(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）ＲＴx（ここで、Ｒは式（２）ＴｂｙＤｙ（１−ｙ）で示す組成であって、ｙが、０．２７＜ｙ≦０．５０の範囲にある、ＴはＦｅ、Ｃｏ及びＮｉのなかの１種以上である、ｘは１＜ｘ＜３を表す。）で表される合金の粉末であって、この粉末を、真空雰囲気中又は分子量が３０以下のＨｅ、Ｎｅ、Ｈ2のうち少なくとも１種以上を含む雰囲気であって、１１５０℃以上で１２４０℃以下で焼結し、かつ、熱間等方加圧処理する
ことを特徴とする焼結体の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の焼結体の製造方法において、粉末の平均粒径が、１０〜３０μｍである
ことを特徴とする焼結体の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の焼結体の製造方法において、熱間等方加圧処理時の雰囲気が、真空である
ことを特徴とする焼結体の製造方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の焼結体の製造方法において、焼結の昇温過程で６００℃以上の範囲における又は安定温度での熱処理おける雰囲気が、式（３）Ｈ2：Ａｒ＝ｚ：１００−ｚ（ここで、ｚはｚ＞５０vol％と表される。）で表される雰囲気である
ことを特徴とする焼結体の製造方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の焼結体の製造方法において、
焼結及び熱間等方加圧処理後に、Ａｒガス雰囲気中で１１５０℃〜１２４０℃で焼鈍する
ことを特徴とする焼結体の製造方法。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかに記載の焼結体の製造方法において、
焼結体の相対密度が、９８％以上である
ことを特徴とする焼結体の製造方法。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載の焼結体の製造方法により製造される
ことを特徴とする焼結体。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかに記載の焼結体の製造方法により製造される
ことを特徴とする磁歪材料。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高い密度が得られる焼結体の製造方法及びこの製造方法により製造される高い密度を有する焼結体と磁歪材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】
金属又は合金粉末を高温に加熱して焼結することで、一定の形状の焼結体を製造するのが粉末冶金法である。この粉末冶金法により多孔質から緻密質までの幅広い組織を有する焼結体を製造することができるため、軸受け、工具用の機械部品から磁歪素子、磁石などの機能材料まで幅広く利用されている。
しかし、粉末の一定の形状に成形した成形体は、粉末粒子間の隙間があり、焼結によっても隙間が残って気孔となり、焼結体の高密度化を阻んでいる。また、焼結は、酸化を防止するためにＡｒガス、Ｎ2ガス等の分子量の大きいガス雰囲気で行われることが多い。これらのガス雰囲気中で焼結された焼結体は、内部の閉気孔にＡｒガス等が充填されており、焼結等により体積が収縮したときに、Ａｒガス等の体積が減ずるにつれて内部の閉気孔内のガス圧力が高くなり、内部応力となって焼結体に作用し、焼結体の内部に歪み生ずる。
【０００３】
一方、粉末冶金法を用いて製造される磁歪材料では、さらに、飽和磁歪定数の大きい材料が求められており、Ｒ（希土類、以下元素記号で記す。）とＦｅの化合物などが提案されている。特に、ＲとＦｅの化合物として、ＲＦｅ2ラーベス型金属間化合物が挙げられるが、このＲＦｅ2ラーベス型金属間化合物は、外部磁界が大きいときには磁歪値が大きいが、外部磁界が小さいときには磁歪値が十分ではない。そこで、ＲＦｅ2ラーベス型金属間化合物において、さらに高い磁歪値を有する磁歪材料が求められている。この磁歪値を大きくするための手段として、粉末冶金法で製造するときの焼結体の密度を大きくすることが挙げられる。しかし、粉末冶金法で製造される磁歪材料で閉気孔がある場合、閉気孔内のガス圧力が高くなり、内部応力となって焼結体に作用し、内部歪み生じ、磁歪値が低下する。また、長期間磁歪素子として使用している間に内部応力により閉気孔から割れが生ずることがある。また、開気孔がある場合は、長期間使用している間に、Ｔｂ等の希土類金属の乾食が進行して酸化が進み、それに伴い磁歪特性が低下する。特に、希土類金属を含む磁歪材料では、大気中８０℃以上で乾食が激しくおこり、磁歪値が低下する。
【０００４】
したがって、気孔を少なくして高い密度を有する磁歪材料等の焼結体を製造する方法として、例えば、（１）特開昭６２−２０２５０６号公報では、Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系の磁石材料で、ホットプレスで塑性加工して高保磁力とする永久磁石、（２）特開平６−１９２７０９号公報では、異方性磁性粉に超塑性金属粉及び熱分解バインダーを加えて、磁場配向等をさせて配向性を付与した後、バインダーを熱分解して消失させ、さらに、本焼成、熱間等方加圧（以下、「ＨＩＰ」と記す。）成形を行う異方性磁性粉の成型方法、（３）特開平１０−１８９３１９号公報では、Ｒ−Ｆｅ族−Ｂ系永久磁石を製造する方法において、磁性粉末を圧縮圧力と直接通電により成形したり、ホットプレスやＨＩＰなどの比較的低圧力により磁石粉末を高密度化することが可能な永久磁石用原料粉末の製造方法等が提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述提案の製造方法等では、不活性ガスのＡｒガス等の中で焼結されるため焼結体の内部の閉気孔にＡｒガスが充満しており、ＨＩＰ処理されて圧縮されると閉気孔内のＡｒガスによる内圧で歪みが生ずる、特に磁歪材料に適用すると歪みで磁歪値等の磁気特性が低下するという問題点がある。
【０００６】
そこで、本発明の課題は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、緻密で密度の高い焼結体の製造方法を提供することである。さらに、焼結体の製造時における酸化物の含有量を少なくする焼結体の製造方法を提供することである。
また、緻密で密度が高く、かつ、内圧の低い閉気孔を有することで内部歪み少ない焼結体及び磁歪材料を提供することである。さらに、磁歪値を大きくし、さらに、クラックなどの割れの発生しない磁歪材料を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を達成するために、本発明の焼結体の製造方法は、式（１）ＲＴx（ここで、Ｒは式（２）ＴｂｙＤｙ（１−ｙ）で示す組成であって、ｙが、０．２７＜ｙ≦０．５０の範囲にある、ＴはＦｅ、Ｃｏ及びＮｉのなかの１種以上である、ｘは１＜ｘ＜３を表す。）で表される合金の粉末であって、この粉末を、分子量が３０以下のＨｅ、Ｎｅ、Ｈ2のうち少なくとも１種以上を含む雰囲気であって、１１５０℃以上で１２４０℃以下で焼結し、かつ、熱間等方加圧処理することを特徴とする。
また、本発明の焼結体の製造方法は、さらに、粉末の平均粒径が、１０〜３０μｍであることを特徴とする。
また、本発明の焼結体の製造方法は、さらに、熱間等方加圧処理時の雰囲気が、真空であることを特徴とする。
また、本発明の焼結体の製造方法は、さらに、焼結の昇温過程で６００℃以上の範囲における又は安定温度での熱処理おける雰囲気が、式（３）Ｈ2：Ａｒ＝ｚ：１００−ｚ（ここで、ｚはｚ＞５０vol％と表される。）で表される雰囲気であることを特徴とする。
また、本発明の焼結体の製造方法は、さらに、焼結及び熱間等方加圧処理後に、Ａｒガス雰囲気中で１１５０℃〜１２４０℃で焼鈍することを特徴とする。
また、本発明の焼結体の製造方法は、さらに、焼結体の相対密度が、９８％以上であることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明の焼結体は、上述のいずれかに記載の焼結体の製造方法により製造されることを特徴とする。
また、本発明の磁歪材料は、上述のいずれかに記載の焼結体の製造方法により製造されることを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態を詳細に説明する。
本発明の焼結体の製造方法では、式（１）ＲＴx（ここで、Ｒは１種類以上の希土類金属、Ｔは１種類以上の遷移金属であり、ｘは１＜ｘ＜３を表す。）で表される合金の粉末であって、この粉末を、真空雰囲気中又は分子量が３０以下のガスを含む雰囲気で焼結し、かつ、熱間等方加圧（以下、「ＨＩＰ」と記す。）処理をする。
ここで、Ｒは、Ｙを含むランタノイド系列、アクチノイド系列の希土類金属を表している。Ｒとしては、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏの希土類金属が好ましく、Ｒは、Ｔｂ、Ｄｙがより一層好ましい。これは、Ｔｂ等が形成するＲＴ2ラーベス型金属間化合物は、キュリー温度が高く、磁歪値が大きいからである。また、Ｒは、これらの希土類金属を混合してもよい。特に、式（２）ＴｂyＤｙ(1-y)で表される合金で、ｙは０．２７＜ｙ≦０．５の範囲にあることが好ましい。飽和磁歪定数が大きく、大きな磁歪値が得られるからである。ｙが０．２７以下では室温以下では十分な磁歪値を示さず、０．５を越えると室温付近では十分な磁歪値を示さない。
【００１０】
Ｔは、遷移金属を表しており、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｍｏ等をあげることができる。Ｔとして、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉが一層好ましく、これらを混合して用いることができる。特に、Ｆｅは、Ｔｂ、Ｄｙと磁歪特性の高い（Ｔｂ、Ｄｙ）Ｆｅ2金属間化合物を形成する。このときに、Ｆｅの一部をＣｏ、Ｎｉで置換するものであってもよいが、Ｃｏは磁気異方性を大きくするが透磁率を低くし、また、Ｎｉはキュリー温度を下げ、結果として常温・高磁場での磁歪値を低下させるために、Ｆｅは７０wt％以上、一層好ましくは８０wt％以上が良い。
【００１１】
ｘは、１＜ｘ＜３の範囲にあることを表している。ｘ＝２のＲＴ2で、ラーベス型金属間化合物を形成する。ＲＴ2は結晶磁気異方性が小さく、しかも、磁歪値が大きいため、磁歪材料に適する。ここで、ｘが１以下では、焼結後の［１１１］軸方向の配向度が低くなってしまい、ｙが３以上では、ＲＴ３等のＴリッチの他相が多くなり、このため、磁場中成形による配向度が低くなり、それにつれて焼結後の磁歪材料の配向度も低くなる。
【００１２】
本発明の焼結体の製造方法では、式（１）ＲＴxで表される合金を作製し、これを粉砕して粉末にして焼結する。粉砕処理では、湿式ボールミル、アトライタ、アトマイザー等の粉砕機から適宜選択することができる。特に、アトマイザーが好ましい。衝撃と剪断を同時にかけることができ、粉体の凝集を防ぎ、かつ生産性が高いからである。ここで、粉末の平均粒径は、１０μｍ以上３０μｍ以下、一層好ましくは２０μｍ以上３０μｍ以下が良い。Ａｒ、Ｎ2等の不活性ガスによる雰囲気における通常の焼結では、１０μｍ以上の合金の粉末は、粒径が大きいために表面エネルギーが小さく、熱処理しても焼結が進行しにくく、かつ密度を高くすることが困難である。また、平均粒径が１０μｍ未満では、表面積が大きくなり、粉砕時に酸化し粉末表面に酸化膜が形成されるために焼結が進まず焼結体密度を高くすることができない。平均粒径が３０μｍを越えると、表面エネルギーが小さいために焼結が進みにくく、焼結体密度が高くならず、また、焼結が進まないために内部に開気孔及び閉気孔が多くなる。
【００１３】
このような式（１）ＲＴxで表される合金の粉末を、焼結前に所望の形状に成形するが、この成形時は磁場中で行うことで、結晶方向を一定方向に揃えて、配向性の高い焼結体を得ることができる。印加する磁場は、０．２４ＭＡ／ｍ以上、好ましくは０．４８ＭＡ／ｍ以上が良い。成形圧力は、０．０５ＭＰａ以上で、好ましくは０．３０ＭＰａ以上が良い。
焼結の熱処理条件は、１１５０℃以上で１２４０℃以下で焼結する。熱処理時間は、１〜１０時間行うことがよい。１１５０℃以下では結晶成長が不足し、１２４０℃以上では溶融状態になるからである。
【００１４】
焼結の雰囲気は、真空雰囲気ないし分子量が３０以下のガス、特に、Ｎｅ、Ｈｅの不活性ガス又はＨ2ガスを含む雰囲気がよい。
真空雰囲気中で焼結することで、合金の粉末の酸化を防止することができる。また、閉気孔が存在する場合でも、閉気孔にガスが残留しないために内圧が生ぜず、磁歪値等を低下させることがない。
低分子量、特に、分子量が３０以下のガスとして不活性ガスＮｅ、Ｈｅを含む雰囲気では、不活性ガスであり合金の粉末の酸化を防止することができる。また、Ｎｅ、Ｈｅ等が閉気孔に充填されている場合でも、低分子量のＮｅ等は、焼結体の粒界を通じ、焼結体の外部に散逸させる。
また、Ｈ2を含む雰囲気では、Ｈ2は還元作用があり、酸化膜を形成することがない。また、Ｈ2は式（１）ＲＴxの合金に吸蔵されて、内部に侵入又は水素化物を形成しやすい。このために、たとえ閉気孔中にＨ2が残留しても、Ｈ2は水素化物等を形成しながら移動して、ついには焼結体の外部表面に達し外部に散逸させることができる。これにより、焼結体内部に形成される閉気孔に雰囲気のＨ2ガスが残留しない。
【００１５】
また、本発明の昇温過程で６００℃以上になったとき又は１１００℃以上の安定温度で熱処理するときの雰囲気として、式（３）Ｈ2：Ａｒ＝ｚ：１００−ｚで表され、ｚがｚ＞５０vol％で表される雰囲気中で焼結することが望ましい。Ａｒは、分子量３９と３０以上であるために、焼結体の粒界及び内部を通過することも難しい。しかし、Ｈ2が５０vol％以上であれば、閉気孔に雰囲気の混合ガスが残留しても、Ｈ２が散逸して消失し、内部の閉気孔に残留しないために、内部応力による歪みが生ずることがなく、磁歪値を低下させることがない。従って、Ｎｅ等又はＨ2のように外部に散逸するガスを含むものであれば、Ａｒとの混合ガスであっても良い。特に、混合ガスとしてはＨ2を含むことが好ましい。Ｈ2は、散逸する速度が速いからである。
ここで、６００℃以上になったとき又は１１００℃以上の安定温度で熱処理するときに、式（３）で表されるＡｒ・Ｈ2混合ガスの雰囲気にする。Ｒ、Ｔの金属が軟化して、粉末粒子の弾性変形開始しによる焼結の進行に合わせるためであり、さらに、残留する微量の酸素による酸化を防止するためである。焼結体が含有する酸素量としては、多くとも２５００ｐｐｍ以下、さらに、２０００ｐｐｍ以下が一層好ましい。酸化により合金粉末の表面に酸化膜が形成されると、焼結が阻害され、焼結体密度が大きくならない。また、磁歪材料の内部に分散して不純物介在物になり、磁歪値、透磁率等の磁気特性を低下させるからである。
【００１６】
さらに、本発明の焼結体の製造方法では、焼結後に、ＨＩＰ処理を行う。この等方圧を印加するには、ＨＩＰ装置を用いる。ＨＩＰ処理は、すべての方向から印加する圧力を等しく行うものである。等方圧を印加することで、焼結体密度を高くして焼結体内部の閉気孔及び開気孔を減少させることができる。また焼結体内部の密度を均等にすることができる。
さらに、ＨＩＰ処理は、真空中で行う。真空中で行うことで、合金粉末の酸化を防止する。また、真空中で等方圧を印加しているので、１方向から圧力を印加しているときに比べて、Ｎｅ、Ｈ2等の移動を容易にすることができ、焼結体密度を高くし緻密にすることができる。
【００１７】
また、本発明では、ＨＩＰ処理により焼結体の相対密度を９８％以上にする。９８％以下では、閉気孔及び開気孔の割合が高くなり、Ｒの乾食が進行して酸化が進み、長期間使用している間に磁歪値等の磁気特性が低下する。さらに、相対密度が低く気孔が多いと、長期間の使用による応力により割れが発生する。これらを防止するために、焼結体の相対密度を９８％以上にする。
【００１８】
また、本発明では、焼結及びＨＩＰ処理後に、Ａｒガス雰囲気中で１１５０℃〜１２４０℃で焼鈍する。ＨＩＰ処理等により生じた焼結体の内部歪みを除去するためである。１１５０℃未満では、内部歪みを除去するために長時間が必要であり効率的ではない。１２４０℃を越えると、式（１）ＲＴxで表される合金の融点に近くなるために焼結体が溶融することがあり、また、他のＲＴ3相が析出する。また、閉気孔内部に焼結時の雰囲気ガス、焼結体の成分の分解によるガスが充填されている場合、ＨＩＰ処理により圧縮され閉気孔の体積が減少すると同時にガスの圧力が高くなっている。次に、焼鈍により加熱されるとガスが膨張し焼結体にクラックが発生することがある。しかしながら、本発明のように低分子量のガスを用いることで、焼結時のガスが残留することがないために、焼鈍によりクラックが発生することがなく、内部歪みを除去することができる。また、内部歪みを除去することで、磁歪値等の磁気特性を向上させることができる。
【００１９】
以上、本発明の焼結体の製造方法により、緻密で密度の高い焼結体、さらに、焼結体の製造時における酸化物の含有量を少なくする焼結体を製造することができる。また、この製造方法により、緻密で密度が高く、かつ、内圧の低い閉気孔を有することで内部歪み少ない焼結体及び磁歪材料をえることができる。さらに、磁歪値を大きくし、さらに、クラックなどの割れの発生しない磁歪材料を得ることができる。
【００２０】
【実施例】
以下に、本発明の実施例を具体的に説明する。
ここで、本発明の製造方法を説明するとともに、製造した焼結体としての磁歪材料の焼結体の相対密度、磁歪値を評価する。
（実施例１）
Ｔｂ、Ｄｙ、Ｆｅを秤量して、Ａｒガス雰囲気中で溶融して、Ｔｂ0.4Ｄｙ0.6Ｆｅ1.93の組成を有する合金を作製した。この合金とＤｙＨ2とＦｅを混合して、Ａｒガス雰囲気中で、アトマイザーで粉砕した。平均粒径は、サブシブサイザー（フィッシャー社製）で測定した。
次に、この粉末を０．８０ＭＡ／ｍの磁場中で、直径３．５×３０ｍｍの円柱状に成形した。この成形体を、Ａｒガス雰囲気で昇温して、６００℃になったところで真空中にして焼結する。このときの温度プロファイルを図１に示す。さらに、この焼結体をＨＩＰ処理する。このときの、温度及び圧力プロファイルを図２に示す。さらに、ＨＩＰ処理品を焼鈍する。このときの、温度プロファイルを図３に示す。
このようにして製造された焼結体の相対密度及び磁歪値を表１に示す。
焼結体の相対密度は、試料の大きさを測定し、真密度に対する比率（％）で表す。磁歪値は、直径３．５×３０ｍｍの円柱に歪みゲージを貼りつけた試料を磁場中に設置して測定した。
【００２１】
（比較例１）
成形体をＡｒガス雰囲気中で焼結した以外は、実施例１と同様にして製造した。
【表１】
0004127599.tif 000002
また、図４及び図５は、それぞれ実施例１と比較例１の焼結体内部を顕微鏡で観察した写真である。（ａ）は焼結後の焼結体内部の写真であり、（ｂ）はＨＩＰ処理後の焼結体内部の写真であり、（ｃ）は焼鈍後の焼結体内部の写真である。
【００２２】
表１から、実施例１と比較例１は、焼結後の焼結体密度は、ほぼ同等の値である。これは、図４（ａ）と図５（ａ）とを比較しても、黒い気孔部分が同等であり、多くあることがわかる。
しかし、実施例１では、焼結後のＨＩＰ処理後及び焼鈍後で、焼結体密度が高くなり、両方とも９９．１％と９８％以上になっている。これは、図４（ｂ）と図４（ｃ）からも明らかで、黒い気孔部分がほとんどないことがわかる。また、焼鈍後の磁歪値がＨＩＰ処理後の磁歪値より大きくなっていることから、内部歪みが少ないことがわかる。
なお、実施例１の焼結後の焼結体では、気孔が多いために長期間の使用で磁歪値が大きく低下し、また、繰り返し使用で、内部応力が繰り返し発生することでクラックが発生する場合があった。
比較例１では、焼結後のＨＩＰ処理後に９８．３％と９８％以上になっているが、実施例１と比較すると、磁歪値がほぼ２０ｐｐｍ程度低くなっている。また、比較例１で焼鈍後は、磁歪値は高いが焼結体密度が９３．５％と低く、かつ、焼鈍後に多数のクラックが発生した。これは、図５（ｂ）と図５（ｃ）からも明らかで、ＨＩＰ処理後は気孔部分がほとんどないが、焼鈍時に閉気孔内部に残留したＡｒガスが膨張し、閉気孔が大きくなっていることがわかる。このために、内部歪みが大きくなりクラックが発生したものと考えられる。なお、比較例１の焼結後の焼結体では、気孔が多いために長期間の使用で磁歪値が大きく低下した。
以上のことから、実施例１に示すように、真空中の焼結と、その後のＨＩＰ処理又は焼鈍で高い焼結体密度と磁歪値を得ることができる。
【００２３】
（実施例２及び３）
焼結時の混合ガスガス雰囲気を、実施例２ではＨ2：Ａｒ＝１００：０の混合ガス雰囲気で、実施例３ではＨ2：Ａｒ＝６５：３５の混合ガス雰囲気で焼結した以外は、実施例１と同様に製造した。
このようにして製造された磁歪材料の焼結体の相対密度及び磁歪値を表２に示す。
（比較例２及び３）
焼結時の混合ガスガス雰囲気を、比較例２ではＨ2：Ａｒ＝５０：５０の混合ガス雰囲気で、比較例３ではＨ2：Ａｒ＝３５：６５の混合ガス雰囲気で焼結した以外は、実施例１と同様に製造した。
【表２】
0004127599.tif 000003
また、図６、図７、図８及び図９は、それぞれ実施例２、実施例３、比較例２と比較例３の焼結体内部を顕微鏡で観察した写真である。（ａ）は焼結後の焼結体内部の写真であり、（ｂ）はＨＩＰ処理後の焼結体内部の写真であり、（ｃ）は焼鈍後の焼結体内部の写真である。
【００２４】
表２から、実施例２では、ＨＩＰ処理後と焼鈍後の焼結体密度はほとんど同じで、気孔内に残量したＨ2が、ほとんど散逸したことがわかる。これは、図６（ｂ）と図６（ｃ）の写真を比較しても、気孔がほとんど同じ割合であることからも明らかである。実施例３では、Ａｒガスが３５％あるために、ＨＩＰ処理後の焼結体密度が９９．４％であるが、焼鈍後の焼結体密度が９８．７％と若干低下している。これは、残留しているＡｒガスが散逸できず、膨張したためである。ただし、焼鈍により残留歪みが除去できているために、磁歪値は大きくなっている。
比較例２と比較例３から、焼鈍によりＨＩＰ処理後より磁歪値は大きくなっているが、焼結体密度は、残留するＡｒガスの影響で明らかに小さくなっていることがわかる。なお、比較例２では、焼鈍後の焼結体が、長期間の使用で磁歪値が大きく低下し、かつ、磁歪素子として使用しているときにクラックが発生した。比較例３では、焼鈍後に多数のクラックが発生した。
【００２５】
【発明の効果】
以上、本発明の焼結体の製造方法では、緻密で密度の高い焼結体、さらに、焼結体の製造時における酸化物の含有量を少なくする焼結体を得ることができる。また、この焼結体の製造方法により、緻密で密度が高く、かつ、内圧の低い閉気孔を有することで内部歪み少ない焼結体と磁歪材料をえることができる。さらに、磁歪値を大きくし、さらに、クラックなどの割れの発生しない磁歪材料を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の焼結の熱処理条件を示すグラフである。
【図２】本発明のＨＩＰ処理条件を示すグラフである。
【図３】本発明の焼鈍の熱処理条件を示すグラフである。
【図４】真空雰囲気中での焼結、ＨＩＰ、焼鈍の処理を施したときの閉気孔を示す写真である。
【図５】Ａｒガス雰囲気中での焼結、ＨＩＰ、焼鈍の処理を施したときの閉気孔を示す写真である。
【図６】Ｈ2ガス雰囲気中での焼結、ＨＩＰ、焼鈍の処理を施したときの閉気孔を示す写真である。
【図７】Ｈ2：Ａｒ＝６５：３５の混合ガス雰囲気中での焼結、ＨＩＰ、焼鈍の処理を施したときの閉気孔を示す写真である。
【図８】Ｈ2：Ａｒ＝５０：５０の混合ガス雰囲気中での焼結、ＨＩＰ、焼鈍の処理を施したときの閉気孔を示す写真である。
【図９】Ｈ2：Ａｒ＝３５：６５の混合ガス雰囲気中での焼結、ＨＩＰ、焼鈍の処理を施したときの閉気孔を示す写真である。
【図１】
0004127599.tif 000004
【図２】
0004127599.tif 000005
【図３】
0004127599.tif 000006
【図４】
0004127599.tif 000007
【図５】
0004127599.tif 000008
【図６】
0004127599.tif 000009
【図７】
0004127599.tif 000010
【図８】
0004127599.tif 000011
【図９】
0004127599.tif 000012