【事件の表示】
　特許第６０９５０５４号発明「低曇価透明導体」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６０９５０５４号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１〜７〕，８，９，１０について訂正することを認める。
　特許第６０９５０５４号の請求項１，３〜１０に係る特許を維持する。
　特許第６０９５０５４号の請求項２に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第６０９５０５４号（以下、「本件特許」という。）の請求項１〜１０に係る特許についての出願は、２０１１年（平成２３年）１月１４日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理　２０１０年１月１５日，米国（ＵＳ））を国際出願日とする出願であって、平成２９年２月２４日に特許権の設定登録がされ、同年３月１５日に特許掲載公報が発行され、同年９月１５日付けで請求項１〜１０の全請求項に対し、特許異議申立人である小松一枝及び前田知子（以下、「申立人」という。）によって特許異議の申立てがされ、同年１０月３１日付けで当審から特許権者に対して取消理由が通知され、平成３０年１月２６日付けで特許権者から意見書の提出とともに訂正請求がされ、同年３月２９日付けで申立人から意見書が提出され、さらに、同年４月１９日付けで当審から特許権者に対して取消理由が通知され、同年７月１９日付けで特許権者から意見書の提出とともに訂正請求（以下、「本件訂正請求」という。）がされ、同年９月７日付けで申立人から意見書が提出されたものである。
　なお、本件訂正請求がされたため、同年１月２６日付けの訂正請求は、特許法第１２０条の５第７項の規定により取り下げられたものとみなす。
第２　訂正の適否について
　１　本件訂正請求の趣旨
　本件訂正請求の趣旨は、「特許第６０９５０５４号の特許請求の範囲を本訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項１〜１０について訂正することを求める。」というものである。
　２　訂正事項
　本件訂正請求に係る訂正（以下、「本件訂正」という。）の内容は、以下の訂正事項１〜１０のとおりである。なお、下線は訂正箇所を示すために当審において付したものである。
（１）訂正事項１
　ア　請求項１の「前記透明導体の曇価が１．５％未満であり」を「前記透明導体の曇価が
１．２９％以上
　イ　請求項１の「波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの光における光透過率が９０％を超え」を「波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの光における光透過率が９０％超
９１．４％以下であり
　ウ　請求項１の「シート抵抗が５０オーム／スクエア未満であり」を「シート抵抗が
３０オーム／スクエア以上
　エ　請求項１の「前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体の９９％超が直径５５ｎｍ以下であり」を「前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体の９９％超が直径
１５ｎｍ超
（２）訂正事項２
　請求項２を削除する。
（３）訂正事項３
　請求項３の「請求項１、又は２に記載の透明導体」を「請求項
１に
（４）訂正事項４
　請求項４の「請求項１、又は２に記載の透明導体」を「請求項
１に
（５）訂正事項５
　請求項５の「請求項１、又は２に記載の透明導体」を「請求項
１に
（６）訂正事項６
　請求項６の「請求項１、又は２に記載の透明導体」を「請求項
１に
（７）訂正事項７
　請求項７の「請求項１、又は２に記載の透明導体」を「請求項
１に
（８）訂正事項８
　請求項８の「前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体の平均直径が２６〜３２ｎｍであり、標準偏差が４〜６ｎｍの範囲である、請求項１、又は２に記載の透明導体。」を「
複数の導電性の銀ナノ構造体を含む透明導体であって、前記透明導体の曇価が１．０％以上１．５％未満であり、波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの光における光透過率が９０％を超え、シート抵抗が３０オーム／スクエア以上５０オーム／スクエア未満であり、　前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体は、少なくともアスペクト比が１０であり、　前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体の９９％超が直径１５ｎｍ超５５ｎｍ以下であり、　前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体の９５％超が５〜３０μｍの長さであり、
、透
（ただし、前記光透過率と前記曇価は、曇価が０．０４％で前記光透過率が９３．４％の基板を含む測定により得られた値である）
（９）訂正事項９
　請求項９の「前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体の平均直径が２９ｎｍであり、標準偏差が４〜５ｎｍの範囲である、請求項１、又は２に記載の透明導体。」を「
複数の導電性の銀ナノ構造体を含む透明導体であって、前記透明導体の曇価が１．０％以上１．５％未満であり、波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの光における光透過率が９０％を超え、シート抵抗が３０オーム／スクエア以上５０オーム／スクエア未満であり、　前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体は、少なくともアスペクト比が１０であり、　前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体の９９％超が直径１５ｎｍ超５５ｎｍ以下であり、　前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体の９５％超が５〜３０μｍの長さであり、
、透
（ただし、前記光透過率と前記曇価は、曇価が０．０４％で前記光透過率が９３．４％の基板を含む測定により得られた値である）
（１０）訂正事項１０
　請求項１０の「前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体の平均長さが１０〜２２μｍであり、前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体の平均直径が２６〜３２ｎｍであり、標準偏差が４〜６ｎｍの範囲である、請求項１、又は２に記載の透明導体。」を「
複数の導電性の銀ナノ構造体を含む透明導体であって、前記透明導体の曇価が１．０％以上１．５％未満であり、波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの光における光透過率が９０％を超え、シート抵抗が３０オーム／スクエア以上５０オーム／スクエア未満であり、　前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体は、少なくともアスペクト比が１０であり、　前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体の９９％超が直径１５ｎｍ超５５ｎｍ以下であり、　前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体の９５％超が５〜３０μｍの長さであり、
、透
（ただし、前記光透過率と前記曇価は、曇価が０．０４％で前記光透過率が９３．４％の基板を含む測定により得られた値である）
　３　一群の請求項について
　本件訂正前の請求項１〜１０は、請求項２〜１０が、本件訂正請求の対象である請求項１を引用する関係にあるから、本件訂正は、一群の請求項１〜１０について請求されたものであり、特許法第１２０条の５第４項の規定に適合する。
　また、特許権者は、本件訂正後の請求項８，９，１０に係る訂正について、本件訂正が認められるときに、請求項１〜７とは別の訂正単位として扱われることを求めている。
　４　訂正要件の検討
（１）訂正の目的の適否、新規事項の有無、特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　ア　訂正事項１について
（ア）訂正の目的の適否、特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　訂正事項１に係る本件訂正は、上限値のみが特定されていた「透明導体の曇価」の範囲を、下限値の特定（１．２９％以上）によって限定し、下限値のみが特定されていた「透明導体」の「波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの光における光透過率」の範囲を、上限値の特定（９１．４％以下）によって限定し、上限値のみが特定されていた「透明導体」の「シート抵抗」の範囲を、下限値の特定（３０オーム／スクエア以上）によって限定し、さらに、上限値のみが特定されていた「透明導体に含まれる」「銀ナノ構造体の９９％超」の「直径」範囲を、下限値の特定（１５ｎｍ超）によって限定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。
（イ）新規事項の有無
　ａ　本件特許の願書に添付された明細書及び図面（以下、「本件明細書等」という。）には、「透明導体」のシート抵抗と曇価及び光透過率との関係について、「図７は、薄膜の曇価と抵抗の逆相関を示す。抵抗が増加するにつれ（すなわち、より少数のナノワイヤが存在すると）、散乱の低下に起因して曇価が低下する」（【０１６４】）、「図８は、薄膜の透過率と抵抗の正相関を示す。抵抗が増加するにつれ（すなわち、より少数のナノワイヤが存在すると）、透過率が増加する」（【０１６５】）と記載されており、上記記載によれば、ナノワイヤを少数にしてシート抵抗を増加させると、曇価は低くなり、透過率は高くなること、すなわち、シート抵抗の増加（又は低減）と、曇価及び光透過率の改善（又は劣化）との間には、トレードオフの関係があるものと認められる。
　ここで、本件明細書等には、「シート抵抗が約３０〜５０オーム／スクエアである、透明導体」（【００１４】，【００４１】）という記載があり、上記トレードオフの関係によれば、このシート抵抗の範囲では、シート抵抗が下限値の「約３０」「オーム／スクエア」である場合に、曇価が最大になり、光透過率が最小となるところ、これらの値に関し、本件明細書等に記載された「実施例」のうち、シート抵抗が最も低い「３２オーム／□」である場合（表５バッチ１の第１行目）について見てみると、それぞれ、曇価は１．２９％、光透過率は９１．４％となっている。
　そして、上記の曇価（１．２９％）は、シート抵抗が３２オーム／□である場合に低くできる限界値（下限値）であるということができ、同様に、光透過率（９１．４％）は、シート抵抗が３２オーム／□である場合に高くできる限界値（上限値）であるということができ、さらに、３２オーム／□というシート抵抗は、上記記載の「約３０」「オーム／スクエア」とほぼ同等の値であるといえるから、本件明細書等には、「透明導体」のシート抵抗が「約３０〜５０オーム／スクエア」の範囲で、曇価が１．２９％以上、光透過率が９１．４％以下の範囲の「透明導体」が、実質的に記載されているものと認められる。
　ｂ　また、本件明細書等に記載された「実施例」では「精製プロセス」で「直径１５ｎｍ以下のほぼすべての銀ナノワイヤを除去」しており（【０１５１】）、３つの異なるバッチで調製された銀ナノワイヤの直径分布を示す【表３】（【０１５６】）には、バッチ１〜３のいずれも、０〜５ｎｍ、５〜１０ｎｍ、１０〜１５ｎｍ、５５〜６０ｎｍの値域範囲は全て０％であることが示されているから、本件明細書等には、「銀ナノ構造体の９９％超が直径１５ｎｍ超〜５５ｎｍ以下」であることが記載されているものと認められる。
　ｃ　以上によれば、訂正事項１に係る本件訂正は、本件明細書等に記載した事項の範囲内のものであるから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。
　イ　訂正事項２について
　訂正事項２に係る本件訂正は、請求項２を削除するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合し、本件明細書等に記載した事項の範囲内のものであるから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。
　ウ　訂正事項３〜７について
　訂正事項３〜７に係る本件訂正は、訂正事項２に係る本件訂正（請求項２の削除）に伴って、請求項２を引用しないものとする訂正であるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合し、本件明細書等に記載した事項の範囲内のものであるから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。
　エ　訂正事項８について
（ア）訂正の目的の適否、特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　訂正事項８に係る本件訂正は、請求項８について、請求項２を引用しないものとした上で、請求項１を引用するものについて、請求項１の記載を引用しない記載にするとともに、上限値のみが特定されていた「透明導体の曇価」の範囲を、下限値の特定（１．０％以上）によって限定し、上限値のみが特定されていた「透明導体」の「シート抵抗」の範囲を、下限値の特定（３０オーム／スクエア以上）によって限定し、さらに、上限値のみが特定されていた「透明導体に含まれる」「銀ナノ構造体の９９％超」の「直径」の範囲を、下限値の特定（１５ｎｍ超）によって限定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第４号及び第１号に掲げる「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」及び「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。
（イ）新規事項の有無
　ａ　本件明細書等には、「別の一実施形態は、複数の導電性ナノ構造体を含む透明導体であって、透明導体の曇価が約１．０〜１．５％であり、シート抵抗が約３０〜５０オーム／スクエアである、透明導体を提供する。」（【００１４】，【００４１】）と記載されている。
　ｂ　また、本件明細書等の「実施例」では「精製プロセス」で「直径１５ｎｍ以下のほぼすべての銀ナノワイヤを除去」しており（【０１５１】）、３つの異なるバッチで調製された銀ナノワイヤの直径分布を示す【表３】（【０１５６】）には、バッチ１〜３のいずれも、０〜５ｎｍ、５〜１０ｎｍ、１０〜１５ｎｍ、５５〜６０ｎｍの値域範囲は全て０％であることが示されているから、本件明細書等には、「銀ナノ構造体の９９％超が直径１５ｎｍ超〜５５ｎｍ以下」であることが記載されているものと認められる。
　ｃ　したがって、訂正事項８に係る本件訂正は、本件明細書等に記載した事項の範囲内のものであるから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。
　オ　訂正事項９について
　訂正事項９に係る本件訂正は、請求項９について、請求項２を引用しないものとした上で、請求項１を引用するものについて、請求項１の記載を引用しない記載にするとともに、上限値のみが特定されていた「透明導体の曇価」の範囲を、下限値の特定（１．０％以上）によって限定し、上限値のみが特定されていた「透明導体」の「シート抵抗」の範囲を、下限値の特定（３０オーム／スクエア以上）によって限定し、さらに、上限値のみが特定されていた「透明導体に含まれる」「銀ナノ構造体の９９％超」の「直径」の範囲を、下限値の特定（１５ｎｍ超）によって限定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第４号及び第１号に掲げる「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」及び「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。
　また、訂正事項９に係る本件訂正は、前記エ（イ）で検討したとおりの理由により、本件明細書等に記載した事項の範囲内のものであるから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。
　カ　訂正事項１０について
　訂正事項１０に係る本件訂正は、請求項１０について、請求項２を引用しないものとした上で、請求項１を引用するものについて、請求項１の記載を引用しない記載にするとともに、上限値のみが特定されていた「透明導体の曇価」の範囲を、下限値の特定（１．０％以上）によって限定し、上限値のみが特定されていた「透明導体」の「シート抵抗」の範囲を、下限値の特定（３０オーム／スクエア以上）によって限定し、さらに、上限値のみが特定されていた「透明導体に含まれる」「銀ナノ構造体の９９％超」の「直径」の範囲を、下限値の特定（１５ｎｍ超）によって限定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第４号及び第１号に掲げる「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」及び「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。
　また、訂正事項１０に係る本件訂正は、前記エ（イ）で検討したとおりの理由により、本件明細書等に記載した事項の範囲内のものであるから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。
（２）独立特許要件
　特許異議の申立ては、本件訂正前の請求項１〜１０の全請求項に対してされているので、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の規定は適用されない。
　５　小括
　以上のとおりであるから、本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第４号に掲げる事項を目的とするものであり、同条第４項並びに、同条第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
　したがって、特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、請求項〔１〜７〕，８，９，１０について訂正することを認める。
第３　本件発明
　本件訂正が認められたので、本件特許の特許請求の範囲の請求項１〜１０に係る発明（以下、「本件発明１〜１０」といい、これらをまとめて「本件発明」という。）は、本件訂正後の特許請求の範囲の請求項１〜１０に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　「【請求項１】
　複数の導電性の銀ナノ構造体を含む透明導体であって、前記透明導体の曇価が１．２９％以上１．５％未満であり、波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの光における光透過率が９０％超９１．４％以下であり、シート抵抗が３０オーム／スクエア以上５０オーム／スクエア未満であり、
　前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体は、少なくともアスペクト比が１０であり、
　前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体の９９％超が直径１５ｎｍ超５５ｎｍ以下であり、
　前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体の９５％超が５〜３０μｍの長さである透明導体（ただし、前記光透過率と前記曇価は、曇価が０．０４％で前記光透過率が９３．４％の基板を含む測定により得られた値である）。
【請求項２】
　（削除）
【請求項３】
　前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体の平均長さが１０〜２２μｍである、請求項１に記載の透明導体。
【請求項４】
　前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体の平均平方長さが１２０〜４００μｍ２である、請求項１に記載の透明導体。
【請求項５】
　前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体の９９％超が直径４５ｎｍ以下である、請求項１に記載の透明導体。
【請求項６】
　前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体の９５％超が直径１５から５０ｎｍである請求項１に記載の透明導体。
【請求項７】
　前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体の９５％超が直径２０から４０ｎｍである、請求項１に記載の透明導体。
【請求項８】
　複数の導電性の銀ナノ構造体を含む透明導体であって、前記透明導体の曇価が１．０％以上１．５％未満であり、波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの光における光透過率が９０％を超え、シート抵抗が３０オーム／スクエア以上５０オーム／スクエア未満であり、
　前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体は、少なくともアスペクト比が１０であり、
　前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体の９９％超が直径１５ｎｍ超５５ｎｍ以下であり、
　前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体の９５％超が５〜３０μｍの長さであり、
　前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体の平均直径が２６〜３２ｎｍであり、標準偏差が４〜６ｎｍの範囲である、透明導体（ただし、前記光透過率と前記曇価は、曇価が０．０４％で前記光透過率が９３．４％の基板を含む測定により得られた値である）。
【請求項９】
　複数の導電性の銀ナノ構造体を含む透明導体であって、前記透明導体の曇価が１．０％以上１．５％未満であり、波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの光における光透過率が９０％を超え、シート抵抗が３０オーム／スクエア以上５０オーム／スクエア未満であり、
　前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体は、少なくともアスペクト比が１０であり、
　前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体の９９％超が直径１５ｎｍ超５５ｎｍ以下であり、
　前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体の９５％超が５〜３０μｍの長さであり、
　前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体の平均直径が２９ｎｍであり、標準偏差が４〜５ｎｍの範囲である透明導体（ただし、前記光透過率と前記曇価は、曇価が０．０４％で前記光透過率が９３．４％の基板を含む測定により得られた値である）。
【請求項１０】
　複数の導電性の銀ナノ構造体を含む透明導体であって、前記透明導体の曇価が１．０％以上１．５％未満であり、波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの光における光透過率が９０％を超え、シート抵抗が３０オーム／スクエア以上５０オーム／スクエア未満であり、
　前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体は、少なくともアスペクト比が１０であり、
　前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体の９９％超が直径１５ｎｍ超５５ｎｍ以下であり、
　前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体の９５％超が５〜３０μｍの長さであり、
　前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体の平均長さが１０〜２２μｍであり、前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体の平均直径が２６〜３２ｎｍであり、標準偏差が４〜６ｎｍの範囲である、透明導体（ただし、前記光透過率と前記曇価は、曇価が０．０４％で前記光透過率が９３．４％の基板を含む測定により得られた値である）。」
第４　取消理由通知に記載した取消理由について
　１　取消理由の概要
　本件訂正前の請求項１〜１０に係る発明に対し、平成２９年１０月３１日付けで特許権者に通知した取消理由の概要は以下のとおりである。
（１）取消理由１（実施可能要件違反）
　発明の詳細な説明の記載は、当業者が本件訂正前の請求項２及びこれを引用する請求項３〜１０に係る発明を実施するすることができる程度に明確かつ十分に記載したものではないから、本件訂正前の請求項２〜１０に係る特許は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、取り消されるべきものである。
（２）取消理由２（サポート要件違反）
　本件訂正前の請求項１〜１０に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものではないから、本件訂正前の請求項１〜１０に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、取り消されるべきものである。
　なお、平成３０年４月１９日付けで特許権者に通知した取消理由は、同年１月２６日付けの訂正請求が適法であることを前提としても、上記取消理由２（サポート要件違反）が依然として解消していないことを通知したものである。
　２　当審の判断
（１）取消理由１（実施可能要件違反）について
　ア　取消理由１の内容
　取消理由１は、特許異議申立書（以下、「申立書」という。）の第５８頁第１７行〜第５９頁第６行の記載に基づくものであるところ、その内容は、以下のとおりである。
　本件訂正前の請求項１では、「透明導体」の「シート抵抗が５０オーム／スクエア未満」であることが特定されており、この請求項１を引用する訂正前の請求項２では、「透明導体」の「曇価が０．５％未満である」ことが特定されている。
　しかし、本件明細書等の発明の詳細な説明には、「シート抵抗が５０オーム／スクエア未満」であって、かつ、「曇価が０．５％未満である」「透明導体」を形成できることは記載も示唆もされておらず、このことが可能であることを裏付ける技術常識の存在も認められないから、本件明細書等の発明の詳細な説明の記載は、当業者が本件訂正前の請求項２及びこれを引用する請求項３〜１０に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されているとはいえない。
　したがって、本件訂正前の請求項２〜１０に係る特許は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。
　イ　取消理由１の検討
　本件訂正によって、請求項２は削除され、その結果として、請求項３〜１０は、いずれも請求項２を引用しないものとなったから、取消理由１は解消した。
（２）取消理由２（サポート要件違反）について
　ア　取消理由２の内容
　取消理由２は、申立書の第５９頁第８行〜第６０頁第９行の記載に基づくものであるところ、その内容は、以下のとおりである。
（ア）取消理由２−１（申立書の第５９頁第８行〜同頁下から第４行）
　本件訂正前の請求項１は、「透明導体の曇価が１．５％未満」かつ「透明導体」の「シート抵抗が５０オーム／スクエア未満」を発明特定事項としているから、透明導体の「シート抵抗が５０オーム／スクエア未満」であって、曇価が０．７％や０．１％等の極めて低い値である場合を含む。
　ここで、シート抵抗と曇価はトレードオフの関係にあるところ、図７を参酌しても、発明の詳細な説明には、「シート抵抗が５０オーム／スクエア未満」である場合には、曇価として１．１６％以上（バッチ３）か、せいぜい０．９％以上が開示されているにとどまり、また、実施例として具体的に開示されているのは、バッチ１でシート抵抗：３２オーム／□、曇価：１．２９％、バッチ２でシート抵抗：３４オーム／□、曇価：１．３９％、バッチ３でシート抵抗：３８オーム／□、曇価：１．１６％である（表６〜８）から、出願時の技術常識に照らしても、請求項１に係る発明の範囲まで、発明の詳細な説明に開示された内容を拡張ないし一般化できるとはいえない。
　したがって、本件訂正前の請求項１及びこれを引用する請求項２〜１０に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものではなく、本件訂正前の請求項１〜１０に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。
（イ）取消理由２−２（申立書の第５９頁下から第３行〜第６０頁第９行）
　本件訂正前の請求項１は、「前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体の９９％超が直径５５ｎｍ以下」であることを発明特定事項とするものであるところ、発明の詳細な説明の【０１５１】では、精製プロセスによって「直径１５ｎｍ以下のほぼすべてのナノワイヤを除去」することが記載されており、表３を踏まえても実施例では直径１５ｎｍ超のナノワイヤが開示されているのみであり、このようなナノワイヤによって、本件訂正前の請求項１に記載の、曇価、光透過率及びシート抵抗を同時に達成できる「透明導体」が実現されていることを踏まえると、出願時の技術常識に照らしても、ナノワイヤの直径が１５ｎｍ以下の範囲を含む請求項１に係る発明の範囲まで、発明の詳細な説明に開示された内容を拡張ないし一般化できるとはいえない。
　したがって、本件訂正前の請求項１及びこれを引用する請求項２〜１０に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものではなく、本件訂正前の請求項１〜１０に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。
　イ　取消理由２の検討
（ア）取消理由２−１の検討
　本件訂正によって、本件発明１，３〜７では、「透明導体の曇価が１．２９％以上１．５％未満であり、」「シート抵抗が３０オーム／スクエア以上５０オーム／スクエア未満であ」ることが特定され、本件発明８〜１０では、「透明導体の曇価が１．０％以上１．５％未満であり、」「シート抵抗が３０オーム／スクエア以上５０オーム／スクエア未満であ」ることが特定されたから、曇価が０．７％や０．１％等の極めて低い値である場合は排除された。
　そして、発明の詳細な説明に「実施例」として記載されたバッチ１〜３の「透明導体」の「シート抵抗」と「曇価」の対応関係は、それぞれ、
　バッチ１では、シート抵抗：３２オーム／□，曇価：１．２９％，
　バッチ２では、シート抵抗：３４オーム／□，曇価：１．３９％，
　バッチ３では、シート抵抗：３８オーム／□，曇価：１．１６％
となっており、これらによれば、バッチ１，２は、本件発明１，３〜７の上記特定を満たし、バッチ１〜３は、本件発明８〜１０の上記特定を満たすから、本件発明の「透明導体」の「シート抵抗」と「曇価」の組合せは、その全ての範囲について、実施例によって支持されているか、上記の極めて低い値等の実施例から離れた値が排除されたことによって、実施可能と推定されるものとなった。
　したがって、理由２−１は、サポート要件違反の理由にはならない。
　よって、請求項１，３〜１０に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号の規定に違反して特許されたものではない。
（イ）取消理由２−２の検討
　本件訂正によって、本件発明１，３〜１０のいずれにおいても、「透明導体に含まれる」「銀ナノ構造体の９９％超が直径１５ｎｍ超５５ｎｍ以下であ」ることが特定されたことによって、銀ナノ構造体の直径の範囲が、実施例によって実施可能であることが確認された範囲に限定されたから、取消理由２−２は解消した。
　よって、請求項１，３〜１０に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号の規定に違反して特許されたものではない。
第５　取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由について
　１　取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由の概要
　取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由（以下、「申立理由」という。）の概要は、以下のとおりである。
（１）申立理由１（新規性欠如）
　本件訂正前の請求項１，３〜７に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であるから、本件訂正前の請求項１，３〜７に係る特許は、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してされたものである。
（２）申立理由２（進歩性欠如）
　本件訂正前の請求項１〜１０に係る発明は、甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件訂正前の請求項１〜１０に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
（３）申立理由３（進歩性欠如）
　本件訂正前の請求項１〜１０に係る発明は、甲第４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件訂正前の請求項１〜１０に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
（４）申立理由４（進歩性欠如）
　本件訂正前の請求項１〜１０に係る発明は、甲第１０号証及び甲第１１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件訂正前の請求項１〜１０に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
（５）申立理由５（サポート要件違反）
　本件訂正前の請求項１〜１０に係る発明は、申立書第６０頁第１０〜２１行に記載した理由によって、発明の詳細な説明に記載したものではないから、本件訂正前の請求項１〜１０に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。
［証拠方法］
　甲第１号証：国際公開第２００９／１０８３０６号
　甲第２号証：特表２０１１−５１５５１０号公報
　甲第３号証：斉藤正光，「プラスチックの表面改質４．表面コートによる工学機能の付与」，日本印刷学会誌，１９９９年，第３６巻，第１号，第５０〜５５頁
　甲第４号証：国際公開第２００８／１３１３０４号
　甲第５号証：特表２０１０−５２５５２６号公報
　甲第６号証：特願２０１２−５２６９２９号の手続補足書，受付日：平成２６年１２月９日（提出日：平成２６年１２月８日）
　甲第７号証：特願２０１２−５２６９２９号の手続補足書に添付された宣誓書（甲第１号証の表示あり）及び抄訳，受付日：平成２６年１２月９日
　甲第８号証：特願２０１２−５２６９２９号の意見書，受付日：平成２６年１２月８日（提出日：平成２６年１２月８日）
　甲第９号証：特開２００５−１８５５１号公報
　甲第１０号証：国際公開第２００９／０６３７４４号
　甲第１１号証：特開２００９−１８１８５６号公報
（以下、甲第１号証を「甲１」という。甲第２号証〜甲第１１号証についても同様。）
　２　甲各号証の記載事項
（１）甲１（甲２）
　本件特許に係る出願の優先日前に公知となった甲１には、以下の記載がある。なお、訳は、甲１の翻訳文である甲２の記載に基づいて、当審が作成した。また、下線は当審にて付した（以下同様）。
（１ａ）「Title: METHOD AND COMPOSITION FOR SCREEN PRINTING OF CONDUCTIVE FEATURES」
（訳：発明の名称：導電体をスクリーン印刷するための方法及び組成物）
（１ｂ）「12. An electrically conductive feature formed on a substrate wherein: the electrically conductive feature includes metallic anisotropic nanostructures; and the electrically conductive feature is formed by screen printing onto the substrate a coating solution containing the metallic anisotropic nanostructures.」（第３２頁第８〜１３行）
（訳：１２．基板上に形成される導電体であって、該導電体は、金属異方性ナノ構造を含み、該導電体は、該金属異方性ナノ構造を含有する塗膜溶液を該基板上にスクリーン印刷することによって形成される、導電体。）
（１ｃ）「The nanostructures can be solid or hollow. Solid anisotropic nanostructures include, for example, nanowires. Hollow anisotropic nanostructures include, for example, nanotubes. Typically, anisotropic nanostructures have a diameter from 5 to 500 nm, more preferably from 10 to 100 nm, and more preferably from 30 to 90 nm with length from 100 nm to 10 um. and more preferably from 500 nm to 1 um.」（第５頁第２〜６行）
（訳：ナノ構造は、中実または中空であり得る。中実の異方性ナノ構造は、例えば、ナノワイヤを含む。中空の異方性ナノ構造は、例えば、ナノチューブを含む。典型的には、異方性ナノ構造は、直径５乃至５００ｎｍ、より好ましくは、１０乃至１００ｎｍ、より好ましくは、３０乃至９０ｎｍと、長さ１００ｎｍ乃至１０μｍ、より好ましくは、５００ｎｍ乃至１μｍを有する。）
（１ｄ）「Typically, the matrix is an optically clear material. A material is considered optically clear or optically transparent, if the light transmission of the material is at least 80% in the visible region (400nm - 700nm). Unless specified otherwise, all the layers (including the substrate and the anisotropic nanostructure layer) in a transparent conductor described herein are preferably optically clear. The optical clarity of the matrix is typically determined by a multitude of factors, including without limitation: the refractive index (RI), thickness, consistency of RI throughout the thickness, surface (including interface) reflection, and haze (a scattering loss caused by surface roughness and/or embedded particles).」 （第１３頁第１３〜２１行）
（訳：典型的には、基質は、光学的透明材料である。材料は、材料の光透過率が可視領域（４００ｎｍ−７００ｎｍ）において少なくとも８０％である場合、「光学的に透明」または「光学的に透過性」であると考えられる。特別の定めのない限り、本明細書に記載される透過性導体内の全層（基板および異方性ナノ構造層を含む）が、好ましくは、光学的に透明である。基質の光学的透明度は、典型的には、屈折率（ＲＩ）、厚さ、厚さ全体のＲＩの一貫性、表面（界面を含む）反射、ならびにヘイズ（表面粗度および／または埋入粒子によって生じる散乱損失）を含むが、それらに限定されない、多数の要因によって決定される。）
（１ｅ）「Example 1
Synthesis of Silver Nanowires
      Silver nanowires were synthesized by a reduction of silver nitrate dissolved in ethylene glycol in the presence of poly(vinyl pyrrolidone) (PVP). The method was described in, e.g. Y. Sun, B. Gates, B. Mayers,  Y. Xia, Crystalline silver nanowires by soft solution processing, Nanolett, (2002), 2(2) 165-168. Uniform silver nanowires can be selectively isolated by centrifugation or other known methods.」（第２６頁第１４〜２２行）
（訳：実施例１
銀ナノワイヤの合成
　銀ナノワイヤは、ポリ（ビニルピロリドン）（ＰＶＰ）の存在下において、エチレングリコール中で溶解された硝酸銀の還元によって合成した。本方法は、例えば、Y. Sun, B. Gates, B. Mayers,  Y. Xia, Crystalline silver nanowires by soft solution processing, Nanolett, (2002), 2(2) 165-168 に記載されている。一様な銀ナノワイヤは、遠心分離または他の周知の方法によって、選択的に分離可能である。）
（１ｆ）「Example 3
 Screen Printing Conductive Coating Solution; Electrical and Optical Properties
      Silver nanowires prepared as described herein and purified via sedimentation and solvent exchange were allowed to sediment in water for 1 week. The nanowires had lengths of approximately 1 1.5 um to 15.5 um ranged in diameter from approximately 35 nm to 45 nm. The water was decanted. Portions of the resultant nanowires were then separately added to different weight percents (as shown below in Table 2 and Table 3) of Polymer Innovations(R) WB40B-63 (Table 2) and, separately, WB40B-64 (Table 3) to produce solutions having 0.7% by weight silver nanowires, the below indicated weight percent of thickener, with the remaining solution water. Each mixture was screen printed to produce approximately 3 by 4 inch, rectangular conductive features on transparent PET. The resistivity, transparency and haze of each feature were then measured. The resistivity was measure（当審注：「measured」の誤記と認められる。） both by using a Delcom resistance measurement device and by using a four point contact resistance measurement probe. The results of the resistivity measurement for each mixture are shown below in Table 2 and Table 3.　　　　　
　　　　　
　　　　　
      As shown, for either thickener WB40B-63 (Table 2) or thickener WB40B-64 (Table 3) the resistance of the features becomes relatively quite high after about 0.5% thickener is used.」（第２８頁第９行〜第２９頁第９行）（当審注：登録商標を示す丸囲みのＲは「（Ｒ）」と表記した。訳も同様。）
（訳：実施例３
　スクリーン印刷導電性塗膜溶液；電気および光学特性
　
本明細書に記載されるように調製し、沈殿および溶剤交換を介して精製した銀ナノワイヤ
ナノワイヤは、約１１．５μｍ乃至１５．５μｍの長さ、および約３５ｎｍ乃至４５ｎｍの直径を有していた。
透過性ＰＥＴ上に
導電体を生成した
次いで、各導電体の抵抗率、透過性、およびヘイズを測定した。
各混合物の抵抗率測定値の結果を以下の表２および表３に示す。
　　　　　
　　　　　
　示されるように、増粘剤ＷＢ４０Ｂ−６３（表２）または増粘剤ＷＢ４０Ｂ−６４（表３）のいずれの場合も、導電体の抵抗は、約０．５％の増粘剤使用後に比較的に非常に高くなる。）
（２）甲３
　本件特許に係る出願の優先日前に公知となった甲３には、以下の記載がある。
（３ａ）「プラスチックの表面改質４．」（標題）
（３ｂ）「通常，膜の透明性は，ヘイズ（曇り度）により表す．ヘイズとは散乱により入射光軸から２．５度以上外れた光の百分率である．
　
ポリエステルフィルムは，高透明なものではヘイズが１％前後である．
（３）甲４（甲５）
　本件特許に係る出願の優先日前に公知となった甲４には、以下の記載がある。なお、訳は、甲４の翻訳文である甲５の記載に基づいて、当審が作成した。
（４ａ）「Title: COMPOSITE TRANSPARENT CONDUCTORS AND METHODS OF FORMING THE SAME」
（訳：発明の名称：複合透明導電体およびその形成方法）
（４ｂ）「1. A composite transparent conductor comprising: a primary conductive medium including a plurality of metal nanowires or a plurality of metal nanotubes; and a secondary conductive medium coupled to the primary conductive medium, the secondary conductive medium including a second type of nanostructures or a continuous conductive film.」（第３２頁第２〜７行）
（訳：１．複数の金属ナノワイヤまたは複数の金属ナノチューブを含む一次導電性媒体と、該一次導電性媒体に連結される二次導電性媒体であって、第２の種類のナノ構造または連続導電性薄膜を含む、二次導電性媒体とを備える、複合透明導電体。）
（４ｃ）「7. The composite transparent conductor of claim 1 wherein the metal nanowires are silver nanowires.」（第３２頁下から第２行〜最下行）
（訳：前記金属ナノワイヤは、銀ナノワイヤである、請求項１に記載の複合透明導電体。）
（４ｄ）「Description of the Related Art
      Transparent conductors refer to optically transparent, thin conductive films. They are widely used as transparent electrodes in flat panel electrochomic displays such as liquid crystal displays, plasma displays, touch panels, electroluminescent devices and thin film photovoltaic cells, as anti-static layers and as electromagnetic wave shielding layers.」（第１頁第７〜１２行）
（訳：背景技術
　透明導電体は、光透過性導電性薄膜を指す。透明導電体は、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、タッチパネル、エレクトロルミネセント素子、および薄膜太陽電池等のフラットパネルディスプレイにおける透明電極として、帯電防止層として、ならびに電磁波遮蔽層として広く使用されている。）
（４ｅ）「In various embodiments, the metal nanowires are about 5-100 μm long and 5-100 nm in diameter (or cross-section). In certain embodiments, the metal nanowires are about 5-30 μm long and 20-80 nm in diameter. In a preferred embodiment, the metal nanowires (e.g., silver nanowires) are about 20 μm long and 50 nm in diameter.」（第８頁第１２〜１６行）
（訳：種々の実施形態では、金属ナノワイヤは、約５−１００μｍの長さを有し、５−１００ｎｍの直径（または、断面）を有する。特定の実施形態では、金属ナノワイヤは、約５−３０μｍの長さを有し、２０−８０ｎｍの直径を有する。好適な実施形態では、金属ナノワイヤ（例えば、銀ナノワイヤ）は、約２０μｍの長さを有し、５０ｎｍの直径を有する。）
（４ｆ）「As used herein, conductive network or network refers to an interconnecting network formed by conductive nanostructures above an electrical percolation threshold. Typically, a conductive network surface resistivity (or sheet resistance) of no higher than 108ohms/square (also referred to as Ω/□). Preferably, the surface resistivity is no higher than 1O4Ω/□, 3,000 Ω/□, 1 ,000 Ω/□ or 100 Ω/□. Typically, the surface resistivity of a conductive network formed by metal nanowires is in the ranges of from 10 Ω/□ to 1000 Ω/□, from 100 Ω/□ to 750 Ω/□, 50 Ω/□ to 200 Ω/□, from 100 Ω/□ to 500 Ω/□, or from 100 Ω/□ to 250 Ω/□, or 10 Ω/□ to 200 Ω/□, from 10 Ω/□ to 50 Ω/□, or from 1 Ω/□ to 10 Ω/□.」（第９頁第１２〜２０行）
（訳：本明細書において使用する際、「導電性網」または「網」は、電気的パーコレーション閾値を上回る導電性ナノ構造によって形成される相互接続網を指す。典型的には、導電性網の表面抵抗率（または、「シート抵抗」）は、１０８オーム／スクエア（「Ω／□」とも呼ばれる）程度である。好ましくは、表面抵抗率は、１０４Ω／□、３，０００Ω／□、１，０００Ω／□、または１００Ω／□程度である。典型的には、金属ナノワイヤにより形成される導電性網の表面抵抗率は、１０Ω／□から１０００Ω／□、１００Ω／□から７５０Ω／□、５０Ω／□から２００Ω／□、１００Ω／□から５００Ω／□、または１００Ω／□から２５０Ω／□、１０Ω／□から２００Ω／□、１０Ω／□から５０Ω／□、または１Ω／□から１０Ω／□の範囲である。）
（４ｇ）「EXAMPLE 1
SYNTHESIS OF SILVER NANOWIRES
      Silver nanowires were synthesized by a reduction of silver nitrate dissolved in ethylene glycol in the presence of polyvinyl pyrrolidone) (PVP). The method was described in, e.g. Y. Sun, B. Gates, B. Mayers,  Y. Xia, Crystalline silver nanowires by soft solution processing, Nanolett, (2002), 2(2) 165-168.」 （第２７頁第２５〜３０行）
（訳：実施例１
銀ナノワイヤの合成
　ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）の存在下でエチレングリコール中に溶解された硝酸銀の還元によって、銀ナノワイヤを合成した。本方法は、例えば、Y. Sun, B. Gates, B. Mayers,  Y. Xia, Crystalline silver nanowires by soft solution processing, Nanolett, (2002), 2(2) 165-168.に説明されている。）
（４ｈ）「The substrate can be any material onto which nanowires are deposited. The substrate can be rigid or flexible. Preferably, the substrate is also optically clear, i.e., light transmission of the material is at least 80% in the visible region (400nm - 700nm).」（第２９頁第１８〜２１行）
（訳：基板は、その上にナノワイヤが蒸着される任意の材料であることが可能である。基板は、剛性または可塑性であることが可能である。好ましくは、
基板は、光学的に透明であり、すなわち、材料の光透過性は、可視領域（４００ｎｍ−７００ｎｍ）において少なくとも８０％である
（４ｉ）「As a specific example, an aqueous dispersion of silver nanowires, i.e., an ink composition was first prepared. The silver nanowires were about 35nm to 45nm in width and around 10μm in length. The ink composition comprises, by weight, 0.2% silver nanowires, 0.4% HPMC, and 0.025% Triton x100. The ink was then spin-coated on glass at a speed of 500rpm for 60s, followed by post-baking at 50°C for 90 seconds and 180° for 90 seconds. The coated film had a resistivity of about 20 ohms/sq, with a transmission of 96% (using glass as a reference) and a haze of 3.3%.」（第３０頁第６〜１３行）
（訳：具体的な例として、銀ナノワイヤの水分散液、すなわち、インク組成物を最初に調製した。
銀ナノワイヤの幅は、約３５ｎｍから４５ｎｍであり、長さは、約１０μｍであった。
ガラス上
塗膜の抵抗率は、約２０オーム／スクエアであり、透過性は９６％（参照としてガラスを使用）、ヘーズは３．３％であった。
（４）甲９
　本件特許に係る出願の優先日前に公知となった甲９には、以下の記載がある。
（９ａ）「【発明の名称】電磁波シールド機能を有するタッチパネル、およびそれに用いる透明積層フィルム」
（９ｂ）「【請求項１】
２つの透明基体（ｃ）のそれぞれの少なくとも一方の面に形成された透明導電層（ｄ、ｅ）が、空隙を挟んで該透明導電層ｄ，ｅ同士を対向して構成されるタッチパネルであって、少なくとも一方の当該透明基体における透明導電層ｄまたはｅの反対側の当該透明基体の面に、下記（イ）〜（ニ）を順次有してなり、かつ全光線透過率が８５〜９５％の範囲にある積層フィルムが設けられた電磁波シールド機能を有する
タッチパネル
（イ）バックコート層
（ロ）高分子フィルム
（ハ）アンダーコート層
（ニ）
抵抗値が２０〜４０Ω／□である透明導電層
（９ｃ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電磁波シールド性を有するタッチパネル、タッチパネル付液晶表示装置、及びそれらに好適に用いられる積層フィルムに関するものである。」
（５）甲１０
　本件特許に係る出願の優先日前に公知となった甲１０には、以下の記載がある。なお、「・・・」は、記載の省略を表す。
（１０ａ）「発明の名称：金属ナノワイヤの製造方法、金属ナノワイヤ及び透明導電体」
（１０ｂ）「［００２９］　具体的には、本発明における核形成工程（Ａ）とは、反応容器内の還元性を有する溶液中に、金属塩溶液を添加して金属イオンを還元して、粒子成長工程（Ｂ）において成長の核となる金属の微粒子（核粒子）を形成するための工程である。一方、本発明における粒子成長工程（Ｂ）とは、反応容器内の核粒子を含む還元性を有する溶液中に金属塩溶液を添加して金属イオンを還元し、核形成工程（Ａ）において形成した金属核粒子をワイヤ状の形態を有する金属粒子に成長させるための工程である。本発明における粒子成長工程（Ｂ）は、「金属イオンの還元→金属微粒子の析出→溶解→核粒子表面への再析出→ワイヤ状粒子へ成長」というプロセスを経ることなく、金属イオンを還元して核粒子表面に直接還元して生成した金属を沈積させてワイヤ状粒子へ成長させることを特徴とする。」
（１０ｃ）「［００３３］　本発明における粒子成長工程（Ｂ）では、新たな金属微粒子が生成しないように金属イオンの還元反応を制御することが重要である。そのためには、粒子成長工程（Ｂ）における金属イオンを含む金属塩溶液の添加速度や還元速度の調整が必要である。本発明において、金属塩溶液の添加速度を制御するためには、シングルジェット法やマルチジェット法を用いることが有効である。還元反応速度を制御するためには、還元剤の種類や濃度、反応温度、ｐＨなどを好ましい条件に設定することが有効である。」
（１０ｄ）「［００３７］　本発明の金属ナノワイヤの製造方法においては、粒子成長工程（Ｂ）における形態制御剤（後述）の添加量や反応液中での濃度、反応液の水素イオン濃度（ｐＨ）や金属イオン濃度、温度などの諸条件を適切に制御することにより、粒子成長工程（Ｂ）における成長方位を実質的に一次元方向（ワイヤ状粒子の長軸方向）に特定付けることができる。従って、粒子成長工程終了後におけるワイヤ状粒子の短軸方向の平均粒径（平均直径）を、該粒子成長工程開始前の核粒子の粒径、即ち核形成工程（Ａ）や上記熟成工程（Ｄ）によって形成される核粒子の平均粒径によって制御することも可能である。」
（１０ｅ）「［００４９］　本発明の透明導電体に適用する導電層は、ワイヤ状の金属粒子が互いに接触し合うことによって三次元的な導電ネットワークを形成することにより、導電性を発現する。従って、ワイヤが長い方が導電ネットワーク形成に有利であり好ましい。一方で、ワイヤが長すぎるとワイヤ状粒子同士が絡み合って凝集体を生じ、光散乱を劣化させる場合がある。導電ネットワーク形成や凝集体生成には、ワイヤ状の金属粒子の剛性や直径等も影響するため、使用するワイヤ状粒子に応じて最適なワイヤ長のものを使用することが好ましい。本発明の金属ナノワイヤを本発明の透明導電体に用いる場合には、金属ナノワイヤにおける長軸方向の平均粒径（以下、長軸方向の粒径を長さと称する場合もある）として、３μｍ以上であることが好ましく、更には３〜５００μｍが好ましく、特に、５〜３００μｍであることが好ましい。併せて、長軸方向の粒径分布は４０％以下であることが好ましい。
［００５０］　本発明の金属ナノワイヤを透明導電材料として用いる場合、光散乱の影響を軽減し透明性を高めるために金属ナノワイヤの短軸方向の平均粒径（以下、短軸方向の粒径を直径と称する場合もある）は３００ｎｍより小さいことが好ましく、一方で、導電性を高めるために短軸方向の平均粒径は大きい方が好ましい。本発明においては、金属ナノワイヤの短軸方向の平均粒径として１０〜２００ｎｍが好ましく、３０〜１８０ｎｍであることがより好ましい。併せて、短軸方向の粒径分布は２０％以下であることが好ましい。」
（１０ｆ）「［００５１］　・・・
長軸方向や短軸方向の粒径分布は、測定粒径の標準偏差を平均粒径で除した値に１００を乗じた値
［００５２］　
粒径分布［％］＝粒径の標準偏差／平均粒径粒子×１００
　計測対象の金属ナノワイヤ数は、少なくとも１００個以上が好ましく、３００個以上のワイヤ状粒子を計測することが更に好ましい。」
（１０ｇ）「［００８６］　実施例１
《金属ナノワイヤの作製》
〔金属ナノワイヤＮＷ−１１の作製：本発明〕
　前記非特許文献４（Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．２００２，１４，８３３〜８３７）に記載の方法に準拠して、還元剤としてエチレングリコール（ＥＧ）を、保護コロイド剤兼形態制御剤としてポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）を使用し、かつ下記核形成工程１と下記粒子成長工程１とを分離して、
ワイヤ状の形態を有する銀粒子である金属ナノワイヤＮＷ−１１を作製した
［００８７］　（核形成工程１）
　反応容器内で１６０℃に保持したＥＧ液１００ｍｌを攪拌しながら、硝酸銀のＥＧ溶液（硝酸銀濃度：１．５×１０−４モル／Ｌ）１０ｍｌを、一定の流量で１０秒間かけて添加した。その後、１６０℃で５分間保持しながら銀イオンを還元して銀の核粒子を形成した。反応液は、ナノサイズの銀微粒子の表面プラズモン吸収に由来する黄色を呈しており、銀イオンが還元されて銀の微粒子（核粒子）が形成されたことを確認した。
［００８８］　（粒子成長工程１）
　上記核形成工程１を終了した後の核粒子を含む反応液を、攪拌しながら１６０℃に保持し、硝酸銀のＥＧ溶液（硝酸銀濃度：１．０×１０−１モル／Ｌ）１００ｍｌと、ＰＶＰのＥＧ溶液（ＰＶＰ濃度：ＶＰ換算５．０×１０−１モル／Ｌ）１００ｍｌを、ダブルジェット法を用いて一定の流量で１２０分間かけて添加した。粒子成長工程において、２０分毎に反応液を採取して電子顕微鏡で確認したところ、核形成工程で形成された核粒子が時間経過に伴ってワイヤ状の形態に成長しており、粒子成長工程における新たな微粒子の生成は認められなかった。
［００８９］　（水洗工程１）
　上記粒子成長工程１を終了した後、反応液を室温まで冷却した後、平均孔径が１μｍ以下のフィルターを用いて濾過し、濾別された銀粒子をエタノール中に再分散した。フィルターによる銀粒子の濾過とエタノール中への再分散を５回繰り返した後、最終的に銀粒子のエタノール分散液を調製した。なお、濾液を回収して定量分析したところ、濾液に含まれる銀は、粒子形成に使用した銀の０．１％未満であることが確認された。
［００９０］　〔金属ナノワイヤＮＷ−１２の作製：本発明〕
　上記金属ナノワイヤＮＷ−１１の作製において、核形成工程１を終了した後、下記の粒子成長工程２の前に、下記熟成工程１を施した以外は同様にして、
ワイヤ状銀粒子である金属ナノワイヤＮＷ−１２を作製した
［００９１］　（核形成工程１）
　上記金属ナノワイヤＮＷ−１１の作製に用いた核形成工程１と同様にして、核形成を行った。
［００９２］　（熟成工程１）
　上記核形成工程１が終了した後、核粒子を含む反応液を攪拌しながら、ＰＶＰのＥＧ溶液（ＰＶＰ濃度：ＶＰ換算５．０×１０−１モル／Ｌ）１０ｍｌを３秒間で添加した。その後、１７０℃に昇温して、そのまま１０分間保持して熟成を行った。
［００９３］　（粒子成長工程２）
　上記熟成工程１を終了した後、核粒子を含む反応液を１６０℃に降温した後、攪拌しながら１６０℃に保持し、硝酸銀のＥＧ溶液（硝酸銀濃度：１．０×１０−１モル／Ｌ）１００ｍｌと、ＰＶＰのＥＧ溶液（ＰＶＰ濃度：ＶＰ換算５．０×１０−１モル／Ｌ）９０ｍｌを、ダブルジェット法を用いて一定の流量で１２０分間かけて添加した。粒子成長工程２において、２０分毎に反応液を採取して電子顕微鏡で確認したところ、核形成工程１で形成された核粒子が時間経過に伴ってワイヤ状の形態に成長しており、粒子成長工程における新たな微粒子の生成は認められなかった。」
（１０ｈ）「［０１０７］　《金属ナノワイヤの形状測定》
　
上記の様にして作製した各金属ナノワイヤについて、長軸方向および短軸方向の平均粒径、粒径分布と、収率を下記の方法に従って測定し、得られた結果を表１に示す。
［０１０８］　（平均粒径の測定）
　上記調製した各金属ナノワイヤについて、電子顕微鏡写真を撮影し、それぞれ３００個の金属ナノワイヤ像の長軸方向および短軸方向の粒径を測定し、算術平均を求めた。
［０１０９］　（粒径分布の測定）
　長軸方向及び短軸方向の粒径分布は、上記測定した粒径の標準偏差を平均粒径で除した値に１００を乗じた値として求めた。
［０１１０］　粒径分布［％］＝粒径の標準偏差／平均粒径粒子×１００（当審注：「平均粒径粒子」は「平均粒径」の誤記と認められる。）
　（収率の測定）
　収率は、水洗工程において濾液に流出した銀粒子をワイヤ状の形態を有さない粒子と見なしロスとして扱うことで、濾液の定量分析値から算出した。
［０１１１］［表１］
」
（１０ｉ）「［０１１３］　実施例２
　《透明導電体の作製》
　〔透明導電体ＴＣ−１１の作製：本発明〕
　
実施例１で作製した金属ナノワイヤＮＷ−１１の分散液を用いて
透明導電体ＴＣ−１１を作製した
［０１１４］　
全光透過率９０％のポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）支持体上
［０１１５］　〔透明導電体ＴＣ−１２〜１５の作製〕
　
上記透明導電体ＴＣ−１１の作製において、使用した金属ナノワイヤＮＷ−１１に代えて
金属ナノワイヤＮＷ−１２
を用いた以外は同様にして、透明導電体ＴＣ−１２
を作製した
［０１１６］　《透明導電体の全光透過率及び表面抵抗率の測定》
　
以上の様にして作製した各透明導電体について、全光透過率と表面抵抗率の測定を行い、得られた結果を表２に示す。
［０１１７］　全光透過率は、日立製作所製分光光度計Ｕ−４０００型を用いて、
可視光領域（３６０ｎｍ〜７００ｎｍ）における全光透過率（積分値）
表面抵抗率は、ＪＩＳ　Ｋ７１９４に準拠して測定
［０１１８］［表２］
」
（１０ｊ）「請求の範囲
［１］ワイヤ状の形態を有する金属ナノワイヤの製造方法であって、
　溶液中で金属イオンを還元して核金属粒子を形成する核形成工程（Ａ）と、
　該核形成工程（Ａ）の後に、金属イオンを還元して得られる還元金属を該核金属粒子の表面に直接沈積して、該核金属粒子を成長させる粒子成長工程（Ｂ）と
を有することを特徴とする金属ナノワイヤの製造方法。」
（１０ｋ）「［８］　請求の範囲第１項から第７項のいずれか１項に記載の金属ナノワイヤの製造方法により製造された金属ナノワイヤであって、少なくとも銀を含むワイヤ状の形態を有し、長軸方向の平均粒径が３μｍ以上で、かつ長軸方向の粒径分布が４０％以下であることを特徴とする金属ナノワイヤ。」
（６）甲１１
　本件特許に係る出願の優先日前に公知となった甲１１には、以下の記載がある。
（１１ａ）「【発明の名称】透明導電膜付き透明板および有機エレクトロルミネッセンス素子」
（１１ｂ）「【００２９】
　ワイヤ状の導電体は、径の小さいものが好ましく、例えば径が４００ｎｍ以下のものが用いられ、好ましくは径が２００ｎｍ以下のものであり、さらに好ましくは径が１００ｎｍ以下のものである。膜本体に配置されるワイヤ状の導電体は、透明導電膜３を通る光を回折または散乱するので、透明導電膜３のヘイズ値を高め、光の透過率を低下させるが、
可視光の波長程度または可視光の波長よりも小さい径のワイヤ状の導電体を用いることによって、可視光に対するヘイズ値を低く抑えるとともに、光の透過率を向上させることができる
　３　当審の判断
（１）申立理由１，２（新規性欠如，進歩性欠如）について
　ア　甲１に記載された発明
　甲１の（１ｄ）には、光透過率の測定における可視光の領域が４００〜７００ｎｍであることが記載されており、（１ｅ）には、銀ナノワイヤの合成方法が記載されており、（１ｆ）には、上記合成方法で合成された銀ナノワイヤを用いて透過性ＰＥＴ上に生成された導電体が実施例３として記載されているところ、上記実施例３の導電体について、表２及び表３における増粘剤が０％である場合（各表の一行目）の測定結果にそれぞれ注目すると、甲１には、以下の「甲１発明１」及び「甲１発明２」（これらをまとめて「甲１発明」という。）が記載されているものと認められる（なお、「抵抗率」（本件発明の「シート抵抗」に相当）の測定値については、ＪＩＳ（Ｋ７１９４）にも採用され（甲１０，［０１１７］）、一般的に用いられている「四点接触抵抗測定プローブ」によるものを採用した。）。
（甲１発明１）
　銀ナノワイヤを含む導電体であって、
　透過性ＰＥＴを含む前記導電体の、ヘイズが２．６６％、波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの光の透過率が８８．６％であり、
　抵抗率が２１．５オーム／スクエアであり、
　前記導電体に含まれる前記銀ナノワイヤの直径が約３５ｎｍ乃至約４５ｎｍであり、
　前記導電体に含まれる前記銀ナノワイヤの長さが約１１．５μｍ乃至約１５．５μｍである、
　導電体。
（甲１発明２）
　銀ナノワイヤを含む導電体であって、
　透過性ＰＥＴを含む前記導電体の、ヘイズが２．６６％、波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの光の透過率が８８．５％であり、
　抵抗率が２１．８オーム／スクエアであり、
　前記導電体に含まれる前記銀ナノワイヤの直径が約３５ｎｍ乃至約４５ｎｍであり、
　前記導電体に含まれる前記銀ナノワイヤの長さが約１１．５μｍ乃至約１５．５μｍである、
　導電体。
　イ　本件発明１について
（ア）甲１発明１，２における「抵抗率」と「ヘイズ」及び「波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの光の透過率」との関係について
　ａ　本件発明１では、「シート抵抗」と「曇価」及び「光透過率」との関係について、「シート抵抗が３０オーム／スクエア以上５０オーム／スクエア未満であり、」「曇価が０．０４％」「の基板を含む測定により得られた」「透明導体の曇価が１．２９％以上１．５％未満であり、」「光透過率が９３．４％の基板を含む測定により得られた」「波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの光における光透過率が９０％超９１．４％以下であ」ることが特定されている。
　一方、甲１発明１では、「透過性ＰＥＴ」を基板とした場合における「ヘイズ」及び「光の透過率」（それぞれ、本件発明１の「曇価」及び「光透過率」に相当）の値が特定されているため、本件発明１と同一の曇価及び光透過率の基板を用いた場合の値を算出するためには、上記「透過性ＰＥＴ」の曇価及び光透過率が必要になるところ、甲１には、それらの値についての記載はないから、正確な値を算出することはできない。
　そこで、上記「透過性ＰＥＴ」の曇価を甲３（３ｂ）に基づいて「１．０％」と認定し、「光透過利率」の値を甲１０の［０１１４］（１０ｉ）に基づいて「９０％」と認定して、本件発明１と同一の曇価及び光透過率の基板を用いた場合のおおよその値を算出する。
　まず、曇価については、「ヘイズ」が「曇価」を意味すること、及び、積層体の曇価は各層の曇価を足し合わせたものであることは、当業者の技術常識であるところ、基板を含まない導電体単体の値は、
　２．６６％（導電体＋透過性ＰＥＴ）−１．０％（透過性ＰＥＴ）
　　＝１．６６％（導電体）
となるから、曇価０．０４％の基板を含む曇価は、
　１．６６％（導電体）＋０．０４％（基板）＝１．７％
となる。
　次に、光透過率については、積層体の光透過率が各層の光透過率を掛け合わせたものであることは、当業者の技術常識であるところ、基板を含まない導電体単体の値は、
　０．８８６（導電体×透過性ＰＥＴ）÷０．９（透過性ＰＥＴ）
となるから、透過率９３．４％の基板を含む光透過率は、
　０．８８６÷０．９×０．９３４＝０．９１９＝９１．９％
となる。
　同様に甲１発明２についても算出すると、曇価：１．７％，光透過率：９１．８％となる。
　ｂ　以上をまとめると、甲１発明１，２の各抵抗率（本件発明１の「シート抵抗」に相当）における曇価及び光透過率を、「曇価が０．０４％で」「光透過率が９３．４％の基板を含む測定により得られた値」に換算した場合のおおよその値は、それぞれ、以下のとおりになる。
（甲１発明１）
　シート抵抗：２１．５Ω／□，曇価：１．７％，光透過率：９１．９％
（甲１発明２）
　シート抵抗：２１．８Ω／□，曇価：１．７％，光透過率：９１．８％
　したがって、これらの値を、本件発明１と対比すると、甲１発明１，２のいずれも、本件発明１の「曇価が０．０４％」「の基板を含む測定により得られた」「透明導体の曇価が１．２９％以上１．５％未満であり、」「光透過率が９３．４％の基板を含む測定により得られた」「波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの光における光透過率が９０％超９１．４％以下であり、シート抵抗が３０オーム／スクエア以上５０オーム／スクエア未満であ」るという発明特定事項に相当する事項を有しているとはいえない。
　また、甲９には、タッチパネルに用いる透明導電層の抵抗値（本件発明１の「シート抵抗」に相当）を２０〜４０Ω／□の範囲にすることが記載されていることに照らし（９ｂ）、甲１発明１，２において、シート抵抗を、それぞれの２１．５Ω／□，２１．８Ω／□から、本件発明１で特定される３０Ω／□以上５０Ω／□未満の範囲に変更することに動機付けがあるとしても、甲１には、「シート抵抗と曇価及び光透過率との定量的な関係」については記載がなく、他の甲号証についても同様であるから、甲１発明１，２において、シート抵抗を上記のように変更した場合に、具体的に、曇価が１．２９以上１．５未満となり、光透過率が９０％超９１．４％以下になるとはいえず、このようにすることが当業者にとって容易であるともいえない。
（イ）甲１発明１，２における「銀ナノワイヤ」の「直径」及び「長さ」の「分布」について
　甲１発明１，２では、導電体に含まれる「銀ナノワイヤ」の「直径」が「約３５ｎｍ乃至約４５ｎｍ」であり、「長さ」が「約１１．５μｍ乃至約１５．５μｍ」であることが特定されている。
　しかし、甲１には、銀ナノワイヤの「直径」及び「長さ」として特定された上記の値について、その定義や測定方法、値の分布について、何らの記載もされていないから、上記の「直径」及び「長さ」の値から、銀ナノワイヤの「直径」及び「長さ」の「分布」（各区分毎の存在割合）を導くことはできず、他の甲号証を参照しても、銀ナノワイヤの製造方法や製造条件は、甲１に記載された銀ナノワイヤの製造方法や製造条件とは異なるから、上記銀ナノワイヤの「直径」及び「長さ」の「分布」を導くことはできない。
　したがって、甲１発明１，２は、本件発明１の「透明導体に含まれる」「銀ナノ構造体の９９％超が直径１５ｎｍ超５５ｎｍ以下であ」り、「透明導体に含まれる」「銀ナノ構造体の９５％超が５〜３０μｍの長さである」という発明特定事項に相当する事項を有しているとはいえない。
　また、甲１を含む甲各号証の記載を参酌しても、甲１発明の銀ナノワイヤの「直径」及び「長さ」それぞれの分布について、具体的に、９９％超を直径１５ｎｍ超５５ｎｍ以下とし、９５％超を５〜３０μｍの長さとすることを動機付ける記載を見いだすことはできない。
（ウ）以上のとおりであるから、本件発明１は、甲１に記載された発明ではなく、甲１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　ウ　本件発明３〜７について
　本件特許の請求項３〜７は、いずれも請求項１を引用しており、本件発明３〜７は、本件発明１の発明特定事項を全て有しているから、前記イで検討したとおりの理由により、本件発明３〜７は、甲１に記載された発明ではなく、甲１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　エ　本件発明８〜１０について
　本件発明８〜１０は、「透明導体」の「曇価」と「光透過率」に対する特定が、「透明導体の曇価が１．０％以上１．５％未満であり、波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの光における光透過率が９０％を超え」る点で、本件発明１とは異なるが、この点を読み替えれば、前記イの判断のうち、曇価についてされたものは、本件発明８〜１０に対しても、そのまま妥当するから、本件発明８〜１０は、甲１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　オ　小括
　以上のとおり、本件発明１，３〜７は、甲１に記載された発明ではないから、請求項１，３〜７に係る特許は、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してされたものではない。
　また、本件発明１，３〜１０は、甲１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないから、請求項１，３〜１０に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものではない。
（２）申立理由３（進歩性欠如）について
　ア　甲４に記載された発明
　甲４の前記（４ｈ）、（４ｉ）の記載によれば、甲４には、以下の「甲４発明」が記載されているものと認められる。
（甲４発明）
　ガラス上に形成された銀ナノワイヤを含む塗膜であって、
　波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの光の透過性が９６％（参照としてガラスを使用）、ヘーズが３．３％であり、
　抵抗率が約２０オーム／スクエアであり、
　前記銀ナノワイヤの幅が約３５ｎｍから４５ｎｍであり、長さが約１０μｍである、
　塗膜。
　イ　本件発明１について
（ア）甲４発明における「抵抗率」と「ヘーズ」及び「波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの光の透過率」との関係について
　ａ　本件発明１では、「シート抵抗」と「曇価」及び「光透過率」との関係について、「シート抵抗が３０オーム／スクエア以上５０オーム／スクエア未満であり、」「曇価が０．０４％」「の基板を含む測定により得られた」「透明導体の曇価が１．２９％以上１．５％未満であり、」「光透過率が９３．４％の基板を含む測定により得られた」「波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの光における光透過率が９０％超９１．４％以下であ」ることが特定されている。
　ｂ　一方、「ガラス上に形成された銀ナノワイヤを含む塗膜」である甲４発明では、「抵抗率が約２０オーム／スクエアであり、」「波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの光の透過性が９６％」であり、「ヘーズが３．３％であ」ることが特定されており、甲４発明の「抵抗率」，「光の透過性」及び「ヘーズ」は、それぞれ、本件発明１の「シート抵抗」，「光透過率」及び「曇価」に相当するから、甲４発明は、本件発明１の前記ａの発明特定事項に相当する事項を有しているとはいえない。
　また、甲９には、タッチパネルに用いる透明導電層の抵抗値（本件発明１の「シート抵抗」に相当）を２０〜４０Ω／□の範囲にすることが記載されていることに照らし（９ｂ）、甲４発明において、シート抵抗を「約２０オーム／スクエア」から、本件発明１で特定される３０Ω／□以上５０Ω／□未満の範囲に変更することに動機付けがあるとしても、甲４には、「シート抵抗と曇価及び光透過率との定量的な関係」については記載がなく、他の甲号証についても同様であるから、シート抵抗を上記のように変更した場合に、具体的に、曇価が１．２９以上１．５未満となり、光透過率が９０％超９１．４％以下の範囲になるとはいえず、このようにすることが当業者にとって容易であるともいえない。
　ｃ　なお、申立人は、本件特許の出願時の出願人による追加実験の結果が記載された甲７によれば、甲４発明と同一の銀ナノワイヤを用いて形成した塗膜について、「抵抗（オーム／平方）」が１６３．４，「透過率（Ｔ％）」が９２．５，「ヘーズ（％）」が０．６２の値が得られており、この値と甲４発明の「抵抗率が約２０オーム／スクエア」，「光の透過性が９６％」，「ヘーズが３．３％」の値を用いて、曇価（ヘーズ）とシート抵抗（抵抗）との関係を示す曲線を求めれば、シート抵抗が５０Ω／□未満の範囲で曇価が１．５未満となる旨の主張をしている（申立書第４５頁下から第１０行〜第４８頁下から第７行）。
　しかし、上記追加実験で得られた値は、シート抵抗が１６３．４Ω／□であり、銀ナノ粒子の数は、シート抵抗が約２０Ω／□である甲４発明よりも少ないと考えられるにもかかわらず、光透過率は甲４発明の９６％を下回る９２．５％となっているため、不合理であると考えられるところ、この点について、申立人は何らの説明もしていない。
　また、甲４には、銀ナノワイヤの具体的な製造条件は記載されておらず、甲７にも銀ナノワイヤの具体的な製造条件は記載されていない。
　したがって、甲７に記載された追加実験は、甲４発明と同一の銀ナノワイヤを用いたものであるとは認められない。
　仮に、甲７に記載された追加実験が、甲４発明と同一の銀ナノワイヤを用いたものであるとしても、わずか２個の実験結果から、曇価とシート抵抗との関係を示す曲線を一義的に決定することはできないから、申立人の上記主張は前提を欠くものである。
　よって、申立人の上記主張を採用することはできない。
（イ）甲４発明における「銀ナノワイヤ」の「幅」及び「長さ」の「分布」について
　甲４発明では、塗膜に含まれる「銀ナノワイヤ」の「幅が約３５ｎｍから４５ｎｍであり、長さが約１０μｍである」ことが特定されている。
　しかし、甲４には、銀ナノワイヤの「幅」及び「長さ」として特定された上記の値について、その定義や測定方法、値の分布について、何らの記載もされていないから、上記の「幅」及び「長さ」の値の範囲から、銀ナノワイヤの「幅」及び「長さ」の「分布」（各区分毎の存在割合）を導くことはできず、他の甲号証を参酌しても、銀ナノワイヤの製造方法や製造条件は、甲４に記載された銀ナノワイヤの製造方法や製造条件とは異なるから、上記銀ナノワイヤの「幅」及び「長さ」の「分布」を導くことはできない。
　したがって、甲４発明は、本件発明１の「透明導体に含まれる」「銀ナノ構造体の９９％超が直径１５ｎｍ超５５ｎｍ以下であ」り、「透明導体に含まれる」「銀ナノ構造体の９５％超が５〜３０μｍの長さである」という発明特定事項に相当する事項を有しているとはいえない。
　また、甲４を含む甲各号証の記載を参酌しても、甲４発明の銀ナノワイヤの「幅」及び「長さ」それぞれの分布について、具体的に、９９％超を直径１５ｎｍ超５５ｎｍ以下とし、９５％超を５〜３０μｍの長さとすることを動機付ける記載を見いだすことはできない。
（ウ）以上のとおりであるから、本件発明１は、甲４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　ウ　本件発明３〜７について
　本件特許の請求項３〜７は、いずれも請求項１を引用しており、本件発明３〜７は、本件発明１の発明特定事項を全て有しているから、前記イで検討したとおりの理由により、本件発明３〜７は、甲４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　エ　本件発明８〜１０について
　本件発明８〜１０は、「透明導体」の「曇価」と「光透過率」に対する特定が、「透明導体の曇価が１．０％以上１．５％未満であり、波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの光における光透過率が９０％を超え」る点で、本件発明１とは異なるが、この点を読み替えれば、前記イの判断は、本件発明８〜１０に対しても、そのまま妥当するから、本件発明８〜１０は、甲４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　オ　小括
　以上のとおり、本件発明１，３〜１０は、甲４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないから、請求項１，３〜１０に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものではない。
（３）申立理由４（進歩性欠如）について
　ア　甲１０に記載された発明
　甲１０の（１０ｇ）には、ワイヤ状の形態を有する銀粒子である金属ナノワイヤＮＷ−１１，ＮＷ−１２の作製について記載されており、（１０ｈ）には、表１に上記金属ナノワイヤの長軸方向及び短軸方向における平均粒径と粒径分布が記載されており、（１０ｉ）には、上記金属ナノワイヤを用いて形成された透明導電体とその特性値が記載されているところ、特に、表１及び表２のＮＷ−１１，ＮＷ−１２及びＴＣ−１１，ＴＣ−１２に注目すると、甲１０には、以下の「甲１０発明１」（透明導電体番号ＴＣ−１１に対応）及び「甲１０発明２」（透明導電体番号ＴＣ−１２に対応）が記載されているものと認められる。
（甲１０発明１）
　ワイヤ状の形態を有する銀粒子である金属ナノワイヤを含む透明導電体であって、
　全光透過率９０％のポリエチレンテレフタレート支持体を含む前記透明導電体の、可視光領域（３６０ｎｍ〜７００ｎｍ）における全光透過率が８２％であり、
　表面抵抗率が３６Ω／□であり、
　前記透明導電体に含まれる前記金属ナノワイヤの短軸方向の平均粒径が７２ｎｍであって、粒径分布（粒径の標準偏差／平均粒径×１００）が２２％であり、
　前記透明導電体に含まれる前記金属ナノワイヤの長軸方向の平均粒径が６．２μｍであって、粒径分布（粒径の標準偏差／平均粒径×１００）が３２％である、
　透明導電体。
（甲１０発明２）
　ワイヤ状の形態を有する銀粒子である金属ナノワイヤを含む透明導電体であって、
　全光透過率９０％のポリエチレンテレフタレート支持体を含む前記透明導電体の、可視光領域（３６０ｎｍ〜７００ｎｍ）における全光透過率が８５％であり、
　表面抵抗率が２８Ω／□であり、
　前記透明導電体に含まれる前記金属ナノワイヤの短軸方向の平均粒径が８８ｎｍであって、粒径分布（粒径の標準偏差／平均粒径×１００）が１４％であり、
　前記透明導電体に含まれる前記金属ナノワイヤの長軸方向の平均粒径が７．６μｍであって、粒径分布（粒径の標準偏差／平均粒径×１００）が２３％である、
　透明導電体。
　イ　本件発明１について
（ア）甲１０発明１，２における「表面抵抗率」と「全光透過率」との関係について
　ａ　本件発明１では、「シート抵抗」と「曇価」及び「光透過率」との関係について、「シート抵抗が３０オーム／スクエア以上５０オーム／スクエア未満であり、」「曇価が０．０４％」「の基板を含む測定により得られた」「透明導体の曇価が１．２９％以上１．５％未満であり、」「光透過率が９３．４％の基板を含む測定により得られた」「波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの光における光透過率が９０％超９１．４％以下であ」ることが特定されている。
　一方、甲１０発明１では、「ポリエチレンテレフタレート支持体」を基板とした場合における「全光透過率」（本件発明１の「光透過率」に相当）の値が特定されているため、上記「ポリエチレンテレフタレート支持体」の光透過率９０％（（１０ｉ）［０１１４］）を用いて、本件発明１と同一の光透過率の基板を用いた場合の値を算出すると、基板を含まない透明導電体単体の値は、
　０．８２（透明導電体×基板）÷０．９（基板）
となるから、透過率９３．４％の基板を含む光透過率は、
　０．８２÷０．９×０．９３４＝０．８５１＝８５．１％
となる。
　同様に甲１０発明２についても光透過率を算出すると８８．２％となる。
　ｂ　また、甲１０には「曇価」についての記載はないから、甲１０発明１，２の「曇価」については不明である。
　ｃ　したがって、甲１０発明１，２は、本件発明１の「曇価が０．０４％」「の基板を含む測定により得られた」「透明導体の曇価が１．２９％以上１．５％未満であり、」「光透過率が９３．４％の基板を含む測定により得られた」「波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの光における光透過率が９０％超９１．４％以下であり、シート抵抗が３０オーム／スクエア以上５０オーム／スクエア未満であ」るという発明特定事項に相当する事項を有しているとはいえない（なお、甲１０発明１は、表面抵抗率（本件発明１の「シート抵抗」に相当）については、本件発明１の範囲内の３６Ω／□となっているが、光透過率９３．４％の基板を用いた場合の光透過率は、前記ｂのとおり、本件発明１の範囲外の８５．１％であり、曇価については不明であるから、上記発明特定事項に相当する事項を有しているとはいえない）。
　また、甲９には、タッチパネルに用いる透明導電層の抵抗値（本件発明１の「シート抵抗」に相当）を２０〜４０Ω／□の範囲にすることが記載されていることに照らし（９ｂ）、甲１０発明１，２において、シート抵抗を、それぞれの３６Ω／□，２８Ω／□という値から、上記の２０〜４０Ω／□の範囲の値に変更すること（シート抵抗を上記範囲のより高い値に変更することによって金属ナノワイヤの量を減らして光透過率を高くすること）に動機付けがあるとしても、甲１０には、「シート抵抗と光透過率との定量的な関係」については記載がなく、他の甲号証についても同様であるから、甲１０発明１，２において、シート抵抗を上記のように変更した場合に、具体的に、光透過率が９０％超９１．４％以下になるとはいえず、このようにすることが当業者にとって容易であるともいえない。
　また、曇価については、上記のとおり、甲１０には何らの記載もなく、甲１１を含め他の甲号証を参酌しても、１．２９以上１．５未満とすることを動機付ける記載を見いだすことはできない。
（イ）甲１０発明１，２における「銀粒子である金属ナノワイヤ」の「長軸方向の粒径」及び「短軸方向の粒径」の「分布」について
　ａ　「銀粒子である金属ナノワイヤ」の「長軸方向の粒径」に関して、甲１０発明１では、「平均粒径が６．２μｍであって、粒径分布（粒径の標準偏差／平均粒径×１００）が３２％である」ことが特定されている。
　上記特定における粒径分布の値から、「長軸方向の粒径」の標準偏差σ１を算出すると、
　σ１＝６．２μｍ（平均粒径）×０．３２（粒径分布）＝１．９８μｍ
となり、「平均粒径±２σ１の値」は、それぞれ、
　平均粒径−２σ１＝２．２４μｍ，平均粒径＋２σ１＝１０．１６μｍ
とるから、「長軸方向の粒径」が正規分布をすることを前提にすれば、金属ナノワイヤの９５．４％が２．２４μｍ〜１０．１６μｍの範囲に存在することになる。
　同様に、甲１０発明２について、「長軸方向の粒径」の標準偏差σ２を算出すると１．７５μｍとなるから、「長軸方向の粒径」が正規分布をすることを前提にすれば、金属ナノワイヤの９５．４％が４．１０（平均粒径−２σ２）μｍ〜１１．１０（平均粒径＋２σ２）μｍの範囲に存在することになる。
　したがって、甲１０発明１，２は、本件発明１の「透明導体に含まれる」「銀ナノ構造体の９５％超が５〜３０μｍの長さである」という発明特定事項に相当する事項を有している蓋然性が高い。
　ｂ　他方、「銀粒子である金属ナノワイヤ」の「短軸方向の粒径」に関して、甲１０発明１では、「平均粒径が７２ｎｍであって、粒径分布（粒径の標準偏差／平均粒径×１００）が２２％である」ことが特定され、甲１０発明２では、「平均粒径が８８ｎｍであって、粒径分布（粒径の標準偏差／平均粒径×１００）が１４％である」ことが特定されている。
　しかし、「短軸方向の粒径」については、いずれの「平均粒径」（それぞれ、７２ｎｍ，８８ｎｍ）も、本件発明１の「銀ナノ構造体」の「直径１５ｎｍ超５５ｎｍ以下」の範囲を超える値であるから、前記ａと同様に検討をを行っても、甲１０発明１，２は、本件発明１の「透明導体に含まれる」「銀ナノ構造体の９９％超が直径１５ｎｍ超５５ｎｍ以下であ」るという発明特定事項に相当する事項を有しているとはいえない。
　また、甲１０を含む甲各号証の記載を参酌しても、甲１０発明１，２の銀粒子である金属ナノワイヤの「短軸方向の粒径」の分布について、具体的に、９９％超を直径１５ｎｍ超５５ｎｍ以下にすることを動機付ける記載を見いだすことはできない。
（ウ）以上のとおりであるから、本件発明１は、甲１０及び甲１１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　ウ　本件発明３〜７について
　本件特許の請求項３〜７は、いずれも請求項１を引用しており、本件発明３〜７は、本件発明１の発明特定事項を全て有しているから、前記イで検討したとおりの理由により、本件発明３〜７は、甲１０及び甲１１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　エ　本件発明８〜１０について
　本件発明８〜１０は、「透明導体」の「曇価」と「光透過率」に対する特定が、「透明導体の曇価が１．０％以上１．５％未満であり、波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの光における光透過率が９０％を超え」る点で、本件発明１とは異なるが、この点を読み替えれば、前記イの判断は、本件発明８〜１０に対しても、そのまま妥当するから、本件発明８〜１０は、甲１０及び甲１１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　オ　小括
　以上のとおり、本件発明１，３〜１０は、甲１０及び甲１１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないから、請求項１，３〜１０に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものではない。
（４）申立理由５（サポート要件違反）について
　１　申立理由５の内容
　申立理由５は、申立書第６０頁第１０〜２１行の記載に基づくものであるところ、その内容は以下のとおりである。
　本件訂正前の請求項１は、「前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体の９５％超が５〜３０μｍの長さである」ことを発明特定事項とするものであるところ、発明の詳細な説明の表１におけるバッチ１〜３の値域範囲５〜３０μｍまでの範囲の数値を足し合わせると、それぞれ８８．４％，９４．７％，９２．２％であり、いずれも９５％未満であって、請求項１の記載と矛盾する一方で、発明の詳細な説明の表２における９５パーセンタイルの数値は、請求項１に記載の数値と一致するから、本件訂正前の請求項１に記載の「９５％超が５〜３０μｍの長さ」及び発明の詳細な説明に記載された長さに関する％の用語が不統一であり、その結果両者の対応関係が不明確となっているため、本件発明１〜１０は、発明の詳細な説明に記載したものではない。
　２　申立理由５の検討
（１）特許請求の範囲の記載がサポート要件に適合するか否かは、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載とを対比し、特許請求の範囲に記載された発明が、発明の詳細な説明に記載された発明で、発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識し得る範囲のものであるか否か、また、発明の詳細な説明に記載や示唆がなくとも当業者が出願時の技術常識に照らし当該発明の課題を解決できると認識し得る範囲のものであるか否かを検討して判断すべきである。
　そこで、以下、本件発明が解決しようとする課題を踏まえつつ、本件特許の特許請求の範囲の記載がサポート要件に適合するか否かを検討する。
（２）本件発明の解決しようとする課題（本件課題）
　ア　本件明細書等の発明の詳細な説明（以下、「発明の詳細な説明」という。）には、「【発明が解決すべき課題】」の欄がないため、発明の詳細な説明には、本件発明が解決しようとする課題（以下、「本件課題」という。）は、明示的には記載されていないが、「【背景技術】」の欄には、「透明導体の多数の商業的応用例（例えば、タッチパネル及びディスプレイ）は、曇価レベルを２％未満に維持する必要がある。したがって、低曇価透明導体の製造は、かかる低レベルの曇価を達成する際に満足な導電率を維持することが不可能であり得るので、特に困難である。」（【０００５】）という記載があり、「【発明を実施するための形態】」の欄には「導電膜の導電率は・・・オーム／スクエア（又は「Ω／□」）で表される。・・・本明細書では、薄膜は、１０８Ω／□以下のシート抵抗を有する場合に導電性とみなされる。好ましくは、シート抵抗は１０４Ω／□、３，０００Ω／□、１，０００Ω／□又は３５０Ω／□、又は１００Ω／□以下である。」（【００２８】）という記載がある。
　イ　前記アの各記載によれば、従来、多数の商業的応用例に用いる透明導体の曇価レベルは２％未満に維持する必要があるにもかかわらず、このような低曇価を維持しつつ、満足な導電率を維持することが不可能であり得たところ、本件発明では、導電率をシート抵抗の単位であるオーム／スクエア（Ω／□）で表した場合に、１０４Ω／□以下、３，０００Ω／□以下、１，０００Ω／□以下、３５０Ω／□以下、又は、１００Ω／□以下であることが好ましいとされており、これらのシート抵抗の値は、曇価が２％未満であることを前提にするものであることは明らかである。
　したがって、本件課題は、「曇価を２％未満に維持しつつ、シート抵抗が１０４Ω／□以下、３，０００Ω／□以下、１，０００Ω／□以下、３５０Ω／□以下、又は１００Ω／□以下の透明導体を提供すること」であると認められる。
（３）検討
　ア　申立人が主張するように、発明の詳細な説明の表１におけるバッチ１〜３の値域範囲５〜３０μｍの範囲の数値を足し合わせると、それぞれ、８８．４％，９４．７％，９２．２％となるところ、本件発明１の「前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体の９５％超が５〜３０μｍの長さである」という発明特定事項が、発明の詳細な説明に記載されたものであることは直ちには明らかとはならない。
　イ　しかし、発明の詳細な説明には「更なる一実施形態は、曇価が１．５％未満である複数の導電性ナノ構造体を含む透明導体であって、アスペクト比が少なくとも１０である導電性ナノ構造体の９５％超が長さ約５から３０μｍである、透明導体を提供する。」（【００５４】）、「更なる一実施形態は、複数の導電性ナノ構造体を含み、曇価が１．５％未満である、低曇価透明導体であって、アスペクト比が少なくとも１０である導電性ナノ構造体の９５％超が長さ約５から３０μｍであ・・・る、低曇価透明導体を提供する。」（【００７５】）と、前記（１）の発明特定事項に相当する記載がされている。
　また、発明の詳細な説明には、導電性ナノ構造体（ナノワイヤ）の製造方法に関し、「２段階合成は、ナノワイヤの半径方向及び軸方向の成長を別々に促進し、その結果、ナノワイヤの直径と長さを別々に制御することができる。」（【００８３】），「第１段階の最後では、ナノワイヤの長さは最終の所望の長さよりも短いが、ナノワイヤの直径はその最終寸法にかなり近い。」（【００８５】），「第２段階中、主なワイヤ成長は軸方向である一方、半径方向の成長は効果的に減速され、又は停止さえされる。」（【００８６】）と記載されるとおり、「２段階合成」によって、ナノワイヤの半径方向及び軸方向の成長を別々に制御することができ、第２段階では、実質的に軸方向のみの成長が可能であることが記載されており、実施例として表１に記載された「バッチ２」についても、値域範囲５〜５０μｍにおける境界値（５μｍ，５０μｍ）を包含するのか否かが明らかではないものの、その値は９４．７％であり、小数第１位を四捨五入すれば、９５％となるものであって、当業者であれば、第２段階の条件を調整することによって、その値をさらに大きくすることも可能であることを理解できる。
　さらに、発明の詳細な説明の表２に記載された９５パーセンタイルの値（２８．５μｍ）は、表１の値域範囲０〜５μｍの値も含めた積算値に基づくものであるから、請求項１の「９５％超が５〜３０μｍの長さ」という記載との間に不整合はない。
　ウ　したがって、発明の詳細な説明に接した当業者であれば、発明の詳細な説明には、本件発明１の「前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体の９５％超が５〜３０μｍの長さである」という発明特定事項が実質的に記載されており、当該発明特定事項が、表２に記載された９５パーセンタイルの値とも矛盾しないことを理解できるといえるから、本件発明１は、発明の詳細な説明に記載されたものであると認められる。
　また、同様の理由により、上記の発明特定事項を共通に有している本件発明３〜１０についても、発明の詳細な説明に記載されたものであると認められる。
　エ　以上のとおり、本件発明１，３〜１０は、いずれも発明の詳細な説明に記載されたものであるところ、本件発明１，３〜７は、いずれも「透明導体の曇価が１．２９％以上１．５％未満であり」「シート抵抗が３０オーム／スクエア以上５０オーム／スクエア未満であり」という発明特定事項を有し、本件発明８〜１０は、いずれも「透明導体の曇価が１．０％以上１．５％未満であり」「シート抵抗が３０オーム／スクエア以上５０オーム／スクエア未満であり」という発明特定事項を有するから、本件発明１，３〜１０は、いずれも、前記（２）イの本件課題を解決することができるものである。
　よって、本件特許の特許請求の範囲の記載は、サポート要件に適合するといえるから、前記１の申立人の主張を採用することはできない。
　３　小括
　以上のとおり、本件発明１，３〜１０は、発明の詳細な説明に記載したものであるから、請求項１，３〜１０に係る本件特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものではない。
第６　結び
　以上のとおりであるから、取消理由通知に記載した取消理由、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、請求項１，３〜１０に係る本件特許を取り消すことはできない。
　また、他に請求項１，３〜１０に係る本件特許を取り消すべき理由を発見しない。
　そして、請求項２に係る本件特許は、訂正により存在しないものとなったため、請求項２に係る本件特許に対する特許異議の申立てについては、対象となる請求項が存在しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成３０年１１月５日（２０１８．１１．５）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　複数の導電性の銀ナノ構造体を含む透明導体であって、前記透明導体の曇価が
１．２９％以上１．５％未満
超９１．４％以下であり、
０オーム／スクエア以上５０オーム／スクエア未満
　前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体は、少なくともアスペクト比が１０であり、
　前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体の９９％超が直径
１５ｎｍ超５５ｎｍ以下
　前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体の９５％超が５〜３０μｍの長さである透明導体（ただし、前記光透過率と前記曇価は、曇価が０．０４％で前記光透過率が９３．４％の基板を含む測定により得られた値である）。
　【請求項２】
（削除）
　【請求項３】
　前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体の平均長さが１０〜２２μｍである、請求項
１
　【請求項４】
　前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体の平均平方長さが１２０〜４００μｍ２である、請求項
１
　【請求項５】
　前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体の９９％超が直径４５ｎｍ以下である、請求項
１
　【請求項６】
　前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体の９５％超が直径１５から５０ｎｍである請求項
１
　【請求項７】
　前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体の９５％超が直径２０から４０ｎｍである、請求項
１
　【請求項８】
　
複数の導電性の銀ナノ構造体を含む透明導体であって、前記透明導体の曇価が１．０％以上１．５％未満であり、波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの光における光透過率が９０％を超え、シート抵抗が３０オーム／スクエア以上５０オーム／スクエア未満であり、
　前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体は、少なくともアスペクト比が１０であり、
　前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体の９９％超が直径１５ｎｍ超５５ｎｍ以下であり、
　前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体の９５％超が５〜３０μｍの長さであり、
　前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体の平均直径が２６〜３２ｎｍであり、標準偏差が４〜６ｎｍの範囲で
ある、透明導体（ただし、前記光透過率と前記曇価は、曇価が０．０４％で前記光透過率が９３．４％の基板を含む測定により得られた値である）。
　【請求項９】
　
複数の導電性の銀ナノ構造体を含む透明導体であって、前記透明導体の曇価が１．０％以上１．５％未満であり、波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの光における光透過率が９０％を超え、シート抵抗が３０オーム／スクエア以上５０オーム／スクエア未満であり、
　前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体は、少なくともアスペクト比が１０であり、
　前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体の９９％超が直径１５ｎｍ超５５ｎｍ以下であり、
　前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体の９５％超が５〜３０μｍの長さであり、
　前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体の平均直径が２９ｎｍであり、標準偏差が４〜５ｎｍの範囲で
ある、透明導体（ただし、前記光透過率と前記曇価は、曇価が０．０４％で前記光透過率が９３．４％の基板を含む測定により得られた値である）。
　【請求項１０】
　
複数の導電性の銀ナノ構造体を含む透明導体であって、前記透明導体の曇価が１．０％以上１．５％未満であり、波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの光における光透過率が９０％を超え、シート抵抗が３０オーム／スクエア以上５０オーム／スクエア未満であり、
　前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体は、少なくともアスペクト比が１０であり、
　前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体の９９％超が直径１５ｎｍ超５５ｎｍ以下であり、
　前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体の９５％超が５〜３０μｍの長さであり、
　前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体の平均長さが１０〜２２μｍであり、前記透明導体に含まれる前記銀ナノ構造体の平均直径が２６〜３２ｎｍであり、標準偏差が４〜６ｎｍの範囲である、
透明導体（ただし、前記光透過率と前記曇価は、曇価が０．０４％で前記光透過率が９３．４％の基板を含む測定により得られた値である）。