【事件の表示】
　平成　８年特許願第１７７１８４号「半導体装置の配線方法」拒絶査定に対する審判事件〔平成　９年　７月１１日出願公開、特開平　９−１８１１７８、請求項の数（4）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１，本願発明の要旨
　本願は平成8年6月19日の出願（優先権主張1995年12月19日韓国）であって、その請求項にかかる発明の要旨は、平成10年5月15日付手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その請求項１〜４に記載された次のとおりのものである（本願についての平成11年2月10日付手続補正は当審における補正却下の決定により却下された。）
「【請求項１】　下部伝導線が形成された基板上に、層間絶縁膜および補助膜を順番に形成する段階、
　上記補助膜に不純物イオンを注入し、上記の補助膜と層間絶縁膜を選択的に除去して上記下部伝導線へのコンタクトホールを形成する段階、並びに
　上記のコンタクトホールおよび補助膜上に導電性物質を蒸着し、導電性プラグと上部伝導線を連続的に成長させる段階、
を含むことを特徴とする半導体装置の配線方法。
　【請求項２】　下部伝導線が形成された基板上に層間絶縁膜を形成して、上記下部伝導線へのコンタクトホールを形成する段階、
　上記コンタクトホールを含む上記層間絶縁膜の全面に補助膜を形成する段階、
　上記下部伝導線の表面を再結晶化させると同時に、上記下部伝導線に接触された上記補助膜が溶解されるように熱処理する段階、並びに
　上記コンタクトホールを含んだ上記補助膜上に、導電性物質を蒸着し、上記下部伝導線に対してエピタクシ成長させ、導電性プラグと上部伝導線を連続膜に形成する段階、
を含むことを特徴とする半導体装置の配線方法。
　【請求項３】　下部伝導線が形成された基板上に層間絶縁膜を形成して、上記下部伝導線へのコンタクトホールを形成する段階、
　上記コンタクトホールを含んだ上記層間絶縁膜上に補助膜を形成する段階、
　熱処理して、上記下部伝導線の表面を再結晶化し、上記の補助膜と下部伝導線の界面に反応層を形成する段階、
　上記反応層を選択的に除去する段階、並びに
　上記の下部伝導線および補助膜上に導電性物質を蒸着して、上記下部伝導線にエピタクシ成長させて、導電性プラグと上部伝導線を連続膜に形成する段階、
を含むことを特徴とする半導体装置の配線方法。
　【請求項４】不純物の拡散領域が形成された半導体基板上に、第１層間絶縁膜を蒸着する段階、
　上記第１層間絶縁膜を選択的に除去して、上記拡散領域への第１コンタクトホールを形成する段階、
　上記第１コンタクトホールに導電性物質をエピタクシ成長させて、第１導電性プラグを形成する段階、
　上記第１導電性プラグに電気的に連結されるように、下部伝導線を形成する段階、　上記下部伝導線を含む上記第１層間絶縁膜上に、第２層間絶縁膜を蒸着した後、上記下部伝導線を通過して上記第１導電性プラグに達するまで第２コンタクトホールを形成する段階、並びに
　上記第２コンタクトホールを含む上記第２層間絶縁膜上に導電性物質を蒸着し、上記第１導電性プラグにエピタクシ成長させて、第２導電性プラグおよび上部伝導線を連続膜に形成する段階、
を含むことを特徴とする半導体装置の配線方法。」
２，引用例
　原査定の請求項１の引用例として用いられた特開平5-243398号公報（以下「第１引用例」という）には、シリコン基板上に、下層被配線層としてのチタンシリサイド膜を含む不純物拡散層を形成し、その上に上層配線層を含む層間絶縁膜を形成し、その上にTi／TiONからなる密着層（補助膜）を形成し、不純物拡散層まで達するコンタクトホールを形成し、その後ブランケットＣＶＤによりタングステンをコンタクトホールに埋め込むと同時に密着層の上にも成長させて配線層を形成するようにした、プラグイン縦配線の形成方法が記載されている。
 同じく引用例として用いられた特開平4-167522号公報（以下「第２引用例」という）には、半導体基板上の層間絶縁膜上にTi金属層（補助膜）を形成し、前記２層にコンタクトホールを形成し、その後ＣＶＤによってポリシリコンをコンタクトホール内に埋め込むと同時にTi金属層上にも堆積させ、その上にTiをスパッタ堆積し、熱処理して上部配線層を形成するようにした半導体デバイスの製造方法が記載されている。
 同じく引用例として用いられた特開平4-118924号公報（以下「第３引用例」という）には、半導体基板の素子形成領域上の層間絶縁膜にコンタクトホールを形成し、コンタクトホール内と絶縁膜上にポリシリコン層を形成して不純物のイオン打ち込みを斜め方向から行い、その後新たなポリシリコンをコンタクトホール内と層間絶縁膜上に堆積してコンタクトホール内の不純物拡散を行い、層間絶縁膜上の新たなポリシリコン堆積層と最初のポリシリコン層とを除去してコンタクトホール内にプラグを残留させ、その後Alの配線層をその上に形成するようにした半導体装置の製造方法が記載されている。
　
３，対比
　請求項１記載の発明と、第１引用例記載の発明とを対比すると、両者は「下部伝導線が形成された基板上に、層間絶縁膜および補助膜を順番に形成する段階、
　上記の補助膜と層間絶縁膜を選択的に除去して上記下部伝導線へのコンタクトホールを形成する段階、を含むことを特徴とする半導体装置の配線方法。」という点で一致するが、
（１） 請求項１記載の発明が、「補助膜に不純物イオンを注入する」ものであるのに対し、第１引用例記載の発明においては、補助膜に不純物イオンを注入はしていない、
（２） コンタクトホール内のプラグと層間絶縁膜上の配線層の形成を、請求項１記載の発明においては、「コンタクトホールおよび補助膜上に導電性物質を蒸着し、導電性プラグと上部伝導線を連続的に成長させる」ものであるのに対し、第１引用例記載の発明においては、化学的気相成長法により導電性物質をコンタクトホールに埋め込むとと同時に密着層の上にも同化学的気相成長法により成長させて配線層を形成するものである、
　という２点で両者は相違しており、これらの２点を捕足する引用例はないので、請求項１記載の発明を、第１引用例記載の発明に基づいて容易に想到し得たとすることはできない。
４，特許法第36条第4項の点について
　原査定においては、本願における第２〜３実施形態に係る明細書及び図面には、下部導電線の材料と、上部導電線の材料及びエピタキシャル成長条件とが何ら記載されていないので、本願請求項２〜３に係る発明において、上部導電線を「エピタキシャル成長させること」と「下部導電線の表面を再結晶化させること」については、本願の明細書及び図面には、当業者が実施し得る程度に明確かつ十分な記載がなされているとは認めらず、また、第４実施形態に係る明細書及び図面には、補助埋込みプラグ(35)の材料及び導電性物質の材料とその成長条件とが何ら記載されていないので、本願請求項４に係る発明においては、上部導電線を「エピタキシャル成長させること」について、本願の明細書及び図面には、当業者が実施し得る程度に明確かつ十分な記載がなされているとは認められない、という理由が指摘されているので、これについて以下検討する。
　請求項２〜３に係る各発明の骨子は、層間絶縁膜にコンタクトホールを形成した後に、補助膜を形成し、下部伝導線の表面の再結晶化と補助膜の溶解又は反応のための熱処理を行い、さらに、補助膜上に導電性物質を蒸着して下部伝導線に対してエピタクシ成長させることにあると認められる。この場合、「再結晶化」は、よく知られている熱処理方法によって当業者が実施し得ることであると認められる。また、導電性物質を下部伝導線に蒸着を行うことで、下部伝導線に対して「エピタクシ成長」をする方法はよく知られているから、特に下部伝導線や導電物質の材料、成長条件などを明細書に示さなくとも当業者であれば通常知られた方法によって実施し得ることであると認められる。
　次に、本願請求項４に係る発明においても、特に導電性プラグや導電物質の材料、成長条件などを明細書に示さなくとも当業者であれば通常知られた方法によって実施し得ることであると認められる。
４，むすび
　したがって、本願請求項１に係る発明は、第１〜３引用例記載の発明に基づいて当業者が容易に想到し得たとすることはできず、また、本願請求項２〜４に係る発明については、明細書及び図面に当業者が実施をし得る程度に記載がなされていると認められるので、本願を特許法第29条第2項及び同法第36条第4項により特許を受けることができないとすることはできない。
　よって結論のとおり審決する。