(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基体上に順に軟磁性裏打ち層、下地層、中間層、磁気記録層、保護膜、および液体潤滑層を積層されてなる垂直二層パターンド媒体であって、
前記軟磁性裏打ち層は、ポリマー及び軟磁性超微粒子からなり、かつパターニングによって表面に複数の凹部と凸部が交互に形成され、当該凹部内に前記下地層、中間層、および磁気記録層が積層されており、
前記磁気記録層は、前記凸部上では除去されて前記凹部内で相互に磁気的に分離され、磁化容易軸が基板面に対して垂直方向に配向されていることを特徴とする垂直二層パターンド媒体。
【請求項２】
請求項１に記載の垂直二層パターンド媒体において、
前記凹部の深さ寸法は前記下地層と前記中間層を合計した合計厚みよりも大きく、前記凹部において前記中間層上に形成された前記磁気記録層の表面は前記凸部の表面に対して平坦とされていることを特徴とする垂直二層パターンド媒体。
【請求項３】
非磁性基体上にポリマー及び軟磁性超微粒子からなる軟磁性裏打ち層を形成する第１工程、該軟磁性裏打ち層の表面処理をする第２工程、該表面処理した軟磁性裏打ち層上に下地層を形成する第３工程、該下地層上に中間層を形成する第４工程、該中間層上に磁気記録層を形成する第５工程、該磁気記録層上に保護膜を成膜する第６工程、該保護膜上に液体潤滑層を形成する第７工程を含む垂直二層パターンド媒体の製造方法であって、
前記第２工程は、前記軟磁性裏打ち層を加熱する熱処理工程と、複数の凹部と凸部が交互に形成されたパターンを持ったスタンパを用いて前記下地層と対向することとなる前記軟磁性裏打ち層の表面を前記パターンによって押圧することで該表面に前記パターンに応じたパターニングを施し、前記スタンパの前記複数の凸部及び凹部に対応した複数の凹部及び凸部を該表面に形成するパターニング工程とを含み、
さらに、前記第５工程の後であって前記第６工程の前に、前記軟磁性裏打ち層の前記凸部上に前記第３乃至第５工程によって積層された前記下地層、前記中間層及び前記磁気記録層を除去する工程を含む
ことを特徴とする垂直二層パターンド媒体の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の垂直二層パターンド媒体の製造方法において、
前記除去する工程において、前記第５工程終了時点の前記非磁性基体上の形成物の表面を研磨し、前記軟磁性裏打ち層の前記凹部上に前記第５工程終了時点で積層された前記下地層、前記中間層及び前記磁気記録層のうち該記録層の表面を前記軟磁性裏打ち層の前記凸部の表面に対して平坦とすることを特徴とする垂直二層パターンド媒体の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の垂直二層パターンド媒体の製造方法において、
前記軟磁性裏打ち層の前記凹部において、該凹部の深さ寸法よりも前記下地層と前記中間層を合計した第１の合計厚みが小さく、前記下地層と前記中間層と前記磁気記録層を合計した第２の合計厚みが大きくなるように、前記軟磁性裏打ち層、前記下地層、前記中間層、および前記磁気記録層をそれぞれ所定の厚みに形成することを特徴とする垂直二層パターンド媒体の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の垂直二層パターンド媒体の製造方法において、
前記軟磁性裏打ち層を形成するときの膜厚、前記熱処理工程における加熱温度、前記パターニング工程における成形圧力の少なくともいずれかを調整することで、前記深さ寸法と前記第1および第２の合計厚みの関係を満足するように、前記軟磁性裏打ち層、前記下地層、前記中間層、および前記磁気記録層を形成することを特徴とする垂直二層パターンド媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は各種磁気記録装置に搭載される垂直二層パターンド媒体およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
磁気記録の高密度化を実現する技術として、従来の長手磁気記録方式に代えて、垂直磁気記録方式が注目されつつある。垂直磁気記録媒体は主に、硬質磁性材料の磁気記録層と、磁気記録層の表面を保護する保護膜、そしてこの記録層への記録に用いられる磁気ヘッドが発生する磁束を集中させる役割を担う軟磁性材料の裏打ち層から構成される。
【０００３】
垂直磁気記録媒体における軟磁性裏打ち層は磁気ヘッドの一部とも言われており、記録に際しては、磁気ヘッドが発生する磁束が広がらないようにして引き込み、更にその磁束を磁気ヘッドにリターンさせる役割を持つ。そのため、記録磁界を確保しかつ急峻な磁化遷移を得るためには裏打ち層の果たす役割が重要となる。従来、この軟磁性裏打ち層の作製には、スパッタリング法が用いられてきた。それは、スパッタリング法を用いることで高い飽和磁化を有する複雑な組成の軟磁性材料でも容易に薄膜が得られるからである。
【０００４】
しかし、現状では軟磁性裏打ち層の膜厚は少なくとも２００ｎｍ程度必要であると言われており、スパッタリング法で作製した場合には成膜に時間がかかり、またコストも高くなることから、低コストでかつ高い飽和磁化を持つ複雑な組成の軟磁性材料でも成膜可能なプロセスが求められていた。
【０００５】
一方、垂直磁気記録媒体よりも更に高密度化を担う技術としてパターンド媒体がある。これは、磁気記録層に規則的な微細なパターンを施すもので、磁気的に分離されたｂｉｔを規則的に配置することで、超高密度記録を達成しようという試みである。
【０００６】
図１に典型的なパターンド媒体の作製方法を示す。以下、図１に従い説明する。まず、（ａ）非磁性基体１０上に磁気記録層２０を成膜する。次に（ｂ）レジスト３０を塗布し、（ｃ）電子線リソグラフィによりパターンを描画する。引き続いて（ｄ）マスク膜４０を成膜するが、この膜４０は後で行うＲＩＥ（Reactive Ion Etching）によりエッチングされない材質を選ぶ。次に（ｅ）レジスト３０を取り除き、（ｆ）磁気記録層２０のマスクされていない部分をＲＩＥにより取り除く。最後に、（ｇ）マスク膜４０を取り除くと、非磁性基体１０上にパターニングされた磁気記録層２０が残る。
【０００７】
このようなパターンド媒体の技術は超高密度記録が狙えるばかりでなく、サーボ信号の埋め込みにも応用できる。
【０００８】
【特許文献１】
特開２０００−２１６２９号公報
【０００９】
【特許文献２】
特開２００１−１１００５０号公報
【００１０】
【特許文献３】
特開２００１−１７６０４９号公報
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
パターンド媒体の技術を垂直磁気記録媒体に適用することにより、超高密度記録が可能になると考えられるが、実用化を考えた場合、一見してわかるように、上記のような半導体的プロセスは生産性が低く、高コストに繋がる。そのため、コストをできるだけ低く抑えることができる簡易なプロセスが望まれていた。
【００１２】
また、軟磁性裏打ち層に関しては、予めパターニングされた基板、あるいは細孔を持つ基板に軟磁性裏打ち層を成膜すると、軟磁性裏打ち層もパターンあるいは細孔により磁気的に分断されることになる。これにより、磁束のリターンパスを充分に確保できなくなるばかりでなく、磁壁がパターンあるいは細孔内でしか動けなくなるため軟磁気特性が劣化し、これらが原因で磁気ヘッドの記録能力が低下する。実際、垂直二層パターンド媒体については報告されておらず、軟磁性裏打ち層を設けない単層媒体を用いて基礎的な検討がなされているというのが現状である。
【００１３】
本発明の目的は、垂直磁気記録媒体に規則的で微細なパターンを形成して成る垂直二層パターンド媒体において、簡易かつ低コストで、記録特性を低下させることなく軟磁性裏打ち層を付与することが可能な製造方法を提供することにより、低コスト化および高スループット化に加えて記録媒体の記録分解能の向上、高記録密度化といった記録媒体性能の向上を実現することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成し、低コストかつ高性能の軟磁性裏打ち層を製造する方法として、本発明者らは検討を繰り返し、以下に示す方法を用いることで、軟磁性裏打ち層を有するパターンド媒体を容易に得られることを見出した。なお、本明細書において「超微粒子」とは、径がおよそ１〜１００ｎｍの粒子をいうものと定義する。
【００１６】
すなわち、
（１）媒体基板上にポリマー中に軟磁性微粒子を分散させたスラリをコーティングする。
（２）加熱下で、凹凸を形成したスタンパを押し付けて軟磁性裏打ち層にパターンを転写する。
（３）凹凸上に磁気記録層を成膜する。
（４）研磨により凸上に形成された磁気記録層を除去する。
という工程を実施してパターンド媒体を製造するというものである。
【００１７】
本発明に係る製造方法を用いることで、高い軟磁気特性を有する軟磁性裏打ち層を持つパターンド媒体が作製可能なばかりでなく、パターン形成と軟磁性裏打ち層の成膜を同時に行えることから、製造工程を簡略化でき製品のコストダウンを実現できる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、垂直磁気記録媒体に関する本発明の好ましい形態について説明する。垂直磁気記録媒体は、非磁性基体１と、非磁性基体１の上に順次設けられる軟磁性２、下地層３、中間層４、磁気記録層５、保護膜６、および液体潤滑材層７を有する。非磁性基体１としては表面が平滑である様々な基体であってよく、例えば、磁気記録媒体用に用いられる、ＮｉＰメッキを施したＡｌ合金や強化ガラス、結晶化ガラス等を用いることができる。
【００１９】
軟磁性裏打ち層２としては、ポリマー中に超微粒子を分散させた様々な材料を用いることができる。ポリマーとしては、ポリカーボネート（ＰＣ），ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ），あるいはポリエステル系、ポリオレフィン系材料等の樹脂を用いることができる。ポリマー中に分散させる軟磁性材料としては、パーメンジュール（ＦｅＣｏＶ），パーマロイ（ＮｉＦｅ），ＦｅＮｉ，ＣｏＦｅＮｉ等を用いることができる。軟磁性材料の粒径は、ポリマー中に均一に分散し、かつ得られた膜の表面粗さが記録媒体に要求される平坦度を満足する必要があることから、１００ｎｍ以下であることが好ましい。
【００２０】
下地層３には、磁気記録層５を適切に配向させることが可能な材料が選ばれ、例えば軟磁性を有するパーマロイ系材料である、ＮｉＦｅＡｌ，ＮｉＦｅＳｉ，ＮｉＦｅＮｂ，ＮｉＦｅＭｏ，ＮｉＦｅＣｒなどを用いることができる。
【００２１】
中間層４には、非磁性で磁気記録層５を適切に配向させることが可能な材料が選ばれ、例えばＴｉ，Ｒｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，ＣｏＣｒなどを用いることができる。また、Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｄのように下地層が無くても適切な配向をする中間層を用いる場合、下地層３を形成してもしなくても良い。
【００２２】
磁気記録層５は少なくともＣｏとＣｒを含む合金の強磁性材料が好適に用いられ、その六方細密充填構造のｃ軸が膜面に垂直方向に配向していることが垂直磁気記録媒体として用いるために必要である。磁気記録層５としては、ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＰｔＢ等の合金材料や、ＣｏＰｔ−ＳｉＯ２，ＣｏＣｒＰｔＯ，ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２，ＣｏＣｒＰｔ−Ａｌ２Ｏ３，ＣｏＰｔ−Ｃｒ２Ｏ３などのグラニュラー材料が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００２３】
保護膜６は、例えばカーボンを主体とする薄膜が用いられる。その他、磁気記録媒体の保護膜として一般的に用いられる様々な薄膜材料を使用しても良い。
【００２４】
液体潤滑材層７は、例えばパーフルオロポリエーテル系の潤滑剤を用いることができる。その他、磁気記録媒体の液体潤滑材層材料として一般的に用いられる様々な潤滑材料を使用しても良い。
【００２５】
非磁性基体１の上に積層される各層は２〜７、磁気記録媒体の分野で通常用いられる様々な成膜技術によって形成することが可能である。軟磁性裏打ち層２、液体潤滑材層７を除く各層の形成には、例えばＤＣマグネトロンスパッタリング法、ＲＦマグネトロンスパッタリング法、真空蒸着法を用いることが出来る。また、軟磁性裏打ち層２、液体潤滑材層７の形成には、例えばディップ法、スピンコート法を用いることができる。しかし、これらに限定されるものではない。
【００２６】
次に、パターンド媒体に関する本発明の好ましい形態について説明する。図３に本発明に係る垂直磁気二層パターンド媒体の断面模式図を示す。図２と図３を比較しながら本発明に係る垂直二層パターンド媒体について説明する。
【００２７】
図３に示すように、本発明に係る垂直二層パターンド媒体では、非磁性基体１上にパターニングされた軟磁性裏打ち層２が形成され、そのパターンの凹の部分に下地層３、中間層４、磁気記録層５が順次積層される。引き続いて順次積層される保護膜６、液体潤滑材層７については、一般的な垂直記録媒体と全く同様である。
【００２８】
このように、本発明に係る垂直二層パターンド媒体では、パターニングされた軟磁性裏打ち層２が存在し、その凹の部分に中間層４、下地層３および磁気記録層５が存在することを特徴とする。非磁性基体１、軟磁性裏打ち層２、下地層３、中間層４、磁気記録層５、保護膜６、液体潤滑材層７の材料や形成方法に関しては、前述の垂直磁気記録媒体と全く同様である。
【００２９】
【実施例】
以下に本発明の垂直磁気記録媒体について、参考例としての実施例１及び実施例２を含む実施例により詳細に説明するが、本発明はそれらに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。
【００３０】
［実施例１］
非磁性基体として表面が平滑な化学強化ガラス基板（例えばＨＯＹＡ社製Ｎ−１０ガラス基板）を用い、その上にスピンコートによりパーメンジュール（Ｆｅ４９Ｃｏ２Ｖ）軟磁性裏打ち層を形成した。スピンコートには、クロロホルム中にＰＭＭＡを０．３ｗｔ％溶解し、そこに平均粒径３０ｎｍのＦｅ４９Ｃｏ２Ｖ超微粒子を１０ｖｏｌ％分散させた溶液を用いた。
【００３１】
次に、表面粗さが０．２ｎｍであるＭｏスタンパを用い、スタンパおよび上記基板を１９０℃に加熱した後、１３ＭＰａで基板をプレスし、軟磁性裏打ち層を有する垂直磁気記録媒体用基板とした。なお、プレス後の軟磁性裏打ち層の膜厚を測定したところ約２００ｎｍであった。
【００３２】
［比較例１］
非磁性基体として表面が平滑な化学強化ガラス基板（例えばＨＯＹＡ社製Ｎ−１０ガラス基板）を用い、これを洗浄後スパッタ装置内に導入し、Ｆｅ４９Ｃｏ２Ｖターゲットを用いてＦｅＣｏＶ軟磁性裏打ち層を２００ｎｍの膜厚に成膜した。
【００３３】
実施例１および比較例１のサンプルの飽和磁化（Ｂｓ）および保磁力（Ｈｃ）を振動試料磁力計（ＶＳＭ）で、表面粗さを原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）で測定した。測定結果を表１に示す。表からわかるように、Ｂｓは実施例１の方が若干劣るものの、保磁力Ｈｃは実施例１の方が小さくなっており、スパッタリング法で作製した軟磁性裏打ち層と比較しても遜色の無いものができた。また、Ｒａは実施例１の方が小さくなっており、本発明による方法により、記録媒体に要求される平坦な表面が得られることが明らかとなった。
【００３４】
【表１】
0004123944.tif 000002
【００３５】
［実施例２］
非磁性基体として表面が平滑な化学強化ガラス基板（例えばＨＯＹＡ社製Ｎ−１０ガラス基板）を用い、その上にスピンコートによりパーマロイ（Ｎｉ２２Ｆｅ）軟磁性裏打ち層を形成した。スピンコートには、クロロホルム中にＰＭＭＡを０．３ｗｔ％溶解し、そこに平均粒径２０ｎｍのＮｉ２２Ｆｅ超微粒子を１０ｖｏｌ％分散させた溶液を用いた。
【００３６】
次に、表面粗さが０．２ｎｍであるＭｏスタンパを用い、スタンパおよび上記基板を１９０℃に加熱した後、１３ＭＰａで基板をプレスし、軟磁性裏打ち層を有する垂直磁気記録媒体用基板とした。
【００３７】
これを洗浄後スパッタ装置内に導入し、次にパーマロイ系合金であるＮｉ１２Ｆｅ９Ｎｂターゲットを用いてＮｉＦｅＮｂ下地層を２０ｎｍの膜厚に成膜した。引き続いて、Ｒｕターゲットを用いて、Ａｒガス圧４．０Ｐａ下でＲｕ中間層を５ｎｍの膜厚に成膜した。引き続いてＣｏ７Ｃｒ１４Ｐｔ−１０ＳｉＯ２ターゲットを用いてＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２磁気記録層を１５ｎｍの膜厚に成膜した。
【００３８】
最後に、カーボンターゲットを用いてカーボンからなる保護膜を１０ｎｍの膜厚に成膜後、真空装置から取り出した。Ｒｕ中間層の成膜を除くこれらの成膜はすべてＡｒガス圧０．６７Ｐａ下でＤＣマグネトロンスパッタリング法により行なった。その後、パーフルオロポリエーテルからなる液体潤滑材層を２ｎｍの膜厚にディップ法により形成し、垂直磁気記録媒体とした。
【００３９】
［比較例２］
非磁性基体として表面が平滑な化学強化ガラス基板（例えばＨＯＹＡ社製Ｎ−１０ガラス基板）を用い、これを洗浄後スパッタ装置内に導入し、Ｎｉ２２Ｆｅターゲットを用いてＮｉＦｅ軟磁性裏打ち層を２００ｎｍの膜厚に成膜した。以下、実施例１と全く同様にして、下地層、中間層、磁気記録層、保護膜、液体潤滑材層を形成し、垂直磁気記録媒体とした。
【００４０】
ソニーテクトロニクス社製のリード・ライトテスタを用いて、実施例２および比較例２の記録媒体の電磁変換特性を測定した。図４に規格化ノイズの線記録密度依存性を、図５にＳＮＲ（信号対ノイズ比）の線記録密度依存性を示す。実施例２および比較例２の記録媒体では、出力特性はほぼ同等であったが、図４に示すように実施例２に係る記録媒体の方が低ノイズであった。そのため、図５に示すように、実施例２に係る記録媒体の方がＳＮＲで約３ｄＢ高くなった。
【００４１】
ノイズの原因を調べたところ、実施例２と比較例２の差は軟磁性起因のノイズの差であり、本発明による軟磁性裏打ち層が、スパッタリング法により作製した軟磁性裏打ち層よりも低ノイズであることが分かった。
【００４２】
このように、本発明による軟磁性裏打ち層は、真空チャンバ等を必要とせず従来に比べて低コストで簡易な方法で作製できるだけではなく、軟磁性層起因のノイズを低減して記録媒体の特性を向上させることが可能であることが明らかとなった。
【００４３】
［実施例３］
図６に本実施例に係る垂直二層パターンド媒体の製造工程の断面模式図を示す。以下、図６に従い本実施例に係る垂直二層パターンド媒体の製造方法について説明する。
【００４４】
（ａ）非磁性基体として表面が平滑な化学強化ガラス基板（例えばＨＯＹＡ社製Ｎ−１０ガラス基板）を用い、その上にスピンコートによりパーマロイ（Ｎｉ２２Ｆｅ）軟磁性裏打ち層を形成した。スピンコートには、ジクロロメタン中にポリカーボネートを０．２５ｗｔ％溶解し、そこに平均粒径２０ｎｍのＮｉ２２Ｆｅ超微粒子を１０ｖｏｌ％分散させた溶液を用いた。
【００４５】
（ｂ）基板およびスタンパを２００℃まで加熱し、スタンパを１５ＭＰａの圧力で基板上に押し付け、１００℃まで冷却した後、離型した。なお、スタンパには電子ビームリソグラフィを用いてφ１００ｎｍのパターンが形成されている。ここで、軟磁性裏打ち層にパターンを形成する時の凹部の深さが、「下地層３＋中間層４の合計膜厚（第1の合計厚み）」よりも深く、「下地層３＋中間層４＋磁気記録層５の合計膜厚（第２の合計厚み）」以下となるように、軟磁性裏打ち層２の膜厚、加熱温度、成形圧力を調整した。
【００４６】
（ｃ）次に基板を再びスパッタ装置内に導入し、Ｎｉ１５Ｆｅ２５Ｃｒターゲットを用いてＮｉＦｅＣｒ下地層を１０ｎｍの膜厚に、Ｒｕターゲットを用いて、Ａｒガス圧４．０Ｐａ下でＲｕ中間層を１０ｎｍの膜厚に、Ｃｏ２０Ｃｒ１０Ｐｔターゲットを用いてＣｏＣｒＰｔ磁気記録層を３５ｎｍの膜厚に、順次成膜した。
【００４７】
（ｄ）その後、再び真空装置から取り出し、ダイヤモンドスラリを用いてパターンの凸上に成膜された磁気記録層を除去した。研磨量はレーザー変位計によりモニターし、変位量の変化が急激に低下したところを終点とした。
【００４８】
（ｅ）引き続いてこれを洗浄して、スパッタ装置内に導入し、カーボンターゲットを用いてカーボンからなる保護膜を１０ｎｍの膜厚に成膜後、真空装置から取り出した。その後、パーフルオロポリエーテルからなる液体潤滑材層を２ｎｍの膜厚にディップ法により形成し、垂直二層パターンド媒体とした。
【００４９】
なお、ＮｉＦｅＣｒ下地層、ＣｏＣｒＰｔ磁気記録層およびＣ保護膜の成膜はすべてＡｒガス圧０．６７Ｐａ下で行い、真空装置内における全ての成膜はＤＣマグネトロンスパッタリング法により行なった。
【００５０】
完成した垂直二層パターンド媒体の表面が記録媒体として適切かどうかを判断するため、ＡＦＭを用いて表面粗さを測定した。その結果、表面のＲａは０．８２［ｎｍ］であり、記録媒体の表面としては十分に平滑であることがわかった。
【００５１】
次いで、完成した垂直パターンド媒体の磁気特性をＫｅｒｒ効果（外部磁界を印加しながら、反射光の偏光面の回転角を測定）を用いて評価した。その結果、３２３０［Ｏｅ］の保磁力Ｈｃが得られた。本法では加熱成膜を行わないと保磁力Ｈｃが１０００［Ｏｅ］以下になる組成の磁気記録層材料を用いているにもかかわらず、比較的高い保磁力Ｈｃが得られたことから、パターニングによる磁気記録層のｂｉｔの磁気的な分離が良好になされていることが分かった。
【００５２】
以上のように、本発明による垂直二層パターンド媒体では、記録媒体に必要な表面を得ることが可能であり、またそれぞれのｂｉｔが分離していて、パターニングが有効に機能していることが分かった。
【００５４】
【発明の効果】
以上述べたように本発明によれば、半導体的な手法と比較して低コストかつ高スループットで垂直二層パターンド媒体を製造することが可能になる。また、軟磁性裏打ち層の特性を損ねることなく垂直二層パターンド媒体が作製できることから、ヘッドの記録分解能を低下させることなくパターンド媒体が実現され、記録媒体の高記録密度化が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】典型的なパターンド媒体の製造工程を示す断面模式図である。
【図２】垂直磁気記録媒体の断面模式図である。
【図３】本発明に係る垂直二層パターンド媒体の断面模式図である。
【図４】実施例２および比較例２に係る媒体の規格化ノイズの線記録密度依存性を示す特性図である。
【図５】実施例２および比較例２に係る媒体のＳＮＲの線記録密度依存性を示す特性図である。
【図６】実施例３に係る垂直二層パターンド媒体の製造工程を示す断面模式図である。
【符号の説明】
１  非磁性基体
２  軟磁性裏打ち層
３  下地層
４  中間層
５  磁気記録層
６  保護膜
７  液体潤滑材層
１０  非磁性基体
２０  磁気記録層
３０  レジスト
４０  マスク膜
【図１】
0004123944.tif 000003
【図２】
0004123944.tif 000004
【図３】
0004123944.tif 000005
【図４】
0004123944.tif 000006
【図５】
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【図６】
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