【事件の表示】
　特許第６４１１４３８号発明「有機電子装置を調製するための配合物および方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６４１１４３８号の請求項１〜３９に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第６４１１４３８号の請求項１〜３９に係る特許についての出願（以下「本件出願」という。）は、２０１１年４月２８日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１０年５月２７日、欧州特許庁）を国際出願日として出願した特願２０１３−５１１５６５号の一部を平成２８年１１月２４日に新たな特許出願としたものであって、平成３０年１０月５日にその特許権の設定登録がされ、同年１０月２４日に特許掲載公報が発行された。その後、その特許に対し、平成３１年１月３１日に特許異議申立人矢部和夫により、特許異議の申立てがされた。
第２　本件発明
　特許第６４１１４３８号の請求項１〜３９の特許に係る発明（以下、それぞれ順に「本件発明１」〜「本件発明３９」という。）は、それぞれ、その特許請求の範囲の請求項１〜３９に記載された事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１及び２の特許に係る発明は、次のとおりのものである。
「【請求項１】
　有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置を調製する方法であって、
　　ａ）フィルムまたは層を形成するために、１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ  ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と、１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって、前記配合物は２５℃において１．６〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有し、前記有機溶媒の沸点は最高で４００℃であることを特徴とする配合物を基板上に堆積する工程と、
　　ｂ）前記有機溶媒（１種類または多種類）を除去する工程と
を含む方法であって、
　フレキソ印刷により、前記配合物が塗工されることを特徴とする方法。」
「【請求項２】
　有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置を調製する方法であって、
　　ａ）フィルムまたは層を形成するために、１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ  ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と、１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって、前記配合物は２５℃において１．６〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有し、前記有機溶媒の沸点は最高で４００℃であり、前記有機溶媒はシクロアルキル基を有する芳香族炭化水素化合物および芳香族アルコキシ化合物より選択されることを特徴とする配合物を基板上に堆積する工程と、
　　ｂ）前記有機溶媒（１種類または多種類）を除去する工程と
を含む方法であって、
　フレキソ印刷により、前記配合物が塗工されることを特徴とする方法。」
　なお、本件発明３〜３９は、本件発明１または本件発明２を減縮した発明である。
第３　申立理由の概要
（１）申立理由１
　特許異議申立人矢部和夫は、主たる証拠として国際特許第２００９／１０９２７３号（以下「文献１」という。）、並びに従たる証拠として米国特許出願公開第２００７／０１０２６９６号明細書（以下「文献２」という。）、国際公開第２０１１／１４７５２３号（以下「文献３」という。）、Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｂｏｏｋ，ＤＥＣＡＨＹＤＥＯ−２−ＮＡＰＨＴＨＯＬ　８２５−５１−４（以下「文献４」という。）、及びＳｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ，１，２，３，４−Ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏ−１−ｎａｐｈｔｈｏｌ（以下「文献５」という。）を提出し、請求項１、３〜８、１０〜２２、２５〜２７、３２〜３４、３６、３７及び３９に係る特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるから、請求項１、３〜８、１０〜２２、２５〜２７、３２〜３４、３６、３７及び３９に係る特許を取り消すべきものである旨主張する。
（２）申立理由２
　特許異議申立人矢部和夫は、請求項１〜３９に係る特許は同法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされた（以下「申立理由２」という。）ものであるから、請求項１〜３９に係る特許を取り消すべきものである旨主張する。
第４　文献の記載
１　文献１の記載と引用発明１
（１）文献１の記載
「
Field of the Invention
The invention relates to a process for preparing a formulation comprising an organic semiconductor (OSC) and one or more organic solvents, to novel formulations obtained by this process, to their use as coating or printing inks for the preparation of organic electronic (OE) devices, especially organic field effect transistors (OFET) and organic photovoltaic (OPV) cells, to a process for preparing OE devices using the novel formulations, and to OE devices prepared from such a process or from the novel formulations.」（１ページ２行〜１２行）
（審決注：文献１の優先権主張の基礎となるＰＣＴ／ＥＰ２００９／０００８２１に対応する公表特許公報（特表２０１１−５１５８３５号公報）に基づいて翻訳。以下同じ。）
（「本発明は、
有機半導体（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）および１種類以上の有機溶媒を含む配合物の調製方法と、この方法によって得られる新規な配合物
有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）デバイス
該新規な配合物を使用するＯＥデバイスの製造方法
「
Background and Prior Art
When preparing OE devices, like OFETs or OPV cells, or organic light- emitting devices, like organic light-emitting diodes (OLED), in particular flexible devices, usually coating or printing techniques are used to apply the layer of the OSC material. Printing formulations that have hitherto been used in prior art for the preparation of OE devices are usually solution based, comprise aromatic or aliphatic organic solvents and tend to have low viscosities. While this approach serves well for spin coating and ink jet printing (IJP) fabrication methods, recently there has been a growing interest in using traditional printing technologies, like flexographic or gravure printing, to fabricate devices. This requires different types of formulations, in particular with respect to the choice of the solvents and optional additives like viscosity enhancers.
 
Many printing processes use formulations having a medium viscosity (typically from 10 to 1000 cP), including inks for flexographic and gravure printing, but also for hot jetting IJP, electrostatic IJP, soft lithography and variants thereof, or micro-stamping. However, for printing an OSC material efficiently there are several limitations.
 
Thus, there is a need to get correct fluid properties for printing by a combination of a single solvent or mixed volatile solvents and the  functional material alone, or with the minimum addition of additional viscosity modifiers or binders. This typically results in formulations with a viscosity of ＜ 10 cP, like for example from tetralin or xylene solutions etc. Flexographic and gravure printing typically require viscosities of ＞ 10 cP to get good print quality, and often formulations having a viscosity in the range of 25-100 cP or even up to 5000 cP are used.」（１ページ１４行〜２ページ６行）
（「
背景技術
　ＯＦＥＴまたはＯＰＶセルなどのＯＥデバイス、または、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ）などの有機発光デバイス、特に、フレキシブルデバイスを製造する際、ＯＳＣ材料の層を塗工するために、通常、コーティングまたは印刷技術を使用する。ＯＥデバイスの製造のために先行技術においてこれまで使用されてきた印刷配合物は、通常、溶液系であり、芳香族または脂肪族有機溶媒を含み、低粘度を有する傾向がある。この手法はスピンコートおよびインクジェット印刷（ＩＪＰ：ｉｎｋ  ｊｅｔ  ｐｒｉｎｔｉｎｇ）製造方法に対しては良好に機能するが、最近、デバイスを製造するために、フレキソ印刷またはグラビア印刷などの従来の印刷技術を使用することに対する関心が高まっている。このため、特に、溶媒および粘度上昇剤などの任意成分である添加剤の選択に関して、異なるタイプの配合物が必要とされている。
　多くの印刷方法が、フレキソ印刷およびグラビア印刷用のインクのみならず、ホットジェットＩＪＰ、静電ＩＪＰ、ソフトリソグラフィーおよびそれらの変法、またはマイクロスタンプ用のインクを含む、中程度の粘度（典型的には、１０〜１０００ｃＰ）を有する配合物を使用する。しかしながら、ＯＳＣ材料を効率的に印刷するためには、幾つかの制限がある。
　よって、単一の溶媒または揮発性溶媒の混合物と、機能性材料を単独で、または追加の粘度調整剤またはバインダーを最低限添加して組み合わせることにより、印刷用に液体特性を修正する必要がある。これにより、典型的には、例えば、テトラリンまたはキシレン溶液などからのような、１０ｃＰ未満の粘度を有する配合物となる。
フレキソ印刷
は、典型的には、良好な印刷品質を得るためには１０ｃＰを超える粘度を必要とし
「Therefore there is still a need for a process to provide improved formulations and inks of an OSC material suitable for the manufacture of OE devices, especially OFETs and OPV cells, wherein said process allows broad, but precise selection of solvents that have suitable viscosity and do not adversely affect the performance and lifetime of the device. One aim of the present invention is to provide such a process. Another aim is to provide improved OSC formulations obtainable from such a process. Another aim is to provide improved OE devices obtainable from such OSC formulations. Further aims are immediately evident to the person skilled in the art from the following description.
 
The inventors of the present invention have found these aims can be achieved, and the above-mentioned problems can be solved, by a process of providing OSC formulations as claimed in the present invention. In particular, the inventors of the present invention have found a method to prepare an OSC formulation by selecting a suitable solvent or solvent blend according to its partition ratio (log P) and other parameters like the viscosity and the boiling point. It was found that by appropriate choice of the solvents within specific ranges of these parameters, it is possible to provide improved OSC formulations, wherein the solvents dissolve the OE compounds at useful levels and still have viscosities that are suitable for the desired printing or coating technique. Since the parameters are defined for the pure solvents, i.e. without any non-volatile additives, it is easier for the skilled person to select suitable solvents and  additives, it is easier for the skilled person to select suitable solvents and prepare OSC coating or printing inks, without the need to use e.g. thickening agents to adjust the viscosity. If desired, coating or printing inks made from these solvents can also be diluted down with lower viscosity solvents to tune the viscosities as needed. Although the use of viscosity enhancing or modifying additives is not necessarily required, they may be added in small amounts so as not to adversely affect the device performance.」（５ページ１３行〜６ページ８行）
（「従って、ＯＥデバイス、特に、ＯＦＥＴおよびＯＰＶセルの製造に適したＯＳＣ材料の改良された配合物およびインクを提供する方法であって、適切な粘度を有し、デバイスの性能および寿命に悪影響を及ぼさない溶媒の広範だが正確な選択を可能にする方法に対する要求が依然としてある。本発明の一つの目的は、そのような方法を提供することである。本発明の他の目的は、そのような方法より得られる改良されたＯＳＣ配合物を提供することである。本発明の他の目的は、そのようなＯＳＣ配合物より得られる改良されたＯＥデバイスを提供することである。更なる目的は、以下の記載より当業者には直ちに明らかである。
　本発明の発明者らは、本発明において特許請求されているＯＳＣ配合物を提供する方法によって、これらの目的を達成でき、上述の問題を解決できることを見出した。特に、本発明の発明者らは、
溶媒の分配率（ｌｏｇＰ）、および粘度、沸点などの他のパラメータによって適切な溶媒または溶媒混合物を選択することにより、ＯＳＣ配合物を調製する
このパラメータは、純粋な溶媒、即ち、不揮発性添加剤を全く含まない溶媒について規定される
「
Summary of the Invention
 
The invention relates to a method of preparing an OSC formulation, comprising the step of dissolving an organic semiconducting (OSC) compound in a solvent or in a solvent blend comprising two or more solvents, wherein the solvents are selected such that they fulfil the following conditions: the partition ratio log P of the solvent, or the weighted average of the partition ratio (log P) w  of the solvent blend, without any additives, is ＞ 1.5, the viscosity of the solvent or the solvent blend, without any additives, is ＞ 10 cP at 25℃, and the boiling temperature of the solvent, or in case of a solvent blend the boiling temperature of the highest boiling solvent of the solvent blend, without any additives, is ＜ 400℃ at a pressure of 1 Torr.」（６ページ１０行〜２４行）
（「
発明の概要
　本発明は、
ＯＳＣ配合物を調製する方法であって、有機半導体（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ）化合物を溶媒、または２種類以上の溶媒を含む溶媒混合物に溶解する工程を含み、該溶媒が以下の条件：
　添加剤を全く含まない該溶媒の分配率ｌｏｇＰ、または、該溶媒混合物の分配率の重量平均（ｌｏｇＰ）ｗが１．５より大きいこと、および
　添加剤を全く含まない該溶媒または該溶媒混合物の粘度が２５℃において１０ｃＰより高いこと、および
　添加剤を全く含まない該溶媒の沸点、または、溶媒混合物の場合は該溶媒混合物中で最も沸点が高い溶媒の沸点が１Ｔｏｒｒの圧力において４００℃より低いこと、
を満たすように溶媒を選択する
「The invention further relates to the use of a formulation as described above and below as coating or printing ink and/or for the preparation of OE devices, in particular for OFETs and OPV cells, very preferably for flexible devices of these types.
 
The invention further relates to a process of preparing an organic electronic (OE) device, comprising the steps of 
a) depositing a formulation as described above and below onto a substrate, 
b) removing the solvent(s), for example by evaporation.」（７ページ４行〜１３行）
（「本発明は、更に、コーティングまたは印刷インキとして、および／または、ＯＥデバイスの製造のために、特に、ＯＦＥＴおよびＯＰＶセルのために、非常に好ましくは、これらのタイプのフレキシブルデバイスのために、上および下に記載される通りの配合物を使用することに関する。
　本発明は、更に、
有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）デバイスを製造する方法であって、
　　
ａ）基板上に、
配合物を堆積する工程と
　　
ｂ）例えば、蒸発によって、溶媒を除去する工程と
を含む方法
「
Detailed Description of the Invention
 
The method according to the present invention allows to identify specific solvents and solvent blends, preferably selected from organic solvents, which both dissolve the OSC compound at useful levels and have viscosities which are in a range that is suitable for printing methods, preferably in the range from 10 to 700 cP, more preferably from 10 to 630 cP at room temperature (25℃).
 
Inks made up from these solvents can then be diluted down with lower viscosity solvents, if desired, to tune the viscosities as needed, as long as the viscosity of the entire solvent blend is ＞ 10 cP.
 
The key parameters of the formulation are as follows:
- the solvent or solvent blend, without any additives, has a viscosity of ＞ 10 cP at 25℃, and
- the solvent, or in case of a solvent blend the highest boiling solvent of the solvent blend, has a boiling point ＜ 400℃ at 1 Torr, and 
- the logarithm of the partition ratio log P of the solvent, or the weighted average of the partition ratio (log P)w of the solvent blend is ＞1.5, as calculated by Chem Bio Draw Ultra version 11.0 (2007) software, produced and marketed by Cambridge Soft., and
- preferably the OSC compound is dissolved in the solvent or solvent blend at a concentration from 0.005 to 50% by weight.  
To enhance the properties of the formulation optionally one or more of the following additives are added: 
a) one or more viscosity enhancers, preferably at a concentration where they do not negatively affect device performance, 
b) one or more surfactants, 
c) one or more polymers that modify the physical properties, electrical properties or stability of the printed formulation.」（１１ページ１１行〜１２ページ７行）
（「
発明の詳細な記載
　本発明による方法により、好ましくは有機溶媒より選択され、ＯＳＣ化合物を有効なレベルで溶解し、印刷法に適した範囲内の粘度、好ましくは、室温（２５℃）において１０〜７００ｃＰ、より好ましくは１０〜６３０ｃＰの範囲内の粘度を有する具体的な溶媒および溶媒混合物を特定することが可能になる。
　さらに、
溶媒混合物全体の粘度が１０ｃＰより高い限り
より低粘度の溶媒で希釈することができる
　
配合物の重要なパラメータ
　−
添加剤を全く含まない溶媒または溶媒混合物が、２５℃において１０ｃＰより高い粘度を有する
　−溶媒、または、溶媒混合物の場合は溶媒混合物中で最も沸点が高い溶媒が、１Ｔｏｒｒにおいて４００℃より低い沸点を有する。
　−Ｃａｍｂｒｉｄｇｅ  Ｓｏｆｔ社が製造および販売している「Ｃｈｅｍ  Ｂｉｏ  Ｄｒａｗ  Ｕｌｔｒａ  ｖｅｒｓｉｏｎ  １１．０（２００７年）」ソフトウェアによって計算される溶媒の分配率の対数ｌｏｇＰ、または、溶媒混合物の分配率の重量平均（ｌｏｇＰ）ｗが、１．５より大きい。
　−好ましくは、ＯＳＣ化合物を、０．００５〜５０重量％の濃度で、溶媒または溶媒混合物に溶解する。
　配合物の特性を向上させるために、１種類以上の以下の
添加剤
　ａ）好ましくは、それらがデバイスの性能に悪影響を及ぼさない濃度の１種類以上の
粘度上昇剤
　ｂ）１種類以上の
界面活性剤
　ｃ）
印刷された配合物の物理的特性、電気的特性または安定性を改良する１種類以上のポリマー
「The formulation or ink according to the present invention can be used to apply functional materials like OSC compounds to a substrate or onto a device by coating or printing methods like flexographic printing, gravure printing, ink jet printing, micro-contact printing, soft lithography, stamping etc. Most preferably the inks are used in flexographic, gravure or ink jet printing.」（１４ページ１０行〜１５行）
（「本発明による
配合物
を使用して、フレキソ印刷
のコーティングまたは印刷方法によって、基板
に、ＯＳＣ化合物などの機能性材料を塗工することができる
「Especially preferred is a solvent blend comprising one or more solvents selected from from a high viscosity group and one or more solvents selected from a low viscosity group. The high viscosity group consists of solvents having a viscosity at 25℃ of ＞ 10 cP, preferably ＞ 50 cP, and ＜ 10 000 cP, preferably ＜ 5000 cP, including, but not limited to, solvents like decahydro-2-naphthol and 1,2,3,4-tetrahydro-i-naphthol. The low viscosity group consists of solvents having a viscosity at 25℃ of ＞ 0.25 cP, preferably ＞ 0.5 cP, and ＜ 10 cP, including, but not limited to, solvents like tetralin, decalin, and methylated benzenes, like for example o-, m- or p-xylene.
Most preferred are binary blends o-xylene/decahydro-2-naphthol with a ratio from 5/95 to 40/60, furthermore binary blends tetralin/1 ,2,3,4- tetrahydro-1-naphthol with a ratio from 25/75 to 50/50, furthermore binary blends decalin/decahydro-2-naphthol with a ratio from 25/75 to 50/50 (all ratios given in wt.%), especially the binary blends shown in Table 1 of Example 1.」）（１５ページ１３行〜２９行）
（「
高粘度の群より選択される１種類以上の溶媒と、低粘度の群より選択される１種類以上の溶媒とを含む溶媒混合物が特に好ましい
　比率が５／９５〜４０／６０であるｏ−キシレン／デカヒドロ−２−ナフトールの二成分の混合物、更には、比率が２５／７５〜５０／５０であるテトラリン／１，２，３，４−テトラヒドロ−１−ナフトールの二成分の混合物、更には、比率が２５／７５〜５０／５０であるデカリン／デカヒドロ−２−ナフトールの二成分の混合物（全て比率は重量％で示している）、特に例１の表１に示される二成分の混合物が最も好ましい。」）
「The total concentration of the OSC compounds in the formulation is preferably from 0.1 to 10%, more preferably from 0.5 to 5% by weight. The formulation may comprise one or more than one, preferably 1 , 2, 3 or more than three OSC compounds.
…（略）…
In the process of preparing an OE device, the OSC layer is deposited onto a substrate, followed by removal of the solvent together with any volatile conductive additives present. The OSC layer is preferably deposited from the inventive formulation by coating or printing techniques as described above and below.」（２６ページ１８行〜２７ページ８行）
（「配合物中のＯＳＣ化合物の総濃度は、好ましくは０．１〜１０重量％、より好ましくは０．５〜５重量％である。
配合物は、１種類、または１種類より多くの、
ＯＳＣ化合物を含む
…（略）…
　
ＯＥデバイスを製造する方法においては、ＯＳＣ層を基板上に堆積し、次いで、存在する全ての揮発性導電性添加剤と共に溶媒を除去する
「The invention will now be described in more detail by reference to the following examples, which are illustrative only and do not limit the scope of the invention.
 
Example 1
 
Formulations of the organic semiconducting compound A are prepared in the solvents and solvent blends according to the present invention as shown in Table 1. The solvents and solvent blends in Table 1 have a  calculated log P or (log P)w of  ＜ 1.5 and do all readily dissolve compound A in a concentration of ＞ 0.1 wt.%.
…（略）… 
1) at 25℃, unless stated otherwise
2) for single sovents
3) for solvent blends
 
Comparative Example 1
 
Formulations of the organic semiconducting compound A in the solvents shown in Table 2 (the boiling points are all ＜ 400℃) are prepared. The solubility of compound A in all these solvents is ＜ 0.1 wt.%. This shows that the solvents of Table 2 with a log P ＜ 1.5 and higher natural viscosities are poor solvents for OSC compounds, compared to those shown in Example 1.
1) at 25℃
4) at 20℃」（３０ページ２７行〜３３ページ３１行）
（「ここで、以下の例を参照して本発明を更に詳細に説明するが、これらの例は単なる例示であって、本発明の範囲を限定するものではない。
例１
 　有機半導体化合物Ａの配合物を、表１に示される通りの本発明による溶媒および溶媒混合物中で調製する。表１の溶媒および溶媒混合物は、ｌｏｇＰまたは（ｌｏｇＰ）ｗの計算値が１．５未満であり、全て０．１重量％を超える濃度で化合物Ａを容易に溶解する。
…（略）…
表１
…（略）…
比較例１
　有機半導体化合物Ａの配合物を、表２に示す溶媒（沸点は全て４００℃未満）中で調製する。これら全ての溶媒における化合物Ａの溶解度は０．１重量％未満である。このことは、ｌｏｇＰが１．５未満であり、固有粘度がより高い表２の溶媒は、例１に示す溶媒と比較して、ＯＳＣ化合物にとって貧溶媒であることを示す。
」） 
「
Example 2
 
A bottom gate, bottom contact OFET device is prepared by flexographic printing of an ink according to the present invention. 
…（略）…
An OSC ink is formulated made up by dissolving 2% of compound (A) in 40% o-xylene and 60% decahydro-2-naphthol (see No. 14 in Table 1 ).
This OSC ink is printed with a FLEXI PROOF 100 flexographic printer onto the dielectric layer and the Au electrodes, using an impression roller made up of a plurality of square blocks of print area measuring 5 cm x 5cm, 1 cm x 1 cm, 5 mm x 5 mm and 2mm x 2mm. The conditions used are: anilox roller: 55 L/cm screen, volume: 18.09 cm3/m2 , printed speed: 30, anilox pressure: 50, impression roller pressure: 90.」（３３ページ３３行〜３４ページ３６行）
（「
例２
　ボトムゲート、ボ
トムコンタクトＯＦＥＴデバイスを、本発明によるインクをフレキソ印刷することにより製造する
…（略）…
　４０％ｏ−キシレンおよび６０％デカヒドロ−２−ナフトール（
表１の１４番参照）に２％の化合物（Ａ）を溶解することにより、ＯＳＣインクを配合、作製する
ＦＬＥＸＩ  ＰＲＯＯＦ  １００フレキソ印刷機で
このＯＳＣインクを印刷する
「Patent Claims
  1. Process for preparing a formulation, comprising the step of dissolving an organic semiconducting (OSC) compound in a solvent or in a solvent blend comprising two or more solvents, wherein the solvents are selected such that they fulfil the following conditions: the partition ratio log P of the solvent, or the weighted average of the partition ratio (log P) w  of the solvent blend, without any additives, is ＞ j   the viscosity of the solvent or the solvent blend, without any additives, is ＞ 10 cP at 25°C, and the boiling temperature of the solvent, or in case of a solvent blend the boiling temperature of the highest boiling solvent of the solvent blend, without any additives, is ＜ 400℃ at a pressure of 1 Torr.」（３６ページ１行〜１６行）
（「特許請求の範囲
１．  
配合物を調製する方法であって、
  有機半導体（ＯＳＣ）化合物を溶媒、または２種類以上の溶媒を含む溶媒混合物に溶解する工程を含み、
  該溶媒が以下の条件：
  添加剤を全く含まない該溶媒の分配率ｌｏｇＰ、または、該溶媒混合物の分配率の重量平均（ｌｏｇＰ）ｗが、１．５より大きいこと、および
  添加剤を全く含まない該溶媒または該溶媒混合物の粘度が、２５℃において１０ｃＰより高いこと、および
  添加剤を全く含まない該溶媒の沸点、または、溶媒混合物の場合は該溶媒混合物中で最も沸点が高い溶媒の沸点が、１Ｔｏｒｒの圧力において４００℃より低いこと、
を満たすように溶媒を選択する
（２）引用発明
　そうすると、文献１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「有機半導体（ＯＳＣ）および１種類以上の有機溶媒を含む配合物の調製方法によって得られる新規な配合物を使用する有機電子（ＯＥ）デバイスの製造方法であって、
　ａ）基板上に、前記配合物を堆積して、ＯＳＣ層を堆積する工程と、
　ｂ）例えば、蒸発によって、溶媒を除去する工程と
を含み、
　前記配合物は、１種類、または１種類より多くのＯＳＣ化合物を含み、
　前記配合物を調製する方法は、
  　有機半導体（ＯＳＣ）化合物を溶媒、または２種類以上の溶媒を含む溶媒混合物に溶解する工程を含み、
  　該溶媒が以下の条件：
  　添加剤を全く含まない該溶媒の分配率ｌｏｇＰ、または、該溶媒混合物の分配率の重量平均（ｌｏｇＰ）ｗが、１．５より大きいこと、および
  　添加剤を全く含まない該溶媒または該溶媒混合物の粘度が、２５℃において１０ｃＰより高いこと、および
  　添加剤を全く含まない該溶媒の沸点、または、溶媒混合物の場合は該溶媒混合物中で最も沸点が高い溶媒の沸点が、１Ｔｏｒｒの圧力において４００℃より低いこと、
を満たすように溶媒を選択する方法であり、
　上記配合物を使用して、フレキソ印刷によって、基板に、前記ＯＳＣ化合物を塗工する方法。」
２　文献２〜文献５の記載
（１）文献２の記載
「[0008]　According to a first aspect of the present invention there is provided an organic semiconducting layer formulation, which layer formulation comprises an organic binder which has a permittivity, ε, at 1,000 Hz of 3.3 or less; and a polyacene compound of Formula A:
」
（審決注：文献２の優先権主張の基礎となるＰＣＴ／ＧＢ２００４／００４９７３に対応する公表特許公報（特表２００４−５１９２２７号公報）に基づいて翻訳。以下同じ。）（「［０００８］　本発明の第１の目的は、有機半導体層の構成を提供することにあり、層の構成は、１，０００Hzにおける誘電率εが３．３以下の有機バインダー、及び式Ａのポリアセン化合物を含む、：
」）
「[0085]　An example of a suitable organic binder is polystyrene. Further examples are given below.」
（［００８５］　適切な有機バインダーの例は、ポリスチレンである。さらなる例は以下のとおりである。」）
「[0092]　It is desirable that the permittivity of the binder has little dependence on frequency. This is typical of non-polar materials. Polymers and/or copolymers can be chosen as the binder by the permittivity of their substituent groups. A list of low polarity binders suitable for use in the present invention is given (without limiting to these examples) in Table 2:  
[0093]　Other polymers suitable as binders include: poly(1,3-butadiene) or polyphenylene. Copolymers containing the repeat units of the above polymers are also suitable as binders. Copolymers offer the possibility of improving compatbility with the polyacene, modifying the morphology and/or the glass transition temperature of the final layer composition. It will be appreciated that in the above table certain materials are insoluble in commonly used solvents for preparing the layer. In these cases analogues can be used as copolymers. Some examples of copolymers are given in Table 3 (without limiting to these examples). Both random or block copolymers can be used. It is also possible to add some more polar monomer components as long as the overall composition remains low in polarity.
」
（「［００９２］　バインダーの誘電率は、周波数にほとんど依存しないのが望ましい。これらは、非極性材料の典型である。ポリマーおよび／またはコポリマーは、それらの置換基の誘電率によってバインダーとして選択することができる。本発明に用いるのに適する低い極性のバインダーの列記は、（これらの例に限定されないが、）以下の表２に示される。：
［００９３］　バインダーとして適する他のポリマーは、：ポリ(1,3-ブタジエン)またはポリフェニレンを含む。上記ポリマーの繰り返し単位を含むコポリマーもまたバインダーに適する。ポリアセンとの適合性を改善し、最終的な層構成の形態および／またはガラス転移温度を変える可能性を提供する。上の表でのいくらかの材料は、層の製造に通常用いる溶媒に不溶性であることが望ましい。これらの場合には、アナログをコポリマーとして用いることができる。コポリマーのいくらかの例を、（これらに限定はされないが、）表３に示す。ランダムまたはブロックコポリマーの両方を用いることができる。全体にわたって組成物が、極性の低いことを維持するのであれば、より極性なモノマー成分のいくらかを添加することもまたできる。
」）
（２）文献３の記載
「
」
（審決注：合議体において翻訳。）
（「
」）
（３）文献４の記載
「ＤＥＣＡＨＹＤＲＯ−２−ＮＡＰＨＴＨＯＬ
…（略）…
Boiling point　109℃14mm Hg(lit.)」
（審決注：合議体において翻訳。）
（「デカヒドロ−２−ナフトール
…（略）…
沸点  109℃14mm Hg(lit.)」）
（４）文献５の記載 
「１，２，３，４−Ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏ−１−ｎａｐｈｔｈｏｌ
…（略）…
b.p.　102-104℃/2 mmHg(lit.)」
（審決注：合議体において翻訳。）
（「１，２，３，４−テトラヒドロ−１−ナフトール
…（略）…
沸点　102-104℃/2 mmHg(lit.)」）
第５　当審の判断
１　申立理由１（特許法第２９条第２項違反）について
（１）請求項１に係る発明について
ア　対比
　本件発明１と引用発明とを対比する。
（ア）引用発明の「有機電子（ＯＥ）デバイス」、「製造方法」、「有機半導体（ＯＳＣ）化合物」は、それぞれ本件発明１の「有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置」、「調整方法」、「有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ  ｃｏｍｐｏｕｎｄ）」に相当する。
（イ）引用発明は、「ａ）基板上に、前記配合物を堆積して、ＯＳＣ層を堆積する工程」を含むから、当該「堆積する工程」は、「フィルムまたは層を形成するため」の工程といえる。
（ウ）そうすると、本件発明１と引用発明との間には、次の一致点と相違点がある。
＜一致点＞
「有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置を調製する方法であって、
    ａ）フィルムまたは層を形成するために、１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ  ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と、１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって、配合物を基板
上に堆積する工程と、
    ｂ）前記有機溶媒（１種類または多種類）を除去する工程と
を含む方法であって、
  フレキソ印刷により、前記配合物が塗工される方法。」
＜相違点＞
＜相違点１＞
　配合物について、本件発明１では、「前記配合物は２５℃において１．６〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有し、前記有機溶媒の沸点は最高で４００℃であることを特徴とする配合物」であるのに対し、引用発明では、本件発明１のような特定はなされていない点。
イ　判断
　以下、上記相違点１について、本件発明１では、「前記配合物は２５℃において１．６〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度」を有するのに対し、引用発明ではそのような特定はなされていない点（以下「相違点１Ａ」という。）と、本件発明１では、「前記有機溶媒の沸点は最高で４００℃」であるのに対し、引用発明ではそのような特定はなされていない点（以下「相違点１Ｂ」という。）に分けて検討する。
（ア）まず、本件発明１の相違点１Ａにおける「前記配合物」は、「１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ）と、１種類以上の有機溶媒とを含む配合物」であって、「基板上に堆積する」ものである。
（イ）一方、引用発明における「配合物」は、「有機半導体（ＯＳＣ）および１種類以上の有機溶媒を含む配合物の調製方法によって得られる新規な配合物」であり、「該溶媒」が「条件」「添加剤を全く含まない該溶媒または該溶媒混合物の粘度が、２５℃において１０ｃＰより高いこと」を満たすものである（審決注：１０ｃＰ＝１０ｍＰａ秒）。
　また、上記「添加剤」とは、文献１の１２ページ１〜７行に記載のとおり、ａ）粘土上昇剤、ｂ）界面活性剤、ｃ）印刷された配合物の物理的特性、電気的特性または安定性を改良する１種類以上のポリマーであるところ、その「添加剤」の粘度について、文献１には記載も示唆もされていない。
　また、文献１には、ＯＳＣの粘度についても記載も示唆もされていない。
　以上のとおり、引用発明において、「添加剤を全く含まない該溶媒または該溶媒混合物」の粘度が、１０ｍＰａ秒より高いものであるところ、引用発明の「配合物」は、「該溶媒または該溶媒混合物」に加え、少なくとも「有機半導体（ＯＳＣ）」を含み、「添加剤」を含みうるものであり、それらを併せて含む「配合物」の粘度について、文献１には記載も示唆もされていない。
　したがって、引用発明において、相違点１Ａにかかる本件発明１の構成を採用することは、当業者が容易に想到し得るものとは認められない。
（ウ）しかしながら、文献１の表１には、番号１５、２５、２６、２９に、溶媒もしくは溶媒混合物の粘度が「１．６〜９．５ｍＰ秒の範囲内」であるものが記載されているので、念のため、以下において更に検討する。
　文献１には、溶媒について、再掲すると、次のように記載されている。
「さらに、
溶媒混合物全体の粘度が１０ｃＰより高い限り
より低粘度の溶媒で希釈することができる
「
高粘度の
溶媒
低粘度の
溶媒とを含む溶媒混合物
　また、文献１の３０ページ３３〜３５行には、有機半導体化合物Ａの配合物を、表１に示される通りの本発明による溶媒および溶媒混合物中で調製する。…全て０．１重量％を超える濃度で化合物Ａを容易に溶解する。」と記載されており、表１には、「本発明による溶媒および溶媒混合物」の「粘度［ｃＰ］」が記載されている。
　そして、表１には、番号７〜番号１４として、ｏ−キシレンとデカヒドロ−２−ナフトールの溶媒混合物が記載されており、それらの粘度の数値範囲は３９６〜２０．８ｃＰである。また、番号１５に、ｏ−キシレンは粘度０．７６ｃＰと、番号５に、デカヒドロ−２−ナフトールは粘度６３０ｃＰと記載されているから、前者は「低粘度の溶媒」に、後者は「高粘度の溶媒」に対応する。
　また、番号２２〜番号２５として、テトラリンと１，２，３，４−テトラヒドロ−１−ナフトールの溶媒混合物が記載されており、それらの粘度の数値範囲は２５〜２．０である。また、番号２６に、テトラリンは粘度２．０ｃＰと、番号１９に１，２，３，４−テトラヒドロ−１−ナフトールは粘度１９２ｃＰと記載されているから、前者は「低粘度の溶媒」に、後者は「高粘度の溶媒」に対応する。
　また、番号２７、２８として、デカリンとデカヒドロ−２−ナフトールの溶媒混合物が記載されており、それらの粘度の数値範囲はそれぞれ４８、１０である。また、番号２９に、デカリンは粘度２．３ｃＰと、前者は「低粘度の溶媒」に、後者は「高粘度の溶媒」に対応する。
　したがって、番号１５、２６、２９の溶媒は、文献１の１１ページ２０〜２２行の記載における、溶媒混合物全体の粘度が１０ｃＰより高い限り、必要に応じて使用する、希釈用の低粘度の溶媒であることが明らかであるから、それらの各々を単独で使用することは当業者が容易に想到し得ることではない。
（エ）最後に、番号２５の溶媒混合物（粘度７．０ｃＰ）を使用するインクについて検討する。
　文献１において、
例２
　また、文献１の２ページ４〜５行に、フレキソ印刷は、良好な印刷品質を得るためには１０ｃＰを超える粘度を必要とする旨が記載されている。
　したがって、これらの記載を参照した当業者が、番号２５の溶媒混合物を使用して、その溶媒混合物を含むＯＳＣインク（配合物）の粘度の数値範囲として、「１．６〜９．５ｍＰ秒の範囲内」を選択することは容易に想到し得るとはいえない。
　また、文献２〜５にも、有機半導体化合物（ＯＳＣ）と有機溶媒とを含む配合物の粘度について、記載も示唆もされていない。
　そうすると、引用発明及び文献２〜５に記載の技術的事項に基づいて、引用発明の「配合物」の粘度の数値範囲を、相違点１Ａに係る本件発明１の構成を採用することは当業者が容易に想到し得るものとは認められない。
（オ）したがって、相違点１Ｂについて検討するまでもなく、引用発明及び文献２〜５に記載の技術的事項に基づいて、「配合物」の粘度の数値範囲を、相違点１に係る本件発明１の構成を採用することは当業者が容易に想到し得るものとは認められない。
　よって、本件発明１は、引用発明及び文献２〜５に記載の技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
（２）請求項３〜８、１０〜２２、２５〜２７、３２〜３４、３６、３７及び３９に係る発明について
　本件発明３〜８、１０〜２２、２５〜２７、３２〜３４、３６、３７及び３９は、本件発明１を引用する発明であり、上記相違点１Ａに係る本件発明１の構成を有するものであるから、本件発明１と同じ理由で、本件発明３〜８、１０〜２２、２５〜２７、３２〜３４、３６、３７及び３９は、引用発明及び文献２〜５に記載の技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
（３）まとめ
　以上のとおり、本件発明１、３〜８、１０〜２２、２５〜２７、３２〜３４、３６、３７及び３９は、引用発明及び文献２〜５に記載の技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではないから、本件発明１、３〜８、１０〜２２、２５〜２７、３２〜３４、３６、３７及び３９に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるとは認められないから、申立理由１及び証拠によっては、本件発明１、３〜８、１０〜２２、２５〜２７、３２〜３４、３６、３７及び３９に係る特許を取り消すことができない。
２　申立理由２（特許法第３６条第６項第１号違反）について
（１）請求項１及び２に記載された粘度の数値範囲「１．６〜９．５ｍＰａ秒」について
　特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された「前記配合物は２５℃において１．６〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有し」における粘度の数値範囲「１．６〜９．５ｍＰａ秒」は、本件特許明細書に記載されたものであるか否かについて検討する。
ア　本件特許明細書には、以下のように記載されている。
「【００２０】
　本発明の配合物は、２５℃において、１５未満、より好ましくは１３未満、特には１１未満、最も好ましくは１０ｍＰａ秒未満の粘度を有する。
好ましくは、該配合物は、０．５〜９．５ｍＰａ秒
の範囲内の粘度を有する
「【０２３４】
　　＜例３（小型分子、
フレキソ印刷
　ＯＦＥＴ装置を以下の通り調製した。
【０２３５】
　テオネックスＱ６５ＦＡフィルム（帝人デュポンフィルム社より入手可能）を超音波メタノール浴中で２分間洗浄し、次いで、メタノールでリンスした。２０ミクロン幅および１０００ミクロン長の並行平板配置で、およそ６０ｎｍ厚の金ソースドレイン電極を蒸着した。プラズマオゾンで、基板を１分間浄化した。Ｌｉｓｉｃｏｎ（商標）Ｍ００１（メルク化学社より入手可能）ＳＡＭ処理により、イソプロピルアルコールからのスピンコーティングおよび１００℃で１分間ホットプレート上において過剰分を蒸発させて、電極を処理した。
【０２３６】
　５８．８部のシクロヘキシルベンゼンおよび３９．２部のメシチレン中に、１．３部の化合物Ａ（例１において述べた通り）および０．７部の３５００００Ｍｗポリスチレンを溶解し、０．２μｍＰＴＦＥカートリッジフィルターに溶液を通して濾過し、ＯＳＣ配合物を調製した。
【０２３７】
　ＴＡ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製ＡＲ  Ｇ−２レオメータを使用して、
１．６ｃＰの粘度が測定された
【０２３８】
　次いで、８ｃｍ３／ｍ２載荷アニロックスを有するＲＫ  Ｆｌｅｘｉｐｒｏｏｆ  １００　
フレキソ印刷
「【０３１０】
　　＜例１４（小型分子、
フレキソ印刷
　ＯＦＥＴ装置を以下の通り調製した。
【０３１１】
　テオネックスＱ６５ＦＡフィルム（帝人デュポンフィルム社より入手可能）を超音波メタノール浴中で２分間洗浄し、次いで、メタノールでリンスした。２０ミクロン幅および１０００ミクロン長の並行平板配置で、およそ６０ｎｍ厚の金ソースドレイン電極を蒸着した。プラズマオゾンで、基板を１分間浄化した。Ｌｉｓｉｃｏｎ（商標）Ｍ００１（メルク化学社より入手可能）ＳＡＭ処理により、イソプロピルアルコールからのスピンコーティングおよび１００℃で１分間ホットプレート上において過剰分を蒸発させて、電極を処理した。
【０３１２】
　１．６部の化合物Ａ（例１において述べた通り）および０．４部のポリ（アルファ）メチルスチレン（１０，０００ｇ／ｍｏｌ未満の重量平均分子量を有する。）を、ブチルフェニルエーテル中に溶解し、０．２μｍＰＴＦＥカートリッジフィルターに溶液を通して濾過し、ＯＳＣ配合物を調製した。
【０３１３】
　ＴＡ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製ＡＲ  Ｇ−２レオメータを使用して、
１．６ｃＰの粘度が測定された
【０３１４】
　次いで、８ｃｍ３／ｍ２載荷アニロックスを有するＲＫ  Ｆｌｅｘｉｐｒｏｏｆ  １００　
フレキソ印刷
イ　上記のように、本件特許明細書の発明の詳細な説明の段落【００２０】には、「好ましくは、該配合物は、０．５〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有する。」と記載されており、請求項１及び２の数値範囲「１．６〜９．５ｍＰａ秒」はこの範囲内である。
　また、上記のように、本件特許明細書に記載された【実施例】のうち、＜例３＞及び＜例１４＞のＯＦＥＴ装置を製造する際に測定されたＯＳＣ配合物の粘度は、いずれも１．６ｃＰ（＝１．６ｍＰａ秒）である。
　したがって、請求項１及び２に記載された「前記配合物は２５℃において１．６〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有し」は、本件特許明細書の発明の詳細な説明に記載されたものである。
ウ　特許異議申立人矢部和夫は、本件特許明細書には、配合物の粘度の範囲「１．６〜９．５ｍＰａ秒」の「１．６」が下限値として好ましいことは記載されておらず、また、本件特許明細書から自明でもないことから、粘度の範囲「１．６〜９．５ｍＰａ秒」を含む請求項１及び２は、明細書に記載された範囲を超えて特許請求されたものである旨を主張している。
　しかしながら、上記イのとおり、請求項１及び２に記載された「前記配合物は２５℃において１．６〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有し」は、本件特許明細書の発明の詳細な説明に記載されたものであるから、かかる主張には理由がない。
（２）請求項２に記載された「『前記有機溶媒』は『芳香族アルコキシ化合物』より選択される」について
　特許請求の範囲の請求項２に記載された「前記有機溶媒はシクロアルキル基を有する芳香族炭化水素化合物および芳香族アルコキシ化合物より選択される」における「芳香族アルコキシ化合物」は、本件特許明細書に記載されたものであるか否かについて検討する。
ア　本件特許明細書には、以下のように記載されている。
「【００２１】
　配合物の粘度は、適切な溶媒および他の添加剤を適切な量で使用することによって達成できる。
【００２２】
　結果として、本発明の配合物は、２５℃において１５ｍＰａ秒未満の粘度および最高で４００℃の沸点を有する少なくとも１種類の有機溶媒を含む。
【００２３】
　該溶媒は、用いられる気圧において、非常に好ましくは大気圧（１０１３ｈＰａ）において、４００℃未満、特には３５０℃以下、より好ましくは３００℃以下、最も好ましくは２５０℃以下の沸点または昇華温度を有する。また、例えば、加熱および／または減圧によって蒸発を促進することもできる。
【００２４】
　更に好ましくは、溶媒または溶媒ブレンドの沸点の最も低い溶媒の沸点は、大気圧（１０１３ｈＰａ）において、少なくとも１３０℃、最も好ましくは少なくとも１５０℃である。
…（略）…
【００３２】
　本発明の好ましい実施形態によれば、溶媒の分配率の対数ｌｏｇＰ、または、溶媒ブレンドの分配率の重量平均（ｌｏｇＰ）ｗは、１．５より大きく、より好ましくは２より大きく、最も好ましくは２．５より大きい。好ましくは、これらの値は、それぞれの溶媒に対して計算されるｌｏｇＰに関する。
【００３３】
　
溶媒は、一般に、上述の物理的基準を満たす任意の化学物質類より選択することができ
好ましくは、溶媒は、少なくとも１種類の芳香族
化合物を含む
【００３４】
　適切で好ましい溶媒としては、例えば、芳香族炭化水素（例えば、ハロゲン化芳香族）、および、１〜８個の炭素原子、より好ましくは１〜６個の炭素原子を有するアルキル基を有する芳香族炭化水素、特には、トルエン、ジメチルベンゼン（キシレン）、トリメチルベンゼン、および、メチルナフタレン；および、シクロアルキル基を有する芳香族炭化水素化合物、特に、シクロペンチルベンゼンおよびシクロヘキシルベンゼンが挙げられる。
【００３５】
　本発明の更なる実施形態によれば、エステル、エーテル、ニトリルまたはアミドなどのヘテロ原子を含む芳香族化合物
も使用できる
好ましくは、
などの芳香族アルコキシ化合物が挙げられる
イ　上記のように、本件特許明細書の発明の詳細な説明の段落【００３３】には、「
溶媒は、一般に、上述の物理的基準を満たす任意の化学物質類より選択することができ
好ましくは、溶媒は、少なくとも１種類の芳香族
化合物を含む
　また、上記のように、同段落【００３５】には、「エステル、エーテル、ニトリルまたはアミドなどのヘテロ原子を含む芳香族化合物
も使用できる
好ましくは、
などの芳香族アルコキシ化合物
　そして、芳香族エステル及び芳香族エーテルは芳香族アルコキシ化合物に含まれるものの、「
などの
　したがって、段落【００３５】には、溶媒として、使用できる芳香族アルコキシ化合物は、「エステル、エーテル、ニトリルまたはアミドなどのヘテロ原子を含む芳香族化合物」に限らないことが開示されていると認められる。
　以上のとおりであるから、請求項２に記載された「『前記有機溶媒』は『芳香族アルコキシ化合物』より選択される」は、本件特許明細書の発明の詳細な説明に記載されたものである。
ウ　特許異議申立人矢部和夫は、段落【００３５】に記載の「芳香族アルコキシ化合物」は、「エステル、エーテル、ニトリルまたはアミドなどのヘテロ原子を含む芳香族化合物」に限定されるものであり、何ら限定のない「芳香族アルコキシ化合物」という文言を含む本件特許の請求項２は、本件特許の明細書等に開示された範囲を超えて特許請求されたものである旨を主張している。
　しかしながら、上記イのとおり、本件特許明細書の段落【００３３】の記載及び【００３５】の「などの芳香族アルコキシ化合物」との記載からみて、請求項２に記載された「『前記有機溶媒』は『芳香族アルコキシ化合物』より選択される」は、本件特許明細書の発明の詳細な説明に記載されたものであるから、かかる主張には理由がない。
（３）請求項３〜３９について
　請求項３〜３９は、請求項１、２を引用する発明であるから、上記（１）、（２）と同じ理由で、請求項３〜３９に係る発明は、本件特許明細書の発明の詳細な説明に記載されたものである。
（４）まとめ
　以上のとおり、請求項１〜３９にかかる特許は特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たすものであるから、申立理由２によっては、本件発明１〜３９にかかる特許を取り消すことができない。
第６　むすび
　したがって、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、請求項１〜３９に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に請求項１〜３９に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和１年８月１日（２０１９．８．１）