(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に隔壁を形成する工程と、
前記基板および前記隔壁の表面を撥液処理する工程と、
前記基板上に、導電性粒子を含む液状体をインクジェットにより塗布して液状層を形成する第１工程と、
前記液状層を熱処理によって導電層に変換して、所定パターンのアドレス電極を形成する第２工程と、
を含み、
前記第１工程において、前記基板上に付与された互いに隣り合う前記液状体の液滴の中心間の距離が、前記基板上に付与された後の前記液滴の半径と、前記基板上に付与される前の液滴の半径との和よりも大きく、かつ前記基板上に付与された後の前記液滴の直径よりも小さくなるように、前記液状体を吐出する、プラズマディスプレイの製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記撥液処理によって、前記基板および前記隔壁の表面に撥液層が形成される、プラズマディスプレイの製造方法。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記撥液処理によって、前記基板および前記隔壁の表面は、前記液状体の接触角が３０［ｄｅｇ］以上１２０［ｄｅｇ］以下となる、プラズマディスプレイの製造方法。
【請求項４】
請求項１において、
前記第１工程において、前記基板上に付与された互いに隣り合う前記液状体の液滴が、互いに該液滴の直径の１％以上１０％以下の重なりを生じるように、前記液状体を吐出する、プラズマディスプレイの製造方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかにおいて、
前記第１工程と前記第２工程とを経た後、さらに、前記第１工程と前記第２工程と同様の工程を有する、プラズマディスプレイの製造方法。
【請求項６】
請求項１ないし４のいずれかにおいて、
前記第１工程と前記第２工程との間に、前記液状層を乾燥させて膜を形成する工程と、該膜上にさらに前記液状体をインクジェットにより塗布する工程と、を有する、プラズマディスプレイの製造方法。
【請求項７】
請求項１において、
前記第１工程は、
前記液状体を前記基板上に付与した後の液滴の直径よりも大きいピッチで吐出する第１吐出工程と、
前記液状体を前記第１吐出工程における吐出位置と異なる位置に、前記基板上に付与した後の前記液滴の直径よりも大きいピッチで吐出する第２吐出工程と、
を有する、プラズマディスプレイの製造方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記第２吐出工程の後に、前記液状体を、前記第１吐出工程におけるピッチよりも小さいピッチで吐出する第３吐出工程を有する、プラズマディスプレイの製造方法。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれかに記載のプラズマディスプレイの製造方法によって製造される、プラズマディスプレイ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマディスプレイおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【背景技術】
通常、アドレス電極を有するプラズマディスプレイの背面板は、つぎのように形成される。すなわち、ガラス基板上にアドレス電極を形成する。アドレス電極は、スパッタによってガラス基板上に導電層を形成した後、フォトリソグラフィでパターニングする方法、あるいはスクリーン印刷によって形成することができる。アドレス電極が形成されたガラス基板上に低融点ガラスを主成分としたペーストを塗布した後焼成して、誘電体層を形成する。誘電体層上に、ＭｇＯからなる保護層をスパッタで形成する。保護層上に、低融点ガラスを主成分としたペースト材料をスクリーン印刷することによって、あるいは上記のペーストをベタで形成した上にレジストパターンを形成してサンドブラストによって不要部を除去して隔壁を形成する。その後、隔壁で区画された領域にスクリーン印刷で蛍光体層を形成する。
【０００３】
このような方法においては、たとえばアドレス電極の形成において以下のような課題を有する。すなわち、導電層をスパッタで成膜した後フォトリソグラフィでパターニングする方法においては、エッチングによって不要な部分の導電層を除去するため、導電層の材料としては実際に必要とする量よりも多くの材料を必要とし、コストが高くなる。導電層の材料として高価な銀が用いられる場合には、製造コストはさらに高くなる。一方、スクリーン印刷による方法においては、スクリーン板を印刷回数が１０００〜２０００回で交換する必要があり、やはり製造コストが高くなる。また、スクリーン印刷による方法においては、スクリーン板のメッシュのピッチから印刷できる最小パターン寸法が決定され、１００μｍ以下のパターンの形成が困難である。
【０００４】
また、従来の方法では、複数の工程を経た後に、スクリーン印刷あるいはサンドブラストによって隔壁を形成するため、隔壁の破損が発生することにより工程全体の歩留まりが良くない。このように、従来の方法では、コストが高く歩留まりが低いという問題がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、低いコストで歩留まりよくプラズマディスプレイを製造できる方法、およびかかる製造方法によって得られるプラズマディスプレイを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明にかかるプラズマディスプレイの製造方法は、
基板上に隔壁を形成する工程と、
前記基板および前記隔壁の表面を撥液処理する工程と、
導電性粒子を含む液状体を前記基板上にインクジェットによって付与し、所定パターンのアドレス電極を形成する工程と、
を含む。
【０００７】
本発明の製造方法によれば、表面を撥液処理された基板上に液状体をインクジェットによって付与することにより、基板着弾後の液滴の広がりを適度に抑えることができるので、微細で厚膜の導電層（アドレス電極）を形成することができる。
【０００８】
また、本発明の製造方法によれば、インクジェットによって導電層を直接的に描画できるので、フォトリソグラフィによる導電層のパターニングのように複数の工程を必要としないため、プロセスを簡略化できる。さらに、本発明の製造方法によれば、インクジェットによって導電層を直接的に描画できるので、導電層のパターンが基板の表面形状にあまり制約されないため、例えば吐出電圧の変更によりインクジェットの液滴の体積を変えることで導電層の線幅を調整することができるなど、容易に所望の導電層を形成できる。
【０００９】
本発明においては、以下のような各種の態様をとることができる。
【００１０】
（ａ）前記撥液処理によって、前記基板および前記隔壁の表面に撥液層が形成できる。かかる撥液層としては、単分子膜あるいは単分子膜が複数積層された膜、ポリマー膜などを用いることができる。
【００１１】
（ｂ）前記撥液処理によって、前記基板および前記隔壁の表面は、前記液状体の接触角を適切な範囲、たとえば３０［ｄｅｇ］以上１２０［ｄｅｇ］以下にすることができる。前記基板と前記液体との接触角が３０［ｄｅｇ］以上であると、液滴の吐出において、着弾した液滴の濡れ広がりを抑えることができる。また、前記基板と前記液状体との接触角が１２０［ｄｅｇ］を越えると、吐出された液滴が着弾位置に留まらず、基板上を移動する可能性がある。
【００１２】
（ｃ）前記アドレス電極を形成する工程は、前記基板上に前記液状体をインクジェットにより塗布して液状層を形成する第１工程と、前記液状層を熱処理によって導電層に変換する第２工程と、を有することができる。
【００１３】
本発明にかかるプラズマディスプレイは、本発明のプラズマディスプレイの製造方法によって製造される。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明にかかる実施の形態を図面を参照しながら説明する。
【００１５】
１．プラズマディスプレイの製造方法
図１〜図６は、本実施の形態にかかるプラズマディスプレイの製造方法を模式的に示す断面図である。
【００１６】
（ａ）隔壁の形成
図１に示すように、基板１０の上に耐サンドブラスト性のレジスト層１２を所定のパターンで形成する。基板１０としては、たとえば低融点ガラス以外の石英ガラス、ガラスなどを用いることができる。
【００１７】
ついで、図２に示すように、サンドブラストにより基板１０を切削加工して隔壁１４を形成する。その後、レジスト層１２を除去する。
【００１８】
レジスト層１２としては、ドライフィルム状のレジストあるいは液状のレジストを用い、フォトリソグラフィによりパターニングすることによって形成することができる。
【００１９】
図示の例では、基板１０を切削することにより隔壁１４を形成することから、基板１０と隔壁１４とを一体的に形成することができる。このように形成された隔壁１４は、他の方法で形成される隔壁より機械的強度が大きい。
【００２０】
隔壁１４の形成方法は、上述した方法に限定されず、公知の方法を用いることができる。たとえば、基板上に、低融点ガラスを主成分とするペーストを塗布して乾燥させた後、図１に示すようなレジスト層を形成し、その後サンドブラストによって低融点ガラス層を切削して隔壁を形成することができる。また、基板上に、低融点ガラスを主成分とするペーストをスクリーン印刷によって塗布した後焼結し、この操作を低融点ガラス層が所定の膜厚になるまで繰り返し行って、隔壁を形成することもできる。さらに、隔壁非形成部にレジストをパターニングし、レジストのない個所にペースト状の隔壁材料を流し込み、レジストを除去慰して形成する方法、感光性ペースト材料をベタでコーティング後、露光現像して直接形成する方法、ペーストをベタでコーティング後、隔壁を刻んだ金型をプレスして形成する方法などを用いることができる。
【００２１】
（ｂ）表面処理（撥液層の形成）
図３に示すように、基板１０およびこの基板１０上に形成された隔壁１４の表面に、フルオロアルキルシランなどからなる自己組織化膜を形成することにより、撥液処理を行う。この撥液処理によって自己組織化膜からなる撥液層１６が形成される。そして、この撥液層１６により、基板１０および隔壁１４の表面全体に対し、導電性粒子を含有した液状体は所定の接触角を持つようになる。導電性粒子を含有した液状体に対する接触角は、前述したように、３０［ｄｅｇ］以上１２０［ｄｅｇ］以下であることが望ましい。
【００２２】
基板表面を処理するための有機分子膜は、基板に結合可能な官能基と、その反対側に親液基あるいは撥液基といった基板の表面性を改質する（表面エネルギーを制御する）官能基と、これらの官能基を結ぶ炭素の直鎖あるいは一部分岐した炭素鎖を備えており、基板に結合して自己組織化して分子膜、例えば単分子膜を形成するものである。
【００２３】
自己組織化膜とは、基板などの下地層の構成原子と反応可能な結合性官能基と、それ以外の直鎖分子とからなり、該直鎖分子の相互作用により極めて高い配向性を有する化合物を、配向させて形成された膜である。この自己組織化膜は、単分子を配向させて形成されているので、極めて膜厚を薄くすることができ、しかも、分子レベルで均一な膜となる。即ち、膜の表面に同じ分子が位置するため、膜の表面に均一でしかも優れた撥液性や親液性を付与することができる。
【００２４】
上記の高い配向性を有する化合物として、例えばフルオロアルキルシランを用いた場合には、膜の表面にフルオロアルキル基が位置するように各化合物が配向されて自己組織化膜が形成されるので、膜の表面に均一な撥液性が付与される。
【００２５】
このような自己組織化膜を形成する化合物としては、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリエトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリメトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリクロロシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリメトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリクロロシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン等のフルオロアルキルシラン（以下「ＦＡＳ」という）を挙げることができる。使用に際しては、一つの化合物を単独で用いるのも好ましいが、２種以上の化合物を組合せて使用しても、本発明の所期の目的を損なわなければ制限されない。また、本発明においては、前記の自己組織化膜を形成する化合物として、前記ＦＡＳを用いるのが、基板との密着性および良好な撥液性を付与する上で好ましい。
【００２６】
ＦＡＳは、一般的に構造式ＲｎＳｉＸ（４−ｎ）で表される。ここでｎは１以上３以下の整数を表し、Ｘはメトキシ基、エトキシ基、ハロゲン原子などの加水分解基である。またＲはフルオロアルキル基であり、（ＣＦ３）（ＣＦ２）ｘ（ＣＨ２）ｙ［ここでｘは０以上１０以下の整数を、ｙは０以上４以下の整数を表す］の構造を持ち、複数個のＲまたはＸがＳｉに結合している場合には、ＲまたはＸはそれぞれすべて同じでも良いし、異なっていてもよい。Ｘで表される加水分解基は加水分解によりシラノールを形成して、基板（ガラス）等の下地のヒドロキシル基と反応してシロキサン結合で基板と結合する。一方、Ｒは表面に（ＣＦ３）等のフルオロ基を有するため、基板等の下地表面を濡れにくい（表面エネルギーが低い）表面に改質する。
【００２７】
そして、紫外光などにより自己組織化膜の官能基（たとえばフルオロ基）を部分的に除去し、ヒドロキシル基を表面に部分的に存在させることにより、撥液性を制御することができる。
【００２８】
自己組織化膜は、上記の原料化合物と被処理体（この例では隔壁１４が形成された基板１０）とを同一の密閉容器中に入れておき、室温の場合は２〜３日程度の間放置することで被処理体の表面に形成される。また、密閉容器全体をたとえば１００℃に保持することにより、３時間程度で自己組織化膜を被処理体の表面に形成できる。以上に述べたのは、気相からの形成法であるが、液相からも自己組織化膜は形成可能である。例えば、原料化合物を含む溶液中に被処理体を浸積し、洗浄、乾燥することで被処理体の表面に自己組織化膜が形成される。
【００２９】
なお、自己組織化膜を形成する前に、被処理体の表面に紫外光を照射したり、溶媒により洗浄したりして、前処理を施すことができる。
【００３０】
（ｃ）塗布工程（アドレス電極の形成）
図４に示すように、導電性粒子を含有する液状体を基板１０上にインクジェット方式で塗布して、アドレス電極に対応したパターンで液状層１８を形成する。
【００３１】
まず、液状体について述べる。
【００３２】
ここで用いられる導電性粒子は、金、銀、銅、パラジウム、ニッケルなどの金属から選択される少なくとも何れかからなる金属粒子の他、導電性ポリマーや超電導体の粒子などが用いられる。本発明では、これらの導電性粒子を溶媒に分散させた液状体を用いる。導電性粒子を分散させるために、導電性粒子表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。また、基板に塗布するにあたり、溶剤への分散しやすさとインクジェット法の適用の観点から、導電性粒子の粒径は１ｎｍ以上０．１μｍ以下であることが好ましい。
【００３３】
上記の導電性粒子を溶媒に分散させ液状体を調製する。ここで使用する溶媒は室温での蒸気圧が０．００１ｍｍＨｇ以上２００ｍｍＨｇ以下であるものが好ましい。蒸気圧が２００ｍｍＨｇより高い場合には、塗布膜を形成するときに溶媒が先に蒸発してしまい、良好な塗布膜を形成することが困難となるためである。一方、室温での蒸気圧が０．００１ｍｍＨｇより低い溶媒の場合、乾燥が遅くなり塗布膜中に溶媒が残留しやすくなり、後工程の熱および／または光処理後に良質の導電膜が得られにくい。また、上記液状体の塗布をインクジェットによって行なう場合には、溶媒の蒸気圧は０．００１ｍｍＨｇ以上５０ｍｍＨｇ以下であることが望ましい。蒸気圧が５０ｍｍＨｇより高い場合には、インクジェット装置で液滴を吐出する際に乾燥によるノズル詰まりが起こり易く、安定な吐出が困難となるためである。一方、蒸気圧が０．００１ｍｍＨｇより低い場合には、吐出したインクの乾燥が遅くなり導電層中に溶媒が残留し易くなり、後工程の熱処理後にも良質の導電層が得られ難い。
【００３４】
溶媒としては、上記の導電性粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであれば特に限定されないが、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系溶媒、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系溶媒、更にプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性溶媒を挙げることができる。これらのうち、導電性粒子の分散性と分散液の安定性、またインクジェット法への適用のし易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系溶媒、エーテル系溶媒が好ましく、更に好ましい溶媒としては水、炭化水素系溶媒を挙げることができる。これらの溶媒は、単独でも、あるいは２種以上の混合物としても使用できる。
【００３５】
導電性粒子を溶媒に分散する場合の溶質濃度は、好ましくは１重量％以上８０重量％以下であり、所望の導電層の膜厚に応じて調整することができる。溶質の濃度が８０重量％を超えると凝集をおこしやすくなり、均一な塗布膜が得にくい。ここで「溶質濃度」とは溶媒に対する導電性粒子の重量割合をいう。
【００３６】
導電性粒子の分散液は、目的の機能を損なわない範囲で必要に応じてフッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節材を微量添加することができる。ノニオン系表面張力調節材は、溶液の塗布対象物への濡れ性を良好化し、塗布した膜のレベリング性を改良し、塗膜のぶつぶつの発生、ゆず肌の発生などの防止に役立つものである。
【００３７】
導電性粒子の分散液の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。インクジェットにて液状体を塗布する場合、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合にはノズル周辺部がインクの流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となるためである。
【００３８】
さらに、導電性粒子の分散液の表面張力は、２０ｄｙｎ／ｃｍ以上７０ｄｙｎ／ｃｍ以下の範囲に入ることが望ましい。インクジェットにて液状体を塗布する場合、表面張力が２０ｄｙｎ／ｃｍ未満であると、液状体のノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じ易くなり、７０ｄｙｎ／ｃｍを超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため液状体の吐出量、吐出タイミングの制御が困難になることがある。
【００３９】
以上の導電性粒子の分散液からなる液状体をインクジェット法により吐出する。基板１０上に付与される液滴の間隔は、吐出周波数、インクジェットヘッドおよび基板の相対速度を制御することによって制御する。
【００４０】
前記アドレス電極を形成する工程は、基板上に液状体をインクジェットにより塗布して液状層を形成する第１工程と、前記液状層を熱処理によって導電層に変換する第２工程と、を有することができる。
【００４１】
前記第１工程でインクジェットによって液滴を基板に付与する方法は、例えば液状体の液滴と基板との接触角によって選択することができる。
【００４２】
（１）前記接触角が３０［ｄｅｇ］以上６０［ｄｅｇ］以下の場合には、以下の方法をとることができる。
【００４３】
前記第１工程において、基板上に付与された互いに隣り合う液状体の液滴の中心間の距離が、基板上に付与された後の液滴の半径と、基板上に付与される前の液滴の半径との和よりも大きく、かつ基板上に付与された後の液滴の直径よりも小さくなるように、液状体が吐出される。
【００４４】
この方法によれば、インクジェット液滴を、既に基板上に付与された液滴に直接当てることなく、基板着弾後の液滴の広がりによって既に基板上に付与された液滴と繋がるように吐出することができる。そのため、インクジェット液滴が既に基板上に付与された液滴に直接当たる際に生じる衝撃により液状層のラインにイレギュラーが生じ、断線等の不具合が発生するのを防止することができる。また基板上の液滴の直径よりも小さい間隔で吐出することで、液滴が互いに繋がらないために液状層のラインがとぎれることを防ぐことができる。
【００４５】
また、前記第１工程において、基板上に付与された互いに隣り合う液状体の液滴が、互いに該液滴の直径の１％以上１０％以下の重なりを生じるように、前記液状体が吐出される。
【００４６】
この方法によれば、液滴の重なりを直径の１０％以下とすることにより、塗布される液状体が過剰になるの防ぎ、バルジの発生を防止することができる。また、液滴の重なりを直径の１％以上とすることにより、吐出位置の精度誤差により液滴同士の重なりが生じなくなるのを防ぎ、液状層がとぎれることを防ぐことができる。
【００４７】
前記第１工程と前記第２工程とを経た後、さらに、前記第１工程と前記第２工程と同様の工程を有することができる。この方法によれば、第２工程後も基板は撥液性を有する一方、変換された導電層は親液性を有することになる。したがって、変換された導電層上に重ねて液状体を塗布することにより、液状体が基板上に流れることなく導電層上に留まり、線幅を大きくすることなく更に厚膜の導電層（アドレス電極）を形成することができる。
【００４８】
さらに、前記第１工程と前記第２工程との間に、液状層を乾燥させて膜を形成する工程と、該膜上にさらに液状体をインクジェットにより塗布する工程と、を有することができる。
【００４９】
ここで、「乾燥させる工程」とは、溶剤の一部または全部を除去する工程であって、この工程だけでは粒子間の電気的接触は十分に得られない程度の乾燥工程であり、第２工程よりも低い温度での熱処理によって行なわれる。乾燥工程後も基板は撥液性を有する一方、乾燥した液状体は単に溶剤を飛ばしただけのものであるから溶剤に対してある程度の再溶解性を有する。そのため、重ねて塗布された液滴と乾燥した液状体の界面は高粘度化して重ねて塗布された液状体は移動しにくくなる。そのために、その上に重ねて塗布することによりバルジが発生することなく更に厚膜の導電層を形成することができる。また、乾燥工程は第２工程よりも低い温度での熱処理によって行なわれるため、導電層への変換後に重ねて吐出する場合に比べて処理時間が短縮でき、使用エネルギーも少なくてすむ。
【００５０】
（２）前記接触角が６０［ｄｅｇ］以上の場合には、液状体の付与方法として以下の方法をとることができる。
【００５１】
液状体を基板上に付与した後の液滴の直径よりも大きいピッチで吐出する第１吐出工程と、液状体を第１吐出工程における吐出位置と異なる位置に、基板上に付与した後の液滴の直径よりも大きいピッチで吐出する第２吐出工程とを有することができる。
【００５２】
「基板上に付与した後の液滴の直径」とは、吐出された液滴が基板上に着弾した後に自然に広がり、その後乾燥に伴って縮小する間の最大直径をいう。すなわち、「基板上に着弾した後の液滴の直径よりも大きいピッチで吐出する」ことにより、続けて吐出する液滴が、着弾後に自然に広がった後も、互いに離間して接しないように吐出することを意味する。
【００５３】
また、「異なる位置」とは、液滴の中心位置が異なることを意味し、第１吐出工程によって吐出される液滴と第２吐出工程によって吐出される液滴とは、互いに部分的に重なるか、あるいは完全に重ならないものである。
【００５４】
この方法によれば、第１吐出工程においても、第２吐出工程においても、液滴と液滴とが基板上の膜形成領域に互いに離間して吐出される。そのため、液滴が互いに合体してバルジを生じることがない。
【００５５】
また、第１吐出工程と第２吐出工程とで吐出位置が異なるため、第１吐出工程による液滴の間隙を第２吐出工程により埋めていくことができる。なお、第２吐出工程において吐出される液滴が第１吐出工程において吐出された液滴と部分的に重なることは差し支えない。すなわち、第１吐出工程において吐出された液滴は、ある程度、または完全に乾燥が進行しているので、両工程の液滴が互いに合体してバルジを生じる危険性が、同一の工程で重なり合う液滴を続けて吐出する場合と比較して低くなるからである。
【００５６】
この方法によれば、バルジが生じる危険性が軽減されるので、基板の撥液性を高め、基板と液体との接触角を大きくすることができる。そのため、細線化、厚膜化が可能となる。
【００５７】
さらに、前記第２吐出工程の後に、液状体の液滴を、前記第１吐出工程におけるピッチよりも小さいピッチで吐出する第３吐出工程を有することができる。
【００５８】
第１吐出工程および第２吐出工程により吐出した液滴が完全に、またはある程度乾燥した部分は焼結していないため溶剤に対する再溶解性がある。そのため、第３吐出工程により吐出される液体は下地との界面で高粘度化して移動しにくくなる。そのため、この方法によれば、第３吐出工程により吐出される液滴を膜形成領域に留めることが容易になる。したがって、第３吐出工程におけるピッチは、第１吐出工程におけるピッチよりも小さいピッチで吐出することが可能となり、厚膜化を効率的に進めることが可能となる。
【００５９】
特に、第３吐出工程におけるピッチは、基板上に着弾した後の液滴の直径以下とすることが好ましい。すなわち、第３吐出工程における液滴は、着弾後互いに接触するようなピッチとすることが好ましい。これにより、厚膜化を効率的に進めることが可能となる。
【００６０】
なお、第３吐出工程は、第１吐出工程および第２吐出工程による液滴ができるだけ乾燥した後に行うことが好ましいが、完全に乾燥するまで待つ必要はない。完全でなくともある程度乾燥が進行していれば、異なる吐出工程間の液滴が互いに合体してバルジを生じる危険性が、同一の工程で重なり合う液滴を続けて吐出する場合と比較して低くなるからである。
【００６１】
第３吐出工程は、第１吐出工程および第２吐出工程によって、あるいは第１吐出工程および第２吐出工程の後に、さらに別の吐出工程を１回以上行うことによって、連続した線状の膜パターンが形成されてから行うことが好ましい。これにより、第３吐出工程により吐出される液滴を膜形成領域に留めることがより容易になる。また、第３吐出工程は、１回だけでなく複数回行うことが好ましい。これにより、一層の厚膜化が達成できる。
【００６２】
ついで、熱処理工程について述べる。
【００６３】
液状層１８が所定パターンで塗布された基板１０（図４参照）は、溶媒を除去し、導電性粒子間の電気的接触をよくするために、熱処理に供される。熱処理は通常大気中で行なわれるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行なうこともできる。上記の熱処理の処理温度は溶媒の沸点（蒸気圧）、圧力および粒子の熱的挙動により適宜定めればよく、特に限定されるものではないが室温以上３００℃以下で行なうことが望ましい。
【００６４】
熱処理は、通常のホットプレート、電気炉などによる処理の他、ランプアニールによって行なうこともできる。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザー、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザーなどを光源として使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施の形態では１００Ｗ以上１０００Ｗ以下の範囲で十分である。
【００６５】
図５に示すように、以上の工程によりアドレス電極２０が形成される。
【００６６】
（ｄ）誘電体層、保護層および蛍光体層の形成
図６に示すように、アドレス電極２０が形成された基板１０の表面および隔壁１４の表面に低融点ガラスからなるペーストを全面的に塗布し、これを焼結して誘電体層２２を形成する。ついで、必要な場合には誘電体層２２の表面にたとえばＭｇＯをスパッタによって全面に成膜し、保護層２４を形成する。ついで、隔壁１４の相互間に蛍光体をスクリーン印刷またはインクジェットによって供給して、蛍光体層２６を形成する。蛍光体層２６は、赤、緑および青のいずれかの蛍光を発生するもので、赤色蛍光体層２６（Ｒ）、緑色蛍光体層２６（Ｇ）および青色蛍光体層２６（Ｂ）を有する。以上の工程により本実施の形態にかかるプラズマディスプレイの背面版１００が完成する。
【００６７】
（ｅ）前面板の形成
前面板２００の形成は、通常の公知の方法で行なう。すなわち、ガラス基板４０に透明導電膜からなる表示電極４２を、アドレス電極２０と直交する方向にストライプ状に所定の間隔でフォトリソグラフィにて形成する。次に、抵抗の高い表示電極４２を補うために、表示電極４２に沿うようにバス電極を形成する。バス電極はフォトリソグラフィ、スクリーン印刷、インクジェット法などの方法により形成される。さらに、これらを覆う誘電体層４４と、誘電体層４４を覆うＭｇＯなどからなる保護層４６を形成する。これによって、本実施の形態にかかるプラズマディスプレイの前面板２００が完成する。
【００６８】
（ｆ）パネル工程
完成した前面板１００と背面板２００とを、アドレス電極２０と表示電極４２が互いに直交するように、所定の位置で位置合わせして対向させ、基板の周囲にあらかじめ設けた図示しないシール層によって溶着させて封着して、その後前面板２００と背面板１００で挟まれた放電空間を排気して希ガスを封入してパネル化する。最後に、パネルの周囲から配線し、ドライバなどを実装し、さらに筐体に組み立てて、本実施の形態にかかるプラズマディスプレイの完成となる。
【００６９】
２．プラズマディスプレイ
本発明のプラズマディスプレイについて説明する。図７は、本実施の形態にかかるプラズマディスプレイ１０００の分解斜視図を示す。このプラズマディスプレイ１０００は、互いに対向して配置された本発明の実施の形態１の製造方法で製造された背面板１００と、前面板２００とから概略構成される。
【００７０】
放電表示部５０は、複数の放電室３０が集合されてなり、複数の放電室３０のうち、赤色放電室３０（Ｒ）、緑色放電室３０（Ｇ）、青色放電室３０（Ｂ）の３つの放電室３０の対と、全面板２００上の１対の表示電極４２とで規定される長方形状の領域が１画素を構成するように配置されている。
【００７１】
前面板２００は、ガラス基板４０と、アドレス電極２０と直交する方向にストライプ状に所定の間隔で形成された透明導電膜からなる表示電極４２と、表示電極４２に沿うように形成されたバス電極と、これらを覆う誘電体層４４と、誘電体層４４を覆うＭｇＯなどからなる保護層４６と、を有し、公知の方法で製造されている。
【００７２】
そして、アドレス電極２０と表示電極４２は図示しない交流電源を含む表示用のドライバに接続され、各電極に通電することで必要な位置の放電表示部５０において蛍光体層２６を励起発光させて、カラー表示ができるようになっている。本実施の形態のプラズマディスプレイ１０００によれば、上記各電極の断線や短絡等の不良が生じにくく、しかも、小型化、薄型化が可能である。
【００７３】
３．実施例
実施例１
ガラス基板にフォトリソグラフィでレジストパターンを形成して、直接サンドブラストを行って基板上に隔壁を形成した。ついで、基板および隔壁の表面全体に撥液処理を行った。具体的には、隔壁を形成した基板前面に、波長２５４ｎｍの紫外線を１０ｍＷ／ｃｍ２の強度で１０分間照射して洗浄を行った。これにより、基板および隔壁の表面は親液性となる。この隔壁を有する基板と、ヘプタデカルフルオロ−１，１，２，２，−テトラヒドロデシルトリエトキシシラン１ｇとを容量５０リットルの密閉容器に入れて、１２０℃にて２時間放置した。これにより、基板と隔壁の表面全体にフルオロアルキル基を有する単分子膜が形成された。この表面と後述の金属粒子が分散された液状体（インク）の接触角は７０［ｄｅｇ］であった。さらに、この基板に紫外線を２分間照射し、基板の表面（紫外線が垂直に当たっている面）の接触角を３０［ｄｅｇ］とし、隔壁の表面の接触角を５０［ｄｅｇ］とした。
【００７４】
ついで、インクジェットにてアドレス電極を形成した。インクとしては、直径１ｎｍ程度の銀の超粒子が有機溶剤に分散された液状体を用いた。これは真空冶金社製の超粒子分散液（商品名；パーフェクトシルバー）の溶媒をテトラデカンに置換して、さらに粘度を調整したものである。この分散液の粘度は８ｃｐ、表面張力は２５ｄｙｃ／ｃｍであった。このインクをセイコーエプソン（株）社製のインクジェットプリンターヘッド（市販プリンタ商品名ＰＭ９５０Ｃと同等のヘッドを耐有機溶剤仕様に改造したもの）を用いて基板上の隔壁間に所定パターンで吐出した。
【００７５】
液滴の大きさは約５ピコリットルであり、その直径は２０μｍであった。この液滴は基板に着弾後は４０μｍ程度に広がった。このような液滴を３８μｍごとに（隣接した基板上の液滴と２μｍ、すなわち液滴の直径の５％の重なりが生じるように）吐出し、ライン状のパターンを形成した。基板の表面は撥液処理されているため、液滴が滲むようなことは無く、正確なエッジ形状のラインが形成された。
【００７６】
さらに、その後基板全体を大気中で３００℃にて３０分焼成し、膜厚０．５μｍ、幅８０μｍ、抵抗率２μΩｃｍのアドレス電極を形成した。また、撥液性の単分子膜は紫外線照射によってある程度分解されているため、３００℃での焼成後の基板とアドレス電極との密着は良好であった。
【００７７】
その後は、前述した方法により低融点ガラス層を全面に塗布・焼成して誘電体膜を形成、この時６００℃程度の焼成を行なうため、前述の撥液性単分子膜は完全に分解される。その後さらに、必要に応じてＭｇＯを全面にスパッタして保護層を形成し、蛍光体をスクリーン印刷またはインクジェットで成膜して蛍光体層を形成し、プラズマディスプレイの背面板を製造した。
【００７８】
一方、前面板を通常の方法によって形成した。その後、背面板と前面板を張り合わせてプラズマディスプレイを形成した。
【００７９】
実施例２
実施例１と同様に、紫外線を照射した後、隔壁を有する基板とヘプタデカルフルオロ−１，１，２，２，−テトラヒドロデシルトリエトキシシラン１ｇとを容量５０リットルの密閉容器に入れて、１２０℃にて２時間放置した。これにより、基板と隔壁の表面全体にフルオロアルキル基を有する単分子膜が形成された。この表面と実施例１のインクとの接触角は７０［ｄｅｇ］であった。
【００８０】
次に、アドレス電極の形成では、実施例１と同じインクを同様に吐出すると、接触角７０［ｄｅｇ］の基板上では直径３０μｍに広がった。この液滴を３５μｍ間隔で重ならないように隔壁の相互間に吐出した後、基板全体に１００℃の熱風を１５秒間吹き付けて溶剤の乾燥を行った。次に、一回目の吐出で形成された導電層の中間点に二回目の液滴の吐出を行い、これにより基板上の導電層を連続させた。さらに導電層の膜厚が必要な場合は、これらの工程（熱風乾燥と液滴の吐出）を繰り返す。ついで、実施例１と同様に、３００℃で３０分の焼成を行い、アドレス電極を形成した。二回の吐出を行った場合では、膜厚１μｍ、幅４０μｍ、抵抗率２μΩｃｍのアドレス電極が形成された。以降は実施例１と同様にしてプラズマディスプレイを形成した。
【００８１】
以上、本発明の好適な実施の形態について述べたが、本発明はこれらの限定されず、発明の要旨の範囲内で各種の態様をとりうる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態にかかるプラズマディスプレイの製造工程を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態にかかるプラズマディスプレイの製造工程を示す断面図である。
【図３】本発明の実施の形態にかかるプラズマディスプレイの製造工程を示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態にかかるプラズマディスプレイの製造工程を示す断面図である。
【図５】本発明の実施の形態にかかるプラズマディスプレイの製造工程を示す断面図である。
【図６】本発明の実施の形態にかかるプラズマディスプレイの製造工程を示す断面図である。
【図７】本発明の実施の形態にかかるプラズマディスプレイを示す分解斜視図である。
【符号の説明】
１０  基板
１２  レジスト層
１４  隔壁
１６  撥液層
１８  液状層
２０  アドレス電極
２２  誘電体層
２４  保護層
２６  蛍光体層
３０  放電室
１００  背面板
２００  前面板
１０００  プラズマディスプレイ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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