(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
直流電源の正負極端子間に複数のＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）をブリッジ接続してなり、正極側ＭＯＳＦＥＴ又は負極側ＭＯＳＦＥＴにパルス幅が調整されたＰＷＭ（Pulse Width Modulation）信号を供給してブラシレスモータを駆動するブラシレスモータの駆動装置において、
上記ＰＷＭ信号が供給される上記ＭＯＳＦＥＴのゲート端子とドレイン端子との間に設けられた第１コンデンサと、上記ＰＷＭ信号が供給されない上記ＭＯＳＦＥＴのドレイン端子とソース端子との間に設けられた第２コンデンサとを備え、
上記第１コンデンサの容量と上記第２コンデンサの容量とを略同じにしたことを特徴とするブラシレスモータの駆動装置。
【請求項２】
直流電源の正負極端子間に複数のＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）をブリッジ接続してなり、正極側ＭＯＳＦＥＴ又は負極側ＭＯＳＦＥＴにパルス幅が調整されたＰＷＭ（Pulse Width Modulation）信号を供給してブラシレスモータを駆動するブラシレスモータの駆動装置において、
上記ＰＷＭ信号が供給される上記ＭＯＳＦＥＴのゲート端子とドレイン端子との間に設けられた第１コンデンサと、上記ＰＷＭ信号が供給されない上記ＭＯＳＦＥＴのドレイン端子とソース端子との間に設けられた第２コンデンサとを備え、
上記負極側ＭＯＳＦＥＴにＰＷＭ信号を供給し、上記負極側ＭＯＳＦＥＴのゲート端子とドレイン端子との間に第１コンデンサを設けると共に、正極側ＭＯＳＦＥＴのドレイン端子とソース端子との間に第２コンデンサを設け、
上記第１コンデンサの容量と上記第２コンデンサの容量とを略同じにしたことを特徴とするブラシレスモータの駆動装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ブラシレスモータに供給する電源電圧をオンオフ制御することにより交流電流を供給して駆動するブラシレスモータの駆動装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、所謂ブラシレスモータの駆動回路としては、６個の半導体スイッチング素子（ＭＯＳＦＥＴ、バイポーラトランジスタ）を所謂三相ブリッジ接続し、永久磁石からなるロータの周囲に配置された３つのホール素子の検出信号に基づいて各半導体スイッチング素子のオンオフをしてモータに交流電力を供給するものが知られている。
【０００３】
このようなブラシレスモータの駆動回路は、例えば特開平１０−２１５５９５号公報で開示されたモータの駆動回路が知られている。このモータの駆動回路は、図１８に示すように、複数のトランジスタのうち、低電位側に接続された低電位側トランジスタＵＬ，ＶＬ，ＷＬのみをＰＷＭ制御する。これにより、低電位側トランジスタＵＬ，ＶＬ，ＷＬからモータに供給する電力量を制御してモータの回転数を制御する。
【０００４】
このモータの駆動回路は、低電位側トランジスタＵＬ，ＶＬ，ＷＬとＵ相、Ｖ相、Ｗ相の交流出力線接続点との間にインダクタＬＵ，ＬＶ，ＬＷをそれぞれ接続し、このインダクタＬＵ，ＬＶ，ＬＷ及び低電位側トランジスタＵＬ，ＶＬ，ＷＬの各共通接続点と直流正極母線Ｐとの間にフライホイールダイオードＤＵ，ＤＶ，ＤＷをそれぞれ接続し、高電位側トランジスタＵＨ，ＶＨ，ＷＨの各コレクタ−エミッタ間にコンデンサＣＵ，ＣＶ，ＣＷをそれぞれ接続して構成されている。
【０００５】
このようなモータの駆動回路は、コンデンサＣＵ，ＣＶ，ＣＷ及びインダクタＬＵ，ＬＶ，ＬＷを、ＰＷＭ信号のキャリア成分を除去するリップルフィルターとして作用させる。また、このモータの駆動回路では、インダクタＬＵ，ＬＶ，ＬＷにより、高電位側トランジスタＵＨ，ＶＨ，ＷＨと低電位側トランジスタＵＬ，ＵＶ，ＵＷとの間に流れる直流短絡電流を阻止する。更に、このモータの駆動回路では、フライホイールダイオードＤＵ，ＤＶ，ＤＷを、インダクタＬＵ，ＵＶ，ＵＷの蓄積エネルギーを直流正極母線Ｐ側に帰還させるために設けている。
【０００６】
また、従来の他のモータの駆動回路では、半導体スイッチング素子としてＭＯＳＦＥＴを使用し、低電位側ＭＯＳＦＥＴをＰＷＭ制御するものがある。このようなモータの駆動回路では、低電位側ＭＯＳＦＥＴをオフからオンにするタイミングで、直流電源端子（直流正極母線）と接地端子（直流負極母線）との間に発生する信号ノイズを抑制するために、低電位側ＭＯＳＦＥＴのゲート端子とドレイン端子との間にセラミックコンデンサを設けていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のモータの駆動回路において、半導体スイッチング素子としてＭＯＳＦＥＴを使用し、ゲート端子とドレイン端子との間にセラミックコンデンサを設けた構成としただけでは、低電位側のＭＯＳＦＥＴのゲート端子とドレイン端子との間の寄生容量による信号ノイズを抑制するのに限界があった。
【０００８】
信号ノイズが発生する原因としては、低電位側ＭＯＳＦＥＴがオンとなるタイミングで、ゲート端子に印加される電圧が接地電位に引き込まれてゲート端子に印加される電圧が低下することにより発生する。
【０００９】
これに対し、セラミックコンデンサにより高周波信号成分をバイパスするために、セラミックコンデンサの容量を大きくすると、モータに対する交流電力の入出力特性が変化してしまう。したがって、信号ノイズ低減を目的としてセラミックコンデンサの容量を大きくするとモータ制御ができなくなる恐れがあり、信号ノイズの低減に限界があった。
【００１０】
そこで、本発明は、上述した実情に鑑みて提案されたものであり、スイッチング素子のオンオフタイミングにおいて発生する信号ノイズを抑制するブラシレスモータの駆動回路を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上述の課題を解決するために、請求項１に係る発明では、直流電源の正負極端子間に複数のＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）をブリッジ接続してなり、正極側ＭＯＳＦＥＴ又は負極側ＭＯＳＦＥＴにパルス幅が調整されたＰＷＭ（Pulse Width Modulation）信号を供給してブラシレスモータを駆動するブラシレスモータの駆動装置において、上記ＰＷＭ信号が供給される上記ＭＯＳＦＥＴのゲート端子とドレイン端子との間に設けられた第１コンデンサと、上記ＰＷＭ信号が供給されない上記ＭＯＳＦＥＴのドレイン端子とソース端子との間に設けられた第２コンデンサとを備え、 上記第１コンデンサの容量と上記第２コンデンサの容量とを略同じにしたことを特徴とする。
【００１２】
請求項２に係る発明では、直流電源の正負極端子間に複数のＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）をブリッジ接続してなり、正極側ＭＯＳＦＥＴ又は負極側ＭＯＳＦＥＴにパルス幅が調整されたＰＷＭ（Pulse Width Modulation）信号を供給してブラシレスモータを駆動するブラシレスモータの駆動装置において、上記ＰＷＭ信号が供給される上記ＭＯＳＦＥＴのゲート端子とドレイン端子との間に設けられた第１コンデンサと、上記ＰＷＭ信号が供給されない上記ＭＯＳＦＥＴのドレイン端子とソース端子との間に設けられた第２コンデンサとを備え、上記負極側ＭＯＳＦＥＴにＰＷＭ信号を供給し、上記負極側ＭＯＳＦＥＴのゲート端子とドレイン端子との間に第１コンデンサを設けると共に、正極側ＭＯＳＦＥＴのドレイン端子とソース端子との間に第２コンデンサを設け、上記第１コンデンサの容量と上記第２コンデンサの容量とを略同じにしたことを特徴とする。
【００１４】
【発明の効果】
請求項１に係る発明によれば、ＰＷＭ信号が供給されるＭＯＳＦＥＴのゲート端子とドレイン端子との間に第１コンデンサを設けると共に、ＰＷＭ信号が供給されないＭＯＳＦＥＴのドレイン端子とソース端子との間に第２コンデンサを設ける構成にしたので、第２コンデンサによりＰＷＭ信号が供給されるＭＯＳＦＥＴがオンとなったときにゲート端子に印加される電圧の低下を防止することができ、ＰＷＭ信号が供給されるＭＯＳＦＥＴがオンとなるときに発生するノイズの振幅を小さくすると共に、放射ノイズとなるノイズ成分を低減することができる。また、請求項１に係る発明によれば、第１コンデンサの容量と第２コンデンサの容量とを略同じにすることにより、更に放射ノイズのノイズ成分を低減することができる。
【００１５】
請求項２に係る発明によれば、ＰＷＭ信号が供給されるＭＯＳＦＥＴのゲート端子とドレイン端子との間に第１コンデンサを設けると共に、ＰＷＭ信号が供給されないＭＯＳＦＥＴのドレイン端子とソース端子との間に第２コンデンサを設ける構成にしたので、第２コンデンサによりＰＷＭ信号が供給されるＭＯＳＦＥＴがオンとなったときにゲート端子に印加される電圧の低下を防止することができ、ＰＷＭ信号が供給されるＭＯＳＦＥＴがオンとなるときに発生するノイズの振幅を小さくすると共に、放射ノイズとなるノイズ成分を低減することができる。また、請求項２に係る発明によれば、ＭＯＳＦＥＴにＰＷＭ信号を供給し、負極側ＭＯＳＦＥＴのゲート端子とドレイン端子との間に第１コンデンサを設けると共に、正極側ＭＯＳＦＥＴのドレイン端子とソース端子との間に第２コンデンサを設けたので、ＰＷＭ信号が供給される負極側ＭＯＳＦＥＴがオンとなるときに発生するノイズの振幅を小さくすると共に、放射ノイズとなるノイズ成分を低減することができる。更に、請求項２に係る発明によれば、第１コンデンサの容量と第２コンデンサの容量とを略同じにすることにより、更に放射ノイズのノイズ成分を低減することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００１８】
本発明は、例えば図１に示すように構成されたブラシレスモータの制御装置に適用される。このブラシレスモータの制御装置は、外部からＰＷＭ（Pulse Width Modulation）制御信号を入力するモータ制御回路１と、このモータ制御回路１からの信号を入力して交流電力をブラシレスモータ１１に供給するモータ駆動回路２とから構成されている。
【００１９】
ブラシレスモータの制御装置により駆動されるブラシレスモータ１１は、駆動磁界を発生させるＵ相、Ｖ相、Ｗ相の固定子巻き線２１Ｕ，２１Ｖ，２１Ｗと、これらの固定子巻き線２１Ｕ，２１Ｖ，２１Ｗにより発生する駆動磁界により回転駆動される永久磁石回転子とを備えて構成されている。ブラシレスモータ１１は、固定子巻き線２１Ｕ，２１Ｖ，２１Ｗにモータ駆動回路２からの駆動電流が供給されることで永久磁石回転子を回転させる。
【００２０】
モータ制御回路１は、ブラシレスモータ１１の永久磁石回転子の回転角度を検出するホール素子（図示せず）からの検出信号を入力し、ブラシレスモータ１１の回転状態を検出する。また、モータ制御回路１は、外部からブラシレスモータ１１の回転数を指示する回転数指示信号であるＰＷＭ制御信号を入力する。
【００２１】
モータ制御回路１は、検出したブラシレスモータ１１の回転状態と、入力したＰＷＭ制御信号とを比較して、指示されたブラシレスモータ１１の回転数とするようにＰＷＭ信号を生成してモータ駆動回路２に供給する。このとき、モータ制御回路１は、目標とするブラシレスモータ１１の回転数に応じてパルス幅変調をすることでデューティ比を調整したＰＷＭ信号を生成する。モータ制御回路１により生成されるＰＷＭ信号は、約２０ＭＨｚでＭＯＳＦＥＴをオンオフ動作させる。
【００２２】
これにより、モータ制御回路１は、モータ駆動回路２を構成するハイサイドＭＯＳＦＥＴＱ１〜Ｑ３及びローサイドＭＯＳＦＥＴＱ４〜Ｑ６のオンオフタイミングを制御する。このとき、モータ制御回路１は、ハイサイドＭＯＳＦＥＴＱ１，Ｑ２，Ｑ３を１２０度の位相角で順次オン制御をすると共に、ローサイドＭＯＳＦＥＴＱ４、Ｑ５、Ｑ６を同一相のハイサイドＭＯＳＦＥＴＱ１，Ｑ２，Ｑ３に対してそれぞれ１８０度の位相差でオン制御をする。更に、モータ制御回路１は、ローサイドＭＯＳＦＥＴＱ４〜Ｑ６のオン期間においてＰＷＭ信号を出力して、ローサイドＭＯＳＦＥＴＱ４〜Ｑ６をＰＷＭ制御する。
【００２３】
なお、本例においてはＰＷＭ信号をローサイドＭＯＳＦＥＴＱ４〜Ｑ６に出力する場合について説明するが、モータ制御回路１は、生成したＰＷＭ信号を、後述のモータ駆動回路２を構成するハイサイドＭＯＳＦＥＴ及びローサイドＭＯＳＦＥＴの双方に出力しても良く、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ又はローサイドＭＯＳＦＥＴの片方に出力しても良い。
【００２４】
モータ駆動回路２は、ゲート端子をモータ制御回路１と接続し、ドレイン端子を直流電源供給端子３１と接続し、ソース端子をブラシレスモータ１１の固定子巻き線２１Ｕ，２１Ｖ，２１Ｗと接続したハイサイドＭＯＳＦＥＴＱ１，Ｑ２，Ｑ３を備える。また、モータ駆動回路２は、ゲート端子をモータ制御回路１と接続し、ドレイン端子をハイサイドＭＯＳＦＥＴＱ１，Ｑ２，Ｑ３と接続し、ソース端子を接地端子３２と接続したローサイドＭＯＳＦＥＴＱ４，Ｑ５，Ｑ６を備える。ハイサイドＭＯＳＦＥＴＱ１〜Ｑ３及びローサイドＭＯＳＦＥＴＱ４〜Ｑ６は、ドレイン端子とソース端子との間に寄生ダイオードを含んで構成されている。ハイサイドＭＯＳＦＥＴＱ１，Ｑ２，Ｑ３はそれぞれローサイドＭＯＳＦＥＴＱ４，Ｑ５，Ｑ６を介して接地端子３２と接続され、ローサイドＭＯＳＦＥＴＱ４，Ｑ５，Ｑ６はそれぞれハイサイドＭＯＳＦＥＴＱ１，Ｑ２，Ｑ３を介して直流電源供給端子３１と接続されている。
【００２５】
また、このモータ駆動回路２では、ハイサイドＭＯＳＦＥＴＱ１，Ｑ２，Ｑ３とローサイドＭＯＳＦＥＴＱ４，Ｑ５，Ｑ６との接続点に、固定子巻き線２１ＵとハイサイドＭＯＳＦＥＴＱ１及びローサイドＭＯＳＦＥＴＱ４とを接続する交流電流供給線３３Ｕ、固定子巻き線２１ＶとハイサイドＭＯＳＦＥＴＱ２及びローサイドＭＯＳＦＥＴＱ５とを接続する交流電流供給線３３Ｖ、固定子巻き線２１ＷとハイサイドＭＯＳＦＥＴＱ３及びローサイドＭＯＳＦＥＴＱ６とを接続する交流電流供給線３３Ｗが設けられている。
【００２６】
更に、モータ駆動回路２は、ハイサイドＭＯＳＦＥＴＱ１のドレイン端子とソース端子との間に第１セラミックコンデンサＣ１を設け、ハイサイドＭＯＳＦＥＴＱ２のドレイン端子とソース端子との間に第１セラミックコンデンサＣ２を設け、ハイサイドＭＯＳＦＥＴＱ３のドレイン端子とソース端子との間に第１セラミックコンデンサＣ３を設けている。
【００２７】
更にまた、モータ駆動回路２は、ローサイドＭＯＳＦＥＴＱ４のゲート端子とドレイン端子との間に第２セラミックコンデンサＣ４を設け、ローサイドＭＯＳＦＥＴＱ５のゲート端子とドレイン端子との間に第２セラミックコンデンサＣ５を設け、ローサイドＭＯＳＦＥＴＱ６のゲート端子とドレイン端子との間に第２セラミックコンデンサＣ６を設けている。
【００２８】
つぎに、図２に示すように、ＰＷＭ制御がなされないハイサイドＭＯＳＦＥＴＱ１〜Ｑ３のドレイン端子とソース端子との間に第１セラミックコンデンサＣ１〜Ｃ３を設けると共に、ＰＷＭ制御がなされるローサイド第２セラミックコンデンサＣ４〜Ｃ５のゲート端子とドレイン端子との間に第２セラミックコンデンサＣ４〜Ｃ６を設けた場合において、ローサイドＭＯＳＦＥＴＱ４〜Ｑ６がオフからオンするときに直流電源供給端子３１と接地端子３２との間に発生するノイズを図３（ａ）に示し、ノイズに対してＦＦＴ（Fast Fourier Transform）を行った結果得た周波数特性を図３（ｂ）に示す。
【００２９】
図３（ａ）に示すようにローサイドＭＯＳＦＥＴＱ４〜Ｑ６のノイズの振幅を小さくすることができ、図３（ｂ）に示すように放射ノイズとなる３０ＭＨｚ以上の周波数域におけるノイズ成分を低減することができる。ここで、放射ノイズとは、ラジオノイズ等の他の機器の動作に影響を与えるような電磁波であって、主としてＦＭ周波数帯の周波数を有する。
【００３０】
以下に比較例を示す。第１比較例は、図４に示すようにハイサイドＭＯＳＦＥＴＱ１〜Ｑ３についての第１セラミックコンデンサＣ１〜Ｃ３のみを設けた時のモータ駆動回路であり、図５にローサイドＭＯＳＦＥＴＱ４〜Ｑ６がオンとなった時に発生するノイズ（ａ）、ノイズの周波数特性（ｂ）を示す。
【００３１】
第１比較例では、図３（ａ）に示す場合と比較してノイズの振幅が大きくなり（図５（ａ））、図３（ｂ）に示す場合と比較して３０ＭＨｚ以上の周波数帯での振幅が大きくなっていることが分かる（図５（ｂ））。
【００３２】
第２比較例は、図６に示すようにローサイドＭＯＳＦＥＴＱ４〜Ｑ６についての第２セラミックコンデンサＣ４〜Ｃ６のみを設けた時のモータ駆動回路であり、図７にローサイドＭＯＳＦＥＴＱ４〜Ｑ６がオンとなった時に発生するノイズ（ａ）、ノイズの周波数特性（ｂ）を示す。
【００３３】
第２比較例では、図３（ａ）に示す場合と比較してノイズの振幅が大きくなり（図７（ａ））、図３（ｂ）に示す場合と比較して３０ＭＨｚ以上の周波数帯での振幅が大きくなっていることが分かる（図７（ｂ））。
【００３４】
第３比較例は、図８に示すように第１セラミックコンデンサＣ１〜Ｃ３及び第２セラミックコンデンサＣ４〜Ｃ６を設けない時のモータ駆動回路であり、図９にローサイドＭＯＳＦＥＴＱ４〜Ｑ６がオンとなった時に発生するノイズ（ａ）、ノイズの周波数特性（ｂ）を示す。
【００３５】
第３比較例では、図３（ａ）に示す場合と比較してノイズの振幅が更に大きくなり（図７（ａ））、図３（ｂ）に示す場合と比較して３０ＭＨｚ以上の周波数帯での振幅が更に大きくなっていることが分かる（図７（ｂ））。
【００３６】
図３に示した結果、及び第１〜第３比較例の結果から、ＰＷＭ制御がなされないハイサイドＭＯＳＦＥＴＱ１〜Ｑ３のドレイン端子とソース端子との間に第１セラミックコンデンサＣ１〜Ｃ３を設けると共に、ＰＷＭ制御がなされるローサイドローサイドＭＯＳＦＥＴＱ４〜Ｑ６のゲート端子とドレイン端子との間に第２セラミックコンデンサＣ４〜Ｃ６を設けることにより、ローサイドＭＯＳＦＥＴＱ４〜Ｑ６がオンとなるときに発生するノイズの振幅を小さくすると共に、放射ノイズとなる３０ＭＨｚ以上のノイズ成分を低減することができる。
【００３７】
これは、ローサイドＭＯＳＦＥＴＱ４〜Ｑ６がオンとなる時に、ローサイドＭＯＳＦＥＴＱ４〜Ｑ６のゲート端子に印加される電圧が接地端子３２側に引き込まれてゲート端子に印加される電圧の低下を第１セラミックコンデンサＣ１〜Ｃ３により緩和することにより、第２セラミックコンデンサＣ４〜Ｃ６の効果を促進することができることによる。
【００３８】
更に、第１セラミックコンデンサＣ１〜Ｃ３及び第２セラミックコンデンサＣ４〜Ｃ６を設けることにより、ハイサイドＭＯＳＦＥＴＱ１〜Ｑ３の寄生ダイオードの誤動作を防止することができる。
【００３９】
更にまた、このようなモータ駆動回路２によれば、第２セラミックコンデンサＣ４〜Ｃ６の容量を大きくしなくてもノイズ成分を抑制することができるので、ブラシレスモータ１１に供給する交流電流に影響を与えることがない。
【００４０】
つぎに、第１セラミックコンデンサＣ１〜Ｃ３の容量を変化させたときに、ローサイドＭＯＳＦＥＴＱ４〜Ｑ６がオフからオンとなるときに発生するノイズと、ノイズ成分の周波数特性について図１０〜図１３を参照して説明する。なお、本例では、第２セラミックコンデンサＣ４〜Ｃ６の容量を１０００ｐＦとした。
【００４１】
図１０は第１セラミックコンデンサＣ１〜Ｃ３の容量を１０００ｐＦとした場合のノイズとノイズ成分の周波数特性とを示し、図１１は第１セラミックコンデンサＣ１〜Ｃ３の容量を２２００ｐＦとした場合のノイズとノイズ成分の周波数特性とを示し、図１２は第１セラミックコンデンサＣ１〜Ｃ３の容量を４２００ｐＦとした場合のノイズとノイズ成分の周波数特性とを示し、図１３は第１セラミックコンデンサＣ１〜Ｃ３の容量を１００００ｐＦとした場合のノイズとノイズ成分の周波数特性とを示す。
【００４２】
図１０（ａ）〜図１３（ａ）によれば、第１セラミックコンデンサＣ１〜Ｃ３の容量を変化させてもノイズの振幅は余り変化せず、第１セラミックコンデンサＣ１〜Ｃ３の容量には依存しないことが分かる。一方、図１０（ｂ）〜図１３（ｂ）によれば、図１０（ｂ）に示すように第１セラミックコンデンサＣ１〜Ｃ３と第２セラミックコンデンサＣ４〜Ｃ６とが同容量であるときには放射ノイズ成分を低減させることができ、第１セラミックコンデンサＣ１〜Ｃ３と第２セラミックコンデンサＣ４〜Ｃ６との容量差が大きくなるほど放射ノイズ成分が増大することが分かる。
【００４３】
つぎに、第２セラミックコンデンサＣ４〜Ｃ６の容量を変化させたときに、ローサイドＭＯＳＦＥＴＱ４〜Ｑ６がオフからオンとなるときに発生するノイズと、ノイズ成分の周波数特性について図１４〜図１７を参照して説明する。なお、本例では、第１セラミックコンデンサＣ１〜Ｃ３の容量を４７００ｐＦとした。
【００４４】
図１４は第２セラミックコンデンサＣ４〜Ｃ６の容量を４７０ｐＦとした場合のノイズとノイズ成分の周波数特性とを示し、図１５は第２セラミックコンデンサＣ４〜Ｃ６の容量を１０００ｐＦとした場合のノイズとノイズ成分の周波数特性とを示し、図１６は第２セラミックコンデンサＣ４〜Ｃ６の容量を１５００ｐＦとした場合のノイズとノイズ成分の周波数特性とを示し、図１７は第２セラミックコンデンサＣ４〜Ｃ６の容量を２２００ｐＦとした場合のノイズとノイズ成分の周波数特性とを示す。
【００４５】
図１４（ａ）〜図１７（ａ）によれば、第２セラミックコンデンサＣ４〜Ｃ６の容量を変化させてもノイズの振幅は余り変化せず、第２セラミックコンデンサＣ４〜Ｃ６の容量には依存しないことが分かる。一方、図１４（ｂ）〜図１７（ｂ）によれば、図１７（ｂ）に示すように第１セラミックコンデンサＣ１〜Ｃ３と第２セラミックコンデンサＣ４〜Ｃ６との容量が近くなるほど放射ノイズ成分を低減させることができ、第１セラミックコンデンサＣ１〜Ｃ３と第２セラミックコンデンサＣ４〜Ｃ６との容量差が大きくなるほど放射ノイズ成分が増大することが分かる。
【００４６】
図１０〜図１７に示した結果より、第１セラミックコンデンサＣ１〜Ｃ３と第２セラミックコンデンサＣ４〜Ｃ６とが略同容量であるときに、ＰＷＭ制御されるＭＯＳＦＥＴにより発生するノイズの振幅を小さくすると共に、放射ノイズ成分を低減することができることが分かる。
【００４７】
また、第１セラミックコンデンサＣ１〜Ｃ３及び第２セラミックコンデンサＣ４〜Ｃ６は、その容量が１０００ｐＦ〜１００００ｐＦであることが望ましい。これにより、ＰＷＭ制御によりオンオフすることにより発生するノイズのうち、ＦＭ周波数帯のノイズ成分のみを除去することができる。
【００４８】
なお、上述の実施の形態は本発明の一例である。このため、本発明は、上述の実施形態に限定されることはなく、この実施の形態以外であっても、本発明に係る技術的思想を逸脱しない範囲であれば、設計等に応じて種々の変更が可能であることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用したブラシレスモータの制御装置の構成を示す回路図である。
【図２】本発明を適用したモータ駆動回路の構成を示す回路図である。
【図３】本発明を適用したモータ駆動回路においてローサイドＭＯＳＦＥＴがオンとなった時のノイズを（ａ）に示し、ノイズの周波数特性を（ｂ）に示した図である。
【図４】第１比較例に係るモータ駆動回路の構成を示す回路図である。
【図５】第１比較例に係るモータ駆動回路においてローサイドＭＯＳＦＥＴがオンとなった時のノイズを（ａ）に示し、ノイズの周波数特性を（ｂ）に示した図である。
【図６】第２比較例に係るモータ駆動回路の構成を示す回路図である。
【図７】第２比較例に係るモータ駆動回路においてローサイドＭＯＳＦＥＴがオンとなった時のノイズを（ａ）に示し、ノイズの周波数特性を（ｂ）に示した図である。
【図８】第３比較例に係るモータ駆動回路の構成を示す回路図である。
【図９】第３比較例に係るモータ駆動回路においてローサイドＭＯＳＦＥＴがオンとなった時のノイズを（ａ）に示し、ノイズの周波数特性を（ｂ）に示した図である。
【図１０】本発明を適用したモータ駆動回路において、第１セラミックコンデンサＣ１〜Ｃ３の容量を１０００ｐＦとし、第２セラミックコンデンサＣ４〜Ｃ６の容量を１０００ｐＦとしたときのノイズを（ａ）に示し、ノイズの周波数特性を（ｂ）に示した図である。
【図１１】本発明を適用したモータ駆動回路において、第１セラミックコンデンサＣ１〜Ｃ３の容量を２２００ｐＦとし、第２セラミックコンデンサＣ４〜Ｃ６の容量を１０００ｐＦとしたときのノイズを（ａ）に示し、ノイズの周波数特性を（ｂ）に示した図である。
【図１２】本発明を適用したモータ駆動回路において、第１セラミックコンデンサＣ１〜Ｃ３の容量を４０００ｐＦとし、第２セラミックコンデンサＣ４〜Ｃ６の容量を１０００ｐＦとしたときのノイズを（ａ）に示し、ノイズの周波数特性を（ｂ）に示した図である。
【図１３】本発明を適用したモータ駆動回路において、第１セラミックコンデンサＣ１〜Ｃ３の容量を１００００ｐＦとし、第２セラミックコンデンサＣ４〜Ｃ６の容量を１０００ｐＦとしたときのノイズを（ａ）に示し、ノイズの周波数特性を（ｂ）に示した図である。
【図１４】本発明を適用したモータ駆動回路において、第１セラミックコンデンサＣ１〜Ｃ３の容量を４７００ｐＦとし、第２セラミックコンデンサＣ４〜Ｃ６の容量を４７０ｐＦとしたときのノイズを（ａ）に示し、ノイズの周波数特性を（ｂ）に示した図である。
【図１５】本発明を適用したモータ駆動回路において、第１セラミックコンデンサＣ１〜Ｃ３の容量を４７００ｐＦとし、第２セラミックコンデンサＣ４〜Ｃ６の容量を１０００ｐＦとしたときのノイズを（ａ）に示し、ノイズの周波数特性を（ｂ）に示した図である。
【図１６】本発明を適用したモータ駆動回路において、第１セラミックコンデンサＣ１〜Ｃ３の容量を４７００ｐＦとし、第２セラミックコンデンサＣ４〜Ｃ６の容量を１５００ｐＦとしたときのノイズを（ａ）に示し、ノイズの周波数特性を（ｂ）に示した図である。
【図１７】本発明を適用したモータ駆動回路において、第１セラミックコンデンサＣ１〜Ｃ３の容量を４７００ｐＦとし、第２セラミックコンデンサＣ４〜Ｃ６の容量を２２００ｐＦとしたときのノイズを（ａ）に示し、ノイズの周波数特性を（ｂ）に示した図である。
【図１８】従来のモータの駆動装置の構成を示す回路図である。
【符号の説明】
１  モータ制御回路
２  モータ駆動回路
１１  ブラシレスモータ
２１Ｕ，２１Ｖ，２１Ｗ  固定子巻き線
３１  直流電源供給端子
３２  接地端子
３３Ｕ，３３Ｖ，３３Ｗ  交流電流供給線
Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３  第１セラミックコンデンサ
Ｃ４，Ｃ５，Ｃ６  第２セラミックコンデンサ
Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３  ハイサイドＭＯＳＦＥＴ
Ｑ４，Ｑ５，Ｑ６  ローサイドＭＯＳＦＥＴ
【図１】
0004116275.tif 000002
【図２】
0004116275.tif 000003
【図３】
0004116275.tif 000004
【図４】
0004116275.tif 000005
【図５】
0004116275.tif 000006
【図６】
0004116275.tif 000007
【図７】
0004116275.tif 000008
【図８】
0004116275.tif 000009
【図９】
0004116275.tif 000010
【図１０】
0004116275.tif 000011
【図１１】
0004116275.tif 000012
【図１２】
0004116275.tif 000013
【図１３】
0004116275.tif 000014
【図１４】
0004116275.tif 000015
【図１５】
0004116275.tif 000016
【図１６】
0004116275.tif 000017
【図１７】
0004116275.tif 000018
【図１８】
0004116275.tif 000019