(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅の電解研磨を行う電解研磨液であって、あらかじめ銅イオンを含有すること
を特徴とする電解研磨液。
【請求項２】
りん酸中に上記銅イオンを含有すること
を特徴とする請求項１記載の電解研磨液。
【請求項３】
陽極とする被研磨材と陰極との間にあらかじめ銅イオンを含有する電解研磨液を介在させて電解処理する
ことを特徴とする銅の電解研磨方法。
【請求項４】
上記電解研磨液が、りん酸中に上記銅イオンを含有すること
を特徴とする請求項３記載の銅の電解研磨方法。
【請求項５】
銅を含む金属配線を電解研磨する半導体の製造方法であって、
陽極とする被研磨材と陰極との間にあらかじめ銅イオンを含有する電解研磨液を介在させて電解処理すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電解研磨液、電解研磨方法に関し、特に銅の電解研磨液及び銅の電解研磨方法に関する。また、これらを用いた半導体装置の製造方法に関し、特に銅を含む金属配線を電解研磨する半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の製造プロセスにおいては、微細化に伴う露光側におけるＤＯＦ（焦点深度）の限界から表面の平坦化が必要となりＣＭＰ(Chemical Mechanical Polishing)プロセスが採用され、既に広く普及し、一般化している。また、ＩＢＭによるダマシン法に代表されるような、凹部に金属膜を埋め込み、表層に過剰に形成された部分をＣＭＰ法で除去し、凹部に配線やビアを形成する方法が用いられるようになった。
【０００３】
また、材料面においては、微細化により動作遅延に占める割合が無視できないレベルになった配線遅延を少なくするために１９９７年のＩＢＭ社の発表により加速的に開発が進められた銅配線は０．１μｍノードあたりから採用が加速し、配線を形成する導電性金属材料は、従来用いられてきたアルミ配線から電気抵抗の低い銅配線へ移行してきている。更に、次の０．０７μｍノードにおいては、シリコン酸化膜系絶縁膜と銅配線との組み合わせでは動作遅延に占める割合が素子トランジスタ遅延よりも配線遅延の方が大きくなるため、これまでの配線構造、特に絶縁膜の誘電率をさらに小さくすることが必須となっている。
【０００４】
このような背景から各種低誘電率膜が開発されているが、そのいずれもポーラス状などの機械的強度の低い材料であり、高い圧力を受ける従来のＣＭＰプロセスでは耐えられない問題がある。そこで、ＣＭＰよりもより低圧で配線を形成する方法として、電解研磨法の採用が提案されている。
【０００５】
この電解研磨法は、金属表面のつや出しに古くから使われてきた技術であり、近年では工業製品の研磨技術として広くも用いられている。電解研磨においては、被研磨物を特殊な電解液に浸し、電解をかけることで研磨を行う。このとき、被研磨物を陽極、そして、対向電極を負極になるように電解する。ここで、銅を電解研磨する際の一般的な電解研磨液は、りん酸やりん酸水溶液、さらにこれらに無機酸を添加した電解液が一般的である（「化学研磨と電解研磨」：槙書店1997）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、これらの電解研磨液は初期状態で銅イオンを含有していない。このような銅イオンを含有しない電解研磨液を用いて電解研磨を行った場合、陽極において溶け出した銅イオンはその全てが陰極まで泳動できるわけではなく、陰極において水素の発生がある割合で起こる。そして、電解研磨を続けるに従って、電解研磨液中の銅イオンの量が増加していくことになる。すなわち、電解液組成が電解時間により変化し、その結果、電解研磨液の液抵抗が変動することになる。
【０００７】
また、陰極において水素が発生すると、その気泡により陰極の電極面積が変化し、電極の実効有効面積が変化することにより陰極の電極抵抗が変化する。銅の電解研磨は、銅の溶出時の電極反応を制御する目的で電圧制御で電解を行うのが一般的であるが、液抵抗や陰極の電極抵抗が変化すると、電解研磨中に回路の一部の抵抗値が変化することで、制御の必要な陽極の電圧が変化し、目的の電気化学的反応を制御できなくなってしまう問題がある。
【０００８】
したがって、本発明は、上述した従来の実情に鑑みて創案されたものであり、精度良く安定した銅の電解研磨を実現する電解研磨液を提供することを目的とする。また、この電解研磨液を用いた銅の電解研磨方法、及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
以上の目的を達成する本発明に係る電解研磨液は、銅の電解研磨を行う電解研磨液であって、あらかじめ銅イオンを含有することを特徴とするものである。
【００１０】
以上のように構成された本発明に係る電解研磨液においては、電解液中にあらかじめ銅イオンが導入されているため、これを用いて電解研磨を行った場合、電解により陽極で銅が溶出すると同時に陰極では銅が析出する。これにより、電解研磨液における電解研磨中の銅イオン濃度の変動が少なくなる。
【００１１】
また、上記の目的を達成する本発明に係る銅の電解研磨方法は、陽極とする被研磨材と陰極との間にあらかじめ銅イオンを含有する電解研磨液を介在させて電解処理することを特徴とするものである。
【００１２】
以上のような本発明に係る銅の電解研磨方法においては、電解液中にあらかじめ銅イオンが導入されている電解研磨液を用いることで、電解により陽極で銅が溶出すると同時に陰極では銅が析出する。これにより、電解研磨中の銅イオン濃度の変動が少ない状態で電解研磨を行うことができ、電解研磨プロセスを安定させることができるため被研磨材の研磨状態を確実に制御することができ、被研磨材を所望の状態に研磨することができる。
【００１３】
また、上述の目的を達成する本発明に係る半導体装置の製造方法は、銅を含む金属配線を電解研磨する半導体の製造方法であって、陽極とする被研磨材と陰極との間にあらかじめ銅イオンを含有する電解研磨液を介在させて電解処理することを特徴とするものである。
【００１４】
以上のような本発明に係る半導体装置の製造方法においては、電解液中にあらかじめ銅イオンが導入されている電解研磨液を用いることで、電解により陽極で銅が溶出すると同時に陰極では銅が析出する。これにより、電解研磨中の銅イオン濃度の変動が少ない状態で電解研磨を行うことができ、電解研磨プロセスを安定させることができるため銅を含む金属配線の研磨状態を確実に制御することができ、銅を含む金属配線を所望の形状に形成することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下の図面においては、理解の容易のため、各図面においての縮尺が実際とは異なる場合がある。また、本発明は以下の記述に限定されるものでなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。
【００１６】
本発明に係る電解研磨液は、銅の電解研磨を行う電解研磨液であって、あらかじめ銅イオンを含有することを特徴とするものである。
【００１７】
また、本発明に係る銅の電解研磨方法は、陽極とする被研磨材と陰極との間にあらかじめ銅イオンを含有する電解研磨液を介在させて電解処理することを特徴とするものである。
【００１８】
そして、これらを利用した本発明に係る半導体装置の製造方法は、銅を含む金属配線を電解研磨する半導体の製造方法であって、陽極とする被研磨材と陰極との間にあらかじめ銅イオンを含有する電解研磨液を介在させて電解処理することを特徴とするものである。
【００１９】
電解研磨においては、被研磨材を電解研磨液に浸し、電解処理を行うことで被研磨材の研磨を行う。このとき、被研磨物を陽極、そして、対向電極を負極になるように電解をかける。ここで、銅の電解研磨を行う場合、電解研磨液としては一般的には、りん酸やりん酸水溶液、また、これらに無機酸を添加した電解研磨液が用いられる。
【００２０】
しかしながら、これらの電解研磨液は、初期状態において銅イオン（Ｃｕイオン）を含有していないため、これらの電解研磨液を用いて電解研磨を行った場合、陽極において溶け出したＣｕイオンはその全てが陰極まで泳動できるわけではなく、陰極において水素の発生がある割合で生じる。この結果、電解研磨を続けるに従って、電解研磨液中のＣｕイオンの量が増加し、電解研磨液の組成が経時的に変化し、これに起因して電解研磨液の液抵抗が変動する。
【００２１】
また、陰極において水素が発生すると、その気泡により陰極の電極面積が変化し、電極の実効有効面積が変化するため、陰極の電極抵抗が変化する。電解研磨においては、一般的にＣｕ溶出時の電極反応を制御する目的で電圧制御で電解を行う。しかしながら、電解研磨液の液抵抗や陰極の電極抵抗が変化すると、電解研磨中に回路の一部の抵抗値が変化することになり、陽極の電圧が変化するため電気化学的反応を制御できなくなくなり、電解研磨の制御ができなくなる。
【００２２】
そこで、本発明に係る電解研磨液においては、電解研磨液中にあらかじめＣｕイオン、具体的にはＣｕ２＋イオンが導入されている。電解研磨液中にあらかじめＣｕイオンを含有させておくことにより、電解を行う際に陽極において銅が溶出すると同時に陰極では銅が析出するため、電解研磨中における電解研磨液中のＣｕイオン濃度の変動を低減させることができる。
【００２３】
すなわち、電解研磨液中に溶出した銅と同程度の銅を析出させることで、電解研磨液の組成変動を大幅に抑制することが可能となる。これにより、電解研磨中における電解研磨液中のＣｕイオン濃度の変動に起因した電解研磨液の液抵抗の変動を効果的に抑制することが可能となる。その結果、電解研磨プロセスを安定して行うことができる。また、電解液組成が変動しないため、電解研磨液の寿命を大幅に延ばすこともできる。
【００２４】
また、その結果、陰極における水素の発生も抑制することが可能となり、水素の気泡により陰極の電極面積が変化し、電極の実効有効面積が変化することを抑制することができる。その結果、電極の実効有効面積の変化に起因して陰極の電極抵抗が変化することを抑制することが可能となる。
【００２５】
そして、電解研磨液の液抵抗や陰極の電極抵抗の変化により電気化学的反応を制御できなくなくなることを防止することができるため、電解研磨を所望の状態で確実に制御することが可能となる。
【００２６】
ここで、電解研磨液へのＣｕイオンの添加は、例えばりん酸銅水和物、硫酸銅水和物、クロム酸銅などを添加することにより行うことができる。
【００２７】
また、電解研磨液へのＣｕイオンの添加量は、９０％以上の電流効率で電解めっきがされる濃度とすることが好ましい。このような濃度で電解研磨液にＣｕイオンを添加することにより、電解研磨中における電解研磨液中のＣｕイオン濃度の変動を確実に低減させることができ、上述した効果をより確実に得ることができる。このようなＣｕイオン濃度としては、例えばＣｕイオン濃度を１５ｇ／ｌ以上とすることで上述した効果を確実に得ることができる。なお、Ｃｕイオン濃度を飽和状態としておくことで、電流効率が悪い場合においても、不溶性物の析出により電解研磨液内のＣｕイオン濃度は一定に保たれる。
【００２８】
また、電解研磨中に固形物を形成し、排出されたＣｕイオンを補充する方法としては、例えば電解研磨液を貯蔵している電解研磨液タンクからバイパス回路内をある一定量の電解研磨液を循環させておき、その回路内に酸化銅、または使用する電解研磨液に混入しているアニオンとのＣｕ化合物及びその水和物を添加することでＣｕイオンを添加することが可能である。
【００２９】
したがって、上述した本発明に係る電解研磨液を、陽極とする被研磨材と陰極との間に介在させて電解処理することにより、被研磨材の研磨状態を確実に制御することができ、被研磨材を所望の研磨状態に仕上げることが可能である。
【００３０】
そして、このような電解研磨方法は、銅を含む金属配線を有する半導体装置を製造する際に用いて好適である。すなわち、銅を含む金属配線を有する半導体装置を製造する際に、陽極とする被研磨材と陰極との間に上述した本発明に係る電解研磨液を介在させて電解処理することにより、銅を含む金属配線の研磨状態を確実に制御することができるため、不要な部分のみを電解研磨により除去し、銅を含む金属配線を所望の形状に形成することができる。
【００３１】
なお、Ｃｕイオンとキナルジン錯体を形成するような、Ｃｕイオンと不溶性化合物を形成するような場合には、上述したような問題は発生しないため、本発明は、生成したＣｕイオンと不溶性錯体を形成しない系での電解研磨において適用可能である。
【００３２】
以下、具体的な実施の形態により本発明をさらに詳細に説明する。
【００３３】
＜第１の実施の形態＞
第１の実施の形態では、本発明を適用した半導体装置の製造方法を例に本発明を説明する。
【００３４】
まず、図１に示すように、半導体基板１１に所定の素子を形成した後、該半導体基板１１上に層間絶縁膜１２を形成する。次いで、レジストを塗布し、リソグラフィー技術により所定の位置に開口部を設けたレジストパターンを形成した後、このレジスタパターンをエッチングマスクに用いて、層間絶縁膜１２をエッチングし、その後、上記レジストパターンを除去することにより図２に示すように層間絶縁膜１２に配線溝１３を形成する。
【００３５】
次いで、図３に示すように、上記処理を行った半導体基板１１上に、例えばＣＶＤ法によって、バリア層１４を例えば窒化タングステン膜で形成する。この窒化タングステン膜の成膜条件の一例としては、原料ガスに六フッ化タングステン（ＷＦ6 ）と窒素（Ｎ2 ）と水素（Ｈ2 ）との混合ガスを用い、その流量を０．２５ｍｌ／ｍｉｎ、成膜温度を３００℃〜４００℃の範囲とすることができる。
【００３６】
続いて、図４に示すように、例えばスパッタリング等のＰＶＤ（Physical Vapor Deposition ）法によって電解めっきのめっきシード層１５を銅膜で形成する。この銅膜の成膜条件の一例としては、スパッタリング装置のＤＣパワーを１２ｋＷ、プロセスガスにアルゴン（Ａｒ）を用い、その流量を５０ｃｍ3 ／ｍｉｎ、成膜雰囲気の圧力を０．２Ｐａ、成膜温度を1００℃とすることができる。
【００３７】
次に、図５に示すように、電解めっきによって、上記めっきシード層１５上に銅を例えば１．０μｍの厚さに堆積して、上記配線溝１３を完全に埋め込むめっき膜１６を形成する。このように、めっきシード層１５とめっき膜１６とで配線材料膜を形成する。この電解めっきは、図６に示すように半導体基板１１側に凹部が形成されたカップ２１と、半導体基板１１との間にめっき液２２を保持することにより行う。その際、半導体基板１１の外周とカップ２１の外周端には、半導体基板１１の裏面にめっき液２２が回り込まないように、且つカソード電極２３とめっき液２２とが接触しないように、例えばＯリング等のシール材２４が設けられている。また、カソード電極２３はめっきシード層１５に接触させる。
【００３８】
したがって、半導体基板１１上に設けたカップ２１とシール材２４とによって半導体基板１１上のめっき液２２が供給される空間が密閉されるため、半導体基板１１とカップ２１との間に存在するめっき液２２は外部に漏れ出すことはない。このため、上記めっき膜１６はシール材２４の内側のみに形成される。
【００３９】
上記電解めっき条件の一例としては、めっき液に硫酸銅系銅電解めっき液を用い、めっき電流値を２．８３Ａ，めっき時間を１μｍ成膜するのに４分３０秒、めっき液の温度を１８℃に設定することができる。
【００４０】
次に、図７に示すように、半導体基板１１とカップ３１との間の空間に電解研磨液３２を供給して、上記めっきシード層１５とめっき膜１６とからなる配線材料膜を電解研磨する。そして、図８に示すように配線溝１３内のみに配線材料層を残して溝配線１７を形成する。この電解研磨は、半導体基板１１側に凹部が形成されたカップ３１と、半導体基板１１との間に電解研磨液３２を保持することにより行う。その際、半導体基板１１の外周とカップ３１の外周端には、半導体基板１１の裏面に電解研磨液３２が回り込まないように、且つカソード電極３３と電解研磨液３２とが接触しないように、例えばＯリング等のシール材３４が設けられている。また、カソード電極３３はめっきシール層１５に接触させる。
【００４１】
したがって、半導体基板１１上に設けたカップ３１とシール材３４とによって半導体基板１１上の空間が密閉されるため、半導体基板１１とカップ３１との間に存在する電解研磨液３２は外部に漏れ出すことはない。このため、シール材３４の内側に形成されている上記配線材料膜が研磨される。このとき、図９に示すように、シール材３４の外側に形成されためっきシード層１５は電解研磨されずに半導体基板１１上に残る。なお、カップ３１、シール材３４は電解めっきに使用したものを用いることも可能である。
【００４２】
ここで、上記電解研磨条件においては、電解研磨液として、オルトリン酸（比重１．６）に対してＣｕイオン濃度が１５ｇ／ｌになるようにりん酸銅水和物を溶解したものを用いる。そして、電流密度を５Ａ／ｄｍ2 〜２０Ａ／ｄｍ2 、研磨液温度を１５℃〜２５℃に設定する。上記電解研磨では、フィールド上に配線材料膜が無くなると、銅よりも電気伝導度が低いバリア層１４に電流が流れるため、フィールド上に配線材料膜が残っている場合にはその残っている配線材料膜の電気伝導度がその周囲よりも高くなって、電解研磨されやすくなる。したがって、フィールド上の配線材料膜は完全にかつほぼ均一に除去される。
【００４３】
次に、半導体基板１１の外周上に残っためっきシード層１５に選択的に銅のエッチング液を供給して図１０に示すようにエッチング除去する。
【００４４】
銅のエッチング液としては、一例として、塩化第二鉄エッチング液を用いる。この塩化第二鉄エッチング液は、塩化第二鉄（例えば３４０ｇ／ｌ〜３８０ｇ／ｌ）と塩酸（例えば５ｍｌ〜６０ｍｌ）とからなり、液温を例えば２０℃〜７０℃とすることができる。
【００４５】
または、他の例として、塩化第二銅エッチング液を用いることもできる。この塩化第二銅エッチング液は、塩化第二銅（例えば５０ｇ／ｌ〜２００ｇ／ｌ）と塩酸（例えば２ｍｌ〜５０ｍｌ）と塩化カリウム（例えば５ｇ／ｌ〜７０ｇ／ｌ）とからなり、液温を例えば２０℃〜７０℃とすることができる。
【００４６】
または、その他の例として、アルカリ性アンモニアエッチング液を用いることも可能である。このアルカリ性アンモニアエッチング液は、水酸化アンモニウム（例えば２０ｇ／ｌ〜２００ｇ／ｌ）と塩化アンモニウム（例えば５０ｇ／ｌ〜１５０ｇ／ｌ）と亜塩酸アンモニウム（例えば５０ｇ／ｌ〜２００ｇ／ｌ）と炭酸水素アンモニウム（例えば５０ｇ／ｌ〜２００ｇ／ｌ、）と硝酸アンモニウム（例えば５０ｇ／ｌ〜２００ｇ／ｌ、）とからなり、液温を例えば２０℃〜７０℃とすることができる。
【００４７】
または、過酸化水素水とフッ酸との混合液を用いることもできる。
【００４８】
なお、エッチング時間は１分〜３分とする。
【００４９】
このようにしてエッチングを行うことにより、半導体基板１１の外周上に残っためっきシード層１５が除去され、図８に示すように配線溝１３に配線材料膜を埋め込んでなる溝配線１７が形成される。
【００５０】
上記の方法で銅の電解研磨を行い、半導体基板上に銅配線を形成したところ、上記の製造方法では、電解研磨液として、オルトリン酸（比重１．６）に対し、Ｃｕイオン濃度が１５ｇ／ｌになるようにりん酸銅水和物を溶解したものを用いて電解研磨を行ったため、陰極における水素の発生を抑えることができ、陰極に銅が還元されて析出していることが確認された。また、電解時の電流が大きくならないことも確認された。この結果、電解研磨液に対するＣｕイオンの添加量を１５ｇ／ｌ以上に調製した電解研磨液を用いることで、陽極の電解電圧の変動を抑止可能になることが明らかになった。
【００５１】
また、電解研磨液のＣｕイオン濃度を高くして、上記と同様にして電解研磨を行ったところ、その効果が顕著に現れ、Ｃｕイオンが飽和した電解研磨液（電解研磨液の底に結晶が残ってる状態）で電解を行った場合には、さらに電流変動が少なくなった。したがって、本発明を適用することにより、安定したプロセスで確実に銅配線を形成することができるといえる。
【００５２】
＜第２の実施の形態＞
第２の実施の形態では、電解研磨液として、オルトリン酸と硫酸と水を５：３：２の割合で混合し、該混合液１００ｍｌに対し２ｇのゼラチンを添加し、さらに硫酸銅水和物を添加することでＣｕイオン濃度を１５ｇ／ｌに調製した電解研磨液を用いたこと以外は、第１の実施の形態と同様にして電解研磨を行い、半導体基板上に銅配線を形成した。
【００５３】
その結果、本実施の形態の場合にも、第１の実施の形態の場合と同様の効果が現れることが確認された。また、Ｃｕイオン濃度を高くして同様に電解研磨を行い銅配線を形成したところ、その効果が顕著となった。したがって、このことから、上記の電解研磨液を用いた場合においても、安定したプロセスで確実に銅配線を形成することができるといえる。
【００５４】
なお、本実施の形態においては、電解研磨液へのＣｕイオンの添加方法として硫酸銅水和物を用いたが、硫酸銅水和物の代わりにりん酸銅水和物を用いてもよく、同様の効果を得ることができる。
【００５５】
＜第３の実施の形態＞
第３の実施の形態では、電解研磨液として、りん酸水溶液（比重１．６）にクロム酸銅を２０ｗｔ％の割合で混合して調製した電解研磨液を用いたこと以外は、第１の実施の形態と同様にして電解研磨を行い、半導体基板上に銅配線を形成した。
【００５６】
その結果、本実施の形態の場合にも、第１の実施の形態の場合と同様の効果が現れ、電解時の電流変動の少ない電解研磨が可能であることが確認された。
【００５７】
また、Ｃｕイオン濃度を高くして同様に電解研磨を行い銅配線を形成したところ、その効果が顕著となった。したがって、このことから、上記の電解研磨液を用いた場合においても、安定したプロセスで確実に銅配線を形成することができるといえる。
【００５８】
なお、本実施の形態においては、電解研磨液へのＣｕイオンの添加方法としてクロム酸銅を用いたが、クロム酸銅の代わりにりん酸銅を用いてもよく、同様の効果を得ることができる。
【００５９】
【発明の効果】
本発明に係る電解研磨液は、銅の電解研磨を行う電解研磨液であって、銅イオンを含有してなるものである。
【００６０】
本発明に係る電解研磨液では、電解研磨中に溶出した銅と同程度の銅を析出させることで電解研磨液の組成変動を大幅に抑えることが可能である。これにより、銅の電解研磨プロセスを安定させることができる。したがって、本発明に係る電解研磨液によれば、精度良く安定した銅の電解研磨を実現する電解研磨液を提供することが可能である。
【００６１】
また、本発明に係る銅の電解研磨方法は、陽極とする被研磨材と陰極との間に銅イオンを含有する電解研磨液を介在させて電解処理するものである。
【００６２】
以上のような本発明に係る銅の電解研磨方法においては、電解液中にあらかじめ銅イオンが導入されている電解研磨液を用いるため、銅の電解研磨プロセスを安定させることができる。したがって、本発明に係る銅の電解研磨方法によれば、精度良く安定した銅の電解研磨を実現することが可能である。
【００６３】
また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、銅を含む金属配線を電解研磨する半導体の製造方法であって、陽極とする被研磨材と陰極との間に銅イオンを含有する電解研磨液を介在させて電解処理するものである。
【００６４】
以上のような本発明に係る半導体装置の製造方法においては、電解液中にあらかじめ銅イオンが導入されている電解研磨液を用いることで、銅を含む金属配線の電解研磨プロセスを安定させることができる。本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、精度良く安定して銅を含む金属配線の電解研磨ができるため、銅を含む金属配線を所望の形状に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】半導体基板上に層間絶縁膜を形成した状態を示す断面図である。
【図２】層間絶縁膜に配線溝を形成した状態を示す断面図である。
【図３】配線溝を形成した層間絶縁膜上にバリア層を形成した状態を示す断面図である。
【図４】バリア層上に電解めっきのめっきシード層を形成した状態を示す断面図である。
【図５】めっきシード層上に配線溝を埋め込むめっき膜を形成した状態を示す断面図である。
【図６】電解めっきによりめっき膜を形成した状態を示す断面図である。
【図７】電解研磨により配線材料膜を研磨した状態を示す断面図である。
【図８】溝配線を形成した状態を示す断面図である。
【図９】シール材の外側に形成されためっきシード層が半導体基板上に残った状態を示す断面図である。
【図１０】半導体基板の外周上に残っためっきシード層をエッチング除去した状態を示す断面図である。
【符号の説明】
１１  半導体基板
１２  層間絶縁膜
１３  配線溝
１４  バリア層
１５  めっきシード層
１６  めっき膜
２１，３１  カップ
２２  めっき液
２３，３３  カソード電極
２４，３４  シール材
３２  電解研磨液
【図１】
0004078873.tif 000002
【図２】
0004078873.tif 000003
【図３】
0004078873.tif 000004
【図４】
0004078873.tif 000005
【図５】
0004078873.tif 000006
【図６】
0004078873.tif 000007
【図７】
0004078873.tif 000008
【図８】
0004078873.tif 000009
【図９】
0004078873.tif 000010
【図１０】
0004078873.tif 000011