【事件の表示】
　平成１年特許願第１２３１２０号「半導体集積回路」拒絶査定に対する審判事件（平成２年１２月１４日出願公開、特開平２−３０２０７４）について、次のとおり審決する。
【結論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理由】
（出願の経緯・発明の要旨）
　本願は、平成１年５月１６日に出願されたものであって、その発明の要旨は、平成１年７月３１日付、平成８年３月２２日付、平成９年６月２０日付及び平成９年１１月２７日付手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載よりみて、その特許請求の範囲請求項１、２、３及び４に記載されたとおりの「半導体集積回路」にあるものと認められるところ、その請求項３記載の発明（以下、第３発明という。）は下記のとおりである。
　「電源電位に電気的に接続されたＮ型の半導体基板と、
　この半導体基板の表面に形成され接地電位とされる接地用配線と、
　上記半導体基板の表面上に、上記接地用配線と近接し、かつ、並行に形成され、電源電位が印加される電源用配線と、
　上記接地用配線の下層にて形成されると共に、上記半導体基板の表面に対し垂直方向に見て上記接地用配線と少なくとも重なり部分を有し、かつ、上記半導体基板の表面上に誘電体層を介して形成され、上記接地用配線と電気的に接続されてバイパスコンデンサの一方の電極となる導電体層と、
　上記半導体基板の表面上に、上記導電体層と上記誘電体層を介して対向して形成された上記半導体基板の濃度より高濃度のＮ型の拡散領域とを備え、さらにこのＮ型の拡散領域は連続した同一領域内で上記バイパスコンデンサの他方の電極と、上記半導体基板の表面に対し垂直方向に見て上記電源用配線と少なくとも重なり部分を有し、かつ、この重なり部分における上記電源用配線の長手方向に沿った複数箇所にて上記電源用配線に電気的に接続される電源接続部とを備えた半導体集積回路。」
（引用例）
　原審における拒絶の理由において引用された特開昭６０−１６１６５５号公報（以下「引用例１」という。）には、「〔発明の概要〕本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。すなわち、ノイズ防止用のバイパスコンデンサの一部もしくは全体を半導体回路装置に形成することにより、プリント回路基板などに実装されて使用される半導体集積回路装置の耐ノイズ性能を確実に強化することができ、また半導体集積回路装置と共に実装されていたバイパスコンデンサを省略あるいは削除することもできるようにする、という目的を達成するものである。〔実施例〕以下、この発明の代表的な実施例を図面を参照しながら説明する。なお、図面において同一あるいは相当する部分は同一符号で示す。先ず、第２図はこの発明の実施例による半導体集積回路装置（「半導集積回路装置」は「半導体集積回路装置」の誤り）ＩＣの全体の構成を示す。同図に示す半導体集積回路装置ＩＣは、プリント回路基板などに実装されて使用されるものであって、注目すべきは、半導体集積回路装置内部における電源端子パッドＰ１，Ｐ２と内部回路１００との間の電源供給ラインＬＯに沿う部分に容量ＣＰ１を形成し、この容量ＣＰ１にバイパスコンデンサとしての機能の少なくとも一部を受持たせるようにしたことである。ここで、上記端子パッドＰ１，Ｐ２は半導体集積回路装置ＩＣが形成される半導体基板１０に形成されたものであって、この端子パッドＰ１，Ｐ２は、半導体集積回路装置ＩＣのパッケージに設けられた端子ピンを介してプリント回路基板の共通電源ラインＬ１および共通接地ラインＬ２に接続されることにより、電源Ｖｃｃおよび接地電位ＧＮＤに接続される。さらに注目すべきは、上記容量ＣＰ１としては、半導体基板（「半導体板」は「半導体基板」の誤り）１０に形成されたＭＯＳ容量あるいは接合容量が利用されるということである。第３図に上記半導体集積回路装置ＩＣの要部を示す。同図に示すように、上記容量ＣＰ１は、半導体集積回路装置ＩＣが形成される半導体基板１０に形成する。同図に示す容量ＣＰ１は半導体集積回路装置内部の電源供給ラインＬＯと半導体基板１０との間に形成される。この実施例では、ｎ−半導体基板１０を使用しているため、上記容量ＣＰ１の一方の極をなす半導体基板１０が正側電源Ｖｃｃに、またその他方の極をなす電源供給ラインＬＯが接地電位ＧＮＤにそれぞれ接続されるようになっている。同図において特徴的なことは、上記電源供給ラインＬＯに沿った部分の表面酸化膜２２が選択的に薄く形成され、またその下の半導体基板（「伴板」は「基板」の誤り）１０にｎ＋型拡散層３０を選択形成しておくことにより、電源ラインＬＯ（「ＬＯ」は「ＬＯ」の誤り）と半導体基板（「伴板」は「基板」の誤り）１０との間に、少なくともバイパスコンデンサの一部として機能する容量ＣＰ１が形成されているということである。」（第２頁右上欄第１８行〜第３頁左上欄第１２行）が第２，３図と共に記載されている。また、第１１図には容量ＣＰ１を構成する一方の電極である多結晶シリコン２２上に電源供給ラインＬＯが形成された構成が記載されている。そして、Ｎ型拡散層３０は容量ＣＰ１の他方の電極となることは明らかである。してみると、上記引用例１には、正側電源Ｖｃｃに接続されたＮ型半導体基板１０と、半導体基板１０の表面に薄い酸化膜２２を介してバイパスコンデンサの一方の電極となり、接地電位ＧＮＤに接続された多結晶シリコン２４と、上記半導体基板１０の表面に上記多結晶シリコン２４と上記薄い酸化膜２２を介して対向して形成され、バイパスコンデンサの他方の電極とな
る半導体基板１０の濃度より高濃度のＮ型拡散層３０とを備えた半導体集積回路装置ＩＣが記載されているものと認められる。同様に引用された特開昭６３−１４３８４３号公報（以下「引用例２」という。）には、「第１図は本発明の第１の実施例を説明する平面パターン図、第２図はその構造断面図であって、第７図２０の部分に相当する。１００はｎ型半導体基板、１０２は低濃度ｐ型ウエル、１０３は高濃度ｐ型半導体層、・・・２０１’は半導体基板表面上に形成した薄いゲート酸化膜、・・・３０１は容量を形成する為の第１の金属層、３０２，３０３は内部回路に電源電圧を供給する為の第２，第３の金属配線層、１１は第１の金属配線層と第２の金属配線層を接続する為の穴、３０２’、３０３’は内部回路に接地電位を供給する為の第２，第３の金属配線層、１２は高濃度半導体層と第２の金属配線層を形成する穴、１０は第２，第３の金属配線層を接続する穴である。このような構造になっているから、３０３’および３０２’から１０３を介して１０２に接地電位を与え、３０３および３０２から３０１へ電源電圧を与え、３０１，２０１’、１０２から構成される容量を形成することができ、２０１’（「２０１」は「２０１’」の誤り）は薄い酸化膜であるから、大なる容量を３０２，３０３より構成される電源供給用金属配線に接続することが出来る。その効果としては、電源配線上に流れる過渡的な電流による電位変動をこの大なる容量によって抑制することができ、該容量はこれら電源配線直下に形成されているから電源配線領域の占有面積拡大を抑制することができる。」（第３頁左上欄第８行〜右上欄第１５行）が第１，２図と共に記載されている。また、第１図から見て、第３金属配線層３０３及び３０３’は互いに近接し、並行であることは明らかである。してみると、上記引用例２には、容量の一方の電極を構成する第１の金属層３０１と、容量の他方の電極を構成し、ゲート酸化膜２０１’を介して第１の金属層３０１と対向するｐ型ウエル１０２と、第１の金属層３０１の上部に配置され、第１の金属層３０１と電気的に接続されている電源電圧を供給する為の第３の金属配線層３０３と、ｐ型ウエル１０２の上部に配置され、ｐ型ウエル１０２と穴１２、１０等を介して電気的に接続されている接地電位を供給する為の第３の金属配線層３０３’とから構成される容量であって、第３金属配線層３０３及び３０３’は互いに近接し、並行である容量を有する半導体集積回路が記載されているものと認められる。
（対比）
　次に、本願第３発明と上記引用例１記載の発明とを対比すると、上記引用例１記載の発明の「正側電源Ｖｃｃ」、「薄い酸化膜」及び「多結晶シリコン」はそれぞれ本願第１発明の「電源電位」、「誘電体層」及び「導電体層」に相当するから、本願第３発明と上記引用例１記載の発明とは「電源電位に電気的に接続されたＮ型の半導体基盤と、上記半導体基板の表面上に誘電体層を介して形成され、接地電位に接続されたバイパスコンデンサの一方の電極となる導電体層と、上記半導体基板の表面上に、上記導電体層と上記誘電体層を介して対向して形成された上記半導体基板の濃度より高濃度のＮ型の拡散領域とを備え、さらにこのＮ型の拡散領域は連続した同一領域内で上記バイパスコンデンサの他方の電極となっている半導体集積回路」の点で一致するが、バイパスコンデンサとなるコンデンサが、本願第３発明においては、半導体基板の表面に形成され接地電位とされる接地用配線と、上記半導体基板の表面上に、上記接地用配線と近接し、かつ、並行に形成され、電源電位が印加される電源用配線と、上記接地用配線の下層にて形成されると共に、上記半導体基板の表面に対し垂直方向に見て上記接地用配線と少なくとも重なり部分を有するバイパスコンデンサの一方の電極となる導電体層と、上記半導体基板の表面に対し垂直方向に見て上記電源用配線と少なくとも重なり部分を有し、かつ、この重なり部分における上記電源用配線の長手方向に沿った複数箇所にて上記電源用配線に電気的に接続される電源接続部とを備えているのに対して、上記引用例１記載の発明においては、そのような構成となっていない点で相違するものと認められる。
（検討）
　そこで、前記相違点につき以下検討する。
　上記引用例２には、容量の一方の電極を構成する第１の金属層３０１と、容量の他方の電極を構成し、ゲート酸化膜２０１’を介して第１の金属層３０１と対向するｐ型ウエル１０２と、第１の金属層３０１の上部に配置され、第１の金属層３０１と電気的に接続されている電源電圧を供給する為の第３の金属配線層３０３と、ｐ型ウエル１０２の上部に配置され、ｐ型ウエル１０２と穴１２、１０等を介して電気的に接続されている接地電位を供給する為の第３の金属配線層３０３’とから構成される容量であって、第３金属配線層３０３及び３０３’は互いに近接し、並行である容量を有する半導体集積回路が記載されている。ところで、半導体装置の導電型をｐ型からｎ型に変えることは当業者であれば上記引用例２から当然読み取ることができることであり、その場合、電源の関係が反対になることは明らかであるから、上記引用例２から、容量の一方の電極を構成する第１の金属層３０１（本願第３発明の導電体層に相当する）と、容量の他方の電極を構成し、ゲート酸化膜２０１’（本願第３発明の誘電体層に相当する）を介して第１の金属層３０１と対向するｎ型ウエル１０２（本願第３発明のＮ型の拡散領域に相当する）と、第１の金属層３０１の上部に配置され、第１の金属層３０１と電気的に接続されている接地電位を供給する為の第３の金属配線層３０３（本願第３発明の接地電位とされる接地用配線に相当する）と、ｎ型ウエル１０２の上部に配置され、ｎ型ウエル１０２と穴１２、１０等を介して電気的に接続されている電源電圧を供給する為の第３の金属配線層３０３’（本願第３発明の電源電位が印加される電源用配線に相当する）とから構成される容量であって、第３金属配線層３０３及び３０３’は互いに近接し、並行である容量を有する半導体集積回路を読み取ることができる。この容量に関する技術を上記引用例１記載の発明におけるバイパスコンデンサとなるコンデンサに採用することに格別の創意工夫を必要としない。また、第２の金属配線層３０２，３０２’と第３の金属配線層３０３，３０３’との積層関係を上下逆にすることは単なる設計的事項にすぎず、そのようにした場合、第３の配線層３０３’は本願発明の電源接続部に相当する穴１２を介してｎ型ウエル１０２と接続されることとなる。そして、２つの導体間の接触抵抗を下げるために２つの導体間を複数の穴を介して接続することは常套手段であり、このような常套手段を上記の場合において採用するとき、上記引用例２の第１図から見て上記複数の穴は電源用配線３０３’の長手方向に沿って配置しようとすることは当業者が当然考えることである。したがって、上記相違点は当業者が容易に想到し得たことと認められる。
　なお、上記引用例１記載の発明もまた容量の一方の電極である多結晶シリコン２２に接地電位ＧＮＤが印加され、他方の電極であるＮ型拡散層３０に正側電源Ｖｃｃが加えられているのであるから、多結晶シリコン２２とＮ型拡散層３０とは逆バイアス関係にあり、上記引用例１記載の発明におけるバイパスコンデンサも低インピーダンスとなることは当然のことである。そして、上記引用例１記載の発明もまたＮ型拡散層３０が同一導電型であるＮ型半導体基板により周囲を広い面積で取り囲まれているのであるから、上記引用例１記載の発明においても電源電圧の変動を打ち消すように半導体基板へ急速な電荷の放電を行うことができることは当然のことである。
（むすび）
　本願第３発明は、上記引用例１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることできたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。そうである以上、他の発明について検討するまでもなく本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。