【事件の表示】
　特許第６４６７４８４号発明「鉛フリーはんだ合金、電子回路基板および電子制御装置」の特許異議申立事件について，次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６４６７４８４号の請求項１〜３，６，７に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第６４６７４８４号（以下，「本件」という。）についての出願は，平成２８年　３月２２日に出願した特願２０１６−５７７１２号の一部を平成２８年　９月２０日に新たな出願（特願２０１６−１８２８０９号）として，更にその一部を平成２９年１０月１３日に新たな出願（特願２０１７−１９９９４９号）としたものであって，平成３１年　１月１８日に本件の特許権の設定登録がなされ，平成３１年　２月１３日に特許掲載公報が発行され，その後，本件の請求項１〜３，６，７に係る特許に対し，令和　１年　８月　８日に特許異議申立人　大池聞平（以下，「申立人」という。）より，特許異議の申立てがされたものである。
　
第２　本件発明
　本件の請求項１〜７に係る発明は，特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された事項により特定される，次のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　Ａｇを２重量％超３．１重量％以下と、Ｃｕを１重量％以下と、Ｓｂを３重量％以上５重量％以下と、Ｂｉを３．５重量％以上４．５重量％以下と、Ｎｉを０．０１重量％以上０．２５重量％以下と、Ｃｏを０．００１重量％以上０．００８重量％（ただし、０．００８重量％を除く）以下含み、残部がＳｎからなることを特徴とする鉛フリーはんだ合金。
　【請求項２】
　Ａｇを２重量％超３．１重量％以下と、Ｃｕを１重量％以下と、Ｓｂを３重量％以上５重量％以下と、Ｂｉを３．５重量％以上４．５重量％以下と、Ｎｉを０．０１重量％以上０．０３重量％以下と、Ｃｏを０．００１重量％以上０．００８重量％以下（ただし、０．００８重量％を除く）含み残部がＳｎからなり、ＡｇとＣｕとＳｂとＢｉとＮｉとＣｏのそれぞれの含有量（重量％）が下記式（Ａ）から（Ｄ）の全てを満たすことを特徴とする請求項１に記載の鉛フリーはんだ合金。
　１．６≦Ａｇ含有量＋（Ｃｕ含有量／０．５）≦５．９  …  Ａ
　０．８５≦（Ａｇ含有量／３）＋（Ｂｉ含有量／４．５）≦  ２．１０  …  Ｂ
　３．６  ≦  Ａｇ含有量＋Ｓｂ含有量≦  ８．９  …  Ｃ
　０＜（Ｎｉ含有量／０．２５）＋（Ｃｏ含有量／０．２５）≦１．１９  …Ｄ
　【請求項３】
　Ｎｉの含有量が０．０１重量％以上０．０３重量％以下であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の鉛フリーはんだ合金。
　【請求項４】
　更にＰ、Ｇａ、およびＧｅの少なくとも１種を合計で０．００１重量％以上０．０５重量％以下含むことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の鉛フリーはんだ合金。
　【請求項５】
　更にＦｅ、Ｍｎ、Ｃｒ、およびＭｏの少なくとも１種を合計で０．００１重量％以上０．０５重量％以下含むことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の鉛フリーはんだ合金。
　【請求項６】
　請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の鉛フリーはんだ合金を用いて形成されるはんだ接合部を有することを特徴とする電子回路基板。
　【請求項７】
　請求項６に記載の電子回路基板を有することを特徴とする電子制御装置。」
　
第３　申立理由の概要
　申立人が主張する特許異議申立の理由の概要は，次のとおりである。
１　理由１（明確性）
　本件の特許請求の範囲の記載は以下の点で，特許を受けようとする発明が明確でないから，請求項１〜３，６，７についての特許は，特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対して特許されたものである。
（１）請求項１の「Ｃｏを０．００１重量％以上０．００８重量％（ただし、０．００８重量％を除く）以下含み」との記載は，表現が不自然であり，また，請求項１を引用する請求項２の「Ｃｏを０．００１重量％以上０．００８重量％以下（ただし、０．００８重量％を除く）含み」との記載と表現が異なっており，いずれも，上限である「０．００８重量％」を含むのか否かが明確でない。
（２）請求項２の不等式Ａ〜Ｄの技術的意義が明確でない。
（３）請求項２の「Ｎｉを０．０１重量％以上０．０３重量％以下」と，請求項２を引用する請求項３の「Ｎｉを０．０１重量％以上０．０３重量％以下」とは，両特定事項により特定される範囲が同一であるのか異なるのかが不明であり，発明の外延が不明確である。
　
２　理由２（サポート要件）
　本件の特許請求の範囲は以下の点で，発明の詳細な説明に記載されたものでないから，請求項１〜３，６，７についての特許は，特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対して特許されたものである。
　すなわち，発明の詳細な説明には，請求項１〜３の組成を満たす鉛フリーはんだ合金の具体例として実施例１８が示されているのみであり，合金を構成する各金属元素について，発明の詳細な説明の記載及び当業者の技術常識を参酌しても，請求項１〜３で特定される数値範囲の上限及び下限にまで拡張ないし一般化できるとは認められない。
　
３　理由３（新規性）
　本件の請求項１〜３，６，７に係る発明は，甲第１号証に記載された発明であって特許法第２９条第１項第３号に該当するから，請求項１〜３，６，７についての特許は，特許法第２９条第１項の規定に違反して特許されたものである。
　
４　理由４（進歩性）
　本件の請求項１〜３，６，７に係る発明は，甲第１号証に記載された発明に基いて，その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであって，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから，請求項１〜３，６，７についての特許は，特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものである。
　
５　理由５（新規性）
　本件の請求項１〜３，６，７に係る発明は，甲第３号証に記載された発明であって特許法第２９条第１項第３号に該当するから，請求項１〜３，６，７についての特許は，特許法第２９条第１項の規定に違反して特許されたものである。
　
６　理由６（進歩性）
　本件の請求項１〜３，６，７に係る発明は，甲第３号証に記載された発明に基いて，当業者が容易に発明をすることができたものであって，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから，請求項１〜３，６，７についての特許は，特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものである。
　
（証拠）
甲第１号証：国際公開第２０１４／１６３１６７号
（以下「甲１」という。）
甲第２号証：特許第５８１１３０４号公報
（以下「甲２」という。甲１の特許公報である。）
甲第３号証：特開２０１４−３７００５号公報
（以下「甲３」という。）
甲第４号証：知的財産高等裁判所　平成３０年　２月１４日　判決
（以下「甲４」という。平成２９年（行ケ）第１０１２１号審決取消請求事件の判決である。）
　
第４　引用文献の記載
１　甲１について
（１）甲１には，鉛フリーはんだ合金と車載電子回路（発明の名称）に関して，次の記載がある。なお，下線は当審が付した。
　
「請求の範囲
［請求項１］
Ａｇ：１〜４質量％、Ｃｕ：０．６〜０．８質量％、Ｓｂ：１〜５質量％、Ｎｉ：０．０１〜０．２質量％、残部Ｓｎからなることを特徴とする鉛フリーはんだ合金
［請求項２］
さらに、Ｂｉ：１．５〜５．５質量％を含有することを特徴とする請求項１に記載の鉛フリーはんだ合金
［請求項３］
さらに、ＣｏおよびＦｅから選択された元素を少なくとも１種を合計で０．００１〜０．１質量％含有することを特徴とする請求項１または２に記載の鉛フリーはんだ合金
［請求項４］請求項１〜３に記載の鉛フリーはんだ合金であって、温度サイクル試験の３０００サイクル後の初期値に対するシェア強度残存率が３０％以上であることを特徴とする鉛フリーはんだ合金。
［請求項５］請求項１〜４に記載の鉛フリーはんだ合金であって、Ｃｕ−ＯＳＰ処理を施した基板と接合されることを特徴とする鉛フリーはんだ合金。
［請求項６］請求項１〜５のいずれかに記載の鉛フリーはんだ合金からなるはんだ接合部を有する車載電子回路。
［請求項７］
請求項１〜５のいずれかに記載の鉛フリーはんだ合金からなるはんだ接合部を有するＥＣＵ電子回路
［請求項８］請求項６記載の電子回路を備えた車載電子回路装置。
［請求項９］
請求項７記載のＥＣＵ電子回路を備えたＥＣＵ電子回路装置
　
「技術分野
［０００１］本発明は、温度サイクル特性に優れ、衝突などの衝撃に強い鉛フリーはんだ合金と、車載電子回路装置とに関する。」
　
「背景技術
［０００２］自動車には、プリント回路基板（以降プリント基板という）に半導体やチップ抵抗部品などの電子部品をはんだ付けした電子回路（以下、車載電子回路という）が搭載されている。車載電子回路は、エンジン、パワーステアリング、ブレーキ等を電気的に制御する装置に使用されており、そのような装置は自動車の走行にとって非常に重要な保安部品となっている。特に、
燃費向上のためにコンピューターで自動車の走行、特にエンジンの作動を制御する電子回路を備えた、ＥＣＵ（Ｅｎｇｉｎｅ　Ｃｏｎｔｒｏｌ　Ｕｎｉｔ）と呼ばれる車載電子回路装置は、長期間に渡って故障がなく安定した状態で稼働できるものでなければならない
このＥＣＵは、一般的にエンジン近傍に設置されているものが多く、使用環境としては、かなり厳しい
本明細書では、この車載電子回路装置を単に「ＥＣＵ」ともいい、「ＥＣＵ電子回路装置」ともいう
　
「発明が解決しようとする課題
［０００８］〜「００１０］（略）
［００１１］
本発明が解決しようとする課題は、低温が−４０℃、高温が１２５℃というような厳しい温度サイクル特性に長期間耐えられるだけでなく、縁石への乗り上げや前の車との衝突などで発生する外部からの力に対しても長期間に耐える事が可能なはんだ合金およびそのはんだ合金を使用した車載電子回路装置を開発することである
　
「課題を解決するための手段
［００１２］〜［００１３］（略）
［００１４］ここに、
本発明にかかる合金の冶金学的組織上の特徴は、はんだ合金がＳｎマトリックス中にＳｂが固溶している組織からなり、該組織は、例えば１２５℃の高温ではＳｂが安定して固溶した状態を呈するが、温度低下に伴って、Ｓｎマトリックスに対してＳｂが、徐々に、過飽和状態で固溶するようになり、そして、例えば−４０℃という低温では、ＳｎＳｂ金属間化合物としてＳｂが析出する組織である
　
「発明の効果
［００２１］
本発明にかかるはんだ合金は、−４０℃から＋１２５℃の温度サイクル試験を３０００サイクル近く繰り返しても、微量なはんだ量のはんだ接合部にもクラックが発生せず、また、クラックが発生した場合においても、クラックがはんだ中を伝播することを抑制した、優れた温度サイクル特性を発揮できる
　本発明にかかるはんだ合金を、
微少なはんだ量で、はんだフィレットがほとんどなく薄いはんだ接合部を有する車載電子回路のはんだ付けに用いることで、−４０から＋１２５℃の温度サイクルに曝される使用環境下で使用しても、はんだ接合部にクラックが発生せず、例えクラックが発生したとしても、はんだ中を伝播することが抑制されるため、信頼性の高い車載電子回路および車載電子回路装置を得ることができる
　また、本発明のはんだ合金は、
接合界面で発生するクラックも抑制されており、特にＥＣＵ装置のはんだ付けに適した特性を有している
　
「発明を実施するための最良の形態
［００２２］本発明のはんだ合金に
添加されるＳｂが１質量％未満では、Ｓｂ量が少なすぎてＳｎマトリックス中にＳｂが分散する形態が現れず、さらに固溶強化の効果も現れない。さらに、はんだ接合部のシェア強度も低くなる
Ｓｂが５質量％を超えるようなＳｂの添加では、液相線温度が上昇するので、炎天下のエンジン稼働時等に現れる１２５℃を超す高温時にＳｂが再溶融しないので、ＳｎＳｂ金属間化合物の粗大化が進み、はんだ中にクラックが伝播することを抑制することができない
さらに、液相線温度が上がると実装時の温度ピークが上がるので、プリント基板の表面に配線されているＣｕがはんだ中に溶融して、Ｃｕ
６
Ｓｎ
５
等のＳｎＣｕの金属間化合物層がプリント基板とのはんだ付け部に厚く形成され易くなり、プリント基板とはんだ接合部が破壊され易くなる
　したがって、本発明のＳｂの量は１〜５質量％であり、好ましくは３〜５質量％である。後述するＢｉが配合される場合には、Ｓｂの量は３超〜５％が好ましい。
［００２３］本発明のはんだ合金では、はんだ中におけるクラックの発生と伝播を抑制すると共に、セラミック部品とはんだ接合部のはんだ接合界面でのクラックの発生も抑制している。例えば、Ｃｕランドにはんだ付けするとＣｕ６Ｓｎ５の金属間化合物がＣｕランドとの接合界面に発生するが、
本発明のはんだ合金はＮｉを０．０１〜０．２質量％含有しており、この含有しているＮｉは、はんだ付け時にはんだ付け界面部分に移動して、Ｃｕ
６
Ｓｎ
５
ではなく（ＣｕＮｉ）
６
Ｓｎ
５
が発生して、界面の（ＣｕＮｉ）
６
Ｓｎ
５
の金属間化合物層のＮｉ濃度が高くなる。これにより、はんだ付け界面にＣｕ
６
Ｓｎ
５
よりも微細で、粒径が揃った（ＣｕＮｉ）
６
Ｓｎ
５
の金属間化合物層が形成される
［００２４］このように、本発明のはんだ合金では、
Ｎｉを添加することで、はんだ付け界面付近に発生する金属間化合物層の金属間化合物を微細化して、クラックの発生を抑制するとともに、一旦発生したクラックの伝播を抑制する働きをしている
　
Ｎｉの量が０．０１質量％未満では、はんだ付け界面のＮｉの量が少ないため、はんだ接合部界面の改質効果が不十分であるためクラック抑止効果がなく
Ｎｉの量が０．２質量％を超えてしまうと、液相線温度が上昇するため、本発明に添加したＳｂの再溶融が発生せず、微細なＳｎＳｂ金属間化合物の粒径維持の効果を阻害してしまう
　したがって、本発明のＮｉの量は、０．０１〜０．２質量％が好ましく、より好ましくは０．０２〜０．１質量％である。さらに好ましくは、０．０２〜０．０８％である。
［００２５］本発明に添加されている
Ａｇは、はんだのぬれ性向上効果とはんだマトリックス中にＡｇ
３
Ｓｎの金属間化合物のネットワーク状の化合物を析出させて、析出分散強化型の合金を作り、温度サイクル特性の向上を図る効果が発揮される
　本発明のはんだ合金で、
Ａｇの含有量が１質量％未満では、はんだのぬれ性の向上効果が発揮されず、Ａｇ
３
Ｓｎの析出量が少なくなり、金属間化合物のネットワークが強固とはならない
Ａｇの量が４質量％より多くなると、はんだの液相線温度が上昇して、本発明にしたがって添加したＳｂの再溶融が起らず、ＳｎＳｂ金属間化合物の微細化の効果を阻害
　したがって、本発明に添加するＡｇの量は、１〜４質量％が好ましい。より好ましくは、Ａｇの量が３．２〜３．８質量％である。
［００２６］（略）
［００２７］本発明のはんだ合金では、
Ｂｉを添加することで、さらに温度サイクル特性を向上させることができる
Ｂｉが入っていると、ＢｉがＳｂと置き換わるので、さらに温度サイクル特性を向上させることができる。ＢｉはＳｂより原子量が大きく、原子配列の格子を歪ませる効果が大きいからである
また、Ｂｉは、微細なＳｎＳｂ金属間化合物の形成を妨げることがなく、析出分散強化型のはんだ合金が維持される
　本発明のはんだ合金に添加する
Ｂｉの量が、１．５質量％未満ではＳｂとの置換が起き難く、微細なＳｎＳｂ金属間化合物の量が少なくなるため、温度サイクル向上効果が現れない
Ｂｉの量が５．５質量％を超えて添加するとはんだ合金自体の延性が低くなって堅く硬く、もろくなるので、振動等でのクラックの成長が早くなってしまう
　本発明のはんだ合金に添加するＢｉの量は、１．５〜５．５質量％が好ましく、より好ましいのは、３〜５質量％のときである。さらに好ましくは、３．２〜５．０質量％である。
［００２８］さらに、
本発明のはんだ合金では、ＣｏまたはＦｅ、またはその両方を添加することで、本発明のＮｉの効果を高めることができる
  本発明のはんだ合金に添加するＣｏとＦｅの量は、合計量で、
０．００１質量％未満では接合界面に析出して界面クラックの成長を防止する効果が現れず
０．１質量％を超えて添加されると界面に析出する金属間化合物層が厚くなり、振動等でのクラックの成長が早くなってしまう。
　本発明に添加するＣｏまたはＦｅ、その両方を添加する量は、０．００１〜０．１質量％が好ましい。
［００２９］本発明にかかるはんだ合金は、これまでの説明からも明らかなように、ヒートサイクル性に優れており、はんだ中のクラックの発生や伝播が抑制されるから、絶えず振動を受けている状態で使用される自動車用、つまり車載用として使用されても、クラックの成長や進展が促進されることはない。したがって、そのような特に顕著な特性を備えていることから、本発明にかかるはんだ合金は、自動車に搭載する電子回路のはんだ付けに特に適していることがわかる。
［００３０］ここに、
本明細書でいう「ヒートサイクル性にすぐれている」とは、後述する実施例でも示すように−４０℃以下＋１２５℃以上というヒートサイクル試験を行っても、３０００サイクル後のクラック発生率が９０％以下であり、同じく、３０００サイクル後のシェア強度残存率が、３０％以上を言う
［００３１］
このような特性は、上記ヒートサイクル試験のような非常に過酷な条件で使用されても、車載電子回路が破断しない、つまり使用不能あるいは誤動作をもたらさないことを意味しており、特にＥＣＵ用のはんだ付けに用いられるはんだ合金としては信頼性の高いはんだ合金である。さらに、本発明のはんだ合金は、温度サイクル経過後のシェア強度残存率に優れている。つまり、長期間使用しても衝突や振動等の外部から加わる外力に対してシェア強度等の外力に対する耐性が低下しない
　このように、本発明にかかるはんだ合金は、より特定的には、車載電子回路のはんだ付けに用いられ、あるいは、ＥＣＵ電子回路のはんだ付けに用いられて優れたヒートサイクル性を発揮するはんだ合金である。
［００３２］「電子回路」とは、それぞれが機能を持っている複数の電子部品の電子工学的な組み合わせによって、全体として目的とする機能を発揮させる系（システム）である。
　ここにそのような電子回路を構成する電子部品としては、チップ抵抗部品、多連抵抗部品、ＱＦＰ、ＱＦＮ、パワートランジスタ、ダイオード、コンデンサなどが例示される。これらの電子部品を組み込んだ電子回路は基板上に設けられ、電子回路装置を構成するのである。」
　
「実施例　１
［００３５］表１では、表１の各はんだ合金について、液相線温度、温度サイクル試験の初期値と１５００サイクル後のＳｎＳｂ粒径、クラック率を測定を以下の方法で測定した。
［００３６］（はんだの溶融試験）  
　表１の各はんだ合金を作製して、はんだの溶融温度を測定した。測定方法は、固相線温度はＪＩＳ  Ｚ３１９８−１に準じて行った。液相線温度は、ＪＩＳ  Ｚ３１９８−１を採用せずに、ＪＩＳ  Ｚ３１９８−１の固相線温度の測定方法と同様のＤＳＣによる方法で実施した。
  結果を表１の液相線温度に示す。
［００３７］（温度サイクル試験）
　表１のはんだ合金をアトマイズしてはんだ粉末とした。松脂、溶剤、活性剤、チキソ剤、有機酸等からなるはんだ付けフラックスと混和して、各はんだ合金のソルダペーストを作製した。ソルダペーストは、６層のプリント基板（材質：ＦＲ−４）に１５０μｍのメタルマスクで印刷した後、３２１６のチップ抵抗器をマウンターで実装して、最高温度２３５℃、保持時間４０秒の条件でリフローはんだ付けをし、試験基板を作製した。
　各はんだ合金ではんだ付けした
試験基板を低温−４０℃、高温＋１２５℃、保持時間３０分の条件に設定した温度サイクル試験装置に入れ、初期値、１５００サイクル後に各条件で温度サイクル試験装置から取り出し、３５００倍の電子顕微鏡で観察
　結果を表１のクラック率とＳｎＳｂ粒径に示す。
　ここで、表１中の※１はＳｎＳｂ金属間化合物が見えず測定ができなかったことを示し、※２ははんだの液相線温度が高く、リフロー条件の２３５℃でははんだ付けできなかったことを示す。
［００３８］（クラック率）
　クラック発生率は、クラックが想定クラック長さに対して、クラックが生じた領域がどの程度かの指標となる。
ＳｎＳｂの粒径測定後に、１５０倍の電子顕微鏡を用いて、クラックの状態を観察して、クラックの全長を想定し、クラック率を測定した
　　クラック率（％）＝　
　クラック長さの総和　
　　　　　　　　　　　　　想定線クラック全長
　ここに、「想定線クラック全長」とは、完全破断のクラック長さをいう。
　クラック率は、図５に示した複数のクラック７の長さの合計を、クラック予想進展経路８の長さで割った率である。
　結果は、表１に記載する。
［００３９］
［００４０］表１からは、温度サイクル試験の１５００サイクル後も、ＳｎＳｂの結晶粒が粗大化せずに、初期値と変わらないままの状態で維持されていることがわかる。」
　
「実施例　２
［００４３］次に、表２では、表２の各はんだ合金について、
温度サイクル試験での３０００サイクル後のクラック発生率とシェア強度残存率を測定した
クラック発生率の測定方法は、表１と同じだが、サイクル数は３０００サイクルとした
［００４４］（シェア強度残存率）
　
シェア強度残存率は、初期状態のはんだ付け部のシェア強度に対して温度サイクル試験にどの程度の強度が維持されているかの指標となる
　シェア強度試験は、継手強度試験機ＳＴＲ‐１０００を用いて、室温下で、試験速度６ｍｍ／ｍｉｎ、試験高さは５０μｍの条件で行った。
　結果はまとめて表２に示す。
［００４５］
［表２］
［００４６］〜［００４８］（略）
［００４９］結論として、本願発明のはんだ合金は、−４０〜＋１２５℃の自動車のＥＣＵ基板に必要な過酷な温度条件でも、ＳｎＳｂの結晶粒が粗大化せずに、初期値と変わらないままの状態で維持されており、その結果としてはんだ中から発生するクラックの発生も、他のはんだ合金に比較して少なくすることができる。」
　
（２）甲１に記載された発明
　ア　上記（１）の摘示のうち，請求項１〜３の記載よりみて，甲１には，次の発明が記載されているといえる（以下「甲１請求項発明」という。）。
　
「Ａｇ：１〜４質量％、Ｃｕ：０．６〜０．８質量％、Ｓｂ：１〜５質量％、Ｎｉ：０．０１〜０．２質量％、Ｂｉ：１．５〜５．５質量％、ＣｏおよびＦｅから選択された元素を少なくとも１種を合計で０．００１〜０．１質量％含有し、残部Ｓｎからなる、鉛フリーはんだ合金。」
　イ　また，上記（１）の摘示のうち，本件の請求項１に係る発明の合金組成に最も近い組成である実施例４５をみると，その組成（質量％）は次のとおりである（表２）。
　
　　
　Ｓｎ　 Ａｇ　　Ｃｕ　　Ｎｉ　　　Ｓｂ　　Ｂｉ　　Ｃｏ　
　　　残部　３．４　０．７　０．０４　３．０　３．２　０．０１
　
　よって，甲１には，次の発明も記載されているといえる（以下「甲１実施例発明」という。）。
　
「Ａｇ：３．４質量％、Ｃｕ：０．７質量％、Ｎｉ：０．０４質量％、Ｓｂ：３．０質量％、Ｂｉ：３．２質量％、Ｃｏ：０．０１質量％、Ｓｎ：残部からなる、鉛フリーはんだ合金。」
　
２　甲３について
（１）甲３には，はんだ合金，ソルダペーストおよび電子回路基板（発明の名称）に関して，次の記載がある。なお，下線は当審が付した。
　
「【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　
スズ−銀−銅系のはんだ合金であって
　
スズ、銀、銅、ビスマス、ニッケルおよびコバルトを含有し
　
前記はんだ合金の総量に対して
　
前記銀の含有割合が、２質量％以上４質量％以下であり
　
前記ニッケルの含有割合が、０．０１質量％以上０．１５質量％以下であり
　
前記コバルトの含有割合が、０．００１質量％以上０．００８質量％以下である
ことを特徴とする、はんだ合金
　【請求項２】
　前記コバルトの含有量に対する、前記ニッケルの含有量の質量比（Ｎｉ／Ｃｏ）が、８以上１２以下である、請求項１に記載のはんだ合金。
　【請求項３】
　
前記はんだ合金の総量に対して、
　
前記ビスマスの含有割合が、１．８質量％以上４．２質量％以下である、請求項１または２に記載のはんだ合金
　【請求項４】
　さらにアンチモンを含有し、
　前記はんだ合金の総量に対して、
　前記アンチモンの含有割合が、０．４質量％以上４．０質量％以下であり、
　前記ビスマスの含有割合が、０．８質量％以上３．０質量％以下である、請求項１または２に記載のはんだ合金。
　【請求項５】
　さらにインジウムを含有し、
　前記はんだ合金の総量に対して、
　前記インジウムの含有割合が、２．８質量％以上５．７質量％以下である、請求項１〜４のいずれか一項に記載のはんだ合金。
　【請求項６】
　前記ビスマスの含有量に対する、前記インジウムの含有量の質量比（Ｉｎ／Ｂｉ）が、１．３以上１．８以下である、請求項５に記載のはんだ合金。
　【請求項７】
　
前記はんだ合金の総量に対して
　
前記銅の含有割合が、０．３質量％以上０．７質量％以下である、請求項１〜６のいずれか一項に記載のはんだ合金
　【請求項８】
　
請求項１〜７のいずれか一項に記載のはんだ合金からなるはんだ粉末と
　
フラックスと
を含有することを特徴とする、ソルダペースト
　【請求項９】
　
請求項８に記載のソルダペーストによるはんだ付部を備えることを特徴とする、電子回路基板
　
「【技術分野】
　【０００１】
　
本発明は、はんだ合金、ソルダペーストおよび電子回路基板に関し、詳しくは、スズ−銀−銅系のはんだ合金、そのはんだ合金を含有するソルダペースト、および、そのソルダペーストを用いて得られる電子回路基板に関する
　
「【発明が解決しようとする課題】
　【０００８】
　一方、このようなはんだ合金としては、耐久性（耐疲労性、とりわけ、耐冷熱疲労性）の向上が要求されている。
　【０００９】
　また、このようなはんだ合金としては、さらに、融点を低く抑えるとともに、耐クラック性、耐侵食性を向上させることや、ボイド（空隙）を抑制することが要求されている。
　【００１０】
　
本発明の目的は、低融点であり、耐久性、耐クラック性、耐侵食性などの機械特性に優れ、さらに、ボイド（空隙）の発生を抑制することができるはんだ合金、そのはんだ合金を含有するソルダペースト、および、そのソルダペーストを用いて得られる電子回路基板を提供することにある
　
「【発明の効果】
　【００２０】
　
本発明の一観点に係るはんだ合金は、スズ−銀−銅系のはんだ合金において、スズ、銀、銅、ビスマス、ニッケルおよびコバルトを含有し、はんだ合金の総量に対して、銀の含有割合が、２質量％以上４質量％以下であり、ニッケルの含有割合が、０．０１質量％以上０．１５質量％以下であり、コバルトの含有割合が、０．００１質量％以上０．００８質量％以下であるため、融点を低く抑えるとともに、優れた耐久性、耐クラック性、耐侵食性などの機械特性を備えることができ、さらに、ボイド（空隙）の発生を抑制することができる
　
「【発明を実施するための形態】
　【００２４】
　本発明の一観点に係るはんだ合金は、スズ−銀−銅系のはんだ合金であって、必須成分として、スズ、銀、銅、ビスマス、ニッケルおよびコバルトを含有している。
　【００２５】
　このようなはんだ合金において、
スズの含有割合は、後述する各成分の残余の割合であって、各成分の配合量に応じて、適宜設定される
　【００２６】
　銀の含有割合は、はんだ合金の総量に対して、２質量％以上、好ましくは、２質量％を超過、より好ましくは、２．５質量％以上であり、４質量％以下、好ましくは、４質量％未満、より好ましくは、３．８質量％以下である。
　【００２７】
　上記はんだ合金は、銀の含有割合を上記範囲に設定しているので、優れた強度、耐久性および耐クラック性を備えることができる。
　【００２８】
　一方、銀の含有割合が上記下限未満である場合には、強度に劣ったり、後述する銅による効果（耐侵食性）の発現を阻害する。また、銀の含有割合が上記上限を超過する場合には、融点が高くなり、また、伸びや耐クラック性などの機械特性が低下する。さらに、過剰の銀が、後述するコバルトやゲルマニウムの効果（耐久性）の発現を阻害する。
　【００２９】
　銅の含有割合は、はんだ合金の総量に対して、例えば、０．１質量％以上、好ましくは、０．３質量％以上、より好ましくは、０．４質量％以上であり、例えば、１質量％以下、好ましくは、０．７質量％以下、より好ましくは、０．６質量％以下である。
　【００３０】
　銅の含有割合が上記範囲であれば、優れた耐侵食性および強度を確保することができる。
　【００３１】
　一方、銅の含有割合が上記下限未満である場合には、耐侵食性に劣り、銅喰われなどを生じる場合がある。すなわち、銅の含有割合が上記下限未満である場合には、そのはんだ合金を用いてはんだ付するときに、電子回路基板の銅パターンやスルーホールが、はんだ合金により溶解される場合（銅喰われ）がある。また、銅の含有割合が上記上限を超過する場合には、耐久性（とりわけ、耐冷熱疲労性）に劣る場合や、強度に劣る場合がある。
　【００３２】
　
ビスマスの含有割合は
さらに好ましくは、１．８質量％以上
好ましくは、４．２質量％以下
　【００３３】
　
ビスマスの含有割合が上記範囲であれば、融点を低く抑えるとともに、優れた強度および耐久性を確保することができる
　【００３４】
　一方、ビスマスの含有割合が上記下限未満である場合には、耐クラック性および強度に劣る場合があり、さらに、耐久性にも劣る場合がある。また、ビスマスの含有割合が上記上限を超過する場合にも、耐クラック性および強度に劣る場合があり、さらに、耐久性にも劣る場合がある。
　【００３５】
　ニッケルの含有割合は、はんだ合金の総量に対して、０．０１質量％以上、好ましくは、０．０３質量％以上、より好ましくは、０．０４質量％以上であり、０．１５質量％以下、好ましくは、０．１質量％以下、より好ましくは、０．０６質量％以下である。
　【００３６】
　ニッケルの含有割合が上記範囲であれば、はんだの組織を微細化させることができ、耐クラック性、強度および耐久性の向上を図ることができる。」
　
「【００４５】
　また、上記はんだ合金は、
任意成分として、さらに、アンチモン、インジウム、ゲルマニウムなどを含有することができる
　【００４６】
　
アンチモンの含有割合は、はんだ合金の総量に対して、０．１質量％以上、好ましくは、０．２質量％以上、より好ましくは、０．４質量％以上であり、例えば、５．０質量％以下、好ましくは、４．５質量％以下、より好ましくは、４．０質量％以下である
　【００４７】
　
アンチモンの含有割合が上記範囲であれば、強度の向上を図ることができ、また、スズ中に固溶することにより、耐熱性および耐久性の向上を図ることができる
　【００４８】
　一方、アンチモンの含有割合が上記下限未満である場合には、強度および耐久性に劣る場合がある。また、アンチモンの含有割合が上記上限を超過する場合にも、強度および耐久性に劣る場合がある。
　【００４９】
　また、
アンチモンの含有割合が上記範囲である場合、ビスマスの含有割合として、好ましくは、例えば、０．５質量％以上、好ましくは、０．８質量％以上、より好ましくは、１．２質量％以上であり、例えば、４．２質量％以下、好ましくは、３．５質量％以下、より好ましくは、３．０質量％以下である
　【００５０】
　
アンチモンの含有割合およびビスマスの含有割合が上記範囲であれば、強度、耐熱性および耐久性の向上を図ることができる
　
「【００６９】
　そして、上記はんだ合金は、スズ−銀−銅系のはんだ合金において、スズ、銀、銅、ビスマス、ニッケルおよびコバルトを含有し、はんだ合金の総量に対して、銀の含有割合が、２質量％以上４質量％以下であり、ニッケルの含有割合が、０．０１質量％以上０．１５質量％以下であり、コバルトの含有割合が、０．００１質量％以上０．００８質量％以下であるため、融点を低く抑えるとともに、優れた耐久性、耐クラック性、耐侵食性などの機械特性を備えることができ、さらに、ボイド（空隙）の発生を抑制することができる。
　【００７０】
　
そのため、このようなはんだ合金は、好ましくは、ソルダペースト（ソルダペースト接合材）に含有される
　
「【００８０】
　また、本発明は、上記のソルダペーストによるはんだ付部を備える電子回路基板を含んでいる。
　【００８１】
　すなわち、上記のソルダペーストは、例えば、電気・電子機器などの電子回路基板の電極と、電子部品とのはんだ付（金属接合）において、好適に用いられる。
　【００８２】
　電子部品としては、特に制限されず、例えば、抵抗器、ダイオード、コンデンサ、トランジスタなどの公知の電子部品が挙げられる。
　【００８３】
　そして、このような電子回路基板は、はんだ付において、上記のソルダペーストが用いられるので、そのはんだ付部において、優れた耐久性、耐クラック性、耐侵食性などの機械特性を備えることができ、さらに、ボイド（空隙）の発生を抑制することができる。」
　
「【実施例】
　【００８６】
　次に、本発明を、実施例および比較例に基づいて説明するが、本発明は、下記の実施例によって限定されるものではない。
　【００８７】
　実施例１〜５４および比較例１〜２０
　・はんだ合金の調製
　表１〜２に記載の各金属の粉末を、表１〜３に記載の配合割合でそれぞれ混合し、得られた金属混合物を溶解炉にて溶解および均一化させて、はんだ合金を調製した。各実施例および各比較例の配合処方におけるスズ（Ｓｎ）の配合割合は、表１〜３に記載の各金属（銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、インジウム（Ｉｎ）、ビスマス（Ｂｉ）、アンチモン（Ｓｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ））の配合割合（質量％）を差し引いた残部である。」
　
「【０１００】
　【０１０１】
　【０１０２】
」
　
（２）甲３に記載された発明
　ア　上記（１）の摘示のうち，請求項１，４，７，段落【００２５】，【００４５】〜【００４９】の記載よりみて，甲３には，次の発明が記載されているといえる（以下「甲３請求項発明」という。）。
「スズ−銀−銅系のはんだ合金であって、
　スズ、銀、銅、ビスマス、ニッケルおよびコバルトを含有し、さらにアンチモンを含有し、
　前記はんだ合金の総量に対して、
　前記銀の含有割合が、２質量％以上４質量％以下であり、
　前記銅の含有割合が、０．３質量％以上０．７質量％以下であり、
　前記ビスマスの含有割合が、１．８質量％以上４．２質量％以下であり、
　前記アンチモンの含有割合が、０．１質量％以上５．０質量％以下であり、
　前記ニッケルの含有割合が、０．０１質量％以上０．１５質量％以下であり、
　前記コバルトの含有割合が、０．００１質量％以上０．００８質量％以下であり、
　残部スズからなる、はんだ合金。」
　
　イ　また，上記（１）の摘示のうち，本件の請求項１に係る発明の合金組成に最も近い組成である，実施例４６，５２，５４をみると，Ｓｎ（残部）以外の組成（質量％）は次のとおりである（表２）。
　
　
　　　　　　 Ａｇ　 Ｃｕ　 Ｂｉ　 Ｓｂ　 Ｎｉ　 Ｃｏ　
　実施例４６　　3.0　　0.5　　2.7　　3.0　 0.05　 0.005　
　実施例５２　　3.0　　0.5　　3.5　　1.5　 0.05　 0.005　
　実施例５４　　3.0　　0.5　　2.7　　4.5　 0.05　 0.005　
　
　よって，甲３には，次の発明も記載されているといえる（以下「甲３実施例発明」という。）。
　
「スズ−銀−銅系のはんだ合金であって、
　スズ、銀、銅、ビスマス、ニッケルおよびコバルトを含有し、さらにアンチモンを含有し、
　前記はんだ合金の総量に対して、
　前記銀の含有割合が、３．０質量％であり、
　前記銅の含有割合が、０．５質量％であり、
　前記ビスマスの含有割合が、２．７又は３．５質量％であり、
　前記アンチモンの含有割合が、１．５，３．０又は４．５質量％であり、
　前記ニッケルの含有割合が、０．０５質量％であり、
　前記コバルトの含有割合が、０．００５質量％であり、
　残部スズからなる、はんだ合金。」
　
第５　当審の判断
　当審は，申立人が提示した特許異議申立ての理由及び証拠によって，本件の請求項１〜３，６，７に係る特許を取り消すことはできないと判断する。その理由は次のとおりである。
　
１　理由１（明確性）について
（１）本件の請求項１における「Ｃｏを０．００１重量％以上０．００８重量％（ただし、０．００８重量％を除く）以下」との記載は，「０．００８重量％」を，当該値を含まない上限値として表現しているものであるから，「Ｃｏを０．００１重量％以上０．００８重量％未満」という意味であることが明確であるといえる。
　また，本件の請求項２における「Ｃｏを０．００１重量％以上０．００８重量％以下（ただし、０．００８重量％を除く）」との記載は，「０．００１重量％以上０．００８重量％以下」の範囲における上限値を，当該値を含まない上限値として表現しているものであるから，請求項１の上記記載と同様に，「Ｃｏを０．００１重量％以上０．００８重量％未満」という意味であることが明確であるといえる。
　そして，Ｃｏ含有量の上限値について，請求項１と請求項１を引用する請求項２とが重複しても，このことにより相互の発明特定事項に矛盾を生じているものではなく，特許を受けようとする発明は明確である。
　
（２）本件の請求項２における不等式Ａ〜Ｄは，その範囲内とすることで，はんだ接合部の延伸性阻害および脆性増大の抑制，はんだ接合部の強度および熱疲労特性の向上，フィレット中に発生するボイドの抑制，寒暖の差が激しい過酷な環境下におけるはんだ接合部の亀裂進展抑制，Ｎｉ／Ｐｄ／ＡｕめっきやＮｉ／Ａｕめっきがなされていない電子部品のはんだ接合時における前記界面付近の亀裂進展抑制効果のいずれもバランスよく発揮させることができ，はんだ接合部の信頼性を一層向上させることができる，という技術的意義を有するものである（段落【００３５】）。
　そして，当該式を構成する各金属元素の含有量との間で矛盾を生じているものではなく，特許を受けようとする発明は明確である。
　
（３）本件の請求項２及び請求項３における「Ｎｉを０．０１重量％以上０．０３重量％以下」との記載は，いずれも，Ｎｉ含有量が「０．０１重量％以上０．０３重量％以下」の範囲にあることが明確である。
　そして，当該範囲は，請求項２と請求項２を引用する請求項３との間で重複しているものの，このことにより相互の発明特定事項に矛盾を生じているものではなく，特許を受けようとする発明は明確である。
　
２　理由２（サポート要件）について
（１）本件における発明の詳細な説明の記載は，次のとおりである。
　ア　発明が解決しようとする課題は，「寒暖の差が激しく、振動が負荷されるような過酷な環境下においてもはんだ接合部の亀裂進展を抑制でき、且つＮｉ／Ｐｄ／ＡｕめっきやＮｉ／Ａｕめっきがなされていない電子部品を用いてはんだ接合をした場合においても前記界面付近における亀裂進展を抑制することのできる鉛フリーはんだ合金、並びに当該鉛フリーはんだ合金を用いて形成されるはんだ接合部を有する電子回路基板および電子制御装置を提供すること」（段落【００１０】）である。
　
　イ　上記課題を解決するための，鉛フリーはんだ合金の組成に関する記載は，次のとおりである。
　（ア）Ａｇを添加することにより，合金のＳｎ粒界中にＡｇ３Ｓｎ化合物を析出させ，機械的強度を付与することができる。１重量％未満の場合，Ａｇ３Ｓｎ化合物の析出が少なく，合金の機械的強度および耐熱衝撃性が低下するので好ましくない。３．１重量％を超えて添加しても引っ張り強度は大幅には向上せず，飛躍的な耐熱疲労特性の向上には結びつかず，経済的に好ましくない。２重量％以上３．１重量％以下とすると，合金の強度と延伸性のバランスをより良好にできる（段落【００２１】）。
　
　（イ）１重量％以下のＣｕを含有させることで，電子回路のＣｕランドに対するＣｕ食われ防止効果を発揮すると共に，Ｓｎ粒界中にＣｕ６Ｓｎ５化合物を析出させることにより合金の耐熱衝撃性を向上させることができる。（段落【００２２】）。
　
　（ウ）１重量％以上５重量％以下のＳｂを含有させることで，合金の延伸性を阻害することなくはんだ接合部の亀裂進展抑制効果を向上させることができる。Ｓｎ結晶格子の一部のＳｂ置換により前記結晶中の転移に必要なエネルギーが増大してその金属組織が強化され，更には，Ｓｎ粒界に微細なＳｎＳｂ，ε−Ａｇ３（Ｓｎ，Ｓｂ）化合物が析出することにより，Ｓｎ粒界のすべり変形を防止することではんだ接合部に発生する亀裂の進展を抑制し得る。また，高温ではＳｎマトリックス中へのＳｂの固溶強化が，低温ではＳｎＳｂ，ε−Ａｇ３（Ｓｎ，Ｓｂ）化合物の析出強化が起こるため，優れた耐冷熱衝撃性を確保し得る。さらに，はんだ合金の延伸性に影響を及ぼすＢｉを含有させてもそれ自体の延伸性が阻害され難く，過酷な環境下に長時間曝された場合であっても電子部品の電極剥離現象をも抑制することができる（段落【００２３】〜【００２７】）。
　
　（エ）０．５重量％以上４．５重量％以下のＢｉを含有させることで，合金の延伸性に影響を及ぼすことなく，その強度を向上させると共に，Ｓｂと同様にＳｎマトリックス中へ固溶するため，鉛フリーはんだ合金を更に強化することができる。４．５重量％を超えると合金の延伸性を低下させて脆性が強まるため，寒暖の差が激しい過酷な環境下に長時間曝された際，はんだ接合部には深部亀裂が生じ易くなるため好ましくない。Ｎｉおよび／またはＣｏと併用する場合，Ｂｉの好ましい含有量は３．１重量％以上４．５重量％以下である（段落【００２８】）。
　
　（オ）０．０１重量％以上０．２５重量％以下のＮｉを含有させることにより，合金中に微細な（Ｃｕ，Ｎｉ）６Ｓｎ５が形成されて母材中に分散するため，はんだ接合部における亀裂の進展を抑制し，更にその耐熱疲労特性を向上させることができる。また，Ｎｉ／Ｐｄ／ＡｕめっきやＮｉ／Ａｕめっきがなされていない電子部品をはんだ接合する場合であっても，はんだ接合時にＮｉが前記界面付近に移動して微細な（Ｃｕ，Ｎｉ）６Ｓｎ５を形成するため，その界面付近におけるＣｕ３Ｓｎ層の成長を抑制することができ，前記界面付近の亀裂進展抑制効果を向上させることができる。０．０１重量％未満であると，前記金属間化合物の改質効果が不十分となる。０．２５重量％を超えると，過冷却が発生し難くなり，形成されるはんだ接合部のフィレットでは，はんだ合金の溶融中に外に抜け出ようとしたガスがその中に残ったまま凝固してしまい，フィレット中にガスによる穴（ボイド）が発生してしまい，特に−４０℃から１４０℃，−４０℃〜１５０℃といった寒暖差の激しい環境下においてはんだ接合部の耐熱疲労特性を低下させてしまう（段落【００２９】〜【００３１】）。
　
　（カ）Ｎｉに加え０．００１重量％以上０．２５重量％以下のＣｏを含有させることにより，Ｎｉ添加による上記効果を高めると共に溶融した鉛フリーはんだ合金中に微細な（Ｃｕ，Ｃｏ）６Ｓｎ５が形成されて母材中に分散するため，はんだ接合部のクリープ変形の抑制および亀裂の進展を抑制しつつ，特に寒暖差の激しい環境下においてもはんだ接合部の耐熱疲労特性を向上させることができる。また，Ｎｉ／Ｐｄ／ＡｕめっきやＮｉ／Ａｕめっきがなされていない電子部品をはんだ接合する場合であっても，Ｎｉ添加による上記効果を高めると共に，Ｃｏがはんだ接合時に前記界面付近に移動して微細な（Ｃｕ，Ｃｏ）６Ｓｎ５を形成するため，その界面付近におけるＣｕ３Ｓｎ層の成長を抑制することができ，前記界面付近の亀裂進展抑制効果を向上させることができる。０．００１重量％未満であると，前記金属間化合物の改質効果が不十分となる。０．２５重量％を超えると，過冷却が発生し難くなり，形成されるはんだ接合部のフィレットでは，はんだ合金の溶融中に外に抜け出ようとしたガスがその中に残ったまま凝固してしまい，フィレット中にガスによるボイドが発生し，特に寒暖差の激しい環境下においてはんだ接合部の耐熱疲労特性を低下させる（段落【００３２】〜【００３４】）。
　
　ウ　そして，実施例には，本件の請求項１に記載される合金組成の範囲内である実施例１８が，（１）はんだ亀裂試験（−４０℃から１２５℃）においてチップＡ，チップＢとも評価「◎」，（２）ＳｎめっきＳＯＮによるはんだ亀裂試験において母材の評価「◎」，界面の評価「○」，（３）はんだ亀裂試験（−４０℃から１５０℃）においてチップＡの評価「△」，チップＢの評価「○」，（４）ボイド試験において電極下，フィレット下とも評価「○」であったことが記載されている（表３）。
　
（２）上記（１）によれば，当業者は，本件の請求項１〜３，６，７に記載される合金組成について，発明の詳細な説明の記載及び当業者の技術常識を参酌して，本件の請求項１〜３，６，７で特定される数値範囲の上限及び下限にまで拡張ないし一般化することができるといえる。
　
（３）申立人は，実施例１８の合金組成から，本件の請求項１〜３，６，７で特定される数値範囲の上限及び下限にまで拡張ないし一般化できない根拠として，概ね次の主張をしているが，いずれも，次のとおり採用できない。
　
　ア　申立人は，Ｎｉ量が多い場合には，Ｃｏ添加によってフィレット中のボイドによるはんだ接合部の耐熱疲労特性の低下も生じやすくなると考えられるから，請求項１の上限である０．２５重量％付近のＮｉを含むものにＣｏを添加した場合，さらにボイドが発生しやすくなり，寒暖差の激しい環境下においてはんだ接合部の耐熱疲労特性が低下すると考えられ，当業者の技術常識を踏まえても，実施例１８と同様に亀裂の進展の抑制とボイドの抑制とを両立させるとは認められない旨を主張している（特許異議申立書１４頁１０行〜１６頁２行）。
　しかしながら，上記主張において申立人も指摘するとおり，本件におけるＣｏ添加は，Ｎｉ添加の効果を高める作用を有するものであるところ（段落【００３２】〜【００３４】），本件の請求項１におけるＣｏの含有量は，０．００１〜０．００８重量％であり，Ｎｉ含有量の上限である０．２５重量％に比べると極めて微量であるから，Ｎｉ０．２５重量％の近傍においてＣｏを添加しても，実施例１８と同様に亀裂の進展の抑制とボイドの抑制とを両立させるであろうことは，当業者が容易に理解できるものである。
　
　イ　申立人は，Ｃｕの含有量について下限が定められておらず，Ｃｕを全く含まないか，ほとんど含まない合金も本件の請求項１に含まれるが，そのような合金においては，Ｃｕ３Ｓｎに起因する「亀裂進展」の課題が存在せず，所定量のＮｉやＣｏを添加しても，（Ｃｕ，Ｎｉ）６Ｓｎ５や（Ｃｕ，Ｃｏ）６Ｓｎ５は形成されないから，亀裂進展抑制効果を奏するとは考えられない旨も主張している（特許異議申立書１６頁３行〜１７頁４行）。
　しかしながら，本件の発明の詳細な説明に記載されるとおり，発明が解決しようとする課題は，リード部分や下面電極にＮｉ／Ｐｄ／ＡｕめっきやＮｉ／ＡｕめっきではなくＳｎめっきされた電子部品のはんだ付けにおける亀裂進展の抑制である。そして，当該課題を解決するため，Ｓｎめっき及びはんだ接合部に含まれるＳｎと
リード部分や下面電極に含まれるＣｕ
　よって，Ｃｕをほとんど含まない合金ではＣｕ３Ｓｎに起因する亀裂進展の課題が存在しないことをいう申立人の主張は，その前提において失当である。そして，上記（１）イ（イ）に摘記のとおり，１重量％以下のＣｕを含有させることで，その含有量に応じて，（Ｃｕ，Ｎｉ）６Ｓｎ５や（Ｃｕ，Ｎｉ）６Ｓｎ５が形成され，亀裂進展抑制効果を奏するものであるといえる。
　
３　理由３（新規性）及び理由４（進歩性）について
（１）甲１請求項発明との対比
　ア　本件の請求項１に係る発明と，甲１請求項発明とを対比する。
　まず，両者はともに「鉛フリーはんだ合金」である点で一致する。
　そして，後者の「質量％」と，前者の「重量％」との間に実質的な差異はなく，両者の組成は，Ａｇが２％超〜３．１％，Ｃｕが０．６〜０．８％，Ｓｂが３〜５％，Ｂｉが３．５〜４．５％，Ｎｉが０．０１〜０．２％，及び，Ｃｏが０．００１〜０．００８％の各範囲で一応重複している。
　ただし，Ａｇについて，後者の「１〜４質量％」は，前者の「２重量％超３．１重量％以下」の範囲を超える部分を含み，また，Ｃｏについて，後者の「０．００１〜０．１質量％」は，前者の「０．００１重量％以上０．００８重量％（ただし、０．００８重量％を除く）以下」の範囲を超える部分を含むものである。
　したがって，本件の請求項１に係る発明と，甲１請求項発明とは，次の一致点及び相違点１を有する。
　
（一致点）
「Ａｇと、Ｃｕを０．６重量％以上０．８重量％以下と、Ｓｂを３重量％以上５重量％以下と、Ｂｉを３．５重量％以上４．５重量％以下と、Ｎｉを０．０１重量％以上０．２重量％以下と、Ｃｏを含み、残部がＳｎからなる、鉛フリーはんだ合金」である点。
　
（相違点１）
　本件の請求項１に係る発明は，「Ａｇを２重量％超３．１重量％以下」かつ「Ｃｏを０．００１重量％以上０．００８重量％（ただし、０．００８重量％を除く）以下」含むのに対し，甲１請求項発明は，「Ａｇ：１〜４質量％」かつ「ＣｏおよびＦｅから選択された元素を少なくとも１種を合計で０．００１〜０．１質量％」含有する点。
　
　イ　上記相違点１について検討する。
　（ア）上記２（１）アのとおり，本件における発明が解決しようとする課題は，「寒暖の差が激しく、振動が負荷されるような過酷な環境下においてもはんだ接合部の亀裂進展を抑制でき、且つＮｉ／Ｐｄ／ＡｕめっきやＮｉ／Ａｕめっきがなされていない電子部品を用いてはんだ接合をした場合においても前記界面付近における亀裂進展を抑制することのできる鉛フリーはんだ合金、並びに当該鉛フリーはんだ合金を用いて形成されるはんだ接合部を有する電子回路基板および電子制御装置を提供すること」である（段落【００１０】）。
　そして，本件では，上記課題のうち，過酷な環境下におけるはんだ接合部の亀裂進展の抑制に関しては，上記２（１）イ（ア）のとおり，Ａｇを添加することにより，合金のＳｎ粒界中にＡｇ３Ｓｎ化合物を析出させ，機械的強度を付与することができ，２重量％超３．１重量％以下で，合金の強度と延伸性のバランスをより良好にできることができる（段落【００２１】）。同じく上記課題のうち，Ｎｉ／Ｐｄ／ＡｕめっきやＮｉ／Ａｕめっきがなされていない電子部品のはんだ接合における界面付近の亀裂進展の抑制に関しては，上記２（１）イ（カ）のとおり，Ｃｏ添加により，Ｎｉ添加による微細な（Ｃｕ，Ｎｉ）６Ｓｎ５の形成・分散効果を高めると共に，Ｃｏがはんだ接合時に前記界面付近に移動して微細な（Ｃｕ，Ｃｏ）６Ｓｎ５を形成し，Ｃｕ３Ｓｎ層の成長を抑制して，亀裂進展抑制効果を向上させることができる（段落【００３２】〜【００３４】）。
　
　（イ）これに対し，甲１におけるＡｇの添加は，はんだのぬれ性向上効果とはんだマトリックス中にＡｇ３Ｓｎの金属間化合物のネットワーク状の化合物を析出させて，析出分散強化型の合金を作り，温度サイクル特性の向上を図る効果を狙ったものであり，１質量％未満では，はんだのぬれ性の向上効果が発揮されず，Ａｇ３Ｓｎの析出量が少なくなり，金属間化合物のネットワークが強固とはならず，４質量％より多くなると，はんだの液相線温度が上昇して，Ｓｂの再溶融が起こらず，ＳｎＳｂ金属間化合物の微細化効果を阻害してしまうものであり，より好ましくは３．２〜３．８質量％である（以上，段落［００２５］）。そして，本件の請求項１に係る発明に対応する合金組成の実施例４４〜４７はすべて，Ａｇ含有量が３．４質量％で，「Ａｇが２重量％超３．１重量％以下」に該当しない（表２）。
　そうすると，甲１において，Ａｇ３Ｓｎ化合物を析出させる観点からＡｇを添加するとしても，その量を，甲１請求項発明より狭い範囲である「２重量％超３．１重量％以下」とすることは，何ら記載されておらず，また，それを示唆する記載も見あたらない。
　
　（ウ）また，甲１におけるＣｏまたはＦｅまたはその両方の添加は，Ｎｉの効果（はんだ付け界面付近に発生する金属間化合物の微細化）を高めることができ，特に，Ｃｏは優れた効果を現すものであって，０．００１質量％未満では界面クラックの成長を防止する効果が現れず，０．１質量％を超えると界面に析出する金属間化合物層が厚くなり，振動等でのクラックの成長が早くなる（以上，段落［００２８］）。そして，Ｃｏを含む実施例４５〜４７はいずれも０．００８重量％を超えるものであり，「０．００１重量％以上０．００８重量％（ただし、０．００８重量％を除く）以下」のものは存在しない（表１，表２：なお，申立人は，甲１の特許公報（甲２）の表２の記載から，実施例４４はＣｏが０．００１重量％であると主張するが，甲１には「０」と記載されるのみであるから，「０．００１重量％」が記載されているということはできない。仮に上記主張を容れたとしても，実施例４４は，実施例２５とＣｏ以外の組成が同一で，かつ，３０００サイクル後のクラック発生率及びシェア強度残存率も同一であるから，甲１におけるＣｏ含有量を，０．０１重量％を下回る範囲の極少量に限定する積極的な動機づけは見あたらない。）。
　そうすると，甲１には，Ｎｉの効果を高める観点からＣｏを添加するとしても，実質的に０．０１重量％以上含有させることしか示されておらず，それよりも狭い範囲である「０．００１重量％以上０．００８重量％（ただし、０．００８重量％を除く）以下」に限定することは，何ら記載されていないし，また，それを示唆する記載も見あたらない。
　
　（エ）のみならず，一般に，合金は，所定の含有量を有する合金元素の組み合わせが一体のものとして技術的意義を有するのであって，所与の特性が得られる組み合わせについては，実施例に示された実際に作製された具体的な合金組成を考慮してはじめて理解され，合金を構成する元素が同じであっても配合量や製造方法に差違があれば，金属組織が異なり性質が異なることになり，それらは予測が困難である，という技術常識があるといえる（甲４：４８頁２〜５行）。
　
　（オ）以上の検討によれば，相違点１は，実質的な相違点であり，甲１には，甲１請求項発明よりも狭い数値範囲である「Ａｇを２重量％超３．１重量％以下」かつ「Ｃｏを０．００１重量％以上０．００８重量％（ただし、０．００８重量％を除く）以下」とする発明が記載されているものとはいえない。
　また，甲１において，Ａｇ３Ｓｎ化合物を析出させる観点からＡｇを添加し，かつ，Ｎｉの効果を高める観点からＣｏを添加することが知られていたとしても，甲１請求項発明において，これらを同時に，かつ，より狭い数値範囲である「Ａｇを２重量％超３．１重量％以下」かつ「Ｃｏを０．００１重量％以上０．００８重量％（ただし、０．００８重量％を除く）以下」に限定することは，たとえ当業者であっても容易になし得たことではない。
　
　（カ）そして，本件の請求項１に係る発明は，「Ａｇを２重量％超３．１重量％以下」かつ「Ｃｏを０．００１重量％以上０．００８重量％（ただし、０．００８重量％を除く）以下」含むことにより，上記２（１）ウのとおり，（１）はんだ亀裂試験（−４０℃から１２５℃），（２）ＳｎめっきＳＯＮによるはんだ亀裂試験，（３）はんだ亀裂試験（−４０℃から１５０℃）及び（４）ボイド試験の各々において，亀裂の発生と進展の抑制，及び，ボイド発生の抑制を確認したものであり，これらの効果は，当業者が容易に予測できたものではない。
　
　（キ）以上のとおりであるから，本件の請求項１に係る発明は，甲１請求項発明ではなく，また，甲１請求項発明に基いて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
　ウ　本件の請求項２，３，６，７に係る各発明はいずれも，請求項１を直接又は間接的に引用するものであるから，甲１請求項発明と対比すると，少なくとも，上記アで指摘した相違点１を有する。
　そして，上記イのとおり，本件の請求項１に係る発明は，甲１請求項発明ではなく，また，甲１請求項発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではないから，本件の請求項２，３，６，７に係る各発明も同様に，甲１請求項発明ではなく，また，甲１請求項発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（２）甲１実施例発明との対比
　ア　本件の請求項１に係る発明と，甲１実施例発明とを対比する。
　まず，両者はともに「鉛フリーはんだ合金」である点で一致する。
　そして，後者の「質量％」と，前者の「重量％」との間に実質的な差異はなく，後者の組成は，Ａｇ，Ｂｉ及びＣｏを除き，前者の組成の範囲内で重複している。
　したがって，本件の請求項１に係る発明と，甲１実施例発明とは，次の一致点及び相違点２を有する。
　
（一致点）
「Ａｇと、Ｃｕを０．７重量％と、Ｓｂを３．０重量％と、Ｂｉと、Ｎｉを０．０４重量％と、Ｃｏと、を含み、残部がＳｎからなる、鉛フリーはんだ合金」である点。
　
（相違点２）
　本件の請求項１に係る発明は，「Ａｇを２重量％超３．１重量％以下」，「Ｂｉを３．５重量％以上４．５重量％以下」かつ「Ｃｏを０．００１重量％以上０．００８重量％（ただし、０．００８重量％を除く）以下」含むのに対し，甲１実施例発明は，「Ａｇ：３．４質量％」，「Ｂｉ：３．２質量％」かつ「Ｃｏ：０．０１質量％」含有する点。
　
　イ　上記相違点２について検討するに，相違点２のうち，Ａｇ及びＣｏの含有量がいずれも本件の請求項１に係る発明の範囲外である点は，甲１請求項発明との対比で認定した相違点１（上記（１）ア）と，その内容が共通する。よって，上記（１）イでの検討と同様に，相違点２は，実質的な相違点であり，甲１には，「Ａｇを２重量％超３．１重量％以下」かつ「Ｃｏを０．００１重量％以上０．００８重量％（ただし、０．００８重量％を除く）以下」とする発明が記載されているものとはいえない。
　また，甲１におけるＡｇ及びＣｏの添加について，これらを同時に，かつ，甲１実施例発明とは異なる，「Ａｇを２重量％超３．１重量％以下」かつ「Ｃｏを０．００１重量％以上０．００８重量％（ただし、０．００８重量％を除く）以下」の範囲内に変更することは，たとえ当業者であっても容易になし得たことではない。
　よって，本件の請求項１に係る発明は，甲１実施例発明ではなく，また，甲１実施例発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
　ウ　本件の請求項２，３，６，７に係る各発明はいずれも，請求項１を直接又は間接的に引用するものであるから，甲１実施例発明と対比すると，少なくとも，上記アで指摘した相違点２を有する。
　そして，上記イのとおり，本件の請求項１に係る発明は，甲１実施例発明ではなく，また，甲１実施例発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではないから，本件の請求項２，３，６，７に係る各発明も同様に，甲１実施例発明ではなく，また，甲１実施例発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（３）申立人の主張について
　申立人は，甲１の実施例４，５，２６，３４，４１，４４にも引用発明が記載されている旨主張する（特許異議申立書２５頁８〜１５行，３１頁４〜１２行）。
　そこで検討するに，上記の各実施例に係る合金組成は，すべて，Ａｇ含有量が３．４質量％，かつ，Ｃｏ含有量が０又は不明であって，本件の請求項１に係る発明とは，上記（２）アの相違点２と同様の相違点を有する。そして，上記（２）イのとおり，甲１におけるＡｇ及びＣｏの添加について，これらを同時に，かつ，異なる数値範囲に限定することは，たとえ当業者であっても容易になし得たことではない。
　よって，甲１の実施例４，５，２６，３４，４１，４４の記載から引用発明を認定しても，本件の請求項１〜３，６，７に係る各発明における新規性・進歩性の判断に変わるところはないから，申立人の主張は採用しない。
　
（４）理由３（新規性）及び理由４（進歩性）についてのまとめ
　以上のとおり，本件の請求項１〜３，６，７に係る各発明は，甲１に記載された発明ではなく，また，甲１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　
４　理由５（新規性）及び理由６（進歩性）について
（１）甲３請求項発明との対比
　ア　本件の請求項１に係る発明と，甲３請求項発明とを対比する。
　後者の「スズ−銀−銅系のはんだ合金」は，合金組成が共通し，かつ，鉛を含まないから，前者の「鉛フリーはんだ合金」に相当する。
　そして，後者の「質量％」と，前者の「重量％」との間に実質的な差異はないので，両者の組成は，Ａｇが２％超〜３．１％，Ｃｕが０．３〜０．７％，Ｓｂが３〜５％，Ｂｉが３．５〜４．２％，Ｎｉが０．０１〜０．１５％，及び，Ｃｏが０．００１〜０．００８％未満の各範囲で一応重複している。
　ただし，Ｓｂについて，後者の「０．１質量％以上５．０質量％以下」は，前者の「３重量％以上５重量％以下」の範囲を超える部分を含む。同様に，Ｂｉについて，後者の「１．８質量％以上４．２質量％以下」は，前者の「３．５重量％以上４．５重量％以下」の範囲を超える部分を含む。
　したがって，本件の請求項１に係る発明と，甲３請求項発明とは，次の一致点及び相違点３を有する。
　
（一致点）
「Ａｇを２重量％超３．１重量％以下と、Ｃｕを０．３重量％以上０．７重量％以下と、Ｓｂと、Ｂｉと、Ｎｉを０．０１重量％以上０．１５重量％以下と、Ｃｏを０．００１重量％以上０．００８重量％未満含み、残部がＳｎからなる、鉛フリーはんだ合金」である点。
　
（相違点３）
　本件の請求項１に係る発明は，「Ｓｂを３重量％以上５重量％以下」かつ「Ｂｉを３．５重量％以上４．５重量以下」含むのに対し，甲３請求項発明は，「アンチモンの含有割合が、０．１質量％以上５．０質量％以下」かつ「ビスマスの含有割合が１．８質量％以上４．２質量％以下」の含有割合である点。
　
　イ　上記相違点３について検討する。
　（ア）上記２（１）アで説示のとおり，本件における発明が解決しようとする課題は，「寒暖の差が激しく、振動が負荷されるような過酷な環境下においてもはんだ接合部の亀裂進展を抑制でき、且つＮｉ／Ｐｄ／ＡｕめっきやＮｉ／Ａｕめっきがなされていない電子部品を用いてはんだ接合をした場合においても前記界面付近における亀裂進展を抑制することのできる鉛フリーはんだ合金、並びに当該鉛フリーはんだ合金を用いて形成されるはんだ接合部を有する電子回路基板および電子制御装置を提供すること」である（段落【００１０】）。
　そして，本件では，Ｓｂを添加することにより，Ｓｎの結晶格子の一部がＳｂに置換され，金属組織が強化されると共に，Ｓｎ粒界に微細なＳｎＳｂ，ε−Ａｇ３（Ｓｎ，Ｓｂ）化合物が析出することにより，はんだ接合に発生する亀裂の進展を抑制する（段落【００２４】）。また，Ｂｉを添加することにより，ＢｉもＳｂと同様にＳｎマトリックス中へ固溶するため，鉛フリーはんだ合金を更に強化することができるが，Ｎｉおよび／またはＣｏと併用する場合，Ｂｉの好ましい含有量は３．１重量％以上４．５重量％以下である（段落【００２８】）。
　
　（イ）これに対し，甲３におけるアンチモンは，はんだ合金の任意成分であり，０．１質量％以上５．０質量％以下の範囲で，強度の向上や，スズ中に固溶することによる耐熱性および耐久性の向上を図ることができる（段落【００４５】〜【００４８】）。
　また，甲３におけるビスマスの含有割合は１．８質量％以上４．２質量％以下であり，この範囲で，融点を低くするとともに，優れた強度および耐久性を確保できる（請求項３，段落【００３２】，【００３３】）。
　
　（ウ）他方，甲３においては，アンチモンの含有割合が上記範囲である場合，ビスマスの含有割合として，より好ましくは，１．２質量％以上３．０質量％以下の範囲であれば，強度，耐熱性および耐久性の向上を図ることができるとされている（段落【００４９】）。
　さらに，対応する合金組成を有する実施例４４〜５４のうち，アンチモンの含有割合が３質量％以上のものは実施例４６，５４のみ，ビスマスの含有割合が３．５質量％以上であるものは実施例５２のみであり，両元素の含有割合を満たす実施例は存在しない（表２）。
　
　（エ）そして，合金の分野における技術常識（上記３（１）イ（エ））も踏まえると，甲３において，強度，耐熱性及び耐久性向上の観点からＳｂ及びＢｉを添加することが知られていたとしても，甲３請求項発明において，これらを同時に，かつ，より狭い数値範囲である「Ｓｂを３重量％以上５重量％以下」かつ「Ｂｉを３．５重量％以上４．５重量以下」に限定することは，甲３には記載も示唆もされていない。
　
　（オ）以上の検討によれば，相違点３は実質的な相違点であり，甲３には，甲３請求項発明よりも狭い数値範囲である「Ｓｂを３重量％以上５重量％以下」かつ「Ｂｉを３．５重量％以上４．５重量以下」とする発明が記載されているものとはいえない。
　また，甲３において，強度，耐熱性及び耐久性向上の観点からＳｂ及びＢｉを添加することが知られていたとしても，甲３請求項発明において，これらを同時に，かつ，より狭い数値範囲である「Ｓｂを３重量％以上５重量％以下」かつ「Ｂｉを３．５重量％以上４．５重量以下」に限定することは，たとえ当業者であっても容易になし得たことではない。
　
　（カ）そして，本件の請求項１に係る発明は，「Ｓｂを３重量％以上５重量％以下」かつ「Ｂｉを３．５重量％以上４．５重量％以下」含むことにより，上記２（１）ウのとおり，（１）はんだ亀裂試験（−４０℃から１２５℃），（２）ＳｎめっきＳＯＮによるはんだ亀裂試験，（３）はんだ亀裂試験（−４０℃から１５０℃）及び（４）ボイド試験の各々において，亀裂の発生と進展の抑制，及び，ボイド発生の抑制を確認したものであり，これらの効果は，当業者が容易に予測できたものではない。
　
　（キ）以上のとおりであるから，本件の請求項１に係る発明は，甲３請求項発明ではなく，また，甲３請求項発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
　ウ　本件の請求項２，３，６，７に係る各発明はいずれも，請求項１を直接又は間接的に引用するものであるから，甲３請求項発明と対比すると，少なくとも，上記アで指摘した相違点３を有する。
　そして，上記イのとおり，本件の請求項１に係る発明は，甲３請求項発明ではなく，また，甲３請求項発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではないから，本件の請求項２，３，６，７に係る各発明も同様に，甲３請求項発明ではなく，また，甲３請求項発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（２）甲３実施例発明との対比
　ア　本件の請求項１に係る発明と，甲３実施例発明とを対比する。
　後者の「スズ−銀−銅系のはんだ合金」は，合金組成が共通し，かつ，鉛を含まないから，前者の「鉛フリーはんだ合金」に相当する。
　そして，後者の「質量％」は，前者の「重量％」と実質的な差異はなく，両者の組成も重複しているが，Ｓｂ及びＢｉについては，上記（１）イ（ウ）のとおり，両元素の含有割合を満たす実施例は存在しない。
　したがって，本件の請求項１に係る発明と，甲３実施例発明とは，次の一致点及び相違点４を有する。
　
（一致点）
「Ａｇを３．０重量％と、Ｃｕを０．５重量％と、Ｓｂと、Ｂｉと、Ｎｉを０．０５重量％と、Ｃｏを０．００５重量％と、を含み、残部がＳｎからなる、鉛フリーはんだ合金」である点。
　
（相違点４）
　本件の請求項１に係る発明は，「Ｓｂを３重量％以上５重量％以下」かつ「Ｂｉを３．５重量％以上４．５重量％以下」含むのに対し，甲３実施例発明は，「アンチモンの含有割合が、３．０又は４．５質量％」の含有割合のもの又は「ビスマスの含有割合が、３．５質量％」の含有割合のものはあるが，それらを同時に満たすものはない点。
　
　イ　上記相違点４について検討するに，これは，甲３請求項発明との対比で認定した相違点３（上記（１）ア）とその内容が共通する。よって，上記（１）イでの検討と同様に，相違点４は実質的な相違点であり，甲３には，「Ｓｂを３重量％以上５重量％以下」かつ「Ｂｉを３．５重量％以上４．５重量以下」とする発明が記載されているものとはいえない。
　また，甲３におけるＳｂ及びＢｉの同時添加について，これらを同時に，かつ，甲３実施例発明とは異なる「Ｓｂを３重量％以上５重量％以下」かつ「Ｂｉを３．５重量％以上４．５重量以下」の範囲内に変更することは，たとえ当業者であっても容易になし得たことではない。
　よって，本件の請求項１に係る発明は，甲３実施例発明ではなく，また，甲３実施例発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
　ウ　本件の請求項２，３，６，７に係る各発明はいずれも，請求項１を直接又は間接的に引用するものであるから，甲３実施例発明と，少なくとも，上記アで指摘した相違点４を有する。
　そして，上記イのとおり，本件の請求項１に係る発明は，甲３実施例発明ではなく，また，甲３実施例発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではないから，本件の請求項２，３，６，７に係る各発明も同様に，甲３実施例発明ではなく，また，甲３実施例発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（３）申立人の主張について
　申立人は，甲３の実施例４６，５４に基づく引用発明との対比ではＢｉ量が２．７質量％であり，また同じく実施例５２に基づく引用発明との対比ではＳｂ量が１．５質量％であっていずれも本件の請求項１に係る発明と相違するが，当該相違点に係る数値を好ましい範囲に調整することは，当業者が容易になし得たものである旨主張している（特許異議申立書３９頁下から６行〜４１頁１３行，４４頁４行〜４５頁２０行）。
　しかしながら，上記（１）イで検討したとおり，甲３には，アンチモンと組み合わせるビスマスの含有割合として，より好ましくは１．２質量％以上３．０質量％以下であることが記載されている（段落【００４９】）。そして，合金の分野における技術常識（上記３（１）イ（エ））も踏まえると，甲３実施例発明において，アンチモン及びビスマスを同時に，かつ，甲３実施例発明とは異なる数値範囲に変更することは，たとえ当業者であっても容易になし得たことではない。よって，上記主張は採用しない。
　
（４）理由５（新規性）及び理由６（進歩性）についてのまとめ
　以上のとおり，本件の請求項１〜３，６，７に係る各発明は，甲３に記載された発明ではなく，また，甲３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　
第６　むすび
　したがって，申立人が提示した特許異議申立ての理由及び証拠によって，本件の請求項１〜３，６，７に係る特許を取り消すことはできない。
　また，他に本件の請求項１〜３，６，７に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和１年１１月１３日（２０１９．１１．１３）