【事件の表示】
　特許第６３４０２６７号発明「磁気ディスク基板の製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６３４０２６７号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１〜１５〕、〔１６〜１８〕について訂正することを認める。
　特許第６３４０２６７号の請求項１〜１８に係る特許を維持する。
【理　由】
１　手続の経緯
　特許第６３４０２６７号（以下、「本件特許」という。）の請求項１〜１８に係る特許についての出願は、平成２６年６月３０日（優先権主張　平成２５年１２月３日）に出願され、平成３０年５月１８日にその特許権の設定登録がされ、平成３０年６月６日に特許掲載公報が発行された。その後、その特許について、平成３０年１１月２７日に特許異議申立人相見彩により特許異議の申立てがされ、当審は、平成３１年１月１８日に取消理由を通知した。特許権者は、その指定期間内である平成３１年３月１３日に意見書の提出及び訂正の請求を行い、その訂正の請求に対して、特許異議申立人は意見書を提出しなかった。
２　訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
　本件訂正請求による訂正の内容は、以下のとおりである。
（１−１）訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１に「ここで、前記非球状シリカ粒子Ａが複数の粒子が凝集又は融着した形状であり、前記被研磨基板がＮｉ−Ｐめっきアルミニウム合金基板であり、前記研磨パッドがベース層と発泡した表面層とを有するスエードタイプの研磨パッドであり、その表面層の圧縮率が２．５％以上である」と記載されているのを、「ここで、前記非球状シリカ粒子Ａが複数の粒子が凝集又は融着した形状であり、
前記非球状シリカ粒子Ａは、金平糖型のシリカ粒子Ａ１、異形型のシリカ粒子Ａ２、及び異形かつ金平糖型のシリカ粒子Ａ３からなる群から選択される少なくとも１種のシリカ粒子であって、コロイダルシリカであり、
（１−２）訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項１６に「複数の粒子が凝集又は融着した形状の非球状シリカ粒子Ａ、酸、酸化剤及び水を含有し、アルミナ砥粒を実質的に含まない研磨液組成物であって、ベース層と圧縮率が２．５％以上の発泡した表面層とを有するスエードタイプの研磨パッドを用い、被研磨基板であるＮｉ−Ｐめっきアルミニウム合金基板を粗研磨するための、研磨液組成物」と記載されているのを、「複数の粒子が凝集又は融着した形状の非球状シリカ粒子Ａ、酸、酸化剤及び水を含有し、アルミナ砥粒を実質的に含まない研磨液組成物であって、
前記非球状シリカ粒子Ａは、金平糖型のシリカ粒子Ａ１、異形型のシリカ粒子Ａ２、及び異形かつ金平糖型のシリカ粒子Ａ３からなる群から選択される少なくとも１種のシリカ粒子であって、コロイダルシリカであり、
　本件訂正請求は、一群の請求項〔１〜１５〕及び〔１６〜１８〕に対して請求されたものである。
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　訂正事項１及び訂正事項２は、訂正前の請求項１及び１６に「前記非球状シリカ粒子Ａは、金平糖型のシリカ粒子Ａ１、異形型のシリカ粒子Ａ２、及び異形かつ金平糖型のシリカ粒子Ａ３からなる群から選択される少なくとも１種のシリカ粒子であって、コロイダルシリカであり、」との記載を追加することにより、訂正前の請求項１及び１６に係る発明における「複数の粒子が凝集又は融着した形状の非球状シリカ粒子Ａ」の種類をより具体的に特定し、さらに限定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　次に、明細書の発明の詳細な説明には、段落００２２において、非球状シリカ粒子Ａのシリカとして特定の形状をもったコロイダルシリカが記載され、段落００２３において、当該形状の非球状シリカ粒子Ａは、金平糖型のシリカ粒子Ａ１、異形型のシリカ粒子Ａ２、及び異形かつ金平糖型のシリカ粒子Ａ３からなる群から選択される少なくとも１種類のシリカ粒子であることが記載されているから、訂正事項１及び訂正事項２により追加された上記記載に係る構成は、明細書に記載されており、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないと認められる。よって、訂正事項１及び訂正事項２は、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するものである。
（３）小括
　以上のとおりであるから、本件訂正請求による訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
　したがって、特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１〜１５〕、〔１６〜１８〕について訂正することを認める。
３　訂正後の本件発明
　本件訂正請求により訂正された請求項１〜１８に係る発明（以下「本件発明１〜１８」という。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１〜１８に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
　なお、本件発明１、１６の各構成には、「Ａ」〜「Ｇ」の符号を当審において付した。以下、構成Ａ〜構成Ｇと称する。
（本件発明１）【請求項１】
Ａ：下記工程（１）を含む、磁気ディスク基板の製造方法。
（１）非球状シリカ粒子Ａ、酸、酸化剤及び水を含有し、アルミナ砥粒を実質的に含まない研磨液組成物を被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び前記被研磨基板の少なくとも一方を動かして前記研磨対象面を粗研磨する工程。
Ｂ：ここで、前記非球状シリカ粒子Ａが複数の粒子が凝集又は融着した形状であり、
Ｂ１：前記非球状シリカ粒子Ａは、金平糖型のシリカ粒子Ａ１、異形型のシリカ粒子Ａ２、及び異形かつ金平糖型のシリカ粒子Ａ３からなる群から選択される少なくとも１種のシリカ粒子であって、コロイダルシリカであり、
Ｃ：前記被研磨基板がＮｉ−Ｐめっきアルミニウム合金基板であり、
Ｄ：前記研磨パッドがベース層と発泡した表面層とを有するスエードタイプの研磨パッドであり、その表面層の圧縮率が２.５％以上である。
（本件発明２）【請求項２】
　前記研磨パッドの表面層がポリウレタン製である、請求項１記載の磁気ディスク基板の製造方法。
（本件発明３）【請求項３】
　前記非球状シリカ粒子Ａは、金平糖型のシリカ粒子Ａ１、異形型のシリカ粒子Ａ２、及び異形かつ金平糖型のシリカ粒子Ａ３からなる群から選択される少なくとも１種のシリカ粒子であって、
　金平糖型のシリカ粒子Ａ１は、最も小さいシリカ粒子の粒径を基準にして、粒径が５倍以上異なる２つ以上の粒子が凝集又は融着した形状であり、
　異形型のシリカ粒子Ａ２は、最も小さいシリカ粒子の粒径を基準にして、粒径が１．５倍以内の２つ以上の粒子が凝集又は融着した形状であり、
　異形かつ金平糖型のシリカ粒子Ａ３は、粒径が１．５倍以内の２つ以上の粒子が凝集又は融着した粒子に、さらに、凝集又は融着した前記粒子の最も小さいシリカ粒子の粒径を基準にして粒径が１／５以下の小さな粒子が凝集又は融着した形状である、請求項１又は２に記載の磁気ディスク基板の製造方法。
（本件発明４）【請求項４】
　前記非球状シリカ粒子Ａの電子顕微鏡で測定される粒子の絶対最大長の平均が、８０．０ｎｍ以上５００．０ｎｍ以下である、請求項１から３のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
（本件発明５）【請求項５】
　研磨液組成物が電子顕微鏡で測定して得られる粒子の絶対最大長を直径とする円の面積ｂを電子顕微鏡観察で測定して得られる該粒子の投影面積ａで除して１００を乗じた面積率（ｂ／ａ×１００）が１１０．０〜２００．０％であるシリカ粒子を全シリカ粒子に対して３０．０質量％以上含有する、請求項１から４のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
（本件発明６）【請求項６】
　前記研磨パッドが連続発泡タイプの研磨パッドである、請求項１から５のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
（本件発明７）【請求項７】
　前記研磨パッドの表面部材がポリウレタンエラストマーを含む、請求項１から６のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
（本件発明８）【請求項８】
　前記非球状シリカ粒子Ａが水ガラス法で製造されたシリカ粒子である、請求項１から７のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
（本件発明９）【請求項９】
　レーザー光散乱法で測定した研磨液組成物中のシリカ粒子の体積平均粒子径（Ｄ５０）が、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である、請求項１から８のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
（本件発明１０）【請求項１０】
　研磨液組成物中のシリカ粒子が金平糖型のシリカ粒子Ａ１及び異形型のシリカ粒子Ａ２を含み、Ａ１／Ａ２の質量比率が５／９５〜９５／５の範囲にあり、
　研磨液組成物中のシリカ粒子における前記粒子Ａ１及びＡ２の合計量が８０質量％以上である、請求項３から９のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
（本件発明１１）【請求項１１】
　研磨液組成物のｐＨが０．５〜６．０である、請求項１から１０のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
（本件発明１２）【請求項１２】
　研磨液組成物の酸が硫酸又はリン酸若しくはホスホン酸である、請求項１から１１のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
（本件発明１３）【請求項１３】
　さらに、下記工程（２）及び工程（３）を含み、工程（１）と工程（３）を、互いに別の研磨機で行う請求項１から１２のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
（２）工程（１）で得られた基板を洗浄する工程。
（３）工程（２）で得られた基板をシリカ粒子Ｂを含有する研磨液組成物Ｂを用いて研磨対象面を研磨する工程。
（本件発明１４）【請求項１４】
　工程（３）の研磨液組成物に含有されるシリカ粒子のレーザー光散乱法で測定した体積平均粒子径（Ｄ５０）が、工程（１）の研磨液組成物に含有されるシリカ粒子のレーザー光散乱法で測定した体積平均粒子径（Ｄ５０）より小さいシリカ粒子である、請求項１３記載の磁気ディスク基板の製造方法。
（本件発明１５）【請求項１５】
　工程（１）の研磨液組成物は、球状シリカ粒子をさらに含み、
　球状シリカ粒子と非球状シリカ粒子Ａとの質量比（球状シリカ／非球状シリカＡ）は、０を超え３０／７０以下である、請求項１から１４のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
（本件発明１６）【請求項１６】
Ｅ：複数の粒子が凝集又は融着した形状の非球状シリカ粒子Ａ、酸、酸化剤及び水を含有し、アルミナ砥粒を実質的に含まない研磨液組成物であって、
Ｅ１：前記非球状シリカ粒子Ａは、金平糖型のシリカ粒子Ａ１、異形型のシリカ粒子Ａ２、及び異形かつ金平糖型のシリカ粒子Ａ３からなる群から選択される少なくとも１種のシリカ粒子であって、コロイダルシリカであり、
Ｆ：ベース層と圧縮率が２.５％以上の発泡した表面層とを有するスエードタイプの研磨パッドを用い、
Ｇ：被研磨基板であるＮｉ−Ｐめっきアルミニウム合金基板を粗研磨するための、研磨液組成物。
（本件発明１７）【請求項１７】
　（１）請求項１６に記載の研磨液組成物、及びベース層と圧縮率が２.５％以上の発泡した表面層とを有するスエードタイプの研磨パッドを用い、被研磨基板であるＮｉ−Ｐめっきアルミニウム合金基板の研磨対象面を研磨する工程、
　（２）工程（１）で得られた基板を洗浄する工程、及び、
　（３）工程（２）で得られた基板の研磨対象面をシリカ粒子Ｂを含有する研磨液組成物Ｂを用いて研磨する工程を有し、
　前記工程（１）と（３）を互いに別の研磨機で行う磁気ディスク基板用の研磨方法。
（本件発明１８）【請求項１８】
　請求項１６に記載の研磨液組成物、及びベース層と圧縮率が２.５％以上の発泡した表面層とを有するスエードタイプの研磨パッドを用い、被研磨基板であるＮｉ−Ｐめっきアルミニウム合金基板の研磨対象面を研磨する第一の研磨機と、
　前記第一研磨機で研磨した基板を洗浄する洗浄ユニットと、
　シリカ粒子を含有する研磨液組成物を用いて洗浄後の基板を研磨する第二の研磨機とを備える磁気ディスク基板の研磨システム。
４　取消理由通知に記載した取消理由について
（１）取消理由の概要
　本件訂正前の請求項１〜１８に係る特許に対して、当審が平成３１年１月１８日に特許権者に通知した取消理由の要旨は、次のとおりである。
ア　請求項１、２、６、７、８、１１、１２、１６に係る発明は、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。よって、請求項１、２、６、７、８、１１、１２、１６に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、取り消されるべきものである。
イ　請求項１〜１８に係る特許は、特許請求の範囲が特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、取り消されるべきものである。
　甲第１号証：特開２００５−１０１９号公報
　甲第２号証：特開２００２−３２７１７０号公報
　甲第３号証：特開平９−２０４６５８号公報
　甲第４号証：特開２００８−１４２８３９号公報
（２）甲号証の記載
（２−１）甲第１号証について
（２−１−１）甲第１号証の記載事項
　甲第１号証には、次の記載がある。なお、以下の下線は当審で付したものである。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、研磨液組成物と研磨パッドを用いた基板の製造方法、研磨方法及び微小うねりの低減方法に関する。
「【００１１】
ここでいう、
微小うねりとは、粗さとうねりの中間の波長を持つ表面の凹凸であり、短波長うねり（波長５０〜５００μｍのうねり）、長波長うねり（波長５００μｍ〜５ｍｍのうねり）に分類される。
「【００１４】
本発明に用いられる研磨パッドとしては、
表面粗さ、微小うねり、表面欠陥であるマイクロスクラッチ、幅広スクラッチを低減する観点からは、スエードタイプが好ましい。ここで、スエードタイプとは、少なくともベース層と発泡した表面層とを有する構造の研磨パッドをいう。
表面層の材質としてはポリウレタンが好ましい。
「【００１６】
また、
本発明で用いられる研磨液組成物は、研磨材と水とを含有する研磨液組成物であって
【００１７】
また、本発明においては、表面粗さ（Ｒａ  、Ｒｍａｘ） 、
微小うねりを低減し、スクラッチ等の表面欠陥を減少させて、表面品質を向上させる観点から、研磨材としてシリカを用いることがより好ましい。シリカとしては、コロイダルシリカ、ヒュームドシリカ、表面修飾したシリカ等が挙げられ
「【００４５】
また、
本発明に用いられる研磨液組成物は、研磨速度の向上、表面粗さ（Ｒａ、Ｒｍａｘ）や微小うねりの低減の観点から、さらに酸化剤を含有してもよい。
「【００４７】
また、
前記研磨液組成物は、研磨速度の向上、表面粗さ（Ｒａ、Ｒｍａｘ）や微小うねりの低減及びスクラッチ等の表面欠陥を減少させる観点から、酸及び／又はその塩を含有してもよい。
幅広スクラッチを低減する観点から、無機酸や有機ホスホン酸が好ましい。また、無機酸の中では、硝酸、硫酸、塩酸、過塩素酸がより好ましい。
「【００５８】
【実施例】
（被研磨物）
被研磨基板として、Ｎｉ−Ｐメッキされた基板をアルミナ研磨材を含有する研磨液であらかじめ粗研磨し、基板表面粗さ（Ｒａ）１ｎｍとした厚さ１．２７ｍｍの９５ｍｍφのアルミニウム合金基板を用いて研磨評価を行った。
（２−１−２）甲第１号証に記載の技術的事項
　上記記載から、甲第１号証には、以下（ア）〜（オ）の技術的事項が記載されているものと認められる。
（ア）段落０００１によれば、研磨液組成物と研磨パッドを用いた基板の製造方法が記載されている。
（イ）段落００１４によれば、前記研磨パッドとして、ベース層とポリウレタンを材質とする発泡した表面層とを有する構造を備えたスエードタイプのものを用いることが記載されている。
（ウ）段落００１６、００４５、００４７によれば、前記研磨液組成物は、研磨材と水、酸化剤、ホスホン酸や硫酸等の酸とを含有するものであることが記載されている。
（エ）段落００１７によれば、長波長うねり（波長５００μｍ〜５ｍｍのうねり）を含む微小うねりを低減し、スクラッチ等の表面欠陥を減少させて、表面品質を向上させる観点から、前記研磨材としてコロイダルシリカ、ヒュームドシリカ、表面修飾したシリカ等を用いることが記載されている。
（オ）段落００５８によれば、被研磨基板として、Ｎｉ−Ｐメッキされた基板をアルミナ研磨材を含有する研磨液であらかじめ粗研磨したアルミニウム合金基板を用いることが記載されている。
（２−１−３）引用発明
　以上より、甲第１号証には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。なお、各構成の符号（ａ）〜（ｅ）は、説明のために当審が付したものであり、以下、構成ａ〜構成ｅと称する。
（引用発明）
（ａ）研磨液組成物と研磨パッドを用いた基板の製造方法であって、
（ｂ）前記研磨パッドとして、ベース層とポリウレタンを材質とする発泡した表面層とを有する構造を備えたスエードタイプのものを用い、
（ｃ）前記研磨液組成物は、研磨材と水、酸化剤、ホスホン酸や硫酸等の酸とを含有するものであり、
（ｄ）長波長うねり（波長５００μｍ〜５ｍｍのうねり）を含む微小うねりを低減し、スクラッチ等の表面欠陥を減少させて、表面品質を向上させる観点から、前記研磨材としてコロイダルシリカ、ヒュームドシリカ、表面修飾したシリカ等を用い、
（ｅ）被研磨基板として、Ｎｉ−Ｐメッキされた基板をアルミナ研磨材を含有する研磨液であらかじめ粗研磨したアルミニウム合金基板を用いる
（ａ）方法。
（２−２）甲第２号証及び甲第３号証について
（２−２−１）甲第２号証の記載事項
　甲第２号証には、次の記載がある。なお、以下の下線は当審で付したものである。
「【０００７】
【発明の実施の形態】
本発明の研磨液組成物は、前記のように、研磨材、酸化剤、研磨促進剤として有機ホスホン酸及び水を含有してなるものである。
「【００１０】また、
本発明においては、表面粗さ(Ra 、Rmax) 、うねり(Wa)を低減し、スクラッチ等の表面欠陥を減少させて、表面品質を向上させる観点から、研磨材としてシリカ粒子を用いることがより好ましい。シリカ粒子としては、コロイダルシリカ粒子、ヒュームドシリカ粒子、表面修飾したシリカ粒子等が挙げられ、中でも、コロイダルシリカ粒子が好ましい。
「【００３０】自然乾燥させたシリカ粒子にＰｔ−Ｐｄを蒸着させて、日立製作所（株）製電界効果走査型電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ：Ｓ−４０００型）を用いて、視野中に５００個程度のシリカ粒子が観察されるように倍率を３０００倍〜１０万倍に調節し、一つの試料台について２点観察し写真を撮影する。撮影された写真（10.16 ｃｍ×12.7ｃｍ）をコピー機等によりＡ４サイズに拡大して、撮影されたすべてのシリカ粒子の粒径をノギス等により計測し集計する。この操作を数回繰り返して、計測するシリカ粒子の数が２０００個以上になるようにする。ＳＥＭによる測定点数を増やすことは、正確な粒径分布を求める観点からより好ましい。測定した粒径を集計し、小さい粒径から順にその頻度（％）を加算してその値が10% となる粒径をD10 、同じく50% となる粒径をD50 、90% となる粒径をD90 として本発明における個数基準の粒径分布を求めることができる。尚、ここでいう粒径分布は一次粒子の粒径分布として求められる。但し、酸化アルミニウム、酸化セリウム、
ヒュームドシリカ等の一次粒子が融着した二次粒子が存在している場合
（２−２−２）甲第３号証の記載事項
　甲第３号証には、次の記載がある。なお、以下の下線は当審で付したものである。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、コンピュータ等の記憶装置に使用される磁気ディスク基板、特にＮｉＰメッキしたアルミディスク基板を高鏡面に研磨することができ、高密度な磁気ディスク基板を製造するのに適した研磨用組成物及び磁気ディスク基板の研磨方法に関する。
「【０００６】
【発明の実施の形態】
本発明に用いるヒュームドシリカ粒子は、揮発性シラン化合物（一般には四塩化ケイ素が用いられる。）を酸素と水素の混合ガスの炎の中（１０００℃内外）で加水分解させたもので、極めて微細で高純度なシリカ粒子である。
ヒュームドシリカは数ｎｍ〜１００ｎｍ程度の一次粒子が多数凝集して鎖状につながり０．１〜１０μｍの二次粒子を形成している。
（２−２−３）甲第２号証及び甲第３号証に記載の技術事項
　上記記載から、甲第２号証及び甲第３号証には、以下の技術事項（以下、「甲２甲３技術事項」という。）が記載されているものと認められる。
（甲２甲３技術）
　磁気ディスク基板を研磨する研磨液組成物において、研磨材として用いるヒュームドシリカ粒子は、「非球状」かつ「複数の粒子が凝集又は融着した形状」であること。
（２−３）甲第４号証について
（２−３−１）甲第４号証の記載事項
　甲第４号証には、次の記載がある。なお、以下の下線は当審で付したものである。
「【００１０】
　
本発明で使用する研磨パッドは、パッド表面の気孔部の平均気孔径が６０μｍ以下、かつパッド表面積に占める気孔部の面積割合が６０％以下であり、圧縮率が３〜２０％である。かかる特徴を有する研磨パッドを用いて研磨することにより、研磨後の基板の微小うねりを低減できる。
本方法で製造された磁気ディスク基板
「微小うねり」とは、粗さとうねりの中間の波長を持つ表面の凹凸であり、本明細書においては、波長５００μｍ〜５ｍｍのうねりを指す。
「【００３１】
　＜研磨パッドの構造＞
　研磨パッドとしては独立発泡タイプと連続発泡タイプの研磨パッドが使用できるが、研磨屑の排出性の観点から連続発泡タイプのものが好ましく使用される。連続発泡タイプの研磨パッドとしては、例えば、「ＣＭＰ技術基礎実例講座シリーズ第２回メカノケミカルポリシング（ＣＭＰ）の基礎と実例（ポリシングパッド編）１９９８年５月２７日資料  グローバルネット株式会社編」、あるいは「ＣＭＰのサイエンス  柏木正広編  株式会社サイエンスフォーラム  第４章」に記載されたような研磨パッドが使用できる。連続発泡タイプには、さらにスエードタイプと不織布タイプがあるが、
研磨時の安定的な砥粒の保持性と研磨屑の排出性、つまり生産の安定性の観点、及び微少うねり低減の観点から、スエードタイプがより好ましい。
「【００４４】
　（研磨方法）
　厚さ１．２７ｍｍ、外径９５ｍｍの
Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金からなる基板
（２−３−２）甲第４号証に記載の技術事項
　上記記載から、甲第４号証には、以下の技術事項（以下、「甲４技術事項」という。）が記載されているものと認められる。
（甲４技術事項）
「磁気ディスク基板の研磨工程で使用する研磨パッドであって、被研磨基板がＮｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金からなる基板であり、スエードタイプであり、圧縮率が３〜２０％であり、研磨後の基板の波長５００μｍ〜５ｍｍのうねりである微小うねりを低減できる研磨パッド。」
（３）当審の判断
（３−１）特許法第２９条第２項について
（３−１−１）本件発明１について
（３−１−１−１）対比
　本件発明１の構成Ａ〜構成Ｄを引用発明の構成ａ〜構成ｅと対比する。
（構成Ｃについて）
　引用発明は、構成ｅの被研磨基板が、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板であるから、「被研磨基板がＮｉ−Ｐめっきアルミニウム合金基板」である点で本件発明１の構成Ｃと一致する。
（構成Ａ、構成Ｂ、構成Ｂ１について）
　上記（構成Ｃについて）のとおり、引用発明の構成ｅの被研磨基板は、Ｎｉ−Ｐめっきアルミニウム合金基板である点で、本件発明１の構成Ｃの被研磨基板と一致するから、構成ｅの被研磨基板に対応する構成ａの「基板」は、構成Ｃの被研磨基板に対応する構成Ａの「磁気ディスク基板」に相当する。よって、構成ａの「基板の製造方法」は、構成Ａの「磁気ディスク基板の製造方法」に相当する。
　そして、構成ａの「研磨液組成物と研磨パッドを用いた」が、「研磨液組成物を被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び前記被研磨基板の少なくとも一方を動かして前記研磨対象面を研磨する工程」を、基板の製造方法に含んでいることは、当業者に明らかな事項である。よって、構成ａは、構成Ａの「研磨液組成物を被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び前記被研磨基板の少なくとも一方を動かして前記研磨対象面を研磨する工程」を含む磁気ディスク基板の製造方法に相当する。
　また、構成ｃの「研磨液組成物」は、「研磨材と水、酸化剤、ホスホン酸や硫酸等の酸とを含有するもの」であって、前記「研磨材」として「コロイダルシリカ、ヒュームドシリカ、表面修飾したシリカ等」（構成ｄ）を用いているから、「シリカ粒子Ａ、酸、酸化剤及び水を含有し、アルミナ砥粒を実質的に含まない研磨液組成物」である点で、構成Ａと共通する。
　しかしながら、研磨液組成物に含まれるシリカ粒子Ａについて、本件発明１では「非球状」かつ「前記非球状シリカ粒子Ａが複数の粒子が凝集又は融着した形状」（構成Ｂ）であり、さらに「前記非球状シリカ粒子Ａは、金平糖型のシリカ粒子Ａ１、異形型のシリカ粒子Ａ２、及び異形かつ金平糖型のシリカ粒子Ａ３からなる群から選択される少なくとも１種のシリカ粒子であって、コロイダルシリカ」（構成Ｂ１）であるのに対し、引用発明の「コロイダルシリカ、ヒュームドシリカ、表面修飾したシリカ等」（構成ｄ）では当該特定がなされていない点で、両者は相違する。
　また、引用発明の構成ｅは、「被研磨基板として、Ｎｉ−Ｐメッキされた基板をアルミナ研磨材を含有する研磨液であらかじめ粗研磨したアルミニウム合金基板を用いる」というものであるから、アルミナ研磨材を含有する研磨液であらかじめ粗研磨した基板を研磨するものである。よって、被研磨基板の研磨について、本件発明１では「粗研磨」であるのに対し、引用発明では「アルミナ研磨材を含有する研磨液であらかじめ粗研磨した後の研磨」である点で、両者は相違する。
（構成Ｄについて）
　引用発明の構成ｂの研磨パッドは、「ベース層とポリウレタンを材質とする発泡した表面層とを有する構造を備えたスエードタイプのもの」であるから、「ベース層と発泡した表面層とを有するスエードタイプの研磨パッド」である点で、構成Ｄと一致する。
　しかしながら、引用発明は、研磨パッドの圧縮率が特定されておらず、研磨パッドの圧縮率について、本件発明１では「表面層の圧縮率が２.５％以上である」のに対し、引用発明では当該特定がされていない点で、両者は相違する。
（３−１−１−２）一致点、相違点
　以上のことから、本件発明１と引用発明との一致点、相違点は、次のとおりである。
（一致点）
Ａ’：下記工程（１）を含む、磁気ディスク基板の製造方法。
（１）シリカ粒子Ａ、酸、酸化剤及び水を含有し、アルミナ砥粒を実質的に含まない研磨液組成物を被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び前記被研磨基板の少なくとも一方を動かして前記研磨対象面を粗研磨する工程。
Ｃ：前記被研磨基板がＮｉ−Ｐめっきアルミニウム合金基板であり、
Ｄ’：前記研磨パッドがベース層と発泡した表面層とを有するスエードタイプの研磨パッドである。
（相違点１）
　研磨液組成物に含まれるシリカ粒子Ａについて、本件発明１は、「非球状」かつ「前記非球状シリカ粒子Ａが複数の粒子が凝集又は融着した形状」であり、さらに「前記非球状シリカ粒子Ａは、金平糖型のシリカ粒子Ａ１、異形型のシリカ粒子Ａ２、及び異形かつ金平糖型のシリカ粒子Ａ３からなる群から選択される少なくとも１種のシリカ粒子であって、コロイダルシリカ」であるのに対し、引用発明の「コロイダルシリカ、ヒュームドシリカ、表面修飾したシリカ等」は、当該特定がなされていない点。（構成Ｂ及び構成Ｂ１）
（相違点２）
　被研磨基板の研磨について、本件発明１では「粗研磨」であるのに対し、引用発明では「アルミナ研磨材を含有する研磨液であらかじめ粗研磨した後の研磨」である点。（構成Ａ）
（相違点３）
　研磨パッドの圧縮率について、本件発明１では「表面層の圧縮率が２.５％以上である」のに対し、引用発明では当該特定がされていない点。（構成Ｄ）
（３−１−１−３）判断
　上記相違点のうち、まず相違点１について検討する。
　研磨液組成物において研磨材として用いる非球状シリカ粒子として、「非球状」かつ「複数の粒子が凝集又は融着した形状」であるシリカ粒子は、甲２甲３技術事項にあるとおり、周知の技術事項である。しかしながら、研磨液組成物に含まれる非球状シリカ粒子として、「金平糖型のシリカ粒子Ａ１、異形型のシリカ粒子Ａ２、及び異形かつ金平糖型のシリカ粒子Ａ３からなる群から選択される少なくとも１種のシリカ粒子」であるコロイダルシリカ粒子を用いることは、甲第２号証及び甲第３号証には記載されていない。また、当該事項は甲第４号証にも記載されていない。よって、引用発明は研磨材としてコロイダルシリカを用いるものであるが、引用発明のコロイダルシリカを「金平糖型のシリカ粒子Ａ１、異形型のシリカ粒子Ａ２、及び異形かつ金平糖型のシリカ粒子Ａ３からなる群から選択される少なくとも１種のシリカ粒子」とすることは、当業者であっても容易に想到しうるものとはいえない。
　したがって、本件発明１は、その他の相違点である相違点２及び相違点３について検討するまでもなく、当業者であっても引用発明及び甲第２号証〜甲第４号証に記載された技術事項に基づいて容易に発明をすることができたものとはいえない。
（３−１−１−４）取消理由通知において採用しなかった甲号証について
　平成３０年１１月２７日に提出された特許異議申立書に記載された甲第５号証（特開２０１４−２９７５４号公報（平成２６年２月１３日公開））及び甲第６号証（特開２０１４−２９７５５号公報（平成２６年２月１３日公開））は、いずれも本件特許の出願（出願日：平成２６年６月３０日）より前であって優先権主張の日（平成２５年１２月３日）よりも後に公開された文献である。
　しかしながら、上記相違点１に係る本件発明１の構成Ｂ及び構成Ｂ１に係る構成は、優先権主張の基礎とされた出願である特願２０１３−２５０３００号の願書に最初に添付した明細書に記載されていた構成である。したがって、本件発明１の構成Ｂ及び構成Ｂ１に係る構成についての容易想到性の判断において、本件特許の優先権主張の日より後に公開された甲第５号証及び甲第６号証を用いることはできない。
（３−１−２）本件発明２、６、７、８、１１、１２について
　本件発明２、６、７、８、１１、１２は、本件発明１を引用するものであるから、上記（３−１−１）と同様の理由により、当業者であっても引用発明及び甲第２号証〜甲第４号証に記載された技術事項に基づいて容易に発明をすることができたものとはいえない。
（３−１−３）本件発明１６について
　本件発明１６の研磨液組成物は、本件発明１の方法で用いられる研磨液組成物と同じ構成を有するから、上記（３−１−１）と同様の理由により、当業者であっても引用発明及び甲第２号証〜甲第４号証に記載された技術事項に基づいて容易に発明をすることができたものとはいえない。
（３−２）特許法第３６条第６項第１号について
　当審が平成３１年１月１８日に特許権者に通知した特許法第３６条第６項第１号に係る取消理由は、本件発明１の「複数の粒子が凝集又は融着した形状の非球状シリカ粒子Ａ」において、異形型及び金平糖型のコロイダルシリカ以外のものについてまで、発明が解決しようとする課題を解決できるとは示されておらず、また、当該解決できることが出願時の技術常識から明らかであるともいえないから、本件発明１の範囲まで、発明の詳細な説明に開示された内容を拡張ないし一般化できるとはいえず、本件発明１は、発明の詳細な説明に記載したものでない、というものである。
　しかしながら、本件訂正により訂正された請求項１は、上記構成Ｂ１が追加されたことにより、非球状シリカ粒子Ａが異形型及び金平糖型のコロイダルシリカに限定されているから、訂正後の本件発明１は、発明の詳細な説明に記載したものである。
　また、本件発明１を引用する本件発明２〜１５、本件発明１の方法で用いられる研磨液組成物と同じ構成を有する本件発明１６、及び本件発明１６を引用する本件発明１７、１８についても、上記と同様の理由により、発明の詳細な説明に記載したものである。
５　むすび
　以上のとおりであるから、取消理由通知に記載した取消理由によっては、本件請求項１〜１８に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１〜１８に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和１年５月２８日（２０１９．５．２８）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
下記工程（１）を含む、磁気ディスク基板の製造方法。
　（１）非球状シリカ粒子Ａ、酸、酸化剤及び水を含有し、アルミナ砥粒を実質的に含まない研磨液組成物を被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び前記被研磨基板の少なくとも一方を動かして前記研磨対象面を粗研磨する工程。
　ここで、前記非球状シリカ粒子Ａが複数の粒子が凝集又は融着した形状であり、
　
前記非球状シリカ粒子Ａは、金平糖型のシリカ粒子Ａ１、異形型のシリカ粒子Ａ２、及び異形かつ金平糖型のシリカ粒子Ａ３からなる群から選択される少なくとも１種のシリカ粒子であって、コロイダルシリカであり、
　前記被研磨基板がＮｉ−Ｐめっきアルミニウム合金基板であり、
　前記研磨パッドがベース層と発泡した表面層とを有するスエードタイプの研磨パッドであり、その表面層の圧縮率が２．５％以上である。
　【請求項２】
　前記研磨パッドの表面層がポリウレタン製である、請求項１記載の磁気ディスク基板の製造方法。
　【請求項３】
　前記非球状シリカ粒子Ａは、金平糖型のシリカ粒子Ａ１、異形型のシリカ粒子Ａ２、及び異形かつ金平糖型のシリカ粒子Ａ３からなる群から選択される少なくとも１種のシリカ粒子であって、
　金平糖型のシリカ粒子Ａ１は、最も小さいシリカ粒子の粒径を基準にして、粒径が５倍以上異なる２つ以上の粒子が凝集又は融着した形状であり、
　異形型のシリカ粒子Ａ２は、最も小さいシリカ粒子の粒径を基準にして、粒径が１．５倍以内の２つ以上の粒子が凝集又は融着した形状であり、
　異形かつ金平糖型のシリカ粒子Ａ３は、粒径が１．５倍以内の２つ以上の粒子が凝集又は融着した粒子に、さらに、凝集又は融着した前記粒子の最も小さいシリカ粒子の粒径を基準にして粒径が１／５以下の小さな粒子が凝集又は融着した形状である、請求項１又は２に記載の磁気ディスク基板の製造方法。
　【請求項４】
　前記非球状シリカ粒子Ａの電子顕微鏡で測定される粒子の絶対最大長の平均が、８０．０ｎｍ以上５００．０ｎｍ以下である、請求項１から３のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
　【請求項５】
　研磨液組成物が電子顕微鏡で測定して得られる粒子の絶対最大長を直径とする円の面積ｂを電子顕微鏡観察で測定して得られる該粒子の投影面積ａで除して１００を乗じた面積率（ｂ／ａ×１００）が１１０．０〜２００．０％であるシリカ粒子を全シリカ粒子に対して３０．０質量％以上含有する、請求項１から４のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
　【請求項６】
　前記研磨パッドが連続発泡タイプの研磨パッドである、請求項１から５のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
　【請求項７】
　前記研磨パッドの表面部材がポリウレタンエラストマーを含む、請求項１から６のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
　【請求項８】
　前記非球状シリカ粒子Ａが水ガラス法で製造されたシリカ粒子である、請求項１から７のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
　【請求項９】
　レーザー光散乱法で測定した研磨液組成物中のシリカ粒子の体積平均粒子径（Ｄ５０）が、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である、請求項１から８のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
　【請求項１０】
　研磨液組成物中のシリカ粒子が金平糖型のシリカ粒子Ａ１及び異形型のシリカ粒子Ａ２を含み、Ａ１／Ａ２の質量比率が５／９５〜９５／５の範囲にあり、
　研磨液組成物中のシリカ粒子における前記粒子Ａ１及びＡ２の合計量が８０質量％以上である、請求項３から９のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
　【請求項１１】
　研磨液組成物のｐＨが０．５〜６．０である、請求項１から１０のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
　【請求項１２】
　研磨液組成物の酸が硫酸又はリン酸若しくはホスホン酸である、請求項１から１１のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
　【請求項１３】
　さらに、下記工程（２）及び工程（３）を含み、工程（１）と工程（３）を、互いに別の研磨機で行う請求項１から１２のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
　（２）工程（１）で得られた基板を洗浄する工程。
　（３）工程（２）で得られた基板をシリカ粒子Ｂを含有する研磨液組成物Ｂを用いて研磨対象面を研磨する工程。
　【請求項１４】
　工程（３）の研磨液組成物に含有されるシリカ粒子のレーザー光散乱法で測定した体積平均粒子径（Ｄ５０）が、工程（１）の研磨液組成物に含有されるシリカ粒子のレーザー光散乱法で測定した体積平均粒子径（Ｄ５０）より小さいシリカ粒子である、請求項１３記載の磁気ディスク基板の製造方法。
　【請求項１５】
　工程（１）の研磨液組成物は、球状シリカ粒子をさらに含み、
　球状シリカ粒子と非球状シリカ粒子Ａとの質量比（球状シリカ／非球状シリカＡ）は、０を超え３０／７０以下である、請求項１から１４のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
　【請求項１６】
　複数の粒子が凝集又は融着した形状の非球状シリカ粒子Ａ、酸、酸化剤及び水を含有し、アルミナ砥粒を実質的に含まない研磨液組成物であって、
　
前記非球状シリカ粒子Ａは、金平糖型のシリカ粒子Ａ１、異形型のシリカ粒子Ａ２、及び異形かつ金平糖型のシリカ粒子Ａ３からなる群から選択される少なくとも１種のシリカ粒子であって、コロイダルシリカであり、
　ベース層と圧縮率が２．５％以上の発泡した表面層とを有するスエードタイプの研磨パッドを用い、被研磨基板であるＮｉ−Ｐめっきアルミニウム合金基板を粗研磨するための、研磨液組成物。
　【請求項１７】
　（１）請求項１６に記載の研磨液組成物、及びベース層と圧縮率が２．５％以上の発泡した表面層とを有するスエードタイプの研磨パッドを用い、被研磨基板であるＮｉ−Ｐめっきアルミニウム合金基板の研磨対象面を研磨する工程、
　（２）工程（１）で得られた基板を洗浄する工程、及び、
　（３）工程（２）で得られた基板の研磨対象面をシリカ粒子Ｂを含有する研磨液組成物Ｂを用いて研磨する工程を有し、
　前記工程（１）と（３）を互いに別の研磨機で行う磁気ディスク基板用の研磨方法。
　【請求項１８】
　請求項１６に記載の研磨液組成物、及びベース層と圧縮率が２．５％以上の発泡した表面層とを有するスエードタイプの研磨パッドを用い、被研磨基板であるＮｉ−Ｐめっきアルミニウム合金基板の研磨対象面を研磨する第一の研磨機と、
　前記第一研磨機で研磨した基板を洗浄する洗浄ユニットと、
　シリカ粒子を含有する研磨液組成物を用いて洗浄後の基板を研磨する第二の研磨機とを備える磁気ディスク基板の研磨システム。