(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともバリア層およびシーラント層を有し、
下記不純物溶出試験（１）によってシーラント層から０．５重量％硝酸水溶液に溶出する鉄、アルミニウム、銅、ニッケル、亜鉛、ナトリウムおよびカリウムのイオン溶出量Ｘ（０．５重量％硝酸水溶液に接するシーラント層の面積１０００ｃｍ２ 当たり）が、各々１ｎｇ／ｍｌ以下であり、
前記シーラント層が、半減期が１５０〜２００℃の範囲の過酸化物系ラジカル開始剤単体あるいは２種類以上を複合して用いた高圧ラジカル重合法によって製造された、メルトフローレートが０．３〜５ｇ／１０分である低密度ポリエチレンを、１３０〜１７０℃の成形温度でＬ／Ｄ比が１５以上の押出機から押し出して成形されたフィルムであり、
前記シーラント層に添加剤が添加されていないことを特徴とする積層体。
〔不純物溶出試験（１）〕
シーラント層が内側となるように積層体から袋体を作製し、袋体内部に０．５重量％硝酸水溶液を１００ｍｌ注入し、この袋体を常温（２３℃）下で激しく３０回振とうし、袋体内部の０．５重量％硝酸水溶液に溶出した鉄、アルミニウム、銅、ニッケル、亜鉛、ナトリウムおよびカリウムのイオン溶出量Ｘ’をＩＣＰ／ＭＳ分析によってそれぞれ測定し、下記式により溶出量Ｘを求める。
溶出量Ｘ（ｎｇ／ｍｌ）＝溶出量Ｘ’（ｎｇ／ｍｌ）×１０００（ｃｍ２ ）／０．５重量％硝酸水溶液に接するシーラント層の面積（ｃｍ２ ）
【請求項２】
少なくともバリア層およびシーラント層を有し、
下記不純物溶出試験（２）によってシーラント層から純水に溶出するＮＨ４＋、Ｃｌ− 、ＮＯ２−、ＮＯ３−およびＳＯ４２− の溶出量Ｙ（純水に接するシーラント層の面積１０００ｃｍ２ 当たり）が、各々１ｎｇ／ｍｌ以下であり、
前記シーラント層が、半減期が１５０〜２００℃の範囲の過酸化物系ラジカル開始剤単体あるいは２種類以上を複合して用いた高圧ラジカル重合法によって製造された、メルトフローレートが０．３〜５ｇ／１０分である低密度ポリエチレンを、１３０〜１７０℃の成形温度でＬ／Ｄ比が１５以上の押出機から押し出して成形されたフィルムであり、
前記シーラント層に添加剤が添加されていないことを特徴とする積層体。
〔不純物溶出試験（２）〕
シーラント層が内側となるように積層体から袋体を作製し、袋体内部に純水を１００ｍｌ注入し、この袋体を常温（２３℃）下で激しく３０回振とうし、袋体内部の純水に溶出したＮＨ４＋、Ｃｌ− 、ＮＯ２−、ＮＯ３−およびＳＯ４２− の溶出量Ｙ’をイオンクロマトグラフ分析によってそれぞれ測定し、下記式により溶出量Ｙを求める。
溶出量Ｙ（ｎｇ／ｍｌ）＝溶出量Ｙ’（ｎｇ／ｍｌ）×１０００（ｃｍ２ ）／純水に接するシーラント層の面積（ｃｍ２ ）
【請求項３】
下記不純物溶出試験（２）によってシーラント層から純水に溶出するＮＨ４＋、Ｃｌ− 、ＮＯ２−、ＮＯ３−およびＳＯ４２− の溶出量Ｙ（純水に接するシーラント層の面積１０００ｃｍ２ 当たり）が、各々１ｎｇ／ｍｌ以下であることを特徴とする請求項１記載の積層体。
〔不純物溶出試験（２）〕
シーラント層が内側となるように積層体から袋体を作製し、袋体内部に純水を１００ｍｌ注入し、この袋体を常温（２３℃）下で激しく３０回振とうし、袋体内部の純水に溶出したＮＨ４＋、Ｃｌ− 、ＮＯ２−、ＮＯ３−およびＳＯ４２− の溶出量Ｙ’をイオンクロマトグラフ分析によってそれぞれ測定し、下記式により溶出量Ｙを求める。
溶出量Ｙ（ｎｇ／ｍｌ）＝溶出量Ｙ’（ｎｇ／ｍｌ）×１０００（ｃｍ２ ）／純水に接するシーラント層の面積（ｃｍ２ ）
【請求項４】
前記フィルムが、ホッパー内を窒素で置換し、チューブラーブローン用ダイを取り付けた押出機から前記低密度ポリエチレンをチューブ状に押し出し、清浄な空気を入れて成形されたものであることを特徴とする請求項１ないし３いずれか一項に記載の積層体。
【請求項５】
前記バリア層が、透明フィルムであることを特徴とする請求項１ないし４いずれか一項に記載の積層体。
【請求項６】
前記透明フィルムが、シリカ蒸着ポリエチレンテレフタレートフィルムであることを特徴とする請求項５記載の積層体。
【請求項７】
前記バリア層が、アルミニウム箔を有することを特徴とする請求項１ないし４いずれか一項に記載の積層体。
【請求項８】
前記シーラント層が、無延伸フィルムであることを特徴とする請求項１ないし７いずれか一項に記載の積層体。
【請求項９】
各層間が、接着剤を用いたドライラミネート法によって接着されていることを特徴とする請求項１ないし８いずれか一項に記載の積層体。
【請求項１０】
前記接着剤が、ノンシリカの接着剤であることを特徴とする請求項９記載の積層体。
【請求項１１】
シリカ蒸着ポリエチレンテレフタレートフィルム／接着剤／ナイロンフィルム／接着剤／シーラント層の層構成を有する請求項９または請求項１０記載の積層体。
【請求項１２】
請求項１ないし１１いずれか一項に記載の積層体からなることを特徴とする袋体。
【請求項１３】
前記積層体を、シーラント層が内側となるようにクリーンルーム内で製袋加工してなることを特徴とする請求項１２記載の袋体。
【請求項１４】
前記積層体を、粒径０．５μｍ以上の塵埃が、１０００個／ｃｆ以下であるクリーンルーム内で製袋加工してなることを特徴とする請求項１３記載の袋体。
【請求項１５】
請求項１ないし１１いずれか一項に記載の積層体からなることを特徴とする半導体製品または半導体材料用包装材。
【請求項１６】
前記積層体を、シーラント層が内側となるようにクリーンルーム内で製袋加工してなることを特徴とする請求項１５記載の半導体製品または半導体材料用包装材。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、バリア層およびヒートシール可能なシーラント層を有する積層体およびこれを用いた袋体に関し、特に、半導体製品や半導体材料の包装材料として好適な積層体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、電子部品用の搬送袋、米袋等の飲食品用袋、医薬品用袋、樹脂ペレット搬送用袋などのように、光、酸素、湿気等の侵入を防ぐ必要のある袋体には、用途に応じて光遮断性、酸素ガスバリア性、水蒸気バリア性などを有するバリア層が設けられた積層体が使用されている。
【０００３】
特に、電子部品用の搬送袋、米袋等の飲食品用袋、医薬品用袋などのように、内部が異物等で汚染されていてはならない袋に用いられる積層体としては、例えば、特開平１０−２３５７７３号公報に、チューブ状のシーラントフィルムを２方向からバリア層等を有するフィルムで挟み込み、積層体の製造工程でシーラント層が異物等で汚染されないようにされた積層体が提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
このような積層体の中でも、半導体製品や半導体材料の包装材料として用いられる積層体においては、異物等で汚染されていないことはもちろんのこと、さらに、鉄、アルミニウム、銅、ニッケル、亜鉛、ナトリウムおよびカリウムなどの微量の金属、その化合物および金属イオンや、ＮＨ4+、Ｃｌ- 、ＮＯ2-、ＮＯ3-およびＳＯ42- などの微量のイオンさえも半導体製品や半導体材料に移行しないことが必要とされ、このような積層体の開発が求められていた。
【０００５】
よって、本発明の目的は、金属やイオン等の不純物がほとんど内容物に移行することがないクリーンな袋体、およびこのような袋体に用いられるクリーンな積層体を提供することにある。
また、本発明の目的は、金属やイオン等の不純物がほとんど半導体製品や半導体材料に移行することがないクリーンな半導体製品・半導体材料用包装材を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の積層体は、少なくともバリア層およびシーラント層を有し、下記不純物溶出試験（１）によってシーラント層から０．５重量％硝酸水溶液に溶出する鉄、アルミニウム、銅、ニッケル、亜鉛、ナトリウムおよびカリウムのイオン溶出量Ｘ（０．５重量％硝酸水溶液に接するシーラント層の面積１０００ｃｍ２ 当たり）が、各々１ｎｇ／ｍｌ以下であり、
前記シーラント層が、半減期が１５０〜２００℃の範囲の過酸化物系ラジカル開始剤単体あるいは２種類以上を複合して用いた高圧ラジカル重合法によって製造された、メルトフローレートが０．３〜５ｇ／１０分である低密度ポリエチレンを、１３０〜１７０℃の成形温度でＬ／Ｄ比が１５以上の押出機から押し出して成形されたフィルムであり、
前記シーラント層に添加剤が添加されていないことを特徴とする。
〔不純物溶出試験（１）〕
シーラント層が内側となるように積層体から袋体を作製し、袋体内部に０．５重量％硝酸水溶液を１００ｍｌ注入し、この袋体を常温（２３℃）下で激しく３０回振とうし、袋体内部の０．５重量％硝酸水溶液に溶出した鉄、アルミニウム、銅、ニッケル、亜鉛、ナトリウムおよびカリウムの溶出量Ｘ’をＩＣＰ／ＭＳ分析によってそれぞれ測定し、下記式により溶出量Ｘを求める。
溶出量Ｘ（ｎｇ／ｍｌ）＝溶出量Ｘ’（ｎｇ／ｍｌ）×１０００（ｃｍ２ ）／０．５重量％硝酸水溶液に接するシーラント層の面積（ｃｍ２ ）
【０００７】
また、本発明の積層体は、少なくともバリア層およびシーラント層を有し、下記不純物溶出試験（２）によってシーラント層から純水に溶出するＮＨ４＋、Ｃｌ− 、ＮＯ２−、ＮＯ３−およびＳＯ４２− の溶出量Ｙ（純水に接するシーラント層の面積１０００ｃｍ２ 当たり）が、各々１ｎｇ／ｍｌ以下であり、
前記シーラント層が、半減期が１５０〜２００℃の範囲の過酸化物系ラジカル開始剤単体あるいは２種類以上を複合して用いた高圧ラジカル重合法によって製造された、メルトフローレートが０．３〜５ｇ／１０分である低密度ポリエチレンを、１３０〜１７０℃の成形温度でＬ／Ｄ比が１５以上の押出機から押し出して成形されたフィルムであり、
前記シーラント層に添加剤が添加されていないことを特徴とする。
〔不純物溶出試験（２）〕
シーラント層が内側となるように積層体から袋体を作製し、袋体内部に純水を１００ｍｌ注入し、この袋体を常温（２３℃）下で激しく３０回振とうし、袋体内部の純水に溶出したＮＨ４＋、Ｃｌ− 、ＮＯ２−、ＮＯ３−およびＳＯ４２− の溶出量Ｙ’をイオンクロマトグラフ分析によってそれぞれ測定し、下記式により溶出量Ｙを求める。
溶出量Ｙ（ｎｇ／ｍｌ）＝溶出量Ｙ’（ｎｇ／ｍｌ）×１０００（ｃｍ２ ）／純水に接するシーラント層の面積（ｃｍ２ ）
【０００８】
また、本発明の積層体は、少なくともバリア層およびシーラント層を有し、上記不純物溶出試験（１）によってシーラント層から０．５重量％硝酸水溶液に溶出する鉄、アルミニウム、銅、ニッケル、亜鉛、ナトリウムおよびカリウムのイオン溶出量Ｘ（０．５重量％硝酸水溶液に接するシーラント層の面積１０００ｃｍ２ 当たり）が、各々１ｎｇ／ｍｌ以下であり、かつ上記不純物溶出試験（２）によってシーラント層から純水に溶出するＮＨ４＋、Ｃｌ− 、ＮＯ２−、ＮＯ３−およびＳＯ４２− の溶出量Ｙ（純水に接するシーラント層の面積１０００ｃｍ２ 当たり）が、各々１ｎｇ／ｍｌ以下であり、
前記シーラント層が、半減期が１５０〜２００℃の範囲の過酸化物系ラジカル開始剤単体あるいは２種類以上を複合して用いた高圧ラジカル重合法によって製造された、メルトフローレートが０．３〜５ｇ／１０分である低密度ポリエチレンを、１３０〜１７０℃の成形温度でＬ／Ｄ比が１５以上の押出機から押し出して成形されたフィルムであり、
前記シーラント層に添加剤が添加されていないることを特徴とする。
【０００９】
また、前記シーラント層のフィルムは、ホッパー内を窒素で置換し、チューブラーブローン用ダイを取り付けた押出機から前記低密度ポリエチレンをチューブ状に押し出し、清浄な空気を入れて成形されたものであることが望ましい。
【００１０】
また、前記バリア層は、透明フィルムであることが望ましく、特にシリカ蒸着ポリエチレンテレフタレートフィルムであることが望ましい。
もしくは、前記バリア層は、アルミニウム箔を有するものであってもよい。
また、前記シーラント層は、無延伸フィルムであることが望ましい。
【００１１】
また、積層体の各層間は、接着剤を用いたドライラミネート法によって接着されていることが望ましい。
また、前記接着剤は、シリカを含まない接着剤であることが望ましい。
また、本発明の積層体は、シリカ蒸着ポリエチレンテレフタレートフィルム／接着剤／ナイロンフィルム／接着剤／シーラント層の層構成を有するものであることが望ましい。
【００１２】
また、本発明の袋体は、本発明の積層体からなるものであることを特徴とする。
また、本発明の袋体は、本発明の積層体を、シーラント層が内側となるようにクリーンルーム内で製袋加工してなるものであることが望ましい。
また、本発明の袋体は、粒径０．５μｍ以上の塵埃が、１０００個／ｃｆ以下であるクリーンルーム内で製袋加工してなるものであることが望ましい。
【００１３】
また、本発明の半導体製品または半導体材料用包装材は、本発明の積層体からなるものであることを特徴とする。
また、本発明の半導体製品または半導体材料用包装材は、本発明の積層体を、シーラント層が内側となるようにクリーンルーム内で製袋加工してなるものであることが望ましい。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳しく説明する。
図１は、本発明の積層体の一例を示す断面図である。この積層体１０は、シーラント層１１と、このシーラント層１１を挟むように設けられた基材フィルムからなる中間層１２と、この中間層１２よりも外側に設けられたバリア性フィルムからなるバリア層１３とを有し、各層間が接着剤１４で接着されているものである。
【００１５】
この積層体１０は、下記不純物溶出試験（１）によってシーラント層１１から０．５重量％硝酸水溶液に溶出する鉄、アルミニウム、銅、ニッケル、亜鉛、ナトリウムおよびカリウムのイオン溶出量Ｘ（０．５重量％硝酸水溶液に接するシーラント層１１の面積１０００ｃｍ2 当たり）が、各々１ｎｇ／ｍｌ以下である。これらイオンの溶出量Ｘが１ｎｇ／ｍｌを超えると、内容物、特に半導体製品または半導体材料にこれら金属やそのイオンが移行し、品質の低下を招く。
【００１６】
以下、不純物溶出試験（１）について具体的に説明する。
〔不純物溶出試験（１）〕
まず、図２に示すように、積層体１０の三方をヒートシールしてシーラント層１１が内側となる袋体２０を作製する。
ついで、この袋体２０内部に上方の開口部から０．５重量％硝酸水溶液を１００ｍｌ注入し、開口部をヒートシールによって閉じる。ここで、０．５重量％硝酸水溶液としては、ＩＣＰ／ＭＳ分析によって下記の不純物が検出されないもの用いる。
【００１７】
この袋体２０を常温（２３℃）下で激しく３０回振とうした後、袋体２０内部の０．５重量％硝酸水溶液を取り出す。
ついで、この０．５重量％硝酸水溶液をＩＣＰ／ＭＳ（高周波プラズマ質量分析）分析にかけ、シーラント層１１から０．５重量％硝酸水溶液に溶出した鉄、アルミニウム、銅、ニッケル、亜鉛、ナトリウムおよびカリウムのイオン溶出量Ｘ’をそれぞれ測定する。
下記式によりイオン溶出量Ｘ’をシーラント層１１の面積１０００ｃｍ2 当たりのイオン溶出量Ｘに換算する。
溶出量Ｘ（ｎｇ／ｍｌ）＝溶出量Ｘ’（ｎｇ／ｍｌ）×１０００（ｃｍ2 ）／０．５重量％硝酸水溶液に接するシーラント層の面積（ｃｍ2 ）
【００１８】
また、積層体１０は、下記不純物溶出試験（２）によってシーラント層１１から純水に溶出するＮＨ4+、Ｃｌ- 、ＮＯ2-、ＮＯ3-およびＳＯ42- の溶出量Ｙ（純水に接するシーラント層１１の面積１０００ｃｍ2 当たり）が、各々１ｎｇ／ｍｌ以下である。溶出量Ｙが１ｎｇ／ｍｌを超えると、内容物、特に半導体製品または半導体材料にこれらイオンが移行し、品質の低下を招く。
【００１９】
以下、不純物溶出試験（２）について具体的に説明する。
〔不純物溶出試験（２）〕
まず、図２に示すように、積層体１０の三方をヒートシールしてシーラント層１１が内側となる袋体２０を作製する。
ついで、この袋体２０内部に上方の開口部から純水を１００ｍｌ注入し、開口部をヒートシールによって閉じる。ここで、純水としては、イオンクロマトグラフ分析によって下記の不純物が検出されないもの用いる。
【００２０】
この袋体２０を常温（２３℃）下で激しく３０回振とうした後、袋体２０内部の純水を取り出す。
ついで、この純水をイオンクロマトグラフ分析にかけ、シーラント層１１から純水に溶出したＮＨ4+、Ｃｌ- 、ＮＯ2-、ＮＯ3-およびＳＯ42- の溶出量Ｙ’をそれぞれ測定する。
下記式により溶出量Ｙ’をシーラント層１１の面積１０００ｃｍ2 当たりの溶出量Ｙに換算する。
溶出量Ｙ（ｎｇ／ｍｌ）＝溶出量Ｙ’（ｎｇ／ｍｌ）×１０００（ｃｍ2 ）／純水に接するシーラント層の面積（ｃｍ2 ）
【００２１】
シーラント層１１は、ヒートシール性を有する樹脂をチューブラーブローン法でチューブ状に成形したものである。
ヒートシール性を有する樹脂としては、例えば、低密度ポリエチレン等のエチレン系重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、アイオノマー、エチレン−酢酸ビニル共重合体鹸化物、ナイロン、ポリプロピレンなどが挙げられる。ここで、低密度ポリエチレンとは、ラジカル重合によって得られる、密度が０．９２ｇ／ｃｍ3 以下のエチレン単独重合体またはエチレン−α−オレフィン共重合体（エチレン８５重量％以上）である。
【００２２】
これらヒートシール性を有する樹脂の中でも、半減期が１５０〜２００℃の範囲の過酸化物系ラジカル開始剤単体あるいは２種類以上を複合して用いた高圧ラジカル重合法によって製造された低密度ポリエチレンが好ましい。このような低密度ポリエチレンは、その製造に金属含有触媒を用いないため、金属等の不純物の含有量が極めて少ない。また、このエチレン系重合体のメルトフローレートは、成形加工性の点から、０．３〜５ｇ／１０分であることが好ましい。
【００２３】
また、ヒートシール性を有する樹脂には、添加剤が添加されていないことが好ましい。このようなヒートシール性を有する樹脂を用いることにより、シーラント層１１中の不純物の含有量を低減させることができる。ここでいう添加剤とは、滑剤、アンチブロッキング剤、帯電防止剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤等のポリマー用の添加剤である。
また、シーラント層１１は、無延伸フィルムからなることが好ましい。無延伸フィルムからなるシーラント層１１は、突き刺し強度に優れる、柔軟である、ヒートシール加工性に優れる等の利点がある。
【００２４】
バリア層１３は、積層体１０の用途に応じて用途に応じて光遮蔽性、酸素ガスバリア性、水蒸気バリア性などを有するバリア性フィルムからなるものである。バリア層１３としては、積層体１０からなる袋体に収納した内容物を確認できる点で、透明フィルムからなることが好ましい。なお、内容物が光によって変質するなど、光による悪影響を受ける場合は、バリア層１３としては、光バリア性を有するものが用いられる。
【００２５】
また、バリア層１３はとしては、透明性および酸素ガスバリア性を必要とするときは、例えば、酸化ケイ素（シリカ）や金属酸化物が蒸着された二軸延伸ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、二軸延伸ポリプロピレン（ＰＰ）フィルム、二軸延伸ポリアミドフィルム（ＮＹ）；ポリ塩化ビニリデンやポリビニルアルコールをコーティングした二軸延伸ＰＥＴフィルム、二軸延伸ＰＰフィルム；エチレン−酢酸ビニル共重合体鹸化物のフィルム、ポリビニルアルコールフィルム、ポリカーボネートフィルムなどを用いることができる。中でも、シリカ蒸着ポリエチレンテレフタレートフィルムが、透明性および酸素ガスバリア性に優れることから好適に用いられる。
【００２６】
また、バリア層１３はとしては、光遮蔽性および酸素ガスバリア性を必要とするときは、例えば、アルミニウム箔、アルミニウム箔が貼着された二軸延伸ＰＥＴフィルム、二軸延伸ＰＰフィルム；金属アルミニウムが蒸着された二軸延伸ＰＥＴフィルム、二軸延伸ＰＰフィルム（部分蒸着を含む）を用いることができる。中でもアルミニウム箔を有するフィルムが、光遮蔽性および酸素ガスバリア性に優れることから好適に用いられる。
【００２７】
中間層１２は、積層体１０のベースとなる基材フィルムからなり、積層体１０の機械的強度、各種バリア性を補うための層である。
中間層１２に用いられる基材フィルムとしては、例えば、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリアミド（ナイロン−６、ナイロン−６，６など）、セルロースアセテート、エチレン−酢酸ビニル共重合体鹸化物、ポリカーボネートなどのプラスチックの延伸または未延伸フィルム、紙、アルミニウム箔などが用いられる。
【００２８】
接着剤１４としては、ドライラミネーション、ウェットラミネーション、サンドイッチラミネーション等にそれぞれ用いられる公知の各種接着剤、熱可塑性樹脂等を用いることができる。積層体１０からなる袋体に収納する内容物が半導体製品や半導体用材料の場合、接着剤としてはシリカを含まないノンシリカタイプの接着剤が好ましい。
【００２９】
積層体１０としては、各種バリア性、機械的強度の低下防止、および外観上の問題の点から、そのシーラント層１１にフィッシュアイ、ゲル等の練り込み異物が少ないものが好ましい。具体的には、粒径０．５〜１．０ｍｍの異物が、３０個／ｍ3 以下の積層体が好ましく、２０個／ｍ3 以下のものがより好ましく、１０個／ｍ3 以下のものがさらに好ましい。
【００３０】
積層体１０のシーラント層１１表面には、製袋加工時、内容物充填作業時にある程度の滑り性が要求される。具体的には、シーラント層１１表面の動摩擦係数は、好ましくは０．５以下であり、より好ましくは０．４５以下であり、さらに好ましくは０．４以下である。
【００３１】
次に、積層体１０の製造方法について説明する。
まず、ヒートシール性を有する樹脂をチューブラーブローン用ダイを取り付けた押出機から溶融状態で押し出し、清浄な空気を入れてチューブ状のシーラントフィルムに成形する。
このチューブ状のシーラントフィルム（シーラント層１１）を平面状に開いて１枚にし、その片面に接着剤１４を介して基材フィルム（中間層１２）、バリア性フィルム（バリア層１３）を順次積層して積層体１０を得る。
【００３２】
ここで、押出機のＬ／Ｄ比は１５以上であることが好ましく、また、ヒートシール性を有する樹脂を押出機から押し出す際の温度（成形温度）は、１３０〜１７０℃の範囲が好ましい。このような条件で、メルトフローレートが０．３〜５ｇ／１０分である低密度ポリエチレンを押し出すことにより、滑剤やアンチブロッキング剤などの添加剤を低密度ポリエチレンに添加しなくとも、良好な成形加工性を維持することができる。
また、押出機のホッパー内を窒素で置換しておくことが好ましい。ホッパー内を窒素で置換しておけば、ヒートシール性を有する樹脂の押出機内における酸化を抑えることができ、酸化防止剤などの添加剤を添加する必要がなくなる。
【００３３】
また、接着剤を用いた各フィルムの積層方法としては、ドライラミネート法、ウェットラミネート法、サンドイッチラミネート法、押出ラミネート法などが挙げられる。中でも、クリーン度の保持の点で、ドライラミネート法が好適である。
なお、押出ラミネート法による場合、その成形温度は２５０℃以下とすることが好ましい。
【００３４】
ドライラミネート法による各層の貼り合わせは、具体的には、各層を構成するフィルムの表面にドライラミネート用の接着剤を塗布し、接着剤を乾燥させて接着剤の揮発分を揮発させた後、各フィルムを貼り合わせ、熱ロールによって圧着させることによって行われる。
【００３５】
以上説明したように、このような積層体１０にあっては、上記不純物溶出試験（１）によってシーラント層１１から０．５重量％硝酸水溶液に溶出する鉄、アルミニウム、銅、ニッケル、亜鉛、ナトリウムおよびカリウムのイオン溶出量Ｘ（０．５重量％硝酸水溶液に接するシーラント層１１の面積１０００ｃｍ2 当たり）が、各々１ｎｇ／ｍｌ以下であり、上記不純物溶出試験（２）によってシーラント層１１から純水に溶出するＮＨ4+、Ｃｌ- 、ＮＯ2-、ＮＯ3-およびＳＯ42- の溶出量Ｙ（純水に接するシーラント層１１の面積１０００ｃｍ2 当たり）が、各々１ｎｇ／ｍｌ以下であるので、金属やイオン等の不純物がほとんど内容物に移行することがない袋体を提供することができる。
【００３６】
このような積層体１０は、具体的には、半減期が１５０〜２００℃のラジカル開始剤を用いた高圧ラジカル重合法によって製造された、メルトフローレートが０．３〜５ｇ／１０分である低密度ポリエチレンをヒートシール性を有する樹脂として用い、この低密度ポリエチレンを１３０〜１７０℃の成形温度でＬ／Ｄ比が１５以上の押出機から押し出してシーラントフィルムを成形し、このシーラントフィルムをシーラント層１１として用いることによって得ることができる。
【００３７】
なお、本発明の積層体においては、図示例のように必ずしも中間層を設ける必要はなく、少なくともバリア層およびシーラント層を有するものであればよい。また、本発明の積層体においては、各層を積層する際に、各層の表面にオゾン処理などの接着性を向上させる処理を施しても構わない。
【００３８】
次に、本発明の袋体について説明する。
本発明の袋体は、本発明の積層体からなるものである。本発明の袋体としては、例えば、図２に示すように、シーラント層が内側となるようにして積層体１０の三方をヒートシールした袋体２０が挙げられる。
また、本発明の袋体としては、図３に示すような袋体３０が例示できる。
この袋体３０は、図４で示すように、広げると略立方体状となる袋であって、側面フィルム３１，３２とガゼット側面フィルム３３，３４とから概略構成されている。側面フィルム３１，３２及びガゼット側面フィルム３３，３４は、例えば、上述の積層体１０からなるフィルムであって、最内層がシーラント層１１であるものであればよい。
【００３９】
図示例の袋体３０では、側面フィルム３１と、折り込まれたガゼット側面フィルム３３とはそれぞれの側縁部において、ヒートシールにより溶着して側縁ヒートシール部３５を形成し、側面フィルム３２とガゼット側面フィルム３３も側縁部にてヒートシールにより溶着している。同様に、側面フィルム３１と、折り込まれたガゼット側面フィルム３４もそれぞれの側縁部にてヒートシールにより溶着して側縁ヒートシール部３６を形成し、側面フィルム３２とガゼット側面フィルム３４も側縁部にてヒートシールにより溶着している。
【００４０】
袋体３０においては、さらに、その底部において、側面フィルム３１，３２はそれぞれガゼット側面フィルム３３，３４と、袋の短手方向に沿って直線状にヒートシールにより溶着一体化して底辺ヒートシール部３７を形成している。また、ガゼット側面フィルム３３，３４が介在しない底辺中央部３８においては、側面フィルム３１と側面フィルム３２とがヒートシールにより溶着一体化している。さらにまた、その底辺中央部３８近傍から斜め上方に側縁部まで向かう線と、底辺ヒートシール部３７と、側縁ヒートシール部３５（３６）とで囲まれる部分が三角形状にヒートシールされ、図４に示すように、底面が四角形状に広げやすくなっている。この三角形状のヒートシールには、縞状に非ヒートシール部３９が形成されている。これは、大面積のヒートシールを行うことによる波打ちを抑制する為である。さらに、底辺ヒートシール部３７内の側方近傍の２ヵ所においてスポットシール４０，４０により、ガゼット側面フィルム３３同し及びガゼット側面フィルム３４同しが溶着され、袋を略立方体状に広げやすくなっている。図示例の袋体３０では開封を容易とする為の切欠４１が形成されている。
【００４１】
上述の袋体２０および袋体３０の製袋加工は、クリーンルーム内で行うことが好ましい。クリーンルーム内で製袋加工することにより、異物が積層体１０表面、特にシーラント層１１表面に付着することを抑えることができ、内容物に移行する金属やイオン等の不純物をさらに減らすことができる。特に、粒径０．５μｍ以上の塵埃の数が、１０００個／ｃｆ（ｃｆ：キュービックフィート（１立方フィート）以下であるクリーンルーム内で製袋加工を行うことが好ましい。
【００４２】
このような袋体２０および袋体３０にあっては、これらに用いられる積層体が、上記不純物溶出試験（１）によってシーラント層１１から０．５重量％硝酸水溶液に溶出する鉄、アルミニウム、銅、ニッケル、亜鉛、ナトリウムおよびカリウムのイオン溶出量Ｘ（０．５重量％硝酸水溶液に接するシーラント層１１の面積１０００ｃｍ2 当たり）が、各々１ｎｇ／ｍｌ以下であり、上記不純物溶出試験（２）によってシーラント層１１から純水に溶出するＮＨ4+、Ｃｌ- 、ＮＯ2-、ＮＯ3-およびＳＯ42- の溶出量Ｙ（純水に接するシーラント層１１の面積１０００ｃｍ2 当たり）が、各々１ｎｇ／ｍｌ以下であるものであるので、金属やイオン等の不純物がほとんど内容物に移行することがない。
このような袋体は、特に、半導体製品または半導体材料用包装材として好適に用いることができる。
【００４３】
なお、本発明の袋体は、図示例の形状のものに限定はされず、本発明の積層体を用い、かつシーラント層が最内層とされているものであれば、いかなる形状のものであっても構わない。
また、本発明の半導体製品または半導体材料用包装材は、図示例のような袋体に限定はされず、例えば、２枚のテープ状の本発明の積層体によって電子部品等の複数の半導体製品を挟む形態のもの、いわゆるキャリアテープなどであっても構わない。
【００４４】
【実施例】
以下、実施例を示して本発明を詳しく説明する。
［実施例１］
シーラントフィルムとして、厚さ５０μｍの無添加タイプの低密度ポリエチレンフィルムを用意した。この無添加低密度ポリエチレンフィルムは、半減期が１７５℃の過酸化物系のラジカル開始剤を用いた高圧ラジカル重合法によって製造され、メルトフローレートが０．８ｇ／１０分であり、添加剤が添加されていない低密度ポリエチレンを、１４０℃の成形温度でＬ／Ｄ比が２２であり、ホッパー内が窒素で置換され、かつチューブラーブローン用ダイを取り付けた押出機から押し出し、清浄な空気を入れて成形されたチューブを開いたフィルムである。
【００４５】
接着剤として、エステル系ノンシリカタイプ接着剤を乾燥時の塗布量が３．０ｇ／ｍ3 となるように用いて、上記無添加低密度ポリエチレンフィルムに、厚さ１５μｍの二軸延伸ナイロンフィルムおよび厚さ１２μｍのシリカ蒸着二軸延伸ＰＥＴフィルムを順次ドライラミネーション法で積層して、図１に示すような積層体を得た。この積層体のシーラント層について、粒径０．５〜１．０ｍｍの異物の数（フィッシュアイおよびゲル）、動摩擦係数を測定した。結果を表１に示す。
【００４６】
ついで、粒径０．５μｍ以上の塵埃が１０００個／ｃｆ以下であるクリーンルーム内でこの積層体の三方をシーラント層が内側となるようにヒートシールして、図２に示すような袋体を得た。この袋体内部のシーラント層の表面積（接触面積）は、５３（ｃｍ）×３０（ｃｍ）×２（面）＝３１８０ｃｍ2 であった。
【００４７】
この袋体について、上述の不純物溶出試験（１）によってシーラント層から０．５重量％硝酸水溶液に溶出する鉄、アルミニウム、銅、ニッケル、亜鉛、ナトリウムおよびカリウムのイオン溶出量Ｘ（０．５重量％硝酸水溶液に接するシーラント層の面積１０００ｃｍ2 当たり）、および上述の不純物溶出試験（２）によってシーラント層から純水に溶出するＮＨ4+、Ｃｌ- 、ＮＯ2-、ＮＯ3-およびＳＯ42- の溶出量Ｙ（純水に接するシーラント層の面積１０００ｃｍ2 当たり）を求めた。それぞれの試験を３回ずつ行い、それぞれの溶出量の平均値を求めた。結果を表１に示す。ここで、ＩＣＰ／ＭＳ分析には、セイコーインスツルメンツ（株）製のＳＰＧ−９０００を用い、イオンクロマトグラフ分析には、ダイオネクス製のＤＸ３００／ＤＸ５００を用いた。
【００４８】
［実施例２］
シーラントフィルムとして、厚さ５０μｍの無添加タイプの低密度ポリエチレンフィルムを用いた以外は、実施例１と同様にして積層体および袋体を製造し、実施例１と同様にして評価を行った。結果を表１に示す。この無添加低密度ポリエチレンフィルムは、半減期が１７０℃の過酸化物系のラジカル開始剤を用いた高圧ラジカル重合法によって製造され、メルトフローレートが０．５ｇ／１０分であり、添加剤が添加されていない低密度ポリエチレンを、１５０℃の成形温度でＬ／Ｄ比が２０であり、ホッパー内が窒素で置換され、かつチューブラーブローン用ダイを取り付けた押出機から押し出し、清浄な空気を入れて成形されたチューブを開いたフィルムである。
【００４９】
［比較例１］
シーラントフィルムとして、厚さ５０μｍのアンチブロッキング剤、抗酸化剤の添加された、無滑剤タイプの直鎖状低密度ポリエチレンフィルムを用いた以外は、実施例１と同様にして積層体および袋体を製造し、実施例１と同様にして評価を行った。結果を表１に示す。
比較例１の積層体は、シーラント層を構成するシーラントフィルムに、アンチブロッキング剤、抗酸化剤が添加されており、添加剤に起因する金属イオン、陰イオンおよび陽イオンの溶出が多かった。
【００５０】
［比較例２］
シーラントフィルムとして、厚さ５０μｍの添加剤低減タイプの直鎖状低密度ポリエチレンフィルムを用いた以外は、実施例１と同様にして積層体および袋体を製造し、実施例１と同様にして評価を行った。結果を表１に示す。
参考例１の積層体は、シーラント層を構成するシーラントフィルムに少量ながら添加剤が添加されており、添加剤に起因する陰イオンおよび陽イオンの溶出が多かった。
【００５１】
［比較例３］
シーラントフィルムとして、厚さ５０μｍの添加剤低減タイプの低密度ポリエチレンフィルムを用いた以外は、実施例１と同様にして積層体および袋体を製造し、実施例１と同様にして評価を行った。結果を表１に示す。
参考例２の積層体は、シーラント層を構成するシーラントフィルムに少量ながら添加剤が添加されており、添加剤に起因する金属イオン、陰イオンおよび陽イオンの溶出が多かった。
【００５２】
【表１】
0004098520.tif 000002
【００５３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の積層体は、少なくともバリア層およびシーラント層を有し、上述の不純物溶出試験（１）によってシーラント層から０．５重量％硝酸水溶液に溶出する鉄、アルミニウム、銅、ニッケル、亜鉛、ナトリウムおよびカリウムのイオン溶出量Ｘ（０．５重量％硝酸水溶液に接するシーラント層の面積１０００ｃｍ2 当たり）が、各々１ｎｇ／ｍｌ以下であるので、金属やイオン等の不純物がほとんど内容物に移行することがない袋体、半導体製品・半導体材料用包装材を提供することができる。
【００５４】
また、本発明の積層体は、少なくともバリア層およびシーラント層を有し、上述の不純物溶出試験（２）によってシーラント層から純水に溶出するＮＨ4+、Ｃｌ- 、ＮＯ2-、ＮＯ3-およびＳＯ42- の溶出量Ｙ（純水に接するシーラント層の面積１０００ｃｍ2 当たり）が、各々１ｎｇ／ｍｌ以下であるので、金属やイオン等の不純物がほとんど内容物に移行することがない袋体、半導体製品・半導体材料用包装材を提供することができる。
【００５５】
また、前記シーラント層が、半減期が１５０〜２００℃の範囲の過酸化物系ラジカル開始剤単体あるいは２種類以上を複合して用いた高圧ラジカル重合法によって製造された、メルトフローレートが０．３〜５ｇ／１０分である低密度ポリエチレンを、１３０〜１７０℃の成形温度でＬ／Ｄ比が１５以上の押出機から押し出し、清浄な空気を入れて成形されたフィルムであれば、上述の不純物溶出試験（１）によってシーラント層から０．５重量％硝酸水溶液に溶出する鉄、アルミニウム、銅、ニッケル、亜鉛、ナトリウムおよびカリウムのイオン溶出量Ｘ（０．５重量％硝酸水溶液に接するシーラント層の面積１０００ｃｍ2 当たり）が１ｎｇ／ｍｌ以下である積層体、または上述の不純物溶出試験（２）によってシーラント層から純水に溶出するＮＨ4+、Ｃｌ- 、ＮＯ2-、ＮＯ3-およびＳＯ42- の溶出量Ｙ（純水に接するシーラント層の面積１０００ｃｍ2 当たり）が、１ｎｇ／ｍｌ以下である積層体を得ることが可能となる。
【００５６】
また、前記シーラント層のフィルムが、ホッパー内を窒素で置換し、チューブラーブローン用ダイを取り付けた押出機から前記低密度ポリエチレンをチューブ状に押し出し、清浄な空気を入れて成形されたものであれば、さらにシーラント層からの不純物の溶出を抑えることができる。
【００５７】
また、本発明の袋体は、本発明の積層体からなるものであるので、金属やイオン等の不純物がほとんど内容物に移行することがない。
また、本発明の半導体製品または半導体材料用包装材は、本発明の積層体からなるものであるので、金属やイオン等の不純物がほとんど半導体製品や半導体材料に移行することがない。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の積層体の一例を示す断面図である。
【図２】  本発明の袋体の一例を示す斜視図である。
【図３】  本発明の袋体の他の例を示す正面図である。
【図４】  図３の袋体の使用時の一例を示す斜視図である。
【符号の説明】
１０  積層体
１１  シーラント層
１３  バリア層
１４  接着剤
２０  袋体
３０  袋体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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