【事件の表示】
　平成５年　特　許　願　第２６８９０４号「パターン投影方法」　拒絶査定に対する審判事件（平成７年５月１２日出願公開、特開平７−１２２４７８）について、次のとおり審決する。
【結論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理由】
１．本願は、平成５年１０月２７日の出願であって、その請求項１〜５に係る発明は、平成１０年６月１５日付け手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、それぞれ請求項１〜５に記載された「パターン投影方法」と認められるところ、その請求項１に係る発明は、次のとおりのものである。
　請求項１
「微細パターンが形成されたマスクを露光光を用いて照明し、該マスクの透過光を投影光学系の瞳に入射させて該微細パターンの像を基板上に投影するパターン投影方法において、前記瞳の中心領域に所定の光強度、該中心領域の周辺に配される複数の領域に最大光強度、該複数の領域を連結する領域に該最大光強度よりも低い光強度を配した光強度分布を達成し得る有効光源を用いて前記照明を行い、該中心領域における所定の光強度を該最大光強度の２０％〜５０％の範囲内に制御することを特徴とするパターン投影方法。」
２．これに対し、原査定の拒絶の理由に引用した特開平５−４７６３９号公報（以下、「引用例」という。）には、発明の詳細な説明【０００１】項に、産業上の利用分野として、「本発明は照明装置及びそれを用いた投影露光装置に関し、具体的には半導体素子の製造装置である所謂ステッパーにいてレチクル面上のパターンを適切に照明し、高い解像力が容易に得られるようにした照明装置及びそれを用いた投影露光装置に関するものである。」と記載されている。
　【００１５】項には、
　「投影露光装置は、放射源と、該放射源からの単一のコヒーレントビームを複数のビームに振幅分割し該複数のビーム間に該コヒーレントビームの可干渉距離以上の光路長差を付与するインコヒーレント化光学系と、該インコヒーレント化光学系からの前記複数のビームを受けて２次光源を形成する光学式インテグレーターと、該光学式インテグレーターが形成する２次光源からの２次ビームでレチクルを照明する集光光学系と、該２次ビームで照明されたレチクルの回路パターンの像をウエハー上に投影する投影光学系とを有し、前記インコヒーレント化光学系により、前記複数のビームの各中心ビームの入射位置が前記光学式インテグレーターの光軸に関して互いにほほ対称になるよう前記複数のビームを前記光学式インテグレーターに入射せしめる投影露光装置において、前記放射源と前記インコヒーレント化光学系の間にアフォーカル系を設け、該アフォーカル系の角倍率を変えることにより前記光学式インテグレーター上に入射する前記複数のビームの個々の断面形状を変化させ、前記２次光源の強度分布を調整することを特徴としている。」と記載されている。
　【００４１】項には、「図３（Ａ），（Ｂ）は瞳面２４ａ上におけるオプティカルインテグレーター２２の光射出面２２ｂ（２次光源）の強度分布を示す概略図である。同図において黒く塗りつぶした領域は相対的に光強度が弱い領域、白い領域は光強度が相対的に強い領域を示している。」と記載されている。
　【００４２】項には、「図３（Ａ）はパターンで解像度が必要とされる方向がｘ　およびｙ方向であるときに対する瞳面２４ａ上の強度分布を示している。瞳面２４ａを表わす円をｘ２＋ｙ２＝１
としたとき、次の４つの円を考える。」と記載されている。
　【００４３】項には、「
（ｘ−１）２＋ｙ２＝１
ｘ２＋（ｙ−１）２＝１
（ｘ＋１）２＋ｙ２＝１
ｘ２＋（ｙ＋１）２＝１
これらの４つの円によって瞳面２４ａを表わす円は領域１０１〜１０８までの８つの領域に分解される。」と記載されている。
　【００４４】項には、「本実施例でｘおよびｙ方向に対して高解像で深度の深い照明系は、これらのうちから偶数の領域、即ち領域１０２，１０４，１０６，１０８に存在する微小レンズ群に優先的に光を通すように選択することによって達成している。原点であるｘ＝０，ｙ＝０付近の微小レンズは主として粗いパターンの深度向上に効果が大きいため、中心付近（光軸付近）の部分の光束を多く選ぶか否かは焼き付けようとするパターンによって定まる選択事項である。」と記載されている。
　そうすると、引用例に記載された発明は、【００１５】を参照すると、「放射源と、２次光源を形成する光学式インテグレーターと、該光学式インテグレーターが形成する２次光源からの２次ビームでレチクルを照明する集光光学系と、該２次ビームで照明されたレチクルの回路パターンの像をウエハー上に投影する投影光学系とを有し、前記光学式インテグレーター上に入射する複数のビームの個々の断面形状を変化させ、前記２次光源の強度分布を調整することを特徴」とする投影露光装置であって、前記２次光源の強度分布は、【００４１】項〜【００４４】項及び第３図を参照すると、瞳面の中心領域に所定の光強度、該中心領域の周辺に配される複数の領域（１０２、１０４、１０６、１０７、１０８）に最大光強度、該複数の領域を連結する領域に該最大光強度よりも低い光強度を配した光強度分布であり、「中心付近（光軸付近）の部分の光束を多く選ぶか否かは焼き付けようとするパターンによって定まる選択事項である」とするものである。
３．そこで本件請求項１に係る発明と、引用例記載の発明を対比すると、引用例記載の「レチクル」は、本件請求項１に係る発明の「微細パターンが形成されたマスク」に相当し、引用例記載の「２次光源の強度分布」は、引用例【００２６】項を参照すると、「２次光源が後述する投影光学系（投影レンズ）２４の瞳面上に形成される」ことから、「瞳」における「光強度分布」に対応する。
　そうすると、本件請求項１に係る発明と引用例記載の発明は、「微細パターンが形成されたマスクを露光光を用いて照明し、該マスクの透過光を投影光学系の瞳に入射させて該微細パターンの像を基板上に投影するパターン投影方法において、前記瞳の中心領域に所定の光強度、該中心領域の周辺に配される複数の領域に最大光強度、該複数の領域を連結する領域に該最大光強度よりも低い光強度を配した光強度分布を達成し得る有効光源を用いて前記照明を行うことを特徴とするパターン投影方法。」である点において一致し、本件請求項１に係る発明が、「中心領域における所定の光強度を最大光強度の２０％〜５０％の範囲内に制御する」構成を備えたものであるのに対し、引用例記載の発明には上記構成について明示されていない点（以下、「相違点」という。）において両者は相違する。
　上記相違点について検討すると、投影露光装置の技術分野において、「中心領域における所定の光強度を制御する」ことについては周知手段（例えば上記引用例【００４４】項、特開平５−２６７４２４号公報第１０図及びその説明及び特開平５−２７５３１５号公報第２２，２５図及びその説明参照）であり、発明の詳細な説明において、本件請求項１に係る発明の「２０％〜５０％」なる数値範囲における臨界的意義の記載がなく、また、特に臨界的意義を認めるに足る根拠もない。
　よって、引用例に記載された発明に前記周知手段を適用した点に格別の困難性は認められず、「中心領域における所定の光強度」の範囲は、引用例に記載された発明に前記周知手段を適用する際当業者が当然に試みる範囲と認められる。
４．そうすると、本件請求項１に係る発明は、引用例に記載された発明及び周知手段に基いて当業者が容易に発明できたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって結論のとおり審決する。