(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ディスクを記録媒体とし、該光ディスク面上にレーザー光を集光して信号を記録する光ディスク装置において、
前記光ディスク面上に集光されるレーザ光を分光し、その低周波成分を検出して平均光量を求める平均光量算出部と、
再生時には前記平均光量を出力し、記録時には記録開始後第１の所定の期間（ｔ１）算出された前記平均光量を記録し、これを出力する記録部と、
前記平均光量算出部の出力信号と前記記録部の出力信号との差を算出する誤差量算出部と、
該誤差量算出部の出力信号により前記レーザー光のパワーを制御するレーザーパワー制御部と、を具備することを特徴とする光ディスク装置。
【請求項２】
記録開始直前の前記誤差量算出部の出力値を保持する誤差量保持部を具備し、
記録開始後、第２の所定の期間（ｔ２）は、前記誤差量保持部の出力信号により前記レーザパワー制御部を制御することを特徴とする請求項１に記載の光ディスク装置。
【請求項３】
所定のレベルの信号を出力する基準信号発生部を具備し、
記録開始後、第３の所定の期間（ｔ３）は、前記記録部の出力信号に代わり前記基準信号発生部の出力信号を前記誤差量検出部に入力することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の光ディスク装置。
【請求項４】
前記平均光量算出部は、
分光されたレーザ光を、応答周波数が記録する信号の最低周波数以下の電流或いは電圧信号に変換する光電変換手段で構成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の光ディスク装置。
【請求項５】
前記記録部は、
Ａ／Ｄ変換部と、Ｄ／Ａ変換部と、を具備することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の光ディスク装置。
【請求項６】
前記第１の所定時間（ｔ１）と前記第２の所定時間（ｔ２）と前記第３の所定時間（ｔ３）は、
ｔ１＜ｔ３≦ｔ２
の関係を有することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の光ディスク装置。
【請求項７】
光ディスクを記録媒体とし、該光ディスク面上にレーザー光を集光して信号を再生する光ディスク装置において、
前記光ディスク面上に集光されるレーザ光を分光し、該レーザ光のパワーを監視する監視部と、
該監視部により検出されたレーザ光パワーの平均光量を算出する平均光量算出部と、
再生時には前記平均光量を出力し、記録時には記録開始後第１の所定の期間（ｔ１）算出された前記平均光量を記録し、これを出力する記録部と、
前記平均光量算出部の出力信号と前記記録部の出力信号との差を算出する誤差量算出部と、
該誤差量算出部の出力信号により前記レーザー光のパワーを制御するレーザーパワー制御部と、を具備することを特徴とする光ディスク装置。
【請求項８】
記録開始直前の前記誤差量算出部の出力値を保持する誤差量保持部を具備し、
記録開始後第２の所定の期間（ｔ２）は、前記誤差量保持部の出力信号により前記レーザパワー制御部を制御することを特徴とする請求項７に記載の光ディスク装置。
【請求項９】
所定のレベルの信号を出力する基準信号発生部を具備し、
記録開始後、第３の所定の期間（ｔ３）は、前記記録部の出力信号に代わり前記基準信号発生部の出力信号を前記誤差量検出部に入力することを特徴とする請求項７または請求項８に記載の光ディスク装置。
【請求項１０】
前記平均光量算出部は、
前記光ディスクから再生された信号の帯域の最低周波数以下のカットオフ周波数の低域通過フィルタであることを特徴とする請求項７に記載の光ディスク装置。
【請求項１１】
前記記録部は、
Ａ／Ｄ変換部と、Ｄ／Ａ変換部と、を具備することを特徴とする請求項７乃至請求項１０のいずれかに記載の光ディスク装置。
【請求項１２】
前記第１の所定時間（ｔ１）と前記第２の所定時間（ｔ２）と前記第３の所定時間（ｔ３）は、
ｔ１＜ｔ３≦ｔ２
の関係を有することを特徴とする請求項７乃至請求項１１のいずれかに記載の光ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ディスク装置に係わり、特に光ディスクへの信号記録時及び再生時のレーザの出力パワー制御に好適に利用できるものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、レーザ光を用いてディスク上の記録領域に情報を記録する方式としては、光磁気記録方式や相変化記録方式等があるが、いずれもレーザ光を記録層に集光して加熱することで情報を記録している。これらの記録方式では、記録層の温度分布が記録マークの形状、すなわち、再生信号の品質に大きく影響するが、温度分布を決定する要因としては、記録光のパルス幅、記録光のパワーなどがある。半導体レーザの電流−出射パワー特性は温度によって変化し、さらに記録時には再生時に比べて１０倍以上のパワーのレーザ光が必要であるため半導体レーザの発熱が大きくなり半導体レーザの温度が上昇し、結果として、電流−出射パワー特性が変化してしまう。したがって、良好な状態に記録するためには記録時にも半導体レーザの出射光のパワーを制御する必要がある。
このようなことから、特開平０９−２８８８４０号公報に代表されるような記録時のパワー制御方式が提案されている。
以下、上記公報にて開示されている従来のパワー制御方式について説明する。
図３は、従来のパワー制御方式のブロック図であり、図４は、そのタイミングチャートである。
図３において、半導体レーザ４から出射したレーザ光は、図示していないコリメータレンズ、立ち上がりミラーを経て対物レンズでディスク上の記録層に集光される。この光の一部はその途中で分光されてフォトダイオード５に入射する。
再生時、半導体レーザ４には、再生パワー設定回路１の出力と後述する増幅回路１３−１の出力の和である加算回路２の出力をＶ／Ｉ変換回路３で電圧／電流変換した電流が印加されており、電流値に応じたパワーのレーザ光を発振する。
フォトダイオード５の出力電流は、Ｉ／Ｖ変換回路６で電圧信号に変換されＳ／Ｈ回路２１−１〜３に入力される。Ｓ／Ｈ回路２１−１はタイミング発生回路１１からのタイミングパルスによってＩ／Ｖ変換回路６の出力をサンプル／ホールドし、減算回路12−1に出力する。
再生時、タイミング発生回路１１からは一定の周期のタイミングパルスがＳ／Ｈ回路２１−１に出力されるため、Ｓ／Ｈ回路２１−１の出力信号はＩ／Ｖ変換回路６の出力信号、すなわち、半導体レーザ５の出射光量を一定周期でサンプル／ホールドした信号になる。
Ｓ／Ｈ回路２１−１の出力信号は、減算回路１２−１にて再生パワー基準信号発生回路１０からの信号と比較され、その差は増幅回路１３−１に入力され所定のゲインで増幅された後、加算回路２に入力される。
このように再生時には、再生パワー設定回路１、加算回路２、Ｖ／Ｉ変換回路３、半導体レーザ４、フォトダイオード５、Ｉ／Ｖ変換回路６、Ｓ／Ｈ回路２１−１、減算回路１２−１、再生パワー基準信号発生回路１０、増幅回路１３−１にて閉ループを構成し、半導体レーザ５の出射パワーを所定のパワーに制御する。記録時には、記録パルス生成回路１５から記録信号および記録ゲート信号（／ＷＧ）に対応したピークパワーON信号および消去パワーＯＮ信号が電流スイッチ回路１６、１８に出力される。
電流スイッチ回路１６、１８は、Ｖ／Ｉ変換回路２７−１、２７−２から出力される電流信号をピークパワーＯＮ信号および消去パワーＯＮ信号に応じてＯＮ／ＯＦＦして半導体レーザ４に印加する。Ｖ／Ｉ変換回路２７−１には、ピークパワー設定回路２４の出力信号と増幅回路１３−３の和信号である加算回路２６−１の出力信号、Ｖ／Ｉ変換回路２７−２には消去パワー設定回路２５の出力信号と増幅回路１３−２の和信号である加算回路２６−２の出力信号が入力されている。
一方、半導体レーザ４には再生時と同様に、再生パワー設定回路１の出力と増幅回路１３−１の出力の和である加算回路２の出力をＶ／Ｉ変換回路３で電圧／電流変換した電流が常に印加されており、これにより電流スイッチ回路１６がＯＮのときには、Ｖ／Ｉ変換回路３の出力電流とＶ／Ｉ変換回路２７−１の出力電流の加算電流が、電流スイッチ回路１８がＯＮのときには、Ｖ／Ｉ変換回路３の出力電流とＶ／Ｉ変換回路２７−２の出力電流の加算電流が半導体レーザ４に印加されることになり、半導体レーザ５からは図４に示すようなパルス光が出射される。
この出射光の一部は、再生時と同様にフォトダイオード５に入力され、フォトダイオード５は、入射光量に応じた電流をＩ／Ｖ変換回路６に出力し、Ｉ／Ｖ変換回路６は、フォトダイオード５の出力電流を電圧信号に変換してＳ／Ｈ回路２１−１〜２１−３に出力する。
ここで、タイミング発生回路１１からは3種類のタイミングパルスが出力される。図4に示すように、Ｓ／Ｈ回路２１−1には半導体レーザ４からのパルス出射光が再生パワーであるときにＩ／Ｖ変換回路６の出力信号をホールドするタイミング、Ｓ／Ｈ回路２１−２には、半導体レーザ４からのパルス出射光が消去パワーであるときにＩ／Ｖ変換回路６の出力信号をホールドするタイミング、Ｓ／Ｈ回路２１−３には、半導体レーザ４からのパルス出射光がピークパワーであるときにＩ／Ｖ変換回路６の出力信号をホールドするタイミングでタイミングパルスが出力されるため、Ｓ／Ｈ回路２１−１〜２１−３は、それぞれ、再生パワー、消去パワー、ピークパワーに相当するＩ／Ｖ変換回路６の出力信号を出力することになる。
Ｓ／Ｈ回路２１−１〜２１−３の出力信号は、減算回路１２−１〜１２−３に入力され、それぞれ再生パワー基準信号発生回路１０、消去パワー基準信号発生回路２２、ピークパワー基準信号発生回路２３の出力信号と比較され、その差が減算回路１２−1〜１２−３の出力として増幅回路１３−１〜１３−３に入力される。
増幅回路１３−１〜１３−３は、所定のゲインだけ入力信号を増幅し、加算回路２および２６−１〜２６−２に出力する。
従来の方法においては、上記のような構成にすることで再生時の出射光パワーだけでなく記録時パルス光のピークパワー、消去パワー、再生（バイアス）パワーのそれぞれを所定のパワーに制御することができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
以上説明したような、従来の方法においては、図４からもわかるように、Ｉ／Ｖ変換回路６の出力信号は、半導体レーザ４のパルス出射光とほぼ同じ帯域を持つ信号である必要がある。
ここで、パルス光の各パルス幅は、最も狭い場合にはビット周期の１／４程度になる場合があり、例えばビット周期４０ｎｓｅｃのデータを記録する場合、パルス幅は最小で１０ｎｓｅｃとなり、Ｉ／Ｖ変換回路の出力信号は、約１００ＭＨｚ以上の帯域が必要となる。
したがって、フォトダイオード５およびＩ／Ｖ変換回路６も約１００ＭＨｚ以上の帯域を持つものが必要となりコストの低減の際問題となる。
更に、Ｓ／Ｈ回路２１−１〜２１−３は、１０ｎｓｅｃ以下でサンプル／ホールド動作を完了する必要があるため、高速・高精度の回路が必要となり、やはりコスト低減の際の問題となる。
前記のように半導体レーザの電流ー出力特性は温度によって変化する。図５は、温度が変化した際の半導体レーザ４の電流−出力特性を示している。
半導体レーザ４の電流−出力特性は、温度によって閾値電流と微分効率（傾き）が変化するため、従来の方法では、その両者を補償することを目的としているが、図５からも分かるように、微分効率の温度変化量は、閾値電流の温度変化量に比べて小さい。
例えば、ある温度T1のとき半導体レーザ４にＩｐの電流を印加したとき出射光のパワーがＰｐであったとすると、温度がＴ２に上がったときには、半導体レーザ４の電流−出射パワー特性は、図4のように右にシフトし、さらに、傾きが破線であらわされた直線から実線のようになるため、同じＩｐの電流ではＰｐ−ΔＰ１の出射パワーしか得られない。
ここで、電流Ｉｐに閾値電流の変化分ΔＩｔｈを加えて半導体レーザ４に印加すれば、出射パワーはＰｐ−ΔＰ２となり、温度Ｔ１のときの出射パワーＰｐに近くなる。
最近では、記録媒体の改良によりピークパワーの変化に対する記録マークの品質の劣化が少なくなってきており、微分効率の温度変化分を高価な回路で補償するメリットは少なくなってきている。
また、半導体レーザの温度変化自体は、それほど高速に変化しないため、記録開始時の出射パルス光のパワーは、ほぼ設定値に等しいことがわかっている。
本発明は、このような事実を鑑みた上で、上記課題を解決し、ローコスト化に適した構成で実使用上問題ない品質の記録再生を行なうことのできる光記録再生装置を提供することを目的とするものである。
【０００４】
【課題を解決する手段】
本発明は、上記課題を解決するため、以下のような構成とした。
即ち、光ディスクを記録媒体とし、該光ディスク面上にレーザー光を集光して信号を記録する光ディスク装置において、前記光ディスク面上に集光されるレーザ光を分光し、その低周波成分を検出して平均光量を求める平均光量算出部と、再生時には前記平均光量を出力し、記録時には記録開始後第１の所定の期間（ｔ１）算出された前記平均光量を記録し、これを出力する記録部と、前記平均光量算出部の出力信号と前記記録部の出力信号との差を算出する誤差量算出部と、該誤差量算出部の出力信号により前記レーザー光のパワーを制御するレーザーパワー制御部と、を具備するようにした。
ここで、記録開始直前の前記誤差量算出部の出力値を保持する誤差量保持部を具備し、記録開始後、第２の所定の期間（ｔ２）は、前記誤差量保持部の出力信号により前記レーザパワー制御部を制御するようにすることが好ましく、また、所定のレベルの信号を出力する基準信号発生部を具備し、記録開始後、第３の所定の期間（ｔ３）は、前記記録部の出力信号に代わり前記基準信号発生部の出力信号を前記誤差量検出部に入力するようにすることが好ましい。
更に、前記平均光量算出部は、分光されたレーザ光を、応答周波数が記録する信号の最低周波数以下の電流或いは電圧信号に変換する光電変換手段で構成されされるようにし、前記記録部は、Ａ／Ｄ変換部と、Ｄ／Ａ変換部と、を具備するようにすることが好ましい。
尚、前記第１の所定時間（ｔ１）と前記第２の所定時間（ｔ２）と前記第３の所定時間（ｔ３）は、ｔ１＜ｔ３≦ｔ２の関係を有するようにした。
一方、光ディスクを記録媒体とし、該光ディスク面上にレーザー光を集光して信号を再生する光ディスク装置において、前記光ディスク面上に集光されるレーザ光を分光し、該レーザ光のパワーを監視する監視部と、該監視部により検出されたレーザ光パワーの平均光量を算出する平均光量算出部と、再生時には前記平均光量を出力し、記録時には記録開始後第１の所定の期間（ｔ１）算出された前記平均光量を記録し、これを出力する記録部と、前記平均光量算出部の出力信号と前記記録部の出力信号との差を算出する誤差量算出部と、該誤差量算出部の出力信号により前記レーザー光のパワーを制御するレーザーパワー制御部と、を具備するようにした。
ここで、記録開始直前の前記誤差量算出部の出力値を保持する誤差量保持部を具備し、記録開始後第２の所定の期間（ｔ２）は、前記誤差量保持部の出力信号により前記レーザパワー制御部を制御するようにすることが好ましく、また、所定のレベルの信号を出力する基準信号発生部を具備し、記録開始後、第３の所定の期間（ｔ３）は、前記記録部の出力信号に代わり前記基準信号発生部の出力信号を前記誤差量検出部に入力するようにすることが好ましい。
更に、前記平均光量算出部は、前記光ディスクから再生された信号の帯域の最低周波数以下のカットオフ周波数の低域通過フィルタであるようにし、前記記録部は、Ａ／Ｄ変換部と、Ｄ／Ａ変換部と、を具備するようにすることが好ましい。
尚、前記第１の所定時間（ｔ１）と前記第２の所定時間（ｔ２）と前記第３の所定時間（ｔ３）は、ｔ１＜ｔ３≦ｔ２の関係を有するようにした。以上の本発明の各構成要素は、可能な限り互いに組み合わせることが可能である。
【０００５】
【発明の実施の形態】
以下、図面にしたがって本発明の実施形態の一例について説明する。
図１は、本発明の一構成例のブロック構成図、図2は、図１の各部のタイミングチャートである。尚、図1において、図3の従来の構成と同じ構成要素には同じ符号を付している。
まず、再生時の動作について説明する。
Ｖ／Ｉ変換回路３は、再生パワー設定回路１の出力信号と、後述するＳ／Ｈ回路１４の出力信号の加算結果である加算回路２の出力信号を電圧−電流変換し、半導体レーザ４に印加する。
半導体レーザ４は、印加された電流量に対応したパワーのレーザ光を出射し、その一部がフォトダイオード５に入力される。
フォトダイオード５は安価な低速フォトダイオードであり、入力光の低周波成分、即ち、平均光量を検出し、それに比例した電流をＩ/Ｖ変換回路６に出力する。Ｉ／Ｖ変換回路６は、入力である平均光量に比例したフォトダイオード５の出力電流を電圧信号に変換し、平均光量信号１０１として選択回路８及び記憶回路２０に出力する。
選択回路８の他方の入力には、目標となる再生パワーに対応した基準信号を発生する再生パワー基準信号発生回路１０の出力が印加されているが、再生時にはタイミング発生回路１１から出力される光量信号選択信号１０７により選択回路８はＩ／Ｖ変換回路６の出力のみを選択する。
また、選択回路９には、再生パワー基準信号発生回路１０の出力信号と記憶回路２０の出力信号が入力されているが、再生時には、基準信号選択信号１０８により再生パワー基準信号発生回路１０の出力信号を選択する。
選択回路８の出力信号、即ち、Ｉ／Ｖ変換回路６の出力信号と、選択回路９の出力信号、即ち、再生パワー基準信号発生回路１０の出力信号は、減算回路１２に入力され、両者の差である出力信号は、増幅回路１３にて所定のゲインだけ増幅されＳ／Ｈ回路１４に入力される。
Ｓ／Ｈ回路１４は、再生時には入力信号をそのまま出力するように構成されており、このため、加算回路２には、増幅回路１３の出力信号が入力されることになる。
以上より、再生時には再生パワー設定回路１、加算回路２、Ｖ／Ｉ変換回路３、半導体レーザ４、フォトダイオード５、I／V変換回路６、選択回路８、９、再生パワー基準信号発生回路１０、減算回路12、増幅回路１３、Ｓ／Ｈ回路１４で閉ループが構成され、半導体レーザ４の出射光パワーを所定の再生パワーに制御することができる。
次に、記録時の動作を説明する。
記録パルス生成回路１５は、入力される記録ゲート信号（／ＷＧ）と記録信号からピークパワーON信号と消去パワーON信号を発生させ、電流スイッチ回路１６、１８に出力する。
電流スイッチ回路１６、１８は、それぞれピークパワー設定電流源１７および消去パワー設定電流源１９の出力電流を記録パルス生成回路１５からのピークパワーＯＮ信号、消去パワーＯＮ信号に基づいて半導体レーザ４に電流を印加する。半導体レーザ４には、Ｖ／Ｉ変換回路３からの電流も印加されており、結果として、この電流にピークパワー設定電流源１７或いは消去パワー設定電流源１９の出力電流が加算された電流が半導体レーザ４に印加され、パルス光が半導体レーザ４から出射される。
半導体レーザ４からの出射光は、再生時と同様に一部がフォトダイオード5に入射し、フォトダイオード５からは入射光の平均光量に比例した電流信号が出力され、その電流信号は、I／V変換回路６にて電圧信号に変化され、平均光量１０１として記憶回路２０及び選択回路８に出力される。
Ｉ／Ｖ変換回路６の出力信号は、ローパスフィルタ７にて高周波成分が除去され、平均光量信号として記憶回路２０および選択回路８に出力される。
ここで、一般的に光ディスク等に記録されるデータは、媒体の能力やクロック再生の問題などから変調等により所定の周波数帯に帯域制限されており、記録時の半導体レーザの平均光量を得るためには、この所定の周波数帯に帯域制限された記録信号の最低周波数以下の遮断周波数を持つフォトダイオードが必要になる。記憶回路２０は、本実施形態では、Ａ／Ｄ変換回路とＤ／Ａ変換回路で構成されており、Ｉ／Ｖ変換回路６の出力信号をタイミング発生回路１１から発生するサンプリングパルス１０４のタイミングに基づいてサンプリングし、同じようにタイミング発生回路１１から発生する出力ラッチパルス１０５に基づいて上記サンプリング結果を選択回路９に出力する。
例えば、フォトダイオード５の周波数特性が一次ローパスフィルタと等価であるとき、光量Ｐのステップ応答の入力光に対する出力電流Ｉは、
Ｉ＝Ｐ・α・（１−ｅｘｐ（−ｔ／τ））
となる。ここで、αは光電変換係数であり、また、τは、いわゆる時定数であり、ここでは、フォトダイオード固有の定数として求まる値である。
一次ローパスフィルタの遮断周波数をｆｃとすると、
ｆｃ＝１／（２π・τ）
であるので、この時の出力電流が一定光量を入力したときにほぼ等しく（９９％）、一定になるまでの時間ｔｒは、
ｔｒ＝０．７３・ｆｃ
となる。
従って、記録開始後から平均光量信号がほぼ平均光量になる時間ｔｒより長い時間ｔ１遅れて、サンプリングパルスを発生し、Ａ／Ｄ変換回路のサンプリング動作が完了した後に出力ラッチパルスを発生させることで記録開始直後の平均光量信号を記憶し、出力することができる。
選択回路９には、上記のように記憶回路２０の出力信号と再生パワー基準信号発生回路１０の出力が入力されており、タイミング発生回路１１から出力される基準信号選択信号１０８に基づいて、いずれかを選択し、パワー制御の基準信号として出力する。
また、選択回路８には上記Ｉ／Ｖ変換回路６の出力と再生パワー基準信号発生回路１０の出力が入力されており、タイミング発生回路１１から出力される入力信号選択信号１０７に基づいて、いずれかを選択し、パワー制御の光量信号として出力する。
これは、前述のように記録開始時からの半導体レーザ４の温度変化は、さほど早くないため、記録開始時の記録パルス光のパワーは、設定された値にほぼ等しいことを利用したものでり、この時の平均光量を記憶し、以後の記録パルス光の基準信号とすることで記録パルス光を制御することが可能となる。
しかし、記録開始から記憶回路２０の出力が確定するまでの時間は、パワー制御ループの基準信号が存在しないことになる。このため、記録開始直後から記憶回路２０の出力が確定するまでの時間をｔ３（＞ｔ１）とすると、選択回路８、及び、選択回路９は、ｔ３秒後までは、再生パワー基準信号発生回路１０の出力信号を光量信号及び基準信号として選択する。
これにより、記録開始直後から記憶回路２０の出力が確定するまでの時間ｔ３中は、基準信号と光量信号の差（すなわち、パワー制御誤差）を０にでき、ｔ３秒経過し、記録中のパワー制御が始まったときの引き込み時間を短縮する。
そして、選択回路８および９の出力信号は、減算回路１２に入力される。
減算回路１２では、
（選択回路９の出力）−（選択回路８の出力）
なる演算がされる。
上記のように選択回路９の出力は、パワー制御の基準信号、選択回路８の出力は、パワー制御の光量信号であるので、減算回路１２の出力信号は、パワー制御誤差信号になる。
このパワー制御誤差信号は、増幅回路１３で所定のゲインで増幅されＳ／Ｈ回路１４に出力される。
ところで、上記のように記録開始直後は、パワー制御の基準信号が確定しないため、閉ループによるパワー制御は不可能である。
そこで、半導体レーザの温度変化が緩やかであることを利用し、この期間は、記録開始直前のパワー制御誤差を保持して記録パルス光を出射するよう構成されている。
つまり、タイミング発生回路１１からは、記録開始直後から所定時間ｔ２（≧ｔ３）だけ増幅回路１３の出力を保持するようなＳ／Ｈ信号１０２が発生され、Ｓ／Ｈ回路１４は、このＳ／Ｈ信号１０２に基づいて増幅回路１３をそのまま出力あるいは保持して出力する。
このように、記録開始直後の半導体レーザの記録パルス光の平均光量信号を記憶し、これを記録中のパワー制御の基準信号とすることで記録パルス光のパワー制御が可能となる。
本実施形態では、フォトダイオード５に安価な低速フォトディテクタを用いた構成としたが、フォトディテクタ５の遮断周波数が記録される最低周波数より高い場合には、Ｉ／Ｖ変換回路６の遮断周波数を所望の値にすることでも同様の効果を得ることができる。更に、フォトダイオード５及びＩ／Ｖ変換回路６の遮断周波数が記録される最低周波数より高い場合には、図１の破線で示すように、Ｉ／Ｖ変換回路６の出力信号をローパスフィルタ７にて所望の遮断周波数に変換する構成でも同様な効果を得ることができる。
【０００６】
【発明の効果】
本発明は、記録開始から所定の期間のレーザ出力の平均光量を記録し、これを以後のレーザ出力信号との比較の基準信号とするので、基準信号発生器からの所定の基準信号よりも好適な基準信号が得られる。
また、記録開始直前のレーザ出力制御信号を保持しておくことで、前記レーザ出力の平均光量が算出され、この信号を基準信号として使用できるようになるまでの時間もレーザ出力を制御することができる。
また、平均光量を算出する手段は、半導体レーザの出射光量を監視するフォトダイオードに安価な低速フォトダイオードを用いることで、或いは、Ｉ／Ｖ変換回路の遮断周波数を所望の値にすることで、或いは、簡単な構成のローパスフィルタを用いることで、ローコスト化に適した構成で実現することができる。
また、平均光量を記録する手段をＡ／Ｄ変換器とＤ／Ａ変換器を組み合わせて実現することで、通常のメモリ素子を使用するよりも簡単な制御で信号を記録することができる。
また、前記基準信号発生器の信号を再生時の基準信号として共有化することで回路規模の削減を図ることができる。
更に、本発明は、上記のような各構成をとることで、高価な高速フォトディテクタ、高速Ｉ／Ｖ変換回路、高速・高精度Ｓ／Ｈ回路が不用になり、このため、比較的簡単な構成で、且つローコストな光ディスク装置を実現することができ、装置の小型軽量化、低価格化に優れている。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態のブロック構成図である。
【図２】本発明のブロック構成図における各部のタイミングチャートである。
【図３】従来技術のブロック構成図である。
【図４】従来技術のブロック構成図の各部のタイミングチャートである。
【図５】半導体レーザの電流−出射パワー特性のグラフである。
【符号の説明】
１：再生パワー設定回路、２：加算回路、３：Ｖ／Ｉ変換回路、４：半導体レーザ、５：フォトダイオード、６：Ｉ／Ｖ変換回路、７：ローパスフィルタ、８、９：選択回路、１０：再生パワー基準信号発生回路、１１：タイミング発生回路、１２、１２−１〜１２−３：減算回路、１３、１３−１〜１３−３：増幅回路、１４：Ｓ／Ｈ回路、１５：記録パルス生成回路、１６、１８電流スイッチ回路、１７：ピークパワー設定電流源、１９：消去パワー設定電流源、２０：記憶回路、２１−１〜２１−３：Ｓ／Ｈ回路、２２：消去パワー基準信号発生回路、２３：ピークパワー基準信号発生回路、２４：ピークパワー設定回路、２５：消去パワー設定回路、２６−１、２６−２：加算回路、２７−１、２７−２：Ｖ／Ｉ変換回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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