(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガスセンサの出力信号を所定のサンプリング周期でサンプルホールドするサンプリング部と、過去の所定期間内における所定のサンプリング値の平均値を演算する平均値演算部と、最新のサンプリング値と、当該最新のサンプリング値が得られるサンプリングタイミングの直前のサンプリングタイミングにおけるサンプリング値である旧サンプリング値との差である第１差分値が所定の第１閾値より大きいかを判定する第１判定部と、前記最新のサンプリング値と前記平均値演算部で算出された平均値との差である第２差分値が所定の第２閾値より大きいかを判定する第２判定部と、前記第１判定部と前記第２判定部の判定結果に基づいて、前記第１差分値が前記第１閾値より大きく、且つ、前記第２差分値が前記第２閾値より大きい場合に、所定の報知処理を行う報知処理部とを備えてなるガス検知装置。
【請求項２】
前記報知処理部が報知処理を行う場合は、前記旧サンプリング値を前記最新のサンプリング値で更新せずにそのまま保持することを特徴とする請求項１記載のガス検知装置。
【請求項３】
前記第２差分値が所定の第３閾値より大きいかを判定する第３判定部を備え、前記報知処理部が、前記第３判定部の判定結果に基づいて、前記第２差分値が前記第３閾値より大きい場合に、前記報知処理を行う請求項１または２記載のガス検知装置。
【請求項４】
過去所定期間内のサンプリング値の最小値を記憶する最小値記憶部と、前記最新のサンプリング値と前記最小値記憶部に記憶された最小値との差である第３差分値が所定の第４閾値より大きいかを判定する第４判定部とを備え、前記報知処理部が、前記第２判定部と前記第４判定部の判定結果に基づいて、前記第２差分値が前記第２閾値より大きく、且つ、前記第３差分値が前記第４閾値より大きい場合に、前記報知処理を行う請求項１、２または３記載のガス検知装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、環境条件の変動によりガスセンサの検知感度の変化を補償可能なガス検知装置に関し、更に詳しくは、絶対湿度に依存して検知感度が変化する場合の絶対湿度補正可能なガス検知装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
この種のガス検知装置として、半導体式ガスセンサを用いたものがある。この半導体式ガスセンサは、絶対湿度に依存して特性が変化するため、家庭用ガス警報器においては、例えばサーミスタ等の安価な温度センサを用いて、センサ出力と絶対湿度との間の相関関係と近似している温度との相関関係を利用して簡易的に湿度補償を行っていた。
【０００３】
例えば、熱線型半導体式センサの場合、図７に示すような湿度特性を示し、絶対湿度の上昇とともにセンサの抵抗値が変化しセンサ出力が上昇する。サーミスタによるセンサ出力の補正量は、図８に示すように、３点以上の温湿度条件を設定し、センサ出力が一定になるように設定する。
しかしながら、適正補正量に対応する絶対湿度と温度の関係から一義的に定まる相対湿度（例えば、絶対湿度３３ｇ／ｍ3 で温度が４０℃の場合は相対湿度が６５％）下では適正補正量が得られるが、同じ温度でも低湿状態では、センサ出力が前記一定出力を下回り、逆に高湿状態ではセンサ出力が前記一定出力を上回る結果となり、適正補正量が得られず、結果として高精度且つ高感度のガス検知が困難であった。
【０００４】
そこで、センサ出力の絶対湿度補正を高精度に行おうとすると、図９及び図１０に示すように、温度センサと相対湿度センサを使用した補正、及び、絶対湿度センサを使用した補正が考えられるが、何れも湿度センサが高価であるため、ガス検知装置の製造コスト高騰の要因となり、家庭用ガス警報器等に採用するのは困難であった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、上記問題点を解消し、環境条件の変動、特に、絶対湿度の変動によるセンサ出力の変動を高精度且つ簡易的に補償して、低濃度ガスを高精度に検知可能なガス検知装置を提供する点にある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するための本発明に係るガス検知装置の第一の特徴構成は、特許請求の範囲の欄の請求項１に記載した如く、ガスセンサの出力信号を所定のサンプリング周期でサンプルホールドするサンプリング部と、過去の所定期間内における所定のサンプリング値の平均値を演算する平均値演算部と、最新のサンプリング値と、当該最新のサンプリング値が得られるサンプリングタイミングの直前のサンプリングタイミングにおけるサンプリング値である旧サンプリング値との差である第１差分値が所定の第１閾値より大きいかを判定する第１判定部と、前記最新のサンプリング値と前記平均値演算部で算出された平均値との差である第２差分値が所定の第２閾値より大きいかを判定する第２判定部と、前記第１判定部と前記第２判定部の判定結果に基づいて、前記第１差分値が前記第１閾値より大きく、且つ、前記第２差分値が前記第２閾値より大きい場合に、所定の報知処理を行う報知処理部とを備えてなる点にある。
【０００７】
同第二の特徴構成は、特許請求の範囲の欄の請求項２に記載した如く、上記第一の特徴構成に加えて、前記報知処理部が報知処理を行う場合は、前記旧サンプリング値を前記最新のサンプリング値で更新せずにそのまま保持する点にある。
【０００８】
同第三の特徴構成は、特許請求の範囲の欄の請求項３に記載した如く、上記第一または第二の特徴構成に加えて、前記第２差分値が所定の第３閾値より大きいかを判定する第３判定部を備え、前記報知処理部が、前記第３判定部の判定結果に基づいて、前記第２差分値が前記第３閾値より大きい場合に、前記報知処理を行う点にある。
【０００９】
同第四の特徴構成は、特許請求の範囲の欄の請求項４に記載した如く、上記第一、第二または第三の特徴構成に加えて、過去の所定期間内のサンプリング値の最小値を記憶する最小値記憶部と、前記最新のサンプリング値と前記最小値記憶部に記憶された最小値との差である第３差分値が所定の第４閾値より大きいかを判定する第４判定部とを備え、前記報知処理部が、前記第２判定部と前記第４判定部の判定結果に基づいて、前記第２差分値が前記第２閾値より大きく、且つ、前記第３差分値が前記第４閾値より大きい場合に、前記報知処理を行う点にある。
【００１０】
以下に作用並びに効果を説明する。
本発明の第一の特徴構成は、ガスセンサのセンサ出力の過渡特性がガス濃度の変化による場合と、絶対湿度等の環境条件変動による場合との差に着目してなされたものである。例えば、ガスセンサが熱線型半導体式センサの場合、ガス濃度変化時と絶対湿度変化時のセンサ出力の応答特性はガス濃度変化時の方が急峻である。
【００１１】
従って、本特徴構成によれば、先ず第１判定部が、かかる過渡特性の差に基づく所定のサンプリング周期ごとのセンサ出力の時間変化量、即ち第１差分値を判定することで、検知対象であるガス濃度変化を確実に検知する。但し、第１判定部では、ガス濃度の絶対値が検知レベルにあるか否かは判別できないので、第２判定部がかかる判定を行う。ここで、第２判定部は、固定閾値による検知レベルを使用せずに、過去の所定期間におけるセンサ出力の平均値を使用することで、ガス濃度の変化時、或いは、その前後にわたって絶対湿度等の環境条件が変化してセンサ出力が変動しても、その変動分を前記平均値によって吸収することで、センサ感度の変動を一定範囲内に抑制することができるのである。つまり、第２差分値が環境条件の変動によらず、主としてガス濃度の変化にのみ追従して変化することになり、第２判定部によってガス濃度の絶対値の検出が可能となる。尚、第１閾値として一定値を確保しながら、第２閾値を０とすることで、極めて低濃度のガスの検知も可能となる。第１判定部が第１差分値が第１閾値より大きいこと、及び、第２判定部が第２差分値が第２閾値より大きいことを判定した場合に、警報を発する等の所定の報知処理を実行して検知結果を報知する。
【００１２】
以上の結果、本特徴構成によれば、環境条件の変動、特に、絶対湿度の変動によるセンサ出力の変動を高精度且つ簡易的に補償して、低濃度ガスを高精度に検知可能なガス検知装置を提供する。
【００１３】
同第二の特徴構成によれば、ガス検知時は旧サンプリング値を更新しないため、第１差分値を生成するための基準値としてガス濃度が低レベル時の清浄雰囲気中の値を使用するため、ガス検知後も継続してガス検知状態を維持できるのである。つまり、一旦ガス検知した後、ガス濃度が変化しない或いは変化が緩やかな場合であっても、確実に検知できるのである。
【００１４】
同第三の特徴構成によれば、ガス検知前の正常時におけるガス濃度が第１判定部が判定可能なレベル以下の変化率で緩やかに上昇している場合であっても、ガス濃度の絶対値が所定レベル以上になったのを、第３判定部によって判別して検知することができるのである。つまり、第一の特徴構成において、ガス濃度の緩やかな変化に対応すべく第１閾値を低く設定した場合、環境条件の変動にも容易に反応して誤動作を招くという弊害を、本特徴構成によって回避できるのである。
ここで、本特徴構成を第一の特徴構成に従属させず独立した構成とした場合、つまり、第１判定部と第２判定部を使用しない場合は、環境条件の変動によって、例えば、絶対湿度の緩やかな低下によってセンサ出力が緩やかに下降している場合、第２差分値は負値となり、その時点で、ガス濃度が上昇しても第３閾値が高ければ確実に当該ガス濃度の上昇を検知できないことになるが、一方、第３閾値を小さく設定し過ぎると、環境条件の通常より急峻な変動によって誤動作するという問題が生じる虞がある。特に、平均値演算部の平均値の演算において、平均値を求める所定期間の長さを確保しながら、大量のサンプリング値を記憶するための記憶容量を節約するために、平均値の更新周期をサンプリング周期に比して長くした場合、当該更新期間内に前記誤動作発生の可能性が高くなる。従って、本特徴構成と第一の特徴構成を併用することで、かかる問題を回避して、高精度のガス検知を行うことができるのである。
【００１５】
同第四の特徴構成によれば、極微量のガスが室内に徐々に蓄積されていく場合等において、第１判定部または第３判定部が夫々判定できない程度の緩やかな変化率でセンサ出力が上昇する場合においても、確実にガス濃度の変化を検知することができるのである。尚、第４閾値をある程度高く設定することで、環境条件の変動による誤動作を回避できるのである。
【００１６】
【発明の実施の形態】
本発明に係るガス検知装置（以下、本発明装置という）の一実施の形態につき、図面に基づいて説明する。
【００１７】
図１に示すように、本発明装置は、ガスセンサ１と、前記ガスセンサ１のセンサ出力信号Ｓを所定のサンプリング周期Ｔ1 でサンプルホールドしてＡ／Ｄ変換し、最新のサンプリング値ＳNEW として記憶するサンプリング部２と、前記サンプリング部２でＡ／Ｄ変換されたサンプリング値の内の前記サンプリング周期Ｔ1 の整数倍の第２のサンプリング周期Ｔ2 毎に最新のＮポイント分を記憶し、これらＮポイント分のサンプリング値の平均値ＳAVE を前記サンプリング周期Ｔ2 毎に演算する平均値演算部３と、旧サンプリング値ＳOLD を保存するとともに前記サンプリング値ＳNEW との差である第１差分値Δ1 （＝ＳNEW −ＳOLD ）を演算し、この第１差分値Δ1 が所定の第１閾値Ｖ1 より大きいかを判定する第１判定部４と、前記サンプリング値ＳNEW と前記平均値ＳAVE との差である第２差分値Δ2 （＝ＳNEW −ＳAVE ）を演算し、この第２差分値Δ2 が所定の第２閾値Ｖ2 より大きいかを判定する第２判定部５と、前記第２判定部５で演算された前記第２差分値Δ2 が所定の第３閾値Ｖ3 より大きいかを判定する第３判定部６と、前記サンプリング部２でサンプリングされたサンプリング値の２４時間分の最小値ＳMIN を求め、２４時間毎に前記最小値ＳMIN の更新を行う最小値記憶部７と、前記サンプリング値ＳNEW と前記最小値記憶部７で更新された最小値ＳMIN との差である第３差分値Δ3 （＝ＳNEW −ＳMIN ）を演算し、この第３差分値Δ3 が所定の第４閾値Ｖ4 より大きいかを判定する第４判定部８と、前記第１判定部４と前記第３判定部６と前記第４判定部８の各判定結果の何れか一つが真であって、且つ、前記第２判定部５の判定結果が真である場合に、警報発生等の所定の報知処理を実行する報知処理部９とから構成されている。
【００１８】
前記ガスセンサ１は、白金線コイル等の貴金属線材に金属酸化物半導体を被覆焼成して形成した熱線型半導体式センサ１ａにより構成されており、ガス成分の吸着による電気抵抗の変化によってガス検知するもので、一般に、図２に示すブリッジ回路を構成して前記センサ出力信号Ｓを電圧値として読み出す。
【００１９】
本発明装置の内の前記サンプリング部２、前記平均値演算部３、前記第１判定部４、前記第２判定部５、前記第３判定部６、前記最小値記憶部７、及び、前記第４判定部８からなるセンサ出力判定部１０は、具体的には、アナログ入力端子、内蔵Ａ／Ｄ変換器等を具備したマイクロコンピュータで構成されている。また、前記サンプリング部２、前記平均値演算部３、前記第１判定部４、前記第２判定部５、前記第３判定部６、前記最小値記憶部７、及び、前記第４判定部８は、夫々、内蔵メモリやレジスタ等の所定の記憶領域を割り当て、マイクロコンピュータに内蔵の実行プログラムを実行することによってソフトウェア処理によって実現される。
従って、図１に示す各機能ブロックの接続は、各ブロックで演算結果或いは判定結果の流れを示すもので、実際の電気信号の流れや配線を示すものではない。また、並列処理可能なマイクロコンピュータや専用ハードウェアを使用する場合は、各機能ブロックの実行は部分的に並列処理しても構わない。
【００２０】
以下、本発明装置の動作を、マイクロコンピュータでソフトウェア処理する場合について、図３に示すフローチャートに基づき説明する。
【００２１】
電源オンによりスタートし、先ず、ステップ＃１において、前記旧サンプリング値ＳOLD 、前記平均値ＳAVE 、前記最小値ＳMIN の各初期値を設定する。
以下、サンプリング周期Ｔ1 毎に以下の処理を行う。本実施形態では、前記サンプリング周期Ｔ1 は１０秒に設定している。
【００２２】
ステップ＃２において、前記サンプリング部２が前記センサ出力信号Ｓをサンプルホールド及びＡ／Ｄ変換して前記最新のサンプリング値ＳNEW として記憶する。
次に、ステップ＃３において、前記第１判定部４が前記第１差分値Δ1 （＝ＳNEW −ＳOLD ）を、前記第２判定部５が前記第２差分値Δ2 （＝ＳNEW −ＳAVE ）を演算する。
【００２３】
ステップ＃４において、前記第１判定部４が前記第１差分値Δ1 が前記第１閾値Ｖ1 より大きいかを判定する。この判定が真（Δ1 ＞Ｖ1 ）であれば、ステップ＃５乃至＃７を実行せずにステップ＃８を実行する。また、この判定が偽（Δ1 ≦Ｖ1 ）であれば、ステップ＃５を実行する。
【００２４】
ステップ＃５において、前記第３判定部６が前記第２差分値Δ2 が所定の第３閾値Ｖ3 より大きいかを判定する。この判定が真（Δ2 ＞Ｖ3 ）であれば、ステップ＃６乃至＃７を実行せずにステップ＃８を実行する。また、この判定が偽（Δ2 ≦Ｖ3 ）であれば、ステップ＃６を実行する。
【００２５】
ステップ＃６において、前記第４判定部８が前記第３差分値Δ3 （＝ＳNEW −ＳMIN ）を演算し、この第３差分値Δ3 が前記第４閾値Ｖ4 より大きいかを判定する。この判定が真（Δ3 ＞Ｖ4 ）であれば、ステップ＃７を実行せずにステップ＃８を実行する。また、この判定が偽（Δ3 ≦Ｖ4 ）であれば、ステップ＃７を実行する。
【００２６】
ステップ＃７において、前記第２差分値Δ2 を０にリセットし、前記第１判定部４で保存している前記旧サンプリング値ＳOLD に前記サンプリング値ＳNEW を代入して前記旧サンプリング値ＳOLD を更新する。次にステップ＃８を実行する。
【００２７】
ステップ＃８において、前記第２判定部５が、ステップ＃３において演算した前記第２差分値Δ2 、或いは、ステップ＃７でリセットされている場合はその第２差分値Δ2 が前記第２閾値Ｖ2 より大きいかを判定する。この判定が真（Δ2 ＞Ｖ2 ）であれば、ステップ＃９において前記報知処理部９が警報発生等の所定の報知処理を実行する。また、この判定が偽（Δ2 ≦Ｖ2 ）であれば、ステップ＃９を実行しない。
尚、前記第２閾値Ｖ2 は前記第３閾値Ｖ3 より小さい値、例えば、０に設定している。従って、ステップ＃５における判定（Δ2 ＞Ｖ3 ）が真であれば、ステップ＃８における上記判定（Δ2 ＞Ｖ2 ）は必ず真であるため、直接ステップ＃９を実行しても構わない。
【００２８】
ステップ＃１０において、前記平均値ＳAVE 及び前記最小値ＳMIN の演算及び更新処理を実行する。但し、前記サンプリング周期Ｔ1 毎には実行せず、後述する要領で行う。
【００２９】
以上のステップ＃２からステップ＃１０までの一連の処理を前記サンプリング周期Ｔ1 間隔で実行する。
【００３０】
本実施形態では、前記サンプリング周期Ｔ1 は１０秒に設定している。このサンプリング周期Ｔ1 は前記ガスセンサ１のセンサ出力値の過渡特性が、絶対湿度変化に伴う場合と被検知ガスのガス濃度変化に伴う場合とで異なり、前者の場合の方がセンサ出力値の応答が緩やかであることに対応して最適値が設定されている。
図４は、絶対湿度を略一定の時間変化率で緩やかに上昇させながら、途中で喫煙を開始した場合における、前記サンプリング周期Ｔ1 が１秒、５秒、１０秒の３通りについての、単位時間当りの前記第１差分値Δ1 （＝ＳNEW −ＳOLD ）の変化を示したものである。これより、前記サンプリング周期Ｔ1 が５秒以下では前記第１差分値Δ1 が喫煙によるガス濃度の変化に十分に対応できず、前記第１閾値Ｖ1 を低く設定する必要が生じるが、前記サンプリング周期Ｔ1 が１０秒のときの値は５秒以下のものに比べ２倍以上あり、前記第１判定部４でガス濃度の変化を十分に検知可能であることを示唆している。尚、前記サンプリング周期Ｔ1 を１０秒より長くすると逆にガス濃度の変化に十分に対応できなくなる。
【００３１】
更に、前記サンプリング周期Ｔ2 は１０分、即ち前記サンプリング周期Ｔ1 の６０周期分に設定してある。また、前記平均値ＳAVE を演算するための前記ポイント数Ｎは７に設定してあり、従って前記平均値ＳAVE は、過去１時間のセンサ出力の平均値を近似的に表している。よって、ステップ＃１０において、ステップ＃２からステップ＃１０までの一連の処理の６０回に１回の割合で、前記平均値演算部３が７ポイント分のサンプリング値を最新の７ポイント分のサンプリング値に更新して、新たな平均値ＳAVE を演算する。
【００３２】
ステップ＃１０において、前記最小値ＳMIN の演算は及び更新は、電源オンから最初の２４時間とそれ以降で処理方法が異なる。
電源オンから最初の２４時間では、前記平均値ＳAVE の演算と同様に前記サンプリング周期Ｔ2 つまり１０分間隔で、前記最小値ＳMIN とその時点での前記旧サンプリング値ＳOLD を大小比較し、小なる方を新たに最小値ＳMIN として更新する。従って、演算も更新も同時に行われ、更新された最小値ＳMIN は、次のステップ＃２以降の処理で使用される。
電源オンから最初の２４時間を超えると、演算は同様に１０分間隔で行われるが、更新は最初の２４時間を超えた時点から２４時間間隔で行う。ここで、前記最小値ＳMIN は、長期間にわたるガス濃度や絶対湿度等の環境条件の緩やかな変動（上昇及び下降）の傾向に追従して前記第４判定部８の判定に対して適正な補正を施すものであるため、前記最小値ＳMIN に更新前２４時間に演算された演算最小値ＳMINCを強制的に代入して前記最小値ＳMIN を更新し、また、この更新直後に、前記演算最小値ＳMINCはその時点での旧サンプリング値ＳOLD によって初期化される。
【００３３】
次に、本発明装置による湿度補償性能につき説明する。
図５は、前記ガスセンサ１のセンサ出力の静特性を示しており、ガス濃度に対する感度が絶対湿度によって変化することが分かる。
図６は、ステップ＃３において演算された前記第２差分値Δ2 （＝ＳNEW −ＳAVE ）をガス濃度及び絶対湿度別にプロットしたもので、前記第２差分値Δ2 が絶対湿度の変化に大きく依存せず、専らガス濃度に追従して変化することから、絶対湿度補償が適正に行われることを示している。また、このことが、ガス濃度が低濃度程顕著であることから、ステップ＃８において、前記第２閾値Ｖ2 を極めて小さな値、例えば、０に設定して、低濃度ガスの検知が可能なことが分かる。
【００３４】
〔別実施形態〕
以下に別実施形態を説明する。
〈１〉前記センサ出力判定部１０は、必ずしもマイクロコンピュータで構成されなくても構わない。例えば、各部の機能を夫々、Ａ／Ｄ変換器やランダムロジック回路や半導体メモリの組み合わせ、または、それらを内蔵したゲートアレイ等でハードウェアのみの構成としても構わない。
【００３５】
〈２〉前記ガスセンサ１は、必ずしも上記実施形態のものに限定されるものではない。絶対湿度の変動によってセンサ出力が変動する他の形式のガスセンサであってもよい。また、本発明装置は、絶対湿度以外の環境条件の変動によってセンサ出力が変動する場合に対しても、同様のセンサ出力補正が可能である。
【００３６】
〈３〉図３に例示したフローチャートは、本発明装置、特に前記センサ出力判定部１０をソフトウェアで実現するための動作手順の一例を示したものであり、各ステップを他の手順で実行して同様の効果を得るようにしても構わない。
例えば、下記のような変更が可能である。
ステップ＃４、＃５、＃６の実行順序は適宜入れ換えても同様の結果が得られる。また、ステップ＃５、＃６は、必ずしも実行する必要はない。
また、ステップ＃３で前記第２差分値Δ2 を算出せずに、ステップ＃５を実行する場合のその判定処理前、及び、ステップ＃４及び６からステップ＃８への移行途中において前記第２差分値Δ2 を演算するようにしても構わない。
更に、ステップ＃１０は、各ステップ＃３、＃４または＃８の前であっても構わない。前記平均値ＳAVE 及び前記最小値ＳMIN の更新は夫々１０分及び２４時間間隔であるのに対して、前記センサ出力判定部１０の動作は１０秒間隔であるため、前記平均値ＳAVE 及び前記最小値ＳMIN の演算と前記センサ出力判定部１０の実行に使用されるものが、１０分或いは２４時間毎に１０秒ずれるだけであり、全体としては同様の効果が得られる。
【００３７】
〈４〉前記サンプリング周期Ｔ1 、前記サンプリング周期Ｔ2 、前記ポイント数Ｎ、または、前記最小値ＳMIN の更新周期は、必ずしも上記実施形態のものに限定されるものではなく、使用条件に応じて適宜変更或いは調整可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るガス検知装置の一実施の形態を示す機能ブロック構成図
【図２】ガスセンサの一実施の形態を示す回路構成図
【図３】本発明に係るガス検知装置の動作手順を示すフローチャート
【図４】第１差分値Δ1 の時間変化率（Ｖ／秒）をサンプリング周期Ｔ1 別に示す過渡特性図
【図５】ガスセンサのセンサ出力の静特性を示す特性図
【図６】第２差分値Δ2 の湿度特性図
【図７】ガスセンサの湿度特性図
【図８】従来技術におけるセンサ出力の温度補正特性図
【図９】相対湿度センサを用いた従来技術例を示す回路ブロック図
【図１０】絶対湿度センサを用いた従来技術例を示す回路ブロック図
【符号の説明】
１      ガスセンサ
２      サンプリング部
３      平均値演算部
４      第１判定部
５      第２判定部
６      第３判定部
７      最小値記憶部
８      第４判定部
９      報知処理部
１０    センサ出力判定部
Ｔ1     サンプリング周期
ＳNEW   最新のサンプリング値
ＳOLD   旧サンプリング値
ＳAVE   平均値
Δ1     第１差分値
Δ2     第２差分値
Ｖ1     第１閾値
Ｖ2     第２閾値
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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