【事件の表示】
　平成７年　特　許　願　第３２７５０３号「半導体装置、光弁装置およびプロジェクション装置」拒絶査定に対する審判事件（平成９年２月１８日出願公開、特開平９−５００４５）について、次のとおり審決する。
【結論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理由】
１，手続の経緯・出願日
　本願は、平成２年４月２７日に出願した特願平２−１１２９７７号の一部を平成７年１２月１５日に新たな特許出願としたものであって、平成１０年３月１９日付けで拒絶の査定がなされたものであり、その理由の概要は、
「膜厚が１０００Åを超えない半導体単結晶薄膜層を用いることは、分割前のもとの出願の出願当初明細書及び図面（以下「原出願当初明細書」という。）に記載された事項ではないから、本願出願の出願日の遡及は認められず、刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。」というにある。
　そこで先ず、本願の出願日について検討する。
　原出願当初明細書には、「第８図はシリコン単結晶膜に形成された絶縁ゲート型トランジスタのドレインリーク電流とシリコン単結晶膜の膜厚との関係を示すグラフである。・・・入射光が照射されていない状態においては、ドレインリーク電流にシリコン単結晶層膜厚依存性はない。しかしながら、例えば３０００ルクスの入射光を照射した場合には、ドレインリーク電流は膜厚の増加とともに上昇する。」（公開公報８頁左上欄１４行〜右上欄４行）と記載されている。
　一方、請求人は、平成１０年２月２日付け意見書において、「膜厚１０００Å以下、にすることにより、３０００ルクスの入射光においても０ルクスと同じドレインリーク電流となり、透光性を高め、チャネル内の電子のジャンプを減少させることができる」（第１頁１７〜１９行）という作用効果を有するものである旨主張している。そうであるとすれば、膜厚を１０００Å以下に限定することは、技術的意義を有することになる。
　しかしながら、第８図には、３０００ルクスの入射光を照射した場合に、シリコン単結晶層膜厚が１０３Å（１０００Å）以下で、ドレインリーク電流がどのような値になるかについては何も示されていない。
　そうしてみると、シリコン単結晶薄膜層の膜厚が１０００Åを越えないようにするという発明は、原出願当初明細書に包含された発明であるということはできない。
　したがって、本願は、特許法第４４条第１項に規定する適法な分割出願ではないから、出願日の遡及は認められない。
２，本願発明
　本願の請求項１〜７に係る発明は、平成１０年５月２８日付けで補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１〜７に記載されたとおりのものであるところ、請求項１に係る発明は次のとおりである。
「マトリクス状に配置された複数の駆動素子と、該駆動素子と電気的に接続する画素電極と、該駆動素子を選択的に駆動する駆動回路とからなる集積回路が形成された駆動基板と、該駆動基板に対向配置された対向基板と、該駆動基板と該対向基板の間に配置された電気光学物質層からなる光弁装置において、該駆動基板は担体層と、膜厚が１０００Åを越えないシリコン単結晶薄膜層とから少なくともなる多層構造を有し、該集積回路は該シリコン単結晶薄膜層ないしは該担体層に集積配置されかつ該駆動回路により励起された時電気光学物質層に作用してその光透過性を制御することを特徴とする光弁装置。」
３，引用例記載の発明
　これに対し、原査定の拒絶の理由で引用された刊行物：特開平４−１８１２２７号公報には、下記の事項が記載されている。
「（１）駆動電極と所定の信号に応じて該駆動電極を励起するための駆動回路とが形成された駆動基板と、該駆動基板に対向配置された対向基板と、該駆動基板と該対向基板の間に配置された電気光学物質層からなる光弁装置において、該駆動基板は担体層と半導体単結晶薄膜層からなる二層構造を有し、該駆動回路は半導体単結晶薄膜層に形成された集積回路からなり、該駆動電極は半導体単結晶薄膜層の上に集積配置されかつ該駆動回路により励起された時電気光学物質層に作用してその光透過性を制御することを特徴とする光弁装置。
（２）該集積回路はマトリクス状に配置された複数の駆動素子を含み、該駆動電極はマトリクス状に配置された複数の画素電極からなりかつ個々の駆動素子により選択的に励起されることを特徴とする請求項１に記載の光弁装置。・・・
（８）該担体層は石英からなり該半導体単結晶薄膜層はシリコンからなる請求項７に記載の半導体装置。」（特許請求の範囲１，２及び８項）、「原材料基板は石英担体層２と単結晶シリコン膜層３の積層構造の中間に低抵抗膜層３３が介在した構造となっている。」（８頁左下欄１〜３行）、「第８図より、画素領域に存在するシリコン単結晶層の膜厚は１０００Å以下にすることが望ましい。」（特許法第１７条の２の規定による補正の掲載公報、平成６年１２月６日発行、補２頁右下欄３〜４行）と記載されている。
　上記によると、上記刊行物には、
「マトリクス状に配置された複数の駆動素子と、駆動素子により選択的に励起される複数の画素電極からなる駆動電極と、所定の信号に応じて該駆動電極を励起する駆動素子を含む駆動回路とが形成された駆動基板と、該駆動基板に対向配置された対向基板と、該駆動基板と対向基板の間に配置された電気光学物質層からなる光弁装置において、該駆動基板は担体層とシリコン単結晶薄膜層の中間に低抵抗膜層が介在した層構造を有し、該駆動回路はシリコン単結晶薄膜層に形成された集積回路からなり、該集積回路は駆動素子を含み、該画素電極からなる駆動電極はシリコン単結晶薄膜層の上に集積配置されかつ該駆動回路により励起された時電気光学物質層に作用してその光透過性を制御することを特徴とする光弁装置。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
４，対比・判断
　そこで、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）と引用発明とを対比すると、引用発明の「画素電極からなる駆動電極」、「担体層とシリコン単結晶薄膜層の中間に低抵抗膜層が介在した層構造」及び「駆動回路はシリコン単結晶薄膜層に形成された集積回路からなり、該集積回路は駆動素子を含み、該画素電極からなる駆動電極はシリコン単結晶薄膜層の上に集積配置され」は、本願発明の「画素電極」、「担体層とシリコン単結晶薄膜層とから少なくともなる多層構造」及び「集積回路は該シリコン単結晶薄膜層ないしは該担体層に集積配置され」にそれぞれ相当する。
　したがって、両者は、
「マトリクス状に配置された複数の駆動素子と、該駆動素子と電気的に接続する画素電極と、該駆動素子を選択的に駆動する駆動回路とからなる集積回路が形成された駆動基板と、該駆動基板に対向配置された対向基板と、該駆動基板と該対向基板の間に配置された電気光学物質層からなる光弁装置において、該駆動基板は担体層と、シリコン単結晶薄膜層とから少なくともなる多層構造を有し、該集積回路は該シリコン単結晶薄膜層ないしは該担体層に集積配置されかつ該駆動回路により励起された時電気光学物質層に作用してその光透過性を制御することを特徴とする光弁装置。」の点で一致するが、下記の点で相違する。
　相違点：本願発明では、シリコン単結晶薄膜層の膜厚が１０００Åを越えないのに対し、引用発明では、この点の構成が明りょうでない点。
　上記相違点につき検討する。
　前掲のように、引用例の補正書には「画素領域に存在するシリコン単結晶層の膜厚は１０００Å以下にすることが望ましい。」と記載されているから、引用発明において、シリコン単結晶薄膜層の膜厚を上記相違点の本願発明の構成に限定することは、当業者が容易になし得たものである。
５，むすび
　したがって、本願発明は、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。