【事件の表示】
平成５年特許願第３０８９４７号「固体撮像装置」拒絶査定に対する審判事件（平成７年６月２３日出願公開、特開平７−１６１９５８）について、次のとおり審決する。
【結論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理由】
（出願の経緯・発明の要旨）
　本願は、平成５年１２月９日に出願されたものであって、その発明の要旨は、平成８年６月７日付及び平成９年３月３１日付手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載よりみて、その特許請求の範囲請求項１、２及び３に記載されたとおりの「固体撮像装置」にあるものと認められるところ、その請求項１記載の発明（以下、第１発明という。）は下記のとおりである。
　「光電変換された電荷を蓄積するフォトダイオード部と、前記電荷を読み出すためにフォトダイオードに隣接して設けられたトランジスタ部と、前記電荷を受け取り転送するためにトランジスタと電気的に結合されたＣＣＤレジスタ部と、これら各部を電気的に分離する分離領域とから構成され、フォトダイオード部が、濃度が低くかつ深くまで形成された第１の導電型の第１の不純物領域と、これよりも濃度が高くかつ浅く形成された第１の導電型の第２の不純物領域と、この第２の不純物領域の表面に浅く形成された第２の導電型の高濃度不純物層とを含み、ＣＣＤレジスタ部は表面近傍に設けられた第１導電型の第３の不純物領域と、前記第３の不純物領域の底部に接して設けられた第２の導電型の第４の不純物領域を有する固体撮像装置において、
　前記フォトダイオードを構成する第１の導電型の第１の不純物領域が、第２の導電型の不純物領域で形成された分離領域の底部から第２の導電型からなるトランジスタのチャネル領域の底部に延在して設けられ、
　かつ前記フォトダイオードを構成する第１の導電型の第１の不純物領域が前記ＣＣＤレジスタ部の第２導電型の第４の不純物領域より深くまで形成されていることを特徴とする固体撮像装置。」
（引用例）
　原審における拒絶の理由において引用された特開平４−１３５３８９号公報（以下「引用例」という。）には、「第１図は、本発明による固体撮像素子のスミア量測定方法が適用される例えばＣＣＤ撮像素子１及びその駆動系の構成図である。図において、ＣＣＤ撮像素子１は、Ｎ型シリコン基板２上に感光部３、垂直シフトレジスタ部４、水平シフトレジスタ部及び出力部（共に図示せず）が設けられたいわゆるインターライン転送方式のものとして構成されている。
　このＣＣＤ撮像素子１では、Ｎ型シリコン基板２の表面側にＰ型領域５を形成し、このＰ型領域５の表面側の更にＮ−型領域６を形成している。そして、感光部３は、このＮ−型領域６の表面側に浅いＰ＋＋型領域７を形成し、このＰ＋＋型領域７の下方に信号電荷蓄積領域を構成するＮ＋型領域８を形成することによって構成されている。また、Ｐ＋＋型領域７及びＮ＋型領域８に隣接してチャンネルストップ部を構成するＰ＋型領域９を形成する。
　垂直レジスタ部４は、信号電荷転送領域を構成するＮ＋型領域１０を形成すると共に、このＮ＋型領域１０にＳｉ０２よりなる絶縁層１１及びＳｉ３Ｎ４よりなる絶縁層１２を介して多結晶シリコンよりなる転送電極１３を形成することによって構成する。この場合、信号電荷転送領域を構成するＮ＋型領域１０の下方にスミアを防止するためのＰ型領域１４を形成する。また、感光部３と垂直シフトレジスタ部４の間には、感光部３の信号電荷を垂直シフトレジスタ部４へ読み出すための読み出しゲート部１５を設ける。この読み出しゲート部１５はチャンネル領域を構成するＰ型領域１６上に絶縁層１１及び１２を介してゲート電極１７を形成することによって構成する。本例では、ゲート電極１７は多結晶シリコンにて転送電極１３と共通に形成される。」（第２頁右下欄第１１行〜第３頁右上欄第４行）が第１図と共に記載されている。そして、第１図には、Ｎ−型領域６がチャンネルストップ部を構成するＰ＋型領域９の底部からチャンネル領域を構成するＰ型領域１６の底部に延在していることが記載されている。してみると、上記引用例には、光電変換された電荷を蓄積する感光部３と、前記電荷を読み出すために感光部３に隣接して設けられた読み出しゲート部１５と、前記電荷を受け取り転送するために読み出しゲート部１５と電気的に結合した垂直シフトレジスタ部４と、これら各部を電気的に分離するチャンネルストップ部を構成するＰ＋型領域９とから構成され、感光部３が、深くまで形成されたＮ−型領域６と浅く形成されたＮ＋型領域８とこのＮ＋型領域８の表面に浅く形成されたＰ＋＋型領域７とを含み、垂直シフトレジスタ部４が、表面近傍に設けられた信号電荷転送領域を構成するＮ＋型領域１０とこのＮ＋型領域１０の底部に接して設けられたスミアを防止するＰ型領域１４を有する固体撮像素子において、感光部３を構成するＮ−型領域６がチャンネルストップ部を構成するＰ＋型領域９の底部からチャンネル領域を構成するＰ型領域１６の底部に延在して設けられている固体撮像素子が記載されているものと認められる。
（対比）
　次に、本願第１発明と上記引用例記載の発明とを対比すると、上記引用例記載の発明の「感光部３」、「読み出しゲート部１５」、「垂直シフトレジスタ部４」、「チャンネルストップ部を構成するＰ＋型領域９」、「Ｎ−型領域６」、「Ｎ＋型領域８」、「Ｐ＋＋型領域７」、「信号電荷転送領域を構成するＮ＋型領域１０」及び「スミアを防止するＰ型領域１４」はそれぞれ本願第１発明の「フォトダイオード」、「トランジスタ」、「ＣＣＤレジスタ」、「分離領域」、「濃度が低い第１の導電型の第１の不純物領域」、「第１の導電型の第１の不純物領域よりも濃度が高い第１の導電型の第２の不純物領域」、「第２の導電型の高濃度不純物層」、「第１の導電型の第３の不純物領域」及び「第２の導電型の第４の不純物領域」に相当するから、本願発明と上記引用例記載の発明とは「光電変換された電荷を蓄積するフォトダイオード部と、前記電荷を読み出すためにフォトダイオードに隣接して設けられたトランジスタ部と、前記電荷を受け取り転送するためにトランジスタと電気的に結合されたＣＣＤレジスタ部と、これら各部を電気的に分離する分離領域とから構成され、フォトダイオード部が、濃度が低くかつ深くまで形成された第１の導電型の第１の不純物領域と、これよりも濃度が高くかつ浅く形成された第１の導電型の第２の不純物領域と、この第２の不純物領域の表面に浅く形成された第２の導電型の高濃度不純物層とを含み、ＣＣＤレジスタ部は表面近傍に設けられた第１導電型の第３の不純物領域と、前記第３の不純物領域の底部に接して設けられた第２の導電型の第４の不純物領域を有する固体撮像装置において、
　前記フォトダイオードを構成する第１の導電型の第１の不純物領域が、第２の導電型の不純物領域で形成された分離領域の底部から第２の導電型からなるトランジスタのチャネル領域の底部に延在して設けられていることを特徴とする固体撮像装置」の点で一致するが、フォトダイオードを構成する低濃度の第１の導電型の第１の不純物領域が、本願第１発明においてはＣＣＤレジスタ部の第２導電型の第４の不純物領域より深くまで形成されているのに対して、上記引用例記載の発明においてはＣＣＤレジスタ部の第２導電型の第４の不純物領域より深くまでは形成されていない点で相違するものと認められる。
（検討）
　そこで、前記相違点につき以下検討する。
　固体撮像装置においてフォトダイオードを構成する低濃度の第１の導電型の不純物領域をＣＣＤレジスタ部の第２導電型の不純物領域より深くまで形成することは特開平４−３１６３６７号公報に示すように周知であり、上記引用例記載の発明においてこの周知技術を用いてフォトダイオードを構成する低濃度の第１の導電型の第１の不純物領域をＣＣＤレジスタ部の第２導電型の第４の不純物領域より深くまで形成することに格別の相違工夫を必要としない。よって、上記相違点は当業者が容易に想到し得たことと認められる。
　なお、上記引用例記載の発明において低濃度の第１の導電型の第１の不純物領域はその構造上スミアを低減することができることは明らかである。また、審判請求人は、ＣＣＤレジスタの厚さを変えずに、フォトダイオードを構成する第１の導電型の第１の不純物領域の体積を拡大することによって、光を有効に利用し、スミアを低減し、またフォトダイオードの光吸収を深い位置まで行えるという効果を奏すると主張するが、本願の特許請求の範囲請求項１には、ＣＣＤレジスタの厚さを変えずに、フォトダイオードを構成する第１の導電型の第１の不純物領域の体積を拡大するとの記載はなく、単にフォトダイオードを構成する第１の導電型の第１の不純物領域が相対的にＣＣＤレジスタ部の第２導電型の第４の不純物領域より深くまで形成されていると記載されているのみであるから、上記審判請求人の主張は採用できない。
（むすび）
　本願第１発明は、上記引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることできたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。そうである以上、他の発明について検討するまでもなく本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。