(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極が対向配置された放電ランプと、前記放電ランプを始動し、前記電極に放電電流を供給するための給電装置とを接続してなる光源装置において、
前記給電装置は、前記放電ランプに流れる電流が所定の電流制限値を超えないように制御し、ランプ電流が、前記電流制限値を超えない領域においては、ランプに投入される電力が定格電力値に等しくなるようにランプ電流を制御するものであって、
前記放電ランプの始動直後から前記放電ランプの加熱が十分となるまでの期間は、前記電流制限値を第１の制限値とし、前記期間を経過後は、前記電流制限値を、前記第１の制限値より小さい第２の制限値に徐々に変更することを特徴とする光源装置。
【請求項２】
放電ランプを始動して放電電流を供給する給電装置において、
前記給電装置は、前記放電ランプに流れる電流が所定の電流制限値を超えないように制御し、ランプ電流が、前記電流制限値を超えない領域においては、ランプに投入される電力が定格電力値に等しくなるようにランプ電流を制御するものであって、
前記放電ランプの始動直後から前記放電ランプの加熱が十分となるまでの期間は、前記電流制限値を第１の制限値とし、前記期間を経過後は、前記電流制限値を、前記第１の制限値より小さい第２の制限値に徐々に変更することを特徴とする給電装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばプロジェクタなどの光学装置用の光源として使用される、高圧水銀放電ランプやメタルハライドランプ等の高輝度放電ランプ（ＨＩＤランプ）を用いた光源装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶プロジェクタやＤＬＰ（ＴＭ）（テキサスインスツルメンツ社）プロジェクタ等の光学装置用の光源装置においては、高輝度放電ランプが使用される。
【０００３】
この種の放電ランプを点灯する場合、ランプに無負荷開放電圧と呼ばれる電圧を印加した状態で、前記無負荷開放電圧に高電圧を重畳して放電空間内に絶縁破壊を発生させ、グロー放電を経てアーク放電に移行させる。以下において、アーク放電に移行後のランプ電圧（ＶＬ）とランプ電流（ＩＬ）の関係について表した図７を用いて説明する。
【０００４】
アーク放電に移行直後においては、ランプ電圧は、例えば１０Ｖ程度の低い電圧を示すため、もしこの時点から定格電力をランプに投入しようとすると過大な電流を流さなければならない。そのため通常は、図７の点（Ｐ０１）に示すように、ある一定水準の電流制限値（ＩＬ０）より小さいランプ電流しか流れないように、給電装置の回路が制御される。アーク放電に移行直後において低かったランプ電圧は、ランプの温度の上昇とともに高まって矢印（Ｙ０１）のように移行し、やがては、点（Ｐ０２）に示すように、前記した電流制限値の範囲内のランプ電流によって定格電力をランプに投入できるようになる。
【０００５】
ここで、定電力特性線（Ｆｐ０）は、ランプに投入される電力が定格電力値に等しくなる条件、すなわちランプ電圧（ＶＬ）とランプ電流（ＩＬ）の積が一定の条件を示し、ランプ電流の前記電流制限値（ＩＬ０）より小さい領域では、ランプ電圧（ＶＬ）とランプ電流（ＩＬ）の関係が概ねこの定電力特性線（Ｆｐ０）上に位置するように給電装置の回路が制御される。
【０００６】
ランプの温度がさらに上昇すると、定電力特性線（Ｆｐ０）に沿って矢印（Ｙ０２）のように移行し、最終的にランプ電圧の上昇が飽和して、点（Ｐ０３）に示すような飽和電圧の状態に達する。
【０００７】
なお、前記した電流制限値（ＩＬ０）自体も大きな電流であり、給電装置を構成するＦＥＴ等のスイッチ素子やダイオード等の半導体素子、チョークコイル等のコイル類などのパワー系素子の発熱が大きいため、給電装置はこのランプ電流を定常的に流すことには、耐えられないかも知れないが、前記したようにこの大きな電流が流れるのは、ランプ電圧が上昇して飽和するまでの短期間に限定されるため、通常は問題にならない。一方、飽和電圧に達した後に流れるランプ電流は、定常的なものであるため、点（Ｐ０３’）に示す場合のように、これが大きい場合は問題になる。このような条件は、飽和ランプ電圧が低いランプにおいて生じる。
【０００８】
近年、光源が点光源に近いほど放電ランプから放射される光の利用効率が向上するため、ランプの放電発光領域を小さくすることを目的として、放電ランプの電極間隙を短くすることが求められて来ている。ところが前記したように、電極間隙を短くすると、ランプ製造時の加工バラツキや、ランプ点灯時の熱膨張、電極材料の輸送現象等に起因して発生する、電極間隙寸法における標準値からのずれが、前記ランプ電圧の飽和電圧に与える影響度合いが、従来の電極間隙が長い場合よりも強くなる。
【０００９】
何となれば、例えば電極間隙寸法の加工誤差を±０.２ｍｍとしたとき、電極間隙寸法の標準値が２ｍｍのランプにおいては、高々±１０％のバラツキに過ぎなかったものが、電極間隙寸法の標準値が０.８ｍｍのランプにおいては、±２５％ものバラツキとなってしまうが、飽和ランプ電圧は電極間隙寸法に概略比例するため、この寸法バラツキのパーセンテージが、そのまま飽和ランプ電圧バラツキのパーセンテージとなるからである。
【００１０】
例えば仮に、電極間隙寸法の標準値が２ｍｍのランプと０.８ｍｍのランプにおいて、電極間隙寸法が標準値である場合の飽和ランプ電圧、すなわち標準ランプ電圧が同じ値、例えば７０Ｖになるように、ランプのパラメータ、例えば点灯時の封入圧を設計したとするならば、ランプ電圧が最低値となる条件、すなわち電極間隙寸法の誤差がマイナス０.２ｍｍの場合、そのランプ電圧は、電極間隙寸法標準値が２ｍｍのランプにおいては６３Ｖ、０.８ｍｍのランプにおいては５２.５Ｖとなる。
【００１１】
前記したように、このような光源装置においては、ランプ電圧が変化してもランプへの投入電力が概略一定となるように給電装置が構成されており、したがって、ランプ電圧が低いほど大きなランプ電流を流さなければならなくなる。そのため仮に、前記した電極間隙寸法標準値が２ｍｍのランプと０.８ｍｍのランプの定格電力が同じ値、例えば２００Ｗである場合、それぞれの最大電流は、電極間隙寸法標準値が２ｍｍのランプ（最低ランプ電圧６３Ｖ）では３.１７Ａ、０.８ｍｍのランプ（最低ランプ電圧５２.５Ｖ）では３.８１Ａとなる。ランプの設計が決まれば、ランプの安全かつ安定な使用という観点から、定格ランプ電力も決まるが、このようなバラツキの大きい条件に対しては、定格ランプ電圧、定格ランプ電流というものは存在しない。
【００１２】
一般に、前記した給電装置を構成するパワー系素子の損失は、流れる電流値の２乗に比例して大きくなる。したがって、前記した電極間隙寸法標準値が２ｍｍのランプの最低電圧での点灯時における給電装置の損失、すなわち最大損失が、例えば１０Ｗであるとするならば、電極間隙寸法標準値が０.８ｍｍのランプの場合には、最大損失が概略１４Ｗ程度発生することになる。
【００１３】
すなわち、電極間隙寸法標準値を２ｍｍから０.８ｍｍに小さくした場合は、仮に標準ランプ電圧を変えないようにランプを設計したとしても、電極間隙寸法の加工誤差に起因して最大ランプ電流が増加し、最大損失が４４％も増加することがわかる。したがって、給電装置を構成する前記パワー系素子の発熱が増加するという問題があった。そのため、この不都合を緩和するには、より大型のスイッチ素子やダイオード、コイル類を用いたり、放熱フィンを大型化したり、冷却ファンを強化する必要があり、光学装置の大型化や重量化、高コスト化が避けられない。
【００１４】
この問題を回避するために、飽和ランプ電圧の低いランプに対しても、前記パワー系素子の発熱が問題にならない程度に前記電流制限値（ＩＬ０）を小さく設定しておく、という方法も考えられるかも知れないが、この場合は、ランプの明るさが実用的な明るさまで立ち上がるのに要する時間が長くかかる問題、およびこのようにすることにより定格電力による十分な加熱をランプに対して全く経験させないで定常点灯に移行することになり、例えば水銀などのランプ封入物の蒸発が不完全となるため、アーク放電の輝点が安定しないでチラツキが生ずる現象、いわゆるフリッカが発生し易い問題があるため、真の解決策とは言えない。
【００１５】
日本国特許庁の特許３２６１１４２号公報には、少なくとも高輝度放電灯の始動直後からランプ電圧が略定格ランプ電圧に達するまでに必要な時間をタイマ回路で設定し、その時間を経過するまでは、定格ランプ電流よりも大きな電流を流して光量安定時間を短縮し、その時間を経過後にランプ電圧が定格電圧に達しない場合には、定格点灯状態を維持可能なランプ電流以下の電流を流すように、昇圧チョッパ方式のＤＣ−ＤＣコンバータ回路を制御するように構成することにより、コイル等の巻線に太い線径のものの使用を避けることができる放電灯点灯装置が記載されている。
【００１６】
しかし、この放電灯点灯装置の発明は、ランプ電圧が略定格ランプ電圧に達するまでに必要な時間をタイマ回路で設定するものであるため、前記したような、ランプ自体の電極間隙寸法のバラツキがある場合、さらにこれに水銀等の封入物の量のバラツキや、光学装置の冷却条件や周囲温度のバラツキが加わることにより、ランプの特性や時間的挙動にバラツキがあり、したがって定格電力が投入可能な時間自体に大きなバラツキを生じるため、意図的に大きなランプ電流を流すべき時間を予め決めることはできず、例えば過剰電力の度合いが大き過ぎてランプの寿命を縮めたり、破裂を発生させる危険性があった。
【００１７】
また、この放電灯点灯装置の発明は、正常なランプとスローリークを起こしたランプを正確に識別し、スローリークを起こして故障してしまったランプに対して、過大な電流が流れ続けることを防止することを目的とするもので、正常ではあるが、大きなバラツキを有し、そのために大きな電流を要求するランプに対して、そのバラツキに応じた仕方で正常に点灯させ、使用可能にするためのものではなかった。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、従来の技術が抱える問題、すなわち、高輝度放電ランプを有する光源装置において、飽和ランプ電圧が低いランプに対しては、ランプ電流が大きくなる問題を解決することを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
この課題を解決するために、本発明の請求項1の発明は、一対の電極が対向配置された放電ランプと、前記放電ランプを始動し、前記電極に放電電流を供給するための給電装置とを接続してなる光源装置において、前記給電装置は、前記放電ランプに流れる電流が所定の電流制限値を超えないように制御し、ランプ電流が、前記電流制限値を超えない領域においては、ランプに投入される電力が定格電力値に等しくなるようにランプ電流を制御するものであって、前記放電ランプの始動直後から前記放電ランプの加熱が十分となるまでの期間は、前記電流制限値を第１の制限値とし、前記期間を経過後は、前記電流制限値を、前記第１の制限値より小さい第２の制限値に徐々に変更することを特徴とするものである。
【００２０】
本発明の請求項２の発明は、請求項1の発明と同様の構成であって、給電装置であることを特徴とする。
【００２１】
【作用】
図１に、放電ランプ（Ｌｄ）に直流電圧を印加して放電させる方式の本発明の光源装置の構成の、簡略化された一例を示す。給電装置（Ｅｘ）において、降圧チョッパ型のバラスト回路（Ｂｘ）は、ＰＦＣ等のＤＣ電源（Ｍｘ）より電圧の供給を受けて動作する。前記バラスト回路（Ｂｘ）においては、ＦＥＴ等のスイッチ素子（Ｑｘ）によってＤＣ電源（Ｍｘ）よりの電流をオン・オフし、チョークコイル（Ｌｘ）を介して平滑コンデンサ（Ｃｘ）に充電が行われ、この電圧が放電ランプ（Ｌｄ）に印加され、前記放電ランプ（Ｌｄ）に電流を流すことができるように構成されている。
【００２２】
なお、前記スイッチ素子（Ｑｘ）がオン状態の期間は、前記スイッチ素子（Ｑｘ）を通じた電流により、直接的に前記平滑コンデンサ（Ｃｘ）への充電と負荷である前記放電ランプ（Ｌｄ）への電流供給が行われるとともに、前記チョークコイル（Ｌｘ）に電流の形でエネルギーを蓄え、前記スイッチ素子（Ｑｘ）がオフ状態の期間は、前記チョークコイル（Ｌｘ）に電流の形で蓄えられたエネルギーによって、ダイオード（Ｄｘ）を介して前記平滑コンデンサ（Ｃｘ）への充電と前記放電ランプ（Ｌｄ）への電流供給が行われる。
【００２３】
スタータ（Ｕｉ）においては、抵抗（Ｒｉ）を介して、ランプ電圧（ＶＬ）によってコンデンサ（Ｃｉ）が充電される。ゲート駆動回路（Ｇｉ）を活性化すると、サイリスタ等よりなるスイッチ素子（Ｑｉ）が導通することにより、前記コンデンサ（Ｃｉ）がトランス（Ｋｉ）の１次側巻線（Ｐｉ）を通じて放電し、２次側巻線（Ｈｉ）に高電圧パルスを発生する。
【００２４】
前記スタータ（Ｕｉ）の前記２次側巻線（Ｈｉ）に発生した高電圧は、前記バラスト回路（Ｂｘ）の出力電圧に重畳されて電極（Ｅ１，Ｅ２）間に印加され、放電ランプ（Ｌｄ）の前記電極（Ｅ１，Ｅ２）の間隙において絶縁破壊を発生させ、放電を始動することができる。
【００２５】
給電制御回路（Ｆｘ）はあるデューティサイクル比を有するゲート駆動信号（Ｓｇ）を生成し、前記ゲート駆動信号（Ｓｇ）は、ゲート駆動回路（Ｇｘ）を介して、前記スイッチ素子（Ｑｘ）のゲート端子に加えられることにより、前記したＤＣ電源（Ｍｘ）よりの電流のオン・オフが制御される。
【００２６】
前記放電ランプ（Ｌｄ）の電極（Ｅ１，Ｅ２）間を流れるランプ電流（ＩＬ）と、電極（Ｅ１，Ｅ２）間に発生するランプ電圧（ＶＬ）とは、電流検出手段（Ｉｘ）と、電圧検出手段（Ｖｘ）とによって、検出できるように構成される。なお、前記電流検出手段（Ｉｘ）については、シャント抵抗を用いて、また前記電圧検出手段（Ｖｘ）については、分圧抵抗を用いて簡単に実現することができる。
【００２７】
前記電流検出手段（Ｉｘ）よりのランプ電流信号（Ｓｉ）、および前記電圧検出手段（Ｖｘ）よりのランプ電圧信号（Ｓｖ）は、前記給電制御回路（Ｆｘ）に入力され、その時点における放電ランプ（Ｌｄ）の放電状態の別、すなわち非放電状態であるか、グロー放電状態であるか、アーク放電状態であるかなどに基づいて、ランプ電流（ＩＬ）やランプ電圧（ＶＬ）が、あるいはこれら電流と電圧の積であるランプ電力が、その目標値との差が減少するように、前記ゲート駆動信号（Ｓｇ）のデューティサイクル比がフィードバック的に制御される。
なお、（Ｔ１１），（Ｔ１２），（Ｔ２２），（Ｔ２３），（Ｔ３１），（Ｔ３２）は、端子を示す。
【００２８】
以下において、請求項１及び請求項２の発明の作用について説明する。図２は、アーク放電に移行後のランプ電圧（ＶＬ）とランプ電流（ＩＬ）の関係について表したものである。前記給電制御回路（Ｆｘ）は、前記ゲート駆動信号（Ｓｇ）のデューティサイクル比を制御するに際しては、ランプ電流（ＩＬ）が、前記給電制御回路（Ｆｘ）の内部に設定された電流制限値を超えないように制御を行う。そして、ランプ電流（ＩＬ）が、前記電流制限値を超えない領域においては、ランプに投入される電力が定格電力値に等しくなるように、すなわち図２における定電力特性線（Ｆｐ０）上に位置するように、ランプ電流（ＩＬ）を制御する。
【００２９】
従来の技術の部分において述べたように、アーク放電に移行直後においては、ランプ電圧は低く、したがってこの時点から定格電力をランプに投入しようとしてランプ電流が過大になることを防止するため、前記給電制御回路（Ｆｘ）は、ランプの始動に先立ち、前記電流制限値を第１の制限値（ＩＬ１）に設定する。
【００３０】
その結果、ランプに高電圧を印加して放電空間内に絶縁破壊を発生させ、グロー放電を経てアーク放電に移行させた直後は、点（Ｐａ１）に示すように、ランプ電流が第１の制限値（ＩＬ１）に制限される。
【００３１】
アーク放電に移行直後において低かったランプ電圧は、ランプの温度の上昇とともに高まって矢印（Ｙａ１）のように移行し、やがては点（Ｐａ２）に示すように、前記した電流制限値の範囲内のランプ電流によって定格電力をランプに投入できるようになる。
【００３２】
ランプの温度がさらに上昇すると、定電力特性線（Ｆｐ０）に沿って矢印（Ｙａ２）または矢印（Ｙａ２’）のように移行し、ランプの加熱が十分行われた段階では、点（Ｐａ３）または点（Ｐａ３’）に示すような位置に達する。この時点で、前記給電制御回路（Ｆｘ）は、前記電流制限値を第２の制限値（ＩＬ２）に変更する。
【００３３】
なお、ランプの加熱が十分行われたかどうかを前記給電制御回路（Ｆｘ）が判断する方法については、例えばランプの温度を検出して判断する方法、ランプの光量を検出して判断する方法、ランプ発光の色温度を検出して判断する方法、ランプ発光のなかの特定の２波長の光量を検出しその比により判断する方法などが利用できる。また、これら温度や光などの検出器を用いる方法以外にも、このような検出器の設置が不要な、例えばランプ電圧の変化率を計測して判断する方法、さらに、ランプの始動時点、あるいはアーク放電に移行した時点、ランプ電圧が特定の値に達した時点、ランプ電力が特定の値に達した時点など、特定の事象発生からの経過時間に基づいて判断する方法などが利用できる。
【００３４】
もしランプの状態が、前記点（Ｐａ３）に示すようなランプ電流が第２の制限値（ＩＬ２）以下の状態にあった場合は、電流制限値を第２の制限値（ＩＬ２）に変更したことによって結果的な変化は生じない。しかし、もしランプの状態が、前記点（Ｐａ３’）に示すようなランプ電流が第２の制限値（ＩＬ２）より大きい状態にあった場合は、電流制限値を第２の制限値（ＩＬ２）に変更したことによって、矢印（Ｙｂ１）のように点（Ｐｂ１）に移動し、ランプ電流が第２の制限値（ＩＬ２）に制限される。
【００３５】
ここで、ランプ電流に対する第２の制限値（ＩＬ２）としては、この値のランプ電流が定常的に流れても、前記スイッチ素子（Ｑｘ）や前記ダイオード（Ｄｘ）等の半導体素子、前記チョークコイル（Ｌｘ）等のコイル類などのパワー系素子の温度上昇が許容範囲内に収まるような電流値に設定すればよい。また、ランプ電流に対する第１の制限値（ＩＬ１）としては、放電ランプの始動直後から電流制限値を第２の制限値（ＩＬ２）に変更するまでの有限期間内に限定して、前記パワー系素子の温度上昇が許容範囲内に収まるような電流値に設定すればよい。
【００３６】
このように、前記放電ランプの加熱が十分となるまでの期間における、第１の制限値（ＩＬ１）を第２の制限値（ＩＬ２）より大きく設定する利点は、先ず第１に、このようにすることにより、この期間にランプの加熱が促進され、結果として、ランプの明るさが実用的な明るさまで立ち上がるのに要する時間をできるだけ短くすることに貢献できる点である。
【００３７】
第２には、このようにすることにより、ランプ電力が定格よりも小さい前記点（Ｐｂ１）に移動するに際し、定電力特性線（Ｆｐ０）上にあって定格電力が投入された期間をランプに対してしばらく経験させることができるようになるが、これにより例えば水銀などのランプ封入物の蒸発をより完全なものとする効果等により、前記点（Ｐｂ１）に移行後のランプ電力が定格電力よりも小さいことに起因する、フリッカの発生の確率を低減することに貢献できる点である。
【００３８】
したがって、放電ランプの加熱が十分とは、どのような状態を指すかについては、ランプ電力が定格よりも小さい前記点（Ｐｂ１）に移動することになるランプに関して、前記点（Ｐｂ１）に移動後にフリッカが発生する確率が、実用的な小ささを与えるとき、結果的に、前記点（Ｐｂ１）への移動開始までに、放電ランプの加熱が十分であったと解釈してよい。すなわち、放電ランプの加熱が十分であると見なせるための加熱量の下限にはある程度の幅があり、これは余裕をもって設定するべきである。
【００３９】
以上説明したように光源装置を構成することにより、本発明の光源装置は、使用するランプが、例えばランプの電極間隙寸法のバラツキ等に起因して飽和ランプ電圧が低いものであっても、フリッカの発生の確率を増加させること無く、定常点灯時のランプ電流を第２の制限値（ＩＬ２）以下に制限して、ランプ電流が大きくなることを防止できる。結果として、前記パワー系素子の温度上昇が許容範囲内に抑えられるため、前記パワー系素子や放熱フィンを大型化したり冷却を強化したりする必要が無くなり、光学装置の大型化や重量化、高コスト化を避けることができる。
【００４０】
なお、前記点（Ｐａ３’）から前記点（Ｐｂ１）に移動した場合は、定電力特性線（Ｆｐ０）より下に位置するため、ランプ電力が定格よりも下回ってしまい、光量が低下する心配があるかも知れないが、このように電圧の低いランプは、電極間隙寸法が小さく、したがって前記点（Ｐａ３）に対応する電圧の高い、言い換えれば電極間隙寸法が大きいランプよりもランプの放電発光領域が小さくなり、放電ランプから放射される光の利用効率が向上するため、光学装置の出力光量は、前記したランプ電力の定格よりの低下分ほども低下しないという利点がある。
【００４１】
次に、請求項２の発明について説明する。前記したように前記点（Ｐａ３’）から前記点（Ｐｂ１）に移動してランプ電力が低下した場合も、光学装置の出力光量はランプ電力の定格よりの低下分ほども低下しないことを述べたが、このときの出力光量の低下の程度は、光学装置の光学系の構造に依存するし、また、一般に人間の眼は、明るさの急激な変化に対しては、たとえ変化量が小さくても敏感であるため、前記点（Ｐａ３’）から前記点（Ｐｂ１）への移動が瞬時に行われた場合、光学装置の利用者、例えばプロジェクタの投射画像の観察者にとっては、画像が急に暗くなったことが認識でき、不快感を受けることになる。
【００４２】
この発明においては、前記電流制限値を第１の制限値から第２の制限値に変更するに際し、制限値を徐々に変化させることにより変更するため、前記点（Ｐａ３’）から前記点（Ｐｂ１）への移動がゆっくりと行われ、したがって、光学装置の利用者に明るさが変化したことが認識できず、前記した不快感を受ける不都合を回避することができる。
【００４３】
以上、本発明の作用について説明したが、前記した放電ランプの電極間隙を短くすることは、光の利用効率を向上させて、明るい光学装置を得ることを目的になされるものであるから、本発明は、例えば、放電空間の容積１立方ミリメートルあたり０.１５ｍｇ以上の水銀を含むような、発光効率の高い放電ランプ、あるいは、電極間隔が１.５ｍｍ以下であるような、光の利用効率の高い放電ランプを用いた光源装置において特に有効である。
【００４４】
なお、ここでは放電ランプに放電電流を供給するための給電装置の構造については、前記図１に記載のような、放電ランプに直流電圧を印加して放電させる方式の給電装置に関して述べたが、例えば前記バラスト回路（Ｂｘ）の後段にフルブリッジインバータを設けて構成されるような、放電ランプに交流電圧を印加して放電させる方式の給電装置においても本発明の作用は全く同様に発揮される。また、前記バラスト回路（Ｂｘ）の方式として、降圧チョッパ方式のものに関して述べたが、例えば、昇圧チョッパ方式や反転チョッパ（昇降圧チョッパ）方式のＤＣ−ＤＣコンバータなど、他の方式のバラスト回路を用いたものでも、本発明の作用は全く同様に発揮される。さらに、放電ランプを始動する方法については、前記図１に記載のような、スタータ（Ｕｉ）の高電圧を、電極（Ｅ１，Ｅ２）間に印加する方式の給電装置に関して述べたが、電極（Ｅ１）または電極（Ｅ２）何れかと、ランプ封体の放電空間包囲部の外面との間に印加する方式、いわゆる外部トリガ方式の給電装置においても本発明の作用は全く同様に発揮される。
【００４５】
【実施例】
先ず、本発明の請求項１の発明に基づく、第１の実施例について説明する。図３は、前記した図１に記載の前記給電制御回路（Ｆｘ）の簡略化された構成を示すものである。
【００４６】
前記ランプ電圧信号（Ｓｖ）は、総合制御部（Ｘｐｕ）のなかのＡＤ変換器（Ａｄｃ）に入力されて、適当な桁数を有するディジタルのランプ電圧データ（Ｓｘｖ）に変換され、マイクロプロセッサユニット（Ｍｐｕ）に入力される。
【００４７】
ここで、マイクロプロセッサユニット（Ｍｐｕ）は、ＣＰＵやプログラムメモリ、データメモリ、クロックパルス発生回路、タイムカウンタ、ディジタル信号の入出力のためのＩＯ制御器などを含む。
【００４８】
マイクロプロセッサユニット（Ｍｐｕ）は、前記ランプ電圧データ（Ｓｘｖ）を参照した計算や、その時点の系の状態に応じた条件判断に基づき、後述するチョッパ能力制御回路（Ｕｄ）のための、チョッパ能力制御目標データ（Ｓｘｔ）を生成する。前記チョッパ能力制御目標データ（Ｓｘｔ）は、ＤＡ変換器（Ｄａｃ）によって、アナログのチョッパ能力制御目標信号（Ｓｔ）に変換され、チョッパ能力制御回路（Ｕｄ）に入力される。
【００４９】
さらに、許容されるランプ電流（ＩＬ）の上限値ＩＬｍａｘを規定するためのランプ電流上限信号（Ｓｋ）が、ランプ電流上限信号発生回路（Ｕｃ）により発生され、チョッパ能力制御回路（Ｕｄ）に入力される。
【００５０】
なお、前記ランプ電流上限信号発生回路（Ｕｃ）は、最も簡単には、前記ランプ電流の上限値ＩＬｍａｘとして、前記ランプ電流の第１の制限値（ＩＬ１）に対応する前記ランプ電流上限信号（Ｓｋ）を発生させるように構成しておけばよい。
【００５１】
前記チョッパ能力制御回路（Ｕｄ）内においては、前記チョッパ能力制御目標信号（Ｓｔ）は、必要に応じて設ける増幅器またはバッファ（Ａｄ１）とダイオード（Ｄｄ１）を介して、さらに、前記ランプ電流上限信号（Ｓｋ）は、必要に応じて設ける増幅器またはバッファ（Ａｄ２）とダイオード（Ｄｄ２）を介して、ともにプルアップ抵抗（Ｒｄ１）の一端に接続され、チョッパ駆動目標信号（Ｓｄ２）が生成される。なお、前記プルアップ抵抗（Ｒｄ１）の他端は適当な電圧を有する基準電圧源（Ｖｄ１）に接続される。
【００５２】
したがって、前記チョッパ駆動目標信号（Ｓｄ２）は、前記チョッパ能力制御目標信号（Ｓｔ）に対応する信号（Ｓｄ３）または前記ランプ電流上限信号（Ｓｋ）に対応する信号（Ｓｄ４）のうちの、何れか大きくない方が選択された信号となる。
【００５３】
すなわち、前記総合制御部（Ｘｐｕ）が、例えば、定格電力に対応する定数を前記ランプ電圧データ（Ｓｘｖ）で除算して、定格電力を達成するためのランプ電流（ＩＬ）の値を算出し、この値に対応するものとして生成するなど、何らかの方法で前記チョッパ能力制御目標信号（Ｓｔ）を生成したとして、仮にこれが不適当であった場合でも、前記チョッパ能力制御回路（Ｕｄ）内において、ハードウェア的に、ランプ電流（ＩＬ）が前記ランプ電流上限信号（Ｓｋ）を超えないように、前記チョッパ駆動目標信号（Ｓｄ２）が制限されることになる。
【００５４】
因みに、前記したＡＤ変換器（Ａｄｃ）やマイクロプロセッサユニット（Ｍｐｕ）を介した制御は、動作速度が遅い（もしくは速いものとすると高コストとなる）ため、例えばランプの放電状態が急変するなどの事態が生じた場合には、その動作遅れによって、前記したチョッパ能力制御目標信号（Ｓｔ）の不適当が発生し得るため、このような電流制限機能をハードウェア的に構成することは、ランプや給電装置の保護の観点からも有益なことである。
【００５５】
一方、前記ランプ電流信号（Ｓｉ）は、必要に応じて設ける増幅器またはバッファ（Ａｄ３）とダイオード（Ｄｄ３）を介して、一端がグランド（Ｇｎｄｘ）に接続されたプルダウン抵抗（Ｒｄ５）の他端に接続され、制御対象信号（Ｓｄ５）が生成される。
【００５６】
さらに、前記ランプ電圧信号（Ｓｖ）は、比較器（Ｃｍｖ）によって、前記した無負荷開放電圧に対応する電圧を有する基準電圧源（Ｖｄ２）の電圧と比較され、もし、前記ランプ電圧信号（Ｓｖ）が、無負荷開放電圧より高い場合は、トランジスタ（Ｑｄ１）がオフまたは能動状態になり、適当な電圧源（Ｖｄ３）から、抵抗（Ｒｄ４）とダイオード（Ｄｄ４）を介して、前記プルダウン抵抗（Ｒｄ５）に電流を流すことにより、前記制御対象信号（Ｓｄ５）の水準を上げるように動作する。
【００５７】
逆に、前記ランプ電圧信号（Ｓｖ）が、無負荷開放電圧より低い場合は、前記トランジスタ（Ｑｄ１）がオン状態になるため、前記電圧源（Ｖｄ３）からの電流は短絡され、前記制御対象信号（Ｓｄ５）は、前記ランプ電流信号（Ｓｉ）に対応するものとなる。
【００５８】
何となれば、前記のプルダウン抵抗（Ｒｄ５）とダイオード（Ｄｄ３）、ダイオード（Ｄｄ４）よりなる回路は、各ダイオードのアノード側の信号（Ｓｄ６）と信号（Ｓｄ７）の何れか小さくない方に対応する電圧が選択されてプルダウン抵抗（Ｒｄ５）に発生するからである。
【００５９】
なお、前記比較器（Ｃｍｖ）については、その出力端子と非反転入力端子に正帰還抵抗を挿入する（図示を省略）などして、比較動作にヒステリシスを持たせることにより、比較出力が変化する際の意図しない発振現象を防止することができる。
【００６０】
このように構成したことにより、たとえ出力電流がほとんど停止して、前記ランプ電流信号（Ｓｉ）がほとんど入らない状態であっても、前記ランプ電圧信号（Ｓｖ）が、前記無負荷開放電圧より高くなろうとすると、前記制御対象信号（Ｓｄ５）が急速に上昇することにより、ランプ電圧（ＶＬ）は、概略無負荷開放電圧以下に、常にハードウェア的に制限される。
【００６１】
前記チョッパ駆動目標信号（Ｓｄ２）は、抵抗（Ｒｄ２）と抵抗（Ｒｄ３）で分圧されて、演算増幅器（Ａｄｅ）の反転入力端子に入力される。一方、前記制御対象信号（Ｓｄ５）は、前記演算増幅器（Ａｄｅ）の非反転入力端子に入力される。そして、前記演算増幅器（Ａｄｅ）の出力信号（Ｓｄ１）は、積分コンデンサ（Ｃｄ１）とスピードアップ抵抗（Ｒｄ６）を介して反転入力端子にフィードバックされているため、前記演算増幅器（Ａｄｅ）は、前記チョッパ駆動目標信号（Ｓｄ２）の抵抗（Ｒｄ２）と抵抗（Ｒｄ３）による分圧電圧に対する、前記制御対象信号（Ｓｄ５）の電圧の差を積分する、誤差積分回路としてはたらく。
【００６２】
時定数を決めるための抵抗（Ｒｄ０）とコンデンサ（Ｃｄ０）が接続された発振器（Ｏｓｃ）は、図４のａに示すような鋸歯状波信号（Ｓｄ０）を発生し、この鋸歯状波信号（Ｓｄ０）と、前記誤差積分回路の出力信号（Ｓｄ１）とは、比較器（Ｃｍｇ）で比較される。
【００６３】
ただし、比較に際しては、前記誤差積分回路の出力信号（Ｓｄ１）に対してオフセット電圧（Ｖｄ４）を加えた信号（Ｓｄ８）と前記鋸歯状波信号（Ｓｄ０）とが比較される。
【００６４】
前記鋸歯状波信号（Ｓｄ０）の電圧が前記信号（Ｓｄ８）の電圧よりも高い期間においてハイレベルとなる前記ゲート駆動信号（Ｓｇ）が生成され、前記チョッパ能力制御回路（Ｕｄ）から出力される。
【００６５】
前記したように、前記信号（Ｓｄ８）は誤差積分回路の出力信号（Ｓｄ１）にオフセットを加えたものであるため、前記誤差積分回路の出力信号（Ｓｄ１）が仮に零であったとしても、前記ゲート駆動信号（Ｓｇ）のデューティサイクル比は、１００％より小さいある最大値、すなわち最大デューティサイクル比ＤＸｍａｘ以下になるように構成されている。
【００６６】
図４のａおよびｂには、前記誤差積分回路の出力信号（Ｓｄ１）、およびこれに対してオフセットを加えた信号（Ｓｄ８）、前記鋸歯状波信号（Ｓｄ０）と前記ゲート駆動信号（Ｓｇ）の関係が示されている。
【００６７】
前記給電制御回路（Ｆｘ）から出力された前記ゲート駆動信号（Ｓｇ）が、前記ゲート駆動回路（Ｇｘ）に入力されることにより、結果として、前記ランプ電流信号（Ｓｉ）および前記ランプ電圧信号（Ｓｖ）が、スイッチ素子（Ｑｘ）の動作にフィードバックされたフィードバック制御系が完成する。
【００６８】
なお、前記図３に記載のチョッパ能力制御回路（Ｕｄ）の構成に際しては、前記演算増幅器（Ａｄｅ）や発振器（Ｏｓｃ）、比較器（Ｃｍｇ）などが集積された市販の集積回路として、テキサスインスツルメンツ社製ＴＬ４９４などを利用することができる。
【００６９】
以下において、給電制御回路（Ｆｘ）として図３に記載の給電制御回路（Ｆｘ１）を有する、図１に記載の本発明の光源装置の始動前、始動、グロー放電、アーク放電移行、および電極加熱までの各過程と、実際的な制御の要点について、簡単に説明しておく。
【００７０】
この光源装置を始動する際には、総合制御部（Ｘｐｕ）は、前記したようにグロー放電のために、前記チョッパ駆動目標信号（Ｓｄ２）として前記ランプ電流上限信号（Ｓｋ）が選択されるよう、前記チョッパ能力制御目標信号（Ｓｔ）を十分に高く設定しておく。この時点では放電ランプ（Ｌｄ）は消灯しており、ランプ電流（ＩＬ）は流れないため、前記した無負荷開放電圧を発生する状態になる。この状態は、ランプ電圧（ＶＬ）の時間経過を概念的に表した図６のａに記載の期間（τ１１）に示すようである。
【００７１】
ここで、時点（ｔａ０）においてスタータ（Ｕｉ）を動作させることにより、前記したように前記電極（Ｅ１，Ｅ２）の間に高電を印加して絶縁破壊を発生させて、期間（τ１２）のグロー放電を開始させる。電極の温度が十分上昇すると、時点（ｔａ１）において、放電形態はアーク放電へと遷移する。
【００７２】
前記したように、ランプがアーク放電に移行するとランプ電圧（ＶＬ）が急激に低下するから、ＡＤ変換器（Ａｄｃ）を介してランプ電圧信号（Ｓｖ）を検出している総合制御部（Ｘｐｕ）は、ランプ電圧（ＶＬ）の急激な低下を検知することができる。あるいは、図６のｂに示すように、ランプがアーク放電に移行後にグロー放電に戻った後にアーク放電に再移行したり、あるいはこれを何度か繰り返した上でアーク放電に移行する場合に備えて、適当な時間経過を待ってランプ電圧（ＶＬ）の急激な低下を検知することにより、ランプがアーク放電に移行したことを検知することができる。
【００７３】
ランプがアーク放電に移行したことを検知したならば、総合制御部（Ｘｐｕ）は、それまでのグロー放電のために前記チョッパ駆動目標信号（Ｓｄ２）として前記ランプ電流上限信号（Ｓｋ）が選択されるよう、前記チョッパ能力制御目標信号（Ｓｔ）を十分に高く設定する動作に代えて、略定期的にランプ電圧（ＶＬ）を検出し、設定されている目標電力を検出されたランプ電圧（ＶＬ）で除して目標電流値を算出し、これを前記チョッパ能力制御目標信号（Ｓｔ）として、繰り返し設定する動作を開始する。
【００７４】
前記したようにアーク放電の初期の期間（τ２１）においては、未だランプの温度が十分に高くなっておらず、算出された目標電流値が前記許容ランプ電流上限値ＩＬｍａｘとして設定されている前記ランプ電流の第１の制限値（ＩＬ２）を超えるために目標電流値を達成することができないが、時間の経過とともに、ランプの電圧が上昇して、算出された目標電流値が前記前記ランプ電流の第１の制限値（ＩＬ２）以下となり、設定されている目標電力をランプに投入することができるようになる。そしてそれ以降は、光源装置の状態は、図２に記載の定電力特性線（Ｆｐ０）に沿って推移するようになる。
【００７５】
総合制御部（Ｘｐｕ）は、前記した、アーク放電に移行したことを検知した時点からの経過時間のカウントを行い、放電ランプの加熱が十分となるのに必要な時間が経過するのを待つ。そしてこの時間が経過したことを検知すると、前記した、略定期的に繰り返されるところの、設定されている目標電力を検出されたランプ電圧（ＶＬ）で除して目標電流値を算出し、これを前記チョッパ能力制御目標信号（Ｓｔ）として設定する動作の前に、前記目標電流値と制限比較値のうちの何れか大きくない方に前記目標電流値を変更する動作を挿入する。ただし今の場合は、前記制限比較値として前記ランプ電流の第２の制限値（ＩＬ２）を用いる。
【００７６】
このようにすることにより、給電装置は、ランプの加熱が十分となるまでの期間は、前記電流制限値を第１の制限値とし、前記期間を経過後は、前記電流制限値を、前記第１の制限値より小さい第２の制限値に変更する動作が実現される。そのため、飽和ランプ電圧が低いランプであっても、定常点灯時のランプ電流を第２の制限値（ＩＬ２）以下に制限して、ランプ電流が大きくなることを防止できる。
【００７７】
前記第１の実施例では、前記ランプ電流上限信号発生回路（Ｕｃ）は、前記ランプ電流の上限値ＩＬｍａｘとして、常に前記ランプ電流の第１の制限値（ＩＬ１）に対応する前記ランプ電流上限信号（Ｓｋ）を発生させるようにした場合を記載したが、前記ランプ電流上限信号発生回路（Ｕｃ）が前記ランプ電流の第１の制限値（ＩＬ１）または前記ランプ電流の第２の制限値（ＩＬ２）の何れかを前記総合制御部（Ｘｐｕ）からの指令によって選択して前記ランプ電流上限信号（Ｓｋ）を発生させられるように構成し、ランプの加熱が十分となるまでの期間は、前記ランプ電流の第１の制限値（ＩＬ１）を、そしてその期間を経過後は、前記ランプ電流の第２の制限値（ＩＬ２）を選択して前記ランプ電流上限信号（Ｓｋ）を発生するように構成してもよい。
【００７８】
このように構成した場合は、前記した、検出されたランプ電圧（ＶＬ）で除して目標電流値を算出し、これをチョッパ能力制御目標信号（Ｓｔ）として設定する動作の前に、前記目標電流値と前記制限比較値のうちの何れか大きくない方に前記目標電流値を変更する動作を挿入することは不要である。
【００７９】
また前記第１の実施例では、アーク放電に移行したことを検知した時点からの経過時間のカウントを行い、放電ランプの加熱が十分となるのに必要な時間が経過するのを待って放電ランプの加熱が十分となったと判断するものとして構成した。これを他の方法による構成とすることもできる。一例として、以下にランプ電圧の変化率を計測して判断する方法について簡単に説明する。
【００８０】
アーク放電に移行直後は、ランプには定格よりも遥かに小さい電力しか投入されないため、ランプの加熱が遅く、ランプ電圧（ＶＬ）の時間経過を概念的に表した、前記図６のａの期間（τ２１）のように、ランプ電圧（ＶＬ）はゆっくりとしか上昇しない。しかし、ランプ電流は第１の制限値で一定であるが、ランプ電圧が上昇すればそれに比例してランプに投入される電力も上昇するため、ランプ電圧の上昇率が時間の経過とともに増加する。しかしランプの状態が、ランプ電圧（ＶＬ）とランプ電流（ＩＬ）の関係について表した、前記図２の点（Ｐａ２）に達すると、ランプに投入される電力も定格電力に達し、これ以降はランプ電圧が上昇しても、ランプに投入される電力は一定であるため、図６のａの期間（τ２２）のように、ランプ電圧の上昇率が時間の経過とともに減少する。
【００８１】
総合制御部（Ｘｐｕ）は、ランプ電力を計算し、その値が概ね定格電力に達したことを検知するによりランプの状態が期間（τ２２）にあることを識別し、またランプ電圧信号（Ｓｖ）を追跡することによりその変化率を計算により計測して、その値が所定の値以下になったことを検知することにより放電ランプの加熱が十分となったと判断することができる。
【００８２】
ただし、前記したように、図６のｂのようなランプがアーク放電に移行後にグロー放電に戻る現象や、図６のｃの時点（ｔｂ１）におけるように、主として期間（τ２１）の後半や期間（τ２２）の始まり部分において、ランプ電圧が急激に低下する現象が発生するため、ランプ電圧の変化率の計測や、放電ランプの加熱が十分かどうかの判断に際しては、これらのランプ電圧が急変する現象による誤差を除去する必要がある。なお、図６のｃに記載の現象は、ランプ電極上の放電発生点が、電極先端から遠い位置から近い位置または先端へ移動することにより発生するものである。
【００８３】
次に、本発明の請求項２の発明に基づく、第２の実施例について説明する。この実施例の構成は、前記第１の実施例の構成を基本とする。
【００８４】
前記総合制御部（Ｘｐｕ）が、前記したように、設定されている目標電力を検出されたランプ電圧（ＶＬ）で除して目標電流値を算出し、これをチョッパ能力制御目標信号（Ｓｔ）として設定する動作の前に、前記目標電流値と前記制限比較値のうちの何れか大きくない方に前記目標電流値を変更する動作を挿入するに際し、前記第１の実施例においては、前記制限比較値として前記ランプ電流の第２の制限値（ＩＬ２）を用いたのに対し、この実施例においては、前記制限比較値として時間に依存する関数Ｉｘ（ｔ）を用いる。
【００８５】
ここで、前記関数Ｉｘ（ｔ）は、図５に示すように、放電ランプの加熱が十分と判断される時点（ｔｈ１）以前は前記ランプ電流の第１の制限値（ＩＬ１）に等しく、前記放電ランプの加熱が十分と判断される時点（ｔｈ１）より適当な変化所要時間（Δｔ）だけ遅れた時点（ｔｈ２）以降は前記ランプ電流の第２の制限値（ＩＬ２）に等しく、前記時点（ｔｈ１）と時点（ｔｈ２）との間の期間は前記ランプ電流の第１の制限値（ＩＬ１）から前記ランプ電流の第２の制限値（ＩＬ２）までなだらかに変化する関数である。なお、前記変化所要時間（Δｔ）としては、５〜２０秒程度を設定すればよい。
【００８６】
このようにすることにより、前記給電装置は、ランプの加熱が十分となるまでの期間は、前記電流制限値を第１の制限値とし、前記期間を経過後のある時点から、前記電流制限値を、前記第１の制限値より小さい第２の制限値まで徐々に変更する動作が実現される。そのため、光学装置の利用者に明るさが変化したことが認識できないようにすることができる。
【００８７】
前記第２の実施例では、前記ランプ電流上限信号発生回路（Ｕｃ）は、前記第１の実施例を基本としたため、前記ランプ電流の上限値ＩＬｍａｘとして、常に前記ランプ電流の第１の制限値（ＩＬ１）に対応する前記ランプ電流上限信号（Ｓｋ）を発生させるが、前記チョッパ能力制御目標信号（Ｓｔ）と同様に、前記ランプ電流上限信号発生回路（Ｕｃ）は、ＤＡ変換器を有して前記総合制御部（Ｘｐｕ）からのデータによりアナログの前記ランプ電流上限信号（Ｓｋ）を発生させられるように構成し、このＤＡ変換器に対して、前記関数Ｉｘ（ｔ）に対応する時系列データを設定することにより、ランプの加熱が十分となるまでの期間は前記電流制限値を第１の制限値とし、前記期間を経過後の後に、前記電流制限値を前記第１の制限値より小さい第２の制限値まで徐々に変更するように構成してもよい。
【００８８】
このように構成した場合は、前記した、検出されたランプ電圧（ＶＬ）で除して目標電流値を算出し、これをチョッパ能力制御目標信号（Ｓｔ）として設定する動作の前に、前記目標電流値と前記制限比較値のうちの何れか大きくない方に前記目標電流値を変更する動作を挿入することは不要である。
【００８９】
本明細書に記載の回路構成は、本発明の光源装置の動作や機能、作用を説明するために、必要最少限のものを記載したものである。したがって、実施例で説明した回路動作の詳細事項、例えば、信号の極性であるとか、具体的な回路素子の選択や追加、省略、或いは素子の入手の便や経済的理由に基づく変更などの創意工夫は、実際の装置の設計において、積極的に遂行されることを前提としている。
【００９０】
とりわけ過電圧や過電流、過熱などの破損要因から給電装置のＦＥＴ等のスイッチ素子などの回路素子を保護するための機構、または、給電装置の回路素子の動作に伴って発生する放射ノイズや伝導ノイズの発生を低減したり、発生したノイズを外部に出さないための機構、例えば、スナバ回路やバリスタ、クランプダイオード、（パルスバイパルス方式を含む）電流制限回路、コモンモードまたはノーマルモードのノイズフィルタチョークコイル、ノイズフィルタコンデンサなどは、必要に応じて、実施例に記載の回路構成の各部に
追加されることを前提としている。
【００９１】
また、本発明になる光源装置の構成は、本明細書の実施例に記載の回路方式のものに限定されるものではない。特に、本明細書では、ランプ電圧によらずランプ電力を一定化制御する場合を中心に説明したが、この状況は本発明において必須の事項ではなく、他の制御方針の場合でも、本発明の効果は良好に機能する。
【００９２】
実施例においては、ランプの加熱が十分行われたことの検知の判断や、前記電流制限値の変更などのシーケンス制御は、マイクロプロセッサユニット（Ｍｐｕ）により行われる場合を記載したが、これについては、前記マイクロプロセッサユニット（Ｍｐｕ）を廃して、より単純な制御回路に代えるような簡素化などの光源装置の構成の多様化のもとでも、本発明の効果は良好に発揮される。
【００９３】
【発明の効果】
本発明によれば、従来の技術が抱える、高輝度放電ランプを有する光源装置において、飽和ランプ電圧が低いランプに対しては、ランプ電流が大きくなる問題を解決することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光源装置の構成を示す図である。
【図２】本発明の光源装置のランプ電圧とランプ電流の関係を示す図である。
【図３】本発明の光源装置の給電装置の給電制御回路の構成の一例を示す図である。
【図４】本発明の光源装置の給電装置の降圧チョッパ回路の動作を説明する図である。
【図５】請求項２の発明の電流制限値の変化の例を示す図である。
【図６】ランプ電圧の変化の様子を概念的に示す図である。
【図７】従来の光源装置のランプ電圧とランプ電流の関係を示す図である。
【符号の説明】
Ａｄ１    バッファ
Ａｄ２    バッファ
Ａｄ３    バッファ
Ａｄｃ    ＡＤ変換器
Ａｄｅ    演算増幅器
Ｂｘ      バラスト回路
Ｃｄ０    コンデンサ
Ｃｄ１    積分コンデンサ
Ｃｉ      コンデンサ
Ｃｍｇ    比較器
Ｃｍｖ    比較器
Ｃｘ      平滑コンデンサ
Ｄａｃ    ＤＡ変換器
Ｄｄ１    ダイオード
Ｄｄ２    ダイオード
Ｄｄ３    ダイオード
Ｄｄ４    ダイオード
Ｄｘ      ダイオード
Ｅ１      電極
Ｅ２      電極
Ｅｘ      給電装置
Ｆｐ０    定電力特性線
Ｆｘ      給電制御回路
Ｆｘ１    給電制御回路
Ｇｉ      ゲート駆動回路
Ｇｎｄｘ  グランド
Ｇｘ      ゲート駆動回路
Ｈｉ      ２次側巻線
ＩＬ      ランプ電流
ＩＬ０    電流制限値
ＩＬ１    制限値
ＩＬ２    制限値
Ｉｘ      電流検出手段
Ｋｉ      トランス
Ｌｄ      放電ランプ
Ｌｘ      チョークコイル
Ｍｐｕ    マイクロプロセッサユニット
Ｍｘ      ＤＣ電源
Ｏｓｃ    発振器
Ｐ０１    点
Ｐ０２    点
Ｐ０３    点
Ｐ０３’  点
Ｐａ１    点
Ｐａ２    点
Ｐａ３    点
Ｐａ３’  点
Ｐｂ１    点
Ｐｉ      １次側巻線
Ｑｄ１    トランジスタ
Ｑｉ      スイッチ素子
Ｑｘ      スイッチ素子
Ｒｄ０    抵抗
Ｒｄ１    プルアップ抵抗
Ｒｄ２    抵抗
Ｒｄ３    抵抗
Ｒｄ４    抵抗
Ｒｄ５    プルダウン抵抗
Ｒｄ６    スピードアップ抵抗
Ｒｉ      抵抗
Ｓｄ０    鋸歯状波信号
Ｓｄ１    出力信号
Ｓｄ２    チョッパ駆動目標信号
Ｓｄ３    信号
Ｓｄ４    信号
Ｓｄ５    制御対象信号
Ｓｄ６    信号
Ｓｄ７    信号
Ｓｄ８    信号
Ｓｇ      ゲート駆動信号
Ｓｉ      ランプ電流信号
Ｓｋ      ランプ電流上限信号
Ｓｔ      チョッパ能力制御目標信号
Ｓｖ      ランプ電圧信号
Ｓｘｔ    チョッパ能力制御目標データ
Ｓｘｖ    ランプ電圧データ
Ｔ１１    端子
Ｔ１２    端子
Ｔ２１    端子
Ｔ２２    端子
Ｔ３２    端子
Ｕｃ      ランプ電流上限信号発生回路
Ｕｄ      チョッパ能力制御回路
Ｕｉ      スタータ
ＶＬ      ランプ電圧
Ｖｄ１    基準電圧源
Ｖｄ２    基準電圧源
Ｖｄ３    電圧源
Ｖｄ４    オフセット電圧
Ｖｘ      電圧検出手段
Ｘｐｕ    総合制御部
Ｙ０１    矢印
Ｙ０２    矢印
Ｙ０２’  矢印
Ｙａ１    矢印
Ｙａ２    矢印
Ｙａ２’  矢印
Ｙｂ１    矢印
ｔａ０    時点
ｔａ１    時点
ｔｂ１    時点
ｔｈ１    時点
ｔｈ２    時点
Δｔ      変化所要時間
τ１１    期間
τ１２    期間
τ２１    期間
τ２２    期間
【図１】
0004123819.tif 000002
【図２】
0004123819.tif 000003
【図３】
0004123819.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
0004123819.tif 000007
【図７】
0004123819.tif 000008