【事件の表示】
　平成５年特許願第１３５４４５号「半導体装置の製造方法」拒絶査定に対する審判事件〔（平成８年１月３１日出願公告、特公平８−１０７６５）、特許請求の範囲に記載された請求項の数（１）〕について、次のとおり審決する。
【結論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許をすべきものとする。
【理由】
１．本願の経緯および本願発明の要旨
　本願は、平成５年５月１３日の出願であって、平成７年９月１３日に出願公告の決定がなされたところ、特許異議の申立てがあり、その特許異議の申立ては理由があるものと決定され、その特許異議決定の理由により拒絶査定されたものである。
　本願発明の要旨は、出願公告後、平成８年１２月２７日付けの手続補正書により補正された明細書の記載からみて、その特許請求の範囲請求項１に記載された次のとおりのものと認める。
「半導体基板上にゲート絶縁膜を介して不純物がドープされた非単結晶シリコン膜を形成する工程と、その後ウェハに施される熱処理工程の最高温度以上の温度で熱処理を施して前記非単結晶シリコン膜を多結晶化乃至大粒径化する工程と、形成された多結晶シリコン膜上に高融点金属シリサイド膜を形成する工程と、前記高融点シリサイド膜および前記多結晶シリコン膜をパターニングしてゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極をマスクとして前記半導体基板の表面領域内に不純物を導入してソース・ドレイン領域を形成する工程と、を備える半導体装置の製造方法。」
２．原査定の理由の概要
　原査定の理由である異議決定の概要は、「請求項１に係る発明は、特開平４−１５００１８号公報（以下、「甲第３号証」という。）に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。」というものである。
３．原査定の理由である異議決定に引用された刊行物に記載された発明
　甲第３号証には、
「（１）Ｔｉポリサイドゲート電極において、Ｔｉポリサイド電極の下地となるＮ型不純物を含むポリシリコン膜の粒径が０．１μｍ以下であることを特徴とする半導体装置。」（特許請求の範囲）、
「〔実施例〕本発明の半導体装置の製造方法及びその構造の一実施例を示す。第１図（ａ）〜（ｆ）は本発明によるＴｉポリサイドゲート電極を持つＭＯＳＬＳＩの製造工程断面図で、第１図（ｆ）は、本発明の半導体装置の断面構造図である。まず、シリコン基板上１に１０００℃のウェット酸化で素子分離絶縁膜２を７０００Å、９００℃のウェット酸化によりゲート酸化膜３を１２０Åを形成（第１図（ａ））した後、１００％ＳｉＨ４を３０Ｐａの減圧中、５６０℃で熱分解し、アモルファスシリコン膜４を４５００Å堆積する（第１図（ｂ））。次に、ＰＯＣｌ３を用いて９００℃のアニールによりリンの熱拡散を行い、粒径が０．１μｍ以下のＮ型ポリシリコン膜５を形成する（第１図（ｃ））。さらに、このＮ型ポリシリコン膜５上に、アルゴンスパッタ法によりＴｉ膜６を８００Å堆積させ（第１図（ｄ））、８５０℃、Ｎ２雰囲気中でアニールを行い、Ｔｉ膜６とＮ型ポリシリコン膜５の上部を反応させて、Ｔｉシリサイド７を形成する（第１図（ｅ））。最後に、Ｔｉシリサイド７と下地のＮ型ポリシリコン膜５に、アンモニア＋過酸化水素混合液により選択エッチングを行いＴｉポリサイド電極８を形成する（第１図（ｆ））。」（第２頁左上欄第１３行〜右上欄第１７行）、
「〔発明の効果〕以上、本発明では、Ｔｉポリサイド電極の下地のＮ型ポリシリコンをアモルファスシリコンから形成することにより、従来よりも粒径の小さなＮ型ポリシリコンの形成が可能となり、これによりＴｉのゲート酸化膜への浸透が防止され、信頼性の高い微細半導体装置の安定供給が可能となった。」（第２頁左下欄第２０行〜右下欄第７行）が、第１図（ａ）〜（ｆ）と共に記載されている。
　これらの記載事項によると、甲第３号証には、「シリコン基板上にゲート酸化膜を形成した後、５６０℃でアモルファスシリコン膜を堆積する工程と、９００℃のアニールによりリンの熱拡散を行い粒径が０．１μｍ以下のＮ型ポリシリコン膜を形成する工程と、Ｔｉ膜を堆積する工程と、８５０℃でアニールを行いＴｉ膜とＮ型ポリシリコン膜の上部を反応させてＴｉシリサイドを形成する工程と、Ｔｉシリサイドと下地のＮ型ポリシリコン膜に選択エッチングを行いＴｉポリサイド電極を形成する工程と、を備える半導体装置の製造方法」が記載されていると認められる。
４．対比・判断
　本願請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）と、甲第３号証に記載された発明とを対比すると、本願発明の「半導体基板」、「ゲート絶縁膜」、「不純物がドープされた非単結晶シリコン膜」、「高融点金属」は、甲第３号証に記載された発明の「シリコン基板」、「ゲート酸化膜」、「Ｎ型ポリシリコン膜」、「Ｔｉ」に相当する。また、甲第３号証に記載された発明においても、ゲート電極をマスクとして半導体基板の表面領域内に不純物を導入してソース・ドレイン領域を形成するといえる。
　従って、本願発明と、甲第３号証に記載された発明は、「半導体基板上にゲート絶縁膜を介して不純物がドープされた非単結晶シリコン膜を形成する工程と、形成された多結晶シリコン膜上に高融点金属シリサイド膜を形成する工程と、前記高融点シリサイド膜および前記多結晶シリコン膜をパターニングしてゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極をマスクとして前記半導体基板の表面領域内に不純物を導入してソース・ドレイン領域を形成する工程と、を備える半導体装置の製造方法。」である点で一致し、
本願発明が「その後ウェハに施される熱処理工程の最高温度以上の温度で熱処理を施して前記非単結晶シリコン膜を多結晶化乃至大粒径化する工程」を備えるのに対して、甲第３号証に記載された発明はこのような工程を備えない点で相違する。
　ところで、甲第３号証に記載された発明は、Ｔｉポリサイド電極の下地となるＮ型不純物を含むポリシリコン膜の粒径を０．１μｍ以下とすることにより、Ｔｉのゲート酸化膜への浸透を防止し、信頼性の高い微細半導体装置の安定供給を可能とするものである。してみれば、甲第３号証に記載された半導体装置の製造方法において、「９００℃のアニールによりリンの熱拡散を行い粒径が０．１μｍ以下のＮ型ポリシリコン膜を形成する工程」の後に、さらに、「その後ウェハに施される熱処理工程の最高温度以上の温度で熱処理を施して前記非単結晶シリコン膜を多結晶化乃至大粒径化する工程」を付加することは、ポリシリコン膜の粒径の増大につながり、甲第３号証に記載された発明の目的に反するから、甲第３号証に記載された発明において、「その後ウェハに施される熱処理工程の最高温度以上の温度で熱処理を施して前記非単結晶シリコン膜を多結晶化乃至大粒径化する工程」を付加することが、当業者が容易になし得たことであるとすることはできない。
　そして、本願発明は、上記工程を備えることにより、「アモルファス・シリコンの多結晶化工程（または小粒径ポリシリコンの大粒径化）工程およびその後の熱処理工程においてゲート酸化膜に応力が加わらないようにすることができる。したがって、ゲート電極がダメージを受けることがなくなりその耐圧低下を回避することができる。」という顕著な効果を奏するものと認められる。
　したがって、本願発明は甲第３号証に記載の発明から当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。