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【事件の表示】
　平成５年特許願第２１０００６号「並列プログラムのコンパイル方法」拒絶査定に対する審判事件（平成７年２月１４日出願公開、特開平７−４４５０７）について、次のとおり審決する。
【結論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成５年８月３日の出願であって、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成９年１２月１６日付けの手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、
「複数のプロセッサで並列に実行すべき複数のサブプログラムからなるプログラムに対し、コンパイルと実行を繰り返しチューニングを行う並列プログラムのコンパイル方法であって、該プログラムの実行時に各サブプログラムの実行回数を得る第１のステップと、前記得た実行回数と前記複数のプロセッサの数とに基づいて、各サブプログラムを前記複数のプロセッサに割り付ける第２のステップとを有し、前記第２のステップでは、依存関係の強い複数のサブプログラムを同一のプロセッサに割り付けることを特徴とする並列プログラムのコンパイル方法。」にあると認める。
　なお、本願の特許請求の範囲の請求項１には、「前記得た実行回数と前記複数のプロセッサとの数に基づいて」と記載されているが、これは「前記得た実行回数と前記複数のプロセッサの数とに基づいて」の誤記と認め、上記のとおり認定した。
２．引用例
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された特開平２−１８３８３３号公報（平成２年７月１８日出願公開。以下、「引用例１」という。）には、
「原始プログラムにおける互いに並列実行可能なｍ個の異なる並列ループに対し、・・・各並列ループ毎に並列実行時間最小値を与える最小割付プロセッサ台数を求め、ｍ個の並列ループの各々に関する該最小割付プロセッサ台数の総和がｎ台を越える時には、・・・最小時間を与える割付を採用することを繰り返して最終的に総プロセッサ台数ｎ台のもとでの並列実行時間が極小となる割付を決定し、該割付決定に従った各プロセッサ毎のオブジェクトコードを生成することを特徴とするマルチプロセッサ用コンパイル方式」が記載されている。（特許請求の範囲）
　また、同じく引用された、特開昭６２−２３９２３６号公報（昭和６２年１０月２０日出願公開。以下、「引用例２」という。）には、「ソースプログラムの他に、実行形式プログラムを実行させることによって得られる各処理毎の通過頻度等の実行時のデータを入力としてコンパイルを行い、最適化した実行形式プログラムを作成する。」ことが記載されている。（２頁右上欄１行〜５行）
３．対比
　本願発明と引用例１に記載された発明を対比すると、引用例１に記載された発明の「互いに並列実行可能なｍ個の異なる並列ループ」は、本願発明の「複数のプロセッサで並列に実行すべき複数のサブプログラム」に相当し、引用例１記載の発明において、プロセッサの割付がプロセッサの総台数ｎに影響を受けていることは明らかであるから、両者は、「複数のプロセッサで並列に実行すべき複数のサブプログラムからなるプログラムに対するコンパイル方法であって、前記複数のプロセッサの数に基づいて、各サブプログラムを前記複数のプロセッサに割り付けるステップとを有することを特徴とする並列プログラムのコンパイル方法。」で一致し、以下の点で相違する。
（相違点１）
　本願発明は、コンパイルと実行を繰り返しチューニングを行うものであって、サブプログラムを各プロセッサに割り付ける前に、プログラムの実行時に各サブプログラムの実行回数を得るステップを有し、複数のプロセッサの数に基づくほかに、プログラムの実行時に得た各サブプログラムの実行回数に基づいて、各サブプログラムを前記複数のプロセッサに割り付けるものであるのに対して、引用例１記載の発明はそうではない点。
（相違点２）
　本願発明は、依存関係の強い複数のサブプログラムを同一のプロセッサに割り付けるものであるのに対して、引用例１記載の発明はそうではない点。
４．当審の判断
　そこで上記相違点について検討する。
（相違点１について）
　引用例２には、最適化した実行形式プログラムを作成するために、各処理毎の通過頻度等の実行時のデータを入力としてコンパイルを行うことが記載されており、並列プログラムのコンパイルにおいても、実行時のデータを入力としてコンパイルを行うことに格別困難な点があったとも認められないから、引用例１に記載された発明において、コンパイルと実行を繰り返しチューニングを行うようにすることは、当業者が容易になし得たことであり、また、引用例２に記載された各処理毎の通過頻度は、各処理をサブプログラムで実行するとすれば各サブプログラムの実行回数に相当することから、チューニングのデータとして各サブプログラムの実行回数を採用して、サブプログラムを各プロセッサに割り付ける前に、プログラムの実行時に各サブプログラムの実行回数を得るステップを有するようにし、複数のプロセッサの数に基づくほかに、プログラムの実行時に得た各サブプログラムの実行回数に基づいて各サブプログラムを前記複数のプロセッサに割り付ける用にすることは、当業者が容易に推量可能であったことであるから、相違点１を格別のものと認めることはできない。
（相違点２について）
　サブプログラムを複数のプロセッサに割り付ける場合、割り付けたことによる負荷分散のメリットと、異なるプロセッサに割り付けられたことにより発生しうるオーバーヘッドを勘案すべきことは当業者の技術常識であり、してみれば、予想されるオーバーヘッドの発生を防ぐために、依存関係の強い複数のサブプログラムを同一のプロセッサに割り付けることは、当業者が容易に推量可能であったことであるから、相違点２を格別のものと認めることはできない。
５．むすび
　したがって、本願発明は、引用例１及び２に記載された発明および周知技術思想に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　昭和６３年　特許願　第２２７７４０号「歪ゲージ用薄膜抵抗体」拒絶査定に対する審判事件〔（平成７年７月３１日出願公告、特公平７−７０３６７）、特許請求の範囲に記載された請求項の数（１）〕について、次のとおり審決する。
【結論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許をすべきものとする。
【理由】
１．手続きの経緯、本願発明の要旨
　本願は、昭和６３年９月１２日の出願であって、その発明の要旨は、出願公告後の平成１１年１０月２７日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲第１項に記載された次のとおりのものと認める。
「クロムと該クロムの伝導電子の流れを妨げる散乱体として作用する酸素あるいは該酸素と半導体とで物理的蒸着法または化学的蒸着法によって形成された、該クロム７０〜９８原子％、酸素２〜３０原子％、半導体０〜１０原子％が均一に分布した薄膜であって、膜厚が０．０１〜１０μｍであり、かつゲージ率が５以上であることを特徴とする歪ゲージ用薄膜抵抗体。」
２．原査定の理由
　一方、原査定の拒絶の理由となった特許異議の決定の理由の概要は、本願発明は、甲第１号証（ＪＯＵＲＮＡＬ　ＯＦ　ＰＨＹＳＩＣＳ　Ｅ　Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ　Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ．１９８４年９月号第７５５〜７５９頁、以下、引用例という）に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項に規定する発明に該当し、特許を受けることができない、というにある。
３．引用例の記載
　引用例には、以下の点の記載がある。
・このレポートはＣｒ−Ｓｉ０サーメット薄膜のゲージ率と抵抗温度係数に対する組成と膜抵抗との効果について述べていること、膜は滑らかな顕微スライドガラスの上にフラッシュ蒸着かＲＦスパッタリングで成膜されていること、測定されたゲージ率と抵抗温度係数は、クロム濃度を下げると増加することがわかったこと、さらにゲージ率と抵抗温度係数の間にある一定の関係を見つけだしたこと、オージェ電子分光分析法で深さ別の組成を分析したこと、薄膜の構成物質は、クロムとシリコン単体と酸化シリコンでこの酸化シリコンは成膜中に作られた酸化物ではないこと、（第７５５頁左欄第８〜２３行）
・サーメット膜は、電子の伝導構造が連続した金属膜とは異なるので、それらのもつゲージ率よりも非常に大きなゲージ率をもつ可能性があること、サーメット膜の電子の伝導の仕方は半導体や不連続金属膜の伝導の仕方に似ており、トンネル効果が関係してくること、これがひずみ感度を大きくしている原因であること、（同頁左欄第３４〜４１行）
・クロムとシリコン酸化物の原子百分率で、７３．４／２６．６，６３．９／３６．１，５４．６／４５．４の異なる３種類のＣｒ−Ｓｉ０サーメットで実験を行なったこと、（同頁左欄第４６〜５０行）
・実験の結果は、図１ないし図６と表１ないし表６にまとめられていること、これらの図において、図１及び図２はＣｒ−Ｓｉ０　７３．４／２６．６組成のシート抵抗に対するゲージ率及びシート抵抗に対する抵抗温度係数のグラフであり、図３及び図４はＣｒ−Ｓｉ０６３．９／３６．１組成のシート抵抗に対するゲージ率及びシート抵抗に対する抵抗温度係数のグラフであり、図５及び図６はＣｒ−Ｓｉ０　５４．６／４５．４組成のシート抵抗に対するゲージ率及びシート抵抗に対する抵抗温度係数のグラフであること、また前記表では、オージェ電子分光分析法による深さ０ｎｍ、８ｎｍ、１６ｎｍにおける組成の分析結果が示されており、表１ないし表３はフラッシュ蒸着されたＣｒ−Ｓｉ０　７３．４／２６．６組成、Ｃｒ−Ｓｉ０　６３．９／３６．１組成、Ｃｒ−Ｓｉ０　５４．６／４５．４組成の分析結果が、表４ないし表６は、ＲＦスパッタリングされたＣｒ−Ｓｉ０　７３．４／２６．６組成、Ｃｒ−Ｓｉ０　６３．９／３６．１組成、Ｃｒ−Ｓｉ０　５４．６／４５．４組成の分析結果が、それぞれ２つの膜について示されていること、（第７５６〜７５８頁）
４．対比・判断
　本願発明と引用例に記載された事項とを対比すると、引用例の表１に記載されている膜Ａ及び膜Ｂの各８ｎｍ、１６ｎｍ深さにおける元素組成が本願発明において規定する「クロム７０〜９８原子％、酸素２〜３０原子％、半導体０〜１０原子％」なる組成範囲に含まれているが、その他の表２ないし表６に記載されている膜Ｃないし膜Ｌはいずれも、本願発明における前記組成範囲に含まれていない。一方、図１を参照すると、前記膜Ａ及び膜Ｂに相当するフラッシュ蒸着膜のゲージ率の測定結果が“○”で示してあるが、これらはいずれも２よりも小さい値であり、本願発明において規定している「ゲージ率が５以上」を満たしていない。したがって、引用例に記載されている膜はいずれも、本願発明で規定する「クロム７０〜９８原子％、酸素２〜３０原子％、半導体０〜１０原子％」でかつ「ゲージ率が５以上」なる要件を満たしていない。さらに、引用例における薄膜は、引用例に明記しているとおりＣｒ−Ｓｉ０サーメット薄膜であるが、本願発明における薄膜では、半導体元素であるＳｉは必ずしも必要な成分ではなく、また本願発明の実施例である試料Ｎｏ．１ないし４を参照しても、Ｓｉ成分の有無により同程度の特性が得られていること、薄膜の製造プロセスにおいてＣｒ−Ｓｉ０サーメットを使用していないことを勘案すると、本願発明において、Ｃｒ−０−Ｓｉの３成分系からなる場合においても、当該薄膜はＣｒ−Ｓｉ０サーメット薄膜ではないと認められる。
　したがって、本願発明が引用例に記載された発明であると認めることはできない。
　そして、前記したように、本願発明に係る薄膜と引用例記載の薄膜とは異なるものものであり、かつ引用例には、Ｃｒ−Ｓｉ０サーメットでない薄膜においてどのような特性が得られるかについて示唆する記載を見出すことができないから、本願発明が引用例に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるとも認めることができない。
５．むすび
　したがって、本願発明は引用例に記載された発明であるから特許法第２９条第１項の規定により特許を受けることができない、とした原審の判断は妥当でない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成６年特許願第１３２６８１号「微細レジストパタンの形成方法」拒絶査定に対する審判事件〔（平成７年１２月２２日出願公開、特開平７−３３５５３４）、請求項の数（１３）〕について、次のとおり審決する。
【結論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許をすべきものとする。
【理由】
１．手続の経緯
　本願は、平成６年６月１５日の出願であって、最後の拒絶理由通知の後、その指定期間内である平成９年１０月１３日付けで手続補正書が提出されたところ、平成１０年７月２７日に上記手続補正書による補正について補正の却下の決定がなされた。
　請求人は、これに対し、上記手続補正書による補正は、明りょうでない記載の釈明に相当するので、特許法第１７条の２の規定に該当するものであるから、上記補正は、却下されるべきものではない、よって拒絶すべきものではない旨主張している。
２．補正却下の当否に対する判断
２．１　請求項１及び発明の詳細な説明【０００９】段落において、補正前の「一部凝集して固化したものも残渣として再付着しないようにした」なる記載を、「固まりとなって溶け出したものも残渣として再付着しないようにした」と補正する補正事項について検討すると、「一部凝集して固化したもの」には、レジストのみならず、現像液中中においても固化する概念を含み得るものであるのに対し、「固まりとなって溶け出したもの」は、レジスト中でのみ固化する概念を有するから、上記補正は、明りょうでない記載の釈明にあたる。
　また、補正後の「固まりとなって溶け出したものも残渣として再付着しないようにした」との記載は、願書に最初に添付した明細書の【発明の効果】の項における「固まりとなって溶け出す・・・材料が・・・残渣として再付着する機会を持たない」との記載から直接的かつ一義的に導き出せるものである。
２．２　請求項２において、補正前の「該第二のポジ型レジスト塗布層を該第一の温度よりも高い第二の温度でべーキングすること」なる記載を、「該第一のポジ型レジスト塗布層を１２０゜Ｃから１５０°Ｃの温度範囲で、かつ該第二のポジ型レジスト塗布層を１３５°Ｃから１５５°Ｃの温度範囲でべーキングすること」と補正する補正事項について検討すると、当該補正は、補正前の温度における「高い」という意味を明確にしたものであるから、上記補正は、明りょうでない記載の釈明にあたる。
　また、補正後の「該第一のポジ型レジスト塗布層を１２０°Ｃから１５０°Ｃの温度範囲で、かつ該第二のポジ型レジスト塗布層を１３５°Ｃから１５５°Ｃの温度範囲でべーキングすること」の記載は、願書に最初に添付した明細書の【００１２】、【００１３】段落の記載から直接的かつ一義的に導き出せるものである。
２．３　そうすると、上記補正は、特許法第１７条の２第３及び第４項の規定に適合する。
３．むすび
　以上のとおりであるから、平成９年１０月１３日付けの手続補正書による補正は、特許法第１７条の２第３項の規定を満たしておらず、同法第５３条第１項の規定により却下されるべきであるものとした原審における補正却下の決定は妥当ではない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　付言すると、平成８年１１月１４日付け拒絶理由通知で引用した、特開昭６０−９７６２５号公報、特開平２−２１３１２０号公報、特開平４−５６１２１号公報及び特開昭６３−５００３９号公報のいずれにも、本願請求項１記載の「ネガ型レジスト層を・・・現像液に浸すときには、該ネガ型レジスト層の露光面を重力方向にそう下向きとし、・・・未露光部分が該現像液内で自重方向に溶け出すようにし」た点及び請求項２記載の「第一のポジ型レジスト塗布層を１２０°Ｃから１５０°Ｃの温度範囲で、かつ該第二のポジ型レジスト塗布層を１３５°Ｃから１５５°Ｃの温度範囲でべーキングすること」が記載されておらず、また、当該記載を示唆する記載もない。
　そうすると、請求項１及び２に係る発明は、平成８年１１月１４日付け拒絶理由通知で引用した引用例をもってして容易に発明できたものとすることができない。
　さらに、請求項１及び２に係る発明をさらに限定した請求項３〜１３に係る発明についても、同様に平成８年１１月１４日付け拒絶理由通知で引用した引用例をもってして容易に発明できたものとすることができない。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　昭和６１年特許願第３１０９７８号「静電荷像現像用トナー」拒絶査定に対する審判事件〔（平成７年１１月１３日出願公告、特公平７−１０４６２２）、特許請求の範囲に記載された発明の数（１）〕について、次のとおり審決する。
【結論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許をすべきものとする。
【理由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、昭和６１年１２月２５日の出願であって、平成７年１１月１３日に特公平７−１０４６２２号として出願公告されたところ、キャノン株式会社より特許異議の申立があり、その申立に理由があるものと決定され、その決定の理由によって拒絶査定されたものである。
ＩＩ．本願発明
　後記するように、本願明細書の記載に不備は認められないので、本願発明の要旨は、出願公告された明細書の記載から見て、特許請求の範囲に記載されたとおりの、
「長軸の長さをａ、短軸の長さをｂとしたときａ／ｂ＜５でかつａ≦５μｍの針状結晶又は非晶質のサリチル酸金属塩及び／又はサリチル酸誘導体の金属塩を含有したことを特徴とする静電荷像現像用トナー。」にあるものと認める。
ＩＩＩ．原査定における拒絶の理由
　原審における拒絶の理由となった特許異議決定の趣旨は、「本願明細書には、長軸の長さａと短軸の長さｂとの測定方法に関する具体的記載がないため、ａ，ｂの特定の外延が不明瞭である。
（この点は、非晶質（明細書の記載からはａ、ｂの特定は非晶質にも係ると理解される）の場合特にあてはまるといえる。）したがって、本願の明細書の発明の詳細な説明の項には、当業者が容易にその実施をすることができる程度に、その発明の構成が記載されているとは認められない。よって、本願明細書の記載は、特許法第３６条第３項の規定を満たしていないので、本願は拒絶すべきものである。」というものである。
ＩＶ．当審の判断
　本願発明は、「非晶質成分の少ない結晶化度の大きいサリチル酸金属塩（サリチル酸誘導体の金属塩を含む）にあっては、その結晶の長軸の長さ、短軸の長さをそれぞれａ，ｂとしたとき、ａ／ｂ＞５又はａ＞５μｍとなることがほとんどである。」（明細書第８頁第９〜１３行：特許公告公報第４欄第４７行〜第５欄第１行参照。なお、公告公報における「ａ／ｂ＜５」、「ａ≦５μｍ」は、誤植である。）という一般的製法によるサリチル酸金属塩（サリチル酸誘導体の金属塩を含む）をトナーの荷電制御剤として使用する場合の問題点認識、「このようなサリチル酸金属塩（ａ／ｂ＞５又はａ＞５μｍのサリチル酸誘導体の金属塩を含む）をトナーの荷電制御剤として用いると、前記のように、一成分型現像剤の場合は現像スリーブあるいは現像ブレードヘのトナー固着が発生しやすくなり、二成分型現像剤の場合はキャリアヘのトナーのスペント（融着）量が増える。その結果、ともにトナーへの摩擦帯電付与が不十分となり、一成分型現像剤では地カブリの多い、スジ状白抜けのある貧弱な画像となり、二成分型現像剤では地カブリの多い、画像濃度の低い貧弱な画像となる。」（明細書第８頁第１４行〜第９頁第５行：公告公報第５欄第１〜１０行参照）に基づき、その解決を図ることを目的とするものであるから、「ａ／ｂ＜５でかつａ≦５μｍの針状結晶又は非晶質のサリチル酸金属塩及び／又はサリチル酸誘導体の金属塩」を使用することの、限定範囲の根拠は明確である。　そして、粉体粒子の長軸径および短軸径を測定する方法は、本件審判請求人が、審判請求理由補充の際に提出した、久保輝一郎他著「粉体理論と応用」丸善株式会社（昭和３７年１２月２５日発行）を見るまでもなく、本願出願前から、工業的に粉粒体を扱う者にとっては周知ともいうべき技術事項であって、トナー製造に通常使用される原材料の平均的粒径の範囲を考え合わせれば、その測定のための方法および測定条件は、当業者であれば当然に選択しうる範囲のものにすぎないと認められる。　このため、本願発明において、結晶の長軸及び短軸の長さの測定方法に関する、そのような常識的な事項を明細書に記載しなければならない特段の事情は、認められない。
　なお、特許異議決定では、非晶質のものについてもａ／ｂおよびａに関する限定が係るものとしているが、本願明細書には、上記の通り、「非晶質部分の少ない結晶化度の大きいサリチル酸金属塩（サリチル酸誘導体の金属塩を含む）にあっては、その結晶の長軸の長さ、短軸の長さをそれぞれａ，ｂとしたとき、ａ／ｂ＞５又はａ＞５μｍとなることがほとんどである。」と記載されていることから見て、本願明細書における「長軸」および「短軸」とは、結晶粒子の長軸および短軸を対象としていることは明らかである。このため、明瞭な結晶軸を有しない非晶質についてまで、長軸ａおよび短軸ｂの比およびａの大きさを限定しているものとすべき理由はない。
　本願明細書には、「これらを実測によりまとめたのが第１図ないし第４図である。」として、一成分現像方式でのテスト結果（第１図及び第２図）および二成分現像方式でのテスト結果（第３図及び第４図）が示されている。その結果によれば、「一成分現像剤（一成分系トナー）ではａ／ｂ比が５以上だと現像ブレードヘのトナー固着が多発し、また、ａの値が５μｍより大きいと同様に現像ブレードヘのトナー固着が発生するようになる。一方、二成分型現像剤でのトナーではａ／ｂ比が５より大きいとスペントトナー量が０．０６重量％を越すようになり、また、ａの値が５μｍより大きいとスペントトナー量が０．０８重量％以上となり、実質的にトナーへのキャリアの帯電能力が低下して十分な摩擦帯電が得られなくなる。」（明細書第１１頁第１２行〜第１２頁第３行：公告公報第６欄第１〜１０行参照）のであるから、ａ／ｂおよびａの範囲限定の根拠は十分に開示されているといえる。そして、実施例および比較例によって、トナーの製造方法および、具体的な測定結果も明記されているのであるから、本願明細書には当業者が本願発明を容易に実施することができないという記載不備があるとすることはできない。
Ｖ．むすび
　以上のとおり、本願明細書は、当業者が容易にその発明を実施することができる程度に記載されていないとすることはできないから、本願は、特許法第３６条第３項の規定を満たしていないとした原審の判断は妥当なものでない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成１年特許願第１７７３４８号「ポリカーボネートの製造方法」拒絶査定に対する審判事件〔（平成６年３月１６日出願公告、特公平６−１８８６８）、特許請求の範囲に記載された請求項の数（１）〕について、次のとおり審決する。
【結論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許をすべきものとする。
【理由】
　本願は、平成１年７月１０日（優先権主張、昭和６３年９月２２日、日本）に出願されたものであって、原審において出願公告（特公平６−１８８６８号）されたところ、７件の特許異議申立てがあり、そのうち、福島一郎の特許異議申立ては理由があるものと決定され、その異議決定の理由により拒絶査定されたものである。
　本願発明は、出願公告後の平成７年４月２５日、平成９年１月１３日及び平成１１年１１月１２日付けの各手続補正書により補正された明細書の記載からみて、その特許請求の範囲に記載された次のとおりのものと認める。
「１）芳香族系有機二水酸基化合物と炭酸ジエステルとを溶融重縮合してポリカーボネートを製造するに際して、
　触媒として、上記芳香族系有機二水酸基化合物１モルに対して、（ａ）含窒素塩基性化合物を１×１０−６〜１×１０−１モルの量で、（ｂ）アルカリ金属化合物またはアルカリ土類金属化合物を１×１０−８〜２×１０−６モルの量で、および（ｃ）ホウ酸またはホウ酸エステルを１×１０−８〜１×１０−１モルの量で用いるとともに、
　上記モノマー中に含まれる合計の、加水分解可能な塩素含有量、ナトリウムイオン含有量および鉄イオン含有量がそれぞれ下記のような範囲にある、芳香族系有機二水酸基化合物および炭酸ジエステルを用いることを特徴とするポリカーボネートの製造方法：
　　加水分解可能な塩素含有量：０．３５ｐｐｍ以下
　　ナトリウムイオン含有量　：０．１ｐｐｍ以下
　　鉄イオン含有量　　　　　：０．１ｐｐｍ以下。」
　これに対する原査定の理由は、本願請求項１記載の発明は、福島一郎の提示した甲第１号証〜甲第５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
　よって検討すると、
　甲第１号証（松金幹夫他２名著「プラスチック材料講座［５］　ポリカーボネート樹脂」日刊工業新聞社、昭和４４年９月３０日発行、第６２〜６７頁、以下「刊行物１」という。）には、エステル交換法によるポリカーボネートの製造法について記載され、この製造法で用いられるジフェニルカーボネートは全くの中性であることが好ましいこと、その精製法としては、粗製ジフェニルカーボネートを溶融状態で熱水または熱弱塩基性水溶液で処理するか、尿素を加えて加熱溶融処理するか、アルカリ金属またはアルカリ土類金属の塩などを加えて１６０〜２２０℃で熱処理する、などの処理を行ってから減圧蒸留する精製法が提案されていること、エステル交換反応は、触媒が存在しないときは２８０℃でも徐々にしか進行しないが、触媒を用いると２００℃前後の温度で反応が進行することが、それぞれ記載され、該触媒として、アルカリ金属またはアルカリ土類金属の単体、酸化物、水酸化物・・・あるいはＺｎＯ、ＰｂＯ、Ｓｂ２Ｏ３のごとき塩基性金属酸化物、・・として種々のものが例示されている。
　甲第２号証（特公昭４２−９８２０号公報、以下「刊行物２」という。）には、ジフェニルカーボネートの処理法について記載され、フェノールのアルカリ水溶液とホスゲンにより製造されるジフェニルカーボネート中には、合成中間生成物であるフェニルクロロホーメートが包含されていて安全衛生上からも重縮合反応の面からも好ましくないことから、これを除去する必要があり、そのために、これに小量の尿素を加え加熱溶融させることが、記載されている。
　甲第３号証（特公昭３８−１３７３号公報、以下「刊行物３」という。）には、やはり、ジフェニルカーボネート中のフェニルクロロホーメートの除去法として、その溶融状態で熱水または熱弱塩基性水溶液と充分接触させることが記載されている。
　甲第４号証（特公昭５９−３８９６７号公報、以下「刊行物４」という。）には、ホスゲン法による得られるポリカーボネート溶液は未反応ジオキシ化合物のアルカリ塩、触媒として使用したアミン類、その他ハロゲン化アルカリ、苛性アルカリ、炭酸アルカリ等の不純物を少量の水と共にエマルジョン状態で含有しており、これらが製品中に残留すると製品の着色の原因となる等の不都合があることから、これを除去するために、該有機溶剤溶液をまず油中水型分散相を形成し得る量の水性洗浄液と混合して油中水型分散相を形成させ、次いでこれに該混合物が水中油型分散相を形成し得る量の水性洗浄液を添加して水中油型分散相に転相させた後、ポリカーボネートの有機溶剤溶液と水性洗浄液とを分液することが記載されている。
　甲第５号証（特開昭６３−２１０１２６号公報、以下「刊行物５」という。）には、ポリカーボネート中に存在する０．２ｐｐｍよりも多い鉄含有量は、ポリカーボネートを２５０℃以上に加熱した時に黄変をもたらすとの知見から、これを検出限界以下の０．１ｐｐｍ以下にするために、ホスゲン法により得られた２相の乳化液に亜燐酸を所定量添加してこれを処理することが記載されている。
　以上、刊行物２，３には、ポリカーボネート製造の反応原料となるジフェニルカーボネートの精製法が記載され、刊行物４，５には、ホスゲン法により得られたポリカーボネートの有機溶剤溶液若しくは乳化液を処理することによりそこに存在する不純物を除去する方法が記載されているが、そのいずれにも、溶融法によりポリカーボネートを製造することに関しては何も記載されていない。
　わずかに刊行物１には、溶融法によりポリカーボネートを製造することが記載されているが、その重合触媒に関しては、多数のものが示されてはいるものの、特に本願発明で規定する３種の触媒を併用することは全く記載されていない。
　一方本願発明は、上記認定したとおり、溶融重縮合によるポリカーボネートの製造において、特定の３種の触媒を特定量併用し、そして全モノマー中に含まれる加水分解塩素含有量、ナトリウムイオン含有量及び鉄イオン含有量を一定値以下とすることにより、得られたポリカーボネートの着色性、耐熱性、耐熱水性において上記各刊行物の記載からは予測することのできない優れた効果を奏し得たものと認められる。
　したがって、本願発明が刊行物１〜５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　昭和６１年特許願第１３８０７７号「半導体レーザ装置」拒絶査定に対する審判事件〔（平成７年１２月２５日出願公告、特公平７−１２３１７４）、特許請求の範囲に記載された発明の数（１）〕について、次のとおり審決する。
【結論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許をすべきものとする。
【理由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は昭和６１年６月１６日の出願であって、平成７年１２月２５日に出願公告されたところ特許異議申立があり、その特許異議の決定の理由により拒絶査定されたものである。
ＩＩ．本願発明の要旨
　本願発明の要旨は、出願公告後の平成１０年７月２４日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１に記載された下記のとおりのものと認める。「ｎ型基板上に作製したＩｎＧａＡｓＰ系埋込み構造半導体レーザにおいて、Ｐ型電極が形成されるＩｎＧａＡｓＰからなる表面成長層の組成が、１０１９ｃｍ−３以上のキャリア密度を有し且つ禁制帯幅が０．９ｅＶ以下になるように選択され、表面拡散がなされることなしに、当該表面成長層に直接Ｐ型電極が設けてなることを特徴とする半導体レーザ装置。」（以下、「本願発明」という。）
ＩＩＩ．原査定の理由
　原査定の拒絶の理由である住友電気工業株式会社の特許異議申立に対する特許異議の決定の理由の概要は、本願発明は、本願出願日前に頒布された刊行物であるＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ　ＬＥＴＴＥＲＳ　２３ｒｄ　ＭａＹ　１９８５　Ｖｏｌ．２１，Ｎｏ．１１　Ｐ４９３〜４９４（以下、「引用例１」という。）及び甲第２号証の「半導体材料の欠陥評価技術」昭和６０年４月株式会社サイエンスフォーラム発行第３０〜３５頁（以下、「引用例２」という。）に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
ＩＶ．引用例の認定
　引用例１には、ＤＣ−ＰＢＨレーザに関する発明が特に図１とともに開示されている。そして第４９３頁の左欄下から３行目〜右欄１４行目には、「実験：ＭＯＶＰＥ（有機金属気相成長法）／ＬＰＢ（液相成長法）によるＤＣ−ＰＢＨレーザの基本的構造を図１に示す。まず、Ｓ（硫黄）ドープの両方位（１００）のＩｎＰ基板（ｎ≒７×１０１８ｃｍ−３）上にｎ−ＩｎＰの薄いバッファ層（ｔ＝０．５μｍ，ｎ≒２×１０１８ｃｍ−３）を成長する。次いで、アンドープ活性層（λ≒１．５２μｍ，ｔ＝０．５μｍ）、Ｐ−ＩｎＰの上部光閉じ込め層（ｐ≒３×１０１７ｃｍ−３）を成長する。・・・ＤＣ−ＰＢＨレーザの場合にはｐ−ＩｎＰ層を０．４μｍ成長した後中断し、１．５μｍ幅のストライプを残すように化学的エッチングで二本の溝を形成する。その後液相成長法で電流阻止構造を形成し、最後にｐ＋−ＧａＩｎＡｓコンタクト層（ｔ＝０．１μｍ，Ｐ≒４×１０１９ｃｍ−３）を形成する。」と記載されている。
　引用例２の第３４頁の図−２５には、「ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体における禁制帯幅（ｅＶ）と格子定数の関係」について記載されている。
Ｖ．対比、判断
　引用例１乃至２に記載された発明と本願発明とを対比すると、引用例１乃至２には、本願発明の必須の構成要件である、ｎ型基板上に作製したＩｎＧａＡｓＰ系埋込み構造半導体レーザにおいて、「Ｐ型電極が形成される表面成長層を１０１９ｃｍ−３以上のキャリア密度を有し且つ禁制帯幅が０．９ｅＶ以下になるように選択されたＩｎＧａＡｓＰ」とする点を備えていないし示唆もない。
　そして本願発明は上記の構成を備えることにより、明細書記載の「表面にＰ型電極を形成する際に、電極の接触抵抗を従来の１／２以下にできるので、拡散工程を省略することができる。」（明細書第５頁１９行〜第６頁１行）という引用例１乃至２にはない顕著な作用効果を奏するものと認められる。
ＶＩ．結論
　したがって、本願発明は、引用例１乃至２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとは認められない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成４年　特許願　第２２８７６４号「塗装感を有する化粧シートおよびその製造方法」拒絶査定に対する審判事件〔（平成　８年３月６日出願公告、特公平８−２２５８６）、特許請求の範囲に記載された請求項の数（１）〕について、次のとおり審決する。
【結論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許をすべきものとする。
【理由】
　１．本願は、平成４年８月２７日の出願であって、その発明の要旨は、出願公告後の平成１０年８月１１日付け手続補正書及び平成１１年９月２１日付け手続補正書により補正された明細書の記載からみて、その特許請求の範囲請求項１に記載された次のとおりのものと認める。
　「着色もしくは印刷模様層を有するポリ塩化ビニル層の表層にポリエチレンテレフタレート層をラミネートし、さらにその表層に鉛筆硬度３Ｈ以上のハードコート層を形成させることからなる、塗装感を有する化粧シートの製造方法。」
　２．原査定の拒絶の理由である特許異議の決定の概要は、請求項１に係る発明（以下、本願発明という。）は、先願に係る特願平３−３１６０６３号（特開平５−１４７１８４号公報）の願書に最初に添付した明細書（以下、先願明細書という。）に記載された発明と同一であり、また、実願平１−６４２６６号（実開平３−４０３３号公報）のマイクロフイルム（以下、引用例１という。）、特開平４−７１８６４号公報（以下、引用例２という。）、特開平４−１３３７２９号公報（以下、引用例３という。）及び特開平３−１４３９１３号公報（以下、引用例４という。）に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条の２第１項及び同法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというにある。
　３．先願明細書には、ポリ塩化ビニルをベース樹脂とする着色シート層、マダラ模様光輝シート層、二軸延伸ポリエステルフィルム層及び硬度３Ｈのハードコート層からなる化粧シート及びその製造方法が記載されていることが認められる（特許請求の範囲、実施例及び図１参照）。
　また、引用例１には、片面にハードコート層を有するポリエステルフイルムと、基材となる合成樹脂フイルムまたシートとを、両者間に感熱性接着剤を介在させ、かつ上記ポリエステルフイルムのハードコート層のない面を内側にして積層し、加熱プレスにより一体化したことを特徴とする耐擦傷性合成樹脂シート（実用新案登録請求の範囲）が記載され、ハードコート層としてはポリエステル系架橋被膜、シリコン形架橋被膜が用いられ、基材樹脂としては塩化ビニル等が用いられること（第３頁第１２〜１７行参照）の記載がなされ、引用例２には、着色熱可塑性樹脂フィルム、絵柄層、厚さ１〜５ｍｍの透明もしくは着色透明熱可塑性樹脂層、および電離放射線硬化型樹脂層がこの順序で一体化されていることを特徴とする化粧パネル（特許請求の範囲請求項１）およびその製造方法（同請求項４参照）が記載され、「本発明で使用する熱可塑性樹脂フィルム（１）および熱可塑性樹脂層（３）としては、例えばポリ塩化ビニル、アクリル系樹脂がコスト、切削適性、曲げ加工適正等に優れているため好ましい。」（第２頁右上欄第１７〜２０行）との記載がなされ、引用例３には、熱可塑性樹脂の基材シートの上に絵柄印刷層および透明な表面シートを順に設けてなり、表面シートとして、引張強度２０ｋｇｆ／ｍｍ２以下、引張伸度１５０％以上のポリエステル樹脂のシートを用いたことを特徴とする成形用シート（特許請求の範囲請求項１）が記載され、引用例４には、名称を「多官能ウレタンアクリレート」とする発明が記載され、「本発明のウレタンアクリレートオリゴマーは、・・・、ポリエチレンフタレート等のプラスチックフィルムの表面コーティング剤として使用可能であり、高硬度、耐擦傷性に優れたプラスチックフィルムを得ることができる」（第５頁右下欄第１０〜１５行）との記載がなされ、表１には、当該硬化膜の鉛筆硬度は３Ｈ〜５Ｈであることの記載がなされているものと認められる。
　３．本願発明と先願明細書に記載のものとを対比すると、両者は、化粧シートの層構成において違することが明らかであるから、同一であるとすることはできない。
　また、引用例１〜４には、本願発明の構成要件である「ポリエチレンテレフタレート層をラミネートし、さらにその表層に鉛筆硬度３Ｈ以上のハードコート層を形成させること」の記載ないし示唆はなされていないものと認められるから、本願発明は、引用例１〜４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成１年特許願第３５７８４号「半導体素子」拒絶査定に対する審判事件（平成２年９月１２日出願公開、特開平２−２２９４８４）について、次のとおり審決する。
【結論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理由】
１，本願発明
　本願は、平成１年２月１５日（優先権主張昭和６３年６月８日）の出願であって、その請求項１及び２に係る発明は、平成９年９月８日付けで補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１及び２に記載されたとおりのものであるところ、請求項１に係る発明は次のとおりである。
「半導体材料からなる電流阻止層と半導体材料からなる狭窄電流通過部とがこれら以外の半導体層の上に形成されているとともに、電極金属層が電流阻止層と狭窄電流通過部との上に設けられている半導体素子において、電流阻止層と電極金属層との接触抵抗値が、狭窄電流通過部と電極金属層との接触抵抗値よりも高く、電流阻止層の抵抗率が狭窄電流通過部のそれよりも高いことを特徴とする半導体素子。」
２，引用例記載の発明
　これに対し、原査定の拒絶の理由で引用された刊行物：特開昭５１−１４２９９１号公報には、下記の事項が記載されている。
「本発明の目的は、リーク電流を低減し、数ｍＡという極めて低い動作電流でレーザ発振可能な埋め込みヘテロ構造レーザを提供することにある。」（１頁右下欄５〜７行）、
「ｐ型ＧａＡｓ基板１２上に、ｐ型ＡｌＸＧａ１−ＸＡｓ層・・・１３、活性層となるＧａＡｓ層（アンドープ）１４、ｎ型ＡｌＸＧａ１−ＸＡｓ層（Ｓｎドープ・・・）１５を液相エピタキシャル法にて順次成長する。この・・・成長表面に・・・ＳｉＯ２膜を被着し、・・・帯状通電領域を形成するためのストライプを形成し、・・・帯状通電領域となる部分以外の成長層を選択除去し、続いて残存するＳｉＯ２膜を・・・除去する。・・・再び液相エピタキシャル法にてｐ型ＡｌＹＧａ１−ＹＡｓ層・・・１６を成長する。こうして得られた埋め込みヘテロ構造のエピタキシャルウエーハの表面に・・・ＳｉＯ２膜１７を被着し、帯状通電領域となる部分をフォトエッチにて選択除去したあと、ｎ型・・・のオーム性電極１８としてＡｕ−Ｇｅ−Ｎｉ合金を、ｐ型・・・のオーム性電極１９として・・・合金を・・・被着し」（１頁右下欄１１行〜２頁左上欄１８行）、
　「ｐ型ＡｌＹＧａ１−ＹＡｓ層１６、ｎ型ＡｌＸＧａ１−ＸＡｓ層１５の比抵抗および電極の接触抵抗の差は大きい方が好ましく、前者のキャリヤ濃度は極力低く・・・、後者のキャリヤ濃度は極力高く・・・なるように制御すれば、さらに優れた特性を発揮させうる。」（２頁左下欄１０〜１７行）、「なお、注入キャリヤおよび放出光の横方向の閉じ込めのために設けるｐ型ＡｌＹＧａ１−ＹＡｓ層は、高比抵抗ＡｌＹＧａ１−ＹＡｓ層であってもよいことは勿論である。」（２頁右下欄４〜７行）と記載されている。又、第１図には、ｐ型ＡｌＹＧａ１−ＹＡｓ層１６と、ｐ型ＡｌＸＧａ１−ＸＡｓ層１３及び活性層１４を介してｎ型ＡｌＸＧａ１−ＸＡｓ層１５とがｐ型ＧａＡｓ基板１２上に形成されているとともに、ｎ型のオーム性電極１８がｐ型ＡｌＹＧａ１−ＹＡｓ層１６とｎ型ＡｌＸＧａ１−ＸＡｓ層１５との上に設けられ、かつ、ｎ型ＡｌＸＧａ１−ＸＡｓ層１５の幅より大きい幅を介してＳｉＯ２膜１７がｐ型ＡｌＹＧａ１−ＹＡｓ層１６とｎ型のオーム性電極１８との間に形成されている半導体レーザ装置が図示されている。
　上記によると、上記刊行物には、
「ｐ型ＡｌＹＧａ１−ＹＡｓ層１６と、ｐ型ＡｌＸＧａ１−ＸＡｓ層１３及び活性層１４を介してｎ型ＡｌＸＧａ１−ＸＡｓ層１５とがｐ型ＧａＡｓ基板１２上に形成されているとともに、合金製のｎ型のオーム性電極１８がｐ型ＡｌＹＧａ１−ＹＡｓ層１６とｎ型ＡｌＸＧａ１−ＸＡｓ層１５との上に設けられている半導体レーザ装置において、ｐ型ＡｌＹＧａ１−ＹＡｓ層１６、ｎ型ＡｌＸＧａ１−ＸＡｓ層１５の比抵抗および電極の接触抵抗の差を大きくした半導体レーザ装置。」
の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
３，対比・判断
　そこで、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）と引用発明とを対比すると、
　引用発明の「ｐ型ＡｌＹＧａ１−ＹＡｓ層１６」、「ｎ型ＡｌＸＧａ１−ＸＡｓ層１５」、「ｐ型ＧａＡｓ基板１２」、「半導体レーザ装置」、「合金製のｎ型のオーム性電極１８」、「比抵抗」は、
　本願発明の「半導体材料からなる電流阻止層」、「半導体材料からなる狭窄電流通過部」、「これら以外の半導体層」、「半導体素子」、「電極金属層」、「抵抗率」にそれぞれ相当する。又、引用発明の「ｐ型ＡｌＸＧａ１−ＸＡｓ層１３及び活性層１４」は（他の）半導体層であるから、
　両者は、「半導体材料からなる電流阻止層と半導体材料からなる狭窄電流通過部とが半導体層の上に形成されているとともに、電極金属層が電流阻止層と狭窄電流通過部との上に設けられている半導体素子において、電流阻止層、狭窄電流通過部と電極金属層との接触抵抗値、及び、狭窄電流通過部と電流阻止層の抵抗率を考慮した半導体素子」の発明で一致し、下記の点で相違する。
　▲１▼本願発明は、電流阻止層と電極金属層との接触抵抗値が、狭窄電流通過部と電極金属層との接触抵抗値よりも高く、電流阻止層の抵抗率が狭窄電流通過部のそれよりも高いのに対し、引用発明は、電流阻止層、狭窄電流通過部の抵抗率および電極の接触抵抗の差を大きくした点。
　▲２▼本願発明は、電流阻止層と狭窄電流通過部とがこれら以外の半導体層上に形成されているのに対し、引用発明は、狭窄電流通過部とこれら以外の半導体層の間に他の半導体層が介在されている点。
　上記相違点につき検討する。
　先ず、相違点▲１▼について、
　引用発明は、前掲のように、帯状通電領域を有し、リーク電流を低減することを目的とするものである。したがって、引用発明において、電流阻止層と狭窄電流通過部の抵抗率の差を大きくし、電流阻止層又は狭窄電流通過部と電極との接触抵抗の差を大きくする際、本願発明の上記相違点▲１▼のように規定することは当業者が容易に想到し得たものである。
　相違点▲２▼について、
　上記相違点▲２▼は、所謂、プレーナー型、埋め込み型という半導体素子の型の相違に基づいて生じたものである。しかし、本願発明と引用発明とは、リーク電流を低減することを目的として電流阻止層と狭窄電流通過部を上記一致点のように設定した点で共通するものである以上、引用発明の構成を従来周知のプレーナ型半導体素子に適用することに困難性はない。
　しかも、本願発明の構成によってもたらされる効果も、引用発明から予測し得る程度のものであり、格別ということはできない。
４，むすび
　以上のとおり、本願発明は、上記刊行物に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成３年特許願第３３３８９７号「殺藻剤」拒絶査定に対する審判事件〔（平成８年１月３１日出願公告、特公平８−９５２２）、特許請求の範囲に記載された請求項の数（２）〕について、次のとおり審決する。
【結論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許をすべきものとする。
【理由】
１．手続きの経緯、本件出願の発明
　本件出願は、平成３年１１月２２日に出願されたものであり、原審において平成８年１月３１日に出願公告されたところ、第一製網株式会社より特許異議の申立があり、その特許異議の申立は理由があると決定され、その決定に記載された理由により拒絶査定されたものである。
　そして、本件出願の発明は、出願公告時の明細書及び平成８年１２月２７日付けの手続補正書の記載よりみて、その特許請求の範囲の請求項１及び請求項２に記載された次のとおりのものと認める。
　「【請求項１】乳酸０．１〜２．０重量％とＰＨ調整剤とを含み、ＰＨを１．５〜２．０に調節してなることを特徴とする殺藻剤。
　【請求項２】ＰＨ調節剤として、１価ないし多価の有機カルボン酸、無機酸、有機リン酸、またはアミノ酸の中から選ばれた１種または２種以上を組み合わせてなるものを用いてなる請求項１記載の殺藻剤。」
２．原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由の概要は、本願明細書には本願発明を当業者が容易に実施し得る程度に発明の構成、効果について記載されているものとは認められず、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていないので特許を受けることができないというものであり、異議申立人の提示した甲第４号証（１）及び（２）の試験報告書によれば、ＰＨ調節剤として酢酸、蟻酸を用いた場合には、海苔に薬害が生じることから本願発明には実施不能の部分があることを異議申立人が主張している旨、及び本願明細書の記載をみると、ＰＨ調節剤として用いられる酸について、請求項２の記載と同様の記載があるのみで具体的にどのようなものが用いられるのかについて何ら説明はなされておらず、実験２，３においてもＰＨ調節剤は示されていないので、その実験の示す効果についても直ちに認めることができない旨を指摘している。
３．当審の判断
　本願明細書には、実験１で赤腐れ病に感染した海苔の処理について、乳酸の濃度と処理液のｐＨの組み合わせが請求項１に規定されているもの以外の場合には、浸漬時間１０秒、３分いずれの場合にも不適当であることが示され、実験２で、ｐＨが請求項１規定の範囲である１．８において、乳酸の濃度を０．０５，０．１，０．５，１．０％について実験１と同様の浸漬時間１０秒、３分で処理を行ったとき、請求項１規定の乳酸の濃度である０．１，０．５，１．０％では所期の効果が得られることが示され、ただ、乳酸の濃度が高い場合（１．０％のとき）、浸漬時間が長い（３分）と海苔に悪い影響を与えることも読みとれる。実験３では、酸の種類が乳酸以外のクエン酸、リンゴ酸、塩酸のとき、ｐＨ１．８、酸濃度０．３％と請求項１規定の範囲であっても、所期の効果が得られないことが示されている。また、実施例１では、乳酸０．５％、ｐＨ１．６で、浸漬時間３０秒、２分でアオノリを防除できる旨のデータが示されている。
　この明細書の記載にはｐＨ調節剤として具体的に何を使用したかは明らかにされていないが、ｐＨ調節剤として使用する酸については、請求項２等に「１価ないし多価の有機カルボン酸、無機酸、有機リン酸、またはアミノ酸の中から選ばれた１種または２種以上を組み合わせてなるもの」を用いることが記載されており、この中から、適当な酸を選択して、それに合った使用条件（浸漬時間、ｐＨ範囲、乳酸濃度）を、ｐＨ範囲及び乳酸濃度については請求項１の条件の範囲内で、所期の目的を達成できるように設定することは、当業者が過度の実験を行うことなくできることであり、海苔に対する薬害を出さない範囲で防除効果を発揮する条件を設定すること（例えば、実験２において、乳酸濃度１．０％のときに浸漬時間を３分ではなく、１０秒にして薬害を受けないように処理をおこなうこと）もその中に含まれるものである。
　原審の異議申立において、薬害試験データが示され、酢酸、蟻酸等をｐＨ調節剤として使用した場合に、乳酸濃度、ｐＨ条件が請求項１に規定する範囲のうち一部のものについて、浸漬時間０．５〜３．０分の場合に薬害がおきることが主張されているが、その実験結果が、直ちに、特定のｐＨ調節剤を選択したときに、請求項１の条件の全体について、浸漬時間の如何にかかわらず、薬害によって実施不能であるということを立証しているものとなるわけではないし、一方、分類学的に近隣の種（本件の場合のアオノリ）の生物を防除しようとする際に、収穫すべき生物（本件の場合のノリ）に対する薬害が起こりやすいことは広く知られたことで、使用する薬剤の濃度、処理時間等の処理条件を所期の効果が得られるように、すなわち不用な生物のみを選択的に防除することができるように設定することは当業者が通常行っていることであり、それが、過度の実験を必要とするものとは認められないので、本願明細書には、本願発明を当業者が容易に実施できる程度に発明の構成、効果が記載されていないとすることはできない。
４．むすび
　以上のとおりであるから、原査定の理由によっては本件出願を拒絶することはできない。
　また、他に本件出願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　昭和６３年特許願第６００６３号「シート後処理装置」拒絶査定に対する審判事件〔（平成６年６月８日出願公告、特公平６−４３１５６）、特許請求の範囲に記載された請求項の数（１）〕について、次のとおり審決する。
【結論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許をすべきものとする。
【理由】
Ｉ．手続の経緯・本願発明
　本願は、昭和６３年３月１４日の出願であって、その発明は、出願公告後の平成７年６月１２日付け及び平成１０年５月２５日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものにあると認める。
「【請求項１】シートを分類・収納する移動可能な多数のビンと、順に移動するこれらビンに収納されたシートを綴じる綴じ装置と、を備えるシート後処理装置において、
　前記各ビンに収納されるシートの枚数を計数する計数手段と、
　前記ビンを移動させて前記綴じ装置による綴じ作業を開始する操作手段と、
　該操作手段に内蔵され、前記綴じ装置による綴じ作業が許容される第１の状態と許容されない第２の状態を表示する表示手段と、
　前記計数手段からのシート枚数情報が所定枚数範囲内であるか否か判断し、該所定枚数範囲内である場合、前記表示手段を前記第１の状態とすると共に、前記操作手段による前記綴じ装置の作動を可能とし、また前記所定枚数範囲外である場合、前記表示手段を前記第２の状態とすると共に、前記操作手段の操作によって前記綴じ装置が作動しないように制御する制御手段と、を備えた、
　ことを特徴とするシート後処理装置。」（以下、「本願発明」という。）
ＩＩ．引用例
　原査定の拒絶の理由となった特許異議の決定の理由において引用された特開昭６２−１９６６７７号公報（以下、「引用例１」という。）及び特開昭６３−４１３７３号公報（以下、「引用例２」という。）には、下記の発明が記載されている。
　引用例１
　シートを収納する中間トレイと、前記中間トレイに収納されたシートを綴じるステープル手段と、を備える記録紙後処理装置において、前記トレイに収納されるシートの枚数を計数する計数手段と、前記ステープル手段による綴じ作業を開始するに必要なフィニッシャのモード選択スイッチ及び手動ステープルスイッチと、前記計数手段からのシート枚数情報が１枚であるか否か判断し、１枚でない場合、前記ステープル手段を作動し、また１枚である場合、前記ステープル手段が作動しないように制御する制御手段を備えた記録紙後処理装置。
（２頁右上欄５〜１０行、３頁右下欄２行〜５頁右下欄５行、５〜８図）
　引用例２
　シートを分類・収納する移動可能な多数のビンと、順に移動するこれらビンに収納されたシートを綴じるステープル手段と、を備えるフィニッシャ付きソータにおいて、前記各ビンに収納されるシートの枚数を計数（カウント）する計数手段と、前記ビンを移動させて前記ステープル手段による綴じ作業を開始するのに必要なフィニッシュモード選択キー及びフィニシュスタートキーと、前記ステープル手段による作業が許容される第１の状態と許容されない第２の状態を表示する表示部（１２５）と、前記計数手段からのシート枚数情報が２枚以上で且つステープル許容枚数（Ｃｂ）以下の所定枚数範囲内であるか否か判断し、該所定枚数範囲内である場合、前記表示部（１２５）を前記第１の状態とすると共に、前記フィニッシュモード選択キー及びフィニシュスタートキーによる前記ステープル手段の作動を可能とし、また前記所定枚数範囲外である場合、前記表示部（１２５）を前記第２の状態とすると共に、前記フィニッシュモード選択キー及びフィニシュスタートキーの操作によって前記ステープル手段が作動しないように制御する制御手段を備えたフィニッシャ付きソータ。
（１頁右下欄２０行〜２頁左上欄７行、６頁左下欄１２行〜８頁右下欄１５行、１１頁左上欄８行〜１２頁左上欄６行、２２図、２５ａ〜２７図）
ＩＩＩ．対比・判断
　本願発明と引用例１、２に記載された発明とを対比すると、引用例１、２に記載された発明は、いずれも、綴じ装置の制御にモード選択を必要とするものであるのに対し、本願発明はモード選択を必要としないものである点で相違している。
　具体的には、引用例１、２に記載された発明は、本願発明の構成要件である「ビンを移動させて綴じ装置による綴じ作業を開始する操作手段と、該操作手段に内蔵され、前記綴じ装置による綴じ作業が許容される第１の状態と許容されない第２の状態を表示する表示手段と、計数手段からのシート枚数情報が所定枚数範囲内であるか否か判断し、該所定枚数範囲内である場合、前記表示手段を前記第１の状態とすると共に、前記操作手段による前記綴じ装置の作動を可能とし、また前記所定枚数範囲外である場合、前記表示手段を前記第２の状態とすると共に、前記操作手段の操作によって前記綴じ装置が作動しないように制御する制御手段」を備えていない。また、上記引用例１、２には上記綴じ装置の制御手段についての示唆もない。
　そして、本願発明は、上記構成を主要な構成要件とすることにより、「ビンに収納されるシートの枚数を計数する計数手段からのシート枚数情報が所定枚数範囲内である場合、操作手段の操作によって綴じ装置が作動するように構成したので、ブック原稿を複写・分類して綴じ止めする場合、操作手段による綴じ作業を開始することができる。更に、操作手段に表示手段が内蔵されているので、オペレータは、操作手段を操作して綴じ作業を開始する際、いやおうなく表示手段の表示が目に入り、綴じ装置が作動できるか否かが判断でき、操作性が向上する」という明細書記載の効果を奏するものである。
ＩＶ．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用例１及び引用例２に記載された発明から当業者が容易に発明することができたものとすることはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。