【事件の表示】
　特許第６３４５３２０号発明「表面硬化処理装置及び表面硬化処理方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６３４５３２０号の明細書、特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正明細書、訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１〜３〕、〔４〜６〕について訂正することを認める。
　特許第６３４５３２０号の請求項１〜６に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第６３４５３２０号の請求項１〜６に係る特許についての出願は、平成２９年　７月２０日（優先権主張　平成２９年　７月　７日）に出願され、平成３０年　６月　１日にその特許の設定登録がされ、平成３０年　６月２０日に特許掲載公報が発行され、その後、その特許に対して、平成３０年１２月１４日に特許異議申立人オリエンタルエンヂニアリング株式会社（以下、「特許異議申立人」という。）により特許異議の申立てがされ、平成３１年　３月　８日付けで取消理由が通知され、令和１年　５月１３日付けで訂正請求がなされると共に意見書が提出され、これに対して同年　７月１７日付けで特許異議申立人より意見書の提出があったものである。
　
第２　訂正請求について
１　訂正の内容
（１）訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１において、
「処理炉内で水素を発生するガスとしては、（１）アンモニアガスのみ、（２）アンモニア分解ガスのみ、または、（３）アンモニアガスとアンモニア分解ガスとの２種類のみ、を含む複数種類の炉内導入ガスを前記処理炉内へ導入して、前記処理炉内に配置される被処理品の表面硬化処理としてガス窒化処理またはガス軟窒化処理を行う表面硬化処理装置であって、」
と記載されているのを、
「
ガス成分として水素を含有して処理炉内に水素を供給するか、または、
に訂正する。（下線部は訂正箇所を表す。以下同様。）
　
（２）訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項４において、
「処理炉内で水素を発生するガスとしては、（１）アンモニアガスのみ、（２）アンモニア分解ガスのみ、または、（３）アンモニアガスとアンモニア分解ガスとの２種類のみ、を含む複数種類の炉内導入ガスを前記処理炉内へ導入して、前記処理炉内に配置される被処理品の表面硬化処理としてガス窒化処理またはガス軟窒化処理を行う表面硬化処理方法であって、」
と記載されているのを、
「
ガス成分として水素を含有して処理炉内に水素を供給するか、または、
に訂正する。
　
（３）訂正事項３
　明細書の段落【００２８】に「処理炉内で水素を発生するガスとしては、」と記載されているのを、「
ガス成分として水素を含有して処理炉内に水素を供給するか、または、
　
（４）訂正事項４
　明細書の段落【００３４】に「処理炉内で水素を発生するガスとしては、」と記載されているのを、「
ガス成分として水素を含有して処理炉内に水素を供給するか、または、
　
（５）訂正事項５
　明細書の段落【００４０】に「処理炉２内で水素を発生するガスとして、」と記載されているのを、「
ガス成分として水素を含有して処理炉２内に水素を供給するか、または、
　
（６）訂正事項６
　明細書の段落【００４１】に「処理炉２内で水素を発生するガスとして、」と記載されているのを、「
ガス成分として水素を含有して処理炉２内に水素を供給するか、または、
　
２　訂正の適否
（１）訂正事項１
ア　訂正の目的について
　訂正事項１は、訂正前の請求項１に「処理炉内で水素を発生するガスとしては、（１）アンモニアガスのみ、（２）アンモニア分解ガスのみ、または、（３）アンモニアガスとアンモニア分解ガスとの２種類のみ、を含む複数種類の炉内導入ガスを前記処理炉内へ導入して、前記処理炉内に配置される被処理品の表面硬化処理としてガス窒化処理またはガス軟窒化処理を行う表面硬化処理装置であって、」と記載され、「処理炉内で水素を発生するガス」として、「（２）アンモニア分解ガスのみ」を含む場合が例示されていた一方で、発明の詳細な説明の段落【０００４】には、「アンモニア分解ガス（７５％水素、２５％窒素）」と記載され、また、同じく段落【００４１】には、「アンモニア分解ガスとは、ＡＸガスとも呼ばれるガスで、１：３の比率の窒素と水素とからなる混合ガスである。」と記載されており、「アンモニア分解ガス」は、ガス成分として水素を含有し、処理炉内に水素を供給するガスであるものの、「処理炉内で水素を発生するガス」とはいえないという、特許請求の範囲の記載と明細書の記載との関係で生じていた不合理を、請求項１の記載を「
ガス成分として水素を含有して処理炉内に水素を供給するか、または、
　
イ　新規事項の有無について
　訂正事項１は、発明の詳細な説明の段落【０００４】における「アンモニア分解ガス」（７５％水素、２５％窒素）」との記載、及び同じく段落【００４１】における「アンモニア分解ガスとは、ＡＸガスとも呼ばれるガスで、１：３の比率の窒素と水素からなる混合ガスである。」との記載に基づいて導き出される事項であるから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合するものである。
　
ウ　特許請求の範囲の拡張・変更について
　訂正事項１は、上記ア、イで検討したとおり、訂正前の請求項１に予め選択的な発明特定事項として記載されていた「（１）アンモニアガスのみ、（２）アンモニア分解ガスのみ、（３）アンモニアガスとアンモニア分解ガスとの２種類のみ、」に対する「処理炉内で水素を発生するガスとして」という修飾説明が明確でなかったことによって生じていた不合理を、訂正前の請求項１の記載、及び願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項から読み取れる範囲内で正すものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項の規定に適合するものである。
　この点につき、特許異議申立人は、令和１年　７月１７日付け意見書において、訂正前の請求項１における炉内導入ガスが、処理炉内で水素を発生するガスを含むものであったのを、訂正後の請求項１においては、処理炉内で水素を発生するガスに加えて、水素を含有して処理炉内に水素を供給するガスを含むものとなるよう、発明特定事項を拡げることによって、実質上特許請求の範囲を変更するものに該当する旨主張している。
　しかし、訂正前の請求項１の記載は、上述のとおり、予め選択的な発明特定事項として記載されていた「（１）アンモニアガスのみ、（２）アンモニア分解ガスのみ、（３）アンモニアガスとアンモニア分解ガスとの２種類のみ、」に対する「処理炉内で水素を発生するガスとして」という修飾説明が明確でなかったことによって不合理が生じていたものであるから、炉内導入ガスが処理炉内で水素を発生するガスに限定されると断定することはできず、この不合理を是正することが、実質上特許請求の範囲を拡張、又は変更するものに該当するとはいえないので、採用しない。
　
（２）訂正事項２
ア　訂正の目的について
　訂正事項２は、訂正前の請求項４に「処理炉内で水素を発生するガスとしては、（１）アンモニアガスのみ、（２）アンモニア分解ガスのみ、または、（３）アンモニアガスとアンモニア分解ガスとの２種類のみ、を含む複数種類の炉内導入ガスを前記処理炉内へ導入して、前記処理炉内に配置される被処理品の表面硬化処理としてガス窒化処理またはガス軟窒化処理を行う表面硬化処理方法であって、」と記載され、「処理炉内で水素を発生するガス」として、「（２）アンモニア分解ガスのみ」を含む場合が例示されていた一方で、発明の詳細な説明の段落【０００４】には、「アンモニア分解ガス（７５％水素、２５％窒素）」と記載され、また、同じく段落【００４１】には、「アンモニア分解ガスとは、ＡＸガスとも呼ばれるガスで、１：３の比率の窒素と水素とからなる混合ガスである。」と記載されており、「アンモニア分解ガス」は、ガス成分として水素を含有し、処理炉内に水素を供給するガスであるものの、「処理炉内で水素を発生するガス」とはいえないという、特許請求の範囲の記載と明細書の記載との関係で生じていた不合理を、請求項４の記載を「
ガス成分として水素を含有して処理炉内に水素を供給するか、または、
　
イ　新規事項の有無について
　訂正事項２は、発明の詳細な説明の段落【０００４】における「アンモニア分解ガス」（７５％水素、２５％窒素）」との記載、及び同じく段落【００４１】における「アンモニア分解ガスとは、ＡＸガスとも呼ばれるガスで、１：３の比率の窒素と水素からなる混合ガスである。」との記載に基づいて導き出される事項であるから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合するものである。
　
ウ　特許請求の範囲の拡張・変更について
　訂正事項２は、上記ア、イで検討したとおり、訂正前の請求項４に予め選択的な発明特定事項として記載されていた「（１）アンモニアガスのみ、（２）アンモニア分解ガスのみ、（３）アンモニアガスとアンモニア分解ガスとの２種類のみ、」に対する「処理炉内で水素を発生するガスとして」という修飾説明が明確でなかったことによって生じていた不合理を、訂正前の請求項４の記載、及び願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項から読み取れる範囲内で正すものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項の規定に適合するものである。
（３）訂正事項３
ア　訂正の目的について
　訂正事項３は、特許請求の範囲の記載と、発明の詳細な説明の記載との整合を図るために訂正するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。
イ　新規事項の有無、特許請求の範囲の拡張・変更について
　訂正事項３は、特許請求の範囲の記載と、発明の詳細な説明の記載との整合を図る訂正にすぎないから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内でした訂正である。また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　よって、訂正事項３は、特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第５項、第６項の規定に適合するものである。
　
（４）訂正事項４
ア　訂正の目的について
　訂正事項４は、特許請求の範囲の記載と、発明の詳細な説明の記載との整合を図るために訂正するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。
イ　新規事項の有無、特許請求の範囲の拡張・変更について
　訂正事項４は、特許請求の範囲の記載と、発明の詳細な説明の記載との整合を図る訂正にすぎないから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内でした訂正である。また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　よって、訂正事項４は、特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第５項、第６項の規定に適合するものである。
（５）訂正事項５
ア　訂正の目的について
　訂正事項５は、特許請求の範囲の記載と、発明の詳細な説明の記載との整合を図るために訂正するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。
イ　新規事項の有無、特許請求の範囲の拡張・変更について
　訂正事項５は、特許請求の範囲の記載と、発明の詳細な説明の記載との整合を図る訂正にすぎないから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内でした訂正である。また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　よって、訂正事項５は、特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第５項、第６項の規定に適合するものである。
（６）訂正事項６
ア　訂正の目的について
　訂正事項６は、特許請求の範囲の記載と、発明の詳細な説明の記載との整合を図るために訂正するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。
イ　新規事項の有無、特許請求の範囲の拡張・変更について
　訂正事項６は、特許請求の範囲の記載と、発明の詳細な説明の記載との整合を図る訂正にすぎないから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内でした訂正である。また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　よって、訂正事項６は、特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第５項、第６項の規定に適合するものである。
　
（７）一群の請求項及び明細書の訂正に関係する請求項について
ア　一群の請求項について
　本件訂正前の請求項１〜３について、訂正前の請求項２、３はそれぞれ訂正前の請求項１を直接又は間接的に引用するものであって、請求項１の訂正に連動して訂正されるものであり、本件訂正前の請求項４〜６について、訂正前の請求項５、６はそれぞれ訂正前の請求項４を直接又は間接的に引用するものであって、請求項４の訂正に連動して訂正されるものであるので、本件訂正前の請求項１〜３、請求項４〜６はそれぞれ一群の請求項である。
　そして、本件訂正請求は、上記一群の請求項ごとに訂正の請求をするものであるから、特許法第１２０条の５第４項の規定に適合するものである。
　また、本件訂正請求は、請求項間の引用関係の解消を目的とするものではなく、特定の請求項に係る訂正事項について別の訂正単位とする求めもないから、訂正後の請求項〔１〜３〕、〔４〜６〕をそれぞれ訂正単位とする訂正の請求をするものである。
イ　明細書の訂正に関係する請求項について
　訂正事項３、５、６は、訂正前の請求項１に対応する明細書の記載を訂正するものであり、訂正前の請求項２、３は、訂正前の請求項１を直接又は間接的に引用しているから、訂正事項３、５、６と関係する請求項は訂正前の請求項１〜３であり、また、訂正事項４、６は、訂正前の請求項４に対応する明細書の記載を訂正するものであり、訂正前の請求項５、６は、訂正前の請求項４を直接又は間接的に引用しているから、訂正事項４、６と関係する請求項は訂正前の請求項４〜６である。
　そうすると、本件訂正請求は、訂正事項３、５、６と関係する請求項の全て、及び、訂正事項４、６と関係する請求項の全てを請求の対象としているものであるから、特許法第１２０条の５第９項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するものである。
　
３　本件訂正請求についての結言
　以上のとおりであるから、本件訂正請求による訂正は、請求項〔１〜３〕、〔４〜６〕について、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第４項及び第９項において準用する同法第１２６条第４項から第６項の規定に適合するものである。
　よって、訂正後の一群の請求項〔１〜３〕、〔４〜６〕について訂正することを認める。
　
第３　特許異議の申立てについて
１　訂正後の本件発明
　本件訂正請求によって訂正された請求項１〜６に係る発明（以下、「本件発明１〜６」といい、総称して「本件発明」ということがある。）は、その特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された次の事項により特定されるとおりのものと認める。
　
　【請求項１】
　
ガス成分として水素を含有して処理炉内に水素を供給するか、または、
　前記処理炉内の水素濃度またはアンモニア濃度を検出する炉内雰囲気ガス濃度検出装置と、
　前記炉内雰囲気ガス濃度検出装置によって検出される水素濃度またはアンモニア濃度に基づいて前記処理炉内の窒化ポテンシャルを演算する炉内窒化ポテンシャル演算装置と、
　前記炉内窒化ポテンシャル演算装置によって演算される前記処理炉内の窒化ポテンシャルと目標窒化ポテンシャルとに応じて、前記複数種類の炉内導入ガスの合計導入量を一定に保ちながら前記複数種類の炉内導入ガスの流量比率を変化させることによって前記処理炉内の窒化ポテンシャルを前記目標窒化ポテンシャルに近づけるべく前記複数種類の炉内導入ガスの導入量を個別に制御するガス導入量制御装置と、を備え、
　前記目標窒化ポテンシャルは、同一の被処理品に対して時間帯に応じて異なると共に同一時間帯内では一定の値として設定されるようになっており、
　前記ガス導入量制御装置は、前記複数種類の炉内導入ガスの各々の導入量を入力値とし、前記炉内窒化ポテンシャル演算手段によって演算される前記処理炉内の窒化ポテンシャルを出力値とし、前記目標窒化ポテンシャルを目標値としたＰＩＤ制御を実施するようになっており、
　前記ＰＩＤ制御における比例ゲインと、積分ゲインまたは積分時間と、微分ゲインまたは微分時間とが、パイロット処理を実施して予め入手しておいた候補の値の中から、前記目標窒化ポテンシャルの異なる値毎に設定できるようになっていることを特徴とする表面硬化処理装置。
　【請求項２】
　前記目標窒化ポテンシャルは、各時間帯に応じて０．０５〜１．３の範囲内で設定されるようになっていることを特徴とする請求項１に記載の表面硬化処理装置。
　【請求項３】
　前記目標窒化ポテンシャルは、同一の被処理品に対して３以上の時間帯に応じて３以上の異なる値として設定されるようになっていることを特徴とする請求項１または２に記載の表面硬化処理装置。
　【請求項４】
　
ガス成分として水素を含有して処理炉内に水素を供給するか、または、
　前記処理炉内の水素濃度またはアンモニア濃度を検出する炉内雰囲気ガス濃度検出工程と、
　前記炉内雰囲気ガス濃度検出工程によって検出される水素濃度またはアンモニア濃度に基づいて前記処理炉内の窒化ポテンシャルを演算する炉内窒化ポテンシャル演算工程と、
　前記炉内窒化ポテンシャル演算工程によって演算される前記処理炉内の窒化ポテンシャルと目標窒化ポテンシャルとに応じて、前記複数種類の炉内導入ガスの合計導入量を一定に保ちながら前記複数種類の炉内導入ガスの流量比率を変化させることによって前記処理炉内の窒化ポテンシャルを前記目標窒化ポテンシャルに近づけるべく前記複数種類の炉内導入ガスの導入量を個別に制御するガス導入量制御工程と、を備え、
　前記目標窒化ポテンシャルは、同一の被処理品に対して時間帯に応じて異なると共に同一時間帯内では一定の値として設定されるようになっており、
　前記ガス導入量制御工程では、前記複数種類の炉内導入ガスの各々の導入量を入力値とし、前記炉内窒化ポテンシャル演算手段によって演算される前記処理炉内の窒化ポテンシャルを出力値とし、前記目標窒化ポテンシャルを目標値としたＰＩＤ制御が実施されるようになっており、
　前記ＰＩＤ制御における比例ゲインと、積分ゲインまたは積分時間と、微分ゲインまたは微分時間とが、パイロット処理を実施して予め入手しておいた候補の値の中から、前記目標窒化ポテンシャルの異なる値毎に設定されることを特徴とする表面硬化処理方法。
　【請求項５】
　前記目標窒化ポテンシャルは、各時間帯に応じて０．０５〜１．３の範囲内で設定されるようになっていることを特徴とする請求項４に記載の表面硬化処理方法。
　【請求項６】
　前記目標窒化ポテンシャルは、同一の被処理品に対して３以上の時間帯に応じて３以上の異なる値として設定されるようになっていることを特徴とする請求項４または５に記載の表面硬化処理方法。
　
２　特許異議申立理由の概要
　特許異議申立人は、証拠方法として後記する甲第１〜１３号証を提出し、以下の申立理由により、請求項１〜６に係る特許を取り消すべきものである旨申し立てた。
（１）申立理由１（取消理由として一部採用） 
　本件請求項１〜６に係る発明は、甲第１〜１３号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、同発明に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、取り消されるべきものである。 
  
 （２）申立理由２（取消理由として採用） 
　本件請求項１〜６に係る発明は、特許を受けようとする発明が明確でないから、同発明に係る特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、取り消されるべきものである。 
  
 （３）申立理由３（取消理由として不採用） 
　本件請求項１〜６に係る発明の詳細な説明の記載は、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものでないから、同発明に係る特許は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、取り消されるべきものである。 
＜証拠方法＞
・甲第１号証：国際公開第２０１６／０５４７２２号 
・甲第２号証：平岡泰、「雰囲気制御式ガス窒化／軟窒化」、パーカー熱処理工業株式会社、２０１５年１０月９日発行、第１３回表面改質技術研究会、１〜１７頁 
・甲第３号証：メカニカル・サーフェス・テック、「パーカー熱処理工業など、第１３回表面改質技術研究会を開催」、請求人代理人、２０１８年１１月２６日出力、https://surface.mechanical-tech.jp/node/1853 
・甲第４号証：平岡泰、「雰囲気制御ガス窒化の特性と応用」、一般社団法人日本熱処理技術協会中部支部、２０１６年１０月６日発行、ｐ．１〜９ 
・甲第５号証：特開２０１６−２１１０６９号公報 
・甲第６号証：特開２０１７−６６４９０号公報 
・甲第７号証：国際公開第２０１６／００５０７３号 
・甲第８号証：広井和男、「ディジタル計装制御システムの基礎と応用」第２版、工業技術社、１９９０年１０月１日発行、ｐ．１１８〜１２３、ｐ．１５６〜１５９ 
・甲第９号証：田中覚、外３名、「ハンチング防止機能を持つ調節計の開発」、横河技報　Ｖｏｌ．４５　Ｎｏ．２、横河電気株式会社、２００１年、ｐ．１２７〜１３０ 
・甲第１０号証：三島良直、外２０名、「熱処理技術入門」全訂版６刷、（社）日本熱処理技術協会・日本金属熱処理工業会、２０１４年８月１２日発行、ｐ．６６〜７１ 
・甲第１１号証：「新版　工業炉ハンドブック」初版１刷、（社）日本工業炉協会、１９９７年１１月２８日発行、ｐ．６３２〜６３７ 
・甲第１２号証：日比野和久、「平成２１年度新人研修会テキスト」、（社）日本工業炉協会、２００９年、ｐ．４２ 
・甲第１３号証：国際公開第２０１７／０４３５９４号 
３　取消理由通知に記載した取消理由について
（１）取消理由の概要
　訂正前の請求項１〜６に係る特許に対して、当審が平成３１年　３月　８日に特許権者に通知した取消理由の要旨は、次のとおりである。
　
ア　請求項１〜６に係る特許は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、取り消されるべきものである（取消理由１）。
　
　　　　　　　　　　　　　　　記
　
・請求項１〜６について 
　本件特許の請求項１、４には、「処理炉内で水素を発生するガス」として、「（２）アンモニア分解ガスのみ」、「（３）アンモニアガスとアンモニア分解ガスとの２種類のみ」という記載がある。 
　一方、本件特許の発明の詳細な説明の【０００４】には、「アンモニア分解ガス（７５％水素、２５％窒素）」と記載され、【００４１】には、「アンモニア分解ガスとは、ＡＸガスとも呼ばれるガスで、１：３の比率の窒素と水素とからなる混合ガスである。」と記載されており、「アンモニア分解ガス」は、ガス成分として水素を含有し、処理炉内に水素を供給するガスであるものの、「処理炉内で水素を発生するガス」とはいえない。 
　そうすると、「処理炉内で水素を発生するガス」として「アンモニア分解ガス」を例示する請求項１、４に係る発明は明確でない。 
　よって、請求項１、４及び請求項１を引用する請求項２、３、請求項４を引用する請求項５、６に係る特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 
　
イ　請求項１、３、４、６に係る発明は、本件優先日前に日本国内又は外国において、頒布された刊行物１〜５に記載された発明に基いて、当業者が容易に想到することができたものである。よって、請求項１、３、４、６に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、取り消されるべきものである（取消理由２）。
　
＜刊行物＞
・刊行物１：国際公開第２０１６／０５４７２２号（甲第１号証）
・刊行物２：平岡泰、「雰囲気制御式ガス窒化／軟窒化」、パーカー熱処理工業株式会社、２０１５年１０月９日発行、第１３回表面改質技術研究会、１〜１７頁（甲第２号証）
・刊行物３：特開２０１６−２１１０６９号公報（甲第５号証）
・刊行物４：特開２０１７−６６４９０号公報（甲第６号証）
・刊行物５：特開２００３−５８０２号公報（当審で発見）
（２）当審の判断
ア　取消理由１について
　訂正事項１により、訂正前の請求項１に「処理炉内で水素を発生するガスとしては、（１）アンモニアガスのみ、（２）アンモニア分解ガスのみ、または、（３）アンモニアガスとアンモニア分解ガスとの２種類のみ、を含む複数種類の炉内導入ガスを前記処理炉内へ導入して、前記処理炉内に配置される被処理品の表面硬化処理としてガス窒化処理またはガス軟窒化処理を行う表面硬化処理装置であって、」と記載されているのを、「
ガス成分として水素を含有して処理炉内に水素を供給するか、または、
　また、訂正事項２により、本件発明４も同様に明確になった。
　そして、請求項１を引用する請求項２、３、請求項４を引用する請求項５、６についても請求項１、４と同様であるから、本件発明１〜６は、いずれも明確になった。
　したがって、本件発明１〜６に係る特許は、特許法３６条第６項第２号に規定する要件を満たしているから、同法１１３条第４号により取り消すことはできない。
イ　取消理由２について
（ア）刊行物１の記載事項
ａ）「The present invention relates to heat treating processes, and more particularly, to a method for controlled heat treating of long steel pipes to substantially increase corrosion and wear resistance thereof.」（第１頁第５〜７行） 
（当審仮訳：本発明は熱処理プロセスに関し、より特定的には、長尺鋼管の耐食性および耐摩耗性を実質的に増加させるための、長尺鋼管の制御された熱処理のための方法に関する。） 
  
ｂ）「Referring to Figures la to lc, a method for heat treating a steel component according to a preferred embodiment of the invention is provided. At 10, the steel component is disposed in a heat treating furnace. ・・・During the heating stage the atmosphere in the heat treating furnace is changed - 14 - to a nitriding atmosphere having a predetermined composition. The nitriding temperature is determined to be within a range between 380℃ and 720℃, preferably, between 550℃ and 590℃. The nitriding atmosphere is a mixture of ammonia (NH3) and dissociated ammonia (dNH3 ) with dNH3 being 75 vol.% of H2 and 25 vol. % of N2 .」（第６頁第１９〜３１行）（「・・・」は記載の省略を表す。以下同様。） 
（当審仮訳：図１ａ〜１ｃを参照して、この発明の好ましい一実施形態に従った鋼部品を熱処理するための方法が提供される。１０で、鋼部品が熱処理炉内に配置される。・・・加熱段階中、熱処理炉内の雰囲気は、予め定められた組成を有する窒化雰囲気に変更される（１４）。窒化温度は、３８０℃〜７２０℃、好ましくは５５０℃〜５９０℃の範囲内にあるように定められる。窒化雰囲気は、アンモニア（ＮＨ３）と解離アンモニア（ｄＮＨ３）との混合物であり、ｄＮＨ３は、Ｈ２が７５体積％、Ｎ２が２５体積％である。） 
  
ｃ）「Preferably, the mixture of the nitriding atmosphere is determined such that it satisfies the relationship between the partial pressures of the component gases - converted into the KN number with KN = PNH3 /(PH2 ) 3/2 , (atm-0.5) - according to equation (1)・・・」（第７頁第１〜３行） 
（当審仮訳：好ましくは、窒化雰囲気の混合物は、それが、以下の式（１）に従った、ＫＮ＝ＰＮＨ３／（ＰＨ２）３／２，（atm−０．５）というＫＮ数に変換された、成分ガスの分圧間の関係を満たすように定められる・・・） 
  
ｄ）「The steel component is then exposed to the nitriding atmosphere at the predetermined nitriding temperature for a predetermined nitriding time interval with the composition of the nitriding atmosphere being controlled while the steel component is exposed thereto - 16. A preferred method for controlling the atmosphere is illustrated in Figure lb. Using one or more state of the art temperature sensors, the process temperature inside the heat treating furnace is sensed and process temperature data in dependence thereupon are provided to a processor connected thereto - 16A. Furthermore, the nitriding atmosphere in the heat treating furnace is sampled, for example, at the exhaust of the furnace, as illustrated in Figure 2 and described hereinbelow. The sampled nitriding atmosphere is then analyzed using a state of the art gas analyzer and analyzing data in dependence thereupon are provided to the processor connected thereto - 16B. After receipt - 16C - of the input data, i.e. the process temperature data indicative of the process temperature T and the analyzing data indicative of the partial pressures PH2, PNH3, and PN2 , the processor determines the provision of the composition components of the nitriding atmosphere - 16D - and generates a provision control signal in dependence thereupon. The provision control signal is received at standard gas flow control valves such as, for example, solenoid valves, and the composition components of the nitriding atmosphere are provided to the heat treating furnace in dependence thereupon - 16E. 」（第７頁第１１〜２７行） 
（当審仮訳：鋼部品は次に、予め定められた窒化温度の窒化雰囲気に、予め定められた窒化時間間隔の間露出され、鋼部品が窒化雰囲気に露出される間、窒化雰囲気の組成は制御される（１６）。雰囲気を制御するための好ましい一方法を、図１ｂに示す。従来技術の温度センサを１つ以上使用して、熱処理炉の内部のプロセス温度が感知され、それに基づいてプロセス温度データが、温度センサに接続されたプロセッサに提供される（１６Ａ）。さらに、熱処理炉内の窒化雰囲気は、たとえば、図２に示され以下に説明されるような炉の排気口でサンプリングされる。サンプリングされた窒化雰囲気は次に、従来技術のガス分析器を使用して分析され、それに基づいて分析データが、ガス分析器に接続されたプロセッサに提供される（１６Ｂ）。入力データ、すなわち、プロセス温度Ｔを示すプロセス温度データと、分圧ＰＨ２、ＰＮＨ３およびＰＮ２を示す分析データとの受信（１６Ｃ）後、プロセッサは、窒化雰囲気の組成成分の提供を決定し（１６Ｄ）、それに基づいて提供制御信号を生成する。提供制御信号は、たとえば電磁弁といった標準ガス流制御弁で受信され、提供制御信号に基づいて、窒化雰囲気の組成成分は熱処理炉に提供される（１６Ｅ）。） 
  
ｅ）「Preferably, the provision of the composition components of the nitriding atmosphere is determined according to the control procedure illustrated in Figure lc. Upon receipt of the input data, the processor calculates the KN number in dependence thereupon. If Log10(KN) is equal the setpoint determined according to equation (1), the current flow settings for NH3 and dNH3 are kept. If Log10(KN) is smaller than the setpoint, the flow of NH3 is increased and the flow of dNH3 is decreased. If Log10(KN) is greater than the setpoint, the flow of NH3 is decreased and the flow of dNH3 is increased.」（第７頁第２９行〜第８頁第４行） 
（当審仮訳：好ましくは、窒化雰囲気の組成成分の提供は、図１ｃに示す制御手順に従って決定される。入力データを受信すると、プロセッサは、それに基づいてＫＮ数を演算する。Ｌｏｇ１０（ＫＮ）が式（１）に従って求められた設定点と等しい場合、ＮＨ３およびｄＮＨ３についての現在の流量の設定は保たれる。Ｌｏｇ１０（ＫＮ）が設定点よりも小さい場合、ＮＨ３の流量は増加され、ｄＮＨ３の流量は減少される。Ｌｏｇ１０（ＫＮ）が設定点よりも大きい場合、ＮＨ３の流量は減少され、ｄＮＨ３の流量は増加される。） 
  
ｆ）「For example, the process temperature sensing and the nitriding atmosphere sampling is performed in predetermined time intervals and data indicative thereof are provided to the processor for performing the above determination of the provision of the composition components of the nitriding atmosphere using a standard PID control loop or a standard Fuzzy - type control loop.」（第８頁第６〜１０行） 
 （当審仮訳：たとえば、プロセス温度感知および窒化雰囲気サンプリングは予め定められた時間間隔で行なわれ、それらを示すデータは、標準ＰＩＤ制御ループまたは標準ファジータイプ制御ループを使用して窒化雰囲気の組成成分の供給の決定を行なうためにプロセッサに提供される。） 
  
ｇ）「Optionally, a flow of a carbon bearing gas - CO, CO2, or a gaseous hydrocarbon - is added to the atmosphere for performing a nitrocarburizing process. The above control process is easily adapted by taking into account the presence of the carbon bearing gas in the calculation of the partial pressures. For example, in a typical nitrocarburizing process, CO2 is added in the range of approximately 5-15 vol. %.」（第８頁第１９〜２３行） 
 （当審仮訳：浸炭窒化プロセスを行なうために、オプションで、ＣＯ、ＣＯ２またはガス状炭化水素といった炭素含有ガスの流れが雰囲気に追加される。上述の制御プロセスは、分圧の計算において炭素含有ガスの存在を考慮に入れることによって容易に適合される。たとえば、典型的な浸炭窒化プロセスでは、ＣＯ２は、およそ５〜１５体積％の範囲で追加される。） 
  
ｈ）「Figure 2 illustrates a heat treating furnace system for implementing the above method for heat treating a steel component. One or more steel components are disposed inside the heat treating furnace 102. The atmospheres used during the heat treating process are provided to the furnace 102 via inlet 110 and are removed therefrom via exhaust 108. The inlet 110 is connected a plurality of conduits, for example, 116.1 - 116.4 for receiving the various component gases from respective gas supplies. The provision of the component gases is controlled by respective valves 118.1 - 118.4 interposed in each of the conduits 116.1 - 116.4. 」（第１１頁第８〜１４行） 
（当審仮訳：図２は、鋼部品を熱処理するための上述の方法を実現するための熱処理炉システムを示す。１つ以上の鋼部品が、熱処理炉１０２の内部に配置される。熱処理プロセス中に使用される雰囲気は、入口１１０を介して炉１０２に提供され、排気口１０８を介してそこから除去される。入口１１０は、それぞれのガス供給からさまざまな成分ガスを受けるための複数の導管、たとえば１１６．１〜１１６．４に接続される。成分ガスの提供は、導管１１６．１〜１１６．４の各々において介在されたそれぞれの弁１１８．１〜１１８．４によって制御される。） 
  
ｉ）「The heat treating process is controlled by computer 120 connected to: the temperature sensor 112 disposed inside the furnace 102; the gas analyzer 114 in fluid communication with the exhaust 108; the furnace heating mechanism 106; and, the valves 118.1 - 118.4. The computer 120 comprises a user interface 121 such as, for example, display 126 and keyboard 128, or a touch screen. The computer is operated using processor 122, for example, an off-the-shelf computer processor, for executing executable commands preferably stored in non-volatile memory 124 such as, for example, a hard-drive or flash memory. The processor is connected to the user interface, the memory, input port 130 and output port 132. 」（第１１頁第１６行〜第１２頁第１行） 
（当審仮訳：炉１０２の内部に配置された温度センサ１１２と、排気口１０８と流体連通するガス分析器１１４と、炉加熱機構１０６と、弁１１８．１〜１１８．４とに接続されたコンピュータ１２０によって、熱処理プロセスは制御される。コンピュータ１２０は、たとえばディスプレイ１２６およびキーボード１２８、またはタッチスクリーンといった、ユーザインターフェイス１２１を含む。コンピュータは、たとえばハードドライブまたはフラッシュメモリといった不揮発性メモリ１２４に好ましくは格納された実行可能なコマンドを実行するためのプロセッサ１２２、たとえば市販のコンピュータプロセッサを使用して動作される。プロセッサは、ユーザインターフェイス、メモリ、入力ポート１３０および出力ポート１３２に接続される。） 
  
ｊ）「Preferably, the pressure inside the furnace 102 is controlled in a standard fashion, with the pressure being kept slightly above ambient air pressure to prevent leakage of air into the furnace 102.」 
 （当審仮訳：好ましくは、炉１０２の内部の圧力は、炉１０２への空気の漏れを防止するために圧力が周囲空気圧よりも若干上に保たれた状態で、標準的なやり方で制御される。） 
  
ｋ）「
」
  
　上記ａ）、ｂ）、ｄ）、ｇ）、ｈ）、ｉ）、ｋ）によれば、刊行物１には、熱処理炉内に配置される鋼部品を窒化雰囲気で窒化又は浸炭窒化して耐食性及び耐磨耗性を増加させる熱処理装置が記載されている。 
　上記ｂ）によれば、刊行物１には、窒化雰囲気がアンモニア（ＮＨ３）と解離アンモニア（ｄＮＨ３）との混合物であることが記載され、上記ｋ）には、熱処理炉に導入する成分ガスとして、ＮＨ３、ｄＮＨ３、Ｎ２、ＣＯ２が記載され、上記ｈ）には、成分ガスは弁によって制御されることが記載されている。 
　上記ｄ）、ｉ）、ｋ）によれば、刊行物１には、サンプリングされた熱処理炉内の窒化雰囲気から分圧ＰＨ２、ＰＮＨ３及びＰＮ２を分析するガス分析器が記載されている。 
　上記ｃ）によれば、刊行物１には、窒化雰囲気の混合物は、ＫＮ＝ＰＮＨ３／（ＰＨ２）３／２（atm−０．５）というＫＮ数に変換された、成分ガスの分圧間の関係を満たすように定められることが記載され、上記ｄ）、ｅ）によれば、プロセス温度データと、分圧ＰＨ２、ＰＮＨ３およびＰＮ２を示す分析データからプロセッサがＫＮ数を演算し、Ｌｏｇ１０（ＫＮ）が設定点と等しい場合には流量を維持し、設定点よりも小さい場合はＮＨ３の流量を増加しｄＮＨ３の流量を減少させ、設定点よりも大きい場合はＮＨ３の流量を減少させｄＮＨ３の流量を増加することが記載されている。 
　上記ｆ）によれば、刊行物１には、窒化雰囲気サンプリングから得られるデータを、標準ＰＩＤ制御ループを使用して窒化雰囲気の組成成分の供給の決定を行なうプロセッサに提供することが記載されている。 
  
　そうすると、刊行物１には、以下の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。 
  
 「アンモニア（ＮＨ３）、解離アンモニア（ｄＮＨ３）を含む複数種類の成分ガスを熱処理炉に導入して、熱処理炉内に配置される鋼部品を窒化雰囲気で窒化又は浸炭窒化して耐食性及び耐磨耗性を増加させる熱処理装置であって、
　前記熱処理炉内の窒化雰囲気をサンプリングして分圧ＰＨ２、ＰＮＨ３及びＰＮ２を分析するガス分析器と、
　前記ガス分析器によって分析した分圧ＰＨ２、ＰＮＨ３に基づいて、ＫＮ＝ＰＮＨ３／（ＰＨ２）３／２（atm−０．５）から求められるＫＮ数を演算し、当該ＫＮ数から求められるＬｏｇ１０（ＫＮ）と設定点とに応じて前記アンモニア（ＮＨ３）及び解離アンモニア（ｄＮＨ３）の流量をそれぞれ変化させる、窒化雰囲気の組成成分の制御を行うプロセッサと、 
を備え、 
　前記プロセッサは、窒化雰囲気サンプリングから得られるデータから窒化雰囲気の組成成分を決定するために標準ＰＩＤ制御ループを使用するものである、 
 熱処理装置。」 
　
（イ）刊行物２の記載事項
ａ）「
」（第５頁） 
  
ｂ）「
」（第６頁） 
  
ｃ）「
」（第９頁） 
  
ｄ）「
」（第１０頁） 
  
ｅ）「
」（第１１頁） 
  
ｆ）「
」（第１３頁） 
  
（ウ）刊行物３の記載事項 
ａ）「【０００１】 
　本発明は、窒化鋼部材及び窒化鋼部材の製造方法に関し、さらに詳しくは、自動車用や変速機用の歯車やクランクシャフト等に有用な、ガス窒化処理により表面が窒化されてなる耐摩耗性や耐疲労性に優れる十分な厚みの化合物層を有する窒化鋼部材及び窒化鋼部材の製造方法に関する。」 
  
ｂ）「【００３７】 
〔窒化鋼部材の製造方法〕 
　本発明の窒化鋼部材の製造方法は、上記した構成の窒化鋼部材を得るためのものであるが、処理炉内の被処理材に対して、炉内に窒化性ガスを流しながら加熱処理するガス窒化処理する際の処理条件を、下記のように構成したことを特徴とする。すなわち、本発明の窒化鋼部材の製造方法では、ガス窒化炉内へ導入するガスを、アンモニアとアンモニア分解ガスの２種類のみの混合ガスとするか、或いは、アンモニアとアンモニア分解ガスを含む複数の混合ガスとし、炉内の前記被処理材近傍における水素濃度の連続的な検出を行い、該検出結果を元にして、炉内のアンモニア分圧を推定し、設定の窒化ポテンシャルへ制御する雰囲気の自動制御を行い、制御の際に、ガス窒化処理中雰囲気の窒化ポテンシャルＫN＝ｐNH3／ｐH21.5を、最初にＫN1とし、続いて必要に応じて窒化ポテンシャルをＫN2〜ＫNx-1、ＫNxとしてもよい・・・」 
  
ｃ）「【００５０】 
（実施例１〜１５） 
・・・いずれも、ガス窒化処理中雰囲気の窒化ポテンシャルＫNが、最初ＫN1と最終ＫNxで異なる２段処理で行った。実施例の一段目の窒化ポテンシャルＫN1は、いずれも、それぞれの合金鋼におけるＬｅｈｒｅｒ線図上・・・において、ε相形成領域で実施しており、この間にε相の速い成長速度を利用した化合物層の厚膜化が行われる。続いて２段目の窒化ポテンシャルＫNxは、いずれもγ’相領域で実施し、形成する化合物層厚さや炉の特性に応じて、窒化時間を１５〜５０分の間で設定した。」 
  
（エ）刊行物４の記載事項 
ａ）「【０００１】 
　本発明は、窒化処理により、表面を窒化した窒化鋼部材を製造する方法に関する。」 
 
ｂ）「【０００８】 
　本発明はかかる知見に基づいてなされたものである。本発明によれば、鋼部材の表面に鉄窒化化合物層が形成された窒化鋼部材を製造する方法であって、鋼部材内部まで脱炭する脱炭工程と、鋼部材の表面を窒化処理することにより、前記鋼部材の表面に鉄窒化化合物層を形成する鉄窒化化合物層形成工程を有し、前記鉄窒化化合物層形成工程は、温度５００℃以上６２０℃以下、窒化ポテンシャル０．１５以上０．８０以下の雰囲気下で行われることを特徴とする、窒化鋼部材の製造方法が提供される。 
 ・・・ 
 【００１１】 
　前記鉄窒化化合物層形成工程の後に行われ、温度５２０℃以上６５０℃以下、窒化ポテンシャルが前記鉄窒化化合物層形成工程での窒化ポテンシャルよりも低い値であり、且つ、０．１５以上０．３０以下である雰囲気下で行われる窒素拡散処理工程を更に有しても良い。 
【００１２】 
　前記脱炭工程は、前記鋼部材の表面において、鉄窒化化合物層を形成させることなく窒素拡散層深さを深くする第１の窒化処理工程としての副次的窒化処理工程として行われ、前記副次的窒化処理工程は、温度５２０℃以上６５０℃以下、窒化ポテンシャル０．０５以上０．１２以下の雰囲気下で行われても良い。」 
　
ｃ）「【００４７】 
　試供材として表1に示す各鋼種からなる鋼部材を用意し、各鋼部材に表２、３に示す各工程からなる処理を表中の条件にて適宜実施した。具体的には、実施例１〜６は逐次方法を採用し、窒素拡散処理工程を行っていない場合であり、実施例７〜１０は逐次方法を採用し、窒素拡散処理工程を行った場合であり、実施例１１〜１３は併行方法を採用した場合である。即ち、表２に示すように、実施例１〜６では、工程１として脱炭工程を行い、工程２として鉄窒化加工物形成工程を行った。また、実施例７〜１０では、工程１、２に加え、工程３として窒素拡散処理工程を行った。また、実施例１１〜１３では、工程２として脱炭工程及び第１の窒化処理工程（副次的窒化処理工程）を併行して行い、工程３として第２の窒化処理工程（鉄窒化加工物形成工程に相当）を行った。」 
　
（オ）刊行物５の記載事項
ａ）「【特許請求の範囲】 
 ・・・ 
 【請求項３】 予め設定されている設定条件とフィードバックされたプロセス条件とに基づいてＰＩＤ制御により所定のプロセスパラメータを制御する制御器を用いた制御方法であって、 
 予め各制御ステップ毎の最適なＰＩＤパラメータ値を求めてテーブル化する工程と、 
 前記テーブルから前記制御器に対する実際の設定条件変化に対応するＰＩＤパラメータ値を選択する工程と、 
 前記制御器に設定されているＰＩＤパラメータ値を、前記選択工程で選択されたＰＩＤパラメータ値に変更する工程と、 
 前記制御器から前記変更されたＰＩＤパラメータに基づく制御信号を制御対象に出力する工程とを具備することを特徴とする制御方法。 
 【請求項４】 前記テーブル化工程は、制御対象を変化させた際のプロセスパラメータの応答波形を各制御ステップ毎に求め、各応答波形から、むだ時間＋ｎ次遅れモデルを用いて伝達特性の同定を行い、同定された伝達特性から所定の手法によりＰＩＤパラメータ値を求めることを特徴とする請求項３に記載の制御方法。」 
  
ｂ）「【０００６】 
 【発明を解決しようとする課題】本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、煩雑さを伴うことなく種々のプロセス条件に応じて高精度でプロセス制御を行うことができる制御方法および制御装置を提供することを目的とする。」 
  
ｃ）「【００３１】まず、最適ＰＩＤパラメータ値テーブル化工程（ＳＴ１）においては、予め入力装置３６から所定の情報が演算装置３５に入力され、各設定圧力変化値毎の応答特性のフィッティングが行われ、各条件における最適なＰＩＤパラメータ値が演算され、それらの結果がメモリー３７に入力され、メモリー３７においてこれらデータがテーブル化された状態で記憶される。 
【００３２】この工程は、種々のバルブ開度変化に対する圧力値のステップ応答試験を例えば図３に示すようなテーブルに基づいて行う。また、ガス流量が変化すると同一のバルブ開度間のステップ応答でも特性が変化してくるため、このようなステップ応答試験を流量も変化させて行い、例えば制御で用いる代表的な流量２種類で行う。また、ステップ応答試験においては、例えばサンプリング周期を０．２ｓｅｃとして１００ステップの時系列データをとる。このようにして得られたデータを入力装置３６により入力することで演算装置３５は次のような方法により最適ＰＩＤパラメータを自動的に計算し（オートチューニング）、その値はメモリー３７に記憶される。」 
  
ｄ）「【００４１】これらに基づいて、例えば、改良型限界感度法・・・により各伝達特性に対するＰＩＤパラメータ（Ｋp：比例ゲイン、ＴI：積分時間、ＴD：微分時間）を求め、ＰＩＤパラメータのテーブルを作成する。」 
  
ｅ）「【００７１】なお、本発明は上記実施形態に限定されることなく種々変形可能である。・・・また、上記実施形態ではチャンバーの排気バルブの開度を制御対象とし、成膜装置のチャンバー内圧力を制御した例について示したが、これに限定されることなく、例えば、温度制御、流量制御等、その他の種々の制御に適用することが可能である。・・・」 
　
（カ）本件発明１
ａ　対比
　本件発明１と引用発明１とを対比する。
　
ａ）引用発明１の「熱処理炉」は、本件発明１の「処理炉」に相当する。 
  
ｂ）上記（ア）ｋ）によれば、熱処理炉に導入する成分ガスは、ＮＨ３、ｄＮＨ３、Ｎ２、ＣＯ２であり、上記（ア）ｃ）、ｅ）によれば、ＮＨ３及びＨ２の分圧から演算されるＫＮについて、アンモニア（ＮＨ３）、解離アンモニア（ｄＮＨ３）の流量で制御するものであるから、引用発明１の「アンモニア（ＮＨ３）、解離アンモニア（ｄＮＨ３）を含む複数種類の成分ガス」は、本件発明１の「ガス成分として水素を含有して処理炉内に水素を供給するか、または、処理炉内で水素を発生するガスとしては」、「（３）アンモニアガスとアンモニア分解ガスとの２種類のみ、を含む複数種類の炉内導入ガス」に相当する。 
  
ｃ）鋼部品を窒化又は浸炭窒化することで耐磨耗性が増加するのは、表面が硬化するためであることは自明であるから、引用発明１の「熱処理炉内に配置される鋼部品を窒化雰囲気で窒化又は浸炭窒化して耐食性及び耐磨耗性を増加させる熱処理装置」は、本件発明１の「処理炉内に配置される被処理品の表面硬化処理としてガス窒化処理またはガス軟窒化処理を行う表面硬化処理装置」に相当する。
  
ｄ）気体の分圧は気体の濃度に比例するものであるから、引用発明１の「前記熱処理炉内の窒化雰囲気をサンプリングして分圧ＰＨ２、ＰＮＨ３及びＰＮ２を分析するガス分析器」は、本件発明１の「前記処理炉内の水素濃度またはアンモニア濃度を検出する炉内雰囲気ガス濃度検出装置」に相当する。 
  
ｅ）本件明細書の発明の詳細な説明の【０００９】には、「窒化ポテンシャルKNは、以下の式（２）で定義される。 
 　　　　　　　　　　　　　KN=PNH3/PH23/2・・・（２） 
　ここで、PNH3は炉内アンモニア分圧であり、PH2は炉内水素分圧である。」 
と記載されていることから、引用発明１の「ＫＮ＝ＰＮＨ３／（ＰＨ２）３／２（atm−０．５）」は、本件発明１の「処理炉内の窒化ポテンシャル」に相当する。 
　そうすると、引用発明１の「ガス分析器によって分析した分圧ＰＨ２、ＰＮＨ３に基づいて、ＫＮ＝ＰＮＨ３／（ＰＨ２）３／２（atm−０．５）から求められるＫＮ数を演算」する「プロセッサ」は、本件発明１の「前記炉内雰囲気ガス濃度検出装置によって検出される水素濃度またはアンモニア濃度に基づいて前記処理炉内の窒化ポテンシャルを演算する炉内窒化ポテンシャル演算装置」に相当する。 
  
ｆ）引用発明１の「設定点」は、炉内雰囲気から演算されたＫＮ数から算出されるＬｏｇ１０（ＫＮ）と比較され、当該設定点に近づけるようにアンモニア（ＮＨ３）及び解離アンモニア（ｄＮＨ３）の流量が変化されるものであるから、実質的に、本件発明１の「目標窒化ポテンシャル」に相当する。 
　そうすると、引用発明１の「当該ＫＮ数から求められるＬｏｇ１０（ＫＮ）と設定点とに応じて前記アンモニア（ＮＨ３）及び解離アンモニア（ｄＮＨ３）の流量をそれぞれ変化させる、窒化雰囲気の組成成分の制御を行うプロセッサ」は、本件発明１の「前記炉内窒化ポテンシャル演算装置によって演算される前記処理炉内の窒化ポテンシャルと目標窒化ポテンシャルとに応じて、前記複数種類の炉内導入ガス」の「流量比率を変化させることによって前記処理炉内の窒化ポテンシャルを前記目標窒化ポテンシャルに近づけるべく前記複数種類の炉内導入ガスの導入量を個別に制御するガス導入量制御装置」に相当する。 
  
ｇ）引用発明１の「プロセッサ」は、アンモニア（ＮＨ３）及び解離アンモニア（ｄＮＨ３）の分圧から「ＫＮ」（本件発明１の「処理炉内の窒化ポテンシャル」に相当）を演算して「設定点」（本件発明１の「目標窒化ポテンシャル」に相当）と比較するものであり、引用発明１の「標準ＰＩＤ制御ループ」は、当該「設定点」との比較により窒化雰囲気の組成成分を制御する際に用いられるものである。 
　また、「標準ＰＩＤ制御」において「比例ゲインと、積分ゲインまたは積分時間と、微分ゲインまたは微分時間」をパラメータとして設定することは技術的に自明である。 
　そうすると、引用発明１の「前記プロセッサは、窒化雰囲気サンプリングから得られるデータから窒化雰囲気の組成成分を決定するために標準ＰＩＤ制御ループを使用するものである」は、本件発明１の「前記ガス導入量制御装置は、前記複数種類の炉内導入ガスの各々の導入量を入力値とし、前記炉内窒化ポテンシャル演算手段によって演算される前記処理炉内の窒化ポテンシャルを出力値とし、前記目標窒化ポテンシャルを目標値としたＰＩＤ制御を実施するようになっており、前記ＰＩＤ制御における比例ゲインと、積分ゲインまたは積分時間と、微分ゲインまたは微分時間とが」「設定できるようになっている」ことに相当する。 
  
　そうすると、本件発明１と引用発明１の一致点及び相違点は、次のとおりである。  
  
 （一致点） 
 「ガス成分として水素を含有して処理炉内に水素を供給するか、または、処理炉内で水素を発生するガスとしては、（１）アンモニアガスのみ、（２）アンモニア分解ガスのみ、または、（３）アンモニアガスとアンモニア分解ガスとの２種類のみ、を含む複数種類の炉内導入ガスを前記処理炉内へ導入して、 前記処理炉内に配置される被処理品の表面硬化処理としてガス窒化処理またはガス軟窒化処理を行う表面硬化処理装置であって、 
　前記処理炉内の水素濃度またはアンモニア濃度を検出する炉内雰囲気ガス濃度検出装置と、 
　前記炉内雰囲気ガス濃度検出装置によって検出される水素濃度またはアンモニア濃度に基づいて前記処理炉内の窒化ポテンシャルを演算する炉内窒化ポテンシャル演算装置と、 
　前記炉内窒化ポテンシャル演算装置によって演算される前記処理炉内の窒化ポテンシャルと目標窒化ポテンシャルとに応じて、前記複数種類の炉内導入ガスの流量比率を変化させることによって前記処理炉内の窒化ポテンシャルを前記目標窒化ポテンシャルに近づけるべく前記複数種類の炉内導入ガスの導入量を個別に制御するガス導入量制御装置と、 
を備え、 
　前記ガス導入量制御装置は、前記複数種類の炉内導入ガスの各々の導入量を入力値とし、前記炉内窒化ポテンシャル演算手段によって演算される前記処理炉内の窒化ポテンシャルを出力値とし、前記目標窒化ポテンシャルを目標値としたＰＩＤ制御を実施するようになっており、 
　前記ＰＩＤ制御における比例ゲインと、積分ゲインまたは積分時間と、微分ゲインまたは微分時間とが設定できるようになっている、 
　表面硬化処理装置。」 
  
（相違点１） 
　本件発明１では、「複数種類の炉内導入ガスの合計導入量を一定に保ちながら」炉内導入ガスの導入量を制御するのに対し、引用発明１は、炉内導入ガスの合計導入量を一定に保つか明らかではない点 
  
（相違点２） 
　本件発明１では、「目標窒化ポテンシャルは、同一の被処理品に対して時間帯に応じて異なると共に同一時間帯内では一定の値として設定されるようになって」いるのに対し、引用発明１は、同一の鋼部品に対して設定点を変更するか明らかではない点
  
（相違点３） 
　本件発明１では、「ＰＩＤ制御における比例ゲインと、積分ゲインまたは積分時間と、微分ゲインまたは微分時間とが、パイロット処理を実施して予め入手しておいた候補の値の中から、前記目標窒化ポテンシャルの異なる値毎に設定できるようになっている」のに対し、引用発明１では、「比例ゲインと、積分ゲインまたは積分時間と、微分ゲインまたは微分時間」について「パイロット処理を実施して予め入手しておいた候補の値の中から、前記目標窒化ポテンシャルの異なる値毎に設定できるようになっている」ものか明らかではない点
ｂ　相違点についての判断
　事案に鑑みて、上記相違点３について検討する。
　
　上記相違点３に関し、本件発明１の「ＰＩＤ制御における比例ゲインと、積分ゲインまたは積分時間と、微分ゲインまたは微分時間とが、パイロット処理を実施して予め入手しておいた候補の値の中から、前記目標窒化ポテンシャルの異なる値毎に設定できるようになっている」との発明特定事項における「前記目標窒化ポテンシャルの異なる値」とは、請求項１の記載全体からみると、「同一の被処理品に対して時間帯に応じて異なると共に同一時間帯内では一定の値として設定」された「目標窒化ポテンシャル」を意味すると解される。
　そして、刊行物５には、上記（オ）ａ）、ｂ）、ｄ）によれば、Ｋp：比例ゲイン、ＴI：積分時間、ＴD：微分時間をＰＩＤパラメータとする一般的なＰＩＤ制御方法において、煩雑さを伴うことなく種々のプロセス条件に応じて高精度でプロセス制御を行うべく、予め各制御ステップ毎の最適なＰＩＤパラメータ値を求めてテーブル化する工程と、前記テーブルから前記制御器に対する実際の設定条件変化に対応するＰＩＤパラメータ値を選択する工程と、前記制御器に設定されているＰＩＤパラメータ値を、前記選択工程で選択されたＰＩＤパラメータ値に変更する工程と、前記制御器から前記変更されたＰＩＤパラメータに基づく制御信号を制御対象に出力する工程とを具備することが記載され、上記（オ）ｃ）によれば、ＰＩＤパラメータ値をテーブル化する工程について、圧力を制御対象とする場合として、種々のバルブ開度変化に対する圧力値のステップ応答試験を行うこと、また、ガス流量が変化すると同一のバルブ開度間のステップ応答でも特性が変化してくるため、このようなステップ応答試験を流量も変化させて行うこと、そして、得られたデータから最適ＰＩＤパラメータを自動的に計算しメモリーに記憶することが記載され、上記（オ）ｅ）によれば、成膜装置のチャンバー内圧力を制御した例に限定されることなく、例えば、温度制御、流量制御等、その他の種々の制御に適用することが可能であることが記載されている。
　ここで、刊行物５に記載された上記「ＰＩＤパラメータ値をテーブル化する工程」が、本件発明１における「パイロット処理を実施して」「候補」を「予め入手してお」くことに相当すると解し得たとしても、刊行物５には、当該刊行物５に記載された一般的なＰＩＤ制御方法を、引用発明１の如きガス窒化処理またはガス軟窒化処理に対してどのように適用すべきかについて、指針となる何らの記載も示唆もなく、加えて、最適なＰＩＤパラメータ値を目標窒化ポテンシャルの異なる値毎に設定することについても、何らの記載も示唆もない。
　したがって、本件優先日時点の技術常識を参酌しても、刊行物５に記載されたＰＩＤ制御方法を引用発明１に適用する動機付けがあったとはいえない。 
　また、刊行物２〜４のいずれにも、本件発明１の「ＰＩＤ制御における比例ゲインと、積分ゲインまたは積分時間と、微分ゲインまたは微分時間とが、パイロット処理を実施して予め入手しておいた候補の値の中から、前記目標窒化ポテンシャルの異なる値毎に設定できるようになっている」点についての記載も示唆もない。
　したがって、上記相違点３に係る本件発明１の構成は、引用発明１、刊行物２〜５に記載された技術に基づいて、当業者が容易に想到し得たものとはいえない。また、本件発明１により、炉内圧力の変動を顕著に抑制することができ、安全面での問題の発生を抑制でき、また、大量のアンモニアガスを排気することなく環境面での問題の発生の抑制できることに加えて、従来制御が実現していた窒化ポテンシャル制御範囲と比較して、特に低窒化ポテンシャルにおいてより広い窒化ポテンシャル制御範囲を実現することができるという格別顕著な効果を得られることを、当業者が予測し得たとは到底認められない。
　よって、本件発明１は、上記相違点１、２について検討するまでもなく、引用発明１、刊行物２〜５に記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　
ｃ　特許異議申立人の意見について
　特許異議申立人は、刊行物５の「発明を実施するための形態」を参照することで、最適なＰＩＤパラメータ値を「目標窒化ポテンシャルの異なる値毎に」読み出すことについての示唆があるといえる旨主張している（令和１年　７月１７日付け意見書の「（２−２）相違点３について」）。
　しかし、刊行物５には、当該刊行物５に記載された一般的なＰＩＤ制御方法を、引用発明１の如きガス窒化処理またはガス軟窒化処理に対してどのように適用すべきかについて、指針となる何らの記載も示唆もなく、加えて、最適なＰＩＤパラメータ値を目標窒化ポテンシャルの異なる値毎に設定することについても、何らの記載も示唆もないことは、上記ｂで検討したとおりであるから、特許異議申立人の主張を採用することはできない。
　
（キ）本件発明４
　本件発明４は、本件発明１に係る「表面硬化処理装置」について、「表面硬化処理方法」としてカテゴリーを変えて表現したものであり、本件発明１について上記（カ）で判断したのと同様の理由によって、引用発明１、刊行物２〜５に記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　
（ク）本件発明３、６
　本件発明３は、本件発明１を直接又は間接的に引用するものであって、本件発明１をさらに減縮したものであるから、本件発明１について上記（カ）で判断したのと同様の理由によって、引用発明１、刊行物２〜５に記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　また、本件発明６は、本件発明４を直接又は間接的に引用するものであって、本件発明４をさらに減縮したものであるから、本件発明４について上記（キ）で判断したのと同様の理由によって、引用発明１、刊行物２〜５に記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　
（ケ）まとめ
　以上のとおりであるから、他の相違点について検討するまでもなく本件発明１、３、４、６に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるとはいえず、同法第１１３条第２項により取り消すことはできない。
　
４　取消理由としなかった異議申立理由について
（１）申立理由１について
　特許異議申立人は、訂正前の特許請求の範囲に関し、本件請求項１〜６に係る発明は、甲第１〜１３号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、同発明に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、取り消されるべきものであると主張している。
　
　そこで、まず、取消理由通知において採用しなかった、甲第３号証、甲第４号証、及び甲第７〜１３号証を採用することで、本件発明１、３、４、６に係る特許が、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものといえるかについて、以下に検討する。
　
　上記「３　取消理由通知に記載した取消理由について（２）イ（カ）ｂ」において刊行物２〜５について検討したのと同様に、甲第３号証、甲第４号証、及び甲第７〜１３号証のいずれにも、本件発明１の「ＰＩＤ制御における比例ゲインと、積分ゲインまたは積分時間と、微分ゲインまたは微分時間とが、パイロット処理を実施して予め入手しておいた候補の値の中から、前記目標窒化ポテンシャルの異なる値毎に設定できるようになっている」点についての記載も示唆もない。
　したがって、本件発明１は、引用発明１、刊行物２〜５に加えて、取消理由通知において採用しなかった甲第３号証、甲第４号証、及び甲第７〜１３号証に記載された技術に基づいても、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　そして、本件発明３、４、６についても同様である。
　
　次に、本件発明２、５について、以下に検討する。
　本件発明２、５は、本件発明１、４に新たな発明特定事項を付加してさらに限定したものであるから、上述のとおり、本件発明１、４が、引用発明１、刊行物２〜５に加えて、甲第３号証、甲第４号証、及び甲第７〜１３号証に記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではなく、請求項１、４に係る特許が特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものではない以上、本件発明２、５に係る特許も、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものではない。
　
　以上のとおりであるから、本件発明１〜６は、甲第１〜１３号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではなく、同発明に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるとはいえない。
　
（２）申立理由３について
　特許異議申立人は、訂正前の特許請求の範囲に関し、本件請求項１〜６に係る発明は、発明の属する技術分野における当業者が請求項に記載された発明を実施できる程度に、明細書等が明確かつ十分に記載されておらず、そのため、同発明に係る特許は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、取り消されるべきものであると主張している。
　
　具体的には、水素センサにより測定された処理炉内の水素濃度から算出される分解度ｓ、処理炉内のアンモニア濃度、窒化ポテンシャルの演算値は、当該演算に使用しているアンモニアと窒素の導入比率が常に変動しているため、タイムリーな値を示しておらず、本件明細書の実施例に、これらを実施できたことを示す記載がない以上、精密な制御を行うことは困難であると主張している。
　
　しかし、ＰＩＤ制御自体は、フィードバック制御の手法として従来から用いられているものであって、本件明細書又は図面の記載、及び出願時の技術常識を踏まえれば、厳密にタイムリーな制御を求めずとも、処理炉内の窒化ポテンシャルを目標ポテンシャルに近づくように制御することは、十分可能と認められることから、本件発明１〜６は、その実施をすることができる程度に明細書等に明確かつ十分に記載されているといえる。
　
　したがって、本件発明１〜６は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしている。
　
　よって、本件発明１〜６に係る特許は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものとはいえない。
　
５　むすび
　以上のとおりであるから、当審の取消理由及び異議申立理由によっては、本件請求項１〜６に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１〜６に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和１年８月７日（２０１９．８．７）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
表面硬化処理装置及び表面硬化処理方法
　【技術分野】
　【０００１】
　本発明は、例えば、窒化、軟窒化、浸窒焼入れ等、金属製の被処理品に対する表面硬化処理を行う表面硬化処理装置及び表面硬化処理方法に関する。
　【背景技術】
　【０００２】
　鋼等の金属製の被処理品の表面硬化処理の中で、低ひずみ処理である窒化処理のニーズは多い。窒化処理の方法として、ガス法、塩浴法、プラズマ法等がある。
　【０００３】
　これらの方法の中で、ガス法が、品質、環境性、量産性等を考慮した場合に、総合的に優れている。機械部品に対する焼入れを伴う浸炭や浸炭窒化処理または高周波焼入れによるひずみは、ガス法による窒化処理（ガス窒化処理）を用いることで改善される。浸炭を伴うガス法による軟窒化処理（ガス軟窒化処理）も、ガス窒化処理と同種の処理として知られている。
　【０００４】
　ガス窒化処理は、被処理品に対して窒素のみを浸透拡散させて、表面を硬化させるプロセスである。ガス窒化処理では、アンモニアガス単独、アンモニアガスと窒素ガスとの混合ガス、アンモニアガスとアンモニア分解ガス（７５％水素、２５％窒素）、または、アンモニアガスとアンモニア分解ガスと窒素ガスとの混合ガス、を処理炉内へ導入して、表面硬化処理を行う。
　【０００５】
　一方、ガス軟窒化処理は、被処理品に対して窒素とともに炭素を副次的に浸透拡散させて、表面を硬化させるプロセスである。例えば、ガス軟窒化処理では、アンモニアガスと窒素ガスと炭酸ガス（ＣＯ２）との混合ガス、あるいは、アンモニアガスと窒素ガスと炭酸ガスと一酸化炭素ガス（ＣＯ）との混合ガス等、複数種類の炉内導入ガスを処理炉内へ導入して、表面硬化処理を行う。
　【０００６】
　ガス窒化処理及びガス軟窒化処理における雰囲気制御の基本は、炉内の窒化ポテンシャル（ＫＮ）を制御することにある。窒化ポテンシャル（ＫＮ）を制御することによって、鋼材表面に生成される化合物層中のγ’相（Ｆｅ４Ｎ）とε相（Ｆｅ２−３Ｎ）との体積分率を制御したり、当該化合物層が生成されない処理を実現したり等、幅広い窒化品質を得ることが可能である。例えば、特許文献１によれば、γ’相の選択とその厚膜化によって、曲げ疲労強度や耐摩耗性が改善され、機械部品のさらなる高機能化が実現される。
　【０００７】
　以上のようなガス窒化処理及びガス軟窒化処理では、被処理品が内部に配置された処理炉内の雰囲気を管理するために、炉内水素濃度あるいは炉内アンモニア濃度を測定する炉内雰囲気ガス濃度測定センサが設置される。そして、当該炉内雰囲気ガス濃度測定センサの測定値から炉内窒化ポテンシャルが演算され、目標（設定）窒化ポテンシャルと比較されて、各導入ガスの流量制御が行われる（非特許文献１）。各導入ガスの制御方法については、炉内導入ガスの流量比率を一定に保ちながら合計導入量を制御する方法が周知である（非特許文献２）。
　【０００８】
（ガス窒化処理の基本的事項）
　ガス窒化処理の基本的事項について化学的に説明すれば、ガス窒化処理では、被処理品が配置される処理炉（ガス窒化炉）内において、以下の式（１）で表される窒化反応が発生する。
　ＮＨ３→［Ｎ］＋３／２Ｈ２　　　・・・（１）
　【０００９】
　このとき、窒化ポテンシャルＫＮは、以下の式（２）で定義される。
　ＫＮ＝ＰＮＨ３／ＰＨ２３／２　　　　・・・（２）
ここで、ＰＮＨ３は炉内アンモニア分圧であり、ＰＨ２は炉内水素分圧である。窒化ポテンシャルＫＮは、ガス窒化炉内の雰囲気が有する窒化能力を表す指標として周知である。
　【００１０】
　一方、ガス窒化処理中の炉内では、当該炉内へ導入されたアンモニアガスの一部が、式（３）の反応にしたがって水素ガスと窒素ガスとに熱分解する。
　ＮＨ３→１／２Ｎ２＋３／２Ｈ２　　　・・・（３）
　【００１１】
　炉内では、主に式（３）の反応が生じており、式（１）の窒化反応は量的にはほとんど無視できる。したがって、式（３）の反応で消費された炉内アンモニア濃度または式（３）の反応で発生された水素ガス濃度が分かれば、窒化ポテンシャルを演算することができる。すなわち、発生される水素及び窒素は、アンモニア１モルから、それぞれ１．５モルと０．５モルであるから、炉内アンモニア濃度を測定すれば炉内水素濃度も分かり、窒化ポテンシャルを演算することができる。あるいは、炉内水素濃度を測定すれば、炉内アンモニア濃度が分かり、やはり窒化ポテンシャルを演算することができる。
　【００１２】
　なお、ガス窒化炉内に流されたアンモニアガスは、炉内を循環した後、炉外へ排出される。すなわち、ガス窒化処理では、炉内の既存ガスに対して、フレッシュ（新た）なアンモニアガスを炉内へ絶えず流入させることにより、当該既存ガスが炉外へ排出され続ける（供給圧で押し出される）。
　【００１３】
　ここで、炉内へ導入されるアンモニアガスの流量が少なければ、炉内でのガス滞留時間が長くなるため、分解されるアンモニアガスの量が増加して、当該分解反応によって発生される窒素ガス＋水素ガスの量は増加する。一方、炉内へ導入されるアンモニアガスの流量が多ければ、分解されずに炉外へ排出されるアンモニアガスの量が増加して、炉内で発生される窒素ガス＋水素ガスの量は減少する。
　【００１４】
（流量制御の基本的事項）
　次に、流量制御の基本的事項について、まずは炉内導入ガスをアンモニアガスのみとする場合について説明する。炉内に導入されるアンモニアガスの分解度をｓ（０＜ｓ＜１）とした場合，炉内におけるガス反応は、以下の式（４）で表される。
　ＮＨ３→（１−ｓ）／（１＋ｓ）ＮＨ３＋０．５ｓ／（１＋ｓ）Ｎ２＋１．５ｓ／（１＋ｓ）Ｈ２　　・・・（４）
ここで、左辺は炉内導入ガス（アンモニアガスのみ）、右辺は炉内ガス組成であり、未分解のアンモニアガスと、アンモニアガスの分解によって１：３の比率で発生した窒素及び水素と、が存在する。したがって、炉内水素濃度を水素センサで測定する場合、右辺の１．５ｓ／（１＋ｓ）が水素センサによる測定値に対応し、当該測定値から炉内に導入されたアンモニアガスの分解度ｓが演算できる。これにより、右辺の（１−ｓ）／（１＋ｓ）に相当する炉内アンモニア濃度も演算できる。つまり、水素センサの測定値のみから炉内水素濃度と炉内アンモニア濃度とを知ることができる。このため、窒化ポテンシャルを演算できる。
　【００１５】
　複数の炉内導入ガスを用いる場合でも、窒化ポテンシャルＫＮの制御が可能である。例えば、アンモニアと窒素との２種類のガスを炉内導入ガスとし、その導入比率をｘ：ｙ（ｘ、ｙは既知でｘ＋ｙ＝１とする。例えば、ｘ＝０．５、ｙ＝１−０．５＝０．５（ＮＨ３：Ｎ２＝１：１））とした場合の炉内におけるガス反応は、以下の式（５）で表される。
　ｘＮＨ３＋（１−ｘ）Ｎ２→ｘ（１−ｓ）／（１＋ｓｘ）ＮＨ３＋（０．５ｓｘ＋１−ｘ）／（１＋ｓｘ）Ｎ２＋１．５ｓｘ／（１＋ｓｘ）Ｈ２　・・・（５）
　【００１６】
　ここで、右辺の炉内ガス組成は、未分解のアンモニアガスと、アンモニアガスの分解によって１：３の比率で発生した窒素及び水素と、導入したままの左辺の窒素ガス（炉内で分解しない）と、である。このとき、ｘは既知なので（例えばｘ＝０．５）、右辺の炉内水素濃度、つまり１．５ｓｘ／（１＋ｓｘ）において、未知数はアンモニアの分解度ｓのみである。
従って、式（４）の場合と同様に、水素センサの測定値から炉内へ導入されたアンモニアガスの分解度ｓが演算でき、これにより炉内アンモニア濃度も演算できる。このため、窒化ポテンシャルを演算できる。
　【００１７】
　炉内導入ガスの流量比率を固定しない場合には、炉内水素濃度と炉内アンモニア濃度とは、炉内に導入されたアンモニアガスの分解度ｓとアンモニアガスの導入比率ｘの２つを変数として含む。一般的に、ガス流量を制御する機器としてはマスフローコントローラ（ＭＦＣ）が用いられるため、その流量値に基づいて、アンモニアガスの導入比率ｘはデジタル信号として連続的に読み取ることができる。従って、式（５）に基づいて、当該導入比率ｘと水素センサの測定値とを組み合わせることで、窒化ポテンシャルを演算できる。
　【先行技術文献】
　【特許文献】
　【００１８】
　【特許文献１】特開２０１６―２１１０６９
　【非特許文献】
　【００１９】
　【非特許文献１】「熱処理」、５５巻、１号、７〜１１頁（平岡泰、渡邊陽一）
　【非特許文献２】「鉄の窒化と軟窒化」、第２版（２０１３）、１５８〜１６３頁（ディータリートケほか、アグネ技術センター）
　【非特許文献３】「Ｅｆｆｅｃｔ　ｏｆ　Ｃｏｍｐｏｕｎｄ　Ｌａｙｅｒ　Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ　Ｃｏｍｐｏｓｅｄ　ｏｆ　γ’−Ｆｅ４Ｎ　ｏｎ　Ｒｏｔａｔｅｄ−Ｂｅｎｄｉｎｇ　Ｆａｔｉｇｕｅ　Ｓｔｒｅｎｇｔｈ　ｉｎ　Ｇａｓ−Ｎｉｔｒｉｄｅｄ　ＪＩＳ−ＳＣＭ４３５　Ｓｔｅｅｌ」、Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ、Ｖｏｌ．５８、Ｎｏ．７（２０１７）、９９３〜９９９頁（Ｙ．Ｈｉｒａｏｋａ　ａｎｄ　Ａ．Ｉｓｈｉｄａ）
　【発明の概要】
　【発明が解決しようとする課題】
　【００２０】
　しかしながら、本件発明者は、炉内導入ガスの流量比率を一定に保ちながら合計導入量を増減することによって窒化ポテンシャルを制御する従来方法に、以下のような問題があることを知見した。
　【００２１】
　すなわち、より低い窒化ポテンシャルへと制御する際には、合計導入量を減少させるのだが、合計導入量を過度に減少させると、炉内が負圧になる虞があり、安全面での問題が生じ得る。
　【００２２】
　一方、より高い窒化ポテンシャルへと制御する際には、合計導入量を増加させるのだが、合計導入量を過度に増加させると、排ガス処理装置のアンモニア処理能力を超える虞があり、環境面での問題が生じ得る。
　【００２３】
　従って、炉内導入ガスの流量比率を一定に保ちながら合計導入量を増減することによって窒化ポテンシャルを制御する従来方法では、制御可能な窒化ポテンシャルの範囲が比較的狭かった。
　【００２４】
　一方で、炉内でのアンモニアガスの分解は、被処理品、炉壁または冶具などの表面で生ずる。このため、アンモニアガスの分解量は、炉体構造や炉材表面状態に大きく依存する。従って、ガス導入量制御装置としては、多様な処理炉に柔軟に対応できるように、より広い範囲の窒化ポテンシャルを制御可能であることが望ましい。
　【００２５】
　特に、鋼材等の疲労特性等の機械的特性を向上させるために、例えば低合金鋼においては、γ’相を選択的に鋼表面へ形成させることが必要であり、そのためには、０．１〜０．６の範囲の窒化ポテンシャル制御を実現することが必要である。さらには、同一の被処理品の処理中に目標窒化ポテンシャルを変更することも望まれている（非特許文献３）。しかしながら、従来方法では、制御可能な窒化ポテンシャルの範囲が狭く、所望の制御を実現することが困難であった。
　【００２６】
　本件発明者は、鋭意の検討及び種々の実験を繰り返し、ＰＩＤ制御の設定パラメータ値を目標窒化ポテンシャルに応じてきめ細かく変更することによって、複数種類の炉内導入ガスの合計導入量を一定に保ちながら当該複数種類の炉内導入ガスの流量比率を変化させる窒化ポテンシャル制御の有効性を高めることができることを知見した。
　【００２７】
　本発明は、以上の知見に基づいて創案されたものである。本発明の目的は、安全面での問題の発生や環境面での問題の発生を抑制できるような表面硬化処理装置及び表面硬化処理方法を提供することである。また、本発明の目的は、比較的広い窒化ポテンシャル制御範囲を実現できるような表面硬化処理装置及び表面硬化処理方法を提供することである。
　【課題を解決するための手段】
　【００２８】
　本発明は、ガス成分として水素を含有して処理炉内に水素を供給するか、または、処理炉内で水素を発生するガスとしては、（１）アンモニアガスのみ、（２）アンモニア分解ガスのみ、または、（３）アンモニアガスとアンモニア分解ガスとの２種類のみ、を含む複数種類の炉内導入ガスを前記処理炉内へ導入して、前記処理炉内に配置される被処理品の表面硬化処理としてガス窒化処理またはガス軟窒化処理を行う表面硬化処理装置であって、
　前記処理炉内の水素濃度またはアンモニア濃度を検出する炉内雰囲気ガス濃度検出装置と、
　前記炉内雰囲気ガス濃度検出装置によって検出される水素濃度またはアンモニア濃度に基づいて前記処理炉内の窒化ポテンシャルを演算する炉内窒化ポテンシャル演算装置と、前記炉内窒化ポテンシャル演算装置によって演算される前記処理炉内の窒化ポテンシャルと目標窒化ポテンシャルとに応じて、前記複数種類の炉内導入ガスの合計導入量を一定に保ちながら前記複数種類の炉内導入ガスの流量比率を変化させることによって前記処理炉内の窒化ポテンシャルを前記目標窒化ポテンシャルに近づけるべく前記複数種類の炉内導入ガスの導入量を個別に制御するガス導入量制御装置と、
を備えたことを特徴とする表面硬化処理装置である。
　【００２９】
　本発明によれば、複数種類の炉内導入ガスの合計導入量を一定に保ちながら当該複数種類の炉内導入ガスの流量比率を変化させることによって、前記処理炉内の窒化ポテンシャルを前記目標窒化ポテンシャルに近づけるべく、前記複数種類の炉内導入ガスの導入量が個別に制御される。このため、炉内導入ガスの流量比率を一定に保ちながら合計導入量を増減させていた従来の窒化ポテンシャル制御と比較して、炉内圧力の変動を顕著に抑制することができ、安全面での問題の発生を抑制できる。また、大量のアンモニアガスを排気することもないため、環境面での問題の発生を抑制できる。
　【００３０】
　本発明において、前記目標窒化ポテンシャルは、同一の被処理品に対して時間帯に応じて異なる値として設定されるようになっており、前記ガス導入量制御装置は、前記複数種類の炉内導入ガスの各々の導入量を入力値とし、前記炉内窒化ポテンシャル演算手段によって演算される前記処理炉内の窒化ポテンシャルを出力値とし、前記目標窒化ポテンシャルを目標値としたＰＩＤ制御を実施するようになっており、前記ＰＩＤ制御における比例ゲインと、積分ゲインまたは積分時間と、微分ゲインまたは微分時間とが、前記目標窒化ポテンシャルの異なる値毎に設定できるようになっていることが好ましい。
　【００３１】
　本件発明者の知見によれば、炉内導入ガスの合計導入量を一定に保ちながら流量比率を増減させる制御においてＰＩＤ制御を採用し、３つの設定パラメータ値である「比例ゲイン」、「積分ゲインまたは積分時間」及び「微分ゲインまたは微分時間」を目標窒化ポテンシャルの異なる値毎にきめ細かく変更することにより、従来制御が実現していた窒化ポテンシャル制御範囲（例えば、５８０℃で約０．６〜１．５）と比較して、特に低窒化ポテンシャル側においてより広い窒化ポテンシャル制御範囲（例えば、５８０℃で約０．０５〜１．３）を実現することができる。
　【００３２】
　従って、本発明においては、前記目標窒化ポテンシャルは、例えば５８０℃において０．０５〜１．３の範囲内で設定されるようになっていることが好ましい。
　【００３３】
　また、本発明においては、より広い窒化ポテンシャル制御範囲（例えば、５８０℃で０．０５〜１．３）を実現できるため、前記目標窒化ポテンシャルは、同一の被処理品に対して時間帯に応じて異なる値としてより柔軟に設定され得る。例えば、前記目標窒化ポテンシャルは、同一の被処理品に対して時間帯に応じて３以上の異なる値として設定され得る。
　【００３４】
　また、本発明は、ガス成分として水素を含有して処理炉内に水素を供給するか、または、処理炉内で水素を発生するガスとしては、（１）アンモニアガスのみ、（２）アンモニア分解ガスのみ、または、（３）アンモニアガスとアンモニア分解ガスとの２種類のみ、を含む複数種類の炉内導入ガスを前記処理炉内へ導入して、前記処理炉内に配置される被処理品の表面硬化処理としてガス窒化処理またはガス軟窒化処理を行う表面硬化処理方法であって、
　前記処理炉内の水素濃度またはアンモニア濃度を検出する炉内雰囲気ガス濃度検出工程と、
　前記炉内雰囲気ガス濃度検出工程によって検出される水素濃度またはアンモニア濃度に基づいて前記処理炉内の窒化ポテンシャルを演算する炉内窒化ポテンシャル演算工程と、前記炉内窒化ポテンシャル演算工程によって演算される前記処理炉内の窒化ポテンシャルと目標窒化ポテンシャルとに応じて、前記複数種類の炉内導入ガスの合計導入量を一定に保ちながら前記複数種類の炉内導入ガスの流量比率を変化させることによって前記処理炉内の窒化ポテンシャルを前記目標窒化ポテンシャルに近づけるべく前記複数種類の炉内導入ガスの導入量を個別に制御するガス導入量制御工程と、
を備えたことを特徴とする表面硬化処理方法である。
　【００３５】
　本方法において、前記目標窒化ポテンシャルは、同一の被処理品に対して時間帯に応じて異なる値として設定されるようになっており、前記ガス導入量制御工程では、前記複数種類の炉内導入ガスの各々の導入量を入力値とし、前記炉内窒化ポテンシャル演算手段によって演算される前記処理炉内の窒化ポテンシャルを出力値とし、前記目標窒化ポテンシャルを目標値としたＰＩＤ制御が実施されるようになっており、前記ＰＩＤ制御における比例ゲインと、積分ゲインまたは積分時間と、微分ゲインまたは微分時間とが、前記目標窒化ポテンシャルの異なる値毎に設定されることが好ましい。
　【発明の効果】
　【００３６】
　本発明によれば、複数種類の炉内導入ガスの合計導入量を一定に保ちながら当該複数種類の炉内導入ガスの流量比率を変化させることによって、前記処理炉内の窒化ポテンシャルを前記目標窒化ポテンシャルに近づけるべく、前記複数種類の炉内導入ガスの導入量が個別に制御される。このため、炉内導入ガスの流量比率を一定に保ちながら合計導入量を増減させていた従来の窒化ポテンシャル制御と比較して、炉内圧力の変動を顕著に抑制することができ、安全面での問題の発生を抑制できる。また、大量のアンモニアガスを排気することもないため、環境面での問題の発生を抑制できる。
　【００３７】
　更に、本発明において、炉内導入ガスの合計導入量を一定に保ちながら流量比率を増減させる制御においてＰＩＤ制御を採用し、３つの設定パラメータ値である「比例ゲイン」、「積分ゲインまたは積分時間」及び「微分ゲインまたは微分時間」を目標窒化ポテンシャルの異なる値毎にきめ細かく変更すれば、従来制御が実現していた窒化ポテンシャル制御範囲（例えば、５８０℃で約０．６〜１．５）と比較して、特に低窒化ポテンシャル側においてより広い窒化ポテンシャル制御範囲（例えば、５８０℃で約０．０５〜１．３）を実現することができる。
　【図面の簡単な説明】
　【００３８】
　【図１】本発明の一実施形態による表面硬化処理装置を示す概略図である。
　【図２】実施例と比較例との窒化ポテンシャル制御の結果を示す表である。
　【図３】５８０℃（５６０〜６００℃）の場合の制御可能な窒化ポテンシャルの範囲を比較するグラフである。
　【図４】時間帯に応じて目標窒化ポテンシャルを変更する制御例の各種設定値を示す表である。
　【図５】図４の制御例の場合の炉内温度と炉内窒化ポテンシャルとの推移を示すグラフである。
　【図６】図４の制御例の場合の各炉内導入ガスの流量と合計導入量との推移を示すグラフである。
　【図７】追加実施例と追加比較例との窒化ポテンシャル制御の結果を示す表である。
　【図８】５００℃（４８０〜５２０℃）の場合の制御可能な窒化ポテンシャルの範囲を比較するグラフである。
　【発明を実施するための形態】
　【００３９】
　以下、本発明の好ましい実施形態について説明するが、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。
　【００４０】
（構成）
　図１は、本発明の一実施形態による表面硬化処理装置を示す概略図である。図１に示すように、本実施形態の表面硬化処理装置１は、ガス成分として水素を含有して処理炉２内に水素を供給するか、または、処理炉２内で水素を発生するガスとして、（１）アンモニアガスのみ、（２）アンモニア分解ガスのみ、または、（３）アンモニアガスとアンモニア分解ガスとの２種類のみ、を含む複数種類の炉内導入ガスを選択的に処理炉２内へ導入して、処理炉２内に配置される被処理品Ｓの表面硬化処理としてガス窒化処理を行う表面硬化処理装置である。
　【００４１】
　被処理品Ｓは、金属製であって、例えば鋼部品や金型等である。複数種類の炉内導入ガスは、混合されてから処理炉２内に導入されてもよいし、個別に処理炉２内に導入されて処理炉２内で混合されてもよい。ここでは、ガス成分として水素を含有して処理炉２内に水素を供給するか、または、処理炉２内で水素を発生するガスとして、（３）アンモニアガスとアンモニア分解ガスとの２種類のみ、を含む場合を説明する。アンモニア分解ガスとは、ＡＸガスとも呼ばれるガスで、１：３の比率の窒素と水素とからなる混合ガスである。
　【００４２】
　また、図１に示すように、本実施形態の表面硬化処理装置１の処理炉２には、攪拌ファン８と、攪拌ファン駆動モータ９と、炉内温度計測装置１０と、炉体加熱装置１１と、雰囲気ガス濃度検出装置３と、窒化ポテンシャル調節計４と、温度調節計５と、プログラマブルロジックコントローラ３０と、記録計６と、炉内導入ガス供給部２０と、が設けられている。
　【００４３】
　攪拌ファン８は、処理炉２内に配置されており、処理炉２内で回転して、処理炉２内の雰囲気を攪拌するようになっている。攪拌ファン駆動モータ９は、攪拌ファン８に連結されており、攪拌ファン８を任意の回転速度で回転させるようになっている。
　【００４４】
　炉内温度計測装置１０は、熱電対を備えており、処理炉２内に存在している炉内ガスの温度を計測するように構成されている。また、炉内温度計測装置１０は、炉内ガスの温度を計測した後、当該計測温度を含む情報信号（炉内温度信号）を温度調節計５及び記録計６へ出力するようになっている。
　【００４５】
　雰囲気ガス濃度検出装置３は、処理炉２内の水素濃度またはアンモニア濃度を炉内雰囲気ガス濃度として検出可能なセンサにより構成されている。当該センサの検出本体部は、雰囲気ガス配管１２を介して処理炉２の内部と連通している。雰囲気ガス配管１２は、本実施形態においては、雰囲気ガス濃度検出装置３のセンサ本体部と処理炉２とを直接連通させる単線の経路で形成されている。雰囲気ガス配管１２の途中には、開閉弁１７が設けられており、当該開閉弁は開閉弁制御装置１６によって制御されるようになっている。
　【００４６】
　また、雰囲気ガス濃度検出装置３は、炉内雰囲気ガス濃度を検出した後、当該検出濃度を含む情報信号を、窒化ポテンシャル調節計４及び記録計６へ出力するようになっている。
　【００４７】
　記録計６は、ＣＰＵやメモリ等の記憶媒体を含んでおり、炉内温度計測装置１０や雰囲気ガス濃度検出装置３からの出力信号に基いて、処理炉２内の温度や炉内雰囲気ガス濃度を、例えば表面硬化処理を行った日時と対応させて、記憶するようになっている。
　【００４８】
　窒化ポテンシャル調節計４は、炉内窒化ポテンシャル演算装置１３と、ガス流量出力調整装置３０と、を有している。また、プログラマブルロジックコントローラ３１は、ガス導入制御装置１４と、パラメータ設定装置１５と、を有している。
　【００４９】
　炉内窒化ポテンシャル演算装置１３は、炉内雰囲気ガス濃度検出装置３によって検出される水素濃度またはアンモニア濃度に基づいて、処理炉２内の窒化ポテンシャルを演算するようになっている。具体的には、実際の炉内導入ガスに応じて式（５）と同様の考え方に基づいてプログラムされた窒化ポテンシャルの演算式が組み込まれており、炉内雰囲気ガス濃度の値から窒化ポテンシャルを演算するようになっている。
　【００５０】
　パラメータ設定装置１５は、例えばタッチパネルからなり、目標窒化ポテンシャルを同一の被処理品に対して時間帯に応じて異なる値として設定入力できるようになっており、また、目標窒化ポテンシャルの異なる値毎にＰＩＤ制御の設定パラメータ値を設定入力できるようになっている。具体的には、ＰＩＤ制御の「比例ゲイン」と「積分ゲインまたは積分時間」と「微分ゲインまたは微分時間」とを目標窒化ポテンシャルの異なる値毎に設定入力できるようになっている。設定入力された各設定パラメータ値は、ガス流量出力調整手段３０へ伝送されるようになっている。
　【００５１】
　そして、ガス流量出力調整手段３０が、炉内窒化ポテンシャル演算装置１３によって演算された窒化ポテンシャルを出力値とし、目標窒化ポテンシャル（設定された窒化ポテンシャル）を目標値とし、複数種類の炉内導入ガスの各々の導入量を入力値としたＰＩＤ制御を実施するようになっている。より具体的には、当該ＰＩＤ制御において、複数種類の炉内導入ガスの合計導入量を一定に保ちながら当該複数種類の炉内導入ガスの流量比率を変化させることによって、処理炉２内の窒化ポテンシャルが目標窒化ポテンシャルに近づけられる。また、当該ＰＩＤ制御において、パラメータ設定装置１５から伝送された各設定パラメータ値が用いられるようになっている。
　【００５２】
　パラメータ設定装置１５に対する設定入力作業のためのＰＩＤ制御の設定パラメータ値の候補は、パイロット処理を実施して予め入手しておく必要がある。本件出願人が製造する従来装置のＰＩＤ制御の設定パラメータ値は、（１）処理炉の状態（炉壁や治具の状態）、（２）処理炉の温度条件、及び、（３）被処理品の状態（タイプ及び個数）に応じて、窒化ポテンシャル調節計４自体が有するオートチューニング機能によって取得されていた。これに対して、本実施形態では、（１）処理炉の状態（炉壁や治具の状態）、（２）処理炉の温度条件及び（３）被処理品の状態（タイプ及び個数）が同一であっても、（４）目標窒化ポテンシャルの異なる値毎に、設定パラメータ値の候補を窒化ポテンシャル調節計４自体のオートチューニング機能によって取得しておく必要がある。オートチューニング機能を有する窒化ポテンシャル調節計４を構成するためには、横河電気株式会社製のＵＴ７５Ａ（高機能形デジタル指示調整計、ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｙｏｋｏｇａｗａ．ｃｏ．ｊｐ／ｎｓ／ｃｉｓ／ｕｔｕｐ／ｕｔａｄｖａｎｃｅｄ／ｎｓ−ｕｔ７５ａ−０１−ｊａ．ｈｔｍ）等が利用可能である。
　【００５３】
　候補として取得された設定パラメータ値（「比例ゲイン」と「積分ゲインまたは積分時間」と「微分ゲインまたは微分時間」の組）は、何らかの形態で記録されて、目的の処理内容に応じてパラメータ設定装置１５に手入力され得る。もっとも、候補として取得された設定パラメータ値が目標窒化ポテンシャルと紐付けされた態様で何らかの記憶装置に記憶されて、設定入力された目標窒化ポテンシャルの値に基づいてパラメータ設定装置１５によって自動的に読み出されるようになっていてもよい。
　【００５４】
　さて、ガス流量出力調整手段３０は、ＰＩＤ制御の結果として、複数種類の炉内導入ガスの各々の導入量を制御するようになっている。具体的には、ガス流量出力調整手段３０は、アンモニアガスの流量比率を０〜１００％の値として決定する。決定の対象とするガス種は、アンモニアガスの代わりにアンモニア分解ガスであってもよい。いずれにしても、両者の和が１００％であるから、片方の流量比率を決定すれば他方の流量比率も決定される。そして、ガス流量出力調整手段３０の出力値は、ガス導入量制御手段１４へ伝達されるようになっている。
　【００５５】
　ガス導入量制御手段１４は、各ガスの合計導入量（総流量）×流量比率に相当する導入量を実現するべく、アンモニアガス用の第１供給量制御装置２２とアンモニア分解ガス用の第２供給量制御装置２６とにそれぞれ制御信号を送るようになっている。本実施形態では、各ガスの合計導入量についても、目標窒化ポテンシャルの異なる値毎にパラメータ設定装置１５において設定入力可能である。
　【００５６】
　本実施形態の炉内導入ガス供給部２０は、アンモニアガス用の第１炉内導入ガス供給部２１と、第１供給量制御装置２２と、第１供給弁２３と、第１流量計２４と、を有している。また、本実施形態の炉内導入ガス供給部２０は、アンモニア分解ガス（ＡＸガス）用の第２炉内導入ガス供給部２５と、第２供給量制御装置２６と、第２供給弁２７と、第２流量計２８と、を有している。
　【００５７】
　本実施形態では、アンモニアガスとアンモニア分解ガスとは、処理炉２内に入る前の炉内導入ガス導入配管２９内で混合されるようになっている。
　【００５８】
　第１炉内導入ガス供給部２１は、例えば、第１炉内導入ガス（本例ではアンモニアガス）を充填したタンクにより形成されている。
　【００５９】
　第１供給量制御装置２２は、マスフローコントローラにより形成されており、第１炉内導入ガス供給部２１と第１供給弁２３との間に介装されている。第１供給量制御装置２２の開度が、ガス導入量制御手段１４から出力される制御信号に応じて変化する。また、第１供給量制御装置２２は、第１炉内導入ガス供給部２１から第１供給弁２３への供給量を検出し、この検出した供給量を含む情報信号をガス導入制御手段１４と調節計６へ出力するようになっている。当該制御信号は、ガス導入量制御手段１４による制御の補正等に用いられ得る。
　【００６０】
　第１供給弁２３は、ガス導入量制御手段１４が出力する制御信号に応じて開閉状態を切り換える電磁弁により形成されており、第１供給量制御装置２２と第１流量計２４との間に介装されている。
　【００６１】
　第１流量計２４は、例えば、フロー式流量計等の機械的な流量計で形成されており、第１供給弁２３と炉内導入ガス導入配管２９との間に介装されている。また、第１流量計２４は、第１供給弁２３から炉内導入ガス導入配管２９への供給量を検出する。第１流量計２４が検出する供給量は、作業員の目視による確認作業に用いられ得る。
　【００６２】
　第２炉内導入ガス供給部２５は、例えば、第２炉内導入ガス（本例ではアンモニア分解ガス）を充填したタンクにより形成されている。
　【００６３】
　第２供給量制御装置２６は、マスフローコントローラにより形成されており、第２炉内導入ガス供給部２５と第１供給弁２７との間に介装されている。第１供給量制御装置２６の開度が、ガス導入量制御手段１４から出力される制御信号に応じて変化する。また、第３供給量制御装置２６は、第２炉内導入ガス供給部２５から第２供給弁２７への供給量を検出し、この検出した供給量を含む情報信号をガス導入制御手段１４と調節計６へ出力するようになっている。当該制御信号は、ガス導入量制御手段１４による制御の補正等に用いられ得る。
　【００６４】
　第２供給弁２７は、ガス導入量制御手段１４が出力する制御信号に応じて開閉状態を切り換える電磁弁により形成されており、第２供給量制御装置２６と第２流量計２８との間に介装されている。
　【００６５】
　第２流量計２８は、例えば、フロー式流量計等の機械的な流量計で形成されており、第２供給弁２７と炉内導入ガス導入配管２９との間に介装されている。また、第２流量計２８は、第２供給弁２６から炉内導入ガス導入配管２９への供給量を検出する。第２流量計２８が検出する供給量は、作業員の目視による確認作業に用いられ得る。
　【００６６】
（作用）
　次に、本実施形態の表面硬化処理装置１の作用について説明する。まず、処理炉２内に被処理品Ｓが投入され、処理炉２の加熱が開始される。その後、炉内導入ガス供給部２０からアンモニアガスとアンモニア分解ガスとの混合ガスが設定初期流量で処理炉２内へ導入される。この設定初期流量も、パラメータ設定装置１５において設定入力可能であり、第１供給量制御装置２２及び第２供給量制御装置２６（共にマスフローコントローラ）によって制御される。また、攪拌ファン駆動モータ９が駆動されて攪拌ファン８が回転し、処理炉２内の雰囲気を攪拌する。
　【００６７】
　初期状態では、開閉弁制御装置１６は、開閉弁１７を閉鎖状態としている。一般的に、ガス窒化処理の前処理として、鋼材表面を活性化して窒素を入りやすくする処理が行われることがある。この場合、炉内に塩化水素ガスやシアン化水素ガスなどが発生する。これらのガスは、炉内雰囲気ガス濃度検出装置（センサ）３を劣化させ得るため、開閉弁１７を閉鎖状態としておくことが有効である。
　【００６８】
　また、炉内温度計測装置１０が炉内ガスの温度を計測し、この計測温度を含む情報信号を窒化ポテンシャル調節計４及び記録計６に出力する。窒化ポテンシャル調節計４は、処理炉２内の状態について、昇温途中であるのか、昇温が完了した状態（安定した状態）であるのか、判定する。
　【００６９】
　また、窒化ポテンシャル調節計４の炉内窒化ポテンシャル演算装置１３は、炉内の窒化ポテンシャルを演算し（最初は極めて高い値である（炉内に水素が存在しないため）がアンモニアガスの分解（水素発生）が進行するにつれて低下してくる）、目標窒化ポテンシャルと基準偏差値との和を下回ったか否かを判定する。この基準偏差値も、パラメータ設定装置１５において設定入力可能であり、例えば２．５である。
　【００７０】
　昇温が完了した状態であると判定され、且つ、炉内窒化ポテンシャルの演算値が目標窒化ポテンシャルと基準偏差値との和を下回ったと判定されると、窒化ポテンシャル調節計４は、ガス導入量制御手段１４を介して、炉内導入ガスの導入量の制御を開始する。これに応じて、開閉制御装置１６が開閉弁１７を開放状態に切り換える。
　【００７１】
　開閉弁１７が開放状態に切り換えられると、処理炉２と雰囲気ガス濃度検出装置３とが連通し、炉内雰囲気ガス濃度検出装置３が炉内水素濃度あるいは炉内アンモニア濃度を検出する。検出された水素濃度信号あるいはアンモニア濃度信号が、窒化ポテンシャル調節計４及び記録計６へ出力される。
　【００７２】
　窒化ポテンシャル調節計４の炉内窒化ポテンシャル演算装置１３は、入力される水素濃度信号またはアンモニア濃度信号に基づいて炉内窒化ポテンシャルを演算する。そして、ガス流量出力調整手段３０は、炉内窒化ポテンシャル演算装置１３によって演算された窒化ポテンシャルを出力値とし、目標窒化ポテンシャル（設定された窒化ポテンシャル）を目標値とし、複数種類の炉内導入ガスの各々の導入量を入力値としたＰＩＤ制御を実施する。具体的には、当該ＰＩＤ制御において、複数種類の炉内導入ガスの合計導入量を一定に保ちながら当該複数種類の炉内導入ガスの流量比率を変化させることによって、処理炉２内の窒化ポテンシャルが目標窒化ポテンシャルに近づくような制御が実施される。当該ＰＩＤ制御においては、パラメータ設定装置１５にて設定入力された各設定パラメータ値が用いられる。この設定パラメータ値が、目標窒化ポテンシャルの値に応じて異なることが、本実施形態の特徴である。
　【００７３】
　そして、ガス流量出力調整手段３０が、ＰＩＤ制御の結果として、複数種類の炉内導入ガスの各々の導入量を制御する。具体的には、ガス流量出力調整手段３０が、アンモニアガスの流量比率を０〜１００％の値として決定し、当該出力値がガス導入量制御手段１４へ伝達される。
　【００７４】
　ガス導入量制御手段１４は、各ガスの合計導入量×流量比率に相当する導入量を実現するべく、アンモニアガス用の第１供給量制御装置２２とアンモニア分解ガス用の第２供給量制御装置２６とにそれぞれ制御信号を送る。
　【００７５】
　以上のような制御により、炉内窒化ポテンシャルを目標窒化ポテンシャルの近傍に安定的に制御することができる。これにより、被処理品Ｓの表面硬化処理を極めて高品質に行うことができる。
　【００７６】
（実施例と比較例）
　前述した本実施形態の表面硬化処理装置１によって、実際に表面硬化処理が行われた（実施例）。また、比較のため、従来の制御方法による表面硬化処理も行われた（比較例）。
　【００７７】
　実施例でも比較例でも、処理炉としてはバッチ型ガス窒化炉（処理重量：８００ｋｇ／ｇｒｏｓｓ）が用いられ、処理炉内の処理時の温度条件は５８０℃（５６０〜６００℃程度）とされ、雰囲気ガス濃度検出装置として熱伝導式の水素センサが用いられた。また、被処理品Ｓとしては、ＪＩＳ−ＳＣＭ４３５鋼が用いられた。また、第１供給量制御装置２２及び第２供給量制御装置２６（共にマスフローコントローラ）の切換時間は１秒毎とされ、いずれの処理時間も２時間とされた。
　【００７８】
　一方、比較例においては、第２炉内導入ガスとして、アンモニア分解ガスではなく窒素ガスが用いられた。
　【００７９】
　また、比較例においてもＰＩＤ制御が用いられたが、比較例のＰＩＤ制御においては、複数種類の炉内導入ガスの流量比率を一定に保ちながら（ＮＨ３：Ｎ２＝９：１）当該複数種類の炉内導入ガスの合計導入量を変化させることによって、処理炉２内の窒化ポテンシャルが目標窒化ポテンシャルに近づくような制御が実施された。
　【００８０】
　また、比較例のＰＩＤ制御においては、目標窒化ポテンシャルが異なっていても同一の設定パラメータ値（「比例ゲイン（Ｐ）」と「積分ゲインまたは積分時間（Ｉ）」と「微分ゲインまたは微分時間（Ｄ）」の組）が用いられた。
　【００８１】
　そして、目標窒化ポテンシャルとして、図２に示す１０個の値が用いられた。５８０℃近傍（５６０〜６００℃程度）のガス窒化処理において、ＫＮ＝０．１は、化合物層が形成されない条件である。ＫＮ＝０．２〜１．０は、化合物層としてγ’相が形成される条件である。ＫＮ＝１．５〜２．０は、ε相のみが表面に形成される条件である。特に、実用上重要なγ’相を表面でほぼ単相に形成可能な窒化ポテンシャルは、ＫＮ＝０．３近傍であることが知られている。
　【００８２】
　また、被処理品Ｓの表面処理構造については、実際に、Ｘ線回折によって同定された。
　【００８３】
　炉内の窒化ポテンシャルの制御範囲の結果について、図２に表として示す。また、図３には、縦軸に制御誤差（最大誤差％）、横軸に窒化ポテンシャルを取って、実施例と比較例とでの制御可能な窒化ポテンシャル範囲が示されている。
　【００８４】
　図２及び図３に示されるように、実施例では、窒化ポテンシャルが０．１〜１．３の範囲で制御が可能であった。また、各目標窒化ポテンシャルに対してＰＩＤ制御の設定パラメータ値をきめ細かく変更したことにより、比較例よりも誤差が小さい高精度の処理を実現できた。また、目標窒化ポテンシャルを０．３や０．２とした場合の被処理品Ｓの表面において、実用上重要なγ’相の形成が確認された。
　【００８５】
　しかしながら、実施例では、目標窒化ポテンシャルを１．５〜２．０とした場合には、誤差が非常に大きかった。これは、合計導入量の制限（本例では１５０（ｌ／ｍｉｎ）とされた）が原因であると推察される。
　【００８６】
　一方、比較例では、窒化ポテンシャルが０．６〜１．５の範囲で制御が可能であった。
　【００８７】
　しかしながら、比較例では、目標窒化ポテンシャルを０．６未満とした場合には、窒化ポテンシャルを低くするために炉内導入ガスの合計導入量が低くなり過ぎて、炉内が過剰な負圧となってしまった。従って、炉内が窒素ガスで置換されて表面硬化処理（処理７〜処理１０）は強制終了された。
　【００８８】
　また、目標窒化ポテンシャルを２．０とした場合には、排ガスを燃焼させて分解する排ガス燃焼分解装置４１におけるアンモニア処理量を超えてしまい、作業員が目の痛みを訴えた。従って、炉内が窒素ガスで置換されて表面効果処理（処理１）は強制終了された。
　【００８９】
（時間帯に応じて目標窒化ポテンシャルを変更する制御例）
　次に、図４は、時間帯に応じて目標窒化ポテンシャルを変更する制御例の各種設定値を示す表である。本例では、目標窒化ポテンシャルの値が０．２→１．５→０．３と連続的に変更されている。すなわち、本例では、目標窒化ポテンシャルの値が、同一の被処理品に対して、時間帯に応じて３つの異なる値として設定されている。
　【００９０】
　図５は、図４の制御例の場合の炉内温度と炉内窒化ポテンシャルの推移を示すグラフであり、図６は、図４の制御例の場合の各炉内導入ガスの流量と合計導入量との推移を示すグラフである。図４乃至図６に示すように、最初の工程０１は昇温工程であり、本例では２０分を要した。
　【００９１】
　そして、図４に示すように、次の工程０２では、目標窒化ポテンシャルが０．２と設定され、ＰＩＤ制御の設定パラメータ値は、Ｐ＝３．５、Ｉ＝２０９、Ｄ＝５２、と設定された。そして、窒化ポテンシャル制御のためにアンモニアガスとＡＸガスとの流量比率の小刻みな変動が許容される一方で（図６参照）、それらの合計導入量は１６６Ｌ／ｍｉｎで一定に維持された。この結果、図５に示すように、炉内窒化ポテンシャルを目標窒化ポテンシャルである０．２に安定的に制御することができた。なお、本例の工程０２は、１００分間とした。
　【００９２】
　そして、図４に示すように、次の工程０３では、目標窒化ポテンシャルが１．５と設定され、ＰＩＤ制御の設定パラメータ値は、Ｐ＝７．４、Ｉ＝１１６、Ｄ＝２９、と設定された。そして、窒化ポテンシャル制御のためにアンモニアガスとＡＸガスとの流量比率の小刻みな変動が許容される一方で（図６参照）、それらの合計導入量は１６６Ｌ／ｍｉｎで一定に維持された。この結果、図５に示すように、炉内窒化ポテンシャルを目標窒化ポテンシャルである１．５に安定的に制御することができた。なお、本例の工程ＰＴ０３は、１００分間とした。
　【００９３】
　更に、図４に示すように、次の工程０４では、目標窒化ポテンシャルが０．３と設定され、ＰＩＤ制御の設定パラメータ値は、Ｐ＝３．９、Ｉ＝１６４、Ｄ＝４１、と設定された。そして、窒化ポテンシャル制御のためにアンモニアガスとＡＸガスとの流量比率の小刻みな変動が許容される一方で（図６参照）、それらの合計導入量は２００Ｌ／ｍｉｎで一定に維持された。この結果、図５に示すように、炉内窒化ポテンシャルを目標窒化ポテンシャルである０．３に安定的に制御することができた。なお、本例の工程ＰＴ０４は、２０分間とされた。
　【００９４】
　以上のように、炉内導入ガスの合計導入量を一定に保ちながら流量比率を増減させる制御においてＰＩＤ制御を採用し、３つの設定パラメータ値を目標窒化ポテンシャルの異なる値毎にきめ細かく変更することにより、従来制御が実現していた窒化ポテンシャル制御範囲（例えば、５８０℃で約０．６〜１．５）と比較して、特に低窒化ポテンシャル側においてより広い窒化ポテンシャル制御範囲（例えば、５８０℃で約０．０５〜１．３）を実現することができる。このため、目標窒化ポテンシャルを、同一の被処理品に対して、時間帯に応じて異なる値としてより柔軟に設定することが可能である。例えば、目標窒化ポテンシャルは、同一の被処理品に対して時間帯に応じて３以上の異なる値として設定され得る。
　【００９５】
（追加の実施例と比較例）
　前述した本実施形態の表面硬化処理装置１によって、実際に表面硬化処理が行われた（実施例）。また、比較のため、従来の制御方法による表面硬化処理も行われた（比較例）。
　【００９６】
　実施例でも比較例でも、処理炉としてはバッチ型ガス窒化炉（処理重量：８００ｋｇ／ｇｒｏｓｓ）が用いられ、処理炉内の処理時の温度条件は５００℃（４８０〜５２０℃程度）とされ、雰囲気ガス濃度検出装置として熱伝導式の水素センサが用いられた。また、被処理品Ｓとしては、ＪＩＳ−ＳＣＭ４３５鋼が用いられた。また、第１供給量制御装置２２及び第２供給量制御装置２６（共にマスフローコントローラ）の切換時間は１秒毎とされ、いずれの処理時間も２０時間とされた。
　【００９７】
　一方、比較例においては、第２炉内導入ガスとして、アンモニア分解ガスではなく窒素ガスが用いられた。
　【００９８】
　また、比較例においてもＰＩＤ制御が用いられたが、比較例のＰＩＤ制御においては、複数種類の炉内導入ガスの流量比率を一定に保ちながら（ＮＨ３：Ｎ２＝９：１）当該複数種類の炉内導入ガスの合計導入量を変化させることによって、処理炉２内の窒化ポテンシャルが目標窒化ポテンシャルに近づくような制御が実施された。
　【００９９】
　また、比較例のＰＩＤ制御においては、目標窒化ポテンシャルが異なっていても同一の設定パラメータ値（「比例ゲイン（Ｐ）」と「積分ゲインまたは積分時間（Ｉ）」と「微分ゲインまたは微分時間（Ｄ）」の組）が用いられた。
　【０１００】
　そして、目標窒化ポテンシャルとして、図４に示す１０個の値が用いられた。５００℃近傍（４８０〜５２０℃程度）のガス窒化処理において、ＫＮ＝０．１、０．２は、化合物層が形成されない条件である。ＫＮ＝０．５〜１．５は、化合物層としてγ’相が形成される条件である。ＫＮ＝３．０〜９．０は、ε相のみが表面に形成される条件である。特に、実用上重要なγ’相を表面でほぼ単相に形成可能な窒化ポテンシャルは、ＫＮ＝０．５近傍であることが知られている。
　【０１０１】
　また、被処理品Ｓの表面処理構造については、実際に、Ｘ線回折によって同定された。
　【０１０２】
　炉内の窒化ポテンシャルの制御範囲の結果について、図４に表として示す。また、図５には、縦軸に制御誤差（最大誤差％）、横軸に窒化ポテンシャルを取って、実施例と比較例とでの制御可能な窒化ポテンシャル範囲が示されている。
　【０１０３】
　図４及び図５に示されるように、実施例では、窒化ポテンシャルが０．１〜４．５の範囲で制御が可能であった。また、各目標窒化ポテンシャルに対してＰＩＤ制御の設定パラメータ値をきめ細かく変更したことにより、比較例よりも誤差が小さい高精度の処理を実現できた。また、目標窒化ポテンシャルを０．５とした場合の被処理品Ｓの表面において、実用上重要なγ’相の形成が確認された。
　【０１０４】
　しかしながら、実施例では、目標窒化ポテンシャルを６．０〜９．０とした場合には、誤差が非常に大きかった。これは、合計導入量の制限（本例では１５０（ｌ／ｍｉｎ）とされた）が原因であると推察される。
　【０１０５】
　一方、比較例では、窒化ポテンシャルが３．０〜６．０の範囲で制御が可能であった。
　【０１０６】
　しかしながら、比較例では、目標窒化ポテンシャルを１．５未満とした場合には、窒化ポテンシャルを低くするために炉内導入ガスの合計導入量が低くなり過ぎて、炉内が過剰な負圧となってしまった。従って、炉内が窒素ガスで置換されて表面硬化処理（処理６〜処理１０）は強制終了された。また、比較例では、目標窒化ポテンシャルを１．５とした場合には、誤差が非常に大きかった。
　【０１０７】
　また、目標窒化ポテンシャルを９．０とした場合には、排ガスを燃焼させて分解する排ガス燃焼分解装置４１におけるアンモニア処理量を超えてしまい、作業員が目の痛みを訴えた。従って、炉内が窒素ガスで置換されて表面効果処理（処理１）は強制終了された。
　【０１０８】
　図７及び図８の追加実施例（５００℃）において制御可能な窒化ポテンシャルの範囲０．１〜４．５から、図２及び図３の実施例（５８０℃）において制御可能な窒化ポテンシャルの範囲０．１〜１．３まで、処理時の温度条件の上昇に応じて制御可能な範囲の上限が低下する。
　【符号の説明】
　【０１０９】
１　表面硬化処理装置
２　処理炉
３　雰囲気ガス濃度検出装置
４　窒化ポテンシャル調節計
５　温度調節計
６　記録計
８　攪拌ファン
９　攪拌ファン駆動モータ
１０　炉内温度計測装置
１１　炉内加熱装置
１３　窒化ポテンシャル演算装置
１４　ガス導入量制御装置
１５　パラメータ設定装置（タッチパネル）
１６　開閉弁制御装置
１７　開閉弁
２０　炉内ガス供給部
２１　第１炉内導入ガス供給部
２２　第１炉内ガス供給制御装置
２３　第１供給弁
２４　第１流量計
２５　第２炉内導入ガス供給部
２６　第２炉内ガス供給制御装置
２７　第２供給弁
２８　第２流量計
２９　炉内導入ガス導入配管
３０　ガス流量出力調整装置
３１　プログラマブルロジックコントローラ
４０　炉内ガス廃棄配管
４１　排ガス燃焼分解装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　ガス成分として水素を含有して処理炉内に水素を供給するか、または、処理炉内で水素を発生するガスとしては、（１）アンモニアガスのみ、（２）アンモニア分解ガスのみ、または、（３）アンモニアガスとアンモニア分解ガスとの２種類のみ、を含む複数種類の炉内導入ガスを前記処理炉内へ導入して、前記処理炉内に配置される被処理品の表面硬化処理としてガス窒化処理またはガス軟窒化処理を行う表面硬化処理装置であって、
　前記処理炉内の水素濃度またはアンモニア濃度を検出する炉内雰囲気ガス濃度検出装置と、
　前記炉内雰囲気ガス濃度検出装置によって検出される水素濃度またはアンモニア濃度に基づいて前記処理炉内の窒化ポテンシャルを演算する炉内窒化ポテンシャル演算装置と、
　前記炉内窒化ポテンシャル演算装置によって演算される前記処理炉内の窒化ポテンシャルと目標窒化ポテンシャルとに応じて、前記複数種類の炉内導入ガスの合計導入量を一定に保ちながら前記複数種類の炉内導入ガスの流量比率を変化させることによって前記処理炉内の窒化ポテンシャルを前記目標窒化ポテンシャルに近づけるべく前記複数種類の炉内導入ガスの導入量を個別に制御するガス導入量制御装置と、
を備え、
　前記目標窒化ポテンシャルは、同一の被処理品に対して時間帯に応じて異なると共に同一時間帯内では一定の値として設定されるようになっており、
　前記ガス導入量制御装置は、前記複数種類の炉内導入ガスの各々の導入量を入力値とし、前記炉内窒化ポテンシャル演算手段によって演算される前記処理炉内の窒化ポテンシャルを出力値とし、前記目標窒化ポテンシャルを目標値としたＰＩＤ制御を実施するようになっており、
　前記ＰＩＤ制御における比例ゲインと、積分ゲインまたは積分時間と、微分ゲインまたは微分時間とが、パイロット処理を実施して予め入手しておいた候補の値の中から、前記目標窒化ポテンシャルの異なる値毎に設定できるようになっている
ことを特徴とする表面硬化処理装置。
　【請求項２】
　前記目標窒化ポテンシャルは、各時間帯に応じて０．０５〜１．３の範囲内で設定されるようになっている
ことを特徴とする請求項１に記載の表面硬化処理装置。
　【請求項３】
　前記目標窒化ポテンシャルは、同一の被処理品に対して３以上の時間帯に応じて３以上の異なる値として設定されるようになっている
ことを特徴とする請求項１または２に記載の表面硬化処理装置。
　【請求項４】
　ガス成分として水素を含有して処理炉内に水素を供給するか、または、処理炉内で水素を発生するガスとしては、（１）アンモニアガスのみ、（２）アンモニア分解ガスのみ、または、（３）アンモニアガスとアンモニア分解ガスとの２種類のみ、を含む複数種類の炉内導入ガスを前記処理炉内へ導入して、前記処理炉内に配置される被処理品の表面硬化処理としてガス窒化処理またはガス軟窒化処理を行う表面硬化処理方法であって、
　前記処理炉内の水素濃度またはアンモニア濃度を検出する炉内雰囲気ガス濃度検出工程と、
　前記炉内雰囲気ガス濃度検出工程によって検出される水素濃度またはアンモニア濃度に基づいて前記処理炉内の窒化ポテンシャルを演算する炉内窒化ポテンシャル演算工程と、
　前記炉内窒化ポテンシャル演算工程によって演算される前記処理炉内の窒化ポテンシャルと目標窒化ポテンシャルとに応じて、前記複数種類の炉内導入ガスの合計導入量を一定に保ちながら前記複数種類の炉内導入ガスの流量比率を変化させることによって前記処理炉内の窒化ポテンシャルを前記目標窒化ポテンシャルに近づけるべく前記複数種類の炉内導入ガスの導入量を個別に制御するガス導入量制御工程と、
を備え、
　前記目標窒化ポテンシャルは、同一の被処理品に対して時間帯に応じて異なると共に同一時間帯内では一定の値として設定されるようになっており、
　前記ガス導入量制御工程では、前記複数種類の炉内導入ガスの各々の導入量を入力値とし、前記炉内窒化ポテンシャル演算手段によって演算される前記処理炉内の窒化ポテンシャルを出力値とし、前記目標窒化ポテンシャルを目標値としたＰＩＤ制御が実施されるようになっており、
　前記ＰＩＤ制御における比例ゲインと、積分ゲインまたは積分時間と、微分ゲインまたは微分時間とが、パイロット処理を実施して予め入手しておいた候補の値の中から、前記目標窒化ポテンシャルの異なる値毎に設定される
ことを特徴とする表面硬化処理方法。
　【請求項５】
　前記目標窒化ポテンシャルは、各時間帯に応じて０．０５〜１．３の範囲内で設定されるようになっている
ことを特徴とする請求項４に記載の表面硬化処理方法。
　【請求項６】
　前記目標窒化ポテンシャルは、同一の被処理品に対して３以上の時間帯に応じて３以上の異なる値として設定されるようになっている
ことを特徴とする請求項４または５に記載の表面硬化処理方法。