(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
スルーホールを有するコア基板上に層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層してなり、最上層にチップを搭載するチップ搭載領域を備え、導体層間がバイアホールで接続された多層ビルドアップ配線板において、
前記導体層としてコア基板上に形成したプレーン層に、メッシュ孔を設けると共に、前記チップ搭載領域と層間樹脂絶縁層を介して対向する領域のメッシュ孔の少なくとも一部であって、その孔内にスルーホールのランド及びコア基板上層の層間樹脂絶縁層に形成されるバイアホールが接続するパッドを配設したことを特徴とする多層ビルドアップ配線板。
【請求項２】
スルーホールを有するコア基板上に層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層してなり、最上層にチップを搭載するチップ搭載領域を備え、導体層間がバイアホールで接続された多層ビルドアップ配線板において、
前記導体層として層間樹脂絶縁層上に形成したプレーン層に、メッシュ孔を設けると共に、前記チップ搭載領域と層間樹脂絶縁層を介して対向する領域のメッシュ孔の少なくとも一部であって、その孔内にバイアホールのランド及び該プレーン層上層の層間樹脂絶縁層に形成されたバイアホールが接続するパッドを配設したことを特徴とする多層ビルドアップ配線板。
【請求項３】
層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層してなり、最上層にチップを搭載するチップ搭載領域を備えた多層ビルドアップ配線板において、前記導体層として形成したプレーン層に、メッシュ孔を設けると共に、前記チップ搭載領域と層間樹脂絶縁層を介して対向する領域のメッシュ孔の少なくとも一部であって、その孔内にベタ状導体層を配設したことを特徴とする多層ビルドアップ配線板。
【請求項４】
スルーホールを有するコア基板上に層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層してなり、最上層にチップを搭載するチップ搭載領域を備えた多層ビルドアップ配線板において、
前記導体層としてコア基板上に形成したプレーン層に、メッシュ孔を設けると共に、該チップ搭載領域と層間樹脂絶縁層を介して対向する領域のメッシュ孔の少なくとの一部であって、その孔内にスルーホールを覆う導体層から成るランドを配設し、該ランドを介してコア基板上層の層間樹脂絶縁層に形成されるバイアホールが接続されたことを特徴とする多層ビルドアップ配線板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、層間樹脂絶縁層と導体層とが交互に積層されたビルドアップ配線層が、コア基板の両面に形成されてなる多層ビルドアップ配線板に関し、特に、電源用導体層（電源層）又は接地用導体層（グランド層）として形成されるプレーン層を備える多層ビルドアップ配線板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
複数層の導体層（導体回路）をそれぞれ層間樹脂絶縁層にて絶縁してなる多層ビルドアップ配線板において、一層分の導体回路をグランド層、或いは、電源層として用いることが、ノイズの低減等の目的で行われている。係る多層ビルドアップ配線板においては、図１３（Ａ）に示すように、接地用導体層（グランド層）或いは、電源用導体層（電源層）を構成するプレーン層４５９を、メッシュ孔４５９ａを有するメッシュパターンに形成することが多い。ここで、メッシュ孔４５９ａを設けるのは、プレーン層４５９が樹脂との接続性の低い銅で形成されているため、プレーン層の上層に配設される層間樹脂絶縁層（図示せず）と下層に配設される樹脂製コア基板（図示せず）との接続性を、該メッシュ孔４５９ａにて層間樹脂絶縁層とコア基板とを直接接触させることで改善する。また、該メッシュ孔４５９ａを通して、層間樹脂絶縁層に吸収された水分等からなるガスを発散し易くするためである。
【０００３】
このメッシュ孔４５９ａの形成位置に関しては、種々の提案がなされている。たとえば、特開平１０−２００２７１号においては、図１３（Ｂ）に示すように図中Ｃで示すチップを搭載する領域に対向する領域内には、メッシュ孔を配設せず、チップ搭載領域の外側にのみメッシュ孔４５９ａを配設することで、当該チップ搭載領域に凹凸ができないようにし、多層プリント配線板のチップ搭載領域をフラットに形成する技術が提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、メッシュ孔を介して層間樹脂絶縁層のガスが抜けるため、上記技術のようにチップ搭載領域にメッシュ孔を穿設しないと、該チップ搭載領域下の層間樹脂絶縁層から水分が発散しなくなり、また、層間樹脂絶縁層が剥離したり、当該部分で層間樹脂絶縁層の絶縁抵抗が低下していた。
【０００５】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的は、層間樹脂絶縁層の絶縁劣化が少ないと共にチップ搭載領域をフラットに形成できる多層ビルドアップ配線板を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１は、スルーホールを有するコア基板上に層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層してなり、最上層にチップを搭載するチップ搭載領域を備え、導体層間がバイアホールで接続された多層ビルドアップ配線板において、
前記導体層としてコア基板上に形成したプレーン層に、メッシュ孔を設けると共に、前記チップ搭載領域と層間樹脂絶縁層を介して対向する領域のメッシュ孔の少なくとも一部であって、その孔内にスルーホールのランド及びコア基板上層の層間樹脂絶縁層に形成されるバイアホールが接続するパッドを配設したことを技術的特徴とする。
【０００７】
また、請求項２は、スルーホールを有するコア基板上に層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層してなり、最上層にチップを搭載するチップ搭載領域を備え、導体層間がバイアホールで接続された多層ビルドアップ配線板において、
前記導体層として層間樹脂絶縁層上に形成したプレーン層に、メッシュ孔を設けると共に、前記チップ搭載領域と層間樹脂絶縁層を介して対向する領域のメッシュ孔の少なくとも一部であって、その孔内にバイアホールのランド及び該プレーン層上層の層間樹脂絶縁層に形成されたバイアホールが接続するパッドを配設したことを技術的特徴とする。
【０００８】
請求項３は、層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層してなり、最上層にチップを搭載するチップ搭載領域を備えた多層ビルドアップ配線板において、
前記導体層として形成したプレーン層に、メッシュ孔を設けると共に、前記チップ搭載領域と層間樹脂絶縁層を介して対向する領域のメッシュ孔の少なくとも一部であって、その孔内にベタ状導体層を配設したことを技術的特徴とする。
【０００９】
また、請求項４は、スルーホールを有するコア基板上に層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層してなり、最上層にチップを搭載するチップ搭載領域を備えた多層ビルドアップ配線板において、
前記導体層としてコア基板上に形成したプレーン層に、メッシュ孔を設けると共に、該チップ搭載領域と層間樹脂絶縁層を介して対向する領域のメッシュ孔の少なくとの一部であって、その孔内にスルーホールを覆う導体層から成るランドを配設し、該ランドを介してコア基板上層の層間樹脂絶縁層に形成されるバイアホールが接続されたことを技術的特徴とする。
【００１０】
請求項１の発明では、プレーン層のうち最上層のチップ搭載領域と層間樹脂絶縁層を介して対向する領域にメッシュ孔を形成すると共に、当該メッシュ孔のうち、少なくとも一部の孔の内にスルーホールのランド及びバイアホールが接続するパッドをメッシュ穴の周縁と間隔をもって設けるため、これらのランドの外周に設けられたメッシュ孔にてプレーン層の上層に配設される層間樹脂絶縁層と下層に配設される樹脂製コア基板とを、直接接触させるので、接着性を高めることができる。また、これらランドの外周に設けられたメッシュ孔を通して、層間樹脂絶縁層に吸収された水分等からなるガスを発散できるため、層間樹脂絶縁層の絶縁性を高めることが可能になる。更に、該チップ搭載領域のメッシュ孔内にランド及びバイアホールを形成するため、凹凸ができず、当該チップ搭載領域を平坦にできる。
【００１１】
請求項２の発明では、プレーン層のうち最上層のチップ搭載領域と層間樹脂絶縁層を介して対向する領域にメッシュ孔を形成すると共に、当該メッシュ孔のうちの少なくとの一部の孔内にバイアホールのランドをメッシュ穴の周縁と間隔をもって設けるため、該バイアホールのランドの外周に設けられたメッシュ孔にてプレーン層の上層に配設される層間樹脂絶縁層と下層に配設される層間樹脂絶縁層とを、直接接触させるので、接着性を高めることができる。また、該バイアホールのランドの外周に設けられたメッシュ孔を通して、層間樹脂絶縁層に吸収された水分等からなるガスを発散できるため、層間樹脂絶縁層の絶縁性を高めることが可能になる。更に、該チップ搭載領域のメッシュ孔内にバイアホールを形成するため、凹凸ができず、当該チップ搭載領域を平坦にできる。
【００１２】
請求項３の発明では、プレーン層のうち最上層のチップ搭載領域と層間樹脂絶縁層を介して対向する領域にメッシュ孔を形成すると共に、当該メッシュ孔のうち少なくとも一部の孔内にベタ状導体層をメッシュ穴の周縁と間隔をもって設けるため、該ベタ状導体層の外周に設けられたメッシュ孔にてプレーン層の上層に配設される層間樹脂絶縁層と下層に配設される層間樹脂絶縁層（又は樹脂製コア基板）とを、直接接触させるので、接着性を高めることができる。また、該ベタ状導体層の外周に設けられたメッシュ孔を通して、層間樹脂絶縁層に吸収された水分等からなるガスを発散できるため、層間樹脂絶縁層の絶縁性を高めることが可能になる。更に、該チップ搭載領域のメッシュ孔内にベタ状導体層を形成するため、凹凸ができず、当該チップ搭載領域を平坦にできる。
【００１３】
請求項４の発明では、プレーン層のうち最上層のチップ搭載領域と層間樹脂絶縁層を介して対向する領域にメッシュ孔を形成すると共に、当該メッシュ孔のうち少なくとも一部の孔内にスルーホールのランドをメッシュ穴の周縁と間隔をもって設けるため、該ランドの外周に設けられたメッシュ孔にてプレーン層の上層に配設される層間樹脂絶縁層と下層に配設される樹脂製コア基板とを、直接接触させるので、接着性を高めることができる。また、該ランドの外周に設けられたメッシュ孔を通して、層間樹脂絶縁層に吸収された水分等からなるガスを発散できるため、層間樹脂絶縁層の絶縁性を高めることが可能になる。更に、該チップ搭載領域のメッシュ孔内にランドを形成するため、凹凸ができず、当該チップ搭載領域を平坦にできる。なお、本発明では、前記プレーン層は、チップ搭載領域と少なくとも１層以上の層間樹脂絶縁層を介して対向していればよい。
【００１４】
本発明では、上記層間樹脂絶縁層として無電解めっき用接着剤を用いることが望ましい。この無電解めっき用接着剤は、硬化処理された酸あるいは酸化剤に可溶性の耐熱性樹脂粒子が、酸あるいは酸化剤に難溶性の未硬化の耐熱性樹脂中に分散されてなるものが最適である。
酸、酸化剤で処理することにより、耐熱性樹脂粒子が溶解除去されて、表面に蛸つぼ状のアンカーからなる粗化面を形成できる。
【００１５】
上記無電解めっき用接着剤において、特に硬化処理された前記耐熱性樹脂粒子としては、▲１▼平均粒径が10μｍ以下の耐熱性樹脂粉末、▲２▼平均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、▲３▼平均粒径が２〜10μｍの耐熱性粉末樹脂粉末と平均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末との混合物、▲４▼平均粒径が２〜10μｍの耐熱性樹脂粉末の表面に平均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末または無機粉末のいずれか少なくとも１種を付着させてなる疑似粒子、▲５▼平均粒径が０．１〜０．８μｍの耐熱性粉末樹脂粉末と平均粒径が０．８μｍを越え、２μｍ未満の耐熱性樹脂粉末との混合物、▲６▼平均粒径が０．１〜１．０μｍの耐熱性粉末樹脂粉末を用いることが望ましい。これらは、より複雑なアンカーを形成できるからである。
【００１６】
粗化面の深さは、Ｒｍａｘ＝０．０１〜２０μｍがよい。密着性を確保するためである。特にセミアディティブ法では、０．１〜５μｍがよい。密着性を確保しつつ、無電解めっき膜を除去できるからである。
【００１７】
前記酸あるいは酸化剤に難溶牲の耐熱性樹脂としては、「熱硬化性樹脂および熱可塑性樹脂からなる樹脂複合体」又は「感光性樹脂および熱可塑性樹脂からなる樹脂複合体」からなることが望ましい。前者については耐熱性が高く、後者についてはバイアホール用の開口をフォトリソグラフィーにより形成できるからである。
【００１８】
前記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂などを使用できる。また、感光化する場合は、メタクリル酸やアクリル酸などと熱硬化基をアクリル化反応させる。特にエポキシ樹脂のアクリレートが最適である。
エポキシ樹脂としては、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型、などのノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変成した脂環式エポキシ樹脂などを使用することができる。
【００１９】
熱可塑性樹脂としては、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリスルフォン（ＰＳＦ）、ポリフェニレンスルフォン（ＰＰＳ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＥＳ）、ポリフェニルエーテル（ＰＰＥ）、ポリエーテルイミド（ＰＩ）などを使用できる。
熱硬化性樹脂（感光性樹脂）と熱可塑性樹脂の混合割合は、熱硬化性樹脂（感光性樹脂）／熱可塑性樹脂＝９５／５〜５０／５０がよい。耐熱性を損なうことなく、高い靭性値を確保できるからである。
【００２０】
前記耐熱性樹脂粒子の混合重量比は、耐熱性樹脂マトリックスの固形分に対して５〜５０重量％、望ましくは１０〜４０重量％がよい。
耐熱性樹脂粒子は、アミノ樹脂（メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂）、エポキシ樹脂などがよい。
なお、接着剤は、組成の異なる２層により構成してもよい。
【００２１】
なお、多層ビルドアップ配線板の表面に付加するソルダーレジスト層としては、種々の樹脂を使用でき、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂のアクリレート、ノボラック型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂のアクリレートをアミン系硬化剤やイミダゾール硬化剤などで硬化させた樹脂を使用できる。
【００２２】
一方、このようなソルダーレジスト層は、剛直骨格を持つ樹脂で構成されるので剥離が生じることがある。このため、補強層を設けることでソルダーレジスト層の剥離を防止することもできる。
【００２３】
ここで、上記ノボラック型エポキシ樹脂のアクリレートとしては、フェノールノボラックやクレゾールノボラックのグリシジルエーテルを、アクリル酸やメタクリル酸などと反応させたエポキシ樹脂などを用いることができる。
【００２４】
上記イミダゾール硬化剤は、25℃で液状であることが望ましい。液状であれば均一混合できるからである。
このような液状イミダゾール硬化剤としては、1-ベンジル−2-メチルイミダゾール（品名：1B2MZ ）、1-シアノエチル−2-エチル−4-メチルイミダゾール（品名：2E4MZ-CN）、4-メチル−2-エチルイミダゾール（品名：2E4MZ ）を用いることができる。
【００２５】
このイミダゾール硬化剤の添加量は、上記ソルダーレジスト組成物の総固形分に対して１〜10重量％とすることが望ましい。この理由は、添加量がこの範囲内にあれば均一混合がしやすいからである。
【００２６】
上記ソルダーレジストの硬化前組成物は、溶媒としてグリコールエーテル系の溶剤を使用することが望ましい。
このような組成物を用いたソルダーレジスト層は、遊離酸が発生せず、銅パッド表面を酸化させない。また、人体に対する有害性も少ない。
【００２７】
このようなグリコールエーテル系溶媒としては、下記構造式のもの、特に望ましくは、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）およびトリエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＴＧ）から選ばれるいずれか少なくとも１種を用いる。これらの溶剤は、30〜50℃程度の加温により反応開始剤であるベンゾフェノンやミヒラーケトンを完全に溶解させることができるからである。
CH３ Ｏ  -  (CH２ CH２ Ｏ) ｎ  −CH３  （ｎ＝１〜５）
このグリコールエーテル系の溶媒は、ソルダーレジスト組成物の全重量に対して１０〜７０wt％がよい。
【００２８】
以上説明したようなソルダーレジスト組成物には、その他に、各種消泡剤やレベリング剤、耐熱性や耐塩基性の改善と可撓性付与のために熱硬化性樹脂、解像度改善のために感光性モノマーなどを添加することができる。
例えば、レベリング剤としてはアクリル酸エステルの重合体からなるものがよい。また、開始剤としては、チバガイギー製のイルガキュアＩ９０７、光増感剤としては日本化薬製のＤＥＴＸ−Ｓがよい。
さらに、ソルダーレジスト組成物には、色素や顔料を添加してもよい。配線パターンを隠蔽できるからである。この色素としてはフタロシアニングリーンを用いることが望ましい。
【００２９】
添加成分としての上記熱硬化性樹脂としては、ビスフェノール型エポキシ樹脂を用いることができる。このビスフェノール型エポキシ樹脂には、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂があり、耐塩基性を重視する場合には前者が、低粘度化が要求される場合（塗布性を重視する場合）には後者がよい。
【００３０】
添加成分としての上記感光性モノマーとしては、多価アクリル系モノマーを用いることができる。多価アクリル系モノマーは、解像度を向上させることができるからである。例えば、多価アクリル系モノマーとして、日本化薬製のＤＰＥ−６Ａ、共栄社化学製のＲ−６０４を用いることができる。
また、これらのソルダーレジスト組成物は、２５℃で０．５〜１０Ｐａ・ｓ、より望ましくは１〜１０Ｐａ・ｓがよい。ロールコータで塗布しやすい粘度だからである。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係る多層ビルドアップ配線板及びその製造方法について図を参照して説明する。
先ず、本発明の第１実施形態に係る多層ビルドアップ配線板１０の構成について、図６、図７及び図８を参照して説明する。
図６は、ＩＣチップ搭載前の多層プリント配線板１０の断面図を示し、図７は、図６に示す多層プリント配線板１０にＩＣチップ９０を載置し、ドータボード９４へ取り付けた状態を示している。
【００３２】
図６に示すように多層ビルドアップ配線板１０では、コア基板３０内にスルーホール３６が形成され、該コア基板３０の表面（ＩＣチップ側）には電源層となるプレーン層３４Ｕが形成され、裏面（ドータボード側）にはグランド層となるプレーン層３４Ｄが形成されている。また、該プレーン層３４Ｕ、３４Ｄの上には、バイアホール６０及び導体回路５８の形成された下層側層間樹脂絶縁層５０が配設されている。該下層層間樹脂絶縁層５０の上には、バイアホール１６０及び導体回路１５８（裏面側のみ図示する）が形成された上層層間樹脂絶縁層１５０が配置されている。
【００３３】
図７に示すように多層プリント配線板の上面側には、ＩＣチップ９０のランド９２へ接続するための半田バンプ７６Ｕが配設されている。半田バンプ７６Ｕはバイアホール１６０及びバイアホール６０を介してスルーホール３６へ接続されている。一方、下面側には、ドーターボード９４のランド９６に接続するための半田バンプ７６Ｄが配設されている。該半田バンプ７６Ｄは、バイアホール１６０及びバイアホール６０を介してスルーホール３６へ接続されている。
【００３４】
図７のＤ−Ｄ断面、即ち、コア基板３０の表面に形成されたプレーン層３４Ｕの平面を図８に示す。図８のＥ−Ｅ断面が図７に相当する。図８（Ａ）に示すようにプレーン層３４Ｕには、図７中のＩＣチップ９０の搭載される領域に層間樹脂絶縁層を介して対向する領域（以下、「チップ搭載領域」として参照）Ｃの外側に、直径２５０μｍのメッシュ孔３５ａが、ピッチＰ（５６０μｍ）間隔で形成されている。一方、チップ搭載領域Ｃの内側には、瓢箪型のメッシュ孔３５ｂが形成されている。このメッシュ孔３５ｂを拡大して図８（Ｂ）に示す。該メッシュ孔３５ｂ内には、５〜５０μｍの間隙Ｋを設けてスルーホール３６のランド３６ａ及びバイアホール（バイアホールの底部）６０ａが配設されている。このランド３６ａとバイアホールの接続するパッドとは、導体回路３４ｃを介して接続されている。
【００３５】
第１実施形態の多層プリント配線板１０では、プレーン層３４Ｕのチップ搭載領域Ｃにメッシュ孔３５ｂを形成すると共に、当該メッシュ孔３５ｂ内にスルーホール３６のランド３６ａ及びバイアホールが接続するパッド６０ａを設けるため、該ランド３６ａ及びバイアホールが接続するパッド６０ａの外周に設けられたメッシュ孔３６ｂの間隙Ｋにてプレーン層３４Ｕの上層に配設される層間樹脂絶縁層５０と下層に配設される樹脂製コア基板３０とを、直接接触させるので、接着性を高めることができる。また、該ランド３６ａ及びバイアホールが接続するパッド６０ａの外周に設けられたメッシュ孔３５ｂの間隙Ｋを通して、層間樹脂絶縁層５０及びコア基板３０に吸収された水分等からなるガスを発散できるため、層間樹脂絶縁層５０及びコア基板３０の絶縁性を高め、また、層間樹脂絶縁層の剥離を防止することが可能になる。更に、該チップ搭載領域Ｃのメッシュ孔３５ｂ内にランド３６ａ及びバイアホールが接続するパッド６０ａを形成するため、凹凸ができず、当該チップ搭載領域Ｃを平坦にできる。即ち、該チップ搭載領域Ｃにもメッシュ孔３５ａを配設すると、該孔内が凹みとして残り、凹凸が出来るが、本実施形態では、孔内にランド３６ａ及びバイアホールが接続するパッド６０ａを配設することで平坦にできる。なお、図８（Ｃ）に示すようにランド３６ａ及びバイアホールが接続するパッドを一体化して瓢箪型、達磨型、涙滴型にしてもよい。
【００３６】
以下、本発明の第１実施形態に係る多層多層ビルドアップ配線板の製造方法について図を参照して説明する。
ここでは、第１実施形態の多層多層ビルドアップ配線板の製造方法に用いるＡ．無電解めっき用接着剤、Ｂ．層間樹脂絶縁剤、Ｃ．樹脂充填剤、Ｄ．ソルダーレジスト組成物の組成について説明する。
【００３７】
Ａ．無電解めっき用接着剤調製用の原料組成物（上層用接着剤）
〔樹脂組成物▲１▼〕
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製、分子量2500）の25％アクリル化物を80wt％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を35重量部、感光性モノマー（東亜合成製、アロニックスＭ315 ）3.15重量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−65）0.5 重量部、ＮＭＰ 3.6重量部を攪拌混合して得た。
【００３８】
〔樹脂組成物▲２▼〕
ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）12重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、ポリマーポール）の平均粒径 1.0μｍのものを 7.2重量部、平均粒径 0.5μｍのものを3.09重量部、を混合した後、さらにＮＭＰ30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合して得た。
【００３９】
〔硬化剤組成物▲３▼〕
イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）２重量部、光開始剤（チバガイギー製、イルガキュア  Ｉ−907 ）２重量部、光増感剤（日本化薬製、DETX-S）0.2 重量部、ＮＭＰ 1.5重量部を攪拌混合して得た。
【００４０】
Ｂ．層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成物（下層用接着剤）
〔樹脂組成物▲１▼〕
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製、分子量2500）の25％アクリル化物を80wt％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を35重量部、感光性モノマー（東亜合成製、アロニックスＭ315 ）４重量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−65）0.5 重量部、ＮＭＰ 3.6重量部を攪拌混合して得た。
【００４１】
〔樹脂組成物▲２▼〕
ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）12重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、ポリマーポール）の平均粒径 0.5μｍのものを 14.49重量部、を混合した後、さらにＮＭＰ30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合して得た。
【００４２】
〔硬化剤組成物▲３▼〕
イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）２重量部、光開始剤（チバガイギー製、イルガキュア  Ｉ−907 ）２重量部、光増感剤（日本化薬製、DETX-S）0.2 重量部、ＮＭＰ1.5 重量部を攪拌混合して得た。
【００４３】
Ｃ．樹脂充填剤調製用の原料組成物
〔樹脂組成物▲１▼〕
ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル製、分子量310 、YL983U） 100重量部、表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒径 1.6μｍのSiＯ２  球状粒子（アドマテック製、CRS 1101−CE、ここで、最大粒子の大きさは後述する内層銅パターンの厚み（15μｍ）以下とする） 170重量部、レベリング剤（サンノプコ製、ペレノールＳ４）1.5 重量部を攪拌混合することにより、その混合物の粘度を23±１℃で45,000〜49,000cps に調整して得た。
〔硬化剤組成物▲２▼〕
イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）6.5 重量部。
【００４４】
Ｄ．ソルダーレジスト組成物
ＤＭＤＧに溶解させた60重量％のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製）のエポキシ基50％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量4000）を 46.67ｇ、メチルエチルケトンに溶解させた80重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル製、エピコート1001）15.0ｇ、イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）1.6 ｇ、感光性モノマーである多価アクリルモノマー（日本化薬製、Ｒ604 ）３ｇ、同じく多価アクリルモノマー（共栄社化学製、DPE6A ） 1.5ｇ、分散系消泡剤（サンノプコ社製、Ｓ−65）0.71ｇを混合し、さらにこの混合物に対して光開始剤としてのベンゾフェノン（関東化学製）を２ｇ、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学製）を 0.2ｇ加えて、粘度を25℃で 2.0Pa・ｓに調整したソルダーレジスト組成物を得た。
なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器、 DVL-B型）で 60rpmの場合はローターNo.4、６rpm の場合はローターNo.3によった。
【００４５】
引き続き、本発明の第１実施形態に係る多層ビルドアップ配線板の製造工程について図１乃至図６を参照して説明する。この第１実施形態では、多層ビルドアップ配線板をセミアディティブ方により形成する。
【００４６】
（１）図１（Ａ）に示すように厚さ１mmのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板３０の両面に１８μｍの銅箔３２がラミネートされている銅張積層板３０Ａを出発材料とした。まず、この銅張積層板３０Ａをドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、パターン状にエッチングすることによりスルーホール３６及びプレーン層３４Ｕ、３４Ｄを形成し、図１（Ｂ）に示すコア基板３０を形成する。図８を参照して上述したように、プレーン層３４Ｕ、３４Ｄにはメッシュ孔３５ａ、３５ｂが形成され、チップ搭載領域Ｃ内のメッシュ孔３５ｂには、上述したようにスルーホール３６のランド３６ａ、導体回路３４ｃ及びバイアホールの底部６０ａが配設されている。
【００４７】
(2) プレーン層３４およびスルーホール３６を形成した基板３０を水洗いし、乾燥した後、酸化浴（黒化浴）として、NaOH（10ｇ／ｌ），NaClO ２  （40ｇ／ｌ），Na３  PO４  （６ｇ／ｌ）、還元浴として、NaOH（10ｇ／ｌ），NaBH４  （６ｇ／ｌ）を用いた酸化−還元処理により、プレーン層３４Ｕ、３４Ｄおよびスルーホール３６の表面に粗化層３８を設けた（図１（Ｃ）参照）。
【００４８】
(3) Ｃの樹脂充填剤調製用の原料組成物を混合混練して樹脂充填剤を得た。
【００４９】
(4) 前記(3) で得た樹脂充填剤４０を、調製後24時間以内に基板３０の両面にロールコータを用いて塗布することにより、導体回路（プレーン層）３４のメッシュ孔３５ａ、３５ｂ及び、スルーホール３６内に充填し、70℃，20分間で乾燥させ、他方の面についても同様にして樹脂充填剤４０をメッシュ孔３５ａあるいはスルーホール３６内に充填し、70℃，20分間で加熱乾燥させた（図１（Ｄ）参照）。
【００５０】
(5) 前記(4) の処理を終えた基板３０の片面を、＃600 のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いたベルトサンダー研磨により、プレーン層３４Ｕ、３４Ｄの表面やスルーホール３６のランド３６ａ表面に樹脂充填剤４０が残らないように研磨し、次いで、前記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った（図２（Ｅ）参照）。
次いで、100 ℃で１時間、120 ℃で３時間、 150℃で１時間、 180℃で７時間の加熱処理を行って樹脂充填剤４０を硬化した。
【００５１】
このようにして、スルーホール３６等に充填された樹脂充填剤４０の表層部およびプレーン層３４Ｕ、３４Ｄ上面の粗化層３８を除去して基板３０両面を平滑化した上で、樹脂充填剤４０とプレーン層３４Ｕ、３４Ｄの側面とが粗化層３８を介して強固に密着し、またスルーホール３６の内壁面と樹脂充填剤４０とが粗化層３８を介して強固に密着した配線基板を得た。即ち、この工程により、樹脂充填剤４０の表面とプレーン層３４Ｕ、３４Ｄの表面が同一平面となる。
【００５２】
(6) プレーン層３４Ｕ、３４Ｄを形成した基板３０にアルカリ脱脂してソフトエッチングして、次いで、塩化パラジウウムと有機酸からなる触媒溶液で処理して、Ｐｄ触媒を付与し、この触媒を活性化した後、硫酸銅３．２×１０−２ｍｏｌ／ｌ、硫酸ニッケル３．９×１０−３ｍｏｌ／ｌ、錯化剤５．４×１０−２ｍｏｌ／ｌ、次亜りん酸ナトリウム３．３×１０−１ｍｏｌ／ｌ、ホウ酸５．０×１０−１ｍｏｌ／ｌ、界面活性剤（日信化学工業製、サーフィール４６５）０．１ｇ／ｌ、ＰＨ＝９からなる無電解めっき液に浸積し、浸漬１分後に、４秒当たり１回に割合で縦、および、横振動させて、プレーン層３４Ｕ、３４Ｄ、スルーホール３６のランド３６ａ及びバイアホールの底部６０ａの表面にＣｕ−Ｎｉ−Ｐからなる針状合金の被覆層と粗化層４２を設けた（図２（Ｆ）参照）。
【００５３】
さらに、ホウフっ化スズ０．１ｍｏｌ／ｌ、チオ尿素１．０ｍｏｌ／ｌ、温度３５℃、ＰＨ＝１．２の条件でＣｕ−Ｓｎ置換反応させ、粗化層の表面に厚さ０．３μｍＳｎ層（図示せず）を設けた。
【００５４】
(7) Ｂの層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成物を攪拌混合し、粘度1.5 Pa・ｓに調整して層間樹脂絶縁剤（下層用）を得た。
次いで、Ａの無電解めっき用接着剤調製用の原料組成物を攪拌混合し、粘度７Pa・ｓに調整して無電解めっき用接着剤溶液（上層用）を得た。
【００５５】
(8) 前記(6) の基板の両面に、前記(7) で得られた粘度 1.5Pa・ｓの層間樹脂絶縁剤（下層用）４４を調製後24時間以内にロールコータで塗布し、水平状態で20分間放置してから、60℃で30分の乾燥（プリベーク）を行い、次いで、前記(7) で得られた粘度７Pa・ｓの感光性の接着剤溶液（上層用）４６を調製後24時間以内に塗布し、水平状態で20分間放置してから、60℃で30分の乾燥（プリベーク）を行い、厚さ35μｍの接着剤層５０αを形成した（図２（Ｇ）参照）。
【００５６】
(9) 前記(8) で接着剤層を形成した基板３０の両面に、85μｍφの黒円５１ａが印刷されたフォトマスクフィルム５１（図３（Ｈ））を密着させ、超高圧水銀灯により 500mJ／cm２  で露光した。これをＤＭＴＧ溶液でスプレー現像し、さらに、当該基板３０を超高圧水銀灯により3000mJ／cm２  で露光し、100 ℃で１時間、120 ℃で１時間、その後 150℃で３時間の加熱処理（ポストベーク）をすることにより、フォトマスクフィルムに相当する寸法精度に優れた85μｍφの開口（バイアホール形成用開口）４８を有する厚さ35μｍの層間樹脂絶縁層（２層構造）５０を形成した（図３（Ｉ）参照）。なお、バイアホールとなる開口４８には、スズめっき層（図示せず）を部分的に露出させた。
【００５７】
(10)開口４８が形成された基板３０を、クロム酸に19分間浸漬し、層間樹脂絶縁層５０の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、当該層間樹脂絶縁層５０の表面を粗化し（図３（Ｊ）参照）、その後、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。
【００５８】
(11)前記(10)の行程で表面を粗化した基盤３０の表面に、パラジウム触媒（アトテック製）を付与することにより、層間樹脂絶縁層５０の表面に触媒核を付ける。その後、以下に示す組成の無電解銅めっき水溶液中に基板３０を浸漬して、全体に厚さ０．６μｍの無電解めっき膜５２を形成する（図３（Ｋ）参照）。
〔無電解めっき水溶液〕
ＥＤＴＡ              150   ｇ／ｌ
硫酸銅                 20   ｇ／ｌ
ＨＣＨＯ               30   ml／ｌ
ＮａＯＨ               40   ｇ／ｌ
α、α’−ビピリジル   80   mg／ｌ
ＰＥＧ                0.1   ｇ／ｌ
〔無電解めっき条件〕
70℃の液温度で30分
【００５９】
(12)前記(11)で形成した無電解銅めっき膜５２上に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マスクを載置して、100 mJ／cm２  で露光、0.8 ％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ15μｍのめっきレジスト５４を設けた（図３（Ｌ）参照）。
【００６０】
(13)ついで、レジスト非形成部分に以下の条件で電解銅めっきを施し、厚さ15μｍの電解銅めっき膜５６を形成した（図４（Ｍ）参照）。
0004127440.tif 000002
【００６１】
(14)めっきレジスト５４を５％ＫＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト下の無電解めっき膜５２を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して溶解除去し、無電解銅めっき膜５２と電解銅めっき膜５６からなる厚さ18μｍの導体回路５８及びバイアホール６０を形成した（図４（Ｎ））。
【００６２】
(15)(6) と同様の処理を行い、導体回路５８及びバイアホール６０の表面にCu-Ni-P からなる粗化面６２を形成し、さらにその表面にSn置換を行った（図４（Ｏ）参照）。
【００６３】
(16)(7) 〜(15)の工程を繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層１５０及びバイアホール１６０、導体回路１５８を形成することで、多層ビルドアップ配線板を完成する（図４（Ｐ）参照）。なお、この上層の導体回路を形成する工程においては、Ｓｎ置換は行わなかった。
【００６４】
(17)そして、上述した多層ビルドアップ配線板にはんだバンプを形成する。前記(16)で得られた基板３０両面に、上記Ｄ．にて説明したソルダーレジスト組成物７０αを４５μｍの厚さで塗布する（図５（Ｑ））。次いで、70℃で20分間、70℃で30分間の乾燥処理を行った後、円パターン（マスクパターン）が描画された厚さ５mmのフォトマスクフィルム（図示せず）を密着させて載置し、1000mJ／cm２  の紫外線で露光し、DMTG現像処理する。そしてさらに、80℃で１時間、 100℃で１時間、 120℃で１時間、 150℃で３時間の条件で加熱処理し、はんだパッド部分（バイアホールとそのランド部分を含む）に開口（開口径 200μｍ）７１を有するソルダーレジスト層（厚み20μｍ）７０を形成する（図５（Ｒ）参照）。
【００６５】
(18)次に、塩化ニッケル2.31×10−１ｍｏｌ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム2.8 ×10−１ｍｏｌ／ｌ、クエン酸ナトリウム1.85×10−１ｍｏｌ／ｌ、からなるｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に該基板３０を２０分間浸漬して、開口部７１に厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成した。さらに、その基板を、シアン化金カリウム4.1 ×10−２ｍｏｌ／ｌ、塩化アンモニウム1.87×10−１ｍｏｌ／ｌ、クエン酸ナトリウム1.16×10−１ｍｏｌ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム1.7 ×10−１ｍｏｌ／ｌからなる無電解金めっき液に80℃の条件で７分２０秒間浸漬して、ニッケルめっき層上に厚さ0.03μｍの金めっき層７４を形成することで、バイアホール１６０及び導体回路１５８（裏面側のみ図示する）に半田パッド７５を形成する（図５（Ｓ）参照）。
【００６６】
(19)そして、ソルダーレジスト層７０の開口部７１に、半田ペーストを印刷して 200℃でリフローすることにより、半田バンプ（半田体）７６Ｕ、７６Ｄを形成し、多層ビルドアップ配線板１０を完成した（図６参照）。
【００６７】
完成した多層プリント配線板１０の半田バンプ７６Ｕに、ＩＣチップ９０のパッド９２が対応するように載置し、リフローを行いＩＣチップ９０を搭載する。その後、ＩＣチップ９０と多層プリント配線板１０との間に、アンダーフィル８８を充填する。このＩＣチップ９０を搭載した多層プリント配線板１０を、ドータボード９４側のバンプ９６に対応するように載置してリフローを行い、ドータボード９４へ取り付ける。その後、多層プリント配線板１０とドータボード９４との間にアンダーフィル８８を充填する。
【００６８】
引き続き、本発明の第２実施形態について、図９及び図１０を参照して説明する。図９は、第２実施形態の多層プリント配線板１1０の断面図を示している。上述した第１実施形態では、コア基板３０の両面にプレーン層３４Ｕ、３４Ｄが配設されたが、第２実施形態の多層プリント配線板１１０では、層間樹脂絶縁層５０の上にプレーン層５８Ｕ、５８Ｄが形成されている。
【００６９】
即ち、第２実施形態の多層ビルドアップ配線板１１０では、コア基板３０の表面及び裏面に導体回路３４が形成され、導体回路３４の上には、下層側層間樹脂絶縁層５０が形成されている。下層側層間樹脂絶縁層５０の上には、プレーン層５８Ｕ、５８Ｄが形成されている。ここで、表面側（ＩＣチップ側）のプレーン層５８は、電源層として用いられ、裏面側（ドータボード側）のプレーン層５８は、グランド層として用いられる。該プレーン層５８Ｕ、５８Ｄの上側には、上層層間樹脂絶縁層１５０が形成され、バイアホール１６０及び導体回路１５８が配設されている。
【００７０】
図９のＦ−Ｆ断面、即ち、層間樹脂絶縁層５０の表面に形成されたプレーン層５８Ｕの平面を図１０（Ａ）に示す。図１０（Ａ）のＧ−Ｇ断面が図９に相当する。図１０に示すようにプレーン層５８Ｕには、チップ搭載領域Ｃの外側には、直径２００μｍのメッシュ孔５９ａが形成されている。一方、チップ搭載領域Ｃの内側には、瓢箪型のメッシュ孔５９ｂが形成されている。図１０（Ｂ）に該メッシュ孔３５９ｂを拡大して示す。該メッシュ孔５９ｂ内には、数十μｍの間隙Ｋを設けて層間樹脂絶縁層５０に形成されたバイアホール６０及び層間樹脂絶縁層１５０に形成されたバイアホールが接続するパッド（バイアホールの底部）１６０ａが配設されている。即ち、バイアホールのランド６０及びバイアホールの接続するパッド１６０ａが一体に形成されている。
【００７１】
第２実施形態の多層プリント配線板１１０では、プレーン層５８Ｕのチップ搭載領域Ｃにメッシュ孔５９ｂを形成すると共に、当該メッシュ孔５９ｂ内にバイアホールのランド６０、バイアホールを接続するパッド１６０ａを設けるため、該バイアホールのランド６０、バイアホールを接続するパッド１６０ａの外周に設けられたメッシュ孔５９ｂの間隙Ｋにてプレーン層５８Ｕの上層に配設される層間樹脂絶縁層１５０と下層に配設される層間樹脂絶縁層５０とを、直接接触させるので、接着性を高めることができる。また、該バイアホールのランド６０、バイアホールの接続するパッド１６０ａの外周に設けられたメッシュ孔５９ｂの間隙Ｋを通して、層間樹脂絶縁層１５０、５０に吸収された水分等からなるガスを発散できるため、層間樹脂絶縁層５０、１５０の絶縁性を高め、また層間樹脂絶縁層の剥離を防止することが可能になる。更に、該チップ搭載領域Ｃのメッシュ孔５９ｂ内にバイアホールのランド６０、バイアホールの接続するパッド１６０ａを形成するため、凹凸ができず、当該チップ搭載領域Ｃを平坦にできる。なお、図１１（Ｃ）のようにバイアホールのランド６０とバイアホールの接続するパッド１６０ａとの連結部分のくびれを無くし、達磨型、或いは涙滴型の形状にしてもよい。
【００７２】
引き続き、第３実施形態に係る多層プリント配線板の構成について、図１１を参照して説明する
図１１は、コア基板の表面側に形成されたプレーン層３４Ｕを示す平面図である。ここで、図８を参照して上述した第１実施形態では、チップ搭載領域Ｃ内にスルーホールのランド３６ａ及びバイアホールが接続されるパッド６０の配設されるメッシュ孔３５ｂが穿設された。これに対して、第３実施形態では、チップ搭載領域Ｃ内に、該瓢箪型のメッシュ孔３５ｂのみならず、円形のメッシュ孔３５ｃが設けられ、該メッシュ孔３５ｃ内には、ベタ状導体層３４ｄが配設されている。なお、図１１（Ｂ）に示すように、ベタ状導体層３４ｄは、周囲のプレーン層３４Ｕと少なくとも１カ所以上で接続してもよい。
【００７３】
第３実施形態の多層プリント配線板では、プレーン層３４Ｕのチップ搭載領域Ｃにメッシュ孔３５ｃを形成すると共に、当該メッシュ孔３５ｃ内にベタ状導体層３４ｄを設けるため、該ベタ状導体層３４ｄの外周に設けられたメッシュ孔３５ｃの間隙にてプレーン層３４Ｕの上層に配設される層間樹脂絶縁層５０と下層に配設される樹脂製コア基板３０とを、直接接触させるので、接着性を高めることができる。また、該ベタ状導体層３４ｄの外周に設けられたメッシュ孔３５ｃの間隙を通して、層間樹脂絶縁層５０及びコア基板３０に吸収された水分等からなるガスを発散できるため、層間樹脂絶縁層５０及びコア基板３０の絶縁性を高め、また、層間樹脂絶縁層の剥離を防止することが可能になる。更に、該チップ搭載領域Ｃのメッシュ孔３５ｃ内にベタ状導体層３４ｄを形成するため、凹凸ができず、当該チップ搭載領域Ｃを平坦にできる。
【００７４】
引き続き、第４実施形態に係る多層プリント配線板の構成について、図１２を参照して説明する
図１２（Ａ）は、コア基板の表面側に形成されたプレーン層３４Ｕを示す平面図である。ここで、図８を参照して上述した第１実施形態では、チップ搭載領域Ｃ内にスルーホールのランド３６ａ及びバイアホールが接続するパッド６０の配設されるメッシュ孔３５ｂが穿設された。これに対して、第４実施形態では、チップ搭載領域Ｃ内に、円形のメッシュ孔３５ｄが設けられ、該メッシュ孔３５ｄ内には、スルーホールのランド３６ａのみが配設されている。この第４実施形態の層間樹脂絶縁層５０及びコア基板３０の断面を図１２（Ｂ）に示す。第４実施形態では、コア基板３０に形成されたスルーホール３６のランド３６ａの直上にバイアホール６０が形成されている。
【００７５】
第４実施形態の多層プリント配線板では、プレーン層３４Ｕのチップ搭載領域Ｃにメッシュ孔３５ｄを形成すると共に、当該メッシュ孔３５ｄ内にランド３６ａを設けるため、該ランド３６ａの外周に設けられたメッシュ孔３５ｄの間隙にてプレーン層３４Ｕの上層に配設される層間樹脂絶縁層５０と下層に配設される樹脂製コア基板３０とを、直接接触させるので、接着性を高めることができる。また、該ランド３６ａの外周に設けられたメッシュ孔３５ｄの間隙を通して、層間樹脂絶縁層５０及びコア基板３０に吸収された水分等からなるガスを発散できるため、層間樹脂絶縁層５０及びコア基板３０の絶縁性を高め、また、層間樹脂絶縁層の剥離を防止することが可能になる。更に、該チップ搭載領域Ｃのメッシュ孔３４ｄ内にランド３６ａを形成するため、凹凸ができず、当該チップ搭載領域Ｃを平坦にできる。なお、図１２（Ｃ）に示すように、スルーホールのランド３６ａとバイアホール６０とが、スルーホールを覆う導体層（フタメッキ）を３６ｅを介して接続されてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（Ａ）、図１（Ｂ）、図１（Ｃ）、図１（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係る多層ビルドアップ配線板の製造工程図である。
【図２】図２（Ｅ）、図２（Ｆ）、図２（Ｇ）、図２（Ｈ）は、本発明の第１実施形態に係る多層ビルドアップ配線板の製造工程図である。
【図３】図３（Ｉ）、図３（Ｊ）、図３（Ｋ）、図３（Ｌ）は、本発明の第１実施形態に係る多層ビルドアップ配線板の製造工程図である。
【図４】図４（Ｍ）、図４（Ｎ）、図４（Ｏ）、図４（Ｐ）は、本発明の第１実施形態に係る多層ビルドアップ配線板の製造工程図である。
【図５】図５（Ｑ）、図５（Ｒ）、図５（Ｓ）は、本発明の第１実施形態に係る多層ビルドアップ配線板の製造工程図である。
【図６】本発明の第１実施形態に係る多層ビルドアップ配線板の断面図である。
【図７】本発明の第１実施形態に係る多層ビルドアップ配線板の断面図である。
【図８】図８（Ａ）は、図７のＤ−Ｄ断面図であり、図８（Ｂ）は、図８（Ａ）のメッシュ孔の拡大図であり、図８（Ｃ）は、改変例に係るメッシュ孔の拡大図である。
【図９】本発明の第２実施形態に係る多層ビルドアップ配線板の断面図である。
【図１０】図１０（Ａ）は、図９のＦ−Ｆ断面図であり、図１０（Ｂ）は、図１０（Ａ）に示すメッシュ孔の拡大図であり、図１０（Ｃ）は、改変例に係るメッシュ孔の拡大図である。
【図１１】図１１（Ａ）は、本発明の第３実施形態に係る多層ビルドアップ配線板のプレーン層の平面図であり、図１１（Ｂ）は、図１１（Ａ）に示すメッシュ孔の改変例の拡大図である。
【図１２】図１２（Ａ）は、本発明の第４実施形態に係る多層ビルドアップ配線板のプレーン層の平面図であり、図１２（Ｂ）は、該多層プリント配線板の断面図であり、図１２（Ｃ）は、改変例に係る多層プリント配線板の断面図である。
【図１３】図１３（Ａ）及び図１３（Ｂ）は、従来技術に係る多層ビルドアップ配線板のプレーン層の平面図である。
【符号の説明】
３０  コア基板
３４Ｕ、３４Ｄ  プレーン層
３４ｄ  ベタ層
３５ａ、３５ｂ、３５ｃ、３５ｄ  メッシュ孔
３６  バイアホール
３６ａ  バイアホールのランド
５０  層間樹脂絶縁層
５８  導体回路
５８Ｕ、５８Ｄ  プレーン層
５９ａ、５９ｂ  メッシュ孔
６０  バイアホール
６０ａ  バイアホールの底部（バイアホールが接続するパッド）
１５０  層間樹脂絶縁層
１６０  バイアホール
１６０ａ  バイアホールの底部
【図１】
0004127440.tif 000003
【図２】
0004127440.tif 000004
【図３】
0004127440.tif 000005
【図４】
0004127440.tif 000006
【図５】
0004127440.tif 000007
【図６】
0004127440.tif 000008
【図７】
0004127440.tif 000009
【図８】
0004127440.tif 000010
【図９】
0004127440.tif 000011
【図１０】
0004127440.tif 000012
【図１１】
0004127440.tif 000013
【図１２】
0004127440.tif 000014
【図１３】
0004127440.tif 000015