【事件の表示】
　平成３年特許願第２５５７６号「ポリイミド層間絶縁膜のドライエッチング方法」拒絶査定に対する審判事件（平成４年９月７日出願公開、特開平４−２５０６５１）について、次のとおり審決する。
【結論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理由】
１．本願の経緯および本願発明の要旨
　本願は、平成３年１月２５日の出願であって、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成９年８月２５日付けの手続補正書で補正された明細書及び図面からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。
「配線材上のポリイミド層間絶縁膜に酸素ガスを含有するガスをプラズマ化して照射し前記配線材に達する開口を設ける第１の工程と、少なくとも前記開口内にアルゴンイオンを照射し別記開口内の配線材上の酸化物を除去する第２の工程とを有し、前記第１の工程と前記第２の工程とを同一真空容器内で連続して行なうことを特徴とするポリイミド層間絶縁膜のドライエッチング方法。」
２．引用刊行物記載の発明
　これに対して、原審の拒絶の理由に引用された、本願出願日前に頒布された刊行物である特開昭６１−２１４５３８号公報（以下、「引用例」という）には、
「本発明は高分子樹脂を層間絶縁膜もしくは保護膜として用いる配線構造体及びその製造方法に係り、特に基板と配線もしくは配線相互の電気的接続が良好な配線構造体およびその製造方法を提供することにある。」（〔発明の利用分野〕の欄、第１頁右下欄第１４〜１８行）、
「例えば基板１０表面にＳｉが露出した場合はＳｉＯ２などが、Ａｌなどが露出した場合にはＡ１２Ｏ３、Ａｌ（ＯＨ）３などが生成される。この反応層１４は多くの場合高抵抗もしくは絶縁性を有し、この上に直ちに配線層を形成しても、該配線層と下地の基板１０や配線層（図示せず）と良好な電気的接続を得ることは困難である。そこでこの反応層１４を除去することが必要である。この反応層１４は除去するには、スパツタクリーニングによって行うことができる。これは第１図（ｂ）に示すように、マスク１２を除去した後に基板１０全面をＡｒなどの不活性ガスイオンによってエツチングして、高分子樹脂層１１表面を僅かに除去（厚さ２〜５０ｎｍが多い）して同時に反応層１４をも除去し、次いで第２図（ｃ）に示すように基板１０を大気に晒すことなく配線層１５を形成して、これを所定の形状に加工する。この様にスパツタクリーニングを用いることによって、例えば基板１０表面の配線層（図示せず）と配線層１５との間の、接続口１３を介しての接触抵抗はほぼ熱処理を行なわなくとも・・・十分に低い抵抗値が得られていた。」（〔発明の背景〕の欄、第２頁左上欄第１３行〜右上欄第１５行）、
「第１図（ａ）において、ポリイミド等の高分子」樹脂層２１にアスペクト比１／２以上の接続口２３を形成するためには湿式の化学エツチング液を用いることは一般に困難であることが知られている。これに代る方法としては・・・に示されているように、Ｏ２もしくはＯ２とＡｒ、Ｏ２とフレオン系ガスとの混合ガスを用いたドライエツチング法が用いられる。・・・接続口２３の形成の際に露出した基板２０表面には、主に基板２０表面を構成する物質の酸化物からなる反応層２４が形成される。・・・次に第１図（ｂ）に示すように、基板２０の表面にスパツタクリーニングを施し、第１の層２７の一部と反応層２４とをエツチング除去する。さらに基板２０を大気に晒すことなく第２の層２５を被着する。」（〔発明の概要〕の欄、第３頁左上欄第６行〜右上欄第１６行）、
「実施例１　図１（ａ）において、基板２０は半導体素子（図示せず）などが形成された集積回路基板であり、・・・その上に厚さ１μｍのポリイミド樹脂からなる高分子樹脂層２１が塗布法によって形成されている。・・・高分子樹脂層２１が」Ｏ２を用いた反応性スパツタエツチングによって除去され、・・・次に第２図（ｂ）に示すようにＡｒを用いたスパツタクリーニングによって、第１の層２７を３０ｎｍエツチングした。このエツチングの際に、反応物層２４も同時に除去された。次いで第２の層２５として厚さ約０．９μｍのＡｌ−２％Ｓｉ合金を被着し、フオトレジストをマスクとして所定の形状に加工した。・・・
実施例３図１（ａ）において基板２０として、ＭＯＳ素子とそれに接続するＡｌ−１％Ｃｕ合金からなる下部配線層（図示せず）を含むＳｉウエハを用いた。この上に厚さ約２μｍのポリイミド樹脂２１を被着し、・・・実施例１と同様に高分子樹脂層２１をエツチングして接続口２３を形成した。以下実施例１と同様な手順によって配線構造体を形成した。」（〔発明の実施例〕の欄、第３頁右下欄第１２行〜第４頁左下欄第１５行）、
「上記説明から明らかなように本発明の配線構造体及びその製造方法は従来技術に対して下記の利点を有している。
１）アスペクト比が１／２以上の接続口を用いても十分に低い接触抵抗が得られるため、配線構造の微細化が可能となる。」（〔発明の効果〕の欄、第５頁左上欄第１０〜１５行）が、第１図、第２図とともに記載されている。
　したがって、上記各記載から、引用例には、「下部配線層上のポリイミド樹脂にＯ２を用いた反応性スパツタリングによって前記下部配線層に達する開口を設ける第１の工程と、Ａｒを用いたスパツタクリーニングによって前記開口内の下部配線層上の酸化物を除去する第２の工程とを有し、前記第１の工程と前記第２の工程とを連続して行うことを特徴とするポリイミド樹脂のドライエッチング方法。」が記載されているものと認められる。
３．対比
　本願発明と引用例記載の発明とを対比すると、本願発明の「配線材」、「ポリイミド層間絶縁膜」、「酸素ガスを含有するガスをプラズマ化して照射」、「少なくとも前記開口内にアルゴンイオンを照射し前記開口内の配線材上の酸化物を除去する」は、それぞれ引用例記載の発明の「下部配線層」、「ポリイミド樹脂」、「Ｏ２を用いた反応性スパツタリング」、「Ａｒを用いたスパツタクリーニングによって前記開口内の下部配線層上の酸化物を除去する」に相当する。また、引用例に記載された発明の第１の工程及び第２の工程はいずれもスパッターを用いた操作であり、スパッターとは「真空中で、ガラス、プラスチック、金属その他の表面に金属の薄い層を付着させるために（もしくは取り去るために）用いる操作」（マグローヒル科学技術用語大辞典第３版）であるから、両工程が共に真空容器内で行われていることは明らかである。従って両者は、「配線材上のポリイミド層間絶縁膜に酸素ガスを含有するガスをプラズマ化して照射し前記配線材に達する開口を設ける第１の工程と、少なくとも前記開口内にアルゴンイオンを照射し前記開口内の配線材上の酸化物を除去する第２の工程とを有し、前記第１の工程と前記第２の工程とを真空容器内で連続して行うことを特徴とするポリイミド層間絶縁膜のドライエッチング方法。」である点で一致し、本願発明では第１の工程と第２の工程とを「同一」真空容器内で行うのに対して、引用例に記載された発明では両工程を「同一」真空容器内で行うかどうかについて明示されていない点（相違点）において相違する。
４．当審の判断
　上記相違点について検討する。
　真空容器を用いる複数の工程が連続する場合、各工程を別々の真空容器を使用して行うことなく、同一真空容器内で連続して行うようにすることは、多層配線構造体の製造方法においても周知の手法（例えば特開昭６２−２４９４５１号公報第３頁左上欄第１５行〜右上欄第４行等）である。
　したがって、引用例記載の発明において前記第１の工程と前記第２の工程とを同一真空容器内で行うようにすることは当業者であれば容易に想到し得たことであると認められる。
　また、両工程を同一真空容器内で行うようにしたことによる効果も当業者の予測する範囲内のものにすぎない。
　なお、請求人は審判請求理由補充書において、本願が特許されるべき理由として、本願はポリイミド絶縁膜に開口を設ける工程とアルゴンイオンを照射する工程とを同一真空容器内で連続して処理することで、開口形成後の配線材上への新たな酸化膜生成を極力抑えることができ、次に行う開口内の配線材上の酸化物除去を効果的にかつ極めて短時間で完了できるという効果を有する旨を主張するので、この点について検討する。
　本願明細書の（実施例１）には、「ポリイミド膜のエッチングを完了した後、同一の容器内にて再び排気し、０．１ｍｔｏｒｒまで排気し、アルゴンガスを供給し、排気抵抗弁８を調節して圧力を１０ｍｔｏｒｒとした。次に高周波電力を０．１５Ｗ／ｃｍ２加え、電極の負バイアス電位を２００Ｖとし、６０分間処理した。これによって、ポリイミド膜のオーバーエッチングによって生じた第１層アルミ配線表面の酸化膜を充分にスパッタエッチングした（図１（ｃ））。」（【００１１】）とある。
　すなわち、配線材上のポリイミド層間絶縁膜に酸素ガスを含有するガスをプラズマ化して照射し前記配線材に達する開口を設ける本願発明の第１の工程の終了時点において、配線材表面には配線材と酸素プラズマとの反応によって生じた酸化膜が存在し、その厚さは例えばアルゴンイオンの照射による酸化物除去工程に６０分を要する程度のものであることがわかる。
　一方、一般に第１の工程で使用する真空容器から第２の工程で使用する真空容器へ搬送する際には、表面に全く酸化膜が存在しない配線材を搬送した場合には配線材表面に自然酸化膜が生じる場合があるとしても、本願発明のように第１の工程により既に表面に酸化膜が形成された配線材を搬送する場合には、酸化膜の厚さを増加させる要因は自然酸化のみであり、予め酸化膜が形成されている場合自然酸化のみにより予め形成されていた酸化膜上に更に十分な厚さの自然酸化膜が形成されるとは認められないから、該酸化膜の厚さが搬送により顕著に増加するとは必ずしも認められない。
　すなわち、真空容器間の搬送工程の有無により、次に行う開口内の配線材上の酸化物除去に要する、時間に格別の差が生じるとはいえない。
　したがって、第１の工程と第２の工程とを同一真空容器内で連続して処理したことにより、開口内の配線材上の酸化物除去を効果的にかつ極めて短時間で完了できたという請求人が主張する本願発明の効果の顕著性は認めることができない。
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項１に係る発明は、上記引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。