【事件の表示】
　特許第６１８３７６０号発明「太陽電池及びその製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６１８３７６０号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された特許請求の範囲のとおり訂正後の請求項〔１〜７、１１〜２５〕について訂正することを認める。
　特許第６１８３７６０号の請求項１ないし３、５ないし７、１１ないし１４及び１９ないし２２に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　特許第６１８３７６０号の請求項１ないし１６に係る特許についての出願は、平成２６年９月１７日（国際出願日）に出願され、平成２９年８月４日付けでその特許権が設定登録され、平成２９年８月２３日に特許掲載公報が発行された。その後、その特許について、平成３０年２月２２日に特許異議申立人成田隆臣（以下「申立人」という。）により請求項１〜３、５〜７及び１１〜１４に係る特許に対する特許異議申立てがされ、当審は、平成３０年４月２７日に取消理由を通知した。特許権者は、その指定期間内である平成３０年７月３日に、意見書の提出及び訂正の請求を行い、その訂正の請求に対して、申立人は、平成３０年９月２１日に意見書を提出した。当審は、平成３０年１０月１９日に取消理由（決定の予告）を通知し、特許権者は、その指定期間内である平成３０年１２月２５日に、意見書の提出及び訂正の請求を行い、平成３１年１月２５日付けで当審から申立人に対し訂正請求があった旨の通知（特許法第１２０条の５第５項）をするとともに期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが、申立人から意見書は提出されなかったたものである。
  
第２　訂正の適否についての判断可否 
１　訂正の内容 
　平成３０年１２月２５日の訂正の請求（以下「本件訂正請求」という。）による訂正（以下「本件訂正」という。）の内容は、以下の（１）〜（１２）のとおりである。
（１）請求項１ないし３、５ないし７に係る「シアノ基含有有機化合物の中から選択される一以上の有機化合物」を「シアノ基含有有機化合物の中から選択される一以上の有機化合物（電解質の溶媒として用いられる有機化合物を除く）」に訂正する。
（２）本件訂正前の請求項４が請求項１〜３のいずれか１項を引用する記載であったところ、請求項１を引用していた請求項４を請求項４とし、請求項２を引用していた請求項４を請求項１７とし、請求項３を引用していた請求項４を請求項１８とし、独立形式請求項へ改めるために訂正をする。
（３）本件訂正前の請求項１１が「請求項１〜１０」のいずれか１項を引用する記載であったところ、「請求項１〜３、５〜７」のいずれか１項を引用する記載に訂正する。
（４）本件訂正前の請求項１２が「請求項１〜１１」のいずれか１項を引用する記載であったところ、「請求項１〜３、５〜７、１１」のいずれか１項を引用する記載に訂正する。
（５）本件訂正前の請求項１３が「請求項１〜１２」のいずれか１項を引用する記載であったところ、「請求項１〜３、５〜７、１１、１２」のいずれか１項を引用する記載に訂正する。
（６）本件訂正前の請求項１４が請求項１３を引用する記載であったところ、上記（５）に記載されたとおり請求項１３の引用する請求項が減縮されたことにともない訂正する。
（７）本件訂正前の請求項１５が請求項１〜３のいずれか１項を引用する記載であったところ、請求項１を引用していた請求項１５を請求項１５とし、請求項２を引用していた請求項１５を請求項２３とし、請求項３を引用していた請求項１５を請求項２４とし、独立形式請求項へ改めるために訂正をする。
（８）本件訂正前の請求項１６が請求項１５を引用する記載であったところ、上記（７）に記載されたように本件訂正前の請求項１５が独立形式請求項に改められたことにともない、本件訂正後の請求項１５を引用する請求項１６とし、本件訂正後の請求項２３または２４を引用する請求項２５とする訂正をする。
（９）本件訂正前の請求項１１が「請求項１〜１０」のいずれか１項を引用する記載であったところ、請求項１１の一部を請求項１９とし、「請求項４、１７、１８、８〜１０」のいずれか１項を引用する記載に訂正する。
（１０）本件訂正前の請求項１２が「請求項１〜１１」のいずれか１項を引用する記載であったところ、請求項１２の一部を請求項２０とし、「請求項４、１７、１８、８〜１０、１９」のいずれか１項を引用する記載に訂正する。
（１１）本件訂正前の請求項１３が「請求項１〜１２」のいずれか１項を引用する記載であったところ、請求項１３の一部を請求項２１とし、「請求項４、１７、１８、８〜１０、１９、２０」のいずれか１項を引用する記載に訂正する。
（１２）本件訂正前の請求項１４が請求項１３を引用する記載であったところ、請求項１４の一部を請求項２２とし、「請求項２１」を引用する記載に訂正する。
　本件訂正は、一群の請求項［１〜７、１１〜２５］に対して請求されたものである。
  
２ 訂正の目的の適否、新規事項の有無、特許請求の範囲の拡張・変更の存否  
（１）請求項１ないし３、５ないし７に係る訂正について
　請求項１ないし３、５ないし７に係る「シアノ基含有有機化合物の中から選択される一以上の有機化合物（電解質の溶媒として用いられる有機化合物を除く）」は、「シアノ基含有有機化合物の中から選択される一以上の有機化合物」の電解質の溶媒として用いられる有機化合物を除くように特定したものであるから、「シアノ基含有有機化合物の中から選択される一以上の有機化合物」を「シアノ基含有有機化合物の中から選択される一以上の有機化合物（電解質の溶媒として用いられる有機化合物を除く）」とする訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 
　また、上記のとおり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。  
（２）請求項４、１７、１８に係る訂正について
　本件訂正前の請求項４が請求項１〜３のいずれか１項を引用する記載であったところ、請求項１を引用していた請求項４を請求項４とし、請求項２を引用していた請求項４を請求項１７とし、請求項３を引用していた請求項４を請求項１８とし、独立形式請求項へ改めるための訂正は、他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすることを目的とするものである。 
　また、上記のとおり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。  
（３）請求項１１に係る訂正について
　本件訂正前の請求項１１が「請求項１〜１０」のいずれか１項を引用する記載であったところ、「請求項１〜３、５〜７」のいずれか１項を引用する記載に変更する訂正は、上記（１）に記載したとおり、請求項１ないし３、５ないし７に係る訂正が特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるので、当該訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 
　また、上記のとおり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（４）請求項１２に係る訂正について
　本件訂正前の請求項１２が「請求項１〜１１」のいずれか１項を引用する記載であったところ、「請求項１〜３、５〜７、１１」のいずれか１項を引用する記載に変更する訂正は、上記（１）、（３）に記載したとおり、請求項１ないし３、５ないし７、１１に係る訂正が特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるので、当該訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 
　また、上記のとおり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（５）請求項１３に係る訂正について
　本件訂正前の請求項１３が「請求項１〜１２」のいずれか１項を引用する記載であったところ、「請求項１〜３、５〜７、１１、１２」のいずれか１項を引用する記載に変更する訂正は、上記（１）、（３）、（４）に記載したとおり、請求項１ないし３、５ないし７、１１、１２に係る訂正が特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるので、当該訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 
　また、上記のとおり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（６）請求項１４に係る訂正について
　本件訂正前の請求項１４が請求項１３を引用する記載であったところ、上記（５）に記載されたとおり請求項１３の引用する請求項が減縮されたことにともない訂正されたものであるので、当該訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 
　また、上記のとおり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（７）請求項１５、２３、２４に係る訂正について
　本件訂正前の請求項１５が請求項１〜３のいずれか１項を引用する記載であったところ、請求項１を引用していた請求項１５を請求項１５とし、請求項２を引用していた請求項１５を請求項２３とし、請求項３を引用していた請求項１５を請求項２４とし、独立形式請求項へ改めるための訂正は、他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすることを目的とするものである。 
　また、上記のとおり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。  
（８）請求項１６、２５に係る訂正について
　上記（７）に記載されたように本件訂正前の請求項１５が請求項１〜３のいずれか１項を引用する記載であったところ、請求項１を引用していた請求項１５を請求項１５とすることにともない、本件訂正後の請求項１５を引用する本件訂正後の請求項１６とする訂正は、間接的に引用していた請求項２、３を引用しないようにする訂正であるから、当該訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 
　また、上記のとおり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　請求項１６の一部を請求項２５とし、上記（７）に記載されたように本件訂正前の請求項１５が請求項１〜３のいずれか１項を引用する記載であったところ、請求項２を引用していた請求項１５を請求項２３とし、請求項３を引用していた請求項１５を請求項２４とすることにともない、本件訂正後の請求項２３、２４を引用する本件訂正後の請求項２５とする訂正は、間接的に引用していた請求項１を引用しないようにする訂正であるから、当該訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 
　また、上記のとおり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（９）請求項１９に係る訂正について
　本件訂正前の請求項１１が「請求項１〜１０」のいずれか１項を引用する記載であったところ、請求項１１の一部を請求項１９とし、「請求項４、１７、１８、８〜１０」のいずれか１項を引用する記載に変更する訂正は、引用していた請求項１〜３、５〜７を引用しないものとするものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また、上記のとおり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（１０）請求項２０に係る訂正について
　本件訂正前の請求項１２が「請求項１〜１１」のいずれか１項を引用する記載であったところ、請求項１２の一部を請求項２０とし、「請求項４、１７、１８、８〜１０、１９」のいずれか１項を引用する記載に変更する訂正は、直接又は間接的に引用していた請求項１〜３、５〜７を引用しないものとするものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また、上記のとおり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（１１）請求項２１に係る訂正について
　本件訂正前の請求項１３が「請求項１〜１２」のいずれか１項を引用する記載であったところ、請求項１３の一部を請求項２１とし、「請求項４、１７、１８、８〜１０、１９、２０」のいずれか１項を引用する記載に変更する訂正は、直接又は間接的に引用していた請求項１〜３、５〜７を引用しないものとするものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また、上記のとおり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（１２）請求項２２に係る訂正について
　本件訂正前の請求項１４が請求項１３を引用する記載であったところ、請求項１４の一部を請求項２２とし、「請求項２１」を引用する記載に変更する訂正は、上記（１１）に記載したとおり、請求項２１に係る訂正が特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるので、請求項２２に係る訂正も特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また、上記のとおり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（１３）請求項１６、２５についての独立特許要件について
　特許異議が申し立てられていない請求項１６について、請求項１６の一部を請求項１６と請求項２５とに、それぞれ訂正された。そして、上記（８）に記載したように、本件訂正後の請求項１６、２５に係る訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるので、独立特許要件について検討する。 
　請求項１６、２５に係る発明は、請求項１６に係る発明を減縮したものであるところ、本件訂正前の請求項１６について取消理由を通知していないので、同取消理由によっては、特許出願の際独立して特許を受けることができないとはいえない。
　また、他に請求項１６、２５に係る発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができないとする理由を発見しない。
　したがって、請求項１６、２５についての訂正は、特許法第１２０条の５第９項の規定によって準用する第１２６条第７項に適合するものである。
３　小括  
　以上のとおりであるから、本件訂正請求による訂正は特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号又は第４号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、特許法第１２０条の５第９項において準用する特許法第１２６条第５項及び第６項までの規定に適合するので、訂正後の請求項〔１〜７、１１〜２５〕について訂正することを認める。  
第３　本件発明  
　本件訂正請求により訂正された訂正請求項１〜２５に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」〜「本件発明２５」という。）は、下記のとおりのものである。  
  
 「【請求項１】
　少なくとも第一の半導体層及び第二の半導体層を有し、
　前記第一の半導体層が、平均粒子径が１ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の金属酸化物粒子と比誘電率が５以上の有機化合物とを含む層であり、
　前記金属酸化物粒子は、酸化銅（Ｉ）、酸化銅（ＩＩ）、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化銀、酸化チタン、アルミニウムをドープした酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウムをドープした酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化スズ、フッ素ドープの酸化スズ（ＦＴＯ）、酸化インジウム、インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物、酸化ニッケル、ＣｕＡｌＯ2、ＣｕＧａＯ2、ＳｒＣｕ2Ｏ2、ＬａＣｕＯＳ、ＬａＣｕＯＳｅ、ＣｕＩｎＯ2、ＺｎＲｈ2Ｏ4、１２ＣａＯ・７Ａｌ2Ｏ3（Ｃ１２Ａ７）、Ｇａ2Ｏ3、の中から選択される一以上の金属酸化物粒子であり、
　前記有機化合物は、シアノ基含有有機化合物の中から選択される一以上の有機化合物（電解質の溶媒として用いられる有機化合物を除く）である、太陽電池。
　　【請求項２】
　少なくとも第一の半導体層及び第二の半導体層を有し、
　前記第一の半導体層が、平均粒子径が１ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の金属酸化物粒子と比誘電率が５以上、１０００以下の有機化合物とを含む層であり、
　前記第一の半導体層中の前記有機化合物の含有量が１０質量％以上、９０質量％以下であり、
　前記金属酸化物粒子は、酸化銅（Ｉ）、酸化銅（ＩＩ）、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化銀、酸化チタン、アルミニウムをドープした酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウムをドープした酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化スズ、フッ素ドープの酸化スズ（ＦＴＯ）、酸化インジウム、インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物、酸化ニッケル、ＣｕＡｌＯ2、ＣｕＧａＯ2、ＳｒＣｕ2Ｏ2、ＬａＣｕＯＳ、ＬａＣｕＯＳｅ、ＣｕＩｎＯ2、ＺｎＲｈ2Ｏ4、１２ＣａＯ・７Ａｌ2Ｏ3（Ｃ１２Ａ７）、Ｇａ2Ｏ3、の中から選択される一以上の金属酸化物粒子であり、
　前記有機化合物は、シアノ基含有有機化合物の中から選択される一以上の有機化合物（電解質の溶媒として用いられる有機化合物を除く）である、太陽電池。
　　【請求項３】
　少なくとも第一の半導体層及び第二の半導体層を有し、
　前記第一の半導体層が、平均粒子径が１ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の金属酸化物粒子と、比誘電率が１０以上、２００以下の有機化合物とを含む層であり、
　前記第一の半導体層中の前記有機化合物の含有量が２０質量％以上、７０質量％以下であり、
　前記金属酸化物粒子は、酸化銅（Ｉ）、酸化銅（ＩＩ）、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化銀、酸化チタン、アルミニウムをドープした酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウムをドープした酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化スズ、フッ素ドープの酸化スズ（ＦＴＯ）、酸化インジウム、インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物、酸化ニッケル、ＣｕＡｌＯ2、ＣｕＧａＯ2、ＳｒＣｕ2Ｏ2、ＬａＣｕＯＳ、ＬａＣｕＯＳｅ、ＣｕＩｎＯ2、ＺｎＲｈ2Ｏ4、１２ＣａＯ・７Ａｌ2Ｏ3（Ｃ１２Ａ７）、Ｇａ2Ｏ3、の中から選択される一以上の金属酸化物粒子であり、
　前記有機化合物は、シアノ基含有有機化合物の中から選択される一以上の有機化合物（電解質の溶媒として用いられる有機化合物を除く）である、太陽電池。
　　【請求項４】
　少なくとも第一の半導体層及び第二の半導体層を有し、
　前記第一の半導体層が、平均粒子径が１ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の金属酸化物粒子と比誘電率が５以上の有機化合物とを含む層であり、
　前記金属酸化物粒子は、酸化銅（Ｉ）、酸化銅（ＩＩ）、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化銀、酸化チタン、アルミニウムをドープした酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウムをドープした酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化スズ、フッ素ドープの酸化スズ（ＦＴＯ）、酸化インジウム、インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物、酸化ニッケル、ＣｕＡｌＯ2、ＣｕＧａＯ2、ＳｒＣｕ2Ｏ2、ＬａＣｕＯＳ、ＬａＣｕＯＳｅ、ＣｕＩｎＯ2、ＺｎＲｈ2Ｏ4、１２ＣａＯ・７Ａｌ2Ｏ3（Ｃ１２Ａ７）、Ｇａ2Ｏ3、の中から選択される一以上の金属酸化物粒子であり、
　前記有機化合物は、シアノ基含有有機化合物の中から選択される一以上の有機化合物であり、
　前記シアノ基含有有機化合物は、シアノエチルプルラン、シアノエチルポリビニルアルコール、およびシアノエチルサッカロース（シアノエチルスクロース）である、太陽電池。
　　【請求項５】
　少なくとも第一の半導体層及び第二の半導体層を有し、
　前記第一の半導体層が、平均粒子径が１ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の金属酸化物粒子と比誘電率が５以上の有機化合物とを含む層であり、
　前記金属酸化物粒子は、酸化銅（Ｉ）、酸化銅（ＩＩ）、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化銀、酸化チタン、アルミニウムをドープした酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウムをドープした酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化スズ、フッ素ドープの酸化スズ（ＦＴＯ）、酸化インジウム、インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物、酸化ニッケル、ＣｕＡｌＯ2、ＣｕＧａＯ2、ＳｒＣｕ2Ｏ2、ＬａＣｕＯＳ、ＬａＣｕＯＳｅ、ＣｕＩｎＯ2、ＺｎＲｈ2Ｏ4、１２ＣａＯ・７Ａｌ2Ｏ3（Ｃ１２Ａ７）、Ｇａ2Ｏ3、の中から選択される一以上の金属酸化物粒子であり、
　前記有機化合物は、フッ素系樹脂及びシアノ基含有有機化合物の中から選択される一以上の有機化合物（電解質の溶媒として用いられる有機化合物を除く）であり、
　前記第二の半導体層がシリコンを含む層である太陽電池。
　　【請求項６】
　少なくとも第一の半導体層及び第二の半導体層を有し、
　前記第一の半導体層が、平均粒子径が１ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の金属酸化物粒子と比誘電率が５以上、１０００以下の有機化合物とを含む層であり、
　前記第一の半導体層中の前記有機化合物の含有量が１０質量％以上、９０質量％以下であり、
　前記金属酸化物粒子は、酸化銅（Ｉ）、酸化銅（ＩＩ）、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化銀、酸化チタン、アルミニウムをドープした酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウムをドープした酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化スズ、フッ素ドープの酸化スズ（ＦＴＯ）、酸化インジウム、インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物、酸化ニッケル、ＣｕＡｌＯ2、ＣｕＧａＯ2、ＳｒＣｕ2Ｏ2、ＬａＣｕＯＳ、ＬａＣｕＯＳｅ、ＣｕＩｎＯ2、ＺｎＲｈ2Ｏ4、１２ＣａＯ・７Ａｌ2Ｏ3（Ｃ１２Ａ７）、Ｇａ2Ｏ3、の中から選択される一以上の金属酸化物粒子であり、
　前記有機化合物は、フッ素系樹脂及びシアノ基含有有機化合物の中から選択される一以上の有機化合物（電解質の溶媒として用いられる有機化合物を除く）であり、
　前記第二の半導体層がシリコンを含む層である太陽電池。
　　【請求項７】
　少なくとも第一の半導体層及び第二の半導体層を有し、
　前記第一の半導体層が、平均粒子径が１ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の金属酸化物粒子と、比誘電率が１０以上、２００以下の有機化合物とを含む層であり、
　前記第一の半導体層中の前記有機化合物の含有量が２０質量％以上、７０質量％以下であり、
　前記金属酸化物粒子は、酸化銅（Ｉ）、酸化銅（ＩＩ）、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化銀、酸化チタン、アルミニウムをドープした酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウムをドープした酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化スズ、フッ素ドープの酸化スズ（ＦＴＯ）、酸化インジウム、インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物、酸化ニッケル、ＣｕＡｌＯ2、ＣｕＧａＯ2、ＳｒＣｕ2Ｏ2、ＬａＣｕＯＳ、ＬａＣｕＯＳｅ、ＣｕＩｎＯ2、ＺｎＲｈ2Ｏ4、１２ＣａＯ・７Ａｌ2Ｏ3（Ｃ１２Ａ７）、Ｇａ2Ｏ3、の中から選択される一以上の金属酸化物粒子であり、
　前記有機化合物は、フッ素系樹脂及びシアノ基含有有機化合物の中から選択される一以上の有機化合物（電解質の溶媒として用いられる有機化合物を除く）であり、
　前記第二の半導体層がシリコンを含む層である太陽電池。
　　【請求項８】
　少なくとも第一の半導体層及び第二の半導体層を有し、
　前記第一の半導体層が、平均粒子径が１ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の金属酸化物粒子と比誘電率が５以上の有機化合物とを含む層であり、
　前記金属酸化物粒子は、酸化銅（Ｉ）、酸化銅（ＩＩ）、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化銀、酸化チタン、アルミニウムをドープした酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウムをドープした酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化スズ、フッ素ドープの酸化スズ（ＦＴＯ）、酸化インジウム、インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物、酸化ニッケル、ＣｕＡｌＯ2、ＣｕＧａＯ2、ＳｒＣｕ2Ｏ2、ＬａＣｕＯＳ、ＬａＣｕＯＳｅ、ＣｕＩｎＯ2、ＺｎＲｈ2Ｏ4、１２ＣａＯ・７Ａｌ2Ｏ3（Ｃ１２Ａ７）、Ｇａ2Ｏ3、の中から選択される一以上の金属酸化物粒子であり、
　前記有機化合物は、フッ素系樹脂及びシアノ基含有有機化合物の中から選択される一以上の有機化合物であり、
　前記第二の半導体層は、前記第一の半導体層と対向する面とは反対の面側に、厚みが１ｎｍ以上のシリコン酸化膜を備えた太陽電池。
　　【請求項９】
　少なくとも第一の半導体層及び第二の半導体層を有し、
　前記第一の半導体層が、平均粒子径が１ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の金属酸化物粒子と比誘電率が５以上、１０００以下の有機化合物とを含む層であり、
　前記第一の半導体層中の前記有機化合物の含有量が１０質量％以上、９０質量％以下であり、
　前記金属酸化物粒子は、酸化銅（Ｉ）、酸化銅（ＩＩ）、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化銀、酸化チタン、アルミニウムをドープした酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウムをドープした酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化スズ、フッ素ドープの酸化スズ（ＦＴＯ）、酸化インジウム、インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物、酸化ニッケル、ＣｕＡｌＯ2、ＣｕＧａＯ2、ＳｒＣｕ2Ｏ2、ＬａＣｕＯＳ、ＬａＣｕＯＳｅ、ＣｕＩｎＯ2、ＺｎＲｈ2Ｏ4、１２ＣａＯ・７Ａｌ2Ｏ3（Ｃ１２Ａ７）、Ｇａ2Ｏ3、の中から選択される一以上の金属酸化物粒子であり、
　前記有機化合物は、フッ素系樹脂及びシアノ基含有有機化合物の中から選択される一以上の有機化合物であり、
　前記第二の半導体層は、前記第一の半導体層と対向する面とは反対の面側に、厚みが１ｎｍ以上のシリコン酸化膜を備えた太陽電池。
　　【請求項１０】
　少なくとも第一の半導体層及び第二の半導体層を有し、
　前記第一の半導体層が、平均粒子径が１ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の金属酸化物粒子と、比誘電率が１０以上、２００以下の有機化合物とを含む層であり、
　前記第一の半導体層中の前記有機化合物の含有量が２０質量％以上、７０質量％以下であり、
　前記金属酸化物粒子は、酸化銅（Ｉ）、酸化銅（ＩＩ）、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化銀、酸化チタン、アルミニウムをドープした酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウムをドープした酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化スズ、フッ素ドープの酸化スズ（ＦＴＯ）、酸化インジウム、インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物、酸化ニッケル、ＣｕＡｌＯ2、ＣｕＧａＯ2、ＳｒＣｕ2Ｏ2、ＬａＣｕＯＳ、ＬａＣｕＯＳｅ、ＣｕＩｎＯ2、ＺｎＲｈ2Ｏ4、１２ＣａＯ・７Ａｌ2Ｏ3（Ｃ１２Ａ７）、Ｇａ2Ｏ3、の中から選択される一以上の金属酸化物粒子であり、
　前記有機化合物は、フッ素系樹脂及びシアノ基含有有機化合物の中から選択される一以上の有機化合物であり、
　前記第二の半導体層は、前記第一の半導体層と対向する面とは反対の面側に、厚みが１ｎｍ以上のシリコン酸化膜を備えた太陽電池。
　　【請求項１１】
　前記金属酸化物の粒子径が１ｎｍ以上、１００ｎｍ以下である、請求項１〜３、５〜７のいずれか１項に記載の太陽電池。
　　【請求項１２】
　前記第一の半導体層と前記第二の半導体層との間に位置し、比誘電率が５以上の有機化合物を含む接合界面層をさらに有する、請求項１〜３、５〜７、１１のいずれか１項に記載の太陽電池。
　　【請求項１３】
　前記金属酸化物粒子がアナターゼ型の酸化チタン粒子であり、該酸化チタン粒子のＸ線回折スペクトルにおいて、回折角２θが２４°以上２６°以下で現れる回折ピークから得られる半値幅が、０．２°以上５．０°以下である、請求項１〜３、５〜７、１１、１２のいずれか１項に記載の太陽電池。
　　【請求項１４】
　前記第一の半導体層の、波長５５０ｎｍの光に対する透過率が５０％以上１００％未満である、請求項１３に記載の太陽電池。
　　【請求項１５】
　少なくとも第一の半導体層及び第二の半導体層を有し、
　前記第一の半導体層が、平均粒子径が１ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の金属酸化物粒子と比誘電率が５以上の有機化合物とを含む層であり、
　前記金属酸化物粒子は、酸化銅（Ｉ）、酸化銅（ＩＩ）、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化銀、酸化チタン、アルミニウムをドープした酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウムをドープした酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化スズ、フッ素ドープの酸化スズ（ＦＴＯ）、酸化インジウム、インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物、酸化ニッケル、ＣｕＡｌＯ2、ＣｕＧａＯ2、ＳｒＣｕ2Ｏ2、ＬａＣｕＯＳ、ＬａＣｕＯＳｅ、ＣｕＩｎＯ2、ＺｎＲｈ2Ｏ4、１２ＣａＯ・７Ａｌ2Ｏ3（Ｃ１２Ａ７）、Ｇａ2Ｏ3、の中から選択される一以上の金属酸化物粒子であり、
　前記有機化合物は、シアノ基含有有機化合物の中から選択される一以上の有機化合物である、太陽電池の製造方法であって、
　無機粒子と、比誘電率が５以上の有機化合物と、１種以上の分散剤とを含む塗布液であり、且つ、前記無機粒子が金属酸化物粒子又はシリコン粒子であり、前記塗布液中の前記無機粒子の含有量が０．１質量％以上、４９．９質量％以下であり、前記塗布液中の前記有機化合物の含有量が０．１質量％以上、４９．９質量％以下であり、前記塗布液中の前記分散剤の含有量が０．２質量％以上、９９．８質量％以下であり、前記金属酸化物粒子は、酸化銅（Ｉ）、酸化銅（ＩＩ）、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化銀、酸化チタン、アルミニウムをドープした酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウムをドープした酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化スズ、フッ素ドープの酸化スズ（ＦＴＯ）、酸化インジウム、インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物、酸化ニッケル、ＣｕＡｌＯ2、ＣｕＧａＯ2、ＳｒＣｕ2Ｏ2、ＬａＣｕＯＳ、ＬａＣｕＯＳｅ、ＣｕＩｎＯ2、ＺｎＲｈ2Ｏ4、１２ＣａＯ・７Ａｌ2Ｏ3（Ｃ１２Ａ７）、Ｇａ2Ｏ3、の中から選択される一以上の金属酸化物粒子であり、前記有機化合物は、シアノ基含有有機化合物の中から選択される一以上の有機化合物である塗布液を用意し、
　用意した前記塗布液を半導体層又は、電極を有する基板に塗布する工程と、
　塗布した前記塗布液を乾燥させて該塗布液から前記分散剤の少なくとも一部を除去する工程と、を含む太陽電池の製造方法。
　　【請求項１６】
　前記シアノ基含有有機化合物は、シアノエチルプルラン、シアノエチルポリビニルアルコール、およびシアノエチルサッカロース（シアノエチルスクロース）である、請求項１５に記載の太陽電池の製造方法。
　　【請求項１７】
　少なくとも第一の半導体層及び第二の半導体層を有し、
　前記第一の半導体層が、平均粒子径が１ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の金属酸化物粒子と比誘電率が５以上、１０００以下の有機化合物とを含む層であり、
　前記第一の半導体層中の前記有機化合物の含有量が１０質量％以上、９０質量％以下であり、
　前記金属酸化物粒子は、酸化銅（Ｉ）、酸化銅（ＩＩ）、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化銀、酸化チタン、アルミニウムをドープした酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウムをドープした酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化スズ、フッ素ドープの酸化スズ（ＦＴＯ）、酸化インジウム、インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物、酸化ニッケル、ＣｕＡｌＯ2、ＣｕＧａＯ2、ＳｒＣｕ2Ｏ2、ＬａＣｕＯＳ、ＬａＣｕＯＳｅ、ＣｕＩｎＯ2、ＺｎＲｈ2Ｏ4、１２ＣａＯ・７Ａｌ2Ｏ3（Ｃ１２Ａ７）、Ｇａ2Ｏ3、の中から選択される一以上の金属酸化物粒子であり、
　前記有機化合物は、シアノ基含有有機化合物の中から選択される一以上の有機化合物であり、
　前記シアノ基含有有機化合物は、シアノエチルプルラン、シアノエチルポリビニルアルコール、およびシアノエチルサッカロース（シアノエチルスクロース）である、太陽電池。
　　【請求項１８】
　少なくとも第一の半導体層及び第二の半導体層を有し、
　前記第一の半導体層が、平均粒子径が１ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の金属酸化物粒子と、比誘電率が１０以上、２００以下の有機化合物とを含む層であり、
　前記第一の半導体層中の前記有機化合物の含有量が２０質量％以上、７０質量％以下であり、
　前記金属酸化物粒子は、酸化銅（Ｉ）、酸化銅（ＩＩ）、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化銀、酸化チタン、アルミニウムをドープした酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウムをドープした酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化スズ、フッ素ドープの酸化スズ（ＦＴＯ）、酸化インジウム、インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物、酸化ニッケル、ＣｕＡｌＯ2、ＣｕＧａＯ2、ＳｒＣｕ2Ｏ2、ＬａＣｕＯＳ、ＬａＣｕＯＳｅ、ＣｕＩｎＯ2、ＺｎＲｈ2Ｏ4、１２ＣａＯ・７Ａｌ2Ｏ3（Ｃ１２Ａ７）、Ｇａ2Ｏ3、の中から選択される一以上の金属酸化物粒子であり、
　前記有機化合物は、シアノ基含有有機化合物の中から選択される一以上の有機化合物であり、
　前記シアノ基含有有機化合物は、シアノエチルプルラン、シアノエチルポリビニルアルコール、およびシアノエチルサッカロース（シアノエチルスクロース）である、太陽電池。
　　【請求項１９】
　前記金属酸化物の粒子径が１ｎｍ以上、１００ｎｍ以下である、請求項４、１７、１８、８〜１０のいずれか１項に記載の太陽電池。
　　【請求項２０】
　前記第一の半導体層と前記第二の半導体層との間に位置し、比誘電率が５以上の有機化合物を含む接合界面層をさらに有する、請求項４、１７、１８、８〜１０、１９のいずれか１項に記載の太陽電池。
　　【請求項２１】
　前記金属酸化物粒子がアナターゼ型の酸化チタン粒子であり、該酸化チタン粒子のＸ線回折スペクトルにおいて、回折角２θが２４°以上２６°以下で現れる回折ピークから得られる半値幅が、０．２°以上５．０°以下である、請求項４、１７、１８、８〜１０、１９、２０のいずれか１項に記載の太陽電池。
　　【請求項２２】
　前記第一の半導体層の、波長５５０ｎｍの光に対する透過率が５０％以上１００％未満である、請求項２１に記載の太陽電池。
　　【請求項２３】
　少なくとも第一の半導体層及び第二の半導体層を有し、
　前記第一の半導体層が、平均粒子径が１ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の金属酸化物粒子と比誘電率が５以上、１０００以下の有機化合物とを含む層であり、
　前記第一の半導体層中の前記有機化合物の含有量が１０質量％以上、９０質量％以下であり、
　前記金属酸化物粒子は、酸化銅（Ｉ）、酸化銅（ＩＩ）、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化銀、酸化チタン、アルミニウムをドープした酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウムをドープした酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化スズ、フッ素ドープの酸化スズ（ＦＴＯ）、酸化インジウム、インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物、酸化ニッケル、ＣｕＡｌＯ2、ＣｕＧａＯ2、ＳｒＣｕ2Ｏ2、ＬａＣｕＯＳ、ＬａＣｕＯＳｅ、ＣｕＩｎＯ2、ＺｎＲｈ2Ｏ4、１２ＣａＯ・７Ａｌ2Ｏ3（Ｃ１２Ａ７）、Ｇａ2Ｏ3、の中から選択される一以上の金属酸化物粒子であり、
　前記有機化合物は、シアノ基含有有機化合物の中から選択される一以上の有機化合物である、太陽電池の製造方法であって、
　無機粒子と、比誘電率が５以上の有機化合物と、１種以上の分散剤とを含む塗布液であり、且つ、前記無機粒子が金属酸化物粒子又はシリコン粒子であり、前記塗布液中の前記無機粒子の含有量が０．１質量％以上、４９．９質量％以下であり、前記塗布液中の前記有機化合物の含有量が０．１質量％以上、４９．９質量％以下であり、前記塗布液中の前記分散剤の含有量が０．２質量％以上、９９．８質量％以下であり、前記金属酸化物粒子は、酸化銅（Ｉ）、酸化銅（ＩＩ）、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化銀、酸化チタン、アルミニウムをドープした酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウムをドープした酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化スズ、フッ素ドープの酸化スズ（ＦＴＯ）、酸化インジウム、インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物、酸化ニッケル、ＣｕＡｌＯ2、ＣｕＧａＯ2、ＳｒＣｕ2Ｏ2、ＬａＣｕＯＳ、ＬａＣｕＯＳｅ、ＣｕＩｎＯ2、ＺｎＲｈ2Ｏ4、１２ＣａＯ・７Ａｌ2Ｏ3（Ｃ１２Ａ７）、Ｇａ2Ｏ3、の中から選択される一以上の金属酸化物粒子であり、前記有機化合物は、シアノ基含有有機化合物の中から選択される一以上の有機化合物である塗布液を用意し、
　用意した前記塗布液を半導体層又は、電極を有する基板に塗布する工程と、
　塗布した前記塗布液を乾燥させて該塗布液から前記分散剤の少なくとも一部を除去する工程と、を含む太陽電池の製造方法。
　　【請求項２４】
　少なくとも第一の半導体層及び第二の半導体層を有し、
　前記第一の半導体層が、平均粒子径が１ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の金属酸化物粒子と、比誘電率が１０以上、２００以下の有機化合物とを含む層であり、
　前記第一の半導体層中の前記有機化合物の含有量が２０質量％以上、７０質量％以下であり、
　前記金属酸化物粒子は、酸化銅（Ｉ）、酸化銅（ＩＩ）、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化銀、酸化チタン、アルミニウムをドープした酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウムをドープした酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化スズ、フッ素ドープの酸化スズ（ＦＴＯ）、酸化インジウム、インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物、酸化ニッケル、ＣｕＡｌＯ2、ＣｕＧａＯ2、ＳｒＣｕ2Ｏ2、ＬａＣｕＯＳ、ＬａＣｕＯＳｅ、ＣｕＩｎＯ2、ＺｎＲｈ2Ｏ4、１２ＣａＯ・７Ａｌ2Ｏ3（Ｃ１２Ａ７）、Ｇａ2Ｏ3、の中から選択される一以上の金属酸化物粒子であり、
　前記有機化合物は、シアノ基含有有機化合物の中から選択される一以上の有機化合物である、太陽電池の製造方法であって、
　無機粒子と、比誘電率が５以上の有機化合物と、１種以上の分散剤とを含む塗布液であり、且つ、前記無機粒子が金属酸化物粒子又はシリコン粒子であり、前記塗布液中の前記無機粒子の含有量が０．１質量％以上、４９．９質量％以下であり、前記塗布液中の前記有機化合物の含有量が０．１質量％以上、４９．９質量％以下であり、前記塗布液中の前記分散剤の含有量が０．２質量％以上、９９．８質量％以下であり、前記金属酸化物粒子は、酸化銅（Ｉ）、酸化銅（ＩＩ）、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化銀、酸化チタン、アルミニウムをドープした酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウムをドープした酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化スズ、フッ素ドープの酸化スズ（ＦＴＯ）、酸化インジウム、インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物、酸化ニッケル、ＣｕＡｌＯ2、ＣｕＧａＯ2、ＳｒＣｕ2Ｏ2、ＬａＣｕＯＳ、ＬａＣｕＯＳｅ、ＣｕＩｎＯ2、ＺｎＲｈ2Ｏ4、１２ＣａＯ・７Ａｌ2Ｏ3（Ｃ１２Ａ７）、Ｇａ2Ｏ3、の中から選択される一以上の金属酸化物粒子であり、前記有機化合物は、シアノ基含有有機化合物の中から選択される一以上の有機化合物である塗布液を用意し、
　用意した前記塗布液を半導体層又は、電極を有する基板に塗布する工程と、
　塗布した前記塗布液を乾燥させて該塗布液から前記分散剤の少なくとも一部を除去する工程と、を含む太陽電池の製造方法。
　　【請求項２５】
　前記シアノ基含有有機化合物は、シアノエチルプルラン、シアノエチルポリビニルアルコール、およびシアノエチルサッカロース（シアノエチルスクロース）である、請求項２３または２４に記載の太陽電池の製造方法。」 
第４　当審が通知した取消理由の概要
１　平成３０年１０月１９日付け取消理由（決定の予告）の概要
　本件発明１〜３、５〜７及び１１〜１４は、甲第１号証に記載された発明及び周知技術に基いて容易に発明をすることができたものである。
　以上のとおりであるから、本件請求項１〜３、５〜７及び１１〜１４に係る特許は、いずれも特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、特許法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。
甲第１号証：特開２０１３−１９１２７３号公報 
平成３０年１０月１９日付け取消理由（決定の予告）で追加された周知技術を示す文献
甲第９号証：特開２０１２−１２９２０３号公報
甲第１０号証：再公表特許２０１２−０５７３２５号 
甲第１１号証：再公表特許２００９／１５７１７５号
甲第１２号証：「スリーボンド・テクニカルニュース６５　色素増感型太陽電池シール剤」株式会社スリーボンド（平成１７年７月１日発行） 
 
２　平成３０年４月２７日付け取消理由の概要
理由１．（新規性）本件特許の請求項１〜３、５〜７及び１１〜１４に係る発明は、その最先の優先日前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないから、その発明に係る特許は取り消すべきものである。 
理由２．（進歩性）本件特許の請求項１〜３、５〜７及び１１〜１４に係る発明は、その最先の優先日前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その最先の優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、その発明に係る特許は取り消すべきものである。 
甲第１号証：特開２０１３−１９１２７３号公報 
甲第２号証：浅原照三他編「溶剤ハンドブック」株式会社講談社サイエンティフィク（１９９６年１月２０日　第１４刷発行）表紙、６４２、６４８〜６４９頁及び奥付の写し 
甲第３号証：「ウィキペディア　比誘電率」の写し（出力日：平成３０年２月５日） 
 (https://ja.wikipedia.org/wiki/%E6%AF%94%E8%AA%98%E9%9B%BB%E7%8E%87) 
甲第４号証：「各種液体の導電率」（静電気安全指針（１９８８）労働省産業安全研究所）７２頁〜７３頁の写し（出力日：平成３０年２月５日） 
 (http://www.city.himeji.1g.jp/var/rev0/0097/0081/201549172852.pdf) 
甲第５号証：「ナノサイズ酸化チタンについて」日本酸化チタン工業会（２００８年１１月２７日）４７〜５５頁の写し（出力日：平成３０年２月５日） 
 (http://www.meti.go.jp/committee/kenkyukai/seisan/nanomaterial_kanri/001_s02_03.pdf) 
甲第６号証：Journal of the Ceramic Society of Japan,107[1]47-53(1999)４７〜５３頁の写し 
甲第７号証：特開平１１−３３５１２１号公報 
甲第８号証：特開２００５−３０２５０９号公報 
第５　甲第１号証の記載 
１　本件特許の最先の優先日前に頒布された甲第１号証（特開２０１３−１９１２７３号公報 ）には、以下の記載がある（下線は、当審で付した。以下同じ。）。  
  
（１）「【請求項１】 
透明電極
、
前記透明電極
上に形成した酸化チタンを含有する緻密層
、
前記緻密層
の上に形成した金属酸化物半導体粒子を含有する伝導層
、
及び前記伝導層
の上に形成した、シリカナノ構造体と金属酸化物半導体粒子とを含有する光散乱層
の構成を有する
  
（２）「【請求項７】 
受光面を有する光電極と、該受光面の反対面に設けられた電解質相、これを封止する封止剤、電解質相の下部に設けられた対極とを有する色素増感太陽電池
当該光電極が請求項１
記載の光電極である
  
（３）「【００１８】 
〔伝導層（３）〕 
　本発明の光電極において、
伝導層
を構成する金属酸化物半導体粒子は
ＴｉＯ
２
、ＺｎＯ、ＳｎＯ
２
、
Ｉｎ
２
Ｏ
３
を用いることができ
５ｎｍ〜１００ｎｍの平均粒子径を有する
  
（４）「【００２４】 
〔光散乱層（４）〕 
　本発明の最大特徴部分は光電極の全体構成における光散乱層である。特に、その
光散乱層
シリカナノ構造体と金属酸化物半導体粒子とを含有する
【００２５】 
　光散乱層（４）で使用する金属酸化物半導体粒子は特に限定されるものではなく、前述の
伝導層
と同様のものを使用することができる
ＴｉＯ
２
  
（５）「【００４２】 
　前述した
緻密層
、伝導層
及び光散乱層
を総称して半導体層という
半導体層、とくに伝導層
と光散乱層
半導体層の空隙率は、
電解質中のイオンが十分に拡散して電荷輸送を行わせたりする観点から、４０〜８０％である
ここで「空隙率」とは、半導体層の全体積に対する細孔が占める体積の割合（％）を意味す
  
（６）「【００５７】 
　
電解質を溶解するために使用される溶媒は、
アセトニトリル、
プロピオニトリル等のニトリル化合物
  
（７）「【００７４】 
　実施例１ 
　蒸留水１０ｍｌに
酸化チタン
ペースト１を得た。
【００７５】 
　
ペースト１に
シリカナノ構造体粒子（Ａ１）を、酸化チタンとシリカナノ構造体のモル比が７０／３０になるように加え、ペースト２を作製した。
【００７６】 
　ＡＴＯコートガラス基板（１０Ω／□、大きさ：２ｃｍ×２ｃｍ、ジオマテック社製）上に、スピンコーターを用いてチタニアゾル（チタン（ＩＶ）ブトキシド：０．３ｍｏｌ／ｌ、硝酸：０．０１ｍｏｌ／ｌを含む）を塗布し後、乾燥し、５００℃で３０分加熱処理をした。これにより、ＡＴＯ基板上に酸化チタンの緻密層が作製された。
【００７７】
　粘着テープ（厚さ：５８μｍ）をマスク兼スペーサーとして貼付し、
上記ペースト１を
に塗布し
伝導層
を有する電極を作製した。
【００７８】
　上記の伝導層を有する透明電極上に、粘着テープ（厚さ：５８μｍ）をマスク兼スペーサーとして貼付し、上記
ペースト２を
伝導層上に光散乱層
を作製した。
【００７９】
　この電極をルテニウム系色素Ｎ７１９（ダイソル社製）のエタノール溶液（濃度：２．０×１０−４ｍｏｌ／ｌ）に５０℃にて２４時間浸漬させることにより、半導体層に色素を吸着させ、光電極としてのパーツを作製した。
【００８０】
　イオンスパッタ法を用いて白金を１０ｎｍ蒸着させたＡＴＯコートガラス基板（１０Ω／□、大きさ：２ｃｍ×２ｃｍ、ジオマテック社製）を対極とし、この対極と上記の光電極を対向させその間にヨウ素系
電解液
アセトニトリル溶液
を満たしその周りを封止する事により、色素増感太陽電池を作製した。
  
２　上記（１）ないし（７）から、甲第１号証には、以下の甲１発明が記載されている。  
「透明電極、 
前記透明電極上に形成した酸化チタンを含有する緻密層、 
前記緻密層の上に形成した金属酸化物半導体粒子を含有する伝導層、 
及び前記伝導層の上に形成した、シリカナノ構造体と金属酸化物半導体粒子とを含有する光散乱層の構成を有する光電極、 
伝導層を構成する金属酸化物半導体粒子は、ＴｉＯ２、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３を用いることができ、５ｎｍ〜１００ｎｍの平均粒子径を有する、 
伝導層と光散乱層は半導体層といい、 
半導体層の空隙率は、電解質中のイオンが十分に拡散して電荷輸送を行わせたりする観点から、４０〜８０％であり、ここで空隙率とは、半導体層の全体積に対する細孔が占める体積の割合（％）を意味し、 
電解質を溶解するために使用される溶媒は、アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル化合物であり、 
受光面を有する光電極と、該受光面の反対面に設けられた電解質相、これを封止する封止剤、電解質相の下部に設けられた対極とを有する色素増感太陽電池。」 
  
第６　当審の判断  
１　取消理由通知に記載した取消理由２（特許法第２９条第２項）について  
（１）本件発明１について  
ア　対比  
（ア）甲１発明の「伝導層」は、本件発明１の「第一の半導体層」に、甲１発明の「光散乱層」は、本件発明１の「第二の半導体層」に、甲１発明の「『５ｎｍ〜１００ｎｍの平均粒子径を有する』『金属酸化物半導体粒子』」は、本件発明１の「平均粒子径が１ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の金属酸化物粒子」に、甲１発明の「アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル化合物」は、本件発明１の「有機化合物」に、甲１発明の「色素増感太陽電池」は、本件発明１の「太陽電池」に、それぞれ相当する。  
  
（イ）甲１発明の「『ＴｉＯ２、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３を用いることができ』る『金属酸化物半導体粒子』」は、本件発明１の「金属酸化物粒子は、酸化銅（Ｉ）、酸化銅（ＩＩ）、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化銀、酸化チタン、アルミニウムをドープした酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウムをドープした酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化スズ、フッ素ドープの酸化スズ（ＦＴＯ）、酸化インジウム、インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物、酸化ニッケル、ＣｕＡｌＯ2、ＣｕＧａＯ2、ＳｒＣｕ2Ｏ2、ＬａＣｕＯＳ、ＬａＣｕＯＳｅ、ＣｕＩｎＯ2、ＺｎＲｈ2Ｏ4、１２ＣａＯ・７Ａｌ2Ｏ3（Ｃ１２Ａ７）、Ｇａ2Ｏ3、の中から選択される一以上の金属酸化物粒子」の「金属酸化物粒子は、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化スズ、酸化インジウムの中から選択される一以上の金属酸化物粒子」に相当する。 
  
（ウ）アセトニトリル、プロピオニトリルの比誘電率は５以上であることは技術常識（必要ならば、甲第２号証：浅原照三他編「溶剤ハンドブック」株式会社講談社サイエンティフィク（１９９６年１月２０日　第１４刷発行）表紙、６４２、６４８〜６４９頁及び奥付の写し、甲第３号証：「ウィキペディア　比誘電率」の写し（出力日：平成３０年２月５日）、(https://ja.wikipedia.org/wiki/%E6%AF%94%E8%AA%98%E9%9B%BB%E7%8E%87) 、甲第４号証：「各種液体の導電率」（静電気安全指針（１９８８）労働省産業安全研究所）７２頁〜７３頁の写し（出力日：平成３０年２月５日）(http://www.city.himeji.1g.jp/var/rev0/0097/0081/201549172852.pdf)を参照されたい。）であり、アセトニトリル、プロピオニトリルはシアノ基含有有機化合物である。 
　そうすると、甲１発明の「アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル化合物」は、本件発明１の「比誘電率が５以上の有機化合物」に相当し、本件発明１の「前記有機化合物は、シアノ基含有有機化合物の中から選択される一以上の有機化合物（電解質の溶媒として用いられる有機化合物を除く）である」と、「前記有機化合物は、シアノ基含有有機化合物の中から選択される一以上の有機化合物である」点で一致する。 
  
（エ）上記（ウ）で述べたように、甲１発明の「アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル化合物」は、本件発明１の「比誘電率が５以上の有機化合物」に相当する。また、甲１発明には「伝導層と光散乱層は半導体層といい、半導体層の空隙率は、電解質中のイオンが十分に拡散して電荷輸送を行わせたりする観点から、４０〜８０％であり、ここで空隙率とは、半導体層の全体積に対する細孔が占める体積の割合（％）を意味し、電解質を溶解するために使用される溶媒」とあることから、伝導層の細孔にも電解質を溶解するために使用される溶媒を含んでいる。 
　そうすると、甲１発明の「『伝導層』『は半導体層といい、半導体層の空隙率は、電解質中のイオンが十分に拡散して電荷輸送を行わせたりする観点から、４０〜８０％であり、ここで空隙率とは、半導体層の全体積に対する細孔が占める体積の割合（％）を意味し、電解質を溶解するために使用される溶媒は、アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル化合物であり』、『５ｎｍ〜１００ｎｍの平均粒子径を有する』『金属酸化物半導体粒子を含有する伝導層』」は、本件発明１の「第一の半導体層が、平均粒子径が１ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の金属酸化物粒子と比誘電率が５以上の有機化合物とを含む層」に相当する。 
  
（オ）以上のことから、本件発明１と甲１発明とは、 
「少なくとも第一の半導体層及び第二の半導体層を有し、 
　前記第一の半導体層が、平均粒子径が１ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の金属酸化物粒子と比誘電率が５以上の有機化合物とを含む層であり、 
　前記金属酸化物粒子は、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化スズ、酸化インジウムの中から選択される一以上の金属酸化物粒子であり、 
　前記有機化合物は、シアノ基含有有機化合物の中から選択される一以上の有機化合物である、太陽電池。」である点で一致し、以下の点で相違している。  
  
（相違点）  
　シアノ基含有有機化合物の中から選択される一以上の有機化合物が、本件発明１では、「電解質の溶媒として用いられる有機化合物を除く」ものであるのに対し、甲１発明では、「電解質を溶解するために使用される溶媒」である点。 
  
イ　相違点の判断  
　甲１発明は、アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル化合物は、電解質を溶解するために使用される溶媒として用いており、甲第１号証の他の記載を参酌しても、当該ニトリル化合物を溶媒以外に用いている記載はない。
　また、甲第２号証ないし甲第１２号証においていも、色素増感太陽電池に用いられるアセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル化合物が、電解質の溶媒以外に用いられるとの記載もなく、甲１発明においては、当該ニトリル化合物として電解質の溶媒以外のものを用いる動機付けもない。
ウ　小括  
　以上のとおり、本件発明１は、当業者が甲第１号証に記載された発明及び周知技術に基いて容易に発明をすることができたものではない。  
  
（２）本件発明２について  
ア　対比・判断  
　本件発明２の第一の半導体層の有機化合物の「比誘電率が５以上、１０００以下」及び「前記第一の半導体層中の前記有機化合物の含有量が１０質量％以上、９０質量％以下であり」以外は、上記（１）で、対比・判断したとおりである。 
　そして、上記相違点については、（１）で検討したとおりである。 
イ　小括  
　以上のとおり、本件発明２は、当業者が甲第１号証に記載された発明及び周知技術に基いて容易に発明をすることができたものではない。 
（３）本件発明３について  
ア　対比・判断  
　本件発明３の第一の半導体層の有機化合物の「比誘電率が１０以上、２００以下」及び「前記第一の半導体層中の前記有機化合物の含有量が２０質量％以上、７０質量％以下であり」以外は、上記（１）で、対比・判断したとおりである。 
　そして、上記相違点については、（１）で検討したとおりである。 
イ　小括  
　以上のとおり、本件発明３は、当業者が甲第１号証に記載された発明及び周知技術に基いて容易に発明をすることができたものではない。 
（４）本件発明５について  
ア　対比・判断  
　本件発明５の「第二の半導体層がシリコンを含む層」以外は、上記（１）で、対比・判断したとおりである。 
　そして、上記相違点については、（１）で検討したとおりである。 
イ　小括  
　以上のとおり、本件発明５は、当業者が甲第１号証に記載された発明及び周知技術に基いて容易に発明をすることができたものではない。   
  
（５）本件発明６について  
ア　対比・判断  
　上記（２）、（４）で、対比・判断したとおりである。 
　そして、上記相違点については、（１）で検討したとおりである。 
イ　小括  
　以上のとおり、本件発明６は、当業者が甲第１号証に記載された発明及び周知技術に基いて容易に発明をすることができたものではない。    
  
（６）本件発明７について  
ア　対比・判断  
　上記（３）、（４）で、対比・判断したとおりである。 
　そして、上記相違点については、（１）で検討したとおりである。 
イ　小括  
　以上のとおり、本件発明７は、当業者が甲第１号証に記載された発明及び周知技術に基いて容易に発明をすることができたものではない。    
  
（７）本件発明１１について  
ア　対比・判断  
 　本件発明１１は、本件発明１〜３、５〜７について「金属酸化物の粒子径が１ｎｍ以上、１００ｎｍ以下である」と限定したものであり、上記（１）に記載した相違点を含むものである。  
 　そして、上記相違点については、（１）で検討したとおりである。 
イ　小括  
　以上のとおり、本件発明１１は、当業者が甲第１号証に記載された発明及び周知技術に基いて容易に発明をすることができたものではない。 
   
（８）本件発明１２について  
ア　対比・判断  
　本件発明１２は、本件発明１〜３、５〜７、１１について「第一の半導体層と前記第二の半導体層との間に位置し、比誘電率が５以上の有機化合物を含む接合界面層をさらに有する」と限定したものであり、上記（１）に記載した相違点を含むものである。  
　そして、上記相違点については、（１）で検討したとおりである。 
イ　小括  
　以上のとおり、本件発明１２は、当業者が甲第１号証に記載された発明及び周知技術に基いて容易に発明をすることができたものではない。
  
（９）本件発明１３について  
ア　対比・判断  
　本件発明１３は、本件発明１〜３、５〜７、１１、１２について「前記金属酸化物粒子がアナターゼ型の酸化チタン粒子であり、該酸化チタン粒子のＸ線回折スペクトルにおいて、回折角２θが２４°以上２６°以下で現れる回折ピークから得られる半値幅が、０．２°以上５．０°以下である、」と限定したものであり、上記（１）に記載した相違点を含むものである。 
　そして、上記相違点については、（１）で検討したとおりである。 
イ　小括  
　以上のとおり、本件発明１３は、当業者が甲第１号証に記載された発明及び周知技術に基いて容易に発明をすることができたものではない。
 
（１０）本件発明１４について  
ア　対比・判断  
　本件発明１４は、本件発明１３について「前記第一の半導体層の、波長５５０ｎｍの光に対する透過率が５０％以上１００％未満である」と限定したものであり、上記（１）に記載した相違点を含むものである。  
　そして、上記相違点については、（１）で検討したとおりである。 
イ　小括  
　以上のとおり、本件発明１４は、当業者が甲第１号証に記載された発明及び周知技術に基いて容易に発明をすることができたものではない。
（１１）本件発明１９について  
ア　判断  
　上記「第２　２（９）」に記載したように、本件訂正前の請求項１１が「請求項１〜１０」のいずれか１項を引用する記載であったところ、請求項１１の一部を請求項１９とし、「請求項４、１７、１８、８〜１０」のいずれか１項を引用する記載に変更し、引用していた請求項１〜３、５〜７を引用しないものとするものである。
　そうすると、請求項１９は、取消理由を通知していない本件訂正前の請求項４、８〜１０を引用していることになるから、請求項１９に対しては、取消理由は、通知されていないことになる。
イ　小括  
　以上のとおり、本件発明１９は、当業者が甲第１号証に記載された発明及び周知技術に基いて容易に発明をすることができたものではない。 
（１２）本件発明２０について  
ア　判断  
　上記「第２　２（１０）」に記載したように、本件訂正前の請求項１２が「請求項１〜１１」のいずれか１項を引用する記載であったところ、請求項１２の一部を請求項２０とし、「請求項４、１７、１８、８〜１０、１９」のいずれか１項を引用する記載に変更し、直接又は間接的に引用していた請求項１〜３、５〜７を引用しないものとするものである。
　そうすると、請求項２０は、取消理由を通知していない本件訂正前の請求項４、８〜１０を直接又は間接的に引用していることになるから、請求項２０に対しては、取消理由は、通知されていないことになる。
イ　小括  
　以上のとおり、本件発明２０は、当業者が甲第１号証に記載された発明及び周知技術に基いて容易に発明をすることができたものではない。 
（１３）本件発明２１について  
ア　判断  
　上記「第２　２（１１）」に記載したように、本件訂正前の請求項１３が「請求項１〜１２」のいずれか１項を引用する記載であったところ、請求項１３の一部を請求項２１とし、「請求項４、１７、１８、８〜１０、１９、２０」のいずれか１項を引用する記載に変更する訂正は、引用していた請求項１〜３、５〜７を直接又は間接的に引用しないものとするものである。
　そうすると、請求項２１は、取消理由を通知していない本件訂正前の請求項４、８〜１０を直接又は間接的に引用していることになるから、請求項２１に対しては、取消理由は、通知されていないことになる。
イ　小括  
　以上のとおり、本件発明２１は、当業者が甲第１号証に記載された発明及び周知技術に基いて容易に発明をすることができたものではない。 
（１４）本件発明２２について  
ア　判断  
　上記「第２　２（１２）」に記載したように、本件訂正前の請求項１４が請求項１３を引用する記載であったところ、請求項１４の一部を請求項２２とし、「請求項２１」を引用する記載に変更しており、請求項２１と同様に請求項２２も直接又は間接的に引用していた請求項１〜３、５〜７を引用しないものとするものである。
　そうすると、請求項２２は、取消理由を通知していない本件訂正前の請求項４、８〜１０を直接又は間接的に引用していることになるから、請求項２２に対しては、取消理由は、通知されていないことになる。
イ　小括  
　以上のとおり、本件発明２２は、当業者が甲第１号証に記載された発明及び周知技術に基いて容易に発明をすることができたものではない。 
 
２　取消理由通知に記載した取消理由１（特許法第２９条第１項第３号）について  
　上記１に記載したように、本件発明１ないし３、５ないし７、１１ないし１４及び１９ないし２２と甲１発明とは、相違しているので、特許法第２９条第１項第３号に該当しない。 
第７　むすび 
　以上のとおりであるから、取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、本件請求項１ないし３、５ないし７、１１ないし１４及び１９ないし２２に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１ないし３、５ないし７、１１ないし１４及び１９ないし２２に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。 
【異議決定日】
平成３１年４月３日（２０１９．４．３）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　少なくとも第一の半導体層及び第二の半導体層を有し、
　前記第一の半導体層が、平均粒子径が１ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の金属酸化物粒子と比誘電率が５以上の有機化合物とを含む層であり、
　前記金属酸化物粒子は、酸化銅（Ｉ）、酸化銅（ＩＩ）、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化銀、酸化チタン、アルミニウムをドープした酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウムをドープした酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化スズ、フッ素ドープの酸化スズ（ＦＴＯ）、酸化インジウム、インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物、酸化ニッケル、ＣｕＡｌＯ２、ＣｕＧａＯ２、ＳｒＣｕ２Ｏ２、ＬａＣｕＯＳ、ＬａＣｕＯＳｅ、ＣｕＩｎＯ２、ＺｎＲｈ２Ｏ４、１２ＣａＯ・７Ａｌ２Ｏ３（Ｃ１２Ａ７）、Ｇａ２Ｏ３、の中から選択される一以上の金属酸化物粒子であり、
　前記有機化合物は、シアノ基含有有機化合物の中から選択される一以上の有機化合物
（電解質の溶媒として用いられる有機化合物を除く）
　【請求項２】
　少なくとも第一の半導体層及び第二の半導体層を有し、
　前記第一の半導体層が、平均粒子径が１ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の金属酸化物粒子と比誘電率が５以上、１０００以下の有機化合物とを含む層であり、
　前記第一の半導体層中の前記有機化合物の含有量が１０質量％以上、９０質量％以下であり、
　前記金属酸化物粒子は、酸化銅（Ｉ）、酸化銅（ＩＩ）、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化銀、酸化チタン、アルミニウムをドープした酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウムをドープした酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化スズ、フッ素ドープの酸化スズ（ＦＴＯ）、酸化インジウム、インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物、酸化ニッケル、ＣｕＡｌＯ２、ＣｕＧａＯ２、ＳｒＣｕ２Ｏ２、ＬａＣｕＯＳ、ＬａＣｕＯＳｅ、ＣｕＩｎＯ２、ＺｎＲｈ２Ｏ４、１２ＣａＯ・７Ａｌ２Ｏ３（Ｃ１２Ａ７）、Ｇａ２Ｏ３、の中から選択される一以上の金属酸化物粒子であり、
　前記有機化合物は、シアノ基含有有機化合物の中から選択される一以上の有機化合物
（電解質の溶媒として用いられる有機化合物を除く）
　【請求項３】
　少なくとも第一の半導体層及び第二の半導体層を有し、
　前記第一の半導体層が、平均粒子径が１ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の金属酸化物粒子と、比誘電率が１０以上、２００以下の有機化合物とを含む層であり、
　前記第一の半導体層中の前記有機化合物の含有量が２０質量％以上、７０質量％以下であり、
　前記金属酸化物粒子は、酸化銅（Ｉ）、酸化銅（ＩＩ）、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化銀、酸化チタン、アルミニウムをドープした酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウムをドープした酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化スズ、フッ素ドープの酸化スズ（ＦＴＯ）、酸化インジウム、インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物、酸化ニッケル、ＣｕＡｌＯ２、ＣｕＧａＯ２、ＳｒＣｕ２Ｏ２、ＬａＣｕＯＳ、ＬａＣｕＯＳｅ、ＣｕＩｎＯ２、ＺｎＲｈ２Ｏ４、１２ＣａＯ・７Ａｌ２Ｏ３（Ｃ１２Ａ７）、Ｇａ２Ｏ３、の中から選択される一以上の金属酸化物粒子であり、
　前記有機化合物は、シアノ基含有有機化合物の中から選択される一以上の有機化合物
（電解質の溶媒として用いられる有機化合物を除く）
　【請求項４】
　少なくとも第一の半導体層及び第二の半導体層を有し、
　前記第一の半導体層が、平均粒子径が１ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の金属酸化物粒子と比誘電率が５以上の有機化合物とを含む層であり、
　前記金属酸化物粒子は、酸化銅（Ｉ）、酸化銅（ＩＩ）、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化銀、酸化チタン、アルミニウムをドープした酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウムをドープした酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化スズ、フッ素ドープの酸化スズ（ＦＴＯ）、酸化インジウム、インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物、酸化ニッケル、ＣｕＡｌＯ２、ＣｕＧａＯ２、ＳｒＣｕ２Ｏ２、ＬａＣｕＯＳ、ＬａＣｕＯＳｅ、ＣｕＩｎＯ２、ＺｎＲｈ２Ｏ４、１２ＣａＯ・７Ａｌ２Ｏ３（Ｃ１２Ａ７）、Ｇａ２Ｏ３、の中から選択される一以上の金属酸化物粒子であり、
　前記有機化合物は、シアノ基含有有機化合物の中から選択される一以上の有機化合物であり、
　前記シアノ基含有有機化合物は、シアノエチルプルラン、シアノエチルポリビニルアルコール、およびシアノエチルサッカロース（シアノエチルスクロース）である、太陽電池。
　【請求項５】
　少なくとも第一の半導体層及び第二の半導体層を有し、
　前記第一の半導体層が、平均粒子径が１ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の金属酸化物粒子と比誘電率が５以上の有機化合物とを含む層であり、
　前記金属酸化物粒子は、酸化銅（Ｉ）、酸化銅（ＩＩ）、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化銀、酸化チタン、アルミニウムをドープした酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウムをドープした酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化スズ、フッ素ドープの酸化スズ（ＦＴＯ）、酸化インジウム、インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物、酸化ニッケル、ＣｕＡｌＯ２、ＣｕＧａＯ２、ＳｒＣｕ２Ｏ２、ＬａＣｕＯＳ、ＬａＣｕＯＳｅ、ＣｕＩｎＯ２、ＺｎＲｈ２Ｏ４、１２ＣａＯ・７Ａｌ２Ｏ３（Ｃ１２Ａ７）、Ｇａ２Ｏ３、の中から選択される一以上の金属酸化物粒子であり、
　前記有機化合物は、フッ素系樹脂及びシアノ基含有有機化合物の中から選択される一以上の有機化合物
（電解質の溶媒として用いられる有機化合物を除く）
　前記第二の半導体層がシリコンを含む層である太陽電池。
　【請求項６】
　少なくとも第一の半導体層及び第二の半導体層を有し、
　前記第一の半導体層が、平均粒子径が１ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の金属酸化物粒子と比誘電率が５以上、１０００以下の有機化合物とを含む層であり、
　前記第一の半導体層中の前記有機化合物の含有量が１０質量％以上、９０質量％以下であり、
　前記金属酸化物粒子は、酸化銅（Ｉ）、酸化銅（ＩＩ）、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化銀、酸化チタン、アルミニウムをドープした酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウムをドープした酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化スズ、フッ素ドープの酸化スズ（ＦＴＯ）、酸化インジウム、インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物、酸化ニッケル、ＣｕＡｌＯ２、ＣｕＧａＯ２、ＳｒＣｕ２Ｏ２、ＬａＣｕＯＳ、ＬａＣｕＯＳｅ、ＣｕＩｎＯ２、ＺｎＲｈ２Ｏ４、１２ＣａＯ・７Ａｌ２Ｏ３（Ｃ１２Ａ７）、Ｇａ２Ｏ３、の中から選択される一以上の金属酸化物粒子であり、
　前記有機化合物は、フッ素系樹脂及びシアノ基含有有機化合物の中から選択される一以上の有機化合物
（電解質の溶媒として用いられる有機化合物を除く）
　前記第二の半導体層がシリコンを含む層である太陽電池。
　【請求項７】
　少なくとも第一の半導体層及び第二の半導体層を有し、
　前記第一の半導体層が、平均粒子径が１ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の金属酸化物粒子と、比誘電率が１０以上、２００以下の有機化合物とを含む層であり、
　前記第一の半導体層中の前記有機化合物の含有量が２０質量％以上、７０質量％以下であり、
　前記金属酸化物粒子は、酸化銅（Ｉ）、酸化銅（ＩＩ）、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化銀、酸化チタン、アルミニウムをドープした酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウムをドープした酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化スズ、フッ素ドープの酸化スズ（ＦＴＯ）、酸化インジウム、インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物、酸化ニッケル、ＣｕＡｌＯ２、ＣｕＧａＯ２、ＳｒＣｕ２Ｏ２、ＬａＣｕＯＳ、ＬａＣｕＯＳｅ、ＣｕＩｎＯ２、ＺｎＲｈ２Ｏ４、１２ＣａＯ・７Ａｌ２Ｏ３（Ｃ１２Ａ７）、Ｇａ２Ｏ３、の中から選択される一以上の金属酸化物粒子であり、
　前記有機化合物は、フッ素系樹脂及びシアノ基含有有機化合物の中から選択される一以上の有機化合物
（電解質の溶媒として用いられる有機化合物を除く）
　前記第二の半導体層がシリコンを含む層である太陽電池。
　【請求項８】
　少なくとも第一の半導体層及び第二の半導体層を有し、
　前記第一の半導体層が、平均粒子径が１ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の金属酸化物粒子と比誘電率が５以上の有機化合物とを含む層であり、
　前記金属酸化物粒子は、酸化銅（Ｉ）、酸化銅（ＩＩ）、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化銀、酸化チタン、アルミニウムをドープした酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウムをドープした酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化スズ、フッ素ドープの酸化スズ（ＦＴＯ）、酸化インジウム、インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物、酸化ニッケル、ＣｕＡｌＯ２、ＣｕＧａＯ２、ＳｒＣｕ２Ｏ２、ＬａＣｕＯＳ、ＬａＣｕＯＳｅ、ＣｕＩｎＯ２、ＺｎＲｈ２Ｏ４、１２ＣａＯ・７Ａｌ２Ｏ３（Ｃ１２Ａ７）、Ｇａ２Ｏ３、の中から選択される一以上の金属酸化物粒子であり、
　前記有機化合物は、フッ素系樹脂及びシアノ基含有有機化合物の中から選択される一以上の有機化合物であり、
　前記第二の半導体層は、前記第一の半導体層と対向する面とは反対の面側に、厚みが１ｎｍ以上のシリコン酸化膜を備えた太陽電池。
　【請求項９】
　少なくとも第一の半導体層及び第二の半導体層を有し、
　前記第一の半導体層が、平均粒子径が１ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の金属酸化物粒子と比誘電率が５以上、１０００以下の有機化合物とを含む層であり、
　前記第一の半導体層中の前記有機化合物の含有量が１０質量％以上、９０質量％以下であり、
　前記金属酸化物粒子は、酸化銅（Ｉ）、酸化銅（ＩＩ）、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化銀、酸化チタン、アルミニウムをドープした酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウムをドープした酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化スズ、フッ素ドープの酸化スズ（ＦＴＯ）、酸化インジウム、インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物、酸化ニッケル、ＣｕＡｌＯ２、ＣｕＧａＯ２、ＳｒＣｕ２Ｏ２、ＬａＣｕＯＳ、ＬａＣｕＯＳｅ、ＣｕＩｎＯ２、ＺｎＲｈ２Ｏ４、１２ＣａＯ・７Ａｌ２Ｏ３（Ｃ１２Ａ７）、Ｇａ２Ｏ３、の中から選択される一以上の金属酸化物粒子であり、
　前記有機化合物は、フッ素系樹脂及びシアノ基含有有機化合物の中から選択される一以上の有機化合物であり、
　前記第二の半導体層は、前記第一の半導体層と対向する面とは反対の面側に、厚みが１ｎｍ以上のシリコン酸化膜を備えた太陽電池。
　【請求項１０】
　少なくとも第一の半導体層及び第二の半導体層を有し、
　前記第一の半導体層が、平均粒子径が１ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の金属酸化物粒子と、比誘電率が１０以上、２００以下の有機化合物とを含む層であり、
　前記第一の半導体層中の前記有機化合物の含有量が２０質量％以上、７０質量％以下であり、
　前記金属酸化物粒子は、酸化銅（Ｉ）、酸化銅（ＩＩ）、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化銀、酸化チタン、アルミニウムをドープした酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウムをドープした酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化スズ、フッ素ドープの酸化スズ（ＦＴＯ）、酸化インジウム、インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物、酸化ニッケル、ＣｕＡｌＯ２、ＣｕＧａＯ２、ＳｒＣｕ２Ｏ２、ＬａＣｕＯＳ、ＬａＣｕＯＳｅ、ＣｕＩｎＯ２、ＺｎＲｈ２Ｏ４、１２ＣａＯ・７Ａｌ２Ｏ３（Ｃ１２Ａ７）、Ｇａ２Ｏ３、の中から選択される一以上の金属酸化物粒子であり、
　前記有機化合物は、フッ素系樹脂及びシアノ基含有有機化合物の中から選択される一以上の有機化合物であり、
　前記第二の半導体層は、前記第一の半導体層と対向する面とは反対の面側に、厚みが１ｎｍ以上のシリコン酸化膜を備えた太陽電池。
　【請求項１１】
　前記金属酸化物の粒子径が１ｎｍ以上、１００ｎｍ以下である、請求項
１〜３、５〜７
　【請求項１２】
　前記第一の半導体層と前記第二の半導体層との間に位置し、比誘電率が５以上の有機化合物を含む接合界面層をさらに有する、請求項
１〜３、５〜７、１１
　【請求項１３】
　前記金属酸化物粒子がアナターゼ型の酸化チタン粒子であり、該酸化チタン粒子のＸ線回折スペクトルにおいて、回折角２θが２４°以上２６°以下で現れる回折ピークから得られる半値幅が、０．２°以上５．０°以下である、請求項
１〜３、５〜７、１１、１２
　【請求項１４】
　前記第一の半導体層の、波長５５０ｎｍの光に対する透過率が５０％以上１００％未満である、請求項
１３
　【請求項１５】
　少なくとも第一の半導体層及び第二の半導体層を有し、
　前記第一の半導体層が、平均粒子径が１ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の金属酸化物粒子と比誘電率が５以上の有機化合物とを含む層であり、
　前記金属酸化物粒子は、酸化銅（Ｉ）、酸化銅（ＩＩ）、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化銀、酸化チタン、アルミニウムをドープした酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウムをドープした酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化スズ、フッ素ドープの酸化スズ（ＦＴＯ）、酸化インジウム、インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物、酸化ニッケル、ＣｕＡｌＯ２、ＣｕＧａＯ２、ＳｒＣｕ２Ｏ２、ＬａＣｕＯＳ、ＬａＣｕＯＳｅ、ＣｕＩｎＯ２、ＺｎＲｈ２Ｏ４、１２ＣａＯ・７Ａｌ２Ｏ３（Ｃ１２Ａ７）、Ｇａ２Ｏ３、の中から選択される一以上の金属酸化物粒子であり、
　前記有機化合物は、シアノ基含有有機化合物の中から選択される一以上の有機化合物である、太陽電池の製造方法であって、
　無機粒子と、比誘電率が５以上の有機化合物と、１種以上の分散剤とを含む塗布液であり、且つ、前記無機粒子が金属酸化物粒子又はシリコン粒子であり、前記塗布液中の前記無機粒子の含有量が０．１質量％以上、４９．９質量％以下であり、前記塗布液中の前記有機化合物の含有量が０．１質量％以上、４９．９質量％以下であり、前記塗布液中の前記分散剤の含有量が０．２質量％以上、９９．８質量％以下であり、前記金属酸化物粒子は、酸化銅（Ｉ）、酸化銅（ＩＩ）、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化銀、酸化チタン、アルミニウムをドープした酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウムをドープした酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化スズ、フッ素ドープの酸化スズ（ＦＴＯ）、酸化インジウム、インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物、酸化ニッケル、ＣｕＡｌＯ２、ＣｕＧａＯ２、ＳｒＣｕ２Ｏ２、ＬａＣｕＯＳ、ＬａＣｕＯＳｅ、ＣｕＩｎＯ２、ＺｎＲｈ２Ｏ４、１２ＣａＯ・７Ａｌ２Ｏ３（Ｃ１２Ａ７）、Ｇａ２Ｏ３、の中から選択される一以上の金属酸化物粒子であり、前記有機化合物は、シアノ基含有有機化合物の中から選択される一以上の有機化合物である塗布液を用意し、
　用意した前記塗布液を半導体層又は、電極を有する基板に塗布する工程と、
　塗布した前記塗布液を乾燥させて該塗布液から前記分散剤の少なくとも一部を除去する工程と、を含む太陽電池の製造方法。
　【請求項１６】
　前記シアノ基含有有機化合物は、シアノエチルプルラン、シアノエチルポリビニルアルコール、およびシアノエチルサッカロース（シアノエチルスクロース）である、請求項１５に記載の太陽電池の製造方法。
　【請求項１７】
　少なくとも第一の半導体層及び第二の半導体層を有し、
　前記第一の半導体層が、平均粒子径が１ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の金属酸化物粒子と比誘電率が５以上、１０００以下の有機化合物とを含む層であり、
　前記第一の半導体層中の前記有機化合物の含有量が１０質量％以上、９０質量％以下であり、
　前記金属酸化物粒子は、酸化銅（Ｉ）、酸化銅（ＩＩ）、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化銀、酸化チタン、アルミニウムをドープした酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウムをドープした酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化スズ、フッ素ドープの酸化スズ（ＦＴＯ）、酸化インジウム、インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物、酸化ニッケル、ＣｕＡｌＯ２、ＣｕＧａＯ２、ＳｒＣｕ２Ｏ２、ＬａＣｕＯＳ、ＬａＣｕＯＳｅ、ＣｕＩｎＯ２、ＺｎＲｈ２Ｏ４、１２ＣａＯ・７Ａｌ２Ｏ３（Ｃ１２Ａ７）、Ｇａ２Ｏ３、の中から選択される一以上の金属酸化物粒子であり、
　前記有機化合物は、シアノ基含有有機化合物の中から選択される一以上の有機化合物であり、
　前記シアノ基含有有機化合物は、シアノエチルプルラン、シアノエチルポリビニルアルコール、およびシアノエチルサッカロース（シアノエチルスクロース）である、太陽電池。
　【請求項１８】
　少なくとも第一の半導体層及び第二の半導体層を有し、
　前記第一の半導体層が、平均粒子径が１ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の金属酸化物粒子と、比誘電率が１０以上、２００以下の有機化合物とを含む層であり、
　前記第一の半導体層中の前記有機化合物の含有量が２０質量％以上、７０質量％以下であり、
　前記金属酸化物粒子は、酸化銅（Ｉ）、酸化銅（ＩＩ）、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化銀、酸化チタン、アルミニウムをドープした酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウムをドープした酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化スズ、フッ素ドープの酸化スズ（ＦＴＯ）、酸化インジウム、インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物、酸化ニッケル、ＣｕＡｌＯ２、ＣｕＧａＯ２、ＳｒＣｕ２Ｏ２、ＬａＣｕＯＳ、ＬａＣｕＯＳｅ、ＣｕＩｎＯ２、ＺｎＲｈ２Ｏ４、１２ＣａＯ・７Ａｌ２Ｏ３（Ｃ１２Ａ７）、Ｇａ２Ｏ３、の中から選択される一以上の金属酸化物粒子であり、
　前記有機化合物は、シアノ基含有有機化合物の中から選択される一以上の有機化合物であり、
　前記シアノ基含有有機化合物は、シアノエチルプルラン、シアノエチルポリビニルアルコール、およびシアノエチルサッカロース（シアノエチルスクロース）である、太陽電池。
　【請求項１９】
　前記金属酸化物の粒子径が１ｎｍ以上、１００ｎｍ以下である、請求項
４、１７、１８、８〜１０
　【請求項２０】
　前記第一の半導体層と前記第二の半導体層との間に位置し、比誘電率が５以上の有機化合物を含む接合界面層をさらに有する、請求項
４、１７、１８、８〜１０、１９
　【請求項２１】
　前記金属酸化物粒子がアナターゼ型の酸化チタン粒子であり、該酸化チタン粒子のＸ線回折スペクトルにおいて、回折角２θが２４°以上２６°以下で現れる回折ピークから得られる半値幅が、０．２°以上５．０°以下である、請求項
４、１７、１８、８〜１０、１９、２０
　【請求項２２】
　前記第一の半導体層の、波長５５０ｎｍの光に対する透過率が５０％以上１００％未満である、請求項
２１
　【請求項２３】
　少なくとも第一の半導体層及び第二の半導体層を有し、
　前記第一の半導体層が、平均粒子径が１ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の金属酸化物粒子と比誘電率が５以上、１０００以下の有機化合物とを含む層であり、
　前記第一の半導体層中の前記有機化合物の含有量が１０質量％以上、９０質量％以下であり、
　前記金属酸化物粒子は、酸化銅（Ｉ）、酸化銅（ＩＩ）、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化銀、酸化チタン、アルミニウムをドープした酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウムをドープした酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化スズ、フッ素ドープの酸化スズ（ＦＴＯ）、酸化インジウム、インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物、酸化ニッケル、ＣｕＡｌＯ２、ＣｕＧａＯ２、ＳｒＣｕ２Ｏ２、ＬａＣｕＯＳ、ＬａＣｕＯＳｅ、ＣｕＩｎＯ２、ＺｎＲｈ２Ｏ４、１２ＣａＯ・７Ａｌ２Ｏ３（Ｃ１２Ａ７）、Ｇａ２Ｏ３、の中から選択される一以上の金属酸化物粒子であり、
　前記有機化合物は、シアノ基含有有機化合物の中から選択される一以上の有機化合物である、太陽電池の製造方法であって、
　無機粒子と、比誘電率が５以上の有機化合物と、１種以上の分散剤とを含む塗布液であり、且つ、前記無機粒子が金属酸化物粒子又はシリコン粒子であり、前記塗布液中の前記無機粒子の含有量が０．１質量％以上、４９．９質量％以下であり、前記塗布液中の前記有機化合物の含有量が０．１質量％以上、４９．９質量％以下であり、前記塗布液中の前記分散剤の含有量が０．２質量％以上、９９．８質量％以下であり、前記金属酸化物粒子は、酸化銅（Ｉ）、酸化銅（ＩＩ）、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化銀、酸化チタン、アルミニウムをドープした酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウムをドープした酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化スズ、フッ素ドープの酸化スズ（ＦＴＯ）、酸化インジウム、インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物、酸化ニッケル、ＣｕＡｌＯ２、ＣｕＧａＯ２、ＳｒＣｕ２Ｏ２、ＬａＣｕＯＳ、ＬａＣｕＯＳｅ、ＣｕＩｎＯ２、ＺｎＲｈ２Ｏ４、１２ＣａＯ・７Ａｌ２Ｏ３（Ｃ１２Ａ７）、Ｇａ２Ｏ３、の中から選択される一以上の金属酸化物粒子であり、前記有機化合物は、シアノ基含有有機化合物の中から選択される一以上の有機化合物である塗布液を用意し、
　用意した前記塗布液を半導体層又は、電極を有する基板に塗布する工程と、
　塗布した前記塗布液を乾燥させて該塗布液から前記分散剤の少なくとも一部を除去する工程と、を含む太陽電池の製造方法。
　【請求項２４】
　少なくとも第一の半導体層及び第二の半導体層を有し、
　前記第一の半導体層が、平均粒子径が１ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の金属酸化物粒子と、比誘電率が１０以上、２００以下の有機化合物とを含む層であり、
　前記第一の半導体層中の前記有機化合物の含有量が２０質量％以上、７０質量％以下であり、
　前記金属酸化物粒子は、酸化銅（Ｉ）、酸化銅（ＩＩ）、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化銀、酸化チタン、アルミニウムをドープした酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウムをドープした酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化スズ、フッ素ドープの酸化スズ（ＦＴＯ）、酸化インジウム、インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物、酸化ニッケル、ＣｕＡｌＯ２、ＣｕＧａＯ２、ＳｒＣｕ２Ｏ２、ＬａＣｕＯＳ、ＬａＣｕＯＳｅ、ＣｕＩｎＯ２、ＺｎＲｈ２Ｏ４、１２ＣａＯ・７Ａｌ２Ｏ３（Ｃ１２Ａ７）、Ｇａ２Ｏ３、の中から選択される一以上の金属酸化物粒子であり、
　前記有機化合物は、シアノ基含有有機化合物の中から選択される一以上の有機化合物である、太陽電池の製造方法であって、
　無機粒子と、比誘電率が５以上の有機化合物と、１種以上の分散剤とを含む塗布液であり、且つ、前記無機粒子が金属酸化物粒子又はシリコン粒子であり、前記塗布液中の前記無機粒子の含有量が０．１質量％以上、４９．９質量％以下であり、前記塗布液中の前記有機化合物の含有量が０．１質量％以上、４９．９質量％以下であり、前記塗布液中の前記分散剤の含有量が０．２質量％以上、９９．８質量％以下であり、前記金属酸化物粒子は、酸化銅（Ｉ）、酸化銅（ＩＩ）、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化銀、酸化チタン、アルミニウムをドープした酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウムをドープした酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化スズ、フッ素ドープの酸化スズ（ＦＴＯ）、酸化インジウム、インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物、酸化ニッケル、ＣｕＡｌＯ２、ＣｕＧａＯ２、ＳｒＣｕ２Ｏ２、ＬａＣｕＯＳ、ＬａＣｕＯＳｅ、ＣｕＩｎＯ２、ＺｎＲｈ２Ｏ４、１２ＣａＯ・７Ａｌ２Ｏ３（Ｃ１２Ａ７）、Ｇａ２Ｏ３、の中から選択される一以上の金属酸化物粒子であり、前記有機化合物は、シアノ基含有有機化合物の中から選択される一以上の有機化合物である塗布液を用意し、
　用意した前記塗布液を半導体層又は、電極を有する基板に塗布する工程と、
　塗布した前記塗布液を乾燥させて該塗布液から前記分散剤の少なくとも一部を除去する工程と、を含む太陽電池の製造方法。
　【請求項２５】
　前記シアノ基含有有機化合物は、シアノエチルプルラン、シアノエチルポリビニルアルコール、およびシアノエチルサッカロース（シアノエチルスクロース）である、請求項
２３または２４