【事件の表示】
　特許第６３８０１３１号発明「絶縁基板の反り量の調整方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６３８０１３１号の請求項１ないし１０に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第６３８０１３１号の請求項１ないし１０に係る特許についての出願は、平成２７年１月２８日に出願され、平成３０年８月１０日にその特許権の設定登録がされ、平成３０年８月２９日に特許掲載公報が発行された。その後、その特許に対し、平成３１年２月２７日に特許異議申立人　青木　眞理により特許異議の申立てがされたものである。
第２　本件発明
　特許第６３８０１３１号の請求項１ないし１０の特許に係る発明（以下、「本件発明１」ないし「本件発明１０」という。）は、それぞれ、その特許請求の範囲の請求項１ないし１０に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】
　辺X及び辺Yからなる矩形のセラミックス基板と、
　前記セラミックス基板の一方の面に接合された第一の金属板に、前記第一の金属板を任意の形状及び任意の数に分割するスリットを設けてなる回路板と、
　前記セラミックス基板の他方の面に形成された第二の金属板からなる放熱板とからなる絶縁基板の反り量を調整する方法であって、
　前記セラミックス基板の一方の面に形成された回路板によって生じる絶縁基板のX方向(前記セラミックス基板の辺Xに平行する方向)の反り能力WX1(前記放熱板側に凸)を求める工程、及び
　前記放熱板のY方向(前記セラミックス基板の辺Yに平行する方向)の長さを、前記第一の金属板のY方向長さよりも短く形成することによって、前記絶縁基板のX方向の反り能力WX2(前記回路板側に凸)を付与する工程を有することを特徴とする絶縁基板の反り量の調整方法。
【請求項２】
　請求項1に記載の絶縁基板の反り量を調整する方法において、
　さらに前記セラミックス基板の一方の面に形成された回路板によって生じる絶縁基板のY方向の反り能力WY1(前記放熱板側に凸)を求める工程、及び
　前記放熱板のX方向の長さを、前記第一の金属板のX方向長さよりも短く形成することによって、前記絶縁基板のY方向の反り能力WY2(前記回路板側に凸)を付与する工程を有する
ことを特徴とする絶縁基板の反り量の調整方法。
【請求項３】
　請求項2に記載の絶縁基板の反り量を調整する方法において、
　前記反り能力WX2が前記反り能力WX1を打ち消すように、前記放熱板のY方向の長さを調節し、
　前記反り能力WY2が前記反り能力WY1を打ち消すように、前記放熱板のX方向の長さを調節することを特徴とする絶縁基板の反り量の調整方法。
【請求項４】
　請求項2又は3に記載の絶縁基板の反り量を調整する方法において、
　前記回路板によって生じる反り能力WX1及びWY1が、前記第一の金属板と同じ形状の前記第二の金属板を前記セラミックス基板の他方の面に、前記セラミックス基板に対して対称な位置に形成したときのX方向の反り量及びY方向の反り量に相当することを特徴とする絶縁基板の反り量の調整方法。
【請求項５】
　請求項2〜4のいずれかに記載の絶縁基板の反り量を調整する方法において、
　前記放熱板によって付与する反り能力WX2及びWY2が、前記セラミックス基板の一方の面にスリットを有さない前記第一の金属板を形成したときのX方向及びY方向の反り量に相当することを特徴とする絶縁基板の反り量の調整方法。
【請求項６】
　請求項5に記載の絶縁基板の反り量を調整する方法において、
　前記反り能力WX1及びWX2の差が0.1 mm以下になるように前記放熱板のY方向の長さを調節し、
　前記反り能力WY1及びWY2の差が0.1 mm以下になるように前記放熱板のX方向の長さを調節することを特徴とする絶縁基板の反り量の調整方法。
【請求項７】
　請求項2〜6のいずれかに記載の絶縁基板の反り量を調整する方法において、
　前記反り能力WX1及びWY1を求める工程が、
(a)前記回路板を構成するスリットを、n本の線分からなる部分スリットS(i)［iは1からnの整数］に分割する工程、
(b)前記各部分スリットS(i)によって生じるX方向の反り能力Wx(S(i))及びY方向の反り能力Wy(S(i))(共に前記放熱板側に凸)を求める工程、及び
(c)反り能力Wx(S(i))及びWy(S(i))を全ての部分スリットS(i)について合計し、それぞれWX1及びWY1を求める工程からなることを特徴とする絶縁基板の反り量の調整方法。
【請求項８】
　請求項2〜7のいずれかに記載の絶縁基板の反り量を調整する方法において、
(a)前記セラミックス基板の厚さをtc、
(b)前記第一の金属板の厚さをtm1、
(c)前記第二の金属板の厚さをtm2、
(d)前記第二の金属板のX方向及びY方向の長さをそれぞれx及びy、及び
(e)前記放熱板のX方向及びY方向の長さをそれぞれ(x-a)及び(y-b)、
としたとき、
　前記反り能力WX2[mm]及びWY2[mm]が、
WX2=-0.0557+0.0211*Bx+0.000652*Cx-0.0143*Dx+1.171*Ex-0.0569*Hx(ただし、Bx=tm2/tc、Cx=x/tc、Dx=y/x、Ex=b/y、Hx=Ex/2)で表され、
WY2=-0.0557+0.0211*By+0.000652*Cy-0.0143*Dy+1.171*Ey-0.0569*Hy(ただし、By=tm2/tc、Cy=y/tc、Dy=x/y、Ey=a/x、Hy=Ey/2)で表されることを特徴とする絶縁基板の反り量の調整方法。
【請求項９】
　請求項8に記載の絶縁基板の反り量を調整する方法において、
　前記第一の金属板の厚さをtm1及び前記第二の金属板の厚さtm2のうち厚い方の厚さtmと
、前記セラミックス基板の厚さtcとの比tm/tcが1.875以上であることを特徴とする絶縁基板の反り量の調整方法。
【請求項１０】
　請求項1〜9に記載の絶縁基板の反り量を調整する方法において、
　前記セラミックス基板が窒化珪素セラミックスからなり、前記第一の金属板及び前記放熱板が銅からなることを特徴とする絶縁基板の反り量の調整方法。」
第３　申立理由の概要
１．申立理由１
　特許異議申立人は、請求項１ないし２に係る特許は特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるから、請求項１ないし２に係る特許を取り消すべき旨主張している。
２．申立理由２
　特許異議申立人は、請求項１に係る特許は特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるから、請求項１に係る特許を取り消すべき旨主張している。
３．申立理由３
　特許異議申立人は、証拠として、下記の甲第１号証ないし甲第３号証を提出し、請求項１ないし１０に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるから、請求項１ないし１０に係る特許を取り消すべきものである旨主張している。
　　　　　　　記（証拠一覧）
甲第１号証：特開２００６−２４５４３６号公報
甲第２号証：特開２０１３−４２１６５号公報
甲第３号証：特開２００３−３０９２１０号公報
第４　甲各号証の記載
１．甲第１号証（特開２００６−２４５４３６号公報）
　甲第１号証には、「窒化珪素配線基板」に関して、以下の事項が図面とともに記載されている。（なお、下線は当審で付与した。）
（１）「【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化珪素基板と、この窒化珪素基板の一方の面に接合された複数個の金属回路板と、前記窒化珪素基板の他方の面に接合された金属放熱板と、からなる窒化珪素配線基板
【請求項２】
前記窒化珪素基板の外縁部から金属回路板の外縁部までの沿面距離ａと窒化珪素基板の外縁部から金属放熱板の外縁部までの沿面距離ｂとの比ａ／ｂが０．５以上２以下であり、かつａ−ｂの値が−０．５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下である
（２）「【０００５】
　しかしながら、高い機械的強度を有する
窒化珪素基板をセラミックス基板に用いた場合
　このクラックは、金属回路板のパターンの外周部、特に角部に発生することが多く、
セラミックス配線基板の絶縁耐圧
（３）「【００１６】
　以下、本発明の具体的な実施例を説明する。ただし、これらの実施例により本発明が限定されるものではない。
　　[実施例１]
　図１は本発明の一実施例を示す
窒化珪素配線基板１
　
窒化珪素基板１１の一方の面（上面）には、半導体素子を搭載するための銅板からなる金属回路板１２が接合されており、この金属回路板１２は図１（ａ）に示すように所定の回路パターンの形状に加工されており、それぞれ面積の異なる回路パターンＡ（１２１）、回路パターンＢ（１２２）および回路パターンＣ（１２３）の３種類の回路パターンから構成されている。一方、窒化珪素基板１１の他方の面（下面）には、これも銅板からなる金属放熱板１３が接合されている。
（４）「【００４０】
　実施例１、４および５の結果から、図１のように窒化珪素基板１１の面積をＳ、厚みＴとした場合の１０Ｔ２Ｓ１／２の値より、大きい面積の回路パターンＡ１２１および回路パターンＢ１２２の角部にはＲが形成され、１３ｍｍ２より小さい面積の回路パターンＣ１２３の角部にはＲが形成されていない金属回路板１２から構成された窒化珪素配線基板１で、
窒化珪素基板１１の外縁部から金属回路板１２の外縁部までの沿面距離ａ、および窒化珪素基板１１の外縁部から金属放熱板１３の外縁部までの沿面距離ｂとしたとき、ａ／ｂが０．５以上２以下であり、かつａ−ｂの値が−０．５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下とすることで窒化珪素基板１１に発生する応力を緩和した構造とすることができ、ヒートサイクル試験の前後で共にクラックの発生のない窒化珪素配線基板とすることができることが分かった
　一方、比較例８〜１０のように、沿面距離ａと沿面距離ｂの関係がａ／ｂが０．５以上２以下、もしくはａ−ｂの値が−０．５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下の範囲から外れる場合、金属回路板および金属放熱板の外周部、特には角部周辺により大きな応力が加わり、金属回路板の面積及び形状が同じである比較例３よりもヒートサイクル試験の前後で共にクラックが発生した窒化珪素配線基板が多くあった。」
（５）【図１】
・上記（１）、（３）によれば、窒化珪素配線基板１は、窒化珪素基板１１と、前記窒化珪素基板１１の一方の面に接合された金属回路板１２と、前記窒化珪素基板１１の他方の面に接合された金属放熱板１３とからなるものである。
・上記（５）によれば、窒化珪素基板１１の形状は、矩形であることが読み取れる。
・上記（１）、（３）によれば、金属回路板１２は、所定の回路パターンの形状に加工されてそれぞれ面積の異なる回路パターンＡ（１２１）、回路パターンＢ（１２２）、回路パターンＣ（１２３）の回路パターンから構成されるものである。また上記（５）によれば、回路パターンＡ（１２１）、回路パターンＢ（１２２）、回路パターンＣ（１２３）は、異なる形状であり、かつ互いに隙間を介して配置されることが読み取れる。したがって、金属回路板１２は、互いに隙間を介して配置された異なる形状及び面積の複数の回路パターンから構成されるものである。
・上記（２）によれば、窒化珪素基板を用いたセラミックス配線基板は絶縁性を有するものである。
・上記（１）、（４）によれば、窒化珪素基板の外縁部から金属回路板の外縁部までの沿面距離ａと窒化珪素基板の外縁部から金属放熱板の外縁部までの沿面距離ｂとの比ａ／ｂは０．５以上２以下であり、かつａ−ｂの値が−０．５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下である。
　したがって、上記（１）ないし（５）の記載事項及び図面の記載を総合勘案すると、甲第１号証には以下の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されている。
　「矩形の窒化珪素基板１１と、前記窒化珪素基板１１の一方の面に接合され、互いに隙間を介して配置された異なる形状及び面積の複数の回路パターンから構成された金属回路板１２と、前記窒化珪素基板１１の他方の面に接合された金属放熱板１３と、からなる絶縁性を有する窒化珪素配線基板１であって、前記窒化珪素基板１１の外縁部から前記金属回路板１２の外縁部までの沿面距離ａと前記窒化珪素基板１１の外縁部から前記金属放熱板１２の外縁部までの沿面距離ｂとの比ａ／ｂが０．５以上２以下であり、かつａ−ｂの値が−０．５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下である窒化珪素配線基板１。」
２．甲第２号証（特開２０１３−４２１６５号公報）
　甲第２号証には、「回路基板」に関して、以下の事項が図面とともに記載されている。（なお、下線は当審で付与した。）
（１）「【特許請求の範囲】
【請求項１】
　
絶縁性セラミックス基板と、該絶縁性セラミックス基板の一面に接合された金属回路板と、前記絶縁性セラミックス基板の他面に接合された金属放熱板とからなる回路基板
　前記絶縁性セラミックス基板の面内方向の破壊靭性値が５．５ＭＰａ・ｍ１／２以上、かつ厚みが０．２〜１．０ｍｍであり、
　
前記金属回路板及び前記金属放熱板が
銅板であり
　前記絶縁性セラミックス基板と前記金属回路板との接合および前記絶縁性セラミックス基板と前記金属放熱板との接合が、ろう付け温度６００〜９００℃の活性金属ろう材を介して行われており、
　さらに前記絶縁性セラミックス基板の内部の破壊靱性値が５．５〜７．５ＭＰａ・ｍ１／２であり、
　加えて前記絶縁性セラミックス基板の厚さをｔｃ（ｍｍ）、前記金属回路板の厚さを ｔ１（ｍｍ）、前記金属放熱板の厚さをｔ２（ｍｍ）とし、前記絶縁性セラミックス基板の内部の破壊靱性値をＫ（ＭＰａ・ｍ１／２）としたとき、
　（ｔ１２−ｔ２２）／ｔｃ２／Ｋ＜０．６２、
の関係にあり、
　前記回路基板の面内方向の見かけの破壊靭性値が３．０〜６．５ＭＰａ・ｍ１／２であり、
　さらに前記絶縁性セラミックス基板の面内方向の破壊靭性値（ＫＨ）と前記回路基板の面内方向の見かけの破壊靭性値（ＫＨ１）との差（ＫＨ−ＫＨ１）が１．７ＭＰａ・ｍ１／２以下であることを特徴とする回路基板。
【請求項２】
　前記回路基板のそり量の絶対値が５４μｍ／ｉｎｃｈ以下であることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
　
前記絶縁性セラミックス基板が窒化珪素セラミックスである
【請求項４】
　前記回路基板の内部の見かけの破壊靱性値（Ｋ１）が４．８ＭＰａ・ｍ１／２以上であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の回路基板。
【請求項５】
　前記絶縁性セラミックス基板の内部の破壊靱性値（Ｋ）と前記回路基板の内部の見かけの破壊靱性値（Ｋ１）との差（Ｋ−Ｋ１）が１．７ＭＰａ・ｍ１／２以下であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の回路基板。
【請求項６】
　請求項１に記載の回路基板の製造方法であって、
　前記絶縁性セラミックス基板の面内方向の破壊靭性値を５．５ＭＰａ・ｍ１／２以上、かつ厚みを０．２〜１．０ｍｍとし、
  前記金属回路板及び前記金属放熱板をいずれも０．５ｍｍ〜５．０ｍｍの厚さの銅板とし、前記金属回路板の総面積の前記金属放熱板の総面積に対する比率を５／９以上とし、
　さらに前記絶縁性セラミックス基板の内部の破壊靱性値を５．５〜７．５ＭＰａ・ｍ１／２とし、
　加えて前記絶縁性セラミックス基板の厚さをｔｃ（ｍｍ）、前記金属回路板の厚さを ｔ１（ｍｍ）、前記金属放熱板の厚さをｔ２（ｍｍ）とし、前記絶縁性セラミックス基板の内部の破壊靱性値をＫ（ＭＰａ・ｍ１／２）としたとき、
　（ｔ１２−ｔ２２）／ｔｃ２／Ｋ＜０．６２、
の関係とし、
　前記絶縁性セラミックス基板と前記金属回路板との接合および前記絶縁性セラミックス基板と前記金属放熱板との接合を活性金属ろう材を介して行い、そのろう付け温度を６００℃〜９００℃としたことを特徴とする回路基板の製造方法。」
（２）「【００１８】
（第１の実施の形態）
　本発明の第１の実施の形態に係る回路基板は、特に異方性の強い絶縁性セラミックス基板を用いた場合に有効である。
この回路基板１の平面図およびそのＩ−Ｉ方向における断面図が図１である。この回路基板１においては、絶縁性セラミックス基板２の一方の面に金属回路板３が、他方の面に金属放熱板４が、それぞれろう材５を介して接合されている。絶縁性セラミックス基板２としては、例えば窒化珪素セラミックスが用いられる。金属回路板３および金属放熱板４としては例えば銅が用いられる。
（３）「【００２５】
　さらには、回路基板１のそり量の絶対値を８０μｍ／ｉｎｃｈ（１ｉｎｃｈは０．０２５４ｍ）以下とし、絶縁性セラミックス基板２にかかる残留応力を小さくした。この場合に回路基板１の面内方向の見かけの破壊靭性値ＫＨ１が３．０〜６．５ＭＰａ・ｍ１／２となり、絶縁性セラミックス基板２に接合した金属回路板３の外周部から絶縁性セラミックス基板２へ入るクラックが伸展して破壊に至ることがなかった。
図４に、金属回路板３の厚さ等を変えた回路基板１を複数作成し、これらにおけるそり量と前記のＫ
Ｈ１
との関係を調べた結果を示す
（４）「【００５３】
　得られた回路基板の金属回路板および金属放熱板が接合されている部分の断面を取り出し、ＪＩＳＲ１６０７に準拠して、窒化珪素セラミックス基板の断面にビッカース圧子を所定荷重（例えば、２ｋｇｆ）で押し込むＩＦ法で見かけの破壊靱性値を測定した。このとき、ビッカース圧子はビッカース圧痕の一方の対角線が基板の厚さ方向と垂直になるように押し込んだ。そして、ビッカース圧痕の面内方向の対角線の長さ、左端部及び右端部から伸びるクラックの長さ、および上端部及び下端部から伸びるクラックの長さによりこの回路基板における面内方向の見かけの破壊靱性値ＫＨ１および内部の見かけの破壊靭性値Ｋ１を求めた。測定は任意の５箇所について行い、その平均値をこれらの見かけの破壊靭性値とした。
また、回路基板のそりは３次元測定器を用いて対角線上で測定し、そのそりの大きさの最大値を対角線の長さで割った値をそり量とした
（５）【図４】
・上記（１）、（２）によれば、回路基板１は、窒化珪素セラミックスである絶縁性セラミックス基板２と、前記絶縁性セラミックス基板２の一面に接合された金属回路板３と、前記絶縁性セラミックス基板２の他面に接合された金属放熱板４とからなるものである。
・上記（１）、（２）によれば、金属回路板３及び金属放熱板４は、銅板である。
・上記（３）、（５）によれば、金属回路板の厚さ等を変えた回路基板１を複数作成し、これらにおけるそり量を測定している。
・上記（４）によれば、回路基板のそりは３次元測定器を用いて対角線上で測定し、そのそりの大きさの最大値を対角線の長さで割った値をそり量としている。
　したがって、上記（１）ないし（５）の記載事項及び図面の記載を総合勘案すると、甲第２号証には以下の技術事項が記載されている。
　「窒化珪素セラミックスである絶縁性セラミックス基板２と、前記絶縁性セラミックス基板２の一面に接合された銅板である金属回路板３と、前記絶縁性セラミックス基板２の他面に接合された銅板である金属放熱板４とからなる回路基板１であって、前記金属回路板３の厚さ等を変えた回路基板１を複数作成し、これらにおけるそり量を測定し、前記そり量を測定するにあたっては、回路基板のそりを３次元測定器を用いて対角線上で測定し、そのそりの大きさの最大値を対角線の長さで割った値をそり量とすること。」
３．甲第３号証（特開２００３−３０９２１０号公報）
　甲第３号証には、「セラミックス回路基板」に関して、以下の事項が図面とともに記載されている。（なお、下線は当審で付与した。）
（１）「【特許請求の範囲】
【請求項１】　
セラミックス基板の表面にろう材を介して金属回路板を、および前記セラミックス基板の裏面にろう材を介して金属放熱板をそれぞれ設けた接合体であって、該接合体は−１１０℃以下で冷却処理されて、室温における反り量が５０ｍｍ当り１００μｍ以下であることを特徴とするセラミックス回路基板。
【請求項２】　前記セラミックス基板に加わる残留応力が６５０ＭＰａ以下であることを特徴とする請求項１記載のセラミックス回路基板。
【請求項３】　前記セラミックス基板の厚みが０．２〜０．９ｍｍ、前記金属回路板の厚みが３．０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１または２記載のセラミックス回路基板。
【請求項４】　
前記金属回路板の厚み（ｔｃ）と、金属放熱板の厚み（ｔｒ）との関係がｔｃ＞ｔｒであり、更に金属回路板のろう付けされた面積（ｓｃ）と金属放熱板のろう付けされた面積（ｓｒ）との関係がｓｃ＜ｓｒである
【請求項５】　
前記セラミックス基板が窒化珪素
前記金属回路板および金属放熱板が銅
（２）「【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１は本発明例のセラミックス回路基板の断面図である。
本発明のセラミックス回路基板１０は、セラミックス基板１１の表面に活性金属を含むろう材、またはＡｌ合金ろう材１４を介して金属回路板１２を設け、他方セラミックス基板１１の裏面には活性金属を含むろう材、またはＡｌ合金ろう材１４を介して金属放熱板１３を夫々設けた接合体となし、この接合体を−１１０℃以下で冷却処理して得たものである。
室温におけるセラミックス基板１１の反り量（ｔｗ）は５０ｍｍ当り１００μｍ以下
（３）「【００１４】本発明で使用される
セラミックス基板１１としては、窒化珪素
金属回路板１２および金属放熱板１３としては、銅
（４）「【００１５】更に、本発明のセラミックス回路基板において、ろう付け接合で接合体に発生する残留応力の緩和による接合体の破損および反り防止、並びに温度サイクル寿命向上のためには、
金属回路板１２の厚み（ｔｃ）と金属放熱板１３の厚み（ｔｒ）との関係がｔｃ＞ｔｒであり、更に金属回路板１２のろう付けされた面積（ｓｃ）と金属放熱板１３のろう付けされた面積（ｓｒ）との関係がｓｃ＜ｓｒであることが好ましい。この理由は以下のように考えられる。
【００１６】ろう付け接合後の接合体の反り方は、金属回路板１２の厚み（ｔｃ）と金属放熱板１３の厚み（ｔｒ）との関係で変わる。例えば、上記面積がｓｃ＝ｓｒの条件で、上記厚みがｔｃ＝ｔｒの場合では反りが発生しない。上記厚みがｔｃ＞ｔｒの場合では金属回路板１２側が凹（金属放熱板１３側が凸）に反る。上記厚みがｔｃ＜ｔｒの場合では金属回路板１２側が凸（金属放熱板１３側が凹）に反る。更に
上記面積がｓｃ＜ｓｒ条件で、
上記厚みがｔｃ＞ｔｒの場合では、反りが発生しないか、または金属回路板１２側が凸（金属放熱板１３側が凹）に反るか、または金属回路板１２側が凹（金属放熱板１３側が凸）に反るかのいずれかの状態になる。
即ち、少なくとも金属回路板１２側が凹（金属放熱板１３側が凸）に反るように、かつ反り量を少なくコントロールするためには、必要条件としてのｓｃ＜ｓｒ、およびｔｃ＞ｔｒの条件の中から最適な定数を選定すれば良い。
・上記（１）、（２）によれば、セラミックス回路基板１０は、セラミックス基板１１の表面にろう材１４を介して金属回路板１２を設け、セラミックス基板１１の裏面にはろう材１４を介して金属放熱板１３を夫々設けた接合体となし、この接合体を−１１０℃以下で冷却処理して得たものである。また、前記冷却処理して得たセラミックス回路基板１０は、室温における反り量が５０ｍｍ当り１００μｍ以下となるものである。
・上記（１）、（３）によれば、セラミックス基板１１は窒化珪素であり、金属回路板１２及び金属放熱板１３は銅である。
・上記（１）、（４）によれば、金属回路板１２の厚み（ｔｃ）と、金属放熱板１３の厚み（ｔｒ）との関係がｔｃ＞ｔｒであり、更に金属回路板のろう付けされた面積（ｓｃ）と金属放熱板のろう付けされた面積（ｓｒ）との関係がｓｃ＜ｓｒである。また、少なくとも金属回路板１２側が凹に反るように、かつ反り量を少なくコントロールすることは、必要条件としてのｓｃ＜ｓｒ、およびｔｃ＞ｔｒの条件の中から最適な定数を選定することによって行われる。
　したがって、上記（１）ないし（４）の記載事項及び図面の記載を総合勘案すると、甲第３号証には以下の技術事項が記載されている。
　「セラミックス基板１１の表面にろう材１４を介して金属回路板１２を設け、セラミックス基板１１の裏面にはろう材１４を介して金属放熱板１３を夫々設けた接合体が−１１０℃以下で冷却処理されて、室温における反り量が５０ｍｍ当り１００μｍ以下であるセラミックス回路基板１０において、前記金属回路板１２の厚み（ｔｃ）と、前記金属放熱板１３の厚み（ｔｒ）との関係、及び金属回路板のろう付けされた面積（ｓｃ）と金属放熱板のろう付けされた面積（ｓｒ）との関係を、ｓｃ＜ｓｒ、およびｔｃ＞ｔｒとすることを必要条件とし、その条件の中から最適な定数を選定することによって、少なくとも金属回路板１２側が凹に反るように、かつ反り量を少なくコントロールすること。」
第５　当審の判断
１．申立理由１（サポート要件）
（１）本件発明１ないし２について
　特許異議申立人は、本件特許の特許請求の範囲の請求項１の「前記放熱板のY方向(前記セラミックス基板の辺Yに平行する方向)の長さを、前記第一の金属板のY方向長さよりも短く形成することによって、前記絶縁基板のX方向の反り能力WX2(前記回路板側に凸)を付与する工程」という発明特定事項は、請求項３に記載の発明特定事項を勘案すると、「本件特許請求項１は、反り能力WX2が反り能力WX1を
助長する
　また、請求項２の「前記放熱板のX方向の長さを、前記第一の金属板のX方向長さよりも短く形成することによって、前記絶縁基板のY方向の反り能力WY2(前記回路板側に凸)を付与する工程」という発明特定事項についても同様であるから、本件発明２は発明の詳細な説明に記載されたものではないと主張する。
　上記主張について検討する。
　請求項１に「前記セラミックス基板の一方の面に形成された回路板によって生じる絶縁基板のX方向(前記セラミックス基板の辺Xに平行する方向)の反り能力WX1(
前記放熱板側に凸
前記回路板側に凸
反り能力WX2の方向は反り能力WX1の方向と逆である
助長する
　そして、反り能力WX1の方向と逆の方向の反り能力WX2を付与することによって、本件特許明細書の段落【００１３】の【発明が解決しようとする課題】の欄に記載された「温度変化時の反りが小さい絶縁基板を提供する」という課題を解決できることは明らかである。
　また、請求項２の記載についても同様で、「さらに前記セラミックス基板の一方の面に形成された回路板によって生じる絶縁基板のY方向の反り能力WY1(
前記放熱板側に凸
前記回路板側に凸
反り能力WY2の方向は反り能力WY1の方向と逆である
助長する
　そして、反り能力WY1の方向と逆の方向の反り能力WY2を付与することによって、本件特許明細書の段落【００１３】の【発明が解決しようとする課題】の欄に記載された「温度変化時の反りが小さい絶縁基板を提供する」という課題を解決できることは明らかである。
　よって、特許異議申立人の上記主張を採用することはできない。
（２）まとめ
　以上のとおりであるから、請求項１ないし２に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるということはできない。
２．申立理由２（明確性）
（１）本件発明１について
　特許異議申立人は、本件特許の特許請求の範囲の請求項１の「前記セラミックス基板の一方の面に形成された回路板によって生じる絶縁基板のX方向(前記セラミックス基板の辺Xに平行する方向)の反り能力WX1(前記放熱板側に凸)を求める工程」とは、「絶縁基板の反り量を測定（実測）することを示しているのか、銅回路板のみが設けられたセラミックス基板を測定（実測）することを示しているのか、予め反り量を特別な計算方法で測定することを示しているのか不明である。」と主張する。
　上記主張について検討する。
ア．請求項１の「セラミックス基板と、・・・回路板と、・・・放熱板とからなる絶縁基板」との記載、及び「前記セラミックス基板の一方の面に形成された回路板によって生じる
絶縁基板の
反り能力WX1
イ．本件特許明細書の段落【００３３】には、「回路板12によって生じるX方向の反り能力WX1及び放熱板13によって生じるX方向の反り能力WX2は、それぞれ
実験的に求めることも可能ではある
経験式から求めることができる
　そうすると、上記アによれば、本件発明１における「前記セラミックス基板の一方の面に形成された回路板によって生じる絶縁基板のX方向(前記セラミックス基板の辺Xに平行する方向)の反り能力WX1(前記放熱板側に凸)を求める工程」は、「セラミックス基板と、回路板と、放熱板とからなる絶縁基板」の反り能力を求める工程であると明確に解することができる。したがって、反り量WX1を求める工程は、異議申立人が主張するような「銅回路板のみが設けられたセラミックス基板を測定（実測）すること」であると解し得るものではない。
　また、上記イによれば、反り能力WX1は、実験的に求めてもよいし、経験式から求めてもよいものであるから、請求項１において絶縁基板の反り量を実験的に求めるのか経験式から求めるのかが特定されていないことをもって、本件発明１が明確でないということにはならない。
　よって、特許異議申立人の上記主張を採用することはできない。
　なお、特許異議申立人は、「反り能力WX1を求める工程が、絶縁基板（銅回路板／窒化珪素基板／銅放熱板）の反り量を測定していることを示しているとすれば、後述するように、第一の金属板（回路板）の沿面距離よりも第二の金属板（放熱板）の沿面距離が大きい窒化珪素回路基板の反り量を単に測定しているにすぎないことになる。」と主張する（第１２頁第１行ないし第５行）。
　しかしながら、請求項１には「前記セラミックス基板の一方の面に形成された回路板によって生じる絶縁基板のX方向(前記セラミックス基板の辺Xに平行する方向)の反り能力WX1(前記放熱板側に凸)を求める工程」と記載されており、第一の金属板（回路板）の沿面距離よりも第二の金属板（放熱板）の沿面距離が大きい旨の記載はない。
　また、本件発明１は、「絶縁基板のX方向の反り能力WX1を求める工程」の後に「放熱板のY方向の長さを、第一の金属板のY方向長さよりも短く形成することによって、絶縁基板のX方向の反り能力WX2を付与する工程」を行うものである。したがって、本件発明１において、絶縁基板のX方向の反り能力WX1を求める工程は、まだ「放熱板のY方向の長さを、第一の金属板のY方向長さよりも短く形成」していない状態で行われる工程であるから、第一の金属板（回路板）の沿面距離よりも第二の金属板（放熱板）の沿面距離が大きい絶縁基板の反り量を単に測定しているにすぎないものではない。
　よって、上記主張は妥当でない。
（２）まとめ
　以上のとおりであるから、請求項１に係る特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるということはできない。
３．申立理由３（進歩性）
（１）対比・判断
ア．本件発明１について
　本件発明１と甲１発明とを対比する。
（ア）甲１発明の「矩形の窒化珪素基板１１」の各辺のうち、図１（ａ）において水平方向の辺は、本件発明１の辺Xと辺Yのうちの一方に相当し、図１（ａ）において垂直方向の辺は、本件発明１の辺Xと辺Yのうちの他方に相当する。また、窒化珪素基板はセラミックス基板であることは明らかである。（必要であれば、「第４」の「２．（２）」を参照。）
　したがって、甲１発明の「矩形の窒化珪素基板１１」は、本件発明１の「辺X及び辺Yからなる矩形のセラミックス基板」に相当する。
（イ）甲１発明の「絶縁性を有する窒化珪素配線基板１」は、本件発明１の、「絶縁基板」に相当する。
（ウ）甲１発明は、複数の回路パターンの間にそれぞれ「隙間」が設けられることにより、１枚の金属板が異なる形状に分割され、かつ複数に分割されて金属回路板１２が構成されるものである。
　したがって、甲１発明の「窒化珪素基板１１の一方の面に接合され、互いに隙間を介して配置された異なる形状及び面積の複数の回路パターンから構成された金属回路板１２」は、本件発明１の「セラミックス基板の一方の面に接続された第一の金属板に、前記第一の金属板を任意の形状及び任意の数に分割するスリットを設けてなる回路板」に相当する。
（エ）甲１発明の「前記窒化珪素基板１１の他方の面に接合された金属放熱板１３」は、本件発明１の「前記セラミックス基板の他方の面に形成された第二の金属板からなる放熱板」に相当する。
（オ）甲１発明は、「前記窒化珪素基板１１の外縁部から前記金属回路板１２の外縁部までの沿面距離ａと前記窒化珪素基板１１の外縁部から前記金属放熱板１２の外縁部までの沿面距離ｂとの比ａ／ｂが０．５以上２以下であり、かつａ−ｂの値が−０．５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下である窒化珪素配線基板１」という発明特定事項を備えているが、ａとｂの大小関係についてみてみると、ａ／ｂが０．５以上１未満である場合は、沿面距離ａが沿面距離ｂよりも短く、ａ／ｂが１より大きく２以下である場合は、沿面距離ａが沿面距離ｂよりも長いことは明らかである。してみると、「前記窒化珪素基板１１の外縁部から前記金属回路板１２の外縁部までの沿面距離ａと前記窒化珪素基板１１の外縁部から前記金属放熱板１２の外縁部までの沿面距離ｂとの比ａ／ｂが０．５以上２以下であり、かつａ−ｂの値が−０．５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下である窒化珪素配線基板１」には、沿面距離ａが沿面距離ｂよりも短い構成も含まれており、上記構成では、金属放熱板１２のY方向（窒化珪素基板１１の辺Yに平行する方向）の長さは、金属回路板１２を構成する金属板のY方向長さよりも短いことになる。
　したがって、本件発明１の「絶縁基板」と、甲１発明の「窒化珪素配線基板１」とは、「放熱板のY方向の長さが、第一の金属板のY方向長さよりも短い」という点で共通している。
　ただし、甲１発明は、「窒化珪素配線基板１」の発明であって、「絶縁基板の反り量を調整する方法」の発明ではなく、「セラミックス基板の一方の面に形成された回路板によって生じる絶縁基板のX方向(前記セラミックス基板の辺Xに平行する方向)の反り能力WX1(放熱板側に凸)を求める工程、及び前記放熱板のY方向(前記セラミックス基板の辺Yに平行する方向)の長さを、第一の金属板のY方向長さよりも短く形成することによって、前記絶縁基板のX方向の反り能力WX2(前記回路板側に凸)を付与する工程」をという発明特定事項を備えていない。
　よって、本件発明１と甲１発明とは、発明特定事項に
「　辺X及び辺Yからなる矩形のセラミックス基板と、
　前記セラミックス基板の一方の面に接合された第一の金属板に、前記第一の金属板を任意の形状及び任意の数に分割するスリットを設けてなる回路板と、
　前記セラミックス基板の他方の面に形成された第二の金属板からなる放熱板とからなり、
　前記放熱板のY方向(前記セラミックス基板の辺Yに平行する方向)の長さが、第一の金属板のY方向長さよりも短く形成された絶縁基板。」
を含む点で一致し、以下の点で相違する。
＜相違点＞
　本件発明１は、「絶縁基板の反り量を調整する方法」の発明であって、「セラミックス基板の一方の面に形成された回路板によって生じる絶縁基板のX方向(前記セラミックス基板の辺Xに平行する方向)の反り能力WX1(放熱板側に凸)を求める工程、及び前記放熱板のY方向(前記セラミックス基板の辺Yに平行する方向)の長さを、第一の金属板のY方向長さよりも短く形成することによって、前記絶縁基板のX方向の反り能力WX2(前記回路板側に凸)を付与する工程」を有するのに対し、甲１発明は、「窒化珪素配線基板１」の発明であって、それらの工程は備えていない点。
　上記相違点について検討する。
　「第４」の「２．」で説示したとおり、甲第２号証には、「窒化珪素セラミックスである絶縁性セラミックス基板２と、前記絶縁性セラミックス基板２の一面に接合された銅板である金属回路板３と、前記絶縁性セラミックス基板２の他面に接合された銅板である金属放熱板４とからなる回路基板１であって、前記金属回路板３の厚さ等を変えた回路基板１を複数作成し、これらにおけるそり量を測定し、前記そり量を測定するにあたっては、回路基板のそりを３次元測定器を用いて対角線上で測定し、そのそりの大きさの最大値を対角線の長さで割った値をそり量とすること」という技術事項が記載されている。しかしながら、甲第２号証には、単に回路基板１を作成した後に回路基板１のそり量を測定することが記載されているだけであり、放熱板のY方向の長さを第一の金属板のY方向長さよりも短く形成する前に、絶縁基板のX方向の反り能力WX1を求めることによって、絶縁基板の反り量を調整することは記載されていない。
　また、「第４」の「３．」で説示したとおり、甲第３号証には、「セラミックス基板１１の表面にろう材１４を介して金属回路板１２を設け、セラミックス基板１１の裏面にはろう材１４を介して金属放熱板１３を夫々設けた接合体が−１１０℃以下で冷却処理されて、室温における反り量が５０ｍｍ当り１００μｍ以下であるセラミックス回路基板１０において、前記金属回路板１２の厚み（ｔｃ）と、前記金属放熱板１３の厚み（ｔｒ）との関係、及び金属回路板のろう付けされた面積（ｓｃ）と金属放熱板のろう付けされた面積（ｓｒ）との関係を、ｓｃ＜ｓｒ、およびｔｃ＞ｔｒとすることを必要条件とし、その条件の中から最適な定数を選定することによって、少なくとも金属回路板１２側が凹に反るように、かつ反り量を少なくコントロールすること」という技術事項が記載されている。しかしながら、甲第３号証には、セラミックス回路基板１０の反り量を少なくコントロールすることが記載されているだけであり、「セラミックス基板の一方の面に形成された回路板によって生じる絶縁基板のX方向(前記セラミックス基板の辺Xに平行する方向)の反り能力WX1(放熱板側に凸)を求める工程、及び前記放熱板のY方向(前記セラミックス基板の辺Yに平行する方向)の長さを、第一の金属板のY方向長さよりも短く形成することによって、前記絶縁基板のX方向の反り能力WX2(前記回路板側に凸)を付与する工程」を有することは記載されていない。
　したがって、甲第２号証及び甲第３号証のいずれにも、「セラミックス基板の一方の面に形成された回路板によって生じる絶縁基板のX方向(前記セラミックス基板の辺Xに平行する方向)の反り能力WX1(放熱板側に凸)を求める工程、及び前記放熱板のY方向(前記セラミックス基板の辺Yに平行する方向)の長さを、第一の金属板のY方向長さよりも短く形成することによって、前記絶縁基板のX方向の反り能力WX2(前記回路板側に凸)を付与する工程を有する、絶縁基板の反り量を調整する方法」という事項は記載されていない。また、甲１発明に甲第２号証、甲第３号証記載の技術事項を組み合わせても、上記事項は得られない。
　したがって、甲１発明、及び甲第２号証、甲第３号証記載の技術事項から、上記相違点に係る本件発明１の「セラミックス基板の一方の面に形成された回路板によって生じる絶縁基板のX方向(前記セラミックス基板の辺Xに平行する方向)の反り能力WX1(放熱板側に凸)を求める工程、及び前記放熱板のY方向(前記セラミックス基板の辺Yに平行する方向)の長さを、第一の金属板のY方向長さよりも短く形成することによって、前記絶縁基板のX方向の反り能力WX2(前記回路板側に凸)を付与する工程を有する、絶縁基板の反り量を調整する方法」という事項を当業者が容易に想到することはできない。
　よって、本件発明１は、甲１発明、及び甲第２号証、甲第３号証記載の技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
イ．本件発明２ないし１０について
　本件発明２ないし１０は本件発明１の発明特定事項を全て含むものであるから、上記ア．で述べたのと同様の理由で、甲１発明、及び甲第２号証、甲第３号証記載の技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。
（２）まとめ
　以上のとおりであるから、請求項１ないし１０に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるということはできない。
第６　むすび
　したがって、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、請求項１ないし１０に係る特許を取り消すことはできない。　
　また、他に請求項１ないし１０に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和１年５月２８日（２０１９．５．２８）