(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上に形成され、前記基板側から光を入射して形成するマークの長さ及び２つのマークの間のスペースの長さとして情報信号を記録する複数の情報層と、
前記複数の情報層の上に形成された保護板とを備え、
前記複数の情報層は、前記マークの始端部分を形成する記録開始位置を、記録する情報層に応じて変化させる始端記録条件に関する情報と、前記マークの後端部分を形成する記録終了位置を、記録する情報層に応じて変化させる後端記録条件に関する情報とを記録している管理領域を有し、
前記始端記録条件及び前記後端記録条件は、前記記録する情報層に対して前記基板側に位置する情報層が記録状態であるか、未記録状態であるかに対応する条件を有することを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】
前記始端記録条件は、前記マークの長さ及び前記マークの直前のスペースの長さに対応する条件を有すると共に、前記後端記録条件は、前記マークの長さ及び前記マークの直後のスペースの長さに対応する条件を有することを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項３】
前記管理領域は、前記複数の情報層のうち、一つの情報層に設けられたことを特徴とする請求項１または２に記載の光記録媒体。
【請求項４】
前記管理領域は、前記複数の情報層のうち、前記基板側に最も近い情報層に設けられたことを特徴とする請求項３に記載の光記録媒体。
【請求項５】
前記複数の情報層は、それぞれの情報層を識別する層識別子を備えたことを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項６】
前記複数の情報層は、前記情報層が記録状態であるか未記録状態であるかを識別する記録識別子をさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項７】
前記記録識別子を前記管理領域に記録していることを特徴とする請求項６に記載の光記録媒体。
【請求項８】
光を情報層に照射して形成するマークの長さ及び２つのマークの間のスペースの長さとして情報信号を記録する複数の情報層を備えた光記録媒体の記録再生装置であって、
記録する情報層が前記複数の情報層のうちのいずれであるかを検出する層検出回路と、
形成しようとするマークの始端位置に一定幅の始端パルスを発生し、前記マークの中間部に中間パルスを発生し、前記マークの後端位置に一定幅の後端パルスを発生する基本パルス発生部と、
前記マークの長さを検出する記録マーク検出回路と、前記マークの直前のスペースの長さを検出する前スペース検出回路と、前記マークの直後のマークの長さを検出する後マーク検出回路と、前記マークの直後のスペースの長さを検出する後スペース検出回路とからなるデータ長検出部と、
前記記録マーク検出回路、前記前スペース検出回路、及び前記層検出回路の出力信号から前記始端パルスの遅延量を設定し、遅延始端パルスを発生する始端パルス遅延回路と、前記記録マーク検出回路、前記後スペース検出回路、及び前記層検出回路の出力信号から後端パルスの遅延量を設定し、遅延後端パルスを発生する後端パルス遅延回路とからなるタイミング制御部と、
前記遅延始端パルスの信号と、前記中間パルスの信号と、前記遅延後端パルスの信号とを合成した記録パルスを形成するパルス合成部と、
前記記録パルスを元に光ビームの強度を変調するレーザ駆動部と、
記録する情報層に対して基板側に位置する情報層の記録状態を検出する記録識別回路と、
前記記録マーク検出回路、前記前スペース検出回路、前記層検出回路、及び前記記録識別回路の出力信号から前記始端パルスの遅延量を設定し、遅延始端パルスを発生する始端パルス遅延回路と、
前記記録マーク検出回路、前記後スペース検出回路、前記層検出回路、及び前記記録識別回路の出力信号から前記後端パルスの遅延量を設定し、遅延後端パルスを発生する後端パルス遅延回路とからなるタイミング制御部と、
前記記録識別回路の識別結果に従って、前記管理領域に記載されている始端開始情報及び後端開始情報の中から、始端パルスの遅延量、及び後端パルスの遅延量を選択する選択手段とを備え、
前記記録識別回路は、記録する情報層に対して基板側に位置する情報層が記録状態であるか未記録状態であるかを識別する記録識別子を検出するものであることを特徴とする光記録媒体の記録再生装置。
【請求項９】
前記選択手段は、前記層検出回路の識別結果に従って、前記管理領域に記載されている始端開始情報及び後端開始情報の中から、始端パルスの遅延量及び後端パルスの遅延量を選択することを特徴とする請求項８に記載の光記録媒体の記録再生装置。
【請求項１０】
前記層検出回路が、情報層を識別する層識別子を検出するものであることを特徴とする請求項９に記載の光記録媒体の記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
技術分野
本発明は、基板上に形成された複数の記録薄膜にレーザービーム等の高エネルギービームを照射することにより高密度の信号を記録又は再生できる光記録媒体、及び記録再生装置に関する。
【０００２】
背景技術
近年、情報の記録再生消去が可能な光記録媒体の商品化や、さらに高画質の動画を記録することが可能な高密度の書換型の光記録媒体の研究や開発が活発に行われている。書換型の光記録媒体としては、ディスク形状をした基板上に、例えばＧｅ−Ｓｂ−ＴｅやＩｎ−Ｓｅ等のＴｅ、Ｓｅをベースとするカルコゲナイド薄膜、あるいはＩｎ−Ｓｂ等の半金属薄膜を情報層として備えた相変化光記録媒体が知られている。また、Ｆｅ−Ｔｂ−Ｃｏ等の金属薄膜を情報層として備えた光磁気記録媒体が知られている。また、色素材料を用いた追記型の光記録媒体もある。
【０００３】
相変化光記録媒体では、例えば、上記相変化材料からなる情報層にサブミクロンオーダーサイズの光スポットに集光したレーザ光を瞬時照射し、照射部を局部的に所定の温度に加熱する。照射部分は、到達温度が結晶化温度以上になれば結晶の状態に転換し、融点を越え溶融した後急冷すればアモルファス状態に転換する。アモルファス状態、結晶状態のいずれかを記録状態、消去状態（未記録状態）と定義し、情報信号に対応させたパターンで形成することで、可逆的な情報の記録または消去が行われることになる。結晶状態とアモルファス状態とでは光学的な特性が異なり、これによる差を利用して、反射率変化、あるいは透過率変化として光学的に検出することで信号を再生することができる。
光磁気記録媒体では、例えば、光磁気記録薄膜に集光したレーザ光を照射し、局部的に所定の温度に加熱する。加熱と同時に磁界を加え、光磁気録薄膜の磁化方向を情報に応じて反転させることによって、情報の記録または消去が行われる。
【０００４】
光記録媒体へ高密度なデータを記録する方式として、マーク長記録がある。マーク長記録は、様々なマークの長さを、様々な間隔（スペース）で記録し、マーク長およびスペース長の両方に記録情報を割り当てている。さらに、光記録媒体の容量を飛躍的に向上させるために、複数の情報層を備え、一方の面からレーザ光を照射して、各々の情報層で情報の記録、あるいは書き換えをする光記録媒体も提案されている。
マーク長記録方式で相変化記録媒体に記録した場合に、アモルファスの領域をマークとし、結晶の領域をスペースと定義する。この記録媒体に、より高密度な記録をするには、記録するマーク及びスペースの長さを短くする必要がある。しかし、スペースの長さが短くなると、記録したマークの終端の熱が次に記録するマークの始端の温度上昇に影響する、あるいは、次に記録したマークの始端の熱が直前のマークの冷却過程に与える等の、いわゆる熱干渉が発生する。この熱干渉により、記録したマークの前端、あるいは後端のエッジの位置が適正な位置から移動し、再生時のビット誤り率が悪化するという原因になっていた。
【０００５】
この原因の解決のために、例えば、マーク間のスペースの長さを検出し、このスペースが所定の長さより短いときには、記録後の間隔が所定の長さになるように、記録パルスの始端位置と後端位置を変化させて記録することにより、マークのエッジ位置が、熱干渉で変動することを補正する方法が提案されていた（日本特許第２，６７９，５９６号（対応する米国特許は、米国特許第５，４９０，１２６号））。
【０００６】
しかしながら、複数の情報層を設けた場合には、各々の情報層に適切な光量のレーザ光を照射する必要がある。例えば、図１１に示したように、第１の情報層９０４と第２の情報層９０８の２つの情報層を有した光記録媒体では、レーザ光９０１が照射される方から見て遠い側の第２の情報層にレーザ光９０１が照射でき、かつ入射側に戻して情報が再生できるような設計にする必要がある。このため、レーザ光９０１の入射側に近い方に位置する保護層９０３、第１の情報層９０４、及び保護層９０５を透過するレーザ光９０１の透過率は、５０％程度と高くなるように設計されるのが一般的である。この高い透過率を得るためには、第１の情報層９０４に近接する薄膜層である保護層９０３、保護層９０５は非金属の透明層としている。レーザ光９０１の入射側から見て遠い方に位置する第２の情報層９０８は、より多くの反射光量が得られるように、第２の情報層９０８に近接して金属材料からなる反射層９１０を設けるのが一般的な設計である。
【０００７】
上記のような構造では、情報層の近傍に金属薄膜がある場合と無い場合で、情報層の加熱、冷却条件に差ができる。つまり、各層に同じパルス条件のレーザ光を照射しても、層間で異なった記録マークが形成されることとなり、記録マークのエッジが変動し（エッジシフト）、層間で情報を再生した場合、いずれかの情報層で再生信号のジッタ増加を招き、その結果、エラーレートが増加する原因となっていた。
【０００８】
発明の開示
そこで、本発明の目的は、複数の情報層を有する光記録媒体において、いずれの情報層においてもエッジシフトの小さい記録マークを形成することができる光記録媒体及び記録再生装置を提供することにある。
【０００９】
本発明に係る光記録媒体は、基板と、
前記基板の上に形成され、前記基板の側から光を照射して形成するマークの長さ及び２つのマークの間のスペースの長さとして情報信号を記録する複数の情報層と、
前記複数の情報層の上に形成された保護板と
を備え、
前記複数の情報層は、前記マークの始端部分を形成する記録開始位置を、記録する情報層に応じて変化させる始端記録条件に関する情報と、前記マークの後端部分を形成する記録終了位置を、記録する情報層に応じて変化させる後端記録条件に関する情報とを記録している管理領域を備えることを特徴とする。
【００１０】
また、前記始端記録条件は、前記マークの長さ及び前記マークの直前のスペースの長さに対応する条件を有すると共に、前記後端記録条件は、前記マークの長さ及び前記マークの直後のスペースの長さに対応する条件を有していてもよい。
【００１１】
さらに、前記始端記録条件及び前記後端記録条件は、前記記録する情報層に対して光を照射する光源側に位置する上部情報層が記録状態であるか、未記録状態であるかに対応する条件を有していてもよい。
【００１２】
またさらに、前記管理領域は、前記複数の情報層のうち、一つの情報層に設けられていてもよい。
【００１３】
また、前記管理領域は、前記複数の情報層のうち、光源側に最も近い情報層に設けられていてもよい。
【００１４】
さらに、前記複数の情報層は、それぞれの情報層を識別する層識別子を備えていてもよい。
【００１５】
またさらに、前記複数の情報層は、前記情報層が記録状態であるか未記録状態であるかを識別する記録識別子をさらに備えていてもよい。この前記記録識別子を前記管理領域に記録していてもよい。
【００１６】
また、本発明に係る光記録媒体は、基板と、
前記基板の上に形成され、前記基板の側から光を照射して形成するマークの長さ及び２つのマークの間のスペースの長さとして情報信号を記録する複数の情報層と、
前記複数の情報層の上に形成された保護板と
を備え、
前記複数の情報層は、前記マークの始端部分を形成する記録開始位置の最適値を決定する始端位置学習と、記録するマークの後端部分を形成する記録終了位置の最適値を決定する後端位置学習とを行う学習領域を備えたことを特徴とする。
【００１７】
なお、前記複数の情報層は、それぞれの情報層ごとに前記学習領域を備えていてもよい。
【００１８】
また、前記記録開始位置の最適値及び前記記録終了位置の最適値は、記録する情報層、マークの長さ、及び該マークの前後のスペースの長さに対応する情報を有していてもよい。
【００１９】
さらに、前記複数の情報層は、前記記録開始位置及び記録終了位置の最適値を記録する学習結果記録領域を設けていてもよい。
【００２０】
またさらに、前記始端位置学習、及び前記後端位置学習を、記録する情報層の光源側の情報層が記録状態である場合と未記録状態である場合に対して行うための記録未記録学習領域をさらに設けていてもよい。
【００２１】
本発明に係る光記録媒体の記録方法は、光を情報層に照射して形成するマークの長さ及び２つのマークの間のスペースの長さとして情報信号を情報層に記録する光記録媒体の記録方法であって、
前記マークの始端部分を形成する記録開始位置を、前記マークの長さ、前記マークの直前のスペースの長さ、及び記録する情報層に応じて変化させる始端開始条件を設定するステップと、
前記マークの後端部分を形成する記録終了位置を、前記マークの長さ、前記マークの直後のスペースの長さ、及び記録する情報層に応じて変化させる後端開始条件を設定するステップと、
前記始端開始条件を設定するステップと前記後端開始条件を設定するステップとをそれぞれ行って、前記情報層に光を照射してマークを形成し、情報信号を記録するステップと
を含むことを特徴とする。
【００２２】
なお、前記記録開始位置及び前記記録終了位置を、記録する情報層に対して光源側に位置する上部情報層の記録・未記録の状態に応じて変化させて記録していてもよい。
【００２３】
また、前記上部情報層に記録状態と未記録状態とが混在する場合には、記録開始位置、及び記録終了位置を、未記録状態と記録状態の間の値を選択してもよい。
【００２４】
さらに、前記記録開始位置、及び前記記録終了位置を、記録する情報層の光源側に位置する上部情報層の反射光量に応じて補正してもよい。
【００２５】
また、本発明に係る光記録媒体の記録方法は、光を情報層に照射して形成するマークの長さ及び２つのマークの間のスペースの長さとして情報信号を記録する複数の情報層を備えた光記録媒体の記録方法であって、
前記情報を記録するステップに先だって、
記録する情報層、マークの長さ、及び該マークの直前のスペースの長さをそれぞれ変化させて前記マークの試し書きを行って、前記マークの始端部分を形成する記録開始位置の最適値を求める始端学習ステップと、
記録する情報層、マークの長さ、及び該マークの直後のスペースの長さをそれぞれ変化させて前記マークの試し書きを行って、前記マークの後端部分を形成する記録終了位置の最適値を求める後端学習ステップと
を備えることを特徴とする。
【００２６】
なお、前記複数の情報層のうち、少なくとも２つの情報層を選択して、前記始端学習ステップと前記後端学習ステップとを実施する選択学習ステップと、
前記複数の情報層のうち、前記選択した情報層を除くその他の情報層の記録開始位置の最適値及び記録終了位置の最適値を、前記始端学習ステップと前記後端学習ステップによる学習結果に基づいて演算する演算ステップと
をさらに含んでいてもよい。
【００２７】
また、前記始端学習ステップ及び前記後端学習ステップにおいて、学習結果として得られる前記記録開始位置の最適値及び前記記録終了位置の最適値とを前記複数の情報層に記録してもよい。
【００２８】
さらに、前記始端学習ステップ及び前記後端学習ステップにおいて、学習結果として得られる前記記録開始位置の最適値及び前記記録終了位置の最適値とを前記光記録媒体の記録装置に備えられた記憶装置に記録してもよい。
【００２９】
またさらに、前記始端学習ステップ及び前記後端学習ステップにおいて、前記管理領域に記載された前記始端記録条件に関する情報、及び後端記録条件に関する情報を初期値として用いてもよい。
【００３０】
また、前記始端学習ステップ及び前記後端学習ステップは、前記記録する情報層に対して光源側に位置する上部情報層の記録状態の変化を検知した場合に対応して実施してもよい。
【００３１】
さらに、前記始端学習工程及び後端学習工程は、記録する情報層の反射光量の変化を検知した場合に対応して実施してもよい。
【００３２】
本発明に係る光記録媒体の記録装置は、光を情報層に照射して形成するマークの長さ及び２つのマークの間のスペースの長さとして情報信号を記録する複数の情報層を備えた光記録媒体の記録装置であって、
記録する情報層が前記複数の情報層のうちのいずれであるかを検出する層検出回路と、
形成しようとするマークの始端位置に一定幅の始端パルスを発生し、前記マークの中間部に中間パルスを発生し、前記マークの後端位置に一定幅の後端パルスを発生する基本パルス発生部と、
前記マークの長さを検出する記録マーク検出回路と、前記マークの直前のスペースの長さを検出する前スペース検出回路と、前記マークの直後のマークの長さを検出する後マーク検出回路と、前記マークの直後のスペースの長さを検出する後スペース検出回路とからなるデータ長検出部と、
前記記録マーク検出回路、前記前スペース検出回路、及び前記層検出回路の出力信号から前記始端パルスの遅延量を設定し、遅延始端パルスを発生する始端パルス遅延回路と、前記記録マーク検出回路、前記後スペース検出回路、及び前記層検出回路の出力信号から後端パルスの遅延量を設定し、遅延後端パルスを発生する後端パルス遅延回路とからなるタイミング制御部と、
前記遅延始端パルスの信号と、前記中間パルスの信号と、前記遅延後端パルスの信号とを合成した記録パルスを形成するパルス合成部と、
前記記録パルスを元に光ビームの強度を変調するレーザ駆動部と
を備えたことを特徴とする。
【００３３】
なお、記録する情報層に対して光源側に位置する上部情報層の記録状態を検出する記録識別回路と、
前記記録マーク検出回路、前記前スペース検出回路、前記層検出回路、及び前記記録識別回路の出力信号から前記始端パルスの遅延量を設定し、遅延始端パルスを発生する始端パルス遅延回路と、
前記記録マーク検出回路、前記後スペース検出回路、前記層検出回路、及び前記記録識別回路の出力信号から前記後端パルスの遅延量を設定し、遅延後端パルスを発生する後端パルス遅延回路とからなるタイミング制御部と
をさらに備えていてもよい。
【００３４】
また、前記層検出回路の識別結果に従って、前記管理領域に記載されている始端開始情報及び後端開始情報の中から、始端パルスの遅延量及び後端パルスの遅延量を選択する選択手段をさらに備えていてもよい。
【００３５】
さらに、前記記録識別回路の識別結果に従って、前記管理領域に記載されている始端開始情報及び後端開始情報の中から、始端パルスの遅延量、及び後端パルスの遅延量を選択する選択手段をさらに備えていてもよい。
【００３６】
またさらに、記録を行う情報層の反射光量を検出する反射光量検出手段をさらに備え、
前記反射光量検出手段によって得られる検出結果に応じて始端パルスの遅延量、及び後端パルスの遅延量を決定してもよい。
【００３７】
また、前記層検出回路で、情報層を識別する層識別子を検出してもよい。
【００３８】
さらに、前記記録識別回路で、情報層が記録状態であるか未記録状態であるかを識別する記録識別子を検出してもよい。
【００３９】
また、光を情報層に照射して形成するマークの長さ及び２つのマークの間のスペースの長さとして情報信号を記録する複数の情報層を備えた光記録媒体の記録装置であって、
記録する情報層が複数の情報層のうちのいずれであるかを検出する層検出手段と、
記録する情報層の位置、前記マークの長さ、及び前記マークの直前のスペースの長さに対応した始端パルスの遅延量の最適値を決定する始端学習手段と、
記録する情報層の位置、前記マークの長さ、及び記録マークの直後のスペースの長さに対応した後端パルスの遅延量の最適値を決定する後端学習手段と
を備えたことを特徴とする。
【００４０】
なお、前記複数の情報層のうち、少なくとも２つの情報層を選択して始端学習手段と後端学習手段とを動作させて、
他の情報層の記録開始位置の最適値及び記録終了位置の最適値は、前記始端学習手段と前記後端学習手段の動作結果より演算する演算手段を備えていてもよい。
【００４１】
また、前記始端学習手段及び前記後端学習手段によって得られるそれぞれの学習結果情報を光記録媒体上に記録する学習結果記録手段をさらに備えていてもよい。
【００４２】
さらに、前記始端学習手段及び前記後端学習手段は、前記管理領域に記載された始端記録情報及び後端記録情報を初期値として用いてもよい。
【００４３】
またさらに、前記始端学習手段、及び前記後端学習手段は、さらに各情報層の記録・未記録の状態の変化を検知した場合に対応して動作させてもよい。
【００４４】
また、前記始端学習手段及び前記後端学習手段は、記録する情報層の反射光量の変化を検知した場合に対応して動作させてもよい。
【００４５】
以上のように本発明によれば、複数の情報層を有した光記録媒体において、高密度なマーク長記録を行う場合に、各記録層に対し、独立した記録条件を設定することが可能となる。従って、すべての情報層で、記録マークを再生した信号のジッタが低減され、信号のビット誤り率を改善することがでる。その結果、データの記録密度が大きく改善されるので、光記録媒体の大容量化が可能となる。
【００４６】
発明を実施するための最良の形態
以下図面に基づいて、本発明の実施の形態を説明する。
（実施の形態１）
図２は実施の形態１で用いる光記録媒体を示す断面図である。図２において、光記録媒体２０１は、基板２０２上に複数の情報層２０３（２０３ａ、２０３ｂ、２０３ｃ）を備え、各情報層間は、分離層２０４（２０４ａ、２０４ｂ）により分離されている。本実施の形態では、多層記録媒体の一例として、情報層２０３が３層の場合について説明する。
【００４７】
基板２０２としては、ポリカーボネート等の樹脂材料、及びガラスが用いられる。基板の表面には光ビームのトラッキング用に一定の深さを持つガイドトラック、アドレス用の凹凸ピットや、光記録媒体の管理情報に対応した凹凸ピットが形成されている。
情報層２０３ａ、２０３ｂ、２０３ｃを構成する材料には、１回だけ記録可能な追記型、再記録可能な書き換え型の２種類がある。追記型の記録材料としては、Ｔｅ−Ｏ、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ等の相変化を利用するもの、即ちアモルファス−結晶間の光学定数の差を利用して信号を記録する。また、有機色素材料等の形状変化による回折あるいは情報層の有無による反射光量あるいは透過光量の変化を利用して記録を行う記録材料がある。書き換え型としては、アモルファス−結晶間の相変化をする相変化材料のもの、磁気光学効果を利用した光磁気材料のものがある。相変化材料には、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系等の材料を用いることができる。また、光磁気材料としては、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ系等の材料を用いることができる。
【００４８】
情報層２０３ａ，２０３ｂ，２０３ｃの間には、透明な分離層２０４ａ，２０４ｂを情報層間に設ける。分離層２０４ａ，２０４ｂは照射光の波長に対して、光吸収が小さい薄膜であることが要求され、ＳｉＯ２，ＺｎＳ，ＳｉＮ，ＡｌＮ等の誘電体材料あるいは、ＰＭＭＡ，ポリスチレン等の樹脂材料を用いることができる。情報層２０３ａ，２０３ｂ，２０３ｃの間隔は各情報層に記録された信号の許容クロストーク量に合わせて設定する。光の入射側から見て、最も遠い位置に積層される情報層２０３ｃ上には、情報層を保護するための保護板２０５を設ける。保護板２０５の材料としては、基板２０２と同様の材料、あるいは、金属等の平板を用いることができる。
【００４９】
情報層２０３上の情報信号を記録するデータ領域２０８に、マーク長およびスペース長の両方に記録情報を割り当てた、様々な長さのマークを様々な間隔（スペース）で記録する。
光記録媒体２０１の特定の位置に管理領域２０６を設ける。管理領域２０６は、情報層２０３ａ，２０３ｂ，２０３ｃのそれぞれに対して、記録するマークの長さと直前のスペースの長さに応じて、記録するマークの始端部分を形成する記録開始位置を変化させるための始端記録条件に関する情報と、記録するマークの長さと直後のスペースの長さに応じて、記録するマークの後端部分を形成する記録終了位置を変化させるための後端記録条件に関する情報とを記録する。また、管理領域２０６の形態は、凹凸のピット状のもの、データ領域と同じ記録マーク状のもの、バーコード状のもの、あるいはこれらの形態の組み合わせで形成すれば良い。この結果、各情報層の特性に応じて独立した記録条件を設定でき、安定な記録状態を得ることが可能となる。
【００５０】
なお、管理領域２０６は、特定の１つの情報層に設け、特に、光の入射側から見て最も光源側の情報層２０３ａ上に設けるのが好ましい。情報層２０３ａは、光ビームが他の情報層を透過することがないため、安定に管理領域２０６の情報を再生することが可能となる。
さらに、情報層２０３ａ，２０３ｂ，２０３ｃ上には、各々の情報層の積層位置を識別する情報を記録した層識別子２０７を同層上のデータ領域２０８に近接した位置に設ける。この層識別子２０７の形態は、凹凸のピット状のもの、データ部領域と同じ記録マーク状のもの、バーコード状のもの、あるいはこれらの形態の組み合わせの形態で形成することができる。また、層識別子２０７を、面方向の位置情報を管理するアドレスの情報に付加した形態としてもよい。この場合、記録する情報層と半径位置の情報とが同時に判別できる。
【００５１】
外部の装置より、光記録媒体２０１に情報を記録する装置の動作について、図１のブロック図、及び図３のタイミングチャートを用いて説明する。クロック５３（図３（ａ））に同期したタイミングで記録する情報であるデータ６（図３（ｂ））が入力される。データ６は、基本パルス発生部１を構成する始端パルス発生回路２，バーストゲート発生回路３，及び後端パルス発生回路４に入力する。始端パルス発生回路２において、データ６（図３（ｂ））のＨｉ期間の始端部分にクロックの１周期幅の始端パルス４０（図３（ｃ））を発生する。バーストゲート発生回路３において、マークの中間位置に記録するマークのクロック長より３クロック分短い長さでバーストゲート信号４１（図３（ｄ））を発生する。ただし、マーク長が３クロック以下の時はバーストゲート信号４１は発生しない。後端パルス発生回路４において、データ６のＨｉ期間の後端部分にクロックの１周期の後端パルス４２（図３（ｅ））を発生する。
【００５２】
なお、本実施の形態では、入力するデータ６（図３（ｂ））はクロック単位の長さで、（８−１６）変調信号などのように、クロック５３（図３（ａ））の３周期以上のＨｉ期間及びＬｏ期間を持つ信号をデータとし、データのＨｉ期間を光記録媒体上のマークとし、Ｌｏ期間をスペースに対応させて記録するマーク長記録とする。さらに、説明を簡単にするために、スペース長とマーク長が、３Ｔ及び４Ｔの場合を検出して始端記録条件及び後端記録条件を変化させるものとする。
【００５３】
さらに、データ６は、データ長検出部５を構成する前スペース検出回路７，記録マーク検出回路８，後スペース検出回路９に入力する。前スペース検出回路７は、データ６のＬｏ期間の３クロック，４クロック幅のデータ、即ち３Ｔ，４Ｔスペースを検出し、スペース長検出信号４３を始端開始位置設定回路２３へ送る。また、記録マーク検出回路８は、記録マークの長さを検出した、記録マーク長検出信号４４を始端開始位置設定回路２３へ送る。
【００５４】
次に、光ピック６０は、光記録媒体２０１上の管理領域２０６にレーザ光６１を照射し反射光を検出器６２で受光することで電気信号に変換し検出信号３７を出力する。アンプ７１は、検出信号３７を増幅し再生信号７５を始端記録情報復調回路７２，後端記録情報復調回路７３、層検出回路７４に出力する。
始端記録情報復調回路７２は、再生信号７５の中に含まれる各情報層に記録するための始端記録情報３８を復調する。始端記録情報３８は、情報層に対応した第１から第３の始端条件記憶回路１３，１４，１５にそれぞれ記憶する。
【００５５】
始端条件記憶回路１３，１４，１５の始端記憶情報の一例を（表１）に示す。第１始端条件記憶回路１３内には、情報層２０３ａの始端開始位置パラメータ（層情報，前スペース長，記録マーク長）と、これに対応する始端開始位置設定（アドレス（設定値），遅延時間ｄ１）がある。同様に、第２，第３始端条件記憶回路１４，１５内に、それぞれの情報層の始端開始位置パラメータとこれに対応する始端開始位置設定がある。この様に、各情報層に対し、始端記録条件が各始端条件記憶回路に記憶される。
【００５６】
【表１】
0004185774.tif 000002
【００５７】
同様に、後端記録情報復調回路７３は、再生信号７５の中に含まれる各情報層に記録するための後端記録情報４７を復調する。後端記録情報４７は、情報層に対応した第１から第３の後端条件記憶回路１８，１９，２０に記憶される。
後端条件記憶回路１８，１９，２０の後端記憶情報の一例を（表２）に示す。第１後端条件記憶回路１８内には、情報層２０３ａの後端開始位置パラメータ（層情報，後スペース長，記録マーク長）と、これに対応する後端開始位置設定（アドレス（設定値），遅延時間ｄ２）がある。同様に、第２，第３後端条件記憶回路１９，２０内に、それぞれの情報層の後端開始位置パラメータとこれに対応する後端開始位置設定がある。このように、各情報層に対し、後端記録条件が各後端条件記憶回路に記憶される。
【００５８】
【表２】
0004185774.tif 000003
【００５９】
次に、各情報層２０３上に設けた層識別子２０７にレーザ光６１を照射し、目的とする情報層の特定を行う。
層検出回路７４は、再生信号７５から層識別子２０７の情報層識別情報を復調し、レーザ光６１が集光している情報層が、２０３ａ，２０３ｂ，２０３ｃの何れであるかを判別し、情報層判別信号３９を出力する。情報層判別信号３９に従って、始端条件切り換えスイッチ１６は、記録する情報層に対応する始端条件記憶回路（１３，１４，１５）を選択し、記憶されている始端記録情報４５を出力する。
【００６０】
始端開始位置設定回路２３は、前記始端記録情報４５に対し、前スペース長検出信号４３，記録マーク長検出信号４４に基づいて、パラメータを決定し、このパラメータから始端パルスの遅延時間を決定する。例えば、（表１）で説明した様に、情報層２０３ａに記録する場合には、第１始端条件記憶回路１３を選択し、アドレス（設定値）１１〜１９の内容である、前スペース長、及び記録マーク長に応じて遅延時間ｄ１としてａａ〜ａｉの値がそれぞれ決定される。また、情報層２０３ｂに記録する場合には、第２始端条件記録回路１４を選択し、アドレス（設定値）２１〜２９の内容である、前スペース長、及び記録マーク長に応じて遅延時間ｄ１としてｂａ〜ｂｉの値がそれぞれ決定される。さらに、情報層２０３ｃに記録する場合には、第３始端条件記憶回路１５を選択し、アドレス（設定値）３１〜３９の内容である、前スペース長、及び記録マーク長に応じて遅延時間ｄ１としてｃａ〜ｃｉの値が決定される。なお、ここで遅延時間ｄ１は正の値をとるものとして扱っているが、負の値を含めてもよい。
【００６１】
始端パルス遅延回路２４は、始端位置設定回路２３から出力した遅延信号４９に従って始端パルス４０（図３（ｃ））を遅延させ、遅延始端パルス５０（図３（ｆ））を出力する。以上、記録マークを形成する情報層、記録マーク長さ、及び前スペースの長さに応じて、遅延量を変化させた遅延始端パルス５０を出力することができる。
【００６２】
同様に、後端開始位置設定回路２５は、後端記録情報４８と記録マーク長検出信号４４，後スペース長検出信号４６に基づいて、パラメータを決定し、このパラメータから後端パルスの遅延時間を決定する。例えば、表２で説明した様に、情報層２０３ａに記録する場合には、第１後端条件記憶回路１８を選択し、アドレス（設定値）１１〜１９の内容である、後スペース長、及び記録マーク長に応じて遅延時間ｄ２としてｄａ〜ｄｉの値がそれぞれ決定される。また、情報層２０３ｂに記録する場合には、第２後端条件記録回路１９を選択し、アドレス（設定値）２１〜２９の内容である、後スペース長、及び記録マーク長に応じて遅延時間ｄ２としてｅａ〜ｅｉの値がそれぞれ決定される。さらに、情報層２０３ｃに記録する場合には、第３後端条件記憶回路２０を選択し、アドレス（設定値）３１〜３９の内容である、後スペース長と記録マーク長の組み合わせに応じて遅延時間ｄ２としてｆａ〜ｆｉの値が決定される。なお、ここで遅延時間ｄ２は正の値をとるものとして扱っているが、負の値も含めてもよい。
【００６３】
後端パルス遅延回路２６は、後端位置設定回路２５から出力した遅延信号５１に従って後端パルス４２（図３（ｅ））を遅延させ、遅延始端パルス５２（図３（ｇ））を出力する。以上、記録マークを形成する情報層、記録マーク長さ、及び後スペースの長さに応じて、遅延量を変化させた遅延後端パルス５２を出力することができる。
【００６４】
一方、アンドゲート２９は、バーストゲート信号４１（図３（ｄ））とクロック５３（図３（ａ））の論理積を取り、中間パルス５４（図３（ｈ））を出力する。ただし、３Ｔ以下のマークでは、バーストゲートを発生しないようにする。
次に、ＯＲゲート３０は、遅延始端パルス５０、遅延後端パルス５２、中間パルス５４の論理和をとり、記録パルス２８（図３（ｉ））を生成する。
【００６５】
レーザ駆動部３１は、記録パルス２８に従って、レーザ３２を駆動する。レーザ３２は、バイアス電流源３３による駆動電流によりバイアスパワーで発光する。このバイアス電流源３３と並列に記録用電流源３４を接続し、スイッチ３５により記録電流源３４の電流をＯＮ／ＯＦＦすると、レーザ３２がピークパワーとバイアスパワーの間でスイッチングする。スイッチ３５に記録パルス２８で入力することにより、レーザ３２の発光強度がピークパワーとバイアスパワー間で変調された発光波形（図３（ｊ））が出力される。この変調光が光記録媒体２０１上の情報層に照射されることによりマーク及びスペース（図３（ｋ））が形成される。
【００６６】
以上の動作により本実施の形態の光記録装置は、目的とする情報層のそれぞれに対し、マークの記録開始位置と記録終了位置を、所望のデータに対応したマーク及びスペースを記録することができる。このため、情報層によって異なる加熱、冷却条件、及び高密度化に伴って発生する熱干渉で生じるマーク歪みを低減でき、各記録層の記録マークを再生した信号のジッタが低減できる。その結果、複数の情報層を有する光記録媒体のそれぞれの情報層に対して、ビット誤り率の小さい信号を記録することが可能となる。
【００６７】
なお、本実施の形態では、層識別子２０７の情報により記録マークを形成する情報層を識別する場合について説明したが、各情報層からの光の反射光量差によって記録する情報層を識別しても良い。この場合、層検出回路７４は、検出信号３７の信号レベルの大きさで記録する情報層がいずれであるかを判定できるので層検出回路７４の構成が簡単になる。
【００６８】
また、情報層の識別を、光が照射されている位置情報をもつアドレスと兼用しても良い。この場合は、複数の情報層のすべてに対し統一したアドレスを設定する。例えば、情報層の中の各セクタごとに設けるセクタアドレスの中に情報層ごとに異なるアドレスを設ければ良い。復調したアドレス情報に対し、アドレスと情報層の対応をとることにより、再生中の情報層を特定することが可能となる。
また、本実施の形態では、説明を容易にするために、情報層２０３の層数を３層としたが、層数が増減した場合には、層数に対応するアドレス（設定値）を設ければ良い。
【００６９】
また、５Ｔ以上のスペースのデータについては一定量の遅延量とする場合を例にしたが、すべてのスペース長に対して、始端パルス、後端パルスの遅延制御を行えば、さらにビット誤り率が改善される。
また、記録マーク長と直前のスペース長を検出し、この検出結果に従って遅延制御をする場合を例にしたが、さらに前後のマーク長、前マーク以前のスペース長、後マーク以後のスペース長を検出し、この検出結果に従って、始端パルス、後端パルスの遅延制御を行ってもよい。このようにさらに広い範囲の前後のマーク長や前後のスペース長をあらかじめ検出することで、一層ビット誤り率が改善される。
【００７０】
また、始端パルス位置、後端パルス位置を遅延制御させて記録マークの記録開始位置、記録終了位置を決定する方法で説明したが、始端パルスの後エッジ位置を固定し始端パルス開始エッジ位置を遅延し、後端パルスの開始エッジ位置を固定し後端パルス終了エッジ位置を遅延制御するようにしても良い。
【００７１】
（実施の形態２）
次に、実施の形態２について説明する。光源側から見て第２層目以降の情報層に記録する場合は、光源側の情報層が記録状態であるか未記録状態であるかによって情報層の透過率が変化する。これに伴い、これらの情報層に到達するレーザ光の強度が変化し、始端、後端の記録条件も変化する場合がある。これに対し、本実施の形態では、記録マークを形成する情報層よりも光源側の各情報層の記録状態に応じた独立の始端記録条件、後端記録条件を設定する。
【００７２】
図５は、光記録媒体の断面図である。光記録媒体５０１は、基板２０２，情報層２０３，分離層２０４，保護板２０５，層識別子２０７からなり、実施の形態１と同様のものが使用できる。情報層２０３には、各情報層２０３ａ，２０３ｂ，２０３ｃが記録状態であるか未記録状態であるかを識別する情報を記録した記録識別子５０２（５０２ａ、５０２ｂ、５０２ｃ）を設ける。この記録識別子５０２の形態は、データ部領域と同じ記録マーク状のもの、バーコード状のもの、あるいはこれらの形態の組み合わせの形態で形成すれば良い。
【００７３】
管理領域２０６に、実施の形態１に加えて、各情報層の光源側の情報層の記録状態に応じて、始端記録条件と後端記録条件の情報を備える。即ち、情報層２０３ｂの場合は、情報層２０３ａの２種類の記録条件に関し、情報層２０３ｃは、情報層２０３ａ、２０３ｂの４種類の記録条件に関する情報である。
次に、図４の光記録媒体５０１に情報を記録する装置の構成を、図４のブロック図を用いて説明する。図４は、実施の形態１で用いた図１のブロック図に対し、始端条件選択部、後端条件選択部、及び復調部の構成が異なる。
【００７４】
光記録媒体５０１からの検出信号３７をアンプ７１で増幅し、再生信号７５を出力する。始端記録条件復調回路４３２は、再生信号７５に含まれる始端記録情報４４０を復調し、始端記録情報４４０は、情報層と記録条件により分類される第１始端条件記憶回路４０２から第７始端条件記憶回路４０８の７種類にそれぞれに出力する第１始端条件記憶回路４０２から第７始端条件記憶回路４０８の内容の一例を（表３）に示す。
【００７５】
【表３】
0004185774.tif 000004
【００７６】
第１始端条件記憶回路４０２の内容は、情報層２０３ａに記録する場合の、始端開始位置パラメータ（層情報，前スペース長，記録マーク長）に対する始端開始位置設定（アドレス（設定値），遅延時間ｄ１）である。第２始端条件記憶回路４０３の内容は、情報層２０３ｂに記録する場合であり、かつ入射側の記録層２０３ａが未記録状態である場合の、始端開始位置パラメータ（層情報，前スペース長，記録マーク長）に対応する始端開始位置設定（アドレス（設定値），遅延時間ｄ１）である。第３始端条件記憶回路４０４の内容は、情報層２０３ｂに記録する場合であり、かつ入射側の記録層２０３ａが記録状態である場合の、始端開始位置パラメータ（層情報，前スペース長，記録マーク長）に対応する始端開始位置設定（アドレス（設定値），遅延時間ｄ１）である。
【００７７】
さらに、第４から第７の始端条件記憶回路４０５，４０６，４０７，４０８の内容は、情報層２０３ｃに記録する場合であり、かつ光源側に位置する２つの記録層２０３ａと記録層２０３ｂが、それぞれ記録状態である場合と未記録状態である場合の４種類の状態に対して、始端開始位置パラメータ（層情報，前スペース長，記録マーク長）に対応する始端開始位置設定（アドレス（設定値），遅延時間ｄ１）である。
【００７８】
次に、光記録媒体５０１上の記録識別子５０２に光を照射し、再生信号７５を記録識別回路４３４に出力する。記録識別回路４３４は、再生信号７５から記録識別情報を復調し、情報層２０３ａと２０３ｂが記録状態であるか未記録状態であるかを識別し、記録識別信号４４２を出力する。例えば、記録する情報層が情報層２０３ｂの場合は、第２層始端記録条件切り換えスイッチ４０９が、記録識別信号４４２に従って、始端条件記憶回路４０３と４０４のいずれかを選択し、始端記録情報４４３を出力する。
【００７９】
また、記録する情報層が情報層２０３ｃの場合は、第３層始端記録条件切り換えスイッチ４１０により、記録識別信号４４２に従って、始端条件記憶回路４０５から４０８のいずれかを選択し、始端記録情報４４４を出力する。始端条件切り換えスイッチ１６は、実施の形態１と同様の動作をし、情報層判別信号により、第１層始端情報４４５，第２層始端情報４４３、第３層始端情報４４４のいずれかを選択し、始端情報４５を出力する。以上の動作により、記録する情報層、光源側のそれぞれの情報層の記録状態に応じて、遅延量を変化させた遅延始端パルスを出力することができる。
【００８０】
同様に、後端記録条件復調回路４３３は、再生信号７５に含まれる後端記録情報４４１を復調し、後端記録情報４４１は、情報層と記録条件により分類される第１後端条件記憶回路４２０から第７後端条件記憶回路４２６の７種類にそれぞれに出力する第１後端条件記憶回路４２０から第７後端条件記憶回路４２６の内容の一例を（表４）に示す。
【００８１】
【表４】
0004185774.tif 000005
【００８２】
第１後端条件記憶回路４２０の内容は、情報層２０３ａに記録する場合の、後端開始位置パラメータ（層情報，後スペース長，記録マーク長）に対する後端開始位置設定（アドレス（設定値），遅延時間ｄ２）である。第２後端条件記憶回路４２１の内容は、情報層２０３ｂに記録する場合であり、かつ入射側の記録層２０３ａが未記録状態である場合の、後端開始位置パラメータ（層情報，後スペース長，記録マーク長）に対応する後端開始位置設定（アドレス（設定値），遅延時間ｄ２）である。第３後端条件記憶回路４２２の内容は、情報層２０３ｂに記録する場合であり、かつ入射側の記録層２０３ａが記録状態である場合の、後端開始位置パラメータ（層情報，後スペース長，記録マーク長）に対応する後端開始位置設定（アドレス，遅延時間ｄ２）である。
【００８３】
さらに、第４から第７の後端条件記憶回路４２３，４２４，４２５の内容は、情報層２０３ｃに記録する場合であり、かつ光源側に位置する２つの記録層２０３ａと記録層２０３ｂが、それぞれ記録状態である場合と未記録状態である場合の４種類の状態に対して、後端開始位置パラメータ（層情報，後スペース長，記録マーク長）に対応する後端開始位置設定（アドレス（設定値），遅延時間ｄ２）である。
【００８４】
次に、光記録媒体５０１上の記録識別子５０２に光を照射し、再生信号７５を記録識別回路４３３に出力する。記録識別回路４３４は、再生信号７５から記録識別情報を復調し、情報層２０３ａと２０３ｂが記録状態であるか未記録状態であるかを識別し、記録識別信号４４１を出力する。例えば、記録する情報層が情報層２０３ｂの場合は、第２層後端記録条件切り換えスイッチ４２７が、記録識別信号４４１に従って、後端条件記憶回路４２１と４２２のいずれかを選択し、後端記録情報４５１を出力する。
【００８５】
また、記録する情報層が情報層２０３ｃの場合は、第３層後端記録条件切り換えスイッチ４２８により、記録識別信号４４１に従って、後端条件記憶回路４２３から４２６のいずれかを選択し、後端記録情報４５２を出力する。後端条件切り換えスイッチ２１は、実施の形態１と同様の動作をし、情報層判別信号３９により、第１層後端情報４５３，第２層後端情報４５１、第３層後端情報４５２のいずれかを選択し、後端記録情報４８を出力する。以上の動作により、記録する情報層、光源側のそれぞれの情報層の記録状態に応じて、遅延量を変化させた遅延後端パルスを出力することができる。
【００８６】
以上の動作により本実施の形態の光記録装置は、マークの記録開始位置と記録終了位置を、記録する情報層、入射側の上部情報層の記録状態、記録するマーク長、及びその前後のスペース長に応じて記録することができる。このため、入射側の情報層の記録状態によって生じる光の照射条件の差を補償することができ、記録マークを再生した信号のジッタが低減する。その結果、複数の情報層を有する光記録媒体のそれぞれの情報層に対して、ビット誤り率の小さい信号を記録することが可能となる。
【００８７】
なお、記録識別回路４３４は、記録する情報層を再生した際に、再生信号の中から反射光量を推定した、光源側の情報層からの反射光量のレベルに従った記録識別情報を出力させるようにしても良い。記録する情報層の光源側の情報層の入射ビームが透過する範囲に、記録領域と未記録領域が共存する場合においても、反射光量のレベルから、始端パルス及び後端パルスの遅延量の補正割合をステイすることができる。
また、信号を光源に対し最も奥の情報層から順次記録する方式に限定すれば、各情報層の始端・後端の記録条件は２種類に簡略することができる。
【００８８】
（実施の形態３）
次に、光記録媒体間差、あるいは光記録装置間差による記録条件差を補正するため、本実施の形態では、記録パルスの始端位置、及び後端位置を各情報層ごとに学習し、最適値を求める方法について説明する。
図６は、光記録媒体の断面を示した図である。情報層２０３ａ，２０３ｂ，２０３ｃには、それぞれ始端パルス、及び後端パルスの遅延量の最適値を決定するための学習領域６０１を備える。光記録媒体５０１に情報を記録する装置の構成としては、図８に示したように、図１のタイミング制御部２２の始端パルス遅延回路２４に始端遅延量変更回路８０１と、後端パルスの遅延量遅延回路２５に後端遅延量変更回路８０２を付加する。
【００８９】
以下、光記録装置で各情報層に対して始端パルス、及び後端パルスの遅延量を学習する手順を、図７のフローチャートを用いて説明する。光ビーム照射工程７０１では、レーザ光を学習する情報層２０３上の学習領域６０１に集光する。始端遅延量変更工程７０２は、始端遅延量変更回路８０１が、記録するマーク及び直前のスペースのそれぞれの組み合わせに対して、遅延量を段階的に変更した遅延信号４９を出力する。始端パルス遅延回路２４は、遅延信号４９に従って遅延始端パルス５０を出力する。
【００９０】
次に、後端遅延量変更工程７０３では、後端遅延量変更回路８０２が、記録するマーク及び直後のスペースのそれぞれの組み合わせに対して、遅延量を段階的に変更した遅延信号５１を出力する。後端パルス遅延回路２５は、遅延信号５１に従って遅延後端パルス５２を出力する。記録工程７０４では、段階的に変更した、遅延始端パルス５０と遅延後端パルス５２に従った記録パルスにより変調されたレーザ光を情報層２０３上に照射し、記録マークを形成する。次に、再生工程７０５は、ステップ７０４で形成された記録マークとスペースの再生信号のエッジ間隔を測定する。
【００９１】
図９は、記録マークの再生信号、及び遅延量とエッジ間隔の関係を示した図である。図９（ａ）は、記録マークの再生信号波形を示している。例えば、６Ｔマークの前エッジ位置を基準として４Ｔマークの前エッジの間隔を測定する。４Ｔマークの前エッジ位置は、ステップ７０４で段階的に変化させて記録されているので、始端パルスの遅延量に対応して始端エッジ間隔が変わる（図９（ｂ））。さらに、６Ｔマークの後エッジ位置を基準として４Ｔマークの後エッジの間隔を測定する。４Ｔマークの後エッジ位置は、ステップ７０４で段階的に変化させて記録されているので、後端パルスの遅延量に対応して後端エッジ間隔が変わる（図９（ｃ））。
【００９２】
次に、判定７０６では、図９（ｂ）、（ｃ）に示した、再生信号の前エッジ間隔及び後エッジ間隔が最適長さになる始端パルス、後端パルスの最適遅延量を求める。ステップ７０６の後に、遅延量設定７０７は、実施の形態１で説明した図４の始端条件選択部１２内の各始端条件記憶回路に、学習した情報層の始端位置設定値を記憶させる。同様に、後端条件選択部１７内の各後端条件記憶回路に、学習した情報層の後端位置設定値を記憶させる。
【００９３】
以上のステップ７０１からステップ７０７を存在する情報層に対し、繰り返し学習を行う。ステップ７０１からステップ７０７の学習後に、学習値記録工程７０９は、ステップ７０７により記憶させた始端位置設定値及び後端位置設定値の情報を光記録媒体５０１上の管理領域に記録する。ステップ７０９の終了後に、光記録装置は記録可能な待機状態となる。
【００９４】
以上、図７に示した手順では、複数の情報層２０３を有する光記録媒体５０１の各情報層に対して、記録するマーク、直前のスペース、直後のスペースの組み合わせに対応した始端情報あるいは後端情報を最適値にすることが可能となる。
なお、光記録媒体５０１上の管理領域２０６に、光記録媒体の製造段階で求めた推奨条件を記録しておくことが望ましい。この場合は、遅延量変更工程７０２での遅延量の開始値を、管理領域２０６に記録している始端開始位置設定値及び後端開始位置設定値を開始値とするのが望ましい。この場合、最適エッジ間隔に近くなる間隔から学習を開始するので、遅延量の変更範囲を限定し、学習時間を短縮することができる。
【００９５】
また、遅延量設定工程７０７により記憶させた始端位置設定値及び後端位置設定値の情報を光記録媒体上に記録させたが、この場合、再度光記録媒体５０１を光記録装置に装着したときに、記録した始端情報及び後端情報に従って始端位置の遅延量及び後端位置の遅延量を設定すれば、ほぼ最適エッジ間隔値で記録できる。この結果、さらに学習時間が短縮できる、あるいは省略することが可能となる。
【００９６】
さらに、本学習は、最も光源側の情報層と最も光源側から遠い情報層で実施し、他の情報層の学習を省略する。この場合、他の情報層の学習結果は、学習を実施した情報層の学習結果から補間して設定しても良い。この場合、すべての情報層で学習を実施する必要がないので、学習時間を短縮することができる。
さらに、本学習は、記録しようとする情報層の光源側の情報層が記録状態であるか未記録状態であるかに対応して学習しても良い。この場合、光源側の情報層の記録状態によって、以降の情報層に到達するレーザ光の強度が変化し、各情報層の記録条件も変化するが、各情報層の記録状態の組み合わせに対して遅延量を学習しているので、各情報層の記録状態に対応した最適な始端位置設定値、及び後端位置設定値が設定できるので、より正確な学習が可能となる。
【００９７】
また、記録する情報層の光源側の情報層の記録状態に対応して記録学習を行った後、記録する情報層の反射光量が変化した場合は、再度学習を実施しても良い。光源側の情報層の記録状態の変化し、記録状態の領域と未記録状態の領域が混在し、以降の情報層に到達するレーザ光の強度が様々に変化する場合がある。この場合においても、情報層に到達するレーザ光の強度に対応した最適な始端位置設定値、及び後端位置設定値が設定できるので、さらに正確な学習が可能となる。
【００９８】
（実施の形態４）
本発明の実施の形態４に係る光記録媒体の記録方法について説明する。この光記録媒体の記録方法では、実施の形態３に係る光記録媒体の記録方法と比較すると、複数の情報層のうち選択した情報層について学習ステップを実施し、得られた学習結果に基づいて学習ステップを行わなかった情報層に関する記録開始位置及び記録終了位置の最適値を演算によって算出するステップを含んでいる点で相違する。この光記録媒体の記録方法によれば、全ての情報層ではなく、選択した情報層について学習ステップを行うので、学習ステップに要する時間を短縮することができる。
【００９９】
まず、複数の情報層を備えた光記録媒体において、選択した情報層についての学習結果から他の情報層の最適遅延量を算出できる理由について説明する。一般に、多層の情報層を備えた光記録媒体の場合、情報層の反射率、透過率、吸収率等の光学的性質、あるいは熱伝導、昇温及び冷却等の熱的性質は、積層された情報層について連続的あるいは段階的に変化する場合がある。このような複数の情報層を備えた光記録媒体では、全ての情報層のうち、選択した情報層について学習ステップを行うことによって、選択した情報層の学習結果から連続的あるいは段階的に変化した値として、他の情報層の最適遅延量を予測することができる。
【０１００】
この光記録媒体の記録方法について、図１０のフローチャートを用いて説明する。この光記録媒体の記録方法では、図６に示す３層の情報層２０３ａ、２０３ｂ、２０３ｃを備えた光記録媒体５０１の場合を例としている。この記録方法では、３層の情報層のうち、最も光源側から遠い情報層２０３ｃと、最も光源側に近い情報層２０３ａとの２層の情報層を選択して学習ステップを行う。なお、以下の各ステップのうち、８０１から８０７までは、実施の形態３における学習ステップのうち、ステップ７０１から７０７と実質的に同じである。
【０１０１】
（１）光ビームを学習領域に集光する（８０１）。
（２）記録するマークの長さと当該マークの直前のスペースの長さとの組合せに対して、始端遅延量変更回路８１によって始端遅延量を段階的に変化させた遅延信号４９を出力する。次いで、始端パルス遅延回路２４によって遅延信号４９に従って遅延始端パルス５０を出力する（８０２）。
（３）また、記録するマークの長さと当該マークの直後のスペースの長さとの組合せに対して、後端遅延量変更回路８２によって後端遅延量を段階的に変化させた遅延信号５１を出力する。次いで、後端パルス遅延回路２５によって遅延信号５１に従って遅延後端パルス５２を出力する（８０３）。
（４）上記各ステップで得られた遅延始端パルス５０と遅延後端パルス５２に従った記録パルス２８によって変調されたレーザ光を情報層２０３ｃに照射して、記録マークとスペースとを形成する（８０４）。
【０１０２】
（５）形成された記録マークとスペースを読み取って再生信号を得る（８０５）。この再生信号から、隣接する記録マークの始端間の始端エッジ間隔と、後端間の後端エッジ間隔を測定して得る。
（６）次に、始端エッジ間隔及び後端エッジ間隔が、それぞれ最適長さの範囲にあるか否かを判定する（８０６）。これによって、記録するマークの長さと当該マークの前後のスペースの長さの組み合わせごとに対応した最適の始端遅延量及び後端遅延量を求めることができる。なお、記録するマークの長さ、当該マークの直前のスペースの長さ、始端遅延量の組み合わせは始端位置設定値であり、記録するマークの長さ、当該マークの直後のスペースの長さ、後端遅延量の組み合わせは後端位置設定値である。
（７）その後、始端条件選択部１２内の各始端条件記憶回路に、情報層２０３ｃに関する学習結果である上記の始端位置設定値を記憶させる。同様に、後端条件選択部１７内の各後端条件記憶回路に、上記の後端位置設定値を記憶させる（８０７）。
【０１０３】
（８）選択した全ての情報層について上記ステップ８０２からステップ８０７までを行ったか否かを判断する（８０８）。この例では、情報層２０３ａについてまだ学習を行っていないので、情報層２０３ａについて、ステップ８０２に戻って学習を行う。一方、選択した全ての情報層について学習を終えた場合には、次のステップへと進む。
（９）次に、全ての情報層のうち、選択した情報層２０３ａ，２０３ｃによる上記学習結果に基づいて、その他の情報層２０３ｂに関する最適な始端遅延量及び後端遅延量を算出する（８０９）。この算出ステップ８０９では、種々の計算方法を用いてもよい。この例では、光源側に最も近い情報層２０３ａによる学習結果と、光源側から最も遠い情報層２０３ｃによる学習結果との間で補間法を用いて、中間の情報層２０３ｂの始端遅延量及び後端遅延量をそれぞれ算出する。例えば、同一の記録マークの長さと直前のスペースの長さとの組合せについて、情報層２０３ａで得られた始端遅延時間と、情報層２０３ｃで得られた始端遅延時間との中間値として情報層２０３ｂの始端遅延時間を算出する。なお、ここでは、情報層２０３ａ、２０３ｂ及び２０３ｃは、それぞれ光学的特性や、熱的特性が連続的に変化するものとする。
（１０）次いで、情報層２０３ａ、２０３ｂ、２０３ｃのそれぞれについて始端位置設定値及び後端開始位置を光記録媒体５０１の管理領域２０６上に記録する（８１０）。このステップ８１０により全ての情報層２０３ａ，２０３ｂ，２０３ｃについての最適な始端遅延量及び後端遅延量を学習及び補間によって求めることができ、それぞれ始端位置設定値及び後端位置設定値として記録できる。
【０１０４】
以上のように情報層２０３ｂに関する学習ステップを行わないことによって学習ステップに要する時間を短縮することができる。また、光記録媒体が４層以上の情報層を有している場合には、中間に位置する情報層の記録パルスの遅延量の設定値は、光源側の情報層による学習結果と光源側から最も遠い奥の情報層の学習結果とからそれぞれの遅延量の設定値を均等配分して設定してもよい。
【０１０５】
なお、本実施の形態では、補間法として選択した２つの情報層の学習結果から直線的に補間して、中間に位置する情報層についての最適な遅延量として中間値を用いたが、これに限られない。例えば、中間に位置する各情報層の記録パルスの学習結果をあらかじめ予備的に測定しておき、この特性の測定結果から、補間係数（補間式）を算出してもよい。その後、同種の多層光記録媒体で学習ステップを行う場合には、この補間係数（補間式）を用いて補間を行うことができる。なお、この場合には、得られた学習結果及び補間係数等を光記録媒体の記録装置に記録しておくことによって同種の多層光記録媒体で学習ステップを行うことができる。
【０１０６】
また、情報層が２層のみの場合には、あらかじめ予備的に光源側の情報層と奥の情報層とでそれぞれ学習ステップを実施しておく。これによって、一方の情報層の学習結果から、他方の情報層の最適な遅延量についての補間係数をそれぞれ求めておく。その後、同種の光記録媒体で学習ステップを行う場合には、一方の情報層について学習ステップを行うことによって、他方の情報層の最適な遅延量について補間を行うことができる。そこで、２つの情報層のうち一方の情報層についてのみ学習手順を行えばよいので、学習手順に要する時間を短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１に係る光記録媒体の記録装置を示すブロック図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る光記録媒体の断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る光記録媒体への記録マーク形成時のタイミングチャートである。
【図４】本発明の実施の形態２に係る光記録媒体の記録装置を示すブロック図である。
【図５】本発明の実施の形態２に係る光記録媒体の断面図である。
【図６】本発明の実施の形態３に係る光記録媒体の断面図である。
【図７】本発明の実施の形態３に係る光記録媒体の記録方法における記録パルス遅延量の学習手順を示したフローチャートである。
【図８】本発明の実施の形態３に係る光記録媒体の記録装置のブロック図である。
【図９】本発明の実施の形態３に係る記録マークの再生信号、及び遅延量とエッジ間隔の関係を示す概念図である。
【図１０】本発明の実施の形態４に係る光記録媒体の記録方法における記録パルス遅延量の学習手順を示したフローチャートである。
【図１１】従来の光記録媒体の断面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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