【事件の表示】
　平成２年特許願第３２６８０号「ゲッタ効果の高められた半導体基板並びに該基板を用いた半導体装置およびその製造方法」拒絶査定に対する審判事件（平成３年１０月２１日出願公開、特開平３−２３５３３３）について、次のとおり審決する。
【結論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理由】
　本願は平成２年２月１３日の出願であって、その請求項に係る発明の要旨は、平成１０年５月１５日付手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲第１〜５項に記載されたとおりのものであると認められるところ、特許請求の範囲第１項に係る発明（以下、「本願第１発明」という。）の要旨は同項に記載された次のとおりのものである。
　「（１）表面と裏面と側面を有し、前記側面と前記裏面に多結晶シリコン膜が設けられた半導体基板において、
　当該半導体基板が半導体装置の製造全プロセスを通過しても、該半導体基板の湾曲を最小限に抑えることができ、かつ前記多結晶シリコン膜の一部が半導体基板の裏面に残存し得るように、前記多結晶シリコン膜の膜厚を０．８〜２．０μｍの範囲に選び、かつ当該半導体基板中の酸素濃度を旧ＡＳＴＭ規格で８．０〜１５．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲に選び、
　その表面が鏡面研磨されている、半導体基板。」
　一方、当審における平成１１年９月２７日付拒絶理由通知書に引用された特開昭６４−５３５５２号公報（以下、「第１引用例」という。）には、「この発明に係る半導体基板は、１４×１０１７ａｔｍｓ／ｃｍ３以下の酸素濃度に制御したシリコン単結晶基板の裏面に、多結晶シリコンを堆積してなるものである。［作用］１４×１０１７ａｔｍｓ／ｃｍ３以下の酸素濃度に制御したシリコン単結晶基板であっても、その裏面に多結晶シリコンを堆積し、多結晶シリコンの膜を形成することにより、該膜がシリコン単結晶基板の保護膜として働き、スリップラインの発生を抑制する。また、低酸素濃度のシリコン単結晶であっても、裏面に形成された多結晶シリコン膜の結晶欠陥により、強力なゲッタリング効果を有するようになる。」（第２頁左上欄第１３〜同右上欄第６行）、「第１図はこの発明の一実施例の断面図である。図において、１１は１４×１０１７ａｔｍｓ／ｃｍ３以下の酸素濃度に制御したシリコン単結晶基板である。この低酸素濃度のシリコン単結晶基板１１は、従来技術、たとえばＣＺ（Ｃｚｏｃｈｌａｌｓｋｉ）法で製造される。該低酸素濃度のシリコン単結晶基板１１の裏面及び側壁には、化学気相成長法により多結晶シリコン１２が堆積されている。その厚さは１μｍ程度のものが好ましいが、必要に応じて変え得る。通常、この側壁に堆積した多結晶シリコンは、除去される。」（第２頁右上欄第１０〜末行）という記載がなされており、これらの記載及び第１図によれば、同引用例には、表面と裏面と側面を有し、前記側面と前記裏面に多結晶シリコン膜が設けられ、多結晶シリコン膜の膜厚を１μｍ程度とし、半導体基板中の酸素濃度を１４．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とする半導体基板、が記載されている。
　同じく同拒絶理由通知書に引用された特開昭６４−４６９３７号公報（以下、「第２引用例」という。）には、「従来、シリコンウェハ裏面に約０．０５乃至２．０μｍの厚さのポリシリコン膜を形成してＥＧ効果をもたせたシリコンウェハ（以下、ポリシリコンバックシールウェハという）が公知である（例えば、ＵＳＰ４６０８０９５）。」（第１頁左欄末行〜右欄第４行）、「ポリシリコンバックシールウェハにおいては、効果的なＥＧ効果を持たせるために裏面ポリシリコン膜２の厚さは約１．０μｍ確保する必要があることと…」（第２頁右上欄第１３〜１６行）、「先ず、第１図（ａ）に示すように、ＩＣ製造プロセス投入前のシリコンウェハ１１の裏面にはポリシリコン膜１２が形成されており、これによりＩＣ製造プロセスでの汚染又はダメージによって発生する欠陥をＥＧ効果により除去するようになっている。」（第２頁右下欄第８〜１３行）、「このようにして得られた半導体装置においては、シリコンウェハ１１の裏面のポリシリコン膜１２はこのポリシリコンバックシールウェハを半導体装置の製造プロセスに投入する前と実質的に同一の膜厚を維持している。」（第３頁左下欄第１〜５行）、「また、最終工程終了時点でもポリシリコン膜の損失は僅かである。」（第３頁左下欄第１３〜１５行）という記載がなされ、これらの記載及び第１〜２図によれば、同引用例には、シリコンウェハ裏面に約０．０５乃至２．０μｍの厚さのポリシリコン膜、好ましくは１．０〜２．０μｍの厚さのポリシリコン膜を形成して有効なＥＧ効果をもたせ、かつ製造の最終工程でもポリシリコン膜が製造プロセス投入前と実質的に同一の膜厚を維持するようなシリコンウェハが記載されているものと認められる。
　同じく同拒絶理由通知書に引用された米国特許第４６０８０９５号明細書（以下「第３引用例」という。）には、大略、「本発明は、ウェハ背面の外部多結晶シリコン層と内部酸素による共同作用により、ゲッタリング能力を向上させることを目的とする。酸素排除区域の深さを減少させる外部多結晶シリコン層は、ゲッタリングサイトの増加や少数キャリア寿命の伸びなどをもたらす酸素析出を温度の関数として増大させることが見いだされた。共同的なゲンタリング効果は１０２５℃以下で達成される。１０２５℃以下の製法において、多結晶シリコン層の厚さを０．０５〜２．０μｍとした時に、充分な酸素排除区域の深さ確保し、かつ、ゲッタリングサイトとしての酸素析出と許容できる少数キャリア寿命を得ることができる。もし、多結晶シリコン層の厚さが２．０μｍを超えると、活性領域に対する充分な酸素排除区域を形成することが出来なくなる。」（第３欄第３〜４６行）という記載がなされている。この記載によれば、同引用例には、ゲッタリング能力を向上させる目的で半導体基板の裏面に形成する多結晶シリコン層の厚さは、０．０５〜２．０μｍが適当であることが示されている。
　同じく同拒絶理由通知書に引用された特開昭６１−９７９３１号公報（以下、「第４引用例」という。）には、「熱応力による反りはインゴットの種結晶側のように酸素濃度が１２．０×１０１７原子／ｃｍ３を超えた場合には微少欠陥、ひいては熱応力による反りが極めて発生し易くなることが判明した。このような７．５〜１２．０×１０１７原子／ｃｍ３の酸素濃度が熱応力による反りの発生を防止するために好ましい範囲であることは第２図のグラフからも明らかである。」（第２頁右下欄第１０〜１８行）、「シリコンウェハのシリコン結晶中に含まれる格子間酸素濃度を７．５〜１２．０×１０１７原子／ｃｍ３とし、ウェハ裏面に歪み層を形成することにより、結晶欠陥の発生を防止し、熱応力による反り等を防止でき、かつ表面汚染不純物や表面欠陥をゲッタリングすることによりライフタイムなどの初期バルク特性を維持できる等の効果が相乗的に奏せられる。」（第３頁左下欄第１０〜１７行）という記載がなされ、これらの記載及び第２図によれば、同引用例には、シリコンウェハ中の酸素濃度が１２．０×１０１７原子／ｃｍ３を超えると熱応力による反りが発生し易くなり、したがって、シリコンウェハ中の格子間酸素濃度を７．５〜１２．０×１０１７原子／ｃｍ３とすることが、インタリンシックゲッタリング効果を維持するとともに熱応力による反りを防止することができることが示されている。
　同じく同拒絶理由通知書において引用された特開平１−２０８８３０号公報（以下「第５引用例」という。）には、「上記シリコン・ウェハにおいては第３図に示すように熱処理によって反りを生ずる。」（第１頁右欄大１１〜１２行）、「また、２８ｐｐｍ以下では殆ど析出しなくなるが酸素が少なくなるためウェハの強度が低下し反り易くなる。」（第２頁右上欄第１１〜１４行）という記載がなされている。２８ｐｐｍの酸素濃度は第２図によれば、およそ１４．０×１０１７ｃｍ−３に相当するので、この記載と第２図によれば、同引用例には、シリコンウェハ中の酸素濃度が１４．０×１０１７原子／ｃｍ３位からウェハの反りが大きくなり、８．０×１０１７原子／ｃｍ３以下となる場合にはさらにウェハの反りが大きくなることが示されている。
　同じく同拒絶理由通知書において引用された「半導体プロセス材料実務便覧」（昭和５８年４月２５日株式会社サイエンスフォーラム発行）、第３４〜３５頁及び図一１２（以下「第６引用例」という。）には、半導体基板の加工工程において、表面の最終仕上げに鏡面研磨を施すことが示されている。
　本願第１発明と上記第１引用例記載の発明とを対比すると、両者は「表面と裏面と側面を有し、前記側面と前記裏面に多結晶シリコン膜が設けられた半導体基板において、前記多結晶シリコン膜の膜厚を約１μｍ程度に選び、かつ当該半導体基板中の酸素濃度を１４×１０１７ａｔｍｓ／ｃｍ３以下の酸素濃度に選んだ半導体基板。」という点で一致する。しかしながら、両者は次の各点で相違する。
１，本願第１発明が、半導体基板が半導体装置の製造全プロセスを通過しても、該半導体基板の湾曲を最小限に抑えることができ、かつ前記多結晶シリコン膜の一部が半導体基板の裏面に残存し得るように、多結晶シリコン膜の膜厚を０．８〜２．０μｍの範囲に選び、かつ当該半導体基板中の酸素濃度を旧ＡＳＴＭ規格で８．０〜１５．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲に選ぶようにしたものであるのに対して、第１引用例記載の発明は、多結晶シリコン膜の膜厚を１μｍ程度に選ぶようにし、酸素濃度が１４．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の半導体基板を用いるようにするものであり、その膜厚を選んだ理由が、半導体装置の製造全プロセスを通過しても結晶シリコン膜の一部が半導体基板の裏面に残存し得るようにしたことであることは明記されておらず、またそのような酸素濃度の半導体基板を用いるようにすることが、半導体基板の湾曲を最小限に抑えることができるようにするためであるかどうかは明らかではない（第１相違点）。
２，本願第１発明における半導体基板の表面は鏡面研磨されているのに対し、第１引用例記載の発明における半導体基板の表面が鏡面研磨されているかどうかは明らかではない（第２相違点）。
　そこで、上記各相違点について以下検討する。
１，第１相違点について
　上記第２引用例には、上述したように、シリコンウェハ裏面に約０．０５乃至２．０μｍの厚さのポリシリコン膜、好ましくは１．０〜２．０μｍの厚さのポリシリコン膜を形成することにより、有効なＥＧ効果をもたせ、かつ製造の最終工程でもポリシリコン膜が製造プロセス投入前と実質的に同一の膜厚を維持するようなシリコンウェハが記載されている。また、上記第３引用例には、ゲッタリング能力を向上させる目的で半導体基板の裏面に形成する多結晶シリコン層の厚さは、０．０５〜２．０μｍが適当であることが示されている。これらの公知刊行物によれば、ゲッタリングの目的で半導体基板の裏面などに付けるポリシリコン膜の厚さの上限値を２．０μｍとすることは良く知られている値であり、また、製造の最終工程でもポリシリコン膜が製造プロセス投入前と実質的に同一の膜厚を維持するようにすることが記載されている第２引用例において、ポリシリコン膜の厚さの下限値を０．０５μｍ、好ましくは１．０μｍとする記載から見ても、本願発明のように、半導体装置の製造全プロセスを通して結晶シリコン膜の一部が半導体基板の裏面に残存すべく、ポリシリコン膜の厚さの下限値を０．８μｍとすることは、当業者が適宜に設定し得る値であると認められる。
　また、第４引用例には、上述したように、シリコンウェハ中の酸素濃度が１２．０×１０１７原子／ｃｍ３を超えると熱応力による反りが発生し易くなり、したがって、シリコンウェハ中の格子間酸素濃度を７．５〜１２．０×１０１７原子／ｃｍ３とすることが、インタリンシックゲッタリング効果を維持するとともに熱応力による反りを防止することができることが示され、さらに、第５引用例には、シリコンウェハ中の酸素濃度が１４．０×１０１７原子／ｃｍ３位からウェハの反りが大きくなり、８．０×１０１７原子／ｃｍ３以下となる場合にはさらにウェハの反りが大きくなることが示されている。これらのことから、半導体基板中の酸素濃度を８．０〜１５．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲に選ぶことによって、半導体基板の反りを防止するようにすることは、当業者が容易に選択し得ることであると認められる。
　なお、第４引用例に記載の酸素濃度及び上記第５引用例記載の酸素濃度ともに、その測定方法については記載がされてないが、旧ＡＳＴＭ規格によるシリコン基板中の酸素濃度測定法は、上記各引用例の出願時に一般的に行われていたものと認められる（▲１▼電子通信学会編集「ＬＳＩハンドブック」第１版（昭和５９年１１月３０日株式会社オーム社発行）第２３４〜２３７頁、▲２▼津屋英樹著「超ＬＳＩプロセス制御工学」（平成７年３月３０日丸善株式会社発行）第２５２〜２５３頁、▲３▼「Ｓｏｌｉｄ　Ｓｔａｔｅ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ．Ｖｏｌ．３０，Ｎｏ．３，１９８７」ｐ．７７−８１、などを参照のこと。）。
　したがって、第４引用例についても、その出願時において、旧ＡＳＴＭ規格による測定法は良く知られていたことは明らかであるが、仮に同引用例記載の酸素濃度がＪＥＩＤＡ法によるものであったとしても、上記文献▲２▼の第２５３頁の（７．２）式によれば、測定法の違いは赤外測定の変換係数の違いのみであり、そして旧ＡＳＴＭ法とＪＥＩＤＡ法との比率は、上記文献▲１▼の第２４５頁の表１．１３によれば、旧ＡＳＴＭ／ＪＥＩＤＡ＝４．８１×１０１７／３．０３×１０１７≒１．５９であるから、上述した第４引用例記載におけるイントリンシックゲッタリング効果を持たせつつ熱応力による反りを防止できるところのＪＥＩＤＡ法と仮定した酸素濃度範囲７．５〜１２．０×１０１７原子／ｃｍ３は、旧ＡＳＴＭ法では（７．５〜１２．０×１０１７原子／ｃｍ３）×１．５９＝１１．９〜１９．１×１０１７原子／ｃｍ３となる。この範囲は依然として本願発明の酸素濃度の上限値１５．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３を含んでいる。
　また、上記第５引用例記載の酸素濃度は、同引用例第２頁右上欄第６行の「（’８７　Ｓｏｌｉｄ　Ｓｔａｔｅ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ日本版Ａｐｒｉｌ　米国モンサント発表）」という記載によれば、その当該文献に対応する上記文献▲３▼の記載を根拠としていることが明らかである。そしてその文献▲３▼の第７７頁左欄下から第９行には、その測定法が「ｏｌｄ　ＡＳＴＭ」、即ち「旧ＡＳＴＭ」であると明記されている。したがって、第５引用例に示されている酸素濃度は旧ＡＳＴＭ法で測定されたものであると認められる
　したがって、半導体装置の製造全プロセスを通過しても、該半導体基板の湾曲を最小限に抑えることができ、かつ前記多結晶シリコン膜の一部が半導体基板の裏面に残存し得るように、多結晶シリコン膜の膜厚を０．８〜２．０μｍの範囲に選び、かつ当該半導体基板中の酸素濃度を旧ＡＳＴＭ規格で８．０〜１５．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲に選ぶようにすることは、上記第１引用例に、上記第２〜５引用例記載の技術内容を単に組み合わせることにより当業者が容易に想到し得たことであると認められる。
２，第２相違点について
　上記第６引用例には、半導体基板の加工工程において、表面の最終仕上げに鏡面研磨を施すことが示されているように、半導体基板の加工工程において、表面の最終仕上げに鏡面研磨を施すことは、よく知られていることである。
　以上のとおりであるから、本願第１発明は第１引用例〜第３引用例の技術内容及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。本願第１発明が特許を受けることが出来ないものである以上、本願の特許請求の範囲第２〜５項記載の発明についても検討をするまでもなく特許を受けることはできない。
　よって、結論のとおり審決する。