【事件の表示】
　特許第６１５６０４６号発明「半導体基板およびその製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６１５６０４６号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１−４〕について訂正することを認める。
　特許第６１５６０４６号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第６１５６０４６号の請求項１ないし４に係る特許についての出願は，平成２９年６月１６日にその特許権の設定登録がされ，平成２９年７月５日に特許掲載公報が発行された。その特許についての本件特許異議の申立ての経緯は，次のとおりである。
平成２９年１２月１９日　　　：特許異議申立人　岡村英紀　による請求項
　　　　　　　　　　　　　　　１ないし４に係る特許に対する特許異議の
　　　　　　　　　　　　　　　申立て（以下，「特許異議申立書」という
　　　　　　　　　　　　　　　。）
平成３０年　４月　５日付け　：取消理由通知書
平成３０年　６月　８日　　　：特許権者による意見書及び訂正請求書の提
　　　　　　　　　　　　　　　出
平成３０年　７月２３日　　　：特許異議申立人　岡村英紀　による意見書
　　　　　　　　　　　　　　　の提出
平成３０年　９月２８日付け　：取消理由通知（決定の予告）
平成３０年１１月２８日　　　：特許権者による意見書（以下，「特許権者
　　　　　　　　　　　　　　　の意見書」という。）及び訂正請求書の提
　　　　　　　　　　　　　　　出
平成３０年１２月　６日付け　：手続補正指令書（方式）
平成３１年　１月　７日　　　：特許権者による手続補正書（方式）の提出
平成３１年　２月　４日　　　：特許異議申立人　岡村英紀　による意見書
　　　　　　　　　　　　　　　の提出
第２　訂正の内容
　平成３０年１１月２８日付けの訂正請求書（以下，「訂正請求書」という。）による訂正（以下，「本件訂正」という。）は，以下の訂正事項１及び訂正事項２からなるものである。（下線は，訂正箇所を示すものとして当審で付与した。以下同じ。）
１　訂正事項１
　特許権者は，特許請求の範囲の請求項１を，以下の事項により特定されるとおりに，訂正することを請求する（訂正事項１）。
「表面（１ａ）と裏面（１ｂ）および該表面と裏面との間に位置する側面（１ｃ）を有する支持基板（１）と、
　前記支持基板の表面に形成された絶縁膜（２）と、
　前記絶縁膜を介して前記支持基板の上に配置され、シリコン基板により構成され、円形状かつ円形状の一部を切り欠いた直線状部（３ｄ）が形成された活性層（３）と、を有し、
　前記活性層のうち、前記絶縁膜と反対側となる表面（３ａ）と前記絶縁膜側となる裏面（３ｂ）との間に位置する部分を側面（３ｃ）として、
前記直線状部を含めた
該活性層の全周で同じ角度である
２　訂正事項２
　特許権者は，特許請求の範囲の請求項３を，以下の事項により特定されるとおりに，訂正することを請求する（訂正事項２）。
「前記側面は曲面であり、
前記側面のうち前記表面との境界部における接線と前記表面との成す角度が鈍角となっており、かつ、
徐々に
　なお，訂正前の請求項１〜４は，請求項２〜４が，訂正の請求の対象である請求項１の記載を引用する関係にあるから，本件訂正は，一群の請求項１〜４について請求されている。
３　訂正の目的の適否，新規事項の有無，特許請求の範囲の拡張・変更の存否について（下線は，当審で付与した。以下同じ。）
（１）訂正事項１
　訂正事項１に係る請求項１についての訂正は，訂正前の請求項１の「該活性層の側面と表面との成す角度が鈍角であること」について，「
前記直線状部を含めた
該活性層の全周で同じ角度である
　また，願書に添付した明細書に，
「【００１４】
　（第１実施形態）
　本発明の第１実施形態について説明する。図１に示すように、本実施形態にかかるＳＯＩ基板は、支持基板１と絶縁膜２および活性層３とを有した構成とされている。
・・・　中　略　・・・
【００１９】
　
このように構成されたＳＯＩ基板では、活性層３のうち側面３ｃと表面３ａとの成す角度が鈍角となっている。
【００２０】
　次に、このように構成された本実施形態にかかるＳＯＩ基板の製造方法について、図２を参照して説明する。
【００２１】
　〔図２（ａ）に示す工程〕
　シリコン基板などで構成される支持基板１を用意すると共に、デバイスが形成される活性層３を構成するために、表面２０ａおよび裏面２０ｂとこれら表面２０ａおよび裏面２０ｂの間に位置する側面２０ｃを有した単結晶のシリコン基板２０を用意する。
【００２２】
　〔図２（ｂ）に示す工程〕
　支持基板１の表面１ａや裏面１ｂおよび側面１ｃ上に例えばシリコン酸化膜からなる絶縁膜２を形成する。絶縁膜２については、熱酸化によって形成可能であるが、ＣＶＤ法等によって形成することもできる。
【００２３】
　また、シリコン基板２０の裏面２０ｂ側において、
シリコン基板２０の外周部を研削して凹ませた外周研削部２０ｄを形成する。例えば、図中に示したように、先端部に行くほど徐々に研削面３０ａの外径が拡大していくようなグラインダー３０を用いる。
【００２４】
　これにより、シリコン基板２０の外周部が研削され、外周研削部２０ｄが形成される。このように形成される外周研削部２０ｄは、シリコン基板２０の厚み方向において裏面２０ｂ側から表面側２０ａに向かうに連れてシリコン基板２０の外径が徐々に小さくなる逆テーパ形状とされる。
【００２５】
　このとき、外周研削部２０ｄの深さ（シリコン基板２０の厚み方向の寸法）については活性層３として残す部分の厚み以上としており、例えば１００〜２００μｍとしている。また、外周研削部２０ｄの幅（シリコン基板２０の径方向の寸法）についてはシリコン基板２０と支持基板１との貼り合せズレを考慮して設定してあり、貼り合せズレ以上の寸法、例えば１ｍｍ以上としている。これにより、次の図２（ｃ）に示す工程において、シリコン基板２０と支持基板１とを貼り合せたときのズレ量が最大になっても、シリコン基板２０のうち外周研削部２０ｄよりも内側の突出部２０ｅが支持基板１の外周部より内側に配置されるようにできる。」
「【００３３】
　（第３実施形態）
　
本発明の第３実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して活性層３の外縁形状を変更したものであり、その他については第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
【００３４】
　支持基板１をシリコン基板などの半導体基板で構成する場合、図５に示すように面方位などを確認し易いように外周部の一部を切り欠くことで、ノッチ１ｄを形成したり、図示しないが直線状のオリエンテーションフラットとすることが一般的に行われている。このような場合において、図中に示したように活性層３を円形状にするときには、活性層３の外径をできるだけ大きく設定することでチップ形成の行える有効面積を広くすることになる。しかしながら、シリコン基板２０と支持基板１との貼り合せズレが発生した場合に、活性層３がノッチ部１ｄやオリエンテーションフラットに重なってしまうことが考えられる。
【００３５】
　このため、
本実施形態では、図６に示すように、活性層３のうちノッチ部１ｄやオリエンテーションフラットと対応する部分において、円形状の一部を切り欠いた直線状部３ｄを形成している。
【００３６】
　
なお、この場合、直線状部３ｄについても、活性層３の側面３ｃと表面３ａとの成す角度が鈍角となるようにしておけば、チッピングの発生を抑制することが可能となり、上記第１、第２実施形態と同様の効果が得られる。
と記載されているように，「直線状部」は，活性層３の側面３ｃと表面３ａとの成す角度が鈍角となっている。
　また，上記「（第３実施形態）」は，活性層３の外縁形状を変更した以外は上記「（第１実施形態）」と同じであるから，「直線状部」は，上記「（第１実施形態）」のシリコン基板２０の外周部を研削して凹ませた外周研削部２０ｄを形成すると同じ研削にて形成することとなる。そうすると，上記「（第３実施形態）」の「直線状部」の活性層３の側面３ｃと表面３ａとの成す角度は，上記「（第１実施形態）」の活性層３のうち側面３ｃと表面３ａとの成す角度と同じ角度となると認められる。
　してみれば，「直線状部」を含めた該活性層の側面と表面との成す角度が該活性層の全周で同じ角度である鈍角となるから，訂正事項１は，新規事項の追加に該当しないことは明らかである。
　そして，訂正事項１に係る訂正は，特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから，訂正の前後で特許請求の範囲に記載された発明の拡張又は変更はなく，実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
（２）訂正事項２
　訂正事項２に係る請求項３についての訂正は，訂正前の請求項３について「前記側面のうち前記表面との境界部における接線と前記表面とのなす角度が鈍角となっており、」との限定を加え，さらに，訂正前の請求項３の「前記側面と前記活性層の表面とが成す鈍角の角度が大きくなること」について，「徐々に大きくなる」とするものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また，願書に添付した明細書に，
「【００３０】
　図３に示すように、本実施形態では、活性層３の側面３ｃが曲面となるようにしている。そして、
側面３ｃのうち表面３ａとの境界部において、側面３ｃと表面３ａとが成す角度が鈍角となるようにしている。具体的には、側面３ｃのうち表面３ａとの境界部における接線と表面３ａとの成す角度が鈍角となっている。そして、活性層３の表面３ａ側から裏面３ｂ側に向かうほど、活性層３の厚み方向と平行な断面において、側面３ｃと表面３ａとが成す鈍角の角度が徐々に大きくなっていくような曲面によって側面３ｃを構成している。
と記載されているから，訂正事項２は，新規事項の追加に該当しないことは明らかである。
　そして，訂正事項２に係る訂正は，特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから，訂正の前後で特許請求の範囲に記載された発明の拡張又は変更はなく，実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
４　小括
　上記のとおり，訂正事項１及び２に係る訂正は，特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものであり，かつ，同条第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
　したがって，特許請求の範囲を，訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり，訂正後の請求項〔１〜４〕について訂正することを認める。
第３　取消理由の概要
　請求項１ないし４に係る特許に対して，当審が特許権者に通知した平成３０年９月２８日付け取消理由（以下，「取消理由通知」という。）の要旨は，次のとおりである。
　請求項１ないし４に係る発明は，甲第１号証に記載された発明に，甲第２号証及び甲第３号証に記載された技術を組み合わせることにより，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
　よって，請求項１ないし４に係る特許は，取り消されるべきものである。
第４　当審の判断
１　訂正後の請求項１〜４に係る発明
　上記訂正請求により訂正された訂正後の請求項１ないし４に係る特許（以下，「本件特許発明１」ないし「本件特許発明４」という。）は，以下のとおりである。
「【請求項１】
　表面（１ａ）と裏面（１ｂ）および該表面と裏面との間に位置する側面（１ｃ）を有する支持基板（１）と、
　前記支持基板の表面に形成された絶縁膜（２）と、
　前記絶縁膜を介して前記支持基板の上に配置され、シリコン基板により構成され、円形状かつ円形状の一部を切り欠いた直線状部（３ｄ）が形成された活性層（３）と、を有し、
　前記活性層のうち、前記絶縁膜と反対側となる表面（３ａ）と前記絶縁膜側となる裏面（３ｂ）との間に位置する部分を側面（３ｃ）として、前記直線状部を含めた該活性層の側面と表面との成す角度が該活性層の全周で同じ角度である鈍角であることを特徴とする半導体基板。
　　【請求項２】
　前記側面は平坦面であり、該側面のうち前記活性層の厚み方向全域において、該側面と前記活性層の表面との成す角度が鈍角とされていることを特徴とする請求項１に記載の半導体基板。
　　【請求項３】
　前記側面は曲面であり、前記側面のうち前記表面との境界部における接線と前記表面との成す角度が鈍角となっており、かつ、前記活性層の表面側から裏面側に向かうほど、前記活性層の厚み方向と平行な断面において、前記側面と前記活性層の表面とが成す鈍角の角度が徐々に大きくなることを特徴とする請求項１に記載の半導体基板。
　　【請求項４】
　前記支持基板は、前記支持基板の外周部の一部を切り欠かれたノッチ部（１ｄ）もしくは前記外周部の一部を直線状としたオリエンテーションフラットが形成され、
　前記直線状部は、前記ノッチ部もしくは前記オリエンテーションフラットと対応する部分に形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体基板。」
２　甲号証の記載
（１）甲第１号証
　取消理由通知において引用した甲第１号証（特開２００４−２３５２５１号公報）には，図面とともに以下の事項が記載されている。
ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、貼り合わせ基板およびその製造方法
イ　「【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施例を図面を参照して説明する。
図１は、この発明の一実施例に係る貼り合わせ基板の製造方法を示すフローシートである。図２は、この発明の一実施例に係る貼り合わせ基板の製造方法に使用される外周研削装置の縦断面図である。図３（ａ）は、この発明の一実施例に係る貼り合わせ基板の平面図である。図３（ｂ）は、この発明の他の実施形態に係る貼り合わせ基板の平面図である。
図１に示すように、まずＣＺ法により
単結晶シリコンインゴット
ノッチ加工
一方、この活性層用ウェーハ１０と同じ製法により、鏡面仕上げされた
ノッチｎ付きの同じサイズの支持基板用ウェーハ２０
活性層用ウェーハ１０には、熱酸化炉を用いた熱酸化処理により、その露出面の全体に絶縁性のシリコン酸化膜１０ａを形成しておく。
【００２０】
その後、それぞれのノッチｎを位置合わせ用のガイドにして、両ウェーハ１０，２０の鏡面同士をクリーンルームの室温下で重ね合わせる（図１（ｂ））。これにより、貼り合わせウェーハ３０が形成される。
次に、この貼り合わせウェーハ３０を、貼り合わせ用の熱酸化炉の石英反応管に挿入し、酸素ガス雰囲気で貼り合わせ熱処理する。
貼り合わせウェーハ３０の露出面全体がシリコン酸化膜３０ａにより覆われる。
【００２１】
次いで、超音波照射によるボイド検査を行う。
良品の貼り合わせウェーハ３０については、面取りされた両ウェーハ１０，２０の外周部形状に起因した貼り合わせ不良部分を除去するため、活性層用ウェーハ１０の外周部（ノッチｎの形成部を除く）が、そのデバイス形成面側から＃３００〜＃２０００のレジノイド外周研削砥石を用いて外周研削される
外周研削装置としては、円錐台形状を有する外周研削用砥石４０が用いられる（図２）。
外周研削用砥石４０により、活性層用ウェーハ１０の外周部が切削される。
【００２２】
貼り合わせ不良部分が存在すれば、その後の洗浄工程、研磨工程などにおいて、この不良部分が剥がれて飛散し、それが付着してＳＯＩ層の表面が汚染されたり、この付着した飛散物が、後工程のウェーハ加工時にＳＯＩ層の表面を傷つけるからである
。この外周研削は、貼り合わせ界面に達しない深さに止められる。現出される活性層用ウェーハ１０の外周部の削り残し部１０ｃの厚さは、７７５μｍ程度である（８インチの場合）。
【００２３】
続いて、
同じ外周研削用のレジノイド外周研削砥石を利用し、この活性層用ウェーハ１０のノッチｎの形成部に、ノッチｎを完全に除去する大きさでオリフラ（位置合わせ用切欠部）ＯＦを形成する
それから、
この削り残し部１０ｃが、アルカリエッチにより除去される
貼り合わせウェーハ３０が、ＫＯＨなどのアルカリ性エッチング液に浸漬され、その削り残し部１０ｃが溶かされる。
【００２４】
次に、
活性層用ウェーハ１０がそのデバイス形成面側から＃３００〜＃２０００のレジノイド研削砥石を用いて表面研削し、減厚されたＳＯＩ層１０Ａを形成する
【００２５】
それから、
このＳＯＩ層１０Ａの研削面に表面研磨が施される
ＳＯＩ層１０Ａの外周部の一部分にオリフラＯＦが形成され、支持基板用ウェーハ２０の外周部の一部分に、ノッチｎが形成された貼り合わせＳＯＩ基板が作製される
その後、得られた貼り合わせＳＯＩ基板は、洗浄され、ウェーハケースなどに梱包されてから、デバイスメーカに出荷される。
【００２６】
このように、活性層用ウェーハ１０の外周部のうち、ノッチｎの形成部を除く部分に外周研削を施すとともに、ノッチｎの形成部には、ノッチｎを外周研削するよりも加工が容易なオリフラＯＦを形成するので、テラス部において、ノッチｎの形成部のウェーハ半径方向の幅Ｄ２と、それ以外の幅Ｄ１とをそれぞれ別々に設定して外周研削することができる。よって、従来のようにテラス部の除去幅が長くなる略真円形状の外周研削を施したときに比べて、活性層用ウェーハ１０のデバイス形成面積を拡大することができる。また、この活性層用ウェーハ１０の外周研削の加工時間も短縮する。さらには、
１個の外周研削用砥石だけを使用し、ノッチｎの形成部を含めた活性層用ウェーハの外周部の全周を研削することができる。
ウ　【図２】
エ　【図３】
オ　上記アないしエから，甲第１号証には，次の事項が記載されていると認められる。
（ア）上記「ア」および上記「イ」段落【００２５】から，甲第１号証に記載された発明は，ＳＯＩ基板（貼り合わせ基板）に関する発明である。
　また，上記「イ」段落【００２５】及び上記「エ」【図３】（ａ）の記載から，ＳＯＩ基板のＳＯＩ層１０Ａは円形状を有し，外周部の一部に直線状のオリフラＯＦが形成されていると認められる。
（イ）上記「イ」段落【００１９】及び【００２０】の記載から，甲第１号証に記載された発明は，活性層用ウェーハ１０の露出面全体に絶縁性のシリコン酸化膜１０ａを形成し，活性層用ウェーハ１０と支持基板用ウェーハ１０のノッチｎを位置合わせ用のガイドにして，活性層用ウェーハ１０と支持基板用ウェーハ２０を重ね合わせ，貼り合わせ熱処理を行うことにより，露出面全体がシリコン酸化膜３０ａにより覆われている，貼り合わせウェーハ３０を形成している。
（ウ）上記「イ」段落【００２１】及び【００２２】の記載から，甲第１号証に記載された発明は，貼り合わせウェーハ３０が，貼り合わせ不良部分を除去するために，円錐台形状を有する外周研削用砥石４０により，貼り合わせ界面に達しない深さまで，削り残し部１０ｃを残して，活性層用ウェーハ１０の外周部が切削される。
　その際，上記「ウ」【図２】から，円錐台形状を有する外周研削用砥石４０を用いると，活性層用ウェーハ１０の支持基板用ウェーハ２０と貼り合わせている面と反対の面（以下，「上面」という。）と上面と接する外周研削用砥石４０によって研削された面（以下，「側面」という。）との成す角度が鈍角を成していることがわかるとともに，上面の酸化膜は除去されず残っていると認められる。
　その後，上記「イ」段落【００２３】の記載から，貼り合わせウェーハ３０をアルカリ性エッチング液に浸漬させ，削り残し部１０ｃが溶かされる。
　さらに，上記「イ」段落【００２４】及び【００２５】の記載から，活性層用ウェーハ１０がそのデバイス形成面から表面研削され，表面研磨され，ＳＯＩ層１０Ａと支持基板用ウェーハ２０が張り合わされたＳＯＩ基板が作製される。
（エ）上記「イ」段落【００２３】，【００２６】及び上記「エ」【図３】（ａ）の記載から，甲第１号証に記載された発明の，活性層用ウェーハ１０には，活性層用ウェーハ１０のノッチｎの形成部に，ノッチｎを完全に除去する大きさでオリフラＯＦが形成されており，また，このオリフラＯＦは，上記「（ウ）」で用いられた，円錐台形状を有する外周研削用砥石４０と同じ砥石が用いられて形成されている。
　さらに，上記「イ」段落【００２０】，【００２３】及び上記「エ」【図３】（ａ）の記載から，活性層用ウェーハ１０に形成されたオリフラＯＦは，支持基板用ウェーハ２０のノッチｎと対応する部分に形成されていると認められる。
　そして，上記「イ」段落【００２３】の記載から，貼り合わせウェーハ３０をアルカリ性エッチング液に浸漬させられるから，オリフラＯＦも，アルカリ性エッチング液に浸漬させられる。
カ　上記「ア」ないし「オ」から，甲第１号証には以下の発明（以下，「甲第１号証発明」という。）が記載されている。
「ＳＯＩ基板であって，
　ノッチｎを位置合わせ用のガイドにして，活性層用ウェーハ１０に形成された絶縁性のシリコン酸化膜１０ａを介して活性層用ウェーハ１０と支持基板用ウェーハ２０を貼り合わせ，露出面全体が酸化膜で覆われた貼り合わせウェーハ３０を形成し，
　円錐台形状を有する外周研削用砥石４０により，貼り合わせ界面に達しない深さまで，削り残し部１０ｃを残して，活性層用ウェーハ１０の外周部を，活性層用ウェーハ１０の支持基板用ウェーハ２０と貼り合わせている面と反対の面（以下，「上面」という。）と上面と接する外周研削用砥石４０によって研削された面（以下，「側面」という。）との成す角度が鈍角を成すように研削し，
　活性層用ウェーハ１０の外周部を研削した前記円錐台形状を有する外周研削用砥石４０を用いて，活性層用ウェーハ１０にオリフラＯＦを形成し，
　上面に酸化膜が残った貼り合わせウェーハ３０をアルカリ性エッチング液に浸漬させ，削り残し部１０ｃを溶かし，
　活性層用ウェーハ１０がそのデバイス形成面から表面研削され，ＳＯＩ層１０Ａとし，
　ＳＯＩ層１０Ａは円形状を有し，外周部の一部に直線状のオリフラＯＦが形成され，支持基板用ウェーハ２０の外周部の一部分に，ノッチｎが形成され，オリフラＯＦはノッチｎと対応する部分に形成されていることを特徴とする，
　ＳＯＩ層１０Ａと支持基板用ウェーハ２０が張り合わされたＳＯＩ基板。」
（２）甲第２号証
　取消理由通知において引用した甲第２号証（特開平９−２４６５０６号公報）には，図面とともに以下の事項が記載されている。
ア「【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明はＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板の製造方法
イ「【００１１】
【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施例を図面を参照して説明する。
図１はこの発明の一実施例を示している。この実施例によれば、活性層用のシリコンウェーハＡ（鏡面研磨ウェーハ）の表面に予め熱酸化膜ＳｉＯ
2
を形成しておく。また、このシリコンウェーハＡと同一口径の支持基板用のシリコンウェーハＢ（鏡面研磨ウェーハ）を準備しておく。そして、これらのウェーハ同士を室温で重ね合わせた後、所定の張り合わせ熱処理を行う（例えば１１００℃，２時間）。この結果、支持基板用ウェーハに活性層用ウェーハが酸化膜を介して張り合わされることとなる。
【００１２】ここで、
この張り合わせ基板についてその活性層用ウェーハの周縁部に所定の面取りを施す。
この周縁部に残ったシリコン層をエッチングし、この部分に絶縁膜を露出させる。このエッチャントはシリコンのみを選択的にエッチングするもの（例えばＫＯＨ系のエッチング液）を使用する。
この活性層用ウェーハを所定厚さになるまで研削し、さらに、研磨する。この結果、所定厚さ（例えば１０μｍ）の活性層が支持基板用ウェーハ上に絶縁膜を介して配設されたＳＯＩ基板を得ることができる。
【００１３】
図２はこの発明の他の実施例を示している。この実施例によれば、支持基板用のシリコンウェーハＢ（鏡面ウェーハ）に予め所定厚さの熱酸化膜ＳｉＯ
2
を形成しておく。また、同一口径の活性層用のシリコンウェーハＡ（鏡面ウェーハ）を準備しておく。そして、これらのウェーハ同士を室温で重ね合わせた後、１１００℃，２時間のアニールを施す。この結果、支持基板用ウェーハに活性層用ウェーハが酸化膜を介して張り合わされる。
【００１４】ここで、
この張り合わせ基板についてその活性層用ウェーハの周縁部に所定の面取りを施す。
この周縁部に残ったシリコン層をエッチングし、この部分に絶縁膜を露出させる。
活性層用ウェーハを所定厚さになるまで研削し、さらに、鏡面研磨する。この結果、所定厚さの活性層が支持基板用ウェーハ上に絶縁膜を介して配設されたＳＯＩ基板を得ることができる。
ウ　
エ　
オ　上記「ウ」【図１】及び「エ」【図２】から，甲第２号証の「実施例」および「他の実施例」では，表面が酸化膜で被着された貼り合わせ基板について，その活性層用ウェーハの周縁部に所定の面取りを施す際に，活性層用ウェーハの支持基板用ウェーハに接した面と反対の面（以下，「上面」という。）に形成した熱酸化膜を除去している。
　また，活性層用ウェーハの上面と，上面と接した活性層用ウェーハの周縁部の面取りが行われた側面（以下，「側面」という。）との成す角は鈍角であり，側面は平坦面であると認められる。
　そして，周縁部に残ったシリコン層をＫＯＨ系のエッチング液を使用してエッチングした際に，熱酸化膜が被着されていない活性層用ウェーハの面は，上面も含めエッチングされ，残った上面と側面との成す角は鈍角となり，また，側面は平坦面となると認められる。
　加えて，活性層用ウェーハを所定厚さになるまで研削し，さらに鏡面研磨することにより，所定の厚さの活性層が支持基板用ウェーハ上に絶縁膜を介して配置されたＳＯＩ基板を得，このＳＯＩ基板の活性層の上面と側面の成す角は鈍角を成し，また，側面は平坦面を成していると認められる。
カ　上記「ア」ないし「オ」から，甲第２号証には以下の事項（以下，「甲第２号証記載事項」という。）が記載されている。
甲第２号証記載事項
「支持基板用のシリコンウェーハと活性層用シリコンウェーハを酸化膜を介して重ね，アニール処理を行い貼り合わせ処理を行い，表面に酸化膜が被着された貼り合わせ基板を作製し，
　貼り合わせ基板の活性層用ウェーハの周縁部に所定の面取りを施し，活性層用ウェーハの支持基板用ウェーハに接した面と反対の面（以下，「上面」という。）と，上面と接した活性層用ウェーハの周縁部の面取りが行われた側面（以下，「側面」という。）との成す角は鈍角とし，また，側面は平坦面とするとともに，活性層用ウェーハの表面に被着した熱酸化膜を貼り合わせ面を除き除去し，
　活性層用ウェーハのシリコン層をＫＯＨ系のエッチング液でエッチングし，
　活性層用ウェーハを所定厚さになるまで研削し，さらに鏡面研磨し，
　所定の厚さの活性層が支持基板用ウェーハ上に絶縁膜を介して配置され，このＳＯＩ基板の活性層の上面と側面の成す角が鈍角を成し，また，側面は平坦面を成す，ＳＯＩ基板を作製すること。」
（３）甲第３号証
　取消理由通知において引用した甲第３号証（特開平１０−２４２０９１号公報）には，図面とともに以下の事項が記載されている。
ア「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、二枚の基板を貼り合わせる貼り合わせ基板の作製方法、
特には二枚のシリコン単結晶基板をシリコン酸化膜を介して貼り合わせて作製する、いわゆる貼り合わせＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板の作製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＳＯＩ基板の作製方法として、２枚のシリコン単結晶基板をシリコン酸化膜を介して貼り合わせる技術、例えば特公平５−４６０８６号公報に示されるように、少なくとも一方の基板に酸化膜を形成し、接合面に異物を介在させることなく相互に密着させた後、およそ２００〜１２００℃の温度で熱処理し結合強度を高める方法が、従来より知られている。
【０００３】熱処理を行うことにより結合強度が高められた貼り合わせ基板は、その後の研削及び研磨工程が可能となるため、デバイス作製側基板を研削及び研磨により所望の厚さに薄膜化することにより、素子形成を行うＳＯＩ層を形成することができる。
【０００４】しかし、こうして作製された貼り合わせ基板の周辺約１〜３ｍｍには、未結合部分が存在することが知られており、この部分を除去するため、例えば特開平３−８９５１９号、特開平４−２６３４２５号、特開平３−２５０６１６号、特開昭６４−８９３４６号のような技術が開発されている。
【０００５】これらの方法は、未結合部の除去はできるけれども、デバイス作製側基板（ボンドウエーハ）の外周部を、支持基板となる他方の基板（ベースウエーハ）に達するまで研削するものであるために、ベースウエーハの形状を変更するものであったり、ウエーハ周辺部を除いてマスキングテープを粘着し、然る後にエッチングして、ウエーハ周辺部の未結合部を除去するものであるために、工程が複雑なものであったり、ボンドウエーハの周辺部全部をエッチングにより除去するものであるために、時間がかかりコストが高い上に、生産性も低いものであったり、問題が多い。
【０００６】一方、このような問題点を解決するものとして、特開平７−４５４８５号のような方法が提案されている。これは、二枚の半導体基板のうち、少なくとも一方の半導体基板の表面に酸化膜を形成し、該酸化膜を介して他方の半導体基板と密着させ、これに酸化性雰囲気下で熱処理を加えて強固に結合させた後、未結合部を除去するのに、ボンドウエーハの外周部をベースウエーハにダメージが達しない厚さまで研削して除去し、その後エッチングにより該ボンドウエーハ外周部の未結合部を完全に除去し、しかる後に該ボンドウエーハを研削・研磨して、所望厚さまで薄膜化することによって貼り合わせ基板を作製する方法である。
【０００７】この方法では、ベースウエーハの形状を変更することもないし、マスキングテープ等を用いる必要がなく、工程もそれほど複雑なものとはならない等の利点がある。」
イ「【００２２】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を、二枚の半導体基板を貼り合わせる場合につき、図面を参照して説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。ここで、図１は本発明にかかる貼り合わせ基板の作製工程の概略を示す説明図である。図２は、本発明にかかる二段研削を行った場合のウエーハの外周部断面形状を示した部分拡大図で、（Ａ）は研削後、（Ｂ）は、エッチング後の形状である。
図３は、従来の研削を行った場合のウエーハの外周部断面形状を示した部分拡大図で、（Ａ）は研削後、（Ｂ）は、エッチング後の形状である。
【００２３】図１においてまず、貼り合わせによりＳＯＩ基板を作製するための原料ウェーハ（単結晶シリコン鏡面ウエーハ：例えばチョクラルスキー法で作製した直径５インチ、方位＜１００＞のもの）であるボンドウェーハ２及びベースウェーハ３を用意する（図１（ａ））。そして、用意されたシリコン単結晶基板のうち、ボンドウェーハ２に熱処理を施し、ボンドウエーハ表面に酸化膜４を形成する（図１（ｂ））。
【００２４】次に、この酸化膜を形成したボンドウエーハ２とベースウエーハ３を清浄な雰囲気下で密着させる（図１（ｃ））。これに酸化性雰囲気下で熱処理を加えて、
ボンドウエーハ２とベースウエーハ３を強固に結合させ、貼り合わせ基板１とする。
この時、ボンドウエーハ２とベースウエーハ３が強固に結合されるとともに、貼り合わせ基板１の外表面全体にも、後工程でエッチング被膜となる酸化膜５が形成される
【００２５】こうして結合された貼り合わせ基板１の外周部約２ｍｍには、ボンドウエーハ２とベースウエーハ３の未結合部が存在している。このような未結合部は、デバイスを作製するＳＯＩ層として用いることができない上に、後工程で剥れ落ちて、種々の問題を引き起こすため除去する必要がある。
【００２６】未結合部を除去するには、図１（ｅ）に示すように、まず未結合部が存在するボンドウエーハ２の外周部を所定厚ｔまで研削して除去する。研削によれば、高速で除去することができるし、加工精度もよいからである。
【００２７】ところで、
従来はこのような一段階の研削を行い、その後ボンドウエーハ２の外周部をエッチングすることによって、未結合部を完全にエッチング除去するようにしていた。しかし、このような方法では、図３（Ａ）、（Ｂ）に部分拡大図を示した
エッチングによりボンドウエーハ外周部の未結合部を除去した後に、エッチング被膜として用いられる表面酸化膜５の周縁部ａが鋭利な形状となり
【００２８】また、このような従来のボンドウエーハ外周部の研削を一段階で行うと、その後のエッチングによりボンドウエーハ外周部の未結合部を除去する際に、溶け残りを防止し未結合部を完全に除去するために多少オーバーエッチングをしなければならないが、このような方法であると実際にいつ完全にエッチング除去されたのかが不明であり、オーバーエッチング量を多めにせざるを得ず工程上無駄であるとともに、正確なエッチング量およびエッチング速度がわからないために、エッチング工程管理上も問題となる。
【００２９】そこで、本発明にあっては、図１（ｅ）、（ｆ）に示すように、ボンドウエーハの外周部を所定厚まで除去する研削を二段階で行うようにし、問題となるボンドウエーハの酸化膜周縁部ａが、バスケットのウエーハ支え部と接触しないようにするとともに、未結合部が存在する領域より厚い研削をすることによって、エッチング後にこの部分のシリコン層が溶け残るために、その厚さからエッチング量およびエッチング速度が正確に測定できるようにした（図２（Ａ）（Ｂ）参照）。
【００３０】そして、このような二段階研削は、いずれの段階を先に行ってもよく、その順序は研削機の仕様その他の都合により決定すれば良いが、少なくともそのうちの一段階は、外周部の未結合部が存在する領域を埋め込み酸化膜４及びベースウエーハ３にダメージを与えない範囲で薄く研削するものとし、他の一段階は未結合部が存在する領域よりさらに内側の領域であって、当該貼り合わせウエーハの未結合部を完全に除去するエッチング工程以降にウエーハを収容あるいは搬送するために用いられるウエーハバスケットのウエーハ支え部に接触しない領域までを、少なくともボンドウエーハ表面の酸化膜を除去するものであり、かつ前記未結合部が存在する領域より厚くなるように研削する。
【００３１】本発明にかかる二段研削のうち、少なくとも一段階は、外周部の未結合部が存在する領域Ｗ1 を埋め込み酸化膜４及びベースウエーハ３にダメージを与えない範囲で薄く研削するものとするのは、従来の研削と同様であり、未結合部を除去するために必要であるとともに、所定厚ｔをできるだけ薄くし、後工程であるエッチング工程での取りしろを減少させ、行程時間を短縮するためである。
【００３２】ところでこの場合、エッチングと異なりシリコンウエーハを機械的に研削すると、加工歪みが生じることは良く知られており、あまり所定厚ｔを薄くすると、埋め込み酸化膜４、あるいはベースウエーハ３に加工歪みのようなダメージが到達してしまい、その後のエッチングによりボンドウエーハ２の外周部の未結合部を完全に除去する際に、ダメージを受けた埋め込み酸化膜４を通ってエッチング液が、ベースウエーハ３の表面にも達し、この部分（テラス部７）に傷や凹凸を発生させ、その後のデバイス工程における歩留を低下させてしまう。
【００３３】そこで、
埋め込み酸化膜４、ベースウエーハ３にダメージを与えることなく、いかに薄くボンドウエーハ２の外周部を研削するかが問題となるが、これには、図４に示すように、ボンドウエーハ２の外周部を所定厚ｔまで研削して除去するのに、砥石１０をボンドウエーハ２の外周方向から中心方向に向けて相対的に移動させるようにして研削すればよい。
【００３４】このように外周部の研削をボンドウエーハ２の外周方向から中心方向に向けて研削するようにすれば、ダメージは砥石の進行方向である、ウエーハの中心方向に入り、厚さ方向のダメージは少ないからである。したがって、例えボンドウエーハ２の外周を、２０〜１５０ミクロンといった厚さまで薄く研削しても、埋め込み酸化膜４あるいはベースウエーハ３にダメージが入らない。」
ウ「【００４１】外周部の二段研削が終了したなら、次に、図１（ｇ）および図２（Ｂ）のように、エッチングによりボンドウエーハ２外周部の未結合部を完全に除去する。これは、酸化膜にくらべてシリコン単結晶のエッチング速度が格段に大きいエッチング液に、貼り合わせ基板１を浸漬することによって、簡単に行うことができる。すなわち、
ボンドウエーハ２の外周部は、研削によってシリコンが露出しているために、エッチング液によってエッチングされるが、貼り合わせ基板１の他の部分は、酸化膜５で覆われているためにエッチングされない。このようなエッチングとしては、ＫＯＨ，ＮａＯＨ等によるいわゆるアルカリエッチングを挙げることができる。
エ「【００４５】
こうして得られた貼り合わせ基板１を最後に、図１（ｈ）に示すように、ボンドウエーハ２の表面を通常の方法に従い研削・研磨して、所望厚さまで薄膜化すれば、ＳＯＩ層６を有する貼り合わせ基板を作製することができる。
オ　【図３】
カ　【図４】
キ　上記アないしカから，以下のことがわかる。
（ア）上記「イ」段落【００２７】，【００３３】及び「オ」【図３】（Ａ），「カ」【図４】の記載から，ボンドウエーハ２の外周部を研削する際に，台形の砥石１０を用い研削すると，ボンドウエーハ２のベースウエーハ３との接合する面と反対の面と，研削された面との成す角は鈍角であり，また，研削された面の酸化膜は除去されるが，ボンドウエーハ２のベースウエーハ３との接合する面と反対の面の表面酸化膜５は残っていると認められる。
（イ）上記「イ」段落【００２７】及び「オ」【図３】（Ａ），（Ｂ）の記載から，研削されたボンドウエーハ２をエッチングし，未結合部を完全にエッチング除去すると，エッチング被膜として用いられる表面酸化膜５の周縁部ａが鋭利な形状となり，その形状の下から，ボンドウエーハ２の表面酸化膜５と平行な面と，エッチングされた側面との成す角は鈍角を成し，また，ベースウエーハ３に向かうほど，ボンドウエーハ２の表面酸化膜５と平行な面と，エッチングされた側面との成す角度が徐々に大きくなっていると認められる。
　また，上記「ウ」段落【００４１】の記載から，エッチングは，ＫＯＨ，ＮａＯＨ等によるいわゆるアルカリエッチングであると認められる。
（ウ）上記「エ」段落【００４５】及び「オ」【図３】（Ｂ）の記載から，ＳＯＩ層６を有する貼り合わせ基板は，エッチングされた貼り合わせ基板のボンドウエーハ２の表面を研削・研磨して，所望の厚さまで薄膜化しており，このことから，ＳＯＩ層６を有する貼り合わせ基板は，ボンドウエーハ２のベースウエーハ３と接合する面と反対の面と，この反対の面と接する側面の成す角は鈍角となり，また，ベースウエーハ３に向かうほど，ベースウエーハ３の反対の面と平行な面と，側面との成す角度が徐々に大きくなっていると認められる。
ク　上記「ア」ないし「キ」から，甲第３号証には以下の事項（以下，「甲第３号証記載事項」という。）が記載されている。
「二枚のシリコン単結晶基板をシリコン酸化膜を介して貼り合わせて作製する，ＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板の作製方法に関し，
　ボンドウエーハ２とベースウエーハ３を貼り合わせて，外表面全体に酸化膜が形成された貼り合わせ基板１を作製し，
　ボンドウエーハ２のベースウエーハ３との接合する面と反対の面の表面酸化膜５を残して，ボンドウエーハ２の外周部を台形の砥石１０を用い研削し，
　研削されたボンドウエーハ２をアルカリエッチングして，未結合部を完全にエッチング除去し，
　ボンドウエーハ２の表面を研削・研磨して，所望の厚さまで薄膜化すると，
　ＳＯＩ層６を有する貼り合わせ基板は，ボンドウエーハ２のベースウエーハ３と接合する面と反対の面と，この反対の面と接する側面の成す角は鈍角となり，また，ベースウエーハ３に向かうほど，ベースウエーハ３の反対の面と平行な面と，側面との成す角度が徐々に大きくなっている曲面となること。」
３　対比・判断
（１）本件特許発明１について
ア　対比
（ア）甲第１号証発明の「支持基板用ウェーハ２０」，「ＳＯＩ層１０Ａ」及び「ＳＯＩ基板」は，それぞれ本件特許発明１の「支持基板（１）」，「活性層（３）」及び「半導体基板」に相当する。
　そして，甲第１号証発明の「支持基板用ウェーハ２０」も，本件特許発明１の「表面（１ａ）と裏面（１ｂ）および該表面と裏面との間に位置する側面（１ｃ）」と同様の構成を有していると認められる。
（イ）甲第１号証発明は「活性層用ウェーハ１０に形成された絶縁性のシリコン酸化膜１０ａを介して活性層用ウェーハ１０と支持基板用ウェーハ２０を貼り合わせ」，最後に，「活性層用層ウェーハ１０がそのデバイス形成面から表面研削され，ＳＯＩ層１０Ａ」とされているから，甲第１号証発明は，「活性層用ウェーハ１０に形成された絶縁性のシリコン酸化膜１０ａを介して」「ＳＯＩ層１０Ａ」と「支持基板用ウェーハ２０」を貼り合わせており，このことと，本件特許発明１の「前記支持基板の表面に形成された絶縁膜（２）」を有し，「前記絶縁膜を介して前記支持基板の上に配置され」る「活性層（３）」とは，「絶縁膜」を有し，「前記絶縁膜を介して前記支持基板の上に配置され」る「活性層」である点で共通する。
（ウ）甲第１号証発明の「ＳＯＩ層１０Ａ」は，「円形状を有し，外周部の一部に直線状のオリフラＯＦが形成されている」から，このことは，本件特許発明１の「円形状かつ円形状の一部を切り欠いた直線状部（３ｄ）が形成された活性層（３）」に相当する。
（エ）してみると，本件特許発明１と甲第１号証発明とは，以下の点で一致し，また相違する。
［一致点］
　表面と裏面および該表面と裏面との間に位置する側面を有する支持基板と，
　絶縁膜と，
　前記絶縁膜を介して前記支持基板の上に配置され，シリコン基板により構成され，円形状かつ円形状の一部を切り欠いた直線状部が形成された活性層と，を有する
　ことを特徴とする半導体基板。
［相違点１］
　本件特許発明１の「絶縁膜」は，「前記支持基板の表面に形成され」ているのに対して，甲第１号証発明の「絶縁膜」は，「活性層用ウェーハに形成された絶縁性のシリコン酸化膜１０ａ」である点。
［相違点２］
　本件特許発明１は「前記活性層のうち、前記絶縁膜と反対側となる表面（３ａ）と前記絶縁膜側となる裏面（３ｂ）との間に位置する部分を側面（３ｃ）として、前記直線状部を含めた該活性層の側面と表面との成す角度が該活性層の全周で同じ角度である鈍角である」のに対して，甲第１号証発明は対応する構成の形状が不明である点。
イ　相違点についての判断
［相違点２］について検討する。
　甲第１号証発明の「オリフラＯＦ」は，活性層用ウェーハ１０の外周部を研削した円錐台形状を有する外周研削用砥石４０を用いて形成されるので，甲第１号証発明においても，外周研削用砥石４０による研削後の活性層用ウェーハ１０の上面と該上面に接する側面との成す角度は，オリフラＯＦを含めて同じ角度である鈍角に形成されるものであると認められる。
　しかしながら，甲第１号証発明では，活性層用ウェーハ１０と支持基板用ウェーハ２０を貼り合わせた後に外周研削用砥石４０による研削が行われるため，研削後の削り残し部１０ｃをアルカリ性エッチング液に浸漬させて溶かす必要がある。
　そして，削り残し部１０ｃがアルカリ性エッチング液で溶かされて形成される甲第１号証発明では，削り残し部１０ｃの厚みを溶かす際に，ＳＯＩ層１０Ａの上面（３ｂ）と側面（３ｃ）も，アルカリ性エッチング液によるエッチングが行われると認められる。その際，アルカリ性エッチング液によるエッチングは，結晶面方位によってエッチング速度が異なることは周知の事項であり，また，ＳＯＩ層１０Ａの上面と接する側面の全周において結晶面方位が同じにならないことは技術常識である。
　そうすると，アルカリ性エッチング液によるエッチングが行われた，ＳＯＩ層１０Ａの上面（３ｂ）と側面（３ｃ）の成す角度が，オリフラＯＦを含めて全周で同じ角度になるとは認められず，そもそも全周で確実に鈍角になることも定かとはいえない。
　また，ＳＯＩ基板の形成において，面取りや外周研削用砥石による研削後に，面取り後の周縁部に残ったシリコン層や研削後の未結合部をエッチング除去することが甲第２号証及び甲第３号証に記載されているものの，甲第１号証発明の「削り残し部１０ｃ」を溶かすエッチングに対応する，甲第２号証記載事項の「活性層用ウェーハのシリコン層をＫＯＨ系のエッチング液でエッチング」，及び，甲第３号証記載事項の「研削されたボンドウエーハ２をアルカリエッチングして，未結合部を完全にエッチング除去」は，甲第１号証発明と同様に，アルカリ性エッチング液によるエッチングが行われていると認められるので，甲第１号証発明に甲第２号証記載事項または甲第３号証記載事項を用いたとしても，［相違点２］に係る構成を設けることはできない。
　そうすると，甲第１号証発明，甲第２号証及び甲第３号証記載事項から，［相違点２］に係る構成を，当業者が容易に想起できたとは言えない。
　そして，本件特許発明１は，［相違点２］に係る構成を有することにより，「活性層の全周において，チッピングの発生を抑制することが可能。」（本件特許明細書段落【００３６】，特許権者の平成３０年１１月２８日の意見書第７頁１５行乃至１７行）という格別の効果を有するものである。
　してみると，［相違点２］に係る構成は，甲第１号証ないし甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到したものであるとは言えない。
ウ　本件特許発明１についてのまとめ
　したがって，本件特許発明１は，他の相違点について検討するまでもなく，甲第１号証ないし甲第３号証に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
（２）本件特許発明２ないし４について
　本件特許発明２ないし４は，本件特許発明１を引用するものであり，本件特許発明１の発明特定事項を全て備えるものであるから，前記「（１）」と同様の理由により，甲第１号証ないし甲第３号証に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
第５　特許異議申立人の意見について
　特許異議申立人は，平成３１年２月４日付けの意見書において，本件請求項１についての訂正により，「
前記直線状部を含めた
該活性層の全周で同じ角度である
・本件の願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面には，直線状部を含めた活性層の側面と表面との成す角度が「
活性層の全周で同じ角度である
活性層の全周で同じ角度である
・本件特許発明１を特定する事項のうち，「
前記直線状部を含めた
該活性層の全周で同じ角度である
活性層の全周で同じ角度である
　そこで，本件請求項１の「直線状部」の「該活性層の側面と表面との成す角度」について検討する。
　本件特許明細書において，段落【００３６】の「直線状部３ｄについても、活性層３の側面３ｃと表面３ａとの成す角度が鈍角となるようにしておけば、チッピングの発生を抑制することが可能となり、上記第１、第２実施形態と同様の効果が得られる。」，段落【００２３】の「シリコン基板２０の裏面２０ｂ側において、シリコン基板２０の外周部を研削して凹ませた外周研削部２０ｄを形成する。例えば、図中に示したように、先端部に行くほど徐々に研削面３０ａの外径が拡大していくようなグラインダー３０を用いる。そして、シリコン基板２０を図示しないステージに搭載し、シリコン基板２０の中心を回転中心としてステージと共に回転させ、シリコン基板２０の外周部にグラインダー３０の研削面３０ａを当接させる。」，段落【００２４】の「これにより、シリコン基板２０の外周部が研削され、外周研削部２０ｄが形成される。このように形成される外周研削部２０ｄは、シリコン基板２０の厚み方向において裏面２０ｂ側から表面側２０ａに向かうに連れてシリコン基板２０の外径が徐々に小さくなる逆テーパ形状とされる。」の記載から，直線状部３ｄに形成される「鈍角」も，グラインダー３０の研削面３０ａをシリコン基板２０の外周部に当接させることで形成されるものと解される。
　そうすると，本件請求項１において，「該活性層の側面と表面との成す角度」とは，「直線状部」も含めた「該活性層の全周」で，グラインダー３０の研削面３０ａの傾斜角度で決定される角度であると認められ，また，「活性層の全周で同じ角度である」の「同じ角度」とは，活性層の全周をグラインダー３０で研削した際にグラインダー３０の研削面３０ａの傾斜角度で決定される程度で同じ角度になることを意味するものと認められる。
　よって，特許請求の範囲の請求項１についてした訂正は，願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものであり，また，「活性層の全周で同じ角度である」の記載は，記載が不明確とは言えず，上記「第４の３（１）」の［相違点２］に記載したように実質的な相違点になるものであるから，上記特許異議申立人の主張を採用することはできない。
第６　取消理由通知において使用しなかった特許異議申立理由について
　特許異議申立人　岡村英紀　は，特許異議申立書において，訂正前の請求項１，３及び４に係る特許は，甲第１号証に記載された発明と同じ発明であるから，特許法第２９条第１項３号の規定に違反してされたものであり，取り消されるべきものである旨，主張している。
　しかしながら，本件特許発明１と甲第１号証に記載された発明は，上記「第４の３（１）」で検討したように，［相違点１］及び［相違点２］の点で相違する。
　したがって，本件特許発明１は，甲第１号証に記載された発明でない。また，本件特許発明１を引用する本件特許発明３及び４も，甲第１号証に記載された発明でない。
第７　むすび
　以上のとおりであるから，取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては，本件特許発明１ないし４に係る特許を取り消すことはできない。
　また，他に本件特許発明１ないし４に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成３１年３月２５日（２０１９．３．２５）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　表面（１ａ）と裏面（１ｂ）および該表面と裏面との間に位置する側面（１ｃ）を有する支持基板（１）と、
　前記支持基板の表面に形成された絶縁膜（２）と、
　前記絶縁膜を介して前記支持基板の上に配置され、シリコン基板により構成され、円形状かつ円形状の一部を切り欠いた直線状部（３ｄ）が形成された活性層（３）と、を有し、
　前記活性層のうち、前記絶縁膜と反対側となる表面（３ａ）と前記絶縁膜側となる裏面（３ｂ）との間に位置する部分を側面（３ｃ）として、前記直線状部を含めた該活性層の側面と表面との成す角度が
該活性層の全周で同じ角度である
　【請求項２】
　前記側面は平坦面であり、該側面のうち前記活性層の厚み方向全域において、該側面と前記活性層の表面との成す角度が鈍角とされていることを特徴とする請求項１に記載の半導体基板。
　【請求項３】
　前記側面は曲面であり、前記側面のうち前記表面との境界部における接線と前記表面との成す角度が鈍角となっており、かつ、前記活性層の表面側から裏面側に向かうほど、前記活性層の厚み方向と平行な断面において、前記側面と前記活性層の表面とが成す鈍角の角度が徐々に大きくなることを特徴とする請求項１に記載の半導体基板。
　【請求項４】
　前記支持基板は、前記支持基板の外周部の一部を切り欠かれたノッチ部（１ｄ）もしくは前記外周部の一部を直線状としたオリエンテーションフラットが形成され、
　前記直線状部は、前記ノッチ部もしくは前記オリエンテーションフラットと対応する部分に形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体基板。
　【請求項５】
　表面（２０ａ）と裏面（２０ｂ）および該表面と裏面との間に位置する側面（２０ｃ）を有するシリコン基板（２０）を用意すると共に、表面（１ａ）と裏面（１ｂ）および該表面と裏面との間に位置する側面（１ｃ）を有する支持基板（１）を用意する工程と、
　前記シリコン基板の裏面と前記支持基板の表面のうちの少なくとも一方に絶縁膜（２）を形成する工程と、
　前記シリコン基板の裏面に対して、該シリコン基板の外周部を研削することにより、該シリコン基板の厚み方向において、該シリコン基板の裏面側から表面側に向かうに連れて該シリコン基板の外径が徐々に小さくなる形状とされた外周研削部（２０ｄ）を形成する工程と、
　前記シリコン基板のうち前記外周研削部が形成された裏面側が前記支持基板側を向くようにして、前記絶縁膜を介して、前記シリコン基板を前記支持基板の表面上に貼り合せる工程と、
　前記支持基板に貼り合せた前記シリコン基板を表面側から前記外周研削部まで達する位置まで研削研磨することで活性層（３）を形成し、該活性層のうち前記絶縁膜と反対側となる表面（３ａ）と前記絶縁膜側となる裏面（３ｂ）との間に位置する部分を側面（３ｃ）として、該活性層の側面と表面との成す角度が鈍角となるようにする工程と、を含んでいることを特徴とする半導体基板の製造方法。