【事件の表示】
　平成１年特許願第１６８２３７号「面発光レーザおよび光検出器を有するハイブリッド・デバイス」拒絶査定に対する審判事件（平成２年２月２２日出願公開、特開平２−５２４８７）について、次のとおり審決する。
【結論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理由】
（手続の経緯、請求項に係る発明）
　この出願は、平成１年６月２９日（パリ条約による優先権主張１９８８年６月３０日）の出願であって、請求項１乃至請求項３に係る発明は、平成９年１０月９日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至請求項３に記載されたとおりのものと認められ、請求項１には、
「レーザ出力をモニタする光検出器および少なくとも１個の複数象限光検出器を有する第１半導体チップと、面発光レーザを有する第２半導体チップとを備え、
（ａ）前記レーザ出力モニタ用光検出器が前記面発光レーザの出力をモニタすることができ、且つ、（ｂ）前記複数象限光検出器が前記面発光レーザから出るレーザビームが出る位置から片側にずれており、かつ反射および回折後の該レーザビームを受ける配置となるよう、
　前記第２半導体チップが前記第１半導体チップに取り付けられていることを特徴とするハイブリッド・デバイス。」
と記載されている。
（引用例）
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された特開昭６１−２２５８８６号公報（以下、第１引用例という。）には、
「半導体基板の一面に半導体レーザ素子が設けられ、半導体基板の上記半導体レーザ素子と近接した位置に該半導体レーザ素子からのレーザビームをその光軸が半導体基板と垂直となるように反射する傾斜面が形成され、該傾斜面のまわりにサーボ用フォトデテクタを構成するフォトダイオード素子が設けられてなることを特徴とする半導体レーザ装置。」（特許請求の範囲）、
「１は半導体基板、２は傾斜した反射面で半導体基板１の略中央部に形成されており、この傾斜した反射面は結晶方向の適宜な選択に基づく異方性エッチングにより形成され、半導体基板１表面に対して略４５°の傾斜角度を有している。３は反射面２の下端部とＶ状溝４を介して連なるレーザ素子固着面で、半導体基板１表面と平行に反射面２から遠去かる方向に延びている。５は該レーザ素子固着面３の反射面２側の領域に形成された半田層で、該半田層５上に半導体レーザ素子６がボンディングされている。７はその半導体レーザ素子６の活性層である。該半導体レーザ素子６はそのレーザビーム出射端面８が反射面２側を向くような向きでにボンディングされる。レーザ素子固着面３の半導体レーザ素子ボンディング部の後側（即ち、モニター用レーザビーム出射端面９側）にはモニター用レーザビームを受光するＡＰＣ用フォトダイオード素子１０が形成されている。１１はサーボ用４分割フォトデテクタで、４つのフォトダイオード素子１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄからなる。この４つのフォトダイオード素子１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄは反射面２のまわりに形成されており、従って、該サーボ用フォトデテクタ１１の中心は半導体レーザ素子６からのレーザビームを反射する反射面２上に位置している。」（公報第２頁右下欄第１０行〜第３頁左上欄第１６行）、
「半導体レーザ素子６から出射され反射面２にて反射され図示しないレーザディスクに照射されたレーザビームは、レーザディスクにて反射されて半導体レーザ装置側に帰還する。そして、この帰還したレーザビームの半導体レーザ装置表面上における断面形状は焦点が合っているか否かによって変化し、焦点が合っているときは真円になり、焦点が合っていないときは楕円になる。そして、焦点が合っていない場合において焦点が近すぎるときと遠すぎるときとで１３ａ、１３ｂに示すように楕円の長径の向きが異なる。」（公報第３頁左上欄第１８行〜右上欄第９行）と記載されており、
　第１図には、楕円１３ａ、１３ｂは、反射面２、フォトダイオード素子１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ及び半導体レーザ素子６と重なっているが、ＡＰＣ用フォトダイオード素子１０には重なっていないことが示されている。
　したがって、第１引用例には、
「半導体基板の一面にボンディングされた半導体レーザ素子と、半導体基板の上記半導体レーザ素子と近接した位置に形成され、該半導体レーザ素子からのレーザビームをその光軸が半導体基板と垂直となるように反射する傾斜面と、該半導体レーザ素子からのモニター用レーザビームを受光するＡＰＣ用フォトダイオード素子と、サーボ用４分割フォトデテクタを構成する４つのフォトダイオード素子が設けられてなる半導体レーザ装置」の発明が記載されている。
　また、同じく原査定の拒絶の理由に引用された特開昭６３−２４１３２号公報（以下、第２引用例という。）には、
「大抵の市販のレーザーはそのレーザー放射機構の背後に光検出器を含み、レーザーチップの前面で放射した光の強さを監視している。この監視用光検出器が生じる信号を使って一定のレーザ出力を維持する。ある応用例で注目されたことは、レーザーから放射された小量の光がレーザーチップに戻されると、それは後方の光検出器により検出するレーザ出力の変動を生じるということである。」（公報第２頁左下欄第８行〜第１６行）、
「第３図は本発明による半導体レーザーと光検出器との組合せ装置３０の正面図である。半導体レーザーダイオード３２をヒートシンク３４の面に取付けてある。・・・光検出器４４を第１図及び第２図の光検出器２４と同じように僅かに傾ける。４象限光検出器４８をヒートシンク３４の面に取り付ける。・・・光検出器４８は半導体レーザー３２の正面と同じ面内にあるか、又は少なくともその面の焦点深度内にある。レーザーを装置に使用するとき、レーザーから放射した光は半導体レーザーの前面と背面との両方から放射される。・・・レンズを使用してこのビームをコリメートすなわち平行光線とすることができる。反射ビームもレンズを通り、そして光検出器４８に収斂する。」（公報第３頁右上欄第１９行〜右下欄第１０行）、
「第４図は本発明による半導体レーザーと光検出器の組合せ装置の第２実施例の正面図である。第３図の実施例と同様に、半導体レーザー３２をヒートシンク３４に取り付け、そして後部光検出器４４を設ける。この実施例では、２つの４象限光検出器６２、６４を使用している。」（公報第３頁右下欄第２０行〜第４頁左上欄第５行）と記載されており、
　第４図には、半導体レーザー３２から発光するレーザービームの光軸に対して光検出器６２、６４を対称的に配置していることが示されている。
（対比）
　そこで、本願の請求項１に係る発明（以下、本願発明という。）と第１引用例に記載された発明（以下、引用発明という。）とを対比すると、引用発明の「ＡＰＣ用フォトダイオード素子」、「サーボ用４分割フォトデテクタ」、「半導体基板」及び「半導体レーザ素子」は、本願発明の「レーザ出力をモニタする光検出器」、「複数象限光検出器」、「半導体チップ」に相当し、引用発明は「半導体レーザ素子からのレーザビームをその光軸が半導体基板と垂直となるように反射する傾斜面」を有しているから、面発光レーザであり、また、ハイブリッド・デバイスといえるから、両者は、
「レーザ出力をモニタする光検出器および少なくとも１個の複数象限光検出器と、面発光レーザを形成する２枚の半導体チップと、
（ａ）前記レーザ出力モニタ用光検出器が前記面発光レーザの出力をモニタすることができ、且つ、
（ｂ）前記複数象限光検出器が反射および回折後の該レーザビームを受ける配置となるよう、
　半導体レーザが形成された半導体チップが他の半導体チップに取り付けられていることを特徴とするハイブリッド・デバイス。」である点で一致しており、
▲１▼２枚の半導体チップが、本願発明では、「レーザ出力をモニタする光検出器および少なくとも１個の複数象限光検出器を有する第１半導体チップ」と、「面発光レーザを有する第２半導体チップ」であるのに対し、引用発明では、「レーザビームを反射する傾斜面と、ＡＰＣ用フォトダイオード素子と、サーボ用４分割フォトデテクタが設けられた半導体基板」と、「半導体レーザ素子」である点、
▲２▼複数象限光検出器が、本願発明では、「レーザビームが出る位置から片側にずれて」いるのに対し、引用発明では、「中心は半導体レーザ素子からのレーザビームを反射する反射面上に位置している」点、
で相違している。
（当審の判断）
　上記各相違点について検討する。
相違点▲１▼について
　相違点▲１▼は、本願発明では、「半導体レーザ素子からのレーザビームをその光軸が半導体基板と垂直となるように反射する傾斜面」を半導体レーザを形成した半導体チップ上に設けて、面発光レーザを１つの半導体チップ上で形成したのに対し、引用発明では、半導体レーザ素子と、反射面とを別のチップ上に形成した、というものである。
　しかしながら、半導体レーザ素子と、反射面とを同一のチップ上に形成し、面発光レーザを１つの半導体チップ上で形成することは、本件出願前周知である（実願昭５８−２６３１７号（実開昭５８−１６２６６０号）のマイクロフィルム、特開昭６１−２９０７８８号公報、原査定の拒絶理由の理由に引用された特開昭６２−５８４３２号公報参照）。
　そして、引用発明において、前記周知技術を適用して、反射面を、半導体レーザを形成した半導体チップ上に設け、面発光レーザを１つの半導体チップ上に形成しようとすることを妨げる要因は見出せない。
相違点▲２▼について
　本願発明において、上記相違点▲２▼に係る構成要件を具備せしめているのは、複数象限光検出器に入射する光がレーザ出力モニタ用光検出器に入射する後部発光を干渉しないようにし、発光エネルギーを正確にモニタするためであると認められるが、レーザ出力モニタ用光検出器を使用してレーザ出力を制御する際に、発光エネルギーを正確にモニタするために、モニタ用光検出器に外乱光が入射することを防止しようとすることは、当業者にとって自明の課題であり、第１引用例においても、第１図の１３ａ、１３ｂを参照すると、４象限光検出器に入射する光が、モニタ用光検出器に入射するような配置とはなっていない。
　そして、第２引用例には、上記の如く、第４図に、半導体レーザー３２から発光するレーザービームの光軸に対して光検出器６２、６４を対称的に配置することが示されており、これは、本願の面発光レーザと光検出器３０、３２との配置関係と同じものであるから、「レーザビームが出る位置から片側にずれて」いる配置ということができ、このように複数象限光検出器を、レーザビームが出る位置から片側にずれて配置した場合には、戻り光を防止できると共に、複数象限光検出器に入射する光がモニタ用光検出器に入射することを防止できることも明らかである。
　してみれば、引用発明において、複数象限光検出器に入射する光がレーザ出力モニタ用光検出器に入射することを防止するために、複数象限光検出器を、第２引用例に示された、レーザビームが出る位置から片側にずれている配置とすることに格別の困難性は認められない。
（むすび）
　したがって、本願発明は、第１引用例、第２引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。