【事件の表示】
　特許第６３４３１５０号発明「真空バルブおよびその製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６３４３１５０号の特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔４〜６〕について、訂正することを認める。
　特許第６３４３１５０号の請求項１〜６に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第６３４３１５０号の請求項１〜６に係る特許についての出願は、平成２６年１月２４日に出願され、平成３０年５月２５日にその特許権の設定登録がされ、平成３０年６月１３日に特許掲載公報が発行された。その特許についての本件特許異議の申立ての経緯は、次のとおりである。
　平成３０年１２月１０日　　：特許異議申立人加藤浩志（以下「申立人」という。）による請求項１〜６に係る特許についての特許異議の申立て
　平成３１年　２月　１日付け：取消理由通知書
　平成３１年　４月　５日　　：特許権者による意見書の提出及び訂正の請求
　令和　元年　５月１６日　　：申立人による意見書の提出
第２　訂正の適否についての判断
１　訂正の内容
　平成３１年４月５日の訂正請求書による訂正の請求は、「特許第６３４３１５０号の特許請求の範囲を、本訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項４〜６について訂正することを求める。」ものであり、その訂正（以下「本件訂正」という。）の内容は以下のとおりである。（下線部は訂正箇所を示す。）
（１）訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項４に「所定形状に成形したアルミナ磁器を加熱炉に搬入して焼成し」と記載されているのを、「所定形状に成形した
アルミナ
内外周の
（２）訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項５を独立形式に改めるとともに、請求項５が引用する請求項４に「所定形状に成形したアルミナ磁器を加熱炉に搬入して焼成し」と記載されているのを、「所定形状に成形した
アルミナ
所定形状に成形したアルミナを加熱炉に搬入して焼成し、これを再び加熱炉に搬入して
し、表面に酸素結合を促進させた酸化促進層を設けた真空絶縁容器を製造し、この真空絶縁容器に接離自在の一対の接点を収納することを特徴とする
　なお、訂正前の請求項４〜６について、請求項６は請求項４、５を引用するものであって、訂正事項１及び２によって訂正される請求項４、５に連動して訂正されるものであるから、本件訂正請求は、一群の請求項４〜６に対して請求されたものである。
２　訂正の適否
（１）訂正事項１
ア　訂正の目的
　訂正事項１は、訂正前の請求項４に記載の「アルミナ磁器」との誤記を「
アルミナ
内外周の
イ　実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないこと
　訂正事項１は、上記アのとおりであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではなく、特許法第１２０条の５第９項の規定によって準用する第１２６条第６項に適合するものである。
ウ　願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること
　訂正事項１のうち、「アルミナ磁器」を「
アルミナ
内外周の
　よって、訂正事項１は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項の規定によって準用する第１２６条第５項に適合するものである。
　なお、本件訂正請求においては、訂正前の全ての請求項に対して特許異議の申立てがされているので、特許法第１２０条の５第９項において読み替えて準用する同法第１２６条第７項の規定（独立特許要件）は適用されない（訂正事項２についても同様。）。
（２）訂正事項２
ア　訂正の目的
　訂正事項２は、訂正前の請求項５が訂正前の請求項４の記載を引用する記載であったものを、請求項間の引用関係を解消し、独立形式請求項へ改めるとともに、訂正前の請求項４に記載の「アルミナ磁器」との誤記を「
アルミナ
イ　実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないこと
　訂正事項２は、上記アのとおりであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではなく、特許法第１２０条の５第９項の規定によって準用する第１２６条第６項に適合するものである。
ウ　願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること
　訂正事項２のうち、「アルミナ磁器」を「
アルミナ
　よって、訂正事項２は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項の規定によって準用する第１２６条第５項に適合するものである。
３　小括
　以上のとおりであるから、本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号、第２号及び第４号に掲げる事項を目的とするものに該当し、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するので、訂正後の請求項４〜６について、訂正することを認める。
第３　訂正後の本件発明
　本件訂正請求により訂正された、訂正後の請求項１〜６に係る発明（以下「本件発明１」〜「本件発明６」という。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定される、次のとおりのものである。
「【請求項１】
　アルミナ磁器よりなる筒状の真空絶縁容器と、
　前記真空絶縁容器の両端開口部に封着された封着金具と、
　前記真空絶縁容器に収納された接離自在の一対の接点とを有する真空バルブであって、
　前記真空絶縁容器は、アルミナ磁器の基材層と、
　前記基材層の内外周の表面に設けられた酸素結合を促進させた酸化促進層とで構成されていることを特徴とする真空バルブ。
【請求項２】
　前記酸化促進層を開口部にいくほど絶縁厚さを厚くしたことを特徴とする請求項１に記載の真空バルブ。
【請求項３】
　前記真空絶縁容器の外周に絶縁材料をモールドして絶縁層を設けたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の真空バルブ。
【請求項４】
　所定形状に成形したアルミナを加熱炉に搬入して焼成し、
　これを再び加熱炉に搬入して再加熱し、
　内外周の表面に酸素結合を促進させた酸化促進層を設けた真空絶縁容器を製造し、
　この真空絶縁容器に接離自在の一対の接点を収納することを特徴とする真空バルブの製造方法。
【請求項５】
　所定形状に成形したアルミナを加熱炉に搬入して焼成し、
　これを再び加熱炉に搬入して再加熱を複数回繰り返し、
　表面に酸素結合を促進させた酸化促進層を設けた真空絶縁容器を製造し、
　この真空絶縁容器に接離自在の一対の接点を収納することを特徴とする真空バルブの製造方法。
【請求項６】
　前記再加熱を温度１２５０℃以上とすることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の真空バルブの製造方法。」
第４　取消理由通知に記載した取消理由について
１　取消理由の概要
　訂正前の請求項４及び６に係る特許に対して、当審が平成３１年２月１日付けで特許権者に通知した取消理由の要旨は、次のとおりである。
（新規性）本件特許の請求項４及び６に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、請求項４及び６に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものであり、取り消されるべきものである。
＜刊行物＞
　引用文献１：特開２００１−２２０２６７号公報
　（申立人による平成３０年１２月１０日付けの特許異議申立書に添付された甲第８号証）
２　引用発明
　引用文献１には、図面（特に図１）と共に、次の事項が記載されている。（下線は当審で付した。）
　「【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態について、図面に示すいくつかの実施例に基づいて説明する。図１は、本発明の釉薬層付きセラミック部材を真空スイッチ用の容器として構成した例を示している。該図には、本発明の釉薬層付きセラミック部材を用いた金属−セラミック接合体の概念を含んで構成された真空スイッチユニット１が開示されている。具体的には、
該真空スイッチユニット１においては、外周面に釉薬層７１が形成された筒状部材１０が本発明の釉薬層付きセラミック部材として構成されており、その筒状部材１０の内側には金属製の筒状のアークシールド部材６１が配置されている。
　「【００１９】そして、上記の筒状部材１０には、各端部側を遮蔽する１対の遮蔽部材２，３が設けられており、容器１０の内部にスイッチ遮蔽空間１１を形成している。そして、一方の遮蔽部材２を貫く形で固定電極部材４が配置されている。この固定電極部材４には、スイッチ遮蔽空間１１外に位置する基端側に固定側端子部４１ａが形成され、他方、
スイッチ遮蔽空間１１内に位置する先端側に固定側スイッチ接点部４２が形成されている。
スイッチ遮蔽空間１１内に位置する先端側に、自身の移動に伴い固定側スイッチ接点部４２と当接／離間する可動側スイッチ接点部５２が形成されている。
　「【００２３】上記の真空スイッチユニット１は、例えば以下のようにして製造される。まず、筒状部材１０を作製するために、
アルミナセラミック粉末に焼結助剤粉末と有機バインダ及び溶媒を加えて湿式混合し、その後スプレー噴霧等により造粒して成形用素地粉末を作る。これをラバープレス等により筒状に成形し、外面研削、及び凸条部１２を形成するための内面研削を施して成形体を得る。そして、その成形体を所定温度（例えば１６００℃前後）にて焼成し、アルミナ焼結体からなる本体部１０ａを得る。
【００２４】他方、釉薬スラリーの調製を以下のようにして行う。まず、Ｓｉ、Ａｌ及び副カチオン成分（例えばＫ等のアルカリ金属元素）の各成分源となる成分源粉末を、Ｓｉ成分はＳｉＯ２に酸化物換算した重量にて６０〜７４重量％、Ａｌ成分はＡｌをＡｌ２Ｏ３換算にて１６〜３０重量％、アルカリ金属元素ＭはＭＯに酸化物換算した重量にて２０重量％以下の割合で配合し、さらに水あるいはこれに適量の溶媒を配合したものを加え、トロンメル混合等により粉砕・混合して釉薬スラリーを得る。なお、
成分源粉末は、
焼成により酸化物転化する金属塩類（Ｋ
２
ＣＯ
３
等）、
を用いることができる。
【００２５】上記のような
釉薬スラリーを噴霧ノズルから本体部１０ａの外周面に噴霧・塗布することにより、釉薬粉末堆積層としての釉薬スラリー塗布層を形成し、これを乾燥する。そして、これを１４００〜１５００℃にて釉焼することにより、釉薬層７１を形成する
　「【００２７】
その後、本体部１０ａに対して図１に示す各部品を組みつけることにより、真空スイッチユニット１が完成する。
　以上を踏まえ、本件発明４の記載ぶりに則って整理すると、引用文献１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　「アルミナセラミック粉末を含む成形用素地粉末を筒状に成形し、外面研削及び内面研削を施して得られた成形体を所定温度にて焼成し、
　得られたアルミナ焼結体からなる本体部１０ａの外周面に釉薬スラリー塗布層を形成して乾燥させ、これを１４００〜１５００℃にて釉焼することにより釉薬層７１を形成した筒状部材１０を製造し、
　この筒状部材１０の本体部１０ａに対して、固定側スイッチ接点部４２と可動側スイッチ接点部５２を含む各部品を組み付ける、真空スイッチユニット１の製造方法。」
３　当審の判断
（１）本件発明４について
ア　対比
　本件発明４と引用発明とを対比すると、後者の「アルミナセラミック粉末を含む成形用素地粉末を筒状に成形し、外面研削及び内面研削を施して得られた成形体」は、前者の「所定形状に成形したアルミナ磁器」に相当し、以下同様に、「筒状部材１０」は「真空絶縁容器」に、「固定側スイッチ接点部４２と可動側スイッチ接点部５２」は「接離自在の一対の接点」に、「真空スイッチユニット１」は「真空バルブ」に、「この筒状部材１０の本体部１０ａに対して、固定側スイッチ接点部４２と可動側スイッチ接点部５２を含む各部品を組み付ける」ことは「この真空絶縁容器に接離自在の一対の接点を収納する」ことに、それぞれ相当する。
　後者の「所定温度にて焼成」する工程に関し、セラミックスの焼成工程は加熱炉において行われることが常であるから、同工程は、前者の「加熱炉に搬入して焼成」する工程に相当する。
　後者の「得られたアルミナ焼結体からなる本体部１０ａの外周面に釉薬スラリー塗布層を形成し、乾燥させ、これを１４００〜１５００℃にて釉焼すること」は、焼成後のアルミナ焼結体を再加熱する工程であるといえる。また、引用文献１の段落【００２４】の記載（上記の下線部を参照。）に鑑みれば、引用発明の「１４００〜１５００℃にて釉焼する」工程は、酸素雰囲気中で行われるものと認められる。してみると、引用発明において、少なくとも釉薬スラリー塗布層が形成されていない本体部１０ａの内周面には、当該釉焼工程によって表面の酸素結合が一定程度促進された酸化促進層が形成されると認められるから、後者の「得られたアルミナ焼結体からなる本体部１０ａの外周面に釉薬スラリー塗布層を形成して乾燥させ、これを１４００〜１５００℃にて釉焼することにより釉薬層７１を形成した筒状部材１０を製造」する工程は、「これを再び加熱炉に搬入して再加熱し、内周の表面に酸素結合を促進させた酸化促進層を設けた真空絶縁容器を製造」する工程である限りにおいて、前者の「これを再び加熱炉に搬入して再加熱し、内外周の表面に酸素結合を促進させた酸化促進層を設けた真空絶縁容器を製造」する工程に一致する。
　
　そうすると、両者の一致点及び相違点は次のとおりである。
＜一致点＞
　「所定形状に成形したアルミナを加熱炉に搬入して焼成し、
　これを再び加熱炉に搬入して再加熱し、
　内周の表面に酸素結合を促進させた酸化促進層を設けた真空絶縁容器を製造し、
　この真空絶縁容器に接離自在の一対の接点を収納する、真空バルブの製造方法。」
＜相違点１＞
　「酸化促進層」に関し、本件発明４は「真空絶縁容器」の「内外周の表面」に設けられるのに対し、引用発明は、筒状部材１０の外周面に酸化促進層が設けられるか否か不明な点。
イ　判断
　引用発明において、筒状部材１０（本体部１０ａ）の外周面は釉薬スラリー塗布層が形成された状態で釉焼されることから、釉焼工程中に周囲の酸素に触れることはなく、当該外周面の酸素結合が促進される（すなわち、酸化促進層が設けられる）とは認められない。そうすると、上記相違点１は実質的な相違点であるといえる。
　なお、申立人は、令和元年５月１６日の意見書において、「例え本体部１０ａの外周面に釉薬スラリーが被覆されていても、釉薬スラリー層は薄く（１００〜２００μｍ）、１４００〜１５００℃の高温で釉焼されるまでに、本体部１０ａの外周面が周囲の空気中に含まれる酸素と反応して、本体部１０ａの外周面にも酸化促進層が形成される。」（４ページ１２〜１５行）と主張しているが、その主張は十分な裏付けを有しているとはいえず、採用することができない（なお、申立人は、特許異議申立書では、「アルミナ磁器に釉薬処理が施されているため、酸化促進層を形成することができない。」（３５ページ１２〜１３行）と主張していることにも留意されたい。）。
　よって、本件発明４は、本件特許の出願前に頒布された刊行物（引用文献１）に記載された発明であるということはできない。
（２）本件発明６について
　本件発明６は、本件発明４を更に減縮したものであるから、本件発明４についての判断と同様の理由により、引用文献１に記載された発明であるということはできない。
第５　取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由について
１　特許異議申立理由の概要
　申立人の主張は、概略、次のとおりである。
（１）本件特許の請求項１〜６に係る発明は、甲第１号証に記載された発明、及び甲第２〜７号証に記載された周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１〜６に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである（以下「申立理由１」という。）。
（２）本件特許の請求項１、４及び６に係る発明は、甲第８号証（上記引用文献１）に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、請求項１、４及び６に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである（以下「申立理由２」という。）。
（３）本件特許の請求項１〜３の記載は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない（以下「申立理由３」という。）。
（４）本件特許の請求項１〜６の記載は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしておらず、また、本件特許に係る明細書の発明の詳細な説明の記載は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない（以下「申立理由４」という。）。
　また、証拠方法として、甲第８号証（以下「甲８」という。）のほか、次の文書（甲第１〜７号証。以下それぞれ「甲１」〜「甲７」という。）が提出された。
　甲第１号証：特開２０１０−０７３４５９号公報
　甲第２号証：道園真一郎 外３名，「アルミナの表面帯電や二次電子放出係数に及ぼすアニールの効果」，T.IEE Japan（電気学会），1999年，Vol.119-A，No.5，'99，p.562-567
　甲第３号証：T. Shioiri 外４名，「Effect of Annealing and Polishing on Flashover Characteristics of Ceramic in Vacuum」，（米），IEEE（米国電気電子学会），2002年6月，IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation, Vol.9, No.3, p.416-420
　甲第４号証：須田裕史 外４名，「表面粗さと空気中熱処理が真空中アルミナ絶縁物の沿面放電と帯電に与える影響」，電気学会研究会資料．HV，高電圧研究会，2013年1月29日，2013(52)，p.7-12
　甲第５号証：Shunji Nakata 外５名，「Etching rate, optical transmittance, and charge trapping characteristics of Al-rich Al2O3 thin film fabricated by rf magnetron cosputtering」，（米），American Vacuum Society（アメリカ真空学会），2008年8月12日，J. Vac. Sci. Technol. B 26(4), p.1373-1378
　甲第６号証：Suharyanto 外５名，「Effect of Mechanical Finishes on Secondary Electron Emission of Alumina Ceramics」，（米），IEEE（米国電気電子学会），2007年6月，IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation, Vol.14, No.3, p.620-626
　甲第７号証：早川智貴 外５名，「各種アルミナの二次電子放出特性に関する研究」，電気学会研究会資料．ED，放電研究会，2012年3月9日，2012(29)，p.59-64
２　申立理由についての判断
（１）申立理由１
ア　甲１に記載された発明
　甲１には、図面（特に図１）と共に、次の事項が記載されている。（下線は当審で付した。）
　「【０００５】
　本発明は上記問題を解決するためになされたもので、帯電し難い真空絶縁容器を用いた真空バルブを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
　上記目的を達成するために、本発明の真空バルブは、セラミックスからなる真空絶縁容器と、前記
真空絶縁容器の両端開口部にそれぞれ封着された封着金具
真空絶縁容器内に収納された接離自在の一対の接点
真空絶縁容器の内面に設けられた前記セラミックスよりも抵抗率の小さい抵抗層
【発明の効果】
【０００７】
　本発明によれば、真空絶縁容器の内面に、セラミックスよりも小さい抵抗率を持つ第１の抵抗層を設けるとともに、電界強度の高い部分には更に抵抗率が下がるように膜厚の厚い第２の抵抗層を設けているので、帯電現象が起こり難く、真空中の沿面絶縁耐力を向上させることができる。」
　「【００１０】
　図１に示すように、
アルミナ磁器などのセラミックスからなる筒状の真空絶縁容器１の両端開口部には、固定側封着金具２と可動側封着金具３とが封着されている
真空絶縁容器１内の端部に固定側接点５が固着されている
【００１１】
　
固定側接点５に対向して接離自在の可動側接点６が、可動側封着金具３の開口部を移動自在に貫通する可動側通電軸７の端部に固着されている
　以上を踏まえ、本件発明１の記載ぶりに則って整理すると、甲１には、次の発明（以下「甲１発明」という。）が記載されていると認められる。
　「アルミナ磁器などのセラミックスからなる筒状の真空絶縁容器１と、
　前記真空絶縁容器１の両端開口部に封着された固定側封着金具２と可動側封着金具３と、
　前記真空絶縁容器１に収納された接離自在の固定側接点５と可動側接点６とを有する真空バルブであって、
　前記真空絶縁容器１は、アルミナ磁器と、その内面に設けられたセラミックスよりも抵抗率の小さい抵抗層とで構成されている真空バルブ。」
イ　本件発明１について
（ア）対比
　本件発明１と甲１発明とを対比すると、後者の「アルミナ磁器などのセラミックスからなる筒状の真空絶縁容器１」は、前者の「アルミナ磁器よりなる筒状の真空絶縁容器」に相当し、以下同様に、「固定側封着金具２と可動側封着金具３」は「封着金具」に、「固定側接点５と可動側接点６」は「一対の接点」に、「真空バルブ」は「真空バルブ」にそれぞれ相当する。
　また、後者の「真空絶縁容器１は、アルミナ磁器と、その内面に設けられたセラミックスよりも抵抗率の小さい抵抗層とで構成され」は、「真空絶縁容器は、アルミナ磁器の基材層と、前記基材層の内周の表面に設けられた帯電を防止するための層とで構成され」たものである限りにおいて、前者の「真空絶縁容器は、アルミナ磁器の基材層と、前記基材層の内外周の表面に設けられた酸素結合を促進させた酸化促進層とで構成され」と一致する。
　そうすると、両者の一致点及び相違点は次のとおりである。
＜一致点＞
　「アルミナ磁器よりなる筒状の真空絶縁容器と、
　前記真空絶縁容器の両端開口部に封着された封着金具と、
　前記真空絶縁容器に収納された接離自在の一対の接点とを有する真空バルブであって、
　前記真空絶縁容器は、アルミナ磁器の基材層と、
　前記基材層の内周の表面に設けられた帯電を防止するための層とで構成された真空バルブ。」
＜相違点２＞
　「帯電を防止するための層」に関し、本件発明１は、「基材層の内外周の表面に設けられた酸素結合を促進させた酸化促進層」であるのに対し、甲１発明は、真空絶縁容器１の内面に設けられたセラミックスよりも抵抗率の小さい抵抗層である点。
（イ）判断
　甲２〜７には、アルミナや、アルミナセラミックを熱処理（アニール）することで、表面の欠陥（機械的な歪み、残留応力、酸素欠陥等）が除去（修復）され、それにより表面帯電が減少（または放電電圧が上昇）することが記載されている。してみると、アルミナセラミックを熱処理することで表面の帯電特性が改善されることは、本件特許の出願時において周知技術であったといえる。
　これに対して、甲１発明の「セラミックスよりも抵抗率の小さい抵抗層」は、電界強度が高くなる部位から放出された電荷を短時間で封着金具２、３側へ移動させることで帯電を抑制するためのものである（段落【００１５】〜【００１８】等を参照。）。
　そうすると、甲１発明は、放出された電荷を抵抗層により速やかに他の部位へ移動させることで帯電を防止する技術であるのに対し、上記周知技術は、アルミナセラミックの表面の帯電特性を改善することで表面に電荷自体が放出されにくくする技術であるといえるから、両者は、表面帯電を減少させるという課題自体は共通するものの、帯電を防止する具体的なメカニズムについては相違している。
　してみると、甲１発明に、帯電抑制のメカニズムが異なる上記周知技術を適用することの積極的な動機付けは見当たらない。
　加えて、甲１発明は、「セラミックスよりも抵抗率の小さい抵抗層」を真空絶縁容器１の内面（内周の表面）にのみ設けており、甲１には、真空絶縁容器１の外周の表面にも「セラミックスよりも抵抗率の小さい抵抗層」を設けることを示唆する記載はない。してみると、仮に甲１発明に上記周知技術を適用できたとしても、真空絶縁容器１（アルミナ基材層）の内外周の表面に酸化促進層を設けることは、当業者といえども容易に想到し得たことではない。
　よって、本件発明１は、甲１発明及び周知技術から当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
ウ　本件発明２及び３について
　本件発明２及び３は、本件発明１を更に減縮したものであるから、本件発明１についての判断と同様の理由により、甲１発明及び周知技術から当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
エ　本件発明４について
　本件発明４は、本件発明１の上記相違点２に係る構成と実質的に同一の構成（「内外周の表面に酸素結合を促進させた酸化促進層を設けた真空絶縁容器」）を有している。
　そうすると、本件発明４は、少なくとも相違点２と同様の点で、甲１発明と相違しているといえる。
　そして、相違点２については、上記イで判断したとおりであるので、上記と同様の理由により、本件発明４は、甲１発明及び周知技術から当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
オ　本件発明５について
　本件発明５は、少なくとも、「再加熱を複数回繰り返」すことで「表面に酸素結合を促進させた酸化促進層を設けた真空絶縁容器を製造」する点で、甲１発明と相違しているといえる。
　そして、上記イで判断したとおり、甲１発明に、帯電抑制のメカニズムが異なる甲２〜７に記載の周知技術を適用することの積極的な動機付けは見当たらず、仮に適用できたとしても、再加熱を複数回繰り返すことにより酸化促進層を設けることが当業者にとって容易であったとまではいえない。
　よって、本件発明５は、甲１発明及び周知技術から当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
カ　本件発明６について
　本件発明６は、本件発明４または５を更に減縮したものであるから、本件発明４または５についての判断と同様の理由により、甲１発明及び周知技術から当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
キ　小括
　以上のとおりであるから、申立理由１には理由がない。
（２）申立理由２
ア　本件発明４及び６について
　本件発明４及び６についての判断は、上記第４の３に記載したとおりである。
イ　本件発明１について
　本件発明１は、本件発明４の上記相違点１に係る構成と実質的に同一の構成（「前記基材層の内外周の表面に設けられた酸素結合を促進させた酸化促進層」）を有している。
　そうすると、本件発明１は、少なくとも相違点１と同様の点で甲８に記載された発明（引用発明）と相違している。
　そして、相違点１については、上記第４の３（１）イで判断したとおりであるので、上記と同様の理由により、本件発明１は、甲８に記載された発明であるということはできない。
ウ　小括
　以上のとおりであるから、申立理由２には理由がない。
（３）申立理由３
ア　申立人は、特許異議申立書において、本件特許の請求項１〜３における「酸素結合を促進させた酸化促進層」の意味内容が不明瞭である旨主張する。
　しかしながら、本件特許明細書の段落【００１５】等の記載に鑑みれば、「酸素結合を促進させた酸化促進層」とは、焼成後のアルミナ磁器を再度加熱炉に搬入して再加熱（酸化）を行うことにより、真空絶縁容器の基材層の内外周の表面に形成された、再加熱前よりも酸素結合が進んだ層のことを意味していると解釈できるから、請求項１〜３の記載は明確である。
イ　また、申立人は、「発明の詳細な説明には、『長時間の再加熱で真空絶縁容器１全体が酸化促進層となってもよい。』と記載されているが、当該方法は単に１回の加熱処理に過ぎず、『酸化促進』に該当せず、『酸化促進層』の表現に誤りがある。」（３２ページ末行〜３３ページ２行）とも主張する。
　しかしながら、ここでいう「長時間の再加熱」は、「仮焼・焼成」（図２のｓｔ２）後に行われる「再加熱」（図２のｓｔ４）のことを意味しているのであって、１回の加熱（焼成）を長時間行うことを意味しているのではない。
　よって、申立人の主張を採用することはできず、申立理由３には理由がない。
（４）申立理由４
ア　特許法第３６条第６項第１号（サポート要件）について
（ア）申立人は、特許異議申立書において、「本件明細書には、『長時間の再加熱で真空絶縁容器１全体が酸化促進層となってもよい。』と再加熱でなく１回の加熱（焼成）の場合が記載されており、本件第１発明と発明の詳細な説明の記載が対応しておらず、本件第１発明は特許法第３６条第６項第１号の規定を満足していない。」（３３ページ１１〜１４行）と主張する。
　しかしながら、上記（３）イに記載したとおり、「長時間の再加熱」は、「仮焼・焼成」（図２のｓｔ２）後に行われる「再加熱」（図２のｓｔ４）のことを意味しているのであって、１回の加熱（焼成）を長時間行うことを意味しているのではないから、申立人の主張を採用することはできない。
（イ）申立人は、特許異議申立書において、「本件第４発明は、『これを再び加熱炉に搬入して再加熱し、表面に酸素結合を促進させた酸化促進層を設けた真空絶縁容器を製造し』と特定しているが、発明の詳細な説明に記載された事項ではない。すなわち、本件第４発明は、再加熱し酸化促進層を設けた後、真空絶縁容器を製造することを特定している。」（３３ページ１７〜２１行）、「本件第４発明の再加熱・酸化促進層形成工程と真空絶縁容器製造工程は、発明の詳細な説明及び図に記載された工程と逆であり、本件第４発明は、特許法第３６条第６項第１号の規定を満たしていない。」（３５ページ４〜７行）と主張する。
　しかしながら、本件発明４は、「再加熱」をすることによって、「酸化促進層を設けた真空絶縁容器」が製造されることを特定（すなわち、再加熱をした後に真空絶縁容器を製造するという時系列を特定したものではなく、「再加熱」をすることで「酸化促進層を設けた真空絶縁容器」を製造するという工程を特定）したものと解釈するのが自然であり、そのように解釈すれば、本件特許明細書の段落【００１４】、【００１５】及び図２の記載とも何らの不整合は認められないから、申立人の主張を採用することはできない。
イ　特許法第３６条第４項第１号（実施可能要件について）について
　申立人は、特許異議申立書において、「本件明細書等には、釉薬処理を施して真空絶縁容器を製造した後、再加熱して酸化促進層を形成することが開示されている（段落１４）。しかしながら、当該再加熱工程では、アルミナ磁器に釉薬処理が施されているため、酸化促進層を形成することができない。よって、発明の詳細な説明は、当業者が本件第１〜６発明を当業者が実施できる程度に記載されていない。」（３５ページ９〜１５行）と主張する。
　しかしながら、本件発明１〜６には「釉薬処理」について何ら特定されていないことから、申立人の主張を採用することはできない。
（なお、本件特許明細書の段落【００１４】には、「必要により釉薬処理を施し」と記載されているのみであり、釉薬処理は発明の必須の構成要件ではない。また、仮に釉薬処理を真空絶縁容器の一部に施したとしても、それ以外の面には再加熱によって酸化促進層が形成されると認められる。）
　よって、申立理由４には理由がない。
第６　むすび
　以上のとおりであるから、取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、本件請求項１〜６に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１〜６に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和１年６月１３日（２０１９．６．１３）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　アルミナ磁器よりなる筒状の真空絶縁容器と、
　前記真空絶縁容器の両端開口部に封着された封着金具と、
　前記真空絶縁容器に収納された接離自在の一対の接点とを有する真空バルブであって、
　前記真空絶縁容器は、アルミナ磁器の基材層と、
　前記基材層の内外周の表面に設けられた酸素結合を促進させた酸化促進層とで構成されていることを特徴とする真空バルブ。
　【請求項２】
　前記酸化促進層を開口部にいくほど絶縁厚さを厚くしたことを特徴とする請求項１に記載の真空バルブ。
　【請求項３】
　前記真空絶縁容器の外周に絶縁材料をモールドして絶縁層を設けたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の真空バルブ。
　【請求項４】
　所定形状に成形した
アルミナ
　これを再び加熱炉に搬入して再加熱し、
　
内外周の
　この真空絶縁容器に接離自在の一対の接点を収納することを特徴とする真空バルブの製造方法。
　【請求項５】
　
所定形状に成形したアルミナを加熱炉に搬入して焼成し、
　
これを再び加熱炉に搬入して
、
　
表面に酸素結合を促進させた酸化促進層を設けた真空絶縁容器を製造し、
　
この真空絶縁容器に接離自在の一対の接点を収納することを特徴とする
　【請求項６】
　前記再加熱を温度１２５０℃以上とすることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の真空バルブの製造方法。