【事件の表示】
　特許第６３１６５１１号発明「磁気ディスク用基板」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６３１６５１１号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔７〜１４〕について訂正することを認める。
　特許第６３１６５１１号の請求項１〜６、８〜１４に係る特許を維持する。
　特許第６３１６５１１号の請求項７に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第６３１６５１１号の請求項１〜１４に係る特許（以下、「本件特許」という。）についての出願は、２０１７年（平成２９年）４月２６日（優先権主張２０１６年４月２７日、２０１６年５月１３日、日本国）を国際出願日とする出願であって、平成３０年４月６日にその特許権の設定登録がなされ、同年４月２５日にその特許掲載公報が発行された。
　本件は、その後、その特許について、平成３０年１０月２５日に特許異議申立人鈴木晶子（以下、「申立人」という。）により請求項１〜１４に対して特許異議の申立てがなされ、同年１２月２１日付けで取消理由が通知され、これに対して、平成３１年３月６日に特許権者より意見書が提出されるとともに訂正請求（以下、「本件訂正請求」という。）がなされたものである。
　なお、本件訂正請求は実質的に請求項の削除のみであるから、申立人に対し、本件訂正請求後の意見は求めなかった。
第２　訂正請求について
１　訂正の趣旨、及び、訂正の内容
（１）訂正の趣旨
　本件訂正請求による訂正（以下、「本件訂正」という。）は、特許第６３１６５１１号の特許請求の範囲を、本件訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項７〜１４について訂正を求めるものであり、その訂正の内容は以下のとおりである。
　なお、当審で訂正箇所に下線を付した。
（２）訂正の内容
ア　訂正事項１
　請求項７を削除する。
  
イ　訂正事項２
　請求項８について、訂正前の「請求項１〜７のいずれか１項に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金基板であって、」を「請求項１〜
６
ウ　訂正事項３
　請求項１０について、訂正前の「請求項１〜９のいずれか１項に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金基板の表面に、」を「請求項１〜
６、８及び
 
エ　訂正事項４
　請求項１１について、訂正前の「請求項１〜７のいずれか１項に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金基板の製造方法であって、」を「請求項１〜
６
オ　訂正事項５
　請求項１３について、訂正前の「請求項１〜７のいずれか１項に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金基板の製造方法であって、」を「請求項１〜
６
２　当審の判断
（１）訂正の目的、特許請求の範囲の実質上の拡張又は変更の存否、及び、新規事項追加の有無
ア　訂正事項１について
　訂正事項１は、請求項７を削除するものであるから、「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、または変更するものには該当しないし、本件明細書等に記載された範囲内の訂正である。
イ　訂正事項２について
　訂正事項２は、訂正事項１において請求項７を削除することに伴い、本件訂正前の請求項８について、請求項７を引用しないようにするものであるから、「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、または変更するものには該当しないし、本件明細書等に記載された範囲内の訂正である。
ウ　訂正事項３について
　訂正事項３は、訂正事項１において請求項７を削除することに伴い、本件訂正前の請求項１０について、請求項７を引用しないようにするものであるから、「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、または変更するものには該当しないし、本件明細書等に記載された範囲内の訂正である。
エ　訂正事項４について
　訂正事項４は、訂正事項１において請求項７を削除することに伴い、本件訂正前の請求項１１について、請求項７を引用しないようにするものであるから、「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、または変更するものには該当しないし、本件明細書等に記載された範囲内の訂正である。
オ　訂正事項５について
　訂正事項５は、訂正事項１において請求項７を削除することに伴い、本件訂正前の請求項１３について、請求項７を引用しないようにするものであるから、「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、または変更するものには該当しないし、本件明細書等に記載された範囲内の訂正である。
カ　以上によれば、訂正事項１〜５は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する、「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、または変更するものには該当しないから、同法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第６項に適合するものであり、また、願書に添付した明細書等に記載した範囲内の訂正であるから、同法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第５項に適合するものである。
（２）独立特許要件
　本件は、訂正前の全請求項について特許異議申立がなされているので、訂正事項１〜５について、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する特許法第１２６条第７項は適用されない。
（３）一群の請求項について
　本件訂正前の請求項８〜１４は、請求項７を引用するものであるから、本件訂正前の請求項７〜１４は一群の請求項であるところ、本件訂正請求は、そのような一群の請求項ごとにされたものであるから、特許法第１２０条の５第４項の規定に適合する。
　そして、本件訂正は、請求項間の引用関係の解消を目的とするものではなく、特定の請求項に係る訂正事項について別の訂正単位とする求めもないから、本件訂正請求は、訂正後の請求項〔７〜１４〕を訂正単位とする訂正の請求をするものである。
５　本件訂正請求のむすび
　以上のとおり、平成３１年３月６日に特許権者が行った本件訂正は、いずれも特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号を目的とするものであり、同法第１２０条の５第４項の規定に適合し、同法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第５項及び第６項に適合するものであるから、特許請求の範囲の請求項７〜１４について、結論のとおり訂正することを認める。
第３　特許異議申立について
１　本件発明
　平成３１年３月６日に特許権者が行った請求項７〜１４についての訂正は、上記第２で検討したとおり、適法なものであるから、本件特許の特許請求の範囲の請求項１〜１４（以下、これらを請求項数に応じて、それぞれ「本件発明１」〜「本件発明１４」という。また、これらをまとめて「本件発明」という。）は、本件訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲の請求項１〜１４に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】
　単層のベア材又は３層構造のクラッド材からなる磁気ディスク用アルミニウム合金基板であって、該ベア材のアルミニウム合金組成及び前記クラッド材の心材のアルミニウム合金組成が、０．１０質量％以上０．５０質量％未満のＳｉ、０．０５質量％以上１０．００質量％以下のＦｅ、０．１０質量％以上１５．００質量％以下のＭｎ、及び０．１０質量％以上２０．００質量％以下のＮｉのうち１種又は２種以上を含有し、２０．００質量％≧Ｓｉ＋Ｆｅ＋Ｍｎ＋Ｎｉ≧０．２０質量％の関係を有し、且つ、０．００５質量％以上１０．０００質量％以下のＣｕ、０．１００質量％以上１．０００質量％未満のＭｇ、０．０１０質量％以上５．０００質量％以下のＣｒ、及び０．０１０質量％以上５．０００質量％以下のＺｒからなる群から選択された１もしくは２以上の元素をさらに含有し、残部がアルミニウムと不可避不純物からなり、
　金属組織における最長径４μｍ以上３０μｍ以下の第二相粒子の周囲長の合計が１０ｍｍ／ｍｍ２以上であることを特徴とする磁気ディスク用アルミニウム合金基板。
【請求項２】
　０．０００１質量％以上０．１０００質量％以下のＢｅ
　をさらに含有する、請求項１に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金基板。
【請求項３】
　０．００１質量％以上０．１００質量％以下のＮａ、
　０．００１質量％以上０．１００質量％以下のＳｒ、
　０．００１質量％以上０．１００質量％以下のＰ
　からなる群から選択された１もしくは２以上の元素をさらに含有する、請求項１又は２に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金基板。
【請求項４】
　個々の含有量が０．１質量％以上５．０質量％以下のＰｂ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｃｄ、Ｂｉ及びＧｅからなる群から選択された１もしくは２以上の元素をさらに含有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金基板。
【請求項５】
　０．００５質量％以上１０．０００質量％以下のＺｎ
　をさらに含有する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金基板。
【請求項６】
　含有量の合計が０．００５質量％以上０．５００質量％以下のＴｉ、Ｂ及びＶからなる群から選択された１もしくは２以上の元素
　をさらに含有する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金基板。
【請求項７】（削除）
【請求項８】
　請求項１〜６のいずれか１項に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金基板であって、両面に純Ａｌ皮膜又はＡｌ−Ｍｇ系合金皮膜を有する磁気ディスク用アルミニウム合金基板。
【請求項９】
　請求項８に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金基板であって、前記皮膜の膜厚が１０ｎｍ以上３０００ｎｍ以下の皮膜を有する磁気ディスク用アルミニウム合金基板。
【請求項１０】
　請求項１〜６、８及び９のいずれか１項に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金基板の表面に、無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理層とその上の磁性体層を有することを特徴とする磁気ディスク。
【請求項１１】
　請求項１〜６のいずれか１項に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金基板の製造方法であって、鋳造時の冷却速度が０．１〜１０００℃／ｓで、前記アルミニウム合金を用いて鋳塊を鋳造する鋳造工程と、前記鋳塊を、４００〜４７０℃で０．５時間以上５０時間未満で加熱処理を行った後に、更に４７０℃を超えて６３０℃未満で１時間以上３０時間未満の２段階で加熱処理を行う均質化熱処理工程と、前記鋳塊を熱間圧延する熱間圧延工程と、熱間圧延板を冷間圧延する冷間圧延工程と、冷間圧延板を円環状に打ち抜くディスクブランク打抜き工程と、打ち抜いたディスクブランクを加圧焼鈍する加圧焼鈍工程と、を含む磁気ディスク用アルミニウム合金基板の製造方法。
【請求項１２】
　前記冷間圧延の前又は途中に圧延板を焼鈍する焼鈍処理工程を更に含む、請求項１１に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金基板の製造方法。
【請求項１３】
　請求項１〜６のいずれか１項に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金基板の製造方法であって、鋳造時の冷却速度が０．１〜１０００℃／ｓで、前記アルミニウム合金を用いて心材用鋳塊を鋳造する心材鋳造工程と、純Ａｌ又はＡｌ−Ｍｇ系合金を用いて皮材用鋳塊を鋳造する皮材鋳造工程と、皮材用鋳塊を均質化処理し、次いで熱間圧延して皮材とする皮材工程と、心材用鋳塊の両面に皮材をそれぞれ合わせて合わせ材とする合わせ材工程と、前記合わせ材を、４００〜４７０℃で０．５時間以上５０時間未満で加熱処理を行った後に、更に４７０℃を超えて６３０℃未満で１時間以上３０時間未満の２段階で加熱処理を行う均質化熱処理する均質化熱処理工程と、前記合わせ材を熱間圧延する熱間圧延工程と、熱間圧延板を冷間圧延する冷間圧延工程と、冷間圧延板を円環状に打ち抜くディスクブランク打抜き工程と、打ち抜いたディスクブランクを加圧焼鈍する加圧焼鈍工程と、を含む磁気ディスク用アルミニウム合金基板の製造方法。
【請求項１４】
　前記冷間圧延の前又は途中に圧延板を焼鈍する焼鈍処理工程を更に含む、請求項１３に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金基板の製造方法。」
２　平成３０年１２月２１日付けで通知された取消理由の概要
（１）特許法第３６条第６項第２号（明確性要件）について
ア　本件発明１の「金属組織における最長径４μｍ以上３０μｍ以下の第二相粒子の周囲長の合計が１０ｍｍ／ｍｍ２以上である」との発明特定事項は明確でないから、本件発明１は、不明確であり、また、本件発明１を引用する本件発明２〜１７も不明確である。
　よって、請求項１〜１４に係る特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。（特許異議申立書（「以下、「申立書」という。）第７頁第１７行〜第９頁第６行）
イ　本件発明７の「表面の結晶粒径の平均値が７０μｍ以下である」との発明特定事項は明確でないから、本件発明７は、不明確であり、また、本件発明７を引用する本件発明８〜１４も不明確である。
　よって、請求項７〜１４に係る特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。（申立書第１０頁第５〜２１行、なお、申立理由ではサポート要件違反であったが、取消理由通知では、条文を変更して通知した（下記３の（１）のイ参照。）。）
３　平成３０年１２月２１日付けの取消理由で通知されなかった特許異議申立理由
（１）特許法第３６条第６項第１号（サポート要件）について
ア　本件発明１の「金属組織における最長径４μｍ以上３０μｍ以下の第二相粒子の周囲長の合計が１０ｍｍ／ｍｍ２以上である」との発明特定事項は、本件発明の課題を解決し得るものではないから、本件発明１は、発明の詳細な説明に記載されたものとはいえないし、また、本件発明１を引用する本件発明２〜１７も発明の詳細な説明に記載されたものとはいえない。
　よって、請求項１〜１４に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。（申立書第９頁第８行〜第１０頁第４行）
イ　本件発明７の「表面の結晶粒径の平均値が７０μｍ以下である」との発明特定事項は、発明の詳細な説明に記載されたものとはいえないから、本件発明７は、発明の詳細な説明に記載されたものとはいえないし、また、本件発明７を引用する本件発明８〜１４も発明の詳細な説明に記載されたものとはいえない。
　よって、請求項７〜１４に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。（申立書第１０頁第５〜２１行）
（２）特許法第３６条第４項第１号（実施可能要件）について
ア　本件の願書に添付された明細書（以下、「本件明細書」という。）には、本件発明１の「金属組織における最長径４μｍ以上３０μｍ以下の第二相粒子の周囲長の合計が１０ｍｍ／ｍｍ２以上である」との発明特定事項を得るための、添加元素の含有量、製造プロセスのパラメータが記載されていないから、本件明細書の発明の詳細な説明は、当業者が請求項１〜１４に係る発明について実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものとはいえない。
　よって、請求項１〜１４に係る特許は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。（申立書第１０頁最後から４行〜第１２頁第１３行）
イ　本件明細書の実施例の記載によれば、「添加元素の含有量」や「均質化熱処理の条件」が「第二相粒子の周囲長」と関係しているか否かが不明であって、本件発明１の「金属組織における最長径４μｍ以上３０μｍ以下の第二相粒子の周囲長の合計が１０ｍｍ／ｍｍ２以上である」との発明特定事項を得るために、当業者に過度の試行錯誤を強いるものであるから、本件明細書の発明の詳細な説明は、当業者が請求項１〜１４に係る発明について実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものとはいえない。
　よって、請求項１〜１４に係る特許は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。（申立書第１２頁第１４行〜第１３頁最終行）
（３）特許法第２９条第２項（進歩性）について
　本件特許の請求項１〜１４に係る発明は、本件特許の出願前日本国内または外国において頒布された下記ア、イの刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、その発明に係る特許は取り消すべきものである。（申立書第１４頁第６行〜第３０頁第１行）
＜刊行物＞
ア　特開平１０−３１０８３６号公報（申立人が提出した甲第３号証、以下、「甲３」という。）
イ　「アルミニウム材料の基礎と工業技術」第１版、社団法人軽金属協会発行、昭和６０年５月１日、第３７〜４１頁（申立人が提出した甲第５号証、以下、「甲５」という。）
（４）特許法第２９条の２（拡大先願）について
　本件特許の請求項１〜１０に係る発明は、本件特許の出願の日前の特許出願であって、本件特許の出願後に特許出願公開の発行がされた下記ウ、エの特許出願の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された発明と同一であり、しかも、本件特許の出願の発明者が本件特許の出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、また本件特許の出願の時において、その出願人が上記特許出願の出願人と同一でもなく、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができないから、その発明に係る特許は取り消すべきものである。（申立書第３０頁第２行〜第４５頁第１５行）
＜特許出願＞
ウ　特願２０１６−２３８３８０号（以下、「甲７出願」という。特開２０１７−１７９５９０号公報（申立人が提出した甲第７号証、以下、「甲７」という。）参照。）
エ　特願２０１６−７５１２６号（以下、「甲１０出願」という。特開２０１７−１８６５９７号公報（申立人が提出した甲第１０号証、以下、「甲１０」という。）参照。）
４　本件明細書の記載
「【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
　しかしながら、特許文献１に開示されている方法では、設置したエア・スポイラと磁気ディスク用基板との間隔の違いによりフラッタリング抑制効果が異なり、部品精度を必要とし、部品コストの増大を招いている。
　また、特許文献２に開示された手段は、従来の磁気記録媒体用アルミニウム合金基板よりも、Ｎｉ−Ｐめっき後の表面欠陥を低減することができる磁気記録媒体用アルミニウム合金基板およびこのアルミニウム合金基板を用いた磁気記録媒体を提供することをその課題とする。しかし、ディスク・フラッタの問題は何ら記載されていない。
　さらに、特許文献３に開示された手段は、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜の欠陥発生を高水準で抑制できる磁気記録媒体用アルミニウム合金基板を提供することをその課題とする。しかし、ディスク・フラッタの問題は何ら記載されていない。
【００１２】
  この発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、ディスク・フラッタの発生が少ない特性を有する磁気ディスク用アルミニウム合金基板を提供することを課題とする。」
「【００３３】
（最長径４μｍ以上３０μｍ以下の第二相粒子の周囲長の合計が１０ｍｍ／ｍｍ２以上）
　アルミニウム合金基板の金属組織中に存在する最長径４μｍ以上３０μｍ以下の第二相粒子の周囲長の合計が１０ｍｍ／ｍｍ２以上ある場合に、アルミニウム合金基板のフラッタリング特性の向上、即ち、フラッタリング最大変位を小さくする効果がある。フラッタリング特性の向上は第二相粒子の表面積が増えることによりもたらされると考えられる。これは、気流により発生した振動がディスク中を伝播する過程でアルミニウム合金マトリックスと第二相粒子との界面で吸収されて減衰したためと考えられる。また、フラッタリング最大変位はアルミニウム合金マトリックス中に分散する第二相粒子の表面積に比例すると考えられ、第二相粒子の周囲長の２乗に比例すると考えられる。」
「【００３８】
　フラッタリング特性はハードディスクドライブのモーター特性にも影響を受ける。本発明の実施形態においては、フラッタリング特性は、空気中では、５０ｎｍ以下であることが好ましく、３０ｎｍ以下であることがより好ましい。これ以下であれば一般的なハードディスクドライブ（HDD）向けの使用に耐えうると判断した。
　また、フラッタリング特性は、ヘリウム中では、３０ｎｍ以下であることが好ましい。これ以下であればより高密度な記録容量のハードディスクドライブ向けの使用に耐えうると判断した。
　ただし、使用するハードディスクドライブによって異なるため、必要なフラッタリング特性に対して、適宜、第二相粒子の分布状態を決定すれば良い。これらは、以下に述べる添加元素の含有量、鋳造時の冷却速度を含めた鋳造方法、並びに、その後の熱処理と加工による熱履歴及び加工履歴、をそれぞれ適正に調整することによって得られる。」
「【００４１】
（ベア材及びクラッド材の心材の組成）
　以下、本発明の実施形態に係るＡｌ−Ｓｉ系、Ａｌ−Ｆｅ系、Ａｌ−Ｍｎ系、Ａｌ−Ｎｉ系又はＡｌ−Ｓｉ−Ｆｅ−Ｍｎ−Ｎｉ系磁気ディスク用アルミニウム合金基板を構成するベア材及びクラッド材の心材のアルミニウム合金成分及びその含有量について説明する。
【００４２】
　磁気ディスク用アルミニウム合金基板のフラッタリング特性をさらに向上させるためには、（１）０．１０質量％以上０．５０質量％未満のＳｉ、０．０５質量％以上１０．００質量％以下のＦｅ、０．１０質量％以上１５．００質量％以下のＭｎ、及び０．１０質量％以上２０．００質量％以下のＮｉのうち１種又は２種以上の添加元素を含有し、且つ、２０．００質量％≧Ｓｉ＋Ｆｅ＋Ｍｎ＋Ｎｉ≧０．２０質量％の関係を有し、さらに、（２）０．００５質量％以上１０．０００質量％以下のＣｕ、０．１００質量％以上１．０００質量％未満のＭｇ、０．０１０質量％以上５．０００質量％以下のＣｒ、及び０．０１０質量％以上５．０００質量％以下のＺｒ、からなる群から選択される１もしくは２以上の元素を含有する。必要によって、（３）好ましくは０．０００１質量％以上０．１０００質量％以下のＢｅ、（４）好ましくは０．００１質量％以上０．１００質量％以下のＮａ、好ましくは０．００１質量％以上０．１００質量％以下のＳｒ、好ましくは０．００１質量％以上０．１００質量％以下のＰ、からなる群から選択される１もしくは２以上の元素、（５）個々の含有量が好ましくは０．１質量％以上５．０質量％以下のＰｂ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｃｄ、Ｂｉ及びＧｅからなる群から選択される１もしくは２以上の元素、（６）好ましくは０．００５質量％以上１０．０００質量％以下のＺｎ、並びに／又は（７）含有量の合計が好ましくは０．００５質量％以上０．５００質量％以下のＴｉ、Ｂ及びＶからなる群から選択される１もしくは２以上の元素、上記（３）〜（７）からなる群から選択される１もしくは２以上の選択元素をさらに含有するアルミニウム合金を用いることもできる。以下これらの添加元素と選択元素を説明する。
【００４３】
（シリコン）
　Ｓｉは、主として第二相粒子（Ｓｉ粒子等）として存在し、アルミニウム合金基板のフラッタリング特性を向上させる効果がある。このような材料に振動を加えると、第二相粒子とマトリックスとの界面における粘性流動により振動エネルギーが速やかに吸収され、極めて高いフラッタリング特性が得られる。アルミニウム合金中のＳｉの含有量が０．１０質量％以上であることによって、アルミニウム合金基板のフラッタリング特性を向上させる効果を一層得ることができる。また、アルミニウム合金中のＳｉの含有量が０．５０質量％未満であることによって、粗大なＳｉ粒子が多数生成することを抑制する。ベア材の場合、エッチング時、ジンケート処理時、切削又は研削加工時にＳｉ粒子が脱落して大きな窪みが発生することを抑制し、めっき剥離が生じることを一層抑制することができる。クラッド材の心材の場合は、エッチング時、ジンケート処理時、切削時に基板側面の粗大なＳｉ粒子が脱落して大きな窪みが発生することを抑制し、基板側面の心材と皮材の境界部にめっき剥離が生じることを一層抑制することができる。また、圧延工程における加工性低下を一層抑制することができる。そのため、アルミニウム合金中のＳｉの含有量は、０．１０質量％以上０．５０質量％未満の範囲である。
【００４４】
（鉄）
　Ｆｅは、主として第二相粒子（Ａｌ−Ｆｅ系化合物等）として存在し、アルミニウム合金基板のフラッタリング特性を向上させる効果がある。このような材料に振動を加えると、第二相粒子とマトリックスとの界面における粘性流動により振動エネルギーが速やかに吸収され、極めて高いフラッタリング特性が得られる。アルミニウム合金中のＦｅの含有量が０．０５質量％以上であることによって、アルミニウム合金基板のフラッタリング特性を向上させる効果を一層得ることができる。また、アルミニウム合金中のＦｅの含有量が１０．００質量％以下であることによって、粗大なＡｌ−Ｆｅ系化合物子が多数生成することを抑制する。ベア材の場合、エッチング時、ジンケート処理時、切削又は研削加工時にＡｌ−Ｆｅ系化合物粒子が脱落して大きな窪みが発生することを抑制し、めっき剥離が生じることを一層抑制することができる。クラッド材の心材の場合は、エッチング時、ジンケート処理時、切削時に基板側面の粗大なＡｌ−Ｆｅ系化合物が脱落して大きな窪みが発生することを抑制し、基板側面の心材と皮材の境界部にめっき剥離が生じることを一層抑制することができる。また、圧延工程における加工性低下を一層抑制することができる。そのため、アルミニウム合金中のＦｅの含有量は、０．０５質量％以上１０．００質量％以下の範囲であり、０．５０質量％以上５．００質量％以下の範囲が好ましい。
【００４５】
（マンガン）
　Ｍｎは、主として第二相粒子（Ａｌ−Ｍｎ系化合物等）として存在し、アルミニウム合金基板のフラッタリング特性を向上させる効果がある。このような材料に振動を加えると、第二相粒子とマトリックスとの界面における粘性流動により振動エネルギーが速やかに吸収され、極めて高いフラッタリング特性が得られる。アルミニウム合金中のＭｎの含有量が０．１０質量％以上であることによって、アルミニウム合金基板のフラッタリング特性を向上させる効果を一層得ることができる。また、アルミニウム合金中のＭｎの含有量が１５．００質量％以下であることによって、粗大なＡｌ−Ｍｎ系化合物子が多数生成することを抑制する。ベア材の場合、エッチング時、ジンケート処理時、切削又は研削加工時にＡｌ−Ｍｎ系化合物粒子が脱落して大きな窪みが発生することを抑制し、めっき剥離が生じることを一層抑制することができる。クラッド材の心材の場合は、エッチング時、ジンケート処理時、切削時に基板側面の粗大なＡｌ−Ｍｎ系化合物が脱落して大きな窪みが発生することを抑制し、基板側面の心材と皮材の境界部にめっき剥離が生じることを一層抑制することができる。また、圧延工程における加工性低下を一層抑制することができる。そのため、アルミニウム合金中のＭｎの含有量は、０．１０質量％以上１５．００質量％以下の範囲であり、０．５０質量％以上５．００質量％以下の範囲が好ましい。
【００４６】
（ニッケル）
　Ｎｉは、主として第二相粒子（Ａｌ−Ｎｉ系化合物等）として存在し、アルミニウム合金基板のフラッタリング特性を向上させる効果がある。このような材料に振動を加えると、第二相粒子とマトリックスとの界面における粘性流動により振動エネルギーが速やかに吸収され、極めて高いフラッタリング特性が得られる。アルミニウム合金中のＮｉの含有量が０．１０質量％以上であることによって、アルミニウム合金基板のフラッタリング特性を向上させる効果を一層得ることができる。また、アルミニウム合金中のＮｉの含有量が２０．００質量％以下であることによって、粗大なＡｌ−Ｎｉ系化合物子が多数生成することを抑制する。ベア材の場合、エッチング時、ジンケート処理時、切削又は研削加工時にＡｌ−Ｎｉ系化合物粒子が脱落して大きな窪みが発生することを抑制し、めっき剥離が生じることを一層抑制することができる。クラッド材の心材の場合は、エッチング時、ジンケート処理時、切削時に基板側面の粗大なＡｌ−Ｎｉ系化合物が脱落して大きな窪みが発生することを抑制し、基板側面の心材と皮材の境界部にめっき剥離が生じることを一層抑制することができる。また、圧延工程における加工性低下を一層抑制することができる。そのため、アルミニウム合金中のＮｉの含有量は、０．１０質量％以上２０．００質量％以下の範囲であり、０．５０質量％以上１０．００質量％以下の範囲が好ましい。
【００４７】
（２０．００質量％≧Ｓｉ＋Ｆｅ＋Ｍｎ＋Ｎｉ≧０．２０質量％）
　本発明においては、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｍｎ及びＮｉのうち１種または２種以上をそれぞれ前述の所定の量で含有すると共に、２０．００質量％≧Ｓｉ＋Ｆｅ＋Ｍｎ＋Ｎｉ≧０．２０質量％の関係式を満足することで、アルミニウム合金基板のフラッタリング特性を向上させる効果がある。先述の関係式を満足することで、マトリックス中に第二相粒子が多数存在し、第二相粒子とマトリックスとの界面における粘性流動により振動エネルギーが速やかに吸収され、極めて高いフラッタリング特性が得られる。そのため、アルミニウム合金中のＳｉ＋Ｆｅ＋Ｍｎ＋Ｎｉは、２０．００質量％以下、且つ、０．２０質量％以上の範囲であり、０．４０質量％以上が好ましい。
【００４８】
（銅）
　Ｃｕは、主として第二相粒子（Ａｌ−Ｃｕ系化合物等）として存在し、アルミニウム合金基板のフラッタリング特性を向上させる効果がある。また、ジンケート処理時のＡｌ溶解量を減少させる。またジンケート皮膜を均一に、薄く、緻密に付着させ、次工程のめっきの平滑性を向上させる効果がある。アルミニウム合金中のＣｕの含有量が０．００５質量％以上であることによって、フラッタリング特性向上の効果と平滑生を向上させる効果とを一層得ることができる。また、アルミニウム合金中のＣｕの含有量が１０．０００質量％以下であることによって、粗大なＡｌ−Ｃｕ系化合物の多数生成を抑制する。ベア材の場合、エッチング時、ジンケート処理時、切削や研削加工時にＡｌ−Ｃｕ系化合物が脱落して大きな窪みが発生することを抑制し、めっき剥離が生じることを一層抑制することができる。クラッド材の心材の場合は、エッチング時、ジンケート処理時、切削時に基板側面の粗大なＡｌ−Ｃｕ系化合物が脱落して大きな窪みが発生することを抑制し、基板側面の心材と皮材の境界部にめっき剥離が生じることを一層抑制することができる。また、Ｃｕの含有量が１０．０００質量％以下であることによって、圧延が容易となる。そのため、アルミニウム合金中のＣｕの含有量は、０．００５質量％以上１０．０００質量％以下の範囲が好ましく、０．００５質量％以上０．４００質量％以下の範囲がより好ましい。
【００４９】
（マグネシウム）
　Ｍｇは、主として第二相粒子（Ｍｇ−Ｓｉ系化合物等）として存在し、アルミニウム合金基板のフラッタリング特性を向上させる効果がある。アルミニウム合金中のＭｇの含有量が０．１００質量％以上であることによって、フラッタリング特性を向上させる効果を一層得ることができる。また、アルミニウム合金中のＭｇの含有量が１．０００質量％未満であることによって、粗大なＭｇ−Ｓｉ系化合物が多数生成することを抑制する。ベア材の場合、エッチング時、ジンケート処理時、切削や研削加工時にＭｇ−Ｓｉ系化合物が脱落して大きな窪みが発生することを抑制し、めっき剥離が生じることを一層抑制することができる。クラッド材の心材の場合は、エッチング時、ジンケート処理時、切削時に基板側面の粗大なＭｇ−Ｓｉ系化合物が脱落して大きな窪みが発生することを抑制し、基板側面の心材と皮材の境界部にめっき剥離が生じることを一層抑制することができる。また、Ｍｇの含有量が１．０００質量％未満であることによって、圧延が容易となる。そのため、アルミニウム合金中のＭｇの含有量は、０．１００質量％以上１．０００質量％未満の範囲であり、０．３００質量％以上１．０００質量％未満の範囲が好ましい。
【００５０】
（クロム）
  Ｃｒは、主として第二相粒子（Ａｌ−Ｃｒ系化合物等）として存在し、アルミニウム合金基板のフラッタリング特性を向上させる効果がある。アルミニウム合金中のＣｒの含有量が０．０１０質量％以上であることによって、フラッタリング特性を向上させる効果を一層得ることができる。また、アルミニウム合金中のＣｒの含有量が５．０００質量％以下であることによって、粗大なＡｌ−Ｃｒ系化合物が多数生成することを抑制する。ベア材の場合、エッチング時、ジンケート処理時、切削や研削加工時にＡｌ−Ｃｒ系化合物が脱落して大きな窪みが発生することを抑制し、めっき剥離が生じることを一層抑制することができる。クラッド材の心材の場合は、エッチング時、ジンケート処理時、切削時に基板側面の粗大なＡｌ−Ｃｒ系化合物が脱落して大きな窪みが発生することを抑制し、基板側面の心材と皮材の境界部にめっき剥離が生じることを一層抑制することができる。また、Ｃｒの含有量が５．０００質量％以下であることによって、圧延が容易となる。そのため、アルミニウム合金中のＣｒの含有量は、０．０１０質量％以上５．０００質量％以下の範囲が好ましく、０．１００質量％以上２．０００質量％以下がより好ましい。
【００５１】
（ジルコニウム）
　Ｚｒは、主として第二相粒子（Ａｌ−Ｚｒ系化合物等）として存在し、アルミニウム合金基板のフラッタリング特性を向上させる効果がある。アルミニウム合金中のＺｒの含有量が０．０１０質量％以上であることによって、フラッタリング特性を向上させる効果を一層得ることができる。また、アルミニウム合金中のＺｒの含有量が５．０００質量％以下であることによって、粗大なＡｌ−Ｚｒ系化合物が多数生成することを抑制する。ベア材の場合、エッチング時、ジンケート処理時、切削や研削加工時にＡｌ−Ｚｒ系化合物が脱落して大きな窪みが発生することを抑制し、めっき剥離が生じることを一層抑制することができる。クラッド材の心材の場合は、エッチング時、ジンケート処理時、切削時に基板側面の粗大なＡｌ−Ｚｒ系化合物が脱落して大きな窪みが発生することを抑制し、基板側面の心材と皮材の境界部にめっき剥離が生じることを一層抑制することができる。また、Ｚｒの含有量が５．０００質量％以下であることによって、圧延が容易となる。そのため、アルミニウム合金中のＺｒの含有量は、０．０１０質量％以上５．０００質量％以下の範囲が好ましく、０．１００質量％以上２．０００質量％以下がより好ましい。
【００５２】
（ベリリウム）
　Ｂｅは、他の添加元素と第二相粒子を形成し、フラッタリング特性を向上させる効果がある。そのため、アルミニウム合金中に、好ましくは０．０００１質量％以上０．１０００質量％以下のＢｅを選択的に添加されてもよい。但し、Ｂｅが０．０００１質量％未満では、上記の効果が得られない。一方、Ｂｅが０．１０００質量％を超過して含有してもその効果は飽和し、それ以上の顕著な改善効果が得られない。また、Ｂｅの含有量は、０．０００３質量％以上０．０２５０質量％以下の範囲がより好ましい。
【００５３】
（ナトリウム、ストロンチウム、リン）
　Ｎａ、Ｓｒ及びＰは、アルミニウム合金基板中の第二相粒子（主にＳｉ粒子）を微細化し、めっき性を改善する効果が得られる。また、アルミニウム合金基板中の第二相粒子のサイズの不均一性を小さくし、アルミニウム合金基板中のフラッタリング特性のバラつきを低減させる効果がある。そのため、アルミニウム合金中に、好ましくは０．００１質量％以上０．１００質量％以下のＮａ、好ましくは０．００１質量％以上０．１００質量％以下のＳｒ、及び好ましくは０．００１質量％以上０．１００質量％以下のＰからなる群から選択された１又は２以上の元素を選択的に添加されてもよい。但し、Ｎａ、Ｓｒ及びＰのそれぞれが０．００１質量％未満では、上記の効果が得られない。一方、Ｎａ、Ｓｒ及びＰのそれぞれが０．１００質量％を超過して含有してもその効果は飽和し、それ以上の顕著な改善効果が得られない。また、Ｎａ、Ｓｒ及びＰを添加する場合のＮａ、Ｓｒ及びＰのそれぞれの含有量は、０．００３質量％以上０．０２５質量％以下の範囲がより好ましい。
【００５４】
（鉛、スズ、インジウム、カドミウム、ビスマス、ゲルマニウム）
　Ｐｂ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｃｄ、Ｂｉ及びＧｅは、第二相粒子（Ｐｂ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｃｄ、Ｂｉ若しくはＧｅの粒子、あるいはこれらの化合物）として、アルミマトリックス中に分布する。このような材料に振動を加えると、金属粒子・各化合物相とマトリックスとの界面における粘性流動により振動エネルギーが速やかに吸収され、極めて高いフラッタリング特性が得られる。アルミニウム合金中のＰｂ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｃｄ、Ｂｉ又はＧｅからなる群から選択された１または２以上の元素の個々の含有量が０．１０質量％以上であることによって、フラッタリング特性を向上させる効果を一層得ることができる。Ｐｂ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｃｄ、Ｂｉ又はＧｅからなる群から選択された１または２以上の元素の個々の含有量が５．００質量％以下であることによって、圧延が容易となる。そのため、アルミニウム合金中のＰｂ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｃｄ、Ｂｉ及びＧｅからなる群から選択された１または２以上の元素の個々の含有量は、０．１０質量％以上５．００質量％以下の範囲が好ましく、０．５０質量％以上２．００質量％未満がより好ましい。
【００５５】
（亜鉛）
　Ｚｎは、ジンケート処理時のＡｌ溶解量を減少させ、またジンケート皮膜を均一に、薄く、緻密に付着させ、次工程のめっきの密着性を向上させる効果がある。また、他の添加元素と第二相粒子を形成し、フラッタリング特性を向上させる効果がある。アルミニウム合金中のＺｎの含有量が０．００５質量％以上であることによって、ジンケート処理時のＡｌ溶解量を減少させる。アルミニウム合金中のＺｎの含有量が１０．０００質量％以下であることによって、ベア材の場合、ジンケート皮膜が均一となり、また、めっき剥離が生じることを一層抑制することができる。クラッド材の場合は、基板側面のジンケート皮膜が均一となりめっき密着性が低下することを抑制し、基板側面の心材と皮材の境界部にめっき剥離が生じることをより一層抑制することができる。また、Ｚｎの含有量１０．０００質量％以下であることによって、圧延が容易となる。そのため、アルミニウム合金中のＺｎの含有量は、０．００５質量％以上１０．０００質量％以下の範囲が好ましく、０．１００質量％以上２．０００質量％以下の範囲がより好ましい。
【００５６】
（チタン、ホウ素、バナジウム）
　Ｔｉ、Ｂ及びＶは、鋳造時の凝固過程において、第２相粒子（ＴｉＢ２などのホウ化物あるいはＡｌ３ＴｉやＴｉ−Ｖ−Ｂ粒子等）を形成し、これらが結晶粒核となるため、結晶粒を微細化することが可能となる。これによりめっき性が改善する。また、結晶粒が微細化することで、第二相粒子のサイズの不均一性を小さくし、アルミニウム合金基板中のフラッタリング特性のバラつきを低減させる効果がある。但し、Ｔｉ、Ｂ及びＶの含有量の合計が０．００５質量％未満では、上記の効果が得られない。一方、Ｔｉ、Ｂ及びＶの含有量の合計が０．５００質量％を超過してもその効果は飽和し、それ以上の顕著な改善効果が得られない。そのため、Ｔｉ、Ｂ及びＶを添加する場合のＴｉ、Ｂ及びＶの含有量の合計は、０．００５質量％以上０．５００質量％以下の範囲が好ましく、０．００５質量％以上０．１００質量％以下の範囲がより好ましい。」
「【００７４】
　つぎに、鋳造されたアルミニウム合金の均質化処理を実施する（ステップＳ１０３）。均質化処理は、４００〜４７０℃で０．５時間以上５０時間未満で加熱処理を行った後に、更に４７０℃を超えて６３０℃未満で１時間以上３０時間未満の２段階で加熱処理を行うことが好ましい。均質化処理を４００〜４７０℃で０．５時間以上５０時間未満で加熱処理を行った後に、更に４７０℃を超えて６３０℃未満で１時間以上３０時間未満の２段階加熱処理とすることによって、最長径４μｍ以上３０μｍ以下の第二相粒子が多数生成し、第二相粒子の周囲長の合計が長くなり、フラッタリング特性を向上させる効果を得ることができる。１段目の均質化処理時の加熱温度又は時間が４００℃未満又は０．５時間未満だと最長径４μｍ以上３０μｍ以下の第二相粒子の周囲長の合計が１０ｍｍ／ｍｍ２未満となる可能性があり、十分なフラッタリング特性が得られない可能性がある。１段目の均質化処理時の加熱温度又は時間が４７０℃越え又は５０時間以上だと最長径４μｍ以上３０μｍ以下の第二相粒子の周囲長の合計が１０００ｍｍ／ｍｍ２を超える可能性がある。この場合、エッチング時、ジンケート処理時、切削や研削加工時に第二相粒子が脱落して大きな窪みが発生し、めっき剥離も生じる可能性がある。一方、２段目の均質化処理時の加熱温度又は時間が４７０℃以下又は１時間未満だと最長径４μｍ以上３０μｍ以下の第二相粒子の周囲長の合計が１０ｍｍ／ｍｍ２未満となる可能性があり、十分なフラッタリング特性が得られない可能性がある。２段目の均質化処理時の加熱温度又は時間が６３０℃以上又は３０時間以上だと最長径４μｍ以上３０μｍ以下の第二相粒子の周囲長の合計が１０００ｍｍ／ｍｍ２を超える可能性がある。この場合、エッチング時、ジンケート処理時、切削や研削加工時に第二相粒子が脱落して大きな窪みが発生し、めっき剥離も生じる可能性がある。」
「【００８２】
　本発明の実施形態において、心材と皮材とをクラッドするにあたり、皮材のクラッド率（クラッド材全厚さに対する皮材厚さの比率）は特に限定されるものではないが、必要な製品板強度や平坦度、研削量に応じて適宜定められ、３％以上３０％以下とするのが好ましく、５％以上２０％以下とするのがより好ましい。
　例えば、熱間圧延して板厚１５ｍｍ程度の皮材とする工程と、心材用鋳塊を面削し板厚２７０ｍｍ程度の心材とし、心材の両面に皮材を合わせて合わせ材とする。」
「【実施例】
【００９５】
  以下に、本発明を実施例に基づき、さらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００９６】
（ベア材の磁気ディスク用アルミニウム合金基板）
　まず、ベア材の磁気ディスク用アルミニウム合金基板の実施例について説明する。表１〜表３に示す成分組成の各合金素材を常法に従って溶解し、アルミニウム合金溶湯を溶製した（ステップＳ１０１）。表１〜表３中「−」は、測定限界値以下を示す。
【００９７】
【表１】
【００９８】
【表２】
【００９９】
【表３】
【０１００】
　つぎに、表４〜表６に示すように、合金Ｎｏ．Ａ１〜Ａ１８、Ａ２０、Ａ２１、Ａ２３〜Ａ３１、Ａ３５〜Ａ４８、ＡＣ１〜ＡＣ７及びＡＣ９〜ＡＣ１３は、アルミニウム合金溶湯をＤＣ鋳造法により、合金Ｎｏ．Ａ１９、Ａ２２、Ａ３２〜Ａ３４及びＡＣ８は、アルミニウム合金溶湯をＣＣ鋳造法により、鋳造し鋳塊を作製した（ステップＳ１０２）。
【０１０１】
　合金Ｎｏ．Ａ１〜Ａ１８、Ａ２０、Ａ２１、Ａ２３〜Ａ３１、Ａ３５〜Ａ４８、ＡＣ１〜ＡＣ７及びＡＣ９〜ＡＣ１３の鋳塊は両面１５ｍｍの面削を行った。つぎに、表４〜表６に示す条件にて均質化処理を施した（ステップＳ１０３）。なお、合金Ｎｏ．Ａ４７は、２段目均質化処理後に６３０〜６４０℃にて５時間保持を行っている。また、合金Ｎｏ．ＡＣ１１は、３８０〜３９０℃にて５時間保持を行っている。次に、圧延開始温度３７０℃、圧延終了温度３１０℃で熱間圧延を行ない、板厚３．０ｍｍの熱延板とした（ステップＳ１０４）。Ｎｏ．Ａ１〜Ａ６、Ａ８〜Ａ３６及びＡＣ１〜ＡＣ４の合金の熱延板は３６０℃で２時間の条件で焼鈍（バッチ式）を行った。全ての板材を、冷間圧延（圧延率７３．３％）により最終板厚の０．８ｍｍまで圧延し、アルミニウム合金板とした（ステップＳ１０５）。前記アルミニウム合金板から外径９６ｍｍ、内径２４ｍｍの円環状に打抜き、ディスクブランクを作製した（ステップＳ１０６）。」
「【０１０４】
【表４】
【０１０５】
【表５】
【０１０６】
【表６】
【０１０７】
〔鋳造時の冷却速度〕
　鋳造（ステップＳ１０２）後の鋳塊のＤＡＳ（Ｄｅｎｄｒｉｔｅ Ａｒｍ Ｓｐａｃｉｎｇ）を測定し、鋳造時の冷却速度（℃／ｓ）を算出した。ＤＡＳは光学顕微鏡により鋳塊厚さ方向の断面組織観察を行い、２次枝法により測定した。測定は、鋳塊の厚さ方向の中央部の断面を用いた。
【０１０８】
〔第二相粒子の個数と最長径及び周囲長の合計〕
　研削加工（ステップＳ１０８）後のアルミニウム合金基板断面を光学顕微鏡により４００倍で２０視野（１視野の面積：０．０５ｍｍ２）観察し、粒子解析ソフトＡ像くん（商品名、旭化成エンジニアリング（株）社製）を用いて第二相粒子の個数（個／ｍｍ２）と最長径及び周囲長の合計（ｍｍ／ｍｍ２）の測定を行った。測定は、基板の厚さ方向の中央部の断面を用いた。」
「【０１１１】
【表７】
【０１１２】
【表８】
【０１１３】
【表９】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
「【０１２２】
【表１６】
【０１２３】
【表１７】
【０１２４】
【表１８】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
「【０１３０】
〔心材中の第二相粒子の個数と最長径及び周囲長の合計〕
  研削加工（ステップＳ２０８）後のアルミニウム合金基板断面（心材部）を光学顕微鏡により４００倍で２０視野（１視野の面積：０．０５ｍｍ２）観察し、粒子解析ソフトＡ像くん（商品名、旭化成エンジニアリング（株）社製）を用いて第二相粒子の個数（個／ｍｍ２）と最長径及び周囲長の合計（ｍｍ／ｍｍ２）の測定を行った。測定は、基板の厚さ方向の中央部の断面を用いた。」
「【０１３３】
【表１９】
【０１３４】
【表２０】
【０１３５】
【表２１】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
「【０１３８】
【表２２】
【０１３９】
【表２３】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
「【０１４５】
【表２５】
【０１４６】
【表２６】
【０１４７】
【表２７】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
「【０１４９】
〔第二相粒子の個数と最長径及び周囲長の合計〕
  研削加工（ステップＳ３０８）後のアルミニウム合金基板断面を光学顕微鏡により４００倍で２０視野（１視野の面積：０．０５ｍｍ２）観察し、粒子解析ソフトＡ像くん（商品名、旭化成エンジニアリング（株）社製）を用いて第二相粒子の個数（個／ｍｍ２）と最長径及び周囲長の合計（ｍｍ／ｍｍ２）の測定を行った。測定は、基板の厚さ方向の中央部の断面を用いた。」
「【０１５９】
【表３４】
【０１６０】
【表３５】
【０１６１】
【表３６】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
５　各甲号証の記載
（１）甲３の記載
　甲３には、次の記載がある。なお、下線は当審で付した。以下、同じ。
「【請求項１】  芯材の片面または両面に皮材をクラッドした磁気ディスク基板用アルミニウム合金クラッド板において、前記
皮材がＭｇ２．０〜６．０wt％、Ｃｕ０．０１〜０．１５wt％、Ｚｎ０．０５〜２．０wt％を含有し、Ｍｎ０．０１〜０．４０wt％、Ｃｒ０．０１〜０．３０wt％、Ｚｒ０．０１〜０．１２wt％、Ｎｉ０．０１〜０．０５wt％のうちの１元素または２元素以上を含有し、不純物元素としてＳｉ０．０５wt％以下、Ｆｅ０．０５wt％以下、Ｔｉ０．０２wt％以下、その他の不純物元素が各々０．０２wt％以下で、残部Ａｌからなり、前記芯材がＭｇ、Ｃｕ、Ｚｎを含有し、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｉのうちの１元素または２元素以上を含有し、残部Ａｌと不可避不純物からな
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表面の平滑性に優れ、芯材と皮材の境界に段差が生じ難く、発生屑を芯材用原料としてそのままリサイクル（転回）できる
磁気ディスク基板用アルミニウム合金板およびその製造方法
「【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、
無電解めっき皮膜が薄くても表面が平滑
磁気ディスク基板用アルミニウム合金板およびその製造方法を提供すること
「【００１１】以下に本発明クラッド板の合金元素について説明する。先ず、皮材の合金元素について説明する。Ｍｇは切削性および研削性を改善して表面品質を高める。その含有量を２．０〜６．０wt％に規定した理由は、２．０wt％未満ではその効果が十分に得られず、６．０wt％を超えるとＡｌ−Ｍｇ系金属間化合物が生成し、また溶解鋳造時の高温酸化によりＭｇＯ等の非金属介在物が多量に生成し、マイクロピット等の発生原因になるためである。Ｍｇの特に望ましい含有量は、切削性、研削性、製造の容易さなどの兼ね合いから２．０〜５．０wt％である。」
「【００２１】
【実施例】以下に本発明を実施例により詳細に説明する。表１に示す組成の
皮材および芯材を用いて合わせ材を作製し
【００２２】前記皮材と芯材は下記のようにして製造した。
皮材：常法にて鋳造した厚さ３０ｍｍの鋳塊を片面５ｍｍずつ切削し、これを均質化処理（４５０℃×２時間＋５２０℃×２時間）後、厚さ５ｍｍの板材に熱間圧延し（圧延開始温度４７０℃、終了温度２３０℃、冷却速度２０℃／時間）、この板材を所定の寸法に切断し、素洗い〔湯洗→３％硝酸デスマット（１分）→５％苛性ソーダ（５分）→３％硝酸デスマット（１分）→湯洗〕した。
芯材
常法にて鋳造した厚さ６０ｍｍの鋳塊を均質化処理（４５０℃×２時間＋５２０℃×２時間）後、片面１０ｍｍずつ切削して厚さ４０ｍｍにした
【００２３】次いで、前記厚さ０．８２ｍｍのクラッド板から直径９６ｍｍ、内径２４ｍｍのドーナツ板を打抜き、３４０℃で４時間焼鈍後、グラインディング加工、表面処理、無電解めっきを行った。なお、表面処理は、アセトンで脱脂→５％ＮａＯＨ水溶液（４０℃）に３０秒間浸漬してエッチングし、次いで３０％硝酸水溶液（室温）で３０秒間デスマットし、次いでアーブ３０２ＺＮ（商標名、奥野製薬）を用いてダブルジンケート処理し、次いでナイクラッド７１９（商標名、奥野製薬）を用いてＮｉ−Ｐを１７μｍ厚さに無電解めっきし、次いで羽布により仕上げ研磨（研磨量４μｍ）して行った。」
「【００２５】
【表１】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（２）甲３発明
ア　上記（１）には、「磁気ディスク基板用アルミニウム合金板およびその製造方法」について、記載されている。
イ　上記（１）の【００２１】には、「皮材および芯材を用いて合わせ材を作製」したことが記載されている。
ウ　上記（１）の【００２２】には、「芯材」の製造は、「常法にて鋳造した厚さ６０ｍｍの鋳塊を均質化処理（４５０℃×２時間＋５２０℃×２時間）後、片面１０ｍｍずつ切削して厚さ４０ｍｍにした」ことが記載されている。
エ　上記（１）の【００２５】の【表１】から、本発明合金Ａの芯材の化学組成（重量％）について、Ｓｉが０．１５０、Ｆｅが０．１９０、Ｃｕが０．０４０、Ｍｎが０．０４０、Ｍｇが３．８０、Ｃｒが０．０６０、Ｚｎが０．１２であることが読み取れる。
オ　上記（１）の請求項１の「磁気ディスク基板用アルミニウム合金板」は、皮材がＭｇ、Ｃｕ、Ｚｎを含有し、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｉのうちの１元素または２元素以上を含有し、不純物元素としてＳｉ、Ｆｅ、Ｔｉ、その他の不純物元素を含有し、残部Ａｌからなり、また、芯材がＭｇ、Ｃｕ、Ｚｎを含有し、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｉのうちの１元素または２元素以上を含有し、残部Ａｌと不可避不純物からなるものであり、これらの具体的な元素は、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｔｉの１０種類とＡｌであって、該１０種類の元素は上記（１）の【００２５】の【表１】に示された元素と一致するから、上記エの本発明合金Ａの芯材の化学組成（重量％）は、【表１】に示されたものに加えて、残部がＡｌと不可避不純物からなると解される。
カ　上記ア〜オより、甲３の本発明合金Ａに注目すると、甲３には、次の発明（以下、「甲３発明」という。）が記載されていると認められる。
「皮材および芯材を用いた合わせ材からなる磁気ディスク基板用アルミニウム合金板であって、
　芯材の化学組成（重量％）は、Ｓｉが０．１５０、Ｆｅが０．１９０、Ｃｕが０．０４０、Ｍｎが０．０４０、Ｍｇが３．８０、Ｃｒが０．０６０、Ｚｎが０．１２であって、残部がＡｌと不可避不純物であり、
　芯材を、常法にて鋳造した厚さ６０ｍｍの鋳塊を均質化処理（４５０℃×２時間＋５２０℃×２時間）後、片面１０ｍｍずつ切削して厚さ４０ｍｍにして製造した、
磁気ディスク基板用アルミニウム合金板。」
キ　また、上記カの「磁気ディスク基板用アルミニウム合金板」は、磁気ディスク基板を製造することが前提のものであるから、上記ア〜オより、甲３には、次の発明（以下、「甲３ディスク発明」という。）が記載されていると認められる。
「甲３発明の磁気ディスク基板用アルミニウム合金板を用いた磁気ディスク基板。」
ク　さらに、上記ア〜オより、甲３には、次の発明（以下、「甲３方法発明」という。）が記載されていると認められる。
「甲３発明の磁気ディスク基板用アルミニウム合金板の製造方法。」
（３）甲７の記載
　甲７には、次の記載がある。
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、磁気ディスク用アルミニウム合金ブランクおよび
磁気ディスク用アルミニウム合金サブストレート
「【実施例】
【００４５】
　次に、本発明の効果を奏する実施例とそうでない比較例を対比して本発明に係るブランクおよびサブストレートについてより詳細に説明する。
　
表１のＮｏ．１〜２７に示す化学組成（質量％）のＡｌ合金を用い
【００４６】
　
サブストレートは、鋳造工程、均質化熱処理工程、熱間圧延工程、冷間圧延工程、打ち抜き工程、矯正焼鈍工程、端面加工工程、鏡面加工工程をこの順で行って製造した
【００４７】
　
鋳造工程は、７５０℃で材料を溶解し、鋳造した
　
均質化熱処理工程は、Ｎｏ．１〜２３については５４０℃で８時間行い
　熱間圧延工程は、Ｎｏ．１〜２３については開始温度を５２０〜５４０℃とし、終了温度を３００〜３３０℃とし、圧延後の板厚は３ｍｍとなるように行った。Ｎｏ．２４〜２７については開始温度を４３０〜４５０℃とし、終了温度を３００〜３３０℃とし、圧延後の板厚は３ｍｍとなるように行った。なお、この熱間圧延工程で熱間割れが生じたもの（Ｎｏ．１７〜２３）については、表面に占める金属間化合物の面積率と、表面に占める単体ＳｉおよびＭｇ−Ｓｉ系金属間化合物の面積率の合計と、を調べるため、割れていない部分を用いて研磨し、後記するようにして金属間化合物の面積率などを測定した。なお、熱間圧延後の熱間圧延板を測定しても矯正焼鈍後のブランクを測定しても、金属間化合物の面積率の値は変わらない。
【００４８】
　冷間圧延工程は、圧延後の板厚が１ｍｍとなるように行った。
　打ち抜き工程は、冷間圧延板から、内径２４ｍｍ、外径９６ｍｍの円環状（３．５インチＨＤＤの寸法に相当）に基板を打ち抜いた。
　矯正焼鈍工程は、高平坦度のスペーサ間に円環状の基板を積み付けし、全体を加圧しながら焼鈍することにより行った。焼鈍温度は４００℃とし、焼鈍時間は３時間とした。また、矯正焼鈍を行う際の昇温速度および高温速度は共に８０℃／時間とした。鋳造工程から矯正焼鈍工程までを行うことでブランクを製造した。
　次いで、端面加工工程は、ブランクの内径と外径を各１ｍｍずつ切削加工した。
　そして、鏡面加工工程は、両面研削機に予めセットされたキャリアのポケット内に前記した端面加工後のブランクをセットし、ＰＶＡ砥石（日本特殊研砥株式会社製  ４０００番）により目標の板厚になるまで研削加工（鏡面加工）した。この鏡面加工工程を行うことでサブストレートを製造した。」
「【００５６】
【表１】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（４）甲７発明
ア　上記（３）には、「磁気ディスク用アルミニウム合金サブストレート」について記載されている。
イ　上記（３）の【００５６】の【表１】から、Ｎｏ．１７が、化学組成（重量％）について、Ｍｇが０．１０、Ｓｉが０．１０、Ｆｅが４．０、Ｍｎが４．２、Ｎｉが４．１、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｎｉの合計量が１２．３、残部がＡｌ及び不可避不純物であることが読み取れる。
ウ　上記（３）の【００４５】及び【００４６】には、Ｎｏ．１７のＡｌ合金を用い、鋳造工程、均質熱処理工程、熱間圧延工程、冷間圧延工程、打ち抜き工程、矯正焼鈍工程、端面加工工程、鏡面加工工程をこの順に行って、磁気ディスク用アルミニウム合金サブストレートを作製したことが記載されている。
エ　上記（３）の【００４７】には、Ｎｏ．１７のＡｌ合金の鋳造工程は、７５０℃で材料を溶解し、鋳造したことが記載されている。
オ　上記（３）の【００４７】には、Ｎｏ．１７のＡｌ合金の均質熱処理工程は、５４０℃で８時間行ったことが記載されている。
カ　上記ア〜オより、甲７のＮｏ．１７のＡｌ合金に注目すると、甲７には、次の発明（以下、「甲７発明」という。）が記載されていると認められる。
「化学組成（重量％）で、Ｍｇが０．１０、Ｓｉが０．１０、Ｆｅが４．０、Ｍｎが４．２、Ｎｉが４．１、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｎｉの合計量が１２．３、残部がＡｌ及び不可避不純物であるＡｌ合金を用い、鋳造工程、均質熱処理工程、熱間圧延工程、冷間圧延工程、打ち抜き工程、矯正焼鈍工程、端面加工工程、鏡面加工工程をこの順に行って作製した磁気ディスク用アルミニウム合金サブストレートであって、
　上記鋳造工程は、７５０℃で材料を溶解し、鋳造し、
　上記均質熱処理工程は、５４０℃で８時間行った、
磁気ディスク用アルミニウム合金サブストレート。」
キ　また、上記カの「磁気ディスク用アルミニウム合金サブストレート」は、磁気ディスクサブストレートを製造することが前提のものであるから、上記ア〜オより、甲７には、次の発明（以下、「甲７ディスク発明」という。）が記載されていると認められる。
「甲７発明の磁気ディスク用アルミニウム合金サブストレートを用いた磁気ディスク基板。」
ク　なお、申立書（第３２頁第１４行〜第３３頁第２行）では、甲７のＮｏ．２のＡｌ合金に注目して、甲７に記載された発明を特定しているが、Ｎｏ．２のＡｌ合金のＳｉ含有量は０．０２重量％であり、Ａｌ合金の組成が本件発明１の範囲に含まれないものであるから、ここでは、Ａｌ合金の組成が本件発明１の範囲に含まれるＮｏ．１７のＡｌ合金に注目して、甲７発明を認定した。
（５）甲１０の記載
　甲１０には、次の記載がある。
「【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、磁気ディスク用アルミニウム合金ブランクおよび
磁気ディスク用アルミニウム合金サブストレート
「【実施例】
【００４６】
　次に、本発明の効果を奏する実施例とそうでない比較例を対比して本発明に係るブランクおよびサブストレートについてより詳細に説明する。
　
表１のＮｏ．１〜３３に示す化学組成（質量％）のＡｌ合金を用い
【００４７】
　
サブストレートは、鋳造工程、均質化熱処理工程、熱間圧延工程、冷間圧延工程、打ち抜き工程、矯正焼鈍工程、端面加工工程、鏡面加工工程をこの順で行って製造した
【００４８】
　
鋳造工程は、７５０℃で材料を溶解し、鋳造した
　
均質化熱処理工程は、Ｎｏ．１〜２９については５４０℃で８時間行い
　熱間圧延工程は、Ｎｏ．１〜２９については開始温度を５２０〜５４０℃とし、終了温度を３００〜３３０℃とし、圧延後の板厚は３ｍｍとなるように行った。Ｎｏ．３０〜３３については開始温度を４３０〜４５０℃とし、終了温度を３００〜３３０℃とし、圧延後の板厚は３ｍｍとなるように行った。なお、この熱間圧延工程で熱間割れが生じたもの（Ｎｏ．１６〜２９）については、表面に占める金属間化合物の面積率と、表面に占める単体ＳｉおよびＭｇ−Ｓｉ系金属間化合物の面積率の合計と、を調べるため、割れていない部分を用いて研磨し、後記するようにして金属間化合物の面積率などを測定した。なお、金属間化合物の面積率の値は、熱間圧延後の熱間圧延板を測定しても矯正焼鈍後のブランクを測定しても変わらない。
【００４９】
　冷間圧延工程は、圧延後の板厚が１ｍｍとなるように行った。
　打ち抜き工程は、冷間圧延板から、内径２４ｍｍ、外径９６ｍｍの円環状（３．５インチＨＤＤの寸法に相当）に基板を打ち抜いた。
　矯正焼鈍工程は、高平坦度のスペーサ間に円環状の基板を積み付けし、全体を加圧しながら焼鈍することにより行った。焼鈍温度は４００℃とし、焼鈍時間は３時間とした。また、矯正焼鈍を行う際の昇温速度および高温速度は共に８０℃／時間とした。鋳造工程から矯正焼鈍工程までを行うことでブランクを製造した。
　次いで、端面加工工程は、ブランクの内径と外径を各１ｍｍずつ切削加工した。
　そして、鏡面加工工程は、両面研削機に予めセットされたキャリアのポケット内に前記した端面加工後のブランクをセットし、ＰＶＡ砥石（日本特殊研砥株式会社製  ４０００番）により目標の板厚になるまで研削加工（鏡面加工）した。この鏡面加工工程を行うことでサブストレートを製造した。」
「【００５７】
【表１】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（６）甲１０発明
ア　上記（５）には、「磁気ディスク用アルミニウム合金サブストレート」について記載されている。
イ　上記（５）の【００５７】の【表１】から、Ｎｏ．１０として、化学組成（重量％）について、Ｍｇが０．１１、Ｓｉが０．０９、Ｆｅが０．７、Ｍｎが０．７、Ｎｉが０．７、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｎｉの合計量が２．１、Ｃｒが０．５、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒの合計量が０．５、残部がＡｌ及び不可避不純物であることが読み取れる。
ウ　上記（５）の【００４６】及び【００４７】には、Ｎｏ．１０のＡｌ合金を用い、鋳造工程、均質熱処理工程、熱間圧延工程、冷間圧延工程、打ち抜き工程、矯正焼鈍工程、端面加工工程、鏡面加工工程をこの順に行って、磁気ディスク用アルミニウム合金サブストレートを作製したことが記載されている。
エ　上記（５）の【００４８】には、Ｎｏ．１０のＡｌ合金の鋳造工程は、７５０℃で材料を溶解し、鋳造したことが記載されている。
オ　上記（５）の【００４８】には、Ｎｏ．１０のＡｌ合金の均質熱処理工程は、５４０℃で８時間行ったことが記載されている。
カ　上記ア〜オより、甲１０のＮｏ．１０のＡｌ合金に注目すると、甲１０には、次の発明（以下、「甲１０発明」という。）が記載されていると認められる。
「化学組成（重量％）で、Ｍｇが０．１１、Ｓｉが０．０９、Ｆｅが０．７、Ｍｎが０．７、Ｎｉが０．７、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｎｉの合計量が２．１、Ｃｒが０．５、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒの合計量が０．５、残部がＡｌ及び不可避不純物であるＡｌ合金を用い、鋳造工程、均質熱処理工程、熱間圧延工程、冷間圧延工程、打ち抜き工程、矯正焼鈍工程、端面加工工程、鏡面加工工程をこの順に行って作製した磁気ディスク用アルミニウム合金サブストレートであって、
　上記鋳造工程は、７５０℃で材料を溶解し、鋳造し、
　上記均質熱処理工程は、５４０℃で８時間行った、
磁気ディスク用アルミニウム合金サブストレート。」
キ　また、上記カの「磁気ディスク用アルミニウム合金サブストレート」は、磁気ディスクサブストレートを製造することが前提のものであるから、上記ア〜オより、甲１０には、次の発明（以下、「甲１０ディスク発明」という。）が記載されていると認められる。
「甲１０発明の磁気ディスク用アルミニウム合金サブストレートを用いた磁気ディスク基板。」
６　当審の判断
（１）上記２の（１）のアについて
ア　請求項１に係る発明は、「金属組織における最長径４μｍ以上３０μｍ以下の第二相粒子の周囲長の合計が１０ｍｍ／ｍｍ２以上である」との発明特定事項を含むものである。
イ　一方、本件明細書の実施例には、「研削加工（ステップＳ１０８）後のアルミニウム合金基板断面を光学顕微鏡により４００倍で２０視野（１視野の面積：０．０５ｍｍ２）観察し、粒子解析ソフトＡ像くん（商品名、旭化成エンジニアリング（株）社製）を用いて第二相粒子の個数（個／ｍｍ２）と最長径及び周囲長の合計（ｍｍ／ｍｍ２）の測定を行った。測定は、基板の厚さ方向の中央部の断面を用いた」（【０１０８】）、「研削加工（ステップＳ２０８）後のアルミニウム合金基板断面（心材部）を光学顕微鏡により４００倍で２０視野（１視野の面積：０．０５ｍｍ２）観察し、粒子解析ソフトＡ像くん（商品名、旭化成エンジニアリング（株）社製）を用いて第二相粒子の個数（個／ｍｍ２）と最長径及び周囲長の合計（ｍｍ／ｍｍ２）の測定を行った。測定は、基板の厚さ方向の中央部の断面を用いた」（【０１３０】）、「研削加工（ステップＳ３０８）後のアルミニウム合金基板断面を光学顕微鏡により４００倍で２０視野（１視野の面積：０．０５ｍｍ２）観察し、粒子解析ソフトＡ像くん（商品名、旭化成エンジニアリング（株）社製）を用いて第二相粒子の個数（個／ｍｍ２）と最長径及び周囲長の合計（ｍｍ／ｍｍ２）の測定を行った。測定は、基板の厚さ方向の中央部の断面を用いた」（【０１４９】）と記載されている。 
ウ　そして、これらの記載によれば、アルミニウム合金基板（３層構造の場合は心材）の厚さ方向の中央部の断面を光学顕微鏡により４００倍で２０視野（１視野の面積：０．０５ｍｍ２）観察し、粒子解析ソフトを用いて第二相粒子の最長径及び周囲長の合計（ｍｍ／ｍｍ２）の測定を行ったことが読み取れる。 
エ　また、特許権者は、平成３１年３月６日付けの意見書において、第二相粒子の最長径及び周囲長の合計（ｍｍ／ｍｍ２）の測定において、「光学顕微鏡で観察した視野はアルミニウム合金基板の「厚さ方向の中央部の断面」を観察しました。アルミニウム合金基板の、観察した視野は、より定常性の高い部位の観察を行うために、「基板の厚さ方向の断面を用い」ました。つまり、ご摘示の記載は、「断面が基板に対し垂直な方向（厚さ方向）であること」を意味します」（第３頁第８〜１３行）と述べている。
オ　そして、上記エで述べている、基板の厚さ方向の断面を用いることは、本件明細書の記載に反するものではないし、むしろ、一般的に基板の断面を観察する手法として普通に考え得ることである。
カ　そうすると、上記ウ、エより、第二相粒子の最長径及び周囲長の合計（ｍｍ／ｍｍ２）の測定は、アルミニウム合金基板（３層構造の場合は心材）の厚さ方向の中央部の基板に対し、垂直な断面を光学顕微鏡により４００倍で２０視野（１視野の面積：０．０５ｍｍ２）観察し、粒子解析ソフトを用いてを行ったといえる。
キ　そして、上記カの測定方法は明確であるから、同一の「磁気ディスク用アルミニウム合金基板」であれば、統計的な誤差が含まれ得るとしても、「金属組織における最長径４μｍ以上３０μｍ以下の第二相粒子の周囲長」の値は、概ね安定して測定されるものであり、「周囲長の合計が１０ｍｍ／ｍｍ２以上である」か否かは明確に判断し得るものといえる。
ク　したがって、本件発明１及びその引用発明である本件発明２〜６、８〜１４は、明確である。
（２）上記２の（１）のイについて
　請求項７は、上記第２のとおり、本件訂正により削除され、上記２の（１）のイの取消理由の対象が存在しなくなったから、当該取消理由は解消された。
（３）上記３の（１）のアについて
ア　本件発明の解決しようとする課題は、本件明細書の記載によれば、「ディスク・フラッタの発生が少ない特性を有する磁気ディスク用アルミニウム合金基板を提供すること」（【００１２】）であると認められる。
イ　ここで、本件明細書には、「アルミニウム合金基板の金属組織中に存在する最長径４μｍ以上３０μｍ以下の第二相粒子の周囲長」と「ディスク・フラッタの発生」との関係について、「アルミニウム合金基板の金属組織中に存在する最長径４μｍ以上３０μｍ以下の第二相粒子の周囲長の合計が１０ｍｍ／ｍｍ２以上ある場合（以下、「周囲長条件」という。）に、アルミニウム合金基板のフラッタリング特性の向上、即ち、フラッタリング最大変位を小さくする効果がある。フラッタリング特性の向上は第二相粒子の表面積が増えることによりもたらされると考えられる。これは、気流により発生した振動がディスク中を伝播する過程でアルミニウム合金マトリックスと第二相粒子との界面で吸収されて減衰したためと考えられる」（【００３３】）と記載されている。
ウ　また、本件明細書には、「ベア材及びクラッド材の心材の組成」と「ディスク・フラッタの発生」との関係について、「Ｓｉは、主として第二相粒子（Ｓｉ粒子等）として存在し、アルミニウム合金基板のフラッタリング特性を向上させる効果がある」（【００４３】）、「Ｆｅは、主として第二相粒子（Ａｌ−Ｆｅ系化合物等）として存在し、アルミニウム合金基板のフラッタリング特性を向上させる効果がある」（【００４４】）、「Ｍｎは、主として第二相粒子（Ａｌ−Ｍｎ系化合物等）として存在し、アルミニウム合金基板のフラッタリング特性を向上させる効果がある」（【００４５】）、「Ｎｉは、主として第二相粒子（Ａｌ−Ｎｉ系化合物等）として存在し、アルミニウム合金基板のフラッタリング特性を向上させる効果がある」（【００４６】）、「２０．００質量％≧Ｓｉ＋Ｆｅ＋Ｍｎ＋Ｎｉ≧０．２０質量％の関係式を満足することで、アルミニウム合金基板のフラッタリング特性を向上させる効果がある」（【００４７】）、「Ｃｕは、主として第二相粒子（Ａｌ−Ｃｕ系化合物等）として存在し、アルミニウム合金基板のフラッタリング特性を向上させる効果がある」（【００４８】）、「Ｍｇは、主として第二相粒子（Ｍｇ−Ｓｉ系化合物等）として存在し、アルミニウム合金基板のフラッタリング特性を向上させる効果がある」（【００４９】）、「Ｃｒは、主として第二相粒子（Ａｌ−Ｃｒ系化合物等）として存在し、アルミニウム合金基板のフラッタリング特性を向上させる効果がある」（【００５０】）、「Ｚｒは、主として第二相粒子（Ａｌ−Ｚｒ系化合物等）として存在し、アルミニウム合金基板のフラッタリング特性を向上させる効果がある」(【００５１】）、「Ｂｅは、他の添加元素と第二相粒子を形成し、フラッタリング特性を向上させる効果がある」（【００５２】）、「Ｎａ、Ｓｒ及びＰは、・・・（略）・・・アルミニウム合金基板中の第二相粒子のサイズの不均一性を小さくし、アルミニウム合金基板中のフラッタリング特性のバラつきを低減させる効果がある」（【００５３】）、「Ｐｂ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｃｄ、Ｂｉ及びＧｅは、第二相粒子（Ｐｂ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｃｄ、Ｂｉ若しくはＧｅの粒子、あるいはこれらの化合物）として、アルミマトリックス中に分布する。このような材料に振動を加えると、金属粒子・各化合物相とマトリックスとの界面における粘性流動により振動エネルギーが速やかに吸収され、極めて高いフラッタリング特性が得られる」（【００５４】）、「Ｚｎは、・・・（略）・・・他の添加元素と第二相粒子を形成し、フラッタリング特性を向上させる効果がある」（【００５５】）、「Ｔｉ、Ｂ及びＶは、鋳造時の凝固過程において、第２相粒子（ＴｉＢ２などのホウ化物あるいはＡｌ３ＴｉやＴｉ−Ｖ−Ｂ粒子等）を形成し、これらが結晶粒核となるため、結晶粒を微細化することが可能となる。・・・（略）・・・結晶粒が微細化することで、第二相粒子のサイズの不均一性を小さくし、アルミニウム合金基板中のフラッタリング特性のバラつきを低減させる効果がある」（【００５６】）と記載されており、これら全ての構成元素が「ディスク・フラッタの発生」に関係することが記載されている。
エ　さらに、本件明細書の実施例の記載について検討すると、本件発明１〜６のいずれかの特定事項である「ベア材及びクラッド材の心材の組成」を満たし、かつ、周囲長条件を満たす、実施例１８〜２６、実施例３７〜４３（以上、表７及び表８参照。）、実施例６７〜７４、実施例８５〜９１（以上、表１９及び表２０参照。）、実施例１−１８〜１−２８、実施例１−３７〜１−４３（以上、表３４及び表３５参照。）は、フラッタリング特性（各表では、「ディスクフラッタリング」と記載。）が、Ａ（優）またはＢ（良）となっており、上記アの課題を解決しているといえる。
オ　これに対し、本件発明１〜６のいずれかの特定事項である「ベア材及びクラッド材の心材の組成」を満たさず、周囲長条件も満たさない、比較例１〜１３（表９参照）、比較例１４〜比較例２６（表２１参照。）、比較例１−１〜１−１３（表３６参照。）は、フラッタリング特性が全てＤ（劣）であり、上記アの課題を解決しているとはいえないものである。
カ　そうすると、上記イより、周囲長条件を満たすことにより、アルミニウム合金基板のフラッタリング特性の向上するとされ、上記ウより、ベア材及びクラッド材の心材の組成がフラッタリング特性に影響を及ぼすとされ、上記エより、本件発明１〜６のいずれかの特定事項である「ベア材及びクラッド材の心材の組成」を満たし、かつ、周囲長条件を満たす例が全て良好なフラッタリング特性が得られ、逆に、本件発明１〜６のいずれかの特定事項である「ベア材及びクラッド材の心材の組成」を満たさず、周囲長条件も満たさない例は全て良好なフラッタリング特性が得られていないこととなる。
キ　したがって、上記カより、本件発明１〜６のいずれかの特定事項である「ベア材及びクラッド材の心材の組成」を満たし、かつ、周囲長条件を満たす、本件発明１〜６は、上記アの課題を解決し得るものであるといえる。
コ　よって、本件発明１〜６は、発明の詳細な説明に記載されたものであり、その発明を引用する本件発明８〜１４も発明の詳細な説明に記載されたものである。
サ　なお、念のため、【実施例】欄に記載された参考例について検討すると、本件発明１〜６のいずれかの特定事項である「ベア材及びクラッド材の心材の組成」を満たさないものの、周囲長条件を満たす、参考例１〜１７、参考例２７〜３６、参考例４４〜４８（以上、表７及び表８参照。）、参考例４９〜６５，参考例７４〜８４、参考例９２〜９６（以上、表１９及び表２０参照。）、参考例１−１〜１−１７、参考例１−２９〜１−３６、参考例１−４４〜１−５７（以上、表３４及び表３５参照。）は、フラッタリング特性が、Ａ（優）、Ｂ（良）またはＣ（可）となっており、Ｄ（劣）ではなく、ある程度良好なフラッタリング特性を示しているから、上記アの課題を解決しているといえる。
（４）上記３の（１）のイについて
　請求項７は、上記第２のとおり、本件訂正により削除され、上記３の（１）のイの異議申立理由の対象が存在しなくなった。
（５）上記３の（２）のアについて
ア　請求項１に係る発明は、「金属組織における最長径４μｍ以上３０μｍ以下の第二相粒子の周囲長の合計が１０ｍｍ／ｍｍ２以上である」との発明特定事項を含むものである。
イ　そして、上記アの発明特定事項を得ることについて、本件明細書には、「フラッタリング特性は、」「使用するハードディスクドライブによって異なるため、必要なフラッタリング特性に対して、適宜、第二相粒子の分布状態を決定すれば良い。これらは、以下に述べる添加元素の含有量、鋳造時の冷却速度を含めた鋳造方法、並びに、その後の熱処理と加工による熱履歴及び加工履歴、をそれぞれ適正に調整することによって得られる」（【００３８】）と記載されている。すなわち、「第二相粒子の分布状態」は、「添加元素の含有量、鋳造時の冷却速度を含めた鋳造方法、並びに、その後の熱処理と加工による熱履歴及び加工履歴、をそれぞれ適正に調整することによって得られる」と記載されている。
ウ　ここで、申立人は申立書（申立書第１０頁最後から４行〜第１２頁第１３行）において、「第二相粒子」の分布状態を調整するためには、『Ｓｉの含有量』、『Ｆｅの含有量』、『Ｍｎの含有量』、『Ｎｉの含有量』、『Ｓｉ＋Ｆｅ＋Ｍｎ＋Ｎｉ』、『Ｃｕの含有量』、『Ｍｇの含有量』、『Ｃｒの含有量』、『Ｚｒの含有量』、『鋳造の種類（ＤＣ／ＣＣ）』、『鋳造時の冷却速度』、『均質化熱処理の温度』、『均質化熱処理の時間』、『熱間圧延の開始温度』、『熱間圧延の終了温度』、『熱間圧延の加工履歴（圧延率等）』、『冷間圧延の加工履歴（圧延率等）』と１７ものパラメータが存在し、これらの各パラメータの関係性が不明であるから、当業者が本件発明１の「磁気ディスク用アルミニウム合金基板」を製造しようとしても、多くの試行錯誤をしなければならないのは明白であると主張している。
エ　しかしながら、本件明細書の実施例の記載において、『Ｓｉの含有量』、『Ｆｅの含有量』、『Ｍｎの含有量』、『Ｎｉの含有量』、『Ｓｉ＋Ｆｅ＋Ｍｎ＋Ｎｉ』、『Ｃｕの含有量』、『Ｍｇの含有量』、『Ｃｒの含有量』、『Ｚｒの含有量』については、実施例１８〜２６、実施例３７〜４３が表１及び２に、実施例６７〜７４、実施例８５〜９１が表１０及び１１に、実施例１−１８〜１−２８、実施例１−３７〜１−４３が表２２及び２３に、それぞれ記載されているし、『鋳造の種類（ＤＣ／ＣＣ）』及び『均質化熱処理の時間』については、実施例１８〜２６、実施例３７〜４３が表４及び表５に、実施例６７〜７４、実施例８５〜９１が表１６及び表１７に、実施例１−１８〜１−２８、実施例１−３７〜１−４３が表２５及び表２６に、それぞれ記載されているし、『鋳造時の冷却速度』については、実施例１８〜２６、実施例３７〜４３が表７及び表８に、実施例６７〜７４、実施例８５〜９１が表１９及び表２０に、実施例１−１８〜１−２８、実施例１−３７〜１−４３が表３４及び表３５に、それぞれ記載されているし、『熱間圧延の開始温度』については、「３７０℃」（【０１０１】）と記載されているし、『熱間圧延の終了温度』については、「３１０℃」（【０１０１】）と記載されているし、『冷間圧延の加工履歴（圧延率等）』については、「７３．３％」（【０１０１】）と記載されている。すなわち、上記ウの１７のパラメータのうち、『均質化熱処理の温度』については、１段目が４００〜４７０℃で、２段目は４７０℃超えて６３０℃未満と温度範囲しか記載されておらず、また、『熱間圧延の加工履歴（圧延率等）』については、特段の記載がないことを除き、１５のパラメータについて明確に数値が記載されている。
オ　そうすると、『均質化熱処理の温度』については、１段目が４００〜４７０℃で、２段目は４７０℃超えて６３０℃未満とそれぞれ温度範囲が特定されているし、『熱間圧延の加工履歴（圧延率等）』は、『冷間圧延の加工履歴（圧延率等）』の「７３．３％」（【０１０１】）をある程度参照して設定すればよいから、当業者であれば、上記ウ、エの１５のパラメータを設定しつつ、残りの２つのパラメータについては、過度の試行錯誤を要することなく、本件発明１の「磁気ディスク用アルミニウム合金基板」を製造し得ると考えられる。
カ　よって、本件明細書の発明の詳細な説明は、当業者が本件発明１について実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものといえる。また、本件発明２〜６、８〜１４についても同様である。
（６）上記３の（２）のイについて
ア　上記（５）のエでも述べたとおり、「添加元素の含有量」及び「均質化熱処理の条件」のうち、『Ｓｉの含有量』、『Ｆｅの含有量』、『Ｍｎの含有量』、『Ｎｉの含有量』、『Ｓｉ＋Ｆｅ＋Ｍｎ＋Ｎｉ』、『Ｃｕの含有量』、『Ｍｇの含有量』、『Ｃｒの含有量』、『Ｚｒの含有量』、『均質化熱処理の時間』について、本件明細書に記載されている。
イ　そして、「添加元素の含有量」や「均質化熱処理の条件」が「第二相粒子の周囲長」とどのように関係しているかが不明であっても、上記（５）でも述べたように、本件明細書の記載から、過度の試行錯誤を要することなしに、本件発明１の「磁気ディスク用アルミニウム合金基板」を製造し得ると考えられる。
ウ　よって、本件明細書の発明の詳細な説明は、当業者が本件発明１について実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものとはいえない。また、本件発明２〜６、８〜１４についても同様である。
（７）上記３の（３）について
（７）−１　本件発明１について
ア　対比
　本件発明１と甲３発明とを対比する。
（ア）甲３発明の「皮材および芯材を用いた合わせ材からなる磁気ディスク基板用アルミニウム合金板」と本件発明１の「単層のベア材又は３層構造のクラッド材からなる磁気ディスク用アルミニウム合金基板」とは、「多層構造のクラッド材からなる磁気ディスク用アルミニウム合金基板」で一致する。
（イ）本件発明１は、「単層のベア材又は３層構造のクラッド材からなる」ものであるところ、本件明細書には、「本発明の実施形態において、心材と皮材とをクラッドするにあたり、皮材のクラッド率（クラッド材全厚さに対する皮材厚さの比率）は特に限定されるものではないが、必要な製品板強度や平坦度、研削量に応じて適宜定められ、３％以上３０％以下とするのが好ましく、５％以上２０％以下とするのがより好ましい」（【００８２】、上記４参照。）と心材が皮材よりも相当程度厚いことが記載されているのに対し、甲３発明の「芯材」は「厚さ４０ｍｍ」であって、「皮材」は「厚さ５ｍｍ」（上記５の（１）の【００２２】参照。）であるから、甲３発明の「芯材」は、本件発明１の「クラッド材の心材」に相当する。
（ウ）甲３発明の「芯材の化学組成（重量％）は、Ｓｉが０．１５０、Ｆｅが０．１９０、Ｃｕが０．０４０、Ｍｎが０．０４０、Ｍｇが３．８０、Ｃｒが０．０６０、Ｚｎが０．１２であって、残部がＡｌと不可避不純物であ」る事項と、本件発明１の「ベア材のアルミニウム合金組成及び前記クラッド材の心材のアルミニウム合金組成が、０．１０質量％以上０．５０質量％未満のＳｉ、０．０５質量％以上１０．００質量％以下のＦｅ、０．１０質量％以上１５．００質量％以下のＭｎ、及び０．１０質量％以上２０．００質量％以下のＮｉのうち１種又は２種以上を含有し、２０．００質量％≧Ｓｉ＋Ｆｅ＋Ｍｎ＋Ｎｉ≧０．２０質量％の関係を有し、且つ、０．００５質量％以上１０．０００質量％以下のＣｕ、０．１００質量％以上１．０００質量％未満のＭｇ、０．０１０質量％以上５．０００質量％以下のＣｒ、及び０．０１０質量％以上５．０００質量％以下のＺｒからなる群から選択された１もしくは２以上の元素をさらに含有し、残部がアルミニウムと不可避不純物からな」る事項とは、「ベア材または心材のアルミニウム合金組成が、０．１５０重量％のＳｉ、０．１９０重量％のＦｅ、特定量のＭｎを含有し、Ｓｉ＋Ｆｅ＋Ｍｎ＋Ｎｉが０．３８０重量％であり、且つ、０．０４０重量％のＣｕ、特定量のＭｇ、０．０６０重量％のＣｒをさらに含有し、アルミニウムと不可避不純物を含有する」事項で共通する。
（エ）上記（ア）〜（ウ）より、本件発明１と甲３発明とは、
「多層構造のクラッド材からなる磁気ディスク用アルミニウム合金基板であって、
心材のアルミニウム合金組成が、０．１５０重量％のＳｉ、０．１９０重量％のＦｅ、特定量のＭｎを含有し、Ｓｉ＋Ｆｅ＋Ｍｎ＋Ｎｉが０．３８０重量％であり、且つ、０．０４０重量％のＣｕ、特定量のＭｇ、０．０６０重量％のＣｒをさらに含有し、アルミニウムと不可避不純物を含有する、磁気ディスク用アルミニウム合金基板。」で一致し、次のＡ〜Ｅの相違点で相違する。
（相違点）
Ａ　「多層構造のクラッド材からなる磁気ディスク用アルミニウム合金基板」が、本件発明は、「３層構造のクラッド材からなる」ものであるのに対し、甲３発明は、「皮材および芯材を用いた合わせ材からなる」ものである点。
Ｂ　「心材のアルミニウム合金組成」の「Ｍｇ」含有量について、本件発明１は、「０．１００質量％以上１．０００質量％未満」であるのに対し、甲３発明は、「３．８０」重量％である点。
Ｃ　「心材のアルミニウム合金組成」の「Ｍｎ」含有量について、本件発明１は、「０．１０質量％以上１５．００質量％以下」であるのに対し、甲３発明は、「０．０４０」重量％である点。
Ｄ　「心材のアルミニウム合金組成」の「Ｚｎ」含有量について、本件発明１は、Ｚｎを含まないのに対し、甲３発明は、Ｚｎを「０．１２」重量％含む点。
Ｅ　本件発明１は、「金属組織における最長径４μｍ以上３０μｍ以下の第二相粒子の周囲長の合計が１０ｍｍ／ｍｍ２以上である」のに対し、甲３発明は、「金属組織における最長径４μｍ以上３０μｍ以下の第二相粒子の周囲長の合計」の特定がない点。
イ　判断
（ア）事案に鑑み、まず、上記Ｂの相違点について検討する。
（イ）甲３には、甲３発明の課題の一つとして、「無電解めっき皮膜が薄くても表面が平滑」な「磁気ディスク基板用アルミニウム合金板およびその製造方法を提供すること」（上記５の（１）の【０００５】参照。）が記載されている。
（ウ）そして、甲３には、「Ｍｇは切削性および研削性を改善して表面品質を高める。その含有量を２．０〜６．０wt％に規定した理由は、２．０wt％未満ではその効果が十分に得られず、６．０wt％を超えるとＡｌ−Ｍｇ系金属間化合物が生成し、また溶解鋳造時の高温酸化によりＭｇＯ等の非金属介在物が多量に生成し、マイクロピット等の発生原因になるためである。Ｍｇの特に望ましい含有量は、切削性、研削性、製造の容易さなどの兼ね合いから２．０〜５．０wt％である」（上記５の（１）の【００１１】参照。）と記載されており、この記載によれば、甲３発明のＭｇの含有量が２．０wt％未満では、表面品質を高める効果が十分に得られない、すなわち、上記（イ）の課題を解決することができないことが示されている。
（エ）そうすると、Ｍｇが３．８０重量％含まれた甲３発明において、Ｍｇの含有量を「０．１００質量％以上１．０００質量％未満」とすることは、甲３に記載された発明において解決すべき課題を解決できないものとなるから、当業者であっても、容易になし得たこととはいえない。
（オ）次に、念のため、上記Ｅの相違点について検討する。
（カ）甲３には、本件発明１の「金属組織における最長径４μｍ以上３０μｍ以下の第二相粒子の周囲長の合計が１０ｍｍ／ｍｍ２以上である」事項が記載されていないし、当該事項を示唆する記載もない。
（キ）ここで、申立人は申立書（第２１頁第４行〜第２２頁第８行）において、次の（ク）〜（コ）の主張をしている。
（ク）甲３発明の均質化条件は、請求項１３に記載された「４００〜４７０℃で０．５時間以上５０時間未満で加熱処理を行った後に、更に４７０℃を超えて６３０℃未満で１時間以上３０時間未満の２段階で加熱処理を行う」事項（以下、「条件１」という。）を満たし、また、甲３発明の鋳造時の冷却速度も、技術常識に照らせば、請求項１３に記載された「鋳造時の冷却速度が０．１〜１０００℃／ｓ」である事項（以下、「条件２」という。）を満たす蓋然性が高い。
（ケ）加えて、甲３発明の「芯材」の組成は、本件発明１の「０．１０質量％以上０．５０質量％未満のＳｉ、０．０５質量％以上１０．００質量％以下のＦｅ、０．１０質量％以上１５．００質量％以下のＭｎ、及び０．１０質量％以上２０．００質量％以下のＮｉのうち１種又は２種以上を含有し、２０．００質量％≧Ｓｉ＋Ｆｅ＋Ｍｎ＋Ｎｉ≧０．２０質量％の関係を有」する事項を満たしている。
（コ）そうすると、上記（ク）及び（ケ）より、甲３発明は、「金属組織における最長径４μｍ以上３０μｍ以下の第二相粒子の周囲長の合計が１０ｍｍ／ｍｍ２以上である」事項（以下、「条件３」という。）を満たすこととなるから、上記Ｅの相違点は実質的な相違点ではない。
（サ）そこで、上記（ク）〜（コ）の主張について検討する。
（シ）請求項１３に記載された均質化条件は「合わせ材」に対するものであるが、甲３発明の「芯材」及び「皮材」の均質化条件が、いずれも「４５０℃×２時間＋５２０℃×２時間」であることから、条件１を満たすものであるといえるし、条件２は、その範囲が非常に広いために、甲３発明の「芯材」も条件２を満たしている可能性も否定できない。
（ス）しかしながら、本件発明１の「ベア材」または「心材」と甲３発明の「芯材」とは、上記Ｂ〜Ｄの相違点で示したように、アルミニウム合金組成が異なるものである。
（セ）そして、本件明細書に記載された比較例１〜７、１３〜２０、２６、１−１〜１−７、１−１３は、その製造方法が条件１及び条件２を満たすものの、ベア材またはクラッド材の心材の組成が本件発明１〜６とは異なるものであって、しかも、それら比較例の全てが条件３を満たさないものであるから、条件１及び条件２を満たすからといって、ベア材またはクラッド材の心材の組成条件を満たさない場合には、直ちに条件３を満たすものとはいえない。
（ソ）そうすると、甲３発明の製造方法が、仮に、条件１及び条件２の双方を満たしていたとしても、本件発明１の「ベア材」または「心材」と甲３発明の「芯材」とは、上記Ｂ〜Ｄの相違点で、アルミニウム合金組成が異なるものであるから、必ずしも、条件３を満たすものとはいえない。
（タ）したがって、申立人の主張は当を得ないものである。
（チ）よって、甲３発明が、本件発明１の「金属組織における最長径４μｍ以上３０μｍ以下の第二相粒子の周囲長の合計が１０ｍｍ／ｍｍ２以上である」事項を備えているとはいえないし、甲３発明において、「金属組織における最長径４μｍ以上３０μｍ以下の第二相粒子の周囲長の合計が１０ｍｍ／ｍｍ２以上である」事項とすることは、当業者にとって容易になし得たことともいえない。
（ツ）以上により、他の相違点について検討するまでもなく、本件発明１は、当業者が甲３発明に基づいて容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
（７）−２　本件発明２〜６、８、９について
　本件発明２〜６、８、９は請求項１を引用するものであるから、本件発明２〜６、８、９と甲３発明とは、少なくとも、上記Ａ〜Ｅの相違点で相違するものであり、上記Ｂ及びＥの相違点については、上記（７）−１のイで検討したとおりであるから、本件発明２〜６、８、９も同様に、当業者が甲３発明に基づいて容易に発明をすることができたものとはいえない。
（７）−３　本件発明１０について
　本件発明１０は本件発明１を引用するものであり、甲３ディスク発明は甲３発明を引用するものであるから、本件発明１０と甲３ディスク発明とは、少なくとも、上記Ａ〜Ｅの相違点で相違するものであり、上記Ｂ及びＥの相違点については、上記（７）−１のイで検討したとおりであるから、本件発明１０も同様に、当業者が甲３ディスク発明に基づいて容易に発明をすることができたものとはいえない。
（７）−４　本件発明１１〜１４について
　本件発明１１〜１４は本件発明１を引用するものであり、甲３方法発明は甲３発明を引用するものであるから、本件発明１１〜１４と甲３方法発明とは、少なくとも、上記Ａ〜Ｅの相違点で相違するものであり、上記Ｂ及びＥの相違点については、上記（７）−１のイで検討したとおりであるから、本件発明１１〜１４も同様に、当業者が甲３方法発明に基づいて容易に発明をすることができたものとはいえない。
（８）上記３の（４）について（甲７を主引例とした場合）
（８）−１　本件発明１について
ア　対比
　本件発明１と甲７発明とを対比する。
（ア）甲７発明の「磁気ディスク用アルミニウム合金サブストレート」は、単層であるから、本件発明１の「単層のベア材」「からなる磁気ディスク用アルミニウム合金基板」に相当する。
（イ）甲７発明の「磁気ディスク用アルミニウム合金サブストレート」は、「化学組成（重量％）で、Ｍｇが０．１０、Ｓｉが０．１０、Ｆｅが４．０、Ｍｎが４．２、Ｎｉが４．１、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｎｉの合計量が１２．３、残部がＡｌ及び不可避不純物であるＡｌ合金を用い、鋳造工程、均質熱処理工程、熱間圧延工程、冷間圧延工程、打ち抜き工程、矯正焼鈍工程、端面加工工程、鏡面加工工程をこの順に行って作製した」ものであって、作製された「磁気ディスク用アルミニウム合金サブストレート」も、原料であるＡｌ合金と同一の組成であると考えられるから、甲７発明の「化学組成（重量％）で、Ｍｇが０．１０、Ｓｉが０．１０、Ｆｅが４．０、Ｍｎが４．２、Ｎｉが４．１、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｎｉの合計量が１２．３、残部がＡｌ及び不可避不純物であるＡｌ合金を用い」た事項と、本件発明１の「ベア材のアルミニウム合金組成及び前記クラッド材の心材のアルミニウム合金組成が、０．１０質量％以上０．５０質量％未満のＳｉ、０．０５質量％以上１０．００質量％以下のＦｅ、０．１０質量％以上１５．００質量％以下のＭｎ、及び０．１０質量％以上２０．００質量％以下のＮｉのうち１種又は２種以上を含有し、２０．００質量％≧Ｓｉ＋Ｆｅ＋Ｍｎ＋Ｎｉ≧０．２０質量％の関係を有し、且つ、０．００５質量％以上１０．０００質量％以下のＣｕ、０．１００質量％以上１．０００質量％未満のＭｇ、０．０１０質量％以上５．０００質量％以下のＣｒ、及び０．０１０質量％以上５．０００質量％以下のＺｒからなる群から選択された１もしくは２以上の元素をさらに含有し、残部がアルミニウムと不可避不純物からな」る事項とは、「ベア材のアルミニウム合金組成が、０．１０質量％のＳｉ、４．０質量％のＦｅ、４．２質量％のＭｎ、４．１質量％のＮｉを含有し、Ｓｉ＋Ｆｅ＋Ｍｎ＋Ｎｉ＝１２．４質量％の関係を有し、且つ、０．１０質量％のＭｇをさらに含有し、残部がアルミニウムと不可避不純物からな」る事項で重複する。
（ウ）上記（ア）、（イ）より、本件発明１と甲７発明とは、
「単層のベア材からなる磁気ディスク用アルミニウム合金基板であって、
前記ベア材のアルミニウム合金組成が、０．１０質量％のＳｉ、４．０質量％のＦｅ、４．２質量％のＭｎ、４．１質量％のＮｉを含有し、Ｓｉ＋Ｆｅ＋Ｍｎ＋Ｎｉ＝１２．４質量％の関係を有し、且つ、０．１０質量％のＭｇをさらに含有し、残部がアルミニウムと不可避不純物からなる、磁気ディスク用アルミニウム合金基板。」で一致し、次のＦの相違点で相違する。
（相違点）
Ｆ　本件発明１は、「金属組織における最長径４μｍ以上３０μｍ以下の第二相粒子の周囲長の合計が１０ｍｍ／ｍｍ２以上である」のに対し、甲７発明は、「金属組織における最長径４μｍ以上３０μｍ以下の第二相粒子の周囲長の合計」の特定がない点。
イ　判断
（ア）上記Ｆの相違点について検討する。
（イ）甲７には、本件発明１の「金属組織における最長径４μｍ以上３０μｍ以下の第二相粒子の周囲長の合計が１０ｍｍ／ｍｍ２以上である」事項が記載されていない。
（ウ）よって、本件発明１と甲７発明とは同一とはいえない。
（エ）なお、申立人は申立書（第３４頁第４行〜第３６頁第１行）において、次（オ）〜（ク）の主張をしている。
（オ）甲７発明の「鋳造工程」の冷却速度は、技術常識に照らせば、条件２を満たす蓋然性が高い。
（カ）また、条件１は、４００〜４７０℃の区切りと４７０℃を超えて６３０℃未満の区切りにおける、異常に広範な昇温速度範囲を規定しているだけに過ぎないから、現実の製造プロセスの均質化熱処理において、条件１を満たさないような条件は考えがたい。
（キ）さらに、甲７発明は、本件発明１の「ベア材のアルミニウム合金組成及び前記クラッド材の心材のアルミニウム合金組成が、０．１０質量％以上０．５０質量％未満のＳｉ、０．０５質量％以上１０．００質量％以下のＦｅ、０．１０質量％以上１５．００質量％以下のＭｎ、及び０．１０質量％以上２０．００質量％以下のＮｉのうち１種又は２種以上を含有し、２０．００質量％≧Ｓｉ＋Ｆｅ＋Ｍｎ＋Ｎｉ≧０．２０質量％の関係を有し、且つ、０．００５質量％以上１０．０００質量％以下のＣｕ、０．１００質量％以上１．０００質量％未満のＭｇ、０．０１０質量％以上５．０００質量％以下のＣｒ、及び０．０１０質量％以上５．０００質量％以下のＺｒからなる群から選択された１もしくは２以上の元素をさらに含有し、残部がアルミニウムと不可避不純物からな」る事項を満たすものである。
（ク）そうすると、上記（オ）〜（キ）より、甲７発明は、本件発明１の「金属組織における最長径４μｍ以上３０μｍ以下の第二相粒子の周囲長の合計が１０ｍｍ／ｍｍ２以上である」事項を含むものであると考えるのが妥当である。
（ケ）そこで、この主張について検討するに、甲７発明の「均質熱処理工程は、５４０℃で８時間行う」ものであるから、本件発明１３のように、「均質化熱処理工程」を「２段階で加熱処理を行う」ものとは明らかに異なるものである。
（コ）そして、本件明細書には、「均質化処理を４００〜４７０℃で０．５時間以上５０時間未満で加熱処理を行った後に、更に４７０℃を超えて６３０℃未満で１時間以上３０時間未満の２段階加熱処理とすることによって、最長径４μｍ以上３０μｍ以下の第二相粒子が多数生成し、第二相粒子の周囲長の合計が長くなり、フラッタリング特性を向上させる効果を得ることができる。１段目の均質化処理時の加熱温度又は時間が４００℃未満又は０．５時間未満だと最長径４μｍ以上３０μｍ以下の第二相粒子の周囲長の合計が１０ｍｍ／ｍｍ２未満となる可能性があり、十分なフラッタリング特性が得られない可能性がある。１段目の均質化処理時の加熱温度又は時間が４７０℃越え又は５０時間以上だと最長径４μｍ以上３０μｍ以下の第二相粒子の周囲長の合計が１０００ｍｍ／ｍｍ２を超える可能性がある。この場合、エッチング時、ジンケート処理時、切削や研削加工時に第二相粒子が脱落して大きな窪みが発生し、めっき剥離も生じる可能性がある。一方、２段目の均質化処理時の加熱温度又は時間が４７０℃以下又は１時間未満だと最長径４μｍ以上３０μｍ以下の第二相粒子の周囲長の合計が１０ｍｍ／ｍｍ２未満となる可能性があり、十分なフラッタリング特性が得られない可能性がある。２段目の均質化処理時の加熱温度又は時間が６３０℃以上又は３０時間以上だと最長径４μｍ以上３０μｍ以下の第二相粒子の周囲長の合計が１０００ｍｍ／ｍｍ２を超える可能性がある」（【００７４】）と記載されているから、甲７発明は、本件発明１の「金属組織における最長径４μｍ以上３０μｍ以下の第二相粒子の周囲長の合計が１０ｍｍ／ｍｍ２以上である」事項を含むものであると考えるのが妥当であるとの申立人の主張には根拠がない。
（サ）よって、本件発明１は、甲７出願の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲及び図面に記載された発明と同一とはいえない。
（８）−２　本件発明２〜６、８、９について
　本件発明２〜６、８、９は本件発明１を引用するものであるから、本件発明２〜６、８、９と甲３発明とは、少なくとも、上記Ｆの相違点で相違するものであり、上記Ｆの相違点については、上記（８）−１のイで検討したとおり、実質的な相違点であるから、本件発明２〜６、８、９も同様に、甲７出願の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲及び図面に記載された発明と同一とはいえない。
（８）−３　本件発明１０について
　本件発明１０は本件発明１を引用するものであり、甲３ディスク発明は甲３発明を引用するものであるから、本件発明１０と甲３ディスク発明とは、少なくとも、上記Ｆの相違点で相違するものであり、上記Ｆの相違点については、上記（８）−１のイで検討したとおり、実質的な相違点であるから、本件発明１０も同様に、甲７出願の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲及び図面に記載された発明と同一とはいえない。
（９）上記３の（４）について（甲１０を主引例とした場合）
（９）−１　本件発明１について
ア　対比
　本件発明１と甲１０発明とを対比する。
（ア）甲１０発明の「磁気ディスク用アルミニウム合金サブストレート」は、本件発明１の「単層のベア材」「からなる磁気ディスク用アルミニウム合金基板」に相当する。
（イ）甲１０発明の「化学組成（重量％）で、Ｍｇが０．１１、Ｓｉが０．０９、Ｆｅが０．７、Ｍｎが０．７、Ｎｉが０．７、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｎｉの合計量が２．１、Ｃｒが０．５、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒの合計量が０．５、残部がＡｌ及び不可避不純物であるＡｌ合金を用い、鋳造工程、均質熱処理工程、熱間圧延工程、冷間圧延工程、打ち抜き工程、矯正焼鈍工程、端面加工工程、鏡面加工工程をこの順に行って作製した」ものであって、作製された「磁気ディスク用アルミニウム合金サブストレート」も、原料であるＡｌ合金と同一の組成であると考えられるから、甲１０発明の「化学組成（重量％）で、Ｍｇが０．１１、Ｓｉが０．０９、Ｆｅが０．７、Ｍｎが０．７、Ｎｉが０．７、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｎｉの合計量が２．１、Ｃｒが０．５、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒの合計量が０．５、残部がＡｌ及び不可避不純物であるＡｌ合金を用い」た事項と、本件発明１の「ベア材のアルミニウム合金組成及び前記クラッド材の心材のアルミニウム合金組成が、０．１０質量％以上０．５０質量％未満のＳｉ、０．０５質量％以上１０．００質量％以下のＦｅ、０．１０質量％以上１５．００質量％以下のＭｎ、及び０．１０質量％以上２０．００質量％以下のＮｉのうち１種又は２種以上を含有し、２０．００質量％≧Ｓｉ＋Ｆｅ＋Ｍｎ＋Ｎｉ≧０．２０質量％の関係を有し、且つ、０．００５質量％以上１０．０００質量％以下のＣｕ、０．１００質量％以上１．０００質量％未満のＭｇ、０．０１０質量％以上５．０００質量％以下のＣｒ、及び０．０１０質量％以上５．０００質量％以下のＺｒからなる群から選択された１もしくは２以上の元素をさらに含有し、残部がアルミニウムと不可避不純物からな」る事項とは、「ベア材のアルミニウム合金組成が、特定量のＳｉ、０．７質量％のＦｅ、０．７質量％のＭｎ、０．７質量％のＮｉを含有し、Ｓｉ＋Ｆｅ＋Ｍｎ＋Ｎｉ＝２．１９質量％の関係を有し、且つ、０．１１質量％のＭｇ、０．５重量％のＣｒをさらに含有し、残部にアルミニウムと不可避不純物とを含む」事項で共通する。
（ウ）上記（ア）、（イ）より、本件発明１と甲１０発明とは、
「単層のベア材からなる磁気ディスク用アルミニウム合金基板であって、
前記ベア材のアルミニウム合金組成が、特定量のＳｉ、０．７質量％のＦｅ、０．７質量％のＭｎ、０．７質量％のＮｉを含有し、Ｓｉ＋Ｆｅ＋Ｍｎ＋Ｎｉ＝２．１９質量％の関係を有し、且つ、０．１１質量％のＭｇ、０．５重量％のＣｒをさらに含有し、残部にアルミニウムと不可避不純物とを含む、磁気ディスク用アルミニウム合金基板。」で一致し、次のＧ、Ｈの相違点で相違する。
（相違点）
Ｇ　「ベア材のアルミニウム合金組成及び前記クラッド材の心材のアルミニウム合金組成」における「Ｓｉ」含有量が、本件発明１は、「０．１０質量％以上０．５０質量％未満」であるのに対し、甲１０発明は、「０．０９」重量％である点。
Ｈ　本件発明１は、「金属組織における最長径４μｍ以上３０μｍ以下の第二相粒子の周囲長の合計が１０ｍｍ／ｍｍ２以上である」のに対し、甲７発明は、「金属組織における最長径４μｍ以上３０μｍ以下の第二相粒子の周囲長の合計」の特定がない点。
イ　判断
（ア）事案に鑑み、上記Ｈの相違点について検討する。
（イ）甲１０には、本件発明１の「金属組織における最長径４μｍ以上３０μｍ以下の第二相粒子の周囲長の合計が１０ｍｍ／ｍｍ２以上である」事項が記載されていない。
（ウ）ここで、甲１０発明の「均質熱処理工程」は、甲７発明と同様に、「５４０℃で８時間行う」ものである。
（エ）そうすると、上記（８）の（８）−１のイの（エ）〜（コ）で検討した理由と同様の理由により、上記Ｈの相違点は実質的な相違点であるから、上記Ｇの相違点について検討するまでもなく、本件発明１と甲１０発明とは同一とはいえない。
（オ）よって、本件発明１は、甲１０出願の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲及び図面に記載された発明と同一とはいえない。
（９）−２　本件発明２〜６、８、９について
　本件発明２〜６、８、９は本件発明１を引用するものであるから、本件発明２〜６、８、９と甲１０発明とは、少なくとも、上記Ｇ、Ｈの相違点で相違するものであり、上記Ｈの相違点については、上記（９）−１のイで検討したとおり、実質的な相違点であるから、本件発明２〜６、８、９も同様に、甲１０出願の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲及び図面に記載された発明と同一とはいえない。
（９）−３　本件発明１０について
　本件発明１０は本件発明１を引用するものであり、甲１０ディスク発明は甲１０発明を引用するものであるから、本件発明１０と甲１０ディスク発明とは、少なくとも、上記Ｇ、Ｈの相違点で相違するものであり、上記Ｈの相違点については、上記（９）−１のイで検討したとおり、実質的な相違点であるから、本件発明１０も同様に、甲１０出願の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲及び図面に記載された発明と同一とはいえない。
７　むすび
　以上のとおり、本件の請求項１〜６、８〜１４に係る特許は、平成３０年１２月２１日付けで通知された取消理由に記載した取消理由、及び、特許異議申立書に記載された特許異議申立理由によっては、取り消すべき理由を発見しないし、他に本件の請求項１〜６、８〜１４に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　また、本件の請求項７は、本件訂正により削除されたから、本件特許の請求項７に対して、申立人がした特許異議申立については、対象となる請求項が存在しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成３１年４月２４日（２０１９．４．２４）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　単層のベア材又は３層構造のクラッド材からなる磁気ディスク用アルミニウム合金基板であって、該ベア材のアルミニウム合金組成及び前記クラッド材の心材のアルミニウム合金組成が、０．１０質量％以上０．５０質量％未満のＳｉ、０．０５質量％以上１０．００質量％以下のＦｅ、０．１０質量％以上１５．００質量％以下のＭｎ、及び０．１０質量％以上２０．００質量％以下のＮｉのうち１種又は２種以上を含有し、２０．００質量％≧Ｓｉ＋Ｆｅ＋Ｍｎ＋Ｎｉ≧０．２０質量％の関係を有し、且つ、０．００５質量％以上１０．０００質量％以下のＣｕ、０．１００質量％以上１．０００質量％未満のＭｇ、０．０１０質量％以上５．０００質量％以下のＣｒ、及び０．０１０質量％以上５．０００質量％以下のＺｒからなる群から選択された１もしくは２以上の元素をさらに含有し、残部がアルミニウムと不可避不純物からなり、
　金属組織における最長径４μｍ以上３０μｍ以下の第二相粒子の周囲長の合計が１０ｍｍ／ｍｍ２以上であることを特徴とする磁気ディスク用アルミニウム合金基板。
　【請求項２】
　０．０００１質量％以上０．１０００質量％以下のＢｅ
　をさらに含有する、請求項１に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金基板。
　【請求項３】
　０．００１質量％以上０．１００質量％以下のＮａ、
　０．００１質量％以上０．１００質量％以下のＳｒ、
　０．００１質量％以上０．１００質量％以下のＰ
　からなる群から選択された１もしくは２以上の元素をさらに含有する、請求項１又は２に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金基板。
　【請求項４】
　個々の含有量が０．１質量％以上５．０質量％以下のＰｂ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｃｄ、Ｂｉ及びＧｅからなる群から選択された１もしくは２以上の元素をさらに含有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金基板。
　【請求項５】
　０．００５質量％以上１０．０００質量％以下のＺｎ
　をさらに含有する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金基板。
　【請求項６】
　含有量の合計が０．００５質量％以上０．５００質量％以下のＴｉ、Ｂ及びＶからなる群から選択された１もしくは２以上の元素
　をさらに含有する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金基板。
　【請求項７】
（削除）
　【請求項８】
　請求項１〜
６
　【請求項９】
　請求項８に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金基板であって、前記皮膜の膜厚が１０ｎｍ以上３０００ｎｍ以下の皮膜を有する磁気ディスク用アルミニウム合金基板。
　【請求項１０】
　請求項１〜
６、８及び
　【請求項１１】
　請求項１〜
６
　【請求項１２】
　前記冷間圧延の前又は途中に圧延板を焼鈍する焼鈍処理工程を更に含む、請求項１１に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金基板の製造方法。
　【請求項１３】
　請求項１〜
６
　【請求項１４】
　前記冷間圧延の前又は途中に圧延板を焼鈍する焼鈍処理工程を更に含む、請求項１３に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金基板の製造方法。