【事件の表示】
　昭和６３年特許願第１６１５１１号「半導体集積装置及びその製造方法」拒絶査定に対する審判事件（平成２年１月１６日出願公開、特開平２−１０７４６）について、次のとおり審決する。
【結論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理由】
Ｉ．手続の経緯・本願発明の要旨
　本願は、昭和６３年６月２８日の出願であって、その請求項に係る発明は、平成７年１１月２０日付け及び平成８年２月２９日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至請求項４に記載されたとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願第１発明」という）は下記のとおりである。
「高不純物密度の第１の半導体層上に設けられた低不純物密度の第２の半導体層を有し、かつ第１の半導体層はＮ型で第２の半導体層より大きい電子親和力を有し、前記第２の半導体層上に設けられた制御電極と、前記第２の半導体層表面に直接接触して設けられかつこの制御電極を挟んだ両側に前記第１の半導体層と電気的に接続された少なくとも２個のオーミック電極とを備えた第１の半導体装置と、前記第１の半導体層上の前記第２の半導体層上に設けられた低不純物密度でかつ前記第２の半導体層よりエネルギーギャップが小さい第３の半導体層を有し、前記第３の半導体層上に設けられた制御電極と、前記第３の半導体層表面に直接接触して設けられかっこの制御電極を挟んだ両側に前記第１の半導体層と電気的に接続された少なくとも２個のオーミック電極とを備えた第２の半導体装置とを同一基板上に設けたことを特徴とする半導体集積装置。」
ＩＩ．引用例
　これに対して、原査定の拒絶の理由で引用された、本願出願前に頒布された刊行物である、特開昭６１−１６８９６５号公報（以下、「引用例」という。）には、エンハンスメント型ＦＥＴとデプレション型ＦＥＴを同一基板上に形成する技術が、第１乃至第５図と共に開示されており、更に同公報の第５頁右上欄第９行〜右下欄第３行には次の技術事項が記載されている。
　「ＧａＡｓ　ＭＥＳＦＥＴに本発明を適用した場合の実施例を第５図ａ〜ｄに示す。半絶縁性ＧａＡｓ基板１０上にＭＢＥ法を用いて、アンドープＧａＡｓ層を２μｍ成長後Ｓｉを１×１０１９ｃｍ−３ドープしたｎ型ＧａＡｓ層１５を６０Å成長し、次にＳｉを１０１４ｃｍ−３程度ドープしたＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ｘ〜０．３程度）層１６を１００Å成長させ、さらにＳｉを１０１４ｃｍ−３程度ドープしたｎ−ＧａＡｓ層１７を１００Å成長させた（第５図ａ）。次にＥ−ＦＥＴを形成する領域をＣＣｌ２Ｆ２／Ｈｅの混合ガスを用い選択エッチング法でセパレーション層のＧａＡｓ層１７を除去する（第５図ｂ）。さらにエッチングダメージを４００℃５分間の加熱で除去後、全面に、高耐熱金属であるＷＳｉ５１（タングステン・シリサイド）を３０００ÅＣＶＤ法で形成した（第５図ｂ）。続いて、ドライエツチングとフオトリソグラフイーを用いてゲート電極部分のＷＳｉ（５１，５１´）を残して、他のＷＳｉを除去した。その後５００ÅのＳｉＯ２をＣＶＤ法で被着後Ｓｉ５２を５０ｋｅＶの加速エネルギー、ドーズ量３×１０１３ｃｍ−２でイオン注入した。注入後８５０℃１５秒間のランプアニーノレを行ない注入Ｓｉ原子５３を活性化した（第５図ｃ）。続いてＳｉ０２の必要部分をエッチングで除去し、ソース・ドレイン金属（ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ）３２，３３，３４を蒸着し、４００℃３分間のアロイを行ないソース・ドレイン電極を形成した。この様に本発明のゲート構造を用いることで、ゲートリーク電流はＥ−ＦＥＴでゲート電圧ＶＧ＝１．１Ｖまでほとんど無視できる程度となりＤ−ＦＥＴについてはＧａＡｓ本来のショットキーバリア高さ０．８Ｖに近い値までゲートリーク電流は低減し、逆方向耐圧も………向上した。」
　以上構成について第５図ｄを参酌して纏めると、引用例には次の発明が記載されている。
　「Ｓｉを１×１０１９ｃｍ−３ドープしたｎ型ＧａＡｓ層１５上に設けられた、Ｓｉを１０１４ｃｍ−３程度ドープしたＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ｘ〜０．３程度）層１６を有し、ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ｘ〜０．３程度）層１６上に設けられたゲート電極と、ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ｘ〜０．３程度）層１６表面のゲート電極を挟んだ両側にＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ｘ〜０．３程度）層１６上のｎ−型ＧａＡｓ層１７表面に直接接触し、ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ｘ〜０．３程度）層１６と電気的に接続された２個のソース・ドレイン金属３３，３４とを備えたＥ−ＦＥＴと、Ｓｉを１×１０１９ｃｍ−３ドープしたｎ型ＧａＡｓ層１５上に設けられたＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ｘ〜０．３程度）層１６上のｎ−型ＧａＡｓ層１７を有し、ｎ−型ＧａＡｓ層１７上に設けられたゲート電極と、ｎ−型ＧａＡｓ層１７表面のゲート電極を挟んだ両側にｎ−型ＧａＡｓ層１７と電気的に接続された２個のソース・ドレイン金属３２，３３とを備えたＤ−ＦＥＴとを同一基板上に設けた半導体集積装置」
ＩＩＩ．対比、判断
　引用例の発明の構成と本願第１発明の構成とを対比すると、引用例の発明における「Ｓｉを１×１０１９ｃｍ−３ドープしたｎ型ＧａＡｓ層１５」は、「ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ｘ〜０．３程度）層１６」と比べてより大きい電子親和力を有しかつＳｉを１×１０１９ｃｍ−３ドープしているから、本願第１発明の「（Ｎ型で第２の半導体層より大きい電子親和力を有する）高不純物密度の第１の半導体層」に相当する。引用例の発明における「Ｓｉを１０１４ｃｍ−３程度ドープしたＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ｘ〜０．３程度）層１６」は、本願第１発明の「低不純物密度の第２の半導体層」に相当し、引用例の発明における「ｎ−型ＧａＡｓ層１７」は、「ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ｘ〜０．３程度）層１６」よりエネルギーギャップが小さいから、本願第１発明の「低不純物密度でかつ前記第２の半導体層よりエネルギーギャップが小さい第３の半導体層」に相当する。また引用例の発明の「ゲート電極」、「ソース・ドレイン金属」、「Ｅ−ＦＥＴ」及び「Ｄ−ＦＥＴ」は、それぞれ本願第１発明の「制御電極」、「オーミック電極」、「第１の半導体装置」及び「第２の半導体装置」に相当するから両者は「高不純物密度の第１の半導体層上に設けられた低不純物密度の第２の半導体層を有し、かつ第１の半導体層はＮ型で第２の半導体層より大きい電子親和力を有し、前記第２の半導体層上に設けられた制御電極と、前記第２の半導体層表面の制御電極を挟んだ両側に前記第１の半導体層と電気的に接続された少なくとも２個のオーミック電極とを備えた第１の半導体装置と、前記第１の半導体層上の前記第２の半導体層上に設けられた低不純物密度でかつ前記第２の半導体層よりエネルギーギャップが小さい第３の半導体層を有し、前記第３の半導体層上に設けられた制御電極と、前記第３の半導体層表面に直接接触して設けられかっこの制御電極を挟んだ両側に前記第１の半導体層と電気的に接続された少なくとも２個のオーミック電極とを備えた第２の半導体装置とを同一基板上に設けたことを特徴とする半導体集積装置。」の点で一致し、次の点で相違している。
第１の半導体装置のオーミック電極に関し、「本願第１発明では制御電極を挟んだ両側に第１の半導体層と電気的に接続された少なくとも２個のオーミック電極が、第２の半導体層表面に直接接触して設けられているのに対し、引用例の発明では第２の半導体層上の第３の半導体層表面に直接接触して設けられている」点。
　以下上記相違点について検討する。
　引用例の発明では、「ドライエツチングとフオトリソグラフイーを用いてゲート電極部分のＷＳｉ（５１，５１´）を残して、他のＷＳｉを除去した。その後５００ÅのＳｉＯ２をＣＶＤ法で被着後Ｓｉ５２を５０ｋｅｖの加速エネルギー、ドーズ量３×１０１３ｃｍ−２でイオン注入した。注入後８５０℃１５秒間のランプアニールを行ない注入Ｓｉ原子５３を活性化した（第５図ｃ）。続いてＳｉＯ２の必要部分をエッチングで除去し、ソース・ドレイン金属（ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ）３２，３３，３４を蒸着し、４００℃３分間のアロイを行ないソース・ドレイン電極を形成した。」と記載されているとおり、ソース・ドレイン金属と第１の半導体層との電気的接続を有効にするため第１の半導体層及びその間に介在する第２及び第３の半導体層にドーピングを行っている。
また本願第１発明においても「Ｎ型の高不純物領域８は、Ｓｉイオンのドーズ量が約５×１０１３ｃｍ−２で、加速電圧が約５０ｋｅｖの条件でイオン注入した後、９００℃の短時間熱処理により形成されている。」（明細書第８頁第６〜９行）と記載されているとおり、（ソース・ドレインの）オーミック電極と第１の半導体層との電気的接続を有効にするため第１の半導体層及びその間に介在する第２の半導体層にドーピングを行っているものと認められる。
してみると、引用例のＤ−ＦＥＴにおけるようにオーミック電極を制御電極が形成された半導体層表面に直接接触して設けることが公知である事に照らせば、オーミック電極を第３の半導体層の介在を省略し、制御電極が形成された第２の半導体層表面に直接接触して設けることにより、本願第１発明におけるオーミック電極構造を得ることは、当業者にとって格別の困難性なくなし得たものと認めざるを得ない。
ＩＶ．結論
　以上のとおりであるから、本願第１発明は、引用例に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものと認められ、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることはできない。
　したがって、本願は、特許請求の範囲の請求項２乃至４に記載の発明に言及するまでもなく、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。