(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート酸化膜が形成された半導体基板を蒸着チャンバー内に固定させる段階と、前記蒸着チャンバー内にＳｉＨ4及びＨ2を流し、プラズマシステムを活用して前記ゲート酸化膜の表面に多結晶で個別粒子のサイズが１〜７ｎｍのシリコン微小粒子を形成する段階と、前記蒸着チャンバー内にＳｉＨ4、ＧｅＨ4及びＨ2を流し、前記多数のシリコン微小粒子を中心としてシリコン−ゲルマニウムを蒸着させる段階とを含んでなることを特徴とするシリコン−ゲルマニウム膜の形成方法。
【請求項２】
前記シリコン微小粒子を形成するために、前記ＳｉＨ4の流量は５〜１００sccmとし、前記Ｈ2の流量は５０〜１０００sccmとすることを特徴とする請求項１記載のシリコン−ゲルマニウム膜の形成方法。
【請求項３】
前記シリコン微小粒子を多結晶体に形成させるために、前記半導体基板の温度を４５０〜６００℃に維持することを特徴とする請求項１記載のシリコン−ゲルマニウム膜の形成方法。
【請求項４】
前記プラズマシステムはプラズマ電力を１０〜５００Ｗに維持することを特徴とする請求項１記載のシリコン−ゲルマニウム形成方法。
【請求項５】
前記シリコン微小粒子は個別粒子間の間隔が極めて狭い高密度で形成されることを特徴とする請求項１記載のシリコン−ゲルマニウム膜の形成方法。
【請求項６】
前記シリコン微小粒子は前記ゲート酸化膜の表面状態に拘わらず成長することを特徴とする請求項１記載のシリコン−ゲルマニウム膜の形成方法。
【請求項７】
前記シリコン微小粒子はそのサイズがプラズマ電力とガス流量比を調節することにより制御されることを特徴とする請求項１記載のシリコン−ゲルマニウム膜の形成方法。
【請求項８】
前記シリコン微小粒子は前記シリコン−ゲルマニウムの蒸着時に核生成先として用いられることを特徴とする請求項１記載のシリコン−ゲルマニウム膜の形成方法。
【請求項９】
前記シリコン−ゲルマニウムの蒸着時、前記ＳｉＨ4の流量は２０〜５００sccmとし、前記ＧｅＨ4の流量は５〜１００sccmとし、前記Ｈ2の流量は１００〜５０００sccmとすることを特徴とする請求項１記載のシリコン−ゲルマニウム膜の形成方法。
【請求項１０】
前記シリコン−ゲルマニウム蒸着工程の間、前記半導体基板の温度を４５０〜６００℃に維持することを特徴とする請求項１記載のシリコン−ゲルマニウム膜の形成方法。
【請求項１１】
前記シリコン−ゲルマニウム蒸着工程の間、蒸着チャンバー内の圧力を１〜２００Torrに維持することを特徴とする請求項１記載のシリコン−ゲルマニウム膜の形成方法。
【請求項１２】
前記シリコン−ゲルマニウム膜は、膜内に含有されたゲルマニウムの比率が５〜５０％であることを特徴とする請求項１記載のシリコン−ゲルマニウム膜の形成方法。
【請求項１３】
前記シリコン−ゲルマニウム膜内に含有されたゲルマニウムの比率は圧力、温度及びガス流量比を調節することにより制御されることを特徴とする請求項１記載のシリコン−ゲルマニウム膜の形成方法。
【請求項１４】
ゲート酸化膜が形成された半導体基板を蒸着チャンバー内に固定させる段階と、前記蒸着チャンバー内にＳｉＨ4及びＨ2を流し、蒸着チャンバー内で、基板と平行に配設されるフィラメントから放出される多量の熱電子を活用して前記ゲート酸化膜の表面に多結晶で個別粒子のサイズが１〜７ｎｍのシリコン微小粒子を形成する段階と、前記蒸着チャンバー内にＳｉＨ4、ＧｅＨ4及びＨ2を流し、前記多数のシリコン微小粒子を中心としてシリコン−ゲルマニウムを蒸着させる段階とを含んでなることを特徴とするシリコン−ゲルマニウム膜の形成方法。
【請求項１５】
前記シリコン微小粒子を形成するために、前記ＳｉＨ4の流量は５〜１００sccmとし、前記Ｈ2の流量は５〜１０００sccmとすることを特徴とする請求項１４記載のシリコン−ゲルマニウム膜の形成方法。
【請求項１６】
前記ＳｉＨ4と前記Ｈ2に加えてＨＣｌを同時に流すことを特徴とする請求項１５記載のシリコン−ゲルマニウム膜の形成方法。
【請求項１７】
前記ＨＣｌの流量は２００sccm以下にすることを特徴とする請求項１６記載のシリコン−ゲルマニウム膜の形成方法。
【請求項１８】
前記シリコン微小粒子を多結晶体に形成させるために、前記半導体基板の温度を４５０〜６００℃に維持することを特徴とする請求項１４記載のシリコン−ゲルマニウム膜の形成方法。
【請求項１９】
前記フィラメントは半導体基板に対して蒸着チャンバーのガスインジェクションがある側に設置し、１５００〜２４００℃の温度に維持することを特徴とする請求項１４記載のシリコン−ゲルマニウム膜の形成方法。
【請求項２０】
前記フィラメントはタングステン（Ｗ）、またはトリウム（Ｔｈ）が１〜５％含有されたタングステン（Ｗ）で作られ、このようなフィラメントはモリブデン（Ｍｏ）棒で連結されることを特徴とする請求項１４記載のシリコン−ゲルマニウム膜の形成方法。
【請求項２１】
前記半導体基板の温度上昇を防止するために、前記フィラメントのモリブデン棒と前記半導体基板との距離を３〜５ｃｍに維持させ、前記モリブデン棒による前記フィラメント連結は前記半導体基板と平行に放射状とすることを特徴とする請求項１４記載のシリコン−ゲルマニウム膜の形成方法。
【請求項２２】
前記シリコン微小粒子は個別粒子間の間隔が極めて狭い高密度で形成されることを特徴とする請求項１４記載のシリコン−ゲルマニウム膜の形成方法。
【請求項２３】
前記シリコン微小粒子は前記ゲート酸化膜の表面状態に拘わらず成長することを特徴とする請求項１４記載のシリコン−ゲルマニウム膜の形成方法。
【請求項２４】
前記シリコン微小粒子のサイズは前記フィラメントの温度ガス流量比を調節することにより制御されることを特徴とする請求項１４記載のシリコン−ゲルマニウム膜の形成方法。
【請求項２５】
前記シリコン微小粒子は、前記シリコン−ゲルマニウム蒸着時に核生成先として用いられることを特徴とする請求項１４記載のシリコン−ゲルマニウム膜の形成方法。
【請求項２６】
前記シリコン−ゲルマニウム蒸着時、前記ＳｉＨ4の流量は２０〜５００sccmとし、前記ＧｅＨ4の流量は５〜１００sccmとし、前記Ｈ2の流量は１００〜５０００sccmとすることを特徴とする請求項１４記載のシリコン−ゲルマニウム膜の形成方法。
【請求項２７】
前記シリコン−ゲルマニウム蒸着工程の間、前記半導体基板の温度を４５０〜６００℃に維持することを特徴とする請求項１４記載のシリコン−ゲルマニウム膜の形成方法。
【請求項２８】
前記シリコン−ゲルマニウム蒸着工程の間、蒸着チャンバー内の圧力を１〜２００Torrに維持することを特徴とする請求項１４記載のシリコン−ゲルマニウム膜の形成方法。
【請求項２９】
前記シリコン−ゲルマニウム膜は膜内に含有されたゲルマニウムの比率が５〜５０％であることを特徴とする請求項１４記載のシリコン−ゲルマニウム膜の形成方法。
【請求項３０】
前記シリコン−ゲルマニウム膜内に含有されたゲルマニウムの比率は圧力、温度及びガス流量比を調節することにより制御されることを特徴とする請求項１４記載のシリコン−ゲルマニウム膜の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はシリコン−ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）膜の形成方法に係り、特にシリコン−ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）膜の表面粗さを減らしてゲート構造のセットアップ及び電気的特性を改善することが可能なシリコン−ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）膜の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
シリコン−ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）膜は、シリコン（Ｓｉ）とゲルマニウム（Ｇｅ）とが結合した多結晶膜である。シリコン−ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）膜において、ゲルマニウム（Ｇｅ）はシリコン（Ｓｉ）に比べてサイズが大きく、溶解温度(melting temperature)が約９３６℃と低い。従って、シリコン−ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）膜は、４５０〜５５０℃の比較的低い温度でも、多結晶体に成長させ易い。
【０００３】
このようなシリコン−ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）膜はＰ+型ポリシリコンにおけるボロン（Ｂ）の浸透(penetration)現象を抑制し、ボロンドーパントの活性化でポリシリコン層の抵抗値を低め、ポリシリコンの空乏効果を減少させることができる上、現在のシリコン半導体素子の製造工程によっても製造可能であるという長所のため、次世代半導体素子のゲート電極材料として用いられる可能性が非常に高い。
【０００４】
しかし、現在、工程適用上の問題があるが、シリコン−ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）膜は、ゲルマニウム（Ｇｅ）がシリコン（Ｓｉ）に比べてサイズが大きいため、ゲルマニウム（Ｇｅ）の含まれていないシリコン（Ｓｉ）膜より表面粗さが増加する。
【０００５】
従って、ゲルマニウム（Ｇｅ）の含量が高くなるほどシリコン−ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）膜の表面粗さが段々増加し、表面の荒いシリコン−ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）膜をゲート電極として使用する際、ゲート構造のセットアップだけでなく、ゲート電極の電気的特性の確保に悪影響を及ぼす。
【０００６】
表面粗さの度合いは結晶形成法則(micro-structure evolution rule)で説明することができる。結晶形成法則とは、膜の結晶成長において物質特性が全く異なる場合、孤立成長メカニズム(island growth mechanism)で膜の成長が行われるが、この際、核生成密度が成長するグレーン(grain)のサイズ限界を左右し、グレーンサイズが大きいほど膜の粗さが増加するという法則である。
【０００７】
多量のゲルマニウム（Ｇｅ）が含まれたポリシリコン膜において出来る限り平滑な表面を得るためには、初期に核生成密度を高めて微細な粒子で薄膜を形成させることが重要である。このため、ゲート酸化膜上にシリコンシード層を先に形成させるか、或いはシリコンソースガスをフラッシング(flushing)する方法を使用してきた。
【０００８】
シリコンシード層を形成させる方法は、ゲート酸化膜上に非晶質シリコンを１０〜１００Åの厚さに形成させる方法であり、同じシリコン表面においてシリコン−ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）膜が孤立成長(island growth)を行うことなく、結晶質で容易に成長できるようにする方法である。さらに、連続工程でシード層を簡便に形成させることはできるが、膜自体が非晶質なので、低温度の表面反応では核生成密度を高めることができないという短所がある。
【０００９】
シリコンソースガスをフラッシングする方法は、シリコン−ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）を蒸着させる前に、シラン(Silane；ＳｉＨ4)に水素（Ｈ2）などのキャリアガスを多量含ませてゲート酸化膜上に蒸着されないほどシリコン単量体を形成させる方法である。ところが、このような方法でシリコン−ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）膜を形成する場合、均一性制御(uniformity control)に関連した安定性が低下するという短所がある。
【００１０】
このように、前記２つの方法の共通的な問題点は、シリコン−ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）の核生成ポテンシャルが低いということである。それは微小結晶体ではないからである。即ち、この方法は、微小結晶体ではないためシーディグ(seeding)の効率が相対的に低下する虞がある。言い換えれば核生成は界面エネルギーの相対的に低い結晶体が有利である。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明は、シリコン−ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）膜の表面粗さを減らしてゲート構造のセットアップ及び電気的特性を改善することが可能なシリコン−ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）膜の形成方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明によるシリコン−ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）膜の形成方法は、ゲート酸化膜が形成された半導体基板を蒸着チャンバー内に固定させる段階と、前記蒸着チャンバー内にＳｉＨ4及びＨ2を流し、プラズマシステムを活用して前記ゲート酸化膜の表面に多結晶で個別粒子のサイズが１〜７ｎｍのシリコン微小粒子を形成する段階と、前記蒸着チャンバー内にＳｉＨ4、ＧｅＨ4及びＨ2を流し、前記多数のシリコン微小粒子を中心としてシリコン−ゲルマニウムを蒸着させる段階とを含んでなることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明に係るシリコン−ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）膜の形成方法は、ゲート酸化膜が形成された半導体基板を蒸着チャンバー内に固定させる段階と、前記蒸着チャンバー内にＳｉＨ4及びＨ2を流し、蒸着チャンバー内で、基板と平行に配設されるフィラメントから放出される多量の熱電子を活用して前記ゲート酸化膜の表面に多結晶で個別粒子のサイズが１〜７ｎｍのシリコン微小粒子を形成する段階と、前記蒸着チャンバー内にＳｉＨ4、ＧｅＨ4及びＨ2を流し、前記多数のシリコン微小粒子を中心としてシリコン−ゲルマニウムを蒸着させる段階とを含んでなることを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を添付図に基づいて詳細に説明する。
【００１５】
図１（ａ）乃至図１（ｃ）は本発明の第１実施例に係るシリコン−ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）膜の形成方法を説明するための断面図である。
【００１６】
図１（ａ）を参照すると、半導体基板１１に素子分離膜を形成してアクティブ領域とフィールド領域を定義する。アクティブ領域の半導体基板１１上にゲート酸化膜１２を形成する。ゲート酸化膜1２の形成された半導体基板１１を蒸着チャンバー内に固定させる。その後、蒸着チャンバー内にＳｉＨ4及びＨ2を流し、プラズマシステムを活用してゲート酸化膜１２の表面にシリコン微小粒子１００を形成する。
【００１７】
前記シリコン微小粒子１００を形成するための工程条件は、次の通りである。シリコンソースガスのＳｉＨ4の流量は５〜１００sccmとし、キャリアガスのＨ2の流量は５０〜１０００sccmとする。シリコン微小粒子１００が形成される間、蒸着チャンバー内の圧力は数〜数百ｍTorrに維持させる。
【００１８】
シリコン微小粒子１００を多結晶体に形成させるために、半導体基板１１の温度は４５０〜６００℃に維持させる。プラズマシステムは蒸着チャンバーの内部に設置された一般的なプラズマ発生器(plasma generator)、或いは蒸着チャンバーの外部に設置されたリモートプラズマ発生器(remote plasma generator)を使用することができる。
【００１９】
プラズマ電力は１０〜５００Ｗに維持させる。このような工程条件で形成されるシリコン微小粒子１００は、個別粒子のサイズが１〜７ｎｍと非常に小さく且つ個別粒子間の間隔が非常に狭く、ゲート酸化膜１２の表面状態に拘わらず成長し、多結晶体状態である。一方、シリコン微小粒子１００のサイズはプラズマ電力とガス流量比を調節することにより制御される。
【００２０】
図１（ｂ）及び図１（ｃ）を参照すると、蒸着チャンバー内にＳｉＨ4、ＧｅＨ4及びＨ2を流し、多数のシリコン微小粒子１００を中心としてシリコン−ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）を蒸着させてシリコン−ゲルマニウム膜１１０を形成する。ここで、シリコン微小粒子１００はシリコン−ゲルマニウム１１０の核生先として用いられる。
【００２１】
図１（ｂ）に示すように、蒸着初期にはシリコン微小粒子１００を中心としてシリコン−ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）が蒸着されて単位グレーンとなる。この単位グレーンは結晶形成法則によってサイズが決定されるが、シリコン微小粒子１００が高密度で形成されているため、単位グレーンのサイズは小さくならざるを得ない。単位グレーンのサイズが小さく形成された状態でシリコン−ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）を蒸着し続けると、図１（ｃ）に示すように、表面粗さの減ったシリコン−ゲルマニウム膜１１０を得ることができる。
【００２２】
シリコン−ゲルマニウム膜１１０を形成するための工程条件は、次の通りである。シリコンソースガスのＳｉＨ4の流量は２０〜５００sccmとし、ゲルマニウムソースガスのＧｅＨ4流量は５〜１００sccmとし、キャリアガスのＨ2流量は１００〜５０００sccmとする。半導体基板１１の温度はそのまま４５０〜６００℃に維持させる。
【００２３】
シリコン−ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）が蒸着される間、蒸着チャンバー内部の圧力は１〜２００Torrに維持させる。このような工程条件で形成されるシリコン−ゲルマニウム膜１１０は、膜内に含有されたゲルマニウム（Ｇｅ）の比率が５〜５０％程度である。シリコン−ゲルマニウム膜１１０内に含有されたゲルマニウム（Ｇｅ）の比率は圧力、温度及びガス流量比を調節することにより制御することができる。
【００２４】
図２（ａ）乃至図２（ｃ）は本発明の第２実施例に係るシリコン−ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）膜の形成方法を説明するための断面図である。
【００２５】
図２（ａ）を参照すると、半導体基板２１に素子分離膜を形成してアクティブ領域とフィールド領域を定義する。アクティブ領域の半導体基板２１上にゲート酸化膜２２を形成する。ゲート酸化膜２２の形成された半導体基板２１を蒸着チャンバー内に固定させる。その後、蒸着チャンバー内にＳｉＨ4及びＨ2を流し、フィラメントを活用してゲート酸化膜２２の表面にシリコン微小粒子２００を形成する。
【００２６】
前記シリコン微小粒子２００を形成するための工程条件は、次の通りである。シリコンソースガスのＳｉＨ4流量は５〜１００sccmとし、キャリアガスのＨ2流量は５０〜１０００sccmとする。この際、ＳｉＨ4とＨ2に加えてＨＣｌを同時に流すことができるが（ＨＣｌを流さなくてもよい）、その流量は２００sccm以下とする。シリコン微小粒子２００を多結晶体に形成させるために、半導体基板２１の温度は４５０〜６００℃に維持させる。
【００２７】
シリコン微小粒子２００が形成される間、蒸着チャンバー内の圧力は数〜数百ｍTorrに維持させる。フィラメントは蒸着チャンバーのガスインジェクション側に設置し、１５００〜２４００℃の温度に維持させて多量の熱電子を放出させる。熱電子は流入されるＳｉＨ4を気相(gas phase)で微小シリコン粒子の核生成を助長する。
【００２８】
フィラメントはタングステン（Ｗ）、トリウム（Ｔｈ）が１〜５％含有されたタングステン（Ｔｈ（１〜５％）-Ｗ）などで作られ、このようなタングステン−フィラメントはモリブデン（Ｍｏ）棒で連結される。半導体基板の温度上昇を防止するために、モリブデン棒と基板との距離を３〜５ｃｍに維持させ、モリブデン棒によるタングステン−フィラメント連結は基板と平行に放射状にする。
【００２９】
このような工程条件で形成されるシリコン微小粒子２００は個別粒子のサイズが１〜７ｎｍと非常に小さく且つ個別粒子間の間隔が非常に狭く、ゲート酸化膜２２の表面状態に拘わらず成長し、多結晶体状態である。一方、シリコン微小粒子２００のサイズはフィラメントの温度とガス流量比を調節することにより制御される。
【００３０】
図２（ｂ）及び図２（ｃ）を参照すると、蒸着チャンバー内にＳｉＨ4、ＧｅＨ4及びＨ2を流し、多数のシリコン微小粒子２００を中心としてシリコン−ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）を蒸着させてシリコン−ゲルマニウム膜２１０を形成する。前記シリコン微小粒子２００はシリコン−ゲルマニウム２１０の核生先として用いられる。
【００３１】
図２（ｂ）に示すように、蒸着初期にはシリコン微小粒子２００を中心としてシリコン−ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）が蒸着されて単位グレーンとなる。この単位グレーンは結晶形成法則(micro-structure evolution rule)によってサイズが決定されるが、シリコン微小粒子２００が高密度で形成されているため、単位グレーンのサイズは小さくならざるを得ない。単位グレーンのサイズが小さく形成された状態でシリコン−ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）を蒸着し続けると、図２（ｃ）に示すように、表面粗さの減ったシリコン−ゲルマニウム膜２１０を得ることができる。
【００３２】
前記シリコン−ゲルマニウム膜２１０を形成するための工程条件は、次の通りである。シリコンソースガスのＳｉＨ4流量は２０〜５００sccmとし、ゲルマニウムソースガスのＧｅＨ4流量は５〜１００sccmとし、キャリアガスのＨ2流量は１００〜５０００sccmとする。半導体基板２１の温度はそのまま４５０〜６００℃に維持させる。
【００３３】
シリコン−ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）が蒸着される間、蒸着チャンバー内部の圧力は１〜２００Torrに維持させる。このような工程条件で形成されるシリコン−ゲルマニウム膜２１０は、膜内に含有されたゲルマニウム（Ｇｅ）の比率が５〜５０％程度である。シリコン−ゲルマニウム膜２１０内に含有されたゲルマニウム（Ｇｅ）の比率は圧力、温度及びガス流量比を調節することにより制御することができる。
【００３４】
前述した本発明の特徴は０.１３μｍ技術以下で適用可能性のあるシリコン−ゲルマニウム膜を製造することにある。結晶性の平滑(smooth)なシリコン−ゲルマニウム膜を製造するために、初期には数ｎｍのシリコン微小粒子を形成させる方法とこれを適用することを含んでいる。平滑な多結晶質膜を製造するためには、数多くの結晶粒子を初期に撒布しなければならない。
【００３５】
この微小結晶体はシリコン−ゲルマニウム多結晶膜形成の核生成先として用いられる。微小粒子(clusters)は気相活性化方法であるプラズマ、電子、イオンなどに気相で電荷誘導核形成(charge induced nucleation)によって生成されることができる。本発明のシリコン微小粒子はそのサイズが１〜７ｎｍと極めて小さいため、一種のマジックサイズ(magic size)を有し、柔軟性(flexibility)と回転(rotation)特性に優れた粒子核生成を促進させることができる。
【００３６】
【発明の効果】
上述したように、本発明によるシリコン微小粒子をシリコン−ゲルマニウム膜の核生成先(seed)として活用すると、次のような効果が得られる。第１、本発明のシリコン微小粒子は、微小結晶体なので、核生成効率を高めて初期に多くの核生成サイト(site)を提供することができる。
【００３７】
第２、本発明のシリコン微小粒子は、プラズマシステムをもったＬＰＣＶＤ (Low Pressure Chemical Vapor Deposition)ＳｉＧｅ製造装備内では別の設備投資を行うことなく作ることができる。第３、本発明のシリコン微小粒子は既存のようなシード層を形成しないので、成長速度制御が有利である。
【００３８】
第４、本発明のシリコン微小粒子は、その形成工程がゲート酸化膜の表面状態に拘わらずに行われるので、工程安定性の面において有利である。第５、次世代高集積素子においてゲート電極としてのシリコン−ゲルマニウム膜の適用可能性を高めるし、既存生産装備を活用することができるから装備効率を極大化させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）乃至（ｃ）は本発明の第１実施例に係るシリコン−ゲルマニウム膜の形成方法を説明するための断面図である。
【図２】（ａ）乃至（ｃ）は本発明の第２実施例に係るシリコン−ゲルマニウム膜の形成方法を説明するための断面図である。
【符号の説明】
１１，２１  半導体基板
１２，２２  ゲート酸化膜
１００，２００  シリコン微小粒子
１１０，２１０  シリコン−ゲルマニウム膜
【図１】
0004116790.tif 000002
【図２】
0004116790.tif 000003