(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成される第１および第２電源端子と、前記絶縁基板上で略マトリクス状に配置される複数の自己発光素子電極と、前記絶縁基板上で前記複数の自己発光素子電極および前記第１電源端子間にそれぞれ接続される複数の駆動素子と、前記複数の駆動素子により制御される検査用電荷を保持するように前記絶縁基板上で前記複数の自己発光素子電極にそれぞれ容量結合して前記第２電源端子に接続される複数の検査電極とを備える表示装置基板を形成する基板形成工程と、
前記複数の自己発光素子電極および複数の検査電極間の容量に保持される電荷の量について表示装置基板を検査して不良表示装置基板を除去する基板検査工程と、
前記基板検査工程で除去されずに残った表示装置基板を用いて複数の自己発光素子を形成する画素形成工程とを備え、
前記複数の自己発光素子の各々は対応自己発光素子電極からなる第１電極、この第１電極上に形成される発光部材層、およびこの発光部材層上に形成される第２電極を含み、前記画素形成工程は前記複数の検査電極を前記第２電源端子から切り離し前記複数の自己発光素子の第２電極を前記第２電源端子に接続する工程を含むことを特徴とする表示装置製造方法。
【請求項２】
各自己発光素子電極は前記絶縁基板を介して光を放出する光透過性電極材料層からなり、各検査電極は対応自己発光素子電極の端部に対向して形成されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置製造方法。
【請求項３】
各駆動素子は、導通状態において表示信号を取り込み制御電圧として前記駆動素子に供給する画素スイッチ、並びに画素スイッチが非導通状態であるときに前記駆動素子に供給された制御電圧を保持する容量素子と共に電流制御回路を構成することを特徴とする請求項１に記載の表示装置製造方法。
【請求項４】
前記画素スイッチおよび前記駆動素子は薄膜トランジスタからなることを特徴とする請求項３に記載の表示装置製造方法。
【請求項５】
前記電流制御回路は、前記駆動素子の薄膜トランジスタの閾値をキャンセルする閾値キャンセル回路を含むことを特徴とする請求項４に記載の表示装置製造方法。
【請求項６】
各自己発光素子電極は有機ＥＬ素子のアノード電極およびカソード電極の一方として形成されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置製造方法。
【請求項７】
前記複数の自己発光素子電極の行に沿って形成され各々対応行の電流制御回路を制御する複数の走査線と、前記複数の自己発光素子電極の列に沿って形成され各々対応列の電流制御回路に表示信号を供給する複数の信号線とを前記絶縁基板上にさらに備えることを特徴とする請求項３に記載の表示装置製造方法。
【請求項８】
前記複数の走査線および前記複数の信号線を駆動する駆動回路を前記絶縁基板上にさらに備えることを特徴とする請求項７に記載の表示装置製造方法。
【請求項９】
前記基板検査工程は前記複数の自己発光素子電極および前記複数の検査電極間の全容量に電荷を保持させ、電子ビームを前記表示装置基板に照射することにより２次放出される電子ビームを捕捉して前記複数の自己発光素子電極の電位分布を画像として表示するエレクトロンビームテスタを用いて前記表示装置基板の不良を検出する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置製造方法。
【請求項１０】
前記基板検査工程は前記複数の自己発光素子電極および前記複数の検査電極間の容量に電荷を順次保持させ、各容量の電荷量を第２電源端子から測定する積分回路を用いて前記表示装置基板の不良を検出する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置製造方法。
【請求項１１】
前記複数の駆動素子はそれぞれポリシリコン薄膜トランジスタにより構成され、前記基板形成工程は前記ポリシリコン薄膜トランジスタのゲート電極と前記複数の検査電極とを同時に形成する単一の成膜処理を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表示画素が有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子等の自己発光素子からなる自己発光型表示装置の製造部品として表示装置基板を用いた表示装置製造方法に関し、特に駆動素子が自己発光素子毎に形成される表示装置基板を用いた表示装置製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年では、有機ＥＬ表示装置が軽量、薄型、高輝度という特徴を持つことからノート型パーソナルコンピュータや携帯用情報機器等の分野で液晶表示装置に代替可能なモニタディスプレイとして注目されている。この用途では、アクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の開発が盛んである。このアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置は、表示画素としてマトリクス状に配置される複数の有機ＥＬ素子、複数の有機ＥＬ素子の行に沿って配置される複数の走査線、複数の有機ＥＬ素子列に沿って配置される複数の信号線、これら走査線および信号線の交差位置近傍に配置され複数の有機ＥＬ素子に流れる電流をそれぞれ制御する複数の電流制御回路を備える。
【０００３】
有機ＥＬ素子は供給電流量に応じた輝度で自己発光する発光ダイオードであり、陽極および陰極間に有機材料層を挟持した構造を有する。有機材料層は、例えば赤、緑、または青の蛍光性有機化合物を含む薄膜である発光層、この発光層に陽極からの正孔を注入する正孔輸送層、およびこの発光層に陰極からの電子を注入する電子輸送層などを積層して得られる。直流電圧が有機ＥＬ素子の陽極および陰極間に印加されると、発光層は正孔輸送層および電子輸送層を介して注入される電子および正孔の再結合により励起子を生成し、この励起子の失活時に生じる光放出により発光する。電流制御回路は走査線を介して駆動されたときに信号線からの表示信号を取り込む画素スイッチ、一対の電源端子間において有機ＥＬ素子と直列に接続され画素スイッチからの表示信号に基づいて有機ＥＬ素子に電流を流す駆動素子、および画素スイッチが非導通である状態で表示信号を保持する容量素子等を含む。画素スイッチおよび駆動素子はガラス板のような安価な基板上に有機ＥＬ素子と一緒に形成可能な薄膜半導体素子により構成される。現在では、ポリシリコン半導体薄膜トランジスタが有機ＥＬ素子に十分な電流を供給可能な薄膜半導体素子として注目を集めている。
【０００４】
有機ＥＬ表示装置の製造では、これら薄膜半導体素子が走査線、信号線、および容量素子を構成するような配線と一緒に表示装置基板として基板形成工程で形成される。この後、画素形成工程がこの基板形成工程で得られた表示装置基板上に複数の有機ＥＬ素子を形成するために行われる。薄膜半導体素子あるいは配線の欠陥が基板形成工程で発生した場合、この欠陥を含む不良基板を画素形成工程に進めても最終的に得られる有機ＥＬ表示装置に正常な動作を期待することができない。従って、製品の歩留りが画素形成工程前に混入した不良基板のために低下し、製造コストが画素形成工程で不良基板に対して無駄に消費される処理時間および材料のために上昇する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の構造では、薄膜半導体素子を形成しても、駆動素子は有機ＥＬ素子を形成するまで有機ＥＬ素子に接続されない状態にある。このような状態では、不良基板を発見するために有機ＥＬ素子に流れる電流を実際に測定できない。この結果、画素形成工程前に不良基板を除去して製品の歩留りを向上させることが困難であった。
【０００６】
本発明は上述のような問題に鑑みてなされたもので、自己発光素子の形成前に不良基板を発見する検査を行うことが可能な表示装置基板を用いた表示装置製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、絶縁基板と、この絶縁基板上に形成される第１および第２電源端子と、絶縁基板上で略マトリクス状に配置される複数の自己発光素子電極と、絶縁基板上で複数の自己発光素子電極および第１電源端子間にそれぞれ接続される複数の駆動素子と、これら駆動素子により制御される検査用電荷を保持するように絶縁基板上で複数の自己発光素子電極にそれぞれ容量結合して第２電源端子に接続される複数の検査電極とを備える表示装置基板を形成する基板形成工程と、複数の自己発光素子電極および複数の検査電極間の容量に保持される電荷の量について表示装置基板を検査して不良表示装置基板を除去する基板検査工程と、基板検査工程で除去されずに残った表示装置基板を用いて複数の自己発光素子を形成する画素形成工程とを備え、複数の自己発光素子の各々は対応自己発光素子電極からなる第１電極、この第１電極上に形成される発光部材層、およびこの発光部材層上に形成される第２電極を含み、画素形成工程は複数の検査電極を第２電源端子から切り離し複数の自己発光素子の第２電極を第２電源端子に接続する工程を含む表示装置製造方法が提供される。
【０００９】
この表示装置製造方法では、複数の検査電極が複数の駆動素子により制御される検査用電荷をそれぞれ保持するように絶縁基板上で複数の自己発光素子電極に容量結合して第２電源端子に接続される。これにより、複数の自己発光素子電極および複数の検査電極間の容量にそれぞれ保持される電荷の量についてエレクトロンビームテスタ等を用いて表示装置基板を検査し不良表示装置基板を除去することが可能となる。すなわち、正常な表示装置基板だけが複数の自己発光素子を形成するために用いられるため、製品の歩留りを向上させることができる。この場合、不良基板のために無駄に消費される処理時間および材料による製造コストの上昇を防止でき、全体としての生産性を向上できる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の第１実施形態に係る表示装置基板について添付図面を参照して説明する。この表示装置基板は例えば下面側から外部に光を取り出す下面発光型の有機ＥＬ表示装置の製造部品として用いられる。
【００１１】
図１はこの表示装置基板の回路構成を全体的に示し、図２は図１において隣接する３画素分の有機ＥＬ素子電極周辺の平面構造を示す。表示装置基板は光透過性の絶縁基板１、この絶縁基板１の表示領域ＤＳにマトリクス状に配置される複数の有機ＥＬ素子電極ＰＸ、複数の有機ＥＬ素子電極ＰＸの行に沿った複数の走査線Ｙ（Ｙ１〜Ｙｍ）、複数の有機ＥＬ素子電極ＰＸの列に沿った複数の信号線Ｘ（Ｘ１〜Ｘｎ）、並びに走査線Ｙ１〜Ｙｍを駆動する走査線駆動回路２、および信号線Ｘ１〜Ｘｎを駆動する信号線駆動回路３を備える。走査線駆動回路２および信号線駆動回路３は表示領域ＤＳの外側に配置される。
【００１２】
複数の有機ＥＬ素子電極ＰＸは例えば赤（Ｒ），緑（Ｇ），または青（Ｂ）の発光色で自己発光する有機ＥＬ素子のための開口領域をそれぞれ規定すると共に、これら有機ＥＬ素子に流れる電流を制御する複数の電流制御回路４にそれぞれ接続される。これら電流制御回路４は複数の走査線Ｙおよび複数の応信号線Ｘの交差位置に隣接して絶縁基板１上に形成される。走査線駆動回路２からの走査パルスは対応行の電流制御回路４を制御し、信号線駆動回路３からの表示信号は信号線を介して対応列の電流制御回路４に供給される。各電流制御回路４は電源端子Ｖddおよび対応有機ＥＬ素子電極ＰＸ間に接続されるＰチャネル型薄膜トランジスタ５、対応信号線Ｘおよび薄膜トランジスタ５のゲート間に接続されるＮチャネル型薄膜トランジスタ６、および電源端子Ｖddおよび薄膜トランジスタ５のゲート間に接続される容量素子７を含む。薄膜トランジスタ５は有機ＥＬ素子のための駆動素子として形成される。薄膜トランジスタ６は対応走査線Ｙを介して走査パルスが供給されたときに対応信号線Ｘからの表示信号を取り込み制御電圧として薄膜トランジスタ５のゲートに供給する画素スイッチとして形成される。容量素子７は薄膜トランジスタ６が非導通状態であるときに薄膜トランジスタ５の制御電圧を保持するために形成される。
【００１３】
この表示装置基板はさらに複数の薄膜トランジスタ６により制御される検査用電荷をそれぞれ保持するように絶縁基板１上で複数の有機ＥＬ素子電極ＰＸに容量結合して検査用電源端子Ｖtestに接続される複数の検査電極ＰＴを含む。各有機ＥＬ素子電極ＰＸは有機ＥＬ素子から放出される光を絶縁基板１を介して出射させるためにＩＴＯ（Indium Tin Oxide）のような光透過性電極材料層からなり、各検査電極ＰＴは例えば図２に示すように対応行の有機ＥＬ素子電極ＰＸの開口率を低下させないようにこれらの有機ＥＬ素子電極ＰＸの端部にそれぞれ対向して絶縁基板１上に形成される金属層からなる。
【００１４】
次に上述の表示装置基板を用いた有機ＥＬ表示装置の製造方法について述べる。図３は図２に示す各有機ＥＬ素子電極周辺の断面構造を示す。最初の基板形成工程では、光透過性絶縁基板１が用意される。この絶縁基板１はシリコンの拡散を阻止するバリアとなる下地表面を持つガラス板等であり、下地表面は例えばシリコン窒化膜とこのシリコン窒化膜を覆うシリコン酸化膜との積層体からなる。続いて、例えばトップゲート型のポリシリコン薄膜トランジスタが薄膜トランジスタ５および６としてこの絶縁基板１上に形成される。薄膜トランジスタ５および６は、ポリシリコン半導体薄膜１０を絶縁基板１の下地表面上に形成し、この半導体薄膜１０を覆って酸化シリコンのゲート絶縁膜１１を形成し、ゲート絶縁膜１１を覆って例えばＭｏＷ金属層を形成し、ゲート絶縁膜１１を介して半導体薄膜１０に対向するゲート電極Ｇを残してＭｏＷ金属層をパターニング処理し、さらにこのゲート電極Ｇをマスクとして半導体薄膜１０内に所定濃度の不純物をドープしてソースおよびドレインを形成することにより得られる。
【００１５】
検査電極ＰＴはＭｏＷ金属層のパターニング処理で薄膜トランジスタ５のゲート電極Ｇに接続される容量素子７の第１電極、薄膜トランジスタ６のゲート電極Ｇに接続される走査線Ｙ、および検査用電源端子Ｖtestおよび検査電極ＰＴを結ぶ配線と一緒に形成される。続いて、酸化シリコンの層間絶縁膜１２がゲート絶縁膜１１、検査電極ＰＴ、ゲート電極Ｇ、走査線Ｙ、容量素子７の第１電極を覆うように形成され、さらにＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の光透過性電極材料層が層間絶縁膜１２を覆って形成される。この光透過性電極材料層は有機ＥＬ素子電極ＰＸを残すようにパターニング処理される。この有機ＥＬ素子電極ＰＸは一旦レジストマスクで覆われ、複数のコンタクトホールが薄膜トランジスタ５および６のソースおよびドレイン等を露出して形成される。続いて、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ、信号線Ｘ、容量素子７の第１電極に対向する容量素子７の第２電極を兼ねて電源端子Ｖddに接続されるＶdd側電源線がＭｏ／Ａｌ／Ｍｏのような３層構造の金属層として層間絶縁膜１２上に形成される。ここで、薄膜トランジスタ５および６のソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄはコンタクトホールを介して薄膜トランジスタ５および６のソースおよびドレインに接続される。薄膜トランジスタ５のソース電極Ｓは有機ＥＬ素子電極ＰＸに接続され、薄膜トランジスタ５のドレイン電極ＤはＶdd側電源線に接続される。薄膜トランジスタ６のソース電極Ｓはコンタクトホールを介して容量素子７の第１電極に接続され、薄膜トランジスタ６のドレイン電極Ｄは信号線Ｘに接続される。
【００１６】
この状態で、窒化シリコンの保護絶縁膜１３が有機ＥＬ素子電極ＰＸ、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄおよび層間絶縁膜１２を全体的に覆って形成され、有機ＥＬ素子電極ＰＸを部分的に露出するようにパターニング処理される。続いて、絶縁膜１４、例えば酸化シリコン膜が保護絶縁膜１３および有機ＥＬ素子電極ＰＸの露出部を全体的に覆って形成され、再び有機ＥＬ素子電極ＰＸを部分的に露出するようにパターニング処理される。続いて、表面処理した有機絶縁膜１５、例えばアクリル樹脂が絶縁膜１４および有機ＥＬ素子電極ＰＸの露出部を全体的に覆って形成され、再び有機ＥＬ素子電極ＰＸを部分的に露出するようにパターニング処理される。これらパターニング処理は有機ＥＬ素子電極ＰＸを部分的に露出しこの露出面に向かってテーパ状となる開口ＯＰを保護絶縁膜１３、親水性絶縁膜１４、および撥水性有機絶縁膜１５の絶縁体に形成することになる。基板形成工程はこれにより完了する。
【００１７】
続く基板検査工程では、複数の有機ＥＬ素子電極ＰＸおよび複数の検査電極ＰＴ間の容量Ｃtestにそれぞれ保持される電荷の量について表示装置基板が検査され、不良基板がこの検査結果に基づいて除去される。ここでは、所定の検査電圧を電源端子Ｖddおよび検査用電源端子Ｖtest間に印加し、電流制御回路４の制御により複数の有機ＥＬ素子電極ＰＸおよび複数の検査電極ＰＴ間の全容量に電荷を保持させ、例えばエレクトロンビームテスタを用いて表示装置基板の不良を検出する。このエレクトロンビームテスタは電子ビームを表示装置基板に照射することにより２次放出される電子ビームを捕捉して容量Ｃtestの蓄積電荷量に依存した複数の有機ＥＬ素子電極ＰＸの電位分布を画像として表示する。検査担当者はこの画像を観察し、薄膜トランジスタ５を含む電流制御回路４の動作が正常であるかどうかを確認して不良基板を特定する。また、エレクトロンビームテスタを用いる代わりに、複数の有機ＥＬ素子電極ＰＸおよび複数の検査電極ＰＴ間の容量Ｃtestに電荷を順次保持させ、各容量Ｃtestの電荷量を検査用電源端子Ｖtestから測定する積分回路を用いて表示装置基板の不良を検出してもよい。
【００１８】
続く画素形成工程では、図４に示すように複数の有機ＥＬ素子OLEDが基板検査工程で除去されずに残った、あるいは欠陥箇所をリペアするなどして基板検査工程で正常であると判断された表示装置基板を用いて形成される。この有機ＥＬ素子OLEDは有機材料層１６を一対のカソード電極１７およびアノード電極１８間に挟持した構造を有する。ここでは、有機ＥＬ素子電極ＰＸが上述のアノード電極１８として用いられる。有機材料層１６は例えば発光層ＥＭ、バッファ層１９、および電子輸送層２０を積層して構成される。発光層ＥＭは赤、緑、または青の蛍光性有機化合物を含む薄膜である。バッファ層１９は発光層ＥＭおよびアノード電極１８間に形成され、電子輸送層２０は発光層ＥＭおよびカソード電極１７間に形成される。アノード電極１８は例えばＩＴＯで構成される光透過性電極であり、カソード電極１７はＢａのような金属で構成される反射電極である。また、カソード電極は、Ａｇ等の保護層２１に覆われるよう構成される。
【００１９】
実際の画素形成工程では、例えば一定量の水溶性高分子溶液がインクジェット方式で開口ＯＰ内に注入され、これによりバッファ層１９を形成する。この後、一定量の蛍光性有機化合物を含む高分子溶液がインクジェット方式で開口ＯＰ内に注入され、これにより発光層ＥＭを形成する。この後、一定量の高分子溶液がインクジェット方式で開口ＯＰ内に注入され、これにより電子輸送層２０を形成する。撥水性絶縁膜１５および電子輸送層２０は金属蒸着により形成されるカソード電極１７、保護層２１で覆われる。カソード電極１７は表示装置基板において検査用電源端子Ｖtestとは独立に電源端子Ｖssに接続される。こうして得られた構造物はその外周端部付近に塗布されるシール材によりガラス板、金属板のような支持板２２に窒素雰囲気中で接着され、これにより窒素が保護層２１および支持板２２との間に封止される。
【００２０】
上述の有機ＥＬ素子OLEDは、アノード電極ＡＤから注入されたホールとカソード電極１７から注入された電子とが発光層ＥＭの内部で再結合したときに、発光層ＥＭを構成する有機分子を励起して励起子を発生させる。この励起子が放射失活する過程で発光し、この光が発光層ＥＭから光透過性のアノード電極１８、層間絶縁膜１２、ゲート絶縁膜１１、および絶縁基板１を介して外部へ出射する。この有機材料層１６は上述のような３層構造だけでなく、自己発光するように機能的に複合された２層または単層で構成することが可能である。また、電子輸送層２０は省略可能である。さらに、本実施形態ではアノード電極１８を光透過性電極とし、この光透過性電極を介して光を外部に取り出すが、カソード電極１７を光透過性電極とし、アノード電極１８を光反射性電極で構成しカソード電極１７側から光を外部に取り出してもよい。
【００２１】
図５は上述の製造方法で形成された有機ＥＬ表示装置の画素周辺回路を示す。基板形成工程では、有機ＥＬ素子OLEDがアノード電極１８となる有機ＥＬ素子電極ＰＸを除いて形成されないため、電源電圧を電源端子ＶddおよびＶss間に印加して有機ＥＬ素子OLEDの駆動素子となる薄膜トランジスタ５の動作を確認することができない。その代わりに、検査電極ＰＴがこの有機ＥＬ素子電極ＰＸに容量結合して検査用電源端子Ｖtestに接続される。これにより、検査電圧を電源端子Ｖddおよび検査用電源端子Ｖtest間に印加し、薄膜トランジスタ５を介して流れる電流Idにより有機ＥＬ素子電極ＰＸおよび検査電極ＰＴ間の容量Ｃtestに電荷を蓄積させることができる。有機ＥＬ素子電極ＰＸの電位はこの容量Ｃtestに蓄積された電荷に依存し、これにより検査電圧が検査用電源端子Ｖtestの電位を基準として容量Ｃtestに対応する電圧Ｖｆと薄膜トランジスタ５に対応する電圧Ｖdsに分圧されることになる。従って、有機ＥＬ素子電極ＰＸの電位を観測することにより薄膜トランジスタ５の動作を確認できる。薄膜トランジスタ５に欠陥がなくても、少なくとも走査線駆動回路２、信号線駆動回路３、電流制御回路４のいずれかに欠陥があるという状態が検出されるため、不良基板を特定可能である。
【００２２】
上述の実施形態では、複数の検査電極ＰＴが有機ＥＬ素子OLEDの駆動素子となる複数の薄膜トランジスタ５により制御される検査用電荷をそれぞれ保持するように絶縁基板１上で複数の有機ＥＬ素子電極ＰＸに容量結合して検査用電源端子Ｖtestに接続される。これにより、複数の有機ＥＬ素子電極ＰＸおよび複数の検査電極ＰＴ間の容量Ｃtestにそれぞれ保持される電荷の量についてエレクトロンビームテスタ等を用いて表示装置基板を検査し不良表示装置基板を除去することが可能となる。すなわち、正常な表示装置基板だけが複数の有機ＥＬ素子OLEDを形成するために用いられるため、製品の歩留りを向上させることができる。この場合、不良基板のために無駄に消費される処理時間および材料による製造コストの上昇を防止でき、全体としての生産性が向上する。結論としては、有機ＥＬ素子のような自己発光素子の駆動素子に接続される配線電極と容量結合する検査電極を設け、これら配線電極および検査電極間に容量を形成することが重要である。
【００２３】
尚、本発明は上述の実施形態に限定されず、その要旨を逸脱しない範囲で様々に変形可能である。
【００２４】
図６は図５に示す回路構成の第１変形例を示す。上述の実施例では、検査用電源端子Ｖtestが電源端子Ｖssから独立に形成されるが、この検査用電源端子Ｖtestを電源端子Ｖssとして共用してもよい。この構成にする場合には、基板検査工程後に検査用電源端子Ｖtestおよび検査電極ＰＴ間の配線をレーザトリミング等により例えば図６に示すように切断することが好ましい。これを行うことにより、容量Ｃtestが有機ＥＬ素子OLEDに並列な寄生容量として完成品の有機ＥＬ表示装置の動作に影響を与えることが避けられる。また、各電流制御回路４は例えば図６に示すように接続されたスイッチＳＷ１，ＳＷ２および容量素子ＣＫにより構成される公知の閾値キャンセル回路を含むように構成されても良い。これにより、複数の薄膜トランジスタ６間の閾値のバラツキに影響されることなく有機ＥＬ素子OLEDに流れる電流を制御することが可能となる。
【００２５】
図７は図５に示す回路構成の第２変形例を示す。上述の実施例では、複数の検査電極ＰＴの各々が図７に示すように対応有機ＥＬ素子電極ＰＸに容量結合して検査用電源端子Ｖtestに接続されたが、複数の検査抵抗Ｒtestの各々が対応有機ＥＬ素子電極ＰＸおよび検査用電源端子Ｖtest間に接続されてもよい。基板検査工程では、これら検査抵抗Ｒtestに流れる電流について表示装置基板が検査され、この検査結果に基づいて不良基板が除去される。この構成にする場合には、基板検査工程後に検査用電源端子Ｖtestおよび検査抵抗Ｒtest間の配線または検査抵抗Ｒtestおよび有機ＥＬ素子電極ＰＸ間の配線のいずれかをレーザトリミング等により例えば図７に示すように切断する必要がある。これを行うことにより、検査抵抗Ｒtestが有機ＥＬ素子OLEDに並列な電流路を形成して完成品の有機ＥＬ表示装置の動作に影響を与えることが無くなる。
【００２６】
また、上述の実施形態では、下面発光型の有機ＥＬ表示装置の製造部品として用いられる表示装置基板について説明したが、本発明は上面発光型の有機ＥＬ表示装置の製造部品として用いられる表示装置基板に適用することもできる。この上面発光型の有機ＥＬ表示装置では、有機ＥＬ素子OLEDから放出される光が絶縁基板１を介さずに上面から出射するため、有機ＥＬ素子電極ＰＸを透過する光を遮断しないように上述の検査電極ＰＴを配置する必要がない。従って、例えば有機ＥＬ素子電極ＰＸの中央部の下方に検査電極ＰＴを配置して検査電極ＰＴと有機ＥＬ素子電極ＰＸとを容量結合させてもよい。
【００２７】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、自己発光素子の形成前に不良基板を発見する検査を行うことが可能な表示装置基板およびこの表示装置基板を用いた表示装置製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る表示装置基板の回路構成を全体的に示す図である。
【図２】図１において隣接する３画素分の有機ＥＬ素子電極周辺の平面構造を示す図である。
【図３】図２に示す各有機ＥＬ素子電極周辺の断面構造を示す図である。
【図４】図３に示す断面構造の表示装置基板に形成された有機ＥＬ素子の断面構造を示す図である。
【図５】図４に示す有機ＥＬ素子を形成して完成した有機ＥＬ表示装置の画素周辺回路を示す図である。
【図６】図５に示す画素周辺回路の第１変形例を示す図である。
【図７】図５に示す画素周辺回路の第２変形例を示す図である。
【符号の説明】
１…絶縁基板
４…電流制御回路
５…電流駆動用薄膜トランジスタ
６…画素スイッチ用薄膜トランジスタ
７…容量素子
ＰＸ…有機ＥＬ素子電極
ＰＴ…検査電極
Ｖdd，Ｖss…電源端子
Ｖtest…検査用電源端子
【図１】
0004157303.tif 000002
【図２】
0004157303.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0004157303.tif 000008