(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の間隔を隔てて重ね合わされた表示駆動基板と対向電極基板、上記表示駆動基板の画像表示部外縁に形成され、上記２枚の基板を貼り合わせるシール材、上記２枚の基板と上記シール材よりなる空間に封入された液晶を備えた液晶表示装置であって、上記表示駆動基板は、透明絶縁性基板上にゲート配線とソース配線をそれぞれ複数本交差させ、その各交点に設けられた薄膜トランジスタに接続された画素電極によって画像表示部を構成する画素部と、上記画素部に外部信号を入力する端子部とを有し、また、上記シール材形成領域には、上記画素部と上記端子部との接続パターンの配線ブロックが配置された領域と、この配線ブロック相互間に位置する上記配線ブロックが配置されていない領域とが存在し、上記画素部周辺にコモン電極またはトランスファ電極が配設されたＴＦＴアレイ基板であって、このＴＦＴアレイ基板の上記シール材形成領域において、上記配線ブロックが配置されていない領域だけを覆うように、上記コモン電極または上記トランスファ電極の配線パターンを延長して這わせたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
上記コモン電極または上記トランスファ電極の配線パターンは、シール材形成領域において、上記ＴＦＴアレイ基板に配設された他の配線とほぼ同じ高さを有することを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】
上記コモン電極または上記トランスファ電極の配線パターンは、上記ＴＦＴアレイ基板のシール材形成面の裏面側から上記シール材の位置を確認するための窓または切れ込みを有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ディスプレイとして広く用いられている液晶表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置は、それぞれに透明電極が形成された上下一対の電極基板を、基板の画像表示部外縁に形成されたシール材により貼り合わせ、その内部に液晶を封入するよう構成されている。図７は、従来の液晶表示装置を構成するＴＦＴアレイ基板の画像表示部周辺部の角部を示す平面図である。図において、１は液晶表示装置のパネル外形、２は画像表示部外形、３はゲート／ソース信号線、４は画像表示部−実装端子接続パターン、５は実装端子、６はシールパターン、７はダミー配線をそれぞれ示す。図７(a) に示すように、従来の液晶表示装置の画像表示部外縁に形成されたシールパターン６の角部には、画像表示部−実装端子接続パターン４等の配線が形成されていなかった。また、図８〜図１０は、従来の液晶表示装置の実装パッド部を示す平面図である。図において、８はコモン電極、９はトランスファ電極、１２はリペア配線を示す。図８に示すように、従来の液晶表示装置では、実装パッド部の配線ブロック間にはコモン電極（図示せず）がシールパターン６の外側にあり、シールパターン６形成領域には電極パターンが形成されていなかった。
【０００３】
また、図９では、画像表示部−実装端子接続パターン４の配線ブロック間において、シールパターン６の外側にトランスファ電極９が設けられており、図１０では、実装パッド部の配線ブロック間にはリペア配線１２が形成されていなかった。いずれの場合にも、配線ブロック間のシールパターン６形成領域には電極パターンが形成されていなかった。さらに、図１１は、従来の液晶表示装置の反実装パッド部を示す図であるが、ゲート反端子部１３にはリペア配線１２とクロスさせるための配線ブロックがあり、この配線ブロック間にも電極パターンが形成されていなかった。上記のいずれの場合においても、シールパターン６の形成領域で、配線が形成された部分と形成されていない部分では約０. ３μｍ以上の段差が生じていた。
また、図１２は従来の液晶表示装置の液晶注入口部付近を基板の成膜面の裏面側から見た場合を示しており、１４は共通Ｃｓ電極である。図１２に示すように、従来の液晶注入口部付近では、シールパターン６全体が不透明材料よりなる共通Ｃｓ電極１４上に形成されており、ＴＦＴアレイ基板と対向電極基板を重ね合わせた後には、シールパターン６の確認ができなかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
以上のように、従来の液晶表示装置では、シールパターン６を形成する領域に、配線が形成されている場合と形成されていない場合で約０. ３μｍ以上の段差を生じていた。シールパターン６は画像表示部外形２に近いため、上記の段差が画像表示部の外縁においてセルギャップ差を与え、ギャップムラ等の不良となり、表示品質が劣化するという問題があった。このような問題を解決するために、例えば特開平０３−２１１５２４号公報では、図７(b) に示すようにシールパターン６形成領域で配線のない部分にダミー配線７を設けることにより、シールパターン６部の段差を無くし、セルギャップの均一化を図る方法が提案されている。しかし、ダミー配線７は基板上で導通していないため、電気的に意味を持たない配線であり、基板周辺部の利用効率を下げ、さらには工程の追加、パターンの複雑化、歩留まりの低下等の問題となっていた。また、Ｃｒ等の不透明部材に対し、その上にシールパターン６を形成した場合、対向電極基板のシールパターン６上が遮光されている場合には、ＴＦＴアレイ基板と対向電極基板を重ね合わせた後にシールパターン６が確認できない。この場合、シールパターン６に起因する不良が発生しても発見が難しいという問題があった。
【０００５】
本発明は、上記のような問題点を解消するためになされたもので、画像表示部外縁部のギャップ差を低減し、表示品質の高い液晶表示装置を得るとともに、ＴＦＴアレイ基板と対向電極基板を重ね合わせた後にもシールパターンの確認が可能な液晶表示装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
この発明に係わる液晶表示装置は、所定の間隔を隔てて重ね合わされた表示駆動基板と対向電極基板と、表示駆動基板の画像表示部外縁に形成され、２枚の基板を貼り合わせるシール材と、２枚の基板とシール材よりなる空間に封入された液晶を備えた液晶表示装置であって、表示駆動基板は、透明絶縁性基板上にゲート配線とソース配線をそれぞれ複数本交差させ、その各交点に設けられた薄膜トランジスタに接続された画素電極によって画像表示部を構成する画素部と、画素部に外部信号を入力する端子部とを有し、また、上記シール材形成領域には、画素部と端子部との接続パターンの配線ブロックが配置された領域と、この配線ブロック相互間に位置する上記配線ブロックが配置されていない領域とが存在し、上記画素部周辺にコモン電極またはトランスファ電極が配設されたＴＦＴアレイ基板であって、このＴＦＴアレイ基板のシール材形成領域において、配線ブロックが配置されていない領域だけを覆うように、コモン電極またはトランスファ電極の配線パターンを延長して這わせたものである。
【０００７】
また、コモン電極またはトランスファ電極の配線パターンは、シール材形成領域において、ＴＦＴアレイ基板に配設された他の配線とほぼ同じ高さを有するものである。
また、コモン電極またはトランスファ電極の配線パターンは、ＴＦＴアレイ基板のシール材形成面の裏面側からシール材の位置を確認するための窓または切れ込みを有するものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
以下に、本発明の実施の形態を図について説明する。図１は、本発明の実施の形態１である液晶表示装置を構成するＴＦＴアレイ基板の画像表示部周辺部の角部を、基板の成膜面の裏面側から見た場合を示している。図において、１はＴＦＴアレイ基板のパネル外形、２は画像表示部外形、３はゲート／ソース信号線、４は画像表示部−実装端子接続パターン、５は実装端子、６はシールパターン、８はコモン電極、９はトランスファ電極、１０はシール確認用窓、１１はシール確認用切れ込みをそれぞれ示す。
本実施の形態における液晶表示装置は、表示駆動基板であるＴＦＴアレイ基板と対向電極基板を所定の間隔を隔てて重ね合わせ、ＴＦＴアレイ基板の画像表示部外縁に形成されたシールパターン６により貼り合わせてなる空間に液晶を封入して作製される。また、ＴＦＴアレイ基板は、透明絶縁性基板上にゲート／ソース信号線３をそれぞれ複数本交差させ、その各交点に設けられた薄膜トランジスタ（図示せず）に接続された画素電極によって画像表示部を構成する画素部と、画素部に外部信号を入力する実装端子５部とを有し、画素部周辺にコモン電極８およびトランスファ電極９が配設されているものである。また、シールパターン６形成領域には、画素部である画像表示部と実装端子５部との接続パターン４の配線ブロックが配置された領域と、この配線ブロック相互間に位置する配線ブロックが配置されていない領域とが存在している。
【０００９】
本実施の形態では、ＴＦＴアレイ基板の画像表示部外縁の角部、すなわち配線ブロックが配置されていない領域のシールパターン６形成領域において、従来配線が形成されていなかった領域だけを覆うように、コモン電極８の配線パターンを延長して這わせたことを特徴とする。その際、コモン電極８の配線パターンの高さは、シールパターン６形成領域において、ＴＦＴアレイ基板に配設された他の配線とほぼ同じ高さとする。コモン電極８は、従来のダミー配線７とは異なり、基板上で導通している有効配線であり、新たな工程の追加やパターンの複雑化の必要もなく、歩留まりの低下等の問題も生じない。さらに、シールパターン６形成領域において配線の形成されていない部分を有効活用し、コモン電極８の領域が広がることにより、低抵抗化が可能となる。
なお、コモン電極８は不透明材料よりなるため、図１(a)に示す構造ではＴＦＴアレイ基板の成膜面の裏面側から見た場合、シールパターン６の位置が確認できない。そこで、シールパターン６を確認するために、コモン電極８の一部に図１(b)に示すようなシール確認用窓１０を設けたり、図１(c)に示すようなシール確認用切れ込み１１を設けることにより、基板のシールパターン６形成面の裏面側からシールパターン６を確認することができる。このため、ＴＦＴアレイ基板と対向電極基板を重ね合わせた後にもシールパターン６の検査ができ、シールパターン６に起因する不良の早期発見が可能となる。
【００１０】
以上のように、本実施の形態によれば、ＴＦＴアレイ基板のシールパターン６形成領域において、画像表示部と実装端子５部との接続パターン４の配線ブロックが配置されていない領域であるＴＦＴアレイ基板の画像表示部外縁の角部に、有効電極であるコモン電極８の配線パターンを延長して這わせることにより、ほぼ均一に有効電極の配線パターンを設けたので、ＴＦＴアレイ基板と対向電極基板の間隔を全面にわたって均一にすることができ、画像表示部の外縁部においてセルギャップムラ等の不良が生じることなく、表示品質の高い液晶表示装置が得られる。
【００１１】
実施の形態２．
図２は、本発明の実施の形態２である液晶表示装置を構成するＴＦＴアレイ基板の実装パッド部を、基板の成膜面の裏面側から見た場合を示す平面図である。なお、図中、同一、相当部分には同一符号を付し、説明を省略する。
本実施の形態では、ＴＦＴアレイ基板の実装パッド部のシールパターン６形成領域において、従来配線が形成されていなかった画像表示部−実装端子接続パターン４の配線ブロック相互間に位置する配線ブロックが配置されていない領域だけを覆うように、コモン電極８を延長して這わせたことを特徴とする。コモン電極８は基板上で導通している有効配線であり、新たな工程の追加やパターンの複雑化の必要もなく、歩留まりの低下等の問題も生じない。さらに、上記実施の形態１と同様に、コモン電極８の低抵抗化も可能となる。
【００１２】
なお、コモン電極８は不透明材料よりなるため、図２(a) に示す構造ではＴＦＴアレイ基板の成膜面の裏面側から覗いた場合、シールパターン６の位置が確認できない。そこで、シールパターン６を確認するために、コモン電極８の一部に図２(b) に示すようなシール確認用窓１０を設けたり、図２(c) に示すようなシール確認用切れ込み１１を設けることにより、基板のシールパターン６形成面の裏面側からシールパターン６を確認することが可能となる。
以上のように、本実施の形態によれば、上記実施の形態１と同様に、シールパターン６の形成領域においてセルギャップが均一化されるため、画像表示部の外縁部においてセルギャップムラ等の不良が生じることなく、表示品質の高い液晶表示装置が得られる。
【００１３】
実施の形態３．
図３は、本発明の実施の形態３である液晶表示装置を構成するＴＦＴアレイ基板の実装パッド部を、基板の成膜面の裏面側から見た場合を示す平面図である。なお、図中、同一、相当部分には同一符号を付し、説明を省略する。
本実施の形態では、ＴＦＴアレイ基板の実装パッド部の画像表示部−実装端子接続パターン４の配線ブロック相互間に位置する配線ブロックが配置されていない領域だけを覆うように、従来はシールパターン６の外側に形成されていたトランスファ電極９を、シールパターン６部まで延長して這わせたことを特徴とする。トランスファ電極９は基板上で導通している有効配線であり、新たな工程の追加やパターンの複雑化の必要もなく、歩留まりの低下等の問題も生じない。
【００１４】
なお、トランスファ電極９は不透明材料よりなるため、図３(a)に示す構造ではＴＦＴアレイ基板の成膜面の裏面側から見た場合、シールパターン６の位置が確認できない。そこで、シールパターン６を確認するために、トランスファ電極９の一部に図３(b)に示すようなシール確認用窓１０を設けたり、図３(c)に示すようなシール確認用切れ込み１１を設けることにより、基板のシールパターン６形成面の裏面側からシールパターン６を確認することが可能となる。
以上のように、本実施の形態によれば、上記実施の形態１および２と同様に、シールパターン６の形成領域においてセルギャップが均一化されるため、画像表示部の外縁部においてセルギャップムラ等の不良が生じることなく、表示品質の高い液晶表示装置が得られる。
【００１５】
参考例１．
図４は、本発明の参考例１である液晶表示装置を構成するＴＦＴアレイ基板の実装パッド部を示す平面図である。図において、１２は電極配線と直交して配置されたリペア配線である。なお、図中、同一、相当部分には同一符号を付し、説明を省略する。
本参考例では、ＴＦＴアレイ基板の実装パッド部のシールパターン６形成領域において、従来配線が形成されていなかった配線ブロック相互間に位置する配線ブロックが配置されていない領域にリペア配線１２を延長して這わせることを特徴とする。リペア配線１２の場合、シールパターン６の方が線幅が広いため、基板のシールパターン６形成面の裏面側からシールパターン６を確認することが可能である。本参考例においても、上記実施の形態１〜３と同様の効果が得られる。
【００１６】
参考例２．
図５は、本発明の参考例２である液晶表示装置を構成するＴＦＴアレイ基板の反実装パッド部を示す平面図である。図中、１３はゲート反端子部である。なお、図中、同一、相当部分には同一符号を付し、説明を省略する。
本参考例では、ＴＦＴアレイ基板のゲート反端子部１３のシールパターン６形成領域において、従来配線が形成されていなかった配線ブロック相互間に位置する配線ブロックが配置されていない領域に、電極配線と直交しているリペア配線１２を延長して這わせることを特徴とする。リペア配線１２の場合、シールパターン６の方が線幅が広いため、基板のシールパターン６形成面の裏面側からシールパターン６を確認することが可能である。本参考例においても、上記実施の形態１〜３と同様の効果が得られる。
【００１７】
参考例３．
図６は、本発明の参考例３である液晶表示装置を構成するＴＦＴアレイ基板の液晶注入口部付近を、基板の成膜面の裏面側から見た場合を示す平面図である。図中、１４は共通Ｃｓ電極である。なお、図中、同一、相当部分には同一符号を付し、説明を省略する。
本参考例では、ＴＦＴアレイ基板の液晶注入口部付近のシールパターン６形成領域において、共通Ｃｓ電極１４の一部に、図６(a)に示すようなシール確認用窓１０や、図６(b)に示すようなシール確認用切れ込み１１を設けることを特徴とする。従来のＴＦＴアレイ基板の液晶注入口部付近では、シールパターン６全体が不透明材料よりなる共通Ｃｓ電極１４上に形成されており、ＴＦＴアレイ基板の成膜面の裏面側から見た場合、シールパターン６が確認できなかったため、シールパターン６に起因する不良が発見し難かった。本参考例によれば、共通Ｃｓ配線１４の一部にシール確認用窓１０や、シール確認用切れ込み１１を設けることにより、ＴＦＴアレイ基板と対向電極基板を重ね合わせた後にもシールパターン６の確認ができるようになった。
【００１８】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、表示駆動基板のシール材形成領域において、画素部と端子部との接続パターンの配線ブロックが配置されていない領域だけを覆うように、コモン電極またはトランスファ電極の配線パターンを延長して這わせ、表示駆動基板と対向電極基板の間隔を全面にわたって均一にしたので、画像表示部の外縁部のギャップ差が低減でき、表示品質の高い液晶表示装置が得られる効果がある。
【００１９】
また、表示駆動基板のシール材形成領域に配設された不透明材料よりなるコモン電極またはトランスファ電極に窓または切れ込みを設けたので、表示駆動基板と対向電極基板を重ね合わせた後にもシールパターンの確認ができ、シールパターンに起因する不良を早期に発見することが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施の形態１である液晶表示装置の角部を示す部分平面図である。
【図２】 本発明の実施の形態２である液晶表示装置の実装パッド部を示す部分平面図である。
【図３】 本発明の実施の形態３である液晶表示装置の実装パッド部を示す部分平面図である。
【図４】  本発明の参考例１である液晶表示装置の実装パッド部を示す部分平面図である。
【図５】 本発明の参考例２である液晶表示装置の反実装パッド部を示す部分平面図である。
【図６】 本発明の参考例３である液晶表示装置の液晶注入口部付近を示す部分平面図である。
【図７】 従来の液晶表示装置の角部を示す部分平面図である。
【図８】 従来の液晶表示装置の実装パッド部を示す部分平面図である。
【図９】 従来の液晶表示装置の実装パッド部を示す部分平面図である。
【図１０】 従来の液晶表示装置の実装パッド部を示す部分平面図である。
【図１１】 従来の液晶表示装置の反実装パッド部を示す部分平面図である。
【図１２】 従来の液晶表示装置の液晶注入口部付近を示す部分平面図である。
【符号の説明】
１  パネル外形、２  画像表示部外形、３  ゲート／ソース信号線、
４  画像表示部−実装端子接続パターン、５  実装端子、
６  シールパターン、７  ダミー配線、８  コモン電極、
９  トランスファ電極、１０  シール確認用窓、
１１  シール確認用切れ込み、１２  リペア配線、１３  ゲート反端子部、
１４  共通Ｃｓ電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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