【事件の表示】
　特許第６４１５２９７号発明「銅張セラミックス回路基板、これを搭載した電子機器、及び銅張セラミックス回路基板の製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６４１５２９７号の請求項１ないし７に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第６４１５２９７号の請求項１ないし７に係る特許についての出願は、平成２６年１２月１６日に出願され、平成３０年１０月１２日にその特許権の設定登録がされ、平成３０年１０月３１日に特許掲載公報が発行された。その後、請求項１ないし７に係る特許に対して、平成３１年４月２６日に特許異議申立人　廣瀬　妙子により、特許異議の申立てがなされたものである。
第２　本件発明
　特許第６４１５２９７号の請求項１ないし７の特許に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」ないし「本件発明７」という。）は、それぞれ、その特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「　【請求項１】
　セラミックス板の片面又は両面に銅板が接合されており、かつ前記銅板の少なくとも一部が銅回路を備えている銅張セラミックス回路基板において、
　前記銅回路を備えている前記銅板は、結晶軸＜１００＞を主方位とし、かつ銅の結晶軸＜１００＞が前記銅板の法線方向に方位差１５°以内でありかつ前記銅板の面内特定方向に１５°以内である＜１００＞優先配向領域を備え、かつ前記銅板の任意の断面における前記＜１００＞優先配向領域の面積率が８０％以上１００％以下の配向銅板であることを特徴とする銅張セラミックス回路基板。
　　【請求項２】
　前記銅回路の少なくとも１のコーナー部において、前記コーナー部を形成する２つの辺の二等分線方向に対して、前記配向銅板の前記面内特定方向が、５°以上４５°以下であることを特徴とする請求項１記載の銅張セラミックス回路基板。
　　【請求項３】
　前記配向銅板を板面法線方向から面積０.３２ｍｍ２の視野で、かつ重複しない１６視野以上観察した時、前記＜１００＞優先配向領域に囲まれた、面積平均径が前記配向銅板の板厚以下の島状結晶粒の結晶粒界と、双相境界を除く、方位差１５°以上の傾角を有する結晶粒界が存在する視野が０％以上５０％以下であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の銅張セラミックス回路基板。
　　【請求項４】
　セラミックス板の片面又は両面に銅板が接合されており、かつ前記銅板の少なくとも一部が銅回路を備えている銅張セラミックス回路基板において、
　前記銅回路を備えている前記銅板は、結晶軸＜１００＞を主方位とし、かつ銅の結晶軸＜１００＞が前記銅板の法線方向に方位差１５°以内でありかつ前記銅板の面内特定方向に１５°以内である＜１００＞優先配向領域の面積率が８０％以上１００％以下の配向銅板であり、
　前記銅張セラミックス回路基板の接合界面は、前記配向銅板の（１００）が、直接又は厚さ１μｍ以下のＣｕ２Ｏ相を介して、前記セラミックス板を構成する酸化物に接合されている部分を有していることを特徴とする銅張セラミックス回路基板。
　　【請求項５】
　請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の銅張セラミックス回路基板を搭載してなる電子機器。
　　【請求項６】
　結晶軸＜１００＞を主方位とし、かつ銅の結晶軸＜１００＞が銅板の法線方向に方位差１５°以内でありかつ前記銅板の面内特定方向に１５°以内である＜１００＞優先配向領域を備え、かつ前記銅板の任意の断面における前記＜１００＞優先配向領域の面積率が８０％以上１００％以下である配向銅板を、セラミックス板の片面又は両面に接合した後に、前記配向銅板にエッチング処理により銅回路を形成することを特徴とする銅張セラミックス回路基板の製造方法。
　　【請求項７】
　酸素を含有しているガス中において、かつセラミックス板の片面又は両面に銅板の銅板面を対向させて接触させた状態で、かつ１０６５℃から１０８３℃の範囲内にまで温度を上昇させることで、前記銅板を配向銅板に変換するとともに、前記銅板と前記セラミックス板との界面にＣｕ−Ｃｕ２Ｏ共晶体を生成させる熱処理工程と、
　熱処理済の前記セラミックス板と前記配向銅板とを冷却してこれらを接合させる接合工程と、
　前記配向銅板にエッチング処理により銅回路を形成する銅回路形成工程と、を備え、
　前記セラミックス板は、ケイ素、マグネシウム、希土類元素から選択される少なくとも１の成分を５質量％以下含有している窒化ケイ素又は窒化アルミニウムからなる窒化物セラミックス、又は、酸化物セラミックスであり、
　前記配向銅板は、結晶軸＜１００＞を主方位とし、かつ銅の結晶軸＜１００＞が前記銅板の法線方向に方位差１５°以内でありかつ前記銅板の面内特定方向に１５°以内である＜１００＞優先配向領域の面積率が８０％以上１００％以下であることを特徴とする銅張セラミックス回路基板の製造方法。」
第３　申立理由の概要
１．申立理由１（サポート要件）
　特許異議申立人は、技術常識を示すための甲第１号証ないし甲第３号証を提出し、本件発明１ないし７は、発明の詳細な説明に記載した範囲を超えて特許を請求するものであり、本件の請求項１ないし７に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものであるから取り消すべきものである旨主張している。　
２．申立理由２（進歩性）
　特許異議申立人は、証拠として甲第４号証ないし甲第８号証を提出し、本件発明１ないし７は、甲第４号証ないし甲第８号証に記載された発明及び技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、請求項１ないし７に係る特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるから、請求項１ないし７に係る特許を取り消すべきものである旨主張する。
［証拠］
甲第１号証：特許第３４４９４５８号公報
甲第２号証：特許第５２２６５１１号公報
甲第３号証：特許第２６７７７４８号公報
甲第４号証：特許第５１２９１８９号公報
甲第５号証：特許第５４４６１８８号公報
甲第６号証：特許第５２６１５７９号公報
甲第７号証：特許第３５３９６３４号公報
甲第８号証：特開２０１４−９００４８号公報
第４　甲第１号証ないし甲第８号証の記載
１．甲第１号証（特許第３４４９４５８号公報）
　甲第１号証には、図面とともに以下の各記載がある（なお、下線は当審で付与した。）。 
（１）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品のパワーモジュール等に使用される
回路基板
（２）「【００１０】本発明の回路基板の形状の一例を示す部分概略断面図を図１、図２に示す。図１は、接合層が金属回路の下端部から外側にはみ出た例であり、図２は接合層が外側と内側にはみ出た例である。
図において、１は金属回路、２は接合層、３はセラミックス基板であり
【００１１】本発明の回路基板の前提条件は、
金属回路とセラミックス基板とが活性金属を含む接合層により接合されていることであり、これは活性金属ろう付け法によって製造することができる
【００１２】金属とセラミックスの接合方法としては、活性金属ろう付け法以外に、Ｍｏ−Ｍｎ法、硫化銅法、ＤＢＣ法、銅メタライズ法等があるが、本発明で活性金属ろう付け法を採用している理由は、この方法はヒートサイクルに対する耐久性と生産性に優れるからである。
【００１３】活性金属ろう付け法については、例えば特開昭６０−１７７６３４号公報に記載されている。活性金属ろう付け法におけるろう材の金属成分は、銀と銅を主成分とし、溶融時のセラミックス基板との濡れ性を確保するために活性金属を副成分とする。活性金属成分は、セラミックス基板と反応して酸化物や窒化物を生成し、ろう材とセラミックス基板との結合を強固なものにする。活性金属の具体例をあげれば、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブ、タンタル、バナジウムやこれらの化合物である。これらの比率としては、銀８０〜９５重量部と銅２０〜５重量部の合計量１００重量部あたり活性金属１〜７重量部である。
接合温度は８００〜８４０℃が望ましい
【００１４】次に、本発明の回路基板においては、金属回路の厚みｔが０．３ｍｍ以上、特に０．３〜０．５ｍｍが好ましい。０．３ｍｍよりも薄いと高電流密度の要求に対応することができない。金属放熱板を形成させる場合は、その厚みは０．２ｍｍ以上であることが好ましい。
金属回路及び金属放熱板の材質としては、銅又は銅合金が一般的である
２．甲第２号証（特許第５２２６５１１号公報）
　甲第２号証には、図面とともに以下の各記載がある（なお、下線は当審で付与した。）。 
（１）「【０００１】
　
本発明は、パワーモジュールに供されるセラミックス−金属接合体、その製造方法およびそれを用いた半導体装置に係り、特にセラミックス回路基板として使用した場合にセラミックス基板と金属回路板との接合部おいて高い接合性と、優れた耐熱サイクル特性を発揮し得るセラミックス−金属接合体
（２）「【００１２】
発明の開示
　本発明は上記問題点を解決するためになされたものであり、パワーモジュールに供した場合においても、
高い接合強度および優れた耐熱サイクル特性を共に備え、耐久性および信頼性に優れたセラミックス−金属接合体
（３）「【００１５】
　
上記セラミックス−金属接合体に使用されるセラミックス基板
金属板を活性金属法でセラミックス基板に接合する
（４）「【００１７】
　また、
金属回路板，裏金属板等の金属板を構成する金属としては
特に導電性および価格の観点から銅
が好ましい
（５）「【００２６】
　また、
本発明に係るセラミックス−金属接合体の製造方法は、セラミックス基板と金属板としての銅板とを活性金属ろう材層を介して接合したセラミックス−金属接合体の製造方法において、８族元素から選択される少なくとも１種の遷移金属としてのコバルトまたはパラジウムを０．０５質量％以上０．５質量％と、Ａｇと，Ｃｕと，活性金属としてのＴｉおよびＺｒの少なくとも１種とを含有した活性金属ろう材をセラミックス基板および金属板としての銅板の少なくとも一方に塗布した後、セラミックス基板および金属板を重ね合わせて一体に加熱接合することにより上記銅板中にコバルトまたはパラジウムを分散させる
【００２７】
　
上記接合時の加熱温度は７００〜９００℃の範囲に設定することが好ましい
３．甲第３号証（特許第２６７７７４８号公報）
　甲第３号証には、図面とともに以下の各記載がある（なお、下線は当審で付与した。）。 
（１）「【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、セラミックス基板に銅回路板等を一体に接合したセラミックス銅回路基板に係り
（２）「【００１３】すなわち本発明に係るセラミックス銅回路基板は、
粒界相の２０％以上が結晶相で占められ、熱伝導率が６０〜１８０Ｗ／ｍ・Ｋである窒化けい素基板の表面に、活性金属を含有する接合材を介して、銅回路板を一体に接合した
（３）「【００４０】次に各接合材ペーストを、前記製法で調製した高熱伝導性窒化けい素基板表面にスクリーン印刷し、さらに印刷パターンに沿って、厚さ０．３mmのリン脱酸銅で形成した銅回路板を配置するとともに、この銅回路板上に重錘を載置して銅回路板を窒化けい素基板上に圧着した。この圧着状態のまま基板全体を加熱炉に収容し、１０-4Torr以下の真空中で温度８５０℃で１０分間加熱処理することにより、
窒化けい素基板上に上記接合材を介して銅回路板を一体に接合して実施例１〜５に係る窒化けい素銅回路基板をそれぞれ製造した
【００４１】比較例１〜３
一方、セラミックス基板として、実施例１〜５と同一寸法のＡｌ
2
 Ｏ
3
 焼結体基板（比較例１用）、ＡｌＮ焼結体基板（比較例２用）およびＢｅＯ焼結体基板（比較例３用）をそれぞれ使用し、各焼結体基板表面に表１に示す組成を有する接合材ペーストを印刷するとともに、その上部に実施例１〜５と同一寸法の銅回路板をそれぞれ圧着後、実施例１〜５と同様な条件で銅回路板を加熱接合してそれぞれ比較例１〜３に係る各種セラミックス銅回路基板を多数調製した
【００４２】こうして調製した実施例１〜５および比較例１〜３に係る各セラミックス銅回路基板について、室温（２５℃）における熱伝導率、３点曲げ強度、銅回路板の接合強度、撓み量等の特性値を計測した。なお、接合強度は、各セラミックス銅回路基板について下記条件のヒートサイクルを１００回繰り返す熱衝撃試験（ＴＣＴ）を実施した後における銅回路板のピール強度として測定した。ヒートサイクルは−５０℃で３０分間冷却し、室温で１０分間保持し、＋１５０℃で３０分間加熱し、室温で１０分間保持する加熱冷却操作を１サイクルとした。
【００４３】また実施例１〜５および比較例１〜３に係るセラミックス銅回路基板について上記熱衝撃試験を５００回（サイクル）繰り返し、各１００回終了毎に銅回路板のピール強度の経時変化を測定し、基板の耐熱サイクル性を評価した。
また５００回の熱衝撃試験終了後において
各セラミックス基板について蛍光探傷検査を実施し、セラミックス基板に微小クラックが発生した割合を計測した
【００４４】以上の測定結果を下記表１および図１に示す。」
（４）表１には、基板の割れ発生率（％）が、基板材料がＳｉ３Ｎ４である実施例１〜５において０％、Ａｌ2 Ｏ3 である比較例１において６５％、ＡｌＮである比較例２において７０％、ＢｅＯである比較例３において９０％であることが示されている。
４．甲第４号証（特許第５１２９１８９号公報）
　甲第４号証には、「金属セラミックス接合基板」及び「金属セラミックス接合基板の製造方法」について、図面とともに以下の各記載がある（なお、下線は当審で付与した。）。 
（１）「【０００１】
　
本発明は、金属セラミックス接合基板及びその製造方法等に関し
（２）「【００２０】
　以下、本発明の実施形態について図１〜図３を参照しつつ説明する。
  まず、図１（ａ）に示すように、セラミックス基板１０を用意する。このセラミックス基板１０は、例えばＡｌＮ基板やＡｌ2Ｏ3基板、Ｓｉ３Ｎ４基板などを用いることができる。
【００２１】
　次いで、図１（ｂ）に示すように、セラミックス基板１０の両面にペースト状のろう材１２をスクリーン印刷により塗布する。このろう材１２の作製方法の一例は次のとおりである。金属成分が５〜３０ｍａｓｓ％Ｃｕ−１〜５ｍａｓｓ％Ｔｉ−残部Ａｇになるように金属粉を秤量し、この金属粉に約１０％のアクリル系のバインダと溶剤を含むビヒクルを加え、自動乳鉢や３本ロールミルなどにより混錬して、ペースト状のろう材１２を作製する。
【００２２】
　次に、図１（ｃ）に示すように、
セラミックス基板１０の両面のろう材１２上に無酸素銅板１４を配置する
無酸素銅板１４の表面をＸ線回折装置で分析したときのＸ線回折積分強度比はＩ（２２０）／Ｉ（２００）≦０．５である
（３）「【００２７】
　
このようにして製造された無酸素銅板１４を前述したようにセラミックス基板１の両面のろう材２上に配置した後、セラミックス基板１を真空炉（図示せず）に挿入し、この真空炉によって例えば７８０℃〜９００℃（好ましくは８３０〜８７０℃）の温度で５分から１時間程度加熱することにより、セラミックス基板１０の両面には無酸素銅板１４が接合される。
【００２８】
　
その後、
所望の回路パターン等の形状のレジスト１６を形成する
【００２９】
　
次に
エッチング液により無酸素銅板１４の不要部分を除去することにより、セラミックス基板１０の両面には無酸素銅板からなる回路パターン１４が形成される
　上記記載事項及び図面を総合勘案すると、甲第４号証には、次の発明が記載されている。
「無酸素銅板からなる回路パターン１４がセラミックス基板１０の両面に接合された金属接合セラミックス基板。」（以下、「甲４発明１」という。）
「金属セラミックス接合基板の製造方法であって、セラミックス基板１０の両面に無酸素銅板１４を接合し、その後、所望の回路パターン等の形状のレジスト１６を形成し、次に、このレジスト１６をマスクとしてエッチング液により無酸素銅板１４の不要部分を除去することにより、セラミックス基板１０の両面に無酸素銅板からなる回路パターン１３を形成する製造方法。」（以下、「甲４発明２」という。）
　また、上記記載事項及び図面を総合勘案すると、甲第４号証には、次の技術事項が記載されている。
「無酸素銅板からなる回路パターン１４がセラミックス基板１０の両面に接合された金属接合セラミックス基板において、無酸素銅板の表面をＸ線回折装置で分析したときのＸ線回折積分強度比をＩ（２２０）／Ｉ（２００）≦０．５としたこと。」
５．甲第５号証（特許第５４４６１８８号公報）
　甲第５号証には、図面とともに以下の各記載がある（なお、下線は当審で付与した。）。
（１）「【請求項１】
　芯材が面心立方構造を有する長尺金属からなり、
前記芯材の任意の断面において、面心立方金属の＜１００＞方位が、前記芯材の長さ方向に対して±１０°以内の角度を有する領域が面積比で７５％以上を占め
前記芯材の長手方向のヤング率が８５ＧＰａ以下であり、０．２％耐力が８５ＭＰａ以下である
半導体線実装用のインターコネクター
（２）「【請求項３】
　
前記芯材が純度９９ｍａｓｓ％以上の銅
（３）「【０００５】
　多結晶型シリコン基板を用いた構造の場合、集電ケーブルを構成する主たる構造体である銅の熱膨張係数が、セルの主たる構造体であるシリコンの熱膨張係数の約５倍である。このことから、
昇温して液相接合してから室温に冷却する時に熱応力が生じ、セルを変形、破損させる原因となっている。
熱応力によるセルの破損問題は、大きな課題になっている
（４）「【００１３】
　本発明によれば、同じ物質で構成された電気導体に比較して、長さ方向のヤング率と降伏応力との両方を著しく小さくすることが可能である。これにより、
対向してはんだ接続される半導体にかかる応力を小さくすることが可能になり、半導体の反りや接続界面、半導体の破壊を抑制する
（５）「【００１５】
　線実装用の電気導体に必要な物性としては、高い電気導電率が必要である。電気抵抗が高いと電気導体の断面積を大きく取る必要があり、その結果、半田接続を行った後に半導体に大きな熱歪が加わるためである。したがって、
芯材の材料としては、銅、銀、アルミニウム、金等の面心立方金属が適する
（６）「【００１７】
　半田による線実装時の半導体との熱膨張差による熱歪を緩和するためには、電気導体の長さ方向のヤング率、０．２％耐力（降伏応力）を下げることが極めて有効である。半田が溶融凝固した後、半導体と電気導体との熱収縮量が異なることによって熱歪が発生するが、
電気導体の長さ方向のヤング率、降伏応力が小さいほど、半導体にかかる応力は小さくなり、反り大きさや割れが発生する頻度が小さくて済む
（７）「【００１９】
　本発明の電気導体は、組織制御により、線材、あるいはテープ材の長さ方向に対して、
＜１００＞方位から±１０°以内の角度を有する方位をなす領域が面積比で７５％以上を占める強い集合組織を形成させる
（８）「【００３１】
　
一般的に、熱処理後の最終冷間加工前に加工と中間焼鈍とを繰り返したり、ＥＣＡＰ（Equal-Channel Angular Pressing）加工やＥＣＡＥ（Equal-Channel Angular Extrusion）加工で、屈曲した貫通孔に材料を１回以上通過させる加工工程を経た後に、再結晶焼鈍を施したりすることで、加工性のある細粒組織を形成することが可能である。この後、冷間加工を施すことにより、最終的に本発明に最も適した＜１００＞再結晶集合組織を形成するための前駆の加工集合組織とすることができる
　上記記載事項及び図面を総合勘案すると、甲第５号証には、次の技術事項が記載されている。
「半導体線実装用のインターコネクターにおいて、銅などの面心立方金属からなる芯材と対向してはんだ接続される半導体にかかる熱応力を小さくして、接続界面、半導体の破壊を抑制するために、芯材の任意の断面において、面心立方金属の＜１００＞方位が芯材の長手方向に対して±１０°以内の角度を有する領域が面積比で７５％以上を占める強い集合組織を形成すること。」
６．甲第６号証（特許第５２６１５７９号公報）
　甲第６号証には、図面とともに以下の各記載がある（なお、下線は当審で付与した。）。
（１）「【０００６】
　更に、インターコネクタ材が低耐力となり、この低耐力のインターコネクタ材を使用してセル間を接続し太陽電池として使用すると、
使用中にインターコネクタ材は熱サイクルによる繰り返し応力を受け、破断しやすくなる
　上記理由により、インターコネクタ材の強度を下げずにシリコン系セルの熱膨張係数に近似する熱膨張係数を有するインターコネクタ材が求められている。そして、かかるインターコネクタ材を使用してセル間を接続し、太陽電池としての使用中に熱サイクルを繰り返し受けても、破断するおそれがないインターコネクタが求められている。」
（２）「【０００８】
　
熱応力は、一般的に次の式で表される。
σ＝Ａ×Ｅ×α×ΔＴ
　
ただし、σは熱応力であり、
　
Ａは面積であり、
　
Ｅはヤング率であり、
　
αは熱膨張係数であり、
　
ΔＴは温度差である。
　
上式によれば、ヤング率Ｅを低下させることができれば、熱応力σが比例して減少することが分かる
【０００９】
　これまでに導体として純銅を用いた太陽電池用インターコネクタ材料において、ヤング率を制御し、熱応力を低減させる、との発想はなされていない。
これは従来、ヤング率を低減させることが困難とされてきたためである。本発明者（等）はヤング率を低減させるために種々の検討を行った結果、集合組織の制御により、ヤング率の値を制御することに成功し、本発明に到達した
　なお、塑性加工された多結晶金属はその内部で結晶学的な変化が起きており、それを集合組織の形成という。集合組織とは、金属が圧延や線引きなどの塑性加工を受けると、個々の結晶粒が加工方向に進んで、特定の結晶面だけが規則的に配列することをいう。
　太陽電池用インターコネクタ材において集合組織を制御し、材料強度のばらつきを低減した例としては特許文献２が知られている。この特許文献２では圧延方向に対して直交する面における（２１１）面を制御することで強度のばらつきを低減している。
　また、太陽電池用インターコネクタ材において集合組織を制御し、耐力を低減させた例として特許文献３が知られている。特許文献３では、圧延方向に対して直交する面における（１１４）面、（１１２）面を制御することで耐力を低減させている。」
（３）「【００２５】
　本発明は、銅合金材料の結晶方位とヤング率の関係に着目し、開発されたものである。
　本発明者（等）は先ず、純銅の単結晶を用いて、さまざまな結晶方位のヤング率を測定した。その結果、圧延方向に対して直交する面における（１１１）面はヤング率が高く、（１００）面と（１０２）面はヤング率が低いことを確認した。次いで、太陽電池用インターコネクタ材の圧延方向に対して直交する面における（１００）面と（１０２）面および（１１１）面の面積率を制御する手法を見出した。
【００２６】
　好ましくは、
本発明の太陽電池モジュール用インターコネクタ材は、圧延方向に対して直交する面における（１００）面の面積率が２０〜９０％の銅導体からなる
　圧延方向に対して直交する面における（１００）面の面積率が２０〜９０％の銅導体に規定するのは、圧延方向に対して直交する面における（１００）面の面積率が２０％以下ではヤング率が所望の値まで減少せず、９０％を超えると結晶粒径が粗大になり疲労特性が低下するためである。特に圧延方向に対して直交する面における（１００）面の面積率はヤング率と疲労特性の両立の点から４０〜９０％とすることが好ましく、さらに６０〜９０％とすることが特に好ましい。
【００２７】
　また、好ましくは、本発明の太陽電池モジュール用インターコネクタ材は、０．２％耐力が１５０ＭＰａ以下、ヤング率が１１０ＧＰａ以下である銅平角線である。
　０．２％耐力が１５０ＭＰａ以上では材料強度が高すぎるため半田接続時に反りが発生する不具合があり、特に半田接続時の反りを減少する、との理由から１３０ＭＰａ以下とすることが好ましい。
　ヤング率が１１０ＧＰａ以上では半田接続時の熱応力が高くセルに反りが発生する不具合が生じる。なお、熱応力減少の観点からヤング率は１００ＧＰａ以下、特には９０ＧＰａ以下であることが好ましい。」
（４）「【００４１】
　
本明細書における結晶方位の表示方法は、材料の圧延方向に向いている領域の割合を、その面積率で規定したものである。測定領域内の結晶粒の（１００）面、（１０２）面などの面の法線と圧延方向の二つのベクトルのなす角の角度を計算し、この角度が１０°未満の原子面を有するものとについて面積を合計し、これを全測定面積で除して得た値を（１００）面、（１０２）面と圧延方向のなす角の角度が１０°未満である原子面を有する領域の面積率（％）とした。
　すなわち、本発明において、平角線の圧延方向に向く原子面の集積に関し、（１００）面、（１０２）面などの法線と圧延と圧延方向のなす角の角度が10°未満である原子面を有する領域とは、平角線の圧延方向に向く、理想方位である平角線の圧延方向を法線とする（１００）面、（１０２）面などの面自体と、（１００）面、（１０２）面などの面の法線と圧延方向のなす角度の角度が１０°未満である原子面のそれぞれとを合わせた領域の合計をいう。」
・上記（３）には、「圧延方向に対して直交する面における（１００）面の面積率」について記載されているが、その意味するところは、上記（４）によれば、（１００）面の法線と圧延方向とのなす角度が１０°未満の原子面の面積率であると認められる。ここで、（１００）面の法線の方向は結晶軸＜１００＞の方位であることから、上記（３）における「圧延方向に対して直交する面における（１００）面の面積率」とは、結局、「結晶軸＜１００＞方位が圧延方向に１０°以内の原子面の面積率」と認められる。
　上記記載事項及び図面を総合勘案すると、甲第６号証には、次の技術事項が記載されている。
「銅平角線からなる太陽電池用インターコネクタ材において、使用中に熱サイクルによる繰り返し応力を受けて破断されないようにするため、結晶軸＜１００＞方位が圧延方向に１０°以内の原子面の面積率を２０〜９０％とすること。」
７．甲第７号証（特許第３５３９６３４号公報）
　甲第７号証には、図面とともに以下の各記載がある（なお、下線は当審で付与した。）。
（１）「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高耐圧・高電流のパワ−モジュ−ル等の実装に適した回路基板およびそれに用いる回路搭載用窒化ケイ素質基板（以下、窒化ケイ素基板と称する）に関する。」
（２）「【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決した
本発明の回路搭載用窒化ケイ素基板は、実質的に窒化ケイ素粒子と粒界相とからなる窒化ケイ素焼結体基板において、当該焼結体基板表面における窒化ケイ素粒子と粒界相の合計面積率を100％としたとき、前記窒化ケイ素粒子の面積率が70〜100％であり、表面に露出した窒化ケイ素粒子の最大高さの山頂部と、窒化ケイ素粒子あるいは粒界相の最低高さの谷底部との高低差（Ｌ）が1.5〜15μｍであり、中心線平均粗さ（Ra）が0.2〜5μｍの表面性状を有することを特徴とする
【００１２】
本発明において、
中心線平均粗さ（Ra）が20μｍ超では、窒化ケイ素基板に金属回路板を接合したとき接合界面に局所的にボイドが生成し、未接着面積が多くなり接合強度の著しい低下を招く。一方、中心線平均粗さ（Ra）が0.2μｍ未満では、ボイドの生成を抑制できるが、アンカ−リングによる複合効果が得られないため、やはり充分な接合強度が得られない。従って、窒化ケイ素基板の表面性状に関し、中心線平均粗さ（Ra）は0.2〜20μｍが望ましい。特に実施例に示すように0.2〜5μｍが望ましい
また、本発明の窒化ケイ素基板は、実質的に窒化ケイ素粒子と粒界相とからなる窒化ケイ素焼結体からなり、基板表面における前記窒化ケイ素粒子及び前記粒界相の合計面積率を100％として、前記窒化ケイ素粒子の
面積率が70〜100％であるのが好ましい。この条件を満たす窒化ケイ素基板は、優れた耐熱衝撃性及び耐熱疲労信頼性を有する
【００１３】
また、基板表面に露出した窒化ケイ素粒子の最大高さの山頂部と、窒化ケイ素粒子又は粒界相の最低高さの谷底部との
高低差（Ｌ）が1〜40μｍであるのが好ましい。高低差（Ｌ）が40μｍ超では窒化ケイ素基板と金属回路板との接合界面に局所的にボイドが生成し、未接着面積が多くなり接合強度の低下を生じる。また1μｍ未満ではボイドの生成を抑制できるが、アンカ−リングによる複合効果が得られないため、やはり充分な接合強度が得られない。特に実施例に示すように1.5〜15μｍが望ましい。
【００１４】
本発明の
回路基板は、高強度・高熱伝導性窒化珪素焼結体からなる基板の少なくとも一面に金属回路板を接合してなる。金属回路板としてはＡｌあるいはＣｕを接合してなるものが好ましく
（３）「【００１６】
銅又はアルミニウム等の金属板を窒化ケイ素基板に接合するには、ろう付け法が好ましい
　上記記載事項及び図面を総合勘案すると、甲第７号証には、次の技術事項が記載されている。
「窒化ケイ素基板の少なくとも一面に、銅からなる金属回路板をろう付け法で接合した回路基板において、窒化ケイ素基板は、実質的に窒化ケイ素粒子と粒界相とからなる窒化ケイ素焼結体基板において、当該焼結体基板表面における窒化ケイ素粒子と粒界相の合計面積率を100％としたとき、前記窒化ケイ素粒子の面積率が70〜100％であり、表面に露出した窒化ケイ素粒子の最大高さの山頂部と、窒化ケイ素粒子あるいは粒界相の最低高さの谷底部との高低差（Ｌ）が1.5〜15μｍであり、中心線平均粗さ（Ra）が0.2〜5μｍの表面性状を有すること、優れた耐熱衝撃性、耐疲労信頼性を得るとともに、接合界面にボイドが生成するのを抑制しつつアンカーリングによる複合効果を得ること。」
８．甲第８号証（特開２０１４−９００４８号公報）
　甲第８号証には、「パワーモジュール用基板」及び「パワーモジュール用基板の製造方法」について、図面とともに以下の各記載がある（なお、下線は当審で付与した。）。
（１）「【０００１】
　
本発明は、セラミック基板の両主面の内の一方の主面に島状のパターンからなる表銅板、他方の主面にベタ状のパターンからなる裏銅板を直接接合法や、活性金属ろう材接合法で接合して設けるパワーモジュール用基板に関する
（２）「【００１３】
　続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明を具体化した実施の形態について説明し、本発明の理解に供する。
　図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、
本発明の一実施の形態に係るパワーモジュール用基板１０は、焼成済の所定寸法からなる平板状のセラミック基板１１の一方の主面である上面側にそれぞれパターンが形成された表銅板１２と、セラミック基板１１の他方の主面である下面側にベタ状態のパターンからなる裏銅板１３を有している。
【００１４】
　なお、
上記の直接接合での接合方法とは、予め表面を酸化させた表銅板１２や、裏銅板１３用の銅板をセラミック基板１１の表面に当接させ、窒素雰囲気中で酸化銅の融点（１０８３℃）以下、銅と酸化銅の共晶温度（１０６５℃）以上の温度で加熱して銅と微量の酸素との反応により生成するＣｕ−Ｏ共晶液相を結合剤として直接セラミック基板１１に接合する方法である。
（３）「【００２６】
　
上記のパワーモジュール用基板１０、１０ａ用のセラミック基板１１、１１ａには、通常、酸化アルミニウム（Ａｌ
２
Ｏ
３
）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、又はジルコニア入り酸化アルミニウム等のセラミックが用いられ
　上記記載事項及び図面を総合勘案すると、甲第８号証には、以下の発明が記載されている。
「セラミックス基板１１の両主面のうちの一方の主面に島状のパターンが形成された表銅板１２と、他方の主面にベタ状のパターンからなる裏銅板１３を接合して設けたパワーモジュール用基板において、表銅板１２及び裏銅板１３用の予め表面を酸化させた銅板をセラミック基板１１の表面に当接させ、窒素雰囲気中で酸化銅の融点（１０８３℃）以下、銅と酸化銅の共晶温度（１０６５℃）以上の温度で加熱して銅と微量の酸素との反応により生成するＣｕ−Ｏ共晶液相を結合剤として直接セラミック基板１１に接合したパワーモジュール用基板。」（以下、「甲８発明１」という。）
「セラミック基板１１の両主面の内の一方の主面である上面側にそれぞれパターンが形成された表銅板１２、他方の主面である下面側にベタ状態のパターンからなる裏銅板１３を接合して設けるパワーモジュール用基板の製造方法において、
セラミック基板１１には、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、又はジルコニア入り酸化アルミニウム等のセラミックが用いられ、
表銅板１２や、裏銅板１３用の銅板をセラミック基板１１の表面に当接させ、窒素雰囲気中で酸化銅の融点（１０８３℃）以下、銅と酸化銅の共晶温度（１０６５℃）以上の温度で加熱して銅と微量の酸素との反応により生成するＣｕ−Ｏ共晶液相を結合剤として直接セラミック基板１１に接合する方法。」（以下、「甲８発明２」という。）
　また、上記記載事項及び図面を総合勘案すると、甲第８号証には、以下の技術事項が記載されている。
「セラミックス基板１１の両主面のうちの一方の主面に島状のパターンが形成された表銅板１２と、他方の主面にベタ状のパターンからなる裏銅板１３を接合して設けたパワーモジュール用基板において、表銅板１２及び裏銅板１３用の予め表面を酸化させた銅板をセラミック基板１１の表面に当接させ、窒素雰囲気中で酸化銅の融点（１０８３℃）以下、銅と酸化銅の共晶温度（１０６５℃）以上の温度で加熱して銅と微量の酸素との反応により生成するＣｕ−Ｏ共晶液相を結合剤として直接セラミック基板１１に接合したこと。」
第５　当審の判断
１．申立理由１（サポート要件）について
　特許異議申立人は、本件発明１ないし７に関して、次のような記載不備（１）（２）を主張している。
（１）セラミック板と銅板との接合方法について、本件特許明細書の段落【００５９】には「活性金属法」及び「直接接合法」を用いることが記載されてはいるが、「直接接合法」では１０００℃以上の温度を要するのに対し、「活性金属法」では甲第１号証及び甲第２号証に記載されているように１０００℃未満で足り、かつ、「銅張セラミックス回路基板の昇降温によるセラミックスと銅の熱膨張係数の差に起因する熱歪みに対して、銅とセラミックスの接合界面やセラミックスに加わる熱応力を小さくすることが出来、銅張セラミックス回路基板の銅とセラミックスの接合界面の剥離、セラミックス板の破壊を防ぐことが可能になる」という本件発明１ないし６の効果は接合温度に大きく左右されるから、実施例として「直接接合法」によって接合されたものしか記載されていない以上、本件特許明細書には「直接接合法」を用いた銅張セラミックス回路基板およびその製造方法において上記効果を奏することしか記載されているとはいえない。
　しかるところ、本件発明１ないし６は、「直接接合法」を用いて接合された点が特定されていないから、発明の詳細な説明に記載したものでない。
（２）セラミック板の材料について、本件特許明細書には「ジルコニア入りアルミナセラミックス板」および「アルミナ板」を使用した実施例しか記載されていないところ、甲第３号証の［表１］において、基板の割れの発生率が比較例１（Ａｌ2 Ｏ3 ）、比較例２（ＡｌＮ）、比較例３（ＢｅＯ）よりも実施例１〜５（Ｓｉ３Ｎ４）の方が低いことからも明らかなように、本件発明１ないし７における「銅張セラミックス回路基板の昇降温によるセラミックスと銅の熱膨張係数の差に起因する熱歪みに対して、銅とセラミックスの接合界面やセラミックスに加わる熱応力を小さくすることが出来、銅張セラミックス回路基板の銅とセラミックスの接合界面の剥離、セラミックス板の破壊を防ぐことが可能になる」という効果は、セラミックス板の材料によって大きく異なるから、本件特許明細書にはジルコニア入りアルミナセラミックス板およびアルミナ板を用いた銅張セラミックス回路基板およびその製造方法において上記効果を奏することしか記載されているとはいえない。
　しかるところ、本件発明１ないし７は、セラミック板が「ジルコニア入りアルミナセラミックス板」又は「アルミナ板」である点が特定されていないから、発明の詳細な説明に記載したものでない。
　しかしながら、本件特許明細書の段落【００３６】−【００４０】から把握できるように、本件発明１ないし７は、銅板における銅の結晶軸の方向を制御することによって、一般的な多結晶銅板に比較して結晶粒径を大きくできるため、金属学で良く知られている金属の降伏強度は結晶粒の大きさと負の相関にあるとしたホールペッチ則にしたがって、銅板が軟質にふるまうこと、及び、結晶学的な方位関係で、降伏応力が高い方位が少なくなるので、銅板板面内のあらゆる方向に軟質にふるまうことを課題解決原理として利用するものである。
　このため、「銅張セラミックス回路基板の昇降温によるセラミックスと銅の熱膨張係数の差に起因する熱歪みに対して、銅とセラミックスの接合界面やセラミックスに加わる熱応力を小さくすることが出来、銅張セラミックス回路基板の銅とセラミックスの接合界面の剥離、セラミックス板の破壊を防ぐことが可能になる」という効果を奏するのは、昇降温を生じる原因がセラミックスと銅の接合時の温度を原因とする場合に限られないことは明らかであり、例えば、使用温度によるものであっても上記効果を奏すると認められる。さらに、活性金属法によってセラミックスと銅の接合を行うとしても、接合時の温度は甲第１号証又は甲第２号証によれば７００℃以上なのであるから、接合による昇降温は発生するのであり、活性金属法を利用するとしても上記効果を奏すると認められる。また、本件明細書の段落【００１３】に記載されているように、活性金属法による金属ろう接合層が熱応力の緩衝層として機能する場合においても、本件の課題解決手段が有用であることは、上記課題解決原理に照らして明らかである。
　そして、発明の効果の大小が具体的な実施態様に依存して変化するのは当然のことであり、発明の範囲に、発明の効果が実施例に比べて相対的に小さい実施態様が含まれるとしても、発明の詳細な説明に記載した範囲を超えて特許を請求することにならないのはいうまでもない。
　したがって、たとえ本件特許明細書において、セラミックスと銅の接合について直接接合法による実施例しか記載されておらず、本件発明１ないし７が、直接接合法以外の方法で接合されたものを含んでいたとしても、発明の詳細な説明の範囲に記載した範囲を超えて特許を請求することにはならない。
　よって、上記（１）の主張については採用できない。
　また、上記課題解決原理は、銅板の軟化を利用するものであるから、セラミックス基板が何であっても、程度の差こそあれ、上記効果を奏するのは明らかである。
　したがって、たとえ本件特許明細書において、セラミックス板として、ジルコニア入りアルミナセラミックス板及びアルミナ板を用いる実施例しか記載されておらず、本件発明１ないし７が、それ以外のセラミックス板による発明を含んでいたとしても、発明の詳細な説明の範囲に記載した範囲を超えて特許を請求することにはならない。
　よって、上記（２）の主張についても採用できない。
　以上の通りであるから、特許異議申立人の上記申立に係る主張は採用することができない。
　よって、本件発明１ないし７に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものであるということはできない。
２．申立理由２（進歩性）について
２−１．本件発明１について
（１）対比判断
　本件発明１と甲４発明１とを対比すると、
（ア）甲４発明１の「セラミックス基板１０」は、本件発明１の「セラミックス板」に相当する。
（イ）甲４発明１のセラミックス基板１０の両面には「無酸素銅板」が接合されており、甲４発明１の「回路パターン」は無酸素銅板からなるものであるから、甲４発明１の「金属接合セラミックス基板」と本件発明１の「銅張セラミックス回路基板」とは、「セラミックス板の片面又は両面に銅板が接合されており、かつ前記銅板の少なくとも一部が銅回路を備えている」点で共通する。
（ウ）甲４発明１の「金属接合セラミックス基板」は、回路パターンが１４が形成されているから「回路基板」ということができ、また、セラミックス基板１０に無酸素銅板が接合、すなわち銅張されてなるものであることから、本件発明１の「銅張セラミックス回路基板」に相当する。
　したがって、本件発明１と甲４発明１とは、
「セラミックス板の片面又は両面に銅板が接合されており、かつ前記銅板の少なくとも一部が銅回路を備えている銅張セラミックス回路基板。」
である点で一致し、次の点で相違する。
［相違点１］
　本件発明１では、前記銅回路を備えている前記銅板は、「結晶軸＜１００＞を主方位とし、かつ銅の結晶軸＜１００＞が前記銅板の法線方向に方位差１５°以内でありかつ前記銅板の面内特定方向に１５°以内である＜１００＞優先配向領域を備え、かつ前記銅板の任意の断面における前記＜１００＞優先配向領域の面積率が８０％以上１００％以下の配向銅板である」旨特定するのに対し、甲４発明１では、そのような特定がされていない点。
　そこで、相違点１について検討する。
（ａ）甲第５号証には、半導体線実装用のインターコネクターにおいて、銅などの面心立方金属からなる芯材と対向してはんだ接続される半導体にかかる熱応力を小さくして、接続界面、半導体の破壊を抑制するために、芯材の長手方向に対して＜１００＞方位から±１０°以内の角度を有する方位をなす領域が面積比で７５％以上を占める強い集合組織を形成する技術事項が記載されている。
　しかし、甲第５号証に記載された技術事項は、芯材の長手方向という１つの方向に対して＜１００＞方位から±１０°以内の角度を有する方位をなす領域を面積比で７５％以上を占めるだけであって、上記相違点１に係る構成のように、銅板の法線方向及び銅板の面内特定方向の２つの方向に対して結晶軸＜１００＞の方位を揃えるようにするものではない。
　したがって、甲４発明１に対して甲第５号証に記載された技術事項を適用したとしても、上記相違点１に係る構成を導き出すことはできない。
（ｂ）甲第６号証には、銅平角線からなる太陽電池用インターコネクタ材において、使用中に熱サイクルによる繰り返し応力を受けて破断されないようにするため、結晶軸＜１００＞方位が圧延方向に１０°以内の原子面の面積率を２０〜９０％とする技術事項が記載されている。
　しかし、甲第６号証に記載された技術事項は、圧延方向という１つの方向に対して＜１００＞配向した原子面の面積率を２０〜９０％とするだけであって、上記相違点１に係る構成のように、銅板の法線方向及び銅板の面内特定方向の２つの方向に対して結晶軸＜１００＞の方位を揃えるようにするものではない。
　したがって、甲４発明１に対して甲第６号証に記載された技術事項を適用したとしても、上記相違点１に係る構成を導き出すことはできない。
（ｃ）甲第７号証には、窒化ケイ素基板の少なくとも一面に、銅からなる金属回路板をろう付け法で接合した回路基板において、窒化ケイ素基板は、実質的に窒化ケイ素粒子と粒界相とからなる窒化ケイ素焼結体基板において、当該焼結体基板表面における窒化ケイ素粒子と粒界相の合計面積率を100％としたとき、前記窒化ケイ素粒子の面積率が70〜100％であり、表面に露出した窒化ケイ素粒子の最大高さの山頂部と、窒化ケイ素粒子あるいは粒界相の最低高さの谷底部との高低差（Ｌ）が1.5〜15μｍであり、中心線平均粗さ（Ra）が0.2〜5μｍの表面性状を有すること、優れた耐熱衝撃性、耐疲労信頼性を得るとともに、接合界面にボイドが生成するのを抑制しつつアンカーリングによる複合効果を得る技術事項が記載されている。
　しかし、甲第７号証に記載された技術事項は、銅板において、結晶軸＜１００＞を主方位とし、かつ銅の結晶軸＜１００＞が前記銅板の法線方向に方位差１５°以内でありかつ前記銅板の面内特定方向に１５°以内である＜１００＞優先配向領域を備え、かつ前記銅板の任意の断面における前記＜１００＞優先配向領域の面積率が８０％以上１００％以下であるようにするものではない。
　したがって、甲４発明１に、甲第７号証に記載された技術事項を適用したとしても、上記相違点１に係る構成を導き出すことはできない。
（ｄ）甲第８号証には、セラミックス基板１１の両主面のうちの一方の主面に島状のパターンが形成された表銅板１２と、他方の主面にベタ状のパターンからなる裏銅板１３を接合して設けたパワーモジュール用基板において、表銅板１２及び裏銅板１３用の予め表面を酸化させた銅板をセラミック基板１１の表面に当接させ、窒素雰囲気中で酸化銅の融点（１０８３℃）以下、銅と酸化銅の共晶温度（１０６５℃）以上の温度で加熱して銅と微量の酸素との反応により生成するＣｕ−Ｏ共晶液相を結合剤として直接セラミック基板１１に接合した技術事項が記載されている。
　しかし、甲第８号証に記載された技術事項は、銅板において、結晶軸＜１００＞を主方位とし、かつ銅の結晶軸＜１００＞が前記銅板の法線方向に方位差１５°以内でありかつ前記銅板の面内特定方向に１５°以内である＜１００＞優先配向領域を備え、かつ前記銅板の任意の断面における前記＜１００＞優先配向領域の面積率が８０％以上１００％以下であるようにするものではない。
　したがって、甲４発明１に、甲第８号証に記載された技術事項を適用したとしても、上記相違点１に係る構成を導き出すことはできない。
　以上のことから、本件発明１における上記相違点１に係る構成は、甲第４号証ないし甲第８号証のいずれからも導き出すことはできない。
　よって、本件発明１は、甲４発明１及び甲第５号証ないし甲第８号証に記載の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
（２）特許異議申立人の主張について
　特許異議申立人は、上記相違点１に関し、本件特許明細書の段落【００５８】、【００６７】を参酌すれば、本件発明１の「銅板」は「銅板を圧延し、焼鈍を行い、その後冷間圧延を行う」ことで製造されるものであり、この点、甲第４号証に記載された発明と共通することから、上記相違点１に係る構成を具備することが当業者であれば容易に想到し得たと主張する。
　しかしながら、「銅板を圧延し、焼鈍を行い、その後冷間圧延を行う」にしても、その具体的条件には極めて多くの組合せが存在する。そして、本件特許明細書の段落【００５８】にも説明されているように、上記相違点１に係る構成を有する配向銅板を得るには条件制御した特殊な圧延加工と熱処理が必要である。すなわち、上記相違点１に係る構成を有する銅張セラミックス回路基板を得ることを意図しなければ、相違点１に係る構成を有する銅張セラミックス回路基板を得ることはできない。
　したがって、甲第４号証に記載された発明は、上記相違点１に係る構成を具備しているとは認められないし、上記相違点１に係る構成は、甲第４号証に記載された発明に基づいて容易になし得たものということはできない。
　よって、特許異議申立人の主張を採用することはできない。
　また、特許異議申立人は、甲第４号証における銅回路を備えている銅板が上記相違点１に係る構成を具備していると認められない場合であっても、上記相違点１に係る構成は甲第５号証または甲第６号証に記載されている周知技術であり、甲第４号証に記載された発明に甲第５号証や甲第６号証に記載された周知の技術事項を適用することで、上記相違点１に係る構成は容易に想到し得たと主張している。
　具体的には、甲第５号証の段落【００１９】には「＜１００＞方位から±１０°以内の角度を有する方位をなす領域が面積比で７５％以上を占める強い集合組織」が記載され、また、甲第６号証の段落【００２８】には「本発明の太陽電池用インターコネクタ材は、圧延方向に対して直交する面における（１００）面と（１０２）面の合計の面積率が１５〜９５％、である」構成が記載され、これらが本件発明１と同様の組織であること、甲第５号証の段落【００３１】には「銅板を加工し、焼鈍を行い、その後冷間圧延を行う」製造方法が記載され、また、甲第６号証の段落【００３４】−【００３６】には「銅板を圧延し、焼鈍を行い、その後冷間圧延を行う」製造方法が記載され、これらは本件特許明細書の段落【００５８】、【００６７】の記載された銅板の製造方法と同様であること、さらに、甲第５号証の段落【０００５】、【０００８】、【００１３】、【００１７】及び甲第６号証の段落【０００８】−【０００９】には、「基板と銅板との接合界面に加わる熱応力を小さくして破壊を防ぐ」という、本件発明１と同一の課題が記載されていることから、甲第４号証に甲第５号証や甲第６号証を適用して本件発明１を構成することは当業者が容易に想到し得たと主張している。
　しかしながら、甲第５号証又は甲第６号証に記載のものは、上記２−１（１）（ａ）及び（ｂ）でも説明した通り、二つの方向に対して結晶軸＜１００＞の方位を揃えるものではないから、相違点１に係る構成とは異なる。また、製造方法が類似しているからといって同じ物が製造されるとは限らないことは上述した通りである。
　そうすると、上記相違点１に係る構成は甲第５号証にも甲第６号証にも記載されていないから、特許異議申立人の主張は採用できない。
２−２．本件発明４について
（１）対比判断
　本件発明４と甲８発明１とを対比すると、
（ア）甲８発明１の「セラミックス基板１１」は、本件発明４の「セラミックス板」に相当する。
（イ）甲８発明１の「パワーモジュール用基板」は、セラミックス基板１１の両主面のうち一方の主面にパターンが形成された表銅板１２を、他方の主面に裏銅板１３を接合しているから、本件発明４の「セラミックス板の片面又は両面に銅板が接合されており、かつ前記銅板の少なくとも一部が銅回路を備えている銅張回路基板」に相当する。
（ウ）甲８発明１の表銅板１２及び裏銅板１３は、表面を酸化させた銅板をセラミック基板１１の表面に当接させ、銅と微量の酸素との反応により生成するＣｕ−Ｏ共晶液相を結合材として直接セラミック基板１１に接合したものであるから、表銅板１２及び裏銅板１３とセラミック基板１１との接合界面には、Ｃｕ相とＣｕ２Ｏ相との共晶体が形成され、Ｃｕ相が直接セラミックス基板１１に接合されている部分と、Ｃｕ２Ｏ相を介してセラミック基板１１に接合される部分とを有するものと解され、本件発明４と同様に「接合界面は、銅板が、直接又はＣｕ２Ｏ相を介して、セラミクス板を構成する酸化物に接合されている部分を有している」と認められる。
　したがって、本件発明４と甲８発明１とは、
「セラミックス板の片面又は両面に銅板が接合されており、かつ前記銅板の少なくとも一部が銅回路を備えている銅張セラミックス回路基板において、
　銅張セラミックス回路基板の接合界面は、銅板が、直接又はＣｕ２Ｏ相を介して、セラミクス板を構成する酸化物に接合されている部分を有している銅張セラミックス回路基板。」
である点で一致し、次の点で相違する。
［相違点２］
　本件発明４では、前記銅回路を備えている前記銅板は、「結晶軸＜１００＞を主方位とし、かつ銅の結晶軸＜１００＞が前記銅板の法線方向に方位差１５°以内でありかつ前記銅板の面内特定方向に１５°以内である＜１００＞優先配向領域の面積率が８０％以上１００％以下の配向銅板である」旨特定するのに対し、甲８発明１では、そのような特定がされていない点。
［相違点３］
　直接又はＣｕ２Ｏ相を介してセラミクス板を構成する酸化物に接合されている部分について、本件発明４では配向銅板の（１００）である旨特定するが、甲８発明１では、そのような特定がされていない点。
［相違点４］
　本件発明４では、Ｃｕ２Ｏ相の厚さが１μｍ以下である旨特定しているが、甲８発明１にはその旨特定されていない点。
　そこで、相違点２について検討する。
　相違点２に係る構成は、「銅板の任意の断面において」＜１００＞優先配向領域の面積率が８０％以上１００％以下であるとは限らない点で上記相違点１に係る構成と異なるが、その余の点で上記相違点１に係る構成と共通するものである。
　そして、上記２−１（１）（ａ）ないし（ｃ）で相違点１に対して示した判断は、相違点２に対しても当てはまるものである。
　また、甲第４号証には、セラミックス基板１０の両面に接合された無酸素銅板からなる回路パターン１４が形成された金属接合セラミックス基板において、無酸素銅板の表面をＸ線回折装置で分析したときのＸ線回折積分強度比をＩ（２２０）／Ｉ（２００）≦０．５とした技術事項が記載されているが、当該技術事項は、銅板において、結晶軸＜１００＞を主方位とし、かつ銅の結晶軸＜１００＞が前記銅板の法線方向に方位差１５°以内でありかつ前記銅板の面内特定方向に１５°以内である＜１００＞優先配向領域の面積率が８０％以上１００％以下であるようにするものではないから、甲８発明１に、甲第４号証に記載された技術事項を適用したとしても、上記相違点２に係る構成を導き出すことはできない。
　以上のことから、本件発明４における上記相違点２に係る構成は、甲第４号証ないし甲第８号証のいずれからも導き出すことはできない。
　よって、相違点３，４については検討するまでもなく、本件発明４は、甲８発明１及び甲第４号証ないし甲第７号証に記載の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
（２）特許異議申立人の主張について
　特許異議申立人は、本件特許明細書の段落【００５８】及び【００６７】に記載された銅板の製造方法が甲第４号証ないし甲第６号証に実質的に記載されていることから、甲第８号証に記載された発明において、上記相違点２に係る構成を具備することは容易に想到し得た旨主張している。
　しかしながら、甲第４号証ないし甲第６号証に記載された製造方法は、本件特許明細書の段落【００５８】及び【００６７】に記載された製造方法と全く同じという訳ではないから、甲第４号証ないし甲第６号証に記載した製造方法によって銅板を製造したとしても上記相違点２に係る構成が得られるとは認められない。
　よって、特許異議申立人の主張は採用できない。
２−３．本件発明２、３及び５について
　請求項２、３及び５は、請求項１又は４に従属する請求項であり、本件発明２、３及び５は、本件発明１又は４の発明特定事項をすべて含みさらに他の発明特定事項を追加して限定したものであるから、本件発明１又は４が、上記２−１及び２−２の通り、当業者にとって容易に発明をすることができたものでない以上、本件発明２、３及び５についても当業者が容易に発明をすることができたものではない。
２−４．本件発明６について
（１）対比判断
　本件発明６と甲４発明２とを対比すると、
（ア）甲４発明２の「無酸素銅板」は、本件発明６の「銅板」に相当する。
（イ）甲４発明２の「セラミックス基板」は、本件発明６の「セラミックス板」に相当する。
（ウ）甲４発明２において「セラミックス基板１０の両面に無酸素銅板１４を接合する」ことは、本件発明６において「銅板を、セラミックス板の片面又は両面に接合」することに相当する。
（エ）甲４発明２の「無酸素銅板からなる回路パターン１３」は、本件発明６の「銅回路」に相当し、甲４発明２において「エッチング液により無酸素銅板１４の不要部分を除去することにより、セラミックス基板１０の両面には無酸素銅板からなる回路パターン１３を形成する」ことは、本件発明６において「銅板にエッチング処理により銅回路を形成する」ことに相当する。
（オ）甲４発明２において、「エッチング液により無酸素銅板１４の不要部分を除去することにより、セラミックス基板１０の両面には無酸素銅板からなる回路パターン１３を形成する」ことは、「セラミックス基板１０の両面に無酸素銅板１４を接合する」ことよりも後に行われている。
　したがって、本件発明６と甲４発明２とは、
「銅板を、セラミックス板の片面又は両面に接合した後に、銅板にエッチング処理により銅回路を形成する銅張セラミックス回路基板の製造方法」
である点で一致し、次の点で相違する。
［相違点５］
　本件発明６では、銅板が「結晶軸＜１００＞を主方位とし、かつ銅の結晶軸＜１００＞が銅板の法線方向に方位差１５°以内でありかつ前記銅板の面内特定方向に１５°以内である＜１００＞優先配向領域を備え、かつ前記銅板の任意の断面における前記＜１００＞優先配向領域の面積率が８０％以上１００％以下である配向銅板」である旨特定されているのに対し、甲４発明２ではその旨特定されていない点。
　そこで、相違点５について検討する。
　相違点５に係る構成は、相違点１に係る構成と実質的に同じものであり。上記２−１（１）（ａ）ないし（ｄ）で相違点１に対して示した判断は、相違点５に対しても当てはまるものである。
　以上のことから、本件発明６における上記相違点５に係る構成は、甲第４号証ないし甲第８号証のいずれからも導き出すことはできない。
　よって、本件発明６は、甲４発明２及び甲第５号証ないし甲第８号証に記載の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
（２）特許異議申立人の主張について
　特許異議申立人は、本件特許明細書の段落【００５８】及び【００６７】に記載された銅板の製造方法が甲第４号証ないし甲第６号証に実質的に記載されていることから、上記相違点５に係る構成を具備することは容易に想到し得た旨主張している。
　しかしながら、甲第４号証ないし甲第６号証に記載された製造方法は、本件特許明細書の段落【００５８】及び【００６７】に記載された製造方法と全く同じという訳ではないから、甲第４号証ないし甲第６号証に記載した製造方法によって銅板を製造したとしても上記相違点５に係る構成が得られるとは認められない。
　よって、特許異議申立人の主張は採用できない。
２−６．本件発明７について
（１）対比判断
　本件発明７と甲８発明２とを対比すると、
（ア）甲８発明２の「セラミック基板」は、本件発明７の「セラミックス板」に相当する。
（イ）甲８発明２の「表銅板１２」及び「裏銅板１３」は、本件発明７の「銅板」に相当する。
（ウ）甲８発明２において「表銅板１２や、裏銅板１３用の銅板をセラミック基板１１の表面に当接させ、窒素雰囲気中で酸化銅の融点（１０８３℃）以下、銅と酸化銅の共晶温度（１０６５℃）以上の温度で加熱して銅と微量の酸素との反応により生成するＣｕ−Ｏ共晶液相を結合剤として直接セラミック基板１１に接合する」ことは、接合するにあたり、冷却して共晶体を生成させることは自明であるから、本件発明７において「セラミックス板の片面又は両面に銅板の銅板面を対向させて接触させた状態で、かつ１０６５℃から１０８３℃の範囲内にまで温度を上昇させることで、前記銅板と前記セラミックス板との界面にＣｕ−Ｃｕ２Ｏ共晶体を生成させる熱処理工程」と、「熱処理済の前記セラミックス板と前記銅板とを冷却してこれらを接合させる接合工程」とを備えることに相当する。
　ただし、熱処理工程について、本件発明７においては酸素を含有しているガス中においてなされる旨、及び、銅板を配向銅板に変換する旨特定されているのに対し、甲８発明２ではその旨特定されていない点で相違する。
（エ）甲８発明２の「無酸素銅板からなる回路パターン１３」は、本件発明６の「銅回路」に相当し、甲８発明２において「エッチング液により無酸素銅板１４の不要部分を除去することにより、セラミックス基板１０の両面には無酸素銅板からなる回路パターン１３を形成する」ことは、本件発明６において「銅板にエッチング処理により銅回路を形成する銅回路形成工程」を備えることに相当する。
（オ）甲８発明２の「窒化アルミニウム」、「酸化アルミニウム」は、それぞれ、本件発明７の「窒化ケイ素又は窒化アルミニウムからなる窒化物セラミックス」、「酸化物セラミックス」に相当する。
　ただし、窒化ケイ素又は窒化アルミニウムからなる窒化物セラミックス、又は、酸化物セラミックスについて、本件発明７は、ケイ素、マグネシウム、希土類元素から選択される少なくとも１の成分を５質量％以下含有している旨特定するのに対し、甲８発明２ではその旨特定されていない点で相違する。
　したがって、本件発明７と甲８発明２とは、
「セラミックス板の片面又は両面に銅板の銅板面を対向させて接触させた状態で、かつ１０６５℃から１０８３℃の範囲内にまで温度を上昇させることで、前記銅板と前記セラミックス板との界面にＣｕ−Ｃｕ２Ｏ共晶体を生成させる熱処理工程と、
　熱処理済の前記セラミックス板と前記銅板とを冷却してこれらを接合させる接合工程と、
　前記銅板に銅回路を形成する銅回路形成工程と、を備え、
　前記セラミックス板は、窒化ケイ素又は窒化アルミニウムからなる窒化物セラミックス、又は、酸化物セラミックスである、
　銅張セラミックス回路基板の製造方法。」
である点で一致し、次の点で相違する。
［相違点６］
　本件発明７では、銅板が「配向銅板」であり、かつ、「結晶軸＜１００＞を主方位とし、かつ銅の結晶軸＜１００＞が前記銅板の法線方向に方位差１５°以内でありかつ前記銅板の面内特定方向に１５°以内である＜１００＞優先配向領域の面積率が８０％以上１００％以下である」である旨特定されているのに対し、甲８発明２ではその旨特定されていない点。
［相違点７］
　銅回路形成工程における銅回路の形成について、本件発明７ではエッチング処理により行われる旨特定されているのに対し、甲８発明２においてはその旨特定されていない点。
［相違点８］
　熱処理工程について、本件発明７においては酸素を含有しているガス中においてなされる旨、及び、銅板を配向銅板に変換する旨特定されているのに対し、甲８発明２ではその旨特定されていない点。、
［相違点９］
　窒化ケイ素又は窒化アルミニウムからなる窒化物セラミックス、又は、酸化物セラミックスについて、本件発明７は、ケイ素、マグネシウム、希土類元素から選択される少なくとも１の成分を５質量％以下含有している旨特定するのに対し、甲８発明２ではその旨特定されていない点。
　そこで、相違点６について検討する。
　相違点６に係る構成は、「銅板の任意の断面において」＜１００＞優先配向領域の面積率が８０％以上１００％以下であるとは限らない点で上記相違点１に係る構成と異なるが、その余の点で上記相違点１に係る構成と共通するものである。
　そして、上記２−１（１）（ａ）ないし（ｃ）で相違点１に対して示した判断は、相違点６に対しても当てはまるものである。
　また、甲第４号証には、セラミックス基板１０の両面に接合された無酸素銅板からなる回路パターン１４が形成された金属接合セラミックス基板において、無酸素銅板の表面をＸ線回折装置で分析したときのＸ線回折積分強度比をＩ（２２０）／Ｉ（２００）≦０．５とした技術事項が記載されているが、当該技術事項は、銅板において、結晶軸＜１００＞を主方位とし、かつ銅の結晶軸＜１００＞が前記銅板の法線方向に方位差１５°以内でありかつ前記銅板の面内特定方向に１５°以内である＜１００＞優先配向領域の面積率が８０％以上１００％以下であるようにするものではないから、甲８発明２に、甲第４号証に記載された技術事項を適用したとしても、上記相違点６に係る構成を導き出すことはできない。
　以上のことから、本件発明７における上記相違点６に係る構成は、甲第４号証ないし甲第８号証のいずれからも導き出すことはできない。
　よって、相違点７ないし９については検討するまでもなく、本件発明７は、甲８発明２及び甲第４号証ないし甲第７号証に記載の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
（２）特許異議申立人の主張について
　特許異議申立人は、本件特許明細書の段落【００５８】及び【００６７】に記載された銅板の製造方法が甲第４号証ないし甲第６号証に実質的に記載されていることから、上記相違点６に係る構成を具備することは容易に想到し得た旨主張している。
　しかしながら、甲第４号証ないし甲第６号証に記載された製造方法は、本件特許明細書の段落【００５８】及び【００６７】に記載された製造方法と全く同じという訳ではないから、甲第４号証ないし甲第６号証に記載した製造方法によって銅板を製造したとしても上記相違点２に係る構成が得られるとは認められない。
　よって、特許異議申立人の主張は採用できない。
３．まとめ 
　以上のとおり、本件発明１ないし７は、甲第４号証ないし甲第８号証に記載された発明又は技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえず、したがって、本件の請求項１ないし７に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるということはできない。 
第６　むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、請求項１ないし７に係る特許を取り消すことはできない。　
　また、他に請求項１ないし７に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和１年７月１０日（２０１９．７．１０）