(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品における基板の半田実装部に形成され、紫外線露光、現像、水洗されるソルダーレジストであって、
露光工程から現像工程に移行する間にホールドタイムを設けることにより、
端面を基板に対してほぼ垂直に形成するとともに端面下端と該基板との接触角を９０度よりも大に形成したことを特徴とする電子部品の半田実装部におけるソルダーレジスト。
【請求項２】
電子部品における基板の半田実装部に形成され、紫外線露光、現像、水洗されるソルダーレジストであって、
露光工程から現像工程に移行する間にホールドタイムを設け、
さらに、水洗用液にイオン交換水を利用することにより、
端面を基板に対してほぼ垂直に形成するとともに端面下端と該基板との接触角を９０度よりも大に形成したことを特徴とする電子部品の半田実装部におけるソルダーレジスト。 
【請求項３】
端面を基板に対してほぼ垂直に形成するとともに端面下端と該基板との接触角を９０度よりも大に形成した電子部品の半田実装部におけるソルダーレジストの紫外線露光による製造方法であって、
紫外線露光工程から現像工程に移行する間にホールドタイムを設けることを特徴とする前記ソルダーレジストの製造方法。
【請求項４】
現像工程後、イオン交換水により水洗することを特徴とする請求項３記載のソルダーレジストの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子部品の半田実装部におけるソルダーレジストに係り、特には、端面の形状を改良した電子部品の半田実装部におけるソルダーレジストに関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子部品の半田実装部においては、図３に示す基板１及び銅２にソルダーレジスト３を塗布し、これに紫外線露光を行い、現像、水洗して半田実装部４を露出させ、ここに部品を当てがって半田付けを行っている。
従来の工程は、表５に示す通りである。即ち基板１及び銅２にエポキシ樹脂系の樹脂材料（商品名、タムラ化研究ＤＳＲ２２００）を塗布し、紫外線（３６５ｎｍピーク波長  ４００ｍＪ／ｃｍ2）を露光した後、Ｎａ2ＣＯ3、１％溶液３０℃を水圧２．０ｋｇｆ／ｃｍ2で６０秒間吹き付けて現像を行う。そして、リンス及び工業用水を使用して水圧１．０ｋｇｆ／ｃｍ2で５（ｃｈａｍｂｅｒ）１００秒間の水洗を行っている。
【０００３】
表５
0004114179.tif 000002
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記した従来の製造条件のソルダーレジスト３の端面の形状は、図３に示すように、基板１及び銅２との接触面が端面３ａよりも後退したアンダーカット状態となり、この部分から半田にクラックが発生する。その不良率は１０％に達し、検査及び手直しを行うので、生産性が良くないという問題があった。
【０００５】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたもので、その目的は、半田にクラックが発生せず検査及び手直しを不要とし、生産性を高めることができる電子部品の半田実装部におけるソルダーレジストを提供するにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
半田実装部における多数のソルダーレジストを分析すると、その形状は図２に示すＡ，Ｂ，Ｃの３種のモードに分類できることが判った。即ち、ソルダーレジスト３の端面３ａが基板１に対してほぼ直角であって基板１とソルダーレジスト３の接触角θが直角よりも大であるつりがね形のＡモード、基板１とソルダーレジスト３の接触角θが直角よりも大であるが端面３ａの上端が側方へ突出したＳ形のＢモード、ソルダーレジスト３の端面３ａが基板１に対してほぼ直角であるが下端がアンダーカットとなり接触角θが直角よりも小さいＣモードである。
【０００７】
これらＡ，Ｂ，Ｃの３種類に対して半田付けをして、クラックの有無について検討した結果が図２の判定欄に記載されている。従来の製造条件により製作されたソルダーレジスト３はＣモードであり、これはアンダーカット部分の半田が急速に硬化し、これが原因となってクラックが発生し判定は×である。
また、Ｂモードに関しては、上端の突出量Ｘが７．５μｍよりも小さいグループに関しては、クラックは発生せず判定は○であったが、突出量Ｘが７．５μｍ以上（Ｂ’モード）の場合はクラックが発生し判定は×であった。
Ａモードに関しては、クラックは発生せず判定は○であった。
【０００８】
本発明は、生産工程において形成したソルダーレジストの端面形状を確実にＡモードにするもので、実施例で使用する符号を付して説明すると、電子部品の半田実装部に形成され、紫外線露光、現像、水洗されるソルダーレジストにおいて、
端面を基板１，２に対してほぼ垂直に形成するとともに端面３ａ下端と該基板１，２との接触角を９０度よりも大に形成したので、半田のクラックの発生を防止できて生産性を向上させることができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の第１の実施例につき図１及び表１を参照して説明する。尚、従来例と同一箇所には同一番号を付す。工程の製造条件については、従来の工程と同一条件に関しては説明を省略し、相違点を主として説明する。
【００１０】
0004114179.tif 000003
電子部品の半田実装部においては、基板１及び銅２にソルダーレジスト３としてエポキシ樹脂系の樹脂材料（商品名、タムラ化研究ＤＳＲ２２００）を塗布し、これに紫外線露光を行い、現像、リンス、水洗して半田実装部４を露出させ、部品を当てがって半田付けを行っている。
【００１１】
第１の実施例の工程は、表２に示す通りである。この第１の実施例は従来例に比較して現像及びリンス、水洗における時間（６０秒から３０秒に短縮）及びスプレー圧力（２．０ｋｇｆ／ｃｍ2から０．５ｋｇｆ／ｃｍ2に低下）を減少させたものである。
【００１２】
この第１の実施例によれば、現像条件を変えることにより、ソルダーレジスト３の形状は図１に示すように形成できる。即ち、ソルダーレジスト３の端面３ａは基板１及び銅２に対してほぼ垂直に形成され、且つ接触角θは９０度よりも大きくなる。この接触角は約１１０度が好結果を得ることができる。また、端面形状のＡモード形成率は表１に示す通り８０％である。
【００１３】
表２
0004114179.tif 000004
第２の実施例の工程は、表３に示す通りである。これは、第１の実施例に加えて、露光工程から現像工程に移行する間に３０分以上のホールドタイムを設けたものである。このホールドタイムを設けることにより、ソルダーレジスト３のエポキシ環が減少し、即ち樹脂の硬化が進み形状を理想の条件に近づけることができる。この形状も図１に示すように形成され、また、端面形状のＡモード形成率は表１に示す通り９５％である。
【００１４】
表３
0004114179.tif 000005
第３の実施例の工程は、表４に示す通りである。これは、第２の実施例においては、工業用水を使用して水洗しているが、これをイオン交換水に変えて水洗したものである。工業用水で水洗をした第１、第２の実施例の場合は、含まれているＮａ+、Ｃａ2+がソルダーレジストを乳化しやすくしているが、イオン交換水を使用した場合にはこの傾向がないので、性能も向上する。そして、端面形状のＡモード形成率は表１に示す通り１００％である。従って、工程後の検査及び半田の手直しを廃止することができるので、生産性を著しく向上させることができる。
【００１５】
表４
0004114179.tif 000006
【００１６】
【発明の効果】
本発明は、電子部品の半田実装部に形成され、紫外線露光、現像、水洗されるソルダーレジストにおいて、
端面を基板に対してほぼ垂直に形成するとともに端面下端と該基板との接触角を９０度よりも大に形成したので、半田のクラックの発生を防止できて生産性を著しく向上させることができるという効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明のソルダーレジストの端面を示す断面図である。
【図２】  ソルダーレジストの端面形状に対する半田のクラック発生状態を示す比較図である。
【図３】  従来のソルダーレジストの端面を示す断面図である。
【符号の説明】
１  基板
２  銅
３  ソルダーレジスト
３ａ端面
θ  接触角
【図１】
0004114179.tif 000007
【図２】
0004114179.tif 000008
【図３】
0004114179.tif 000009