【事件の表示】
　特許第６２２４３６６号発明「支持部材及び基板処理装置」の特許異議申立事件について，次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６２２４３６６号の明細書，特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正明細書，特許請求の範囲のとおり，訂正後の請求項〔１−１１〕について訂正することを認める。
　特許第６２２４３６６号の請求項１ないし１１に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第６２２４３６６号の請求項１ないし１１に係る特許についての出願は，平成２５年７月１２日に出願され，平成２９年１０月１３日にその特許権の設定登録がされ，平成２９年１１月１日に特許掲載公報が発行された。その後，本件特許に対して特許異議の申立てがあり，次のとおりに手続が行われた。
　平成３０年　５月　１日　　：特許異議申立人川部典子による請求項１な
　　　　　　　　　　　　　　　いし１１に係る特許に対する特許異議の申
　　　　　　　　　　　　　　　立て
　平成３０年　７月２０日付け：取消理由通知書
　平成３０年　９月２５日　　：特許権者による意見書の提出
　平成３０年１２月１４日付け：取消理由通知書（決定の予告）
　平成３１年　２月１３日　　：特許権者による意見書の提出及び訂正請求
　　　　　　　　　　　　　　　（以下「本件訂正請求」という。）
　平成３１年　３月２２日付け：手続補正指令書（方式）
　平成３１年　４月　５日　　：特許権者による手続補正書（方式）の提出
第２　訂正の適否について
１　訂正の内容
　本件訂正請求による訂正の内容は，以下のとおりである。
　・請求項１ないし１１に記載した「支持部材」を，「支持フレーム」に訂正する。（以下「訂正事項１」という。）
　・発明の詳細な説明の段落【０００７】に記載した「支持部材」を，「支持フレーム」に訂正する。（以下「訂正事項２」という。）
　本件訂正請求は，一群の請求項〔１−１１〕に対して請求されたものである。また，明細書に係る訂正は，一群の請求項〔１−１１〕について請求されたものである。
２　訂正の目的の適否，新規事項の有無，及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
（１）訂正事項１について
　請求項１ないし１１に記載された「支持部材」は，明細書の記載を参酌したとしても，発明の詳細な説明の段落【００２７】に記載された「支持フレーム」以外にいかなるものまでを含む用語なのか判然としなかったところ，本件訂正請求により「支持部材」が「支持フレーム」に訂正されたことで，用語の意味する構成が明瞭になったものである。よって，訂正事項１は，明瞭でない記載の釈明を目的としたものである。
　また，訂正事項１は，発明の詳細な説明の段落【００２７】に記載されており，明瞭でない記載の釈明を目的としたものであるから，新規事項の追加に該当せず，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものでもない。
（２）訂正事項２について
　訂正事項２は，上記（１）の特許請求の範囲の訂正に伴う明細書の訂正であるから，明瞭でない記載の釈明を目的とする訂正であって，新規事項の追加に該当せず，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものでもない。
３　小括
　以上のとおりであるから，本件訂正請求による訂正は，特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる事項を目的とするものであり，かつ，同条第９項において準用する同法第１２６条第４項ないし第６項の規定に適合する。
　したがって，明細書，特許請求の範囲を，訂正請求書に添付された訂正明細書，特許請求の範囲のとおり，訂正後の請求項〔１−１１〕について訂正することを認める。
第３　訂正後の本件発明
　本件訂正請求により訂正された請求項１ないし１１に係る発明（以下「本件特許発明１」ないし「本件特許発明１１」という。）は，訂正特許請求の範囲の請求項１ないし１１に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
「【請求項１】
　基板処理装置を支持する支持フレームであって，
　内部に中空部を有するフレームと，
　前記中空部に配設され，冷媒体又は熱媒体が循環供給される少なくとも１つの配管とを有する，支持フレーム。
　　【請求項２】
　前記配管は，前記基板処理装置の高さ方向上方に伸長して配設されている，
　請求項１に記載の支持フレーム。
　　【請求項３】
　前記配管は，外表面が断熱材で覆われ，
　前記断熱材の外表面の少なくとも一部は，配管クランプによって支持され，
　前記配管クランプは，固定部によって前記フレームに固定されている，
　請求項１または２に記載の支持フレーム。
　　【請求項４】
　前記断熱材の厚さは，１ｍｍ以上４ｍｍ以下である，
　請求項３に記載の支持フレーム。
　　【請求項５】
　前記断熱材及び前記配管は，前記フレームに接触しないように配設されている，
　請求項３または４に記載の支持フレーム。
　　【請求項６】
　前記配管は，外表面が断熱材で覆われ，
　前記断熱材の外表面は，前記フレームに接触している，
　請求項１または２に記載の支持フレーム。
　　【請求項７】
　前記断熱材は，ポリイミド樹脂，ポリエーテル・エーテル・ケトン樹脂，フッ素樹脂，アラミド繊維，シリコンスポンジ及びエアロフレックスの群から選択される１つ以上の材料を含む，
　請求項３〜６のいずれか一項に記載の支持フレーム。
　　【請求項８】
　前記配管の外表面は，前記フレームの一部である固定部によって固定されており，
　前記フレームは，ヒートシンク部を有する，
　請求項１または２に記載の支持フレーム。
　　【請求項９】
　前記フレームは，前記配管との接触部に，接触面積を低減するための突起部が設けられている，
　請求項８に記載の支持フレーム。
　　【請求項１０】
　前記配管の内部に１５０℃の熱媒体が導入された場合に，前記フレームの外表面の温度が６０℃以下となる，
　請求項１〜９のいずれか一項に記載の支持フレーム。
　　【請求項１１】
　基板処理装置であって，
　請求項１〜１０のいずれか一項に記載の前記支持フレームと，
　前記支持フレームの前記配管内に循環供給される冷媒体又は熱媒体を利用して前記基板処理装置の任意の構成要素を温調する温調手段とを有する，
　基板処置装置。」
第４　平成３０年７月２０日付け取消理由通知書に記載した取消理由の概要
１　特許法第３６条第６項第１号について 
　本件特許の請求項１に記載された発明の課題は，チラーホースの断熱性及び省スペース性の両方であり，基板処理装置の各構成要素を支持する支持フレームである支持部材の内部にチラーホースを配置することにより上記課題を解決できると認識されるが，
・基板処理装置自体は省スペースの問題は生じないこと
・基板処理装置は，チラーホース等も包含する各構成要素の結合体であることが明示されていないこと
・本件明細書の発明の詳細な説明には，基板処理装置自体を支持する支持部材や，これと一体となって支持する支持部材は記載されていないこと
から，本件特許の請求項１に記載された発明は，課題を解決できると認識できる範囲を超えるものである。
　よって，本件特許の請求項１ないし１１の記載は，発明の詳細な説明の記載により，当業者が課題を解決できると認識できる範囲を超えており，サポート要件に適合しない。
２　特許法第２９条第１項第３号について
　本件特許の請求項１，２，１１に係る発明は，甲第１号証に記載された発明であるから，請求項１，２，１１に係る本件特許は，特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してされたものである。 
３　特許法第２９条第２項について
　本件特許の請求項１，２，１１に係る発明は，特許異議申立書に記載された刊行物である甲第１号証に記載された技術的事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，請求項１，２，１１に係る本件特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 
　　　　　甲第１号証：特開２０１３−５１４６６９号公報
第５　平成３０年１２月１４日付け取消理由通知書（決定の予告）に記載した取消理由の概要
　特許法第３６条第６項第２号について
　本件特許の請求項１に記載された「支持部材」は，明細書の記載を参酌すると，発明の詳細な説明には，「基板処理装置の構成要素を支持する支持フレームである後述する支持部材」（【００２７】）が記載されており，支持フレームは，基板処理装置の各構成要素を支持する能力を持つ構成であるとは認められるとはいえ，「支持部材」が，「支持フレーム」以外にいかなるものまで含む用語なのか判然としないことから，本件特許の請求項１ないし１１に記載された発明は，特許法第３６条第６項第２号に規定の要件を満たしていない。
第６　当審の判断
１　特許法第３６条第６項第１号について
　本件訂正請求により，本件特許の請求項１ないし１１に記載された「支持部材」は「支持フレーム」に訂正された。
　そこで，最初に，本件特許において，基板処理装置，支持フレーム，配管の関係について検討し，次に，支持フレームの内部に配管を配置することで
チラーホースの断熱性及び省スペース性の課題を解決できると認識されるかについて検討する。
（１）本件特許明細書及び図面の記載事項
ア　「【０００２】
　基板処理装置として、プラズマを使用して半導体デバイス用のウェハ等の基板に対してエッチング等の所定の処理を施すプラズマ処理装置が広く知られている。
【０００３】
　プラズマ処理装置は、例えば、内部にプラズマが発生する処理容器、対向して設けられた上部電極及び下部電極、及び、この上部電極及び下部電極に挟まれた空間にガス供給孔を介して処理ガスを供給するガス供給部等を有して構成される。そして、対向して設けられた上部電極及び下部電極の少なくともいずれか一方に高周波電力を印加して、その電界エネルギーにより処理ガスを励起させてプラズマを生成し、生成された放電プラズマによって基板にプラズマ処理を施す。」
イ　「【０００４】
　上部電極の温度制御は、チラーユニットを使用して、配管を介して所定温度の冷媒体又は熱媒体を循環供給されることで実施される。例えば、上部電極の温度を１５０℃に温度制御する場合、１５０℃に温められた熱媒体を循環供給することで実施される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
　配管は、供給される熱媒体に依存した温度になるため、人間が触れても安全になるように、配管には断熱材を巻いて断熱化している。しかしながら、これにより、断熱材と配管が大きなスペースを占めてしまい、フットプリントの観点から問題となっている。」
ウ　「【００２７】
　本発明者らは、通常、基板処理装置１の各構成要素を支持する支持フレームである後述する支持部材を改良し、支持部材の内部にチラーホース８，９を配置することにより、チラーホース８，９の断熱性及び省スペース性の両方に係る課題を解決できることを見出した。」
エ　「【００２９】
  （第１の実施形態の支持部材）
  先ず、従来の支持部材について、説明する。図３に、従来の支持部材の概略断面図を示す。
【００３０】
  支持部材３０に求められる特性として、高強度でありかつ軽量であることが挙げられる。そのため、従来の支持部材３０は、例えば、比較的安価で、高い強度を有するアルミニウム又はアルミニウム合金等から形成される。しかしながら、従来の支持部材３０は、チラーホースを配置する空間、例えば中空部が設けられていない。即ち、チラーホースが剥き出しの状態で配置されるため、人間が、高温又は低温になったチラーホースに直接触れる可能性があるという問題点があった。」
オ　図１には，本実施形態に係る基板処理装置の一例の概略構成として，基板処理装置が，チャンバＣ，チラーホース８，チラ−ユニット１０，ガス供給源４，制御部１１，第１の高周波電源５等を含む構成が記載されている。
（２）基板処理装置，支持フレーム，配管の関係について
　上記アでは，基板処理装置としてプラズマ処理装置が広く知られ，プラズマ処理装置は、内部にプラズマが発生する処理容器やガス供給部等を有して構成されることが記載されている。また，本実施形態に係る基板処理装置の一例の概略構成が記載された図１には，基板処理装置が，チャンバＣだけでなく，チラーホース８，ガス供給源４，制御部１１，第１の高周波電源５等を含む構成が記載されている。
　そうすると，基板処理装置は，基板を直接処理するチャンバだけでなく，基板処理に関わるチャンバまわりの構成を含めたものであると解するのが自然であるから，「基板処理装置」とは，基板処理に関わる各構成要素の集合体であり，「支持フレーム」および「配管」も，それぞれ基板処理に関わる構成要素であるから，「基板処理装置」を構成する構成要素の１つであると認められる。
　また，上記エから，従来の「支持部材」は，内部にチラ−ホースは配置されていなかったこと，高い強度が求められていたことから，「支持部材」とは，本来，チラ−ホース等の配管を支持するものではなく，チャンバや電源のような重い構成要素を支持するものと認められるところ，本件特許発明１および上記ウから，支持部材である「支持フレーム」は内部にチラ−ホース等の配管を配置することが特定されているので，支持フレームにより支持されるものは，配管から供給される「冷媒体又は熱媒体」を利用するチャンバ等であると認められる。
　
（３）本件特許発明の課題解決の認識について
　上記イには，配管で１５０℃に温められた熱媒体を循環供給していたため，人間が触れても安全になるように配管には断熱材を巻いていたが，断熱材と配管が大きなスペースを占めていたこと，上記ウには，従来の「支持部材」が内部にチラ−ホースを配置していなかったため，チラーホースが剥き出しの状態で配置され、人間が高温又は低温になったチラーホースに直接触れる可能性があったこと，が記載されている。
　これに対して，本件特許発明１は，「内部に中空部を有するフレームと，前記中空部に配設され，冷媒体又は熱媒体が循環供給される少なくとも１つの配管とを有する，支持フレーム。」であることから，配管はフレーム内部の中空部に配設されるので，人間が直接触れることはなくなり，また，支持フレームとは別の領域に配管が配置されることがなくなるので，本件特許発明１の構成により，チラーホース等の配管の断熱性及び省スペース性の課題を解決できると認識できる。
（４）小括
　したがって，本件特許の請求項１ないし１１の記載は，発明の詳細な説明の記載により，当業者が課題を解決できると認識できるものであり，本件特許の請求項１ないし１１の記載は，特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしている。
２　特許法第３６条第６項第２号について　
　本件訂正請求により，本件特許の請求項１ないし請求項１１の「支持部材」は「支持フレーム」に訂正されたため，「支持フレーム」以外のものは含まれなくなり，請求項１ないし請求項１１の記載は明確となった。
　したがって，本件特許の請求項１ないし１１の記載は，特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしている。
３　特許法第２９条第１項第３号および特許法第２９条第２項について
（１）甲第１号証に記載された事項と甲第１号発明　
　ア　甲第１号証の記載事項
「【０００１】 
　本発明の実施形態は，一般に半導体処理チャンバに関し，より詳細には，半導体処理チャンバのための，被加熱支持体ペデスタルに関する。 
【背景技術】 
【０００２】 
　半導体処理は複数の異なる化学プロセスおよび物理プロセスを含み，このことによって微細な集積回路を基板上に作成する。集積回路を構成する材料の層は，化学気相堆積，物理的気相堆積，エピタキシャル成長などを含むプロセスによって作成される。材料の層のいくつかは，フォトレジストマスクおよび湿式エッチング技法または乾式エッチング技法を使用してパターン形成される。集積回路を形成するために使用される基板は，シリコン，ガリウムヒ素，リン化インジウム，ガラス，または他の適切な材料であり得る。 
【０００３】 
　集積回路の製造において，プラズマプロセスが，様々な材料の層の堆積またはエッチングにしばしば使用される。プラズマ処理は，熱処理に対して多くの利点がある。例えば，プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）によって，類似の熱プロセスで達成可能であるものよりも，より低温かつより速い堆積速度で，堆積プロセスを実施することが可能になる。したがって，ＰＥＣＶＤは，超大規模集積回路または超々大規模集積回路（ＶＬＳＩまたはＵＬＳＩ）デバイス製造など，厳しいサーマルバジェットをもつ集積回路の製造にとって有利である。 
【０００４】 
　これらのプロセスで使用される処理チャンバは，典型的には，処理の期間に基板を支持するため，処理チャンバ内に設置される基板支持体またはペデスタルを含む。いくつかのプロセスにおいて，ペデスタルは，基板の温度を制御し，かつ／またはプロセス中で使用され得る高温を提供するようになされた，埋め込みヒータを含む場合がある。基板処理の期間，基板を適切に温度制御し，均一に加熱することは，特に集積回路のサイズが減少するにつれて，非常に重要である。埋め込みヒータを備える従来型の支持体は，基板上に堆積される膜の品質に影響を及ぼす，多数のホットスポットおよびコールドスポットを有することが多い。 
【０００５】 
　基板表面の平面性も，集積回路の製造全体にわたって，極めて重要である。したがって，基板を保持するペデスタルの表面は，できるだけ平面でなければならない。加熱されたとき，従来型の基板支持体ペデスタルは，ペデスタルの中心が温まり，ペデスタルの周辺が熱を失うので，上向きに湾曲する可能性が高い。撓んだ支持体ペデスタルは，支持体ペデスタル上に保持される基板の撓みをもたらす可能性があり，したがってウエハ表面の平面性を著しく損なう。 
【０００６】 
　したがって，プロセスサイクル全部にわたる全ての時における能動的な温度制御をもたらすペデスタルが必要である。」 
 
「【００１８】 
　図１は，本明細書に記載の実施形態による，ペデスタル１２８を有する例示的なプラズマシステム１００の，部分断面図である。本明細書に記載のように，ペデスタル１２８は能動冷却システムを備え，能動冷却システムによって，基板が多数のプロセスおよびチャンバ状態にさらされるとき，広い温度範囲にわたってペデスタル上に配置された基板の温度を能動的に制御することを可能にする。
プラズマシステム１００は，一般的に，コントローラ１１０に結合される処理チャンバ本体１０２を備える。処理チャンバ本体１０２は，側壁１１２，底壁１１６ならびに１対の処理領域１２０Ａおよび１２０Ｂを画定する内部側壁１０１を有する。
【００１９】 
　
ペデスタル１２８は，システム１００の底壁１１６の中に形成される通路１２２を通って，処理領域１２０Ｂの中に設置される。
  
「【００２６】 
　図２Ａは，プラズマシステム１００で使用されるペデスタル１２８の，１つの実施形態の等角上面図である。ペデスタル１２８は，シャフト１２６および円形基板支持体２０５と対向するベースアセンブリ１２９を含む。１つの実施形態において，シャフト１２６は管状の部材または中空シャフトとして構成される。１つの実施形態において，ベースアセンブリ１２９は，電力出力または電力ボックス１０３の中または上に設置される電気接続との，着脱可能な整合する　インターフェイスとして使用される。基板支持体２０５は，実質的に平面の，基板受取面または支持面２１０を含む。支持面２１０は，２００ｍｍ基板，３００ｍｍ基板，または４５０ｍｍ基板を支持するように適合することができる。１つの実施形態において，支持面２１０は，支持面２１０の平面の上に延在する隆起または突起であり得る，複数の構造２１５を含む。複数の構造２１５のそれぞれの高さは実質的に等しく，支持面２１０からわずかに高いまたは離間した，実質的に平面の基板受取面または基板受取面を提供する。１つの実施形態において，構造２１５のそれぞれは，支持面２１０の材料と異なる材料で形成され，またはコーティングされる。基板支持体２０５は，基板支持体２０５を貫通して形成され，リフトピン１６１を受け取るようになされる複数の開孔２２０も含む（図１）。」 
  
「【００３２】 
　図３Ａは，ペデスタル１２８の１つの実施形態の底面概略図である。誘電体プラグ２３０は，冷却剤を冷却チャネルに送達するための冷却チャネル入り口３０２，冷却剤を冷却チャネルから除去するための冷却チャネル出口３０４，および導電性プラグ３２０を有する。 
【００３３】 
　
図３Ｂは，能動冷却システムを有するペデスタル１２８の１つの実施形態の，図３Ａの線３Ｂ−３Ｂに沿った断面側面図である。図３Ｃは，図３Ｂのペデスタルの１つの実施形態の，拡大断面図である。１つの実施形態において，能動冷却システムは，抵抗ヒータアセンブリ３０５，冷却チャネルアセンブリ３０６，および熱制御間隙３０８を備える
【００３４】 
　冷却チャネルアセンブリ３０６は，伝熱流体または「冷却剤」を冷却チャネルアセンブリに供給するための，冷却チャネル３０７，冷却チャネル入り口３０２，冷却チャネル出口３０４，および流体再循環器３０９を有する。１つの実施形態において，冷却チャネル３０７は，シャフト１２６の本体内に配置され，シャフト１２６の中空部分を取り囲む，リング状チャネルである。図３Ｅを参照して，冷却チャネル３０７は，上壁３５０，対向する下壁３５２，内周壁３５４，外周壁３５６によって画定される。１つの実施形態において，冷却チャネル３０７は，シャフト１２６の中空部分の直径を取り囲む，連続リングである。ある種の実施形態において，冷却チャネル３０７は，シャフト１２６の中空部分の一部だけを取り囲む，部分的なリングである。 
【００３５】 
　１つの実施形態において，冷却チャネル入り口３０２は，ペデスタルアセンブリ１２８のシャフト１２６を通って延在する，長手方向チャネルである。冷却チャネル入り口３０２の第１の端部は，流体再循環器３０９と結合し，冷却チャネル入り口３０２の第２の端部は，冷却チャネル３０７と流体結合する。１つの実施形態において，冷却チャネル出口３０４は，ペデスタルアセンブリ１２８のシャフト１２６を通って延在する，長手方向チャネルである。冷却チャネル出口３０４の第１の端部は，冷却チャネル３０７と結合し，冷却チャネル出口の第２の端部は，流体再循環器３０９と結合する。 
【００３６】 
　動作において，伝熱流体は，流体再循環器３０９によって冷却チャネルアセンブリ３０６を通って再使用され，かつ連続的にポンプ送出することができる。ある種の実施形態において，伝熱流体は，冷却チャネル入り口３０２に入る前に，流体再循環器３０９によって，事前選択された温度に加熱または冷却することができる。例えば，流体再循環器３０９は，伝熱流体を冷却チャネルアセンブリ３０６を通してポンプ送出させるポンプ（図示せず），伝熱流体を冷却または加熱する冷却器またはヒータ（やはり図示せず），および伝熱流体の温度を監視し，温度を所望のレベルに維持するため冷却器またはヒータを制御するサーモスタット（やはり図示せず）を備えることができる。流体再循環器３０９は，簡潔にするために記載されていない，流体圧力を監視するための圧力計，ゲージ，流れを制御するためのバルブ，および伝熱流体の流れを制御するための他の構成要素も備えることができる。動作において，伝熱流体は，冷却チャネルアセンブリ３０６の冷却チャネル入り口３０２に供給される。伝熱流体は，冷却チャネル入り口３０２にポンプ注入され，基板支持体２０５の導電性本体３００を（伝熱流体と基板支持体２０５の相対的な温度に応じて）加熱または冷却するため，冷却チャネル３０６を通って流れ，冷却チャネル出口３０４から除去または排出される。 
【００３７】 
　ある種の実施形態において，熱電対など第１の温度センサ３６２を，基板支持体２０５内の冷却チャネル入り口３０２に隣接して配置し，伝熱流体が冷却チャネル入り口３０２に入るとき，伝熱流体の温度を監視することができる。ある種の実施形態において，熱電対など第２の温度センサ３６４を，基板支持体２０５内の冷却チャネル出口３０４に隣接して配置し，伝熱流体が冷却チャネル出口３０４を出るとき，伝熱流体の温度を監視することができる。第１の温度センサ３６２および第２の温度センサ３６４は，冷却チャネル入り口３０２および冷却チャネル出口３０４の中に配置されているが，伝熱流体の温度を監視することができる，基板支持体２０５の中または外側の任意の場所に配置することができる。さらに，２つの温度センサが示されているが，任意の数の温度センサを使用して伝熱流体の温度を監視して良い。測定された温度をコントローラ１１０が使用して，熱交換器（図示せず）に供給される電力を制御し，伝熱流体および基板支持体２０５を所望の温度に維持することができる。熱交換器が流体再循環器３０９の部分であって良く，または熱交換器が別個の構成要素であって良い。伝熱流体の測定温度に応答して，コントローラ１１０は，流体再循環器３０９からの伝熱流体の流れを増加または減少させることもできる。 
【００３８】 
　１つの実施形態において，伝熱流体は，水，エチレングリコール，ガスなどを含むことができる。１つの実施形態において，伝熱流体は，例えば５０％の水と５０％のエチレングリコールの混合物といった，水とエチレングリコールの混合物を含む。ある種の実施形態において，別個の貯蔵容器が冷却チャネル出口３０４と結合し，使用された冷却剤を貯蔵することができる。図３Ｄに示されるように，冷却チャネル入り口３０２および冷却チャネル出口３０４は，シャフト１２６の本体によって，導線３１５ａ，３１５ｂから分離される。」 
  
「【００４２】 
　図３Ｄは，本明細書に記載の能動冷却システムを有するペデスタル１２８の１つの実施形態の，図３Ａの線３Ｄ−３Ｄに沿った断面側面図である。図３Ｂに示すように，シャフト１２６は，図１に示すように電力出力または電力ボックス１０３と結合する。抵抗ヒータ３０５は，シャフト１２６内に設置される導線３１５ａ，３１５ｂによって，電力ボックス１０３内に設置される電源３１０と結合する。シャフト１２６は，熱電対（図示せず）を受け取るようになされる，長手方向チャネルまたは孔３５０も含む。この実施形態において，誘電体プラグ２３０は，そこに設置される１つまたは複数の導電性プラグ３２０を含み，導線３１５を，電力ボックス１０３内に設置される１つまたは複数のソケット３２６ａ，３２６ｂそれぞれと結合する。１つの実施形態において，導電性プラグ３２０は，多接点プラグである。導線３１５および導電性プラグ３２０は，動作の期間，電気的にバイアスされて良いが，誘電体プラグ２３０の周壁３２５によって，スロット付き導電性部分２２５，シャフト１２６，および基板支持体２０５から電気的に分離される。」 
  
　イ　甲第１号証発明 
　前記アより，甲第１号証には次の発明（以下「甲第１号証発明」という。）が記載されていると認められる。 
 「プラズマシステム１００の内部側壁１０１であって， 
　側壁１１２，底壁１１６ならびに１対の処理領域１２０Ａおよび１２０Ｂを画定する内部側壁１０１と， 
　底壁１１６の中に形成される通路１２２を通って，処理領域１２０Ｂの中に設置される冷却チャネルアセンブリ３０６を備えるペデスタル１２８と，　を有するプラズマシステム１００の内部側壁１０１。」 
（２）対比及び判断 
　ア　本件特許発明１について 
（ア）本件特許発明１と甲第１号証発明との対比 
　最初に，本件特許発明１と甲第１号証発明を対比すると，以下のことがいえる。
　ａ　甲第１号証発明の「プラズマシステム１００」は，基板を処理するための装置であるから，本件特許発明１の「基板処理装置」に対応する。 
　ｂ　本件特許発明１の「支持フレーム」は「基板処理装置を支持する」「部材」であるといえ，また，甲第１号証発明の「内部側壁１０１」も「基板処理装置」の一部を構成する「部材」であるといえるから，本件特許発明１の「支持フレーム」と甲第１号証発明の「内部側壁１０１」とは，「基板処理装置に関連する部材」である点で共通する。
　ｃ　甲第１号証発明の「１対の処理領域１２０Ａおよび１２０Ｂを画定する内部側壁１０１」は，内部に１対の処理領域１２０Ａおよび１２０Ｂという中空な空間を有するものといえ，かつ，該処理領域１２０Ｂには「ペデスタル１２８」が設置された構成となっているから，本件特許発明１と甲第１号証発明とは，「内部に中空部を有する構成」を有する点で共通する。
　ｄ　甲第１号証発明の「冷却チャネルアセンブリ３０６を備えるペデスタル１２８」は，伝熱流体または冷却剤の流路を構成するものであり，本件特許発明１の「配管」に対応する。
　よって，本件特許発明１と甲第１号証発明とは，
「基板処理装置に関連する部材であって， 
　内部に中空部を有する構成と，
　前記中空部に配設され，冷媒体又は熱媒体が循環供給される配管とを有する，部材。」
の点で一致するものの，本件特許発明１の「部材」は「基板処理装置を支持する支持フレーム」であるのに対し，甲第１号証発明の「部材」は「内部側壁１０１」であって，処理領域１２０Ａおよび１２０Ｂを画定するものであるが，基板処理装置を支持するものではない点で相違するから，本件特許発明１は，甲第１号証に記載された発明ではない。
　また，甲第１号証には，「ペデスタル１２８」を設置するための空間を「内部側壁１０１」を用いないで確定する構成は記載されておらず，さらに，甲第１号証発明の「内部側壁１０１」は，処理領域を画定するために必須の構成であることから，「内部側壁１０１」を「基板処理装置」の構成要素とはならない部材に置き換えることはできない。
　そうすると，本件特許発明１は，甲第１号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明できたものではない。
イ　本件特許発明２，１１について 
　本件特許発明２及び１１は，それぞれ，本件特許発明１に対して，さらに本件の請求項２及び１１に記載された技術的事項を追加したものである。よって，前記アに示した理由と同様の理由により，本件特許発明２及び１１は，甲第１号証に記載された発明ではなく，また，甲第１号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明できたものでもない。
（３）小括 
　したがって，本件特許の請求項１，２，１１に係る発明は，甲第１号証に記載された発明ではないから，本件特許は特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してされたものではない。
　また，本件特許の請求項１，２，１１に係る発明は，甲第１号証発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものでないから，本件特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものではない。
第７　取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由について
　特許異議申立人は，特許異議申立書において，訂正前の請求項１ないし１１に係る発明は，特許異議申立書に記載された下記の刊行物である甲第２号証に記載された発明及び甲第２号証ないし甲第７号証に記載された技術的事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，請求項１ないし１１に係る特許発明は特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであると主張している。
　　甲第２号証：特開平１０−３０３１６８号公報
　　甲第３号証：特開２０１３−２６３８７号公報
　　甲第４号証：特開２００４−１９７８７６号公報
　　甲第５号証：登録実用新案第３０３７４２５号公報
　　甲第６号証：特開２００６−３３９５５５号公報
　　甲第７号証：実開平５−５０２７４号公報
　そこで，訂正後の本件特許発明１が，甲第２号証に記載された発明及び甲第２号証ないし甲第７号証に記載された技術的事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるかについて以下に検討する。
１　甲第２号証に記載された事項と甲第２号証発明　
　ア　甲第２号証の記載事項
「【００２０】　・・・この
基板処理装置
装置本体１と
装置本体１を支持するための支持フレーム３と
供給配管５とを備えている
　
「【００２２】
支持フレーム３は，直方体の各辺に対応する形状の基本フレーム部３ａを備え
基本フレーム部３ａによって囲まれた空間は，供給配管５を収容するための配管空間３ｃとなっている
「【００３１】また，装置本体１の下方に形成された配管空間３ｃ内に流通配管および集合配管を収容しているから，配管専用の設置スペースが不要となり，装置の占有面積が小さくて済む。しかも，各集合配管８Ａ，８Ｂの取合口は平面視において配管空間３ｃが占める領域に設けられているから，装置の占有面積はさらに小さくなる。したがって，省スペース化を実現できる。」
　イ　甲第２号証に記載された発明 
　前記アより，甲第２号証には次の発明（以下「甲第２号証発明」という。）が記載されていると認められる。
「基板処理装置の装置本体を支持するための支持フレームであって，
　支持フレームは，直方体の各辺に対応する形状の基本フレーム部を備え，
　基本フレーム部によって囲まれた空間は，処理流体を装置本体に供給する供給配管を収容するための配管空間となっている，支持フレーム。」
２　甲第３号証に記載された事項
「【００４２】
　温調媒体循環機構は，所定の設定温度に調整した温調媒体を主流路３２０に供給し循環させるとともに，その温調媒体を分流させて，さらに設定温度より高い温度又は低い温度に調整した上で補助流路３３０に供給し循環させるように構成される。
【００４３】
　具体的には温調媒体循環機構は図２に示すように，温調媒体循環器としてのチラーユニット３１０を備える。チラーユニット３１０は，例えば温調器やポンプを備え，温調媒体の送出口（ＯＵＴ）と帰還ロ（ＩＮ）を備え，温調媒体を所定の設定温度（サセプタ２１０全体の設定温度）に調整して送出口（ＯＵＴ）から送出し，帰還口（ＩＮ）に戻ってきた温調媒体を上記設定温度に調整して再び送出口（ＯＵＴ）から送出するように構成されている。サセプタ２１０全体の設定温度は，制御部１４０によって所望の温度に設定できるようになっている。
【００４４】
　チラーユニット３１０の送出口（ＯＵＴ）には，主流路３２０に温調媒体を供給する主供給配管３２２が接続されており，チラーユニット３１０の帰還口（ＩＮ）には戻ってきた温調媒体を流入する主帰還配管３２４が接続されている。主供給配管３２２の下流側は主流路３２０の流入口に椄続され，主帰還配管３２４の上流側は主流路３２０の流出口に接続されている。
【００４５】
　上記主供給配管３２２の途中には，この主供給配管３２２から分岐して上記補助流路３３０に温調媒体を供給する補助供給配管３３２が接続されている。補助供給配管３３２は，補助流路３３０の流入口に接続されている。補助流路３３０の流出口には補助帰還配管３３４が接続されており，この補助帰還配管３３４の下流側は主帰還配管３２４に合流するように接続される。これにより，補助流路３３０を循環して補助帰還配管３３４に流出された温調媒体は，主帰還配管３２４にて主流路３２０を循環した温調媒体と合流してチラーユニット３１０に戻される。
【００４６】
　補助供給配管３３２の途中には，補助流路３３０に供給する温調媒体を温調する補助温調器３３８を備える。補助温調器３３８は冷却器と加熱器のいずれか一方を備えてもよく，また両方備えてもよい。補助温調器３３８によって補助供給配管３３２を流れる温調媒体の温度を調整することで，補助流路３３０を循環させる温調媒体の温度を主流路３２０を循環する温調媒体の設定温度よりも高い温度又は低い温度にすることができる。」
３　甲第４号証に記載された事項
「【００２６】
そして，図１に示したように束ねられた冷媒搬送管１の断熱層２を圧縮しないように外嵌めし，ボルト１３，１３にナット１５，１５をねじ嵌合したあと，連結部材１４の長孔１８，１８に挿通し，金属製バンド１１の締め付け必要長さ調整を行った後，再度別のナット１５をねじ嵌合し，緊締することによって金属製バンド１１を連結部材１４に固定する。
【００２７】
その後適宜手段で支持部材１６を連結部材１４に固定し，この支持部材１６を壁又は天井などの建物構造物に固定する。
以上で冷媒搬送管の取り付けは終了する。
【００２８】
この場合において，冷媒搬送管に冷媒を流通させた場合，管表面から断熱層表面へ向け，断熱層内の温度は外へ行くほど厚さに応じて次第に高温となる。一方，金属製バンド１１の表面は外気温によって冷媒搬送管表面よりは高温となっており，この表面から金属製バンド１１内面に設けられたセパレート層１２内部の熱は冷媒搬送管に近づくほど低下している。
【００２９】
この場合，断熱層２とセパレート層１２とが本発明と異なり単一層となっている場合は，冷媒搬送管の冷熱が緩慢とは言え次第にバンド１１へと伝わり，経時的に外気温より低下して結露するといったことが生じる。
【００３０】
しかし，本発明のように断熱層２にセパレート層１２を介してバンド１１を当接させると，断熱層２，セパレート層１２の間は単に接触しているだけとなるから熱伝導が極めて行われにくく，両層間の温度差がそのまま温度段差として維持されていると考えられる。
【００３１】
従って，両者の間に熱的な段差があっても，不連続面を境界として互いの方向への伝熱がされにくくなり，この結果，バンド金具表面が外気の結露温度以下に低下し難くなる。
【００３２】
断熱層表面に微小凹凸を多数形成した場合は，層間に微小空間が多数出来るので直接接触がそれだけ避けられ，伝熱性がさらに悪くなる。
なお，上記実施の形態として大小二本の冷媒搬送管を取り付ける場合について説明したが，図示は省略するが一本あるいは，三本以上のパイプであっても束にして一まとめに止着する場合も同様にできる。
【００３３】
【発明の効果】
以上説明したように，冷媒搬送管の外周に設けた断熱層に対し直接金属製バンドを当接するのではなく，内面にセパレート層を設けた金属製バンドを当接させて冷媒搬送管を支持するため，断熱層とセパレート層間での熱伝達が非常に悪くなり，この結果金属製バンドの表面温度の低下が防げ，バンド表面の結露が防止できるのである。」
　
４　甲第５号証に記載された事項
「　　【０００７】
　図において，符号１は銅パイプなどの金属製パイプ２の外周をパイプ状の断熱材３で被覆したパイプ材である。本考案のパイプ吊り具４は，上下に配置した２本のパイプ材１，１の外周を帯状のクッション材５で周方向に巻き付け，さらにそのクッション材５の外周をクッション材５よりも若千細巾のバンド６で巻き付けてなる。ここで，バンド６は，金属製又はプラスチック製の厚さの薄い板材からなり，長手方向に所定ピッチでボルト７等の締結具を挿通する締結孔８を形成してあり，バンド６の両側部で各締結孔８，８間には応力集中が発生し易いように楔状の分断用の切欠９を形成してある。そして，巻き付けたバンド６の両端部を，その両端部に形成した締結孔が重なるように重ね，該締結孔にボルト７を挿通しナット１０で締めつけて柱１１に固定する。
　　　【０００８】
　このようにクッション材５を介してバンド６でパイプ材１を固定するようにしたので，パイプ吊り具４をパイプ材１の長手方向に動かす場合にも，クッション材５が緩衝材として作用し断熱材３を傷つけることがない。また，クッション材５と断熱材３との接触面積が広く，クッション材５で幅広く金属製のパイプ２，２の加重を受けるので，長年の使用によっても断熱材３がへたることがない。さらに，断熱材３に水滴が付着しても，バンド６との間にクッション材５が介在しているため，バンド６に水滴が付着せず，金属製バンドを用いた場合にも錆びない。」
５　甲第６号証に記載された事項
「【００３２】　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　本明細書においては，これら基板Ｗの温度調整を行うユニット（加熱ユニットおよび冷却ユニット）を熱処理ユニットと称する。また，塗布処理ユニットＳＩ，ＳＣ２および現像処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２のような基板に処理液を供給して所定の処理を行う処理ユニットを液処理ユニットと称する。そして，液処理ユニットおよび熱処理ユニットを総称して処理ユニットとする。」
「【００３７】
　＜２．熱処理ユニットの構成＞
　次に，加熱ユニットＨＰ１の構成についてさらに説明を続ける。ここでは，加熱ユニットＨＰ１について説明するが，加熱ユニットＨＰ２〜ＨＰ１０についても同様の構成を有している。
【００３８】
　図３は本発明に係る基板熱処理装置たる加熱ユニットＨＰ１の概略構成を示す側断面図であり，図４は加熱ユニットＨＰ１の載置プレートの平面図である。
【００３９】
　本発明におけるプレートに相当する載置プレート１１は，ピートパイプ構造を採用して熱容量を極めて小さくしつつ，温度分布の面内均一性を高めたものであり，熱伝導性の良好な金属，例えば銅にて形成されている。
　載置プレート１１の上面に当たる載置面１１ａには基板Ｗが載置される。
　載置面１１ａには図示しないセラミック製の小球（プロキシミティボール）が分散して複数個はめ込まれており，基板Ｗを裏面から点接触の状態で支持して熱処理ムラを防止するようになっているが，小球を省略して基板Ｗを面接触の状態で支持するようにしてもよい。
【００４０】
　載置プレート１１の上部に位置する扁平部１３の内部には空洞が形成されている。その内部空間１２は，ピートパイプ構造のために減圧されており，縦方向の強度を補うように複数本の柱１３ｂが立設されている。
【００４１】
　載置プレート１１の下部位置には，２つの作動液室１４が設けられている。各作動液室１４は略直方体形状であって，２つの作動液室１４が平面視で載置プレート１１の中央を挟み込むように構成されている。これらの作動液室１４には，発熱抵抗体としてのピーク１５が内蔵されるとともに，作動液１６が貯留されている。本実施形態では，作動液１６として例えば水を使用している。
【００４２】
　載置プレート１１の底部（つまり作動液室１４の底部）には，凹状の穴が複数穿設されており，各穴の内壁面に雌ねじ２９が刻設されている。各雌ねじ２９は，重量調整部材たるバランサ用ねじを着脱自在に取り付け可能な取付部として機能する。なお，雌ねじ２９の形設位置は載置プレート１１の底部に限定されるものではなく，側面であっても良い。
【００４３】
　また，作動液室１４と扁平部１３の内部空間１２とは連通しており，これによって載置プレート１１内にヒートパイプ構造が実現される。すなわち，ヒータ１５を加熱することにより生じる作動液１６の蒸気は，内部空間１２を作用域としてこの作用域中を移動したり蒸発潜熱の授受を行うことにより載置面１１ａの温度分布を均一に保持しつつ，載置面１１ａを急速に加熱することができる。
【００４４】
　図４に示すように，加熱ユニットＨＰ１における冷却構造としての冷却管２１は，載置プレート１１の内部空間１２のほぼ全域に配設されている。冷却管２１は，熱伝導性の材料（たとえば金属や合金）で形成されており，略水平にかつ載置面１１ａのほぼ全域に対向するように配設されている。
【００４５】
　冷却管２１は，供給配管２２を介して冷却媒体供給源２５と接続されている。供給配管２２の経路途中には開閉弁２６が介挿されている。また，冷却管２１は図示しないドレインとも排出配管２３を介して接続されている。したがって，冷却媒体供給源２５から供給される冷却媒体は，開閉弁２６を開放することにより供給配管２２を介して冷却管２１に供給され，冷却管２１を介して載置プレート１１の内部空間１２と熱交換を行った後，排出配管２３をから図示しないドレインへと排出される。すなわち，冷却管２１の表面が内部空間１２内の作動流体に接触しており，この作動流体を介して載置面１１ａへの冷却作用を生じさせる。換言すれば，ヒートパイプ構造の作動流体は，ヒータ１５によって加熱されることもできるし，冷却管２１によって冷却されることもできる。
【００４６】
　また，図４に示すように，冷却管２１は，その表面積を増加させるため，載置プレート１１の内部空間１２を複数回折り返すように蛇行して配設されている。そのため，効率的に冷却管２１と内部空間１２との熱交換を行うことができる。
【００４７】
　さらに，冷却管２１は，載置プレート１１とリング状（ドーナツ状）断　熱部材２４を介して載置プレート１１の扁平部１３の壁面に支持されている。そのため，冷却管２１と載置プレート１１とは，断熱部材２４によって熱的に遮断されているため，冷却管２１から載置プレート１１へ直接の熱移動が生じない構造となっている。断熱部材２４の例としては，セラミックスや耐熱樹脂が挙げられる。」
　
６　甲第７号証に記載された事項
「　　【００２８】
　更に，以上の例では，凸部は環状であるが，これに限らず，図１２（ａ），（ｂ），（ｃ）），（ｄ）に示すように，複数の部分に区分された凸部１４，１５，１６５，１６であってよい。区分された各凸部は，どのような形状であってもよい。」
７　対比及び判断 
（１）本件特許発明１について 
 ア　本件特許発明１と甲第２号証発明との対比 
　甲第２号証発明の「支持フレーム」が支持するものは「基板処理装置の装置本体」であるが，前記第６の１の（１）で検討したように，本件特許発明１の「支持フレーム」により支持されるものも，配管から供給される「冷媒体又は熱媒体」を利用するチャンバ等であることを踏まえると，甲第２号証発明の「基板処理装置の装置本体を支持するための支持フレーム」は，本件特許発明１の「基板処理装置を支持する支持フレーム」に相当する。
　甲第２号証発明の「支持フレーム」は，「基本フレーム部」で構成され，かつ，「供給配管」が収容されるものであるから，甲第２号証発明の「基本フレーム部」と「供給配管」は，本件特許発明１の「フレーム」と「配管」に対応する。 
　よって，本件特許発明１と甲第２号証発明とは，下記の点で一致し，また相違する。
（一致点）
「基板処理装置を支持する支持フレームであって，
　フレームと，
　少なくとも１つの配管とを有する，
支持フレーム。」
（相違点１）
　本件特許発明１の「フレーム」は，「内部に中空部を有する」ものであるのに対し，甲第２号証発明の「基本フレーム部」は，内部に中空部を有するものであるか定かではない点。
（相違点２）
　本件特許発明１では，フレームの内部にある「中空部」に「配管」を配設しているのに対し，甲第２号証発明では，供給配管が収容されるのは基本フレーム部の内部ではなく，「基本フレーム部によって囲まれた空間」である「配管空間」に収容される点。
（相違点３）
　本件特許発明１の「配管」は，「冷媒体又は熱媒体が循環供給される」ものであるのに対し，甲第２号証発明の「供給配管」を流れる「処理流体」はどのような媒体であるか定かではない点。
　イ　相違点の判断
　ここで，事案に鑑み，相違点２について検討する。
　甲第２号証には，「配管空間３ｃ内に流通配管および集合配管を収容しているから，配管専用の設置スペースが不要となり，・・・省スペース化を実現できる。」ことは記載されているものの，基本フレーム部が内部に中空部を有するものとし，該中空部に供給配管を収容することは記載も示唆もされていない。また，甲第３号証ないし甲第７号証にも，何らかの装置を支持するフレームにおいて，該フレーム自体の内部に配管を収容することは，記載も示唆もされていない。
　さらに，甲第２号証発明では，「基本フレーム部によって囲まれた空間」に「供給配管」が収容されることで，既に省スペース化という課題は解決されたものとなっており，供給配管に流れる「処理流体」の温度の人に対する配慮については何ら記載されていない甲第２号証発明において，「供給配管」をあえて基本フレーム部自体の内部に収容する動機付けは存在しない。
　そうすると，甲第２号証ないし甲第７号証の記載，技術常識等を考慮したとしても，甲第２号証発明において，相違点２の構成とすることは，当業者が容易に想到し得たものとは言えない。
　よって，相違点１及び３を検討するまでもなく，本件特許発明１は，甲第２号証に記載された発明，甲第２号証ないし甲第７号証に記載された事項に基いて当業者が容易に発明できたものではない。
（２）本件特許発明２ないし１１について 
　本件特許発明２ないし１１は，それぞれ，本件特許発明１に対して，さらに本件の請求項２ないし１１に記載された技術的事項を追加したものである。よって，前記（１）に示した理由と同様の理由により，本件特許発明２ないし１１は，甲第２号証に記載された発明，甲第２号証ないし甲第１１号証に記載された事項に基いて当業者が容易に発明できたものでもない。
（３）小括  
　したがって，本件特許の請求項１ないし１１に係る発明は，甲第２号証に記載された発明，甲第２号証ないし甲第１１号証に記載された事項に基いて当業者が容易に発明できたものでもないから，本件特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものではないので，上記異議申立人の主張を採用することはできない。
第８　結び
　以上のとおりであるから，取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては，請求項１〜１１に係る特許を取り消すことはできない。　
　また，他に請求項１〜１１に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和１年８月１９日（２０１９．８．１９）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
支持部材及び基板処理装置
　【技術分野】
　【０００１】
　本発明は、支持部材及び基板処理装置に関する。
　【背景技術】
　【０００２】
　基板処理装置として、プラズマを使用して半導体デバイス用のウェハ等の基板に対してエッチング等の所定の処理を施すプラズマ処理装置が広く知られている。
　【０００３】
　プラズマ処理装置は、例えば、内部にプラズマが発生する処理容器、対向して設けられた上部電極及び下部電極、及び、この上部電極及び下部電極に挟まれた空間にガス供給孔を介して処理ガスを供給するガス供給部等を有して構成される。そして、対向して設けられた上部電極及び下部電極の少なくともいずれか一方に高周波電力を印加して、その電界エネルギーにより処理ガスを励起させてプラズマを生成し、生成された放電プラズマによって基板にプラズマ処理を施す。
　【０００４】
　上部電極の温度制御は、チラーユニットを使用して、配管を介して所定温度の冷媒体又は熱媒体を循環供給されることで実施される。例えば、上部電極の温度を１５０℃に温度制御する場合、１５０℃に温められた熱媒体を循環供給することで実施される。
　【発明の概要】
　【発明が解決しようとする課題】
　【０００５】
　配管は、供給される熱媒体に依存した温度になるため、人間が触れても安全になるように、配管には断熱材を巻いて断熱化している。しかしながら、これにより、断熱材と配管が大きなスペースを占めてしまい、フットプリントの観点から問題となっている。
　【０００６】
　上記課題に対して、配管の断熱化と省スペース化とを両立する支持部材を提供することを目的とする。
　【課題を解決するための手段】
　【０００７】
　上記課題を解決するために、一の態様によれば、
　基板処理装
置を支持
る支
フレーム
　
内
するフレームと
　前記中空部
に配
れ、冷媒体又は熱媒体が循環供給される少なくとも１つの配管と
　を有する、
　支持
フレーム
　【発明の効果】
　【０００８】
　一の態様によれば、配管の断熱化と省スペース化とを両立する支持部材が提供できる。
　【図面の簡単な説明】
　【０００９】
　【図１】本実施形態に係る基板処理装置の一例の概略構成を示した縦断面図である。
　【図２】断熱材を巻いたチラーホースの一例の概略図である。
　【図３】従来の支持部材の断面の一例の概略断面図である。
　【図４】第１の実施形態に係る支持部材の一例の概略断面図である。
　【図５】第２の実施形態に係る支持部材の一例の概略断面図である。
　【図６】第３の実施形態に係る支持部材の一例の概略断面図である。
　【発明を実施するための形態】
　【００１０】
　以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。本明細書及び図面において、実質的に同一の構成については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。なお、本実施形態においては、基板処理装置として、プラズマを使用してウェハにプラズマ処理を施すプラズマ処理装置を例として説明する。しかしながら、本発明はこの点において限定されず、温調手段（例えば、チラーユニット）と配管（例えばチラーホース）を介して接続されている、如何なる基板処理装置であっても良い。具体的には、ウェハに、成膜処理、酸化処理、拡散処理、改質処理、自然酸化膜の除去処理等の各種処理を実施する縦型基板処理装置であっても良い。
　【００１１】
　［基板処理装置の概略構成］
　先ず、本実施形態に係る基板処理装置の構成について、図１を参照しながら説明する。図１は、本実施形態に係る基板処理装置の一例の概略構成を示した縦断面図である。
　【００１２】
　基板処理装置１は、例えば、アルミニウム又はステンレス鋼等の金属製の円筒型チャンバ（以下、チャンバＣと呼ぶ。）を有している。チャンバＣは接地されている。チャンバＣ内では、半導体ウェハ（以下、ウェハＷと呼ぶ。）にプラズマ処理が施される。
　【００１３】
　チャンバＣ内には、ウェハＷを載置する載置台２が設けられている。載置台２は下部電極としても機能する。
　【００１４】
　チャンバＣの天井部には、上部電極３が載置台２に対向して配置されている。上部電極３には、ガス供給源４が接続されている。上部電極３の内部にはガス供給源４からのガスを拡散する拡散室３ａが形成されている。拡散室３ａ内のガスは、上部電極３の底部に設けられた多数のガス孔３ｂを通ってチャンバＣ内に導入される。上部電極３は、ガスを供給するためのシャワーヘッドとしても機能する。
　【００１５】
　プラズマエッチング装置１には、第１の高周波電源５及び第２の高周波電源６が設けられている。載置台２（下部電極）又は上部電極３のいずれか一方には、第１の高周波電源５から出力されたプラズマ生成用の高周波電力が印加される。図１に示す例では、一例として、第１の高周波電源５からの高周波電力を、下部電極に印加する例を示した。
　【００１６】
　第２の高周波電源６から出力されたバイアス用の高周波電力は、載置台２に印加される。
　【００１７】
　チャンバＣ内に導入されたガスは、高周波電力のパワーによりプラズマ化される。これにより、チャンバＣ内にてウェハＷにプラズマ処理が施される。
　【００１８】
　上部電極３の内部には、通常、熱媒体管７が設けられている。この熱媒体管７には、配管であるチラーホース８，９を介して、チラーユニット１０から所定の温度の熱媒体が循環供給される。チラーユニット１０による加熱又は冷却によって、上部電極３の処理温度は所望の温度に調節される。
　【００１９】
　チラーユニット１０は、一般的に、基板処理装置１の底部近傍に配置される。そして、チラーホース８，９は、少なくとも基板処置装置１の高さ方向上方に伸長し、熱媒体管７に接続される。
　【００２０】
　プラズマエッチング装置１では、制御部１１の制御に従いプラズマ処理が実行される。制御部１１は、図示しないＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ），ＲＯＭ（Ｒｅａｄ　Ｏｎｌｙ　Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｙ）等を有する。ＣＰＵは、ＲＯＭ等の記憶領域に格納された各種レシピに従ってプラズマ処理を実行する。レシピには、プロセス条件に対する装置の制御情報であるプロセス時間、処理室内温度（上部電極温度、処理室の側壁温度、ＥＳＣ温度など）、圧力（ガスの排気）、高周波電力や電圧、各種プロセス流量、伝熱流量などが記載されている。
　【００２１】
　以上、本実施形態に係る基板処理装置１の概略構成について説明した。次に、基板処理装置１のチラーホース８，９に係る問題点について、説明する。
　【００２２】
　（チラーホース８，９に係る問題点）
　前述したように、上部電極３の内部には、熱媒体管７が設けられており、この熱媒体管７には、チラーホース８，９を介してチラーユニット１０から所定の温度の熱媒体が循環供給される。例えば、上部電極３の温度を１５０℃に制御する場合、１５０℃に温められた熱媒体を上部電極３へと循環供給することで実施される。この際、チラーホース８，９も、熱媒体によって加熱され高温になる。そのため、チラーホース８，９は、一般的には、断熱材が巻かれて断熱化されている。
　【００２３】
　図２に、断熱材を巻いたチラーホースの一例の概略図を示す。
　【００２４】
　例えば、内部に１５０℃の熱媒体が流れるチラーホース８の外径がφ２０ｍｍであり、このチラーホース８の外周に対して、熱伝導率λ１が５．０×１０−２Ｗ／ｍ・ｋのシリコンスポンジシートから構成される断熱材２０を、一様に巻いたと仮定する。また、外気温度が２５℃であると仮定する。
　【００２５】
　この場合、図２に示すように、チラーホース８と断熱材２０を合わせた構造体の外径が６０ｍｍである場合（即ち、２０ｍｍの断熱材を巻いた場合）に、その断熱材２０の表面温度が５４℃となる。
　【００２６】
　人間が容易に触れることができる箇所の温度は、安全の観点から、６０℃以下、好ましくは５０℃以下であることが好ましい。そのため、図２に示す実施形態のように、チラーホース８，９に約２０ｍｍの断熱材２０を巻くことによって、チラーホース８は、人間が安全に触ることが可能な温度となる。しかしながら、断熱材２０の厚さが約２０ｍｍと大きくなるため、フットプリントの観点から問題となる。
　【００２７】
　本発明者らは、通常、基板処理装置１の各構成要素を支持する支持フレームである後述する支持部材を改良し、支持部材の内部にチラーホース８，９を配置することにより、チラーホース８，９の断熱性及び省スペース性の両方に係る課題を解決できることを見出した。
　【００２８】
　以下、従来の支持部材及び本実施形態に係る支持部材について、詳細に説明する。なお、本明細書においては、本実施形態及び比較の実施形態の比較の為に、チラーホースの外径と、支持部材の断面の外周寸法と、を統一して説明する。具体的には、本実施形態及び比較の実施形態の両方において、チラーホースの外径が２０ｍｍであり、支持部材の断面の外周寸法が、図３乃至図６のｘ軸方向の長さ×ｙ軸方向の長さで、９０ｍｍ×４５ｍｍである場合について、説明する。しかしながら、本発明は、この点において限定されない。
　【００２９】
　（第１の実施形態の支持部材）
　先ず、従来の支持部材について、説明する。図３に、従来の支持部材の概略断面図を示す。
　【００３０】
　支持部材３０に求められる特性として、高強度でありかつ軽量であることが挙げられる。そのため、従来の支持部材３０は、例えば、比較的安価で、高い強度を有するアルミニウム又はアルミニウム合金等から形成される。しかしながら、従来の支持部材３０は、チラーホースを配置する空間、例えば中空部が設けられていない。即ち、チラーホースが剥き出しの状態で配置されるため、人間が、高温又は低温になったチラーホースに直接触れる可能性があるという問題点があった。
　【００３１】
　次に、第１の実施形態に係る支持部材について、説明する。図４に、第１の実施形態に係る支持部材の一例の概略断面図を示す。
　【００３２】
　第１の実施形態に係る支持部材４０Ａは、支持部材４０Ａのハウジングを形成するフレーム４８Ａによって構成される。
　【００３３】
　フレーム４８Ａは、中空部４２Ａを有し、この中空部４２Ａ内に、チラーホース８，９、後述する断熱材２０Ａ及び後述する配管クランプ４４Ａが配置されるように、構成される。
　【００３４】
　断熱材２０Ａは、チラーホース８，９の外表面に接触して設けられる。第１の実施形態において、断熱材２０Ａの厚さは、好ましくは１ｍｍ〜４ｍｍ程度である。
　【００３５】
　断熱材２０の材料としては、熱媒体の温度に耐え得る耐熱性を有するものであれば、従来の断熱材材料を適宜使用することができる。断熱材２０の具体的な材料としては、ポリイミド樹脂、ポリエーテル・エーテル・ケトン樹脂、フッ素樹脂、アラミド繊維、シリコンスポンジ、エアロフレックス（Ａｅｒｏｆｌｅｘ：登録商標）等を使用することができる。
　【００３６】
　断熱材２０Ａの外周側には、断熱材２０Ａの外周の少なくとも一部を支持する配管クランプ４４Ａが配置される。また、支持部材４０Ａのフレーム４８Ａには、配管クランプ４４Ａの外周側に、この配管クランプ４４Ａを固定する固定部４６Ａが設けられる。
　【００３７】
　配管クランプ４４Ａを用いることにより、チラーホース８，９と、フレーム４８Ａとが直接接触することはないため、フレーム４８Ａの外表面温度を、容易に人間が安全に触ることができる温度とすることができる。本実施形態においては、配管クランプ４４Ａとして、ポリプロピレン製の配管クランプを使用した。
　【００３８】
　固定部４６Ａとしては、中空部４２Ａ内に配置されたチラーホース８，９をフレーム４８Ａに固定することができれば、特に制限はなく、本実施形態においては、ステンレススチール製のネジ部材を利用してフレーム４８Ａに固定した。
　【００３９】
　フレーム４８Ａの材料としては、特に制限されないが、比較的安価で、高い強度を有するアルミニウム又はアルミニウム合金を使用することが好ましい。
　【００４０】
　第１の実施形態に係る支持部材４０Ａは、チラーホース８、９が、支持部材４０Ａの中空部４２Ａ内に配置される。また、チラーホース８，９と、フレーム４８Ａとが直接接触することがないため、フレーム４８Ａの外表面温度を、容易に、人間が安全に触れることができる温度、例えば６０℃以下にすることができる。
　【００４１】
　また、従来の支持部材３０を使用する場合、支持部材３０の占有領域に加え、チラーホース８，９の占有領域が必要となる。しかしながら、第１の実施形態の支持部材４０Ａを使用することにより、フレーム４８Ａ内にチラーホース８，９が配置されるため、省スペース化が図れる。
　【００４２】
　第１の実施形態の支持部材４０Ａの効果を確認した実施形態について説明する。
　【００４３】
　予め１５０℃に設定されたチラーホース８，９の外表面に、断熱材２０Ａとして発泡ポリイミド（熱伝導率λ：０．０４４（Ｗ／ｍ・Ｋ））を２ｍｍ巻き、これを配管クランプ４４Ａで固定した。そして、これらをネジ部材により支持部材４０Ａに固定した。
　【００４４】
　この状態で、支持部材４０Ａのフレーム４８Ａの外表面の温度をモニタリングした。その結果、フレーム４８Ａの外表面の温度は、４８．１℃で一定となった。即ち、本実施形態の支持部材４０Ａを使用することにより、チラーホース８，９を支持部材４０Ａの内部に保持可能であると共に、支持部材４０Ａの外表面温度を、人間が安全に触ることができる温度とすることができることがわかった。
　【００４５】
　また、支持部材４０Ａの、図４のｘ軸方向における断面２次モーメントは約１６６ｍｍ４であり、ｙ軸方向にける断面２次モーメントは約３５ｍｍ４であった。図３に示した従来の支持部材３０の、図３のｘ軸方向における断面２次モーメントは約１２９ｍｍ４であり、ｙ軸方向における断面２次モーメントは約３３ｍｍ４である。即ち、第１の実施形態の支持部材４０Ａは、従来の支持部材３０と比して、十分な強度を有することがわかった。
　【００４６】
　（第２の実施形態）
　図５に、第２の実施形態に係る支持部材の一例の概略断面図を示す。
　【００４７】
　第２の実施形態に係る支持部材４０Ｂは、第１の実施形態と同様、支持部材４０Ｂのハウジングを形成するフレーム４８Ｂによって構成される。
　【００４８】
　フレーム４８Ｂは、第１の実施形態と同様、中空部４２Ｂを有する。第２の実施形態では、中空部４２Ｂ内には、チラーホース８，９及び断熱材２０Ｂのみが配置される点で、第１の実施形態とは異なる。即ち、第２の実施形態では、断熱材２０Ｂは、チラーホース８，９の外表面に接触して設けられ、この断熱材２０Ｂの外表面がフレーム４８Ｂと接触している。
　【００４９】
　断熱材２０Ｂの材料としては、熱媒体の温度に耐え得る耐熱性を有するものであれば、従来の断熱材材料を適宜使用することができる。断熱材２０の具体的な材料としては、ポリイミド樹脂、ポリエーテル・エーテル・ケトン樹脂、フッ素樹脂、アラミド繊維、シリコンスポンジ、エアロフレックス（Ａｅｒｏｆｌｅｘ：登録商標）等を使用することができる。
　【００５０】
　フレーム４８Ｂの材料としては、特に制限されないが、比較的安価で、高い強度を有するアルミニウム又はアルミニウム合金を使用することが好ましい。
　【００５１】
　第２の実施形態の支持部材４０Ｂは、第１の支持部材４０Ａと同様、チラーホース８，９が、支持部材４０Ｂの中空部４２Ｂ内に配置される。そのため、人間が、熱媒体によって高温又は低温になったチラーホース８，９を直接触ることはない。
　【００５２】
　また、第２の実施形態の支持部材４０Ｂでは、断熱材２０Ｂとフレーム４８Ｂとが直接接触する。しかしながら、第１の実施形態の支持部材４０Ａの構成要素である、配管クランプ４４Ａを使用する必要がない。そのため、断熱材２０Ｂの厚さを、第１の実施形態と比して、厚くすることができる。これにより、フレーム４８Ｂの外表面温度を、人間が安全に触れることができる温度、例えば６０℃以下にすることができる。
　【００５３】
　さらに、第２の実施形態の支持部材４０Ｂを使用することにより、フレーム４８Ｂ内にチラーホース８，９が配置されるため、省スペース化が図れる。
　【００５４】
　第２の実施形態の支持部材４０Ｂの効果を確認した実施形態について説明する。
　【００５５】
　１５０℃に設定されたチラーホース８，９の外表面に、断熱材２０Ｂとしてシリコンスポンジ（熱伝導率λ：０．０８（Ｗ／ｍ・Ｋ））又はエアロフレックス（熱伝導率λ：０．０３４（Ｗ／ｍ・Ｋ））を７ｍｍ巻き、断熱材２０ＢとフレームＢとを接触させることで、チラーホース８，９を固定した。この状態で、支持部材４０Ｂのフレーム４８Ｂの外表面の温度をモニタリングした結果、フレーム４８Ｂの外表面の温度は、各々、５９．０℃、４６．８℃で一定となった。即ち、本実施形態の支持部材４０Ｂを使用することにより、チラーホース８，９を支持部材４０Ｂの内部に保持可能であると共に、支持部材４０Ｂの外表面温度を、人間が安全に触ることができる温度とすることができることがわかった。
　【００５６】
　また、支持部材４０Ｂは、第１の実施形態の支持部材４０Ａと同様の、断面２次モーメントを有する。即ち、第２の実施形態の支持部材４０Ｂは、従来の支持部材３０と比して、十分な強度を有する。
　【００５７】
　（第３の実施形態）
　図６に、第３の実施形態に係る支持部材の一例の概略断面図を示す。
　【００５８】
　第３の実施形態に係る支持部材４０Ｃは、第１の実施形態と同様、支持部材４０Ｃのハウジングを形成するフレーム４８Ｃによって構成される。
　【００５９】
　フレーム４８Ｃは、第１及び第２の実施形態と同様、中空部４２Ｃを有する。第３の実施形態では、断熱材を使用することなく、中空部４２Ｃ内にチラーホース８，９のみが配設され、チラーホース８，９が、フレーム４８Ｃの一部である固定部５０Ｃによって、直接、フレーム４８Ｃに固定される点で、第１及び第２の実施形態とは異なる。
　【００６０】
　第３の実施形態では、チラーホース８，９が、固定部５０Ｃを介して、直接、フレーム４８Ｃと接触する。そのため、フレーム４８Ｃが、人間が安全に触ることができない温度にまで加熱されることを防ぐよう、支持部材４８Ｃには、フレーム４８Ｃを冷却するための、ヒートシンク部５２Ｃが設けられる。
　【００６１】
　ヒートシンク部５２Ｃは、フレーム４８Ｃの少なくとも一部を、例えば剣山状又は蛇腹状に成形することによって、形成することができる。
　【００６２】
　固定部５０Ｃは、チラーホース８，９の外表面の少なくとも一部に接触する。固定部５０Ｃの、チラーホース８，９との接触面側には、チラーホース８，９との接触面積を低減させるために、例えば突起部が設けられることが好ましい。
　【００６３】
　フレーム４８Ｃの材料としては、特に制限されないが、比較的安価で、高い強度を有するアルミニウム又はアルミニウム合金を使用することが好ましい。
　【００６４】
　第３の実施形態の支持部材４０Ｃは、第１及び第２の支持部材４０Ａ、４０Ｂと同様、チラーホース８，９が、支持部材４０Ｃの中空部４２Ｃ内に配置される。そのため、人間が、熱媒体によって高温又は低温になったチラーホース８，９を直接触ることはない。
　【００６５】
　また、第３の実施形態の支持部材４０Ｃでは、固定部５０Ｃとフレーム４８Ｃとが直接接触する。しかしながら、支持部材４０Ｃはヒートシンク部５２Ｃを有するため、フレーム４８Ｃを冷却することができる。これにより、フレーム４８Ｃの外表面温度を、人間が安全に触ることができる温度、例えば６０℃以下にすることができる。
　【００６６】
　さらに、第３の実施形態の支持部材４０Ｃを使用することにより、フレーム４８Ｃないに、チラーホース８，９が配置されるため、省スペース化が図れる。
　【００６７】
　なお、支持部材４０Ｃの、図６のｘ軸方向における断面２次モーメントは約１６０ｍｍ４であり、ｙ軸方向にける断面２次モーメントは約３６ｍｍ４であった。上述したように、図２に示した従来の支持部材３０の、図２のｘ軸方向における断面２次モーメントは約１２９ｍｍ４であり、ｙ軸方向における断面２次モーメントは約３３ｍｍ４である。即ち、第３の実施形態の支持部材４０Ｃは、従来の支持部材３０と比して、十分な強度を有することがわかった。
　【００６８】
　なお、上記本実施形態に挙げた構成等に、その他の要素との組み合わせなど、ここで示した構成に本発明が限定されるものではない。これらの点に関しては、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で変更することが可能であり、その応用形態に応じて適切に定めることができる。
　【００６９】
　例えば、本明細書において、支持部材４０Ａ〜４０Ｃに形成される中空部４２Ａ〜４２Ｃには、チラーホース８，９が配置される構成について説明したが、本発明はこの点において限定されない。基板処理装置の各種電気ケーブル等のケーブル部材が配置される構成であっても良い。
　【符号の説明】
　【００７０】
　１　　　　基板処理装置
　２　　　　載置台
　３　　　　上部電極
　４　　　　ガス供給源
　５　　　　第１の高周波電源
　６　　　　第２の高周波電源
　７　　　　熱媒体管
　８　　　　チラーホース
　９　　　　チラーホース
　１０　　　チラーユニット
　１１　　　制御部
　２０　　　断熱材
　Ｃ　　　　チャンバ
　Ｗ　　　　ウェハ
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　基板処理装置を支持する支持
フレーム
　内部に中空部を有するフレームと、
　前記中空部に配設され、冷媒体又は熱媒体が循環供給される少なくとも１つの配管と
　を有する、支持
フレーム
　【請求項２】
　前記配管は、前記基板処理装置の高さ方向上方に伸長して配設されている、
　請求項１に記載の支持
フレーム
　【請求項３】
　前記配管は、外表面が断熱材で覆われ、
　前記断熱材の外表面の少なくとも一部は、配管クランプによって支持され、
　前記配管クランプは、固定部によって前記フレームに固定されている、
　請求項１または２に記載の支持
フレーム
　【請求項４】
　前記断熱材の厚さは、１ｍｍ以上４ｍｍ以下である、
　請求項３に記載の支持
フレーム
　【請求項５】
　前記断熱材及び前記配管は、前記フレームに接触しないように配設されている、
　請求項３または４に記載の支持
フレーム
　【請求項６】
　前記配管は、外表面が断熱材で覆われ、
　前記断熱材の外表面は、前記フレームに接触している、
　請求項１または２に記載の支持
フレーム
　【請求項７】
　前記断熱材は、ポリイミド樹脂、ポリエーテル・エーテル・ケトン樹脂、フッ素樹脂、アラミド繊維、シリコンスポンジ及びエアロフレックスの群から選択される１つ以上の材料を含む、
　請求項３〜６のいずれか一項に記載の支持
フレーム
　【請求項８】
　前記配管の外表面は、前記フレームの一部である固定部によって固定されており、
　前記フレームは、ヒートシンク部を有する、
　請求項１または２に記載の支持
フレーム
　【請求項９】
　前記フレームは、前記配管との接触部に、接触面積を低減するための突起部が設けられている、
　請求項８に記載の支持
フレーム
　【請求項１０】
　前記配管の内部に１５０℃の熱媒体が導入された場合に、前記フレームの外表面の温度が６０℃以下となる、
　請求項１〜９のいずれか一項に記載の支持
フレーム
　【請求項１１】
　基板処理装置であって、
　請求項１〜１０のいずれか一項に記載の前記支持
フレーム
　前記支持
フレーム
　基板処置装置。