【事件の表示】
　平成５年特許願第３３１１５８号「光回路とその製造方法」拒絶査定に対する審判事件（平成７年７月２８日出願公開、特開平７−１９１２３６）について、次のとおり審決する。
【結論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理由】
１．本願は、平成５年１２月２７日の出願であつて、その請求項１に係る発明は、願書に添付した明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１に特定された次のとおりのものである。
　「【請求項１】Ｓｉ基板上に光導波路が形成され前記光導波路からの出射光を光軸変換する光回路において、前記光導波路からの出射光を反射する反射ミラーが、Ｓｉ異方性エッチングにより形成された反射面に反射膜をコーティングしたＳｉ部材からなり、かつＳｉ異方性エッチングにより前記Ｓｉ部材からなる反射ミラーと前記Ｓｉ基板のいずれか一方には凹形状部をまた他方には前記凹形状部と嵌合する凸形状部を形成し前記反射ミラーと前記Ｓｉ基板とを前記凹及び凸形状部を介して嵌入固定したことを特徴とする光回路。」
２．これに対して、当審において平成１１年４月２日付けで通知した拒絶の理由に引用した特開平４−２０８９０５号公報（以下、第１引用例という）には、「また、この様に微小な反射器を、半導体基板（１１）上の所定の位置に精度良く搭載することも困難である。【０００６】更に図６（ａ）の様な搭載方法では、光半導体素子（１３）が片持ち型となるため、配線方法や強度上の問題がある。反射器（１４）に支持腕を設けることは研磨や劈開では不可能であるし、別の支持体を搭載することは工程数の増加をもたらす。図６（ｂ）の様な搭載方法では、反射器（１４）の下面が上面より小さいだけに、位置合わせが一層困難になるという問題がある。」（第１欄第４１行乃至第２欄第１行）、「２１は｛１００｝面を表面とし、〈１１０〉方向に切り出されたＳｉ基板である。表面に装着した酸化膜（２２）に適当なマスク合わせ工程を経て溝に形成し、ヒドラジンや水酸化カリウム等を用いて異方性エッチングを行うと、反射面となる側面（２３）（２４）に｛１１１｝面が露呈した凹部（２５）が形成される。エッチングは｛１１１｝面が露呈した時点で終了するので、凹部の大きさ、深さはマスク合わせ工程によって高精度に決定される。このとき、露呈｛１１１｝面の｛１００｝面に対する角度は、５４．７°となる。場合によっては、側面（２３）（２４）に金属や誘電体の一層または多層の薄膜を装着して、反射率を高めてもよい。」（第２欄第４８行乃至第３欄第９行）、「ＰＤの位置合わせを更に精度良くするためには、図３の方法がある。即ち、ＰＤ下面にメサ状の突起（４２）を形成し、その突起を凹部（２５）に嵌め込んで実装する。これにより、簡単な工程で高精度の実装が可能となる。以上挙げた例は、ＰＤのような受光素子ばかりでなく、ＬＥＤや面発光レーザのような発光素子にも応用できる。」（第４欄第１１行乃至第１７行）、及び「またこの発明は、ファイバばかりでなく薄膜導波路と光半導体素子との光結合にも適用できる。その様子を図４（ａ）に示す。図６と同様に光半導体素子（１３）と薄膜導波路（１２）とが形成された半導体基板（１１）上に、先に説明した反射器（２９）を、凹部（２５）を下にして装着する。この反射器（２９）は従来の反射器（１４）に比較して形も大きく、上面と下面の大きさも等しいため、従来例で説明した困難はない。また、反射器（２９）に集光作用もあるので、従来例よりも高効率の光結合ができる。更に高精度に位置合わせをしたいときは、半導体基板（１１）の受光素子周辺部にも位置合わせ用の凹部を設け、ここに反射器（２９）を嵌め込むとよい。」（第４欄第１８行乃至第３０行）との記載が有り、結局、基板（１１）上に光導波路（１２）が形成され前記光導波路（１２）からの出射光を光軸変換する光回路において、前記光導波路（１２）からの出射光を反射する反射器（１４），（２９）が、Ｓｉ異方性エッチングにより形成された反射面に反射膜をコーティングしたＳｉ部材からなり、かつＳｉ異方性エッチングによりＳｉ部材からなる反射器（２９）に凹部（２５）をまたＰＤには前記凹部（２５）に嵌合するメサ状の突起（４２）を形成し前記反射器（２９）と前記ＰＤとを前記凹部（２５）及び突起（４２）���介して実装する光回路が記載されている。
　同じく引用した特開平４−６９６６３号公報（以下、第２引用例という）には、「さて、このようにして形成された一方の結晶構造体の凹部に他方の結晶構造体の凸部を嵌め込むことにより（いわゆる落とし蓋方式）、２つの結晶構造体をフォトリソグラフィ−と同程度の位置合わせ精度で重ね合わせることができる。」（第２頁左下欄末行乃至右下欄第４行）、「第１図に示す例では、基板１０、マスク２０とも｛１００｝面を有するシリコン基板を用い、アルカリ系のエッチャントにより、基板１０側に凹部１２，マスク２０側に凸部２１を夫々形成したものである。」（第３頁左上欄第９行乃至第１２行）、及び「また、本発明の位置合わせ方法は、基板とマスクに限らず、他の結晶構造を有する二物体の重ね合わせにも同様に用いることができる。」（第４頁右上欄第１０行乃至第１２行）との記載があり、
　同じく引用した特開平２−２７７２４８号公報（以下、第３引用例という）には、「微小部品側の単結晶シリコンからなる台座とこの台座が固定される単結晶シリコン基板側とのそれぞれに、互いに対応する形状の凹部と凸部とを異方性エッチングにより形成する第１の工程と、上記凹部に、対応する凸部を嵌合させて上記微小部品の上記基板に対するＸ−Ｙ−Ｚ３軸方向の位置合わせを行う第２の工程とを具備した微小部品の位置合わせ方法。」（特許請求の範囲）及び「さらに、第１図中に３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄで示すのは各種の最小部品である。そして、図中の３ａはレーザダイオード（半導体レーザ）を示しており、また、３ｂはレーザダイオード３ａからの出力光５を受けるスイッチング素子を示している。さらに、３ｃはスイッチング素子３ｂの出力信号６を受ける増幅器を示しており、３ｄは増幅器３ｃの出力光７を受けるホトダイオードを示している。」（第２頁右上欄第１２行乃至第２０行）との記載があり、
　同じく引用した特開平２−２２９４５４号公報（以下、第４引用例という）には、「このＳｉ基板１にはアルカリ溶液を用いた異方性エッチングにより、半導体素子が形成されたチップ３を埋め込むためのテーパ穴２（本発明の凹部に相当）が形成されている。」（第２頁右下欄第４行乃至第７行）及び「次に、本発明の第３実施例を第５図の断面図に示す。半導体チップ３の母材がＳｉ基板１と同じ面方位を持つＳｉウェハである場合には、異方性エッチングにより同一テーパ面を形成することが可能であり、図に示すように溝埋め層なしの構造とすることができ、工程の簡略化を図ることができるとともに、半導体チップ３の接合時にＳｉ基板１のテーパ部とすり合い接着することで、横方向のチップ位置精度をさらに向上することができる。」（第４頁左下欄第２行乃至第１１行）との記載がある。
３．そこで、本願請求項１に係る発明と第１引用例記載のものとを対比すると、本願請求項１に係る発明の「光導波路」、「反射ミラー」は、夫々第１引用例記載のものの「光導波路（１２）」、「反射器（１４），（２９）」に相当するから、両者は、基板上に光導波路が形成され前記光導波路からの出射光を光軸変換する光回路において、前記光導波路からの出射光を反射する反射ミラーが、Ｓｉ異方性エッチングにより形成された反射面に反射膜をコーティングしたＳｉ部材からなる光回路、で一致し、
Ａ基板が、本願請求項１に係る発明はＳｉであるのに対して、第１引用例記載のものは、そのような記載が無い点、
Ｂ本願請求項１に係る発明は、Ｓｉ異方性エッチングにより前記Ｓｉ部材からなる反射ミラーと前記Ｓｉ基板のいずれか一方には凹形状部をまた他方には前記凹形状部と嵌合する凸形状部を形成し前記反射ミラーと前記Ｓｉ基板とを前記凹及び凸形状部を介して嵌入固定したのに対して、第１引用例記載のものは、Ｓｉ異方性エッチングによりＳｉ部材からなる反射器（２９）に凹部（２５）をまたＰＤには前記凹部（２５）に嵌合するメサ状の突起（４２）を形成し前記反射器（２９）と前記ＰＤとを前記凹部（２５）及び突起（４２）を介して実装する点で相違する。
４．そこで、先ず、相違点Ａについて検討すると、基板をＳｉとすることは従来周知（例えば、上記第２〜４引用例等を参照。）の技術手段に過ぎない。
　次に、相違点Ｂについて検討すると、一般に、２部材の一方にＳｉ異方性エッチングにより凹部を形成し、他方にＳｉ異方性エッチングにより凸部を形成し、両方の凹凸部を嵌合させることは従来周知（例えば、上記第２〜４引用例等を参照。）の技術手段に過ぎない。そして、第１引用例には、Ｓｉ異方性エッチングによりＳｉ部材からなる反射器（２９）に凹部（２５）をまたＰＤには前記凹部（２５）に嵌合するメサ状の突起（４２）を形成し前記反射器（２９）と前記ＰＤとを前記凹部（２５）及び突起（４２）を介して実装することが記載されているから、従来周知技術である、上記２部材の嵌合手段を、ＰＤに換えて半導体基板１１に適用して本願請求項１に係る発明を推考することは、当業者なら容易に為しうるといえる。
５．したがつて、本願請求項１に係る発明は、第１引用例及び従来周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められるので、本願請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よつて、結論のとおり審決する。