【事件の表示】
　平成１年特許願第３３８９００号「プラズマ処理装置」拒絶査定に対する審判事件〔（平成７年７月３１日出願公告、特公平７−７０５３２）、特許請求の範囲に記載された請求項の数（４）〕について、次のとおり審決する。
【結論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許をすべきものとする。
【理由】
１、手続の経緯
　本願は、１９８９年１月２５日に米国にした特許出願をもとにパリ同盟条約による優先権を主張した平成１年１２月２８日の出願であって、平成７年７月３１日に出願公告されたところ高橋　学、松下電器産業株式会社より、特許異議の申立てがあり、そのうちの高橋　学の異議申立てにおいて提示された甲第１号証、添付資料１，２、参考資料１〜４により理由ありと決定され、その決定の理由によって拒絶の査定がなされたものである。
２、本願発明
　本願の特許請求の範囲に係る発明は、出願公告後の平成８年１１月２１日付け手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
「１．外壁を有するプラズマ処理用チャンバであって、該チャンバはプラズマで処理される表面を持つ少なくとも１個の被加工物を上記外壁内に収容する処理チャンバと、上記処理チャンバ内にプラズマを発生するために、上記処理チャンバ中にＲＦ誘導磁界を与える平板状の誘導コイルとを備え、上記平板状の誘導コイルは上記処理チヤンバの外側で、かつ上記被加工物とは反対側の上記処理チャンバの上部に設けられており、上記プラズマは、実質的に、上記平板状の誘導コイルによって与えられるＲＦ誘導磁界のみによって発生されることを特徴とするプラズマ処理装置。
２．プラズマ処理装置であって、
　ａ）プラズマで処理される表面を持つ少なくとも１個の被加工物を収容するプラズマ処理用チャンバと、
　ｂ）上記チャンバ内にプラズマを発生させるために上記チャンバにＲＦ誘導磁界を与える、上記チャンバの上記被加工物と反対側の端部に設けられた平板状のスパイラル誘導コイルと、
　ｃ）上記チャンバの周辺に閉じ込め磁界を発生する閉じ込め手段とを備え、上記プラズマは、実質的に、上記平板状のスパイラル誘導コイルによって与えられるＲＦ誘導磁界のみによって発生されることを特徴とするプラズマ処理装置。
３．上記誘導コイルが上記チャンバの外側にある、請求項２に記載のプラズマ装置。
４．上記被加工物にＲＦバイアスを与える手段を備える請求項１または２に記載のプラズマ装置。」
３．原査定における拒絶の理由の概要
　原審における拒絶の理由の概要は、本願の請求項１に係る発明は、甲第１号証（以下「引用例１」という。）および添付資料１，２にみられる周知技術から当業者が容易に発明できたものであり、本願の請求項２、３に係る発明は、引用例１、および添付資料２、参考資料１〜３にみられる周知技術から当業者が容易に発明できたものであり、本願の請求項４に係る発明は、引用例１、および添付資料１，２、参考資料１〜４にみられる周知技術から当業者が容易に発明できたものであるからから特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものである。
３、引用例
３−１
　引用例１（米国特許明細書第４２３２０５７号）には、（１）半導体基板にプラズマを用いて酸化膜を形成するようにしたプラズマ処理装置に関する発明が開示されており、以下の事項が記載されている。
「図１に言及すると、この発明を実施するための実施例のタイプの装置が示されている。図１には、真空引き可能で、このシステムを通り抜ける酸素２の量をコントロールして圧力をコントロールする容器１が示されている。容器１は、その内部でプラズマを生起するための設備であって、適切なコンダクタ４と５によって、その内部の周りの雰囲気２がラジオ周波数の励起を用いてイオン化された状態にコントロールされたプラズマ領域７を形成する変更可能なパワーのラジオ周波数ジェネレータに接続された誘導コイル３からなる設備を有している。
　半導体基板８は、独立したヒーティングソース１０を備えたホルダ９に置かれている。周囲の雰囲気２は、ゲージ１１に表示されるように的確な圧力に保持され、そして、気体流は、Ｏ２と表示されたソースからポート１３において容器１に導入するバルブ１２を通って供給され、そして、ポート１４においてバルブ１５を通して真空引きされる。」（第１欄第６３行〜第２欄第１２行）
　また、図１には、容器１内の底部に半導体基板８を配置し、瓶形容器１の上方口部の外側に円筒状に巻回したＲＦ励起される誘導コイル３を設けたものが示されている。
３−２
　添付資料１（特開昭６２−６３１７９号公報）には、ＲＦ型イオン源に関する発明が開示されており、以下の事項が記載されている。
「（１）ガス導入系と放電容器と電極とインダクションコイルと中和器と電源等で構成されるイオン源に於いて、放電容器の上蓋にインダクションコイルを設けたことを特徴とするＲＦ型イオン源。
（２）放電容器の上蓋外側にインダクションコイルを設けたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のＲＦ型イオン源」（特許請求の範囲第１、２項）
「この発明は、人工衛星の姿勢制御を行うＲＦ型イオン・エンジンに適したＲＦ型イオン源に関する」（第１頁左下欄第１７〜１９行）
「本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、電極孔のある領域でのプラズマの一様性を改善して推進効率の良いＲＦ型イオン源を提供することを目的とする。」（第１頁右下欄１９行〜第２頁左上欄第２行）
「第１図に示すように、放電容器２の上蓋外側にインダクションコイル１１を設置し、高周波電流を流すと放電室８の中心部の誘導電界が強くなり、電極中心部でのプラズマ生成量が増加し、ガス圧が低いために中心部が周辺部よりプラズマ不足になっていたものが補正され・・・（中略）・・・また、放電容器１の側面に配置しているインダクションコイル６はなくても良い。・・・（中略）・・・本発明は、ＲＦ型イオン・エンジンについて説明したが、ＲＦタイプのの放電室を使用している全ての装置に適用できる。例えば、核融合で使用されているプラズマ加熱用中性粒子入射装置のＲＦ型イオン源についても全く同じように適用できる。」（第２頁左上欄１５行〜同頁右上欄最下行）
　第１図には、放電容器２のＨｇガス導入孔を有する上蓋外側と側面にインダクションコイル１１を配置した構造のＲＦイオン源が示されている。
　第３図には、螺旋状円筒状に巻回した構造のＲＦ誘導コイルが示されている。
３−３
　添付資料２（特開昭６２−６３１８０号公報）には、ＲＦ型イオン・エンジンに関する発明が開示されており、以下の事項が記載されている。
「（１）ガス導入系と放電容器と電極と放電室内に設けたインダクションコイルと中和器と電源等で構成されるイオン・エンジンに於いて、螺旋状のインダクションコイルを放電容器上蓋内側に設け、磁気カスプ環状線が形成されるように磁石を放電容器上蓋の壁に配し、かつ該磁石列間にインダクションコイルを設けたことを特徴とするＲＦ型イオン・エンジン。」（特許請求の範囲第１項）
「この発明は、人工衛星の姿勢制御を行うＲＦ型イオン・エンジンに関する」（第１頁右下欄第３〜４行）
「本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、推進効率の良い、しかも放電容器上蓋のインダクションコイルの寿命を短くすることなく、電極孔のある領域でのプラズマの一様性を改善して推進効率の良いＲＦ型イオン源を提供することを目的とする。」（第２頁左上欄第３〜７行）
「第１図に示すような位置にコイル６をＳＡＳ製の容器の内側に設け、これとは別に放電容器中心部の誘導電界を強めるために上蓋内側２０に、螺旋状インダクションコイル１０を設け・・・（中略）・・・又、放電容器１の側面に配置しているインダクションコイル６はなくても良い。・・・（中略）・・・本発明は、ＲＦ型イオン・エンジンについて説明したが、ＲＦタイプのの放電室を使用している全ての装置に適用できる。例えば、核融合で使用されているプラズマ加熱用中性粒子入射装置のＲＦ型イオン源についても全く同じように適用できる。」（第２頁左上欄２行〜同頁右下欄第１４行）
　第１図には、放電容器２のＨｇガス導入孔を有する上蓋内側に螺旋状インダクションコイル１０を、放電容器２の側壁には磁石を配置した構造のＲＦイオン・エンジンが示されている。
３−４
　参考資料１（特開昭６１−１３８４３２号公報）、
　参考資料２（特開昭５９−１４３３３０号公報）、
　参考資料３（特開昭５７−２０３７８１号公報）には、それぞれ、チャンバの周辺に閉じ込め磁界を発生する手段を設けたプラズマ処理装置が示されている。
３−５
　参考資料４（特開昭５７−２０３７８１号公報）
　参考資料４には、被加工部材である基板にバイアス電圧を印加する手段を有するプラズマ励起されたイオンエッチング装置が記載されている。
４、対比・判断
４−１、請求項１について
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という）と引用例１に記載されたものを対比すると、本願発明１の「処理チャンバ」は、甲第１号証の「容器」に、同様に「被加工物」は「半導体基板」に、「誘導コイル」は「インダクションコイル３」に相当するので、両者は、外壁を有するプラズマ処理用チャンバであって、該チャンバはプラズマで処理される表面を持つ少なくとも１個の被加工物を上記外壁内に収容する処理チャンバと、上記処理チャンバ内にプラズマを発生するために、上記処理チャンバ中にＲＦ誘導磁界を与える誘導コイルとを備え、上記誘導コイルは上記処理チャンバの外側で，かつ上記被加工物とは反対側の上記処理チャンバの上部に設けられており、上記プラズマは、実質的に、上記誘導コイルによって与えられるＲＦ誘導磁界のみによって発生される点において一致しているが、以下の点において相違する。
（１）本願発明１では、処理チャンバ中にＲＦ誘導磁界を与える平板状の誘導コイルを備え、平板状の誘導コイルは処理チャンバの外側で、かつ被加工物とは反対側の処理チャンバ上部に設けられているのに対し、甲第１号証では、処理チャンバである瓶形容器中にＲＦ誘導磁界を与える円筒形に巻回した誘導コイルを備え、円筒形誘導コイルは瓶形容器の外側で、かつ被加工物である半導体基板とは反対側の瓶形容器の上方口部に設けている点。
　そこで、上記相違点について検討する。
　添付資料１，２には、それぞれ第１図の上蓋外側もしくは内側にインダクションコイルが螺旋状に形成されている部分が示されており、本願発明１の平板状誘導コイルと形状は類似しているが、添付資料１，２に示されている上記部分は人工衛星の姿勢制御を行うＲＦイオン源のプラズマの一様性を改善することを目的として使用されるものであり、本願発明１のような被加工物をプラズマ処理する装置へ適用することについては記載も示唆もない。
　なお、添付資料１，２の明細書中には、ＲＦタイプの放電室を使用している全ての装置に適用できるとの記載もあるが、被加工物を有するプラズマ処理チャンバにおいて具体的にどこに螺旋状インダクションコイルを配置するかについては記載されていないし、示唆もされていない。
　したがって、添付資料１，２からＲＦタイプの放電室を有する装置において均一なプラズマを発生させるために平板状の誘導コイルを用いることが周知技術であるとしても、引用例１に記載された発明において、円筒状に巻回した誘導コイルに代えて平板状の誘導コイルとすることは、当業者にとって容易に想到し得るものではない。
　そして、本願発明１は上記相違点により、被加工物に対し均一なプラズマ処理加工を行うことができる等の格別な作用効果を奏するものである。
　ゆえに本願発明１は、引用例１、添付資料１，２に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得るものではない。
４−２、請求項２について
　本願の請求項２に係る発明（以下「本願発明２」という）と引用例１に記載されたものを対比すると、本願発明２の「処理チャンバ」は、引用例１の「容器」に、同様に「被加工物」は「半導体基板」に、「誘導コイル」は「インダクションコイル３」に相当するので、両者は、
プラズマ処理装置であって、
　ａ）プラズマで処理される表面を持つ少なくとも１個の被加工物を収容するプラズマ処理用チャンバと、
　ｂ）上記チャンバ内にプラズマを発生させるために上記チャンバにＲＦ誘導磁界を与える、上記チャンバの上記被加工物と反対側の端部に設けられた誘導コイルとを備え、
　上記プラズマは、実質的に、上記誘導コイルによって与えられるＲＦ誘導磁界のみによって発生される点において一致しているが、以下の点において相違する。
（１）本願発明２では、処理チャンバの被加工物と反対側の端部に設けられた誘導コイルが平板状のスパイラル誘導コイルであるのに対し、引用例１では、処理チャンバの被加工物とは反対側の瓶形容器の上方口部に設けられた誘導コイルが円筒状に巻回した誘導コイルである点。
（２）本願発明２では、チャンバの周辺に閉じ込め磁界を発生する閉じ込め手段とを備えた点、
　そこで上記相違点（１）について検討すると、添付資料２には、４−１請求項１についての相違点で記載したように、本願発明２のような被加工物をプラズマ処理する装置に関する記載も示唆もない。
　したがって、添付資料２には本願発明２の平板状スパイラル誘導コイルと類似の形状のものが記載されているとしてもそれらを引用例１に記載のプラスマ処理装置に用いることは、当業者にとって容易に想到するものではない。
　また、参考資料１〜３には、上記相違点（２）に関連するプラズマチャンバ周辺に閉じ込め磁界を発生する手段についての記載はあるが、上記相違点（１）に関する記載も示唆もない。
　そして、本願発明２は上記相違点により、被加工物に対し均一なプラズマ処理加工を行うことができる等の格別な作用効果を奏するものである。
　ゆえに本願発明２は、引用例１、添付資料１，２、参考資料１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得るものではない。
４−３、請求項３，４について
　本願の請求項３，４は、いずれも本願発明１，２の構成に更に技術的な限定を付加したものであるから、上記した理由により引用例１、添付資料１，２、参考資料１〜４に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得るものではない。
５、むすび
　以上のとおりであるから、本願発明１〜４は、引用例１、添付資料１，２、参考資料１〜４の記載に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないから、本願発明１〜４が特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないとした原審の判断は妥当なものではない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。