態によれば、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００６９】
さらに本第２実施形態によれば、上記第１実施形態に比較して、ＳＴ．６における合否判断において、実際にウェハに露光した結果から求めた露光量裕度を使用するため、より実際の露光に即した合否判断が可能である。
【００７０】
（第３実施形態）
本第３実施形態は、この発明を、位相シフトマスク、特にハーフトーン型位相シフトマスクに適用した例である。
【００７１】
図８はこの発明の第３実施形態に係るフォトマスクの製造方法を示す流れ図、図９は工程ＳＴ．４を示す図、図１０は工程ＳＴ．９を示す図、図１１はフォーカス裕度と露光量裕度との関係を示す図である。
【００７２】
まず、図８に示すように、マスクブランクスに、マスクパターンを形成する（ＳＴ．１）。
【００７３】
本例では、ポジ型化学増幅レジストが塗布してあるハーフトーン型マスクブランクスに、０．５２μｍのＬ／Ｓパターンと、隣接パターンとの距離が２．０μｍ離れている０．７０μｍの孤立スペースラインを描画、現像し、レジストパターンを形成した。次いで、このレジストパターンをエッチングマスクとしてＣｒ膜及びハーフトーン膜をエッチングし、マスクパターンを形成した。
【００７４】
次に、マスクパターンの寸法を測定する（ＳＴ．２）。
【００７５】
また、マスクパターンの描画位置を測定する（ＳＴ．３）。
【００７６】
さらに、位相シフト膜の性質、本例ではハーフトーン型位相シフト膜の性質を測定する（ＳＴ．８）。
【００７７】
本例では、寸法測定の項目とし、形成されたマスクパターンのスペース幅を測定し、スペース幅の平均値と目標寸法値との差、及びスペース幅の面内均一性を求めた。その結果は、スペース幅の平均値と目標寸法値との差が０．５２μｍのＬ／Ｓパターンで−４ｎｍ、０．７０μｍの孤立スペースパターンで＋４ｎｍ、スペース幅の面内均一性が１４ｎｍ（３σ）であった。
【００７８】
また、本例では、描画位置測定の項目とし、マスクパターンの位置ずれのばらつきを求めた。その結果は、位置ずれのばらつきが３ｎｍ（３σ）であった。
【００７９】
また、本例では、ハーフトーン型の位相シフト膜の性質測定の項目とし、位相シフト膜の透過率の平均値と目標透過率値との差、透過率のばらつき、位相差の平均値と目標位相差値との差、及び位相差のばらつきを求めた。その結果は、透過率の平均値の目標値からのずれが０．０５％、透過率のばらつきが０．１％、位相差の平均値の目標値からのずれが６°、位相差のばらつきが５°（３σ）であった。
【００８０】
次に、寸法測定結果から、このハーフトーン型位相シフトマスクを用いてウェハ上にパターンを転写する場合の、寸法精度に起因する露光裕度１を求める（ＳＴ．４）。
【００８１】
本例では、図９に示すように、寸法精度のうち、スペース幅の平均値と目標寸法値との差に起因する露光裕度１Ａと、スペース幅の面内均一性に起因する露光裕度１Ｂとを求める（ＳＴ．４Ａ、ＳＴ．４Ｂ）。そして、露光裕度１Ａとし、完全マスクの露光量裕度からの劣化度合いを計算した。この計算に用いた露光条件は、実際にそのマスクを使用する際の露光条件、例えばＫｒＦステッパ、ＮＡ＝０．６８、σ＝０．７５、輪帯遮蔽率２／３である。
【００８２】
計算の結果、露光裕度１Ａは、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．４μｍ確保した場合、ハーフトーン型位相シフトマスクの露光量裕度が完全マスクの露光量裕度から０．３９％劣化する、であった。
【００８３】
同じく、露光裕度１Ｂは、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．４μｍ確保した場合、ハーフトーン型位相シフトマスクの露光量裕度が完全マスクの露光量裕度から６．５％劣化する、であった。
【００８４】
また、描画位置測定結果から、同じくこのハーフトーン型位相シフトマスクを用いてウェハ上にパターンを転写する場合の、描画位置精度に起因する露光裕度２を求める（ＳＴ．５）。
【００８５】
露光裕度１と同じ条件による計算の結果、露光裕度２は、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．４μｍ確保した場合、ハーフトーン型位相シフトマスクの露光量裕度が完全マスクの露光量裕度から０．８％劣化する、であった。
【００８６】
さらに、ハーフトーン膜の性質測定結果から、同じくこのハーフトーン型位相シフトマスクを用いてウェハ上にパターンを転写する場合の、ハーフトーン型位相シフト膜の性質に起因する露光裕度３を求める（ＳＴ．９）。
【００８７】
本例では、図１０に示すように、位相シフト膜の性質のうち、位相シフト膜の透過率の平均値と目標透過率値との差に起因する露光裕度３Ａと、透過率のばらつきに起因する露光裕度３Ｂと、位相差の平均値の目標位相差値との差に起因する露光裕度３Ｃと、位相差のばらつきに起因する露光裕度３Ｄとを求める（ＳＴ．９Ａ〜ＳＴ．９Ｄ）。
【００８８】
露光裕度１と同じ条件による計算の結果、露光裕度３Ａは、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．４μｍ確保した場合、ハーフトーン型位相シフトマスクの露光量裕度が完全マスクの露光量裕度から０．０５５％劣化する、であった。
【００８９】
同じく、露光裕度３Ｂは、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．４μｍ確保した場合、ハーフトーン型位相シフトマスクの露光量裕度が完全マスクの露光量裕度から０．３３％劣化する、であった。
【００９０】
同じく、露光裕度３Ｃは、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．４μｍ確保した場合、ハーフトーン型位相シフトマスクの露光量裕度が完全マスクの露光量裕度から０．０１７％劣化する、であった。
【００９１】
同じく、露光裕度３Ｄは、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．４μｍ確保した場合、ハーフトーン型位相シフトマスクの露光量裕度が完全マスクの露光量裕度から０．１２％劣化する、であった。
【００９２】
次に、露光裕度１Ａ、１Ｂ、露光裕度２、及び露光裕度３Ａ〜３Ｄから、このマスクを用いてウェハ上にパターンを転写する場合の露光裕度を求める（ＳＴ．６）。
【００９３】
本例では、形成されたＣｒマスクの露光裕度として、露光裕度１Ａ、１Ｂ、露光裕度２、及び露光裕度３Ａ〜３Ｄから、トータルの劣化度合いを計算した。
【００９４】
計算の結果、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．５μｍ確保した場合、ハーフトーン型位相シフトマスクの露光量裕度が完全マスクの露光量裕度から７．２４％劣化する、であった。
【００９５】
また、本例では、第２実施形態と同様に、このハーフトーン型位相シフトマスク上から、Ｃｒパターン寸法の平均値と目標寸法値とのずれが少ないパターンを抽出し、このパターンを、ＫｒＦステッパ、ＮＡ＝０．６８、σ＝０．７５、輪帯遮蔽率２／３の条件にて、実際にウェハ上に露光し、ウェハ上に形成されたパターンの寸法を測定した。この実際に露光した結果から、このハーフトーン型位相シフトマスクのＣｒパターン寸法の平均値と目標寸法値とのずれが少ないパターンの露光裕度は、フォーカス裕度を０．４μｍ確保した場合、露光量裕度として１２％得られる、ことが分かった。
【００９６】
このことから、ハーフトーン型位相シフトマスクの露光裕度は、フォーカス裕度を０．４μｍ確保した場合、露光量裕度として４．７６％得ることができる、と求められた。
【００９７】
次に、このマスクの露光裕度が、基準を満たしているか否かを判断する（ＳＴ．７）。
【００９８】
基準となる所望の露光裕度は、本例の場合、フォーカス裕度を０．４μｍ確保した場合、露光量裕度として４％以上、であった。
【００９９】
形成されたハーフトーン型位相シフトマスクの露光量裕度は、ＳＴ．６において求めた通り、４．７６％であり、図１１に示すように、このハーフトーン型位相シフトマスクは基準を満たす。よって、このハーフトーン型位相シフトマスクは良品である、と判断された。ちなみに、従来、このハーフトーン型位相シフトマスクの仕様値は、パターン寸法の面内均一性が１３ｎｍ（３σ）以内である。よって、パターン寸法の面内均一性が仕様を満たさず、不良品として処分されていた。
【０１００】
この第３実施形態によれば、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０１０１】
（第４実施形態）
図１２はこの発明の第４実施形態に係るフォトマスクの製造方法を示す流れ図、図１３はフォーカス裕度と露光量裕度との関係を示す図である。
【０１０２】
まず、図１２に示すように、マスクブランクスに、マスクパターンを形成する（ＳＴ．１）。
【０１０３】
本例では、ポジ型化学増幅レジストが塗布してあるＣｒマスクブランクスに、０．６０μｍのＬ／Ｓパターンを描画、現像し、レジストパターンを形成した。次いで、このレジストパターンをエッチングマスクとしてＣｒ膜をエッチングし、Ｃｒパターン（マスクパターン）を形成した。
【０１０４】
次に、マスクパターンの寸法を測定する（ＳＴ．２）。
【０１０５】
また、マスクパターンの描画位置を測定する（ＳＴ．３）。
【０１０６】
本例では、寸法測定の項目とし、Ｃｒパターン寸法の平均値と目標寸法との差、及びＣｒパターン寸法の面内均一性を求めた。その結果は、平均値と目標寸法値との差が１０ｎｍ、面内均一性が２０ｎｍ（３σ）であった。
【０１０７】
また、本例では、描画位置測定の項目とし、Ｃｒパターンの位置ずれの平均値、位置ずれのばらつき、フォトマスク全体の伸縮成分、フォトマスク全体の直交ずれ成分、及びフォトマスク全体の局所位置ずれ量を求めた。その結果は、位置ずれの平均値が５ｎｍ、位置ずれのばらつきが１０ｎｍ（３σ）、伸縮成分及び直交ずれ成分がともに１．５ｐｐｍ、局所位置ずれ量は１５ｎｍ（３σ）であった。
【０１０８】
次に、寸法測定結果から、このＣｒマスクを用いてウェハ上にパターンを転写する場合の、寸法精度に起因する露光裕度１を求める（ＳＴ．４）。
【０１０９】
本例では、寸法精度のうち、Ｃｒパターン寸法の平均値と目標寸法値との差に起因する露光裕度１Ａと、Ｃｒパターン寸法の面内均一性に起因する露光裕度１Ｂとを求めた。そして、露光裕度１Ａとして、完全マスクの露光量裕度からの劣化度合いを計算した。この計算に用いた露光条件は、実際にそのマスクを使用する際の露光条、例えばＫｒＦステッパ、ＮＡ＝０．６８、σ＝０．７５、輪帯遮蔽率２／３である。
【０１１０】
計算の結果、露光裕度１Ａは、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．５μｍ確保した場合、Ｃｒマスクの露光量裕度が完全マスクの露光量裕度から９．４％劣化する、であった。
【０１１１】
同じく、計算の結果、露光裕度１Ｂは、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．５μｍ確保した場合、Ｃｒマスクの露光量裕度が完全マスクの露光量裕度から０．３％劣化する、であった。
【０１１２】
また、描画位置測定結果から、同じくこのマスクを用いてウェハ上にパターンを転写する場合の、描画位置精度に起因する露光裕度２を求める（ＳＴ．５）。
【０１１３】
露光裕度１Ａ、１Ｂと同じ条件による計算の結果、描画位置精度に起因する露光裕度２は、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．５μｍ確保した場合、Ｃｒマスクの露光量裕度が完全マスクの露光量裕度から２．６％劣化する、であった。
【０１１４】
次に、露光裕度１Ａ、１Ｂ、及び露光裕度２から、このマスクを用いてウェハ上にパターンを転写する場合の露光裕度を求める（ＳＴ．６）。
【０１１５】
本例では、形成されたＣｒマスクの露光裕度として、露光裕度１Ａ、１Ｂ、及び露光裕度２として求められた３つの劣化度合いから、トータルの劣化度合いを計算した。
【０１１６】
計算の結果、Ｃｒマスクの露光裕度は、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．５μｍ確保した場合、Ｃｒマスクの露光量裕度が完全マスクの露光量裕度から１０％劣化する、であった。
【０１１７】
また、本例では、第２実施形態と同様に、このＣｒマスク上から、Ｃｒパターン寸法の平均値と目標寸法値とのずれが少ないパターンを抽出し、このパターンを、ＫｒＦステッパ、ＮＡ＝０．６８、σ＝０．７５、輪帯遮蔽率２／３の条件にて、実際にウェハ上に露光し、ウェハ上に形成されたパターンの寸法を測定した。この実際に露光した結果から、このＣｒマスクの、Ｃｒパターン寸法の平均値と目標寸法値とのずれが少ないパターンの露光裕度は、フォーカス裕度を０．５μｍ確保した場合、露光量裕度として１７％得られる、ことが分かった。
【０１１８】
このことから、Ｃｒマスクの露光裕度は、フォーカス裕度を０．５μｍ確保した場合、露光量裕度として７％得ることができる、と求められた。
【０１１９】
次に、このマスクの露光裕度が、基準を満たしているか否かを判断する（ＳＴ．７）。
【０１２０】
基準となる所望の露光裕度は、本例の場合、フォーカス裕度を０．５μｍ確保した場合、露光量裕度として５％以上、であった。
【０１２１】
形成されたＣｒマスクの露光量裕度は、ＳＴ．６において求めた通り、７％であり、図１３に示すように、このＣｒマスクは基準を満たす。よって、このＣｒマスクは良品である、と判断された。
【０１２２】
このような第４実施形態においても、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０１２３】
（第５実施形態）
図１４はこの発明の第５実施形態に係るフォトマスクの製造方法を示す流れ図、図１５はフォーカス裕度と露光量裕度との関係を示す図である。
【０１２４】
まず、図１４に示すように、マスクブランクスに、マスクパターンを形成する（ＳＴ．１）。
【０１２５】
本例では、ポジ型化学増幅レジストが塗布してあるハーフトーン型マスクブランクスに、０．７０μｍの孤立ラインパターンを描画、現像し、レジストパターンを形成した。次いで、このレジストパターンをエッチングマスクとしてハーフトーン膜をエッチングし、マスクパターンを形成した。
【０１２６】
次に、マスクパターンの寸法を測定する（ＳＴ．２）。
【０１２７】
また、マスクパターンの描画位置を測定する（ＳＴ．３）。
【０１２８】
さらに、位相シフト膜の性質、本例ではハーフトーン型の位相シフト膜の性質を測定する（ＳＴ．８）。
【０１２９】
本例では、寸法測定の項目とし、形成されたマスクパターン寸法の平均値と目標寸法値との差、及びマスクパターン寸法の面内均一性を求めた。その結果は、マスクパターン寸法の平均値と目標寸法値との差が１０ｎｍ、面内均一性が１３ｎｍ（３σ）であった。
【０１３０】
また、本例では、描画位置測定の項目とし、マスクパターンの位置ずれの平均値、及び位置ずれのばらつきを求めた。その結果は、位置ずれの平均値が５ｎｍ、位置ずれのばらつきが１０ｎｍ（３σ）であった。
【０１３１】
また、本例では、ハーフトーン型の位相シフト膜の性質測定の項目とし、位相シフト膜の透過率の平均値と目標透過率値との差、透過率の面内均一性（目標透過率からのずれ量）、位相差の平均値と目標位相差値との差、及び位相差の面内均一性を求めた。その結果は、透過率の平均値の目標透過率値との差が−０．５％、透過率の面内均一性が０．７％（３σ）、位相差の平均値の目標位相差値との差が５°、位相差の面内均一性が７°であった。
【０１３２】
次に、寸法測定結果から、このハーフトーン型位相シフトマスクを用いてウェハ上にパターンを転写する場合の、寸法精度に起因する露光裕度１を求める（ＳＴ．４）。
【０１３３】
本例では、寸法精度のうち、マスクパターン寸法の平均値と目標寸法値との差に起因する露光裕度１Ａと、マスクパターン寸法の面内均一性に起因する露光裕度１Ｂとを求めた。そして、露光裕度１Ａとし、完全マスクの露光量裕度からの劣化度合いを計算した。この計算に用いた露光条件は、実際にそのマスクを使用する際の露光条件、例えばＡｒＦステッパ、ＮＡ＝０．５５、σ＝０．７５、輪帯遮蔽率２／３である。
【０１３４】
計算の結果、露光裕度１Ａは、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．４μｍ確保した場合、ハーフトーン型位相シフトマスクの露光量裕度が完全マスクの露光量裕度から３．２％劣化する、であった。
【０１３５】
同じく、露光裕度１Ｂは、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．４μｍ確保した場合、ハーフトーン型位相シフトマスクの露光量裕度が完全マスクの露光量裕度から３．３％劣化する、であった。
【０１３６】
また、描画位置測定結果から、同じくこのハーフトーン型位相シフトマスクを用いてウェハ上にパターンを転写する場合の、描画位置精度に起因する露光裕度２を求める（ＳＴ．５）。
【０１３７】
露光裕度１と同じ条件による計算の結果、露光裕度２は、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．４μｍ確保した場合、ハーフトーン型位相シフトマスクの露光量裕度が完全マスクの露光量裕度から２．６％劣化する、であった。
【０１３８】
さらに、位相シフト膜の性質測定結果から、同じくこのハーフトーン型位相シフトマスクを用いてウェハ上にパターンを転写する場合の、位相シフト膜の性質に起因する露光裕度３を求める（ＳＴ．９）。
【０１３９】
露光裕度１と同じ条件による計算の結果、露光裕度３は、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．４μｍ確保した場合、ハーフトーン型位相シフトマスクの露光量裕度が完全マスクの露光量裕度から２．１％劣化する、であった。
【０１４０】
次に、露光裕度１Ａ、１Ｂ、露光裕度２、及び露光裕度３から、このマスクを用いてウェハ上にパターンを転写する場合の露光裕度を求める（ＳＴ．６）。
【０１４１】
本例では、形成されたハーフトーン型位相シフトマスクの露光裕度として、露光裕度１Ａ、１Ｂ、露光裕度２、及び露光裕度３から、トータルの劣化度合いを計算した。
【０１４２】
計算の結果、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．４μｍ確保した場合、ハーフトーン型位相シフトマスクの露光量裕度が完全マスクの露光量裕度から８．１％劣化する、であった。
【０１４３】
また、完全マスクの露光裕度は、計算の結果、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．４μｍ確保した場合、露光量裕度として９．６％得られる、であった
このことから、ハーフトーン型位相シフトマスクの露光裕度は、フォーカス裕度を０．４μｍ確保した場合、露光量裕度として１．５％得ることができる、と求められた。
【０１４４】
次に、このマスクの露光裕度が、基準を満たしているか否かを判断する（ＳＴ．７）。
【０１４５】
基準となる所望の露光裕度は、本例の場合、フォーカス裕度を０．４μｍ確保した場合、露光量裕度として４％以上、であった。
【０１４６】
形成されたハーフトーン型位相シフトマスクの露光量裕度は、ＳＴ．６において求めた通り、１．５％であり、図１５に示すように、このハーフトーン型位相シフトマスクは基準を満たさない。よって、このハーフトーン型位相シフトマスクは不良品である、と判断された。
【０１４７】
（第６実施形態）
図１６はこの発明の第６実施形態に係るフォトマスクの製造方法を示す流れ図、図１７はフォーカス裕度と露光量裕度との関係を示す図である。
【０１４８】
まず、図１６に示すように、マスクブランクスに、マスクパターンを形成する（ＳＴ．１）。
【０１４９】
本例では、ポジ型化学増幅レジストが塗布してあるＣｒマスクブランクスに、０．５２μｍのＬ／Ｓパターンを描画、現像し、レジストパターンを形成した。次いで、このレジストパターンをエッチングマスクとしてＣｒ膜をエッチングしてＣｒパターン（マスクパターン）を形成する。さらに隣り合うＣｒパターンが理想的には１８０°の位相差を持つように加工し、いわゆるレベンソン型位相シフトマスクを形成した。
【０１５０】
次に、マスクパターンの寸法を測定する（ＳＴ．２）。
【０１５１】
また、マスクパターンの描画位置を測定する（ＳＴ．３）。
【０１５２】
さらに、位相シフト膜の性質を測定する。本例では、レベンソン型位相シフト膜の性質を測定する（ＳＴ．８）。
【０１５３】
本例では、寸法測定の項目とし、Ｃｒパターン寸法の平均値と目標寸法との差、及びＣｒパターン寸法の面内均一性を求めた。その結果は、平均値と目標寸法との差が１０ｎｍ、面内均一性が２０ｎｍ（３σ）であった。
【０１５４】
また、本例では、描画位置測定の項目とし、Ｃｒパターンの位置ずれの平均値、及び位置ずれのばらつきを求めた。その結果は、位置ずれの平均値が５ｎｍ、位置ずれのばらつきが１０ｎｍ（３σ）であった。
【０１５５】
また、本例では、レベンソン型の位相シフト膜の性質測定の項目とし、位相シフト膜の位相差の平均値と目標位相差値、及び位相差の面内均一性を求めた。その結果は、位相差の平均値の目標位相差値との差が５°、位相差の面内均一性が７°であった。
【０１５６】
次に、寸法測定結果から、このレベンソン型位相シフトマスクを用いてウェハ上にパターンを転写する場合の、寸法精度に起因する露光裕度１を求める（ＳＴ．４）。
【０１５７】
本例では、寸法精度のうち、Ｃｒパターンの平均値と目標寸法値との差に起因する露光裕度１Ａと、Ｃｒパターンの面内均一性に起因する露光裕度１Ｂとを求めた。そして、露光裕度１Ａとし、完全マスクの露光量裕度からの劣化度合いを計算した。この計算に用いた露光条件は、実際にそのマスクを使用する際の露光条件、例えばＡｒＦステッパ、ＮＡ＝０．６０、σ＝０．３０、輪帯遮蔽無しである。
【０１５８】
計算の結果、露光裕度１Ａは、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．４μｍ確保した場合、レベンソン型位相シフトマスクの露光量裕度が完全マスクの露光量裕度から２．５％劣化する、であった。
【０１５９】
同じく露光裕度１Ｂは、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．４μｍ確保した場合、レベンソン型位相シフトマスクの露光量裕度が完全マスクの露光量裕度から３．３％劣化する、であった。
【０１６０】
また、描画位置測定結果から、同じくこのレベンソン型位相シフトマスクを用いてウェハ上にパターンを転写する場合の、描画位置精度に起因する露光裕度２を求める（ＳＴ．５）。
【０１６１】
露光裕度１と同じ条件による計算の結果、露光裕度２は、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．４μｍ確保した場合、レベンソン型位相シフトマスクの露光量裕度が完全マスクの露光量裕度から２．６％劣化する、であった。
【０１６２】
さらに、位相シフト膜の性質測定結果から、同じくこのレベンソン型位相シフトマスクを用いてウェハ上にパターンを転写する場合の、位相シフト膜の性質に起因する露光裕度３を求める（ＳＴ．９）。
【０１６３】
露光裕度１と同じ条件による計算の結果、露光裕度３は、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．４μｍ確保した場合、レベンソン型位相シフトマスクの露光量裕度が完全マスクの露光量裕度から２．１％劣化する、であった。
【０１６４】
次に、露光裕度１Ａ、１Ｂ、露光裕度２、及び露光裕度３から、このマスクを用いてウェハ上にパターンを転写する場合の露光裕度を求める（ＳＴ．６）。
【０１６５】
本例では、形成されたレベンソン型位相シフトマスクの露光裕度として、露光裕度１Ａ、１Ｂ、露光裕度２、及び露光裕度３から、トータルの劣化度合いを計算した。
【０１６６】
計算の結果、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．４μｍ確保した場合、レベンソン型位相シフトマスクの露光量裕度が完全マスクの露光量裕度から７．６％劣化する、であった。
【０１６７】
また、完全マスクの露光裕度は、計算の結果、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．４μｍ確保した場合、露光量裕度として１６％得られる、であった
このことから、レベンソン型位相シフトマスクの露光裕度は、フォーカス裕度を０．４μｍ確保した場合、露光量裕度として８．４％得ることができる、と求められた。
【０１６８】
次に、このマスクの露光裕度が、基準を満たしているか否かを判断する（ＳＴ．７）。
【０１６９】
基準となる所望の露光裕度は、本例の場合、フォーカス裕度を０．４μｍ確保した場合、露光量裕度として４％以上、であった。
【０１７０】
形成されたレベンソン型位相シフトマスクの露光量裕度は、ＳＴ．６において求めた通り、８．４％であり、図１７に示すように、このレベンソン型位相シフトマスクは基準を満たす。よって、このレベンソン型位相シフトマスクは良品である、と判断された。
【０１７１】
このような第６実施形態においても、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０１７２】
（第７実施形態）
図１８はこの発明の第７実施形態に係るフォトマスクの製造方法を示す流れ図、図１９はフォーカス裕度と露光量裕度との関係を示す図である。
【０１７３】
まず、図１８に示すように、マスクブランクスに、マスクパターンを形成する（ＳＴ．１）。
【０１７４】
本例では、ポジ型化学増幅レジストが塗布してあるＣｒマスクブランクスに、０．６μｍのＬ／Ｓパターンを描画、現像し、レジストパターンを形成した。次いで、このレジストパターンをエッチングマスクとしてＣｒ膜をエッチングし、Ｃｒパターン（マスクパターン）を形成した。
【０１７５】
次に、マスクパターンの寸法を測定する（ＳＴ．２）。
【０１７６】
また、マスクパターンの描画位置を測定する（ＳＴ．３）。
【０１７７】
さらに、本例では、形成されたＣｒマスクの欠陥検査を行う（ＳＴ．１０）
本例では、寸法測定の項目とし、Ｃｒパターン寸法の平均値と目標寸法との差、及びＣｒパターン寸法の面内均一性を求めた。その結果は、平均値と目標寸法との差が１０ｎｍ、面内均一性が２０ｎｍ（３σ）であった。
【０１７８】
また、本例では、描画位置測定の項目とし、Ｃｒパターンの位置ずれの平均値、及び位置ずれのばらつきを求めた。その結果は、位置ずれの平均値が５ｎｍ、位置ずれのばらつきが１０ｎｍ（３σ）であった。
【０１７９】
また、本例では、欠陥検査において、面積が１００００ｎｍ2の不透明な異物が発見された。不透明な異物とは所望マスク形状と形が違うところであり、欠陥である。
【０１８０】
次に、寸法測定結果から、このマスクを用いてウェハ上にパターンを転写する場合の、寸法精度に起因する露光裕度１を求める（ＳＴ．４）。
【０１８１】
本例では、寸法精度に起因する露光裕度１とし、完全マスクの露光量裕度からの劣化度合いを計算した。
【０１８２】
この計算に用いた露光条件は、実際にそのマスクを使用する露光条件にし、ＫｒＦステッパ、ＮＡ＝０．６８、σ＝０．７５、輪帯遮蔽率２／３とした。
【０１８３】
計算の結果、Ｃｒマスクの露光裕度１は、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．５μｍ確保した場合、Ｃｒマスクの露光量裕度は、完全マスクの露光量裕度から９．４％劣化する、であった。
【０１８４】
また、描画位置測定結果から、同じくこのマスクを用いてウェハ上にパターンを転写する場合の、描画位置精度に起因する露光裕度２を求める（ＳＴ．５）。
【０１８５】
露光裕度１と同じ条件による計算の結果、描画位置精度に起因する露光裕度２は、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．５μｍ確保した場合、Ｃｒマスクの露光量裕度が完全マスクの露光量裕度から２．６％劣化する、であった。
【０１８６】
さらに、欠陥に起因する露光裕度４を求める（ＳＴ．１１）。
【０１８７】
露光裕度１と同じ条件による計算の結果、欠陥に起因する露光裕度４は、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．５μｍ確保した場合、Ｃｒマスクの露光量裕度が完全マスクの露光量裕度から１％劣化する、であった。
【０１８８】
次に、露光裕度１、露光裕度２、及び露光裕度４から、このマスクを用いてウェハ上にパターンを転写する場合の露光裕度を求める（ＳＴ．６）。
【０１８９】
本例では、形成されたＣｒマスクの露光裕度として、露光裕度１、露光裕度２、及び露光裕度３として求められた３つの劣化度合いから、トータルの劣化度合いを計算した。
【０１９０】
計算の結果、形成されたＣｒマスクの露光裕度は、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．５μｍ確保した場合、Ｃｒマスクの露光量裕度が完全マスクの露光量裕度から１０．５％劣化する、であった。
【０１９１】
また、完全マスクの露光裕度は、計算の結果、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．５μｍ確保した場合、露光量裕度として１５％得られる、であった
このことから、Ｃｒマスクの露光裕度は、フォーカス裕度を０．５μｍ確保した場合、露光量裕度として４．３％得ることができる、と求められた。
【０１９２】
次に、このマスクの露光裕度が、基準を満たしているか否かを判断する（ＳＴ．７）。
【０１９３】
基準となる所望の露光裕度は、本例の場合、フォーカス裕度を０．５μｍ確保した場合、露光量裕度として５％以上、であった。
【０１９４】
形成されたＣｒマスクの露光量裕度は、ＳＴ．６において求めた通り、４．３％であり、図１９に示すように、このＣｒマスクは基準を満たさない。よって、このＣｒマスクは不良品である、と判断された。
【０１９５】
（第８実施形態）
図２０はこの発明の第８実施形態に係るフォトマスクの製造方法を示す流れ図、図２１はフォーカス裕度と露光量裕度との関係を示す図である。
【０１９６】
まず、図２０に示すように、マスクブランクスに、マスクパターンを形成する（ＳＴ．１）。
【０１９７】
本例では、ポジ型化学増幅レジストが塗布してあるハーフトーン型マスクブランクスに、０．７μｍの孤立ラインパターンを描画、現像し、レジストパターンを形成した。次いで、このレジストパターンをエッチングマスクとしてハーフトーン膜をエッチングし、マスクパターンを形成した。
【０１９８】
次に、マスクパターンの寸法を測定する（ＳＴ．２）。
【０１９９】
また、マスクパターンの描画位置を測定する（ＳＴ．３）。
【０２００】
また、位相シフト膜の性質、本例ではハーフトーン型の位相シフト膜の性質を測定する（ＳＴ．８）。
【０２０１】
さらに、形成されたハーフトーン型位相シフトマスクの欠陥検査を行う（ＳＴ．１０）。
【０２０２】
本例では、寸法測定の項目とし、形成されたマスクパターン寸法の平均値と目標寸法値との差、及びマスクパターン寸法の面内均一性を求めた。その結果は、マスクパターン寸法の平均値と目標寸法値との差が１０ｎｍ、面内均一性が５ｎｍ（３σ）であった。
【０２０３】
また、本例では、描画位置測定の項目とし、マスクパターンの位置ずれの平均値、及び位置ずれのばらつきを求めた。その結果は、位置ずれの平均値が５ｎｍ、位置ずれのばらつきが１０ｎｍ（３σ）であった。
【０２０４】
また、本例では、ハーフトーン型の位相シフト膜の性質測定の項目とし、位相シフト膜の透過率の平均値と目標透過率値との差、透過率の面内均一性（目標透過率からのずれ量）、位相差の平均値と目標位相差値との差、及び位相差の面内均一性を求めた。その結果は、透過率の平均値の目標透過率値との差が−０．５％、透過率の面内均一性が０．７％（３σ）、位相差の平均値の目標位相差値との差が５°、位相差の面内均一性が７°であった。
【０２０５】
また、本例では、欠陥検査工程において、面積が４００００ｎｍ2のピンホールが発見された。このため、欠陥修正装置にて、欠陥、本例ではピンホールを修正した（ＳＴ．１２）。
【０２０６】
次に、修正部分の面積と透過率とを測定する（ＳＴ．１３）。
【０２０７】
本例では、修正したピンホール部分の面積と透過率とを測定したところ、修正したピンホール部分の面積が４４０００ｎｍ2、透過率が０％であった。
【０２０８】
次に、寸法測定結果から、このハーフトーン型位相シフトマスクを用いてウェハ上にパターンを転写する場合の、寸法精度に起因する露光裕度１を求める（ＳＴ．４）。
【０２０９】
本例では、寸法精度のうち、寸法の平均値と目標寸法値との差に起因する露光裕度１Ａと、寸法の面内均一性に起因する露光裕度１Ｂとを求めた。そして、露光裕度１Ａとし、完全マスクの露光量裕度からの劣化度合いを計算した。この計算に用いた露光条件は、実際にそのマスクを使用する際の露光条件、例えばＡｒＦステッパ、ＮＡ＝０．６０、σ＝０．７５、輪帯遮蔽率２／３である。
【０２１０】
計算の結果、露光裕度１Ａは、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．４μｍ確保した場合、ハーフトーン型位相シフトマスクの露光量裕度が完全マスクの露光量裕度から１．７％劣化する、であった。
【０２１１】
同じく、露光裕度１Ｂは、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．４μｍ確保した場合、ハーフトーン型位相シフトマスクの露光量裕度が完全マスクの露光量裕度から１．１％劣化する、であった。
【０２１２】
また、描画位置測定結果から、同じくこのハーフトーン型位相シフトマスクを用いてウェハ上にパターンを転写する場合の、描画位置精度に起因する露光裕度２を求める（ＳＴ．５）。
【０２１３】
露光裕度１と同じ条件による計算の結果、露光裕度２は、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．４μｍ確保した場合、ハーフトーン型位相シフトマスクの露光量裕度が完全マスクの露光量裕度から２．６％劣化する、であった。
【０２１４】
また、位相シフト膜の性質測定結果から、同じくこのハーフトーン型位相シフトマスクを用いてウェハ上にパターンを転写する場合の、位相シフト膜の性質に起因する露光裕度３を求める（ＳＴ．９）。
【０２１５】
露光裕度１と同じ条件による計算の結果、露光裕度３は、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．４μｍ確保した場合、ハーフトーン型位相シフトマスクの露光量裕度が完全マスクの露光量裕度から２．１％劣化する、であった。
【０２１６】
さらに、欠陥修正に起因する露光裕度５を求める（ＳＴ．１４）。
【０２１７】
露光裕度１と同じ条件による計算の結果、欠陥修正に起因する露光裕度５は、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．４μｍ確保した場合、ハーフトーン型位相シフトマスクの露光量裕度が完全マスクの露光量裕度から１％劣化する、であった。
【０２１８】
次に、露光裕度１Ａ、１Ｂ、露光裕度２、露光裕度３、及び露光裕度５から、このマスクを用いてウェハ上にパターンを転写する場合の露光裕度を求める（ＳＴ．６）。
【０２１９】
本例では、形成されたハーフトーン型位相シフトマスクの露光裕度として、露光裕度１Ａ、１Ｂ、露光裕度２、露光裕度３、及び露光裕度５から、トータルの劣化度合いを計算した。
【０２２０】
計算の結果、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．４μｍ確保した場合、ハーフトーン型位相シフトマスクの露光量裕度が完全マスクの露光量裕度から５．４％劣化する、であった。
【０２２１】
また、完全マスクの露光裕度は、計算の結果、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．４μｍ確保した場合、露光量裕度として１１％得られる、であった
このことから、ハーフトーン型位相シフトマスクの露光裕度は、フォーカス裕度を０．４μｍ確保した場合、露光量裕度として５．６％得ることができる、と求められた。
【０２２２】
次に、このマスクの露光裕度が、基準を満たしているか否かを判断する（ＳＴ．７）。
【０２２３】
基準となる所望の露光裕度は、本例の場合、フォーカス裕度を０．４μｍ確保した場合、露光量裕度として４％以上、であった。
【０２２４】
形成されたハーフトーン型位相シフトマスクの露光量裕度は、ＳＴ．６において求めた通り、５．６％であり、図２１に示すように、このハーフトーン型位相シフトマスクは基準を満たす。よって、このハーフトーン型位相シフトマスクは良品である、と判断された。
【０２２５】
このような第８実施形態においても、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０２２６】
（第９実施形態）
図２２はこの発明の第９実施形態に係るフォトマスクの製造方法を示す流れ図、図２３はフォーカス裕度と露光量裕度との関係を示す図である。
【０２２７】
まず、図２２に示すように、マスクブランクスに、マスクパターンを形成する（ＳＴ．１）。
【０２２８】
本例では、ポジ型化学増幅レジストが塗布してあるハーフトーン型マスクブランクスに、０．７μｍの孤立ラインパターンを描画、現像し、レジストパターンを形成した。次いで、このレジストパターンをエッチングマスクとしてハーフトーン膜をエッチングし、マスクパターンを形成した。
【０２２９】
次に、マスクパターンの寸法を測定する（ＳＴ．２）。
【０２３０】
また、マスクパターンの描画位置を測定する（ＳＴ．３）。
【０２３１】
また、位相シフト膜の性質、本例ではハーフトーン型の位相シフト膜の性質を測定する（ＳＴ．８）。
【０２３２】
さらに、形成されたハーフトーン型位相シフトマスクの欠陥検査を行う（ＳＴ．１０）。
【０２３３】
本例では、寸法測定の項目とし、形成されたマスクパターン寸法の平均値と目標寸法値との差、及びマスクパターン寸法の面内均一性を求めた。その結果は、マスクパターン寸法の平均値と目標寸法値との差が１０ｎｍ、面内均一性が５ｎｍ（３σ）であった。
【０２３４】
また、本例では、描画位置測定の項目とし、マスクパターンの位置ずれの平均値、及び位置ずれのばらつきを求めた。その結果は、位置ずれの平均値が５ｎｍ、位置ずれのばらつきが１０ｎｍ（３σ）であった。
【０２３５】
また、本例では、ハーフトーン型の位相シフト膜の性質測定の項目とし、位相シフト膜の透過率の平均値と目標透過率値との差、透過率の面内均一性（目標透過率からのずれ量）、位相差の平均値と目標位相差値との差、及び位相差の面内均一性を求めた。その結果は、透過率の平均値の目標透過率値との差が−０．５％、透過率の面内均一性が０．７％（３σ）、位相差の平均値の目標位相差値との差が５°、位相差の面内均一性が７°であった。
【０２３６】
また、本例では、欠陥検査工程において、縦が２００ｎｍ、幅が２００ｎｍのピンホールが発見された。このため、欠陥修正装置にて欠陥を修正、本例ではピンホールを修正した（ＳＴ．１２）。
【０２３７】
次に、修正部分の大きさと透過率とを測定する（ＳＴ．１３）。
【０２３８】
本例では、修正したピンホール部分の大きさと透過率とを測定したところ、修正したピンホール部分の大きさが縦２００ｎｍ、幅が２２０ｎｍ、透過率が０％であった。
【０２３９】
次に、寸法測定結果から、このハーフトーン型位相シフトマスクを用いてウェハ上にパターンを転写する場合の、寸法精度に起因する露光裕度１を求める（ＳＴ．４）。
【０２４０】
本例では、寸法精度のうち、寸法の平均値と目標寸法値との差に起因する露光裕度１Ａと、寸法の面内均一性に起因する露光裕度１Ｂとを求めた。そして、露光裕度１Ａとし、完全マスクの露光量裕度からの劣化度合いを計算した。この計算に用いた露光条件は、実際にそのマスクを使用する際の露光条件、例えばＡｒＦステッパ、ＮＡ＝０．６０、σ＝０．７５、輪帯遮蔽率２／３である。
【０２４１】
計算の結果、露光裕度１Ａは、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．４μｍ確保した場合、ハーフトーン型位相シフトマスクの露光量裕度が完全マスクの露光量裕度から１．７％劣化する、であった。
【０２４２】
同じく、露光裕度１Ｂは、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．４μｍ確保した場合、ハーフトーン型位相シフトマスクの露光量裕度が完全マスクの露光量裕度から１．１％劣化する、であった。
【０２４３】
また、描画位置測定結果から、同じくこのハーフトーン型位相シフトマスクを用いてウェハ上にパターンを転写する場合の、描画位置精度に起因する露光裕度２を求める（ＳＴ．５）。
【０２４４】
露光裕度１と同じ条件による計算の結果、露光裕度２は、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．４μｍ確保した場合、ハーフトーン型位相シフトマスクの露光量裕度が完全マスクの露光量裕度から２．６％劣化する、であった。
【０２４５】
また、位相シフト膜の性質測定結果から、同じくこのハーフトーン型位相シフトマスクを用いてウェハ上にパターンを転写する場合の、位相シフト膜の性質に起因する露光裕度３を求める（ＳＴ．９）。
【０２４６】
露光裕度１と同じ条件による計算の結果、露光裕度３は、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．４μｍ確保した場合、ハーフトーン型位相シフトマスクの露光量裕度が完全マスクの露光量裕度から２．１％劣化する、であった。
【０２４７】
さらに、欠陥修正に起因する露光裕度５を求める（ＳＴ．１４）。
【０２４８】
露光裕度１と同じ条件による計算の結果、欠陥修正に起因する露光裕度５は、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．４μｍ確保した場合、ハーフトーン型位相シフトマスクの露光量裕度が完全マスクの露光量裕度から１％劣化する、であった。
【０２４９】
次に、露光裕度１Ａ、１Ｂ、露光裕度２、露光裕度３、及び露光裕度５から、このマスクを用いてウェハ上にパターンを転写する場合の露光裕度を求める（ＳＴ．６）。
【０２５０】
本例では、形成されたハーフトーン型位相シフトマスクの露光裕度として、露光裕度１Ａ、１Ｂ、露光裕度２、露光裕度３、及び露光裕度５から、トータルの劣化度合いを計算した。
【０２５１】
計算の結果、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．４μｍ確保した場合、ハーフトーン型位相シフトマスクの露光量裕度が完全マスクの露光量裕度から５．４％劣化する、であった。
【０２５２】
また、完全マスクの露光裕度は、計算の結果、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．４μｍ確保した場合、露光量裕度として１１％得られる、であった
このことから、ハーフトーン型位相シフトマスクの露光裕度は、フォーカス裕度を０．４μｍ確保した場合、露光量裕度として５．６％得ることができる、と求められた。
【０２５３】
次に、このマスクの露光裕度が、基準を満たしているか否かを判断する（ＳＴ．７）。
【０２５４】
基準となる所望の露光裕度は、本例の場合、フォーカス裕度を０．４μｍ確保した場合、露光量裕度として４％以上、であった。
【０２５５】
形成されたハーフトーン型位相シフトマスクの露光量裕度は、ＳＴ．６において求めた通り、５．６％であり、図２３に示すように、このハーフトーン型位相シフトマスクは基準を満たす。よって、このハーフトーン型位相シフトマスクは良品である、と判断された。
【０２５６】
このような第９実施形態においても、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０２５７】
（第１０実施形態）
図２４はこの発明の第１０実施形態に係るフォトマスクの製造方法を示す流れ図、図２５はフォーカス裕度と露光量裕度との関係を示す図である。
【０２５８】
まず、図２４に示すように、マスクブランクスに、マスクパターンを形成する（ＳＴ．１）。
【０２５９】
本例では、ポジ型化学増幅レジストが塗布してあるハーフトーン型マスクブランクスに、０．７０μｍの孤立ラインパターンを描画、現像し、レジストパターンを形成した。次いで、このレジストパターンをエッチングマスクとしてハーフトーン膜をエッチングし、マスクパターンを形成した。
【０２６０】
次に、マスクパターンの寸法を測定する（ＳＴ．２）。
【０２６１】
また、マスクパターンの描画位置を測定する（ＳＴ．３）。
【０２６２】
また、位相シフト膜の性質、本例ではハーフトーン型の位相シフト膜の性質を測定する（ＳＴ．８）。
【０２６３】
さらに、形成されたハーフトーン型位相シフトマスクの欠陥検査を行う（ＳＴ．１０）。
【０２６４】
本例では、寸法測定の項目とし、形成されたマスクパターン寸法の平均値と目標寸法値との差、及びマスクパターン寸法の面内均一性を求めた。その結果は、マスクパターン寸法の平均値と目標寸法値との差が１０ｎｍ、面内均一性が５ｎｍ（３σ）であった。
【０２６５】
また、本例では、描画位置測定の項目とし、マスクパターンの位置ずれの平均値、及び位置ずれのばらつきを求めた。その結果は、位置ずれの平均値が５ｎｍ、位置ずれのばらつきが１０ｎｍ（３σ）であった。
【０２６６】
また、本例では、ハーフトーン型の位相シフト膜の性質測定の項目とし、位相シフト膜の透過率の平均値と目標透過率値との差、透過率の面内均一性（目標透過率からのずれ量）、位相差の平均値と目標位相差値との差、及び位相差の面内均一性を求めた。その結果は、透過率の平均値の目標透過率値との差が−０．５％、透過率の面内均一性が０．７％（３σ）、位相差の平均値の目標位相差値との差が５°、位相差の面内均一性が７°であった。
【０２６７】
また、本例では、欠陥検査工程において、面積が５００００ｎｍ2の不透明な異物が発見された。このため、欠陥修正装置にて欠陥、本例では不透明な異物を修正した（ＳＴ．１２）。
【０２６８】
次に、修正部分の面積と透過率とを測定する（ＳＴ．１３）。
【０２６９】
面積と透過率とを測定したところ、修正部分の面積が３００００ｎｍ2、透過率が９６％であった。
【０２７０】
次に、寸法測定結果から、このハーフトーン型位相シフトマスクを用いてウェハ上にパターンを転写する場合の、寸法精度に起因する露光裕度１を求める（ＳＴ．４）。
【０２７１】
本例では、寸法精度のうち、寸法の平均値と目標寸法値との差に起因する露光裕度１Ａと、寸法の面内均一性に起因する露光裕度１Ｂとを求めた。そして、露光裕度１Ａとし、完全マスクの露光量裕度からの劣化度合いを計算した。この計算に用いた露光条件は、実際にそのマスクを使用する際の露光条件、例えばＡｒＦステッパ、ＮＡ＝０．５５、σ＝０．７５、輪帯遮蔽率２／３である。
【０２７２】
計算の結果、露光裕度１Ａは、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．４μｍ確保した場合、ハーフトーン型位相シフトマスクの露光量裕度が完全マスクの露光量裕度から３．２％劣化する、であった。
【０２７３】
同じく、露光裕度１Ｂは、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．４μｍ確保した場合、ハーフトーン型位相シフトマスクの露光量裕度が完全マスクの露光量裕度から１．３％劣化する、であった。
【０２７４】
また、描画位置測定結果から、同じくこのハーフトーン型位相シフトマスクを用いてウェハ上にパターンを転写する場合の、描画位置精度に起因する露光裕度２を求める（ＳＴ．５）。
【０２７５】
露光裕度１と同じ条件による計算の結果、露光裕度２は、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．４μｍ確保した場合、ハーフトーン型位相シフトマスクの露光量裕度が完全マスクの露光量裕度から２．６％劣化する、であった。
【０２７６】
また、位相シフト膜の性質測定結果から、同じくこのハーフトーン型位相シフトマスクを用いてウェハ上にパターンを転写する場合の、位相シフト膜の性質に起因する露光裕度３を求める（ＳＴ．９）。
【０２７７】
露光裕度１と同じ条件による計算の結果、露光裕度３は、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．４μｍ確保した場合、ハーフトーン型位相シフトマスクの露光量裕度が完全マスクの露光量裕度から２．１％劣化する、であった。
【０２７８】
さらに、欠陥修正に起因する露光裕度５を求める（ＳＴ．１４）。
【０２７９】
露光裕度１と同じ条件による計算の結果、欠陥修正に起因する露光裕度５は、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．４μｍ確保した場合、ハーフトーン型位相シフトマスクの露光量裕度が完全マスクの露光量裕度から１。５％劣化する、であった。
【０２８０】
次に、露光裕度１Ａ、１Ｂ、露光裕度２、露光裕度３、及び露光裕度５から、このマスクを用いてウェハ上にパターンを転写する場合の露光裕度を求める（ＳＴ．６）。
【０２８１】
本例では、形成されたハーフトーン型位相シフトマスクの露光裕度として、露光裕度１Ａ、１Ｂ、露光裕度２、露光裕度３、及び露光裕度５から、トータルの劣化度合いを計算した。
【０２８２】
計算の結果、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．４μｍ確保した場合、ハーフトーン型位相シフトマスクの露光量裕度が完全マスクの露光量裕度から７．６％劣化する、であった。
【０２８３】
また、完全マスクの露光裕度は、計算の結果、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．４μｍ確保した場合、露光量裕度として９．６％得られる、であった
このことから、ハーフトーン型位相シフトマスクの露光裕度は、フォーカス裕度を０．４μｍ確保した場合、露光量裕度として２．０％得ることができる、と求められた。
【０２８４】
次に、このマスクの露光裕度が、基準を満たしているか否かを判断する（ＳＴ．７）。
【０２８５】
基準となる所望の露光裕度は、本例の場合、フォーカス裕度を０．４μｍ確保した場合、露光量裕度として４％以上、であった。
【０２８６】
形成されたハーフトーン型位相シフトマスクの露光量裕度は、ＳＴ．６において求めた通り、２．０％であり、図２５に示すように、このハーフトーン型位相シフトマスクは基準を満たさない。よって、このハーフトーン型位相シフトマスクは不良品である、と判断された。
【０２８７】
しかしながら、このハーフトーン型位相シフトマスクを用いるカスタマーが、このマスクを用いる場合の工程管理条件、例えばこのマスクからウェハにパターンを転写する工程に用いられる露光装置の露光量の管理回数等、ＱＣの回数を２ロットに１回だったのを、１ロット毎に行うなど、厳密化することを実施する（ＳＴ．１５）。
【０２８８】
このように露光量管理の回数等、工程管理条件を厳密化することにより、図２６に示すように、必要な露光量は２％で良いことになった。
【０２８９】
従って、このハーフトーン型位相シフトマスクは、カスタマーの工程管理条件を厳密化することで基準を満たすようになり、良品と判断された（ＳＴ．１６）。
【０２９０】
（第１１実施形態）
図２７はこの発明の第１１実施形態に係るフォトマスクの製造方法を示す流れ図、図２８はフォーカス裕度と露光量裕度との関係を示す図である。
【０２９１】
まず、図２７に示すように、マスクブランクスに、マスクパターンを形成する（ＳＴ．１）。
【０２９２】
本例では、ポジ型化学増幅レジストが塗布してあるＣｒマスクブランクスに、０．６０μｍのＬ／Ｓパターンを描画、現像し、レジストパターンを形成した。次いで、このレジストパターンをエッチングマスクとしてＣｒ膜をエッチングし、Ｃｒパターン（マスクパターン）を形成した。
【０２９３】
次に、マスクパターンの寸法を測定する（ＳＴ．２）。
【０２９４】
また、マスクパターンの描画位置を測定する（ＳＴ．３）。
【０２９５】
さらに、本例では、形成されたＣｒマスクの欠陥検査を行う（ＳＴ．１０）
本例では、寸法測定の項目とし、Ｃｒパターン寸法の平均値と目標寸法との差、及びＣｒパターン寸法の面内均一性を求めた。その結果は、平均値と目標寸法との差が１０ｎｍ、面内均一性が２５ｎｍ（３σ）であった。
【０２９６】
また、本例では、描画位置測定の項目とし、Ｃｒパターンの位置ずれの平均値、及び位置ずれのばらつきを求めた。その結果は、位置ずれの平均値が５ｎｍ、位置ずれのばらつきが１０ｎｍ（３σ）であった。
【０２９７】
また、本例では、欠陥検査において、面積が１００ｎｍ2の不透明な異物が発見された。
【０２９８】
次に、寸法測定結果から、このマスクを用いてウェハ上にパターンを転写する場合の、寸法精度に起因する露光裕度１を求める（ＳＴ．４）。
【０２９９】
本例では、寸法精度に起因する露光裕度１とし、完全マスクの露光量裕度からの劣化度合いを計算した。
【０３００】
この計算に用いた露光条件は、実際にそのマスクを使用する露光条件にし、ＫｒＦステッパ、ＮＡ＝０．６８、σ＝０．７５、輪帯遮蔽率２／３とした。
【０３０１】
計算の結果、Ｃｒマスクの露光裕度１は、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．５μｍ確保した場合、Ｃｒマスクの露光量裕度は、完全マスクの露光量裕度から９．４％劣化する、であった。
【０３０２】
また、描画位置測定結果から、同じくこのマスクを用いてウェハ上にパターンを転写する場合の、描画位置精度に起因する露光裕度２を求める（ＳＴ．５）。
【０３０３】
露光裕度１と同じ条件による計算の結果、描画位置精度に起因する露光裕度２は、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．５μｍ確保した場合、Ｃｒマスクの露光量裕度が完全マスクの露光量裕度から２．６％劣化する、であった。
【０３０４】
さらに、欠陥に起因する露光裕度４を求める（ＳＴ．１１）。
【０３０５】
露光裕度１と同じ条件による計算の結果、欠陥に起因する露光裕度４は、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．５μｍ確保した場合、Ｃｒマスクの露光量裕度が完全マスクの露光量裕度から１％劣化する、であった。
【０３０６】
次に、露光裕度１、露光裕度２、及び露光裕度４から、このマスクを用いてウェハ上にパターンを転写する場合の露光裕度を求める（ＳＴ．６）。
【０３０７】
本例では、形成されたＣｒマスクの露光裕度として、露光裕度１、露光裕度２、及び露光裕度４として求められた３つの劣化度合いから、トータルの劣化度合いを計算した。
【０３０８】
計算の結果、形成されたＣｒマスクの露光裕度は、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．５μｍ確保した場合、Ｃｒマスクの露光量裕度が完全マスクの露光量裕度から１１．０％劣化する、であった。
【０３０９】
また、完全マスクの露光裕度は、計算の結果、パターン寸法変動が１０％以内でフォーカス裕度を０．５μｍ確保した場合、露光量裕度として１５％得られる、であった
このことから、Ｃｒマスクの露光裕度は、フォーカス裕度を０．５μｍ確保した場合、露光量裕度として４％得ることができる、と求められた。
【０３１０】
次に、このマスクの露光裕度が、基準を満たしているか否かを判断する（ＳＴ．７）。
【０３１１】
基準となる所望の露光裕度は、本例の場合、フォーカス裕度を０．５μｍ確保した場合、露光量裕度として５％以上、であった。
【０３１２】
形成されたＣｒマスクの露光量裕度は、ＳＴ．６において求めた通り、４．３％であり、図２８に示すように、このＣｒマスクは基準を満たさない。よって、このＣｒマスクは不良品である、と判断された。
【０３１３】
しかしながら、欠陥のある部位に対応したデバイスの部分を、例えば半導体メモリの分野で利用されるリダンダンシ技術等を用いて切断するようにし、デバイス的に機能しない部分とした（ＳＴ．１７）。
【０３１４】
これにより、このＣｒマスクに関しては、欠陥は問題のないものになった。
【０３１５】
そして、欠陥に起因する露光裕度４を除いて、寸法精度に起因する露光裕度１、及び描画位置精度に起因する露光裕度２から、このマスクを用いてウェハ上にパターンを転写する場合の露光裕度を、再度求める（ＳＴ．１８）。
【０３１６】
この結果、Ｃｒマスクの露光裕度は、フォーカス裕度を０．５μｍ確保した場合、露光量裕度として５％得ることができる、と求められた。
【０３１７】
従って、このＣｒマスクは、欠陥のある部位に対応したデバイスの部分を、デバイス的に機能しない部位とすることで基準を満たすようになり、良品と判断された（ＳＴ．１９）。
【０３１８】
（第１２実施形態）
図２９はこの発明の第１２実施形態に係るフォトマスクの製造方法を示す流れ図、図３１はフォーカス裕度と露光量裕度との関係を示す図である。
【０３１９】
まず、図２９に示すように、マスクブランクスに、マスクパターンを形成する（ＳＴ．１）。
【０３２０】
本例では、ポジ型化学増幅レジストが塗布してあるハーフトーン型マスクブランクスに、図３０に示すようなＷ＝５２０ｎｍ、Ｌ＝４８０ｎｍ、ＷPitch＝２０８０ｎｍ、ＬPitch＝４８００ｎｍの長方形図形を描画、加工、形成した。
【０３２１】
次に、形成されたパターン寸法のＸ方向を、“Ｌ”の部分にて測定したところ、Ｘ方向の面内均一性は１０ｎｍ、寸法の平均値の所望値との差は−１０ｎｍであった。同様にＹ方向を、“Ｗ”の部分にて測定したところ、Ｙ方向の面内均一性は１０ｎｍ、寸法の平均値の所望値との差は−１０ｎｍであった（ＳＴ．２）。
【０３２２】
また、位相シフト膜の透過率の面内均一性は１．５％（レンジ）、透過率の平均値の所望透過率からのずれは−０．５％、位相差の面内均一性は１．５°（レンジ）、平均値の所望位相差からのずれは３°であった（ＳＴ．８）。
【０３２３】
さらに、単位描画領域どうしのつなぎ誤差は、図面つなぎ誤差発生位置にて、２．５ｎｍあることが測定された（ＳＴ．３）。
【０３２４】
これらデータから、該マスクをＫｒＦステッパを用いてＮＡ＝０．６８、σ＝０．７５、輪帯遮蔽率２／３の条件でウェハに露光する際の露光裕度を計算した。パターン寸法変動Ｘ方向ウェハ上で１５ｎｍ以内、Ｙ方向ウェハ上で１５ｎｍ以内でフォーカス裕度を０．４μｍを確保した場合、ターゲットからのずれが全くない完全マスクを用いた場合の露光量裕度からの劣化度合いは、面内均一性に起因するものが７.７５％、平均値の所望寸法との差に起因するものが０．２８％、ＨＴ位相差の平均値の所望値との差に起因するものが０．０５％、位相差の均一性に起因するものが０．１３％、ＨＴ透過率の平均値の所望値との差に起因するものが０．１９％、透過率の均一性に起因するものが２．８８％、位置精度に起因するものが０．７１％、トータルとして８．８３％完全マスクから劣化すことが求められた。また、完全マスクを用いた場合の所望の露光裕度は、フォーカス裕度が０．４μｍを確保した場合、露光量裕度１２．８４％得られることが計算により求められた。これらのことから、該マスクを用いた場合の露光裕度は、フォーカス裕度が０．４μｍを確保した場合の露光量裕度は４．１％である、と求められた（ＳＴ．４〜ＳＴ．６、ＳＴ．９）。
【０３２５】
本マスクを用いてウェハにパターンを転写する工程において、フォーカス裕度が０．４μｍを確保した場合の露光量裕度は、４％必要であるため、本マスクはそれをクリアしている。従って、合格として出荷された（ＳＴ．７）。
【０３２６】
以上、この発明を第１〜第１２実施形態により説明したが、この発明は、これら実施形態それぞれに限定されるものではなく、その実施にあたっては、発明の要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。
【０３２７】
例えば上記実施形態では、所望の露光裕度は、実施形態に示した値に限られるものではなく、デバイスの作りやすさや、レジストの特性などにより適宜変化するものである。
【０３２８】
また、例えば露光裕度を見積もる計算には、純粋に光学像から露光裕度を求めても構わないが、レジストの特性や、さらにその先の工程であるエッチング工程の特性なども含めた計算から露光裕度を求めることで、より正確な判断が可能となることは言うまでもない。
【０３２９】
また、露光裕度を求めるパターンについては、露光裕度が最も小さいと思われるパターンを見積もることが望ましい。露光裕度が最も小さいと思われるパターンであれば、デバイスのどの部分から選ばれても良い。例えば半導体メモリを例にとると、セルパターンだけではなく、コア回路部などからも露光裕度が最も小さいと思われるパターンを見積もることも、勿論良い。
【０３３０】
また、位相シフトマスクの場合で、位相シフト膜の位相や透過率の測定が難しいとき、露光裕度の計算には、位相や透過率の仕様値を入れて、パターン寸法の値だけを、実際のマスクの測定値を用いて計算することも可能である。
【０３３１】
その他、発明の要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。
【０３３２】
また、上記実施形態はそれぞれ、単独で実施することが可能であるが、適宜組み合わせて実施することも可能である。
【０３３３】
さらに、上記各実施形態には、種々の段階の発明が含まれており、各実施形態において開示した複数の構成要件の適宜な組み合わせにより、種々の段階の発明を抽出することも可能である。
【０３３４】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、歩留まりを向上させることができ、かつ合否判断の精度も高いフォトマスクの製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１はこの発明の第１実施形態に係るフォトマスクの製造方法を示す流れ図。
【図２】図２Ａ、図２ＢはそれぞれＣｒマスクブランクスを示す平面図。
【図３】図３Ａ、図３Ｂはそれぞれ寸法測定方法を示す図。
【図４】図４は描画位置測定方法を示す図。
【図５】図５はこの発明の第１実施形態に係るフォーカス裕度と露光量裕度との関係を示す図。
【図６】図６はこの発明の第２実施形態に係るフォトマスクの製造方法を示す流れ図。
【図７】図７はこの発明の第２実施形態に係るフォーカス裕度と露光量裕度との関係を示す図。
【図８】図８はこの発明の第３実施形態に係るフォトマスクの製造方法を示す流れ図。
【図９】図９は工程ＳＴ．４を示す図。
【図１０】図１０は工程ＳＴ．９を示す図。
【図１１】図１１はこの発明の第３実施形態に係るフォーカス裕度と露光量裕度との関係を示す図。
【図１２】図１２はこの発明の第４実施形態に係るフォトマスクの製造方法を示す流れ図。
【図１３】図１３はこの発明の第４実施形態に係るフォーカス裕度と露光量裕度との関係を示す図。
【図１４】図１４はこの発明の第５実施形態に係るフォトマスクの製造方法を示す流れ図。
【図１５】図１５はこの発明の第５実施形態に係るフォーカス裕度と露光量裕度との関係を示す図。
【図１６】図１６はこの発明の第６実施形態に係るフォトマスクの製造方法を示す流れ図。
【図１７】図１７はこの発明の第６実施形態に係るフォーカス裕度と露光量裕度との関係を示す図。
【図１８】図１８はこの発明の第７実施形態に係るフォトマスクの製造方法を示す流れ図。
【図１９】図１９はこの発明の第７実施形態に係るフォーカス裕度と露光量裕度との関係を示す図。
【図２０】図２０はこの発明の第８実施形態に係るフォトマスクの製造方法を示す流れ図。
【図２１】図２１はこの発明の第８実施形態に係るフォーカス裕度と露光量裕度との関係を示す図。
【図２２】図２２はこの発明の第９実施形態に係るフォトマスクの製造方法を示す流れ図。
【図２３】図２３はこの発明の第９実施形態に係るフォーカス裕度と露光量裕度との関係を示す図。
【図２４】図２４はこの発明の第１０実施形態に係るフォトマスクの製造方法を示す流れ図。
【図２５】図２５はこの発明の第１０実施形態に係るフォーカス裕度と露光量裕度との関係を示す図。
【図２６】図２６はこの発明の第１０実施形態に係る工程管理条件を厳密化した後のフォーカス裕度と露光量裕度との関係を示す図。
【図２７】図２７はこの発明の第１１実施形態に係るフォトマスクの製造方法を示す流れ図。
【図２８】図２８はこの発明の第１１実施形態に係るフォーカス裕度と露光量裕度との関係を示す図。
【図２９】図２９はこの発明の第１２実施形態に係るフォトマスクの製造方法を示す流れ図。
【図３０】図３０はＨＴマスクブランクスを示す平面図。
【図３１】図３１はこの発明の第１２実施形態に係るフォーカス裕度と露光量裕度との関係を示す図。
【図３２】図３２はハーフトーン型位相シフトマスクの仕様値の例を示す図。
【図３３】図３３はハーフトーン型位相シフトマスクの測定結果の例を示す図。
【符号の説明】
１０…寸法測定ポイント
１１…位置測定用マーク
１２…描画位置
【図１】
0004091271.tif 000002
【図２】
0004091271.tif 000003
【図３】
0004091271.tif 000004
【図４】
0004091271.tif 000005
【図５】
0004091271.tif 000006
【図６】
0004091271.tif 000007
【図７】
0004091271.tif 000008
【図８】
0004091271.tif 000009
【図９】
0004091271.tif 000010
【図１０】
0004091271.tif 000011
【図１１】
0004091271.tif 000012
【図１２】
0004091271.tif 000013
【図１３】
0004091271.tif 000014
【図１４】
0004091271.tif 000015
【図１５】
0004091271.tif 000016
【図１６】
0004091271.tif 000017
【図１７】
0004091271.tif 000018
【図１８】
0004091271.tif 000019
【図１９】
0004091271.tif 000020
【図２０】
0004091271.tif 000021
【図２１】
0004091271.tif 000022
【図２２】
0004091271.tif 000023
【図２３】
0004091271.tif 000024
【図２４】
0004091271.tif 000025
【図２５】
0004091271.tif 000026
【図２６】
0004091271.tif 000027
【図２７】
0004091271.tif 000028
【図２８】
0004091271.tif 000029
【図２９】
0004091271.tif 000030
【図３０】
0004091271.tif 000031
【図３１】
0004091271.tif 000032
【図３２】
0004091271.tif 000033
【図３３】
0004091271.tif 000034