(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
平凹版リソグラフィ法で形成された三次元構造を有するマイクロ電解メッキ法で製作された構成部品において、構成部品（２３）の外側に、電解メッキプロセス中に形成された少なくとも１つの検出可能なコード標識（６０）が設けられており、コード標識（６０）内に、構成部品の構造及び輪郭付与のための情報が符号化されていることを特徴とする、マイクロ電解メッキ法で製作された構成部品。
【請求項２】
少なくとも１つのコード標識（６０）が、切欠部又は規定の充填された金属領域である、請求項１記載の構成部品。
【請求項３】
切欠部から成っているコード標識（６０）が、構成部品（２３）の析出された構造の電解メッキ膜層の膜層厚に相当する深さを有している、請求項２記載の構成部品。
【請求項４】
複数のコード標識（６０）が１つのコードフィールドに纏められている、請求項１又は２記載の構成部品。
【請求項５】
１つのコードフィールドの複数のコード標識（６０）が相互に隔てて設けられている、請求項４記載の構成部品。
【請求項６】
１つのコードフィールドの複数のコード標識（６０）が接し合っている、請求項４記載の構成部品。
【請求項７】
複数のコード標識（６０）が、Ｔ形又はＶ形の形状を有する複合コードフィールドとして配置されている、請求項６記載の構成部品。
【請求項８】
コード標識（６０）が正方形、長方形、三角形、楕円形又は円形の横断面を有している、請求項１から７までのいずれか１項記載の構成部品。
【請求項９】
少なくとも１つのコード標識（６０）が光学的に又は超音波で評価可能である、請求項１から８までのいずれか１項記載の構成部品。
【発明の詳細な説明】
技術分野：
本発明は、請求項１に発明の上位概念として規定した形式のマイクロ電解メッキ法で製作された構成部品に関する。
背景技術：
ドイツ連邦共和国特許出願公開第１９６０７２８８号明細書に基づいて、噴射弁における穴あき円板の形成のために、或いは全く一般的には例えば大きな噴出角度を有する微細スプレーを発生させるために使用される、前記形式のマイクロ電解メッキ法で製作された構成部品がすでに公知になっている。前記穴あき円板の個々の膜層もしくは機能平面はその場合、金属の電解析出によって順次形成される（多層電解メッキ）。複数の膜層が順次に相前後して電解析出されるので、次の膜層は電着に基づいて、その直ぐ下に位置する膜層と固着接合され、かつ全ての膜層は相侯って１つの一体的な穴あき円板を形成することになる。１つのウェハ上で種々異なった製作処理段階を適用する場合に多数の穴あき円板の操作を改善するために、例えば各穴あき円板当り２つの位置決め受容部が、穴あき円板の軸方向高さ全体にわたる円形貫通穴として当該穴あき円板の制限外周の近くに設けられている。時間的に順次相前後して行われる複数の電着膜層の成膜はこうして容易になる。しかしながら、該穴あき円板の輪郭付与の推定を可能ならしめる情報を穴あき円板から外面的に推考することは不可能である。
欧州特許出願公開第０５６７３３２号明細書及びドイツ連邦共和国特許第４４３２７２５号明細書に基づいても、対比可能なテクノロジーによって生産される、マイクロ電解メッキ法で製作された構成部品を容易に想到することが可能である。第三者は製作済みの構成部品において、この場合も構成部品の構成情報、構造情報又はその他の特性データ情報にアクセスすることができない。
発明の利点：
請求項１の特徴部に記載した構成手段を有する本発明の構成部品は、該構成部品の構造及び輪郭付与のための情報に簡単な方式でアクセスできるという利点を有している。このために該構成部品をマイクロ電解メッキ法で製作する場合に、要するに電解メッキプロセス中に、極めて簡便に光学方式又はその他の方式で評価可能かつ符号解読可能なコード標識が設けられており、これに基づき構成部品の特性データに関する多数の情報が存在している。
前記コード標識は、構成部品の所望の幾何学的形状、例えば流体を通流させる穴あき円板オリフィスの幾何学的形状を得るために必要な製造工程中に、過剰経費をかけずに製作することができる。その場合、１つのコード標識の製作は、当該構成部品の機能を満たすために重要な輪郭から離れて、別のオリフィス領域の製作と同様に行われる。コード標識は、有利には適当なフォトリソグラフィックなマスクを使用することによって、最初の電解メッキ工程中に同じく一緒に成形される。従ってコード標識は、構成部品の、外側制限面を形成する側に最初から存在している。
請求項１に記載した構成部品の有利な構成及び改良は、請求項２以降に記載した構成手段によって可能である。
複数のコード標識を１つのコードフィールドに纏めておくのが特に有利である。このように構成すれば、コード標識内に符号化された情報内容を、簡単な方式で著しく高めることが可能になる。コード標識は２進コードの形で存在しているのが有利であり、すなわち切欠部と、充填された金属域は「０」と「１」の値又はその逆の値に相当し、従って極めて簡単にデコード化可能な２進コードを形成している。
【図面の簡単な説明】
図１はマイクロ電解法で穴あき円板として製作された構成部品を有する噴射弁の部分図である。
図２は第１の穴あき円板の平面図である。
図２ａは図２のＩＩａ−ＩＩａ断面線に沿った穴あき円板の断面図である。
図３は第２の穴あき円板の平面図である。
図４は第３の穴あき円板の平面図である。
図５は第４の穴あき円板の下面図である。
発明を実施するための最良の形態：
次に図面に基づいて本発明の若干の実施例を詳説する。
図１には、混合気圧縮型火花点火式内燃機関の燃料噴射装置の噴射弁の形の弁が部分的に図示されており、該噴射弁は、本発明の電解メッキ法で製作された構成部品の１実施例としての穴あき円板２３を有している。なお念のために付記しておくが、以下に詳説する穴あき円板２３は、専ら噴射弁で使用するだけのために規定されているのではなく、むしろ例えば塗装ノズル、吸入器、インクジェットプリンター或いは凍結乾燥法において、例えば飲料のような液体を噴出又は噴入するためや薬剤の噴霧のためにも使用することができる。例えば大きな噴出角度を有する微細スプレーを発生させるためには、多層電解メッキ法によって製作された穴あき円板２３が概ね適している。
またこの穴あき円板２３自体も矢張り、マイクロ電解メッキ法で製作された構成部品の１実施形態を表わすものでしかない。前記穴あき円板２３とは全く異なった形状、輪郭、寸法関係及び使用目的を有するマイクロ電解メッキ法で生産された構成部品も勿論、本発明の構成を有することができるので、本発明は穴あき円板２３に限定されるものではない。
図１において部分的に図示した噴射弁は管状の弁座支持体１を有し、該弁座支持体内には、弁縦軸線２に対して同心的に縦方向開口３が形成されている。該縦方向開口３内に、例えば管状の弁ニードル５が配置されており、該弁ニードルはその下流側端部６では、例えば球形の弁閉鎖体７と固着接合されており、該弁閉鎖体の周面には、燃料を流過させるために例えば５つの扁平面取り部８が設けられている。
噴射弁の作動は公知の方式で、例えば電磁式に行われる。弁ニードル５を軸方向に動かし、ひいては戻しばね（図示せず）のばね力に抗して噴射弁を開弁し、或いは閉弁するために、電磁コイル１０と可動磁極子１１とコア１２を有する略示した電磁回路が使用される。可動磁極子１１は、例えばレーザによって製作された溶接シームによって、弁閉鎖体７から離反した方の弁ニードル５の端部と結合されておりかつコア１２に軸整合されている。
軸方向運動中に弁閉鎖体７を案内するためには、弁座体１６のガイド開口１５が使用され、前記弁座体１６は、弁座支持体１の下流側に位置する端部で縦方向開口３内に溶接によって液密に取付けられている。弁座体１６は、例えば深皿状に形成された穴あき円板支持体２１と同心的に固着結合されており、従って該穴あき円板支持体は、少なくとも外寄りリング域２２でもって弁座体１６に直接接している。
本発明によって構成された構成部品（本実施例では穴あき円板２３）は、穴あき円板支持体２１内に穿設された貫通ポート２０の上流側で、前記貫通ポート２０を完全にカバーするように配置されている。穴あき円板支持体２１はボトム部２４と保持縁部２６とを有するように形成されている。弁座体１６と穴あき円板支持体２１との結合は、例えばレーザ溶接を介して液密に形成された第１の円環状溶接シーム２５によって行われる。穴あき円板支持体２１は更に又、前記保持縁部２５の領域内で例えば液密の第２の円環状溶接シーム３０によって、弁座支持体１内の縦方向開口３の周壁と結合されている。
穴あき円板支持体２１と弁座体１６との間の第１の円環状溶接シーム２５の円環内部に位置する貫通ポート２０の領域に締め込み可能な穴あき円板２３は例えば段を有するように形成されている。ベース域３２よりも小さな直径を有する穴あき円板上部域３３はこの場合、弁座体１６の截頭円錐形状にテーパを成す弁座面２９の下流側に続く円筒形の流出ポート３１内へ寸法正確に侵入している。穴あき円板２３の穴あき円板上部域３３を超えて半径方向に張出している（従って締め込み可能な）ベース域３２は弁座体１６に接している。穴あき円板上部域３３が例えば穴あき円板２３の２つの機能平面（つまり中位機能平面と上位機能平面）を含むのに対して、下位機能平面はベース域３２だけによって形成されている。その場合１つの機能平面は、その軸方向拡がりにわたって夫々ほぼ一定のオリフィス輪郭を有していなければならない。
穴あき円板支持体２１と共に穴あき円板２３を挿嵌して固定のために締付けることは、弁座面２９の下流側に穴あき円板２３を装着するための１つの可能態様であるにすぎない。固定方式は本発明にとって重要なことではないので、ここでは溶接、鑞接又は接着のような、やはり穴あき円板２３の固定に役立つ慣用の公知の接合方式も可能であることを示唆しておくに留める。
図２乃至図５に図示した穴あき円板２３は電解析出によって複数の金属機能平面の形で構成される（多層電解メッキ）。平凹版リソグラフィと電解メッキとを用いた所謂ＬＩＧＡプロセスによる製作に基づいて輪郭付与には次のような特別の特質が存在する。すなわち例えば：
ａ）機能平面が円板面全体にわたって一定の肉厚を有している；
ｂ）機能平面内に、媒体の通流する中空室を夫々形成するほぼ垂直な切込み部が、紫外線を用いたリソグラフィプロセスに基づく微細構造形成によって得られる（最適の垂直壁に対して約３°の製作技術上の偏差が生じることがある）；
ｃ）個々の微細構造の金属層の多層構成によって所望のアンダーカット部及び切込み部のオーバーラップが得られる；
ｄ）ほぼ軸平行の周壁を有する任意の横断面形状の切込み部が得られる；
ｅ）個々の金属析出が直接順次上下に行われるので、穴あき円板の一体構成が得られる。
本明細書では「膜層」という概念と「機能平面」という概念を使用しているので、この個所で簡潔に概念規定をしておくのが妥当であろう。穴あき円板２３の１つの「機能平面」とは、その軸方向拡がりにわたって輪郭が全てのオリフィス相互の配置及び個々の各オリフィスの幾何学的形状を含めてほぼ一定であるような１つの層を云う。これに対して「膜層」は、「１回の」電解メッキ工程で形成された穴あき円板２３の層と解されねばならない。もっとも１つの膜層は、例えば所謂「ラテラル・オーバーグロー法」で製作可能な複数の機能平面を有することができる。その場合は１回の電解メッキ工程で複数の機能平面（例えば穴あき円板２３が３つの機能平面から成っている場合、中位機能平面と上位機能平面）が形成され、この複数の機能平面は、１つの粘着接合した膜層を成している。しかしながらこの場合、各機能平面は、すでに前述した通り、夫々直接続く機能平面に対して異なったオリフィス輪郭（入口オリフィス、出口オリフィス、通路）を有している。穴あき円板２３の個々の膜層は順次に相前後して電解析出されるので、次の膜層は、電着に基づいて、その下に位置する膜層と固着接合し、かつ全ての膜層は相俟って一体的な穴あき円板２３を形成することになる。
以下のパラグラフにおいて、図１乃至図５に示した穴あき円板２３の製造法を短縮した形で説明する。１つの穴あき円板を製作するための電解メッキ式金属析出の全ての処理段階は、ドイツ連邦共和国特許出願公開第１９６０７２８８号明細書に基づいて容易に想到することができる。噴射ノズルの構造ジメンション及び精密度に対して課される高い要求に基づいて、微細構造形成法はその大量生産のために今日益々重視されるに至っている。全般的にノズル又は穴あき円板の内部における流体（例えば燃料）の流れのために、すでに言及した乱流形成を流れの内部に助成する経路が要求される。フォトリソグラフィ工程（紫外線平凹版リソグラフィ）とそれに続くマイクロ電解メッキとを順次適用する方法の特質は、大面積の尺度でも構造の高い精度が保証されるので、著しく多量個数の大量生産のためにも理想的に使用できることである。１つのウェハ上で多数の穴あき円板２３を同時に製作することが可能である。
この方法の出発点は扁平な安定した基板（支持台板）であり、該基板は例えば金属（チタン、銅）、珪素、ガラス又はセラミックから成ることができる。該基板の表面に任意選択的に先ず少なくとも１層の補助膜層が電気メッキされる。該補助膜層は例えば、後のマイクロ電解メッキの導電のために必要となる電解メッキ・スタート膜層（例えばＣｕ）である。該電解メッキ・スタート膜層は、後にエッチングによる穴あき円板構造の簡単な個別化を可能にするための犠牲層（分離層）としても使用することができる。補助膜層（典型的にはＣｒＣｕ又はＣｒＣｕＣｒ）の被着は例えばスパッタリングによって又は無電流式の金属析出によって行われる。この基板の前処理の後、補助膜層上にはフォトレジスト（フォトワニス）が全面的に形成される。
その場合フォトレジストの厚さは、後に続く電解メッキプロセスで実現しようとする金属膜層の厚さ、要するに穴あき円板２３の下位膜層もしくは下位機能平面の厚さに等しくなければならない。実現すべき金属構造は、フォトリソグラフィック・マスクを用いてフォトレジストに逆に転写されねばならない。１つの可能態様は、フォトレジストをマスクを介してＵＶ露光装置によって直接に露光することである（ＵＶ平凹版リソグラフィ）。
最終的にフォトレジスト内に生じる、穴あき円板２３の後の機能平面のためのネガティブ構造に金属（例えばＮｉ，ＮｉＣｏ）が電鋳される（金属析出）。金属は電鋳によって前記ネガティブ構造の輪郭に密着するので、規定の輪郭が前記金属において形状正しく復元される。穴あき円板２３の構造を実現するためには、補助膜層の任意選択的な被着工程以降の工程ステップが、所望膜層数に相応して反復されねばならず、その場合例えば２つの機能平面は１回の電気メッキ工程で生産される（横方向生長＝lateral overgrowth）。１個の穴あき円板２３の複数の膜層のために、異なった金属を使用することも可能であるが、但しこれらの金属は、その都度新たな電気メッキ工程でしか使用できない。最終的に複数の穴あき円板２３の個別化が行われる。このために犠牲層（分離層）がエッチングによって除去され、これによって穴あき円板２３は基板（支持台板）から離間する。次いで電解メッキ・スタート膜層がエッチングによって除去され、かつ残留するフォトレジストは金属構造から剥離される。
図２の平面図では穴あき円板２３の１実施例が図示されている。該穴あき円板２３は、例えば軸方向に順次に続く３つの機能平面を有する扁平な円形構成部品として構成されている。図２のＩＩａ−ＩＩａ断面線に沿った断面図である図２ａに基づいて、３つの機能平面をもった穴あき円板２３の構造を特に明瞭に看取することができる。その場合、先ず最初に形成された下位機能平面３５（最初に析出された膜層つまり穴あき円板２３のベース域３２に相当）は、次いで形成された２つの機能平面つまり中位機能平面３６及び上位機能平面３７よりも大きな外径を有しており、前記中位及び上位の両機能平面３６，３７は、穴あき円板上部域３３を一緒に形成しかつ例えば１回の電解メッキ工程で製作されている。上位機能平面３７は、出来るだけ大きな外周をもった入口オリフィス４０を有し、該入口オリフィスの輪郭は、様式化された蝙蝠（又は二重Ｈ字形）に類似している。入口オリフィス４０は、夫々対向し合った長方形状の２つの狭窄部４５と、該狭窄部４５を超えて張出す３つの入口域４６とを有する部分的に丸く面取りされた長方形として描写できる横断面を有している。例えば弁縦軸線２に対して、ひいては穴あき円板２３の中心軸線に対して夫々等間隔をおいて、かつ該中心軸線を中心として例えば対称的に、下位機能平面３５内には４つの方形状の出口オリフィス４２が設けられている。長方形状／正方形状の出口オリフィス４２は、全ての機能平面３５，３６，３７を投影した場合、同一平面内で部分的に、又は上位機能平面３７のほぼ狭窄部４５内に位置し、かつ入口オリフィス４０に対してずれ量を有している。この場合該ずれ量は、種々の方向に異なった大きさを有することができる。
入口オリフィス４０から出口オリフィス４２に至るまで流体の流れを保証するために、中位機能平面３６内には、キャビティとして通路４１が形成されている。丸く面取りされた長方形輪郭を有する通路４１は、投影図で見て入口オリフィス４０を完全にカバーしかつ特に狭窄部４５の領域では著しく入口オリフィス４０を超えて張出しており、要するに穴あき円板２３の中心軸線に対して狭窄部４５よりも大きな隔たりを有するような大きさを有している。
入口オリフィス４０の夫々中央の入口域４６と、穴あき円板２３のベース域３２もしくは穴あき円板上部域３３との間の領域内には、複数のコード標識６０が設けられている。図２に示した実施例では、個々のコード標識６０はほぼ正方形の輪郭を有している。該コード標識６０は単個又はグループで配置することができ、このグループで形成されたコード標識６０は、究極的には相俟って複合コード標識６０となり、かつコードフィールドと呼ばれる。図２によれば、入口オリフィス４０の傍の一方の側では、夫々１つの角隅を互いに接し合う３つのコード標識６０が１つの複合体（コードフィールド）を形成しているのに対して、入口オリフィス４０の傍の他方の側では２つのコード標識６０は相互に僅かな隔たりをもって、両コード標識６０の相互に対面する制限縁が平行に延びるように成形されている。
電解メッキプロセスにおいて、最初に析出された膜層に相当する下位機能平面３５内にコード標識６０を製作するために、出口オリフィス４２の他に、適当なマスクを用いて切欠部が付加的に設けられる。コード標識６０として使用される前記切欠部は、オリフィスの所望幾何学形状を得るために必要な製作工程中に過剰経費なしに製作することができる。その場合コード標識６０の製作は、出口オリフィス４２の製作と同様に行われる。例えば次の電解メッキ工程において形成される第２の（つまり中位）機能平面３６が、前記切欠部を例えば上からカバーするので、コード標識６０は、下位機能平面３５の厚さに相当する深さを有する（図２ａの左手参照）。これによって、いかなる流体も入口オリフィス４０からコード標識６０内へ流入することはあり得ず、従って穴あき円板の機能を侵害することはない。コード標識６０は、穴あき円板２３の下側端面では窪みとして看取でき、かつ公知のテクノロジーを用いて無接触式に検出可能であり、例えば光学式に評価可能である。
図２ａから容易に判るように個別的なコード標識６０は、如何なる場合でも１つ以上の機能平面にわたって延びることができる。左手のコード標識６０が１つの機能平面の高さ、つまり下位機能平面３５の高さに相当する深さしか有していないのに対して、右手のコード標識６０は、例えば２つの機能平面つまり下位機能平面３５及び中位機能平面３６にわたって延びることを示唆するものである。それというのは、窪みを成すコード標識６０は、次の電解メッキ工程において始めて上位機能平面３７によってカバーされるからである。なお念のために付記しておくが、下位機能面３５を起点とするコード標識６０の形成は１つの有利な実施態様であるにすぎず、構成部品つまり穴あき円板２３の、外側制限面を形成するその他全ての側面も、コード標識形成のために同じく適していることを明言しておく。
例えば正方形に成形されたコード標識６０は、例えば辺長１００〜２００μｍを有している。構造形成上、最小限に管制可能な、コード標識６０の横断面寸法は、コード標識６０の構造丈もしくは構造深さに等しい。これはフォトレジストのワニス厚に相当する。コード標識６０によって、穴あき円板２３の輪郭付与に関する多数の情報を符号化することが可能であるので、数字又は文字による著しく多くのスペースを要する経費高の標識付けの必要が無くなる。情報は例えば２進コードで収納されている。例えば１つのコードフィールドにおいて１つのコード標識６０が金属で充填されている場合には、これは値「０」に相当するに対して、切欠部として存在する１つのコード標識６０は値「１」に相当している。これら２つのコード標識６０から形成された複合的なコードフィールドは「０１」又は「１０」として読み取ることができる。切欠部の定義又は充填されたコード符号６０の定義を全く逆にすることも勿論可能である。１つのコードフィールド内の各コード標識６０によって、或いは付加的なコードフィールドによって、なお一層明確に多数の情報を符号化することが可能である。コードフィールドは、相互に離隔したコード標識６０又は相互に接し合うコード標識６０から成ることができる。
図３では、複数の、例えば３つの入口オリフィス４０を有する穴あき円板２３が図示されている。各入口オリフィス４０には、正確に１つの通路４１が対応配設されており、かつ正確に１つの出口オリフィス４２が対応配設されている。このような穴あき円板２３は、著しく特殊な噴射パターンを発生可能であるが故に、極めて重要である。穴あき円板２３は、夫々１つの入口オリフィス４０と１つの通路４１と１つの出口オリフィス４２を備えた３つの機能ユニットを有している。所望の噴射形成パターンに応じて、機能ユニットは弁縦軸線２（穴あき円板２３の中心軸線に相当）を基準として非対称的又は偏心的に配置されている。この一見無秩序な配分によって個々の噴射方向が極めて良好に得られる。図３に示した穴あき円板では、横断面で見てセクタ状輪郭を有する各通路４１は、三日月形もしくは円環部分形の入口オリフィス４０を円形の出口オリフィス４２に接続している。前記通路４１は、夫々対応配設された入口オリフィス４０及び出口オリフィス４２を下もしくは上から常に完全にカバーしている。この場合出口オリフィス４２は、噴射パターンから見れば非対称的なコーンが生じるように配置されている。それというのは個々の噴射流が発散的に相互に分散するように、要するに拡張するように弁縦軸線２に対して斜めに主方向を指向するからである。
図３に示した穴あき円板２３は、相互に間隔をおいて三角に配置された３つの正方形状のコード標識６０と１つの円形状のコード標識６０を備えたコードフィールドを有しており、前記のコード標識は全て、穴あき円板２３の本来の基本機能を侵害することのないような、穴あき円板２３の部位に設けられている。この部位は大抵は出口オリフィス４２から離隔した縁域である。コード標識６０の正方形輪郭及び円形輪郭以外に三角形、長方形、楕円形などの横断面も考えられる。
図４では、複数の（ここでは２つの）入口オリフィス４０を備えた穴あき円板２３の別の実施例が図示されている。この場合、両入口オリフィス４０は、相互に全く異なったオリフィス輪郭を有している。それというのは該穴あき円板２３も、斜向噴流を発生させるため、もしくは非対称的な噴射パターンを発生させるために使用しようとするからである。一方の入口オリフィス４０が３つの脚辺５５を有し、従ってＴ形輪郭を有しているのに対して、他方の入口オリフィス４０は幅の変化する円環部分の輪郭を有している。例えばトンネル門形状に形成された３つの出口オリフィス４２が、前記脚辺５５間の領域内もしくは、一方の入口オリフィス４０の円環部分によって包囲された内部空間内に埋込まれており、しかも前記３つの出口オリフィス４２の内、１つの出口オリフィスは、円環部分状の入口オリフィス４０及びこれに続くセクタ状の通路４１に対応配設されており、また残りの２つの出口オリフィスは、前記Ｔ形状の入口オリフィス４０及び下流側に続く半円形の通路４１に対応配設されている。
両入口オリフィス４０間の領域では下位機能平面３５（ベース域３２）内に、例えば夫々２つの離隔したコード標識６０を有する２つのコードフィールドが形成されている。前記コード標識６０は例えば矢張り正方形の輪郭を有しており、かつオリフィス輪郭の個々のエッジに関して異なった方位を有することができる。つまり例えばコード標識６０の夫々２つの辺は、図４の右手ではＴ形状の入口オリフィス４０の１つの制限縁に平行に延びているのに対して、図４の左手のコード標識６０は、入口オリフィス４０又は出口オリフィス４２の制限縁に平行な辺を全く有していない。
図５に下面図で図示した穴あき円板２３は、１つの長く延びた長方形状の入口オリフィス４０と、穴あき円板面全体にわたってほぼ等しく分配された４つの正方形状の出口オリフィス４２を有している。中位機能平面３６内の通路４１はほぼ円形の輪郭を有し、該円形輪郭は２つの対向部位にＶ形の切込みノッチを有している。穴あき円板２３の全機能平面を投影した投影図で見れば前記通路４１は、入口オリフィス４０及び出口オリフィス４２を完全にカバーしている。
コード標識６０は例えば通路４１の前記切込みノッチ内に配置されている。２つのコードフィールドはＴ形状もしくはＶ形状に形成されており、しかも各コードフィールドは、３つの正方形のコード標識６０から構成されて前記のＴ形状又はＶ形状を成している。両コードフィールドは２進コードで、例えば「１００」又は「００１」として、或いは切欠部もしくは充填部の数が逆の場合には「０１１」又は「１１０」として読取ることができる。如何なる場合も個々のコード標識６０は、１つ以上の機能平面を通って延びることもできる。
コード標識６０の検出は原則として無接触式に行われる。検出し、これに続いて該コード標識６０で符号化された情報を評価するためには、種々異なった方式が提供される。つまり光学的評価は例えば公知のＣＣＤカメラによって行われ、しかもこの適用は、コンピュータ支援によるパターン検知とパターン評価を含んでいる。また他面において、窪み検知のためにレーザ走査を介して光学的に評価することも考えられ得る。その他の態様としては超音波式音響測深法や赤外線カメラによる検出が挙げられる。
【図１】
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【図２】
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【図２ａ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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