【事件の表示】
　平成３年特許願第２２０６２５号「半導体レーザ素子およびその製造方法」において、平成１０年８月２８日付けでした手続補正に対してされた補正の却下の決定に対する審判事件について、次のとおり審決する。
【結論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理由】
１．経緯
　本願は、平成３年８月３０日の出願であり、平成１０年８月２８日に手続補正書が提出され、明細書の補正（以下、「本件補正」という。）がなされたが、原審において、平成１１年１月２７日付けで該補正の却下の決定がなされた。
２．補正の内容
　本件補正により、補正前にあっては、
「【請求項１】分子線エピタキシャル成長法を用いて半導体レーザ素子を製造する方法であって、比較的高い基板温度でＧａＡｓ基板上方にＡｌＸＧａ１−ＸＡｓ下部第１クラッド層を成長させる工程と、基板温度を低下させながら、ＡｌＸＧａ１−ＸＡｓ下部第１クラッド層上にＧａＡｓ薄層を成長させる工程と、比較的低い１基板温度でＧａＡｓ薄層上にＡｌＸＧａ１−ＸＡｓ上部第１クラッド層、ＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ活性層およびＡｌＸＧａ１−ＸＡｓ下部第２クラッド層を順次成長させる工程と、基板温度を上昇させながら、ＡｌＸＧａ１−ＸＡｓ下部第２クラッド層上にＧａＡｓ薄層を成長させる工程と、比較的高い基板温度でＧａＡｓ薄層上にＡｌＸＧａ１−ＸＡｓ上部第２クラッド層を成長させる工程とを包含する、半導体レーザ素子の製造方法。」
と記載されていた特許請求の範囲の記載が以下のように補正された。
「【請求項１】ＡｌとＧａからなる層を含む半導体レーザ素子の製造方法であって、
　基板温度ＴｌでＡ１及びＧａを含むクラッド層を成長させる第１工程と、
　基板温度Ｔ２（Ｔ２＜Ｔｌ）でＧａを含む活性層を成長１させる第２工程と、
　前記第１工程と前記第２工程との間に、基板温度を変化させながら、Ａｌを含まずＧａを含む薄膜を成長させる第３工程とを有することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
　【請求項２】ＡｌとＧａからなる層を含む半導体レーザ素子の製造方法であって、
　基板温度Ｔ３でＧａを含む活性層を成長させる工程と、
　基板温度Ｔ３のままＡｌ及びＧａを含む下部第２クラッド層を成長させる工程と、
　基板温度をＴ３からＴ４に（Ｔ３＜Ｔ４）へ変化させながら、Ａｌを含まずＧａを含む薄膜を成長させる工程と、
　基板温度丁４でＡ１及びＧａを含むクラッド層を成長させる工程と、を順次行うことを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
　【請求項３】ＡｌとＧａからなる層を含む半導体レーザ素子の製造方法であって、
　基板温度Ｔ５でＡｌとＧａを含む下部第１クラッド層を成長させる工程と、基板温度をＴ５からＴ６（Ｔ６＜Ｔ５）へ変化させながら、Ａｌを含まずＧａを含む第１の薄膜を成長させる工程と、
　基板温度をＴ６のままＧａを含む活性層を含む層構造を成長させる工程と、
　基板温度をＴ６からＴ７（Ｔ６〈Ｔ７）へ変化させながら、Ａｌを含まずＧａを含む第２の薄膜を成長させる工程と、
　基板温度丁７でＡｌとＧａを含む上部第２クラッド層を成長させる工程と、を順次行うことを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
　【請求項４】前記基板温度Ｔｌ、Ｔ４、Ｔ５、Ｔ７は、Ｇａの再蒸発が多い温度であり、前記基板温度丁２、Ｔ３、Ｔ６は、Ｇａの再蒸発が少ない温度であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体レーザ素子の製造方法。」と補正された。
　また、特許請求の範囲の上記の補正と整合させるべく、発明の詳細な説明の項も補正された。
３．原審における補正却下の決定の理由
　上記本件補正に対する原審における補正却下の決定の理由は、以下のとおりである。
「補正後の請求項１には、『ＡｌとＧａからなる層を含む半導体レーザ素子』、『Ａｌ及びＧａを含むクラッド層』、『Ｇａを含む活性層』、『Ａｌを含まずＧａを含む薄層』が記載されている。
　また、補正後の請求項２には、『ＡｌとＧａからなる層を含む半導体レーザ素子』、『Ｇａを含む活性層』、『Ａｌ及びＧａを含む下部第２クラッド層』、『Ａｌを含まずＧａを含む薄層』、『Ａｌ及びＧａを含むクラッド層』が記載されている。
　さらに、補正後の請求項３には、『ＡｌとＧａからなる層を含む半導体レーザ素子』、『ＡｌとＧａを含む下部第１クラッド層』、『Ａｌを含まずＧａを含む第１の薄層』、『Ｇａを含む活性層』、『Ａｌを含まずＧａを含む第２の薄層』、『ＡｌとＧａを含む上部第２クラッド層』が記載されている。
　これに対し、願書に最初に添付した明細書には、半導体レーザ素子のクラッド層、活性層、下部第２クラッド層、下部第１クラッド層、上部第２クラッド層がＡｌＧａＡｓからなること、及び薄層がＧａＡｓからなることは、記載されているものの、上記『』のようなことは、願書に最初に添付した明細書及び図面に記載されておらず、また、同明細書及び図面の記載からみて自明のこととも認められない。
　したがって、この補正は、出願当初の明細書に記載された「発明の構成に関する技術的事項」が実質的に変更されたものであるから、明細書の要旨を変更するものと認められ、特許法第５３条第１項の規定により、結論の通り決定する。」
４．請求人の主張
　請求人は、審判請求書の第４頁〜第５頁において、以下のとおり主張する。
　「確かに、本願発明の出願当初の明細書の記載のうち、従来の技術や実施例には、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡＳ系１の半導体を結晶成長させる例が示されています。しかしながら、出願当初の明細書【０００４】【０００５】には、「比較的低い基板温度で成長を行った場合には、各半導体層の厚さおよび混晶比を制御することは容易である。しかし、光学的結晶性の良好なクラッド層および活性層が得られないので、半導体レーザ素子の光学的および電気的特性が劣化する。」「これに対し、Ｇａの再蒸発が生じるほどの高い基板温度で成長を行った場合には、クラッド層と活性層との界面は平坦になり、光学的結晶性に優れたクラッド層および活性層が得られる。しかし、活性層におけるＧａの再蒸発速度はクラッド層におけるＧａの再蒸発速度より非常に大きいので、活性層の厚さおよび混晶比を制御するが極めて困難である。」と、本願発明の課題が記載され、特に、Ｇａの再蒸発に着目して課題を見出し、これを解決しようとする技術思想が開示されております。
（中略）
　そして、この課題に対する解決手段として、ＡｌとＧａとからなる層を含む半導体レーザ素子をなす膜を成長する過程において、各半導体層の厚さ及び混晶比を制御し、同時に光学的結晶性に優れたクラッド層、活性層を得るために、それぞれの成長時の基板温度を如何に経緯させたかに本願発明の要旨はあります。平成１０年８月２８日付けの手続補正は、この点を抽出してなされたものです。
　即ち、本願発明のポイントは、ＡｌとＧａからなる層を含む結晶の成長工程における結晶最表面に
位置するＧａの再蒸発の大きさを、クラッド層成長時と活性層成長時とで変化させることにより、良好な特性を有する半導体レーザ素子を製造する点にあります。よって、本願発明の実施例において、ＡｌＧａＡｓを一例示してはおりますが、それは単なる一例示に過ぎず、少なくとも、結晶最表面におけるＧａの再蒸発に注力して結晶成長されるべき点が特許請求の範囲に記載されておれば、それは、本願発明の要旨が特許請求の範囲に記載されている、ということにほかなりません。（中略）
　従いまして、本願発明の要旨は、Ａｓをその成長材料として含むかどうかに関わりは無く、連続的にクラッド層、活性層を形成する際、基板温度をそれぞれの成長時に如何に変化させたかにあって、この点は、本願発明の出願当初の明細書に本願発明の技術思想として記載されたことがらであると思料いたします。」
５．当審の判断
　（５．１）補正前の明細書の記載事項
　本件補正前の明細書には、以下の記載がある。
「【産業上の利用分野】
　本発明は分子線エピタキシャル成長法を用いて半導体レーザ素子を製造する方法に関する。
　　　【０００２】
　　【従来の技術】
　一般に、分子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ法）を用いて、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系の半導体レーザ素子を製造する場合、ＡｌＧａＡｓ成長層の表面ホモロジーおよび光学結晶性は基板温度に強く依存することが知られている。また、高い基板温度でＡｌＧａＡｓ層を成長させると、Ｇａが再蒸発するので、成長層の厚さおよび混晶比を精度よく制御するのが困難であることも知られている。
　　　【０００３】
　図４に従来の代表的なＡｌＧａＡＳ／ＧａＡｓ系の半導体レーザ素子を示す。この半導体レーザ素子は、ＭＢＥ法を用いて、ｎ−ＧａＡｓ基板上２０に、Ｓｉドープｎ−ＧａＡｓバッファ層２１、Ｓｉドープｎ−ＡｌＸＧａ１−ＸＡｓ第１クラッド層２２、ノンドープＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ活性層２４、Ｂｅドープｐ−ＡｌＸＧａ１−ＸＡｓ第２クラッド層２６、およびＢｅドープｐ−ＧａＡｓキャップ層２７を連続的に成長させることにより作製される。このとき、基板温度は結晶成長工程を通じて一定に保持される。（なお、基板２０の裏面に形成されたｎ側電極と、キャップ層２７の表面に形成されたｐ側電極とについては、これらの図示が省略されている）。
　　　【０００４】
　　【発明が解決しようとする課題】
　比較的低い基板温度で成長を行った場合には、各半導体層の厚さおよび混晶比を制御することは容易である。しかし、光学的結晶性の良好なクラツド層および活性層が得られないので、半導体レ一ザ素子の光学的および電気的特性が劣化する。
　　　【０００５】
　これに対し、Ｇａの再蒸発が生じるほどの高い基板温度で成長を行った場合には、クラッド層と活性層との界面は平坦になり、光学的結晶性に優れたクラッド層および活性層が得られる。しかし、活性層におけるＧａの再蒸発速度はクラッド層におけるＧａの再蒸発速度より非常に大きいので、活性層の厚さおよび混晶比を制御するのが極めて困難である。
　　　【０００６】
　本発明は、上記従来の問題点を解決するものであり、その目的とするところは、活性層の厚さおよび混晶比を容易に制御し、しかも界面が平坦で、かつ光学的結晶性に優れたクラッド層および活性層を得ることにより、光学的および電気的特性に優れた半導体レーザ素子を製造する方法を提供することにある。
　　　【０００７】
　　【課題を解決するための手段】
　本発明の製造方法は、分子線エピタキシャル成長法を用いて半導体レーザ素子を製造する方法であって、比較的高い基板温度でＧａＡｓ基板上方にＡｌＸＧａ１−ＸＡｓ下部第１クラッド層を成長させる工程と、基板温度を低下させながら、ＡｌＸＧａ１−ＸＡｓ下部第１クラッド層上にＧａＡｓ薄層を成長させる工程と、比較的低い基板温度でＧａＡｓ薄層上にＡｌＸＧａ１−ＸＡｓ上部第１クラッド層、ＡｌＸＧａ１−ＸＡｓ活性層およびＡｌＸＧａ１−ＸＡｓ下部第２クラッド層を順次成長させる工程と、基板温度を上昇させながら、ＡｌＸＧａ１−ＸＡｓ下部第２クラッド層上にＧａＡｓ薄層を成長させる工程と、比較的高い基板温度でＧａＡｓ薄層上にＡｌＸＧａ１−ＸＡｓ上部第２クラッド層を成長させる工程とを包含することにより、上記目的が達成される。
　　　【０００８】
　このように、本発明の製造方法は、第１および第２のＡｌＸＧａ１−ＸＡｓクラッド層中に挿入されたＧａＡｓ薄層を成長させる際に、基板温度を上下させることによりＡｌＸＧａ１−ＸＡｓ活性層を比較的低い基板温度で成長させることを特徴としている。」
（５．２）判断
　上記補正前の明細書の記載事項を参照すると、本願発明は、分子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ法）を用いて、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系の半導体レーザ素子を製造する際の問題点を解決するためになされたものであり、製造方法は、分子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ法）であり、そこで用いられる半導体の材料はあくまでもＡｌＧａＡＳ／ＧａＡｓ系である。
　しかるに、補正により、特許請求の範囲請求項１においては、分子線エピタキシャル成長法という製造方法が削除され、材料ついては「ＡｌとＧａからなる層を含む半導体レーザ素子」、「Ａ１及びＧａを含むクラッド層」、「Ｇａを含む活性層」及び「Ａｌを含まずＧａを含む薄膜」とされ、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系以外の材料を包含することとなった。すなわち、この補正により、製造方法については、分子線エピタキシヤノレ成長法（ＭＢＥ法）のみならず、例えば、有機金属気相成長法も包含することになり、材料については、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系のみならず、例えば、ＡｌＧａＮ／ＧａＮ系の材料をも包含することとなった。
　これに対し、請求人は、「本願発明の実施例において、ＡｌＧａＡｓを一例示してはおりますが、それは単なる一例示に過ぎず」と主張するが、補正前の明細書における上記【課題を解決するための手段】の記載を参酌すると、ＡｌＧａＡｓは、本願発明の前提条件であり、とてもｒ単なる一例示に過ぎず」とは解されない。
　そして、補正前の明細書には、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系以外の材料を用い、分子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ法）以外の方法により半導体レーザを製作することについての記載はなく、また、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系以外の材料を用い、分子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ法）以外の方法により半導体レーザを製作する場合において、上記明細書記載の課題が存在し、上記「課題を解決するための手段」により上記課題が解決できるいうことが本願出願前に自明であるとも認められない。
　したがって、本件補正は、願書に添付した明細書の要旨を変更するものである。
６．むすび
　以上のとおりであるので、本件補正は、特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものした原決定は妥当である。
　よって、結論のとおり審決する。