【事件の表示】
　特許第６１２２５６１号発明「回路基板およびこれを備える電子装置」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６１２２５６１号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１〜１０〕について訂正することを認める。
　特許第６１２２５６１号の請求項１〜１０に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第６１２２５６１号の請求項１〜１０に係る特許についての出願は、２０１６年（平成２８年）４月２６日（優先権主張　２０１５年（平成２７年）４月２７日　日本国）を国際出願日として出願され、平成２９年４月７日にその特許権の設定登録がされ、平成２９年４月２６日に特許掲載公報が発行された。
　その後の手続の経緯は次のとおりである。
平成２９年１０月２４日　　：特許異議申立人関豊美子（以下、「特許異議
　　　　　　　　　　　　　　申立人」という。）による全請求項に対して
　　　　　　　　　　　　　　の特許異議の申立て
平成３０年１月１１日付け　：取消理由通知書
平成３０年３月１５日　　　：特許権者による意見書の提出
平成３０年６月１１日付け　：取消理由通知書
平成３０年８月８日　　　　：特許権者による意見書及び訂正請求書の提出
平成３０年１０月９日付け　：特許法第１２０条の５第５項の通知書
平成３０年１１月５日　　　：特許異議申立人による意見書の提出
平成３０年１１月２７日付け：訂正拒絶理由通知書
平成３０年１２月１０日　　：特許権者による意見書の提出
平成３０年１２月２１日付け：取消理由通知書
平成３１年２月２５日　　　：特許権者による意見書及び訂正請求書の提出
第２　訂正の適否についての判断
１．訂正の内容
　平成３１年２月２５日に特許権者により提出された訂正請求書で請求する訂正の内容（以下、平成３１年２月２５日の訂正請求書による訂正請求を「本件訂正請求」といい、また、本件訂正請求による訂正の内容を「本件訂正」という。）は、次のとおりである（下線は訂正箇所である。）。
　なお、本件訂正請求により、平成３０年８月８日に提出された訂正請求書による訂正の請求は取り下げられたものとみなす（特許法第１２０条の５第７項）。
・訂正事項１
　訂正前の請求項１に「前記貫通導体の少なくとも一方の表面に接する金属層とを備え前記貫通導体は、径の中心領域における前記金属層側領域に銀および銅の共晶領域が存在し、径の中心領域における中央領域に銀および銅の非共晶領域が存在する」と記載されているのを、「前記貫通導体の少なくとも一方の表面に接する金属層とを備え
、
る金
前記中央領域における、非共晶領域の共晶領域に対する割合は、前記金属層側領域における非共晶領域の共晶領域に対する割合よりも多い
　なお、訂正前の請求項１〜１０は、請求項２〜１０が請求項１の記載を直接又は間接的に引用する関係にあるから、本件訂正は一群の請求項１〜１０について請求されている。
２．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
（１）訂正の目的
ア　訂正前の請求項１において「前記貫通導体の少なくとも一方の表面に接する金属層とを備え前記貫通導体は」と記載されているのを、「前記貫通導体の少なくとも一方の表面に接する金属層とを備え、前記貫通導体は」とする訂正は、訂正前の請求項１において、文の区切りに必要な読点「、」が脱落していたため文の区切りが明らかでなく不明瞭な記載であったものを読点を追加することによって明瞭な記載とするものである。
イ　訂正前の請求項１において「前記貫通導体は、径の中心領域における前記金属層側領域に銀および銅の共晶領域が存在し、径の中心領域における中央領域に銀および銅の非共晶領域が存在する」と記載されているのを「前記貫通導体は、径の中心領域における金属層側領域に銀および銅の共晶領域が存在し、前記中央領域における、非共晶領域の共晶領域に対する割合は、前記金属層側領域における非共晶領域の共晶領域に対する割合よりも多い」とする訂正のうち、「前記」を削除する訂正は、訂正前の請求項１において、「金属層側領域」がこの記載より前にはないために、不明瞭な記載であったものを明瞭な記載とすることを目的とするものである。
　また、上記「前記」を削除する以外の訂正は、訂正前の請求項１においては、貫通導体の径の中心領域における金属層側領域には、銀および銅の共晶領域が存在すること、及び、中央領域に銀および銅の非共晶領域が存在するということのみが規定されていたのを、訂正後の請求項１においては、さらに、貫通導体の径の中心領域における中央領域における、非共晶領域の共晶領域に対する割合が、金属層側領域における非共晶領域の共晶領域に対する割合より多いことを技術的に限定したものである。
ウ　したがって、訂正事項１は、明瞭でない記載の釈明及び特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
（２）新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
ア　訂正事項１のうち読点「、」を追加する訂正、「前記」を削除する訂正は、新規事項を追加するものでなく、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないことは明らかである。
イ　訂正事項１のうち「前記中央領域における、非共晶領域の共晶領域に対する割合は、前記金属層側領域における非共晶領域の共晶領域に対する割合よりも多い」とする訂正に関し、本件特許の明細書段落【００４０】〜【００４３】の記載内容からすれば、貫通孔に充填される第１金属ペーストを銀と銅との共晶組織よりも銅が多い組成とし、金属層となる第２金属ペーストを第１金属ペーストよりも共晶組織に近い組成とした場合、第１金属ペーストによって形成される、貫通導体２の径の中心領域における中央領域での非共晶領域の共晶領域に対する割合は、熱処理時において第２金属ペースト中の銀が第１金属ペースト側に入り込むことによって、金属層３側領域での非共晶領域の共晶領域に対する割合よりも多くなることが記載されているといえる。
　したがって、訂正事項１のうち「前記中央領域における、非共晶領域の共晶領域に対する割合は、前記金属層側領域における非共晶領域の共晶領域に対する割合よりも多い」とする訂正は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてされたものといえるし、当該訂正は、発明のカテゴリーや対象、目的を変更するものではなく、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（３）小括
　以上のとおりであるから、本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第３号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
　したがって、本件特許の特許請求の範囲の記載を訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１〜１０〕について訂正することを認める。
第３　訂正後の本件発明
　本件訂正請求により訂正された請求項１〜１０に係る発明は、訂正特許請求の範囲の請求項１〜１０に記載された次の事項により特定されるとおりのものである（以下、訂正後の請求項１〜１０に係る発明をそれぞれ、「本件発明１」〜「本件発明１０」という。）。
「【請求項１】
　第１面から第２面に貫通する貫通孔を有する、セラミックスからなる基体と、
　銀および銅が主成分であり、前記貫通孔内に位置する貫通導体と、
　前記貫通導体の少なくとも一方の表面に接する金属層とを備え、
　前記貫通導体は、径の中心領域における金属層側領域に銀および銅の共晶領域が存在し、径の中心領域における中央領域に銀および銅の非共晶領域が存在し、
　前記中央領域における、非共晶領域の共晶領域に対する割合は、前記金属層側領域における非共晶領域の共晶領域に対する割合よりも多い回路基板。
【請求項２】
　前記金属層の主成分は、銀および銅である請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
　前記基体と前記貫通導体との間に、基体を構成する成分と、チタン、ジルコニウム、ハフニウムおよびニオブから選択される少なくとも１種とを含む第１活性金属層が存在する請求項１または請求項２に記載の回路基板。
【請求項４】
　前記貫通導体が、モリブデン、タンタル、オスミウム、レニウムおよびタングステンから選択される少なくとも１種を含んでいる請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の回路基板。
【請求項５】
　前記セラミックスが、窒化物系セラミックスである請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の回路基板。
【請求項６】
　前記貫通導体は、前記貫通孔の内面から前記基体に向かって延びる、延在部を複数有する請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の回路基板。
【請求項７】
　前記延在部の平均長さは、５μｍ以上２０μｍ以下である請求項６に記載の回路基板。
【請求項８】
　前記基体と前記金属層との間に、基体を構成する成分と、チタン、ジルコニウム、ハフニウムおよびニオブから選択される少なくとも１種とを含む第２活性金属層が存在する請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の回路基板。
【請求項９】
　前記金属層上に、銀、銅、ニッケル、パラジウム、白金および金より選択される少なくとも１種により構成される被膜層を備えている請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の回路基板。
【請求項１０】
　請求項１乃至請求項９のいずれかに記載の回路基板に電子部品を搭載してなる電子装置。」
第４　特許異議申立について
１．取消理由通知に記載した取消理由について
（１）取消理由の概要
　訂正前の請求項１〜１０に係る特許に対して、当審が平成３０年１２月２１日付けで特許権者に対して通知した取消理由の概要は次のとおりである。
［取消理由１］本件特許の請求項１、２、３、５、８、９及び１０に係る発明は、本件特許の優先日前日本国内または外国において頒布された下記の引用文献１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないから、その発明に係る特許は取り消されるべきものである。。  
［取消理由２］本件特許の請求項１〜１０に係る発明は、その優先日前日本国内または外国において頒布された下記の引用文献１に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項に該当し、特許を受けることができないから、その発明に係る特許は取り消されるべきものである。  
引用文献１：特開平１１−３４０６００号公報  
　上記引用文献１は、特許異議申立人による特許異議申立書での甲第１号証である。 
（２）引用文献１に記載の事項及び発明
　引用文献１には、「セラミックス回路基板」に関し、図面とともに次の記載がある。
（i）「【請求項１】
表面側から裏面側に貫通する貫通孔を有するセラミックス基板と、上記貫通孔内に充填された導電体と、上記セラミックス基板の表面側および裏面側にそれぞれ形成された金属回路層とを備え、上記表面側および裏面側に形成された金属回路層が上記導電体を介して導通している
セラミックス回路基板
（ii）「【００１７】上記貫通孔に充填する導電体としては電気伝導性を有するものであれば、特に限定されないが、貫通孔に注入された溶融金属の凝固体から構成してもよいし、または、貫通孔の内径よりやや小さい外径を有する金属ステムで構成してもよい。また、上記導電体は、後述する金属回路層の少なくとも一方と一体に形成してもよい。
【００１８】また
上記金属回路層および導電体を構成する金属としては、銅，
銀，
の単体またはその合金など、基板成分との共晶化合物を生成したり、直接接合法や活性金属法またはメタライズ法を適用できる金属であれば特に限定されない
【００１９】上記金属回路層は、上記のような金属を含有するペースト、例えばＭｏ−ＴｉＮ系導体ペースト，Ａｇ−Ｃｕ−Ｔｉ−Ｉｎ系ペースト，Ａｇ−Ｃｕ−Ｔｉ系ペーストをセラミックス基板の両面に印刷塗布した後に、窒素ガス（Ｎ２）などの非酸化性雰囲気中で温度１６００〜１８００℃程度で焼成して形成されるメタライズ層で構成してもよい。」
（iii）「【００２７】本発明に係るセラミックス回路基板において、活性金属法によって金属回路板を接合する際に形成されるろう材層は、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂから選択される少なくとも１種の活性金属を含有し適切な組成比を有するＡｇ−Ｃｕ系ろう材等で構成され、このろう材組成物を有機溶媒中に分散して調製した接合用組成物ペーストをセラミックス基板表面にスクリーン印刷する等の方法で形成される。
【００２８】上記
接合用組成物ペーストの具体例としては、
重量％でＣｕを１５〜３５％、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂから選択される少くとも１種の活性金属を１〜１０％、残部が実質的にＡｇから成る組成物を有機溶媒中に分散して調製した接合用組成物ペースト
（iv）「【００３６】実施例１
図１および図２に示すように縦２５ｍｍ×横５０ｍｍ×厚さ０．６３５ｍｍのセラミックス基板２としての窒化アルミニウム（ＡｌＮ）基板を用意した。このＡｌＮ基板には厚さ方向に貫通する内径０．８ｍｍの貫通孔５が穿設されている。
【００３７】次に上記
ＡｌＮ基板２の両面にＡｇ−Ｃｕ−Ｔｉ−Ｉｎ系ろう材ペーストを
各貫通孔５にろう材ペーストを十分に充填した。
加熱炉に入れ、１．３×１０
−８
ＭＰａ以下の高真空中で温度８００℃に加熱することにより、上記ろう材層を介して各金属回路板３，４をＡｌＮ基板２に一体に接合すると同時に、上記表面側の金属回路板３と裏面側の金属回路板４とを電気的に接続する導電体６を形成した。
　以上の記載及び図２の記載から、引用文献１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
［引用発明］
　「表面側から裏面側に貫通する貫通孔を有するセラミックス基板と、上記貫通孔内に充填された導電体と、上記セラミックス基板の表面側および裏面側にそれぞれ形成された金属回路層とを備え、上記表面側および裏面側に形成された金属回路層が上記導電体を介して導通しているセラミックス回路基板であって、  
　重量％でＣｕを１５〜３５％、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂから選択される少くとも１種の活性金属を１〜１０％、残部が実質的にＡｇから成る組成物を有機溶媒中に分散して調製した接合用組成物ペーストを、上記貫通孔に充填し、加熱炉にて、１．３×１０−８ＭＰａ以下の高真空中で８００℃に加熱することにより上記導電体とした、セラミックス回路基板。」  
（３）当審の判断
ア　本件発明１について
（ア）対比
　本件発明１と引用発明とを対比する。
ａ　引用発明の「貫通孔」は本件発明１の「貫通孔」に、引用発明の「セラミックス基板」は本件発明１の「セラミックスからなる基体」にそれぞれ相当する。そして、引用発明の「表面側から裏面側に貫通する貫通孔を有するセラミックス基板」は、本件発明１の「第１面から第２面に貫通する貫通孔を有する、セラミックスからなる基体」に相当する。  
ｂ　引用発明の「導電体」は、本件発明１の「貫通導体」に相当する。引用発明の「上記貫通孔内に充填された導電体」は、「重量％でＣｕを１５〜３５％、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂから選択される少くとも１種の活性金属を１〜１０％、残部が実質的にＡｇから成る組成物を有機溶媒中に分散して調製した接合用組成物ペーストを、上記貫通孔に充填し、加熱炉にて、１．３×１０−８ＭＰａ以下の高真空中で８００℃に加熱することにより上記導電体とした」ものであるから、銀および銅が主成分であるとともに、セラミックス基板の貫通孔内に位置するものであるといえる。したがって、引用発明の「上記貫通孔内に充填された導電体」であって、「重量％でＣｕを１５〜３５％、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂから選択される少くとも１種の活性金属を１〜１０％、残部が実質的にＡｇから成る組成物を有機溶媒中に分散して調製した接合用組成物ペーストを、上記貫通孔に充填し、加熱炉にて、１．３×１０−８ＭＰａ以下の高真空中で８００℃に加熱することにより上記導電体とした」ものは、本件発明１の「銀および銅が主成分であり、前記貫通孔内に位置する貫通導体」に相当する。  
ｃ　引用発明の「上記セラミックス基板の表面側および裏面側にそれぞれ形成された金属回路層」は、本件発明１の「金属層」に相当する。そして、引用発明の「上記セラミックス基板の表面側および裏面側にそれぞれ形成された金属回路層とを備え、上記表面側および裏面側に形成された金属回路層が上記導電体を介して導通している」ことは、本件発明１の「金属層」が「前記貫通導体の少なくとも一方の表面に接する」ことに相当する。  
ｄ　引用発明の「セラミックス回路基板」は本件発明１の「回路基板」に相当する。  
ｅ　以上のとおりであるので、本件発明１と引用発明との一致点及び相違点は次のとおりであると認められる。  
＜一致点＞  
　「第１面から第２面に貫通する貫通孔を有する、セラミックスからなる基体と、  
銀および銅が主成分であり、前記貫通孔内に位置する貫通導体と、  
前記貫通導体の少なくとも一方の表面に接する金属層とを備える、  
回路基板。」  
＜相違点１＞  
　貫通導体に関し、本件発明１は、「前記貫通導体は、径の中心領域における金属層側領域に銀および銅の共晶領域が存在し、径の中心領域における中央領域に銀および銅の非共晶領域が存在し、前記中央領域における、非共晶領域の共晶領域に対する割合は、前記金属層側領域における非共晶領域の共晶領域に対する割合よりも多い」ものであるのに対し、引用発明は、「重量％でＣｕを１５〜３５％、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂから選択される少くとも１種の活性金属を１〜１０％、残部が実質的にＡｇから成る組成物を有機溶媒中に分散して調製した接合用組成物ペーストを、上記貫通孔に充填し、加熱炉にて、１．３×１０−８ＭＰａ以下の高真空中で８００℃に加熱することにより上記導電体とした」ものである点。  
（イ）判断
　上記相違点１について検討する。
ａ　引用発明の「導電体」は、「重量％でＣｕを１５〜３５％、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂから選択される少くとも１種の活性金属を１〜１０％、残部が実質的にＡｇから成る組成物を有機溶媒中に分散して調製した接合用組成物ペーストを、上記貫通孔に充填し、加熱炉にて、１．３×１０−８ＭＰａ以下の高真空中で８００℃に加熱することにより上記導電体とした」ものであり、Ｃｕ（銅）とＡｇ（銀）の重量組成比が、共晶組成（質量比２８：７２）以外の接合用組成物ペーストも含まれ、これ（Ｃｕ（銅）とＡｇ（銀）の重量組成比が、共晶組成（質量比２８：７２）以外の接合用組成物ペースト）を加熱炉にて、１．３×１０−８ＭＰａ以下の高真空中で８００℃に加熱し、冷却して得られるものも想定されている。  
　そして、Ｃｕ（銅）とＡｇ（銀）の重量組成比が、共晶組成（質量比２８：７２）以外の接合用組成物ペーストにおいては、共晶温度よりも少し高い温度で析出したＣｕあるいはＡｇが、初晶のＣｕあるいはＡｇとなり非共晶領域を構成し、残りのＣｕとＡｇの混合液相が凝固しＣｕとＡｇの共晶組成の領域を構成するものといえる（なお、平成３０年３月１５日付け意見書の第２ページ下から２行〜第３ページ１２行、参照）。  
　そうだとすれば、Ｃｕ（銅）とＡｇ（銀）の重量組成比が、共晶組成（質量比２８：７２）以外の接合用組成物ペーストを、セラミックス基板の貫通孔に充填し、加熱炉にて、１．３×１０−８ＭＰａ以下の高真空中で８００℃に加熱することにより上記導電体としたものの組成は、貫通孔の径の中心領域における金属層側領域に銀および銅の共晶領域及び非共晶領域が存在し、径の中心領域における中央領域に銀および銅の非共晶領域及び非共晶領域が存在するものとなっているといえる。  
ｂ　しかしながら、引用文献１には、貫通孔内に充填された金属ペーストにより形成される導電体に関して、貫通孔の径の中央領域における、非共晶領域の共晶領域に対する割合を、金属回路層側領域における非共晶領域の共晶領域に対する割合よりも多くすることについての記載ないし示唆はないし、当該構造となることが引用発明の構成から明らかであるともいえない。また、上記の構造とすることが周知であるとする証拠もない。（特許異議申立人の提出した甲第２号証〜甲第５号証にも、貫通孔内の導電体に関して、貫通孔の径の中央領域における、非共晶領域の共晶領域に対する割合を、金属回路層側領域における非共晶領域の共晶領域に対する割合よりも多くすることについての記載ないし示唆はない。）。
ｃ　したがって、引用発明において、相違点１に係る本件発明１の構成となすことは当業者であっても容易になし得たものではない。
　そして、本件発明１は、相違点１に係る構成を有することにより、「放熱性および接合信頼性に優れる」回路基板となるという、明細書記載の格別な作用効果を有するものである（明細書の段落【００１９】及び【００２０】、参照。）。
ｅ　以上のとおりであるから、本件発明１は、引用文献１に記載された発明ではないし、引用発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
イ　本件発明２〜本件発明１０について
　本件発明２〜本件発明１０は、本件発明１の発明特定事項を全て含みさらに限定するものであるから、本件発明２〜本件発明１０と引用発明との間には、少なくとも上記相違点１が存在することとなる。
　したがって、上記ア（イ）での説示と同様の理由により、本件発明２〜本件発明１０は、引用文献１に記載された発明ではないし、引用発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
２．取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由について
（１）特許法第２９条第１項第３号及び同条第２項について
　特許異議申立人は、特許異議申立書において、訂正前の請求項１、請求項４及び請求項６に係る発明は、甲第３号証（特開２００９-５９７８９号公報）に記載された発明であり、また、訂正前の請求項７に係る発明は、甲第３号証に記載された発明及び甲第４号証（特開平３-９１２９１号公報）に記載された周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである、と主張する（特許異議申立書　第１８頁第１３行〜第１９頁下から２行、及び第２０頁最下行〜第２１頁第９行）。
　しかしながら、甲第３号証及び甲第４号証いずれにも、回路基板の貫通孔内の導電体に関して、貫通孔の径の中央領域における、非共晶領域の共晶領域に対する割合を、金属回路層側領域における非共晶領域の共晶領域に対する割合よりも多くすること、すなわち、訂正後の請求項１、請求項４、請求項６及び請求項７に係る発明の発明特定事項である「前記中央領域における、非共晶領域の共晶領域に対する割合は、前記金属層側領域における非共晶領域の共晶領域に対する割合よりも多い」という点についての記載ないし示唆はない。
　したがって、請求項１、請求項４及び請求項６に係る発明は、甲第３号証に記載された発明ではないし、また、請求項７に係る発明は、甲第３号証に記載された発明及び甲第４号証に記載された周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　よって、甲第３号証に記載された発明を主引用例とする特許異議申立人の、特許法第２９条第１項第３号及び同条第２項に関する主張は採用することができない。
（２）特許法第３６条第６項第１号について
ア　異議申立人の主張の概要
　特許異議申立人は、特許異議申立書において、訂正前の特許請求の範囲に関し、概略次のように主張する。
　「本件特許明細書に開示の回路基板は、放熱性および接合信頼性に優れることが記載されている。これは、本件特許明細書および出願時の技術常識から、金属層側領域の全体が実質的に共晶領域であり、中央領域の全体が実質的に非共晶領域であることに基づくと解される。一方、請求項１は、金属層側領域の一部のみが共晶領域であり、中央領域の一部のみが非共晶領域である場合を含む。従って、請求項１およびそれを引用する請求項２−１０は、発明の詳細な説明において発明の課題が解決できることを当業者が認識できるように記載された範囲を超えるものである。」
　また、「本件特許明細書では、請求項１に係る回路基板の製造方法として、金属層が銀および銅を主成分として含み、貫通導体と金属層の組成が互いに異ならせる方法しか記載されていない。一方、請求項１は、金属層が銀および銅を主成分として含んでいない場合や、貫通導体と金属層の組成が同じ場合を含む。従って、請求項１およびそれを引用する請求項２−１０は、発明の詳細な説明に記載した範囲を超えるものであ」る。
　したがって、本件特許の特許請求の範囲の記載は、特許を受けようとする発明が発明の詳細な説明に記載したものであることという規定に適合しない（特許異議申立書　第５頁の表中の（ｃ）欄及び同第２１頁第１１行〜第２４頁第１２行）。
イ　当審の判断
　本件訂正により、訂正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明の発明特定事項として、「前記中央領域における、非共晶領域の共晶領域に対する割合は、前記金属層側領域における非共晶領域の共晶領域に対する割合よりも多い」が追加された。
　当該発明特定事項の追加が、新規事項の追加に該当するものではないということは、上記「第２　２．（２）」で述べたとおりである。
　そして、訂正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、「径の中心領域における金属層側領域に銀および銅の共晶領域が存在」するという発明特定事項により、放熱性を高めることができる発明の詳細な説明に記載されている回路基板が得られるものである。
　また、上記追加された発明特定事項により、訂正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、中央領域における、非共晶領域の共晶領域に対する割合が、金属層側領域における非共晶領域の共晶領域に対する割合よりも多いことが特定されることとなり、請求項１において、金属層の組成を特定せずとも、貫通導体の収縮が小さく、貫通導体に接する金属層の表面の窪みが小さく、接合信頼性に優れる発明の詳細な説明に記載されている回路基板が得られるものとなった。
　したがって、訂正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明及び請求項１の記載を直接又は間接的に引用する請求項２〜１０に係る発明は、発明の詳細な説明に記載した発明となった。
　よって、特許法第３６条第６項第１号に関する特許異議申立人の主張は採用することができない。
（３）特許法第３６条第６項第２号について
ア　異議申立人の主張の概要
　特許異議申立人は、特許異議申立書において、訂正前の特許請求の範囲に関し、概略次のようにも主張する。
　「本件明細書には共晶領域の定義が記載されているが、定義が明確ではなく、『共晶領域』の意味内容が理解できない。従って、請求項１およびそれを引用する請求項２−１０は、明確ではない。」（特許異議申立書　第５頁の表中の（ｄ）欄及び同第２４頁第１４行〜第２６頁第２行）
イ　当審の判断
　本件特許の明細書の段落【００１８】には、「共晶領域とは、図３Ａに示すように、線分析結果において、全強度の１０％を越える銅のピーク本数が、５０μｍに１０本以上ある領域のことである。」、「非共晶領域とは、図３Ｂに示すように、線分析結果において、全強度の１０％を超える銅のピーク本数が、５０μｍに１０本未満の領域のことである。」と定義されている。
　そして、訂正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、特定の範囲の全てが共晶領域あるいは非共晶領域であると規定するものではなく、「前記中央領域における、非共晶領域の共晶領域に対する割合は、前記金属層側領域における非共晶領域の共晶領域に対する割合よりも多い」と規定するものであるから、特許異議申立人の主張のように、特定の範囲においても、線分析を実施する位置に応じて、共晶領域とも非共晶領域ともなりうる場合があるとしても（特許異議申立書第２４頁第１４行〜第２５頁下から４行）、上記定義に従った、非共晶領域の共晶領域に対する割合は、当該特定の範囲においては、明確に定めることができることとなるといえる（本件特許の図面の【図３Ａ】は、その中心付近に付されている線上において、共晶領域といえることの例示にすぎず、その範囲全域が共晶領域あるいは非共晶領域となっていることを示すものではないと理解できる。）。
　したがって、訂正後の特許請求の範囲の請求項１および請求項１の記載を直接又は間接的に引用する請求項２〜１０に係る発明は明確であるといえる。
　よって、特許法第３６条第６項第２号に関する特許異議申立人の主張は採用することができない。
３．むすび
　以上のとおりであるから、取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては本件請求項１〜１０に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１〜１０に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成３１年３月２９日（２０１９．３．２９）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　第１面から第２面に貫通する貫通孔を有する、セラミックスからなる基体と、
　銀および銅が主成分であり、前記貫通孔内に位置する貫通導体と、
　前記貫通導体の少なくとも一方の表面に接する金属層とを備え
、
　前記貫通導体は、径の中心領域におけ
る金
し、
　
前記中央領域における、非共晶領域の共晶領域に対する割合は、前記金属層側領域における非共晶領域の共晶領域に対する割合よりも多い
　【請求項２】
　前記金属層の主成分は、銀および銅である請求項１に記載の回路基板。
　【請求項３】
　前記基体と前記貫通導体との間に、基体を構成する成分と、チタン、ジルコニウム、ハフニウムおよびニオブから選択される少なくとも１種とを含む第１活性金属層が存在する請求項１または請求項２に記載の回路基板。
　【請求項４】
　前記貫通導体が、モリブデン、タンタル、オスミウム、レニウムおよびタングステンから選択される少なくとも１種を含んでいる請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の回路基板。
　【請求項５】
　前記セラミックスが、窒化物系セラミックスである請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の回路基板。
　【請求項６】
　前記貫通導体は、前記貫通孔の内面から前記基体に向かって延びる、延在部を複数有する請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の回路基板。
　【請求項７】
　前記延在部の平均長さは、５μｍ以上２０μｍ以下である請求項６に記載の回路基板。
　【請求項８】
　前記基体と前記金属層との間に、基体を構成する成分と、チタン、ジルコニウム、ハフニウムおよびニオブから選択される少なくとも１種とを含む第２活性金属層が存在する請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の回路基板。
　【請求項９】
　前記金属層上に、銀、銅、ニッケル、パラジウム、白金および金より選択される少なくとも１種により構成される被膜層を備えている請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の回路基板。
　【請求項１０】
　請求項１乃至請求項９のいずれかに記載の回路基板に電子部品を搭載してなる電子装置。