【事件の表示】
　特許第６２１００３９号発明「付着物の除去方法及びドライエッチング方法」の特許異議申立事件について，次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６２１００３９号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり，訂正後の請求項〔１−８〕，〔９−１３〕について訂正することを認める。
　特許第６２１００３９号の請求項１，３ないし８，９，１１ないし１３に係る特許を維持する。
　特許第６２１００３９号の請求項２及び１０に係る特許についての特許異議申立てを却下する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第６２１００３９号の請求項１ないし１３に係る特許（以下，「本件特許」という。）についての出願は，平成２６年９月２４日に出願され，平成２９年９月２２日にその特許権の設定登録がされ，同年１０月１１日に特許掲載公報が発行された。その後，平成３０年４月１１日に特許異議申立人山田慧（以下，「異議申立人」という。）により，その請求項１ないし１３に係る特許について，特許異議の申立てがされ，当審は，同年６月１３日付けで取消理由を通知した。そして，特許権者は，その指定期間内である同年８月９日に意見書の提出及び訂正（以下，「本件訂正」という。）の請求（以下，「本件訂正請求」という。）を行い，これに対して，異議申立人は，同年９月２０日に意見書を提出した。
第２　訂正の適否についての判断
１　訂正の内容
　本件訂正請求による訂正の内容は，以下のとおりである（下線は，訂正箇所を示す。）。
　なお，訂正事項１ないし６は，訂正前に引用関係を有する請求項１ないし８に対し，また，訂正事項７ないし１０は，訂正前に引用関係を有する請求項９ないし１３に対して請求されたものであるから，本件訂正請求は，一群の請求項ごとに請求されている。
（１）　訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１に記載された「ヨウ素酸化物を含む付着物を，フッ素含有ガスを含むクリーニングガスを用いて除去する」を「ヨウ素酸化物を含む付着物を，
プラズマを発生させずに
前記付着物と接触させて
（２）　訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項２を削除する。
（３）　訂正事項３
　特許請求の範囲の請求項３に記載された「前記温度領域が２５〜２００℃であることを特徴とする請求項２に記載の」を「
前記クリーニングガスを，
の温度領域かつ６６Ｐａ〜１０１ｋＰａの圧力領域で前記付着物と接触させる
１
（４）　訂正事項４
　特許請求の範囲の請求項４に記載された「前記温度領域が１２０〜２００℃であることを特徴とする請求項２に記載の」を「
前記クリーニングガスを，
の温度領域かつ６６Ｐａ〜１０１ｋＰａの圧力領域で前記付着物と接触させる
１
（５）　訂正事項５
　特許請求の範囲の請求項５に記載された「前記温度領域が２３０〜３００℃であることを特徴とする請求項２に記載の」を「
前記クリーニングガスを，
の温度領域かつ６６Ｐａ〜１０１ｋＰａの圧力領域で前記付着物と接触させる
１
（６）　訂正事項６
　特許請求の範囲の請求項７に記載された「請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の」を「請求項１
及び請求項３
（７）　訂正事項７
　特許請求の範囲の請求項９に記載された「基板表面をエッチングする工程」を「基板表面を
，プラズマを発生させずに
（８）　訂正事項８
　特許請求の範囲の請求項９に記載された「ヨウ素酸化物を含む付着物を，フッ素含有ガスを含むクリーニングガスを用いて除去する工程」を「ヨウ素酸化物を含む付着物を，
プラズマを発生させずに
前記付着物と接触させて
（９）　訂正事項９
　特許請求の範囲の請求項１０を削除する。
（１０）　訂正事項１０
　特許請求の範囲の請求項１１に記載された「請求項９または請求項１０に記載の」を「請求項
９に
２　訂正の目的の適否，新規事項の有無，及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
（１）　訂正事項１について
ア　訂正の目的
　訂正事項１は，訂正前の請求項１の「ヨウ素酸化物を含む付着物を，フッ素含有ガスを含むクリーニングガスを用いて除去する」ことについて，「プラズマを発生させずに」及び「前記付着物と接触させて」という事項を付加することによって，より具体的に特定し，限定するものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
イ　願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること
　本件特許の明細書（以下，「本件特許明細書」という。）には，「・・・
クリーニングガスを
ヨウ素酸化物と接触させることが好ましい
　また，本件特許明細書には，プラズマを発生させて，付着物の除去を行う実施形態は，一切記載されていないから，「プラズマを発生させずに」付着物の除去を行うものであると認められるところ，本件特許明細書には，以下の記載もある。
「【０１４５】
＜本発明における効果＞
・・・
【０１４６】
　また，ＮＡＮＤフラシュメモリなどの３Ｄ構造のデバイスの製造において，
従来のプラズマを用いた反応性イオンエッチングでは，ポリシリコン（Ｐｏｌｙ-Ｓｉ）膜をポリシリコン以外の膜（例えば，シリコン酸化（ＳｉＯ
２
）膜，シリコン窒化（ＳｉＮ）膜，シリコン酸窒化（ＳｉＯＮ）膜，カーボン（Ｃ）膜等）に対して高選択に除去することは困難であった
従来のプラズマを用いた反応性イオンエッチングでは，ポリシリコン以外の膜との選択性の問題や，等方性エッチングが必要になる点から非常に困難であった
この問題を解決する手段として，本発明におけるエッチングガスによって，プラズマレスで等方性エッチングにより，シリコンの除去を行うドライエッチングによれば，今後のパターンの微細化にも適用できる
　本件特許明細書の当該記載によれば，従来のプラズマを用いた反応性イオンエッチングでは，種々の問題があったため，本件特許明細書に記載された実施形態では，これらの問題点を解決するために，プラズマレスの等方性エッチングを採用したことが理解できる。
　そうすると，本件特許明細書に記載された実施形態における基板表面のエッチングは，プラズマを用いるものが排除され，プラズマを発生させずに行われているといえるから，その結果，チャンバーに付着する付着物の除去についても，「プラズマを発生させずに」行われていると解するのが自然である。
　したがって，訂正事項１は，願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。
ウ　実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更する訂正ではないこと
　訂正事項１は，前記アのとおりであるから，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更する訂正ではない。
（２）　訂正事項２について
ア　訂正の目的
　訂正事項２は，請求項２を削除するものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
イ　願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること
　訂正事項２は，前記アのとおりであるから，願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。
ウ　実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更する訂正ではないこと
　訂正事項２は，前記アのとおりであるから，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更する訂正ではない。
（３）　訂正事項３について
ア　訂正の目的
　訂正事項３は，訂正前の請求項３が請求項２の記載を引用する記載であるところ，請求項間の引用関係を解消し，請求項２を引用しないものとし，請求項２に記載されていた発明特定事項を請求項３に追加した上で，請求項１を引用するようにしたものであり，他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすることを目的とするものである。
イ　願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること
　訂正事項３は，前記アのとおりであるから，願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。
ウ　実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更する訂正ではないこと
　訂正事項３は，前記アのとおりであるから，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更する訂正ではない。
（４）　訂正事項４について
ア　訂正の目的
　訂正事項４は，訂正前の請求項４が請求項２の記載を引用する記載であるところ，請求項間の引用関係を解消し，請求項２を引用しないものとし，請求項２に記載されていた発明特定事項を請求項４に追加した上で，請求項１を引用するようにしたものであり，他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすることを目的とするものである。
イ　願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること
　訂正事項４は，前記アのとおりであるから，願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。
ウ　実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更する訂正ではないこと
　訂正事項４は，前記アのとおりであるから，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更する訂正ではない。
（５）　訂正事項５について
ア　訂正の目的
　訂正事項５は，訂正前の請求項５が請求項２の記載を引用する記載であるところ，請求項間の引用関係を解消し，請求項２を引用しないものとし，請求項２に記載されていた発明特定事項を請求項５に追加した上で，請求項１を引用するようにしたものであり，他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすることを目的とするものである。
イ　願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること
　訂正事項５は，前記アのとおりであるから，願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。
ウ　実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更する訂正ではないこと
　訂正事項５は，前記アのとおりであるから，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更する訂正ではない。
（６）　訂正事項６について
ア　訂正の目的
　訂正事項６は，請求項１ないし６を引用する請求項７のうち，請求項２を引用する請求項７を削除するものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
イ　願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること
　訂正事項６は，前記アのとおりであるから，願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。
ウ　実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更する訂正ではないこと
　訂正事項６は，前記アのとおりであるから，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更する訂正ではない。
（７）　訂正事項７について
ア　訂正の目的
　訂正事項７は，訂正前の請求項９の「基板表面をエッチングする工程」について，「プラズマを発生させずに」という事項を付加することによって，より具体的に特定し，限定するものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
イ　願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること
　訂正事項７は，前記アのとおりであるところ，「基板表面を，プラズマを発生させずにエッチングする」という事項が，本件特許明細書に記載されていることは，前記（１）イのとおりである。
　したがって，訂正事項７は，願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。
ウ　実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更する訂正ではないこと
　訂正事項７は，前記アのとおりであるから，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更する訂正ではない。
（８）　訂正事項８について
ア　訂正の目的
　訂正事項８は，訂正前の請求項９の「ヨウ素酸化物を含む付着物を，フッ素含有ガスを含むクリーニングガスを用いて除去する」ことについて，「プラズマを発生させずに」及び「前記付着物と接触させて」という事項を付加することによって，より具体的に特定し，限定するものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
イ　願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること
　訂正事項８は，前記アのとおりであるところ，「プラズマを発生させずに」及び「前記付着物と接触させて」という事項が，本件特許明細書に記載されていることは，前記（１）イのとおりである。
　したがって，訂正事項８は，願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。
ウ　実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更する訂正ではないこと
　訂正事項８は，前記アのとおりであるから，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更する訂正ではない。
（９）　訂正事項９について
ア　訂正の目的
　訂正事項９は，請求項１０を削除するものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
イ　願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること
　訂正事項９は，前記アのとおりであるから，願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。
ウ　実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更する訂正ではないこと
　訂正事項９は，前記アのとおりであるから，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更する訂正ではない。
（１０）　訂正事項１０について
ア　訂正の目的
　訂正事項１０は，請求項９及び１０を引用する請求項１１のうち，請求項１０を引用する請求項１１を削除するものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
イ　願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること
　訂正事項１０は，前記アのとおりであるから，願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。
ウ　実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更する訂正ではないこと
　訂正事項１０は，前記アのとおりであるから，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更する訂正ではない。
３　小括
　以上のとおりであるから，本件訂正請求による訂正は，特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第４号に掲げる事項を目的とするものであり，かつ，同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
　したがって，特許請求の範囲を，訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり，訂正後の請求項〔１−８〕，〔９−１３〕について訂正することを認める。
第３　訂正後の本件発明
　本件訂正請求により訂正された請求項１ないし１３に係る発明（以下，「本件発明１」，「本件発明２」などという。）は，訂正特許請求の範囲の請求項１ないし１３に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
　本件発明１
「チャンバーを構成する部材または前記チャンバーに接続された配管の表面に付着している，ヨウ素酸化物を含む付着物を，プラズマを発生させずにフッ素含有ガスを含むクリーニングガスを前記付着物と接触させて除去する付着物の除去方法。」
　本件発明２
「（削除）」
　本件発明３
「前記クリーニングガスに含まれるフッ素含有ガスがＣｌＦ３であり，
　前記クリーニングガスを，２５〜２００℃の温度領域かつ６６Ｐａ〜１０１ｋＰａの圧力領域で前記付着物と接触させることを特徴とする請求項１に記載の付着物の除去方法。」
　本件発明４
「前記クリーニングガスに含まれるフッ素含有ガスがＦ２であり，
　前記クリーニングガスを，１２０〜２００℃の温度領域かつ６６Ｐａ〜１０１ｋＰａの圧力領域で前記付着物と接触させることを特徴とする請求項１に記載の付着物の除去方法。」
　本件発明５
「前記クリーニングガスに含まれるフッ素含有ガスがＩＦ７であり，
　前記クリーニングガスを，２３０〜３００℃の温度領域かつ６６Ｐａ〜１０１ｋＰａの圧力領域で前記付着物と接触させることを特徴とする請求項１に記載の付着物の除去方法。」
　本件発明６
「前記クリーニングガスに含まれるフッ素含有ガスは，ＨＦ，Ｆ２，ＸＦｎ（ＸはＣｌ，Ｂｒ，Ｉのいずれかを表し，ｎは１〜７の整数を表す。）からなる群より選ばれる少なくとも一つのフッ素（Ｆ）を含むフッ素含有ガスであることを特徴とする請求項１に記載の付着物の除去方法。」
　本件発明７
「前記付着物中に含まれる前記ヨウ素酸化物は，化学式：［ＩｘＯｙＦｚ（ｘは１または２の整数を表し，ｙは１〜５の整数を表し，ｚは０または１の整数を表す。）］で表されることを特徴とする請求項１及び請求項３乃至請求項６のいずれか１項に記載の付着物の除去方法。」
　本件発明８
「前記ヨウ素酸化物が，Ｉ２Ｏ５であることを特徴とする，請求項７に記載の付着物の除去方法。」
　本件発明９
「チャンバー内にヨウ素含有ガスを含むエッチングガスを供給して基板表面を，プラズマを発生させずにエッチングする工程と，
　前記基板表面をエッチングした後，前記チャンバーを構成する部材または前記チャンバーに接続された配管の表面に付着したヨウ素酸化物を含む付着物を，プラズマを発生させずにフッ素含有ガスを含むクリーニングガスを前記付着物と接触させて除去する工程と，を含むドライエッチング方法。」
　本件発明１０
「（削除）」
　本件発明１１
「前記クリーニングガスに含まれるフッ素含有ガスは，ＨＦ，Ｆ２，ＸＦｎ（ＸはＣｌ，Ｂｒ，Ｉのいずれかを表し，ｎは１〜７の整数を表す。）からなる群より選ばれる少なくとも一つのフッ素（Ｆ）を含むフッ素含有ガスであることを特徴とする請求項９に記載のドライエッチング方法。」
　本件発明１２
「前記クリーニングガスに含まれるフッ素含有ガスは，ＣｌＦ３である請求項１１に記載のドライエッチング方法。」
　本件発明１３
「前記付着物中に含まれる前記ヨウ素酸化物は，化学式：［ＩｘＯｙＦｚ（ｘは１または２の整数を表し，ｙは１〜５の整数を表し，ｚは０または１の整数を表す。）］で表されることを特徴とする請求項９に記載のドライエッチング方法。」
第４　取消理由通知に記載した取消理由について
１　取消理由の概要
　訂正前の請求項１ないし１３に係る特許に対して，当審が平成３０年６月１３日付けで特許権者に通知した取消理由の要旨は，次のとおりである。
（１）　請求項１，６ないし９，１１ないし１３に係る発明は，刊行物１に記載された発明である（なお，取消理由通知では，刊行物１に記載された発明を認定する際に，刊行物２ないし４の記載を参酌している。）。よって，請求項１，６ないし９，１１ないし１３に係る特許は，特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してされたものであり，取り消されるべきものである。
（２）　請求項２ないし５及び１０に係る発明は，刊行物１に記載された発明及び刊行物１，５及び６に記載された事項に基づいて，当業者が容易に想到することができたものである。よって，請求項２ないし５及び１０に係る特許は，特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり，取り消されるべきものである。
（３）　請求項２及び１０に係る特許は，特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり，取り消されるべきものである。
２　刊行物，刊行物に記載された発明等
（１）　刊行物１（特開２０００−５８５１５号公報）について
ア　刊行物１の記載事項
　刊行物１には，図面とともに次の事項が記載されている（下線は，当審で加筆。以下，同様。）。
（ア）　「【特許請求の範囲】
【請求項１】  
フォトレジスト膜をマスクとして，圧力０．１Ｐａ〜５０Ｐａの範囲にてヨウ化水素を含むガスを用いて形成したプラズマにて金属酸化物のドライエッチングを行った後に，圧力０．１〜１０００Ｐａの範囲にて酸素を含むガスを用いて形成したプラズマにてフォトレジスト膜の除去を行うことにより，金属酸化物の回路パターニング加工を行う金属酸化物／フォトレジスト膜積層体のドライエッチングを行う方法
フッ素ガスおよびフッ素系化合物ガスからなる群と，窒素ガスおよび窒素系化合物ガスからなる群の中から選んだ少なくとも一種のガスをヨウ化水素と混合したヨウ化水素を含むガスを用いて金属酸化物をドライエッチングする
・・・
【請求項４】  
請求項１に記載のヨウ化水素を含むガスを用いて金属酸化物のドライエッチングを行った後に，圧力０．１〜１０００Ｐａの範囲にて酸素を含むガスを用いて形成したプラズマにてフォトレジスト膜の除去を行う金属酸化物／フォトレジスト膜積層体のドライエッチング方法
フッ素ガスおよびフッ素系化合物ガスからなる群と，窒素ガスおよび窒素系化合物ガスからなる群の中から選んだ少なくとも一種のガスを酸素ガスと混合した酸素を含むガスを用いてフォトレジストのドライエッチング除去を行う
（イ）　「【０００２】
【従来の技術】・・・
【０００７】ドライエッチングに用いられるガスとしては，メタン（ＣＨ４）と水素（Ｈ２)の混合ガス，塩素（Ｃｌ２）ガス，臭化水素（ＨＢｒ）ガス等がある。しかし，これらのガスを用いる方法では，そのエッチング能力が装置に依存する可能性が高く，良好なエッチング特性を得られる範囲が狭いこと，またエッチング速度が低いことなどの問題がある。また，基板上に残る残渣物質の問題もある。残渣物質が特に問題となるのは，メタンと水素の混合ガスを用いる場合，あるいはメタンとアルゴンガスを用いる場合である。このメタンガス系を使用した場合においては，ＩＴＯのドライエッチングに際しての保護膜として用いるレジストが，不揮発性の物質となり周囲に散乱し，残渣物質として問題となる。これに対して，
ヨウ化水素ガスを用いたエッチング方法は，装置依存性が小さいこと，エッチング速度が先にあげたガス系に比較して早いことなどの特徴がある
さらに，少なくとも，基板上に残渣物質を残さないという特徴があり，現在ではヨウ化水素ガスを用いたエッチング方法が主流になりつつある
【０００８】・・・
しかしながら，ヨウ化水素ガスを用いたドライエッチングを行うと，黄色や白色の不揮発性物質が装置の内壁に付着し始め，ついにはエッチング自体を阻害するようになる。そのため，ある回数のエッチングを実施した後にチャンバーを開放し，中に付着した黄色や白色の不揮発性物質を，アルコール系の揮発性薬剤を用いて拭きとっている
（ウ）　「【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は，ヨウ化水素ガスを用いた金属酸化物のドライエッチングを良好に行わしめるために，ドライエッチングの際に発生する不揮発性物質を発生させることなくエッチングを行い，かつフォトレジストの除去を容易にする方法を提供することにある
（エ）　「【００２８】これは，フォトレジスト自身をヨウ化水素のプラズマによりエッチングすることができない上に，ヨウ化水素中のヨウ素が，フォトレジストの上に固着した結果，耐プラズマ特性を有するに至ったものと考えられる。
また，ヨウ素自身がフォトレジスト中に取り込まれることも考えられる。すなわち，ヨウ素がフォトレジスト上に固着している場合，ヨウ素自身がプラズマにより酸素と結合した物質等を形成し，揮発しにくい部分がフォトレジスト上に形成され，エッチングが阻害されると考えられる
これは，酸素は高分子を構成する炭素や水素と反応し，その構成分子を酸化することにより揮発性の二酸化炭素や水等を形成するが，ヨウ素と反応した場合に形成されると考えられるヨウ化酸素系の化合物は揮発性の小さい物質であるため，酸素によるエッチングが有効でなくなるためであると考えられる
・・・
【００３０】
ところで，ヨウ化水素を用いて金属酸化物のエッチングを繰り返し実施すると，装置内の内壁，ヴィーイングポート等に黄色や白色の残渣物質が付着してくる。さらに，この付着物が堆積してくると，エッチング速度の低下が生じ，ついにはエッチングが進行しなくなってしまう。そのため，この残渣物質の発生を確認した時点で，操作を停止し，装置を大気開放して，装置内に付着している残渣物をアルコール系の揮発性の薬剤にて拭き取る作業が必要になる
・・・
【００３３】
ヨウ化水素を用いたＩＴＯのエッチングの際に，発生する不揮発性物質は，装置内の特定の箇所に集中している。これは図１において示されているとおりである。プラズマの発生部の周辺部分にそって多く発生していることが認められる
・・・
【００３７】その理由として，ヨウ化水素を用いたＩＴＯのドライエッチングにおいて次のような機構が考えられる。
すなわち，ドライエッチング自身は，ＩＴＯとヨウ化水素によるプラズマを利用した化学反応であり，従って，このエッチングの化学式は次のようになる
Ｉｎ
２
Ｏ
３
　＋　６ＨＩ　→　２ＩｎＩ
３
　＋　３Ｈ
２
Ｏ
・・・
【００４１】プラズマ中においては，ヨウ化水素が解離したヨウ素ラジカルやまた解離後形成されたヨウ素分子，さらにＨ２Ｏ等も存在し，またＩｎＩ３自体もプラズマのエネルギーを受けている。具体的には電子やイオンの衝突，あるいはラジカルとの衝突を経ている。ＩｎＩ３はプラズマ中においては多くのエネルギーを吸収することが可能であるため揮発性を失うことはない。
しかし，プラズマから少しでも離れると，Ｈ
２
Ｏ，ヨウ素分子及びヨウ素系のイオンやラジカルなどの物質と分子間力に基づく会合状態を形成し，さらに大きな分子化合物となり，揮発性を失い不揮発性物質として装置内壁に付着するものと考えられる
（オ）　「【００５３】以下，本発明のエッチング法について，本発明に用いた装置をも含めて具体的に説明する。
エッチングに用いる装置を図１に示した。本発明で用いる装置は，ロードロック方式であり，ローディング室２１からの基板の出し入れにより，エッチング室本体１１を大気に曝すことなくエッチングを進行させることができる
（カ）　「【００８１】
フッ素ガスおよびフッ素系化合物ガスからなる群と窒素ガスおよび窒素系化合物ガスからなる群のなかから選んだすくなくとも１種のガスを，ヨウ化水素に混合して第１の反応性ガスとして金属酸化物の第１のドライエッチング工程に使用することによって，不揮発性物質の発生を極力低下させることを可能とした後に，同じくフッ素ガスおよびフッ素系化合物ガスからなる群と窒素ガスおよび窒素系化合物ガスからなる群のなかから選んだすくなくとも１種のガスをを酸素ガスに混合して第２の反応性ガスとして，フォトレジスト膜を除去する第２のドライエッチング工程に使用するというのが本発明の１つである
・・・
【００９０】
本発明の反応性ガスとして好適なガスは，フッ素・窒素系化合物ガスとして，三フッ化窒素がある。フッ素系ガスとしては，フッ素，三フッ化塩素，六フッ化硫黄，六フッ化エタン，八フッ化四炭素等がある。窒素系ガスとしては窒素，アンモニア，ヒドラジン，一酸化二窒素，酸化窒素等がある
（キ）　「【００９２】
以上開示してきた方法により，金属酸化物／フォトレジスト膜積層体のドライエッチングにおいて，金属酸化物のエッチングの進行を妨げることなく，不揮発性物質の発生を十分に抑制することができる。しかし，用いる第１の反応性ガスは，不揮発性物質の発生抑制に効果がある一方で，金属酸化物のドライエッチングの進行を抑制する効果があるため，適切な範囲での運転が必要になってくる。この方法を用いても完全に不揮発性物質の発生を抑制した上で，ドライエッチングを運転し続けることは困難である。僅かながらでもチャンバー内壁に不揮発性物質が付着する結果となってしまう。そして，長時間に渡り運転を継続する中で，これらの不揮発性物質を除去する必要が生じるのである
【００９３】
そこで，本発明者らは，ドライエッチング対象となっている金属酸化物／フォトレジスト膜積層体をチャンバーから取り去った後で，不揮発性物質を簡便に除去しうるための方法として，第３の反応性ガスをドライエッチングの装置に供給するとともに，プラズマを生起せしめて，不揮発性物質を除去する方法を開発した。これは，フッ素・窒素系化合物ガス，もしくはフッ素系ガスと窒素系ガスが任意の体積割合で混合されたガスよりなることを特徴とする，第３の反応性ガスをチャンバー内の不揮発性物質の除去のためのクリーニングガスとして使用する
【００９４】
例えば，フッ素・窒素系化合物ガスとして，三フッ化窒素ガスを用いた不揮発性物質の除去を試みた場合，極めて良好なクリーニング効果を確認することができた
【００９５】第３の反応性ガスとして選択すべきものは，フッ素系ガスを単独に用いることも，また窒素系ガスを単独に用いることもできる。しかし，フッ素系ガスを単独に，あるいは窒素系ガスを単独に用いるよりも，両者を混合して用いる方が不揮発性物質の除去という点においてより効果的である。
【００９６】不揮発性物質を付着させるためのテストピース上の付着物の組成分析を行うことにより，不揮発性物質の除去の程度を確認することができる。
例えば，ＳＵＳ製の板をドライエッチング室に設置したのちに，ＩＴＯを電極上に設置した状態で，ヨウ化水素ガスを用いたプラズマを形成することにより発生した不揮発性物質を集める。集めた不揮発性物質の組成をＡＥＳ（オージェ電子分光分析法）およびＩＣＰ（誘導結合プラズマ）発光分析法により決定することができる。続いて，発生させた不揮発性物質をそのままドライエッチング室においたままの状態で，第３の反応性ガスによるプラズマを形成したのちにテストピース上の付着物の組成を確認することにより，不揮発性物質の変化を確認することができる。不揮発性物質そのものの組成は，Ｉｎ（インジウム）とＩ（ヨウ素），そしてＳｉ（シリコン）を主体とするものであった
【００９７】
この不揮発性物質を第３の反応性ガスである三フッ化窒素ガスからなるプラズマに曝すことにより，不揮発性物質の付着量は大きく低減させることができた
・・・
【０１００】
反応性ガスから反応性ラジカルを製造する機能を，エッチングを行うためプラズマを発生させる機構と同一の装置を用いて行う。新たに，反応性ラジカルを製造する機能をもつ設備を設けることは，既存の装置に負担を強いることになり，好ましい方法ではない。現状の装置に対して，ガスを加えることによって達成できることが本発明の特徴である
（ク）　「【０１３５】実施例７
第３の反応性ガスを用いて，発生している不揮発性物質の除去の効果を確認するための試験を行った。試験方法は，比較例３と同じである。選択された反応性ガスは，三フッ化窒素ガス，フッ素ガス，三フッ化塩素ガスであり，また六フッ化硫黄ガスについても試験を行った
ただ，三フッ化塩素を用いた場合のみ，チャンバーの壁温度を１２０℃にした
クリーニング条件：　基板設置　　　　　印加電極側
　　　　　　　　　　周波数　　　　　　１３．５６ＭＨｚ
　　　　　　　　　　ＲＦ電力　　　　　２００Ｗ
　　　　　　　　　　電極面積　　　　　７８．５Ｗ
　　　　　　　　　　装置内圧力　　　　２７Ｐａ
　　　　　　　　　　ガス流量　　　　　三フッ化窒素ガス　　１０sccm
　　　　　　　　　　エッチング時間　　２時間
　　　　　　　　　　壁温度　　　　　　初期において室温　・・・」
イ　刊行物１に記載された発明
　上記アによれば，刊行物１には，次の発明が記載されていると認められる。
「チャンバー内壁に付着している不揮発性物質を，三フッ化塩素ガスやフッ素ガス等のクリーニングガスをチャンバーに供給するとともに，プラズマを生起せしめることによって，除去する不揮発性物質の除去方法。」
（２）　刊行物２（Journal of Nuclear Materials,130(1985),p280-286）について
　刊行物２（２８０頁第１行，同頁式（３）及び（４））には，ヨウ素分子と水分子の反応によって，ヨウ素酸イオンが生成されることが記載されていると認められる。
（３）　刊行物３（J.Electrochem.Soc.,Vol.136,No.6(1989),p1839-1840）について
　刊行物３（１８３９頁左欄の下から３行ないし同頁右欄５行）には，ヨウ化水素を用いるＩＴＯのエッチングでは，プラズマ雰囲気下でエッチャント種である水素イオンが生成されることが記載されていると認められる。
（４）　刊行物４（米国特許第３３７８３３７号明細書）について
　刊行物４（１欄２行ないし３行，４欄３７行ないし４４行）には，ヨウ素酸を真空下で１００℃に加熱すると，五酸化二沃素（Ｉ２Ｏ５）が生成されることが記載されていると認められる。
（５）　刊行物５（特開２０００−１５９５０５号公報）について
　刊行物５（【０００１】）には，クリーニングガスとして，七フッ化ヨウ素ガスを用いることが記載されていると認められる。
（６）　刊行物６（特開２０１１−２０８１９３号公報）について
　刊行物６（【００３６】）には，クリーニングガスとして，七フッ化ヨウ素ガスを用いることが記載されていると認められる。
３　当審の判断
（１）　特許法第２９条第１項第３号について
ア　本件発明１
（ア）　対比
　刊行物１に記載された発明の「チャンバー内壁」は，「チャンバーを構成する部材」ということができる。
　刊行物１に記載された発明の「チャンバー内壁に付着している不揮発性物質」は，「付着物」ということができる。
　刊行物１に記載された発明の「三フッ化塩素ガスやフッ素ガス等のクリーニングガス」は，「フッ素含有ガスを含むクリーニングガス」ということができる。
　そうすると，本件発明１と刊行物１に記載された発明とは，以下の一致点及び相違点を有する。
（一致点）
  チャンバーを構成する部材または前記チャンバーに接続された配管の表面に付着している，付着物を，フッ素含有ガスを含むクリーニングガスを用いて除去する付着物の除去方法。
（相違点）
（相違点１）
　「付着物」について，本件発明１は，「ヨウ素酸化物を含む付着物」であるのに対し，刊行物１に記載された発明は，「不揮発性物質」であって，「ヨウ素酸化物を含む」か否か不明である点。
（相違点２）
　「付着物」の「除去」について，本件発明１は，「プラズマを発生させずにフッ素含有ガスを含むクリーニングガスを前記付着物と接触させて除去」しているのに対し，刊行物１に記載された発明は，「フッ素含有ガスを含むクリーニングガスをチャンバーに供給するとともに，プラズマを生起せしめることにより，除去」している点。
（イ）　判断
　上記（ア）のとおり，本件発明１と刊行物１に記載された発明とは，相違点を有するから，本件発明１は，刊行物１に記載された発明であるということはできない。
イ　本件発明６ないし８
　本件発明６ないし８は，本件発明１の発明特定事項をすべて含み，さらに減縮するものである。
　そうすると，本件発明６ないし８は，前記アと同様，刊行物１に記載された発明であるということはできない。
ウ　本件発明９
　本件発明９は，「チャンバー内にヨウ素含有ガスを含むエッチングガスを供給して基板表面を，プラズマを発生させずにエッチングする工程」を含む「ドライエッチング方法」であるところ，「基板表面をエッチングした後」，本件発明１と同様の「付着物の除去方法」によって，付着物を除去するものである。
　そうすると，本件発明９は，前記アと同様，刊行物１に記載された発明であるということはできない。
エ　本件発明１１ないし１３
　本件発明１１ないし１３は，本件発明９の発明特定事項をすべて含み，さらに減縮するものである。
　そうすると，本件発明１１ないし１３は，前記ウと同様，刊行物１に記載された発明であるということはできない。
（２）　特許法第２９条第２項について
ア　本件発明２
　本件発明２は，本件訂正により削除されたから，本件発明２に対する取消理由は解消された。
イ　本件発明３ないし５
　本件発明３ないし５は，本件発明１の発明特定事項をすべて含み，さらに減縮するものであるから，刊行物１に記載された発明と対比すると，前記（１）ア（ア）の相違点を含むものである。また，本件発明１は，本件訂正によって，プラズマを発生させずに付着物を除去することが特定されているから，本件発明３ないし５も同様に特定されるものである。
　一方，刊行物１に記載された発明は，それとは逆に，プラズマを生起せしめることによって，付着物（不揮発性物質）を除去するものである。
　そして，刊行物１には，エッチングの際に発生する不揮発性物質は，プラズマの発生部の周辺部分にそって多く発生するものであって，装置内壁に付着しており（前記２（１）ア（エ）の【００３３】），この不揮発性物質をプラズマを生起せしめて除去すること（同（キ）の【００９３】）が記載されているように，もっぱら，プラズマを用いたことによる技術的な課題やその解決手段が開示されている。
　そうすると，刊行物１に記載された発明において，プラズマを発生させずに付着物を除去するような構成に変更することは，刊行物１が前提とする課題や解決手段を滅却させることになるから，そのような変更には，阻害要因があるというべきである。
　また，刊行物１には，プラズマを生起せしめて不揮発性物質を除去する際の装置構成を，「エッチングを行うためプラズマを発生させる機構と同一の装置を用いて行う」ことにより，「現状の装置に対して，ガスを加えることによって達成できることが本発明の特徴である」と記載されているから（同（キ）の【０１００】），この観点からも，刊行物１に記載された発明において，プラズマを発生させずに付着物を除去するような構成に変更することは，阻害要因があるというべきである。
　よって，刊行物１に記載された発明において，プラズマを発生させずに付着物を除去する構成を採用すること，すなわち，相違点２の構成を採用することは，当業者であっても容易に想到することはできないし，刊行物１，５及び６に記載された事項も，当該判断を左右するものではない。
　したがって，本件発明３ないし５は，刊行物１に記載された発明及び刊行物１，５及び６に記載された事項に基づいて，当業者が容易に想到することができたものではない。
ウ　本件発明１０
　本件発明１０は，本件訂正により削除されたから，本件発明１０に対する取消理由は解消された。
（３）　特許法第３６条第６項第１号について
ア　本件発明２
　本件発明２は，本件訂正により削除されたから，本件発明２に対する取消理由は解消された。
イ　本件発明１０
　本件発明１０は，本件訂正により削除されたから，本件発明１０に対する取消理由は解消された。
（４）　異議申立人の意見について
　異議申立人は，本件発明１ないし１３について，本件訂正請求により追加された「プラズマを発生させずに」という発明特定事項は，その対象やタイミングが不明である，すなわち，クリーニングの対象となるチャンバーやチャンバーに接続された配管においてはプラズマを発生させず，それ以外の離れた場所において，プラズマを発生させ，クリーニングを行う態様が，本件発明１ないし１３の範囲内であるのか範囲外であるのかが不明であるから，請求項１ないし１３に係る特許は，特許法第３６条第６項第２号の規定に違反してされたものであると主張する。
　しかしながら，本件発明１ないし１３は，本件訂正によって，いずれも「プラズマを発生させずに」付着物を除去することが特定されているのであるから（ただし，前述のとおり，本件発明２ないし１０は削除されている。），プラズマを発生させることを前提とする異議申立人の主張は，その前提において誤りである。
　したがって，異議申立人の主張は採用できない。
第５　取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由について
　異議申立人は，特許異議申立書において，訂正前の特許請求の範囲の請求項１，６ないし８，９，１１ないし１３に係る発明は，刊行物１に記載された発明であるから，当該請求項に係る特許は，特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してされたものであると主張するとともに，訂正前の特許請求の範囲の請求項１ないし１３に係る発明は，刊行物１ないし４に記載された事項に基づいて，当業者が容易に想到することができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものでもあり，取り消されるべきものであるという旨の主張をしている。
　しかしながら，前記第４の１（１）のとおり，訂正前の特許請求の範囲の請求項１，６ないし８，９，１１ないし１３に係る発明は，刊行物１に記載された発明であり，当該請求項に係る特許は，特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してされたものであるところ，両者に相違点はないのであるから，特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであると判断するのは相当でない。
　なお，前記第３のとおり，訂正前の特許請求の範囲の請求項１，６ないし８，９，１１ないし１３に係る発明は，本件訂正請求により，本件発明１，６ないし８，９，１１ないし１３に訂正されたから，以下，本件発明１，６ないし８，９，１１ないし１３が，刊行物１ないし４に記載された事項に基づいて，当業者が容易に想到することができたものであるか否か判断する。
１　本件発明１
　本件発明１と刊行物１に記載された発明とは，前記第４の３（１）ア（ア）のとおり，一致点及び相違点を有する。
　そこで，相違点２について検討するに，刊行物１に記載された発明において，相違点２の構成を採用することが，当業者であっても容易に想到することができたものではないことは，前記第４の３（２）イで判断したとおりであって，刊行物２ないし４に記載された事項も，当該判断を左右するものではない。
　したがって，本件発明１は，刊行物１ないし４に記載された事項に基づいて，当業者が容易に想到することができたものではない。
２　本件発明６ないし８
　本件発明６ないし８は，本件発明１の発明特定事項をすべて含み，さらに減縮するものである。
　そうすると，本件発明６ないし８は，前記１と同様，刊行物１ないし４に記載された事項に基づいて，当業者が容易に想到することができたものではない。
３　本件発明９
　本件発明９は，「チャンバー内にヨウ素含有ガスを含むエッチングガスを供給して基板表面を，プラズマを発生させずにエッチングする工程」を含む「ドライエッチング方法」であるところ，「基板表面をエッチングした後」，本件発明１と同様の「付着物の除去方法」によって，付着物を除去するものである。
　そうすると，本件発明９は，前記１と同様，刊行物１ないし４に記載された事項に基づいて，当業者が容易に想到することができたものではない。
４　本件発明１１ないし１３
　本件発明１１ないし１３は，本件発明９の発明特定事項をすべて含み，さらに減縮するものである。
　そうすると，本件発明１１ないし１３は，前記３と同様，刊行物１ないし４に記載された事項に基づいて，当業者が容易に想到することができたものではない。
第６　むすび
　以上のとおりであるから，取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては，本件請求項１，３ないし８，９，１１ないし１３に係る特許を取り消すことはできない。
　また，他に本件請求項１，３ないし８，９，１１ないし１３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　そして，本件請求項２及び１０に係る特許は，本件訂正により削除されたため，本件特許の請求項２及び１０に対して特許異議申立人がした特許異議の申立てについては，対象となる請求項が存在しない。
　よって，結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成３０年１１月１３日（２０１８．１１．１３）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　チャンバーを構成する部材または前記チャンバーに接続された配管の表面に付着している、ヨウ素酸化物を含む付着物を、
プラズマを発生させずに
前記付着物と接触させて
　【請求項２】
（削除）
　【請求項３】
　前記クリーニングガスに含まれるフッ素含有ガスがＣｌＦ３であり、
　
前記クリーニングガスを、
の温度領域かつ６６Ｐａ〜１０１ｋＰａの圧力領域で前記付着物と接触させる
１
　【請求項４】
　前記クリーニングガスに含まれるフッ素含有ガスがＦ２であり、
　
前記クリーニングガスを、
の温度領域かつ６６Ｐａ〜１０１ｋＰａの圧力領域で前記付着物と接触させる
１
　【請求項５】
　前記クリーニングガスに含まれるフッ素含有ガスがＩＦ７であり、
　
前記クリーニングガスを、
の温度領域かつ６６Ｐａ〜１０１ｋＰａの圧力領域で前記付着物と接触させる
１
　【請求項６】
　前記クリーニングガスに含まれるフッ素含有ガスは、ＨＦ、Ｆ２、ＸＦｎ（ＸはＣｌ、Ｂｒ、Ｉのいずれかを表し、ｎは１〜７の整数を表す。）からなる群より選ばれる少なくとも一つのフッ素（Ｆ）を含むフッ素含有ガスであることを特徴とする請求項１に記載の付着物の除去方法。
　【請求項７】
　前記付着物中に含まれる前記ヨウ素酸化物は、化学式：［ＩｘＯｙＦｚ（ｘは１または２の整数を表し、ｙは１〜５の整数を表し、ｚは０または１の整数を表す。）］で表されることを特徴とする請求項１
及び請求項３
　【請求項８】
　前記ヨウ素酸化物が、Ｉ２Ｏ５であることを特徴とする、請求項７に記載の付着物の除去方法。
　【請求項９】
　チャンバー内にヨウ素含有ガスを含むエッチングガスを供給して基板表面を
、プラズマを発生させずに
　前記基板表面をエッチングした後、前記チャンバーを構成する部材または前記チャンバーに接続された配管の表面に付着したヨウ素酸化物を含む付着物を、
プラズマを発生させずに
前記付着物と接触させて
　【請求項１０】
（削除）
　【請求項１１】
　前記クリーニングガスに含まれるフッ素含有ガスは、ＨＦ、Ｆ２、ＸＦｎ（ＸはＣｌ、Ｂｒ、Ｉのいずれかを表し、ｎは１〜７の整数を表す。）からなる群より選ばれる少なくとも一つのフッ素（Ｆ）を含むフッ素含有ガスであることを特徴とする請求項
９に
　【請求項１２】
　前記クリーニングガスに含まれるフッ素含有ガスは、ＣｌＦ３である請求項１１に記載のドライエッチング方法。
　【請求項１３】
　前記付着物中に含まれる前記ヨウ素酸化物は、化学式：［ＩｘＯｙＦｚ（ｘは１または２の整数を表し、ｙは１〜５の整数を表し、ｚは０または１の整数を表す。）］で表されることを特徴とする請求項９に記載のドライエッチング方法。