【事件の表示】
　昭和６３年特許願第４８３１９号「データ読み出し禁止回路」拒絶査定に対する審判事件（平成１年９月５日出願公開、特開平１−２２２３５４）について、次のとおり審決する。
【結論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理由】
１　手続きの経緯及び本願発明
　本件出願は、昭和６３年２月２９日にされたものであって、請求項に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成８年７月１５日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、該明細書の特許請求の範囲に記載されたとおりの次の事項により構成されるものと認める。
　「複数の紫外線消去型の第１のメモリセルからなり所定数の選択アドレスを有するプログラム可能な読み出し専用メモリ領域と、入力されるアドレスをデコードした前記第１のメモリセルヘの前記選択アドレスを出力するアドレスデコーダと、複数の前記紫外線消去型の第２のメモリセルからなり前記選択アドレスが入力され前記選択アドレスに対応して設けられた前記所定数の第１および第２のプロテクトアドレス選択ビットであって、前記選択アドレスによって選択される第１のメモリセルのデータの読み出しを禁止するときは前記選択アドレスに対応する前記第１のプロテクトアドレス選択ビットに論理データを書き込むことなく前記選択アドレスに対応する前記第２のプロテクトアドレス選択ビットに前記論理データが書き込まれ、前記読み出し禁止に設定された前記選択アドレスからの前記データの読み出しを許可するときは前記選択アドレスに対応する前記第１のプロテクトアドレス選択ビットに前記論理データが書き込まれる第１および第２のプロテクトアドレス選択ビットと、前記選択アドレスに対応して選択された第１および第２のプロテクトアドレス選択ビットの値が同一のときに前記第１のメモリセルからのデータ読み出しを許可し、前記第１および第２のプロテクトアドレス選択ビットの値が異なるときは前記第１のメモリセルのデータ読み出しを禁止するゲート手段とを備えることを特徴とするデータ読み出し禁止回路」
（なお、“単一のビット”或いは“複数のビット”という表現がある（例えば、特開昭６２−１６５２５３号公報の特許請求の範囲の欄には、「複数ビットのセキュリティビット」との記載がある。）ことを考慮すると、前記「第１および第２のプロテクトアドレス選択ビット」における「ビット」は、“１ビットの”或いは“単一の”との限定がされていないから、“１ビット”に限定されないものと解するのが相当である。更に、後記５を参照されたい。）
２　引用発明
（１）　原審において引用されたところの本件出願前に頒布された刊行物である特開昭６１−２７８９５１号公報（昭和６１年１２月１日特許庁発行）には、ＥＰＲＯＭ（Ｅｒａｓａｂｌｅ　Ｐｒｏｇａｍｍａｂｌｅ　Ｒｅａｄ　Ｏｎｌｙ　Ｍｅｍｏｒｙ）に格納された情報を保護する記憶情報保護回路が記載されており、これについて、次の各事項が図面と共に記載されている。
　▲１▼「６は照合用コードを格納するための第１の格納手段としてのレジスタで、ＦＡＭＯＳ構造の８個のＥＰＲＯＭセルから構成されている。７は被照合用コードを格納するための第２の格納手段としてのレジスタで、ＦＡＭＯＳ構造の８個のＥＰＲＯＭセルから構成されている。８は前記照合用および被照合用コードを比較するための比較手段としての一致回路、９、１０はそれぞれ前記レジスタ６、レジスタ７への書き込み線、１１は前記一致回路８の状態出力線、１２はＡＮＤ機能素子、１３はＥＰＲＯＭセル群１の最終出力線」（２頁右上欄１２行〜左下欄３行）
　▲２▼「各ＥＰＲＯＭセルは消去状態での論理値を「１」、書き込み状態での論理値を「０」とする。」（２頁左下欄７行〜８行）
　▲３▼「前記レジスタ６、レジスタ７の内容（コード）が一致しているとき、すなわち、読み出し可能状態のときは、前記一致回路８の状態出力線１１の論理値は「１」、一方、前記レジスタ６、レジスタ７の内容（コード）が一致していないとき、すなわち、読み出し不可能状態のときは、前記一致回路８の状態出力線１１の論理値は「０」である。」（２頁左下欄９行〜１６行）
　▲４▼「レジスタ６、７のうち、レジスタ６に書き込み線９を介して読み出しコード（例えば、「８ＡＨ」）を書き込むと、レジスタ７のデータは「ＦＦＨ」であるから、レジスタ６とレジスタ７の内容は一致せず、一致回路８の状態線１１には論理値「０」が出力される。従って、ＥＰＲＯＭセル群１のデータは、出力線１３へ出力されなくなる。」（２頁右下欄１７行〜３頁左上欄４行）
　▲５▼「前記レジスタ６を消去状態にするため、レジスタ６に紫外線を照射すると、ＥＰＲＯＭセル群１にも紫外線が照射されることになり、前記レジスタ６の消去と同時に、ＥＰＲＯＭに格納されたデータも消去され、ＥＰＲＯＭに格納されていたデータは読み出されない。」（３頁左上欄１０行〜１５行）
　▲６▼「レジスタ７に読み出しコード（この場合は、「８ＡＨ」）を書き込むと、レジスタ６、７の内容は、ともに「８ＡＨ」となって一致し、一致回路８の状態出力線１１には、論理値「１」が出力される。その結果、ＥＰＲＯＭセル群１に格納されたデータは、出力線３を介して最終出力線１３に伝達され、ついで、出力バッファ４を介して外部に出力される。」（３頁右上欄１６行〜左下欄３行）
（２）そして、前記事項にこの分野の技術常識を加味すれば、更に、次の技術事項を指摘することができる。
　▲７▼　ＥＰＲＯＭセル群１は、所定数の選択アドレスを有するものであること
　▲８▼　入力されるアドレスをデコードした選択アドレスを出力するアドレスデコーダを備えること
（３）以上▲１▼ないし▲８▼の事項を本願発明の構成に準じて整理すると、前記刊行物には、次の事項により構成される発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　複数の紫外線消去型の第１のＥＰＲＯＭセルからなり所定数の選択アドレスを有するＥＰＲＯＭセル群と、入力されるアドレスをデコードした前記第１のＥＰＲＯＭセルヘの前記選択アドレスを出力するアドレスデコーダと、複数の前記紫外線消去型の第２のＥＰＲＯＭセルからなる被照合用コードおよび照合用コードであって、前記第１のＥＰＲＯＭセルのデータの読み出しを禁止するときは前記被照合用コードに読み出しコードを書き込むことなく前記照合用コードに前記読み出しコードが書き込まれ、前記読み出し禁止に設定された前記第１のＥＰＲＯＭセルからの前記データの読み出しを可能とするときは前記被照合用コードに前記読み出しコードが書き込まれる被照合用コードおよび照合用コードと、前記被照合用コードおよび照合用コードが一致しているときに前記第１のＥＰＲＯＭセルのデータの読み出しを可能とし、前記被照合用コードおよび照合用コードが異なるときは前記第１のＥＰＲＯＭセルのデータの読み出しを禁止するＡＮＤ論理素子とを備える記憶情報保護回路
（なお、前記刊行物には、データを格納するＥＰＲＯＭセルおよび被照合用コードおよび照合用コードを格納するＥＰＲＯＭセルについて、それぞれ、“第１のＥＰＲＯＭセル”および“第２のＥＰＲＯＭセル”とする記載はないが、データを格納するＥＰＲＯＭセルと被照合用コードおよび照合用コードを格納するＥＰＲＯＭセルが別のものであることはその全記載から明らかであるから、この違いを簡明に表現する便宜上、前記認定の表現を採用した。）
３　本願発明と引用発明との対比
（１）本願発明の「紫外線消去型の第１のメモリセル」および「紫外線消去型の第２のメモリセル」が、それぞれ、引用発明の「紫外線消去型の第１のＥＰＲＯＭセル」および「紫外線消去型の第２のメモリセル」を包摂するものであることは明らかである。
（２）また、引用発明の被照合用コードおよび照合用コードが、“プロテクトビット”として機能するものであることも明らかであるから、本願発明の「第１および第２のプロテクトアドレス選択ビット」と引用発明の「被照合用コードおよび照合用コード」とは、“第１のメモリセルの読み出しを禁止するときは第１のプロテクトビットにあるデータを書き込むことなく第２のプロテクトビットに前記データが書き込まれ、前記読み出し禁止に設定された前記第１のメモリセルの読み出しを許可するときは前記第１のプロテクトビットに前記データが書き込まれる第１および第２のプロテクトビット”である点で一致し、また、本願発明の「ゲート手段」と引用発明の「ＡＮＤ論理素子」とは、“前記第１および第２のプロテクトビットの値が同一のときに前記第１のメモリセルからのデータ読み出しを許可し、前記第１および第２のプロテクトビットの値が異なるときは前記第１のメモリセルのデータ読み出しを禁止するゲート手段”である点で一致する。
（３）更に、本願発明の「プログラム可能な読み出し専用メモリ領域」および「データ読み出し禁止回路」は、それぞれ、引用発明の「ＥＰＲＯＭセル群」および「記憶データ保護回路」と同義である。
（４）よって、本願発明と引用発明とは、構成上、
　複数の紫外線消去型の第１のメモリセルからなり所定数の選択アドレスを有するプログラム可能な読み出し専用メモリ領域と、入力されるアドレスをデコードした前記第１のメモリセルヘの前記選択アドレスを出力するアドレスデコーダと、複数の前記紫外線消去型の第２のメモリセルからなる第１および第２のプロテクトビットであって、第１のメモリセルのデータの読み出しを禁止するときは前記第１のプロテクトビットにあるデータを書き込むことなく前記第２のプロテクトビットに前記データが書き込まれ、前記読み出し禁止に設定された第１のメモリセルからの前記データの読み出しを許可するときは前記第１のプロテクトビットに前記データが書き込まれる第１および第２のプロテクトビットと、前記第１および第２のプロテクトビットの値が同一のときに前記第１のメモリセルからのデータ読み出しを許可し、前記第１および第２のプロテクト用ビットの値が異なるときは前記第１のメモリセルのデータ読み出しを禁止するゲート手段とを備えるデータ読み出し禁止回路
である点で一致し、次の点で相違する。
〈相違点〉
　本願発明では、第１および第２のプロテクトビットが、複数の前記紫外線消去型の第２のメモリセルからなり前記選択アドレスが入力され前記選択アドレスに対応して設けられた前記所定数の第１および第２のプロテクトアドレス選択ビットであって、前記選択アドレスによって選択される第１のメモリセルのデータの読み出しを禁止するときは前記選択アドレスに対応する前記第１のプロテクトアドレス選択ビットに論理データを書き込むことなく前記選択アドレスに対応する前記第２のプロテクトアドレス選択ビットに前記論理データが書き込まれ、前記読み出し禁止に設定された前記選択アドレスからの前記データの読み出しを許可するときは前記選択アドレスに対応する前記第１のプロテクトアドレス選択ビットに前記論理データが書き込まれるものであると共に、ゲート手段が、前記選択アドレスに対応して選択された第１および第２のプロテクトアドレス選択ビットの値が同一のときに前記第１のメモリセルからのデータ読み出しを許可し、前記第１および第２のプロテクトアドレス選択ビットの値が異なるときは前記第１のメモリセルのデータ読み出しを禁止するものであるのに対して、引用発明では、第１および第２のプロテクトビットが、複数の前記紫外線消去型の第２のＥＰＲＯＭセルからなる被照合用コードおよび照合用コードであって、前記第１のＥＰＲＯＭセルのデータの読み出しを禁止するときは前記被照合用コードに読み出しコードを書き込むことなく前記照合用コードに前記読み出しコードが書き込まれ、前記読み出し禁止に設定された前記第１のＥＰＲＯＭセルからの前記データの読み出しを可能とするときは前記被照合用コードに前記読み出しコードが書き込まれるものであると共に、ゲート手段が、前記被照合用コードおよび照合用コードを格納するレジスタの内容が一致しているときに前記第１のＥＰＲＯＭセルのデータの読み出しを可能とし、前記被照合用コードおよび照合用コードが異なるときは前記第１のＥＰＲＯＭセルのデータの読み出しを禁止するものである点
４　相違点についての判断
（１）前記相違点は、データを記憶するメモリセルの選択アドレス対応にプロテクトビットを設けるか否かの差異に帰着するものと認められる。
（２）よって、これに沿って検討すると、引用発明における紫外線消去型のＥＰＲＯＭセルについて、セルの選択アドレス対応にプロテクトビットを設けることに対する格別の阻害要因は見いだせないところ、引用発明と同様の技術分野に属するＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ　Ｅｒａｚａｂｌｅ　ａｎｄ　Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ　Ｒｅａｄ　Ｏｎｌｙ　Ｍｅｍｏｒｙ）セルについて、メモリセルの選択アドレス対応にプロテクトビットを設けることが、例えば、原審において引用されたところの本件出願前に頒布された刊行物である特開昭６１−２４９１５６号公報に記載されているように、本件出願前に当業者に周知の事項であると認められるから、引用発明において、前記周知の事項を適用し、前記相違点に係る構成を、本願発明のようにすることは、当業者が容易になし得たことと認められる。
５　請求人の主張についての検討
（１）請求人は、審判請求書において、本願発明について、「第１および第２のプロテクトアドレス選択ビットは、１つの選択アドレスに対応して１ビットずつ設けられている。」（３頁４行〜６行）と主張する。
（２）しかしながら、前記１に記したとおり、前記「第１および第２のプロテクトアドレス選択ビット」は、“１ビット”に限定されないものと解するのが相当であるところ、仮に、請求人が主張するとおりのものであるとしても、プロテクトビットの数をどのようにするか（例えば、１ビットにするか或いは複数ビットにするか）は、必要とするプロテクトのレベル或いは深さに応じて当業者が適宜に決めるべき設計的事項に過ぎないから、結局のところ、請求人の前記主張は採用に由ない。
６　結び
　以上総合判断すると、本願発明は、当業者が引用発明に基づいて容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　よって、結論のとおり審決する。