【事件の表示】
　昭和６３年　特　許　願　第１８５１９１号「半導体装置及び半導体装置の製造方法」拒絶査定に対する審判事件（平成２年２月５日出願公開、特開平２−３４９０７）について、次のとおり審決する。
【結論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は昭和６３年７月２５日の出願であって、その請求項１、請求項２及び請求項３に係る発明は、平成１０年３月１９日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１、請求項２及び請求項３に記載されたとおりのものと認められ、その請求項１に係る発明は以下のとおりである。
　「基体表面に凸状あるいは凹状の露光用位置合わせパターンを有する半導体装置において、
　前記基体にフォトレジストを回転塗布する場合の回転中心と、前記露光用位置合わせパターンとの間に１本以上の凸状あるいは凹状のダミーパターンが形成され、
　かつ該凸状あるいは凹状のダミーパターンが前記露光用位置合わせパターンの近傍に沿って形成されるとともに、前記位置合わせパターンと上記凸状あるいは凹状のダミーパターンの上を覆って少なくとも１層の被膜が、回転塗布法または気相成長法によって形成されることにより、
　前記フォトレジストの回転塗布時に、前記ダミーパターンでフォトレジストの流れをいったん緩和してから該フォトレジストが前記露光用位置合わせパターン上に塗布される構造とし、
　該構造により、前記露光用位置合わせパターン上のフォトレジストの膜厚を均一にする
　ことを特徴とする半導体装置。」（以下、「本願発明」という。）
２．引用例
　これに対して、原査定で引用された、この出願前に公知の特開昭６３−３４１６号公報（以下、「引用例」という。）には、以下の事項が記載されている。
［記載事項１］（第２頁左上欄第１３行目〜同頁左下欄第１４行目）
　「第９図及び第１０図の従来のアライメント・マーク断面図に示すように、アライメント・マークが単独パターンの場合、回転中心に近い部分（ａ）ではパターン３１に対するフォトレジスト３２のステップ力ヴアレッジは対称性を保ち、均一であるが、ウエハ周辺部（ｂ）では非対称で、不均一となっていしまう。…直右上欄第１行〜第１１行省略）…マーク上で乱反射した回折光の一次光を検出する方法でマスクの位置合わせを行うと、（ａ）のようにステップ力ヴアレッジが左右対称だと回折光が均一に出るが、（ｂ）のように非対称なレジストのステップ力ヴアレッジがアライメント・マーク上で生じると、光屈折により一次光が曲がって出てしまうため、このデータで位置合わせをするとマスクの位置がずれるという問題がある。…（右上欄下から第２行〜左下欄第８行省略…）本発明は、上記のような問題点に鑑みてなされたもので、アライメント・マーク上のフォトレジストのステップ力ヴアレッジを均一で、左右対称とすることにより、精度の高いマスクの位置合わせが可能な半導体装置を提供することを目的とする。」
　［記載事項２］（第２頁左下欄第１６行〜第３頁右上欄第１７行、第１、２、３図）
　「本発明は、上記問題点を解決するため、以下の構成をとる。すなわち本発明は基体表面に凸状あるいは凹状の露光用位置合わせパターンを有する半導体装置において、前記基体上にフォトレジストを回転塗布する場合の回転中心と、前記露光用位置合わせパターンとの間に１本以上の凸状あるいは凹状のパターンが形成され、且つ該凸状あるいは凹状のパターンが前記露光用位置合わせパターンの近傍に沿って形成されているものである。…（第２頁右下欄第６行〜第３頁左上欄第１２行省略）…その原理は必ずしも明らかではないが、最前列のパターン２１′でレジストの流れが緩和され、内部応力によって変化する粘性が均一化される為と考えられる。本発明は、このような発明者により発見された現象を利用したものである。」
　してみると引用例には、「基体表面に凸状あるいは凹状の露光用位置合わせパターンを有する半導体装置において、前記基体上にフォトレジストを回転塗布する場合の回転中心と、前記露光用位置合わせパターンとの間に１本以上の凸状あるいは凹状のパターンが形成され、且つ該凸状あるいは凹状のパターンが前記露光用位置合わせパターンの近傍に沿って形成されてレジストの流れが緩和され、アライメント・マーク上のフォトレジストのステップ力ヴアレッジを均一で、左右対称とすることにより、精度の高いマスクの位置合わせが可能な半導体装置」なる発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
３対比・判断
　そこで本願発明と引用発明とを比較するに、引用発明における
▲１▼「露光用位置合わせパターン」又は「アライメント・マーク」、
▲２▼「回転中心と、前記露光用位置合わせパターンとの間に」形成された「１本以上の凸状あるいは凹状のパターン」及び
▲３▼［アライメント・マーク上のフォトレジストのステップ力ヴアレッジを均一で、左右対称とすること」は、
本願発明における
▲１▼「露光用位置合わせパターン」、
▲２▼「凸状あるいは凹状のダミーパターン」及び
▲３▼「露光用位置合わせパターン上のフォトレジストの膜厚を均一にすること」に相当する。
　してみると、両者は、「基体表面に凸状あるいは凹状の露光用位置合わせパターンを有する半導体装置において、前記基体にフォトレジストを回転塗布する場合の回転中心と、前記露光用位置合わせパターンとの間に１本以上の凸状あるいは凹状のダミーパターンが形成され、かつ該凸状あるいは凹状のダミーパターンが前記露光用位置合わせパターンの近傍に沿って形成され、前記フォトレジストの回転塗布時に、前記ダミーパターンでフォトレジストの流れをいったん緩和してから該フォトレジストが前記露光用位置合わせパターン上に塗布される構造とし、該構造により、前記露光用位置合わせパターン上のフォトレジストの膜厚を均一にすることを特徴とする半導体装置。」の点で一致する。
　そして、本願発明は「位置合わせパターンと凸状あるいは凹状のダミーパターンの上を覆って少なくとも１層の被膜が、回転塗布法または気相成長法によって形成される」点で、そのような被膜についての言及がない引用発明と相違する。
　そこで、相違について検討するに、引用例の［記載事項２］から、引用発明のダミーパターンは、ダミーパターンと塗布液との機械的な相互作用、すなわち該パターンによって塗布液の流れを緩和することによって、回転塗布される被膜の、位置合わせパターン上のステップ力ヴアレッジの非対称性を改善できるという知見が、当業者に明らかである。そして、半導体装置の基体上に被膜をＣＶＤ（気相成長法）や回転塗布法により形成しその上にフォトレジスト層を形成することは、本願の明細書の第４頁第３行〜第６頁第１０行及び第９図〜第１２図において従来の技術として説明されているとおりであり、本願の出願前に周知の技術であった。（なお、原審の、平成９年１２月１２日付け拒絶査定の備考において、基体上に少なくとも１層以上の被膜を形成する、他の周知の例として特開昭６１−１２１４４１号公報を挙げている。）してみると、引用例を検討した当業者にとって、引用発明のダミーパターンの作用による、位置合わせパターン上に回転塗布される被膜及びフォトレジスト層の膜厚の均一化を想到することに格別の困難を伴うものではない。
　また、本願発明の構成によってもたらされる、「露光用位置合わせパターンを有し、かつ被膜を有する半導体装置の製法において、位置合わせパターン上のフォトレジストのステップ力ヴアレッジが均一で、左右対称となるため、精度の高いマスクの位置合わせが可能」となる効果は、引用発明から当業者が当然に予測する範囲である。
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。