【事件の表示】
　特許第６２３３０７０号発明「半導体積層体および半導体装置、ならびにそれらの製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　平成３０年１０月５日付け訂正請求において、特許第６２３３０７０号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１−１３〕について訂正することを認める。
　特許第６２３３０７０号の請求項１ないし３、５、７、９ないし１３に係る特許を維持する。  　
　特許第６２３３０７０号の請求項４、６及び８に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。　
【理　由】
第１　手続の経緯  
　特許第６２３３０７０号の請求項１ないし１３に係る特許についての出願は、平成２６年２月５日の出願であって、平成２９年１１月２日にその特許権の設定登録がされ、同年１１月２２日に特許掲載公報が発行され、その後、その特許に対し、平成３０年５月２２日に特許異議申立人小松一枝及び前田知子により特許異議の申立てがされたものである。  
　以後の手続の経緯は、以下のとおりである。  
  
　平成３０年　８月１５日：取消理由通知（８月１７日発送）  
　　　　同年１０月　５日：訂正請求書・意見書  
　　　　同年１０月３１日：通知書（小松一枝：１１月６日発送）  
　　　　同年１０月３１日：通知書（前田知子：１１月６日発送）  
　　　　
　なお、特許異議申立人小松一枝及び前田知子に対して、期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが、両者からは何ら応答がなかった。
　　　　                     　
第２　訂正の適否  
１　訂正の趣旨  
　平成３０年１０月５日付けの訂正請求書（以下「本件訂正請求書」という。また、本件訂正請求書による訂正を、以下「本件訂正」という。）は、特許第６２３３０７０号の特許請求の範囲を、本件訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正することを求めるものである。  
  
２　訂正の内容  
　本件訂正請求は、一群の請求項に対して請求されたものである。
　　　　
（１）請求項１に関連する訂正
　ア　訂正事項１  
　特許請求の範囲の請求項１（１行目）の「ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるベース層」を、
　「
ＧａＳｂ
　※なお、下線は、当審で付したものである。以下、同じ。 　 　  
  　　
　イ　訂正事項２  
　特許請求の範囲の請求項１（２行目）の「ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる半導体層」を、
　「
ＧａＳｂ
  
　ウ　訂正事項３  
　特許請求の範囲の請求項１（４及び５行目）の「前記半導体層を構成するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体はＶ族元素としてＳｂを含んでおり、」との記載を
削除する
  
　エ　訂正事項４
　特許請求の範囲の請求項１（６及び７行目）の「前記半導体層は、１×１０１８ｃｍ−３以上１×１０２０ｃｍ−３以下のＡｓを含有する砒素含有領域を含んでいる」との記載を、
　「前記半導体層は、１×１０１８ｃｍ−３以上１×
１０
２０
ｃｍ
−３
ベース層に接触するように配置される
　
　オ　訂正事項５
　特許請求の範囲の請求項１（７行目）の「、半導体積層体」の前に、
　「前記砒素含有領域以外の前記半導体層内の領域は、Ａｓの濃度が１×１０１８ｃｍ−３未満である
砒素フリー領域
（２）請求項２に関連する訂正
　ア　訂正事項６
　特許請求の範囲の請求項２（１行目）の「ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるベース層」を、
　「
ＧａＳｂ
　
　イ　訂正事項７　
　特許請求の範囲の請求項２（２行目）の「ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる半導体層」を、
　「
ＧａＳｂ
　ウ　訂正事項８  
　特許請求の範囲の請求項２（４及び５行目）の「前記半導体層を構成するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体はＶ族元素としてＳｂを含んでおり、」との記載を
削除する
　
　エ　訂正事項９
　特許請求の範囲の請求項２（６及び７行目）の「前記半導体層は、１×１０１８ｃｍ−３以上１×１０２１ｃｍ−３以下のＡｓを含有する砒素含有領域を含んでおり」との記載を、
　「前記半導体層は、１×１０１８ｃｍ−３以上１×
１０
２１
ｃｍ
−３
ベース層に接触するように配置される
   　
　オ　訂正事項１０
　特許請求の範囲の請求項２（８及び９行目）の「前記砒素含有領域内においてＡｓは前記ベース層から離れるにしたがって低濃度となるように分布している」との記載を、
　「前記砒素含有領域内においてＡｓは前記ベース層から離れるにしたがって低濃度となるように分布
しており
　
　カ　訂正事項１１　
　特許請求の範囲の請求項２（７行目）の「、半導体積層体」の前に、「前記砒素含有領域以外の前記半導体層内の領域は、Ａｓの濃度が１×１０１８ｃｍ−３未満である
砒素フリー領域
  　
（３）請求項４に関連する訂正
　訂正事項１２
　特許請求の範囲の請求項４を削除する。　
　
（４）請求項５に関連する訂正
　訂正事項１３
　特許請求の範囲の請求項５の「請求項４に記載の半導体積層体」との記載を、
　「
請求項１〜請求項３のいずれか１項
　
（５）請求項６に関連する訂正
　訂正事項１４
　特許請求の範囲の請求項６を削除する。
（６）請求項７に関連する訂正
　訂正事項１５
　特許請求の範囲の請求項７の「請求項６に記載の半導体積層体」との記載を、
　「
請求項１〜請求項３および請求項５のいずれか１項
（７）請求項８に関連する訂正
　訂正事項１６
　特許請求の範囲の請求項８を削除する。
（８）請求項９に関連する訂正
　訂正事項１７
　特許請求の範囲の請求項９の「請求項１〜請求項８のいずれか１項に記載の半導体積層体」との記載を、
　「
請求項１〜請求項３、請求項５および請求項７のいずれか１項
（９）請求項１０に関連する訂正
　訂正事項１８
　特許請求の範囲の請求項１０の「請求項１〜９のいずれか１項に記載の半導体積層体」との記載を、
　「
請求項１〜請求項３、請求項５、請求項７および請求項９のいずれか１項
（１０）請求項１１に関連する訂正
　ア　訂正事項１９
　特許請求の範囲の請求項１１（１行目）の「ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるベース層」を、
　「
ＧａＳｂ
　
　イ　訂正事項２０  
　特許請求の範囲の請求項１１（２行目）の「ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる半導体層」を、
　「
ＧａＳｂ
  
　ウ　訂正事項２１  
　特許請求の範囲の請求項１１（４及び５行目）の「前記半導体層を形成する工程では、Ｖ族元素としてＳｂを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる前記半導体層が形成され、」との記載を
削除する
  
　エ　訂正事項２２
　特許請求の範囲の請求項１１（６及び７行目）の「前記半導体層を形成する工程では、１×１０１８ｃｍ−３以上１×１０２０ｃｍ−３以下のＡｓを含有する砒素含有領域を含むように、前記半導体層が形成される」との記載を、
　「前記半導体層を形成する工程では、１×１０１８ｃｍ−３以上１×１０２０ｃｍ−３以下のＡｓを含有し、前記
ベース層に接触するように配置される
砒素フリー領域
ターシャリーブチルアルシンおよびトリメチル砒素
　
（１１）請求項１２に関連する訂正
　ア　訂正事項２３
　特許請求の範囲の請求項１２（１行目）の「ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるベース層」を、
　「
ＧａＳｂ
　
　イ　訂正事項２４  
　特許請求の範囲の請求項１２（２行目）の「ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる半導体層」を、
　「
ＧａＳｂ
  
　ウ　訂正事項２５  
　特許請求の範囲の請求項１２（４及び５行目）の「前記半導体層を形成する工程では、Ｖ族元素としてＳｂを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる前記半導体層が形成され、」との記載を
削除する
  
　エ　訂正事項２６
　特許請求の範囲の請求項１２（６ないし８行目）の「前記半導体層を形成する工程では、１×１０１８ｃｍ−３以上１×１０２１ｃｍ−３以下のＡｓを含有する砒素含有領域を含み、前記砒素含有領域内においてＡｓは前記ベース層から離れるにしたがって低濃度となるように分布するように、前記半導体層が形成される」との記載を、
　「前記半導体層を形成する工程では、１×１０１８ｃｍ−３以上１×１０２０ｃｍ−３以下のＡｓを含有し、前記
ベース層に接触するように配置される
砒素フリー領域
ターシャリーブチルアルシンおよびトリメチル砒素
３　訂正の適否  
　訂正の目的の適否、新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否について  
　　　
（１）請求項１に関連する訂正（訂正事項１ないし５）
　ア　訂正の目的　
（ア）訂正事項１及び訂正事項２は、訂正前の「ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体」を「
ＧａＳｂ
    　
（イ）訂正事項３は、上記訂正事項１及び訂正事項２により、記載が重複することになった箇所を削除するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第３号に規定する「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものである。                    　
   　
（ウ）訂正事項４は、訂正前の「砒素含有領域」が、ベース層に接触するように配置されていることを特定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号に規定する「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものである。                    　
　
（エ）訂正事項５は、訂正前の「半導体層」について、砒素含有領域以外の半導体層内の領域は、Ａｓの濃度が１×１０１８ｃｍ−３未満である
砒素フリー領域
　  　
　イ　願書に添付した明細書には、図とともに、以下の記載がある。  
　「【００２８】
　図１を参照して、本実施の形態における半導体積層体１０は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
ベース層としての基板２０
半導体層としてのバッファ層３０
【００２９】
　…
基板２０
たとえばＧａＳｂ（ガリウムアンチモン）
【００３０】
　…
バッファ層３０
たとえばＧａＳｂ（ガリウムアンチモン）
【００３１】
　……
【００３２】
　一方、バッファ層３０内の一部が砒素含有領域３１であってもよい。具体的には、たとえば図４に示すように、
砒素含有領域３１は、ベース層としての基板２０の主面２０Ａに接触するように配置され、砒素含有領域３１以外のバッファ層３０内の領域は、Ａｓの濃度が１×１０
１８
ｃｍ
−３
未満である砒素フリー領域３２とすることができる
　
　上記記載からして、
　上記訂正事項１ないし訂正事項５は、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内でするものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないことから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。　  
（２）請求項２に関連する訂正（訂正事項６ないし１１）
　ア　訂正の目的　
（ア）訂正事項６及び訂正事項７は、訂正前の「ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体」を「
ＧａＳｂ
    　
（イ）訂正事項８は、上記訂正事項６及び訂正事項７により、記載が重複することになった箇所を削除するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第３号に規定する「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものである。                    　
   　
（ウ）訂正事項９は、訂正前の「砒素含有領域」が、ベース層に接触するように配置されていることを特定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号に規定する「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものである。                    　
　
（エ）訂正事項１０は、訂正事項１１により記載が追加されることにより、不明瞭となる記載を正すものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第３号に規定する「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものである。                    　
　
（オ）訂正事項１１は、訂正前の「半導体層」について、砒素含有領域以外の半導体層内の領域は、Ａｓの濃度が１×１０１８ｃｍ−３未満である
砒素フリー領域
　  　
　イ　願書に添付した明細書には、図とともに、以下の記載がある。  
　「【００２８】
　図１を参照して、本実施の形態における半導体積層体１０は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
ベース層としての基板２０
半導体層としてのバッファ層３０
【００２９】
　…
基板２０
たとえばＧａＳｂ（ガリウムアンチモン）
【００３０】
　…
バッファ層３０
たとえばＧａＳｂ（ガリウムアンチモン）
【００３１】
　……
【００３２】
　一方、バッファ層３０内の一部が砒素含有領域３１であってもよい。具体的には、たとえば図４に示すように、
砒素含有領域３１は、ベース層としての基板２０の主面２０Ａに接触するように配置され、砒素含有領域３１以外のバッファ層３０内の領域は、Ａｓの濃度が１×１０
１８
ｃｍ
−３
未満である砒素フリー領域３２とすることができる
　
　上記記載からして、
　上記訂正事項６ないし訂正事項１１は、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内でするものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないことから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。　
（３）請求項４に関連する訂正（訂正事項１２）
　ア　訂正の目的　
　訂正事項１２は、特許請求の範囲から請求項４を削除するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号に規定する「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものである。  
　イ　また、訂正事項１２は、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内でするものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないことから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。　
（４）請求項５に関連する訂正（訂正事項１３）
　ア　訂正の目的
　訂正事項１３は、訂正事項１２により削除された請求項５の記載を引用しないように書き直すものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第３号に規定する「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものである。
　
　イ　また、訂正事項１３は、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内でするものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないことから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。　
　
（５）請求項６に関連する訂正（訂正事項１４）
　ア　訂正の目的
　訂正事項１４は、特許請求の範囲から請求項６を削除するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号に規定する「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものである。  
　イ　また、訂正事項１４は、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内でするものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないことから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。　
                 　
（６）請求項７に関連する訂正（訂正事項１５）
　ア　訂正の目的    
　訂正事項１５は、訂正事項１４により削除された請求項６の記載を引用しないように書き直すものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第３号に規定する「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものである。
　
　イ　また、訂正事項１５は、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内でするものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないことから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
（７）請求項８に関連する訂正（訂正事項１６）
　ア　訂正の目的
　訂正事項１６は、特許請求の範囲から請求項８を削除するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号に規定する「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものである。  
　イ　また、訂正事項１６は、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内でするものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないことから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。　
　
（８）請求項９に関連する訂正（訂正事項１７）
　ア　訂正の目的
　訂正事項１７は、訂正事項１４により削除された請求項６の記載及び訂正事項１６により削除された請求項８の記載を引用しないように書き直すものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第３号に規定する「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものである。
　
　イ　また、訂正事項１７は、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内でするものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないことから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
（９）請求項１０に関連する訂正（訂正事項１８）
　ア　訂正の目的
　訂正事項１８は、訂正事項１４により削除された請求項６の記載及び訂正事項１６により削除された請求項８の記載を引用しないように書き直すものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第３号に規定する「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものである。
　
　イ　また、訂正事項１８は、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内でするものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないことから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
（１０）請求項１１に関連する訂正（訂正事項１９ないし２２）
　ア　訂正の目的
（ア）訂正事項１９及び訂正事項２０は、訂正前の「ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体」を「
ＧａＳｂ
    　
（イ）訂正事項２１は、上記訂正事項１９及び訂正事項２０により、記載が重複することになった箇所を削除するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第３号に規定する「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものである。                    　
   　
（ウ）訂正事項２２は、訂正前の「半導体層を形成する工程」における製造条件を特定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号に規定する「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものである。
    　
　イ　願書に添付した明細書には、図とともに、以下の記載がある。  
　「【００５４】
　…より具体的には、ＧａＳｂからなるインゴットをスライスすることにより、
ＧａＳｂからなる基板２０が得られる。この基板２０の表面が研磨された後、洗浄等のプロセスを経て主面２０Ａの平坦性および清浄性が確保された基板２０が準備される
【００５５】
　……　
【００５６】
　
具体的には、図９を参照して、まず基板２０の主面２０Ａ上に接触するように、たとえばＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体（Ｖ族元素がＳｂであるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体）であるｐ−ＧａＳｂからなるバッファ層３０が有機金属気相成長により形成される
【００５７】
　ここで、バッファ層３０を形成する工程では、１×１０１８ｃｍ−３以上１×１０２１ｃｍ−３以下のＡｓを含有する砒素含有領域３１を含むように、バッファ層３０が形成される。具体的には、バッファ層３０の形成に際し、所望の濃度分布（たとえば図２〜図５参照）となるようにＡｓが導入される。
Ａｓの導入は、たとえばＴＢＡｓ（ターシャリーブチルアルシン）、ＴＭＡｓ（トリメチル砒素）などを原料ガスに添加することにより実施することができる
　
　上記記載からして、
　上記訂正事項１９ないし訂正事項２２は、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内でするものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないことから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
　                 　
（１１）請求項１２に関連する訂正（訂正事項２３ないし２６）
　ア　訂正の目的
（ア）訂正事項２３及び訂正事項２４は、訂正前の「ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体」を「
ＧａＳｂ
    　
（イ）訂正事項２５は、上記訂正事項２３及び訂正事項２４により、記載が重複することになった箇所を削除するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第３号に規定する「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものである。                    　
   　
（ウ）訂正事項２６は、訂正前の「半導体層を形成する工程」における製造条件を特定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号に規定する「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものである。
　イ　願書に添付した明細書には、図とともに、以下の記載がある。  
　「【００５４】
　…より具体的には、ＧａＳｂからなるインゴットをスライスすることにより、
ＧａＳｂからなる基板２０が得られる。この基板２０の表面が研磨された後、洗浄等のプロセスを経て主面２０Ａの平坦性および清浄性が確保された基板２０が準備される
【００５５】
　……　
【００５６】
　
具体的には、図９を参照して、まず基板２０の主面２０Ａ上に接触するように、たとえばＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体（Ｖ族元素がＳｂであるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体）であるｐ−ＧａＳｂからなるバッファ層３０が有機金属気相成長により形成される
【００５７】
　ここで、バッファ層３０を形成する工程では、１×１０１８ｃｍ−３以上１×１０２１ｃｍ−３以下のＡｓを含有する砒素含有領域３１を含むように、バッファ層３０が形成される。具体的には、バッファ層３０の形成に際し、所望の濃度分布（たとえば図２〜図５参照）となるようにＡｓが導入される。
Ａｓの導入は、たとえばＴＢＡｓ（ターシャリーブチルアルシン）、ＴＭＡｓ（トリメチル砒素）などを原料ガスに添加することにより実施することができる
　
　上記記載からして、
　上記訂正事項２３ないし訂正事項２６は、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内でするものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないことから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。　
　　
（１２）小括  
　以上のとおりであるから、本件訂正請求は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号、第３号及び第４号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。　  
 　　 　  
４　訂正の適否のまとめ  
　本件訂正請求は適法であることから、訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項［１−１３］について訂正することを認める。  　　　  
    　
第３　本件発明  
　本件訂正は、上記「第２　訂正の適否」で検討したように認められるものであるから、本件訂正により訂正された請求項１ないし１３に係る発明（以下、「本件訂正発明１」ないし「本件訂正発明１３」という。）は、訂正特許請求の範囲に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。  
　
　「【請求項１】
　
ＧａＳｂからなるベース層
　前記ベース層上に接触して配置され、
ＧａＳｂからなる半導体層
　前記半導体層は、１×１０１８ｃｍ−３以上１×１０２０ｃｍ−３以下のＡｓを含有し、前記ベース層に接触するように配置される砒素含有領域を含んでおり、
　前記砒素含有領域以外の前記半導体層内の領域は、
Ａｓの濃度が１×１０
１８
ｃｍ
−３
未満である砒素フリー領域
【請求項２】
　
ＧａＳｂからなるベース層
　前記ベース層上に接触して配置され、
ＧａＳｂからなる半導体層
　前記半導体層は、１×１０１８ｃｍ−３以上１×１０２１ｃｍ−３以下のＡｓを含有し、前記ベース層に接触するように配置される砒素含有領域を含んでおり、
　前記砒素含有領域内においてＡｓは前記ベース層から離れるにしたがって低濃度となるように分布しており、
　前記砒素含有領域以外の前記半導体層内の領域は、
Ａｓの濃度が１×１０
１８
ｃｍ
−３
未満である砒素フリー領域
【請求項３】
　前記砒素含有領域の厚みは５０ｎｍ以上である、請求項１または請求項２に記載の半導体積層体。
【請求項４】
　（削除）
【請求項５】
　前記砒素含有領域の厚みは８００ｎｍ以下である、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の半導体積層体。
【請求項６】
　（削除）
【請求項７】
　前記ベース層の、前記半導体層との界面を含む領域には、酸化被膜が形成されている、請求項１〜請求項３および請求項５のいずれか１項に記載の半導体積層体。
【請求項８】
　（削除）
【請求項９】
　前記半導体層上に配置された量子井戸構造をさらに備える、請求項１〜請求項３、請求項５および請求項７のいずれか１項に記載の半導体積層体。
【請求項１０】
　請求項１〜請求項３、請求項５、請求項７および請求項９のいずれか１項に記載の半導体積層体と、
　前記半導体積層体上に形成された電極と、を備える、半導体装置。
【請求項１１】
　
ＧａＳｂからなるベース層
　前記ベース層上に、
ＧａＳｂからなる半導体層
　前記半導体層を形成する工程では、１×１０１８ｃｍ−３以上１×１０２０ｃｍ−３以下のＡｓを含有し、前記ベース層に接触するように配置される砒素含有領域を含み、前記砒素含有領域以外の前記半導体層内の領域は、
Ａｓの濃度が１×１０
１８
ｃｍ
−３
未満である砒素フリー領域
【請求項１２】
　
ＧａＳｂからなるベース層
　前記ベース層上に、
ＧａＳｂからなる半導体層
　前記半導体層を形成する工程では、１×１０１８ｃｍ−３以上１×１０２１ｃｍ−３以下のＡｓを含有し、前記ベース層に接触するように配置される砒素含有領域を含み、前記砒素含有領域内においてＡｓは前記ベース層から離れるにしたがって低濃度となるように分布し、前記砒素含有領域以外の前記半導体層内の領域は、
Ａｓの濃度が１×１０
１８
ｃｍ
−３
未満である砒素フリー領域
【請求項１３】
　請求項１１または請求項１２に記載の半導体積層体の製造方法により製造された半導体積層体を準備する工程と、
　前記半導体積層体上に電極を形成する工程と、を備える、半導体装置の製造方法。」
   　
第４　平成３０年８月１５日付け取消理由通知の取消理由について　  
１　取消理由の概要  
　当審において、訂正前の請求項１ないし１３に係る発明（以下「本件発明１」ないし「本件発明１３」という。）の特許に対して通知した取消理由の概要は、次のとおりである。  
 　  
　・甲第１号証を主引用例とする【理由１】及び【理由２】 
　・甲第６号証を主引用例とする【理由３】及び【理由４】 
　・甲第７号証を主引用例とする【理由５】及び【理由６】 
　・甲第９号証を主引用例とする【理由７】及び【理由８】 
　・記載不備【理由９】　　 
　
　「証拠方法 
（１）甲第１号証：：Ｙｕｘｉｎ　Ｓｏｎｇ．，Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　ｂｅａｍ　ｅｐｉｔａｘｙ　ｇｒｏｗｔｈ　ｏｆ　ＩｎＳｂ１−ｘＢｉｘ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ，Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｇｒｏｗｔｈ，２０１３年１月４日，３７８（２０１３），ｐ３２３−３２８ 　 
（２）甲第２号証：赤井治男、該２名（フォトニクスシリーズ６）、ＩＩＩ−Ｖ族半導体混晶、初版第２刷、株式会社コロナ、１９９３年７月３０日、ｐ１２、ｐ３９ 
（３）甲第３号証：奥野和彦、「ＳＩＭＳによる素材中の不純物分析」、１９９４年、まてりあ第３３巻第４号、ｐ３６２−３６７ 
（４）甲第４号証：特開２０１３−２２２９２２号公報 
（５）甲第５号証：特開２０１３−２５１３４１号公報 
（６）甲第６号証：Ｊ．Ｙ．Ｔ　Ｈｕａｎｇ　ｅｔ　ａｌ．，ＭＯＶＰＥ　ｇｒｏｗｔｈ　ｏｆ　Ｇａ（Ａｓ）ＳｂＮ　ｏｎ　ＧａＳｂ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ，２００８年８月２０日，３１０（２００８），ｐ４８３９−４８４２ 
（７）甲第７号証：Ｐｈｉｌｉｐ　Ｅ．Ｔｈｏｍｐｓｏｎ　ｅｔ　ａｌ．，Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ　ｐ−　ａｎｄ　ｎ−ｔｙｐｅ　ｄｏｐｉｎｇ　ｏｆ　ｈｏｍｏ−　ａｎｄ　ｈｅｔｅｒｏｅｐｉｔａｘｉａｌｌｙ　ｇｒｏｗｎ　ＩｎＳｂ，Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ，１９９３年１２月１日、７４（１１）、ｐ６６８６−６６９０　 
（８）甲第８号証：Ａｇａｔａ　Ｊａｓｉｋ　ｅｔ　ａｌ．，Ｃｈａｐｔｅｒ９，”ＭＢＥ　Ｇｒｏｗｔｈ　ｏｆ　Ｔｙｐｅ−ＩＩ　ＩｎＡｓ／ＧａＳｂ　Ｓｕｐｅｒｌａｔｔｉｃｅｓ　ｏｎ　ＧａＳｂ　Ｂｕｆｆｅｒ”，Ｃｒｙｓｔａ　Ｇｒｏｗｔｈ：Ｔｅｏｒｙ，Ｍｅｃｈａｎｉｓｍｓ　ａｎｄ　Ｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙ，２０１２年３月，Ｎｏｖａ　Ｓｃｉｅｎｃｅ　Ｐｕｂｌｉｓｈｅｒｓ，Ｉｎｃ．，ｐ２９３−３２７　　 
（９）甲第９号証：特開２０１２−２０９３５７号公報 
  
　なお、 
　甲第２号証及び甲第３号証は当業者の技術常識であることを示す文献であり、甲第４号証及び甲第５号証は周知の技術事項であることを示す文献であり、甲第８号証は当業者によく知られていることを示す文献である。 
 　 　　　　　　　　　　 　  
（１）甲第１号証を主引用例とする【理由１】及び【理由２】 
　【理由１】（新規性） 
　本件の請求項１、２、６、８、１１、１２に係る発明（以下「本件発明１」、「本件発明２」等という。）は、その出願前に日本国内または外国において頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった
甲第１号証
 　　 
　【理由２】（進歩性） 
　本件発明１、２、６ないし１３は、その出願前に日本国内または外国において頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった
甲第１号証、甲第４号証及び甲第５号証
 　 
（２）甲第６号証を主引用例とする【理由３】及び【理由４】
　【理由３】（新規性） 
　本件発明１、２、４−８、１１、１２は、その出願前に日本国内または外国において頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった
甲第６号証
 　　 
　【理由４】（進歩性） 
　本件発明１ないし本件発明１３は、その出願前に日本国内または外国において頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった
甲第６号証、甲第４号証及び甲第５号証
 　　　 
（３）甲第７号証を主引用例とする【理由５】及び【理由６】
　【理由５】（新規性） 
　本件発明１−６、８、１１、１２は、その出願前に日本国内または外国において頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった
甲第７号証
 　　 
　【理由６】（進歩性） 
　本件発明１ないし本件発明１３は、その出願前に日本国内または外国において頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった
甲第７号証、甲第４号証及び甲第５号証
 　　　 
（４）甲第９号証を主引用例とする【理由７】及び【理由８】
　【理由７】（新規性） 
　本件発明１−３、６、９−１３は、その出願前に日本国内または外国において頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった
甲第９号証
 　　 
　【理由８】（進歩性） 
　本件発明１−３、６、７、９−１３は、その出願前に日本国内または外国において頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった
甲第９号証
 　　　 
（５）記載不備 
　【理由９】
　本件発明１ないし本件発明１３に係る特許は、特許請求の範囲の記載が不備のため、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。」　
　　　　　　　  
２　引用発明　
（１）上記【理由１】ないし【理由８】において、主引用例として引用されている甲第１、６、７及び９号証に記載された発明  
     　
　ア　甲第１号証には、以下の記載がある。
（ア）「
」（第１頁上段）
（日本語訳
　要約
　（１００）ＧａＡｓ基板上における、分子線エピタキシー成長によるＩｎＳｂ１−ｘＢｉｘの薄膜について報告する。２％のＢｉの取り込みに成功し、取り込まれたＢｉ原子の７０％までが置換位置にある。Ｂｉの取り込み及び表面形態に対する成長パラメータの影響を研究する。Ｂｉの取り込みによって誘起されるＩｎとＧａとの強力な相互拡散が観察され議論される。）
  　
（イ）「
」（第５頁中段）
（ウ）上記記載からして、甲第１号証には、次の発明が記載されているものと認められる。
　「
ＧａＡｓ基板
　前記ＧａＳｂ層には、Ａｓ濃度遷移領域が形成されている、半導体積層体。」（以下「甲１ａ発明」という。）
　
　「
ＧａＡｓ基板
　前記ＧａＳｂ層を形成する工程において、Ａｓ濃度遷移領域が形成される、半導体積層体の製造方法。」（以下「甲１ｂ発明」という。）　　
　　
　イ　甲第６号証には、以下の記載がある。
（ア）「
」（第１頁上段）
（日本語訳
　中間赤外波長放出のための潜在的材料として、有機金属気相成長法によって、ＧａＳｂ基板上にＧａＳｂ１−ｘＮｙ及びＧａＡｓ１−ｙ−ｚＳｂｙＮｚを成長させた。ＧａＳｂＮとの比較により、ＧａＡｓＳｂＮ中のＡｓの存在とともに、窒素の取り込みが増大することが見出された。低温フォトルミネッセンス測定により、窒素と砒素の共添加がＧａＳｂのエネルギーバンドギャップに比べてエネルギーバンドギャップを減少させることを示した。砒素含有量約１０％、窒素含有量約０．０８％のＧａＡｓＳｂＮから、ＬＴ（１６Ｋ）ＰＬ発光が２．２５μｍ付近に観測された。）
　　
（イ）「
」（第２頁右欄）
　　
（ウ）上記記載からして、甲第６号証には、次の発明が記載されているものと認められる。
　「ＧａＳｂ基板と、前記ＧａＳｂ基板上にＧａＳｂ層と、前記ＧａＳｂ層上にＧａＡｓＳｂＮ層とを備え、
　前記ＧａＳｂ層には、
全域にわたってＡｓの濃度が約２×１０
１９
ｃｍ
−３
〜約４×１０
２０
ｃｍ
−３
の範囲内で変動する
　前記Ａｓ濃度遷移領域は、前記ＧａＳｂ基板側から、Ａｓ濃度が低減するＡｓ濃度低減領域と、Ａｓ濃度が増大するするＡｓ濃度増大領域とを含む、半導体積層体。」（以下「甲６ａ発明」という。）
            
　「ＧａＳｂ基板を準備する工程と、前記ＧａＳｂ基板上にＧａＳｂ層を形成する工程と、前記ＧａＳｂ層上にＧａＡｓＳｂＮ層を形成する工程とを備え、
　前記ＧａＳｂ層を形成する工程では、
全域にわたってＡｓの濃度が２×１０
１９
ｃｍ
−３
〜約４×１０
２０
ｃｍ
−３
の範囲内で変動する
　前記Ａｓ濃度遷移領域は、前記ＧａＳｂ基板側から、Ａｓ濃度が低減するＡｓ濃度低減領域と、Ａｓ濃度が増大するするＡｓ濃度増大領域とを含む、半導体積層体の製造方法。」（以下「甲６ｂ発明」という。）
  　
　ウ　甲第７号証には、以下の記載がある。
（ア）「
」（第３頁）
（日本語訳　
　Ｂ．ＭＢＥ成長中のＩｎＳｂのＳｉドーピング
　４２０℃及び３６０℃の基板温度で正中させた
ｎ型ＩｎＳｂ上の、２つの１００ｎｍのアンドープＩｎＳｂ層の間に埋め込まれた５０ｎｍのＳｉドープＩｎＳｂ層のプロファイルをＳＩＭＳで測定した
　　
（イ）「
」（第３頁）
（日本語訳
　３６０℃で基板温度で成長させたＩｎＳｂの表面から１００ｎｍ下の５０ｎｍＳｉドープ層におけるＳｉ原子及びＡｓ原子のプロファイル）
　
（ウ）上記記載からして、甲第７号証には、次の発明が記載されているものと認められる。
　「ｎ型ＩｎＳｂ上に、アンドープＩｎＳｂ層と、ＳｉドープＩｎＳｂ層と、アンドープＩｎＳｂ層とを備え、
　前記アンドープＩｎＳｂ層、前記ＳｉドープＩｎＳｂ層及び前記アンドープＩｎＳｂ層には、その全域にわたって、意図しないバックグラウント・ドーピングにより砒素含有領域が形成されており、そのＡｓ濃度は４×１０１９／ｃｍ３程度である、半導体積層体。」（以下「甲７ａ発明」という。）
　
　「ｎ型ＩｎＳｂ上に、アンドープＩｎＳｂ層と、ＳｉドープＩｎＳｂ層と、アンドープＩｎＳｂ層を形成する工程を備え、
　前記アンドープＩｎＳｂ層、前記ＳｉドープＩｎＳｂ層及び前記アンドープＩｎＳｂ層を形成する工程において、意図しないバックグラウント・ドーピングにより砒素含有領域がその全域にわたって形成されており、そのＡｓ濃度は４×１０１９／ｃｍ３程度である、半導体積層体の製造方法。」（以下「甲７ｂ発明」という。）
　 　  
　エ　甲第９号証には、以下の記載がある。
（ア）「【００７８】
（実施例４）
　第４の実施例について説明する。
【００７９】
　ＭＢＥ法により、半絶縁性のＧａＡｓ単結晶基板上に、ｎ型コンタクト層としてＳｎを７×１０１８／ｃｍ３ドーピングしたＩｎＳｂ層を１．０μｍ成長し、この上に光吸収層としてＺｎを２×１０１６／ｃｍ３ドーピングしたＩｎＳｂ層０．００３μｍとＺｎを２×１０１６／ｃｍ３ドーピングしたＩｎＡｓ層０．００１μｍとの積層体を５００回繰り返して形成した超格子構造体２μｍを成長し、この上にｐ型バリア層としてＺｎを１×１０１９／ｃｍ３ドーピングしたＡｌ０．２Ｉｎ０．８Ｓｂ層０．０２μｍを成長し、この上にｐ型コンタクト層としてＺｎを１×１０１９／ｃｍ３ドーピングしたＩｎＳｂ層０．５μｍを成長した。」
（イ）上記記載からして、甲第９号証には、次の発明が記載されているものと認められる。
　「ＧａＡｓ単結晶基板上にＩｎＳｂ層を備え、
　前記ＩｎＳｂ層上に、ＩｎＳｂ層とＩｎＡｓ層との積層体を５００回繰り返して形成した超格子構造体を有する、半導体積層体。」（以下「甲９ａ発明」という。
　「ＧａＡｓ単結晶基板上にＩｎＳｂ層を形成する工程と、
　前記ＩｎＳｂ層上に、ＩｎＳｂ層とＩｎＡｓ層との積層体を５００回繰り返して形成した超格子構造体を形成する工程を有する、半導体積層体の製造方法。」（以下「甲９ｂ発明」という。
　　　
３　当審の判断  
（１）まず、以下の理由について、まとめて検討する。
　甲第１号証を主引用例とする【理由１】及び【理由２】
　甲第７号証を主引用例とする【理由５】及び【理由６】
　甲第９号証を主引用例とする【理由７】及び【理由８】
　
　ア　本件訂正により、訂正前の「ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるベース層」は「ＧａＳｂからなるベース層」に、同様に「ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる半導体層」は「ＧａＳｂからなる半導体層」に訂正された。
　つまり、本件訂正発明１ないし３、５、７、９ないし１３は、「ＧａＳｂからなるベース層（を準備する工程）」と「ＧａＳｂからなる半導体層（を形成する工程）」を発明特定事項として備えるものである。
  　
　イ　しかしながら、甲第１号証、甲第７号証及び甲第９号証には、「ＧａＳｂからなるベース層」の上に「ＧａＳｂからなる半導体層」を備えた半導体積層体及びその製造方法については記載も示唆もされていない。
　また、他の各甲号証の記載をみても、甲第１号証、甲第７号証及び甲第９号証に記載された発明において、「ＧａＳｂからなるベース層」を採用する動機が生じるものではない。
　　
　ウ　そうすると、本件訂正発明１ないし３、５、７、９ないし１３は、甲第１号証、甲第７号証及び甲第９号証に記載された発明であるとはいえない。
　また、本件訂正発明１ないし３、５、７、９ないし１３は、当業者が甲第１号証、甲第７号証及び甲第９号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　
　エ　よって、本件訂正発明１ないし３、５、７、９ないし１３に係る特許は、【理由１】及び【理由２】、【理由５】及び【理由６】、【理由７】及び【理由８】によっては取り消すことができない。
　
（２）次に、以下の理由について検討する。
　甲第６号証を主引用例とする【理由３】及び【理由４】
　ア　本件訂正発明１及び本件訂正発明２について（物の発明）
（ア)対比
　本件訂正発明１（及び本件訂正発明２）と甲第６ａ発明とを対比すると、少なくとも、以下の点で相違する。
　＜相違点１＞
　砒素含有領域以外の半導体層内の領域に関して、
　本件訂正発明１（及び本件訂正発明２）は、「Ａｓの濃度が１×１０１８ｃｍ−３未満である砒素フリー領域」であるのに対して、
　甲第６ａ発明は、「（半導体層内の）全域にわたってＡｓの濃度が約２×１０１９ｃｍ−３〜約４×１０２０ｃｍ−３の範囲内で変動するＡｓ濃度遷移領域」であり、「（半導体層内に）Ａｓの濃度が１×１０１８ｃｍ−３未満である砒素フリー領域」が存在しない点。
　　
（イ）判断
　本件訂正発明１及び本件訂正発明２は、甲６ａ発明であるとはいえない。
　また、他の各甲号証の記載をみても、甲６ａ発明の「ＧａＳｂ層（半導体層）」内に「Ａｓの濃度が１×１０１８ｃｍ−３未満である砒素フリー領域」を形成する動機がない。
　よって、本件訂正発明１及び本件訂正発明２に係る特許は、【理由３】及び【理由４】によっては取り消すことができない。
　
　イ　本件訂正発明３、５、７、９、１０について
　本件訂正発明３、５、７、９、１０は、本件訂正発明１又は本件訂正発明２の発明特定事項をすべて備えるものである。
　そうすると、本件訂正発明３、５、７、９、１０に係る特許は、同様の理由により、【理由３】及び【理由４】によっては取り消すことができない。
　
　ウ　本件訂正発明１１及び本件訂正発明１２について（方法の発明）
（ア)対比　
　本件訂正発明１１（及び本件訂正発明１２）と甲第６ｂ発明とを対比すると、少なくとも、以下の点で相違する。
　＜相違点２＞
　半導体層を形成する工程に関して、　
　本件訂正発明１１（及び本件訂正発明１２）は、「『砒素含有領域以外の半導体層内の領域は、Ａｓの濃度が１×１０１８ｃｍ−３未満である砒素フリー領域となるように』『半導体層が形成される』」のに対して、
　甲第６ａ発明は、「（半導体層の）全域にわたってＡｓの濃度が約２×１０１９ｃｍ−３〜約４×１０２０ｃｍ−３の範囲内で変動するＡｓ濃度遷移領域が形成され」ている点。
　　　　
（イ）判断
　本件訂正発明１１及び本件訂正発明１２は、甲６ａ発明であるとはいえない。
　また、他の各甲号証の記載をみても、甲６ｂ発明の「ＧａＳｂ層」にＡｓの濃度が１×１０１８ｃｍ−３未満である砒素フリー領域を形成する動機がない。
　よって、本件訂正発明１１及び本件訂正発明１２に係る特許は、【理由３】及び【理由４】によっては取り消すことができない。
　　　
　エ　本件訂正発明１３について
　本件訂正発明１３は、本件訂正発明１１又は本件訂正発明１２の発明特定事項をすべて備えるものである。
　そうすると、本件訂正発明１３に係る特許は、【理由３】及び【理由４】によっては取り消すことができない。
　
（３）最後に、記載不備として指摘した【理由９】について検討する。
　ア　取消理由通知で指摘した記載不備の概要は、おおよそ、以下のとおりのものである。
　
　「良好な表面形状の得られるのは、『ＧａＳｂからなるベース層』の上に『ＧａＳｂからなる半導体層（バッファ層）』を形成する際に、該半導体層（バッファ層）の全域に『砒素含有領域３１』を形成した場合であって、半導体層の一部に『砒素含有領域３１』を形成した場合については確認されていない。 
　そうすると、本件特許明細書の記載に接した当業者は、良好な表面形状を得るためには、『ＧａＳｂからなるベース層』上に『ＧａＳｂからなる半導体層（バッファ層）』を形成するとともに、該半導体層の全域に砒素含有領域を形成する必要があると認識することから、ベース層及び半導体層が『ＧａＳｂ』に特定されていない（訂正前の）本件発明１ないし１３は、発明の詳細な説明に記載された発明であるとはいえない。」　
　
　イ　判断
（ア）本件訂正により、本件訂正発明１ないし３、５、７、９ないし１３は、本件特許明細書の実施例として記載された「『ＧａＳｂからなるベース層』と、『ＧａＳｂからなる半導体層と、を備え』、『ベース層に接触するように配置される砒素含有領域を含』む『半導体積層体』」及びその製造方法に特定された。
　
（イ）そして、バッファ層を成長させる際に、初期段階において良好な表面形状を確保できれば、その後の成長においても、良好な表面形状の得られることは当業者が予測し得ることである。
　つまり、「ＧａＳｂからなる半導体層（バッファ層）」を形成する際に、初期段階に砒素含有領域を形成すれば、全域に砒素含有領域を形成しなくとも、良好な表面形状の得られることは当業者が予測し得ることである。
　　
（ウ）そうすると、訂正後の本件訂正発明１ないし３、５、７、９ないし１３は、本件の課題を解決することができると認識できる範囲内のものである認められる。　　
　
（エ）よって、本件訂正発明１ないし３、５、７、９ないし１３に係る特許は、【理由９】によっては取り消すことができない。
     　
（４）当審の判断のまとめ
　本件訂正発明１ないし３、５、７、９ないし１３に係る特許は、【理由１】ないし【理由９】によっては取り消すことができない。
　また、他に本件訂正発明１ないし３、５、７、９ないし１３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
  　
第５　むすび　  
　以上のとおり、本件訂正発明１ないし３、５、７、９ないし１３に係る特許は、取消理由通知で指摘した【理由１】ないし【理由９】、つまり、特許異議申立書に記載された理由によっては取り消すことができない。
　また、請求項４、６及び８に係る特許は、上記のとおり、本件訂正により削除され、申立ての対象が存在しないものとなったため、請求項４、６及び８に対する申立ては、特許法第１２０条の８第１項で準用する同法第１３５条の規定により却下する。
　よって、結論のとおり決定する。　　
【異議決定日】
平成３１年１月３０日（２０１９．１．３０）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　
ＧａＳｂ
　前記ベース層上に接触して配置され、
ＧａＳｂ
　前記半導体層は、１×１０１８ｃｍ−３以上１×１０２０ｃｍ−３以下のＡｓを含有
し、前記ベース層に接触するように配置され
おり、
　
前記砒素含有領域以外の前記半導体層内の領域は、Ａｓの濃度が１×１０１８ｃｍ−３未満である砒素フリー領域である
　【請求項２】
　
ＧａＳｂ
　前記ベース層上に接触して配置され、
ＧａＳｂ
　前記半導体層は、１×１０１８ｃｍ−３以上１×１０２１ｃｍ−３以下のＡｓを含有
し、前記ベース層に接触するように配置され
　前記砒素含有領域内においてＡｓは前記ベース層から離れるにしたがって低濃度となるように分布して
おり、
　
前記砒素含有領域以外の前記半導体層内の領域は、Ａｓの濃度が１×１０１８ｃｍ−３未満である砒素フリー領域である
　【請求項３】
　前記砒素含有領域の厚みは５０ｎｍ以上である、請求項１または請求項２に記載の半導体積層体。
　【請求項４】（削除）
　【請求項５】
　前記砒素含有領域の厚みは８００ｎｍ以下である、請求項
１〜請求項３のいずれか１項
　【請求項６】（削除）
　【請求項７】
　前記ベース層の、前記半導体層との界面を含む領域には、酸化被膜が形成されている、請求項
１〜請求項３および請求項５のいずれか１項
　【請求項８】（削除）
　【請求項９】
　前記半導体層上に配置された量子井戸構造をさらに備える、請求項
１〜請求項３、請求項５および請求項７のいずれか１項
　【請求項１０】
　請求項１
〜請求項３、請求項５、請求項７および請求項９
　前記半導体積層体上に形成された電極と、を備える、半導体装置。
　【請求項１１】
　
ＧａＳｂ
　前記ベース層上に、
ＧａＳｂ
　前記半導体層を形成する工程では、１×１０１８ｃｍ−３以上１×１０２０ｃｍ−３以下のＡｓを含有
し、前記ベース層に接触するように配置され
み、前記砒素含有領域以外の前記半導体層内の領域は、Ａｓの濃度が１×１０１８ｃｍ−３未満である砒素フリー領域となる
ＧａおよびＳｂの原料ガスにターシャリーブチルアルシンおよびトリメチル砒素の少なくともいずれか一方が添加されて
　【請求項１２】
　
ＧａＳｂ
　前記ベース層上に、
ＧａＳｂ
　前記半導体層を形成する工程では、１×１０１８ｃｍ−３以上１×１０２１ｃｍ−３以下のＡｓを含有
し、前記ベース層に接触するように配置され
し、前記砒素含有領域以外の前記半導体層内の領域は、Ａｓの濃度が１×１０１８ｃｍ−３未満である砒素フリー領域となる
ＧａおよびＳｂの原料ガスにターシャリーブチルアルシンおよびトリメチル砒素の少なくともいずれか一方が添加されて
　【請求項１３】
　請求項１１または請求項１２に記載の半導体積層体の製造方法により製造された半導体積層体を準備する工程と、
　前記半導体積層体上に電極を形成する工程と、を備える、半導体装置の製造方法。