【事件の表示】
　特許第６３３８４９６号発明「抽気冷却装置並びにこれを用いた塩素バイパスシステム及びセメントキルン抽気ガスの処理方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６３３８４９６号の明細書、特許請求の範囲を、平成３１年　４月１０日付けの手続補正書（方式）によって補正された平成３１年３月１２日付けの訂正請求書に添付された訂正明細書、訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１〜７〕について訂正することを認める。
　本件特許異議の申立てを却下する。
【理　由】
　第１　手続の経緯
　特許第６３３８４９６号（以下、「本件特許」という。）の請求項１〜７に係る特許についての出願は、平成２６年９月２４日になされ、平成３０年５月１８日に特許権の設定登録がされ、同年６月６日に特許掲載公報が発行され、その後、本件特許の請求項１〜７に係る特許のうちの、請求項１に係る特許に対し、特許異議申立人　松永健太郎（以下「異議申立人」という。）より、平成３０年１２月５日付けで特許異議の申立てがなされ、平成３１年１月２９日付けで特許権者に取消理由が通知され、その取消理由通知の指定期間内である同年３月１２日付けで特許権者より意見書及び訂正請求書が提出され、その訂正請求書に対し、同年４月３日付けで特許権者に手続補正指令書（方式）が通知され、その手続補正指令書（方式）の指定期間内である同年同月１０日付けで特許権者より、前記訂正請求書についての手続補正書（方式）が提出されたものである。
　第２　訂正の適否についての判断
　平成３１年４月１０日付けの手続補正書（方式）によって補正された、同年３月１２日付けの訂正請求書（以下、「本件訂正請求書」という。）に記載された請求の趣旨、及び、訂正の内容は、それぞれ以下のとおりのものであり、訂正の適否につき、以下のとおり判断する。  
  
 　１．　訂正請求の趣旨  
　本件特許の明細書及び特許請求の範囲を、本件訂正請求書に添付した、訂正明細書及び訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項１〜７について訂正することを求める。 
  
　２．訂正の内容（当審注：訂正箇所には下線を付した。）
（１）　訂正事項１
　請求項１を削除する。
（２）　訂正事項２
　請求項２に、「前記分級部は」、「特徴とする請求項１に記載の抽気冷却装置。」とあるのを、それぞれ、
「
セメントキルンの窯尻から最下段サイクロンに至るまでのキルン排ガス流路より燃焼ガスの一部を抽気する抽気部と、該抽気ガスを粗粉と、微粉を含むガスとに分離する分級部と、該微粉を含むガスのみを冷却する冷却部とを備え、
る抽
（３）　訂正事項３
　請求項３に「請求項１又は２に記載の抽気冷却装置。」とあるのを、
「請求項
２
（４）　訂正事項４
　請求項６に「請求項１又は２に記載の抽気冷却装置を用いて」とあるのを、「請求項
２
（５）　訂正事項５
　明細書の【０００７】を削除する。
（６）　訂正事項６
　明細書の【０００８】を削除する。
（７）　訂正事項７
　明細書の【０００９】に、「上記の抽気冷却装置において」、「流入口とを備えることができる」、「これにより、遠心力のみで」とあるのを、それぞれ、
「上記
目的を達成するため、本発明は、抽気冷却装置であって、セメントキルンの窯尻から最下段サイクロンに至るまでのキルン排ガス流路より燃焼ガスの一部を抽気する抽気部と、該抽気ガスを粗粉と、微粉を含むガスとに分離する分級部と、該微粉を含むガスのみを冷却する冷却部とを備え
を特徴する
本発明によれば、分級部で抽気ガスを粗粉と、微粉を含むガスとに分離し、冷却部で微粉を含むガスのみを冷却するため、抽気ガス中の原料ダスト濃度が上昇した場合でも、塩素化合物が粗粉ダストの表面に析出することがなく、循環塩素量の上昇を回避し、塩素バイパスダストの塩素濃度が低下して塩素の除去効率が低下することを防止することができる。また、燃焼ガスの抽気、分級、及び冷却を同一の装置で行うことができるため、装置コストを低減することができ、冷却風量を低く抑えることで運転コストの低減にも繋がる。また、
（８）　訂正事項８
　明細書の【００５９】を削除する。
　３．　訂正の目的の適否、一群の請求項、新規事項の有無、特許請求の
　　　範囲の拡張・変更の存否、及び、独立特許要件
（１）　訂正事項１
　訂正事項１は、請求項１を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（２）　訂正事項２
　訂正事項２は、訂正前の請求項２が訂正前の請求項１の記載を引用して記載されていたところ、その請求項１に記載されていた、「セメントキルンの窯尻から最下段サイクロンに至るまでのキルン排ガス流路より燃焼ガスの一部を抽気する抽気部と、該抽気ガスを粗粉と、微粉を含むガスとに分離する分級部と、該微粉を含むガスのみを冷却する冷却部とを備え」るとの発明特定事項を請求項２に記載することによって、当該請求項１を引用しないものに訂正しようとするものであるから、他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすることを目的とするものであって、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（３）　訂正事項３〜４  
　訂正事項３〜４は、請求項１又は２の記載を引用して訂正前の請求項３〜７が記載されていたところ、訂正事項１〜２に伴い、訂正後の請求項３〜７において、削除された請求項１の記載を引用する態様を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮及び明瞭でない記載の釈明を目的とするものであって、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。  
（４）　訂正事項５、６、８  
　訂正事項５、６、８は、上記訂正事項１による請求項１の削除と整合させるために、訂正前の請求項１の抽気冷却装置に係る発明についての説明が記載されていた訂正前の明細書の段落【０００７】〜【０００８】、【００５９】を削除しようとするものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものであって、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
（５）　訂正事項７  
　訂正事項７は、上記訂正事項２による請求項２の訂正と整合させるために、訂正前の請求項２と同様の記載がなされていた明細書の段落【０００９】に、訂正前の明細書の段落【０００７】〜【０００８】の記載内容も記載しようとするものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものであって、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
（５）　一群の請求項について  
　本件訂正前の請求項２〜７は、請求項１を、直接的に又は間接的に、引用するものであって、訂正事項１によって記載が訂正される請求項１に連動して訂正されるものであるから、訂正前の請求項１〜７は、特許法第１２０条の５第４項に規定する一群の請求項であるところ、訂正事項１〜４は、その一群の請求項に対してされたものであるから、特許法１２０条の５第４項の規定に適合する。 
（６）　明細書の訂正と関係する請求項についての説明
　訂正事項５〜８による明細書の訂正は、訂正事項１〜２の訂正に伴って、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るための訂正であり、一群の請求項１〜７についてする訂正である。
　したがって、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第４項の規定に適合する。
（７）　独立特許要件について
ア．　本件特許の請求項１について特許異議の申立てがされたから、訂正事項１について、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件の規定の適用はないし、また、訂正事項２については、上記（２）の検討のとおり、他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすることのみを目的とするものであるし、また、訂正事項５〜８については、上記（４）〜（５）の検討のとおり、明瞭でない記載の釈明を目的とするものであるから、訂正事項２、５〜８については、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件の規定の適用はない。
イ．　ただし、訂正事項３〜４については、上記（３）の検討のとおり、それらの訂正事項の目的に特許請求の範囲の減縮を含んでいるし、それらの訂正事項によって訂正される請求項３〜７に対しては、特許異議の申立てがされていないから、訂正事項３〜４には、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件の規定が適用される。
ウ．　そこで、訂正事項３〜４による、訂正後の請求項３〜７に係る発明が独立特許要件を備えているか、すなわち、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かにつき検討するに、それらの発明は、いずれも、拒絶理由を発見しないとして特許された訂正前の請求項２を直接的又は間接的に引用するものとなったにすぎず、また、異議申立人が提出した証拠（特開２００１−７２４１２号公報）を見ても、それらの発明について、新たな拒絶理由が生じるとはいえないから、訂正後の請求項３〜７に係る発明は特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるといえる。
 　４．　小括 
　以上のとおりであるから、本件訂正請求書による訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１、３、４号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第４項、及び、同条第９項において準用する同法第１２６条第４項から第７項までの規定に適合するので、訂正後の請求項〔１〜７〕に訂正することを認める。 
　第３　本件訂正発明
　上記第２のとおり訂正を認めるので、本件特許の特許請求の範囲の請求項２〜７に係る発明は、平成３１年３月１２日付けの訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲の請求項２〜７に記載された事項により特定される、次のとおりのものである。
「【請求項１】（削除）
【請求項２】
　セメントキルンの窯尻から最下段サイクロンに至るまでのキルン排ガス流路より燃焼ガスの一部を抽気する抽気部と、該抽気ガスを粗粉と、微粉を含むガスとに分離する分級部と、該微粉を含むガスのみを冷却する冷却部とを備え、
　前記分級部は、前記抽気ガスの入口部、及び前記微粉を含むガスの出口部とを有する有蓋円筒部と、該有蓋円筒部の下方に連続して存在し、最下部より前記粗粉が排出されるコーン部とで構成され、
　前記冷却部は、前記コーン部を貫通し、該コーン部及び前記有蓋円筒部の中心部を通過して前記分級部の前記微粉を含むガスの出口部に連通し、冷却用ガスが通過する管路と、前記コーン部及び前記有蓋円筒部の中心部に位置する前記管路の一部に穿設された前記微粉を含むガスの流入口とを備えることを特徴とする抽気冷却装置。
【請求項３】
　請求項２に記載の抽気冷却装置と、
　該抽気冷却装置で冷却した抽気ガス中のダストを回収する集塵装置と、
　該回収したダストを前記セメントキルンの系外へ排出する排出装置とを備えることを特徴とする塩素バイパスシステム。
【請求項４】
　前記抽気冷却装置の後段に、該抽気冷却装置で冷却した抽気ガス中のダスト濃度を低下させる除塵装置を備え、該除塵装置でダスト濃度を低下させた抽気ガス中のダストを前記集塵装置で回収することを特徴とする請求項３に記載の塩素バイパスシステム。
【請求項５】
　前記集塵装置は、乾式集塵機又は湿式集塵機であることを特徴とする請求項３又は４に記載の塩素バイパスシステム。
【請求項６】
　請求項２に記載の抽気冷却装置を用いて前記抽気ガスのダスト濃度を３０ｇ／ｍ３Ｎ以下に低下させながら、前記微粉を含むガスを６００℃以下に冷却することを特徴とするセメントキルン抽気ガスの処理方法。
【請求項７】
　前記抽気冷却装置の出口部に石灰石の微粉末又はセメントキルンのプレヒータに投入されているセメント原料を投入することを特徴とする請求項６に記載のセメントキルン抽気ガスの処理方法。」
　第４　特許異議の申立てについて
　上記第３のとおり、本件特許の請求項１は訂正により削除されたため、本件特許の請求項１〜７に係る特許のうちの、請求項１に係る特許に対して、異議申立人がした特許異議の申立てについては、対象となる請求項が存在しないものとなった。
　したがって、本件特許についての異議申立ては、特許法第１２０条の８第１項で準用する同法第１３５条の規定によって却下すべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和１年７月１２日（２０１９．７．１２）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
抽気冷却装置並びにこれを用いた塩素バイパスシステム及びセメントキルン抽気ガスの処理方法
　【技術分野】
　【０００１】
　本発明は、セメント焼成装置から塩素を除去するため、セメントキルンの窯尻から最下段サイクロンに至るまでのキルン排ガス流路より抽気した燃焼ガスを処理する装置及び方法に関する。
　【背景技術】
　【０００２】
　廃棄物のセメント原料化及び燃料化が推進される中、廃棄物の処理量が増加するのに伴い、セメントキルンに持ち込まれる塩素等の揮発成分の量も増加している。そのため、セメント製造設備におけるプレヒータの閉塞等の問題を引き起こす原因になると共に、製品の品質に影響を与える塩素分を除去する塩素バイパスシステムが不可欠となっている。
　【０００３】
　この塩素バイパスシステムは、図６に示すように、セメントキルン４２の窯尻から最下段サイクロン（不図示）に至るまでのキルン排ガス流路より燃焼ガスの一部Ｇ４１をプローブ４３で抽気すると同時に、冷却ファン４４からの冷風で抽気ガスＧ４１をＫＣｌ等の塩素化合物の融点以下（６００℃以下）に冷却し、冷却した抽気ガスＧ４２をサイクロン４５で粗粉Ｄ４１と、微粉を含むガスＧ４３とに分離し、分離した微粉を含むガスＧ４３を冷却器４６で冷却し、冷却器４６の排ガスＧ４４から塩素が濃縮した１０μｍ程度以下の微粉Ｄ４３をバグフィルタ４７で回収し、微粉Ｄ４２と微粉Ｄ４３とを塩素バイパスダストＤ４４として系外に排出して塩素を除去し、バグフィルタ４７の排ガスＧ４５は、排気ファン４８によってセメントキルン４２の排ガス系に戻される（特許文献１、２）。
　【先行技術文献】
　【特許文献】
　【０００４】
　【特許文献１】特開２０００−３５４８３８号公報
　【特許文献２】特開２０１０−１９５６６０号公報
　【発明の概要】
　【発明が解決しようとする課題】
　【０００５】
　しかし、上記特許文献１、２に記載の方法では、抽気ガスＧ４１の原料ダスト濃度が上昇すると、ＫＣｌ等の塩素化合物が粗粉ダストの表面にも析出し、サイクロン４５で分離される粗粉Ｄ４１と共にセメントキルン４２に戻されて循環塩素量が上昇し、塩素バイパスダストＤ４４の塩素濃度が低下して塩素の除去効率が低下するという問題があった。
　【０００６】
　そこで、本発明は、上記従来の技術における問題点に鑑みてなされたものであって、抽気ガス中の原料ダスト濃度が上昇した場合でも、セメントキルン抽気ガスから低コストで効率よく塩素を除去することを目的とする。
　【課題を解決するための手段】
　【０００７】
（削除）
　【０００８】
（削除）
　【０００９】
　上記
目的を達成するため、本発明は、抽気冷却装置であって、セメントキルンの窯尻から最下段サイクロンに至るまでのキルン排ガス流路より燃焼ガスの一部を抽気する抽気部と、該抽気ガスを粗粉と、微粉を含むガスとに分離する分級部と、該微粉を含むガスのみを冷却する冷却部とを備え
を特徴とする
　
本発明によれば、分級部で抽気ガスを粗粉と、微粉を含むガスとに分離し、冷却部で微粉を含むガスのみを冷却するため、抽気ガス中の原料ダスト濃度が上昇した場合でも、塩素化合物が粗粉ダストの表面に析出することがなく、循環塩素量の上昇を回避し、塩素バイパスダストの塩素濃度が低下して塩素の除去効率が低下することを防止することができる。また、燃焼ガスの抽気、分級、及び冷却を同一の装置で行うことができるため、装置コストを低減することができ、冷却風量を低く抑えることで運転コストの低減にも繋がる。また
　【００１０】
　また、本発明は、塩素バイパスシステムであって、前記抽気冷却装置と、該抽気冷却装置で冷却した抽気ガス中のダストを回収する集塵装置と、該回収したダストを前記セメントキルンの系外へ排出する排出装置とを備えることを特徴とする。本発明によれば、抽気ガス中の原料ダスト濃度が上昇した場合でも、循環塩素量の上昇を回避し、塩素バイパスダストの塩素濃度が低下して塩素の除去効率が低下することを防止し、セメントキルン抽気ガスから低コストで効率よく塩素を除去することができる。
　【００１１】
　さらに、前記抽気冷却装置の後段に、該抽気冷却装置で冷却した抽気ガス中のダスト濃度を低下させる除塵装置を備え、該除塵装置でダスト濃度を低下させた抽気ガス中のダストを前記集塵装置で回収することができ、セメントキルンから抽気した直後のガス中のダスト濃度が比較的高い場合に効果的な装置構成である。前記集塵装置を、乾式集塵機又は湿式集塵機とすることができる。
　【００１２】
　また、本発明は、セメントキルン抽気ガスの処理方法であって、前記抽気冷却装置を用いて前記抽気ガスのダスト濃度を３０ｇ／ｍ３Ｎ以下に低下させながら、前記微粉を含むガスを６００℃以下に冷却することを特徴とする。本発明によれば、抽気ガス中の原料ダスト濃度が上昇した場合でも、循環塩素量の上昇を回避し、塩素バイパスダストの塩素濃度が低下して塩素の除去効率が低下することを防止し、セメントキルン抽気ガスから低コストで効率よく塩素を除去することができる。
　【００１３】
　上記セメントキルン抽気ガスの処理方法において、前記抽気冷却装置の出口部に石灰石の微粉末又はセメントキルンのプレヒータに投入されているセメント原料を投入することができる。これにより、粘性が高くハンドリング性が極めて悪い塩素バイパスダストのハンドリング性を改善することができる。
　【発明の効果】
　【００１４】
　以上のように、本発明によれば、抽気ガス中の原料ダスト濃度が上昇した場合でも、セメントキルン抽気ガスから低コストで効率よく塩素を除去することができる。
　【図面の簡単な説明】
　【００１５】
　【図１】本発明に係る塩素バイパスシステムの第１の実施形態を示す全体構成図である。
　【図２】図１に示す塩素バイパスシステムの抽気冷却装置を示す概略図である。
　【図３】本発明に係る塩素バイパスシステムの第２の実施形態を示す全体構成図である。
　【図４】本発明に係る塩素バイパスシステムの第３の実施形態を示す全体構成図である。
　【図５】本発明に係る塩素バイパスシステムの第４の実施形態を示す全体構成図である。
　【図６】従来の塩素バイパスシステムの一例を示す全体構成図である。
　【発明を実施するための形態】
　【００１６】
　次に、本発明を実施するための形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
　【００１７】
　図１は、本発明に係る塩素バイパスシステムの第１の実施形態を示し、この処理装置１は、セメントキルン３の窯尻から最下段サイクロンに至るまでのキルン排ガス流路より燃焼ガスの一部Ｇ１を抽気して冷却する抽気冷却装置２と、抽気冷却装置２から排出された微粉を含むガスＧ２をさらに冷却する冷却器４と、冷却器４から排出された排ガスＧ３から微粉Ｄ３を回収するバグフィルタ５と、バグフィルタ５の排ガスＧ４を系外に排出する排気ファン６等で構成される。
　【００１８】
　図２は、抽気冷却装置２を示し、この抽気冷却装置２は、セメントキルン３からの燃焼ガスの一部Ｇ１を抽気する管路からなる抽気部２ａと、有蓋円筒部２ｂ及びコーン部２ｃからなり、抽気ガスＧ１を遠心力によって粗粉Ｄ１と、微粉を含むガスＧ２とに分離する分級部２ｄと、冷却用ガスＡが通過する管路からなる冷却部２ｅとで構成される。
　【００１９】
　分級部２ｄの有蓋円筒部２ｂには、抽気ガスＧ１の入口部（不図示）と、微粉を含むガスＧ２の出口部２ｇとが形成され、コーン部２ｃの最下部は粗粉Ｄ１の排出口となっている。
　【００２０】
　冷却部２ｅは、コーン部２ｃを貫通し、コーン部２ｃ及び有蓋円筒部２ｂの中心部を通過して出口部２ｇに連通し、内部を冷却用ガスＡが通過する。コーン部２ｃ及び有蓋円筒部２ｂの中心部に位置する冷却部２ｅにはガス流入口２ｆが穿設され、ガス流入口２ｆから粗粉Ｄ１が分離された微粉を含むガスＧ２が流入する。
　【００２１】
　冷却器４、バグフィルタ５、排気ファン６は、図６に示した従来の塩素バイパスシステム４１の冷却器４６、バグフィルタ４７、排気ファン４８と同様の構造を有する。尚、冷却器４で微粉を含むガスＧ２を２００〜６００℃に低下させた場合には、バグフィルタ５に耐熱温度の高いセラミックスフィルタを備えるものを用いることができ、冷却器４で微粉を含むガスＧ２を２００℃以下に低下させた場合には、バグフィルタ５に耐熱耐酸ナイロンフェルトを備えるものを用いることができる。
　【００２２】
　次に、上記処理装置１の動作について、図１及び図２を参照しながら説明する。
　【００２３】
　セメントキルン３の窯尻から最下段サイクロンに至るまでのキルン排ガス流路より、燃焼ガスの一部Ｇ１を抽気冷却装置２の抽気部２ａによって抽気し、抽気ガスＧ１を分級部２ｄにおいて粗粉Ｄ１と、微粉を含むガスＧ２とに分離し、粗粉Ｄ１をセメントキルン系に戻す。これによって、微粉を含むガスＧ２中のダスト濃度を３０ｇ／ｍ３Ｎ以下に低下させる。
　【００２４】
　次に、ガス流入口２ｆから冷却部２ｅに導入された８００〜１１００℃程度の微粉を含むガスＧ２に冷却用ガスＡを吹き付け、微粉を含むガスＧ２をＫＣｌ等の塩素化合物の融点である６００℃以下、好ましくは４００℃以下にまで冷却する。これによって、微粉を含むガスＧ２中のＫＣｌ等の塩素化合物が析出し、微粉の表面等に付着する。
　【００２５】
　次に、抽気冷却装置２から排出した微粉を含むガスＧ２を冷却器４で集塵装置の耐熱温度まで冷却し、冷却器４の排ガスＧ３をバグフィルタ５に導入して微粉Ｄ３を回収し、冷却器４から回収した微粉Ｄ２と共に塩素バイパスダストＤ４とする。この塩素バイパスダストＤ４をセメントキルン２の系外に排出装置で排出し、例えば、セメント粉砕工程でセメントクリンカと共に粉砕したり、水洗により塩素を除去した後、セメント原料等として利用する。バグフィルタ５の排ガスＧ４は、排気ファン６によってセメントキルン３の排ガス系に戻される。尚、上記冷却器４で回収した微粉Ｄ２及びバグフィルタ５で回収した微粉Ｄ３は塩素濃度が高く、これに伴い粘性が高くなって極めてハンドリング性が悪化している。そこで、抽気冷却装置２の出口部に石灰石の微粉末、セメントキルンのプレヒータに投入されているセメント原料等を投入することで、これらの微粉Ｄ２、Ｄ３のハンドリング性を改善することができる。
　【００２６】
　以上のように、本実施の形態によれば、抽気ガスＧ１を粗粉Ｄ１と、微粉を含むガスＧ２とに分離し、微粉を含むガスＧ２のみを冷却するため、抽気ガスＧ２中の原料ダスト濃度が上昇した場合でも、塩素化合物が粗粉ダストの表面に析出することがなく、循環塩素量の上昇を回避し、塩素バイパスダストの塩素濃度が低下して塩素の除去効率が低下することを防止することができる。また、燃焼ガスの抽気、分級、及び冷却を抽気冷却装置２のみで行うことができるため、装置コストを低減することができ、冷却風量を低く抑えることで運転コストを低減することもできる。
　【００２７】
　次に、本発明に係る塩素バイパスシステムの第２の実施形態について、図３を参照しながら説明する。
　【００２８】
　この塩素バイパスシステム１１は、上記処理装置１の冷却器４及びバグフィルタ５に代えて、湿式集塵機１２、溶解槽１６及び固液分離機１７を設けたものであり、抽気冷却装置２は上記処理装置１と同様のものを用いる。
　【００２９】
　湿式集塵機１２は、微粉を含むガスＧ２に含まれるダストを捕集しつつ、ガスＧ２を水と接触させ、微粉を含むガスＧ２中の塩素化合物を主とする水溶性成分を溶解させるために備えられる。また、湿式集塵機１２は、微粉を含むガスＧ２に含まれる硫黄分を、抽気冷却装置２から供給された粗粉Ｄ１等に含まれる生石灰が水と反応して生じた消石灰と反応させて石膏を生じさせる。
　【００３０】
　この湿式集塵機１２は、スクラバー１３、循環液槽１４及び洗浄塔１５で構成され、スクラバー１３と循環液槽１４との間には、スラリーＳを循環させるためのポンプ１４ａが設けられる。また、スラリー循環路１４ｂには抽気冷却装置２から粗粉Ｄ１が供給される。また、粗粉Ｄ１の代わりに消石灰（Ｃａ（ＯＨ）２）等の薬剤を使用することもできる。
　【００３１】
　湿式集塵機１２の後段には、スラリーＳに含まれる塩素化合物等の水溶性成分を水にさらに溶解させるための溶解槽１６と、スラリーＳを固液分離するための固液分離機１７等が設けられる。
　【００３２】
　次に、上記処理装置１１の動作について、図２及び図３を参照しながら説明する。
　【００３３】
　セメントキルン３の窯尻から最下段サイクロンに至るまでのキルン排ガス流路より、燃焼ガスの一部Ｇ１を抽気冷却装置２の抽気部２ａによって抽気し、抽気ガスＧ１を分級部２ｄにおいて粗粉Ｄ１と、微粉を含むガスＧ２とに分離し、粗粉Ｄ１を循環液槽１４のスラリー循環路１４ｂに供給する。これによって、微粉を含むガスＧ２中のダスト濃度を３０ｇ／ｍ３Ｎ以下に低下させる。
　【００３４】
　次に、ガス流入口２ｆから冷却部２ｅに導入された８００〜１１００℃程度の微粉を含むガスＧ２に冷却用ガスＡを吹き付け、微粉を含むガスＧ２をＫＣｌ等の塩素化合物の融点である６００℃以下、好ましくは４００℃以下にまで冷却する。これによって、微粉を含むガスＧ２中のＫＣｌ等の塩素化合物が析出して微粉の表面等に付着する。
　【００３５】
　次に、微粉を含むガスＧ２を湿式集塵機１２のスクラバー１３に導入し、スクラバー１３と循環液槽１４との間でスラリーＳを循環させる。湿式集塵機１２で生成されるスラリーＳには、抽気冷却装置２から供給された粗粉Ｄ１等に含まれる生石灰（ＣａＯ）が水と反応して生じた消石灰（Ｃａ（ＯＨ）２）が存在するため、微粉を含むガスＧ２中に存在する硫黄分（ＳＯ２）と以下のように反応する。
　ＳＯ２＋Ｃａ（ＯＨ）２→ＣａＳＯ３・１／２Ｈ２Ｏ＋１／２Ｈ２Ｏ
　ＣａＳＯ３・１／２Ｈ２Ｏ＋１／２Ｏ２＋３／２Ｈ２Ｏ→ＣａＳＯ４・２Ｈ２Ｏ
これにより、微粉を含むガスＧ２中の硫黄分が除去され、石膏（ＣａＳＯ４・２Ｈ２Ｏ）が生成される。湿式集塵後の排ガスＧ１１は、洗浄塔１５から排気ファン６によってセメントキルン３の排ガス系に戻される。
　【００３６】
　次に、湿式集塵機１２の循環液槽１４から排出されたスラリーＳを溶解槽１６でさらに水と混合し、固液分離機１７で固液分離し、石膏ケーキＣと、ろ液Ｆとして塩水が得られる。石膏ケーキＣは、セメント製造やその他の原料として用いることができ、塩水は、セメントミルへ添加するか、排水処理後に下水へ放流してもよく、塩回収工程で工業塩を回収してもよい。
　【００３７】
　以上のように、本実施の形態によれば、第１の実施形態と同様、抽気ガスＧ１を粗粉Ｄ１と、微粉を含むガスＧ２とに分離し、微粉を含むガスＧ２のみを冷却するため、抽気ガスＧ２中の原料ダスト濃度が上昇した場合でも、塩素化合物が粗粉ダストの表面に析出することがなく、循環塩素量の上昇を回避し、塩素バイパスダストの塩素濃度が低下して塩素の除去効率が低下することを防止することができる。また、抽気冷却装置２からの粗粉Ｄ１や消石灰（Ｃａ（ＯＨ）２）等の薬剤を用いて微粉を含むガスＧ２の脱硫を行うと共に、回収した石膏ケーキＣをセメント製造等に利用することができる。
　【００３８】
　次に、本発明に係る塩素バイパスシステムの第３の実施形態について、図４を参照しながら説明する。
　【００３９】
　この塩素バイパスシステム２１は、上記処理装置１の構成にさらに、抽気冷却装置２の後段にサイクロン２２を設けたことを特徴とし、その他の装置構成は処理装置１と同様である。
　【００４０】
　サイクロン２２は、抽気冷却装置２で冷却された微粉を含むガスＧ２中のダスト濃度を低下させる除塵装置として機能し、サイクロン２２以外にも、セラミックフィルタ等のフィルター式装置や、その他の除塵装置を用いることもできる。
　【００４１】
　次に、上記塩素バイパスシステム２１の動作について、図２及び図４を参照しながら説明する。
　【００４２】
　セメントキルン３の窯尻から最下段サイクロンに至るまでのキルン排ガス流路より、燃焼ガスの一部Ｇ１を抽気冷却装置２の抽気部２ａによって抽気し、抽気ガスＧ１を分級部２ｄにおいて粗粉Ｄ１と、微粉を含むガスＧ２とに分離し、粗粉Ｄ１をセメントキルン系に戻す。これによって、微粉を含むガスＧ２中のダスト濃度を３００ｇ／ｍ３Ｎ以下に低下させる。
　【００４３】
　次に、ガス流入口２ｆから冷却部２ｅに導入された８００〜１１００℃程度の微粉を含むガスＧ２に冷却用ガスＡを吹き付け、微粉を含むガスＧ２をＫＣｌ等の塩素化合物の融点である６００℃以下、好ましくは４００℃以下にまで冷却する。これによって、微粉を含むガスＧ２中のＫＣｌ等の塩素化合物が析出し、微粉の表面等に付着する。
　【００４４】
　さらに、抽気冷却装置２から排出した微粉を含むガスＧ２をサイクロン２２に供給し、ガスＧ２１中のダスト濃度を３０ｇ／ｍ３Ｎ以下に低下させる。サイクロン２２で回収されたダストＤ２１は、セメントキルン系に戻す。
　【００４５】
　その後の工程は、第１の実施形態における塩素バイパスシステム１と同様であり、サイクロン２２から排出された微粉を含むガスＧ２１を冷却器４で冷却し、冷却器４の排ガスＧ２２をバグフィルタ５に導入し、排ガスＧ２２に含まれる微粉Ｄ２３を回収し、冷却器４から回収した微粉Ｄ２２と共に塩素バイパスダストＤ２４とする。この塩素バイパスダストＤ２４をセメントキルン３の系外に排出し、セメント粉砕工程でセメントクリンカと共に粉砕したり、水洗により塩素を除去した後、セメント原料等として利用する。バグフィルタ５の排ガスＧ２３は、排気ファン６によってセメントキルン３の排ガス系に戻される。
　【００４６】
　本実施の形態は、抽気ガスＧ１中のダスト濃度が比較的高いセメントキルンに好適に適用することができ、抽気冷却装置２の抽気部２ａによって微粉を含むガスＧ２中のダスト濃度を３００ｇ／ｍ３Ｎ以下とした後、抽気冷却装置２の冷却部２ｅで６００℃以下、好ましくは４００℃以下に冷却し、さらにサイクロン２２でダスト濃度を３０ｇ／ｍ３Ｎ以下に低下させることで、ＫＣｌ等のダスト表面への析出が抑制されてＫＣｌ等の単結晶の析出が促進され、ダストによる塩素循環量が減少し、塩素除去効率が向上する。
　【００４７】
　次に、本発明に係る塩素バイパスシステムの第４の実施形態について、図５を参照しながら説明する。
　【００４８】
　この塩素バイパスシステム３１は、図４に示した処理装置２１の冷却器４及びバグフィルタ５に代えて、湿式集塵機１２、溶解槽１６及び固液分離機１７を設けたものであり、抽気冷却装置２及びサイクロン２２は、上記処理装置２１と同様のものを用いる。
　【００４９】
　湿式集塵機１２は、微粉を含むガスＧ２１に含まれるダストを捕集しつつ、ガスＧ２１を水と接触させ、微粉を含むガスＧ２１中の塩素化合物を主とする水溶性成分を溶解させるために備えられる。また、湿式集塵機１２は、ガスＧ２１に含まれる硫黄分を、抽気冷却装置２、サイクロン２２から供給された粗粉Ｄ１、Ｄ２１等に含まれる生石灰が水と反応して生じた消石灰と反応させて石膏を生じさせる。粗粉Ｄ１、Ｄ２１の代わりに消石灰（Ｃａ（ＯＨ）２）等の薬剤を用いて石膏を生じさせることもできる。
　【００５０】
　この湿式集塵機１２は、スクラバー１３、循環液槽１４及び洗浄塔１５から構成され、スクラバー１３と循環液槽１４との間には、スラリーＳを循環させるためのポンプ１４ａが設けられる。また、スラリー循環路１４ｂには抽気冷却装置２、サイクロン２２から粗粉Ｄ１、Ｄ２１が供給される。
　【００５１】
　湿式集塵機１２の後段には、スラリーＳに含まれる塩素化合物等の水溶性成分を水にさらに溶解させるため溶解槽１６と、スラリーＳを固液分離するための固液分離機１７等が設けられる。
　【００５２】
　次に、上記塩素バイパスシステム３１の動作について、図２及び図５を参照しながら説明する。
　【００５３】
　セメントキルン３の窯尻から最下段サイクロンに至るまでのキルン排ガス流路より、燃焼ガスの一部Ｇ１を抽気冷却装置２の抽気部２ａによって抽気し、抽気ガスＧ１を分級部２ｄに導入し、粗粉Ｄ１と、微粉を含むガスＧ２とに分離し、粗粉Ｄ１を循環液槽１４のスラリー循環路１４ｂに供給する。これによって、微粉を含むガスＧ２中のダスト濃度を３００ｇ／ｍ３Ｎ以下にする。
　【００５４】
　次に、８００〜１１００℃程度の微粉を含むガスＧ２を冷却部２ｅにおいてＫＣｌ等の塩素化合物の融点である６００℃以下、好ましくは４００℃以下にまで冷却する。これによって、微粉を含むガスＧ２中のＫＣｌ等の塩素化合物が析出して微粉の表面等に付着する。
　【００５５】
　次いで、微粉を含むガスＧ２をサイクロン２２に供給し、ガスＧ２中のダスト濃度を３０ｇ／ｍ３Ｎ以下に低下させる。サイクロン２２で回収されたダストＤ２１は、循環液槽１４のスラリー循環路１４ｂに供給する。
　【００５６】
　その後の工程は、第２の実施形態における塩素バイパスシステム１１と同様であり、微粉を含むガスＧ２を湿式集塵機１２のスクラバー１３に導入し、抽気冷却装置２、サイクロン２２から供給された粗粉Ｄ１、Ｄ２１等に含まれる生石灰（ＣａＯ）が水と反応して生じた消石灰（Ｃａ（ＯＨ）２）により、微粉を含むガスＧ２中の硫黄分が除去され、石膏（ＣａＳＯ４・２Ｈ２Ｏ）が生成される。湿式集塵後の排ガスは、洗浄塔１５から排気ファン６によってセメントキルン３の排ガス系に戻される。
　【００５７】
　さらに、循環液槽１４から排出されたスラリーＳを溶解槽１６でさらに水と混合し、固液分離機１７で固液分離し、石膏ケーキＣと、ろ液Ｆとして塩水が得られる。石膏ケーキＣは、セメント製造やその他の原料として用いることができ、塩水は、セメントミルへ添加するか、排水処理後に下水へ放流してもよく、塩回収工程で工業塩を回収してもよい。
　【００５８】
　本実施の形態も、第３の実施形態と同様、抽気ガスＧ１中のダスト濃度が比較的高いセメントキルンに好適に適用することができると共に、抽気冷却装置２、サイクロン２２からの粗粉Ｄ１、Ｄ２１を用いて微粉を含むガスＧ２の脱硫を行い、回収した石膏ケーキＣをセメント製造等に利用することができる。
　【００５９】
（削除）
　【符号の説明】
　【００６０】
１　塩素バイパスシステム
２　抽気冷却装置
２ａ　抽気部
２ｂ　有蓋円筒部
２ｃ　コーン部
２ｄ　分級部
２ｅ　冷却部
２ｆ　ガス流入口
２ｇ　出口部
３　セメントキルン
４　冷却器
５　バグフィルタ
６　排気ファン
１１　塩素バイパスシステム
１２　湿式集塵機
１３　スクラバー
１４　循環液槽
１４ａ　ポンプ
１４ｂ　スラリー循環路
１５　洗浄塔
１６　溶解槽
１７　固液分離機
２１　塩素バイパスシステム
２２　サイクロン
３１　塩素バイパスシステム
Ａ　冷却用ガス
Ｃ　石膏ケーキ
Ｄ１　粗粉
Ｄ２　微粉
Ｄ３　微粉
Ｄ４　塩素バイパスダスト
Ｄ２１　ダスト
Ｄ２２　微粉
Ｄ２３　微粉
Ｆ　ろ液
Ｇ１　燃焼ガスの一部（抽気ガス）
Ｇ２　微粉を含むガス
Ｇ３　排ガス
Ｇ４　排ガス
Ｇ２１　微粉を含むガス
Ｇ２２　排ガス
Ｇ２３　排ガス
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
（削除）
　【請求項２】
　
セメントキルンの窯尻から最下段サイクロンに至るまでのキルン排ガス流路より燃焼ガスの一部を抽気する抽気部と、該抽気ガスを粗粉と、微粉を含むガスとに分離する分級部と、該微粉を含むガスのみを冷却する冷却部とを備え、
　前記分級部は、前記抽気ガスの入口部、及び前記微粉を含むガスの出口部とを有する有蓋円筒部と、該有蓋円筒部の下方に連続して存在し、最下部より前記粗粉が排出されるコーン部とで構成され、
　前記冷却部は、前記コーン部を貫通し、該コーン部及び前記有蓋円筒部の中心部を通過して前記分級部の前記微粉を含むガスの出口部に連通し、冷却用ガスが通過する管路と、前記コーン部及び前記有蓋円筒部の中心部に位置する前記管路の一部に穿設された前記微粉を含むガスの流入口とを備えることを特徴とす
る抽
　【請求項３】
　請求項
２
　該抽気冷却装置で冷却した抽気ガス中のダストを回収する集塵装置と、
　該回収したダストを前記セメントキルンの系外へ排出する排出装置とを備えることを特徴とする塩素バイパスシステム。
　【請求項４】
　前記抽気冷却装置の後段に、該抽気冷却装置で冷却した抽気ガス中のダスト濃度を低下させる除塵装置を備え、該除塵装置でダスト濃度を低下させた抽気ガス中のダストを前記集塵装置で回収することを特徴とする請求項３に記載の塩素バイパスシステム。
　【請求項５】
　前記集塵装置は、乾式集塵機又は湿式集塵機であることを特徴とする請求項３又は４に記載の塩素バイパスシステム。
　【請求項６】
　請求項
２
　【請求項７】
　前記抽気冷却装置の出口部に石灰石の微粉末又はセメントキルンのプレヒータに投入されているセメント原料を投入することを特徴とする請求項６に記載のセメントキルン抽気ガスの処理方法。