(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の第１のクラッド層と、
上記第１のクラッド層上の活性層と、
上記活性層上の第２導電型の第２のクラッド層とを有し、
上記第２のクラッド層の上層部に設けられたストライプ部の両側の部分に電流狭窄層が埋め込まれた電流狭窄構造を有し、
上記電流狭窄層に、レーザ駆動用電極から電気的に分離された電極が接続されており、かつ、上記ストライプ部の下部に光導波層が挿入されている自励発振型半導体レーザの動作方法であって、
外部から上記レーザ駆動用電極に対してレーザ駆動用電圧を印加するとともに、上記電流狭窄層に対して上記電極を通じて上記レーザ駆動用電圧とは独立に所定の電圧を印加し、この電圧を上記自励発振型半導体レーザの動作温度が上昇するにつれて大きくなるように制御するようにした
ことを特徴とする自励発振型半導体レーザの動作方法。
【請求項２】
第１導電型の第１のクラッド層と、
上記第１のクラッド層上の活性層と、
上記活性層上の第２導電型の第２のクラッド層と、
上記第２のクラッド層上のストライプ状の開口を有する電流狭窄層と、
上記電流狭窄層および上記電流狭窄層の上記開口の部分における上記第２のクラッド層上に設けられた第２導電型の第３のクラッド層とを有し、
上記電流狭窄層に、レーザ駆動用電極から電気的に分離された電極が接続されており、かつ、上記電流狭窄層および上記電流狭窄層の上記開口の部分における上記第２のクラッド層上に光導波層を介して上記第３のクラッド層が設けられている自励発振型半導体レーザの動作方法であって、
外部から上記レーザ駆動用電極に対してレーザ駆動用電圧を印加するとともに、上記電流狭窄層に対して上記電極を通じて上記レーザ駆動用電圧とは独立に所定の電圧を印加し、この電圧を上記自励発振型半導体レーザの動作温度が上昇するにつれて大きくなるように制御するようにした
ことを特徴とする自励発振型半導体レーザの動作方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は自励発振型半導体レーザおよびその動作方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体レーザを光ディスク記録／再生装置などの光源として応用する上で、戻り光ノイズをいかに抑制するかが重要である。この戻り光ノイズを抑制するための対策の一つに、従来より、半導体レーザを自励発振させることによってマルチモード化を図った、いわゆる自励発振型半導体レーザが知られている。
【０００３】
従来、このような自励発振型半導体レーザにおいては、例えば、ｎ型ＧａＡｓ基板上にｎ型クラッド層、活性層およびｐ型クラッド層が順次積層して設けられ、ｐ型クラッド層の上層部に設けられたストライプ部の両側の部分にｎ型電流狭窄層が埋め込まれた電流狭窄構造を有するとともに、ストライプ部に対応する部分とその両側の部分との屈折率差が、通常のインデックスガイド型半導体レーザより小さくされ、横方向の光閉じ込めが緩やかにされている。そして、動作時には、活性層中のストライプ部の両側に対応する部分を可飽和吸収体として作用させることにより、自励発振を実現していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の自励発振型半導体レーザにおいては、動作条件が変化すると、具体的には、例えば、動作温度が７０℃程度の高温まで上昇すると、ｎ型電流狭窄層による電流の阻止率が室温動作時と比べて低下してキャリアがｎ型電流狭窄層を通り抜け、キャリアの横方向（共振器長方向と垂直、かつ、接合と平行な方向）への広がりが大きくなるため、活性層において、光分布とキャリア分布との適正状態が崩れ、これまで可飽和吸収体として作用していた部分がその役割を果たせなくなり、自励発振が停止するという問題がある。このように、従来の自励発振型半導体レーザでは、自励発振可能な動作条件が狭い範囲に限られている上に、動作条件の変化に対する自励発振の安定性および信頼性に欠ける面があった。
【０００５】
ところで、動作温度の上昇などによる横方向への電流の広がりを抑える手法として、自励発振型半導体レーザを製造する際に、ｎ型電流狭窄層の厚さや不純物濃度、あるいは、ｐ型クラッド層の厚さ（特に、ストライプ部の両側の部分における厚さ）や不純物濃度を制御することが考えられるが、いずれも完全なものではなく、制限がついてくる。具体的には、例えば、横方向への電流の広がりを抑えるためには、ストライプ部の両側の部分におけるｐ型クラッド層の厚さを小さくすることが有効であるが、エピタキシャル成長やエッチングなどによってこの部分の厚さを厳密に制御することは困難であり、また、自励発振に対するマージンが低下したり、レーザの他のパラメータが変化するなどの不都合が生じるため、設計が困難となる。
【０００６】
したがって、この発明の目的は、横方向への電流の広がりを簡便な手法で制御することによって、自励発振可能な動作条件の範囲を広くすることができ、しかも、動作条件の変化に対する安定性および信頼性の高い自励発振を実現することができる自励発振型半導体レーザおよびその動作方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、この発明の第１の発明は、
第１導電型の第１のクラッド層と、
第１のクラッド層上の活性層と、
活性層上の第２導電型の第２のクラッド層とを有し、
第２のクラッド層の上層部に設けられたストライプ部の両側の部分に電流狭窄層が埋め込まれた電流狭窄構造を有する自励発振型半導体レーザにおいて、
電流狭窄層に、レーザ駆動用電極から電気的に分離された電極が接続されている
ことを特徴とするものである。
【０００８】
この発明の第２の発明は、
第１導電型の第１のクラッド層と、
第１のクラッド層上の活性層と、
活性層上の第２導電型の第２のクラッド層と、
第２のクラッド層上のストライプ状の開口を有する電流狭窄層と、
電流狭窄層の開口の部分における第２のクラッド層上に設けられた第２導電型の第３のクラッド層とを有する自励発振型半導体レーザにおいて、
電流狭窄層に、レーザ駆動用電極から電気的に分離された電極が接続されている
ことを特徴とするものである。
【０００９】
この発明の第３の発明は、
第１導電型の第１のクラッド層と、
第１のクラッド層上の活性層と、
活性層上の第２導電型の第２のクラッド層とを有し、
第２のクラッド層の上層部に設けられたストライプ部の両側の部分に電流狭窄層が埋め込まれた電流狭窄構造を有し、
電流狭窄層に、レーザ駆動用電極から電気的に分離された電極が接続されている自励発振型半導体レーザの動作方法であって、
外部からレーザ駆動用電極に対してレーザ駆動用電圧を印加するとともに、電流狭窄層に対して電極を通じてレーザ駆動用電圧とは独立に所定の電圧を印加するようにした
ことを特徴とするものである。
【００１０】
この発明の第４の発明は、
第１導電型の第１のクラッド層と、
第１のクラッド層上の活性層と、
活性層上の第２導電型の第２のクラッド層と、
第２のクラッド層上のストライプ状の開口を有する電流狭窄層と、
電流狭窄層の開口の部分における第２のクラッド層上に設けられた第２導電型の第３のクラッド層とを有し、
電流狭窄層に、レーザ駆動用電極から電気的に分離された電極が接続されている自励発振型半導体レーザの動作方法であって、
外部からレーザ駆動用電極に対してレーザ駆動用電圧を印加するとともに、電流狭窄層に対して電極を通じてレーザ駆動用電圧とは独立に所定の電圧を印加するようにした
ことを特徴とするものである。
【００１１】
この発明において、電流狭窄層は、典型的には第１導電型のものであるが、場合によっては、この電流狭窄層は絶縁性または半絶縁性のものであってもよい。
【００１２】
この発明の第３の発明および第４の発明においては、電流狭窄層に対して印加する電圧を、例えば動作温度など、自励発振型半導体レーザの動作条件に応じて制御するようにしてもよい。
【００１３】
この発明の第３の発明において、第２のクラッド層がｐ型クラッド層で電流狭窄層の導電型がｎ型である場合は、この電流狭窄層に対して正の電圧を印加し、第２のクラッド層がｐ型クラッド層で電流狭窄層が絶縁性または半絶縁性のものである場合は、この電流狭窄層に対して負の電圧を印加する。一方、この発明の第３の発明において、第２のクラッド層がｎ型クラッド層で電流狭窄層の導電型がｐ型である場合は、この電流狭窄層に対して負の電圧を印加し、第２のクラッド層がｎ型クラッド層で電流狭窄層が絶縁性または半絶縁性のものである場合は、この電流狭窄層に対して正の電圧を印加する。
【００１４】
この発明の第４の発明において、第２のクラッド層および第３のクラッド層がｐ型クラッド層で電流狭窄層の導電型がｎ型である場合は、この電流狭窄層に対して正の電圧を印加し、第２のクラッド層および第３のクラッド層がｐ型クラッド層で電流狭窄層が絶縁性または半絶縁性のものである場合は、この電流狭窄層に対して負の電圧を印加する。一方、この発明の第４の発明において、第２のクラッド層および第３のクラッド層がｎ型クラッド層で電流狭窄層の導電型がｐ型である場合は、この電流狭窄層に対して負の電圧を印加し、第２のクラッド層および第３のクラッド層がｎ型クラッド層で電流狭窄層が絶縁性または半絶縁性のものである場合は、この電流狭窄層に対して正の電圧を印加する。
【００１５】
上述のように構成されたこの発明によれば、電流狭窄層に対して、レーザ駆動用電極から電気的に分離された電極が接続されていることにより、動作時に、この電極を通じて電流狭窄層に対して外部からレーザ駆動用電圧と独立に所定の電圧を印加することが可能である。そして、このように、電流狭窄層に対して所定の電圧を印加することによって、この電流狭窄層中に固定電荷が発生し、さらに、この電流狭窄層中に発生した固定電荷による静電誘導効果によって、第２のクラッド層中または第２のクラッド層および第３のクラッド層の双方の中に、これと反対極性の固定電荷が発生するため、素子内を流れる電流は、ストライプ部の中央に集中するようになる。このため、動作条件が変化した場合であっても、活性層中に注入されるキャリアの横方向への広がりが抑制され、その結果、活性層中のストライプ部の両側に対応する部分に、可飽和吸収領域が安定に形成されるようになり、例えば動作温度が高い場合など、従来は自励発振が不可能であった厳しい動作条件のもとでの自励発振が可能となる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００１７】
まず、この発明の第１の実施形態について説明する。図１は、この第１の実施形態によるＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザを示す。このＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザはＳＣＨ（Separate Confinement Heterostructure）構造を有し、活性層は多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有するものである。
【００１８】
図１に示すように、この第１の実施形態によるＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザにおいては、例えば、ｎ型ＧａＡｓ基板１上にｎ型Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓバッファ層２を介して、ｎ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層３、ｎ型Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ光導波層４、ノンドープのＡｌx3Ｇａ1-x3Ａｓ層を量子井戸層とするＭＱＷ構造の活性層５、ｐ型Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ光導波層６、ｐ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層７、ノンドープのＡｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ光導波層８およびｐ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層９が順次積層されている。
【００１９】
Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ光導波層８およびｐ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層９は、一方向に延びる所定幅のリッジストライプ形状を有する。このリッジストライプ部の両側の部分には、例えばｎ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層１０ａと、この上のｎ型ＧａＡｓ層１０ｂとからなるｎ型電流狭窄層１０が埋め込まれている。この場合、ｎ型電流狭窄層１０は、リッジストライプ部上の部分を含む全面に設けられており、リッジストライプ部上の所定部分にｐ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層９に達する所定幅のストライプ状の開口１０ｃを有する。ここで、ｎ型電流狭窄層１０のうち、上層のｎ型ＧａＡｓ層１０ｂは、この上に設けられる電極（後述する）とのコンタクトを良好にするための役割を有している。
【００２０】
横方向の両端の一部を除くｎ型電流狭窄層１０および開口１０ｃの部分におけるｐ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層９の上には、開口１０ｃを埋めるようにしてｐ型ＧａＡｓキャップ層１１が設けられている。
【００２１】
ここで、ｎ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層３、ｐ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層７、ｐ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層９およびｎ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓ層１０ａにおけるｘ１は、ｎ型Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓバッファ層２、ｎ型Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ光導波層４、ｐ型Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ光導波層６およびＡｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ光導波層８におけるｘ２より大きくされ、また、このｘ２は、活性層５の量子井戸層としてのＡｌx3Ｇａ1-x3Ａｓ層におけるｘ３より大きくされている。すなわち、ｘ１＞ｘ２＞ｘ３である。これらについてそれぞれ一例を挙げると、ｘ１＝０．４７、ｘ２＝０．３、ｘ３＝０．１３である。
【００２２】
このＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザにおいては、ｐ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層７とｐ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層９との間にＡｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ光導波層８が挿入されていることによって、横方向にステップ状の屈折率分布が作りつけられており、これによって、横方向の光導波が行われているが、この場合、リッジストライプ部における高屈折率の部分とその両側における低屈折率の部分との屈折率差が、通常のインデックスガイド型半導体レーザの場合と比べて小さく、横方向への光の閉じ込めが緩やかにされている。
【００２３】
また、このＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザを構成する各半導体層の厚さの一例を挙げると、ｎ型Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓバッファ層２の厚さは１μｍ、ｎ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層３の厚さは１．５μｍ、ｎ型Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ光導波層４、ｐ型Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ光導波層６およびＡｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ光導波層８の厚さはそれぞれ７０ｎｍ、ｐ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層７の厚さは０．３５μｍ、ｐ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層９の厚さは１．３μｍ、ｎ型電流狭窄層１０のうち、ｎ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓ層１０ａの厚さは０．８μｍ、ｎ型ＧａＡｓ層１０ｂの厚さは０．５μｍ、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１１の厚さは１．５μｍである。
【００２４】
ｐ型ＧａＡｓキャップ層１１上には、例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極のようなｐ側電極１２がオーミックコンタクトして設けられている。また、横方向の両端において、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１１で覆われていないｎ型電流狭窄層１０上の所定部分には、例えばＡｕＧｅ／Ｎｉ電極のような電極１３が、ｎ型ＧａＡｓ層１０ｂとオーミックコンタクトして設けられている。一方、ｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面には、例えばＡｕＧｅ／Ｎｉ電極のようなｎ側電極１４がオーミックコンタクトして設けられている。このように、このＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザにおいては、ｎ型電流狭窄層１０上に、ｐ側電極１２およびｎ側電極１４から分離された電極１３が設けられていることによって、外部からこの電極１３を通じてｎ型電流狭窄層１０に対して、レーザ駆動用電圧とは独立に所定の電圧を印加することが可能となっている。
【００２５】
次に、上述のように構成されたこのＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザの動作について説明する。
【００２６】
すなわち、このＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザを発振させる場合は、例えば、ｐ側電極１２に２〜３Ｖ程度の正の電圧を印加し、ｎ側電極１４を接地する。ここで、まず、動作温度が室温程度で、電極１３に電圧を印加しない場合の動作について説明する。この場合、図２に示すように、活性層５中において、電流（ここでは、活性層５に対してｎ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層３側から注入される電子ｅ- を示す）は、ほぼリッジストライプ部に対応した部分に広がるのに対して、光は、横方向の閉じ込めが緩やかにされていることによって、リッジストライプ部に対応する部分を越えて広がり、その結果、活性層５中のリッジストライプ部の両側に対応する部分に可飽和吸収領域１５が形成される。したがって、動作温度が室温程度の場合は、活性層５中に上述のように可飽和吸収領域１５が形成されることによって、電極１３に特に電圧を印加しなくても、このＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザは、自励発振する。
【００２７】
これに対して、動作温度が室温から上昇し、例えば７０℃程度の高温になった場合、電極１３に電圧が印加されていないと、ｎ型電流狭窄層１０による電流の阻止率が室温動作時に比べて低下し、その結果、活性層５中において、横方向への電流の広がりが室温動作時に比べて大きくなり、室温動作時に可飽和吸収領域１５が形成されていた部分にもキャリアが注入されるようになるため、自励発振が停止する。そこで、このＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザにおいては、動作温度が上昇した場合は、電極１３を通じてｎ型電流狭窄層１０に対して、レーザ駆動用電圧とは独立に所定の正の電圧を印加し、動作温度の上昇による横方向への電流の広がりを抑制するようにしている。
【００２８】
電極１３を通じてｎ型電流狭窄層１０に対して正の電圧を印加した場合、図３に示すように、このｎ型電流狭窄層１０中においては、電子が電極１３側に吸い寄せられ、ｎ型不純物によるプラス（＋）の固定電荷が残される。一方、ｎ型電流狭窄層１０との接合部の近傍におけるｐ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層７、ｐ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層９およびｐ型ＧａＡｓキャップ層１１中においては、ｎ型電流狭窄層１０に発生したプラス（＋）の固定電荷による静電誘導効果によってホールが反発され、その結果、ｐ型不純物によるマイナス（−）の固定電荷が発生する。このため、キャリアのうち、電子ｅ- は、ｐ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層７、ｐ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層９およびｐ型ＧａＡｓキャップ層１１中に発生したマイナス（−）の固定電荷の影響によって反発され、リッジストライプ部の中央に集中するようになり、ホール（図示せず）は、ｎ型電流狭窄層１０中に発生したプラス（＋）の固定電荷の影響によって反発され、電子ｅ- の場合と同様にリッジストライプ部の中央に集中するようになる。
【００２９】
このように、このＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザにおいては、ｎ型電流狭窄層１０に対して所定の正の電圧を印加することによって、動作温度が上昇した場合であっても電流の広がりを抑制することができるため、活性層５中のリッジストライプ部の両側に対応する部分に、室温動作時におけると同様に可飽和吸収領域１５が形成され、安定した自励発振が可能となる。なお、このＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザの場合、動作温度が７０℃のとき、電極１３に５〜１０Ｖ程度の正の電圧を印加することによって、５ｍＷ程度の出力まで自励発振が可能となる。
【００３０】
このＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザを、例えば、光ディスク記録／再生装置などの光源として用いた場合、自励発振動作が必要とされる再生時には、電極１３を通じてｎ型電流狭窄層１０に正の電圧を印加し、このＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザを例えば５ｍＷの出力で自励発振させる。このとき、こ例えば温度センサーおよびマイクロプロセッサなどを組み合わせて用い、このＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザの動作温度を常時モニターし、ｎ型電流狭窄層１０に印加する電圧を動作温度に応じて制御する（具体的には、動作温度が上昇するにつれて、ｎ型電流狭窄層１０に印加する電圧が大きくなるように制御する）ことによって、このＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザを、動作温度の変化によらずほぼ一定の状態で自励発振させることも可能である。一方、記録時には、特に自励発振動作させる必要がないため、ｎ型電流狭窄層１０への電圧の印加を停止し、このＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザを、例えば２０〜３０ｍＷの出力で高出力動作させる。
【００３１】
次に、上述のように構成された、この第１の実施形態によるＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザの製造方法について説明する。
【００３２】
すなわち、このＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザを製造するためには、まず、図４に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板１上にｎ型Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓバッファ層２、ｎ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層３、ｎ型Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ光導波層４、ＭＱＷ構造の活性層５、ｐ型Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ光導波層６、ｐ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層７、Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ光導波層８およびｐ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層９を、例えばＭＯＣＶＤ法により順次成長させる。
【００３３】
次に、ｐ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層９の全面に例えばＣＶＤ法によりＳｉＯ2 膜やＳｉＮ膜を形成した後、これをエッチングによりパターニングして所定幅のストライプ形状のマスク（図示せず）を形成し、このマスクをエッチングマスクとして用いて、ウエットエッチング法により、ｐ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層６の表面が露出するまでエッチングする。これによって、図５に示すように、Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ光導波層８およびｐ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層９が、一方向に延びる所定幅のリッジストライプ形状にパターニングされる。この後、エッチングマスクとして用いたマスクを除去する。
【００３４】
次に、図６に示すように、全面にｎ型電流狭窄層１０としてのｎ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓ層１０ａおよびｎ型ＧａＡｓ層１０ｂを、例えばＭＯＣＶＤ法により順次成長させる。次に、リッジストライプ部上の所定部分におけるｎ型電流狭窄層１０を選択的にエッチングすることにより、この部分に開口１０ｃを形成する。次に、ｎ型電流狭窄層１０の開口１０ｃの部分を埋めるようにして全面にｐ型ＧａＡｓキャップ層１１を例えばＭＯＣＶＤ法により成長させる。
【００３５】
次に、図７に示すように、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１１の全面にｐ側電極１２を形成する。
【００３６】
次に、ｐ側電極１２の全面に例えばＣＶＤ法によりＳｉＯ2 膜やＳｉＮ膜を形成した後、これをエッチングによりパターニングして、リッジストライプ部の近傍に対応する部分を覆い、横方向の両端の一部に開口を有する所定形状のマスク（図示せず）を形成する。次に、このマスクをエッチングマスクとして、ｎ型電流狭窄層１０の表面が露出するまでエッチングすることにより、図８に示すように、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１１およびｐ側電極１２を所定形状にパターニングする。
【００３７】
次に、横方向の両端において露出したｎ型電流狭窄層１０上の所定部分を除いた部分をレジストパターン（図示せず）で覆い、全面にＡｕＧｅ／Ｎｉ膜を形成した後、レジストパターンをその上のＡｕＧｅ／Ｎｉ膜とともに除去（リフトオフ）することにより、図９に示すように、ｎ型電流狭窄層１０上の所定部分に電極１３を形成する。
【００３８】
次に、ｎ型ＧａＡｓ基板１をその裏面側からラッピングすることにより所定の厚さにする。この後、図１に示すように、このｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面にｎ側電極１４を形成する。以上により、目的とするＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザが製造される。
【００３９】
以上のように、この第１の実施形態によれば、ｎ型電流狭窄層１０にｐ側電極１２およびｎ側電極１４から電気的に分離された電極１３が接続され、動作時に、この電極１３を通じてｎ型電流狭窄層１０に対して、レーザ駆動用電圧とは独立に所定の正の電圧を印加するようにしていることによって、例えば動作温度が上昇した場合など、動作条件が変化した場合であっても、活性層５中に注入されるキャリアの横方向へ広がりを抑制することができる。このため、この第１の実施形態によれば、ＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザの自励発振可能な動作条件の範囲を、従来と比べて広くすることができ、また、ｎ型電流狭窄層１０に印加する電圧を動作条件に応じて制御することにより、動作条件が変化した場合であっても自励発振の状態を維持することができるため、動作条件の変化に対する自励発振の安定性および信頼性の向上を図ることができる。
【００４０】
また、この第１の実施形態によれば、動作時にｎ型電流狭窄層１０に対して正の電圧を印加するという簡便な手法で、自励発振動作を制御、維持するようにしていることにより、通常の自励発振型半導体レーザの構造と比較して、ｎ型電流狭窄層１０に電極１３を接続するだけの変更で済むため、開発コストが低い上に、自励発振に対するマージンを大きくすることができるため、製造が容易であり、また、自励発振動作の制御は、素子内を流れる電流の横方向への広がりを抑制することのみによって実現されるため、他のレーザ特性の設計の自由度が増すという利点をも有する。
【００４１】
次に、この発明の第２の実施形態について説明する。図１０は、この第２の実施形態によるＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザの断面図である。このＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザはＳＣＨ構造を有し、活性層はＭＱＷ構造を有するものである。
【００４２】
図１０に示すように、この第２の実施形態によるＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザにおいては、例えば、ｎ型ＧａＡｓ基板２１上にｎ型Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓバッファ層２２を介して、ｎ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層２３、ｎ型Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ光導波層２４、ノンドープのＡｌx3Ｇａ1-x3Ａｓ層を量子井戸層とするＭＱＷ構造の活性層２５、ｐ型Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ光導波層２６およびｐ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層２７が順次積層されている。
【００４３】
ｐ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層２７上には、例えばｎ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層２８ａとこの上のｎ型ＧａＡｓ層２８ｂとからなり、一方向に延びる所定幅のストライプ状の開口２８ｃを有するｎ型電流狭窄層２８が積層されている。横方向の両端の一部を除くｎ型電流狭窄層２８およびその開口２８ｃの部分におけるｐ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層２７上には、ノンドープのＡｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ光導波層２９を介してｐ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層３０が積層されている。このｐ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層３０上には、ｐ型ＧａＡｓキャップ層３１が設けられている。
【００４４】
ここで、ｎ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層２３、ｐ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層２７、ｎ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓ層２８ａおよびｐ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層３０におけるｘ１は、ｎ型Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓバッファ層２２、ｎ型Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ光導波層２４、ｐ型Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ光導波層２６およびＡｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ光導波層２９におけるｘ２より大きくされ、また、このｘ２は、活性層２５の量子井戸層としてのＡｌx3Ｇａ1-x3Ａｓ層におけるｘ３より大きくされている。すなわち、ｘ１＞ｘ２＞ｘ３である。これらについてそれぞれ一例を挙げると、ｘ１＝０．４７、ｘ２＝０．３、ｘ３＝０．１３である。
【００４５】
このＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザにおいては、開口２８ｃにおけるｐ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層２７とｐ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層３０との間にＡｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ光導波層２９が挿入されていることによって、横方向にステップ状の屈折率分布が作りつけられており、これによって、横方向の光導波が行われている。なお、この場合、リッジストライプ部における高屈折率の部分とその両側における低屈折率の部分との屈折率差が、通常のインデックスガイド型半導体レーザの場合と比べて小さく、横方向への光の閉じ込めが緩やかにされている。
【００４６】
また、このＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザを構成する各半導体層の厚さの一例を挙げると、ｎ型Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓバッファ層２２の厚さは１μｍ、ｎ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層２３の厚さは１．５μｍ、ｎ型Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ光導波層２４、ｐ型Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ光導波層２６およびＡｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ光導波層２９の厚さはそれぞれ７０ｎｍ、ｐ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層２７の厚さは０．３５μｍ、ｎ型電流狭窄層２８のうち、ｎ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓ層２８ａの厚さは０．４μｍ、ｎ型ＧａＡｓ層２８ｂの厚さは０．３μｍ、ｐ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層３０の厚さは１μｍ、ｐ型ＧａＡｓキャップ層３１の厚さは０．５μｍである。
【００４７】
ｐ型ＧａＡｓキャップ層３１上には、例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極のようなｐ側電極３２がオーミックコンタクトして設けられている。また、横方向の両端において、ｐ型ＧａＡｓキャップ層３１、ｐ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層３０およびＡｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ光導波層２９で覆われていないｎ型電流狭窄層２８上の所定部分には、例えばＡｕＧｅ／Ｎｉ電極のような電極３３が、ｎ型ＧａＡｓ層２８ｂとオーミックコンタクトして設けられている。一方、ｎ型ＧａＡｓ基板２１の裏面には、例えばＡｕＧｅ／Ｎｉ電極のようなｎ側電極３４がオーミックコンタクトして設けられている。このように、このＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザにおいては、ｎ型電流狭窄層２８上に、ｐ側電極３２およびｎ側電極３４から分離された電極３３が設けられていることによって、外部からこの電極３３を通じてｎ型電流狭窄層２８に対して、レーザ駆動用電圧とは独立に所定の電圧を印加することが可能となっている。
【００４８】
上述のように構成されたこの第２の実施形態によるＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザは、第１の実施形態によるＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザと同様の動作を行うことができる。
【００４９】
次に、上述のように構成されたこの第２の実施形態によるＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザの製造方法について説明する。
【００５０】
すなわち、このＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザを製造するためには、まず、図１１に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板２１上にｎ型Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓバッファ層２２、ｎ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層２３、ｎ型Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ光導波層２４、活性層２５、ｐ型Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ光導波層２６、ｐ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層２７およびｎ型電流狭窄層２８を構成するｎ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓ層２８ａとｎ型ＧａＡｓ層２８ｂとを、例えばＭＯＣＶＤ法により順次成長させる。
【００５１】
次に、ｎ型電流狭窄層２８上に、ＳｉＯ2 膜やＳｉＮ膜などからなる一方向に延びた所定幅のストライプ状の開口を有するマスク（図示せず）を形成する。次に、このマスクをエッチングマスクとして用いて、ウエットエッチング法により、ｎ型電流狭窄層２８を選択的にエッチングする。これによって、図１２に示すように、ｎ型電流狭窄層２８に一方向に延びるストライプ状の開口２８ｃが形成される。この後、エッチングに用いたマスクを除去する。
【００５２】
次に、図１３に示すように、ｎ型電流狭窄層２８の全面にその開口２８ｃを埋め込むようにして、Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ光導波層２９およびｐ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層３０を例えばＭＯＣＶＤ法により順次成長させ、ｐ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層３０の全面にｐ型ＧａＡｓキャップ層３１を例えばＭＯＣＶＤ法により成長させる。
【００５３】
次に、図１４に示すように、ｐ型ＧａＡｓキャップ層３１の全面にｐ側電極３２を形成する。
【００５４】
次に、ｐ側電極３２の全面に例えばＣＶＤ法によりＳｉＯ2 膜やＳｉＮ膜を形成した後、これをエッチングによりパターニングして、リッジストライプ部の近傍に対応する部分を覆い、横方向の両端の一部に開口を有する所定形状のマスク（図示せず）を形成する。次に、このマスクをエッチングマスクとして、ｎ型電流狭窄層２８の表面が露出するまでエッチングすることにより、図１５に示すように、Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ光導波層２９、ｐ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層３０、ｐ型ＧａＡｓキャップ層３１およびｐ側電極３２を所定形状にパターニングする。
【００５５】
次に、横方向の両端において露出したｎ型電流狭窄層２８上の所定部分を除いた部分をレジストパターン（図示せず）で覆い、全面にＡｕＧｅ／Ｎｉ膜を形成した後、レジストパターンをその上のＡｕＧｅ／Ｎｉ膜とともに除去（リフトオフ）することにより、図１６に示すように、ｎ型電流狭窄層２８上の所定部分に電極３３を形成する。
【００５６】
次に、ｎ型ＧａＡｓ基板２１をその裏面側からラッピングすることにより所定の厚さにする。この後、図１０に示すように、このｎ型ＧａＡｓ基板２１の裏面にｎ側電極３４を形成する。以上により、目的とするＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザが製造される。
【００５７】
この第２の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の利点を得ることができる。
【００５８】
次に、この発明の第３の実施形態について説明する。図１７は、この第３の実施形態によるＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザの断面図である。このＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザは、垂直共振器構造を有する面発光型のものである。図１７において、図１０と同一または対応する部分には、同一の符号を付す。
【００５９】
図１７に示すように、このＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザにおいては、ｎ型ＧａＡｓ基板２１上に、ｎ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓバッファ層２２を介して、レーザ構造を構成する各半導体層が、第２の実施形態によるＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザと同様に積層されている。ただし、この場合、ｎ型電流狭窄層２８は、ｐ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層２７上のｎ型ＧａＡｓ層２８ｄと、このｎ型ＧａＡｓ層２８ｄ上のｎ型Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ層２８ｅとからなる。ここで、ｎ型電流狭窄層２８のうち、ｎ型ＧａＡｓ層２８ｄの厚さは例えば０．１μｍである。また、このＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザにおいては、所定部分に反射鏡（図示せず）が設けられ、これによって、ｎ型ＧａＡｓ基板２１の主面と垂直な方向に共振器構造が形成されており、ｎ型ＧａＡｓ基板２１の裏面側の所定部分には、レーザ光を取り出すための溝２１ａが設けられている。
【００６０】
また、このＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザにおいては、ｎ型ＧａＡｓ基板２１上にｐ型ＧａＡｓキャップ層３１まで積層した後、ｎ型ＧａＡｓ基板２１の裏面側からエッチングを行うことにより、横方向の両端の部分に、ｎ型電流狭窄層２８のｎ型ＧａＡｓ層２８ｄを露出させている。したがって、この場合、電極３３は、ｎ型電流狭窄層２８のうち、ｐ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層２７と接する側に設けられたｎ型ＧａＡｓ層２８ｄとコンタクトしている。
【００６１】
ここで、ｎ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層２３、ｐ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層２７およびｐ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層３０におけるｘ１は、ｎ型Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓバッファ層２２、ｎ型Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ光導波層２４、ｐ型Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ光導波層２６、ｎ型Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ層２８ｅおよびＡｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ光導波層２９におけるｘ２より大きくされ、また、このｘ２は、活性層２５の量子井戸層としてのＡｌx3Ｇａ1-x3Ａｓ層におけるｘ３より大きくされている。すなわち、ｘ１＞ｘ２＞ｘ３である。これらについてそれぞれ一例を挙げると、ｘ１＝０．４７、ｘ２＝０．３、ｘ３＝０．１３である。
【００６２】
このＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザのその他の構成は、第２の実施形態によるＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザと同様であるので、説明を省略する。
【００６３】
このＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザは、ｐ側電極３２およびｎ側電極３４から電気的に分離された電極３３を通じて、ｎ型電流狭窄層２８に対して所定の正の電圧を印加することによって、第１の実施形態によるＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザと同様の動作を行うことができる。
【００６４】
この第３の実施形態によれば、垂直共振器構造を有する面発光型のＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザにおいて、第１の実施形態と同様の利点を得ることができる。
【００６５】
以上この発明の実施形態について具体的に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。例えば、実施形態において挙げた数値、材料、構造などはあくまで例にすぎず、これらに限定されるものではない。
【００６６】
具体的には、上述の第１〜第３の実施形態におけるｎ型電流狭窄層１０、２８は、ｎ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓ層１０ａ、２８ａとｎ型ＧａＡｓ層１０ｂ、２８ｂとの積層構造、または、ｎ型ＧａＡｓ層２８ｄとｎ型Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ層２８ｅとの積層構造を有するものであるが、これらは、例えば、単層のｎ型ＡｌＧａＡｓ層またはｎ型ＧａＡｓ層であってもよい。
【００６７】
また、第１〜第３の実施形態におけるｎ型電流狭窄層１０、２８に代えて、絶縁性または半絶縁性の電流狭窄層を用いてもよい。具体的には、例えば、電流狭窄層を半絶縁性とする場合には、ＣｏまたはＦｅなどがドープされた半絶縁性のＡｌＧａＡｓ層やＧａＡｓ層を用いて電流狭窄層を構成する。なお、第１〜第３の実施形態において、電流狭窄層を絶縁性または半絶縁性とした場合、動作時には、この電流狭窄層に対して負の電圧を印加する。このときの動作原理は、第１の実施形態において説明した動作原理と同様である。具体的には、例えば、第１の実施形態において、ｎ型電流狭窄層１０の代わりに半絶縁性の電流狭窄層を用いた場合を例に説明すると、この半絶縁性の電流狭窄層に対して負の電圧を印加することによって、電流狭窄層中の電極と反対側の部分にプラス（＋）の電荷が誘導され、一方、この電流狭窄層との接合部の近傍におけるｐ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層７、ｐ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層９およびｐ型ＧａＡｓキャップ層１１中には、電流狭窄層に発生したプラス（＋）の固定電荷による静電誘導効果によってホールが反発される結果、マイナス（−）の固定電荷が発生する。このため、キャリアのうち、電子ｅ- は、ｐ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層７、ｐ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層９およびｐ型ＧａＡｓキャップ層１１中に発生したマイナス（−）の固定電荷の影響によって反発され、リッジストライプ部の中央に集中するようになり、ホール（図示せず）は、電流狭窄層中に発生したプラス（＋）の固定電荷の影響によって反発され、電子ｅ- の場合と同様にリッジストライプ部の中央に集中するようになる。
【００６８】
また、例えば、上述の第１〜第３の実施形態において、基板や各半導体層の導電型を反対にしてもよい。この場合、電流狭窄層としては、導電型がｐ型のものを用いるか、あるいは、絶縁性または半絶縁性のものを用いる。なお、ｐ型の電流狭窄層を用いた場合は、動作時には、このｐ型の電流狭窄層に対して負の電圧を印加し、絶縁性または半絶縁性の電流狭窄層を用いた場合は、動作時には、この絶縁性また半絶縁性の電流狭窄層に対して正の電圧を印加する。
【００６９】
また、第１〜第３の実施形態においては、この発明をＳＣＨ構造のＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザに適用した場合について説明したが、この発明は、ＤＨ（Double Heterostructure）構造のＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザに適用することも可能である。また、活性層は、ＭＱＷ構造以外の構造であってもよい。
【００７０】
さらに、第１〜第３の実施形態においては、この発明をＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザに適用した場合について説明したが、この発明は、ＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザ以外に、ＡｌＧａＩｎＰ系自励発振型半導体レーザ、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を用いた自励発振型半導体レーザおよび窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた自励発振型半導体レーザに適用することも可能である。なお、通常、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を用いた自励発振型半導体レーザにあっては、電流狭窄層の材料としてＡｌ2 Ｏ3 が用いられ、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた自励発振型半導体レーザにあっては、電流狭窄層の材料としてＳｉＯ2 が用いられるが、電流狭窄層の材料としてこのような絶縁体を用いた場合であっても、上述の実施形態のおいて説明した効果と同様の効果を得ることができる。
【００７１】
なお、この発明と同様の技術思想は、自励発振型半導体レーザ以外の通常の半導体レーザに適用することも可能であり、この場合、半導体レーザの動作時に電流狭窄層に対して所定の電圧を印加することによって、通常の半導体レーザを自励発振動作させることも可能である。また、自励発振型半導体レーザのように、横方向の屈折率差Δｎが小さく、光の閉じ込めが緩やかにされている場合は、横方向への光の広がりは、活性層へのキャリアの注入状態の影響をほとんど受けないが、インデックスガイド型半導体レーザのように、自励発振型半導体レーザと比較して横方向の屈折率差Δｎが大きくされ、光の閉じ込めが強くされている場合は、電流狭窄層に電圧を印加して、活性層へのキャリアの注入状態を変化させることにより、ビーム形状を直接制御することが可能である。具体的には、この場合、電流狭窄層に対して電圧を印加することによって、電圧を印加しないときに比べて、活性層中におけるキャリアの横方向への広がりが小さくなるため（キャリアの注入領域が狭くなるため）、遠視野像（ＦＦＰ）の水平方向におけるビーム広がり角θ//を大きくすることができる。
【００７２】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、電流狭窄層にレーザ駆動用電極から電気的に分離された電極が接続されていることにより、動作時に、外部から電極を通じて電流狭窄層に対してレーザ駆動用電圧とは独立に所定の電圧を印加するという簡便な手法で、自励発振を制御することができ、これによって、自励発振可能な動作条件の範囲が広く、しかも、動作条件の変化に対する自励発振の安定性および信頼性の高い自励発振型半導体レーザを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  この発明の第１の実施形態によるＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザの断面図である。
【図２】  この発明の第１の実施形態によるＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザの動作を説明するための断面図である。
【図３】  この発明の第１の実施形態によるＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザの動作を説明するための断面図である。
【図４】  この発明の第１の実施形態によるＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図５】  この発明の第１の実施形態によるＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図６】  この発明の第１の実施形態によるＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図７】  この発明の第１の実施形態によるＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図８】  この発明の第１の実施形態によるＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図９】  この発明の第２の実施形態によるＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザの断面図である。
【図１０】  この発明の第２の実施形態によるＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図１１】  この発明の第２の実施形態によるＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図１２】  この発明の第２の実施形態によるＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図１３】  この発明の第２の実施形態によるＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図１４】  この発明の第２の実施形態によるＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図１５】  この発明の第２の実施形態によるＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図１６】  この発明の第２の実施形態によるＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図１７】  この発明の第３の実施形態によるＡｌＧａＡｓ系自励発振型半導体レーザの断面図である。
【符号の説明】
１，２１・・・ｎ型ＧａＡｓ基板、３，２３・・・ｎ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層、４，２４・・・ｎ型Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ光導波層、５，２５・・・活性層、６，２６・・・ｐ型Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ光導波層、７，９，２７，３０・・・ｐ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層、８，２９・・・Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ光導波層、１０，２８・・・ｎ型電流狭窄層、１０ａ，２８ａ・・・ｎ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓ層、１０ｂ，２８ｂ，２８ｄ・・・ｎ型ＧａＡｓ層、２８ｅ・・・ｎ型Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ層、１１，３１・・・ｐ型ＧａＡｓキャップ層、１２，３２・・・ｐ側電極、１３，３３・・・電極、１４，３４・・・ｎ側電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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