(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
前面の長手方向に沿って複数のレーザ出射点を配列させた半導体レーザアレイと、前記半導体レーザアレイを搭載させると共に内部に冷媒通路をもったヒートシンクと、前記半導体レーザアレイの前面に対向して配置されると共に前記ヒートシンクに固定されたロッドレンズとを有する半導体レーザユニットを複数段積層させてなる半導体レーザ装置であって、
前記冷媒通路内で気体冷媒を流動させ、前記冷媒通路内で流動する前記気体冷媒を前記各ヒートシンクの外に排出させ、その後、前記気体冷媒は、前記半導体レーザアレイの前記前面と前記ロッドレンズとの間を流動させて、隣接する一方の前記半導体レーザユニットに設けられた前記ロッドレンズと、他方の前記半導体レーザユニットに設けられた前記ロッドレンズとの間から排出させることを特徴とする半導体レーザ装置の冷却方法。
【請求項２】
前記ヒートシンクの外に排出させた前記気体冷媒を、前記半導体レーザアレイの前記前面に沿って流動させることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置の冷却方法。
【請求項３】
前面の長手方向に沿って複数のレーザ出射点を配列させた半導体レーザアレイと、前記半導体レーザアレイを搭載させると共に内部に冷媒通路をもったヒートシンクと、前記半導体レーザアレイの前面に対向して配置されると共に前記ヒートシンクに固定された光学部品とを有する半導体レーザユニットは複数段積層され、
前記ヒートシンク内に形成した前記冷媒通路の一端には気体冷媒導入口が設けられ、前記冷媒通路の他端には、外部に気体冷媒を排出する気体冷媒排出口が設けられ、
前記気体冷媒排出口は、前記半導体レーザアレイの前記前面の近傍に設けられ、前記ヒートシンクには、前記半導体レーザアレイの前記前面に対向して前記光学部材が固定され、前記光学部材と前記半導体レーザアレイの前記前面との間には隙間が設けられ、前記隙間と前記冷媒通路とは、前記気体冷媒排出口を介して連通され、
前記隙間を流動する前記気体冷媒は、隣接する一方の前記半導体レーザユニットに設けられた前記光学部品と、他方の前記半導体レーザユニットに設けられた前記光学部品との間から排出されることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記気体冷媒排出口を、前記半導体レーザアレイの背面の近傍に設けたことを特徴とする請求項３記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記気体冷媒排出口を、前記半導体レーザアレイの側面の近傍に設けたことを特徴とする請求項３記載の半導体レーザ装置。
【請求項６】
前記ヒートシンクの前記冷媒通路の途中には、前記半導体レーザアレイに隣接する位置に冷却フィンが設けられたことを特徴とする請求項３〜５のいずれか一項記載の半導体レーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、固定レーザの励起や微細加工処理等の光源として利用される半導体レーザ装置及びその冷却方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来から一般的に利用されているこの種の半導体レーザ装置として、特開平１０−２０９５３１号公報がある。この装置に適用する半導体レーザアレイには、その出射面上に複数のレーザ出射点が設けられている。また、半導体レーザアレイは、その上面及び下面を一対のサブマウントベースで挟み込まれ、この状態で半導体レーザアレイをヒートシンク上に配置させている。更に、半導体レーザアレイからのレーザ光を集光させる目的で、ロッドレンズからなる集光レンズを半導体レーザアレイの前方に配置させる。そして、ヒートシンクと半導体レーザアレイとサブマウントベースとからなる半導体レーザユニットを、ハウジング内で多段に積層させることで、半導体レーザ装置が構成される。また、半導体レーザアレイを冷却するために、ヒートシンク内には水の循環を可能にする媒体通路が形成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前述した従来の半導体レーザ装置には、次のような課題が存在している。すなわち、水循環用の媒体通路をもった半導体レーザユニットを多段に積層させるように組み立てる際、隣接する半導体レーザユニット同士の冷媒通路を確実に連結させないと水漏れが発生し、ヒートシンク外に冷媒が流出しないような様々な水漏れ対策を必要とし、その結果として、冷媒通路が様々な制約を受けることになる。
【０００４】
本発明は、上述の課題を解決するためになされたもので、特に、冷媒通路の自由なレイアウトを可能にし、しかもヒートシンクから排出した冷媒の有効利用を可能にした半導体レーザ装置及びその冷却方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体レーザ装置の冷却方法は、前面の長手方向に沿って複数のレーザ出射点を配列させた半導体レーザアレイと、半導体レーザアレイを搭載させると共に内部に冷媒通路をもったヒートシンクと、半導体レーザアレイの前面に対向して配置されると共にヒートシンクに固定されたロッドレンズとを有する半導体レーザユニットを複数段積層させてなる半導体レーザ装置であって、
冷媒通路内で気体冷媒を流動させ、冷媒通路内で流動する気体冷媒を、各ヒートシンクの外に排出させ、その後、気体冷媒は、半導体レーザアレイの前面とロッドレンズとの間を流動させて、隣接する一方の半導体レーザユニットに設けられたロッドレンズと、他方の半導体レーザユニットに設けられたロッドレンズとの間から排出させることを特徴とする。
【０００６】
この発明は、前面の長手方向に沿って複数のレーザ出射点を配列させた半導体レーザアレイと、内部に冷媒通路をもったヒートシンクとを有する半導体レーザユニットを複数段積層させてなる半導体レーザ装置を前提としたものである。このような装置に適用する冷却方法においては、空気や窒素ガスなどの気体冷媒をヒートシンクの冷媒通路内で流動させるが、この気体冷媒は、水冷式のように装置内を循環するのではなく、それぞれのヒートシンクから外部に排出される。このような方法を採用する結果として、水冷式のような厳密な冷媒漏れ対策が必要なく、冷媒通路の自由なレイアウトを可能にする。しかも、ヒートシンクから排出した冷媒の有効利用を図るべく、この冷媒で半導体レーザアレイ自体を直接的に冷却させることもできる。
【０００７】
また、ヒートシンクの外に排出させた気体冷媒を、半導体レーザアレイの前面に沿って流動させると好適である。半導体レーザアレイの前面は極めて高温であり、冷却を必要としているが、液体冷媒では半導体レーザアレイの前面を直接的に冷却することが困難である。しかしながら、気体冷媒を利用することで、半導体レーザアレイの前面に沿うような冷媒の流動が可能になり、効率的に半導体レーザアレイの前面を直接冷却することができる。それと同時に、ヒートシンクから流出した気体でレーザ出射点にゴミ等を付着し難くする。
【０００８】
本発明に係る半導体レーザ装置は、前面の長手方向に沿って複数のレーザ出射点を配列させた半導体レーザアレイと、半導体レーザアレイを搭載させると共に内部に冷媒通路をもったヒートシンクと、半導体レーザアレイの前面に対向して配置されると共にヒートシンクに固定された光学部品とを有する半導体レーザユニットは複数段積層され、
ヒートシンク内に形成した冷媒通路の一端には気体冷媒導入口が設けられ、冷媒通路の他端には、外部に気体冷媒を排出する気体冷媒排出口が設けられ、
気体冷媒排出口は、半導体レーザアレイの前面の近傍に設けられ、ヒートシンクには、半導体レーザアレイの前面に対向して光学部材が固定され、光学部材と半導体レーザアレイの前面との間には隙間が設けられ、隙間と冷媒通路とは、気体冷媒排出口を介して連通され、
隙間を流動する気体冷媒は、隣接する一方の半導体レーザユニットに設けられた光学部品と、他方の半導体レーザユニットに設けられた光学部品との間から排出されることを特徴とする。
【０００９】
この発明は、前面の長手方向に沿って複数のレーザ出射点を配列させた半導体レーザアレイと、内部に冷媒通路をもったヒートシンクとを有する半導体レーザユニットを複数段積層させてなる半導体レーザ装置を前提としたものであり、このような装置に適用するヒートシンクの冷媒通路は、空気や窒素ガスなどの気体冷媒が流動することを考慮したものである。この気体冷媒は、水冷式のように装置内を循環するのではなく、それぞれのヒートシンクから外部に排出される。すなわち、ヒートシンクには、外部に気体冷媒を排出するための気体冷媒排出口が設けられる。このような構成を採用する結果として、水冷式のような厳密な冷媒漏れ対策が必要なく、冷媒通路の自由なレイアウトを可能にしている。しかも、ヒートシンクから排出した冷媒の有効利用を図るべく、この冷媒で半導体レーザアレイ自体を直接的に冷却することもできる。
【００１０】
さらに、気体冷媒排出口を、半導体レーザアレイの前面の近傍に設ける。このような構成を採用すると、ヒートシンク外に流出した気体冷媒によって半導体レーザアレイの前面を直接的に冷却することができる。それと同時に、ヒートシンクから流出した気体でレーザ出射点にゴミ等を付着し難くする。
【００１１】
さらに、ヒートシンクには、半導体レーザアレイの前面に対向して光学部材が固定され、光学部材と半導体レーザアレイの前面との間には隙間が設けられ、隙間と冷媒通路とを気体冷媒排出口を介して連通する。半導体レーザアレイの前面は極めて高温であり、冷却を必要としているが、液体冷媒では半導体レーザアレイの前面を直接的に冷却することが困難である。しかしながら、このような構成を採用する結果、半導体レーザアレイの前面に沿うような流路を光学部材で確保することができ、極めて効率的に半導体レーザアレイの前面を直接冷却することができる。それと同時に、流動する気体でレーザ出射点にゴミ等が付着し難くなる。
【００１２】
また、気体冷媒排出口を、半導体レーザアレイの背面の近傍に設けると好適である。このような構成を採用すると、ヒートシンク外に流出した気体冷媒によって半導体レーザアレイの背面を直接的に冷却することができる。
【００１３】
また、気体冷媒排出口を、半導体レーザアレイの側面の近傍に設けると好適である。このような構成を採用すると、ヒートシンク外に流出した気体冷媒によって半導体レーザアレイの側面を直接的に冷却することができる。
【００１４】
また、ヒートシンクの冷媒通路の途中には、半導体レーザアレイに隣接する位置に冷却フィンが設けられると好適である。冷却フィンの採用によって、半導体レーザアレイの冷却効率を格段に高めることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ本発明に係る半導体レーザ装置及びその冷却方法の好適な実施形態について詳細に説明する。
【００１６】
［実施形態１］
図１及び図２に示すように、半導体レーザ装置１は、導電性及び熱伝導性に優れた材質からなるヒートシンク２上に平板状の半導体レーザアレイ３を搭載させた半導体レーザユニット４を複数段（例えば２〜５０段程度）積層させたものである。この半導体レーザアレイ３の前面５上には、長手方向に沿って多数のレーザ出射点３ａを一直線上に配列させている。各半導体レーザアレイ３は、ＧａＡｓ等からなる化合物半導体から構成されており、前面５は、発光領域の大きさが１００μｍ×２μｍ程度のレーザ出射点３ａを有している。
【００１７】
空気、窒素ガス又はヘリウムガスなどの気体冷媒が流動する冷媒通路Ｓをもったヒートシンク２は、銅、銅タングステン、モリブデンなどの導電性及び熱伝導性に優れた材質からなり、三部材で構成されている。例えば、このヒートシンク２は、半導体レーザアレイ３の下面にハンダ付けして半導体レーザアレイ３を搭載させるサブマウントベース７と、隣接する半導体レーザアレイ３の上面に固定した電気接点部材１４に圧接させるベース板８と、ベース板８とサブマウントベース７との間に配置され、ベース板８及びサブマウントベース７にハンダ付けを介して接合させる中間部材９との三部材からなる。
【００１８】
また、ベース板８には、貫通通路１０から前方に向けて広がるように形成した冷媒通路１１が設けられ、中間部材９は、この冷媒通路１１に蓋をするようにベース板８にハンダ付けされる。さらに、サブマウントベース７には前後方向に延びる媒体流路１２が形成されている。この媒体流路１２は、前後に延びる多数の冷却フィン１３により仕切られ、サブマウントベース７の途中から前端まで延在する。
【００１９】
そして、中間部材９に形成した横長の連通口１５によって、ベース板８内の冷媒通路１１とサブマウントベース７の冷媒通路１２とを連通させ、ヒートシンク２内に冷媒通路Ｓを形成する。また、この中間部材９には、ベース板８の貫通通路１０に連通する貫通通路１６が設けられている。また、電気接点部材１４には、隣接するベース板８の底面への圧接を可能にする半円弧状の板バネ部１４ａが複数個設けられ、各板バネ部１４ａを、接地板１４ｂの端部で長手方向に並設される。そして、サブマウントベース７に固定した載置板１７上に各板バネ部１４ａを載せる。この載置板１７は、半導体レーザアレイ３と同程度の厚みを有すると共に、半導体レーザアレイ３への電流の流れ込みを確実にするために、例えば、セラミックス等の電気絶縁材料で形成される。
【００２０】
このようして構成した各半導体レーザユニット４を、図２及び図３に示すように、弾性変形可能な例えばシリコンゴムやウレタンゴムなどからなる電気絶縁用スペーサ１８を介してボックス（図示せず）内で複数段（例えば２〜５０段程度）に積層し、ネジやクランプ治具等で一体化することで、半導体レーザ装置１が組み立てられる。この組立てにあたって、半導体レーザユニット４間に装填したスペーサ１８は、ヒートシンク２間の直接的な電気的導通を回避させる。これによって、外部から印加させる電流は、電気接点部材１４を介して半導体レーザアレイ３の積層方向に沿って効率良く流れる。また、ヒートシンク２間の冷媒の流動を可能にするように、スペーサ１８には、貫通通路１０，１６に連通する貫通通路１９が設けられている。そして、このスペーサ１８にヒートシンク２を圧着することで、気体冷媒の漏れが防止される。
【００２１】
このようにして組立てられた半導体レーザ装置１には、光学部材の一例としてのロッドレンズ２１が取り付けられている。各ロッドレンズ２１は、レーザ光を集光させるためのものであり、半導体レーザアレイ３の前面５に対向して設けられている。また、中間部材９の前面には、細長く延在した接着剤収容凹部２２が設けられ、この接着剤収容凹部２２内に装填した高粘度の接着剤Ｐによって、ロッドレンズを中間部材９に固定させる。
【００２２】
また、半導体レーザアレイ３の前面５とロッドレンズ２１の背面２１ａとの間には、所定の離間距離δ（例えば１〜２ｍｍ程度）をもった隙間Ｋが形成される。そして、サブマウントベース７の冷媒通路１２の前端に設けられた気体冷媒排出口２３を介して、サブマウントベース７の冷媒通路１２と隙間Ｋとを連通させる。その結果、ヒートシンク２から排出させた気体冷媒を、隙間Ｋに流し込むことができ、気体冷媒は、レーザ励起状態時において高温になっている半導体レーザアレイ３の前面５に沿って流動する。気体のこのような流動により、半導体レーザアレイ３の前面５の直接的な冷却と、レーザ出射点３ａに対するゴミ等の付着防止を達成させる。そして、隣接する一方のロッドレンズ２１と他方のロッドレンズ２１との間から気体冷媒を排出する(図３参照)。
【００２３】
さらに、ヒートシンク２内に設けられた冷媒通路Ｓの一端において、ポンプなどの気体圧送手段（図示せず）の配管に接続される気体冷媒導入口２６を確保し、この冷媒通路Ｓの他端において、外部に気体冷媒を排出する気体冷媒排出口２３を確保すると、水冷式のような厳密な冷媒漏れ対策の必要がなくなる。このことは、冷媒通路Ｓの自由なレイアウト設計が可能となり、組立て作業性を良好にし、組立てコストの低減を可能にする。しかも、気体冷媒を利用する利点としては、前述したように、ヒートシンク２外に排出させた気体冷媒で半導体レーザアレイ３を直接的に冷却させることができる。
【００２４】
冷媒通路Ｓの変更例として、図４に示すサブマウントベース２５について説明する。このサブマウントベース２５には、前後方向に延びる媒体流路２８が形成され、この媒体流路２８は、前後に延びる多数の冷却フィン２９により仕切られている。そして、複数の冷媒流路２８のうちの４本の冷媒流路２８ａを、サブマウントベース２７の前端から後端まで延在させる。これによって、サブマウントベース２５の後端にも気体冷媒排出口２７を形成することができる。気体冷媒をこの気体冷媒排出口２７から排出させる結果、電気接点部材１４の直接冷却を可能にする。このことは、半導体レーザアレイ３の出力効率を高めるものである。
【００２５】
［実施形態２］
この実施形態の説明において、第１の実施形態と同等の構成要素については同一符号を付して、その説明を省略する。
【００２６】
図５に示すように、接着剤収容凹部３０をもった中間部材３１には、ベース板８内の冷媒通路１１とサブマウントベース７の冷媒通路１２とを連通させるための連通口３２が設けられている。また、中間部材３１には、ベース板８の貫通通路１０に連通する貫通通路３３が設けられている。さらに、この中間部材３１には、半導体レーザアレイ３の側面５ａの近傍に位置する気体冷媒排出口３４（図６参照）が設けられ、この気体冷媒排出口３４によって、半導体レーザアレイ３の側面５ａを気体冷媒で直接冷却することができる。このことは、半導体レーザアレイ３の出力効率を高めるものである。なお、気体冷媒排出口３４から流出した気体は、ボックスＢの内壁面Ｐに沿って流動する。
【００２７】
さらに、図７に示すように、中間部材３１において、気体冷媒排出口３６が、連通口３２と貫通通路３３との間でサブマウントベース７の背面近傍に設けられている。そして、この気体冷媒排出口３６から気体冷媒を排出すると、スペーサ１８によって作り出された排気空間Ａ内に冷媒を流出させることができ、これによって、電気接点部材１４を直接冷却することができる。このことは、半導体レーザアレイ３の出力効率を高めるものである。
【００２８】
さらに、サブマウントベース７には、半導体レーザアレイ３の背面５ｂ近傍に位置する気体冷媒排出口３７が設けられている。そして、この気体冷媒排出口３７から気体冷媒を排出することで、半導体レーザアレイ３の背面５ｂを直接冷却することができる。また、電気接点部材１４の接地板１４ｂに気体冷媒排出口３８を形成すると、半導体レーザアレイ３の背面５ａに沿って流動する気体を、排気空間Ａ内に適切に排出することができる。なお、ベース板８には、冷媒通路１１に連通する気体冷媒排出口３９が形成されている。そして、この気体冷媒排出口３９が半導体レーザアレイ３の真上に設けられることで、ベース板８内で流動する気体の一部を排気空間Ａ内に流出させながら、半導体レーザアレイ３の上面側を冷却し続けることができる。
【００２９】
［実施形態３］
この実施形態の説明において、第１の実施形態と同等の構成要素については同一符号を付して、その説明を省略する。
【００３０】
図８及び図９に示すように、接着剤収容凹部４０をもった中間部材４１には、前後方向に延びる媒体流路４２が形成され、この媒体流路４２は、前後に延びる多数の冷却フィン４３により仕切られている。冷媒流路４２は、中間部材４１の途中から前端まで延在する。さらに、この中間部材４１には、ベース板８内の冷媒通路１１と中間部材４１の冷媒通路４２とを連通させるための連通口４４が２本設けられている。また、中間部材４１には、ベース板８の貫通通路１０に連通する貫通通路４６が設けられている。さらに、この中間部材４１には、半導体レーザアレイ３の側面５ａの近傍に位置する気体冷媒排出口４７が設けられ、この気体冷媒排出口４７によって、半導体レーザアレイ３の側面５ａを気体冷媒で直接冷却することができる。このことは、半導体レーザアレイ３の出力効率を高めるものである。
【００３１】
さらに、中間部材４１においては、冷媒通路１１に連通する気体冷媒排出口４８が、連通口４４と貫通通路４６との間でサブマウントベース５０の背面近傍に設けられている。この気体冷媒排出口４８から気体冷媒を排出すると、スペーサ１８によって作り出された排気空間Ａ内に冷媒を流出させることができ、これによって、電気接点部材１４を直接冷却することができる。このことは、半導体レーザアレイ３の出力効率を高めるものである。
【００３２】
さらに、サブマウントベース５０には、連通口４４に連通し且つ半導体レーザアレイ３の背面５ｂ近傍に位置する気体冷媒排出口５１が設けられている。よって、この気体冷媒排出口５１から気体冷媒を排出することで、半導体レーザアレイ３の背面５ｂを直接冷却することができる。さらにまた、電気接点部材１４の接地板１４ｂに気体冷媒排出口５２を形成すると、半導体レーザアレイ３の背面５ａに沿って流動する気体を、排気空間Ａ内に適切に排出することができる。
【００３３】
なお、図１０に示すように、別の中間部材５４としては、複数の冷媒流路４２のうちの４本の冷媒流路４２ａを後端に向けて延長する。これによって、排気空間Ａに連通する気体冷媒排出口５５をサブマウントベース５０の後端近傍に形成することができる。
【００３４】
［実施形態４］
この実施形態の説明において、第１の実施形態と同等の構成要素については同一符号を付して、その説明を省略する。
【００３５】
図１１及び図１２に示すように、接着剤収容凹部６０をもった中間部材６１の表面側には、サブマウントベース７を配置させるための切欠き部６２が形成され、中間部材６１の裏面側には、貫通通路６３から前方に向けて広がるように形成した冷媒通路６４が設けられている。そして、貫通通路６５をもったベース板６６は、冷媒通路６４に蓋をするように中間部材６１にハンダ付けされる。よって、ベース板６６と中間部材６１との協働によって、所望の大きさをもった冷媒流路Ｓの一部が形成される。さらに、ベース板６６には、冷媒通路６４に連通する気体冷媒排出口６８が設けられ、この気体冷媒排出口６８によって、排気空間Ａ内に気体を排出することができる。
【００３６】
【発明の効果】
本発明による半導体レーザ装置の冷却方法は、前面の長手方向に沿って複数のレーザ出射点を配列させた半導体レーザアレイと、半導体レーザアレイを搭載させると共に内部に冷媒通路をもったヒートシンクと、半導体レーザアレイの前面に対向して配置されると共にヒートシンクに固定されたロッドレンズとを有する半導体レーザユニットを複数段積層させてなる半導体レーザ装置であって、
冷媒通路内で気体冷媒を流動させ、冷媒通路内で流動する気体冷媒を、各ヒートシンクの外に排出させ、その後、気体冷媒は、半導体レーザアレイの前面とロッドレンズとの間を流動させて、隣接する一方の半導体レーザユニットに設けられたロッドレンズと、他方の半導体レーザユニットに設けられたロッドレンズとの間から排出させることにより、冷媒通路の自由なレイアウトを可能にし、しかもヒートシンクから排出した冷媒の有効利用が可能になる。
【００３７】
また、本発明による半導体レーザ装置は、前面の長手方向に沿って複数のレーザ出射点を配列させた半導体レーザアレイと、半導体レーザアレイを搭載させると共に内部に冷媒通路をもったヒートシンクと、半導体レーザアレイの前面に対向して配置されると共にヒートシンクに固定された光学部品とを有する半導体レーザユニットは複数段積層され、
ヒートシンク内に形成した冷媒通路の一端には気体冷媒導入口が設けられ、冷媒通路の他端には、外部に気体冷媒を排出する気体冷媒排出口が設けられ、
気体冷媒排出口は、半導体レーザアレイの前面の近傍に設けられ、ヒートシンクには、半導体レーザアレイの前面に対向して光学部材が固定され、光学部材と半導体レーザアレイの前面との間には隙間が設けられ、隙間と冷媒通路とは、気体冷媒排出口を介して連通され、
隙間を流動する気体冷媒は、隣接する一方の半導体レーザユニットに設けられた光学部品と、他方の半導体レーザユニットに設けられた光学部品との間から排出されることにより、冷媒通路の自由なレイアウトを可能にし、しかもヒートシンクから排出した冷媒の有効利用が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る第１例の半導体レーザ装置に適用する半導体レーザユニットを示す分解斜視図である。
【図２】本発明に係る半導体レーザ装置を示す断面図である。
【図３】図２に示した半導体レーザ装置の要部拡大断面図である。
【図４】別のサブマウントベースを示す斜視図である。
【図５】本発明に係る第２例の半導体レーザ装置に適用する中間部材を示す斜視図である。
【図６】図５に示した中間部材が組み込まれた半導体レーザユニットを示す斜視図である。
【図７】第２例の半導体レーザ装置の要部拡大断面図である。
【図８】本発明に係る第３例の半導体レーザ装置に適用する中間部材及びベース板を示す斜視図である。
【図９】第３例の半導体レーザ装置の要部拡大断面図である。
【図１０】別の中間部材を示す斜視図である。
【図１１】本発明に係る第４例の半導体レーザ装置に適用するヒートシンクを示す斜視図である。
【図１２】第４例の半導体レーザ装置の要部拡大断面図である。
【符号の説明】
Ｓ…冷媒通路、１…半導体レーザ装置、２…ヒートシンク、３…半導体レーザアレイ、３ａ…レーザ出射点、４…半導体レーザユニット、５…半導体レーザアレイの前面、５ａ…半導体レーザアレイの側面、５ｂ…半導体レーザアレイの背面、１３，４３…冷却フィン、２１…ロッドレンズ（光学部材）、２３，３４，３７，４７，５１…気体冷媒排出口、２６…気体冷媒導入口。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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