【事件の表示】
　特許第６３１０６５７号発明「レーザダイシング用ウエハ保護膜組成物」の特許異議申立事件について，次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６３１０６５７号の明細書及び特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正明細書及び特許請求の範囲のとおり，訂正後の請求項〔１−９〕について訂正することを認める。
　特許第６３１０６５７号の請求項１ないし３，５ないし９に係る特許を維持する。
　特許第６３１０６５７号の請求項４に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。
【理　由】
１　手続の経緯
　特許第６３１０６５７号の請求項１ないし９に係る特許についての出願は，平成２５年８月２６日（パリ条約による優先権主張２０１２年８月２９日）の出願であって，平成３０年３月２３日にその特許権の設定登録がされ，平成３０年４月１１日に特許掲載公報が発行された。その後，その特許について，平成３０年１０月５日に特許異議申立人　三上　早織　により特許異議の申立てがされ，当審は，平成３１年１月１０日付けで取消理由を通知した。特許権者は，その指定期間内である平成３１年４月１２日に意見書の提出及び訂正の請求を行い，その訂正の請求に対して，特許異議申立人　三上　早織　は，令和元年６月２６日に意見書を提出した。
２　訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
　本件訂正請求による訂正の内容は，以下のアないしエのとおりである。
　ア　訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１に記載されている「腐食防止剤」を，「マレイン酸，ベンゾトリアゾール，及びリン酸ナトリウムからなる群より選ばれる１種以上である腐食防止剤」に訂正する。請求項１の記載を直接的又は間接的に引用する請求項２，３，５〜９も同様に訂正する。
　イ　訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項４を削除する。
　ウ　訂正事項３
　訂正前の特許明細書段落［００１０］において，上記訂正事項１により訂正した請求項１の構成と整合させるべく，「本発明は，水溶性樹脂を含む樹脂，マレイン酸，ベンゾトリアゾール，及びリン酸ナトリウムからなる群より選ばれる１種以上である腐食防止剤，および水または水と有機溶媒との混合物である溶媒を含むレーザダイシング用ウエハ保護膜組成物を提供する。」に訂正する。
　エ　本件訂正請求は，一群の請求項〔１〜９〕に対して請求されたものである。また，明細書に係る訂正は，一群の請求項〔１〜９〕について請求されたものである。
（２）訂正の目的の適否，新規事項の有無，及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　ア　訂正事項１について
　ａ　訂正の目的
　訂正事項１は，訂正前の特許請求の範囲の請求項１に記載の「腐食防止剤」を，特許明細書段落［００２１］〜［００２４］，［００３８］の記載を根拠として，「マレイン酸，ベンゾトリアゾール，及びリン酸ナトリウムからなる群より選ばれる１種以上」に限定し，訂正後の請求項１とするものであるから，当該訂正事項１は，特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　ｂ　実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更する訂正ではないこと
　訂正事項１は，上述のとおり，訂正前の特許請求の範囲の請求項１に記載の「腐食防止剤」を，特許明細書段落［００２１］〜［００２４］，［００３８］の記載を根拠として，「マレイン酸，ベンソトリアゾール，及びリン酸ナトリウムからなる群より選ばれる１種以上である」に限定し，訂正後の請求項１とするものであり，カテゴリーや対象，目的を変更するものではないから，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものには該当せず，特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項に適合するものである。
　ｃ　願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること
　訂正事項１は，上述のとおり，訂正前の特許請求の範囲の請求項１に記載の「腐食防止剤」を，特許明細書段落［００２１］〜［００２４］，［００３８］の記載を根拠として，「マレイン酸，ベンゾトリアゾール，及びリン酸ナトリウムからなる群より選ばれる１種以上である」に限定し，訂正後の請求項１とするものである。従って，当該訂正事項１は，願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり，特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものである。
　ｄ　特許出願の際に独立して特許を受けることができること
　本件においては，訂正前の全ての請求項１〜９について特許異議の申立てがされているので，訂正前の請求項１に係る訂正事項１に関して，特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する特許法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。
　イ　訂正事項２について
　訂正事項２は，訂正前の請求項４を削除するものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正であって，新規事項の追加に該当せず，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものでもない。
　ウ　訂正事項３について
　ａ　訂正の目的
　訂正事項３は，上記訂正事項１に係る訂正に伴い訂正される特許請求の範囲の記載と，明細書の記載との整合性を図るための訂正であるから，特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に規定する明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。
　ｂ　実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更する訂正ではないこと
　訂正事項３は，上記訂正事項１に係る訂正に伴い訂正される特許請求の範囲の記載と，明細書の記載との整合性を図るための訂正であるところ，訂正事項１は上述のとおり，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではないから，訂正事項３もまた，特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項に適合するものである。
　ｃ　願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること
　訂正事項３は，上記訂正事項１に係る訂正に伴い訂正される特許請求の範囲の記載と，明細書の記載との整合性を図るための訂正であるところ，訂正事項１は上述のとおり，願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であるから，訂正事項３もまた，特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものである。
　ｄ　明細書又は図面の訂正と関係する請求項についての説明
　訂正事項１〜２は，特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり，これは一群の請求項１〜９に関係する訂正である。したがって，訂正事項３は，特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第４項に適合するものである。
（３）小括
　以上のとおりであるから，本件訂正請求による訂正は，特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第３号に掲げる事項を目的とするものであり，かつ，同条第９項において準用する同法第１２６条第４項，第５項及び第６項の規定に適合する。
　したがって，明細書，特許請求の範囲を，訂正請求書に添付された訂正明細書，特許請求の範囲のとおり，訂正後の請求項〔１〜９〕について訂正することを認める。
３　訂正後の本件発明
　本件訂正請求により訂正された請求項１ないし９に係る発明（以下「本件発明１」ないし「本件発明９」という。）は，訂正特許請求の範囲の請求項１ないし９に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
「【請求項１】
　水溶性樹脂を含む樹脂，マレイン酸，ベンゾトリアゾール，及びリン酸ナトリウムからなる群より選ばれる１種以上である腐食防止剤，および水または水と有機溶媒との混合物である溶媒を含むことを特徴とするレーザダイシング用ウエハ保護膜組成物。
【請求項２】
　前記組成物の総重量に対して，前記水溶性樹脂を含む樹脂を１〜５０重量％，前記腐食防止剤を０．０１〜１０重量％，および残量の前記溶媒を含むことを特徴とする請求項１に記載のレーザダイシング用ウエハ保護膜組成物。
【請求項３】
　前記水溶性樹脂を含む樹脂が，ポリビニルアルコール（ＰＶＡ），ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ），ポリアルキレングリコール，アルキルセルロース，ポリアクリル酸（ＰＡＡ），ポリカルボン酸およびポリエチルオキサゾリンからなる群より選択される１種以上であることを特徴とする請求項１に記載のレーザダイシング用ウエハ保護膜組成物。
【請求項４】
　（削除）
【請求項５】
　前記有機溶媒は，イソプロピルアルコール，プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ），プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ），ブチレンカーボネート，プロピレンカーボネート，グリセリンカーボネートおよびエチレンカーボネートからなる群より選択される１種以上であることを特徴とする請求項１に記載のレーザダイシング用ウエハ保護膜組成物。
【請求項６】
　前記レーザダイシング用ウエハ保護膜組成物は，消泡剤をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のレーザダイシング用ウエハ保護膜組成物。
【請求項７】
　前記消泡剤は，組成物の総重量に対して０．０１〜５重量％で含まれることを特徴とする請求項６に記載のレーザダイシング用ウエハ保護膜組成物。
【請求項８】
　前記レーザダイシング用ウエハ保護膜組成物は，水溶性界面活性剤をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のレーザダイシング用ウエハ保護膜組成物。
【請求項９】
　請求項１に記載のレーザダイシング用ウエハ保護膜組成物を用い，レーザによってウエハをダイシングする工程を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。」
４　取消理由通知に記載した取消理由について
（１）取消理由の概要
　訂正前の請求項１ないし９に係る特許に対して，当審が平成３１年１月１０日付けで特許権者に通知した取消理由の要旨は，次のとおりである。
　
　ア　請求項１ないし９に係る発明は，文献１（特許異議申立人　三上　早織　が提出した甲第１号証），文献２（同甲第２号証）又は文献３（同甲第３号証）に記載された発明であるか，又は，文献１，文献２又は文献３に記載された発明と文献４ないし文献８に記載された技術的事項に基いて当業者が容易に想到することができたものである。よって，請求項１ないし９に係る特許は，特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものであるか，または，第２９条第２項の規定に違反してされたものであり，取り消されるべきものである。
　イ　腐食防止剤が，「マレイン酸」，「ベンゾトリアゾール」，及び，「リン酸ナトリウム」である場合を超えて，例えば，「有機酸」，「アミン」，「アルコール」，「無機酸塩」，「有機酸塩」などのすべてにおいてまで，本件特許明細書に記載された発明の課題を解決することができるとは，本件特許明細書の記載，及び，技術常識に基づいては認めることができないから，請求項１〜９に係る発明は，発明の詳細な説明に記載したものとはいえない。したがって，この出願は，特許請求の範囲の記載が，特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
　ウ　「防腐防止剤」に，実施例で用いられた「マレイン酸」，「ベンゾトリアゾール」，及び，「リン酸ナトリウム」以外で，どのような材料まで含まれるのか，その範囲の外延が不明であるから，この出願は，特許請求の範囲の記載が，特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　文献１：特開２００６−１４０３１１号公報（特許異議申立人　三上　早織　が提出した甲第２号証）
　文献２：特表２０１１−５２２４１１号公報（特許異議申立人　三上　早織　が提出した甲第１号証）
　文献３：特開昭５３−８６３４号公報 （特許異議申立人　三上　早織　が提出した甲第３号証）
　文献４：特開２００７−８１１３５号公報 
　文献５：特開２００５−２１９７５号公報 
　文献６：特開２００５−２２９０５３号公報
　文献７：特開２０１２−４９４５４号公報
　文献８：特開２００９−２４４３５９号
（２）文献１及び引用発明１
　ア　文献１の記載 
　平成３０年１０月５日付け特許異議申立書に記載された刊行物であり，本件特許の優先日前に頒布された特開２００６−１４０３１１号公報（以下，「文献１」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。（下線は当審で付加した。以下同じ。） 
「【技術分野】 
【０００１】 
　本発明は，
半導体ウエーハ等のウエーハの所定の領域にレーザー光線を照射して所定の加工を施すレーザーダイシングに用いる保護膜剤及び該保護膜剤
  
「【００１７】 
（保護膜剤） 
　本発明の保護膜剤は，水溶性樹脂と，水溶性のレーザー光吸収剤とを含有する溶液からなる。 
【００１８】 
　
前記水溶性樹脂は，保護膜の基材となるものであり，水等の溶剤に溶解させて塗布・乾燥して膜を形成し得るものであれば，特に制限されず，例えばポリビニルアルコール，ポリビニルピロリドン，エチレンオキシ繰り返し単位が５以上のポリエチレングリコール，ポリエチレンオキサイド，メチルセルロース，エチルセルロース，ヒドロキシプロピルセルロース，ポリアクリル酸，ポリビニルアルコールポリアクリル酸ブロック共重合体，ポリビニルアルコールポリアクリル酸エステルブロック共重合体，ポリグリセリン等を例示することができ，これらは，１種単独で使用することもできるし，２種以上を組み合わせて使用することもできる
  
「【００２０】 
　上述した水溶性樹脂と併用されるレーザー光吸収剤としては，水溶性染料，水溶性色素及び水溶性紫外線吸収剤が使用されるが，これらは何れも水溶性であり，保護膜中に均一に存在させる上で有利であり，しかも，ウエーハ表面に高い親和性を示し，ウエーハ表面に対して接着性の高い保護膜を形成することができる。さらに液の保存安定性が高く，保存中に，相分離や沈降等の不都合を生じることがなく，良好な塗布性を確保できるという点でも有利となる。例えば，顔料等の水不溶性のレーザー光吸収剤を用いた場合には，保護膜のレーザー吸収能にばらつきが生じたり，或いは保存安定性や塗布性も低く，均一な厚みの保護膜を形成することも困難となってしまう。」 
  
「【００２３】 
　また，水溶性紫外線吸収剤としては，例えば４，４’−ジカルボキシベンゾフェノン，ベンゾフェノン−４−カルボン酸，２−カルボキシアントラキノン，１，２−ナフタリンジカルボン酸，１，８−ナフタリンジカルボン酸，２，３−ナフタリンジカルボン酸，２，６−ナフタリンジカルボン酸，２，７−ナフタリンジカルボン酸等及びこれらのソーダ塩，カリウム塩，アンモニウム塩，第４級アンモニウム塩等，２，６−アントラキノンジスルホン酸ソーダ，２，７−アントラキノンジスルホン酸ソーダ，フェルラ酸などを挙げることができ，中でもフェルラ酸が好適である。」 
  
「【００２５】 
　また，レーザー光吸収剤は，その極大吸収波長領域に用いるレーザー光の波長があるものを選択使用すれば，少量の使用により，上記範囲のｇ吸光係数ｋを確保でき，そうでないものを選択使用すれば，上記範囲のｇ吸光係数ｋを確保するためには，その使用量は多量となる。しかるに，レーザー光吸収剤の使用量が多すぎると，塗布・乾燥して保護膜を形成したときに，レーザー光吸収剤が水溶性樹脂と相分離するおそれがあり，また，レーザー光吸収剤の使用量が少ないと，保護膜中のレーザー光吸収剤の分布にムラを生じるおそれがある。従って，一般的には，前述した水溶性樹脂１００重量部当り０．０１乃至１０重量部程度の使用量で上記範囲のｇ吸光係数ｋを確保できるように，レーザー光吸収剤を選択することが好ましい。 
【００２６】 
　
本発明において，保護膜剤として使用する溶液中には，上記の水溶性樹脂及びレーザー光吸収剤以外にも，他の配合剤を溶解させることもでき，例えば可塑剤や界面活性剤を用いることができる
【００２７】 
　可塑剤は，レーザー加工後の保護膜の水洗性を高めるために使用されるものであり，特に高分子量の水溶性樹脂を用いた場合に好適に使用される。また，可塑剤の使用により，レーザー光照射による水溶性樹脂の炭化を抑制できるという利点もある。このような可塑剤としては，水溶性の低分子量化合物が好ましく，例えば，エチレングリコール，トリエチレングリコール，テトラエチレングリコール，エタノールアミン，グリセリン等を例示することができ，一種もしくは二種以上を組み合わせて使用することができる。このような可塑剤は，塗布乾燥した後に水溶性樹脂と相分離を起さない程度の量で使用され，例えば水溶性樹脂１００重量部当り７５重量部以下，特に２０〜７５重量部の範囲とするのがよい。 
【００２８】 
　また，
界面活性剤は，塗布性を高め，さらには溶液の保存安定性を高めるために使用されるものであり，水溶性であれば，ノニオン系，カチオン系，アニオン系，両性系の任意の界面活性剤を使用することができる
【００２９】 
　ノニオン系の界面活性剤としてはノニルフェノール系，高級アルコール系，多価アルコール系，ポリオキシアルキレングリコール系，ポリオキシエチレンアルキルエステル系，ポリオキシエチレンアルキルエーテル系，ポリオキシエチレンアルキルフェノールエーテル系，ポリオキシエチレンソルビタンアルキルエステル系のものを例示することができ，また，カチオン系の界面活性剤としては，第４級アンモニウム塩，アミン塩があり，アニオン系の界面活性剤としては，アルキルベンゼンスルホン酸及びその塩，アルキル硫酸エステル塩，メチルタウリン酸塩，エーテルスルホン酸塩等々があり，両性系の界面活性剤としてはイミダゾリニウムベタイン系，アミドプロピルベタイン系，アミノジプロピオン酸塩系等があり，これらから一種もしくは二種以上が選択されれば良い。このような界面活性剤の使用量は溶液に対して数十ｐｐｍから数百ｐｐｍの量で良い。」 
  
「【００３１】 
　
また，本発明の保護膜剤である溶液の調製に用いる溶剤としては，上記水溶性樹脂及び水溶性のレーザー光吸収剤が溶解する溶剤であればよく，例えば，水，アルコール，エステル，アルキレングリコール，アルキレングリコールモノアルキルエーテル，アルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテートなどを用いることができる。中でも，水，アルキレングリコールモノアルキルエーテルなどが好ましく，アルキレングリコールモノアルキルエーテルとしては，プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）が好ましい。尚，作業環境上，最も好ましいものは，水もしくは水を含有する混合溶剤である
  
「【００６４】 
（実施例１） 
　
下記組成の保護膜剤を調製した
　　　
水溶性樹脂；　２０ｇ
　　　　　　
ケン化度８８％，重合度３００のポリビニルアルコール
　　　
水溶性レーザー光吸収剤；　０．２ｇ
　　　　　　
フェルラ酸
　　　
水；　　８０ｇ
　　　
固形分のｇ吸光係数ｋ＝１．５６×１０
−１
【００６５】 
　上記の保護膜剤をスピンナーにてシリコンウエーハに塗布し，乾燥して，ストリート上での厚みが０．５〜１．５μｍの保護膜を形成した。次いで，この保護膜が形成されたシリコンウエーハを，上記仕様のレーザー加工機に装着して，レーザー加工を行った後，純水にて保護膜を洗い流して，レーザースキャニング周辺を観察したところ，エッジ部の盛り上がりは観察されたものの，周辺へのデブリの付着はなく使用出来るレベルであった。また，加工巾は，塗布膜厚みの影響を受けることなく，レーザースポット径と同等であった。 
【００６６】 
（実施例２） 
　
水溶性レーザー光吸収剤であるフェルラ酸の量を０．８ｇに変更
【００６７】 
　上記の保護膜剤を用いて，実施例１と同様にしてシリコンウエーハ上に厚みが０．２μｍの保護膜を形成し，同様にしてレーザー加工を行い，さらに保護膜の水洗除去を行った。実施例１と同様にしてレーザースキャニング周辺を観察したところ，デブリの付着は観察されなかった。ただ，加工巾はレーザースポット径より少し広がっていたが使用できるレベルであった。 
【００６８】 
（実施例３） 
　
水溶性樹脂として，ケン化度７５％，重合度５００のポリビニルアルコールを用いた
【００６９】 
　上記の保護膜剤を用いて，実施例１と同様にしてシリコンウエーハ上に厚みが０．５〜１．５μｍの保護膜を形成し，同様にしてレーザー加工を行い，さらに保護膜の水洗除去を行った。実施例１と同様にしてレーザースキャニング周辺を観察したところ，デブリの付着は観察されなかった。また，加工巾は，塗布膜厚みの影響を受けることなく，レーザースポット径と同等であった。 
【００７０】 
（実施例４） 
水溶性レーザー光吸収剤として，フェルラ酸の代わりに水溶性モノアゾ染料（保土ヶ谷化学製ＡＩＺＥＮ　ＳＷＴＷ３）を用いた
【００７１】 
　上記の保護膜剤を用いて，実施例１と同様にしてシリコンウエーハ上に厚みが０．５〜１．５μｍの保護膜を形成し，同様にしてレーザー加工を行い，さらに保護膜の水洗除去を行った。実施例１と同様にしてレーザースキャニング周辺を観察したところ，デブリの付着は観察されなかった。また，加工巾は，塗布膜厚みの影響を受けることなく，レーザースポット径と同等であった。 
【００７２】 
（実施例５） 
　
可塑剤として１５ｇのグリセリンを添加
【００７３】 
　上記の保護膜剤を用いて，実施例１と同様にしてシリコンウエーハ上に厚みが０．５〜１．５μｍの保護膜を形成し，同様にしてレーザー加工を行い，さらに保護膜の水洗除去を行った。実施例１と同様にしてレーザースキャニング周辺を観察したところ，デブリの付着は観察されなかった。また，加工巾は，塗布膜厚みの影響を受けることなく，レーザースポット径と同等であった。」 
  
　イ　引用発明１−１及び引用発明１−５ 
　前記アより，文献１には，（実施例１）及び（実施例５）として，次の発明（以下，「引用発明１−１」及び「引用発明１−５」という。）が記載されていると認められる。 
（ア）引用発明１−１ 
　「ケン化度８８％，重合度３００のポリビニルアルコール，フェルラ酸，水を含むレーザーダイシングに用いる保護膜剤。」 
  
（イ）引用発明１−５ 
　「ケン化度７５％，重合度５００のポリビニルアルコール，水溶性モノアゾ染料，水，グリセリンを含むレーザーダイシングに用いる保護膜剤。」 
  
（３）文献２及び引用発明２ 
　ア　文献２の記載 
　平成３０年１０月５日付け特許異議申立書に記載された刊行物であり，本件特許の優先日前に頒布された特表２０１１−５２２４１１号公報（以下，「文献２」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。 
「【請求項１】 
　
ポリエチルオキサゾリンおよびポリビニルピロリドンから選ばれる少なくとも１種のレジンと，水溶性レジンおよびアルコール単量体から選ばれる少なくとも１種の成分と，溶媒としての，水または水と有機溶媒との混合物とを含むウエハーダイシング用保護膜組成物
  
「【請求項３】 
　
前記組成物に含まれるレジン成分の固形分総重量に対して１０〜８０ｐｐｍの水溶性界面活性剤をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のウエハーダイシング用保護膜組成物
  
「【請求項８】 
　前記水溶性界面活性剤は，ポリエーテル変性アルキルシロキサン，ポリエーテル変性ポリアルキルシロキサン，ヒドロキシ官能基を有するポリエーテル変性ポリジメチルシロキサン，ヒドロキシ官能基を有するポリエーテル−ポリエステル変性ポリアルキルシロキサン，非イオン性ポリアクリル系水溶性界面活性剤，アルコールアルコキシレート，及びポリメリックフルオロ系水溶性界面活性剤よりなる群から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項３に記載のウエハーダイシング用保護膜組成物。」 
  
「【技術分野】 
【０００１】 
本発明は，半導体のダイシング工程に用いられる，熱安定性に優れたウエハーダイシング用保護膜組成物に関する。」 
  
「【発明が解決しようとする課題】 
【０００９】 
　
そこで，本発明は，上述した従来の技術の問題点を解決するためのものであり，その目的は，熱安定性に優れ，ダイシング工程中のレーザー照射による熱架橋物質の生成を防止し，ウエハーとの接着力に優れ，レーザーダイシング工程中における保護膜の剥離を防止し，適正な硬度を有する保護膜を形成することにより，レーザーによる穿孔の後，ブレードで切削しても保護膜の破断が発生しない，ウエハーダイシング用保護膜組成物を提供することにある
  
「【００１５】 
　一般に，ウエハーダイシング用保護膜組成物に使用されるレジン成分として，ポリビニルアルコール（ＰＶＡ），ポリエチレングリコール（ＰＥＧ），セルロース系のレジン，ポリアクリル酸（ＰＡＡ）などの水溶性レジンが使われている。これらの中でも，ヒドロキシ基またはカルボキシル基を有する水溶性レジンは，熱に弱いか，或いは熱分解の際に架橋副産物を生成するという欠点がある。一方，
本発明の組成物で使用する水溶性レジンとしてのポリエチルオキサゾリンとポリビニルピロリドンは，熱安定性および水に対する溶解性に優れるという特徴を有する
  
「【００１９】 
　
本発明のウエハーダイシング用保護膜組成物において，水溶性レジンおよびアルコール単量体から選ばれる少なくとも１種の成分は，保護膜の基板接着性の向上と硬度調節のために使用される。水溶性レジンの例としては，ポリビニルアルコール，ポリエチレングリコール（ＰＥＧ），ポリプロピレングリコール（ＰＰＧ），セルロース，ポリアクリル酸（ＰＡＡ）などを挙げることができ，アルコール単量体の例としては，モノエチレングリコール，ジエチレングリコール，トリエチレングリコール，テトラエチレングリコール，プロピレングリコール，シクロヘキサンジオール，シクロヘキサンジメタノール，ペンタエリスリトール，トリメチルプロパノールなどを挙げることができる
  
「【００２４】 
　一般に，レーザーダイシング工程で使用する保護膜フィルムの厚さは１μｍ以上とするため，保護膜組成物の塗布性が良くない場合，ウエハーの中央と縁部の膜厚差が発生して工程マージンが減る。
よって，本発明の保護膜組成物は，水溶性の界面活性剤を添加することにより，組成物の塗布性を向上させることを特徴とする
  
「【００２７】 
　
本発明のウエハーダイシング用保護膜組成物は，溶媒として水を使用するが，保護膜組成物の膜厚を高めるために或いは塗布性を向上させるために，有機溶媒を混合して使用することもできる。有機溶媒の例としては，イソプロピルアルコール，プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ），プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ），ブチレンカーボネート，プロピレンカーボネート，グリセリンカーボネート，エチレンカーボネートなどのアルキルカーボネート系を挙げることができる。このような有機溶媒は１種または２種以上を混合して使用することができる
  
「【００３３】 
　
特に，本発明のウエハーダイシング用保護膜組成物は，溶液剤の気泡生成を抑制するために，添加剤として消泡剤をさらに含むことができる
  
「【００４５】 
　
実施例１０
　
攪拌器付き混合槽にポリエチルオキサゾリン（商品名：アクアゾル，重合度：５００）３ｇ，ポリビニルアルコール（重合度：１７００，鹸化度：８７〜９０％）７ｇ，トリスエチレングリコール（ＴＥＧ）１ｇ，およびブチレンカーボネート０．３ｇを添加し，界面活性剤（ＢＹＫ−３３７，ＢＹＫ社製）と消泡剤（ＢＹＫ−０２５，ＢＹＫ社製）を固形分のポリエチルオキサゾリンとポリビニルアルコール含量の和に対してそれぞれ３０ｐｐｍずつ投入し，溶媒として水を溶液の粘度が６０ｃＰとなるように添加した後，常温で１時間５００ｒｐｍの速度で攪拌してウエハーダイシング用保護膜組成物を製造した
  
「【００４８】 
　
比較例３
　
攪拌器付き混合槽にポリビニルアルコール（重合度：１７００，鹸化度：８７〜９０％）９ｇおよびペンタエリスリトール(Pentaerithritol)１ｇを添加し，溶媒として水とプロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）を７０／３０（ｗ／ｗ）の割合で溶液の粘度が６０ｃＰとなるように添加した後，常温で１時間５００ｒｐｍの速度で攪拌してウエハーダイシング用保護膜組成物を製造した
【００４９】 
　
比較例４
　
攪拌器付き混合槽にポリビニルアルコール（重合度：１７００，鹸化度：８７〜９０％）８ｇ，ポリエチレングリコール（重量平均分子量７００）１ｇ，およびペンタエリトスリトール１ｇを添加し，溶媒として水とプロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）を７０／３０（ｗ／ｗ）の割合で溶液の粘度が６０ｃＰとなるように添加した後，常温で１時間５００ｒｐｍの速度で攪拌してウエハーダイシング用保護膜組成物を製造した
  
「【００５１】 
　
比較例６
　
攪拌器付き混合槽にポリビニルアルコール（重合度：１７００，鹸化度：８７〜９０％）９ｇおよびペンタエリスリトール１ｇを添加し，界面活性剤（ＢＹＫ−３３７，ＢＹＫ社製）を固形分のポリビニルアルコールとペンタエリトリトールの和に対して３００ｐｐｍ投入し，溶媒として水とプロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）を７０／３０（ｗ／ｗ）の割合で溶液の粘度が６０ｃＰとなるように添加した後，常温で１時間５００ｒｐｍの速度で攪拌してウエハーダイシング用保護膜組成物を製造した
  
　イ　引用発明２−１０及び引用発明２−３ 
　前記アより，文献２には，実施例１０及び比較例３として，次の発明（以下，「引用発明２−１０」及び「引用発明２−３」という。）が記載されていると認められる。 
（ア）引用発明２−１０ 
　「ポリエチルオキサゾリン，ポリビニルアルコール，トリスエチレングリコール（ＴＥＧ），ブチレンカーボネート，界面活性剤，消泡剤，水を含むウエハーダイシング用保護膜組成物。」 
  
（イ）引用発明２−３ 
　「ポリビニルアルコール，ペンタエリスリトール，水，プロピレングリコールモノメチルエーテルを含むウエハーダイシング用保護膜組成物。」 
  
（４）文献３及び引用発明３ 
　ア　文献３の記載 
　平成３０年１０月５日付け特許異議申立書に記載された刊行物であり，本件特許の優先日前に頒布された特開昭５３−８６３４号公報（以下，「文献３」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。 
「発明の詳細な説明 
　
本発明はレーザースクライバー用塗布液に関し，特に多数の半導体素子を形成した半導体ウエーハからレーザースクライバーによって多数個の半導体ペレツトを製造する際に，レーザー光線によって溶融したシリコンダストが半導体ウエーハの電極上に付着するのを防止する保護膜を形成するための塗布液に関する
  
「
実施例Ｉ
　
平均分子量が約１０００のポリエチレングリコールを，５０％エタノール水溶液に１：２の割合で溶解した３３％溶液（粘度約５センチポイズ）に，１％のカルボキシメチルセルロースを添加して，粘度６０センチポイズの塗布液を得た。 
　この塗布液を，スピンナー上に載置したプレナー型シリコントランジスタウエーハ１の上に数滴滴下し，厚さ約１．５μの保護膜５を形成して，ＹＡＧレーザービーム４を照射してレーザースクライブを行なつたのち，１００℃の純水で超音波水洗したところ，保護膜５は完全に除去され，かつ電極２ａ上にシリコンダスト１′の残存は認められなかった
実施例ＩＩ
　
平均分子量約１０００のポリエチレングリコールを，５０％エタノール水溶液に１：２の割合で溶解した３３％溶液（粘度約５センチポイズ）に，１０％のポリビニルアルコールを添加したところ，粘度約１５０センチポイズの塗布液が得られた
　この塗布液を，スピンナー上に載置されたメサ型トランジスタウエーハ１の上に数滴滴下し，厚さ２μの保護膜５を形成して，ＹＡＧレーザーによるレーザービーム４を照射してレーザースクライブを行なつたのち，直ちに２５℃のアルコールに予備浸漬し，次に５０℃の加温アルコールで洗浄後，約５０℃の純水で超音波洗浄したところ，実施例Ｉと同様の結果が得られた。 
実施例ＩＩＩ
　
平均分子量が約１０００のポリエチレングリコールを，５０％エタノール水溶液に２：１の割合で溶解した６７％溶液（粘度約２０センチポイズ）に，２％のカルボキシメチルセルロースを添加したところ，粘度約１５０センチポイズの塗布液が得られた
　この塗布液を実施例ＩＩと同様にして塗布し，レーザースクライブ後，除去した場合，実施例ＩＩと同様の結果が得られた。」（第３頁右上欄第１８行〜右下欄第１５行） 
  
　イ　引用発明３ 
　前記アより，文献３には次の発明（以下，「引用発明３」という。）が記載されていると認められる。 
　「ポリエチレングリコールをエタノール水溶液に溶解した溶液にカルボキシメチルセルロース又はポリビニルアルコールを添加したレーザースクライバー用塗布液。」 
  
（５）文献４ 
　当審が，特許異議申立書により申し出た証拠に基づく新規性，進歩性の取消理由を裏付ける証拠を補足するために，職権で探知した刊行物であり，本件特許の優先日前に頒布された特開２００７−８１１３５号公報（以下，「文献４」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。 
「【技術分野】 
【０００１】 
　本発明は，電解コンデンサの駆動用電解液（以下，電解液と称す）の改良に関するものであり，特に耐電圧を改善した電解液に関するものである。」 
  
「【発明の効果】 
【００１５】 
　
本発明に係る電解液を用いて電解コンデンサを構成すると，フェルラ酸の少量の添加で，電解液と電極箔との化学反応が抑えられる
その理由は，フェルラ酸のカルボニル基部分が電解液中でアルミニウム電極箔の酸化皮膜と反応し，耐水性の皮膜を形成するためと考えられる
　また，フェルラ酸は，エチレングリコールを主成分とする溶媒に対して溶解性が高く，主溶質のカルボン酸とのエステル化反応が少ないことから，高温雰囲気下での比抵抗の経時的な増大を防止することができる。」 
  
（６）文献５ 
　当審が，特許異議申立書により申し出た証拠に基づく新規性，進歩性の取消理由を裏付ける証拠を補足するために，職権で探知した刊行物であり，本件特許の優先日前に頒布された特開２００５−２１９７５号公報（以下，「文献５」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。 
「【技術分野】 
【０００１】 
　本発明は，電気，電子又は機械部品の接合を鉛を含有しないハンダにより形成するための無鉛ハンダ接合用フラックス及びソルダーペーストに関する。詳細には，回路基板等の電気，電子部品の接合を錫−亜鉛合金ハンダによって形成可能な無鉛ハンダ接合用フラックス及びソルダーペーストに関する。」 
  
「【００２２】 
　（本発明に使用されるフェノール性ヒドロキシル化合物） 
　
本発明では，フェノール性ヒドロキシル化合物（フェノール性ヒドロキシル基を有する化合物）として
フェルラ酸が用いられる
【００２３】 
　上述の化合物は，いずれも植物に含まれる強い抗酸化性物質であり，ケルセチンは，玉葱，さやえんどう，アスパラガス等に多く含まれ，ミリセチンは，葡萄，クランベリー等に，アントシアニジン及びプロアントシアニジンは，葡萄，紫蘇等に，カフェー酸はコーヒーに，クロロゲン酸は，オリーブ，大豆等に，プロトカテク酸は蕎麦に，フェルラ酸は米糠に各々含まれている。 
【００２４】 
　
フェノール性ヒドロキシル基は金属や酸素との反応性が高く
金属と作用してキレート錯体を形成する性質を有する。従って，ソルダーペーストに配合されると，ハンダ粉末表面に配位して抗酸化性を発揮し，また，活性な金属種に配位してその活性を低下させ，金属種とフラックス成分との作用を抑制する
  
（７）文献６ 
　当審が，特許異議申立書により申し出た証拠に基づく新規性，進歩性の取消理由を裏付ける証拠を補足するために，職権で探知した刊行物であり，本件特許の優先日前に頒布された特開２００５−２２９０５３号公報（以下，「文献６」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。 
　「【技術分野】 
【０００１】 
　本発明は，半導体ウェーハ(a)の裏面(B面)に研削・研磨，CMPやエッチング等の加工を施して薄葉化し，適宜，該裏面(B面)の金属化等を行った後に，薄葉化半導体ウェーハ(a)を保持基板(b)から剥離して薄葉化半導体ウェーハ(a)を得る製造法に関する。」 
  
「【００１８】 
　
薄葉化される半導体ウェーハ(a)上の金属材料の防食剤として糖アルコールを含むことが本発明の特徴である。特に糖アルコールはアルミニウム，アルミニウム合金の防食に効果的である。糖アルコールとしてはグリセリン，ソルビトール，キシリトール，パラチニット等が例としてあげられる。糖アルコールの添加量は，0.1〜30wt%が好ましく，1〜20wt%がより好ましい
  
（８）文献７ 
　当審が，特許異議申立書により申し出た証拠に基づく新規性，進歩性の取消理由を裏付ける証拠を補足するために，職権で探知した刊行物であり，本件特許の優先日前に頒布された特開２０１２−４９４５４号公報（以下，「文献７」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。 
「【技術分野】 
【０００１】 
　本発明の実施形態は，半導体装置の製造方法に関する。」 
  
「【発明が解決しようとする課題】 
【０００６】 
　そこで，ボンディングパッドの特性の劣化を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。」 
  
「【００２７】 
　その後，図１に示す現像装置１００により，該第１のアルカリ現像液からＴＭＡＨおよび多価アルコールを含む第２のアルカリ現像液に現像液を切り替えて，この第２のアルカリ現像液で，第２の期間だけ，層間膜１０の残りの露光された部分を現像する。これにより，層間膜１０の現像が完了する。
なお，該多価アルコールには，例えば，グリセリン，エチレングリコール，プロピレングリコール等の高い防食効果を有するものが選択される
【００２８】 
　このように，比較的安価な第１のアルカリ現像液で再配線層８ａ，８ｂの上面およびパッド電極２２の上面が露出するまで，層間膜１０を現像する。そして，再配線層８ａ，８ｂの上面およびパッド電極２２の上面が露出して電池効果が発生し得る状態では，防食効果が高く多価アルコールを含む高価な第２のアルカリ現像液で層間膜１０の残りの露光された部分を現像する。 
【００２９】 
　
これにより，パッド電極２２の露出後の電池効果によるパッド電極２２の腐食を抑制することができる。すなわちボンディングパッドの特性の劣化を抑制することができる。さらに，高価なグリセリン等の多価アルコールを含む第２のアルカリ現像液の使用を少なくすることにより，製造コストを削減することができる
  
（９）文献８ 
　当審が，特許異議申立書により申し出た証拠に基づく新規性，進歩性の取消理由を裏付ける証拠を補足するために，職権で探知した刊行物であり，本件特許の優先日前に頒布された特開２００９−２４４３５９号（以下，「文献８」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。 
「【技術分野】 
【０００１】 
　本発明は，厚膜レジスト用現像液及びかかる現像液を用いたレジストパターンの形成方法に関する。」 
  
「【００１８】 
　（多価アルコール（ｂ）） 
　多価アルコール（以下，（ｂ）成分ともいう。）として，例えばグリセリン，プロピレングリコール，エチレングリコールなどが挙げられ，
特にグリセリンは少ない配合量でも金属に対する防食効果が優れるため好ましい
 
（１０）当審の判断（取消理由通知の理由ア：特許法第２９条第１項第３号，第２項）
　ア　本件発明１について 
（ア）本件発明１と引用発明１−１との対比 
　ａ　引用発明１−１の「ケン化度８８％，重合度３００のポリビニルアルコール」は，本件発明１の「水溶性樹脂を含む樹脂」に相当する。 
　さらに，フェルラ酸が，添加されることによって，腐食を防止する効果を奏する特性を有する材料であることは，文献４の【００１５】，及び，文献５の【００２２】，【００２４】の記載から明らかであるから，引用発明１−１の「フェルラ酸」と，本件発明１の「マレイン酸，ベンゾトリアゾール，及びリン酸ナトリウムからなる群より選ばれる１種以上である腐食防止剤」とは，「腐食を防止する効果を奏する特性を有する材料」である点で一致する。 
　ｂ　引用発明１−１の「水」は，「水溶性樹脂及び水溶性のレーザー光吸収剤が溶解する溶剤」（４（２）ア【００３１】）であるから，本件発明１の「水」「である溶媒」に相当する。 
　ｃ　引用発明１−１の「レーザーダイシングに用いる保護膜剤」は，「半導体ウエーハ等のウエーハの所定の領域にレーザー光線を照射して所定の加工を施す」ためのものであるから（４（２）ア【０００１】），本件発明１の「レーザダイシング用ウエハ保護膜組成物」に相当する。 
　ｄ　すると，本件発明１と引用発明１−１とは，下記ｅの点で一致し，下記ｆの点で相違する。 
　ｅ　一致点 
「水溶性樹脂，腐食を防止する効果を奏する特性を有する材料，水である溶媒を含むレーザダイシング用ウエハ保護膜組成物。」
　ｆ　相違点１
　「腐食を防止する効果を奏する特性を有する材料」が，本件発明１においては，「マレイン酸，ベンゾトリアゾール，及びリン酸ナトリウムからなる群より選ばれる１種以上である腐食防止剤」であるのに対して，引用発明１−１においては，「フェルラ酸」である点。
　ｇ　したがって，本件発明１は引用発明１−１と上記相違点１において相違するから，本件発明１は文献１に記載された発明ではない。
　ｈ　さらに，文献２〜８のいずれにも，「マレイン酸」，「ベンゾトリアゾール」，あるいは「リン酸ナトリウム」を，水溶性樹脂及び水である溶媒を含むレーザダイシング用ウエハ保護膜組成物に含ませることは記載されておらず，また，文献２〜８のいずれにも，「マレイン酸」，「ベンゾトリアゾール」，あるいは「リン酸ナトリウム」を，水溶性樹脂及び水である溶媒を含むレーザダイシング用ウエハ保護膜組成物に含ませる動機が記載も示唆もされていない。
　したがって，引用発明１−１において，文献２〜８に記載された技術的事項に基いて，「レーザーダイシングに用いる保護膜剤」に，「マレイン酸，ベンゾトリアゾール，及びリン酸ナトリウムからなる群より選ばれる１種以上である腐食防止剤」を含むものとすることは，当業者といえども容易に想到し得たことではない。
　そして，本件発明１は，相違点１に係る構成を備えることにより，金属接合パッドの腐食防止特性，及びバンプボールの腐食防止特性が良好である（本件特許明細書【００３６】−【００４４】）という格別に有利な効果を奏する。
　したがって，本件発明１は，引用発明１−１及び文献２〜８に記載された技術的事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
（イ）本件発明１と引用発明１−５との対比 
　ａ　引用発明１−５の「ケン化度７５％，重合度５００のポリビニルアルコール」は，本件発明１の「水溶性樹脂を含む樹脂」に相当する。 
　さらに，グリセリンが，半導体ウェーハ上の金属材料の防食剤であること（４（７）【００１８】），高い防食効果を有すること（４（８）【００２７】），及び，金属に対する防食効果が優れていること（４（９）【００１８】）は周知の事項であるから，引用発明１−５の「グリセリン」と，本件発明１の「マレイン酸，ベンゾトリアゾール，及びリン酸ナトリウムからなる群より選ばれる１種以上である腐食防止剤」とは，「腐食を防止する効果を奏する特性を有する材料」である点で一致する。
　ｂ　引用発明１−５の「水」は，「水溶性樹脂及び水溶性のレーザー光吸収剤が溶解する溶剤」（４（２）ア【００３１】）であるから，本件発明１の「水」「である溶媒」に相当する。 
　ｃ　引用発明１−５の「レーザーダイシングに用いる保護膜剤」は，「半導体ウエーハ等のウエーハの所定の領域にレーザー光線を照射して所定の加工を施す」ためのものであるから（４（２）ア【０００１】），本件発明１の「レーザダイシング用ウエハ保護膜組成物」に相当する。 
　ｄ　すると，本件発明１と引用発明１−５とは，下記ｅの点で一致し，下記ｆの点で相違する。 
　ｅ　一致点 
「水溶性樹脂，腐食を防止する効果を奏する特性を有する材料，水である溶媒を含むレーザダイシング用ウエハ保護膜組成物。」
　ｆ　相違点２
　「腐食を防止する効果を奏する特性を有する材料」が，本件発明１においては，「マレイン酸，ベンゾトリアゾール，及びリン酸ナトリウムからなる群より選ばれる１種以上である腐食防止剤」であるのに対して，引用発明１−５においては，「グリセリン」である点。
　ｇ　したがって，本件発明１は引用発明１−５と上記相違点２において相違するから，本件発明１は文献１に記載された発明ではない。
　ｈ　さらに，文献２〜８のいずれにも，「マレイン酸」，「ベンゾトリアゾール」，あるいは「リン酸ナトリウム」を，水溶性樹脂及び水である溶媒を含むレーザダイシング用ウエハ保護膜組成物に含ませることは記載されておらず，また，文献２〜８のいずれにも，「マレイン酸」，「ベンゾトリアゾール」，あるいは「リン酸ナトリウム」を，水溶性樹脂及び水である溶媒を含むレーザダイシング用ウエハ保護膜組成物に含ませる動機が記載も示唆もされていない。
　したがって，引用発明１−５において，文献２〜８に記載された技術的事項に基いて，「レーザーダイシングに用いる保護膜剤」に，「マレイン酸，ベンゾトリアゾール，及びリン酸ナトリウムからなる群より選ばれる１種以上である腐食防止剤」を含むものとすることは，当業者といえども容易に想到し得たことではない。
　そして，本件発明１は，相違点２に係る構成を備えることにより，金属接合パッドの腐食防止特性，及びバンプボールの腐食防止特性が良好である（本件特許明細書【００３６】−【００４４】）という格別に有利な効果を奏する。
　したがって，本件発明１は，引用発明１−５及び文献２〜８に記載された技術的事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
  
（ウ）本件発明１と引用発明２−１０及び引用発明２−３との対比 
　ａ　引用発明２−１０及び引用発明２−３の「ポリエチルオキサゾリン」及び「ポリビニルアルコール」は，「本発明の組成物で使用する水溶性レジンとしてのポリエチルオキサゾリンとポリビニルピロリドンは，熱安定性および水に対する溶解性に優れるという特徴を有する。」（４（３）ア【００１５】）から，本件発明１の「水溶性樹脂を含む樹脂」に相当する。 
　ｂ　本件特許明細書には，「腐食防止剤」について，「前記腐食防止剤は特に制限されず，例えば，有機酸，アミン，アルコール，無機酸塩，有機酸塩などがすべて使用できる。」（本件特許明細書【００２０】）と記載されている。
　そして，引用発明２−１０及び引用発明２−３の「トリスエチレングリコール（ＴＥＧ）」及び「ペンタエリスリトール」は，いずれも「アルコール」である。
　してみれば，引用発明２−１０及び引用発明２−３の「トリスエチレングリコール（ＴＥＧ）」及び「ペンタエリスリトール」と，本件発明１の「マレイン酸，ベンゾトリアゾール，及びリン酸ナトリウムからなる群より選ばれる１種以上である腐食防止剤」とは，「腐食防止剤」である点で一致する。 
　ｃ　引用発明２−１０及び引用発明２−３の「ウエハーダイシング用保護膜組成物」は，「レーザーダイシング工程」に用いられる「保護膜」のためのものであるから（４（３）ア【０００９】），本件発明１の「レーザダイシング用ウエハ保護膜組成物」に相当する。
　ｄ　すると，本件発明１と引用発明２−１０及び引用発明２−３とは，下記ｅの点で一致し，下記ｆの点で相違する。 
　ｅ　一致点 
「水溶性樹脂を含む樹脂，腐食防止剤，および水である溶媒を含むレーザダイシング用ウエハ保護膜組成物。」 
　ｆ　相違点３
　「腐食防止剤」が，本件発明１においては，「マレイン酸，ベンゾトリアゾール，及びリン酸ナトリウムからなる群より選ばれる１種以上である腐食防止剤」であるのに対して，引用発明２−１０及び引用発明２−３においては，「トリスエチレングリコール（ＴＥＧ）」及び「ペンタエリスリトール」である点。
　ｇ　したがって，本件発明１は引用発明２−１０及び引用発明２−３と上記相違点３において相違するから，本件発明１は文献２に記載された発明ではない。
　ｈ　さらに，文献１，３〜８のいずれにも，「マレイン酸」，「ベンゾトリアゾール」，あるいは「リン酸ナトリウム」を，水溶性樹脂及び水である溶媒を含むレーザダイシング用ウエハ保護膜組成物に含ませることは記載されておらず，また，文献１，３〜８のいずれにも，「マレイン酸」，「ベンゾトリアゾール」，あるいは「リン酸ナトリウム」を，水溶性樹脂及び水である溶媒を含むレーザダイシング用ウエハ保護膜組成物に含ませる動機が記載も示唆もされていない。
　したがって，引用発明２−１０及び引用発明２−３において，文献１，３〜８に記載された技術的事項に基いて，「レーザーダイシングに用いる保護膜剤」に，「マレイン酸，ベンゾトリアゾール，及びリン酸ナトリウムからなる群より選ばれる１種以上である腐食防止剤」を含むものとすることは，当業者といえども容易に想到し得たことではない。
　そして，本件発明１は，相違点３に係る構成を備えることにより，金属接合パッドの腐食防止特性，及びバンプボールの腐食防止特性が良好である（本件特許明細書【００３６】−【００４４】）という格別に有利な効果を奏する。
　したがって，本件発明１は，引用発明２−１０又は引用発明２−３，並びに，文献１，３〜８に記載された技術的事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
  
（エ）本件特許発明１と引用発明３との対比 
　ａ　引用発明３の「カルボキシメチルセルロース又はポリビニルアルコール」は，本件特許発明１の「水溶性樹脂を含む樹脂」に相当する。 
　ｂ　引用発明３の「エタノール水溶液」は，「エタノール」と「水」を含むものであるといえる。 
　ここで，本件特許発明１の「腐食防止剤」が，どのような成分であるかに関して，本件特許明細書には，「前記腐食防止剤は特に制限されず，例えば，有機酸，アミン，アルコール，無機酸塩，有機酸塩などがすべて使用できる。」（本件特許明細書【００２０】）ことが記載されているところ，引用発明３の「エタノール水溶液」の「エタノール」は，「アルコール」である。 
　よって，引用発明３の「エタノール水溶液」は，本件発明１の「腐食防止剤」および「水」「である溶媒」を含むものといえる。 
　ｃ　引用発明３の「レーザースクライバー用塗布液」は，「半導体ウエーハの電極上に付着するのを防止する保護膜を形成するため」のものであるから（４（４）ア第１頁左欄第１５行〜右欄第１行），本件発明１の「レーザダイシング用ウエハ保護膜組成物」に相当する。 
　ｄ　すると，本件発明１と引用発明３とは，下記ｅの点で一致し，下記ｆの点で相違する。 
　ｅ　一致点 
「水溶性樹脂を含む樹脂，腐食防止剤，および水である溶媒を含むレーザダイシング用ウエハ保護膜組成物。」 
　ｆ　相違点４
　「腐食防止剤」が，本件発明１においては，「マレイン酸，ベンゾトリアゾール，及びリン酸ナトリウムからなる群より選ばれる１種以上である腐食防止剤」であるのに対して，引用発明３においては，「エタノール」である点。
　ｇ　したがって，本件発明１は引用発明３と上記相違点４において相違するから，本件発明１は文献３に記載された発明ではない。
　ｈ　さらに，文献１，２，４〜８のいずれにも，「マレイン酸」，「ベンゾトリアゾール」，あるいは「リン酸ナトリウム」を，水溶性樹脂及び水である溶媒を含むレーザダイシング用ウエハ保護膜組成物に含ませることは記載されておらず，また，文献１，２，４〜８のいずれにも，「マレイン酸」，「ベンゾトリアゾール」，あるいは「リン酸ナトリウム」を，水溶性樹脂及び水である溶媒を含むレーザダイシング用ウエハ保護膜組成物に含ませる動機が記載も示唆もされていない。
　したがって，引用発明３において，文献１，２，４〜８に記載された技術的事項に基いて，「レーザーダイシングに用いる保護膜剤」に，「マレイン酸，ベンゾトリアゾール，及びリン酸ナトリウムからなる群より選ばれる１種以上である腐食防止剤」を含むものとすることは，当業者といえども容易に想到し得たことではない。
　そして，本件発明１は，相違点４に係る構成を備えることにより，金属接合パッドの腐食防止特性，及びバンプボールの腐食防止特性が良好である（本件特許明細書【００３６】−【００４４】）という格別に有利な効果を奏する。
　したがって，本件発明１は，引用発明３及び文献１，２，４〜８に記載された技術的事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
する。 
  
（オ）よって，本件発明１は，文献１ないし３に記載された発明ではなく，文献１ないし８に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。
　イ　本件発明２，３，５〜９について
　請求項２，３，５〜９に係る発明は，請求項１に係る発明に対して，さらに技術的事項を追加したものであるから，上記と同様の理由により，本件発明２，３，５〜９は，文献文献１ないし３に記載された発明ではなく，文献１ないし８に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。
　ウ　特許異議申立人の意見について
　特許異議申立人　三上　早織　は，「しかし，本件特許明細書には，腐食防止剤として，有機酸を例として挙げており，有機酸の種類によって，腐食の防止の程度が大きく異なる旨の記載が全くありません。そうすると，本件特許明細書では，有機酸たるフェルラ酸とマレイン酸との間で，腐食における（大きな）差があるという点を何ら認識していないというべきであり，上記のような意見書での主張は，本件特許明細書に開示も示唆もない後出しの主張であるといえますので，認められるものではありません」と主張する。
　しかしながら，材料が異なれば，その材料の特性が異なることは通常のことであって，有機酸の腐食を防止する機能についてのみ，有機酸の種類を問わず，どのような有機酸であっても，腐食を防止する程度が等しいとする技術常識が存在するとも認められないから，仮に，本件特許明細書に「有機酸の種類によって，腐食の防止の程度が大きく異なる旨の記載が全く」ないとしても，当該事項は，技術常識に照らして，本件特許明細書に記載されているに等しい事項であると認められる。
　したがって，特許異議申立人　三上　早織　の前記主張は採用することができない。
（１１）当審の判断（取消理由通知の理由イ：特許法第３６条第６項第１号）
　ア　平成３１年４月１２日に提出された訂正請求書による訂正において，「腐食防止剤」を，「マレイン酸，ベンゾトリアゾール，及びリン酸ナトリウムからなる群より選ばれる１種以上である腐食防止剤」と訂正したことにより，腐食防止剤が，「マレイン酸」，「ベンゾトリアゾール」，及び，「リン酸ナトリウム」である場合を超えて，例えば，「有機酸」，「アミン」，「アルコール」，「無機酸塩」，「有機酸塩」などのすべてにおいてまで，本件特許明細書に記載された発明の課題を解決することができるとは，本件特許明細書の記載，及び，技術常識に基づいては認めることができないとする取消理由通知の理由イは解消した。
　イ　特許異議申立人の意見について
（ア）特許異議申立人　三上　早織　は，「そうすると，上記具体的な実施例の結果から，種類も物性も使用量も特定されていないあらゆる水溶性樹脂と，使用量の特定されていない腐食防止剤との組み合わせを規定したに過ぎない本件発明全体において，本件発明の課題を解決できるとは到底認められません。従いまして，本件発明は，依然としてサポート要件に違反するものと思料いたします。」と主張するので，以下で検討する。
（イ）特許請求の範囲の記載が，明細書のサポート要件に適合するか否かは，特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載とを対比し，特許請求の範囲に記載された発明が，発明の詳細な説明に記載された発明で，発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否か，また，その記載や示唆がなくとも当業者が出願時の技術常識に照らし当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否かを検討して判断すべきである。
（ウ）そこで，まず，本件発明１の課題について検討すると，本件特許明細書には，本発明は，半導体ウエハなど，ウエハの所定領域にレーザ光線を照射して所定の加工を実施するレーザダイシング用ウエハ保護膜組成物に関するものであること（【０００１】），レーザを用いるウエハのダイシング工程における，レーザの熱によってヒューム（Ｆｕｍｅ）が発生して飛散し，これにより，ウエハの表面が汚染する問題が発生するという問題を解決するために，水溶性樹脂，水溶性紫外線吸収剤，溶剤および添加剤（可塑剤，界面活性剤）を含むウエハ保護液組成物，および，水溶性樹脂および水を含むレーザダイシング保護液剤が知られており，これらの従来の技術は，ウエハの上部面にポリビニルアルコール（Ｐｏｌｙ　Ｖｉｎｙｌ　Ａｌｃｏｈｏｌ），ポリエチレングリコール（Ｐｏｌｙ　Ｅｔｈｙｌｅｎｅ　Ｇｌｙｃｏｌ），セルロース（Ｃｅｌｌｕｌｏｓｅ）などの水溶性レジンを塗布して保護膜を形成し，レーザ光を照射する加工方法であるところ，このような方法は，ダイシング工程中，ウエハ保護液組成物が電解液のように作用し，接合パッドおよびバンプボール（Ｂｕｍｐ　ｂａｌｌ）にガルバニック腐食を生じさせるという欠点があること（【０００５】−【０００７】），及び，本発明は，レーザダイシング工程中，ウエハ保護膜組成物が電解液のように作用して発生する金属接合パッドおよびバンプボール（Ｂｕｍｐ　ｂａｌｌ）に対する腐食（例：ガルバニック腐食）を効果的に防止することができるレーザダイシング用ウエハ保護膜組成物を提供することを目的とすること（【０００９】）が記載されており，これらの記載から，本件発明１の課題は，レーザダイシング工程中，ウエハ保護膜組成物が電解液のように作用して発生する金属接合パッドおよびバンプボールに対する腐食の改善を図ることであると認められる。
（エ）本件発明２，３，５〜９も同様に，レーザダイシング工程中，ウエハ保護膜組成物が電解液のように作用して発生する金属接合パッドおよびバンプボールに対する腐食の改善を図ることであると認められる。
（オ）次に，本件明細書に接した当業者が本件発明の課題を解決できると認識できる範囲について検討するに，本件特許明細書には，水溶性樹脂は，保護膜の基材となるもので，水などの溶剤に溶解させ，塗布・乾燥して膜を形成できるものであれば特に制限されず，ポリビニルアルコール（ＰＶＡ），ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ），ポリアクリル酸（ＰＡＡ），ポリエチルオキサゾリンなどを例示する（【００１５】）とともに，前記水溶性樹脂は，ウエハに形成される保護膜の水洗性，密着性などを考慮してその種類を選択することができ，その観点から，分子量も調節可能であり，さらに，前記水溶性樹脂の含有量が１重量％未満で含まれると，ウエハ保護膜の機能が低下し，５０重量％を超えて含まれる場合は，保護膜の塗布性が低下する問題が発生することがあることから，前記水溶性樹脂を含む樹脂は，組成物の総重量に対して１〜５０重量％，より好ましくは５〜４０重量％で含まれ得ること（【００１７】−【００１８】）が記載されている。さらに，腐食防止剤は，組成物の総重量に対して０．０１〜１０重量％で含まれる場合，不都合を生じることなく，金属接合パッドおよびバンプボール（Ｂｕｍｐ　ｂａｌｌ）の腐食防止効果を得ることができることが記載されるとともに，請求項１における，「マレイン酸，ベンゾトリアゾール，及びリン酸ナトリウムからなる群より選ばれる１種以上である腐食防止剤」で特定される，「マレイン酸」，「ベンゾトリアゾール」，及び「リン酸ナトリウム」を，「腐食防止剤」として含む，「レーザダイシング用ウエハ保護膜組成物」を用いた実施例１〜１５が記載されている。（【００３６】〜【００４３】）
（カ）本件明細書の上記記載からすると，本件特許明細書に接した当業者は，水溶性樹脂の種類・物性及び使用量，並びに，「マレイン酸」，「ベンゾトリアゾール」，及び「リン酸ナトリウム」の使用量のそれぞれについて，当業者に期待し得る通常の創作能力の発揮によって，水溶性樹脂の種類・物性及び使用量，並びに，「マレイン酸」，「ベンゾトリアゾール」，及び「リン酸ナトリウム」の使用量を選択することによって，請求項１に記載されたレーザダイシング用ウエハ保護膜組成物において，レーザダイシング工程中，ウエハ保護膜組成物が電解液のように作用して発生する金属接合パッドおよびバンプボールに対する腐食の改善を図るという本件発明１の課題を解決できることを認識できるものと認められる。
　したがって，請求項１は，サポート要件に適合するものと認められる。
　さらに，請求項２，３，５〜９についても同様である。
　したがって，特許異議申立人　三上　早織　の前記主張は採用することができない。
（１２）当審の判断（取消理由通知の理由ウ：特許法第３６条第６項第２号）
　平成３１年４月１２日に提出された訂正請求書による訂正において，「腐食防止剤」を，「マレイン酸，ベンゾトリアゾール，及びリン酸ナトリウムからなる群より選ばれる１種以上である腐食防止剤」と訂正したことにより，「防腐防止剤」に，実施例で用いられた「マレイン酸」，「ベンゾトリアゾール」，及び，「リン酸ナトリウム」以外で，どのような材料まで含まれるのか，その範囲の外延が不明であるとする取消理由通知の理由イは解消した。
５　むすび
　以上のとおりであるから，取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては，本件請求項１ないし３，５ないし９に係る特許を取り消すことはできない。
　また，他に本件請求項１ないし３，５ないし９に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　さらに，請求項４に係る特許は，上記のとおり，訂正により削除された。これにより，特許異議申立人　三上　早織　による特許異議の申立てについて，請求項４に係る申立ては，申立ての対象が存在しないものとなったため，特許法第１２０条の８第１項で準用する同法第１３５条の規定により却下する。
　よって，結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和１年７月３１日（２０１９．７．３１）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
レーザダイシング用ウエハ保護膜組成物
　【技術分野】
　【０００１】
　本発明は、半導体ウエハなど、ウエハの所定領域にレーザ光線を照射して所定の加工を実施するレーザダイシング用ウエハ保護膜組成物に関するものである。
　【背景技術】
　【０００２】
　半導体素子の製造工程のうち、ウエハのダイシング工程は、半導体積層工程が完了した後、それぞれの並ぶデバイスを、ストリートと呼ばれる境界面を切削して分離する工程であって、切削工程が終わると、チップ製造工程によって半導体製品が完成する。
　【０００３】
　このようなウエハダイシング工程は、半導体の集積化に伴ってストリートの間隔が狭くなり、積層物の機械的物性も脆弱になるため、これを反映する方向に変化している。
　【０００４】
　素子の集積化度が高くなるにつれて、積層物の最上段にある絶縁膜を形成する主材料のポリイミドがウエハダイシング工程中に破れる、あるいは損傷することがある。したがって、ウエハダイシング工程も、ブレードによってウエハを切断していた従来の工程から、レーザを用いてウエハに穴あけをした後に、ブレードを用いる工程に変わりつつあり、レーザだけを用いてウエハを切断する工程も導入されている。
　【０００５】
　しかし、レーザを用いるウエハのダイシング工程では、レーザの熱によってヒューム（Ｆｕｍｅ）が発生して飛散し、これにより、ウエハの表面が汚染する問題が発生する。
　【０００６】
　このような問題を解決するために、例えば、大韓民国公開特許第１０−２００６−００５２５９０号は、水溶性樹脂、水溶性紫外線吸収剤、溶剤および添加剤（可塑剤、界面活性剤）を含むウエハ保護液組成物を開示しており、日本国特開昭５３−８６３４号は、水溶性樹脂および水を含むレーザダイシング保護液剤を開示している。これらの従来の技術は、ウエハの上部面にポリビニルアルコール（Ｐｏｌｙ　Ｖｉｎｙｌ　Ａｌｃｏｈｏｌ）、ポリエチレングリコール（Ｐｏｌｙ　Ｅｔｈｙｌｅｎｅ　Ｇｌｙｃｏｌ）、セルロース（Ｃｅｌｌｕｌｏｓｅ）などの水溶性レジンを塗布して保護膜を形成し、レーザ光を照射する加工方法を提案する。
　【０００７】
　しかし、このような方法は、ダイシング工程中、ウエハ保護液組成物が電解液のように作用し、接合パッドおよびバンプボール（Ｂｕｍｐ　ｂａｌｌ）にガルバニック腐食を生じさせるという欠点がある。
　【先行技術文献】
　【特許文献】
　【０００８】
　【特許文献１】大韓民国公開特許第１０−２００６−００５２５９０号公報
　【特許文献２】日本国特開昭５３−８６３４号公報
　【発明の概要】
　【発明が解決しようとする課題】
　【０００９】
　本発明は、レーザダイシング工程中、ウエハ保護膜組成物が電解液のように作用して発生する金属接合パッドおよびバンプボール（Ｂｕｍｐ　ｂａｌｌ）に対する腐食（例：ガルバニック腐食）を効果的に防止することができるレーザダイシング用ウエハ保護膜組成物を提供することを目的とする。
　【課題を解決するための手段】
　【００１０】
　本発明は、水溶性樹脂を含む樹脂、
マレイン酸、ベンゾトリアゾール、及びリン酸ナトリウムからなる群より選ばれる１種以上である
　【００１１】
　また、本発明は、前記レーザダイシング用ウエハ保護膜組成物を用い、レーザによってウエハをダイシングする工程を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法を提供する。
　【発明の効果】
　【００１２】
　本発明のレーザダイシング用ウエハ保護膜組成物は、腐食防止剤を含むことにより、金属接合パッドおよびバンプボール（Ｂｕｍｐ　ｂａｌｌ）に対する腐食（例：ガルバニック腐食）を効果的に防止することができる。
　【図面の簡単な説明】
　【００１３】
　【図１】本発明のレーザダイシング用ウエハ保護膜組成物を使用する場合、ウエハのダイシング工程で発生するバンプボールに対する腐食程度を確認するために撮影したＳｎ／Ｐｂ合金のバンプボールのＳＥＭイメージである。
　【図２】従来のレーザダイシング用ウエハ保護膜組成物を使用する場合、ウエハのダイシング工程で発生するバンプボールに対する腐食程度を確認するために撮影したＳｎ／Ｐｂ合金のバンプボールのＳＥＭイメージである。
　【発明を実施するための形態】
　【００１４】
　本発明は、水溶性樹脂を含む樹脂、腐食防止剤、および水または水と有機溶媒との混合物である溶媒を含むレーザダイシング用ウエハ保護膜組成物に関するものである。
　【００１５】
　前記水溶性樹脂は、保護膜の基材となるもので、水などの溶剤に溶解させ、塗布・乾燥して膜を形成できるものであれば特に制限されない。例えば、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）、ポリアルキレングリコール、アルキルセルロース、ポリアクリル酸（ＰＡＡ）、ポリカルボン酸、ポリエチルオキサゾリンなどを例に挙げることができる。前記ポリアルキレングリコールの例としては、ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）が挙げられ、アルキルセルロースの例としては、メチルセルロース、エチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロースなどが挙げられる。
　【００１６】
　前記水溶性樹脂は、単独または２種以上を組み合わせて使用できる。
　【００１７】
　前記水溶性樹脂は、ウエハに形成される保護膜の水洗性、密着性などを考慮してその種類を選択することができ、その観点から、分子量も調節可能である。
　【００１８】
　前記水溶性樹脂を含む樹脂は、組成物の総重量に対して１〜５０重量％、より好ましくは５〜４０重量％で含まれ得る。樹脂の含有量が１重量％未満で含まれると、ウエハ保護膜の機能が低下し、５０重量％を超えて含まれる場合は、保護膜の塗布性が低下する問題が発生することがある。
　【００１９】
　本発明のレーザダイシング用ウエハ保護膜組成物において、前記腐食防止剤は、ウエハ上に形成される金属接合パッドおよびバンプボール（Ｂｕｍｐ　ｂａｌｌ）の腐食を防止するために含まれる。
　【００２０】
　前記腐食防止剤は特に制限されず、例えば、有機酸、アミン、アルコール、無機酸塩、有機酸塩などがすべて使用できる。これらの腐食防止剤は、単独または２種以上を組み合わせて使用することができる。
　【００２１】
　前記有機酸としては、ギ酸（Ｆｏｒｍｉｃ　ａｃｉｄ）、酢酸、プロピオン酸、酪酸、パルミチン酸、オレイン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、酒石酸、安息香酸、サリチル酸、マレイン酸、グリコール酸、グルタル酸、アジピン酸、パラトルエンスルホン酸、ラウリン酸、吉草酸、スルホコハク酸、エチレンジアミンテトラ酢酸、アスコルビン酸、セバシン酸、アゼライン酸などが挙げられる。
　【００２２】
　前記アミンとしては、ヒドラジン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジメチルエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、モノメチルエタノールアミン、ジグリコールアミン、モルホリン、Ｎ−アミノエチルピペラジン、ジメチルアミノプロピルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルシクロヘキシルアミン、エチレンジアミン、フェニレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラアミン、テトラエチレンペンタアミン、トリアゾール、ベンゾトリアゾール、ベンゾチアゾール、トリルトリアゾール、ヒドロキシベンゾトリアゾールなどが挙げられる。
　【００２３】
　前記有機酸塩は、前記例示された有機酸のナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩などが挙げられる。
　【００２４】
　前記無機酸塩としては、硫酸、リン酸などの無機酸のナトリウム塩、カリウム塩、クロム塩、アンモニウム塩などが挙げられる。
　【００２５】
　前記腐食防止剤は、組成物の総重量に対して０．０１〜１０重量％で含まれ得る。腐食防止剤が前記範囲で含まれる場合、不都合を生じることなく、金属接合パッドおよびバンプボール（Ｂｕｍｐ　ｂａｌｌ）の腐食防止効果を得ることができる。
　【００２６】
　本発明のレーザダイシング用ウエハ保護膜組成物において、溶媒としては水を使用するが、保護膜組成物の膜厚を厚くするために、あるいは、塗布性の向上のために有機溶媒を混合して使用することもできる。有機溶媒としては、アルコール、エーテル、アセテートなどが挙げられ、より具体的には、イソプロピルアルコール、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、アルキルカーボネート系のブチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、グリセリンカーボネート、エチレンカーボネートなどが挙げられる。これらの有機溶媒は、１種または２種以上を混合して使用することができる。
　【００２７】
　前記溶媒は、組成物の総重量が１００重量％となる量で含まれ得る。
　【００２８】
　本発明のレーザダイシング用ウエハ保護膜組成物は、消泡剤をさらに含むことができる。前記消泡剤は、組成物に発生する泡を除去する役割を果たす。本発明において、消泡剤の種類は特に制限されず、シリコン、ポリシリコン、シロキサン、ポリシロキサンなどが使用できる。
　【００２９】
　前記消泡剤は、組成物の総重量に対して０．０１〜５重量％で含まれ得る。消泡剤が前記範囲で含まれる場合、不都合を生じることなく、組成物から発生する泡を防止することができる。消泡剤の含有量が０．０１重量％未満で含まれると、ウエハ保護膜に対する消泡性が低下し、５重量％を超えて含まれる場合は、保護膜の塗布性が低下する問題が発生することがある。
　【００３０】
　本発明のレーザダイシング用ウエハ保護膜組成物は、性能を向上させるために、当業界で公知の１つ以上の添加剤をさらに含むことができる。
　【００３１】
　例えば、本発明のレーザダイシング用ウエハ保護膜組成物は、組成物の塗布性を向上させ、貯蔵安定性を高めるために、水溶性界面活性剤をさらに含むことができる。
　【００３２】
　前記水溶性界面活性剤としては、例えば、ポリエーテル変性アルキルシロキサン、ポリエーテル変性ポリアルキルシロキサン、ポリエーテル変性ヒドロキシ官能基のポリジメチルシロキサン、ポリエーテル−ポリエステル変性ヒドロキシポリアルキルシロキサン、非イオン性ポリアクリル系水溶性界面活性剤、アルコールアルコキシレート、ポリメリックフルオロ系水溶性界面活性剤などが挙げられ、これらは、単独または２種以上を組み合わせて使用できる。
　【００３３】
　本発明のウエハ保護膜組成物において、前記水溶性界面活性剤は、組成物に含まれる樹脂の総重量に対して１０〜８０ｐｐｍで含まれることが好ましい。
　【００３４】
　本発明は、また、前記レーザダイシング用ウエハ保護膜組成物を用い、レーザによってウエハをダイシングする工程を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法に関するものである。
　【００３５】
　前記半導体素子の製造方法によって製造された半導体素子は、レーザによってウエハをダイシングする時、半導体素子が本発明のウエハ保護膜組成物で形成された保護膜によって完全に保護され、ダイシング完了後には前記保護膜が容易に洗浄されるため、欠陥（ｄｅｆｅｃｔ）のない状態で製造される特徴を有する。
　【００３６】
　以下、本発明を実施例および比較例を用いてより詳細に説明する。しかし、下記の実施例は本発明を例示するためのものであって、本発明は、下記の実施例によって限定されず、多様に修正および変更可能である。本発明の範囲は、後述する特許請求の範囲の技術的思想によって定められる。
　【００３７】
　実施例１〜１５および比較例１〜４：レーザダイシング用ウエハ保護膜組成物の製造
　撹拌機が設けられている混合槽に、下記表１に記載された組成に基づいて、水溶性樹脂、腐食防止剤、消泡剤、および水を投入した後、常温で１時間、５００ｒｐｍの速度で撹拌し、レーザダイシング用ウエハ保護膜組成物を製造した。
　【００３８】
　【表１】
　【００３９】
注）
　ポリビニルアルコール：重量平均分子量５００
　ポリビニルピロリドン：重量平均分子量６６，８００
　ポリアクリル酸：重量平均分子量１００，０００
　ポリエチルオキサゾリン：重量平均分子量５０
　【００４０】
　試験例１：レーザダイシング用ウエハ保護膜組成物の腐食防止特性の評価
　（１）金属接合パッドの腐食防止特性の評価
　ＳｉウエハにＡｌを５０Åの厚さに蒸着した後、１．５ｃｍ×１．５ｃｍの大きさに切断してウエハサンプルを用意した。前記ウエハサンプルを、前記製造された実施例１〜１５および比較例１〜４のレーザダイシング用ウエハ保護膜組成物溶液の入った４０℃の恒温槽に３０分間ディッピング（Ｄｉｐｐｉｎｇ）させた後、取り出して、水で洗浄して乾燥し、４−Ｐｏｉｎｔ　Ｐｒｏｂｅ（ＡＩＴ社製ＣＭＴ　ｓｅｒｉｅｓ）を用いてＡ１膜の厚さを測定し、Ａｌ膜のエッチング程度を測定した。測定結果は下記表２に示した。
　【００４１】
　（２）バンプボールの腐食防止特性の評価
　ＳｉウエハにＳｎ／Ｐｂ合金のバンプボールを形成した後、１．５ｃｍ×１．５ｃｍの大きさに切断してウエハサンプルを用意した。前記ウエハサンプルを、前記製造された実施例１〜１５および比較例１〜４のレーザダイシング用ウエハ保護膜組成物溶液の入った４０℃の恒温槽に３０分間ディッピング（Ｄｉｐｐｉｎｇ）させた後、取り出して、水で洗浄して乾燥し、ＳＥＭ（Ｈｉｔａｃｈｉ社製Ｓ−４７００）を用いて表面を撮影し、表面の腐食状態を評価した。評価結果は下記表２に示した。
　【００４２】
　【表２】
　【００４３】
　前記表２から確認されるように、実施例１〜１５のウエハ保護膜組成物を適用したサンプルの場合は、４．５Å／ｍｉｎ以下のＡｌ膜のエッチング量を示したのに対し、比較例１〜４のウエハ保護膜組成物を適用したサンプルの場合は、１０Å／ｍｉｎ以上のＡｌ膜のエッチング量を示し、エッチング量において顕著な差を示した。
　【００４４】
　また、実施例１〜１５のウエハ保護膜組成物を適用したサンプルの場合は、Ｓｎ／Ｐｂ合金のバンプボールの表面で腐食が発生せず、表面状態が良好であったのに対し、比較例１〜４のウエハ保護膜組成物を適用したサンプルの場合は、Ｓｎ／Ｐｂ合金のバンプボールの表面が腐食したことが確認された。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　水溶性樹脂を含む樹脂、
マレイン酸、ベンゾトリアゾール、及びリン酸ナトリウムからなる群より選ばれる１種以上である
　【請求項２】
　前記組成物の総重量に対して、前記水溶性樹脂を含む樹脂を１〜５０重量％、前記腐食防止剤を０．０１〜１０重量％、および残量の前記溶媒を含むことを特徴とする請求項１に記載のレーザダイシング用ウエハ保護膜組成物。
　【請求項３】
　前記水溶性樹脂を含む樹脂が、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）、ポリアルキレングリコール、アルキルセルロース、ポリアクリル酸（ＰＡＡ）、ポリカルボン酸およびポリエチルオキサゾリンからなる群より選択される１種以上であることを特徴とする請求項１に記載のレーザダイシング用ウエハ保護膜組成物。
　【請求項４】
　
（削除）
　【請求項５】
　前記有機溶媒は、イソプロピルアルコール、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、ブチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、グリセリンカーボネートおよびエチレンカーボネートからなる群より選択される１種以上であることを特徴とする請求項１に記載のレーザダイシング用ウエハ保護膜組成物。
　【請求項６】
　前記レーザダイシング用ウエハ保護膜組成物は、消泡剤をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のレーザダイシング用ウエハ保護膜組成物。
　【請求項７】
　前記消泡剤は、組成物の総重量に対して０．０１〜５重量％で含まれることを特徴とする請求項６に記載のレーザダイシング用ウエハ保護膜組成物。
　【請求項８】
　前記レーザダイシング用ウエハ保護膜組成物は、水溶性界面活性剤をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のレーザダイシング用ウエハ保護膜組成物。
　【請求項９】
　請求項１に記載のレーザダイシング用ウエハ保護膜組成物を用い、レーザによってウエハをダイシングする工程を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。