【事件の表示】
　特許第６２５３６１８号発明「ＥＢＳＰパターンの取得方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６２５３６１８号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１〜８〕、〔９〜１３〕について訂正することを認める。
　特許第６２５３６１８号の請求項１〜１３に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第６２５３６１８号の請求項１〜１３に係る特許についての出願は、平成２７年８月２０日（パリ条約による優先権主張　２０１４年８月２５日　欧州特許庁）に出願され、平成２９年１２月８日にその特許権の設定登録がされ、同月２７日に特許掲載公報が発行された。その後、請求項１〜１３に係る特許に対し、平成３０年６月２６日に特許異議申立人　宮口聡（以下、「申立人」という。）により特許異議の申立てがされ、同年８月２９日付けで取消理由が通知され、同年１１月２８日に意見書の提出及び訂正請求がされ、平成３１年２月８日に申立人から意見書が提出され、さらに、同年３月１５日付けで取消理由（決定の予告）が通知され、令和元年６月１３日に意見書の提出及び訂正請求（以下、当該訂正請求による訂正を「本件訂正」という。）がされ、同年７月２４日に申立人から意見書が提出されたものである。
第２　訂正の適否
１　本件訂正の内容
（１）訂正事項１
　特許権者は、特許請求の範囲の請求項１を以下の事項により特定されるとおりに訂正する（請求項１の記載を引用する請求項２〜８も同様に訂正する）ことを請求する。なお、下線は当審が付与したものであり、訂正箇所を示す（訂正事項に係る記載において以下同様）。
　「微細集束された電子ビームを生成する電子鏡筒、ＥＢＳＰパター
ンを
像を
　前記電子ビームに対して前記試料を位置設定する段階、
　前記試料上の衝突点に前記電子ビームを案内することで、後方散乱電子を前記検出器に照射する段階、及び、
　前記ビームを定常状態に維持しながら前記検出器からの信号を取得する段階、
を有し、
　前記検出器は、
前記試料の前記電子鏡筒側に、電子ビームが通過可能な小さな穴が残るように複数の検出器からなる複合検出器として配置され、
子を
　前記所定の閾値を超えるエネルギーを有する電
子の
像を
　前記像の取得中、前記試料の平坦面
は
の軸に対して垂直
ことを特徴とする、方法。」
（２）訂正事項２
　特許権者は、特許請求の範囲の請求項３を以下の事項により特定されるとおりに訂正する（請求項３の記載を引用する請求項４〜８も同様に訂正する）ことを請求する。
　「前記検出器が、様々なエネルギーバンドの範囲内の電
子を
（３）訂正事項３
　特許権者は、特許請求の範囲の請求項４を以下の事項により特定されるとおりに訂正する（請求項４の記載を引用する請求項５〜８も同様に訂正する）ことを請求する。
　「前記検出器が、前記後方散乱電
子が
　前記センサチップは、各画素について、増幅器、比較器、及びカウンタを有するチップに結合される、
　請求項１乃至３のうちいずれか一項に記載の方法。」 
（４）訂正事項４ 
　特許権者は、特許請求の範囲の請求項９を以下の事項により特定されるとおりに訂正する（請求項９の記載を引用する請求項１０〜１３も同様に訂正する）ことを請求する。
　「電子ビーム鏡筒とＥＢＳＰパター
ンを
　前記検出器は、
試料の前記電子ビーム鏡筒側に、入射電子ビームが通過可能な小さな穴が残るように複数の検出器からなる複合検出器として配置され、
子を
　当該装置は、ビーム位置と前記検出器を制御するプログラム可能な制御装置を備え、かつ、
　前記制御装置は、前記検出器からの信号を処理してＥＢＳＰ
像を
　前記像の取得中、前記試料の平坦面
は
入射
の軸に対して垂直
ことを特徴とする、荷電粒子装置。」
（５）訂正事項５
　特許権者は、特許請求の範囲の請求項１０を以下の事項により特定されるとおりに訂正する（請求項１０の記載を引用する請求項１１〜１３も同様に訂正する）ことを請求する。
　「前記プログラム可能な制御装置が、前記ＥＢＳＰ
像を
（６）訂正事項６
　特許権者は、特許請求の範囲の請求項１２を以下の事項により特定されるとおりに訂正する（請求項１２の記載を引用する請求項１３も同様に訂正する）ことを請求する。
　「前記ＥＢＳＰパター
ンを
（７）訂正の単位について
　訂正事項１〜３は、訂正前に引用関係を有する請求項１〜８に対して、訂正事項４〜６は、訂正前に引用関係を有する請求項９〜１３に対して、請求されたものである。
　よって、訂正事項１〜６に係る本件訂正は、一群の請求項〔１〜８〕、〔９〜１３〕ごとに請求されている。
２　訂正の目的の適否、新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
（１）訂正事項１について
ア　訂正事項１は、以下の訂正事項１−１、訂正事項１−２、及び訂正事項１−３からなる。
（訂正事項１−１）「前記検出器は、」の後に「前記試料の前記電子鏡筒側に、電子ビームが通過可能な小さな穴が残るように複数の検出器からなる複合検出器として配置され、」を加える訂正。
（訂正事項１−２）「前記試料の平坦面に対する法線と前記電子ビームとのなす角は４５°未満である」を「前記試料の平坦面は前記電子ビームの軸に対して垂直である」とする訂正。
（訂正事項１−３）「ＥＢＳＰパターン及び／又はコッセル像を検出する（検出器）」を「ＥＢＳＰパターンを検出する（検出器）」とし、「電子後方散乱パターン（ＥＢＳＰ）像及び／又はコッセル像を取得する方法」を「電子後方散乱パターン（ＥＢＳＰ）像を取得する方法」とし、「（前記検出器は、）所定の閾値を超えるエネルギーを有する電子及び／又はＸ線を選択的に検出するように構成され、」を「（前記検出器は、）所定の閾値を超えるエネルギーを有する電子を選択的に検出するように構成され、」とし、及び「前記所定の閾値を超えるエネルギーを有する電子及び／又はＸ線の信号は、ＥＢＳＰ像又はコッセル像を生成するのに用いられ、」を「前記所定の閾値を超えるエネルギーを有する電子の信号は、ＥＢＳＰ像を生成するのに用いられ、」とする訂正。
イ　訂正事項１−１では、検出器に関してその構造と配置を特定し、訂正事項１−２では、試料への電子ビームの入射角をさらに限定し、訂正事項１−３では、択一的に記載されていたコッセル像の取得に関する記載をすべて削除するものであるから、訂正事項１−１、訂正事項１−２、及び訂正事項１−３は、いずれも特許請求の範囲の減縮を目的としているといえる。
ウ　訂正事項１−１については、段落【００７１】に「電子ビームが通過可能な小さな穴が残るように４つの正方形（又は長方形）の検出器を配置することによって、大きな許容角を有する複合検出器が生成される。・・・中心の小さな領域４０５は、電子ビームを通過させるために開いた状態に保たれる。」と記載されるとともに、図２には、試料の電子鏡筒側に配置された検出器が看取できる。また、訂正事項１−２については、段落【００６１】に「試料は水平であって良いことに留意して欲しい。つまり表面は光軸に対して垂直である。」と記載されていることから、試料「表面は」電子ビームの軸である「光軸に対して垂直である」と理解することができる。そして、訂正事項１−３については、請求項の記載から、択一的に記載されていたコッセル像の取得に関する記載をすべて削除するものである。よって、訂正事項１−１、訂正事項１−２、及び訂正事項１−３は、いずれも新規事項の追加に該当しない。
エ　訂正事項１−１、訂正事項１−２、及び訂正事項１−３は、いずれも実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（２）訂正事項２及び３について
　訂正事項２及び３は、いずれも、択一的に記載されていたコッセル像の取得に関する記載を削除するものであるから、いずれも特許請求の範囲の減縮を目的としているといえる。また、訂正事項２及び３は、いずれも新規事項の追加に該当せず、いずれも実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（３）訂正事項４について
ア　訂正事項４は、以下の訂正事項４−１、訂正事項４−２、及び訂正事項４−３からなる。
（訂正事項４−１）「前記検出器は、」の後に「試料の前記電子ビーム鏡筒側に、入射電子ビームが通過可能な小さな穴が残るように複数の検出器からなる複合検出器として配置され、」を加える訂正。
（訂正事項４−２）「前記試料の平坦面に対する法線と前記電子ビームとのなす角は４５°未満である」を「前記試料の平坦面は前記入射電子ビームの軸に対して垂直である」とする訂正。
（訂正事項４−３） 「ＥＢＳＰパターン及び／又はコッセルパターンを検出する（検出器）」を「ＥＢＳＰパターンを検出する（検出器）」とし、「（前記検出器は、）所定の閾値を超えるエネルギーを有する電子及び／又はＸ線を選択的に検出するように構成され、」を「（前記検出器は、）所定の閾値を超えるエネルギーを有する電子を選択的に検出するように構成され、」とし、及び「（前記制御装置は、）ＥＢＳＰ像及び／又はコッセル像を生成するようにさらに構成され、」を「（前記制御装置は、）ＥＢＳＰ像を生成するようにさらに構成され、」とする訂正。
イ　訂正事項４−１では、検出器に関してその構造と配置を特定し、訂正事項４−２では、試料への電子ビームの入射角をさらに限定し、訂正事項４−３では、択一的に記載されていたコッセル像の取得に関する記載をすべて削除するものであるから、訂正事項４−１、訂正事項４−２、及び訂正事項４−３は、いずれも特許請求の範囲の減縮を目的としているといえる。
ウ　訂正事項４−１については、段落【００７１】に「電子ビームが通過可能な小さな穴が残るように４つの正方形（又は長方形）の検出器を配置することによって、大きな許容角を有する複合検出器が生成される。・・・中心の小さな領域４０５は、電子ビームを通過させるために開いた状態に保たれる。」と記載されるとともに、図２には、試料の電子鏡筒側に配置された検出器が看取できる。また、訂正事項４−２については、段落【００６１】に「試料は水平であって良いことに留意して欲しい。つまり表面は光軸に対して垂直である。」と記載されていることから、試料「表面は」電子ビームの軸である「光軸に対して垂直である」と理解することができる。そして、訂正事項４−３については、請求項の記載から、択一的に記載されていたコッセル像の取得に関する記載をすべて削除するものである。よって、訂正事項４−１、訂正事項４−２、及び訂正事項４−３は、いずれも新規事項の追加に該当しない。
エ　訂正事項４−１、訂正事項４−２、及び訂正事項４−３は、いずれも実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（４）訂正事項５及び６について
　訂正事項５及び６は、いずれも、択一的に記載されていたコッセル像の取得に関する記載を削除するものであるから、いずれも特許請求の範囲の減縮を目的としているといえる。また、訂正事項５及び６は、いずれも新規事項の追加に該当せず、いずれも実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
３　小括
　上記のとおり、訂正事項１〜６に係る本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
　したがって、特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１〜８〕、〔９〜１３〕について訂正することを認める。
第３　本件発明
　上記のとおり訂正が認められるから、本件特許の請求項１〜１３に係る発明（以下、「本件発明１」〜「本件発明１３」という。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１〜１３に記載された事項により特定される、次のとおりのものである。
（本件発明１）
「【請求項１】
　微細集束された電子ビームを生成する電子鏡筒、ＥＢＳＰパターンを検出する位置感受性を有する検出器、並びに、試料の保持及び位置設定を行う試料ホルダを備える荷電粒子装置内において、平坦な表面を有する試料の電子後方散乱パターン（ＥＢＳＰ）像を取得する方法であって、
　前記電子ビームに対して前記試料を位置設定する段階、
　前記試料上の衝突点に前記電子ビームを案内することで、後方散乱電子を前記検出器に照射する段階、及び、
　前記ビームを定常状態に維持しながら前記検出器からの信号を取得する段階、
を有し、
　前記検出器は、前記試料の前記電子鏡筒側に、電子ビームが通過可能な小さな穴が残るように複数の検出器からなる複合検出器として配置され、所定の閾値を超えるエネルギーを有する電子を選択的に検出するように構成され、
　前記所定の閾値を超えるエネルギーを有する電子の信号は、ＥＢＳＰ像を生成するのに用いられ、かつ、
　前記像の取得中、前記試料の平坦面は前記電子ビームの軸に対して垂直である、
ことを特徴とする、方法。」
（本件発明２）
「【請求項２】
　前記検出器が画素化された検出器である、請求項１に記載の方法。」
（本件発明３）
「【請求項３】
　前記検出器が、様々なエネルギーバンドの範囲内の電子を検出するように構成される、請求項１又は２に記載の方法。」
（本件発明４）
「【請求項４】
　前記検出器が、前記後方散乱電子が衝突する画素を有するセンサチップを供える検出器で、
　前記センサチップは、各画素について、増幅器、比較器、及びカウンタを有するチップに結合される、
　請求項１乃至３のうちいずれか一項に記載の方法。」
（本件発明５）
「【請求項５】
　前記結合がフリップチップ結合である、請求項４に記載の方法。」
（本件発明６）
「【請求項６】
　前記電子ビームが、取得中、５ｋｅＶ以下のエネルギーを有する、請求項１乃至５のうちいずれか一項に記載の方法。」
（本件発明７）
「【請求項７】
　前記電子ビームで前記試料を走査することによって前記試料を撮像する段階、及び、ＳＥ，ＢＳＥ，Ｘ線、又は可視光の光子からなる群からの信号を検出する段階をさらに有する、請求項１乃至６のうちいずれか一項に記載の方法。」
（本件発明８）
「【請求項８】
　前記所定の閾値がプログラム可能な所定の閾値である、請求項１乃至７のうちいずれか一項に記載の方法。」
（本件発明９）
「【請求項９】
　電子ビーム鏡筒とＥＢＳＰパターンを検出する画素化された検出器を備える荷電粒子装置であって、
　前記検出器は、試料の前記電子ビーム鏡筒側に、入射電子ビームが通過可能な小さな穴が残るように複数の検出器からなる複合検出器として配置され、所定の閾値を超えるエネルギーを有する電子を選択的に検出するように構成され、
　当該装置は、ビーム位置と前記検出器を制御するプログラム可能な制御装置を備え、かつ、
　前記制御装置は、前記検出器からの信号を処理してＥＢＳＰ像を生成するようにさらに構成され、
　前記像の取得中、前記試料の平坦面は前記入射電子ビームの軸に対して垂直である、
ことを特徴とする、荷電粒子装置。」
（本件発明１０）
「【請求項１０】
　前記プログラム可能な制御装置が、前記ＥＢＳＰ像を自動的に処理することで、結晶方位を決定し、かつ、前記試料の結晶の結晶方位を示す像を生成するように構成される、請求項９に記載の荷電粒子装置。」
（本件発明１１）
「【請求項１１】
　前記所定の閾値がプログラム可能な所定の閾値である、請求項９又は１０に記載の荷電粒子装置。」 
（本件発明１２）
「【請求項１２】
　前記ＥＢＳＰパターンを検出する前に、前記試料を加工するイオンビーム鏡筒をさらに有する、請求項９乃至１１のうちいずれか一項に記載の荷電粒子装置。」
（本件発明１３）
「【請求項１３】
　前記試料の加工又はエッチングを改善する気体注入システムをさらに有する、請求項１２に記載の荷電粒子装置。」
第４　各証拠の記載事項
　申立人が、特許異議申立書に添付した甲第１号証〜甲第８号証（以下、「甲１」〜「甲８」という。）、平成３１年２月８日提出の意見書に添付した参考資料１〜参考資料３（以下、「参考１」〜「参考３」という。）、令和元年７月２４日提出の意見書に添付した参考資料４（以下、「参考４」という。）は、以下のとおりである。
甲１：国際公開第２０１３／０５０７８８号
甲２：S. Dabritz（aは、aに¨の「アー・ウムラウト」を表す）, et al. ,  Kossel and pseudo Kossel CCD pattern in comparison with electron backscattering diffraction diagrams  , APPLIED SURFACE SCIENCE , Vol.179 , 2001 , p.38-44
甲３：米国特許出願公開第２０１１／０１８６７３４号明細書
甲４：欧州特許出願公開第２１５１８４７号明細書
甲５：Andrew Deal , et al. ,  Energy-filtered electron backscatter diffraction  , ULTRAMICROSCOPY , Vol.108 , 2008 , p.116-125
甲６：R. R. Keller  R. H. Geiss ,  Transmission EBSD from 10 nm domains in a scanning electron microscope  , Journal of Microscopy , 2011 , p. 1-7
甲７：J. A. Venables  C. J. Harland ,  Electron back- scattering patterns - A new technique for obtaining crystallographic information in the scanning electron microscope  , Philosophical Magagine , 1973 , p. 1193-1200
甲８：J. K. Farrer , et al. ,  EBSD Pattern Collection and Orientation Mapping at Normal Incidence to the Electron Beam  , Microsc Microanal 9(Suppl 2), 2003 , p. 80-81
参考１：Delphic Chen, et al. , Effect of microscopic parameters on EBSD spatial resolution , Ultramicroscopy , Vol. 111 , 2011 , p. 1488-1494
参考２：D.J. Child, et al. , The use of combined three-dimensional electron backscatter diffraction and energy dispersive X-ray analysis to assess the characteristics of the gamma/gamma-prime microstructure in alloy 720LiTM  , Ultramicroscopy , Vol. 114 , 2012 , p. 1-10
参考３：O.C. Wells, et al. , Use of Backscattered Electron Detector Arrays for Forming Backscattered Electron Images in the Scanning Electron Microscope , SCANNING , Vol. 28 , 2006 , p. 27-31
参考４：米国特許第８７２９４７１号明細書
１　甲１の記載事項 
（１）本件特許出願の優先権主張日前に頒布された甲１には、以下の記載がある。翻訳及び下線は当審による。以下同様である。
（甲１ア）第１頁第１８〜１９行
「These two analysis techniques can be used to measure properties of the sample, for example crystal orientation and strain.」 
（これらの２つの解析手法は、例えば結晶方位及び歪みのような試料の特性を測定するのに使用することができる。）
（甲１イ）第３頁第３０〜３２行
「It is therefore desired improve the filters used in both Kossel X-ray and EBSD analysis to increase the signal to background ratio and to facilitate simpler operation of the apparatus.」
（それゆえ、シグナル−バックグラウンド（信号−背景）比を増加させ、装置のより簡易な操作を促進する、コッセルＸ線及びＥＢＳＤの解析の両方において使用されるフィルタを改良することが所望される。）
（甲１ウ）第４頁第２２〜末行
「In accordance with a first aspect of the present invention there is provided apparatus for detecting one or each of Kikuchi and Kossel diffraction patterns, the apparatus comprising：an electron column adapted in use to provide an electron beam directed towards a sample, the electron beam having an energy in the range 2keV to 50keV, and；a particle detector for receiving and counting particles from the sample due to interaction of the electron beam with the sample, the detector comprising an array of pixels and having a count rate capability to deal with at least 1000 particles per second for each pixel, and wherein; the particle detector is adapted to provide electronic energy filtering of the received particles in order to count the received particles which are representative of the said diffraction pattern.」
（本発明の第１の態様によれば、
菊池
回折パターン
を検出するための装置
その装置は、試料に対して向けられた電子ビームを提供するのに用いられるよう適合した電子カラム
と、試料との電子ビームの相互作用による試料からの粒子を受信し、カウントするための粒子検出器であって、画素アレイを有
する粒子検出器とを備え、粒子検出器は、
菊池
回折パターンを示す受信粒子をカウントすべく、受信粒子の電子エネルギーでのフィルタリングを提供するよう適合される。
（甲１エ）第５頁第１１〜１３行
「The term pixel here refers generally to spatially separate sensitive regions of the detector, such that particles incident on two different pixels will be deemed to have hit two different regions of the detector.」
（「画素」という用語は、ここでは一般に検出器の空間的に離れた感受性領域を意味し、２つの異なる画素に入射する粒子は、検出器の２つの異なる領域を通過したことにあるとみなされる。）
（甲１オ）第６頁第１８〜２０行
「Kikuchi diffraction patterns are detected in EBSD analysis and are detected due to elastically scattered electrons with energy close to the primary beam energy of the electron source.」
（
菊池回折パターンは、ＥＢＳＤ解析において検出され
（甲１カ）第６頁第２４〜２６行
「On the other hand, the received particles representative of Kossel diffraction patterns are X-rays produced due to interaction of the electron beam with the sample which are then diffracted by the lattice planes.」
（他方、コッセル回折パターンを示す受信粒子は、試料との電子ビームの相互作用により生成され、それから格子平面で回折するＸ線である。）
（甲１キ）第８頁第２４〜２８行
「Of course, there may be some background particles with an energy satisfying this threshold that will be counted, but this feature of the present invention provides a convenient way of increasing the signal to background ratio of the detected diffaction patterns without the requirement for bulky high voltage electrostatic filters.」
（勿論、カウントされるであろう粒子として、この閾値を満たすエネルギーを有する「背景」粒子が存在し得る。しかし、本発明のこの特徴は、バルクの高電圧静電フィルタの要求なしに、検出される回折パターンのシグナル−バックグラウンド比を増大させる、便利な方法を提供する。）
（甲１ク）第１０頁末行〜第１１頁第７行
「However, the diffraction patterns can also be detected in transmission, where the detector is positioned on the opposite side of the sample to the electron beam. In this architecture the received particles do not have a component of their trajectory back along the electron beam axis, with respect to the sample. In transmission EBSD, thereceived signal consists of elastically scattered electrons that have travelled through the sample rather than having been reflected from it. Likewise, in transmission Kossel the received signal consists of X-rays that have travelled through the sample.」
（しかし、回折パターンは、検出器が電子ビームに対して試料の反対側に配置されている、透過においても検出することができる。このアーキテクチャでは、受信される粒子は、試料に対して、電子ビーム軸に沿った軌道の成分を有してない。透過ＥＢＳＤにおいて、受信される「信号」は、試料から反射されたものではなく、むしろ試料を通過して弾性散乱された電子からなる。同様に、透過コッセルにおいて、受信される「信号」は、サンプルを通過したＸ線からなる。）
（甲１ケ）第１１頁第１１〜１３行
「Such a detector will not be limited to the detection of electrons, and will also be capable of detecting other particles such as X-rays and photons with energy satisfying the threshold(s) of the detector.」
（そのような検出器は、電子の検出に限定されず、検出器の閾値を満たすエネルギーを有するＸ線、フォトン等の他の粒子を検出する性能をも有するであろう。）
（甲１コ）第１１頁第２０〜３０行
「In accordance with a second aspect of the present invention there is provided a method for detecting one or each of Kossel and Kikuchi diffraction patterns, the method comprising: operating an electron column such that an electron beam having an energy in the range 2keV to 50keV impinges upon a sample; receiving, at a particle detector, particles from the sample due to interaction of the electron beam with the sample, the particle detector comprising an array of pixels, each pixel having a count rate capability to deal with at least 1000 particles per second; electronically filtering, at the particle detector, the energy of each received particle; and counting, at the particle detector and based on the electronic filtering, the received particles representative of the said diffraction pattern.」
（本発明の第２の態様によれば、
菊池
回折パターン
を検出するための方法
この方法は、
電子ビームが試料上に衝突するように電子カラムを操作する段階と、試料との電子ビームの相互作用による試料からの粒子を粒子検出器で受信する段階
と、粒子検出器において、各受信粒子のエネルギーを電子的にフィルタリングする段階と、粒子検出器において、電子フィルタリングに基づき
菊池
回折パターンを表す受信粒子をカウントする段階とを備える。
（甲１サ）第１１頁第３２行〜第１２頁第３行
「Preferably, the step of electronically filtering the energy of each received particle includes providing at least one adjustable energy threshold. This advantageously allows filtering of background beams in Kossel and EBSD analysis to be carried out electronically,removing the requirement for physical absorption or electrostatic filters, as described above.」
（好ましくは、各
受信粒子のエネルギーを電子的にフィルタリングする段階は、
（甲１シ）第１２頁第９〜１８行
「Preferably, the method may further comprise the step of adjusting the adjustable energy threshold between a first setting and a second setting. This advantageously allows Kossel X-ray analysis and EBSD analysis to be performed on a sample, wherein when performing Kossel analysis the adjustable energy threshold is set to a first setting and when performing EBSD analysis the adjustable energy threshold is set to a second setting. Here, at the first setting the particle counters are adapted toprovide electronic energy filtering acting as a band-pass filter and at the second setting the particle counters are adapted to provide electronic energy filtering acting as a high-pass filter. A particle counter according to the second aspect of the invention can also act as a low-pass filter.」
（好ましくは、方法は、第１の設定及び第２の設定の間で調整可能な
エネルギー閾値を調整する段階を備え
ＥＢＳＤ解析を実行する場合、調整可能なエネルギーは第２の設定に設定される。
第２の設定では、粒子カウンタはハイパスフィルタリングを提供するよう適合される
（甲１ス）第１２頁第３０〜末行
「However, using the present method, the selected area of the sample can be analysed by both Kossel and EBSD simply by switching the electronic thresholding between first and second settings.」
（しかしながら、本方法を使用すると、単に第１の設定と第２の設定との間の電気的な閾値を切り替えることにより、試料の選択された領域がコッセル及びＥＢＳＤの両方により解析できる。）
（甲１セ）第１４頁第２〜３行
「Figure 1 shows a conventional apparatus used for performing Kossel X-ray analysis. A focussed electron beam 1 is directed towards a sample 2.」
（図１は、コッセル回折Ｘ線分析のために使用される従来の装置を示す。
集束された
（甲１ソ）第１５頁第１８〜末行
「Referring now to Figure 2, this shows a schematic arrangement of an apparatus for performing microdiffraction analysis on a sample according to an embodiment of the invention. 
 An electron beam 101 is directed towards and impinges upon a sample 102. The sample 102 is supported on a platen (not shown) in the chamber of a scanning electron microscope (SEM). The sample is tilted to a desired angle such that particles 103 (including elastically and inelastically backscattered electrons and X-rays) resulting from interaction of the electron beam with the sample are received by the detector 111. The particles received by the detector include both signal particles representative of a diffraction pattern -elastically scattered electrons in the case of EBSD and diffracted X-rays in the case of Kossel - as well as background particles such as low energy inelastically scattered electrons and Bremsstrahlung X-rays generated due to source electrons decelerating in the sample.」
（ここで図２を参照すると、これは、本発明の実施形態によれば、試料のミクロ回折分析を行うための装置の概略構成を示す図である。
電子ビーム１０１は、試料１０２に向けられ、試料１０２に衝突する。
試料１０２は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）のチェンバ内で、平坦面
上に支持される。試料との電子ビームの相互作用によりもたらされる（弾性的
後方散乱電子
を含む）粒子１０３が、検出器１１１により受信されるよう、試料は、所望の角度に傾けられる。
（甲１タ）第１６頁第１〜９行 
「In the arrangement shown in Figure 2, the detector is positioned on the same side of the sample as the incident electron beam;hence the arrangement is such that the particles received from the sample 103 have a component of their trajectory back along the beam direction 101 with respect to the sample 102. However, the arrangement it not limited to this reflection method, and it is also possible to position the detector 111 on the opposite side of the sample to the incident electron beam. In such a transmission arrangement, the particles received from the sample 103 do not have a component of their trajectory back along the beam direction 101 with respect to the sample 102.」
（図２に示す配置では、
検出器は、入射電子ビームと同じ側の試料の上に配置される。したがって、試料１０３から受信された粒子が、試料１０２に対してビーム方向１０１に沿って戻る軌道成分を有するような配置である。
この配置はこの「反射」方法
（甲１チ）第１６頁第１１〜１４行
「The beam 103 from the sample is divergent, thus it is advantageous to position the detector 111 as close as possible to the sample so as to maximise the solid angle of particles impinging upon it. Typically, the distance a in Figure 2 is approximately 15-20mm. 」
（試料からのビーム１０３は発散光であるので、試料に検出器１１１にできるだけ近く位置決めすることが有利であり、それに影響を与える粒子の立体角を最大にすることができる。典型的には、図２における「ａ」の距離は約１５ｍｍ〜２０ｍｍである。）
（甲１ツ）第１６頁第１６〜２６行
「Figure 3 is a diagram showing a section of detector 111 in one embodiment of the invention. The particle detector 111 is an example of a direct detector, which does not require the phosphor screen 4 or the optic coupling 5 of the conventional apparatus. The detector comprises an array of pixels 112a. Four such pixels 112a are shown in Figure 3; however a practical detector might typically comprise an array of 256x256 pixels, each of pitch 55μm. The array of pixels (shown generally at 109) is typically a monolithic semiconductor such as silicon, GaAs, or Cd(Zn)Te, arranged into an array. In this embodiment the array of pixels is bump bonded to an array 110 of particle counters 112b, wherein the array of particle counters has the same pitch and arrangement as the pixel array 109. An individual particle counter is shown at 112b. 」
（図３は、本発明の一実施形態で、検出器１１１の断面を示す図である。粒子検出器１１１は、「直接検出器」であり、従来の装置の蛍光体スクリーン４又は光学的カップリング５を必要としない例である。検出器は、画素１１２ａのアレイを含む。４個の画素１１２ａが図３に示される；しかしながら、実際的な検出器は、典型的には２５６×２５６画素、各ピッチ５５μｍのアレイを含んでいてもよい。画素(符号１０９で示す)アレイは、典型的には、シリコン、GaAsまたはCd(Zn)Teなどのモノリシック半導体である。この実施形態において、
画素アレイは、粒子カウンタ１１２ｂのアレイ１１０とバンプ接合し、
（甲１テ）第１７頁第６〜１０行
「Each particle counter 112b has its own electronic processing built in and generates its own output signal. Each particle counter 112b generates its own output signal along coupling 113 to image processing unit 107. In one embodiment the detector may correlate the output signals from each sensor to provide a single signal to the image processing unit 107 (see Figure 2). 」
（各粒子カウンタ１１２ｂは、それ自身の電子処理を内蔵しており、それ自身の出力信号を生成する。
各粒子カウンタ１１２ｂは、それ自身の出力信号を
画像処理部１０７に生成する。
（甲１ト）第１７頁第２５〜２８行
「Each particle counter 112b has pulse processing electronics, wherein each event to be counted is a pulse of charge created by an incident particle depositing energy in a pixel 112a. The pulse-processing electronics include an amplifier, a discriminator and a counter.」
 （
各粒子カウンタ１１２ｂは、
増幅器、弁別器およびカウンタを含む。
（甲１ナ）第２４頁第１５〜１７行
「An example of a direct detector is the Medipix2 detector, which is an array of 256x256 pixels each of area 55μm2, which has been demonstrated to have an energy resolution of approximately 2.5keV.」
（直接検出器の一例は、Medipix2検出器（当審注：登録商標　以下同様）であり、Medipix2検出器は、各領域５５μｍ2の２５６×２５６の画素アレイで、約２．５ｋｅＶのエネルギー分解能を有することが実証されている。）
（甲１ニ）ＦＩＧ．２には、以下の図面が示されている。
（甲１ヌ）ＦＩＧ．３には、以下の図面が示されている。
（２）甲１発明
ア　上記（甲１セ）の「図１は、コッセル回折Ｘ線分析のために使用される従来の装置を示す。
集束された
イ　上記（甲１ニ）ＦＩＧ．２において、試料１０２は、「平板状の試料」であることが看取できる。
ウ　上記ア及びイを含め上記（１）の記載を総合すると、甲１には、次の方法発明（以下、「甲１方法発明」という。）及び装置発明（以下、「甲１装置発明」という。）が記載されていると認められる。
（甲１方法発明）
　「走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）のチェンバ内で、平坦面上に支持される平板状の試料に対して向けられた集束された電子ビームを提供するのに用いられるよう適合した電子カラムと、
　試料との電子ビームの相互作用による試料からの粒子を受信し、カウントするための粒子検出器であって、画素アレイを有する粒子検出器とを備え、
　粒子検出器は、菊池回折パターンを示す受信粒子をカウントすべく、受信粒子の電子エネルギーでのフィルタリングを提供するよう適合され、
　画素アレイは、粒子カウンタのアレイとバンプ接合し、各粒子カウンタは、それ自身の出力信号を画像処理部に生成し、
　試料との電子ビームの相互作用によりもたらされる（弾性的後方散乱電子を含む）粒子が、粒子検出器により受信されるよう、試料は、所望の角度に傾けられ、
　粒子検出器は、入射電子ビームと同じ側の試料の上に配置され、試料から受信された粒子が、試料に対してビーム方向に沿って戻る軌道成分を有するような反射配置である、
　菊池回折パターンを検出するための装置を用いて、菊池回折パターンを検出するための方法であって、
　電子ビームが試料上に衝突するように電子カラムを操作する段階と、
　試料との電子ビームの相互作用による試料からの粒子を粒子検出器で受信する段階と、
　粒子検出器において、受信粒子のエネルギーを電子的にフィルタリングする段階と、
　粒子検出器において、電子フィルタリングに基づき菊池回折パターンを表す受信粒子をカウントする段階とを備え、
　受信粒子のエネルギーを電子的にフィルタリングする段階は、エネルギー閾値を調整する段階を備え、ＥＢＳＤ解析を実行する場合、調整可能なエネルギーは第２の設定に設定され、第２の設定では、粒子カウンタはハイパスフィルタリングを提供するよう適合され、
　菊池回折パターンは、ＥＢＳＤ解析において検出される、
　方法。」
（甲１装置発明）
　「走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）のチェンバ内で、平坦面上に支持される平板状の試料に対して向けられた集束された電子ビームを提供するのに用いられるよう適合した電子カラムと、
　試料との電子ビームの相互作用による試料からの粒子を受信し、カウントするための粒子検出器であって、画素アレイを有する粒子検出器とを備え、
　粒子検出器は、菊池回折パターンを示す受信粒子をカウントすべく、受信粒子の電子エネルギーでのフィルタリングを提供するよう適合され、
　画素アレイは、粒子カウンタのアレイとバンプ接合し、各粒子カウンタは、それ自身の出力信号を画像処理部に生成し、
　試料との電子ビームの相互作用によりもたらされる（弾性的後方散乱電子を含む）粒子が、粒子検出器により受信されるよう、試料は、所望の角度に傾けられ、
　粒子検出器は、入射電子ビームと同じ側の試料の上に配置され、試料から受信された粒子が、試料に対してビーム方向に沿って戻る軌道成分を有するような反射配置である、
　菊池回折パターンを検出するための装置であって、菊池回折パターンを検出するための方法として、
　電子ビームが試料上に衝突するように電子カラムを操作する段階と、
　試料との電子ビームの相互作用による試料からの粒子を粒子検出器で受信する段階と、
　粒子検出器において、受信粒子のエネルギーを電子的にフィルタリングする段階と、
　粒子検出器において、電子フィルタリングに基づき菊池回折パターンを表す受信粒子をカウントする段階とを備え、
　受信粒子のエネルギーを電子的にフィルタリングする段階は、エネルギー閾値を調整する段階を備え、ＥＢＳＤ解析を実行する場合、調整可能なエネルギーは第２の設定に設定され、第２の設定では、粒子カウンタはハイパスフィルタリングを提供するよう適合され、
　菊池回折パターンは、ＥＢＳＤ解析において検出される、
　装置。」
２　甲２の記載事項
　本件特許出願の優先権主張日前に頒布された甲２には、以下の記載がある。
（甲２ア）第３８頁左〜右欄
「(a)Lattice source interferences (LSI), i.e. interferences by the Kossel technique, are obtained when a finely focused beam excites the atoms in a single-crystal volume to emit their characteristic X-rays(λ specimen).」
（（ａ）格子ソース干渉（ＬＳＩ）、即ち、コッセル法による干渉は、微細収束された電子ビームが単位結晶体積中の原子を励起して、特性Ｘ線（λspecimen）を放出するよう、単一の格子体積中の原子を励起する場合に得られる。）
（甲２イ）第３９頁左〜右欄
「(b)Divergent beam X-ray interferences (DBI) i.e. interferences by the pseudo Kossel technique, are generated when an electron beam is focused on the target foil and excites the atoms of a metal foil (in this case Fe)to emit their characteristic X-rays (λ target).」
（（ｂ）発散ビームＸ線干渉（ＤＢＩ）、即ち、擬コッセル法による干渉は、電子ビームが、標的箔上に集中され、金属箔（この場合Ｆｅ）の原子を励起して、それらの特性Ｘ線（λtarget）を放出する場合に生成される。）
（甲２ウ）第４０頁左欄
「(c)Electron backstattering diffraction (EBSD) originates when a fine-focused electron beam is incident on a single-crystalline specimen area, generating quasi-elastically scattered electrons there.」
（（ｃ）微細集中した電子ビームが単一の結晶試料領域に入射し、準弾性散乱された電子をそこで生じる場合、電子後方散乱回折（ＥＢＳＤ）が生じる。）
（甲２エ）第４１頁　Ｆｉｇ．２の説明文
「Fig.2 Information by means of electron,ion and light beams in the scanning electron microscope CamScan CS44 and schematic view of the principle of the detection of LSI, DBI and EBSD with the high-resolution CCD camera (EDX: energy dispersive X-ray microanalysis; SED: secondary energy detector; BED: backscattered electron detector; AED: absorbed electron detector; IBSC: ion beam slope cutting method; OM: optical microscope; XSM: X-ray shadow microscopy; IRC: infra red camera; DBI: divergent beam X-ray interferences; LSI: lattice source interferences; EBSD: electron back scattering diffraction; CCDC: charged coupled device camera).」
（図２　走査型電子顕微鏡CamScanＣＳ４４での電子、イオン、および光線による情報、ならびに、高解像度ＣＣＤカメラによるＬＳＩ、ＤＢＩおよびＥＢＳＤの検出の原理の概略図（ＥＤＸ：エネルギー分散型Ｘ線微細分析、ＳＥＤ：二次エネルギー検出器、ＢＥＤ：後方散乱電子検出器、ＡＥＤ： 吸収電子検出器、ＩＢＳＣ：イオンビームスロープカッティング法、ＯＭ：光学顕微鏡、ＩＲＣ：赤外線カメラ、ＤＢＩ：発散ビームＸ線干渉、ＬＳＩ：格子ソース干渉、ＥＢＳＤ：電子後方散乱回折、ＣＣＤＣ：電荷結合素子カメラ）
３　甲３の記載事項
　本件特許出願の優先権主張日前に頒布された甲３には、以下の記載がある。
（甲３ア）
「[0008] The present invention provides an electron microscope, including; an electron beam column for erradiating a specimen with an electron beam; a specimen stage that supports the specimen; a focused ion beam column for irradiating the specimen with a focused ion beam and forming a section; and a scattered electron detector for detecting backscattered electrons produced from the section by irradiation with the electron beam. According to the electron microscope, the section processed by the focused ion beam can be irradiated with the electron beam and the backscattered electrons that are released from the specimen can be detected. Consequently, processing and EBSP measurement can be performed in situ inside the same device, so EBSP measurement can be performed efficently.」
（［０００８］本発明は、電子顕微鏡を提供する。試料を電子ビームで照射する電子ビームカラムと、前記試料を支持する試料ステージと、前記試料に集束イオンビームを照射して断面を形成する集束イオンビームカラムと、前記電子ビームの照射により前記部分から発生した後方散乱電子を検出する散乱電子検出器とを備える。電子顕微鏡によれば、集束イオンビームで加工された断面に電子ビームを照射することができ、試料から放出された後方散乱電子を検出することができる。その結果、同一デバイス内で処理とＥＢＳＰ測定をその場で行うことができ、ＥＢＳＰ測定を効率よく行うことができる。）
４　甲４の記載事項
　本件特許出願の優先権主張日前に頒布された甲４には、以下の記載がある。 
（甲４ア）
「[0004] The known method discloses forming samples from a work piece such as a semiconductor wafer by first inserting the wafer in a Focused Ion Beam apparatus (FIB). A wedge or lamella of material is formed by milling a trench with a focused ion beam and then separating the wedge or lamella from the work piece. This wedge or lamella, with a thickness in excess of the desired thickness of e.g. 50nm, is attached to a manipulator prior to the separation with e.g. ion beam induced deposition (IBID). Apart of the wedge or lamella is then machined to a membrane with the desired thickness by miling with the focused ion beam, thereby forming the sample.」 
（［０００４］既知の方法は、最初にウェハを集束イオンビーム装置（ＦＩＢ）に挿入することによって、半導体ウェハなどのワークピースからサンプルを形成することを開示する。楔または薄板状の材料は、集束イオンビームでトレンチをミリングし、次に楔または薄板をワークヒースから分離することによって形成される。例えば５０ｎｍのような所望の厚さを超える厚さを有する、この楔または薄板は、例えばイオンビーム析出（ＩＢＩＤ）による分離の前にマニピュレータに取り付けられる。次に、楔または薄板の一部は、集束イオンビームでミリングすることによって所望の厚さの膜に機械加工され、それによりサンプルを形成する。）
（甲４イ）
「[0014] Inventors found that passivation not only resulted in TEM samples with improved quality, but that also samples used for e.g. Electron Back Scattered Patterning (EBSP) prepared with a FIB showed improved quality, resulting in e.g. better detection of Kikuchi lines. It is noted that EBSP samples are not thinned, but FIB preparation is used to obtain a smoothened and cleaned surface.」
（［００１４］発明者は、パッシベーションが、改善された品質を有するＴＥＭ試料をもたらしたばかりでなく、例えば、ＦＩＢを用いて製造された電子後方散乱パターニング（ＥＢＳＰ）は、改善された品質を示し、菊池線のより良い検出をもたらす。ＥＢＳＰ試料は薄膜化されないが、平滑化され清浄化された表面を得るためにＦＩＢ調製物が使用されることに留意されたい。）
（甲４ウ）
「[0019] As known to the person skilled in the art a Gas Injection System (GIS) is used in many FIB's to admit gasses to the chamber where a sample resides. Typically admission of gas is used for enhanced etching of the sample or depositing material on the sample. By admitting a proper gas to the sample, at the proper moment, a passivation layer is applied to the sample.」
（［００１９］当業者に知られているように、ガス噴射システム（ＧＩＳ）は、試料が存在するチャンバにガスを導入するために、多くのＦＩＢにおいて使用されている。典型的には、ガスの導入は、試料のエッチングを増強するため、または試料上に材料を堆積させるために使用される。適当なガスを試料に導入することにより、適切な時期に、パッシベーション層が試料に適用される。）
（甲４エ）
「[0045] In step 208 the sample is finally inspected in the TEM. The inspection may include imaging of the electron beam transmitted through the sample, determining energy losses of the transmitted electrons, detecting diffractograms, detecting secondary electrons, back-scattered electrons, X-rays, and/or e.g. light generated in the sample as a result of the irradiation with the electron beam, etc.」
（［００４５］ステップ２０８において、サンプルは、ＴＥＭにおいて最終的に検査される。検査には、試料を透過した電子ビームの画像化する段階と、透過電子のエネルギー損失の判定をする段階と、回折図形を検出する段階と、電子ビームに照射される結果物としての、二次電子、後方散乱電子、Ｘ線、および／または、例えば試料の中で生成される光の検出などが含まれる。）
（甲４オ）
「[0047] It is noted that although the method is described for and especially suited for forming samples for a TEM, also other inspection techniques using other instruments may benefit from the method according to the invention. Such a technique is the earlier mentioned preparation of EBSP samples. It is noted that inventors observed that EBSP samples prepared with a FIB and analysed in-situ with EBSP (so: without exposing the sample to atmosphere), may deteriorate due to e.g. slow oxidation caused by residual gasses in the apparatus. This occurs e.g. when analysing titanium samples, titanium being a very reactive material. Therefore passivation may be preferred when analysing a EBSP sample in-situ or ex-situ.」
（［００４７］この方法は、ＴＥＭのための試料を形成するために記載され、特に適しているが、他の機器を用いる他の検査技術も本発明による方法の恩恵を受けることができることに留意されたい。そのような技術には、前述のＥＢＳＰサンプルの調製がある。本発明者らは、ＦＩＢを用いて調製し、その場でＥＢＳＰで分析した（すなわち、試料を大気にさらすことなく）。ＥＢＳＰ試料は、例えば、装置内の残留ガスによって引き起こされる遅い酸化により劣化し得る。例えばチタン試料を分析する場合、チタンは非常に反応性の高い材料であるために、このような劣化が発生する。したがって、ＥＢＳＰ試料をその場で、または異なる場所で分析する場合に、パッシベーションが好ましいことがある。）
５　甲５の記載事項
　本件特許出願の優先権主張日前に頒布された甲５には、以下の記載がある。
（甲５ア）第１１７頁左欄
「1.2. EBSD energy filter 
　STAIB Instruments Inc. developed the energy filter we used in this work [8], and it is schematically shown in Fig.1. Two electrostatic lenses (L1, L2) collimate the backscattered electrons so that they approach a fine, planar, wire grid (G) at normal incidense. The electrons maintain their spatial distribution as they approach the grid, and a voltage applied to the grid induces a filtering action. Electrons with energies below the grid potential energy, the cutoff energy, are repelled; consequently, they are eliminated from the EBSD pattern. Electrons with energies above the cutoff pass through the filtering grid, and they are reaccelerated by a third electrostatic lens (L3) towards a phosphor screen (S). The EBSD pattern on the screen is digitally captured by a cooled, low-noise CCD camera. 
　The cutoff energy of the filter is tunable from 0 to 20 keV with better than 10 eV resolution, enabling a precise investigation of contributing electron energies. Moreover, the lens settings scale automatically with cutoff energy, so that focusing at a single cutoff energy ensured the EBSD pattern was filtered with a sharp energy cutoff through the entire energy range of the filter.」
（１．２．ＥＢＳＤエネルギーフィルタ
　ＳＴＡＩＢ　Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社は、本研究で使用したエネルギーフィルタを開発し［８］、図１に模式的に示した。２つの静電レンズ（Ｌ１、Ｌ２）は、後方散乱された電子を較正し、通常の衝突時に、細かい、平面状のワイヤグリッド（Ｇ）に近づくようにする。電子はグリッドに近づくにつれてその空間分布を維持し、グリッドに印加された電圧はフィルタリング作用を誘発する。グリッドポテンシャルエネルギー、即ちカットオフエネルギー以下のエネルギーを有する電子が反発される。その結果、それらはＥＢＳＤパターンから排除される。カットオフ以上のエネルギーを有する電子は、フィルタリンググリッドを通過し、第３の静電レンズ（Ｌ３）によって蛍光スクリーン（Ｓ）に向かって再加速される。スクリーン上のＥＢＳＤパターンは、冷却された低ノイズＣＣＤカメラによってデジタルキャプチャされる。
　フィルタのカットオフエネルギーは、１０ｅＶ分解能よりも良い０〜２０ｋｅＶに調可能で、電子エネルギーの寄与を正確に調べることが出来る。さらに、レンズ設定はカットオフエネルギーで自動的に調整されるため、単一のカットオフエネルギーでの収束により、ＥＢＳＤパターンがフィルタの全エネルギー範囲でシャープなエネルギーカットオフでフィルタリングされることを保証した。）
 
（甲５イ）第１１７頁右欄
「Using a 15 keV beam, we digitally recorded a series of EBSD patterns for each crystal, varying the filter cutoff energy from 0 to 15 keV over 48 increments. The values of the cutoff energy used are shown in Table 1.」
（１５ｋｅＶのビームを用いて、各クリスタルに一連のＥＢＳＤパターンをデジタル記録し、フィルターのカットオフエネルギーを０〜１５ｋｅＶまで４８段階で漸増させた。使用したカットオフエネルギーの値を表１に示す。）
（甲５ウ）第１１８頁左欄
「We obtained more quantitative contrast data by focusing on the strongest Kikuchi band observed within the EBSD patterns for the fixed orientation of each material. These were {2 2 0},{1 1 0}, and {2 0 0} for the Si, Fe, and Ir patterns, respectively. Averaging the pixel values along lines parallel to a band (on the order of 200 values per line) produced plots, exemplified by Fig. 3, of the contrast across the band. Fig. 3 corresponds to the {2 2 0} band in an unfiltered Si EBSD pattern.」
（各材料に固定された配向のＥＢＳＤパターン内で観察された最も強い菊池バンドに焦点を当てることにより、より定量的なコントラストデータを得た。これらは、それぞれＳｉ、Ｆｅ、およびＩｒパターンについて｛２２０｝、｛１１０｝、および｛２００｝であった。バンドに平行な線に沿って画素値を平均化すると（線ごとに２００個の値のオーダー）、図３に例示されるような、帯域にわたるコントラストのプロットが生成された。図３は、フィルタリングされていないＳＩＥＢＳＤパターンにおける{２２０}バンドに対応する。）
（甲５エ）第１１９頁右欄
「We conducted many individual experiments with different samples, beam energies, and filter settings to confirm that this observation was real.」
（我々は、この観察が正しいことを確認するために、異なるサンプル、ビームエネルギー、およびフィルタ設定を用いて多くの個別の実験を行った。）
（甲５オ）第１２２頁右欄
「A Monte Carlo simulation provides the necessary clarification. We used a single-scattering Monte Carlo program [10] to simulate the electron exit depth as a function of energy for Si. To better model low-energy electrons (and high atomic number materials), we modified the program to utilize the tabulated Mott cross section after [12,13].」
（モンテカルロ・シミュレーションにより必要な内容が明らかとなる。我々はＳｉについてのエネルギーの関数として出射電子深さをシミュレートするために、単一の散乱のモンテカルロプログラム［１０］を使用した。低エネルギーの電子（および原子番号の高い物質）をよりよくモデル化するために、我々は［１２、１３］の後に集計されたＭｏｔｔ断面積を利用するようにプログラムを修正した。）
６　甲６の記載事項
　本件特許出願の優先権主張日前に頒布された甲６には、以下の記載がある。
（甲６ア）第３頁左欄
「All t-EBSD data were collected by use of a TSL/EDAX Digiview 1612 high-speed CCD camera with a P-22 high intensity phosphor, mounted on a LEO 1525 field-emission SEM. Figure 1 shows an infrared image of the specimen-detector geometry used to collect transmission Kikuchi diffraction patterns from a thin film in the SEM; all specimens were mounted on TEM grids. Whereas conventional EBSD requires tilting the specimen surface normal N towards the detector, we have tilted our specimen grids in the opposite direction, where N moves away from the detector, thereby minimizing backscattering into the detector, and maximizing detection of electrons that have scattered through large angles in transmission. Tilt angles α of approximately 10°to 30°gave rise to a strong signal.」
（すべてのｔ−ＥＢＳＤデータは、ＬＥＯ１５２５電界放出型ＳＥＭに搭載されたＰ−２２高輝度蛍光体を有するＴＳＬ／ＥＤＡＸ　Ｄｉｇｉｖｉｅｗ１６１２高速ＣＣＤカメラの使用によって収集された。図１は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）における薄膜からの透過型菊池回折パターンを収集するために使用される試料−検出器の幾何学配置の赤外像を示す。全ての試料はＴＥＭグリッド上で設置された。従来のＥＢＳＤは、試料表面の法線Ｎを検出器に向けて傾斜させる必要があるが、我々は試料グリッドを反対方向に傾斜させた。ここで、Ｎは検出器から離れる方向であり、検出器への後方散乱を最小化し、透過時の大きな角度を介して散乱される電子の検出を最大化する。約１０゜から３０°の傾斜角αで強い信号を生じさせた。）
７　甲７の記載事項 
　本件特許出願の優先権主張日前に頒布された甲７には、以下の記載がある。
（甲７ア）第１１９３頁第１〜３行
「Electron back-scattering patterns−A new technique for obtaining crystallographic information in the scanning electron microscope」
（
電子後方散乱パターン−走査型電子顕微鏡において結晶情報を得るため
（甲７イ）第１１９７頁第１２〜１６行 
「In the present experiments patterns could be observed using a simple fluorescent screen for angle of incidence greater than about 45°. Better detection systems which allow one to back-off the unwanted background signal more effectively may enable one to extend the use of the patterns to lower angles of incidence. 」
（この実験の
パターンは、約４５°より大きい入射角で簡単な蛍光スクリーンを用いて観察された。望ましくないバックグラウンドのシグナルをより効率的に除去できる、より優れた検出システムがあれば、パターンの使用をより小さな入射角の使用にまで拡張できる。
　以上のことから、甲７には、「電子後方散乱パターン−走査型電子顕微鏡において結晶情報を得るために、電子後方散乱パターンは、約４５°より大きい入射角で簡単な蛍光スクリーンを用いて観察され、望ましくないバックグラウンドのシグナルをより効率的に除去できる、より優れた検出システムがあれば、パターンの使用をより小さな入射角の使用にまで拡張できる。」ことが記載されていると認められる（以下、「甲７の技術事項」という）。
８　甲８の記載事項 
　本件特許出願の優先権主張日前に頒布された甲８には、以下の記載がある。
（甲８ア）第８０頁第２段落
「It was suggested by Venables et. al., and has now been shown, that better detection systems allow for the acquisition and use of EBSD patterns at lower angles of incidence [2, 3]. As part of the study reported here, a current TSL/EDAX OIM system, equipped with a Digiview 1612 Peltier-cooled CCD camera, was used to acquire, then to automatically index, high quality EBSPs at 0°specimen tilt (i.e. normal incidence). The OIM system was installed on a JEOL JSM 6400 equipped with a W filament. Operating conditions of the microscope were 25kV and 〜75nA of beam current.」
（Ｖｅｎａｂｌｅｓ　ｅｔ　ａｌ．により示唆され、現在示されているように、
より優れた検出システムは、より小さな入射角でのＥＢＳＤパターンの取得および使用を許容する
Ｄｉｇｉｖｉｅｗ１６１２、ペルティエ冷却ＣＣＤカメラを有する、現行のＴＳＬ／ＥＤＡＸ　ＯＩＭシステムが、０度の試料傾斜（即ち、垂直の入射角）での高品質のＥＢＳＰを取得し、自動的にインデックス付けすべく使用された。
 （甲８イ）ＦＩＧ．１には、以下の図面が示されている。
（図１　０．８５秒のカメラ露光及び２．４５秒のカメラ露光をそれぞれ使用して、垂直な入射角でＮｉ合金（ａ）及びＳｉ（ｂ）から取得されたＥＢＳＰ）
　以上のことから、甲８には、「より優れた検出システムは、より小さな入射角でのＥＢＳＤパターンの取得および使用を許容し、Ｄｉｇｉｖｉｅｗ１６１２、ペルティエ冷却ＣＣＤカメラを有する、現行のＴＳＬ／ＥＤＡＸ　ＯＩＭシステムが、０度の試料傾斜（即ち、垂直の入射角）での高品質のＥＢＳＰを取得し、自動的にインデックス付けすべく使用された。」ことが記載されていると認められる（以下、「甲８の技術事項」という）。
９　参考１の記載事項
　本件特許出願の優先権主張日前に頒布された参考１には、以下の記載がある。
（参考１ア）第１４９２頁右欄
「At 30 kV and 10 nA, for example, the correlation coefficient of a sampling Kikuchi pattern was calculated with respect to a reference Kikuchi pattern. The reference pattern was recorded at the left grain and its position was away from the inclined twin boundary. The correlation coefficient was plotted as a function of distance across the twin boundary, as shown in Fig.11. Point A displays only the Kikuchi pattern obtained from the wedged grain at the surface, and an overlapping pattern is observed at point B. Then, at point c, only the Kikuchi pattern of the underlying grain beyond the twin boundary is observed. Therefore, the physical depth resolution of 72.3 nm is calculated by multiplying the effective distance AC of 180 nm by tan 22°.  Fig. 12 shows the results of the physical resolution as a function of the accelerating voltages at 10 nA. As the accelerating voltage is decreased from 30 to 5 kV, the depth resolution is significantly improved from 72 to 38 nm. However, the depth resolution is not significantly improved by lowering the probe current. The best depth resolution of 38 nm was achieved at 5 kV and 10 nA. In comparison with the experiments of the non-coating substrate, it was observed that the measured depth of the excitation volume in real EBSD measurements was much larger due to the channel effect than that obtained without considering this effect.」
（例えば、３０ｋｖ、１０ｎＡでは、基準菊池パターンに対してサンプリング菊池パターンの相関係数が算出された。基準パターンは左側の粒子で記録され、その位置は傾斜した２つの境界から遠く離れていた。相関係数は、図１１に示すように、２つの境界を横切る距離の関数としてプロットされた。点Ａは、（図中の）襖で示された部分の粒子から得られた菊池パターンのみを表示している。そして重なるパターンが点Ｂで観測される。次に、点Ｃでは、２つの境界を越えて下にある粒子の菊池パターンのみが観察される。そ
れ故、１８０ｎｍの実効距離とtan２２度との乗算により、７２．３ｎｍの物理的深さ分解能が算出される。図１２は、１０ｎＡにおける加速電圧の関数としての物理的分解能の結果を示す。加速電圧が３０から５ｋｖに減少するにつれて、深さ分解能は７２から３８ｎｍに著しく改善される。しかしながら、深さ分解能は、プローブ電流を低下させることによっては有意には改善されない。５ｋＶおよび１０ｎＡで３８ｎｍの最良の深さ分解能が達成された。非コーティング基材の実験と比較すると、実際のＥＢＳＤ測定における励起体積の測定深さは、この効果を考慮せずに得られたものよりもチャネル効果のためにはるかに大きいことが観察された。）
１０　参考２の記載事項
　本件特許出願の優先権主張日前に頒布された参考２には、以下の記載がある。
（参考２ア）第２頁右欄
「The three-dimensional collection of EBSD, EDX and SE images relies on the accuracy of the piezoelectronic stage movement and accompanying beam shifts used by the microscope. The serial milling process involves alternate slicing away from the face of interest followed by EBSD and EDX data collection. This is achieved using a 180°stage rotation around a pre-specified 16°stage tilt. An image of the internal set-up of the microscope is shown in Fig. 2.」
（ＥＢＳＤ、ＥＤＸ、およびＳＥ画像の３次元収集は、圧電ステージの移動とそれに伴う顕微鏡でのビームシフトとの精度に依存する。シリアルミリングプロセスでは、関心のある面から別のスライスを作成し、ＥＢＳＤとＥＤＸのデータを収集する。これは、事前に指定された１６度のステージ傾斜の周囲の１８０度のステージ回転を使用して実現される。顕微鏡の内部設定の画像を図２に示す。）
１１　参考３の記載事項
　本件特許出願の優先権主張日前に頒布された参考３には、以下の記載がある。
（参考３ア）第２７頁左欄
「Summary:The backscattered electron (BSE) signal in the scanning electron microscope (SEM) can be used in two different ways. The first is to give a BSE image from an area that is defined by the scanning of the electron beam (EB) over the surface of the specimen. The second is to use an array of small BSE detectors to give an electron backscattering pattern (EBSP) with crystallographic information from a single point. It is also possible to utilize the EBSP detector and computer-control system to give an image from an area on the specimen - for example, to show the orientations of the grains in a polycrystalline sample (grain orientation imaging). Some further possibilities based on some other ways for analyzing the output from an EBSP detector array, are described.」
（要約：走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）における後方散乱電子（ＢＳＥ）は２つの異なる方法で使用することができる。第１は、試料の表面にわたる電子ビーム（ＥＢ）の走査により確定される領域からＢＳＥ像を得ることである。第２は、小さなＢＳＥ検出器のアレイを使用して、単一の点からの結晶解説情報を有する電子後方散乱パターン（ＥＢＳＰ）を与えることである。ＥＢＳＰ検出器およびコンピュータ制御システムを使用して、例えば、多結晶試料における粒子の配向（「粒子配向像」）を示すために、試料の領域からの像を与えることも可能である。ＥＢＳＰ検出器のアレイからの出力を分析するためのいくつかの他の方法に基づく、いくつかのさらなる可能性が説明される。）
１２　参考４の記載事項
　本件特許出願の優先権主張日前に頒布された参考４には、以下の記載がある。
（参考４ア）第２欄第５６〜６１行
「Backscattered and secondary electrons are collected by one or more detectors which are respectively called a backscattered electron detector (BSED) and a secondary electron detector (SED), which each convert the electrons to an electrical signal used to generate images of the specimen.」
（後方散乱電子と２次電子は、夫々、
後方散乱電子検出器(ＢＳＥＤ)
（参考４イ）第１６欄第４〜９行
「BSEDs are typically annular devices placed directly under and as close as possible to the pole piece of the objective lens of an SEM. This configuration allows the sample to be placed at a short working distance, thereby providing high image resolution and high BSE intensity while still retaining a near 90°line-of-sight from the sample to the detector.」
（
ＢＳＥＤは、
ＳＥＭの対物レンズの極片の下側に配置され、
環状のデバイスである。この構成は、
（参考４ウ）第１６欄第６５行〜第１７欄第３行
「FIGS. 11-13 show other possible PCB assembly configurations that may be employed in alternative electron detector embodiments (i.e., in place of PCB assembly 46 ). In particular,  FIG. 11 shows a PCB assembly 46' that includes four 4 mm×4 mm (16 mm2) scintillator-SiPM coupled pair assemblies 24 spaced evenly about pass-through 50' of substrate 48'.  」
（図１１〜図１３は、代替的な電子検出器の実施例において(即ち、ＰＣＢアセンブリ(46)の代わりとして)使用され得るその他のＰＣＢアセンブリの構成を示す。具体的には、図１１は、ＰＣＢアセンブリ(46')を示しており、それは、
基板(48')の開口部(pass-through)(50')周りにて均等に離間した４つの
シンチレータ−ＳｉＰＭ連結対アセンブリ(24)を含んでいる
（参考４エ）第１７欄第２１〜２５行
「The embodiments of electron detector 18 shown in FIGS. 8-13 enable control system 16 , and the associated software, to acquire an image from each of the scintillator-SiPM coupled pair assemblies 24 independently or to sum any number or all of them together. 」
（ 図８〜図１３に示された電子検出器(18)の実施例は、
制御システム(16)と関連ソフトウェアが、シンチレータ−ＳｉＰＭ連結対アセンブリ(24)の各々から
画像
全てを足し合わせることを可能としている
（参考４オ）ＦＩＧ．１１には、以下の図面が示されている。
　以上のことから、参考４には、「後方散乱電子検出器(ＢＳＥＤ)は、ＳＥＭの対物レンズの極片の下側に配置され、環状のデバイスであり、この構成は、基板(48')の開口部(pass-through)(50')周りにて均等に離間した４つのシンチレータ−ＳｉＰＭ連結対アセンブリ(24)を含んでおり、制御システム(16)と関連ソフトウェアが、シンチレータ−ＳｉＰＭ連結対アセンブリ(24)の各々からの画像の全てを足し合わせることを可能としている。」ことが記載されていると認められる（以下、「参考４の技術事項」という）。
第５　取消理由通知（決定の予告）に記載した取消理由について
１　取消理由の概要
　訂正前の請求項１〜１３に係る特許に対して、当審が平成３１年３月１５日に特許権者に通知した取消理由の要旨は、次のとおりである。
（１）（サポート要件）請求項１〜１３に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものであるといえないことから、請求項１〜１３に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、同法第１１３条第４号に該当し、取り消されるべきものである。
（２）（実施可能要件）本件特許に係る出願の発明の詳細な説明の記載は、当業者が請求項１〜１３に係る発明の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであるといえないことから、請求項１〜１３に係る特許は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、同法第１１３条第４号に該当し、取り消されるべきものである。
（３）（明確性）請求項１〜１３に係る発明は、明確であるといえないことから、請求項１〜１３に係る特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、同法第１１３条第４号に該当し、取り消されるべきものである。
（４）（進歩性）請求項１〜１３に係る発明は、甲１に記載された発明、甲７、８及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１〜１３に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、同法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。
２　当審の判断
（１）特許法第３６条第６項第１号について
　当審では、「コッセル像を取得する方法」を包含する、「電子後方散乱パターン（ＥＢＳＰ）像及び」「コッセル像を取得する方法」を包含する、「前記検出器は、前記試料の前記電子鏡筒側に配置されるとともに、電子ビームの軸上」「に設けられ」ることを包含する請求項１〜８に係る発明、及び、「コッセルパターンを検出する」「荷電粒子装置」を包含する、「ＥＢＳＰパターン及び」「コッセルパターンを検出する」「荷電粒子装置」を包含する、「前記検出器は、試料の前記電子ビーム鏡筒側に配置されるとともに、電子ビームの軸上」「に設けられ」ることを包含する請求項９〜１３に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでない旨の取消理由を通知したところ、訂正事項１−１、訂正事項１−３、訂正事項２、訂正事項３、訂正事項４−１、訂正事項４−３、訂正事項５、訂正事項６に係る訂正を行った結果、本件発明１〜１３は、発明の詳細な説明に記載したものとなり、この理由は解消した。
（２）特許法第３６条第４項第１号について
　当審では、「コッセル像を取得する方法」を包含する、「電子後方散乱パターン（ＥＢＳＰ）像及び」「コッセル像を取得する方法」を包含する、「前記検出器は、前記試料の前記電子鏡筒側に配置されるとともに、電子ビームの軸上」「に設けられ」ることを包含する本件発明１〜８、及び、「コッセルパターンを検出する」「荷電粒子装置」を包含する、「ＥＢＳＰパターン及び」「コッセルパターンを検出する」「荷電粒子装置」を包含する、「前記検出器は、試料の前記電子ビーム鏡筒側に配置されるとともに、電子ビームの軸上」「に設けられ」ることを包含する請求項９〜１３に係る発明について、発明の詳細な説明は、当業者がその実施できるように記載したものでない旨の取消理由を通知したところ、本件発明１〜１３は、上記（１）のとおり、発明の詳細な説明に記載したものとなったことから、発明の詳細な説明は、本件発明１〜１３の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであり、この理由は解消した。
（３）特許法第３６条第６項第２号について
　当審では、請求項１〜８について「後方散乱電子を前記検出器に照射する」こと、「ＥＢＳＰ像又はコッセル像を生成する」こと、「前記検出器は、前記試料の前記電子鏡筒側に配置されるとともに、電子ビームの軸上か、或いは、わずかに電子ビームの軸から外れた位置に設けられ」ること、「前記試料の平坦面は光軸に対して垂直である」こと、請求項９〜１３について「前記試料の平坦面は光軸に対して垂直である」こと、請求項１０〜１３について「前記ＥＢＳＰ像又はコッセル像を自動的に処理する」ことは、明確といえない旨の取消理由を通知したところ、訂正事項１−１、訂正事項１−２、訂正事項１−３、訂正事項２、訂正事項３、訂正事項４−１、訂正事項４−２、訂正事項４−３、訂正事項５、訂正事項６に係る訂正を行った結果、本件発明１〜１３は、明確となり、この理由は解消した。
（４）特許法第２９条第２項について
ア　本件発明１について
（ア）対比
　本件発明１と甲１方法発明とを対比する。
ａ　甲１方法発明の「集束された電子ビームを提供するのに用いられるよう適合した電子カラム」は、本件発明１の「微細集束された電子ビームを生成する電子鏡筒」に相当する。
ｂ　（甲１エ）の「The term pixel here refers generally to spatially separate sensitive regions of the detector」（「画素」という用語は、ここでは一般に検出器の空間的に離れた感受性領域を意味し）との記載を踏まえると、甲１方法発明の「画素アレイを有する粒子検出器」は、本件発明１の「位置感受性を有する検出器」に相当する。また、甲１方法発明の「菊池回折パターン」／「ＥＢＳＤ」は、本件発明１の「ＥＢＳＰパターン」／「電子後方散乱パターン（ＥＢＳＰ）像」／「ＥＢＳＰ像」に相当に相当する。
　よって、甲１方法発明の「菊池回折パターンを示す受信粒子をカウント」する「画素アレイを有する粒子検出器」は、本件発明１の「ＥＢＳＰパターンを検出する位置感受性を有する検出器」に相当する。
ｃ　甲１方法発明の「試料」を「支持」し、「試料との電子ビームの相互作用によりもたらされる（弾性的後方散乱電子を含む）粒子が、粒子検出器により受信されるよう、試料」を「所望の角度に傾け」る「平坦面」は、本件発明１の「試料の保持及び位置設定を行う試料ホルダ」に相当する。
ｄ　甲１方法発明の「菊池回折パターンを検出するための装置」は、本件発明１の「荷電粒子装置」に相当する。
ｅ　甲１方法発明の「平板状の試料」の「菊池回折パターンを検出するための方法」は、本件発明１の「平坦な表面を有する試料の電子後方散乱パターン（ＥＢＳＰ）像を取得する方法」に相当する。
ｆ　甲１方法発明の「入射電子ビーム」に対して「平板状の試料」を「所望の角度に傾け」る段階は、本件発明１の「前記電子ビームに対して前記試料を位置設定する段階」に相当する。
ｇ　甲１方法発明の「試料との電子ビームの相互作用による試料からの粒子」は、「試料との電子ビームの相互作用によりもたらされる（弾性的後方散乱電子を含む）粒子」であるから、甲１方法発明の「電子ビームが試料上に衝突するように電子カラムを操作」し、「試料との電子ビームの相互作用による試料からの粒子を粒子検出器で受信する段階」は、本件発明１の「前記試料上の衝突点に前記電子ビームを案内することで、後方散乱電子を前記検出器に照射する段階」に相当する。
ｈ　甲１方法発明の「粒子検出器」の「各粒子カウンタ」が、「それ自身の出力信号を画像処理部に生成」することは、「画像処理部」が、「粒子検出器」の「各粒子カウンタ」からの「出力信号」を受信することである。そして、甲１方法発明の「画像処理部」が、「粒子検出器」の「各粒子カウンタ」からの「出力信号」を受信する際に、「試料」への「入射電子ビーム」を定常状態に維持することは、当然のことである。
　よって、甲１方法発明の「粒子検出器」の「各粒子カウンタ」が、「それ自身の出力信号を画像処理部に生成」することは、本件発明１の「前記ビームを定常状態に維持しながら前記検出器からの信号を取得する段階」に相当する。
ｉ　甲１方法発明の「粒子検出器は、入射電子ビームと同じ側の試料の上に配置され」ることは、本件発明１の「前記検出器は、前記試料の前記電子鏡筒側に」「配置され」ることに相当する。
ｊ　甲１方法発明の「粒子検出器において、受信粒子のエネルギーを電子的にフィルタリングする」ことは、「ＥＢＳＤ解析を実行する場合」の「第２の設定」に、「エネルギー閾値を調整」し、「ハイパスフィルタリングを提供する」ことであるから、甲１方法発明の「粒子検出器において、電子フィルタリングに基づき菊池回折パターンを表す受信粒子をカウントする」ことは、本件発明１の「前記検出器は、」「所定の閾値を超えるエネルギーを有する電子を選択的に検出するように構成され」ることに相当する。
ｋ　甲１方法発明の「粒子検出器において、電子フィルタリングに基づき菊池回折パターンを表す受信粒子をカウント」した「出力信号」は、「ＥＢＳＤ解析において」「菊池回折パターン」を「検出」するために用いられることは、本件発明１の「前記所定の閾値を超えるエネルギーを有する電子の信号は、ＥＢＳＰ像を生成するのに用いられ」ることに相当する。
（イ）一致点・相違点
　したがって、本件発明１と甲１方法発明とは、次の点で一致し、次の各点で相違する。
（一致点）
　「微細集束された電子ビームを生成する電子鏡筒、ＥＢＳＰパターンを検出する位置感受性を有する検出器、並びに、試料の保持及び位置設定を行う試料ホルダを備える荷電粒子装置内において、平坦な表面を有する試料の電子後方散乱パターン（ＥＢＳＰ）像を取得する方法であって、
　前記電子ビームに対して前記試料を位置設定する段階、
　前記試料上の衝突点に前記電子ビームを案内することで、後方散乱電子を前記検出器に照射する段階、及び、
　前記ビームを定常状態に維持しながら前記検出器からの信号を取得する段階、
を有し、
　前記検出器は、前記試料の前記電子鏡筒側に配置され、所定の閾値を超えるエネルギーを有する電子を選択的に検出するように構成され、
　前記所定の閾値を超えるエネルギーを有する電子の信号は、ＥＢＳＰ像を生成するのに用いられる、
　方法。」
（相違点１）
　ＥＢＳＰパターンを検出する検出器は、本件発明１では、「電子ビームが通過可能な小さな穴が残るように複数の検出器からなる複合検出器」であるのに対し、甲１方法発明では、本件発明１のような複合検出器ではない点。
（相違点２）
　本件発明１では、「前記像の取得中、前記試料の平坦面は前記電子ビームの軸に対して垂直である」のに対し、甲１方法発明では、「試料」は「入射電子ビーム」に対して「所望の角度に傾けられ」ている点。
（ウ）判断
　上記相違点１について検討する。
ａ　参考４の技術事項（上記「第４　１２」を参照）によれば、参考４には、後方散乱電子検出器(ＢＳＥＤ)は、電子ビームが通過可能な小さな穴が残るように複数の検出器からなる複合検出器であることが開示されているといえるが、参考４には、その明細書の全記載を精査しても、当該複合検出器を、ＥＢＳＰパターンを検出する検出器として用いることについて、記載も示唆もされていない。
　また、当該複合検出器を、ＥＢＳＰパターンを検出する検出器として用いることについて、甲２〜８及び参考１〜３のいずれにも記載も示唆もなく、周知技術といえる証拠もない。
ｂ　次に、甲１方法発明に甲８の技術事項を適用した発明において参考４を踏まえた場合に、上記相違点１に係る本件発明１の構成を、当業者が容易に想到できるかについて検討する。
　甲１方法発明は、検出器（穴あきの複合検出器ではない）を用いてＥＢＳＰパターン像を取得する際、前記検出器（穴あきの複合検出器ではない）が、「試料から受信された粒子が、試料に対してビーム方向に沿って戻る軌道成分を有するような反射配置である」。
　また、甲８の技術事項（上記「第４　８」を参照）によれば、甲８には、検出器（穴あきの複合検出器ではない）を用いてＥＢＳＰパターン像を取得する際、電子ビームを試料に対して垂直に入射させることが開示されているといえるが、前記検出器（穴あきの複合検出器ではない）の配置について、試料から受信された粒子が、試料に対してビーム方向に沿って戻る軌道成分を有するような反射配置であるか否かは、不明である。
　そして、甲１方法発明は、「試料」が「入射電子ビーム」に対して「所望の角度に傾けられる」ことを特定しているだけで、甲１方法発明を実際に設計する際には、入射電子ビームに対する試料の具体的な角度を設定する必要があることから、甲１方法発明に甲８の技術事項を適用する動機付けは存在するといえる。
　すると、検出器（穴あきの複合検出器ではない）を反射配置とする甲１方法発明において、甲８の技術事項を適用することにより、「検出器（穴あきの複合検出器ではない）を用いてＥＢＳＰパターン像を取得する際、電子ビームを試料に対して垂直に入射させ、前記検出器（穴あきの複合検出器ではない）を、試料から受信された粒子が、試料に対してビーム方向に沿って戻る軌道成分を有するような反射配置とすること」は、当業者が容易になし得ることといえる。
　しかしながら、甲１方法発明に甲８の技術事項を適用してなし得た「検出器（複合検出器ではない）を用いてＥＢＳＰパターン像を取得する際、電子ビームを試料に対して垂直に入射させ、前記検出器（複合検出器ではない）を、試料から受信された粒子が、試料に対してビーム方向に沿って戻る軌道成分を有するような反射配置とすること」の発明において、前記検出器（穴あきの複合検出器ではない）の反射配置を、実際の設計では具体的に設定する必要があるにしても、前記検出器（穴あきの複合検出器ではない）を、わざわざ、「電子ビームが通過可能な小さな穴が残るように複数の検出器からなる複合検出器（穴あきの複合検出器）」に代えてまで、ＥＢＳＰパターンを検出する検出器でない参考４の技術事項を適用することの動機付けは見当たらない。
　よって、甲１方法発明に甲８の技術事項を適用した発明において参考４を踏まえた場合に、上記相違点１に係る本件発明１の構成を、当業者が容易に想到できるとはいえない。
ｃ　また、甲１方法発明において、甲８及び参考４以外の証拠を参酌しても、上記相違点１に係る本件発明１の構成を、当業者が容易に想到できるとはいえない。
ｄ　上記ａ〜ｃから、上記相違点１に係る本件発明１の構成は、甲１方法発明、並びに、甲１〜８及び参考１〜４に基づいて、当業者が容易に想到し得ることではない。
（エ）小括
　以上のことから、本件発明１は、上記相違点２について判断するまでもなく、甲１方法発明、並びに、甲１〜８及び参考１〜４に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでない。
イ　本件発明２〜８について
　本件発明２〜８は、本件発明１の構成を全て含むことから、上記アと同様の理由により、当業者が容易に発明をすることができたものでない。
ウ　本件発明９について
（ア）対比
　本件発明９と甲１装置発明とを対比する。
ａ　上記ア（ア）ａ、ｂ及びｄを踏まえると、甲１装置発明の「電子ビームを提供するのに用いられるよう適合した電子カラム」と「菊池回折パターンを示す受信粒子をカウント」する「画素アレイを有する粒子検出器」とを備える「菊池回折パターンを検出するための装置」は、本件発明９の「電子ビーム鏡筒とＥＢＳＰパターンを検出する画素化された検出器を備える荷電粒子装置」に相当する。
ｂ　上記ア（ア）ｉを踏まえると、甲１装置発明の「粒子検出器は、入射電子ビームと同じ側の試料の上に配置され」ることは、本件発明９の「前記検出器は、試料の前記電子ビーム鏡筒側に」「配置され」ることに相当する。
ｃ　上記ア（ア）ｊを踏まえると、甲１装置発明の「粒子検出器において、電子フィルタリングに基づき菊池回折パターンを表す受信粒子をカウントする」ことは、本件発明９の「前記検出器は、」「所定の閾値を超えるエネルギーを有する電子を選択的に検出するように構成され」ることに相当する。
ｄ　甲１装置発明が、「電子ビームが試料上に衝突するように電子カラムを操作する」ことから、制御装置（コンピュータ）を用いて、「試料」に対する「入射電子ビーム」の位置を制御していることは明らかである。また、甲１装置発明が、「粒子検出器」の「エネルギー閾値を調整する」ことから、制御装置（コンピュータ）を用いて、「粒子検出器」を制御していることは明らかである。よって、甲１装置発明は、本件発明９の「ビーム位置と前記検出器を制御するプログラム可能な制御装置」に相当する構成を備えているといえる。
ｅ　甲１装置発明の「画像処理部」が、制御装置（コンピュータ）内にあることは明らかであるから、甲１装置発明の「画像処理部」が、「粒子検出器において、電子フィルタリングに基づき菊池回折パターンを表す受信粒子をカウント」した「出力信号」を用いて、「ＥＢＳＤ解析において」「菊池回折パターン」を「検出」することは、本件発明９の「前記制御装置は、前記検出器からの信号を処理してＥＢＳＰ像を生成するようにさらに構成され」ることに相当する。
（イ）一致点・相違点
　したがって、本件発明９と甲１装置発明とは、次の点で一致し、次の各点で相違する。
（一致点）
　「電子ビーム鏡筒とＥＢＳＰパターンを検出する画素化された検出器を備
える荷電粒子装置であって、
　前記検出器は、試料の前記電子ビーム鏡筒側に配置され、所定の閾値を超えるエネルギーを有する電子を選択的に検出するように構成され、
　当該装置は、ビーム位置と前記検出器を制御するプログラム可能な制御装置を備え、かつ、
　前記制御装置は、前記検出器からの信号を処理してＥＢＳＰ像を生成するようにさらに構成される、
　荷電粒子装置。」
（相違点３）
　ＥＢＳＰパターンを検出する検出器は、本件発明９では、「入射電子ビームが通過可能な小さな穴が残るように複数の検出器からなる複合検出器」であるのに対し、甲１装置発明では、本件発明９のような複合検出器ではない点。
（相違点４）
　本件発明９では、「前記像の取得中、前記試料の平坦面は前記入射電子ビームの軸に対して垂直である」のに対し、甲１装置発明では、「試料」は、「入射電子ビーム」に対して「所望の角度に傾けられ」ている点。
（ウ）判断
　上記相違点３及び４は、上記相違点１及び２と同じ内容であるから、上記相違点３及び４に係る本件発明９の判断については、上記ア（ウ）で検討した本件発明１と同様のことがいえる。
（エ）小括
　以上のことから、本件発明１は、上記相違点４について判断するまでもなく、甲１装置発明、並びに、甲１〜８及び参考１〜４に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでない。
エ　本件発明１０〜１３について
　本件発明１０〜１３は、本件発明９の構成を全て含むことから、上記ウと同様の理由により、当業者が容易に発明をすることができたものでない。
３　令和元年７月２４日提出の意見書における申立人の主張について
（１）特許法第２９条第２項の取消理由
　申立人は、「訂正後の請求項１および９に係る発明は、甲１号証に記載の発明と、甲７号証に記載の発明（技術事項）又は甲８号証に記載の発明（技術事項）と、参考資料４に記載の発明（技術事項）とを組み合わせることにより当業者に容易に想到可能である。
　さらには、特許権者の主張している有利な効果は、・・・請求項１および請求項９に記載の発明における、甲１号証記載の発明との相違部分から得られる効果ではなく、・・・本件特許発明に特有の効果でもない。むしろ、甲１号証に記載の発明に対し、甲７号証に記載の発明（技術事項）又は甲８号証に記載の発明（技術事項）と、参考資料４に記載の発明（技術事項）とを組み合わせた発明に対し、さらに従来技術を組み合わせた発明から予想可能な範囲内の効果にとどまる。」（第１２頁）と主張するが、本件発明１の構成は、甲１方法発明に甲８の技術事項を適用した発明において参考４を適用する動機付けがないことから、当業者が容易に想到できるとはいえないことは、上記２（４）で検討したとおりである。また、参考４の適用の適否判断の前提となる発明に、甲１方法発明に甲７の技術事項（上記「第４　７」を参照）を適用した発明を考えても、甲７には、「簡単な蛍光スクリーン」である検出器（穴あきの複合検出器ではない）の配置について記載も示唆もないことから、上記２（４）と同様の理由により、本件発明１の構成は、当業者が容易に想到できるとはいえない。よって、本件発明の効果について検討するまでもなく、かかる主張には理由がない。
（２）特許法第３６条第６項第２号の取消理由
ア　申立人は、「訂正後の請求項１及び９に係る発明の「
前記試料の前記電子鏡筒側に、前記電子ビームが通過可能な小さな穴が残るように複数の検出器からなる複合検出器として配置され、
小さな
　従って、当該記載は不明確であ」る（第１３頁）と主張するが、「前記電子ビームが通過可能な小さな穴」は、「前記（微細集束された）」小径の「電子ビームが通過可能な」寸法の「穴」であると理解することができるから、当該記載は不明確であるとまではいえない。よって、かかる主張には理由がない。
イ　申立人は、「訂正後の請求項７に係る発明では、「Ｘ線、又は可視光の光子」を検出する構成を除外していない。 ＥＢＳＰ法は電子後方散乱パターンの略であることを鑑みても、検出する対象は、「ＳＥ（二次電子）」又は「後方散乱電子（ＢＳＥ）」に限定されるべきであって、「Ｘ線、又は可視光光子」を除外していない請求項７、及びその従属請求項は不明確であ」る（第１３〜１４頁）と主張するが、本件発明７は、「ＥＢＳＰパターンを検出する位置感受性有する検出器」以外の検出器を用いることを排除していないことから、Ｘ線、又は可視光の光子を検出する検出器を用いて「Ｘ線、又は可視光の光子」が検出できることは明らかである。また、本件発明７が引用する本件発明１の「ＥＢＳＰパターンを検出する位置感受性有する検出器」は、粒子（電子、Ｘ線、光子など）を「エネルギー」の大きさで検出するものであり、このことは、上記（甲１ケ）の記載からも裏付けられていることから、「ＥＢＳＰパターンを検出する位置感受性有する検出器」を用いても「Ｘ線、又は可視光の光子」が検出できるものといえる。以上のことから、本件発明７から「Ｘ線、又は可視光の光子」を検出する構成を除外する必要はなく、請求項７、及びその従属請求項は不明確であるとまではいえない。よって、かかる主張には理由がない。
（３）特許法第３６条第６項第１号の取消理由
　申立人は、「特許権者は、請求項１及び９における訂正の「前記像の取得中、前記試料の平坦面は前記電子ビームの軸に対して垂直である、」という事項について、段落００６１「試料は水平であって良いことに留意して欲しい。つまり表面は光軸に対して垂直である」という事項を根拠としている。詳細な説明において「光軸」の定義は一切されていないため、特許権者の訂正後の請求項１および９、ならびにそれらの従属請求項に係る発明は、発明の詳細な説明に記載された発明でな」い（第１４頁）と主張するが、「光軸」の定義を求める意図は不明であるものの、上記「第２　２（１）ウ」で述べたとおり、上記「光軸」は電子ビームの軸のことであると理解することができることから、訂正後の請求項１および９、ならびにそれらの従属請求項に係る発明は、発明の詳細な説明に記載された発明でないとまではいえない。よって、かかる主張には理由がない。
第６　むすび
　以上のとおりであるから、取消理由通知（決定の予告）に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許申立理由によっては、請求項１〜１３に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に請求項１〜１３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和１年８月２２日（２０１９．８．２２）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　微細集束された電子ビームを生成する電子鏡筒、ＥＢＳＰパター
ンを
像を
　前記電子ビームに対して前記試料を位置設定する段階、
　前記試料上の衝突点に前記電子ビームを案内することで、後方散乱電子を前記検出器に照射する段階、及び、
　前記ビームを定常状態に維持しながら前記検出器からの信号を取得する段階、を有し、
　前記検出器は、
前記試料の前記電子鏡筒側に、前記電子ビームが通過可能な小さな穴が残るように複数の検出器からなる複合検出器として配置され、
子を
　前記所定の閾値を超えるエネルギーを有する電
子の
像を
　前記像の取得中、前記試料の平坦面
は
の軸に対して垂直
ことを特徴とする、方法。
　【請求項２】
　前記検出器が画素化された検出器である、請求項１に記載の方法。
　【請求項３】
　前記検出器が、様々なエネルギーバンドの範囲内の電
子を
　【請求項４】
　前記検出器が、前記後方散乱電
子が
　前記センサチップは、各画素について、増幅器、比較器、及びカウンタを有するチップに結合される、
　請求項１乃至３のうちいずれか一項に記載の方法。
　【請求項５】
　前記結合がフリップチップ結合である、請求項４に記載の方法。
　【請求項６】
　前記電子ビームが、取得中、５ｋｅＶ以下のエネルギーを有する、請求項１乃至５のうちいずれか一項に記載の方法。
　【請求項７】
　前記電子ビームで前記試料を走査することによって前記試料を撮像する段階、及び、ＳＥ，ＢＳＥ，Ｘ線、又は可視光の光子からなる群からの信号を検出する段階をさらに有する、請求項１乃至６のうちいずれか一項に記載の方法。
　【請求項８】
　前記所定の閾値がプログラム可能な所定の閾値である、請求項１乃至７のうちいずれか一項に記載の方法。
　【請求項９】
　電子ビーム鏡筒とＥＢＳＰパター
ンを
　前記検出器は、
試料の前記電子ビーム鏡筒側に、入射電子ビームが通過可能な小さな穴が残るように複数の検出器からなる複合検出器として配置され、
子を
　当該装置は、ビーム位置と前記検出器を制御するプログラム可能な制御装置を備え、かつ、
　前記制御装置は、前記検出器からの信号を処理してＥＢＳＰ
像を
　前記像の取得中、前記試料の平坦面
は
入射
の軸に対して垂直
ことを特徴とする、荷電粒子装置。
　【請求項１０】
　前記プログラム可能な制御装置が、前記ＥＢＳＰ
像を
　【請求項１１】
　前記所定の閾値がプログラム可能な所定の閾値である、請求項９又は１０に記載の荷電粒子装置。
　【請求項１２】
　前記ＥＢＳＰパター
ンを
　【請求項１３】
　前記試料の加工又はエッチングを改善する気体注入システムをさらに有する、請求項１２に記載の荷電粒子装置。