(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
中空または凹状工作物のプラズマ処理のための装置であって、
移送デバイス（１２）と、
動作中に、該装置の領域（４７）に電磁エネルギーを注入するプラズマ発生デバイス（４４、４５）とを備え、
前記移送デバイスは、前記中空または凹状工作物を前記領域（４７）を通して連続的に搬送し、前記装置はさらに、
前記中空または凹状工作物の内側部分を、環境から気密方法でシールドして、キャビティを形成するためのデバイスと、
前記キャビティを真空にするためのデバイスと、
１０−３ｈＰａから１ｈＰａの圧力である酸素を含む気体で前記キャビティを満たすためのデバイスとを備え、
前記プラズマ発生デバイスによって前記領域（４７）に注入されるエネルギーは、前記中空または凹状工作物の前記キャビティ内においてのみプラズマを生成させる装置。
【請求項２】
前記プラズマ発生デバイスは、少なくとも１つの電界アプリケータ（４４、４５）を有する請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記プラズマ発生デバイスは、電磁エネルギーを生成するための少なくとも１つの供給源（４６）を有する請求項１または２に記載の装置。
【請求項４】
前記中空または凹状工作物は、前記移送デバイス（１２）によって円形経路に沿って運ばれる請求項１乃至３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項５】
前記中空または凹状工作物は、前記移送デバイス（１２）によって直線経路に沿って運ばれる請求項１乃至３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項６】
前記少なくとも１つの電界アプリケータ（４４、４５）は、円形形状に湾曲し、かつ半径方向に離間して配置された２つのプレートを備えるアンテナ機構を有する請求項２乃至５のいずれか１項に記載の装置。
【請求項７】
前記少なくとも１つの電界アプリケータ（４４、４５）は、２つの平行プレートを備えるアンテナ機構を有する請求項２乃至６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項８】
前記少なくとも１つの電界アプリケータ（４４、４５）は、少なくとも１つの導電性ロッドを有する請求項２乃至７のいずれか１項に記載の装置。
【請求項９】
前記少なくとも１つのロッドは、前記中空または凹状工作物の移動方向に平行に延在する請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記少なくとも１つのロッドは、前記中空または凹状工作物の移動方向に直角に延在する請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記少なくとも１つの電界アプリケータ（４４、４５）は、少なくとも１つのロッド・アンテナを有する請求項２乃至１０のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの電界アプリケータ（４４、４５）は、少なくとも１つのスロット・アンテナ要素を有する請求項２乃至１１のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１３】
前記少なくとも１つの電界アプリケータ（４４、４５）は、少なくとも１つのホーン・アンテナ要素を有する請求項２乃至１２のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１４】
前記少なくとも１つの電界アプリケータ（４４、４５）は、一端が開いている、少なくとも１つの円形の、または矩形の導波路を有する請求項２乃至１３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１５】
前記領域（４７）は、矩形の、または円筒形の共振器を備える請求項２乃至１４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１６】
前記少なくとも１つの供給源（４６）は、連続の、またはパルス状の無線周波数交流電磁界を生成する請求項３乃至１５のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１７】
前記少なくとも１つの供給源（４６）は、パルス状ＤＣ電圧を生成する請求項３乃至１５のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１８】
前記パルス繰り返し周波数は、０．００１ｋＨｚ〜３００ｋＨｚの間である請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
前記少なくとも１つの供給源（４６）は、マイクロ波を生成する請求項３乃至１５のいずれか１項に記載の装置。
【請求項２０】
前記中空または凹状工作物は誘電性材料からなる部品を有する請求項１乃至１９のいずれか１項に記載の装置。
【請求項２１】
前記誘電性材料からなる部品は、ガラス、プラスチックまたはセラミックから成る請求項２０に記載の装置。
【請求項２２】
前記誘電性材料からなる部品はボトルである請求項２０または２１のいずれか１項に記載の装置。
【請求項２３】
前記誘電体材料からなる部品は、ＨＤＰＥ、ポリプロピレン、ポリアクリル酸メチルおよびＰＥＳを含むグループからの少なくとも１つのプラスチックから成る請求項２０、２１または２２に記載の装置。
【請求項２４】
前記プラズマの前記領域（４７）において磁界を生成するデバイス（４３）をさらに有する請求項１乃至２３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項２５】
前記移送デバイス（１２）は、前記中空または凹状工作物（９）を保持する複数の移送ユニット（８）を有する請求項１乃至２４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項２６】
前記複数の移送ユニットは、前記領域（４７）内の１つの軸のまわりを回転する請求項１乃至２５のいずれか１項に記載の装置。
【請求項２７】
中空または凹状工作物のプラズマ処理のための方法であって、
領域（４７）内で電磁界を生成するステップであって、それによって、その領域内にプラズマを生成させる、ステップと、
前記電磁界によって生成する前記プラズマによって、中空または凹状工作物（９）を処理するステップとを含み、
前記中空または凹状工作物が前記領域（４７）を通って連続して運ばれることを特徴とし、
前記処理するステップは、前記中空または凹状工作物によって少なくとも一部を境界付けられている中空物体の内部で前記プラズマを生成させるステップを含み、前記中空または凹状工作物の内側部分は気密方法で環境からシールドされてキャビティを形成し、前記キャビティは真空にされ、前記キャビティは、１０−３ｈＰａから１ｈＰａの圧力である酸素を含む気体で満たされ、前記生成するステップによって前記領域（４７）に注入されるエネルギーは、前記中空または凹状工作物の前記キャビティ内においてのみプラズマを生成させる方法。
【請求項２８】
前記中空または凹状工作物（９）を処理する前記ステップは、プラズマ・パルス・誘導気相堆積によって前記中空または凹状工作物をコーティングするステップを含む請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
前記中空または凹状工作物（９）を処理する前記ステップは、前記中空または凹状工作物をプラズマ調整するステップを含む請求項２７または２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記プラズマ調整するステップは、酸素を含む気体雰囲気内でプラズマ調整するステップを含む請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
前記中空または凹状工作物（９）を処理する前記ステップは、前記中空または凹状工作物（９）を１つの軸（７２）のまわりに回転させるステップを含む請求項２７乃至３０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３２】
前記中空または凹状工作物を処理する前記ステップは、ボトルをコーティングするステップを含む請求項２７乃至３１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３３】
ボトルをコーティングする前記ステップは、ボトルの内部にコーティングするステップを含む請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
前記中空または凹状工作物を処理する前記ステップは、拡散バリア膜を塗布するステップを含む請求項２７乃至３３のいずれか１項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、誘電性物体のプラズマ処理のための装置および方法に関し、特に誘電性物体のプラズマ・コーティングまたはプラズマ調整のための装置および方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
種々の化学気相堆積法（ＣＶＤ法）が、とりわけ、複数の膜を作成するために使用される。
【０００３】
ＣＶＤ法において、膜は、気体反応化合物によって、処理されるべき工作物の周辺に堆積し、その化合物はエネルギーを与えることによってイオン化する。反応生成物は、工作物の表面上に沈降し、その組成が元の材料と異なる膜を形成する。その時、中間生成物の、気相から材料の相への最終反応は、通常、工作物の表面上でのみ起こる。大幅に異なる遊離体を互いに混合できるため、ＣＶＤ法は、種々の化学的および物理的特性を有する、非常に広い範囲の膜を生成するのに使用することができる。気体物質および気化できる物質の両方を遊離体として使用できる。
【０００４】
詳細に、熱ＣＶＤ法とプラズマ励起ＣＶＤ法（ＰＥＣＶＤ法）の間の差を引き出す。
熱ＣＶＤコーティングの場合、遊離体の反応は熱的に引き起こされ、この反応は、通常６００℃と１３００℃の間のプロセス温度を必要とする。必要とされるのが比較的高い基板温度のため、全ての材料が、熱ＣＶＤ堆積によるコーティングに適しているわけではない。
【０００５】
一方、ＰＥＣＶＤ堆積の場合、外部電磁界によるイオン化によってプラズマが生成するので、必要とされるプロセス温度はより低い。５００℃と室温の間であるコーティング温度が、通常この目的のために使用される。
長手方向送りまたは円形送りとして構成されるプラズマ・コーティング・システムは、基板上の薄膜の工業用作製に使用される。これらのシステムにおいて、個々の電磁供給源を介して、コーティングされるべき各工作物に対して、電磁界が個々に供給されて、プラズマが生成される。たとえば、これは工作物の上にシュラウドを設置することによって行われ、そのシュラウドを介して電磁界が注入される。
【０００６】
しかし、連続プロセス・シーケンスを作り出すことを目的とする場合、これは複雑なシステムを必要とする。工作物がコーティング装置を通って移動する、このような連続生産プロセスの場合、電磁エネルギーを供給するデバイスはまた、移動する工作物とともに移動しなければならないであろう。しかし、連続生産プロセスは、プロセス時間変動に比較的鈍感なため特に有利である。たとえば、このことは、コーティング持続時間が長くてもシステム廃棄率（ｓｃｒａｐ  ｒａｔｅ）に少ししか影響を与えないことを意味する。逆に、不連続プロセス・シーケンスと比べて、同じコーティング持続時間について、所与の時間内により多くの物体すなわち工作物をコーティングできる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、本発明は、工作物をプラズマ・コーティングするために連続生産プロセスを遂行することを可能にする装置および方法を提供するという目的に基づく。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
この目的は、請求項１に記載の装置および請求項２９に記載の方法によって、非常に簡単な方法で達成される。
有利なかつ／または好ましい実施形態および開発は、各独立請求項の主題である。
【０００９】
したがって、本発明によれば、工作物のプラズマ処理のための装置が装備されており、装置は、移送デバイスおよび動作中に装置の領域内に電磁エネルギーを注入するプラズマ発生デバイスを備え、装置において、移送デバイスは、領域を通して工作物を連続して搬送する。
【００１０】
プラズマ発生デバイスが電磁エネルギーをそこに注入し、工作物がそこを通して連続して運ばれる領域は、以下の文章において、コーティング領域とも呼ばれる。プラズマ処理という表現は、ＰＥＣＶＤコーティングだけでなくプラズマ調整もまた意味するものとして理解されるべきである。プラズマ調整は、たとえば酸素雰囲気中で遂行され、そうすることによって、酸素プラズマが、処理される表面領域への酸素ラジカルの蓄積をもたらし、蓄積の結果として、表面は別のプロセス工程に対して整えられる。
【００１１】
個々のコーティング・チャンバを有する長手方向または円形送りの形態である公知のシステムに対する、本発明による装置の利点は、本装置がプロセス時間変動にあまり敏感でないことである。たとえば、工作物が、かなり長いコーティング持続期間を必要とするコーティングを施される場合、連続プロセス手順は、コーティング・システムの廃棄率にあまり影響を与えないことを意味する。したがって、同じコーティング持続期間に対して、より高いスループット（ｔｈｒｏｕｇｈｐｕｔ  ｒａｔｅ）をさらに達成することができ、このことは、生産プロセスがよりコスト効率が高いことを意味する。
【００１２】
電磁エネルギーを装置の領域に注入するプラズマ発生デバイスは、少なくとも１つの電界アプリケータを有するのが好ましい。好ましい実施形態において、装置はまた、電磁エネルギーを生成する供給源を有し、その供給源は電界アプリケータに接続されるため、供給源が生成したエネルギーは、電界アプリケータに伝達され、プラズマ生成のために電界アプリケータから領域内に注入される。
【００１３】
一実施形態によれば、工作物は、移送デバイスによって、装置を通る円形経路に沿って運ばれる。これは、たとえば、移送デバイスが、工作物がその上に設置される丸い走行テーブルを有することによって行われる。
【００１４】
しかし、装置はさらにまた、長手方向送りシステムとして設計することができる。この場合、工作物は、移送デバイスによって直線経路に沿って運ばれる。
【００１５】
特に、本発明による装置の円形送り実施形態に関して、電界アプリケータは、円形に湾曲し、かつ半径方向に離間して配置された２つのプレートを備えるアンテナ機構を有してもよい。すなわち、プレートは、ＡＣ電圧が供給されると、２つのプレートの間で半径方向に延在する交流電界を生成するアンテナ機構を形成する。適当な気体雰囲気に置くことで、交流電界の影響によって２つのプレートの、互いに面する表面の間にプラズマが生成され、次に、工作物が、そのプラズマを通って、移送デバイスによって連続して運ばれて、コーティングが行われるかつ／または調整が行われる。
【００１６】
平行に配置された平坦プレートはさらにまた、特に、長手方向送りシステムを使用する時に、交流電磁界の生成に好適である。
【００１７】
供給源によって生成され、電界アプリケータによって放出される電磁界は、用途に応じて、連続またはパルス状交流電磁界であってもよい。パルス状ＤＣ電圧もまた好適である。この目的のためのパルス繰り返し周波数は、０．００１ｋＨｚと３００ｋＨｚの間の範囲にあるのが好ましい。
【００１８】
上述したアンテナ形態に加えて、１つまたは複数の導電性ロッドを備えるアンテナ機構を有する電磁界アプリケータはまた、電磁界を生成するのに好適である。この場合、これらのロッドは、工作物の走行方向に対して平行および直角の両方で配置することができ、こうした場合、本文脈において、走行方向とは、工作物がアンテナ機構に最も近い地点における工作物の走行方向を意味するものとする。
【００１９】
こうした電界アプリケータは、無線周波数範囲における電磁界の使用に特に適する。しかし、他の周波数範囲もまた、プラズマ処理用のプラズマを生成するのに使用することができる。たとえば、マイクロ波をプラズマの生成および維持に使用することができる。ロッド・アンテナ、スロット・アンテナ要素またはホーン・アンテナ要素は、この目的のための電界アプリケータとして使用するのに特に適する。電磁放射を放出するために、工作物の方を指す一端が開いている矩形のまたは丸い導波路もまた有利に使用することができる。
【００２０】
コーティング領域における電磁界を強めるために、コーティング領域が矩形または円筒形共振器の形態であることもまた有利である。
【００２１】
使用される電磁供給源の周波数にかかわりなく、上述したように、いくつかの放射要素を、上下に重ねておよび横に並べて配置することができるので、装置は、種々の物体の高みをコーティングするのに柔軟に使用することができる。たとえば、いずれの場合にも、２つ以上の放射要素を接続して１つの電磁供給源にすることができる。これらの放射要素は、物体の高さに応じてオンまたはオフして切り換えることができる。
【００２２】
本発明によるプラズマ処理は、誘電性材料部品を有する工作物に特に適する。特に、本発明は、プラスチック、セラミックまたはガラスから成る誘電性材料部品を有する工作物の処理を行うことができる。
【００２３】
連続コーティング・プロセスおよびそれに関連するスループットの結果として、装置はまた、ボトルなどの大量生産される製品のコーティングにきわめて適しており、ボトルは、こうして、たとえば、拡散バリア膜をコスト効率良く塗布されることができる。
【００２４】
他の材料の中でもとりわけ、多環式炭化水素、ポリカーボネート、ポリテレフタル酸エチレン、ポリスチレン、ポリエチレン、特にＨＤＰＥ、ポリプロピレン、ポリアクリル酸メチルおよびＰＥＳなどのプラスチック材料が、この場合、プラズマ・コーティング・プロセスに好適であることがわかっている。
【００２５】
装置はまた、内面または凸表面を処理するために、たとえば、ハロゲン・ランプの反射鏡のＣＶＤコーティングのため、またはボトルの内面コーティングのためにセットアップすることができる。この目的のために、装置はさらに、工作物の一部、特に中空または凹状工作物の内側部分を、環境から気密方法で遮蔽して、キャビティを形成するためのデバイスを有する。たとえば、こうした気密キャビティは、ハロゲン放射要素の反射鏡の内側でおよびボトルで形成されるであろう。この時、反射鏡は、移送デバイスの移送ユニットの適当なシール上に取り付けられて、キャビティが作られる。
【００２６】
こうして形成されたキャビティは、次に、適当なデバイスによって真空にされ、意図するプラズマ処理に必要な組成を有する気体で満たされる。
【００２７】
それによってキャビティが満たされる気体は、有利には、外部環境とは異なる組成を有し、異なる圧力であってよいが、その時、キャビティ内の圧力は外部圧力より低いのが好ましい。プラズマ発生装置によって放出される電磁界エネルギーおよび／または、環境と中空物体の間の圧力差は、プラズマがキャビティ内のみで生成され、外部領域では生成されないよう、純粋に内部コーティングのために設定することができる。
【００２８】
プラズマを生成するためのパラメータおよびプラズマの強度のためのパラメータはまた適当な磁界によって影響を受ける可能性がある。したがって、デバイスは、その中でプラズマが燃焼するコーティングのその部分において磁界を生成するのに有利である。特に、こうした磁気封じ込めによって、低気体密度を使用する時（この場合、こうした低気体密度に関連する気体分子の自由行路長が長いのだが）、プラズマが励起され、維持される領域を制限し、画定することが可能になる。
【００２９】
移送デバイスはまた、有利には、工作物を保持する個々の移送ユニットを有することができる。これらの移送ユニットは、工作物を固定するのにかつ／または工作物の凹表面を遮蔽するのに、必要な内部圧力を生成するのに、また内部コーティング用のプロセス・ガスを供給するのに使用される。
【００３０】
特に一様なコーティングを得るために、移送ユニットはまた１つの軸に対して回転する。その結果、コーティングされる表面領域は、所定時間にわたって平均化される時に一様となるプラズマ強度にさらされる。
【００３１】
工作物のプラズマ処理方法はまた、本発明の範囲内で提供される。この目的のために、電磁界が領域内で生成されて、この領域内でプラズマが励起され、次に、工作物がその領域を通して連続して運ばれる間に、電磁界によって生成されたプラズマによって工作物が処理される。
【００３２】
この方法は、有利には、ＰＥＣＶＤコーティングの生成を可能にし、この目的のために工作物を処理するステップは、工作物をプラズマ・パルス・誘導気相堆積によってコーティングするステップを含む。
【００３３】
ＰＥＣＶＤコーティングに加えて、またはその代わりに、本方法はまた、有利には、工作物、特にその表面をプラズマによって調整するのに好適である。工作物のプラズマ調整のプロセス工程は、後続の別のプロセスのための表面の予備的処理のために使用される。たとえば、表面はラジカルを導入することによって活性化することができる。こうした活性化は、とりわけ、酸素を含む気体雰囲気においてプラズマ処理を行うことによって行われる。
【００３４】
工作物の内部をコーティングするために、たとえば個々の、特に、凹状表面をコーティングするために、工作物をプラズマによって処理するステップは、プラズマを、工作物によって少なくとも部分的に境界を付けられたキャビティの内部でプラズマを生成するステップを含む。
【００３５】
本発明による方法はまた、特に、拡散バリア膜を材料部品に塗布するのに使用することができる。こうした拡散バリア膜は、たとえばプラスチック・ボトルに広く使用される。
【００３６】
本発明は、たとえば、好ましい実施形態を用いて、また添付図面を参照して、以下の本文においてより詳細に述べられるであろう。
【００３７】
【発明の実施の形態】
図１は、誘電性物体の連続プラズマ・コーティングまたはプラズマ調整のための、本発明による装置の平面略図を示す。装置は、プラスチック、セラミックまたはガラス材料から成る工作物を処理するのに使用するのが好ましい。図１に示す装置１の実施形態は、円形送りの形態である。
【００３８】
処理されるべき工作物９は、送りセクション２を介して装置の主チャンバ１１に送られる。プラズマ処理用の気体または気体混合物は、低い圧力で主チャンバ内に収容される。プラズマ処理用の通常の圧力は、１０−３ｍＢａｒと１ｍＢａｒの間である。工作物９を気体雰囲気内に送るプロセスの間に、工作物は、丸い送りテーブル１２上の移送セグメント８上に設置され、次に、回転テーブル５上を、主チャンバの種々のセクションを通して送られる。プロセスにおいて、工作物は、まず調整セクション３に入る。プラズマ処理に必要な予備処理は、このセクションで実施される。たとえば、このセクションは、工作物をプラズマ処理に必要な温度に過熱するヒータ３１を含んでよい。他の予備処理は、プラズマによる予備過熱および／または調整ならびに工作物の清浄および減菌であってよい。
【００３９】
円形送りテーブル１２の回転によって、工作物９は、調整セクションにおける調整または予備処理後に、コーティング・セクション４を通して運ばれる。コーティング・セクションの主要な部品は、電磁エネルギーのための電界アプリケータ機構であり、アプリケータ機構によって、点火されたプラズマが維持される。図１に示す電界アプリケータ機構の実施形態は、アンテナ４４および４５を備え、アンテナは、その上を工作物が連続プラズマ・コーティングのために装置を通して運ばれる経路の一部に沿って延在する。図１に示す実施形態において、アンテナ４４および４５は、２つの同心プレートであり、同心プレートは陽極と陰極の形態であり、同心プレートの間に、プラズマを維持するために電磁界が延在する。
【００４０】
供給源４６が生成する電磁界は、アンテナ４４および４５に印加される。パルス状かまたは連続である可能性のある無線周波数交流電磁界は、この場合、アンテナ間でプラズマを維持するのに好適である。しかし、パルス状ＤＣ電圧を有する供給源がさらにまた可能であり、この時、ＤＣ供給源は１Ｈｚと３００ｋＨｚの間の周波数範囲でパルスを発生する。
【００４１】
アンテナ機構の領域の点火装置４２は、プラズマを点火するのに使用され、プラズマは、次に、アンテナ４４および４５の間の電磁界によってさらに維持される。点火装置は、たとえば、それに対してパルス状高電圧が印加される電極または電極の対を備えることができる。電極は、発熱ワイヤの形態であってよいため、気体は電子によって衝撃イオン化され、電子は、発熱ワイヤからの発熱放出によって放出され、印加される高電圧によって加速される。
【００４２】
さらに、コーティングおよびプラズマを監視するセンサは、コーティング・セクション４の領域に配置されて、プラズマ・コーティングまたはプラズマ調整プロセスを監視する。プラズマからの付随する光放出を検出する光センサは、この目的のために好適であり、たとえば、その場合、光のスペクトル分析はまた、気体組成についての推論を提供し、またプロセス制御用のパラメータを提供することができる。工作物上に堆積する材料の膜厚もまた、光センサを用いて、たとえば偏光解析測定によって監視される。
【００４３】
プラズマの磁気封じ込めは、適当な磁界を印加することによって達成することができる。たとえば、図１に示すように、この目的のために、一対のセクタ磁石４３が使用され、セクタ磁石は、円形送りテーブル１２の上下に配置され、テーブル１２の回転軸の方向に軸方向磁界を生成する。しかし、移送方向のまたは移送方向に直角な半径方向の磁界成分を有する磁場は、さらに好適である。
【００４４】
コーティング・セクション４の後、工作物は、後処理セクション５を通って円形送りテーブル１２上を通過する。後処理および最終出力のための準備のためのプロセスは、後処理セクションで実施することができる。たとえば、後処理セクション５は、冷却要素５１を有することができ、冷却要素によって、調整セクション３において、以前に過熱された工作物は再び冷却され、その結果、出力された後の、濃い雰囲気において不均一に冷却することから生ずる工作物の大きな温度ストレスを避けることが可能になる。
【００４５】
最後に、出力セクション６に運ばれ、出力セクションにおいて、工作物は主チャンバ１１から出力される。
【００４６】
図２は、図１に示す電界アプリケータ機構の略図を示す。電磁界アプリケータ機構のこの実施形態は、円形形状に湾曲し、かつ半径方向に互いに離間して配置された２つのプレート４４および４５を備えるアンテナ機構を有する。
【００４７】
これらのプレートに対する交流電磁界の印加によって、矢印で示すように、半径方向に延在する交流電界が生ずる。
【００４８】
円形送りテーブル１２は、テーブル上に設置される工作物９が、同心上に配置されたプレートの間で、かつプレートによって放出される交流電磁界を通して、円形経路上を連続して移動するように配置される。
【００４９】
図３は、プラズマ処理のための、本発明による装置の別の実施形態に対する断面略図を示す。装置は移送デバイス１２を有する。上述した実施形態におけるように、移送デバイスは、円形送りテーブルを有するかそうでなければ直線移送のための長手方向送りの形態である。
【００５０】
図３を参照して実施例により説明する装置は、ハロゲン・ランプ用の反射鏡などの中空または凹状表面を有する工作物の内部コーティングに好適である。特に、この装置はまた、ボトルの内部をコーティングすることを可能にする。たとえば、ボトルは拡散バリア膜を施すことができる。
【００５１】
中空工作物９は、まず、設置デバイス２０によって移送デバイス１２の移送ユニット８のシール７３上に設置され、その結果、工作物９の凹表面９１によって部分的に境界付けられるキャビティが生成され、キャビティは工作物を環境から気密方法で遮蔽する。
【００５２】
キャビティは、次に、チャネル７１を介して真空に引かれる。次に、ＣＶＤコーティングまたは表面調整に好適な気体がチャネルを介して導入される。この場合、内部の気体圧力は、環境の圧力より小さいのが好ましく、１０−３ｍＢａｒと１ｍＢａｒの間の範囲である。
【００５３】
プラズマを生成するために、装置は、電磁エネルギー用の供給源４６を有し、供給源は適当な接続部４９を介してアンテナ機構に接続される。この実施例において、アンテナ機構は、導電性ロッド４８または平行に配置された、いくつかのロッド４８を備える。この例示的な実施形態におけるロッドは、送り方向に平行に配置され、送り方向は図３の矢印で示される。
【００５４】
供給源４６によって生成されるエネルギーの放出によって、移送デバイス１２とアンテナ機構４８の間の領域４７内に電磁界が生成される。この電磁界によって、移送プロセス中にこの領域内に位置決めされる工作物９のキャビティ内で、それぞれの遮蔽されたキャビティにおいてプラズマが生成されることになる。しかし、工作物の外側では気体密度が非常に大きく、これに関連する気体分子の自由行路長が短か過ぎるため、電磁界の加速による気体分子のイオン化エネルギーを克服することができない。こうして、反射鏡上にＣＶＤコーティングを生成するなどの、工作物のプラズマ内部処理を実施することが可能である。
【００５５】
移送ユニット８は、移送ユニットが軸７２のまわりに回転するように移送デバイス１２上に配置される。したがって、工作物９は、コーティング領域４７におけるコーティング・プロセス中にその長手軸のまわりに回転する。このことによって、コーティング領域４７の電磁界の不均一性によって生ずる不均一なコーティングが補償される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるコーティング装置の一実施形態の平面図である。
【図２】本発明によるコーティング装置の一実施形態による電磁界アプリケータ機構の略図である。
【図３】本発明によるコーティング装置の、別の実施形態の断面略図である。
【図１】
0004116454.tif 000002
【図２】
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【図３】
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