(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体と、前記誘電体表面の凹部に配置された圧縮可能な弾性部材とを有し、
前記弾性部材の露出表面は前記誘電体の露出表面よりも高さが高くされ、
少なくとも前記弾性部材の周囲には、前記誘電体表面の露出部分が配置されて前記誘電体表面の露出部分が、前記弾性部材を取り囲んで配置され、
前記露出部分の下方位置の前記誘電体の内部には電極が配置され、
前記弾性部材上に基板を配置し、前記電極に電圧を印加して前記基板を吸着すると、前記弾性部材は圧縮され、前記基板裏面が前記誘電体表面と接触するように構成されたことを特徴とする基板載置装置。
【請求項２】
前記弾性部材表面と前記誘電体表面の高さの差は、１ｍｍ以下にされていることを特徴とする請求項１記載の基板載置装置。
【請求項３】
前記誘電体の露出表面の面積と前記弾性部材の露出表面の面積の合計の面積に対し、前記弾性部材の露出表面の面積が１０％以上９９％以下にされていることを特徴とする請求項１又は請求項２のいずれか１項記載の基板載置装置。
【請求項４】
前記弾性部材は複数個に分割されたことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の基板載置装置。
【請求項５】
前記弾性部材には孔が設けられ、該孔底面に前記誘電体表面が露出するように構成されたことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の基板載置装置。
【請求項６】
誘電体と、
前記誘電体上に配置された弾性部材と、
前記弾性部材表面に載置される基板の縁部分を押圧する押圧装置と、
前記弾性部材の内部に配置され、前記基板の中央部分を吸着する電極と、
が設けられ、
前記基板の周辺部分は前記押圧部材によって押圧され、中央部分が前記電極によって吸着され、前記弾性部材は圧縮されて前記基板裏面と前記弾性部材表面とが密着するように構成されたことを特徴とする基板載置装置。
【請求項７】
内部を真空雰囲気にできる真空槽内に請求項１乃至請求項６のいずれか１項記載の基板載置装置が設けられたことを特徴とする真空処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板載置装置、及び真空処理装置にかかり、特に、弾性部材が配置された基板載置装置、及びその基板載置装置を有する真空処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造装置等の真空処理装置内に配置される基板載置装置として、近年、静電チャックが盛んに用いられている。静電チャックは、プロセス中の基板の温度制御が行い易く、また、基板のハンドリングに便利である。特に、ＰＶＤ装置、ＣＶＤ装置、エッチャー、又はイオン注入機等を使用する際に、基板の温度上昇を抑えるために、基板を載置した静電チャック側に熱を放出させる温度制御が行われている。
【０００３】
図６の符号１１１は静電チャック型の従来技術の基板載置装置を示している。この基板載置装置１１１は、上述のＰＶＤ装置等の図示しない真空槽内に配置されており、誘電体(セラミック)から成るチャック本体１１２と、該チャック本体１１２に内蔵された正電極１１３と負電極１１４を有している。
【０００４】
真空雰囲気におかれた真空槽内に基板１０７を搬入し、チャック本体１１２上に載置した後、電極１１３、１１４に正負電圧を印加すると、基板１０７は基板載置装置１１１に静電吸着される。
【０００５】
その状態では、基板１０７裏面とチャック本体１１２表面とは互いに密着しており、熱伝導性が高くなっているので、基板載置装置１１１を介して、基板１０７を冷却し、又は加熱することができる。
【０００６】
しかし、上記のような基板載置装置１１１で高い熱伝導性を得るためには、強力な静電吸着力を必要とする。また、基板裏面とチャック本体表面との接触面積が大きいため、熱膨張等によって基板１０７裏面とチャック本体１１２とが摺動すると、発塵するという問題がある。また、正負電極１１３、１１４間に大きな電圧を印加するため、大きな残留吸着力が発生し、基板着脱に時間を要し、スループットが低下するという問題がある。
【０００７】
そこで従来より、上記諸問題の対策が研究されており、基板裏面にガスを導入する静電チャックや、チャック本体上に高熱伝導性のゴムを配置した静電チャックが提案されている。
【０００８】
しかしながら、基板裏面にガスを導入する場合には、基板裏面に導入ガスが充満するまでの時間が必要となり、スループットが低下したり、また、導入ガスがリークし、プロセスに悪影響を与えるという不都合がある。
【０００９】
他方、ゴム材を誘電体層に用いた静電チャックは、吸着力が弱いため、基板と基板載置装置の間の熱伝導性が悪化し、基板への熱流入量が大きい高プラズマパワーのプロセスを行うと、基板が過熱されてしまうという不都合がある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、発塵が少なく、熱伝導性の高い基板載置装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、基板載置装置であって、誘電体と、前記誘電体表面の凹部に配置された圧縮可能な弾性部材とを有し、前記弾性部材の露出表面は前記誘電体の露出表面よりも高さが高くされ、少なくとも前記弾性部材の周囲には、前記誘電体表面の露出部分が配置されて前記誘電体表面の露出部分が、前記弾性部材を取り囲んで配置され、前記露出部分の下方位置の前記誘電体の内部には電極が配置され、前記弾性部材上に基板を配置し、前記電極に電圧を印加して前記基板を吸着すると、前記弾性部材は圧縮され、前記基板裏面が前記誘電体表面と接触するように構成されたことを特徴とする。
【００１２】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の基板載置装置であって、前記弾性部材表面と前記誘電体表面の高さの差は、１ｍｍ以下にされていることを特徴とする。
【００１３】
請求項３記載の発明は、請求項１又は請求項２のいずれか１項記載の基板載置装置であって、前記誘電体の露出表面の面積と前記弾性部材の露出表面の面積の合計の面積に対し、前記弾性部材の露出表面の面積が１０％以上９９％以下にされていることを特徴とする。
【００１４】
請求項４記載の発明は、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の基板載置装置であって、前記弾性部材は複数個に分割されたことを特徴とする。
【００１５】
請求項５記載の発明は、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の基板載置装置であって、前記弾性部材には孔が設けられ、該孔底面に前記誘電体表面が露出するように構成されたことを特徴とする。
【００１６】
請求項６記載の発明は、基板載置装置であって、誘電体と、前記誘電体上に配置された弾性部材と、前記弾性部材表面に載置される基板の縁部分を押圧する押圧装置と、前記弾性部材の内部に配置され、前記基板の中央部分を吸着する電極と、が設けられ、前記基板の周辺部分は前記押圧部材によって押圧され、中央部分が前記電極によって吸着され、前記弾性部材は圧縮されて前記基板裏面と前記弾性部材表面とが密着するように構成されたことを特徴とする。
【００１７】
請求項７記載の発明は、真空処理装置であって、内部を真空雰囲気にできる真空槽内に請求項１乃至請求項６のいずれか１項記載の基板載置装置が設けられたことを特徴とする。
【００１８】
【００１９】
【００２０】
【００２１】
【００２２】
【００２３】
【００２４】
本発明は上記のように構成されており、誘電体と弾性部材とを有する基板載置装置である。弾性部材は、誘電体表面の凹部にはめ込まれており、弾性部材の露出表面は、誘電体の露出表面と等しいか、又はその高さよりも高くされている。
【００２５】
このような基板載置装置上に基板を載置する場合において、特に弾性部材の露出表面が誘電体の露出表面よりも高いとき、基板は弾性部材上に乗せられる。その状態では、基板裏面は誘電体表面とは離間しているが、静電吸着力で基板を吸着したり、押圧部材で基板を押圧すると、弾性部材が圧縮され、基板裏面が誘電体表面に接触する。
【００２６】
この接触状態においては、基板裏面のうちの弾性部材に接触している部分の面積を大きくとると、基板が熱膨張しても、基板裏面からの発塵量が少なくなる。他方、基板は誘電体表面とも接触しているため、基板裏面全体が熱伝導に寄与でき、良好な熱伝導性を維持できる。
【００２７】
基板が誘電体表面と接触した状態では、基板裏面は弾性部材によって押圧されており、弾性部材表面と基板裏面との間は強く密着している。従って、弾性部材が圧縮しない場合に比べると、熱伝導性は更に高くなっている。
【００２８】
弾性部材を圧縮させるためには、弾性部材表面を誘電体表面よりも高く設定しておく必要があり、その高さについては、使用する弾性部材の材質により最適値が異なる。
【００２９】
発塵や残留吸着力は、弾性部材の表面積が大きいほど少なくなるが、あまり大面積であると静電吸着力が低下する。従って、基板裏面と接触できる誘電体の表面露出部分と、同じく基板裏面と接触する弾性部材表面の露出部分の合計の面積に対し、弾性部材表面の露出部分の面積が、１０％以上９９％以下の範囲であることが好ましい。
【００３０】
誘電体内に設ける静電吸着用の電極は、その上方に弾性部材が存しないようにしておくと、強い静電吸着力が得られる。その電極の他、弾性部材内部に電極を設けた場合には、更に強い静電吸着力が得られる。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。
図１を参照し、符号９は、本発明の一例の真空処理装置であり(この真空処理装置はスパッタリング装置である。)、真空槽１を有している。真空槽１の天井側にはターゲット２が配置されており、底壁側には、本発明の第１例の基板載置装置(静電チャック)１１が配置されている。真空槽１外部には、ガス導入系８とＤＣ電源３とが設けられており、ガス導入系８は真空槽１の壁面に接続され、ＤＣ電源３は、ターゲット２に接続されている。
【００３２】
この真空槽１には、図示しない真空排気系が接続されており、その真空排気系によって真空槽１内部を真空排気し、内部を真空雰囲気にしておく。その状態で基板搬送ロボット６を動作させ、真空雰囲気を維持したまま真空槽１内に基板を搬入し、基板載置装置１１上に載置する。図１の符号７は、その状態の基板を示している。
【００３３】
ガス導入系８により、真空槽１内にスパッタリングガスを導入し、ＤＣ電源３によってターゲット２に負電圧を印加すると、ターゲット２がカソード電極、真空槽１壁面がアノード電極となり、ターゲット２表面近傍にプラズマが生成され、スパッタリングが行われる。
【００３４】
この真空処理装置９では、スパッタリングを開始する前には、予め、基板７を基板載置装置１１表面に静電吸着しておき、基板７表面で発生した熱や、基板７に流入した熱を基板載置装置１１側に逃がしながら薄膜を形成できるようになっている。
【００３５】
その基板載置装置１１を、図２(ａ)に示す。この図２(ａ)、及び後述する同図(ｂ)、図３(ｃ)、同図(ｄ)、図４、図５(ａ)、同図(ｂ)の上側は基板載置装置の平面図、下側はその断面図である。
【００３６】
図２(ａ)を参照し、該基板載置装置１１は、誘電体(セラミック)から成るチャック本体１２を有している、チャック本体１２は円盤状の基板形状に沿った形に成形されており、その中央部分には、チャック本体１２よりも小径の凹部が形成され、高熱導電性の高分子ゴムが円盤形状に成形されて成る弾性部材１８がはめ込まれている。
【００３７】
この弾性部材１８の表面とチャック本体１２表面とは平行にされており、弾性部材１８表面は、チャック本体１２の表面よりも僅かに高くされている(高さｔは１ｍｍ以下)。従って、この基板載置装置１１では、弾性部材１８がチャック本体１２中央位置で上方に僅かに突き出されている。
【００３８】
基板載置装置１１の周辺部分では、チャック本体１２の表面が露出されており、その露出部分の下方位置のチャック本体１２内部には、正電極１３と、負電極１４とが互いに非接触の状態で配置されている(各電極１３、１４は、例えば半円弧、又は同心円状に成形されている。)。正負電極１３、１４は、基板載置装置１１の裏面又は側面から取り出された配線により、真空槽１外に配置された電源１５a、１５bにそれぞれ接続されている。
【００３９】
この基板載置装置１１上に基板７を載置すると、基板７は弾性部材１８上に載せられる。基板７は、チャック本体１２と略同径のものが用いられており、その状態では、基板７の裏面とチャック本体１２表面とは、離間して対向配置されることになる。
【００４０】
次に、電源１５a、１５bを起動し、正電極１３に正電圧、負電極１４に負電圧を印加すると(真空槽１は接地電位に接続されている。)、正負電極１３、１４から基板７周辺部分に静電吸着力が及ぼされ、チャック本体１２表面に基板７が静電吸着される。
【００４１】
その際、弾性部材１８は静電吸着力によって圧縮されるが、弾性部材１８は、チャック本体１２の凹部にはめ込まれているため、弾性部材１８は、基板７の裏面がチャック本体１２表面に当接するまで圧縮される。
【００４２】
その状態では、弾性部材１８の復元力により、基板７裏面は弾性部材１８表面に強く密着している。また、基板７裏面はチャック本体１２表面の露出部分にも密着しているため、基板７と基板載置装置１１との間の熱伝導性は非常に高くなっている。従って、スパッタリング等のプロセスによって基板７が加熱されても、その熱は、基板載置装置１１を介して、真空槽１の底壁や、基板載置装置１１裏面側に配置された冷却装置に流出するようになっている。
【００４３】
また、基板７がチャック本体１２表面に密着された状態では、弾性部材１８の表面及び外周は真空槽１内の雰囲気から遮断されるので、活性なガスを用いたスパッタリングや、種々の原料ガスを用いるＣＶＤプロセスを行う場合にも、弾性部材１８はガスに曝されず、従って、弾性部材１８が劣化しないようになっている。
【００４４】
この基板載置装置１１の基板７と接触する全表面積のうち、弾性部材１８表面が９０％、チャック本体１２の表面が１０％になっており、熱膨張等によって基板７と基板載置装置１１が摺動する場合でも、弾性部材１８と接触している面積が大きいため、発塵が少なくなっている。
【００４５】
以上説明した基板配置装置１１は一例であり、例えば、上記の弾性部材１８や正負電極１３、１４は、種々の形状のものを用いることができる。また、その配置も種々の配置方法がある。
【００４６】
図２(ｂ)の符号２１は、本発明の第２例の基板載置装置(静電チャック)であり、該基板載置装置２１は、誘電体が円盤形状に成形されたチャック本体２２を有している。
【００４７】
チャック本体２２表面には、扇形状の４個の凹部が互いに離間して形成されており、各凹部には、その凹部と同形の弾性部材２８1〜２８4がはめ込まれている。
【００４８】
チャック本体２２表面の露出部分(各弾性部材２８1〜２８4の間の位置と弾性部材２８1〜２８4が配置された領域の外側)のうち、弾性部材２８1〜２８4間下方のチャック本体２２内部には、正負電極２３た配置されており、弾性部材２８1〜２８4の外側位置のチャック本体２２内部には、負電極２４が配置されている(例えば正電極２３は十字形状、負電極２４はリング形状にすることができる。)。正負電極２３、２４は、それぞれ電源２５a、２５bに接続されている。
【００４９】
各弾性部材２８1〜２８4の表面は、チャック本体２２の表面よりも僅かに高くされており、弾性部材２８1〜２８4上に基板を載せた後、電源２５a、２５bを起動し、正電極２３と負電極２４の間に電圧を印加すると、基板に静電吸着力が加わり、弾性部材２８1〜２８4が圧縮され、基板裏面はチャック本体２２表面と接触し、上記第１例の基板載置装置１１と同様に、熱伝導性が高くなるようになっている。
【００５０】
図３(ｃ)の符号３１に示した本発明の第３例の基板載置装置(静電チャック)は、誘電体で構成されたチャック本体３２上に同心円に配置された２個のリング状の凹部が形成されており、そのリング状凹部と同形の大小の弾性部材３８1、３８2がはめ込まれている。
【００５１】
チャック本体３２が表面に露出する部分は面一に形成されており、その露出部分下方のチャック本体３２内部のうち、弾性部材３８1、３８2の間の下方位置には負電極３４が配置されており、中心部分と外周部分の下方位置には正電極３３1、３３2がそれぞれ配置されている。
【００５２】
この基板載置装置３１でも、弾性部材３８1、３８2の表面は、チャック本体３２よりも高く設定されており、弾性部材３８1、３８2上に基板を載置し、正電極３３1、３３2と負電極３４にそれぞれ接続された電源３５a、３５bを起動し、正電極３３1、３３2と負電極３４の間に電圧を印加すると弾性部材３８1、３８2が圧縮され、基板裏面が弾性部材３８1、３８2表面及びチャック本体３２表面に密着し、高い熱伝導率が得られる。
【００５３】
図３(ｄ)の符号４１に示した本発明の第４例の基板載置装置(静電チャック)も、誘電体で構成されたチャック本体４２を有している。
【００５４】
チャック本体４２表面には、凹部が形成されており、チャック本体３２よりも小径の円盤形状の弾性部材４８がはめ込まれている。その凹部には、チャック本体４２表面が表面部分が島状に散在するようにされており、この弾性部材４８に形成された複数の孔４９が、島状の部分に嵌合されている。
【００５５】
弾性部材４８の外側部分と、孔４９の底面部分には、チャック本体４２の表面が露出されており、外側部分の露出表面と、孔４９底面の露出表面とは面一になっている。
【００５６】
チャック本体４２が露出する部分のうち、弾性部材４８の外側のチャック本体４２内部には、リング形状の負電極４４1が配置されている。他方、各孔４９の底面下には、正電極４３1、４３2又は負電極４４2が１個ずつ配置されている。正電極４３1、４３2と負電極４４1、４４2は、それぞれ電極４５a、４５bに接続されており、弾性部材４８の表面に基板を載置し、電源４５a、４５bを起動し、正電極４３1、４３2と負電極４４1、４４2の間に電圧を印加すると、基板が静電吸着される。それにより、弾性部材４８が圧縮され、基板裏面が弾性部材４８表面及びチャック本体４２表面に密着される。
【００５７】
次に、図４の符号５１に示した本発明の第５例の基板載置装置(静電チャック)は、誘電体が円盤形状に成形されたチャック本体５２表面に、凹部が形成され、その凹部内に円盤形状の弾性部材５８がはめ込まれている。弾性部材５８表面は、チャック本体５２表面よりも僅かに高くされている。
【００５８】
弾性部材５８の外側では、チャック本体５２の表面が露出しており、その露出部分のチャック本体５２内部には、正電極５３1と負電極５４1が配置されている。更に、この基板載置装置５１では、弾性部材５８内にも正電極５３2と負電極５４2が配置されており、正電極５３1、５３2と負電極５４1、５４2は、それぞれ電源５５a、５５bに接続されている。
【００５９】
この基板載置装置５１の弾性部材５８上に基板を載置し、正電極５３1、５３2と負電極５４1、５４2の間に電圧を印加すると、正負電極５３1、５３2、５４1、５４2から静電吸着力が及ぼされ、基板が静電吸着される。
【００６０】
弾性部材５８内の正負電極５３2、５４2は、チャック本体５２の露出表面よりも下方位置に配置されており、従って、基板が静電吸着されると、弾性部材５８表面は、チャック本体５２の露出表面と同じ高さまで圧縮され、その結果、基板裏面が弾性部材５８表面及びチャック本体５２表面に密着するようになっている。
【００６１】
この基板載置装置５１では、弾性部材５８内に電極５３2、５４2を配置できるため、電極面積を大きくすることができ、強い静電吸着力が得られるようになっている。
【００６２】
図５(ａ)の符号６１に示した本発明の第６例の静電吸着装置(静電チャック)は、誘電体が円盤形状に成形されたチャック本体６２上に、チャック本体６２と同径の円盤形状の弾性部材６８が配置されている。この弾性部材６８の内部には、正電極６３及び負電極６４が設けられており、各電極６３、６４は、それぞれ電源６５a、６５bに接続されている。
【００６３】
この静電吸着装置６１は、全体がリング形状の押圧装置６６を有している。
押圧装置６６は、リング形状内側部分の当接部６６1と、当接部６６1外周部分の傾斜部６６2と、傾斜部６６2外周に位置する取付部６６3とで構成されている。
【００６４】
取付部６６3には、昇降軸６６4が鉛直に取り付けられており、当接部６６1を水平にし、傾斜部６６2及び取付部６６3と共に、昇降させられるようになっている。この昇降軸６６4を上方に移動させ、当接部６６1を上方に持ち上げると、弾性部材６８上に基板を配置することができる。
【００６５】
当接部６６1は弾性部材６８の縁部分を覆える大きさににされており、弾性部材６８と略同径の基板６７を弾性部６８上に配置すると、当接部６６1の裏面が基板６７の縁部分と接触するように構成されている。
【００６６】
その状態で正負電極６３、６４間に電圧を印加すると共に当接部６６1によって基板６７を押圧すると、基板６７には、静電吸着力と押圧力とが加わる。基板６７の周辺部分は押圧部材６６によって押圧され、中央部分が正負電極６３、６４によって静電吸着されるので、弾性部材６８は均一に圧縮され、基板６７裏面と弾性部材６８の表面とが強く密着する。
【００６７】
図５(ｂ)の符号７１は、本発明の第７例の基板載置装置であり、電極が設けられていおらず、誘電体で構成された円盤状のチャック本体６２上に、同径の弾性部材７８が配置されている。この基板載置装置７１では、図５(ａ)の押圧装置６６と同じ押圧装置７６が設けられており、弾性部材７８上に載置された基板７７を押圧できるようになっている。この基板載置装置７１は、電極を有さないので、低コストである。また、静電吸着力を使用しないため、残留吸着力等の問題も発生しない。
【００６８】
以上説明したように、本発明の基板載置装置１１、２１、３１、４１、５１、６１、７１は基板との密着性が高いので、スパッタリング等のプロセスにより基板が加熱された場合、基板載置装置１１、２１、３１、４１、５１、６１、７１側に熱が効率よく放出されるようになっている。
【００６９】
基板載置装置１１、２１、３１、４１、５１、６１、７１内に冷却装置を配置してもよいし、基板載置装置１１、２１、３１、４１、５１、６１、７１を冷却装置上に配置してもよい。また、基板載置装置１１、２１、３１、４１、５１、６１、７１内に加熱装置を設け、基板を加熱できるようにしておくと、更に基板の温度制御性が向上して好ましい。
【００７０】
特に、図２〜図４に示した基板載置装置１１、２１、３１、４１、５１では、弾性部材１８、２８、３８、４８、５８は、チャック本体１２、２２、３２、４２、５２表面よりも０．１ｍｍ〜０．５ｍｍ程度高くなっており、基板が静電吸着され、弾性部材１８、２８、３８、４８、５８が圧縮されると基板裏面がチャック本体１２、２２、３２、４２、５２表面に接触し、熱伝導率が向上するように構成されている。
【００７１】
また、弾性部材１８、２８、３８、４８、５８周囲には、チャック本体１２、２２、３２、４２、５２の露出部分が配置されているので、基板がチャック本体１２、２２、３２、４２、５２と接触した状態では、弾性部材１８、２８、３８、４８、５８は、真空槽１内に導入されたガス(スパッタリングガスの他、ＣＶＤの原料ガスやクリーニングガスを含む)に曝されないようになっている。
【００７２】
また、チャック本体１２、２２、３２、４２、５２の表面と弾性部材１８、２８、３８、４８、５８表面とを合計した面積に対し、弾性部材１８、２８、３８、４８、５８表面の面積は、８０％以上９５％以下にされており、基板裏面との摺動を緩和しつつ、良好な熱伝導率が得られる構造になっている。
【００７３】
なお、上記弾性部材１８、２８、３８、４８、５８、６８、７８は、耐熱性と可撓性を有し、熱伝導性が高いゴムによって構成することが望ましく、例えば、シリコンゴム、ポリアミドゴム、ポリイミドゴム等の高分子材料を用いることができる。
【００７４】
また、チャック本体１２、２２、３２、４２、５２、６２、７２は、アルミナ、窒化アルミニウムや、ＰＢＮをコーティングしたカーボン等の電気絶縁性を有する誘電体で構成することができる。
【００７５】
なお、上記第１例〜第６例の基板載置装置１１、２１、３１、４１、５１、６１では、２種類の電圧を印加される電極(正電極１３、２３、３３、４３、５３、６３と負電極１４、２４、３４、４４、５４、６４)が設けられていたが、１種類の電極を設け、単一の極性の電圧を印加し、基板を静電吸着する基板載置装置も本発明に含まれる(この場合、真空槽１が電極として作用し、静電吸着力が生じる)。
【００７６】
また、上記押圧装置６６、７６では当接部分がリング形状であったが、例えば爪形状等の他の形状であってもよい。
【００７７】
【発明の効果】
熱伝導性を損なうことなく、残留吸着力や発塵を少なくすることができる。
基板がチャック本体表面に密着された状態では、弾性部材の表面及び外周は真空槽内の雰囲気から遮断されるので、活性なガスを用いたスパッタリングや、種々の原料ガスを用いるＣＶＤプロセスを行う場合にも、弾性部材はガスに曝されず、従って、弾性部材が劣化しない。
押圧部材を設けた場合には、熱伝導性を更に向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の真空処理装置を説明するための図
【図２】  (ａ)：本発明の基板載置装置の第１例の平面図とそのＡ−Ａ'線截断面図
(ｂ)：本発明の基板載置装置の第２例の平面図とそのＢ−Ｂ'線截断面図
【図３】  (ｃ)：本発明の基板載置装置の第３例の平面図とそのＣ−Ｃ'線截断面図
(ｄ)：本発明の基板載置装置の第４例の平面図とそのＤ−Ｄ'線截断面図
【図４】        本発明の基板載置装置の第５例の平面図とそのＥ−Ｅ'線截断面図
【図５】  (ａ)：本発明の基板載置装置の第６例の平面図とそのＦ−Ｆ'線截断面図
(ｂ)：本発明の基板載置装置の第７例の平面図とそのＧ−Ｇ'線截断面図
【図６】  従来技術の基板載置装置とその断面図
【符号の説明】
１‥‥真空槽
９‥‥真空処理装置
１１、２１、３１、４１、５１、６１、７１‥‥基板載置装置
１２、２２、３２、４２、５２、６２、７２‥‥誘電体(チャック本体)
１３、１４、２３、２４、３３、３４、４３、４４、
１８、２８、３８、４８、５８、６８、７８‥‥弾性部材
４９‥‥孔
６６、７６‥‥押圧装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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