(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記録層を有する磁気抵抗効果素子と、
前記磁気抵抗効果素子の上または下において第１の方向に延在する第１の配線と、
を備え、前記第１の配線に電流を流すことにより形成される磁界によって前記磁気記録層に情報を記録する磁気メモリであって、
前記第１の配線は、前記磁気記録層よりも幅広であり、その両側面の少なくともいずれかにニッケル鉄合金からなる被覆層を有し、
前記被覆層は、前記第１の配線の長手方向に沿って磁化が容易となる一軸異方性を有し、
前記第１の配線の周囲に沿った前記被覆層の長さは、前記第１の方向に沿った前記被覆層の長さより短く、
前記第１の配線の周囲に沿った前記被覆層の長さは、１μｍ以下であり、
前記被覆層の厚みは、０．００１μｍ以上で、０．０５μｍ以下であることを特徴とする磁気メモリ。
【請求項２】
第１の方向に延在する第１の配線と、
前記第１の配線の上に設けられた磁気抵抗効果素子と、
前記磁気抵抗効果素子の上において、前記第１の方向と交差する方向に延在する第２の配線と、
を備え、前記第１及び第２の配線にそれぞれ電流を流すことにより形成される磁界によって前記磁気抵抗効果素子の記録層に２値情報のいずれかを記録する磁気メモリであって、
前記第１及び第２の配線の少なくともいずれかは、前記磁気記録層よりも幅広であり、少なくともその両側面にニッケル鉄合金からなる被覆層を有し、
前記被覆層は、その被覆層が設けられた配線の長手方向に沿って磁化が容易となる一軸異方性を有し、
前記被覆層が設けられた配線の周囲に沿った前記被覆層の長さは、前記被覆層が設けられた配線の長手方向に沿った前記被覆層の長さより短く、
前記被覆層が設けられた配線の周囲に沿った前記被覆層の長さは、１μｍ以下であり、
前記被覆層の厚みは、０．００１μｍ以上で、０．０５μｍ以下であることを特徴とする磁気メモリ。
【請求項３】
前記被覆層は、前記配線の前記長手方向に延在し互いに平行な複数の部分に分割されて設けられたことを特徴とする請求項１または２に記載の磁気メモリ。
【請求項４】
前記複数の部分は、前記配線の両側面と裏面とにそれぞれ独立して設けられたことを特徴とする請求項３記載の磁気メモリ。
【請求項５】
前記複数の部分のいずれかと他のいずれかは、前記配線の側面または裏面の少なくともいずれかにおいて隣接して設けられたことを特徴とする請求項３記載の磁気メモリ。
【請求項６】
前記被覆層に反強磁性体からなる層が積層されてなることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の磁気メモリ。
【請求項７】
前記第１及び第２の配線のそれぞれが前記被覆層を有し、
前記第１の配線が有する前記被覆層には、第１のネール温度を有する反強磁性体からなる層が積層され、
前記第２の配線が有する前記被覆層には、前記第１のネール温度よりも高くまたは前記第１のネール温度よりも低い第２のネール温度を有する反強磁性体からなる層が積層されてなることを特徴とする請求項２記載の磁気メモリ。
【請求項８】
前記被覆層は、前記磁気抵抗効果素子に向けて前記配線よりも突出した突出部を有することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載の磁気メモリ。
【請求項９】
前記突出部は、前記被覆層のうちの前記配線に近接して設けられた部分とは分離して設けられたことを特徴とする請求項８記載の磁気メモリ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気メモリに関し、より詳細には、強磁性トンネル接合型などの磁気抵抗効果素子を有するメモリセルを集積した構造を有し、メモリセル間のクロストークを解消しつつ低消費電力で安定した記録、読み出しが可能な磁気メモリに関する。
【０００２】
【従来の技術】
磁性体膜を用いた磁気抵抗効果素子は、磁気ヘッド、磁気センサーなどに用いられているとともに、固体磁気メモリ（磁気抵抗効果メモリ：ＭＲＡＭ（Magnetic Random Access Memory））に用いることが提案されている。
【０００３】
近年、２つの磁性金属層の間に１層の誘電体を挿入したサンドイッチ構造膜において、膜面に対して垂直に電流を流し、トンネル電流を利用した磁気抵抗効果素子として、いわゆる「強磁性トンネル接合素子（Tunneling Magneto-Resistance effect：ＴＭＲ素子）」が提案されている。強磁性トンネル接合素子においては、２０％以上の磁気抵抗変化率が得られるようになったことから（J. Appl. Phys. 79, 4724 (1996)）、ＭＲＡＭへの民生化応用の可能性が高まってきた。
【０００４】
この強磁性トンネル接合素子は、強磁性電極上に０．６ｎｍ〜２．０ｎｍ厚の薄いＡｌ（アルミニウム）層を成膜した後、その表面を酸素グロー放電または酸素ガスに曝すことによって、Ａｌ２Ｏ３からなるトンネルバリア層を形成することにより、実現できる。
【０００５】
また、この強磁性１重トンネル接合の片側一方の強磁性層に反強磁性層を付与し、片方を磁化固定層とした構造を有する強磁性１重トンネル接合が提案されている（特開平１０−４２２７号公報）。
【０００６】
また、誘電体中に分散した磁性粒子を介した強磁性トンネル接合や、強磁性２重トンネル接合（連続膜）も提案されている（Phys.Rev.B56(10), R5747 (1997)、応用磁気学会誌23,4-2, (1999)、Appl. Phys. Lett. 73(19), 2829 (1998)、Jpn. J. Appl. Phys.39,L1035(2001)）。
【０００７】
これらにおいても、２０〜５０％の磁気抵抗変化率が得られるようになったこと、及び、所望の出力電圧値を得るため強磁性トンネル接合素子に印加する電圧値を増やしても磁気抵抗変化率の減少が抑えられることから、ＭＲＡＭへの応用の可能性がある。
【０００８】
これら強磁性１重トンネル接合あるいは強磁性２重トンネル接合を用いた磁気記録素子は、不揮発性で、書き込み読み出し時間も１０ナノ秒以下と速く、書き換え回数も１０１５以上というポテンシャルを有する。特に、強磁性２重トンネル接合を用いた磁気記録素子は、上述したように、所望の出力電圧値を得るため強磁性トンネル接合素子に印加する電圧値を増やしても磁気抵抗変化率の減少が抑えられるため、大きな出力電圧が得られ、磁気記録素子として好ましい特性を示す。
【０００９】
しかし、メモリのセルサイズに関しては、１Ｔｒ（トランジスタ）−１ＴＭＲアーキテクチャ（例えば、ＵＳＰ５、７３４、６０５号公報に開示されている）を用いた場合、半導体のＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）以下にサイズを小さくできないという問題がある。
【００１０】
この問題を解決するために、ビット（bit）線とワード（word）線との間にＴＭＲセルとダイオードを直列接続したダイオード型アーキテクチャ（ＵＳＰ５、６４０、３４３号公報）や、ビット線とワード線の間にＴＭＲセルを配置した単純マトリックス型アーキテクチャ（ＤＥ  １９７４４０９５、ＷＯ  ９９１４７６０）が提案されている。
【００１１】
しかし、いずれの場合も記憶層への書きこみ時には電流パルスによる電流磁場で反転を行っているため、消費電力が大きく、配線の許容電流密度限界があるために集積できるセルの数が制限され、また書き込み電流の絶対値が１ｍＡ程度にも及ぶためにドライバの面積が大きくなる、などの問題がある。
【００１２】
このため、他の不揮発固体磁気メモリであるＦｅＲＡＭ（強誘電体ランダムアクセスメモリ）やフラッシュメモリなどと比較した場合の改善すべき問題が多い。
【００１３】
これらの問題に対し、書き込み配線の周りに高透磁率の磁性材料からなる薄膜を設けた固体磁気記憶装置が提案されている（米国特許５，６５９，４９９号、米国特許５，９５６，２６７、国際特許出願ＷＯ  ００／１０１７２及び米国特許５，９４０，３１９）。これらの磁気記憶装置によれば、配線の周囲に高透磁率磁性膜が設けられているため、磁気記録層への情報書込に必要な電流値を効率的に低減できる。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、米国特許５，６５９，４９９号が開示する磁気記憶装置では、磁気抵抗効果膜の記録層に印加される磁場は不均一であり、また、米国特許５，９５６，２６７と米国特許５，９４０，３１９に開示されている磁気記憶装置では、「デュアルスピンバルブ型２重トンネル接合」のように、積層した磁性層の中心部にフリー層（記録層）が設けられているような構造では、フリー層に効率的に磁場をかけることは困難である。
【００１５】
また一方、国際特許出願ＷＯ  ００／１０１７２において開示されている磁気記憶装置では、フリー層に大きな磁場が印加できる構造となっているが、その製造は極めて困難となる。
【００１６】
またさらに、本発明者の独自の検討の結果、書き込み配線の周囲に、このような磁性材料から形成される被覆層を設けた場合、この被覆層の磁化状態が極めて重要であることが判明した。すなわち、被覆層の磁化状態を制御しないと、書き込み配線からの電流磁場を効率的に磁気抵抗効果素子の記録層に印加することができないことが判明した。また、同時に、被覆層の磁化の方向によっては、近接する磁気抵抗効果素子との間で磁気的な相互作用が生じ、書き込みや読み出しに悪影響が生ずる場合があることが判明した。
【００１７】
本発明は、かかる課題の認識に基づいてなされたものであり、その目的は、書き込み配線の周囲に磁性材料からなる被覆層を設ける場合に、その磁化状態を制御することにより、電流磁場を効率的に記録層に印加することができる磁気メモリを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の第１の磁気メモリは、
磁気記録層を有する磁気抵抗効果素子と、
前記磁気抵抗効果素子の上または下において第１の方向に延在する第１の配線と、
を備え、前記第１の配線に電流を流すことにより形成される磁界によって前記磁気記録層に情報を記録する磁気メモリであって、
前記第１の配線は、前記磁気記録層よりも幅広であり、その両側面の少なくともいずれかにニッケル鉄合金からなる被覆層を有し、
前記被覆層は、前記第１の配線の長手方向に沿って磁化が容易となる一軸異方性を有し、
前記第１の配線の周囲に沿った前記被覆層の長さは、前記第１の方向に沿った前記被覆層の長さより短く、
前記第１の配線の周囲に沿った前記被覆層の長さは、１μｍ以下であり、
前記被覆層の厚みは、０．００１μｍ以上で、０．０５μｍ以下であることを特徴とする。
【００１８】
上記構成によれば、隣接するメモリセルへの書き込みクロストークを解消しつつ、被覆層を介した書き込み磁界を安定して磁気抵抗効果素子に印加することができ、さらにこの磁気抵抗効果素子との間での無用な磁気的相互作用も解消することができる。
【００１９】
また、本発明の第２の磁気メモリは、
第１の方向に延在する第１の配線と、
前記第１の配線の上に設けられた磁気抵抗効果素子と、
前記磁気抵抗効果素子の上において、前記第１の方向と交差する方向に延在する第２の配線と、
を備え、前記第１及び第２の配線にそれぞれ電流を流すことにより形成される磁界によって前記磁気抵抗効果素子の記録層に２値情報のいずれかを記録する磁気メモリであって、
前記第１及び第２の配線の少なくともいずれかは、前記磁気記録層よりも幅広であり、少なくともその両側面にニッケル鉄合金からなる被覆層を有し、
前記被覆層は、その被覆層が設けられた配線の長手方向に沿って磁化が容易となる一軸異方性を有し、
前記被覆層が設けられた配線の周囲に沿った前記被覆層の長さは、前記被覆層が設けられた配線の長手方向に沿った前記被覆層の長さより短く、
前記被覆層が設けられた配線の周囲に沿った前記被覆層の長さは、１μｍ以下であり、
前記被覆層の厚みは、０．００１μｍ以上で、０．０５μｍ以下であることを特徴とする。
【００２０】
上記構成によっても、隣接するメモリセルへの書き込みクロストークを解消しつつ、被覆層を介した書き込み磁界を安定して磁気抵抗効果素子に印加することができ、さらにこの磁気抵抗効果素子との間での無用な磁気的相互作用も解消することができる。
【００２１】
またここで、「交差する」とは、空間において２本の配線が平行でなく且つ交わることもなく配置された状態をいうものとする。
【００２２】
ここで、前記被覆層は、前記長手方向に対して垂直な方向にみたその長さが、１μｍ以下であるものとすれば、形状効果による一軸異方性を生じやすくなる。また、前記被覆層の厚みを、０．０５μｍ以下とすることによっても、形状効果による一軸異方性を生じやすくなる。
【００２３】
また、前記被覆層は、前記配線の前記長手方向に延在し互いに略平行な複数の部分に分割されて設けられたものとすれば、形状効果による一軸異方性を生じやすくなる。
【００２４】
また、前記被覆層に反強磁性体からなる層が積層されてなるもとすれば、磁化容易方向を確実且つ容易に固定することができる。
【００２５】
また、前記第２の磁気メモリにおいて、
前記第１及び第２の配線のそれぞれが前記被覆層を有し、前記第１の配線が有する前記被覆層には、第１のネール温度を有する反強磁性体からなる層が積層され、前記第２の配線が有する前記被覆層には、前記第１のネール温度よりも高くまたは前記第１のネール温度よりも低い第２のネール温度を有する反強磁性体からなる層が積層されてなるものとすれば、ネール温度の違いを利用して、それぞれの被覆層に対して、配線長軸方向の一軸異方性を付与することが容易となる。
【００２６】
また、前記被覆層は、前記磁気抵抗効果素子に向けて前記配線よりも突出した突出部を有するものとすれば、磁気ヨークとして作用する被覆層の磁気放出端を磁気抵抗効果素子に近接させることより、発生磁界をさらに効率的に磁気記録層に印加できる。
【００２７】
また、前記突出部は、前記被覆層のうちの前記配線に近接して設けられた部分とは分離して設けられたものとすれば、形状効果による一軸異方性を付与することが容易となる。
【００２８】
なおここで、「近接して」とは、配線に直接的に接触した状態に限らず、例えば、配線から隙間を空けて配置された状態や、窒化チタンなどのバリアメタルなどを介在して隣接した状態も含むものとする。
【００３０】
図１は、本発明の磁気メモリのメモリセル要部を単純化して表した模式図である。すなわち、同図（ａ）はメモリセルに含まれる一対の書き込み配線及び磁気抵抗効果素子を表す正面図であり、同図（ｂ）はその平面図、同図（ｃ）はその側面図である。
【００３１】
すなわち、本発明の磁気メモリは、磁気抵抗効果素子Ｃの上下に、略直交する一対の書き込み配線ＢＬ、ＷＬが対向して設けられている。磁気抵抗効果素子Ｃには磁界を印加することにより、その磁化方向が反転可能な磁気記録層が設けられている。そして、一対の書き込み配線ＢＬ、ＷＬにそれぞれ書き込み電流を流すことにより生ずる合成磁場によって、この磁気記録層の磁化方向を適宜反転させて「書き込み」すなわち情報の記録を実行する。
【００３２】
一対の書き込み配線ＢＬ、ＷＬはその周囲に磁性材料からなる被覆層ＳＭを有する。被覆層ＳＭは、それぞれの配線の両側面及び磁気抵抗効果素子Ｃからみた裏面側にそれぞれ設けられ、磁界の漏洩を防ぐ役割を有する。すなわち、被覆層ＳＭを設けることにより、書き込み配線ＢＬ、ＷＬから生ずる電流磁場による左右方向あるいは上下方向に隣接する他のメモリセルへの「書き込みクロストーク」を防ぐことができる。
【００３３】
またさらに、このような被覆層ＳＭは、それ自体がいわゆる「磁気ヨーク」となり、書き込み配線ＢＬ、ＷＬの周囲に生ずる電流磁場を誘導して、磁気抵抗効果素子Ｃの磁気記録層に集中させる作用も有する。その結果として、書き込み電流を低減し、メモリの消費電力を下げることも可能となる。
【００３４】
さて、本発明においては、このような被覆層ＳＭの磁化容易方向Ｍを、配線ＢＬ、ＷＬの長手方向に対して平行な方向に形成する。このような配線の長軸方向に一軸異方性を被覆層ＳＭに設けておけば、その直下あるいは直上の磁気抵抗効果素子Ｃとの磁気的相互作用の影響を小さくすることができ、書き込み電流により生じる電流磁界の「ばらつき」を抑えられ、配線上のクロストークの影響を小さくすることができる。
【００３５】
すなわち、被覆層ＳＭの磁化方向が規定されていないと、電流磁界による被覆層ＳＭの磁化方向の反転が一定でなくなるために、磁気抵抗効果素子の磁気記録層に印加される書き込み磁界がバラツク虞がある。また、被覆層ＳＭの磁化方向が磁気抵抗効果素子Ｃの方向に向いていると、磁気的な相互作用が生ずるために、書き込みや読み出し動作において不安定な現象が生ずる虞がある。
【００３６】
これに対して、被覆層ＳＭの磁化容易方向を配線ＢＬ、ＷＬの長手方向に規定しておけば、これらの問題が解消され、安定した書き込み、読み出しが可能となる。
このような被覆層ＳＭの材料としては、ニッケル鉄（Ｎｉ−Ｆｅ）合金、コバルト鉄（Ｃｏ−Ｆｅ）合金、コバルト鉄ニッケル（Ｃｏ−Ｆｅ−Ｎｉ）合金または、コバルト（Ｃｏ）とジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）の少なくともいずれかとの合金またはアモルファス合金、または、（Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉ）−（Ｓｉ，Ｂ）−（Ｐ，Ａｌ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｍｎ）系などのアモルファス合金、（Ｆｅ，Ｃｏ）−（Ｂ，Ｓｉ，Ｈｆ，Ｚｒ，Ｓｍ，Ｔａ，Ａｌ）−（Ｆ，Ｏ，Ｎ）系などの金属−非金属ナノグラニュラー膜、あるいは絶縁性フェライトなどを用いることができる。
【００３７】
また、これらのいずれかからなる薄膜を単層として用いてもよく、あるいは複数種類の薄膜を積層して用いてもよい。
【００３８】
これらの材料からなる被覆層ＳＭに対して、配線ＢＬ、ＷＬの長軸方向に沿った一軸異方性を与えるためには、被覆層ＳＭの形状を規定したり、あるいは磁性層を付与すればよい。
【００３９】
例えば、図２に表したように、配線ＢＬ、ＷＬの周囲に沿った被覆層ＳＭの長さの合計（２Ｌ２＋Ｌ３）を、配線ＢＬ、ＷＬの長軸方向の被覆層ＳＭな長さＬ１より短くすると、形状効果により、長軸方向に沿った一軸異方性が生ずる。
【００４０】
またさらに、実際に用いる磁性材料の磁区ドメインサイズを考慮すると、上記した被覆層ＳＭの長さの合計（２Ｌ２＋Ｌ３）を１μｍ以下とすることがさらに望ましい。すなわち、この範囲内とすると、配線長軸方向以外の磁化が生じにくくなる。
【００４１】
また一方、配線ＢＬ、ＷＬの長軸方向の被覆層ＳＭの長さＬ１を、磁気抵抗効果素子の長軸方向の長さｄ１の約１．５倍以上とすると、書き込み配線ＢＬ、ＷＬからの浮遊磁場（stray field）の影響がなく、安定したスイッチング特性が得られる。
【００４２】
また、被覆層ＳＭの厚さｔ１、ｔ２を０．０５μｍ以下にすると、その膜厚方向の反磁界が大きくなり、磁場中アニール時にも膜厚方向に沿った磁気異方性は形成されない。その結果として、直下あるいは直上の磁気抵抗効果素子Ｃとの磁気的相互作用の影響を小さくすることができ、書き込み電流により生じる書き込み磁界のばらつきが抑えられ、配線上のクロストークの影響を小さくすることができる。
【００４３】
また、形状効果により一軸異方性を得るもうひとつの方法として、配線ＢＬ、ＷＬの周囲に設ける被覆層ＳＭを複数に分割する方法がある。
【００４４】
図３は、このように分割された被覆層ＳＭを有する配線断面を例示する模式図である。すなわち、同図（ａ）に表した具体例の場合、被覆層ＳＭは、配線ＢＬ、ＷＬの両側面および裏面において、それぞれ分割して独立に設けられている。このように配線の周囲方向に被覆層ＳＭを分割すると、それぞれの被覆層ＳＭを配線の長手方向に沿った「細長い」形状とすることが容易であり、配線長軸方向に沿った一軸異方性を容易に与えることができる。なお、配線ＢＬ、ＷＬに形成される書き込み電流磁界は、配線ＢＬ、ＷＬの周囲を被覆層ＳＭの内部を還流するように形成されるので、分割された被覆層ＳＭの「つなぎ目」においても、被覆層ＳＭの端面から端面に磁束が通過する。従って、このように被覆層ＳＭを分割しても、その「つなぎ目」から周囲に磁界が漏洩する心配は殆どない。
【００４５】
また、図３（ｂ）に表した具体例の場合、被覆層ＳＭは、配線ＢＬ、ＷＬの左右に分割されている。このように分割した場合、配線の角を被覆層ＳＭが覆っているので、磁束の漏洩に対しては特に有利である。
【００４６】
また、図３（ｃ）に表した具体例の場合、配線ＢＬ、ＷＬの側面において被覆層ＳＭが分割されている。さらに、図３（ｄ）の具体例の場合には、裏面においても被覆層ＳＭが分割されている。
【００４７】
以上、図３に例示したように、被覆層ＳＭを配線ＢＬ、ＷＬの周囲方向に分割することにより、被覆層ＳＭを「細長い」形状とすることが容易となり、配線長軸方向に沿った一軸異方性を確実且つ容易に与えることができる。
【００４８】
一方、被覆層ＳＭの磁化方向を規定する方法として、反強磁性体からなる層を積層する方法がある。
【００４９】
図４は、反強磁性体からなる層を積層させた被覆層を表す概念図である。
【００５０】
すなわち、磁性体からなる被覆層ＳＭの周囲に反強磁性層ＡＦが積層されている。このように反強磁性層ＡＦを積層させることにより、被覆層の磁化方向を配線長軸方向に固定することが可能である。この際に、反強磁性層ＡＦは、図４（ａ）に表したように被覆層ＳＭの外側に積層させてもよく、あるいは図４（ｂ）に表したように被覆層ＳＭの内側に積層させてもよい。または、２層あるいはそれ以上の被覆層ＳＭの層間に反強磁性層ＡＦを挿入してもよい。
【００５１】
また、図３に例示したように被覆層ＳＭを分割して、それぞれに反強磁性層ＡＦを積層させてもよい。このようにすれば、さらに確実な一軸異方性を与える事が可能である。
【００５２】
また、略直交する一対の書き込み配線ＢＬ、ＷＬのそれぞれにこのように反強磁性層ＡＦを設ける場合、それぞれの反強磁性層ＡＦの磁化方向をそれぞれの配線長軸方向に固定するプロセスが必要である。
【００５３】
このためには、上下の配線ＢＬ、ＷＬについて、ネール温度が異なる反強磁性層を用いればよい。すなわち、磁場中アニール処理により、高温から温度を低下させる過程で、まず、ネール温度が高い反強磁性層が形成された配線の長軸方向に平行な磁場を印加しつつこのネール温度よりも低温まで冷却することにより、磁化方向を固定する。しかる後に、もう一方の配線の長軸方向に対して平行な方向に磁場を印加しつつ、この配線に形成された反強磁性層のネール温度よりも低温まで冷却することにより、磁化方向を固定する。
【００５４】
このようにネール温度に応じて印加磁場の方向を変えながら順次温度を低下させることにより、略直交する一対の書き込み配線のそれぞれについて、被覆層ＳＭの磁化を配線長軸方向に固定することができる。
【００５５】
また、これら配線と被覆層ＳＭとの間または被覆層ＳＭの外側には、窒化タンタル（ＴａＮ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、窒化チタン（ＴｉＮ）などからなる「バリアメタル」を設けることが望ましい。また、被覆層ＳＭと反強磁性膜との間に銅（Ｃｕ）などからなる非磁性層を挿入し、被覆層ＳＭと反強磁性膜との相互作用を調整して、軟磁性特性を調整するようにしてもよい。
【００５６】
以上、被覆層ＳＭに一軸異方性を与える方法について説明した。
【００５７】
一方、これらの被覆層ＳＭには、磁気抵抗効果素子Ｃに向けた突出部をさらに設けることにより、さらに低消費電力、低電流でのスピン反転を実現できる。
【００５８】
図５は、このような突出部を有する被覆層を例示する模式図である。
【００５９】
すなわち、同図に表したように、書き込み配線ＢＬ、ＷＬの側面から磁気抵抗効果素子Ｃの方向に向かって突出した突出部Ｐを設ける。
【００６０】
このような突出部Ｐを設けると、被覆層ＳＭの中を誘導された書き込み磁界を磁気抵抗効果素子Ｃの磁化記録層に集中させることができる。すなわち、本発明における被覆層ＳＭは、「磁気ヨーク」として作用し、配線ＢＬ、ＷＬの周囲に形成される書き込み磁界を誘導する。そして、このような突出部Ｐを設けることにより、書き込み磁界の放出端を磁気抵抗効果素子Ｃの磁気記録層に接近させて効果的に印加することができる。
【００６１】
図６および図７は、このような突出部Ｐを設けた場合の配線ＢＬ、ＷＬと磁気抵抗効果素子Ｃとの関係を例示する模式図である。すなわち、図６の具体例の場合、上側の配線の被覆層ＳＭに突出部Ｐが設けられいる。そして、図７の具体例の場合には、さらに下側の配線の被覆層ＳＭにも突出部Ｐが設けられている。
【００６２】
これら具体例のように被覆層ＳＭに突出部Ｐを設けることにより、書き込み磁界の放出端を磁気抵抗効果素子Ｃに近づけることが可能となり、より電流磁界効率がアップし、低消費電力化、低電流化が可能となる。
【００６３】
またこのように書き込み電流を低減できれば、駆動回路の容量も小さくでき、書き込み配線の太さも細くできるので、メモリのサイズを縮小し、集積度を上げることも可能となる。
【００６４】
またさらに、書き込み電流を低下することにより、書き込み配線におけるエレクトロマイグレーションなどの問題も抑制し、磁気メモリの信頼性を向上させて寿命も伸ばすことができる。
【００６５】
図８は、書き込み用電流パルスを印加した時の、被覆層の磁区（ドメイン）の変化を例示する模式図である。すなわち、同図（ａ）はビット線ＢＬに対して平行な方向から眺めた図、同図（ｂ）はワード線ＷＬに対して平行な方向から眺めた図である。
【００６６】
書き込み配線ＢＬ、ＷＬを電流パルスが通過すると、電流パルスの幅（印加時間に対応する）により被覆層ＳＭに磁壁が形成される。そして、書き込み配線ＢＬ、ＷＬの長軸方向にみて、電流パルスが存在するところのみ、磁気抵抗効果素子Ｃに有効に磁界Ｈが伝わり、上下の配線からの磁界Ｈの合成磁界により磁気抵抗効果素子Ｃの磁気記録層が磁化反転する。
【００６７】
なお、上記磁気抵抗効果素子の磁化方向は、図８に表したように、必ずしも直線状である必要はなく、「エッジドメイン」などを形成することにより屈曲したものであってもよい。すなわち、磁気記録層の磁化方向は、その平面形態に応じて種々に変化する。
【００６８】
図９は、本発明における磁気抵抗効果素子の磁気記録層の平面形態の具体例を表す模式図である。すなわち、磁気抵抗効果素子の磁気記録層は、例えば、同図（ａ）に表したように、長方形の一方の対角両端に突出部を付加した形状や、同図（ｂ）に表したような平行四辺形、同図（ｃ）に表したような菱形、同図（ｄ）に表したような楕円形、（ｅ）エッジ傾斜型などの各種の形状とすることができる。これらそれぞれの具体例において、矢印で表したように磁化が形成される。
【００６９】
ここで、磁気記録層を図９（ａ）〜（ｃ）、（ｅ）に表した形状にパターニングする場合、実際には角部が丸まる場合が多いが、そのように角部が丸まってもよい。  これらの非対称な形状は、フォトリソグラフィにおいて用いるレチクルのパターン形状を非対称形状にすることにより容易に作製できる。
【００７０】
またここで、磁気抵抗効果素子の磁気記録層の幅Ｗと長さＬの比Ｌ／Ｄは、１．２以上であることが望ましく、長さＬの方向に一軸異方性が付与されていることが望ましい。
【００７１】
次に、本発明の磁気メモリに用いることができる磁気抵抗効果素子Ｃの構造について、図１０〜図１４を参照しつつ説明する。
【００７２】
図１０及び図１１は、強磁性１重トンネル接合を有する磁気抵抗効果素子の断面構造を表す模式図である。
【００７３】
すなわち、図１０の磁気抵抗効果素子の場合、下地層ＢＦの上に、反強磁性層ＡＦ、強磁性層ＦＭ１、トンネルバリア層ＴＢ、強磁性層ＦＭ２、保護層ＰＢがこの順に積層されている。反強磁性層ＡＦに隣接して積層された強磁性層ＦＭ１が磁化固着層（ピン層）として作用し、トンネルバリア層ＴＢの上に積層された強磁性層ＦＭ２が記録層（フリー層）として作用する。゜
図１１の磁気抵抗効果素子の場合、トンネルバリア層ＴＢの上下において、強磁性層ＦＭと非磁性層ＮＭと強磁性層ＦＭとが積層された積層膜ＳＬがそれぞれ設けられている。この場合も、反強磁性層ＡＦとトンネルバリア層ＴＢの間に設けられた積層膜ＳＬが磁化固着層として作用し、トンネルバリア層ＴＢの上に設けられた積層膜ＳＬが記録層として作用する。
【００７４】
図１２乃至図１４は、強磁性２重トンネル接合を有する磁気抵抗効果素子の断面構造を例示する模式図である。これらの図面については、図１１及び図１２に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【００７５】
図１２乃至図１４に例示した構造の場合、いずれも２層のトンネルバリア層ＴＢが設けられ、その上下に強磁性層ＦＭあるいは、強磁性層ＦＭと非磁性層ＮＭとの積層膜ＳＬが設けられている。ここに例示した２重トンネル接合素子の場合には、上下の反強磁性層ＡＦに隣接して積層された強磁性層ＦＭあるいは積層膜が磁化固着層として作用し、２層のトンネルバリア層ＴＢの間に設けられた強磁性層ＦＭあるいは積層膜ＳＬが記録層として作用する。
【００７６】
このような２重トンネル接合を採用すると、記録層の磁化方向に対する電流変化（もしくは電圧変化）を大きくすることができる点で有利である。
【００７７】
なお、本発明の磁気メモリにおいて用いる磁気抵抗効果素子は、図１０乃至図１４に例示したものには限定されず、これら以外にも例えば、第１の強磁性層と非磁性層と第２の強磁性層とを積層させたいわゆる「スピンバルブ構造」の磁気抵抗効果素子などを用いることもできる。
【００７８】
磁気抵抗効果素子としていずれの構造を採用した場合も、一方の強磁性層を、磁化方向が実質的に固定された「磁化固着層（「ピン層」などと称される場合もある）」として作用させ、他方の強磁性層を、外部からの磁界を印加することにより磁化方向を可変とした「磁気記録層（磁気記録層）」として作用させることができる。
【００７９】
また、後に詳述するように、読み出し方式によっては、反強磁性層に隣接して設けられた強磁性層を、記録層として用いることもできる。
【００８０】
これらの磁気抵抗効果素子において、磁化固着層として用いることができる強磁性体としては、例えば、Ｆｅ（鉄）、Ｃｏ（コバルト）、Ｎｉ（ニッケル）またはこれらの合金や、スピン分極率の大きいマグネタイト、ＣｒＯ２、ＲＸＭｎＯ３−ｙ（ここでＲは希土類、ＸはＣａ（カルシウム）、Ｂａ（バリウム）、Ｓｒ（ストロンチウム）のいずれかを表す）などの酸化物、あるいは、ＮｉＭｎＳｂ（ニッケル・マンガン・アンチモン）、ＰｔＭｎＳｂ（白金マンガン・アンチモン）などのホイスラー合金を用いることができる。
【００８１】
これらの材料からなる磁化固着層は、一方向異方性を有することが望ましい。またその厚さは０．１ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが望ましい。さらに、この強磁性層の膜厚は、超常磁性にならない程度の厚さが必要であり、０．４ｎｍ以上であることがより望ましい。
【００８２】
また、磁化固着層として用いる強磁性層には、反強磁性膜を付加して磁化を固着することが望ましい。そのような反強磁性膜としては、Ｆｅ（鉄）−Ｍｎ（マンガン）、Ｐｔ（白金）−Ｍｎ（マンガン）、Ｐｔ（白金）−Ｃｒ（クロム）−Ｍｎ（マンガン）、Ｎｉ（ニッケル）−Ｍｎ（マンガン）、Ｉｒ（イリジウム）−Ｍｎ（マンガン）、ＮｉＯ（酸化ニッケル）、Ｆｅ２Ｏ３（酸化鉄）、または上述した磁性半導体などを挙げることができる。
【００８３】
また、これら磁性体には、Ａｇ（銀）、Ｃｕ（銅）、Ａｕ（金）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｓｉ（シリコン）、Ｂｉ（ビスマス）、Ｔａ（タンタル）、Ｂ（ボロン）、Ｃ（炭素）、Ｏ（酸素）、Ｎ（窒素）、Ｐｄ（パラジウム）、Ｐｔ（白金）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｉｒ（イリジウム）、Ｗ（タングステン）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｎｂ（ニオブ）Ｈ（水素）などの非磁性元素を添加して、磁気特性を調節したり、その他、結晶性、機械的特性、化学的特性などの各種物性を調節することができる。
【００８４】
一方、磁化固着層として、強磁性層と非磁性層との積層膜を用いても良い。例えば、図１１などに例示したような強磁性層／非磁性層／強磁性層という３層構造を用いることができる。この場合、非磁性層を介して両側の強磁性層に反強磁性的な層間の相互作用が働いていることが望ましい。
【００８５】
より具体的には、磁性層を一方向に固着する方法として、Ｃｏ（Ｃｏ−Ｆｅ）／Ｒｕ（ルテニウム）／Ｃｏ（Ｃｏ−Ｆｅ）、  Ｃｏ（Ｃｏ−Ｆｅ）／Ｉｒ（イリジウム）／Ｃｏ（Ｃｏ−Ｆｅ）、  Ｃｏ（Ｃｏ−Ｆｅ）／Ｏｓ（オスニウム）／Ｃｏ（Ｃｏ−Ｆｅ）、磁性半導体強磁性層／磁性半導体非磁性層／磁性半導体強磁性層などの３層構造の積層膜を磁化固着層とし、さらに、これに隣接して反強磁性膜を設けることが望ましい。
【００８６】
この場合の反強磁性膜としても、前述したものと同様に、Ｆｅ−Ｍｎ、Ｐｔ−Ｍｎ、Ｐｔ−Ｃｒ−Ｍｎ、Ｎｉ−Ｍｎ、Ｉｒ−Ｍｎ、ＮｉＯ、Ｆｅ２Ｏ３、磁性半導体などを用いることかできる。この構造を用いると、磁化固着層の磁化がしっかりと磁化が固着される他、磁化固着層からの漏洩磁界（stray field）を減少（あるいは調節）でき、磁化固着層を形成する２層の強磁性層の膜厚を変えることにより、磁気記録層（磁気記録層）の磁化シフトを調整することができる。
【００８７】
一方、磁気記録層（フリー層）の材料としても、磁化固着層と同様に、例えば、例えば、Ｆｅ（鉄）、Ｃｏ（コバルト）、Ｎｉ（ニッケル）またはこれらの合金や、スピン分極率の大きいマグネタイト、ＣｒＯ２、ＲＸＭｎＯ３−ｙ（ここでＲは希土類、ＸはＣａ（カルシウム）、Ｂａ（バリウム）、Ｓｒ（ストロンチウム）のいずれかを表す）などの酸化物、あるいは、ＮｉＭｎＳｂ（ニッケル・マンガン・アンチモン）、ＰｔＭｎＳｂ（白金マンガン・アンチモン）などのホイスラー合金などを用いることができる。
【００８８】
これらの材料かなる磁気記録層としての強磁性層は、膜面に対して略平行な方向の一軸異方性を有することが望ましい。またその厚さは０．１ｎｍ以上、１００ｎｍ以下であることが望ましい。さらに、この強磁性層の膜厚は、超常磁性にならない程度の厚さが必要であり、０．４ｎｍ以上であることがより望ましい。
【００８９】
また、磁気記録層として、軟磁性層／強磁性層という２層構造、または、強磁性層／軟磁性層／強磁性層という３層構造を用いても良い。磁気記録層として、強磁性層／非磁性層／強磁性層という３層構造または、強磁性層／非磁性層／強磁性層／非磁性層／強磁性層という５層構造を用いて、強磁性層の層間の相互作用の強さを制御することにより、メモリセルである磁気記録層のセル幅がサブミクロン以下になっても、電流磁界の消費電力を増大させずに済むというより好ましい効果が得られる。５層構造の場合、中間強磁性層は軟磁性層、または、非磁性元素で分断された強磁性層を用いるとより好ましい。
【００９０】
磁化記録層においても、これら磁性体に、Ａｇ（銀）、Ｃｕ（銅）、Ａｕ（金）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｓｉ（シリコン）、Ｂｉ（ビスマス）、Ｔａ（タンタル）、Ｂ（ボロン）、Ｃ（炭素）、Ｏ（酸素）、Ｎ（窒素）、Ｐｄ（パラジウム）、Ｐｔ（白金）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｉｒ（イリジウム）、Ｗ（タングステン）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｈ（水素）などの非磁性元素を添加して、磁気特性を調節したり、その他、結晶性、機械的特性、化学的特性などの各種物性を調節することができる。
【００９１】
一方、磁気抵抗効果素子としてＴＭＲ素子を用いる場合に、磁化固着層と磁化記録層との間に設けられるトンネルバリア層ＴＢの材料としては、Ａｌ２Ｏ３（酸化アルミニウム）、ＳｉＯ２（酸化シリコン）、ＭｇＯ（酸化マグネシウム）、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）、Ｂｉ２Ｏ３（酸化ビスマス）、ＭｇＦ２（フッ化マグネシウム）、ＣａＦ２（フッ化カルシウム）、ＳｒＴｉＯ２（酸化チタン・ストロンチウム）、ＡｌＬａＯ３（酸化ランタン・アルミニウム）、Ａｌ−Ｎ−Ｏ（酸化窒化アルニウム）、非磁性半導体（ＺｎＯ、ＩｎＭｎ、ＧａＮ、ＧａＡｓ、ＴｉＯ２、Ｚｎ、Ｔｅ、またはそれらに遷移金属がドープされたもの）などを用いることができる。
【００９２】
これらの化合物は、化学量論的にみて完全に正確な組成である必要はなく、酸素、窒素、フッ素などの欠損、あるいは過不足が存在していてもよい。また、この絶縁層（誘電体層）の厚さは、トンネル電流が流れる程度に薄い方が望ましく、実際上は、１０ｎｍ以下であることが望ましい。
【００９３】
このような磁気抵抗効果素子は、各種スパッタ法、蒸着法、分子線エピタキシャル法、ＣＶＤ法などの通常の薄膜形成手段を用いて、所定の基板上に形成することができる。この場合の基板としては、例えば、Ｓｉ（シリコン）、ＳｉＯ２（酸化シリコン）、Ａｌ２Ｏ３（酸化アルミニウム）、スピネル、ＡｌＮ（窒化アルニウム）、ＧａＡｓ、ＧａＮなど各種の基板を用いることができる。
【００９４】
また、基板の上に、下地層や保護層などとして、Ｔａ（タンタル）、Ｔｉ（チタン）、Ｐｔ（白金）、Ｐｄ（パラジウム）、Ａｕ（金）、Ｔｉ（チタン）／Ｐｔ（白金）、Ｔａ（タンタル）／Ｐｔ（白金）、Ｔｉ（チタン）／Ｐｄ（パラジウム）、Ｔａ（タンタル）／Ｐｄ（パラジウム）、Ｃｕ（銅）、Ａｌ（アルミニウム）‐Ｃｕ（銅）、Ｒｕ（ルテニウム）、Ｉｒ（イリジウム）、Ｏｓ（オスミウム）、ＧａＡｓ、ＧａＮ、ＺｎＯ、ＴｉＯ２などの半導体下地などからなる層を設けてもよい。
【００９５】
以上、本発明の磁気メモリにおいて用いる磁気抵抗効果素子の積層構造について説明した。
【００９６】
次に、本発明の磁気メモリのセル構造について具体例を挙げて説明する。
【００９７】
図１５乃至図１７は、スイッチングトランジスタを用いた場合のセルのアーキテクチャを表す模式断面図である。すなわち、同図（ａ）はビット線ＢＬに対して垂直な方向から眺めた図、同図（ｂ）はワード線ＷＬに対して垂直な方向から眺めた図である。
【００９８】
スイッチングトランジスタとしてＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）を用いた場合、読み出しは下部選択トランジスタＴをオンにし、磁気抵抗効果素子Ｃを介してビット線ＢＬにセンス電流を流することにより行う。
【００９９】
一方、書きこみは、直交するビット線ＢＬとワード線ＷＬとを用いて行う。そして、これらビット線ＢＬ及びワード線ＷＬには、図１乃至図８に関して前述したような一軸異方性が付与された被覆層ＳＭが設けられている。
【０１００】
また、図１６に表した具体例の場合、被覆層ＳＭに突出部Ｐが設けられ、ビット線ＢＬ、ワード線ＷＬともに被覆層ＳＭを磁気抵抗効果素子Ｃに近づけることができるため、さらに低消費電力、低電流で書き込みを行うことができる。
【０１０１】
また、図１７に表した具体例の場合、被覆層ＳＭの突出部Ｐが分割して設けられている。すなわち、突出部Ｐは、ビット線ＢＬに設けられた被覆層ＳＭから分離して、磁気抵抗効果素子Ｃに接続されている読み出し用ビット線ＲＢＬの側面に設けられている。突出部Ｐを設ける場合には、ビット線ＢＬの周囲方向の被覆層の長さが長くなりやすいので、形状効果が低下する場合がある。これに対して、本具体例のように突出部Ｐを分離して設けることにより、形状効果による一軸異方性を付与することができる。
【０１０２】
一方、更なる超大容量化メモリを実現するためには、メモリアレーを積層化できるアーキテクチャを用いて、多層化することが望ましい。
【０１０３】
図１８は、本発明において用いることができるアーキテクチャの第２の具体例を表す模式図である。すなわち、同図は、メモリアレーの断面構造を表す。このアーキテクチャにおいては、読み出し／書き込み用ビット線ＢＬに磁気抵抗効果素子Ｃが並列に接続されている。それぞれの磁気抵抗効果素子Ｃの他端には、ダイオードＤを介して読み出し／書き込み用ワード線ＷＬが接続されている。
【０１０４】
読み出し時には、目的の磁気抵抗効果素子Ｃに接続されているビット線ＢＬとワード線ＷＬとを選択トランジスタＳＴにより選択してセンスアンプＳＡにより電流を検出する。また、書き込み時には、やはり目的の磁気抵抗効果素子Ｃに接続されているビット線ＢＬとワード線ＷＬとを選択トランジスタＳＴにより選択して、書き込み電流を流す。この際に、ビット線ＢＬとワード線ＷＬにそれぞれ発生する磁界を合成した書き込み磁界が磁気抵抗効果素子Ｃの磁気記録層の磁化を所定の方向に向けることにより、書き込みができる。
【０１０５】
ダイオードＤは、これら読み出し時あるいは書き込み時に、マトリクス状に配線されている他の磁気抵抗効果素子Ｃを介して流れる迂回電流を遮断する役割を有する。
【０１０６】
図１９及び図２０は、図１８のアーキテクチャにおいて採用できる被覆層ＳＭの具体例を表す模式図である。
【０１０７】
これらの図面においては、簡単のために、ビット線ＢＬ、磁気抵抗効果素子Ｃ、ダイオードＤ、ワード線ＷＬのみを表し、それら以外の要素は省略した。これら具体例のメモリセルにおいては、書きこみは、直交するビット線ＢＬとワード線ＷＬとを用いて行う。ビット線ＢＬ及びワード線ＷＬには、図１乃至図８に関して前述した被覆層ＳＭが設けられ、さらに、突出部Ｐも形成されている。
【０１０８】
そして、図２０の具体例の場合、突出部Ｐが分離してダイオードＤの側面に設けられ、形状効果による一軸異方性がより確実に生ずるようにされている。
【０１０９】
次に、本発明の磁気メモリに採用できるアーキテクチャの第３の具体例について説明する。
【０１１０】
図２１は、メモリアレーを積層化できるアーキテクチャの第３の具体例を表す模式図である。すなわち、同図は、メモリアレーの断面構造を表す。
【０１１１】
このアーキテクチャにおいては、読み出し／書き込み用ビット線ＢＬと読み出し用ビット線Ｂｒとの間に複数の磁気抵抗効果素子Ｃが並列に接続された「ハシゴ型」の構成とされている。さらに、それぞれの磁気抵抗効果素子Ｃに近接して、書き込みワード線ＷＬがビット線と交差する方向に配線されている。
【０１１２】
磁気抵抗効果素子への書き込みは、読み出し／書き込み用ビット線ＢＬに書き込み電流を流すことにより発生する磁界と、書き込みワード線ＷＬに書き込み電流を流すことにより発生する磁界との合成磁界を磁気抵抗効果素子の磁気記録層に作用させることにより、行うことができる。
【０１１３】
一方、読み出しの際には、ビット線ＢＬ及びＢｒの間で電圧を印加する。すると、これらの間で並列に接続されている全ての磁気抵抗効果素子に電流が流れる。この電流の合計をセンスアンプＳＡにより検出しながら、目的の磁気抵抗効果素子に近接したワード線ＷＬに書き込み電流を印加して、目的の磁気抵抗効果素子の磁気記録層の磁化を所定の方向に書き換える。この時の電流変化を検出することにより、目的の磁気抵抗効果素子の読み出しを行うことができる。
【０１１４】
すなわち、書き換え前の磁気記録層の磁化方向が書き換え後の磁化方向と同一であれば、センスアンプＳＡにより検出される電流は変化しない。しかし、書き換え前後で磁気記録層の磁化方向が反転する場合には、センスアンプＳＡにより検出される電流が磁気抵抗効果により変化する。このようにして書き換え前の磁気記録層の磁化方向すなわち、格納データを読み出すことができる。
【０１１５】
但し、この方法は、読み出しの際に格納データを変化させる、いわゆる「破壊読み出し」に対応する。
【０１１６】
これに対して、磁気抵抗効果素子の構成を、磁化自由層／絶縁層（非磁性層）／磁気記録層、という構造とした場合には、いわゆる「非破壊読み出し」が可能である。すなわち、この構造の磁気抵抗効果素子を用いる場合には、磁気記録層に磁化方向を記録し、読み出しの際には、磁化自由層の磁化方向を適宜変化させてセンス電流を比較することにより、磁気記録層の磁化方向を読み出すことができる。但しこの場合には、磁気記録層の磁化反転磁界よりも磁化自由層の磁化反転磁界のほうが小さくなるように設計する必要がある。
【０１１７】
図２２は、図１８のアーキテクチャにおいて設けられる被覆層ＳＭを例示する模式図である。ここでも、簡単のために、ビット線ＢＬ、磁気抵抗効果素子Ｃ、ワード線ＷＬのみを表し、それら以外の要素は省略した。
図２２に表した具体例においても、書き込みは、直交するビット線ＢＬとワード線ＷＬとを用いて行う。そして、これらに被覆層ＳＭを設けることにより、書き込みクロストークの心配が無く、低消費電力、低電流で書き込みを行うことができる。
【０１１８】
次に、本発明の磁気メモリに採用できるアーキテクチャの第４の具体例について説明する。
【０１１９】
図２３は、メモリアレーを積層化できるアーキテクチャの第４の具体例を表す模式図である。すなわち、同図は、メモリアレーの断面構造を表し、すなわち、同図（ａ）はビット線ＢＬに対して垂直な方向から眺めた図、同図（ｂ）はワード線ＷＬに対して垂直な方向から眺めた図である。
【０１２０】
このアーキテクチャにおいては、読み出し／書き込み用ビット線ＢＬに複数の磁気抵抗効果素子Ｃが並列に接続され、これら磁気抵抗効果素子の他端には、それぞれ読み出し用ビット線Ｂｒがマトリクス状に接続されている。
【０１２１】
さらに、これら読み出し用ビット線Ｂｒに近接して、書き込み用ワード線ＷＬが配線されている。
【０１２２】
磁気抵抗効果素子への書き込みは、読み出し／書き込み用ビット線ＢＬに書き込み電流を流すことにより発生する磁界と、書き込みワード線ＷＬに書き込み電流を流すことにより発生する磁界との合成磁界を磁気抵抗効果素子の磁気記録層に作用させることにより、行うことができる。
【０１２３】
一方、読み出しの際には、選択トランジスタＳＴによりビット線ＢＬとＢｒとを選択することにより、目的の磁気抵抗効果素子にセンス電流を流してセンスアンプＳＡにより検出することができる。
【０１２４】
図２４及び図２５は、図２３のアーキテクチャにおいて設けることができる被覆層ＳＭを表す模式図である。すなわち、同図（ａ）はビット線ＢＬに対して平行な方向から眺めた図、同図（ｂ）はワード線ＷＬに対して平行な方向から眺めた図である。
【０１２５】
なお、図２４及び図２５は、図２３とは上下関係を反転させた状態を表す。また、これらの図面においても、簡単のために、ビット線ＢＬ及びＢｒ、磁気抵抗効果素子Ｃ、ワード線ＷＬのみを表し、それら以外の要素は省略した。
【０１２６】
図２４に表したように、ビット線ＢＬ及びワード線ＷＬには、一軸異方性を有する被覆層ＳＭを設け、さらにワード線においては突出部Ｐが形成されている。
【０１２７】
このようにすれば、クロストークの心配が無く、低消費電力、低電流で書き込みを行うことができる。
【０１２８】
また、図２５に表した具体例の場合、ワード線ＷＬにおいて、突出部Ｐが分離して設けられている。つまり、この突出部Ｐは、ワード線ＷＬの周囲に設けられた被覆層ＳＭとは分離して、読み出し用ビット線Ｂｒの側面に形成されている。このように分離すれば、形状効果による一軸異方性が生じやすくなる。
【０１２９】
次に、本発明の磁気メモリに採用できるアーキテクチャの第５の具体例について説明する。
【０１３０】
図２６は、本発明において用いることができるアーキテクチャの第５の具体例を表す模式図である。すなわち、同図は、メモリアレーの断面構造を表す。
【０１３１】
この具体例の場合、読み出し用ビット線Ｂｒがリードを介して磁気抵抗効果素子に接続され、磁気抵抗効果素子の直下には書き込み用ワード線ＷＬが配線されている。
【０１３２】
図２７は、図２６のアーキテクチャにおける被覆層の具体例を表す模式図である。同図においても、簡単のために、ビット線ＢＬ、磁気抵抗効果素子Ｃ、ワード線ＷＬのみを表し、それら以外の要素は省略した。このようにビット線ＢＬおよびワード線ＷＬに、一軸異方性を有する被覆層ＳＭを設けることにより、書き込みクロストークの心配が無く、書き込み及び読み出し動作が安定で、低消費電力、低電流で書き込みを行うことができる。
【０１３３】
図２８及び図２９は、本発明において用いることができる被覆層のさらなる変型例を表す模式図である。
【０１３４】
すなわち、これらの図面に例示したように、磁気抵抗効果素子Ｃを絶縁体ＩＮにより埋め込み、その両側を覆うように被覆層ＳＭを延出させて形成することもできる。
【０１３５】
図３０乃至図３７は、図１８乃至図２７に表したアーキテクチャを積層させた構造を表す模式断面である。これらの図面については、図１乃至図２９に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【０１３６】
まず、図３０及び図３１は、図１８乃至図２０に関して前述したアーキテクチャを積層させた構造を表す。
【０１３７】
図３０の具体例の場合、書き込みワード線ＷＬをその上下の磁気抵抗効果素子Ｃ１、Ｃ２に対して共通に用いるので、被覆層ＳＭは、側面にのみ設ける。この場合にも、被覆層ＳＭに配線長手方向の一軸異方性を与えることにより、安定した記録、再生が可能となる。
【０１３８】
一方、図３１に表した具体例の場合、ワード線ＷＬの中に被覆層ＳＭが挿入されている。この被覆層ＳＭは、上下のビット線ＢＬから発生する書き込み磁界を遮断し、上下間の書き込みクロストークを抑制する役割を有する。また、この被覆層ＳＭを絶縁体により形成した場合には、その上下のワード線ＷＬをそれぞれ独立して用いることも可能である。
【０１３９】
次に、図３２及び図３３は、図２１及び図２２に関して前述したアーキテクチャを積層させた構造を表す。
【０１４０】
図３２の具体例の場合、書き込みワード線ＷＬをその上下の磁気抵抗効果素子Ｃ１、Ｃ２に対して共通に用いるので、被覆層ＳＭは、側面にのみ設ける。この場合にも、被覆層ＳＭに配線長手方向の一軸異方性を与えることにより、安定した記録、再生が可能となる。
【０１４１】
一方、図３３に表した具体例の場合、ワード線ＷＬの中に被覆層ＳＭが挿入されている。この被覆層ＳＭは、上下のビット線ＢＬから発生する書き込み磁界を遮断し、上下間の書き込みクロストークを抑制する役割を有する。また、この被覆層ＳＭを絶縁体により形成した場合には、その上下のワード線ＷＬをそれぞれ独立して用いることも可能である。
【０１４２】
次に、図３４及び図３５は、図２３及び図２４に関して前述したアーキテクチャを積層させた構造を表す。
【０１４３】
図３４の具体例の場合、書き込みワード線ＷＬをその上下の磁気抵抗効果素子Ｃ１、Ｃ２に対して共通に用いるので、被覆層ＳＭは、側面にのみ設ける。この場合にも、被覆層ＳＭに配線長手方向の一軸異方性を与えることにより、安定した記録、再生が可能となる。
【０１４４】
一方、図３５に表した具体例の場合、ワード線ＷＬの中に被覆層ＳＭが挿入されている。この被覆層ＳＭは、上下のビット線ＢＬから発生する書き込み磁界を遮断し、上下間の書き込みクロストークを抑制する役割を有する。また、この被覆層ＳＭを絶縁体により形成した場合には、その上下のワード線ＷＬをそれぞれ独立して用いることも可能である。
【０１４５】
次に、図３６及び図３７は、図２６及び図２７に関して前述したアーキテクチャを積層させた構造を表す。
【０１４６】
図３６の具体例の場合、書き込みワード線ＷＬをその上下の磁気抵抗効果素子Ｃ１、Ｃ２に対して共通に用いるので、被覆層ＳＭは、側面にのみ設ける。この場合にも、被覆層ＳＭに配線長手方向の一軸異方性を与えることにより、安定した記録、再生が可能となる。
【０１４７】
一方、図３７に表した具体例の場合、ワード線ＷＬの中に被覆層ＳＭが挿入されている。この被覆層ＳＭは、上下のビット線ＢＬから発生する書き込み磁界を遮断し、上下間の書き込みクロストークを抑制する役割を有する。また、この被覆層ＳＭを絶縁体により形成した場合には、その上下のワード線ＷＬをそれぞれ独立して用いることも可能である。
【０１４８】
以上、図３０乃至図３７に例示したように積層型の構造にすると、更なる大容量化が可能となる。このように積層化した場合にも、本発明は図１乃至図８に関して前述したように、顕著な作用効果を奏する。
【０１４９】
【実施例】
以下、実施例を参照しつつ本発明の実施の形態についてさらに詳細に説明する。
【０１５０】
（第１の実施例）
まず、本発明の第１の実施例として、図２３及び図２４に表した単純マトリックス構造のメモリアレーを基本として、１０×１０個のＴＭＲセルを有する磁気メモリを形成した。
【０１５１】
この磁気メモリの構造について、その製造手順に沿って説明すれば、以下の如くである。
【０１５２】
図示しない基板上に、まず、下層のビット線ＢＬとして、メッキ法によりニッケル鉄（ＮｉＦｅ）からなる被覆層ＳＭを有する配線を形成した。ここで、配線の本体は、銅（Ｃｕ）からなる厚み１μｍの導電層とした。しかる後に、絶縁層をＣＶＤ法で作製した後、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）を行い、平坦化を行った。その後、強磁性２重トンネル接合を有するＴＭＲの積層構造膜をスパッタ法により成膜した。
【０１５３】
その各層の材質及び層厚は、下側から順に、Ｔａ（３０ｎｍ）／Ｒｕ（３ｎｍ）／Ｉｒ−Ｍｎ（８ｎｍ）／ＣｏＦｅ（３ｎｍ）／Ｒｕ（１ｎｍ）／ＣｏＦｅ（３ｎｍ）／ＡｌＯｘ（１ｎｍ）／ＣｏＦｅＮｉ（２ｎｍ）／Ｃｕ（１．５ｎｍ）／ＣｏＦｅＮｉ（２ｎｍ）／ＡｌＯｘ（１ｎｍ）／ＣｏＦｅ（３ｎｍ）／Ｒｕ（１ｎｍ）／ＣｏＦｅ（３ｎｍ）／ＩｒＭｎ（８ｎｍ）／Ｔａ（９ｎｍ）／Ｒｕ（３０ｎｍ）とした。
【０１５４】
次に、最上層のＲｕ層をハードマスクとして用い、塩素系のエッチングガスを用いたＲＩＥ（Reactive Ion Etching）により下側のＲｕ／Ｔａ配線層まで積層構造膜をエッチングすることにより、ＴＭＲ素子の孤立パターンを作製した。
【０１５５】
その後、絶縁体としてＳｉＯｘを低温テオス（ＴＥＯＳ）法により堆積してＣＭＰにより平坦化した後、読み出しビット線Ｂｒを成膜、パターニングにより形成した。
【０１５６】
その後、同様の方法で層間絶縁膜を形成し、平坦化を行った後、ワード線ＷＬを成膜し、パターニングを行った後、メッキ法により被覆層ＳＭを形成した。この際、被覆層ＳＭの厚さは０．０１μｍ〜０．０６μｍとし、ＴＭＲ素子の短軸の長さを０．２５μｍとし、長軸の長さ０．３μｍ〜０．８μｍの範囲で変化させた試料に対して、Ｌ３（図２に表されている）の長さはＴＭＲの長さ＋０．１５μｍとした。
【０１５７】
また、上部ワード線ＷＬと下部ワード線ＷＬの被覆層ＳＭの長さ（図２のＬ１）をＴＭＲの長軸の長さから２．０μｍまでの範囲内で変化させた試料を作製した。Ｌ１が２．０μｍの時に、隣接する被覆層ＳＭ同士は完全につながって一体化する。このとき、ワード線ＷＬの被覆層ＳＭの膜面垂直方向の長さ（図２のＬ２）は０．２μｍとした。
【０１５８】
その後、磁場を印加可能な熱処理炉に導入し、ＴＭＲ素子の磁気記録層に一軸異方性を導入し、また磁気固着層に一方向異方性を導入した。
【０１５９】
このようにして製作した本発明の磁気メモリにおいて、書き込みを１０回行った後のＴＭＲ信号出力を測定し、チェッカーフラッグパターンでＴＭＲ素子の「１」レベルと「０」レベルとを反転し、動作不良の有無を調べた。その際、書き込み電流パルス電流値とパルス幅を最適化し、もっともクロストークが小さくなる条件で行った。
【０１６０】
この結果を、図３８乃至図４１に一覧表として表す。これらの結果から、被覆層ＳＭにおいて、形状効果により一軸異方性が生じている場合には動作不良が観測されず、良好な特性が得られていることが分かる。
【０１６１】
すなわち、本実施例より、磁性被覆層の厚さが０．０６μｍよりも薄い場合、また特に、Ｌ１＞１μｍ＞（２Ｌ２＋Ｌ３）である場合に動作不良が無いことがわかる。
【０１６２】
また、上記実施例の配線に、Ｃｕ（厚み０．５ｎｍ）を介してＦｅＭｎ（厚み８ｎｍ）とＩｒＭｎ（厚み４ｎｍ）をそれぞれの配線に付与した実施例の結果を、図４２乃至図４４に一覧表として表す。反強磁性膜が付与された場合、動作不良が著しく減少し、より好ましい効果が得られることが分かった。
【０１６３】
（第２の実施例）
次に、本発明の第２の実施例として、図２６及び図２７に表したマトリックス構造のメモリアレーを基本として、１０×１０個のＴＭＲセルを有する磁気メモリを形成した。
【０１６４】
この磁気メモリの構造について、その製造手順に沿って説明すれば、以下の如くである。
【０１６５】
図示しない基板上に、まず、下層のビット線ＢＬとして、メッキ法によりニッケル鉄（ＮｉＦｅ）からなる被覆層ＳＭを有し、銅（Ｃｕ）からなる厚み１μｍの配線層を作製した。しかる後に、絶縁層をＣＶＤ法で作製した後、ビアを形成しＷ電極を埋め込んだ後、ＣＭＰを行い、平坦化を行った。その後、コンタクト配線Ｍｘと強磁性２重トンネル接合を有するＴＭＲの積層構造膜をスパッタ法により成膜した。
【０１６６】
その各層の材質及び層厚は、下側から順に、Ｔａ（３０ｎｍ）／Ｒｕ（３ｎｍ）／Ｐｔ−Ｍｎ（１２ｎｍ）／ＣｏＦｅ（３ｎｍ）／Ｒｕ（１ｎｍ）／ＣｏＦｅ（３ｎｍ）／ＡｌＯｘ（１ｎｍ）／ＣｏＦｅＮｉ（２ｎｍ）／Ｒｕ（１．５ｎｍ）／ＣｏＦｅＮｉ（２ｎｍ）／ＡｌＯｘ（１ｎｍ）／ＣｏＦｅ（３ｎｍ）／Ｒｕ（１ｎｍ）／ＣｏＦｅ（３ｎｍ）／Ｐｔ−Ｍｎ（１２ｎｍ）／Ｔａ（９ｎｍ）／Ｒｕ（３０ｎｍ）とした。
【０１６７】
次に、最上層のＲｕ層をハードマスクとして用い、塩素系のエッチングガスを用いたＲＩＥにより下側のＲｕ／Ｔａ配線層まで積層構造膜をエッチングすることにより、ＴＭＲ素子の孤立パターンを作製した。
【０１６８】
その後、絶縁体としてＳｉＯｘを低温テオス法により堆積してＣＭＰにより平坦化した後、読み出しビット線Ｂｒを成膜、パターニングにより形成した
その後、同様の方法で層間絶縁膜を形成し、平坦化を行った後、ワード線ＷＬを成膜し、パターニングを行った後、メッキ法で被覆層ＳＭを作製した。
【０１６９】
その際、磁性被覆配線の厚さは０．０１μｍから０．０６μｍの範囲で変化させ、ＴＭＲの短軸の長さを０．２５μｍとし、長軸の長さ０．３μｍから０．８μｍの範囲で変化させた試料に対して、Ｌ３の長さはＴＭＲの長さプラス０．１５μｍとした。また、上部ワード線ＷＬと下部ワード線ＷＬの被覆層ＳＭの長さ（Ｌ１）を長軸の長さから２．０μｍまでの範囲で変化させた試料を作製した。Ｌ１が２．０μｍの場合に被覆層ＳＭは完全につながる。このとき、ワード線ＷＬに被覆した被覆層ＳＭの膜面垂直方向の長さ（Ｌ２）は０．２μｍとした。
【０１７０】
その後、磁場を印加可能な熱処理炉に導入し、ＴＭＲ素子の磁気記録層に一軸異方性を、磁気固着層に一方向異方性をそれぞれ導入した。
【０１７１】
このようにして製作した本発明の磁気メモリにおいて、書き込みを１０回行った後のＴＭＲ信号出力を測定し、チェッカーフラッグパターンでＴＭＲ素子の「１」レベルと「０」レベルを反転し、動作不良の影響を調べた。その際、書き込み電流パルス電流値とパルス幅を最適化し、もっともクロストークが小さくなる条件で行った。
【０１７２】
この結果を、図４５乃至図４８に一覧表として表す。これらの結果から、被覆層ＳＭにおいて、形状効果により一軸異方性が生じている場合には動作不良が観測されず、良好な特性が得られていることが分かる。
【０１７３】
すなわち、本実施例から、磁性被覆層の厚さが＜０．０６μｍよりも薄い場合、また特に、Ｌ１＞１μｍ＞（２Ｌ２＋Ｌ３）である場合に、動作不良が無いことがわかる。
【０１７４】
また、上記実施例の配線に対して、Ｃｕ（厚み０．７ｎｍ）を介してＦｅＭｎ（厚み６ｎｍ）とＩｒＭｎ（厚み５ｎｍ）をそれぞれの配線に付与した実施例の結果を、図４９乃至図５１に一覧表として表す。反強磁性膜が付与された場合、動作不良が著しく減少し、より高い効果が得られることが確認できた。
【０１７５】
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、磁気メモリの磁気抵抗効果素子を構成する強磁性体層、絶縁膜、反強磁性体層、非磁性金属層、電極などの具体的な材料や、膜厚、形状、寸法などに関しては、当業者が適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができるものも本発明の範囲に包含される。
【０１７６】
同様に、本発明の磁気メモリを構成する各要素の構造、材質、形状、寸法についても、当業者が適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができるものも本発明の範囲に包含される。
【０１７７】
その他、本発明の実施の形態として上述した磁気メモリを基にして、当業者が適宜設計変更して実施しうるすべての磁気メモリも同様に本発明の範囲に属する。
【０１７８】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、超低消費電力・低電流・クロストークのない大容量磁気メモリを実現することができ、産業上のメリットは多大である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の磁気メモリのメモリセル要部を単純化して表した模式図であり、同図（ａ）はメモリセルに含まれる一対の書き込み配線及び磁気抵抗効果素子を表す正面図であり、同図（ｂ）はその平面図、同図（ｃ）はその側面図である。
【図２】形状効果により、長軸方向に沿った一軸異方性が生ずることを説明するための概念図である。
【図３】分割された被覆層ＳＭを有する配線断面を例示する模式図である。
【図４】反強磁性体からなる層を積層させた被覆層を表す概念図である。
【図５】突出部を有する被覆層を例示する模式図である。
【図６】突出部Ｐを設けた場合の配線ＢＬ、ＷＬと磁気抵抗効果素子Ｃとの関係を例示する模式図である。
【図７】突出部Ｐを設けた場合の配線ＢＬ、ＷＬと磁気抵抗効果素子Ｃとの関係を例示する模式図である。
【図８】書き込み用電流パルスを印加した時の、被覆層の磁区（ドメイン）の変化を例示する模式図である。
【図９】本発明における磁気抵抗効果素子の磁気記録層の平面形態の具体例を表す模式図である。
【図１０】強磁性１重トンネル接合を有する磁気抵抗効果素子の断面構造を表す模式図である。
【図１１】強磁性１重トンネル接合を有する磁気抵抗効果素子の断面構造を表す模式図である。
【図１２】強磁性２重トンネル接合を有する磁気抵抗効果素子の断面構造を例示する模式図である。
【図１３】強磁性２重トンネル接合を有する磁気抵抗効果素子の断面構造を例示する模式図である。
【図１４】強磁性２重トンネル接合を有する磁気抵抗効果素子の断面構造を例示する模式図である。
【図１５】スイッチングトランジスタを用いた場合のセルのアーキテクチャを表す模式断面図である。
【図１６】スイッチングトランジスタを用いた場合のセルのアーキテクチャを表す模式断面図である。
【図１７】スイッチングトランジスタを用いた場合のセルのアーキテクチャを表す模式断面図である。
【図１８】本発明において用いることができるアーキテクチャの第２の具体例を表す模式図である。
【図１９】図１８のアーキテクチャにおいて採用できる被覆層ＳＭの具体例を表す模式図である。
【図２０】図１８のアーキテクチャにおいて採用できる被覆層ＳＭの具体例を表す模式図である。
【図２１】メモリアレーを積層化できるアーキテクチャの第３の具体例を表す模式図である。
【図２２】図１８のアーキテクチャにおいて設けられる被覆層ＳＭを例示する模式図である。
【図２３】メモリアレーを積層化できるアーキテクチャの第４の具体例を表す模式図である。
【図２４】図２３のアーキテクチャにおいて設けることができる被覆層ＳＭを表す模式図である。
【図２５】図２３のアーキテクチャにおいて設けることができる被覆層ＳＭを表す模式図である。
【図２６】本発明において用いることができるアーキテクチャの第５の具体例を表す模式図である。
【図２７】図２６のアーキテクチャにおける被覆層の具体例を表す模式図である。
【図２８】本発明において用いることができる被覆層のさらなる変型例を表す模式図である。
【図２９】本発明において用いることができる被覆層のさらなる変型例を表す模式図である。
【図３０】図１８乃至図２０に関して前述したアーキテクチャを積層させた構造を表す。
【図３１】図１８乃至図２０に関して前述したアーキテクチャを積層させた構造を表す。
【図３２】図２１及び図２２に関して前述したアーキテクチャを積層させた構造を表す。
【図３３】図２１及び図２２に関して前述したアーキテクチャを積層させた構造を表す。
【図３４】図２３及び図２４に関して前述したアーキテクチャを積層させた構造を表す。
【図３５】図２３及び図２４に関して前述したアーキテクチャを積層させた構造を表す。
【図３６】図２６及び図２７に関して前述したアーキテクチャを積層させた構造を表す。
【図３７】図２６及び図２７に関して前述したアーキテクチャを積層させた構造を表す。
【図３８】第１の実施例における評価結果を表す一覧表である。
【図３９】第１の実施例における評価結果を表す一覧表である。
【図４０】第１の実施例における評価結果を表す一覧表である。
【図４１】第１の実施例における評価結果を表す一覧表である。
【図４２】第１実施例の配線に反強磁性膜を付与した変型例における評価結果を表す一覧表である。
【図４３】第１実施例の配線に反強磁性膜を付与した変型例における評価結果を表す一覧表である。
【図４４】第１実施例の配線に反強磁性膜を付与した変型例における評価結果を表す一覧表である。
【図４５】第２の実施例における評価結果を表す一覧表である。
【図４６】第２の実施例における評価結果を表す一覧表である。
【図４７】第２の実施例における評価結果を表す一覧表である。
【図４８】第２の実施例における評価結果を表す一覧表である。
【図４９】第２実施例の配線に反強磁性膜を付与した変型例における評価結果を表す一覧表である。
【図５０】第２実施例の配線に反強磁性膜を付与した変型例における評価結果を表す一覧表である。
【図５１】第２実施例の配線に反強磁性膜を付与した変型例における評価結果を表す一覧表である。
【符号の説明】
ＡＦ 反強磁性層
ＢＦ 下地層
ＢＬ ビット線
Ｃ、Ｃ１、Ｃ２ 磁気抵抗効果素子
Ｔ 選択トランジスタ
Ｄ ダイオード
ＷＬ  ワード線
ＦＭ、ＦＭ１、ＦＭ２ 強磁性層
Ｉ 電流
ＮＭ 非磁性層
ＰＢ 保護層
ＳＡ アンプ
ＳＬ 積層膜
ＳＭ 被覆層
ＳＴ 選択トランジスタ
ＳＴＢ 選択トランジスタ
ＴＢ トンネルバリア層
【図１】
0004157707.tif 000002
【図２】
0004157707.tif 000003
【図３】
0004157707.tif 000004
【図４】
0004157707.tif 000005
【図５】
0004157707.tif 000006
【図６】
0004157707.tif 000007
【図７】
0004157707.tif 000008
【図８】
0004157707.tif 000009
【図９】
0004157707.tif 000010
【図１０】
0004157707.tif 000011
【図１１】
0004157707.tif 000012
【図１２】
0004157707.tif 000013
【図１３】
0004157707.tif 000014
【図１４】
0004157707.tif 000015
【図１５】
0004157707.tif 000016
【図１６】
0004157707.tif 000017
【図１７】
0004157707.tif 000018
【図１８】
0004157707.tif 000019
【図１９】
0004157707.tif 000020
【図２０】
0004157707.tif 000021
【図２１】
0004157707.tif 000022
【図２２】
0004157707.tif 000023
【図２３】
0004157707.tif 000024
【図２４】
0004157707.tif 000025
【図２５】
0004157707.tif 000026
【図２６】
0004157707.tif 000027
【図２７】
0004157707.tif 000028
【図２８】
0004157707.tif 000029
【図２９】
0004157707.tif 000030
【図３０】
0004157707.tif 000031
【図３１】
0004157707.tif 000032
【図３２】
0004157707.tif 000033
【図３３】
0004157707.tif 000034
【図３４】
0004157707.tif 000035
【図３５】
0004157707.tif 000036
【図３６】
0004157707.tif 000037
【図３７】
0004157707.tif 000038
【図３８】
0004157707.tif 000039
【図３９】
0004157707.tif 000040
【図４０】
0004157707.tif 000041
【図４１】
0004157707.tif 000042
【図４２】
0004157707.tif 000043
【図４３】
0004157707.tif 000044
【図４４】
0004157707.tif 000045
【図４５】
0004157707.tif 000046
【図４６】
0004157707.tif 000047
【図４７】
0004157707.tif 000048
【図４８】
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【図４９】
0004157707.tif 000050
【図５０】
0004157707.tif 000051
【図５１】
0004157707.tif 000052