【事件の表示】
平成８年　特　許　願　第１０９７９１号「半導体装置の製造方法」拒絶査定に対する審判事件（平成８年１１月１２日出願公開、特開平　８−２９８２６２）について、次のとおり審決する。
【結論】
本件審判の請求は、成り立たない。
【理由】
Ｉ　本願発明
　本願は、昭和６０年５月３１日に出願した特願昭６０−１１８６９３号（優先権主張１９８４年６月１日，アメリカ国）の一部を平成８年４月３０日に新たな特許出願としたものであって、その発明の要旨は、平成１０年８月１７日付け手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の【請求項１】に記載された次のとおりのものと認める。
　「チャンバ内に取り付けられた、複数のガス出口を備えた上部側電極部と、前記チャンバ内に取り付けられた、前記上部側電極部と対向して配置される下部側電極部と、前記上部側電極部および下部側電極部間に交流電圧を印加する第１の印加手段と、前記上部側電極部に混合ガスを供給する手段と、前記下部側電極部にバイアス電圧を印加する第２の印加手段と、チャンバ内のガスを排出する排出手段とを有する半導体製造装置を用いて半導体装置を製造する方法であって、
　基板上に段部が形成された単一の半導体基板を前記下部側電極部に取り付け、前記単一の半導体基板の上方には前記上部側電極部の複数のガス出口が位置し、
前記排出手段によりチャンバ内を所定の圧力に保持し、
前記上部側電極部の複数の出口から排出される混合ガスを前記第１の印加手段によりプラズマ化し、前記単一の半導体基板の前記段部を含む領域上に誘電物質をデポジットすると同時に、前記第２の印加手段によりデポジットされた誘電物質のバックスパッタリングを行い、
　前記半導体基板の前記段部を含む領域上に平坦化処理された前記誘電物質の膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。」（以下「本願発明」という。）
ＩＩ　引用刊行物に記載された発明
　原査定の拒絶の理由に引用した本願の出願前に頒布された特開昭５８−１６６９２９号公報（以下「引用刊行物」という。）には、「被処理物が収容された反応容器内へ、気相成長用反応ガスとともにスパッタリング用ガスを導入して、前記被処理物上への皮膜の形成をスパッタエッチングを伴って行うことを特徴とする化学的気相成長方法」（特許請求の範囲）が記載されている。かかる方法の実施例が第２図及び第３図（第３頁）に示され、また、「第２図に示したように基板２上に厚さ約１．０〔μｍ〕のアルミ配線４を形成した試料を、
第３図に示す装置に挿入する。第３図を参照すると、気密を保つことができる容器１２内に対向電極１４，１６があり、その一方の電極１６側に試料１８を配置する。この対向電極１４，１６間には電源２０で高周波電圧を印加することができ、試料１８には電極１６との間にユニット２２でバイアスをかけることができるようにされている。また、容器には排気系２４によって減圧または真空にすることができなければならない。これは高周波で不活性ガス（通常希ガス）をプラズマ化するために必要である。また、
容器１２には反応気体や不活性ガスを導入する入口２６が設けられている。・・・・モノシラン０．０２モル〜０．１モル、酸素６モルと共にスパッタ用気体としてアルゴン５モル〜１０モルの割合の気体をそれぞれ容器１２に導入する。・・・・ＳｉＯ２が試料１８の基板２及びアルミ配線４上に析出する。同時に、容器１２内を０．５〜１．０〔Ｔｏｒｒ〕に減圧し、対向電極１４，１６間に−５０〜−１５０Ｖ〕、１３．５６〔ＭＨＺ〕高周波電圧を印加すると、アルゴンガスがプラズマ化し、試料１８上の析出ＳｉＯ２を打ち、スパッタエッチングが行なわれる。プラズマ化したアルゴンはバイアス電圧によって試料１８に引かれるので、基板２の表面を上から直角に打つことになり、ス
テップ４上に析出しているＳｉＯ２の傾斜面（例えば第１図６ａ）は最終的に約４５°の傾斜で安定化する（第２図６ｂ参照）。」（第２頁左上欄第１２行〜左下欄第１２行）とも記載されている。
　上記各記載から、この引用刊行物には、「容器１２内に取り付けられた電極１４と、前記容器１２内に取り付けられた、前記電極１４と対向して配置される電極１６と、対向電極１４，１６間に高周波電圧を印加する電源２０と、前記容器１２内に気相成長用反応ガス（モノシラン及び酸素）及びスパッタリング用ガス（アルゴン）を供給するガス入口２６と、電極１６にバイアスを印加するユニット２２と、容器１２内を減圧または真空にすることができる排気系２４とを有する装置を用いて行なう化学的気相成長方法であって、基板２上にアルミ配線（ステップ）４が形成された試料１８を電極１６上に取り付け、容器１２内を０．５〜１．０〔Ｔｏｒｒ〕に減圧し、対向電極１４，１６間に高周波電圧を印加してアルゴンをプラズマ化し、基板２のステップ４を含む領域上にＳｉＯ２を析出させると同時に、バイアス電圧によって析出ＳｉＯ２を打つことによりスパッタエッチングを行い、基板２のステップ４を含む領域上に約４５°の傾斜で安定化した傾斜面を有するＳｉＯ２膜を形成する化学的気相成長方法」が実質的に記載されているものと認められる。
ＩＩＩ　対比・判断
　本願発明と上記引用刊行物に記載された発明（以下「引用発明」という。）とを対比する。
　ａ）　引用発明における「化学的気相成長方法」を半導体装置の製造に適用できることは明らかであるから、引用発明の「化学的気相成長方法」は、実質的に、本願発明の「半導体装置の製造方法」に相当する。
　ｂ）　引用発明における「容器１２」、「電極１４」、「電極１６」、「高周波電圧を印加する電源２０」、「気相成長用反応ガス及びスパッタリング用ガス」、「ユニット２２」、「アルミ配線（ステップ）４」、「０．５〜１．０〔Ｔｏｒｒ〕」、「アルゴンをプラズマ」、「ＳｉＯ２を析出させる」、「スパッタエッチング」及び「約４５°の傾斜で安定化した傾斜面を有するＳｉＯ２膜を形成」は、本願発明における「チャンバ」、「上部側電極部」、「下部側電極部」、「交流電圧を印加する第１の印加手段」、「混合ガス」、「第２の印加手」、「段部」、「所定の圧力」、「混合ガスをプラズマ化」、「誘電物質をデポジットする」、「バックスパッタリング」及び「平坦化処理された誘電物質の膜を形成」に、それぞれ、相当する。
　ｃ）　本願発明では、被処理物を「単一の」半導体基板と規定しているが、引用発明でも、第３図からみて、被処理物を「単一の」（半導体）基板としているものと認められる。
　してみると、両者は、「チャンバ内に取り付けられた上部側電極部と、前記チャンバ内に取り付けられた、前記上部側電極部と対向して配置される下部側電極部と、前記上部側電極部および下部側電極部間に交流電圧を印加する第１の印加手段と、混合ガスを供給する手段と、前記下部側電極部にバイアス電圧を印加する第２の印加手段と、チャンバ内のガスを排出する排出手段とを有する半導体製造装置を用いて半導体装置を製造する方法であって、基板上に段部が形成された単一の半導体基板を前記下部側電極部に取り付け、前記排出手段によりチャンバ内を所定の圧力に保持し、混合ガスを前記第１の印加手段によりプラズマ化し、前記単一の半導体基板の前記段部を含む領域上に誘電物質をデポジットすると同時に、前記第２の印加手段によりデポジットされた誘電物質のバックスパッタリングを行い、前記半導体基板の前記段部を含む領域上に平坦化処理された前記誘電物質の膜を形成する半導体装置の製造方法。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　『本願発明では、「複数のガス出口を備えた上部側電極部を有しており、上記複数のガス出口は単一の半導体基板の上方に位置し、かつ、上記複数のガス出口から混合ガスが排出（供給）される構成」（以下「上部側電極部に設けた複数のガス出口からガスの供給を行なう構成」という。）とするのに対し、引用発明では（第３図からみて）かかる構成ではなく、チャンバ側面からガスの供給を行なう構成としている点。』
　そこで、上記相違点について検討する。
　チャンバ内に単一の半導体基板を配置して処理を行なう平行平板型の半導体製造装置であって、「上部側電極部に設けた複数のガス出口からガスの供給を行なう構成」としたものは当業者に周知慣用（必要ならば、特開昭５７−１５５７２２号公報、特開昭５９−４０２８号公報参照。）であるとともに、かかる構成を有する装置が、「基板上に一様（均一）な膜厚を形成するのに適する」ことも周知《日本学術振興会薄膜第１３１委員会編「薄膜ハンドブック」オーム社（昭５８−１２−１０）ｐ．２４６》であるから、引用発明において、より均一な膜厚の絶縁膜（ＳｉＯ２膜）を形成するために、チャンバ側面からガスの供給を行なう構成に代えて、上部側電極部に設けた複数のガス出口からガスの供給を行なう構成とすることは、当業者にとって格別の創意を要するものとは認められない。
ＩＶ　むすび
　したがって、本願発明は、上記引用刊行物に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。