(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する２つの面を有し、これらの面のうち一方の面から他方の面に貫通した孔を有する絶縁性基板と、
前記孔の内周面に、前記孔を中空状態を維持して形成したヒューズ層と、
前記２つの面にそれぞれ形成され、前記ヒューズ層と電気的に接続されている端子と、
前記孔の両開口部をそれぞれ閉塞している蓋部材とを、
具備し、前記蓋部材は前記端子と異なる材質である超小型ヒューズ。
【請求項２】
絶縁性基板の対向する２つの面の一方から他方の面に貫通する孔を形成する段階と、
前記孔の内周面にスルーホールメッキによって前記孔を中空状態を維持してヒューズ層を形成する段階と、
前記孔の両開口部を蓋部材で閉塞する段階と、
前記絶縁性基板の２つの面にそれぞれ端子を、前記閉塞された開口部を覆うようにメッキによって形成する段階とを、
具備し、前記蓋部材は前記端子と異なる材質である超小型ヒューズの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばプリント基板上に実装する超小型のヒューズ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ヒューズには、微細な金属線や、金属被膜を帯状に整形したものが使用されている。また、過電流が流れたことによりヒューズが溶断したとき、ヒューズが再溶着することを防止するために、ヒューズの回りに空間を設けたり、ヒューズをシリコーン等の柔らかい樹脂で覆ったりすることが行われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記のようなヒューズでは、ヒューズを小型化することに限界がある。近年、プリント基板上に構成されている電子回路においても、ヒューズを設ける必要がある。プリント基板に実装する場合、小型化が一層望まれている。
【０００４】
本発明は、小型化されたヒューズ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、請求項１記載の発明は、対向する２つの面を有し、これらの面のうち一方の面から他方の面に貫通した孔を有する絶縁性基板と、前記孔の内周面に、前記孔を中空状態を維持して形成したヒューズ層と、前記２つの面にそれぞれ形成され、前記ヒューズ層と電気的に接続されている端子と、前記孔の両開口部をそれぞれ閉塞している蓋部材とを、具備し、蓋部材は端子と異なる材質のものである。
【０００６】
請求項１記載の発明によれば、ヒューズ層は、絶縁性基板の孔の内面に設けられているので、この孔内部の空間によってヒューズ層の再融着を防止できる。よって、再融着防止のため、特別に空間を設けたり、シリコーンによってヒューズ層を被覆する必要がない。
【００１１】
請求項２記載の発明は、絶縁性基板の対向する２つの面の一方から他方の面に貫通する孔を形成する段階と、前記孔の内周面にスルーホールメッキによって前記孔を中空状態を維持してヒューズ層を形成する段階と、前記孔の両開口部を蓋部材で閉塞する段階と、前記絶縁性基板の２つの面にそれぞれ端子を、前記閉塞された開口部を覆うようにメッキによって形成する段階とを、具備し、前記蓋部材は前記端子と異なる材質のものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明の１実施の形態の超小型ヒューズ１０は、図１に示すように直方体状の絶縁性基板１２を有している。この基板１２は対向する２つの面１４、１６を有し、これら面１４、１６には、例えば銅箔のような金属膜１８、２０がそれぞれ形成されている。
【００１３】
２つの面１４、１６の間を、これらに垂直に貫通するように孔、例えば円形孔２２が形成されている。この円形孔２２の内面全域には、スルーホールメッキによって銅メッキ層２４が形成されている。この銅メッキ層２４の全域にわたって、スルーホールメッキによって錫メッキ層２６が形成されている。これら２つのメッキ層２４、２６がヒューズ層を形成している。なお、図１では両メッキ層２４、２６の厚さをかなり誇張して描いてある。このヒューズ層の厚さを調整することによって、このヒューズ１０の定格を調整することができる。
【００１４】
孔２２の両端部の開口には、この孔を閉塞する蓋部材、例えば鋼球２８、３０が、嵌められている。
【００１５】
金属膜１８と鋼球２８とに電気的に接触するように、面１４には端子３２が形成されている。同様に金属膜２０と鋼球３０とに電気的に接触するように、面１６には端子３４が形成されている。これら端子３２、３４は、例えば銅、ニッケル、半田等のメッキによって形成されている。
【００１６】
図２は、この超小型ヒューズ１０の溶断特性ａと、線型のヒューズの溶断特性ｂと、薄膜型ヒューズの溶断特性ｃとを示したものである。なお、超小型ヒューズ１０の孔２２は、直径が０．２ｍｍで、銅メッキ層２４は２μｍ、錫メッキ層２６は１μｍの厚さである。図２から明らかなように、この超小型ヒューズ１０は、線型のヒューズと同程度の溶断特性を示している。
【００１７】
このヒューズ１０では、ヒューズ層である銅メッキ層２４、錫メッキ層２６は、孔２２の内部に設けられており、この孔２２の内部に空間があるので、ヒューズ層が溶断しても、再溶着することはない。また、端子３２、３４は孔２２に対して垂直に位置しているので、ヒューズ層と端子とは直接に接続することができ、両者を接続するための線路を特別に設ける必要はない。また、鋼球２８、３０によって孔２２を閉塞しているので、孔２２の内部体積が多数製造されたヒューズ１０によってそれぞれ変化することはない。
【００１８】
なお、上記のヒューズ１０では、孔２２は円形孔としたが、角形孔とすることもできる。さらに、ヒューズ層は銅メッキ層２４と錫メッキ層２６との２層によって構成したが、一層のみで構成してもよいし、或いは３層以上の層で構成してもよい。ヒューズとしては、これらの他にアルミニウム、半田、真鍮、金、銀等の公知のヒューズとして使用可能な金属を使用することができる。また、ヒューズ１０では、孔２２を１つだけ設けたが、複数の孔を絶縁体１２に形成し、これらの孔にそれぞれヒューズ層を形成し、各ヒューズ層を直列または並列に接続してもよい。また、鋼球２８、３０を使用したが、これ以外にも端子３２、３４を形成する際のメッキ金属が孔２２内に進入するのを防止できるものであれば、他の形状のものを使用することもできる。また、蓋部材としては、固体物に限らず、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等によって孔２２を閉塞し、端子メッキ可能となるように絶縁体１２の端面を表面処理してもよい。
【００１９】
このヒューズ１０を、例えば図３に示すようにして製造することができる。図３（ａ）、（ｂ）に示すように両面に銅箔１４、１６が形成された長尺の絶縁体１２に孔２２を所定間隔ごとに穿設する。孔２２としては例えば直径０．２ｍｍの円形孔を形成する。
【００２０】
図３（ｃ）、（ｄ）に示すようにスルーホールメッキによって銅メッキ層２４と錫メッキ層２６とをそれぞれ形成する。
【００２１】
図３（ｅ）、（ｆ）に示すように、各孔２２の両端の開口に、鋼球２８、３０を嵌めて、各孔２２をそれぞれ閉塞する。
【００２２】
そして、図３（ｅ）に点線で示す切断線に沿って絶縁体１２をそれぞれ切断する。次に、各絶縁体１２ごとに、金属膜１４、１６にメッキによって端子３２、３４を形成する。無論、このとき、鋼球２８、３０を覆うようにメッキする。
【００２３】
【発明の効果】
以上のように、請求項１記載の発明によれば、絶縁体に形成した孔の内面にヒューズ層が形成されているので、ヒューズ層が溶断したときに再溶着することを防止するための空間を別途設ける必要がない。よって、ヒューズを小型化することができる。
【００２４】
また、端子が孔に対して垂直に設けられているので、孔内のヒューズと端子とを接続するための線路を設ける必要がなく、製造が容易になる。
【００２６】
請求項２記載の発明によれば、ヒューズ層が溶断したとき再溶着することを防止するための空間を別に設ける必要がなく、端子とヒューズ層とを接続するための線路を設ける必要がなく、孔の体積が一定である超小型ヒューズを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の１実施の形態の超小型ヒューズの縦断面図である。
【図２】図１の超小型ヒューズと線型ヒューズと薄膜型ヒューズとの溶断特性を示す図である。
【図３】図１の超小型ヒューズの製造過程を示す図である。
【符号の説明】
１０  超小型ヒューズ
１２  絶縁体
１４  １６  絶縁体の面
１８  ２０  銅箔
２２  孔
２４  銅メッキ層（ヒューズ層）
２６  錫メッキ層（ヒューズ層）
２８  ３０  鋼球（蓋体）
３２  ３４  端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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