(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像素子を有する撮像装置において、
前記撮像素子内の不要な電荷を掃き出す掃き出し手段と、
前記掃き出し手段による前記不要な電荷の掃き出し周波数を制御する制御手段と、
前記撮像装置の消費電流量を判別する消費電流量判別手段と、を有し、
前記制御手段は、前記消費電流量判別手段による消費電流量の判別結果に基づいて、前記消費電流量が所定値を越えないように、前記掃き出し手段における掃き出し周波数を制御することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
撮像素子を有する撮像装置において、
前記撮像素子内の不要な電荷を掃き出す掃き出し手段と、
前記掃き出し手段による前記不要な電荷の掃き出し周波数を制御する制御手段と、
前記撮像装置の電源電圧レベルを判別する電源電圧レベル判別手段と、を有し、
前記制御手段は、前記電源電圧レベル判別手段による電源電圧レベルの判別結果に基づいて、前記電源電圧レベルが所定レベルよりも低いときは、前記掃き出し手段における掃き出し周波数を低くすることを特徴とする撮像装置。
【請求項３】
撮像素子を有する撮像装置において、
前記撮像素子内の不要な電荷を掃き出す掃き出し手段と、
前記掃き出し手段による前記不要な電荷の掃き出し周波数を制御する制御手段と、
環境温度を判別する環境温度判別手段と、を有し、
前記制御手段は、前記環境温度判別手段による環境温度の判別結果に基づいて、前記環境温度が所定温度よりも低いときは、前記掃き出し手段における掃き出し周波数を低くすることを特徴とする撮像装置。
【請求項４】
撮像素子を有する撮像装置において、
前記撮像素子内の不要な電荷を掃き出す掃き出し手段と、
前記掃き出し手段による前記不要な電荷の掃き出し周波数を制御する制御手段と、
前記撮像素子に入射する光束を制限する絞り手段と、を有し、
前記制御手段は、前記絞り手段が動作中は非動作中よりも、前記掃き出し手段における掃き出し周波数を低くすることを特徴とする撮像装置。
【請求項５】
請求項４記載の撮像装置において、
前記制御手段は、前記絞り手段が動作中のときの消費電流量が、非動作中のときの最大消費電流量以下となるように、前記掃き出し手段における掃き出し周波数を低くすることを特徴とする撮像装置。
【請求項６】
撮像素子を有する撮像装置において、
前記撮像素子内の不要な電荷を掃き出す掃き出し手段と、
前記掃き出し手段による前記不要な電荷の掃き出し周波数を制御する制御手段と、
被写体を照明するストロボ手段と、を有し、
前記制御手段は、前記ストロボ手段が充電動作中は充電中でないときよりも、前記掃き出し手段における掃き出し周波数を低くすることを特徴とする撮像装置。
【請求項７】
撮像素子を有する撮像装置において、
前記撮像素子内の不要な電荷を掃き出す掃き出し手段と、
前記掃き出し手段による前記不要な電荷の掃き出し周波数を制御する制御手段と、
前記撮像素子からの画像データを書き込む記録手段と、を有し、
前記制御手段は、前記記録手段が画像データを書き込むアクセス動作中は非アクセス動作中のときよりも、前記掃き出し手段における掃き出し周波数を低くすることを特徴とする撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、例えば、電子スチールカメラやデジタルカメラ等の撮像素子を有する撮像装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
この種の撮像装置に用いられる撮像素子は、従来種々のものが提案されており、例えば、図１５に模式的に示すような縦型オーバーフロードレイン構造をもつインターライン形ＣＣＤの固体撮像素子が知られている。
【０００３】
図１５に示すＣＣＤは、水平方向および垂直方向に二次元的に配列され、光の入射により電荷の蓄積を行う光電変換素子部を構成するフォトダイオード１と、このフォトダイオード１に蓄積された電荷をトランスファーゲート２を介して受け取った後に、垂直方向に順次転送する垂直転送路を構成する垂直シフトレジスタ３と、この垂直シフトレジスタ３により転送される電荷を水平方向に順次転送する水平転送路を構成する水平シフトレジスタ４と、この水平シフトレジスタ４の出力信号を増幅して出力する信号検出器５とを有している。
【０００４】
図１６は、図１５に示したＣＣＤを用いる撮像装置の基本的構成を示すブロック図である。この撮像装置は、被写体光束を後述するＣＣＤ１３の受光面上に結像するレンズ１１と、このレンズ１１からの被写体光束を絞る絞り手段２０と、被写体光束を通過させるか遮光するかを制御する例えばメカニカルシャッタからなるシャッタ手段１２と、このシャッタ手段１２を通過した被写体光束を電気信号に変換するＣＣＤ１３と、このＣＣＤ１３からの電気信号に種々の処理を施して画像信号として出力する信号処理回路１４と、この信号処理回路１４からの画像信号を静止画として記憶するＤＲＡＭや、画像信号を圧縮して静止画として記録するための記録媒体を有する記録手段２１と、シャッタ手段１２を制御するシャッタドライバ１６と、絞り手段２０を制御する絞りドライバ２２と、ＣＣＤ１３に対してフォトダイオード１への信号電荷蓄積期間を制御するためのパルス、垂直シフトレジスタ３を駆動するためのパルス、水平シフトレジスタ４を駆動するためのパルスを供給すると共に、信号処理回路１４に対してＣＣＤ１３と同期して駆動するためのパルスを供給する信号発生器１７と、シャッタドライバ１６、信号発生器１７および絞りドライバ２２を含む各回路を統括的に制御するＣＰＵ１８とを有する。なお、信号処理回路１４および信号発生器１７は、デジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）１９で構成されている。
【０００５】
図１７は、図１６に示す撮像装置による従来の撮像動作を示すタイミングチャートで、垂直同期信号ＶＤ、トランスファーゲートパルスＴＧ、サブパルスＳＵＢ、垂直シフトレジスタ転送パルスＶＴ、クランプパルスＣＬＰ、シャッタ手段１２の開閉動作、絞り手段２０の動作、絞りドライバ２２の動作、およびＣＣＤ１３からの読み出し信号であるＣＣＤ信号を示している。
【０００６】
垂直同期信号ＶＤは、一つの画像を表す信号（ここでは１フレーム）を得るための所定の単位期間を規定するパルス列である。ここでは、各パルスにより規定される期間を、それぞれＶ１，Ｖ２，・・・で示している。
【０００７】
トランスファーゲートパルスＴＧは、フォトダイオード１に蓄積された電荷を垂直シフトレジスタ３に転送するタイミングを決めるパルスで、垂直同期信号ＶＤに同期してトランスファーゲート２に印加される。ここでは、垂直同期信号ＶＤの各期間Ｖ１，Ｖ２，・・・に対応するトランスファーゲートパルスＴＧを、ＴＧ０，ＴＧ１，・・・で示している。
【０００８】
サブパルスＳＵＢは、フォトダイオード１に発生した電荷を基板縦方向に排出するためのパルスであり、このサブパルスＳＵＢが出力されている間は電荷の排出が行われるようになっている。したがって、フォトダイオード１に電荷が蓄積されるのは、垂直同期信号ＶＤの各期間Ｖ１，Ｖ２，・・・に対応して時間区間ｔb1，ｔb2, ・・・で示すように、サブパルスＳＵＢが停止している期間で、この蓄積期間を制御することにより、実効的露出時間を制御するいわゆる電子（素子）シャッタを実現している。なお、この蓄積時間は、図示しない測光手段により被写体像を測光した結果に基づいて決定され、その時間はサブパルスＳＵＢを計数することによって計測される。
【０００９】
垂直シフトレジスタ転送パルスＶＴは、垂直シフトレジスタ３内の電荷を水平シフトレジスタ４側へ順次転送させるためのパルスである。
【００１０】
クランプパルスＣＬＰは、ＣＣＤ信号のうち、ＣＣＤのオプティカルブラック部に対応する信号をクランプするパルスで、これにより画像信号の電位レベルを安定化させて、黒レベルを安定に保っている。
【００１１】
シャッタ手段１２は、通常は常に開いており、記録トリガによりフォトダイオード１に電荷の蓄積を行った後に、その電荷の転送を行う際には遮光するようになっている。なお、記録トリガは、例えばレリーズボタン（図示せず）が２段トリガでなる場合、すなわち記録を行うためにレリーズボタンを軽く押す記録の準備段階で第１トリガを発生させ、その状態から静止画像の記録を開始するためにさらにレリーズボタンを押し込むことにより第２トリガを発生する場合には、第２トリガが記録トリガに相当する。
【００１２】
ＣＣＤ信号は、垂直方向のオプティカルブラック部に対応する時間区間ｔ01，ｔ02と、これら期間に挟まれた被写体の画像の期間である有効期間とを有し、通常はオプティカルブラック部の信号レベルよりも有効期間の信号レベルのほうが高くなっている。
【００１３】
また、絞り手段２０は、通常は開放径の状態にあり、被写体が明るいために絞り手段２０が開放径のままでは電子シャッタのみでは適正露光を超えてしまう場合に、光束を絞るようになっている。
【００１４】
図１７に示すタイミングチャートから明らかなように、従来の撮像装置では、例えば、期間Ｖ３で記録トリガが発せられると、垂直シフトレジスタ転送パルスＶＴを連続して出力することにより、垂直シフトレジスタ３内の不要電荷を時間区間ｔａにおいて、所定の読み出し時の転送パルスを休止期間を俟つことなく定常的に印加する高速掃き出しを行っている。その後、期間Ｖ４において、記録トリガが発するまでのＣＣＤ信号に基づく測光処理によって決定された露光期間に対応して、サブパルスＳＵＢの印加を時間区間ｔb4で停止させてフォトダイオード１に電荷を蓄積すると共に、この際、電子シャッタのみで適正露光が確保できない場合には、期間Ｖ４の開始に同期して絞りドライバ２２をオンにして、絞り手段２０により被写体光束を絞り込むようにしている。したがって、この時間区間ｔb4が一つのフレーム画像の露光時間となる。
【００１５】
期間Ｖ４内の時間区間ｔb4で露光された画像は、期間Ｖ５において信号ＣＣＤ４として出力され、このＣＣＤ信号が記録トリガによる露光結果として信号検出器５から出力される。また、この期間Ｖ５の開始に同期して、絞り手段２０を開放状態にすると共に、シャッタドライバ１６によりシャッタ手段１２の遮光動作を開始させ、次の期間Ｖ６内においてシャッタ手段１２の開動作を行うようにしている。なお、シャッタ手段１２が遮光動作を行っている期間Ｖ５で露光された画像は、続く期間Ｖ６で信号ＣＣＤ５として出力れるが、この信号ＣＣＤ５はシャッタ手段により入射光が遮光されたときのＣＣＤ信号であるため、オプティカルブラック部の信号レベルと有効期間の信号レベルとがほぼ等しくなる。
【００１６】
このように、従来の撮像装置においては、記録トリガが発せられた期間Ｖ３で垂直シフトレジスタ３の高速掃き出しを行い、次の期間Ｖ４で絞り手段２０を選択的に動作させると共に、期間Ｖ４内の時間区間ｔb4でフォトダイオード１への電荷の蓄積を行い、さらに次の期間Ｖ５で絞り手段２０を開放すると共に、蓄積された電荷の転送を行うためにシャッタ手段１２の遮光動作を行い、その後の期間Ｖ６内でシャッタ手段１２を再び開くようにしている。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来の撮像装置にあっては、シャッタ手段１２がその遮光動作を開始してから、完全な遮光状態となるまでに応答時間ｔｍを要することから、電荷の転送を行う期間Ｖ５の開始に遮光動作を開始しても、応答時間ｔｍの間はＣＣＤ１３に光が入射してフォトダイオード１に電荷が発生することになる。このため、特に被写体が明るい場合などには、サブパルスＳＵＢによって電荷を縦方向に排出しても、発生した電荷の一部が垂直シフトレジスタ３に混入したり、また、発生した電荷がフォトダイオード１の基板部に残留して、シャッタ手段１２が完全に遮光状態になった後に垂直シフトレジスタ３により転送されて、本来のＣＣＤ信号にスミアが重畳されてしまうという問題がある。なお、絞り手段２０もシャッタ手段１２と同様の応答特性を有するが、図面では省略してある。
【００１８】
そこで、本出願人は、上記の問題を解決するために、図１６に示す構成において、図１８に示すようなタイミングで撮像動作を制御する撮像装置を既に提案している（特願平８−３４４０５２号）。この撮像装置では、記録トリガ発生後において、垂直シフトレジスタ３内の不要電荷の高速掃き出しを垂直同期信号ＶＤに同期したトランスファーゲートパルスＴＧ３に同期して時間区間ｔｃにおいて行う。なお、この高速掃き出し期間ｔｃにおける垂直シフトレジスタ転送パルスＶＴは、情報として使用しない不要電荷を掃き出すので、必ずしも水平ブランキング期間に同期させる必要はない。
【００１９】
また、高速掃き出し期間ｔｃの終点を規定すると共に、蓄積期間ｔb4で蓄積された信号電荷を垂直シフトレジスタ３に転送するためのトランスファーゲートパルスＴＧ４は、その発生タイミングを、シャッタ手段１２の応答時間ｔｍおよびその公差を見込んだ所定時間ｔｖだけ次の期間Ｖ５の開始よりも早めに設定し、このトランスファーゲートパルスＴＧ４に同期してシャッタドライバ１６によりシャッタ手段１２の遮光動作を開始する。
【００２０】
さらに、垂直シフトレジスタ３に転送された信号電荷は、所定時間ｔｖの間は垂直転送を停止し、この垂直転送停止期間ｔｖを経過した時点で、次の期間Ｖ５の開始に同期して垂直シフトレジスタ転送パルスＶＴを印加して、読み出しを開始する。なお、記録トリガ発生後の蓄積期間ｔb4の開始タイミングは、トランスファーゲートパルスＴＧ４の発生タイミングから、蓄積期間ｔb4を遡ることにより決定する。また、被写体光束を絞り込んで蓄積期間ｔb4を決定する場合には、期間Ｖ４の開始において絞り手段２０の絞り込みが行われるように絞りドライバ２２をオンし、蓄積期間ｔb4の終点、すなわちトランスファーゲートパルスＴＧ４に同期して絞り手段２０を開放する。
【００２１】
かかる撮像装置によれば、期間Ｖ４内の蓄積区間ｔb4で蓄積された信号電荷を読み出す期間Ｖ５においては、シャッタ手段１２を完全に遮光状態とすることができるので、上記のスミアの問題を解決でき、品質の良好な画像信号を得ることができる。
【００２２】
しかしながら、本発明者らによる種々の実験検討によれば、上記の本出願人の提案に係る撮像装置には、以下に説明するような改良すべき点があることが判明した。すなわち、電子スチールカメラやデジタルカメラのような携帯用の撮像装置では、バッテリが用いられることから、特に、低消費電力化が要求される。ところが、上記の撮像装置では、絞り手段２０を駆動する場合、その駆動期間とＣＣＤ１３内の不要電荷の高速掃き出し期間ｔｃとが同じ期間となる。ここで、高速掃き出しを行うための転送パルスの繰り返し周波数ｆ（掃き出し周波数）と、その際にＣＣＤ１３に流れるピーク消費電流Ｉとは、一般に、図１９に示すような比例関係にあり、掃き出し周波数ｆが高くなればなるほど、ピーク消費電流Ｉが大きくなり、消費電力が大きくなる。
【００２３】
このため、掃き出し周波数ｆを高い周波数ｆ１に固定的に設定すると、高速掃き出し期間ｔｃでは、装置全体に、図１８に示すように、高速掃き出しによる高い掃き出し電流と、絞り手段２０の絞り込み状態を保持するための絞り保持電流とを含む非常に高いピーク消費電流が流れ、特に、絞り手段２０が常時開放型の場合には、絞り込み開始の瞬間により高いピーク消費電流が流れることになる。このように、ピーク消費電流が非常に高くなると、消費電力が増大してバッテリの寿命が短くなると共に、バッテリの容量によっては、電源電圧が低下してシステムが停止するおそれがある。
【００２４】
このような問題は、高速掃き出し期間ｔｃに、記録手段２１においてＣＣＤ１３からの画像データを書き込むアクセス動作等を並行して行う場合にも同様に生じると共に、このような記録手段２１のアクセス動作と同時に絞り手段２０の絞り込み動作をも行う場合には、より発生し易くなる。また、同様の問題は、図１７に示したように、不要電荷の高速掃き出しと、絞り手段２０の動作とを異なるタイミングで行う場合にも、バッテリ残量が少ない場合や、環境温度が低く、バッテリ能力が低下している場合等にも生じると共に、第１トリガから記録トリガまでの期間におけるフレームレートを向上させるために、ＣＣＤ１３の一部のラインの信号電荷を読み出し、他のラインの電荷は高速掃き出しを行う場合において、この期間内にストロボ手段の充電動作等を並行して行う場合にも同様に生じる。
【００２５】
この発明は、このような点に鑑みてなされたもので、装置全体のピーク消費電流を低減でき、低消費電力化およびバッテリの長寿命化を有効に図ることができるよう適切に構成した撮像装置を提供することを目的とするものである。
【００２６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成する請求項１に記載の発明は、撮像素子を有する撮像装置において、前記撮像素子内の不要な電荷を掃き出す掃き出し手段と、前記掃き出し手段による前記不要な電荷の掃き出し周波数を制御する制御手段と、前記撮像装置の消費電流量を判別する消費電流量判別手段と、を有し、前記制御手段は、前記消費電流量判別手段による消費電流量の判別結果に基づいて、前記消費電流量が所定値を越えないように、前記掃き出し手段における掃き出し周波数を制御することを特徴とするものである。
【００２７】
請求項２に記載の発明は、撮像素子を有する撮像装置において、前記撮像素子内の不要な電荷を掃き出す掃き出し手段と、前記掃き出し手段による前記不要な電荷の掃き出し周波数を制御する制御手段と、前記撮像装置の電源電圧レベルを判別する電源電圧レベル判別手段と、を有し、前記制御手段は、前記電源電圧レベル判別手段による電源電圧レベルの判別結果に基づいて、前記電源電圧レベルが所定レベルよりも低いときは、前記掃き出し手段における掃き出し周波数を低くすることを特徴とするものである。
【００２８】
請求項３に記載の発明は、撮像素子を有する撮像装置において、前記撮像素子内の不要な電荷を掃き出す掃き出し手段と、前記掃き出し手段による前記不要な電荷の掃き出し周波数を制御する制御手段と、環境温度を判別する環境温度判別手段と、を有し、前記制御手段は、前記環境温度判別手段による環境温度の判別結果に基づいて、前記環境温度が所定温度よりも低いときは、前記掃き出し手段における掃き出し周波数を低くすることを特徴とするものである。
【００２９】
請求項４に記載の発明は、撮像素子を有する撮像装置において、前記撮像素子内の不要な電荷を掃き出す掃き出し手段と、前記掃き出し手段による前記不要な電荷の掃き出し周波数を制御する制御手段と、前記撮像素子に入射する光束を制限する絞り手段と、を有し、前記制御手段は、前記絞り手段が動作中は非動作中よりも、前記掃き出し手段における掃き出し周波数を低くすることを特徴とするものである。
【００３０】
請求項５に記載の発明は、請求項４記載の撮像装置において、前記制御手段は、前記絞り手段が動作中のときの消費電流量が、非動作中のときの最大消費電流量以下となるように、前記掃き出し手段における掃き出し周波数を低くすることを特徴とするものである。
【００３１】
請求項６に記載の発明は、撮像素子を有する撮像装置において、前記撮像素子内の不要な電荷を掃き出す掃き出し手段と、前記掃き出し手段による前記不要な電荷の掃き出し周波数を制御する制御手段と、被写体を照明するストロボ手段と、を有し、前記制御手段は、前記ストロボ手段が充電動作中は充電中でないときよりも、前記掃き出し手段における掃き出し周波数を低くすることを特徴とするものである。
【００３２】
請求項７に記載の発明は、撮像素子を有する撮像装置において、前記撮像素子内の不要な電荷を掃き出す掃き出し手段と、前記掃き出し手段による前記不要な電荷の掃き出し周波数を制御する制御手段と、前記撮像素子からの画像データを書き込む記録手段と、を有し、前記制御手段は、前記記録手段が画像データを書き込むアクセス動作中は非アクセス動作中のときよりも、前記掃き出し手段における掃き出し周波数を低くすることを特徴とするものである。
【００３８】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照してこの発明の実施の形態について説明する。
図１は、この発明に係る撮像装置の第１実施形態の構成を示すブロック図である。図１において、図１６に示した撮像装置と同様の作用をなすものには、同一の参照番号を付してその詳細な説明を省略する。この撮像装置は、基本的には図１８で説明したタイミングチャートと同様に動作するが、この実施形態では、信号発生器１７によるＣＣＤ１３内の不要電荷の掃き出し周波数ｆをｆ１およびｆ２（ｆ１＞ｆ２）に可変として、絞り手段２０による被写体光束の絞り込みの有無に応じて、ＣＰＵ１８の制御のもとに、信号発生器１７から掃き出し周波数ｆ１およびｆ２の垂直シフトレジスタ転送パルスＶＴを選択的に出力させる。また、絞り手段２０およびシャッタ手段１２は、絞りシャッタユニット２５として一体に構成する。さらに、ＣＰＵ１８には、レリーズボタン（図示せず）を１段目まで押し込むことにより第１トリガを発生するファーストレリーズスイッチ（１ＲＳＷ）２６ａと、２段目まで押し込むことにより第２トリガである記録トリガを発生するセカンドレリーズスイッチ（２ＲＳＷ）２６ｂとを接続する。
【００３９】
図２は、図１に示す絞りシャッタユニット２５を含む鏡枠ユニットの一例の構成を示す分解斜視図である。図２において、中央に示されているほぼ円筒形状をなす筒体は、その両端が開放された保持鏡筒５１で、この保持鏡筒５１の図中左側（被写体側）に位置する前部開放端には、固定レンズ鏡枠５２がネジ止め等の固定手段により固定される。また、保持鏡筒５１の図中右側（ＣＣＤ１３側）に位置する後部開放端には、やはりネジ止め等の固定手段により取り付け基板５３が固定される。
【００４０】
一対のガイドシャフト５４ａ，５４ｂは、各一端が取り付け基板５３に接着固定され、各他端が固定レンズ鏡枠５２の周辺部に対して嵌合支持されて、保持鏡筒５１の内部に光軸と平行となるように配設され、この一対のガイドシャフト５４ａ，５４ｂに案内されて、保持鏡筒５１内を光軸方向に摺動自在に複数の移動鏡筒５５（５６Ｇ，５７Ｇ，５８Ｇ等）が設けられている。
【００４１】
なお、移動鏡筒５８Ｇは、移動枠体５８Ｚに搭載された状態で、移動鏡筒５６Ｇ，５７Ｇ等と共にガイドシャフト５４ａ，５４ｂに沿って移動するようになっている。ここでは、説明の便宜上、レンズを有している光学部品をＧを付して示し、レンズを有しない光学部品をＺを付して示してある。また、必ずしも明確な区分けがされるわけではないが、移動鏡筒５６Ｇ，５７Ｇは、主としてズーム用のものであり、移動枠体５８Ｚおよび移動鏡筒５８Ｇは、オートフォーカス（ＡＦ）用のものである。ＡＦ用の移動枠体５８Ｚおよび移動鏡筒５８Ｇは、移動枠体５８Ｚ上に設置されているＡＦモータにより相対的に接近または離反することで、フォーカスを自動調節し得るようになっている。
【００４２】
保持鏡筒５１の内面には、複数本（この例では３本）のリブ５１ｘ，５１ｙ，５１ｚが光軸と平行に設けられている。これらのリブ５１ｘ，５１ｙ，５１ｚは、保持鏡筒５１の前部開口端から、移動鏡枠５５内を通過する光束を機械的に調整するための光量調節装置、すなわち絞りシャッタユニット２５が設置される位置よりも奥方向の位置まで設けられいる。絞りシャッタユニット２５は、そのほぼ円盤状をなす基板周辺の切り欠き部を、リブ５１ｘ，５１ｙ，５１ｚにそれぞれ係合させ、これらリブ５１ｘ，５１ｙ，５１ｚをガイドとして摺動させて、保持鏡筒５１の前部開口端から奥の方へ収納する。また、リブ５１ｘ，５１ｙ，５１ｚのそれぞれの一端には、固定レンズ鏡枠５２をネジ止めするためのネジ穴５１ａ，５１ｂ，５１ｃが設けてある。
【００４３】
固定レンズ鏡枠５２は、外部からアダプタレンズやフィルタ等の光学部品を着脱自在に取り付け得るように、その前面の内周面に取り付け用のネジ溝５２ｄが切ってある。また、固定レンズ鏡枠５２の周辺部には、３本のリブ５１ｘ，５１ｙ，５１ｚの一端に設けてあるネジ穴５１ａ，５１ｂ，５１ｃと対応するネジ挿通孔５２ａ，５２ｂ，５２ｃが設けてある。なお、ネジ挿通孔５２ｂは、図１６では見えないので省略してある。
【００４４】
保持鏡筒５１の外周には、移動鏡枠５５を光軸方向に進退自在に移動させるためのカム筒６２が摺接回動可能に嵌め込まれている。このカム筒６２は、内面に凸カム６３ａを有する第１のカム筒６２ａと、この第１のカム筒６２ａに連結された内面に凹カム６３ｂを有する第２のカム筒６２ｂとを有し、これら第１のカム筒６２ａおよび第２のカム筒６２ｂは、取り付け基板５３に固定されているズームモータ６４により一体的に回転駆動されるようになっている。
【００４５】
絞りシャッタユニット２５は、図３に示すように、保持鏡筒５１内に光軸と垂直に配置され、中央に開放径の開口を有するほぼ円盤形状のベース板６５と、このベース板６５に併設され、ベース板６５の開放径よりも小さい径の円形開口部を有する薄板からなる絞り部材６６、および二枚の薄板からなるシャッタ部材６７とを有する。また、図３（ａ）に示すように、ベース板６５の一方の面上には、絞り用駆動源６８とシャッタ用駆動源６９とが相対向するように配置されている。なお、ここでは、絞り用駆動源６８およびシャッタ用駆動源６９として、いずれもソレノイドプランジャ機構を用いている。
【００４６】
また、図３（ｂ）に示すように、ベース板６５の他方の面上には、絞り用駆動源６８により絞り部材６６を駆動するための絞りレバー７１と、シャッタ用駆動源６９によりシャッタ部材６７を駆動するためのシャッタレバー７２とが設けられている。ここで、絞りレバー７１およびシャッタレバー７２は、同一形状に形成されている。
【００４７】
かかる構成の絞りシャッタユニット２５において、絞りドライバ２２（図１参照）から絞り用駆動源６８に通電されていないときは、絞り部材６６はベース板６５の内部に隠れ、ベース板６５の中央に設けられた開放径を有する開口が固定絞りの役割をする。この状態で、絞り用駆動源６８に通電すると、ソレノイドプランジャの鉄心に一部が係合した絞りレバー７１が回動し、これにより絞りレバー７１に形成されたピンを介して係合された絞り部材６６が回動して、絞り部材６６の円形開口部で光束の一部を遮る。その後、絞り用駆動源６８への通電を止めると、ソレノイドプランジャの鉄心に設けられたバネの働きで、絞り部材６６は元の位置に戻り、絞り径は開放径となる。
【００４８】
また、シャッタ部材６７は、シャッタドライバ１６（図１参照）からシャッタ用駆動源６９に通電されていないときは二枚ともベース板６５の内部に隠れており、通電されるとシャッタレバー７２の回動動作によって光路を遮蔽し、その後、通電を止めると、絞り部材６６と同様に、ベース板６５の内部に引っ込むことになる。
【００４９】
図４および図５は、第１実施形態の撮像装置による撮像動作の要部を示すタイミングチャートである。なお、図４および図５には、垂直同期信号ＶＤ、トランスファーゲートパルスＴＧ、サブパルスＳＵＢ、垂直シフトレジスタ転送パルスＶＴ、クランプパルスＣＬＰ、絞りドライバ２２の動作、絞り手段２０の動作、シャッタ手段１２の動作、ＣＣＤ１３からの読み出し信号であるＣＣＤ信号を示しているが、それらの作用については、図１７において既に説明したので、ここでは、主として図１８の場合との動作の違いについて説明する。
【００５０】
この実施形態では、１ＲＳＷ２６ａがオンとなり、さらに２ＲＳＷ２６ｂがオンとなって記録トリガが発生後の次の期間Ｖ４で、ＣＣＤ１３内の不要電荷を高速掃き出しするにあたり、絞りドライバ２２により絞り手段２０を駆動して被写体光束の絞り込みを行う場合には、信号発生器１７から掃き出し周波数ｆ２の垂直シフトレジスタ転送パルスＶＴを連続的に出力させ（図４参照）、絞り手段２０による被写体光束の絞り込みを行わない場合、すなわち絞り手段２０を駆動することなく開放状態で信号電荷の蓄積を行う場合には、信号発生器１７から掃き出し周波数ｆ１（ｆ１＞ｆ２）の垂直シフトレジスタ転送パルスＶＴを連続的に出力させる（図５参照）。なお、図４において、絞り手段２０の応答特性については、図示を省略してある。
【００５１】
このように、信号発生器１７によるＣＣＤ１３の不要電荷の掃き出し周波数ｆを可変とし、絞り手段２０を駆動して被写体光束の絞り込みを行う場合は、絞り手段２０を駆動しない場合の掃き出し周波数ｆ１よりも低い掃き出し周波数ｆ２で不要電荷の高速掃き出しを行うようにすれば、その高速掃き出し動作による消費電流を掃き出し周波数ｆ１の場合よりも小さくできるので、絞り手段２０が駆動状態にある高速掃き出し期間における全体のピーク消費電流を、掃き出し周波数ｆ１での掃き出し動作での消費電流と同程度まで低減することができる。したがって、装置全体のピーク消費電流を低減でき、低消費電力化およびバッテリの長寿命化を有効に図ることができると共に、バッテリチェックによってシステムがストップするのを有効に防止することができる。
【００５２】
この発明の第２実施形態では、図１に示す構成において、信号発生器１７によるＣＣＤ１３の読み出しモードとして、図６に示すように、ＣＣＤ１３の１ラインから最終Ｌラインまでの全画素の信号電荷を上述したように有効電荷として順次読み出しを行う全画素読み出しモードの他に、例えば画面中央部の垂直方向に一部連続するｊ＋１ラインからｊ＋ｋラインまでのｋラインを有効エリアとし、残りの１ラインからｊラインまで、およびｊ＋ｋ＋１ラインから最終Ｌラインまでを掃き出しエリアとして、有効エリアの画素の信号電荷を読み出し、掃き出しエリアの画素の電荷は不要電荷として高速掃き出しするｋライン読み出しモードを設定し、これらの読み出しモードを、１ＲＳＷ２６ａおよび２ＲＳＷ２６ｂの操作に基づいてＣＰＵ１８により選択して、ＣＣＤ１３の読み出し動作を制御する。
【００５３】
すなわち、図７にタイミングチャートを示すように、１ＲＳＷ２６ａがオンとなって第１トリガが発生したら、その時点でｋライン読み出しモードを選択して動作を開始する。このｋライン読み出しモードでは、垂直同期信号ＶＤの各期間に同期して、ＣＣＤ１３の掃き出しエリアの画素の不要電荷を、掃き出し周波数ｆ１で高速掃き出しする掃き出し動作と、画面中央部の連続するｋラインの有効エリアの画素の有効電荷を、所定の読み出し周波数で読み出す読み出し動作とを行う。このｋライン読み出しモードで読み出されるｋラインの画像データは、例えば、オートフォーカス（ＡＦ）制御、自動露出（ＡＥ）制御、オートホワイトバランス（ＡＷＢ）制御等の処理に用いる。
【００５４】
その後、２ＲＳＷ２６ｂがオンとなって記録トリガが発生したら、次の期間（図７では期間Ｖ４）から全画素読み出しモードを選択して、第１実施形態の場合と同様にして、絞り手段２０を駆動する場合には掃き出し周波数ｆ１よりも低い掃き出し周波数ｆ２を選択し、絞り手段２０を駆動しない場合には掃き出し周波数ｆ１を選択して、垂直シフトレジスタ３（図１５参照）内の不要電荷の高速掃き出しを行い、その高速掃き出し期間内の蓄積区間ｔb4で蓄積された信号電荷を、次の期間Ｖ５で全画素について所定の読み出し周波数で読み出す。
【００５５】
したがって、この実施形態においても、絞り手段２０を駆動する場合の高速掃き出し期間におけるピーク消費電流を低減できるので、第１実施形態と同様の効果が得られる。また、この実施形態では、第１トリガ発生した期間Ｖ０から記録トリガが発生した期間Ｖ３までは、ｋライン読み出しモードにより画面中央部の連続するｋラインの有効エリアの信号電荷を読み出し、その前後の掃き出しエリアの不要電荷は掃き出し周波数ｆ１で高速掃き出しするようにしたので、これらの期間のフレームレートを向上できる。したがって、第１トリガから記録トリガまでのレリーズタイムラグを短くできるので、シャッタチャンスを逃すこともない。
【００５６】
図８は、この発明に係る撮像装置の第３実施形態の構成を示すブロック図である。この実施形態は、第２実施形態の構成において、ＣＰＵ１８に接続してバッテリ（図示せず）の残量（電源電圧レベル）をチェックするバッテリチェック回路２７を設け、第１トリガ発生後のｋライン読み出しモードでは、このバッテリチェック回路２７の出力に基づいて、ＣＰＵ１８の制御のもとに、信号発生器１７から掃き出し周波数ｆ１およびｆ２（ｆ１＞ｆ２）の垂直シフトレジスタ転送パルスＶＴを選択的に出力させて、掃き出しエリアの不要電荷の掃き出し動作を制御する。また、記録トリガ発生後の全画素読み出しモードでは、絞り手段２０による被写体光束の絞り込みの有無、およびバッテリチェック回路２７の出力に基づいて、ＣＰＵ１８の制御のもとに、信号発生器１７から掃き出し周波数ｆ１およびｆ２の垂直シフトレジスタ転送パルスＶＴを選択的に出力させて、不要電荷の掃き出し動作を制御する。その他の構成および動作は第２実施形態と同様である。したがって、ここでは、主として第２実施形態との動作の違いについて説明する。なお、バッテリチェック回路２７は、ＣＰＵ１８の制御のもとにバッテリ残量をチェックする機能と、バッテリ残量を常時監視して所定の判定値（ＶBC0 ）を下回ると、ＣＰＵ１８に対して暴走を防止するためにリセットをかけてシステムを停止させる機能とを有する。
【００５７】
図９は、この第３実施形態におけるＣＰＵ１８のメインルーチンを示すフローチャートである。このメインルーチンは、装置の電源が投入されるとスタートする。メインルーチンがスタートしたら、先ず初期設定を行い（ステップＳ１）、１ＲＳＷ２６ａがオンになるのを待つ（ステップＳ２）。
【００５８】
ステップＳ２で１ＲＳＷ２６ａがオンになったのが検出されたら、ＣＰＵ１８の制御のもとにバッテリチェック回路２７においてバッテリチェックを行って（ステップＳ３）、その電源電圧レベルの検出値Ｖccと予め設定した第１の基準値ＶBC1 とを比較する（ステップＳ４）。ここで、第１の基準値ＶBC1 は、例えば、動作保証電圧範囲のほぼ最低限の電圧レベルで、ＣＰＵ１８に対してリセットをかける上記の判定値ＶBC0 よりも若干高い電圧レベルとする。
【００５９】
ステップＳ４での比較結果が、Ｖcc＜ＶBC1 の場合には、バッテリが消耗し、使用不可と判断して、ＣＰＵ１８自身を非動作状態とするストップモードにする（ステップＳ５）。この場合は、図示しない液晶表示装置等にバッテリ不可の表示を行う。これに対し、Ｖcc≧ＶBC1 の場合には、次に、予め設定した第２の基準値ＶBC2 （ＶBC2 ＞ＶBC1 ）と比較する（ステップＳ６）。ここで、第２の基準値ＶBC2 は、例えば、動作保証電圧範囲のほぼ中間の電圧レベルとする。
【００６０】
ステップＳ６での比較結果が、Ｖcc＞ＶBC2 の場合には、ｋライン読み出しモードにおける掃き出しエリアの不要電荷の掃き出し周波数ｆとしてｆ１を設定し（ステップＳ７）、Ｖcc≦ＶBC2 の場合にはｆ２を設定して（ステップＳ８）、ｋライン読み出しモードによる撮像シーケンスを行い、これにより得られる画像データに基づいて、ＡＦ制御、ＡＥ制御、ＡＷＢ制御等の処理を行う（ステップＳ９）。
【００６１】
その後、２ＲＳＷ２６ｂがオンになったか否かをチェックし（ステップＳ１０）、オフの場合にはステップＳ２に戻って上記の動作を繰り返し、オンになったのを検出したら、次に、ステップＳ９でのＡＥ制御における露出演算結果に基づいて、絞り手段２０をオンするか否かを判断する（ステップＳ１１）。
【００６２】
ステップＳ１１で、絞り手段２０をオンにする場合には、全画素読み出しモードにおける不要電荷の掃き出し周波数ｆとしてｆ２を設定し（ステップＳ１２）、絞り手段２０をオフのままとする場合には、次に、Ｖcc＞ＶBC2 を判断して（ステップＳ１３）、Ｖcc＞ＶBC2 の場合には、上記の掃き出し周波数ｆとしてｆ１を設定し（ステップＳ１４）、Ｖcc≦ＶBC2 の場合にはｆ２を設定して（ステップＳ１２）、全画素読み出しモードによる撮像シーケンス、すなわち図７において期間Ｖ４およびそれ以後の動作を行い（ステップＳ１５）、それにより得られる画像データを静止画として記録手段２１に記録して（ステップＳ１６）、ステップＳ２に戻る。
【００６３】
このように、この実施形態においては、掃き出し周波数ｆをｆ１，ｆ２と可変にして、バッテリチェック回路２７によるバッテリの残量に応じて、バッテリ残量Ｖccが、Ｖcc≦ＶBC2 の場合には、ｋライン読み出しモードにおける掃き出しエリアの掃き出し周波数ｆを低い周波数ｆ２にすると共に、全画素読み出しモードにおける掃き出し周波数ｆも、絞り手段２０の動作にかかわらず低い周波数ｆ２として掃き出し動作を制御するようにしたので、第２実施形態における効果に加え、バッテリ残量が少ないときの消費電流を低減でき、したがってバッテリの長寿命化をより有効に図ることができると共に、バッテリチェックによってシステムがストップするのをより有効に防止することができる。
【００６４】
図１０は、この発明に係る撮像装置の第４実施形態の構成を示すブロック図である。この実施形態は、第３実施形態の構成において、さらに、ＣＰＵ１８に接続して被写体を照明するストロボ手段２８を設け、第１トリガ発生後のｋライン読み出しモードにおける掃き出しエリアの不要電荷の掃き出し動作を、このストロボ手段２８が充電中か否か、およびバッテリチェック回路２７でのチェック結果に基づいて、ＣＰＵ１８の制御のもとに、信号発生器１７から掃き出し周波数ｆ１およびｆ２（ｆ１＞ｆ２）の垂直シフトレジスタ転送パルスＶＴを選択的に出力させて制御する。なお、記録トリガ発生後の全画素読み出しモードにおける不要電荷の掃き出し動作は、第３実施形態におけると同様に、絞り手段２０による被写体光束の絞り込みの有無、およびバッテリチェック回路２７の出力に基づいて、ＣＰＵ１８の制御のもとに、信号発生器１７から掃き出し周波数ｆ１およびｆ２の垂直シフトレジスタ転送パルスＶＴを選択的に出力させて制御する。その他の構成および動作は第２実施形態と同様である。したがって、ここでは、主として第３実施形態との動作の違いについて説明する。
【００６５】
図１１は、この第４実施形態におけるＣＰＵ１８のメインルーチンを示すフローチャートである。装置の電源投入によりメインルーチンがスタートしたら、初期設定を行い（ステップＳ２１）、１ＲＳＷ２６ａがオンになるのを待つ（ステップＳ２２）。ここで１ＲＳＷ２６ａがオンになったのが検出されたら、バッテリチェックを行って（ステップＳ２３）、電源電圧レベルＶccと第１の基準値ＶBC1 とを比較し（ステップＳ２４）、Ｖcc＜ＶBC1 の場合には、ＣＰＵ１８自身を非動作状態とするストップモードとし（ステップＳ２５）、Ｖcc≧ＶBC1 の場合には、次に、第２の基準値ＶBC2 と比較する（ステップＳ２６）。
【００６６】
ステップＳ２６での比較結果が、Ｖcc＞ＶBC2 の場合には、ｋライン読み出しモードにおける掃き出しエリアの不要電荷の掃き出し周波数ｆとしてｆ１を設定し（ステップＳ２７）、Ｖcc≦ＶBC2 の場合にはｆ２を設定して（ステップＳ２８）、次に、ストロボ手段２８が充電中か否かを判断する（ステップＳ２９）。ここで、ストロボ手段２８が充電中の場合には、ステップＳ２７での周波数ｆ１の設定にかかわらず、掃き出し周波数ｆとしてｆ２を設定し（ステップＳ３０）、充電中でない場合には、ステップＳ２７あるいはステップＳ２８で設定された掃き出し周波数ｆで、ｋライン読み出しモードによる撮像シーケンスを行い、これにより得られる画像データに基づいて、ＡＦ制御、ＡＥ制御、ＡＷＢ制御等の処理を行う（ステップＳ３１）。
【００６７】
その後のステップＳ３２〜ステップＳ３８では、図９に示した第３実施形態におけるステップＳ１０〜ステップＳ１６と同じ処理を行って、記録手段２１に静止画を記録し、ステップＳ２２に戻る。
【００６８】
このように、この実施形態では、ストロボ手段２８の充電中は、ｋライン読み出しモードにおける掃き出しエリアの不要電荷の掃き出しを、掃き出し周波数ｆとしてｆ１よりも低い周波数ｆ２を設定して行うようにしたので、上述した実施形態におけると同様に、装置全体のピーク消費電流を低減でき、低消費電力化およびバッテリの長寿命化を有効に図ることができると共に、バッテリチェックによってシステムがストップするのをより有効に防止することができる。
【００６９】
図１２は、この発明に係る撮像装置の第５実施形態の構成を示すブロック図である。この実施形態は、第３実施形態の構成において、さらに、ＣＰＵ１８に接続して環境温度Ｔａを検出する測温回路２９を設ける。この測温回路２９を構成するサーミスタ等の温度センサは、好ましくは、絞り手段２０あるいはバッテリの近傍に配置する。また、信号発生器１７によるＣＣＤ１３内の不要電荷の掃き出し周波数ｆは、ｆ１，ｆ２，ｆ３，ｆ４（ｆ１＞ｆ２＞ｆ３＞ｆ４）と可変にし、第１トリガ発生後のｋライン読み出しモードでは、バッテリチェック回路２７でのチェック結果、および測温回路２９で検出した環境温度Ｔａに基づいて、ＣＰＵ１８の制御のもとに、信号発生器１７から掃き出し周波数ｆ１，ｆ２およびｆ３（ｆ１＞ｆ２）の垂直シフトレジスタ転送パルスＶＴを選択的に出力させて掃き出しエリアの不要電荷の掃き出し動作を制御する。また、記録トリガ発生後の全画素読み出しモードでは、測温回路２９で検出した環境温度Ｔａ、絞り手段２０による被写体光束の絞り込みの有無、およびバッテリチェック回路２７でのチェック結果に基づいて、ＣＰＵ１８の制御のもとに、信号発生器１７から掃き出し周波数ｆ１，ｆ２，ｆ３，ｆ４の垂直シフトレジスタ転送パルスＶＴを選択的に出力させて不要電荷の掃き出し動作を制御する。その他の構成および動作は第２実施形態と同様である。したがって、ここでは、主として第３実施形態との動作の違いについて説明する。
【００７０】
図１３は、この第５実施形態におけるＣＰＵ１８のメインルーチンを示すフローチャートである。装置の電源投入によりメインルーチンがスタートしたら、初期設定を行い（ステップＳ４１）、１ＲＳＷ２６ａがオンになるのを待つ（ステップＳ４２）。この１ＲＳＷ２６ａがオンになるまでの間は、測温回路２９の出力を読み出して環境温度Ｔａを測定する（ステップＳ４３）。
【００７１】
ステップＳ４２で１ＲＳＷ２６ａがオンになったのが検出されたら、バッテリチェックを行って（ステップＳ４４）、電源電圧レベルＶccと第１の基準値ＶBC1 とを比較し（ステップＳ４５）、Ｖcc＜ＶBC1 の場合には、ＣＰＵ１８自身を非動作状態とするストップモードとし（ステップＳ４６）、Ｖcc≧ＶBC1 の場合には、次に、第２の基準値ＶBC2 と比較する（ステップＳ４７）。
【００７２】
ステップＳ４７での比較結果が、Ｖcc＞ＶBC2 の場合には、ｋライン読み出しモードにおける掃き出しエリアの不要電荷の掃き出し周波数ｆとしてｆ１を設定し（ステップＳ４８）、Ｖcc≦ＶBC2 の場合にはｆ２を設定して（ステップＳ４９）、次に、検出した環境温度Ｔａと基準温度Ｔthとを比較する（ステップＳ５０）。ここで、環境温度Ｔａが低温で、Ｔａ＜Ｔthの場合には、ステップＳ４８あるいはステップＳ４９での掃き出し周波数の設定にかかわらず、掃き出し周波数ｆとしてｆ３を設定し（ステップＳ５１）、Ｔａ≧Ｔthの場合には、ステップＳ４８あるいはステップＳ４９で設定された掃き出し周波数ｆで、ｋライン読み出しモードによる撮像シーケンスを行い、これにより得られる画像データに基づいて、ＡＦ制御、ＡＥ制御、ＡＷＢ制御等の処理を行う（ステップＳ５２）。
【００７３】
その後、２ＲＳＷ２６ｂがオンになったか否かをチェックし（ステップＳ５３）、オフの場合にはステップＳ４２に戻って上記の動作を繰り返し、オンになったのを検出したら、次に、Ｔａ＜Ｔthをチェックし（ステップＳ５４）、Ｔａ≧Ｔthの場合には、ステップＳ５５〜ステップＳ５８で、図９に示した第３実施形態におけるステップＳ１１〜ステップＳ１４と同じ処理を行って、絞り手段２０の駆動の有無およびバッテリ残量Ｖccに基づいて、全画素読み出しモードにおける不要電荷の掃き出し周波数ｆとして、ｆ１あるいはｆ２を設定する。
【００７４】
これに対し、ステップＳ５４でのチェック結果が、Ｔａ＜Ｔthの場合には、次に、絞り手段２０が駆動されるか否かをチェックし（ステップＳ５９）、駆動されない場合には、さらに、Ｖcc＞ＶBC2 をチェックし（ステップＳ６０）、Ｖcc＞ＶBC2 の場合には、全画素読み出しモードにおける不要電荷の掃き出し周波数ｆとしてｆ２を設定し（ステップＳ６１）、Ｖcc≦ＶBC2 の場合にはｆ３を設定する（ステップＳ６２）。また、ステップＳ５９で絞り手段２０が駆動されると判断された場合には、掃き出し周波数ｆとしてｆ４を設定する（ステップＳ６３）。
【００７５】
このようにして、全画素読み出しモードにおける掃き出し周波数ｆを、ｆ１，ｆ２，ｆ３，ｆ４の中から選択設定したら、その掃き出し周波数を用いて全画素読み出しモードによる撮像シーケンス動作を行い（ステップＳ６４）、それにより得られる画像データを静止画として記録手段２１に記録して（ステップＳ６５）、ステップＳ４２に戻る。
【００７６】
このように、この実施形態では、バッテリ残量Ｖccの他に、環境温度Ｔａをも考慮し、Ｖcc≦ＶBC2 で、かつ低温でバッテリ能力が低下するＴａ＜Ｔthの場合には、掃き出し周波数ｆを、ｋライン読み出しモードでは、さらに低い周波数ｆ３に設定して、掃き出しエリアの不要電荷の高速掃き出しを行い、また、全画素読み出しモードでは、絞り手段２０の駆動の有無に応じて、絞り手段２０がオフの場合にはｆ３に、オンの場合には、さらに低いｆ４に設定して不要電荷の高速掃き出しを行うようにしたので、上述した実施形態におけると同様に、装置全体のピーク消費電流を低減でき、低消費電力化およびバッテリの長寿命化を有効に図ることができると共に、バッテリチェックによってシステムがストップするのをより有効に防止することができる。
【００７７】
なお、この発明は、上述した実施形態にのみ限定されるものではなく、幾多の変形または変更が可能である。例えば、第４および５実施形態を組み合わせて、Ｖcc≦ＶBC2 、Ｔａ＜Ｔthで、かつストロボ手段２８が充電中の場合は、ｋライン読み出しモードにおける掃き出し周波数ｆを、さらに低い周波数ｆ４に設定して、掃き出しエリアの不要電荷の高速掃き出しを行うようにすることもできる。
【００７８】
また、記録手段２１に画像データを書き込む等のアクセス動作の有無に応じて、アクセス動作中は非アクセス動作中のときよりも掃き出し周波数を低くして消費電流を低減するよう制御することもできる。このようにすれば、例えば、記録手段２１への画像データの書き込み中に、システムが停止して画像データが消失されるのを有効に防止することができる。
【００７９】
さらに、図１４に示すように、ＣＰＵ１８に接続して装置全体の消費電流を検出する消費電流検出回路３０を設け、この消費電流検出回路３０の出力に基づいて、ＣＰＵ１８により絞り手段２０の非動作中における全消費電流の最大値を検出して内部のＲＡＭや図示しないＥ2 ＲＯＭ等に記憶し、絞り手段２０の動作中における全消費電流が、記憶されている最大値よりも小さくなるように、絞り手段２０の動作中における掃き出し周波数ｆを制御することもできる。このようにすれば、絞り手段２０の動作中に、全消費電流が過大となって、システムが停止したり、電源系に内蔵されたヒューズが焼損するのを有効に防止することができる。また、この消費電流検出回路３０を、上述したバッテリチェック回路２７、ストロボ手段２８、測温回路２９と適宜組み合わせて設けて、第２〜５実施形態におけるｋライン読み出しモードでの掃き出し周波数を、全消費電流が、記憶されている絞り手段２０の非動作中における全消費電流の最大値よりも小さくなるように制御することもできる。
【００８０】
さらにまた、第２〜５実施形態では、第１トリガが発生した時点から記録トリガが発生するまでの期間は、ｋライン読み出しモードでＣＣＤ１３の画面中央部の連続するｋラインの信号電荷を読み出すようにしたが、この連続するｋラインは画面の任意の領域とすることができる。また、この第１トリガから記録トリガまでの期間は、フレームレートを向上させて、レリーズタイムラグを小さくできれば良いので、例えば、全ラインあるいは任意の一部の領域のラインに対して間引き読み出しを行ったり、その間引き読み出したラインの信号電荷を適宜加算して読み出す等、任意の読み出しモードとすることができる。
【００８１】
また、撮像素子は、上述した縦型オーバーフロードレイン構造をもつインターライン形ＣＣＤに限らず、他の機能のＣＣＤ撮像素子を用いる場合でも、この発明を有効に適用することができる。
【００８２】
【発明の効果】
この発明によれば、掃き出し手段により撮像素子内の不要な電荷を掃き出す掃き出し周波数を、消費電流量、電源電圧レベル、環境温度、絞り手段の動作状態、ストロボ手段の充電動作状態、または、記録手段への画像データの書き込み動作状態に基づいて、適宜低くするようにしたので、装置全体のピーク消費電流を低減でき、低消費電力化およびバッテリの長寿命化を有効に図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明に係る撮像装置の第１実施形態の構成を示すブロック図である。
【図２】図１に示す絞り手段およびシャッタ手段を含む鏡枠ユニットの一例の構成を示す分解斜視図である。
【図３】図１に示す絞りシャッタユニットの構成を示す図である。
【図４】第１実施形態の撮像装置による撮像動作を示すタイミングチャートである。
【図５】同じく、第１実施形態の撮像装置による撮像動作を示すタイミングチャートである。
【図６】この発明に係る撮像装置の第２実施形態を説明するための図である。
【図７】第２実施形態の撮像装置による撮像動作を示すフローチャートである。
【図８】この発明に係る撮像装置の第３実施形態の構成を示すブロック図である。
【図９】第３実施形態の撮像装置による撮像動作を示すフローチャートである。
【図１０】この発明に係る撮像装置の第４実施形態の構成を示すブロック図である。
【図１１】第４実施形態の撮像装置による撮像動作を示すフローチャートである。
【図１２】この発明に係る撮像装置の第５実施形態の構成を示すブロック図である。
【図１３】第５実施形態の撮像装置による撮像動作を示すフローチャートである。
【図１４】この発明に係る撮像装置の変形例の構成を示すブロック図である。
【図１５】この発明に係る撮像装置に使用可能な撮像素子としてのＣＣＤの一例の構成を示す図である。
【図１６】従来の撮像装置の基本的構成を示すブロック図である。
【図１７】その動作を示すタイミングチャートである。
【図１８】本出願人が先に提案した撮像装置における撮像動作を示すタイミングチャートである。
【図１９】不要電荷の掃き出し周波数とピーク消費電流との関係を示す図である。
【符号の説明】
１  フォトダイオード
２  トランスファーゲート
３  垂直シフトレジスタ
４  水平シフトレジスタ
５  信号検出器
１１  レンズ
１２  シャッタ手段
１３  ＣＣＤ
１４  信号処理回路
１６  ドライバ
１７  信号発生器
１８  ＣＰＵ
１９  デジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）
２０  絞り手段
２１  記憶手段
２２  絞りドライバ
２５  絞りシャッタユニット
２６ａ  ファーストレリーズスイッチ（１ＲＳＷ）
２６ｂ  セカンドレリーズスイッチ（２ＲＳＷ）
２７  バッテリチェック回路
２８  ストロボ手段
２９  測温回路
３０  消費電流検出回路
６５  ベース板
６６  絞り部材
６７  シャッタ部材
６８  絞り用駆動源
６９  シャッタ用駆動源
７１  絞りレバー
７２  シャッタレバー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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