(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
高電位側電圧を供給するための第１の端子と、低電位側電圧を供給するための第２の端子と、第１の端子と第２の端子からの電力により駆動され、更に複数の低しきい値トランジスタを配置して構成された機能ブロックと、第１の端子と上記機能ブロックとの間に介設され、オンとオフの切り替わりにより第１の端子と機能ブロックとの接続状態をオンとオフとに切り替える高しきい値トランジスタ及び第２の端子と上記機能ブロックとの間に介設され、オンとオフの切り替わりにより第２の端子と機能ブロックとの接続状態をオンとオフとに切り替える高しきい値トランジスタの少なくも一方の高しきい値トランジスタと、高しきい値トランジスタが介設されている場合にはこの高しきい値トランジスタと対応する第１の端子あるいは第２の端子とを接続し、高しきい値トランジスタが介設されていない場合には第１の端子あるいは第２の端子と前記機能ブロックを接続する合計２本の電源線と、高しきい値トランジスタと機能ブロック間を接続する少なくも１本の擬似電源線と、擬似電源線に接続する少なくも１個の検査用端子と、高しきい値トランジスタのオンとオフの切り替わりを制御する制御手段とを備えたリーク電流対応型低電力半導体集積回路において、
制御手段により上記高しきい値トランジスタをオンにするオン制御ステップと、
前記オン制御ステップの後に上記オンに制御されている高しきい値トランジスタに接続されている上記第１の端子若しくは第２の端子と、上記対応する検査用端子との間の抵抗を測定する検査ステップと、
前記検査ステップでの抵抗値が所定値以上である場合には上記リーク対応型低電力半導体集積回路のオンに制御されている高しきい値トランジスタを不良と判定するトランジスタ判定ステップとを有していることを特徴とするリーク対応型低電力半導体集積回路の検査方法。
【請求項２】
高電位側電圧を供給するための第１の端子と、低電位側電圧を供給するための第２の端子と、第１の端子と第２の端子からの電力により駆動され、更に複数の低しきい値トランジスタを配置して構成された機能ブロックと、第１の端子と上記機能ブロックとの間に介設され、オンとオフの切り替わりにより第１の端子と機能ブロックとの接続状態をオンとオフとに切り替える高しきい値トランジスタ及び第２の端子と上記機能ブロックとの間に介設され、オンとオフの切り替わりにより第２の端子と機能ブロックとの接続状態をオンとオフとに切り替える高しきい値トランジスタの少なくも一方の高しきい値トランジスタと、高しきい値トランジスタが介設されている場合にはこの高しきい値トランジスタと対応する第１の端子あるいは第２の端子とを接続し、高しきい値トランジスタが介設されていない場合には第１の端子あるいは第２の端子と前記機能ブロックを接続する合計２本の電源線と、高しきい値トランジスタと機能ブロック間を接続する少なくも１本の擬似電源線と、擬似電源線に接続する少なくも１個の検査用端子と、高しきい値トランジスタのオンとオフの切り替わりを制御する制御手段とを備えたリーク電流対応型低電力半導体集積回路において、
制御手段により上記高しきい値トランジスタを、若し高しきい値トランジスタが２個ならば少なくもその内の一方をオフにするオフ制御ステップと、
前記オフ制御ステップの後に上記オフにされている高しきい値トランジスタに接続されている上記第１の端子若しくは第２の端子と、上記対応する検査用端子とに異なる電位を与える電位付与ステップと、
前記電位付与ステップ後に異なる電位を付与した上記第１の端子若しくは第２の端子と上記検査用端子との間のリーク電流を測定するリーク電流測定ステップと、
前記リーク電流測定ステップでの測定値が所定値以上である場合には上記リーク対応型低電力半導体集積回路のオフに制御されている高しきい値トランジスタを不良と判定する機能ブロック判定ステップとを有していることを特徴とするリーク対応型低電力半導体集積回路の検査方法。
【請求項３】
機能ブロックと該機能ブロックへ高電位側または低電位側の電源を供給する擬似電源線とからなる機能ブロック組みと、
前記複数の機能ブロックの中で検査対象の機能ブロックを指定するための信号を出力する検査対象指定手段と、
前記検査対象指定手段に指定された検査対象の機能ブロックの擬似電源線に電源を供給する検査電源端子と、
前記検査対象指定手段に検査対象として指定されなかった機能ブロックの擬似電源線に電源を供給する通常電源端子と、
前記通常電源端子と各々の前記擬似電源線の間に介設され、前記検査対象指定手段からの指定信号の有無により検査対象として指定された機能ブロックの擬似電源線に接続するものはオフに制御され、検査対象として指定されなかった機能ブロックの擬似電源線に接続するものはオンに制御され、そして各機能ブロック組み毎に設けられた通電制御用トランジスタと、
前記検査電源端子と各々の前記擬似電源線の間に、電源が供給される方向に介設されそして各機能ブロック組み毎に設けられたダイオードとを有していることを特徴とするリーク対応型低電力半導体集積回路。
【請求項４】
機能ブロックと該機能ブロックへ高電位側または低電位側の電源を供給する擬似電源線とからなる複数の機能ブロック組みと、複数の機能ブロック組みの中の機能ブロックで検査対象のものを指定するための信号を出力する検査対象指定手段と、検査対象指定手段に指定された検査対象の機能ブロックの擬似電源線に電源を供給する検査電源端子と、検査対象指定手段に検査対象として指定されなかった機能ブロックの擬似電源線に電源を供給する通常電源端子と、通常電源端子と各々の前記擬似電源線の間に介設され、検査対象指定手段からの指定信号の有無により検査対象として指定された機能ブロックの擬似電源線に接続するものはオフに制御され、検査対象として指定されなかった機能ブロックの擬似電源線に接続するものはオンに制御され、そして各機能ブロック組み毎に設けられた通電制御用トランジスタと、検査電源端子と各々の前記擬似電源線の間に、電源が供給される方向に介設されそして各機能ブロック組み毎に設けられたダイオードとを有しているリーク対応型低電力半導体集積回路の検査方法であって、
上記検査対象として指定された機能ブロックには、その機能ブロック組に設けられている通電制御用トランジスタをオフに制御して該当する機能ブロックの擬似電源線に上記ダイオードを介して上記検査電源端子より電源を供給する検査用電源供給ステップと、
検査対象として指定されなかった機能ブロックには、上記検査対象指定手段からの指定信号により、上記通電制御用トランジスタをオンに制御して該当する機能ブロックの擬似電源線に上記通常電源端子より電源を供給する通常電源供給ステップと、
機能ブロックの高電位側あるいは低電位側のいずれに上記ダイオードが介設されたかに従って、上記通常電源端子には上記検査電源端子に比較して、上記検査対象とされた機能ブロック以外の擬似電源線に接続するダイオードを流れる電流が発生しないだけの高いあるいは低い電圧を与える一定電圧供給ステップと、
前記一定電圧供給ステップのなされている間に検査電源端子のリーク電流量を測定するリーク電流量測定ステップと、
前記リーク電流量測定ステップの測定値とあらかじめ定めた所定値とを比較する比較ステップと、
前記比較ステップの結果、測定値が所定値以上である場合には当該検査対象の機能ブロックを不良と判定する判定ステップとを有していることを特徴とするリーク対応型低電流値半導体集積回路の検査方法。
【請求項５】
機能ブロックと該機能ブロックへ高電位側または低電位側の電源を供給する擬似電源線とからなる機能ブロック組みと、
前記複数の機能ブロックの中で検査対象の機能ブロックを指定するための信号を出力する検査対象指定手段と、
前記検査対象指定手段に指定された検査対象の機能ブロックの擬似電源線に電源を供給する検査電源端子と、
前記検査対象指定手段に検査対象として指定されなかった機能ブロックの擬似電源線に電源を供給する通常電源端子と、
前記検査電源端子と各々の前記擬似電源線の間に介設され、前記検査対象指定手段からの指定信号の有無により検査対象として指定された機能ブロックの擬似電源線に接続するものはオンに制御され、検査対象として指定されなかった機能ブロックの擬似電源線に接続するものはオフに制御され、そして各機能ブロック組み毎に設けられた通電制御用トランジスタと、
前記通常電源端子と各々の前記擬似電源線の間に、電源が供給される方向に介設されそして各機能ブロック組み毎に設けられたダイオードとを有していることを特徴とするリーク対応型低電力半導体集積回路。
【請求項６】
機能ブロックと該機能ブロックへ高電位側または低電位側の電源を供給する擬似電源線とからなる複数の機能ブロック組みと、複数の機能ブロック組みの中の機能ブロックで検査対象のものを指定するための信号を出力する検査対象指定手段と、検査対象指定手段に指定された検査対象の機能ブロックの擬似電源線に電源を供給する検査電源端子と、検査対象指定手段に検査対象として指定されなかった機能ブロックの擬似電源線に電源を供給する通常電源端子と、検査電源端子と各々の擬似電源線の間に介設され、検査対象指定手段からの指定信号の有無により検査対象として指定された機能ブロックの擬似電源線に接続するものはオンに制御され、検査対象として指定されなかった機能ブロックの擬似電源線に接続するものはオフに制御され、そして各機能ブロック組み毎に設けられた通電制御用トランジスタと、通常電源端子と各々の擬似電源線の間に、電源が供給される方向に介設されそして各機能ブロック組み毎に設けられたダイオードとを有しているリーク対応型低電力半導体集積回路の検査方法であって、
上記検査対象として指定された機能ブロックの擬似電源線に上記検査対象指定手段からの指定信号信号により、上記通電制御用トランジスタをオンに制御して上記検査電源端子より電源を供給する検査用電源供給ステップと、
検査対象として指定されなかった機能ブロックの擬似電源線には、上記ダイオードを介して上記通常電源端子より電源を供給する通常電源供給ステップと、
機能ブロックの高電位側あるいは低電位側のいずれに上記トランジスタが介設されたかに従って、上記検査電源端子には上記通常電源端子に比較して、上記検査対象とされた機能ブロック以外の擬似電源線に接続するダイオードを流れる電流が発生しないだけの高いあるいは低い電圧を与える一定電圧供給ステップと、
前記一定電圧供給ステップのなされている間に上記検査電源端子のリーク電流量を測定するリーク電流量測定ステップと、
前記リーク電流量測定ステップの測定値とあらかじめ定めた所定値とを比較する比較ステップと、
前記比較ステップの結果、測定値が所定値以上である場合には当該検査対象の機能ブロックを不良と判定する判定ステップとを有していることを特徴とするリーク対応型低電流値半導体集積回路の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路、特に低消費電力を目指して相異なるしきい値を有するＭＯＳトランジスタを搭載したリーク電流対応型低電力半導体集積回路及びその検査方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体装置の小型化や高集積化のために、半導体集積回路の低電力（消費電力）化の要請が強くなされている。この低電力化のためには、電源電圧の低減が効果的である。（注、消費電力は，ＣＶ2 ｆで定まる。ここにＣは内部容量であり、Ｖは電源電圧であり、ｆは動作周波数である。）しかし、単に電源電圧を下げるだけではトランジスタの動作速度（オン・オフの切替速度）が遅くなる。このため、特にＭＯＳトランジスタ（酸化膜で電気的に電流通路から絶縁されたゲート電極に電圧をかけて電流通路を制御する電界効果トランジスタ）の低しきい値電圧化が進んでいる。
【０００３】
ところで、この低しきい値トランジスタで構成されたＣＭＯＳ回路では、各ノードの入力端子の電位が変化しないとき、即ち定常状態時におけるリーク電流（Ｉｄｄｑ）が増大する。（なお、これらの事項やその理由その他駆動電圧等については、例えば電子情報通信学会  信学技報１ＣＤ９３−１０７（１９９３−１０）  松谷康之他３名著  「ＩＶ，１０ＭＨZ 動作Ｍｕｌｔｉ−Ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ  ＣＭＯＳ論理回路技術」等に記載されている周知事項であるため、これ以上の説明は省略する。）
またこれとは別に、半導体集積回路の大規模化に伴い、回路全体のリーク電流も益々大きなものとなっている。
【０００４】
このため、定常状態でのリーク電流に対して、故障を原因とするリーク電流が相対的に小さくなるため、回路全体のリーク電流の増大を検出して故障を検出することが困難となって来ている。
そこで、この対策として、例えばＩＥＥＥ  １９９６  ＣＵＳＴＯＭ  ＩＮＴＥＧＲＡＴＥＤ  ＣＩＲＣＵＩＴ  ＣＯＮＦＥＲＥＮＣＥ  で、以下に示す様な手段が提案されている。
【０００５】
図９は、この提案されている半導体集積回路の概略の構成の一部（本発明に関係する部分のみを）を抜き出して示した電気回路図である。
本図に示すように、この半導体集積回路は複数の機能ブロック（ここでは２つの機能ブロック９０４１、９０４２を論理回路として図示している。）に分割されている。
【０００６】
そして、この機能ブロックが通常作動時に使用する電源の端子である通常電源端子９０１と機能ブロック９０４１、９０４２それぞれに言わば直接的に電圧を供給する擬似電源線９０７１、９０７２との間には、電源の供給を制御するＭＯＳトランジスタ９０５１、９０５２が介設されている。（なお、上記通常電源端子９０１とペアの電線、例えばグランド信号線や疑似電源線に設けられているダイオード等は、煩雑となるため図示していない。なおまた、２つの機能ブロック９０４１、９０４２間の信号の役割等については、周知の事実であるため、その説明は省略する。）
【０００７】
また、検査に使用する電源の端子である検査電源端子９０２と擬似電源線９０７１、９０７２との間にも、電源の供給を制御するＭＯＳトランジスタ９０６１、９０６２が介設されている。
次に、制御回路９０３は、制御信号９００に応じて、上記２つの機能ブロック９０４１、９０４２のうちいずれか一方にのみ検査電源端子９０２より電源が供給されるようにＭＯＳトランジスタ９０６１、９０６２を制御し、同時に他方の機能ブロックにのみ通常電源端子９０１より電源が供給されるようにＭＯＳトランジスタ９０５１、９０５２をも制御する。
【０００８】
以下、機能ブロック９０４１中にリーク電流が大きくなる故障が存在したと仮定し、この元で故障の発見あるいはその有無の判別の手順（動作）を説明する。さて、制御信号９００で機能ブロック９０４１の検査が指定されると、検査対象を指定する手段たる制御回路９０３がＭＯＳトランジスタ９０５１をオフ（ＯＦＦ、閉）、同９０５２をオン（ＯＮ、開）、同９０６１をオン、同９０６２をオフになるよう制御する。
【０００９】
これにより、検査電源端子９０２のみが機能ブロック９０４１に電源を供給し、他方の機能ブロック９０４２には、通常電源端子９０１が電源を供給することになる。このため、検査電源端子９０２の電流量を測定することにより、機能ブロック９０４１の定常状態において流れるリーク電流のみを測定することが可能となる。
【００１０】
機能ブロック９０４１内の故障による増加分を含めたリーク電流と、機能ブロック９０４１の故障が無いときのリーク電流との差は、無論半導体集積回路全体のリーク電流との差より比率的に大きくなるので、検査電源端子９０２の電流を測定することにより故障の有無の判別が容易になる。
なお、以上は、機能ブロックが２つの場合であったが、３つ以上の場合であっても、ＭＯＳトランジスタの介設等の構造やＯＮ、ＯＦＦの制御は同様になされるのは勿論である。
【００１１】
次に、低しきい値トランジスタで構成されたＣ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ）ＭＯＳ半導体集積回路は、どうしても定常状態のリーク電流が増大するため、この半導体集積回路を用いた装置の消費電力が不必要に増大しがちである。そこで、この対策を考慮したＣＭＯＳ半導体集積回路の１つとして、低しきい値トランジスタと高しきい値トランジスタとを配置したＭＴ−ＣＭＯＳ（マルチスレッシュホルド（ＭｕｌｔｉーＴｈｒｅｓｈｏｌｄ）ＣＭＯＳ）半導体集積回路が提案されている。
【００１２】
この従来提案されているＭＴーＣＭＯＳ半導体集積回路の一例として、例えば電子情報通信学会：信学技報ＩＣＤ９３−１０７（１９９３−１０）に示されている様なものがある。以下、図８を参照しながら、このＭＴ−ＣＭＯＳ半導体集積回路について説明する。
【００１３】
図８は、このＭＴ−ＣＭＯＳ半導体集積回路の概略構成の一部を抜き出して示した電気回路の図である。本図に示すように、作動用高電位側電圧を供給する電源端子８０１と、低電位側電圧を提供する電源端子８０２との間には、低しきい値トランジスタで構成されかつ擬似電源線８０５と擬似電源線８０６をそれぞれ高電位側、低電位側の電源とする機能ブロック（論理回路として図示している）８０７が介設されている。そして、電源端子８０１と擬似電源線８０５及び電源端子８０２と擬似電源線８０６との間には、それぞれ高しきい値トランジスタ８０３、８０４が介設されている。
【００１４】
以下、同図の回路における動作を具体的に説明する。
機能ブロック８０７の動作時には、高しきい値トランジスタ８０３、８０４をオンとすることで、機能ブロック８０７へ電荷が供給され、低しきい値トランジスタで構成された機能ブロック８０７は高速に動作する。逆にスタンバイ時には、高しきい値トランジスタ８０３、８０４をオフとすることで、電源端子８０１から機能ブロック８０７及び機能ブロック８０７から電源端子８０２へのリーク電流は抑制される。従って、電源端子８０１から電源端子８０２へのリークは非常に小さく押さえられる。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、第一の従来例のリーク電流対応型低電力半導体集積回路においては、分割された機能ブロック毎に２個のトランジスタと２本の制御信号線が必要となり、そのため集積回路上で必要な面積が大きくなり、ひいては製造コストの上昇につながる。
このため、更に少ない回路構成で検査電源端子が電圧を供給する機能ブロックを制御しえるようにすることにより、製造コストを低く抑えた半導体集積回路と、その検査方法の開発、実現が望まれていた。
【００１６】
次に、第二の従来例のリーク電流対応型低電力半導体集積回路においては、高しきい値トランジスタ８０３、８０４のソースとドレイン間のショート、制御線の故障等のため、常に擬似電源線８０５、８０６へ電源端子８０１、８０２から電圧が供給されることとなる故障（以下オン故障と呼ぶ）が発生した場合、または高しきい値トランジスタ８０３、８０４の電源端子への接続線の断線、擬似電源線への接続線の断線、制御信号線の故障等のため、擬似電源線８０３、８０４へ電源端子８０１、８０２から電圧を供給することができなくなる故障（以下オフ故障と呼ぶ）が発生した場合には、以下のような不具合が発生する恐れがある。
【００１７】
先ず、オン故障が発生した場合であるが、機能ブロック８０７の動作時には、高しきい値トランジスタ８０３、８０４はオンに制御され、それぞれの電源端子８０１、８０２より電圧が供給されるため機能ブロックは正常に動作し、このため動作に悪影響を及ぼすことがない。一方、機能ブロック８０７のスタンバイ時（電源は供給されているが、回路が停止している状態）には、高しきい値トランジスタ８０３、８０４はオフ制御されるが、実際には故障により電圧が供給されている。このときには、スタンバイ時であるため、このこと自体は論理的には何ら悪影響を及ぼさない。
【００１８】
しかしながら、スタンバイ時に高しきい値トランジスタ８０３、８０４がオフになっていないため、低しきい値トランジスタで構成された機能ブロック８０７を介して電源端子８０１から電源端子８０２への大きなリーク電流が発生することとなる。ひいては、スタンバイ時におけるリーク電流が小さいというＭＴ−ＣＭＯＳ半導体集積回路の有利性が損なわれることになる。
【００１９】
しかるに、従来のＭＴ−ＣＭＯＳ半導体集積回路においては、このような高しきい値トランジスタ８０３、８０４がオフにならない故障が生じたときにこれを検知することができなかった。
【００２０】
また、オフ故障が発生した場合、電圧が供給されないために、機能ブロック８０７は当然動作しないこととなるが、一旦動作しない事態が生じた場合には、その原因が高しきい値トランジスタ８０３、８０４等の電源供給部分にあるのか、機能ブロック８０７にあるのかをすぐに区別して検出するのは困難であった。従って、設計改良により以後の故障の発生頻度低減を図ろうにも、困難なことが多かった。
【００２１】
このため、オン故障を検知する手段を有し、高速動作が可能で消費電力が小さいという機能を確実に発揮しうるＭＴ−ＣＭＯＳ半導体集積回路の検査方法の実現と、オフ故障を検知する手段を有し、機能ブロックが動作しない原因が電源供給部分と機能ブロックのいずれにあるかを区別して検出することが可能なＭＴ−ＣＭＯＳというよりもリーク電流対応型低電力半導体集積回路及びその検査方法の実現が望まれていた。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
本発明は、以上の課題に鑑みなされたものであり、疑似電源線に検査用の電源端子を設けること及びダイオードを利用することにより、リーク電流の発生する故障の発見と故障箇所の特定が容易なリーク電流対応型低電力半導体集積回路とそれ用の検査方法を提供するものである。具体的には、以下の構成としている。
【００２３】
請求項１記載の発明においては、高電位側電圧を供給するための第１の端子と、低電位側電圧を供給するための第２の端子と、第１の端子と第２の端子からの電力（一方が高電位、他方が低電位）により駆動され、更に複数の低しきい値トランジスタを配置して（含む、他の素子も組み込まれている場合）構成された機能ブロックと、第１の端子と上記機能ブロックとの間に介設され（電気的に接続されておれば、間に配線等を介している態様を含む）、外部からの切り換え信号に従ってのオンとオフの切り替わりにより第１の端子と機能ブロックとの接続状態をオンとオフとに切り替える高しきい値トランジスタ及び第２の端子と上記機能ブロックとの間に介設され、オンとオフの切り替わりにより第２の端子と機能ブロックとの接続状態をオンとオフとに切り替える高しきい値トランジスタの少なくも一方の高しきい値トランジスタと、高しきい値トランジスタが介設されている場合にはこの高しきい値トランジスタと対応する第１の端子あるいは第２の端子とを接続し、高しきい値トランジスタが介設されていない場合には第１の端子あるいは第２の端子と前記機能ブロック間を（直接）接続する合計２本の電源線と、高しきい値トランジスタと機能ブロック間を（直接）接続する少なくも１本（高しきい値トランジスタが２個なら２本）の擬似電源線と、擬似電源線に接続する少なくも１個（高しきい値トランジスタが２個なら２個）の検査用端子と、高しきい値トランジスタのオンとオフの切り替わりを検査員からの指示やテスタからの検査信号等で制御する制御手段とを備えたリーク電流対応型低電力半導体集積回路において、
【００２４】
高しきい値トランジスタの検査のため設けられている制御手段により上記高しきい値トランジスタをオンにするオン制御ステップと、前記オン制御ステップの後に上記オンに制御されている高しきい値トランジスタに接続されている上記第１の端子若しくは第２の端子と、上記対応する検査用端子との間の抵抗を検査する検査ステップと、前記検査ステップでの抵抗値があらかじめ定められた所定値以上である場合には上記リーク対応型低電力半導体集積回路のオンに制御されている高しきい値トランジスタを不良と、ひいては多くの場合この高しきい値トランジスタと一体のリーク対応型低電力半導体集積回路をも不良と判定するトランジスタ判定ステップとを有しているリーク対応型低電力半導体集積回路の検査方法としている。
【００２５】
上記構成により、高電位側電圧を供給するための第１の端子と、低電位側電圧を供給するための第２の端子と、第１の端子と第２の端子からの電力により駆動されるよう構成されているだけでなく、この上更に複数の低しきい値トランジスタを配置して構成された機能ブロックと、第１の端子と前記機能ブロックとの間に介設され、外部からの切り換え信号に従ってのオンとオフの切り替わりにより第１の端子と機能ブロックとの接続状態をオンとオフとに切り替える通電制御用、そしてリーク防止用の高しきい値トランジスタ及び第２の端子と前記機能ブロックとの間に介設され、オンとオフの切り替わりにより第２の端子と機能ブロックとの接続状態をオンとオフとに切り替える高しきい値トランジスタの少なくも一方の高しきい値トランジスタと、高しきい値トランジスタが介設されている場合にはこの高しきい値トランジスタと対応する第１の端子あるいは第２の端子とを接続し、高しきい値トランジスタが介設されていない場合には第１の端子あるいは第２の端子と前記機能ブロックを接続する合計２本の電源線と、高しきい値トランジスタと機能ブロック間を接続する少なくも１本（高しきい値トランジスタが２個なら２本）の擬似電源線と、擬似電源線に接続する少なくも１個（高しきい値トランジスタが２個なら２個）の検査用端子と、高しきい値トランジスタのオンとオフの切り替わりを制御する制御手段とを備えたリーク電流対応型低電力半導体集積回路において、以下の作用がなされる。
【００２６】
オン制御ステップにて、別途あるいは基板に組み込む等して設けられている制御手段が高しきい値トランジスタを電圧を加える等してオン（ＯＮ、通電状態）にする。
検査ステップにて、勿論、必要に応じて、他方のトランジスタをオフ（ＯＦＦ、閉）としたり、第１若しくは第２の端子と検査用端子一定の電圧を加えたりした後、オン制御ステップによりオンに制御されている高しきい値トランジスタに接続されている対応する上記第１の端子若しくは第２の端子と、同じく対応する検査用端子との間の抵抗を測定する。
【００２７】
トランジスタ判定ステップにて、検査ステップで測定された抵抗値が測定条件等に応じてあらかじめ定められた所定値以上である場合には上記リーク対応型低電力半導体集積回路のオンに制御されている高しきい値トランジスタをオン故障で不良と、ひいては多くの場合この高しきい値トランジスタと一体のリーク対応型低電力半導体集積回路をも不良と判定する。（勿論、２個の高しきい値トランジスタがある場合、一方がオン故障と判断後、他方のトランジスタを測定しても、測定せず即廃棄としてもよい。）
【００２８】
請求項２記載の発明においては、高電位側電圧を供給するための第１の端子と、低電位側電圧を供給するための第２の端子と、第１の端子と第２の端子からの電力により駆動され、更に複数の低しきい値トランジスタを配置して構成された機能ブロックと、第１の端子と上記機能ブロックとの間に介設され、オンとオフの切り替わりにより第１の端子と機能ブロックとの接続状態をオンとオフとに切り替える高しきい値トランジスタ及び第２の端子と上記機能ブロックとの間に介設され、オンとオフの切り替わりにより第２の端子と機能ブロックとの接続状態をオンとオフとに切り替える高しきい値トランジスタの少なくも一方の高しきい値のトランジスタと、高しきい値トランジスタが介設されている場合にはこの高しきい値トランジスタと対応する第１の端子あるいは第２の端子とを接続し、高しきい値トランジスタが介設されていない場合には第１の端子あるいは第２の端子と前記機能ブロックを接続する合計２本の電源線と、高しきい値トランジスタと機能ブロック間を接続する少なくも１本の擬似電源線と、擬似電源線に接続する少なくも１個の検査用端子と、高しきい値トランジスタのオンとオフの切り替わりを制御する制御手段とを備えたリーク電流対応型低電力半導体集積回路において、
【００２９】
制御手段により上記高しきい値トランジスタを、若し高しきい値トランジスタが２個ならば少なくもその内の一方をオフにするオフ制御ステップと、前記オフ制御ステップの後に上記オフにされている高しきい値トランジスタに接続されている上記第１の端子若しくは第２の端子と、上記対応する検査用端子とに異なる電位を与える電位付与ステップと、前記電位付与ステップ後に異なる電位を付与した上記第１の端子若しくは第２の端子と上記検査用端子との間のリーク電流を測定するリーク電流測定ステップと、
【００３０】
前記リーク電流測定ステップでの測定値が所定値以上である場合には上記リーク対応型低電力半導体集積回路のオフに制御されている高しきい値トランジスタを不良と判定する機能ブロック判定ステップとを有しているリーク対応型低電力半導体集積回路の検査方法としている。
【００３１】
上記構成により、高電位側電圧を供給するための第１の端子と、低電位側電圧を供給するための第２の端子と、第１の端子と第２の端子からの電力により駆動され、更に複数の低しきい値トランジスタを配置して構成された機能ブロックと、第１の端子と上記機能ブロックとの間に介設され、オンとオフの切り替わりにより第１の端子と機能ブロックとの接続状態をオンとオフとに切り替える高しきい値トランジスタ及び第２の端子と上記機能ブロックとの間に介設され、オンとオフの切り替わりにより第２の端子と機能ブロックとの接続状態をオンとオフとに切り替える高しきい値トランジスタの少なくも一方の高しきい値トランジスタと、高しきい値トランジスタが介設されている場合にはこの高しきい値トランジスタと第１の端子あるいは第２の端子とを接続し、高しきい値トランジスタが介設されていない場合には第１の端子あるいは第２の端子と前記機能ブロックを接続する合計２本の電源線と、高しきい値トランジスタと機能ブロック間を接続する少なくも１本の擬似電源線と、擬似電源線に接続する少なくも１個の検査用端子と、高しきい値トランジスタのオンとオフの切り替わりを制御する制御手段とを備えたリーク電流対応型低電力半導体集積回路において、以下の作用がなされる。
【００３２】
オフ制御ステップにて、制御手段により高しきい値トランジスタを、若し高しきい値トランジスタが２個ならば検査員の指示やテスタからの検査信号等に従って少なくもその内の一方をオフにする。（両方同時に検査するならば、両方ともオフにする。）
電位付与ステップにて、オフ制御ステップの後にオフにされている高しきい値トランジスタに接続されている第１の端子若しくは第２の端子と、対応する検査用端子とに多くの場合検査用としてあらかじめ定められている異なる電位を与える。
【００３３】
リーク電流測定ステップにて、電位付与ステップ後に、更に必要に応じて他方の通電後トランジスタをオフ等にしつつ、異なる電位を付与した第１の端子若しくは第２の端子と検査用端子との間のリーク電流を測定する。
機能ブロック判定ステップにて、リーク電流測定ステップでの測定値が電位差等から定まる所定値以上である場合にはリーク対応型低電力半導体集積回路の（検査した方の）高しきい値トランジスタをオフ故障として、不良と判定する。
【００３４】
請求項３記載の発明においては、機能ブロックと該機能ブロックへ高電位側または低電位側の電源を供給する擬似電源線とからなる機能ブロック組みと、前記複数の機能ブロックの中で検査対象の機能ブロックを指定するための電圧等の信号を出力する検査対象指定手段（含む、信号を伝達するための信号線等）と、前記検査対象指定手段に指定された検査対象の機能ブロックの擬似電源線に電源を供給する検査電源端子と、前記検査対象指定手段に検査対象として指定されなかった機能ブロックの擬似電源線に電源を供給する通常電源端子と、前記通常電源端子と各々の前記擬似電源線の間に介設され、前記検査対象指定手段からの指定信号の有無により検査対象として指定された機能ブロックの擬似電源線に接続するものはオフに制御され、検査対象として指定されなかった機能ブロックの擬似電源線に接続するものはオンに制御される各機能ブロック組み毎に設けられた通電制御用トランジスタと、前記検査電源端子と各々の前記擬似電源線の間に、電源が供給される方向に介設されそして各機能ブロック組み毎に設けられたダイオードとを有しているリーク対応型低電力半導体集積回路としている。
【００３５】
上記構成により、以下の作用がなされる。
機能ブロックと該機能ブロックへ高電位側または低電位側の電源を供給する擬似電源線とからなる機能ブロック組みを有している。
検査対象指定手段が、検査者の指示やテスタからの検査信号等に従って、複数の機能ブロック（組）の中から検査対象の機能ブロック（組）を指定するための信号を出力する。具体的には各機能ブロック組に設けられた通電制御用トランジスタ（注、高しきい値トランジスタとは限らない）のオン、オフを制御する。
【００３６】
検査電源端子が、検査対象指定手段に指定された検査対象の機能ブロックの擬似電源線に電源を供給する。（あるいは、そのような配線、構造となっている。）
通常電源端子が、検査対象指定手段に検査対象として指定されなっかた機能ブロックの擬似電源線に電源を供給する。（あるいは、そのような配線、構造となっている。）
【００３７】
各機能ブロック組み毎に設けられた通電制御用の例えば高しきい値のトランジスタは、前記通常電源端子と各々の前記擬似電源線の間に介設され前記検査対象指定手段からの指定信号の有無（例えば、電圧の高、低）により検査対象として指定された機能ブロックの擬似電源線に接続するものはオフに制御され、検査対象として指定されなかった機能ブロックの擬似電源線に接続するものはオンに制御される。
各機能ブロック組み毎に、検査電源端子と各々の前記擬似電源線の間に、電源が供給される方向にダイオードが介設されている。
【００３８】
請求項４記載の発明においては、請求項３記載の発明のリーク対応型低電力半導体集積回路の検査方法であって、上記検査対象として指定された機能ブロックには、上記通電制御用の、例えば高しきい値トランジスタをオフに制御して該当する機能ブロックの擬似電源線に上記ダイオードを介して上記検査電源端子より電源を供給する検査用電源供給ステップと、検査対象として指定されなかった機能ブロックには、上記検査対象指定手段からの指定信号により、上記通電制御用のトランジスタをオンに制御して該当する機能ブロックの擬似電源線に上記通常電源端子より電源を供給する通常電源供給ステップと、機能ブロックの高電位側あるいは低電位側のいずれに上記ダイオードが介設されたかに従って、上記通常電源端子には検査電源端子に比較して、上記検査対象とされた機能ブロック以外の擬似電源線に接続するダイオードを流れる電流が発生しないだけの高いあるいは低い電圧を与える一定電圧供給ステップと、前記一定電圧供給ステップのなされている間に検査電源端子のリーク電流量を測定するリーク電流量測定ステップと、前記リーク電流量測定ステップの測定値とあらかじめ定めた所定値とを比較する比較ステップと、前記比較ステップの結果、測定値が所定値以上である場合には当該検査対象の機能ブロックを不良と判定する判定ステップとを有しているリーク対応型低電流値半導体集積回路の検査方法としている。
【００３９】
上記構成により、請求項３記載の発明のリーク対応型低電力半導体集積回路の検査として以下の作用がなされる。
検査用電源供給ステップにて、検査対象として指定された機能ブロックには、その機能ブロックの通電制御用トランジスタをオフに制御して擬似電源線にダイオードを介して検査電源端子より電源を供給する。
通常電源供給ステップにて、検査対象として指定されなかった機能ブロックには、検査対象指定手段からの指定信号により、通電制御用トランジスタをオンに制御して該当する機能ブロックの擬似電源線に通常電源端子より電源を供給する。
【００４０】
一定電圧供給ステップにて、機能ブロックの高電位側あるいは低電位側のいずれにダイオードが介設されたかに従って、通常電源端子には検査電源端子に比較して、検査対象とされた機能ブロック以外の擬似電源線に接続するダイオードを流れる電流が発生しないだけの（高電圧側への介設）高いあるいは低い（低電圧側への介設）一定の電圧を与える。
リーク電流量測定ステップにて、一定電圧供給ステップのなされている間に検査電源端子のリーク電流量を測定する。
比較ステップにて、リーク電流量測定ステップの測定値とあらかじめ定めた所定値とを比較する。
判定ステップにて、比較ステップの結果、測定値が所定値以上である場合には当該検査対象の機能ブロックをリーク電流が生じる故障が発生しているため不良と判定する。
【００４１】
請求項５記載の発明においては、機能ブロックと該機能ブロックへ高電位側または低電位側の電源を供給する擬似電源線とからなる機能ブロック組みと、前記複数の機能ブロックの中で検査対象の機能ブロックを指定するための信号を出力する検査対象指定手段と、前記検査対象指定手段に指定された検査対象の機能ブロックの擬似電源線に電源を供給する検査電源端子と、前記前記検査対象指定手段に検査対象として指定されなかった機能ブロックの擬似電源線に電源を供給する通常電源端子と、前記検査電源端子と各々の前記擬似電源線の間に介設され、前記検査対象指定手段からの指定信号の有無により検査対象として指定された機能ブロックの擬似電源線に接続するものはオンに制御され、検査対象として指定されなかった機能ブロックの擬似電源線に接続するものはオフに制御され、そして各機能ブロック組み毎に設けられた通電制御用トランジスタと、前記通常電源端子と各々の前記擬似電源線の間に、電源が供給される方向に介設されそして各機能ブロック組み毎に設けられた所定の高しきい値のダイオードとを有しているリーク対応型低電力半導体集積回路としている。
【００４２】
上記構成により、以下の作用がなされる。
機能ブロックと該機能ブロックへ高電位側または低電位側の電源を供給する擬似電源線とからなる機能ブロック組みが少なくとも一つある。
検査対象指定手段が、複数の機能ブロックの中で検査対象の機能ブロックを指定するための信号を該当する通電制御用のトランジスタに出力する。
検査電源端子が、検査対象指定手段に指定された検査対象の機能ブロックの擬似電源線に電源を供給する。
通常電源端子が、前記検査対象指定手段に検査対象として指定されなかった機能ブロックの擬似電源線に電源を供給する。
【００４３】
各機能ブロック組み毎に、通常電源端子と各々の擬似電源線の間に介設されている通電制御用トランジスタが検査対象指定手段からの指定信号の有無により検査対象として指定された機能ブロックの擬似電源線に接続するものはオンに制御され、検査対象として指定されなかった機能ブロックの擬似電源線に接続するものはオフに制御される。
各機能ブロック組み毎に、検査電源端子と各々の擬似電源線の間に、電源が供給される方向に所定のしきい値のダイオードが介設されている。
【００４４】
請求項６記載の発明においては、請求項５記載のリーク対応型低電力半導体集積回路の検査方法であって、上記検査対象として指定された機能ブロックの擬似電源線に上記検査対象指定手段からの指定信号により、上記通電制御用トランジスタをオンに制御して上記検査電源端子より電源を供給する検査用電源供給ステップと、検査対象として指定されなかった機能ブロックの擬似電源線には、上記ダイオードを介して上記通常電源端子より電源を供給する通常電源供給ステップと、機能ブロックの高電位側あるいは低電位側のいずれに上記通電制御用トランジスタが介設されたかに従って、上記検査電源端子には上記通常電源端子に比較して、上記検査対象とされた機能ブロック以外の擬似電源線に接続するダイオードを流れる電流が発生しないだけの高いあるいは低い電圧を与える一定電圧供給ステップと、前記一定電圧供給ステップのなされている間に上記検査電源端子のリーク電流量を測定するリーク電流量測定ステップと、前記リーク電流量測定ステップの測定値とあらかじめ定めた所定値とを比較する比較ステップと、前記比較ステップの結果、測定値が所定値以上である場合には当該検査対象の機能ブロックを不良と判定する判定ステップとを有していることを特徴とするリーク対応型低電流値半導体集積回路の検査方法としている。
【００４５】
上記構成により、請求項５記載のリーク対応型低電力半導体集積回路の検査方法として以下の作用がなされる。
検査用電源供給ステップにて、検査対象として指定された機能ブロックの擬似電源線に検査対象指定手段からの指定信号により、通電制御用トランジスタをオンに制御して検査電源端子より電源を供給する。
【００４６】
通常電源供給ステップにて、検査対象として指定されなかった機能ブロックの擬似電源線には、ダイオードを介して上記通常電源端子より電源を供給する。
一定電圧供給ステップにて、機能ブロックの高電位側あるいは低電位側のいずれにトランジスターが介設されたかに従って、検査電源端子には通常電源端子に比較して、検査対象とされた機能ブロック以外の擬似電源線に接続するダイオードを流れる電流が発生しないだけの高いあるいは低い一定の電圧を与える。
【００４７】
リーク電流量測定ステップにて、一定電圧供給ステップのなされている間に検査電源端子のリーク電流量を測定する。
比較ステップにて、リーク電流量測定ステップの測定値とあらかじめ定めた所定値とを比較する。
判定ステップにて、比較ステップの結果、測定値が所定値以上である場合には当該検査対象の機能ブロックを不良と判定する。
【００４８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明をその実施の形態に基づいて説明する。
（第１の実施の形態）
図３は、本発明の第1 の実施形態における、ＭＴ−ＣＭＯＳ半導体集積回路の概略構成の一部を抜き出して示した電気回路の図である。
【００４９】
本図に示すように、作動用高電位側電圧を供給する電源端子３０１と、低電位側電圧を提供する電源端子３０２との間には、低しきい値トランジスタで構成され、かつ、擬似電源線３０５と擬似電源線３０６をそれぞれ高電位側、低電位側の電源とする機能ブロック（論理回路として図示している）３０７が介設されている。そして、電源端子３０１と擬似電源線３０５及び電源端子３０２と擬似電源線３０６との間には、それぞれ高しきい値トランジスタ３０３、３０４が介設されている。また、擬似電源線３０５、３０６には、それぞれ検査用の電源端子３０８、３０９が接続している。
【００５０】
図１に、本実施の形態における検査の手順を示す。以下、本フローチャートに基づき、図３の半導体集積回路の検査方法を説明する。
（ステップ１０１）  まず、高しきい値トランジスタをオンとする。これにより、電源端子３０１、３０２からそれぞれ高しきい値トランジスタ３０３、３０４を介して擬似電源線３０５、３０６に電圧の供給が可能となる。
【００５１】
（ステップ１０２）  次に、電源端子３０１と検査用電源端子３０８の間及び電源端子３０２と検査用電源端子３０９の間の抵抗が測定される。半導体集積回路に故障が無い場合には、電源端子３０１と検査用電源端子３０８の間及び電源端子３０２と検査用電源端子３０９の間は、低抵抗状態となるはずである。
（ステップ１０３）  測定した抵抗値を、予め実績や計算で求めてあるそして正常を示す低い値である所定の値である既定値と比較し、既定値より低い場合にはその半導体集積回路を合格とし、逆に高い場合には高しきい値トランジスタのオン故障として不合格とする。
【００５２】
以上のように、本実施の形態によれば、擬似電源線に検査用の電源端子を設け、電源端子と検査用の電源端子との間の抵抗を測定することにより、高しきい値トランジスタの電源端子への接続線の断線、擬似電源線への接続線の断線、制御信号線の故障等のために電源端子から擬似電源線へ電圧を供給ができなくなる故障が発生しているか否かの検査、あるいは更にいずれの故障であるかの特定が容易になる。
なお、本実施の形態では、高電位側、低電位側双方に高しきい値トランジスタ及び擬似電源線を設けているが、いずれか一方にのみ設けた場合であっても、同様に抵抗の測定による検査や故障部位の特定が可能である。
【００５３】
（第２の実施の形態）
次に、先の第1 実施の形態と同様に、図３の半導体集積回路の検査方法を対象として本発明の第２の実施の形態について説明する。
図２に、本実施の形態における検査の手順を示す。以下、本フローチャートに基づき、図３の半導体集積回路の検査方法を説明する。
【００５４】
（ステップ２０１）  まず、高しきい値トランジスタをオフとする。これにより、電源端子３０１、３０２と対応する擬似電源線３０５、３０６それぞれの間がハイインピーダンス状態となる。
（ステップ２０２）  次に、上記ハイインピーダンス状態を確認するために、電源端子３０１と検査用電源端子３０８の間及び電源端子３０２と検査用電源端子３０９の間に電圧がかけられ。
【００５５】
（ステップ２０３）  それぞれの間のリーク電流が測定される。この測定は、電源端子側、検査用電源端子側の何れで行ってもよい。さて半導体集積回路に故障が無いならば、電源端子３０１と検査用電源端子３０８の間及び電源端子３０２と検査用電源端子３０９の間のリーク電流量は、それぞれの間がハイインピーダンス状態であるため小さいはずである。
（ステップ２０４）  最後に、第１の実施の形態と同じくこの測定したリーク電流量を予めの既定値と比較する。そして、既定値より小さい場合にはその半導体集積回路を合格とし、逆に大きい場合には高しきい値トランジスタのオフ故障のため不良品と判定とする。
【００５６】
以上のように、本実施の形態によれば、擬似電源線に検査用の電源端子を設け、電源端子と検査用の電源端子との間のリーク電流量を測定することで、高しきい値トランジスタのソースとドレイン間のショート、制御線の故障等のために電源端子から常に擬似電源線へ電圧が供給される状態となっている故障の有無の検査が容易になる。
なお、本実施の形態では、高電位側、低電位側双方に高しきい値トランジスタ及び擬似電源線を設けているが、これはいずれか一方にのみ設けた場合であっても、同様にリーク電流の測定による検査が可能である。
【００５７】
（第３の実施の形態）
次に、本発明の第３の実施の形態について説明する。
図４は、本第３の実施形態における、半導体集積回路の概略構成の一部を抜き出して示した電気回路の図であり、基本的には図９に従来例として示したものと同じ構成である。このため、同じ構成要素には同じ符合を付している。
但し、検査電源端子９０２から機能ブロックへの電圧の供給を制御するＭＯＳトランジスタ９０６１、９０６２をダイオード４０１１、４０１２で置き換え、かつそのためＭＯＳトランジスタ９０６１、９０６２の制御信号線を無くした点が相違する。このため、制御回路そのものの構成も簡単になっているのは勿論である。
【００５８】
なお、本図４は、検査電源端子９０２が機能ブロックの高電位側に設けられている場合を示しており、検査電源端子９０２を機能ブロックの低電位側に設けた場合には、ダイオード４０１１、４０１２の向きが逆となる。
図５に、本実施の形態における検査の手順を示す。以下、本フローチャートに基づき、図４の半導体集積回路の検査方法を説明する。
【００５９】
（ステップ５０１）  まず、制御信号９００により検査対象機能ブロックが選択される。ここでは、機能ブロック９０４１が対象として選択されたものとする。これにより、制御回路９０３は、検査対象機能ブロック９０４１以外の機能ブロック９０４２には通常電源端子９０１より電源が供給されるように、通電制御用そしてリーク防止用更には検査対象指定用のトランジスタ９０５１をオフに、９０５２をオンにする。
（ステップ５０２）  次に、検査対象機能ブロック９０４１の電源を検査電源端子９０２よりダイオード４０１１を経由して与える。
【００６０】
（ステップ５０３）  通常電源端子９０１より通電制御用トランジスタ９０５２を経由して検査対象でない機能ブロック９０４２へ電源を供給する。この際、検査電源端子９０２が機能ブロックの高電位側（低電位側）に設けられているならば、検査電源端子９０２、ダイオード４０１２、擬似電源線９０７２の経路を流れる電流が発生しないよう、通電制御用トランジスタ９０５２の電圧降下を考慮して通常電源端子９０１に検査用電源端子９０２より十分に高い（低い）電圧を与える。
【００６１】
（ステップ５０４）  機能ブロック９０４１の内部状態が検査を行う所望の状態になるまで半導体集積回路を機能動作させる。
（ステップ５０５）  機能ブロック９０４１の所望の状態における定常状態において、検査用電源端子９０２でリーク電流量を測定する。
（ステップ５０６）  最後に、測定したリーク電流量を既定値と比較し、既定値より小さい場合にはその半導体集積回路は合格とし、逆に大きい場合には機能ブロック９０４１中に異常なリーク電流が発生する故障の生じているる不良品と判定する。
【００６２】
以上のように、本実施の形態によれば、従来分割された機能ブロック毎の２個の高しきい値トランジスタと２本の制御信号線でなされていた電源制御が、１個の通電制御用そして多くの場合高しきい値のトランジスタと１個のダイオードと１本の制御信号線で可能となる。
その結果、集積回路上の必要な面積を小さくすることが可能となり、製造コストの低下につながる。
【００６３】
なお、本実施の形態においては、検査用電源端子９０２においてリーク電流を測定することにより機能ブロックの良否を判定したが、半導体集積回路内部に検査用電源端子９０２を流れるリーク電流量を測定し、その結果の判定信号を外部へ出力する電流測定部を設け、この出力信号により判定するようにしてもよい。また、本実施の形態におけるＭＯＳトランジスタ９０５１、９０５２を高しきい値トランジスタとし、機能ブロック９０４１，９０４２を低しきい値トランジスタとすることにより、ＭＴ−ＣＭＯＳ半導体集積回路においても同様に実施可能となる。
【００６４】
なおまた、上記ステップ５０５においては、機能ブロックの内部の信号状態、つまりはトランジスタのオン・オフにより電流がリークする経路が変化するため、特定の故障の検査のためには回路を所望の状態にしてこの経路を決定する必要があり、また種々の経路を検査するためには種々の状態に設定する必要があるため、あらかじめこれらについての手順書が作成されていたりするのは勿論である。ただしこれは個々の機能ブロック毎に異なり、また本発明の趣旨に直接の関係はないためその説明は省略する。
【００６５】
（第４の実施の形態）
本発明の第４の実施の形態について説明する。
図６は、本第４の実施の形態における、半導体集積回路の概略構成の一部を抜き出した電気回路の図である。本電気回路は、図９にて従来例の１として示したのとほぼ同じである。このため、同じ構成要素には同じ符合を付している。但し、通常電源端子９０１から機能ブロック（論理回路）への電圧の供給を制御するＭＯＳトランジスタ９０５１、９０５２を各ダイオード６０１１、６０１２で置き換え、かつＭＯＳトランジスタ９０５１、９０５２の制御信号を無くした点が相違する。
なお、本図６は、検査電源端子９０２が機能ブロックの高電位側に設けられている場合を示しており、検査電源端子９０２を機能ブロックの低電位側に設けた場合には、ダイオード６０１１、６０１２の向きが逆となる。
【００６６】
図７に、本実施の形態における検査の手順を示す。以下、本フローチャートに基づき、図６に示す半導体集積回路の検査方法について説明する。（ステップ７０１） まず、制御信号９００により検査対象機能ブロックが選択される。ここでは、機能ブロック９０４１が対象として選択される。このため、制御回路９０３は、検査対象機能ブロック９０４１に検査電源端子９０２より電源が供給されるように、通電制御用トランジスタ９０６１をオンに、同じく９０６２をオフにする。
（ステップ７０２） 次に、検査対象機能ブロック９０４１への電源を検査電源端子９０２より通電制御用トランジスタ９０６１を経由して与える。
【００６７】
（ステップ７０３）  検査対象機能ブロック９０４１以外の機能ブロック９０４２への電源を通常電源端子９０１よりダイオード６０１２を経由して与える。この際、検査電源端子９０２が機能ブロックの高電位側（低電位側）に設けられているならば、通常電源端子９０１、ダイオード６０１１、擬似電源線９０７１の経路を流れる電流が発生しないよう、通電制御用トランジスタ９０６１の電圧降下を考慮して検査電源端子９０２に通常電源端子９０１より十分に高い（低い）電圧を与える。
（ステップ７０４）  機能ブロック９０４Ａの内部状態が検査を行う所望の状態になるまで半導体集積回路を機能動作させる。
【００６８】
（ステップ７０５）  機能ブロック９０４１の、所望の状態における定常状態において、検査用電源端子９０２でリーク電流量を測定する。
（ステップ７０６）  最後に、このリーク電流量測定値を既定値と比較し、既定値より小さい場合にはその半導体集積回路を合格とし、逆に大きい場合には機能ブロック９０４１中に異常なリーク電流が発生する故障を有している不良品と判定とする。
【００６９】
以上のように、本実施の形態によれば、先の第３の実施の形態と同様に、従来分割された機能ブロック毎の２個のトランジスタと２本の制御信号線でなされていた電源制御が、１個の通電制御用そして多くの場合高しきい値のトランジスタと１個のダイオードと１本の制御信号線で可能となる。その結果、集積回路上の必要な面積を小さくすことが可能となり、製造コストの低価につながる。
【００７０】
なお、本実施の形態においては、検査用電源端子９０２においてリーク電流を測定し、これにより機能ブロックの良否を判定したが、半導体集積回路内部に検査用電源端子９０２を流れるリーク電流量を測定し、その判定結果の信号を外部へ出力する電流測定部を設け、この信号の有無により判定する（具体的には、一定以上の電流にて１を出力する回路をＬＳＩ中に構成しておく。なお、数万〜１０００万以上の低しきい値トランジスタを組み込んだ機能ブロックやその組では、このようなＬＳＩを少々組み込んでも、そのコストは無視しうる。）ようにしてもよいのは勿論である。
【００７１】
また、本実施例の形態のおける、ＭＯＳトランジスタ９０６１、９０６２を高しきい値トランジスタとし、逆に機能ブロック９０４１，９０４２を低しきい値トランジスタとすることにより、ＭＴ−ＣＭＯＳ半導体集積回路においても同様に実施可能となる。
【００７２】
以上、本発明を幾つかの実施の形態にもとずいて説明してきたが、本発明はなにも以上の実施の形態に限定されないのは勿論である。例えば、以下の様にしてもよい。
（１）第１の実施の形態等において、高しきい値トランジスタや通電制御用トランジスタは、その少なくも一部が規格や通電容量等の都合で、いわば中しきい値のトランジスタを複数直列に接続している。
（２）第３の実施の形態等において、通電制御用トランジスタのオン故障、オフ故障を検査する。
【００７３】
（３）高しきい値トランジスタ、低しきい値トランジスタのしきい値電圧は、本願出願時点では１〜５Ｖ程度が主流であるが、技術の進歩に伴って、例えば０．１〜０．５Ｖ程度となっている。
なお、これに伴い、実施の形態等における「充分に低い電圧」は「配線等での電圧降下を考慮してＰ側端子がＮ側端子よりも低くなるように」という程度の意味であり、これまた具体的な数値範囲に限定されない。
更に、リーク電流値等は、例えば具体的には前掲の信学技報ＩＣＤ９３−１０７（１９９３−１０）に記載されているが、勿論これらの値に限定されない。
【００７４】
【発明の効果】
以上、説明してきたように、本発明によれば、工場における出荷検査時であれユーザからの要求による修理のための検査であれ高しきい値トランジスタの電源端子への接続線の断線、擬似電源線への接続線の断線、制御信号線の故障等のため電源端子から擬似電源線へ電圧を供給ができなくなっている故障の検査を容易になしえる。
【００７５】
また、高しきい値トランジスタのソースとドレイン間のショート故障、制御線の故障等のため、常に擬似電源線へ電源端子から電圧が供給される故障の検査を容易におこなうことができる。
ひいては、これから得られたデータをもとに以降の製品の製造不良等の減少を図ることが可能となり、最終的には製造コストの低下となる。
また、集積回路上の必要な面積を小さくすることが可能となり、この面からも製造コストを低下させる。
【００７６】
更にまた、第３及び第４の実施の形態においては、検査対象外の機能ブロックにもダイオードで自動的に適切な電圧を加えていることとなるため、リーク電流の測定が容易となり、検査対象外の機能ブロックの通電制御用トランジスタのオン・オフの誤作動等のため検査電圧で回路が破壊されるというような危険性も少ない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態における、検査の手順を示す図（フローチャート）である。
【図２】本発明の第２の実施形態における、検査の手順を示す図である。
【図３】本発明の第１及び第２の実施の形態における半導体集積回路の構成を示す図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態における半導体集積回路の構成を示す図である。
【図５】本発明の第３の実施形態における、検査の手順を示す図である。
【図６】本発明の第４の実施の形態における半導体集積回路の構成を示す図である。
【図７】本発明の第４の実施の形態における、検査の手順を示す図である。
【図８】従来提案されている半導体集積回路の一例の図である。
【図９】従来提案されている半導体集積回路の他の例の図である。
【符合の説明】
３０１、３０２                  電源端子
３０３、３０４                  高しきい値トランジスタ
３０５、３０６                  疑似電源線
８０５、８０６                  同上
３０７、９０４１、９０４２      機能ブロックとしての論理回路
３０８、３０９、９０２          検査用の電源端子
４０１１、４０１２              ダイオード
６０１１、６０１２              同上
８０１                          高位側電源端子
８０２                          低位側電源端子
９００                          制御信号
９０１                          通常の電源端子
９０３                          制御回路
９０５１、９０５２              ＭＯＳトランジスタ
９０６１、９０６２              同上
【図１】
0004116693.tif 000002
【図２】
0004116693.tif 000003
【図３】
0004116693.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図７】
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【図８】
0004116693.tif 000008
【図９】
0004116693.tif 000009
【図６】
0004116693.tif 000010