(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光波長の異なる２つのレーザチップを内蔵する２波長レーザダイオードの２つの発光点の位置およびそれら２つの発光点間距離を測定する２波長レーザダイオードの検査方法であって、
検査装置の基準面に対しレーザダイオードの基準面を突き当てる工程と、
該レーザダイオードをＶブロックに突き当てて該レーザダイオードの中心軸を前記検査装置の中心と略一致させる工程と、
上記発光波長の異なる２つのレーザチップを共に発光させる工程と、
前記検査装置の中心と略一致した光軸を有する対物レンズで上記発光波長の異なる２つのレーザチップから出射される光を集光し、該対物レンズを光軸方向に移動させて、計測用カメラの受光面で観測される２つのレーザチップの発光点それぞれの光画像におけるビーム径を測定し、２つのレーザチップの発光点それぞれの光画像におけるビーム径が最小になる該対物レンズの位置を計測する工程と、
該対物レンズを、前記２つのレーザチップの発光点に対する対物レンズの位置のいずれかの位置または、前記２つの位置の間の位置の所定の位置に移動する工程と、
該発光波長の異なる２つのレーザチップの発光点を同時に認識して、発光点間距離を測定する工程と、
該発光波長の異なる２つのレーザチップの各々について、該対物レンズを発光点の光画像におけるビーム径を最小にする位置から微小距離移動させて発光点の遠視野像の中心点を測定する工程と、
該発光点の位置、該遠視野像の中心点および該対物レンズを移動させた微小距離から該２つのレーザチップの発光軸の傾きを測定する工程と、
を有することを特徴とし、ここに、前記ビーム径とは、レーザチップの活性層に対して垂直方向のビーム幅である２波長レーザダイオード検査方法。
【請求項２】
発光波長の異なる２つのレーザチップを内蔵する２波長レーザダイオードの２つの発光点の位置およびそれら２つの発光点間距離を測定する２波長レーザダイオードの検査方法であって、
検査装置の基準面に対しレーザダイオードの基準面を突き当てる工程と、
該レーザダイオードをＶブロックに突き当てて該レーザダイオードの中心を前記検査装置の中心と略一致させる工程と、
２つのレーザチップのうち発光波長が短い方のレーザチップを発光させて発光点の位置を計測用カメラで認識し、カメラ画像の基準位置から該発光点までの距離を測定する工程と、
前記測定された距離を基に、該カメラが２つのレーザチップの発光点を同時に認識できる位置に該レーザダイオードを移動させる工程と、
上記発光波長の異なる２つのレーザチップを共に発光させる工程と、
前記検査装置の中心と略一致した光軸を有する対物レンズで上記発光波長の異なる２つのレーザチップから出射される光を集光し、該対物レンズを光軸方向に移動させて、計測用カメラの受光面で観測される２つのレーザチップの発光点それぞれの光画像におけるビーム径を測定し、２つのレーザチップの発光点それぞれの光画像におけるビーム径が最小になる該対物レンズの位置を計測する工程と、
該対物レンズを、前記２つのレーザチップの発光点に対する対物レンズの位置のいずれかの位置または、前記２つの位置の間の位置の所定の位置に移動する工程と、
該発光波長の異なる２つのレーザチップの発光点を同時に認識して、発光点間距離を測定する工程と、
該発光波長の異なる２つのレーザチップの各々について、該対物レンズを発光点の光画像におけるビーム径を最小にする位置から微小距離移動させて発光点の遠視野像の中心点を測定する工程と、
該発光点の位置、該遠視野像の中心点および該対物レンズを移動させた微小距離から該２つのレーザチップの発光軸の傾きを測定する工程と、
を有することを特徴とし、ここに、前記ビーム径とは、レーザチップの活性層に対して垂直方向のビーム幅である２波長レーザダイオード検査方法。
【請求項３】
前記レーザチップの出射光の光画像は、前記レーザチップがレーザ発振しない状態で観測することを特徴とする請求項１または２に記載の２波長レーザダイオード検査方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体レーザ装置、特に、発光波長の異なる２つのレーザダイオード（ＬＤ）チップを搭載する２波長レーザダイオードのＬＤチップ位置の検査方法および検査装置等に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＣＤやＤＶＤ等用の光ピックアップには、複数の単体レーザダイオードを使用するよりも小型化に有利であることから、発光波長の異なる２色のレーザダイオード（ＬＤ）チップを搭載する２波長レーザーダイオードが使用されている。２波長レーザダイオードには、例えば、赤色ＬＤチップと赤外ＬＤチップの２色のＬＤが搭載されている。
上記したごとく、２波長レーザダイオードは、発光波長の異なる２色のＬＤチップを１の素子に搭載した構造であるため、単体レーザダイオードに比べて、光ピックアップに組み込む際、下記するごとく、２つのＬＤチップの発光点位置および発光点間距離の評価が重要になってくる。
【０００３】
図１ないし４を参照して、２波長レーザダイオードを評価するための従来の測定方法について、赤色ＬＤチップ１１３および赤外ＬＤチップ１１４を搭載した２波長レーザダイオード１を例にして説明する。
図１Ａは、２波長レーザダイオード１の概略上面図であり、図１Ｂは、２波長レーザダイオード１をステム載台１１９に置いた状態を示す概略側面図である。
図２は、２波長レーザダイオード１に搭載された２つのレーザチップ１１３,１１４の発光点の位置を示す図である。
図３は、従来の２波長レーザダイオードの検査装置の概略図であり、その検査装置に用いられる２分割フォトダイオードの測定原理を図４に示す。
【０００４】
（１）２波長レーザダイオード１をステム載台１１９に置く。
（２）ＣＣＤカメラ１１０でステムの外形（ステムエッジ位置）の３点を個別に認識し、ステム中心１０１ａを測定し、ＸＹ平面の原点（０，０）とする。通常、認識する３点は等間隔である。
（３）外部からレーザ１２０をステム基準面１０１ｂ上周辺部の３点（に当て、対物レンズ１０４を動かし、２分割フォトダイオード（ＰＤ）１２２のゼロクロス位置を基にして、ステムの基準面高さを測定し、Ｚ軸の原点（０）とする。通常、認識する３点は等間隔である。
【０００５】
ここで、２分割フォトダイオードを用いて、ステム基準面高さを測定する原理について、概略的に説明する。
２分割フォトダイオードは、図４Ａに示すごとく、２つの受光面２１ａ，２１ｂからなる受光部を有する。２つの受光面は入射光２２を受光すると、個別に光強度ＩＡおよびＩＢを測定することができる。
対物レンズ３０４を上下方向に移動すると、２分割フォトダイオード受光部での入射光ビーム形状は、ナイフエッジミラー１２１により半円形になり、図４Ａに示すごとく変化する。
対物レンズ３０４を移動させたとき、受光面２１ａが受ける入射光強度ＩＡと受光面２１ｂが受ける入射光強度ＩＢの強度差ＩＤ（すなわち、ＩＤ＝ＩＡ−ＩＢ）は、図４Ｂに示すように変化する。対物レンズ３０４がレーザ発光点から特定の距離に位置したとき、ビーム形状は最小となり、２つの受光面２１ａ，２１ｂの中間に結像し、２つの受光面において入射光２２の強度が等しくなり強度差ＩＤはゼロとなる。この点をゼロクロスと呼ぶ。
【０００６】
（４）赤色レーザ１１３を点灯し、ＣＣＤカメラ１１０で発光点１１３ａの位置（ｘ１，ｙ１）を測定する。
（５）赤外レーザ１１４を点灯しＣＣＤカメラ１１０で発光点１１４ａの位置（ｘ２，ｙ２）を測定する。
（６）外部からレーザ１２０を赤色レーザ１１３の発光端面に当て、対物レンズ１０４を動かし、２分割ＰＤ１２２のゼロクロス位置を基にして、赤色レーザ発光点１１３ａの位置（ｚ１）を測定する。
（７）外部からレーザ１２０を赤外レーザ１１４の発光端面に当て、対物レンズ１０４を動かし、２分割ＰＤ１２２のゼロクロス位置を基にして、赤外レーザ発光点１１４ａの位置（ｚ２）を測定する。
（８）測定したステム中心位置１０１ａ、ステム基準面高さ、赤色レーザ発光点位置１１３ａ（ｘ１，ｙ１，ｚ１）および赤外レーザ発光点位置１１４ａ（ｘ２，ｙ２，ｚ２）から下式（１）〜（７）に示した評価項目を演算評価する。
【０００７】
【数１】
0004054558.tif 000002
【０００８】
従来のレーザダイオードの検査方法によれば、先ず、レーザダイオードのステム中心１０１ａを認識して原点（０，０）とし、２つのＬＤチップのレーザ発光点の水平位置（ｘ，ｙ）を測定する（図３Ａ）。次いで、ステム基準面に対する垂直方向（以下、Ｚ方向とする）の該レーザ発光点位置（ｚ）を測定する（図３Ｂ）。すなわち、ステム基準面上のステム中心を原点（０，０，０）とし、赤色レーザ発光点１１３ａの位置（ｘ１，ｙ１，ｚ１）および赤外レーザ発光点１１４ａの位置（ｘ２，ｙ２，ｚ２）を測定する。
得られた２つの発光点位置１１３ａ,１１４ａを基に、２色のＬＤチップの発光点間の相対距離（Ｌ、ｄｘ、ｄｙ、ｄｚ）と基準側赤色レーザのステム中心からの距離（Δｘ、Δｙ）およびステム基準面からの距離（Δｚ）を評価する。
【０００９】
しかしながら、従来の測定方法および検査装置では以下の欠点があった。
（１）ステム中心位置をステムの外形３点を別々に認識し求めているために時間を要する。
（２）ステム基準面高さ位置をステムの基準面３点を別々に測定し求めているために時間を要する。
（３）２色レーザの発光端面における発光点位置（ｘ，ｙ）を個別に認識し求めているために時間を要している。
（４）２色レーザの発光方向における発光点位置（ｚ）を個別に認識し求めているために時間を要している。
上記した従来の検査方法は１個あたりの検査に２４秒を要するので、２波長レーザダイオード増産に際し検査装置の処理能力、設備投資金額が課題となっていた。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
かくして、本発明は、２波長レーザダイオードを迅速に検査するための方法および検査装置を提供することを目的とする。
本発明の２波長レーザダイオードの検査装置においては、検査ステージに基準Ｖブロックを設け、予め、レーザダイオードを認識するカメラの中心軸と該基準Ｖブロックの中心軸とを一致させておく。さらに、検査すべきレーザダイオードのステム外形円を基準Ｖブロックに押し当てることにより、ステムの中心軸が該基準Ｖブロック中心軸と一致するように設定する。これにより、画像認識によらず、該ステム中心軸をカメラ中心軸に一致させることができる。
また、予め、高さ位置の分った面にステム基準面を下から上に押し当てることにより、画像認識によらず、ステム基準面位置を規定することを可能とする。
さらに、ステム基準面に水平な方向の２色レーザの発光位置（ｘ，ｙ）の計測は２点を１視野で捕らえ同時認識する。また、ステム基準面に対して垂直な方向の２色レーザの発光位置（ｚ）の計測も２点を１視野で捕え同時スキャン認識する。
【００１１】
従って、本発明によるならば、ステム中心位置測定、ステム基準面位置測定が不要となり、また、２種類のＬＤチップの２つの発光点を同時に処理するため、個別に発光点を認識する従来の方法と比較し、大幅な検査時間の短縮ができる。
【００１２】
より詳しくは、本発明は、発光波長の異なる２つのレーザチップを内蔵する２波長レーザダイオードの２つの発光点の位置およびそれら２つの発光点間距離を測定する２波長レーザダイオードの検査方法であって、
検査装置の基準面に対しレーザダイオードの基準面を突き当てる工程と、
該レーザダイオードをＶブロックに突き当てて該レーザダイオードの中心を前記検査装置の中心と略一致させる工程と、
２つのレーザチップのうち発光波長が短い方のレーザチップを発光させて発光点の位置を計測用カメラで認識し、カメラ画像の基準位置から該発光点までの距離を測定する工程と、
前記測定された距離を基に、該カメラが２つのレーザチップの発光点を同時に認識できる位置に該レーザダイオードを移動させる工程と、
上記発光波長の異なる２つのレーザチップを共に発光させる工程と、
前記検査装置の中心と略一致した光軸を有する対物レンズで上記波長の異なる２つのレーザチップから出射される光を集光し、該対物レンズを光軸方向に移動させて、計測用カメラの受光面で観測される２つのレーザチップの発光点それぞれの光画像の寸法を測定し、２つのレーザチップの発光点それぞれの光画像が最小になる該対物レンズの位置を計測する工程と、
該対物レンズを所定の位置に移動する工程と、
該発光波長の異なる２つのレーザチップの発光点を同時に認識して、発光点間距離を測定する工程と、
を有することを特徴とする２波長レーザダイオード検査方法を提供する。
【００１３】
本発明は、上記した工程に加えて、該発光波長の異なる２つのレーザチップ各々の発光点の位置および発光点の光画像を最小にする対物レンズの位置を測定する工程と、
該発光波長の異なる２つのレーザチップの各々について、該対物レンズを発光点の光画像を最小にする位置から微小距離移動させて発光点の遠視野像の中心点を測定する工程と、
該発光点の位置、該遠視野像の中心点および該対物レンズを移動させた微小距離から該２つのレーザチップの発光軸の傾きを測定する工程と、
をさらに有することを特徴とする２波長レーザダイオード検査方法も提供する。
すなわち、本発明の２波長レーザダイオードの検査方法によれば、従来から行なわれているレーザチップの発光点位置の測定のみならず、レーザ発光軸の傾きも評価することができる。したがって、より厳密にレーザダイオードの品質管理が可能となる。
【００１４】
また、本発明の２波長レーザダイオード検査方法は、前記レーザチップの出射光の光画像は、前記レーザチップがレーザ発振しない状態で観測することを特徴とする。
レーザ発振状態でレーザチップの出射光の光画像を観察すると、非点隔差の影響を受けるために正確な測定ができないが、本発明の２波長レーザダイオード検査方法によれば、レーザ発振しない状態で観測するので、正確な測定が可能である。
【００１５】
また、本発明の２波長レーザダイオードの検査方法は、前記２つのレーザチップの光軸方向の相対位置および検査装置の基準面に対する位置（ｄＺ、ΔＺ）を測定する工程は、前記対物レンズを光軸方向に段階的に移動し、各位置の座標と当該座標における光画像の大きさとの関係を高次曲線で補間した曲線から求めることを特徴とする。
【００１６】
さらに、本発明の２波長レーザダイオードの検査方法は、前記レーザチップの発光点像を測定する工程は前記レーザチップの光出力強度を外部のフォトダイオードで測定し、所定の光強度の値となる電流値を求め、その電流値で検査を行なうことを特徴とする。
【００１７】
本発明は、基準面および基準面に対し垂直な中心軸と、
測定するレーザダイオードを前記基準面に突き当てて当該レーザダイオードの中心を前記検査装置の中心軸と略一致させるＶブロックと、
前記検査装置の中心軸と略一致した光軸を有する対物レンズと、
前記検査装置の中心軸に略垂直な受光面を有する計測カメラと、
を有し、
発光波長の異なる２つのレーザチップを内蔵する２波長レーザダイオードの２つのレーザチップの発光点の位置およびそれら２つの発光点間の距離を計測する２波長レーザダイオードの検査装置も提供する。
【００１８】
本発明の２波長レーザダイオードの検査装置は、前記対物レンズは２色色消しレンズであることを特徴とする。
すなわち、本発明の２波長レーザダイオードの検査装置は、赤色および赤外の２つの波長に対し焦点距離が同じになるように設計された２色色消しレンズを使用するので、２つの発光点を同時に同視野で観測することが可能である。
【００１９】
また、本発明の２波長レーザダイオードの検査装置は、装置の基準面の傾きを検出する装置を有することを特徴とする。
すなわち、本発明の２波長レーザダイオードの検査装置には、検査時にレーザダイオードのステム基準面を密に接触させる装置基準面の光軸方向（Ｚ方向）位置をモニタする装置（変位センサ）を有し、該装置基準面の傾き等を検出することを特徴とする。レーザの発光軸は、該ステムの基準面に対して一定の角度（通常、９０゜）となっており、ステム基準面が装置基準面に密に接していれば、装置基準面の傾きを検出することにより、レーザ発光軸の傾きもモニターすることが可能となり、装置基準面の傾きが所定の範囲内にない場合には、検査の実行を中止することができる。これにより、無用な検査を行うことを防止して、検査時間の短縮することができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態について図面を参照して説明するが、本発明は、図面および以下の実施の形態に限定されるものではない。
【００２１】
１．レーザダイオードの固定
最初に、レーザダイオードを固定するステムクランプについて図５、図６および図７に基づいて説明する。図５はステムクランプ機構図、図６はステムクランプ位置決め図および、図７はステムクランプフローを示す。
（１）検査前の２波長レーザダイオードをステム供給排出部３１８から回転テーブル３０６に設置したサブテーブル３０７に搭載する。サブテーブル３０７に検査完了ステムが既に搭載されていた場合は、該検査完了ステムを排出し、検査前ステムと入れ替える。
（２）回転テーブル３０６を回転して、検査前ステムを検査ステージに移動する。
（３）続いて、検査前ステムを突上げコンタクトユニット３０８によって上基準面３１９に押し当てる。このとき、同時に、ステムリードコンタクトを取る。
（４）次いで、クランプ爪３０３を閉じて、ステム３０１を基準Ｖブロック３０２に押し当てて、３点支持することによりステムを固定する。
このとき、すでにステム３０１の中心位置およびステム基準面の高さが規定されているので、従来のような画像認識による位置合わせは不要となり、短時間でステムの中心を所定の位置に固定することができる。また、この所定の位置はＣＣＤカメラ３１０の受光面の中心（０,０）に対応している。
【００２２】
（５）この状態で評価項目を計測し、良不良判定を行なう。
（６）検査完了後、クランプ爪３０３を開き、突上げコンタクトユニット３０８を下降させて、ステム３０１を開放する。
（７）最後に、回転テーブル３０６を回転して、検査完了ステムをステム供給排出部３１７に移動し、新たな検査前ステムと入れ替える。
【００２３】
上記した本発明の２波長レーザダイオードの検査方法によれば、１個当たりの検査時間は２．５秒である。従来の検査方法では、１個当たりの検査に２４秒を要していたことから、本発明により、検査時間を約１／１０に短縮することができた。
【００２４】
２．レーザダイオードの評価
Ａ．発光点位置の測定方法
次に、上記工程（５）における２波長レーザダイオードの評価方法について図８〜１２に基づいて説明する。図８は測定システム図、図９は計測検査フロー、図１０〜１２は測定方法である。
検査前のステムを突上げ、上基準面に接触させ、クランプした後、上基準面３１９の位置を３箇所に配置した変位センサ３０５の出力値を読取り上基準面３１９に傾き等の異常がないかを確認する。
【００２５】
次に、赤色レーザ３１３をレーザ発振閾値電流（Ｉｔｈ）以下の微少電流で発光させ、外部に設けたフォトダイオード３１６で発光した光を受光し、該フォトダイオード３１６からの電気信号が規定レベルになるように電流をコントロールして、赤色レーザ３１３の発光パワーを規定値にする。微少電流で発光させるのは、レーザチップの発光端面を測定するためである。レーザ発振させると非点隔差の影響から発光端面を認識できないからである。また、規定発光パワーにコントロールするのは、レーザチップは一定電流値で発光させたとき、個々で発光輝度レベルが違うことによる測定バラツキをなくすためである。
【００２６】
赤色レーザ３１３の発光電流値を設定した後、この電流値を一旦保存し、発光を停止する。次に、同様にして、赤外レーザ３１４も発光させて規定パワーとなるように電流をコントロールする。赤色レーザ３１３の発光を一旦停止させるので、レーザ光のパワーをモニターするフォトダイオードは一つでよい。
次に、赤色レーザ３１３も保存した電流値で発光させ、ＣＣＤカメラ３１０により赤色レーザチップの発光点３１３ａを観察し、発光点の光画像に含まれる画素の数Ｎおよび、ステム中心を原点（０,０）とする各画素のＸＹ座標を認識し、次式：
【００２７】
【数２】
0004054558.tif 000003
【００２８】
［式中、Ｎは光画像に含まれる画素数であり、ｘｉは第ｉ番目の画素のＸ座標、およびｙｉは第ｉ番目の画素のＹ座標である］を用いて、赤色レーザチップの発光点３１３ａの位置座標（ｘ０，ｙ０）を２値化面積重心から演算する（図１０Ａ）。（ｘ０，ｙ０）がステム中心を原点としたときの赤色レーザチップ（基準レーザ）の発光点３１３ａの位置座標である。
【００２９】
次に、赤色レーザチップおよび赤外レーザチップの２つの発光点（３１３ａ，３１４ａ）が両方同時に視野内に入る位置にステム３０１を移動する（図１０Ｂ）。
対物レンズ３０４をＺ方向にステップ移動させながら、レーザ発光点を２点同時に観察し、それぞれのビーム径を測定する。図１１に示すごとく、レンズ位置Ｚに対してビーム径をプロットし、例えば、２次関数のごとき高次関数に当てはめる。次いで、ビーム径の極小値を与える対物レンズ３０４のＺ位置から、赤色レーザおよび赤外レーザの発光点の座標を、それぞれ、ｚ１およびｚ２とする。なお、レーザ出射面上でのビームは、レーザチップの活性層に沿って横に広がるので、近視野でのビーム形状は横長となる。そこで、活性層に対して垂直方向、すなわち、狭い側のビーム幅を「ビーム径」とする。
次いで、下式：
【００３０】
【数３】
0004054558.tif 000004
【００３１】
【数４】
0004054558.tif 000005
【００３２】
を用いて、赤色レーザチップの発光点位置Δｚおよび２つの発光点間のＺ方向距離ｄｚを算出する（図１０Ｂ）。ただし、ｚ１およびｚ２は装置の基準面から図った距離に換算している。
【００３３】
ここで、本発明において、波長による集光位置の影響をなくすため、対物レンズ３０４として、アクロマートレンズ（２つの波長に対し焦点距離が同じになるように設計された２色色消しレンズ）を使用する。本発明では、例えば、近赤外域補正対物レンズ（M Plan NIRシリーズ；株式会社ミツトヨ製）を使用している。これは、可視域から近赤外域（波長１８００ｎｍ）までの透過率を向上させた明視野用対物レンズである。
【００３４】
次に、対物レンズ３０４を２つの発光点の平均高さ位置（（ｚ１＋ｚ２）／２）に移動して、それぞれの発光点位置（ｘ１，ｙ１）、（ｘ２，ｙ２）を次式：
【００３５】
【数５】
0004054558.tif 000006
【００３６】
【数６】
0004054558.tif 000007
【００３７】
［式中、Ｎは光画像に含まれる画素数であり、ｘ１ｉおよびｙ１ｉは、赤色レーザの発光点３１３ａの光画像中の第ｉ番目の画素のＸ座標およびＹ座標であって、ｘ２ｉおよびｙ２ｉは、赤外レーザの発光点３１４ａの光画像中の第ｉ番目の画素のＸ座標およびＹ座標である］を用いて、２値化面積重心から演算する。さらに、次式：
【００３８】
【数７】
0004054558.tif 000008
【００３９】
を用いて２点間の相対平面距離Ｌを演算し、次式：
【００４０】
【数８】
0004054558.tif 000009
【００４１】
を用いて、赤色レーザチップの発光点３１３ａの位置（ｘ０，ｙ０）および赤色レーザチップの発光点３１３ａの位置と赤外レーザチップの発光点３１４ａの位置との差（ｄｘ，ｄｙ）を算出する（図１０Ｃ）。
【００４２】
得られた測定値に基づき、各項目が基準値にあるかを判定し、良不良を決定後、検査を終了する。また、計測データをステム毎に保存する。
上の例では、対物レンズ３０４を２つの発光点の平均高さ位置に移動したが、対物レンズ３０４の高さ位置はｚ１およびｚ２の間であればよい。例えば、対物レンズ３０４の高さ位置をｚ１またはｚ２としてもよい。すなわち、ＣＣＤカメラの受光面に光画像が収まっていて、発光点位置が（１１）〜（１４）式で計算できれば対物レンズ３０４はどこにあってもよい。
【００４３】
Ｂ．発光軸の傾き角の測定方法
本発明の方法によれば、２つのレーザチップの発光点位置の座標のみならず、２つのレーザの発光軸の傾きも評価することができる。発光軸の傾きを測定する方法を概略的に説明する。レーザチップ端面上での発光点位置を測定した後、発光点位置を測定した対物レンズ位置から対物レンズを微小距離移動させて、レーザビームの遠視野像の位置を測定する。このとき、発光軸が傾いていれば、レーザビームの遠視野像の位置は、発光点位置からずれる。したがって、対物レンズを移動させた距離および、発光点とレーザビーム遠視野像との間の距離から発光軸の傾きを測定することができる。
以下、ステム中心からカメラ中心を結ぶ直線からの発光軸の傾きθを測定する方法を図１２に基づいて詳細に説明する。
【００４４】
対物レンズ３０４を２つの発光点の平均高さ位置（（ｚ１＋ｚ２）／２）の位置からさらにＺ方向にΔｚ移動し、画素輝度レベルが飽和しないレベルまで上げてレーザ発光点を観察し、それぞれの画素輝度レベルのピーク位置ｘ１’、ｘ２’を検出し、次式：
【００４５】
【数９】
0004054558.tif 000010
【００４６】
【数１０】
0004054558.tif 000011
【００４７】
を用いて、赤色レーザチップ発光軸の傾き角度θ１および赤外レーザチップ発光軸の傾き角度θ２を演算する。さらに、次式：
【００４８】
【数１１】
0004054558.tif 000012
【００４９】
を用いて、２つのレーザ発光の発光軸傾き角度の相対差を評価できる。
【００５０】
【発明の効果】
上記のように、本発明の２波長レーザダイオード検査方法を用いれば、従来の方法に比べ高速に発光点位置を検査することができる。さらに本発明による検査装置を用いることにより、１つのシステムに２つの発光波長の異なるレーザチップを搭載した半導体レーザ装置のレーザチップの発光点位置の検査および発光軸の検査を同時に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  ２波長レーザダイオードの発光点を測定するための従来の方法を説明する概略図。
【図２】  ２波長レーザダイオードの２つの発光点の座標を示す概略図。
【図３】  従来の２波長レーザダイオードの検査装置の概略図。
【図４】  ２分割フォトダイオードの原理を説明する図。
【図５】  本発明の２波長レーザダイオードの検査装置のステムクランプ機構を示す概略図。
【図６】  本発明の２波長レーザダイオードの検査装置において、ステムクランプ位置を規定する機構の拡大概略図。
【図７】  本発明の２波長レーザダイオードの検査方法のステムクランプ工程図。
【図８】  本発明の２波長レーザダイオードの検査装置の測定系を示す概略図。
【図９】  本発明の２波長レーザダイオードの検査方法の計測検査工程図。
【図１０】  本発明の２波長レーザダイオードの検査方法における、レーザ発光点位置の測定方法を示す概略図。
【図１１】  本発明の２波長レーザダイオードの検査方法において、対物レンズを移動させたときのレーザ発光のビーム径の変化を示すグラフ図。
【図１２】  本発明の２波長レーザダイオードの検査方法における、レーザ発光軸の傾きの測定方法を示す概略図。
【符号の説明】
１・・・２波長レーザダイオード、
１０１・・・２波長レーザダイオードステム、
１０１ａ・・・ステム中心、
１０１ｂ・・・ステム基準面、
１０４・・・対物レンズ、
１１０・・・ＣＣＤカメラ、
１１１・・・レンズ、
１１２・・・ハーフミラー、
１１３・・・赤色レーザチップ、
１１３ａ・・・赤色レーザチップ発光点、
１１４・・・赤外レーザチップ、
１１４ａ・・・赤外レーザチップ発光点、
１１５・・・補助レンズ、
１１９・・・ステム載台、
１２０・・・レーザ、
１２１・・・ナイフエッジミラー、
１２２・・・２分割フォトダイオード、
２１ａ、２１ｂ・・・受光面、
２２・・・入射光像、
２３・・・ゼロクロス、
３０１・・・２波長レーザダイオードステム、
３０２・・・基準Ｖブロック、
３０３・・・クランプ爪、
３０４・・・対物レンズ、
３０５・・・変位センサ、
３０６・・・回転テーブル、
３０７・・・サブテーブル、
３０８・・・突上げコンタクトユニット、
３０９・・・コンタクトピン、
３１０・・・ＣＣＤカメラ、
３１１・・・結像レンズ、
３１２・・・ハーフミラー、
３１３・・・赤色レーザチップ、
３１３ａ・・・赤色レーザチップの発光点、
３１４・・・赤外レーザチップ、
３１４ａ・・・赤外レーザチップの発光点、
３１５・・・補助レンズ、
３１６・・・フォトダイオード、
３１７・・・モータ、
３１８・・・ステム供給排出部、
３１９・・・上基準面、
３２０・・・ＣＣＤカメラ画像。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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