(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部導電層が形成された半導体基板上に下部エッチング阻止膜、下部絶縁膜、上部エッチング阻止膜、上部絶縁膜及びハードマスク膜を順次に形成する段階と、
前記ハードマスク膜及び前記上部絶縁膜をパターニングして前記ハードマスク膜及び前記上部絶縁膜内に前記上部エッチング阻止膜の所定の領域を露出させる複数の配線溝を形成する段階と、
前記配線溝の側壁にスペーサを形成する段階と、
前記スペーサを有する半導体基板上に複数の前記配線溝を横切る開口部を有する感光膜パターンを形成する段階と、
前記開口部により露出される前記上部エッチング阻止膜及び前記下部絶縁膜を連続的にエッチングして、前記下部絶縁膜内に前記下部エッチング阻止膜の所定の領域を露出させるホールを形成する段階と、
前記露出された下部エッチング阻止膜、前記パターニングされたハードマスク膜及び前記スペーサを除去する段階と、
前記配線溝及び前記ホールの内部に導電材料を充填して配線を形成する段階と、を含み、
前記下部絶縁膜及び前記上部絶縁膜は、低誘電率を有する有機ポリマーを含み、
前記感光膜パターンは、前記下部絶縁層をエッチングする間に除去されることを特徴とするデュアルダマシン配線の形成方法。
【請求項２】
前記ハードマスク膜は、前記スペーサと互いに同一のエッチング率を有し、前記上部エッチング阻止膜とは互いに異なるエッチング率を有する物質で形成することを特徴とする請求項１に記載のデュアルダマシン配線の形成方法。
【請求項３】
前記ハードマスク膜及び前記スペーサはシリコン窒化膜で形成し、前記上部エッチング阻止膜はシリコン酸化膜で形成することを特徴とする請求項２に記載のデュアルダマシン配線の形成方法。
【請求項４】
前記下部エッチング阻止膜は前記ハードマスク膜と互いに同一のエッチング率を有する物質で形成することを特徴とする請求項１に記載のデュアルダマシン配線の形成方法。
【請求項５】
前記配線溝を形成する段階は、
前記ハードマスク膜上に該ハードマスク膜の所定の領域を露出させる感光膜パターンを形成する段階と、
前記感光膜パターンをエッチングマスクとして使用して、前記露出されたハードマスク膜をエッチングして、前記上部絶縁膜の所定の領域を露出させるハードマスク膜パターンを形成する段階と、
前記ハードマスク膜パターンをエッチングマスクとして使用して前記露出された上部絶縁膜をエッチングして前記上部エッチング阻止膜の所定の領域を露出させる段階と、を含み、
前記感光膜パターンは前記露出された上部絶縁膜をエッチングする間除去されることを特徴とする請求項１に記載のデュアルダマシン配線の形成方法。
【請求項６】
前記開口部は配線溝の方向よりも配線溝を横切る方向がさらに広く形成されることを特徴とする請求項１に記載のデュアルダマシン配線の形成方法。
【請求項７】
前記導電材料は、アルミニウムＡｌ、アルミニウム合金Ａｌ−ａｌｌｏｙ、銅Ｃｕ、金Ａｕ、銀Ａｇ、タングステンＷ及びモリブデンＭｏからなる群より選択された少なくともいずれか一つで構成された物質で形成することを特徴とする請求項１に記載のデュアルダマシン配線の形成方法。
【請求項８】
前記導電材料を形成する前に、バリヤ金属層をさらに形成することを特徴とする請求項１に記載のデュアルダマシン配線の形成方法。
【請求項９】
前記バリヤ金属層は、Ｔａ、ＴａＮ、ＴｉＮ、ＷＮ、ＴａＣ、ＷＣ、ＴｉＳｉＮ、ＴａＳｉＮの中から選択された少なくとも一つで形成することを特徴とする請求項８に記載のデュアルダマシン配線の形成方法。
【請求項１０】
前記下部導電層は前記半導体基板上に形成された下層配線であり、前記ホールはビアホールであることを特徴とする請求項１に記載のデュアルダマシン配線の形成方法。
【請求項１１】
前記下部導電層は前記半導体基板上に形成されており、前記ホールはコンタクトホールであることを特徴とする請求項１に記載のデュアルダマシン配線の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は多層配線形成方法に関するものであり、特に、低誘電率ｌｏｗ−ｋ絶縁膜を利用したデュアルダマシン配線の形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ロジック素子の高速化、高集積化は急速に進行しており、これはトランジスタの微細化によることである。トランジスタの集積度の向上に対応して配線は微細化しており、これによる配線遅延の問題が深刻化しており、素子の高速化を妨害する原因として台頭している。
【０００３】
このような状況で、従来からＬＳＩ（Large Scale Integration）の配線材料として一般的に利用してきたアルミニウム合金に代えて抵抗が小さく、高いＥＭ（Electro-migration）耐性を有する材料である銅Ｃｕを利用した配線が活発に開発されている。ところで、銅はエッチングが容易ではなく、工程中に酸化される問題点によって、銅破線形成のためにはダマシン工程を使用する。ダマシン工程は、絶縁膜に上部配線が形成される配線溝とこの上部配線を下部配線または基板に接続するビアホールとを形成し、前記配線溝及びビアホールに銅を充填した後に、化学機械的研磨（Chemical Mechanical Polishing：以下、ＣＭＰという）工程で平坦化する充填工程である。
【０００４】
一方、低誘電率ｌｏｗ−ｋ絶縁膜は銅配線と共に配線間寄生容量を減少させて、デバイスの速度を速くし、デバイスの相互干渉を低減させることができる。低誘電率ｌｏｗ−ｋ絶縁膜は現在多様に開発されており、大きくＳｉＯ２系（Ｓｉ−Ｏ系）無機ポリマーとカーボン系（Ｃ系）有機ポリマーとに分けられる。
【０００５】
図１は従来の技術によるシングルハードマスク膜を使用するデュアルダマシン工程を示す断面図である。
【０００６】
図１を参照すると、下部導電膜１００上に下部エッチング阻止膜１０５、下部絶縁膜１１０、上部エッチング阻止膜１１５、上部絶縁膜１２０及びハードマスク膜１２５を形成する。
【０００７】
次に、前記ハードマスク膜１２５、上部絶縁膜１２０、上部エッチング阻止膜１１５及び下部絶縁膜１１０を選択的にエッチングして、前記下部エッチング阻止膜１０５を露出させるビアホール１３５を形成する。以下、図面ではビアホールの幅をＤ１で示した。
【０００８】
次に、配線溝の開口部を有する感光膜パターン１４０を形成する。以下、図面では配線溝の幅をＤ２で示す。以後では、図示しないが、前記感光膜パターンを利用して配線溝を形成してダマシンパターンを形成するようになる。
【０００９】
ところで、前記下部絶縁膜１１０及び上部絶縁膜１２０が有機ポリマーである低誘電率絶縁膜からなる場合には、前記感光膜パターン１４０のアッシング工程で使用する酸素プラズマによって絶縁膜１１０、１２０が損傷する。特に、前記配線溝の幅を有する感光膜パターン１４０の最初のフォトリソグラフィ工程が不良であることにより、再びフォトリソグラフィ工程を実施するために、感光膜パターンを除去するリワーク（rework）工程では、既にビアホールの側壁に露出された有機ポリマーである絶縁膜１１０、１２０に深刻な損傷を与える。
【００１０】
このような問題点によって、現在、有機ポリマーからなる絶縁膜を使用するデュアルダマシン工程では、ハードマスク膜を二重に使用して配線溝パターンをまず形成する方法が使用されている。
【００１１】
図２乃至図１１は従来の技術によるデュアルハードマスク膜を利用して、有機ポリマーで構成された絶縁膜内にデュアルダマシンパターンを形成する断面図である。
【００１２】
図２を参照すると、下部導電層２００上に下部エッチング阻止膜２０５、下部絶縁膜２１０、上部エッチング阻止膜２１５、上部絶縁膜２２０、下層ハードマスク膜２２５及び上層ハードマスク膜２３０を順次に形成する。
【００１３】
図３を参照すると、前記上層ハードマスク膜２３０上に配線溝の幅Ｄ２の開口部を有する感光膜パターン２３５を形成する。次に、前記感光膜パターン２３５をエッチングマスクとして使用して前記上層ハードマスク膜２３０をパターニングして前記下層ハードマスク膜２２５の表面を露出させる配線溝開口部２３３を形成する。
【００１４】
図４を参照すると、前記感光膜パターン２３５をアッシングして除去する。前記上層ハードマスク膜２３０には配線溝開口部２３３が形成されている。
【００１５】
図５を参照すると、前記露出された下層ハードマスク膜２２５上にビアホールの幅の開口部を有する感光膜パターン２４０を形成する。ところで、前記感光膜パターン２４０を形成するフォトリソグラフィ工程は誤整列が発生する可能性があり、フォトリソグラフィ工程実施の後には、感光膜テール（photoresist tail：２４１）が発生する可能性がある。前記感光膜テール２４１の発生原因は前記パターニングされた上層ハードマスク膜２３０の段差によってＤＯＦ（Depth Of Focus）マージンが不足することによる。前記感光膜テール２４１は後続工程で、パターン不良を誘発して安定的なダマシン構造を形成できないようにし、最悪の場合には、パターンが形成されない可能性もある。
【００１６】
図６を参照すると、前記感光膜パターン２４０をエッチングマスクとして使用して前記下層ハードマスク膜２２５をパターニングして前記上部絶縁膜２２０の表面を露出させる。
【００１７】
図７を参照すると、前記下層ハードマスク膜２２５をエッチングマスクとして利用して前記上部絶縁膜２２０を選択的にエッチングして前記上部エッチング阻止膜２１５の表面を露出させるホール開口部２４３を形成する。特記事項は有機ポリマーからなる前記上部絶縁膜２２０は前記感光膜パターン２４０と成分が同様なカーボン系列である。したがって、エッチング率が類似であって、前記上部絶縁膜２２０のエッチング時に前記感光膜パターン２４０が同時に除去される。
【００１８】
図８を参照すると、前記パターニングされた前記上層ハードマスク膜２３０をエッチングマスクとして使用して前記下層ハードマスク膜２２５と前記露出された上部エッチング阻止膜２１５とをエッチングして、前記ホール開口部２４３に隣接した前記上部絶縁膜２２０の上部面と前記ホール開口部２４３の下部の前記下部絶縁膜２１０とを露出させる。
【００１９】
図９を参照すると、前記露出された上部絶縁膜２２０及び前記露出された下部絶縁膜２１０をパターニングして前記上部絶縁膜内に配線溝２４５を形成すると同時に、前記下部絶縁膜内に前記配線溝２４５より狭いビアホール２５０を形成する。
【００２０】
図１０を参照すると、前記ビアホール２５０の下部の前記下部エッチング阻止膜２０５を除去して下層導電層２００の表面を露出させる。この時に、前記上層ハードマスク膜２３０と前記配線溝２４５の下部に露出された前記上部エッチング阻止膜２１５とも除去することができる。
【００２１】
図１１を参照すると、導電材料を前記配線溝２４５及びビアホール２５０内に充填し、ＣＭＰによって研磨して配線２６０を形成する。前記導電材料を形成する前には、バリヤ金属層２５５を形成することができる。
【００２２】
上述のデュアルハードマスク膜を利用したダマシン工程は、工程が複雑であるという短所があり、上述のように、誤整列が発生するか、感光膜テールが発生する問題点がある。
【００２３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上述の問題点を解決するためであり、ハードマスク膜を一つだけ使用して工程が簡単であり、有機ポリマーからなる絶縁膜にアッシング損傷がないデュアルダマシン配線の形成方法を提供することに目的がある。
【００２４】
また、フォトリソグラフィ装備の限界寸法より小さいビアホールを形成することができるデュアルダマシン配線の形成方法を提供することに目的がある。
【００２５】
また、段差によって生じる感光膜テールが発生しないデュアルダマシン配線の形成方法を提供することに目的がある。
【００２６】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するために、本発明のデュアルダマシン配線の形成方法は、まず、下部導電層を有する半導体基板上に上部絶縁膜、上部エッチング阻止膜、上部絶縁膜、及びハードマスク膜を順次に形成する。前記ハードマスク膜及び前記上部絶縁膜を選択的にエッチングして前記上部絶縁膜内に配線溝を形成し、前記配線溝の側壁に自己整列スペーサを形成する。前記スペーサを有する半導体基板上に前記配線溝を横切る開口部を有する感光膜パターンを形成した後に、前記開口部に露出された前記上部エッチング阻止膜及び下部絶縁膜を連続的にエッチングして前記下部絶縁膜内に前記下部導電層の所定の領域を露出させるホールを形成する。次に、前記パターニングされたハードマスク膜及び前記スペーサを除去して前記ホール及び配線溝内に導電材料を形成し、平坦化して配線及びビアコンタクトプラグを形成する。
【００２７】
【発明の実施の形態】
上述の目的、特徴及び長所は、添付した図面と関連した次の詳細な説明により明らかである。以下、添付した図を参照して、本発明の望ましい一実施形態を詳細に説明する。
【００２８】
図１２乃至図１９は本発明の一実施形態によるデュアルダマシン配線の形成方法を工程順に示した断面図である。図２０乃至図２４は本発明の一実施形態によるデュアルダマシン配線の形成方法を工程順に示した平面図である。
【００２９】
図１２を参照すると、下部導電層３００を有する半導体基板上に下部エッチング阻止膜３０５、下部絶縁膜３１０、上部エッチング阻止膜３１５、上部絶縁膜３２０及びハードマスク膜３２５の順に形成する。
【００３０】
前記下部導電層３００は多層配線構造の下層配線に該当することができ、または、半導体基板上に形成することができる。
【００３１】
前記上部絶縁膜及び下部絶縁膜３２０、３１０は配線溝及びビアホール（以下、コンタクトホールも‘ビアホール’という）を形成するのに、十分な厚さを有し、有機ポリマーで形成することができ、その他に、フッ素がドーピングされた酸化膜、炭素がドーピングされた酸化膜、及びシリコン酸化膜で形成することもできる。低誘電率を有する有機ポリマーでは、ポリアリルエーテル系樹脂、環状フッ素樹脂、シロキサン共重合体、フッ化ポリアリルエーテル系樹脂、ポリペンタフルオロスチレン（polypentafluorostylene）、ポリテトラフルオロスチレン系樹脂、フッ化ポリイミド樹脂、フッ化ポリナフタリン（polynaphthalene fluoride）、ポリサイド（polycide）樹脂などがある。形成方法では、ＰＥＣＶＤ（Plasma Enhanced ＣＶＤ）、ＨＤＰ−ＣＶＤ（High Density Plasma ＣＶＤ）、ＡＰＣＶＤ（Atmospherc Pressure ＣＶＤ）、スピンコーティング（spin coating）方式の中から選択されたいずれか一つを使用することができる。
【００３２】
前記ハードマスク膜３２５及び下部エッチング阻止膜３０５はシリコン窒化膜で形成することができる。
【００３３】
前記上部エッチング阻止膜３１５は前記ハードマスク膜３２５及び下部エッチング阻止膜３０５とはエッチング率が異なる物質で形成する。例えば、前記ハードマスク膜３２５及び下部エッチング阻止膜３０５をシリコン窒化膜で形成する場合には、前記上部エッチング阻止膜３１５はシリコン酸化膜で形成することができる。
【００３４】
図１３を参照すると、前記ハードマスク膜３２５上に配線溝の幅の開口部を有する感光膜パターン３３０を形成する。次に、前記感光膜パターン３３０をエッチングマスクとして使用して前記ハードマスク膜３２５をパターニングして前記上部絶縁膜３２０の表面を露出させる配線溝開口部３２３を形成する。図面では、三つの配線溝開口部３２３が示されている。
【００３５】
図１４を参照すると、前記パターニングされたハードマスク膜３２５をエッチングマスクとして使用して前記上部絶縁膜３２０を前記上部エッチング阻止膜３１５の表面が露出するまでエッチングして配線溝３３５を形成する。注目する点は、前記上部絶縁膜３２０が低誘電率を有する有機ポリマーである場合には、上部絶縁膜３２０は前記感光膜パターン３３０と同様のカーボン系列であるので、エッチング率が類似である。したがって、前記上部絶縁膜３２０のエッチング時に、前記感光膜パターン３３０が除去される。
【００３６】
平面的には、図２０を参照すると、前記ハードマスク膜３２５をエッチングマスクとして使用して前記上部エッチング阻止膜３１５を露出させる配線溝３３５を形成する。
【００３７】
図１５を参照すると、前記配線溝３３５を含む基板の全面にスペーサ絶縁膜を形成し、全面エッチングして前記配線溝３３５の側壁に自己整列されたスペーサ３４０を形成する。前記スペーサ絶縁膜は前記ハードマスク膜３２５及び前記下部エッチング阻止膜３０５と同一のエッチング率を有する物質で形成し、前記上部エッチング阻止膜３１５とは互いに異なるエッチング率を有する物質で形成する。例えば、前記スペーサ絶縁膜はシリコン窒化膜で形成することができる。したがって、自己整列されたスペーサを形成するための全面エッチングで、エッチング率が互いに異なる前記上部エッチング阻止膜３１５はエッチングされないようになる。
【００３８】
前記配線溝３３５の側壁に形成された前記スペーサ３４０の下部の幅はビアホールの幅を決めるので、形成の厚さを調節すれば、ビアホールの幅を調節することができる。すなわち、フォトリソグラフィ工程の限界寸法よりさらに小さいビアホールも自己整列されたスペーサによって、その大きさを限定することができるという長所がある。また、フォトリソグラフィ工程で発生する誤整列の問題や段差による感光膜テールの問題も発生しない。
【００３９】
平面的には、図２１を参照すると、前記配線溝３３５の側壁に自己整列されたスペーサ３４０を形成する。
【００４０】
図１６を参照すると、基板の全面に感光膜を塗布し、通常のフォトリソグラフィ工程を実施して前記配線溝３３５を横切る開口部３４７を有する感光膜パターン３４５を形成する。前記感光膜パターン３４５を形成するフォトリソグラフィ工程で、パターン不良が発生してリワークを実施すべきである場合には、前記絶縁膜３１０、３２０が前記感光膜パターン３４５とエッチング率が類似な有機ポリマーで構成されていても、損傷しない。これは、前記絶縁膜３１０、３２０は前記スペーサ３４０、ハードマスク膜３２５、及び上部エッチング阻止膜３１５によって囲まれているので、リワーク時に使用するアッシングガスから保護されるためである。前記感光膜パターン３４５を形成するためのフォトリソグラフィ工程では、前記感光膜パターン３４５の内部に段差がない平坦化された前記ハードマスク膜３２５上で形成されるので、従来の技術とは異なり、感光膜テールが発生しない。
【００４１】
平面的には、図２２を参照すると、前記スペーサ３４０を有する半導体基板上に前記配線溝３３５を横切る開口部３４７を有する感光膜パターン３４５を形成する。
【００４２】
前記開口部３４７は従来の技術では、ビアホールの幅を有する感光膜パターン（従来の技術の図５参照）で形成しなけれならないが、本発明の実施形態では、それより広い幅の感光膜パターンで形成することができるので、フォトリソグラフィ工程の限界寸法を克服することができる。すなわち、図面で、前記配線溝３３５を横切る方向（図面ではｘ方向である）は、既に形成された前記スペーサ３４０によってフォトリソグラフィ工程の限界寸法よりさらに小さいビアホールを形成することができる。配線溝の方向（図面ではｙ方向である）は前記開口部３４７を配線溝を横切る方向に広く形成することができるので、フォトリソグラフィ工程の余裕マージンを確保することができる。前記開口部３４７は、一つの配線溝に一つのビアホールを形成するために、余裕マージンを確保することができる。前記開口部３４７は一つのビアホールを形成するために開放することができる（図面で、中の開口部を参照）だけではなく、隣接する複数の配線溝各々に複数のビアホールを形成する場合には、前記配線溝を横切る一つの開口部（図面で、上下部の開口部を参照）を形成することができる。すなわち、従来の技術が一つのビアホール開口部に一つのビアホールを形成する一方、本発明の実施形態では、一つの開口部で複数のビアホールを形成することができる。一つの開口部で複数のビアホールを形成する場合の長所は、上述のフォトリソグラフィ工程のマージンがさらに広くなることである。図１６は平面図である図２２を切断線Ｉ−Ｉ′に沿って切断した断面図であり、隣接する三つの配線溝で一つの開口部３４７を形成した場合である。すなわち、三つの配線溝を横切る一つの開口部によって三つのビアホールを形成することができる。
【００４３】
図１７を参照すると、前記感光膜パターン３４５、前記スペーサ３４０及び前記ハードマスク膜３２５をエッチングマスクとして使用して前記開口部３４７により露出された前記上部エッチング阻止膜３１５を選択的にエッチングして前記下部絶縁膜３１０を露出させる。上述のように、前記スペーサ３４０及び前記ハードマスク膜３２５は前記上部エッチング阻止膜３１５とはエッチング率が互いに異なる物質であるので、エッチングマスクとして使用することができる。
【００４４】
次に、前記パターニングされたハードマスク膜３２５、前記上部エッチング阻止膜３１５、及び前記スペーサ３４０をエッチングマスクとして使用して前記露出した下部絶縁膜３１０を前記下部エッチング阻止膜３０５が露出するまで選択的にエッチングして前記下部絶縁膜３１０内にビアホール３５０を形成する。注目する点は、前記下部絶縁膜３１０が有機ポリマーで構成された場合には、前記感光膜パターン３４５は前記露出した下部絶縁膜３１０をエッチングする間、同時に除去される。
【００４５】
平面的には、図２３を参照すると、前記感光膜パターン３４５をエッチングマスクとして使用して前記上部エッチング阻止膜３１５をパターニングした後に、前記パターニングされたエッチング阻止膜３１５、前記ハードマスク膜３２５及びスペーサ３４０をエッチングマスクとして使用して前記下部エッチング阻止膜３０５を露出させるホール３５０を形成する。図１７は平面図である図２３を切断線ＩＩ−ＩＩ′に沿って切断した断面図である。
【００４６】
図１８を参照すると、前記ハードマスク膜３２５、スペーサ３４０及び前記ビアホール３５０の下部の前記下部エッチング阻止膜３０５を同時に除去して、配線溝３３５及びビアホール３５０からなるダマシンパターンを形成する。前記除去される膜は、全部エッチング選択比が同一な物質として、例えば、シリコン窒化膜で構成されているので、同時に除去することができる。
【００４７】
除去する方法としては、乾式エッチングまたは湿式エッチングを使用することができる。乾式エッチングを使用する場合において、前記スペーサ３４０は配線溝の側壁に一部除去されず、残留することができる。図面には全部除去された場合が示されている。
【００４８】
平面的には、図２４を参照すると、前記ハードマスク膜３２５、スペーサ３４０及び前記露出された下部エッチング阻止膜３０５を除去する。結局、前記上部絶縁膜３２０内には、配線溝３３５が形成されており、前記配線溝３３５には前記下部導電層３００と連結されるビアホール３５０が形成されている。図１８は平面図である図２４を切断線ＩＩＩ−ＩＩＩ′に沿って切断した断面図である。
【００４９】
図１９を参照すると、導電材料を前記配線溝３３５及びビアホール３５０内に充填し、平坦化して配線３６０を形成する。
【００５０】
前記導電材料はアルミニウムＡｌ、アルミニウム合金Ａｌ−ａｌｌｏｙ、銅Ｃｕ、金Ａｕ、銀Ａｇ、タングステンＷ及びモリブデンＭｏからなる群より選択された少なくともいずれか一つで構成された導電性物質である。形成方法としては、導電材料をスパッタ法で膜を形成し、リフローする方法、ＣＶＤ法で形成する方法、電気鍍金法を利用する方法がある。電気鍍金法を利用する場合には、電解時に電流を流すために、シード層を形成する必要がある。
【００５１】
前記導電材料を形成する前には、バリヤ金属層３５５を形成することができる。特に、銅Ｃｕをダマシン工程で形成する時には、前記バリヤ金属層は銅導電物質の拡散によって層間絶縁膜の絶縁特性劣化などを防止するために、必然的に使用される。バリヤ金属層の材料では、Ｔａ、ＴａＮ、ＴｉＮ、ＷＮ、ＴａＣ、ＷＣ、ＴｉＳｉＮ、ＴａＳｉＮの中から選択された少なくとも一つを使用することができ、形成方法としては、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法、ＡＬＤ法の中から選択されたいずれか一つの方法を使用することができる。
【００５２】
以上、説明した本発明は、上述の実施形態及び添付した図面により限定されず、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で多様な置換、変形及び変更が可能であることは、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者において明らかである。
【００５３】
【発明の効果】
上述の本発明は、従来のデュアルダマシン工程と対比して自己整列したスペーサを利用した、フォトリソグラフィ工程の限界寸法より小さいビアホールを形成することができるだけではなく、誤整列がないビアホールを形成することができる。
【００５４】
また、ハードマスク膜を一つだけ使用して、工程が単純化されており、有機ポリマーからなる絶縁膜がアッシング損傷されず、段差による感光膜テールが発生しないデュアルダマシン配線の形成方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  従来の技術によるシングルハードマスク膜を使用するデュアルダマシン工程を示す断面図である。
【図２】  従来の技術によるデュアルハードマスク膜を使用するデュアルダマシン工程を示す断面図である。
【図３】  従来の技術によるデュアルハードマスク膜を使用するデュアルダマシン工程を示す断面図である。
【図４】  従来の技術によるデュアルハードマスク膜を使用するデュアルダマシン工程を示す断面図である。
【図５】  従来の技術によるデュアルハードマスク膜を使用するデュアルダマシン工程を示す断面図である。
【図６】  従来の技術によるデュアルハードマスク膜を使用するデュアルダマシン工程を示す断面図である。
【図７】  従来の技術によるデュアルハードマスク膜を使用するデュアルダマシン工程を示す断面図である。
【図８】  従来の技術によるデュアルハードマスク膜を使用するデュアルダマシン工程を示す断面図である。
【図９】  従来の技術によるデュアルハードマスク膜を使用するデュアルダマシン工程を示す断面図である。
【図１０】  従来の技術によるデュアルハードマスク膜を使用するデュアルダマシン工程を示す断面図である。
【図１１】  従来の技術によるデュアルハードマスク膜を使用するデュアルダマシン工程を示す断面図である。
【図１２】  本発明の一実施形態によるデュアルダマシン配線の形成方法を工程順に示した断面図である。
【図１３】  本発明の一実施形態によるデュアルダマシン配線の形成方法を工程順に示した断面図である。
【図１４】  本発明の一実施形態によるデュアルダマシン配線の形成方法を工程順に示した断面図である。
【図１５】  本発明の一実施形態によるデュアルダマシン配線の形成方法を工程順に示した断面図である。
【図１６】  本発明の一実施形態によるデュアルダマシン配線の形成方法を工程順に示した断面図である。
【図１７】  本発明の一実施形態によるデュアルダマシン配線の形成方法を工程順に示した断面図である。
【図１８】  本発明の一実施形態によるデュアルダマシン配線の形成方法を工程順に示した断面図である。
【図１９】  本発明の一実施形態によるデュアルダマシン配線の形成方法を工程順に示した断面図である。
【図２０】  本発明の一実施形態によるデュアルダマシン配線の形成方法を工程順に示した平面図である。
【図２１】  本発明の一実施形態によるデュアルダマシン配線の形成方法を工程順に示した平面図である。
【図２２】  本発明の一実施形態によるデュアルダマシン配線の形成方法を工程順に示した平面図である。
【図２３】  本発明の一実施形態によるデュアルダマシン配線の形成方法を工程順に示した平面図である。
【図２４】  本発明の一実施形態によるデュアルダマシン配線の形成方法を工程順に示した平面図である。
【符号の説明】
３００      下部導電層
３０５      下部エッチング阻止膜
３１０      下部絶縁膜
３１５      上部エッチング阻止膜
３２０      上部絶縁膜
３２５      ハードマスク膜
３３５      配線溝
３４０      スペーサ
３５０      ビアホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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