(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板主面と基板裏面とを有する基板本体と、
上記基板主面と基板裏面との間を貫通する貫通孔または上記基板主面若しくは基板裏面に開口する凹部からなる収容部と、
上記収容部内に内蔵されたＩＣチップと、
上記ＩＣチップを上記収容部内に固定する固定用樹脂と、
を備える配線基板の製造方法であって、
上記基板本体における少なくとも上記収容部の内面に、カップリング剤を用いて被膜を形成する工程と、
上記被膜が形成された上記収容部内に、上記ＩＣチップを配置する工程と、
上記ＩＣチップが配置された上記収容部内に、上記固定用樹脂を充填し硬化させる工程と、を備え、
上記カップリング剤として、分子中に親水性の有機官能基を有するカップリング剤を５wt％以下としてなるカップリング剤を用いる
配線基板の製造方法。
【請求項２】
基板主面と基板裏面とを有する基板本体と、
上記基板主面と基板裏面との間を貫通する貫通孔または上記基板主面若しくは基板裏面に開口する凹部からなる収容部と、
上記収容部内に内蔵されたＩＣチップと、
上記ＩＣチップを上記収容部内に固定する固定用樹脂と、
を備える配線基板の製造方法であって、
上記基板本体における少なくとも上記収容部の内面に、カップリング剤を用いて被膜を形成する工程と、
上記被膜が形成された上記収容部内に、上記ＩＣチップを配置する工程と、
上記ＩＣチップが配置された上記収容部内に、上記固定用樹脂を充填し硬化させる工程と、を備え、
上記カップリング剤として、分子中に疎水性の有機官能基を有するカップリング剤を２０wt％以上としてなるカップリング剤を用いる
配線基板の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の配線基板の製造方法であって、
前記カップリング剤として、分子中に親水性の有機官能基を有するカップリング剤を５wt％以下としてなるカップリング剤を用いる
配線基板の製造方法。
【請求項４】
基板主面と基板裏面とを有する基板本体と、
上記基板主面と基板裏面との間を貫通する貫通孔または上記基板主面若しくは基板裏面に開口する凹部からなる収容部と、
上記収容部内に内蔵されたＩＣチップと、
上記ＩＣチップを上記収容部内に固定する固定用樹脂と、
を備える配線基板の製造方法であって、
上記ＩＣチップの表面に、カップリング剤を用いて被膜を形成する工程と、
上記被膜が形成された上記ＩＣチップを、上記基板本体の収容部内に配置する工程と、
上記ＩＣチップが配置された上記収容部内に、上記固定用樹脂を充填し硬化させる工程と、を備え、
上記カップリング剤として、分子中に親水性の有機官能基を有するカップリング剤を５wt％以下としてなるカップリング剤を用いる
配線基板の製造方法。
【請求項５】
基板主面と基板裏面とを有する基板本体と、
上記基板主面と基板裏面との間を貫通する貫通孔または上記基板主面若しくは基板裏面に開口する凹部からなる収容部と、
上記収容部内に内蔵されたＩＣチップと、
上記ＩＣチップを上記収容部内に固定する固定用樹脂と、
を備える配線基板の製造方法であって、
上記ＩＣチップの表面に、カップリング剤を用いて被膜を形成する工程と、
上記被膜が形成された上記ＩＣチップを、上記基板本体の収容部内に配置する工程と、
上記ＩＣチップが配置された上記収容部内に、上記固定用樹脂を充填し硬化させる工程と、を備え、
上記カップリング剤として、分子中に疎水性の有機官能基を有するカップリング剤を２０wt％以上としてなるカップリング剤を用いる
配線基板の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の配線基板の製造方法であって、
前記カップリング剤として、分子中に親水性の有機官能基を有するカップリング剤を５wt％以下としてなるカップリング剤を用いる
配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＩＣチップを有する配線基板の製造方法に関し、特に、基板本体に設けられた収容部内にＩＣチップが内蔵された配線基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、配線基板の高密度化及び高性能化の要請に伴って、基板本体内にＩＣチップを内蔵した配線基板が提案されている。
例えば、図１１に簡略化した断面図を示す配線基板９０１は、その中心にコア基板（基板本体）９０５を有し、その基板主面９０５ａ側及び基板裏面９０５ｂ側には、複数の配線層９０７，９０９，９１１，９１３，９１５，９１７と絶縁層９２１，９２３，９２５，９２７，９２９，９３１からなるビルドアップ層が積層されている。そして、配線基板９０１の主面９０１ａ上及び裏面９０１ｂ上には、複数のチップコンデンサＣＣ１がそれぞれ実装されている。また、コア基板９０５には、その基板主面９０５ａと基板裏面９０５ｂとの間を貫通する貫通孔からなる収容部９４１が形成されている。そして、その中には、ＩＣチップＩＣ１が配置され、固定用樹脂９４７により固定されている。ＩＣチップＩＣ１のＩＣ端子ＩＣ１ｔは、基板裏面９０５ｂに形成された配線層９１３に接続している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような配線基板９０１では、固定用樹脂９４７は、収容部９４１に直に固着し、また、ＩＣチップＩＣ１も固定用樹脂９４７に直に固着している。
このように固定用樹脂９４７が収容部９４１に直に固着していると、例えば、配線基板９０１の製造過程においてコア基板９０５にしみ込んだ水分が、コア基板９０５を通じて固定用樹脂９４７に浸透する場合がある。そうすると、固定用樹脂９４７は加水分解などを生じてそれ自体が変質し、固定用樹脂９４７の露出面を研磨する際に、強度不足により固定用樹脂９４７の一部が剥離したり、あるいは、ビルドアップ層を形成した後、熱サイクル試験などの信頼性試験を受けた際に、固定用樹脂９４７にクラックを生じることがある。その結果、ＩＣチップＩＣ１の気密性が低下すると共に、ビルドアップ層等に悪影響を及ぼすことがある。また、固定用樹脂９４７を収容部９４１に直に固着すると、これらの間で密着不良が生じやすく、熱サイクル試験などの信頼性試験を受けた際に固定用樹脂９４７にクラックを生じることにより、上記と同様の問題が生じ得る。
また、ＩＣチップＩＣ１を固定用樹脂９４７に直に固着する場合も、これらの間で密着不良を生じやすく、熱サイクル試験などの信頼性試験を受けた際に固定用樹脂９４７にクラックを生じることにより、上記と同様の問題が生じ得る。例えば、ＩＣチップＩＣ１のＩＣ端子ＩＣ１ｔと配線層９１３との間で接続不良や断線などの不具合を招くことがある。
【０００４】
本発明は、かかる現状に鑑みてなされたものであって、ＩＣチップを内蔵する配線基板において、固定用樹脂にクラック等の不具合が生じるのを抑制し、また、固定用樹脂の密着性を向上させるなど、信頼性の高い配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】
なお、配線基板として、基板主面と基板裏面とを有する基板本体と、上記基板主面と基板裏面との間を貫通する貫通孔または上記基板主面若しくは基板裏面に開口する凹部からなる収容部と、上記収容部内に内蔵されたＩＣチップと、上記ＩＣチップを上記収容部内に固定する固定用樹脂と、を備える配線基板であって、上記基板本体における少なくとも上記収容部の内面に、カップリング剤により形成された被膜を有し、上記固定用樹脂が上記被膜を介して上記収容部に固着している配線基板が挙げられる。
【０００６】
この配線基板によれば、基板本体における少なくとも収容部の内面に、カップリング剤により形成された被膜を有する。そして、ＩＣチップを内蔵、固定するための固定用樹脂がこの被膜を介して収容部に固着している。
このような被膜が介在すれば、基板本体から固定用樹脂に水分が浸透しにくくなるため、固定用樹脂は変質しにくく、固定用樹脂に剥離やクラックが生じにくくなる。また、被膜を介することにより固定用樹脂と収容部との密着性が向上し、固定用樹脂にクラックが生じにくくなる。このため、ＩＣチップを収容部に気密性をもって内蔵できると共に、基板本体上に設けるビルドアップ層の形成にも支障を来さなくなる。従って、熱サイクル試験などを受けても信頼性が高く、高性能化の要請に十分に応えることが可能な配線基板とすることができる。
【０００７】
なお、上記被膜は、厚さ約０．５μｍ以下（但し０は含まず）であるのが望ましい。厚さを０．５μｍ以下としたのは、これよりも厚くなると、この被膜の表面にゼリー状の固まりが生じ、当該被膜による防水作用や密着性が低下するためである。さらには、上記被膜は、厚さ約０．２μｍ以下（但し０は含まず）であるのが望ましい。これにより、被膜の表面にゼリー状の固まりがより生じにくくなり、より一層の密着性が得られるためである。
また、上記被膜は、収容部の内面だけでなく、基板本体の基板主面や基板裏面に形成されていてもよい。なお、収容部の内面とは、収容部が貫通孔の場合はその側面を、収容部が凹部の場合はその側面と底面を指す。
基板本体には、単層の絶縁層からなる形態の他、複数の絶縁層とその層間に配置された導体層とからなる多層基板とした形態なども含まれる。
【０００８】
さらに、上記の配線基板であって、前記カップリング剤は、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤及びシラン系カップリング剤の少なくともいずれかからなる配線基板とすると良い。
【０００９】
この配線基板によれば、カップリング剤は、チタン系（チタネート系）カップリング剤、アルミニウム系（アルミネート系）カップリング剤及びシラン系カップリング剤の少なくともいずれかからなる。このようなカップリング剤により形成した被膜が介在すれば、収容部と固定用樹脂との界面における水分不透過性及び両者の結合を、一層確実にすることができる。
【００１０】
チタン系カップリング剤には、γ−アミノプロピルトリメトキシチタン、γ−アミノプロピルトリエトキシチタン、γ−アミノプロピルジメトキシメチルチタン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシチタン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシチタン、γ−グリシドキシプロピルジメトキシメチルチタンなどが含まれるが、これらに限るものではない。
また、アルミニウム系カップリング剤には、γ−アミノプロピルトリメトキシアルミニウム、γ−アミノプロピルトリエトキシアルミニウム、γ−アミノプロピルジメトキシメチルアルミニウム、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシアルミニウム、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシアルミニウム、γ−グリシドキシプロピルジメトキシメチルアルミニウムなどが含まれるが、これらに限るものではない。
さらに、シラン系カップリング剤には、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルジメトキシメチルシラン、γ−メルカブトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカブトプロピルジメトキシメチルシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルジメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−アミノエチル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ一β−アミノエチル−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−β−アミノエチル−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリクロルシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、γ−クロロプロピロルトリメトキシシラン、へキシルトリメトキシシランなどが含まれるが、これらに限るものではない。
【００１１】
また、配線基板の製造方法として、基板主面と基板裏面とを有する基板本体と、上記基板主面と基板裏面との間を貫通する貫通孔または上記基板主面若しくは基板裏面に開口する凹部からなる収容部と、上記収容部内に内蔵されたＩＣチップと、上記ＩＣチップを上記収容部内に固定する固定用樹脂と、を備える配線基板の製造方法であって、上記基板本体における少なくとも上記収容部の内面に、カップリング剤を用いて被膜を形成する工程と、上記被膜が形成された上記収容部内に、上記ＩＣチップを配置する工程と、上記ＩＣチップが配置された上記収容部内に、上記固定用樹脂を充填し硬化させる工程と、を備える配線基板の製造方法が挙げられる。
【００１２】
この製造方法によれば、基板本体における少なくとも収容部の内面に、カップリング剤を用いて被膜を形成する工程と、この被膜が形成された収容部内に、ＩＣチップを配置する工程と、ＩＣチップが配置された収容部内に、固定用樹脂を充填し硬化させる工程とを備える。
従って、配線基板の基板本体における少なくとも収容部の内面には、被膜が形成され、固定用樹脂がこの被膜を介して収容部に固着する。このため、基板本体（収容部）と固定用樹脂との間において、前述したように、水分不透過性となり、かつ、高い密着性が得られる。従って、ＩＣチップを収容部内に気密性をもって内蔵できると共に、基板本体上にビルドアップ層を支障を来さすことなく確実かつ強固に形成することが可能となる。よって、熱サイクル試験などを受けても信頼性が高く、配線の高密度化や高性能化の要請に十分に応える配線基板を提供することが可能となる。
【００１３】
なお、カップリング剤には、予め加水分解処理や、更に進んで縮合反応をしておくのが望ましい。これらの処理により、上記被膜をより短時間に形成することができる。その上、固定用樹脂との密着力を一層向上させることができ、また、上記被膜が高分子量化あるいは３次元化するため、密着力の向上効果が長時間にわたって得られる。
また、カップリング剤を分散させるための分散媒には、一般に、水、エタノール、メタノール、イソプロピルアルコールなどのアルコール類を単独または混合して用いる。また、カップリング剤は、そのカップリング処理液中で、０．５〜１０wt％、望ましくは１〜５wt％の濃度とすることが良い。
【００１４】
さらに、上記の配線基板の製造方法であって、前記カップリング剤として、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤及びシラン系カップリング剤の少なくともいずれかからなるカップリング剤を用いる配線基板の製造方法の製造方法とすると良い。
【００１５】
この製造方法によれば、前記のカップリング剤として、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤及びシラン系カップリング剤の少なくともいずれかからなるカップリング剤を用いる。このようなカップリング剤を使用すれば、基板本体（収容部）と固定用樹脂との界面における両者の結合を一層強固に成さしめ、かつ、水分不透過性を確実に与えることが可能となる。
なお、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤及びシラン系カップリング剤については、前述した通りである。
【００１６】
さらに、上記のいずれかに記載の配線基板の製造方法であって、前記カップリング剤として、分子中に親水性の有機官能基を有するカップリング剤を５wt％以下としてなるカップリング剤を用いる配線基板の製造方法とすると良い。
【００１７】
本発明によれば、カップリング剤として、分子中に親水性の有機官能基を有するカップリング剤を５wt％以下としてなるカップリング剤を用いる。このようなカップリング剤を使用すれば、水分が基板本体から固定用樹脂に一層浸透しにくくなるため、固定用樹脂の変質や、それに起因する固定用樹脂の剥離及びクラックの発生を確実に予防することができる。
なお、有機官能基に親水性を与える親水基には、例えば、ヒドロキシル基、エポキシ基、カルボキシル基、無水カルボン酸、アミノ基、スルホン基が挙げられる。このような親水基を含む有機官能基を有するカップリング剤が上記のように５wt％を越えると、水分が基板本体から固定用樹脂へ浸透する可能性があるため、かかる範囲を除外したものである。
【００１８】
さらに、上記のいずれかに記載の配線基板の製造方法であって、前記カップリング剤として、分子中に疎水性の有機官能基を有するカップリング剤を２０wt％以上としてなるカップリング剤を用いる配線基板の製造方法とすると良い。
【００１９】
本発明によれば、前記カップリング剤として、分子中に疎水性の有機官能基を有するカップリング剤を２０wt％以上としてなるカップリング剤を用いる。このようなカップリング剤を使用すれば、水分が基板本体から固定用樹脂に一層浸透しにくくなるため、固定用樹脂の変質や、それに起因する固定用樹脂の剥離及びクラックの発生を確実に予防することができる。
なお、疎水性の有機官能基としては、例えば、上述の親水基を含まないアルキル基、ハロゲン化アルキル基などが挙げられる。このような疎水性の有機官能基を有するカップリング剤が上記のように２０wt％未満になると、やはり水分が基板本体から固定用樹脂へ浸透可能となり始めるため、かかる範囲を除外したものである。
【００２０】
また、配線基板として、基板主面と基板裏面とを有する基板本体と、上記基板主面と基板裏面との間を貫通する貫通孔または上記基板主面若しくは基板裏面に開口する凹部からなる収容部と、上記収容部内に内蔵されたＩＣチップと、上記ＩＣチップを上記収容部内に固定する固定用樹脂と、を備える配線基板であって、上記ＩＣチップの表面に、カップリング剤により形成された被膜を有し、上記ＩＣチップが上記被膜を介して上記固定用樹脂に固着している配線基板が挙げられる。
【００２１】
この配線基板によれば、ＩＣチップの表面に、カップリング剤により形成された被膜を有する。そして、ＩＣチップがこの被膜を介して固定用樹脂に固着している。
このような被膜が介在すれば、ＩＣチップと固定用樹脂とは、ＩＣチップの表面の被膜と固定用樹脂とのカップリング作用により、無機物であるＩＣチップの表面とこれを埋設する有機物である固定用樹脂との密着性が向上する。その結果、熱サイクル試験などを受けても、ＩＣチップを気密性を確保できると共に、ＩＣチップと配線層との間で接続不良が生じにくく、安定した導通が得られる。従って、信頼性が高く、高性能化の要請に十分に応えることが可能な配線基板とすることができる。
【００２２】
なお、上記被膜は、厚さ約０．５μｍ以下（但し０は含まず）であるのが望ましい。厚さを０．５μｍ以下としたのは、これよりも厚くなると、この被膜の表面にゼリー状の固まりが生じ、当該被膜による密着性などが低下するためである。さらには、上記被膜は、厚さ約０．２μｍ以下（但し０は含まず）であるのが望ましい。これにより、被膜の表面にゼリー状の固まりが生じにくくなり、より一層の密着性が得られるためである。
また、基板本体には、前述したように、単層の絶縁層からなるものの他、多層基板とした形態も含まれる。
【００２３】
さらに、上記の配線基板であって、前記カップリング剤は、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤及びシラン系カップリング剤の少なくともいずれかからなる配線基板とすると良い。
【００２４】
この配線基板によれば、カップリング剤は、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤及びシラン系カップリング剤の少なくともいずれかからなる。このようなカップリング剤により形成した被膜が介在すれば、ＩＣチップと固定用樹脂が一層確実に密着する。
なお、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤及びシラン系カップリング剤については、前述した通りである。
【００２５】
また、配線基板の製造方法としては、基板主面と基板裏面とを有する基板本体と、上記基板主面と基板裏面との間を貫通する貫通孔または上記基板主面若しくは基板裏面に開口する凹部からなる収容部と、上記収容部内に内蔵されたＩＣチップと、上記ＩＣチップを上記収容部内に固定する固定用樹脂と、を備える配線基板の製造方法であって、上記ＩＣチップの表面に、カップリング剤を用いて被膜を形成する工程と、上記被膜が形成された上記ＩＣチップを、上記基板本体の収容部内に配置する工程と、上記ＩＣチップが配置された上記収容部内に、上記固定用樹脂を充填し硬化させる工程と、を備える配線基板の製造方法が挙げられる。
【００２６】
この製造方法によれば、ＩＣチップの表面に、カップリング剤を用いて被膜を形成する工程と、この被膜が形成されたＩＣチップを、基板本体の収容部内に配置する工程と、ＩＣチップが配置された収容部内に、固定用樹脂を充填し硬化させる工程とを備える。
従って、固定用樹脂で固着した際、カップリング作用が働いて、ＩＣチップの表面とこれを埋設する固定用樹脂との密着性が向上する。その結果、熱サイクル試験などを受けても、ＩＣチップと内部の配線層との間で接続不良が生じにくく、安定した導通が得られる。従って、信頼性が高く、高性能化の要請に十分に応えることが可能な配線基板を提供することができる。
【００２７】
なお、カップリング剤には、前述したように、予め加水分解処理や、更に進んで縮合反応をしておくのが望ましい。
また、カップリング剤は、前述したように、分散媒により希釈して使用するのが好ましい。
【００２８】
さらに、上記の配線基板の製造方法であって、前記カップリング剤として、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤及びシラン系カップリング剤の少なくともいずれかからなるカップリング剤を用いる配線基板の製造方法とすると良い。
【００２９】
この製造方法によれば、前記のカップリング剤として、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤及びシラン系カップリング剤の少なくともいずれかからなるカップリング剤を用いる。このようなカップリング剤を使用すれば、前記カップリング作用を一層確実に生じさせ、ＩＣチップと固定用樹脂を一層確実に密着させることができる。
なお、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤及びシラン系カップリング剤については、前述した通りである。
【００３０】
さらに、上記のいずれかに記載の配線基板の製造方法であって、前記カップリング剤として、分子中に親水性の有機官能基を有するカップリング剤を５wt％以下としてなるカップリング剤を用いる配線基板の製造方法とすると良い。
【００３１】
本発明によれば、前記のカップリング剤として、分子中に親水性の有機官能基を有するカップリング剤を５wt％以下としてなるカップリング剤を用いる。このようなカップリング剤を使用すれば、被膜にはポリイミドのような吸湿性の成分が少ないため、被膜を介して水分が固定用樹脂に一層浸透しにくくなる。このため、かかる固定用樹脂自体が加水分解してカルボン酸などに変質したり、これに起因する固定用樹脂の剥離及びクラックの発生を確実に予防することができる。しかも、被膜の吸水性が低い（防水性が高い）ため、ＩＣチップのＩＣ端子の溶出（マイグレーション）を防止し、かつ、ＩＣ端子間における短絡を防ぐこともできる。
なお、親水基については、前述した通りである。
【００３２】
さらに、上記のいずれかに記載の配線基板の製造方法であって、前記カップリング剤として、分子中に疎水性の有機官能基を有するカップリング剤を２０wt％以上としてなるカップリング剤を用いる配線基板の製造方法とすると良い。
【００３３】
本発明によれば、前記カップリング剤として、分子中に疎水性の有機官能基を有するカップリング剤を２０wt％以上としてなるカップリング剤を用いる。このようなカップリング剤を使用すれば、被膜を介して水分が固定用樹脂に一層浸透しにくくなるため、固定用樹脂の変質や、これによる固定用樹脂の剥離及びクラックの発生を確実に予防することができる。その上、ＩＣチップのＩＣ端子の溶出（マイグレーション）を防止し、かつ、ＩＣ端子間における短絡を防ぐこともできる。
なお、疎水性の有機官能基については、前述した通りである。
【００３４】
【発明の実施の形態】
（実施形態１）
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しつつ説明する。
本実施形態１の配線基板１０１の簡略化した断面図を図１に示す。この配線基板１０１は、コア基板（基板本体）１０５と、その基板主面１０５ａ側及び基板裏面１０５ｂ側に形成された配線層１０７，１０９，１１１，１１３，１１５，１１７及び絶縁層１２１，１２３，１２５，１２７，１２９，１３１からなるビルドアップ層とを有する多層配線基板である。
【００３５】
コア基板１０５は、平面視略矩形（平面視略正方形）で厚さ約０．８ｍｍのビスマレイミド・トリアジン（ＢＴ）樹脂からなり、その中央部をパンチングすることにより、基板主面１０５ａと基板裏面１０５ｂとの間を貫通し平面視略矩形（平面視略正方形）で一辺が約１２ｍｍの貫通孔からなる収容部１４１が穿孔されている。
この収容部１４１の内面１４１ｓ（４つの側面）には、厚さ約０．１μｍのカップリング剤により形成された被膜１４２が被覆されている。このカップリング剤には、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤及びシラン系カップリング剤の少なくともいずれかからなるものが用いられる。また、分子中に親水性の有機官能基を有するカップリング剤を５wt％以下としてなり、かつ、分子中に疎水性の有機官能基を有するカップリング剤を２０wt％以上としてなるカップリング剤が用いられる。シラン系カップリング剤の混合物を用いる場合、例えば、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランとへキシルトリメトキシシランとの混合物（重量比１：２０）を用いる。この場合、親水性の有機官能基を有するカップリング剤は約４．８wt％で、疎水性の有機官能基を有するカップリング剤は約９５．２wt％となる。このようなカップリング剤により形成された被膜１４２があると、収容部１４１と後述する固定用樹脂１４７との密着性が高められ、かつ、収容部１４１と固定用樹脂１４７との間の防水性も高められる。
【００３６】
被膜１４２が被覆された収容部１４１には、ＩＣチップＩＣ２が内蔵され、シリカフィラーなどの無機フィラーを含むエポキシ系の樹脂エポキシ樹脂等からなる固定用樹脂１４７により固定されている。即ち、固定用樹脂１４７は、収容部１４１の内面１４１ｓの被膜１４２を介して収容部１４１に固着している。
ＩＣチップＩＣ２は、ＩＣ端子ＩＣ２ｔが配置された端子面ＩＣ２ｍを基板裏面１０５ｂ側に向けてコア基板１０５内に内蔵されている。このＩＣチップＩＣ２の表面にも、厚さ約０．１μｍのカップリング剤により形成された被膜１４６が被覆されている。従って、ＩＣチップＩＣ２は、この被膜１４６を介して固定用樹脂１４７に固着している。このカップリング剤も、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤及びシラン系カップリング剤の少なくともいずれかからなるものが用いられる。また、分子中に親水性の有機官能基を有するカップリング剤を５wt％以下としてなり、かつ、分子中に疎水性の有機官能基を有するカップリング剤を２０wt％以上としてなるカップリング剤が用いられる。シラン系カップリング剤の混合物を用いる場合、例えば、上記と同様に、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランとへキシルトリメトキシシランとの混合物（重量比１：２０）を用いる。この場合、親水性の有機官能基を有するカップリング剤は約４．８wt％で、疎水性の有機官能基を有するカップリング剤は約９５．２wt％となる。このようなカップリング剤により形成された被膜１４６があると、ＩＣチップＩＣ２と固定用樹脂１４７との密着性が高められ、かつ、ＩＣチップＩＣ２と固定用樹脂１４７との間の防水性も高められる。
【００３７】
また、収容部１４１の周囲には、基板主面１０５ａと基板裏面１０５ｂとの間を貫通するスルーホール１４３が多数形成され、各スルーホール１４３には、Ｃｕメッキからなるスルーホール導体１４４及びエポキシ樹脂等からなる充填用樹脂１４５が形成されている。なお、この充填樹脂１４５に替えて、多量の金属粉末を含んだ導電性樹脂や、微量の金属粉末を含んだ非導電性樹脂などを用いてもよい。
【００３８】
コア基板１０５の基板主面１０５ａ上には、Ｃｕメッキからなり、スルーホール導体１４４と接続する配線層１０７と、エポキシ樹脂からなる絶縁層１２１とが形成されている。この絶縁層１２１の所定の位置には、配線層１０７に接続するフィルドビア導体１５１が多数形成されている。同様にして、絶縁層１２１上には、Ｃｕメッキからなり、フィルドビア導体１５１と接続する配線層１０９と、エポキシ樹脂からなる絶縁層１２３とが形成されている。この絶縁層１２３の所定の位置にも、配線層１０９に接続するフィルドビア導体１５３が多数形成されている。さらに、絶縁層１２３上には、Ｃｕメッキからなり、フィルドビア導体１５３と接続する配線層１１１と、エポキシ樹脂からなるソルダーレジスト層（絶縁層）１２５とが形成されている。そして、この配線層１１１上には、ソルダーレジスト層１２５を貫通し配線基板１０１の主面１０１ａよりも高く突出するハンダバンプ（図示しない）が複数形成されている。これらのハンダバンプは、追って主面１０１ａ上に搭載されるチップコンデンサ（電子部品）（図示しない）の端子と個別に接続される。
【００３９】
一方、コア基板１０５の基板裏面１０５ｂ上にも、Ｃｕメッキからなり、スルーホール導体１４４やＩＣチップＩＣ２のＩＣ端子ＩＣ２ｔと接続する配線層１１３と、エポキシ樹脂からなる絶縁層１２７とが形成されている。この絶縁層１２７の所定の位置には、配線層１１３に接続するフィルドビア導体１５７が多数形成されている。同様にして、絶縁層１２７上には、Ｃｕメッキからなり、フィルドビア導体１５７と接続する配線層１１５と、エポキシ樹脂からなる絶縁層１２９とが形成されている。この絶縁層１２９の所定の位置にも、配線層１１５に接続するフィルドビア導体１５９が多数形成されている。さらに、絶縁層１２９上には、Ｃｕメッキからなり、フィルドビア導体１５９と接続する配線層１１７と、エポキシ樹脂からなるソルダーレジスト層（絶縁層）１３１とが形成されている。そして、この配線層１１７上には、ソルダーレジスト層１３１を貫通し配線基板１０１の裏面１０１ｂよりも高く突出するハンダバンプ１６１が複数形成されている。これらのハンダバンプ１６１は、追って裏面１０１ｂ上に搭載されるチップコンデンサ（電子部品）ＣＣの端子と個別に接続される。また、この配線層１１７上には、ハンダにより複数のピン（図示しない）が立設されている。これらのピンは、この配線基板１０１自体を搭載するプリント基板などのマザーボード（図示しない）との接続端子になる。
【００４０】
尚、上述した配線層１０７，１０９，１１１，１１３，１１５，１１７、絶縁層１２１，１２３，１２５，１２７，１２９，１３１、及び、フィルドビア導体１５１，１５３，１５７，１５９は、公知のビルドアップ技術(セミアディテイブ法、フルアディテイブ法、サブトラクティブ法、フォトリソグラフイ技術、レーザ加工によるビアホールの穿孔等)により形成される。
【００４１】
このような配線基板１０１は、収容部１４１の内面１４１ｓにカップリング剤により形成された被膜１４２により、収容部１４１と固定用樹脂１４７との間において、水分不透過性及び高い密着性が得られる。特に、カップリング剤に、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤及びシラン系カップリング剤の少なくともいずれかからなり、さらに、分子中に親水性の有機官能基を有するカップリング剤を５wt％以下としてなり、かつ、分子中に疎水性の有機官能基を有するカップリング剤を２０wt％以上としてなるものが用いられるので、高い水分不透過性及び高い密着性が得られる。このため、スルーホール導体１４４や配線層１０７，１１３等を形成する際におけるＣｕメッキ時のメッキ液中の水分や、収容部１４１の内面１４１ｓのデスミア処理（例えば、過マンガン酸カリウム溶液による）時の処理液中の水分がコア基板１０５に浸透しても、この水分は、被膜１４２が介在することにより、固定用樹脂１４７には浸透しない。
【００４２】
この結果、固定用樹脂１４７の変質を防止し、ＩＣチップＩＣ２を収容部１４１内に気密性をもって内蔵できると共に、コア基板１０５上に設けるビルドアップ層を支障を来すことなく確実かつ強固に形成できる。このため、配線基板１０１を高温高湿度環境下に置く不飽和型超加速寿命試験（温度１３１℃、相対湿度８５％、気圧２１３ｋＰａ＝２．１ａｔｍ、印加電圧１．８Ｖの高温高湿度高気圧中での負荷試験、試験時間：１００時間、以下ＨＡＳＴテストと称する）を行っても、固定用樹脂１４７中のクラックや絶縁層間に隙間ができるデラミネーションの発生を確実に防止できる。従って、この配線基板１０１は、ＨＡＳＴテストを受けても信頼性が高く、配線の高密度化及び高性能化の要請に十分に応えられる。
【００４３】
また、この配線基板１０１は、ＩＣチップＩＣ２の表面にカップリング剤により形成された被膜１４６により、ＩＣチップＩＣ２と固定用樹脂１４７との間においても、高い密着性及び水分不透過性が得られる。特に、カップリング剤に、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤及びシラン系カップリング剤の少なくともいずれかからなり、さらに、分子中に親水性の有機官能基を有するカップリング剤を５wt％以下としてなり、かつ、分子中に疎水性の有機官能基を有するカップリング剤を２０wt％以上としてなるものが用いられるので、高い水分不透過性及び高い密着性が得られる。このため、ＩＣチップＩＣ２のＩＣ端子ＩＣ２ｔと配線層１１３との接続部分が断線しにくく、安定した導通が得られる。また、上記のＨＡＳＴ試験を行っても、ＩＣ端子ＩＣ２ｔの溶出（マイグレーション）が防止され、また、ＩＣ端子ＩＣ２ｔ間の短絡を防止することもできる。
【００４４】
次いで、上記配線基板１０１の製造方法における主要な工程について説明する。
まず、図２に示すように、基板主面１０５ａ及び基板裏面１０５ｂを有する厚さ０．８ｍｍのＢＴ樹脂からなるコア基板１０５を用意し、これにパンチングを施す。その結果、図３に示すように、基板主面１０５ａと基板裏面１０５ｂとの間を貫通し平面視略矩形状（平面視略正方形状）で一辺が約１２ｍｍの貫通孔からなる収容部１４１が穿孔される。
【００４５】
次に、図４に示すように、収容部１４１の内面１４１ｓ（４つの側面）に、カップリング剤により厚さ約０．１μｍの被膜１４２を形成する。具体的には、カップリング剤をエタノールに溶解したカップリング処理液中に、収容部１４１が形成されたコア基板１０５を浸漬し、浸漬後に１００℃で約１時間にわたり加熱して乾燥することにより溶媒を除去する。その後、エタノールによって洗浄し、所望の厚みの被膜を得る。さらに、１２０℃で約１時間にわたり加熱することにより、カップリング剤を硬化させる。
なお、図４中に二点鎖線で示すように、コア基板１０５の基板主面１０５ａと基板裏面１０５ｂにも同時にカップリング剤による被膜を形成しても良い。
【００４６】
ここで、カップリング剤は、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤及びシラン系カップリング剤の少なくともいずれかからなり、親水性の有機官能基を有するカップリング剤が５wt％以下で、かつ、疎水性の有機官能基を有するカップリング剤が２０wt％以上になるように予め設定されている。シラン系カップリング剤の混合物を用いる場合、例えば、γ一グリシドキシプロピルトリメトキシシランとヘキシルトリメトキシシランとの混合物（重量比１：２０）を用いる。この場合、親水性の有機官能基を有するカップリング剤は約４．８wt％となり、疎水基の有機官能基を有するカップリング剤は約９５．２wt％となる。
なお、カップリング剤を分散させるための分散媒には、例えば、水、エタノール、メタノール、イソプロピルアルコールなどのアルコール類を単独または混合して用いる。また、カップリング剤は、カップリング処理液中で、０．５〜１０wt％、望ましくは１〜５wt％の濃度とすることがよい。
【００４７】
次に、図５に示すように、コア基板１０５の基板裏面１０５ｂ側に、コア基板１０５を含むパネル(多数個取りの基板)における多数のコア基板１０５に跨って、テープＴを貼り付ける。このテープＴの粘着面は、収容部１４１側に向いている。その後、収容部１４１内にＩＣチップＩＣ２を図示しないチップマウンタにより挿入し、かつ、ＩＣチップＩＣ２の端子面ＩＣ２ｍ側を上記テープＴの粘着面に接着させる。
【００４８】
配置するＩＣチップＩＣ２の表面には、予めカップリング剤により厚さ約０．１μｍの被膜１４６を形成しておく。具体的には、上述したように、カップリング剤をエタノールに溶解したカップリング処理液中に、ＩＣチップＩＣ２を浸漬し、浸漬後に１００℃で約１時間にわたり加熱して乾燥することにより溶媒を除去する。その後、エタノールによって洗浄し、所望の厚みの被膜を得る。さらに、１２０℃で約１時間にわたり加熱することにより、カップリング剤を硬化させる。
【００４９】
カップリング剤は、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤及びシラン系カップリング剤の少なくともいずれかからなり、親水性の有機官能基を有するカップリング剤が５wt％以下で、かつ、疎水性の有機官能基を有するカップリング剤が２０wt％以上になるように予め設定されている。シラン系カップリング剤の混合物を用いる場合、例えば、上記と同様に、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランとヘキシルトリメトキシシランとの混合物（重量比１：２０）を用いる。この場合、親水性の有機官能基を有するカップリング剤は約４．８wt％となり、疎水性の有機官能基を有するカップリング剤は約９５．２wt％となる。
なお、カップリング剤を分散させための分散媒についても、上記と同様に、例えば、水やアルコール類を単独または混合して用いる。また、カップリング剤は、カップリング処理液中で、０．５〜１０wt％、望ましくは１〜５wt％の濃度とすることがよい。
【００５０】
次に、図６に示すように、基板主面１０５ａ側から収容部１４１内に、液状エポキシ樹脂からなる固定用樹脂１４７を図示しないディスペンサを用いて充填する。この固定用樹脂１４７には、例えば、ビスフェノール型エポキシ樹脂が用いられ、必要に応じてシリカフィラーなどの無機フィラーや液状硬化剤が添加される。固定用樹脂１４７を収容部１４１内に充填した後、このコア基板１０５を１１０〜１８０℃に加熱することにより、エポキシ樹脂は硬化した樹脂となる。
かかる固定用樹脂１４７は、カップリング剤により形成された被膜１４２を介して、コア基板１０５（収容部１４１）に強固に固着する。しかも、この被膜１４２により、固定用樹脂１４７とコア基板１０５との間で水分不透過性を付与される。また、ＩＣチップＩＣ２は、カップリング剤により形成された被膜１４６を介して、固定用樹脂１４７に強固に固着する。しかも、この被膜１４６により、ＩＣチップＩＣ２と固定用樹脂１４７との間で水分不透過性を付与される。
【００５１】
その後、固定用樹脂１４７の盛り上がった露出面に対し、ベルトサンダによる研磨及びラップ研磨による仕上げ研磨を施して平坦に整面する。この結果、図７に示すように、基板主面１０５ａ側が平坦面となる。この際、カップリング剤により形成された被膜１４２によってコア基板１０５に含まれる水分が固定用樹脂１４７に入り込むことはなく、かかる固定用樹脂１４７は変質していないため、研磨圧力を受けても固定用樹脂１４７の一部が剥離することは殆ど生じない。なお、上記テープＴを剥離し、基板裏面１０５ｂ側の固定用樹脂１４７の露出面についても、同様に、研磨して整面し平坦面としておくのが好ましい。
【００５２】
この後は、公知のフォトリソグラフィー技術等を利用して、コア基板１０５にスルーホール導体１４４を形成すると共に、基板主面１０５ａ及び基板裏面１０５ｂに配線層１０７，１１３を形成する。そしてさらに、絶縁層１２１，１２３，１２５，１２７，１２９，１３１、配線層１０９，１１１，１１５，１１７、及び、フィルドビア導体１５１，１５３，１５７，１５９を公知のビルドアップ技術により形成する。
これにより、上述した配線基板１０１を得ることができる。
【００５３】
以上のような製造方法によれば、コア基板１０５の収容部１４１の内面１４１ｓには、被膜１４２が形成され、固定用樹脂１４７がこの被膜１４２を介して収容部１４１に固着する。このため、コア基板１０５（収容部１４１）と固定用樹脂１４７との間において、水分不透過性となり、かつ、高い密着性が得られる。従って、ＩＣチップＩＣ２を収容部１４１内に気密性をもって内蔵できると共に、コア基板１０５上にビルドアップ層を支障を来さすことなく確実かつ強固に形成することが可能となる。よって、熱サイクル試験などを受けても信頼性が高く、配線の高密度化や高性能化の要請に十分に応える配線基板を提供することが可能となる。
【００５４】
特に、カップリング剤として、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤及びシラン系カップリング剤の少なくともいずれかからなるカップリング剤を用いるので、コア基板１０５（収容部１４１）と固定用樹脂１４７との界面における両者の結合を一層強固に成さしめ、かつ、水分不透過性を確実に与えることが可能となる。
また、カップリング剤として、分子中に親水性の有機官能基を有するカップリング剤を５wt％以下としてなるカップリング剤を用いるので、水分がコア基板１０５から固定用樹脂１４７に一層浸透しにくくなるため、固定用樹脂１４７の変質や、それに起因する固定用樹脂１４７の剥離及びクラックの発生を確実に予防することができる。
また、カップリング剤として、分子中に疎水性の有機官能基を有するカップリング剤を２０wt％以上としてなるカップリング剤を用いるので、水分がコア基板１０５から固定用樹脂１４７に一層浸透しにくくなるため、固定用樹脂１４７の変質や、それに起因する固定用樹脂１４７の剥離及びクラックの発生を確実に予防することができる。
【００５５】
また、上記の製造方法によれば、固定用樹脂１４７で固着した際、カップリング作用が働いて、ＩＣチップＩＣ２の表面とこれを埋設する固定用樹脂１４７との密着性が向上する。その結果、熱サイクル試験などを受けても、ＩＣチップＩＣ２と内部の配線層１１３との間で接続不良が生じにくく、安定した導通が得られる。従って、信頼性が高く、高性能化の要請に十分に応えることが可能な配線基板を提供することができる。
【００５６】
さらに、カップリング剤として、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤及びシラン系カップリング剤の少なくともいずれかからなるカップリング剤を用いるので、カップリング作用を一層確実に生じさせ、ＩＣチップＩＣ２と固定用樹脂１４７を一層確実に密着させることができる。
また、カップリング剤として、分子中に親水性の有機官能基を有するカップリング剤を５wt％以下としてなるカップリング剤を用いるので、被膜１４６にはポリイミドのような吸湿性の成分が少ないため、水分が固定用樹脂１４７に一層浸透しにくくなる。このため、かかる樹脂自体が加水分解してカルボン酸などに変質したり、これに起因する固定用樹脂１４７の剥離及びクラックの発生を確実に予防することができる。しかも、被膜１４６の吸水性が低い（防水性が高い）ため、ＩＣチップＩＣ２のＩＣ端子ＩＣ２ｔの溶出（マイグレーション）を防止し、かつ、ＩＣ端子ＩＣ２ｔ間における短絡を防ぐこともできる。
また、カップリング剤として、分子中に疎水性の有機官能基を有するカップリング剤を２０wt％以上としてなるカップリング剤を用いるので、水分が固定用樹脂１４７に一層浸透しにくくなるため、固定用樹脂１４７の変質や、これによる固定用樹脂１４７の剥離及びクラックの発生を確実に予防することができる。その上、ＩＣチップＩＣのＩＣ端子ＩＣ２ｔの溶出（マイグレーション）を防止し、かつ、ＩＣ端子ＩＣ２ｔ間における短絡を防ぐこともできる。
【００５７】
（実施形態２）
次いで、第２の実施の形態について説明する。なお、上記実施形態１と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。
本実施形態２の配線基板２０１の簡略化した縦断面図を図８に示す。この配線基板２０１のコア基板（基板本体）２０５には、その基板裏面２０５ｂ側に開口し平面視略矩形状（平面視略正方形状）で一辺が約１２ｍｍの凹部からなる収容部２４１が、ルータ加工により形成されている。かかる収容部２４１の内面２４１ｓ（各側面及び底面）には、前記同様の厚さ約０．１μｍのカップリング剤による被膜２４２が形成されている。
【００５８】
そして、収容部２４１内には、前記同様のＩＣチップＩＣ２が端子面ＩＣ２ｍを基板裏面２０５ｂ側に向けて配置され、かつ、前記同様の固定用樹脂２４７中に埋設されることにより、コア基板２０５に内蔵されている。このＩＣチップＩＣ２の表面にも、前記同様の厚さ約０．１μｍのカップリング剤による被膜１４６が形成されている。収容部２４１の周囲には、前記と同様、スルーホール１４３にスルーホール導体１４４及び充填用樹脂１４５が形成されている。
【００５９】
コア基板２０５の基板主面２０５ａ上には、前記と同様に、配線層１０７，１０９，１１１、絶縁層１２１，１２３，１２５、及び、フィルドビア導体１５１，１５３などが形成されている。また、コア基板２０５の基板裏面２０５ｂ上にも、前記と同様に、配線層１１３，１１５，１１７、絶縁層１２７，１２９，１３１、及び、フィルドビア導体１５７，１５９などが形成されている。
【００６０】
このような配線基板２０１も、カップリング剤により形成された被膜２４２により、コア基板２０５と収容部２４１に充填された固定用樹脂２４７との間において、高い水分不透過性及び高い密着性が得られる。このため、配線基板２０１の製造時に水分がコア基板２０５に浸透しても、この被膜２４２により収容部２４１内の固定用樹脂２４７には浸透しない。
その結果、ＩＣチップＩＣ２を収容部２４１内に気密性をもって内蔵できると共に、コア基板２０５の基板主面２０５ａや基板裏面２０５ｂにビルドアップ層を支障を来さすことなく確実かつ強固に形成される。このため、配線基板２０１をＨＡＳＴテストしても、固定用樹脂２４７などのクラックや絶縁層間のデラミネーションが生じにくくなり、信頼性の高い配線基板とすることができる。従って、この配線基板２０１は、信頼性が高いと共に、配線の高密度化及び高性能化の要請に十分に応えることが可能となる。
【００６１】
また、カップリング剤により形成された被膜１４６により、ＩＣチップＩＣ２と固定用樹脂１４７との間においても、高い密着性及び高い水分不透過性が得られる。このため、ＩＣチップＩＣ２のＩＣ端子ＩＣ２ｔと配線層１１３との接続部分が断線しにく、安定した導通が得られる。また、上記のＨＡＳＴ試験を行っても、ＩＣ端子ＩＣ２ｔの溶出（マイグレーション）が防止され、また、ＩＣ端子ＩＣ２ｔ間の短絡を防止することもできる。
その他、上記実施形態１と同様な部分は、同様な効果を奏する。
【００６２】
次いで、上記配線基板２０１の製造方法における主要な工程について説明する。
まず、コア基板２０５を用意し、ルータ加工により基板裏面２０５ｂ側に開口する凹部からなる収容部２４１を形成する。
次に、前記と同様にして、収容部２４１の内面２４１ｓ（４つの側面と底面）に、カップリング剤により厚さ約０．１μｍの被膜２４２を形成する。また、前記と同様にして、ＩＣチップＩＣ２の表面に、カップリング剤により厚さ約０．１μｍの被膜１４６を形成する。
【００６３】
次に、収容部２４１内にＩＣチップＩＣ２を配置して、前記と同様の固定用樹脂２４７を充填し固化させる。その後、前記と同様に、固定用樹脂２４７の露出面を平坦に整面する。
この後は、公知のフォトリソグラフィー技術等を利用して、スルーホール導体１４４及び配線層１０７，１１３を形成し、さらに、絶縁層１２１，１２３，１２５，１２７，１２９，１３１、配線層１０９，１１１，１１５，１１７、及び、フィルドビア導体１５１，１５３，１５７，１５９を形成する。
これにより、上述した配線基板２０１を得ることができる。
【００６４】
このような製造方法においても、前記と同様に、コア基板２０５の収容部２４１の内面２４１ｓには、被膜２４２が形成され、固定用樹脂２４７がこの被膜２４２を介して収容部２４１に固着する。このため、収容部２４１と固定用樹脂２４７との間において、高い水分不透過性となり、かつ、高い密着性が得られる。従って、ＩＣチップＩＣ２を収容部２４１内に気密性をもって内蔵できると共に、コア基板２０５上にビルドアップ層を支障を来さすことなく確実かつ強固に形成することが可能となる。よって、熱サイクル試験などを受けても信頼性が高く、配線の高密度化や高性能化の要請に十分に応える配線基板を提供することが可能となる。
【００６５】
また、上記の製造方法によれば、前記と同様に、固定用樹脂２４７で固着した際、カップリング作用が働いて、ＩＣチップＩＣ２の表面とこれを埋設する固定用樹脂２４７との密着性が向上する。その結果、熱サイクル試験などを受けても、ＩＣチップＩＣ２と内部の配線層１１３との間で接続不良が生じにくく、安定した導通が得られる。従って、信頼性が高く、高性能化の要請に十分に応えることが可能な配線基板を提供することができる。
その他、上記実施形態１と同様な部分は、同様な効果を奏する。
【００６６】
（実施形態３）
次いで、第３の実施の形態について説明する。なお、上記各実施形態１，２のいずれかと同様な部分の説明は、省略または簡略化する。
本実施形態３の配線基板３０１の簡略化した縦断面図を図９に示す。この配線基板３０１のコア基板（基板本体）３０５には、その基板主面３０５ａ側に開口し平面視略矩形状（平面視略正方形状）で一辺が約１２ｍｍの凹部からなる収容部３４１が、ルータ加工により形成されている。かかる収容部３４１の内面３１ｓ（各側面及び底面）には、前記同様の厚さ約０．１μｍのカップリング剤から形成された被膜３４２が被覆されている。
【００６７】
そして、この収容部３４１内には、前記同様のＩＣチップＩＣ２が端子面ＩＣ２ｍを基板裏面３０５ｂ側に向けて配置され、かつ、前記同様の固定用樹脂３４７中に埋設されることにより、コア基板３０５に内蔵されている。このＩＣチップＩＣ２の表面にも、前記同様の厚さ約０．１μｍのカップリング剤による被膜１４６が形成されている。
【００６８】
また、コア基板３０５のうち、収容部３４１の底部には、収容部３４１の底面３４１ｔと基板裏面３０５ｂとの間を貫通するスルーホール３４３が多数形成され、各スルーホール３４３には、ＩＣチップＩＣ２のＩＣ端子ＩＣ２ｔとそれぞれ接続するスルーホール導体３４４が形成され、さらにその内部には、充填用樹脂３４５が形成されている。
また、この配線基板３０１は、コア基板３０５の基板主面３０５ａ上にはビルドアップ層が形成されていない。一方、コア基板３０５の基板裏面３０５ｂ上には、前記と同様に、配線層１１３，１１５，１１７、絶縁層１２７，１２９，１３１、及び、フィルドビア導体１５７，１５９などのビルドアップ層が形成されている。
【００６９】
このような配線基板３０１も、カップリング剤により形成された被膜３４２により、コア基板３０５と収容部３４１に充填された固定用樹脂３４７との間において、高い水分不透過性及び高い密着性が得られる。このため、配線基板３０１の製造時に水分がコア基板３０５に浸透しても、この被膜３４２により収容部３４１内の固定用樹脂３４７には浸透しない。
その結果、ＩＣチップＩＣ２を収容部３４１内に気密性をもって内蔵できると共に、コア基板３０５の基板裏面３０５ｂにビルドアップ層を支障を来さすことなく確実かつ強固に形成される。このため、配線基板３０１をＨＡＳＴテストしても、固定用樹脂３４７のクラックや絶縁層間のデラミネーションが生じにくくなり、信頼性の高い配線基板とすることができる。従って、この配線基板３０１は、信頼性が高いと共に、配線の高密度化及び高性能化の要請に十分に応えることが可能となる。
【００７０】
さらに、カップリング剤により形成された被膜１４６により、ＩＣチップＩＣ２と固定用樹脂３４７との間においても、高い密着性及び水分不透過性が得られる。このため、ＩＣチップＩＣ２のＩＣ端子ＩＣ２ｔとスルーホール導体３４４との接続部分が断線しにく、安定した導通が得られる。また、上記のＨＡＳＴ試験を行っても、ＩＣ端子ＩＣ２ｔの溶出（マイグレーション）が防止され、また、ＩＣ端子ＩＣ２ｔ間の短絡を防止することもできる。
その他、上記実施形態１等と同様な部分は、同様な効果を奏する。
【００７１】
次いで、上記配線基板３０１の製造方法における主要な工程について説明する。
まず、コア基板３０５を用意し、ルータ加工により基板主面３０５ａ側に開口する凹部からなる収容部３４１を形成する。その後、収容部３４１の底部に公知の手法によりスルーホール導体３４４等を形成する。
次に、前記と同様にして、収容部３４１の内面３４１ｓ（４つの側面と底面）に、カップリング剤により厚さ約０．１μｍの被膜３４２を形成する。また、前記と同様にして、ＩＣチップＩＣ２の表面にも、カップリング剤により厚さ約０．１μｍの被膜１４６を形成する。
【００７２】
次に、収容部３４１内にＩＣチップＩＣ２を配置して、前記と同様の固定用樹脂３４７を充填し固化させる。その後、前記と同様に、固定用樹脂３４７の露出面を平坦に整面する。
この後は、公知のフォトリソグラフィー技術等を利用して、絶縁層１２７，１２９，１３１、配線層１１５，１１７、及び、フィルドビア導体１５７，１５９を形成する。
これにより、上述した配線基板３０１を得ることができる。
【００７３】
このような製造方法においても、前記と同様に、コア基板３０５の収容部３４１の内面３４１ｓには、被膜３４２が形成され、固定用樹脂３４７がこの被膜３４２を介して収容部３４１に固着する。このため、収容部３４１と固定用樹脂３４７との間において、高い水分不透過性となり、かつ、高い密着性が得られる。従って、ＩＣチップＩＣ２を収容部３４１内に気密性をもって内蔵できると共に、コア基板３０５上にビルドアップ層を支障を来さすことなく確実かつ強固に形成することが可能となる。よって、熱サイクル試験などを受けても信頼性が高く、配線の高密度化や高性能化の要請に十分に応える配線基板を提供することが可能となる。
【００７４】
また、上記の製造方法によれば、前記と同様に、固定用樹脂３４７で固着した際、カップリング作用が働いて、ＩＣチップＩＣ２の表面とこれを埋設する固定用樹脂３４７との密着性が向上する。その結果、熱サイクル試験などを受けても、ＩＣチップＩＣ２とスルーホール導体３４４との間で接続不良が生じにくく、安定した導通が得られる。従って、信頼性が高く、高性能化の要請に十分に応えることが可能な配線基板を提供することができる。
その他、上記実施形態１等と同様な部分は、同様な効果を奏する。
【００７５】
（実施形態４）
次いで、第４の実施形態について説明する。なお、上記各実施形態１〜３のいずれかと同様な部分の説明は、省略または簡略化する。
本実施形態４の配線基板４０１の簡略化した縦断面図を図１０に示す。この配線基板４０１のコア基板（基板本体）４０５は、前記同様の材質からなり厚みが約２５０μｍで比較的薄肉の第１絶縁基板４０５ｅと、厚みが約５００μｍで比較的厚肉の第２絶縁基板４０５ｆとが積層された多層基板である。
【００７６】
コア基板４０５の第２絶縁基板４０５ｆには、基板主面４０５ａ側に開口する前記同様の凹部からなる収容部４４１が穿設されている。この収容部４４１は、第２絶縁基板４０５ｆに予め穿孔した同じ寸法の貫通孔を活用することによって形成したり、第１絶縁基板４０５ｅと接着した後でルータ加工または切り欠き加工により形成することができる。かかる収容部４４１の内面４４１ｓ（各側面及び底面）にも、前記同様の厚さ約０．１μｍのカップリング剤による被膜４４２が形成されている。
【００７７】
収容部４４１内には、前記同様のＩＣチップＩＣ２が配置され、かつ、前記同様の固定用樹脂４４７中に埋設されることにより、コア基板４０５に内蔵されている。このＩＣチップＩＣ２の表面にも、前記同様の厚さ約０．１μｍのカップリング剤による被膜１４６が形成されている。
コア基板４０５のうち、収容部４４１の底部には、収容部４４１の底面４４１ｔと基板裏面４０５ｂとの間を貫通する（第１絶縁基板４０５ｅを貫通する）スルーホール３４３が多数形成され、各スルーホール３４３には、ＩＣチップＩＣ２のＩＣ端子ＩＣ２ｔとそれぞれ接続するスルーホール導体３４４が形成され、さらにその内部には、充填用樹脂３４５が形成されている。
【００７８】
また、この配線基板４０１は、コア基板４０５の基板主面４０５ａ上にはビルドアップ層が形成されていない。一方、コア基板４０５の基板裏面４０５ｂ上には、前記と同様に、配線層１１３，１１５，１１７、絶縁層１２７，１２９，１３１、及び、フィルドビア導体１５７，１５９などのビルドアップ層が形成されている。
【００７９】
このような配線基板４０１においても、カップリング剤により形成された被膜４４２により、コア基板４０５と収容部４４１に充填された固定用樹脂４４７との間において、高い水分不透過性及び密着性が得られる。このため、水分などがコア基板４０５に浸透しても、この被膜４４２により収容部４４１内の固定用樹脂４４７には浸透しない。
その結果、ＩＣチップＩＣ２を収容部４４１内に気密性をもって内蔵できると共に、コア基板４０５の基板裏面４０５ｂにビルドアップ層を支障を来さすことなく確実かつ強固に形成される。このため、配線基板４０１をＨＡＳＴテストしても、固定用樹脂４４７のクラックや絶縁層間のデラミネーションが生じにくくなり、信頼性の高い配線基板とすることができる。従って、この配線基板４０１は、信頼性が高いと共に、配線の高密度化及び高性能化の要請に十分に応えることが可能となる。
【００８０】
さらに、カップリング剤により形成された被膜１４６により、ＩＣチップＩＣ２と固定用樹脂４４７との間においても、高い密着性及び水分不透過性が得られる。このため、ＩＣチップＩＣ２のＩＣ端子ＩＣ２ｔとスルーホール導体３４４との接続部分が断線しにく、安定した導通が得られる。また、上記のＨＡＳＴ試験を行っても、ＩＣ端子ＩＣ２ｔの溶出（マイグレーション）が防止され、また、ＩＣ端子ＩＣ２ｔ間の短絡を防止することもできる。
その他、上記実施形態１等と同様な部分は、同様な効果を奏する。
【００８１】
次いで、上記配線基板４０１の製造方法における主要な工程について説明する。
まず、第１絶縁基板４０５ｅと第２絶縁基板４０５ｆを用意し、第２絶縁基板４０５ｆに収容部４４１に相当する貫通孔を形成する。そして、第１絶縁基板４０５ｅと第２絶縁基板４０５ｆを張り合わせてコア基板４０５とする。その後、収容部４４１の底部に公知の手法によりスルーホール導体３４４等を形成する。
次に、前記と同様にして、収容部４４１の内面４４１ｓ（４つの側面と底面）に、カップリング剤により厚さ約０．１μｍの被膜４４２を形成する。また、前記と同様にして、ＩＣチップＩＣ２の表面にも、カップリング剤により厚さ約０．１μｍの被膜１４６を形成する。
【００８２】
次に、収容部４４１内にＩＣチップＩＣ２を配置して、前記と同様の固定用樹脂４４７を充填し固化させる。その後、前記と同様に、固定用樹脂４４７の露出面を平坦に整面する。
この後は、公知のフォトリソグラフィー技術等を利用して、絶縁層１２７，１２９，１３１、配線層１１５，１１７、及び、フィルドビア導体１５７，１５９を形成する。
これにより、上述した配線基板４０１を得ることができる。
【００８３】
このような製造方法においても、前記と同様に、コア基板４０５の収容部４４１の内面４４１ｓには、被膜４４２が形成され、固定用樹脂４４７がこの被膜４４２を介して収容部４４１に固着する。このため、収容部４４１と固定用樹脂４４７との間において、高い水分不透過性となり、かつ、高い密着性が得られる。従って、ＩＣチップＩＣ２を収容部４４１内に気密性をもって内蔵できると共に、コア基板４０５上にビルドアップ層を支障を来さすことなく確実かつ強固に形成することが可能となる。よって、熱サイクル試験などを受けても信頼性が高く、配線の高密度化や高性能化の要請に十分に応える配線基板を提供することが可能となる。
【００８４】
また、上記の製造方法によれば、前記と同様に、固定用樹脂４４７で固着した際、カップリング作用が働いて、ＩＣチップＩＣ２の表面とこれを埋設する固定用樹脂４４７との密着性が向上する。その結果、熱サイクル試験などを受けても、ＩＣチップＩＣ２とスルーホール導体３４４との間で接続不良が生じにくく、安定した導通が得られる。従って、信頼性が高く、高性能化の要請に十分に応えることが可能な配線基板を提供することができる。
その他、上記実施形態１等と同様な部分は、同様な効果を奏する。
【００８５】
以上において、本発明を実施形態に即して説明したが、本発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して適用できることはいうまでもない。
例えば、実施形態１では、コア基板１０５のうち、基板主面１０５ａに絶縁層１２１，１２３，１２５を積層し、基板裏面１０５ｂに絶縁層１２７，１２９，１３１を積層した両面積層タイプの配線基板１０１について、ＩＣチップＩＣ２を内蔵させた例を示した。しかし、絶縁層をコア基板の片面にのみ積層した配線基板、例えば、絶縁層１２１等を形成することなく、コア基板１０５の基板裏面１０５ｂにのみ絶縁層１２７，１２９，１３１を積層する片面積層タイプの配線基板に、ＩＣチップＩＣ２内蔵させても良い。
【００８６】
また、上記各実施形態では、電子部品としてチップコンデンサＣＣを搭載するものを示したが、実装する電子部品には、インダクタ、抵抗、フィルタ等の受動部品や、トランジスタ、メモリ、ローノイズアンプ(ＬＮＡ)等の能動部品も含まれ、あるいはＳＡＷフィルタ、ＬＣフィルタ、アンテナスイッチモジュール、カプラ、ダイブレクサなどが含まれる。しかも、互いに異種の電子部品同士を搭載することも可能である。
【００８７】
また、コア基板などの材質は、前記ＢＴ樹脂やガラス−エポキシ樹脂系の複合材料の他、同様の耐熱性、機械強度、加工容易性などを有するガラス織布や、グラス織布などのガラス繊維とエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、またはＢＴ樹脂などの樹脂との複合材料であるガラス繊維樹脂系の材料を用いても良い。あるいは、ポリイミド繊維などの有機繊維と樹脂との複合材料や、連続気孔を有するＰＴＦＥなど３次元網目横造のフッ素系樹脂にエポキシ樹脂などの樹脂を含浸させた複合材料などを用いることも可能である。
【００８８】
また、絶縁層の材質は、エポキシ樹脂を主成分とするもののほか、同様の耐熱性、パターン成形性等を有するポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂、ＰＰＥ樹脂、あるいは、連続気孔を有するＰＴＦＥなど３次元網目構造のフツ素系樹脂にエポキシ樹脂などの樹脂を含浸させた複合材料などを用いることもできる。なお、絶縁層の形成には、絶縁性の樹脂フィルムを熱圧着する方法のほか、液状の樹脂をロールコータにより塗布する方法を用いることもできる。また、絶縁層に混入するガラス布またはガラスフィラーの組成は、Ｅガラス、Ｄガラス、Ｑガラス、Ｓガラスの何れか、またはこれらのうちの２種類以上を併用したものとしても良い。
【００８９】
また、前記配線層などの材質は、前記Ｃｕの他、Ａｇ、Ｎｉ、Ｎｉ−Ａｕなどにしても良く、あるいは、これら金属のメッキ膜を用いず、導電性樹脂を塗布するなどの方法により形成しても良い。
また、前記ビア導体などは、ビアホール内を埋め尽くす形態のフィルドビアに限らず、ビアホールの断面形状に放った円錐形状の形態としても良い。また、ビア導体同士の接続は、各ビア導体の軸心をずらしつつ積み重ねるスタッガードの形態でも良いし、途中で平面方向に延びる配線層が介在する形態としても良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】  実施形態１に係る配線基板の簡略化した縦断面図である。
【図２】  実施形態１に係る配線基板の製造方法に関し、コア基板を示す説明図である。
【図３】  実施形態１に係る配線基板の製造方法に関し、コア基板に収容部を形成した様子を示す説明図である。
【図４】  実施形態１に係る配線基板の製造方法に関し、収容部の内面に被膜を形成した様子を示す説明図である。
【図５】  実施形態１に係る配線基板の製造方法に関し、収容部内にＩＣチップを配置した様子を示す説明図である。
【図６】  実施形態１に係る配線基板の製造方法に関し、収容部内に固定用樹脂を充填し硬化させた様子を示す説明図である。
【図７】  実施形態１に係る配線基板の製造方法に関し、固定用樹脂の露出面等を平坦化した様子を示す説明図である。
【図８】  実施形態２に係る配線基板の簡略化した縦断面図である。
【図９】  実施形態３に係る配線基板の簡略化した縦断面図である。
【図１０】  実施形態４に係る配線基板の簡略化した縦断面図である。
【図１１】  従来技術に係る配線基板の簡略化した縦断面図である。
【符号の説明】
１０１，２０１，３０１，４０１    配線基板
１０５，２０５，３０５，４０５    コア基板（基板本体）
１０５ａ，２０５ａ，３０５ａ，４０５ａ    基板主面
１０５ｂ，２０５ｂ，３０５ｂ，４０５ｂ    基板裏面
１４１，２４１，３４１，４４１    収容部
１４１ｓ，２４１ｓ，３４１ｓ，４４１ｓ    （収容部の）内面
１４２，２４２，３４２，４４２    （収容部の内面に被覆された）被膜
１４６    （ＩＣチップの表面に被覆された）被膜
１４７，２４７，３４７，４４７    固定用樹脂
ＩＣ２    ＩＣチップ
【図１】
0004054216.tif 000002
【図２】
0004054216.tif 000003
【図３】
0004054216.tif 000004
【図４】
0004054216.tif 000005
【図５】
0004054216.tif 000006
【図６】
0004054216.tif 000007
【図７】
0004054216.tif 000008
【図８】
0004054216.tif 000009
【図９】
0004054216.tif 000010
【図１０】
0004054216.tif 000011
【図１１】
0004054216.tif 000012