【事件の表示】
　平成１年特許願第２４２１９７号「半導体装置」拒絶査定に対する審判事件（平成３年５月２日出願公開、特開平３−１０５９７８）について、次のとおり審決する。
【結論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理由】
　本願は、平成１年９月２０日の出願であって、その発明の要旨は、平成７年６月７日付、平成９年９月１２日付及び平成１０年８月５日付の手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲請求項１及び２に記載された「半導体装置」にあるものと認められるところ、その特許請求の範囲請求項１に記載された発明は下記のとおりである。
　「主表面を有する第１の導電型の第１の半導体領域と、
　前記主表面に形成されたストライプ状にのびる複数個の絶縁ゲートと、
　隣り合う前記絶縁ゲートの間にあって第１の半導体領域内に形成され両絶縁ゲート下に達し、前記絶縁ゲートと同じ方向にストライプ状にのびる複数個の第２の導電型の第２の半導体領域と、
　該第２の半導体領域内に形成され前記絶縁ゲート下に達し、前記絶縁ゲートと同じ方向にストライプ状にのびる第１の導電型の第３の半導体領域と、
　前記第２の半導体領域と前記第３の半導体領域に低抵抗接触した電極と、
を有し、
　前記絶縁ゲートのストライプ形状の長手方向と垂直方向の長さよりも、隣り合う前記絶縁ゲート間の長さが小さいことを特徴とする半導体装置。」（以下、第１発明という。）
　これに対して、当審において平成１１年４月１９日付で通知した拒絶の理由において引用した特開昭６４−５１６６５号公報（以下、引用例という。）には、「［産業上の利用分野］
　本発明は、ＭＯＳゲートを有する半導体装置に係わり、特にその大電流化が可能な構造に関する。」（第２頁右上欄第１１〜１３行）、「［発明が解決しようとする問題点］
　以上から半導体装置２を大電流化するには、ｎ＋基盤、ｐ＋基盤を用いたいずれの場合も電子電流を増やすことが不可欠なことが分かる。そのためには、単位面積当りに占めるゲート領域Ｂの割合を大きくし、Ａの領域を最小にすることが望ましい。しかし、従来の半導体装置２では、・・・Ａの幅が２０〜３０μｍにも達し、Ａの領域が全面の約５０％も占め、ゲート領域Ｂの割合を大きくできず、装置２の大電流化を阻んでいた。」（第３頁左上欄第１０行〜右上欄第７行）、「本発明の目的は、大電流を取り出すことができる半導体装置、・・・」（第３頁左下欄第１〜２行）及び「本発明者等が検討した結果、Ａの幅を従来の２０〜３０μｍから約１０μｍに小さくすることができ、電流密度を２０％以上増やすことができた。」（第４頁右上欄第１〜４行）が第１〜３図と共に記載されている。そして、第１，３図を参照すると、主表面を有するｎ−層１２とゲート酸化膜２１を介して前記主表面に形成された複数個のゲート電極３１と隣り合う前記ゲート電極３１の間にあって前記ｎ−層１２内に形成され前記ゲート電極下に達する複数個のｐ層１３と前記ｐ層１３内に形成されたｎ＋層１５と前記ｐ層１３及び前記ｎ＋層１５に低抵抗接触したソース電極４２とを有する半導体装置が記載されている。また、「単位面積当りに占めるゲート領域Ｂの割合を大きくし、Ａの領域を最小にすることが望ましい。」なる記載及び第１〜３図におけるＡ（本願発明のＬＰに相当する）とＢ（本願発明におけるＬＧに相当する。）との関係から、第１図及び第３図におけるＡとＢすなわちＬＰとＬＧとの関係はＬＰ＜ＬＧであるといえる。してみると、上記引用例には、主表面を有するｎ−層１２とゲート酸化膜２１を介して前記主表面に形成された複数個のゲート電極３１と隣り合う前記ゲート電極３１の間にあって前記ｎ−層１２内に形成され前記ゲート電極下に達する複数個のｐ層１３と前記ｐ層１３内に形成されたｎ＋層１５と前記ｐ層１３及び前記ｎ＋層１５に低抵抗接触したソース電極４２とを有し、前記ゲート電極３１の幅よりも隣り合う前記ゲート電極３１の間の長さが小さいことを特徴とする半導体装置が記載されているものと認められる。
　そこで、本願第１発明（前者）と上記引用例記載のもの（後者）を対比すると、後者の「ｎ−層１２」、「ゲート電極３１」、「ｐ層１３」、「ｎ＋層１５」及び「ソース電極４２」はそれぞれ前者の「第１の導電型の第１の半導体領域」、「絶縁ゲート」、「第２の導電型の第２の半導体領域」、「第１の導電型の第３の半導体領域」及び「電極」に相当するから、両者は、主表面を有する第１の導電型の第１の半導体領域と、前記主表面に形成された複数個の絶縁ゲートと、隣り合う前記絶縁ゲートの間にあって第１の半導体領域内に形成され両絶縁ゲート下に達する複数個の第２の導電型の第２の半導体領域と、該第２の半導体領域内に形成された第１の導電型の第３の半導体領域と、前記第２の半導体領域と前記第３の半導体領域に低抵抗接触した電極とを有し、前記絶縁ゲートの幅よりも、隣り合う前記絶縁ゲート間の長さが小さいことを特徴とする半導体装置の点で一致し、以下の点で一応相違するものと認められる。
（Ｉ）第１の導電型の第３の半導体領域が、前者においては絶縁ゲート下に達しているのに対して、後者においては絶縁ゲート下に達しているか否か不明である点。
（ＩＩ）絶縁ゲート、第２の導電型の第２の半導体領域及び第１の導電型の第３の半導体領域が、前者においてはストライプ状にのびているのに対して、後者においてはストライプ状にのびているか否か不明である点。
　上記相違点について検討する。
　相違点（Ｉ）については、後者において第１の導電型の第３の半導体領域を絶縁ゲート下までのばすか否かは単なる設計的事項にすぎないから、上記相違点は実質的相違点ではない。
　相違点（ＩＩ）については、後者における絶縁ゲート、第２の導電型の第２の半導体領域及び第１の導電型の第３の半導体領域はストライプ状とメッシュ状のいずれかの可能性がある。ところで、後者のように構造・形状によって電子電流を増やし大電流化する方法としては、（イ）チャネル長を短くする方法及び（ロ）チャネル幅を広くする方法の２通りが考えられる。上記引用例の明細書及び図面から見て後者の場合（イ）は無いといえる。そこで（２）の場合について考える。
　（１）絶縁ゲート、第２の導電型の第２の半導体領域及び第１の導電型の第３の半導体領域がメッシュ状である場合、
　従来、幅Ａ（ＬＰ）が２０〜３０μｍであって、Ａの領域が全面の約５０％であったこと（すなわち、幅ＢはＬＧであるから、正方形メッシュとして考えた場合ＬＰ２／（ＬＰ＋ＬＧ）２≒１／２より、ＬＧ≒（√２−１）ＬＰ）・・・（ａ））、第１図の実施例が幅Ａを約１０μｍとすることによって電流密度を２０％以上増やすことができたことの記載から、従来の単位面積当たりのチャネル幅をＷＣＨとし第１図のそれをＷＣＨ’とすると、
　ＷＣＨ’−ＷＣＨ＝ａｋＬＰ／（ＬＧ＋ａＬＰ）２−ｋＬＰ／（ＬＧ＋ＬＰ）２
　　　　　　　　　＝ｋＬＰ（１−ａ）（ａＬＰ２−ｋＬＧ２）／（ＬＧ＋ａＬＰ）２（ＬＧ＋ＬＰ）２　・・・（ｂ）
　ただし、ａは幅Ａの従来に対する第１図の割合である。
そして、式（ａ）よりａＬＰ２−ｋＬＧ２≒（ａ−０．２ｋ）ＬＰ２　・・・（ｃ）
　ｉ）ａ＝１／２（従来の幅Ａが２０μｍで第１図の幅Ａが１０μｍ）の場合
　式（ｂ）及び（ｃ）より、
　ＷＣＨ’−ＷＣＨ≒（０．２５−０．１ｋ）ｋＬＰ３／（ＬＧ＋ａＬＰ）２（ＬＧ＋ＬＰ）２
　ｋ＝３，４のとき分母は正であり分子は負であるから、
　ＷＣＨ’−ＷＣＨ＜０
　ｉｉ）ａ＝１／３（従来の幅Ａが３０μｍで第１図の幅Ａが１０μｍ）の場合
　式（ｂ）及び（ｃ）より、
　ＷＣＨ’−ＷＣＨ≒（０．１１−０．１３ｋ）ｋＬＰ３／（ＬＧ＋ａＬＰ）２（ＬＧ＋ＬＰ）２
　ｋ＝１，２，３，４のとき分母は正であり分子は負であるから、
　ＷＣＨ’−ＷＣＨ＜０
　ｉ），ｉｉ）いずれの場合でも従来に比べて第１図の場合はチャネル幅が小さくなるから、上記（ロ）に該当しない。よって、後者の絶縁ゲート、第２の導電型の第２の半導体領域及び第１の導電型の第３の半導体領域がメッシュ状である可能性はほとんどないといえる。
　（２）絶縁ゲート、第２の導電型の第２の半導体領
域及び第１の導電型の第３の半導体領域がストライプ状である場合、
　ＷＣＨ’−ＷＣＨ＝２／（ＬＧ＋ａＬＰ）−２／（ＬＧ＋ＬＰ）
　　　　　　　　　＝２ＬＰ（１−ａ）／（ＬＧ＋ａＬＰ）（ＬＧ＋ＬＰ）
　ａ＜１であるから、ＷＣＨ’−ＷＣＨ＞０
　以上のように従来に比べて第１図の場合はチャネル幅が大きくなるから、上記（ロ）に該当する。よって、後者の絶縁ゲート、第２の導電型の第２の半導体領域及び第１の導電型の第３の半導体領域がストライプ状であることに疑問の余地はない。
　したがって、後者における絶縁ゲート、第２の導電型の第２の半導体領域及び第１の導電型の第３の半導体領域はメッシュ状であるはずがなく、ストライプ状であるといえる。
　したがって、上記相違点は実質的相違点ではない。
　以上のとおり、本願第１発明は上記引用例記載のものと同一であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることが出来ない。そうである以上、他の発明を検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきである。
　よって、結論のとおり審決する。