【事件の表示】
　平成７年特許願第３０５６４７号「半導体装置の製造方法」拒絶査定に対する審判事件（平成９年６月６日出願公開、特開平９−１４８３２８）について、次のとおり審決する。
【結論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理由】
１．手続の経緯
　本願は、平成７年１１月２４日の出願であって、平成１０年２月２３日付けで提出された手続補正書の補正の内容は、明細書の特許請求の範囲及び発明の詳細な説明について補正をしようとするものである。
　そして、同手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明（以下、「本願第１発明」という。）は、次のとおりである。
「半導体基板上に設けた所望の回路と、前記回路を含む表面に設けた層間膜と、前記層間膜に設けたコンタクト孔と、前記コンタクト孔の下層の回路とを接続する二層以上の高融点金属配線を有する半導体装置の製造方法において、前記二層以上の高融点金属配線のうちの２層目を、窒化処理等を施さず、前記基板上に直接、化学気相成長法によりシリコンを含まない非晶質状態あるいは微細結晶状態のＴｉＮ膜として形成する工程と、前記二層以上の高融点金属配線形成後にＢＰＳＧ膜を形成する工程と、熱処理により前記ＢＰＳＧ膜をリフローさせる工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
２．補正の適否について
　上記補正は、補正前の請求項１の「前記二層以上の高融点金属配線のうちの一層を」及び「高融点金属膜で」を補正後の「前記二層以上の高融点金属配線のうちの２層目を」及び「ＴｉＮ膜として」に補正しようとするものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められる。
　そこで、以下前記補正後における、特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて検討する。
３．引用刊行物記載の発明
　原審の拒絶の理由に引用された、本願出願日前に頒布された刊行物である特開平５−１０２３２８号公報（以下、「引用例１」という）には、
「つぎに、上記実施例２の半導体装置の製造方法について説明する。まず、金属Ｔｉからなるターゲットを用いてスパッタリング法により、図３の（ａ）に示すように、Ｓｉ基板１上にチタン膜２を約１０００Å形成する。ついで、チタン膜２が形成されたＳｉ基板１をアンモニアガスが充填された炉内に配置し、８００〜９００℃、１０〜１２０秒の熱処理を施し、図３の（ｂ）に示すように、Ｓｉ基板１上に粒状の微結晶構造を有する窒化チタン膜３を形成する。さらに、金属Ｗからなるターゲットを用いてスパッタリング法により、図３の（ｃ）に示すように、窒化チタン層３上に配線層であるタングステン層４を２０００Å形成する。
　その後、エッチングが施され、Ｓｉ基板１上に、窒化チタン層３とタングステン層４との２層構造の配線パターンが形成される。ここで、窒化チタン層３はＳｉ基板１とタングステン層４との間に設けられるバリア層として形成されている。
　さらに、窒化チタン層３とタングステン層４との２層構造の配線パターンが形成されたＳｉ基板１上に、有機系ガラス材料を堆積し、８００〜９００℃の熱処理を施して、Ｓｉ基板１の表面の凹凸を平坦化した後、上配線工程を行い、多層配線構造の高集積の半導体装置を製造している。
　ここで、平坦化工程における高温処理を施しても、Ｓｉ基板１から窒化チタン膜３を通ってＳｉ原子１ａがタングステン層４に拡散することによって生じるＷのシリサイド化にともなう体積膨張、ならびにタングステン層４の配線の剥離は確認されなかった。」（【００２２】〜【００２５】）、
「つぎに、上記実施例３の製造方法について説明する。まず、図４の（ａ）に示すように、金属Ｔｉからなるターゲットを用いスパッタリング法により、パターン形成を施したＳｉ基板１上にチタン層５を５０〜３００Å形成する。ついで、図４の（ｂ）に示すように、ＴｉＮからなるターゲットを用いスパッタリング法により窒化チタン層６を形成する。この窒化チタン層６は直接窒化膜の形態で成膜されているので柱状の結晶構造を有している。さらに、図４の（ｃ）に示すように、金属チタンからなるターゲットを用いスパッタリング法によりチタン膜７を形成する。
　ここで、アンモニアガス雰囲気中で、７００〜１０００℃の温度範囲で、１０秒〜３０分の熱処理を施す。この時、窒化および結晶化は柱状の結晶構造を有する窒化チタン層６で抑えられ、図４の（ｄ）に示すように、外側のチタン層７のみが窒化して粒状の微結晶構造を有する窒化チタン層３となる。その後、図４の（ｅ）に示すように、Ｗからなるターゲットを用いスパッタリング法により配線層であるタングステン層４を形成し、エッチングにより所望の配線パターンを形成する。ここでバリア層は、チタン層５，柱状の結晶構造を有する窒化チタン層６および粒状の微結晶構造を有する窒化チタン層３の３層で構成されている。」（【００２８】〜【００２９】）、
「なお、上記各実施例では、チタン層２，６を金属チタンをターゲットとするスパッタリング法により形成して説明しているが、チタン膜の形成方法は、スパッタリング法に限らず、例えば真空蒸着法、ＣＶＤ法を用いることができる。」（【００３４】）が、図３，図４とともに記載されている。
　したがって、上記各記載から、引用例１には、「Ｓｉ基板上にチタン膜を形成し、該チタン膜をアンモニアガス雰囲気中で熱処理を施すことにより粒状の微結晶構造を有する窒化チタン膜を形成する工程と、窒化チタン層上にタングステン層を形成する工程と、その後エッチングを施すことで、Ｓｉ基板上に窒化チタン層とタングステン層との２層構造の配線パターンを形成する工程と、前記２層構造の配線パターンを形成した後に有機系ガラス材料を堆積する工程と、熱処理を施してＳｉ基板の表面の凹凸を平坦化する工程を含む半導体装置の製造方法」が記載されているものと認められる。
　同じく原審の拒絶の理由に引用された、本願出願日前に頒布された刊行物である特開平４−８７３２８号公報（以下、「引用例２」という）には、
「半導体基板上に、全面に、絶縁膜を積層し、コンタクト部を形成した後、これをタングステン膜で埋め込むに際して、（ｉ）コンタクト部形成後、絶縁膜を含む半導体基板上に、全面に、ＣＶＤ法を用いてタングステンシリサイド、チタンシリサイド、又はチタンナイトライドからなる微結晶もしくは非晶質構造のバリア膜を積層し、（ｉｉ）続いて、全面に、ＣＶＤ法でタングステン膜を積層することを特徴とする半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲）、
「この発明におけるバリア層は周知のＣＶＤ法を用いて形成される。しかもこの発明のバリア層は特定の膜、すなわちタングステンシリサイド（・・・）、チタンシリサイド（・・・）又はチタンナイトライド（ＴｉＮ）で形成されるのが好ましい。ＣＶＤ法によって形成されたこれら特定の膜は、柱状結晶のような、いわゆる大粒の結晶構造ではなく、微結晶構造もしくは非晶質（アモルファス）構造を有する膜を構成するからである。」（第２頁右上欄第３〜１１行）と記載されている。
　したがって、上記各記載から、引用例２には、「半導体基板上に、全面に、絶縁膜を積層し、コンタクト部を形成した後、これをタングステン膜で埋め込むに際して、コンタクト部形成後、絶縁膜を含む半導体基板上に、全面に、ＣＶＤ法を用いてチタンナイトライドからなる微結晶もしくは非晶質構造のバリア膜を積層し、続いて、全面に、ＣＶＤ法でタングステン膜を積層することを特徴とする半導体装置の製造方法。」が記載されているものと認められる。
　同じく原審の拒絶の理由に引用された、本願出願日前に頒布された刊行物である特開平４−２６７３５９号公報（以下、「引用例３」という）には、
「Ｔｉ層は酸素に対して高い親和力を有するため不純物拡散層の表面に形成されている自然酸化膜を還元する作用があり、低抵抗のオーミック・コンタクトを安定に達成する観点からは優れたコンタクト材料である。しかし、単独ではバリアメタルとしての機能を十分に果たし得ない。・・・一方のＴｉＮ層は、熱力学的にＳｉに対して安定でありＴｉ層よりはバリヤ性は高いが、特にｐ型Ｓｉに対するコンタクト抵抗が高いという問題がある。・・・また、Ｓｉ基板上へ直接に形成された場合には、膜中に不純物として取り込まれた酸素が該Ｓｉ基板との界面に偏析する傾向があるため、単独では常に低抵抗なオーミック・コンタクトを形成することは困難である。そこで、Ｓｉ基板上にまずＴｉ層を形成し、続いてＴｉＮ層を積層することにより、両層の長所を活かしているわけである。」（【従来の技術】の欄、【０００３】）と記載されている。
　したがって、上記記載から、引用例３には、
「ＴｉＮ層は、熱力学的にＳｉに対して安定でありＴｉ層よりはバリヤ性は高いが、特にｐ型Ｓｉに対するコンタクト抵抗が高いという問題がある。た、Ｓｉ基板上へ直接に形成された場合には、膜中に不純物として取り込まれた酸素が該Ｓｉ基板との界面に偏析する傾向があるため、ＴｉＮ層単独では常に低抵抗なオーミック・コンタクトを形成することは困難である。そこで、Ｓｉ基板上にまず低抵抗のオーミック・コンタクトを安定に達成する観点からは優れたコンタクト材料であるといえるＴｉ層を形成し、続いてＴｉＮ層を積層することが望ましい。」ことが記載されているものと認められる。
４．対比
　本願第１発明と引用例１記載の発明とを対比すると、本願第１発明の「半導体基板」、「二層以上の高融点金属配線」、「リフロー」は、それぞれ引用例１記載の発明の「Ｓｉ基板」、「窒化チタン層とタングステン層との２層構造の配線パターン」、「熱処理を施してＳｉ基板の表面の凹凸を平坦化する」に相当する。
　一方、引用例１には、「半導体基板上に設けた所望の回路」及び「前記回路を含む表面に設けた層間膜と前記層間膜に設けたコンタクト孔」は、明示されていない。しかしながら、引用例１に記載された発明は「配線パターンを形成する工程を含む半導体装置の製造方法」に係るものであることを鑑みれば、引用例１に記載された発明において、該配線パターンが接続するＳｉ基板上に所望の回路が設けられていること、及び、該配線パターンと該Ｓｉ基板との間には両者の接触を妨げる層間膜が設けられ、該配線パターンが該Ｓｉ基板と接続する箇所には該接続を成す為のコンタクト孔が該層間膜に設けられることは自明であるといえる。
　したがって、本願第１発明と引用例１に記載された発明は、「半導体基板上に設けた所望の回路と、前記回路を含む表面に設けた層間膜と、前記層間膜に設けたコンタクト孔と、前記コンタクト孔の下層の回路とを接続する二層以上の高融点金属配線を有する半導体装置の製造方法において、前記二層以上の高融点金属配線のうちの一つの層を、前記基板上に直接、非晶質状態あるいは微細結晶状態のＴｉＮ膜として形成する工程と、前記二層以上の高融点金属配線形成後に絶縁膜を形成する工程と、熱処理により前記絶縁膜をリフローさせる工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」である点で一致し、
　本願第１発明では、「二層以上の高融点金属配線」の、「２層目」がＴｉＮ膜であるのに対して、引用例１に記載された発明では、「１層目」がＴｉＮ膜である点（相違点１）、
　本願第１発明では、ＴｉＮ膜が、「窒化処理等を施さず、化学気相成長法によりシリコンを含まないＴｉＮ膜」として形成されているのに対して、引例例１に記載された発明では、「Ｓｉ基板上にチタン膜を形成し、該チタン膜をアンモニアガス雰囲気中で熱処理を施すこと」により形成されている点（相違点２）、
　二層以上の高融点金属配線形成後に形成して、その後熱処理によりリフローする絶縁膜が、本願第１発明では、「ＢＰＳＧ膜」であるのに対して、引用例１に記載された発明では、「有機系ガラス材料」である点（相違点３）において相違する。
５．当審の判断
　上記相違点について検討する。
（相違点１について）
　引用例３には、「ＴｉＮ層は、熱力学的にＳｉに対して安定でありＴｉ層よりはバリヤ性は高いが、特にｐ型Ｓｉに対するコンタクト抵抗が高いという問題がある。また、Ｓｉ基板上へ直接に形成された場合には、膜中に不純物として取り込まれた酸素が該Ｓｉ基板との界面に偏析する傾向があるため、ＴｉＮ層単独では常に低抵抗なオーミック・コンタクトを形成することは困難である。そこで、Ｓｉ基板上にまず低抵抗のオーミック・コンタクトを安定に達成する観点からは優れたコンタクト材料であるといえるＴｉ層を形成し、続いてＴｉＮ層を積層することが望ましい」ことが記載されている。
　一方、引用例１に記載された発明においても、低抵抗のオーミック・コンタクトを形成することが望ましいことは当然の要請である。
　してみれば、引用例１に記載された発明において、低抵抗のオーミック・コンタクトを形成するため、Ｓｉ基板と窒化チタン層の間にＴｉ層を設けることは当業者が容易に想到し得たことである。そして、このようにＳｉ基板と窒化チタン層の間にＴｉ層を介在させた場合、前記窒化チタン層は２層目となる。
（相違点２について）
　引用例１に記載された発明と引用例２に記載された発明は、いずれも微結晶構造を有する窒化チタン層を、バリア層として使用する半導体装置の製造方法という点において発明の属する技術分野を共通とするものである。
　してみれば、引用例１に記載された発明における、アンモニアガス雰囲気中での熱処理による微結晶構造を有する窒化チタン層の形成方法に代えて、引用例２に記載された、化学気相成長法を用いた窒化チタン層の形成方法を採用することは当業者が適宜なし得たことであると認められる。そしてまた、化学気相成長法による窒化チタン膜の形成方法が窒化処理等を施すものでないこと、及びシリコンを含む窒化チタン層を形成するものでないことも明らかである。
（相違点３について）
　配線形成後に形成して、その後熱処理によりリフローする絶縁膜として、ＢＰＳＧ膜は半導体装置の製造という技術分野において慣用されている。したがって、引用例１に記載された発明の、配線形成後に形成して、その後熱処理によりリフローする絶縁膜として、引用例１に記載された「有機系ガラス材料」に代えて、「ＢＰＳＧ膜」を採用することは当業者が容易になし得たことであると認められる。
　したがって、上記各相違点は当業者が容易に想到し得たことと認められる。
　そして、本願第１発明は、前記各引用例に記載されたものから予測し得ない効果を奏するということもできない。
　なお、請求人は審判請求理由補充書において、「本願は、ＢＰＳＧ膜のリフローのような高温熱処理を施してもＴｉＮ膜の上層の高融点金属膜へのシリコンの拡散を効果的に抑制でき」と主張するが、この効果は、２層目のＴｉＮ膜の上層にさらに３層目の高融点金属膜が存在するという構成を前提としており、一方、本願の請求項１の記載は「二層以上の高融点金属配線」と規定するのみで３層目の高融点金属膜を必須の構成要件として含んでいないから、前記請求人の主張は失当である。
　また、「本願は、・・・シリコン基板に接しない２層目に形成することによって、成膜時にＴｉＮ膜自体にシリコンが取り込まれることを防止する構成とするものです。」とも主張するが、本願の請求項１の記載は、基板が半導体基板であると規定するのみであるから、基板がシリコン基板であることを前提とする前記主張も失当である。
６．むすび
　以上のとおりであるから、平成１０年２月２３日付けで提出された手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明は、上記引用例１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができるものではないと認められるから、上記補正は特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に適合しないので、同法第１５９条第１項の規定により準用する同法第５３条の規定により却下すべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。