【事件の表示】
　平成２年特許願第２１４８８４号「ガス配給システム」拒絶査定に対する審判事件（平成３年７月３０日出願公開、特開平３−１７５６２７）について、次のとおり審決する。
【結論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理由】
Ｉ　本願発明
　本願は平成２年８月１４日（パリ条約による優先権主張１９８９年８月１４日，アメリカ国）の出願であって、その請求項１ないし５に係る発明は、平成１１年５月１３日付け手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲（１）ないし（５）に記載された次のとおりのものである。
　「（１）半導体ウェーハ上の酸化物層をエッチングするプラズマエッチングチャンバであって、
　互いに平行して間隔をあけて位置するガスマニホールド電極及びウェーハ支持電極を含むプラズマチャンバを有し、
　前記ガスマニホールド電極が、一様な大きさに形成された複数の入口穴を備える前記ウェーハに対向するガス配給板を有し、電極間の領域にエッチングガスを供給してプラズマを形成し、
　前記入口穴の径が、前記入口穴にプラズマを存在させず、且つ前記入口穴の内面にポリマー物質の形成を防止する大きさであることを特徴とするプラズマエッチングチャンバ。
　（２）半導体ウェーハ上の酸化物層をエッチングするプラズマエッチングチャンバであって、
　互いに平行して間隔をあけて位置するガスマニホールド電極及びウェーハ支持電極を含むプラズマチャンバを有し、
　前記ガスマニホールド電極が、一様な大きさで、一様な間隔に形成された複数の入口穴を備える前記ウェーハに対向するガス配給板を有し、電極間の領域にエッチングガスを供給してプラズマを形成し、
　前記入口穴の径が、前記入口穴にプラズマを存在させず、且つ前記入口穴の内面にポリマー物質の形成を防止する大きさであることを特徴とするプラズマエッチングチャンバ。
　（３）ポリマーが生成されるプラズマ支援プロセスでエッチングされる酸化ケイ素の表面を有する半導体ウェーハのポリマー粒子汚染を減少させる方法であって、
　真空チャンバの支持部材上に前記半導体ウェーハを取り付け、
　プラズマをガス入口穴の内部に形成させない一様な大きさに形成された複数のガス入口穴を通じてエッチングガスを前記真空チャンバ内に送り込み、
　前記真空チャンバ内にプラズマを形成させることを特徴とする方法。
　（４）前記エッチングガスが、フルオロカーボンを含むことを特徴とする請求項３に記載の方法。
　（５）ポリマー物質の粒子による半導体ウェーハの汚染を減少する方法であって、
　一様なガス入口穴を通じて反応チャンバにフルオロカーボンエッチングガスを送り込むステップを含み、
　前記ガス入口穴の断面積は、その中でポリマー物質を形成させない大きさであって、前記入口穴に形成されて前記ウェーハ上に堆積するポリマー物質の粒子による半導体ウェーハの汚染を減少させることを特徴とする方法。」
ＩＩ　特許法第２９条第２項についての検討・判断
１．引用刊行物に記載された発明
　当審における拒絶の理由に引用した本願の出願前に頒布された特開昭６２−２１０６２３号公報（以下「引用刊行物」という。）には、気相反応装置用電極が、装置の図面（第６頁第１図）とともに示されている。
　装置構造の詳細及び装置の使用法について、
　「第１図に示されるように、本発明の電極は上部電極１００と接地基板電極２００とからなる、いわゆる、平行平板電極である。
　上部電極１００は多孔性で通気性の焼結金属導体１１０と、この焼結金属導体１１０の放電面に密着された有孔絶縁薄板１２０とからなる。」（第３頁左下欄第４行〜９行）、
　「有孔絶縁薄板１２０は・・・・、これら絶縁材の薄板に例えば、約０．２−約０．５ｍｍ程度の微小な直径の孔１３０を穿設する。孔の穿設数は特に限定されないが、反応ガスを均一に流すために、出来るだけ多いほうが好ましい。」（第３頁左下欄第１８行〜右下欄第４行）、
　「電極は密閉可能な反応室６００内に配置される。」（第４頁左下欄第２０行）、及び
　「本発明の電極は反応ガスをエッチング用の、例えば、ＣＦ４などに変更すれば、そのままプラズマエッチング装置に使用できる。」（第４頁右下欄第８〜１１行）
と記載されている他、第１図から、接地基板電極２００上にウェハ５００の存在を読みとることができる。また、
　「大口径ウェハの成膜のために、アルミニウムのような金属板電極に微小な直径の孔を多数穿設し、この孔の上方から反応ガスを流し、同時に、固定式接地基板電極との間でグロー放電をかける試みがなされた。
　ウェハヘのガスのフローパターンは若干均一になったが、孔の部分で異常放電が発生し、成膜処理を逆に妨げる結果となった。特に、孔の径が異なると放電集中が変化するので異常放電が発生しやすくなる。
　孔の径が小さいほどガスのフローパターンを均一にさせることができ、異常放電も起こりにくい。」（第２頁左下欄第８〜１９行）、
　「電極表面に酸化物薄膜やカーボンが付着すると多孔質焼結金属の気孔を目詰まりさせ、ガスのフローパターンが不均一になる。
　従って、多孔質燒結金属自体をそのまま上部電極として使用する場合には、電極を頻繁にメンテナンスしなければならず、極めて不便である。これに対して、多孔質燒結金属導体の放電面に有孔絶縁薄板を密着させた上部電極を使用すれば、前記のような欠点を全て、あるいは、ほとんど解決でき‥‥」（第４頁左上欄第１０〜１９行、第５頁左下欄第４〜１３行）
とも記載されている。
　上記各記載から、この引用刊行物には、「ウェハ５００をエッチングするプラズマエッチング用反応室６００であって、上部電極１００及び接地基板電極２００からなる平行平板電極を含む反応室６００を有し、上部電極１００が、微小な直径の孔１３０を出来るだけ多く穿設された有孔絶縁板１２０を有し、電極間の領域にエッチング用のＣＦ４を供給してプラズマを形成し、前記微小な直径の孔１３０の直径が約０．２−約０．５ｍｍ程度であるプラズマエッチング用反応室６００」が記載されているものと認められる。
　また、「有孔絶縁板」について、「これを設けることによって、電極表面に酸化物薄膜やカーボンが付着する欠点を解決できる」こと、「孔の径が異なると異常放電が発生しやすく、また、孔の径が小さいほどガスのフローパターンを均一にさせることができ、異常放電も起こりにくい」ことが開示されている。
２．対比・判断
　本件出願の請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）と上記引用刊行物記載の発明（以下「引用発明」という。）とを対比する。
　ａ）引用発明の「ウェハ５００」、「反応室６００」、「接地基板電極２００」、「微小な直径の孔１３０を出来るだけ多く穿設された有孔絶縁板１２０」及び「エッチング用のＣＦ４」は、それぞれ、本願発明１の「半導体ウェーハ」、「チャンバ」、「ウェーハ支持電極」、「複数の入口穴を備えるガス配給板」及び「エッチングガス」に相当する。
　ｂ）本願発明１は「ガス供給マニホルド板」を必須構成要件とするものではないが、この「ガス供給マニホルド板」（Ｆｉｇ１における符号１８）と引用発明の「通気性の燒結金属導体１１０」とは「ガスをチャンバに送る」という同じ機能を有していることから、引用発明の「上部電極１００」は、本願発明１の「ガスマニホールド電極」に相当する。
　そして、引用発明の「平行平板電極」においては、上部電極１００及び接地基板電極２００が「互いに平行して間隔をあけて位置している」とともに、上部電極１００の有孔絶縁板１２０が「ウェハ５００に対向している」ことは明らかである。
　してみると、両者は、「半導体ウェーハをエッチングするプラズマエッチングチャンバであって、互いに平行して間隔をあけて位置するガスマニホールド電極及びウェーハ支持電極を含むプラズマチヤンバを有し、前記ガスマニホールド電極が、複数の入口穴を備える前記ウェーハに対向するガス配給板を有し、電極間の領域にエッチングガスを供給してプラズマを形成するプラズマエッチングチャンバ」である点で一致し、以下の▲１▼〜▲３▼の点で相違する。
　▲１▼本願発明１が、半導体ウェハ上におけるエッチング対象を「酸化物層」とするのに対し、引用発明はエッチング対象を明らかにしていない点。
　▲２▼本願発明１が、複数の入口穴の大きさを「一様な大きさ」と規定しているのに対し、引用発明ではかかる規定を行っていない点。
　▲３▼入口穴の径を、本願発明１が、「入口穴にプラズマを存在させず、且つ前記入口穴の内面にポリマー物質の形成を防止する大きさ」とするのに対し、引用発明は、「約０．２−約０．５ｍｍ程度」とする点。
　そこで、上記各相違点について検討する。
　▲１▼の点について
　引用発明に開示された「ＣＦ４」は、ＳｉＯ２（酸化物）のプラズマエッチング用ガスとして代表的なものである〔必要ならば、前田和夫「最新ＬＳＩプロセス技術」（昭和６０−５−２５）工業調査会第２８５〜２８８頁〕。
　したがって、引用発明の「ＣＦ４」を用いるエッチングにおいて、エッチングの対象を「酸化物層」とすることは、当業者が容易に想起しうることである。
　▲２▼の点について
　引用発明では、「孔の径が異なると異常放電が発生しやすく」と認識しており、一方、異常放電は好ましくない現象であるから、引用発明には、孔の径を「異ならないようにする」即ち「一様な大きさに形成する」態様が、好ましい態様として包含されているものと認められる。
　したがって、この点については、両者の間に格別の差異があるとは認められない。
　▲３▼の点について
　本願発明１でいう「入口穴にプラズマを存在させず、且つ前記入口穴の内面にポリマー物質の形成を防止する大きさ」に対応する実質的な構成（具体的な大きさ）を請求項１の記載自体からも、本願明細書の発明の詳細な説明からも明りょうに把握することはできない（この点については、下記ＩＩＩの項でも言及する。）が、「入口穴の大きさ」については、「ガス入口穴の断面積を、該ガス入口穴でプラズマが生じない点まで減少させる」（明細書第８頁第１５〜１７行）、「ガス入口穴の断面積が、その中でのプラズマの形成を防止するのに充分に小さくなる様に・・・・設定される」（同第９頁第１４〜１７行）、「０．８８９ｍ皿以下の直径のガス入口穴が好都合であることを本発明者は発見したが、本発明者が使用した好適なサイズは０．５０８ｍｍである。」（同第１０頁第１２〜１５行）の記載がみられるとともに、「０．８８９ｍｍのガス入口穴」（同第１４頁第１８〜１９行）を用いた実施例が示されているところがら、本願発明の実施態様には、入口穴の径を「０．８８９ｍｍ程度以下」とすることが包含されるものと認められる。
　一方、引用発明におけるガス配給板（有孔絶縁板１２０）の入口穴（微小な孔１３０）の直径「約０．２−約０．５ｍｍ程度」は、上記「０．８８９ｍｍ程度以下」の範囲内のものである。
　したがって、入口穴の大きさを実施態様で比較したとき、両者の間には差異を認めることができない。
　なお、「半導体の粒子汚染を従来技術（入口穴の直径１．７７８ｍｍのもの）よりも減らすことができる」という本願発明１の効果は、入口穴の大きさにおいて差異のない引用発明においても同様に奏せられているはずである。
　以上のとおりであって、本願発明１は、上記引用刊行物に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
ＩＩＩ　特許法第３６条第３項及び第４項についての検討・判断
　当審における拒絶理由で、「本件出願の明細書及び特許請求の範囲における『入口穴にプラズマを存在させず、且つ前記入口穴の内面におけるポリマ物質の形成を防止する大きさ』（補正後にあっては『入口穴にプラズマを存在させず、且つ前記入口穴の内面にポリマー物質の形成を防止する大きさ』）の記載が不備であるため、本件出願は，特許法第３６条第３項及び第４項に規定する要件を満たしていない」旨指摘した。
　これに対して、請求人は、意見書において実質的な釈明をしておらず、また、不備を指摘した上記記載を実質的に補正してもいない。
　したがって、特許法第３６条第３項及び第４項に係る上記の拒絶理由は依然として解消されていない。
　なお、補足して述べる。
　「入口穴の大きさ」についての「入口穴にプラズマを存在させず、且つ前記入口穴の内面にポリマー物質の形成を防止する大きさ」とは、本願発明の目的（希望）事項をそのまま記載したものであって、一般的には、かかる目的事項ではなく、その目的を達成するための「実質的な構成」（具体的な大きさ）を特許請求の範囲に記載すべきものである。
　そして、かかる「入口穴にプラズマを存在させず、且つ前記入口穴の内面にポリマー物質の形成を防止する大きさ」の記載をもって、技術的意味のある構成要件とするためには、対応する「実質的な構成」（具体的な大きさ）が明細書の発明の詳細な説明に明りょうに（当業者が容易に実施できるように）記載されていなければならない。
　しかるに、本願明細書の発明の詳細な説明を検討しても、従来技術の入口穴にはプラズマが「存在」し、一方本願発明の入口穴にはプラズマが「存在しない」とどうして言えるのか（どのようにしてそれを確かめるのか）、ないしは、プラズマが「存在する場合」と「存在しない場合」とをどのようにして区別しながら実現するのか、具体的な手段が何ら開示されていない。
　同じく、ポリマー物質の形成についても、ポリマー物質が「形成される場合」と「形成されない場合」とをどのようにして区別しながら実現するのか、具体的な手段が何ら開示されていない。〔なお、この点については、本願発明の「０．８８９ｍｍ直径」の入口穴においても、少量ではあるが、０．３ミクロンより大きな粒子が見出される（Ｆｉｇ７Ｂ）以上、「本願発明の入口穴においてもポリマー物質は『形成されている』（ポリマー物質の形成が零ではない）」と解され、「形成されない場合」と「形成される場合」との境界自体も明りょうではない。〕
　してみれば、上記「入口穴にプラズマを存在させず、且つ前記入口穴の内面にポリマー物質の形成を防止する大きさ」とは、当業者が容易に実施できる大きさとは認められず、また、上記「入口穴にプラズマを存在させず、且つ前記入口穴の内面にポリマー物質の形成を防止する大きさ」が発明の詳細な説明に実質的に記載されているとも認められないから、本願明細書の記載は、特許法第３６条第３項及び第４項に規定する要件を具備しないものである。
ＩＶ　むすび
　以上のとおり、本件出願の請求項１に係る発明は、上記引用刊行物に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　また、本件出願は、明細書の記載が不備であって、特許法第３６条第３項及び第４項に規定する要件を具備していない。
　よって、結論のとおり審決する。