(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する第１装置と、
前記第１装置から搬送される前記基板を処理する第２装置と、
前記第１装置のトラブルに対応する時間情報を前記第１装置から前記第２装置に通信する通信手段とを備え、
前記第２装置は、所定の処理が実行可能かどうかを前記時間情報に基づいて判断する判断部を有することを特徴とする基板処理システム。
【請求項２】
請求項１記載の基板処理システムにおいて、
前記所定の処理は、前記第２装置が独立して行うことができる処理であることを特徴とする基板処理システム。
【請求項３】
請求項１または２記載の基板処理システムにおいて、
前記時間情報は、前記トラブルが解消して当該システムが復旧するまでの時間として設定される設定時間を含むことを特徴とする基板処理システム。
【請求項４】
請求項３に記載の基板処理システムにおいて、
前記時間情報は、前記設定時間に応じて前記第１装置が待機する待機時間を含むことを特徴とする基板処理システム。
【請求項５】
請求項４に記載の基板処理システムにおいて、
前記判断部は、前記待機時間が、前記所定の処理を実行可能な時間以上であるかどうかを判断することを特徴とする基板処理システム。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載の基板処理システムにおいて、
前記第２装置は、前記判断部の判断結果に基づいて前記所定の処理の実施制御を行う制御部を有することを特徴とする基板処理システム。
【請求項７】
請求項５に記載の基板処理システムにおいて、
前記第２装置は、前記待機時間が前記所定の処理を実行可能な時間以上であるとする前記判断部の判断結果に応じて前記所定の処理の実施制御を行う制御部を有することを特徴とする基板処理システム。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか１項に記載の基板処理システムにおいて、
前記第１装置は、前記トラブルの発生に応じて前記時間情報を前記通信手段を介して前記第２装置へ送信する送信制御部を有することを特徴とする基板処理システム。
【請求項９】
請求項８に記載の基板処理システムにおいて、
前記送信制御部は、前記第１装置に関して想定される前記トラブルと、該トラブルが解消して当該システムが復旧するまでの時間とが設定された情報テーブルを有し、該情報テーブルに基づいて前記時間情報を前記第２装置へ送信することを特徴とする基板処理システム。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか１項に記載の基板処理システムにおいて、
前記トラブルは、前記第１装置から前記第２装置に前記基板が供給されなくなるトラブルを含むことを特徴とする基板処理システム。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか１項に記載の基板処理システムにおいて、
前記第１装置は、前記基板に感光剤を塗布するコータ、露光処理された前記基板を現像するデベロッパ、感光剤が塗布された前記基板にパターンを転写する露光装置、前記基板に対する異物の有無や露光されたパターンを検査する検査装置、または前記基板に転写されたパターンの周辺部を露光する周辺露光装置であり、
前記第２装置は、前記コータ、前記デベロッパ、前記露光装置、前記検査装置または前記周辺露光装置であって前記第１装置と異なる装置であることを特徴とする基板処理システム。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれか１項に記載の基板処理システムにおいて、
前記第２装置は、前記基板を搬送する搬送装置を含み、
前記所定の処理は、前記搬送装置によって前記基板を搬送する搬送処理であることを特徴とする基板処理システム。
【請求項１３】
請求項１から１１のいずれか１項に記載の基板処理システムにおいて、
前記第２装置は、感光剤が塗布された前記基板にパターンを転写する露光装置であり、
前記所定の処理は、前記露光装置によって前記基板に照射される露光光の照度を調整する調整処理であることを特徴とする基板処理システム。
【請求項１４】
請求項１から１１のいずれか１項に記載の基板処理システムにおいて、
前記第２装置は、感光剤が塗布された前記基板に投影光学系を介してパターンを転写する露光装置であり、
前記所定の処理は、前記露光装置内の前記基板の位置を検出するアライメント光学系と前記投影光学系との間隔であるベースライン量を計測する計測処理であることを特徴とする基板処理システム。
【請求項１５】
請求項１から１１のいずれか１項に記載の基板処理システムにおいて、
前記第２装置は、感光剤が塗布された前記基板に投影光学系を介してパターンを転写する露光装置であり、
前記所定の処理は、前記投影光学系を較正する較正処理であることを特徴とする基板処理システム。
【請求項１６】
外部装置から搬送される基板を処理する基板処理装置において、
前記外部装置のトラブルに対応する時間情報を受信する受信部と、
所定の処理が実行可能かどうかを前記時間情報に基づいて判断する判断部と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１７】
請求項１６に記載の基板処理装置において、
前記判断部の判断結果に基づいて前記所定の処理の実施制御を行う制御部を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１８】
外部装置へ搬送する基板を処理する基板処理装置において、
当該基板処理装置のトラブルの発生に応じて、該トラブルに対応する時間情報を前記外部装置へ送信する送信制御部を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１９】
請求項１８に記載の基板処理装置において、
前記送信制御部は、前記時間情報を外部通信手段を介して前記外部装置へ送信することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２０】
請求項１８または１９に記載の基板処理装置において、
前記送信制御部は、当該基板処理装置に関して想定される前記トラブルと、該トラブルが解消して当該基板処理装置が復旧するまでの時間とが設定された情報テーブルを有し、該情報テーブルに基づいて前記時間情報を前記外部装置へ送信することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２１】
請求項１６から２０のいずれか１項に記載の基板処理装置において、
前記時間情報は、前記トラブルが解消して当該基板処理装置が復旧するまでの時間として設定される設定時間を含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２２】
請求項２１に記載の基板処理装置において、
前記時間情報は、前記設定時間に応じて当該基板処理装置または前記外部装置が待機する待機時間を含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２３】
請求項１５から２２のいずれか１項に記載の基板処理装置において、
前記トラブルは、前記基板が搬送されなくなるトラブルを含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２４】
請求項１から１５のいずれか一項に記載の基板処理システムを介して前記基板にパターンを露光する工程を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項２５】
請求項１６から２３のいずれか一項に記載の基板処理装置を介して前記基板にパターンを露光する工程を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板を用いて露光処理や感光剤の塗布、現像処理等の処理を複数の装置を用いて行う基板処理システム及び基板処理装置並びにデバイス製造方法に関し、例えば基板に感光剤の塗布処理を行う装置と、感光剤を塗布した基板に露光処理を行う装置とを備えた基板処理システム及び基板処理装置並びにデバイス製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、液晶ディスプレイパネル、プラズマディスプレイパネル等を製造するためのリソグラフィ工程では、ガラス基板等の基板の大型化に伴う無人化の要請から露光装置と他の基板処理装置、例えば、基板にレジスト等の感光剤を塗布する塗布装置（コータ）や感光剤が塗布された基板に現像を行う現像装置（デベロッパ）等とをインラインで接続したリソグラフィシステムが多く用いられるようになってきた。
【０００３】
この種のリソグラフィシステムでは、例えば、露光装置のチャンバ（収納装置）内に露光装置本体、基板搬送装置、受け渡しポートを設け、感光剤塗布機能、現像機能の双方を備えたコータ・デベロッパのチャンバ（収納装置）内にコータ・デベロッパ本体、基板搬送装置を設けた構成になっている。そして、コータ・デベロッパで所定の処理が施された基板（例えば、ガラス基板）は、コータ・デベロッパ側の基板搬送装置によって、両チャンバに設けられた開口部を介して露光装置内の受け渡しポートへ搬入される。
【０００４】
受け渡しポートにセットされた基板は、露光装置側の基板搬送装置によって露光装置本体へ搬送され露光処理が施される。露光処理後に再度コータ・デベロッパに搬送される基板は、上記と逆の順序で搬送される。他の基板は、露光装置から搬出されて検査工程等へ送られる。
【０００５】
ところで、上記の露光装置では、露光処理を継続して行うと、設置空間の圧力変化や露光光の照射熱などにより、像位置、回転、倍率等の投影光学系の結像特性や基板上の照度（露光量）、さらには基板上のアライメントマークをオフアクシスアライメント系でアライメントして投影光学系の直下に送り込むときの基準量となるベースライン量が経時的に変動し、基板上に転写されるパターンの像特性を変化させる。したがって、従来では、基板に対する露光処理中に一定基板枚数毎または一定時間間隔毎のいずれかを指定し、指定された間隔で上記の結像特性調整（レンズキャリブレーション）、照度調整（照度キャリブレーション）、ベースライン量計測等を実行していた。
【０００６】
これらの調整や計測は、基板が載置されるステージに基板が存在すると実行できないため、ロット処理を行う際には先頭の基板をステージに載置する前に実行している。また、上記調整や計測をロット処理の途中で行う場合は、基板をステージに載置する前に基板の搬送を停止させていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したような従来の基板処理システムには、以下のような問題が存在する。
基板を搬送するＡＧＶ（基板搬送車）の故障や生産工程の都合により、コータ・デベロッパに基板が供給されないことがある。この場合、露光装置に供給される基板も途切れることになり、露光装置には空き時間（アイドル時間）が発生する。この空き時間に上記調整や計測を実施すると生産上効率的であるが、露光装置側では空き時間の発生を認識できないため、基板が供給されるまで待機することになり非効率的であった。
【０００８】
一方、基板搬送装置においては、自装置の処理が終了しても次に処理すべき基板を一定時間待つようになっている。また、露光装置では、新たな基板が供給されなくても、既に供給された基板に対する露光処理が継続して行われるため、処理済みの基板を搬出する必要が生じる。そこで、基板搬送装置は、定められた待機時間が過ぎても基板が供給されない場合、自装置の処理済み基板の搬出動作に移行するが、移行した直後に相手側装置から基板が供給されると再度待機位置に戻らなければならないため無駄な時間が発生し、生産性が悪いという問題もあった。そのため、基板の供給が停滞し空き時間が発生する場合、この情報を入手するための手段が望まれていた。
【０００９】
本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、基板の供給が停滞し、空き時間が発生する場合にも、この空き時間を有効活用して生産性の向上を図ることができる基板処理システムを提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために本発明の基板処理システムは、基板を処理する第１装置と、前記第１装置から搬送される前記基板を処理する第２装置と、前記第１装置のトラブルに対応する時間情報を前記第１装置から前記第２装置に通信する通信手段とを備え、前記第２装置は、所定の処理が実行可能かどうかを前記時間情報に基づいて判断する判断部を有することを特徴とするものである。
【００１１】
従って、本発明の基板処理システムでは、第１装置（２）と第２装置（３）との他方の装置（３）が通信手段（１９）により一方の装置（２）が待機している待機時間情報を入手することができる。そのため、他方の装置、例えば露光装置（３）では、この待機時間情報に基づいて、レンズキャリブレーション、照度キャリブレーション、ベースライン計測、露光済み基板の搬出等、基板（Ｐ）の処理に関する作業を実行することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の基板処理システムの第１の実施の形態を、図１ないし図５を参照して説明する。ここでは、基板処理装置を、基板に感光剤を塗布するとともに露光処理された基板を現像するコータ・デベロッパ（Ｃ／Ｄ）と、感光剤を塗布された基板に対して露光処理を施す露光装置とし、基板を液晶ディスプレイパネル製造に用いられる長方形のガラス基板とし、これらコータ・デベロッパと露光装置とをインライン接続する場合の例を用いて説明する。
【００１３】
図１は、リソグラフィシステム（基板処理システム）１の平面図である。
リソグラフィシステム１は、第１装置としてのコータ・デベロッパ（一方の装置）２および第２装置としての露光装置（他方の装置）３を、チャンバ４を隔壁５で分割した収容部６，７にそれぞれ収容した構成になっている。そして、これらコータ・デベロッパ２と露光装置３とは、隔壁５に形成された開口部８を介してインライン接続されている。
【００１４】
コータ・デベロッパ２は、ガラス基板（基板）Ｐに対して感光剤を塗布する塗布処理（第１処理）および露光処理が施されたガラス基板Ｐに対して現像処理を実施するものであって、塗布処理、現像処理を行うＣ／Ｄ本体９と、ガラス基板Ｐを搬送するロードアーム１０と、ガラス基板Ｐを一時置きするバッファ１１、１２と、これらＣ／Ｄ本体９、ロードアーム１０を統括的に制御する制御部１３とを備えている。ロードアーム１０は、ガラス基板Ｐを吸着保持した状態で水平面に沿って移動してＣ／Ｄ本体９、バッファ１１、１２との間でガラス基板Ｐを搬送するとともに、開口部８を介して露光装置３との間でガラス基板Ｐを搬送する構成になっている。
【００１５】
コータ・デベロッパ２の一側部には、ガラス基板Ｐを複数枚収納するカセット（不図示）が複数箇所（図１では四ヶ所）で供給されるカセットステーション１４が設けられている。このカセットステーション１４とＣ／Ｄ本体９との間には、不図示の搬送系が配設され、カセットステーション１４とＣ／Ｄ本体９との間でガラス基板Ｐを搬送するようになっている。
【００１６】
制御部１３は、基板搬送、感光剤塗布処理、現像処理にかかる時間や、カセットステーション１４、Ｃ／Ｄ本体９およびロードアーム１０に関して想定されるトラブルと、これらトラブルが解消してシステムが復旧するまでの時間が設定されたタイムテーブルを有しており、タイムテーブルに設定された時間を通信部（通信手段）１９により後述する露光装置３側の制御部１８に送信するとともに、制御部１８から送信される情報を受信可能になっている。
【００１７】
露光装置３は、ガラス基板Ｐに対して露光処理を施すものであって、露光装置本体１５と、ガラス基板Ｐを搬送する搬送装置（実行手段）１６と、受け渡しポート１７と、これら露光装置本体１５、搬送装置１６、受け渡しポート１７を統括的に制御する制御部１８とを備えている。搬送装置１１は、ガラス基板Ｐを吸着保持した状態で水平面に沿って移動して、受け渡しポート１４との間でガラス基板Ｐを搬送するとともに、露光装置本体１５との間でガラス基板Ｐを搬送する構成になっている。
【００１８】
受け渡しポート１４は、Ｃ／Ｄ本体９で感光剤を塗布されたガラス基板Ｐおよび露光装置本体１５で露光処理が施されたガラス基板Ｐの受け渡しが行われるものであって、ガラス基板Ｐをそれぞれ下方から吸着支持するように矩形配置された支持部２０、２１を備えている。支持部２０は、未露光のガラス基板Ｐを吸着支持するものであって、図２に示すように、支持部２１よりも内側下方に配置されている。支持部２１は、露光処理済みのガラス基板Ｐを吸着支持するものである。これら支持部２０、２１は、それぞれが独立して上下方向に昇降自在になっており、ロードアーム１０および搬送装置１６が受け渡しポート１４へ向けて移動した際にもロードアーム１０および搬送装置１６とそれぞれ干渉しない位置に配置されている。また、この受け渡しポート１４において支持部２０で支持されたガラス基板Ｐは、支持部２０が下降して温度調整装置（不図示）によって所定温度に調整されるようになっている。
【００１９】
制御部１８は、基板搬送、露光処理にかかる時間や、ベースライン量計測、照度キャリブレーション、レンズキャリブレーション（投影光学系の結像特性調整）に必要な時間、および搬送装置１１、受け渡しポート１４、露光装置本体１５に関して想定されるトラブルと、これらトラブルが解消してシステムが復旧するまでの時間が設定されたタイムテーブルを有しており、タイムテーブルに設定された時間を上記通信部１９によりコータ・デベロッパ２の制御部１３に送信するとともに、制御部１３から送信される情報を受信可能になっている。
【００２０】
図３に示すように、露光装置本体１５は、マスクＭに形成された液晶表示素子等のパターンを、感光剤が塗布されたガラス基板Ｐ上に投影露光するものであって、光源２２、照明光学系２３、投影光学系２４、マスクステージ（レチクルステージ）２５および基板ステージ２６から概略構成されている。ここで、投影光学系２４の光軸に平行にＺ軸が、光軸に垂直な面内において、図３の紙面に平行にＸ軸が、光軸に垂直な面内において図３の紙面に垂直にＹ軸がそれぞれ設定されているものとする。
【００２１】
光源２２は、露光光としてのビームＢを発するものであり、超高圧水銀ランプ等で構成されている。光源２２から射出されたビームＢは、照明光学系２３に入射する。
【００２２】
照明光学系２３は、ビームＢの光路を開閉するシャッタ２７と、反射ミラー２８、２９と、波長選択フィルター３０と、ビームＢを均一化するためのオプティカルインテグレータ（フライアイレンズ等）３１と、リレーレンズ３２、３３と、可変視野絞り３４と、複数の光学素子で構成されるコンデンサ光学系３５とから構成されている。そして、シャッタ２７の開動作に応答して入射したビームＢは、波長選択フィルター３０において露光に必要な波長（ｇ線やｉ線）が通過し、オプティカルインテグレータ３１で照度が均一化される。照度が均一化されたビームＢは、リレーレンズ３２、３３を通った後、コンデンサ光学系３５で集光され、可変視野絞り３４の開口によって規定されるマスクＭ上の照明領域、例えば非走査方向に延びるスリット形状の照明領域を重畳的に照明する。
【００２３】
また、オプティカルインテグレータ３１とリレーレンズ３２との間には、ビームスプリッタ３６が配置され、オプティカルインテグレータ３１を通過したビームＢの一部を照度計３７へ入射させる。照度計３７は、入射したビームＢの照度（露光量）を検出し、検出した照度信号を制御部１８へ出力する。なお、照度計３７は、マスクＭと共役な面に配置されている。波長選択フィルター３０とオプティカルインテグレータ３１との間には、フィルター３８が配置されている。フィルター３８は、ガラス板上にＣｒ等で簾状にパターニングされたものであって、透過率がＹ方向に沿ってある範囲で線形に漸次変化するように形成され、制御部１８の制御によりＹ方向に沿って移動可能になっている。
【００２４】
マスクステージ２５には、マスクホルダ３９を介してマスクＭが保持固定されている。マスクホルダ３９には、移動鏡４０が配設されている。そして、マスクステージ２５の位置（ひいてはマスクＭの位置）は、レーザ干渉計４１から出射されたレーザ光が移動鏡４０で反射され、レーザ干渉計４１に入射し、その反射光と入射光との干渉に基づいて計測される。計測された位置情報は、駆動用モータ４２を介してマスクＭの位置および走査露光中のマスクＭの速度制御等に用いられる。また、マスクステージ２５の上方には、アライメントセンサ４８が配設されている。アライメントセンサ４８は、光源２２が発するビームＢと同じ波長のアライメント光を照射し、その反射光をＣＣＤ等で受光して画像処理を行うものである。なお、マスクＭ上には、アライメント用のアライメントマーク（不図示）が形成されている。
【００２５】
投影光学系２４は、複数の光学素子を有し、マスクＭの照明領域に存在するパターンの像をガラス基板Ｐ上に結像させる。そして、ガラス基板Ｐ上に塗布されたレジストが感光して、ガラス基板Ｐ上にパターン像が転写される。
【００２６】
基板ステージ２６は、基板ホルダ４３を介してガラス基板Ｐを保持固定するものであって、互いに直交する方向（Ｘ、Ｙ、Ｚの三次元方向）へ移動自在とされている。この基板ステージ２６上には、移動鏡４４が配設されている。そして、基板ステージ２６の位置（ひいてはガラス基板Ｐの位置）は、レーザ干渉計４５から出射されたレーザ光が移動鏡４４で反射され、レーザ干渉計４５に入射し、その反射光と入射光との干渉に基づいて計測される。計測された位置情報は、駆動用モータ４６を介してガラス基板Ｐの位置および走査露光中のガラス基板Ｐの速度制御等に用いられる。
【００２７】
また、基板ステージ２６の上方には、投影光学系２４と離間して、基板ステージ２６上の露光領域外に設けられた指標マークＦＭおよびガラス基板Ｐの露光領域に転写された基板マーク（不図示）を観察するアライメント光学系４７が配設されている。この指標マークＦＭの位置をアライメント光学系４７、およびアライメントセンサ４８をそれぞれ用いて計測することにより、アライメント光学系４７と投影光学系２４との間の距離であるベースライン量を計測することができる。そして、ガラス基板Ｐの露光領域に転写された基板マークをアライメント光学系４７で計測することにより、ガラス基板Ｐにおけるこの露光領域の位置を検出することができ、この位置と上記ベースライン量とにより、投影光学系２４に対する所定位置にガラス基板Ｐ上の露光領域を移動させることができる。
【００２８】
したがって、マスクＭを透過したビームＢは、投影光学系２４を介してガラス基板Ｐに結像する。そして、ガラス基板Ｐ上の所定の露光領域には、マスクＭの照明領域にあるパターン像が形成される。そして、マスクステージ２５および基板ステージ２６の位置を検出しつつ、マスクステージ２５および基板ステージ２６によってマスクＭおよびガラス基板ＰをビームＢに対して同期移動させる。これにより、マスクＭに形成されたパターンがガラス基板Ｐ上の所定の露光領域に逐次転写される。
【００２９】
上記の構成のリソグラフィシステムの動作について以下に説明する。
ＡＧＶ等によりカセットを介して供給されるガラス基板Ｐは、カセットステーション１４にセットされ、搬送系によってＣ／Ｄ本体９に搬送される。Ｃ／Ｄ本体９で感光剤を塗布されたガラス基板Ｐは、ロードアーム１０によって吸着保持されて、図１に示すように、開口部８に対向する位置に搬送される。
【００３０】
ここで、露光装置３側においてガラス基板Ｐの受け取りが可能である場合は、図４に示すように、制御部１８が時間ｔ１の時点でＲＴＲ（Ｒｅａｄｙ  Ｔｏ  Ｒｅｃｅｉｖｅ）信号を発信している。コータ・デベロッパ２側の制御部１３は、通信部１９を介してＲＴＲ信号を受信していると、時間ｔ２でガラス基板Ｐを搬出する際のＳＥＮＤ信号を発信する。制御部１８は、制御部１３からのＳＥＮＤ信号を受信すると、時間ｔ３でＲＴＲ信号の発信を停止する。これにより、制御部１３は、制御部１８がＳＥＮＤ信号を受信したと認識し、時間ｔ４でロードアーム１０を作動させる。
【００３１】
ここで、制御部１３がＳＥＮＤ信号を発信する前に制御部１８からＲＴＲ信号が発信されていない場合や、制御部１８からＲＴＲ信号は発信されていたものの、制御部１３がＳＥＮＤ信号を発信しても制御部１８からのＲＴＲ信号が停止されない場合、制御部１３はロードアーム１０を一定時間待機させ、一定時間経過しても状況が変わらないときには、ガラス基板Ｐをバッファ１１または１２に一時的に収納する。
【００３２】
露光装置３側が受け取り可能である場合、受け渡しポート１７では、支持部２０でガラス基板Ｐを吸着支持できるように、支持部２１がロードアーム１０に干渉しないようにロードアーム１０よりも上方に移動するとともに、支持部２０がロードアーム１０よりも下方に移動する。この後、ロードアーム１０は、開口部８から露光装置３の収容部７内に進入し、受け渡しポート１７の支持部２０、２１間で停止する。そして、支持部２０が上昇するとともに、ロードアーム１０がガラス基板Ｐに対する吸着保持を解除することにより、ガラス基板Ｐが受け渡される。受け渡されたガラス基板Ｐは、支持部２０が下降することにより温度調整装置へ運ばれ、露光処理に応じた温度に調整される。
【００３３】
ここで、露光処理済みのガラス基板Ｐが支持部２１にない場合、ロードアーム１０はガラス基板Ｐを支持部２０に受け渡した後、直接、収容部６へ退避するが、支持部２１上に露光処理済みのガラス基板Ｐが支持されている場合、ロードアーム１０は、コータ・デベロッパ２側へ一旦退避し、支持部２１がロードアーム１０よりも下方に移動した後、再度受け渡しポート１７へ進入し、露光処理済みのガラス基板Ｐを吸着保持して、開口部８からコータ・デベロッパ２の収容部６へ移動する。そして、露光処理が施されたガラス基板Ｐは、ロードアーム１０によってＣ／Ｄ本体９へ搬送され、現像処理が行われる。
【００３４】
一方、温度が調整されたガラス基板Ｐは、支持部２１の上昇により搬送装置１６よりも上方へ移動した後、受け渡しポート１７へ進出した搬送装置１６に吸着保持されて受け渡される。そして、ガラス基板Ｐは、搬送装置１６により露光装置本体１５の基板ステージ２６上へ搬送される。基板ホルダ４３に保持されたガラス基板Ｐには、上述した露光処理によりマスクＭのパターンが形成される。なお、露光処理が終了したガラス基板Ｐは、上記と逆の手順で受け渡しポート１７を介してコータ・デベロッパ２へ搬送され、Ｃ／Ｄ本体９で現像処理が施された後、カセットステーション１４のカセットに収納される。
【００３５】
続いて、カセットステーション１４にカセットが供給されなかったり、Ｃ／Ｄ本体９内で何らかのトラブルが生じた場合の動作について説明する。
このような事態が生じると、制御部１３はタイムテーブルを参照して、トラブルが解消してシステムが復旧するまでコータ・デベロッパ２が待機する時間情報を通信部１９を介して露光装置３の制御部１８に送信する。具体的には、ガラス基板Ｐが供給されないような事態であれば、少なくともＣ／Ｄ本体９でガラス基板Ｐに感光剤塗布処理を行って受け渡しポート１７へ搬送するまでに要する時間が待機時間情報として送信される。また、Ｃ／Ｄ本体９内でエラー等が発生した場合は、エラーが解除されてガラス基板Ｐが受け渡しポート１７へ搬送されるまでにかかると想定される時間が待機時間情報として送信される。
【００３６】
露光装置３の制御部１８は、制御部１３から上記の待機時間情報を受信すると、図５に示すフローチャートに基づいて、独立した処理の実行を開始する（ステップＳ０）。このフローチャートに示すように、ガラス基板Ｐの供給中断が通知されると（ステップＳ１）、制御部１８は待機時間が各種処理を実行可能な時間以上であるかどうかを判断し（ステップＳ２）、そうでない場合はこのシーケンスを終了する（ステップＳ３）。
【００３７】
一方、待機時間以下の実行時間で済む処理が存在する場合、ベースライン量計測および照度キャリブレーションに関しては、前回これらの処理を実行後、規定のロット数または枚数を処理したかどうかを判断し（ステップＳ５）、未処理であればこのシーケンスを終了し（ステップＳ３）、処理済みであれば以下の処理を実施する（ステップＳ４）。また、露光処理済みのガラス基板Ｐの搬出処理に関しては、搬出に要する時間が待機時間以下であれば直ちに下記の処理を実施する。
【００３８】
［ベースライン量の計測処理を行う場合］
まず、搬送装置１６によりガラス基板Ｐが基板ステージ２６上から搬出されると、マスクＭのアライメントマークと、基板ステージ２６上の指標マークＦＭとが一致するようにマスクステージ２５および基板ステージ２６とを移動させる。アライメントセンサ４８は、アライメント光をアライメントマークおよび指標マークＦＭとに照射する。アライメントセンサ４８は、その反射光を受光して画像処理し、両マークの位置ずれ量を求める（または、位置ずれ量が零になるように基板ステージ２６を移動させる）。
【００３９】
次に、アライメント光学系４７の直下に指標マークＦＭが位置するように基板ステージ２６を移動させ、アライメント光学系４７により指標マークＦＭの位置を検出する。投影光学系２４に対するマスクＭのアライメントマークの位置は既知であるため、上記アライメントセンサ４８で求めた位置ずれ量と、アライメント光学系４７で指標マークＦＭを検出したときの位置とから、基板ステージ座標系における投影光学系２４とアライメント光学系４７との間隔であるベースライン量を計測することができる。なお、制御部１３から待機時間情報が送信されたときに露光装置本体１５で露光処理が行われている場合は、この露光処理が終了しガラス基板Ｐが搬送装置１６により露光装置本体１５から搬出されるまでの時間も上記実行時間に加算する。
【００４０】
［照度キャリブレーションを行う場合］
まず、光源２２からビームＢを照射し、ビームスプリッタ３６で反射したビームＢの一部を照度計３７へ入射させて、ビームＢの照度（露光量）を検出する。制御部１８は、検出された照度に基づいてフィルター３８を移動させて、照度計３７で検出される照度が所定の照度になるように調整する。ここで、基板ステージ２６上の照度と照度計３７で検出される照度との相対関係は予め求められており、照度計３７で検出される照度を所定値に調整することで、基板ステージ２６上に規定の露光量でビームＢが照射されるようになっている。
【００４１】
なお、ビームＢの照度検出は、照明光学系２３中で照度計３７を用いる他に、基板ステージ２６の所定位置に照度計を設けるような構成であってもよい。
【００４２】
［ガラス基板Ｐの搬出処理を行う場合］
制御部１８は待機時間情報が通知されると、この待機時間を加味し、通常より短いインライン待ち時間を搬送装置１６に対して設定する。搬送装置１６は、受け渡しポート１７でコータ・デベロッパ２からガラス基板Ｐが供給されるのを待つが、インライン待ち時間を経過したところで待機状態を切ってガラス基板Ｐの搬出動作を実行する。この際、待機時間情報に基づいてインライン待ち時間が設定されているため、ガラス基板Ｐの搬出動作に移行した直後にコータ・デベロッパ２からガラス基板の供給が行われることはない。
【００４３】
なお、ステップＳ１において、ガラス基板の供給中断が通知されていない場合は、ステップＳ５において前回ベースライン量計測または照度キャリブレーション処理を実行後、規定のロット数または枚数を処理したかどうかを判断し、未処理であればこのシーケンスを終了し（ステップＳ３）、処理済みであれば上記の処理を実施する（ステップＳ４）。
【００４４】
本実施の形態の基板処理システムでは、コータ・デベロッパ２が待機することにより、露光装置３へ供給されるガラス基板Ｐの供給が途切れても、通信部１９によって露光装置３側に待機時間情報が通信されるので、露光装置３側で発生する空き時間にベースライン量計測、照度キャリブレーション、露光処理済みガラス基板Ｐの搬出動作をそれぞれ独立して実行することができ、空き時間を有効活用して効率的な生産を実現することができる。そのため、従来のようにガラス基板Ｐが供給されているタイミングで露光処理を停止させて、上記計測、調整処理を行う場合に比較してロスタイムを無くすことができる。また、このロスタイムを無くすため、上記計測、調整を省略した場合と比較しても、重ね合わせ精度の低下の防止やビームＢの照度低下によるスループットの低下を防止することができる。
【００４５】
また、本実施の形態では、搬送装置１６がガラス基板Ｐの搬出動作に移行した直後にコータ・デベロッパ２からガラス基板が供給されることがないので、再度待機位置の戻らなければならないという無駄な動作や時間が発生することなく、生産性の低下も防止することができる。加えて、搬送装置１６が露光処理済みのガラス基板Ｐを迅速に搬出するので、基板ステージ２６上に露光処理済みガラス基板Ｐが放置された際にアライメントレーザやフォーカスビームで感光されてしまうという事態を未然に防ぐことができる。また、ガラス基板Ｐを基板ステージ２６上に放置せざるを得ない場合でも、待機時間に基づいて適切なタイミングでシャッタ２７を閉じればよく、必要以上にシャッタ動作を行うことでタクトタイムが長くなるということも防止できる。さらに、露光装置３側で露光処理済みのガラス基板Ｐの滞留がなくなるので、ガラス基板の供給が再開されたときに、受け渡しポート１７におけるガラス基板Ｐの搬出、搬入動作のサイクルが乱れることも防止できる。
【００４６】
図６ないし図１０は、本発明の基板処理システムの第２の実施の形態を示す図である。これらの図において、図１ないし図５に示す第１の実施の形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略する。第２の実施の形態と上記の第１の実施の形態とが異なる点は、露光装置本体１５の構成と、露光装置３側の空き時間にレンズキャリブレーションを実行することである。
【００４７】
図６に示す露光装置本体１５は、鉛直に保持したマスクＭとガラス基板Ｐとを複数の光路を有する露光光に対して走査移動してマスクＭのパターンをガラス基板Ｐ上に投影するものであって、ベース４９と、このベース４９上をＹ方向に沿って移動可能な移動ステージ５０と、この移動ステージ５０上に固定され、マスクＭとガラス基板Ｐとを相互に平行、且つ鉛直に保持する断面略Ｕ字状のキャリッジ５１と、キャリッジ５１よりも＋Ｘ側に配置され本体コラム５２に保持された照明光学系２３と、マスクＭとガラス基板Ｐとの間に配置され、本体コラム５２に保持された投影光学系ブロック５３とを備えている。
【００４８】
移動ステージ５０は、ベース４９上にＹ方向に沿って延設された一対のガイド部材５４Ａ、５４Ｂ上に不図示のエアベアリングで浮上支持されている。また、移動ステージ５０のＸ方向両側には、リニアモータ５５が設けられ、これらのリニアモータ５５によって移動ステージ５０と一体的にキャリッジ５１がガイド部材５４Ａ、５４Ｂに沿って駆動されるようになっている。
【００４９】
キャリッジ５１の−Ｘ側に位置する側壁により基板ステージ２６が構成されている。基板ステージ２６には、鉛直方向にガラス基板Ｐを保持する基板ホルダ４３が取り付けられている。また、キャリッジ５１の＋Ｘ側に位置する側壁によりマスクステージ２５が構成されている。マスクステージ２５には、マスクＭを鉛直に保持するマスクホルダ３９が取り付けられている。マスクホルダ３９は、三つのモータ５６ａ〜５６ｃによってＹＺ平面内で微小駆動可能に構成されて、キャリッジ５１に対する位置・姿勢が調整可能になっている。
【００５０】
基板ステージ２６の＋Ｙ方向端部には＋Ｘ方向に突出する凸部が形成されており、この凸部の表面にＺ方向に延設された基板側基準マーク板５７が固定されている。この基板側基準マーク板５７の表面は、ガラス基板Ｐの表面とほぼ同一面上に設定されている。また、マスクＭの基板側基準マーク板５７に対向する領域には、Ｚ方向に所定間隔で８つのマスク側基準マークが形成されている。
【００５１】
なお、キャリッジ５１のＸＹＺ３軸方向の位置は、レーザ干渉計Ｉ１〜Ｉ５（図６では測長ビームのみ図示）を含むレーザ干渉計システムによって計測されるようになっている。
【００５２】
投影光学系ブロック５３は、投影光学系としての第１〜第７の投影系モジュール（投影光学系）ＰＬ１〜ＰＬ７（図６ではＰＬ５は図示せず）を備えている。これらの投影系モジュールＰＬ１〜ＰＬ７は、それぞれ平面視台形の露光フィールドを有し、ここでは等倍の正立像を投影する、いわゆるダブルダイソン型の光学系が用いられている。
【００５３】
投影系モジュールＰＬ１〜ＰＬ７のうち、３つの投影系モジュールＰＬ５〜ＰＬ７は、図７に示すように、投影系モジュールＰＬ１〜ＰＬ４の＋Ｘ側に配置されている。また、投影系モジュールＰＬ５の光軸が投影系モジュールＰＬ１とＰＬ２の間に配置され、また、投影系モジュールＰＬ６の光軸が投影系モジュールＰＬ２とＰＬ３の間に配置され、投影系モジュールＰＬ７の光軸が投影系モジュールＰＬ３とＰＬ４の間に配置されている。
【００５４】
すなわち、投影系モジュールＰＬ１〜ＰＬ４によって投影される台形の投影領域ＰＡ１〜ＰＡ４と、投影系モジュールＰＬ５〜ＰＬ７によって投影される投影領域ＰＡ５〜ＰＡ７（図８参照）とが、Ｙ方向に所定間隔でＺ方向に並び、且つ隣り合う投影領域同士（例えば、ＰＡ１とＰＡ５、ＰＡ５とＰＡ２）の端部同士（図８中、点線で示される部分）がＺ方向に所定量オーバーラップするように、投影系モジュールＰＬ１〜ＰＬ７は、いわゆる千鳥状に配置されている。これにより、投影光学系ブロック５３に対してマスクＭとガラス基板Ｐとを走査することにより、継ぎ露光が可能になっている。従って、この露光装置本体１５においては、一対のリニアモータ５５を介して移動ステージ５０と一体的にキャリッジ５１を駆動することによりマスクＭとガラス基板Ｐとを図６のＹ方向に走査すれば、一回の走査露光でマスクＭ上の全パターンをガラス基板Ｐ上に転写できる。
【００５５】
投影系モジュールＰＬ１〜ＰＬ７には、投影像（転写像）の結像特性を調整するための調整機構５８がそれぞれ設けられており、この調整機構５８によって投影像の位置ずれ（シフト）、ローテーション（回転）、倍率等が調整可能に構成されている。具体的には、この調整機構５８は、例えば投影系モジュール内部のプレーンパラレル（不図示）をＹ軸、Ｚ軸周りに回転させることによりシフト量を調整し、また、投影系モジュール内部の特定のレンズを光軸方向に駆動することにより倍率を調整し、さらに、投影系モジュール内部のプリズムを回転させることによりローテーションを調整するようになっている。
【００５６】
図８に示すように、基板側基準マーク板５７には、相互に隣接する投影領域のオーバーラップ部に対応する位置に基板側基準マークＰ２〜Ｐ７が形成され、また、両端の投影領域のＰＡ１、ＰＡ４の外側傾斜部に対応する位置に基板側基準マークＰ１、Ｐ８が設計値に従って精度良く形成されている。
【００５７】
一方、マスクＭ上には、デバイスパターンが形成されたパターン領域ＤＰの近傍に、基板側基準マークＰ１〜Ｐ８にそれぞれ対応するマスク側基準マークＭ１〜Ｍ８（図８参照）が形成されている。また、基板側基準マーク板５７の裏面側には、投影系モジュールＰＬ１〜ＰＬ７によりそれぞれ基板側基準マーク板５７上に投影されたマスク側基準マークＭ１〜Ｍ８の像と、各マスク側基準マークに対応する基板側基準マークＰ１〜Ｐ８との相対位置を光電検出するＣＣＤカメラ等からなるセンサＳ１〜Ｓ８がキャリッジ５１に埋め込まれている。
【００５８】
また、本露光装置本体１５には、アライメントセンサ部が設けられている。アライメントセンサ部は、検出基準となる指標をそれぞれ備えた画像処理方式の一対のアライメント顕微鏡から構成され、各アライメント顕微鏡は、キャリッジ５１が所定のローディング位置（図６に示す位置）にあるときに、基板側基準マーク板５７に設けられた不図示のマスクアライメント用の一対の基準マーク（基準マークＰ１〜Ｐ８のうちの任意の２つを兼用してもよい）にそれぞれの指標が一致するようにその位置が調整されている。
【００５９】
このアライメントセンサ部では、マスクＭのアライメント時に、各アライメント顕微鏡の指標と、マスクＭ上に形成された不図示のアライメントマーク（基準マークＭ１〜Ｍ８のうちの任意の２つを兼用してもよい）との相対位置を計測するようになっている。また、上記干渉計システム、センサＳ１〜Ｓ８、モータ５６ａ〜５６ｃ、リニアモータ５５、調整機構５８、アライメントセンサ部は、制御部１８によって統括的に制御されている。
【００６０】
上記の構成の露光装置本体１５を有するリソグラフィシステム１では、図５に示したフローチャートに沿って、ガラス基板Ｐの供給中断が通知されると（ステップＳ１）、制御部１８は待機時間がレンズキャリブレーション（投影光モジュールの較正）を実行可能な時間以上であるかどうかを判断するとともに（ステップＳ２）、前回のレンズキャリブレーションを実行後、規定のロット数または枚数を処理したかどうかを判断し（ステップＳ５）、処理済みであれば以下のレンズキャリブレーションを実施する（ステップＳ４）。
【００６１】
なお、アライメントセンサ部の計測値に基づいてモータ２４ａ〜２４ｃが制御部１８により制御され、マスクＭのアライメントは終了しているものとする。この状態で制御部１８は、レーザ干渉計Ｉ１〜Ｉ５の計測値をモニタしつつ、一対のリニアモータ５５を制御して投影系モジュールＰＬ１〜ＰＬ４が基板側基準マーク板５７に対向する位置までキャリッジ５１を移動させる。これにより、マスクＭ上のマスク側基準マークＭ１〜Ｍ８に投影系モジュールＰＬ１〜ＰＬ４が対向した図７の状態となる。
【００６２】
この状態で不図示のシャッタが開放され、照明光学系２３からの照明光によりマスクＭ上の投影系モジュールＰＬ１〜ＰＬ４の投影領域に対応する４つの台形状の領域が照明されると、制御部１８は投影系モジュールＰＬ１〜Ｌ４によって基板側基準マークＰ１〜Ｐ８上に投影されたマスク側基準マークＭ１〜Ｍ８の投影像と、該投影像に対応する基板側基準マークＰ１〜Ｐ８との相対位置関係を８つのセンサＳ１〜Ｓ８を用いて計測する。
【００６３】
ここで、この計測およびこの計測結果に基づく投影像（転写像）の補正値の算出方法について、投影系モジュールＰＬ１の場合を例にとって説明する。この場合、マスク側基準マークＭ１、Ｍ２として図９に示すような、二重十字マークが用いられ、基板側基準マークＰ１、Ｐ２として十字マークが用いられるものとする。
【００６４】
そして、センサＳ１、Ｓ２により、それぞれ図９（Ａ）、（Ｂ）に示すような画像が撮像されたものとすると、ＣＣＤカメラＳ１、Ｓ２から相対位置データとして基板側基準マークＰ１、Ｐ２の中心点を原点とする計測値（ｄｙ１，ｄｚ１）、（ｄｙ２，ｄｚ２）が制御部１８に出力される。これらの計測値に基づいて制御部１８では、投影系モジュールＰＬ１の結像特性の補正値を次の（１）〜（４）式に基づいて演算する。
0004196037.tif 000002
上記（１）〜（４）式における右辺の負号（−）は、補正値であることから付されるものであり、また（３）式、（４）式中のＬは計測点間距離（基準マークＰ１とＰ２との距離）である。
【００６５】
上記と同様にして、制御部１８では、センサＳ３、Ｓ４を介して基板側基準マークＰ３、Ｐ４に対するマスク側基準マークＭ３、Ｍ４の投影像の相対位置データ（ｄｙ３，ｄｚ３）、（ｄｙ４，ｄｚ４）を得、これらに基づいて上記（１）〜（４）式と同様の補正値の算出式を用いて投影系モジュールＰＬ２の投影像の補正値を算出する。また、同様に制御部１８は、センサＳ５、Ｓ６を介して投影系モジュールＰＬ３の投影像の補正値を算出するとともに、センサＳ７、Ｓ８を介して投影系モジュールＰＬ４の投影像の補正値を算出する。
【００６６】
次いで、制御部１８は、レーザ干渉計Ｉ１〜Ｉ５の計測値をモニタしつつ、一対のリニアモータ５５を制御して投影系モジュールＰＬ５〜ＰＬ７が基板側基準マーク板５７に対向する位置までキャリッジ５１を移動させる。これにより、マスクＭ上のマスク側基準マークＭ２〜Ｍ７に投影系モジュールＰＬ５〜ＰＬ７が対向した図１０の状態となる。
【００６７】
この状態で、不図示のシャッタが所定量開放され照明光学系２３からマスクＭ上の投影系モジュールＰＬ５〜ＰＬ７の投影領域に対応する３つの台形状の領域が照明されると、制御部１８では投影系モジュールＰＬ５〜ＰＬ７によって基板側基準マークＰ２〜Ｐ７上に投影されたマスク側基準マークＭ２〜Ｍ７の投影像と、該投影像に対応する基板側基準マークＰ２〜Ｐ７との相対位置をセンサＳ２〜Ｓ７を用いて計測する。そして、これらのセンサＳ２〜Ｓ７の計測値に基づいて、上記と同様にして投影系モジュールＰＬ５〜ＰＬ７の投影像の補正値（シフト、倍率、回転）を求める。
【００６８】
そして、制御部１８は、このようにして求めた補正値に従い、投影系モジュールＰＬ１〜ＰＬ７にそれぞれ設けられた調整機構５８を介して投影系モジュールＰＬ１〜ＰＬ７の結像特性をそれぞれ調整する。これにより、マスクＭ上に形成された８つの基準マークＭ１〜Ｍ８が対応する基板側基準マークＰ１〜Ｐ８上に正確に投影されるように投影系モジュールＰＬ１〜ＰＬ７の結像特性が較正される。このレンズキャリブレーションにより、投影系モジュールＰＬ１〜ＰＬ８のディストーションはもちろん、マスクＭ上のパターンの描画誤差も補正される。
【００６９】
本実施の形態の基板処理システムでは、上記第１の実施の形態と同様に、コータ・デベロッパ２が待機することで、露光装置３へ供給されるガラス基板Ｐの供給が途切れても、通信部１９によって露光装置３側に待機時間情報が通信されるので、露光装置３側で発生する空き時間にレンズキャリブレーションを独立して実行することができ、効率的な生産を実現することができるとともに、結像特性の低下を未然に防ぐことができる。
【００７０】
なお、上記実施の形態において、投影系ブロック５３が７つの投影系モジュールＰＬ１〜ＰＬ７で構成されるものとしたが、これに限定されるものではなく、投影系モジュール（投影光学系）は１つ以上であれば幾つでもよく、投影光学系の数に応じて基準マークの数を増減させればよい。また、マスクＭとガラス基板Ｐとをキャリッジ５１に保持され一体的に移動するタイプとしたが、これに限られず、マスクＭとガラス基板Ｐとが相互に同期して投影光学系に対して相対走査されるタイプであってもよい。また、マスクＭとガラス基板Ｐとを水平方向に沿って保持するタイプの露光装置であってもよい。
【００７１】
さらに、上記第２の実施の形態では、露光装置３側の空き時間にレンズキャリブレーションを実行する構成としたが、センサＳ１〜Ｓ８を照度計とすることで、投影領域ＰＡ１〜ＰＡ７の重複部における照度（露光量）を計測でき、これに基づいて照明光学系２３を調整すれば照度キャリブレーションを実行することもできる。また、センサＳ１〜Ｓ８に照度計およびＣＣＤカメラの双方を配設すれば一度に照度キャリブレーションとレンズキャリブレーションの双方を実行することも可能である。
【００７２】
なお、上記実施の形態において、ロードアーム１０および搬送装置１６が一本のアームでガラス基板Ｐを搬送する構成としたが、これに限られず少なくともどちらか一方が二本のアームを有する、いわゆるダブルアーム方式を採用してもよい。この場合、自装置で処理されたガラス基板Ｐを受け渡しポート１７へ搬送し、他装置で処理済みのガラス基板Ｐを受け取るときに、一旦後退して受け渡しポート１７上から退避する必要がなくなり、搬送時間が短縮されることから一層生産効率を向上させることができる。
【００７３】
また、上記実施の形態では、基板処理システムとしてコータ・デベロッパ２と露光装置３とがインライン接続される構成としたが、これに限られず、例えばガラス基板Ｐに対する異物の有無や露光されたパターンを検査する検査装置や、ガラス基板Ｐに転写されたパターンの周辺部を露光して現像工程でレジストを除去するための周辺露光装置や、ガラス基板Ｐに処理工程等のタイトルを露光処理で形成するタイトラー等を含めた装置を任意の組み合わせで接続し、接続された装置間で上記待機時間情報が通信される通信手段を設けるような構成であってもよい。また、コータ・デベロッパ２は、ガラス基板Ｐに対する感光剤塗布処理のみを行うコータであってもよい。
【００７４】
さらに、上記実施の形態では、コータ・デベロッパ２が待機している空き時間に露光装置３側で各種処理を実行する構成としたが、同様に、露光装置３側で何らかのトラブルが生じた際には、通信部１９による通信結果に基づいて、コータ・デベロッパ２側で、感光剤塗布処理や現像処理に関する各種調整、計測を行うような構成であってもよい。
【００７５】
なお、本実施の形態の基板としては、液晶ディスプレイデバイス用のガラス基板Ｐのみならず、半導体デバイス用の半導体ウエハや、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【００７６】
露光装置３としては、マスクＭとガラス基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニング・ステッパー；USP5,473,410）の他に、マスクＭとガラス基板Ｐとを静止した状態でガラス基板Ｐのパターンを露光し、ガラス基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパー）にも適用することができる。
【００７７】
露光装置３の種類としては、ガラス基板Ｐに液晶表示素子パターンを露光する液晶用の露光装置に限られず、半導体製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）あるいはレチクルなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【００７８】
また、光源２２として、超高圧水銀ランプから発生する輝線（ｇ線（４３６ｎｍ）、ｈ線（４０４．ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ））、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）、Ｆ2レーザ（１５７ｎｍ）のみならず、Ｘ線や電子線などの荷電粒子線を用いることができる。例えば、電子線を用いる場合には電子銃として、熱電子放射型のランタンヘキサボライト（ＬａＢ6）、タンタル（Ｔａ）を用いることができる。また、ＹＡＧレーザや半導体レーザ等の高周波などを用いてもよい。
【００７９】
投影光学系２４、投影系モジュールＰＬ１〜ＰＬ７の倍率は、等倍系のみならず縮小系および拡大系のいずれでもよい。また、投影光学系２４、投影系モジュールＰＬ１〜ＰＬ７としては、エキシマレーザなどの遠紫外線を用いる場合は硝材として石英や蛍石などの遠紫外線を透過する材料を用い、Ｆ2レーザやＸ線を用いる場合は反射屈折系または屈折系の光学系にし（マスクＭも反射型タイプのものを用いる）、また電子線を用いる場合には光学系として電子レンズおよび偏向器からなる電子光学系を用いればよい。なお、電子線が通過する光路は、真空状態にすることはいうまでもない。また、投影光学系２４、ＰＬ１〜ＰＬ７を用いることなく、マスクＭとガラス基板Ｐとを密接させてマスクＭのパターンを露光するプロキシミティ露光装置にも適用可能である。
【００８０】
基板ステージ２６やマスクステージ２５にリニアモータ（USP5,623,853またはUSP5,528,118参照）を用いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮上型およびローレンツ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもよい。
また、各ステージ２５、２６は、ガイドに沿って移動するタイプでもよく、ガイドを設けないガイドレスタイプであってもよい。
【００８１】
各ステージ２５、２６の駆動機構としては、二次元に磁石を配置した磁石ユニットと、二次元にコイルを配置した電機子ユニットとを対向させ電磁力により各ステージ２５、２６を駆動する平面モータを用いてもよい。この場合、磁石ユニットと電機子ユニットとのいずれか一方をステージ２５、２６に接続し、磁石ユニットと電機子ユニットとの他方をステージ２５、２６の移動面側に設ければよい。
【００８２】
基板ステージ２６の移動により発生する反力は、投影光学系２４（投影系モジュールＰＬ１〜ＰＬ７）に伝わらないように、特開平８−１６６４７５号公報（USP5,528,118）に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよい。
マスクステージ２５の移動により発生する反力は、投影光学系２４（投影系モジュールＰＬ１〜ＰＬ７）に伝わらないように、特開平８−３３０２２４号公報（US S/N 08/416,558）に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよい。
【００８３】
複数の光学素子から構成される照明光学系２３および投影光学系２４（投影系モジュールＰＬ１〜ＰＬ７）をそれぞれ露光装置本体に組み込んでその光学調整をするとともに、アライメント光学系４７、アライメントセンサ４８を取り付け、多数の機械部品からなるマスクステージ２５や基板ステージ２６を露光装置本体１５に取り付けて配線や配管を接続し、制御部１８を取り付け、さらに総合調整（電気調整、動作確認等）をすることにより本実施の形態の露光装置３を製造することができる。なお、露光装置３の製造は、温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【００８４】
液晶表示素子や半導体デバイス等のデバイスは、各デバイスの機能・性能設計を行うステップ、この設計ステップに基づいたマスクＭを製作するステップ、ガラス基板Ｐ、ウエハ等を製作するステップ、前述した実施の形態の露光装置３によりマスクＭのパターンをガラス基板Ｐ、ウエハに露光するステップ、各デバイスを組み立てるステップ（ウエハの場合、ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）、検査ステップ等を経て製造される。
【００８５】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１に係る基板処理システムは、通信手段が第１装置と第２装置との一方の装置の待機時間情報を他方の装置に通信する構成となっている。
これにより、この基板処理システムでは、一方の装置が待機することで他方の装置側で発生する空き時間を有効に活用して第１、第２の処理に関する処理を実行することができ、効率的な生産を実現できるという効果が得られる。そのため、従来のように第１、第２の処理を停止させて実行する場合に比較してロスタイムを無くすことができるという効果も得られる。
【００８６】
請求項２に係る基板処理システムは、他方の装置が通信手段の通信結果に基づいて、一方の装置とは独立した処理を実行する実行手段を備える構成となっている。
これにより、この基板処理システムでは、一方の装置が待機することで他方の装置側で発生する空き時間を有効に活用して、実行手段が第１、第２の処理に関する一方の装置とは独立した処理を実行することができ、効率的な生産を実現できるという効果が得られる。
【００８７】
請求項３に係る基板処理システムは、実行手段が他方の装置内で基板の搬送を行う搬送装置である構成となっている。
これにより、この基板処理システムでは、搬送装置が再度待機位置の戻らなければならないという無駄な動作や時間が発生することなく、生産性の低下も防止できることに加えて、搬送装置が他方の装置で処理済みの基板を迅速に搬出するので、露光処理済み基板が放置された際にアライメントレーザやフォーカスビームで感光されてしまうという事態を未然に防ぐことができるという効果が得られる。さらに、他方の装置側で処理済みの基板の滞留がなくなるので、基板の供給が再開されたときに、基板の搬出、搬入動作のサイクルが乱れることも防止できる。
【００８８】
請求項４に係る基板処理システムは、第１装置が、基板に感光剤を塗布するコータを有する構成となっている。
これにより、この基板処理システムでは、空き時間を有効に活用して感光剤塗布に関する処理を実行することができ、効率的な生産を実現できるという効果が得られる。
【００８９】
請求項５に係る基板処理システムは、第２装置が基板にパターンを形成する露光装置である構成となっている。
これにより、この基板処理システムでは、空き時間を有効に活用して露光処理に関する処理を実行することができ、効率的な生産を実現できるという効果が得られる。
【００９０】
請求項６に係る基板処理システムは、第２装置が露光光を投影光学系により投影して基板にパターンを形成する露光装置である構成となっている。
これにより、この基板処理システムでは、空き時間を有効に活用して、投影光学系の結像特性調整等の露光処理に関する処理を実行することができ、効率的な生産を実現できるとともに、結像特性の低下を未然に防ぐことができるという効果が得られる。
【００９１】
請求項７に係る基板処理システムは、実行手段が露光光の露光量調整処理を実行する構成となっている。
これにより、この基板処理システムでは、空き時間を有効に活用して、露光光の露光量調整処理等の露光処理に関する処理を実行することができ、効率的な生産を実現できるとともに、露光光の露光量低下によるスループットの低下を防止できるという効果が得られる。
【００９２】
請求項８に係る基板処理システムは、実行手段がアライメント光学系と投影光学系との間隔であるベースライン量を計測する構成となっている。
これにより、この基板処理システムでは、空き時間を有効に活用して、ベースライン量計測等の露光処理に関する処理を実行することができ、効率的な生産を実現できるとともに、重ね合わせ精度の低下を防止できるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１の実施の形態を示す図であって、コータ・デベロッパと露光装置とがインライン接続されたリソグラフィシステムの概略構成図である。
【図２】  受け渡しポートの正面図である。
【図３】  露光装置本体の構成図である。
【図４】  露光装置、コータ・デベロッパ、ロードアームの動作タイミングを示すタイムチャート図である。
【図５】  処理の実行の流れを示すフローチャート図である。
【図６】  本発明の第２の実施の形態を示す図であって、マスクとガラス基板とが一体的に走査移動される露光装置本体の外観斜視図である。
【図７】  同露光装置本体を構成する投影系モジュールの配置を示す外観斜視図である。
【図８】  マスク上のマスク側基準マークとこれに対応する基板側基準マークとの位置関係およびこれらと各投影領域との位置関係を示す図である。
【図９】  （Ａ）はセンサにより撮像された画像の一例を示し、（Ｂ）は別のセンサで撮像された画像の一例を示す図である。
【図１０】  投影系モジュールのキャリブレーションのための基準マーク間の相対位置計測を説明するための図である。
【符号の説明】
Ｂ  ビーム（露光光）
Ｐ  ガラス基板（基板）
ＰＬ１〜ＰＬ７  投影系モジュール（投影光学系）
１  リソグラフィシステム（基板処理システム）
２  コータ・デベロッパ（第１装置、一方の装置）
３  露光装置（第２装置、他方の装置）
１６  搬送装置（実行手段）
１９  通信部（通信手段）
２４  投影光学系
４７  アライメント光学系
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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