(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報記憶装置の磁界印加装置用コイルに電流指示値に応じて該コイルに供給する電流のパルス幅を可変することにより該コイルに所定の電流を供給する磁界印加装置用コイル駆動制御回路において、
前記コイルに流れる電流を検出する電流検出部と、
前記電流検出部で検出された検出電流値と前記電流指示値とを比較する比較部と、
前記比較部での比較結果、前記検出電流値が前記電流指示値より大きい場合は、前記コイルへの電流供給を所定のオフ時間の間、オフにし、前記オフ時間経過後、前記コイルへの電流供給を行うように制御する電流制御部と、
前記電流指示値が小さい時は前記オフ時間を大きくし、前記電流指示値が大きい時はオフ時間が小さくなるように前記オフ時間を設定するオフ時間制御部と、を有することを特徴とする磁界印加装置用コイル駆動制御回路。
【請求項２】
前記電流指示値に対応する電流を流すための設定値ＤＡＣを設け、
前記電流指示値をビットシフトさせ、ゼロになるまでのビットシフト量に応じて前記オフ時間を設定することを特徴とする請求項１記載の磁界印加装置用コイル駆動制御回路。
【請求項３】
電流指示値に基づいた電流に応じた磁界を記録媒体に印加して、該記録媒体に情報の記録及び／又は再生及び／又は消去を行なう情報記憶装置において、
流れる電流に応じた磁界を記録媒体に印加する磁界印加部と、
前記磁界印加部に流れる電流を検出する電流検出部と、
前記電流検出部で検出された検出電流値と前記電流指示値とを比較する比較部と、
前記比較部での比較結果、前記検出電流値が前記電流指示値より大きい場合は、前記コイルへの電流供給を所定のオフ時間の間、オフにし、前記オフ時間経過後、前記コイルへの電流供給を行うように制御する電流制御部と、
前記電流指示値が小さい時は前記オフ時間を大きくし、前記電流指示値が大きい時はオフ時間が小さくなるように前記オフ時間を設定するオフ時間制御部と、を有することを特徴とする情報記憶装置。
【請求項４】
情報記憶装置の磁界印加装置用コイルに電流指示値に応じた電流が流れるように制御する磁界印加装置用コイル駆動制御方法において、
前記コイルに流れる電流を検出し、
検出された前記検出電流値と前記電流指示値とを比較し、
その比較結果、前記検出電流値が前記電流指示値より大きい場合は、前記コイルへの電流供給を所定のオフ時間の間、オフにし、前記オフ時間経過後、前記コイルへの電流供給を行うように制御し、
前記電流指示値が小さい時は前記オフ時間を大きくし、前記電流指示値が大きい時はオフ時間が小さくなるように前記オフ時間を設定することを特徴とする磁界印加装置用コイル駆動制御方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は磁界印加装置用コイル駆動回路及び情報記憶装置並びに磁界印加装置用コイル駆動制御方法に係り、特に、コイルにパルス状に電流指示値に応じた電流を供給し駆動する磁界印加装置用コイル駆動回路及び情報記憶装置並びに磁界印加装置用コイル駆動制御方法に関する。
【０００２】
近年、コンピュータで取り扱う情報量の増加に伴い、情報記憶装置の記憶容量の増加が望まれている。また、情報記憶装置としては、記録／再生可能な光磁気ディスク装置が注目されている。
【０００３】
光磁気ディスク装置では、超解像（ＭＳＲ：magnetically induced super resolution）技術を用いることによりさらなる記録密度向上が図られている。
【０００４】
図１は超解像技術を説明するための図を示す。図１（Ａ）は光磁気ディスクのトラック部分を拡大した図、図１（Ｂ）は光磁気ディスクの断面図を示す。
【０００５】
超解像技術で用いる光磁気ディスク２は、記録層Ｌ１、中間層Ｌ２、読出層Ｌ３を有する。超解像技術は、読み出そうとするピットＰ０に隣接するピットＰｆ、ＰｒをレーザスポットＬｓによる温度分布により磁気的にマスクＭｓｆ、Ｍｓｒすることにより記録密度を高める技術である。マスクＭｓｆでは、レーザスポットＬｓが照射されておらず、温度が低いため、再生磁界により中間層Ｌ３が所定の方向に磁化され、記録層Ｌ１の情報が読出層Ｌ３に反映されずに情報の読出しが行なえない。また、マスクＭｓｒでは、レーザスポットＬｓが通過した領域であり、温度が高いため、読出層Ｌ３が再生磁界により磁化され、記録層Ｌ１の情報が読出層Ｌ３に反映されずに情報の読出しが行なえない。このように、レーザスポットＬｓの前後の温度分布により中間層Ｌ２及び読出層Ｌ３の再生磁界が影響し、読出可能な部分が限定され、高密度化が可能となる。しかし、超解像技術では、再生時に使用する外部磁界の強さを適切に設定して再生信号のレベル低下や再生不能を防止する必要があった。
【０００６】
【従来の技術】
図２は光磁気ディスク装置の分解斜視図を示す。
【０００７】
光磁気ディスク装置１は、光磁気ディスク２が収納された光磁気ディスクカートリッジ３が収納され、光磁気ディスク２に情報を記録／消去／再生する。光磁気ディスク装置１は、ベースアッセンブリ１１、ロードアッセンブリ１２及び回路基板１３から構成されている。
【０００８】
図３はベースアッセンブル１１の構成図を示す。図３（Ａ）はベースアッセンブリ１１の平面図、図３（Ｂ）はキャリッジ付近の斜視図、図３（Ｃ）はキャリッジ付近の断面図を示す。
【０００９】
ベースアッセンブリ１１は、メカベース２１にスピンドルモータ２２、固定光学系２３、キャリッジ２４、ヘッド回路基板２５を装着した構成とされている。
【００１０】
スピンドルモータ２２は、光磁気ディスクカートリッジ３に収納された光磁気ディスク２が所定のロード位置に装着されたときに、光磁気ディスク２の中心孔４と係合して、光磁気ディスク２を回転させる。固定光学系２３は、レーザダイオードを含み、ヘッド回路基板２５から供給される駆動信号に応じたレーザビームを出力する。固定光学系２３から出力されたレーザビームは、キャリッジ２４に供給される。
【００１１】
キャリッジ２４では、固定光学系２３から、すなわち、矢印Ｂ１方向からのレーザビームを光磁気ディスク２の方向、矢印Ａ１方向に立上げ、光磁気ディスク２に照射する。このとき、キャリッジ２４では、レーザビームＬＢが光磁気ディスク２に合焦するように対物レンズ２４ａを矢印Ａ方向に揺動させ、フォーカス制御を行なう。また、キャリッジ２４では、レーザビームＬＢが光磁気ディスク２に形成された所定のトラック上を走査するように対物レンズ２４を矢印Ｂ方向に揺動させ、トラッキング制御を行なう。さらに、キャリッジ２４には、ポジショナ２４ｂが設けられており、ポジショナ２４ｂによりキャリッジ２４が光磁気ディスク２の半径方向、矢印Ｂ方向に移動される。
【００１２】
キャリッジ２４から光磁気ディスク２に照射されたレーザビームＬＢは、光磁気ディスク２で反射され、キャリッジ２４に戻る。キャリッジ２４は、光磁気ディスク２で反射されたレーザビームＬＢを固定光学系２３に供給する。
【００１３】
固定光学系２３は、キャリッジ２４からのレーザビームＬＢに基づいてＭＯ信号、フォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号を検出する。レーザビームＬＢは、固定光学系２３に設けられた信号検出用ディテクタに供給され、電気信号に変換される。また、レーザビームＬＢは、固定光学系２３に設けられたフォーカスエラー検出用ディテクタに供給され、電気信号に変換される。さらに、レーザビームＬＢは、固定光学系２３に設けられたトラッキングエラー検出ディテクタに供給され、電気信号に変換される。信号検出用ディテクタ、フォーカスエラー検出用ディテクタ、トラッキングエラー検出用ディテクタで変換された信号は、ヘッド回路基板２５に供給される。ヘッド回路基板２５は、信号検出用ディテクタ、フォーカスエラー検出用ディテクタ、トラッキングエラー検出用ディテクタで検出された信号を増幅して、回路基板１３に供給する。
【００１４】
ベースアッセンブリ１１には、ロード／イジェクトアッセンブリ１２が装着される。ロード／イジェクトアッセンブリ１２は、光磁気ディスクが収納された光磁気ディスクカートリッジ（図示せず）の所定のロード位置にロードするとともに光磁気ディスクカートリッジをロード位置からイジェクトするものであり、ロードベース３１にロード機構３２、カートリッジホルダ３３、イジェクトモータ３４を装着した構成とされている。
【００１５】
ロードベース３１には、ロードイジェクト機構３２を介してカートリッジホルダ３３が移動可能に保持される。光磁気ディスクカートリッジは、カートリッジホルダ３３に装着される。カートリッジホルダ３３には、カートリッジ保持機構及びシャッタ開閉機構並びにバイアス磁界印加装置２５が設けられている。カートリッジ保持機構は、光磁気ディスクカートリッジ３をロード／イジェクトする際に光磁気ディスクカートリッジ３をガイドし、姿勢を保持する機構である。また、シャッタ開閉機構は、ロード時に光磁気ディスクカートリッジ３に係合して光磁気ディスクカートリッジ３に設けられたシャッタ５を開くとともに、イジェクト時に光磁気ディスクカートリッジ３に設けられたシャッタ５を閉じる機構である。
【００１６】
また、バイアス磁界印加装置３５は、図２（Ｂ）に示すようにコイル３５ａ及びヨーク３５ｂから構成される。コイル３５ａに電流を供給することにより磁界が発生し、コイル３５ａにより発生した磁界は、ヨーク３５ｂを通り、光磁気ディスク２に印加される。
【００１７】
ロード／イジェクト機構３２は、イジェクトモータ３４により駆動され、光磁気ディスクカートリッジ３をイジェクトする。イジェクトモータ３４は、回路基板１３と接続されており、回路基板１３からの駆動信号に基づいて駆動される。また、回路基板１３は、イジェクトボタンの操作を検出し、イジェクトモータ３４に駆動信号を供給する。
【００１８】
また、磁界印加装置３５は、カートリッジホルダ３３上面の光磁気ディスクカートリッジ３のシャッタ５開放部分に対応した位置に装着される。磁界印加装置３５は、光磁気ディスクカートリッジ３が装着されたときに、光磁気ディスク２を介してキャリッジ２４と対向する位置に配置される。磁界印加装置３５は、情報の記録／消去／再生時に光磁気ディスク２に磁界を印加する。
【００１９】
図４は光磁気ディスク装置のブロック構成図を示す。
【００２０】
インタフェース１１１、バッファメモリ１１２、ＭＰＵ１１３、光ディスクコントローラ（ＯＤＣ）１１４、ライトＬＳＩ１１５、リードＬＳＩ１１６、ＤＳＰ１１７、フォーカスエラー信号検出回路１１８、トラッキングエラー信号検出回路１１９、トラックゼロクロス検出回路１２０、ドライバ回路１２１〜１２６は、回路基板１３に搭載されている。制御回路基板１３には、レーザダイオードユニット１３１、ヘッドアンプ１３３、温度センサ１３４、スピンドルモータ２２、磁界印加装置３５、多分割ディテクタ１３７、フォーカスアクチュエータ１３８、レンズアクチュエータ１３９、ポジショナ２４ｂ、イジェクトモータ３４が接続されている。
【００２１】
インタフェース１１１は、上位装置との間でコマンド及びデータのやり取りを行なう。バッファメモリ１１２は、インタフェース１１１、ＭＰＵ１１３、光ディスクコントローラ１１４で共用され、記録／再生データを一時的に記憶するとともに、作業用記憶領域として用いられる。
【００２２】
ＭＰＵ１１３は、予め記憶されたファームウェアに基づいて装置全体の制御を行なう。光ディスクコントローラ１１４は、光磁気ディスク２に対するデータのリード・ライトに必要な処理を行なう。
【００２３】
ライトＬＳＩ１１５は、ライト変調回路及びレーザダイオード制御回路を内蔵し、光ディスクコントローラ１１４からのライトデータを媒体種別に応じてＰＰＭ記録データ又はＰＷＭ記録データに変換し、レーザダイオードユニット１３１に供給する。レーザダイオードユニット１３１は、固定光学系２３に設けられており、ライトＬＳＩ１５からのデータに基づいてレーザビームを出射する。レーザダイオードユニット１３１から出射されてレーザビームは固定光学系２３を介してキャリッジ２４に供給される。
【００２４】
リードＬＳＩ１６は、リード復調回路及び周波数シンセサイザを内蔵し、ヘッドアンプ１３３からのＩＤ信号及びＭＯ信号からリードクロックとリードデータを作成し、元のデータを復調する。ＤＳＰ１１７には、温度センサ１３４から温度検出信号、ＦＥＳ検出回路１１８からフォーカスエラー信号、ＴＥＳ検出回路１１９からトラッキングエラー信号、ゼロクロス検出回路１２０からのゼロクロス信号に基づいてサーボ制御を行なう。
【００２５】
ＦＥＳ検出回路１１８は、多分割ディテクタ１３７の検出信号に基づいてフォーカスエラー信号を検出する。ＴＥＳ検出回路１１９は、多分割ディテクタ１３７の検出信号に基づいてトラッキングエラー信号を検出する。多分割ディテクタ１３７は、固定光学系２３に固定されており、光磁気ディスク２からの反射光を電気信号に変換する。
【００２６】
ドライバ回路１２１は、ＤＳＰ１１７からの指示値に応じてスピンドルモータ３５を駆動するための駆動信号を生成し、スピンドルモータ３５に供給する。ドライバ回路１２２は、ＤＳＰ１１７からの電流指示値に応じて磁界印加装置３５を駆動する。
【００２７】
磁界印加装置３５は、電磁石から構成され、光磁気ディスク２に印加する磁場をドライバ回路１２２からの駆動信号に応じて変化させることができるように構成されている。
【００２８】
ドライバ回路１２３は、ＤＳＰ１１７からのフォーカス制御信号に応じてフォーカスアクチュエータ１３８を駆動する。ドライバ回路１２４は、ＤＳＰ１１７からのトラッキング指示値に応じてレンズアクチュエータ１３９を駆動する。ドライバ２５は、ＤＳＰ１１７からのポジショニング指示値に応じてポジショナ２４ｂを駆動する。
【００２９】
このとき、バイアス磁界印加装置３５は、ＰＷＭ（pulse width modulation）方式により駆動される。バイアス磁界印加装置３５の駆動方法は、例えば、特開平9-44924号公報及び特開2000-245192号公報に記載がある。
【００３０】
特開平9-44924号公報及び特開2000-245192号公報は、磁場を発生させるためのバイアスコイルにＨブリッジ回路からなるＰＷＭ駆動回路を用い、電流検出回路とＭＰＵにより、電流制御する技術が記載されている。なお、このとき、ＰＷＭ制御のオフ時間は、固定されていた。
【００３１】
超解像技術を用いた従来の光ディスク装置にあっては、再生時に使用する再生磁界の強さを厳密に制御しなければ、適切な再生動作ができないという問題があった。
【００３２】
そこで、特開平11-25539号公報で、超解像技術を用いた場合、再生時に使用する外部磁界の強さを適切に設定して再生信号のレベル低下や再生不能を防止する光学的記憶装置及び光記憶媒体の記録再生方法が提案されている。特開平11-25539号公報においても、ＰＷＭ制御のオフ時間は、固定されていた。
【００３３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のようにオフ時間を固定したＰＷＭ制御方式では、電流指示値、特に、少ない電流指示値に対する実電流の直線性が悪くなり、適切な再生動作ができないという問題があった。
【００３４】
また、直線性を重視すると、大電流領域で電源のリップルノイズが大きくなり、装置の動作上、不安定になる恐れが生じた。
【００３５】
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、少ない電流指示値においてもコイルを適切に駆動し得る磁界印加装置用コイル駆動回路及び情報記憶装置並びに磁界印加装置用コイル駆動制御方法を提供することを目的とする。
【００３６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、情報記憶装置の磁界印加装置用コイルに電流指示値に応じて該コイルに供給する電流のパルス幅を可変することにより該コイルに所定の電流を供給する磁界印加装置用コイル駆動制御回路において、前記コイルに流れる電流を検出する電流検出部と、前記電流検出部で検出された検出電流値と前記電流指示値とを比較する比較部と、前記比較部での比較結果、前記検出電流値が前記電流指示値より大きい場合は、前記コイルへの電流供給を所定のオフ時間の間、オフにし、前記オフ時間経過後、前記コイルへの電流供給を行うように制御する電流制御部と、前記電流指示値が小さい時は前記オフ時間を大きくし、前記電流指示値が大きい時はオフ時間が小さくなるように前記オフ時間を設定するオフ時間制御部と、を有することを特徴とする。
【００３７】
このとき、電流指示値が小さい時は、オフ時間が大きくなるようにオフ時間を設定し、電流指示値が大きい時は、オフ時間が小さくなるようにオフ時間を設定することを特徴とする。
【００３８】
また、オフ時間を電流指示値をビットシフトし、ビットシフトした値に応じてオフ時間を決定したり、また、電流指示値に対するオフ時間を記憶したオフ時間テーブルより決定したりする。
【００３９】
本発明によれば、電流指示値が小さい時はオフ時間が大きくなるようにオフ時間を設定し、電流指示値が大きい時はオフ時間が小さくなるようにオフ時間を設定することにより、小電流時に確実に電流を低減でき、指示値に対する実電流の直線性が改善でき、また、大電流時にオフ時間で電流が大きく低減することを防止でき、よって、リップルノイズを低減できる。
【００４０】
【発明の実施の形態】
本実施例は、磁界印加装置３５を駆動するドライバ回路２１０及びＤＰＳ１１７での制御が従来の光磁気ディスク装置１と相違している。
【００４１】
図５は本発明の一実施例のドライバ回路のブロック図、図６はドライバＩＣの回路構成図、図７は図６に示すドライバＩＣの真理値表を示す。
【００４２】
ドライバ回路２１０は、ドライバＩＣ２１１、電流検出抵抗Ｒs、電流検出回路２１２、比較回路２１３を含む構成とされている。
【００４３】
ドライバＩＣ２１１は、プリドライバ部２２１及びトランジスタ２２２〜２２５、トランジスタの内蔵ダイオード２２６〜２２９を含む構成とされており、ＤＳＰ１１７から第１の制御信号BMGF及び第２の制御信号BMGRが供給される。
【００４４】
トランジスタ２２２は、ゲートがプリドライバ部２２１に接続され、ドレイン−ソースが電源端子Ｔvと正極端子Ｔpとの間に接続されている。トランジスタ２２２の内蔵ダイオード２２６は、アノードが正極端子Ｔp、カソードが電源端子Ｔvに接続されており、フライホイールダイオードとして機能する。トランジスタ２２３は、ゲートがプリドライバ部２２１に接続され、ドレイン−ソースが負極端子Ｔpと検出端子Ｔsとの間に接続されている。トランジスタ２２３の内蔵ダイオード２２７は、アノードが電流検出端子Ｔsに接続され、カソードが負極端子Ｔnに接続され、フライホイールダイオードとして機能する
トランジスタ２２４は、ゲートがプリドライバ部２２１に接続され、ドレイン−ソースが電源端子Ｔvと負極端子Ｔnとの間に接続されている。トランジスタ２２４の内蔵ダイオード２２８は、アノードが負極端子Ｔnに接続され、カソードが電源端子Ｔvに接続され、フライホイールダイオードとして機能する。トランジスタ２２５は、ゲートがプリドライバ部２２１に接続され、ドレイン−ソースが正極端子Ｔpと検出端子Ｔsとの間に接続されている。トランジスタ２２５の内蔵ダイオード２２９は、アノードが電流検出端子Ｔsに接続され、カソードが正極端子Ｔpに接続されている。
【００４５】
電源端子Ｔvには、電源電圧Ｖccが印加される。正極端子Ｔpと負極端子Ｔnとの間には磁界印加装置３５のコイル３５ａが接続される。電流検出端子Ｔsと接地との間には、電流検出抵抗Ｒsが接続される。
【００４６】
プリドライバ部２２１は、図７に示すように第１の制御信号BMGFがハイレベルで、かつ、第２の制御信号BMGRがローレベルのときは、トランジスタ２２２及び２２３をオンし、かつ、トランジスタ２２４及び２２５をオフする。これにより、コイル３５ａに正極端子Ｔpから負極端子Ｔnに向かって電流が流れる。第１の制御信号BMGFがローレベルで、かつ、第２の制御信号BMGRがハイレベルのときは、トランジスタ２２４及び２２５をオンし、かつ、トランジスタ２２２及び２２３をオフする。これにより、コイル３５ａに負極端子Ｔnから正極端子Ｔpに向かって電流が流れる。さらに、第１の制御信号BMGF、及び、第２の制御信号BMGRがともにローレベルのときは、トランジスタ２２２及び２２４はオフし、トランジスタ２２３及び２２５はオンする。これにより、コイル３５ａの両端の電位を同電位にすることでコイル３５ａに電流が流れなくなる。
【００４７】
正極端子Ｔpから負極端子Ｔnに向かって電流が流れていたモードから、第１及び第２の制御信号BMGF／BMGRがともにローレベルに変化した場合には、コイル３５ａに流れている電流は、負極端子Ｔn→トランジスタ２２３→検出端子Ｔs→トランジスタ２２５→正極端子Ｔpの経路で電流が流れ、熱消費される。ただし、電流がゼロになる前に、第１の制御信号BMGFがローレベルに、かつ、第２の制御信号BMGRがハイレベルに変化した場合には、正極端子Ｔpから負極端子Ｔnに向かって流れていた電流は、ＧＮＤ→検出抵抗Ｒs→検出端子Ｔs→トランジスタ２２５（またはダイオード２２８）→電源端子Ｔv→電源Ｖccの経路で電流が電源に回生される。
【００４８】
同様に、負極端子Ｔnから正極端子Ｔpに向かって電流が流れていたモードから、第１及び第２の制御信号BMGF／BMGRがともにローレベルに変化した場合には、コイル３５ａに流れている電流は、正極端子Ｔp→トランジスタ２２５→検出端子Ｔs→トランジスタ２２３→負極端子Ｔnの経路で電流が流れ、熱消費される。ただし、電流がゼロになる前に、第１の制御信号BMGFがハイレベルに、かつ、第２の制御信号BMGRがローレベルに変化した場合には、負極端子Ｔnから正極端子Ｔpに向かって流れていた電流は、ＧＮＤ→検出抵抗Ｒs→検出端子Ｔs→トランジスタ２２２（またはダイオード２２６）→電源端子Ｔv→電源Ｖccの経路で電流が電源に回生される。
【００４９】
以上のようにして、第１の制御信号BMGFと第２の制御信号BMGRによって磁界印加装置３５で発生される磁界の極性が切り換えられる。
【００５０】
電流検出抵抗Ｒsは、ドライバＩＣ２１１の電流検出端子Ｔsと接地との間に接続されている。電流検出抵抗Ｒsには、コイル３５ａに流れた電流に応じた電流が流れる。このため、電流検出抵抗Ｒsの両端にコイル３５ａに流れた電流に応じた電圧が発生する。
【００５１】
電流検出回路２１２は、抵抗Ｒ1〜Ｒ4及びオペアンプ２３１により差動アンプを構成している。電流検出回路２１２は、電流検出抵抗Ｒsの両端の電圧に応じた出力信号を出力する。電流検出回路２１２の出力信号は、比較回路２１３の反転入力端子に供給される。
【００５２】
比較回路２１３には、ＤＳＰ１１７から基準電圧Ｖrefが供給される。なお、この基準電圧Ｖrefにより設定電流値が決定される。比較回路２１３は、電流検出回路２１２からの出力信号とＤＳＰ１１７からの基準電圧Ｖrefとを比較し、電流検出回路２１２からの出力信号が基準電圧Ｖrefより小さいときには、ハイレベル、電流検出回路２１２からの出力信号が基準電圧Ｖrefより大きければ、ローレベルの信号を出力する。比較回路２１３の出力信号は、ＤＳＰ１１７に供給される。
【００５３】
図８は本発明の一実施例のバイアス磁界制御系のブロック構成図を示す。
【００５４】
バイアス磁界制御系は、主にファームウェア３０１、バイアス磁界設定テーブル３０２、レジスタ３１１〜３１３、バイアス制御部３１４、基準電圧生成部３１５から構成されている。例えば、ファームウェア３０１及びバイアス磁界設定テーブル３０２は、ＭＰＵ１１３に設けられ、レジスタ３１１〜３１３及びバイアス制御部３１４、基準電圧生成部３１５は、ＤＳＰ１１７に設けられる。
【００５５】
図９は本発明の一実施例のファームウェアの処理フローチャートを示す。
【００５６】
ファームウェア３０１は、ステップＳ１でホストからのコマンドを解析し、消去動作か、記録動作か、再生動作かを判定する。ステップＳ１で、コマンドが消去の場合には、ステップＳ２でバイアス磁界設定テーブル３０２を参照し、消去用バイアス磁界電流値ＩEをコイル３５ａに流すための設定値ＤＡＣEをレジスタ３１３にセットする。レジスタ３１３にセットされた設定値ＤＡＣEは、基準電圧生成部３１５に供給される。基準電圧生成部３１５は、セットされた設定値ＤＡＣEに応じた基準電圧ＶREFを比較回路２１３に出力する。
【００５７】
ここで、バイアス磁界設定テーブル３０２について説明する。
【００５８】
図１０は本発明の一実施例のバイアス磁界設定テーブルのデータ構成を説明するための図を示す。図１０（Ａ）はバイアス磁界設定テーブル３０２のデータ構成図、図１０（Ｂ）は光磁気ディスク２のゾーン構造を説明するための図である。
【００５９】
バイアス磁界設定テーブル３０２には、図１０（Ａ）に示すように消去用設定電流値ＩEを決定するための設定値ＤＡＣE、記録用設定電流値ＩWを決定するための設定値ＤＡＣW、及び再生用初期電流値ＩRZ1〜ＩRZ11を決定するための設定値ＤＡＣRZ1〜ＤＡＣRZ11並びに校正係数α1〜α11が記憶されている。このとき、再生用初期電流値ＩRZ1〜ＩRZ11を決定するための設定値ＤＡＣRZ1〜ＤＡＣRZ11並びに校正係数α1〜α11は、光磁気ディスク２に予め設定されているゾーンＺ1〜Ｚ11毎に設定されている。
【００６０】
なお、ゾーンＺ1〜Ｚ11は、図１０（Ｂ）に示すように光磁気ディスク２の半径方向矢印Ｒ方向に円周状に分割された領域である。また、再生時設定電流値は、再生用初期電流値ＩRZ1〜ＩRZ11に対応する校正係数α1〜α11 をかけた値となる。
【００６１】
なお、再生用初期電流値ＩRZ1〜ＩRZ11を決定するための設定値ＤＡＣRZ1〜ＤＡＣRZ11は、予めデバック段階で所定値として、バイアス磁界設定テーブル３０２に記憶されている。また、校正係数α1〜α11は、例えば、特願平９−１７３５９３号公報の図１２に示されるような再生磁界校正処理によって決定、更新される。
【００６２】
次に、ファームウェア３０１はステップＳ３でバイアス磁界設定テーブル３０２から読み出した設定値ＤＡＣEに対応したオフ時間カウント値BMPWMCNTをオフ時間テーブル３０３から読出し、レジスタ３１１に格納する。レジスタ３１１は、少なくとも８ビットの記憶領域が確保されており、オフ時間設定値ＤＡＣに対応した８ビットの情報を記憶可能とされている。
【００６３】
次にステップＳ４でレジスタ３１２のBMFRBビットに「０」をセットする。レジスタ３１２は、BMIFONビット、BMPWMENビット、BMFRBビットの少なくとも３ビットの記憶領域が確保されており、各ビットに動作に応じて「１」又は「０」の情報がセットされる。
【００６４】
ファームウェア３０１は、ステップＳ５でレジスタ３１２のBMPWMENビット及びBMIFONビットに「１」がセットされると、ステップＳ６で消去処理を実行する。消去処理実行後、ステップＳ７でレジスタ３１２のBMPWMENビット及びBMIFONビットを「０」にセットする。
【００６５】
また、ステップＳ１で入力コマンドが記録動作である場合には、ファームウェア３０１はステップＳ１３でバイアス磁界設定テーブル３０２から最適電流値ＩWを流すためのオフ時間設定値ＤＡＣWを読み出す。
【００６６】
さらに、ステップＳ１４で読み出されたオフ時間設定値ＤＡＣWに対応したカウント値BMPWMCNTをオフ時間テーブル３０３から読出し、レジスタ３１１にセットする。また、ステップＳ１５でレジスタ３１２のＢＭＦＲＢビットに「１」をセットし、ステップＳ１６でレジスタ３１２のＢＭＰＷＭＥＮビット及びＢＭＩＦＯＮビットに「１」をセットする。ステップＳ１７で記録処理を行ない、ステップＳ７でレジスタ３１２のＢＭＰＷＭＥＮビット及びＢＭＩＦＯＮビットを「０」にセットし、コイル３５ａへの電流をオフする。
【００６７】
さらに、ステップＳ１で入力コマンドが再生動作である場合には、ファームウェア３０１はステップＳ８でバイアス磁界設定テーブル３０２に記憶された電流値ＩRを流すための設定値ＤＡＣR及び校正係数αを読み出す。このとき、ゾーンＺ1〜Ｚ11のうち再生を行なおうとするゾーンに対応した設定値ＤＡＣR及び校正係数αを読み出し、設定値ＤＡＣRに校正係数αをかけた値をレジスタ３１３にセットする。
【００６８】
さらに、ステップＳ９で読み出された設定値ＤＡＣRに対応したオフ時間カウント値BMPWMCNTをオフ時間テーブル３０３から読出し、レジスタ３１１にセットする。
【００６９】
図１１はオフ時間テーブル３０３のデータ構成図を示す。
【００７０】
オフ時間テーブル３０３は、図１１に示すように設定値ＤＡＣRに対応したオフ時間カウント値BMPWMCNTが記憶されている。例えば、設定値ＤＡＣRの「00x00」〜「00x0f」に対してオフ時間カウント値「0x18」、設定値ＤＡＣRの「00x10」〜「00x1f」に対してオフ時間カウント値「0x10」、設定値ＤＡＣRの「00x20」〜「00x3f」に対してオフ時間カウント値「0x08」、設定値ＤＡＣRの「00x40」〜「00x7f」に対してオフ時間カウント値「0x04」、設定値ＤＡＣRの「00x80」〜「00xff」に対してオフ時間カウント値「0x01」が設定されている。
【００７１】
次にステップＳ１０でレジスタ３１２のＢＭＦＲＢビットに「１」をセットし、ステップＳ１１でレジスタ３１２のＢＭＰＷＭＥＮビット及びＢＭＩＦＯＮビットに「１」をセットする。ステップＳ１２で再生／確認処理を行ない、ステップＳ７でレジスタ３１２のＢＭＰＷＭＥＮビット及びＢＭＩＦＯＮビットを「０」にセットし、コイル３５ａへの電流をオフする。
【００７２】
なお、上記記載では、再生動作時についてオフ時間テーブル３０３を用いてオフ時間を設定する動作を説明しているが、消去、記録動作にも同様にオフ時間テーブル３０３を用いてオフ時間が設定される。
【００７３】
バイアス制御部３１４は、上記レジスタ３１１〜３１３にセットされた値に基づいて制御動作を行なう。
【００７４】
図１２は本発明の一実施例のバイアス制御部のブロック構成図を示す。
【００７５】
バイアス制御部３１４は、ＡＮＤゲート３４１〜３４３、インバータ３４４、３４５、同期用フリップフロップ３４６、オフ期間計測用カウンタ３４７、ハザードキャンセラ３４８を含む構成とされている。
【００７６】
バイアス制御部３１４には、レジスタ３１１からオフ時間カウント値BMPWMENCNT、レジスタ３１２からイネーブル信号BMPWMEN、方向設定信号BMFRB、インタフェースオン信号BMIFONが供給される。また、バイアス制御部３１４には、比較回路２１３の出力パルスBMDTCRの反転パルス＊BMDTCRが供給される。
【００７７】
レジスタ３１２からイネーブル信号BMPWMEN及び比較回路２１３からの出力パルス＊BMDTCRは、ＡＮＤゲート３４１に供給される。
【００７８】
ＡＮＤゲート３４１は、バイアスイネーブル信号BMPWMENが有効であり、かつ、比較回路２１３の出力パルス＊BMDTCRがハイレベルのとき、すなわち、コイル検出電流値が電流指示値より小さいときハイレベルとなる。
【００７９】
ＡＮＤゲート３４１の出力は、同期用フリップフロップ３４６に供給される。同期用フリップフロップ３４６は、ＡＮＤゲート３１４の出力パルスの出力タイミングをクロックＣＬＫに同期させる。同期用フリップフロップ３４６の出力は、オフ時間計測用カウンタ３４７のロード端子ＬＤに供給される。オフ時間計測用カウンタ３４７は、同期用フリップフロップ３４６からの出力の立ち上がりに応じてレジスタ３１１に設定されたオフ時間カウント値BMPWMENCNTをロードする。オフ時間測定用カウンタ３４７は、所定のクロックをカウントし、カウント値がレジスタ３１１からロードされたオフ時間カウント値BMPWMENCNTになったときに、カウントアップパルス端子ＣＯからカウントアップパルスが出力される。
【００８０】
カウンタアップパルスは、ハザードキャンセラ３４８及びインバータ３４４に供給される。ハザードキャンセラ３４８は、カウントアップパルスのノイズを除去する。ハザードキャンセラ３４８でノイズが除去されたカウントアップパルスは、ＡＮＤゲート３４２、３４３に供給される。
【００８１】
ＡＮＤゲート３４２には、ハザードキャンセラ３４８からカウントアップパルスが供給されるとともに、レジスタ３１１から駆動方向設定パルスBMFRB及びインタフェースオンパルスBMIFONが供給され、３入力のＡＮＤ論理を出力する。  ＡＮＤゲート３４２の出力は、フォワード方向駆動指示信号としてドライバＩＣ２１１に供給される。
【００８２】
ＡＮＤゲート３４３には、ハザードキャンセラ３４８からカウントアップパルスが供給されるとともに、レジスタ３１２から駆動方向設定パルスBMFRBをインバータ３４５で反転した反転駆動方向設定パルス＊BMFRB及びインタフェースオンパルスBMIFONが供給され、３入力のＡＮＤ論理を出力する。ＡＮＤゲート３４３の出力は、リバース方向駆動指示信号としてドライバＩＣ２１１に供給される。
【００８３】
図１３はバイアス制御部３１４の動作説明図を示す。図１３（Ａ）は電流検出回路２１２の出力、図１３（Ｂ）は比較回路２１３の出力パルスBMDTCR、図１３（Ｃ）はイネーブル信号BMPWMEN、図１３（Ｄ）はインタフェースオン信号BMIFON、図１３（Ｅ）はオフ時間計測用カウンタ３４７のカウント値、図１３（Ｆ）はフォワード方向駆動指示信号BMGFを示す。
【００８４】
図１３（Ｃ）に示すようにイネーブル信号BMPWMENをアサートした後、図１３（Ｄ）に示すようにインタフェースオン信号BMIFONをアサートする。このとき、図１３（Ｆ）に示すようにフォワード方向駆動指示信号BMGFがハイレベルであると、コイル３５ａに電流が流れる電流が増加する。コイル３５ａに流れる電流が増加すると、図１３（Ａ）に示すように電流検出回路２１２の出力が増加する。
【００８５】
図１３（Ａ）に示すように時刻ｔ１で電流検出回路２１２の出力が基準電圧Ｖrefより大きくなると、図１３（Ｂ）に示すように比較回路２１３の出力BMDTCRがローレベルになる。
【００８６】
比較回路２１３の出力＊BMTCRがローレベルになると、図１３（Ｅ）に示すようにオフ時間計測用カウンタ３４７にレジスタ３１１にセットされたカウント値BMPWMCNTがセットされ、オフ時間計測用カウンタ３４７のカウントが開始される。このとき、オフ時間計測用カウンタ３４７のカウントアップ出力は、ローレベルになる。オフ時間計測用カウンタ３４７のカウントアップ出力がローレベルになると、図１３（Ｆ）に示すようにＡＮＤゲート３４２、３４３の出力がローレベルになる。
【００８７】
時刻ｔ１でオフ時間計測用カウンタ３４７のカウントが開始され、時刻ｔ２でオフ時間計測用カウンタ３４７のカウント値がオフ時間カウント値BMPWMCNTに達すると、オフ時間計測用カウンタ３４７のカウントアップ出力ＣＯがハイレベルになる。カウントアップ出力ＣＯがハイレベルになることにより、ＡＮＤゲート３４２の出力BMGFがハイレベルになり、コイル３５ａに電流が流れ、同様の動作を繰り返す。これにより、コイル３５ａに流れる電流が略一定の保たれる。
【００８８】
本実施例では、オフ時間計測用カウンタ３４７に与えるオフ時間カウント値BMPWMCNTをコイル３５ａに供給する電流が小さい時は、オフ時間が大きくなるように設定する。オフ時間が大きくなることにより、電源のリップルノイズが多少大きくなるが、オフ時間が小さい場合に比べ、直線性が改善される。電源の直線性が改善されることにより、ＰＷＭ効率が向上する。
【００８９】
また、本実施例では、オフ時間計測用カウンタ３４７に与えるオフ時間カウント値BMPWMCNTをコイル３５ａに供給する電流が大きい時は、オフ時間が小さくなるように設定する。オフ時間を小さくすることにより、オフ時間が大きい場合に比べ、ＰＷＭ効率は多少落ちるが、電源のリップルノイズを極力抑えることが出来る。また、直線性も問題無い。
【００９０】
図１４はオフ時間カウント値BMPWMCNTを「０１」、「０４」、「０８」、「１０」、「１８」と変化させたとき及びオフ時間テーブルに基づいて変化させたときの電流設定値ＤＡＣに対するバイアス電流を示す図である。
【００９１】
また、図１５はオフ時間カウント値BMPWMCNTを「０１」、「０４」、「０８」、「１０」、「１８」と変化させたとき及びオフ時間テーブルに基づいて変化させたときのバイアス電流に対するＰＷＭ効率を示す図である。
【００９２】
さらに、図１６はオフ時間カウント値BMPWMCNTを「０１」、「０４」、「０８」、「１０」、「１８」と変化させたとき及びオフ時間テーブルに基づいて変化させたときのバイアス電流に対する電源リップル電圧を示す図である。
【００９３】
図１４、図１５に示すように、オフ時間カウント値BMPWMCNT、すなわち、オフ時間を大きくすることにより、直線性が改善され、ドライバの損失を低減、すなわち、ＰＷＭ効率を向上することが可能であるが、図１６に示すように大電流域で、電源のリップルノイズが大きくなってしまう。
【００９４】
また、オフ時間カウント値BMPWMCNT、すなわち、オフ時間を小さくすれば、電源リップルノイズは極力抑えることが可能だが、図１４、図１５に示すように、小電流域で、直線性やPWM効率が悪化してしまう。
【００９５】
本実施例によれば、設定値ＤＡＣに応じてオフ時間を切り換えることにより図１４〜図１６に示すように、設定値ＤＡＣに対する実電流の直線性が改善され、かつ、ドライバの損失を低減、すなわち、ＰＷＭ効率を向上することができる。また、直線性、ＰＷＭの高効率を保ちつつ、電源リップルノイズを増加させないことができる。よって、光磁気ディスク装置に用いたときに、電源電圧を安定化させることができ、装置の動作を安定に行なえる。また、消費電力を低減できる。
【００９６】
なお、本実施例では、オフ時間カウント値BMPWMCNTを設定値ＤＡＣからオフ時間テーブルを用いて設定したが、設定値ＤＡＣから算出するようにしてもよい。
【００９７】
オフ時間の算出方法は、例えば、設定値ＤＡＣを右１bitシフトしていってゼロになるまでの回数が、「８」のときはオフ時間カウント値BMPWMCNT=0x01，「７」のときはオフ時間カウント値BMPWMCNT=0x04, 「６」のときはオフ時間カウント値BMPWMCNT=0x08,「５」のときはオフ時間カウント値BMPWMCNT=0x10,「４」のときはオフ時間カウント値BMPWMCNT=0x18のように算出し、レジスタ３１１にセットする。
【００９８】
また、本実施例では、光磁気ディスクを例にとって説明したが、光磁気ディスクだけでなく、コイルに供給する電流をＰＷＭ方式で可変できる装置一般に適用することが可能である。
【００９９】
なお、上記実施例は以下の付記を含むものである。
【０１００】
（付記１）コイルに電流指示値に応じて該コイルに供給する電流のパルス幅を可変することにより該コイルに所定の電流を供給するコイル駆動回路において、
前記コイルに流れる電流を検出する電流検出部と、
前記電流検出部で検出された検出電流値と前記電流指示値とを比較する比較部と、
前記比較部での比較結果、前記コイルに流れる電流が前記電流指示値より小さい場合には前記コイルに電圧を印加し、前記コイルに流れる電流が前記電流指示値より大きい場合には前記コイルへの電圧の印加をオフするように制御する電流制御部と、
前記電流指示値に応じて前記コイルへの電圧の印加をオフする時間を可変するオフ時間制御部とを有することを特徴とするコイル駆動回路。
【０１０１】
（付記２） 前記オフ時間制御部は、前記電流指示値が小さい時は、オフ時間が大きくなるように前記オフ時間を設定することを特徴とする付記１記載のコイル駆動回路。
【０１０２】
（付記３） 前記オフ時間制御部は、前記電流指示値が大きい時は、オフ時間が小さくなるように前記オフ時間を設定することを特徴とする付記１又は２記載のコイル駆動回路。
【０１０３】
（付記４） 前記オフ時間制御部は、前記電流指示値をビットシフトし、該ビットシフトした値に応じて前記オフ時間を決定することを特徴とする付記１乃至３のいずれか一項記載のコイル駆動回路。
【０１０４】
（付記５） 前記電流指示値に対するオフ時間を記憶したオフ時間テーブルを有し、前記オフ時間制御部は、前記電流指示値に応じて前記オフ時間テーブルを参照し、前記オフ時間を決定することを特徴とする付記１乃至３のいずれか一項記載のコイル駆動回路。
【０１０５】
（付記６） 前記オフ時間制御部は、前記電流指示値に応じたカウント値が設定され、カウント値に対応したクロックをカウントするカウンタと、前記カウンタのカウントアップ出力に応じて前記コイルへの電圧の印加を制御する駆動回路とを有することを特徴とする付記１乃至５のいずれか一項記載のコイル駆動回路。
【０１０６】
（付記７） 前記オフ時間制御部は、前記電流制御部により前記前記比較部により、前記検出電流値が前記電流指示値より大きくなるタイミングを検出し、該タイミングで、前記カウンタのカウントを開始することを特徴とする付記６記載のコイル駆動回路。
【０１０７】
（付記８） 前記駆動回路は、電源から前記コイルへの電圧の印加を制御するスイッチ部と、前記スイッチ部がオン状態からオフ状態にスイッチングしたときに、前記インダクタンスに発生する電流を前記電源に逃がすフライホイールダイオードとを有することを特徴とする付記６又は７記載のコイル駆動回路。
【０１０８】
（付記９）電流指示値に基づいた電流に応じた磁界を記録媒体に印加して、該記録媒体に情報の記録及び／又は再生及び／又は消去を行なう情報記憶装置において、
流れる電流に応じた磁界を記録媒体に印加する磁界印加部と、
前記磁界印加部に流れる電流を検出する電流検出部と、
前記電流検出部で検出された検出電流値と前記電流指示値とを比較する比較部と、
前記比較部の比較結果、前記磁界印加部に流れる電流が前記電流指示値より小さい場合には前記磁界印加部に電圧を印加し、前記磁界印加部に流れる電流が前記電流指示値より大きい場合には前記磁界印加部への電圧の印加をオフするように制御する電流制御部と、
前記電流指示値に応じて前記磁界印加部に印加する電圧がオフとなる時間を可変するオフ時間制御部とを有することを特徴とする情報記憶装置。
【０１０９】
（付記１０）  前記オフ時間制御部は、前記電流指示値が小さい時は、オフ時間が大きくなるように前記オフ時間を設定することを特徴とする付記９の情報記憶装置。
【０１１０】
（付記１１）  前記オフ時間制御部は、前記電流指示値が大きい時は、オフ時間が小さくなるように前記オフ時間を設定することを特徴とする付記９又は１０記載の情報記憶装置。
【０１１１】
（付記１２）  前記オフ時間制御部は、前記電流指示値をビットシフトし、該ビットシフトした値に応じて前記オフ時間を決定することを特徴とする付記９乃至１１のいずれか一項記載の情報記憶装置。
【０１１２】
（付記１３）  前記電流指示値に対するオフ時間を記憶したオフ時間テーブルを有し、
前記オフ時間制御部は、前記電流指示値に応じて前記オフ時間テーブルを参照し、前記オフ時間を決定することを特徴とする付記９乃至１１のいずれか一項記載のインダクタンス駆動回路。
【０１１３】
（付記１４）  前記オフ時間制御部は、前記電流指示値に応じたカウント値が設定され、カウント値に対応したクロックをカウントするカウンタと、
前記カウンタのカウントアップ出力に応じて前記インダクタンスへの電圧の印加を制御する駆動回路とを有することを特徴とする付記９乃至１３のいずれか一項記載の情報記憶装置。
【０１１４】
（付記１５）  前記オフ時間制御部は、前記比較部により前記検出電流値が前記電流指示値を超えるタイミングを検出し、該タイミングで、前記カウンタのカウントを開始することを特徴とする付記１４記載の情報記憶装置。
【０１１５】
（付記１６） 前記駆動回路は、電源から前記磁界印加部への電圧の印加を制御するスイッチ部と、前記スイッチ部がオン状態からオフ状態にスイッチングしたときに、前記磁界印加部に発生する電流を前記電源に逃がすフライホイールダイオードとを有することを特徴とする付記１４又は１５記載の情報記憶装置。
【０１１６】
（付記１７）コイルに電流指示値に応じた電流が流れるように制御する電流制御方法において、
前記コイルに流れる電流を検出し、
検出された前記検出電流値と前記電流指示値とを比較し、
その比較結果、前記コイルに流れる電流が前記電流指示値より小さい場合には前記コイルに電圧を印加し、前記コイルに流れる電流が前記電流指示値より大きい場合には前記コイルへの電圧の印加をオフするように制御するとともに、前記電流指示値に応じて前記コイルへの電圧の印加がオフとなる時間を可変することを特徴とするコイル駆動方法。
【０１１７】
（付記１８） 前記オフ時間制御部は、前記電流指示値が小さい時は、オフ時間が大きくなるように前記オフ時間を設定することを特徴とする付記１７記載のコイル駆動方法。
【０１１８】
（付記１９） 前記オフ時間制御部は、前記電流指示値が大きい時は、オフ時間が小さくなるように前記オフ時間を設定することを特徴とする付記１７又は１８記載のコイル駆動方法。
【０１１９】
（付記２０） 前記電流指示値をビットシフトし、該ビットシフトした値に応じて前記オフ時間を決定することを特徴とする付記１７乃至１９のいずれか一項記載のコイル駆動方法。
【０１２０】
（付記２１） 前記電流指示値に応じたカウント値が設定され、カウント値に対応したクロックをカウントし、前記カウントアップ出力に応じて前記コイルに供給する電流を制御することを特徴とする付記１７乃至１９のいずれか一項記載のコイル駆動方法。
【０１２１】
（付記２２） 前記前記比較部により、前記検出電流値が前記電流指示値を超えるタイミングを検出し、該タイミングで前記カウント値のカウントを開始することを特徴とする付記２１記載のコイル駆動方法。
【０１２２】
【発明の効果】
上述の如く、本発明によれば、電流指示値に応じてオフ時間を切り換えることにより電流指示値に対する実電流の直線性が改善され、かつ、ドライバの損失を低減、すなわち、ＰＷＭ効率を向上することができる。また、直線性、ＰＷＭの高効率を保ちつつ、電源リップルノイズを増加させないことができる等の特長を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】超解像技術を説明するための図である。
【図２】光磁気ディスク装置の分解斜視図である。
【図３】ベースアッセンブル１１の構成図である。
【図４】光磁気ディスク装置のブロック構成図である。
【図５】本発明の一実施例のドライバ回路のブロック図である。
【図６】ドライバＩＣの回路構成図である。
【図７】図６に示すドライバＩＣの真理値表である。
【図８】本発明の一実施例のバイアス磁界制御系のブロック構成図である。
【図９】本発明の一実施例のファームウェアの処理フローチャートである。
【図１０】本発明の一実施例のバイアス磁界設定テーブルのデータ構成を説明するための図である。
【図１１】オフ時間テーブル３０３のデータ構成図である。
【図１２】本発明の一実施例のバイアス制御部のブロック構成図である。
【図１３】バイアス制御部３１４の動作説明図である。
【図１４】オフ時間カウント値BMPWMCNTを「０１」、「０４」、「０８」、「１０」、「１８」と変化させたとき及びオフ時間テーブルに基づいて変化させたときの電流設定値ＤＡＣに対するバイアス電流を示す図である。
【図１５】オフ時間カウント値BMPWMCNTを「０１」、「０４」、「０８」、「１０」、「１８」と変化させたとき及びオフ時間テーブルに基づいて変化させたときのバイアス電流に対するＰＷＭ効率を示す図である。
【図１６】オフ時間カウント値BMPWMCNTを「０１」、「０４」、「０８」、「１０」、「１８」と変化させたとき及びオフ時間テーブルに基づいて変化させたときのバイアス電流に対する電源リップル電圧を示す図である。
【符号の説明】
１  光磁気ディスク装置
２  光磁気ディスク
１３  制御回路基板
３５  磁界印加装置
３５ａ  コイル
１１３  ＭＰＵ
１１７  ＤＳＰ
１２２  ドライバ
２１０  ドライバ回路
２１１  ドライバＩＣ
２１２  電流検出回路
２１３  比較回路
２２１  プリドライバ部
２２２〜２２５  トランジスタ
２２６〜２２９  内蔵ダイオード
３０１  ファームウェア
３０２  磁界設定テーブル
３０３  オフ時間テーブル
３１１〜３１３  レジスタ
３１４  バイアス制御部
３１５  基準電圧生成部
３４１〜３４３  ＡＮＤゲート
３４４、３４５  インバータ
３４６  同期用フリップフロップ
３４７  オフ時間計測用カウンタ
３４８  ハザードキャンセラ
【図１】
0004105407.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
0004105407.tif 000006
【図６】
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【図７】
0004105407.tif 000008
【図８】
0004105407.tif 000009
【図９】
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【図１０】
0004105407.tif 000011
【図１１】
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【図１２】
0004105407.tif 000013
【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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