【事件の表示】
　平成４年特許願第２４１４４号「貼り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法」拒絶査定に対する審判事件（平成５年９月３日出願公開、特開平５−２２６４６３）について、次のとおり審決する。
【結論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理由】
１．出願の経緯・発明の要旨
　本願は、平成４年２月１０日に出願されたものであって、その発明の要旨は、平成９年１０月３１日付け手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載よりみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。
　「誘電体分離島を有するシリコンウェーハを支持ウェーハに貼り合わせる誘電体分離ウェーハの製造方法であって、
　誘電体分離用溝を形成したシリコンウェーハの表面に、酸化膜、高温ＣＶＤ法によるポリシリコン層を順次成膜し、次いで該高温ポリシリコン層に研削加工、鏡面研磨加工を順次施し、この高温ポリシリコン層の上に１Ｔｏｒｒ程度の減圧低温ＣＶＤ法によるポリシリコン膜を成膜し、該低温ポリシリコン膜に鏡面研磨加工を施し、次いで該低温ポリシリコン膜と支持体シリコンウェーハの表面を相互に貼り合わせることを特徴とする貼り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法。」（以下、本件発明という。）
２．引用例
　原審における拒絶の理由において引用された特開平３−２６５１５３号公報（以下、引用例という。）には、「誘電体分離基板の製造方法を第３図を用いて説明する。
　初めに、単結晶Ｓｉウエハ３０１の主面を酸化して、その全面にＳｉＯ２１５を形成した後、該ＳｉＯ２の予定の箇所を開口し、該ＳｉＯ２１５をマスクとして、例えば水酸化カリウムとイソプロピルアルコール混合液を用いる異方性エッチングによって深さ６０μｍの分離溝６を形成する［同図（ａ）］。
　次いで前記マスクとして利用したＳｉＯ２１５を除去し、再びウエハ３０１の主表面を酸化して、その全面に厚さ１．２μｍの絶縁用酸化膜２を形成した後［同図（ｂ）］、その表面に気相成長（ＣＶＤ：形成温度：〜１２００℃、形成速度：〜５μｍ／ｍｉｎ）によって、少なくとも前記分離溝６が完全に埋まるまで多結晶Ｓｉ６０１を約１００μｍ堆積させる［同図（ｃ）］。
　次いで、不要部分の多結晶Ｓｉ６０１を機械的な切削およびメカノケミカル研磨法によるエッチングによって除去し、分離溝６部分に堆積された多結晶Ｓｉ６０１の高さを酸化膜２の表面とほぼ合わせる［同図（ｄ）］。
　次いで、支持体となる単結晶Ｓｉウエハ５を用意し、その表面および前記研磨面を適宜の方法で貼り合わせ、さらに高温の熱処理を加えて２枚のウエハを接合する［同図（ｅ）］。」（第２頁左下欄第１０行ー右下欄第１５行）、「上記した従来技術では、不要となる多結晶Ｓｉ６０１の研磨工程における平均化技術についての配慮が不足しているために、ウエハを接合する場合に要求される約１００Å以下の平滑度を有する研磨面を得ることが困難であり、接合不良を発生し易いという問題があった。」（第３頁左上欄第７−１２行）、「本発明の目的は、以上に述べた問題点を解決し、完全なウエハ接合を可能にする誘電体分離基板およびその製造方法ならびに該誘電体分離基板を用いた半導体集積回路装置を提供することである。」（第３頁左下欄第１９行ー右下欄第２行）、「第１図は本発明の一実施例である誘電体分離基板の製造方法を説明するための断面図である。
　同図において、初めに４インチ径、厚み５００μｍの単結晶Ｓｉウエハ３０１の主表面に、前記した従来技術と同様な方法で分離溝６，誘電体膜２を形成した後、多結晶Ｓｉ６０１を１００μｍの膜厚で形成する［同図（ａ）］。
　次いで、前記と同様にして多結晶Ｓｉ６０１の表面を機械的に切削し、分離溝６による約数１０μｍの大きさの凹凸を無くした後、さらにメカノケミカル研磨を行って多結晶Ｓｉ６０１の表面を平滑化する［同図（ｂ）］。・・・
　次に、多結晶Ｓｉ６０１の表面に残る微少な凹凸を吸収するための緩衝膜となる多結晶Ｓｉ層７を、多結晶シリコン６０１の表面に密着するように、通常のＣＶＤ法によって約５μｍの膜厚で形成する［同図（ｃ）］。この場合、・・・ホットウォール方式のＣＶＤを採用しても良い。・・・
　次いで、多結晶Ｓｉ層７の表面をメカノケミカル法によって約３μｍ研磨して平滑化する。このとき、該多結晶Ｓｉ層７には界面が無いので、１００Å以下の平滑な研磨面を容易に得ることができる。
　次いで、支持体となる３インチ径で厚みが５００μｍの単結晶ウエハ５を、前記と同様の接合法によって接合し［同図（ｄ）］、単結晶３０１の不要部分を研磨除去して誘電体分離基板１を完成する［同図（ｅ）］。」（第４頁左上欄第８行ー左下欄第１７行）、「なお、前記ホットウォール方式のＣＶＤによれば低温での成膜が可能となるので、通常のＣＶＤによる場合に比べて結晶粒を小さくすることができる。」（第４頁右下欄第１０−１３行）と記載されている。
　そして、第１図（ａ）の多結晶Ｓｉ層は、第３図（ｃ）および第４図の１２００℃程度の高温ＣＶＤ法により形成された多結晶Ｓｉ層と同一の参照番号６０１が付されていることからみて、高温ＣＶＤ法による多結晶Ｓｉ層と認めるのが相当である。
　したがって、上記引用例には「誘電体分離島を有するシリコンウエハを支持ウエハに接合する誘電体分離ウエハの製造方法であって、誘電体分離用溝を形成したシリコンウエハの表面に、酸化膜、高温ＣＶＤ法によるポリシリコン層を順次成膜し、次いで該高温ポリシリコン層に機械的切削、メカノケミカル研磨を順次施し、この高温ポリシリコン層の上に低温ＣＶＤ法によるポリシリコン膜を成膜し、該低温ポリシリコン膜にメカノケミカル研磨を施し、次いで該低温ポリシリコン膜と支持シリコンウエハの表面を相互に接合することを特徴とする接合誘電体分離ウエハの製造方法。」が記載されている。
３．対比
　本件発明と上記引用例記載の発明とを対比すると、上記引用例記載の発明の「ウエハ」、「接合」、「メカノケミカル研磨」及び「機械的切削」は、それぞれ本件発明の「ウェーハ」、「貼り合わせ」、「鏡面研磨」及び「研削加工」に相当するから、本件発明と上記引用例記載の発明とは、「誘電体分離島を有するシリコンウェーハを支持ウェーハに貼り合わせる誘電体分離ウェーハの製造方法であって、誘電体分離溝を形成したシリコンウェーハの表面に、酸化膜、高温ＣＶＤ法によるポリシリコン層を順次成膜し、次いで該ポリシリコン層に研削加工、鏡面研磨加工を順次施し、この高温ポリシリコン層の上に低温ＣＶＤ法によるポリシリコン膜を成膜し、該低温ポリシリコン膜に鏡面研磨加工を施し、次いで該低温ポリシリコン膜と支持シリコンウェーハの表面を相互に貼り合わせることを特徴とする貼り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法」の点で一致するが、低温ＣＶＤ法によるポリシリコン膜の形成を、本件発明では１Ｔｏｒｒ程度の減圧でおこなっているのに対し、引用例記載の発明ではどのような圧力下でおこなうのか特定されてない点で相違している。
４．検討
　そこで、上記相違点につき以下で検討する。
　ウェーハ面内において多結晶シリコン膜を均一に形成するために、圧力０．１から１０Ｔｏｒｒ程度の減圧ＣＶＤで多結晶シリコン膜を形成することは周知技術なので（例えば、「ＶＬＳＩの薄膜技術」、伊藤隆司、石川元、中村宏昭共著、昭和６１年９月３０日丸善株式会社発行、６８−６９頁、参照）、ウェーハ面内のポリシリコンの膜厚均一性を向上させるために、引用例の低温ＣＶＤ法によるポリシリコン膜の形成を、上記周知技術を採用することにより、１Ｔｏｒｒ程度の減圧でおこなうことに格別の創意工夫を必要としない。
５．むすび
　以上のとおりであるから、本件発明は引用例に記載された発明および周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。