(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
底板部と枠体部を有するセラミック製絶縁性ベースに低融点ガラスの介在により金属キャップを封止したパッケージにおいて、前記金属キャップは天板部とその周縁の立ち下がり部とを有し、前記セラミック製絶縁性ベースの枠体部の上面および周面部との２面に介在する低融点ガラスで前記枠体部に固着されるとともに、前記金属キャップの立ち下がり部下端側に設けた舌片を前記セラミック製絶縁性ベースの枠体部周面に形成した凹部に嵌合して位置決めさせたことを特徴とするパッケージ。
【請求項２】
前記舌片は前記立ち下がり部の対向辺下端側に設けられた複数個の屈曲部からなり、これらの屈曲部を前記セラミック製絶縁性ベースの枠体部周面に形成した複数個の凹部に嵌合させたことを特徴とする請求項１に記載のパッケージ。
【請求項３】
前記セラミック絶縁性ベースの枠体部周面に形成された凹部から前記セラミック製絶縁性ベースの底板部裏面に接地用導電部を設け、前記金属キャップの舌片を前記接地用導電部に接触させたことを特徴とする請求項２に記載のパッケージ。

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、パッケージに関し、より詳細には、絶縁性ベースと金属キャップとを封止した水晶振動子用等に好適するパッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】
最近、電子部品の小型化および表面実装化が進められており、パッケージの小型化および表面実装化が要求されている。例えば、表面実装型水晶振動子は、図６に示すような構造を有する。図６（ａ）は内部の構造が見えるように一部を切り開いた平面図で、図６（ｂ）は長手方向の中心線に沿う縦断面図、図６（ｃ）は下面図である。
図６に示す表面実装型水晶振動子におけるパッケージＤは、絶縁性ベース６０，すなわちアルミナセラミック製の底板部６１および枠体部６２を有し、底板部６１の長手方向の一端部の表面にＡｇ／Ｐｄ等の電極６３，６４を形成し、この電極６３，６４をそれぞれ底板部６１と枠体部６２との間を通って長手方向の両端外部に導出し、さらに底板部６１の端面を通って裏面に形成したＡｇ／Ｐｄ等の端子部６５，６６に接続してある。６７は、後述する水晶振動片（６８）を水平状態に支持するための，いわゆる「枕」と称される支持部であり、前記電極６３，６４と同一材料で同時に同一高さに形成されている。そして、前記電極６３，６４に水晶振動片６８を導電性接着剤により接続固着すると共に、前記枠体部６２の上面に低融点ガラス６９により平板状の金属キャップ７０を固着封止してある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、前記表面実装型水晶振動子におけるパツケージＤは、絶縁性ベース６０の上面および金属キャップ７０の下面が平面的に固着封止されているだけでおり、金属キャップ７０の端面に水平方向から加わる衝撃力によって金属キャップ７０が剥離しやすいという問題点があった。特に、絶縁性ベース６０がアルミナセラミック製の場合は、金属キャップ７０との熱膨張係数差に起因する内部応力が封止部に残留しており、僅かの外部衝撃力を受けても、金属キャップ７０が簡単に剥離しやすいという傾向があった。
【０００４】
なお、半導体装置においては、目的は半田の流れ広がり防止ではあるが、図７に示すパッケージＥのように、アルミナセラミック等よりなり底板部８１と枠体部８２とを有する絶縁性ベース８０における前記枠体部８２の上面内周部に段部８３を設けて、この段部８３に金めっき層８４を形成しておき、この金めっき層８４の上に半田８５を介して中央部が外方に凸状の金属キャップ８６を封止することにより、金属キャップ８６の端面を外部に露出させないようにした構造のものが考えられている（特開昭５８−１５５７４３号公報）。
このような封止構造のパッケージＥは、前述のとおり、半田８５の流れ広がり防止であり、金属キャップの剥離防止を意図したものではないが、図６に示すパッケージＤに比較して、金属キャップ８６の端部に水平方向の外力が加わり難く、耐衝撃性は向上する。しかしながら、絶縁性ベース８０と金属キャップ８６との熱膨張係数差に起因する残留内部応力の問題点は解決されておらず、しかも絶縁性ベース８０と金属キャップ８６との封止界面距離が減少するので、気密性の確保が難しいという問題点があった。
【０００５】
また、同じく半導体装置においては、目的は上記同様に半田の流れ広がり防止ではあるが、図８に示すパッケージＦのように、アルミナセラミック等よりなり底板部９１と枠体部９２とを有する絶縁性ベース９０における枠体部９２の上面中央部に環状の凹溝９３を設けるとともに、金属キャップ９４の周縁部近傍から立ち下がり部９５を設け、この立ち下がり部９５の下端を前記凹溝９３に嵌合して金錫ろう材９６で封止する構造のものも考えられている（特開昭６１−２３２６４１号公報）。
このような封止構造のパッケージＦでは、金属キャップ９４の端部は外部に露出しているが、立ち下がり部９５が凹溝９３内に嵌合封止されているので、外部衝撃は前記凹溝９３で阻止されるため耐衝撃性は改善されるものの、前記残留内部応力の問題は解決されておらず、また、絶縁性ベース９０の枠体部９２の上面中央部に凹溝９３を形成するので、従来と同一厚さの絶縁性ベース９０では、枠体部９２の上面部の機械的強度が小さくなり、凹溝９３の近傍部分から破損しやすくなる。一方、破損防止のために、絶縁性ベース９０を外形寸法はそのままにして厚くすると、パッケージとしての内部容積が減少するし、従来と同様の内部容積を確保しようとして外形寸法を大きくすると、パツケージが大型化して、軽薄短小化に反することになる。
【０００６】
そこで、本発明の目的は、封止部の耐衝撃性が大きく、機械的な強度が大で、しかも気密性の高いパッケージを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１記載の発明は、底板部と枠体部を有するセラミック製絶縁性ベースに低融点ガラスの介在により金属キャップを封止したパッケージにおいて、前記金属キャップは天板部とその周縁の立ち下がり部とを有し、前記セラミック製絶縁性ベースの枠体部の上面および周面部との２面に介在する低融点ガラスで前記枠体部に固着されるとともに、前記金属キャップの立ち下がり部下端側に設けた舌片を前記セラミック製絶縁性ベースの枠体部周面に形成した凹部に嵌合して位置決めさせたことを特徴とするパッケージである。上記のパッケージによれば、絶縁性ベースの上面および周面と、カップ状の金属キャップの天板部下面および立ち下がり部内面との２面により封止されているので、耐外部衝撃性が大きくなるのみならず、絶縁ベースはその上面に凹溝等は形成しないので、機械的強度は大きく、しかも絶縁性ベースの厚さは何ら変更しないので、気密性の確保も容易確実になる。
【０００８】
すなわち、セラミック製絶縁性ベースの枠体部周面に段部を有し、金属キャップの立ち下がり部の下端がこの段部により位置決めされているので段部により、金属キャップの位置決めができ、絶縁性ベースの上面と金属キャップの天板部下面との間に適正な間隔寸法を確保することができ、したがって適正な低融点ガラス量を確保できて、封止部に十分な機械的強度と、気密性とを得ることができる。
【０００９】
さらに、この発明は、前記セラミック製絶縁性ベースの枠体部周面に凹部を有し、前記金属キャップの立ち下がり部の下端側に舌片を設けて前記凹部に嵌合したことを特徴とするものであり、金属キャップの舌片が絶縁性ベースの凹部に嵌合されているので、耐外部衝撃性をより向上できる。
【００１０】
本発明の請求項２記載の発明は、前記舌片は前記立ち下がり部の対向する辺部下端側に設けた屈曲部を有する複数個の舌片であり、その屈曲部が前記セラミック製絶縁性ベースの凹部に嵌合させたことを特徴とするパッケージである。上記のパッケージによれば、前述と同様の作用効果が得られるのみならず、舌片の屈曲部が絶縁性ベースの凹部に嵌合されることにより、ストレート状の舌片の場合に比較して、かしめ加工を省略できる。
【００１１】
なお、前記金属キャップの舌片の屈曲部が、封止前の状態で、前記立ち下がり部よりも金属キャップの中心軸方向に凹入し、その弾性力で前記絶縁性ベースの凹部に嵌合させることで、舌片の屈曲部がその弾性力で絶縁性ベースの凹部に嵌合する。
【００１２】
本発明の請求項３記載の発明は、前記セラミック絶縁性ベースの枠体部周面に形成された凹部から前記セラミック製絶縁性ベースの底板部裏面側に接地用導電層および端子の導電部を設け、前記金属キャップの舌片を前記接地用の導電層に接触させたことを特徴とするパッケージである。上記のパッケージによれば、金属キャップを接地することができ、外来電磁波や浮遊容量に起因する電子素子の特性変動を防止できる。しかも、高価な導電性の低融点ガラスを必要としないので、原価低減が図れる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
本発明の実施例について、以下、図面を参照して説明する。
【実施例１】
図１は本発明の第１実施例のパッケージＡを表面実装型水晶振動子に適用した場合を示し、図１（ａ）は内部構造が見えるように一部を切り開いた平面図、図１（ｂ）は長手方向の中心線に沿う縦断面図、図１（ｃ）は下面図である。
図１において、１はガラスセラミック製の絶縁性ベースで、底板部２および枠体部３を積層し一体に焼結形成されている。前記枠体部３の外面には、段部４が形成されている。この段部４の枠体部３の上端からの形成位置は、後述する金属キャップの立ち下がり部の高さ寸法に応じて設定され、また、段部４の幅寸法は金属キャップの厚さ寸法に応じて設定されている。これらの底板部２および枠体部３は、例えば、０．３〜３μｍ程度の粒度のアルカリガラス微粉末に、同じく０．３〜３μｍ程度の粒度のフォルステライトの微粉末を３０〜７０ｗｔ％分散させたグリーンシートを成形焼成してなる熱膨張係数が１０〜１５ｐｐｍ／℃の矩形状および枠状のもので、絶縁性ベース１は長手方向の寸法が３．０〜１２．０ｍｍ、短手方向の寸法が２．０〜１０．０ｍｍで、厚さ寸法が０．２〜１．０ｍｍ程度のものであり、枠体部２は、例えば、長手方向の内法寸法が２．０〜１１．０ｍｍ、短手方向の内法寸法が１．０〜９．０ｍｍで、厚さ寸法が０．２〜１．０ｍｍ程度のものである。
【００１７】
前記絶縁性ベース１におけるガラスセラミックを構成する第１実施例のアルカリガラスは、例えば、次の組成を有し、Ｎａ２Ｏ，Ｋ２Ｏ，ＬｉＯ２等のアルカリ成分を含む。
ＳｉＯ２  ：５０〜７０ｗｔ％
Ａｌ２Ｏ３：２〜１５ｗｔ％
ＲＯ     ：５〜３０ｗｔ％（ＲはＣａ，Ｓｒ，Ｂａのうちの一種以上）
Ｂ２Ｏ３  ：１〜８ｗｔ％
ＺｎＯ   ：２〜１５ｗｔ％
Ｒ２Ｏ   ：５〜３０ｗｔ％（ＲはＮａ，Ｋ，Ｌｉのうちの一種以上）
【００１８】
前記底板部２の長手方向の一方端近傍の上面には、Ａｇ／Ｐｄペーストを塗布焼成して厚さ４０〜５０μｍ程度の電極５，６が形成されている。一方の電極５は、底板部２と枠体部３との間を通って、底板部２の長手方向の一方端の外部に導出されており、他方の電極６は、枠体部３の下を迂回して底板部２の他方端の外部に導出されており、それぞれ底板部２の端面を通って底板部２の長手方向の両端の下面にＡｇ／Ｐｄペーストを塗布焼成して形成された端子部７，８に接続されている。これらの電極５，６および端子部７，８は、別々に形成してもよいが、同時に形成してもよい。
また、底板部２の上面の前記電極５，６と反対側位置には、後述する水晶振動片（１０）を水平状態に支持するための，いわゆる「枕」と称される支持部９が形成されている。この支持部９は、前記電極５，６と同一材料により同時に、かつ同一厚さに形成されている。
【００１９】
前記電極５，６および端子部７，８には、図示していないが、無電解Ｎｉめっき層および／または無電解Ａｕめっき層が形成されている。
前記電極５，６上には、両面に電極（図示省略）を有する水晶振動片１０が導電性接着剤等により接続固着されている。なお、支持部９は、前述したように水晶振動片１０を水平状態に支持するためのものであり、接着等は不要である。
そして、前記枠体部３の上面および外周面には、低融点ガラス１１を介して、ステンレス鋼等よりなる厚さ０．０５〜０．２ｍｍ程度のカップ状の金属キャップ１２における天板部１３の下面とその周縁部からの立ち下がり部１４の内面との２面が固着封止されている。
【００２０】
次に、上記の低融点ガラス１１の実施例について説明する。
まず、低融点ガラスの基材となる低融点ガラスは、例えば、下記の銀−リン酸系の低融点ガラスである
Ａｇ−Ｐ−Ｉ−Ｏ（Ａｇ２Ｏ，ＡｇＩ，Ｐ２Ｏ５の酸化物の形で混合し溶融後粉砕するが、Ａｇ，Ｐ，Iとしての割合は、Ａｇ：３０〜６０％，Ｐ：２０〜４０％，I：５〜１５％）からなる軟化点が２００〜２３０℃の銀−リン酸系ガラス３０〜７０ｗｔ％に、ガラスセラミックと熱膨張係数を一致または近似させるために、フィラーとしてリン酸化合物または五酸化ニオブを７０〜３０ｗｔ％添加した、作業温度が２７０〜２９０℃程度の低融点ガラス。
この低融点ガラスは、上記の基材となる低融点ガラスに、Ａｌ，Ｎｉ，Ａｇ，ＢａＴｉＯ３，ＮｉＣｒ，ＴｉＢ，ＴｉＯ２の群の中から選択されたいずれか一または二以上を０．１〜１０ｖｏｌ％添加したものである。
ここで、Ａｌ，Ｎｉ，Ａｇ，ＢａＴｉＯ３，ＮｉＣｒ，ＴｉＢ，ＴｉＯ２の群の中から選択されたいずれか一または二以上の添加量が０．１ｖｏｌ％未満では、高圧高湿の試験で封止強度の改善効果が認められないし、１０ｖｏｌ％を超えると、低融点ガラス１０の作業温度が上昇してガラスが流れにくくなり、低温封止が困難になる。したがって、Ａｌ，Ｎｉ，Ａｇ，ＢａＴｉＯ３，ＮｉＣｒ，ＴｉＢ，ＴｉＯ２の群の中から選択されたいずれか一または二以上の添加量は、０．１〜１０ｖｏｌ％に限定される。
【００２１】
上記のパッケージＡによれば、絶縁性ベース１をガラスセラミック製として、その熱膨張係数をアルミナセラミックの熱膨張係数６．６ｐｐｍ／℃に比較して格段に大きい１０〜１５ｐｐｍ／℃に設定して、水晶振動片１０の熱膨張係数１２〜２０ｐｐｍ／℃と近似させるとともに、金属キャップ１２をステンレス鋼製とし、その熱膨張係数を１０〜１３ｐｐｍ／℃に設定して、前記同様に水晶振動片１０のそれと近似させているので、絶縁性ベース１と金属キャップ１２との熱膨張係数差に起因する残留内部応力による剥離が生じなくなる。また、絶縁性ベース１と金属キャップ１２とが、枠体部３の上面および周面と、金属キャップ１２の天板部１３の周縁部下面および立ち下がり部１４の内面との２面において低融点ガラス１１により固着封止されているので、封止強度が著しく大きい。しかも、絶縁性ベース１に凹溝を形成したものに比較して、機械的強度も著しく大きい。さらに、前述のとおり、２面で封止されているので、封止界面距離が飛躍的に増大して、気密性の確保が容易で高い気密性が得られるという各種の優れた特長を有する。
ここで、絶縁性ベース１の段部４は、金属キャップ１２の立ち下がり部１４の下端を支持して、枠体部３の上面と金属キャップ１２の天板部１３の下面との間に適正な間隔を確保し、したがって、適正な低融点ガラス１１量を確保して、好ましい封止部を形成するのに役立っている。
【００２２】
【実施例２】
次に、本発明の第２実施例のパッケージＢについて、図２および図３により説明する。
図２は、封止前の分解斜視図で、図３は封止後の短手方向の縦断面図である。図２および図３において、２０はガラスセラミック製の絶縁性ベースで、底板部２１と枠体部２２とを有し、枠体部２２の外周に段部２３を有する。図１に示す第１実施例のパッケージＡとの相違点は、段部２３が金属キャップの位置決め用のものではなく、後述する低融点ガラスの厚さ確保用のものである。また、絶縁性ベース２０の対向する側面の一部に凹部２４，２５を形成し、この凹部２４，２５の内面から絶縁性ベース２０の底面板２１の裏面にかけて接地用の導電層２６，２７および端子部２８，２９を形成していることである。なお、電極や支持部は図示を省略している。
また、この絶縁性ベース２０に低融点ガラス３０を介してカップ状の金属キャップ３１が封止されているが、金属キャップ３１は天板部３２および立ち下がり部３３を有するとともに、立ち下がり部３３の対向する２面の下端に、立ち下がり部３３よりも下方に延びる舌片３４，３５を一体に有することである。なお、図に表れていないが、舌片３４，３５の内側部分には、必要に応じて折り曲げかしめ加工の補助となるＶ字溝等を形成しておいてもよい。
そして、絶縁性ベース２０の段部２３の上に、枠状にプリフォームされたガラスタブレット（図示省略）を載置し、その上から金属キャップ３１を被せて、加熱して前記ガラスタブレットを溶融させて封止後、凹部２４，２５に、前記舌片３４，３５の先端を折り曲げかしめ加工して、嵌合させるとともに、接地用の導電層２６，２７に接続している。
あるいは、先に、凹部２４，２５に、前記舌片３４，３５の先端を折り曲げかしめ加工して嵌合させた後、加熱してガラスタブレットを溶融させて封止してもよい。
したがって、本第２実施例のパッケージＢによれば、前記第１実施例のパッケージＡと同様に、耐外部衝撃性が向上するとともに、封止部の機械的強度が大きく、しかも気密性の高いパッケージが得られる他、さらに、金属キャップ３１の舌片３３，３４が、絶縁性ベース２０の凹部２３，２４に嵌合してかしめられているので、耐外部衝撃性はさらに著しく向上するのみならず、前記舌片３３，３４が、接地用の導電層導電層２５，２６および端子部２７，２８に接続されているので、端子部２７，２８を接地することによって、金属キャップ３１を接地することができる。このように、金属キャップ３１を接地すると、外来電磁波や浮遊容量に起因してパッケージＢ内に収容した水晶振動片等の電子素子の特性変動が防止できるという特長があり、特に高価な導電性の低融点ガラスを使用することなく金属キャップ３１を接地できる利点は極めて大きいものがある。
【００２３】
【実施例３】
次に、本発明の第３実施例のパッケージＣについて、図４および図５により説明する。
図４は封止前の分解斜視図で、図５は封止後の短手方向の縦断面図である。図４および図５において、４０はガラスセラミック製の絶縁性ベースで、底板部４１および枠体部４２とで構成され、枠体部４２の周面に段部４３を有する。また、対向する２側面に凹部４４，４５を有し、それぞれの凹部４４，４５から底板部４１の裏面にかけて接地用の導電層４６，４７および端子部４８，４９有する。
そして、この絶縁性ベース４０に低融点ガラス５０を介してカップ状の金属キャップ５１が封止されている。金属キャップ５１は、天板部５２および立ち下がり部５３を有し、絶縁性ベース４０の枠体部４３の上面および外面と、金属キャップ５１の天板部５２の下面および立ち下がり部５３の内面との２面において封止されている。金属キャップ５１はまた、対向する２側面の立ち下がり部５３の下端から突出する舌片５４，５５を有する。この舌片５４，５５は、予め金属キャップ５１の中心軸に向かって屈曲された屈曲部を有しており、屈曲部間の寸法は絶縁性ベース４０の外形寸法より若干小さくなるように設定されている。
したがって、このパッケージＣによれば、絶縁性ベース４０と金属キャップ５１とが前記同様に２面において低融点ガラス５０により封止されているので、大きな耐衝撃性，機械的強度および高い気密性が得られるとともに、前記金属キャップ５１の舌片５４，５５の屈曲部が、絶縁性ベース４０の凹部４４，４５にその弾性力により嵌合されているので、金属キャップ５１を絶縁性ベース４０の凹部４４，４５に嵌め込むのみで、金属キャップ５１の保持および導電層４６，４７に接続ができるので、封止時に金属キャップ５１の位置決め用の保持治具等が不要になるという特長がある。
【００２４】
なお、上記各実施例は、特定の形状，構造，用途のものについて説明したが、本発明はこのような実施例に限定されるものではなく、本発明の精神を逸脱しない範囲で各種の変形が可能である。
【００２５】
例えば、  絶縁性ベース１，２０，４０を構成するガラスセラミックのアルカリガラスとして、上記実施例に示したもの以外に、次の第２実施例や第３実施例の組成のものについても同様の結果が得られた。
【００２６】
【第２実施例のアルカリガラス組成】
ＳｉＯ２  ：４０〜５５ｗｔ％
Ａ１２Ｏ３：２０〜３０ｗｔ％
Ｐ２Ｏ５  ：  １〜２０ｗｔ％
ＢａＯ   ：０．２〜５ｗｔ％
Ｒ２Ｏ    ：５〜１０ｗｔ％（ＲはＮａ，Ｋ）
【００２７】
【第３実施例のアルカリガラス組成】
ＳｉＯ２：７０〜８５ｗｔ％
Ｐ２Ｏ５：１〜５ｗｔ％
ＭｇＯ ：１〜５ｗｔ％
Ｒ２Ｏ  ：８〜２５ｗｔ％（ＲはＬｉ，Ｋ）
【００２８】
また、前述の第１実施例の組成を有するアルカリガラスに、さらにＺｒＯ，ＳｎＯ２，Ｐ２Ｏ５，ＭｏＯ３のうち一種以上の微粉末（０．１〜１μｍ）を１．２〜５ｗｔ％添加したガラスセラミックについても同様の結果が得られた。
【００２９】
さらに、上記実施例では、いずれも絶縁性ベース１，２０，４０をガラスセラミツク製として説明したが、アルミナ，フォルステライト等のセラミック製としてもよい。すなわち、本発明では、金属キャップ１２，３１，５１に立ち下がり部１４，３３，５３を設けて、それぞれの天板部１３，３２，５２のみならず、立ち下がり部１４，３３，５３をも低融点ガラス１１，３０，５０で封止しているので、耐外部衝撃性，機械的強度および気密性のいずれも従来のパッケージに比較して格段に向上しており、しかも、金属キャップ１２，３１，５１の立ち下がり部１４，３３，５３は、封止時の加熱によって膨張し、封止後は冷却によって収縮するので、仮に絶縁性ベース１，２０，４０の熱膨張係数が、金属キャップ１２，３１，５１の熱膨張係数よりも小さくても、絶縁性ベース１，２０，４０の外側面には、金属キャップ１２，３１，５１による締め付け力が作用するので、両者間で剥離したり、機械的強度が低下したり、気密性が低下するといったことは皆無となるからである。
【００３０】
また、本発明のパッケージＡを用いた水晶振動子においては、水晶振動片１０を支持する支持部９として、電極５，６と同一材料で形成したものについて説明したが、支持部を絶縁性ベースと同一材料で形成してもよい。このようにすれば、高価な導電材料の使用量を節減して、原価低減ができる。
【００３１】
さらに、本発明のパッケージＡを用いた水晶振動子においては、電極５，６をＡｇ／Ｐｄ等の導電材料のみで形成したものについて説明したが、絶縁性ベースと同一材料でほぼ所望高さの台座部を形成し、この台座部の上に導電材料で電極を形成するようにしてもよい。このようにすれば、高価な導電材料の使用量を節減して、原価低減ができる。
【００３２】
さらに、本発明は、水晶振動子以外の弾性表面波素子や半導体装置や電子部品用等のパッケージにおいても、同様に実施できるものである。
【００３３】
【発明の効果】
本発明は、絶縁性ベースと、この絶縁性ベースに封止された金属キャップとを有するパッケージにおいて、前記金属キャップが天板部およびその周縁部から立ち下がり部を有するカップ状のもので、前記絶縁性ベースの上面および周面部と、金属キャップの天板部および立ち下がり部との２面で、絶縁性ベースと金属キャップとを封止したことを特徴とするパッケージであるから、大きな耐外部衝撃性および機械的強度と、高い気密性を有するパッケージが提供できるという特有の作用効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１実施例のパッケージＡを用いた表面実装型水晶振動子を示し、（ａ）一部を切り開いた平面図、（ｂ）長手方向の中心線に沿う縦断面図、（ｃ）下面図
【図２】  本発明の第２実施例のパッケージＢの封止前の分解斜視図
【図３】  本発明の第２実施例のパッケージＢの封止後の短手方向の縦断面図
【図４】  本発明の第３実施例のパッケージＣの封止前の分解斜視図
【図５】  本発明の第３実施例のパッケージＣの封止後の短手方向の縦断面図
【図６】  従来のパッケージＤを用いた表面実装型水晶振動子を示し、（ａ）は一部を切り開いた平面図、（ｂ）長手方向の中心線に沿う縦断面図、（ｃ）下面図
【図７】  従来の他のパッケージＥの縦断面図
【図８】  従来のさらに他のパッケージＦの縦断面図
【符号の説明】
Ａ，Ｂ，Ｃ  パッケージ
１、２０，４０  絶縁性ベース
２、２１，４１  底板部
３、２２，４２  枠体部
４、２３、４３  段部
５、６  電極
７、８  端子部
９  支持部
１０  水晶振動片
１１、３０、５０  低融点ガラス
１２、３１，５１  金属キャップ
１３、３２、５２  天板部
１４、３３、５３  立ち下がり部
２４、２５、４４、４５  凹部
２６、２７、４６、４７  接地用の導電層
２８、２９、４８、４９  接地用の端子部
【図１】
0004093519.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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