【事件の表示】
　特許第６１５０５５７号発明「セラミックヒーター」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６１５０５５７号の特許請求の範囲を，訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり，訂正後の請求項〔１−５〕について訂正することを認める。
　特許第６１５０５５７号の請求項１及び３ないし５に係る特許を維持する。
　特許第６１５０５５７号の請求項２に係る特許について特許異議の申立てを却下する。
【理　由】
第１　手続の経緯
１　特許第６１５０５５７号の請求項１〜５に係る特許についての出願は，平成２９年６月２日にその特許権の設定登録がされ，平成２９年６月２１日に特許掲載公報が発行された。その後，本件特許に対して１件の特許異議の申立てがあり，次のとおり手続が行われた。
　　平成２９年１２月２１日　　：特許異議申立人　藤本信男　による請求
　　　　　　　　　　　　　　　　項１〜５に係る特許に対する特許異議の
　　　　　　　　　　　　　　　　申立て
　　平成３０年　３月１９日付け：取消理由通知書
　　平成３０年　５月１５日　　：特許権者による意見書の提出
　　平成３０年　５月２８日付け：取消理由通知書（決定の予告）
　　平成３０年　７月２６日　　：特許権者による意見書の提出及び訂正請
　　　　　　　　　　　　　　　　求（以下，「本件訂正請求」という。）
　　平成３０年　９月　３日　　：特許異議申立人　藤本信男　による意見
　　　　　　　　　　　　　　　　書（以下，「意見書」という。）の提出
第２　訂正の適否についての判断
１　訂正の内容（下線は，訂正の箇所を示す。）
　本件訂正請求による訂正の内容は，以下のとおりである。
（１）請求項１を以下の事項により特定されるとおりの請求項１として訂正する。請求項１を引用する請求項２〜５も同様に訂正する。（以下，「訂正事項１」という。）
「【請求項１】
　ウェハが載置されるヒータープレートと、前記ヒータープレートと接続する支持部材とを備えるセラミックヒーターであって、
　前記ウェハが載置される面と反対側の面であり、前記支持部材が接続される前記ヒータープレートのヒータープレート端面と、
　前記ヒータープレート端面に対して接続される前記支持部材の第１端面と、
　前記ヒータープレート端面側において前記ヒータープレートに形成され、環状の開口外縁が前記ヒータープレートと前記支持部材との接続領域の内側に位置するヒータープレート凹部、及び、前記第１端面側において前記支持部材に形成され、環状の開口外縁が前記接続領域の内側に位置し、前記ウェハが載置される面の上方から臨んだときに円形をなす第１凹部のうち少なくとも前記第１凹部とを備え、
　前記支持部材は、円柱部分と前記円柱部分よりも前記第１端面側に、前記第１凹部の周りを囲む環板状のフランジ部とを備え、
　前記第１凹部の半径Ｒ１と前記円柱部分の半径Ｒ２と前記フランジ部の半径Ｒ３とが、Ｒ２≦Ｒ１＜Ｒ３の関係式を満た
し、
　
前記フランジ部の前記支持部材の軸方向の厚さは、前記第１端面から前記第１凹部底部までの深さより大きい
（２）特許請求の範囲の請求項２を削除する。（以下，「訂正事項２」という。）
（３）請求項３を以下の事項により特定されるとおりの請求項３として訂正する。請求項３を引用する請求項４及び５も同様に訂正する。（以下，「訂正事項３」という。）。
「【請求項３】
　請求項
１
　前記支持部材は、前記第１端面と反対側の第２端面と、前記第２端面側において前記支持部材に形成され、開口の外縁が環状かつ有底の第２凹部とを備えることを特徴とするセラミックヒーター。」
（４）請求項５を以下の事項により特定されるとおりの請求項５として訂正する（以下，「訂正事項４」という。）。
「【請求項５】
　前記ヒータープレートと前記支持部材とを不活性ガス雰囲気の真空炉中にいれて接合することを特徴とする請求項
１、３または４
　本件訂正請求は，一群の請求項〔１−５〕に対して請求されたものである。
２　訂正の目的の適否，新規事項の有無，特許請求の範囲の拡張・変更の存否
（１）訂正事項１
　訂正事項１は，訂正前の請求項１を引用する訂正前の請求項２記載の選択的な発明特定事項である「前記フランジ部の前記支持部材の軸方向の厚さは、前記第１端面から前記第１凹部の底部までの深さと等しい又は前記深さより大きい」ことについて，「前記フランジ部の前記支持部材の軸方向の厚さは、前記第１端面から前記第１凹部の底部までの深さより大きい」とし，請求項１に追加し限定するものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的としており，新規事項の追加に該当せず，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものでもない。
（２）訂正事項２
　訂正事項２は，請求項２を削除する訂正であるから，特許請求の範囲の減縮を目的としており，新規事項の追加に該当せず，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものでもない。
（３）訂正事項３
　訂正事項３は，請求項１または請求項２を直接引用する請求項３について，請求項２の削除に伴い，請求項２に関する引用の記載を削除するものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的としており，新規事項の追加に該当せず，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものでもない。
（４）訂正事項４
　訂正事項４は，請求項１ないし４を直接引用する請求項５について，請求項２の削除に伴い，請求項２に関する引用の記載を削除するものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的としており，新規事項の追加に該当せず，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものでもない。
３　小括
　以上のとおりであるから，本件訂正請求による訂正は，特許法第１２０条の５第２項第１号に掲げる事項を目的とするものであり，かつ，同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
　したがって，特許請求の範囲を，訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり，訂正後の請求項〔１−５〕について訂正することを認める。
第３　訂正後の本件発明
　本件訂正請求により訂正された請求項１ないし５に係る発明（以下，「本件発明１ないし５」という。）は，その特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された次の事項により特定されるとおりのものである
本件発明１
「ウェハが載置されるヒータープレートと、前記ヒータープレートと接続する支持部材とを備えるセラミックヒーターであって、
　前記ウェハが載置される面と反対側の面であり、前記支持部材が接続される前記ヒータープレートのヒータープレート端面と、
　前記ヒータープレート端面に対して接続される前記支持部材の第１端面と、
　前記ヒータープレート端面側において前記ヒータープレートに形成され、環状の開口外縁が前記ヒータープレートと前記支持部材との接続領域の内側に位置するヒータープレート凹部、及び、前記第１端面側において前記支持部材に形成され、環状の開口外縁が前記接続領域の内側に位置し、前記ウェハが載置される面の上方から臨んだときに円形をなす第１凹部のうち少なくとも前記第１凹部とを備え、
　前記支持部材は、円柱部分と前記円柱部分よりも前記第１端面側に、前記第１凹部の周りを囲む環板状のフランジ部とを備え、
　前記第１凹部の半径Ｒ１と前記円柱部分の半径Ｒ２と前記フランジ部の半径Ｒ３とが、Ｒ２≦Ｒ１＜Ｒ３の関係式を満たし、
　前記フランジ部の前記支持部材の軸方向の厚さは、前記第１端面から前記第１凹部の底部までの深さより大きいことを特徴とするセラミックヒーター。」
本件発明２
（削除）
本件発明３
「請求項１記載のセラミックヒーターにおいて、
　前記支持部材は、前記第１端面と反対側の第２端面と、前記第２端面側において前記支持部材に形成され、開口の外縁が環状かつ有底の第２凹部とを備えることを特徴とするセラミックヒーター。」
本件発明４
「請求項３記載のセラミックヒーターにおいて、前記第１端面から前記第１凹部の底部までの深さが前記第２端面から前記第２凹部の底面までの深さより小さいか、または前記第１凹部と前記第２凹部との開口の半径が異なることを特徴とするセラミックヒーター。」
本件発明５
「前記ヒータープレートと前記支持部材とを不活性ガス雰囲気の真空炉中にいれて接合することを特徴とする請求項１、３または４記載のセラミックヒーターの製造方法。」
第４　取消理由通知に記載した取消理由について
１　取消理由の概要
　訂正前の請求項１ないし５に係る特許に対して，当審が平成３０年５月２８日に特許権者に通知した取消理由の要旨は，次のとおりである。
　請求項１ないし５に係る発明は，甲第２号証に記載された発明に，甲第３号証及び甲第４号証に記載された技術を組み合わせることにより，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
　よって，請求項１ないし５に係る特許は，取り消されるべきものである。
２　甲号証の記載
（１）甲第２号証
ア　甲第２号証の記載
　取消理由通知において引用した甲第２号証（特開２００５−１２３５８２号公報）には、図面とともに、次の記載がある。（下線は，当審で付与した。以下，同じ。）
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、基板処理装置において被処理基板を保持するのに使われる基板保持構造物、並びにこのような基板保持構造物を用いた基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
　ＣＶＤ装置、プラズマＣＶＤ装置、熱処理装置、エッチング装置などの基板処理装置では、被処理基板を保持するため、処理容器内部に基板保持構造物が設けられる。このような
基板保持構造物は、被処理基板を保持する基板保持台と、前記基板保持台を支持する支柱とを含む。基板保持台の内部には、基板を所定温度に加熱するための加熱機構が設けられる。
「【００１０】
　本発明の目的は、安価に製造でき、かつ
熱応力の集中を抑制できる
【００１１】
　本発明の更なる目的は、基板保持台に生じる温度勾配を抑制することにある。」
「【００２６】
　本発明によれば、上端部にフランジ部が形成された支柱と、前記フランジ部に接合された基板保持台とを備えた基板保持構造物において、前記基板保持台に加熱機構を設け、前記基板保持台の下面に、前記フランジ部の外周面に沿って伸びるＵ字型の溝を形成し、前記Ｕ字型の溝の内周面と前記フランジ部の外周面とを、連続した単一の面を形成するように接続することにより、前記基板保持台下面への最小限の研削加工で前記支柱および基板保持台における熱応力の集中を緩和することが可能になる。
【００２７】
　また本発明によれば、上端部にフランジ部が形成された支柱と、前記フランジ部に接合された基板保持台とを備えた基板保持構造物において、前記基板保持台に加熱機構を設け、前記支柱が前記基板保持台との接合部に、内周面と外周面とを有するフランジ部を含むように構成し、前記内周面を、前記基板保持台の下面に向かって前記フランジ部の内径が連続的に増大するように傾斜した傾斜面を成すように構成し、前記外周面を、前記基板保持台の下面に向かって前記フランジ部の外径が連続的に増大するように傾斜した傾斜面を成すように構成し、前記外周面を成す前記傾斜面を、前記基板保持台の下面に連続的に移行するように構成することにより、前記基板保持台下面に研削加工を行うことなく、前記支柱および基板保持台における熱応力の集中を緩和することが可能になる。」
「【００３０】
　
前記基板保持台２３はＡｌＮなどの耐食性に優れ、高い熱伝導率と抵抗率、さらに優れた熱衝撃耐性を有するセラミック材料よりなる。基板保持台２３は、この基板保持台２３と同様にＡｌＮなどのセラミックよりなる支柱２３Ａ上に支持されている。これらセラミック部品２３，２３Ａ同士の接合は、好ましくは固相接合により行われる
「【００３８】
　図７は、図３の
基板保持台２３において使われる熱応力を緩和するための構造を示す。図７を参照すると、前記基板保持台２３を支持する支柱２３Ａは、支柱２３Ａの上端部に設けられたフランジ部２３Ｂと、フランジ部２３Ｂの下方に設けられた外径ｄを有する円筒状の本体部と、を有している。
【００３９】
　基板保持台２３の下面２３１には、Ｕ字型断面を有するリング状の溝２３Ｕ（以下、「Ｕ字型溝２３Ｕ」という）が形成されている。Ｕ字型溝２３Ｕは、内周面２３Ｕ1と外周面２３Ｕ2とを接続する底面２３Ｕ3とにより画成されている。内周面２３Ｕ1と底面２３Ｕ3並びに外周面２３Ｕ2と底面２３Ｕ3は、曲率半径がＲ１の曲面を介して滑らかに接続されている。曲率半径Ｒ1はＵ字型溝２３Ｕの深さＤより小さい。フランジ部２３Ｂの外周面２３Ｂ1の輪郭線は鉛直方向に延び、かつＵ字型溝２３Ｕの内周面２３Ｕ1の輪郭線は外周面２３Ｂ1の輪郭線の延長上を鉛直方向に延びている。すなわち、外周面２３Ｂ1の輪郭線および内周面２３Ｕ1の輪郭線は、鉛直方向に延びる連続した単一の直線（線分）をなし、両輪郭線の接続点Ｐには段差は実質的に存在しない。すなわち、外周面２３Ｂ1と内周面２３Ｕ1とは基板保持台２３と支柱２３Ａとの接合面２３５（接続点Ｐ）の近傍で、円筒形状の連続した単一の曲面をなす。曲率半径がＲ1の曲面の輪郭線は、接続点Ｐと同じ高さに位置する点Ｏを中心とする中心角が９０度の円弧を成し、接続点Ｐから所定距離上方に離間した位置Ｐ‘からスタートする。この構成によれば、熱応力が最大となる部位を、曲率半径がＲ1の曲面の輪郭線の内周面２３Ｕ1の輪郭線の端部に対応する部位に位置させることができ、言い換えれば、材料強度が弱い基板保持台２３と支柱２３Ａとの接合面２３５（接続点Ｐ）以外の場所に位置させることができる。」
「【００４２】
　
基板保持台２３の下面２３１には、さらにリング状の溝２３２が形成されている。
溝２３２を設けることにより、支柱２３Ａのフランジ部２３Ｂの上面２３４と基板保持台２３との間に隙間を形成し、これにより、基板保持台２３と支柱２３Ａとの接合面２３５の面積を小さくしている。加熱機構を内蔵する基板保持台２３と加熱機構を持たない支柱２３Ａとの温度差は大きいため、接合面２３５の面積を大きくしすぎると接合面２３５近傍における熱応力が大きくなる。また、接合面２３５の面積を大きくしすぎると、基板保持台２３から支柱２３Ａに流れ込む熱量が大きくなり、基板保持台２３の温度均一性を悪化させる。このような問題を回避するため、接合面２３５の幅Ｗ‘は、基板保持台２３と支柱２３Ａとの間の充分な接合強度を確保できる限りにおいてなるべく小さい値、例えば約４ｍｍに設定される。
【００４３】
　さらに
フランジ部２３Ｂの内周面は傾斜面２３ｆとなっており、これにより当該部分への熱応力の集中が緩和される。
支柱２３Ａの本体部からフランジ部２３Ｂへの遷移部にも曲率Ｒ
2
の曲面２３Ｒが形成されており、これにより当該部分における熱応力の集中が緩和される。
【００４４】
　図８（Ａ）は、図７の基板保持構造物において、前記基板保持台２３中に中心部の温度が低く周辺部の温度が高い、いわゆるセンタークールの温度勾配が生じた場合の応力分布を示す。各領域に付されたアルファベットは応力のレベルを示しており、Ａが＋６．７９ｋｇｆ・ｍｍ-2超の応力が生じている領域、Ｂが＋５．４３〜＋６．７９ｋｇｆ・ｍｍ-2の応力が生じている領域、Ｃが＋４．０７〜＋５．４３ｋｇｆ・ｍｍ-2の応力が生じている領域、Ｄが＋２．７１〜＋４．０７ｋｇｆ・ｍｍ-2の応力が生じている領域、Ｅが＋１．３５〜＋２．７１ｋｇｆ・ｍｍ-2の応力が生じている領域、Ｆが０〜＋１．３５ｋｇｆ・ｍｍ-2の応力が生じている領域、Ｇが−１．３７〜０ｋｇｆ・ｍｍ-2の応力が生じている領域をそれぞれ示している。なお、プラスは引っ張り応力、マイナスは圧縮応力を意味している。
【００４５】
　図８（Ａ）を参照すると、センタークールの状態では前記基板保持台２３中には、中央部が周辺部に対して収縮するため、特にフランジ部２３Ｂの外周面に対応する位置に大きな引張応力が生じる傾向にある。しかし、外周面２３Ｂ1に対応する位置にＵ字溝２３Ｕを形成することにより、応力の集中が著しく緩和されるのがわかる。図８（Ａ）の状態では、最大引張応力（その値は８．１５ｋｇ・ｍｍ-2超である）がＵ字型溝２３Ｕの曲率半径がＲ1の曲面部において生じているのがわかる（矢印ＭＡＸを参照）。特に注意すべき点は、応力集中が基板保持台２３と支柱２３Ａとの接合部に生じていない点である。
【００４６】
　これに対し図８（Ｂ）は、前記基板保持台２３Ｂの中心部が高温で周辺部が低温の、いわゆるセンターホットの状態における応力分布を示す。
【００４７】
　この場合には、基板保持台２３中、前記支柱２３Ａとの接合部近傍における熱応力の集中はほとんど生じていないのがわかる。
【００４８】
　上述したように、本実施例に係わる基板保持構造物において、基板保持台２３下面研削加工量を最小限にしつつ（図１および２に示す従来技術を比較参照）、熱応力の集中を緩和することができる。またヒータ２４Ａ，２４Ｂを独立に駆動することにより、基板保持台２３に生じる温度勾配を最小化することができる。これにより、破損の恐れのない、信頼性の高い基板保持構造物を、安価に形成することが可能になる。」
　【図７】
　【図８】
イ　甲２発明
　【図７】および【図８】から、甲第２号証には以下の点が記載されていると認められる。
・基板保持台２３の下方にある「傾斜面２３ｆ」は、基板保持台２３と支柱２３Ａとの接合面２３５の内側にあること。
・「リング状の溝２３２」は、上記接合面２３５の内側にあること。
・「傾斜面２３ｆ」の上端の内径と、「円筒状の本体部」の外径ｄと、「フランジ部２３Ｂ」の上端の外径は、「円筒状の本体部」の外径ｄ＜「傾斜面２３ｆ」の上端の内径＜「フランジ部２３Ｂ」の上端の外径　の関係を有すること。
　そうすると、上記アより、甲第２号証には次の発明（以下、「甲２発明」という。）が記載されていると認められる。
「基板を所定温度に加熱するための加熱機構が設けられた被処理基板を保持する基板保持台２３と、前記基板保持台を支持する支柱２３Ａとを含む、セラミック材料からなる基板保持構造物であって、
　前記基板保持台２３を支持する前記支柱２３Ａは、前記支柱２３Ａの上端部に設けられたフランジ部２３Ｂと、フランジ部２３Ｂの下方に設けられた外径ｄを有する円筒状の本体部とを有し、
　前記フランジ部２３Ｂの内周面は、熱応力の集中を緩和する為に、基板保持台２３と支柱２３Ａとの接合面２３５の内側にある、傾斜面２３ｆを有し、
　前記接合面２３５の内側の前記基板保持台２３の下面２３１に、リング状の溝２３２が形成され、前記支柱２３Ａの前記フランジ部２３Ｂの上面２３４と前記基板保持台２３との間に隙間を形成し、これにより、前記基板保持台２３と前記支柱２３Ａとの接合面２３５の面積を小さくし、
　傾斜面２３ｆの上端の内径と、円筒状の本体部の外径ｄと、フランジ部２３Ｂの上端の外径が、
「円筒状の本体部」の外径ｄ＜「傾斜面２３ｆ」の上端の内径＜「フランジ部２３Ｂ」の上端の外径
の関係を有する、基板保持構造物。」
（２）甲第３号証
ア　甲第３号証の記載
　取消理由通知において引用した甲第３号証（特開２０１１−１６５８９１号公報）には、図面とともに、次の記載がある。
「【０００１】
　本発明は、半導体ウエハ等の被処理体の処理装置及び載置台構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
　一般に、半導体集積回路を製造するには、半導体ウエハ等の被処理体に、成膜処理、エッチング処理、熱処理、改質処理、結晶化処理等の各種の枚葉処理を繰り返し行なって、所望する集積回路を形成するようになっている。上記したような各種の処理を行なう場合には、その処理の種類に対応して必要な処理ガス、例えば成膜処理の場合には成膜ガスやハロゲンガスを、改質処理の場合にはオゾンガス等を、結晶化処理の場合にはＮ２ ガス等の不活性ガスやＯ２ ガス等をそれぞれ処理容器内へ導入する。
【０００３】
　
半導体ウエハに対して１枚毎に熱処理を施す枚葉式の処理装置を例にとれば、真空引き可能になされた処理容器内に、例えば抵抗加熱ヒータを内蔵した載置台を設置し、この上面に半導体ウエハを載置し、所定の温度（例えば１００℃から１０００℃）で加熱した状態で所定の処理ガスを流し、所定のプロセス条件下にてウエハに各種の熱処理を施すようになっている（特許文献１〜４）。
【０００４】
　ところで、半導体ウエハを載置する載置台構造に関しては、一般的には耐熱性耐腐食性を持たせると共に、金属コンタミネーション等の金属汚染を防止する必要から例えばＡｌＮ等のセラミック材中に発熱体として抵抗加熱ヒータを埋め込んで高温で一体焼成して載置台を形成し、また別工程で同じくセラミック材等を焼成して支柱を形成し、この一体焼成した載置台側と上記支柱とを、例えば熱拡散接合で溶着して一体化して載置台構造を製造している。そして、このように一体成形した載置台構造を処理容器内の底部に起立させて設けるようにしている。また上記セラミック材に代えて耐熱耐腐食性があり、また熱伸縮も少ない石英ガラスを用いる場合もある。
【０００５】
　ここで従来の載置台構造の一例について説明する。
図８は従来の載置台構造の一例を示す断面図である。この載置台構造は、真空排気が可能になされた処理容器内に設けられており、図８に示すように、この載置台構造はＡｌＮ等のセラミック材よりなる円板状の載置台２を有している。そして、この載置台２の下面の中央部には同じく例えばＡｌＮ等のセラミック材よりなる円筒状の支柱４が例えば熱拡散接合にて接合されて一体化されている。
・・・　中　略　・・・
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
　ところで、処理装置のメンテナンス時等において、この処理装置自体を移動したり、或いは搬送したりする必要が生じた場合、作業を迅速に行うために上述したような載置台構造を処理装置内に組み込んだ状態でこれを移動、或いは搬送する必要が生ずる。このような場合、上述したように円筒状の支柱４の上端を載置台２の下面に接合して両者を固定しただけでは接合部分の強度が不足してこの部分に割れ等が生ずる恐れがあった。また、
支柱４自体も比較的薄肉構造であるため、支柱４自体が破損する恐れもあった。
【００１０】
　また地震等の大きな振動により、載置台自体が共娠してこの破損を引き起こす恐れもあった。このような危惧は、特許文献４に示すような複数の支持部材で載置台を支持するようにした載置台構造においても同様に存在する。特に、ウエハＷの直径が３００ｍｍ程度から更に大口径化する傾向にあるので、それに伴って載置台２自体の直径も更に大きくなってより重量化することから、上記問題点の早期な解決が望まれている。
【００１１】
　本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明は、載置台と支柱との連結部の強度及び支柱自体の強度を向上させることが可能な載置台構造及び処理装置である。」
「【００１７】
　以下に、本発明に係る載置台構造及び処理装置の好適な一実施形態を添付図面に基づいて詳述する。
　図１は本発明に係る載置台構造を有する処理装置を示す断面構成図、図２は載置台に設けた加熱手段の一例を示す平面図、図３は図１中のＡ−Ａ線に沿った矢視断面図、図４は図１中の載置台構造の一部の貫通孔の部分を代表的に取り出して示す部分拡大断面図、図５は図４中の載置台構造の組み立て状態を説明するための説明図である。ここではプラズマを用いて成膜処理を行う場合を例にとって説明する。尚、以下に説明する「機能棒体」とは、１本の金属棒のみならず可撓性のある配線、複数の配線を絶縁材で被覆して１本に結合して棒状に形成された部材等も含むものとする。
・・・　中　略　・・・
【００２３】
　そして、この処理容器２２内の底部４４には、これより起立させて本発明の特徴とする載置台構造５４が設けられる。具体的には、この載置台構造５４は、上面に上記被処理体を載置するための載置台５８と、上記載置台５８に連結される支柱６３とにより主に構成されている。上記支柱６３は、上記載置台５８を上記処理容器２２の底部から起立させて支持すると共に、内部に長さ方向に沿って形成された複数の貫通孔６０を有している。上記各貫通孔６０内には、機能棒体６２が挿通されている。上記支柱６３は、例えば円柱状の支柱材料に穿孔により複数の貫通孔６０を形成することにより製作される。」
「【００６０】
　このような状況において、例えば地震等により大きな振動が発生した場合、重量物である載置台５８が支柱６３との連結部から割れ等が生じて破壊したり、或いは支柱６３自体に割れ等が生じるおそれがある。
【００６１】
　しかしながら、
本発明においては、支柱６３自体を円柱状に成形して、この円柱に機能棒体等を挿通させるための複数本の貫通孔６０を形成するようにしており、そして、支柱６３の上端部を載置台５８の下面に連結しているので、支柱６３自体の強度を大幅に向上させることができ
【００６２】
　従って、地震等の大きな振動が発生しても、載置台構造５４自体が破損や破壊したりすることを防止することができる。また、上述のように振動に対する載置台構造５４自体の強度を向上できることから、載置台構造５４を組み込んだ状態で処理装置を移動したり、搬送したりすることができる。」
「【００６８】
＜第２変形実施例＞
　次に、本発明の第２変形実施例について説明する。先の図４に示す実施例においては、
支柱６３の上端部及び下端部は共に平坦な状態であったが、これに限定されず、溶接を行い易くするために
【００６９】
　図７に示すように、ここでは
支柱６３の上端部及び下端部に、その周辺部をリング状に残して凹部状に削り込むことにより形成された削り込み部２０６Ａ、２０６Ｂがそれぞれ設けられている。
【００７０】
　そして、この支柱６３の上端部を載置台本体５９の下面に溶接することにより支柱６３と載置台５８とを接合することになる。また支柱６３の下端部を固定台９６の上面に溶接することにより、支柱６３と固定台９６とを接合することになる。この熱溶接を行う場合、溶接対象となる両母材を共に高温に加熱する必要があるが、上記したように凹部状に削り込み部２０６Ａ、２０６Ｂを形成することにより、薄肉となったリング状の周辺部を、溶接対象となる載置台本体５９の下面の中央部の部分と同様に迅速に加熱することができ、両者を容易に且つ迅速に接合することができる。
【００７１】
　また、支柱６３の上下端部の厚さＬ１をある程度、例えば２ｍｍ以上、より好ましくは２．５ｍｍ以上に設定しておけば、載置台本体５９や固定台９６との接合面積も十分に大きくすることができ、特に載置台本体５９と支柱６３との接合強度も高く維持することができる。従って、この第２変形実施例の場合にも、先の図４において説明した実施例と同様な作用効果を発揮することができる。」
イ　甲３記載事項
　上記アより、甲第３号証には次の事項（以下、「甲３記載事項」という。）が記載されていると認められる。
「半導体ウエハを載置し、所定のプロセス条件下にてウエハに各種の熱処理を施す載置台において、従来技術の円筒状の支柱は支柱自体が比較的薄肉構造であるため、支柱自体が破損する恐れがあったので、支柱を円柱状に成形し、強度を大幅に向上させること。」
（３）甲第４号証
ア　甲第４号証の記載
　取消理由通知において引用した甲第４号証（特開２００４−２２３８２号公報）には、図面とともに、次の記載がある。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミックサセプターの取付構造、セラミックサセプターの支持構造、セラミックサセプターの支持部材、
セラミックサセプターの支持構造を形成する方法
「【００５４】
好適な実施形態においては、サセプターと支持部材とが固相接合されている。
【００５５】（１）アルミニウム−窒素結合を有する窒化アルミニウムの前駆体化合物を、支持部材の端面とサセプター背面との間に介在させた状態で熱分解させることによって、両者を接合する。この場合において好ましくは、平板状部およびサセプターが、窒化アルミニウム質セラミックスからなる。」
「【００５７】アルミニウム−窒素結合を有する化合物の熱分解温度は、好ましくは１６００℃以下である。
接合時の雰囲気は、アルゴン等の不活性ガス
が好ましく
３　当審の判断
（１）本件発明１について
ア　本件発明１と甲２発明との対比
（ア）甲２発明の「基板」，「基板を所定温度に加熱するための加熱機構が設けられた被処理基板を保持する基板保持台２３」，「前記基板保持台を支持する支柱２３Ａ」，「セラミック材料からなる基板保持構造物」および「前記基板保持台２３の下面２３１」は、それぞれ本件発明１の「ウェハ」，「ウェハが載置されるヒータープレート」，「前記ヒータープレートと接続する支持部材」，「セラミックヒーター」および「ヒータープレート端面」に相当する。
（イ）甲２発明は、「基板保持台２３と支柱２３Ａとの接合面２３５」を有し、該「接合面２３５」の「支柱２３Ａ」側が、本件発明１の「前記ヒータープレート端面に対して接続される前記支持部材の第１端面」に相当する。
（ウ）甲２発明は、「前記接合面２３５の内側の前記基板保持台２３の下面２３１には、リング状の溝２３２が形成され」ているから、この「リング状の溝２３２」は、本件発明１の「前記ヒータープレート端面側において前記ヒータープレートに形成され、環状の開口外縁が前記ヒータープレートと前記支持部材との接続領域の内側に位置するヒータープレート凹部」に相当する。
（エ）甲２発明は、「前記フランジ部２３Ｂの内周面は、熱応力の集中を緩和する為に、基板保持台２３と支柱２３Ａとの接合面２３５の内側にある、傾斜面２３ｆを有し」ており、この「傾斜面２３ｆ」により凹部を形成していると言える。そうすると、「傾斜面２３ｆ」により形成された凹部は、本件発明１の「前記第１端面側において前記支持部材に形成され、環状の開口外縁が前記接続領域の内側に位置し、前記ウェハが載置される面の上方から臨んだときに円形をなす第１凹部」に相当する。
（オ）甲２発明は「前記基板保持台２３を支持する前記支柱２３Ａは、前記支柱２３Ａの上端部に設けられたフランジ部２３Ｂと、フランジ部２３Ｂの下方に設けられた外径ｄを有する円筒状の本体部とを有し」ているから、甲２発明の「支柱２３Ａ」と、本件発明１の「円柱部分と前記円柱部分よりも前記第１端面側に、前記第１凹部の周りを囲む環板状のフランジ部とを備え」る「支持部」は、柱となる部分と前記柱となる部分よりも前記第１端面側に、前記第１凹部の周りを囲む環板状のフランジ部とを備える「支持部」である点で共通する。
（カ）甲２発明の「「円筒状の本体部」の外径ｄ」，「「傾斜面２３ｆ」の上端の内径」および「「フランジ部２３Ｂ」の上端の外径」は、それぞれ本件発明１の「前記円柱部分の半径Ｒ２」，「前記第１凹部の半径Ｒ１」および「前記フランジ部の半径Ｒ３」に相当し、甲２発明の「「円筒状の本体部」の外径ｄ＜「傾斜面２３ｆ」の上端の内径＜「フランジ部２３Ｂ」の上端の外径」の関係は、本件発明１の「Ｒ２≦Ｒ１＜Ｒ３の関係式を満たすこと」に相当する。
（キ）上記（ア）ないし（カ）から、本件発明１と甲２発明は、以下の点で一致し、また相違する。
［一致点］
「ウェハが載置されるヒータープレートと、前記ヒータープレートと接続する支持部材とを備えるセラミックヒーターであって、
　前記ウェハが載置される面と反対側の面であり、前記支持部材が接続される前記ヒータープレートのヒータープレート端面と、
　前記ヒータープレート端面に対して接続される前記支持部材の第１端面と、
　前記ヒータープレート端面側において前記ヒータープレートに形成され、環状の開口外縁が前記ヒータープレートと前記支持部材との接続領域の内側に位置するヒータープレート凹部、及び、前記第１端面側において前記支持部材に形成され、環状の開口外縁が前記接続領域の内側に位置し、前記ウェハが載置される面の上方から臨んだときに円形をなす第１凹部のうち少なくとも前記第１凹部とを備え、
　前記支持部材は、柱となる部分と前記柱となる部分よりも前記第１端面側に、前記第１凹部の周りを囲む環板状のフランジ部とを備え、
　前記第１凹部の半径Ｒ１と前記円柱部分の半径Ｒ２と前記フランジ部の半径Ｒ３とが、Ｒ２≦Ｒ１＜Ｒ３の関係式を満たすことを特徴とするセラミックヒーター。」
［相違点１］
　本件発明１は、「支持部材」の柱となる部分が「円柱」であるのに対して、甲２発明は「支持部材」の柱となる部分が「円筒」である点。
［相違点２］
　本件発明１は、「前記フランジ部の前記支持部材の軸方向の厚さは、前記第１端面から前記第１凹部の底部までの深さより大きい」のに対して、甲２発明はそのようになっていない点。
イ　相違点についての判断
［相違点１］及び［相違点２］について
　甲３記載事項にあるように、半導体ウエハを載置し、所定のプロセス条件下にてウエハに各種の熱処理を施す載置台において、円筒状の支柱は支柱自体が比較的薄肉構造であるため、支柱自体が破損する恐れがあったので、支柱を円柱状に成形し、強度を大幅に向上させることは、公知の技術である。
　甲２発明においても、円筒状の支柱は破損する恐れがあり、より強度のあるものとするために、支柱自体の薄肉構造である円筒状の本体の部分を円柱とすることは、当業者が容易に想到する事項である。［相違点１］
　その際、熱応力の集中を緩和する為に設けられた、「傾斜面２３ｆ」（甲第２号証段落【００４３】）を残しながら、支柱自体の薄肉構造である円筒状の本体部分のみを円柱とすると認められる。
　してみると，甲２発明の円筒状の支柱を円柱とした際，本件発明１の「第１凹部の底部」に相当する構成は，「傾斜面２３ｆ」の下端と同じ高さになると認められる。
　そして，「傾斜面２３ｆ」は，熱応力の集中を緩和するために十分な長さを必要とすることは当業者にとって自明の事項であるから，甲２発明の円筒状の支柱を円柱とした際の，本件発明１の「前記第１端面から前記第１凹部の底部までの深さ」に相当する構成を，本件発明１の「前記フランジ部の前記支持部材の軸方向の厚さ」に相当する「フランジ部２３Ｂ」の厚さより薄くすることは，甲２発明の「熱応力の集中を抑制できる」（甲第２号証段落【００１０】）という目的に反し，阻害要因があると言える。［相違点２］
　そして，本件発明１は［相違点２］に係る構成を有することにより，「Ｈ１≧Ｌ１の関係を満たす本実施形態のセラミックヒーター１は、支持部材１００の第１端面１１０から第２端面１２０の方向に向かって第１フランジ部１５０において急激な温度変化が生じることを低減するので、第１フランジ部１５０において破壊の原因となる熱応力の低減を図ることができる。」（本件特許明細書段落【００３１】）との格別の効果を有する。
ウ　特許異議申立人の意見について
（ア）異議申立人は，意見書において，甲第２号証の図８（ａ）を基に，「甲２号証図８（ａ）図には，フランジ部の支柱の軸方向の厚さＨ１は，第１端面から第１凹部の底部までの深さＬ１より大きい点が記載または示唆されている。」旨主張している（意見書第２頁１４行乃至第３頁２行）。
　しかしながら，甲第２号証の図８は，「図７の基板保持構造物中に生じる熱応力分布を、それぞれセンタークールの状態およびセンターホットの状態について示す図」であって，対応する図７において，「フランジ部の支柱の軸方向の厚さＨ１は，第１端面から第１凹部の底部までの深さＬ１より大きい」とはなっていないから，図８をもって，甲第２号証に［相違点２］に係る構成が記載または示唆されているとは言えない。
（イ）異議申立人の意見書におけるその他の主張（意見書第３頁４行乃至第７頁４０行）は，甲２発明の「傾斜面２３ｆ」を前提としておらず，採用することはできない。
エ　まとめ
　したがって，本件発明１は，甲２発明及び甲３記載事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
（２）本件発明３ないし５について
　本件発明３ないし５は，本件発明１を引用するものであり，本件発明１の発明特定事項を全て備えるから，前記「（１）」と同様の理由により，甲第２号証ないし甲第４号証に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明することができたものではない。
第５　取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由について
１　特許法２９条２項について
（１）甲第１号証
ア　甲第１号証の記載
　特許異議申立書において引用された甲第１号証（特開２００１−２５０８５８号公報）には、図面とともに、次の記載がある。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミックスサセプターのチャンバーへの取付構造に関するものである。」
「【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、
加熱されるセラミックスサセプターと、サセプターの接合面に接合されているセラミックス製の支持部材
【０００９】また、本発明は、前記取付構造であって、サセプターの支持部材への接合面に対して平行な方向に向かって支持部材を見たときに、複数枚のセラミックスが重ね合わされる重ね合わせ部分が設けられていることを特徴とする。
【００１０】本発明について、図１−図４を参照しつつ更に説明する。図１−図４は、本発明の各実施形態に係る取付構造を示す断面図である。」
「【００１７】図２−図４の各実施形態においては、前記の重ね合わせ部分を設けた。
図２においては、サセプター１の接合面１ｂとチャンバー１３の内側壁面１３ａとの間が、支持部材２Ｂによって連結されている。支持部材２Ｂにおいては、支持部材の一端４に直筒部５Ｇが連続しており、この直筒部５Ｇが連結部７Ｆを介して別の直筒部５Ｈに連続している。この直筒部５Ｈの一端はチャンバー１３内にあるが、他端はチャンバー１３外に出ている。直筒部５Ｈの他端が折り返し部分９Ａを介して別の直筒部８Ａに連続しており、直筒部８Ａにチャンバー１３への接合部６が連続している。この結果、サセプター１の接合面１ｂに平行な方向に見たときに、直筒部５Ｈと直筒部８Ａとが重ね合わされており、即ち重複して存在している。１５は重ね合わせ部分である。
【００１８】
こうした構造によれば、折り返し部分９Ａを設けることによって、応力緩和作用が得られる。これに加えて、直筒部５Ｇ、５Ｈ、８Ａの全長が長いことによって、更に応力緩和作用が得られる。
応力と垂直に延びる直筒部５Ｇ、５Ｈ、８Ａはすべて応力緩和に寄与する。
「【００３７】
【発明の効果】以上述べたように、
本発明によれば、支持部材のセラミックスサセプター側の端部における引張応力を緩和することで、支持部材とサセプターとの接合部分の周辺における気体の漏れを防止できるようにし、同時にサセプターとチャンバーとの間隔をコンパクトにできる。
【図２】
イ　甲１発明
　【図２】から、甲第１号証には以下の点が記載されていると認められる。
・「支持部材の一端４」の外径は、「直筒部５Ｇ」の外径より大きいこと。
・「支持部材の一端４」の外径は、「支持部材の一端４」の内径より大きいこと。
・「支持部材の一端４」の外径部分の垂直方向の長さは、「支持部材の一端４」の内径部分の垂直方向の長さより大きいこと。
　そうすると、上記アより、甲第１号証には次の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されていると認められる。
「加熱されるセラミックスサセプター１と、サセプターの接合面に接合されているセラミックス製の支持部材２Ｂにおいて、
　支持部材２Ｂを、支持部材の一端４に直筒部５Ｇが連続しており、支持部材の一端４の外径は、直筒部５Ｇの外径および支持部材の一端４の内径より大きく、この直筒部５Ｇが連結部７Ｆを介して、一端はチャンバー１３内にあり他端はチャンバー１３外に出ている別の直筒部５Ｈに連続し、
　この直筒部５Ｈの他端が折り返し部分９Ａを介して、チャンバー１３への接合部６が連続している別の直筒部８Ａに連続し、
　折り返し部分９Ａを設けることによって、応力緩和作用が得られ、
　直筒部５Ｇ、５Ｈ、８Ａの全長が長いことによって、更に応力緩和作用が得られ、
　セラミックスサセプター１と、サセプターの接合面に接合されており，
　支持部材の一端４の外径部分の垂直方向の長さは、支持部材の一端４の内径部分の垂直方向の長さより大きい
　セラミックス製の支持部材２Ｂ。」
（２）本件発明１について
ア　本件発明１と甲１発明との対比
（ア）甲１発明の「加熱されるセラミックスサセプター１」，「サセプターの接合面に接合されているセラミックス製の支持部材２Ｂ」および「サセプターの接合面」は、それぞれ本件発明１の「ウェハが載置されるヒータープレート」，「前記ヒータープレートと接続する支持部材」および「ヒータープレート端面」に相当する。
（イ）甲１発明の「加熱されるセラミックスサセプター１」と「サセプターの接合面に接合されているセラミックス製の支持部材２Ｂ」は、本件発明１の「セラミックヒーター」に相当する。
（ウ）甲１発明の「支持部材２Ｂ」のサセプターの接合面に接合する面は、本件発明１の「前記支持部材の第１端面」に相当する。
（エ）甲１発明の「支持部材２Ｂ」は、「支持部材の一端４に直筒部５Ｇが連続しており、この直筒部５Ｇが連結部７Ｆを介して、一端はチャンバー１３内にあり他端はチャンバー１３外に出ている別の直筒部５Ｈに連続し、この直筒部５Ｈの他端が折り返し部分９Ａを介して、チャンバー１３への接合部６が連続している別の直筒部８Ａに連続」しており、この「直筒部５Ｇ」および「連結部７Ｆ」からなる構成は、本件発明１の「前記第１端面側において前記支持部材に形成され、環状の開口外縁が前記接続領域の内側に位置し、前記ウェハが載置される面の上方から臨んだときに円形をなす第１凹部」に相当する。
（オ）甲１発明は、「支持部材の一端４」に「直筒部５Ｇ」が連続していること、および、「支持部材の一端４」の外径は、「直筒部５Ｇ」の外径より大きいことから、「支持部材の一端４」は、「直筒部５Ｇ」および「連結部７Ｆ」からなる構成の周りを取り囲んでいる、環板状をなしていると言える。そうすると、甲１発明の「支持部材の一端４」は、本件発明１の「前記第１凹部の周りを囲む環板状のフランジ部」に相当する。
（カ）甲１発明の「支持部材２Ｂ」の「支持部材の一端４」を除く部分、すなわち、「支持部材２Ｂ」の「直筒部５Ｇ」，「連結部７Ｆ」，「直筒部５Ｈ」，「折り返し部分９Ａ」，「接合部６」および「直筒部８Ａ」からなる部分と、本件発明１の「支持部材」の「円柱部分」とは、円形の柱である点で共通する。
（キ）甲１発明の「支持部材の一端４の内径」，「直筒部５Ｇの外径」および「支持部材の一端４の外径」は、それぞれ、本件発明１の「第１凹部の半径Ｒ１」，「円柱部分の半径Ｒ２」および「フランジ部の半径Ｒ３」に相当するから、甲１発明の「支持部材の一端４の外径は、直筒部５Ｇの外径および支持部材の一端４の内径より大き」いことは、本件発明１の「前記第１凹部の半径Ｒ１と前記円柱部分の半径Ｒ２と前記フランジ部の半径Ｒ３とが、Ｒ２≦Ｒ１＜Ｒ３の関係式を満たすこと」のうち、「Ｒ２＜Ｒ３」および「Ｒ１＜Ｒ３」の関係式を満たすことに相当する。
（ク）甲１発明の「前記フランジ部の前記支持部材の軸方向の厚さは、前記第１端面から前記第１凹部の底部までの深さより大きい」ことは，甲１発明の「支持部材の一端４の外径部分の垂直方向の長さは、支持部材の一端４の内径部分の垂直方向の長さより大きい」ことに相当する。
（ケ）上記（ア）ないし（ク）から、本件発明１と甲１発明は、以下の点で一致し、また相違する。
［一致点］
「ウェハが載置されるヒータープレートと、前記ヒータープレートと接続する支持部材とを備えるセラミックヒーターであって、
　前記ウェハが載置される面と反対側の面であり、前記支持部材が接続される前記ヒータープレートのヒータープレート端面と、
　前記ヒータープレート端面に対して接続される前記支持部材の第１端面と、
　前記ヒータープレート端面側において前記ヒータープレートに形成され、環状の開口外縁が前記ヒータープレートと前記支持部材との接続領域の内側に位置するヒータープレート凹部、及び、前記第１端面側において前記支持部材に形成され、環状の開口外縁が前記接続領域の内側に位置し、前記ウェハが載置される面の上方から臨んだときに円形をなす第１凹部のうち少なくとも前記第１凹部とを備え、
　前記支持部材は、円形の柱部分と前記円形の柱部分よりも前記第１端面側に、前記第１凹部の周りを囲む環板状のフランジ部とを備え，
　前記フランジ部の前記支持部材の軸方向の厚さは、前記第１端面から前記第１凹部の底部までの深さより大きいことを特徴とするセラミックヒーター。」
［相違点ア］
　本件発明１の円形の柱は「円柱」であるのに対して、甲１発明の円形の柱は「円柱」でない点。
［相違点イ］
　本件発明１は「前記第１凹部の半径Ｒ１と前記円柱部分の半径Ｒ２と前記フランジ部の半径Ｒ３とが、Ｒ２≦Ｒ１＜Ｒ３の関係式を満たす」のに対して、甲１発明は「Ｒ２＜Ｒ３」および「Ｒ１＜Ｒ３」の関係式を満たすものの、Ｒ１とＲ２の大小関係は不明である点。
イ　相違点についての判断
［相違点ア］について
　甲１発明は「支持部材２Ｂ」の円形の柱に対応する部分を、「直筒部５Ｇ、５Ｈ、８Ａ」と「連結部７Ｆ」および「折り返し部分９Ａ」並びに「接合部６」で形成し、「折り返し部分９Ａ」および「直筒部５Ｇ、５Ｈ、８Ａの全長が長いことによって」応力緩和作用が得られるものであり、「直筒部５Ｇ、５Ｈ、８Ａ」を「円柱」とし、結果として「直筒部５Ｇ、５Ｈ、８Ａ」をなくすことは、「応力と垂直に延びる直筒部５Ｇ、５Ｈ、８Ａはすべて応力緩和に寄与」（甲第１号証段落【００１８】）する仕組みをなくし、「支持部材のセラミックスサセプター側の端部における引張応力を緩和することで、支持部材とサセプターとの接合部分の周辺における気体の漏れを防止できるようにし、同時にサセプターとチャンバーとの間隔をコンパクトにできる」（甲第１号証段落【００３７】）という、甲１発明の効果を無くすものであるから、甲１発明の「円筒」部分を「円柱」とすることは、阻害要因があるというべきである。
　したがって、甲１発明の［相違点ア］に係る構成を、本件発明１と同様の構成とすることは当業者が容易に想到しうることではない。
ウ　小括
　したがって、本件発明１は、［相違点イ］を検討するまでもなく、甲１発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
（３）本件発明３ないし５について
　本件発明３ないし５は，本件発明１を引用するものであり，本件発明１の発明特定事項を全て備えるから，前記「（２）」と同様の理由により，甲１発明に基づいて，当業者が容易に発明することができたものではない。
２　特許法２９条１項３号について
（１）甲第１号証について
　本件発明１と甲１発明とを対比すると、前記「１（２）ア（ケ）」の［相違点ア］及び［相違点イ］の点で相違する。
　従って、本件発明１は、甲１発明でない。また、本件発明１を引用する本件発明３ないし４も、甲１発明でない。
（２）甲第２号証について
　本件発明１と甲２発明とを対比すると、前記「第４の３（１）キ」の［相違点１］及び［相違点２］の点で相違する。
　従って、本件発明１は、甲２発明でない。また、本件発明１を引用する本件発明３ないし４も、甲２発明でない。
第５　むすび
　以上のとおりであるから，取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては，本件発明１及び３ないし５に係る特許を取り消すことはできない。
　また，他に本件発明１及び３ないし５に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　請求項２に係る特許は，訂正により，削除されたため，請求項２に対して，特許異議申立人がした特許異議申立てについては，対象となる請求項が存在しない。
　よって，結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成３０年１１月２０日（２０１８．１１．２０）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　ウェハが載置されるヒータープレートと、前記ヒータープレートと接続する支持部材とを備えるセラミックヒーターであって、
　前記ウェハが載置される面と反対側の面であり、前記支持部材が接続される前記ヒータープレートのヒータープレート端面と、
　前記ヒータープレート端面に対して接続される前記支持部材の第１端面と、
　前記ヒータープレート端面側において前記ヒータープレートに形成され、環状の開口外縁が前記ヒータープレートと前記支持部材との接続領域の内側に位置するヒータープレート凹部、及び、前記第１端面側において前記支持部材に形成され、環状の開口外縁が前記接続領域の内側に位置し、前記ウェハが載置される面の上方から臨んだときに円形をなす第１凹部のうち少なくとも前記第１凹部とを備え、
　前記支持部材は、円柱部分と前記円柱部分よりも前記第１端面側に、前記第１凹部の周りを囲む環板状のフランジ部とを備え、
　前記第１凹部の半径Ｒ１と前記円柱部分の半径Ｒ２と前記フランジ部の半径Ｒ３とが、Ｒ２≦Ｒ１＜Ｒ３の関係式を満た
し、
　
前記フランジ部の前記支持部材の軸方向の厚さは、前記第１端面から前記第１凹部の底部までの深さより大きい
　【請求項２】（削除）
　【請求項３】
　請求項
１
　前記支持部材は、前記第１端面と反対側の第２端面と、前記第２端面側において前記支持部材に形成され、開口の外縁が環状かつ有底の第２凹部とを備えることを特徴とするセラミックヒーター。
　【請求項４】
　請求項３記載のセラミックヒーターにおいて、前記第１端面から前記第１凹部の底部までの深さが前記第２端面から前記第２凹部の底面までの深さより小さいか、または前記第１凹部と前記第２凹部との開口の半径が異なることを特徴とするセラミックヒーター。
　【請求項５】
　前記ヒータープレートと前記支持部材とを不活性ガス雰囲気の真空炉中にいれて接合することを特徴とする請求項
１、３または４