【事件の表示】
　平成１年　特　許　願　第９３２８号「埋め込み構造半導体レーザ装置」拒絶査定に対する審判事件（平成２年７月２５日出願公開、特開平２−１８８９８３）について、次のとおり審決する。
【結論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理由】
１．出願の経緯と本願発明
　本願は、平成１年１月１７日の出願であって、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１０年２月１３日付けで補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「Ｎ型半導体基板上に活性領域と、当該活性領域の禁制帯幅よりも大きな禁制帯幅を有するクラッド層が当該活性領域を挟み込んだダブルヘテロ構造とを有し、当該活性領域の両脇が深い順位を有する高抵抗半導体層で埋め込まれた埋め込み構造半導体レーザ装置において、Ｐ型クラッド層のアクセプタ濃度が１×１０１８［ｃｍ−３］以上であり、かつ当該Ｐ型クラッド層とＰ型コンタクト層を合わせた厚みが２μｍ以下であることを特徴とする埋め込み構造半導体レーザ装置。」
２．引用例について
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用した特開昭６３−７９３９２号公報（以下、引用例１という。）には、その第２頁右上欄第１３行〜同頁左下欄第２行に、
「本発明は、活性領域が該活性領域の屈折率より低い屈折率を有し、かつ該活性領域の禁制帯幅より大きい禁制帯幅を有する半導体で囲まれ、活性領域の上側の層および下側の層のうち一方がｎ型、他方がｐ型で、かつ活性領域の左右両側の埋め込み領域が高抵抗半導体で形成された埋込み構造半導体の製造方法において、高抵抗半導体の気相埋込み成長直前に気相ガスエッチングを行うことを特徴とする。」ということが、
　更に、その第３頁左上欄第１２行〜同頁右下欄第１５行の（実施例）の項に、
「第１図は本発明の一実施例を説明するのに用いたハイドライド気相成長装置の概略図である。
　　　　・・・
このＤＨ結晶は活性領域２１がノンドープＩｎＧａＡｓＰ（禁制帯幅Ｅｇ＝０．９５ｅＶ）、ｐクラッド層２２が亜鉛（Ｚｎ）を１×１０１８ｃｍ−３ドープしたＩｎＰ、ｐキャップ相２８がＺｎを８×１０１８ｃｍ−３ドープしたＩｎＧａＡｓＰ（Ｅｇ＝１．１３ｅＶ）、ｎバッファ層２３が硫黄（Ｓ）を１×１０１８ｃｍ−３ドープしたＩｎＰ相で構成されており、半導体基板２５はＳが５×１０１８ｃｍ−３ドープされたＩｎＰとした（この実施例では液成長法を用いたが、気相成長法でも良い）。
　　　　・・・
　上記実施例においては、高抵抗半導体を得るための不純物としてＦｅを用いたが、この不純物に限定されないのは明らかである。
　上記実施例では、活性領域に波長１．３ミクロンで発振する組成のＩｎＧａＡｓＰを用いたが、この組成に限定されないのは明らかである。
　上記実施例では、高抵抗電流ブロック層１４にＩｎＰが用いられたが、ＩｎＧａＡｓＰでも良い。
　上記第１、第２の実施例では、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ半導体材料が用いられたが、ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ，ＩｎＧａＡｌＡｓ／ＩｎＰ等の他のＩＩＩ−Ｖ族半導体材料からなる半導体レーザにも同様に適用可能である。
　上記実施例では、活性領域の上側の層をｐ型、下側の層をｎ型としたが、上側の層をｎ型、下側の層をｐ型としても良い。」ということが、図面と共に記載されている。
　同じく特開昭６１−２７６２８５号公報（引用例２という。）には、その第３頁右上欄１０行〜同頁右下欄第１４行に、
「第２図の実施例では、・・・
　先ず、（１００）面を有するｎ型ＩｎＰ基板１１、Ｓｎを５×１０１７ｃｍ−３程度にドープした厚さ０．３μｍ程度のｎ型ＩｎＰクラッド層１２、厚さ０．１〜０．１５μｍ程度のＩｎＧａＡｓＰ活性層１３、Ｃｄを５×１０１７ｃｍ−３程度にドープした厚さ１μｍ程度のｐ型ＩｎＰクラッド層１４、ＣｄまたはＺｎを５×１０１８ｃｍ−３程度にドープした厚さ０．５〜１μｍ程度のｐ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１５を、通常通り液相エピタキシャル成長技術により積層形成する。
　　　　　・・・　
　この層１８ａはノンドープまたはＦｅをドープした高抵抗の埋込み層となり、電流阻止機能を有する。
　　　　　・・・　
　そして該第２半絶縁性ＩｎＰ層１８ｂ上に、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ等よりなり上記コンタクト窓２０においてコンタクト層１５に接するｐ電極（上部電極）２１を形成し、ｎ型ＩｎＰ基板１１の下面にＡｕＧｅ／Ａｕ等よりなるｎ電極（下部電極）２２を形成する。」ということが、それぞれ図面と共に記載されている。
３．本願発明と引用例１に記載の発明との対比
　引用例１に記載の「半導体基板２５」、「活性領域２１」、「高抵抗半導体２４」、「バッファ層２３」、「Ｐクラッド層」そして「埋込み構造半導体レーザ」は、それぞれ本願発明の「Ｎ型半導体基板」、「活性領域」、「高抵抗半導体層」、「Ｎ型クラッド層」、「Ｐ型クラッド層」そして「埋め込み構造半導体レーザ装置」に対応し、それぞれの対応に格別の差異がない。
　そこで、本願発明と引用例１に記載の発明とを対比すると、両者は「Ｎ型半導体基板上に活性領域と、当該活性領域の禁制帯幅よりも大きな禁制帯幅を有するクラッド層が当該活性領域を挟み込んだダブルヘテロ構造とを有し、当該活性領域の両脇が深い順位を有する高抵抗半導体層で埋め込まれた埋め込み構造半導体レーザ装置において、Ｐ型クラッド層のアクセプタ濃度が１×１０１８［ｃｍ−３］であることを特徴とする埋め込み構造半導体レーザ装置。」であるという点で一致し、本願発明が「Ｐ型クラッド層とＰ型コンタクト層を合わせた厚みが２μｍ以下である」のに対して、引用例１に記載の発明は”Ｐ型クラッド層とＰ型コンタクト層を合わせた厚み”について記載していないという点（以下、相違点という。）で相違している。
４．相違点について検討する。
　”Ｎ型半導体基板上に活性領域と、当該活性領域の禁制帯幅よりも大きな禁制帯幅を有するクラッド層が当該活性領域を挟み込んだダブルヘテロ構造”の埋め込み構造半導体レーザ装置において、Ｐ型クラッド層とＰ型コンタクト層を合わせた厚みを２μｍ以下とすることは、引用例２及び周知例（特開昭６０−２６０１８４号公報）に例示するように、当業者が通常に行っていることである。
　そして、上記引用例１記載の埋め込み構造半導体レーザにおいても、Ｐ型クラッド層とＰ型コンタクト層を合わせた厚みが２μｍ以下とすることを阻止する要因は見あたらないので、上記引用例１記載の発明において、Ｐ型クラッド層とＰ型コンタクト層を合わせた厚みを２μｍ以下とすることは、当業者であれば容易になし得ることである。
　なお、出願人は、審判請求の理由において、本願発明は、埋め込み構造半導体レーザ装置において「Ｐ型クラッド層のアクセプタ濃度が１×１０１８［ｃｍ−３］以上であり、かつ当該Ｐ型クラッド層とＰ型コンタクト層を合わせた厚みが２μｍ以下である」ようにしたので、高い外部微分量子効率と高い生産性等の条件を満足する高抵抗半導体層を埋め込み層に用いた埋め込み構造半導体レーザ装置を提供することができると主張している。
　ところが、本願出願の明細書及び図面には、その（課題を解決するための手段）に「Ｐ型クラッド層のアクセプタ濃度が１×１０１８［ｃｍ−３］以上であり、かつ当該Ｐ型クラッド層とＰ型コンタクト層を合わせた厚みが２μｍ以下である」ことが記載され、その第７図に”Ｐ−クラッド層３．５μｍの場合とＰ−クラッド層１．７５μｍの場合の漏れ電流値の比較が図示され、そしてまた、その（実施例）において”ＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ系半導体材料を使用した埋め込み構造半導体レーザ装置において、Ｐ型クラッド層のアクセプタ濃度が１×１０１８［ｃｍ−３］であり、かつ当該Ｐ型クラッド層とＰ型コンタクト層を合わせた厚みが１．８μｍである”場合が第８図の動作特性と共に記載されているだけで、本願発明の”半導体材料が特定されない埋め込み構造半導体レーザ装置において高い外部微分量子効率と高い生産性等の条件を満足させるために「Ｐ型クラッド層のアクセプタ濃度が１×１０１８［ｃｍ−３］以上であり、かつ当該Ｐ型クラッド層とＰ型コンタクト層を合わせた厚みが２μｍ以下である」ことの技術的根拠は、本願明細書及び図面に記載されていない。
　してみると、半導体材料が特定されない埋め込み構造半導体レーザ装置において「Ｐ型クラッド層のアクセプタ濃度が１×１０１８［ｃｍ−３］以上であり、かつ当該Ｐ型クラッド層とＰ型コンタクト層を合わせた厚みが２μｍ以下である」ことにより、高い外部微分量子効率と高い生産性等の条件を満足させることができるという出願人の前記主張は当を得ないものである。
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載の発明及び周知の技術的事項に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。