(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
伝送線路を介して信号を受信する信号受信部に対する前記伝送線路の終端装置であって、
前記信号に対して予め定められた第１の基準電位以上の電位を検出するオーバーシュート検出手段と、前記信号に対して予め定められた第２の基準電位以下の電位を検出するアンダーシュート検出手段と、前記オーバーシュート検出手段及び前記アンダーシュート検出手段のそれぞれからの検出信号によって前記伝送線路の前記信号受信部に対する入力インピーダンスを可変して前記信号が前記第１の基準電位と前記第２の基準電位との間に収まるべく低下させる終端インピーダンス可変設定手段とを備え、
前記オーバーシュート検出手段は、前記伝送線路と前記第１の基準電位間に、前記伝送線路の電位が前記第１の基準電位よりも高くなるとＯＮし、前記伝送線路から前記第１の基準電位の方向に電流を流す第１のダイオードと、該電流の変化を検出し、前記信号のオーバーシュートによる第１の電流を検出する第１のトランスを有し、
前記アンダーシュート検出手段は、前記伝送線路と前記第２の基準電位間に、前記伝送線路の電位が前記第２の基準電位よりも低くなるとＯＮし、前記第２の基準電位から前記伝送線路の方向に電流を流す第２のダイオードと、該電流の変化を検出し、前記信号のアンダーシュートによる第２の電流を検出する第２のトランスを有することを特徴とする終端装置。
【請求項２】
伝送線路を介して信号を受信する信号受信部に対する前記伝送線路の終端装置であって、
前記信号に対して予め定められた第１の基準電位以上の電位を検出するオーバーシュート検出手段と、前記信号に対して予め定められた第２の基準電位以下の電位を検出するアンダーシュート検出手段と、前記オーバーシュート検出手段及び前記アンダーシュート検出手段のそれぞれからの検出信号によって前記伝送線路の前記信号受信部に対する入力インピーダンスを可変して前記信号が前記第１の基準電位と前記第２の基準電位との間に収まるべく低下させる終端インピーダンス可変設定手段とを備え、
前記オーバーシュート検出手段は、前記伝送線路と前記第１の基準電位間に前記信号のオーバーシュートによる第１の電流を検出する半導体素子の第１のフォトカプラを有し、
前記アンダーシュート検出手段は、前記伝送線路と前記第２の基準電位間に前記信号のアンダーシュートによる第２の電流を検出する半導体素子の第２のフォトカプラを有することを特徴とする終端装置。
【請求項３】
前記終端インピーダンス可変設定手段は、前記オーバーシュート検出手段及び前記アンダーシュート検出手段からの検出された前記第１及び第２の電流によって前記入力インピーダンスを可変させる制御信号を送出する終端インピーダンス調整制御と、前記制御信号の受信によって、前記信号が前記第１の基準電位を前記第２の基準電位との間に収まるべく前記入力インピーダンスを可変する終端インピーダンス可変部とを有することを特徴とする請求項１または２記載の終端装置。
【請求項４】
前記終端インピーダンス調整制御部は、前記オーバーシュート電流検出部及び前記アンダーシュート電流検出部からのそれぞれの検出信号を受信して負荷のコンデンサに予め定められた第１の時定数によって電荷を充電してその充電電圧を前記終端インピーダンス可変部へ出力する第１の回路部と、前記検出信号を受信していない時点では前記コンデンサとの予め定められた第２の時定数によって前記コンデンサの前記充電電圧を放電しその放電電圧を前記終端インピーダンス可変部へ出力する第２の回路部とを有し、前記第１の時定数＜＜前記第２の時定数であることを特徴とする請求項３記載の終端装置。
【請求項５】
前記終端インピーダンス可変部は、前記終端インピーダンス調整制御部からの前記制御信号のレベルに応じて前記伝送線路と地気間のインピーダンスを可変する半導体素子を有することを特徴とする請求項３または４記載の終端装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は終端装置に関し、特に信号受信部の信号入力側の伝送線路の終端に接続され、入力インピーダンスを自動調整すると共にオーバーシュート，アンダーシュートを低減させる終端装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
この種の従来の技術について図面を参照して説明する。
【０００３】
図７は従来の終端装置の一例を示す回路図である。
【０００４】
図７において、この従来例は、特開２００１−１２７８０５公報の終端回路の開示内容を示し、ドライバ１０２が出力をローレベルからハイレベルへ立ち上げるときには、遅延回路１２０で、第１、第２の初動スイッチ１３１、１３４のオン／オフ状態の切換より遅らせることにより、第２の次動スイッチ１３３と、第２初動スイッチ１３４とをともにオン状態にさせ、スイッチ１３３、１３４を介して伝送路終端１０５を一時的に接地電位に接続することができるので、終端回路１１１のインピーダンスを一時的に低下させ、オーバーシュートを低減することができる。
【０００５】
また、ドライバ１０２の出力をハイレベルからローレベルに立ち下げた場合には、以上と逆方向の動作が行われ、終端回路１１１のインピーダンスがハイレベルで安定した状態におけるインピーダンスより低下するので、ハイレベルからローレベルへの切り換え時に生じていたアンダーシュートを低減することができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
この従来例の終端装置は半導体によるアクティブ素子を多く使用しているので、その信頼性と経済性とに問題点がある。
【０００７】
（発明の目的）
本発明は、半導体によるアクティブ素子を従来よりも少なくして、信頼性を高くし且つ、回路構成が従来よりも簡略化した経済的な終端装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の終端装置は、伝送線路を介して信号を受信する信号受信部に対する前記伝送線路の終端装置であって、前記信号に対して予め定められた第１の基準電位以上の電位を検出するオーバーシュート検出手段と、前記信号に対して予め定められた第２の基準電位以下の電位を検出するアンダーシュート検出手段と、前記オーバーシュート検出手段及び前記アンダーシュート検出手段のそれぞれからの検出信号によって前記伝送線路の前記信号受信部に対する入力インピーダンスを可変して前記信号が前記第１の基準電位と前記第２の基準電位との間に収まるべく低下させる終端インピーダンス可変設定手段とを備え、前記オーバーシュート検出手段は、前記伝送線路と前記第１の基準電位間に、前記伝送線路の電位が前記第１の基準電位よりも高くなるとＯＮし、前記伝送線路から前記第１の基準電位の方向に電流を流す第１のダイオードと、該電流の変化を検出し、前記信号のオーバーシュートによる第１の電流を検出する第１のトランスを有し、前記アンダーシュート検出手段は、前記伝送線路と前記第２の基準電位間に、前記伝送線路の電位が前記第２の基準電位よりも低くなるとＯＮし、前記第２の基準電位から前記伝送線路の方向に電流を流す第２のダイオードと、該電流の変化を検出し、前記信号のアンダーシュートによる第２の電流を検出する第２のトランスを有し、前記終端インピーダンス可変設定手段は、前記オーバーシュート検出手段及び前記アンダーシュート検出手段からの検出された前記第１及び第２の電流によって前記入力インピーダンスを可変させる制御信号を送出する終端インピーダンス調整制御と、前記制御信号の受信によって、前記信号が前記第１の基準電位を前記第２の基準電位との間に収まるべく前記入力インピーダンスを可変する終端インピーダンス可変部とを有し、前記終端インピーダンス調整制御部は、前記オーバーシュート電流検出部及び前記アンダーシュート電流検出部からのそれぞれの検出信号を受信して負荷のコンデンサに予め定められた第１の時定数によって電荷を充電してその充電電圧を前記終端インピーダンス可変部へ出力する第１の回路部と、前記検出信号を受信していない時点では前記コンデンサとの予め定められた第２の時定数によって前記コンデンサの前記充電電圧を放電しその放電電圧を前記終端インピーダンス可変部へ出力する第２の回路部とを有し、前記第１の時定数＜＜前記第２の時定数であり、前記終端インピーダンス可変部は、前記終端インピーダンス調整制御部からの前記制御信号のレベルに応じて前記伝送線路と地気間のインピーダンスを可変する半導体素子を有している。
【００１０】
本発明の終端装置は、伝送線路を介して信号を受信する信号受信部に対する前記伝送線路の終端装置であって、前記信号に対して予め定められた第１の基準電位以上の電位を検出するオーバーシュート検出手段と、前記信号に対して予め定められた第２の基準電位以下の電位を検出するアンダーシュート検出手段と、前記オーバーシュート検出手段及び前記アンダーシュート検出手段のそれぞれからの検出信号によって前記伝送線路の前記信号受信部に対する入力インピーダンスを可変して前記信号が前記第１の基準電位と前記第２の基準電位との間に収まるべく低下させる終端インピーダンス可変設定手段とを備え、
前記オーバーシュート検出手段は、前記伝送線路と前記第１の基準電位間に前記信号のオーバーシュートによる第１の電流を検出する半導体素子の第１のフォトカプラを有し、前記アンダーシュート検出手段は、前記伝送線路と前記第２の基準電位間に前記信号のアンダーシュートによる第２の電流を検出する半導体素子の第２のフォトカプラを有し、前記終端インピーダンス可変設定手段は、前記オーバーシュート検出手段及び前記アンダーシュート検出手段からの検出された前記第１及び第２の電流によって前記入力インピーダンスを可変させる制御信号を送出する終端インピーダンス調整制御と、前記制御信号の受信によって、前記信号が前記第１の基準電位を前記第２の基準電位との間に収まるべく前記入力インピーダンスを可変する終端インピーダンス可変部とを有し、前記終端インピーダンス調整制御部は、前記オーバーシュート電流検出部及び前記アンダーシュート電流検出部からのそれぞれの検出信号を受信して負荷のコンデンサに予め定められた第１の時定数によって電荷を充電してその充電電圧を前記終端インピーダンス可変部へ出力する第１の回路部と、前記検出信号を受信していない時点では前記コンデンサとの予め定められた第２の時定数によって前記コンデンサの前記充電電圧を放電しその放電電圧を前記終端インピーダンス可変部へ出力する第２の回路部とを有し、前記第１の時定数＜＜前記第２の時定数であり、前記終端インピーダンス可変部は、前記終端インピーダンス調整制御部からの前記制御信号のレベルに応じて前記伝送線路と地気間のインピーダンスを可変する半導体素子を有している。
【００１１】
【発明の実施の形態】
次に、本発明について図面を参照して説明する。
【００１２】
図１は本発明の一実施の形態の終端装置を示すブロック図である。
【００１３】
図１において、本実施の形態の終端末装置１は、伝送線路３と信号受信部２との間に接続され、伝送線路３が接続し内部伝送線路３ａを介して信号受信部２へ接続する信号入力部１６と、信号入力部１６に入力した受信信号に対して、予め設定されたハイ（Ｈ）レベル基準電位に設定されているハイ（Ｈ）レベル基準電位線１５と内線伝送線路３ａ間に接続されて受信信号のオーバーシュートの電流を検出するオーバーシュート電流検出部１１と、内部伝送線路３ａと地気間に接続されて受信信号のアンダーシュートの電流を検出するアンダーシュート電流検出部１２と、オーバーシュート電流検出部１１及びアンダーシュート電流検出部１２からのオーバーシュート電流検出信号及びアンダーシュート電流検出信号によって終端インピーダンス値を可変する信号を出力するインピーダンス調整制御部（ＣＴＬ）１３と、インピーダンス調整制御部１３からの信号によって伝送線路３に対する終端インピーダンスを決定する終端インピーダンス部（Ｚｏ）１４とを有している。
【００１４】
図２は本実施の形態の終端装置におけるオーバーシュート電流検出部及びアンダーシュート電流検出部の第１の実施例を示す回路図である。
【００１５】
図２において、本第１の実施例のオーバーシュート電流検出部１１の回路構成は、ハイ（Ｈ）レベル基準電位線１５と内部伝送線路３ａ間に有り、内部伝送線路３ａに一次側の一端が接続、他端にダイオードＤ１１−１のカソード側に接続し、二次側の一端が地気に接続し他端からオーバーシュート電流検出信号を出力するトランス（Ｔ）１１−２と、トランス（Ｔ）１１−２の一次側の他端とハイ（Ｈ）レベル基準電位線１５との間に接続されたダイオード（Ｄ）１１−１とを有し、アンダーシュート電流検出部１２の回路構成は、内部伝送線路３ａと地気間に有り、地気に一次側の一端が接続し他端にダイオード（Ｄ）１２−１のカソード側に接続し、二次側の一端が地気に接続し、他端からオーバーシュート電流検出信号を出力するトランス（Ｔ）１２−２とを有して構成している。
【００１６】
次に、オーバーシュート電流検出部１１及びアンダーシュート電流検出部１２の第１の実施例の動作について図２を参照して説明する。
【００１７】
入力信号により、内部伝送線路３ａの電位がＨレベル基準電位線１５のＨレベル基準電位より高くなるとダイオード（Ｄ）１１−１がＯＮして、内部伝送線路３ａからＨレベル基準電位線１５の方向に電流が流れる。この電流の変化をトランス（Ｔ）１１−２で検出してオーバーシュート電流検出信号として出力する。また、内部伝送線路３ａの電位が地気電位よりも低くなると、ダイオード（Ｄ）１２−１がＯＮして、地気電位から内部伝送線路３ａの方向に電流が流れる。この電流の変化をトランス（Ｔ）１２−２で検出してアンダーシュート電流検出信号として出力する。
【００１８】
図３は本実施の形態の終端装置におけるオーバーシュート電流検出部及びアンダーシュート電流検出部の第２の実施例を示す回路図である。
【００１９】
図３において、本第２の実施例のオーバーシュート電流検出部１１の回路構成は、ハイ（Ｈ）レベル基準電位線１５と内部伝送線路３ａ間に有り、ハイ（Ｈ）レベル基準電位線１５にフォトカプラ（ＰＴＲ）１１−３内のフォトダイオードのアノード側の接続しカソード側の内部伝送線路３ａにカソード側の接続し、フォトカプラ（ＰＴＲ）１１−３内のフォトトランジスタのコレクタ抵抗（Ｒ）１１−４を介して電圧Ｖ線１５ａが接続し、エミッタからオーバーシュート電流の検出信号を出力するフォトカプラ１１−３（ＰＴＲ）を有し、アンダーシュート電流検出部１２の回路構成は、電圧Ｖ線１５ａと地気間に有り、内部伝送線路３ａにフォートカプラ（ＰＴＲ）１２−３内のフォトダイオードのアノード側が接続し、地気にカソード側が接続し、フォトカプラ（ＰＴＲ）１２−３内のフォトカプラのコレクタに抵抗（Ｒ）１２−４を介して電圧Ｖ線１５ａに接続し、エミッタからアンダーシュート電流の検出信号を出力するフォトカプラ（ＰＴＲ）１２−３と有して構成している。
【００２０】
次に、オーバーシュート電流検出部１１及びアンダーシュート電流検出部１２の第２の実施例の動作について図３を参照して説明する。
【００２１】
入力信号により、Ｈレベル基準電位線１５のＨレベル基準電位より高くなると内部伝送線路３ａからＨレベル基準電位線１５の方向に電流が流れる事により、フォトカプラ（ＰＴＲ）１１−３内のフォトトランジスタがＯＮしてオーバーシュート電流検出信号として出力する。また、内部伝送路３ａの電位が地気電位よりも低くなると地気電位から内部伝送線路３ａの方向に電流が流れる事により、フォトカプラ（ＰＴＲ）１２−３内のフォトトランジスタがＯＮしてアンダーシュート電流検出信号として出力する。
【００２２】
図４は本実施の形態の終端装置におけるインピーダンス調整制御部の一実施例を示す回路図である。
【００２３】
図４において、本実施例のインピーダンス調整制御部（ＣＴＬ）１３の回路構成は、ベースにオーバーシュート電流検出信号を受信し、エミッタを抵抗（Ｒ）１３−７を介して地気に接触し、コレクタをＰＮＰのトランジスタ（ＴＲ）１３−２のベースに接続するＮＰＮのトランジスタ（ＴＲ）１３−１と、ベースをＴＲ１３−１のコレクタに接続し、エミッタを抵抗（Ｒ）１３−５を介してハイ（Ｈ）レベル基準電位線１５に接続し、コレクタをコンデンサ（Ｃ）１３−１０を介して地気に接続し、インピーダンス値制御値信号を出力するＰＮＰのトランジスタ（ＴＲ）１３−２と、ベースにアンダーシュート電流検出信号を受信し、エミッタを抵抗（Ｒ）１３−８を介して地気に接続し、コレクタをＰＮＰのトランジスタ（ＴＲ）１３−４のベースに接続するＮＰＮのトランジスタ（ＴＲ）１３−３と、ベースをＴＲ１３−３のコレクタに接続し、エミッタを抵抗（Ｒ）１３−６を介してハイ（Ｈ）レベル基準電位線１５に接続し、コレクタをＴＲ１３−２のコレクタを同様にコンデンサ（Ｃ）１３−１０を介して地気に接続しインピーダンス値制御値信号を出力するＰＮＰのトランジスタ（ＴＲ）１３−４とを有する構成となっている。
【００２４】
図５は本実施の形態の終端装置における終端インピーダンス部の一実施例を示す回路図である。
【００２５】
図５において、本実施例の終端インピーダンス部１４の回路構成は、コレクタを内部伝送線路３ａに接続し、エミッタを地気に接続し、ベースに抵抗（Ｒ）１４−２を介してインピーダンス値制御信号を入力するトランジスタ（ＴＲ）１４−１を有する構成になっている。
【００２６】
図６は本実施の形態の終端装置における入力信号からインピーダンス調整制御部の出力信号を示すタイムチャートである。
【００２７】
次に、インピーダンス調整制御部の動作と共に、本実施の形態の終端装置の動作について図１〜図６を参照して説明する。
【００２８】
尚、本動作の説明においては、終端装置１のオーバーシュート電流検出部１１及びアンダーシュート電流検出部１２は、例えば、図２に示す回路で構成されているもとする。
【００２９】
終端装置１の信号入力部１６に伝送線路３からの入力信号がない状態から信号Ｓ1が入力すると、オーバーシュート電流検出部１１によって、Ｈレベル基準電位線１５に示すＨレベル基準電位より高いオーバーシュートを検出し、その電流検出信号が電流検出信号入力１としてインピーダンス調整制御部（ＣＴＬ）１３に入力される。
【００３０】
その結果ＣＴＬ１３のＴＲ１３−１，１３−２はオンとなり、Ｒ１３−５，Ｃ１３−１０による時定数τ1＝ＣＲによって、オーバーシュート電流の検出の期間、Ｃ１３−１０に電荷が蓄積され、その蓄積電位が終端インピーダンス（Ｚｏ）１４に、インピーダンス値制御信号出力として入力される。
【００３１】
オーバーシュート電流の検出後においては、ＣＴＬ１３のＴＲ１３−１及び１３−２のベースには入力信号がないためオフとなり、インピーダンス調整制御部（ＣＴＬ）１３の負荷抵抗（Ｒｚ）１３−９とＣ１３−１０とによる時定数τ2＝ＣＲｚの放電によってＣ１３−１０に蓄積された蓄積電位が降下されその降下電位がＺｏ１４にインピーダンス値制御信号出力として入力される。
【００３２】
以上の結果、信号Ｓ1の入力によって、終端インピーダンス部（Ｚｏ）１４の入力には、図６に示すような波形の電圧がＴＲ１４−１のベースに入力される。この結果、ＴＲ１４−１は直線性の動作点に設定されているので、内部伝送線路３ａと地気間の動作抵抗が時定数τ1の期間で急に下り、時定数τ2の期間で除々に上る。
【００３３】
次に、信号Ｓ1の入力がない時点になると、アンダーシュート電流検出部１２が地気より低いアンダーシュートを検出し、その電流検出信号が電流検出信号入力２としてＣＴＬ１３に入力される。
【００３４】
その結果ＣＴＬ１３のＴＲ１３−３，１３−４はオンとなりＲ１３−６（Ｒ１３−５≒Ｒ１３−６），Ｃ１３−１０による時定数τ1＝ＣＲによって、アンダーシュート電流の検出の期間、Ｃ１３−１０には、オーバーシュートの結果による蓄積された電位に電荷が加算蓄積され、その加算された蓄積電位がＺｏ１４にインピーダンス値制御信号出力として入力される。
【００３５】
アンダーシュート電流の検出後においては、ＣＴＬ１３のＴＲ１３−３，１３−４のベースには入力信号がないためオフとなり、Ｒｚ１３−９，Ｃ１３−１０による時定数τ2＝ＣＲｚの放電によってＣ１３−１０に蓄積された蓄積電位が降下され、その降下電位がＺｏ１４にインピーダンス値制御信号出力として入力される。
【００３６】
以上の結果、信号Ｓ1のない時点では、Ｚｏの入力には図６に示すような波形の電圧がＴＲ１４−１のベースに入力される。この結果、ＴＲ１４−１に対し、内部伝送線路３ａと地気間の動作抵抗が、時定数τ1の期間で再び急に下り、時定数τ2で除々に上る。
【００３７】
尚、τ1＜＜τ2となるようにＲ１３−５≒Ｒ１３−６＜＜Ｒｚ１３−９と設定されている。
【００３８】
次に、図６において信号Ｓ2が入力されると、Ｚｏ１４は、信号Ｓ1の入力結果によって、信号Ｓ1の入力時よりもインピーダンスが下っているにもかかわらず、未だオーバーシュート及びアンダーシュートが基準電位以上に発生すると、上記、信号Ｓ1の場合と同様な動作によって、Ｚｏ１４におけるＴＲ１４−１に対し内部伝送線路３ａと地気間の動作抵抗が信号Ｓ1のアンダーシュート発生の場合よりも下り、その後、時定数τ2によって除々に上る。
【００３９】
次に、図６において信号Ｓ3が入力されると、Ｚｏ１４は、信号Ｓ1，Ｓ2の入力結果によって、信号Ｓ2の入力時よりもインピーダンスが下って、信号Ｓ3によるオーバーシュート及びアンダーシュートが発生しても、それらの電圧が共に基準電位以下ならば、オーバーシュート電流検出部１１及びアンダーシュート電流検出部１２によってそれぞれの検出信号は検出されず、Ｃ１３−１０の電荷はＲｚ１３−９によって放電が続く。
【００４０】
その結果、終端インピーダンス部（Ｚｏ）１４のインピーダンス値制御信号のレベルは除々に減少し、信号入力部１６のインピーダンスが信号Ｓ2又は信号Ｓ1の入力時のインピーダンス値に近くなると、再び終端装置１の動作は、上記に示した信号Ｓ2又は信号Ｓ1の入力時と同様な動作を繰り返す。
【００４１】
以上に示したように、本実施の形態の終端装置１のオーバーシュート電流検出部１１，アンダーシュート電流検出部１２，インピーダンス調整制御部（ＣＴＬ）１３及び終端インピーダンス部（Ｚｏ）１４のそれぞれの回路構成を、従来の回路よりも簡略化することにより、オーバーシュート／アンダーシュートを完全に抑えるのではなく、伝送線路３に接続する信号受信部２の素子寿命を著しく縮めない程度に抑える事ができる。
【００４２】
また、入力信号が長時間入力されない状態に於いては、オーバーシュート／アンダーシュートが発生し易い状態となるが、信号そのものが入力されない為に、オーバーシュート／アンダーシュートによる素子劣化自体も少ないと考えられ、従って、入力信号がある程度定期的に入力される状態に於いて、オーバーシュート／アンダーシュートを抑えることができる。
【００４３】
【発明の効果】
以上に説明したように本発明は、伝送線路を介して信号を受信する信号受信部に対する伝送線路の終端装置であって、予め定められた第１の基準電位以上の電位を検出するオーバーシュート検出手段と、信号に対して予め定められた第２の基準電位以下の電位を検出するアンダーシュート検出手段と、オーバーシュート検出手段及びアンダーシュート検出手段のそれぞれからの検出信号によって伝送線路の信号受信部に対する入力インピーダンスを、信号が第１の基準電位と第２の基準電位との間に収まるべく低下させる終端インピーダンス設定手段とを備えることにより、次に示す効果を得ることができる。
【００４４】
第１に、終端インピーダンス値の大小を、信号線波形のオーバーシュート／アンダーシュートの有無だけで判断する事により、終端部分の複雑な波形解析を簡略化でき、簡単な回路構成でインピーダンスのマッチング判断が出来る。
【００４５】
第２に、インピーダンス値の制御部分をコンデンサとトランジスタと抵抗で構成する事が出来るため、メモリやカウンタ等を使用する事が無く、簡単な回路構成で実現出来る。
【００４６】
第３に、伝送線路毎に、終端インピーダンスの詳細設計を行う必要が無くなる。
【００４７】
第４に、外付けの終端抵抗等を省く事ができ、より高密度な実装が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態の終端装置を示すブロック図である。
【図２】本実施の形態の終端装置におけるオーバーシュート電流検出部及びアンダーシュート電流検出部の第１の実施例を示す回路図である。
【図３】本実施の形態の終端装置におけるオーバーシュート電流検出部及びアンダーシュート電流検出部の第２の実施例を示す回路図である。
【図４】本実施の形態の終端装置におけるインピーダンス調整制御部の一実施例を示す回路図である。
【図５】本実施の形態の終端装置における終端インピーダンス部の一実施例を示す回路図である。
【図６】本実施の形態の終端装置における入力信号からインピーダンス調整制御部の出力信号を示すタイムチャートである。
【図７】従来の終端回路の一例を示す回路図である。
【符号の説明】
１    終端装置
２    信号受信部
３    伝送線路
３ａ    内部伝送線路
１１    オーバーシュート電流検出部
１２    アンダーシュート電流検出部
１３    インピーダンス調整制御部（ＣＴＬ）
１４    終端インピーダンス部（Ｚｏ）
１５    ハイ（Ｈ）レベル基準電位線
１６    信号入力部
１１−１，１２−１    ダイオード（Ｄ）
１１−２，１２−２    トランス（Ｔ）
１１−３，１２−３    フォトカプラ（ＰＴＲ）
１１−４，１２−４    抵抗（Ｒ）
１３−１，１３−２，１３−３，１３−４    トランジスタ（ＴＲ）
１３−５，１３−６，１３−７，１３−８    抵抗（Ｒ）
１３−９    負荷抵抗（Ｒｚ）
１３−１０    コンデンサ（Ｃ）
１４−１    トランジスタ（ＴＲ）
１４−２    抵抗（Ｒ）
【図１】
0004056257.tif 000002
【図２】
0004056257.tif 000003
【図３】
0004056257.tif 000004
【図４】
0004056257.tif 000005
【図５】
0004056257.tif 000006
【図６】
0004056257.tif 000007
【図７】
0004056257.tif 000008