【事件の表示】
　平成６年特許願第３３８７２０号「半導体装置の製造方法」拒絶査定に対する審判事件（平成８年７月１６日出願公開、特開平８−１８６１１０）について、次のとおり審決する。
【結論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成６年１２月２８日の出願であって、その発明の要旨は、平成９年２月７日付けの手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された「半導体装置の製造方法」にあるものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「第１発明」という）は、次のとおりのものである。
「半導体基板上にアルミニウム合金膜を形成する工程と、前記アルミニウム合金膜の上層にマスク酸化膜を形成後直ちに急冷する工程と、前記マスク酸化膜をパターニングし前記アルミニウム合金膜をエッチングして配線を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
２．引用刊行物記載の発明
　これに対して、原審の拒絶の理由に引用された、本願出願日前に頒布された刊行物である特開昭６３−３０８９１４号公報（以下、「引用例１」という）には、「半導体基板上にアルミニウム合金膜を形成する工程と、前記半導体基板を高温から急冷する工程と、フォトリソグラフィ技術により前記合金膜をエッチング除去する工程とを含むことを特徴とするアルミニウム合金配線の形成方法。」（「特許請求の範囲」の欄）、「従来のＡｌ合金配線の形成方法では、半導体基板にＡｌ合金膜を形成する際、半導体基板を２００℃乃至４００℃に加熱し、Ａｌ合金膜を形成後、特に冷却することはなく自然冷却していた。」（「従来の技術」の欄）、「前述した従来のＡｌ合金配線の形成方法では、Ａｌ合金膜を半導体基板に形成する際、室温で固溶限界以上の添加物がＡｌ中に含まれている場合、この固溶限界以上の添加物が半導体基板が冷却されるに従い、主に粒界や基板とＡｌ合金膜の界面に析出してしまう。その後、この添加物が析出したＡｌ合金膜を、リソグラフィ技術により必要な部分を残しエッチング除去する際、この添加物の析出が残さとして残り、Ａｌ合金配線を形成することが困難となる欠点を有していた。たとえば、Ａｌ中に銅（Ｃｕ）を１％添加したＡｌ−Ｃｕ合金で、Ａｌ合金配線を形成する場合を例にとると、・・・粒界に析出したＣｕはエッチングされず、半導体基板上に残さとして残り、この残さでＡｌ配線間がショートしてしまい、Ａｌ−Ｃｕ合金配線の形成が困難となる欠点を有する。」（「発明が解決しようとする問題点」の欄）、「第１図（ａ）乃至第１図（ｃ）は本発明の第１の実施例のＡｌ−Ｃｕ合金配線形成の主要工程を順にした断面図である。・・・シリコン基板１を４００℃に加熱し、スパッタリング法によりＡｌ−Ｃｕ合金膜３を形成する。・・・Ａｌ−Ｃｕ合金膜３が形成された後、ただちに加熱をやめ、基板ホルダに液体窒素を流し、シリコン基板１全体を急冷し、室温に戻す。この時、第１図（ｂ）に示すようにＡｌ−Ｃｕ合金膜３中のＣｕは、急冷のため、４００℃での分布から変化することなく、Ａｌ−Ｃｕ合金膜３中にはぼ均一に分布している。その後、第１図（ｃ）に示すように、通常のリソグラフィ技術を用い、Ａｌ−Ｃｕ合金膜３を必要な部分を残してエッチング除去し、Ａｌ−Ｃｕ合金配線４を形成する。」（第２頁右上欄第１２行〜左下欄第１４行）、「第２図（ａ）乃至第２図（ｃ）は本発明の第２の実施例のアルミニウム合金配線の形成方法を主要工程順に示す断面図である。・・・シリコン基板１１を２００℃に加熱し、スパッタリング法によりＡｌ−Ｃｕ合金膜１３を所望の膜厚に形成し、室温に戻す。・・・その後、新たにシリコン基板１１を炉心管や電気オーブンなどにより４００℃に加熱し、第２図（ｂ）に示すように、水冷により基板を急冷する。この時、室温でも、ＣｕはＡｌ−Ｃｕ合金膜１５に均一に分布している。その後、通常のリソグラフィ技術によりＡｌ−Ｃｕ合金を必要な部分を残しエッチング除去し、第２図（ｃ）に示すように、Ａｌ−Ｃｕ合金配線１６を形成する。」（第２頁左下欄第１５行〜右下欄第１１行）、「本発明はＡｌ合金膜を半導体基板に形成後、このＡｌ合金膜をフォトリソグラフィ技術により必要な部分を残しエッチング除去する前に、半導体基板を高温から急冷する工程を含むことで、Ａｌ合金中の添加物がＡ１中にほぼ均一に分布し、析出しているところがないため、通常のＡｌのエッチング技術により添加物も同時にエッチング除去され、Ａｌ合金配線を容易に形成できるという効果がある。」（「発明の効果」の欄）が、第１図、第２図と共に記載されている。
　したがって、上記各記載から、引用例１には、半導体基板上に形成されたアルミニウム合金膜中に室温での固溶限界以上の添加物が含まれている場合、半導体基板を自然冷却すると添加物が粒界等に析出し、この析出がエッチング後に残滓として残り、アルミニウム合金配線を形成することが困難となるという問題を生じること、及び、エッチング前に半導体基板を高温から急冷することで、この問題を解決できることが開示されていると認１められる。
　同じく原審の拒絶の理由に引用された、本願出願日前に頒布された刊行物である特開平５−１３６１２７号公報（以下、「引用例２」という）には、「パターニングされる配線用金属膜上に第２マスク及びフォトレジストからなる第１マスクを順次積層形成して、前記配線用金属膜のエッチングを行う半導体装置の製造プロセスにおける金属配線パターンの形成方法であって、前記第２マスクは、その前記配線用金属膜に対する選択比が、前記第１マスクのフォトレジストのそれより大きい材料から形成されることを特徴とする金属配線パターンの形成方法。」（「特許請求の範囲」の欄）、「第１の工程（図１Ａ）では、…アルミニウム合金膜からなる上層配線用金属膜１５及びシリコン酸化膜からなる第２マスク１６をそれぞれ平坦部において６００ｎｍ、８００ｎｍ及び５０ｎｍの膜厚になるように順次積層形成し、・・・本工程において、上層配線用金属膜１５の成膜は、アルミニウムＡｌ一シリコンＳｉ（１．０％）一銅Ｃｕ（０．５％）をスパッタ法により積層形成する。・・・第２の工程（図１Ｂ）では、・・・反応性イオン・エッチング法により、第２マスク１６のパターニングを行う。第３の工程（図１Ｃ）では、前工程に引き続いて、同じエッチング・ガス１８を用いた同じ反応性イオン・エッチング法により、上層配線用金属膜１５のエッチングを第２マスク１６のパターニングに連続して行う。」（【００１３】〜【００１６】）が、図１と共に記載されている。
　したがって、上記各記載から、引用例２には、半導体基板上にアルミニウムＡｌ一シリコンＳｉ（１．０％）一銅Ｃｕ（０．５％）からなるアルミニウム合金膜をスパッタ法により形成する工程と、前記アルミニウム合金膜の上層にシリコン酸化膜からなる第２マスクを形成する工程と、前記シリコン酸化膜からなるマスクをパターニングし前記アルミニウム合金膜をエッチングして配線を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法が記載されているものと認められる。
３．対比
　本願第１発明と引用例２に記載の発明とを対比すると、本願第１発明の「マスク酸化膜」は引用例２に記載された発明の「シリコン酸化膜からなる第２マスク」に相当するから、結局両者は、「半導体基板上にアルミニウム合金膜を形成する工程と、前記アルミニウム合金膜の上層にマスク酸化膜を形成する工程と、前記マスク酸化膜をパターニングし前記アルミニウム合金膜をエッチングして配線を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」である点で一致し、本願第１発明では、マスク酸化膜を形成後直ちに急冷するのに対して、引用例２にはこのような記載がない点で相違する。
４．当審の判断
　上記相違点について検討する。
　引用例１には、半導体基板上に形成されたアルミニウム合金膜中に室温での固溶限界以上の添加物が含まれている場合、半導体基板を自然冷却すると添加物が粒界等に析出し、この析出がエッチング後に残滓として残り、アルミニウム合金配線を形成することが困難となるという問題を生じることが示されている。ところで、引用例２に記載された発明において半導体基板上にスパッタ法により形成されたアルミニウム合金膜の組成は、アルミニウムＡｌ一シリコンＳｉ（１．０％）一銅Ｃｕ（０．５％）であり、その添加物の量が室温での固溶限界を超えていることは明らかである。してみれば、該半導体基板の冷却を自然に任せた場合に、固溶限界以上の添加物が粒界等に析出し、この析出がエッチング後に残滓として残り、アルミニウム合金配線を形成することが困難となるという問題を生じるであろうことは当然に予測される。
　しかも、引用例２に記載された発明では、アルミニウム合金膜上にシリコン酸化膜が形成されているから、該酸化膜が形成されていない時に比べて冷却速度が低下して添加物が析出し易くなっていることは明らかであり、また審判請求人が参考文献として審判請求書に添付した刊行物である第４０回応用物理学関係連合講演会講演予稿集Ｎｏ．２（１９９３年、７２６頁、３０ｐ−ＺＹ−１１６）によれば、アルミニウム合金膜上の絶縁膜が該アルミニウム合金の配向性を低下させ、添加物が析出しやすい結晶粒界を増加させることが本願出願日前において知られていたのであるから、引用例２に記載された発明におけるアルミニウム合金膜上のシリコン酸化膜の存在が、前記基板の冷却を自然に任せた場合に生じるアルミニウム合金配線を形成する際の困難を一層増大させる要因となることは明らかである。
　してみれば、この困難を解決するために引用例１に開示された手段、すなわちエッチング前に半導体基板を高温から急冷することを採用することは当業者が容易に想起し得たことである。そして、引用例２に記載された発明において、エッチング前に半導体基板が高温となる最後の工程はマスク酸化膜の形成工程であるから、引用例２に記載された発明に引用例１記載の技術を採用する場合、急冷工程はマスク酸化膜の形成工程の直後に行われることとなることは明らかである。
　なお、本願明細書に記載された効果のうち、アルミニウム合金膜中に含まれる添加物の結晶粒界への拡散を抑制することができること、及びエッチング残滓の要因となる添加物のノジュール成長を抑制し、残津の生じない高信頼性のアルミニウム合金配線を形成することが可能であることは、引用例１に記載されている。そして、配線抵抗の増大、マイグレーション耐性の劣化を抑制することができ高信頼性の微細配線加工を実現することができるという効果は、前記ノジュールの成長の抑制という現象から当業者が予測する範囲の効果にすぎない。
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項１に係る発明は、上記引用例１及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。