(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクに形成されたパターンがウェハ上に設計値通りに転写されるように、マスクにパターンを形成する際の元となる設計パターンを補正するマスクパターン補正方法であって、
前記設計パターンの各エッジ毎にその周辺環境に基づいて該エッジの最大移動可能量を決定する工程と、決定された最大移動可能量に応じて前記設計パターンのエッジを移動させる工程とを含むことを特徴とするマスクパターン補正方法。
【請求項２】
前記最大移動可能量を決定する工程は、前記設計パターンの各エッジ毎に該エッジと隣接するエッジとの間隔、及び該隣接エッジが補正されるエッジか否かに基づいて最大移動可能量を決定することを特徴とする請求項１記載のマスクパターン補正方法。
【請求項３】
前記最大移動可能量を決定する工程は、移動する方向に応じてそれぞれ異なる値を設定することを特徴とする請求項１又は２に記載のマスクパターン補正方法。
【請求項４】
前記最大移動可能量を決定する工程は、マスクの欠陥検査装置の検査限界寸法に応じて前記決定を行うことを特徴とする請求項１又は２に記載のマスクパターン補正方法。
【請求項５】
マスクに形成されたパターンがウェハ上に設計値通りに転写されるように、マスクにパターンを形成する際の元となる設計パターンを補正するマスクパターン補正方法であって、
前記マスク上で許容されるパターンの最小スペース幅Ｓlim と最小ライン幅Ｌlim とを規定する第１の工程と、注目するエッジが補正対象か否かを判定する第２の工程と、該注目エッジと隣接するエッジとの最短スペース距離Ｓmin 及び最短ライン距離Ｌmin のうち少なくとも一方を算出する第３の工程と、該注目エッジに隣接するエッジが補正対象か否かを判定する第４の工程と、第２及び第４の工程での判定結果に基づいてエッジ毎に最大移動可能量を演算する第５の工程とを含むことを特徴とするマスクパターン補正方法。
【請求項６】
第３の工程で、注目エッジと隣接エッジ間の最短距離を示す直線と注目エッジに対する垂線との成す角α、及び隣接エッジと最短距離を示す直線との成す角βも同時に算出し、これらの角度のうち少なくとも一方が９０度又は２７０度でない場合には、第５の工程における演算で、α，βの角度を考慮して最大移動可能量を演算することを特徴とする請求項５記載のマスクパターン補正方法。
【請求項７】
マスクに形成されたパターンがウェハ上に設計値通りに転写されるように、マスクにパターンを形成する際の元となる設計パターンを補正するマスクパターン補正装置であって、
前記マスク上で許容されるパターンの最小スペース幅Ｓlim と最小ライン幅Ｌlim を入力する入力部と、注目するエッジが補正対象か否かを判定する第１の判定部と、該注目エッジと隣接するエッジとの最短スペース距離Ｓmin 及び最短ライン距離Ｌmin のうち少なくとも一方を算出する算出部と、該注目エッジに隣接するエッジが補正対象か否かを判定する第２の判定部と、各判定部での判定結果に基づいてエッジ毎に最大移動可能量を演算する演算部と、演算結果を出力する出力部とを具備してなることを特徴とするマスクパターン補正装置。
【請求項８】
マスクに形成されたパターンがウェハ上に設計値通りに転写されるように、マスクにパターンを形成する際の元となる設計パターンをコンピュータにより補正するためのプログラムであって、
前記マスク上で許容されるパターンの最小スペース幅Ｓlim と最小ライン幅Ｌlim とを規定する第１の手順と、注目するエッジが補正対象か否かを判定する第２の手順と、該注目エッジと隣接するエッジとの最短スペース距離Ｓmin 及び最短ライン距離Ｌmin のうち少なくとも一方を算出する第３の手順と、該注目エッジに隣接するエッジが補正対象か否かを判定する第４の手順と、第２及び第４の手順での判定結果に基づいてエッジ毎に最大移動可能量を演算する第５の手順と、を実行させるようにコンピュータを制御するためのプログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、露光用マスクにパターンを形成する際の元となる設計パターンデータを補正するためのマスクパターン補正方法、マスクパターン補正装置、更にはマスクパターン補正のためのプログラムを格納した記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年の半導体製造技術の進歩は非常に目覚しく、既に最小加工寸法０．２μｍサイズの半導体が量産されている。このような微細化は、マスクプロセス技術，光リソグラフィ技術，及びエッチング技術等の微細パターン形成技術の飛躍的な進歩により実現されている。
【０００３】
パターンサイズが十分大きい時代には、ウェハ上に形成したいＬＳＩパターンの平面形状をそのまま設計パターンとして描き、その設計パターンに忠実なマスクパターンを作成し、そのマスクパターンを投影光学系によってウェハ上に転写し、下地をエッチングすることによってほぼ設計パターン通りのパターンがウェハ上に形成できた。しかし、パターンの微細化が進むにつれて、各プロセスでパターンを忠実に形成することが困難になってきており、最終仕上り寸法が設計パターン通りにならない問題が生じてきた。
【０００４】
これらの問題を解決するために、各プロセスでの変換差を考慮して、最終仕上り寸法が設計パターン寸法と等しくなるように、設計パターンと異なるマスクパターンを作成する手段（以下マスクデータ処理と言う）が非常に重要になっている。
【０００５】
マスクデータ処理には、図形演算処理とデザインルールチェッカ（D.R.C）を用いてパターンを変化させるＭＤＰ処理や、光近接効果（ＯＰＥ）を補正するための光近接効果補正（ＯＰＣ）処理などがある。しかし、近年のパターン微細化に伴って、従来ＭＤＰ処理手法を利用して行われていたＯＰＣ処理（ルールベース方式ＯＰＣ処理）から光学的なモデルを用いたより高精度なモデルをべ一スとしたＯＰＣ処理が主流になってきている。モデルベースＯＰＣ処理では、与えられた設計パターンがウェハ上に形成すべきパターンであるとして、仕上り予測シミュレーションを行い、そのシミュレーション結果が設計パターンとほぼ一致するように補正を行う。
【０００６】
この場合の補正量としては制限を与えない限り任意の値を取ることができるため、あるエッジと隣接するエッジとの間隔が非常に小さくなることもある。この間隔がマスク欠陥検査の解像度よりも小さくなると、マスク欠陥検査で擬似欠陥が発生し、検査感度を落として検査を行わなければならない。その結果、マスク全面で低い検査感度となるため、本来検出できるはずの欠陥も見落とす恐れがある。
【０００７】
この問題を解決するために、特開平１１−１７４６５９号公報で提案されているように、補正後パターンと元々のパターンの各エッジを最大補正量分だけリサイズした検証用パターンとを比較し、補正パターンが制限された最大補正量よりも大きく補正されていないことを検証し、もし最大補正量よりも大きい補正量が入っている場合には、その部分の補正量を変更するという方法がある。
【０００８】
しかしながら、この種の方法にあっては次の (1)〜(3) ような問題が生じる。
【０００９】
(1) 補正後のエッジ間の間隔がある値以下にならないように最大補正量を制限すると、例えば孤立パターンのように、制限された最大補正量よりもさらに補正できるようなパターンに対しても、この最大補正量が適用されてしまうため、補正量が未達になることがある。
【００１０】
(2) 最大補正量を制限しないで補正した後にパターン検証を行って、エッジ間の間隔が制限より小さい場合に補正量を変更する方法だと、補正精度そのものが劣化してしまい、仕上り形状の保証ができない。
【００１１】
(3) エッジがパターンの内側に補正される(パターンが細くなるように補正される)とき、最大補正量だけでエッジの移動量を規定すると、場合によってはパターンのねじれが発生することがある。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
このように従来のマスクパターン補正方法においては、エッジに対する最大補正量を制限すると補正量が未達になる場合があり、これとは逆に、最大補正量を制限しないで補正した後にパターン検証を行って補正量を変更する方法だと、補正精度そのものが劣化してしまい、仕上り形状の保証ができない。また、最大補正量だけでエッジの移動量を規定すると、パターンのねじれが発生することがある。
【００１３】
本発明は、上記事情を考慮して成されたもので、その目的とするところは、マスク欠陥検査装置の制限値を守りながら補正精度の劣化をできる限り小さく抑えることができ、かつねじれパターンの発生を抑えることのできる、マスクパターン補正方法と補正装置、更にはマスクパターン補正プログラムを格納した記録媒体を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
（構成）
上記課題を解決するために本発明は、次のような構成を採用している。
【００１５】
即ち本発明は、マスクに形成されたパターンがウェハ上に設計値通りに転写されるように、マスクにパターンを形成する際の元となる設計パターンを補正するマスクパターン補正方法であって、前記設計パターンの各エッジ毎にその周辺環境に基づいて該エッジの最大移動可能量を決定する工程と、決定された最大移動可能量に応じて前記設計パターンのエッジを移動させる工程とを含むことを特徴とする。
【００１６】
ここで、本発明の望ましい実施態様としては次のものが挙げられる。
【００１７】
(1) 最大移動可能量を決定する工程として、設計パターンの各エッジ毎に該エッジと隣接するエッジとの間隔、及び該隣接エッジが補正されるエッジか否かに基づいて最大移動可能量を決定する。
【００１９】
(2) 最大移動可能量を決定する工程では、移動する方向に応じてそれぞれ異なる値を決定すること。
【００２０】
(3) 最大移動可能量を決定する工程では、マスクの欠陥検査装置の検査限界寸法に応じて決められること。
【００２１】
また本発明は、マスクに形成されたパターンがウェハ上に設計値通りに転写されるように、マスクにパターンを形成する際の元となる設計パターンを補正するマスクパターン補正方法において、前記マスク上で許容されるパターンの最小スペース幅Ｓlim と最小ライン幅Ｌlim とを規定する第１の工程と、注目するエッジが補正対象か否かを判定する第２の工程と、該注目エッジと隣接するエッジとの最短スペース距離Ｓmin 及び最短ライン距離Ｌmin のうち少なくとも一方を算出する第３の工程と、該注目エッジに隣接するエッジが補正対象か否かを判定する第４の工程と、第２及び第４の工程での判定結果に基づいてエッジ毎に最大移動可能量を演算する第５の工程とを有することを特徴とする。
【００２２】
ここで、第３の工程で、注目エッジと隣接エッジ間の最短距離を示す直線と注目エッジに対する垂線との成す角α、及び隣接エッジと最短距離を示す直線との成す角βも同時に算出し、これらの角度のうち少なくとも一方が９０度又は２７０度でない場合には、第５の工程における演算で、α，βの角度を考慮して最大移動可能量を演算することが望ましい。
【００２３】
また本発明は、マスクに形成されたパターンがウェハ上に設計値通りに転写されるように、マスクにパターンを形成する際の元となる設計パターンを補正するマスクパターン補正装置において、前記マスク上で許容される最小スペース幅Ｓlim と最小ライン幅Ｌlim とを入力する入力部と、注目するエッジが補正対象か否かを判定する第１の判定部と、該注目エッジと隣接するエッジとの最短スペース距離Ｓmin 及び最短ライン距離Ｌmin のうち少なくとも一方を算出する算出部と、該注目エッジに隣接するエッジが補正対象か否かを判定する第２の判定部と、各判定部での判定結果に基づいてエッジ毎に最大移動可能量を演算する演算部と、演算結果を出力する出力部とを具備してなることを特徴とする。
【００２４】
また本発明は、マスクに形成されたパターンがウェハ上に設計値通りに転写されるように、マスクにパターンを形成する際の元となる設計パターンを補正するためのプログラムであって、コンピュータを制御するためのプログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記録媒体において、前記プログラムは、前記マスク上で許容されるパターンの最小スペース幅Ｓlim と最小ライン幅Ｌlim とを規定する第１の手順と、注目するエッジが補正対象か否かを判定する第２の手順と、該注目エッジと隣接するエッジとの最短スペース距離Ｓmin 及び最短ライン距離Ｌmin のうち少なくとも一方を算出する第３の手順と、該注目エッジに隣接するエッジが補正対象か否かを判定する第４の手順と、第２及び第４の手順での判定結果に基づいてエッジ毎に最大移動可能量を演算する第５の手順と、を実行させるようにコンピュータを制御することを特徴とする。
【００２５】
（作用）
本発明によれば、設計パターンのエッジを移動させる工程よりも前に、設計パターンの各エッジ毎にその周辺環境（注目エッジと隣接するエッジとの間隔、及び隣接エッジが補正されるエッジか否か等）に基づいて注目エッジの最大移動可能量を決定することにより、マスク欠陥検査限界寸法以下のパターンを作成せず、かつねじれパターンを作成せず、かつ可能な限り補正精度を劣化させないマスクパターン補正を行うことができる。その結果、ウェハ上に形成される仕上りパターン形状も設計パターンに対して忠実に形成することが可能となる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の詳細を図示の実施形態によって説明する。
【００２７】
（第１の実施形態）
図１（ａ）（ｂ）に、本発明の第１の実施形態に係わるマスクパターン補正方法を説明するための図を示す。（ａ）は隣接パターン間距離が短い例（密集パターン）、（ｂ）は隣接パターン間距離が長い例（孤立パターン）であり、図中の１１，２１はパターン、１２，２２はエッジを示している。
【００２８】
図１（ａ）（ｂ）において、マスク検査感度の限界寸法が１００ｎｍ（ウェハ上寸法換算）であるとし、予めデザインルールで規定される設計パターンの最短エッジ間隔が１６０ｎｍとする。従来のマスクパターン補正方法では主に以下の２つの補正方式が用いられていた。第１の方式は、全てのエッジに割り当てられる最大補正量を（１６０−１００）／２＝３０ｎｍである制限して補正を行う方法である。第２の方式は、最大補正量に制限をせずに補正を行い、設計データから検証用データを作成し、補正後のデータと検証用データを比較検証し、エッジ間の間隔がマスク欠陥検査制限値以上になるように補正量を変える方法である。
【００２９】
しかし、従来技術の項でも述べたように第１の方式は、図１（ａ）に示す密集パターンに対しては有効であるが、図１（ｂ）に示す孤立パターンに対しては有効な方法ではない。何故なら、孤立パターンでは周辺にパターンが無いために、３０ｎｍ以上の補正量でもマスク寸法が検査限界値を超えることはないからである。また第２の方式では、補正した後の補正量を変えてしまうことによりウェハ上での仕上り形状も変化するため、補正精度の劣化を招く恐れがある。
【００３０】
以下に、本実施形態によるマスク補正方法の処理フローを図２に示す。図１（ａ）（ｂ）の太線で示したエッジ１２を補正する場合を想定する。まず、設計パターンを入力した後（Ｓ１）、補正を行う前にD.R.C.等を用いて太線のエッジ１２と隣接するエッジ２２までの距離を算出する（Ｓ２）。また、距離を算出すると同時に隣接するエッジ２２が補正対象のエッジなのか、若しくは補正対象外のエッジなのかを判断する（Ｓ３）。エッジが補正対象か対象外かは、そのエッジに割り当てられたレイヤ番号等を見ることで判断できる。この結果、図１（ａ）（ｂ）の太線のエッジ１２については、以下の４通りに場合分けされる。
【００３１】
0004068290.tif 000002
マスク欠陥検査の限界寸法が１００ｎｍであり、▲１▼では隣接エッジ２２が補正対象となっているため、それが補正されることも考慮した上で最大補正量を決める必要がある。従って、（１６０−１００）／２＝３０ｎｍが最大補正量となる（Ｓ４）。▲２▼では、隣接エッジ２２が補正対象外でありそれは補正されないため、１６０−１００＝６０ｎｍが最大補正量となる。▲３▼▲４▼でも同様に求めると、それぞれ（５００−１００）／２＝２００ｎｍ，５００−１００＝４００ｎｍが最大補正量となる。全てのエッジに対して最大補正量が決まったら、この情報に基づいて設計パターンの各エッジを移動させる（Ｓ５）。そして、補正された設計パターンデータを基にマスクにパターンを形成することになる。。
【００３２】
このように本実施形態では、補正（エッジの移動工程）を行う前に各エッジ毎に最大補正量を決めた後、それぞれの最大補正量よりエッジ移動量が小さくなるように補正量を決める。こうすれば、図１（ａ）に示すような密集パターンでは▲１▼▲２▼のように、マスク欠陥検査限界の１００ｎｍ以下のエッジ間間隔を作らず、かつできる限り大きい最大補正量を設定することが可能となる。一方、図１（ｂ）に示すような孤立パターンでは▲３▼▲４▼のように、密集パターンに比べて大きい最大補正量を設定することが可能となる。この結果、マスク欠陥検査に影響を与えず、かつ補正精度を可能な限り劣化させることなく設計パターンの補正を行うことが可能となった。
【００３３】
（第２の実施形態）
第２の実施形態として、パターンのねじれを回避できる最大補正量の設定方法を説明する。
【００３４】
図３（ａ）のパターンの太線で示したエッジを補正する場合を考える。図中の３１，３２はパターン、３３は注目エッジ、３４は仕上がり形状を示している。太線で示した２つの注目エッジ３３（Ａ，Ｂ）に対して仕上り形状３４は外側にあるため、エッジＡ，Ｂは共にパターンに対して内側に補正されることが望ましい。このようなパターンを従来法で補正すると、仮に最大補正量が８０ｎｍ以上に設定されている場合には、図３（ｂ）に示すようにエッジＡ，Ｂが互いに内側に補正された結果、エッジＡとエッジＢの位置関係が入れ替わってしまい、パターンのねじれが発生する恐れがあった。このようになると、正しいシミュレーションを行うことができないため、正しい補正値を得ることができない。
【００３５】
本実施形態においては、補正前に補正対象エッジと隣接するエッジとの間隔を算出することができるので、ねじれパターンを発生しないように一方向に対する補正最大量を決定することができる。
【００３６】
図３（ａ）のパターンを用いて本実施形態による補正方法を説明する。まず、図３（ａ）のエッジＡを補正対象エッジであるとしたとき、補正を行う前にD.R.C.機能を用いてエッジＡとエッジＢとの間隔を算出する。ここで、マスク欠陥検査限界寸法が１００ｎｍであり、エッジＡとエッジＢとの間隔は１６０ｎｍであり、かつエッジＢは補正対象エッジであることも判断できるので、第１の実施形態で示した場合分けを行うと、エッジＡの一方向に対する最大補正量は（１００−１６０）／２＝−３０ｎｍと−方向に対する最大補正量を決定することができる。エッジＢに対しても同様に、−方向に対する最大補正量として−３０ｎｍを決定することができる。これにより、エッジ補正に伴うねじれパターンの発生を防止することができる。
【００３７】
そして、第１の実施形態に示した方法で＋方向の最大補正量を規定し、本実施形態に示した方法で−方向の最大補正量を規定することにより、マスク欠陥検査の限界寸法以下のパターンを作らず、かつねじれパターンも作らずに、かつ補正精度の劣化も可能な限り小さく抑えながら補正できることになる。
【００３８】
（第３の実施形態）
図４は、本発明の第３の実施形態に係わるマスクパターン補正装置の基本構成を示すブロック図である。なお、本装置は、例えば磁気ディスク等の記録媒体に記録されたプログラムを読み込み、このプログラムによって動作が制御されるコンピュータによって実現される。
【００３９】
図中の４１はマスクパターンの設計データ（設計パターン）とマスク上で許容される最短スペース幅Ｓlim 及び最短ライン幅Ｌlim を入力するためのパターン入力部、４２は注目するエッジが補正対象か否かを判定する第１の判定部、４３は注目エッジと隣接するエッジとの最短スペース距離Ｓmin 及び最短ライン距離Ｌmin のうち少なくとも一方を算出する算出部、４４は注目エッジに隣接するエッジが補正対象か否かを判定する第２の判定部、４５は判定結果に基づいてエッジ毎に最大移動可能量を演算する演算部、４６は演算結果を出力する出力部を示している。
【００４０】
図５に、上記補正装置を用いたマスクパターン補正方法の処理フローを示す。まず、補正対象エッジを含む設計パターンを入力する（Ｓ１）。このとき、マスク上で許容される最短スペース幅Ｓlim と最短ラインＬlim をそれぞれ入力する（Ｓ２）。
【００４１】
次いで、注目するエッジが補正対象であるか否かを判定する（Ｓ３）。補正対象外である場合は、エッジ最大移動量ｘ＝０を設定する（Ｓ４）。補正対象である場合は、マスクパターン補正装置に組込まれたD.R.C.機能を用いて、補正対象エッジと隣接するエッジとの間隔を算出する（Ｓ５）。具体的には、エッジ間最短距離Ｓmim ，Ｌmin を算出し、更に最短距離とエッジとの成す角α，βを算出する。
【００４２】
次いで、注目エッジに隣接する隣接エッジが補正対象であるか否かを判定し（Ｓ６）、補正対象エッジか補正対象外エッジかに応じて場合分けを行う（Ｓ７，Ｓ８）。そして、決められたマスク欠陥検査の限界寸法値を用いて、場合分けに応じて演算処理を行い、各エッジに＋方向の最大補正量と−方向の最大補正量とをそれぞれ設定する（Ｓ９）。この設定が終了した後、この最大補正量の条件を満たすように補正を行い（Ｓ１０）、その結果である補正パターンを出力する（Ｓ１１）。
【００４３】
このような手順で補正を行うことにより、マスク欠陥検査限界寸法以下のパターンとねじれパターンを作らず、補正精度の劣化をできるだけ小さく抑えて補正を行うことができた。
【００４４】
（第４の実施形態）
第４の実施形態として、注目するエッジと隣接エッジとの最短距離を示す直線がそれぞれのエッジに対して９０度又は２７０度でない場合の例を説明する。図６は、本発明の第４の実施形態に係わるマスクパターン補正方法を説明するための図であり、６１，６２はパターン、７１は注目エッジ、７２は隣接エッジを示している。
【００４５】
図６に示すように、注目エッジ７１と隣接するエッジ７２との最短距離をＳmin とし、その最短距離を結ぶ直線と注目エッジ７１に対する垂線との成す角をα、隣接エッジ７２に対する垂線との成す角をβとし、マスク上許容される最小スペース幅をＳlim とし、この条件でのエッジ最大移動可能量をｘとする。このとき、以下の式が成り立つ。
【００４６】
Smin -Slim =x/cosα+x/cosβ
∴ｘ＝(Smin-Slim)/(1/cosα+1/cosβ)
この式は隣接エッジも補正対象の場合であり、隣接エッジが補正対象外の場合には、
Smin -Slim ＝ｘ／cos α
∴ｘ＝（Smin-Slim）／（1/cosα）
となる。この式により最大移動可能量ｘが算出できる。このｘの値に従って補正を行うことにより、マスク上許容される最短スペース幅をほぼ確保することができ、マスクプロセス負荷を低減させることができる。また、本実施形態ではスペースに対するエッジ最大移動可能量を算出する例を示したが、これはラインに対しても同様に適用することができる。
【００４７】
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。例えば、各実施形態で説明した補正方法に加え、補正精度の更なる向上をはかるために、マスクの最大補正量を補正計算を行う度に算出するようにしてもよい。言い換えると、マスクパターンの補正は通常、補正値を収束させるために繰り返し計算を行っているため、その繰り返しの度に実施形態で示したように最大補正量を算出することも可能である。既に補正された値を考慮しながら最大補正量を決定することによって、より精度良く補正を行うことが可能となる。
【００４８】
上記のように補正値を繰り返し計算により決定する場合、隣接エッジが補正されるエッジか否かを考慮せずに最大移動可能量を決定してもよい。これは、決定した最大移動可能量を加えた状態で、該エッジと隣接するエッジとの間隔に基づいて最大移動可能量を再決定することになり、隣接エッジが補正されるエッジか否かを考慮しなくても精度良い補正が可能となるためである。
【００４９】
また本発明は、コンピュータに実行させることのできるプログラムとして、例えば磁気ディスク（フロッピーディスク，ハードディスク等）、光ディスク（ＣＤ−ＲＯＭ，ＤＶＤ等）、半導体メモリなどの記録媒体に書き込んで各種装置に適用したり、通信媒体により伝送して各種装置に適用することも可能である。本装置を実現するコンピュータは、記録媒体に記録されたプログラムを読み込み、このプログラムによって動作が制御されることにより、上述した処理を実行することになる。
【００５０】
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができる。
【００５１】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明によれば、設計パターンのエッジを移動させる工程の前に、設計パターンの各エッジ毎にその周辺環境（注目エッジと隣接するエッジとの間隔、及び該隣接エッジが補正されるエッジか否か等）に基づいて該エッジの最大移動可能量を決定することにより、マスク欠陥検査限界寸法以下のパターンとねじれパターンを作らず、補正精度の劣化をできるだけ小さく抑えて補正を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態に係わるマスクパターン補正方法を説明するための図。
【図２】第１の実施形態によるマスク補正方法の処理フローを示す図。
【図３】第２の実施形態に係わるマスクパターン補正方法を説明するための図。
【図４】第３の実施形態に係わるマスクパターン補正装置の基本構成を示すブロック図。
【図５】第３の実施形態におけるマスクパターン補正方法の処理フローを示す図。
【図６】第４の実施形態に係わるマスクパターン補正方法を説明するための図。
【符号の説明】
１１，２１，３１，３２，６１，６２…パターン
１２，２２，３３，７１，７２…エッジ
３４…仕上がり形状
４１…パターン入力部
４２…第１の判定部
４３…算出部
４４…第２の判定部
４５…演算部
４６…出力部
【図１】
0004068290.tif 000003
【図２】
0004068290.tif 000004
【図３】
0004068290.tif 000005
【図４】
0004068290.tif 000006
【図５】
0004068290.tif 000007
【図６】
0004068290.tif 000008