(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に内側絶縁層を積層する工程と、
前記内側絶縁層に穿孔して前記基体が露出したビアを形成する工程と、
前記ビア内に金属層を形成して前記露出した基体と内側絶縁層の上面とを電気的に接続するとともに、前記内側絶縁層上に内側配線層を形成する工程と、
前記内側絶縁層上に、外側絶縁層を載置する工程と、
前記外側絶縁層上に、円錐状の導体バンプ群が形成された導体板を載置する工程と、
前記内側絶縁層と前記導体板とをプレスして前記導体バンプ群を前記外側絶縁層に貫通させ、前記内側配線層と前記導体板とを電気的に接続する工程と、
前記導体板をパターニングして外側配線層を形成する工程と、
を具備するプリント配線基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のプリント配線基板の製造方法であって、前記ビアを形成する工程は、レーザー光線を照射することにより穿孔する工程であることを特徴とするプリント配線基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載のプリント配線基板の製造方法であって、前記内側絶縁層は、感光性樹脂からなる層であり、前記ビアを形成する工程は、前記内側絶縁層を露光し、しかる後に前記内側絶縁層を現像することによりビアを穿孔する工程であることを特徴とするプリント配線基板の製造方法。
【請求項４】
３層の絶縁層と、前記絶縁層間に形成された２層の配線層と、前記３層の絶縁層の両外側にそれぞれ形成された第１のコア配線層及び第２のコア配線層と、前記配線層及びコア配線層間を電気的に接続するスルホールメッキ層とを有するコア材を形成する工程と、
前記第１のコア配線層上に第１の内側絶縁層を積層するとともに前記第２のコア配線層上に第２の内側絶縁層を積層する工程と、
前記第１の内側絶縁層に穿孔して前記第１のコア配線層を露出させる第１のビアを形成するとともに前記第２の内側絶縁層に穿孔して前記第２のコア配線層を露出させる第２のビアを形成する工程と、
前記第１のビア内に金属層を形成して前記露出した第１のコア配線層と第１の内側絶縁層の上面とを電気的に接続するとともに、前記第２のビア内に金属層を形成して前記露出した第２のコア配線層と第２の内側絶縁層の上面とを電気的に接続し、それと同時に、前記第１の内側絶縁層上に第１の内側配線層を形成するとともに前記第２の内側絶縁層上に第２の内側配線層を形成する工程と、
前記第１の内側絶縁層上に第１の外側絶縁層を載置するとともに前記第２の内側絶縁層上に第２の外側絶縁層を載置する工程と、
前記第１の外側絶縁層上に、円錐状の第１の導体バンプ群が形成された第１の導体板を載置するとともに、前記第２の外側絶縁層上に、円錐状の第２の導体バンプ群が形成された第２の導体板を載置する工程と、
前記第１の導体板と前記第２の導体板とをプレスして、前記第１の導体バンプ群を前記第１の外側絶縁層に貫通させ、前記第１の内側配線層と前記第１の導体板とを電気的に接続するとともに、前記第２の導体バンプ群を前記第２の外側絶縁層に貫通させ、前記第２の内側配線層と前記第２の導体板とを電気的に接続する工程と、
前記第１の導体板をパターニングして第１の外側配線層を形成するとともに前記第２の導体板をパターニングして第２の外側配線層を形成する工程と、
を具備するプリント配線基板の製造方法。
【請求項５】
導体板上に円錐状の第１の導体バンプ群を形成する工程と、
放熱性金属板上に第１の絶縁層を載置する工程と、
前記第１の絶縁層上に前記導体板を、前記導体バンプ群が形成された面を向けて載置する工程と、
前記放熱性金属板と前記導体板とをプレスして前記第１の導体バンプ群を前記第１の絶縁層に貫通させ、前記導体板と前記放熱性金属板とを電気的又は熱的に接続する工程と、
前記導体板をパターニングして第１の配線層を形成する工程と、
前記第１の絶縁層上に第２の絶縁層を積層する工程と、
前記第２の絶縁層上に穿孔して前記第１の配線層を露出させるビアを形成する工程と、
前記ビア内に金属層を形成して前記露出した第１の配線層と前記第２の絶縁層の上面とを電気的に接続するとともに、前記第２の絶縁層上に第２の配線層を形成する工程と、
前記第２の絶縁層上に、第３の絶縁層を載置する工程と、
前記第３の絶縁層上に、円錐状の第２の導体バンプ群が形成された第２の導体板を、前記導体バンプ群が形成された面を向けて載置する工程と、
前記放熱性金属板と前記第２の導体板とをプレスして前記第２の導体バンプ群を前記第３の絶縁層に貫通させ、前記第２の配線層と前記第２の導体板とを電気的に接続する工程と、
前記第２の導体板をパターニングして第３の配線層を形成する工程と、
を具備する半導体パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プリント配線基板の製造方法に係り、更に詳細には、複数の配線層間の電気的な導通が形成された多層板の製造方法、そのような多層板上に半導体チップを実装した半導体パッケージの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、複数層積層された絶縁層間に複数の配線層が介挿された、いわゆる多層板では、絶縁層に「ビア」と呼ばれる貫通孔を穿孔し、このビアの内壁面上にメッキ層を形成するなどにより絶縁層で隔てられた複数の配線層間の層間接続する方法が採用されてきた。
【０００３】
図３１は従来の代表的な多層板２００の構造を示した垂直断面図である。図３１に示したように、この多層板２００では、最も外側の絶縁層２０１上にビア２０２を穿孔して絶縁層２０１の下側の配線層２０３を露出させ、このビア２０２の底面から内壁面を経て絶縁層２０１の外側にわたって金属層２０４を形成し、この金属層２０４を介して配線層２０３と絶縁層２０１の表面との間の電気的導通を形成している。
【０００４】
ところで、多層板に対して半導体チップや各種素子を実装するのは最も外側に形成された配線層であり、多層板の集積度を上げるためには、多層板２００の最外層の表面をできるだけ平滑にすることが必要となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、ビア２０２を穿孔してその内壁面に金属層２０４を形成する方法では、ビア２０２の孔のあとが金属層２０４形成後にも残るため、多層板２００の表面に凹凸ができる。また、金属層２０４が絶縁層２０１の表面に出っ張るため、多層板２００の表面は平滑ではないという問題がある。
【０００６】
更に、ビアを形成する絶縁層にガラス繊維を補強材として含ませると、ビア穿孔時の加工性が低下するため、ガラス繊維を使用できない。そのため、ビアを穿孔した絶縁層の機械的強度や熱に対する耐久性が十分得られないという問題がある。特に、多層板に半導体チップなどを実装する場合、金線で結線する際に機械的なストレスや熱的なストレスが作用するので、この用途に使用できないという問題がある。
【０００７】
そのため、層間接続するための別の方法として、ビアを穿孔する代わりに、銀ペーストなどの導電性組成物を印刷技術を用いて略円錐形の導体バンプ群を銅箔などの導体板上に形成し、この導体バンプ群の上に絶縁性基板のプリプレグを載置してローラープレスなどによりプレスし、導体バンプ群を絶縁性基板プリプレグの厚さ方向に圧入して貫通させ、これら導体バンプ群を介して層間接続する、いわゆる導体貫通型の多層板が提案されている。導体バンプは表面が平滑になり、機械的強度も高いという利点がある。
【０００８】
しかし、導体バンプ群は略円錐形であり、導体バンプの底面は比較的大きな面積を必要とするため、導体バンプを形成した導体板を最外層に配置すると最外層の表面が導体バンプを形成した底面で占められる。そのため、最外層の配線密度を向上させることが困難であるという問題がある。
【０００９】
本発明はこのような問題を解決するためになされた発明である。即ち、本発明は、最外層の表面が平滑で、配線密度を高くでき、しかも強度の高いプリント配線基板を製造する方法、及び半導体パッケージの製造方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るプリント配線板の製造方法は下記の要件を具備する。
【００１３】
即ち、本発明のプリント配線基板の製造方法は、基体上に内側絶縁層を積層する工程と、前記内側絶縁層に穿孔して前記基体が露出したビアを形成する工程と、前記ビア内に金属層を形成して前記露出した基体と内側絶縁層の上面とを電気的に接続するとともに、前記内側絶縁層上に内側配線層を形成する工程と、前記内側絶縁層上に、外側絶縁層を載置する工程と、前記外側絶縁層上に、円錐状の導体バンプ群が形成された導体板を載置する工程と、前記内側絶縁層と前記導体板とをプレスして前記導体バンプ群を前記外側絶縁層に貫通させ、前記内側配線層と前記導体板とを電気的に接続する工程と、前記導体板をパターニングして外側配線層を形成する工程と、を具備する。
【００１４】
上記プリント配線基板の製造方法において、前記ビアを形成する工程は、レーザー光線を照射することにより穿孔する工程であって良い。
【００１５】
また、上記プリント配線基板の製造方法において、前記内側絶縁層は、感光性樹脂からなる層であり、前記ビアを形成する工程は、前記内側絶縁層を露光し、しかる後に前記内側絶縁層を現像することによりビアを穿孔する工程であっても良い。
【００１６】
上記プリント配線基板及びその製造方法において「基体」とは、絶縁性基板上に配設された銅箔などの導体層、アルミニウムや銅、鉄などの放熱性金属層等をいう。
【００１８】
また、本発明の別の態様に係るプリント配線基板の製造方法は以下の要件を具備する。即ち、本発明の別の態様に係るプリント配線基板の製造方法は、３層の絶縁層と、前記絶縁層間に形成された２層の配線層と、前記３層の絶縁層の両外側にそれぞれ形成された第１のコア配線層及び第２のコア配線層と、前記配線層及びコア配線層間を電気的に接続するスルホールメッキ層とを有するコア材を形成する工程と、前記第１のコア配線層上に第１の内側絶縁層を積層するとともに前記第２のコア配線層上に第２の内側絶縁層を積層する工程と、前記第１の内側絶縁層に穿孔して前記第１のコア配線層を露出させる第１のビアを形成するとともに前記第２の内側絶縁層に穿孔して前記第２のコア配線層を露出させる第２のビアを形成する工程と、前記第１のビア内に金属層を形成して前記露出した第１のコア配線層と第１の内側絶縁層の上面とを電気的に接続するとともに、前記第２のビア内に金属層を形成して前記露出した第２のコア配線層と第２の内側絶縁層の上面とを電気的に接続し、それと同時に、前記第１の内側絶縁層上に第１の内側配線層を形成するとともに前記第２の内側絶縁層上に第２の内側配線層を形成する工程と、前記第１の内側絶縁層上に第１の外側絶縁層を載置するとともに前記第２の内側絶縁層上に第２の外側絶縁層を載置する工程と、前記第１の外側絶縁層上に、円錐状の第１の導体バンプ群が形成された第１の導体板を載置するとともに、前記第２の外側絶縁層上に、円錐状の第２の導体バンプ群が形成された第２の導体板を載置する工程と、前記第１の導体板と前記第２の導体板とをプレスして、前記第１の導体バンプ群を前記第１の外側絶縁層に貫通させ、前記第１の内側配線層と前記第１の導体板とを電気的に接続するとともに、前記第２の導体バンプ群を前記第２の外側絶縁層に貫通させ、前記第２の内側配線層と前記第２の導体板とを電気的に接続する工程と、前記第１の導体板をパターニングして第１の外側配線層を形成するとともに前記第２の導体板をパターニングして第２の外側配線層を形成する工程と、を具備する。
【００２１】
本発明に係る半導体パッケージの製造方法は下記の要件を具備する。
【００２２】
即ち、本発明の半導体パッケージの製造方法は、導体板上に円錐状の第１の導体バンプ群を形成する工程と、放熱性金属板上に第１の絶縁層を載置する工程と、前記第１の絶縁層上に前記導体板を、前記導体バンプ群が形成された面を向けて載置する工程と、前記放熱性金属板と前記導体板とをプレスして前記第１の導体バンプ群を前記第１の絶縁層に貫通させ、前記導体板と前記放熱性金属板とを電気的又は熱的に接続する工程と、前記導体板をパターニングして第１の配線層を形成する工程と、前記第１の絶縁層上に第２の絶縁層を積層する工程と、前記第２の絶縁層上に穿孔して前記第１の配線層を露出させるビアを形成する工程と、前記ビア内に金属層を形成して前記露出した第１の配線層と前記第２の絶縁層の上面とを電気的に接続するとともに、前記第２の絶縁層上に第２の配線層を形成する工程と、前記第２の絶縁層上に、第３の絶縁層を載置する工程と、前記第３の絶縁層上に、円錐状の第２の導体バンプ群が形成された第２の導体板を、前記導体バンプ群が形成された面を向けて載置する工程と、前記放熱性金属板と前記第２の導体板とをプレスして前記第２の導体バンプ群を前記第３の絶縁層に貫通させ、前記第２の配線層と前記第２の導体板とを電気的に接続する工程と、前記第２の導体板をパターニングして第３の配線層を形成する工程と、を具備する。
【００２３】
本発明では、ビアを穿孔する絶縁層を内側に配設する。そのため、最外層にビアに起因する凹凸がなくなり、凹部に薬品や空気が侵入することにより起る外層加工のエッチングや印刷工程での不良が未然に防止される。また、ビア上への部品実装時の不良が発生しなくなり、部品実装上、設計上有利になる。
【００２４】
更に最外層の金属層の厚さを薄くすることが可能になり、高精細配線層の形成が容易になる。
【００２５】
前記ビアは貫通孔の径を小さく形成することができるので、この絶縁層に高い集積度の配線層を形成することができる。
【００２６】
また、本発明では、導体バンプを圧入する絶縁層を外側に配設する。この導体バンプはガラス繊維などの補強材を含む絶縁層に圧入することができるので、ガラス繊維を含ませることにより機械的強度や熱に対する強度の高い絶縁層を形成することができる。
【００２７】
したがって、上記のようなビアを形成した絶縁層を内側に配設するとともに、導体バンプを圧入した絶縁層を外側に配設することにより、高い集積度と、高い強度とを兼ね備えたプリント配線基板を提供することができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
（第１の実施の形態）以下、本発明の実施形態に係るプリント配線基板の製造方法について説明する。図１は本実施形態に係るプリント配線基板の製造方法のフローを示したフローチャートであり、図２〜図１７は同プリント配線基板の製造方法の各工程を模式的に示した垂直断面図である。
【００２９】
図２に示したように、まずコア材の中心の絶縁層を形成する絶縁性基板のプリプレグ（以下、絶縁性基板のプリプレグを単に「プリプレグ」という。）１の両面に銅箔などの金属板２，３を載置し（ステップ１）、加熱下にプレスしてプリプレグ１を硬化させ（ステップ２）、両面に銅箔２，３が積層された図３に示すような、いわゆる二層板４を形成する。次にこの二層板４の金属板２，３にエッチングなどを施してパターニングし（ステップ３）、図４に示したようにそれぞれ配線層２ａ，３ａを形成してパターン形成した二層板４ａを得る。
【００３０】
次に図５に示すようにこの二層板４ａの上側にプリプレグ５と更にその上に銅箔などの金属板６を載置し、同様に二層板４ａの下側にプリプレグ７と更にその下に銅箔などの金属板８を載置する（ステップ４）。
【００３１】
この状態で前記と同様に加熱下にプレスすると（ステップ５）図６に示したような金属層２ａ，３ａ，６，８の四層を備えたコア材９が形成される。
【００３２】
次にこのコア材９の両外側の金属板６，８にエッチング処理などを施してパターニングし（ステップ６）配線パターン６ａ，８ａを形成することにより、図７に示したようなパターン形成された四層のコア材９ａが得られる。
【００３３】
次にこのコア材９ａの層間接続のためのスルホールを形成するため、図８に示したようにコア材９ａの厚さ方向に貫通孔（スルホール）１０を、例えばドリルやレーザー光線照射などの既知の方法により穿孔してスルホールを備えたコア材９ｂを得る（ステップ７）。
【００３４】
このコア材９ｂのスルホール１０に対して例えば無電解メッキなどの既知の方法により金属層１１を形成するスルホールメッキを行ない（ステップ８）、図９に示したようなスルホールメッキが施されたコア材９ｃを得る。
【００３５】
次に、図１０に示すようにコア材９ｃの上下各面にそれぞれ、第１の内側絶縁層としてのプリプレグ１２と第２の内側絶縁層としての１３とを載置し（ステップ９）、上記と同様に加熱下にプレスする（ステップ１０）ことにより、図１１に示したような積層体１４が形成される。
【００３６】
この積層体１４の両外側の絶縁層１２，１３の所定位置に、例えばレーザー光線照射により穴あけを行ない（ステップ１１）、図１２に示したようなビア１５，１５，…及びビア１６，１６，…が形成された積層体１４ａが得られる。
【００３７】
この積層対１４ａの両外側の絶縁層１２，１３及びビア１５，１５，…及びビア１６，１６，…の内壁に、例えば無電解メッキなどの既知の方法により金属層を形成すると（ステップ１２）、図１３に示したような層間接続する第１の金属層としての導電性ビア１７，１７，…、第２の金属層としての１９，１９，…、第１の内側配線層としての配線層１８、第２の内側配線層としての配線層２０がそれぞれ形成された積層体１４ｂが形成される。
【００３８】
次に、積層体１４ｂとは別個に銅箔などの金属板２１を用意し、この金属板２１の一方の面に所定の配線パターンに沿って、第１の導体バンプ群としての略円錐形の導体バンプ（群）２２，２２，…を、例えば銀ペーストなどの導電性組成物と印刷技術を用いて形成し（ステップ）、図１４のようなバンプ付金属板２１ａを得る（ステップ１３）。
【００３９】
全く同様にして金属板２３上に第２の導体バンプ群としての導体バンプ（群）２４，２４，…が形成されたバンプ付金属板２３ａを形成する。
【００４０】
これらのバンプ付金属板２１ａ，２３ａとを図１５に示すように、第１の外側絶縁層としてのプリプレグ２５と、第２の外側絶縁層としてのプリプレグ２６をそれぞれ間に挟んで前述した積層体１４ｂと対向した位置に載置し（ステップ１４）、前記と同様にして加熱下にプレスして（ステップ１５）導体バンプ（群）２２，２２，…をプリプレグ２５に貫通させると、図１６に示したように、導体バンプ群２２，２２，…の先端側を配線層１８や導電性ビア１７，１７，…と接触させることにより導体板２１と配線層１８，導電性ビア１７，１７，…の間の層間接続が形成される。
【００４１】
同様に、導体バンプ群２４，２４，…の先端側を配線層２０や導電性ビア１９，１９，…と接触させることにより導体板２３と配線層２０，導電性ビア１９，１９，…の間の層間接続が形成された積層体２７が得られる。
【００４２】
この積層体２７の最外層を形成する金属板２１，２３についてエッチングなどを施すことによりパターニングを行なって第１の外側配線層としての配線層２１ｂ、及び第２の外側配線層としての配線層２３ｂをそれぞれ形成すると（ステップ１６）、図１７に示したような多層板２７ａが得られる。
【００４３】
本実施形態に係るプリント配線基板では、ビア１７，１８を形成した絶縁層１２，１３を最外側の絶縁層２５，２６よりも内側に配設したので、ビア１５，１６形成時の穴や導電性ビア１７，１８を形成する金属層による凹凸が最外層として表面に現れない。また、ビア１７，１８形成時にできた穴は外側の絶縁層２５，２６を積層する際に流れ込む樹脂で充填されるので、穴を充填する工程が不要である。更に、ビア１７，１８は微細な径、例えば数１０〜１００μｍ程度の微細な穴であり、このような小さなビアにより層間接続できるので、この層の配線密度を上げることができる。そのため、この絶縁層上に微細な配線層を形成することにより、集積度を向上することができる。
【００４４】
また、本実施形態に係るプリント配線基板では、導体バンプ群２２，２２，…や導体バンプ群２４，２４，…を形成した絶縁層２５，２６を最外側に配設したので、多層板２７ａの両外側を平滑な表面にすることができる。そのため、絶縁層２５，２６上の配線層２１ａ，２３ａの配線密度を向上することかでき、集積度を向上することができる。
【００４５】
更に、これらの絶縁層２５，２６には、ガラス繊維を補強材として含む絶縁層を用いることができるので、機械的にも熱的にも優れた強度を備えた絶縁層を最外層として形成することができる。その結果、多層板２７ａとして機械的にも熱的にも優れた強度を備えた多層板２７ａを形成することができる。
【００４６】
なお、本発明は上記実施形態の内容に限定されるものではない。
【００４７】
例えば、上記実施形態では、絶縁層１２，１３にビア１５，１６を形成する方法としてレーザー光線を照射して穿孔する方法を使用したが、感光性樹脂を露光後現像することによりビアを形成することも可能である。即ち、絶縁層１２，２３の材料として感光性樹脂を使用し、部分的に紫外線などを照射して硬化させ、未硬化部分を現像して除去することによりビア１５，１６を形成する方法も使用可能である。
【００４８】
また、本実施形態において、導体バンプを貫通させるのに使用する絶縁性基板としては、ガラスクロスやマット、有機合成繊維布やマット、或いは紙などの補強材で強化された合成樹脂系シートが挙げられる。その厚さは２０〜４００μｍ程度が好ましい。ここで、合成樹脂としては、例えばポリカーボネート樹脂、ポリスルホン樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、ポリ４フッ化エチレン６フッ化プロピレン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂などの熱可塑性樹脂、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂、メラミン樹脂などの熱硬化性樹脂、あるいはブタジエンゴム、ブチルゴム、天然ゴム、ネオプレンゴム、シリコーンゴムなどのゴム類が挙げられる。
【００４９】
そして、前記略円錐形の導体バンプの形成は、導電性組成物で形成する場合、例えば比較的厚いメタルマスクを用いた印刷法で、アスペクト比の高い略円錐形の導体バンプ群を形成できる。また、前記略円錐形の導体バンプ群の高さは、一般的に、２０〜５００μｍ程度が可能である。
【００５０】
本発明において、略円錐形の導体バンプ群を導電性金属で形成する手段としては、例えば、銅箔などの支持基体面の所定位置に、金もしくは銅のボールを押し付け、しかる後に引き離すことにより先端が尖った略円錐形の導体（素子）群を形成できる。また予め、略円錐形の導体の形に対応する凹部を形成したプレートに溶融金属を注入し、略円錐形の導体バンプ群を形成することも可能である。更に他の手段として、支持フィルム面上に感光性レジストを厚めに塗布し、支持フィルム側から露光することにより先端が尖った台形の凹部を持った窪み群を形成した後、前記支持フィルムを除去し、この支持フィルム除去面に金属膜を張り、銅、金、銀、半田などをメッキして所定位置に微小な略円錐形の導体バンプ群を形成してもよい。
【００５１】
また、本発明において、前記略円錐形の導体バンプ群を支持する基体としては、離形性のあるフィルムあるいは金属箔などが挙げられ、この支持基体は１枚のシートであってもよく、パターン化されたものでもよく、その形状は特に限定されない。
【００５２】
更に本発明において、前記略円錐形の導体バンプを合成樹脂系シートに貫通させる手段として、例えば、略円錐形の導体バンプ群を形成した支持基体、及び合成樹脂系シートなどをロールから巻き戻しながら、加熱して樹脂分を柔らかくし、例えば、寸法や変形の少ない金属製、硬質な耐熱性樹脂製、もしくはセラミック製のローラと、合成樹脂側には加圧したとき弾性的に変形するローラ、例えば前記のようなゴム製のローラとの間を通過させることにより、略円錐形の導体バンプが貫通し、合成樹脂系シート表面に両端側が露出してなる多層板を連続的に製造することができる。
【００５３】
（第２の実施の形態）
次に本発明の第２の実施形態について説明する。なお、本実施形態以降の実施形態のうち、先行する実施形態と重複する部分については説明を省略する。
【００５４】
図１８は本実施形態に係る半導体パッケージの製造方法のフローを示したフローチャートであり、図１９〜図２９は同半導体パッケージの製造方法の各工程を模式的に示した垂直断面図である。
【００５５】
本実施形態に係る半導体パッケージを製造するには、まず、銅箔などの金属板３１を用意し、この金属板３１の一方の面上に、例えば銀ペーストなどの導電性組成物を印刷技術を用いて図１９に示すような略円錐径の導体バンプ（群）３２，３２，…を形成する（ステップ１ａ）。
【００５６】
次に図２０に示したように例えばアルミや銅、鉄などの放熱性金属板３４の上にプリプレグ３３を載置し、更にその上に前記金属板３１を導体バンプ（群）３２，３２，…形成面を図中下向きにして載置し（ステップ２ａ）、この状態で例えばローラープレスの間を通過させることにより加熱下にプレスして（ステップ３ａ）、図２１に示すように導体バンプ（群）３２，３２，…をプリプレグ３３に貫通させ、導体バンプ（群）３２，３２，…の先端側を放熱性金属板３４に当接させることにより、前記金属板３１と放熱性金属板３４との間が電気的、熱的に接続された積層体４０を形成する。
【００５７】
次にこの積層体４０上面の金属板３１について、例えばエッチング処理を施すことによりパターニングし（ステップ４ａ）、図２２に示したような配線層３１ａが形成された積層体４０ａを得る。
【００５８】
この積層体４０ａの上に更にプリプレグ３５を積層し（ステップ５ａ）、硬化させて図２３に示したような絶縁層３５が積層された積層体４０ｂを形成する。
【００５９】
積層体４０ｂの絶縁層３５の所定位置について、例えばレーザー光線を照射することにより層間接続のためのビア３６，３６，…を穿孔して（ステップ６ａ）図２４に示したような配線層３１ａの一部がビア３６，３６，…の底部で露出された積層体４０ｃを形成する。
【００６０】
こうして穿孔したビア３６，３６，…の内壁と絶縁層３５の図中上表面に例えば無電解メッキを施すことにより金属層を形成し（ステップ７ａ）、図２５に示したような層間接続のための導電性ビア３７，３７，…と配線層３８とが形成された積層体４０ｄを得る。
【００６１】
次に、積層体４０ｄとは別個に、銅箔などの銅箔などの金属板４１を用意し、この金属板４１の一方の面上に、例えば銀ペーストなどの導電性組成物を印刷技術を用いて図２６に示すような略円錐形の導体バンプ（群）４２を形成する（ステップ８ａ）。
【００６２】
次に図２７に示すように前記積層体４０ｄの図中上側にプリプレグ３９を載置し、更にその上に前記金属板４１を導体バンプ（群）４２が図中下側にくるようにして載置する（ステップ９ａ）
この状態で例えばローラープレスの間を通過させることにより加熱下にプレスして（ステップ１０ａ）、図２８に示すように導体バンプ（群）４２をプリプレグ３９に貫通させ、導体バンプ（群）４２の先端側を絶縁層３５上表面側に形成された導電性ビア３７や配線層３８に当接させることにより、前記金属板４１と絶縁層３５上表面側に形成された導電性ビア３７や配線層３８との間が電気的に接続された積層体４０ｅを形成する。
【００６３】
次にこの積層体４０ｅ上面の金属板４１について、例えばエッチング処理を施すことによりパターニングし（ステップ１１ａ）、図２９に示したような配線層４１ａが形成された積層体４０ｆを得る。
【００６４】
こうして形成した積層体４０ｆの放熱性金属板３４の空いているスペースに例えばＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ４３をその配線側が上向きになるようにセットする（ステップ１２ａ）
次いで半導体チップ４３と配線層４１との間を例えば金線４４などにより結線することにより（ステップ１３ａ）、図３０に示したような半導体パッケージ４０ｇが形成される。
【００６５】
本実施形態に係る半導体パッケージによれば、半導体チップ４３との間で結線する配線層４１は導体バンプ（群）４１が埋設され、ガラス繊維で補強された絶縁層３９上に形成されている。そのため、半導体チップ４３との間で金線を用いてワイヤーボンディングを行なっても、絶縁層３９自体が機械的にも熱的にも優れた強度を備えているので、ワイヤーボンディング時の機械的及び熱的ストレスに十分耐え得ることができ、層間接続が破壊されたり、信頼性が低下するというトラブルの発生が未然に防止される、という効果が得られる。
【００６６】
（実施例）
以下に本実施形態に従ってプリント配線基板を製造する実施例について説明する。
【００６７】
厚さ０．５ｍｍ、銅箔厚１８μｍの両面張り積層板にドリルにより直径０．２ｍｍの穴をあけ、メッキ厚約２０μｍのスルホールメッキ層を形成した後、エッチング法により両面に回路を形成した積層体を得た。次に約５０μｍ厚の樹脂シートと１２μｍの銅箔を積層し、炭酸ガスレーザーにより直径０．１ｍｍの穴をあけ、メッキにより層間の導通を確保した。次に１８μｍ厚の銅箔上に底面直径が０．２ｍｍの略円錐形の導体バンプ群を印刷法により形成し、厚さ６０μｍのプリプレグこの導体バンプ群を圧入して貫通させたバンプ付き銅箔を、銅箔面を外側にして前記積層体と重ねて加熱下にプレスし、得られた積層体の最外層にエッチング法により回路を形成し、金属層が６層のプリント配線基板を得た。
【００６８】
この基板の初期導通性を検査したところ、全て導通が形成されていることが確認された。
【００６９】
【発明の効果】
本発明によれば、ビアを穿孔する絶縁層を内側に配設する。そのため、最外層にビアに起因する凹凸がなくなり、凹部に薬品や空気が侵入することにより起る外層加工のエッチングや印刷工程での不良が未然に防止される。また、ビア上への部品実装時の不良が発生しなくなり、部品実装上、設計上有利になる。
【００７０】
更に最外層の金属層の厚さを薄くすることが可能になり、高精細配線層の形成が容易になる。
【００７１】
前記ビアは貫通孔の径を小さく形成することができるので、この絶縁層に高い集積度の配線層を形成することができる。
【００７２】
また、本発明では、導体バンプを圧入する絶縁層を外側に配設する。この導体バンプはガラス繊維などの補強材を含む絶縁層に圧入することができるので、ガラス繊維を含ませることにより機械的強度や熱に対する強度の高い絶縁層を形成することができる。
【００７３】
したがって、上記のようなビアを形成した絶縁層を内側に配設するとともに、導体バンプを圧入した絶縁層を外側に配設することにより、高い集積度と、高い強度とを兼ね備えたプリント配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態に係るプリント配線基板の製造方法のフローを示したフローチャートである。
【図２】第１の実施形態に係るプリント配線基板の製造工程を示した垂直断面図である。
【図３】第１の実施形態に係るプリント配線基板の製造工程を示した垂直断面図である。
【図４】第１の実施形態に係るプリント配線基板の製造工程を示した垂直断面図である。
【図５】第１の実施形態に係るプリント配線基板の製造工程を示した垂直断面図である。
【図６】第１の実施形態に係るプリント配線基板の製造工程を示した垂直断面図である。
【図７】第１の実施形態に係るプリント配線基板の製造工程を示した垂直断面図である。
【図８】第１の実施形態に係るプリント配線基板の製造工程を示した垂直断面図である。
【図９】第１の実施形態に係るプリント配線基板の製造工程を示した垂直断面図である。
【図１０】第１の実施形態に係るプリント配線基板の製造工程を示した垂直断面図である。
【図１１】第１の実施形態に係るプリント配線基板の製造工程を示した垂直断面図である。
【図１２】第１の実施形態に係るプリント配線基板の製造工程を示した垂直断面図である。
【図１３】第１の実施形態に係るプリント配線基板の製造工程を示した垂直断面図である。
【図１４】第１の実施形態に係るプリント配線基板の製造工程を示した垂直断面図である。
【図１５】第１の実施形態に係るプリント配線基板の製造工程を示した垂直断面図である。
【図１６】第１の実施形態に係るプリント配線基板の製造工程を示した垂直断面図である。
【図１７】第１の実施形態に係るプリント配線基板の製造工程を示した垂直断面図である。
【図１８】第２の実施形態に係る半導体パッケージの製造方法のフローを示したフローチャートである。
【図１９】第２の実施形態に係る半導体パッケージの製造工程を示した垂直断面図である。
【図２０】第２の実施形態に係る半導体パッケージの製造工程を示した垂直断面図である。
【図２１】第２の実施形態に係る半導体パッケージの製造工程を示した垂直断面図である。
【図２２】第２の実施形態に係る半導体パッケージの製造工程を示した垂直断面図である。
【図２３】第２の実施形態に係る半導体パッケージの製造工程を示した垂直断面図である。
【図２４】第２の実施形態に係る半導体パッケージの製造工程を示した垂直断面図である。
【図２５】第２の実施形態に係る半導体パッケージの製造工程を示した垂直断面図である。
【図２６】第２の実施形態に係る半導体パッケージの製造工程を示した垂直断面図である。
【図２７】第２の実施形態に係る半導体パッケージの製造工程を示した垂直断面図である。
【図２８】第２の実施形態に係る半導体パッケージの製造工程を示した垂直断面図である。
【図２９】第２の実施形態に係る半導体パッケージの製造工程を示した垂直断面図である。
【図３０】第２の実施形態に係る半導体パッケージの製造工程を示した垂直断面図である。
【図３１】従来のプリント配線基板の製造方法の工程を示した垂直断面図である。
【符号の説明】
９…コア材（基体）、
１５…ビア、
１６…ビア、
１２…絶縁層（内側絶縁層）、
１３…絶縁層（内側絶縁層）、
１７…導電性ビア（第１の金属層）、
１９…導電性ビア（第２の金属層）、
１８…配線層（第１の内側配線層）、
２０…配線層（第２の内側配線層）、
２５…絶縁層（第１の外側絶縁層）、
２６…絶縁層（第２の外側絶縁層）、
２１ｂ…配線層（第１の外側配線層）、
２３ｂ…配線層（第２の外側配線層）、
２２…導体バンプ（第１の導体バンプ）、
２４…導体バンプ（第２の導体バンプ）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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