(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板の片面又は両面に厚さ５０〜４００μｍの複数のコイル導体線条をギャップ部のアスペクト比（Ｈ／Ｇ）１以上で設けた平面コイルにおいて、該コイル導体線条がマッシュルーム状断面を有し、その断面の頭部の幅（Ｌ）が首部の幅（ｌ）の２〜５倍、頭部の高さ（Ｈ）の０．５〜１．５倍及び各コイル導体線条間の最小間隔（Ｇ）の４〜１０倍であることを特徴とする平面コイル。
【請求項２】
コイル導体線条が保護用金属めっき薄膜層で被覆されている請求項１記載の平面コイル。
【請求項３】
請求項１又は２の平面コイルを、絶縁性フィルムを介して複数個積層し、全体を薄型強磁性体コアで挟着して構成された平面トランス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、平面コイル及び平面トランス、特に１０Ｗ以下の小さいパワーで作動する平面コイル及び平面トランスに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
平面コイルは、デジタルオーディオディスクの二軸アクチエータや人工衛星などの電源用又は信号用として広く用いられている。
ところで、最近、平面コイルの精密部品用としての需要が高まるに従い、幅が細く、かつ厚さの大きい、いわゆるハイアスペクト導体パターンを狭い間隔で複数個並列的に形成させたものが要求されるようになってきた。これまで、このような平面コイルは、絶縁基板上に、導体薄膜を被着し、その上にネガ型ホトレジスト層を施し、常法に従いレジストパターンを形成させたのち、エッチング処理して、導体薄膜の露出部分を食刻し、次いでレジストパターンを除去することによって製造されている。
【０００３】
しかしながら、このようにして得られる平面コイルは、導体薄膜のエッチングに際し、エッチング液がレジストパターンで被覆されている部分にも入り込み、その部分の導体までも溶解除去してしまう結果、残存する導体の断面が台形となり、コイルパターン間の間隔が大幅に増大したものになるのを免れない。
【０００４】
このような欠点を改善するために、前記の絶縁基板と導体薄膜との電気抵抗の差を利用して、導体薄膜へ選択的に厚いめっきを施す方法が提案されたが（特開昭５８−１２３１５号公報）、めっき下地膜が薄く、特にスパイラルパターンを形成する場合などに下地の配線抵抗が増大し、めっき電流を大きくすることができない上、めっきの成長速度に異方性がないため導体パターンの厚さを大きくすることができない。
【０００５】
そのほか、絶縁基板全面に金属薄膜を設け、この上に厚いレジストパターンを形成させたのち、パターンめっきでハイアスペクト導体を形成させ、レジストを除去したのち、イオンミリングなどのドライエッチングで、線間の金属薄膜を除去する方法なども知られているが、レジストの厚さは、せいぜい５０μｍが限度であるので、導体パターンの厚さとしては、４０μｍ程度が得られるにすぎない。
このように従来の平面コイルは、コイル導体の層厚自体を厚くすることが困難である上、エッチングにより導体パターンを形成するので、コイル導体を構成する各線条間の間隔はコイル導体の層厚の２倍程度が限度であるため、コイル導体部の空間的な意味での占積率が低く、直流抵抗が大きくなるのを免れず、良好な電気特性を得ることができない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、コイル導体の層厚を大きくするとともに、コイル導体を構成する各線条の間隔を狭くして、小型で直流抵抗の小さい高性能平面コイル及びそれを用いた高性能トランスを提供することを目的としてなされたものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、高性能平面コイルを得るために、鋭意研究を重ねた結果、コイル導体の各線条を異方性成長させて、マッシュルーム状断面に形成することにより、コイル導体の高さを５０μｍ以上に、かつ各線条間の間隔を２０μｍ以下で形成させうること、したがって、見掛け上の占積率を増大して電気特性を向上させうることを見出し、この知見に基づいて本発明をなすに至った。
【０００８】
すなわち、本発明は、絶縁基板の片面又は両面に厚さ５０〜４００μｍの複数のコイル導体線条をギャップ部のアスペクト比（Ｈ／Ｇ）１以上で設け、かつ所望によりその表面が金属めっき薄膜層で被覆されている平面コイルにおいて、該コイル導体線条がマッシュルーム状断面を有し、その断面の頭部の幅（Ｌ）が首部の幅（ｌ）の２〜５倍、頭部の高さ（Ｈ）の０．５〜１．５倍及び各コイル導体線条間の最小間隔（Ｇ）の４〜１０倍であることを特徴とする平面コイル、及びその平面コイルを、絶縁性フィルムを介して複数個積層し、全体を薄型強磁性体コアで挟着して構成された平面トランスを提供するものである。
なお、ここでマッシュルーム状断面とは、図１に示されるように、ひさし部分が大きく膨出し、脚部すなわち首部が細く短かい形状を意味する。
【０００９】
【発明の実施の形態】
次に、添付図面に従って、本発明をさらに詳細に説明する。
図１は、本発明の平面コイルの部分断面拡大図であって、絶縁基板１の上に金属薄膜層２を介してコイル導体線条３，３′，３″…が並列的に設けられている。この各線条は頭部４と首部５からなるマッシュルーム状断面を有し、その頭部の幅（Ｌ）は首部の幅（ｌ）の２〜５倍、頭部の高さ（Ｈ）の０．５〜１．５倍、各コイル導体線条間の最小間隔（Ｇ）の４〜１０倍であることが必要である。
【００１０】
図２は、本発明の平面コイルを製造する方法の１例であって、先ず円板状絶縁基板１上にスルーホール７を穿設し、次いで該基板上に金属めっき薄膜層２を設け、さらにホトレジストパターン層６を形成した構造体を形成する（イ）。
次に、上記の金属めっき薄膜層２が露出している部分を中心として、好ましくはこれと同じ金属を光沢電気めっきすることにより、マッシュルーム状断面をもつ線条３，３′，３″…を並列的に形成させる（ロ）。
次いで、残存してるレジストを剥離したのち（ハ）、選択的なエッチング処理を施して、各線条間の金属めっき薄膜層のみを除去する（ニ）。
この場合、所望ならば、ハイアスペクトめっきの後で、保護用金属をめっきして、コイル導体線条の表面を被覆する。
【００１１】
このように、ホトレジスト層が除去され、コイルパターン状に金属めっき薄膜層が露出した部分を中心に光沢電気めっきを行う場合、めっき条件を適切にすれば、高さ方向の成長速度が幅方向の成長速度に比べて大きくなり、めっき部分が膨成して１回の処理でもマッシュルーム状の、直流抵抗の小さいコイル導体線条が形成される。
【００１２】
この際のめっき条件は、めっき浴の組成、めっき槽の形状、浴の撹拌条件に依存するが、予備的試験を繰り返すことにより容易に最適条件を選定することができる。この際の電流密度については、限界電流密度の７０％以上で異方性成長を行わせる。
【００１３】
また、この際のコイル導体の各線条の首部の幅は、まずレジストパターン上の露出している金属薄膜の幅をレジストの解像度及びコイル導体を形成したときの強度を考慮して最小に選び、このパターンでのめっき条件を検討して、もっともアスペクト比の大きい条件に設定し、所定の膜厚まで成長させたのち、各線条間の間隔の最小値を測定し、これに設計値を減じた値だけレジストパターン上の露出している金属薄膜の幅を増加することによって調整する。
【００１４】
なお、この際のめっき浴としては、抵抗の低い金属の光沢めっき浴であればよく、特に制限はないが、無光沢めっき浴の場合は、コイル導体の線条間の間隔が狭くなると線条間でショートするので用いることはできない。
【００１５】
本発明の平面コイルにおいて、アスペクト比の大きいものが得られる理由としては次のことが考えられる。すなわち、スルーホールめっきにおいて、孔のアスペクト比が大きい場合は孔内の膜厚が外部の膜厚より小さくなり、この傾向はアスペクト比が大きいほど顕著になるが、本発明において、コイル導体パターンを光沢めっきにより形成する場合も、これと類似した現像が起り、最初の間はめっきが等方的に成長するが、膜厚が大きくなるに従って、溝部のアスペクトが大きくなり異方的な成長が行われ、頭部を形成することにより、次第にこの傾向が助長されてアスペクト比が益々増大する。
図３は、本発明の平面コイルの１例を示す平面図であって、この図においては、コイルパターンが円形スパイラル状に形成されているが、このコイルパターンの形状としては、これ以外に角形スパイラル状、折れ線状など従来の平面コイルで用いられている任意の形状をとることができる。
このようにして得た平面コイルは、薄型強磁性体コアに挟着して用いることもできる。この薄型強磁性体コアとしては、例えば厚さ１．２ｍｍのＮｉＺｎ系フェライトなどが用いられる。
【００１６】
次に、本発明の平面コイルを絶縁性フィルムを介して複数個積層し、全体を薄型強磁性体コアで挟着すれば、非常に電気特性の優れた平面トランスを得ることができる。
この際の絶縁性フィルムとしては、厚さ０．０５ｍｍのポリエステルフィルムのようなプラスチックフィルムが適当であり、薄型強磁性体コアとしては前記したものと同じものを用いることができる。
【００１７】
【実施例】
次に実施例により本発明をさらに詳細に説明する。
【００１８】
実施例１
３インチ基板に２８４個のコイルを製造するため、以下の処理を行った。すなわちアンクラッドＦＲ４基板（厚さ１００μｍ）の所定の位置に、直径０．２ｍｍのスルーホールを開け、無電解銅めっき液でその両面に１μｍの厚さの銅層を形成した。
その上にポジ型ホトレジストを乾燥膜厚で５μｍになるようにスピンコートした。
次いで、スルーホール周囲のレジストを除去すると同時に、コイル部を形成するために、レジストパターン幅９０μｍ、レジストパターン間隔（露出する導体の線幅）２０μｍのパターンをホトリソグラフィー法により形成した。ここでスルーホールは両面の銅層の接続のために用いている。コイル部となるレジスト除去部のパターンは円形スパイラル状で、最内周の半径は０．９ｍｍで巻数は１１．５回である。
これを光沢硫酸銅めっき浴でめっきした。めっき液の硫酸銅の濃度は７０ｇ／ｌであり、液温度は２５℃である。小孔の開いているパイプをカソードの付近に設置して、ここからめっき液を２０ｍｍ／秒で噴出させ、電流密度２．５Ａ／ｄｍ2で膜厚が１５０μｍになるまでめっきした。このときの導体間隔は１０μｍであった。
次に、レジストを剥離し、下地銅膜をイオンミリングでエッチングしてコイル導体部を形成したのち、単一の平面コイルにカットした。このようにして得た２８４個の平面コイルは、それぞれ外形寸法が３．１×３．１×０．４ｍｍであり、コイル導体層の厚さ（Ｈ）が１５０μｍ、コイル導体線条間の間隔（Ｇ）が１０μｍ、頭部の幅（Ｌ）が１００μｍ、首部の幅（ｌ）が２０μｍ、Ｌ／ｌ比が５、Ｌ／Ｈ比が０．６７、Ｌ／Ｇ比が５であった。また、このものの電気特性は、直流抵抗０．１Ω、インダクタンス値０．３７μＨであった。
比較のために、同じパターンのコイルを通常のプリント配線板の製法によって、３６μｍの銅箔を両面に貼った１００μｍ厚のＦＲ４基板を用いて作成した。ファインパターンであるために、歩留まりは大幅に減少したが、良品の電気的特性を測定すると、直流抵抗１．１Ω、インダクタンス値０．３７μＨであった。なお、外形寸法は３．１×３．１×０．２ｍｍである。
このことから、本発明の平面コイルは、通常のプリント配線板の製法で作成したものに比べて直流抵抗を１／１０以下にできることが分かる。
【００１９】
比較例
実施例１で導体の断面形状の首の幅が頭の幅と同じコイルをパターンめっき法により形成した。すなわち、実施例１と同じ手法で同一基板上に下地銅膜を形成し、コイル導体線条のギャップ位置に厚さ３５μｍ、幅１０μｍのレジストパターンを形成し、これに実施例と同一条件で厚さ３０μｍのめっきを施した。これを５回繰り返し、レジストを剥離してイオンミリングで導体間の下地銅膜をエッチングして、実施例１で首の幅が頭の幅と同じ断面形状のコイルを片面に形成した。この時の基板の反りは１．２ｍｍであった。一方、実施例１と同じ手法で片面のみにコイルを形成し、基板の反りを測定すると０．２５ｍｍであった。首を細くすることで基板の反り量が１／５に減少しているのが分かる。
【００２０】
実施例２
実施例１で用いたものと同じアンクラッドＦＲ４基板の所定の位置に、直径０．２ｍｍのスルーホールを設け、無電解銅めっき液でその両面に１μｍの厚さの銅層を形成した。
その上にポジ型ホトレジストを乾燥膜厚で５μｍになるようにスピンコートし、レジストパターン幅１１０μｍ、レジストパターン間隔（露出する導体の線幅）２０μｍのパターンをホトリソグラフィー法により形成した。ここでスルーホールは両面の銅層の接続のために用いている。コイル部となるレジスト除去部のパターンは円形スパイラル状で、最内周の半径は０．９ｍｍで巻数は１１．５回である。
これを光沢硫酸銅めっき浴でめっきした。めっき液の硫酸銅の濃度は７０ｇ／ｌであり、液温度は２５℃である。小孔の開いているパイプをカソードの付近に設置して、ここからめっき液を２０ｍｍ／秒で噴出させ、電流密度２．５Ａ／ｄｍ2で膜厚が２００μｍになるまでめっきした。このときの導体間隔は１０μｍであった。実施例１に比べて、頭部の長さ（Ｌ）が１０μｍ長くなっているので、導体高さが大きく取れる。
次に、レジストを剥離し、下地銅膜をイオンミリングでエッチングしてコイル導体部を形成したのち、単一の平面コイルにカットした。このようにして得た２８４個の平面コイルは、それぞれ外形寸法が３．１×３．１×０．４ｍｍであり、コイル導体層の厚さ（Ｈ）が２００μｍ、コイル導体線条間の間隔（Ｇ）が１０μｍ、頭部の幅（Ｌ）が１００μｍ、首部の幅（ｌ）が２０μｍ、Ｌ／ｌ比が５、Ｌ／Ｈ比が０．５、Ｌ／Ｇ比が１０であった。また、このものの電気特性は、直流抵抗０．０６Ω、インダクタンス値０．３６μＨであった。
比較のために、同じパターンのコイルを通常のプリント配線板の製法によって、３６μｍの銅箔を両面に貼った１００μｍ厚のＦＲ４基板を用いて作成した。ファインパターンであるために、歩留まりは大幅に減少したが、良品の電気的特性を測定すると、直流抵抗０．９Ω、インダクタンス値０．３７μＨであった。なお、外形寸法は３．１×３．１×０．２ｍｍである。
このことから、本発明の平面コイルは、通常のプリント配線板の製法で作成したものに比べて直流抵抗を１／１０以下にできることが分かる。
【００２１】
実施例３
実施例１で用いたものと同じアンクラッドＦＲ４基板の所定の位置に、直径０．２ｍｍのスルーホールを設け、無電解銅めっき液でその両面に１μｍの厚さの銅層を形成した。
その上にポジ型ホトレジストを乾燥膜厚で５μｍになるようにスピンコートし、レジストパターン幅９０μｍ、レジストパターン間隔（露出する導体の線幅）２０μｍのパターンをホトリソグラフィー法により形成した。ここでスルーホールは両面の銅層の接続のために用いている。コイル部となるレジスト除去部のパターンは円形スパイラル状で、最内周の半径は０．９ｍｍで巻数は１１．５回である。
これを光沢高速硫酸銅めっき浴でめっきした。めっき液の硫酸銅の濃度は１１０ｇ／ｌであり、液温度は３５℃である。小孔の開いているパイプをカソードの付近に設置して、ここからめっき液を５０ｍｍ／秒で噴出させ、電流密度９Ａ／ｄｍ2で膜厚が１５０μｍになるまでめっきした。このときの導体間隔は１０μｍであった。
次に、レジストを剥離し、下地銅膜をイオンミリングでエッチングしてコイル導体部を形成した。このようにして得た平面コイルは、外形寸法が３．１×３．１×０．４ｍｍであり、コイル導体層の厚さ（Ｈ）が１５０μｍ、コイル導体線条間の間隔（Ｇ）が１０μｍ、頭部の幅（Ｌ）が１００μｍ、首部の幅（ｌ）が２０μｍ、Ｌ／ｌ比が５、Ｌ／Ｈ比が０．６７、Ｌ／Ｇ比が５であった。また、このものの電気特性は、直流抵抗０．１Ω、インダクタンス値０．３７μＨであった。
比較のために、同じパターンのコイルを通常のプリント配線板の製法によって、３６μｍの銅箔を両面に貼った１００μｍ厚のＦＲ４基板を用いて作成した。ファインパターンであるために、歩留まりは大幅に減少したが、良品の電気的特性を測定すると、直流抵抗１．１Ω、インダクタンス値０．３７μＨであった。なお、外形寸法は３．１×３．１×０．２ｍｍである。
このことから、本発明の平面コイルは、通常のプリント配線板の製法で作成したものに比べて直流抵抗を１／１０以下にできることが分かる。
【００２２】
実施例４
直径３インチ、厚さ３５０μｍ、比透磁率８００のＮｉＺｎ系フェライト基板に、無電解銅めっき液でその両面に１μｍの厚さの銅層を形成した。
その上にポジ型ホトレジストを乾燥膜厚で５μｍになるようにスピンコートし、レジストパターン幅９０μｍ、レジストパターン間隔（露出する導体の線幅）２０μｍのパターンをホトリソグラフィー法により形成した。コイル部となるレジスト除去部のパターンは円形スパイラル状で、最内周の半径は０．９ｍｍで巻数は５．７５回である。
これを光沢硫酸銅めっき浴でめっきした。めっき液の硫酸銅の濃度を７０ｇ／ｌ、液温度を２５℃として、実施例１と同様にして、電流密度２．５Ａ／ｄｍ2で膜厚が１５０μｍになるまでめっきした。このときの導体間隔は１０μｍであった。
次に、レジストを剥離し、下地銅膜をイオンミリングでエッチングしてコイル導体部を形成した。さらにこの上にカーテンコート法で感光性エポキシ樹脂をギャップ部も含めて塗布し、仮硬化後、所定の位置に、慣用のホトリソグラフィー法によりコンタクトホールを形成し、本硬化した。次いで前記の感光性エポキシ樹脂を絶縁基板として、前記と同じ方法を繰り返し、第二のコイル層を形成し積層平面コイル集合体を製造した。この集合体を分割して得た１個の平面コイルは、外形寸法が３．１×３．１×０．７ｍｍであり、コイル導体層の厚さ（Ｈ）が１５０μｍ、コイル導体線条間の間隔（Ｇ）が１０μｍ、頭部の幅（Ｌ）が１００μｍ、首部の幅（ｌ）が２０μｍ、Ｌ／ｌ比が５、Ｌ／Ｈ比が０．６７、Ｌ／Ｇ比が５であった。また、このものの電気特性は、直流抵抗０．１Ω、インダクタンス値０．６μＨであった。このものは、実施例１の平面コイルに比べてインダクタンス値が約５０％増加している。
【００２３】
実施例５
直径３インチ、厚さ３００μｍのＮｉＺｎ系複合フェライト基板（フェライト粉末７０容量％及びエポキシ樹脂３０容量％）に、無電解銅めっき液で１μｍの厚さの銅層を形成した。
その上にポジ型ホトレジストを乾燥膜厚で５μｍになるようにスピンコートし、レジストパターン幅９０μｍ、レジストパターン間隔（露出する導体の線幅）２０μｍのパターンをホトリソグラフィー法により形成した。コイル部となるレジスト除去部のパターンは円形スパイラル状で、最内周の半径は０．９ｍｍで巻数は５．７５回である。
これを光沢硫酸銅めっき浴でめっきした。めっき液の硫酸銅の濃度を７０ｇ／ｌ、液温度を２５℃として、実施例１と同様にして、電流密度２．５Ａ／ｄｍ2で膜厚が１５０μｍになるまでめっきした。このときの導体間隔は１０μｍであった。
次に、レジストを剥離し、下地銅膜をイオンミリングでエッチングしてコイル導体部を形成した。さらにこの上にカーテンコート法で感光性エポキシ樹脂をギャップ部も含めて塗布し、仮硬化後、所定の位置に、慣用のホトリソグラフィー法によりコンタクトホールを形成し、本硬化した。次いで前記の感光性エポキシ樹脂を絶縁基板として、前記と同じ方法を繰り返し、第二のコイル層を形成し積層平面コイル集合体を製造した。この集合体を分割して得た１個の平面コイルは、外形寸法が３．１×３．１×０．６ｍｍであり、コイル導体層の厚さ（Ｈ）が１５０μｍ、コイル導体線条間の間隔（Ｇ）が１０μｍ、頭部の幅（Ｌ）が１００μｍ、首部の幅（ｌ）が２０μｍ、Ｌ／ｌ比が５、Ｌ／Ｈ比が０．６７、Ｌ／Ｇ比が１０であった。また、このものの電気特性は、直流抵抗０．１Ω、インダクタンス値０．４８μＨであった。このものは、実施例１の平面コイルに比べてインダクタンス値が約３０％増加している。
【００２４】
実施例６
実施例１で作成したコイルの中央部に穿孔し、外形寸法が３．２×３．２×１．３ｍｍのＮｉＺｎ系ＥＩ型フェライトコアで挟着し、平面コイルを形成した。この時のインダクタンス値は１１μＨであり、インダクタンス値が約３０倍に増大している。
【００２５】
実施例７
実施例１で用いたものと同じアンクラッドＦＲ４基板の所定の位置に、直径０．２ｍｍのスルーホールを設け、無電解銅めっき液でその両面に１μｍの厚さの銅層を形成した。
その上にポジ型ホトレジストを乾燥膜厚で５μｍになるようにスピンコートし、レジストパターン幅２００μｍ、レジストパターン間隔（露出する導体の線幅）２０μｍのパターンをホトリソグラフィー法により形成した。ここでスルーホールは両面の銅層の接続のために用いている。コイル部となるレジスト除去部のパターンは円形スパイラル状で、最内周の半径は０．９ｍｍで巻数は６回である。
これを光沢硫酸銅めっき浴でめっきした。めっき液の硫酸銅の濃度を７０ｇ／ｌ、液温度を２５℃として、液撹拌はカソードロックを３ｍｍ／秒の速さでストローク１００ｍｍ、電流密度２．５Ａ／ｄｍ2で膜厚が１５０μｍになるまでめっきした。このときの導体間隔は１０μｍであった。
次に、レジストを剥離し、下地銅膜をイオンミリングでエッチングしてコイル導体部を形成した。外形寸法は３．１×３．１×０．４ｍｍであり、電気特性は、直流抵抗０．０５Ωであった。
これを絶縁性フィルムを介して実施例１で得た平面コイルの中央部を穿孔してから積層し、全体を外形寸法３．２×３．２×１．７ｍｍのＮｉＺｎ系ＥＩ型フェライトコアで挟着して、平面トランスを形成した。結合係数は、周波数５００ｋＨｚで測定して０．９５であった。
【００２６】
参考例
コイル導体線条の頭部の幅（Ｌ）が１１０μｍのもの（Ａ）と１７０μｍのもの（Ｂ）について、導体線条の間隔（Ｇ）を１０μｍとして同定してめっきを行い、（Ｌ−ｌ）／２、すなわちマッシュルーム断面のひさしの長さを変えて、導体の厚さ（Ｈ）の変化を測定し、その結果をグラフとして図４に示す。なお、このグラフには参考のために等方成長の場合の結果をＣとして示した。
このことより、オーバーハング部のひさしの長さを大きくすることで、横方向へのめっきの成長速度が抑制される結果、導体間隔を一定にしたままで、導体の厚さを大きくすることができ、直流抵抗の小さい平面コイルが得られることが分かる。
また、ひさしの長さを大きくするほど導体の厚さを大きくしうることが分かる。
【００２７】
【発明の効果】
本発明の平面コイルは、コイル導体線条間の間隔を小さくしたまま、導体の厚さを大きくすることができるので、直流抵抗を小さくすることができ、これを用いて平面トランスを構成すると、特に１０Ｗ以下の小パワーにおいて優れた電気特性を示すものになるという利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の平面コイルの部分断面図。
【図２】  本発明の平面コイルを製造する方法の１例の工程図。
【図３】  本発明の平面コイルの形状の１例を示す平面図。
【図４】  本発明の平面コイルにおけるひさし長さと導体高さとの関係を示すグラフ。
【符号の説明】
１  絶縁基板
２  金属薄膜層
３，３′，３″  コイル導体線条
６  ホトレジストパターン層
７  スルーホール
【図１】
0004046827.tif 000002
【図２】
0004046827.tif 000003
【図３】
0004046827.tif 000004
【図４】
0004046827.tif 000005