【事件の表示】
　平成５年特許願第３２８７２５号「青−緑注入形レーザ装置」拒絶査定に対する審判事件（平成７年８月１６日出願公告、特公平７−７７２８４）について、次のとおり審決する。
【結論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理由】
（手続の経緯、請求項に係る発明）
　本願は、平成５年１２月２４日の出願（パリ条約による優先権主張日平成４年１２月２８日）であって、請求項１に係る発明は、出願公告後、平成１０年９月３０日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの、
「（ａ）第１導電型の基板と、
　（ｂ）前記基板上に形成され、第１導電型のＺｎ１−ｘＭｇｘＳｙＳｅ１−ｙからなるクラッド層と、
　（ｃ）前記第１導電型クラッド層上に形成され、第１導電型のＺｎＳｚＳｅ１−ｚのガイド層と、
　（ｄ）前記第１導電型ガイド層上に形成され、光を発生させる活性領域を構成するＺｎ１−ｕＣｄｕＳｅの活性層と、
　（ｅ）前記活性層上に形成され、前記第１導電型と反対の第２導電型のＺｎＳｚＳｅ１−ｚのガイド層と、
　（ｆ）第２導電型のＺｎＳｚＳｅ１−ｚのガイド層上に形成した第２導電型のＺｎ１−ｘＭｇｘＳｙＳｅ１−ｙのクラッド層と、
　（ｇ）前記第２導電型のクラッド層上に形成した第２導電型の接触層とを具え、
　（ｈ）ここにおいて、０≦ｕ≦０．４、０＜ｚ≦０．１、０＜ｘ≦１及び０．０６≦ｙ≦１とし、前記ｘ及びｙを、前記クラッド層が前記基板に格子整合するように選択すると共に、
　（ｉ）前記各層の厚さが、前記接触層における光の損失を最小にすると共に前記活性層における光の量を最大にするように成長形成されているレーザ装置。」
にあるものと認める。
（先願明細書）
　これに対して、原査定の拒絶の理由となった特許異議の決定の理由において引用された、本願の出願の日前の他の出願であって、その出願後に出願公開された特願平４−３１４１６５号（特開平６−１５２０６１号）の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、先願明細書という。）には、公開公報の掲載箇所で示すと、
「化合物半導体基板上に積層されたＺｎＭｇＳＳｅ系化合物半導体から成る第１導電型の第１のクラッド層と、上記第１のクラッド層上に積層されたＺｎＳＳｅ系化合物半導体から成る第１導電型の第１の光導波層と、上記第１の光導波層上に積層されたＺｎＣｄＳｅ系化合物半導体から成る活性層と、上記活性層上に積層されたＺｎＳＳｅ系化合物半導体から成る第２導電型の第２の光導波層と、上記第２の光導波層上に積層されたＺｎＭｇＳＳｅ系化合物半導体から成る第２導電型の第２のクラッド層とを具備する半導体レーザ。」
（特許請求の範囲請求項２）、
「【００１８】図１に示すように、この第１実施例による半導体レーザーにおいては、例えばｎ型不純物としてＳｉがドープされた（１００）面方位のｎ型ＧａＡｓ基板１上に、例えばｎ型不純物としてＣｌがドープされたｎ型ＺｎＳｅバッファ層２、例えばｎ型不純物としてＣｌがドープされたｎ型ＺｎｘＭｇ１−ｘＳｙＳｅ１−ｙクラッド層３、例えばｎ型不純物としてＣｌがドープされたｎ型ＺｎＳｐＳｅ１−ｐ光導波層４，例えばアンドープのＺｎ１−ｚＣｄｚＳｅの活性層５、例えばｐ型不純物としてＮがドープされたｐ型ＺｎＳｐＳｅ１−ｐ光導波層６及び例えばｐ型不純物としてＮがドープされたｐ型ＺｎｘＭｇ１−ｘＳｙＳｅ１−ｙクラッド層７が順次積層されている。この場合、Ｚｎ１−ｚＣｄｚＳｅの活性層５はひずみ層である。
　【００１９】ｐ型ＺｎｘＭｇ１−ｘＳｙＳｅ１−ｙクラッド層７の上には、ストライプ状の開口８ａを有する例えばポリイミド、ＳｉＯｘ膜、ＳｉＮｘ膜などから成る絶縁膜８が形成されている。そして、この開口８ａを通じてｐ型ＺｎｘＭｇ１−ｘＳｙＳｅ１−ｙクラッド層７にｐ型電極としての例えばＡｕ電極９がコンタクトしている。一方、ｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面にはｎ型電極としてのＩｎ電極１０がコンタクトしている。
　【００２０】この場合、ｎ型ＺｎｘＭｇ１−ｘＳｙＳｅ１−ｙクラッド層３及びｐ型ＺｎｘＭｇ１−ｘＳｙＳｅ１−ｙクラッド層７のＺｎ組成比ｘは例えば０．９７、Ｓ組成比ｙは例えば０．０９であり、そのときのバンドギャップＥｇは約２．８７ｅＶである。また、ｎ型ＺｎＳｐＳｅ１−ｐ光導波層４及びｐ型ＺｎＳｐＳｅ１−ｐ光導波層６のＳ組成比ｐは例えば０．０６であり、そのときのバンドギャップＥｇは約２．８２ｅＶである。さらに、Ｚｎ１−ｚＣｄｚＳｅの活性層５のＣｄ組成比ｚは例えば０．１８であり、そのときのバンドギャップＥｇは約２．５７ｅＶである。」（公報第３頁右欄第２７行〜第４頁左欄第９行）、
「【００２２】この場合、ｎ型ＺｎｘＭｇ１−ｘＳｙＳｅ１−ｙクラッド層３、ｎ型ＺｎＳｐＳｅ１−ｐ光導波層４，ｐ型ＺｎＳｐＳｅ１−ｐ光導波層６及びｐ型ＺｎｘＭｇ１−ｘＳｙＳｅ１−ｙクラッド層７はＧａＡｓに格子整合するものである。」（公報第４頁左欄第３２行〜第３６行）と記載されており、先願明細書には、
「ｎ型ＧａＡｓ基板上に積層されたｎ型ＺｎｘＭｇ１−ｘＳｙＳｅ１−ｙの第１クラッド層と、第１クラッド層上に積層されたｎ型ＺｎＳｐＳｅ１−ｐの第１光導波層と、第１光導波層上に積層されたアンドープのＺｎ１−ｚＣｄｚＳｅ活性層と、活性層上に積層されたｐ型ＺｎＳｐＳｅ１−ｐの第２光導波層と、第２光導波層上に積層されたｐ型ＺｎｘＭｇ１−ｘＳｙＳｅ１−ｙの第２クラッド層とを具備し、ｘは０．９７、ｙは０．０９、ｐは０．０６、ｚは０．１８であり、ｎ型ＺｎｘＭｇ１−ｘＳｙＳｅ１−ｙクラッド層、ｎ型ＺｎＳｐＳｅ１−ｐ光導波層，ｐ型ＺｎＳｐＳｅ１−ｐ光導波層及びｐ型ＺｎｘＭｇ１−ｘＳｙＳｅ１−ｙクラッド層はＧａＡｓ基板に格子整合するものである半導体レーザ。」
の発明（以下、先願発明という。）が記載されている。
（対比）
　本願の請求項１に係る発明（以下、単に本願発明という。）と先願発明とを対比すると、
先願発明における「ｎ型ＧａＡｓ基板」、「ｎ型ＺｎｘＭｇ１−ｘＳｙＳｅ１−ｙの第１クラッド層」、「ｎ型ＺｎＳｐＳｅ１−ｐの第１光導波層」、「アンドープのＺｎ１−ｚＣｄｚＳｅ活性層」、「ｐ型ＺｎＳｐＳｅ１−ｐの第２光導波層」、「ｐ型ＺｎｘＭｇ１−ｘＳｙＳｅ１−ｙの第２クラッド層」及び「半導体レーザ」は、本願発明における「第１導電型の基板」、「第１導電型のＺｎ１−ｘＭｇｘＳｙＳｅ１−ｙからなるクラッド層」、「第１導電型のＺｎＳｚＳｅ１−ｚのガイド層」、「Ｚｎ１−ｕＣｄｕＳｅの活性層」、「第１導電型と反対の第２導電型のＺｎＳｚＳｅ１−ｚのガイド層」、「第２導電型のＺｎ１−ｘＭｇｘＳｙＳｅ１−ｙのクラッド層」及び「レーザ装置」に各々相当し、活性層が「光を発生させる活性領域を構成する」ことは自明であり、また、先願発明の各成分の組成比を規定した数値（先願発明のｘは本願発明の１−ｘに相当し、以下同様に、先願発明のｙ、ｐ及びｚは、本願発明のｙ、ｚ及びｕに相当する。）のｘ＝０．９７、ｙ＝０．０９、ｐ＝０．０６、ｚ＝０．１８は、本願発明の「０≦ｕ≦０．４、０＜ｚ≦０．１、０＜ｘ≦１、０．０６≦ｙ≦１」に含まれるものであり、さらに、先願発明の、「ｎ型ＺｎｘＭｇ１−ｘＳｙＳｅ１−ｙクラッド層、ｎ型ＺｎＳｐＳｅ１−ｐ光導波層，ｐ型ＺｎＳｐＳｅ１−ｐ光導波層及びｐ型ＺｎｘＭｇ１−ｘＳｙＳｅ１−ｙクラッド層はＧａＡｓ基板に格子整合する」との記載から、先願発明においても、ｘ及びｙの数値は、クラッド層が基板に格子整合するように選択されているものと認められるから、両者は、
「（ａ）第１導電型の基板と、
　（ｂ）前記基板上に形成され、第１導電型のＺｎ１−ｘＭｇｘＳｙＳｅ１−ｙからなるクラッド層と、
　（ｃ）前記第１導電型クラッド層上に形成され、第１導電型のＺｎＳｚＳｅ１−ｚのガイド層と、
　（ｄ）前記第１導電型ガイド層上に形成され、光を発生させる活性領域を構成するＺｎ１−ｕＣｄｕＳｅの活性層と、
　（ｅ）前記活性層上に形成され、前記第１導電型と反対の第２導電型のＺｎＳｚＳｅ１−ｚのガイド層と、
　（ｆ）第２導電型のＺｎＳｚＳｅ１−ｚのガイド層上に形成した第２導電型のＺｎ１−ｘＭｇｘＳｙＳｅ１−ｙのクラッド層と、
　（ｈ）ここにおいて、０≦ｕ≦０．４、０＜ｚ≦０．１、０＜ｘ≦１及び０．０６≦ｙ≦１とし、前記ｘ及びｙを、前記クラッド層が前記基板に格子整合するように選択されているレーザ装置。」
である点で一致しており、
１．本願発明は、（ｇ）前記第２導電型のクラッド層上に形成した第２導電型の接触層を具えているのに対し、先願発明は接触層を具えていない点、
２．本願発明は、（ｉ）前記各層の厚さが、前記接触層における光の損失を最小にすると共に前記活性層における光の量を最大にするように成長形成されているのに対し、先願発明は、これらの点は明示されていない点、
で一応相違している。
（当審の判断）
　上記相違点について検討する。
・相違点１について
　クラッド層としてＺｎＭｇＳＳｅを使用したレーザ装置において、クラッド層と電極との間に接触層として、クラッドと同じ導電型のＺｎＳｅを設けることは、本願出願前周知であり（ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ　ＬＥＴＴＥＲＳ　１０ｔｈ　Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ　１９９２　Ｖｏｌ．２８　Ｎｏ．１９　第１７９８頁、信学技報Ｖｏｌ．９２　Ｎｏ．３８１　１９９２年１２月１７日、第３５頁〜第３６頁参照）、また、ＳＣＨ構造のレーザ装置においてもクラッド層と同じ導電型のＺｎＳｅ接触層を設けることも知られている（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．Ｖｏｌ．５９　Ｎｏ．１１　９　Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ　１９９１　第１２７２頁参照）から、この相違点は単なる設計上の微差にすぎない。そして、その奏する作用効果も、接触層を設けたことによる効果以上のものではない。
・相違点２について
　レーザ装置を設計する際に、活性層における光量が最大となる光強度分布にするように、各層の厚さを設定することは当然の考慮事項であり、また、そのように設定すれば、接触層に達する光量がきわめて小さくなり、接触層における光の損失を最小に抑えることができることは自明である。
　したがって、相違点２は、レーザ装置を設計する際に、当然考慮すべき事項を記載したものにすぎず、先願発明においても、明示の記載はないが、同様の設計思想の基に、各層の厚さが成長形成されているものと認める。
（むすび）
　したがって、本願発明は、先願発明と実質的に同一の発明であり、しかも、本願発明の発明者が上記先願発明の発明者と同一であるとも、また、本願の出願時に、その出願人が上記他の出願の出願人と同一であるとも認められないので、本願発明は、特許法第２９条の２第１項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。