(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板の上面側の両端部側に上面電極が形成され、それぞれの前記上面電極の内側の端部から外側の端部までの１／２以上の長さにわたって該上面電極に重なるようにして前記上面電極間に抵抗体層が形成されたチップ抵抗器において、
その両端部側には、前記上面電極の一部、下面、両側面および端面を取り囲むように導電性接着剤よりなる外部電極層が形成され、
該外部電極層の上にメッキ層が形成されており、
前記絶縁基板の上面側は、両端部と中央部とがほぼ同じ高さ、または、両端部が中央部よりも高い高さであり、
前記抵抗体層は、前記外部電極のうち、前記絶縁基板の上面に形成された部分の下方まで延びているとともに、その両端部における幅が中央部における幅よりも広く、かつ、前記上面電極の幅とほぼ同じ幅となるように、さらに、前記両端部における前記幅の広い部分が前記上面電極の内側の端部よりも前記上面電極の内部にあるように形成されていることを特徴とするチップ抵抗器。
【請求項２】
絶縁基板の上面側の両端部側に上面電極が形成され、それぞれの前記上面電極の内側の端部から外側の端部までの１／２以上の長さにわたって該上面電極に重なるようにして前記上面電極間に抵抗体層が形成されたチップ抵抗器において、
その両端部側には、前記上面電極の一部、下面および端面を覆うように導電性接着剤よりなる外部電極層が形成され、
該外部電極層の上にメッキ層が形成されており、
前記絶縁基板の上面側は、両端部と中央部とがほぼ同じ高さ、または、両端部が中央部よりも高い高さであり、
前記抵抗体層は、前記外部電極のうち、前記絶縁基板の上面に形成された部分の下方まで延びているとともに、その両端部における幅が中央部における幅よりも広く、かつ、前記上面電極の幅とほぼ同じ幅となるように、さらに、前記両端部における前記幅の広い部分が前記上面電極の内側の端部よりも前記上面電極の内部にあるように形成されていることを特徴とするチップ抵抗器。
【請求項３】
前記絶縁基板の下面の両端部側に下面電極が形成され、該下面電極は、前記外部電極層に埋没していることを特徴とする請求項１または２に記載のチップ抵抗器。
【請求項４】
前記抵抗体層は、前記絶縁基板の両端に達するように形成されたものであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載のチップ抵抗器。
【請求項５】
前記抵抗体層は、前記絶縁基板の両端に達しないように両端から隙間をあけて形成されたものであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載のチップ抵抗器。
【請求項６】
絶縁基板の上面側の両端部側に上面電極と、それぞれの前記上面電極の内側の端部から外側の端部までの１／２以上の長さにわたって前記上面電極に重なるように両上面電極間に抵抗体層を形成した後、両端部側に外部電極層を形成し、該外部電極層の上にメッキ層を形成するチップ抵抗器の製造方法において、
前記外部電極層は、前記上面電極の一部、下面、両側面および端面を取り囲むように導電性接着剤により形成し、前記外部電極層は、メッキ層が形成された後の前記絶縁基板の上面側が、両端部と中央部とがほぼ同じ高さ、または、両端部が中央部よりも高くなる高さとなるように形成し、
前記抵抗体層は、前記外部電極のうち、前記絶縁基板の上面に形成される部分の下方まで延びるように形成するとともに、その両端部における幅が中央部における幅よりも広く、かつ、前記上面電極の幅とほぼ同じ幅となるように、さらに、前記両端部における前記幅の広い部分が前記上面電極の内側の端部よりも前記上面電極の内部にあるように形成することを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
【請求項７】
前記外部電極を形成する前に、前記絶縁基板の下面の両端部側に下面電極を形成することを特徴とする請求項６に記載のチップ抵抗器の製造方法。
形成することを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
【請求項８】
絶縁基板の上面側の両端部側に上面電極と、それぞれの上面電極の内側の端部から外側の端部までの１／２以上の長さにわたって該上面電極に重なるように両上面電極間に抵抗体層が形成されたチップ抵抗器の製造方法であって、前記上面電極間に形成される抵抗体層が前記上面電極間を結ぶ方向を横方向とし、該横方向と直交する方向を縦方向として、絶縁基板の表面に、上面電極および抵抗体層が形成された個片を縦方向および横方向に多数個形成した後、絶縁基板を分割してチップ抵抗器を製造する多数個取りのチップ抵抗器の製造方法において、
前記絶縁基板の上面側に前記上面電極および前記抵抗体層を形成し、前記絶縁基板を縦方向に長い短冊状の基板となるように縦方向に分割した後、短冊状の基板の横方向の両端部側において、前記上面電極の一部、下面および端面を覆うように導電性接着剤よりなる外部電極層を形成し、
ついで、個々の個片となるように横方向に分割した後、前記外部電極層の上にメッキ層を形成するとともに、前記外部電極層は、前記絶縁基板の上面側において、両端部と中央部とがほぼ同じ高さ、または、両端部が中央部よりも高くなる高さとなるように形成し、
前記抵抗体層は、前記外部電極のうち、前記絶縁基板の上面に形成される部分の下方まで延びるように形成するとともに、その両端部における幅が中央部における幅よりも広く、かつ、前記上面電極の幅とほぼ同じ幅となるように、さらに、前記両端部における前記幅の広い部分が前記上面電極の内側の端部よりも前記上面電極の内部にあるように形成することを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
【請求項９】
前記絶縁基板を縦方向に長い短冊状の基板となるように縦方向に分割する前に、前記絶縁基板の下面の両端部側に下面電極を形成することを特徴とする請求項８に記載のチップ抵抗器の製造方法。
【請求項１０】
前記抵抗体層を、前記絶縁基板の両端に達するように形成することを特徴とする請求項６ないし９のいずれか１項に記載のチップ抵抗器の製造方法。
【請求項１１】
前記抵抗体層を、前記絶縁基板の両端に達しないように両端から隙間をあけて形成することを特徴とする請求項６ないし９のいずれか１項に記載のチップ抵抗器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、回路基板に実装するチップ抵抗器、特に、バルクカセットから回路基板に実装される、いわゆるバルク実装に適したチップ抵抗器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図９は、チップ抵抗器の第１の従来例を製造方法とともに説明するための断面図である。図中、２１は絶縁基板、２２は上面電極、２３は下面電極、２４は抵抗体層、２５は第１保護層、２６は第２保護層、２７は側面電極、２８はニッケルメッキ層、２９はハンダメッキ層である。
【０００３】
アルミナ等を用いた絶縁基板２１の上面の左右両端部に一対の上面電極２２が形成され、絶縁基板２１の下面の左右両端部に一対の下面電極２３が形成されている。一対の上面電極２２の一部に重なるように、抵抗体層２４が形成されている。絶縁基板２１は、多数個のチップ抵抗器が  作製できるように、多数個取りの絶縁基板を用いるのが普通である。多数個取りの絶縁基板は、分割用の溝によって個別の抵抗器領域に区画されており、分割用の溝は、抵抗体層２４の長手方向に直交する方向の１次分割用溝（縦溝ともいわれる。）と、抵抗体層２４の長手方向に平行する２次分割用溝（横溝ともいわれる。）とよりなっている。
【０００４】
上面電極２２は、ＡｇまたはＡｇ−Ｐｄの厚膜グレーズペーストによって絶縁基板２１の表面にスクリーン印刷され、焼成されて形成される。下面電極２３も同様にして形成される。その後、ＲｕＯ2 系等の抵抗ペーストをスクリーン印刷し、焼成して、抵抗体層２４が形成される。抵抗体層２４の表面に、ホウ珪酸鉛ガラス系等のガラスペーストを用いてスクリーン印刷し、焼成して、第１保護層２５が形成される。ここで、抵抗値を修正するためにレーザ光を用いたトリミングが行なわれる。ついで、上面電極２２の一部と第１保護層２５とに重合するように、ホウ珪酸鉛ガラス系等のガラスペーストを用いてスクリーン印刷し、焼成して、第２保護層２６が形成される。
【０００５】
１次分割用溝に沿って分割された後、Ａｇ等を含む導電ペーストを、上面電極２２の一部と短冊状に１次分割された絶縁基板２１の端面、および、下面電極２３とを覆うように塗布し、焼成して、側面電極２７が形成される。ついで、２次分割用溝に沿って２次分割して、各個片とした後、ニッケルメッキ層２８、ハンダメッキ層２９の順でメッキを施して、チップ抵抗器が製造される。
【０００６】
このようにして製造されたチップ抵抗器は、その上面は、両端部に比較して、第２保護層の表面部分が突出している。回路への実装に際して、図１０（Ａ）に示すように、バルクカセットから供給されたチップ抵抗器３０（輪郭のみを図示した。）が、その上面側が上になるように基板３１上のランド部３２に実装された場合には、電気的な接続に関しての問題はない。しかし、図１０（Ｂ）に示すように、チップ抵抗器３０の上面側が下になるように基板３１上のランド部３２に実装された場合には、電極の浮き上がりが発生することがあり、電気的な接続が達成できないという問題を生じる。
【０００７】
メッキ層を厚くして、メッキ層の表面の高さを第２保護層の表面の高さよりも高くすることが考えられるが、メッキ層を厚くするとメッキ工程に要する時間が長くなる。例えば、ニッケルメッキ１μｍ厚に要する時間が１時間程度であるとすれば、２０μｍ厚のメッキには２０時間を要することになる。したがって、電極部を第２保護層の厚さよりも高くする電極部の嵩上げ方法の採用も効率的な生産の面からは適当でない。側面電極２７を厚くすることも考えられるが、十分な厚さを得ることが困難であるばかりでなく、厚膜グレーズペーストは、乾燥，燒結工程での体積収縮率が大きいという問題がある。
【０００８】
特開平１０−３３５１０６号公報において、第八具体例として、同公報の図５および図７（ａ）を参照して説明されたチップ抵抗器では、抵抗体層を基板の端部にまで延長している。
【０００９】
図１１は、第２の従来例として、上記公報に記載された第八具体例のチップ抵抗器を説明するためのもので、図１１（Ａ）は断面図、図１１（Ｂ）は抵抗体層の形状を示す平面図、図１１（Ｃ）は図１１（Ｂ）のＣ−Ｃ線断面図、図１１（Ｄ）は参考例のＣ−Ｃ線断面図である。図中、図９と同様の部分には同じ符号を付して説明を省略する。
【００１０】
この第２の従来例では、電極部は、側面電極２７、ニッケルメッキ層２８、ハンダメッキ層２９で嵩上げがされるが、メッキ層を厚くすると、上述したように、厚さの確保に時間がかかる。嵩上げ分を側面電極２７を厚くして確保しようとすると、十分な厚さを得ることが困難であるばかりでなく、厚膜グレーズペーストは、乾燥，燒結工程での体積収縮率が大きいという問題がある。
【００１１】
さらに、抵抗体層２４は、第１の従来例と同様に、先に形成された上面電極２２の上に跨るように形成されるが、図１１（Ｂ）に示すように、上面電極２２の一部に抵抗体層２４が跨るので、その上に形成される側面電極２７の上面が、図１１（Ｃ）に示すように、丸みを帯びて、フラットにならず、チップ抵抗器の実装を行なう際に転がりやすく、搭載性が悪いという問題がある。
【００１２】
抵抗体層２４を先に形成し、その上に上面電極を形成するようにしても、図１１（Ｄ）に示すように、上面電極２２，側面電極２７の上面が丸みを帯びて、フラットにならないことは同様であり、チップ抵抗器の実装を行なう際に転がりやすく、搭載性が悪いという問題は避けられない。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、上面側、下面側のいずれが上になるように実装されても、接続不良が生じることのなく、しかも、搭載性が良好なチップ抵抗器、および、その製造方法を提供することを目的とするものである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、絶縁基板の上面側の両端部側に上面電極が形成され、それぞれの前記上面電極の内側の端部から外側の端部までの１／２以上の長さにわたって該上面電極に重なるようにして前記上面電極間に抵抗体層が形成されたチップ抵抗器において、その両端部側には、前記上面電極の一部、下面、両側面および端面を取り囲むように導電性接着剤よりなる外部電極層が形成され、該外部電極層の上にメッキ層が形成されており、前記絶縁基板の上面側は、両端部と中央部とがほぼ同じ高さ、または、両端部が中央部よりも高い高さであり、前記抵抗体層は、前記外部電極のうち、前記絶縁基板の上面に形成された部分の下方まで延びているとともに、その両端部における幅が中央部における幅よりも広く、かつ、前記上面電極の幅とほぼ同じ幅となるように、さらに、前記両端部における前記幅の広い部分が前記上面電極の内側の端部よりも前記上面電極の内部にあるように形成されていることを特徴とするものである。
【００１７】
請求項２に記載の発明は、絶縁基板の上面側の両端部側に上面電極が形成され、それぞれの前記上面電極の内側の端部から外側の端部までの１／２以上の長さにわたって該上面電極に重なるようにして前記上面電極間に抵抗体層が形成されたチップ抵抗器において、その両端部側には、前記上面電極の一部、下面および端面を覆うように導電性接着剤よりなる外部電極層が形成され、該外部電極層の上にメッキ層が形成されており、前記絶縁基板の上面側は、両端部と中央部とがほぼ同じ高さ、または、両端部が中央部よりも高い高さであり、前記抵抗体層は、前記外部電極のうち、前記絶縁基板の上面に形成された部分の下方まで延びているとともに、その両端部における幅が中央部における幅よりも広く、かつ、前記上面電極の幅とほぼ同じ幅となるように、さらに、前記両端部における前記幅の広い部分が前記上面電極の内側の端部よりも前記上面電極の内部にあるように形成されていることを特徴とするものである。
【００１８】
請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載のチップ抵抗器において、前記絶縁基板の下面の両端部側に下面電極が形成され、該下面電極は、前記外部電極層に埋没していることを特徴とするものである。
【００１９】
請求項４に記載の発明は、請求項１ないし３のいずれか１項に記載のチップ抵抗器において、前記抵抗体層は、前記絶縁基板の両端に達するように形成されたものであることを特徴とするものである。
【００２０】
請求項５に記載の発明は、請求項１ないし３のいずれか１項に記載のチップ抵抗器において、前記抵抗体層は、前記絶縁基板の両端に達しないように両端から隙間をあけて形成されたものであることを特徴とするものである。
【００２２】
請求項６に記載の発明は、絶縁基板の上面側の両端部側に上面電極と、それぞれの前記上面電極の内側の端部から外側の端部までの１／２以上の長さにわたって前記上面電極に重なるように両上面電極間に抵抗体層を形成した後、両端部側に外部電極層を形成し、該外部電極層の上にメッキ層を形成するチップ抵抗器の製造方法において、前記外部電極層は、前記上面電極の一部、下面、両側面および端面を取り囲むように導電性接着剤により形成し、前記外部電極層は、メッキ層が形成された後の前記絶縁基板の上面側が、両端部と中央部とがほぼ同じ高さ、または、両端部が中央部よりも高くなる高さとなるように形成し、前記抵抗体層は、前記外部電極のうち、前記絶縁基板の上面に形成される部分の下方まで延びるように形成するとともに、その両端部における幅が中央部における幅よりも広く、かつ、前記上面電極の幅とほぼ同じ幅となるように、さらに、前記両端部における前記幅の広い部分が前記上面電極の内側の端部よりも前記上面電極の内部にあるように形成することを特徴とするものである。
【００２３】
請求項７に記載の発明は、請求項６に記載のチップ抵抗器の製造方法において、前記外部電極を形成する前に、前記絶縁基板の下面の両端部側に下面電極を形成することを特徴とするものである。
【００２５】
請求項８に記載の発明は、絶縁基板の上面側の両端部側に上面電極と、それぞれの上面電極の内側の端部から外側の端部までの１／２以上の長さにわたって該上面電極に重なるように両上面電極間に抵抗体層が形成されたチップ抵抗器の製造方法であって、前記上面電極間に形成される抵抗体層が前記上面電極間を結ぶ方向を横方向とし、該横方向と直交する方向を縦方向として、絶縁基板の表面に、上面電極および抵抗体層が形成された個片を縦方向および横方向に多数個形成した後、絶縁基板を分割してチップ抵抗器を製造する多数個取りのチップ抵抗器の製造方法において、前記絶縁基板の上面側に前記上面電極および前記抵抗体層を形成し、前記絶縁基板を縦方向に長い短冊状の基板となるように縦方向に分割した後、短冊状の基板の横方向の両端部側において、前記上面電極の一部、下面および端面を覆うように導電性接着剤よりなる外部電極層を形成し、ついで、個々の個片となるように横方向に分割した後、前記外部電極層の上にメッキ層を形成するとともに、前記外部電極層は、前記絶縁基板の上面側において、両端部と中央部とがほぼ同じ高さ、または、両端部が中央部よりも高くなる高さとなるように形成し、前記抵抗体層は、前記外部電極のうち、前記絶縁基板の上面に形成される部分の下方まで延びるように形成するとともに、その両端部における幅が中央部における幅よりも広く、かつ、前記上面電極の幅とほぼ同じ幅となるように、さらに、前記両端部における前記幅の広い部分が前記上面電極の内側の端部よりも前記上面電極の内部にあるように形成することを特徴とするものである。
【００２６】
請求項９に記載の発明は、請求項８に記載のチップ抵抗器の製造方法において、前記絶縁基板を縦方向に長い短冊状の基板となるように縦方向に分割する前に、前記絶縁基板の下面の両端部側に下面電極を形成することを特徴とするものである。
【００２７】
請求項１０に記載の発明は、請求項６ないし９のいずれか１項に記載のチップ抵抗器の製造方法において、前記抵抗体層を、前記絶縁基板の両端に達するように形成することを特徴とするものである。
【００２８】
請求項１１に記載の発明は、請求項６ないし９のいずれか１項に記載のチップ抵抗器の製造方法において、前記抵抗体層を、前記絶縁基板の両端に達しないように両端から隙間をあけて形成することを特徴とするものである。
【００２９】
【発明の実施の形態】
図１，図２は、本発明のチップ抵抗器の第１の実施の形態の一例を説明するためのもので、図１はチップ抵抗器の断面図、図２は実装状態の説明図である。図中、１は絶縁基板、２は上面電極、３は抵抗体層、４は第１保護層、５は第２保護層、６は外部電極層、７はニッケルメッキ層、８はハンダメッキ層である。
【００３０】
アルミナ等を用いた絶縁基板１の上面の左右両端部に一対の上面電極２が形成されている。一対の上面電極２の一部に重なるように、抵抗体層３が形成されている。抵抗体層３の表面には、第１保護層４としてガラス保護膜が形成され、その上に第２保護層５が形成されている。第２保護層５は、エポキシ樹脂等の樹脂膜やガラス保護膜を用いることができる。外部電極層６は、両端部において、上面電極２の一部、絶縁基板１の端面、絶縁基板１の下面、絶縁基板１の両側面の５つの面に跨って形成されている。外部電極層６の材料は、導電性接着剤が用いられ、後述するように、浸漬（ディップ）や塗布により形成されている。外部電極層６の上には、ニッケルメッキ層７、ハンダメッキ層８の順でメッキが施されている。ハンダメッキ層８としては、Ｓｎ−Ｐｂのハンダ材料に限られるものではなく、Ｓｎ−ＡｇメッキやＳｎメッキを用いることができ、本明細書では、これらを含めて、ハンダとの接着性を良好にする層をハンダメッキ層と呼んでいる。
【００３１】
具体例における各層の厚さの一例を述べる。上面電極２の厚さは１０μｍ、抵抗体層３の厚さは１０μｍである。第１保護層４の厚さは５μｍであり、第２保護層５の厚さは１０μｍである。したがって、第２保護層５の表面の絶縁基板１の表面からの最大高さは３５μｍ程度となる。これに対して、外部電極層６の厚さは２０〜４０μｍであり、ニッケルメッキ層７の厚さは３μｍ、ハンダメッキ層８の厚さは３μｍである。したがって、ハンダメッキ層８の表面の絶縁基板１の表面からの高さは３６〜５６μｍとなり、ハンダメッキ層３の表面の高さは第２保護層５の表面の高さに比べて、１〜２１μｍ高くなる。
【００３２】
なお、ハンダメッキ層３の表面の高さと第２保護層５の表面の高さとの関係、すなわち、絶縁基板１の上面側における両端部の高さと中央部の高さは、上述した例では、両端部が中央部よりも１〜１１μｍ高いことになる。このように、両端部を中央部よりも高くすることにより、図１０（Ｂ）で説明したような浮き上がりが発生することを回避できる。
【００３３】
しかしながら、絶縁基板１の上面側において、両端部を中央部よりも高くすることに限られるものではない。両端部と中央部を同じ高さにしてもよく、多少であれば、例えば、１〜２μｍ程度であれば、両端部が中央部よりも低くても、浮き上がりや、チップ立ちが発生することはない。本明細書では、両端部と中央部とが同じ高さから、両端部が中央部よりもやや低くても、浮き上がりや、チップ立ちが発生しない高さまでを、両端部と中央部とがほぼ同じ高さと定義している。したがって、本発明では、絶縁基板１の上面側における、両端部と中央部との高さは、両端部と中央部とがほぼ同じ高さ、または、両端部が中央部よりも高くなるような高さとすることが要件である。
【００３４】
なお、上述した具体例の数値は一例であって、上記要件を満たす限りにおいて、上記の寸法に限られるものでないことは明らかであろう。
【００３５】
このチップ抵抗器は、上面側の中央部が、端部側に比して大きく突出する形状でないから、図２（Ａ）に示すように、バルクカセットから供給されたチップ抵抗器９が、その上面側が下になるように基板３１上のランド部３２に実装された場合でも、端部での浮き上がりが発生することはなく、電気的な接続に関しての問題は生じない。もちろん、図２（Ｂ）に示すように、チップ抵抗器９（輪郭のみを図示した。）の上面側が上になるように基板３１上のランド部３２に実装された場合に、電気的な接続に関しての問題は生じない。さらに、側面側にも電極が形成されているから、側面側を基板３１上のランド部３２に実装することも可能である。
【００３６】
図３は、図１で説明したチップ抵抗器の製造方法の実施の形態の一例を説明するための工程順の断面図、図４，図５は多数個取りの基板の説明図である。図中、図１と同様の部分には同じ符号を付して説明を省略する。Ｔはトリミング痕、１１は縦溝、１２は横溝である。なお、図３においては、１個のチップ抵抗器だけについての断面図を示したが、適宜の工程における多数個取りの絶縁基板については、図４，図５で図示した。
【００３７】
図３（Ａ）は、絶縁基板を示す。絶縁基板１は、アルミナ等よりなる絶縁体で構成され、従来技術に用いられているものと格別の相違はない。大量生産を容易にするために、多数個取りの絶縁基板が用いられるのが普通である。多数個取りの絶縁基板１は、図４（Ａ）に示すように、分割用の縦溝１１と横溝１２によって個別の抵抗器領域に区画されている。縦溝と呼ぶ溝は、抵抗体層の長手方向に直交する方向の溝とし、横溝と呼ぶ溝は、抵抗体層の長手方向に平行する溝とした。すなわち、横溝１２は、上面電極間に跨って形成される抵抗体が上面電極間を結ぶ方向に形成された溝であり、縦溝１１は、横方向と直交する方向に形成された溝である。
【００３８】
図３（Ｂ）は、上面電極形成工程である。絶縁基板１の表面に、ＡｇまたはＡｇ−Ｐｄ等の導電粒子を含む厚膜グレーズペーストをスクリーン印刷し、焼成されて上面電極２が形成される。多数個取りの基板では、図４（Ｂ）に示すように、縦溝１１に跨り、かつ、縦方向に隣り合う抵抗器領域では、電気的に分離されて形成される。上面電極２の上には、後述するように外部電極が形成されるから、上面電極２は、内部電極に相当する。
【００３９】
図３（Ｃ），図５（Ａ）は、抵抗膜形成工程である。ＲｕＯ2 系等の抵抗ペーストをスクリーン印刷し、焼成して、抵抗体層３が形成される。抵抗体層３は、両側の上面電極２における内側の端部同士の間が実質的に抵抗体として機能する有効領域であり、その外側は、上面電極２との電気的接続のために、上面電極２の上に重ねられている。図９で説明した第１の従来例では、抵抗体層２４と上面電極２２との抵抗体層２４の長手方向（横方向）の重ね合わせは僅かであるため、電極部の嵩上げのためには、抵抗体層２４の厚さの分も電極部を厚くしなければならない。本発明では、抵抗体層３は、それぞれの上面電極の内側の端部から外側の端部までの長さの１／２以上の長さにわたって上面電極に重なるように形成されている。したがって、抵抗体層３を前記外部電極６の下方まで延ばすことができ、抵抗体層３の厚さが電極部の嵩上げに加わるから、嵩上げ構造の実現が容易となる。なお、抵抗体層３が、上面電極２の内側の端部から外側の端部までの間で重なる長さは、１／２以上としたが、この長さが長い方がよく、２／３以上、さらには、３／４以上とするのが、より好ましい。もちろん、上面電極２の全長にわたって、抵抗体層３が重なってもよい。いずれにしても、抵抗体層３が、外部電極６の下方まで延びていることが不可欠である。
【００４０】
抵抗体層３の幅について説明する。抵抗体層３の幅は、絶縁基板１の幅の７０％程度が普通である。１００５型のチップ抵抗器では、抵抗体層３の幅は０．３５ｍｍ程度である。抵抗体層３の幅を広くすると、抵抗体層３の側部が保護層から露出される可能性が高くなり、安定な抵抗値が維持できないという問題が生じる。抵抗体層３の幅が絶縁基板１の幅に対して狭くなるほど、上記の問題は生じる可能性が低くなるが、図１１（Ｃ），（Ｄ）で説明した問題が生じる。本発明では、抵抗体層３は、その両端部における幅が中央部における幅よりも広くなるように形成されている。したがって、電極部の上面をフラットな形状に近づけることができる。すなわち、図５（Ｂ）に示すように、上面電極２の上における抵抗体層３の幅は、両側の上面電極２における内側の端部同士の間の幅より広くなるように形成されている。広げられた部分の幅は、上面電極２の幅とほぼ同じとする。長さ方向においても、パターンの位置合わせのためのマージンを考慮して、図５（Ｂ）に示すように、広げられた部分を上面電極２の内側の端部よりもδだけ上面電極２の内部にあるようにする。また、図５（Ｃ）に示すように、抵抗体層３の幅を端部側において徐々に広げるようにしてもよい。
【００４１】
図５で説明した抵抗体層３のパターンは、縦溝まで達していない。したがって、縦溝の位置においては抵抗体層３がないから、図５（Ａ）の絶縁基板１を縦溝を利用してクラッキングする際には、抵抗体層３はクラッキングされる必要がない。しかし、図６に示すように、抵抗体層３を縦溝まで形成してもよい。このようにした場合には、抵抗体層３は、縦溝を跨ぐように横方向につながるように形成することができる。
【００４２】
図３（Ｄ）は、第１保護層形成工程である。抵抗体層３の表面に、ホウ珪酸鉛ガラス系等のガラスペーストを用いてスクリーン印刷し、焼成して、第１保護層４が形成される。第１保護層４は、次工程で用いられるレーザ光に対する保護膜として用いられるものであるが、省略してもよい。
【００４３】
図３（Ｅ）は、抵抗値修正工程である。抵抗値を修正して、所望の値とするために、抵抗値を測定しながら、レーザ光を用いてトリミングが行なわれる。部分的にトリミング痕Ｔが形成される。
【００４４】
図３（Ｆ）は、第２保護層形成工程である。上面電極２の一部と第１保護層４（第１保護層４を省略した場合は、抵抗体層３）とに重合するように、合成樹脂を塗布やスクリーン印刷して、固化させたり、あるいは、ホウ珪酸鉛ガラス系等のガラスペーストを用いてスクリーン印刷し、焼成するなどにより、第２保護層５が形成される。合成樹脂による保護層は、ガラスに比べて、熱履歴を与えない点で有利である。第２保護層５は、抵抗体層３の有効領域から上面電極の２の一部の上方まで覆うように形成するのがよい。また、第２保護層５の縦方向のパターンは、横溝を越えて隣り合う個片の抵抗体層３まで縦方向に連続して、いわゆる、べた形状となるように形成されてもよく、あるいは、横溝に達しないようにそれぞれの抵抗体層ごとに独立するように形成されてもよい。
【００４５】
図３（Ｇ）は、分割工程と外部電極層形成工程である。縦溝に沿ってクラッキングする一次分割工程と、横溝に沿ってクラッキングする二次分割工程によって、各個片とした後、外部電極層６が形成される。外部電極層６の材料には、導電性接着剤が用いられ、両端部において、上面電極２の一部、絶縁基板１の端面、絶縁基板１の下面、絶縁基板１の両側面の５つの面に跨って形成される。浸漬（ディップ）や塗布によって形成されるが、ディップによって、形成するのが好適である。導電性接着剤の成分、粘度や温度により厚さを調整できる。複数回のディップを行なうようにしてもよい。導電性接着剤としては、例えば、エポキシ樹脂に銀粒子を混入させたものを用いることができる。導電性接着剤の硬化のために、加熱処理が行なわれる。一例では、１５０〜２００℃で３〜５分間の加熱処理が行なわれる。なお、導電性接着剤の樹脂としては、エポキシ樹脂のほか、フェノール樹脂，キシレン樹脂，ウレタン樹脂など、適宜の樹脂を用いることができ、これらの樹脂において、熱可塑性のもの、あるいは、熱硬化性のものを用いることができる。樹脂に混入される導電性粒子としは、金，銀，銅，ニッケルなどの金属粒子や、合成樹脂粒子に金，銀，銅，ニッケルなどの金属被膜を施した粒子を用いることができる。
【００４６】
図３（Ｈ）は、ニッケルメッキ工程である。上面電極２の一部、絶縁基板１の端面、絶縁基板１の下面、絶縁基板１の両側面の５つの面に跨って形成された外部電極層６の表面に電解メッキによりニッケルメッキが施されてニッケルメッキ層７が形成される。
【００４７】
図３（Ｉ）は、ハンダメッキ工程である。ニッケルメッキ層８の上に電解メッキによってハンダメッキ層８が形成される。ハンダメッキ層８は、Ｓｎ−Ｐｂメッキ、Ｓｎ−Ａｇメッキ、Ｓｎメッキ等のハンダに対して密着性の良好な材料により形成される。
【００４８】
なお、上述した工程において、上面電極形成工程と抵抗体層形成工程とは、その順序が逆であってもよい。すなわち、上面電極が形成された後に抵抗体層が形成されてもよく、先に抵抗体層が形成され、その後に上面電極が形成されてもよい。換言すれば、上面電極の上に抵抗体層が重ねられてもよく、抵抗体層の上に上面電極が重ねられてもよい。したがって、本発明は、チップ抵抗器の製造方法の発明においては、上面電極が形成された後に抵抗体層が形成されること、および、先に抵抗体層が形成され、その後に上面電極が形成されることの両者を包含するものであり、チップ抵抗器の発明においては、上面電極の上層に抵抗体層が重ねられた構造、および、抵抗体層の上層に上面電極が重ねられた構造の両者を包含するものである。
【００４９】
また、上述した実施の形態のチップ抵抗器では、絶縁基板の下面側に、外部電極層が直接形成されたものであるが、図９で説明したように、絶縁基板の下面側に厚膜グレーズペーストをスクリーン印刷し、焼成するなどの方法により、下面電極を形成した後に、外部電極層を形成してもよい。その際、図７に示すように、下面電極１０の長さａが、外部電極層６の長さｂよりも小さくして、外部電極層６が下面電極１０を乗り越えるようにして、下面電極１０が外部電極層６中に埋没するように構成すれば、電極の剥がれに対して有利である。もちろん、下面電極１０の長さａを、外部電極層６の長さｂよりも大きくしてもよい。
【００５０】
本発明のチップ抵抗器の第２の実施の形態の一例について説明する。第１の実施の形態では、導電性接着剤よりなる外部電極層が、両端部側の上面電極の一部、下面、両側面および端面を取り囲むように形成されているが、第２のの実施の形態では、導電性接着剤よりなる外部電極層が、両端部側の上面電極の一部、下面および端面を覆うように取り囲むように形成されている点が第１の実施の形態と相違する。
【００５１】
この実施の形態のチップ抵抗器の断面図は、図１と同様である。断面図では、チップ抵抗器の側面が現われていないから、層構造の断面を説明する限りにおいては、上述した図１の説明を援用して、説明を省略する。ただし、外部電極層６は、両端部において、両側面を除いて、上面電極２の一部、絶縁基板１の端面、絶縁基板１の下面の３つの面を覆うように形成されていることを説明しておく。
【００５２】
この実施の形態のチップ抵抗器の製造方法の実施の形態の一例を説明するための工程順の断面図についても、図３における図３（Ｆ）の第２保護層形成工程までは同じであるので、図４〜図６を含めて、それらの説明を援用することとし、説明を省略する。
【００５３】
図３，図８を参照して、図３（Ｆ）の第２保護層形成工程以後の工程について説明する。
【００５４】
図８（Ａ）は、一次分割工程である。縦溝に沿って、クラッキングされて、個片が縦方向に短冊状に並んだ基板となる。
【００５５】
図３（Ｇ），図８（Ｂ）は、外部電極層形成工程である。短冊状に分割された基板の両端部側に、外部電極層６が形成される。なお、図８（Ｂ）では、一端側に外部電極層６が形成された状態を図示している。ついで、他端側にも外部電極層が形成される。外部電極層６の材料には、導電性接着剤が用いられ、両端部において、上面電極２の一部、絶縁基板１の端面、絶縁基板１の下面に跨って形成される。浸漬（ディップ）、塗布や転写によって形成されるが、ディップによって、形成するのが好適である。導電性接着剤の成分、粘度や温度により厚さを調整できる。複数回のディップを行なうようにしてもよい。導電性接着剤としては、例えば、エポキシ樹脂にＡｇ粒子を混入させたものを用いることができる。導電性接着剤の硬化のために、加熱処理が行なわれる。一例では、１５０〜２００℃で３〜５分間の加熱処理が行なわれる。なお、導電性接着剤の樹脂としては、エポキシ樹脂のほか、フェノール樹脂，キシレン樹脂，ウレタン樹脂など、適宜の樹脂を用いることができ、これらの樹脂において、熱可塑性のもの、あるいは、熱硬化性のものを用いることができる。
【００５６】
外部電極層６が形成された絶縁基板は、横溝に沿って分割する二次分割工程において、個々の個片に分割される。
【００５７】
図３（Ｈ）は、ニッケルメッキ工程である。上面電極２の一部、絶縁基板１の端面、絶縁基板１の下面に跨って形成された外部電極層６の表面に電解メッキによりニッケルメッキが施されてニッケルメッキ層７が形成される。
【００５８】
図３（Ｉ）は、ハンダメッキ工程である。ニッケルメッキ層８の上に電解メッキによってハンダメッキ層８が形成される。ハンダメッキ層８は、Ｓｎ−Ｐｂメッキ、Ｓｎ−Ａｇメッキ、Ｓｎメッキ等のハンダに対して密着性の良好な材料により形成される。図３（Ｈ），（Ｉ）のメッキ工程は、第１の実施の形態と同様である。
【００５９】
なお、この実施の形態の製造工程においても、上面電極形成工程と抵抗体層形成工程とは、その順序が逆であってもよい。また、上述した実施の形態のチップ抵抗器では、絶縁基板の下面側に、外部電極層が直接形成されたものであるが、図９で説明したように、絶縁基板の下面側に厚膜グレーズペーストをスクリーン印刷し、焼成するなどの方法により、下面電極を形成した後に、外部電極層を形成してもよい。その際、図７に示すように、下面電極１０の長さａを、外部電極層６の長さｂよりも小さくして、外部電極層６が下面電極１０を乗り越えるようにして、下面電極１０が外部電極層６中に埋没するようにする構成のが、電極の剥がれに対して有利である。
【００６０】
なお、上述した第１の実施の形態、および、第２の実施の形態における一次分割工程および二次分割工程は、クラッキングによることに限られるものではない。ダイシングブレードを用いて分割する方法が採用されてもよく、この方法を採用した場合には、必ずしも縦溝，横溝がなくてもよい。
【００６１】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、導電性接着剤により電極部の嵩上げができ、電極部の表面の丸みも抑制できるので、バルク実装が可能となり、製造工程における時間短縮の面からも有効である。また、従来のチップ抵抗器では、端面電極の焼成時に６００℃以上の高温の加熱が行なわれているが、本発明では、外部電極層の硬化のための加熱温度も低くできるので、トリミング後の抵抗値にドリフトが生じることを低減できるという効果がある。さらに、第２電極を合成樹脂により形成した場合には、第２保護層の形成工程においても、高温に曝されることがないという利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のチップ抵抗器の実施の形態の一例を説明するためのチップ抵抗器の断面図である。
【図２】図１のチップ抵抗器の実装状態の説明図である。
【図３】図１で説明したチップ抵抗器の製造方法の実施の形態の一例を説明するための工程順の断面図である。
【図４】図３における多数個取りの基板の一部を示す斜視図である
【図５】抵抗体層のパターンの一例の説明図である。
【図６】抵抗体層のパターンの他の例の説明図である。
【図７】本発明のチップ抵抗器の実施の形態の変形例の一例を説明するためのチップ抵抗器の断面図である。
【図８】本発明の他の実施の形態の製造工程のうちの一部の工程の説明図である。
【図９】チップ抵抗器の第１の従来例を製造方法とともに説明するための断面図である。
【図１０】図９のチップ抵抗器の実装状態の説明図である。
【図１１】チップ抵抗器の第２の従来例を説明するための断面図である。
【符号の説明】
１…絶縁基板、２…上面電極、３…抵抗体層、４…第１保護層、５…第２保護層、６…外部電極層、７…ニッケルメッキ層、８…ハンダメッキ層、９…チップ抵抗器、１０…下面電極、１１…縦溝、１２…横溝。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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