【事件の表示】
　特許第６３２０２３９号発明「半導体チップ封止用熱硬化性樹脂シート及び半導体パッケージの製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６３２０２３９号の特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１−１２〕について訂正することを認める。
　特許第６３２０２３９号の請求項２−５、７−１２に係る特許を維持する。
　特許第６３２０２３９号の請求項１及び６に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　特許第６３２０２３９号の請求項１〜１２に係る特許についての出願は、平成２６年８月２０日（優先権主張　平成２５年９月２４日）に特許出願され、平成３０年４月１３日にその特許権の設定登録がされ、同年５月９日に特許公報が発行されたものである。
　その後、平成３０年１１月９日に、本件特許の請求項１〜１２に係る特許に対して、特許異議申立人である益川教親（以下、「申立人」という。）により、特許異議の申立てがされた。
　本件特許異議の申立てにおける手続の経緯は、以下のとおりである。
　平成３１年　２月　１日　：取消理由通知書
　　　　同年　４月　２日　：意見書、訂正請求書（特許権者）
　令和　１年　５月１５日　：意見書（申立人）
   
第２　訂正の請求について 
１　訂正の内容 
　平成３１年４月２日提出の訂正請求書による訂正（以下、「本件訂正」という。）の請求は、本件特許の特許請求の範囲を上記訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項１〜１２について訂正することを求めるものであり、その内容は、以下のとおりである。
（１）訂正事項１ 
　特許請求の範囲の請求項１を削除する。
（２）訂正事項２ 
　特許請求の範囲の請求項２を、以下のとおりに訂正する。
「エポキシ樹脂、フェノールノボラック系硬化剤、無機充填材及び硬化促進剤を含み、
活性化エネルギー（Ｅａ）が下記式（１）を満たし、かつ
１５０℃で１時間熱硬化処理した後の熱硬化物のガラス転移温度が１２５℃以上であり、
前記熱硬化物の前記ガラス転移温度以下における熱膨張係数α［ｐｐｍ／Ｋ］及び前記熱硬化物の２５℃における貯蔵弾性率Ｅ’［ＧＰａ］が下記式（２）を満たす半導体チップ封止用熱硬化性樹脂シート。
　　３０≦Ｅａ≦１２０［ｋＪ／ｍｏｌ］  ・・・（１）
　　１００００≦α×Ｅ’≦３０００００［Ｐａ／Ｋ］  ・・・（２）」
（３）訂正事項３ 
　特許請求の範囲の請求項６を削除する。
（４）訂正事項４ 
　特許請求の範囲の請求項７に「請求項１〜６のいずれか」とあるのを、「請求項２〜５のいずれか」に訂正する。
（５）訂正事項５ 
　特許請求の範囲の請求項８に「請求項１〜７のいずれか」とあるのを、「請求項２〜５及び７のいずれか」に訂正する。
（６）訂正事項６ 
特許請求の範囲の請求項９に「請求項１〜８のいずれか」とあるのを、「請求項２〜５、７及び８のいずれか」に訂正する。
　そして、訂正前の請求項２〜１２は、訂正前の請求項１を直接又は間接的に引用するものであるから、本件訂正は一群の請求項ごとに請求がされたものである。
２　訂正の適否についての当審の判断 
（１）訂正事項１及び３について 
　訂正事項１及び３に係る訂正は、請求項１又は６を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する（特許法第１２０条の５第２項ただし書１号）。また、上記訂正は、本件特許の願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内においてするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない（同法第１２６条第５項及び第６項）。
（２）訂正事項２について 
　訂正事項２に係る訂正は、訂正前の請求項２を独立形式にするものであるから、他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすることを目的とするものに該当する（特許法第１２０条の５第２項ただし書４号）。また、上記訂正は、本件特許の願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内においてするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（３）訂正事項４〜６について 
　訂正事項４〜６に係る訂正は、請求項１及び６が削除されたことに伴い、引用する請求項から削除された請求項を除くものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。また、上記訂正は、本件特許の願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内においてするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
３　まとめ 
　上記２のとおり、訂正事項１〜６に係る訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書１号又は４号に掲げる事項を目的とするものに該当し、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項に適合するものであるから、結論のとおり、本件訂正を認める。 
第３　本件発明  
　上記第２で述べたとおり、本件訂正は認められるので、本件特許の請求項２〜５、７〜１２に係る発明は、願書に添付した特許請求の範囲の請求項２〜５、７〜１２に記載された事項により特定される以下のとおりのものである（以下、それぞれ「本件発明２」等という。また、本件特許の願書に添付した明細書を「本件明細書」という。）。
「【請求項１】（削除）
【請求項２】
エポキシ樹脂、フェノールノボラック系硬化剤、無機充填材及び硬化促進剤を含み、
活性化エネルギー（Ｅａ）が下記式（１）を満たし、かつ
１５０℃で１時間熱硬化処理した後の熱硬化物のガラス転移温度が１２５℃以上であり、
前記熱硬化物の前記ガラス転移温度以下における熱膨張係数α［ｐｐｍ／Ｋ］及び前記熱硬化物の２５℃における貯蔵弾性率Ｅ’［ＧＰａ］が下記式（２）を満たす半導体チップ封止用熱硬化性樹脂シート。
　　３０≦Ｅａ≦１２０［ｋＪ／ｍｏｌ］  ・・・（１）
　　１００００≦α×Ｅ’≦３０００００［Ｐａ／Ｋ］  ・・・（２）
【請求項３】
前記無機充填材が平均粒子径０．５μｍ〜５０μｍのシリカである請求項２に記載の半導体チップ封止用熱硬化性樹脂シート。
【請求項４】
前記硬化促進剤がイミダゾール系硬化促進剤である請求項２又は３に記載の半導体チップ封止用熱硬化性樹脂シート。
【請求項５】
前記無機充填材の含有量が２０体積％〜９０体積％である請求項２〜４のいずれかに記載
の半導体チップ封止用熱硬化性樹脂シート。
【請求項６】（削除）
【請求項７】
前記熱硬化物の２５℃における貯蔵弾性率Ｅ’が３ＧＰａ〜３０ＧＰａである請求項２〜５のいずれかに記載の半導体チップ封止用熱硬化性樹脂シート。
【請求項８】
前記熱膨張係数αが３ｐｐｍ／Ｋ〜５０ｐｐｍ／Ｋである請求項２〜５及び７のいずれかに記載の半導体チップ封止用熱硬化性樹脂シート。
【請求項９】
請求項２〜５、７及び８のいずれかに記載の半導体チップ封止用熱硬化性樹脂シート及び前記半導体チップ封止用熱硬化性樹脂シートに埋め込まれた１又は複数の半導体チップを備える封止体を形成する工程（Ａ）と、
前記封止体の樹脂シートを熱硬化する工程（Ｂ）とを含む半導体パッケージの製造方法。
【請求項１０】
前記工程（Ａ）において、半導体ウェハにフリップチップ接続された前記半導体チップを前記半導体チップ封止用熱硬化性樹脂シートに埋め込んで前記封止体を形成する請求項９に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１１】
前記工程（Ａ）において、仮固定材に固定された前記半導体チップを前記半導体チップ封止用熱硬化性樹脂シートに埋め込んで前記封止体を形成する請求項９に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１２】
前記工程（Ａ）において、前記半導体ウェハにフリップチップ接続された複数の前記半導体チップを前記半導体チップ封止用熱硬化性樹脂シートに埋め込んで前記封止体を形成し、
前記工程（Ｂ）の後、前記封止体を目的の半導体チップ単位でダイシングする工程（Ｃ）をさらに含む請求項９又は１０に記載の半導体パッケージの製造方法。」
  
第４　取消理由の概要
１　特許異議申立書に記載した特許異議申立ての理由
　訂正前の本件発明１〜１２は、下記のとおりの取消理由があるから、本件特許の請求項１〜１２に係る特許は、特許法第１１３条第２号又は第４号に該当し、取り消されるべきものである。証拠方法として、下記の甲第１号証〜甲第８号証（以下、それぞれ「甲１」等という。）を提出する。
（１）申立理由１−１（新規性）：訂正前の本件発明１〜９は、本件特許の出願前日本国内または外国において頒布された甲１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。  
（２）申立理由１−２（新規性）：訂正前の本件発明１〜９は、本件特許の出願前日本国内または外国において頒布された甲３に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。  
（３）申立理由２−１（進歩性）：訂正前の本件発明１〜９は、本件特許の出願前日本国内または外国において頒布された甲１〜５に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
（４）申立理由２−２（進歩性）：訂正前の本件発明１０〜１２は、本件特許の出願前日本国内または外国において頒布された甲１〜８に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
（５）申立理由３（実施可能要件）：本件出願は、明細書の記載が不備のため、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。 
  
甲１：特開２０１３−１３６８２１号公報
甲２：「イミダゾール系エポキシ樹脂硬化剤　キュアゾール」のカタログ（四国化成工業株式会社、平成９年３月発行）のコピー
甲３：特開２０１３−６４０６号公報
甲４：特開２００５−６０５８４号公報
甲５：特開２００６−１９７１４号公報
甲６：特開２０１１−８２２８７号公報
甲７：特開２０１２−１２９２６０号公報
甲８：「球状シリカ／球状アルミナ　製品カタログ　Ｖｅｒ．９」（電気化学工業株式会社、２０１０年５月１２日）のコピー
２　取消理由通知書に記載した取消理由
取消理由１．（新規性）訂正前の請求項１〜９に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、請求項１〜９に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。 
・引用文献等
（１）甲１、甲２、甲８（申立理由１−１に該当）
（２）甲３（申立理由１−２に該当）
（３）甲４、及び、特開２００６−２４１４４９号公報（当審が職権調査により発見した文献。以下、「引用文献１」という。）
取消理由２．（進歩性）訂正前の請求項１〜１２に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、本件特許出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１〜１２に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 
・請求項　１〜９
・引用文献等
（１）甲１、甲２、甲８（申立理由２−１に該当）
（２）甲３（申立理由２−１に該当）
（３）甲４、引用文献１
・請求項　１０〜１２
・引用文献等
（１）甲１、甲２、甲８、及び、特開２０１３−１６２０４２号公報（当審が職権調査により発見した文献。以下、「引用文献２」という。）（申立理由２−２に該当）
（２）甲３、引用文献２（申立理由２−２に該当）
（３）甲４、引用文献１及び２
取消理由３．（実施可能要件）本件特許は、明細書の記載が不備のため、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 （申立理由３に一部該当）
取消理由４．（サポート要件）本件特許は、特許請求の範囲の記載が不備のため、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 
第５　当審の判断
　以下に述べるように、取消理由通知書に記載した取消理由１〜４、及び、特許異議申立書に記載した申立理由１−１〜申立理由３によっては、本件特許の請求項２〜５、７〜１２に係る特許を取り消すことはできない。
 
１　取消理由通知書に記載した取消理由について 
（１）甲１を主引用文献とする取消理由１（新規性）及び取消理由２（進歩性）について
ア　甲１に記載された事項及び甲１に記載された発明
（ア）「【特許請求の範囲】 
 【請求項１】 
 　熱硬化型樹脂フィルムと剥離フィルムとを有し、 
 　前記熱硬化型樹脂フィルムと前記剥離フィルムとの間に、無電解めっき法に用いられる触媒層が設けられていることを特徴とする電子部品用樹脂シート。 
 ・・・ 
 【請求項７】 
 　請求項１〜３のいずれか１に記載の電子部品用樹脂シートを準備する工程と、 
 　前記電子部品用樹脂シートを成型する工程と、 
 　成型後の前記電子部品用樹脂シートを加熱し、前記熱硬化型樹脂フィルムを熱硬化させる工程と、 
 　前記熱硬化型樹脂フィルムを熱硬化させた後、前記剥離フィルムを剥離する工程と、 
 　無電解めっき法により前記触媒層に無電解めっき層を形成する工程と 
 を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。」 
  
（イ）「【００４１】
・・・
　熱硬化型樹脂フィルム１２の厚さ（複層の場合は、総厚）は特に限定されないものの、電子部品の埋め込み性等を考慮すると１００μｍ以上１０００μｍ以下が好ましい。なお、熱硬化型樹脂フィルム１２の厚さは、電子部品の厚さを考慮して適宜設定することができる。」
（ウ）【００５１】 
　（半導体装置の製造方法） 
　次に、電子部品用樹脂シートを用いた半導体装置の一製造方法について説明する。図５〜図８は、電子部品用樹脂シートを用いた半導体装置の製造方法の一例を説明するための断面模式図である。本実施形態に係る電子部品用樹脂シートの製造方法は、前記に記載の電子部品用樹脂シートを準備する工程と、前記電子部品用樹脂シートを成型する工程と、成型後の前記電子部品用樹脂シートを加熱し、前記熱硬化型樹脂フィルムを熱硬化させる工程と、前記熱硬化型樹脂フィルムを熱硬化させた後、前記剥離フィルムを剥離する工程と、無電解めっき法により前記触媒層に無電解めっき層を形成する工程とを少なくとも具備する。 
【００５２】 
　まず、前記に記載の電子部品用樹脂シート１０を準備する。 
【００５３】 
　次に、電子部品用樹脂シート１０を成型する。具体的には、半導体チップ４２が設けられている基板４０に、電子部品用樹脂シート１０を、熱硬化型樹脂フィルム１２を対向させるようにして押しつけ、半導体チップ４２を熱硬化型樹脂フィルム１２に埋め込むように成型する（図５参照）。これにより、半導体チップ４２を熱硬化型樹脂フィルム１２により封止する（図６参照）。埋め込みは、プレス成型機や、ロール成型機を用い、電子部品用樹脂シート１０の両側から圧力を加えることにより行なうことができる。これにより、半導体チップ４２が熱硬化型樹脂フィルム１２により封止された状態とすることができる（図６参照）。埋め込み温度は６０〜１５０℃が好ましく、より好ましくは８０〜１２０℃である。また、埋め込み圧力は０．０２〜３ＭＰａが好ましく、より好ましくは０．０５〜１ＭＰａである。 
【００５４】 
　次に、成型後の電子部品用樹脂シート１０を加熱し、熱硬化型樹脂フィルム１２を熱硬化させる。熱硬化工程における加熱温度は、９０〜２００℃で行なうことが好ましく、１２０〜１７５℃で行なうことがより好ましい。また、加熱時間は、３０〜２４０分であることが好ましく、６０〜１８０分であることがより好ましい。 
【００５５】 
　熱硬化型樹脂フィルム１２を熱硬化させた後、次に、剥離フィルム１６を剥離する（図７参照）。剥離は、従来公知の剥離装置を用いて行なうことができる。」 
  
（エ）「【００５８】 
　（実施例１） 
　＜熱硬化型樹脂フィルムの作製＞ 
　下記（ａ）〜（ｆ）を２軸混練機で１２０℃、５分間混練、押出しすることにより、厚み０．７μｍの熱硬化型樹脂フィルムＡを得た。 
（ａ）エポキシ樹脂（新日鐵化学社製、ＹＳＬＶ−８０ＸＹ）　２８６部 
（ｂ）フェノール樹脂（明和化成社製、ＭＥＨ−７８５１−ＳＳ）　３０３部 
（ｃ）硬化促進剤（四国化成工業社製、２ＰＨＺ）　６部 
（ｄ）シリカフィラー（電気化学工業社製、ＦＢ−９４５４−ＦＣ）３６９５部 
（ｅ）シランカップリング剤（信越化学工業社製、ＫＢＭ−４０３）　５部（ｆ）充填剤としてのカーボン（三菱化学社製、＃２０）　５部 
【００５９】 
　＜Ｐｄ核付き剥離フィルムの作製＞ 
　剥離フィルムとして、ＰＥＴフィルム（三菱化学製ＭＲＦ−５０、厚み５０μｍ、片面のみシリコーン処理品）を準備した。次に、このＰＥＴフィルムを、スズ−パラジウムコロイド液（純水、ローム・アンド・ハース社製ＣＡＴＡＰＲＥＰ４０４、ＣＡＴＡＰＯＳＩＴ４４の混合液、混合比率は、８６：１０：４）に４５℃の条件下、４分間浸漬させた。その後、常温（２３℃）にて水洗を行った。これにより、ＰＥＴフィルムの非シリコーン処理面側にＰｄ（パラジウム）核を形成させたＰｄ核付き剥離フィルムＡを得た。 
【００６０】 
　＜電子部品用樹脂シートの作製＞ 
　Ｐｄ核付きＰＥＴフィルムの非シリコーン処理面を、前記にて作製した熱硬化型樹脂フィルムＡと貼り合わせた。また、カバーフィルムＡとして、触媒核を付与していないＰＥＴフィルム（三菱化学製ＭＲＦ−５０、厚み５０μｍ、片面のみシリコーン処理品）を準備し、熱硬化型樹脂フィルムＡのＰｄ核付きＰＥＴフィルムを貼り合わせなかった面に、カバーフィルムＡを貼り合わせた。これにより、本実施例１に係る電子部品用樹脂シートＡを得た。」 
（オ） 「
【図５】
【図６】
【図７】
」
　上記ア（エ）によると、甲１には、（ａ）エポキシ樹脂（新日鐵化学社製、ＹＳＬＶ−８０ＸＹ）２８６部、（ｂ）フェノール樹脂（明和化成社製、ＭＥＨ−７８５１−ＳＳ）３０３部、（ｃ）硬化促進剤（四国化成工業社製、２ＰＨＺ）６部、（ｄ）シリカフィラー（電気化学工業社製、ＦＢ−９４５４−ＦＣ）３６９５部、（ｅ）シランカップリング剤（信越化学工業社製、ＫＢＭ−４０３）５部、及び（ｆ）充填剤としてのカーボン（三菱化学社製、＃２０）５部を２軸混練機で１２０℃、５分間混練、押出しすることにより得た厚み０．７μｍの熱硬化型樹脂フィルムＡが記載されている。 
　ここで、上記熱硬化型樹脂フィルムの厚さは１００〜１０００μｍが好ましいこと（甲１の摘記ア（イ））、及び、シリカフィラーであるＦＢ−９４５４−ＦＣのｄ５０が１７．６μｍであること（後述する甲８の摘記ウ（イ））から、熱硬化型樹脂フィルムＡの厚み０．７μｍは、０．７ｍｍの誤記であると解される。
　上記熱硬化型樹脂フィルムＡは、上記ア（ア）によると、熱硬化型樹脂フィルムと剥離フィルムとを有する電子部品用樹脂シートに用いられるものであり、この電子部品用樹脂シートは、上記ア（ウ）の段落【００５３】によると、半導体チップが設けられている基板に、熱硬化型樹脂フィルムを対向させるようにして押しつけ、半導体チップを上記熱硬化型樹脂フィルムに埋め込むように成型することにより、上記半導体チップを熱硬化型樹脂フィルムにより封止するものである。
　 
　そうすると、甲１には、次の発明が記載されている。 
  
「（ａ）エポキシ樹脂（新日鐵化学社製、ＹＳＬＶ−８０ＸＹ）２８６部、（ｂ）フェノール樹脂（明和化成社製、ＭＥＨ−７８５１−ＳＳ）３０３部、（ｃ）硬化促進剤（四国化成工業社製、２ＰＨＺ）６部、（ｄ）シリカフィラー（電気化学工業社製、ＦＢ−９４５４−ＦＣ）３６９５部、（ｅ）シランカップリング剤（信越化学工業社製、ＫＢＭ−４０３）５部、及び（ｆ）充填剤としてのカーボン（三菱化学社製、＃２０）５部を２軸混練機で１２０℃、５分間混練、押出しすることにより得た厚み０．７ｍｍの熱硬化型樹脂フィルムであって、半導体チップが設けられている基板に、熱硬化型樹脂フィルムを対向させるようにして押しつけ、半導体チップを上記熱硬化型樹脂フィルムに埋め込むように成型することにより、上記半導体チップを熱硬化型樹脂フィルムにより封止するものである、上記熱硬化型樹脂フィルム。」（以下、「甲１発明」という。） 
  
　また、甲１の上記ア（ウ）には、「半導体チップ４２が設けられている基板４０に、電子部品用樹脂シート１０を、熱硬化型樹脂フィルム１２を対向させるようにして押しつけ、半導体チップ４２を熱硬化型樹脂フィルム１２に埋め込むように成型する（図５参照）。・・・次に、成型後の電子部品用樹脂シート１０を加熱し、熱硬化型樹脂フィルム１２を熱硬化させる。」と記載されている。 
  
　そうすると、甲１には、次の発明が記載されている。 
「甲１発明の熱硬化型樹脂フィルムを、半導体チップが設けられている基板に対向させるようにして押しつけ、半導体チップを上記熱硬化型樹脂フィルムに埋め込むように成型して封止し、成型後の電子部品用樹脂シートを加熱して熱硬化させる方法。」（以下、「甲１発明ｂ」という。） 
  
イ　甲２に記載された事項
　甲２には、次の記載がある。
「　
」（第５〜６頁）
ウ　甲８に記載された事項
　甲８には、次の記載がある。
（ア）「
」（第５頁）
（イ）「
」（第６頁）
エ　引用文献２に記載された事項
　当審が職権調査により発見した引用文献２には、以下の記載がある。
（ア）「【請求項１】 
　半導体素子を搭載したウエハの半導体素子搭載面又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を一括封止するための封止材積層複合体であって、 
　支持ウエハと、該支持ウエハの片面上に形成された未硬化の熱硬化性樹脂からなる未硬化樹脂層とからなるものであることを特徴とする封止材積層複合体。 
・・・ 
【請求項８】 
　半導体装置を製造する方法であって、 
　請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の封止材積層複合体の未硬化樹脂層により半導体素子を搭載したウエハの半導体素子搭載面、又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を被覆する被覆工程、 
　該未硬化樹脂層を加熱、硬化することで、前記半導体素子搭載面又は前記半導体素子形成面を一括封止し、封止後半導体素子搭載ウエハ又は封止後半導体素子形成ウエハとする封止工程、及び 
　該封止後半導体素子搭載ウエハ又は該封止後半導体素子形成ウエハをダイシングし、個片化することで、半導体装置を製造する個片化工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」 
 
（イ）「【０００８】 
　本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、大径や薄型のウエハを封止した場合であっても、ウエハの反り、半導体素子の剥離を抑制でき、半導体素子を搭載或いは形成したウエハの半導体素子搭載面或いは形成面をウエハーレベルで一括封止でき、かつ封止後には耐熱性や耐湿性等の封止性能に優れ、非常に汎用性が高い封止材積層複合体を提供することを目的とする。 
【０００９】 
　また、該封止材積層複合体により封止された封止後半導体素子搭載ウエハ及び封止後半導体素子形成ウエハ、該封止後半導体素子搭載ウエハ及び該封止後半導体素子形成ウエハを個片化した半導体装置、及び前記封止材積層複合体を用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。」 
  
（ウ）「【００３５】 
　前記未硬化樹脂層は、特に制限はされないが、通常半導体素子の封止に使用される液状エポキシ樹脂や固形のエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、又はエポキシ樹脂とシリコーン樹脂からなる混成樹脂からなる未硬化樹脂層であることが好ましい。特に、前記未硬化樹脂層は、５０℃未満で固形化し、かつ５０℃以上１５０℃以下で溶融するエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、及びエポキシシリコーン混成樹脂のいずれかを含むものであることが好ましい。このようなものであれば、ハンドリングが容易であり、製造するのにも封止材として使用するのにも都合がよい。 
【００３６】 
　［エポキシ樹脂］ 
　前記エポキシ樹脂としては、特に制限はされないが、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、３，３’，５，５’−テトラメチル−４，４’−ビフェノール型エポキシ樹脂又は４，４’−ビフェノール型エポキシ樹脂のようなビフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂、トリスフェニロールメタン型エポキシ樹脂、テトラキスフェニロールエタン型エポキシ樹脂、及びフェノールジシクロペンタジエンノボラック型エポキシ樹脂の芳香環を水素化したエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂など室温で液状や固体の公知のエポキシ樹脂が挙げられる。また、必要に応じて、上記以外のエポキシ樹脂を一定量併用することができる。 
【００３７】 
　前記エポキシ樹脂からなる未硬化樹脂層は、半導体素子を封止する樹脂層となることから塩素等のハロゲンイオン、またナトリウム等のアルカリイオンは極力減らしたものであることが好ましい。イオン交換水５０ｍｌに試料１０ｇを添加し、密封して１２０℃のオーブン中に２０時間静置した後、加熱抽出する１２０℃での抽出でいずれのイオンも１０ｐｐｍ以下であることが望ましい。 
【００３８】 
　エポキシ樹脂からなる未硬化樹脂層にはエポキシ樹脂の硬化剤を含めることができる。該硬化剤としてはフェノールノボラック樹脂、各種アミン誘導体、酸無水物や酸無水物基を一部開環させカルボン酸を生成させたものなどを使用することができる。なかでも本発明の封止材積層複合体を用いて製造される半導体装置の信頼性を確保するためにフェノールノボラック樹脂が望ましい。特に、前記エポキシ樹脂と該フェノールノボラック樹脂の混合比をエポキシ基とフェノール性水酸基の比率が１：０．８〜１．３となるように混合することが好ましい。 
【００３９】 
　更に、前記エポキシ樹脂と前記硬化剤の反応を促進するため、反応促進剤としてイミダゾール誘導体、フォスフィン誘導体、アミン誘導体、有機アルミニウム化合物などの金属化合物等を使用しても良い。 
【００４０】 
　エポキシ樹脂からなる未硬化樹脂層には、更に必要に応じて各種の添加剤を配合することができる。例えば、樹脂の性質を改善する目的で種々の熱可塑性樹脂、熱可塑性エラストマー、有機合成ゴム、シリコーン系等の低応力剤、ワックス類、ハロゲントラップ剤等の添加剤を添加配合することができる。」 
  
（エ）「【００７６】 
＜半導体装置の製造方法＞ 
　本発明の半導体装置の製造方法は、前記封止材積層複合体の未硬化樹脂層により半導体素子を搭載したウエハの半導体素子搭載面、又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を被覆する被覆工程、該未硬化樹脂層を加熱、硬化することで、前記半導体素子搭載面又は前記半導体素子形成面を一括封止し、封止後半導体素子搭載ウエハ又は封止後半導体素子形成ウエハとする封止工程、及び該封止後半導体素子搭載ウエハ又は該封止後半導体素子形成ウエハをダイシングし、個片化することで、半導体装置を製造する個片化工程を有する。以下、図４を用いて本発明の半導体装置の製造方法について説明する。 
【００７７】 
［被覆工程］ 
　本発明の半導体装置の製造方法に係る被覆工程は、支持ウエハ１と未硬化樹脂層２を有する封止材積層複合体１０の未硬化樹脂層２により、接着剤４を介して半導体素子３を搭載したウエハ５の半導体素子搭載面、又は半導体素子（不図示）を形成したウエハ（不図示）の半導体素子形成面を被覆する工程である（図４（Ａ））。 
【００７８】 
［封止工程］ 
　本発明の半導体装置の製造方法に係る封止工程は、前記封止材積層複合体１０の未硬化樹脂層２を加熱、硬化して硬化後の樹脂層２’とすることで、前記半導体素子３を搭載したウエハ５の半導体素子搭載面又は前記半導体素子（不図示）を形成したウエハ（不図示）の半導体素子形成面を一括封止し、封止後半導体素子搭載ウエハ１１又は封止後半導体素子形成ウエハ（不図示）とする工程である（図４（Ｂ））。 
【００７９】 
［個片化工程］ 
　本発明の半導体装置の製造方法に係る個片化工程は、前記封止後半導体素子搭載ウエハ１１又は前記封止後半導体素子形成ウエハ（不図示）をダイシングし、個片化することで、半導体装置１３、１４（図３（ｂ）参照）を製造する工程である（図４（Ｃ）、（Ｄ））。」 
  
（オ）「【００９２】 
［実施例２］ 
　［半導体素子が搭載されたウエハ］ 
 直径３００ｍｍ（１２インチ）で厚みが２００ミクロンのシリコンウエハ上に、高温で接着力が低下する接着剤を介して、個片化した半導体素子である４００個のシリコンチップ（形状：５ｍｍ×７ｍｍ 厚み１２５ミクロン）を整列し搭載した。 
【００９３】 
　［未硬化の熱硬化性樹脂からなる未硬化樹脂層を形成するための組成物の作製］ 
　クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（ＥＯＣＮ１０２０ 日本化薬製）６０質量部、フェノールノボラック樹脂（Ｈ−４ 群栄化学製）３０質量部、球状シリカ（龍森製平均粒径７ミクロン）４００質量部、触媒ＴＰＰ（トリフェニルホスフィン 北興化学工業製）０．２質量部、シランカップリング材（ＫＢＭ４０３ 信越化学工業製）０．５質量部を高速混合装置で十分混合した後、連続混練装置で加熱混練してシート化し冷却した。シートを粉砕し顆粒状の粉末としてエポキシ樹脂組成物（ＩＩ−ａ）を得た。 
【００９４】 
　［封止材積層複合体の作製］ 
　直径３００ｍｍ（１２インチ）のシリコンウエハ（支持ウエハ）を減圧下で加熱圧縮できる圧縮成形装置の下金型上にセットし、その上にエポキシ樹脂組成物（ＩＩ−ａ）の顆粒粉末を均一に分散させた。上下の金型温度を８０℃にし、上金型にはフッ素樹脂コートしたＰＥＴフィルム（剥離フィルム）をセットして金型内を真空レベルまで減圧し、シリコンウエハ（支持ウエハ）に樹脂厚みが３００ミクロンになるように３分間圧縮成形して封止材積層複合体（ＩＩ−ｂ）を作製した。 
【００９５】 
　［半導体素子が搭載されたウエハの被覆及び封止］ 
　次に、ニチゴーモートン社製のプレート温度を１７０℃に設定した真空ラミネーション装置を用いて被覆、封止した。まず、下側プレートに上記半導体素子が搭載されたウエハをセットし、その上に剥離フィルムを除去した封止材積層複合体（ＩＩ−ｂ）の未硬化樹脂層であるエポキシ樹脂組成物（ＩＩ−ａ）面を半導体素子搭載シリコンウエハ上の半導体素子搭載面に合わせて被覆した。その後、プレートを閉じ５分間真空圧縮成形することで硬化封止した。硬化封止後、１７０℃で４時間ポストキュアして、封止後半導体素子搭載ウエハ（ＩＩ−ｃ）を得た。」 
 
（カ）　「 
」
オ　本件発明２について 
　本件発明２と甲１発明を対比する。 
　甲１発明の「フェノール樹脂（明和化成社製、ＭＥＨ−７８５１−ＳＳ）」は、本件発明２の「フェノール樹脂（明和化成社製、ＭＥＨ−７８５１−ＳＳ）」と型番が同じであるし、本件明細書（段落【０１０５】）によると、フェノールノボラック樹脂の一種であることが分かるから、両者は同じものである。また、本件発明２の「熱硬化性樹脂シート」はその厚みが特定されていないが、本件明細書（段落【００７０】）には、「樹脂シート１１の厚みは特に限定されないが、好ましくは１００μｍ以上・・・より好ましくは１０００μｍ以下である。」と記載されているから、甲１発明の０．７ｍｍ（７００μｍ）と重複するから、甲１発明の「フィルム」は、本件発明２の「シート」に相当する。
　そして、甲１発明の「エポキシ樹脂（新日鐵化学社製、ＹＳＬＶ−８０ＸＹ）」、「シリカフィラー（電気化学工業社製、ＦＢ−９４５４−ＦＣ）」、「硬化促進剤（四国化成工業社製、２ＰＨＺ）」及び「熱硬化型樹脂フィルム」は、本件発明２の「エポキシ樹脂」、「無機充填材」、「硬化促進剤」及び「熱硬化性樹脂シート」に、それぞれ相当する。
　また、甲１発明の「半導体チップが設けられている基板に、熱硬化型樹脂フィルムを対向させるようにして押しつけ、半導体チップを上記熱硬化型樹脂フィルムに埋め込むように成型することにより、上記半導体チップを熱硬化型樹脂フィルムにより封止する」という用途は、本件発明２の「半導体チップ封止用」に相当する。 
 　 
　そうすると、本件発明２と甲１発明とは、「エポキシ樹脂、フェノールノボラック系硬化剤、無機充填材及び硬化促進剤を含」む「半導体チップ封止用熱硬化性樹脂シート」の点で一致し、次の点で相違する。 
  
相違点１：本件発明２は、「活性化エネルギー（Ｅａ）が下記式（１）を満たし、かつ１５０℃で１時間熱硬化処理した後の熱硬化物のガラス転移温度が１２５℃以上であり、前記熱硬化物の前記ガラス転移温度以下における熱膨張係数α［ｐｐｍ／Ｋ］及び前記熱硬化物の２５℃における貯蔵弾性率Ｅ’［ＧＰａ］が下記式（２）を満たす」 
「３０≦Ｅａ≦１２０［ｋＪ／ｍｏｌ］ ・・・（１） 
１００００≦α×Ｅ’≦３０００００［Ｐａ／Ｋ］ ・・・（２）」であるのに対して、甲１発明は、そのような特定がない点。 
 
　まず、「活性化エネルギー」とは、本件出願時の技術常識を見ると、化学反応において、ポテンシャルエネルギーの高い臨界状態を超えるに必要な最小のエネルギーをいい、活性錯合体と原系の最小のエネルギー準位の差として定義される（必要があれば、化学大辞典２縮刷版（共立出版株式会社、１９９７年９月２０日発行）４３３頁の「活性化エネルギー」の項を参照）。
　そして、本件発明２では、本件明細書の段落【０１０９】に示された計算式で算出される値である。
　上記相違点１のうち、活性化エネルギーについて、本件明細書には、次の記載がある。
「【００２５】
  樹脂シート１１の活性化エネルギー（Ｅａ）は、３０ｋＪ／ｍｏｌ以上である。３０ｋＪ／ｍｏｌ以上であるので、加熱により熱硬化性樹脂シートを凹凸（半導体チップなどにより形成された凹凸）に追従させた後に、熱硬化できる。その結果、ボイドの発生を低減できる。また、保存性が良好である。樹脂シート１１の活性化エネルギーは、好ましくは４０ｋＪ／ｍｏｌ以上、より好ましくは５０ｋＪ／ｍｏｌ以上、さらに好ましくは６０ｋＪ／ｍｏｌ以上である。
【００２６】
  また、樹脂シート１１の活性化エネルギーは、１２０ｋＪ／ｍｏｌ以下である。１２０ｋＪ／ｍｏｌ以下であり、比較的低温で熱硬化できるため、反りを小さくできる。また、熱硬化させるために長時間加熱する必要がないため、生産性に優れる。樹脂シート１１の活性化エネルギーは、好ましくは１００ｋＪ／ｍｏｌ以下である。
  なお、活性化エネルギーは実施例に記載の方法で測定できる。
【００２７】
  樹脂シート１１の活性化エネルギーは、硬化促進剤の種類、硬化促進剤の量などによりコントロールできる。」
　そして、本件発明２の具体例である実施例１（以下、「本件実施例１」という。）には、エポキシ樹脂Ａ：新日鐵化学（(株)）製のＹＳＬＶ−８０ＸＹ（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ．軟化点８０℃）２８６部、フェノール樹脂Ａ：明和化成社製のＭＥＨ−７８５１−ＳＳ（ビフェニルアラルキル）骨格を有するフェノールノボラック樹脂、水酸基当量２０３ｇ／ｅｑ．軟化点６７℃）３０３部、硬化促進剤Ａ：四国化成工業社製の２ＰＨＺ−ＰＷ（２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール）６部、無機充填剤Ａ：電気化学工業社製のＦＢ−９４５４（球状溶融シリカ粉末、平均粒子径２０μm）３８０５部、シランカップリング剤：信越化学社製のＫＢＭ−４０３（３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）５部、及びカーボンブラック：三菱化学社製の＃２０　５部を、２軸混練機により１２０℃で２分間溶融混練し、続いてＴダイから押出しすることにより作製した厚さ５００μｍの樹脂シートが記載され、活性化エネルギーが７３ｋＪ／ｍｏｌであることが記載されている（表１及び段落【０１０７】を参照）。
　また、例えば、実施例１と比較例３との対比から、硬化促進剤が少ないと活性化エネルギーが高くなることが理解できる（表１を参照）。
　そこで、本件実施例１と甲１発明を対比すると、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シランカップリング剤、及びカーボンブラックの種類も含有量も一致する。また、本件実施例１の硬化促進剤Ａ（２ＰＨＺ−ＰＷ）及び甲１発明の硬化促進剤（２ＰＨＺ）は、いずれも２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾールであり、種類も含有量も一致する（甲２参照）。そして、本件実施例１の無機充填剤Ａ（ＦＢ−９４５４）は球状溶融シリカ粉末であり、甲８の摘記ウ（ア）及び（イ）も参酌すると、本件実施例１の無機充填剤Ａ（ＦＢ−９４５４）と甲１発明のシリカフィラー（ＦＢ−９４５４−ＦＣ）は、粒度分布やｄ５０が異なるものの、球状シリカである点で共通し、含有量も概ね一致する。これらのことから、本件実施例１と甲１発明とは、配合時の成分組成が概ね一致しているということができ、上記本件明細書の段落【００２７】の記載によれば、活性化エネルギーの値も同程度であると解することができるかも知れない。
　しかしながら、本件発明２の具体例である熱硬化性樹脂シートは、２軸混練機を用いて１２０℃、２分間で混練することで得られているのに対し、甲１発明の熱硬化型樹脂フィルムは、１２０℃、５分間である。
　ここで、甲１には、樹脂シートを熱硬化させる温度は９０〜２００℃が好ましく、１２０〜１７５℃がより好ましく、時間は３０〜２４０分間であることが好ましいことが記載されている（摘記ア（イ））ことからすれば、甲１発明の混練温度である１２０℃において、硬化促進剤の反応を伴う硬化反応が一部始まっており、甲１発明の熱硬化型樹脂フィルムに含まれる未反応の硬化促進剤の量は配合時よりも減少しているものと解される。
　これらのことから、本件実施例１と甲１発明とは、配合時の成分組成が概ね同じであっても、１２０℃での混練時間は甲１発明の方が長いことによって、甲１発明は本件実施例１よりも混練後の活性化エネルギーが高いことが推測され、甲１発明の活性化エネルギーが、本件実施例１と同じ７３ｋＪ／ｍｏｌ前後であって本件発明２の式（１）を満たすとはいえない。
　そうすると、上記硬化物のガラス転移温度や式（２）の要件を検討するまでもなく、相違点１は実質的な相違点であり、本件発明２は、甲１に記載された発明ではない。
　また、甲１、甲２及び甲８には、本件発明２の式（１）を満たすことが動機付けられる記載は見当たらず、本件発明２が、甲１発明、並びに、甲１、甲２及び甲８に記載された事項から、当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。
　そして、本件発明２は、「比較的低温で熱硬化できるため、反りを小さくでき」る（本件明細書の段落【０００８】）、「ボイドの発生を低減できる。また、保存性が良好である。」（同【０００９】）、「熱膨張係数の違いにより生じる熱応力を緩和でき、信頼性に優れた半導体パッケージを得ることができる」（同【００１０】）という効果を奏するものであり、一方、甲１には、熱硬化性フィルムへのめっき形成性という効果を示すことが記載されているにとどまり、本件発明２の上記効果を示唆するものではない。
カ　本件発明３〜５、７及び８について 
　請求項３〜５、７及び８は、請求項２を直接又は間接的に引用するものであり、本件発明２について上記オで述べたのと同じ理由により、本件発明３〜５、７及び８は、甲１に記載された発明であるとはいえないし、甲１発明、並びに、甲１、甲２及び甲８に記載された事項から、当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。
キ　本件発明９〜１２について 
　本件発明９〜１２と甲１発明ｂを対比する。
　請求項９〜１２は、請求項２を直接又は間接的に引用するものであり、甲１発明ｂは甲１発明を含むものであるから、本件発明２について上記オで述べたのと同じ理由により、本件発明９は、甲１に記載された発明であるとはいえないし、本件発明９〜１２は、甲１発明ｂ、並びに、甲１、甲２、甲８及び引用文献２に記載された事項から、当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。
ク　申立人の意見書における主張の検討
　申立人は、甲１発明の硬化促進剤である２ＰＨＺの融点は２１３〜２２５℃であり（甲２の摘記イ）、その混練温度は１２０℃であるから、５分間の混練で活性化エネルギーＥａに本件発明２と実質的な差が生じる程度に硬化促進剤の反応が進行する蓋然性は低い旨を主張する。
　しかしながら、上記オで述べたように、甲１には、硬化温度が９０〜２００℃が好ましいことが記載されており（摘記ア（ウ））、混練温度である１２０℃に保持することで硬化促進剤の反応を伴う硬化反応が始まり、甲１発明の熱硬化性樹脂シート中に含まれる未反応の硬化促進剤の量は配合時よりも減少しているものと解される。
　一方、申立人は、２ＰＨＺの融点が２１３〜２２５℃であることを理由に、１２０℃の混練温度だと反応が進行する蓋然性が低いということを、技術常識を引用するなどして述べている訳でもない。
　よって、申立人の上記主張を採用することはできない。
（２）甲３を主引用文献とする取消理由１（新規性）及び取消理由２（進歩性）について
ア　甲３に記載された事項及び甲３に記載された発明
　甲３には、以下の記載がある。
（ア）「【請求項１】 
 　表面積４．００ｍｍ２当たりにおける、気孔径２０μｍ以上の気孔数が３０個以下であることを特徴とする、樹脂混練物。」 
   
（イ）「【００２２】
　次いで、大きさが調整された樹脂混練物を、加熱して硬化させた後、必要により冷却する。
【００２３】
　硬化条件としては、温度が、例えば、１００〜３００℃、好ましくは、１５０〜２００℃であり、時間が、例えば、０．１〜１０時間、好ましくは、０．５〜５時間である。」
（ウ）「【００４６】
　このような樹脂混練物は、例えば、原料となる混練対象物を、混練機により混練されることにより調製される。
【００４７】
　混練対象物としては、例えば、樹脂や、樹脂と添加剤との混合物などが挙げられる。
【００４８】
　樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、ジアリルフタレート樹脂、アルキド樹脂などの熱硬化性樹脂、例えば、ポリアミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂などが挙げられる。
【００４９】
　このような樹脂のなかでは、好ましくは、熱硬化性樹脂が挙げられる。」
（エ）「【０１１４】 
　混練機１において、樹脂混練物を調製するには、まず、混練機１の導入口４から、混練対象物Ａをバレル２の内部に導入する。 
【０１１５】 
　そして、駆動軸８に駆動源（図示せず）からの駆動力が伝達されると、混練軸３が回転駆動し、混練対象物Ａが第１フィード部２３により攪拌されながら、第１パドル部２７に向けて搬送される。 
【０１１６】 
　このとき、第１フィード部２３の外方に位置するバレル２（溶融混練部６）は、ヒータ（図示せず）により、例えば、２０〜２５℃に調整されている。また、混練対象物Ａの導入とともに、バレル２の内部に侵入した空気などは、導入口４側のベント部７を開放することにより、バレル２の外部に放出される。 
【０１１７】 
　次いで、搬送された混練対象物Ａは、第１パドル部２７において混練される。 
【０１１８】 
　このとき、第１パドル部２７の外方に位置する溶融混練部６は、ヒータ（図示せず）により、例えば、４０〜８０℃に調整されている。 
【０１１９】 
　そして、混練された混練対象物Ａは、第１フィード部２３の回転駆動により搬送される混練対象物Ａの押し出し力により、第１リバース部３０に向けて押し出される。 
【０１２０】 
　第１リバース部３０に向けて押し出された混練対象物Ａのうち、大部分は第１リバース部３０を通過し、第２フィード部２４に到達する。一方、押し出された混練対象物Ａのうち、一部は第１リバース部３０の回転駆動により、第１パドル部２７に戻され、再度混練される。 
【０１２１】 
　これによって、混練対象物Ａの混練の促進を図るとともに、混練対象物Ａの搬送速度が調整される。 
【０１２２】 
　次いで、第１リバース部３０を通過した混練対象物Ａは、第２フィード部２４により、第２パドル部２８および第２リバース部３１に向けて搬送される。 
【０１２３】 
　これによって、混練対象物Ａは、第１パドル部２７および第１リバース部３０と同様に、第２パドル部２８および第２リバース部３１を、混練されながら通過する。 
【０１２４】 
　このとき、第２パドル部２８の外方に位置する溶融混練部６は、ヒータ（図示せず）により、例えば、６０〜１２０℃に調整されている。 
【０１２５】 
　次いで、第２リバース部３１を通過した混練対象物Ａは、続く第３フィード部２５により、第３パドル部２９に搬送されて、第３パドル部２９おいてさらに混練される。これにより、混練対象物Ａは、樹脂混練物（以下、樹脂混練物Ｂとする。）として調製される。 
【０１２６】 
　このとき、第３パドル部２９の外方に位置する溶融混練部６は、ヒータ（図示せず）により、例えば、８０〜１４０℃に調整されている。 
【０１２７】 
　そして、樹脂混練物Ｂは、混練軸３の回転駆動により押し出されて、第４フィード部２６に到達する。 
【０１２８】 
　このとき、吐出口５側のベント部７に連結されたポンプ（図示せず）を駆動させることにより、樹脂混練物Ｂ中の水分や揮発成分などが溶融混練部６の外部に排出される。 
【０１２９】 
　これによって、樹脂混練物Ｂ中における気孔の低減を図ることができる。
【０１３０】 
　次いで、樹脂混練物Ｂは、第４フィード部２６によりパイプ部１２に搬送される。 
【０１３１】 
　パイプ部１２では、上記したように、全周面にわたって凹凸がないように形成されている。そのため、パイプ部１２において、樹脂混練物Ｂは、混練軸３の軸線方向と交差する方向のせん断が抑制され、パイプ部１２の軸線方向に沿って円滑に移動される。 
【０１３２】 
　そして、樹脂混練物Ｂの大部分は、吐出口５から樹脂混練物Ｂが吐出される。 
【０１３３】 
　一方、吐出されることなく吐出口５を通過して、第３リバース部３２に至った樹脂混練物Ｂも、第３リバース部３２により押し戻され、吐出口５から樹脂混練物Ｂが吐出される。 
【０１３４】 
　以上によって、樹脂混練物Ｂが調製される。 
【０１３５】 
　このような樹脂混練物Ｂは、パドル部１１により混練された後、混練軸３の軸線方向と交差する方向のせん断が抑制されたパイプ部１２を通過し、吐出口５から吐出されるため、気孔の発生、すなわち、気孔の気孔径および気孔数を低減することができる。」 
  
（オ）「【０１４６】 
　そして、上記のように調製された樹脂混練物Ｂは、必要により、例えば、ミキシングロール、カレンダーロール、押出成形、プレス成形などの成形方法によって、シートとして成形される。 
【０１４７】 
　このような成形方法のなかでは、好ましくは、押出成形が挙げられる。 
【０１４８】 
　また、このように成形されるシートは、詳しくは、樹脂シートであって、その厚みは、例えば、１００〜１５００μｍ、好ましくは、３００〜１０００μｍである。 
【０１４９】 
　また、このようなシートは、樹脂混練物Ｂのみから単層として形成することもでき、また、例えば、ガラスクロスなどの基材に積層された複数層として形成することもできる。 
【０１５０】 
　本発明の樹脂混練物は、表面積４．００ｍｍ２当たりにおける、気孔径２０μｍ以上の気孔数が３０個以下である。」 
  
（カ）「【０１５１】 
　そのため、各種産業製品、具体的には、実装基板上の半導体素子、コンデンサ、抵抗素子などの電子部品の封止などにおいて、好適に使用することができる。 
【０１５２】 
　また、本発明のシートは、上記の樹脂混練物から形成されるために、上記した電子部品の封止などに好適に使用することができ、かつ、シート状であるために取扱性の向上を図ることができる。」 
  
（キ）「【実施例】 
【０１５３】 
　以下に、実施例および比較例を挙げて本発明をさらに詳しく説明するが、本発明は、何らこれらに限定されるものではない。 
【０１５４】 
　実施例１および２ 
　表１に示す処方（単位：質量部）において各成分（混練対象物）を、図１に示す混練機１の導入口４からそれぞれ導入し、樹脂混練物を得た。なお、処方例１により調製された樹脂混練物を実施例１とし、処方例２により調製された樹脂混練物を実施例２とした。 
【０１５５】 
　また、実施例２における樹脂混練物は、樹脂密度が９８．９％、水分量が１８８ｐｐｍであった。 
【０１５６】 
　実施例３ 
　表１に示す処方２（単位：質量部）において各成分（混練対象物）を、図３に示す混練機４０の導入口４からそれぞれ導入し、樹脂混練物（実施例３）を得た。 
【０１５７】 
　また、実施例３における樹脂混練物は、樹脂密度が９９．７％、水分量が２３２ｐｐｍであった。 
【０１５８】 
　比較例１および２ 
　図１に示す混練機１のパイプ部１２を、フィードスクリュー部９に変更した混練機を用意した。 
【０１５９】 
　その混練機の導入口４から、表１に示す処方において各成分（混練対象物）をそれぞれ導入し、樹脂混練物を得た。なお、処方例１により調製された樹脂混練物を比較例１とし、処方例２により調製された樹脂混練物を比較例２とした。 
【０１６０】 
　また、比較例２における樹脂混練物は、樹脂密度が９５．８％、水分量が１８０ｐｐｍであった。 
【０１６１】 
【表１】 
 【０１６２】 
　なお、表１の略号などを以下に示す。 
ＹＳＬＶ−８０ＸＹ：エポキシ樹脂（新日鐵化学社製） 
ＭＥＨ７８５１ＳＳ：フェノール樹脂（明和化成社製） 
２ＰＨＺ−ＰＷ：イミダゾール（四国化成工業社製） 
ＳＩＢＳＴＡＲ：エラストマー（ポリスチレン−ポリイソブチレン共重合体）（カネカ社製） 
充填剤：無機充填剤（溶融シリカ）（ＦＢ−９４５４、電気化学工業社製）１００質量部に対して、シランカップリング剤（ＫＢＭ４０３、信越化学工業社製）０．１質量部を添加して、表面処理したもの。 
＃２０：カーボンブラック（三菱化学社製）」 
（ク）「【０１７６】
【表２】
（ケ）「
 」
イ　甲３に記載された発明 
　甲３の摘記ア（ア）に基づき、請求項１を引用する請求項３に係る発明を独立形式で表現すると、次のようになる。
「表面積４．００ｍｍ２当たりにおける、気孔径２０μｍ以上の気孔数が３０個以下であることを特徴とする、樹脂混練物から形成されるシート。」
  甲３の上記ア（キ）には、実施例２として、処方例２の各成分（混練対象物）を、図１に示す混練機の導入口からそれぞれ導入して得た樹脂混練物が記載されており、これは、摘記ア（ク）の表２によると、全ての評価箇所における気孔数がそれぞれ２０個以下であるから、実施例２は上記シートの具体例であるといえる。
　そして、実施例２の処方例２は、エポキシ樹脂（新日鐵化学社製、ＹＳＬＶ−８０ＸＹ）３９９．０６質量部、フェノール樹脂（明和化成社製、ＭＥＨ７８５１ＳＳ）４２２．０４質量部、硬化促進剤（四国化成工業社製、２ＰＨＺ−ＰＷ）１１．９質量部、可撓性付与剤（カネカ社製、ＳＩＢＳＴＡＲ、エラストマー（ポリスチレン−ポリイソブチレン共重合体））３５７質量部、充填剤８８００質量部、カーボンブラック（三菱化学社製、＃２０）１０質量部であり、上記充填剤は、無機充填剤（電気化学工業社製、ＦＢ−９４５４、溶融シリカ）１００質量部に対して、シランカップリング剤（信越化学工業社製、ＫＢＭ４０３）０．１質量部を添加したものが記載されている。ここで、上記処方例２における無機充填剤とシランカップリング剤の質量部は、それぞれ８７９１．２質量部及び８．８質量部であると解される。そして、上記樹脂混練物は熱硬化性である（上記ア（ウ）の段落【００４８】を参照）。 
　一方、上記シートは、実装基板上の半導体素子、コンデンサ、抵抗素子などの電子部品の封止に使用されるものである（上記ア（カ））。
 　 
　そうすると、甲３には、次の発明が記載されている。 
「エポキシ樹脂（新日鐵化学社製、ＹＳＬＶ−８０ＸＹ）３９９．０６質量部、フェノール樹脂（明和化成社製、ＭＥＨ７８５１ＳＳ）４２２．０４質量部、硬化促進剤（四国化成工業社製、２ＰＨＺ−ＰＷ）１１．９質量部、可撓性付与剤（カネカ社製、ＳＩＢＳＴＡＲ、エラストマー（ポリスチレン−ポリイソブチレン共重合体））３５７質量部、無機充填剤（電気化学工業社製、ＦＢ−９４５４、溶融シリカ）８７９１．２質量部、シランカップリング剤（信越化学工業社製、ＫＢＭ４０３）８．８質量部、及び、カーボンブラック（三菱化学社製、＃２０）１０質量部からなる樹脂混練物から形成されたシートであって、実装基板上の半導体素子の封止に使用される上記シート」（以下、「甲３発明」という。） 
 「甲３発明のシートを用いて、実装基板上の半導体素子などの電子部品を封止する方法」（以下、「甲３発明ｂ」という。） 
ウ　本件発明２について 
　本件発明２と甲３発明を対比する。
　甲２発明の「フェノール樹脂（明和化成社製、ＭＥＨ７８５１ＳＳ）」は、本件発明２の「フェノール樹脂（明和化成社製、ＭＥＨ−７８５１−ＳＳ）」と型番が同じであるし、本件明細書（段落【０１０５】）によると、フェノールノボラック樹脂の一種であることが分かるから、両者は同じものである。
　また、甲３発明の「エポキシ樹脂（新日鐵化学社製、ＹＳＬＶ−８０ＸＹ）」、「無機充填剤（電気化学工業社製、ＦＢ−９４５４、溶融シリカ）」、「硬化促進剤（四国化成工業社製、２ＰＨＺ−ＰＷ）」及び「実装基板上の半導体素子の封止に使用される」は、本件発明２の「エポキシ樹脂」、「無機充填材」、「硬化促進剤」及び「半導体チップ封止用」に、それぞれ相当する。
　更に、甲３発明の樹脂混練物は熱硬化性であることは明らかであるから、上記「樹脂混練物から形成されたシート」は、本件発明２の「熱硬化性樹脂シート」に相当する。 
　そうすると、本件発明２と甲３発明とは、「エポキシ樹脂、フェノールノボラック系硬化剤、無機充填材及び硬化促進剤を含」む「半導体チップ封止用熱硬化性樹脂シート」の点で一致し、次の点で相違する。 
  
相違点２：本件発明２は、上記半導体チップ封止用熱硬化性樹脂シートが
「活性化エネルギー（Ｅａ）が下記式（１）を満たし、かつ１５０℃で１時間熱硬化処理した後の熱硬化物のガラス転移温度が１２５℃以上であり、前記熱硬化物の前記ガラス転移温度以下における熱膨張係数α［ｐｐｍ／Ｋ］及び前記熱硬化物の２５℃における貯蔵弾性率Ｅ’［ＧＰａ］が下記式（２）を満たす」 
「３０≦Ｅａ≦１２０［ｋＪ／ｍｏｌ］ ・・・（１） 
 １００００≦α×Ｅ’≦３０００００［Ｐａ／Ｋ］ ・・・（２）」 
であるのに対して、甲３発明は、そのような特定がない点。 
 
　上記相違点２のうち、活性化エネルギーについて、本件明細書の段落【００２５】〜【００２７】には、上記（１）オで述べたとおりの記載がある。
　そして、本件明細書には、本件発明２の具体例である実施例２（以下、「本件実施例２」という。）として、エポキシ樹脂Ａ：新日鐵化学（(株)）製のＹＳＬＶ−８０ＸＹ（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ．軟化点８０℃）１６９部、フェノール樹脂Ａ：明和化成社製のＭＥＨ−７８５１−ＳＳ（ビフェニルアラルキル）骨格を有するフェノールノボラック樹脂、水酸基当量２０３ｇ／ｅｑ．軟化点６７℃）１７９部、硬化促進剤Ａ：四国化成工業社製の２ＰＨＺ−ＰＷ（２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール）６部、エラストマーＡ：カネカ社製のＳＩＢＳＴＡＲ　０７２Ｔ（スチレン−イソブチレン−スチレントリブロック共重合体）１５２部、無機充填剤Ａ：電気化学工業社製のＦＢ−９４５４（球状溶融シリカ粉末、平均粒子径２０μm）４４００部、シランカップリング剤：信越化学社製のＫＢＭ−４０３（３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）５部、及びカーボンブラック：三菱化学社製の＃２０　５部を、２軸混練機により１２０℃で２分間溶融混練し、続いてＴダイから押出しすることにより作製した厚さ５００μｍの樹脂シートが記載され、活性化エネルギーは８４ｋＪ／ｍｏｌであることが記載されている（表１及び段落【０１０７】を参照）。
　また、例えば、実施例１と比較例３との対比から、硬化促進剤の量が少ないと活性化エネルギーが高いことが理解できる（表１を参照）。
　そこで、本件実施例２と甲３発明を対比すると、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、硬化促進剤、無機充填剤、シランカップリング剤、カーボンブラックの種類が同じであり、その配合量も概ね同じであるといえる。また、エラストマーに関して、本件実施例２では、カネカ社製のＳＩＢＳＴＡＲ　０７２Ｔ（スチレン−イソブチレン−スチレントリブロック共重合体）であるのに対して、甲３発明ではＳＩＢＳＴＡＲ（カネカ社製、ポリスチレン−ポリイソブチレン共重合体）であって、これがＳＩＢＳＴＡＲ　０７２Ｔと同じものであるかは不明であるが、共にスチレン−イソブチレン共重合体からなり、可撓性を付与するために添加するものである（本件明細書の段落【００５０】）。これらのことから、本件実施例２と甲３発明とは、配合時の成分組成が概ね一致しているということができ、上記本件明細書の段落【００２７】の記載によれば、活性化エネルギーの値も同程度であると解することができるかも知れない。
　しかしながら、本件発明２の具体例である熱硬化性樹脂シートでは、２軸混練機を用いて１２０℃、２分間で混練することで得られているのに対し、甲３発明は、混練温度及び時間が不明である。
　ここで、甲３には、溶融混練部が８０〜１４０℃に調整されることが記載されているが（摘記ア（エ）の段落【０１２６】）、混練時間は記載されておらず、甲３発明の樹脂混練物は上記範囲内のどの温度で、どのくらいの時間をかけて混練されたのかは記載されていない。そして、樹脂混練物の硬化条件は１００〜３００℃、０．１〜１０時間であることから（摘記ア（イ））、上記８０〜１４０℃に含まれる具体的な混練温度によっては硬化促進剤の反応を伴う硬化反応が始まることが予想されるが、混練時間が不明であるから、甲３発明における硬化促進剤の反応を伴う硬化反応の程度も不明であり、甲３発明のシートに含まれる未反応の硬化促進剤の量も不明である。
　これらのことから、甲３発明は、配合時の成分組成が本件実施例２と概ね同じであっても、混練後の活性化エネルギーも本件実施例２と同じ８４ｋＪ／ｍｏｌ前後になるということはできず、甲３発明が本件発明２の式（１）を満たすとはいえない。
　そうすると、上記硬化物のガラス転移温度や式（２）の要件を検討するまでもなく、相違点２は実質的な相違点であり、本件発明２は甲３発明ではない。
　また、甲３には、甲３発明において、本件発明２の式（１）を満たすことを動機付ける記載は見当たらず、本件発明２が、甲３発明、並びに甲３に記載された事項から、当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。
　そして、本件発明２は、「比較的低温で熱硬化できるため、反りを小さくでき」る（本件明細書の段落【０００８】）、「ボイドの発生を低減できる。また、保存性が良好である。」（同【０００９】）、「熱膨張係数の違いにより生じる熱応力を緩和でき、信頼性に優れた半導体パッケージを得ることができる」（同【００１０】）という効果を奏するものであり、一方、甲３には、樹脂混練物中における気孔（ボイド）の気孔径及び気孔数が低減されており、電子部品の封止に好適に使用することができるという効果を示すことが記載されているにとどまり、本件発明２の上記効果を示唆するものではない。
エ　本件発明３〜５、７及び８について 
　請求項３〜５、７及び８は、請求項２を直接又は間接的に引用するものであり、本件発明２について上記ウで述べたのと同じ理由により、本件発明３〜５、７及び８は、甲３に記載された発明であるとはいえないし、甲３に記載された発明及び事項から、当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。
オ　本件発明９〜１２について
　本件発明９〜１２と甲３発明ｂとを対比する。 
　請求項９〜１２は、請求項２を直接又は間接的に引用するものであり、甲３発明ｂは甲３発明を含むものであるから、本件発明２について上記ウで述べたのと同じ理由により、本件発明９は、甲３発明ｂであるとはいえないし、本件発明１０〜１２は、甲３発明ｂ、並びに、甲３及び引用文献２に記載された事項から、当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。
カ　申立人の意見書における主張の検討
　申立人は、甲３発明の混練温度を、甲３に記載された８０〜１４０℃の中心値である１１０℃前後と推定することは妥当であるし、そうでなくとも、１１０℃前後又は甲１発明と同じ１２０℃に設定することは、当業者が容易に想到し得たことである旨を主張する。
　しかしながら、混練温度は樹脂混練物の組成に応じてそれぞれ設定されるものであるから、甲３発明の混練温度を８０〜１４０℃の中心値とすることに合理性はないし、１１０℃で混練することが直ちに動機付けられるともいえない。更に、上記ウで述べたように、甲３発明における樹脂混練物の混練温度及びその時間によって、硬化促進剤の反応を伴う硬化反応が進む程度が異なるものと解され、甲３発明の配合時の成分組成が本件実施例２と概ね同じであっても、活性化エネルギーの値も同じとなって式（１）を満たすとはいえない。
　また、申立人は、甲３発明の混練時間を、甲１発明と同じ５分間（１２０℃）や本件実施例１（合議体注：正しくは「本件実施例２」であると解釈した。）と同じ２分間とすることは、当業者が容易に想到したことである旨を主張する。
　しかしながら、甲３発明はエラストマーを含んでおり、甲１発明と成分組成が異なるから、甲３発明の混練時間を甲１発明と同じにすることは動機付けられないし、本件実施例２は本件出願時に公知ではないから、これに基いて混練時間を２分間にすることが動機付けられるものではない。そして、他に、甲３発明の混練時間を、甲１発明や本件実施例２と同じに設定することが動機付けられる記載は見当たらない。
　よって、申立人の上記主張を採用することはできない。
（３）甲４を主引用文献とする取消理由１（新規性）及び取消理由２（進歩性）について
ア　甲４に記載された事項及び甲４に記載された発明
（ア）「【特許請求の範囲】 
【請求項１】 
　軟化点が−４０℃〜３０℃の熱硬化性成分、硬化前は熱硬化性成分と溶解しており硬化後に島状に相分離する分子量１０万以上の高分子量成分、及び無機フィラーを含む封止用フィルムであって、無機フィラーが全体の６０〜８０体積％であり、かつ前記熱硬化性成分１００重量部に対し、前記高分子量成分が５〜３０重量部含有されていることを特徴とする封止用フィルム。
【請求項２】 
　熱硬化性成分が、エポキシ樹脂及び硬化剤を含む熱硬化性成分である請求項１に記載の封止用フィルム。 
【請求項３】 
　着色剤が、０．１以上、１０重量％以下含有されている請求項１または２に記載の封止用フィルム。 
【請求項４】 
　封止用フィルムのＢステージ状態での溶融粘度が、１００℃以上、２００℃以下の範囲で、１０Ｐａ・ｓ以上、１００００Ｐａ・ｓ以下であり、少なくとも一方の面のタック強度が２５℃以上、１２０℃以下の範囲で５０ｇｆ以上であり、かつ、硬化後の線膨張係数が１以上、２０ｐｐｍ／℃以下である請求項１〜３いずれかに記載の封止用フィルム。」 
  
（イ）「【００３２】 
　なお本発明の封止フィルムは、Ｂステージ状態での溶融粘度が、１００℃以上、２００℃以下の範囲で、１０Ｐａ・ｓ以上、１００００Ｐａ・ｓ以下であることが、フリップチップやウエハレベルＣＳＰなどの突起状電極の突起部の保護及び突起間の充てんのため好ましく、かつ、硬化後の線膨張係数が１以上、２０ｐｐｍ以下であることが、パッケージやウエハに使用した場合でも封止フィルムのそりが小さくなる点で好ましい。なお、溶融粘度は、平行平板プラストメータ法により測定した。溶融粘度が１００００Ｐａ・ｓを超すと、ボイドの残存やキヤビテイ充填不良等が発生し，接続信頼性が低下する。また溶融粘度が１０Ｐａ・ｓ未満では、流動性が大きすぎ、成型品の封止樹脂の厚みにバラツキが発生し、接続信頼性が低下するなど好ましくない。 
 ・・・ 
【００３４】 
　封止用フィルムの使用方法としては、従来の固形状または液状封止材が使用されていた用途と同様の方法が考えられる。例えば、半導体チップや部品を実装した基板上に基材層（基材フィルム）つきの封止用フィルムを熱板プレスやラミネータなどを使用して積層した後、加熱硬化した後、基材層（基材フィルム）をはく離するか、基材層（基材フィルム）をはく離した後、加熱硬化するなどの方法を取る。この際、半導体チップ周辺に空隙が残らないように積層することが可能である。しかし、高周波用途のフリップチップ実装の場合などは、半導体チップや部品の下部に、あえて空隙が残るように積層することも可能である。図１に示したのは、本発明の封止用フィルムを用いて、前記の方法により作製した半導体装置の断面である。」 
  
（ウ）「【実施例１】 
【００３９】 
　熱硬化性成分（エポキシ樹脂）としてビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１７５、東都化成株式会社製のＹＤ−８１７０を使用）６０重量部、熱硬化性成分（硬化剤）としてビスフェノールＡノボラック樹脂（大日本インキ化学工業株式会社製のＬＦ−２８８２を使用）３５重量部、無機フィラーとしてシリカフィラー（株式会社龍森製のＴＳＳ−６を使用）５００重量部、着色剤としてカーボンブラック２重量部、高分子量成分として、エポキシ基含有アクリルゴム（分子量７０万、帝国化学産業株式会社製のＨＴＲ−８６０Ｐ−３）１０重量部、硬化促進剤として１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール（キュアゾール２ＰＺ−ＣＮを使用）０．５重量部からなる成分に溶剤としてシクロヘキサノンを１７００重量部加えて攪拌混合し、樹脂ワニスを得た。 
【００４０】 
　得られた樹脂ワニスを基材層である離型剤付きのベースフィルム（帝人株式会社製ピューレックスＡ３１）上に塗工し、９０℃、１０分、１２０℃、２０分乾燥して、厚み１３０μｍの封止用フィルムを得た。この場合の無機フィラーの体積分率は６９％であった。なお、硬化物の断面をＳＥＭで観察し、海島構造を調査し、島成分がゴム相であることを確認した。 
 ・・・ 
【００４３】 
（半導体装置の作製） 
　バンプを形成した半導体チップに、実施例１、比較例１及び比較例２で作製した基材層（基材フィルム）つきの封止用フィルムを、温度１３０℃、圧力０．７ＭＰａ、５ｓの条件で熱板プレスを使用して積層した後、基材層（基材フィルム）をはく離した後、１７０℃、１時間加熱硬化し、半導体装置を作製した。 
【００４４】 
　この封止用フィルムのＢステージ状態、Ｃステージ状態での各種特性及び前記半導体装置の特性を測定した。測定にあたっては、下記の方法を用いた。評価結果を表１に示した。 
（測定方法） 
（１）弾性率（貯蔵弾性率） 
　１７０℃、１時間加熱硬化した封止用フィルムの貯蔵弾性率を動的粘弾性測定装置（レオロジ社製、ＤＶＥ−Ｖ４）を用いて測定した（サンプルサイズ：長さ２０ｍｍ、幅４ｍｍ、膜厚８０μｍ、昇温速度５℃／ｍｉｎ、引張りモード、１０Ｈｚ、自動静荷重）。 
（２）タック強度 
　Ｂステージ状態の封止用フィルムのタック強度を、レスカ株式会社製タッキング試験機を用いて、ＪＩＳＺ０２３７−１９９１に記載の方法（プローブ直径５．１ｍｍ、引き剥がし速度１０ｍｍ／ｓ、接触荷重１００ｇｆ／ｃｍ２、接触時間１ｓ）により、８０℃で測定した。 
（３）対チップピール強度（接着特性） 
　１２０℃のホットプレート上で、封止用フィルムにチップ（５ｍｍ角）及び金めっき基板（銅箔付フレキ基板電解金めっき（Ｎｉ：５μｍ、Ａｕ：０．３μｍ））を積層し、１３０℃、３０ｍｉｎ＋１７０℃、１ｈキュアした。この試料のついて２６０℃でのピール強度を測定した。 
（４）線膨張係数 
　線膨張係数は、１７０℃１時間加熱硬化した封止用フィルムについて、熱機械分析装置を用いて、毎分５℃の昇温速度で試料の伸びを測定し、２５℃から１５０℃の伸びから、平均線膨張係数を求めた。 
（５）はんだ耐熱性 
　作製した半導体装置を８５℃、湿度８５％で４８時間処理した後、２６５℃のはんだ漕に１分間フロートし、ふくれ、剥離の有無を調べた。 
（６）溶融粘度 
　封止用フィルムの溶融粘度は、下記の平行平板プラストメータ法により測定、算出した値を用いた。すなわち、接着シートを８枚ラミネートし、厚さ約４００μｍのフィルムを作製する。これを直径１１.３ｍｍの円形に打ち抜いたものを試料とし、１６０℃において、荷重２.５ｋｇｆで５秒間加圧し、加圧前後の試料の厚みから、式１を用いて溶融粘度を算出した。 
【００４５】 
【数１】 
（合議体注：式１は省略）  
 （式中、Ｚ０は荷重を加える前の接着シートの厚さ、Ｚは荷重を加えた後の接着シートの厚さ、Ｖは接着シートの体積、Ｆは加えた荷重、tは荷重を加えた時間を表す。） 
【００４６】 
【表１】
 
【００４７】 
　表１に示したように、無機フィラーの体積分率が５４％である比較例１の線膨張係数は、半導体チップの線膨張係数（４ｐｐｍ）との差が大きい。そのため、そりが生じやすく、チップと基板（半導体装置）のふくれ剥離が発生するなど、はんだ耐熱性が低下した。また、熱硬化性成分に対して高分子量成分が過剰な比較例２（エポキシ樹脂１００重量部に対して高分子量成分４０重量部）の線膨張係数は大きく、チップと基板（半導体装置）のふくれ剥離が発生するなど、半導体装置のはんだ耐熱性など信頼性が低下した。それに対し、実施例１の線膨張係数は小さく、また半導体装置の信頼性も良好であった。」 
イ　甲４に記載された発明について 
　甲４には、実施例１として、熱硬化性成分（エポキシ樹脂）としてビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１７５、東都化成株式会社製のＹＤ−８１７０を使用）６０重量部、熱硬化性成分（硬化剤）としてビスフェノールＡノボラック樹脂（大日本インキ化学工業株式会社製のＬＦ−２８８２を使用）３５重量部、無機フィラーとしてシリカフィラー（株式会社龍森製のＴＳＳ−６を使用）５００重量部、着色剤としてカーボンブラック２重量部、高分子量成分として、エポキシ基含有アクリルゴム（分子量７０万、帝国化学産業株式会社製のＨＴＲ−８６０Ｐ−３）１０重量部、硬化促進剤として１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール（キュアゾール２ＰＺ−ＣＮを使用）０．５重量部からなる成分に溶剤としてシクロヘキサノンを１７００重量部加えて攪拌混合した樹脂ワニスを、基材層である離型剤付きのベースフィルム上に塗工し乾燥して得た、厚み１３０μｍの封止用フィルムであって、Ｃステージ、すなわち、１７０℃、１時間で熱硬化した後の特性として、Ｔｇが１５０℃であり、貯蔵弾性率（２５℃）が１３０００ＭＰａであり、線膨張係数（−５０〜１４０℃）が１３ｐｐｍ／℃である封止用フィルムが記載されている（上記ア（ウ））。 
　そして、実施例１には、上記封止用フィルムを、バンプを形成した半導体チップに温度１３０℃、圧力０．７ＭＰａ、５ｓの条件で熱板プレスを使用して積層した後、１７０℃、１時間加熱硬化して、半導体装置を作製したことも記載されており（上記ア（ウ））、上記封止用フィルムが半導体チップ封止用であるといえる。 
  
　そうすると、甲４には、次の発明が記載されている。 
「ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１７５、東都化成株式会社製のＹＤ−８１７０を使用）６０重量部、ビスフェノールＡノボラック樹脂（硬化剤、大日本インキ化学工業株式会社製のＬＦ−２８８２を使用）３５重量部、シリカフィラー（無機フィラー、株式会社龍森製のＴＳＳ−６を使用）５００重量部、カーボンブラック（着色剤）２重量部、エポキシ基含有アクリルゴム（高分子量成分、分子量７０万、帝国化学産業株式会社製のＨＴＲ−８６０Ｐ−３）１０重量部、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール（硬化促進剤、キュアゾール２ＰＺ−ＣＮを使用）０．５重量部からなる成分に溶剤を加えて攪拌混合し、塗工し乾燥して得た、厚み１３０μｍの半導体チップ封止用熱硬化性フィルムであって、１７０℃、１時間で熱硬化した後の特性として、Ｔｇが１５０℃であり、貯蔵弾性率（２５℃）が１３０００ＭＰａであり、線膨張係数（−５０〜１４０℃）が１３ｐｐｍ／℃である封止用フィルム。」（以下、「甲４発明」という。） 
「甲４発明の封止用フィルムを、半導体チップを実装した基板上に積層した後、加熱硬化する半導体装置の製造方法。」（以下、「甲４発明ｂ」という。） 
ウ　引用文献１に記載された事項 
　当審が職権調査により発見した文献である引用文献１には、以下のとおりの記載がある。
「【００４３】
・・・
　Ｃ２−４　：シリカ（球状シリカ、体積平均粒子径６μｍ）｛商品名「ＴＳＳ−６」（株式会社龍森製）｝」
エ　本件発明２について 
　本件発明２と甲４発明を対比する。
　甲４発明の「ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１７５、東都化成株式会社製のＹＤ−８１７０を使用）」、「ビスフェノールＡノボラック樹脂（硬化剤、大日本インキ化学工業株式会社製のＬＦ−２８８２を使用）」、「シリカフィラー（無機フィラー、株式会社龍森製のＴＳＳ−６を使用）」、及び「１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール（硬化促進剤、キュアゾール２ＰＺ−ＣＮを使用）」は、本件発明２の「エポキシ樹脂」、「フェノールノボラック系硬化剤」、「無機充填材」及び「硬化促進剤」に、それぞれ相当する。また、本件明細書には、「樹脂シート１１の厚みは特に限定されないが、好ましくは１００μｍ以上」（段落【００６９】）であることが記載されており、本件発明２の「樹脂シート」と甲４発明の「フィルム」は、その厚みが共通するから、甲４発明の「フィルム」は、本件発明２の「樹脂シート」に相当する。
　　
　そうすると、両者は、 
「エポキシ樹脂、フェノールノボラック系硬化剤、無機充填材及び硬化促進剤を含」む「半導体チップ封止用熱硬化性樹脂シート。 」 の点で一致し、次の点で相違する。 
  
相違点３：本件発明２は、上記半導体チップ封止用熱硬化性樹脂シートが、
「活性化エネルギー（Ｅａ）が下記式（１）を満たし、かつ
１５０℃で１時間熱硬化処理した後の熱硬化物のガラス転移温度が１２５℃以上であり、前記熱硬化物の前記ガラス転移温度以下における熱膨張係数α［ｐｐｍ／Ｋ］及び前記熱硬化物の２５℃における貯蔵弾性率Ｅ’［ＧＰａ］が下記式（２）を満たす」
「３０≦Ｅａ≦１２０［ｋＪ／ｍｏｌ］・・・（１） 
１００００≦α×Ｅ’≦３０００００［Ｐａ／Ｋ］ ・・・（２）」
であるのに対して、甲４発明は、式（１）及び（２）を満たすか否かが不明であり、１７０℃、１時間加熱硬化した封止用フィルムの貯蔵弾性率（２５℃）が１３０００ＭＰａ、線膨張係数（−５０〜１４０℃）が１３ｐｐｍ／℃であり、Ｔｇが１５０℃である点。 
　相違点３のうち、上記ガラス転移温度及び式（２）について検討する。
　甲４発明における熱硬化後のガラス転移温度は１５０℃であり、線膨張係数１３ｐｐｍ／℃と貯蔵弾性率１３０００ＭＰａの積は１６９０００［Ｐａ／℃］（［Ｐａ／Ｋ］）であり、本件発明２のガラス転移温度及び式（２）を満たすように見える。
　しかしながら、熱硬化処理の温度に関して、本件発明２では１５０℃であるのに対して、甲４発明では１７０℃であって、両者の熱硬化処理の温度が異なる。そして、当該技術分野では、樹脂組成物の熱硬化温度によって、ガラス転移温度、貯蔵弾性率及び熱膨張係数などの諸特性も異なる値になることは、本件出願時の技術常識であると解されるから、甲４発明であるフィルムを、１７０℃より低い１５０℃で１時間熱硬化処理した後の熱硬化物も、ガラス転移温度が１５０℃であり、熱膨張係数が１３ｐｐｍ／Ｋであり、貯蔵弾性率が１３０００ＭＰａであるとはいえない。
　そうすると、甲４発明において、上記熱硬化物のガラス転移温度、及び、上記熱硬化物の上記ガラス転移温度以下における熱膨張係数と前記熱硬化物の２５℃における貯蔵弾性率の積の値が明らかであるとはいえず、甲４発明は、本件発明２のガラス転移温度及び式（２）を満たすとはいえない。
　以上のとおりであるから、式（１）について検討するまでもなく、相違点３は実質的な相違点であり、本件発明２は、甲４に記載された発明であるとはいえない。
　また、甲４及び引用文献１には、甲４発明において、本件発明２のガラス転移温度の要件、式（１）及び（２）を満たすことを動機付ける記載は見当たらず、本件発明２が甲４及び引用文献１に記載された事項から、当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。
　そして、本件発明２は、「比較的低温で熱硬化できるため、反りを小さくでき」る（本件明細書の段落【０００８】）、「ボイドの発生を低減できる。また、保存性が良好である。」（同【０００９】）、「熱膨張係数の違いにより生じる熱応力を緩和でき、信頼性に優れた半導体パッケージを得ることができる」（同【００１０】）という効果を奏するものである。一方、甲４には、１７０℃で熱硬化することが示されているにとどまり、本件発明２の上記効果を示唆するものではない。
オ　本件発明３〜５、７及び８について 
　請求項３〜５、７及び８は、請求項２を直接又は間接的に引用するものであり、本件発明２について上記エで述べたのと同じ理由により、本件発明３〜５、７及び８は、甲４に記載された発明であるとはいえないし、甲４に記載された発明、並びに甲４及び引用文献１に記載された事項から、当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。
カ　本件発明９〜１２について
　本件発明９〜１２と甲４発明ｂとを対比する。 
　請求項９〜１２は、請求項２を直接又は間接的に引用するものであり、甲４発明ｂは甲４発明を含むものであるから、本件発明２について上記エで述べたのと同じ理由により、本件発明９は、甲４発明ｂであるとはいえないし、本件発明１０〜１２は、甲４発明ｂ、並びに、甲４及び引用文献１に記載された事項から、当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。
キ　申立人の意見書における主張の検討
　申立人は、甲４発明の活性化エネルギーＥａが３０〜１２０ｋＪ／ｍｏｌの範囲に必ずなることがないとしても、その範囲になる蓋然性が高い旨、及び、混練温度及び時間は技術常識に従えばよく、潜在性硬化剤の多くが反応してしまう混練温度及び時間にしたと考えるべき理由はない旨を主張する。
　しかしながら、上記主張を裏付ける技術常識などの技術的な根拠が具体的に示されておらず、甲４発明の活性化エネルギーが３０〜１２０ｋＪ／ｍｏｌの範囲になる蓋然性が高いとはいえない。また、上記（１）オ及び（２）ウで述べたように、設定される混練温度及び時間によっては、硬化促進剤の反応を伴う硬化反応が始まることが想定され、これにより甲４発明の活性化エネルギーが変化すると解されるから、混練温度及び時間が明らかでない甲４発明の活性化エネルギーが３０〜１２０ｋＪ／ｍｏｌの範囲になるとはいえない。
　よって、申立人の上記主張を採用することはできない。
（４）まとめ 
　以上のとおり、本件発明２〜５、７〜１２に係る特許は、取消理由１（新規性）及び取消理由２（進歩性）によっては取り消すことはできない。 
（５）取消理由３（実施可能要件）について
ア　特許法第３６条第４項第１号について
　特許法第３６条第４項第１号は、
「前項第三号の発明の詳細な説明の記載は、次の各号に適合するものでなければならない。
一　経済産業省令で定めるところにより、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（合議体注：以下、「当業者」という。）がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであること。」と定めている。
　これは、当業者が、明細書に記載した事項と出願時の技術常識とに基づき、その発明を実施することができる程度に、発明の詳細な説明を記載しなければならないことを意味するものである。
　この点について以下に検討する。
　まず、本件訂正により、本件発明２〜５、７〜１２において、上記熱硬化性樹脂シートが「エポキシ樹脂、フェノールノボラック系硬化剤、無機充填材及び硬化促進剤を含」むことが特定された。
　そして、本件明細書には、熱硬化物のガラス転移温度、活性化エネルギー（Ｅａ）、貯蔵弾性率（Ｅ’）及び熱膨張係数（α）を調整する方法、並びに、これらを測定する方法が記載されており（段落【００２６】、【００２７】、【００３１】〜【００３６】）、これらを測定したり、本件発明２で特定された範囲に調整したりすることができると解される。また、実施例１〜５（段落【０１０９】〜【０１１２】）の記載から、熱硬化物のガラス転移温度が１２５℃以上であり、活性化エネルギー（Ｅａ）が式（１）を満たし、貯蔵弾性率（Ｅ’）及び熱膨張係数（α）が式（２）を満たす本件発明２を製造できることを具体的に理解することができる。
　そうすると、本件明細書は、当業者が本件発明２〜５、７〜１２を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものである。
イ　申立人の意見書における主張の検討
　申立人は、本件発明２において、エポキシ樹脂及びフェノールノボラック系硬化剤を用いることが特定されても、硬化促進剤には、本件実施例で用いられるイミダゾール系の他にも様々な種類があり、それぞれの挙動も様々であるから、硬化促進剤を特定しなければ当業者は過度の試行錯誤が必要になる旨を主張する。
　しかしながら、硬化促進剤は硬化剤と併用して硬化速度を速める添加剤であり、各々の硬化促進剤の性能は本件出願時の技術常識といえるものである。そして、本件明細書には、硬化促進剤の種類や量により活性化エネルギーをコントロールできることが記載されている（段落【００２７】）。
　そうすると、本件発明２において、本件明細書の記載および本件出願時の技術常識を参酌することにより、当業者が、本件発明２のガラス転移温度、式（１）及び（２）を満たす樹脂シートを、過度の試行錯誤を必要とせずに製造することができると解される。
　よって、本件明細書の発明の詳細な説明は、当業者が発明の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されていると解され、申立人の上記主張を採用することはできない。
（６）取消理由４（サポート要件）について
ア　特許法第３６条第６項第１号について
　特許請求の範囲の記載が、明細書のサポート要件に適合するか否かは、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載とを対比し、特許請求の範囲に記載された発明が、発明の詳細な説明に記載された発明で、発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否か、また、その記載や示唆がなくとも当業者が出願時の技術常識に照らし当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否かを検討して判断すべきものである（平成１７年（行ケ）第１００４２号、「偏光フィルムの製造法」事件）。
　この点について以下に検討する。
　本件発明２〜５、７〜１２が解決しようとする課題は、「熱硬化性樹脂シートの体積収縮による反り変形を低減できるとともに、信頼性と保存性に優れた半導体チップ封止用熱硬化性樹脂シート及び半導体パッケージの製造方法を提供すること」（段落【０００６】）であると解される。
　そして、本件訂正により、本件発明２〜５、７〜１２において、上記熱硬化性樹脂シートが「エポキシ樹脂、フェノールノボラック系硬化剤、無機充填材及び硬化促進剤を含」むことが特定された。
　本件明細書には、上記ガラス転移温度の要件を満たすことにより、半導体パッケージの通常の使用温度における急激な物性変化を抑制できること（段落【００３５】）、式（１）を満たすことにより、ボイドの発生を低減でき、保存性が良好になること、反りを小さくでき、生産性にも優れること（段落【００２５】【００２６】）、式（２）を満たすことにより、樹脂シートと半導体チップや基板との熱膨張係数の違いにより生じる熱応力を緩和できること（段落【００２７】）が記載されており、また、実施例１〜６の記載から、本件発明２における上記ガラス転移温度の要件、式（１）及び（２）を満たすことにより、上記課題を解決することが具体的に理解できる。
　そうすると、本件明細書の発明の詳細な説明は、本件発明２〜５、７〜１２が上記課題を解決することを当業者が認識できるように記載されているといえる。
　よって、本件発明２〜５、７〜１２は、発明の詳細な説明に記載したものである。
イ　申立人の意見書における主張の検討
　申立人は、本件明細書には、硬化促進剤がイミダゾール以外である場合にも、本件発明が反り変形を低減でき、保存性に優れることが示されているとはいえない旨を主張する。
　しかしながら、上記（５）イで述べたように、硬化促進剤は硬化剤と併用され、硬化速度を速めることができる添加剤であって、エポキシ樹脂の各々の硬化促進剤及びその特長は本件出願時の技術常識である。
　そして、本件明細書の段落【００３２】及び【００３４】には、無機充填剤や熱可塑性樹脂の含有量を増加させることにより、貯蔵弾性率（Ｅ’）を高めることができ、無機充填剤の含有量を増加させることにより、熱膨張係数（α）を小さくすることができることが記載されている。
　そうすると、当業者は、本件明細書の記載及び上記技術常識を参酌することにより、いずれの硬化促進剤を用いる場合であっても、上記課題を解決することを認識できるものと解される。
　よって、申立人の上記主張を採用することはできない。
２　取消理由通知において採用しなかった特許異議の申立ての理由
（１）申立理由２−１（進歩性）について
 ア　甲５に記載された事項
　甲５には、以下の記載がある。
（ア）「【０００２】
・・・
一方、このような電子部品は小型化が進み、その製造も、基板上に多数の小さな機能素子チップ、例えば、弾性表面波チップ、をフリップチップ接合して配列した所謂ＭＡＰ（モールドアレイパッケージ）形状において、基板上の多数の機能素子チップを一度に一括樹脂封止する方式が主流となりつつある。」
（イ）「【０００６】
・・・
すなわち、本発明は、配線基板上に、上記配線基板との間に空隙を設けて対面載置した複数の配列された機能素子を、上記複数の配列された機能素子を覆うように上記配線基板上に配置されたゲル状硬化性樹脂シートを加熱硬化させて、上記配線基板と上記機能素子との間を中空に保ちつつ、一括樹脂封止する電子部品の製造方法であって、少なくとも、以下の工程（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）を有する電子部品の製造方法である：
（ａ）配線基板上に上記配線基板との間に空隙を設けて対面載置した複数の配列された機能素子を覆うように、上記配線基板上にゲル状硬化性樹脂シートを配置する工程、
（ｂ）上記複数の配列された機能素子がその内部に含まれている上記ゲル状硬化性樹脂シートと上記配線基板とで囲まれた閉空間領域を、真空にする工程、
（ｃ）上記閉空間領域を真空に維持しつつ、熱ロールで上記ゲル状硬化性樹脂シートを硬化温度未満に加熱し流動させながら封止樹脂表面を平坦に成形する工程、及び、
（ｄ）上記ゲル状硬化性樹脂シートを硬化温度に加熱して硬化させる工程。」
（ウ）「【０００８】
・・・
一方、これら電子部品の小型化に伴い、例えば、弾性表面波デバイスでは、２ミリ角やそれ以下のサイズのチップが用いられており、製造方法としては、表面に微細な配線パターンを形成した基板上に、多数のチップをフリップチップ接合で配列し、多数のチップを一度に一括して樹脂封止し、その後に個別デバイスにダイシングする方法が用いられている。」
（エ）「【０００９】
  工程（ａ）
  本工程では配線基板上に上記配線基板との間に空隙を設けて対面載置した複数の配列された機能素子を覆うように、上記配線基板上にゲル状硬化性樹脂シートを配置する。機能素子と配線基板との間の上記空隙は、例えば、粒子状、平面状等のスペーサーを挿入したり、フリップチップ接合のためのフリップチップバンプの高さで確保する等の方法を採用することができる。」
（オ）「【００１９】
  上記潜在性硬化促進剤の具体例としては、たとえば変性イミダゾール系硬化促進剤、変性脂肪族ポリアミン系促進剤、変性ポリアミン系促進剤などがあげられる。これらは単独で使用してもよく２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらのうちでは変性イミダゾール系硬化促進剤が、活性温度が高く、反応性がよく、純度の高いものが得られやすいなどの点から好ましい。」
（カ）「【００５６】
  なお、表１中の略号は以下のとおりである。
・・・
ＨＸ３０８８：旭化成エポキシ（株）製、変性イミダゾール、活性温度約８０℃
・・・
２Ｐ４ＭＨＺ：四国化成工業(株)、変性イミダゾール」
イ　本件発明２について
　上記１（１）オで述べたように、本件発明２と甲１発明とは相違点１で相違する。そして、甲１〜甲５のいずれにも、甲１発明において、本件発明２の「活性化エネルギー（Ｅａ）が下記式（１）を満たし、かつ１５０℃で１時間熱硬化処理した後の熱硬化物のガラス転移温度が１２５℃以上であり、前記熱硬化物の前記ガラス転移温度以下における熱膨張係数α［ｐｐｍ／Ｋ］及び前記熱硬化物の２５℃における貯蔵弾性率Ｅ’［ＧＰａ］が下記式（２）を満たす」
「３０≦Ｅａ≦１２０［ｋＪ／ｍｏｌ］ ・・・（１） 
１００００≦α×Ｅ’≦３０００００［Ｐａ／Ｋ］ ・・・（２）」とすることを動機付ける記載は見当たらない。
　そして、本件発明２は、「比較的低温で熱硬化できるため、反りを小さくでき」る（本件明細書の段落【０００８】）、「ボイドの発生を低減できる。また、保存性が良好である。」（同【０００９】）、「熱膨張係数の違いにより生じる熱応力を緩和でき、信頼性に優れた半導体パッケージを得ることができる」（同【００１０】）という効果を奏するものであり、一方、甲１には、熱硬化性フィルムへのめっき形成性という効果を示すことが記載されているにとどまり、本件発明２の上記効果を示唆するものではない。
　したがって、本件発明２は、甲１〜甲５の記載に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
ウ　本件発明３〜５、７〜９について
　請求項３〜５、７〜９は、請求項２を直接又は間接的に引用するものであり、本件発明２について上記イで述べたのと同じ理由により、本件発明３〜５、７〜９は、甲１に記載された発明、並びに、甲１〜甲５に記載された事項から、当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。
（２）申立理由２−２（進歩性）について
ア　甲６に記載された事項
　甲６には、以下の記載がある。
（ア）「【０００５】
  後述する関連技術で説明するように、関連技術の半導体装置では、支持体の上に粘着シートを介して半導体チップがその接続電極を下側に向けて仮固定された後に、半導体チップの周囲及び背面側が樹脂で封止される。さらに、支持体及び粘着シートが除去された後に、半導体チップの接続電極に接続されるビルドアップ配線が形成される。」
（イ）「【００２１】
  関連技術の半導体装置の製造方法では、図１に示すように、まず、支持体１００の上に粘着シート１２０を介して複数の半導体チップ２００を位置合わせした状態で横方向に並べて配置する。半導体チップ２００はその接続電極２００ａが下側を向いた状態で支持体１００上の粘着シート１２０に仮固定される。
・・・
【００２３】
  続いて、図２（ａ）に示すように、半導体チップ２００が仮固定された支持体１００を下型４００の上に配置する。続いて、支持体１００及び半導体チップ２００の上に粉末樹脂を配置する。さらに、上型４２０によって粉末樹脂を下側に加圧した状態で加熱することにより溶融／硬化させる。これにより、半導体チップ２００の周囲及び背面側が樹脂基板５００で封止される。
・・・
【００２５】
  図２（ａ）及び（ｂ）の工程では、半導体チップ２００は粘着シート１２０に仮固定されているだけであり、半導体チップ２００の接続電極２００ａが設けられた素子面Ａと粘着シート１２０とは強固には接着されていない。このため、粉末樹脂を加圧／加熱して溶融／硬化させる際に、半導体チップ２００の素子面Ａと粘着シート１２０との界面から半導体チップ２００の素子面Ａに液状樹脂が染み込みやすい。
・・・
【００２８】
  続いて、図２（ｃ）に示すように、樹脂基板５００及び半導体チップ２００から支持体１００及び粘着シート１２０を除去することにより、半導体チップ２００の接続電極２００ａを露出させる。」
（ウ）「【００３６】
  そして、支持体１０の上に粘着シート１２を介して複数の半導体チップ２０を横方向に並べて配置する。このとき、半導体チップ２０の接続電極２０ａが設けられた素子面Ａが支持体１０側（下側）を向いた状態で、半導体チップ２０の素子面Ａが支持体１０上の粘着シート１２に接着されて仮固定される。半導体チップ２０の素子面Ａでは、接続電極２０ａ以外の領域には保護絶縁層（パッシベーション膜など）が設けられている。
【００３７】
  また、複数の半導体チップ２０は、支持体１０上の各チップ搭載領域にそれぞれ位置合わせされて配置される。図３の部分拡大断面図には、図３の平面図の２つの半導体チップ２０の様子が示されている。
【００３８】
  なお、支持体１０に半導体チップ２０を仮固定（粘着）させればよく、粘着シート１２の代わりに、粘着剤をスピンコート法などによって支持体１０上の全体に薄く塗布してもよい。あるいは、半導体チップ２０の素子面Ａに粘着剤を塗布してもよい。」
（エ）「【００４０】
  次いで、図４（ａ）に示すように、半硬化状態（Ｂステージ）の厚みが２５〜５０μｍの樹脂シート３０ａを用意する。樹脂シート３０ａはエポキシ樹脂などの熱硬化樹脂からなる。樹脂シート３０ａには、シリカなどのフィラーが含まれていてもよく、その含有率は例えば３０〜５０％である。
【００４１】
  そして、図４（ｂ）に示すように、樹脂シート３０ａを真空雰囲気で支持体１０及び半導体チップ２０の上に貼付する（真空ラミネート）。さらに、１７０℃程度の温度雰囲気で半硬化の樹脂シート３０ａを加熱処理することにより硬化させる。」
（オ）「【００７６】
  さらに、各半導体チップ２０の境界部（中間部）のビルドアップ配線ＢＷから樹脂基板５０まで切断することにより、図７（ｂ）に示すように個々の半導体装置１が得られる。」
イ　甲７に記載された事項
　甲７には、以下の記載がある。
（ア）「【特許請求の範囲】
【請求項１】
  少なくとも１つの電極パッドを有する複数の半導体素子と、導電性を有する複数の導体柱と、前記半導体素子および前記導体柱を封止する封止部とを有する半導体素子封止体の製造方法であって、
  平板状をなすダミー基板を用意し、該ダミー基板上に、前記電極パッドが前記ダミー基板側となるように前記半導体素子を配置するとともに、前記導体柱を配置する配置工程と、
  前記半導体素子と前記導体柱とが配置されている側の面に、前記ダミー基板と前記半導体素子と前記導体柱とを覆うように封止して封止部を形成することにより、前記ダミー基板上に前記半導体素子封止体を得る封止部形成工程と、
  前記半導体素子封止体から前記ダミー基板を剥離させる剥離工程とを有することを特徴とする半導体素子封止体の製造方法。」
ウ　本件発明１０〜１２について 
　請求項１０〜１２は、請求項２を直接又は間接的に引用するものであり、本件発明２について上記１（１）キで述べたのと同じ理由により、本件発明１０〜１２は、甲１に記載された発明、及び、甲１〜８に記載された事項から当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
（３）申立理由３（実施可能要件）について 
　申立人は、明細書に列記されていないイミダゾール系硬化促進剤、または、その他の硬化促進剤を用いる場合に、式（１）及び（２）を同時に満たすためには、硬化促進剤の含有量及び種類の選択において、過度の試行錯誤が必要であり、本件明細書は、当業者が訂正前の本件発明１〜１２を実施できる程度に明確かつ十分に記載されていない旨を主張する。
　しかしながら、訂正後の本件発明２〜５、７〜１２における熱硬化性樹脂シートが「エポキシ樹脂、フェノールノボラック系硬化剤、無機充填材及び硬化促進剤を含」むことを特定されたことにより、上記「硬化促進剤」は、本件出願時の技術常識を参酌すれば、エポキシ樹脂の硬化促進剤として機能する化合物に自ずと限定されるし、また、本件明細書には、ガラス転移温度、活性化エネルギー（Ｅａ）、貯蔵弾性率（Ｅ’）及び熱膨張係数（α）をそれぞれ調整する方法が記載されており（段落【００２６】、【００２７】、【００３１】〜【００３６】）、これにより、当業者が本件発明２〜５、７及び８に係る樹脂シートを製造することができ、又は、本件発明９〜１２に係る半導体パッケージの製造方法により半導体パッケージを製造することができることは、実施例（段落【０１０７】〜【０１１８】）の記載から具体的に理解することができる。
　そうすると、本件明細書は、本件発明２〜５、７〜１２を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されているといえる。
                      
第６　むすび 
　以上のとおり、取消理由通知書に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議の申立ての理由によっては、本件特許の請求項２〜５、７〜１２に係る特許を取り消すことはできない。 
　他に本件特許の請求項２〜５、７〜１２に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 
  また、請求項１及び６に係る特許は、上記のとおり、訂正により削除された。これにより、申立人による特許異議の申立てについて、請求項１及び６に係る申立ては、申立ての対象が存在しないものとなったため、特許法第１２０条の８第１項で準用する同法第１３５条の規定により却下する。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和１年７月２５日（２０１９．７．２５）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
（削除）
　【請求項２】
エポキシ樹脂、フェノールノボラック系硬化剤、無機充填材及び硬化促進剤を含み、
活性化エネルギー（Ｅａ）が下記式（１）を満たし、かつ
１５０℃で１時間熱硬化処理した後の熱硬化物のガラス転移温度が１２５℃以上であり、前記熱硬化物の前記ガラス転移温度以下における熱膨張係数α［ｐｐｍ／Ｋ］及び前記熱硬化物の２５℃における貯蔵弾性率Ｅ’［ＧＰａ］が下記式（２）を満たす半導体チップ封止用熱硬化性樹脂シート。
　
３０≦Ｅａ≦１２０［ｋＪ／ｍｏｌ］　・・・（１）
　
１００００≦α×Ｅ’≦３０００００［Ｐａ／Ｋ］　・・・（２）
　【請求項３】
前記無機充填材が平均粒子径０．５μｍ〜５０μｍのシリカである請求項２に記載の半導体チップ封止用熱硬化性樹脂シート。
　【請求項４】
前記硬化促進剤がイミダゾール系硬化促進剤である請求項２又は３に記載の半導体チップ封止用熱硬化性樹脂シート。
　【請求項５】
前記無機充填材の含有量が２０体積％〜９０体積％である請求項２〜４のいずれかに記載の半導体チップ封止用熱硬化性樹脂シート。
　【請求項６】
（削除）
　【請求項７】
前記熱硬化物の２５℃における貯蔵弾性率Ｅ’が３ＧＰａ〜３０ＧＰａである
請求項２〜５のいずれか
　【請求項８】
前記熱膨張係数αが３ｐｐｍ／Ｋ〜５０ｐｐｍ／Ｋである
請求項２〜５及び７のいずれか
　【請求項９】
請求項２〜５、７及び８のいずれか
前記封止体の樹脂シートを熱硬化する工程（Ｂ）とを含む半導体パッケージの製造方法。
　【請求項１０】
前記工程（Ａ）において、半導体ウェハにフリップチップ接続された前記半導体チップを前記半導体チップ封止用熱硬化性樹脂シートに埋め込んで前記封止体を形成する請求項９に記載の半導体パッケージの製造方法。
　【請求項１１】
前記工程（Ａ）において、仮固定材に固定された前記半導体チップを前記半導体チップ封止用熱硬化性樹脂シートに埋め込んで前記封止体を形成する請求項９に記載の半導体パッケージの製造方法。
　【請求項１２】
前記工程（Ａ）において、前記半導体ウェハにフリップチップ接続された複数の前記半導体チップを前記半導体チップ封止用熱硬化性樹脂シートに埋め込んで前記封止体を形成し、
前記工程（Ｂ）の後、前記封止体を目的の半導体チップ単位でダイシングする工程（Ｃ）をさらに含む請求項９又は１０に記載の半導体パッケージの製造方法。