【事件の表示】
　平成５年特許願第１１１９０６号「半導体装置」拒絶査定に対する審判事件（平成６年１１月２５日出願公開、特開平６−３２６２６０）について、次のとおり審決する。
【結論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理由】
１．手続きの経緯・本願発明
　本願は、平成５年５月１３日の出願であって、平成８年５月１３日付手続補正書、平成８年９月２４日付手続補正書、平成９年３月１１日付手続補正書、平成９年１２月５日付手続補正書、および、平成１１年６月２５日付手続補正書にて補正されている。
　請求項１に記載の発明は、特許請求の範囲に記載された下記のとおりのものと認める。
「主として一導電型領域を形成する半導体基板と、前記半導体基板の表面近傍に相互に隣接して配置され、前記一導電型領域よりも高濃度に不純物が拡散された第１の一導電型ウエル及び第１の他の導電型ウエルから成る第１のウエル対と、前記第１のウエル対にまたがって形成される第１の回路ブロックと、前記半導体基板の表面近傍に相互に隣接して配置され、前記一導電型領域よりも高濃度に不純物が拡散された第２の一導電型ウエル及び第２の他の導電型ウエルから成る第２のウエル対と、前記第２のウエル対にまたがって形成される第２の回路ブロックとを備えた半導体装置において、前記第１の一導電型ウエルと前記第２の一導電型ウエルとは他の回路をはさまずに隣接し、当該両ウエル間の前記半導体基板の表面近傍に、ウエルが形成されない所定幅の前記一導電型領域が残されており、前記残された一導電型領域と前記第１の回路ブロックとの間の前記第１の一導電型ウエル内に形成され、該第１の一導電型ウエルよりも高濃度に不純物が拡散された一導電型拡散層領域が形成され、該一導電型拡散層領域は第１の電位に維持され、前記残された一導電型領域内に、回路ブロックが形成されない第３の他の導電型ウエルと、該第３の他の導電型ウエル内に形成されて第２の電位に維持されると共に該第３の他の導電型ウエルよりも高濃度に不純物が拡散された他の導電型拡散領域とを備える事を特徴とする半導体装置」
２．引用例
　これに対して、当審の拒絶の理由に引用された、刊行物、特開平３−２２２４５５号公報（以下引用例１という）には、
「発明が解決しようとする課題
　しかしながら上記の従来の構成では、アナログ回路部２とデジタル回路部１はＮ型半導体基板３を介して電気的に接続しているため、両回路部１，２の雑音が互いに伝搬してしまうという問題点を有していた。
　本発明は上記従来の問題点を解決するもので、半導体基板内での伝搬雑音を低減したアナログ／デジタル混載半導体装置を提供することを目的とする。」（第１頁右下欄第１４行〜第２頁左上欄第３行）
「第１図は本発明の一実施例における半導体装置の断面図を示すものである。同図において、第２図に示す従来の半導体装置と同一箇所には同一符号を付し、詳細な説明を省略した。第１図において、１３は半導体基板３の主表面から上記基板内部に向けて形成された溝内部に形成した絶縁体であり、この絶縁体１３によりデジタル回路部１とアナログ回路部２とを分離する分離帯が構成されている。」（第２頁左上欄第１６行〜右上欄第４行）
「Ｎ型半導体基板３を用いた半導体基板で、デジタル回路部１とアナログ回路部２を備えている。４はＰ型導電領域で、５はＰ型拡散領域、６はＮ型導電領域で、７はＮ型拡散領域、・・・である。」（第１頁右下欄第１行〜第６行）
が第１，２図と共に記載されている。
　また、第１図において、Ｎ型半導体基板３にデジタル回路部１、アナログ回路部２を形成し、デジタル回路部１は、Ｐ型導伝領域４とＮ型導伝領域６とから成り、Ｎ型導伝領域６はアナログ回路部２側に形成されており、Ｎ型導伝領域６内には、Ｐ型拡散領域５と接してアナログ回路部２側にＮ型拡散領域７が形成され、且つデジタル電源１１により電源電圧を供給している。また、アナログ回路部２も同様に、Ｐ型導伝領域４とＮ型導伝領域６とから成り、Ｎ型導伝領域６はデジタル回路部１側に形成されており、Ｎ型導伝領域６内には、Ｐ型拡散領域５と接してデジタル回路部１側にＮ型拡散領域７が形成され、且つアナログ電源１２により電源電圧が供給されている。デジタル回路部１内のアナログ回路２側に設けられたＮ型導伝領域６と、アナログ回路２内のデジタル回路部１側に設けられたＮ型導伝領域６との間には、Ｎ又はＰ型導電領域が形成されていない領域が残され、該領域内に分離帯が設けられている構造が記載されている。
　したがって、上記引用例１には、
「デジタル回路部１とアナログ回路部２との間で雑音が相互に伝搬する問題即ち両回路部１，２間の相互干渉する問題を解決するために、Ｎ型半導体基板３と、前記半導体基板の表面近傍に相互に隣接して配置されたデジタル回路部１とアナログ回路部２とを備え、
デジタル回路部１は、Ｎ型導伝領域６及びＰ型導伝領域４から成る導伝領域対にまたがって形成され、
アナログ回路部２は、デジタル回路部１とは異なるＮ型導伝領域６及びＰ型導伝領域４から成る導伝領域対にまたがって形成され、
アナログ回路部２のＮ型導伝領域６とデジタル回路部１のＮ型導伝領域６とは他の回路をはさまずに隣接し、当該両導伝領域６間の前記半導体基板３の表面近傍に、Ｎ又はＰ型導伝領域が形成されない所定幅のＮ型領域が残されており、
デジタル回路部１内のアナログ回路部２側に形成されたＮ型導伝領域６内には、Ｐ型拡散領域５と接してアナログ回路部２側にＮ型拡散領域７が形成され、且つデジタル電源１１により電源電圧を供給されており、
前記残されたＮ型領域内に絶縁体による分離帯１３が形成された半導体装置」
が記載されているものと認められる。
　また、同じく当審の拒絶理由通知に引用された刊行物、特開平１−２０６６４６号公報（以下引用例２という）には、
「デジタル回路群とその他の回路群とが混在し、このデジタル回路群の領域とその他の回路群との間にＰ型ウエル領域またはＮ型ウエル領域が形成されており、このウエル領域はその表面部に高濃度不純物層が形成され、この高濃度不純物層に所定のバイアス電圧が接続されていることを特徴とする半導体集積回路。」（第１頁左下欄第５行〜第１１行）、
「３５は基板と逆導電型の分離領域用のＰウエルであり、このＰウエル３５の表面の一部にＰウエル電極用の高濃度不純物層であるＰ＋領域３６が形成されている。〜そのＰ＋領域３６がバイアス電源（本例では接地電位）に接続されている。」点（第３頁左上欄第７行〜第１６行）
「上記混在ＬＳＩによれば、デジタル回路群１とその他の回路群２との間の境界に分離領域３’が存在するので回路群相互が基板１０を通して互いに干渉し合うことは防止される。」（第３頁右上欄第２行〜欄第５行）、
が記載されている。また、引用例第２図に示されているように、回路群間に形成された分離領域用のウエル領域には回路ブロックは形成されていない。
したがって引用例２には「回路群相互間の干渉を防止するために、回路群間に、分離領域としてバイアス電圧源に接続した高濃度不純物層３６を表面に有し、その内部に回路ブロックが形成されていない基板と逆の導電型のウエル３５を形成した半導体集積回路」が記載されている。
３．対比・判断
　本願発明と引用例１に記載された発明とを対比すると、引用例の「Ｎ型半導体基板３」、「デジタル回路１」、「アナログ回路２」は、本願発明の「主として一導電型領域を形成する半導体基板」、「第１の回路ブロック」、「第２の回路ブロック」にそれぞれ相当し、引用例の
「デジタル回路部１に形成されたＮ型導伝領域６とＰ型導伝領域４」、「Ｎ型拡散領域７」、「デジタル電源１１により電源電圧を供給している」点、「アナログ回路部２に形成されたＮ型導伝領域６とＰ型導伝領域４」、「デジタル回路部１内のアナログ回路２側に設けられたＮ型導伝領域６と、アナログ回路２内のデジタル回路部１側に設けられたＮ型導伝領域６との間には、Ｎ又はＰ型導電領域が形成されていない領域が残され」る点はそれぞれ本願発明の「第１の一導電型ウエル及び第１の他の導電型ウエル」、「一導電型拡散層領域」、「第１の電位に維持され」る点、「第２の一導電型ウエル及び第２の他の導電型ウエル」、「第１の一導電型ウエルと第２の一導電型ウエルとの間の半導体基板の表面近傍に、ウエルが形成されない所定幅の一導電型領域が残されて」いる点に相当するので、
両者は、
「主として一導電型領域を形成する半導体基板と、前記半導体基板の表面近傍に相互に隣接して配置され、前記一導電型領域よりも高濃度に不純物が拡散された第１の一導電型ウエル及び第１の他の導電型ウエルから成る第１のウエル対と、前記第１のウエル対にまたがって形成される第１の回路ブロックと、前記半導体基板の表面近傍に相互に隣接して配置され、前記一導電型領域よりも高濃度に不純物が拡散された第２の一導電型ウエル及び第２の他の導電型ウエルから成る第２のウエル対と、前記第２のウエル対にまたがって形成される第２の回路ブロックとを備えた半導体装置において、前記第１の一導電型ウエルと前記第２の一導電型ウエルとは他の回路をはさまずに隣接し、当該両ウエル間の前記半導体基板の表面近傍に、ウエルが形成されない所定幅の前記一導電型領域が残されており、前記残された一導電型領域と前記第１の回路ブロックとの間の前記第１の一導電型ウエル内に形成され、該第１の一導電型ウエルよりも高濃度に不純物が拡散された一導電型拡散層領域が形成され、該一導電型拡散層領域は第１の電位に維持され前記残された一導電型領域間に分離領域が形成される事を特徴とする半導体装置」
の点で一致しており、
上記「分離領域」が本願請求項１に記載の発明では、
「残された一導電型領域内に、回路ブロックが形成されない第３の他の導電型ウエルと、該第３の他の導電型ウエル内に形成されて第２の電位に維持されると共に該第３の他の導電型ウエルよりも高濃度に不純物が拡散された他の導電型拡散領域」からなるのに対し、引用例１に記載の発明では、「絶縁体」からなる点で相違する。
　上記相違点について検討するに、引用例２に「分離領域として回路ブロックが形成されていない基板と逆の導電型で、バイアス電源（本願発明の第２の電位に相当する）に接続した高濃度不純物層をその表面に有するウエルを用いて回路部相互間の干渉を防止する発明」が記載されており、引用例１に記載の発明において、デジタル回路部１とアナログ回路部２との間の相互干渉を防止するための分離領域として、絶縁体に変えて、引用例２に記載のウエルを用いることは、当業者が、適宜成し得ることである。また、本願発明の効果も当業者が容易に予測しうるものである。
４．むすび
　したがって、本願請求項１に記載された発明は、その出願前に国内において頒布された上記の刊行物に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術分野における通常の知識を有するものが、容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。