(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料を相対的に走査しながら第１の検出光学系を用いて第１の検出条件で得られる検出信号を処理して欠陥を検知し該検知した欠陥の特徴量の情報と位置情報とを得、上記試料を相対的に走査しながら第２の検出光学系を用いて上記第１の検出条件とは異なる第２の検出条件で得られる検出信号を処理して得られる画像データを記憶し、該記憶した画像データの中から前記第１の検出光学系を用いて検出した欠陥の位置情報に対応する位置の欠陥の画像を抽出し、該抽出した欠陥の画像を該欠陥の位置情報及び特徴量の情報と共に画面上に表示することを特徴とする外観検査方法。
【請求項２】
請求項１記載において、
前記第１の検出光学系を用いた前記第１の検出条件と前記第２の検出光学系を用いた前記第２の検出条件とは、倍率、照明波長領域、焦点位置、偏光を含む光学条件が異なることを特徴とする外観検査方法。
【請求項３】
請求項１記載において、
前記第１の検出光学系を用いて前記第１の検出条件で得られる検出信号はグレースケールの画像データであり、前記第２の検出光学系を用いて前記第２の検出条件で得られる検出信号はカラー画像データであることを特徴とする外観検査方法。
【請求項４】
請求項１記載において、
前記第１の検出光学系を用いた前記第１の検出条件は低倍率の画像を取得する条件であり、前記第２の検出光学系を用いた前記第２の検出条件は、前記第１の検出光学系を用いた前記第１の検出条件よりも高い倍率の画像を得る条件であることを特徴とする外観検査方法。
【請求項５】
試料を載置して平面内で移動可能なテーブル手段と、該テーブル手段に載置した試料を相対的に走査しながら第１の検出条件で前記試料を撮像して該試料の画像を取得する第１の検出光学系手段と、該第１の検出光学系手段で前記試料を撮像して得た検出信号を処理して前記試料上の欠陥を検知し該検知した欠陥の特徴量の情報と位置情報とを取得する欠陥検知手段と、前記テーブル手段載置した試料を相対的に走査しながら上記第１の検出条件とは異なる第２の検出条件で前記試料を撮像して該試料の画像を取得する第２の検出光学系手段と、該第２の検出光学系手段で前記試料を撮像して得た検出信号から前記欠陥検知手段で取得した欠陥の位置情報を用いて欠陥部の画像データを抽出する欠陥画像データ抽出手段と、この欠陥画像データ抽出手段によって抽出した欠陥部の画像データを保管する欠陥画像データメモリ手段と、この欠陥画像データメモリ手段に保管した画像データを表示可能な表示手段とを、具備したことを特徴とする外観検査装置。
【請求項６】
請求項５記載において，
前記第１の検出光学系の前記第１の検出条件と前記第２の検出光学系の前記第２の検出条件とは、倍率、照明波長領域、焦点位置、偏光を含む光学条件が異なることを特徴とする外観検査装置。
【請求項７】
請求項５記載において、
前記第１の検出光学系は前記第１の検出条件でグレースケールの画像データを検出し、前記第２の検出光学系は前記第２の検出条件でカラー画像データを検出することを特徴とする外観検査装置。
【請求項８】
請求項５記載において、
前記第２の検出光学系の前記第２の検出条件は、前記第１の検出光学系の前記第１の検出条件よりも高い倍率の画像を得る条件であることを特徴とする外観検査装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウェーハ、フォトマスク、磁気ディスク等を検査対象とする外観検査方法および外観検査装置に係り、特に、検査対象に対して本来同一であるべきパターン等を検出して、パターン異常や異物付着などの欠陥を検査すると共に、欠陥の解析を行って分類分けを必要とするものに用いて好適な、外観検査技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、この種類の外観検査技術としては、図５〜図７に示す方式のものが知られている。
【０００３】
図５に示した構成は、設計データ比較方式と呼ばれるものである。図５に示すように、ＸＹステージ１上に設置されたＺθステージ２上には、被検査物（試料）である半導体ウェーハ３が載置されている。この半導体ウェーハ３の上方には、照明光源４からの照明光を、半導体ウェーハ３側へ向けるハーフミラー６が設けてあり、このハーフミラー６で反射された照明光は、対物レンズ５を経て、半導体ウェーハ３を照明する。半導体ウェーハ３からの反射光は、対物レンズ５、ハーフミラー６を経て、検出光として検出器（例えば、ＣＣＤイメージセンサ）７で受光される。
【０００４】
そして、検出器７で受光された検出光は、Ａ／Ｄコンバータ８によってデジタル画像信号に変換され、設計データパターン発生回路９によって生成されるデータと、信号比較手段１０にて比較が行われる。このとき、両者の信号に不一致となる個所があった場合には、欠陥があると判定される。
【０００５】
図６に示した構成は、２眼２チップ比較方式と呼ばれるものであり、同図において、先に説明したものと均等な（同等の機能を有する）構成要素には同一符号を付してある（これは、以下の説明においても同様である）。
【０００６】
この２眼２チップ比較方式は、図５で述べた照明から検出までの一連の光学系を２組持ち、双方の検出器７、７で受光された信号は、Ａ／Ｄコンバータ８、８によってそれぞれデジタル画像信号に変換された後に、信号比較手段１０にて比較され、欠陥判定が行われる。
【０００７】
図７に示した構成は、１眼２チップ比較方式と呼ばれるものである。この方式は、図５で述べた照明から検出までの一連の光学系を持ち、最初の走査領域で検出した検出信号を画像記憶回路１１に記憶させた後に、この記憶させた検出信号と次の走査領域で得られる検出信号とを、信号比較手段１０で比較して、検出信号の一致／不一致を検出し、欠陥判定が行われる。
【０００８】
上述した３つの方式は、何れの場合も、検査を高速に行うために連続的なステージの走査により２次元画像を検出する方式を採用しており、いわゆるステップ＆リピートの方式で画像を検出する方式は採用されていない。
【０００９】
また、上述したような外観検査の結果の分類や、解析シーケンスとしては、図８あるいは図９に示す方式のものが知られている。
【００１０】
図８は、人の目視確認による分類のシーケンスである。まず、外観検査装置によって検査を行い、得られた欠陥の座標情報をもとに、装置上で各欠陥部の画像表示を行う。一般的には、検査時の処理画像の解像度を上回る解像度でこの表示を行う。次に、人がこの画像を目で見て、欠陥の色、形状、背景の情報をもとに、欠陥のカテゴリ分類を行う。
【００１１】
図９は、自動欠陥分類機能の導入による分類シーケンスである。まず、外観検査装置によって検査を行い、得られた欠陥の座標情報をもとに、装置上で各欠陥部の画像検出を行う。自動分類においても、検査時の処理画像の解像度を上回る解像度でこの検出を行う。次に、自動分類機能により、画像から欠陥の色、形状、背景、座標の情報をもとに、欠陥のカテゴリ分類を行う。自動分類機能の導入により、目視確認時と比べて、欠陥レビュー効率の向上と分類の規格化が図られている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述した従来技術においては、下記のような問題がある。
前記した図５〜図７の検査方式と、前記した図８、図９の分類、解析シーケンスとの組み合わせに共通しているのは、欠陥の有無の検査時には、実用的な検査時間確保のため低倍率で検査画像の検出を行い、この検査終了後に分類、解析を行うため、検査結果による欠陥座標情報に基づいて、高倍率で欠陥部の画像の再検出を行っている点である。このように欠陥部の画像を再検出する所以は、検査効率向上のため検査装置がステージ走査により画像検出を行っているため、一度のステージ走査で異なる倍率の画像を検出することが困難であるためであり、これが、欠陥の分類分けを含めた総検査時間を増加させる要因となっている。
【００１３】
例えば、半導体ウェーハの外観検査における例では、被検査物１枚あたりの欠陥検査時間（欠陥の検出時間）が約１５分である。これに対して分類処理は、検査結果に対して間引きを行い１００点程度の欠陥を対象に行う。自動分類に要する時間が３秒／点とした場合、被検査物１枚あたりの分類処理で、３００秒（５分）の時間を要することになり、実に欠陥検査時間の１／３を占めることになる。この間、被検査物であるウェーハは検査装置上に拘束されて、次のプロセスに進むことはできない。
【００１４】
上記の分類のための欠陥部の画像の再検出は、検査時に比べて画素寸法にして２倍〜８倍程度の高解像度な画像を必要とするために行っている。このため、検査時の処理画像を用いた場合には、十分な精度の欠陥分類は困難である。逆に、検査画素寸法を分類用の画像検出時と同じにした場合には、検査処理を行う画素数は１６倍〜６４倍となるため、装置の回路規模と検査時間の大幅な増大を招き、実用的ではなくなる。
【００１５】
近年、ウェーハの大径化が進んでおり、φ２００からφ３００へと移行しようとしている。このため、ウェーハ１枚あたりの分類対象数が増加することは明らかであり、従来技術による検査方式では、分類対象数の増加分の時間が増加するという問題をはらんでいる。
【００１６】
本発明は、上記した課題に着目してなされたものであり、その目的とするところは、外観検査における欠陥分類時間を短縮することのできる技術を提供することある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
試料を相対的に走査しながら第１の検出光学系を用いて第１の検出条件で得られる検出信号を処理して欠陥を検知し該検知した欠陥の特徴量の情報と位置情報とを得、上記試料を相対的に走査しながら第２の検出光学系を用いて上記第１の検出条件とは異なる第２の検出条件で得られる検出信号を処理して得られる画像データを記憶し、該記憶した画像データの中から前記第１の検出光学系を用いて検出した欠陥の位置情報に対応する位置の欠陥の画像を抽出し、該抽出した欠陥の画像を該欠陥の位置情報及び特徴量の情報と共に画面上に表示する。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る外観検査装置の構成を示す図である。図１に示すように、ＸＹステージ１上に設置されたＺθステージ２上には、被検査物（試料）である半導体ウェーハ３が載置されている。この半導体ウェーハ３の上方には、照明光源４からの照明光を半導体ウェーハ３側へ向けるハーフミラー６が設けてあり、このハーフミラー６で反射された照明光は、対物レンズ５を経て、半導体ウェーハ３を照明する。
【００１９】
半導体ウェーハ３からの反射光は、対物レンズ５、ハーフミラー６を経て、ハーフミラー６Ａで透過して、低倍率検出系２０において、検出光として検出器（ＣＣＤイメージセンサ）７Ａで受光されるものと、ハーフミラー６Ａで反射したのちに、高倍率検出系２１において、ズームレンズ２２を経て検出光として検出器（ＣＣＤイメージセンサ）７Ｂで受光されるものとに、別れる構成となっている。なお、低倍率検出系２０は、欠陥検出の精度保証には充分な倍率であるも、高倍率検出系２１よりも低解像度の検出光学系となっており、高倍率検出系２１は、低倍率検出系２０よりも高解像度である（例えば、低倍率検出系２０よりも２倍〜８倍程度高解像度である）、高解像度の検出光学系となっている。
【００２０】
ここで、上記の低倍率検出系２０および高倍率検出系２１にて、同時に画像の検出を行うためには、検出器７Ａによる検出画素寸法Ｐ１、検出器７Ｂによる検出画素寸法Ｐ２、検出器７Ａのステージ進行方向の１ラインあたりの走査時間Ｔ１、検出器７Ｂのステージ進行方向の１ラインあたり走査時間Ｔ２、ステージ移動速度Ｖ、ズームレンズ２２の倍率Ｚの間に、次式の関係が成立している必要がある。
Ｖ＝Ｐ１／Ｔ１＝Ｐ２／Ｔ１
Ｐ２＝Ｚ×Ｐ１
実用上は、Ｐ１、Ｐ２およびＴ１から、上式を満たすＴ２を算出すると、実現が困難な高速な検出器を要求することになるが、検出器７Ｂをマルチチャンネル化して、チャンネル毎の画素の読み出し時間を稼ぐことで対応可能である。
【００２１】
検出器７Ａで受光された検出光は、Ａ／Ｄコンバータ８によってデジタルの画像信号に変換され、欠陥検出部２３に入力される。欠陥検出部２３では、Ａ／Ｄコンバータ８からの入力データと、これと比較するためのデータとの対比を行って、欠陥の有無の判定を行う。すなわち図１では割愛してあるが、欠陥検出部２３は、例えば、前記図５の構成と同様に、設計データに基づき設計データパターン発生回路によって生成されるデータと、Ａ／Ｄコンバータ８からの入力データとを比較するか、あるいは、前記図７の構成と同様に、前の走査領域で取り込んで画像記憶回路に記憶させたデータと、Ａ／Ｄコンバータ８からの入力データとを比較することによって、欠陥判定を行う。そして、欠陥が見出された場合には、欠陥検出部２３は、欠陥の寸法、面積、形状、色、背景などの特徴量を表わす欠陥情報２４と、欠陥の座標情報２５とを出力する。欠陥画像データベース２６では、欠陥検出部２３が出力した欠陥情報２４と座標情報２５を保管する。
【００２２】
一方、検出器７Ｂにおいて高倍率の検出光から得られた検出信号は、Ａ／Ｄコンバータ８によってデジタルの画像信号に変換され、一時メモリとしての遅延メモリ２７に送られて、高倍率（高解像度）の画像データとして格納される。遅延メモリ読み出し回路２８は、欠陥検出部２３が出力する欠陥の座標情報２５を受けて、遅延メモリ２７上の対応する画像データを欠陥部を中心として抽出して、これを画像メモリ２９に転送して一旦格納させる。なお、遅延メモリ２７は、欠陥部の画像データを所定のタイムラグをもって抽出するために、十分な容量を持つものとして構成されている。ただし、遅延メモリ２７は試料の全領域の画像データを保持する必要は全くなく、上記した所定のタイムラグをもった画像データの抽出を保証すればよいもので、さほど大規模な容量をもつものとして構成する必要はない。
【００２３】
画像メモリ２９に格納された欠陥部の画像データ（欠陥画像）は、欠陥情報編集用コンピュータ３０によって、欠陥画像データベース２６に格納された欠陥情報２４、座標情報２５と対応付けて、欠陥画像データベース３１に保管される。そして、欠陥画像の閲覧、検索時には、欠陥画像データベース３１に格納された内容は、欠陥情報編集用コンピュータ３０によって適宜に読み出されて、欠陥部の画像データ（欠陥画像）に、欠陥情報、座標情報を付加して、ＣＲＴ３２に出力して表示されるようになっている。
【００２４】
上記のように、欠陥画像データベース３１に保管された欠陥画像、欠陥情報、座標情報は、欠陥情報編集用コンピュータ３０によってＣＲＴ３２上に表示され、これを用いて、オペレーターが欠陥の分類分けを行うことができるようになっており、この目視分類分けしたデータも、欠陥画像データベース３１に、欠陥画像、欠陥情報、座標情報と対応付けて格納されるようになっている。また、欠陥画像データベース３１に格納された内容は、欠陥情報編集用コンピュータ３０によって、ＣＲＴ３２上で閲覧、検索ができることは勿論、拡大、縮小、移動、重ね合わせ、色替えなどの各種表示処理や、データの並べ替え、転送、複写、削除などの各種編集処理が可能となっている。
【００２５】
図２は、本実施形態において、ＣＲＴ３２上に表示される欠陥の目視分類用の操作画面の１例を示す図である。図２に示した例では、表示画面４１における、品種名、工程、ウェーハ、検査日時の表示欄の下に、欠陥画像を縮小した一覧表示欄４２を設け、この一覧表示欄４２内をスクロール操作することによって、各欠陥画像（各欠陥部の画像データ）４３ａ、４３ｂ、４３ｃ……を視認できるようにしている。そして、オペレーターは分類指定を行う欠陥画像を指定し、また必要に応じてこの指定した縮小欠陥画像を拡大表示して、これによって、オペレーターは選択画像に対して分類の指定を順次行って、この分類指定を分類名入力欄４４に順次書き込むことにより、オペレータによる欠陥の目視分類処理が行われるようになっている。ここで、ＣＲＴ３２上に表示される欠陥画像は、先にも述べたように、高倍率の画像データ、換言するなら高解像度の画像データであるので、表示は鮮明でかつ詳細なものとなっていることは言うまでもない。
【００２６】
なお、欠陥画像データベース３１に保管された欠陥画像、欠陥情報、座標情報、分類分け情報などのデータは、ネットワーク、あるいはＭＯドライブ等の大容量メディアにより、外部機器に対しデータの転送を行うことで、オフラインレビューや、あるいは、自動欠陥分類装置への接続も可能となっている。
【００２７】
図３は、本発明の第２実施形態に係る外観検査装置の構成を示す図である。図３に示すように、ＸＹステージ１上に設置されたＺθステージ２上には、被検査物（試料）である半導体ウェーハ３が載置されている。この半導体ウェーハ３の上方には、２つの光学系、すなわち、欠陥検出の精度保証には充分な倍率であるも、比較的に低解像度の検出光学系である低倍率検出系２０Ａと、この低倍率検出系２０Ａよりも高解像度である（例えば、低倍率検出系２０Ａよりも２倍〜８倍程度高解像度である）、高解像度の検出光学系である高倍率検出系２１Ａとが設けてある。
【００２８】
低倍率検出系２０Ａおよび高倍率検出系２１Ａには、それぞれの照明光源４、４からの照明光を半導体ウェーハ３側へ向けるハーフミラー６、６が設けてあり、このハーフミラー６、６で反射された照明光は、それぞれ対物レンズ５、５を経て、半導体ウェーハ３を照明する。
【００２９】
低倍率検出系２０Ａでは、半導体ウェーハ３からの反射光は、対物レンズ５、ハーフミラー６を経て、検出光として検出器７Ａで受光され、Ａ／Ｄコンバータ８によってデジタルの画像信号に変換され、欠陥検出部２３に入力される。欠陥検出部２３では、Ａ／Ｄコンバータ８からの入力データと、これと比較するためのデータとの対比を行って、欠陥の有無の判定を行う。すなわち図３では割愛してあるが、欠陥検出部２３は、例えば、前記図５の構成と同様に、設計データに基づき設計データパターン発生回路によって生成されるデータと、Ａ／Ｄコンバータ８からの入力データとを比較するか、あるいは、前記図７の構成と同様に、前の走査領域で取り込んで画像記憶回路に記憶させたデータと、Ａ／Ｄコンバータ８からの入力データとを比較することによって、欠陥判定を行う。そして、欠陥が見出された場合には、欠陥検出部２３は、欠陥の寸法、面積、形状、色、背景などの特徴量を表わす欠陥情報２４と、欠陥の座標情報２５とを出力する。欠陥画像データベース２６では、欠陥検出部２３が出力した欠陥情報２４と座標情報２５を保管する。
【００３０】
一方、高倍率検出系２１Ａでは、半導体ウェーハ３からの反射光は、対物レンズ５、ハーフミラー６、ズームレンズ２２を経て、高倍率の検出光として検出器７Ｂで受光される。検出器７Ｂにおいて高倍率の検出光から得られた検出信号は、Ａ／Ｄコンバータ８によってデジタルの画像信号に変換され、一時メモリとしての遅延メモリ２７に送られて、高倍率（高解像度）の画像データとして格納される。遅延メモリ読み出し回路２８は、欠陥検出部２３が出力する欠陥の座標情報２５を受けて、遅延メモリ２７上の対応する画像データを欠陥部を中心として抽出して、これを画像メモリ２９に転送して一旦格納させる。なお、遅延メモリ２７は、欠陥部の画像データを所定のタイムラグをもって抽出するために、十分な容量を持つものとして構成されている。
【００３１】
本実施形態においても、低倍率検出系２０Ａおよび高倍率検出系２１Ａにて、同時に画像の検出を行うためには、検出器７Ａによる検出画素寸法Ｐ１、検出器７Ｂによる検出画素寸法Ｐ２、検出器７Ａのステージ進行方向の１ラインあたりの走査時間Ｔ１、検出器７Ｂのステージ進行方向の１ラインあたり走査時間Ｔ２、ステージ移動速度Ｖ、ズームレンズ２２の倍率Ｚの間に、次式の関係が成立している必要がある。
Ｖ＝Ｐ１／Ｔ１＝Ｐ２／Ｔ１
Ｐ２＝Ｚ×Ｐ１
実用上は、Ｐ１、Ｐ２およびＴ１から、上式を満たすＴ２を算出すると、実現が困難な高速な検出器を要求することになるが、検出器７Ｂをマルチチャンネル化して、チャンネル毎の画素の読み出し時間を稼ぐことで対応可能である。
【００３２】
ただし、本実施形態においては、前記第１実施形態と異なり、２つの検出系の距離分は、ステージを余分に走査する必要があり、検査時間の増加を招くが、独立した２つの検出系を持っているため、１系統の検出系では実現が困難である、照明波長領域、焦点位置、偏光などの異なる２つ光学条件の実現や、高倍率（高解像度）検出系２１Ａとして、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）を用いることも可能になるという特徴がある。
【００３３】
上述のようにして、画像メモリ２９に格納された欠陥部の画像データ（欠陥画像）は、欠陥情報編集用コンピュータ３０によって、欠陥画像データベース２６に格納された欠陥情報２４、座標情報２５と対応付けて、欠陥画像データベース３１に保管される。そして、欠陥画像の閲覧、検索時には、欠陥画像データベース３１に格納された内容は、欠陥情報編集用コンピュータ３０によって適宜に読み出されて、欠陥部の画像データ（欠陥画像）に、欠陥情報、座標情報を付加して、ＣＲＴ３２に出力して表示されるようになっている。
【００３４】
そして、欠陥画像データベース３１に保管された欠陥画像、欠陥情報、座標情報は、前記した第１実施形態と同様に、欠陥情報編集用コンピュータ３０によってＣＲＴ３２上に表示され、これを用いて、オペレーターが欠陥の分類分けを行うことができるようになっており、この目視分類分けしたデータも、欠陥画像データベース３１に、欠陥画像、欠陥情報、座標情報と対応付けて格納されるようになっている。また、欠陥画像データベース３１に格納された内容は、欠陥情報編集用コンピュータ３０によって、ＣＲＴ３２上で閲覧、検索ができることは勿論、拡大、縮小、移動、重ね合わせ、色替えなどの各種表示処理や、データの並べ替え、転送、複写、削除などの各種編集処理が可能となっている。なおまた、欠陥画像データベース３１に保管された欠陥画像、欠陥情報、座標情報、分類分け情報などのデータは、ネットワーク、あるいはＭＯドライブ等の大容量メディアにより、外部機器に対しデータの転送を行うことで、オフラインレビューや、自動欠陥分類装置への接続も可能となっている。
【００３５】
なお、上述した第１、第２実施形態において、低倍率検出系をグレースケールの画像データを得る検出系とし、高倍率検出系をカラー画像データを得る検出系としてもよい。何となれば、欠陥検出は明るさの情報があれば可能であり、こうすることにより、低倍率検出系の構成が簡単化されてコスト低減が可能となり、また、オペレータの目視による欠陥の分類分け、または自動欠陥分類分けには、色情報があった方がより詳細で確実な判断が下せるからである。なおまた、第２実施形態においては、先にも述べたように、高倍率検出系として、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）を用いることも可能で、こうすることによって、より高解像度の欠陥部画像データを得ることが可能となる。
【００３６】
図４は、本発明の第３実施形態に係る外観検査装置の構成を示す図である。図４に示すように、ＸＹステージ１上に設置されたＺθステージ２上には、被検査物（試料）である半導体ウェーハ３が載置されている。この半導体ウェーハ３の上方には、照明光源４からの照明光を半導体ウェーハ３側へ向けるハーフミラー６が設けてあり、このハーフミラー６で反射された照明光は、対物レンズ５を経て、半導体ウェーハ３を照明する。
【００３７】
半導体ウェーハ３からの反射光は、対物レンズ５、ハーフミラー６を経て、検出光として検出器７Ａで受光される（なお、本実施形態の検出光学系は、前記第２実施形態の低倍率検出系２０Ａに相当するものとなっている）。検出器７Ａで受光された検出光は、Ａ／Ｄコンバータ８によってデジタル画像信号に変換され、遅延メモリ３３および欠陥判定部２３に入力される。欠陥判定部２３は、前記図７の構成と同様に、前の走査領域で取り込んで遅延メモリ３３に記憶させたデータと、Ａ／Ｄコンバータ８からの入力データとを比較することによって、欠陥判定を行う。そして、欠陥が見出された場合には、欠陥検出部２３は、欠陥の寸法、面積、形状、色、背景などの特徴量を表わす欠陥情報２４と、欠陥の座標情報２５とを出力する。欠陥画像データベース２６では、欠陥検出部２３が出力した欠陥情報２４と座標情報２５を保管する。
【００３８】
遅延メモリ読み出し回路２８は、欠陥検出部２３が出力する欠陥の座標情報２５を受けて、遅延メモリ２７上の対応する画像データを欠陥部を中心として抽出して、これを画像メモリ２９に転送して一旦格納させる。
【００３９】
画像メモリ２９に格納された欠陥部の画像データ（欠陥画像）は、欠陥情報編集用コンピュータ３０によって、欠陥画像データベース２６に格納された欠陥情報２４、座標情報２５と対応付けて、欠陥画像データベース３１に保管される。
【００４０】
そして、欠陥画像の閲覧、検索時には、欠陥画像データベース３１に格納された内容は、欠陥情報編集用コンピュータ３０によって適宜に読み出され、この読み出された欠陥部の画像データ（欠陥画像）は、画像補間回路３４において画素補間処理を行って、高倍率（高解像度）画像データとしてＣＲＴ３２に出力され、この高倍率（高解像度）画像データに、欠陥情報、座標情報を付加して、ＣＲＴ３２上で表示されるようになっている。なお、画像メモリ２９に格納された欠陥部の画像データ（欠陥画像）を、欠陥画像データベース３１に格納する際に、予め画像補間回路によって画素補間処理を行って、この画素補間処理された画像データを欠陥画像データベース３１に格納するようにしてもよい。
【００４１】
かように本実施形態においても、欠陥情報編集用コンピュータ３０によってＣＲＴ３２上に表示されたデータを用いて、オペレーターが欠陥の分類分けを行うことができるようになっており、この目視分類分けしたデータも、欠陥画像データベース３１に、必要に応じて画素補間処理された欠陥部の画像データ、および、欠陥情報、座標情報と共に格納されるようになっている。
【００４２】
また、本実施形態においても第１、第２実施形態と同様に、欠陥画像データベース３１に格納された内容は、欠陥情報編集用コンピュータ３０によって、ＣＲＴ３２上で閲覧、検索ができることは勿論、拡大、縮小、移動、重ね合わせ、色替えなどの各種表示処理や、データの並べ替え、転送、複写、削除などの各種編集処理が可能となっている。なおまた、欠陥画像データベース３１に保管された欠陥画像、欠陥情報、座標情報、分類分け情報などのデータは、ネットワーク、あるいはＭＯドライブ等の大容量メディアにより、外部機器に対しデータの転送を行うことで、オフラインレビューや、自動欠陥分類装置への接続も可能となっている。
【００４３】
以上のように、本発明の上述した各実施形態においては、欠陥の有無の検査終了前に、高倍率（高解像度）の画像データによって、検出された欠陥（欠陥候補）の確認・解析（欠陥の分類分け等）を開始することが可能となり、従来に較べてトータルの検査時間を短縮することが可能となる。
【００４４】
なお、上述した各実施形態において、欠陥部の画像データ（欠陥画像）を保管する際に、画像データを圧縮処理して保管するようになせば、メモリの利用効率が高まることは言うまでもない。
【００４５】
なおまた、上述した各実施形態の外観検査装置において、外観検査装置に、欠陥部の画像データの特徴量と座標に基づき自動的に分類を行う機能を持たせ、自動的に分類分けした結果を、各分類毎にＣＲＴ３２上に一覧表示させるようにすることも可能である。
【００４６】
さらにまた、本発明の前記した実施形態が２チップ比較の検査装置をベースにして構築された場合には、メモリで２回の画像データの取り込み処理が行われることになり、このうち一方は実際の欠陥部の画像であり、もう一方は欠陥部に対応する正常部分の画像を取り込むことになる。この画像も欠陥情報と突き合わせれば、どちらが実際の欠陥部であるかは判定可能であることは言うまでもない。
【００４７】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、欠陥の有無の検査終了前に、高倍率（高解像度）の画像データによって、検出された欠陥（欠陥候補）の確認・解析（欠陥の分類分け等）を開始することが可能となり、従来に較べてトータルの検査時間を短縮することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係る外観検査装置の構成図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る外観検査装置において、ＣＲＴ上に表示される欠陥の目視分類用の操作画面の１例を示す説明図である。
【図３】本発明の第２実施形態に係る外観検査装置の構成図である。
【図４】本発明の第３実施形態に係る外観検査装置の構成図である。
【図５】従来技術による外観検査装置の構成図である。
【図６】従来技術による外観検査装置の構成図である。
【図７】従来技術による外観検査装置の構成図である。
【図８】従来技術における、目視確認による欠陥の分類分けのシーケンスを示す説明図である。
【図９】従来技術における、自動欠陥分類分けのシーケンスを示す説明図である。
【符号の説明】
１  ＸＹステージ
２  Ｚθステージ
３  半導体ウェーハ
４  照明光源
５  対物レンズ
６、６Ａ  ハーフミラー
７、７Ａ、７Ｂ  検出器
８  Ａ／Ｄコンバータ
９  設計データパターン発生回路
１０  信号比較手段
１１  画像記憶回路
２０、２０Ａ  低倍率検出系（低解像度検出系）
２１、２１Ａ  高倍率検出系（高解像度検出系）
２２  ズームレンズ
２３  欠陥検出部
２４  欠陥情報
２５  座標情報
２６  欠陥情報データベース
２７  遅延メモリ
２８  遅延メモリ読み出し回路
２９  画像メモリ
３０  欠陥情報編集用コンピュータ
３１  欠陥画像データベース
３２  ＣＲＴ
３３  遅延メモリ
３４  画像補間回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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