【事件の表示】
　特許第６０９２５８９号発明「光偏向器」の特許異議申立事件について，次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６０９２５８９号の明細書及び特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正明細書及び特許請求の範囲のとおり，訂正後の請求項１について訂正することを認める。
　特許第６０９２５８９号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件特許第６０９２５８９号の請求項１に係る特許についての出願（特願２０１２−２５３７２９号）は，平成２４年１１月１９日に出願したものであって，平成２９年２月１７日付けで特許権の設定登録がなされ，同年３月８日に特許掲載公報が発行され，同年９月５日に特許異議申立人三重野正博により請求項１に対して特許異議の申立てがなされたものである。以後の手続の経緯は以下のとおりである。
　
　平成２９年１２月　８日：取消理由通知（同年１２月１３日発送）
　平成３０年　２月　７日：訂正請求書・意見書
　平成３０年　２月２１日：通知書（同年２月２７日発送）
　平成３０年　３月２６日：意見書（異議申立人）
　平成３０年　５月３０日：取消理由通知(決定の予告)(同年６月６日発送)
　平成３０年　８月　６日：訂正請求書・意見書（同年同月７日受付）
　平成３０年１０月２６日：通知書（同年１０月３０日発送）
　平成３０年１１月２９日：意見書（異議申立人）（同年同月３０日受付）
第２　訂正の適否
１　訂正の内容
　平成３０年８月６日付けの訂正請求（以下「本件訂正請求」という。）は，明細書及び特許請求の範囲を訂正明細書及び訂正特許請求の範囲のとおり，訂正後の請求項１について訂正することを求めるものであって，以下の訂正事項１〜５からなる。
（１）訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１に，「光を反射する反射面と，」と記載されているのを「主面が（１００）面である単一の単結晶シリコンウエハによって一体的に構成されている光偏光器であって，光を反射する反射面と，」に訂正する。
（２）訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項１に，「単結晶シリコンで」と記載されているのを「前記単結晶シリコンウエハの単結晶シリコンで」に訂正する。
（３）訂正事項３
　特許請求の範囲の請求項１に，「第１軸の周りに揺動させる第１アクチュエータ」と記載されているのを「第１軸の周りに共振周波数で揺動させる第１アクチュエータ」に訂正する。
（４）訂正事項４
　特許請求の範囲の請求項１に，「形成されていることを特徴とする光偏向器。」と記載されているのを
「形成され，
　前記第１アクチュエータの前記第１支持体は，基端部において前記第１枠体に連結され，先端部において前記トーションバーに連結されて，前記トーションバーを支持することを特徴とする光偏向器。」に訂正する。
（５）訂正事項５
　明細書の【０００６】の記載を特許請求の範囲の請求項１についての上記訂正事項１〜４に整合した記載に訂正する。
２　当審の判断
（１）訂正事項１
ア　訂正の目的の適否
　訂正事項１は，「光偏光器」について，「主面が（１００）面である単一の単結晶シリコンウエハによって一体的に構成されている光偏光器であって」と限定するものであるから，当該訂正事項は，特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
イ　新規事項追加の有無
　願書に添付した明細書には，以下の記載がある。
「【００２２】
　光偏向器１は，以下のようにして，フォトリソグラフィ技術やドライエッチング技術等を利用した半導体プレーナプロセス及びＭＥＭＳプロセスが用いられて製造される。まず，図２（ａ）に示されるような単結晶シリコンのウエハ１０上に，図３（ａ）に示されるように，下部電極層Ｌ１，圧電体層Ｌ２，及び上部電極層Ｌ３等が積層される。そして，エッチング処理等によって，不要な部位が適宜除去されることで，ミラー部２，トーションバー３，枠体４，及びアクチュエータ５が形成される（図３（ｂ）は，図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面を示している）。このとき，下部電極層Ｌ１，圧電体層Ｌ２及び上部電極層Ｌ３は，アクチュエータ５の部分のみ残されて，他の部分は除去される。」
「【００２７】
　ウエハ１０は，単結晶シリコンで形成されている。ウエハ１０の主面は，（１００）面である。このため，ウエハ１０の主面に沿う結晶方位としては，＜１１０＞方位及び＜１００＞方位のいずれかが主となる。」
「【００４７】
　本実施形態の光偏向器２０１は，第１実施形態の光偏向器１と同様に，フォトリソグラフィ技術やドライエッチング技術等を利用した半導体プレーナプロセス及びＭＥＭＳプロセスが用いられて製造される。すなわち，単結晶シリコンのウエハ１０上に，下部電極層Ｌ１，圧電体層Ｌ２，及び上部電極層Ｌ３等が積層された後，エッチング処理等によって，不要な部位が適宜除去されることで，内側偏向部１（ミラー部２，トーションバー３，枠体４，及びアクチュエータ５），外側アクチュエータ２０５，及び外枠２０４が形成される。このとき，下部電極層Ｌ１，圧電体層Ｌ２及び上部電極層Ｌ３は，内側偏向部１のアクチュエータ５，及び外側アクチュエータ２０５の圧電カンチレバー２０６の部分のみ残されて，他の部分は除去される。」
　上記各記載のとおり，光偏向器２０１は，「主面が（１００）面である単一の単結晶シリコンのウエハ１０」についての「エッチング処理等によって，不要な部位が適宜除去されることで，内側偏向部１（ミラー部２，トーションバー３，枠体４，及びアクチュエータ５），外側アクチュエータ２０５，及び外枠２０４が形成され」，「主面が（１００）面である単一の単結晶シリコンのウエハ１０」によって一体的に構成されるものであることは明らかである。
　よって，訂正事項１は，特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第５項の規定に適合する。
ウ　特許請求の範囲の拡張，変更の存否
　上記アのとおり，訂正事項１は，特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正であり，この訂正が，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものでないことは明らかである。よって，訂正事項１は，特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第６項の規定に適合する。
（２）訂正事項２
ア　訂正の目的の適否
　訂正事項２は，訂正事項１により「単結晶シリコンウエハ」との用語が加入されたことに伴い，「単結晶シリコン」が当該「単結晶シリコンウエハ」の係るものであることを明らかにしようとするものであるから，当該訂正は，特許法第１２０条の５第２項ただし書き第３号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。
イ　新規事項追加の有無
　「単結晶シリコン」が「単結晶シリコンウエハ」の係るものであることは，前記（１）イで検討したとおり，願書に添付した明細書に記載されている。
　よって，訂正事項２は，特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第５項の規定に適合する。
ウ　特許請求の範囲の拡張，変更の存否
　前記アのとおり，訂正事項２は，「単結晶シリコン」が「単結晶シリコンウエハ」の係るものであることを明らかにするものであるから，該訂正が，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものでないことは明らかである。
　よって，当該訂正は，特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第６項の規定に適合する。
（３）訂正事項３
ア　訂正の目的の適否
　訂正事項３は，「第１軸の周りに揺動させる第１アクチュエータ」について，その「揺動」の周波数が「共振周波数で」あることに限定するものであるから，当該訂正事項は，特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
イ　新規事項追加の有無
　願書に添付した明細書には，以下の記載がある。
「【００１４】
　以上のように，第１軸周りのトーションバーの共振周波数を大きくしつつ，第２軸周りの反射面の揺動角度を大きくすることができる。」
「【００３０】
　次に，光偏向器１の作動について説明する。この光偏向器１は，アクチュエータ５の駆動により，トーションバー３が，第１軸Ｘ周りに捩られるように構成されている。」
「【００３３】
　なお，本実施形態の光偏向器１には，上側アクチュエータ５の圧電体５ｂに印加する電圧信号と，下側アクチュエータ５の圧電体５ｂに印加する電圧信号とは，周期性を有し，且つ互いに逆位相となる電圧信号（すなわち互いに１８０度位相がずれた電圧信号）が印加される。このときの，電圧信号の周波数は，光偏向器１の機械的な共振周波数に設定される。これにより，反射面２ａを大きな偏向角で第１軸Ｘ周りに揺動できる。」
　上記記載から，「第１軸の周りに揺動させる第１アクチュエータ」について，その揺動の周波数が，第１軸に係る共振周波数であることは明らかである。
　よって，訂正事項３は，特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第５項の規定に適合する。
ウ　特許請求の範囲の拡張，変更の存否
　前記アのとおり，訂正事項３は，特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正であり，この訂正が，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものでないことは明らかである。
　よって，訂正事項３は，特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第６項の規定に適合する。
（４）訂正事項４
ア　訂正の目的の適否
　訂正事項４は，「光偏向器」について，「第１アクチュエータの前記第１支持体」，「第１枠体」及び「トーションバー」の具体的連結関係を特定するものであるから，当該訂正事項は，特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
イ　新規事項追加の有無
　願書に添付した図１及び図３とともに，同明細書の次の記載，
「【００１６】
　［第１実施形態］
　図１を参照して，本発明の第１実施形態の光偏向器について説明する。本実施形態の光偏向器１は，円形の反射面２ａを有するミラー部２と，２つのトーションバー３と，枠体４と，４つのアクチュエータ５とを備える。
【００１７】
　・・・（中略）・・・
【００１８】
　４つのアクチュエータ５の各々は，単結晶シリコンで略長方形の板状に形成された支持体５ａと，該支持体５ａの一方の面のほぼ全面に支持された圧電体５ｂとを備える。
【００１９】
　４つのアクチュエータ５は，ミラー部２の両側（図１の左右側）に２つずつ配置されている。このとき，ミラー部２の右側において，２つのアクチュエータ５は，右側のトーションバー３の基端部の図１の上下にそれぞれ配設され，該トーションバー３の基端部に，先端部を連結している。ミラー部２の左側において，２つのアクチュエータ５は，左側のトーションバー３の基端部の図１の上下にそれぞれ配設され，該トーションバー３の基端部に，先端部を連結している。
【００２０】
　枠体４は，矩形状の枠（上辺４ｕと下辺４ｄとが平行，及び左辺４ｌと右辺４ｒとが平行）として形成されており，ミラー部２，トーションバー３，及びアクチュエータ５を外側から包囲する。アクチュエータ５の基端部は，枠体４の上辺４ｕ部分又は下辺４ｄ部分に連結する。
【００２１】
　・・・（中略）・・・
【００２２】
　・・・（中略）・・・
図３（ａ）に示されるように，下部電極層Ｌ１，圧電体層Ｌ２，及び上部電極層Ｌ３等が積層される。そして，エッチング処理等によって，不要な部位が適宜除去されることで，ミラー部２，トーションバー３，枠体４，及びアクチュエータ５が形成される（図３（ｂ）は，図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面を示している）。このとき，下部電極層Ｌ１，圧電体層Ｌ２及び上部電極層Ｌ３は，アクチュエータ５の部分のみ残されて，他の部分は除去される。」
との記載を参照すると，「第１アクチュエータの前記第１支持体は，基端部において前記第１枠体に連結され，先端部において前記トーションバーに連結されて，前記トーションバーを支持すること」は明らかである。
　よって，訂正事項４は，特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第５項の規定に適合する。
ウ　特許請求の範囲の拡張，変更の存否
　上記アのとおり，訂正事項４は，特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正であり，この訂正が，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものでないことは明らかである。よって，訂正事項４は，特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第６項の規定に適合する。
（５）訂正事項５
ア　訂正の目的の適否
　訂正事項５は，特許請求の範囲の請求項１が，訂正事項１により「光を反射する反射面と，」と記載されているのを「単一の単結晶シリコンウエハによって一体的に構成されている光偏光器であって，光を反射する反射面と，」と訂正され，訂正事項２により「単結晶シリコンで」と記載されているのを「前記単結晶シリコンウエハの単結晶シリコンで」と訂正され，訂正事項３により「第１軸の周りに揺動させる第１アクチュエータ」と記載されているのを「第１軸の周りに共振周波数で揺動させる第１アクチュエータ」と訂正され，また訂正事項４により「形成されていることを特徴とする光偏向器。」と記載されているのを「形成され，
　前記第１アクチュエータの前記第１支持体は，基端部において前記第１枠体に連結され，先端部において前記トーションバーに連結されて，前記トーションバーを支持することを特徴とする光偏向器。」と訂正されたことと整合させるために，明細書の段落【０００６】について，訂正後の特許請求の範囲の請求項１と整合させるものである。
　よって，訂正事項５は，特許法第１２０条の５第２項ただし書き第３号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。
イ　新規事項追加の有無
　前記（１）イ，（２）イ，（３）イ及び（４）イで検討したとおり，訂正事項５は，特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第５項の規定に適合する。
ウ　特許請求の範囲の拡張，変更の存否
　訂正事項５は，明細書の段落【０００６】の記載を，訂正事項１ないし４によって訂正された特許請求の範囲の記載と整合させるものであるから，該訂正が，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものでないことは明らかである。
　よって，訂正事項５は，特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第６項の規定に適合する。
（６）一群の請求項について
　本件特許の特許請求の範囲は，請求項１のみからなるものであるから，本件訂正請求は特許法１２０条の５第４項の規定に適合する。
（７）明細書又は図面の訂正と関係する請求項についての説明
　前記（５）アのとおり，訂正事項５は，明瞭でない記載の釈明を目的とするものであり，これは請求項１に関係する訂正であるところ，前記（６）のとおり，本件特許の特許請求の範囲は請求項１のみからなるものである。そして，訂正事項５に係る請求項１が訂正請求の対象とされている。
　よって，訂正事項５は，特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第４項の規定に適合するものである。
（８）むすび
　以上のとおりであるから，本件訂正請求による訂正は特許法第１２０条の５第２項第１号及び第３号に掲げる事項を目的とするものであり，かつ，同条第４項，及び同条第９項において準用する同法第１２６条第４項から第６項までの規定に適合するので，訂正請求書に添付された訂正明細書及び特許請求の範囲のとおり訂正後の請求項１について訂正を認める。
第３　訂正発明
　上記のとおり，本件訂正請求による訂正が認められたので，本件特許の訂正後の請求項１に係る発明（以下「訂正発明」という。）は，請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】
　主面が（１００）面である単一の単結晶シリコンウエハによって一体的に構成されている光偏光器であって，光を反射する反射面と，前記単結晶シリコンウエハの単結晶シリコンで形成されたトーションバーと，前記トーションバーをその長手方向の軸としての第１軸の周りに捩ることで，前記反射面を前記第１軸の周りに共振周波数で揺動させる第１アクチュエータとを有する光偏向器において，
　前記反射面と前記トーションバーと前記第１アクチュエータとを包囲し，前記第１アクチュエータを介して前記トーションバーに連結している第１枠体と，
　前記第１枠体を包囲する第２枠体と，
　前記第１枠体を前記第２枠体に連結する唯一の連結部材として前記第１枠体と前記第２枠体との間に介在する共に，前記反射面を前記第１軸とは別の第２軸の周りに揺動させる第２アクチュエータとを備え，
　前記第１アクチュエータは，駆動電圧が印加される第１圧電体と，該第１圧電体を支持し該第１圧電体と共に屈曲変形する第１支持体とを備え，
　前記第２アクチュエータは，長手方向を前記第１軸に平行に揃えてミアンダ形状に連結されている複数の圧電カンチレバーを有し，
　前記第２アクチュエータの各圧電カンチレバーは，駆動電圧が印加される第２圧電体と，該第２圧電体を支持し該第２圧電体と共に屈曲変形する第２支持体とを備え，
　前記トーションバーは，前記第１軸方向が，当該トーションバーの結晶方位の＜１００＞方位と平行になるように形成され，
　前記第２支持体は，前記単結晶シリコンウエハの単結晶シリコンで形成されると共に，長方形板状に形成され，その長手方向が，当該第２支持体の結晶方位の＜１００＞方位と平行になるように形成され，
　前記第１アクチュエータの前記第１支持体は，基端部において前記第１枠体に連結され，先端部において前記トーションバーに連結されて，前記トーションバーを支持することを特徴とする光偏向器。」
第４　取消理由の概要
　当審が平成３０年５月３０日付けで特許権者に通知した取消理由通知（決定の予告）の理由の要旨は次のとおりである。
　請求項１に係る発明は，甲第１号証に記載された発明，甲第２号証ないし甲第７号証及び甲第９号証に記載された事項，並びに周知の技術事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
甲第１号証　特開２０１２−１９８４１５号公報
甲第２号証　特開２００９−１６９２９０号公報
甲第３号証　特開２０１１−１００１０３号公報
甲第４号証　特開２０００−１４７４１９号公報
甲第５号証　特開２００８−３０４７２６号公報
甲第６号証　特開２０１２−１１３１４６号公報
甲第７号証　国際公開第２００８／０３８６４９号
甲第９号証　特開２００９−３１６４２号公報
第５　取消理由（決定の予告）について
１　甲第１号証について
（１）甲第１号証には以下の各記載がある（下線は当審で付加。以下同様。）。
ア「【０００１】
　本発明は，圧電アクチュエータにより揺動されるミラー部を備える光偏向器の駆動装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
　・・・（中略）・・・
【００２９】
　本発明の一実施形態を図１〜図６を参照して説明する。
【００３０】
　図１に示すように，
本実施形態の光偏向器Ａ１は，入射された光を反射するミラー部１と，ミラー部１が搭載された可動部９と，ミラー部１を可動部９に対して揺動軸Ｘ１の周りに揺動させるための圧電アクチュエータ８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄと，ミラー部１及び可動部９を支持基体１１に対して揺動軸Ｘ２の周りに揺動させるための圧電アクチュエータ１０ａ，１０ｂとを備えている
【００３１】
　
ミラー部１は，円板状のミラー部基体１ａと，このミラー部基体１ａ上に光の反射面として形成された金属薄膜１ｂとを備え，ミラー部基体１ａの直径方向の両端から外側へ向かって１対のトーションバー２ａ，２ｂが延設されている
【００３２】
　具体的には，
可動部９は，方形枠状に形成されており，ミラー部１の周囲を囲むように設けられている。そして，ミラー部基体１ａから延設されたトーションバー２ａ，２ｂのそれぞれの先端部が，可動部９の内周部に連結されている。これにより，ミラー部１は，トーションバー２ａ，２ｂを介して可動部９に連結されていると共に，トーションバー２ａ，２ｂの捩れによって，該トーションバー２ａ，２ｂの軸心たる揺動軸Ｘ１の周りに揺動可能となっている
【００３３】
　・・・（中略）・・・
【００３５】
　
各内側圧電アクチュエータ８は，圧電駆動によって屈曲変形するように構成された圧電カンチレバーにより構成されている。そして，一方の対の内側圧電アクチュエータ８ａ，８ｃは，トーションバー２ａと直交する方向（揺動軸Ｘ１と直交する方向）に延在しており，それぞれの先端部がトーションバー２ａに連結されると共に，それぞれの基端部が可動部９の内周部に連結されている
【００３６】
　同様に，
圧電アクチュエータ８ｂ，８ｄは，トーションバー２ｂと直交する方向（揺動軸Ｘ１と直交する方向）に延在しており，それぞれの先端部がトーションバー２ｂに連結されると共に，それぞれの基端部が可動部９の内周部に連結されている
【００３７】
　
支持基体１１は，方形枠状に形成されており，可動部９の周囲を囲むように設けられている。そして，ミラー部１及び可動部９を支持基体１１に対して揺動させる一対の圧電アクチュエータ１０ａ，１０ｂが，支持基体１１の内周部と可動部９の外周部との間で，可動部９を挟んで揺動軸Ｘ２の方向（揺動軸Ｘ１と直交する方向）に対向するようにして配置されており，これらの圧電アクチュエータ１０ａ，１０ｂを介して，可動部９が支持基体１１に支持されている
【００３８】
　・・・（中略）・・・
【００３９】
　
各外側圧電アクチュエータ１０は，圧電駆動によって屈曲変形するようにそれぞれ構成された複数（図示例では４つ）の圧電カンチレバー３(i)（ｉ＝１，２，３，４）を連結して構成されている。この場合，各外側圧電アクチュエータ１０を構成する複数の圧電カンチレバー３(i)（ｉ＝１，２，３，４）は，支持基体１１の内周部と可動部９の外周部との間で，揺動軸Ｘ２と直交する方向（揺動軸Ｘ１と同方向）に延在して，該揺動軸Ｘ２の方向に間隔を存して並ぶように配置されていると共に，そのそれぞれの圧電カンチレバーが隣合う圧電カンチレバーに対して折り返されるように連結されている。従って，各外側圧電アクチュエータ１０は，揺動軸Ｘ２と直交する方向を振幅方向として蛇行するようにして延在している
【００４０】
　そして，
各外側圧電アクチュエータ１０の一端部（最も支持基体１１寄りの圧電カンチレバー３(4)の基端部）が，支持基体１１の内周部に連結されると共に，他端部（最も可動部９寄りの圧電カンチレバー３(1)の先端部）が，可動部９の外周部に連結されている
【００４１】
　
これにより，可動部９が，外側圧電アクチュエータ１０ａ，１０ｂを介して支持基体１１に支持されていると共に，各外側圧電アクチュエータ１０を構成する圧電カンチレバー３(i)（ｉ＝１，２，３，４）の屈曲変形によって支持基体１１に対して揺動軸Ｘ２の周りに揺動可能となっている
【００４２】
　・・・（中略）・・・
【００４４】
　
内側圧電アクチュエータ８ａ〜８ｄのそれぞれと，外側圧電アクチュエータ１０ａ，１０ｂを構成する圧電カンチレバー３(i)（ｉ＝１，２，３，４）のそれぞれとは，図２に模式的な断面図で示すように，起歪体（カンチレバー本体）としての支持体４の層上に下部電極５，圧電体６及び上部電極７の層を積層した構造の圧電カンチレバーであり，下部電極５と上部電極７との間で圧電体６に駆動電圧を印加することで，圧電体６と共に支持体４が屈曲変形するようになっている
【００４５】
　・・・（中略）・・・
【００５５】
　また，
ミラー部基体１ａと，トーションバー２ａ，２ｂと，支持体４と，可動部９と，支持基体１１とは，複数の層から構成される半導体基板（シリコン基板）を形状加工することにより一体的に形成されている
イ　ここで，図１は以下のものである。
　上記図１を参照すると，各外側圧電アクチュエータ１０ａ，１０ｂを構成する複数の圧電カンチレバー３は，長方形状をなしていることが見て取れる。
（２）以上を総合すると，甲第１号証には，光偏向器として，以下の発明（以下「甲１発明」という。）が記載されている。
「入射された光を反射するミラー部１と，ミラー部１が搭載された可動部９と，ミラー部１を可動部９に対して揺動軸Ｘ１の周りに揺動させるための内側圧電アクチュエータ８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄと，ミラー部１及び可動部９を支持基体１１に対して揺動軸Ｘ２の周りに揺動させるための外側圧電アクチュエータ１０ａ，１０ｂとを備える光偏向器Ａ１であって，
　ミラー部１は，円板状のミラー部基体１ａと，このミラー部基体１ａ上に光の反射面として形成された金属薄膜１ｂとを備え，ミラー部基体１ａの直径方向の両端から外側へ向かって１対のトーションバー２ａ，２ｂが延設されており，
　可動部９は，方形枠状に形成されており，ミラー部１の周囲を囲むように設けられ，ミラー部基体１ａから延設されたトーションバー２ａ，２ｂのそれぞれの先端部が，可動部９の内周部に連結され，これにより，ミラー部１は，トーションバー２ａ，２ｂを介して可動部９に連結されていると共に，トーションバー２ａ，２ｂの捩れによって，該トーションバー２ａ，２ｂの軸心たる揺動軸Ｘ１の周りに揺動可能となっており，
　各内側圧電アクチュエータ８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄは，圧電駆動によって屈曲変形するように構成された圧電カンチレバーにより構成され，一方の対の内側圧電アクチュエータ８ａ，８ｃは，トーションバー２ａと直交する方向（揺動軸Ｘ１と直交する方向）に延在しており，それぞれの先端部がトーションバー２ａに連結されると共に，それぞれの基端部が可動部９の内周部に連結されており，圧電アクチュエータ８ｂ，８ｄは，トーションバー２ｂと直交する方向（揺動軸Ｘ１と直交する方向）に延在しており，それぞれの先端部がトーションバー２ｂに連結されると共に，それぞれの基端部が可動部９の内周部に連結されており，
　支持基体１１は，方形枠状に形成されて，可動部９の周囲を囲むように設けられ，ミラー部１及び可動部９を支持基体１１に対して揺動させる一対の外側圧電アクチュエータ１０ａ，１０ｂが，支持基体１１の内周部と可動部９の外周部との間で，可動部９を挟んで揺動軸Ｘ２の方向（揺動軸Ｘ１と直交する方向）に対向するようにして配置され，これらの外側圧電アクチュエータ１０ａ，１０ｂを介して，可動部９が支持基体１１に支持されており，
　各外側圧電アクチュエータ１０ａ，１０ｂは，圧電駆動によって屈曲変形するようにそれぞれ構成された複数の圧電カンチレバー３を連結して構成されており，各外側圧電アクチュエータ１０ａ，１０ｂを構成する複数の圧電カンチレバー３は，支持基体１１の内周部と可動部９の外周部との間で，揺動軸Ｘ２と直交する方向（揺動軸Ｘ１と同方向）に延在して，該揺動軸Ｘ２の方向に間隔を存して並ぶように配置されていると共に，そのそれぞれの圧電カンチレバーが隣合う圧電カンチレバーに対して折り返されるように連結されて，各外側圧電アクチュエータ１０ａ，１０ｂは，揺動軸Ｘ２と直交する方向を振幅方向として蛇行するようにして延在しており，
　各外側圧電アクチュエータ１０ａ，１０ｂの一端部が，支持基体１１の内周部に連結されると共に，他端部（最も可動部９寄りの圧電カンチレバー３(1)の先端部）が，可動部９の外周部に連結されており，これにより，可動部９が，外側圧電アクチュエータ１０ａ，１０ｂを介して支持基体１１に支持されていると共に，各外側圧電アクチュエータ１０を構成する圧電カンチレバー３の屈曲変形によって支持基体１１に対して揺動軸Ｘ２の周りに揺動可能となっており，
　内側圧電アクチュエータ８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄのそれぞれと，外側圧電アクチュエータ１０ａ，１０ｂを構成する圧電カンチレバー３のそれぞれとは，起歪体（カンチレバー本体）としての支持体４の層上に下部電極５，圧電体６及び上部電極７の層を積層した構造の圧電カンチレバーであり，下部電極５と上部電極７との間で圧電体６に駆動電圧を印加することで，圧電体６と共に支持体４が屈曲変形するようになっており，
　各外側圧電アクチュエータ１０ａ，１０ｂを構成する複数の圧電カンチレバー３は，長方形状をなしており，
　ミラー部基体１ａと，トーションバー２ａ，２ｂと，支持体４と，可動部９と，支持基体１１とは，複数の層から構成される半導体基板（シリコン基板）を形状加工することにより一体的に形成されている，
光偏向器Ａ１。」
２　甲第９号証について
（１）甲第９号証には以下の各記載がある。
ア「【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
　揺動体装置の可動部は，所定角度内をねじり振動するため大きな角加速度を受ける。このため，可動部は駆動時に自重による慣性力を受け，可動部が変形する場合がある。特に，可動部の表面に反射面を形成した光偏向器を用いてレーザ光を走査する場合，この可動部の変形は走査光の光学特性に影響を与える。
【０００６】
　
よって本発明は，揺動体装置の可動部がねじり振動する際に発生する可動部の変形を低減することを目的とする
【課題を解決するための手段】
【０００７】
　上記課題を解決する本発明に係る揺動体装置は，
支持部と，可動部と，前記可動部を前記支持部に対してねじり軸まわりにねじり振動可能に支持するねじりバネと，前記可動部を振動させる駆動手段とを有する揺動体装置であって，前記可動部は，単結晶シリコンで形成され，前記可動部の主面の結晶面は（１１０）面であって，前記可動部の主面と平行で，且つ前記ねじり軸と垂直な方向の結晶方位が［１１１］方位である
【発明の効果】
【０００８】
　本発明によれは，可動部の主面の結晶面を（１１０）面とし，可動部の主面と平行で且つねじり軸と垂直な方向の結晶方位を［１１１］方位とすることで，
可動部の変形量比を他の基板や他の結晶方位を用いた場合よりも小さくすることができる
イ「【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
　以下に，本発明の実施形態について図１を用いて説明する。図１（ａ）は，本発明の揺動体装置の上面図であり，図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ｂにおける断面図である。本実施形態の揺動体装置は，支持部１０１と，可動部１０３と，可動部１０３を支持部１０１に対してねじり軸１０８のまわりにねじり振動可能に支持するねじりバネ１０４ａ，１０４ｂとを有する。支持部１０１は支持基板等の固定部材に固定されており，可動部１０３がねじり振動しても支持部１０１が動かないような構成となっている。また，本実施形態に係る揺動体装置は，可動部１０３の表面に反射面１０２を形成することで，光偏向器として用いることができる。反射面１０２は別の材質，例えば金，銅等の薄膜で形成されていてもよく，さらにその上に保護膜を有していていもよい。あるいは反射面１０２は誘電体多層膜により形成されてもよい。
【００１０】
　
可動部１０３は単結晶シリコン基板で形成され，可動部１０３の主面（図１の反射面１０２が形成されている面）の結晶面は（１１０）面，あるいはその等価面（即ち，｛１１０｝面）である。また，可動部の主面と平行で，且つ，ねじり軸１０８と垂直な方向の結晶方位が［１１１］方位，あるいは，その等価方位である
【００１１】
　尚，本明細書においては，（１１１）面と等価な面，例えば（−１−１−１）面や（−１１１）面などを総称して（１１１）等価面（即ち｛１１１｝）と表現する。また，［１１１］方位と等価な方位，例えば［−１−１−１］方位や［−１１１］方位などを総称して［１１１］等価方位と表現する。
【００１２】
　本実施形態に係る揺動体装置は，例えば，（１１０）面を主面とする単結晶シリコン基板を使用して，支持部１０１，可動部１０３，ねじりバネ１０４ａ，１０４ｂを一体形成している。
【００１３】
　図１において，
可動部１０３の結晶方位１０００は，可動部１０３の主面と平行で，且つ，ねじり軸１０８と垂直な方向の結晶方位が［１１１］方位である
ウ「【００２３】
　図６は，自重による可動部の変形が，各結晶方位に対してどのように変化するかを有限要素法によって計算した結果である。今回の計算では，シリコンの結晶異方性を考慮した計算を実施している。
【００２４】
　・・・（中略）・・・
【００２８】
　
図６の縦軸は，可動部の変形量比であり，横軸は［１１０］方位となす角度である。可動部の変形量比とは，可動部の主面の結晶面が（１００）面であって，さらに，可動部の主面と平行で，且つねじり軸と垂直な方向の結晶方位が［１００］方位のときの変形量を１とした比である（この時，［１１０］方位となす角度は，例えば４５度である）
【００２９】
　また，［１１０］方位となす角度とは，可動部主面内に存在する［１１０］方位と，可動部の主面と平行で，且つねじり軸と垂直な方向の結晶方位と，がなす角度を表す。よって，可動部の主面と平行で，且つねじり軸と垂直な方向の結晶方位が［１１０］方位である場合，［１１０］方位となす角度は０度となる。
【００３０】
　ここで，（１００）基板とは，可動部の主面の結晶面が（１００）面であることを表す
。（１１０）基板，（１１１）基板も同様である。例えば，
（１００）基板の場合は，［１１０］方位となす角度が±４５度，±１３５度は，［１００］方位を表す
（１１０）基板の場合は，回転角度が０度，±１８０度は，［１１０］方位を表す。また，回転角度が±９０度は，［１００］方位を表し
【００３１】
　図６に示すように，（１１０）基板の可動部の変形量比は，可動部の主面と平行で，且つねじり軸と垂直な方向の結晶方位と，［１１０］方位とがなす角度が０度から６０度の場合，（１００），（１１１）基板を使った可動部の変形量比よりも小さくなる。さらに，
最も小さい変形量を示すのは，（１１０）基板を使った可動部であり，かつ，［１１０］方位となす角度が３５．３度の時である。この角度は，可動部の主面と平行で，且つねじり軸と垂直な方向の結晶方位が［１１１］方位の場合である
【００３２】
　以上のように，本実施形態の揺動体装置では，
シリコン基板の結晶異方性を利用して，反射面を有する可動部を作製することによって，高速駆動時の可動部の変形を小さくすることができる
エ「【００３３】
　次に，本実施形態の揺動体装置のねじりバネについて説明する。
【００３４】
　本実施形態の揺動体装置のねじりバネは，単結晶シリコンで形成され，ねじり軸に平行な方向の結晶方位が［１１１］方位である。ここで，結晶方位が［１１１］方位とは，その等価方位も含む。
【００３５】
　このねじりバネを用いた場合の作用について説明する。図７は，ねじりバネ定数比が各結晶面に対してどのように変化するかを有限要素法によって計算した結果である。今回の計算では，シリコンの結晶異方性を考慮した計算を実施している。尚，図７の有限要素法の計算に用いた物性値は，図６の計算で用いた物性値と同様である。
【００３６】
　
図７の縦軸は，ねじりバネ定数比であり，横軸は［１１０］方位となす角度である。ねじりバネ定数比とは，（１００）基板を用いてねじりバネを作製し，ねじり軸に平行な方向の結晶方位が［１００］方位のとき（図７の（１００）基板において，［１１０］方位となす角度が４５度の場合）のねじりバネ定数を１とした比である
【００３７】
　また，［１１０］方位となす角度とは，ねじりバネのねじり軸方向の結晶方位が，［１１０］方位となす角度を表す。つまり，０度は，ねじりバネのねじり軸方向の結晶方位が［１１０］方位であることを表す。また，ねじりバネのねじり軸に垂直な断面形状は直方体である。
【００３８】
　図７が示すように，（１１０）基板を使ったねじりバネ定数は，ねじりバネのねじり軸方向の結晶方位が，［１１０］方位となす角度が０度から６０度の間で，（１００），（１１０）基板を使ったねじりバネの最も小さいねじりバネ定数より小さい。さらに，
最も小さいねじりバネ定数比を示すのは，（１１０）基板を使ったねじりバネであり，かつ，ねじりバネのねじり軸方向の結晶方位が，［１１１］方位の時である
【００３９】
　ねじりバネ定数比が小さい結晶面を利用して作製したねじりバネと，ねじりバネ定数比が大きい結晶面で作製したねじりバネとを比較すると次のようになる。同じねじりバネ定数のねじりバネを作製する場合，ねじりバネ定数比が大きい結晶面でねじりバネを作製する場合と比べて，
ねじりバネ定数比が小さい結晶面，結晶方位でねじりバネを作製したほうが，ねじりバネの形状を大きくすることができる。例えば，ねじりバネの長さが一定の場合，ねじりバネ定数比が小さいほうがねじりバネの幅を太くすることができる
【００４０】
　この構成により，
ねじりバネの幅などの加工誤差によるねじりバネ定数のばらつきを低減することができる
加工誤差による共振周波数のばらつきを低減することができる
【００４１】
　
また，ねじりバネを（１１１）面を主面とするシリコン基板で作製することもできる
オ「【００４７】
　次に，可動部を支持部及びねじりバネと別に作製する方法について説明する。
【００４８】
　可動部は，（１１０）面を主面とするシリコン基板で作製する。作製方法は，ウエットエッチング，ドライエッチングにより作製しても良いし，ダイシングブレード（円形回転刃）によって切断しても良い。この可動部は，可動部の主面と平行で，且つねじり軸と垂直な方向の結晶方位が［１１１］方位となるように可動部とねじりバネを一体化する。一体化は，接着，あるいは，接合等でよい。このように一体化することによって，高速駆動時の可動部の変形が小さい光偏向器を作製することができる。
【００４９】
　また，可動部，ねじりバネ等の光偏向器を構成する部材を個別にマイクロマシニング技術によりシリコンウエハ上に形成することにより，ウエハ内の不要な部分を低減することができ，取り個数を増やすことができる。従って，安価な光偏向器を提供することができる。
さらに，（１１０）基板で可動部を作製し，ねじりバネ等の光偏向器を構成する部材を個別に作製することによって，ねじりバネ等の材料を任意の材料で作製することができる。例えば，共振周波数を低減するための柔らかいバネや共振周波数を上げるための硬いばねにすることができる。従って，共振周波数の高い光偏向器や，共振周波数の低い光偏向器を提供することができる
カ　ここで，図６及び図７は以下のものである。
【図６】
【図７】
キ　上記段落【００２３】〜【００３２】の記載とともに図６を参照すると，（１００）基板である単結晶シリコンで形成された部材の長手方向を，単結晶シリコンの［１００］方位と平行とすることで，その変形量比が最大となることがわかる。
ク　上記段落【００３５】〜【００３８】の記載とともに図７を参照すると，ねじりバネのねじり軸の方向を，（１００）基板である単結晶シリコンの［１００］方位と平行とすることでねじりバネのバネ定数比が最大となることがわかる。
（２）以上から，甲第９号証には，以下の各技術事項が記載されているといえる。
ア　支持部と，可動部と，前記可動部を前記支持部に対してねじり軸まわりにねじり振動可能に支持するねじりバネと，前記可動部を振動させる駆動手段とを有する揺動体装置であって，前記可動部は，単結晶シリコンで形成され，前記可動部の主面の結晶面は（１１０）面であって，前記可動部の主面と平行で，且つ前記ねじり軸と垂直な方向の結晶方位が［１１１］方位であることにより，可動部の変形量比を他の基板や他の結晶方位を用いた場合よりも小さくすることができる。
イ　単結晶シリコンで形成された部材の変形量比は，（１１０）基板において前記部材の長手方向を単結晶シリコンの［１１１］方位と平行としたときに最小となり，（１００）基板において前記部材の長手方向を単結晶シリコンの［１００］方向と平行としたときに最大となる。
ウ　単結晶シリコンで形成されたねじりバネのバネ定数比は，（１１０）基板においてねじりバネのねじり軸の方向を単結晶シリコンの［１１１］方位と平行としたときに最小となり，（１００）基板において前記ねじり軸の方向を単結晶シリコンの［１００］方向と平行としたときに最大となる。
エ　ねじりバネ定数比が小さい結晶面，結晶方位でねじりバネを作製したほうが，ねじりバネの形状を大きくすることができ，例えば，ねじりバネの長さが一定の場合，ねじりバネ定数比が小さいほうがねじりバネの幅を太くすることができることにより，ねじりバネの幅などの加工誤差によるねじりバネ定数のばらつきを低減することができる。
オ　ねじりバネの共振周波数を上げるための硬いばねにすることもできる。
３　対比
　訂正発明と甲１発明とを対比する。
ア　甲１発明の「ミラー部基体１ａ上に光の反射面として形成された金属薄膜１ｂ」は，訂正発明の「光を反射する反射面」に相当する。
イ　甲１発明の「複数の層から構成される半導体基板（シリコン基板）」と訂正発明の「主面が（１００）面である単一の単結晶シリコンウエハ」とは，「単一のシリコンウエハ」である点で一致する。
ウ　甲１発明の「ミラー部基体１ａの直径方向の両端から外側へ向かって１対のトーションバー２ａ，２ｂ」は，「ミラー部基体１ａと，トーションバー２ａ，２ｂと，支持体４と，可動部９と，支持基体１１とは，複数の層から構成される半導体基板（シリコン基板）を形状加工することにより一体的に形成されている」ものであるから，前記イも考慮すると，訂正発明の「前記単結晶シリコンウエハの単結晶シリコンで形成されたトーションバー」とは，「前記シリコンウエハのシリコンで形成されたトーションバー」である点で一致する。
エ　甲１発明においては，「トーションバー２ａ，２ｂの捩れによって，該トーションバー２ａ，２ｂの軸心たる揺動軸Ｘ１の周りに揺動可能となって」いるから，「ミラー部１を可動部９に対して揺動軸Ｘ１の周りに揺動させるための内側圧電アクチュエータ８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ」は，訂正発明の「前記トーションバーをその長手方向の軸としての第１軸の周りに捩ることで，前記反射面を前記第１軸の周りに揺動させる第１アクチュエータ」に相当する。
オ　甲１発明の「可動部９は，方形枠状に形成されており，ミラー部１の周囲を囲むように設けられ，ミラー部基体１ａから延設されたトーションバー２ａ，２ｂのそれぞれの先端部が，可動部９の内周部に連結され，」また，「各内側圧電アクチュエータ８は，」「それぞれの先端部がトーションバー２ａに連結されると共に，それぞれの基端部が可動部９の内周部に連結されているから，当該「可動部９」は，訂正発明の「前記反射面と前記トーションバーと前記第１アクチュエータとを包囲し，前記第１アクチュエータを介して前記トーションバーに連結している第１枠体」に相当する。
カ　甲１発明の「支持基体１１は，方形枠状に形成されて，可動部９の周囲を囲むように設けられ」手いるから，「支持基体１１」は，訂正発明の「前記第１枠体を包囲する第２枠体」に相当する。
キ　甲１発明においては，「ミラー部１及び可動部９を支持基体１１に対して揺動させる一対の外側圧電アクチュエータ１０ａ，１０ｂが，支持基体１１の内周部と可動部９の外周部との間で，可動部９を挟んで揺動軸Ｘ２の方向（揺動軸Ｘ１と直交する方向）に対向するようにして配置され，これらの外側圧電アクチュエータ１０ａ，１０ｂを介して，可動部９が支持基体１１に支持されて」おり，「各外側圧電アクチュエータ１０を構成する圧電カンチレバー３の屈曲変形によって支持基体１１に対して揺動軸Ｘ２の周りに揺動可能となって」いるから，当該「圧電アクチュエータ１０ａ，１０ｂ」は，訂正発明の「前記第１枠体を前記第２枠体に連結する唯一の連結部材として前記第１枠体と前記第２枠体との間に介在する共に，前記反射面を前記第１軸とは別の第２軸の周りに揺動させる第２アクチュエータ」に相当する。
ク　甲１発明の，「内側圧電アクチュエータ８ａ〜８ｄのそれぞれ」「は，起歪体（カンチレバー本体）としての支持体４の層上に下部電極５，圧電体６及び上部電極７の層を積層した構造の圧電カンチレバーであり，下部電極５と上部電極７との間で圧電体６に駆動電圧を印加することで，圧電体６と共に支持体４が屈曲変形するようになって」いることは，訂正発明の「前記第１アクチュエータは，駆動電圧が印加される第１圧電体と，該第１圧電体を支持し該第１圧電体と共に屈曲変形する第１支持体とを備え」ることに相当する。
ケ　甲１発明の，「各外側圧電アクチュエータ１０を構成する複数の圧電カンチレバー３は，支持基体１１の内周部と可動部９の外周部との間で，揺動軸Ｘ２と直交する方向（揺動軸Ｘ１と同方向）に延在して，該揺動軸Ｘ２の方向に間隔を存して並ぶように配置されていると共に，そのそれぞれの圧電カンチレバーが隣合う圧電カンチレバーに対して折り返されるように連結されて，各外側圧電アクチュエータ１０は，揺動軸Ｘ２と直交する方向を振幅方向として蛇行するようにして延在して」いることは，訂正発明の「前記第２アクチュエータは，長手方向を前記第１軸に平行に揃えてミアンダ形状に連結されている複数の圧電カンチレバーを有」することに相当する。
コ　甲１発明の，「外側圧電アクチュエータ１０ａ，１０ｂを構成する圧電カンチレバー３のそれぞれ」「は，起歪体（カンチレバー本体）としての支持体４の層上に下部電極５，圧電体６及び上部電極７の層を積層した構造の圧電カンチレバーであり，下部電極５と上部電極７との間で圧電体６に駆動電圧を印加することで，圧電体６と共に支持体４が屈曲変形するようになって」いることは，訂正発明の「前記第２アクチュエータの各圧電カンチレバーは，駆動電圧が印加される第２圧電体と，該第２圧電体を支持し該第２圧電体と共に屈曲変形する第２支持体とを備え」ることに相当する。
サ　甲１発明の「ミラー部基体１ａと，トーションバー２ａ，２ｂと，支持体４と，可動部９と，支持基体１１とは，複数の層から構成される半導体基板（シリコン基板）を形状加工することにより一体的に形成されている光偏向器Ａ１」は，訂正発明の「単一の単結晶シリコンウエハによって一体的に構成されている光偏光器」とは，「単一のシリコンウエハによって一体的に構成されている光偏光器」である点で一致する。
シ　甲１発明の，「内側圧電アクチュエータ８ａ〜８ｄのそれぞれ」「は，起歪体（カンチレバー本体）としての支持体４の層上に下部電極５，圧電体６及び上部電極７の層を積層した構造の圧電カンチレバーであ」るところ，
「一方の対の内側圧電アクチュエータ８ａ，８ｃは，トーションバー２ａと直交する方向（揺動軸Ｘ１と直交する方向）に延在しており，それぞれの先端部がトーションバー２ａに連結されると共に，それぞれの基端部が可動部９の内周部に連結されており，圧電アクチュエータ８ｂ，８ｄは，トーションバー２ｂと直交する方向（揺動軸Ｘ１と直交する方向）に延在しており，それぞれの先端部がトーションバー２ｂに連結されると共に，それぞれの基端部が可動部９の内周部に連結されて」いるから，甲１発明の当該構成は，
訂正発明の「前記第１アクチュエータの前記第１支持体は，基端部において前記第１枠体に連結され，先端部において前記トーションバーに連結されて，前記トーションバーを支持すること」に相当する。
ス　よって，甲１発明と訂正発明とは，
「単一のシリコンウエハによって一体的に構成されている光偏光器であって，光を反射する反射面と，前記シリコンウエハのシリコンで形成されたトーションバーと，前記トーションバーをその長手方向の軸としての第１軸の周りに捩ることで，前記反射面を前記第１軸の周りに揺動させる第１アクチュエータとを有する光偏向器において，
　前記反射面と前記トーションバーと前記第１アクチュエータとを包囲し，前記第１アクチュエータを介して前記トーションバーに連結している第１枠体と，
　前記第１枠体を包囲する第２枠体と，
　前記第１枠体を前記第２枠体に連結する唯一の連結部材として前記第１枠体と前記第２枠体との間に介在する共に，前記反射面を前記第１軸とは別の第２軸の周りに揺動させる第２アクチュエータとを備え，
　前記第１アクチュエータは，駆動電圧が印加される第１圧電体と，該第１圧電体を支持し該第１圧電体と共に屈曲変形する第１支持体とを備え，
　前記第２アクチュエータは，長手方向を前記第１軸に平行に揃えてミアンダ形状に連結されている複数の圧電カンチレバーを有し，
　前記第２アクチュエータの各圧電カンチレバーは，駆動電圧が印加される第２圧電体と，該第２圧電体を支持し該第２圧電体と共に屈曲変形する第２支持体とを備え，
　前記第２支持体は，前記シリコンウエハのシリコンで形成されると共に，長方形板状に形成され，
　前記第１アクチュエータの前記第１支持体は，基端部において前記第１枠体に連結され，先端部において前記トーションバーに連結されて，前記トーションバーを支持することを特徴とする光偏向器。」
である点で一致する。
セ　一方，両者は以下の各点で相違する。
《相違点１》
　訂正発明は，「主面が（１００）面である単一の単結晶シリコンウエハによって一体的に構成されている光偏光器であって，」「前記単結晶シリコンウエハの単結晶シリコンで形成されたトーションバー」が「前記第１軸方向が，当該トーションバーの結晶方位の＜１００＞方位と平行になるように形成され」たものであり，「前記第２支持体は，前記単結晶シリコンウエハの単結晶シリコンで形成されると共に，長方形板状に形成され，その長手方向が，当該第２支持体の結晶方位の＜１００＞方位と平行になるように形成されている」ものであるのに対して，
　甲１発明においては，「単一のシリコンウエハによって一体的に構成されている光偏光器であって，」「トーションバー」は「前記シリコンウエハのシリコンで形成された」ものであり，「前記第２支持体は，前記シリコンウエハのシリコンで形成されると共に，長方形板状に形成され」たものであるものの，「シリコンウエハ」が「主面が（１００）面である」「単結晶」のものであって，「トーションバー」及び「第２支持体」も「単結晶」であるとともに，「トーションバー」については「前記第１軸方向が，当該トーションバーの結晶方位の＜１００＞方位と平行になるように形成され」，「前記第２支持体」については「その長手方向が，当該第２支持体の結晶方位の＜１００＞方位と平行になるように形成されている」構成までは備えない点。
《相違点２》
　訂正発明は，「前記トーションバーをその長手方向の軸としての第１軸の周りに捩ることで，前記反射面を前記第１軸の周りに共振周波数で揺動させる第１アクチュエータ」を備えるのに対し，甲１発明は，「前記トーションバーをその長手方向の軸としての第１軸の周りに捩ることで，前記反射面を前記第１軸の周りに揺動させる第１アクチュエータ」を備えるものの，「共振周波数で揺動させる」ものであることまでは特定されていない点。
４　判断
（１）相違点１について，
ア　以下，甲第２号証〜甲第５号証に記載されているように，一般に，光偏向器において，ミラー部の共振周波数を高くすることは，周知の課題である。
　甲第２号証には次の記載がある。
「【０００５】
　また，ミラーを第１の方向で共振駆動させる圧電アクチュエータと第２の方向で非共振駆動させる圧電アクチュエータとを組み合わせた２次元光偏向器でも，同様に，ミラーの共振周波数を高くするためには支持層の厚みを厚くする必要があるが，支持層の厚みが厚くなると，共振駆動・非共振駆動の圧電アクチュエータの最大偏向角が小さくなる。よって，
２次元光偏向器において大きな偏向角を確保しようとすると，共振周波数を高くできず，第１の方向の共振周波数と第２の方向の非共振駆動周波数との間に大きな差をつけることが難しい
【０００６】
　本発明は上記背景を鑑みてなされたものであり，
圧電アクチュエータを用いた光偏向器において，小型で簡単な構造で，高い駆動周波数と大きい最大偏向角とを両立可能な光偏向器を提供することを目的
　甲第３号証には次の記載がある。
「【００１５】
　そこで本発明は，上記のような問題点に鑑み，ミラー部の外形サイズを小さくでき，もしくは，ミラー部の外形サイズを大きくすることなく，
ミラー部の共振周波数を高く保ちつつ，ミラー部の偏向角度を大きく設定することができる光偏向子及びこの光偏向子を備えた光偏向器並びに光偏向子の製造方法を提供することを目的とする
　甲第４号証には次の記載がある。
「【００１３】　・・・（中略）・・・。反射ミラー部５５が大型化すると，反射ミラー部５５の共振周波数が低下するため，高速で揺動させることができない。特に，偏向角を大きく取るため，又は，低電圧で大きな駆動力を得るため，櫛歯部６１，６２の高さを大きく設定したり，櫛歯数を多くすることは
反射ミラー部５５の重量の増量となり，さらなる共振周波数の低下を招く
【００１４】そこで，本発明は，
前記した課題を解決すべくなされたものであり，低い駆動電力の下でも高速で，且つ，広偏向角で揺動することができると共に，反射ミラー部の剛性にも問題が生じない光偏向器及びこれを用いた表示装置を提供することを目的とする
　甲第５号証には次の記載がある。
「【０００５】
　本発明は，上記した課題に鑑みてなされたもので，走査部としてのミラーの反射面の形状とミラーの反射面における光のスポット形状とを適合させることにより，ミラーを小型化するとともに，
ミラーの共振周波数を向上させ，解像度が高い映像を表示することが可能な走査型画像表示装置を提供することにある
イ　また，以下，甲第６号証及び甲第７号証に記載されているように，トーションバー（梁部）のねじりバネ定数が大きいほど共振周波数が高くなることは技術常識である。
　甲第６号証には次の記載がある
「【００４３】
　　トーションバー２の断面が矩形とした場合，支持部に支持されたミラー部の共振周波数fと，トーションバー２のバネ定数Ｋは式４，式５で示される。
【数２】
」
　甲第７号証には次の記載がある。
「[0006]
　・・・（中略）・・・
 この共振周波数 fは，例えば，従来技術 1のねじり変形部（捻れ梁部）のばね定数を k,回転軸 (Y軸または Z軸）のまわりのモーメントを Iとすると，振動子 1における共振 周波数 fは次式で表される。
 
 [数 1]
」
ウ　また，前記アにおいて摘記した甲第２号証〜甲第４号証に記載されているように，一般に，光偏向器においては，偏向角度を大きくすることも，周知の課題である。
エ　そして，甲第９号証には，前記２（２）ウのとおり，単結晶シリコンで形成されたねじりバネのバネ定数比は，（１００）基板において前記ねじりバネのねじり軸の方向を単結晶シリコンの［１００］方向と平行としたときに最大となること，及び同オのとおり，ねじりバネの共振周波数を上げるための硬いばねにすることもできることが記載されているから，前記イの技術常識に照らせば，ねじりバネの共振周波数を上げるために，単結晶シリコンの（１００）基板において前記ねじりバネのねじり軸の方向を単結晶シリコンの［１００］方向と平行とすればよいことことは明らかである。
オ　さらに，以下，甲第３号証及び甲第９号証に記載されているように，光偏向器を単結晶シリコンウエハの一体形成で製造することは周知の技術である。この際，単結晶シリコンウエハが単一のものであることは明らかである。
　甲第３号証には次の記載がある。
「【請求項６】
　所定の基板厚みを有する単結晶シリコン基板を用い，外部から照射された光を表面で反射させるミラー部を，フレーム部の内側を肉抜きして複数の捩じりバネ部を介して揺動可能に支持した光偏向子を製造する方法・・・（以下略）」
　甲第９号証には次の記載がある。
「【００４６】
　支持部と可動部とねじりバネとを単結晶シリコンで一体形成する場合は，例えば以下のようにして作製する。（１１０）面を主面とする単結晶シリコン基板に，フォトリソグラフィ技術を用いて，支持部，可動部，ねじりバネとなる部分をパターニングする。・・・（以下略）」
カ　しかしながら，甲１発明は，「ミラー部基体１ａと，トーションバー２ａ，２ｂと，支持体４と，可動部９と，支持基体１１とは，複数の層から構成される半導体基板（シリコン基板）を形状加工することにより一体的に形成されている」ものであるところ，トーションバー２ａ，２ｂと，「内側圧電アクチュエータ８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄのそれぞれ」を構成する支持体４とが，前記複数の層のうちの共通する１層のみから構成されることまでは明らかでない。むしろ甲第１号証の図２の記載を見ると，トーションバー２ａ，２ｂにつながるミラー部基体１ａと，支持体４とは別個の層により構成されていることから，同様に，トーションバー２ａ，２ｂと支持体４とが別個の層により構成されていると見る方が自然である。
　このことは，甲第２号証の記載からもいえることである。
　すなわち，甲第２号証の図１及び図２には甲第１号証の図１及び図２と同様なものが示されており，また，甲第２号証の図３も併せて，甲第２号証の次の記載，
「【００２７】
［第１実施形態］
　本発明の第１実施形態について，図１〜図５を参照して説明する。図１は，本発明の第１実施形態における光偏向器の構成を示す斜視図，図２は，図１の光偏向器のミラー部支持体及び圧電アクチュエータの圧電カンチレバーの支持体の断面を示す説明図，図３は，図１の光偏向器の第１の圧電アクチュエータの作動を示す説明図，
　・・・（中略）・・・
【００２８】
　図１に示すように，本実施形態の光偏向器Ａ１は，入射された光を反射するミラー部１と，ミラー部１に連結されたトーションバー２ａ，２ｂと，ミラー部１をそれぞれトーションバー２ａ，２ｂを介して駆動する２対の内側の第１の圧電アクチュエータ８ａ〜８ｄと，第１の圧電アクチュエータ８ａ〜８ｄを支持する可動枠９と，可動枠９を駆動する１対の外側の第２の圧電アクチュエータ１０ａ，１０ｂと，第２の圧電アクチュエータ１０ａ，１０ｂを支持する支持部１１とを備えている。
【００２９】
　・・・（中略）・・・
【００３１】
　第１の圧電アクチュエータ８ａ〜８ｄは，それぞれ，１つの圧電カンチレバーから構成される。各圧電カンチレバーは，支持体４ａ〜４ｄと下部電極５ａ〜５ｄと圧電体６ａ〜６ｄと上部電極７ａ〜７ｄとを備えている。
【００３２】
　・・・（中略）・・・
【００４５】
　ここで，図２に，光偏向器Ａ１の断面を模式的に示す。図２には，ミラー部１，圧電アクチュエータ８ａ〜８ｄ，１０ａ，１０ｂ，支持部１１の断面が示されている。光偏向器において，ミラー部支持体１ａ，トーションバー２ａ，２ｂ，支持体４ａ〜４ｈ，可動枠９，支持部１１を形成する半導体基板としては，ＳＯＩ基板３１を用いている。ＳＯＩ基板３１は，後述の図５（ａ）に示すように，単結晶シリコン（活性層３１ａ，又はＳＯＩ層ともいう）／酸化シリコン（中間酸化膜層３１ｂ）／単結晶シリコン（ハンドリング層３１ｃ）の貼り合わせ基板である。ＳＯＩ基板の各層の厚みは，例えば，活性層３１ａの厚みは5〜100［μm］，中間酸化膜層３１ｂの厚みは0.5〜2［μm］，ハンドリング層３１ｃの厚みは100〜600［μm］である。
【００４６】
　・・・（中略）・・・
【００４７】
　このとき，図２に示すように，
第１の圧電アクチュエータ８ａ〜８ｄの圧電カンチレバーの支持体４ａ〜４ｄと，第２の圧電アクチュエータ１０ａ，１０ｂの圧電カンチレバー３ｅ〜３ｈの支持体４ｅ〜４ｈは，ＳＯＩ基板３１のうち活性層３１ａ（本発明の第１の支持層）を形状加工して形成される。一方，ミラー部支持体１ａは，ＳＯＩ基板３１のうちハンドリング層３１ｃ（本発明の第２の支持層）を形状加工して形成される
【００４８】
　また，
トーションバー２ａ，２ｂは，ＳＯＩ基板３１のうち，ミラー部１と同様に，ハンドリング層３１ｃ（第１の支持層と異なる第３の支持層，本実施形態では第２の支持層と同じ）を形状加工して形成される
を参照すると，第１の圧電アクチュエータ８ａ〜８ｄの圧電カンチレバーの支持体４ａ〜４ｄとトーションバー２ａ，２ｂとは，異なるシリコンの層により構成されていることは明らかである。
　そして，甲第２号証の図２と，甲第１号証の図２とは同様のものであるから，甲第１号証の記載されたものにおいても，甲第２号証の記載されたものと同様に，トーションバー２ａ，２ｂと支持体４とが別個の層により構成されている蓋然性が高いものといえる。
キ　そうすると，甲１発明において，前記アの周知の課題を解決すべく，前記エの甲第９号証に記載された知見を適用するとしても，支持体４とは異なる層により構成されたトーションバー２ａ，２ｂについて適用されるものとなる。
　一方，前記２（２）イに摘示した甲第９号証の記載事項のとおり，単結晶シリコンで形成された部材の変形量比は，（１００）基板において前記部材の長手方向を単結晶シリコンの［１００］方向と平行としたときに最大となり，外側圧電アクチュエータ１０ａ，１０ｂの圧電駆動による屈曲変形も大きくなることから，当該知見を甲１発明の支持体４に適用して，前記ウの周知課題の解決に寄与させるとしても，トーションバー２ａ，２ｂとは異なる層により構成された支持体４について適用されるものとなる。
ク　また，前記オの甲第３号証及び甲第９号証に記載された，単結晶シリコンウエハの一体形成で製造する周知技術は，いずれも圧電カンチレバーによりミラーを駆動するものではないうえ，仮に，当該周知技術が光偏向装置一般における周知技術であったとしても，甲１発明に対して当該周知技術を適用する動機が見いだせないから，当該周知技術を甲１発明に適用することを当業者が適宜になし得たとはいえない。
ケ　以上のとおりであるから，甲１発明において，相違点１に係る，「シリコンウエハ」が「主面が（１００）面である」「単結晶」のものであって，「トーションバー」及び「第２支持体」も「単結晶」であるとともに，「トーションバー」については「前記第１軸方向が，当該トーションバーの結晶方位の＜１００＞方位と平行になるように形成され」，「前記第２支持体」については「その長手方向が，当該第２支持体の結晶方位の＜１００＞方位と平行になるように形成されている」構成を備えることは，当業者が容易になし得たこととはいえない。
（２）小括
　よって，相違点２について検討するまでもなく，訂正発明は，甲１発明，甲第２号証ないし甲第７号証及び甲第９号証に記載された事項，並びに周知の技術事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
第６　平成３０年５月３０日付け取消理由通知（決定の予告）において採用しなかった特許異議申立理由及び証拠について
１　異議申立理由１及び２について
（１）異議申立理由１（第３６条第６項第１号）の概要
　訂正前の請求項１においては，「前記第１アクチュエータを介して前記トーションバーに連結している第１枠体」及び「前記第１枠体を前記第２枠体に連結する唯一の連結部材として前記第１枠体と前記第２枠体との間に介在する共に，前記反射面を前記第１軸とは別の第２軸の周りに揺動させる第２アクチュエータ」との記載があり，これらの各「連結」している部分が別体として形成されたものも含まれる記載となっているが，本件特許明細書においては，前記各「連結」している部分は単結晶シリコンウエハによって一体的に形成されたものしか記載されていない。
（２）異議申立理由２（第３６条第６項第２号）の概要
　上記（１）のとおりであるが，翻せば，訂正前の請求項１に係る前記「連結」がどのような意味で記載されているのか不明である。
（３）上記異議申立理由１及び２について
　前記「第３　訂正発明」に記載したとおり，訂正発明においては，「単一の単結晶シリコンウエハによって一体的に構成されている光偏光器であ」る点が特定された。
　そして，訂正発明における当該特定により，各「連結」している部分が別体として形成されたものは排除されるから，上記異議申立理由１は解消され，これに伴い，上記異議申立理由２も解消されたから，両異議申立理由は採用することができない。
２　異議申立理由３（特許法第２９条第２項）に関して採用しなかった証拠について
（１）採用しなかった各甲号証は以下のものである。
甲第　８号証　‘Influence of silicon crystallorgraphic 
　　　　　　　orientation on mechanical properties of 
　　　　　　　MEMS accelerometers', Gyroscopy and Navigation,
　　　　　　　Vol.3, No.3, p.210-214, 2012
甲第１０号証　特開２００２−７２１２７号公報
甲第１１号証　「オンチップ引張試験によるシリコン薄膜の応力と
　　　　　　　ひずみの測定」，電気学会論文誌Ｅ１１９巻２号，
　　　　　　　６７〜７２ページ，平成１１年
甲第１２号証　国際公開第２０１１／０７４２５６号
甲第１３号証　国際公開第２００９／４７２１号
甲第１４号証　特開平５−３２５２７４号公報
甲第１５号証　特開２０００−３０９０００号公報
（２）上記各甲号証についての検討
ア　甲第８号証について
　甲第８号証に示された「振子式加速度計」は，弾性トーション部５を備えるが，「このトーション軸は振子特性を生じさせる平面（ｌ＝４４７μｍ）の対称軸線から位置変化する」との記載を参照すると，弾性トーション部５がねじりバネとして機能するものであるか否か不明である。
イ　甲第１０号証について
　段落【００６２】〜【００６３】に記載されているとおり，図２３に係るねじり揺動体のスタートウエハであるＳＯＩ基板３００は，支持体基板の１１０方位と活性層基板の１００方位を一致させたものであって，前記ねじり揺動体に関わるせん断弾性係数がどの結晶方位によって定まるのか不明である。
ウ　甲第１１号証について
　甲第１１号証には，単結晶シリコンの各方位についての３点曲げ試験によるヤング率の測定結果が記載されているが，当該測定結果と光偏向器との関係を示すものではない。
エ　甲第１２号証について
　甲第１２号証の段落［００２８］には，振動部にヤング率の大きい１１０方位を採用することが好ましい旨の記載があり，また，ヤング率が最小となるのは１１１方位であることも記載されているから，１００方位を採用する積極的動機をもたらすものとはいえない。
オ　甲第１３〜１５号証について
　甲第１３号証にはプローブに係る発明が，甲第１４号証には圧電変位素子や微小プローブ等が，甲第１５号証には半導体マイクロアクチュエータ等が
記載され，その各々において特定の結晶方位を採用することが示されているものの，そのいずれにおいても光偏向器は示されていない。また，甲第１４号証及び甲第１５号証には，前記特定の方位を採用することの技術的意義が明記されていない。
（３）小括
　以上のとおりであるから，上記（１）の各甲号証に記載された事項は，仮にそれらを参酌しても，前記「第５　４（２）小括」の結論を変更するものではない。
第７　異議申立人の意見書における主張について
１　異議申立人は平成３０年１１月２９日（同年同月３０日受付）に提出した意見書（１３ページ）において，以下の主張を行っている。
（１）甲第１号証の図１において，外側圧電アクチュエータからトーションバーまで何らの段差もなく接続されている点に鑑みれば，これらが異なる層に形成されているとは解しがたい。
（２）甲第１６号証（特開２００９−２２３１６５号公報）及び甲第１７号証（特開２０１２−１３３２４２号公報）においては，訂正発明及び甲１発明と同様な２軸の光偏向器において，トーションバーと外側圧電アクチュエータとが，複数の層から構成されるシリコン基板において，同一の層に形成されていることが記載されている。
２　検討
　上記各主張について検討する
（１）前記第５　４（１）カのとおり，甲第１号証に記載されたものにおいては，各トーションバー２ａ，２ｂと，各内側圧電アクチュエータ８ａ〜８ｄを構成する各支持体４とは異なる層によって構成されていると解することが自然である。甲第１号証の図１は光偏向器全体の斜視図であって，同図２及び甲第２号証の図２に示された断面図とは異なり，層構造の詳細を提示するものではないから，甲第１号証の図１の記載は，前記解釈を左右するものではない。
（２）甲第１６号証及び甲第１７号証に記載された構成を甲１発明に適用する動機は見いだせないうえ，仮に適用することが容易であるとしても，当該適用を行った上で，更に前記第５　４（１）キで検討した結晶方位の選択をすることになる。よって，そのような過程を経て得られるものは，当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
第８　むすび
　よって，取消理由通知（決定の予告）に記載した取消理由及び異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては，訂正発明に係る特許を取り消すことはできない。
　また，他に訂正発明に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成３１年３月１日（２０１９．３．１）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
光偏向器
　【技術分野】
　【０００１】
　本発明は、単結晶シリコンで形成されたトーションバーによって、反射面を揺動可能な光偏向器に関する。
　【背景技術】
　【０００２】
　従来、光を反射する反射面と、単結晶シリコンで形成されたトーションバーと、トーションバーをその長手方向の軸周りに捩ることで、反射面を所定の軸周りに揺動させるアクチュエータとを有する光偏向器が知られている（特許文献１）。
　【先行技術文献】
　【特許文献】
　【０００３】
　【特許文献１】特開２００８−２０７０１号公報
　【発明の概要】
　【発明が解決しようとする課題】
　【０００４】
　特許文献１に記載されたような光偏向器において、反射面の走査速度を大きくすることが望まれる場合がある。このような場合には、トーションバーの共振周波数を大きくするため、トーションバーの長手方向の軸周りのばね定数を大きくすること、例えば、トーションバーの厚さを大きくする等、トーションバーの寸法を変更することが考えられる。しかしながら、寸法の変更により、光偏向器が大型化してしまう場合がある。
　【０００５】
　本発明は、以上の点に鑑みてなされたものであり、光偏向器の大型化を抑制しつつ、反射面の走査速度を高速にできる光偏向器を提供することを目的とする。
　【課題を解決するための手段】
　【０００６】
　本発明は、
主面が（１００）面である単一の単結晶シリコンウエハによって一体的に構成されている光偏向器であって、
前記単結晶シリコンウエハの
共振周波数で
前記単結晶シリコンウエハの
、前記第１アクチュエータの前記第１支持体は、基端部において前記第１枠体に連結され、先端部において前記トーションバーに連結されて、前記トーションバーを支持する
　【０００７】
　ここで、本発明における結晶方位は、単結晶シリコンにおける結晶方位であるので、所定の方位には、その方位に等価な方位が含まれるものとする。例えば、所定の方位が＜１００＞方位である場合の＜１００＞方位とは、例えば、＜０１０＞、＜００１＞、及び＜−１００＞等を含む。
　【０００８】
　ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ　Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｓｙｓｔｅｍｓ）の光偏向器を製造する場合、単結晶シリコンで形成されたウエハが用いられる。このとき、ウエハの主面は、エッチング処理を鑑みて（１００）面を主面とすることが一般的である。このため、ウエハの主面に沿う結晶方位としては、＜１１０＞方位及び＜１００＞方位のいずれかが主となる。
　【０００９】
　ここで、単結晶シリコンのせん断弾性係数Ｇは、単結晶シリコンの結晶方位が＜１１０＞方位のとき約６２［ＧＰａ］であり、単結晶シリコンの結晶方位が＜１００＞方位のとき約７９［ＧＰａ］である。トーションバーのばね定数ｋは、せん断弾性係数Ｇが大きくなる程、大きくなる。
　【００１０】
　従って、トーションバーの長手方向の軸方向が、単結晶シリコンの結晶方位の＜１００＞方位に平行となるように、トーションバーが形成されることで、単結晶シリコンの結晶方位の＜１１０＞方位に平行となるようにトーションバーが形成されるものに比べて、該トーションバーの長手方向の軸周りのばね定数が大きくなり、ひいては、トーションバーの共振周波数を大きくできる。このとき、トーションバーの寸法を変更する必要がない。従って、光偏向器の大型化を抑制しつつ、反射面の走査速度を高速にできる。
　【００１２】
　第２アクチュエータは、長方形板状に形成された第２支持体を備える。このようなカンチレバーの先端部の変位量は、ヤング率Ｅに反比例する。
　【００１３】
　ここで、単結晶シリコンのヤング率Ｅは、単結晶シリコンの結晶方位が＜１１０＞方位のとき約１６０［ＧＰａ］であり、単結晶シリコンの結晶方位が＜１００＞方位のとき約１３０［ＧＰａ］である。従って、第２支持体の長手方向が、単結晶シリコンの結晶方位の＜１００＞方位に平行となるように当該第２支持体が形成されることで、単結晶シリコンの結晶方位の＜１１０＞方位に平行となるように当該支持体が形成されるものに比べて、第２支持体の屈曲変形の大きさが大きくなる。これにより、第２軸周りの反射面の揺動角度を大きくできる。
　【００１４】
　以上のように、第１軸周りのトーションバーの共振周波数を大きくしつつ、第２軸周りの反射面の揺動角度を大きくすることができる。
　【図面の簡単な説明】
　【００１５】
　【図１】本発明の第１実施形態の光偏向器の構成を示す図。
　【図２】主面が（１００）面のウエハから光偏向器を作成するときの光偏向器のレイアウトを示す図であり、（ａ）は、オリエンテーションフラットが＜１１０＞方位を示すとき、（ｂ）は、オリエンテーションフラットが＜１００＞方位を示すときの図。
　【図３】図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線を矢印の方向で見たときの図であり、（ａ）は、光偏向器を製造するときにエッチングする前のウエハの積層を簡略的に示す図であり、（ｂ）は、（ａ）をエッチングした後を簡略的に示す図。
　【図４】本発明の第２実施形態の光偏向器の構成を示す図。
　【発明を実施するための形態】
　【００１６】
　［第１実施形態］
　図１を参照して、本発明の第１実施形態の光偏向器について説明する。本実施形態の光偏向器１は、円形の反射面２ａを有するミラー部２と、２つのトーションバー３と、枠体４と、４つのアクチュエータ５とを備える。
　【００１７】
　ミラー部２は、反射面２ａとほぼ同一の大きさの円形に形成される。ミラー部２は、その中心点が、光偏向器１の中心に配置される。ミラー部２は、レーザ光源（図示省略）からの入射光を反射面２ａに受け、トーションバー３の軸線の回りの回転角に応じた向きに反射光を出射する。なお、トーションバー３の軸線（長手方向の軸線）は、ミラー部２の回転軸線でもある（以下、この軸線を「第１軸Ｘ」という）。２つのトーションバー３は、各々の軸線がミラー部２の同一の直径上となるようにして、ミラー部２の左右両側から先端部をミラー部２の周縁に連結している。
　【００１８】
　４つのアクチュエータ５の各々は、単結晶シリコンで略長方形の板状に形成された支持体５ａと、該支持体５ａの一方の面のほぼ全面に支持された圧電体５ｂとを備える。
　【００１９】
　４つのアクチュエータ５は、ミラー部２の両側（図１の左右側）に２つずつ配置されている。このとき、ミラー部２の右側において、２つのアクチュエータ５は、右側のトーションバー３の基端部の図１の上下にそれぞれ配設され、該トーションバー３の基端部に、先端部を連結している。ミラー部２の左側において、２つのアクチュエータ５は、左側のトーションバー３の基端部の図１の上下にそれぞれ配設され、該トーションバー３の基端部に、先端部を連結している。
　【００２０】
　枠体４は、矩形状の枠（上辺４ｕと下辺４ｄとが平行、及び左辺４ｌと右辺４ｒとが平行）として形成されており、ミラー部２、トーションバー３、及びアクチュエータ５を外側から包囲する。アクチュエータ５の基端部は、枠体４の上辺４ｕ部分又は下辺４ｄ部分に連結する。
　【００２１】
　トーションバー３は、枠体４の上辺４ｕ及び下辺４ｄに対して平行に配置されている。また、アクチュエータ５の支持体５ａ（ひいては、アクチュエータ５）は、枠体４の左辺４ｌ及び右辺４ｒに対して平行に配置されている。
　【００２２】
　光偏向器１は、以下のようにして、フォトリソグラフィ技術やドライエッチング技術等を利用した半導体プレーナプロセス及びＭＥＭＳプロセスが用いられて製造される。まず、図２（ａ）に示されるような単結晶シリコンのウエハ１０上に、図３（ａ）に示されるように、下部電極層Ｌ１、圧電体層Ｌ２、及び上部電極層Ｌ３等が積層される。そして、エッチング処理等によって、不要な部位が適宜除去されることで、ミラー部２、トーションバー３、枠体４、及びアクチュエータ５が形成される（図３（ｂ）は、図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面を示している）。このとき、下部電極層Ｌ１、圧電体層Ｌ２及び上部電極層Ｌ３は、アクチュエータ５の部分のみ残されて、他の部分は除去される。
　【００２３】
　また、圧電体５ｂ（圧電体層Ｌ２がエッチング処理されて残った箇所）へ駆動電圧を印加できるように、上部電極層Ｌ３がエッチング処理されて残った箇所（上部電極）ｔ＋に導通する配線（図示省略）と、下部電極層Ｌ１がエッチング処理されて残った箇所（下部電極）ｔ−に導通する配線（図示省略）が設けられる。
　【００２４】
　圧電体５ｂは、上部電極ｔ＋に導通する配線と、下部電極ｔ−に導通する配線との間に駆動電圧が印加されると、該印加されたことによる圧電効果によって、支持体５ａの長手方向に対して縮小する。これに伴って、圧電体５ｂを支持している支持体５ａが、圧電体５ｂを支持している側の表面を内側となるように（支持体５ａの基端部図３の上方向に向かって）、該圧電体５ｂと共に屈曲変形する。以下、このような圧電体５ｂと支持体５ａの屈曲変形を、単にアクチュエータ５の屈曲変形ともいう。
　【００２５】
　また、ミラー部２には、ウエハ１０上に、金属薄膜（本実施形態では一層の金属薄膜）を半導体プレーナプロセスを用いて形状加工することで、反射面２ａが形成される。
　【００２６】
　トーションバー３と、アクチュエータ５の支持体５ａとは、ウエハ１０等がエッチングされることで形成されるので、ウエハ１０と同じ材料、すなわち、単結晶シリコンで形成される。
　【００２７】
　ウエハ１０は、単結晶シリコンで形成されている。ウエハ１０の主面は、（１００）面である。このため、ウエハ１０の主面に沿う結晶方位としては、＜１１０＞方位及び＜１００＞方位のいずれかが主となる。ウエハ１０には、＜１１０＞方位を示すようにオリエンテーションフラット１１が設けられている（図２（ａ）参照）。すなわち、オリエンテーションフラット１１に対して４５度の角度の方向が、＜１００＞方位となる。
　【００２８】
　そして、図２（ａ）に示されるように枠体４の上辺４ｕがオリエンテーションフラット１１に対して４５度傾斜するように、ウエハ上に、これから形成される光偏向器１をレイアウトする。これによって、枠体４の上辺４ｕが、＜１００＞方位と平行になる。上辺４ｕに平行な方向及び直交する方向は、全て＜１００＞方位となる。このため、上辺４ｕに平行なトーションバー３の長手方向と、上辺４ｕに直交するアクチュエータ５の支持体５ａの長手方向とは、＜１００＞方位となる。
　【００２９】
　なお、図２（ｂ）に示されるように、主面が（１００）面のウエハ１０に、＜１００＞方位を示すように、オリエンテーションフラット１１を設けてもよい。この場合には、枠体４の上辺４ｕがオリエンテーションフラット１１に対して平行となるように、ウエハ１０上にこれから形成する光偏向器１をレイアウトすればよい。
　【００３０】
　次に、光偏向器１の作動について説明する。この光偏向器１は、アクチュエータ５の駆動により、トーションバー３が、第１軸Ｘ周りに捩られるように構成されている。
　【００３１】
　詳細には、４つのアクチュエータ５のうち図１の上側にある２つのアクチュエータ（以下、「上側アクチュエータ」という）５が、枠体４に連結されている基端部に対してトーションバー３に連結されている先端部が屈曲変形すると共に、残りの２つのアクチュエータ（図１の下側にある２つのアクチュエータ。以下、「下側アクチュエータ」という）５が、枠体４に連結されている基端部に対してトーションバー３に連結されている先端部が屈曲変形するように、圧電体５ｂに駆動電圧が印加される。このとき、上側アクチュエータ５の各々の屈曲変形が同じ大きさとなるように、該上側アクチュエータ５の圧電体５ｂに駆動電圧が印加される。また、下側アクチュエータ５の各々の屈曲変形が同じ大きさとなるように、該下側アクチュエータ５の圧電体５ｂに駆動電圧が印加される。
　【００３２】
　上側アクチュエータ５の屈曲変形の大きさと、下側アクチュエータ５の屈曲変形の大きさとが異なる場合、トーションバー３が第１軸Ｘ周りに捩られて、ミラー部２（ひいては、反射面２ａ）が第１軸Ｘ周りに揺動する。上側アクチュエータ５の屈曲変形の大きさと、下側アクチュエータ５の屈曲変形の大きさとが同じ場合、ミラー部２の揺動角度は、上側アクチュエータ５及び下側アクチュエータ５が屈曲変形していないときのミラー部２の揺動角度と同じになる。このように、上側アクチュエータ５の屈曲変形の大きさと、下側アクチュエータ５の屈曲変形の大きさとに応じて、反射面２ａの第１軸Ｘ周りの揺動角度を調整することができる。
　【００３３】
　なお、本実施形態の光偏向器１には、上側アクチュエータ５の圧電体５ｂに印加する電圧信号と、下側アクチュエータ５の圧電体５ｂに印加する電圧信号とは、周期性を有し、且つ互いに逆位相となる電圧信号（すなわち互いに１８０度位相がずれた電圧信号）が印加される。このときの、電圧信号の周波数は、光偏向器１の機械的な共振周波数に設定される。これにより、反射面２ａを大きな偏向角で第１軸Ｘ周りに揺動できる。
　【００３４】
　以上のように、トーションバー３は、第１軸（トーションバー３の長手方向の軸）Ｘ周りに捩ることで、反射面２ａを第１軸Ｘ周りに揺動させる。前述したように、トーションバー３の長手方向は、＜１００＞方位となる。ここで、単結晶シリコンのせん断弾性係数Ｇは、単結晶シリコンの結晶方位が＜１１０＞方位のとき約６２［ＧＰａ］であり、単結晶シリコンの結晶方位が＜１００＞方位のとき約７９［ＧＰａ］である。トーションバー３のばね定数ｋは、該トーションバー３のせん断弾性係数Ｇが大きくなる程、大きくなる。例えば、トーションバー３が本実施形態のように長板形状の場合、該トーションバー３のばね定数ｋは、次式（１）で表される。
　【００３５】
　【数１】
　【００３６】
　ここで、Ｇはトーションバー３のせん断弾性係数を示し、ｗはトーションバー３の幅方向の長さを示し、ｔはトーションバー３の厚さを示し、Ｌはトーションバー３の長手方向の長さを示す。
　【００３７】
　従って、トーションバー３の長手方向の軸Ｘが、単結晶シリコンの結晶方位の＜１００＞方位に平行となるようにトーションバー３が形成されることで、単結晶シリコンの結晶方位の＜１１０＞方位に平行となるようにトーションバー３が形成されるものに比べて、該トーションバー３の長手方向の軸Ｘ周りのばね定数ｋが大きくなり、ひいては、トーションバー３の共振周波数を大きくできる。このとき、トーションバー３の寸法を変更する必要がない。従って、光偏向器の寸法を変更することなく（光偏向器１の大型化を抑制しつつ）、反射面２ａの走査速度を高速にできる。
　【００３８】
　また、トーションバー３を捩るときに、アクチュエータ５は、その基端部を起点として先端部が屈曲変形する。このように、アクチュエータ５は、枠体４に支持されたカンチレバーである。カンチレバーの先端部の変位量は、該カンチレバーのヤング率Ｅに反比例する。例えば、カンチレバー（支持体５ａ）の基端部に対する先端部の変位量ｙは、次式（２）で表される。なお、支持体５ａは、そのほぼ全面で圧電体５ｂを支持しているので、支持体５ａが屈曲変形するときには、支持体５ａのほぼ全面に均等の力が作用する。
　【００３９】
　【数２】
　【００４０】
　ここで、Ｌは支持体５ａの長手方向の長さを示し、ｑは支持体５ａの単位長さ辺りの荷重（圧電体の圧電効果による屈曲変形させる力）を示し、Ｅは支持体５ａのヤング率を示し、Ｉは支持体５ａの断面二次モーメントを示す。
　【００４１】
　単結晶シリコンのヤング率Ｅは、単結晶シリコンの結晶方位が＜１１０＞方位のとき約１６０［ＧＰａ］であり、単結晶シリコンの結晶方位が＜１００＞方位のとき約１３０［ＧＰａ］である。支持体５ａの長手方向は、前述したように＜１００＞方位である。従って、単結晶シリコンの結晶方位の＜１００＞方位に平行となるように支持体５ａが形成されることで、単結晶シリコンの結晶方位の＜１１０＞方位に平行となるように支持体５ａが形成されるものに比べて、支持体５ａの基端部に対する先端部の屈曲変形の大きさが大きくなる。これにより、反射面２ａの揺動角度を大きくできる。
　【００４２】
　以上のように、トーションバー３の共振周波数を大きくした場合であっても、反射面２ａの揺動角度を大きくすることができる（カンチレバー（支持体５ａ）の変位量を大きくした場合であっても、反射面２ａの走査速度を速くできる）。
　【００４３】
　［第２実施形態］
　図４を参照して、本発明の第２実施形態の光偏向器について説明する。本実施形態の光偏向器２０１は、第１実施形態の光偏向器（以下、本実施形態においては「内側偏向部」という）１に加えて、該内側偏向部１を第２軸Ｙ周りに揺動させる一対の外側アクチュエータ２０５と、外枠２０４とを備える。
　【００４４】
　外枠２０４は、矩形状の枠（上辺２０４ｕと下辺２０４ｄとが平行、及び左辺２０４ｌと右辺２０４ｒとが平行）として形成されており、内側偏向部１及び外側アクチュエータ２０５を外側から包囲する。
　【００４５】
　一対の外側アクチュエータ２０５は、内側偏向部１を挟んで対向して配置されている。一対の外側アクチュエータ２０５は、その先端部が内側偏向部１の左辺４ｌの外側に連結されると共に、その基端部が外枠２０４の左辺２０４ｌ及び右辺２０４ｒの内側に連結される。
　【００４６】
　一対の外側アクチュエータ２０５の各々は、複数の圧電カンチレバー２０６を備える。なお、本実施形態では、圧電カンチレバー２０６の数は、４つとしているが、他の数であってもよい。外側アクチュエータ２０５において、複数の圧電カンチレバー２０６の各々は、その長さ方向が同じになるように、各圧電カンチレバー２０６の両端部が隣り合うように、間隔が設けられて並んで配置されている。そして、各圧電カンチレバー２０６は、隣り合う圧電カンチレバーに対し折り返すように連結されている。このように、外側アクチュエータ２０５は、複数の圧電カンチレバー２０６が、蛇腹状（ミアンダ形状）に形成されている。
　【００４７】
　本実施形態の光偏向器２０１は、第１実施形態の光偏向器１と同様に、フォトリソグラフィ技術やドライエッチング技術等を利用した半導体プレーナプロセス及びＭＥＭＳプロセスが用いられて製造される。すなわち、単結晶シリコンのウエハ１０上に、下部電極層Ｌ１、圧電体層Ｌ２、及び上部電極層Ｌ３等が積層された後、エッチング処理等によって、不要な部位が適宜除去されることで、内側偏向部１（ミラー部２、トーションバー３、枠体４、及びアクチュエータ５）、外側アクチュエータ２０５、及び外枠２０４が形成される。このとき、下部電極層Ｌ１、圧電体層Ｌ２及び上部電極層Ｌ３は、内側偏向部１のアクチュエータ５、及び外側アクチュエータ２０５の圧電カンチレバー２０６の部分のみ残されて、他の部分は除去される。
　【００４８】
　そして、アクチュエータ５及び圧電カンチレバー２０６の圧電体５ｂ（圧電体層Ｌ２がエッチング処理されて残った箇所）へ駆動電圧を印加できるように、上部電極層Ｌ３がエッチング処理されて残った上部電極ｔ＋に導通する配線（図示省略）と、下部電極層Ｌ１がエッチング処理されて残った下部電極ｔ−に導通する配線（図示省略）が設けられる。これにより、圧電体５ｂは、上部電極ｔ＋に導通する配線と、下部電極ｔ−に導通する配線との間に駆動電圧が印加されると、該印加されたことによる圧電効果によって、支持体５ａの長手方向に対して縮小する。これに伴って、圧電体５ｂを支持している支持体５ａが、圧電体５ｂを支持している側の表面を内側となるように、該圧電体５ｂと共に屈曲変形する。
　【００４９】
　ここで、以下の説明では、４つの圧電カンチレバー２０６のうち、外側アクチュエータ２０５の先端部側から基端部側に向かって数えて、奇数番目の２つの圧電カンチレバーと偶数番目の２つの圧電カンチレバーとを区別する場合には、奇数番目の２つの圧電カンチレバーの符号の末尾に「ｏ」を付与して２０６ｏとして表し、偶数番目の２つの圧電カンチレバーの符号の末尾に「ｅ」を付与して２０６ｅとして表す。
　【００５０】
　光偏向器２０１は、アクチュエータ５の圧電体５ｂ、奇数番目の圧電カンチレバー２０６ｏの圧電体５ｂ、及び偶数番目の圧電カンチレバー２０６ｅの圧電体５ｂの各々は、独立して駆動電圧が印加できるように配線されている。
　【００５１】
　また、複数の圧電カンチレバー２０６の各々は、外枠２０４の上辺２０４ｕ及び下辺２０４ｄに対して直交するように配置されている。また、内側偏向部１は、その枠体４の左辺４ｌ及び右辺４ｒが、外枠２０４の上辺２０４ｕ及び下辺２０４ｄと平行に配置されている。このため、複数の圧電カンチレバー２０６の各々は、内側偏向部１の支持体５ａと直交し、且つ内側偏向部１のトーションバー３と平行になる。本実施形態においても、第１実施形態と同様に、ウエハ１０は、単結晶シリコンで形成されている。ウエハ１０の主面は、（１００）面であり、＜１１０＞方位を示すようにオリエンテーションフラット１１が設けられている。すなわち、オリエンテーションフラット１１に対して４５度の角度の方向が、＜１００＞方位となる。
　【００５２】
　そして、外枠２０４の上辺２０４ｕがオリエンテーションフラット１１に対して４５度傾斜するように、ウエハ１０上にこれから形成する光偏向器２０１をレイアウトする。これによって、外枠２０４の上辺２０４ｕが、＜１００＞方位と平行になる。上辺２０４ｕに平行な方向及び直交する方向は、全て＜１００＞方位となる。このため、上辺２０４ｕに直交するトーションバー３の長手方向と、上辺２０４ｕに平行な「内側偏向部１のアクチュエータ５の支持体５ａの長手方向」と、上辺２０４ｕに直交する「外側アクチュエータ２０５の支持体５ａの長手方向」とが＜１００＞方位となる。
　【００５３】
　なお、主面が（１００）面であり、オリエンテーションフラット１１が＜１００＞方位を示すように設けられたウエハ１０を用いる場合には、外枠２０４の上辺２０４ｕがオリエンテーションフラット１１に対して平行となるように、ウエハ１０上にこれから形成する光偏向器２０１をレイアウトすればよい。
　【００５４】
　次に、光偏向器２０１の作動について説明する。
　【００５５】
　この光偏向器２０１において、内側偏向部１のアクチュエータ５の駆動により、トーションバー３が、第１軸Ｘ周りに捩られる。これにより、反射面２ａが第１軸Ｘ周りに揺動する。この作動の詳細については、第１実施形態と同じであるので、説明を省略する。
　【００５６】
　また、外側アクチュエータ２０５の駆動により、内側偏向部１が、第２軸Ｙ周りに揺動する。これにより、反射面２ａが第２軸Ｙ周りに揺動する。
　【００５７】
　詳細には、奇数番目の圧電カンチレバー２０６ｏの圧電体５ｂに、周期性を有する単極性の電圧信号（例えば正弦波又はノコギリ波等に直流成分を加えた信号。以下、「第１電圧信号」という）を印加すると共に、偶数番目の圧電カンチレバー２０６ｅの圧電体５ｂに、第１電圧信号とは、互いに逆位相の電圧信号（すなわち互いに１８０度位相がずれた電圧信号。以下、「第２電圧信号」という）を印加する。これにより、第１電圧信号の値と第２電圧信号の値が等しいときに、各圧電カンチレバー２０６の屈曲変形の大きさが等しくなる（以下、この状態を「状態２Ａ」という）。また、第１電圧信号の値が第２電圧信号の値より大きいときに、奇数番目の圧電カンチレバー２０６ｏの屈曲変形が、偶数番目の圧電カンチレバー２０６ｅの屈曲変形より大きくなる（以下、この状態を「状態２Ｂ」という）。また、第１電圧信号の値が第２電圧信号の値より小さいときに、奇数番目の圧電カンチレバー２０６ｏの屈曲変形が、偶数番目の圧電カンチレバー２０６ｅの屈曲変形より小さくなる（以下、この状態を「状態２Ｃ」という）。
　【００５８】
　互いに逆位相の第１電圧信号と第２電圧信号とが、奇数番目の圧電カンチレバー２０６ｏの圧電体５ｂと、偶数番目の圧電カンチレバー２０６ｅの圧電体５ｂとに印加されるので、「状態２Ｂ→状態２Ａ→状態２Ｃ（→状態２Ｂ…）」が繰り返される。このような各圧電カンチレバー２０６の動きにより、反射面２ａは、第２軸Ｙ周りで回転する。
　【００５９】
　また、各圧電カンチレバー２０６がミアンダ形状に連結されているので、外側アクチュエータ２０５では、各圧電カンチレバー２０６の屈曲変形の大きさを累積した大きさの角度変位が発生する。従って、例えば、内側偏向部１のアクチュエータ５に比べて大きな角度変位を得ることができるので、第１電圧信号及び第２電圧信号の周波数を、光偏向器２０１の機械的な共振周波数としない場合であっても、反射面２ａの偏向角が充分な大きさとなる。
　【００６０】
　また、内側偏向部１を第２軸Ｙ周りに揺動する場合には、上述したように周期性を有する電圧信号を印加する必要はなく、直流の電圧信号を印加してもよい。この場合、圧電カンチレバー２０６で発生する屈曲変形の大きさは、直流電圧の大きさに応じて線形的に変化する。従って、例えば周期性を有する電圧信号を印加して圧電カンチレバーを共振駆動させる場合と異なり、直流電圧の大きさを制御することで外側アクチュエータ２０５から任意の出力を得ることができる。このように、光偏向器２０１では、第２軸Ｙ周りに揺動する場合には、駆動電圧として印加した直流電圧の大きさに応じて線形的に偏向角を制御することができるので、任意の速度で任意の偏向角を得ることができる。
　【００６１】
　本実施形態の光偏向器２０１では、第１実施形態の光偏向器１を内側偏向部１として備えているので、内側偏向部１は、第１実施形態の光偏向器１と同じ効果が得られる。
　【００６２】
　また、本実施形態の光偏向器２０１では、外側アクチュエータ２０５の各圧電カンチレバー２０６の支持体５ａが、その長手方向が＜１００＞方位となっている。従って、該圧電カンチレバー２０６の支持体５ａの長手方向が＜１１０＞方位のものに比べて、支持体５ａの基端部に対する先端部の屈曲変形の大きさが大きくなる。これにより、内側偏向部１の第２軸Ｙ周りの揺動角度を大きくできる。
　【００６３】
　なお、上記第１実施形態及び第２実施形態の光偏向器においては、トーションバー３を捩るためのアクチュエータとして圧電体を用いているが、これに限らず、その他の態様によってトーションバー３を捩るようにアクチュエータを構成してもよい。
　【符号の説明】
　【００６４】
　１…光偏向器（第１実施形態）、２ａ…反射面、３…トーションバー、５…アクチュエータ、５ａ…支持体、５ｂ…圧電体、Ｘ…第１軸（所定の軸、長手方向の軸）、２０１…光偏向器（第２実施形態）、Ｙ…第２軸（所定の軸）、２０５…外側アクチュエータ（アクチュエータ）。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　
主面が（１００）面である単一の単結晶シリコンウエハによって一体的に構成されている光偏向器であって、
前記単結晶シリコンウエハの
共振周波数で
　前記反射面と前記トーションバーと前記第１アクチュエータとを包囲し、前記第１アクチュエータを介して前記トーションバーに連結している第１枠体と、
　前記第１枠体を包囲する第２枠体と、
　前記第１枠体を前記第２枠体に連結する唯一の連結部材として前記第１枠体と前記第２枠体との間に介在する共に、前記反射面を前記第１軸とは別の第２軸の周りに揺動させる第２アクチュエータとを備え、
　前記第１アクチュエータは、駆動電圧が印加される第１圧電体と、該第１圧電体を支持し該第１圧電体と共に屈曲変形する第１支持体とを備え、
　前記第２アクチュエータは、長手方向を前記第１軸に平行に揃えてミアンダ形状に連結されている複数の圧電カンチレバーを有し、
　前記第２アクチュエータの各圧電カンチレバーは、駆動電圧が印加される第２圧電体と、該第２圧電体を支持し該第２圧電体と共に屈曲変形する第２支持体とを備え、
　前記トーションバーは、前記第１軸方向が、当該トーションバーの結晶方位の＜１００＞方位と平行になるように形成され、
　前記第２支持体は、
前記単結晶シリコンウエハの
、
　
前記第１アクチュエータの前記第１支持体は、基端部において前記第１枠体に連結され、先端部において前記トーションバーに連結されて、前記トーションバーを支持する