(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
バンクによって区画された領域に液体材料を配置して膜を形成する工程を有する電気光学装置の製造方法において、
前記液体材料の配置の前に、プラズマ処理によって前記バンクの表面を撥液性に加工する撥液化工程と、
前記バンクと同一材料からなる物体の、前記液体材料に対する動的接触角を測定する測定工程と、
前記測定工程の測定結果から前記撥液化工程の処理条件を決定する工程と
を有し、
前記撥液化工程では、前記動的接触角を随時測定し、目標値から離れないように前記処理条件を管理することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記撥液化工程では、前記動的接触角としての後退接触角が２９°〜４５°の範囲内になるように、前記処理条件を管理することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記撥液化工程の前に、前記バンクの表面を親液性に加工する親液化工程を有することを特徴とする請求項１または請求項２のうちのいずれかに記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
バンクによって区画された領域に液体材料を配置して膜を形成する膜形成装置を備える電気光学装置の製造装置において、
プラズマ処理によって前記バンクの表面を撥液性に加工する撥液化装置と、
前記バンクと同一材料からなる物体の、前記液体材料に対する動的接触角を測定する測定装置と、
前記測定装置の測定結果から撥液化装置の処理条件を決定する制御装置と
を備え、
前記撥液化装置は、前記処理条件に基づいて、加工することを特徴とする電気光学装置の製造装置。
【請求項５】
前記バンクの表面を撥液性に加工する前に、前記バンクの表面を親液性に加工する親液化装置を備えることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気光学装置の製造方法及び電気光学装置の製造装置、電気光学装置、並びに電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
有機エレクトロルミネッセンス（以後、ＥＬと称する）素子を発光素子として備える電気光学装置（有機ＥＬ表示装置）は、高輝度で自発光であること、直流低電圧駆動が可能であること、応答が高速であること、固体有機膜による発光であること等から表示性能に優れており、また、表示装置の薄型化、軽量化、低消費電力化、大型化が可能であるため、次世代の表示装置として期待されている。
【０００３】
図１９は、有機ＥＬ表示装置の要部の代表的な構成を示す断面模式図である。有機ＥＬ表示装置は、基板９００上に、回路素子部９０１、画素電極（陽極）９０２、発光層を含む有機機能層９０３、対向電極（陰極）９０４、及び封止部９０５等が順次積層された構造からなる。このうち画素電極９０２、機能層９０３、及び対向電極９０４等により、発光素子（有機ＥＬ素子）が構成される。
【０００４】
この表示装置においては、回路素子部９０１の駆動制御により、画素電極９０２及び対向電極９０４に挟まれた機能層９０３が発光し、その光が回路素子部９０１及び基板９００を通過して射出されるとともに、機能層９０３から基板９００の反対側に発した光が対向電極９０４により反射されて回路素子部９０１及び基板９００を通過して射出される。
【０００５】
有機ＥＬ素子の形成材料を基板上に配置する技術としては、蒸着により成膜する方法、各種コーティング法により塗布する方法などが知られている。また、粘度の低い液体材料を基板上に配置する際には、隣接する複数の領域の材料同士が混じらぬように、その領域を区画する仕切り部材としてのバンク（図１９に示す符号９１０）を設ける場合が多い。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、バンクによって区画された領域に液体材料を配置する場合、液体材料がバンクの表面（壁面）の影響を受け、形成される層（あるいは膜）の平坦性が損なわれやすい。有機ＥＬ素子を構成する層の平坦性が低下すると、発光ムラとなって有機ＥＬ表示装置の性能低下を招きやすい。
【０００７】
本発明は、上述する事情に鑑みてなされたものであり、バンクによって区画された領域内に平坦な膜を容易かつ安定的に形成することができる電気光学装置の製造方法及び電気光学装置の製造装置を提供することを目的とする。
また、本発明は、性能が向上した電気光学装置を提供することを目的とする。また、本発明は、表示手段の性能が向上した電子機器を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の電気光学装置の製造方法は、バンクによって区画された領域に液体材料を配置して膜を形成する工程を有する電気光学装置の製造方法において、前記液体材料の配置の前に、プラズマ処理によって前記バンクの表面を撥液性に加工する撥液化工程と、前記バンクと同一材料からなる物体の、前記液体材料に対する動的接触角を測定する測定工程と、前記測定工程の測定結果から前記撥液化工程の処理条件を決定する工程とを有し、前記撥液化工程では、前記動的接触角を随時測定し、目標値から離れないように前記処理条件を管理することを特徴とする。
上記の電気光学装置の製造方法によれば、バンクの表面を撥液性に加工する際に、動的接触角を指標として用いることにより、撥液化の処理条件の管理が容易となる。そのため、膜の平坦化に対する撥液化の処理条件の最適化が確実に行われる。なお、ここでいう撥液性とは、バンクによって区画された領域に配置される液体材料に対して非親和性をしめす特性である。
【０００９】
具体的には、前記撥液化工程では、例えば、プラズマ処理によって前記バンクの表面を撥液性に加工するとともに、前記動的接触角を指標として、プラズマ処理の処理時間を管理するとよい。プラズマ処理の処理時間を変化させることによって、バンク表面の撥液性を制御することが可能である。また、プラズマ処理は、原料の選択等によって、処理対象の表面に様々な特性を与えることができるとともに、その制御を行いやすい。
【００１０】
上記電気光学装置の製造方法において、前記撥液化工程では、前記動的接触角が２９°〜４５°の範囲内になるように、処理条件を管理するのが好ましい。動的接触角が２９°未満だと、撥液性が不十分となり、バンク近傍の膜厚が厚くなるので好ましくなく、動的接触角が４５°を超えると、撥液性が高くなりすぎて、バンク近傍の膜厚が薄くなるので好ましくない。
【００１１】
また、上記電気光学装置の製造方法において、前記撥液化工程の前に、前記バンクの表面を親液性に加工する親液化工程を有してもよい。撥液化の前にバンクの表面を親液性に加工することにより、撥液化を促進させることが可能となる。なお、ここでいう撥液性とは、バンクによって区画された領域に配置される液体材料に対して非親和性をしめす特性である。
【００１２】
本発明の電気光学装置の製造装置は、バンクによって区画された領域に液体材料を配置して膜を形成する膜形成装置を備える電気光学装置の製造装置において、プラズマ処理によって前記バンクの表面を撥液性に加工する撥液化装置と、前記バンクと同一材料からなる物体の、前記液体材料に対する動的接触角を測定する測定装置と、前記測定装置の測定結果から撥液化装置の処理条件を決定する制御装置とを備え、前記撥液化装置は、前記処理条件に基づいて、加工することを特徴とする。
上記電気光学装置の製造装置によれば、上記構成により、液体材料に対する動的接触角を指標として、バンクの表面を撥液性に加工することができる。
この場合、前記測定装置の測定結果に基づいて、前記撥液化装置の処理条件が管理されることにより、撥液化の処理条件の最適化が確実に行われ、バンクの間に形成される膜が安定的に平坦化される。
【００１３】
また、上記電気光学装置の製造装置において、前記バンクの表面を撥液性に加工する前に、前記バンクの表面を親液性に加工する親液化装置を備えてもよい。撥液化工程の前に、バンクの表面を親液性に加工することにより、撥液化を促進させることが可能となる。
【００１４】
本発明の電気光学装置は、上記電気光学装置の製造装置を用いて製造されたことを特徴とする。
上記電気光学装置によれば、上述した製造装置を用いて電気光学装置が製造されることから、バンクの間に形成される膜が安定的に平坦化されるので、その性能の向上が図られる。
【００１５】
本発明の電子機器は、上述した電気光学装置を表示手段として備えることを特徴とする。
上記電子機器によれば、表示手段の性能の向上を図ることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について詳しく説明する。
図１は、本発明の電気光学装置としての有機ＥＬ装置の製造方法を概念的に示す図である。本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、バンク１０によって区画された領域に液体材料を配置し、その液体材料を乾燥させて膜１２を形成する工程（図１（ｂ））と、その液体材料の配置の前に、バンク１０の表面を撥液性に加工する工程（図１（ａ））とを有する。
【００１７】
バンク１０は、基体上に設けられており、例えば、樹脂等の有機物あるいは無機物からなる。また、液体材料としては、有機ＥＬ装置に用いられる機能層（発光層や正孔輸送層を含む）の形成材料など、水系及び有機系のいずれも適用される。
【００１８】
バンク１０による窪みの内部に、液体材料によって膜（あるいは層）を形成する場合、液体材料がバンク１０の表面（壁面）の影響を受け、膜の平坦性が損なわれやすい。本発明者らは、この一般的な事実と、バンク１０の間に膜を形成する場合、特に、バンク１０の壁面の特性に応じて膜の平坦性が大きく変化するという事実に着目し、鋭意検討の結果、バンク１０間に形成される膜の平坦性は、液体材料に対するバンク１０壁面の動的接触角θに関係することを解明し、この動的接触角θを指標として用いることにより、本発明を完成した。
【００１９】
すなわち、本発明においては、動的接触角を指標として用いることにより、撥液化の処理条件の管理を容易にしている。例えば、使用する液体材料に対して、膜の平坦化に最適な動的接触角の目標値を予め求めておき、以後、バンクの壁面がその動的接触角になるように、撥液化の処理条件を管理することで、平坦な膜を容易かつ確実に得ることができる。つまり、実際に膜を形成しなくても、バンクの動的接触角を測定することで、撥液処理後のバンク壁面の特性が膜の平坦化に適しているかどうかの判別が可能となり、撥液化の処理条件の管理が容易となる。したがって、本発明の製造方法では、撥液化の処理条件が確実に最適化され、平坦な膜を安定的に得ることが可能となる。
【００２０】
撥液化の方法としては、例えば、プラズマ処理法（プラズマ重合法）や、共析メッキ法の他に、金チオールで撥液化する手法、あるいはＦＡＳ（フルオロアルキルシラン）で撥液処理する手法など、公知の様々な手法が採用可能である。このうち、プラズマ処理法は、原料の選択等によって、処理対象の表面に様々な特性を与えることができるとともに、その制御を行いやすいという利点を有する。
【００２１】
上記プラズマ処理法では、例えば、テトラフルオロメタン（四フッ化炭素）などのフッ素系の処理ガスをプラズマ化し、それを対象物体の表面に照射する（ＣＦ4 プラズマ処理）。これにより、対象物体の表面に、フッ素基が導入されて撥液性が付与される。なお、処理ガスとしては、テトラフルオロメタン（四フッ化炭素）に限らず、他のフルオロカーボン系のガスを用いてもよい。さらに、液体材料に対する撥液性を付与可能なものであれば、フッ素系以外の処理ガスを用いてもよい。
【００２２】
また、上記プラズマ重合法によって対象物体の表面をフッ素化する場合、対象物体の種類によっては、その表面を予め親液化あるいは活性化することにより、上記フッ素化を促進させることが可能である。こうした前処理は、例えば、上述したプラズマ重合法において、酸素を処理ガスとして用いることにより実施できる（Ｏ2 プラズマ処理）。この場合、対象物体の表面に、プラズマ状態の酸素を照射することにより、その表面が親液化あるいは活性化される。
【００２３】
また、上記プラズマ処理法によって、バンクに撥液性を付与する場合、プラズマ処理の処理時間を変化させることにより、液体材料に対するバンク表面の動的接触角を制御することができる。例えば、プラズマ状態の処理ガスをバンクの表面に照射する時間を長くすると、バンク表面の撥液性が向上し、その動的接触角が大きくなる。したがって、バンク表面の動的接触角を測定した結果に基づいて、プラズマ処理の処理時間を管理することにより、バンク表面の動的接触角を、膜の平坦化に最適な動的接触角に近づけることができる。
【００２４】
動的接触角については、その測定法がいくつか知られているが、測定対象の物体表面に液滴を形成するとともに、その液滴を変形させ、その変形時の液滴周辺部の接触角（前進接触角、後退接触角）を求めるものが一般的である。この場合、接触角は、例えばＣＣＤカメラなどの観察手段で観察し、その観察結果を解析することにより求めることができる。
【００２５】
図２は、動的接触角の測定例を示しており、この例では、測定対象の物体１５をステージ１６上に載置し、物体１５上に液滴を作成し、その液滴にニードル１７を接触させる。その後、ニードル１７をその場に固定したままでステージ１６を移動させる。このとき、ステージ１６の移動方向における物体１５の端部の接触角が動的接触角θ（この例では後退接触角）となる。
【００２６】
また、動的接触角の測定において、バンクを直接測定するのではなく、測定対象として、少なくとも表面部分がバンクと同一材料及び特性を有する物体を用いて間接的に測定してもよい。例えば、バンクと同一材料からなる物体の表面を、バンクと同一処理条件で撥液性に加工し、その処理後の物体表面について、動的接触角を測定する。これにより、撥液処理後のバンク表面の動的接触角を間接的に測定することが可能となる。間接的な測定を用いる場合、有機ＥＬ装置の製造過程において、その製造処理を中断させることなく、バンクの撥液性についての確認や、処理条件の管理が可能となる。そのため、平坦な膜がより安定的に得られる。
【００２７】
図３は、本発明の電気光学装置としての有機ＥＬ装置の製造装置を概念的に示す図である。本発明の有機ＥＬ装置の製造装置２０は、バンク１０の表面（壁面）を撥液性に加工する撥液化装置２１と、液体材料に対する動的接触角を測定する測定装置２２と、バンク１０によって区画された領域に液体材料を配置して膜を形成する膜形成装置２３と、これらを統括的に制御する制御装置２４とを備え、上述した本発明の製造方法に基づいて、有機ＥＬ装置を製造する。つまり、膜形成装置２３による液体材料の配置の前に、その液体材料に対する動的接触角を指標として、撥液化装置２１によってバンク１０の表面を撥液性に加工する。
【００２８】
上記製造装置２０では、例えば、膜の平坦化に最適な動的接触角の目標値が制御装置２４に記憶されている。測定装置２２は、バンク表面の動的接触角を測定し、その測定結果を制御装置２４に送る。制御装置２４は、撥液処理後のバンク表面の動的接触角が目標値に近づくように、処理時間などの撥液化装置２１の処理条件を定める。なお、動的接触角の測定時、バンクを直接測定するのではなく、バンクと同一材料からなる物体を代わりに用いて動的接触角を測定してもよい。撥液化の処理条件が決定すると、その処理条件に基づいて、撥液化装置２１により、バンク表面を撥液性に加工する。
【００２９】
バンク表面を撥液性に加工した後、膜形成装置２３によって撥液処理後のバンクの内部に液体材料を配置する。このとき、バンク表面の撥液性が所望の動的接触角に加工されているので、バンク間に形成される膜１２（あるいは層）は良好に平坦化される。なお、平坦な膜を安定的に得ることを目的として、撥液処理後のバンク表面（またはそれに代わる物体表面）の動的接触角を随時測定し、目標値から離れないように撥液化装置２１の処理条件を管理するのが好ましい。
【００３０】
このように、本発明の有機ＥＬ装置の製造装置２０では、測定装置２２によるバンク表面の動的接触角の測定結果に基づいて、撥液化装置２１の処理条件を管理することにより、膜形成装置２３によって得られる膜が安定的に平坦化される。なお、撥液化装置２１の前段に、バンク表面を親液性に加工する親液化装置を備えることで、撥液化の促進を図ることが可能である。
【００３１】
ここで、上記膜形成装置における液体材料の配置技術、すなわち、バンクによる窪みの内部に液体材料を配置する技術としては、液滴吐出法（いわゆるインクジェット法）、ディスペンスコート法、あるいはスピンコート法など、各種コート法の適用が可能である。上記コート法のうち、液滴吐出法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。
【００３２】
液滴吐出技術（インクジェット法）としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換式、電気熱変換方式、静電吸引方式などが挙げられる。帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御してノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に超高圧を印加してノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進してノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散してノズルから吐出されない。また、電気機械変換方式（ピエゾ方式）は、ピエゾ素子（圧電素子）がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって材料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し出してノズルから吐出させるものである。また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。また、この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。
【００３３】
図４は、本発明の電気光学装置をアクティブマトリクス型の表示装置（有機ＥＬ表示装置）に適用した実施の形態例であり、上記本発明の製造装置を用いて製造される有機ＥＬ素子を発光素子として備える。また、この表示装置は、薄膜トランジスタを用いたアクティブ型の駆動方式を採用している。
【００３４】
表示装置１００は、基板１２１の上に、回路素子としての薄膜トランジスタを含む回路素子部１４６、発光層を含む発光部１４０、陰極１５４、及び封止部１４７等を順次積層した構造からなる。
【００３５】
基板１２１としては、本例ではガラス基板が用いられる。本発明における基板としては、ガラス基板の他に、シリコン基板、石英基板、セラミックス基板、金属基板、プラスチック基板、プラスチックフィルム基板等、電気光学装置や回路基板に用いられる公知の様々な基板が適用される。
【００３６】
基板１２１上には、発光領域としての複数の画素領域１０２がマトリクス状に配列されており、カラー表示を行う場合、例えば、赤（Ｒｅｄ）、緑（Ｇｒｅｅｎ）、青（Ｂｌｕｅ）の各色に対応する画素領域１０２が所定の配列で並ぶ。
各画素領域１０２には、画素電極１４１が配置され、その近傍には信号線１３２、共通給電線１３３、走査線１３１及び図示しない他の画素電極用の走査線等が配置されている。画素領域１０２の平面形状は、図に示す矩形の他に、円形、長円形など任意の形状が適用可能である。
【００３７】
封止部１４７は、水や酸素の侵入を防いで陰極１５４あるいは発光部１４０の酸化を防止するものであり、基板１２１に塗布される封止樹脂、及び基板１２１に貼り合わされる封止基板（封止缶）１４８等を含む。封止樹脂の材料としては、例えば、熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂等が用いられ、特に、熱硬化樹脂の１種であるエポキシ樹脂が好ましく用いられる。封止基板１４８は、ガラスや金属等からなり、基板１２１と封止基板１４８とはシール剤を介して張り合わされている。基板１２１の内側には乾燥剤が配置されており、基板間に形成された空間にはＮ2ガスを充填したＮ2ガス充填層１４９が形成されている。
【００３８】
画素領域１０２には、走査線１３１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の第１の薄膜トランジスタ１４２と、この薄膜トランジスタ１４２を介して信号線１３２から供給される画像信号を保持する保持容量１４５と、保持容量１４５によって保持された画像信号がゲート電極に供給される駆動用の第２の薄膜トランジスタ１４３と、この薄膜トランジスタ１４３を介して共通給電線１３３に電気的に接続したときに共通給電線１３３から駆動電流が流れ込む画素電極１４１（陽極）と、画素電極１４１と対向電極１５４（陰極）との間に挟み込まれる発光部１４０とが設けられている。発光部１４０は、発光層としての有機ＥＬ層を含む層（機能層）を含み、発光素子である有機ＥＬ素子は、画素電極１４１、陰極１５４、及び発光部１４０等を含んで構成される。
【００３９】
画素領域１０２では、走査線１３１が駆動されて第１の薄膜トランジスタ１４２がオンとなると、そのときの信号線１３２の電位が保持容量１４５に保持され、この保持容量１４５の状態に応じて、第２の薄膜トランジスタ１４３の導通状態が決まる。また、第２の薄膜トランジスタ１４３のチャネルを介して共通給電線１３３から画素電極１４１に電流が流れ、さらに発光部１４０を通じて対向電極１５４に電流が流れる。そして、このときの電流量に応じて、発光部１４０が発光する。
【００４０】
本例の表示装置１００においては、発光部１４０から基板１２１側に発した光が、回路素子部１４６及び基板１２１を透過して基板１２１の下側（観測者側）に出射されるとともに、発光部１４０から基板１２１の反対側に発した光が陰極１５４により反射されて、その光が回路素子部１４６及び基板１２１を透過して基板１２１の下側（観測者側）に出射される（バックエミッション型）。なお、陰極１５４として、透明な材料を用いることにより陰極側から発光する光を出射させることもできる（トップエミッション型）。この場合、陰極用の透明な材料としては、ＩＴＯ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｎｉ、もしくはＰｄを用いる事ができる。また、陰極の膜厚としては７５ｎｍほどが好ましく、この膜厚よりも薄くした方がより好ましい。
【００４１】
図５は、上記表示装置１００における画素領域１０２近傍の断面構造を拡大した図である。この図５には３つの画素領域１０２が示されている。
回路素子部１４６には、基板１２１上にシリコン酸化膜からなる下地保護膜２０１が形成され、この下地保護膜２０１上に多結晶シリコンからなる島状の半導体膜２０４が形成されている。なお、半導体膜２０４には、ソース領域２０４ａ及びドレイン領域２０４ｂが高濃度Ｐイオン打ち込みにより形成されている。また、Ｐが導入されなかった部分がチャネル領域２０４ｃとなっている。
【００４２】
さらに、回路素子部１４６には、下地保護膜２０１及び半導体膜２０４を覆う透明なゲート絶縁膜２２０が形成され、ゲート絶縁膜２２０上にはＡｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ等からなるゲート電極２２９（走査線）が形成され、ゲート電極２２９及びゲート絶縁膜２２０上には透明な第１層間絶縁膜２５０と第２層間絶縁膜２７０が形成されている。ゲート電極２２９は半導体膜２０４のチャネル領域２０４ｃに対応する位置に設けられている。また、第１、第２層間絶縁膜２５０、２７０を貫通して、半導体膜２０４のソース、ドレイン領域２０４ａ、２０４ｂにそれぞれ接続されるコンタクトホール２７５、２７６が形成されている。
【００４３】
第２層間絶縁膜２７０上には、ＩＴＯ等からなる透明な画素電極１４１が所定の形状にパターニングされて形成され、一方のコンタクトホール２７５がこの画素電極１４１に接続されている。また、もう一方のコンタクトホール２７６が給電線１３３に接続されている。
このように、回路素子部１４６には、各画素電極１４１に接続された駆動用の薄膜トランジスタ１４３が形成されている。なお、回路素子部１４６には、前述した保持容量１４５及びスイッチング用の薄膜トランジスタ１４２も形成されているが、図５ではこれらの図示を省略している。
【００４４】
発光部１４０は、複数の画素電極１４１…上の各々の上に積層された機能層２９０と、各画素電極１４１及び機能層２９０の間に備えられて各機能層２９０を区画するバンク２８１とを主体に構成されている。また、機能層２９０上には陰極１５４が配置されている。発光素子である有機ＥＬ素子は、画素電極１４１、陰極１５４、及び機能層２９０等を含んで構成される。
ここで、画素電極１４１は、例えばＩＴＯにより形成されており、平面視略矩形にパターニングされて形成されている。この画素電極１４１の厚さは、５０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、１５０ｎｍ程度がよい。また、各画素電極１４１…の間には、バンク２８１が備えられている。
【００４５】
図６は、バンク２８１の平面構造の形態例を示している。
バンク２８１は、複数の画素領域１０２の境界に位置し、複数の画素領域１０２の配列に対応して開口を有して形成されている。
図６（ａ）の例では、バンク２８１は、マトリクス状に配列される複数の画素領域１０２に対応して格子状に設けられている。また、図６（ｂ）の例では、バンク２８１は、ストライプ状に配列される複数の画素領域１０２に対応してストライプ状に設けられている。なお、画素領域１０２の配列及びバンク２８１の平面形状はこれに限定されず、例えば一列ごとにずれた配列となるいわゆるデルタ配列の画素領域とそれに応じたバンク形状としてもよい。本例では、バンク２８１は図６（ａ）に示す格子状の平面構造からなる。
【００４６】
図５に戻り、バンク２８１は、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒性のあるレジストから形成された有機物層からなる。このバンク２８１の厚さ（高さ）は、例えば、０．１〜３．５μｍ程度に設定される。厚さが０．１μｍ未満では、後述する正孔注入／輸送層及び発光層の合計厚よりバンク２８１が薄くなりやすく、発光層がバンク２８１の上部から溢れるおそれがあるので好ましくない。また、厚さが３．５μｍを越えると、バンク２８１によって形成される段差が大きくなり、バンク２８１上に形成される陰極１５４のステップガバレッジを確保できなくなるので好ましくない。また、バンク２８１の厚さを２μｍ以上にすれば、駆動用の薄膜トランジスタ１４３との絶縁を高めることができる点でより好ましい。なお、上記バンクの厚さは一例であり、本発明はこれに限定されるものではない。
【００４７】
また、バンク２８１は、有機物からなるものに限らず、他の材料を用いてもよい。例えば、無機物のバンク層の上に有機物のバンク層を積層した構成としてもよい。この場合、無機物のバンク層としては、例えば、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化チタン、窒化タンタル等が用いられる。有機物のバンク層の下に無機物のバンク層を設けることにより、有機物のバンク層を通過した金属（例えば、アルカリ金属（可動イオン））が薄膜トランジスタに侵入するのを防止することができる。なお、バンク２８１が多層に積層された構成である場合、積層したそれぞれの層が上述した特性（撥液性）を有する必要はなく、少なくともいずれか一層（例えば最上層のバンク層のみ）が撥液性を有していればよい。
【００４８】
また、バンク２８１は、液体材料に対する動的接触角を指標として、その表面（壁面及び上面）が撥液性に加工されている。撥液性を示す領域は、４フッ化メタン、テトラフルオロメタン、もしくは四フッ化炭素を処理ガスとするプラズマ処理によって表面がフッ化処理（撥液性に処理）されている。本例では、バンク２８１表面の動的接触角（後退接触角）が２９°〜４５°の範囲内になっている。
【００４９】
機能層２９０は、画素電極１４１上に積層された正孔注入／輸送層２９０ａと、正孔注入／輸送層２９０ａ上に隣接して形成された発光層２９０ｂとから構成されている。なお、発光層２９０ｂに隣接してその他の機能を有する他の機能層をさらに形成してもよい。例えば、電子輸送層を形成してもよい。
【００５０】
正孔注入／輸送層２９０ａは、正孔を発光層２９０ｂに注入する機能を有するとともに、正孔を正孔注入／輸送層２９０ａの内部において輸送する機能を有する。このような正孔注入／輸送層２９０ａを画素電極１４１と発光層２９０ｂの間に設けることにより、発光層２９０ｂの発光効率、寿命等の素子特性が向上する。また、発光層２９０ｂでは、正孔注入／輸送層２９０ａから注入された正孔と、陰極１５４から注入される電子が再結合し、発光が得られる。
【００５１】
発光層２９０ｂは、赤色（Ｒ）に発光する赤色発光層２９０ｂ1、緑色（Ｇ）に発光する緑色発光層２９０ｂ2、及び青色（Ｂ）に発光する青色発光層２９０ｂ3、の３種類を有し、各発光層２９０ｂ1〜２９０ｂ3がストライプ配置されている。
【００５２】
正孔注入／輸送層２９０ａの形成材料としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸等の混合物を用いることができる。また、この他にも、特に限定されることなく公知の様々な材料が使用可能であり、例えばピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体等が挙げられる。これらの具体的な内容は、例えば、特開昭６３−７０２５７号、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号、同２−１３５３６１号、同２−２０９９８８号、同３−３７９９２号、同３−１５２１８４号公報などに記載されている。さらに、正孔注入／輸送層の形成材料として、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）や、ポリテトラヒドロチオフェニルフェニレンであるポリフェニレンビニレン、１，１−ビス−（４−Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノフェニル）シクロヘキサン、トリス（８−ヒドロキシキノリノール）アルミニウム等も適用される。
【００５３】
また、発光層２９０ｂの材料としては、例えば、［化１］〜［化５］に示す（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、またはこれらの高分子材料にルブレン、ペリレン、９，１０-ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープして用いることができる。
【００５４】
【化１】
0004123801.tif 000002
【００５５】
【化２】
0004123801.tif 000003
【００５６】
【化３】
0004123801.tif 000004
【００５７】
【化４】
0004123801.tif 000005
【００５８】
【化５】
0004123801.tif 000006
【００５９】
陰極１５４は、発光部１４０の全面に形成されており、画素電極１４１と対になって機能層２９０に電流を流す役割を果たす。この陰極１５４は、例えば、カルシウム層とアルミニウム層とが積層されて構成されている。このとき、発光層に近い側の陰極には仕事関数が低いものを設けることが好ましく、特にこの形態においては発光層２９０ｂに直接に接して発光層２９０ｂに電子を注入する役割を果たす。また、フッ化リチウムは発光層の材料によっては効率よく発光させるために、発光層２９０ｂと陰極１５４との間にＬｉＦを形成する場合もある。
なお、赤色及び緑色の発光層２９０ｂ1、２９０ｂ2にはフッ化リチウムに限らず、他の材料を用いてもよい。従ってこの場合は青色（Ｂ）発光層２９０ｂ3のみにフッ化リチウムからなる層を形成し、他の赤色及び緑色の発光層２９０ｂ1、２９０ｂ2にはフッ化リチウム以外のものを積層してもよい。また、赤色及び緑色の発光層２９０ｂ1、２９０ｂ2上にはフッ化リチウムを形成せず、カルシウムのみを形成してもよい。この場合、フッ化リチウムの厚さは、例えば２〜５ｎｍの範囲が好ましく、特に２ｎｍ程度がよい。またカルシウムのの厚さは、例えば２〜５０ｎｍの範囲が好ましい。
また、陰極１５４を形成するアルミニウムは、発光層２９０ｂから発した光を基板１２１側に反射させるもので、Ａｌ膜の他、Ａｇ膜、ＡｌとＡｇの積層膜等からなることが好ましい。また、その厚さは、例えば１００〜１０００ｎｍの範囲が好ましく、特に２００ｎｍ程度がよい。さらにアルミニウム上にＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＳｉＮ等からなる酸化防止用の保護層を設けてもよい。
【００６０】
次に、上記有機ＥＬ素子（及び有機ＥＬ表示装置）の製造方法の一例について、特に、（１）プラズマ処理工程、（２）正孔注入／輸送層形成工程、（３）発光層形成工程、（４）対向電極（陰極）形成工程について、図７〜図１７を参照しながら、詳しく説明する。
【００６１】
（１）プラズマ処理工程
プラズマ処理工程には、回路素子としての薄膜トランジスタ１４３、画素電極１４１、及びバンク２８１が形成された基板１２１が投入される。プラズマ処理工程は、画素電極１４１の表面を活性化すること、バンク２８１の表面を表面処理することなどを目的としており、画素電極１４１の表面の親液化処理や、バンク２８１表面の撥液化処理を行う。
【００６２】
プラズマ処理工程は、（ａ）予備加熱工程、（ｂ）活性化工程（親液化工程）、（ｃ）撥液化工程、及び（ｄ）冷却工程に大別される。なお、これに限らず、必要に応じて工程を追加あるいは削除してもよい。
【００６３】
図７は、プラズマ処理工程で用いられるプラズマ処理装置の構成例を模式的に示している。プラズマ処理装置５０は、予備加熱処理室５１、第１プラズマ処理室５２、第２プラズマ処理室５３、冷却処理室５４、及びこれらの各処理室５１〜５４に基板を搬送する搬送装置５５を含む。本例では、各処理室５１〜５４は、搬送装置５５を中心として放射状に配置されている。
【００６４】
プラズマ処理装置では、まず、予備加熱処理室５１において基板の予備加熱を行い、次に、第１，第２プラズマ処理室５２，５３において、活性化処理及び撥液化処理を行う。撥液化処理の後、基板を冷却処理室５４に搬送し、基板を室温まで冷却する。以下、各処理について詳細に説明する。
【００６５】
（ａ）予備加熱工程
予備加熱工程では、予備加熱処理室５１において、バンクを含む基板を所定の温度に加熱する。加熱温度は、次工程であるプラズマ処理の処理温度と同程度に設定され、例えば７０〜８０℃である。予備加熱は、次のプラズマ処理において、基板の温度変動を抑制し、処理の均一性を高めることを主な目的としている。加熱手段としては、例えば、基板が搭載されるプレート（ステージ）にヒータが内蔵された構成のものが用いられる。
【００６６】
（ｂ）活性化工程
活性化工程では、基板に対して、大気雰囲気中で酸素を処理ガスとしてプラズマ処理（Ｏ2プラズマ処理）を行う。Ｏ2プラズマ処理は、画素電極の仕事関数の調整及び制御、画素電極表面の洗浄、及び画素電極表面の親液化などを目的としている。また、Ｏ2プラズマ処理により、画素電極とともにバンク表面が親液化され、次の撥液化工程において、バンクの撥液化が促進される。
【００６７】
図８は、第１プラズマ処理装置５２の要部構成を模式的に示した図である。図８において、バンクを含む基板１２１は加熱ヒータ内臓の試料ステージ５６上に載置され、基板１２１の上側には所定のギャップ間隔（例えば０．５〜２ｍｍ程度）の距離をおいてプラズマ放電電極５７が基板１２１に対向して配置される。基板１２１は、試料ステージ５６によって加熱されるとともに、試料ステージ５６を介して図示矢印方向に所定の搬送速度で搬送される。この搬送中、基板１２１に対してプラズマ状態の酸素が照射される。
【００６８】
Ｏ2プラズマ処理の処理条件は、例えば、プラズマパワー１００〜８００ｋＷ、酸素ガス流量５０〜１００ｍｌ/ｍｉｎ、搬送速度０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度７０〜９０℃である。なお、試料ステージ５６の加熱は、主として予備加熱された基板の保温のために行われる。また、処理雰囲気は、大気雰囲気に限らず、例えば真空下としてもよい。
【００６９】
Ｏ2プラズマ処理により、図９に示すように、画素電極１４１の電極面、バンク２８１の壁面及び上面が親液処理される。つまり、これらの各面に水酸基が導入されて親液性が付与される。図９では、親液処理された部分を一点鎖線で示している。なお、このＯ2プラズマ処理により、上述した画素電極の洗浄、仕事関数の調整も行われる。
【００７０】
（ｃ）撥液処理工程
撥液化工程では、基板に対して、大気雰囲気中でテトラフルオロメタンを処理ガスとするプラズマ処理（ＣＦ4プラズマ処理）を行う。第２プラズマ処理室５３（図７参照）の要部構成は、図８に示した第１プラズマ処理室５２とほぼ同じである。すなわち、試料ステージによって基板が加熱及び搬送され、基板に対してプラズマ状態のテトラフルオロメタン（四フッ化炭素）が照射される。
【００７１】
ＣＦ4プラズマ処理の処理条件は、例えば、プラズマパワー１００〜８００ｋＷ、４フッ化メタンガス流量５０〜１００ｍｌ/ｍｉｎ、基板搬送速度０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度７０〜９０℃である。他の処理条件が一定のとき、基板の搬送速度を変化させることにより、プラズマ処理の処理時間を変化させることができる。本例では、正孔注入／輸送層を形成するための液体材料（後述する第１組成物）に対するバンク表面の動的接触角を指標として、プラズマ処理の処理時間を管理する。
【００７２】
具体的には、上記液体材料に対するバンク表面の動的接触角としての後退接触角が２９°〜４５°の範囲内になるように、上記処理時間を管理する。上記後退接触角の目標値は、正孔注入／輸送層の平坦化に最適となるように予め求められたものである。バンク表面の後退接触角が２９°未満だと、撥液性が不十分となり、正孔注入／輸送層のバンク近傍の膜厚が厚くなるので好ましくない。また、後退接触角が４５°を超えると、撥液性が高くなりすぎて、正孔注入／輸送層のバンク近傍の膜厚が薄くなるので好ましくない。なお、試料ステージの加熱は、第１プラズマ処理室と同様に、主として予備加熱された基板の保温のために行われる。また、処理ガスは、テトラフルオロメタン（四フッ化炭素）に限らず、他のフルオロカーボン系のガスを用いてもよい。また、処理雰囲気は、大気雰囲気に限らず、例えば真空下としてもよい。
【００７３】
ＣＦ4プラズマ処理により、図１０に示すように、バンク２８１の壁面及び上面が撥液処理される。つまり、これらの各面にフッ素基が導入されて撥液性が付与される。図１０では、撥液性を示す領域を二点鎖線で示している。バンク２８１を構成するアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の有機物はプラズマ状態のフルオロカーボンが照射することで容易に撥液化する。また、この撥液化の前に、Ｏ2プラズマに親液化処理するとフッ素化されやすい、という特徴を有している。
なお、画素電極１４１の電極面もこのＣＦ4プラズマ処理の影響を多少受けるが、濡れ性に影響を与える事は少ない。図１０では、親液性を示す領域を一点鎖線で示している。
【００７４】
（ｄ）冷却工程
冷却工程では、冷却処理室５４（図７参照）において、プラズマ処理後の基板を所定の温度まで冷却する。基板の冷却は、次の正孔注入／輸送層形成工程において、基板の温度変動を抑制し、処理の均一性を高めることを主な目的としており、室温あるいは正孔注入／輸送層形成工程における所定の管理温度まで基板を冷却する。冷却手段としては、例えば、基板が搭載されるプレート（ステージ）に冷却装置が内蔵された構成のものが用いられる。
【００７５】
（２）正孔注入／輸送層形成工程
次に、正孔注入／輸送層形成工程では、液滴吐出法（インクジェット法）を用いることにより、正孔注入／輸送層の形成材料を含む第１組成物を画素電極１４１上に吐出する。その後、乾燥処理及び熱処理を行い、画素電極１４１上に正孔注入／輸送層を形成する。
この正孔注入／輸送層形成工程を含めこれ以降の工程は、水、酸素の無い雰囲気とするのが好ましい。例えば、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。
【００７６】
インクジェット法による層の形成方法は以下の通りである。
図１１に示すように、画素電極１４１の周囲には画素領域１０２を区画するバンク２８１が形成されており、このバンク２８１の開口位置にインクジェットヘッドＨ１の吐出ノズルＨ２を配置する。そして、インクジェットヘッドＨ１と基板１２１とを相対的に移動させながら、吐出ノズルＨ２から１滴当たりの液量が制御された第１組成物の液滴を画素電極１４１上に吐出する。
【００７７】
吐出された第１組成物の液滴は、親液処理された画素電極１４１の電極面上に広がり、バンク２８１間に充填される。本例では、バンク２８１表面（壁面及び上面）が撥液性に加工されているので、仮に、第１組成物が所定の吐出位置から外れてバンク２８１の上面に吐出されたとしても、その上面で第１組成物の液滴がはじかれ、バンク２８１間に転がり込む。
【００７８】
液滴吐出用の装置として、本例では、上述した電気機械変換方式（ピエゾ方式）を用いた膜形成装置が用いられる。図１２は、ピエゾ方式による液体材料の吐出原理を説明するための図である。図１１において、液体材料を収容する液体室３２０に隣接してピエゾ素子３２１が設置されている。液体室３２０には、液体材料を収容する材料タンクを含む液体材料供給系３２２を介して液体材料が供給される。ピエゾ素子３２１は駆動回路３２３に接続されており、この駆動回路３２３を介してピエゾ素子３２１に電圧を印加し、ピエゾ素子３２１を変形させることにより、液体室３２０が変形し、ノズル３２４から液体材料が吐出される。この場合、印加電圧の値を変化させることにより、ピエゾ素子３２１の歪み量が制御される。また、印加電圧の周波数を変化させることにより、ピエゾ素子３２１の歪み速度が制御される。ピエゾ方式による液滴吐出は材料に熱を加えないため、材料の組成に影響を与えにくいという利点を有する。
【００７９】
上記第１組成物としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）等の混合物を、極性溶媒に溶解させた組成物を用いることができる。極性溶媒としては、例えば、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、ノルマルブタノール、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）及びその誘導体、カルビト−ルアセテート、ブチルカルビト−ルアセテート等のグリコールエーテル類等を挙げることができる。
【００８０】
より具体的な第１組成物の組成としては、例えば、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ混合物：７．２５重量％、水：５２．７５重量％、メタノール：５重量％、ＩＰＡ：５重量％、ＤＭＩ：５０重量％、γ−グリジルオキシプロピルトリメトキシシラン：０・０８重量％である。また、第１組成物の粘度は２〜２０Ｐｓ程度が好ましい。なお、本発明において、第１組成物の組成は上記例に限定されるものではない。また、正孔注入／輸送層の形成材料として、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各発光層に対して同じ材料を用いてもよく、各発光層ごとに変えてもよい。
【００８１】
第１組成物の吐出量は、バンクによる窪み（開口）の大きさ、形成しようとする正孔注入／輸送層の厚さ、第１組成物中の正孔注入／輸送層形成材料の濃度等により決定される。
また、第１組成物を一度にバンク間に配置してもよく、数回に分けて配置してもよい。この場合、各回における第１組成物の量は同一でもよく、各回ごとにその量を変えてもよい。さらに、ある画素電極に対して毎回同じ位置から第１組成物を吐出してもよく、各回ごとに位置をずらしながら吐出してもよい。
【００８２】
続いて、図１３に示すように、画素電極１４１上に配置された第１組成物を乾燥させる。すなわち、第１組成物に含まれる極性溶媒を蒸発させ、画素電極１４１上に正孔注入／輸送層２９０ａを形成する。本例では、バンク２８１表面（壁面及び上面）が撥液性に加工され、正孔注入／輸送層の平坦化に最適な動的接触角（後退接触角）になっているので、乾燥処理後において、バンク２８１の間に均一な厚さの正孔注入／輸送層２９０ａが形成される。
【００８３】
乾燥処理は、例えば窒素雰囲気中、室温で圧力を例えば１３３．３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）程度にして行う。圧力が低すぎると第１組成物の液滴が突沸するので好ましくない。また、温度を室温以上にすると、極性溶媒の蒸発速度が高まり、平坦な膜を形成する事が困難となりやすい。
また、乾燥処理後、窒素中、好ましくは真空中で２００℃で１０分程度加熱する熱処理を行うとよい。これにより、正孔注入／輸送層２９０ａ内に残存する極性溶媒や水を除去することができる。
【００８４】
（３）発光層形成工程
次に、発光層形成工程では、図１４に示すように、上記正孔注入／輸送層形成工程と同様に、液滴吐出法（インクジェット法）を用いることにより、各色（例えばここでは青色（Ｂ））の発光層の形成材料を含む第２組成物を正孔注入／輸送層２９０ａ上に吐出する。
【００８５】
すなわち、バンク２８１の開口位置にインクジェットヘッドＨ３の吐出ノズルＨ４を配置し、インクジェットヘッドＨ３と基板１２１とを相対的に移動させながら、吐出ノズルＨ４から１滴当たりの液量が制御された第２組成物の液滴を正孔注入／輸送層２９０ａ上に吐出する。
【００８６】
発光層形成材料としては、［化１］〜［化５］に示すポリフルオレン系高分子誘導体や、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、あるいは上記高分子に有機ＥＬ材料をドープして用いる事ができる。例えば、ルブレン、ペリレン、９，１０-ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープすることにより用いることができる。
【００８７】
第２組成物の吐出量は、バンクによる窪み（開口）の大きさ、形成しようとする発光層の厚さ、第２組成物中の発光層形成材料の濃度等により決定される。
また、第２組成物を一度にバンク間に配置してもよく、数回に分けて配置してもよい。この場合、各回における第１組成物の量は同一でもよく、各回ごとにその量を変えてもよい。さらに、ある画素電極に対して毎回同じ位置から第１組成物を吐出してもよく、各回ごとに位置をずらしながら吐出してもよい。
【００８８】
続いて、図１５に示すように、画素電極１４１上に配置された第２組成物を乾燥させる。すなわち、第２組成物に含まれる溶媒（非極性溶媒）を蒸発させ、正孔注入／輸送層２９０ａ上に発光層２９０ｂ（青色（Ｂ）の発光層２９０ｂ3）を形成する。
また、図１６に示すように、青色の発光層２９０ｂ3と同様に、正孔注入／輸送層２９０ａ上に、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）の発光層２９０ｂ1、２９０ｂ2を形成する。
なお、青色の発光層２９０ｂ3の場合、乾燥処理は、例えば、窒素雰囲気中、室温で圧力を１３３．３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）程度として５〜１０分行う条件とする。緑色の発光層２９０ｂ2、及び赤色の発光層２９０ｂ1の場合、発光層形成材料の成分数が多いために素早く乾燥させることが好ましく、例えば、４０℃で窒素の吹き付けを５〜１０分行う条件とするとよい。その他の乾燥の手段として、遠赤外線照射法、高温窒素ガス吹付法等を用いてもよい。
【００８９】
（４）対向電極（陰極）形成工程
次に対向電極（陰極）形成工程では、図１７に示すように、発光層２９０ｂ及びバンク２８１の全面に陰極１５４（対向電極）を形成する。
陰極１５４は複数の材料を積層して形成してもよい。例えば、発光層に近い側には仕事関数が小さい材料を形成することが好ましく、例えばＣａ、Ｂａ等を用いることが可能であり、また材料によっては下層にＬｉＦ等を薄く形成した方がよい場合もある。また、上部側（封止側）には下部側よりも仕事関数が高い材料、例えばＡｌを用いる事もできる。
フッ化リチウムは、発光層２９０ｂ上のみに形成してもよく、さらに所定の色に対応して形成する事ができる。例えば、青色（Ｂ）発光層２９０ｂ3上のみに形成してもよい。この場合、他の赤色（Ｒ）発光層及び緑色（Ｇ）発光層２９０ｂ1、２９０ｂ2には、カルシウムからなる上部陰極層が接することとなる。
これらの陰極１５４は、例えば蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等を用いて形成することが可能であるが、熱による発光層２９０ｂの損傷を防止する上で、本例では蒸着法を用いる。
また、陰極１５４の上部には、Ａｌ膜、Ａｇ膜等を用いることが好ましい。また、その厚さは、例えば１００〜１０００ｎｍの範囲が好ましく、特に２００〜５００ｎｍ程度がよい。
また陰極１５４上に、酸化防止のためにＳｉＯ2、ＳｉＮ等の保護層を設けてもよい。
【００９０】
以上の工程により、基板１２１上に発光部１４０が形成され、有機ＥＬ素子が形成される。この後、有機ＥＬ素子が形成された基板１２１を封止し、基板１２１の配線に陰極１５４を接続するとともに、基板１２１上あるいは外部に設けられる駆動ＩＣ（駆動回路）に回路素子部１４６の配線を接続することにより、有機ＥＬ表示装置が完成する。
【００９１】
図１８（ａ）〜（ｃ）は、本発明の電子機器の実施の形態例を示している。
本例の電子機器は、上述した有機ＥＬ表示装置等の本発明の電気光学装置を表示手段として備えている。
図１８（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１８（ａ）において、符号６００は携帯電話本体を示し、符号６０１は前記の表示装置を用いた表示部を示している。
図１８（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１８（ｂ）において、符号７００は情報処理装置、符号７０１はキーボードなどの入力部、符号７０３は情報処理装置本体、符号７０２は前記の表示装置を用いた表示部を示している。
図１８（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１８（ｃ）において、符号８００は時計本体を示し、符号８０１は前記の表示装置を用いた表示部を示している。
図１８（ａ）〜（ｃ）に示すそれぞれの電子機器は、本発明の電気光学装置を表示手段として備えているので、品質の優れた表示を実現することができる。
【００９２】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【００９３】
【実施例】
アクリル樹脂からなるバンクが形成された基板と、バンクと同じアクリル樹脂からなる平基板とを用意し、各基板に対して、上述したＣＦ4プラズマ処理を行った。処理時間は、１．０〜６．６ｓｅｃの間で変化させた。
また、上記ＣＦ4プラズマ処理の後、上記バンクが形成された基板に対して、上述した正孔注入／輸送層用の液滴材料を吐出し、バンクによって区画された領域に正孔注入／輸送層を形成し、その膜厚のプロファイルを測定した。液体材料の組成は、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ混合物：７．２５重量％、水：５２．７５重量％、メタノール：５重量％、ＩＰＡ：５重量％、ＤＭＩ：５０重量％、γ−グリジルオキシプロピルトリメトキシシラン：０・０８重量％である。なお、液滴材料の乾燥は、減圧乾燥の後、２００℃で１０分間のベーキングを行った。
【００９４】
その結果、処理時間が１．１７〜１．４ｓｅｃのとき、最も理想的な膜厚のプロファイルが得られた。処理時間が１．１７ｓｅｃ未満だと、撥液性が不十分となり、バンクの壁面近くの膜厚が厚くなるので好ましくなく、１．４ｓｅｃを超えると、撥液性が高くなりすぎて、バンクの壁面近くの膜厚が薄くなるので好ましくない。
【００９５】
一方、上記平基板に対して、上記ＣＦ4プラズマ処理の後、協和界面科学社製ＣＡ−Ｗ接触角測定装置を用いて、先の図２を用いて説明した測定方法に従って、上記液体材料に対する動的接触角（後退接触角）と、静的接触角とを測定した。静的接触角の測定にはθ／２法を用いた。その結果を以下に示す。
0004123801.tif 000007
【００９６】
上記結果から、動的接触角（後退接触角）を指標として用いることにより、撥液化の処理条件を管理できることが確認された。すなわち、動的接触角（後退接触角）が２９°程度〜４５°程度の範囲内になるように、プラズマ処理の処理条件を管理することにより、理想的で平坦な膜厚のプロファイルが得られることが確認された。これに対し、静的接触角では上記管理は難しいことがわかった。
【００９７】
【発明の効果】
本発明の電気光学装置の製造方法及びその装置によれば、バンクの表面を撥液性に加工する際に、動的接触角を指標として用いることにより、膜の平坦化に対する撥液化の処理条件の最適化が確実に行われる。したがって、バンクによって区画された領域内に平坦な膜を容易かつ安定的に形成することができる。
【００９８】
また、本発明の電気光学装置によれば、有機ＥＬ素子の構造を最適化し、その性能の向上を図ることができる。
【００９９】
また、本発明の電子機器によれば、上記電気光学装置を表示手段として備えることから、表示手段の性能を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の電気光学装置としての有機ＥＬ装置の製造方法の概念的に示す図である。
【図２】  動的接触角（後退接触角）の測定例を示す図である。
【図３】  本発明の電気光学装置としての有機ＥＬ装置の製造装置の実施の形態例を模式的に示す図である。
【図４】  本発明の電気光学装置の実施の形態例である有機ＥＬ表示装置の構成を模式的に示す図である。
【図５】  有機ＥＬ表示装置における画素領域近傍の断面構造を拡大した図である。
【図６】  バンクの平面構造の形態例を模式的に示す図である。
【図７】  プラズマ処理装置の構成例を模式的に示す図である。
【図８】  プラズマ処理室の構成例を模式的に示す図である。
【図９】  有機ＥＬ装置の製造方法を説明する工程図である。
【図１０】  有機ＥＬ装置の製造方法を説明する工程図である。
【図１１】  ピエゾ方式による液滴吐出の原理を説明するための図である。
【図１２】  有機ＥＬ装置の製造方法を説明する工程図である。
【図１３】  有機ＥＬ装置の製造方法を説明する工程図である。
【図１４】  有機ＥＬ装置の製造方法を説明する工程図である。
【図１５】  有機ＥＬ装置の製造方法を説明する工程図である。
【図１６】  有機ＥＬ装置の製造方法を説明する工程図である。
【図１７】  有機ＥＬ装置の製造方法を説明する工程図である。
【図１８】  本発明の電子機器の実施の形態例を示す図である。
【図１９】  有機ＥＬ表示装置の要部の代表的な構成を示す断面模式図である。
【符号の説明】
１０，２８１…バンク、１２…膜、２０…有機ＥＬ装置の製造装置（電気光学装置の製造装置）、２１…撥液化装置、２２…測定装置、２３…膜形成装置、２４…制御装置、１００…有機ＥＬ表示装置、１０２…画素領域、１２１…基板、θ…動的接触角（後退接触角）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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