(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の外部回路に対する主電流をスイッチングする半導体素子と、該半導体素子を駆動させるためにプリント基板に素子が設けられた駆動制御回路とを筐体内に備え、
上記半導体素子に接続された電極端子と上記プリント基板とが上記筐体内で平行に対向配置され、該電極端子を介して該半導体素子に電圧を印加した場合に、該電極端子と該プリント基板との間に静電界が発生する半導体デバイスにおいて、
上記駆動制御回路を構成する素子のうち、外部環境からの保護用に樹脂封止される能動素子が、上記筐体内で平行に対向配置された上記電極端子と上記プリント基板とによって挟まれた領域の外に配置されていることを特徴とする半導体デバイス。
【請求項２】
所定の外部回路に対する主電流をスイッチングする半導体素子と該半導体素子を駆動させるためにプリント基板に素子が設けられた駆動制御回路とを筐体内に備え、
上記半導体素子に接続された電極端子と上記プリント基板とが上記筐体内で平行に対向配置され、該電極端子を介して該半導体素子に電圧を印加した場合に、該電極端子と該プリント基板との間に静電界が発生する半導体デバイスにおいて、
上記駆動制御回路を構成する素子のうち、回路の主動作を制御可能な制御ＩＣのみが、上記筐体内で平行に対向配置された上記電極端子と上記プリント基板とによって挟まれた領域の外に配置されていることを特徴とする半導体デバイス。
【請求項３】
所定の外部回路に対する主電流をスイッチングする半導体素子と該半導体素子を駆動させるためにプリント基板に素子が設けられた駆動制御回路とを筐体内に備え、
上記半導体素子に接続された電極端子と上記プリント基板とが上記筐体内で平行に対向配置され、該電極端子を介して該半導体素子に電圧を印加した場合に、該電極端子と該プリント基板との間に静電界が発生する半導体デバイスにおいて、
上記筐体内で平行に対向配置された上記電極端子と上記プリント基板とによって挟まれた領域内において、上記駆動制御回路と上記電極端子との間に上記静電界を遮蔽する遮蔽部材が設けられたことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項４】
所定の外部回路に対する主電流をスイッチングする半導体素子と該半導体素子を駆動させるためにプリント基板に素子が設けられた駆動制御回路とを筐体内に備え、
上記半導体素子に接続された電極端子と上記プリント基板とが上記筐体内で平行に対向配置され、該電極端子を介して該半導体素子に電圧を印加した場合に、該電極端子と該プリント基板との間に静電界が発生する半導体デバイスにおいて、
上記筐体内で平行に対向配置された上記電極端子と上記プリント基板とによって挟まれた領域内において、上記駆動制御回路を構成する素子のうち、外部環境からの保護用に樹脂封止される能動素子の上面側に上記静電界を遮蔽する遮蔽部材が取り付けられたことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項５】
所定の外部回路に対する主電流をスイッチングする半導体素子と該半導体素子を駆動させるためにプリント基板に素子が設けられた駆動制御回路とを筐体内に備え、
上記半導体素子に接続された電極端子と上記プリント基板とが上記筐体内で平行に対向配置され、該電極端子を介して該半導体素子に電圧を印加した場合に、該電極端子と該プリント基板との間に静電界が発生する半導体デバイスにおいて、
上記筐体内で平行に対向配置された上記電極端子と上記プリント基板とによって挟まれた領域内において、上記駆動制御回路を構成する素子のうち、回路の主動作を制御可能な制御ＩＣのみの上面側に上記静電界を遮蔽する遮蔽部材が取り付けられたことを特徴とする半導体デバイス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、集積半導体デバイスに、より詳しくは、例えばインバータ装置等の電力変換用装置への利用に適した半導体デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、１つの筐体内に複数個の電子素子が組み込まれた集積デバイスが多用されている。かかる集積デバイスとしては、例えば、絶縁ゲートバイポーラモードトランジスタ（ＩＧＢＴ）素子等の半導体スイッチング素子とともに、そのスイッチング素子を駆動させる駆動制御回路が組み込まれ、主にインバータ装置等の電力変換装置に利用されるスイッチング用半導体デバイスが知られている。
【０００３】
図５に、従来のスイッチング用半導体デバイスの内部構造を概略的に示す。この半導体デバイス６０では、本体外形をなす筐体６１内で、ベース板６３上に、半導体チップであるスイッチング素子６２Ａ，６２Ｂが、絶縁プレート６４Ａ，６４Ｂを介して配置されるとともに、電極端子６５Ａ，６５Ｂの一端部が接合されている。電極端子６５Ａ，６５Ｂは、曲折しつつ上方へ延び、その他端部が、筐体６１の上面から露出して、外部端子として用いられる。
【０００４】
また、半導体デバイス６０では、絶縁プレート６４Ａの上方に、プリント基板６６と、該プリント基板６６上に実装されたスイッチング素子駆動制御ＩＣ，チップトランジスタ，チップダイオード等を含む各種素子（これらをまとめて符号６７であらわす）とからなる駆動制御回路６８が配設されている。駆動制御回路６８における各種素子６７は、電極端子６５Ａの水平部分６５ａとプリント基板６６との間に配置されている。
【０００５】
このように、スイッチング用半導体デバイス６０を含む集積デバイスでは、一般に、デバイス本体の小型化を図るべく、半導体素子（ここではスイッチング素子）及びその制御回路が同一の筐体内に内蔵される構造を有し、筐体内に、各種の素子及び電極端子の導電部分が近接した状態で配置される。かかる構造では、スイッチングしようとする直流主回路に電圧を印加するに伴ない、上記導電部分の間の領域に静電界が発生し得る。上記スイッチング用半導体デバイス６０の場合には、電極端子６５Ａの水平部分とプリント基板６６上の配線パターンとの間の領域８０（網目状のハッチングで示す）に、静電界が発生する。この静電界の強さは、導電部分間の距離に反比例し、印加電圧に比例するため、半導体デバイスの小型化及び高電圧化に伴ない、大きくなることが知られている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、駆動制御回路６８における制御ＩＣ，チップトランジスタ，チップダイオード等の能動素子は、通常、外部環境からの保護等を目的として、樹脂封止されている。この封止剤としては、例えばＢｒ化合物，Ｓｂ化合物等の樹脂を難燃化する成分が添加されたものが用いられる。樹脂内では、Ｂｒ化合物のごく微量のみがイオン化する。この臭素イオンは、樹脂内で均等に分布しており、全体としては中和状態を保っている。
【０００７】
しかしながら、前述したように直流主回路に電圧を印加するに伴ない、半導体デバイス内の導電部分間の領域に静電界が発生すると、図７で特定の能動素子７０の場合について示すように、臭素イオンは、樹脂６９内で分極現象をあらわす。静電界は、矢印方向に印加される。これにより、樹脂６９内のイオンが駆動制御回路６８に含まれる各能動素子に対しあたかもゲートのように作用して、駆動制御回路６８の誤作動を引き起こす。その結果、駆動制御回路６８の駆動対象であるスイッチング素子６２Ａ，６２Ｂの動作に異常を来たす惧れがある。
【０００８】
本発明は、上記技術的課題に鑑みてなされたもので、スイッチングしようとする所定の回路への電圧印加に伴ない、デバイス内の導電部分間に生じる静電界の影響を受けずに、駆動制御回路の正常動作を確保し得る半導体デバイスを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本願の第１の発明は、所定の外部回路に対する主電流をスイッチングする半導体素子と、該半導体素子を駆動させるためにプリント基板に素子が設けられた駆動制御回路とを筐体内に備え、
上記半導体素子に接続された電極端子と上記プリント基板とが上記筐体内で平行に対向配置され、該電極端子を介して該半導体素子に電圧を印加した場合に、該電極端子と該プリント基板との間に静電界が発生する半導体デバイスにおいて、
上記駆動制御回路を構成する素子のうち、外部環境からの保護用に樹脂封止される上記能動素子が、上記筐体内で平行に対向配置された上記電極端子と上記プリント基板とによって挟まれた領域の外に配置されていることを特徴としたものである。
【００１０】
また、本願の第２の発明は、所定の外部回路に対する主電流をスイッチングする半導体素子と該半導体素子を駆動させるためにプリント基板に素子が設けられた駆動制御回路とを筐体内に備え、
上記半導体素子に接続された電極端子と上記プリント基板とが上記筐体内で平行に対向配置され、該電極端子を介して該半導体素子に電圧を印加した場合に、該電極端子と該プリント基板との間に静電界が発生する半導体デバイスにおいて、
上記駆動制御回路を構成する素子のうち、回路の主動作を制御可能な制御ＩＣのみが、上記筐体内で平行に対向配置された上記電極端子と上記プリント基板とによって挟まれた領域の外に配置されていることを特徴としたものである。
【００１１】
更に、本願の第３の発明は、所定の外部回路に対する主電流をスイッチングする半導体素子と該半導体素子を駆動させるためにプリント基板に素子が設けられた駆動制御回路とを筐体内に備え、
上記半導体素子に接続された電極端子と上記プリント基板とが上記筐体内で平行に対向配置され、該電極端子を介して該半導体素子に電圧を印加した場合に、該電極端子と該プリント基板との間に静電界が発生する半導体デバイスにおいて、
上記筐体内で平行に対向配置された上記電極端子と上記プリント基板とによって挟まれた領域内において、上記駆動制御回路と上記電極端子との間に遮蔽部材が設けられたことを特徴としたものである。
【００１２】
また、更に、本願の第４の発明は、所定の外部回路に対する主電流をスイッチングする半導体素子と該半導体素子を駆動させるためにプリント基板に素子が設けられた駆動制御回路とを筐体内に備え、
上記半導体素子に接続された電極端子と上記プリント基板とが上記筐体内で平行に対向配置され、該電極端子を介して該半導体素子に電圧を印加した場合に、該電極端子と該プリント基板との間に静電界が発生する半導体デバイスにおいて、
上記筐体内で平行に対向配置された上記電極端子と上記プリント基板とによって挟まれた領域内において、上記駆動制御回路を構成する素子のうち、外部環境からの保護用に樹脂封止される能動素子の上面側に遮蔽部材が取り付けられたことを特徴としたものである。
【００１３】
また、更に、本願の第５の発明は、所定の外部回路に対する主電流をスイッチングする半導体素子と該半導体素子を駆動させるためにプリント基板に素子が設けられた駆動制御回路とを筐体内に備え、
上記半導体素子に接続された電極端子と上記プリント基板とが上記筐体内で平行に対向配置され、該電極端子を介して該半導体素子に電圧を印加した場合に、該電極端子と該プリント基板との間に静電界が発生する半導体デバイスにおいて、
上記筐体内で平行に対向配置された上記電極端子と上記プリント基板とによって挟まれた領域内において、上記駆動制御回路を構成する素子のうち、回路の主動作を制御可能な制御ＩＣのみの上面側に遮蔽部材が取り付けられたことを特徴としたものである。
【００１４】
また、更に、本願の第６の発明は、所定の外部回路に対する主電流をスイッチングする半導体素子と該半導体素子を駆動させるためにプリント基板に素子が設けられた駆動制御回路とを筐体内に備え、
上記半導体素子に接続された電極端子と上記プリント基板とが上記筐体内で平行に対向配置され、該電極端子を介して該半導体素子に電圧を印加した場合に、該電極端子と該プリント基板との間に静電界が発生する半導体デバイスにおいて、
上記駆動制御回路を構成する素子のうち、外部環境からの保護用に樹脂封止される能動素子の封止剤として、外部の静電界に対する特性変動耐性が所定以上である樹脂が用いられることを特徴としたものである。
【００１５】
また、更に、本願の第７の発明は、所定の外部回路に対する主電流をスイッチングする半導体素子と該半導体素子を駆動させるためにプリント基板に素子が設けられた駆動制御回路とを筐体内に備え、
上記半導体素子に接続された電極端子と上記プリント基板とが上記筐体内で平行に対向配置され、該電極端子を介して該半導体素子に電圧を印加した場合に、該電極端子と該プリント基板との間に静電界が発生する半導体デバイスにおいて、
上記駆動制御回路を構成する素子のうち、外部環境からの保護用に樹脂封止される能動素子として、樹脂内におけるイオンの分極現象に対する特性変動耐性が所定以上である素子が用いられることを特徴としたものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、添付図面を参照しながら説明する。
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１に係る半導体デバイスの内部構造を示す縦断面説明図である。この半導体デバイス１０は、インバータ装置等の電力変換装置内のスイッチング用デバイスとして利用可能であり、半導体チップである半導体スイッチング素子２Ａ，２Ｂとともに、該スイッチング素子２Ａ，２Ｂを駆動させる駆動制御回路８が同一の筐体１に組み込まれてなるものである。
【００１７】
筐体１内では、スイッチング素子２Ａ，２Ｂが、本体底面をなすベース板３上の絶縁プレート４Ａ，４Ｂに、銅製の配線パターン１１Ａ，１１Ｂを介して設けられている。スイッチング素子２Ａ，２Ｂとしては、絶縁ゲートバイポーラモードトランジスタ（ＩＧＢＴ）素子が用いられる。また、ベース板３上の絶縁プレート４Ａ，４Ｂに、銅製の配線パターン１２Ａ，１２Ｂを介して電極端子５Ａ，５Ｂの一端部が接合されている。これら電極端子５Ａ，５Ｂは、曲折しつつ上方へ延び、その他端部が、筐体１の上面から露出し、外部端子として作用する。
【００１８】
更に、この実施の形態１では、各電極や素子の導電部分間の領域、すなわち静電界が発生し得る領域（ここでは、電極端子５Ａの水平部分５ａの下側領域１２）の外に、プリント基板６と該プリント基板６上に実装された複数個の制御ＩＣ，チップトランジスタ，チップダイオード等の各種素子（これらをまとめて符号７で示す）とからなる駆動制御回路８が配設されている。プリント基板６には、その平面方向に沿って、各種素子を接続するための配線パターン（不図示）が形成されている。プリント基板６は、絶縁プレート４Ａ，４Ｂ上の各配線パターン１１Ａ，１２Ｂに、それぞれ、アルミワイヤ１３，１４を介して接続されている。
【００１９】
更に、スイッチング素子２Ａと絶縁プレート４Ａ上の配線パターン１２Ａとが、アルミワイヤ９Ａを介して接続されるとともに、スイッチング素子２Ｂと絶縁プレート４Ｂ上の配線パターン１２Ｂとが、アルミワイヤ９Ｂを介して接続されている。すなわち、この半導体デバイス１０では、電極端子５Ａ→絶縁プレート４Ａ上の配線パターン１２Ａ→アルミワイヤ電極９Ａ→スイッチング素子４Ａ→絶縁プレート４Ａ上の配線パターン１１Ａ→アルミワイヤ１３→プリント基板６上の配線パターン→各種素子７→プリント基板６上の配線パターン→アルミワイヤ１４→絶縁プレート４Ｂ上の配線パターン１２Ｂ→電極端子５Ｂという電流経路が構成されている。
【００２０】
この半導体デバイス１０を用いてスイッチングしようとする直流主回路に電圧を印加するに伴ない、電極端子５Ａの水平部分５ａの下側領域１５に、静電界が発生し得る。半導体デバイス１０では、駆動制御回路８が、静電界が発生し得る領域１５の外に配置されているため、図６及び７を参照して説明したように、駆動制御回路８を構成する各種の能動素子が静電界から影響を受けて、能動素子を封止する樹脂内のイオンが分極される惧れはない。その結果、スイッチング素子２Ａ，２Ｂを駆動させる駆動制御回路８の誤作動を抑制することができ、スイッチング素子２Ａ，２Ｂの正常動作を確保することが可能となる。
【００２１】
以下、本発明の別の実施の形態について説明する。なお、以下の説明では、上記実施の形態１における場合と同じものについては、同一の符号を付し、それ以上の説明を省略する。
実施の形態２．
図２は、本発明の実施の形態２に係る半導体デバイスの内部構造を示す縦断面説明図である。半導体デバイス２０は、上記実施の形態１に係る半導体デバイスとほぼ同じ構成を有するもので、この実施の形態２では、駆動制御回路２８を構成し、プリント基板２６上に実装される各種素子のうち、制御ＩＣ，チップトランジスタ，チップダイオード等の樹脂封止される能動素子（これらをまとめて符号２７であらわす）が、静電界が発生し得る領域（ここでは、プリント基板２６と電極端子５Ａの水平部分５ａとの間の領域１２）の外に配置されている。
【００２２】
これにより、半導体デバイス２０では、駆動制御回路８を構成する各種の能動素子が静電界から影響を受けて、上記能動素子を封止する樹脂内のイオンが分極される惧れはない。その結果、スイッチング素子２Ａ，２Ｂを駆動させる駆動制御回路２８の誤作動を抑制することができ、スイッチング素子２Ａ，２Ｂの正常動作を確保することが可能である。
【００２３】
なお、この実施の形態２では、駆動制御回路２８を構成する素子のうち、制御ＩＣ，チップトランジスタ，チップダイオード等の樹脂封止された能動素子が、静電界が発生し得る領域の外に配置されているが、これに限定されることはなく、例えば、駆動制御回路２８を構成する素子のうち、回路の主動作を制御可能な制御ＩＣのみが、静電界が発生し得る領域の外に配置されていても、実施の形態２における場合と同様の効果を奏することができる。
【００２４】
実施の形態３．
図３は、本発明の実施の形態３に係る半導体デバイスの内部構造を示す縦断面説明図である。この半導体デバイス３０では、電極端子５Ａの水平部分５ａの下側に、プリント基板３６と、該プリント基板３６上に実装された複数個の制御ＩＣ，チップトランジスタ，チップダイオード等を含む各種素子（これらをまとめて符号３７であらわす）とからなる駆動制御回路３８が配設されている。更に、この実施の形態３では、駆動制御回路３８の上側に、そのサイズにほぼ対応する遮蔽プレート３３がプリント基板３６と水平に取り付けられている。この遮蔽プレート３３は、電極端子５Ａの水平部分５ａの下側に発生し得る静電界から駆動制御回路３８を遮蔽することができる材質（例えば金属など）からなるものである。これにより、この半導体デバイス３０では、駆動制御回路３８が、静電界が発生し得る領域３５の外に維持されることになる。
【００２５】
したがって、半導体デバイス３０では、駆動制御回路３８を構成する各種の能動素子が静電界から影響を受けて、上記能動素子を封止する樹脂内のイオンが分極される惧れはない。その結果、スイッチング素子２Ａ，２Ｂを駆動させる駆動制御回路３８の誤作動を抑制することができ、スイッチング素子２Ａ，２Ｂの正常動作を確保することが可能である。
【００２６】
実施の形態４．
図４に、本発明の実施の形態４に係る半導体デバイスの内部構造を示す縦断面説明図である。この半導体デバイス４０では、電極端子５Ａの水平部分５ａの下側に、プリント基板４６と、該プリント基板４６上に実装された各種素子とからなる駆動制御回路４８が配設されている。更に、この実施の形態４では、プリント基板４６上に実装される各種素子のうち、複数個の制御ＩＣ，チップトランジスタ，チップダイオード等の能動素子（これらをまとめて符号４７であらわす）の上面側に、そのサイズにほぼ対応する遮蔽プレート４３が取り付けられている。この遮蔽プレート４３は、上記実施の形態３における遮蔽プレート３３と同じく、電極端子５Ａの水平部分５ａの下側に発生し得る静電界から駆動制御回路４８を遮蔽することができる材質（例えば金属など）からなるものである。これにより、この半導体デバイス４０では、駆動制御回路４８に含まれる能動素子が、静電界が発生し得る領域４５に影響されることなく、正常動作を維持することができる。
【００２７】
したがって、半導体デバイス４０では、駆動制御回路４８を構成する各種の能動素子が静電界から影響を受けて、上記能動素子４７を封止する樹脂内のイオンが分極される惧れはない。その結果、スイッチング素子２Ａ，２Ｂを駆動させる駆動制御回路４８の誤作動を抑制することができ、スイッチング素子２Ａ，２Ｂの正常動作を確保することが可能である。
【００２８】
なお、この実施の形態４では、駆動制御回路４８に含まれる能動素子４７の全てを静電界から遮蔽する場合について説明したが、これに限定されることなく、上記能動素子４７のうち、例えば制御ＩＣのみを遮蔽するようにしてもよい。また、外部からの静電界に対する特性変動耐性が所定未満である制御ＩＣのみを遮蔽するようにしてもよい。
【００２９】
前述した実施の形態では、駆動制御回路に対する外部の静電界からの影響を抑制すべく、駆動制御回路を静電界が発生し得る領域の外に配置したり、駆動制御回路を静電界から遮蔽したりする解決手段が用いられたが、別の手段としては、駆動制御回路を構成する能動素子の封止剤に、外部の静電界に対する特性変動耐性が所定以上である樹脂を用いること、また、能動素子に、樹脂内におけるイオンの分極現象に対する特性変動耐性が所定以上である能動素子を用いることが考えられるが、これらの手段を用いた場合にも、前述した実施の形態における場合と同様の効果を奏することができる。
【００３０】
【発明の効果】
本願の請求項１の発明によれば、所定の外部回路に対する主電流をスイッチングする半導体素子と該半導体素子を駆動させる駆動制御回路とを備えた半導体デバイスにおいて、該駆動制御回路が、上記半導体素子への電圧印加に伴ない、上記半導体デバイス内で静電界が発生し得る領域の外に配置されているので、駆動制御回路が静電界から影響を受けて誤作動する惧れをなくすることができ、スイッチング素子の正常な動作を確保することが可能となる。
【００３１】
また、本願の請求項２の発明によれば、所定の外部回路に対する主電流をスイッチングする半導体素子と該半導体素子を駆動させる駆動制御回路とを備えた半導体デバイスにおいて、該駆動制御回路を構成する素子のうち、外部環境からの保護用に樹脂封止される能動素子が、上記半導体素子への電圧印加に伴ない、上記半導体デバイス内で静電界が発生し得る領域の外に配置されているので、駆動制御回路が静電界から影響を受けて誤作動する惧れをなくすることができ、スイッチング素子の正常な動作を確保することが可能となる。
【００３２】
更に、本願の請求項３の発明によれば、所定の外部回路に対する主電流をスイッチングする半導体素子と該半導体素子を駆動させる駆動制御回路とを備えた半導体デバイスにおいて、該駆動制御回路を構成する素子のうち、回路の主動作を制御可能な制御ＩＣのみが、上記半導体素子への電圧印加に伴ない、上記半導体デバイス内で静電界が発生し得る領域の外に配置されているので、駆動制御回路が静電界から影響を受けて誤作動する惧れをなくすることができ、スイッチング素子の正常な動作を確保することが可能となる。
【００３３】
また、更に、本願の請求項４の発明によれば、所定の外部回路に対する主電流をスイッチングする半導体素子と該半導体素子を駆動させる駆動制御回路とを備えた半導体デバイスにおいて、該駆動制御回路が、上記半導体素子への電圧印加に伴ない、上記半導体デバイス内で静電界が発生し得る領域から遮蔽部材で遮蔽されているので、駆動制御回路が静電界から影響を受けて誤作動する惧れをなくすることができ、スイッチング素子の正常な動作を確保することが可能となる。
【００３４】
また、更に、本願の請求項５の発明によれば、所定の外部回路に対する主電流をスイッチングする半導体素子と該半導体素子を駆動させる駆動制御回路とを備えた半導体デバイスにおいて、該駆動制御回路を構成する素子のうち、外部環境からの保護用に樹脂封止される能動素子が、上記半導体素子への電圧印加に伴ない、上記半導体デバイス内で静電界が発生し得る領域から遮蔽部材で遮蔽されているので、駆動制御回路が静電界から影響を受けて誤作動する惧れをなくすることができ、スイッチング素子の正常な動作を確保することが可能となる。
【００３５】
また、更に、本願の請求項６の発明によれば、所定の外部回路に対する主電流をスイッチングする半導体素子と該半導体素子を駆動させる駆動制御回路とを備えた半導体デバイスにおいて、該駆動制御回路を構成する素子のうち、回路の主動作を制御可能な制御ＩＣのみが、上記半導体素子への電圧印加に伴ない、上記半導体デバイス内で静電界が発生し得る領域から遮蔽部材で遮蔽されているので、駆動制御回路が静電界から影響を受けて誤作動する惧れをなくすることができ、スイッチング素子の正常な動作を確保することが可能となる。
【００３６】
また、更に、本願の請求項７の発明によれば、所定の外部回路に対する主電流をスイッチングする半導体素子と該半導体素子を駆動させる駆動制御回路とを備えた半導体デバイスにおいて、該駆動制御回路を構成する素子のうち、外部環境からの保護用に樹脂封止される能動素子の封止剤として、外部の静電界に対する特性変動耐性が所定以上である樹脂が用いられるので、駆動制御回路が静電界から影響を受けて誤作動する惧れをなくすることができ、スイッチング素子の正常な動作を確保することが可能となる。
【００３７】
また、更に、本願の請求項８の発明によれば、所定の外部回路に対する主電流をスイッチングする半導体素子と該半導体素子を駆動させる駆動制御回路とを備えた半導体デバイスにおいて、該駆動制御回路を構成する素子のうち、外部環境からの保護用に樹脂封止される能動素子として、樹脂内におけるイオンの分極現象に対する特性変動耐性が所定以上である素子が用いられるので、駆動制御回路が静電界から影響を受けて誤作動する惧れをなくすることができ、スイッチング素子の正常な動作を確保することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施の形態１に係る半導体デバイスの内部構造を示す縦断面説明図である。
【図２】  本発明の実施の形態２に係る半導体デバイスの内部構造を示す縦断面説明図である。
【図３】  本発明の実施の形態３に係る半導体デバイスの内部構造を示す縦断面説明図である。
【図４】  本発明の実施の形態４に係る半導体デバイスの内部構造を示す縦断面説明図である。
【図５】  従来の半導体デバイスの内部構造を示す縦断面説明図である。
【図６】  樹脂に含まれる臭素イオンの配列状態を概略的に示す説明図である。
【図７】  電界による樹脂内の臭素イオンへの影響をあらわす説明図である。
【符号の説明】
１  筐体，２Ａ，２Ｂ  スイッチング素子，５Ａ，５Ｂ  電極端子，６  プリント基板，７  プリント基板上の各種素子，８  駆動制御回路，１０  スイッチング素子用半導体デバイス，１５  静電界発生領域，２７  能動素子，３３  遮蔽プレート
【図１】
0004190710.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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