【事件の表示】
　平成１年特許願第８９８４８号「画像形成装置」拒絶査定に対する審判事件（平成２年１１月２日出願公開、特開平２−２６９３７１）について、次のとおり審決する。
【結論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理由】
１．［手続の経緯・本願発明の内容］
　本願は、平成１年４月１１日の出願であって、その請求項（１）に係る発明は、平成１０年１月２８日、平成１０年７月２４日、平成１０年１１月２４日付手続補正書により補正された内容を含む明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項（１）に記載された次のとおりのものと認める。
特許請求の範囲
（１）感光体上の静電潜像の表面電位を検出する電位計測手段と、現像バイアスを印加して前記静電潜像を顕像化する現像手段と、前記顕像化された顕像部の反射光量を検出する反射光量検出手段と、該反射光量の検出結果に基づいて画像濃度を制御する画像形成装置において、
　前記顕像化される静電潜像の表面電位を前記電位計測手段で計測し、該電位計測手段の計測値に基づいて該計測値と前記現像手段に印加される現像バイアスとの差である現像ポテンシャルが一定になるように前記現像バイアスを制御するバイアス制御手段を設けたことを特徴とする画像形成装置。
２．［査定の理由・引用例］
　これに対して、原査定の拒絶の理由として、特開昭６４−２０７４号公報（引用例１）、特開昭５８−１８１０７０号公報（引用例２）を提示し、本願発明の各請求項の発明はこれらの引用例に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないと、判断している。
（１）特開昭６４−２０７４号公報（引用例１）
▲１▼第１頁右欄第１６行〜第２０行
「帯電、露光により感光体上の静電潜像を形成し、現像剤により顕像化して転写紙に転写する複写装置においては、感光体上のパターン画像を形成し、そのトナー像の濃度を検出して現像装置のトナー補給を制御する方法が知られている」
▲２▼第２頁左上欄第１３行〜右上欄第９行
「本発明は…感光体の所定部分をイレースした後予め定めた地肌検出用バイアス印加の下で現像して感光体表面の地肌濃度（ＶＳＧ）を光センサにより検出し、感光体の所定部分を帯電し、パターン像を露光し、パターン濃度検出に適したバイアス印加の下で現像して顕像化されたパターン濃度（ＶＳＰ）を前記光センサにより検出し、帯電、露光によるパターン像の潜像をイレースした後バイアス０Ｖで現像して得られた残留パターン濃度（ＶＲＰ）を前記光センサにより検出し、パターン濃度比（ＶＳＰ／ＶＳＧ）の予め定めた値との比較の大小に応じてトナーの補給を制御し、残留パターン濃度比（ＶＲＰ／ＶＳＧ）の予め定めた値との比較の値に応じて画像プロセス条件の補正をし、残留パターン濃度比の値が予め定めた値以下になると感光体の劣化を知らせる」
▲３▼第３頁右上欄第７行〜第１５行
「制御装置においては、感光体よりの反射光に基づく光センサ１５よりの出力から感光体地肌濃度（ＶＳＧ）とパターン濃度（ＶＳＰ）について（ＶＳＰ／ＶＳＧ）すなわち感光体地肌の濃度に対するパターン濃度の比を演算し、その比を予め定めた値と比較する。パターントナー像が濃くなるとＶＳＰが小さくなり、淡くなるとＶＳＰが大となる。そこでＶＳＰ／ＶＳＧが所定の値より大のときはトナーを補給し、小のときはトナー補給を停止する」
　以上の記載から明らかなように、引用例１には、本願発明の表現を用いると、次の事項が記載されている。
「感光体上の静電潜像を、現像バイアスを印加することができる現像手段により顕像化し、前記顕像化された顕像部の反射光量を反射光量検出手段（光センサ１５）により検出し、その反射光量の検出結果に基づいて画像濃度を制御する（「ＶＳＰ／ＶＳＧ」が所定の値より大のときはトナーを補給して画像濃度を補正する）画像形成装置。」
（２）　特開昭５８−１８１０７０号公報
▲１▼第１頁左欄第１１行〜第１３行
「本発明は、電子写真複写機の現像バイアス電圧の制御に関する新規な制御方法に関する…」
▲２▼第１頁右欄第１４行〜第２頁左上欄第８行
「従来この現像バイアスは一定値にセットされたままか、…一定濃度のパッチ像を感材上に現像し、その反射濃度を検知して適当なバイアス電圧を印加するものが公知であった、予め一定値にセットして不変というのは、…という不具合があり、現像された濃度に応じてバイアスを変える場合でも、基準となるインプットのパッチ濃度に近い濃度は比較的良い精度で制御されるが、インプットのパッチ濃度をはずれるとバラツキも大きくなる、…欠点を有していた」
▲３▼第２頁左上欄第９行〜第１７行
「本発明は…感材のサイクル特性、温度特性、露光量の経時変化、光学系の汚れによる光量低下等により、感材の現像電位が変化した場合に、その変化の状況に応じた最適の現像バイアス電圧を印加することにより、常に安定したコピー質を得ることができ…制御方法を提供しようとするものである」
▲４▼第２頁右上欄第２行〜第６行、特許請求の範囲
「第２図の本発明の実施例の説明（同一部材は第１図の従来例と同一符号を付すと説明あり）プラテン１には一定濃度のパッチ３が設けられ、このパッチ３の静電潜像の表面電位を電位センサ１６で検知し、その検知電位と同等の電位をバイアス電源制御器１７を通して現像器９内の現像ロール１０に印加する」
▲５▼第２頁左下欄第５行〜右上欄第３行
「実施例の記載として、未露光時感材電位＝９００Ｖ、白紙部の露光後の感材電位＝５０Ｖ、現像ロールへ印加するバイアス電位＝２００Ｖとなるように帯電電流値、光量その他を調整し、そのときのコピー質は、…いずれもスペックを満足していた。このとき、インプット濃度に対応する感材電位＝２００Ｖとなるオリジナル濃度は機械調整直後の条件で０．１６であったので、本発明の実施例として０．１６の濃度のパッチを第２図で示すパッチ３として使用し、また電位センサ１６として…使用してそのパッチの静電潜像電位を読み取り、その値と等しいバイアス電圧を現像ロール１０に印加するようにした」
▲６▼第３頁左下欄第５行〜第１１行
「本発明は、一定濃度のパッチ像を感材上に静電潜像として作像し、この静電潜像の電位を検知し、この静電潜像の電位に応じた現像バイアス電圧を印加するようにしたから、各条件における最適のバイアス電圧が自動的に設定され、常に安定したコピー質が得られる」
　以上の記載からみて、引用例２には、「感光体上の静電潜像の表面電位を検出する電位計測手段の計測値に基づいて現像手段の現像バイアスを印加するようにしたバイアス制御手段」が開示されており、本願発明の「感光体上の静電潜像の表面電位を検出する電位計測手段の計測値に基づいて該計測値と現像手段に印加される現像バイアスとの差である現像ポテンシャルが一定になるように現像バイアスを変更するバイアス制御手段」に対応する。
３．［対比・判断］
　対比・判断に際しては、本願請求項１に係る発明と引用例１記載のものとを対比する。
　ここでは、本願の請求項１に係る発明を本願発明という。
（１）用語の整理
　引用例１における「光センサ１５」は、「感光体に光を照射し、その反射光の光量を検出する手段として構成」（引用例１第２頁左下欄第６行〜第７行）とあるように、本願発明の「反射光量検出手段」に対応する。
（２）両者の一致点
　感光体上の静電潜像を、現像バイアスを印加することができる現像手段により顕像化し、前記顕像化された顕像部の反射光量を反射光量検出手段により検出し、その反射光量の検出結果に基づいて画像濃度を制御する画像形成装置。
（３）両者の相違点
　画像形成装置の現像手段に印加される現像バイアスを制御する手段について、本願発明では、顕像化される静電潜像の表面電位を検出できる電位計測手段を備え、該電位計測手段の計測値に基づいて該計測値と前記現像手段に印加される現像バイアスとの差である現像ポテンシャルが一定になるように現像バイアスを制御するバイアス制御手段を設けるとし、引用例１記載のものでは、現像バイアスの印加について、パターン濃度検出に適したバイアス印加がされるとあり、本願発明のような表現の現像バイアスの制御に関する制御手段を設けるとの記載がない点。
（４）　相違点についての判断
　現像手段に印加される現像バイアスは適宜の状態との関連により制御されることは、引用例１の記載内容からも明らかであり、特に、引用例１記載のものでは、顕像化される静電潜像の表面電位を電位計測手段で計測し、該電位計測手段の計測値に基づいて該計測値と前記現像手段に印加される現像バイアスとの差である現像ポテンシャルが一定になるように前記現像バイアスを制御するバイアス制御手段を設ける点についての開示はない。
　しかしながら、本願発明の「感光体上の静電潜像の表面電位を検出する電位計測手段の計測値に基づいて該計測値と現像手段に印加される現像バイアスとの差である現像ポテンシャルが一定になるように現像バイアスを変更するバイアス制御手段」とは、明細書第６頁記載のように、「電位計測手段」としての電位計４は感光体１の現像面以外に形成されるホトセンサ用のパターン部分（図示なし）のパターン電位（ＶＰ）を測定し、測定されたパターン電位（ＶＰ）と目標の電位値（ＶＰＴ）との差（ＶＰＴ−ＶＰ）を演算し、この演算値と現在出力している現像部６のバイアス７のバイアス電位（ＶＢ）とを比較して、比較値が同一の範囲からずれていると、バイアス７の値（ＶＢ）を切り換え、比較値が範囲内に入るようにすることを意味し、要するに、パターン部の現像ポテンシャル〔＝パターン電位（ＶＰ）〕を所定の目標値の範囲内に入るように、現像バイアスを調整するものであり、目標値に基づく制御方式において、きわめて一般的な手法である。
　そして、引用例２には「感光体上の静電潜像の表面電位を検出する電位計測手段の計測値に基づいて現像手段の現像バイアスを印加するようにしたバイアス制御手段」が記載されているのであるから、本出願前周知な引用例１記載のものにおける現像バイアスを制御するバイアス制御手段の制御に対して、引用例２に記載される制御手段を適用するに際して、前記一般的な手法と共に適用することは格別困難性があるものとはいえない。
　よって、前記相違点により生じる作用効果についても、感光体上の静電潜像の表面電位を検出し、その計測値に基づいて現像手段に印加される現像バイアスを適宜変更可能なバイアス制御手段を備え、コピー質を安定させることが、引用例２に示されるように本出願前周知であることからしても、当業者が容易に想到し得るものである。
４．［むすび］
　以上のとおりであるから、本願の請求項１に係る発明は、引用例１、引用例２の記載に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。