(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁フィルムと、該絶縁フィルムの一方の面に、一端部が、実装される電子部品と接続可能な電子部品側接続端子を形成し、他端部が、該絶縁フィルムに形成された貫通孔上に形成された外部端子接続部を形成する配線パターンを有し、該貫通孔に配線パターンが形成されている絶縁フィルム表面とは反対の側からハンダボールを配置して絶縁フィルムの表面に形成された配線パターンに電気的に接続する電子部品を該ハンダボールを介して絶縁フィルムの裏面で電気的接続を可能にする電子部品実装用フィルムキャリアテープであって、
該電子部品側接続端子のバンプ電極と接続される該電子部品側接続端子として形成された電子部品側接続端子表面が、平均表面粗度（Ｒｚ）が１．５〜４．０μmの範囲内にある電解銅箔のマット面で形成され、
上記ハンダボールを配置する面として形成された外部端子接続部表面が、電解銅箔のシャイニー面であり、該電解銅箔のシャイニー面の平均表面粗度（Rz）が、１．０〜３． ０μmの範囲内に調整されてなり、
該電子部品側接続端子および外部端子接続部の表面には、平均厚さ０．３μｍ以下の金メッキ層が形成されていることを特徴とする電子部品実装用フィルムキャリアテープ。
【請求項２】
上記電子部品側接続端子を形成する電解銅箔の接続側表面の平均表面粗度（Rz）が１．５〜３．７μmの範囲内にあることを特徴とする請求項第1項記載の電子部品実装用フィルムキャリアテープ。
【請求項３】
上記電子部品側接続端子および外部端子接続部の表面に形成されている金メッキ層の平均厚さが、０．１〜０．３μｍの範囲内にあることを特徴とする請求項第１項記載の電子部品実装用フィルムキャリアテープ。
【請求項４】
上記電子部品側接続端子が、電子部品に形成されているバンプ電極との間でワイヤーボンディング可能に形成されていることを特徴とする請求項第１項電子部品実装用フィルムキャリアテープ。
【請求項５】
上記電子部品側接続端子が、絶縁フィルムに形成されたスリットを跨ぐように形成されており、該スリットを跨ぐように形成された端子部分を切断されつつ該切 断された端子部分が電子部品に形成されたバンプ電極に直接接続可能に形成されていることを特徴とする請求項第１項記載の電子部品実装用フィルムキャリアテープ。
【請求項６】
上記電解銅箔が、平均厚さ３〜３５μｍの範囲内にある電解銅箔であることを特徴とする請求項第１項記載の電子部品実装用フィルムキャリアテープ。
【請求項７】
上記ハンダボールが配置されている絶縁フィルムの面積と、実装される電子部品の占める面積が略同等であることを特徴とする請求項第１項記載の電子部品実装用フィルムキャリアテープ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の技術分野】
本発明は、可撓性絶縁フィルムの一方の面にデバイスを実装し、このデバイスが実装されている可撓性絶縁フィルムの裏面にハンダボールのような金属含有導電性ボールを配置してこの実装されているデバイスの外部接続端子とする電子部品実装用フィルムキャリアテープ、特にCSP(Chip Size Package)の発明に関する。
【０００２】
【発明の技術的背景】
従来から電子部品を実際の電子装置に組み込むために種々の方法が採用されているが、これらの中でも実装しようとする電子部品よりもやや大きめの絶縁フィルムにデバイスホールを形成し、このデバイスホールの縁部からインナーリードをデバイスホール内に延設して、このインナーリードと電子部品に形成されているバンプ電極とを接続する方法が採用されていた。このようにデバイスホールを有する電子部品実装用フィルムキャリアテープを用いると、外部接続端子を電子部品の周縁部に形成する必要があり、電子装置における電子部品の実装密度が一定以上高くならないという問題がある。
【０００３】
近時、電子装置には、軽量・小型化の要請が強く、従来のデバイスホールを有し周縁部に外部接続端子が延設された電子部品実装用フィルムキャリアテープでは、上記のような電子装置における小型軽量化の要請を充足することが次第に困難になりつつある。
そこで、実装される電子部品の裏面に外部接続端子を配置する方法が案出され、この方法に使用されるフィルムキャリアは、電子部品と略同等の大きさを有することからCSP（Chip Size Package）と称されて、既にFBGA(Finepitch Ball Grid Array)として実用化されている。このような電子部品実装用フィルムキャリアテープでは、可撓性絶縁フィルムの一方の面に銅箔のような導電性金属箔をエッチングして配線パターンを形成し、この配線パターンのデバイス側端子の表面に金メッキ層を形成し、電子部品に形成されているバンプ電極とこのデバイス側端子とを金線などを用いてワイヤーボンディングするか、デバイス側端子を切断しながら電子部品に形成されているバンプ電極と直接接合させることにより電子部品をフィルムキャリアに実装している。一方、上記のデバイス側端子は、実装された電子部品の下面の可撓性絶縁フィルムに形成された貫通孔を覆うように配線されており、この可撓性絶縁フィルムに形成された貫通孔に金属含有導電性ボールを配置してこの金属含有導電性ボールと配線パターンとを電気的に接続させると共に、可撓性絶縁フィルムの裏面からこの金属含有導電性ボールを露出させ、この裏面に露出した金属含有導電性ボールを外部接続端子として利用している。
【０００４】
このような電子部品実装用フィルムキャリアテープにおいて外部端子として使用される金属含有導電性ボールとしては、主としてハンダボールが使用されている。
このようにデバイスに設けられたバンプ電極とのボンディングのために、デバイス側端子の表面には金メッキ層を形成する必要があり、この金メッキ処理には多数の配線パターンが形成されたフィルムを電極が配置された金メッキ槽内を移動させながら電流を流すことにより露出した配線パターンの表面を金メッキする方法が採用されている。従って、露出している配線パターンの表面にはほぼ均一な厚さの金メッキ層が形成される。
【０００５】
このように露出している配線パターンの表面に均一な厚さの金メッキ層を形成した配線パターンはデバイスに設けられたバンプ電極と非常に良好な電気的接続を形成することができるが、外部接続端子となるハンダボールがフィルムキャリアから脱落することがある。このようなハンダボールの脱落は、フィルムキャリアが外部接続端子を失うことであり、脱落したハンダボールを絶縁フィルムに形成されたハンダボール用の孔に再度ハンダボールを埋め込まなければならない。この修復作業は非常に煩雑であり、CSPのように導電性金属ボールを用いて外部接続端子を形成するフィルムキャリアにおいて非常に深刻な問題になっている。
【０００６】
このハンダボールの脱落は、金メッキ層にハンダボールを融着させると、金とハンダとを含む非常に堅くて脆い合金が形成されるためであると考えられる。
一方、この外部接続端子と電子部品に形成されたバンプとを接続する場合には金線などが使用されるが、この金線と外部接続端子とを確実に融着させるためには、外部接続端子の融着表面には所定厚さ以上の金メッキ層が形成されていることが必要になると考えられていた。また、このような端子部分に金メッキ層を形成する際には、配線パターンが形成されたフィルムキャリアテープ全体を金メッキ槽に浸漬して一定の電流を流しながら端子部分に金メッキ層を形成することから、金メッキ液と接触する端子部分には均一な厚さの金メッキ層が形成されてしまい、一般的な金メッキ法では部分的に金メッキ層の厚さを制御することはできない。
【０００７】
このようにハンダボールを用いた電子部品実装用フィルムキャリアテープにおいては、金線などを確実に融着するために必要な金メッキ層の最適厚と、ハンダボールを確実に融着させるために必要な金メッキ層の最適厚とが異なり、外部接続端子のボンダビリティーとハンダボールの融着安定性とを同時に向上させることは極めて困難であった。
【０００８】
【発明の目的】
本発明は、外部接続端子としてハンダボールのような導電性金属ボールを用いたフィルムキャリアであって、この導電性金属ボールが脱離しにくいと共に、外部接続端子が良好なボンダビリティーを有している電子部品実装用フィルムキャリアテープを提供することを目的としている。
【０００９】
【発明の概要】
本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープは、絶縁フィルムと、該絶縁フィルムの一方の面に、一端部が、実装される電子部品と接続可能な電子部品側接続端子を形成し、他端部が、該絶縁フィルムに形成された貫通孔上に形成された外部端子接続部を形成する配線パターンを有し、該貫通孔に配線パターンが形成されている絶縁フィルム表面とは反対の側からハンダボールを配置して絶縁フィルムの表面に形成された配線パターンに電気的に接続する電子部品を該ハンダボールを介して絶縁フィルムの裏面で電気的接続を可能にする電子部品実装用フィルムキャリアテープであって、
該電子部品側接続端子のバンプ電極と接続される該電子部品側接続端子として形成された電子部品側接続端子表面が、平均表面粗度（Ｒｚ）が１．５〜４．０μmの範囲内にある電解銅箔のマット面で形成され、
上記ハンダボールを配置する面として形成された外部端子接続部表面が、電解銅箔のシャイニー面であり、該電解銅箔のシャイニー面の平均表面粗度（Rz）が、１．０〜３． ０μmの範囲内に調整されてなり、
該電子部品側接続端子および外部端子接続部の表面には、平均厚さ０．３μｍ以下の金メッキ層が形成されていることを特徴としている。
【００１０】
上記詳述のように、電子部品を実装するためのフィルムキャリアにおいて、ハンダボールを融着させるためには外部接続端子部の表面の金メッキ層はできるだけ薄いことが好ましく、０．４μm、好適には３．７μm、最適には３．５μｍを超えるとハンダボールの融着性が著しく低下する。そして、本発明者の検討によると、この金メッキ層の厚さが０．３μｍ以下であると、融着により固定されたハンダボールの融着強度に著しい低下傾向は見られない。他方、通常の電解銅箔を使用した場合、電子部品側接続端子の表面に０．３μｍ厚あるいは０．４μｍ厚の金メッキ層を形成しても、金線などのワイヤーボンディングには不充分であり、このような厚さの金メッキ層を有する電子部品側接続端子に金線などをボンディングしても、充分なボンダビリティーを得ることはできないと考えられている。
【００１１】
このような電子部品側接続端子と外部接続端子部とは電気的に導通しており、電気メッキによって両者の表面への金析出量（金メッキの厚さ）を調整することは通常の金メッキ工程では難しい。
電子部品側接続端子と外部接続端子部とにほぼ同等の厚さの金メッキ層を形成するならば、ハンダボールの融着強度を考慮すると金メッキ層の厚さは０．３μｍ以下とする必要がある。そして通常の方法に従う限り、外部接続端子部に上記のように０．３μｍ以下の金メッキ層を形成すると、電子部品側接続端子の表面にも０．３μｍ以下の金メッキ層が形成される。このような厚さの金メッキ層厚は、金線などをワイヤーボンディングする際には必ずしも充分な金メッキ層厚とはいえない。
【００１２】
本発明者は、このような厚さの金メッキ層に金線などを確実にボンディングするための条件を種々検討したところ、この金線などをボンディングする電子部品側接続端子を形成する導電性金属の表面粗度によってボンディング強度が著しく異なるとの知見を得た。この電子部品側接続端子は、例えば電解銅箔を用いて形成されるが、この電子部品側接続端子を形成する電解銅箔の平均表面粗度（Rz）を、１．５〜４．０μｍ、好ましくは１．５〜３．７μm、特に好ましくは１．５〜３．５μｍの範囲内に調整することにより、電子部品側接続端子表面の金メッキ層の厚さが０．３μｍ以下であっても金線あるいはバンプ電極との間で非常に高いボンダビリティーを得ることができ、ボンダビリティーの試験においてもボンディング部分の剥離（mode２破壊）は発生せず、通常は金線などの破断(mode１破壊)が発生する。即ち、本発明の構成を採用することにより、金メッキ層が薄いにもかかわらず、融着強度は金線の破断強度よりも高くなる。
【００１３】
【発明の具体的な説明】
次に本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープについて具体的に説明する。
図１および図２に本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープに電子部品を実装した状態の断面の例を示す。図１は、電子部品のバンプ電極が電子部品の上面にあり、配線パターン上に電子部品を貼着して、この貼着された電子部品の縁部にある電子部品接続端子と上記バンプ電極とが導電体線によって接続されるタイプの電子部品実装用フィルムキャリアテープ（ＴＦＢＧＡ）の例を示すものである。
【００１４】
図２は、電子部品の縁部にあたる部分の絶縁フィルムにスリットを形成し、このスリットを跨ぐように配線パターンを形成してなり、配線パターンの上に電子部品を貼着して、電子部品の下面縁部に形成されたバンプ電極と、スリットを跨ぐように形成された配線パターン（電子部品接続端子）を外側端部で切断しながらボンディングするタイプの電子部品実装用フィルムキャリアテープ（FBGA）の例を示すものである。
【００１５】
図３は、図１における電子部品側接続端子および外部端子接合部近傍の断面を拡大して模式的に示す断面図である。
本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープ１０は、図１に示すように、絶縁フィルム１１の一方の面に導電性金属箔をエッチングすることにより形成された配線パターン１４を有する。絶縁フィルム１１は、可撓性を有する絶縁性の合成樹脂フィルムから形成されている。  ここで使用される絶縁フィルム１１は、可撓性を有すると共に、エッチングする際に酸などと接触することからこうした薬品に侵されない耐薬品性、および、ボンディングする際の加熱などによっても変質しないような耐熱性を有している。このような絶縁フィルム１１を形成する素材の例としては、ポリエステル、ポリアミド、液晶ポリマーおよびポリイミドなどを挙げることができる。特に本発明ではポリイミドからなるフィルムを用いることが好ましい。
【００１６】
絶縁フィルム１１を構成するポリイミドフィルムの例としては、ピロメリット酸２無水物と芳香族ジアミンとから合成される全芳香族ポリイミド、ビフェニルテトラカルボン酸２無水物と芳香族ジアミンとから合成されるビフェニル骨格を有する全芳香族ポリイミドを挙げることができる。特に本発明ではビフェニル骨格を有する全芳香族ポリイミド（例；商品名：ユーピレックスＳ、宇部興産（株）製）が好ましく使用される。この方法で使用可能な絶縁フィルム１１の厚さは、通常は７．５〜１２５μｍ、好ましくは２５〜７５μmの範囲内にある。
【００１７】
本発明で使用する絶縁フィルム１１には、さらにハンダボール２０を埋め込むための外部接続端子孔２１が多数穿設されている。この外部接続端子孔２１は実装される電子部品５０が占める部分の絶縁フィルム１１の部分に穿設されている。この外部接続端子孔２１には、ハンダボール２０を配置して外部接続端子孔２１の表面を塞ぐように形成されている配線パターンと接合できるような形成されている。ハンダボール２０の直径は、通常は０．２〜１.０mm、好ましくは０．２〜０．５mm程度であり、絶縁フィルム１１の厚さは上記のように通常は２５〜１２５μｍ、好ましくは ２５〜７５μmであるから、外部接続端子孔２１の直径は、このハンダボール２０の一部がこの外部接続端子孔２１内に侵入して配線パターンと接続できる直径であり、通常は、０．２〜１．０mm、好ましくは、０．２〜０．５mmである。この外部接続端子孔２１は、ハンダボール２０を配置したときに、隣接して配置されたハンダボール２０とが接触しないように形成されており、外部接続端子孔２１の形成ピッチは、使用するハンダボールの大きさによっても異なるが、通常は０．３〜２．０mm、好ましくは０．３〜１．０ｍｍである。
【００１８】
また、図２に示すようにスリット３１を跨ぐように形成された配線パターンである電子部品側接続端子を切断しながらこの電子部品側接続端子を電子部品の底面に形成されたバンプ電極とボンディングする方式（ビームリードボンディング方式）を採用する場合には、絶縁フィルム１１には、さらにスリット３１を形成する。このスリットの幅は、通常は０．４〜２．０mm、好ましくは０．６〜１．５mmである。
【００１９】
また、本発明で使用する絶縁フィルム１１の長さ方向の両縁部に所定の間隔で多数のスプロケットホールを有する。さらに、絶縁フィルム１１には位置合わせのための貫通孔、不良パッケージ表示、パッケージ外形などの種々の目的に合わせた貫通孔を形成することができる。
上記のような外部接続端子孔２１、スリット３１、スプロケットホール(図示なし)、その他の貫通孔（図示なし）はパンチングなどにより形成することができる。
【００２０】
上記のように各種貫通孔あるいはスリットなどが形成された絶縁フィルム１１の一方の面に導電体金属箔を積層する。
本発明では、導電性金属箔として、導電性を有し、厚さが通常は３〜３５μｍ、好ましくは９〜２５μmの範囲内にある金属箔を使用することができる。具体的には、導電性を有する金属箔の例としては、銅箔、アルミニウム箔などを挙げることができる。ここで使用される銅箔には、電解銅箔と圧延銅箔とがあるが、エッチング特性、操作性などを考慮すると電解銅箔を使用することが好ましい。電解銅箔を使用する場合には、電解銅箔には、銅が電解析出し始める面（シャイニー面 or S面）と銅の電解析出が終了したときの表面（マット面or M面）とがある。
【００２１】
本発明において好適に使用される電解銅箔において、シャイニー面は、電解ドラム（カソード）の表面に密着しているため、表面粗度が低く、最適条件で製造した電解銅箔のシャイニー面の平均表面粗度は通常は１．０〜３．０μm、好ましくは１．５〜２．４μｍの範囲内にあり、このシャイニー面は金属光沢を有している。なお、本発明において使用する電解銅箔のシャイニ−面は、粗化処理などにより、その表面粗度を調整して使用することができる。一方、マット面は、銅の電解析出が終了したときに電解ドラムから見て最外部を形成している面であり、シャイニー面よりも平均表面粗度は大きく、比較的マット面の表面平滑性の高い電解銅箔を製造する方法によって表面粗度の低い電解銅箔を製造した場合でも、その平均表面粗度（Rz）は、通常は１．５〜４．０μｍ、好ましくは１．５〜３．７μm、特に好ましくは１．５〜３．５μｍである。このマット面の平均表面粗度（Rｚ）は、電解銅箔を製造する際の銅の電解析出条件を変えることにより調整できるほか、製造された電解銅箔に、機械的研磨処理、化学的研磨処理、粗化処理などを施すことによっても調整可能である。
【００２２】
本発明では、上記のような導電性金属箔、好ましくは電解銅箔を、所定の貫通孔が形成された絶縁フィルム１１表面に積層する。
電解銅箔は上記のような表面特性を有することから、ポリイミドフィルムなどの絶縁フィルム１１との接着性を考慮して、絶縁フィルム１１の接着面と電解銅箔のシャイニー面とが対面するように配置してラミネートするのが一般的である。
【００２３】
本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープにおいては、電子部品に設けれたバンプ電極５１と金線３３などが融着して電子部品５０と電気的に接続させる電子部品側接続端子の表面の平均表面粗度（Rｚ）を、１．５〜４．０μｍ、好ましくは１．５〜３．７μm、特に好ましくは１．５〜３．５μｍの範囲内にする。そして、この電子部品側接続端子の表面に、厚さ０．３μｍ以下、好ましくは厚さ０．１〜０．３μmの範囲内の非常に薄い金メッキ層を形成する。一般に金線を接続端子にボンディングする際には、ボンディング部における金メッキ層の厚さは、少なくとも０．５μm程度は必要であると考えられており、金メッキ層の厚さが上記範囲を下回って薄いとボンディング強度を測定する際に、端子側から充分な金が供給されずに端子表面のボンディング部において、所謂モード２といわれる端子表面からボンディングした金線が剥離するという現象が生ずることが考えられる。こうしたボンディング強度測定に際してはボンディング部の剥離強度は、金線の引っ張り強度よりも高いことが望ましく、従って、ボンディング強度を測定すると所謂モード１と呼ばれるボンディング部の剥離よりも先に金線の破断が発生することが望ましい。即ち、モード１の破断は、金線などの導電性金属線の特性に起因する破断であり、破断強度を高くするためには、金属線を考慮すれば足りるのに対して、モード２の破断は、金属線と端子表面との境界部分における破断であって、金属線、端子表面の状態、ボンディング条件など複数の要因に起因する破断であり破断要因を特定するのが非常に難しい。従って、このモード2の破断は製品の信頼性の低下と直結した非常に深刻な問題である。
【００２４】
本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープにおいては、後の工程で配線パターンを形成するためにフォトレジストを塗布する面としてマット面を用いる。
このマット面は、シャイニー面よりも平均表面粗度（Rz）が大きく（粗く）、本発明ではこのマット面の平均表面粗度（Rz）は、通常は１．５〜４．０μｍ、好ましくは１．５〜３．７μm、特に好ましくは１．５〜３．５μmの範囲内にある。マット面の平均表面粗度（Ｒｚ）が４．０μｍ、好適には３．７μm、最適には３．５μｍを超えると、フォトレジストを均一に塗布することが難しくなり、従って、有効な配線パターンの形成が非常に困難になることがある。また、平均表面粗度（Ｒｚ）が１．５μｍに満たないと、本発明で採用するような厚さの金メッキ層を形成して良好な融着特性を得ることができない。このマット面の表面粗度は、メッキ層を形成しても、その粗度がある程度メッキ層の表面に反映される。本発明では上記のような平均表面粗度を有する電子部品側接続端子の表面に金メッキ層を形成することによりワイヤーボンディングによる融着強度が高い値を示す。
【００２５】
なお、上記の説明は所定の厚さの導電性金属箔（金属箔）１４を直接絶縁フィルム１１に積層する例を示したが、このような導電性金属箔の代わりに、非常に薄い金属箔（例えば６μm未満）を絶縁フィルム１１に積層し、この積層された極薄金属箔表面に、例えば蒸着法あるいはメッキ法等によって金属を析出させて導電性金属層を形成することもできる。さらに、このような蒸着法あるいはメッキ法などにより金属層を形成する場合に、絶縁フィルム１１表面に、直接金属を析出させて所望の厚さの金属層（金属メッキ層、金属蒸着層など）を形成しても良い。
【００２６】
上記のような導電性金属箔は接着剤（図示なし）を用いて絶縁フィルム１１の一方の面に積層することもできるし、または接着剤を用いずに積層することができる。ここで使用する接着剤層の例としては、エポキシ系接着剤、ポリイミド系接着剤およびフェノール系接着剤などの硬化性接着剤を挙げることができ、また、これらの接着剤はウレタン樹脂、メラミン樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ゴム成分などで変性されていてもよい。接着剤を用いる場合、接着剤の厚さは通常は８〜２３μm、好ましくは１０〜２１μmである。但し、本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープでは、絶縁フィルム１１に形成されている外部接続端子孔２１の部分の導電性金属箔は、ハンダボールと電気的に接続する必要があることから、この部分の導電性金属箔の裏面には接着剤層が形 成されていない。
【００２７】
こうして積層された導電性金属箔の表面にフォトレジストを塗布し、このフォトレジストを所望のパターンに露光し現像して残存するフォトレジストをマスキング材として導電性金属箔をエッチングすることにより、絶縁フィルム１１上に導電性金属からなる配線パターンを形成することができる。なお、エッチングした後のフォトレジストはアルカリ洗浄などにより除去する。
【００２８】
こうして形成された配線パターンの表面に電子部品側接続端子３４などメッキ層の形成する部分を残してソルダーレジスト層２４を形成することができる。
ソルダーレジスト層２４を形成する場合に使用されるソルダーレジスト塗布液は、硬化性樹脂が有機溶媒に溶解若しくは分散された比較的高粘度の塗布液である。このようなソルダーレジスト塗布液中に含有される硬化性樹脂の例としては、エポキシ系樹脂、エポキシ系樹脂のエラストマー変性物、ウレタン樹脂、ウレタン樹脂のエラストマー変性物、ポリイミド樹脂、ポリイミド樹脂のエラストマー変性物およびアクリル樹脂を挙げることができる。特にエラストマー変性物を使用することが好ましい。このようなソルダーレジスト塗布液中には、上記のような樹脂成分の他に、硬化促進剤、充填剤、添加剤、チキソ剤および溶剤等、通常ソルダーレジスト塗布液に添加される物質を添加することができる。さらに、ソルダーレジスト層２４の可撓性等の特性を向上させるために、ゴム微粒子のような弾性を有する微粒子などを配合することも可能である。
【００２９】
このようなソルダーレジスト塗布液は、スクリーン印刷技術を利用して塗布することができる。ソルダーレジスト塗布液は、次の工程でメッキ処理される部分を除いて塗布される。このようなソルダーレジストの塗布平均厚さは、通常は１〜８０μｍ、好ましくは５〜５０μｍの範囲内にある。
こうしてソルダーレジスト塗布液を塗布した後、溶剤を除去し、樹脂を硬化させることによりソルダーレジスト層２４を形成する。ソルダーレジストを形成する樹脂は、通常は加熱硬化する。このソルダーレジスト層を形成するための加熱硬化温度は、通常は８０〜１８０℃、好ましくは１２０〜１５０℃であり、この範囲内の温度に通常は３０分〜３時間保持することにより樹脂が硬化する。
【００３０】
なお、本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープでは、配線パターン１４の上に電子部品を貼着してボンディングするので、この貼着された電子部品によって配線パターン１４は保護されると共に、この電子部品を貼着するために塗布される接着剤によっても配線パターン１４は保護されることから、本発明では上記のようなソルダーレジスト層を形成することを特に必要とするものではない。
【００３１】
このようにしてソルダーレジスト層２４を塗布した後、露出している配線パターンの部分に金メッキ層３６を形成する。この金メッキ層３６は、例えば図１に示すようにソルダーレジスト上に電子部品(IC)を貼着して、この電子部品(IC)の上面部に形成されているバンプ電極５１と電子部品側接続端子３４とを導電性金属線３３を用いる際に、導電性金属線３３と電子部品側接続端子３４とのワイヤーボンディング性を確保するものである。この場合の導電性金属線３３としては、平均断面直径が通常は１０〜５０μm、好ましくは１８〜３８μmの金線が使用され、この金線３３を電子部品側接続端子３４にボンディングする際には電子部品側接続端子３４の金線３３がボンディングされる面には所定厚さの金メッキ層３６が形成されていることが必要である。しかしながら、図３に示すように、絶縁フィルム１１に形成されている外部接続端子孔２１には、絶縁フィルム１１の配線パターン１４が形成されていない面（裏面）からハンダボール２０が挿入され、この外部接続端子孔２１の底（閉塞端部）を形成する配線パターン１４と接合する必要がある。ハンダボール２０と配線パターン１４とは、配線パターン１４の表面に金が過度に存在すると、金-ハンダ合金を形成して接合する。この金-ハンダ合金は非常に堅くて脆いという特性を有している。ハンダボール２０と配線パターン１４との接合面にこの金-ハンダ合金が過度に存在すると、ハンダボール２０のシェア強度 が低くなり、ハンダボール２０が脱落しやすくなる。
【００３２】
このような傾向は図２に示すようなスリット３１を跨ぐように形成された配線パターン１４を切断しながら直接電子部品(IC)の底縁部に形成されたバンプ電極５１（通常は金で形成されている）に融着させるビームリードボンディングタイプの電子部品実装用フィルムキャリアテープにおいても同様に生ずる。本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープ１０では、金線３３あるいは金バンプ電極と直接融着する電子部品側接続端子３４の表面、および、ハンダボールと接合する外部端子接続部３８の表面に共に、０．３μｍ以下、好ましくは０．１〜０．３μｍの範囲内の厚さの金メッキ層を形成する。
【００３３】
ハンダボール２０を外部端子接続部３８に強固に溶着させるためには、上述のように金メッキ層の厚さは薄いことが好ましく、外部端子接続部 ３８における金メッキ層のメッキ厚が０．３μｍを超えないようにすれば、ハンダボール２０の溶着強度が低下することはない。しかしながら、電子部品側 接続端子３４の表面に形成される金メッキ層の厚さは、ワイヤーボンディングあるいはビームリードボンディングの際に高いボンダビリティーを確保するためには、０．３μｍでは不充分であり、例えば図２に示すようなビームリードボンディングを行う場合には、電子部品側接続端子３４の表面に形成される金メッキ層の厚さは最低でも０．５μｍは必要であるとされており、このような厚さの金メッキ層を外部端子接続部３８に形成するとハンダボール２０の溶着強度が著しく低下する。
【００３４】
ところが、電子部品側接続端子３４を構成する導電性金属箔（銅箔）の金線３３あるいはバンプ電極との接合面の平均表面粗度（Ｒｚ）を上記詳述のように１．５〜４．０μｍ、好ましくは、１．５〜３．７μm、特に好ましくは１．５〜３．５μｍの範囲内に調整し、このように平均表面粗度（Ｒｚ）が調整された導電性金属箔（銅箔）の表面に、０．３μｍ以下、好ましくは０．１〜０．３μｍの範囲内の厚さの金メッキ層を形成することにより、図１および図３に示す金線３３あるいは図２に示すバンプ電極５１との溶融強度が著しく向上し、ボンディング強度の測定において、この金線３３あるいはバンプ電極５１とのボンディング強度が金線３３あるいは外部接続端子３４の破断強度よりも高くなる。従って、本発明のフィルムキャリアテープを用いて電子部品を実装した後、ボンディング強度を測定すると、通常の場合、電子部品側接続端子３４と、金線３３あるいはバンプ電極５１との溶接部の剥離（モード２の破断）よりも先に、金線３３あるいは電子部品側接続端子３４自体の破断（モード１の破断）が発生する。即ち、本発明のフィルムキャリアを用いることにより、電子部品側接続端子３４における融着部分の剥離強度を、金線３３の引っ張り強度あるいは端子３４自体の引っ張り強度よりも高くすることができる。
【００３５】
従って、上記のような金メッキ厚を有する電子部品側接続端子３４とバンプ電極５１とを２５μmの直径を有する金線３３を用いてワイヤーボンディングした後、ワイヤーボンディングプル強度を測定すると、８ｇの引張り応力を金線にかけると、上記のような厚さの金メッキ層を有する電子部品側接続端子３４と金線３３の融着部分では剥離が発生せず、金線自体が切断される。
【００３６】
一方、ハンダボールと接合する外部端子接続部３８の金メッキ層３７の平均メッキ厚(b)は３μｍ以下であり、このような厚さの金メッキ層が存在しても、ハンダボール２０が外部端子接続部３８を構成する配線パターン１４と直接接合するので、ハンダボールのシェア強度が高なり、外部端子となるハンダボール２０の脱落がほとんど生じなくなる。
【００３７】
本発明のフィルムキャリアテープにおいて、上記のような金メッキ層は、一般に使用されている金メッキ液を用いて形成することができる。
金メッキ厚は、メッキ電流、メッキ時間、メッキ液の組成、メッキ温度などのメッキ条件を調整することにより、本発明で規定する範囲内にすることができる。
【００３８】
上記のように本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープにおいて、電子部品側接続端子３４および外部端子接続部３８には、上記特定の厚さの金メッキ層が形成されているが、図３に示すように、この金メッキ層と配線パターンとの間にニッケルメッキ層を形成することができる。このニッケルメッキ層は、比較的硬質の層であり、例えば、金メッキ層に金線を超音波を用いてワイヤーボンディングする際に、このニッケル層によって超音波の少なくとも一部が反射されて効率よくワイヤーボンディングを行うことができる。このようにニッケルメッキ層は、超音波を用いて金線を融着をする際の電子部品側接続端子３４の電解銅箔などから形成された配線パターンと金メッキ層との間に形成される。このようにニッケル層を形成する場合、このニッケル層の厚さは、通常は0.0001〜１０μm、好ましくは0.001〜２μmである。
【００３９】
なお、上記は超音波による金線の融着効率を向上させるためにニッケル層を用いた例を示したが、本発明ではこうした硬質なニッケル層の代わりに、あるいはニッケル層と共に、同様に硬質なＮｉ-Ｐ層Ｎｉ-Ｂ層、Ｓｎ-Ｎｉ層等の硬質層を配置することができる。これらの硬質層は複合層であってもよい。
上記のように他の層を介してあるいは他の層を介することなく導電性金属箔から形成された端子表面に電着した金メッキ層の表面には、導電性金属箔の表面状態がほぼそのままの状態で反映される。従って、本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープにおける電子部品側接続端子のボンディング表面（金メッキ層の表面）の平均表面粗度（Ｒｚ）は、用いた導電性金属箔のマット面の平均表面粗度（Ｒｚ）と同様に、通常は１．５〜４．０μｍ、好ましくは１．５〜３．７μm、特に好ましくは１．５〜３．５μmの範囲内にある。
【００４０】
上記のような構成を有する本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープでは、まず、絶縁フィルム１１の裏面に開口している外部接続端子孔２１に少量のフラックスを充填して、さらにこの外部接続端子孔２１に、それぞれ、導電性金属ボールであるハンダボール２０を入れ、ハンダボール２０の溶融温度以上の温度（通常は２００〜２４０℃）に加熱した後、冷却して外部接続端子孔２１内にハンダボール２０を配線パターン１４と接合した状態にして埋め込む。
【００４１】
なお、ここで使用されるハンダボール２０は、通常は、鉛とスズとの合金であるが、これと同等の導電性の金属ボールを使用することも可能である。こうしたハンダボールと同等に使用される金属ボールとしては、鉛の代わりにＢｉを配合したＢｉ-Ｓｎ合金である鉛フリーハンダボール、さらにはＩn―Ｓｎ合金からなるハンダボール、Ｓｎ―Ａｇ合金からなるハンダボールなどを使用することができる。
【００４２】
こうして外部接続端子孔２１にハンダボールのような導電性を有し低温で溶融可能な金属からなる導電性金属ボール２０を配置した後、ハンダボール２０が配置された面と反対の面、即ち、配線パターン１４が形成されている面のソルダーレジストの上に好適には弾性を有する接着剤を塗布して、この接着剤で電子部品を仮固定する。そして、図１および図３に示すように、電子部品の貼着面とは反対の表面にバンプ電極５１が形成された電子部品の場合には、絶縁フィルム１１の表面を仮固定された電子部品の縁の部分から外側に延設された電子部品側接続端子３４とバンプ電極５１とを金線などの導電性金属線３３を用いてワイヤーボンディングする。このワイヤーボンディングを超音波を用いて行う場合、このときの超音波出力は、通常は０．１〜３．０W、好ましくは０．３〜２．５Wであり、印加時間は通常は１〜５０ｍ秒、好ましくは５〜４０m秒であり、荷重は通常は１０〜２００ｇ、好ましくは４０〜１５０ｇである。このときのステージ温度は、通常は７０〜２５０℃の範囲内に設定される。
【００４３】
また、図２に示すようなビームリードボンディングタイプの電子部品実装用フィルムキャリアテープを用いる場合には、スリット３１の下部から治具を当接して５〜１００ｇ程度の負荷をスリット３１を跨ぐように形成した配線パターン１４に上向きにかける。配線パターン１４のスリット３１のスリットの外縁部近傍には予めノッチが形成されており、下部から治具で配線パターンを電子部品の下面に形成されたバンプ電極方向に通常は１０〜１００ｇ、好ましくは２０〜８０ｇ程度の応力を付与して押し上げることにより、ノッチ部分で配線パターンは切断され、金で形成されているバンプ電極と切断された配線パターン１４は通常３０〜２００ｍW、好ましくは４０〜１５０ｍWの超音波を通常２０〜１０００ｍ秒、好ましくは４０〜６００ｍ秒かけることにより電子部品をフィルムキャリアに良好に実装することができる。なお、この実装の際のステージ温度は通常は８０〜２５０℃に設定される。
【００４４】
こうしてボンディングを行った後、このボンディング部をエポキシ樹脂等の硬化性樹脂を用いて封止する。さらに必要により、電子部品とこのボンディング部全体を硬化性樹脂で封止することもできる。本発明においては、電子部品をワイヤーボンディングあるいはボームボンディングした後に、電子品が配置されていないフィルムキャリアの面に設けられた外部接続端子孔にハンダボールを配置して加熱して、ハンダボールからなる外部端子を形成するのが一般的であるが、ボンディング前にハンダボールを溶着させることもできる。
【００４５】
【発明の効果】
上記のように本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープは、上記詳述のようにハンダボールと接合する外部端子接合面に０．３μｍ以下の厚さの金メッキ層が形成されているので、ハンダボールがこの外部端子接合面に強固に融着して脱落しにくい。一方、電子部品側接続端子の表面にも同等の厚さの金メッキ層が形成されているが、この電子部品側接続端子の形成に用いられる導電性金属箔の平均表面粗度（Ｒｚ）が１．５〜４．０μｍ、好ましく は１．５〜３．７μｍ、特に好ましくは１．５〜３．５μｍの範囲内にあり、この表面に形成された金メッキ層も同等の平均表面粗度（Ｒｚ）を有する。このような平均表面粗度（Ｒｚ）を有し、その表面に０．3μｍ以下の平均厚さの金メッキ層を形成することにより、ワイヤーボンディングあるいはビームリードボンディングによりこの電子部品側接合端子に金線あるいはバンプ電極が非常に強固に融着し、この部分のボンディング強度は、通常は金線の引っ張り強度あるいは 電子部品側接続端子の引っ張り強度よりも高くなり、このボンディング強度を測定すると、通常の場合、融着部分の剥離（モード２）はほとんど発生せず、金線 （導電性金属線）あるいは電子部品側接続端子の破断（モード１）が発生する。このように融着部分における金のメッキ厚が薄いにも拘わらず、融着部分で上記 のような非常に高いボンディング強度は、平均表面粗度（Ｒｚ）が１．５〜４．０μｍ、好ましくは１．５〜３．７μm、特に好ましくは１．５〜３．５μmの 範囲内において特異的に発現する効果である。さらに、ハンダボールが融着する外部端子接合面においては、０．３μｍ以下の金メッキ層が存在してもハンダボールの融着強度は低下しない。このような金メッキ厚と平均表面粗度（Ｒｚ）とを上記範囲内にすることにより非常に高い融着強度が発現すると共に、 外部端子接合面におけるハンダボールの融着強度は低下しないという関係は、本発明者が見出したものであり、本発明で規定する金メッキ層の厚さ、平均表 面粗度（Ｒｚ）は非常に臨界的である。
【００４６】
このように本発明の構成を有する電子部品実装用フィルムキャリアテープは、裏面に溶着されたハンダボールの溶着強度が高く、ハンダボールの脱落が起こりにくく、さらに、このフィルムキャリアに電子部品をワイヤーボンディングによりあるいはビームリードボンディングにより実装した際にこのフィルムキャリアテープに形成されている電子部品側接合端子と金線あるいはバンプ電極との間のボンディングの信頼性が非常に高いという特性を有している。
【００４７】
しかも、金メッキ層の厚さが薄く、ボンディングの信頼性が高くハンダボールの脱落が著しく生じにくいことから不良率が低くなることから、コスト的にも極めて有利である。さらに、本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープを製造する際に、特別の装置などを必要としない点でも有利である。
【００４８】
【実施例】
次に本発明の実施例を示して本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらによって限定的に解釈されるべきものではない。
【００４９】
【実施例１】
この実施例１ではワイヤーボンディングタイプの電子部品実装用フィルムキャリアテープであるＴFBGA（Tape Finpitch Ball Grid Array）を製造した。
図１に示すように、一方の面に１２μｍ厚のエポキシ系接着剤を塗布した厚さ７５μm、幅３５ｍｍ、長さ１００ｍのポリイミドフィルム（商品名：ユーピレックスＳ、宇部興産（株）製）からなる絶縁フィルムの両縁部に所定間隔でスプロケットホールを形成すると同時に、外部接続端子孔をパンチングにより形成した。外部接続端子孔の直径は０.４mmであり、隣接する外部接続端子孔との距離は、孔中心-孔中心距離で０.８mmであった。
【００５０】
次いで、この貫通孔が形成されたポリイミドフィルムに厚さ１８μmの電解銅箔をラミネートした。この厚さ１８μｍの電解銅箔は、平均表面粗度（Ｒｚ）が１．０μｍのシャイニー面と、平均表面粗度（Ｒｚ）が３．５μｍのマット面を有している。なお、このシャイニー面には、やけメッキ処理、かぶせメッキ処理、ひげメッキ処理からなる処理粗化処理が施されている。
この電解銅箔のシャイニー面がポリイミドフィルムに形成されている接着剤層と対面するように 配置して、１５０℃で、３kg/cmの線圧を付与してポリイミドフィルムに電解銅箔をラミネートして複合フィルムを製造した。
【００５１】
こうして貼着された電解銅箔のマット面にフォトレジストを塗布し、露光、現像し、残存するフォトレジストをマスキング材として電解銅箔をエッチングすることにより銅配線パターンを絶縁フィルムの一方の面に形成した。なお、エッチング後、フォトレジストからなるマスキング材はアルカリ洗浄により除去した。
こうして形成された配線パターンの表面に、縁部に形成された電子部品側接続端子およびこの接続端子に電流を流すための電極を除いて、エポキシ系ソルダーレジストを塗布した。
【００５２】
このフィルムキャリアテープにスルファミン酸ニッケル浴で０．５μｍの電気ニッケルメッキ層を形成した後、このフィルムキャリアテープを金メッキ槽に移行させて金の電気メッキを行った。
上記のように金メッキすることで、電子部品側接続端子のワイヤーボンディングされる端子の表面および外部端子接続部には、平均厚さ０．３μｍの金メッキ層が形成されていた。
【００５３】
上記のようにして金メッキ層が形成されたフィルムキャリアのソルダーレジスト２４の表面に接着剤５５を塗布して電子部品(IC)を貼着し、この電子部品(IC)の上面部に形成されているバンプ電極５１と、電子部品側接続端子３４とを金線３３（直径：２５μｍ、純度99.99%）を用いてワイヤボンディングにより電気的に接続した。
【００５４】
ワイヤーボンディング条件は次の通りである。
超音波出力：１．２６W
印加時間：２２ｍ秒
荷重：９０ｇ
ステージ温度：１５０℃
使用装置：Kulicke & Soffa 社製、４５２４ボールボンダー
次いで、絶縁フィルムの裏面に開口する外部接続端子孔に直径３００μmのハンダボールを配置して２２０℃に加熱して外部端子接続部３８（外部接続端子孔の底部にある配線パターン）に融着させてＴFBGAを製造した。
【００５５】
こうして溶着したハンダボールのシェア強度をシェア強度測定装置（装置名；PC-240  DAGE製）を用いて測定したところ、このハンダボールのシェア強度の平均値は、４００ｇであり、１０個のサンプルについてそれぞれ１００端子分を観察したところ、ハンダボールの脱落は認められなかった。
こうしてワイヤーボンディングした金線に、１ｇ、２ｇ、４ｇ、８ｇの荷重を負荷して切断状態を観察したところ、この金線は、８ｇの荷重をかけることにより金線が切断され（モード1の破断）、外部端子接続部３８にボンディングした金線の剥離(モード２の破断)は見られなかった。
【００５６】
結果を表１にまとめて記載する。
【００５７】
【実施例２および３】
実施例１において、マット面の平均表面粗度（Ｒｚ）が２．５μｍ（実施例２）、マット面の平均表面粗度（Ｒｚ）が１．５μｍ（実施例３）を使用した以外は同様にしてＴFBGAを製造した。
実施例１と同様にしてワイヤーボンディングした金線に、１ｇ、２ｇ、４ｇ、８ｇの荷重を負荷して切断状態を観察したところ、この金線は、８ｇの荷重をかけることにより金線が切断され（モード1の破断）、外部端子接続部３８にボンディングした金線の剥離(モード２の破断)は見られなかった。
【００５８】
実施例１と同様にしてハンダボールを溶着して得られたＴFBGAについて、実施例１と同様にしてハンダボールのシェア強度を測定したところ、シェア強度は４００ｇであり、１０個のサンプルについてそれぞれ１００端子分を観察したところ、ハンダボールの脱落は認められなかった。
結果を表１にまとめて記載する。
【００５９】
【比較例１および２】
実施例１において、マット面の平均表面粗度（Ｒｚ）が１．４μｍ（比較例１）、マット面の平均表面粗度（Ｒｚ）が１．０μｍ（比較例２）を使用した以外は同様にしてフィルムキャリアを製造した。
実施例１と同様にしてワイヤーボンディングした金線に、１ｇ、２ｇ、４ｇ、８ｇの荷重を負荷して切断状態を観察したところ、比較例１のフィルムキャリアでは４ｇの荷重をかけることにより、電子部品側接続端子と金線との溶着面で剥がれ（モード２の破断）が生じた。また、比較例２のフィルムキャリアでは２ｇの荷重をかけることにより、電子部品側接続端子と金線との溶着面で剥がれ（モード２の破断）が生じた。
【００６０】
実施例１と同様にしてハンダボールを溶着して得られたＴFBGAについて、実施例１と同様にしてハンダボールのシェア強度を測定したところ、シェア強度は４００ｇであり、１０個のサンプルについてそれぞれ１００端子分を観察したところ、ハンダボールの脱落は認められなかった。
上記結果を表１にまとめて記載する。
【００６１】
【実施例４〜６】
実施例１〜３において、金メッキ条件を変えることにより０．１μｍの金メッキ層を形成した以外は同様にしてＴFBGAを製造した。
実施例１と同様にしてワイヤーボンディングした金線に１ｇ、２ｇ、４ｇ、８ｇの荷重を負荷して切断状態を観察したところ、これら金線は、８ｇの荷重をかけることにより金線が切断され（モード1の破断）、外部端子接続部３８にボンディングした金線の剥離(モード２の破断)は見られなかった。
【００６２】
実施例１と同様にしてハンダボールを溶着して得られたＴFBGAについて、実施例１と同様にしてハンダボールのシェア強度を測定したところ、シェア強度は４００ｇであり、それぞれ、１０個のサンプルについてそれぞれ１００端子分を観察したところ、ハンダボールの脱落は認められなかった。
結果を表１にまとめて記載する。
【００６３】
【比較例３および４】
実施例４において、マット面の平均表面粗度（Ｒｚ）が１．４μｍ（比較例３）、マット面の平均表面粗度（Ｒｚ）が１．０μｍ（比較例４）を使用した以外は同様にしてＴFBGAを製造した。
実施例１と同様にしてワイヤーボンディングした金線に、１ｇ、２ｇ、４ｇ、８ｇの荷重を負荷して切断状態を観察したところ、比較例３のフィルムキャリアでは２ｇの荷重をかけることにより、電子部品側接続端子と金線との溶着面で剥がれが生じた（モード２の破断）。また、比較例４のフィルムキャリアでは１ｇの荷重をかけることにより、電子部品側接続端子と金線との溶着面で剥がれが生じた（モード２の破断）。
【００６４】
得られたフィルムキャリアに実施例１と同様にしてハンダボールを溶着してＴFBGAを製造し、このTFBGAにおけるハンダボールのシェア強度を測定したところ、シェア強度は４００ｇであり、１０個のサンプルについてそれぞれ１００端子分を観察したところ、ハンダボールの脱落は認められなかった。
結果を表１にまとめて記載する。
【００６５】
【比較例５】
実施例１において、マット面の平均表面粗度（Ｒｚ）が４．２μｍの電解銅箔を用いて配線パターンを形成しようとしたが、フォトレジストが均一に塗布されず、配線パターンを形成することができなかった。
結果を表1にまとめて記載する。
【００６６】
【表１】
0004054169.tif 000002
【００６７】
【比較例６および７】
実施例１において、金メッキの平均厚さを０．５μm（比較例６）、１．０μｍ（比較例７）に変えた以外は同様にしてフィルムキャリアを製造した。
フィルムキャリアにハンダボールを溶着して得られたTＦBGAにおけるハンダボールのシェア強度を測定したところ、比較例６では１００ｇであり、比較例７では５０ｇであり、外部端子接合部における金メッキ厚が厚くなるに従ってハンダボールのシェア強度が低下し、こうしたシェア強度の低下に伴って、ハンダボールの脱落が生じやすくなる。
【００６８】
このようなハンダボールシェア強度の低下現象は、金メッキ厚が０．３μｍよりも厚い場合に生ずるのであり、金メッキ厚が０．３μｍより薄くしても、ハンダボールシェア強度の向上はほとんど観察されない。
従って、TＦBGAにおいても少なくともハンダボールシェア強度に関しては、金メッキ厚０．３μｍという値は極めて臨界性の高い値である。
【００６９】
【実施例７】
上記実施例１〜６ではワイヤーボンディングタイプのTFBGAを製造してボンダビリティーおよびハンダボールのシェア強度を測定したが、実施例７では、図2に示すように、ビームリードボンディングタイプのＦBGA(Finepitch Ball Grid Array)を製造した。
【００７０】
即ち、図２に示すようにポリイミドフィルムにスリット３１を予め形成し、このスリットを覆うように平均厚さが１８μｍ、平均表面粗度（Ｒｚ）が３．５μｍの電解銅箔を積層した以外は同様にして配線パターンを形成し、実施例１と同様にして平均厚さ０．３μｍの金メッキ層を形成した。ただし、以下に示すビームリードタイプのFBGAでは、Ni下地メッキ層を形成せずに、配線パターンに所定厚さの金メッキ層を形成した。
【００７１】
上記のようにして得られたフィルムキャリアのソルダーレジスト２４の表面に接着剤５５を塗布して電子部品(IC)を貼着し、この電子部品(IC)の下面縁部に形成されているバンプ電極５１と、電子部品側接続端子３４との間で、電子部品側接続端子３４を切断しながら、ビームリードボンディング法により電気的な接続を形成した。
【００７２】
ビームリードボンディング条件は次の通りである。
超音波出力：８０ｍW
印加時間：６００ｍ秒
荷重：６０ｇ
ステージ温度：１５０℃
使用装置：Kulicke & Soffa 社製、４５２２マルチプロセス・ボールボンダー得られたフィルムキャリアに実施例１と同様にして直径３００μmのハンダボールを融着させた後、このハンダボールのシェア強度を測定したところ４００ｇであり、１０個のサンプルについてそれぞれ１００端子分を観察したところ、ハンダボールの脱落は認められなかった。
【００７３】
また、リードビームリードボンディングしたリードに、１ｇ、２ｇ、５ｇ、１０ｇ、２０ｇの荷重を負荷して切断状態を観察したところ、このリードは、２０ｇの荷重をかけることによりリード部で切断され（モード1の破断）、バンプ電極に接続したリードの剥離(モード２の破断)は見られなかった。
結果を表２に記載する。
【００７４】
【実施例８および９】
実施例７において、マット面の平均表面粗度（Ｒｚ）が２．５μｍ（実施例８）、マット面の平均表面粗度（Ｒｚ）が１．５μｍ（実施例９）を使用した以外は同様にしてフィルムキャリアを製造した。
実施例７と同様にしてビームリードボンディングしたリードに、１ｇ、２ｇ、５ｇ、１０ｇ、２０ｇの荷重を負荷して切断状態を観察したところ、このボンディングされたリードは、２０ｇの荷重をかけることによりリードが切断され（モード1の破断）、電子部品のバンプ電極にボンディングしたリードの剥離(モード２の破断)は見られなかった。
【００７５】
実施例７と同様にしてハンダボールを溶着して得られたＦBGAについて、実施例１と同様にしてハンダボールのシェア強度を測定したところ、シェア強度は４００ｇであり、１０個のサンプルについてそれぞれ１００端子分を観察したところ、ハンダボールの脱落は認められなかった。
結果を表２にまとめて記載する。
【００７６】
【比較例８および９】
実施例７において、マット面の平均表面粗度（Ｒｚ）が１．４μｍ（比較例８）、マット面の平均表面粗度（Ｒｚ）が１．０μｍ（比較例９）を使用した以外は同様にしてフィルムキャリアを製造した。
実施例７と同様にしてビームリードボンディングしたリードに、１ｇ、２ｇ、５ｇ、１０ｇ、２０ｇの荷重を負荷して切断状態を観察したところ、このボンディングされたリードは、比較例８においては１０ｇ，比較例９においては５ｇの荷重をかけることにより電子部品のバンプ電極にボンディングしたリードの剥離が生じた（モード２の破断）。
【００７７】
実施例７と同様にしてハンダボールを溶着して得られたＦBGAについて、実施例１と同様にしてハンダボールのシェア強度を測定したところ、シェア強度は４００ｇであり、１０個のサンプルについてそれぞれ１００端子分を観察したところ、ハンダボールの脱落は認められなかった。
上記結果を表２にまとめて記載する。
【００７８】
【実施例１０〜１２】
実施例７〜９において、金メッキ条件を変えることにより０．１μｍの金メッキ層を形成した以外は同様にしてフィルムキャリアを製造した。
実施例７と同様にしてビームリードボンディングした後、リードに１ｇ、２ｇ、５ｇ、１０ｇ、２０ｇの荷重を負荷して切断状態を観察したところ、このボンディングされたリードは、２０ｇの荷重をかけることによりリードが切断され（モード1の破断）、電子部品のバンプ電極にボンディングしたリードの剥離(モード２の破断)は見られなかった。
【００７９】
このフィルムキャリアに実施例７と同様にしてハンダボールを溶着させて得られたＦBGAについて、実施例１と同様にしてハンダボールのシェア強度を測定したところ、シェア強度は４００ｇであり、それぞれ、１０個のサンプルについてそれぞれ１００端子分を観察したところ、ハンダボールの脱落は認められなかった。
【００８０】
結果を表２にまとめて記載する。
【００８１】
【比較例１０および１１】
実施例１０において、マット面の平均表面粗度（Ｒｚ）が１．４μｍ（比較例１０）、マット面の平均表面粗度（Ｒｚ）が１．０μｍ（比較例１１）を使用した以外は同様にしてフィルムキャリアを製造した。
実施例７と同様にしてリードボンディングした後、リードに１ｇ、２ｇ、５ｇ、１０ｇ、２０ｇの荷重を負荷して切断状態を観察したところ、このボンディングされたリードは、比較例１０においては２g、比較例１１においては１ｇの荷重をかけることにより電子部品のバンプ電極にボンディングしたリードの剥離した（モード２の破断）。
【００８２】
フィルムキャリアにハンダボールを溶着させて得られたＦBGAについて、実施例１と同様にしてハンダボールのシェア強度を測定したところ、シェア強度は４００ｇであり、１０個のサンプルについてそれぞれ１００端子分を観察したところ、ハンダボールの脱落は認められなかった。
結果を表２にまとめて記載する。
【００８３】
【表２】
0004054169.tif 000003
【００８４】
【比較例１２および１３】
実施例７において、金メッキの平均厚さを０．５μｍ（比較例１２）、１．０μｍ（比較例１３）に変えた以外は同様にしてフィルムキャリアを製造した。
フィルムキャリアにハンダボールを溶着して得られたＦBGAにおけるハンダボールのシェア強度を測定したところ、比較例１２では１００ｇであり、比較例１３では５０ｇであり、外部端子接合部における金メッキ厚が厚くなるに従ってハンダボールのシェア強度が低下し、こうしたシェア強度の低下に伴って、ハンダボールの脱落が生じやすくなる。
【００８５】
このようなハンダボールシェア強度の低下現象は、金メッキ厚が０．３μｍよりも厚い場合に生ずるのであり、金メッキ厚が０．３μｍより薄くしても、ハンダボールシェア強度の向上はほとんど観察されない。
従って、ＦBGAにおいても少なくともハンダボールシェア強度に関しては、金メッキ厚０．３μｍという値は極めて臨界性の高い値である。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１が、本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープにワイヤーボンディングにより電子部品を実装した状態の断面の一例を示す断面図である。
【図２】図２が、本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープにビームリードボンディングにより電子部品を実装した状態の断面の一例を示す断面図である。
【図３】図３は、図１における電子部品側接続端子および外部端子接合部近傍の断面を拡大して模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
１０・・・電子部品実装用フィルムキャリアテープ
１１・・・絶縁フィルム
１４・・・配線パターン
２０・・・導電性金属ボール
２１・・・外部接続端子孔
２４・・・ソルダーレジスト
３１・・・スリット
３４・・・電子部品側接続端子
３６・・・電子部品側接続端子の金メッキ層
３７・・・外部端子接続部の金メッキ層
３８・・・外部端子接続部
５０・・・電子部品
５１・・・バンプ電極
【図１】
0004054169.tif 000004
【図２】
0004054169.tif 000005
【図３】
0004054169.tif 000006