(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
集合基板を切断して平面形状が略方形である複数の個別基板を得るための構造であって、
前記集合基板の一方の面には、複数の前記個別基板に対応して、圧電振動体を搭載するための接続電極を配列し、
他方の面には、前記接続電極と導通した端子電極を、前記端子電極と導通する前記接続電極が対応した前記個別基板にそれぞれ配列し、
前記個別基板の輪郭に対応する切断箇所には、それぞれの前記個別基板の前記端子電極と導通した側面電極を配設するためのスルーホールを配列し、
前記スルーホールに配設した前記側面電極は前記端子電極の一つとだけ導通し、各電極にメッキが施された圧電デバイス用集合基板において、
前記端子電極は二つ配設されており、一方の前記端子電極は前記個別基板の第１辺に沿って配設した第１スルーホール内の第１側面電極と、前記第１辺に隣接する第２辺に沿って配設した第２スルーホール内の第２側面電極に導通しており、他方の端子電極は、前記第１辺と対向する第３辺に沿って配設した第３スルーホール内の第３側面電極と、前記第３辺と隣接する第４辺に沿って配設した第４スルーホール内の第４側面電極に導通していることを特徴とする圧電デバイス用集合基板。
【請求項２】
請求項１に記載の集合基板の前記接続電極に圧電振動体を搭載し、該圧電振動体を蓋部材で封止した後に前記集合基板を前記切断箇所に沿って切断して得られることを特徴とする圧電デバイス。
【請求項３】
集合基板の一方の面に、平面形状が略方形である複数の個別基板に対応して、圧電振動体を搭載するための接続電極を配列する工程と、
前記集合基板の他方の面に、前記接続電極と導通した端子電極を、前記端子電極と導通する前記接続電極が対応した前記個別基板にそれぞれ配列する工程と、
前記個別基板の輪郭に対応する切断箇所に、それぞれの前記個別基板の前記端子電極の一つとだけ導通した側面電極を配設するためのスルーホールを配列する工程と、
各電極にメッキを施す工程と、
前記接続電極に前記圧電振動体を搭載する工程と、
前記集合基板に搭載した複数の前記圧電振動体に対して調整作業を施す工程と、
調整した前記圧電振動体を蓋部材で封止する工程と、
前記集合基板を前記切断箇所に沿って切断して単個の圧電デバイスを得る工程とからなり、
前記前記端子電極は二つ配設されており、一方の前記端子電極は前記個別基板の第１辺に沿って配設した第１スルーホール内の第１側面電極と、前記第１辺に隣接する第２辺に沿って配設した第２スルーホール内の第２側面電極に導通しており、他方の端子電極は、前記第１辺と対向する第３辺に沿って配設した第３スルーホール内の第３側面電極と、前記第３辺と隣接する第４辺に沿って配設した第４スルーホール内の第４側面電極に導通していることを特徴とする圧電デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、圧電デバイス用基板を多数個取りするための圧電デバイス用集合基板、圧電デバイス及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、水晶振動体などの圧電振動体を含む水晶振動子、水晶発振器、表面弾性波フィルタなどの電子装置である圧電デバイスは、各種産業用あるいは民生用電子機器などに広く適用されている。このような圧電デバイスは、回路基板への高密度実装に適するように、他の電子部品と同様に小型チップ化されて、電子機器の回路基板の片面だけで半田付けできる表面実装型のものが出現している。そして、携帯電話に代表される携帯用通信機器等の普及に伴い、電子装置の小型・軽量化が求められ、圧電デバイスの小型化、軽量化、そしてコストダウンの要求がますます強くなっている。
【０００３】
一方、こうした電子機器、電子装置の小型化の進行に伴い、その取り扱いを容易にするために、他の一般の電子部品と同様に、複数の電子装置を多数個取りできる、集合基板を用いて各工程を処理する方法が、電子装置の望ましい製造方法と考えられ、特開平１１−３４０３５０号公報など、さまざまな集合基板による製造方法が開示されている。
【０００４】
このような従来の圧電デバイスの一例として、水晶振動子を取り上げて説明する。図１６は従来の水晶振動子の断面図である。図１６において、７０は表面実装型の水晶振動子であり、６２は水晶振動子７０の筐体を構成する平板状のセラミック基板、６３はその上を覆ったコバール（Ｆｅ／Ｎｉ／Ｃｏ合金）製の箱形の蓋部材である。７２は、セラミック基板６２の表面に形成された方形のキャビティである。６１は水晶振動体であり、キャビティ７２と蓋部材６３とで規定される内部空間に実装されている。
【０００５】
８１は、セラミック基板６２の表面に、蓋部材６３と導通しないように形成された配線層であり、８２は同じく下面に形成された端子電極としての配線層である。８３は両配線層８１、８２を接続している内部配線である。８４は導電ペーストであり、水晶振動体６１の一端は導電ペースト８４を介して配線層８１の上に接合されている。８６は、蓋部材６３の接合のために、セラミック基板６２の表面に形成された配線層であり、８５は、配線層８６上に形成された低温金属ロウ材から成る接合層である。セラミック基板６２と蓋部材６３とは、配線層８６及び接合層８５を介して溶着されている。
【０００６】
図１７はセラミック基板６２の下面図であり、略方形のセラミック基板６２の両短辺に沿って、一対の端子電極である配線層８２が配設されている。８７は、各コーナーに形成されたスルーホール（実際は１／４に切り欠かれている）６２ｃに形成された配線層であり、配線層８７は、配線層８２から２カ所のコーナー電極８２ｃを経て延在して設けられている。水晶振動子７０を電子機器の回路基板に半田付けした場合に、表面から見て端子電極である配線層８２が半田によって回路基板へ良好に接合されたか否かを、スルーホール６２ｃの配線層８７に濡れ上がった半田を視認することによって、確認することができる。
【０００７】
図１８は集合基板であるセラミック基板６２の部分下面図である。分割線８９が交差するところに、スルーホール６２ｃが設けられ、各スルーホール６２ｃにおいて互いに隣接する四つの個別セラミック基板６２の端子電極である配線層８２は、コーナー電極８２ｃ及び配線層８７を介して互いに導通している。
【０００８】
次に、水晶振動子７０の製造方法について説明する。まず、単個のセラミック基板６２を多数個取りできる集合基板状態のセラミック基板６２を製造する。それには、図１９、図２０に示すように、２種類の定尺シート６２ａ、６２ｂを用意する。そのために、アルミナを主原料として含むセラミック粉末、バインダ等を含むスラリーから、長尺で定尺幅のグリーンシートを成形する。この長尺シートから、予め設定された圧縮率に基づいた寸法に、図２０に示す定尺シート６２ｂを外形プレス抜きし、その際、積層処理のための作業基準穴８７も開孔する。次いで、定尺シート６２ｂの作業穴８７を基準に、電子要素を収納するキャビティ７２をプレス抜きして定尺シート６２ａを形成する。
【０００９】
引き続いて、所定の枚数の定尺シート６２ｂ及び６２ａを、予め定められた組み合わせで積層圧着させる。積層工程は、例えば、２００〜２５０℃で一定時間にわたってプレス圧着することによって行うことができる。図２１はこのようにして得られた積層グリーンシート（セラミック基板）６２を示したものであり、図には、以下の工程で作り込められるブレイク線８９も、理解の補助のため、便宜的に示されている。
【００１０】
次いで、得られたグリーンシート６２を、図２１の線分Ａ−Ａに沿った断面図である図２２に順に示すようにして加工する。まず、得られた積層グリーンシート６２の作業基準穴８７を基準に、図２２の工程（Ａ）に示すように、表裏面の導通をとるためのスルーホール７３、及びコーナーの図示しないスルーホール６２ｃを開孔する。
【００１１】
次いで、工程（Ｂ）に示すように、先の工程で開孔したスルーホール７３、スルーオール６２ｃに、Ｗ、Ｍｏ等の高融点金属から成る圧膜導体ペーストを充填して電気的導通部８３とする。次いで、表面側の配線層８１及び８６、裏面側の配線層８２を、Ｗ、Ｍｏ等の高融点金属から成る圧膜導体ペーストを塗布することにより形成する。この場合、後の工程で各配線層に電気メッキによりＡｕメッキを施すために、集合基板上の全てのセラミック基板６２の配線間は相互に接続されている。
【００１２】
その後、金型にて、積層グリーンシート状態のセラミック基板６２の厚みの約５０％のところまで切り込みを入れ、ブレイク線８９を形成する。ブレイク線８９は製造工程の途中で、セラミック基板６２を電子装置の単位に切り離すためのものである。その後、積層グリーンシートを水素雰囲気中で１５５０〜１６５０℃で焼成する。この焼成で約２０％寸法収縮が成され、キャビティ、スルーホール、貫通穴、配線層、ブレイク線が形成された集合基板状態のセラミック基板６２が完成する。
【００１３】
上記の工程（Ｂ）で作製したセラミック基板６２をそのブレイク線８９のところで切り分けると、工程（Ｃ）に示すように、それぞれが目的とする水晶振動子の単位に相当するセラミック基板６２が得られる。
【００１４】
次いで、セラミック基板６２を図２３の工程（Ｄ）に示すように、キャリア（搬送治具）１００に装填し、水晶振動体６１の実装工程（Ｅ）に移行する。まず、セラミック基板６２の上の配線層８１に導電ペースト８４を塗布し、水晶振動体６１を搭載する。その後に加熱する。例えば、導電ペースト８４がＡｇ含有の熱硬化性樹脂であるとき、その加熱温度は約１８０℃である。
【００１５】
水晶振動体６１の実装が完了した後、セラミック基板６２は周波数の調整工程（Ｆ）に移行する。ここで、セラミック基板６２を、マスク１０１ａを備えた専用のキャリア１０１に装填し直し、真空雰囲気内で、測定した周波数に応じて水晶振動体６１の一部にＡｕを蒸着することによって行う。周波数調整後のセラミック基板６２は、カーボン治具１０２に移し替える。
【００１６】
次いで、封止工程（Ｇ）に移行する。ここでは、予めセラミック基板６２の接合位置に箔状の低温金属ロウ材（ここでは、Ａｕ−Ｓｎ合金のロウ材を使用）を配設して接合層８５を形成した後、セラミック基板６２と蓋部材６３（ここではコバールを使用）とを重ね合わせて、専用のカーボン治具１０２に収納した状態で、封止炉内で接合層８５を介してロウ付けし気密封止する。このようにして作製した水晶振動子７０は、完成検査の後に市場に出される。
【００１７】
図２４は、他の圧電デバイスである水晶発振器用の集合基板状態のセラミック基板を示している要部下面図である。ここで、四つの端子電極１１２が個別基板に相当するセラミック基板９２の各コーナー部に近接して設けられており、端子電極１１２は、長辺方向のブレイク線１１９に沿って配設されたスルーホール９２ｅの厚膜導電体に接続している。同様に、隣り合う基板の端子電極１１２もこのスルーホール９２ｅと接続導通している。図２５はその他の水晶発振器の集合基板状態のセラミック基板１２２の要部下面図である。ここでは、コーナー部のスルーホール１２２ｃの厚膜導電体を介して隣接するセラミック基板１２２の端子電極１３２は互いに導通している。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した製造方法やその他の多数個取り方式に基づく製造方法には、多くの問題点が存在していた。即ち、圧電振動体の実装工程において、早くもセラミック基板を集合基板状態から単個に切り出して、キャリアに詰める作業が必要であった。従って、その後の周波数調整工程、封止工程においても、単個のセラミック基板に対して作業が行われていて、集合基板を基準とした搬送や組立等の作業ができていなかった。また、従来の集合基板では、各個別基板の端子電極同士をすべて導通させて電気メッキしていたので、集合基板に圧電振動体を搭載した状態で圧電デバイスを駆動し調整することはできなかった。
【００１９】
また、セラミック基板を単個に切り離す際に、切り粉がキャビティの内部に入り込んだり、セラミック基板をキャリアに装填する際には、セラミック基板の堅いエッジが切れ刃となって金属キャリヤを削って切り粉を発生させるという問題があった。更に、封止工程ではカーボン治具を用いていたために、カーボン治具から塵埃が剥離してキャビティへ進入することが避けられなかった。そして、一旦キャビティに入り込んだ切り粉などのゴミは容易に取りきれないという問題があった。ゴミが性能に及ぼす影響は、圧電デバイスが小型になるほど増大するので、小型圧電デバイスを製造する企業にとっては、塵埃の排除のために膨大な資本投入が必要になっている。
【００２０】
以上のように、集合基板を十分に活用できず、圧電デバイスのコストダウンが今ひとつ進まないという問題があった。また、キャリア詰めや、専用キャリアへの移し替え作業がついて回り、製造工程が煩雑であった。
【００２１】
上記発明は、以上のような従来の問題を解決するためになされたものであり、その目的は、水晶振動子を初めとする各種圧電デバイスの集合基板を、全工程にわたって十分に活用して製造できるようにした圧電デバイス用集合基板、圧電デバイス及びその製造方法を提供することである。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
前述した目的を達成するための本発明の手段は、集合基板を切断して平面形状が略方形である複数の個別基板を得るための構造であって、前記集合基板の一方の面には、複数の前記個別基板に対応して、圧電振動体を搭載するための接続電極を配列し、他方の面には、前記接続電極と導通した端子電極を、前記端子電極と導通する前記接続電極が対応した前記個別基板にそれぞれ配列し、前記個別基板の輪郭に対応する切断箇所には、それぞれの前記個別基板の前記端子電極と導通した側面電極を配設するためのスルーホールを配列し、前記スルーホールに配設した前記側面電極は前記端子電極の一つとだけ導通し、各電極にメッキが施された圧電デバイス用集合基板において、前記端子電極は二つ配設されており、一方の前記端子電極は前記個別基板の第１辺に沿って配設した第１スルーホール内の第１側面電極と、前記第１辺に隣接する第２辺に沿って配設した第２スルーホール内の第２側面電極に導通しており、他方の端子電極は、前記第１辺と対向する第３辺に沿って配設した第３スルーホール内の第３側面電極と、前記第３辺と隣接する第４辺に沿って配設した第４スルーホール内の第４側面電極に導通していることを特徴とする。
【００２３】
前述した目的を達成するための本発明の更に他の手段は、前記集合基板の前記接続電極に圧電振動体を搭載し、該圧電振動体を蓋部材で封止した後に前記集合基板を前記切断箇所に沿って切断して得られることを特徴とする。
【００２４】
前述した目的を達成するための本発明の更に他の手段は、集合基板の一方の面に、平面形状が略方形である複数の個別基板に対応して、圧電振動体を搭載するための接続電極を配列する工程と、前記集合基板の他方の面に、前記接続電極と導通した端子電極を、前記端子電極と導通する前記接続電極が対応した前記個別基板にそれぞれ配列する工程と、前記個別基板の輪郭に対応する切断箇所に、それぞれの前記個別基板の前記端子電極の一つとだけ導通した側面電極を配設するためのスルーホールを配列する工程と、各電極にメッキを施す工程と、前記接続電極に前記圧電振動体を搭載する工程と、前記集合基板に搭載した複数の前記圧電振動体に対して調整作業を施す工程と、調整した前記圧電振動体を蓋部材で封止する工程と、前記集合基板を前記切断箇所に沿って切断して単個の圧電デバイスを得る工程とからなり、前記前記端子電極は二つ配設されており、一方の前記端子電極は前記個別基板の第１辺に沿って配設した第１スルーホール内の第１側面電極と、前記第１辺に隣接する第２辺に沿って配設した第２スルーホール内の第２側面電極に導通しており、他方の端子電極は、前記第１辺と対向する第３辺に沿って配設した第３スルーホール内の第３側面電極と、前記第３辺と隣接する第４辺に沿って配設した第４スルーホール内の第４側面電極に導通していることを特徴とする。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の第一の実施の形態である圧電デバイスの一つ、水晶振動子を図面に基づいて詳細に説明する。図１は本発明の第一の実施の形態である水晶振動子の断面図であり、図２はこの水晶振動子の側面図である。図３はこの水晶振動子の下面図、図４はこの水晶振動子の集合基板状態のセラミック基板の要部下面図、図５はこの水晶振動子の製造方法を示す断面図である。
【００２６】
まず、本発明の第一の実施の形態である水晶振動子の構成を説明する。図１に示す断面図は、従来技術で説明したものと同様である。従って、従来と同じ構成要素には同じ名称を用いて、詳細な説明は省略する。１０は圧電デバイスである水晶振動子であり、１は水晶振動体、２は圧電デバイス用基板であるセラミック基板、３は蓋部材である。１２はセラミック基板２のキャビティ、２１、２６はセラミック基板２の上面の配線層、２２は同じく下面の配線層であり、図示しない電子機器の回路基板に接続する端子電極となっている。２３は配線層２１と配線層２２とを接続する内部配線、２４は水晶振動体１を配線層２１に固定している導電ペーストである。２５は蓋部材３を配線層２６に接合している接合層である。
【００２７】
図２において、２８は、セラミック基板２の四隅のスルーホール２ｃに形成された配線であり、図３に示すセラミック基板２のコーナー電極２２ｃに接続され、セラミック基板２の上面から離間した部分にまで形成されている。図３において、セラミック基板２は平面形状が略方形であり、本実施形態では、図３右側の短辺を第１辺としたとき、反時計方向へ順番に第２辺、第３辺、第４辺としている。二つの端子電極である配線層２２は、セラミック基板２の両短辺である第１辺、並びにこれと対向する第３辺に近接して配設されている。第１辺側の端子電極は、第１辺に沿って配設された２カ所のスルーホール（実際は半分に分割されている）２ｄの側面電極の一つと延在部２２ａを介して導通しており、第３辺側の端子電極は、第３辺に沿って配設された２カ所のスルーホール２ｄの側面電極の一つと延在部２２ａを介して導通している。
【００２８】
図４において、複数の個別基板であるセラミック基板２を多数個取りするように配列した圧電デバイス用集合基板の一方の面には、複数のセラミック基板２に対応して、水晶振動体１を搭載するための接続電極である配線層２１を配列し、他方の面には、複数のセラミック基板２に対応して、配線層２１と導通した端子電極である配線層２２を配列してある。切断箇所であるブレイク線２９に沿って、複数のセラミック基板２に対応して、配線層２２と導通した側面電極を配設するためのスルーホール２ｄがコーナー部を避けて配列され、各電極には無電界Ｎｉメッキの下地の上に無電界Ａｕメッキが施されている。すなわち、集合基板において、スルーホール２ｄに配設した側面電極は、配線層２２の一つとだけ導通している。なお、セラミック基板２のコーナー電極２２ｃは、集合基板内で隣り合うセラミック基板２のコーナー電極２２ｃと接続している。
【００２９】
次に、水晶振動子１０の製造工程を、図５を用いて説明する。集合基板状態のセラミック基板２を完成するまでの工程は、従来技術として説明した図２２の（Ｂ）工程までとほぼ同じである。但し、配線層２１、２２及び２６上に施すメッキが従来と異なり、Ｎｉ＋Ａｕの無電界メッキとなっている。この工程の後に、図５の（Ａ）工程へ移行する。ここで、セラミック基板２上の搭載位置をカメラで認識しながら、導電ペースト２４を介して水晶振動体１を配線層２１上に固定する。なお、図示しないが、導電ペースト２４が硬化するまで、水晶振動体１の先端部を支持する部材が必要である。
【００３０】
次ぎに、（Ｂ）工程に移行して、周波数調整を行う。このとき、集合基板単位で、真空雰囲気に入れ、集合基板内の個別基板であるセラミック基板２に対して、順次端子電極から通電して周波数を測定しながら、水晶振動体１の矢印の位置にＡｕ蒸着、あるいはイオンビームエッチングを施す。
【００３１】
次に、（Ｃ）工程に移行する。ここで、配線層２６上にＡｕ−Ｓｎロウ材から成る接合層２５を形成して、蓋部材３を被せ、真空雰囲気で接合層２５をリフローして溶着させる。最後に、集合基板をブレイク線２９に沿って切り離して、水晶振動子１０を取り出し、完成検査後に出荷する。
【００３２】
次に、第一の実施形態の作用・効果について説明する。集合基板内において、隣接するセラミック基板２の配線層２２同士が互いに分離されているので、集合基板上で個別基板ごとに、水晶振動体１の測定及び周波数調整ができるようになった。また、配線層２２は側面電極の一つと導通しているので、水晶振動子１０を回路基板に表面実装した際に、配線層２２を固定する半田が、側面電極に濡れ上がったのを視認することで、半田付けの成否を確認することができる。
【００３３】
そして、実装から封止までの全工程で集合基板を単位に搬送できるから、従来必要だった各種キャリアが不要になると共に、キャリア使用に付随するキャリア詰め工数の削減ができる。また、キャリアからセラミック基板２のキャビティ１２へのゴミの侵入を防止できる。
【００３４】
次に、本発明のその他の実施の形態である水晶振動子の構成について説明する。図６は第二の実施の形態である水晶振動子の下面図、図７は図６の振動子の集合基板の要部下面図である。図８は第三の実施の形態である水晶振動子の下面図、図９は図８の振動子の集合基板の要部下面図である。図１０は本発明の第四の実施の形態である水晶振動子の下面図、図１１は図１０の振動子の集合基板の要部下面図である。図１２は本発明の第五の実施の形態である水晶振動子の下面図、図１３は図１２の振動子の集合基板の要部下面図である。図１４は本発明の第六の実施の形態である水晶振動子の下面図、図１５は図１４の振動子の集合基板の要部下面図である。
【００３５】
図６、図７において、第二の実施の形態が第一の実施の形態と異なるところは、二つの端子電極である配線層２２の一方は、セラミック基板２の一方の長辺である第１辺にあるスルーホール２ｅの側面電極に、他方は第１辺と対向する第３辺にあるスルーホール２ｅの側面電極に導通しているところである。
【００３６】
図８、図９において、第三の実施の形態が第二の実施の形態と異なるところは、二つの端子電極である配線層２２が、セラミック基板２の一方の長辺に沿って配設した別個のスルーホール２ｅの側面電極に導通しているところである。
【００３７】
図１０、図１１において、第四の実施の形態は、第一の実施の形態と第二の実施の形態とを合体させた形態である。即ち、端子電極は二つ配設されており、一方の端子電極は、セラミック基板２の第１辺に沿って配設された第１スルーホール２ｄ内の第１側面電極と、第１辺に隣接する第２辺に沿って配設した第２スルーホール内の第２側面電極とに導通しており、他方の電極は、第１辺と対向する第３辺に沿って配設した第３スルーホール内の第３側面電極と、第３辺と隣接する第４辺に沿って配設された第４側面電極とに導通している。なお、ここで、第２側面電極が第４辺に、第４側面電極が第２辺にある形態であってもよい。
【００３８】
図１２、図１３において、第五の実施の形態は、二つの端子電極のうち、一方は第一の実施の形態と同じ、他方は第三の実施の形態と同じ形態である。即ち、一方の端子電極はセラミック基板２の第１辺に沿って配設されたスルーホール２ｄ内の側面電極に導通しており、他方の端子電極は第１辺に隣接した第２辺または第４辺に沿って配設されたスルーホール２ｅ内の側面電極に導通している。
【００３９】
以上、水晶振動子を例にあげて、本発明の実施の形態を説明したが、本発明の技術思想は、水晶振動子に限らず、圧電デバイス一般に広く応用できるものである。例えば、図１４は、本発明の第六の実施の形態である水晶発振器の下面図であり、図１５はその集合基板の要部下面図である。
【００４０】
図１４において、３２はセラミック基板、５２は４コーナーに近接して設けられた四つの端子電極である配線層であり、配線層５２は、セラミック基板５２の四辺に沿って分散配設したスルーホール３２ｄ、３２ｅ内の側面電極の一つに延在部５２ａを経由して導通している。図１５に示すように、集合基板上では、スルーホール３２ｄ、３２ｅに配設した側面電極は、いずれも端子電極の一つとだけ導通している。以上の実施の形態では、何れにしても、集合基板において、スルーホール内のどの側面電極も、一つの端子電極とだけ導通している。
【００４１】
【発明の効果】
以上説明したように、複数の個別基板である圧電デバイス用基板を配設した圧電デバイス用集合基板において、ブレイク線に沿ってスルーホールを配設し、どのスルーホール内の側面電極も端子電極の一つとだけ導通させたので、個別基板同士の配線が切り離された結果、集合基板上での圧電デバイスの単独発振が可能となり、周波数調整や電気特性の計測が可能になるなど、集合基板を基準に搬送する生産方式をフルに活用することができて、圧電デバイスの大幅なコストダウンを達成することができた。
【００４２】
また、個別基板である圧電デバイス用基板は、平面形状が略方形であり、端子電極と導通した側面電極を有するスルーホールは、個別基板のコーナー部を避けた少なくとも何れか一辺に沿って配設したので、圧電デバイスを電子機器の回路基板に実装した場合に、端子電極を接合する半田が側面電極に塗れ上がるのを視認することにより、半田付けの成否を容易に確認することができる。また、コーナー部に設けた側面電極よりも幅の広い側面電極にできるので、半田の塗れ上がり確認がわかりやすくなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態である水晶振動子の断面図である。
【図２】本発明の実施の形態である水晶振動子の側面図である。
【図３】本発明の第一の実施の形態である水晶振動子の下面図である。
【図４】本発明の第一の実施の形態である水晶振動子の集合基板の要部下面図である。
【図５】本発明の実施の形態である水晶振動子の製造工程を説明する工程図である。
【図６】本発明の第二の実施の形態である水晶振動子の下面図である。
【図７】本発明の第二の実施の形態である水晶振動子の集合基板の要部下面図である。
【図８】本発明の第三の実施の形態である水晶振動子の下面図である。
【図９】本発明の第三の実施の形態である水晶振動子の集合基板の要部下面図である。
【図１０】本発明の第四の実施の形態である水晶振動子の下面図である。
【図１１】本発明の第四の実施の形態である水晶振動子の集合基板の要部下面図である。
【図１２】本発明の第五の実施の形態である水晶振動子の下面図である。
【図１３】本発明の第五の実施の形態である水晶振動子の集合基板の要部下面図である。
【図１４】本発明の第六の実施の形態である水晶発振器の下面図である。
【図１５】本発明の第六の実施の形態である水晶発振器の集合基板の要部下面図である。
【図１６】従来の水晶振動子の断面図である。
【図１７】従来の水晶振動子の下面図である。
【図１８】従来の水晶振動子の集合基板を示す要部下面図である。
【図１９】従来の水晶振動子の製造工程を示す平面図である。
【図２０】従来の水晶振動子の製造工程を示す平面図である。
【図２１】従来の水晶振動子の製造工程を示す平面図である。
【図２２】従来の水晶振動子の製造工程を示す断面図である。
【図２３】従来の水晶振動子の製造工程を示す断面図である。
【図２４】従来の水晶発振器の集合基板の要部下面図である。
【図２５】従来の水晶発振器の集合基板の要部下面図である。
【符号の説明】
１０水晶振動子
１水晶振動体
２、３２セラミック基板
２ｄ、２ｅ、３２ｄ、３２ｅスルーホール
３蓋部材
２２、５２配線層（端子電極）
２２ａ、５２ａ延在部
２８配線
２９ブレイク線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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