【事件の表示】
　平成１年　特　許　願　第２４００３８号「光学式読み取り装置」拒絶査定に対する審判事件〔（平成３年５月１日出願公開、特開平３−１０４０３３）、特許請求の範囲に記載された請求項の数（１）〕について、次のとおり審決する。
【結論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許をすべきものとする。
【理由】
（手続の経緯、本件発明）
　本願は、平成１年９月１８日の出願であって、請求項１に係る発明は、平成１０年４月３日付け、平成１０年７月３０日付けの各手続補正書により補正された明細書、図面の記載からみて、その特許請求の範囲に記載された次のとおりのものと認める（以下、本件発明という。）。
「半導体レーザからの光を記録媒体に投射し、その反射光を反射面又は透過面からなる少なくとも２個の光学面を有する光学系を経て光検出器に入射させて、前記記録媒体に記録された情報を再生するに際し、前記光学面のうち一つの光学面に所定の薄膜構造体が配置されており、前記半導体レーザからの光が前記所定の薄膜構造体を通過するようにした光学式続み取り装置において、前記一つの光学面以外の光学面に他の薄膜構造体が配置されており、前記所定の薄膜構造体と前記他の薄膜構造体とに基づき前記記録媒体からの反射光の波長の変化に対するＰ偏光成分とＳ偏光成分との位相差変化が補償されるよう前記他の薄膜構造体が構成されていることを特徴とする光学式読み取り装置。」
（引用刊行物）
　これに対し、原査定の拒絶の理由に引用した特開昭６４−６９０６号公報（以下、刊行物１という。）には、位相子に関する発明が記載されており、「全反射プリズムの全反射面でＳ偏光及びＰ偏光の振幅がそれぞれ異なる率で変化して偏光面が回転し、微弱光信号の検出が難しくなるので、さらに、この位相変化を補償する補償板を備える必要があった。このため、光学系のコンパクトかが妨げられていた。本発明の目的は、上記問題点に鑑み、光学系をコンパクトかできる位相子を提供することにある。」　（第１頁右下欄１６行〜第２頁左上欄第３行）、「本発明に係る位相子では、平行光線束が入射面に垂直に入射され、出射面から該面に垂直に出射される。屈折率ｎ０のプリズムと、該プリズムの表面に被着された、屈折率ｎ１、膜厚ｄ１の第１薄膜と、第１薄膜に積層された、屈折率ｎ２、膜圧ｄ２の第２薄膜とを有し、平行光線束が該プリズムと第１薄膜との界面で反射・屈折され、第１薄膜と第２薄膜との界面で反射・屈折され、該プリズムと第１薄膜との界面から該プリズムへの合成平行光線束のＳ偏光とＰ偏光との位相差が所定角になるように、前記ｎ０、ｎ１、ｄ１及びｄ２を選定したことを特徴としている。」（第２頁左上欄第５〜２０行）、「第２図には、この具体例での、２層薄膜公式を用いて計算した波長λに対する位相差０のグラフが示されている。設計中心波長７８０ｎｍからの偏差±５．０゜以内であり、一般的な特性である発振波長変動幅±５０ｎｍの半導体レーザに対し実用的な位相子であるといえる。また、第３図及び第４図には・・・位相差０の設計中心１８０゜からの偏差は、それぞれ±１．２゜以内及び＋０．２゜、−０．６゜以内であり、この点においても実用的な位相子であるといえる。」（第３頁右上欄第７行〜左下欄第２行）、「本発明は二層膜を用いているので、より小さい屈折率の無吸収薄膜材料で構成でき、しかも膜厚及び屈折率の選定の自由が大きいという利点がある。（第３頁左下欄第９〜１２行）、「第５図には、・・・設計中心波長７８０ｎｍからの偏差±５０ｎｍに対して位相差θの偏差±４．２゜以内であり、・・・。また、本具体例２においても、第３図及び第４図とほぼ同一のグラフ・・・実用的な位相子であるといえる。」（第３頁右下欄第８〜１９行）、「この第２実施例では、２つの２層膜で各々位相差９０゜を生じさせている。すなわち、直角プリズム１０の側面１８及び側面２０にそれぞれ薄膜１４′、１６′及び薄膜１４″，薄膜１６″が蒸着され、斜面１２がプリズム１０に対する平行光線束の入射面及び出射面になっている。そして、これらの薄膜の屈折率及び膜厚は、全薄膜１４′、１６′、１４″、１６″により、出射平行光線束のＳ偏光とＰ偏光の位相差が１８０゜になり、かつ、薄膜１６′と外部との界面及び薄膜１６″と外部との界面で全反射されるように、すなわちこれらの界面でエネルギー反射率が１になるように選定されている。なお、上記実施例ではＳ偏光とＰ偏光の位相差が１８０゜になる半波長位相子を説明したが、本発明はこれに限定されず、位相差が９０゜になるように屈折率膜厚を選定した１／４波長位相子を構成することもできる。また、プリズムは直角プリズムに限定されず、例えばコーナキュー���、ペンタプリズム等であってもよいことは勿論である。さらに、２層膜の代わりに３層以上の多層膜を用いて上記同様の位相子を構成することも可能である。」（第４頁左上欄第２行〜右上欄第４行）と説明されている。
　同じく、原査定の拒絶の理由に引用した特開平１−２１１２５８号公報（以下、刊行物２という。）には、光ディスクで生じた位相差をプリズムの反射面に特定の角度で入射させることにより補償するようにした光磁気ピックアップ装置が記載されている。
　同じく、原査定の拒絶の理由に引用した特開昭６２−１７００３８号公報（以下、刊行物３という。）には、光学面にＰ偏光の反射率が１０％、Ｓ偏光の反射率が１００％の性質を有する誘電体多層膜を配置した光学ヘッドが記載されている。
　同じく、原査定の拒絶の理由に引用した特開昭６１−２９２２３２号公報（以下、刊行物４という。）には、屈折率が相異なる２個のプリズムの間に誘電体多層膜を形成した光学ヘッドが記載されている。
　同じく、原査定の拒絶の理由に引用した実開昭６３−１９５６２３号公報（以下、刊行物５という。）には、直角プリズムの斜面に多層膜を配した光アイソレータよう光学部材が記載されている。
（対比・判断）
　そこで、本件発明と上記刊行物１記載の発明とを対比し判断すると、本件発明は、「半導体レーザからの光を記録媒体に投射し、その反射光を反射面又は透過面からなる少なくとも２個の光学面を有する光学系を経て光検出器に入射させて、前記記録媒体に記録された情報を再生するようにした光学式続み取り装置」という本件出願前周知の構成に、「前記光学面のうち一つの光学面に所定の薄膜構造体が配置された」ことを加えて発明の前提の構成とし、本件発明の特徴としては、薄膜構造体を設けることによって生じる波長変化に依存した位相差に関して、「前記一つの光学面以外の光学面に他の薄膜構造体が配置されており、前記所定の薄膜構造体と前記他の薄膜構造体とに基づき前記記録媒体からの反射光の波長の変化に対するＰ偏光成分とＳ偏光成分との位相差変化が補償されるよう前記他の薄膜構造体が構成されている」とするものであるところ、上記刊行物１記載の発明は、全反射プリズムの全反射面でＳ偏光及びＰ偏光の振幅がそれぞれ異なる率で変化して偏光面が回転し、微弱光信号の検出が難しくなるので、この位相変化をプリズム面に薄膜層を設けて補償しようとするものであるから、上記刊行物１記載の発明は、本件発明の前提である「前記光学面のうち一つの光学面に所定の薄膜構造体が配置された」というにすぎないと言わざるを得ない。そして、本件発明が、上記刊行物１記載の発明のような「前記光学面のうち一つの光学面に所定の薄膜構造体が配置」した結果として生じる波長に依存した位相差を、一つの光学面以外の光学面に他の薄膜構造体が配置して補償したものであるとする以上、そのような点について何ら言及しない上記刊行物１に基づき、上記本件発明の特徴が容易に導き出せるとすることはできない。
　また、上記刊行物２〜５にも、本件発明の特徴である「前記一つの光学面以外の光学面に他の薄膜構造体が配置されており、前記所定の薄膜構造体と前記他の薄膜構造体とに基づき前記記録媒体からの反射光の波長の変化に対するＰ偏光成分とＳ偏光成分との位相差変化が補償されるよう前記他の薄膜構造体が構成されている」とする記載も示唆もないから、上記刊行物２〜５から本件発明の上記特徴が容易に導き出せるとすることはできない。
（むすび）
　以上のとおりであるから、本件発明は上記刊行物１〜５記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとすることはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。