(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ファイバ・センサであって、
光路を形成する偏光維持光ファイバと、
前記光路上の偏光維持光ファイバを伝播する２つの直線偏光波を発生する手段と、
前記光ファイバに結合され、前記２つの直線偏光波を、前記光路を伝播する２つの円偏光波に変換する少なくとも１つの４分の１波長板と、
前記光路のほぼ中間点で前記偏光維持光ファイバに結合されている検知媒体を含む検知領域であって、前記２つの円偏光波が前記検知媒体をそれぞれ２回通過して当該検知領域に近接する磁界または導体を流れる電流によって生ずる差分位相シフトを受ける検知領域と、
前記光ファイバに結合され、前記円偏光波内の差分位相シフトを検出して、前記磁界或は前記電流の大きさに相関する出力であって、前記４分の１波長板の不完全性によって導入されるインコヒーレントＤ．Ｃ．光成分を含む出力を発生する検出器と、
前記検出器出力を受信して、前記の検出された大きさを前記インコヒーレントＤ．Ｃ．光成分に応じて補正し、前記４分の１波長板の不完全性による誤差が補正されたセンサ測定値を発生する手段とを具える光ファイバ・センサ。
【請求項２】
前記補正手段が、
前記検出器出力を受信して、該検出器出力内のＤ．Ｃ．信号の強度を表す出力を発生するＤ．Ｃ．レベル検出器と、
前記検出器出力を受信して、該検出器出力内のＡ．Ｃ．スペクトルに相関する出力レベルを生成するＡ．Ｃ．検出器と、
前記Ｄ．Ｃ．出力レベル及びＡ．Ｃ．出力レベルを受信して、それらの相対的強度を比較するコンパレータと、を具える請求項１に記載の光ファイバ・センサ。
【請求項３】
前記補正手段が、
前記検出器出力を受信して、最大検出器出力レベルを発生するピーク検出器と、
前記検出器出力を受信して前記検出器出力の高調波信号を発生するロックイン復調器と、
前記最大検出器出力レベル及び前記高調波信号を受信して、それらの相対的強度に相関する比を発生するディバイダと、を具える請求項１に記載の光ファイバ・センサ。
【請求項４】
前記偏光維持光ファイバに結合され、少なくとも１つの変調波形を付与して前記２つの直線偏光波を位相変調し、Ａ．Ｃ．成分及びＤ．Ｃ．成分を含ませる位相変調器を更に具える請求項１に記載の光ファイバ・センサ。
【請求項５】
前記位相変調器が周期的波形及びランプ状関数を供給して、前記２つの直線偏光波を位相変調する請求項４に記載の光ファイバ・センサ。
【請求項６】
前記位相変調器が周期的方形波形及び周期的鋸歯波形を供給して、前記２つの直線偏光波を位相変調する請求項４に記載の光ファイバ・センサ。
【請求項７】
前記補正手段が、
前記位相変調器に結合され、前記変調波形内の前記鋸歯の勾配を変化させ、前記検出器出力に第１次高調波信号が生じないようにする手段と、
前記位相変調器に結合され、前記周期的鋸歯波形を受信して該鋸歯波形の勾配を決定する回路とを含む、請求項６に記載の光ファイバ・センサ。
【請求項８】
前記回路が、所定期間内に生ずる前記鋸歯数をカウントするカウンタを含む、請求項７に記載の光ファイバ・センサ。
【請求項９】
前記位相変調器を複屈折変調器とした請求項４に記載の光ファイバ・センサ。
【請求項１０】
前記補正手段が、
0004046243.tif 000026
を計算する手段を含み、ここで、Ｉ1Hは前記検出器出力の第１高調波信号であり、ＩDMAXは前記検出器出力の最大レベルである、請求項１に記載の光ファイバ・センサ。
【請求項１１】
前記補正手段が、
0004046243.tif 000027
を計算する手段を含み、ここで、γは前記ランプ状関数の平均勾配に関連する定数であり、ＩDMAXは前記検出器出力の最大レベルであり、ＩDMINが前記検出器出力の最小レベルである、請求項５に記載の光ファイバ・センサ。
【請求項１２】
インライン光ファイバ・センサを用いて導体中に流れる電流を精密に測定する方法であって、
光路を形成する偏光維持光ファイバを用意するステップと、
前記光路上の前記偏光維持光ファイバを伝播する２つの直線偏光波を発生して送出するステップと、
前記２つの直線偏光波を、検知領域へ向けて前記光路上を伝播する２つの円偏光波に変換するステップと、
前記検知領域に近接する導体を流れる前記電流によって生ずる差分位相シフトを受けるように、前記円偏光波を前記検知領域に通過させるステップと、
位相シフトを受けた前記円偏光波を戻し前記検知領域を通ってもう一回差分位相シフトを与えるステップと、
前記２つの位相シフトさせられた円偏光波を２つの直線偏光波に戻すように変換するステップと、
前記円偏光波内の前記差分位相シフトを検出して、前記電流の大きさに相関する出力であって、前記変換ステップの不完全性によって導入されたインコヒーレントＤ．Ｃ．光成分を含む出力を発生させるステップと、
前記検出出力を受信して、前記インコヒーレントＤ．Ｃ．光成分に応じて前記の検出された大きさを補正し、前記４分の１波長板の不完全性による誤差が補正されたセンサ測定値を発生する補正ステップとを含む方法。
【請求項１３】
前記補正ステップが、
前記検出出力を受信して、該検出出力内のＤ．Ｃ．信号の強度を表す出力を発生するステップと、
前記検出出力を受信して、該検出出力内のＡ．Ｃ．スペクトルに相関する出力レベルを発生するステップと、
前記Ｄ．Ｃ．出力レベル及びＡ．Ｃ．出力レベルの相対的強度を比較して前記インコヒーレントＤ．Ｃ．光成分を決定するステップと、
を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記補正ステップが、
前記検出出力を受信して、最大検出出力レベルを発生するステップと、
前記検出出力を受信して、前記検出出力の高調波信号を発生するステップと、
前記最大検出出力及び前記高調波信号を受信して、それらの相対的強度に相関した比を発生するステップとを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
少なくとも１つの変調波形を付与して、Ａ．Ｃ．成分及びＤ．Ｃ．成分を含むべく、前記２つの直線偏光波を位相変調するステップを更に含む請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記位相変調ステップが、周期的波形及びランプ状関数を付与して、前記２つの直線偏光波を位相変調する、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記位相変調ステップが、周期的方形波形及び周期的鋸歯波形を付与して、前記２つの直線偏光波を位相変調する、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記補正ステップが、
前記変調波形内の前記鋸歯の勾配を変更して、前記検出出力に第１次高調波信号が生じないようにするステップと、
前記周期的鋸歯波形を受信して、前記鋸歯波形の勾配を決定するステップとを含む請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記勾配決定ステップが、所定期間内に生ずる鋸歯数をカウントするステップを含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記補正ステップが、Ｉ1Hが前記検出器出力の第１高調波信号であり、ＩDMAXが前記検出器出力の最大レベルである場合、
0004046243.tif 000028
の計算を為すステップを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項２１】
前記補正ステップが、γが前記ランプ状関数の平均勾配に関連した定数であり、ＩDMAXが前記検出器出力の最大レベルであり、ＩDMINが前記検出器出力の最小レベルである場合、
0004046243.tif 000029
の計算を為すステップを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２２】
光路を形成する偏光維持光ファイバと、
光路を形成する偏光維持光ファイバと、
前記光路上の偏光維持光ファイバを伝播する２つの直線偏光波を発生する手段と、
前記光ファイバに結合され、前記２つの直線偏光波を、前記光路を伝播する２つの円偏光波に変換する少なくとも１つの４分の１波長板と、
前記光路のほぼ中間点で前記偏光維持光ファイバに結合されている検知媒体を含む検知領域であって、前記２つの円偏光波が前記検知媒体をそれぞれ２回通過して当該検知領域に近接する磁界または導体を流れる電流によって生ずる差分位相シフトを受ける検知領域と、
前記光ファイバに結合され、前記円偏光波内の差分位相シフトを検出して、前記磁界或は前記電流の大きさに相関する出力であって、前記４分の１波長板の不完全性によって導入されるインコヒーレントＤ．Ｃ．光成分を含む出力を発生する検出器と、
前記検出器出力を受信して、前記２つの直線偏光波の波長を変更し、前記インコヒーレントＤ．Ｃ．光成分を最小化して、前記４分の１波長板の不完全性による誤差が補正されたセンサ測定値を発生する手段とを具える光ファイバ・センサ。
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、全般的には、光ファイバ・センサの分野に関する。更に詳しくは、本発明は精密電流検知のための光ファイバ装置及び方法に関する。
発明の背景
過去十年間にわたって、光ファイバ・センサは、磁場検知及び電流検知での適用分野において注目を集めてきた。光ファイバ電流センサは、非導電性で軽量であるため、鉄心電流変圧器よりも特に有利である。更に、光ファイバ・センサは、ヒステリシスを示さず、且つより大きなダイナミックレンジ及び周波数応答性を発揮する。
光ファイバ電流センサは、ファラデー効果の原理で作動する。ワイヤ内を流れる電流は、ファラデー効果によって、電流搬送ワイヤの周りに巻回された光ファイバ内を移動する光の偏光面を回転させる磁界を誘導する。ファラデーの法則は：
0004046243.tif 000002
で示される（式中、Ｉは電流であり、Ｈは磁界であり且つ積分は電流の周りの閉路（closed path）にわたってとられる）。検知ファイバを電流搬送ワイヤの周りに必須回数巻回されて、且つ検知ファイバーにおける各点が磁界に対して一定の感度を有する場合、ファイバ内における光の偏光面の回転は、ワイヤ内を搬送される電流に依存し、全ての外部発生磁界、例えば近傍のワイヤ内に搬送される電流によって起こされる磁界等に対しては感度を有さない。光の偏光面が磁界の存在によって回転する角度、Δφは：
0004046243.tif 000003
で与えられる（式中、Ｖはガラスファイバのベルデ定数である）。検知光ファイバは、その光路に沿った磁界の線績分を行い、それはその光路自体が閉じていれば、ワイヤ内の電流に比例する。従って、Δφ＝ＶＮＩとなる。ここで、Ｎは電流搬送ワイヤ周りに巻回された検知ファイバの巻数である。電流の存在による光の偏光状態の回転は、良好に規定された直線偏光（又は偏波）状態である光を検知領域に注入し、次いでその光が検知領域を出た後に、その偏光状態を分析することで測定される。
James N. Blakeにより、１９９６年３月２６日に提出された関連の米国特許出願（発明の名称「Fiber Optic Interferometric Current and Magnetic Field Sensor」、出願番号第            号）（以後、「Blake」と記す）では、電流或は磁界の測定用のインライン（in-line）或は線形光ファイバ・センサーが教示されている。Blakeの特許は参考として本明細書に記載する。Blakeは、光ビームを第１及び第２の主固有軸上を移動する光に分離し、１つ或は２以上の波形を付与して光ビームを複屈折変調させるための複屈折変調器の使用を教示すると共に、直交する直線偏光を検知領域に入る前に逆回転円偏光に変換すべくファイバの主軸に対して４５°の角度に設定された４分の１波長板の使用を教示している。ファイバ端部での反射に及んで、２つの光波の回転の状態が逆転し、光波は検知領域を通過して戻るように移動し、直線偏光に逆変換されて光検出器に逆伝播する。従って、２つの光波は、光学的回路を通じて、往復光路及び同一偏光旋回を受ける。Blakeが教示する光ファイバ・センサは、従来の全てのファイバ・センサに関連された多くの不利益を克服している。しかしながら、このセンサ及び検出方法は、センサの精度に影響を与える特に悪影響を及ぼす問題を依然として有する。非常に精密な測定を行うためには、光学的構成要素、特に４分の１波長板が完全でなければならず、温度変化或は機械的乱れ等の外部応力に影響されてはならない。ある用途で要求される精密な検出を達成するために、完全或は略完全な４分の１波長板を製造することが困難であり、且つ非常に費用が嵩むことは良く知られている。
発明の概要
従って、直線偏光した光波を円偏光した光波に変換し、円偏光した光波を直線偏光した光波に戻す光学的素子によって導入される誤差、例えば不完全な４分の１波長板により誘導される誤差を補償するための装置及び方法が必要とされている。
本発明によれば、従来の光学センサに関連する欠点を解消或は大幅に軽減する精密測定のための光ファイバ・センサ及び方法が提供される。
本発明の一つの観点から、光ファイバ・センサは、光学的経路又は光路を形成する偏光維持光ファイバと、該光路上の偏光維持光ファイバ内を伝播する２つの直線偏光波と、それら２つの直線偏光波を検知領域に向かって光路上を移動する２つの円偏光波に変換するための、光ファイバに結合された少なくとも一つの光学的素子、例えば４分の１波長板とを備える。検知領域は、光路のほぼ中間点に偏光維持光ファイバに結合した検出媒体を含んでおり、この検出媒体を通過する円偏光波は、磁界或は検知領域に接近した導体を流れる電流によって引き起こされる差分位相シフトを受ける。更に、磁界又は電流の大きさと相関する出力を発生する円偏光における差分位相シフトを検出検出器が光ファイバに結合され、検出器出力は、１／４波長板の不完全性によって導入されたインコヒーレントＤ．Ｃ．光成分を含む。検出器出力を受け取り、且つ、インコヒーレントＤ．Ｃ．光成分に応じて検出された大きさを補正し、精密な検出測定を為す手段が含まれる。正規化因子を決定して測定出力を補正する様々な方法が提供される。他の実施例において、光源の波長は、検出されたインコヒーレントＤ．Ｃ．光の大きさに応じて変化させることができる。
本発明の他の観点では、インライン光ファイバ・センサを用いて、導体を流れる電流の精密な測定を行う方法が提供される。この方法は、光路を形成する偏光維持光ファイバを設ける工程と、２つの直線偏光した光波を発生し光路上の偏光維持光ファイバ内を伝播させる工程とを具える。次いで、２つの光波は、検知領域を伝播し、検知領域近傍の導電体を流れる電流によって起こされる差分位相シフトを受ける２つの円偏光波に変換される。円偏光波は再度検知領域を通過して戻り、直線偏光に変換し戻される。円偏光波における差分位相シフトが検出され、電流の大きさに応じた出力が形成される。検出器出力は、変換工程での不完全性によって導入されたインコヒーレントＤ．Ｃ．光成分を含んでいる。この検出器出力は、受け取られインコヒーレントＤ．Ｃ．光成分に応じて補正されて、正確なセンサ測定値が得られる。
本発明の教示の技術的利点は、不完全な光学素子、例えば１／４波長板などによって光回路内に導入される誤差を補償するための経済的な方法を提供することにある。その結果、費用がかかり、或は非実用的な回路又は信号分析及び処理をすることなしに、精密な測定を達成することができる。
【図面の簡単な説明】
本発明をよりよく理解するため、以下の図面を参照する。
図１は、インライン光ファイバ・センサの一実施例を示す線図である。
図２Ａ及び２Ｂは、問題点を説明するための、ファイバの主及び副軸に沿ったＸ及びＹ光波がとる光路の線図である。
図３は、本発明の教示による例示的な信号処理回路の線図である。
図４は、検出光出力のＤ．Ｃ．信号及び高調波信号の典型的なプロットである。
図５は、本発明の教示による例示的な信号処理回路図である。
図６Ａ及び６Ｂは、発明の教示による例示的な変調信号及び検出光出力である。
発明の詳細な説明
本発明の好ましい一実施例及びその利点は、図１乃至６の図面を参照することにより最も良く理解される。ここで、様々な図面の同様の部材及び対応する部材については、同様の番号が使用されている。
図１において、本発明の教示に従って構成された電流センサ１０は、多数の光周波数成分を有する広帯域光を光ファイバ・ピッグテール１４に導入する広帯域光源１２を有している。光ファイバ・ピッグテール１４は、好ましくは、ある長さの偏光維持ファイバである。偏光維持ファイバ・ピッグテール１４は、光の一部を偏光器１８に入射させ、残りの光を非反射性終点２０で終端させる偏光維持ビームスプリッタ又は方向性結合器１６に接続される。光ビームは、光を直線偏光させる偏光器１８を通過する。偏光維持ファイバ・ピッグテール１４、偏光維持ビームスプリッタ１６、並びに偏光器１８固有軸は、検知領域への最大光入力を確保するために、相互に及び光源１２の主軸に対し整列する。これら軸の如何なる不整合によって生ずる偏光交差結合点も、不完全な偏光器と関連して、電流測定における小さなオフセットの存在を生ずるおそれがあり、可能な限り避けるべきである。
光は偏光器１８を通過した後、４５°スプライス（添え継ぎ部）２２で、ほぼ等しいＸ及びＹ光波に分割され、各々複屈折変調器ピッグテール２４の２つの固有軸Ｘ及びＹに伝播する。複屈折変調器ピッグテール２４は、通過する光の偏光解除を為すに充分な長さの偏光維持ファイバとする。複屈折変調器ピッグテール２４は複屈折変調器２６に接続され、これら２つの構成要素のＸ及びＹ固有軸は整列する。複屈折変調器２６は、導波路を囲周する金属電極を有する、Ｔｉ-不拡散ＬｉＮｂＯ3上に形成された集積光導波路であってもよい。また、圧電変調器を用いることもできる。電極間に印加された電圧は、導波路の複屈折を変化させる。波形発生器２８によって発生された変調信号は、複屈折変調器２６の電極に印加され、光ビームをディザ（dither）又は位相変調する。変調信号は様々な形態、例えば、サイン波変調、方形波変調、三角波変調、セロダイン（serrodyne）変調、鋸歯波変調、及び他の好適な周期波などとすることができる。変調信号は、ランプ関数（ramp function）及び周期波の組み合わせであってもよい。
この光は複屈折変調器２６で変調された後、所定長さの変調維持ファイバ・バス３０に入射する。変調維持ファイバ・バス３０の主軸は、複屈折変調器２６の主軸と整列する。変調維持ファイバ・バス３０は、２つの目的について作用する。第１の目的は、典型的には、光源１２及び複屈折変調器２６などの能動型素子から離れて位置する受動型検出媒体又は検知ファイバ３２に光を運ぶことである。第２の目的は、光が複屈折変調器２６から検知ファイバ３２に伝播して戻ってくるため時間中に、複屈折変調器２６に供給された変調信号が遅延量を大幅に変化させるのに十分な長さの遅延を与えることである。理想的には、複屈折性変調器２６に供給される波形の基本的ディザ周波数は、１／２τ又はその奇数倍である。ここでτは光波が複屈折変調器２６から検出媒体３２を通過して戻ってくる伝播時間である。
光は、偏光維持ファイバ・バス３０を通過した後、４５°スプライス３８、偏光維持ファイバ・バス３０の主軸に対して４５°に設定されたゼロ又は多重次数１／４波長板４０、及び単一モード・ファイバスプライス４２を通過して進む。１／４波長板４０の目的は、変調維持ファイバ・バス３０の主軸各々からの直交する直線偏光を偏光の円形状態に変換することである。１／４波長板４０は、好ましくは、長尺ビート長偏光維持ファイバの短尺切片、理想的には偏光ビート長さ（polarization beat length long）の１／４で構成される。１／４ビート長さの奇数倍の長さも使用することができる。
それ故に、２つの互いに反対回りの円偏光波が４分の１波長板４０で生成される。偏光維持ファイバ・バス３０の第１主軸又はＸ軸からのＸ光波が右回り円偏光（ＲＨＣＲ）波に変換される。偏光維持ファイバ・バス３０の第２主軸又はＹ軸からのＹ光波は左回り円偏光（ＬＨＣＰ）波に変換される。これら２つの円偏光した光波は、電流搬送ワイヤ３６周りに巻かれた検知ファイバ３２を異なる速度で通過して、該検知ファイバ３２に整列した磁界成分に比例した位相差を蓄積する。検知ファイバ３２は、単位長当たり低い複屈折性を有すると共に、電流搬送ワイヤ３６周りを必須数巻回された単一モードのファイバから構成され得る。多くの用途に対して、ワイヤ周りには１ループから５ループの検知ファイバ３２で充分であることが判明されている。検知ファイバ３２の複屈折性センサ１０の感度を変えると共に外部源から引き起こされる磁界に対しても鋭敏にさせられる。よって、短い検知ファイバ３２を使用することは全体的な複屈折を最小化するために有益である。
ミラー又は鏡面等の反射器４４により検知ファイバ３２を終端る。光はミラー４４によって反射し、再度検知ファイバ３２を通過する。この光の円偏光の状態は反射により反転し、右回り円偏光波は左回り円偏光波に変換されて戻り光路を伝播し検知ファイバ３２を通過する。そして左回り円偏光についても同様となる。偏光の状態及び光の方向は検知ファイバ３２を通るそれらの戻り光路中に両光波に関して反転するので、検知ファイバ３２を通過する第１通過中に、両方の光波間に蓄積された相対的差分位相シフトは戻り光路を通過する間に２倍になる。検知領域６０に対する２重通過における２つの光波間で蓄積された合計位相シフトΔφは、Ｖをグラスファイバのベルデ定数、Ｎを電流搬送ワイヤ３６周りの検知ファイバの巻回数、Ｉをワイヤ３６内を流れる電流とすれば、Δφ＝４ＶＮＩとなる。
この光が検知ファイバ３２を２回通過した後、偏光維持ファイバ・バス３０の第１主軸内に元々あった光波は該バス３０に戻り、その第２主軸に沿って直線偏光した光波として伝播し、偏光維持ファイバ・バス３０の第２主軸内に元々あった光波は該バス３０に戻ってその第１主軸に沿って直線偏光した光として伝播する。次いで、これらの光は複屈折変調器２６及びそのピッグテール２４を第２回目として通過して合成され、４５°スプライス２２及び偏光器１８によって干渉させられる。次いで、この光の一部は偏光維持ビームスプリッタ１６を介して光検出器４６に結合される。光検出器４６に結合した信号処理電子回路を用いて測定出力を発生する。
それ故に、２つの光波は、反対の順序でこの光回路全体にわたってまさしく同一の偏光旋回を受ける。検知媒体３２は光ファイバに対して直列状であるので、ワイヤ３６周りの検知領域は両光波が通過する光路の中間点に位置決めされている。それ故に、２つの光波間の位相差だけが検知領域内の磁界の存在によって発生するものである。
しかしながら、４分の１波長板は完全に構成されていないか或は完全に動作していない場合、ある種の光は円偏光の誤った状態で検知領域を横切って、不精密な測定を生ずる。加えて、余剰Ｄ．Ｃ．光は不完全４分の１波長板の副産物である。４分の１波長板の動作は、温度変化及びその他の外部ストレス等のその動作環境に影響される。特にビート長ＬBは雰囲気温度と共に変化し、典型的には単位温度℃当たり０．１％である。典型的には、４分の１波長板は光源及び他の電子機器から遠ざけられて配置され且つ典型的には外部素子に露出されているので、大きな温度変化に遭遇する。夏の高温と冬の低温の間が例えば１００℃に到達し得る温度差の場合、ビート長は１０％或はそれ以上までに変化し得る。
図２Ａ及び図２Ｂで参照されるように、２つの光波の光路が図示されるような複数の光成分の近似的な相対強度を伴って明瞭に示されている。不完全な４分の１波長板（ＩＱ）４０はファイバ・バスの第１主軸上のＸ光波を右回り円偏光（Ｒ）の光波と、当該４分の１波長板４０の不完全性による小さな左回り円偏光（ＬS）の光成分とに変換する。ミラー４４はこれら光波を反射して、それらを左回り円偏光（Ｌ）と小さな右回り円偏光（ＲS）とに変える。不完全４分の１波長板４０の第２の通過で、左回り円偏光（Ｌ）はファイバ・バスの第２主軸上のＹ光波と、前記第１主軸上の小さなＸ光波（ＸS）とに変換される。小さな右回り円偏光ＲSは小さなＸ光波（ＸS）と更により小さなＹ光波（ＹSS）とに変換される。２つのＸS光成分は、検出器で他の全ての光成分とインコーヒレンス（不干渉性）であるので、干渉信号を提供しない。これら２つのＸS光成分は光検出器で検出される前記余剰Ｄ．Ｃ．光の２分の１を含む。ＹSS光成分はスケール係数誤差となり、ここでスケール係数とは電流搬送ワイヤ内の電流によって分割された光検出器出力に同等である。影響を受けたスケール係数は電流に対する不精密な値の計算に寄与する。留意することは、下付きＳがこの例の場合ではＹである主光波と比較した光波の強度を示すべく使用されていることであるが、そうした小さな光波成分が同一強度を有することを示すつもりはない。
図２Ｂに示されるように、第２主軸上を移動するＹ光波も不完全４分の１波長板４０で同様に２つの成分に変換されて、左回り円偏光（Ｌ）と小さな右回り円偏光（ＲS）とになる。ミラー４４はこれら光波を反射して、右回り円偏光（Ｒ）と小さな左回り円偏光（ＬS）とにこれら光波の偏光のセンスを逆転する。これら２つの光波が不完全４分の１波長板４０を２度目に通過すると、右回り円偏光は主Ｘ光波と小さなＹ光波（ＹS）に変換され、小さな左回り円偏光（ＬS）は小さなＹ光波（ＹS）と更により小さなＸ光波（ＸSS）に変換される。ファイバ・バスの第２主軸上を移動するこれら２つのＹS光波は、光検出器によって検出される前記の余剰インコーヒレントなＤ．Ｃ．光の他の半部を含む。ＸSS光成分はスケール係数において誤差を引き起こして、センサによる不精密な電流測定を生ずることになる。
両光波において、結果的な余剰Ｄ．Ｃ．光はＸSS及びＹSS、そしてそれ故のスケール係数誤差の大きさに対する手がかりを提供する。このＤ．Ｃ．及びＡ．Ｃ．成分と変調信号の比又は相対的比率とを知ることで、検出器で検出された光のＤ．Ｃ．及びＡ．Ｃ．成分の相対的比率がそれらと比較され得て、４分の１波長板によって導入される余剰Ｄ．Ｃ．光或は誤差の大きさを決定する。
４分の１波長板によって生ぜられる誤差を補償し、センサ１０での非常に精密な電流測定を達成するための２つの基本的な方法がある。１つの方法は、光源１２（図１）から広帯域光の波長を変えて、検出器４６で検出される余剰Ｄ．Ｃ．光成分を最小化或は削除することである。光出力の波長を変えるには幾つかの方法がある。例えば、光源１２の波長は雰囲気温度の変化によって影響を受ける。それ故に、光源１２はヒートシンク又は放熱子（不図示）及び温度コントローラ（不図示）に結合され得て、それらが光源１２を取り囲む雰囲気温度を変化するために使用される。典型的には、光源１２の波長は摂氏度で単位度当たり数百ｐｐｍだけ変化する。しかしながら、例えば４分の１波長板が経験する１００℃の温度変化を補償するために、光源に対して必要とされる温度変化は１００℃よりも大きくなる可能性がある。達成可能であるが、温度変化のこの範囲は殆どの適用例に対して妥当ではない可能性がある。
光源波長を変えるための方法の他の例は、非常に広範なスペクトル光を選択的に濾過（フィルタ処理）することである。フィルタが使用されて、結果的な広帯域光出力の波長範囲を変えて、４分の１波長板の熱変化によって生ずる誤差を補償する。しかしながら、この方法は高価であり得る波長フィルタの構成を必要とする。
入力光の波長を変化することによって、不完全４分の１波長板を補償するような方法が上述したようにここでは意図されている。しかしながら、この方法は４分の１波長板によって経験される温度変化が相対的に小さいときにのみ実用可能であることが判明される。
精密なセンサ動作を為すための第２の方法は、余剰Ｄ．Ｃ．光を測定してそれに対する補正を提供することである。図１の光検出器４６によって検出される光の強度は電流搬送ワイヤ内を流れる電流や、複屈折変調器２６に付与される変調信号に以下の関係を介して関連されている。
0004046243.tif 000004
ここで、ＩDは合計検出パワー、ＩOは電流及び複屈折変調がない場合での光検出器３４に入るパワー、φ（ｔ）は複屈折変調器内に提供される複屈折変調波形、τは複屈折変調器２６からセンサ１０までそしてその戻りの往復遅延時間である。周期的波形成分の包含に加えて、例えばφ（ｔ）はランプ状成分をも含み、それでφ（ｔ）及びφ（ｔ−τ）間の差は定数＋周期的波形となる。よって、変調信号はＤ．Ｃ．及びＡ．Ｃ．成分を有する。ランプの勾配、そしてそれ故の定数値は、電流誘導位相又は４ＶＮＩを相殺するように選択され得る。よって、検知される電流の値は、相殺が行われるように為すために必要とされるランプの勾配から決定され得る。
上式は以下の如くに書くこともできる。
0004046243.tif 000005
ここで、φmは例えばサイン波であり得る変調信号の略記である。
不完全４分の１波長板によって導入された誤差を補償する装置及び方法は、単一数δとして表される誤差を測定し、精密測定に到達すべくスケール係数を補正する。このδは、直線偏光を円偏光に変換することが意図されている要素を書き表すＪｏｎｅｓ（ジョンーズ）マトリックス
0004046243.tif 000006
を定義することによって引き出される。本発明の実施例において、偏光維持ファイバ・バスの複屈折軸に対して４５°に設定された４分の１波長板がその変換用に使用される。一般に、
0004046243.tif 000007
は以下のように表すことができる。
0004046243.tif 000008
ここで、ｐ、ｑ、ｒ、ｓは実数であり、
0004046243.tif 000009
である。
0004046243.tif 000010
を表すこの方法は偏光に依存しない損失を有する光学素子に対する一般的な結果である。４５°に設定された理想的な４分の１波長板の場合、ｐ＝１／２、ｑ＝−１／２、ｒ＝１／２、並びに、ｓ＝−１／２を得ることができる。次いで、δが２（ｐｓ＋ｑｒ）＋１として定義され、理想的には、４分の１波長板が完全に動作して外部ストレスに影響されない時にはδ＝０である。
一搬的要素として
0004046243.tif 000011
を含むＪｏｎｅｓマトリックスを用いて光ファイバ・センサを分析すると、検出光は以下の如くに表すことができる。
0004046243.tif 000012
δ2を削減して、γ＝０とし、Ｋを用いて検出光の強度に依存する定数を表すと、その検出光は以下の如くになる。
0004046243.tif 000013
この式は不精密電流測定問題への解法を分析すべく用いられる。
もし４分の１波長板誤差又はδがゼロであれば、検出光のＤ．Ｃ．成分とそこにある全ての高調波信号との間の固定された関係がある。δがゼロではない場合、そのＤ．Ｃ．と高調波信号との比率は駄目になる。
図３に示される例示回路６０で参照されるように、ピーク検出器６２及びロックイン（閉じ込め）復調器６４は共に光検出器４６に接続されて、それによって検出された光を表す入力を受信する。光検出器４６からの出力は電圧レベル或は電流であり得る。ピーク検出器６２は光検出器出力の最大レベルを決定し、ロックイン復調器はその信号を復調して該信号の振幅を提供する。ロックイン復調器６４の出力とピーク検出器６２の出力とがディバイダ６６に接続される。
動作中、ピーク検出器６２は光検出器出力の最大レベルを提供し、それは以下の如くに表すことができる。
0004046243.tif 000014
ロックイン復調器の出力は出力の第１高調波信号を本質的には提供し、それは以下の如くに表すことができる。
0004046243.tif 000015
ここで、Ｊはベッセル関数である。ピーク検出器６２からの出力で分割されたロックイン復調器６４からの出力は以下の如くに算出される。
0004046243.tif 000016
この式はδとは独立し、それ故に、全ての他のパラメータが既知であるので電流Ｉを解くべく使用可能である。上述から演繹され得ることは、マイクロプロセッサに基づく信号分析システムは更にピーク検出器及びロックイン変調器と同一或は同様な関数を完成すべく使用され得ることであり、その比を引き出してそれを変調波形入力に基づく予想比と比較する。
図４で参照されるように、Ｄ．Ｃ．成分の線図が検出光の幾つかの高調波信号と共に示されている。検出信号の高調波信号が（１−δ）程度であることがわかるであろう。それ故に、それら高調波信号の内の任意の１つが、（１−δ）にも比例している検出光からの任意の信号によって分割され得る。上述した履行例において、分子は第１高調波であり、分母が検出光のピーク値である。しかしながら、検出光から絶縁され得る信号成分は同様にして比を引き出すべく使用可能であることがわかる。
更に、上述から判明され得ることは、本発明の教示が４分の１波長板誤差が全くない場合に検出光のＤ．Ｃ．成分のＡ．Ｃ．スペクトルに対する比較を提供し、次いでそれが誤差がある際の比較の基礎として使用される。上述された装置及び方法は、Ｄ．Ｃ．信号及び全高調波の組合せであるピーク・レベルと第１高調波信号の間での比較を提供する。しかしながら、本発明はＤ．Ｃ．信号及び高調波信号間の関係を引き出すための比較の他の手段も意図している。例えば、第２高調波信号は測定され得て測定Ｄ．Ｃ．信号によって分割され得て、４分の１波長板誤差を含み得る引き続く測定用の比較のための基礎を設定する。
再度、式：
0004046243.tif 000017
を参照すると、複屈折変調器での周期的波形に加えてランプ関数を用いれば、検出光は以下の如くになる。
0004046243.tif 000018
ここで、γはランプ関数の勾配に比例する定数である。もしγ＝−４ＶＮＩであれば、検出光は以下の如くになる。
0004046243.tif 000019
それ故に、γ＝−４ＶＮＩに設定することによって、この出力の第１高調波信号はゼロとなる。システムに導入されるγの値を第１高調波信号を消すゼロに変更することによって、所望出力がランプ関数或は鋸歯波形の勾配から引き出される。
信号処理電子機器の例示的回路履行例のブロック線図である図５で参照されるように、ランプ関数或は鋸歯波形の勾配はカウンタ７２を用いることによって決定され得て、指定期間中に生ずる鋸歯数をカウントする。カウントがより高くなればなる程、ランプ勾配がより急勾配に対応する。こうしてカウンタ出力はγに比例する。４分の１波長板によって導入された誤差により、γ≠−４ＶＮＩであるが、実際上、以下の如くに（１＋δ）に比例することとなる。
0004046243.tif 000020
δを相殺するために、γを（１＋δ）と比例する項で分割することができる。代替的には、δが小さければ近似的に１となる（１−δ2）に比例する値を生成すべく、γは（１−δ）に比例する項で増倍させることができる。
鋸歯波形に加えて複屈折変調器にサイン波変調を用いると、
0004046243.tif 000021
となり、φm＝π／２を選択すると、
0004046243.tif 000022
となる。
代替的には、φm＝２．４で、
0004046243.tif 000023
となる。
こうして、これら方法の何れもがγ固有のδ依存性を除去する適切な正規化係数を獲得すべく使用され得る。
図６Ａで参照されるように、もし方形波変調がランプ関数或は鋸歯波形に加えて複屈折変調器に用いられたならば、［φ（ｔ）−φ（ｔ−τ）］はγ＋より複雑な周期的波形に同等となる。適切ではない周波数動作用にτ≠１／２デューティサイクルを選ぶと、結果としての光検出器出力は以下の如くであり、
0004046243.tif 000024
これは図６Ｂに示されている。それ故に、非ゼロのδ及びφm＝π／２で、
0004046243.tif 000025
となり、
これは、γ固有のδ依存性を除去する正規化係数として使用され得る。
本発明及びその長所等を詳細に説明したが、理解して頂きたいことは、添付請求項で定義されるような本発明の精神及び範囲から逸脱することなく、様々な変更、代替、並びに、適用がこの発明で為され得ることである。
【図１】
0004046243.tif 000030
【図２Ａ】
0004046243.tif 000031
【図２Ｂ】
0004046243.tif 000032
【図３】
0004046243.tif 000033
【図４】
0004046243.tif 000034
【図５】
0004046243.tif 000035
【図６Ａ】
0004046243.tif 000036
【図６Ｂ】
0004046243.tif 000037