(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
窓部を有するパッケージに収容される半導体発光素子であって、
基板と、
前記基板上に順次積層された第１導電型半導体層，活性層および第２導電型半導体層をそれぞれ有すると共に、積層方向に対して垂直な方向に位置する複数の側面と、積層方向の一方に位置し第１導電型半導体層よりなる第１面と、積層方向の一方に位置し第２導電型半導体層よりなる第２面とをそれぞれ有すると共に、前記複数の側面のうち対向する２つの面に共振器構造を構成する一対の反射鏡膜を有し、前記活性層において発生した光を前記反射膜の一方から前記パッケージの窓部に向けて出射する構造部と、
前記構造部の第１面に設けられた第１の電極と、
前記構造部の第２面に設けられた第２の電極と、
前記基板の裏面に設けられ、前記構造部における発光波長以下の波長を有する光を吸収する吸収部とを備え、
前記吸収部は複数の吸収領域を有し、前記複数の吸収領域が、共振器方向にそって、発光波長の１／２の整数倍の長さと同一のピッチ幅で配列されている
ことを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
窓部を有するパッケージに収容される半導体発光素子であって、
順次積層された第１導電型半導体層，活性層および第２導電型半導体層をそれぞれ有すると共に、積層方向に対して垂直な方向に位置する複数の側面を有すると共に、前記複数の側面のうち対向する２つの面に共振器構造を構成する一対の反射鏡膜を有し、前記活性層において発生した光を前記反射膜の一方から前記パッケージの窓部に向けて出射する構造部と、
対向する一対の面の一面に前記構造部が積層されると共に、前記構造部の積層方向に対して垂直な方向に位置する側面を有し、前記構造部における発光波長以下の波長を有する光を吸収しない材料よりなる基板と、
前記基板の一面と対向する他面に設けられ、前記構造部における発光波長以下の波長を有する光を吸収する吸収部とを備え、
前記吸収部は複数の吸収領域を有し、前記複数の吸収領域が、共振器方向にそって、発光波長の１／２の整数倍の長さと同一のピッチ幅で配列されている
ことを特徴とする半導体発光素子。
【請求項３】
前記吸収部を構成する材料の吸収係数（単位はｃｍ-1）と、前記吸収部の厚さ（単位はｃｍ）との積は、１よりも大きいことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記構造部の第１導電型半導体層，活性層および第２導電型半導体層は、ガリウム（Ｇａ），アルミニウム（Ａｌ），ホウ素（Ｂ）およびインジウム（Ｉｎ）からなる群のうちの少なくとも１種のＩＩＩ族元素と窒素（Ｎ）とを含むＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体よりそれぞれなることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記基板はサファイア基板であることを特徴とする請求項４記載の半導体発光素子。
【請求項６】
基板上に、第１導電型半導体層，活性層および第２導電型半導体層を順次積層し、積層方向に対して垂直な方向に位置する複数の側面と、積層方向の一方に位置し第１導電型半導体層よりなる第１面と、積層方向の一方に位置し第２導電型半導体層よりなる第２面とをそれぞれ有すると共に、前記複数の側面のうち対向する２つの面に共振器構造を構成する一対の反射鏡膜を有し、前記活性層において発生した光を前記反射膜の一方から出射する構造部を形成する工程と、
前記構造部の第１面に第１の電極を形成する工程と、
前記構造部の第２面に第２の電極を形成する工程と、
前記基板の裏面に、前記構造部における発光波長以下の波長を有する光を吸収する吸収部を形成する工程とを含み、
前記吸収部として、共振器方向にそって、発光波長の１／２の整数倍の長さと同一のピッチ幅で配列させた複数の吸収領域を形成する
ことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項７】
対向する一対の面と、この一対の面を結ぶ側面とをそれぞれ有し、構造部における発光波長以下の波長を有する光を吸収しない材料よりなる基板の一対の面のうちの一面に、第１導電型半導体層，活性層および第２導電型半導体層を順次積層し、積層方向に対して垂直な方向に位置する複数の側面を有すると共に、前記複数の側面のうち対向する２つの面に共振器構造を構成する一対の反射鏡膜を有し、前記活性層において発生した光を前記反射膜の一方から出射する構造部を形成する工程と、
前記基板の一面と対向する他面に、前記構造部における発光波長以下の波長を有する光を吸収する吸収部を形成する工程とを含み、
前記吸収部として、共振器方向にそって、発光波長の１／２の整数倍の長さと同一のピッチ幅で配列させた複数の吸収領域を形成する
ことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項８】
吸収部を構成する材料の吸収係数（単位はｃｍ-1）と、吸収部の厚さ（単位はｃｍ）との積が１よりも大きくなるように、吸収部の構成する材料と厚さとを決定することを特徴とする請求項６または７に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項９】
前記構造部の第１導電型半導体層，活性層および第２導電型半導体層を、ガリウム（Ｇａ），アルミニウム（Ａｌ），ホウ素（Ｂ）およびインジウム（Ｉｎ）からなる群のうちの少なくとも１種のＩＩＩ族元素と窒素（Ｎ）とを含むＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体によりそれぞれ形成することを特徴とする請求項６または７に記載の半導体発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、順次積層された第１導電型半導体層，活性層および第２導電型半導体層をそれぞれ有する構造部に対して積層方向の一方側に第１の電極および第２の電極が設けられた半導体発光素子、または構造部が発光波長以下の波長を有する光を吸収しない材料よりなる基板に積層された半導体発光素子およびそれらの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＡｌＧａＩｎＮ層などのＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体層を基板に積層して形成した半導体レーザ（laser diode ；ＬＤ）または発光ダイオード（light emitting diode；ＬＥＤ）などの半導体発光素子は、可視領域から紫外領域までの発光を得ることができることから活発に研究開発が行われている。その中でも特に光記録の分野では、光ディスクなどの記録密度を向上させるために短波長域の光が得られる半導体レーザの実用化が求められている。
【０００３】
このような半導体発光素子は、通常、図１６に示したように、パッケージ１３０の内部に収納されて用いられる。このパッケージ１３０は、例えば、光を外部に取り出す取り出し窓１３５ａが設けられた蓋体１３５と、この蓋体１３５を支持する支持体１３４とを有しており、内部には、支持体１３４に支持された半導体発光素子１１０の載置台１３６が設けられている。但し、このようなパッケージ１３０を用いた場合、パッケージ１３０の内壁および取り出し窓１３５ａにおいて反射光（いわゆる迷光）が発生してしまうという問題がある。この迷光の一部は、取り出し窓１３５ａから外部に射出され、例えば、光記録メディアへの書き込みおよび読み取りにおいて誤信号の原因となってしまう。
【０００４】
そこで、ＡｌＧａＡｓ系の半導体発光素子あるいはＡｌＧａＩｎＰ系の半導体発光素子などにおいては、図１７に示したように、パッケージ２３０の内壁に角度を設けることにより迷光を射出させないようにしている。これについて、図１８に示したように、パッケージ２３０に収納した半導体発光素子２１０とコリメータレンズ３００とから構成される単純な光学系を例に挙げて具体的に説明する。
【０００５】
この光学系では、信号として使用される光はコリメータレンズ３００を通過する光のみである。コリメータレンズ３００を通過する光は、パッケージ２３０の取り出し窓２３５ａを必ず通過するので、図１８において網かけで示したｘとｘおよびｙとｙとを結んだ各延長線の間の領域ｚに必ず存在することになる。従って、この領域ｚに迷光が存在すると実用上不都合が生じることになる。そこで、ＡｌＧａＡｓ系の半導体発光素子などでは、図１７に示したように、半導体発光素子２１０よりも載置台２３６側に反射されてきた迷光は載置台２３６の側面に傾斜を持たせることにより領域ｚ内に戻らないようにし、載置台２３６よりも半導体発光素子２１０側に反射されてきた迷光は半導体発光素子２１０の基板２１１に向かって反射させることにより領域ｚ内に戻らないようにしている。
【０００６】
このように、半導体発光素子２１０の基板２１１に向かって反射させることにより領域ｚ内に迷光が戻らないようにできるのは、ＡｌＧａＡｓ系の半導体発光素子２１０などでは、通常、基板２１１にＧａＡｓが用いられており、発光波長以下の波長を有する光を基板２１１により吸収することができるからである。すなわち、積極的に基板に迷光を反射させることにより、パッケージ２３０内における迷光を減少させることができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体を用いた半導体発光素子では、一般に、基板には発光波長以下の波長を有する光を吸収しないサファイアが用いられており、基板により迷光を吸収させることができない。これは、基板を構成する材料は、一般に基板に成長させる半導体層との格子定数との関係および良好な半導体層を成長させることができるかにより選択されるのが通常であり、発光波長以下の波長を有する光を吸収することができるか否かということからは選択されないからである。従って、従来のＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体を用いた半導体発光素子では、図１９に示したように、半導体発光素子１１０に反射されてきた迷光は、半導体発光素子１１０の基板によっては吸収されずに、取り出し窓１３５ａから外部に射出されてしまう可能性が高いという問題があった。
【０００８】
なお、一般に、図２０に示したように、光が物質Ｍにあたると、入射光Ｌ１のもつエネルギーは反射光Ｌ２，透過光Ｌ３および吸収の３つのエネルギーに分配される。これを式に表すと式１に示したようになる（櫛田孝司著「光物理学」第５章，共立出版社出版を参照）。
【式１】
入射光強度＝再反射光強度＋透過光強度＋吸収
これは、物質固有の性質によるものであり、吸収がないということは、反射と透過の２成分にエネルギーが分配されることになるので、吸収がある場合に比べてそれらのエネルギーすなわち強度が増大することが定性的にもわかる。
【０００９】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、迷光を低減することができる半導体発光素子およびその製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明による半導体発光素子は、窓部を有するパッケージに収容されるものであって、基板と、基板上に順次積層された第１導電型半導体層，活性層および第２導電型半導体層をそれぞれ有すると共に、積層方向に対して垂直な方向に位置する複数の側面と、積層方向の一方に位置し第１導電型半導体層よりなる第１面と、積層方向の一方に位置し第２導電型半導体層よりなる第２面とをそれぞれ有すると共に、複数の側面のうち対向する２つの面に共振器構造を構成する一対の反射鏡膜を有し、活性層において発生した光を反射膜の一方からパッケージの窓部に向けて出射する構造部と、構造部の第１面に設けられた第１の電極と、構造部の第２面に設けられた第２の電極と、基板の裏面に設けられ、構造部における発光波長以下の波長を有する光を吸収する吸収部とを備えたものであり、その吸収部は複数の吸収領域を有し、複数の吸収領域が、共振器方向にそって、発光波長の１／２の整数倍の長さと同一のピッチ幅で配列されている。
【００１１】
本発明による他の半導体発光素子は、窓部を有するパッケージに収容されるものであって、順次積層された第１導電型半導体層，活性層および第２導電型半導体層をそれぞれ有すると共に、積層方向に対して垂直な方向に位置する複数の側面を有すると共に、複数の側面のうち対向する２つの面に共振器構造を構成する一対の反射鏡膜を有し、活性層において発生した光を反射膜の一方からパッケージの窓部に向けて出射する構造部と、対向する一対の面の一面に構造部が積層されると共に、構造部の積層方向に対して垂直な方向に位置する側面を有し、構造部における発光波長以下の波長を有する光を吸収しない材料よりなる基板と、基板の一面と対向する他面に設けられ、構造部における発光波長以下の波長を有する光を吸収する吸収部とを備えたものであり、その吸収部は複数の吸収領域を有し、複数の吸収領域が、共振器方向にそって、発光波長の１／２の整数倍の長さと同一のピッチ幅で配列されている。
【００１２】
本発明による半導体素子の製造方法は、基板上に、第１導電型半導体層，活性層および第２導電型半導体層を順次積層し、積層方向に対して垂直な方向に位置する複数の側面と、積層方向の一方に位置し第１導電型半導体層よりなる第１面と、積層方向の一方に位置し第２導電型半導体層よりなる第２面とをそれぞれ有すると共に、複数の側面のうち対向する２つの面に共振器構造を構成する一対の反射鏡膜を有し、活性層において発生した光を反射膜の一方から出射する構造部を形成する工程と、構造部の第１面に第１の電極を形成する工程と、構造部の第２面に第２の電極を形成する工程と、基板の裏面に、構造部における発光波長以下の波長を有する光を吸収する吸収部を形成する工程とを含み、吸収部として、共振器方向にそって、発光波長の１／２の整数倍の長さと同一のピッチ幅で配列させた複数の吸収領域を形成するものである。
【００１３】
本発明による他の半導体発光素子の製造方法は、対向する一対の面と、この一対の面を結ぶ側面とをそれぞれ有し、構造部における発光波長以下の波長を有する光を吸収しない材料よりなる基板の一対の面のうちの一面に、第１導電型半導体層，活性層および第２導電型半導体層を順次積層し、積層方向に対して垂直な方向に位置する複数の側面を有すると共に、前記複数の側面のうち対向する２つの面に共振器構造を構成する一対の反射鏡膜を有し、前記活性層において発生した光を前記反射膜の一方から出射する構造部を形成する工程と、基板の一面と対向する他面に、構造部における発光波長以下の波長を有する光を吸収する吸収部を形成する工程とを含み、吸収部として、共振器方向にそって、発光波長の１／２の整数倍の長さと同一のピッチ幅で配列させた複数の吸収領域を形成するものである。
【００１４】
本発明による半導体発光素子では、第１の電極と第２の電極との間に電圧が印加されると、第１導電型半導体層と第２導電型半導体層との間に電圧が印加され、活性層に電流が注入されて発光が起こる。ここでは、基板の裏面に吸収部が設けられているので、例えば、この半導体発光素子をパッケージに収納して用いても、迷光が吸収部により吸収される。
【００１５】
本発明による他の半導体発光素子では、第１導電型半導体層と第２導電型半導体層との間に電圧が印加されると、活性層に電流が注入され発光が起こる。ここでは、基板の他面に吸収部が設けられているので、例えば、この半導体発光素子をパッケージに収納して用いても、迷光が吸収部により吸収される。
【００１６】
本発明による半導体素子の製造方法では、第１導電型半導体層，活性層および第２導電型半導体層を順次積層することにより構造部が形成される。構造部の第１面には第１の電極が形成され、構造部の第２面には第２の電極が形成される。また、基板の裏面には吸収部が形成される。
【００１７】
本発明による他の半導体発光素子の製造方法では、基板の一面に、第１導電型半導体層，活性層および第２導電型半導体層を順次積層することにより構造部が形成される。また、基板の他面に吸収部が形成される。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００１９】
（第１の実施の形態）
図１は本発明の第１の実施の形態に係る半導体発光素子である半導体レーザ１０の構成を表すものである。この半導体レーザ１０は、対向する一対の面を有する基板１１の一面に、複数の半導体層を有する構造部２０が積層されている。基板１１は、例えば、積層方向の厚さ（以下、単に厚さと言う）が３００μｍのサファイアにより構成されており、構造部２０は基板１１のＣ面に形成されている。基板１１は、また、一対の面を結ぶ側面を有している。
【００２０】
構造部２０は、基板１１の側から順に積層されたバッファ層２１，下地層２２，マスク層２３，被覆成長層２４，第１導電型半導体層２５，活性層２６および第２導電型半導体層２７をそれぞれ有している。バッファ層２１は、例えば、厚さが３０ｎｍであり、不純物を添加しないundope−ＧａＮにより構成されている。このバッファ層２１は、低温で成長させた非晶質に近い結晶よりなり、下地層２２を成長させる際の核となるものである。下地層２２は、例えば、厚さが２μｍであり、不純物を添加しないundope−ＧａＮの結晶により構成されている。
【００２１】
マスク層２３は、例えば、厚さが０．１μｍであり、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）により構成されている。このマスク層２３は、また、図１において紙面に対して垂直な方向において帯状に延長された複数の開口部２３ａと、各開口部２３ａの間に形成され同様に帯状に延長された複数のマスク部２３ｂとを有しており、このマスク層２３の上に被覆成長層２４を横方向に成長させることにより、下地層２２から貫通転位が伝わるのを遮断するようになっている。マスク層２３における各マスク部２３ｂの幅（マスク幅）は例えば１０μｍであり、各開口部２３ａの幅（開口幅）は例えば４μｍである。被覆成長層２４は、例えば、厚さが１０μｍであり、不純物を添加しないundope−ＧａＮにより構成されている。
【００２２】
第１導電型半導体層２５は、被覆成長層２４の側から順に積層されたｎ側コンタクト層２５ａ，ｎ型クラッド層２５ｂおよび第１のガイド層２５ｃをそれぞれ有している。ｎ側コンタクト層２５ａは、例えば、厚さが３μｍであり、ケイ素（Ｓｉ）などのｎ型不純物を添加したｎ型ＧａＮにより構成されている。ｎ型クラッド層２５ｂは、例えば、厚さが１μｍであり、ケイ素などのｎ型不純物を添加したｎ型Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎ混晶により構成されている。第１のガイド層２５ｃは、例えば、厚さが０．１μｍであり、ケイ素などのｎ型不純物を添加したｎ型ＧａＮにより構成されている。
【００２３】
活性層２６は、例えば、不純物を添加しないundope−ＩｎＧａＮ混晶により構成されており、厚さが３ｎｍのＩｎ0.15Ｇａ0.85Ｎ混晶よりなる井戸層と、厚さが４ｎｍのＩｎ0.02Ｇａ0.98Ｎ混晶よりなるバリア層との多重量子井戸構造を有している。この活性層２６は発光層として機能するものであり、その発光波長はレーザ発振において約４０５ｎｍとなっている。
【００２４】
第２導電型半導体層２７は、活性層２６の側から順に積層された劣化防止層２７ａ，第２のガイド層２７ｂ，ｐ型クラッド層２７ｃおよびｐ側コンタクト層２７ｄをそれぞれ有している。劣化防止層２７ａは、例えば、厚さが２０ｎｍであり、マグネシウム（Ｍｇ）などのｐ型不純物を添加したｐ型Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ混晶により構成されている。第２のガイド層２７ｂは、例えば、厚さが０．１μｍであり、マグネシウムなどのｐ型不純物を添加したｐ型ＧａＮにより構成されている。ｐ型クラッド層２７ｃは、例えば、厚さが０．８μｍであり、マグネシウムなどのｐ型不純物を添加したｐ型Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎ混晶により構成されている。ｐ側コンタクト層２７ｄは、例えば、厚さが０．５μｍであり、マグネシウムなどのｐ型不純物を添加したｐ型ＧａＮ混晶により構成されている。
【００２５】
このような構成を有する構造部２０は、積層方向の一方に、第１導電型半導体層２５であるｎ側コンタクト層２５ａよりなる第１面２０ａと、第２導電型半導体層２７であるｐ側コンタクト層２７ｄよりなる第２面２０ｂとをそれぞれ有しており、積層方向の他方に、バッファ層２１よりなる第３面２０ｃを有している。
【００２６】
構造部２０の第１面２０ａには、第１の電極としてのｎ側電極１２が設けられている。ｎ側電極１２は、ｎ側コンタクト層２５ａの側から順にチタン（Ｔｉ）層，アルミニウム（Ａｌ）層および金（Ａｕ）層を積層して加熱処理により合金化した構造を有しており、ｎ側コンタクト層２５ａと電気的に接続されている。構造部２０の第２面２０ｂには、二酸化ケイ素などの絶縁材料よりなる絶縁層１３と共に、この絶縁層１３に設けられた開口１３ａを介して第２の電極としてのｐ側電極１４が形成されている。ｐ側電極１４は、ｐ側コンタクト層２７ｄの側からニッケル（Ｎｉ）層と金（Ａｕ）層とを順次積層して加熱処理により合金化された構造を有しており、ｐ側コンタクト層２７ｄと電気的に接続されている。ｐ側電極１４は、また、電流狭窄をするように図１では紙面に対して垂直な方向において帯状に延長されており、ｐ側電極１４に対応する活性層２６の領域が発光領域となるようになっている。
【００２７】
この半導体レーザ１０は、また、基板１１の他面側（構造部２０の第３面２０ｃ側）に吸収部１５を備えている。この吸収部１５は、活性層２６における発光波長以下の波長を有する光を吸収する材料により構成されている。例えば、金，ニッケル，白金（Ｐｔ）あるいはアルミニウムなどの金属、またはこれらの合金、またはアモルファスシリコンあるいはＺｎＳなどの誘電体により構成されている。この吸収部１５は、基板１１の他面側全面に設けられていてもよいが、図２に吸収部１５の側から見た図を示したように、基板１１の他面のうち周縁部を除く一部に対して設けられた方が好ましい。これは、後述する製造方法においても説明するように、このような半導体レーザ１０では、複数の半導体レーザ形成領域を有する基板１１に構造部２０を積層したのち各半導体レーザ形成領域において分割して形成するのが一般的であり、その場合、基板１１の他面のうち周縁部に吸収部１５が形成されない方が分割が容易となるからである。
【００２８】
また、この吸収部１５の厚さは、吸収部１５を構成する材料の吸収係数をα（ｃｍ-1）とし、吸収部１５の厚さをｄ（ｃｍ）とした場合に、式２に示したように、その積が１以上となるように決定されることが好ましい。
【式２】
α×ｄ≧１
【００２９】
これは、式３に示した透過光強度と吸収部１５の吸収係数αおよびその厚さｄとの関係（櫛田孝司著「量子光学」第２章，朝倉書店出版を参照）から分かるように、吸収部１５の吸収係数αとその厚さｄとの積が１以上でないと十分に透過光強度を小さくすることができないからである。なお、式３における侵入光強度というのは、式４に示したように、入射光強度から再反射光強度を引いたものである。
【００３０】
【式３】
透過光強度＝侵入光強度×ｅｘｐ（−α×ｄ）
【式４】
侵入光強度＝入射光強度−再反射光強度
【００３１】
なお、表１に、吸収部１５を金により構成した場合における波長λに対する吸収係数αと、吸収係数αと厚さｄとの積が１となる場合の厚さｄとを示す。すなわち、表１に示した厚さｄは式３におけるα×ｄが１となる場合の値であり、吸収部１５を透過する光の透過光強度を侵入光強度の３６％程度にまで低減することができる値となる。また、表１において、κは光の吸収量を示す物性値であり、吸収係数αとは式５に示したような関係を有している。
【式５】
α＝４πκ／λ
【００３２】
【表１】
0004196439.tif 000002
【００３３】
また、同様に、吸収部１５をニッケルにより構成した場合を表２に、吸収部を白金により構成した場合を表３に、吸収部１５をアルミニウムにより構成した場合を表４に、吸収部１５をアモルファスシリコンにより構成した場合を表５に、吸収部１５をＺｎＳにより構成した場合を表６にそれぞれ示す。
【００３４】
【表２】
0004196439.tif 000003
【００３５】
【表３】
0004196439.tif 000004
【００３６】
【表４】
0004196439.tif 000005
【００３７】
【表５】
0004196439.tif 000006
【００３８】
【表６】
0004196439.tif 000007
【００３９】
表１乃至表６に示したように、κおよび吸収係数αが正の値である場合にはその波長λの光を吸収することから、これらにより吸収部１５を構成すれば、これらの波長を有する光を吸収部１５において吸収できることが分かる。また、吸収部１５をこれらの金属またはシリコンにより構成すれば、数ｎｍ〜十数ｎｍ程度の厚さｄでこれらの波長を有する光を十分に吸収できることが分かる。
【００４０】
この半導体レーザ１０は、更に、図１においては図示しないが図２に示したように、ｐ側電極１４の長さ方向の端部に一対の反射鏡膜１６，１７がそれぞれ形成されている。各反射鏡膜１６，１７は、例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）膜と酸化ジルコニウム（ＺｒＯ）膜とを交互に積層してそれぞれ構成されており、反射鏡膜１６の反射率は低くなるように、反射鏡膜１７の反射率は高くなるようにそれぞれ調整されている。これにより、活性層２６において発生した光は一対の反射鏡膜の間を往復して増幅され、反射鏡膜１６からレーザビームとして射出されるようになっている。すなわち、ｐ側電極１４の長さ方向が共振器方向となっている。
【００４１】
このような構成を有する半導体レーザ１０は、次のようにして製造することができる。
【００４２】
図３および図５はその各製造工程を表すものである。なお、図３および図４は図１と同一方向（ｐ側電極１４の延長方向に対して垂直な方向）における断面図であり、図５は吸収部１５の側から見た図である。まず、図３（Ａ）に示したように、例えば、複数の半導体レーザ形成領域を有するサファイアよりなる基板１１を用意し、ＭＯＣＶＤ法により、基板１１の一面（Ｃ面）にundope−ＧａＮよりなるバッファ層２１を形成する。その際、例えば、基板１１の温度は５２０℃と低くし、非晶質に近い結晶層を成長させる。また、原料にはトリメチルガリウム（（ＣＨ3 ）3 Ｇａ）とアンモニア（ＮＨ3 ）を用いる。なお、図３および図４においては、１つの半導体レーザ形成領域のみを代表して表している。
【００４３】
次いで、同じく図３（Ａ）に示したように、バッファ層２１の上に、例えば、ＭＯＣＶＤ法により、バッファ層２１と同様にしてundope−ＧａＮよりなる下地層２２を形成する。但し、基板１１の温度は例えばバッファ層２１を成長させる場合よりも高温の例えば１０２０℃とし、結晶層を成長させる。
【００４４】
続いて、図３（Ｂ）に示したように、下地層２２の上に、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）法により、二酸化ケイ素よりなり帯状に延長された複数のマスク部２３ｂを有するマスク層２３を選択的に形成する。そののち、同じく図３（Ｂ）に示したように、マスク層２３の上に、例えば、ＭＯＣＶＤ法により、下地層２２と同様にしてundope−ＧａＮよりなる被覆成長層２４を横方向に成長させる。
【００４５】
被覆成長層２４を形成したのち、図３（Ｃ）に示したように、その上に、例えば、ＭＯＣＶＤ法により、ｎ型ＧａＮよりなるｎ側コンタクト層２５ａ，ｎ型Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎ混晶よりなるｎ型クラッド層２５ｂ，ｎ型ＧａＮよりなる第１のガイド層２５ｃ，undope−ＧａＩｎＮ混晶よりなる活性層２６，ｐ型Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ混晶よりなる劣化防止層２７ａ，ｐ型ＧａＮよりなる第２のガイド層２７ｂ，ｐ型Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎ混晶よりなるｐ型クラッド層２７ｃおよびｐ型ＧａＮよりなるｐ側コンタクト層２７ｄを順次成長させる。
【００４６】
その際、例えば、基板１１の温度は８００〜１０００℃とし、アルミニウムの原料としてはトリメチルアルミニウム（（ＣＨ3 ）3 Ａｌ）、ガリウムの原料としてはトリメチルガリウム、インジウムの原料としてはトリメチルインジウム（（ＣＨ3 ）3 Ｉｎ）および窒素の原料ガスとしてはアンモニアガスをそれぞれ用いる。また、ｎ型不純物としてケイ素を添加する場合には、ケイ素の原料ガスとしてモノシランガス（ＳｉＨ4 ）を用い、ｐ型不純物としてマグネシウムを添加する場合には、マグネシウムの原料としてビス＝メチルシクロペンタジエニルマグネシウム（（ＣＨ3 Ｃ5 Ｈ4 ）2 Ｍｇ）あるいはビス＝シクロペンタジエニルマグネシウム（（Ｃ5 Ｈ5 ）2 Ｍｇ）をそれぞれ用いる。
【００４７】
ｎ側コンタクト層２５ａからｐ側コンタクト層２７ｄまでの各層を成長させたのち、図４（Ａ）に示したように、ｐ側コンタクト層２７ｄの上に、例えば、ＣＶＤ法により二酸化ケイ素などの絶縁体よりなる絶縁層１３を形成する。絶縁層１３を形成したのち、リソグラフィ技術を用い、ｎ側電極１２の形成位置に対応してｐ側コンタクト層２７ｄ，ｐ型クラッド層２７ｃ，第２のガイド層２７ｂ，劣化防止層２７ａ，活性層２６，第１のガイド層２５ｃおよびｎ型クラッド層２５ｂを順次選択的に除去し、ｎ側コンタクト層２５ａを露出させる。すなわち、構造部２０の第１面２０ａを露出させる。
【００４８】
ｎ側コンタクト層２５ａを露出させたのち、図４（Ｂ）に示したように、全面（すなわち絶縁層１３およびｎ側コンタクト層２５ａの上）に、図示しないレジスト膜を塗布形成し、フォトリソグラフィによってｎ側電極１２の形成位置に対応したマスクパターンを形成する。そののち、全面（すなわちｎ側コンタクト層２５ａおよび図示しないレジスト膜の上）に、例えば、真空蒸着法によりチタン層，アルミニウム層および金層を選択的に順次蒸着し、図示しないレジスト膜をその上に蒸着された各金属層と共に除去して（リフトオフ）、ｎ側電極１２を形成する。
【００４９】
ｎ側電極５を形成したのち、同じく図４（Ｂ）に示したように、全面（すなわち絶縁層１３，ｎ側コンタクト層２５ａおよびｎ側電極１２の上）に、図示しないレジスト膜を塗布形成し、フォトリソグラフィによってｐ側電極１４の形成位置に対応したマスクパターンを形成する。そののち、これをマスクとしてエッチングを行い、絶縁層１３を選択的に除去してｐ側電極１４の形成位置に対応した開口１３ａを形成し、ｐ側コンタクト層２７ｄを露出させる。すなわち、構造部２０の第２面を露出させる。ｐ側コンタクト層２７ｄを露出させたのち、全面（すなわちｐ側コンタクト層２７ｄおよび図示しないレジスト膜の上）に、例えば、真空蒸着法によりニッケル層および金層を順次蒸着し、図示しないレジスト膜をその上に蒸着された各金属層と共に除去して（リフトオフ）、ｐ側電極１４を形成する。そののち、加熱処理を行い、ｐ側電極１４およびｎ側電極１２を合金化させる。
【００５０】
加熱処理を行ったのち、図５に示したように、基板１１の他面に、図示しないレジスト膜を塗布形成し、フォトリソグラフィによって吸収部１５の形成位置に対応したマスクパターンを形成する。そののち、全面（すなわち基板１１および図示しないレジスト膜の上）に、例えば、真空蒸着法により金層，白金層，ニッケル層あるいはアルミニウム層などの金属層を蒸着し、図示しないレジスト膜をその上に蒸着された金属層と共に除去して（リフトオフ）、吸収部１５を形成する。なお、図５においては複数の半導体レーザ形成領域１０ａを表しており、破線により囲まれた領域が各半導体レーザ形成領域１０ａに該当している。
【００５１】
なお、吸収部１５をアモルファスシリコンあるいはＺｎＳなどの半導体により構成する場合には、基板１１の他面に、例えば、ＣＶＤ法，分子線エピタキシー（Molecular Beam Epitaxy；ＭＢＥ）法あるいはＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition ）法により誘電体層を形成したのち、リソグラフィ技術を用い、吸収部形成領域に対応してその誘電体層を選択的に除去して、吸収部１５を形成する。
【００５２】
吸収部１５を形成したのち、ここでは図示しないが、基板１１を各半導体レーザ形成領域１０ａに対応させてｐ側電極１４の長さ方向に対して垂直に所定の幅で分割する。そののち、分割した一対の側面に、例えばＥ−ガン蒸着法、ＣＶＤ法により一対の反射鏡膜１６，１７をそれぞれ形成する。各反射鏡膜１６，１７を形成したのち、基板１１を各半導体レーザ形成領域１０ａに対応させてｐ側電極１４の長さ方向と平行に所定の幅で分割する。なお、これら分割工程においては、図５に示したように、吸収部１５を各半導体レーザ形成領域１０ａの周縁部に形成しない方が、吸収部１５が妨げとならずに容易に分割することができるので好ましい。これにより、図１に示した半導体レーザ１０が形成される。
【００５３】
このようにして製造した半導体レーザ１０は、次のようにパッケージに収納されて用いられる。
【００５４】
図６乃至図８はパッケージ３０の構成およびこのパッケージ３０に収納された半導体レーザ１０の状態を表すものである。なお、図８は図７におけるＩ−Ｉ線に沿った断面図である。まず、この半導体レーザ１０は、図６に示したように、配設基板３１にｎ側電極１２およびｐ側電極１４を対向させて配設される。この配設基板３１は、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）などの絶縁体よりなり、半導体レーザ１０が配設される側の面には、ｎ側電極１２を接続する配線３２と、ｐ側電極１４を接続する配線３３とがそれぞれ設けられている。各配線３２，３３は、例えば、金などの金属により構成されている。配線３２の配設基板３１と反対側にはｎ側電極１２と対応した位置に半田層３２ａが形成されており、配線３３の配設基板３１と反対側にはｐ側電極１４と対応した位置に半田層３３ａが形成されている。すなわち、半導体レーザ１０のｎ側電極１２は半田層３２ａを介して配線３２と電気的に接続され、ｐ側電極１４は半田層３３ａを介して配線３３と電気的に接続される。
【００５５】
次いで、図７および図８に示したように、配設基板３１に配設された半導体レーザ１０は、パッケージ３０の内部に収納される。このパッケージ３０は、例えば、円盤状の支持体３４と中空円筒状の蓋体３５とを有している。蓋体３５は、その一端部が開放された状態、他端部が閉鎖された状態となっており、開放端部が支持体３４の一面に対して配設されている。蓋体３５の内部には、載置台３６が支持体３４の一面に対して形成されており、半導体レーザ１０はこの載置台３６に配設基板３１を介して載置される。また、蓋体３５の閉鎖端部には、半導体レーザ１０に対応して、半導体レーザ１０から射出されたレーザビームをパッケージ３０の外部に取り出すための取り出し窓３５ａが設けられている。
【００５６】
載置台３６および支持体３４は、例えば、金属などの導電体により構成されており、支持体３４に設けられたピン３７を介して外部配線と電気的に接続されるようになっている。また、支持体３４には、支持体３４とは絶縁性が確保されたピン３８が内部から外部に向かって貫通されており、ピン３８を介しても外部配線と電気的に接続することができるようになっている。すなわち、半導体レーザ１０は、配設基板３１の配線３２とピン３８とがワイヤで接続されると共に、配線３３と載置台３６とがワイヤで接続されることにより、外部配線と電気的に接続される。
【００５７】
このようにしてパッケージ３０に収納された半導体レーザ１０は、次のように作用する。
【００５８】
この半導体レーザ１０では、パッケージ３０のピン３７およびピン３８を介して、半導体レーザ１０のｎ側電極１２とｐ側電極１４との間に所定の電圧が印加されると、活性層２６に電流が注入され、電子−正孔再結合により発光が起こる。この光は、一対の反射鏡膜１６，１７の間を往復して増幅され、反射鏡膜１６からレーザビームとして射出される。この半導体レーザ１０から射出されたレーザビームの一部は、パッケージ３０の取り出し窓３５ａを介してパッケージ３０の外部に取り出される。
【００５９】
また、半導体レーザ１０から射出されたレーザビームの他の一部は、図９に太実線の矢印で示したように、パッケージ３０の内壁または取り出し窓３５ａにおいて反射し、迷光となって、その一部は半導体レーザ１０に戻ってくる。更に、半導体レーザ１０の反射鏡膜１７からもわずかながらレーザビームが射出されており、図９において細実線の矢印で示したように、パッケージ３０の内壁において反射し、迷光となって、その一部は半導体レーザ１０に戻ってくる。半導体レーザ１０に戻ってきた迷光は、半導体レーザ１０の表面において一部が再反射光となり、一部が侵入光となる。
【００６０】
ここで、本実施の形態に係る半導体レーザ１０では、基板１１の他面に吸収部１５を備えているので、半導体レーザ１０に侵入した迷光の一部は吸収部１５に到達し、吸収部１５において一部が吸収され、一部は図９において破線の矢印で示したように透過する。すなわち、吸収部１５を透過する迷光の透過光強度は、侵入光強度よりも吸収部１５において吸収された分だけ小さくなる。よって、パッケージ３０内における迷光は低減され、取り出し窓３５ａから取り出される迷光も低減される。また、半導体レーザ１０においても活性層２６に到達する迷光が低減され、半導体レーザ１０の動特性は安定し、レーザノイズが低減する。
【００６１】
このように本実施の形態に係る半導体レーザ１０によれば、基板１１の他面（構造部２０の第３面２０ｃ側）に吸収部１５を備えるようにしたので、パッケージ３０に収納して用いても、迷光を吸収部１５により吸収することができる。よって、パッケージ３０内の迷光を低減することができ、取り出し窓３５ａから取り出される迷光も低減することができる。従って、この半導体レーザ１０を用いた装置の誤動作を防止することができる。また、半導体レーザ１０においても、活性層２６に到達する迷光を低減することができ、半導体レーザ１０の動特性を安定させることができると共に、レーザノイズを低減することができる。
【００６２】
また、本実施の形態に係る半導体レーザの製造方法によれば、基板１１の他面（構造部２０の第３面２０ｃ側）に吸収部１５を形成するようにしたので、本実施の形態に係る半導体レーザ１０を容易に製造することができる。
【００６３】
（第２の実施の形態）
図１０は本発明の第２の実施の形態に係る半導体レーザ４０を基板１１側から見て表すものである。この半導体レーザ４０は、吸収部４５の形状が異なることを除き、第１の実施の形態と同一の構成および作用を有している。また、第１の実施の形態と同様にして製造することができる。よって、ここでは、同一の構成要素には同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【００６４】
吸収部４５は、四角形の四隅にマーク部４５ａとしての切欠部が形成された１２角形状となっている。このマーク部４５ａは、第１の実施の形態において説明したように半導体レーザ４０を配設基板３１に配設する際、または半導体レーザ４０をパッケージ３０の載置台３６に載置する際に、半導体レーザ４０の位置を決めるための印として用いられる。これは、基板１１が発光波長以下の波長を有する光を吸収しないサファイアにより構成されているのに対して、吸収部４５はそれらの光を吸収する材料により構成されていることを利用したものであり、この半導体レーザ４０は、マーク部４５ａを画像処理などで識別することにより位置決めすることができるようになっている。
【００６５】
このように本実施の形態によれば、吸収部４５がマーク部４５ａを有するようにしたので、第１の実施の形態において説明した効果に加えて、半導体レーザ４０を配設基板３１に配設する際、あるいは半導体レーザ４０をパッケージ３０の載置台３６に載置する際などに、画像処理などを利用することにより容易にその位置決めを行うことができる。よって、タクトを短縮することができると共に、位置合わせの精度を高めることができ、歩留りを向上させることができる。
【００６６】
なお、本実施の形態では、吸収部４５を１２角形状とすることにより切欠部よりなるマーク部４５ａを形成するようにしたが、図１１に示した半導体レーザ５０のように、吸収部５５が複数の吸収領域５５ｂを有するように構成し、各吸収領域５５ｂの間の領域をマーク部５５ａとするようにしてもよい。すなわち、ここにおいてマーク部４５ａ，５５ａとは、吸収部４５，５５の位置を示すことができる特徴部分を言う。
【００６７】
（第３の実施の形態）
図１２は本発明の第３の実施の形態に係る半導体レーザ６０を基板１１側から見て表すものである。この半導体レーザ６０は、吸収部６５の形状が異なることを除き、第１の実施の形態と同一の構成および作用を有している。また、第１の実施の形態と同様にして製造することができる。よって、ここでは、同一の構成要素には同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【００６８】
吸収部６５は、共振器方向Ａ（ｐ側電極１４の延長方向）において発光波長の１／２の整数倍の長さと同一のピッチ幅Ｂで配列された複数の吸収領域６５ｂを有している。ピッチ幅Ｂというのは、図１２においても示したように、１つの吸収領域６５ｂの幅Ｃと、それに隣接する吸収領域６５ｂとの間の幅Ｄとを合わせた幅のことである。
【００６９】
このように本実施の形態によれば、吸収部６５が、共振器方向Ａにおいて発光波長の１／２の整数倍の長さと同一のピッチ幅Ｂで配列された複数の吸収領域６５ｂを有するようにしたので、第１の実施の形態において説明した効果に加えて、ＤＦＢ（Distributed Feedback）と同様の効果を得ることができる。よって、縦モードの選択性を高めることができる（Casey and Panish ; "Heterostructure Lasers" Chap. 7 Academic Pressを参照）。
【００７０】
（第４の実施の形態）
図１３は本発明の第４の実施の形態に係る半導体レーザ７０を表すものである。この半導体レーザ７０は、吸収部１５が除去され、基板７１が吸収部としての機能を有することを除き、第１の実施の形態と同一の構成および作用を有している。また、第１の実施の形態と同様にして製造することができる。よって、ここでは、同一の構成要素には同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【００７１】
基板７１は、例えば、Ｆｅ，Ｃｕなどを不純物として侵入させあるいは添加したサファイアにより構成されており、構造部２０における発光波長以下の波長を有する光を吸収することができるようになっている。よって、本実施の形態によれば、第１の実施の形態と同一の効果を得ることができる。
【００７２】
以上、各実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記各実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、上記第１乃至第３の各実施の形態においては、吸収部１５，４５，５５，６５を構成する材料について具体的な例を挙げて説明したが、発光波長以下の波長を有する光を吸収することができればどのような材料を用いてもよく、亜鉛（Ｚｎ）あるいは鉛（Ｐｂ）などの他の金属、またはそれらの合金、または混晶の半導体、または酸化物あるいは窒化物などの化合物を用いることもできる。また、上記部第１乃至第３の各実施の形態においては、吸収部１５，４５，５５，６５を単層により構成するようにしたが、積層された複数の層により構成するようにしてもよい。
【００７３】
更に、上記第１乃至第３の各実施の形態においては、吸収部１５，４５，５５，６５の形状について具体的な例を挙げて説明したが、吸収部は他の形状を有していてもよい。例えば、図１４に示したように、吸収部８５を異なった形状を有する複数の吸収領域８５ｂにより構成するようにしてもよく、図１５に示したように、吸収部９５が吸収領域９５ｂを基板１１の他面全体にわたって有するのではなく、一部においてのみ有するようにしてもよい。
【００７４】
加えて、上記第１乃至第３の各実施の形態においては、吸収部１５，４５，５５，６５を基板１１の他面（構造部２０の第３面２０ｃ側）に形成する場合について説明したが、これらに加え、構造部２０の積層方向に対して垂直な方向に位置する側面側（すなわち構造部２０の側面および基板１１の側面）の少なくとも一部にも吸収部を設けるようにしてもよい。また、これらに代えて、構造部２０の側面側の少なくとも一部にのみ吸収部を設けるようにしてもよい。但し、側面から光が射出されるような場合には、光が射出する領域には吸収部を設けないようにする必要がある。また、吸収部を構造部２０の側面側に設けた場合には、吸収部の厚さは、構造部２０の積層方向において垂直な方向の厚さとなる。
【００７５】
更にまた、上記各実施の形態においては、構造部２０を構成するＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体について具体的な例を挙げて説明したが、本発明は、他の適宜なＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体（すなわち、ガリウム（Ｇａ），アルミニウム（Ａｌ），ホウ素（Ｂ）およびインジウム（Ｉｎ）からなる群より選ばれた少なくとも１種のＩＩＩ族元素と、窒素（Ｎ）とを含むＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体）により構造部２０を構成するようにしてもよい。
【００７６】
加えてまた、上記各実施の形態においては、構造部２０をＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体について構成する場合について説明したが、本発明は、構造部が他の半導体により構成される場合であっても、第１の電極および第２の電極が共に構造部２０の積層方向の一方側に位置する半導体発光素子について広く適用することができる。また、基板１１が発光波長以下の波長を有する光を吸収しない材料により構成される半導体発光素子についても広く適用することができる。
【００７７】
更にまた、上記各実施の形態においては、第１導電型半導体層２５をｎ型半導体層により構成し、第２導電型半導体層２７をｐ型半導体層により構成する場合について説明したが、本発明は、第１導電型半導体層２５をｐ型半導体層により構成し、第２導電型半導体層２７をｎ型半導体層により構成する場合についても広く適用することができる。
【００７８】
加えてまた、上記各実施の形態においては、半導体レーザの構成について具体的に説明したが、本発明は、他の構成を有するものであっても、順次積層された第１導電型半導体層，活性層および第２導電型半導体層を有する構造部を備えた半導体発光素子について広く適用することができる。例えば、劣化防止層２７ａを備えなくてもよく、ｐ側電極１４を帯状とするのではなく他の方法により電流狭窄をするようにしてもよい。
【００７９】
更にまた、上記各実施の形態においては、半導体レーザについてのみ説明したが、本発明は、発光ダイオードなどの他の半導体発光素子についても同様に適用することができる。
【００８０】
加えてまた、上記各実施の形態においては、構造部２０ををＭＯＣＶＤ法により形成する場合について説明したが、ＭＢＥ法やハライド法などの他の気相成長法により形成するようにしてもよい。なお、ハライド気相成長法とは、ハロゲンが輸送もしくは反応に寄与する気相成長法のことであり、ハイドライド気相成長法とも言う。
【００８１】
【発明の効果】
以上説明したように請求項１乃至５のいずれか１に記載の半導体発光素子によれば、基板の裏面に、発光波長以下の波長を有する光を吸収する吸収部を備えるようにしたので、例えば、この半導体発光素子をパッケージに収納して用いても、迷光を吸収部により吸収することができる。よって、パッケージから外部に取り出される迷光を低減することができ、半導体発光素子を用いた装置の誤動作を防止することができるという効果を奏する。また、半導体発光素子の活性層に到達する迷光も低減することができ、半導体発光素子の動特性を安定させることができると共に、ノイズを低減することができるという効果も奏する。
【００８４】
更に、請求項６乃至９のいずれか１に記載の半導体発光素子の製造方法によれば、本発明の半導体発光素子を容易に製造することができ、本発明の半導体発光素子を容易に実現することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体レーザの構成を表す断面図である。
【図２】図１に示した半導体レーザを吸収部の側から見た図である。
【図３】図１に示した半導体レーザの各製造工程を表す断面図である。
【図４】図３に続く各製造工程を表す断面図である。
【図５】図４に続く製造工程を表す図である。
【図６】図１に示した半導体レーザが用いられる際の状態を表す図である。
【図７】図１に示した半導体レーザが用いられる際の状態を表す図である。
【図８】図７におけるＩ−Ｉ線に沿った断面図である。
【図９】図１に示した半導体レーザの作用を説明するための図７におけるＩ−Ｉ線に沿った断面図である。
【図１０】本発明の第２の実施の形態に係る半導体レーザを表す図である。
【図１１】図１０に示した半導体レーザの変形例を表す図である。
【図１２】本発明の第３の実施の形態に係る半導体レーザを表す図である。
【図１３】本発明の第４の実施の形態に係る半導体レーザの構成を表す断面図である。
【図１４】本発明に係る半導体発光素子の変形例を表す図である。
【図１５】本発明に係る半導体発光素子の他の変形例を表す図である。
【図１６】従来の半導体発光素子の用いられる際の状態を表す断面図である。
【図１７】従来の他の半導体発光素子の用いられる際の状態を表す断面図である。
【図１８】半導体発光素子とコリメータレンズとからなる光学系を表す図である。
【図１９】従来の半導体発光素子の問題点を説明するための断面図である。
【図２０】物質に光が入射した場合における反射と透過と吸収との関係を説明するための図である。
【符号の説明】
１０，４０，５０，６０，７０…半導体レーザ（半導体発光素子）、１０ａ…半導体レーザ形成領域、１１，７１，２１１…基板、１２…ｎ側電極、１３…絶縁層、１３ａ…開口、１４…ｐ側電極、１５，４５，５５，６５，８５，９５…吸収部、２０…構造部、２０ａ…第１面、２０ｂ…第２面、２０ｃ…第３面、２１…バッファ層、２２…下地層、２３…マスク層、２４…被覆成長層、２５…第１導電型半導体層、２５ａ…ｎ側コンタクト層、２５ｂ…ｎ型クラッド層、２５ｃ…第１のガイド層、２６…活性層、２７…第２導電型半導体層、２７ａ…劣化防止層、２７ｂ…第２のガイド層、２７ｃ…ｐ型クラッド層、２７ｄ…ｐ側コンタクト層、３０，１３０，２３０…パッケージ、３１…配設基板、３２，３３…配線、３２ａ，３３ａ…半田層、３４，１３４…支持体、３５，１３５…蓋体、３５ａ，１３５ａ，２３５ａ…取り出し窓、３６，１３６，２３６…載置台、３７，３８…ピン、３９…ワイヤ、１１０，２１０…半導体発光素子、３００…コリメータレンズ、Ａ…共振器方向、Ｍ…物質、Ｌ１…入射光、Ｌ２…反射光、Ｌ３…透過光
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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