(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を吸着した状態で回転させる回転支持部材を有し，前記基板上に供給された処理液を前記回転支持部材の回転によって基板上に拡散させて，基板上に膜を形成する膜形成装置であって，
前記回転支持部材の支持面に，弾性を有する歪み抑制部材が前記支持面を覆うようにして設けられ，
前記歪み抑制部材は，その外周部が通気性を持たない材質からなり，前記外周部を除く内周部は，通気性のある材質からなることを特徴とする，膜形成装置。
【請求項２】
前記歪み抑制部材の前記通気性のある材質の構造は，多孔質であることを特徴とする，請求項１に記載の膜形成装置。
【請求項３】
前記歪み抑制部材の通気性を持たない材質は，微小な空間が材質内に分散されている構造を有していることを特徴とする，請求項１または２に記載の膜形成装置。
【請求項４】
基板の裏面と接する支持部を有する支持面に吸着されている基板の表面に処理液を供給する工程と，
前記支持面を回転させて基板上の処理液を拡散させて，前記処理液の膜を形成する工程とを有する膜形成方法において，
弾性を有する歪み抑制部材を少なくとも前記支持部に設けて，基板吸着の際の基板の歪みを抑え，
前記歪み抑制部材は，その外周部が通気性を持たない材質からなり，前記外周部を除く内周部は，通気性のある材質からなることを特徴とする，膜形成方法における膜の均一性を向上させる方法。
【請求項５】
前記歪み抑制部材の前記通気性のある材質の構造は，多孔質であることを特徴とする，請求項４に記載の膜形成方法における膜の均一性を向上させる方法。
【請求項６】
前記歪み抑制部材の通気性を持たない材質は，微小な空間が材質内に分散されている構造を有することを特徴とする，請求項４または５に記載の膜形成方法における膜の均一性を向上させる方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，基板の膜形成装置及び基板の膜形成方法における膜の均一性を向上させる方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では，基板である例えば半導体ウェハ（以下「ウェハ」とする）表面にレジスト液を塗布し，レジスト膜を形成するレジスト塗布処理，ウェハにパターンを露光する露光処理，露光後のウェハに対して現像を行う現像処理等が各処理装置において行われ，ウェハに所定の回路パターンを形成する。
【０００３】
上述のウェハ上にレジスト膜を形成するレジスト塗布処理は，通常，レジスト塗布装置において行われる。このレジスト塗布装置は，処理容器内にウェハを吸引して保持する回転支持部材であるスピンチャックを有しており，このスピンチャックは，ウェハを高速回転させることができる機能を有している。そして，ウェハの中心に吐出されたレジスト液をウェハの回転によって拡散させるいわゆるスピンコーティング方式により，ウェハ上に均一なレジスト膜が形成されるように構成されている。
【０００４】
一方，図１３，１４に示すように，例えばスピンチャック１０１の吸着面１０２は，ウェハＷを直接支持する支持部１０２ａとウェハＷを吸引する吸引部１０２ｂを有しており，この吸引部１０２ｂは，吸着面１０２の中心部にある主吸引口１０３と連通している。そして，この主吸引口１０３から吸引部１０２ｂを介してウェハＷを吸引し，ウェハＷが高速回転してもずれないようにウェハＷを強力に吸着していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら，近年，半導体を用いた製品の微小化が進むにつれ，厚みが０．３５ｍｍ程度の薄いウェハに，より均一性の高いレジスト膜を形成する必要性が高まっている。しかし，このような薄いウェハを従来のスピンチャックに吸着保持すると，その吸引力によりウェハが部分的歪んでしまい，その後レジスト液が適切に供給されたとしても，その歪みが原因で高精度の均一なレジスト膜が形成されないことがあり，場合によっては，その部分を製品として使用できないことも起こり得る。
【０００６】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり，薄いウェハ等の基板を吸着保持しても，基板が歪まずに基板上に均一な膜が形成される膜形成装置と，基板上に均一な膜が形成される方法を提供することをその目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば，基板を吸着した状態で回転させる回転支持部材を有し，前記基板上に供給された処理液を前記回転支持部材の回転によって基板上に拡散させて，基板上に膜を形成する膜形成装置であって，前記回転支持部材の支持面に，弾性を有する歪み抑制部材が前記支持面を覆うようにして設けられ，前記歪み抑制部材は，その外周部が通気性を持たない材質からなり，前記外周部を除く内周部は，通気性のある材質からなることを特徴とする，膜形成装置が提供される。なお，基板の歪みを抑制するためには，前記歪み抑制部材の硬さが，アスカＣ１０〜３０（日本ゴム協会標準規格ＳＲＩＳ  ０１０１）程度のものを使用するのが好ましい。
【０００８】
このように，前記支持面に弾性を有する歪み抑制部材を設けることにより，前記回転支持部材の吸引力によって引き起こされる基板の歪みが緩和されるため，たとえ薄い基板が前記回転支持部材に吸着保持された場合においても，基板が歪まず基板の処理面が水平に保たれる。したがって，この状態で基板を回転させて処理液を拡散させると，基板上に均一な膜が形成される。
【００１２】
また本発明によれば，外周部に通気性のないものを用い，内周部に通気性のあるものを用いることにより，外周部では，周辺から歪み抑制部材を通って気体が前記吸引部に流入し，前記吸引源からの吸引力が低下することが防止される。また内周部では，内周部全面で基板を吸引して，基板を前記回転支持部材に吸着することができる。
【００１３】
さらに，前記歪み抑制部材の通気性を持たない材質は，その材質を微小な空間が材質内に分散されている構造を有するものであってもよい。このように，通気性の無いことに加え，材質内に前記空間を含有することにより，同一材質のものであっても，さらに歪み抑制効果を高めることが可能である。したがって，基板が吸着される際の基板の歪みが抑えられ，基板上に形成させる膜の均一性が向上する。
【００１４】
また，前記通気性のある材質は，多孔質の構造を有するものであってもよい。このように，多孔質のものは通気性を有する上弾力性も有しているため，上述した歪み抑制効果を維持しながら基板を全面で吸着することが可能となる。なお，多孔質とは，材質内に多くの微小な空間が形成されており，それらが繋がっているため通気性を有するようになったものである。
【００２０】
本発明によれば，基板の裏面と接する支持部を有する支持面に吸着されている基板の表面に処理液を供給する工程と，前記支持面を回転させて基板上の処理液を拡散させて，前記処理液の膜を形成する工程とを有する膜形成方法において，弾性を有する歪み抑制部材を少なくとも前記支持部に設けて，基板吸着の際の基板の歪みを抑え，前記歪み抑制部材は，その外周部が通気性を持たない材質からなり，前記外周部を除く内周部は，通気性のある材質からなることを特徴とする膜形成方法における膜の均一性を向上させる方法が提供される。このように，外周部に通気性のないものを用い，内周部に通気性のあるものを用いることにより，外周部では，周辺から歪み抑制部材を通って気体が流入し，基板の吸着力が低下することが防止される。また内周部では，内周部全面で基板を吸引して，基板を好適に吸着することができる。
【００２１】
また，上記発明における前記歪み抑制部材の通気性を持たない材質は，微小な空間が材質内に分散されている構造を有するようにしてもよい。このように，通気性の無いことに加え，材質内に前記空間を含有することにより，前記歪み抑制部材の効果をさらに高めることが可能である。したがって，基板が吸着される際の基板の歪みがより一層抑えられ，基板上に形成させる膜の均一性が向上する。
【００２２】
また，上記歪み抑制部材の通気性のある材質は，多孔質の構造を有するものであってもよい。このように，多孔質のものは通気性を有する上弾力性も有しているため，上述した歪み抑制効果を維持しながら基板を全面で吸着することが可能となる。なお，多孔質とは，材質内に多くの微小な空間が形成されており，それらが繋がっているため通気性を有するようになったものである。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下，本発明の好ましい実施の形態について説明する。図１は，本実施の形態にかかるレジスト塗布装置を有する塗布現像処理システム１の平面図であり，図２は，塗布現像処理システム１の正面図であり，図３は，塗布現像処理システム１の背面図である。
【００２４】
塗布現像処理システム１は，図１に示すように，例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部から塗布現像処理システム１に対して搬入出したり，カセットＣに対してウェハＷを搬入出したりするカセットステーション２と，塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理ステーション３と，この処理ステーション３に隣接して設けられている図示しない露光装置との間でウェハＷの受け渡しをするインターフェイス部４とを一体に接続した構成を有している。
【００２５】
カセットステーション２では，載置部となるカセット載置台５上の所定の位置に，複数のカセットＣをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在となっている。そして，このカセット配列方向（Ｘ方向）とカセットＣに収容されたウェハＷのウェハ配列方向（Ｚ方向；鉛直方向）に対して移送可能なウェハ搬送体７が搬送路８に沿って移動自在に設けられており，各カセットＣに対して選択的にアクセスできるようになっている。
【００２６】
ウェハ搬送体７は，ウェハＷの位置合わせを行うアライメント機能を備えている。このウェハ搬送体７は後述するように処理ステーション３側の第３の処理装置群Ｇ３に属するエクステンション装置３２に対してもアクセスできるように構成されている。
【００２７】
処理ステーション３では，その中心部に主搬送装置１３が設けられており，この主搬送装置１３の周辺には各種処理装置が多段に配置されて処理装置群を構成している。該塗布現像処理システム１においては，４つの処理装置群Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４が配置されており，第１及び第２の処理装置群Ｇ１，Ｇ２は現像処理システム１の正面側に配置され，第３の処理装置群Ｇ３は，カセットステーション２に隣接して配置され，第４の処理装置群Ｇ４は，インターフェイス部４に隣接して配置されている。さらにオプションとして破線で示した第５の処理装置群Ｇ５を背面側に別途配置可能となっている。前記主搬送装置１３は，これらの処理装置群Ｇ１〜Ｇ５に配置されている後述する各種処理装置に対して，ウェハＷを搬入出可能である。
【００２８】
第１の処理装置群Ｇ１では，例えば図２に示すように，本実施の形態にかかる膜形成装置としてのレジスト塗布装置１７と，ウェハＷに現像液を供給して処理する現像処理装置１８とが下から順に２段に配置されている。第２の処理装置群Ｇ２の場合も同様に，レジスト塗布装置１９と，現像処理装置２０とが下から順に２段に積み重ねられている
【００２９】
第３の処理装置群Ｇ３では，例えば図３に示すように，ウェハＷを冷却処理するクーリング装置３０，レジスト液とウェハＷとの定着性を高めるためのアドヒージョン装置３１，ウェハＷを待機させるエクステンション装置３２，レジスト液中の溶剤を乾燥させるプリベーキング装置３３，３４及び現像処理後の加熱処理を施すポストベーキング装置３５，３６等が下から順に例えば７段に重ねられている。
【００３０】
第４の処理装置群Ｇ４では，例えばクーリング装置４０，載置したウェハＷを自然冷却させるエクステンション・クーリング装置４１，エクステンション装置４２，クーリング装置４３，露光処理後の加熱処理を行うポストエクスポージャーベーキング装置４４，４５，ポストベーキング装置４６，４７等が下から順に例えば８段に積み重ねられている。
【００３１】
インターフェイス部４の中央部にはウェハ搬送体５０が設けられている。このウェハ搬送体５０はＸ方向（図１中の上下方向），Ｚ方向（垂直方向）の移動とθ方向（Ｚ軸を中心とする回転方向）の回転が自在にできるように構成されており，第４の処理装置群Ｇ４に属するエクステンション・クーリング装置４１，エクステンション装置４２，周辺露光装置５１及び図示しない露光装置に対してアクセスできるように構成されている。
【００３２】
上述したレジスト塗布装置１７の構成について説明する。図４に示すように，このレジスト塗布装置１７のケーシング１７ａ内には，ウェハＷを水平に吸着保持する回転支持部材としてのスピンチャック６１が設けられている。このスピンチャック６１下方には，このスピンチャック６１を回転させる，例えばモータ等を備えた駆動機構６７が取り付けられている。それ故，ウェハＷをスピンチャック６１に吸着保持させ，高速回転させることができる。
【００３３】
前記スピンチャック６１におけるウェハＷに裏面に接する支持面としての吸着面６２は，図５に示すように，その中央部に吸引ポンプ６４に通じる吸引源としての主吸引口６３を有し，この主吸引口６３の周辺部には後述するシート６５を支持する支持部６２ａとウェハＷを吸引する吸引部６２ｂとを有している。前記支持部６２ａは，細長に突状に形成されており，放射状に複数個設けられている。また，吸着面６２の外周にも吸引部６２ｂの気密性を保つため，支持部６２ａが形成されている。吸引部６２ｂは，前記吸着面６２の支持部６２ａの無い部分であり，主吸引口６３と連通している。なお，スピンチャック６１の材質は，ポリアセタールが使用され，支持部６２ａ及び吸引部６２ｂの材質も同様である。
【００３４】
また，図６，図７に示すように前記吸着面６２上には，ウェハＷと前記支持部６２ａとの間に歪み抑制部材としてのシート６５が設けられている。このシート６５は，弾性を有して通気性を持たない材質，例えば低発泡シリコーンゴムからなる。この低発泡シリコーンゴムは微小な空間が材質内に分散されているものである。シート６５は，少なくとも上面が水平な薄膜状に形成されており，吸着面６２全面を覆うようにして支持部材６２ａに接着されている。
【００３５】
また，シート６５は，ウェハＷを吸着するための吸引口６５ａを複数個有しており，これらの吸引口６５ａは，図７に示すように吸着面６２の吸引部６２ｂに対応する位置に例えば放射状に設けられている。かかる構成により，前記主吸引口６３からの吸引により，吸引部６２ａ及び吸引口６５ａを介してウェハＷをシート６５上に吸着させることができる。なお，シート６５の厚みは，薄すぎるとウェハＷの吸引によるたわみを緩和するというこのシート６５の機能を低下させてしまい，厚すぎると高速回転させた場合に，遠心力によりシート６５自体が歪みウェハＷを偏心させてしまうため，適度の厚み，例えば３ｍｍ程度にするのが好ましい。
【００３６】
一方，上述したスピンチャック６１の駆動機構６７には，スピンチャック６１を上下に移動自在とする機能が備えられており，ウェハＷの搬入出時にスピンチャック６１を上下に移動させて，主搬送装置１３との間でウェハＷの受け渡しが行われる。
【００３７】
また，このスピンチャック６１の周縁部外方には，上面が開口したカップ７０がスピンチャック６１を取り囲むようにして設けられている。このカップ７０は，スピンチャック６１の側方と下方を包囲し，処理中のウェハＷが収容されるように形成されている。従って，塗布処理中にウェハＷの回転によってウェハＷから周囲へ飛散するレジスト液を回収し，飛散したレジスト液によって周辺装置が汚染されることが防止できる。また，カップ７０の底部には，連通接続された排液用の排液管７１が設けられており，上述したように回収したレジスト液をこの排液管７１から排出させる。
【００３８】
さらに，スピンチャック６１上方には，例えばウェハＷにレジスト液を吐出する吐出ノズル７３と，ウェハＷにレジスト液の溶剤を吐出する溶剤吐出ノズル７４が備えられている。この吐出ノズル７３は，ウェハＷ中心の上方に移動自在である。したがって，上述した駆動機構６７によって回転されているウェハＷの中心に，吐出ノズル７３からレジスト液が吐出され，いわゆるスピンコーティング方式によりウェハＷ上に所定のレジスト膜が形成されように構成されている。
【００３９】
次に，以上のように構成されているレジスト塗布装置１７の作用について，塗布現像処理システム１で行われるフォトリソグラフィー工程のプロセスと共に説明する。
【００４０】
先ず，未処理のウェハＷがウェハ搬送体７によってカセットＣから１枚取りだされ，そこで第３の処理装置群Ｇ３に属するアドヒージョン装置３１に搬入され，レジスト液の密着性を向上させる例えばＨＭＤＳが表面に塗布される。次いで，ウェハＷは，主搬送装置１３によって，クーリング装置３０に搬送され，所定の温度に冷却される。その後ウェハＷは，膜形成装置としてのレジスト塗布装置１７又は１９に搬送される。
【００４１】
このレジスト塗布装置１７又は１９においてレジスト膜が形成されたウェハＷは，その後主搬送装置１３により，プリベーキング装置３３若しくは３４，クーリング装置４０に順次搬送される。その後ウェハＷは，各処理装置において露光処理，現像処理等の所定の処理が行われ，一連の塗布現像処理が終了する。
【００４２】
上述したレジスト塗布装置１７の作用について詳しく説明すると，先ず前処理が終了したウェハＷが，主搬送装置１３によってレジスト塗布装置１７内に搬入され，スピンチャック６１上方の所定位置で停止される。そして，主搬送装置１３が，ウェハＷを保持した状態で下降し，駆動機構６７により予め上昇して待機していたスピンチャック６１上にウェハＷを載置する。このとき，吸引ポンプ６４が作動し，主吸引口６３からの吸引が開始され，吸着面６２の支持部６２ａ及び吸引口６５ａを介してウェハＷを吸引し，ウェハＷはシート６５を介してスピンチャック６１上に吸着保持される。
【００４３】
その後，主搬送装置１３がレジスト塗布装置１７外に退避すると共に，スピンチャック６１が駆動機構６７により下降され，カップ７０内の所定の位置で停止する。次に，駆動機構６７の回転機構によりスピンチャック６１上のウェハＷが所定の回転数，例えば２０００ｒｐｍで高速回転される。そして，先ずウェハＷ中心上方に位置する溶剤供給ノズル７４から所定の溶剤が吐出され，ウェハＷ表面に溶剤が塗布される。次いで，吐出ノズル７３からレジスト液が吐出され，このレジスト液はウェハＷの回転によりウェハＷ表面全面に拡散される。その後，さらに高速回転，例えば３５００ｒｐｍにし，余計なレジスト液を振り切ってウェハＷ上に所定の厚さでかつ厚みの均一なレジスト膜が形成される。そして，ウェハＷの回転が停止され，ウェハＷ上にレジスト膜を形成するレジスト塗布処理が終了する。
【００４４】
その後，ウェハＷは，駆動機構６７により再び上昇され，主吸引口６５ａからの吸引が解除された後，主搬送装置１３に受け渡され，その後レジスト塗布装置１７から搬出される。
【００４５】
この実施の形態では，スピンチャック６１の吸着面６２とその上に吸着保持されるウェハＷとの間にシート状で低発泡シリコーンゴム製のシート６５が存在しているため，吸引により引き起こされるウェハＷの部分的な歪みが緩和される。それ故，ウェハＷの表面の水平が維持され，その上にレジスト液が塗布されるので従来に比べてより厚みの均一なレジスト膜が形成される。この効果は実験でも確認されており，この実験の結果を図８，９に示す。図８は，ウェハＷと吸着面６２との間にシート６５を挟まない従来の装置を用いてウェハＷ上にレジスト膜を形成した場合のウェハＷ上の各測定点における膜厚を示す。また，図９は，ウェハＷと吸着面６２との間に低発泡シリコーンゴム製のシート６５を設けた場合の各測定点の膜厚を示す。なお，この実験では，ウェハＷはリチウムタンタルからなる厚さ０．３５ｍｍのものを使用し，支持部６２ａの材質としてポリアセタールを使用した。また，ウェハＷのレジスト液の塗布時の回転数は２０００ｒｐｍである。図８及び９中，ＣはウェハＷの中心，ＥはウェハＷの周縁を示す。
【００４６】
この実験によると，図８に示すように従来はウェハＷ上のレジスト膜の厚みの差は，最も差が顕著なところで１３０Å程度あるが，シート６５を設けることにより，図９に示すようにその差が５０Å以内に収まっている。従って，シート６５を設けることにより，レジスト膜の均一性の向上が図られることが確認できる。
【００４７】
なお，シート６５の材質として低発泡シリコーンゴムを使用したが，弾性を有し通気性を持たない他のゴム，例えばフッ素ゴム，シリコーンゴム，エチレンプロピレンターポリマー，ウタレン，クロロプレーン，導電性クロロプレンゴム，伝導性シリコーンゴム等を使用してもよい。また，本実施の形態では，支持部６２ａがポリアセタールの場合であったが，支持部６２ａが例えばステンレス等の金属である場合には，シート６５の材質として上述した低発泡シリコーンゴム等の他フッ素ゴム，シリコンーゴム，エチレンプロピレンターポリマー，ウタレン，クロロプレーン等を用いてもよい。
【００４８】
また，シート６５の材質として，通気性の持たないものを用いたため，気体がこのシート６５自体から漏れることが防止され，吸着部６２ｂの気密性が維持されるため，ウェハＷの吸引力が維持される。
【００４９】
また，本実施の形態では，シート６５に放射状に多数の吸引口６２ａを設け，吸着引力を分散させることによりウェハＷのある部分に荷重が集中することを抑制した。なお，この吸引口６２ａは，放射状である必要はなく，同心円状に設けられてもよいし，偏りがないように散在させてもよい。また吸引口６２ａの開口形状も，必ずしも円形である必要はない。
【００５０】
さらに，ウェハＷと支持部６２ａとの間に歪み抑制部材を設けるという観点から，図１０に示すように支持部６２ａ上にのみ歪み抑制部材８５を設けるようにしてもよい。すなわち，歪み抑制部材８５をシート状に設けるのではなく，各支持部６２ａの形状に合わせて，複数の歪み抑制部材８５を設けるようにしてもよい。
【００５１】
また，図１１，図１２に示すようにシート状の歪み抑制部材９５の外周部９５ａの材質に弾性を有しかつ通気性を持たない，例えば低発泡性シリコーンゴムを用い，その内側の内周部９５ｂに弾性を有し通気性のある，例えば多孔質の素材を用いるようにしてもよい。こうすることによって，歪み防止部材９５上のウェハＷを，別途吸引口を設けることなく内周部９５ｂ全面で吸着でき，また外周部９５ａで外気の流入を遮断し，主吸引口６３の吸引力を維持することができる。
【００５２】
以上の実施の形態では，ウェハＷにレジスト液を塗布し，レジスト膜を形成する膜形成装置であったが，本発明は，絶縁膜等の他の膜形成装置，例えばＳＯＤ，ＳＯＧ膜形成装置においても適用できる。また，ウェハＷ以外の基板例えばＬＣＤ基板の膜形成装置にも適用される。
【００５３】
【発明の効果】
本発明によれば，歪み抑制部材により，基板にかかる吸着力により基板が歪むことが抑制され，この基板上には，より斑のない均一な膜が形成できる。したがって，半導体デバイスとして使用できる面積が増え，歩留まりの向上が図られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態にかかるレジスト塗布装置が組み込まれた塗布現像処理システムの構成の概略を示す平面図である。
【図２】図１の塗布現像処理システムの正面図である。
【図３】図１の塗布現像処理システムの背面図である。
【図４】本実施の形態にかかるレジスト塗布装置の縦断面の説明図である。
【図５】レジスト塗布装置におけるスピンチャックの平面の説明図である。
【図６】レジスト塗布装置のスピンチャック上に歪み抑制部材が設けられ，ウェハが吸着された状態を示した縦断面の説明図である。
【図７】図６における歪み抑制部材を有するスピンチャックの平面の説明図である。
【図８】従来のレジスト塗布装置を用いてウェハにレジスト膜を形成した場合の各測定点における膜厚を示すグラフである。
【図９】本実施の形態のレジスト塗布装置を用いてウェハにレジスト膜を形成した場合の各測定点における膜厚を示すグラフである。
【図１０】スピンチャック上の歪み抑制部材の他の形態を示したスピンチャックの縦断面の説明図である。
【図１１】歪み抑制部材の他の形態を示した平面図である。
【図１２】図１１に示した歪み抑制部材を用いた場合のスピンチャックの縦断面の説明図である。
【図１３】従来のレジスト塗布装置におけるスピンチャックの吸着面を示した平面の説明図である。
【図１４】図１３のスピンチャックにウェハを吸着させた状態を示した縦断面の説明図である。
【符号の説明】
１    塗布現像処理システム
１７    レジスト塗布装置
６１    スピンチャック
６２    吸着面
６２ａ  支持部
６２ｂ  吸着部
６３    主吸引口
６４    吸引ポンプ
６５    シート
６５ａ  吸引口
Ｗ    ウェハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
0004068783.tif 000013
【図１３】
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【図１４】
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