【事件の表示】
　平成６年特許願第４０６１０号「微細加工方法」拒絶査定に対する審判事件（平成７年８月２９日出願公開、特開平７−２２８９８３）について、次のとおり審決する。
【結論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理由】
〔一〕　本願は、平成６年２月１６日の出願であって（特願平６−４０６１０号）、平成８年９月２４日付けの手続補正書によって全文補正された明細書（以下では、この明細書を本願明細書という。）の特許請求の範囲の記載は、下記のとおりである。
「【請求項１】　▲１▼被析出物質を含有する溶液中で、▲２▼微細探針に電圧印加し、▲２▼´微細探針先端部の▲２▼´´トンネル電流の通電により▲３▼微細粒子を電析させ、さらに▲４▼アノード溶解により▲４▼´微細粒子形状を加工することを特徴とする▲５▼微細加工方法。」
　ただし、上記中、記号〔○で囲んだ数字（「´」を付加している場合を含む。〕は、当審が審理の便宜上、加入したものである。
　以下では、上記構成の方法の発明を本願発明という。
　そして、本願明細書には、下記の記載がある。
　ただし、下記の記載中にも、記号〔○で囲んだ数字（「´」を付加していることもある。）〕を加入していることがある。
（イ）　【作用】の一部（２頁６行）
「　この発明の▲５▼微細加工方法においては、これまでのガス雰囲気中での加工法とは相違して、▲１▼被析出物質の溶液中において▲３▼微細粒子を電析し、さらには▲４▼アノード溶解する点において本質的に新規なものである。溶液相での▲２▼´微細探針によるトンネル電流を利用した電析と、▲４▼アノード溶解であることから、▲６▼被析出物質の選択自由度は大きく、▲７▼電析およびアノード溶解による加工条件の制御は容易であって、▲８▼超精密加工としての粒子形成、薄膜形成、およびエッチング加工は優れた精度と操作性の向上を可能とする。」
（ロ）　【作用】の一部（２頁１３行）
「　この場合、溶液相は、可溶性の被析出物質と、媒体としての液体によって基本的に構成する。媒体は、水性媒体とするのが一般的に好ましく、また、▲１▼導電性の高い媒体であるならば、水性に限定されることもない。」
（ハ）　【作用】の一部（２頁１９行）
「　媒体およびこれらの添加物は、可溶性の被析出物質との組合せによって適宜に選択することができる。▲１▼可溶性の被析出物質としては、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｇａ、Ｃｒ、Ｖ、Ｎｂ等の金属の無機又は有機の塩、あるいは有機金属化合物の任意のものとすることができる。」
（ニ）　【作用】の一部（２頁、下から５行〜３頁２行）
「　電析に際しては、溶液中に微細探針および電析を起こさせるための電極を浸漬し、▲２▼微細探針に電圧を印加して▲２▼´´トンネル電流を通電させる。
　この電析により、▲３▼微細粒子が形成されることになる。この微細粒子は、基板上において特有のパターンを構成することや、あるいは所要の部位において微小薄膜を形成することもできる。
　次いで、微細探針は、▲４▼アノード溶解電位に設定することにより、電析させた微細粒子を溶解させて、▲４▼´所定の形状にまで加工する。」
（ホ）　【実施例】の一部（３頁７行）
「　直径３０ｍｍ、高さ１５ｍｍのテフロン製の試験槽において、先端以外を絶縁コートしたタングステン針を微細探針として使用し、電解析出を起こさせる電極として純金（９９．９％）を用いて、室温（２５℃）の０．１ＭＣｕＳＯ４＋Ｈ２ＳＯ４水溶液で実験を行った。銅の局部電析は▲２▼´´トンネル電流１５ｎＡ、探針電位５５ｍＶ、試料電位を２５ｍＶに設定した後、電析を起こさせる場所に探針が到達した後、▲２▼試料電位を０Ｖにし、人筆書きの方法で走査速度０．２μＡ／ｓで▲３▼電析文字を描いた。その後▲４▼探針電位６５ｍＶ、試料の電位を５０ｍＶに設定し、電析した銅の溶解挙動を連続観察した。」
（へ）　【実施例】の一部（３頁、下から６行）
「　つまり、▲２▼´´トンネル電流による電析過程では、不均一な高さの微細粒子（Ｃｕ）が電析された場合でも、▲４▼アノード溶解によって、▲４▼´電析粒子の高さが一旦揃った後には、ほぼ同等の高さで溶解し、▲５▼均質な高さの微細粒子が加工形成される。
　また、▲５▼微細粒子の形状については、▲２▼´´トンネル電流の▲２▼電位を制御することにより、その高さを平坦化にすること、もしくはより小さな径とすること、あるいは粒子を異なった高さの粒子群とすることもできる。」
（ト）　【発明の効果】（４頁）
「　この発明により、以上詳しく説明した通り、トンネル電流を電気化学反応を利用した加工が可能となる。また▲２▼´´トンネル電流を利用することにより▲７▼非常に高速かつ微細な加工が実現できる。そしてまた、▲４▼´電析粒子の大きさが異なるものがアノード溶解によって大きさが揃う現象を利用して▲５▼加工の形状を小さくし、かつ大きさを揃えることができる。」
〔二〕　引例の記載
　原査定の理由は、本願発明は、下記引例１および引例２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明することができた発明であるということにある。
（１）　特開平６−３７０８８号公報（以下では、引例１という。）
（イ）　特許請求の範囲
「【請求項１】　試料を▲１▼溶液中に浸し、前記試料表面に▲２▼´´トンネル電流が流れるようにトンネル探針を近づけ、▲２▼▲２▼´前記試料と前記トンネル探針の間に流れるトンネル電流を制御しながら、前記トンネル探針を前記試料表面を走査させることを特徴とする▲５▼超微細加工方法。」
（ロ）　【０００５】【課題を解決するための手段】
「　上記課題を解決するため、本発明においては、▲１▼電気化学反応および▲２▼´´ＳＴＭの原理を利用して▲５▼基板表面の加工を行うものとした。具体的には、電気化学セル中に設置された基板において、該基板の電位およびトンネル探針・基板間に流れる▲２▼´´トンネル電流を制御しながら探針を走査し、該基板上で▲３▼析出反応または▲４▼溶解反応を起こすことによって、▲５▼基板表面に凸または凹型の形状を連続的に形成し、以て加工を行う。」
（ハ）　【０００６】【作用】の一部
「　上記方法を採ることにより、▲５▼原子スケールの微細な加工が▲７▼容易に行えるようになった。本加工方法によれば、▲２▼´´トンネル電流により電気化学的反応が起こり、▲３▼析出または▲４▼溶解反応を制御することにより、▲５▼原理的には幅０．１〜１ｎｍという極めて細い線を引くことが可能である。」
（ニ）　【０００７】【作用】の一部
「　また、いったん加工したものに対する▲４▼´修正作業も容易に行えるようになった。なおかつ、この作業は極めて▲５▼局所的に行うことが可能である。」
（ホ）　【０００８】【実施例】の一部
「〔機械部１の説明〕電気化学セル１４は、その中に基板１２、トンネル探針１１および参照電極１３が配置され、溶液１５で満たされている。参照電極１３は電気化学の分野で一般に用いられているものであり、ＳＣＥ（飽和カロメル電極）や銀−塩化銀電極が代表的である。▲２▼´トンネル探針１１は、溶液１５中で使用されるため、先端部以外の表面は耐触コーティングにより被覆している。」
（へ）　【０００８】【実施例】の一部
「〔電装部２の説明〕入力部４は、基板表面に対しどのような加工を施すかを情報として入力する機構である。コンピュータ３を介してここから入力された加工情報（例えば、図２（ａ）に示した外形の異なる２つの円状の線とする）は、▲２▼´▲２▼´´探針−基板間電圧・トンネル電流に関する情報と探針駆動機構駆動電圧に関する情報とに分割された（図２（ｂ）および（ｃ））、それぞれ▲２▼´▲２▼´´探針−基板間電圧・トンネル電流制御部８および探針駆動機構駆動電圧制御部９に送られる。両制御部８および９は連動して働き、その動作はコンピュータ３によって統括制御される。また、コンピュータ３は基板電位制御部７および位置−角度補正機構１６も制御する。各部は統括制御のためにコンピュータ３に接続または実装される。」
（ト）　【００１０】【００１１】例１−１の一部（２欄最終行〜３欄１２行）
「【００１０】入力部４から入力された加工情報（図２（ａ））は▲２▼´▲２▼´´探針−基板間電圧・トンネル電流制御部８および探針駆動機構駆動電圧制御部９に送られ、両制御部８、９はそれぞれ▲２▼´▲２▼´´探針−基板間電圧パターン（図２（ｃ））および探針駆動パターン（図２（ｂ））を生成する。このとき、探針先端部の電位は、図３のａ部に示される▲２▼´溶解電位に設定される。なお、参照電極は電位設定の基準となる電位を求めるために存在する。
　【００１１】そして、探針駆動パターンに従って探針を駆動しながら▲２▼探針−基板間電圧パターンの電圧を印加すると、基板上では逆反応として析出反応が起こり、▲３▼基板表面に連続的に銀が凸状に析出して細線が加工される（図２（ｄ））。」
（チ）　【図面の簡単な説明】の一部（５欄）
「【図３】５ｍＭ・ＡｇＣｌ４の０．１Ｍ・ＨＣｌＯ４溶液中におけるＨＯＰＧ基板上のＡｇの析出溶解反応に対する電流−電位曲線のグラフである。」
　なお、図３の横軸は、ＥｗＶｖｓＳＣＥで、縦軸はｍＡ／ｃｍ２であり、およそＥｗ＝０．１３Ｖ〜０．３５Ｖの範囲が溶解電位ａであり、−０．１Ｖ〜−０．３Ｖの範囲が溶解電位ｂであることが示されている。
（リ）　【図面の簡単な説明】の一部（５欄）
「　図４に示されるドットパターン加工装置における、加工情報、パルス電圧およびドットパターンの対応関係を示す図である。」
　なお、図４には、析出電位又は溶解電位を形成するパルスに対応して、析出反応または溶解によって、ＨＯＰＧ基板上に銀粒の、又は銀単結晶板上に微小孔のドットパターンが形成されることが示されている。
（２）　「表面技術」、Ｖｏｌ．４３Ｎｏ９（１９９２）、ｐ．１４〜１８（以下では、引例２という。）
（イ）　「１．はじめに」の一部（１４頁左欄１８行）
「本報においては低合金鋼の腐蝕溶解挙動および純金上への銅の電解析出過程のＳＴＭ観察を示すとともに、画像差分を用いた微小反応量の定量化について述べる。また最近発見した▲２▼´´トンネル電流が関与する電解析出反応についても併せて述べる。」
（ロ）　「２．ＳＴＭシステム」の一部（１４頁右欄、下から１０行）
「　ＳＴＭは一般にトンネル電流が一定になるように制御する。しかし▲１▼水溶液中ではファラデー電流が探針に流れ込み、また制御に関してはファラデー電流がトンネル電流より多く流れるとＳＴＭの制御ができなくなる。そのため水溶液中の電位規制下で試験を行う場合、探針に流れるファラデー電流を小さくすることが必要となる。そこで▲２▼板谷らが考案した探針の電位と試料の電位とを独自に設定できるバイポテニシオスタットおよび▲２▼´先端部を除いて絶縁コートしたタングステン探針（市販）を用いた。」
（ハ）　「３．２　０．１ＭＣｕＳＯ４＋０．６％Ｈ２ＳＯ４」の一部（１５頁右欄、２行）
「純銅において約−５０ｍＡの自然電位を示し、カソード電位域で銅の電解析出が見られた。純金においては初期自然電位は＋３９０ｍＶで、カソード方向に走査した場合０Ｖ近傍から銅の析出による表面の変色が始まり、−１５０ｍＶより卑な電位ではほぼ全面が変色し、また分極特性も銅と等しくなった。−２００ｍＶからアノード方向に分極すると２００ｍＶまでほぼ純銅と一致したが、その後銅のアノード溶解により表面に金が露出しはじめ、時間とともに純金の分極特性へと近づいた。」
（ニ）　「４．２　０．１ＭＣｕＳＯ４＋０．６％Ｈ２ＳＯ４溶液」
「　図５に▲１▼０．１ＭＣｕＳＯ４＋０．６％Ｈ２ＳＯ４溶液中の５０ｍＶにおける純金のＳＴＭ像を示す。ここで走査範囲４×３．６μｍ、電流密度ＩＷ＝０．０２４Ａ／ｍ２、▲２▼▲２▼´探針電位Ｅｔ＝７０ｍＶ、▲２▼´´トンネル電流Ｉｔ＝４ｎＡ（このうちファラデー電流成分０．５ｎＡ）に設定した。試料表面の磨き傷が観察される。図６の（ａ）〜（ｃ）に同じ場所での０Ｖにおける純金上への▲３▼銅の電解析出過程のＳＴＭによるその場観察結果を示す。ここで、電流密度ＩＷ＝−０．１６〜−１．０Ａ／ｍ２、他の条件は５０ｍＶの場合と等しく設定した。▲３▼電解析出によりはじめ平坦であった試料表面が盛り上がっていくのが分かる。
（ホ）「６．　局部電解析出」
「　▲１▼０．１ＭＣｕＳＯ４＋０．６％Ｈ２ＳＯ４溶液中において純金上で銅の電解析出がＳＴＭの走査下では、非常に起こりやすい。そこでＳＴＭ探針を固定したままトンネルバイアス、トンネル電流を変化させその影響を調べた。図１０は▲２▼探針電位を５５ｍＶに固定し、試料電位を２５ｍＶから０ｍＶに急激に変化させたときのトンネル電流と電解析出速度の関係である。驚くことに電解析出速度はトンネル電流値に依存し、時間によらずほぼ一定であった。またトンネル電流値が１８ｎＡの時ファラデー則により求められる見かけ上の電流密度は−３．８５ｋＡ／ｍ２にも達し、銅の分極曲線および前述の同電位でのＳＴＭ測定から予想される電流密度の１５０倍以上であった。試験中の試料電位を２５ｍＶにふたたび戻すと電解析出は停止し、表面を▲２▼´´Ｉｔ＝６ｎＡで観察するとＳＴＭの▲３▼探針下のみに銅の電解析出が起こっているのが観察された（図１１）。図中の左中央にあるくぼみは探針を接触させて作ったもので、電解析出の範囲と探針の形状との間によい対応が見られる。
　これらのことから、▲２▼´´トンネル電流が直接▲３▼電解析出反応に寄与したことが予想される。またこの現象を用いて▲７▼非常に微細かつ高速な加工が可能であると考えられる。」
〔三〕　判断
（イ）　上記〔二〕（１）（ト）及び同（リ）によれば、「探針駆動パターンに従って探針を駆動しながら▲２▼探針−基板間電圧パターンの電圧を印加すると、基板上では逆反応として析出反応が起こり、▲３▼基板表面に連続的に銀が凸状に析出して細線が加工され」、あるいは印加したパルスに対応して基板上にドットパターン（粒状又は微小孔状）が形成されることが認められる。
（ロ）　ところで、（ｉ）引例１には、基板電位制御部７と探針−基板間電圧・トンネル電流制御部８を有し、水溶液中の基板１２の電位及びトンネル探針の電位を制御できる、例えば細線加工用の装置が記載され｛上記〔二〕（１）（ホ）〜（ト）参照｝、一方、引例２には、探針電位と試料電位とを別々に設定できるＳＴＭシステムが記載されているが、これらの、引例１の上記装置と引例２の上記システムとは、実質的の同一の装置であると認められるところ、（ｉｉ）引例２にも、「表面を▲２▼´´Ｉｔ＝６ｎＡで観察するとＳＴＭの▲３▼探針下のみに銅の電解析出が起こっているのが観察された」｛上記〔二〕（２）（ホ）参照｝と記載されている。
　すなわち、同様の装置を用いて同様の結果を得ていることが認められる。
　そうすると、引例１でトンネル電流による微細加工の詳細なメカニズムあるいは科学技術的解釈が適切に説明されているかどうかは別としても、上記（イ）に指摘した引例１のパターン形成方法は、実現可能なものであると認められる。
（ハ）　そして、上記〔二〕（１）（ハ）によれば、
「本加工方法によれば、▲２▼´´トンネル電流により電気化学的反応が起こり、▲３▼析出または▲４▼溶解反応を制御することにより、▲５▼原理的には幅０．１〜１ｎｍという極めて細い線を引くことが可能である」とされ、上記（１）（ニ）によれば、「いったん加工したものに対する▲４▼´修正作業も容易に行えるようになった。なおかつ、この作業は極めて▲５▼局所的に行うことが可能である」とされていることが認められる。
　また、引例１の記載全体、ことに、そのうち、上記〔二〕（１）（チ）及び同（リ）によれば、上記▲３▼析出の結果である加工物を上記▲４▼´修正するためには、アノード溶解法が採用されているものと認められる。
（ニ）　以上によれば、本願発明は、上記（ハ）に指摘した記載及び認定を考慮して、引例１の特許請求の範囲に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができた発明であると認められる。
　また、本願発明は、引例１の記載からは予想できない、予想外に優れた効果を奏したものと認められない。
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定によって、特許を受けることができない。
（ホ）　よって、結論のとおり審決する。