【事件の表示】
　特許第６２８０２５４号発明「研磨組成物およびアミノシランを用いて処理された研削剤粒子の使用方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６２８０２５４号の請求項１ないし１８に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第６２８０２５４号の請求項１〜１８に係る特許についての出願（以下「本件出願」という。）は、２００８年９月１９日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００７年９月２１日、米国）を国際出願日として出願した特願２０１０−５２５８３８号の一部を平成２６年１１月６日に新たな特許出願とした特願２０１４−２２６２２４号の一部を、平成２９年２月２日に新たな特許出願したものであって、平成３０年１月２６日にその特許権の設定登録がされ、同年２月１４日に特許掲載公報が発行された。その後、その特許に対し、同年７月２７日に特許異議申立人冨永道治により、特許異議の申立てがされた。
第２　本件発明
　特許第６２８０２５４号の請求項１〜１８の特許に係る発明は、それぞれ、その特許請求の範囲の請求項１〜１８に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】
　基材を化学的機械的に研磨する方法であって、
（ｉ）（ａ）液体キャリアーと、
（ｂ）該液体キャリアー中に懸濁された研削剤であって、第四級アミノシラン化合物を用いて処理された表面を有する湿式プロセスシリカ粒子を含む、研削剤と、
を含む化学的機械的研磨組成物と、基材とを接触させる工程、
（ｉｉ）該基材に対して該研磨組成物を動かす工程、ならびに、
（ｉｉｉ）該基材を磨くために、該基材の少なくとも一部分を摩耗させる工程であって、該基材が酸化ケイ素の少なくとも１つの層および／または窒化ケイ素の少なくとも１つの層を含み、そして該酸化ケイ素または窒化ケイ素の少なくとも一部分が該基材を磨くために該基材から除去される工程、
を含んで成る、方法。
【請求項２】
　該研磨組成物が５以上、９未満のｐＨを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
　該処理されたシリカ粒子が正のゼータ電位を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
　該ゼータ電位が１０ｍＶ以上である、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
　該研磨組成物が腐食防止剤をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
　該腐食防止剤が０．０００１ｗｔ％〜３ｗｔ％の濃度のアゾール化合物である、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
　酸化剤をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
　該酸化剤がブロメート、ブロマイト、クロレート、クロライト、過酸化水素、ハイポクロライト、アイオデート、ヒドロキシルアミン塩、モノペルオキシサルフェート、モノペルオキシサルファイト、モノペルオキシホスフェート、モノペルオキシハイポホスフェート、モノペルオキシピロホスフェート、有機ハロオキシ化合物、パーアイオデート、パーマンガネート、ペルオキシ酢酸、およびそれらの混合物からなる群から選択される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
　（ｉ）液体キャリアーと、
（ｉｉ）該液体キャリアー中に懸濁された研削剤であって、第四級アミノシラン化合物を用いて処理された表面を有する湿式プロセスシリカ粒子を含む、研削剤と、
を含んで成る、酸化ケイ素の少なくとも１つの層および／または窒化ケイ素の少なくとも１つの層を含む基材を研磨するための化学的機械的研磨組成物。
【請求項１０】
　該研磨組成物が５以上、９未満のｐＨを有する、請求項９に記載の研磨組成物。
【請求項１１】
　該処理されたシリカ粒子が正のゼータ電位を有する。請求項９に記載の研磨組成物。
【請求項１２】
　該ゼータ電位が１０ｍＶ以上である、請求項１１に記載の研磨組成物。
【請求項１３】
　該研磨組成物が腐食防止剤をさらに含む、請求項９に記載の研磨組成物。
【請求項１４】
　該腐食防止剤が０．０００１ｗｔ％〜３ｗｔ％の濃度のアゾール化合物である、請求項１３に記載の研磨組成物。
【請求項１５】
　該基材が窒化ケイ素の少なくとも１つの層を含み、そして該窒化ケイ素の少なくとも一部分が該基材を磨くために該基材から除去される、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
　該第四級アミノシラン化合物が、トリアルコキシシリルプロピル−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチルアンモニウムクロライド、および／またはＮ−（トリアルコキシシリルエチル）ベンジル−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチルアンモニウムクロライドである、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
　該基材が、窒化ケイ素の少なくとも１つの層を含む、請求項９に記載の研磨組成物。
【請求項１８】
　該第四級アミノシラン化合物が、トリアルコキシシリルプロピル−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチルアンモニウムクロライド、および／またはＮ−（トリアルコキシシリルエチル）ベンジル−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチルアンモニウムクロライドである、請求項９に記載の研磨組成物。」
第３　申立理由の概要
　特許異議申立人冨永道治は、主たる証拠として国際公開第２００６／０５８６５７号（以下「文献１」という。）及び従たる証拠として米国特許出願公開第２００３／０１９８７５９号明細書（以下「文献２」という。）、特開２００５−１６２５３３号公報（以下「文献３」という。）、特表２００６−５２４９１８号公報（以下「文献４」という。）、再公表特許０１／０５７９１９号（以下「文献５」という。）、特開２００１−３４５２９５号公報（以下「文献６」という。）、特開平０６−１２４９３２号公報（以下「文献７」という。）、特開２００４−１４３４２９号公報（以下「文献８」という。）、特開２００６−１３６９９６号公報（以下「文献９」という。）、特開２００４−０７９９８４号公報（以下「文献１０」という。）、Ｗ．Ｃｈｏｉ　ｅｔ　ａｌ．，“ｐＨ　ａｎｄ　Ｄｏｗｎ　Ｌｏａｄ　Ｅｆｆｅｃｔｓ　ｏｎ　Ｓｉｌｉｃｏｎ　Ｄｉｏｘｉｄｅ　ｄｅｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　ＣＭＰ”，Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ　ａｎｄ　Ｓｏｌｉｄ−Ｓｔａｔｅ　Ｌｅｔｔｅｒｓ，　７（７）　Ｇ１４１−Ｇ１４４（２００４）（以下「文献１１」という。）を提出し、請求項１〜１８に係る特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してされた（以下「申立理由１」という。）ものであり、また、請求項１〜１８に係る特許は特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない（以下「申立理由２」という。）から、請求項１〜１８に係る特許を取り消すべきものである旨主張する。
第４　文献の記載
（１）文献１の記載と引用発明
　文献１には、ｐＨ０〜１０の範囲で永久的な正の表面電荷を有し、一般式（Ｉ）又は（Ｉａ）で表される基を有し、前記一般式（Ｉ）又は（Ｉａ）で表される基が前記表面に永久的に結合し、流体力学的相当径が８０ｎｍ〜８００ｎｍである会合体を含む金属酸化物の製造方法であって、未修飾金属酸化物を一般式（ＩＩ）又は（ＩＩａ）で表されるシランと反応させることを特徴とする当該金属酸化物の製造方法（文献１の３ページ第６行（空白行含まず）〜５ページ１２行、３８〜３９ページの請求項１、４０〜４１ページの請求項１０（文献１の対応特許文献の特表２００８−５２１９８０号公報（以下「文献１訳文」という。）の請求項１、１０、段落【００１０】を参照。）が記載されている。
　
　一般式（Ｉ）又は（Ｉａ）は、以下のとおりである。（以下、同じ。）
　−Ｏ１＋ｎ−ＳｉＲ１２−ｎ−Ｒ２−Ｂ＋　Ｘ−　　　　　　（Ｉ）、
　−Ｏ１＋ｎ−ＳｉＲ１２−ｎ−ＣＲ１２−ＮＲ３２＋−（ＣＨ２）ｘ−Ａ　Ｘ−　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（Ｉａ）
              
（式中、Ｒ１は、水素原子、又は必要に応じて、単不飽和若しくは多価不飽和である、−ＣＮ，−ＮＣＯ，−ＮＲ４２，−ＣＯＯＨ，−ＣＯＯＲ４，ハロゲン基、アクリロイル基、エポキシ基、−ＳＨ，−ＯＨ，若しくは−ＣＯＮＲ４２により置換若しくは無置換の、ＳｉＣに結合した炭素数１〜２０の炭化水素基、アリール基、又は炭素数１〜１５の炭化水素オキシ基であり、それぞれ１つ以上の隣接しないメチレン単位が、−Ｏ−，−ＣＯ−，−ＣＯＯ−，−ＯＣＯ−，若しくは−ＯＣＯＯ−，−Ｓ−，若しくは−ＮＲ３−基で置換されていてもよく、１つ以上の隣接しないメチン単位が、−Ｎ＝，−Ｎ＝Ｎ−，若しくは−Ｐ＝基で置換されていてもよく、各Ｒ１は同一であってもよいし、異なっていてもよい。
　Ｒ２は、ＳｉＣに結合した炭素数１〜２０の炭化水素基、アリール基、又は炭素数１〜１５の炭化水素オキシ基であり、それぞれ１つ以上の隣接しないメチレン単位が、−Ｏ−，−ＣＯ−，−ＣＯＯ−，−ＯＣＯ−，若しくは−ＯＣＯＯ−，−Ｓ−，若しくは−ＮＲ３−基で置換されていてもよく、１つ以上の隣接しないメチン単位が、−Ｎ＝，−Ｎ＝Ｎ−，若しくは−Ｐ＝基で置換されていてもよい。
　Ｒ３は、一価又は二価でもよい、Ｎ−Ｃと結合した炭素数１〜２０の炭化水素基、アリール基、又は炭素数１〜１５の炭化水素オキシ基であり、それぞれ１つ以上の隣接しないメチレン単位が、−Ｏ−，−ＣＯ−，−ＣＯＯ−，−ＯＣＯ−，若しくは−ＯＣＯＯ−，−Ｓ−，若しくは−ＮＲ４−基で置換されていてもよく、１つ以上の隣接しないメチン単位が、−Ｎ＝，−Ｎ＝Ｎ−，若しくは−Ｐ＝基で置換されていてもよく、各Ｒ３は同一であってもよいし、異なっていてもよい。
　Ｂは、カチオン基−ＮＲ３３＋，−Ｎ（Ｒ３）（＝Ｒ３）＋；−ＰＲ３３＋であり、該カチオン基は、また、脂肪族、又は芳香族複素環の一部であってもよく、例えば、ピリジニウム基、Ｎ−メチル−イミダゾリウム基等のＮ−アルキル−イミダゾリウム基、Ｎ−メチル−モルホリニウム等のＮ−アルキル−モルホリニウムの一部でもよい。
　Ｘ−は、酸アニオンである。
　Ｒ４は、水素原子、炭素数１〜１５の炭化水素基、又はアリール基であり、各Ｒ４は同一であってもよいし、異なっていてもよい。
　Ａは、酸素、硫黄、又は化学式ＮＲ３で表される基であってよい。
　ｘは、０〜１０の値であってよい。
　ｎは、０，１又は２である）
　一般式（ＩＩ）は、以下のとおりである。
　ＲＯ１＋ｎ−ＳｉＲ１２−ｎ−Ｒ２−ＮＲ３３＋　Ｘ−　　　　（ＩＩ）
（式中、Ｒは、Ｃ−Ｏと結合した炭素数１〜１５の炭化水素基、又はアセチル基、及びＲ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｘ−，Ａ，ｎ，及びｘは上記に定義されたとおりである）
　また、文献１の実施例１〜６においては、未修飾金属酸化物として親水性シリカを用いて、均一なシリル化剤層を有する白い粉末状の疎水性シリカを得ている。この親水性シリカの処理に使用された一般式（ＩＩ）で表されるシランとして、実施例１〜５においては、一般式（ＩＩ）中、Ｒは−ＣＨ３基、Ｒ２は−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−基、Ｒ３は−ＣＨ３基、ＸはＣｌ、及びｎは２であり、実施例６においては、一般式（ＩＩ）中、Ｒは−ＣＨ３基、Ｒ２は−ＣＨ２−基、Ｒ３は−ＣＨ３基、ＸはＣｌ、及びｎは２である（文献１訳文の段落【００２９】、【００４３】、【００９２】〜【００９７】を参照。）ところ、一般式（ＩＩ）で表されるシランは、第四級アミノ基とケイ素結合官能基をもっているから、技術常識を勘案すると、「第四級アミノシラン化合物」と解される（必要であれば、特開昭５０−１０３５８３号公報第２ページ右上欄第４行〜左下欄第９行を参照。）。
　そうすると、文献１には、「ｐＨ０〜１０の範囲で永久的な正の表面電荷を有し、一般式（Ｉ）又は（Ｉａ）で表される基を有し、前記一般式（Ｉ）又は（Ｉａ）で表される基が前記表面に永久的に結合し、流体力学的相当径が８０ｎｍ〜８００ｎｍである会合体を含む金属酸化物としてのシリカの製造方法であって、未修飾金属酸化物としての親水性シリカを第四級アミノシラン化合物と反応させ、当該金属酸化物として、粉末状の疎水性シリカを得る製造方法。」の発明（以下「引用発明１Ａ」という。）が記載されていると認められる。
　また、文献１には、「ｐＨ０〜１０の範囲で永久的な正の表面電荷を有し、一般式（Ｉ）又は（Ｉａ）で表される基を有し、前記一般式（Ｉ）又は（Ｉａ）で表される基が前記表面に永久的に結合し、流体力学的相当径が８０ｎｍ〜８００ｎｍである会合体を含む金属酸化物としてのシリカを含む、組成物であって、未修飾金属酸化物としての親水性シリカを第四級アミノシラン化合物と反応させて得た、当該金属酸化物として粉末状の疎水性シリカを含む組成物。」の発明（以下「引用発明１Ｂ」という。）が記載されていると認められる。
（２）文献２及び文献１１の記載
　次に、文献２の［０００９］、［００１０］、［００３２］、［００３４］〜［００３６］、［００４０］、［００４１］、及び請求項１、５の記載を総合的に参酌すると、文献２には、凝集しないカチオン性コロイド状シリカを調製することであって、カチオン性コロイド状シリカは、ゼータ電位が正（好ましくは＋２０ｍＶ以上）であり、四級アミノシランで処理することによって調製することが記載されていると認められる。
　
　文献１１のＧ１４１ページのアブストラクト、Ｇ１４２ページ左欄第１行〜右欄下から第５行の記載、及び図２〜４を総合的に参酌すると、文献１１には、化学的機械的研磨に関し、非凝集二酸化ケイ素粒子による誘電体シリカの研磨速度の変化について記述されており、１０．０未満のｐＨの領域では、非凝集二酸化ケイ素粒子としてのシリカ粒子とシリカウェハの表面との間の静電的相互作用が研磨速度を決定する役割を果たすことがあること、ｐＨの上昇とともに、シリカ粒子のゼータ電位が低下（絶対値は増加）し、所与の分離距離に対するシリカ粒子とシリカウェハの表面との間の静電的相互作用力の空間的広がりが増大し、したがって、ｐＨの上昇は反発力を上昇させ、研磨速度を低下させることが記載されていると認められる。
第５　当審の判断
１　申立理由１（特許法第２９条第２項違反）について
（１）請求項１に係る発明について
ア　請求項１に係る発明（以下「本件発明１」という。また、請求項２〜１８に係る発明を、順に「本件発明２」〜「本件発明１８」という。）と引用発明１Ａとを対比する。
　引用発明１Ａの「金属酸化物としてのシリカ」は本件発明１の「湿式プロセスシリカ粒子」に相当するから、両発明は、「湿式プロセスシリカ粒子を含む組成物を用いてなる方法」の点で一致するものの、本件発明１は、「基材を化学的機械的に研磨する方法であって」、「（ｉ）（ａ）液体キャリアーと、（ｂ）該液体キャリアー中に懸濁された研削剤であって、第四級アミノシラン化合物を用いて処理された表面を有する湿式プロセスシリカ粒子を含む、研削剤と、を含む化学的機械的研磨組成物と、基材とを接触させる工程、（ｉｉ）該基材に対して該研磨組成物を動かす工程、ならびに、（ｉｉｉ）該基材を磨くために、該基材の少なくとも一部分を摩耗させる工程であって、該基材が酸化ケイ素の少なくとも１つの層および／または窒化ケイ素の少なくとも１つの層を含み、そして該酸化ケイ素または窒化ケイ素の少なくとも一部分が該基材を磨くために該基材から除去される工程、を含んで成る、方法」であるのに対し、引用発明１Ａは、「金属酸化物としてのシリカの製造方法」であって、文献１には、背景技術について、「金属酸化物粒子の表面帯電性、特に表面電荷密度は、これらの物質を水性分散液中でフリーフロー助剤として、及びトナー、現像剤、及び被覆材料粉末の帯電制御に使用する上で重要な特性である。」（文献１訳文の段落【０００２】）と記載されているように、引用発明１Ａは、当該金属酸化物としてのシリカを含む、研削剤を含む研磨組成物として、基材を研磨する方法ではない点で、両者は相違する。
イ　この点について、文献２には、カチオン性コロイド状シリカを研磨組成物とすることは記載されていない。
　次に、文献１１には、シリカ粒子（Ｇ１４１ページの実験項の第１段落及び図１に開示の粒子サイズは１１０ｎｍ程度）を用いてシリカウェハを化学的機械的研磨する方法が記載されているので、引用発明１Ａを文献１１に記載の技術に適用することが容易か否かについて検討する。
　引用発明１Ａは、「流体力学的相当径が８０ｎｍ〜８００ｎｍである
会合体を含む金属酸化物としてのシリカ
一次粒子は独立して存在するのではなく、より大きな会合体、及び凝集体成分であってもよく
　したがって、文献１１には、シリカ粒子を用いてシリカウェハを化学的機械的研磨する方法が記載されているものの、当該シリカ粒子は、非凝集二酸化ケイ素粒子であるから、引用発明１Ａにおける、未修飾金属酸化物としての親水性シリカを第四級アミノシラン化合物と反応させて得た粉末状の疎水性シリカであって、一次粒子は独立して存在するのではなく、より大きな会合体や凝集体成分であってもよいシリカを、文献１１の記載を参照したとしても、当該シリカを含む化学的機械的研磨組成物として、基材を研磨する方法に適用する動機付けは存在しない。
　また、文献３〜５には、アミノシラン化合物で表面処理されて正電荷を有するシリカを使用して化学的機械的研磨を行うことは開示されているものの、文献１には、一次粒子は独立して存在するのではなく、より大きな会合体、及び凝集体成分であってもよく、会合体からなる凝集塊の大きさは、外部からの剪断加重に依存して１μｍ〜１０００μｍ又は１μｍ〜５００μｍであるのがよい旨が記載されているから、引用発明１Ａにおける、第四級アミノシラン化合物と反応させて得た疎水性シリカを、当該シリカを含む化学的機械的研磨組成物として、基材を研磨する方法に適用する動機付けは存在しない。
　また、文献７〜９には、シリカ粒子を研磨剤ないし研磨液組成物に使用することが記載されており、文献６、１０には、シリカ粒子を化学機械的ポリシングに用いられるスラリーであって、金属酸化物研磨粒子として、シリカを含むものが記載されているものの、引用発明１Ａにおける、未修飾金属酸化物としての親水性シリカを第四級アミノシラン化合物と反応させて得た粉末状の疎水性シリカであって、一次粒子は独立して存在するのではなく、より大きな会合体や凝集体成分であってもよいシリカを、文献６〜１０の記載に基づいて、当該シリカを含む化学的機械的研磨組成物として、基材を研磨する方法に適用する動機付けは存在しない。
　よって、本件発明１は、引用発明１Ａ及び文献２〜１１に記載された技術的事項に基いて、当業者が容易に想到し得るものではない。
ウ　特許異議申立人冨永道治は、「化学機械研磨用組成物の研磨剤としてアミノシラン化合物で表面処理されて正電荷を有するシリカを使用して化学機械研磨を行い、その際に当該組成物と機材を接触させ、該基材に対して該研磨組成物を動かすことは、甲３（文献３）、甲４（文献４）、及び甲５（文献５）に示されるように、化学機械研磨分野において技術常識であるか、慣用技術であるから、甲１発明における第四級アミンで表面処理されたシリカを研磨剤として基材の化学機械研磨に使用してみることは当業者が容易になし得ることである」旨を主張する（異議申立書第６９ページ第３〜１０行を参照。）。
　しかしながら、文献３〜５の記載を参酌しても、上記イで検討したように、引用発明１Ａにおける、第四級アミノシラン化合物と反応させて得た疎水性シリカを、当該シリカを含む化学的機械的研磨組成物として、基材を研磨する方法に適用する動機付けは存在しないから、申立人のかかる主張には理由がない。
（２）本件発明２〜８、１５、１６について
　本件発明２〜８、１５、１６は、それぞれ、本件発明１に対して、さらに技術的事項を追加したものである。よって、上記（１）に示した理由と同様の理由により、本件発明２〜８、１５、１６は、上記引用発明１Ａ及び文献２〜１１に記載された技術的事項に基いて当業者が容易になし得るものではない。
（３）本件発明９について
ア　本件発明９と引用発明１Ｂとを対比する。
　引用発明１Ｂの「金属酸化物としてのシリカ」は本件発明９の「湿式プロセスシリカ粒子」に相当するから、両発明は、「湿式プロセスシリカ粒子を含む組成物」の点で一致するものの、本件発明９は、「（ｉ）液体キャリアーと、（ｉｉ）該液体キャリアー中に懸濁された研削剤であって、第四級アミノシラン化合物を用いて処理された表面を有する湿式プロセスシリカ粒子を含む、研削剤と、を含んで成る、酸化ケイ素の少なくとも１つの層および／または窒化ケイ素の少なくとも１つの層を含む基材を研磨するための化学的機械的研磨組成物。」であるのに対し、引用発明１Ｂは、「金属酸化物としてのシリカを含む、組成物」であって、文献１には、背景技術について、「金属酸化物粒子の表面帯電性、特に表面電荷密度は、これらの物質を水性分散液中でフリーフロー助剤として、及びトナー、現像剤、及び被覆材料粉末の帯電制御に使用する上で重要な特性である。」（文献１訳文の段落【０００２】）と記載されているように、引用発明１Ｂの組成物は、「シリカ粒子を含む、研削剤」を含んで成る、「化学的機械的研磨組成物」ではない点で、両者は相違する。
イ　この点について、上記（１）イに示した理由と同様の理由により、本件発明９は、上記引用発明１Ｂ及び文献２〜１１に記載された技術的事項に基いて当業者が容易になし得るものではない。
（４）請求項１０〜１４、１７、１８に係る発明について
　本件発明１０〜１４、１７、１８は、それぞれ、本件発明９に対して、さらに技術的事項を追加したものである。よって、上記（３）に示した理由と同様の理由により、本件発明１０〜１４、１７、１８は、上記引用発明１Ｂ及び文献２〜１１に記載された技術的事項に基いて当業者が容易になし得るものではない。
（５）小括
　以上のとおり、本件発明１〜１８は、文献１に記載された発明及び文献２〜１１に記載された技術的事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
２　申立理由２（特許法第３６条第６項第１号違反）について
（１）特許異議申立人は、特許異議申立書の「３　申立の理由」の（４）「ウ　記載不備の理由」（６４〜６７ページを参照。）において、（ウ−１−１）で、「本件明細書において本件請求項１及び９に記載の研磨方法及び研磨組成物に該当する実施例は記載されていない。また、本件明細書において、本件特許発明１及び９が、その発明特定事項である「第四級アミノシラン化合物を用いて…（略）…該基材から除去される」こと、及び本件特許発明の課題である「窒化ケイ素、酸化ケイ素の除去速度を調整でき、また除去速度を合せることができる」こと、を解決できるその他の記載もない。」と主張している。
　また、（ウ−１−２）で、「窒化ケイ素の実質的な除去ができるというためには、少なくともこの
３６８Å／を超える窒化ケイ素除去速度が得られる必要がある
（２）一方、本件特許明細書には、以下の事項が記載されている。
・「【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
  集積回路機器の技術が進歩するにつれて、進歩した集積回路に必要なレベルの性能を達成するために、従来の材料は新しくかつ異なる方法において使用される。特に、窒化ケイ素および酸化ケイ素は、新しくかつさらに複雑な機器設定を達成するために種々の組み合わせにおいて使用される。一般的に、構造的な複雑さおよび性能特性は、異なる用途によって変わる。特別な機器のための研磨ニーズに合うように
ＣＭＰの間に、種々の層（例えば、窒化ケイ素、酸化ケイ素）の除去速度を調整でき、または除去速度を合せることができる方法および組成物への継続した要求がある
本発明は、そうした改善された研磨方法および組成物を提供する
・「【００１８】
  
研削剤は
アミノシラン化合物
を用いて処理される
好適なシラン化合物は
第四級アミノシラン
を含む
アミノシラン化合物は、
トリアルコキシシリルプロピル−Ｎ、Ｎ、Ｎ−トリメチルアンモニウムクロライド
Ｎ−（トリアルコキシシリルエチル）ベンジル−Ｎ、Ｎ、Ｎ−トリメチルアンモニウムクロライド
（３）本件発明１が解決しようとする課題は、本件特許明細書の段落【０００４】に記載された「ＣＭＰの間に、種々の層（例えば、窒化ケイ素、酸化ケイ素）の除去速度を調整でき、または除去速度を合せることができる方法および組成物を提供する」ことにある。
　そうすると、本件発明１の課題は、特許異議申立人が（ウ−１−１）において主張するように、除去速度を調整でき、また除去速度を合せることができることであり、所定以上の除去速度を得ることではないから、特許異議申立人の（ウ−１−２）における上記主張は、失当である。
（４）本件特許明細書の段落【００１８】には、上記のように第四級アミノシラン化合物の具体例として、「トリアルコキシシリルプロピル−Ｎ、Ｎ、Ｎ−トリメチルアンモニウムクロライド」、「Ｎ−（トリアルコキシシリルエチル）ベンジル−Ｎ、Ｎ、Ｎ−トリメチルアンモニウムクロライド」が例示されている。
　そして、実施例の例１〜９において、アミノシラン化合物を用いて処理された表面を有する湿式プロセスシリカ粒子を含む、研削剤、を含んで成る、酸化ケイ素の少なくとも１つの層および／または窒化ケイ素の少なくとも１つの層を含む基材を研磨するための化学的機械的研磨組成物を用いて、本件発明１、９の上記の課題を解決できることが示されているから、「トリアルコキシシリルプロピル−Ｎ、Ｎ、Ｎ−トリメチルアンモニウムクロライド」、「Ｎ−（トリアルコキシシリルエチル）ベンジル−Ｎ、Ｎ、Ｎ−トリメチルアンモニウムクロライド」を用いて処理された表面を有する湿式プロセスシリカ粒子を含む、研削剤、を含んで成る、酸化ケイ素の少なくとも１つの層および／または窒化ケイ素の少なくとも１つの層を含む基材を研磨するための化学的機械的研磨組成物であっても、本件発明１、９の上記の課題を解決できることを、当業者であれば認識できる。
　したがって、本件発明１〜１８は、前記課題を解決できない範囲を含むものであるとはいえない。
　よって、特許異議申立人の（ウ−１−１）における上記主張は、理由がない。
（５）以上のとおり、本件特許明細書の記載に接した当業者であれば、本件発明１〜１８が発明の課題を解決できることを認識することができ、本件発明１〜１８は、発明の詳細な説明に記載したものということができる。
　したがって、本件の特許請求の範囲の記載は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たす。
　
３　他の引用発明及び対比・判断
　上記１のとおり、本件発明１〜１８は、文献１に記載された発明及び文献２〜１１に記載された技術的事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではないが、念のため、本件発明９が、文献１１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたか否かについても、以下において検討する。
（１）ア　文献１１の  Ｇ１４１ページの実験項の第２段落の記載から、文献１１には、シリカ（シリカ層）が堆積されたシリコンウェハ、すなわち、シリカ層を含むシリコン基材が開示されているといえる。
イ　また、文献１１のＧ１４１ページの実験項の第２段落と、Ｇ１４２ページ左欄第１行〜右欄下から第５行の記載によると、後者に記載の「シリカウェハの表面」には「シリカ層（誘電体シリカ）」が形成されていることは明らかであるとともに、また、後者には、「研磨速度は、≦ｐＨ10での誘電体シリカの溶解度の働きではないことは明らかである。」と記載されているから、文献１１には、「シリカ粒子」は「≦ｐＨ10」では、誘電体シリカを研磨するための研削剤であることが開示されているといえる。
ウ　また、文献１１のＧ１４１ページのアブストラクト、Ｇ１４２ページ左欄第１行〜右欄下から第５行の記載を参酌すると、アブストラクトに記載のされた「非凝集二酸化ケイ素粒子」は、上記イの「シリカ粒子」であることは明らかであるから、文献１１には、水と、水中の、非凝集二酸化ケイ素粒子としてのシリカ粒子を含む研削剤と、を含んで成る、化学的機械的研磨組成物が開示されているといえる。
エ　以上をまとめると、文献１１には、「水と、水中の研削剤であって、非凝集二酸化ケイ素粒子としてのシリカ粒子を含む研削剤と、を含んで成る、誘電体シリカを含むシリコン基材を研磨するための化学的機械的研磨組成物。」の発明（以下「引用発明１１」という。）が記載されていると認められる。
（２）本件発明９と引用発明１１とを対比する。
　引用発明１１の「水」、「シリカ粒子」、「誘電体シリカを含むシリコン基材」は、それぞれ本件特許発明９の「液体キャリアー」、「湿式プロセスシリカ粒子」、「酸化ケイ素の少なくとも１つの層を含む基材」に相当するから、両発明の一致点と相違点は次のとおりである。
＜一致点＞
　「（ｉ）液体キャリアーと、
（ｉｉ）該液体キャリアー中の研削剤であって、湿式プロセスシリカ粒子を含む、研削剤と、
を含んで成る、酸化ケイ素の少なくとも１つの層を含む基材を研磨するための化学的機械的研磨組成物。」
＜相違点１＞
　研削剤について、本件発明９は、「該液体キャリアー中に懸濁された」ものであるのに対し、引用発明１１では、その点が不明である点。
＜相違点２＞
　湿式プロセスシリカ粒子について、本件発明９では、「第四級アミノシラン化合物を用いて処理された表面を有する」ものであるのに対し、引用発明１１のシリカ粒子はそのような特定はなされていない点。
　
（３）以下、上記相違点について検討する。
　まず、相違点２について検討する。
　引用発明１１のシリカ粒子は、「非凝集二酸化ケイ素粒子としてのシリカ粒子」である。
　また、水中において、シリカの一次粒子の表面はシラノール基で覆われており、親水性であることは技術常識である。
　一方、上記第４（１）のとおり、文献１に開示されたシリカは、「粒子力学的相当径が８０ｎｍ〜８００ｎｍである会合体を含む金属酸化物としてのシリカ」で、「疎水性シリカ」であり、文献１訳文の段落【００２８】、【００３０】、【００５８】を参酌すると、一次粒子は独立して存在するのではなく、より大きな会合体や凝集体成分であってもよいものである。
　そうすると、引用発明１１において、非凝集二酸化ケイ素粒子としてのシリカ粒子を、文献１に開示されたシリカの構成を適用する動機付けは存在しない。
　また、文献１〜１０のいずれにも、本件発明９の構成要件である「第四級アミノシラン化合物を用いて処理された表面を有する湿式プロセスシリカ粒子を含む、研削剤」は開示も示唆もされておらず、かかる構成により本件発明９は、ＣＭＰの間に、種々の層（例えば、窒化ケイ素、酸化ケイ素）の除去速度を調整でき、または除去速度を合せることができる方法および組成物を提供するという本件特許明細書記載の顕著な作用効果を奏するものである。
　よって、本件発明９は、引用発明１１及び文献１〜１０に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
第６　むすび
　したがって、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、請求項１〜１８に係る特許を取り消すことはできない。　
　また、他に請求項１〜１８に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成３０年１２月１１日（２０１８．１２．１１）