【事件の表示】
　平成１年特許願第９５５８号「電気光学装置」拒絶査定に対する審判事件（平成２年７月２５日出願公開、特開平２−１８９５２３）について、次のとおり審決する。
【結論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理由】
（手続の経緯、請求項に係る発明）
　この出願は、平成１年１月１８日の出願であって、請求項１及び請求項２に係る発明は、平成１０年１１月５日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１及び請求項２に記載されたとおりの、
「（１）　互いに対向する２枚の基板と、前記基板間に挟持された電気光学効果を有する材料と、前記基板のうち少なくとも一方の基板の内面に多数形成された、酸化インジウムを主成分とする画素電極と、非線型抵抗スイッチング素子材料層と、前記非線型抵抗スイッチング素子材料層の上に形成された配線用電極と、を有する電気光学装置において、前記画素電極と前記非線型抵抗スイッチング素子材料層との間に、前記画素電極より酸化インジウムの含有量が少なく、かつ、酸化スズを含有する薄膜層を備えることを特徴とする電気光学装置。
（２）　前記非線型抵抗スイッチング素子材料層が窒化シリコンであることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。」
にあるものと認める。
（引用例）
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された特開昭６３−５３５２０号公報（以下、引用例という。）には、
「［実施例１］
　第１図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は非線形抵抗素子としてＴＦＴを用いた多色液晶表示装置の本発明により実施例を示した図である。１はガラスよりなる基板で、その上に酸化スズ、酸化インジウムよりなる画素電極２，Ｃｒより成るゲート電極３，窒化シリコンより成る絶縁層４、アモルファスシリコンより成る半導体層５，アルミニウムより成るソース電極６と、アルミニウムより成り画素電極に接続されるドレイン電極７を順次形成して行き、ＴＦＴアレイ基板を形成する。」（公報第３頁右下欄第１３行〜第４頁左上欄第３行）、「透明電極１０をつけた対向電極１１との間に液晶１２を挟んだ多色液晶表示装置を作成しても液晶層の厚みは一定でギャップのむらがないものであった。」（公報第４頁右上欄第１２行〜第１５行）、
「［実施例３］
　実施例１における非線形抵抗素子を第２図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すようなＭＩＭ構造のものとした。第２図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）において、１３はガラス基板で、その上にＴａからなる信号入力用電極１４、酸化スズ、酸化インジウムより成る画素電極１５、Ｔａ２Ｏ３よりなる非線形抵抗層１６で信号入力用電極と画素電極の両方に接続されて形成され、ダイオードマトリクス基板を形成する。」（公報第４頁右下欄第９行〜第１７行）、
「［実施例４］
　実施例３における信号入力電極１４を酸化スズ、酸化インジウムから形成し、非線形抵抗層１６をＨ、Ｎ、Ｓｉで構成された窒化シリコンで形成し、以下、実施例３と同様に多色液晶表示装置を作成したところ、実施例３と同様の効果が得られた。」（公報第５頁左上欄第６行〜第１１行）と記載されている。
　したがって、引用例には、
「ガラス基板の上に酸化スズ、酸化インジウムよりなる信号入力用電極、窒化シリコンより成る非線形抵抗層、酸化スズ、酸化インジウムよりなる画素電極を形成し、透明電極をつけた対向電極との間に液晶を挟んだ多色液晶表示装置。」の発明が記載されている。
（対比）
　そこで、本願の請求項１に係る発明（以下、本願発明という。）と引用例に記載された発明（以下、引用発明という。）とを対比すると、引用発明の「『ガラス基板』及び『対向基板』」、「液晶」、「酸化スズ、酸化インジウムよりなる画素電極」、「窒化シリコンより成る非線形抵抗層」、「酸化スズ、酸化インジウムよりなる信号入力用電極」及び「多色液晶表示装置」は、本願発明の「互いに対向する２枚の基板」、「電気光学効果を有する材料層」、「酸化インジウムを主成分とする画素電極」、「非線型抵抗スイッチング素子材料層」、「配線用電極」及び「電気光学装置」に相当し、引用発明においても、画素電極が多数形成されていることは自明であるから、両者は、「互いに対向する２枚の基板と、前記基板間に挟持された電気光学効果を有する材料と、前記基板のうち少なくとも一方の基板の内面に多数形成された、画素電極と、非線型抵抗スイッチング素子材料層と、配線用電極と、を有する電気光学装置。」である点で一致しており、
▲１▼画素電極が、本願発明では、「酸化インジウムを主成分とする」のに対し、引用発明では、「酸化スズ、酸化インジウムよりなる」と記載されており、酸化インジウムが主成分か否か不明である点、
▲２▼本願発明では、配線用電極は、非線型抵抗スイッチング素子材料層の上に形成されているのに対し、引用発明では、配線用電極は、非線形抵抗層を介して画素電極に対向して形成されている点、
▲３▼本願発明では、「画素電極と非線型抵抗スイッチング素子材料層との間に、前記画素電極より酸化インジウムの含有量が少なく、かつ、酸化スズを含有する薄膜層を備える」のに対し、引用発明では、薄膜層は存在しない点、
で相違している。
（当審の判断）
上記各相違点について検討する。
相違点▲１▼について
　液晶表示装置の画素電極としては、酸化スズ系透明導電膜及び酸化インジウム系透明導電膜が使用されており、酸化インジウムを主成分とした画素電極は周知である（特開昭５８−９１２４号公報及び実願昭５７−４８４４８号（実開昭５８−１５２６１８号）のマイクロフィルム参照）。
　したがって、引用発明の画素電極として、酸化インジウムを主成分としたものを使用することは、当業者が適宜選択し得る事項にすぎない。
相違点▲２▼について
　液晶表示装置に使用される２端子スイッチング素子において、画素電極、非線型抵抗素子、配線電極の順に積層したものは周知であり（特開昭６１−１７４５０９号公報、特開昭６１−１７４５１０号公報及び本願明細書にも従来技術として示されているＰｒｏｃ．　ｏｆ　ｔｈｅ　６ｔｈ　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｄｉｓｐｌａｙ　Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ　ｐｐ．７２−７４（１９８６）参照）、これら画素電極と配線電極を、本願発明のように上下に配置するか、引用発明のように左右に配置するかにより、スイッチング特性に差異が生じると認めることはできないから、相違点▲２▼は、当業者が適宜選択し得る配置構成にすぎない。
相違点▲３▼について
　液晶表示装置において、画素電極を、光透過性が高く、導電性が高く、かつ、化学的に安定させるものとするために、画素電極を、酸化インジウムを主成分とした層の上に、それより酸化インジウムの含有量が少なく、かつ、酸化スズを含有する薄膜層を積層して作成することは周知である（特開昭５８−９１２４号公報及び実願昭５７−４８４４８号（実開昭５８−１５２６１８号）のマイクロフィルム参照）。
　そして、上記画素電極を、光透過性が高く、導電性が高く、かつ、化学的に安定させるものとすることは、引用発明を初め、すべての液晶表示装置がその技術課題とするものであるから、引用発明の画素電極として、該課題を達成すべく、前記周知の構成を採用することに、格別の困難性があるとは認められない。
　また、引用発明の画素電極に前記周知の構成を採用すれば、「画素電極と非線型抵抗スイッチング素子材料層との間に、前記画素電極より酸化インジウムの含有量が少なく、かつ、酸化スズを含有する薄膜層を備える」ことになり、本願発明と同様、インジウムが非線型抵抗膜中に拡散することやシリコンが異常成長することを防止できるという作用効果を奏することは明らかである。
（むすび）
　したがって、本願の請求項１に係る発明は、引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　さらに、本願の請求項２に係る発明は、請求項１に係る発明の非線型抵抗スイッチング素子材料層が窒化シリコンであることを限定したものであるが、引用発明においても、非線形抵抗層は窒化シリコンより成るものであるから、本願の請求項２に係る発明は、請求項１に係る発明と同様に、引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。