(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射の投影ビームを供給するための放射システムと、
所望のパターンに従って投影ビームをパターン化するパターン形成手段を支持するための支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
パターン化したビームを基板のターゲットに投影するための投影システムとを含み、
テスト・パターンに従って前記パターン形成手段で投影ビームをパターン化するステップと、
投影システムにより形成されるテスト・パターンの空間画像の少なくとも１つのパラメータのリアルタイムで直接的な測定を実行するステップと、
前記少なくとも１つのパラメータに基づいて前記投影システムの収差を表す少なくとも１つの係数を計算するステップとを含み、
前記テスト・パターンが分離領域を含む前記テスト・パターンの一領域と対比する前記分離領域の二次元格子であり、
前記格子の単位セルが六角形セルの６つの角またはその近辺に位置する６つの分離領域を含む六角形セルである、リソグラフィ装置の投影システムの収差を判定する方法において、
前記パラメータが１つの単位セル内の少なくとも２つの分離領域の画像の特性間の差異を表し、
前記特性が、ピーク強度、空間的面積強度、空間的強度分布、画像断面形状および画像断面サイズを含む特性グループから選択される特性であることを特徴とする方法。
【請求項２】
１つの単位セル内の少なくとも２つの分離領域が１つの単位セル内の隣接領域である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記リアルタイムで直接的な測定が、二次元マトリックス・パターンで配列された複数の放射口を含む放射検出手段で遂行される、請求項１および請求項２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項４】
前記リアルタイムで直接的な測定が、前記放射システムおよび前記投影システムを含むシステムのグループから選択される少なくとも１つのシステムの複数の異なる設定について遂行される、請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記複数の異なる設定が異なる開口数設定を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記複数の異なる設定が、放射システム内のひとみ平面での強度分布の外側および／または内側半径範囲の異なる設定を含む、請求項４または請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記複数の異なる設定が、ディスク形状、環状、四極、双極および軟多重極のイルミネーション・モードを含むグループから選択される異なるイルミネーション・モードを有する、請求項４から請求項６までのいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記少なくとも１つのパラメータがテスト・パターンの前記画像の最も焦点の合った位置および／または横方向位置である、請求項１から請求項７までのいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記複数の異なる設定の各々について、そのまたは各々の測定パラメータの理論的変動を前記少なくとも１つの係数の変化の関数として算出するステップをさらに含む、請求項１から請求項８までのいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの係数が連立方程式のセットの重回帰または最小二乗法適合によって算出される、請求項１から請求項９までのいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記少なくとも１つの係数がゼルニケ係数である、請求項１から請求項１０までのいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記テスト・パターンが収差を測定するための少なくとも１つの付加的テスト・パターンを含む、請求項１から請求項１１までのいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記少なくとも１つの付加的テスト・パターンが、周期的な線と間隔をもつ回折格子の断片を含む二次元構造、および並列で線形の分離領域の繰り返し構造のグループから選択される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
リソグラフィの投影システムを使用してデバイスを製造する方法であって、
（ａ）放射感受性材料の層で少なくとも部分的に覆われる基板を供給するステップと、
（ｂ）放射システムを使用して放射の投影ビームを供給するステップと、
（ｃ）投影ビームにその断面でパターンを与えるためのパターン形成手段を使用するステップと、
（ｄ）放射のパターン化されたビームを放射感受性材料層のターゲット部分に投影するために投影システムを使用するステップと、
投影システムを使用する工程の前で、請求項１から請求項１３までのいずれか一項に記載の方法によって前記投影システムの収差を判定するステップと、
前記投影システムによって投影される画像の収差を低減するために前記少なくとも１つの算出した係数に基づいて前記収差を補正するステップとを有することを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、
放射の投影ビームを供給するための放射システムと、
所望のパターンに従って投影ビームをパターン化するパターン形成手段を支持するための支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
パターン化したビームを基板のターゲット部分に投影するための投影システムとを含むリソグラフィ装置の投影システムの収差を判定する方法に関するものであって、その方法は、
テスト・パターンに従って前記パターン形成手段で投影ビームをパターン化するステップと、
投影システムにより形成されるテスト・パターンの空間画像の少なくとも１つのパラメータのリアルタイムで直接的な測定を、前記放射システムおよび前記投影システムを含むシステムのグループから選択される少なくとも１つのシステムの複数の異なる設定について実行するステップと、
前記複数の異なる設定で測定した前記少なくとも１つのパラメータに基づいて前記投影システムの収差を表わす少なくとも１つの係数を計算するステップとを含む。
【０００２】
【従来の技術】
ここで使用されるような「パターン形成手段」という用語は、基板の目標部分に作成すべきパターンに対応するパターン形成された断面を、入射放射ビームに与えるために使用することができる手段のことを言うものとして、広く解釈すべきである。また、用語「光弁」は、この背景で使用することができる。一般に、前記のパターンは、集積回路または他のデバイスのような目標部分に作られるデバイス内の特定の機能層に対応する（下を参照されたい）。そのようなパターン形成手段の実施例は、次のものを含む。すなわち、
マスク。マスクの概念は、リソグラフィではよく知られており、様々な混成マスクの種類はもちろんのこと、２進位相シフト、交番位相シフト、および減衰位相シフトのようなマスクの種類が含まれる。そのようなマスクを放射ビーム内に配置することで、マスクのパターンに応じて、マスクに当る放射の選択的な透過（透過マスクの場合）または反射（反射マスクの場合）が起こる。マスクの場合、支持構造は一般にマスク・テーブルであり、このマスク・テーブルによって、マスクは、確実に入射放射ビーム内の所望の位置に保持することができるようになり、さらに、望むならば、マスクをビームに対して移動させることができるようになる。
プログラム可能ミラー・アレイ。そのようなデバイスの一例は、粘弾性制御層および反射表面を有するマトリックス・アドレス指定可能表面である。そのような装置の基本原理は、（例えば）反射表面のアドレス指定された領域は入射光を回折光として反射するが、アドレス指定されない領域は入射光を非回折光として反射する。適当なフィルタを使用して、前記の非回折光を、反射ビームからフィルタ除去して、後に回折光だけを残すことができる。このようにして、マトリックス・アドレス指定可能表面のアドレス指定パターンに従って、ビームはパターン形成されるようになる。必要なマトリックス・アドレス指定は、適当な電子的な手段を使用して行うことができる。ここで言及したようなミラー・アレイについて、例えば、米国特許第５，２９６，８９１号および米国特許第５，５２３，１９３号からより多くの情報を収集することができる。これらは参照して本明細書に組み込む。プログラム可能ミラー・アレイの場合、前記の支持構造は、例えば、フレームまたはテーブルとして具体化することができ、必要に応じて、固定するか、可動にすることができる。
プログラム可能ＬＣＤアレイ。そのような構造の実施例は、米国特許第５，２２９，８７２号に与えられている。この特許は、参照して本明細書に組み込む。上記のように、この場合の支持構造は、例えば、フレームまたはテーブルとして具体化することができ、それは、必要に応じて、固定するか、可動にすることができる。
簡単にするために、本明細書の残りは、ある場所で、特別に、マスクおよびマスク・テーブルを含む実施例に向けられる。しかし、そのような例で述べる一般的な原理は、上で述べたようなパターン形成手段のより広い背景の中で理解すべきである。
【０００３】
リソグラフィ投影装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造で使用することができる。そのような場合、パターン形成手段は、ＩＣの個々の層に対応する回路パターンを生成することができる。このパターンの像が、放射敏感材料（レジスト）の層で覆われた基板（シリコン・ウェーハ）上の目標部分（例えば、１つまたは複数のダイで構成される）に形成される。一般に、単一のウェーハは全体として網の目のような隣接する目標部分を含み、この隣接する目標部分が、投影システムにより、一度に１つずつ、連続的に放射を照射される。マスク・テーブルのマスクによるパターン形成を使用する現在の装置は、２つの異なる種類の機械に区別することができる。一方の種類のリソグラフィ投影装置では、全マスクパターンを一括して目標部分に露出させることで、各目標部分が放射を照射される。そのような装置は、通常、ウェーハ・ステッパと呼ばれる。走査ステップ式装置と通常呼ばれる他方の装置では、投影ビームの当るマスク・パターンを特定の基準方向（「走査」方向）に漸進的に走査し、同時に、同期して、この方向に対して平行または逆平行に基板テーブルを走査することで、各目標部分が放射を照射される。一般に、投影システムは、拡大率Ｍ（一般に、Ｍ＜１）を持つので、基板テーブルが走査される速度Ｖは、マスク・テーブルが走査される速度の因数Ｍ倍となる。ここで説明したようなリソグラフィ装置に関して、例えば、米国特許第６，０４６，７９２号から、もっと多くの情報を収集することができる。この特許は、参照して本明細書に組み込む。
【０００４】
リソグラフィ投影装置を使用する製造プロセスでは、放射敏感材料（レジスト）の層で少なくとも部分的に覆われた基板に、パターン（例えば、マスク内の）の像が作られる。この像形成ステップの前に、基板は、下塗り、レジスト被覆、およびソフト・ベークのような様々な手順を経る可能性がある。露出後に、基板は、露出後ベーク（ＰＥＢ）、現像、ハード・ベーク、および形成された像の特徴の測定／検査のような他の手順に供される可能性がある。この手順の配列は、デバイス例えばＩＣの個々の層をパターン形成する基礎として使用される。次に、そのようなパターン形成層は、エッチング、イオン打込み（ドーピング）、メタライゼーション、酸化、化学機械研磨などのような、全て個々の層を仕上げるために意図された、様々なプロセスを経る可能性がある。いくつかの層が必要な場合には、この全手順またはその変形を、新しい層ごとに繰り返さなければならない。最終的に、デバイスの配列が基板（ウェーハ）上に存在するようになる。次に、ダイシングまたは鋸引きのような方法で、これらのデバイスを互いに分離し、それから、個々のデバイスは、ピンなどに接続されたキャリアに取り付けることができる。そのようなプロセスに関するより多くの情報は、例えば、「Ｍｉｃｒｏｃｈｉｐ  Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ：  Ａ  ｐｒａｃｔｉｃａｌ  Ｇｕｉｄｅ  ｔｏ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ（マイクロチップの製造：半導体処理への実用的入門書）」，Ｔｈｉｒｄ  Ｅｄｉｔｉｏｎ，ｂｙ  Ｐｅｔｅｒ  ｖａｎ  Ｚａｎｔ，ＭｃＧｒａｗ  Ｈｉｌｌ  Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ  Ｃｏ．，１９９７，ＩＳＢＮ０−０７−０６７２５０−４の本から得ることができる。この本を参照して本明細書に組み込む。
【０００５】
簡単にするために、投影システムをこれ以降「レンズ」と称するが、しかしながらこの用語は、例えば屈折光学系、反射光学系、およびカタディオプトリック系を含む様々なタイプの投影システムを含んでいると広義に解釈されるべきである。放射システムもまた、これらの設計タイプのいずれかに従って動作する構成要素を含み、そのような構成要素もやはり以降はひとまとめに、または単に「レンズ」と称することもある。放射システムならびに投影システムは概して放射の投影ビームを偏向、成形または制御する構成要素を含む。特に投影システムは、投影システムの開口数（一般に「ＮＡ」と称される）を設定する手段を概して含むであろうし、放射システムは通常、パターン形成手段（放射システムのひとみ内）の上流の強度分布の外側および／または内側半径範囲（一般にσ−ｏｕｔｅｒおよびσ−ｉｎｎｅｒとそれぞれ称される）の設定のための調節手段を含む。さらに、このリソグラフィ装置は２つまたはそれ以上の基板テーブル（および／または２つまたはそれ以上のマスク・テーブル）を有するタイプであってもよい。そのような「マルチ・ステージ」の装置では追加のテーブルが並列に使用されるか、または１つまたは複数のテーブルで準備段階が実行され、１つまたは複数の他のテーブルが露光のために使用されていることもある。たとえば二重ステージのリソグラフィ装置は、ここで参考資料で取り入れたＵＳ  ５，９６９，４４１号およびＷＯ  ９８／４０７９１号に述べられている。
【０００６】
概して、ＩＣの中の増えている数の電子部品の集積化を実現するために、ＩＣの表面積を増大させ、かつ／または部品のサイズを小さくすることが必要である。投影システムについては、これは特に、ますます小さな細部または線幅が充分に規定されてターゲット部分に映像化され得るように解像度が上げられなければならないことを意味する。これは極めて厳しい品質要求に応じなければならない投影システムを必要とする。例えば、製造誤差および包括的なレンズ設計の制限のせいで、投影システムは除去しきれない収差を示すかもしれない。実際のところ、投影システムは理想的な（回折制限型の）システムではなく、概して投影システムは収差制限型のシステムである。除去しきれない収差の影響は、リソグラフィ投影装置の解像力を高めるために、位相シフト・マスクやオフアクシス照射のようなより新しい技術に応用するにつれて一層重大になる。前記除去不能収差は（例えば第３次の歪み、第３次のｘ非点収差、第３次の４５°非点収差、第３次のｘコマ、第３次のｙコマおよび第３次の球面収差のような）低次の収差ならびに（例えば第５次および第７次の歪み、ｘおよび４５°非点収差、ｘおよびｙコマ、ｘおよびｙの３波収差のような）より高次の収差を含むことがある。以上に述べた収差に関するさらなる情報については、例えばここで参考資料で取り入れたＤ．Ｆｌａｇｅｌｌｏ等により著された論文「Ｔｏｗａｒｄｓ  ａ  ｃｏｍｐｒｅｈｅｎｓｉｖｅ  ｃｏｎｔｒｏｌ  ｏｆ  ｆｕｌｌ−ｆｉｅｌｄ  ｉｍａｇｅ  ｑｕａｌｉｔｙ  ｉｎ  ｏｐｔｉｃａｌ  ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ」、Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ  ３０５１，ｐｐ．６７２〜６８５，１９９７を参照されたい。
【０００７】
例えば環境条件の変化、あるいはレンズの発熱により生じる可逆的変化、あるいは投影ビームの放射と部品との相互作用によって生じる投影システムの前記部品の老朽化のせいで、低次および高次の収差は時間的に一定でない。除去不能収差を最少化するために、最新のリソグラフィ装置は（例えば製造行程の間で間欠的に）前記除去不能収差に寄与する低次および／または高次の収差を測定する手段、（例えば投影システムの１つまたは複数の可動レンズ素子、または支持構造の位置の調節を通じて）前記収差を調節する手段、および必要な調節量を計算して適用する手段を概して含む。前記除去不能収差を実質的に最少化する方法の説明については、例えばここで参考資料で取り入れた欧州特許出願０１３０３０３６．６号を参照されたい。
【０００８】
ここで参考資料で取り入れた国際特許出願ＷＯ  ００／３１５９２号は光学投影システム内で収差の判定をするための方法を開示している。特に、前記ＷＯ出願は収差リング・テスト（「ＡＲＴ」）を記載している。この技術は特別なテスト・レチクルに一連のリング様の形状特徴を使用し、それが光学投影システムを通して光感受性の基板上に画像化される。基板上のリング様形状特徴のこの画像はその後、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）のような技術を使用して調べられる。測定画像をレチクル上の対応する本来の形状特徴と比較すると光学投影システムが画像に導入した収差のタイプが明らかになる。前記ＷＯ出願はまた、ＡＲＴＥＭＩＳ（ＡＲＴ  Ｅｘｔｅｎｄｅｄ  ｔｏ  Ｍｕｌｔｉｐｌｅ  Ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ  Ｓｅｔｔｉｎｇｓ）として知られるＡＲＴを洗練化した技術をも記述している。この洗練化は、各々の種類の収差は各々がゼルニケ収差係数と重み因子を伴なったいくつかのゼルニケ多項式と呼ばれるものの組み合わせである特異フーリエ調波として数学的に表現することができるという事実を使用する。そのようなゼルニケ収差係数の数Ｎを判定するために、σ−ｏｕｔｅｒ、σ−ｉｎｎｅｒおよびＮＡの設定の複数Ｎの異なるグループでＡＲＴ技術が実行される。簡明化のために、σ−ｏｕｔｅｒ、σ−ｉｎｎｅｒおよびＮＡの設定のグループをこれ以降σ−ＮＡ設定と称する。この方式で、複数Ｎのσ−ＮＡ設定の各々について同じフーリエ調波を測定することができる。シミュレーション・プログラムを使用して、上述した重み因子について基準値を得ることができる。組み合わせで、これは所望のゼルニケ収差係数のセットの算出を可能にし、したがって関係する収差の定量化が可能になる。
【０００９】
リソグラフィの投影システムの収差を測定する別の方法が、ここで参考資料で取り入れた欧州特許出願０１３０１５７１．４号に述べられている。それは収差のイン・サイチューの測定に関わるものであって、単位時間当たりに処理できる基板の数を実質的に損なわないように充分に速い。この方法によると、投影ビームは所望のテスト・パターンにパターン化され、投影されたテスト・パターンの空間画像の強度分布がイン・サイチューで、基板テーブルに組み込まれた検出手段を使用して検出される。前記テスト・パターンの投影された空間画像の（投影システムの光学軸に沿って）最も焦点の合った位置、ならびに（投影システムの光学軸に直角で互いに直交する方向の）横方向位置が複数の異なるσ−ＮＡ設定に関して測定される。投影システムの１つまたは複数の収差を表わす係数は前記焦点最合致位置および横方向位置測定の結果に基づいて算出することができる。本方法をこれ以降ＴＡＭＩＳ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  ｉｍａｇｅ  ｓｅｎｓｉｎｇ  Ａｔ  Ｍｕｌｔｉｐｌｅ  Ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ  Ｓｅｔｔｉｎｇ）と称する。前記テスト・パターンは通常は、例えば投影ビームの放射をそれぞれ実質的に遮断および透過させる線および間隔を含む周期的な回折格子の断片である。前記線の幅に比べて前記間隔の幅の方が大きいそのような回折格子の断片もやはりテスト・パターンとして使用される。通常は、前記線と間隔を並列に、２つの対応する相互に直交する方向（パターンを含む平面）に配列して備えた２つのテスト・パターンは、例えばｘコマとｙコマのような収差の測定を可能にするために使用される。しかしながら、そのような測定にも関わらず、そのような何らかの回折格子断片の投影空間画像の強度分布は、例えば３波収差のような高次の収差の存在に関する実質的に検出可能な情報を生じない可能性がある。したがって、低次と高次の収差の両方の存在および程度を信頼性良く示し、測定し、その測定は単位時間当たりに処理できる基板の数を実質的に損なわないようにイン・サイチューで為され得るような適切なテスト・パターンを供給する問題が存在する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
以上に述べた問題を軽減することが本発明の目的である。詳細には、改善された感度で収差を測定する方法を供給することが本発明の目的である。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
これらおよびその他の目的は、本発明によれば、分離領域を含む前記テスト・パターンの一領域と対比する前記分離領域の二次元格子を有する前記テスト・パターンで特徴付けられる、冒頭の段落で特定されたような光学投影システムの収差判定方法において達成され、そこでは前記格子の単位セルは少なくとも３つの分離領域を含む。ここで、「対比する」という動詞は投影ビームの放射に及ぼすパターン化の効果を有することを称する。例えば、分離領域の対比は実質的に透明なレチクル表面の不透明または反射色の領域として、またはレチクル表面を覆う放射遮断または反射色コーティング内の実質的な透過領域として具現化されることもある。ハーフトーン形位相シフトマスクから類推すると、分離領域の透過率および／または位相シフト特性もまた、例えば前記分離領域を含む一領域の透過率および／または位相シフト特性と異なることもある。
【００１２】
デバイスの個々の層を表わすパターンは通常、そのパターンを含む平面内の架空の二次元格子に従って配置されるフィーチャの二次元構造を含む。本発明は、そのようなパターンの投影（空間）画像の忠実度が、一般に、特定の高次の収差の存在に強く依存するという経験に基づいたものである。したがって、本発明によると前記二次元格子に従って配置された分離領域の繰り返し二次元構造を特徴とするテスト・パターンは特に前記特定の高次の収差を測定するのに適している。
【００１３】
前記単位セルが六角形のセルであってこの六角形セルの６つの角またはその近辺に位置する６つの分離領域を含む前記格子に従って配置される分離領域を特徴とするテスト・パターンは、（高次の）３波収差に対する優れた感度を得るのに使用されることになるのが好ましい。
【００１４】
概して、特定の様々なタイプの高次の収差に対する所望の感度を得るために、前記格子の前記単位セルは三角形、四角形および六角形を含む形状のグループから選択される形状を有するかもしれない。前記分離領域は必ずしも単位セルの角に配置される必要はない。それらはまた、単位セルの辺に沿って、あるいは単位セルの角と辺沿いとの両方に、あるいは単位セルの中に配置されることもある。
【００１５】
収差の測定は、投影システムにより形成される空間画像の少なくとも１つのパラメータのリアルタイムで直接的な測定を、前記放射システムと前記投影システムを含むシステムのグループから選択されるの少なくとも１つのシステムの複数の異なる設定（例えば複数の異なるσ−ＮＡ設定）について実施することを基本とする。前記少なくとも１つのパラメータは１つの単位セル内の少なくとも２つの分離領域の投影画像の性質の間の差異をあらわすことが好ましい。前記性質は、例えばピーク強度、空間的面積強度、空間的強度分布、画像断面形状および画像断面のサイズを含む性質のグループから選択される性質であってもよい。前記差異を表わすパラメータの利用可能性は、例えばテスト・パターンとしての回折格子断片の使用との組み合わせにおいてＴＡＭＩＳと比較するとき、より多数の収差係数測定を可能にする。
【００１６】
本発明の特定の実施形態では、テスト・パターンの空間画像の少なくとも１つのパラメータの前記リアルタイムで直接的な測定は透過率パターン化放射絞りを含む放射検出手段で為され、前記透過率パターン化放射絞りは前記分離領域を含む前記放射絞りの一領域の透過率とは実質的に異なる透過率をもつ分離領域の二次元格子を有する。検出絞りの分離領域の相互に関する位置は、投影システムの倍率因子Ｍを考慮にいれて、前記テスト・パターンの分離領域の位置に整合をとられることが可能である。前記テスト・パターンの投影画像を走査するため、および収差を測定するためのそのような検出絞りの使用は、スリット形状の検出絞りの使用と比較して増進された感度という結果につながり得る。
【００１７】
複数のパラメータは、投影システムの対応する複数の異なる開口数設定および／または放射システムのひとみ平面での異なるひとみ充満の設定で測定されることが好ましい。ひとみ充満のこれらの異なる設定は、例えばディスク形状、環状、四極、双極および軟多重極のイルミネーション・モードを含むグループから選択される様々なイルミネーション・モードを含むことができる。イルミネーション・モードの定義および実現化に関するさらなる情報については、例えばここで参考資料で取り入れた米国特許出願０９／２８７，０１４号を参照されたい。
【００１８】
場合によっては、前記少なくとも１つのパラメータはテスト・パターンの投影画像の最も焦点の合った位置および／または横方向位置であってもよい。
【００１９】
本発明はまた、投影システムの収差を表わす前記少なくとも１つの係数のわずかな変化の関数としてそのまたは各々の測定パラメータの理論的変動を、前記複数の設定の各々について算出するステップをも供給する。その後に、連立方程式のセットの重回帰または最小二乗法適合によって前記少なくとも１つの係数を算出することができる。特に、ゼルニケ収差係数を得ることができる。
【００２０】
本発明のさらなる実施形態では、格子に従って配置された分離領域を特徴とする前記テスト・パターンに加えて、例えばｘ非点収差および４５°非点収差のような収差を測定するための少なくとも１つの付加的なテスト・パターンが供給される。前記付加的テスト・パターンは、例えば周期的な線と間隔を備えた回折格子断片を含む二次元構造、および並列の線形の分離領域の繰り返し構造のグループから選択されるかもしれない。
【００２１】
本発明のさらなる態様によると、
（ａ）少なくとも部分的に放射感受性材料の層で覆われる基板を供給するステップと、
（ｂ）放射システムを使用して放射の投影ビームを供給するステップと、
（ｃ）投影ビームにその断面でパターンを与えるためのパターン形成手段を使用するステップと、
（ｄ）放射のパターン化されたビームを放射感受性材料層のターゲット部分に投影するために投影システムを使用するステップと、
（ｅ）ステップ（ｄ）に先行して、テスト・パターンに従って前記パターン形成手段で投影ビームをパターン化するステップと、
（ｆ）前記放射システムおよび前記投影システムを含むシステムのグループから選択される少なくとも１つのシステムの複数の異なる設定について、投影システムによって形成されたテスト・パターンの空間画像の少なくとも１つのパラメータのリアルタイムで直接的な測定を遂行するステップと、
（ｇ）前記複数の異なる設定で測定した前記少なくとも１つのパラメータに基づいて、前記投影システムの収差を表わす少なくとも１つの係数を算出するステップとを含み、
分離領域を含む前記テスト・パターンの一領域と対比する前記分離領域の二次元格子を含み、そこでは前記格子の単位セルが少なくとも３つの分離領域を含むテスト・パターンを使用することと、
前記投影システムによって投影される画像の収差を低減するために前記少なくとも１つの算出した係数に基づいて前記収差を補正することを特徴とする、デバイス製造方法が供給される。
【００２２】
ＩＣの製造の本発明による装置の使用に対して本文で特定の参考資料が示されるかもしれないけれども、そのような装置が多くの他のあり得る用途を有することははっきりと理解されるべきである。例えば、それは、磁区メモリー、液晶ディスプレイ・パネル、薄膜磁気ヘッドなどのための、集積光学システム誘導および検出パターンの製造に使用できる。当業者であれば、そのような別の応用の前後関係で、本文中の「レチクル」、「ウェーハ」あるいは「ダイ」という用語のいずれの使用も、もっと一般的な用語の「マスク」、「基板」および「ターゲット部分」にそれぞれ置き換えられると考えるべきであることを理解するであろう。
【００２３】
本文書中では、「放射」および「ビーム」という用語は紫外線放射（例えば波長３６５、２４８、１９３、１５７または１２６ｎｍ）およびＥＵＶ（極端紫外線放射、例えば波長５から２０ｎｍの範囲）を含めたあらゆるタイプの電磁気放射を包含するように使用される。
【００２４】
【発明の実施の形態】
ここで本発明の実施形態は、実施例としてのみ添付の模式図を参照して説明する。
【００２５】
実施形態１
図１は本発明の特定の実施形態によるリソグラフィの投影装置を図式的に描いている。本装置は、
・  放射（例えば紫外線放射、または実質的に２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、１２６ｎｍあるいは１３．５ｎｍに中心を置くスペクトル波長範囲内の波長をもつ放射）の投影ビームＰＢを供給するための放射システムＥｘ、ＩＬを含み、この特定のケースでは放射システムは放射源ＬＡをも含み、
・  マスクＭＡ（例えばレチクル）を保持するマスク・ホルダーが設けられ、アイテムＰＬに対してマスクを正確に位置決めするための第１の位置決め手段に接続された第１の対象物テーブル（マスク・テーブル）ＭＴを含み、
・  基板Ｗ（例えばレジスト塗布したシリコン・ウェーハ）を保持する基板ホルダーが設けられ、アイテムＰＬに対して基板を正確に位置決めするための第２の位置決め手段に接続された第２の対象物テーブル（基板テーブル）ＷＴを含み、
・  マスクＭＡの照射された部分を基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つまたは複数のダイを含む）上に画像化させるための投影システム（「レンズ」）ＰＬ（例えば石英および／またはＣａＦ2レンズ・システム、そのような材料から作製されたレンズ素子を含むカタディオプトリック・システム、またはミラー・システム）を含む。
【００２６】
ここに描いたように、本装置は透過型（すなわち透過マスクを有する）である。しかしながら、概して、それは例えば反射型（すなわち反射マスクを有する）であってもよい。場合によっては、本装置は上述したようなタイプのプログラム可能なミラー・アレイのような別の種類のパターン形成手段を使用することもある。
【００２７】
供給源ＬＡ（例えば紫外線エキシマ・レーザ、レーザで発生するプラズマ源、放電源、あるいはストレイジリングやシンクロトロン内で電子ビームの径路の周辺に設けられるアンジュレータまたはウィッグラ）は放射のビームを発生する。このビームは直ぐに、または例えばビーム拡大器Ｅｘのような調節手段を通過した後にイルミネーション・システム（照明器）ＩＬに供給される。照明器ＩＬはビーム内の強度分布のσ−ｏｕｔｅｒとσ−ｉｎｎｅｒをそれぞれ調節するための調節手段ＡＭを含む。付け加えると、それは概して積分器ＩＮおよび集光器ＣＯのような様々な他の部品を含むであろう。この方式で、マスクＭＡに突き当たるビームＰＢは、その断面で所望の均一性と強度分布を有する。
【００２８】
図１に関して留意すべきことであるが、放射源ＬＡは、リソグラフィ投影装置のハウジング内にあることがあるが（例えば、放射源ＬＡが水銀ランプの場合、そうであることが多い）、また、放射源ＬＡがリソグラフィ投影装置から遠く離れており、それの生成する放射ビームが装置の中に導かれることがある（例えば、適当な方向付けミラーを使用して）。この後者のシナリオは、放射源ＬＡがエキシマ・レーザである場合に多い。本発明および特許請求の範囲は、これらのシナリオの両方を含む。
【００２９】
ビームＰＢは、その後、マスク・テーブルＭＴに保持されているマスクＭＡと交差する。マスクＭＡを通り抜けたビームＰＢは、レンズＰＬを通り抜ける。このレンズＰＬは、基板Ｗの目標部分ＣにビームＰＢを収束させる。第２の位置決め手段（および干渉測定手段ＩＦ）を使って、基板テーブルＷＴは、例えばビームＰＢの経路内に異なった目標部分Ｃを位置決めするように、正確に移動させることができる。同様に、第１の位置決め手段を使用して、例えば、マスク・ライブラリからマスクＭＡを機械的に取り出した後で、または走査中に、ビームＰＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めすることができる。一般に、物体テーブルＭＴ、ＷＴの移動は、長行程モジュール（粗い位置決め）と短行程モジュール（精密位置決め）を使って行われる。これらのモジュールは、図１に明示的に示さない。しかし、ウェーハ・ステッパ（走査ステップ式装置に対して）の場合は、マスク・テーブルＭＴは、短行程用アクチュエータに接続されるだけでよく、または、固定されることもある。
【００３０】
図示の装置は、２つの異なるモードで使用することができる。
１．ステップ・モードでは、マスク・テーブルＭＴは基本的に静止したままであり、全マスク像が一括して（すなわち、単一「フラッシュ」で）目標部分Ｃに投影される。次に、異なる目標部分ＣがビームＰＢで照射されるように、基板テーブルＷＴがｘおよび／またはｙ方向に移動される。
走査モードでは、基本的に同じシナリオが当てはまるが、ただ、特定の目標部分Ｃが単一「フラッシュ」で露出されないことが異なる。代わりに、マスク・テーブルＭＴが、特定の方向（いわゆる「走査方向」、例えば、ｙ方向）に速度ｖで移動可能であり、その結果、投影ビームＰＢはマスク像全体を走査することができるようになる。これと並行して、基板テーブルＷＴが、速度Ｖ＝Ｍｖで、同じまたは反対方向に同時に移動する。ここで、ＭはレンズＰＬの拡大率である（一般に、Ｍ＝１／４または１／５）。このようにして、分解能で妥協する必要なく、比較的大きな目標部分Ｃを露出させることができる。
【００３１】
収差の測定を可能にするために、特定のマスクはテスト・パターンを含む。概して、ｘおよびｙ方向に沿って等しい線／間隔（例えば画像化されたマークで線幅８μｍ）で構成される図１の標準的な位置合わせマーク、および特別な非対称に区分化された位置合わせマーカーがテスト・パターンとして使用される。テスト・パターンの空間画像の横方向の位置（すなわち図１に示したｘ，ｙ平面内の位置、これ以降は水平位置とも称する）および最も焦点の合った位置（すなわち図１のｚ方向に沿った位置、これ以降は垂直位置とも称する）は透過型イメージ・センサＴＩＳで測定することができる。透過型イメージ・センサＴＩＳは基板テーブルＷＴに結合した物理的基準面に挿入される。特定の実施形態では、基板テーブルＷＴの上面に装着された基準プレート上に、ウェーハＷで覆われる領域の外側で対角線上に対向して２つのセンサが搭載される。この基準プレートは極めて低い熱膨張係数の高度に安定な材料、例えばインバールで作製され、位置合わせ工程で他の基準と使用されるマーカーを担持することもある平坦な反射型の上側表面を有する。透過型のイメージ・センサＴＩＳは投影レンズによって投影されるマスクのテスト・パターンの空間画像の垂直および水平位置を直接的に判定するのに使用される。それは反射表面に絞りを有し、そのすぐ後ろに露光工程に使用される放射に感受性のある光検出器が設置される。特に、それは図１のｘおよび／またはｙ方向に並列のスリットを備えたスリット形状の絞りを含むことがある。概して、特異的なテスト・パターンが透過型イメージ・センサＴＩＳの特異的な対応する絞りと組み合わせて使用される。焦点面の位置を判定するために、投影レンズはマスクＭＡ上に投影され、対比する明と暗の領域を有するテスト・パターンの画像を空間に投影する。その後、基板ステージが水平方向（一または好ましくは二方向）および垂直方向に走査され、それにより透過型イメージ・センサＴＩＳの対応する絞りは空間画像が在ると予期される空間を通過する。前記対応する絞りがテスト・パターン画像の明と暗の部分を通過すると、光検出器の出力は波動する（モアレ効果）。光検出器出力の振幅変化率が最高になる垂直方向高さはテスト・パターンの画像が最大のコントラストを有する高さを示し、それゆえに最適の焦点面を示す。変化率が最大となる水平方向位置は空間画像の横方向位置を示す。このタイプの透過型イメージ・センサの範例はここで参考資料で取り入れたＵＳ４，５４０，２７７号にさらに詳細に記述されている。透過型イメージ・センサの利点には、それがレジスト露光を含まない直接的測定技術であるがゆえに、強さとスピードが含まれる。
【００３２】
本発明の実施形態では低次の収差および高次の収差（３波収差など）を測定するのに適したテスト・パターンが考慮される。３波収差の存在は、「レンガ壁」と呼ばれる構造を備えたパターンの投影画像の忠実度に特に悪影響を及ぼす。レンガ壁構造では長方形の分離領域がレンガ壁のレンガのように配列される。したがって、本発明によると、レンガ壁の幾何学形状に従った繰り返しの二次元構造はこの特異的な高次収差の測定精度を向上させるために使用することができる。
【００３３】
図２には（二次元）レンガ壁２００の特徴的構造が描かれている。（二次元的な）レンガ２０１を表わす各々の長く延びた長方形分離領域の位置は２つの点２０３の位置によって規定することが可能であり、各々の点はレンガ２０１の長手対称軸上で前記レンガ２０１の対応する端面から一定の距離に位置する。レンガ２０１の点２０３は格子２０７の格子点２０５と合致する。格子２０７は六角形の単位セル２０９で特徴付けられる。そのような格子をこれ以降はハニカム格子またはＨＣ格子と称し、格子点２０５またはその付近に位置する分離領域を備えたテスト・パターンをハニカム・パターンまたはＨＣパターンと称する。
【００３４】
図３にはＨＣパターンの単位セルの代表的なレイアウトが示されている。ＨＣパターンの単位セルの分離領域３１０、３２０、３３０、３４０、３５０および３６０は六角形格子２０７の点２０５によって実質的に中心設定される。マスクの場合では、ＨＣパターンは、例えばレチクル表面上で放射遮断層（例えばクロム層など）によって囲まれた実質的に透過性の正方形領域として具現化される。間隔３０１、３０２、および３０３は、例えば好ましい実施形態ではそれぞれ４００ｎｍ、２００ｎｍ、および３５０ｎｍである。
【００３５】
そのようなＨＣパターンの投影画像は単位セルおよび単位セルに隣接する１つの分離領域について図４に図式的に示されている。その画像中で、ＨＣパターンの単位セルの分離領域３１０、３２０、３３０、３４０、３５０および３６０の存在は対応する格子４０７の点４０５またはその近辺にある対応する強度分布４１０、４２０、４３０、４４０、４５０および４６０で見られる。図４の強度分布４８０はテスト・パターン中で隣接する単位セルの対応する分離領域の一画像であり、その他のそのような強度分布は（単純化のために）図４に示していない。全体としてのＨＣパターンの画像の強度分布を、例えば強度分布４４０のような単一の分離領域の画像の強度分布から区別するために、これ以降は後者を「局所的」強度分布と称することがある。図４で、局所的強度分布の作図は強度分布４４０について示されている。縦軸に沿った作図は、強度分布４４０に含まれる格子点４０５を横切ってｘ方向のラインに沿った位置の関数としての投影ビーム放射強度である。図４の強度等高線４４１、４４２、および４４３のセットはそれぞれ強度４０１、４０２および４０３の等しい局所的強度の線を表わす。同様にこれらの強度は局所的強度分布４１０、４２０、４３０、４４０、４５０、４６０、および４８０をそれぞれ特性付ける強度等高線のセット（４１１、４１２、４１３）、（４２１、４２２、４２３）、（４３１、４３２、４３３）、（４５１、４５２、４５３）、（４６１、４６２、４６３）および（４８１、４８２、４８３）で表わされる。
【００３６】
収差が無いと、（例えば局所的強度分布のピーク強度のような）分離領域の画像の前記特性は実質的に等しく、この状況は図４に示されている。概して除去不能収差が存在すると、分離領域の画像の前記特性は相互に異なる。例えば、ｘ３波収差が存在すると、強度分布４１０、４３０と４５０のピーク強度は強度分布４２０、４４０、４６０と４８０のピーク強度とは異なる。図５にこの効果が描かれており、例えば局所的強度分布４６０と４８０それぞれの強度等高線４６１、４６２、４６３と４８１、４８２、４８３は図４のそれらの位置に対して対応する格子点４０５から半径方向で外側に移動しており、ピーク強度の増大を示している。同様に、局所的強度分布４１０と４５０それぞれの等高線４１１、４１２、４１３と４５１、４５２、４５３は半径方向で内側に移動しており、ピーク強度の低下を示している。この効果はテスト・パターンの画像の強度分布をＴＩＳのスリット形状の絞り５１０（図５のｙ軸に平行なスリット）で（図５のｘ方向に）走査することによって測定することができる。図５中のグラフはＴＩＳによってｘ方向に沿ったスリットの位置の関数として検出された強度を縦軸沿いに示すものである。除去不能収差が無いと、検出された強度５２０は周期的に変化するｘの関数であってピーク値はスリットのｘ位置５２１で生じる。ｘの３波収差の存在は（位相）シフトした周期的変化の強度信号５３０につながり、ピーク値はスリットのｘ位置５２２で生じる。例えば、テスト・パターンの画像の（ｘ３波収差を表わす）測定可能パラメータは図５の矢印５２３で示された位置のシフトである。しかしながら、本実施形態はこのパラメータに限定されるわけではない。例えば、検出信号５３０から最も適合した正弦波状変化関数５３１を判定することが可能であり、信号５２０と５３１との間の位相シフトを測定することができる。場合によっては、図６に描かれているように、検出信号５３０を前記最適合正弦波状変化関数５３１と第１高調波信号６３２に分解することができる。信号６３２の位相シフト６３３はｘ３波収差を表わす測定可能パラメータである。
【００３７】
ゼルニケ係数とも称されるゼルニケ収差係数を測定することが好ましい。前記投影システムの前記収差を表わすこれらの係数は特に投影レンズの波面収差を示す。波面収差Ｗはゼルニケ展開と呼ばれる角形状に従った級数として書くことができる。
Ｗ＝Ｚｉｆi（ｒ，θ）＋Ｚｊｆj（ｒ，θ）＋Ｚｋｆk（ｒ，θ）＋．．．  （１）
ここで各々のＺはゼルニケ係数であり、各々のｆは対応するゼルニケ多項式であり、ｒおよびθはそれぞれ半径および角座標である。ここで、ｒは投影システムのひとみの半径で標準化される。関数ｆはｒと、ｍθの正弦または余弦との多項式の積の形をとる。図７に示した一覧表はカラム１にゼルニケ係数、カラム２に対応するゼルニケ多項式、カラム３に収差の「次数」と呼ばれるもの、カラム４に収差の呼称を掲げている。カラム５は以下の参照のために使用される。
【００３８】
ＴＡＭＩＳ法によると、ゼルニケ収差係数を測定するのに使用できるパラメータには全体としてのテスト・パターンの画像の最も焦点の合った位置、および横方向位置が含まれる。上記で説明したように、例えば上述の局所的強度分布間の差異に関するパラメータも同様に使用することができる。あらゆるパラメータも複数の異なるσ−ＮＡ設定について測定されることが好ましい。測定したパラメータとゼルニケ収差係数との間の関係は以下の方式で表わすことができる。
【数１】
0004073735.tif 000002
ここで、ベクトルＰｍｅａｓの成分はいずれかの好ましいσ−ＮＡ設定で測定されたいかなるパラメータであってもよい。さらに、ベクトルＺの成分は測定対象となるゼルニケ収差係数であり、行列
【数２】
0004073735.tif 000003
の要素は直線近似でゼルニケ収差の値を測定されたパラメータの値に関連付ける算出された感度係数である。図３に部分的に示したＨＣパターンで、例えばベクトルＺは図７に示した一覧表に「ｈｃ  ｘ」と印を付けたゼルニケ収差係数を含むことがあり得る。図３のｘ，ｙ平面で９０度回転させた付加的なＨＣパターンは図７に示した一覧表に「ｈｃ  ｙ」と印を付けたゼルニケ収差を測定するのに使用することができる。ゼルニケ収差係数は測定したデータから等式（２）を反転することによって算出することができる。測定データから単一の収差係数を算出するのに互いに直交する２つのＨＣパターンの使用が必要となるとき、図７に示した一覧表のカラム５でこれは「ｈｃ  ｘ，ｙ」で示される。
【００３９】
本発明の技術の有用性の確認を図８に描く。波長２４８ｎｍで動作し、０．７５の最大ＮＡで特徴付けられるリソグラフィの投影装置の特定の投影システムに関すると、ゼルニケ係数は画像野（ターゲット部分Ｃに対応）のｘ方向に沿って１３の異なる位置のセットでレンズ製造者によって、これ以降ＳＩＦ（製造者によって開発されたレンズを通るＳｈｅａｒｉｎｇ  ＩｎｔｅｒＦｅｒｏｍｅｔｒｙ法）と称する技術を使用して測定された。ＳＩＦで得られた測定結果は参照基準として使用され、ＡＲＴＥＭＩＳおよび現在の方法に従って測定したゼルニケ収差と比較される。結果として、後者の２つの方法について、前記１３の異なる位置のセットに対応する１３の差異値が各々のゼルニケ係数に関して得られる。図８では前記１３差異値の実効値がいくつかの異なるゼルニケ収差係数に関してｎｍで縦軸沿いに作図される。濃い黒色の棒グラフはＡＲＴＥＭＩＳで得られた結果を表わし、薄い棒グラフはＨＣパターンを使用してここに開示した、これ以降はＨＣ−ＴＡＭＩＳと称する方法で得られた結果を表わす。図８は、ＨＣ−ＴＡＭＩＳ測定結果とＳＩＦ測定結果の相関がＡＲＴＥＭＩＳ測定結果とＳＩＦ測定結果の相関と対比できるかまたはそれより優れていることを示している。ＡＲＴＥＭＩＳを超える改善はｘ３波およびｙ３波の収差係数Ｚ１０およびＺ１１それぞれの測定で特に実質的である。
【００４０】
実施形態２
本発明はＨＣパターンの使用に限らない。下記に説明することを除いて第１の実施形態と同じであってもよい第２の実施形態では、分離領域の二次元格子を含むテスト・パターンが使用され、そこでは単位セルは四角形の形状を有する。例えばそのようなテスト・パターンはｘおよびｙの４波収差の存在に敏感である。
【００４１】
四角形単位セルが配列された格子によって特徴付けられるテスト・パターンは格子の角またはその近辺に分離領域を有することもあるが、そのようなレイアウトに限定されるわけではない。図９に、８つの分離領域９２０（そのうちの４つは単位セルの角９３０またはその近辺に位置する）をもつ四角形の単位セル９１０で特徴付けられる格子９００に整合のとれたテスト・パターンの範例が示されている。そのようなテスト・パターンの使用は３波と４波収差の両方に対して増進した感度につながる。
【００４２】
概して、特定の収差に対する所望の感度に応じて三角形、四角形および六角形の形状の単位セルを備えたテスト・パターンが使用され得る。場合によっては、例えば、ｘおよびｙのコマ、ｘおよび４５°の非点収差を測定するために周期的な線と間隔を備えた回折格子の断片を含み、かつ／または並列で線形の分離領域の繰り返し構造を含むテスト・パターンを使用することができる。収差を測定するためのテスト・パターンは、例えば、ここで説明したような複数の異なって構成されるテスト・パターンを含むことが好ましい。
【００４３】
実施形態３
下記に説明することを除いて第１または第２の実施形態と同じであってもよい第３の実施形態では、イメージ・センサＴＩＳは基準プレートの反射性の上面で、分離されて実質的に透過性の領域の二次元格子を特徴とする放射絞りを有する。この方式で、収差の存在に対する検出信号の感度はスリット形状の絞りを使用して得られる感度と比較して増進され得る。
【００４４】
例えば、ＨＣパターンと組み合わせてテスト・パターンとして使用するときには、分離された絞り（簡明化のためにこれ以降は「部分絞り」と称する）の六角形の配列を含む検出絞りを使用することができる。この部分絞りの形状は厳密なものではなく、例えば部分絞りの形状は円形でも方形でもよい。前記部分絞りの相互に関する位置は、基準プレートの前記反射性上面で、投影システムの倍率因子Ｍを考慮に入れて前記ＨＣテスト・パターンの分離領域の位置に整合をとられる。この方式で、ＨＣテスト・パターンの分離領域の画像の位置との整合は、テスト・パターンが検出絞りと位置合わせされるときに得ることができる。前記部分絞りを有する検出絞りの領域は、例えば、実施形態１で述べたようにスリット形状であってもよい。ＨＣパターンの投影された画像を前記部分絞りを有するそのようなスリット形状の検出絞りで走査することは検出信号を検出絞りの走査位置の関数として変調するのを増進させ、図５のグラフ５３０に示されたような、収差の存在の検出信号に与える影響を増進することにつながる。
【００４５】
場合によっては、各々が二次元格子に従って位置決めされた部分絞りを有し、かつ各々が放射を対応する隔てられた放射検出器に供給する２つの隔てられた放射絞りを使用することができる。例えば、一方の放射絞りの部分絞りが三角形の単位セルを特徴とする格子に従って位置決めされ、それによって、上述の位置合わせで、図４の強度分布４１０、４３０および４５０の位置との整合を生じさせることがあり得る。同様に、他方の放射絞りの部分絞りが、位置合わせで、図４の強度分布４２０、４４０および４６０の位置と整合するように具現化されることがあり得る。そのような二重の絞りレイアウトは、図４の強度分布４２０、４４０および４６０に関しての強度分布４１０、４３０および４５０の収差誘導性の移動に対する感度の増進を供給する。
【００４６】
本発明はＨＣパターンの範例、およびテスト・パターンの六角形単位セルの所望の特定の分離領域への部分絞りの整合の図式に限られるものではない。同様の方式で、三角形と四角形の単位セルを特徴とする格子に従ったテスト・パターンと使用するために、部分絞りを有する１つまたは複数の放射検出絞りを具現化することができる。テスト・パターンの単位セルの所望の特定の分離領域への部分絞りの整合のあらゆる所望の図式もやはり、上記の例に述べられたようにして具現化することができる。
【００４７】
本発明の特定の実施形態を以上に説明してきたが、説明したのとは別の方法で本発明が実施され得ることは理解されるであろう。本説明は本発明を限定するように意図するものではない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態によるリソグラフィの投影装置を描いた図である。
【図２】「レンガ壁」パターンと呼ばれるものおよび六角形の単位セルを備えた対応する格子を描いた図である。
【図３】六角形の単位セルの格子に対応する分離領域のテスト・パターンを描いた図である。
【図４】除去不能収差が無いときの（図３に描いたような）六角形の単位セルの格子に対応する分離領域のテスト・パターンの投影画像の強度分布を描いており、縦軸が格子点を横切るｘ方向のラインに沿った位置の関数となる投影ビーム放射強度となるようにして局所的強度分布を示している図である。
【図５】３波収差が存在するときのテスト・パターンの投影画像の強度分布を示しており、スリット形状の放射検出器によって測定された検出信号を縦軸に、前記スリット形状の放射検出器の横方向位置を水平軸に示すグラフを描いた図である。
【図６】検出信号を調波信号と第１高調波に分解しており、信号を縦軸に、スリット形状の放射検出器の横方向位置を水平軸に作図して示す図である。
【図７】ゼルニケ係数と多項式の一覧表を記載した図である。
【図８】ＡＲＴＥＭＩＳで測定したとき、Ｓｈｅａｒｉｎｇ  ＩｎｔｅｒＦｅｒｏｍｅｔｅｒで測定したとき、および本方法で測定したときの収差についての測定結果の間の相関を描いており、縦軸に測定結果間の差異の実効値をｎｍで描画した図である。
【図９】四角形の単位セルを特徴とする格子上に配置した分離領域を備えたテスト・パターンを示す図である。
【符号の説明】
Ｅｘ  ビーム拡大器
ＩＬ  照明器（イルミネーション・システム）
ＰＢ  投影ビーム
ＬＡ  放射源
ＭＴ  マスク・テーブル
ＭＡ  マスク
ＰＬ  アイテム（投影システム、レンズ）
Ｗ  基板（ウェーハ）
ＷＴ  基板テーブル
Ｃ  ターゲット部分
ＴＩＳ  透過型イメージ・センサ
ＡＭ  調節手段
ＩＮ  積分器
ＣＯ  集光器
２００  レンガ壁構造
２０１  レンガ
２０３  点
２０５、４０５  格子点
２０７、４０７、９００  格子
２０９、９１０  単位セル
３０１、３０２、３０３  間隔
３１０、３２０、３３０、３４０、３５０、３６０、９２０  分離領域
４０１、４０２、４０３  強度
４１０、４２０、４３０、４４０、４５０、４６０、４８０  強度分布
４１１、４１２、４１３、４２１、４２２、４２３、４３１、４３２、４３３、４４１、４４２、４４３、４５１、４５２、４５３、４６１、４６２、４６３、４８１、４８２、４８３  等高線
５１０  スリット形状の絞り
５２０、５３０  検出信号波形
５２１、５２２  スリットのｘ位置
５２３  位置のシフトを示す矢印
５３１  最適合の正弦波状変化関数
６３２  第１高調波
６３３  位相シフト
９３０  角
【図１】
0004073735.tif 000004
【図２】
0004073735.tif 000005
【図３】
0004073735.tif 000006
【図４】
0004073735.tif 000007
【図５】
0004073735.tif 000008
【図６】
0004073735.tif 000009
【図７】
0004073735.tif 000010
【図８】
0004073735.tif 000011
【図９】
0004073735.tif 000012