【事件の表示】
平成　２年特許願第　７４３９１号「電子スチルカメラ」拒絶査定に対する審判事件〔平成　８年　３月２７日出願公告特公平　８−　３２００７　平成　３年１２月　５日出願公開、特開平　３−２７４８７５                        　請求項の数1〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
(1) 手続の経緯・本願発明の要旨
　本願は、平成２年３月２３日の出願であって、その発明の要旨は、出願公告後の平成９年３月１４日付けおよび平成１１年１月６日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲に記載された次のとおりのものである。
「撮像レンズと、
　被写体の光学像が撮像レンズによって結像される光導電層部材を含んでいて被写体の光学像を電荷像に変換させる光電変換手段と、
　被写体の光学像による電荷像の電界と対応した光散乱効果とそれ自体のメモリ効果とによりアナログ階調記録を行なう高分子−液晶複合膜を記録層に用いた情報記録媒体と、
　前記した光電変換手段によって得た電荷像に対応する可視像情報を前記した情報記録媒体に記録する手段とを少なくとも備えてなる電子スチルカメラ。」
(2) 原査定の理由
　これに対して、原査定の拒絶の理由となった特許異議の決定に記載した理由の概要は、本願発明は、本願出願前に頒布された特開平１−３１４２３３号公報（平成１年１２月１９日出願公開。以下「引用例１」という。）および特開昭６２−８９９２９号公報（昭和６２年４月２４日出願公開。以下「引用例２」という。）に記載された発明および周知技術（「それ自体がメモリ効果を有する液晶層」の例示として、特開昭６４−３３５２１号公報（昭和６４年２月３日出願公開。以下「引用例３」という。）に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
(3) 引用例
(3-1)引用例１
　引用例１には、「撮像装置」に関して、「被写体の光学像を撮像レンズによって光-光変換素子に結像させる手段と、前記した光-光変換素子に結像された被写体の光学像と対応する光学像情報を非可逆性の記録部材へ光により再投影する手段と、前記した非可逆性の記録部材に前記した光学像情報を記録する手段とを備えた撮像装置」（第１頁左下欄第５〜１１行、特許請求の範囲）が記載され、詳細には、
「光-光変換素子３としては、記憶機能を備えているものでも、あるいは記憶機能を有しないものでも、目的に応じて選択使用できる。第２図は光-光変換素子３として使用できる液晶型光変調器３の構成例を示す側断面図であり、・・・３４は光導電膜、３５は遮光層、３６は誘電体ミラー、３７はネマチック液晶層、３８，３９は前記したネマチック液晶層３７が分子の光学軸が極板に平行で、かつ、極板間で４５度だけ回転するようなねじれ配向になるように設けた液晶配向膜、・・・、４１は交流電源であり、またＷＬは書込み光、ＲＬは読出し光である。第２図に示す液晶型光変調器３に入射した被写体の光学像が、ガラス板３１と透明導電性電極３２とを透過して光導電膜３４に結像すると、光導電膜３４はそれに結像された被写体の光学像に対応して電気抵抗値が変化する。」（第４頁右上欄第１行〜左下欄第１行）と記載されている。   
(3-2)引用例２
　引用例２には、「光記憶装置」に関して、「２つの電極間に液晶層と光導電層とを配置した光記録手段と、前記電極間に電圧を印加する電圧印加手段と、書込み光を照射する書込み手段とを有する光記録装置において、前記光導電層が高インピータンスの時に前記液晶が低透過率状態の配列を示し、前記光導電層が低インピーダンスの時に前記液晶が高透過率状態の配列を示すことを特徴とする光記録装置。」（第１頁右下欄第１９行〜第２頁左上欄第６行、特許請求の範囲第６項）が記載され、詳細には、
「メモリー性を持たない液晶を光導電層を用いることによってメモリー性のある光画像信号の表示を行なう」（第２頁右上欄第４〜６行）、
「次に、書込み光１９を断った後、読取り光に相当する周囲光１０が透過率の大きいネマチック相のＢ部分を透過し、光導電層１５の書込み光１９が照射されていた部分に入射される為、その部分の光導電層１５が低インピーダンスを保ち、書込み時と同じ状態で液晶層１６が維持され、メモリー性のある光画像信号の表示が可能になる。」（第３頁右下欄第７〜１５行）、
「電界のかからない状態では第４図(1)に示す様に、マイクロカプセル４１内の液晶の分子４２ａは様々な方向にランダム配列しており、液晶４２ａとそれを覆うカプセル４１との界面での屈折率が違う為に、入射光の乱反射が起こる。・・・白濁状態で見える。さらに、この液晶層４３に配列転移を発生する電界Ｅｔｈ以上に相当する電圧Ｅｔｈ上の電圧を印加すると液晶４２ａは　第４図(2)に示す様に電界方向に平行に配列した液晶４２ｂを生じ、カプセル４１の屈折率が液晶材料の長軸方向の屈折率と同等となっている為、入射光は乱反射せずに透明になる。」（第４頁左下欄第２〜１５行）と記載されている。
(3-3)引用例３
　引用例３には、「液晶分子の配向制御を行うことにより光変調を行った液晶変調器」（第２頁左上欄第１６行〜第１７行）に関して、「液晶に記憶性液晶を用いる」（第１頁左下欄第７行〜第８行）、「第１の状態は液晶分子の配向がホモジニアスな状態であって入射光はそのまま通過する透明な状態である。一方、第２の状態は入射光が回折、散乱する状態である。従って第１の状態を利用して全面消去を行い、第２の状態で書き込みを行うような適用が考えられる。」（第７頁右上欄第２〜８行）と記載されている。
(4) 対比判断
　本願発明と引用例１に記載されたものとを対比する。引用例１に記載された「光-光変換素子」は「光導電膜」と「液晶層」を有し、「光導電膜」に被写体の光学像が結像し、これに対応して電気抵抗値が変化するので、引用例１に記載された発明と本願発明とは、「撮像レンズと、光導電層部材を含む光変換手段と、記録媒体と、記録する手段とを有する撮像装置」である点で共通している。
　引用例１には、「記録媒体」として被可逆性の記録部材が示されている他に、光導電膜と液晶層を含んで構成される光-光変換素子として記憶機能を備えているものを用いることが示唆されているが、引用例１には、本願発明の必須の構成要件である「記録媒体」が「それ自体のメモリ効果とによりアナログ階調記録を行なう高分子−液晶複合膜を記録層に用いた情報記録媒体」である構成が記載されていない。
　また、引用例２には、光導電層と液晶層からなる光記録媒体が記載されているが、光導電層を用いることによりメモリー性を有するものであり、また、液晶層に配列転移を発生する書き込み光の照射により２値情報を記録するものであって、上記構成については、何ら記載されていない。
　また、それ自体がメモリ効果を有する液晶層の例示として示された引用例３には、記憶性液晶が記載されているものの、第１と第２の状態により２値情報を記録するものであり、上記構成のうち「アナログ階調記録を行なう高分子−液晶複合膜」については、何ら記載されていない。
　してみると、上記構成の「記録媒体」の記録層として、「アナログ階調記録を行なう高分子−液晶複合膜」を用いる点について、引用例１〜３のいずれにも記載されていない以上、これらを組み合わせても、上記の構成を得ることはできない。そして、本願発明は、上記構成により、明細書に記載された、電子スチルカメラとして要求される高解像度のスチル画像のハードコピーを容易に提供できる等の顕著な効果を奏するものである。
(5) むすび 
　したがって、本願発明は、上記引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとすることはできないので、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないという理由で本願を拒絶すべきものとした原査定は妥当でない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。