(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
各インク注入口に対して一体型フィルタを備えるチャネルプレートを有するインクジェットプリントヘッドを製作するための方法であって、
（ａ）上部および底部表面を有するｐ型シリコンウェハ上にドープ用バリア層を形成する工程と、
（ｂ）ウェハの底部表面上のドープ用バリア層を所定のパターンに成形し、当該ドープ用バリア層が除去された網目状に成形された格子状溝を形成する工程と、
（ｃ）ドープ用バリア層に形成された網目状の格子状溝を通してドープを行い、ウェハの底部表面に、所定のドーピング濃度を有し、所定の厚さを有するｎ型層を形成し、網目状の格子状溝以外の、ドープ用バリア層によって覆われている領域をｐ型シリコンとして残すことによって、ｐ型シリコンウェハにｐ−ｎ接合を形成する工程と、
（ｄ）ウェハからドープ用バリア層を剥離する工程と、
（ｅ）ウェハの上部および底部表面に第１エッチング用レジスト材料層を蒸着する工程と、
（ｆ）ウェハの上部表面上の第１エッチング用レジスト材料層を、チャネル用孔のセットおよび各チャネル用孔のセットに対応する第１貯留部用孔を有する所定のパターンに形成する工程と、
（ｇ）前記所定のパターンに形成された第１エッチング用レジスト材料層上およびチャネル用孔および第１貯留部用孔により露出されたウェハの上部表面上に第２エッチング用レジスト材料層を堆積する工程と、
（ｈ）第２エッチング用レジスト材料層を、第１貯留部用孔の内側に該第１貯留部用孔の縁とは間隔をあけて配置され該第1貯留部用孔よりも小さい第２貯留部用孔を有する所定のパターンに形成する工程と、
（ｉ）パターン形成されたｎ型層のエッチングを抑止するためにｐ−ｎ接合間のバイアス電位を使って、第２エッチング用レジスト材料層の第２貯留部用孔の部分に貯留凹部を異方性エッチングする工程と、
（ｊ）ウェハから第２エッチング用レジスト材料層を剥離する工程と、
（ｋ）パターン形成されたｎ型層のエッチングを抑止するためにｐ−ｎ接合間のバイアス電位を使って、第１エッチング用レジスト材料層のそれぞれの孔の部分に、チャネル凹部のセットの異方性エッチングと前記貯留凹部の追加の異方性エッチングをする工程と、
を有し、
貯留凹部の底部において、パターン形成されたｎ型層のみがエッチングされないように残して貯留凹部がエッチングされて、一体型注入口フィルタを形成するインクジェットプリントヘッドの製作方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、パターン形成されたｎ型層はボロンドーピングによって形成され、このｎ型層が約１０12個／ｃｃの比較的低いボロンドーピング濃度を有し、
バイアス電位が約３〜５ボルトで、ｎ型層が電源の正極端子に接続され、
ｎ型層が約５〜１０μｍの深さを有するインクジェットプリントヘッドの製作方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、インクジェットプリントヘッドの製作方法、特にインク注入口に対して一体型フィルタを有するサーマルインクジェットプリントヘッドの製作方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
サーマルインク技術にまつわる１つの問題としては、液体インク内の微粒子に対するインク小滴の指向性の感度の問題がある。インク内の微粒子はまた、噴射の逸れをもたらし、そのためプリント画質を低下させる。プリント画質は、記録媒体上へのインク小滴の正確な着滴位置に直接関係し、また小滴の指向性がインク小滴の着滴の正確性を決定する。微粒子の影響のないインクを用いてプリントヘッドは、高プリント画質を達成することができる。微粒子の影響のないインクの度合いは、インクに対する最終的インク濾過作用がどれだけプリントヘッドの近くで行われるかに関係することが分かった。微粒子汚染源の１つは、製造環境である。プリントヘッドの製造用クリーンルームの使用で部分的な解決にはなり得るが、完全な微粒子の影響のない環境は経済的に見て実際的でない。この発明は、プリントヘッドの制作時ばかりかプリントヘッドによるプリント時に、インクフィルタ手段を提供することによって粒子汚染の問題を解消するものである。
【０００３】
一体型注入口フィルタを備えたプリントヘッドを製造するための幾つかの制作プロセスが試みられた。しかしそれらは常に、シリコン基板にクラックを生じさせて増大させる高い内部応力を生じさせ、そのためプリントヘッドの生産はかなりの影響を受ける。一体型フィルタを備えたプリントヘッドを制作する従来例の制作プロセスでは、以下に述べるように高い内部応力あるいは望ましくない複雑性とコストが発生する。
【０００４】
米国特許第５，２０４，６９０号には、プリントヘッドのインク注入口の上に一体型フィルタを有するプリントヘッドおよびその製作方法が開示される。このフィルタは、プリントヘッド製作の際、方向依存性エッチング（ＯＤＥ）によって作られる。シリコンチャネルウェハは、貯留溝および連通するインクチャネルを形成するために、一方の側からエッチングされる。貯留溝は、各々がチャネルウェハにおいて所定の深さを有するように時間的に制御されたエッチング処理によって形成される。チャネルウェハは、貯留溝の底部と一致するフィルタ孔パターンを形成するために、他方の側からエッチングされる。これにより一体型フィルタが提供されるが、この時間依存性のＯＤＥは複雑性をもたらし、フィルタ孔をエッチングするためのフォトリソグラフィ工程が必要となるため特別なコストが加算される。
【０００５】
米国特許第５，１２４，７１７号には、プリントヘッドの貯留部へのインク注入口を含むプリントヘッドの表面に制作された一体型膜フィルタを有するインクジェットプリントヘッドが開示される。この一体型膜フィルタは、フィルタ穴に対する孔をパターニングすることによって１またはそれ以上のエッチ・レジストマスクから形成される。それらの孔はプリントヘッドの貯留部のエッチングによって開けられた底部と一致する。一実施例において、また強度を増すために、チャネルおよび貯留部を作るためにエッチング液にさらされないチャネルウェハの側は、エッチングストッパを形成するためにかなりドープされる。このエッチ・レジストマスク（膜フィルタ）のフィルタ穴孔のパターンと貯留溝の底部との間のかなりドープされた領域は、チャネルウェハのかなりドープされた領域を通るフィルタ孔を開けるためのマスクとして膜フィルタを使ってエッチングされる。ドープされた領域におけるエッチングされた孔は、膜フィルタの孔と一致し、したがってフィルタの厚さと全体強度を増す。膜フィルタ自体は極めて強度のあるものではなく、所要の強度を得るためにパターン化されたエッチングストッパ層を用いることで内部応力をもたらす。この応力は、ウェハ内で増加するクラックを生じさせるとともに、プリントヘッドの歩留まりを減少させる。
【０００６】
米国特許第５，１４１，５９６号には、プリントヘッドの貯留部への注入口の上に一体型フィルタを有するインクジェットプリントヘッドとその制作方法が開示される。チャネルおよび貯留部を提供するためにエッチングされた表面の反対側のチャネルウェハ表面は、スクリーンパターンでエッチングストッパ層を形成するためにスクリーンパターンでドープされる。貯留溝の貫通エッチングは各貯留溝の底部で、パターン形成されたエッチングストッパを露出させるが、非ドープ領域だけがエッチングされ、これにより注入口において一体型フィルタを提供することができる。しかしながら、この方法で形成された一体型フィルタは、強い応力があり、プリントヘッドの歩留まりを著しく減少させるクラックを生じさせ増大させようとする。
【０００７】
Ｔ．Ｎ．ジャクソン氏、Ｍ．Ａ．ティシュラー氏およびＫ．Ｄ．ワイズ氏による「シリコン微細構造のための電気化学的ｐ−ｎ接合エッチストップ」と題する公開技術、ＩＥＥＥ電子装置書簡、ＥＤＬ−２，１９８１、４４〜４５頁には、バイアスされたｐ−ｎ接合の使用を含む技術が開示されている。これによれば、保護された材料の電気的特性を維持しながら、ｐ型シリコンが選択的にエッチングされるようにするというものである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、無視し得る内部応力とすることでプリントヘッドの歩留まりの減少をできるだけ低く抑える一体型注入口フィルタを有するインクジェットプリントヘッドを提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の一形態において、各インク注入口に対して一体型フィルタを備えるチャネルプレートを有するインクジェットプリントヘッドを製作するための方法を提供する。この方法は、（ａ）上部および底部表面を有するｐ型シリコンウェハ上にドープ用バリア層を形成する工程と、（ｂ）ウェハの底部表面上のドープ用バリア層を所定のパターンに成形し、当該ドープ用バリア層が除去された網目状に成形された格子状溝を形成する工程と、（ｃ）ドープ用バリア層に形成された網目状の格子状溝を通してドープを行い、ウェハの底部表面に、所定のドーピング濃度を有し、所定の厚さを有するｎ型層を形成し、網目状の格子状溝以外の、ドープ用バリア層によって覆われている領域をｐ型シリコンとして残すことによって、ｐ型シリコンウェハにｐ−ｎ接合を形成する工程と、（ｄ）ウェハからドープ用バリア層を剥離する工程と、（ｅ）ウェハの上部および底部表面に第１エッチング用レジスト材料層を蒸着する工程と、（ｆ）ウェハの上部表面上の第１エッチング用レジスト材料層を、チャネル用孔のセットおよび各チャネル用孔のセットに対応する第１貯留部用孔を有する所定のパターンに形成する工程と、（ｇ）前記所定のパターンに形成された第１エッチング用レジスト材料層上およびチャネル用孔および第１貯留部用孔により露出されたウェハの上部表面上に第２エッチング用レジスト材料層を堆積する工程と、（ｈ）第２エッチング用レジスト材料層を、第１貯留部用孔の内側に該第１貯留部用孔の縁とは間隔をあけて配置され該第1貯留部用孔よりも小さい第２貯留部用孔を有する所定のパターンに形成する工程と、（ｉ）パターン形成されたｎ型層のエッチングを抑止するためにｐ−ｎ接合間のバイアス電位を使って、第２エッチング用レジスト材料層の第２貯留部用孔の部分に貯留凹部を異方性エッチングする工程と、（ｊ）ウェハから第２エッチング用レジスト材料層を剥離する工程と、（ｋ）パターン形成されたｎ型層のエッチングを抑止するためにｐ−ｎ接合間のバイアス電位を使って、第１エッチング用レジスト材料層のそれぞれの孔の部分に、チャネル凹部のセットの異方性エッチングと前記貯留凹部の追加の異方性エッチングをする工程と、を有する。貯留凹部の底部において、パターン形成されたｎ型層のみがエッチングされないように残して貯留凹部がエッチングされて、一体型注入口フィルタが形成される。
【００１０】
本発明の一実施態様において、上記のように処理されたチャネルウェハは、加熱素子のアレイとその第１表面上のアドレス電極を有するヒータウェハに整合して合体される。各貯留凹部は、インク注入口として作用する一体型フィルタによって覆われた底部開口でインク貯留部を形成し、また各チャネル凹部は、インクチャネルを形成するとともに加熱素子を含む。一体型フィルタは、残りの製作プロセスやプリントもしくは保管の際一体型フィルタ孔よりも大きなインク貯留部へ、汚染粒子が入るのを防ぐ。つぎに、合体したチャネルおよびヒータウェハは、ダイシング処理によって複数の個々のプリントヘッドに分離され、このダイシング処理は同時にインク滴噴射ノズルを形成するためにチャネルの一端を開かせる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、添付の図面を参照して本発明の実施の形態（以下実施形態と記す）を説明する。なお、同一部材には同一の参照符号を付す。
【００１２】
図１および図２において、本発明にかかる一体型フィルタ１４を備えたチャネルプレート１２と、点線で示される加熱プレート１６からなるサーマル・インクジェットプリントヘッド１０が示される。パターンが形成された薄膜層１８は、たとえばポリイミドのような材料でなり点線で示されているが、チャネルプレートと加熱プレートの間に挟まれる。米国特許第４，７７４，５３０号に開示されるように薄膜層は、各加熱素子３４上の部分がエッチングによって除去されてピット２６が形成され、この結果前記加熱素子３４はピット２６内に配置される。また、薄膜層は、インクチャネル２０の閉鎖端２１と貯留部２４の間の部分がエッチングによって除去されて、前記チャネルを貯留部と連通させるためのトレンチ３８が形成される。図１において、プリントヘッドのノズル２７から噴射後、軌道１５をたどっている小滴１３が示される。
【００１３】
図１に示される実施形態において、チャネルプレートは、加熱プレート上の薄膜層に永久的に結合される。本発明はエッジシュータ形式のプリントヘッド形態に対して説明されるが、米国特許第４，８６４，３２９号に開示されるようなルーフシュータ形式のプリントヘッド形態（図示せず）に対しても容易に適用可能である。その場合インク注入口は加熱プレートに設けられ、加熱プレート注入口に対して一体型インク注入口フィルタを製作するための方法は、チャネルプレートのインク注入口について以下に述べるような独自の仕方で使用される。
【００１４】
チャネルプレート１２は図１で点線で示されるように、その一方の面からエッチングされた貯留凹部２４を含んでいる。この貯留凹部は、加熱プレート１６と合体することでインク貯留部を形成する。図１で点線で示されるように複数の同一形状の溝もしくはチャネルが、貯留凹部が形成されたのと同じチャネルプレートの面にエッチンングにより形成されている。このチャネルは、方向依存性エッチング（ＯＤＥ）処理、すなわち異方性エッチングを使ってエッチングされることで三角形の断面形状を有する。このチャネルの端部は、接合されたチャネルプレートと加熱プレートの前面であるエッジ２９を貫通して開口しており、小滴噴射ノズル２７として働く。図２に示されるようにチャネルの他端２１は、貯留部に隣接するとともに隔置されており、つまり閉塞している。チャネルプレートと加熱プレートが接合された後の、米国特許第４，７７４，５３０号に開示されるようなダイシング処理は前記二つのプレートと、前記閉鎖端２１とは反対側のチャネル端部とを切断して、前面２９とノズル２７を作りだす。一体型フィルタ１４は貯留部の注入口２５に配置される。フィルタ１４は、以下に説明するように本発明に従って製作される。
【００１５】
フィルタは、プリントの際、インクおよびインク供給システムからの汚染物を取り除く。さらに埃や破片物がプリントヘッド組立工程の後において、比較的大きい注入口に進入するのを防ぐ。この方法ではチャネルウェハおよびヒータウェハが一体結合された後には、高いクリーン度でない、したがって費用のかからない組立ルームを使用することが可能である。
【００１６】
図３〜図５において、低内部応力の一体型注入口フィルタを有するプリントヘッドの製作は、厚さ約２０ミル（５００μｍ）のｐ型（１００）シリコンウェハ３２を作製する工程から開始する。ひとつの実施形態においてウェハは洗浄され、微量にドープされたｎ型層（図示せず）が、深さ約５〜１０μｍでウェハの底部表面上に形成される。ｎ型層にはつぎに、フォトリソグラフィにより、図１０に示されるような網状パターン４０が形成される。この網状パターン４０は、均等な間隔で配置され、前記ｎ型層を貫通する開口４２を備えている。パターンが形成されたｎ型層４０の開口４２は、ｐ型ウェハを露出させる。
【００１７】
好適な実施形態において、ｐ型ウェハ３２の上部表面３０および底部表面３１に第１の２酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜が形成される。フォトレジスト膜（図示せず）が、ウェハ底部表面３１上の第１のＳｉＯ2 膜上に蒸着され、等間隔で同サイズの遮蔽部（以下ポストと記す）が配置されたアレイ（図示せず）を形成するようにパターンが形成される。フォトレジストのアレイは、ポストのまわりに第１のＳｉＯ2 膜を露出させる格子状または網状のパターンを有する格子状溝（図示せず）を形成する。異なる形のポストを用いることができるが、２０×２０μｍ四方のものが適当であると分かった。フォトレジストポストをマスクとして使用することによって、露出した第１のＳｉＯ2 膜は、フォトレジストポスト真下にＳｉＯ2 ポスト４４からなるアレイを形成するようにパターン形成される。フォトレジストポストは、図６および図７に示されるように、ｐ型ウェハ底部表面３１上のＳｉＯ2 ポストだけを残して除去される。図７は、図５におけるウェハ３２の底部表面の部分平面図であり、ウェハ表面全体にわたって、ＳｉＯ2 ポストが均一なパターンで形成されていることを示している。ポストのアレイは、図５に示されるように、その後に貯留部の底部開口すなわち注入口２５に対応する領域上だけにパターンが形成されるようにすることもできる。別の実施形態（図示せず）では、フォトレジストは、マスクとして用いられ、ＳｉＯ2 の代わりにフィルタ状の編み目のパターンの格子状溝が形成されるようにパターン形成されてもよい。しかし、これは好適なマスクとは言えない。
【００１８】
好適な実施形態において、ｐ型ウェハ３２の底部表面３１は、ＳｉＯ2 ポスト４４のアレイによって形成された格子状溝４５部分に、ボロンが僅かにドープされる。これにより、ボロンイオンが約１０12個／ｃｃの密度で所望深さｔたとえば５〜１０μｍの格子状のｎ型層４６を形成する。ＳｉＯ2 ポストは、これの直下のｐ型ウェハがドーピングされることを防止する。ウェハの底部表面は、気相もしくは固体ボロンと、窒化シリコンマスクとを使って、ポスト４４からなるＳｉＯ2 マスクを通して、拡散によってドーピングされてもよく、あるいはボロンドープパターンをエピタキシャル成長させてもよい。網目状に成形され僅かにドープされたｎ型層は、パターン形成された、エッチングストッパすなわちエッチングをその部分で止める部分として機能する。ｎ型層とｐ型シリコンの接合部には、後述のようにエッチング処理の際に電気的にバイアスされるｐ−ｎ接合が形成され、ｎ型層のエッチングを抑止する。ｎ型層は僅かにドープされるに過ぎないから、一体型フィルタを備える貯留凹部を作りだすためのＯＤＥエッチングの際に生じる応力は抑制され、あるいは実質的に減少される。バイアス電位は、僅かにドープされたｎ型層を、エッチングストッパとして機能させることができる。その内部応力は、要求されたドーピングの濃度が低いので低くなる。ボロンイオン密度１０19〜１０20個／ｃｃ程度の高いドーピングレベルでは、エッチングを抑止するための電位が必要にならないが、このような高いドーピング濃度においては、高い内部応力を生じさせる。
【００１９】
ｎ型層４６がパターン形成された後、ウェハの底部表面上のＳｉＯ2 ポストおよびウェハの上部表面上のＳｉＯ2 層４３（図６参照）は除去される。ウェハは再洗浄され、第２のＳｉＯ2 層４８がウェハの上部および底部表面上で、その後にエッチングされるべきチャネルの幅に依存するかたちで深さ０．５〜１μｍ程度にまで熱により成長する。ＳｉＯ2 層の成長は高温度処理であるため、それはｎ型層を拡散させて、ｐ−ｎ接合をより深めて、これにより一体型フィルタをより薄くするとともに孔サイズをより小さくする。したがって、この寸法変化は最初のマスクにおいて想定しておかなければならない。そのため低温度を使うＳｉＯ2 蒸着プロセスが好ましい。図３および図４に示されるようにウェハの上部表面３０上のＳｉＯ2 層４８は、チャネル用孔５０および貯留部孔５２を形成するためにリソグラフィ処理される。後に形成されるインクチャネルを表す９つのみのチャネル孔が示されているが、実際のプリントヘッドには１インチあたり３００〜１２００（１センチメートルあたり１１８〜４７２）存在する。説明を容易にするために、より少数のチャネル孔が示されているが、実際のプリントヘッドに対して同様の原理が適用可能である。そして、窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）層５４が、米国特許第４，８６３，５６０号に示されるような方法で、パターン形成されたＳｉＯ2 層と露出されたシリコンウェハ上部表面上に堆積される。
【００２０】
Ｓｉ3 Ｎ4 層の厚さは、十分な強度を得るために十分な厚さ、通常は約０．１〜０．２μｍになっており、その後の処理工程の際、処理による損傷を防止することができる。Ｓｉ3 Ｎ4 層はつぎに、ＳｉＯ2 層４８の貯留部孔５２よりも小さく、かつその中に整合配置された貯留部孔５６を形成するためにリソグラフィ処理される。これにより貯留部孔５６は、Ｓｉ3 Ｎ4 貯留部孔の縁内に覆うものがないシリコンウェハの上部表面３１を露出させる。貯留部孔５６は、ＳｉＯ2 貯留部孔５２に対して間隔をあけて配置されている。この間隔が、Ｓｉ3 Ｎ4 層５４の境界部分５８であり、ＳｉＯ2 貯留部孔内側に最小約１５μｍの幅を有している。境界５８は、マスクとしてＳｉ3 Ｎ4 層を使って、その後のＯＤＥ処理を行う際に酸化層を保護するためにある。ウェハが後述のように最初に異方性エッチングされるとき、ｐ型シリコンは、貯留部孔によって露出される部分がエッチングされ、これにより図８で点線により示される第１の貯留凹部２３が形成される。
【００２１】
図４は、ウェハ３２の上部表面部の拡大平面図であり、ダイシングライン６０に沿ってダイシングされる以前のチャネルプレート１２の一つを示している。この拡大図では、点線により示されるように第２のＳｉＯ2 層の孔が、よりはっきりと表される。第１の異方性エッチングされた貯留凹部２３は、ウェハの｛１１１｝結晶面の方向の壁を有する。第１のエッチング処理後、Ｓｉ3 Ｎ4 層５４は剥離され、ウェハ３２が再び洗浄される。このつぎに、チャネル凹部２０をエッチングするためのマスクとしての第２のＳｉＯ2 層４８を使って、第２の異方性エッチング処理が行われる。同時に第２のエッチングでは、ＳｉＯ2 貯留部孔５２のまわりに露出されたシリコンの境界はエッチングされ、貯留凹部２４をその最終サイズに僅かに拡大するが、｛１１１｝結晶面の壁を維持している。
【００２２】
図８において、チャネルウェハ３２は２つのパターン形成されたレジスト層、すなわち第２のＳｉＯ2 層４８とＳｉ3 Ｎ4 層５４を有し、電気的絶縁容器６４内に収容されたＫＯＨのような異方性エッチング液槽６２に置かれる。パターン形成されたｎ型層４６は、上述したＩＥＥＥ電子装置の書簡文献に開示されるのと同様な方法で、エッチング液内でｎ型層をＤＣ電源６６の正極端子に、また負極端子に電極６８を接続することによって電気的にバイアスされる。電極６８は典型的には、たとえばプラチナのような不活性材料からなる。理論的な最小電位は約１ボルトであるが、接触抵抗等による電圧降下を解消するために３〜５ボルトの範囲の電位が使用される。図８において、第１にエッチングされた貯留凹部２３が点線で示される。図８に示される第１の異方性エッチング後、Ｓｉ3 Ｎ4 層５４は上述のように剥離され、残存する第２のＳｉＯ2 層４８を備えるウェハは再び、図９に示されるように第２の異方性エッチング液内に置かれる。第２のエッチング液は、ＫＯＨと同等もしくは類似物あるいはＥＤＰであってよく、この場合にも電気的絶縁容器６４内に収容される。パターン形成された第２のＳｉＯ2 層４８を備えるウェハは、図８で説明したのと同様な方法で電気的にバイアスされながら、エッチングされる。これによりチャネル凹部２０が形成され、また貯留凹部２３は上述したように点線のようにそれらの最終サイズに僅かに拡大される。
【００２３】
電気的にバイアスされながら第２の異方性エッチングが完了するとき、第２のＳｉＯ2 層４８が剥離され、周知のプロセスによってウェハが再洗浄される。エッチングされたチャネルウェハ３２はつぎに、工業的に知られた典型的方法でヒータウェハ（図示せず）に整合して結合される。つぎに結合したウェハは、ダイシングライン６０（図３〜図５参照）に沿ってダイシングされ、これによりウェハは図１および図２に示されるように複数の個々のプリントヘッド１０に分離される。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明に従って製作された一体型フィルタを有する１つのプリントヘッドの拡大概略斜視図である。
【図２】  図１のＩＩ−ＩＩ線から見たプリントヘッドの断面図である。
【図３】  エッチング用レジスト材料の貯留部用孔とその後ダイシングにおけるダイシングラインを示すチャネルウェハの上部表面の平面図である。
【図４】  図３のチャネルウェハの上部表面のひとつのチャネルプレートに着目した拡大平面図であり、表層とは異なるエッチング用レジスト材料のレジスト層に形成された、チャネルを形成するための孔が点線で示されている。
【図５】  貯留凹部へのインレットの一体型フィルタのフィルタ孔を示すチャネルウェハの底部表面の平面図である。
【図６】  エッチング用レジスト材料における網目状に成形された格子溝とそこに所定のパターンで形成されたｎ型層を示すチャネルウェハの部分拡大概略斜視図である。
【図７】  ポストのアレイが形成されたチャネルウェハの底部表面の部分平面図である。
【図８】  ウェハのｐ−ｎ接合間のバイアス電位を使うチャネルウェハのエッチング槽の概略縦断面図である。
【図９】  ウェハのｐ−ｎ接合間のバイアス電位を使うチャネルウェハのエッチング槽の概略縦断面図である。
【図１０】  ｐ型層の底部表面における網目状に成形されたｎ型層を示すチャネルウェハの部分拡大概略斜視図である。
【符号の説明】
１０  プリントヘッド、１２  チャネルプレート、１６  加熱プレート、２０インクチャネル、２４  貯留部、２７  ノズル、３２  ｐ型シリコンウェハ、４２  開口、４４  ＳｉＯ2 ポスト、４６  ｎ型層、４８  第２のＳｉＯ2 層、５０  チャネル用孔、５２  貯留部用孔。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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