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【事件の表示】
　平成８年特許願第９５９４号「トナーセンサーおよび現像装置」拒絶査定に対する審判事件（平成９年７月３１日出願公開、特開平９−１９６８９４）について、次のとおり審決する。
【結論】
　本件審判の請求を却下する。
【理由】
　本願は、平成８年１月２３日に　日立金属株式会社及び日立金属機工株式会社が共同して出願し、平成１１年７月２７日に拒絶査定がなされたものである。一方、本件審判請求は、その拒絶査定に対する審判を平成１１年８月２６日に請求人日立金属株式会社が請求したものである。
　しかし、本件審判は、特許を受ける権利が日立金属株式会社及び日立金属機工株式会社の共有に係る特許出願の拒絶査定に対する審判であるから、この請求は、特許法第１３２条第３項の規定によって、上記共有者の全員が共同して請求しなければならないところ、その一部の者である日立金属株式会社によってなされたものであるから不適法な請求であって、その欠缺は補正することができないものである。
　したがって、本件審判の請求は、特許法第１３５条の規定により、これを却下すべきものとする。
【事件の表示】
　昭和６２年特許願第９３５０７号「半導体記憶装置」拒絶査定に対する審判事件（昭和６３年１０月２５日出願公開、特開昭６３−２５８０００）について、次のとおり審決する。
【結論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理由】
Ｉ、本件発明
　本件審判請求に係る特許願は、昭和６２年４月１５日になされたものであり、平成６年６月３０日付けの手続補正、平成７年１１月２８日付けの手続補正はいずれも却下され確定しているので、その発明の要旨は、出願当初の明細書及び図面からみて、その特許請求の範囲第１項に記載されたとおりの
「（１）マトリックス状に配列されたメモリセルをビットラインとワードラインにより選択するようにした半導体記憶装置において、
　テストモード設定信号に基づき、読み出し相当電位を全ビットラインに同時に供給するテストモード手段を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。」
　であると認められる。
ＩＩ、引用例記載発明
　原審の拒絶理由の中で引用した特開昭５９−３６４００号公報（以下「引用例」という。）には、その第５図を参照して、ＥＰＲＯＭ構成する「トランジスタＴ２１、Ｔ２２、Ｔ２３、Ｔ２４」からなる「アレー１５」、上記各トランジスタのドレインに接続された「列導線１０、１１」、上記各トランジスタの「制御ゲート電極」に接続された「行導線８、９」、「入力端子４６」の信号により制御される「トランジスタＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４」を有し、電源電圧ＶＰＰが上記トランジスタＴ１１、Ｔ１２を介して上記列導線１０、１１に印加され、電源電圧ＶＰＰが「トランジスタＴ３、Ｔ４」を介して上記行導線８、９に印加され、上記入力端子４６を「高」とすることにより、ＥＰＲＯＭ構成する、全ての上記トランジスタＴ２１、Ｔ２２、Ｔ２３、Ｔ２４に「ストレス電位」を印加する「半導体メモリアレー」の検査方法の記載が認められる。
ＩＩＩ、本件発明と引用例記載発明との対比
　イ、本件発明（以下「前者」という。）の「メモリセル」、「ビットライン」、「ワードライン」は、それぞれ引用例記載発明（以下「後者」という。）の「トランジスタＴ２１、Ｔ２２、Ｔ２３、Ｔ２４」、「列導線１０、１１」、「行導線８、９」と等価であり、
　ロ、後者の「入力端子４６を「高」とすること」は、前者の「テストモード設定信号」を入力することに相当し、
　ハ、前者の「半導体記憶装置」は、後者の「半導体メモリアレー」を包摂するものと認められるので、
　両者の一致点、相違点は次のとおりである。
（一致点）
「マトリックス状に配列されたメモリセルをビットラインとワードラインにより選択するようにした半導体記憶装置において、
　テストモード設定信号に基づき、電位を全ビットラインに同時に供給するテストモード手段を備えたことを特徴とする半導体記憶装置」である点。
（相違点）
　テストモードの印加電位として、前者は「読み出し相当電位」を用いているのに対して、後者は、そのように明示されていない点。
ＩＶ、当審の判断
　半導体メモリ装置において、テストモードの電位をどの様にするかは、当業者が、テスト環境、各トランジスタの物理特性等を考慮して適宜なしうる設計事項であるので、上記引用例の半導体メモリ装置において、そのテスト時の印加電位として、「読み出し相当電位」を用いて本件発明を構成することは、当業者が、容易に推考できたものと認められる。
Ｖ、むすび
　以上のとおり、本件発明は、上記引用例記載発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものと認められ、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成８年特許願第３２２３１４号「複合酸化物セラミック系超電導線の製造方法」拒絶査定に対する審判事件（平成９年７月１５日出願公開、特開平９−１８５９１６）について、次のとおり審決する。
【結論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理由】
Ｉ．本願発明
　本願は、昭和６３年２月５日｛優先権主張　昭和６２年２月５日（特願昭６２−２５２２４号）、昭和６２年３月２０日（特願昭６２−６６９９２号）、昭和６２年３月３１日（特願昭６２−７７９４１号）、昭和６２年４月１３日（特願昭６２−９０４２６号）、昭和６２年４月１６日（特願昭６２−９３９７３号）、昭和６２年４月１６日（特願昭６２−９３９７４号）、昭和６２年４月１８日（特願昭６２−９５８８２号）、昭和６２年４月２４日（特願昭６２−１０２９０１号）、昭和６２年５月１９日（特願昭６２−１２１７３３号）、昭和６２年５月１９日（特願昭６２−１２１７３４号）、昭和６２年８月２４日（特願昭６２−２０９８４２号）｝に出願された特願昭６３−２５１０８号を原出願とする分割に係わる出願として平成８年１１月１８日に出願されたものであって、その請求項１に係る発明は、平成１０年２月１３日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項第１項に記載された次のとおりのものと認める。
　「【請求項１】
　超電導特性を有する複合酸化物よりなるセラミック原料粉末を金属製のパイプ中に充填し、セラミック原料粉末を充填した状態で上記金属製パイプの断面積を縮小させる塑性変形加工を実施し、次いで、金属筒体が焼鈍される温度範囲で中間焼鈍し、さらに塑性変形加工を実施する工程、または、焼鈍と同時に塑性変形加工を実施する工程を含むことを特徴とする超電導長尺体の製造方法。」
　以下、請求項１に記載された発明を、本願発明という。
　本願発明は、概略すると▲１▼（超電導性セラミック粉末の金属製パイプ中への充填工程）→▲２▼（金属製パイプの塑性変形加工工程）→▲３▼（中間焼鈍し、さらに塑性変形加工する工程）または（焼鈍と同時に塑性変形加工する工程）を含む超電導長尺体の製造方法に係る発明であるところから、上記▲１▼▲２▼▲３▼の各工程が記載されている特願昭６２−９３９７３号及び特願昭６２−９３９７４号を優先権主張の基礎と認め、優先日を昭和６２年４月１６日と認定する。
　尚、特願昭６２−２５２２４号の出願時の明細書第７頁第１１〜１８行目の「金属パイプとその中で焼結された超電導焼結体との間隙が問題となる場合は、超電導体の焼結時あるいは焼結後温度を降下させる前にかしめたり低加工度で伸線または線引きなどするとよい。また、長尺あるいはさらに細いワイヤにする場合や、さらに金属パイプと超電導焼結体との密着性を要求する場合などは、超電導体の焼結時に伸線することが可能である。」という記載内容を検討しても、該記載内容から本件発明の中間焼鈍（焼鈍と焼結とは、全く異なった技術である点に留意すべきである。）を行うという技術思想を読みとることはできないので、本件出願の優先日を上記のように認定した。
ＩＩ．当審における拒絶の理由
　当審において平成１１年３月２６日付けで通知された拒絶理由の概要は、本願発明は、その出願の日前の出願であって、その出願後に公開された特願昭６２−８４７７５号（特開昭６３−２５２３０９号）の出願の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、先願明細書という）に記載された発明と同一であるから、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができないというものである。
ＩＩＩ．先願明細書に記載された発明
　先願明細書には、酸化物系超電導線材の製造方法に係る発明について記載されており、▲４▼「１．酸化物系超電導物質が金属性担持体内に包含された断面構造を有する超電導線材の製造方法において、金属パイプに酸化物超伝導物質を充填し、減面加工を施した…酸化物系超電導線材の製造方法。…３．特許請求の範囲第１項記載の酸化物系超電導物質が充填された金属パイプを減面加工する際、最初にスウェージ加工と中間焼鈍を施した後に、金属パイプをさらにかぶせて線引きした酸化物系超電導線材の製造方法。」（特許請求の範囲）といった記載があり、また第２図には酸化物系超電導線材の減面加工の工程順序として、▲５▼「（酸化物超伝導体を金属パイプに封入する）→（スウェージング）→（第１熱処理）→（金属パイプをかぶせる）→（線引き）→（第２熱処理）→（線引き）→（第３熱処理）→（線引き）→（第４熱処理）→（線引き）→（最終熱処理）」であること、また▲６▼「ここでＣｕパイプの中間焼鈍における温度を６００℃とした場合、線材の超電導特性は６０Ｋ以下でマイスナー効果を示した。従って酸化物超電導粉末を６００℃以上に加熱すると、超電導特性が劣化する恐れがあり、３００℃程度の加熱では悪影響を与えないことがわかった。」（先願に係る公開公報第３頁左上欄第１〜６行目）といったことが記載されている。
ＩＶ．対比・判断
　本願発明（以下、前者という）と先願明細書に記載された発明（以下、後者という）とを対比すると、後者における「酸化物超電導体を金属パイプに封入する工程」は、上記▲４▼の記載内容及び具体的な実施態様からみて、前者における「超電導特性を有する複合酸化物よりなるセラミック原料粉末を金属製のパイプ中に充填する工程」に該当しており、また、後者における「スウェージング工程」は、その具体的な実施態様からみて、前者における「セラミック原料粉末を充填した状態で金属製パイプの断面積を縮小させる塑性変形加工を実施する工程」に該当し、また後者の上記▲５▼の記載における「（スウエージング）→（第１熱処理）→（金属パイプをかぶせる）→（線引き）」、「（第２熱処理）→（線引き）」、「（第３熱処理）→（線引き）」、「（第４熱処理）→（線引き）」の各工程中の（熱処理）は、上記▲６▼の記載内容を考慮すると、前者における「金属筒体が焼鈍される温度範囲で中間焼鈍する工程」と実質的に同じであると認められ、また後者の（熱処理）に続けて実施している（線引き）は、前者における「さらに塑性変形加工を実施する工程」と同一であるから、結局上記▲５▼に記載された工程は、前者における「次いで、金属筒体が焼鈍される温度範囲で中間焼鈍し、さらに塑性変形加工を実施する工程を含む」ものとなっている。また後者の「超電導線材」は、前者の「超電導長尺体」と等価であるので、結局、両者に何ら実質的な差異があると認めることはできない。
　従って、本願発明は、先願明細書に記載された発明と同一であり、しかも、本件出願に係る発明者及び出願人が、先願に係る発明者及び出願人と同一であるとも認められない。
Ｖ．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができないものである。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　昭和６３年特許願第２１２７３号「イネのサイブリッド植物の作出方法」拒絶査定に対する審判事件（平成１年８月８日出願公開、特開平１−１９６２３９）について、次のとおり審決する。
【結論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理由】
Ｉ．手続の経緯・本願発明
　本願は、昭和６３年２月２日の出願であって、その請求項１に係る発明は、平成１１年８月１６日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「細胞質に有用な遺伝子が存在するイネのプロトプラストに総線量６０〜１５０ＫｒａｄのＸ線を照射し細胞核のみを選択的に破壊したものを一方の親とし、核に有用な遺伝子が存在するイネのプロトプラストを２５〜３０ｍＭの濃度のヨードアセトアミドで処理して細胞質を不活性化したものを他方の親とし、これら二種類のプロトプラストを融合させることにより、有用な遺伝子を含む核のみを持ち、同時に有用な遺伝子を細胞質に有する雑種細胞を形成させ、さらにそれから植物体を再生させることを特徴とするイネの雑種植物の作出方法。」
ＩＩ．引用刊行物
　当審で平成１１年６月１０日付けで通知した拒絶理由に引用した、「植物のバイオテクノロジー」（中央公論社、昭和６０年１２月２０日、第１４３〜１５４頁、以下「刊行物１」という。）には、「タマネギなどのように収穫物が植物体（栄養体）である場合には、この例に従って採種体系を確立できるが、前述のハイブリット・ライスのように、目的とする収穫物がＦ１植物体上にできる種子の場合には、新たな問題が生じる。上述の例では、・・・このようなＦ１雑種採種体系の中では、細胞質雄性不稔株の育成がきわめて重要である。細胞質雄性不稔性を特定系統に入れるため、プロトプラスト融合による細胞質雑種作成や核置換は、重要な技術である。」（第１５２頁第７行〜第１５４頁第５行）と記載され、図６１には、「細胞質雄性不稔性を利用したＦ１雑種種子の採種体系」と題して、細胞質雄性不稔系統Ｃの植物細胞からＸ線や紫外線照射処理により脱核して得たサイトプラストと正常系統Ａの植物細胞のプロトブラストとから細胞融合により細胞質が雄性不稔系統Ｃの特性を有し核が正常系統Ａに由来する新たな細胞質雄性不稔系統Ａ’を作出する工程が図説されている。
　また、同じく引用した、特表昭６３−５００００１号公報（以下「刊行物２」という。）には、「本発明は植物育種者が雄性細胞質不稔性（ＣＭＳ）の望ましい性質を商業的に望ましいニンジンの品種中に取込むことを可能とする。」（第２頁左上欄第８〜１０行）、「好ましい方法は、維持体プロトプラストを細胞質抑制物質で処理した後、ＣＭＳ系統からのＸ線で処理したプロトプラストを維持体系統のプロトプラストと融合させることである。」（第５頁第７〜１０行）、「ＣＭＳニンジンのプロトプラストを除核するのに有効な合計線量は、用いる品種に応じて、５キロレントゲン〔５ｋｒ〕からのいずれかから１００ｋｒの範囲である。適当なＸ線の線量範囲を決定するには、プロトプラストの・・・・暴露する。」（第５頁右下欄第１０行〜第６頁左上欄第４行）、「最も好ましい方法において、維持体プロトプラストの細胞質は、・・・ヨード酢酸またはローダミン６−Ｇのような細胞質抑制物質で処理することによって抑制される。特定の品種についての細胞質抑制物質の最適投与量を決定するには、感受性範囲を得なければならない。」（第６頁第左下欄第７行〜同頁右下欄第７行）、「維持体プロトプラストが細胞質抑制物質のさまざまな暴露にさらされ、さまざまな量のＸ線照射にさらされたＣＭＳプロトプラストと融合されるマトリックス実験計画法を用いることによって他生的細胞の最大数を有する集団を選択できる。」（第６頁右下欄下から１行目〜第７頁左上欄第４行）と記載されている。
ＩＩＩ．対比・判断
　請求項１にかかる発明と刊行物１に記載された発明を対比すると、両者は二種類のプロトプラストを融合させることによるイネの雑種植物の作出方法である点で一致し、▲１▼前者では一方の親のプロトプラストに総線量６０〜１５０ｋｒａｄのＸ線を照射しているのに対して、後者ではＸ線の吸収線量について一切記載されていない点、及び▲２▼前者では他方の親のプロトプラストを２５〜３０ｍＭのヨードアセトアミドで処理しているのに対して、後者では何も処理を施していない点で、相違している。
　以下、上記相違点▲１▼▲２▼について検討する。
（１）相違点▲１▼について
　刊行物１においても一方の親のプロトプラストから核を除くために細胞核のみを選択的に破壊するＸ線による処理を行っており、その最適値は当業者が実験により容易に求めることができるものと認められ、その最適値を吸収線量という単位を用いて特定したに過ぎない。
（２）相違点▲２▼について
　一方の親となる細胞質雄性不稔系統のプロトプラストをＸ線で処理し、他方の親のプロトプラストをヨード酢酸、ローダミン６−Ｇ等の細胞質抑制物質で処理した後に、二つの細胞を融合して雄性不稔系統の細胞質と他の親の核を有する新しいニンジン雑種を作出する方法が、刊行物２に記載されている。
　そして、上記刊行物１、２は、ともにプロトプラストを前処理した後に細胞を融合させて一方の親の細胞質と他方の親の核を有する新たな雑種植物を作出するという点で一致しており、このようなプロトプラストの基本的な処理方法は、対象植物が異なっても一般的には適用可能であることから、刊行物１に記載された核のみが必要とされる他方の親のプロトプラストを、細胞質抑制物質として本願出願前に周知であるヨードアセトアミド（例えば、特開昭６２−２３２３２４号公報等を参照されたい）で処理することは、当業者が容易になし得ることと認められる。
　また、その処理濃度の最適値については、当業者が実験により適宜求めることができるものと認められる。
　したがって、請求項１に係る発明は、刊行物１、２に記載された発明に基づき、当業者が容易に容易に発明することができたものと認められる。
　そして、請求項１に係る発明の効果は、刊行物１、２に記載された発明から、当業者が予測し得る程度のものである。
　なお、請求人は、意見書において、乙第１号証を提示して、請求項１に係る発明におけるヨードアセトアミドの処理濃度が予想以上に高く当業者が容易に設定できない旨主張しているが、両者の処理時間、温度、培地等の条件が異なっており、両者を直接比較し得るものではない。そもそも、ヨードアセトアミドは、細胞質中のタンパク質を不活性化させるために用いられるものであって、その最適値は、ヨードアセトアミドの濃度のみにより決定されるものではなく、処理時間や温度条件等との関係で決定されるべきものであり、処理濃度のみでは意味のある限定とは認められず、この主張は採用できない。
ＩＶ．むすび
　以上のとおりであるので、請求項１に係る発明は、刊行物１、２に記載された発明及び周知技術に基づき、当業者が容易に発明することができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成２年特許願第３３１０９８号「非還元性誘電体磁器組成物」において、平成１１年１月７日付けでした手続補正に対してされた補正の却下の決定に対する審判事件について、次のとおり審決する。
【結論】
　原決定を取り消す。
【理由】
（手続の経緯）
　本願は、平成２年１１月２８日の出願であって、平成１１年１月７日付けで手続補正書が提出されたところ、平成１１年２月１９日に上記手続補正書による補正について、補正の却下の決定がなされたものである。
（原決定の理由）
　原決定の理由の概要は、次のとおりである。
補正後の特許請求の範囲第１項及び明細書第４頁第１５行目から第５頁第１行目の記載の一部を、「その粉末粒径が０．１〜１．０μｍの範囲にある」から「その結晶粒径が０．１〜１．０μｍの範囲にある」に補正しているが、当該補正の根拠となる記載は、願書に添付した明細書（以下、当初明細書という）に記載されておらず、かつ、当初明細書からみて自明のことでもないので、この補正は明細書の要旨を変更するものと認められ、特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
（当審の判断）
　当初明細書中の次の記載個所においては、「…その粉末粒径が０．１〜１．０μｍの範囲にある、非還元性誘電体磁器組成物。」（請求項１）、「…その粉末粒径が０．１〜１．０μｍの範囲にある、非還元性誘電体磁器組成物である。」（第４頁第１９行目〜第５頁第１行目）、「…主成分の出発原料として水熱合成法で作製された粉末粒径が０．０１〜０．１μｍの範囲の（Ｓｒ１−ｘＣａｘ）ＴｉＯ２とＺｒＯ２を準備した。…その後、体積比率でＨ２：Ｎ２＝３：１００の還元ガス雰囲気中において、円板状の成形物を８２０〜１１００℃で２時間焼成して、素子を得た。」（第６頁第６行目〜第７頁第１６行目）、といった記載になっており、「その結晶粒径が０．１〜１．０μｍの範囲にある」という直接的な記載はどこにもない。
　しかしながら、当初明細書中の（発明が解決しようとする課題）、（実施例）及び（発明の効果）を記載した欄には、▲１▼「しかしながら、上述の公開公報に開示されている誘電体磁器組成物では、銅を内部電極として使用するには焼成温度が高く、また焼結後の結晶粒径が大きいため素子厚の薄層化に対応できない。」（第３頁第２０行目〜第４頁第４行目）、▲２▼「この発明によれば、…２０℃における比抵抗が１×１０１２Ωｃｍ以上の特性を有する非還元性誘電体磁器組成物を得ることができる。したがって、この非環元性誘電体磁器組成物を積層コンデンサ用材料として用いれば、銅などの卑金属を内部電極として使用することが可能となる。そのため、積層コンデンサの大容量化にともなう電極のコストの増大を解消することができ、低価格の積層コンデンサを提供することができる。また、焼結後の結晶粒径が小さいため、素子厚を薄くすることができ、積層コンデンサを小型化することができる。」（第５頁第７行目〜第６頁第１行目）、▲３▼「そのため、積層コンデンサの大容量化にともなう電極のコスト増大を解消することができ、低価格の積層コンデンサを提供することができる。また、この非還元性誘電体磁器組成物を用いれば、結晶粒径の小さい素子を得ることができ、素子厚を薄くすることができる。そのため、積層コンデンサを小型化することができる。」（第１０頁第１３行目〜第１０頁第１９行目）といった記載があるところから判断すると、当初明細書の請求項１に記載されている「非還元性誘電体磁器組成物」は、焼結体である以上、本来、粉末粒径ではなく、焼結後の「結晶粒径」によって規定されるべきものであることは明白である。また、同様に、本件発明の実施例において、焼結後に得られている素子というのは、結晶粒径が小さいものである為、素子厚を薄くでき、結果的に積層コンデンサの小型化が達成できるものであることも明白なことである。
　そして、このことを本件発明の実施例に補ってみても、水熱合成法で作製した粉末の粒径を０．０１〜０．１μｍの範囲という、焼結後の粒径よりも１桁小さい粒径にした、（Ｓｒ１−ｘＣａｘ）ｍ（Ｔｉ１−ＹＺｒＹ）Ｏ３で表される主成分を出発原料粉末とし、これに副成分を配合し、成形し、バインダーを燃焼後、還元ガス雰囲気中において、円板状の成形物を１１００℃以下の温度、即ち８２０〜１１００℃の温度で２時間焼成して、粒成長させて得られた素子は、その結晶粒径が小さい、即ち０．１〜１．０μｍの結晶粒径である非還元性誘電体磁器組成物から成っているものであるということはより一層明確に理解できる。
　また、請求人が提出した、本件発明の実施例を忠実に追試したものである実験成績証明書をみても、０．０２０〜０．０７７μｍの粒径範囲（この粒径範囲は、当初明細書における原料粉末粒径の０．０１〜０．１μｍに一致している。）を持つ、主成分：（Ｓｒ１−ｘＣａｘ）ｍ（Ｔｉ１−ＹＺｒＹ）Ｏ３と副成分から成る出発原料を用いて、焼結して得られた粒成長した非還元性誘電体磁器組成物の結晶粒径は、０．１２５〜０．５９２μｍとなっており、この結晶粒径のデータは当初明細書における０．１〜１．０μｍと一致しているし、さらに、添付された電子顕微鏡写真をみても焼結により結晶粒の成長が確認できる。
　そうすると、上記した当初明細書の（特許請求の範囲第１項）中の「その粉末粒径が０．１〜１．０μｍの範囲にある、非還元性誘電体磁器組成物」という記載内容を、「その結晶粒径が０．１〜１．０μｍの範囲にある非還元性誘電体磁器組成物」と補正することは、明細書の特に上記▲１▼▲２▼▲３▼の記載内容を含む全記載内容及び実験成績証明書の具体的な裏付けデータに徴すれば、「結晶粒径が小さい素子」というのは、「０．１〜１．０μｍの粒径範囲にある非還元性誘電体磁器組成物」に他ならない以上、誤記の訂正に該当するものであることは明らかであって、何ら明細書の要旨を変更するものではない。
　同様に、明細書第４頁第１５行目から第５頁第１行目の記載部分についての補正も、上記した理由と同じ理由により、何ら明細書の要旨を変更するものではない。
（むすび）
　従って、本件手続補正は特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものとした原決定は妥当でない。
よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成１年特許願第３１５６５４号「磁気記録媒体」拒絶査定に対する審判事件（平成３年７月３１日出願公開、特開平３−１７６８１４）について、次のとおり審決する。
【結論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理由】
Ｉ　本願は、平成１年１２月５日の出願であって、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という）は、出願当初の明細書及び図面並びに平成８年３月２２日付の手続補正書の記載からみて、特許請求の範囲請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「非磁性基板上に設けられた磁性層上に保護層と液体潤滑層とが順次形成されてなる磁気記録媒体において、前記非磁性基板の表面はテクスチャ加工による凹凸形状を有し、この形状を反映した当該媒体の表面粗さが、中心線平均粗さＲａで４０Å以上５０Å以下の範囲内であり、かつ、相対負荷曲線の相対負荷長さ１０％におけるカッティング深さから相対負荷長さ１％におけるカッティング深さを差し引いた値△ＣＶ（１０％−１％）で１００Å以上２００Å以下の範囲内であることを特徴とする磁気記録媒体」
ＩＩ　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用した特開平１−１５４３１４号公報（以下、「引用例」という）には、次の▲１▼〜▲３▼の事項が記載されている。
▲１▼「非磁性基板上に強磁性金属薄膜磁性層を備えてなる磁気ディスクにおいて、磁気ディスク表面の中心線平均粗さＲａの値が１００Å以上２００Å以下の範囲内にあり、かつ、この磁気ディスク表面の断面の相対負荷曲線において、相対負荷長さ１０％のときのカッティング深さと相対負荷長さ１％のときのカッティング深さとの差が１００Å以上３００Å以下の範囲内にあることを特徴とする磁気ディスク」（特許請求の範囲請求項１）、
▲２▼「（実施例）
　ディスク状Ａ１基板に無電解めっきでＮｉ−Ｐ合金層を形成し、・・・・・・・・・・・・・・・・・・テクスチャ加工を施し、・・・・・・・・・・・・このように加工を施したディスク状基板上にＣｒ地下層、Ｃｏ合金磁性層、非晶質カーボン保護層をスパッタ法で順次成膜積層して磁気ディスクを作製した。」（第３ページ左上欄２〜１１行目）、
▲３▼「磁気ディスク表面の粗さが細かければ細かい程磁気ヘッドの低浮上安定走行が実現でき、高い記録密度が得られるが、表面粗さが極めて微小になると磁気ヘッドと磁気ディスクの接触時吸着が起きるようになり、また、ＣＳＳ時摩擦係数が大きくて薄膜磁性層が破壊したりする現象が生じてくる。」（第２ページ左上欄１８行目〜同ページ右上欄４行目）。
ＩＩＩ　本願発明を引用例に記載された発明と対比すると、両者は、「非磁性基板上に設けられた磁性層上に保護層が形成されてなる磁気記録媒体において、前記非磁性基板の表面はテクスチャ加工による凹凸形状を有し、この形状を反映した当該媒体の表面粗さが、相対負荷曲線の相対負荷長さ１０％におけるカッティング深さから相対負荷長さ１％におけるカッティング深さを差し引いた値△ＣＶ（１０％−１％）で１００Å以上２００Å以下の範囲内であることを特徴とする磁気記録媒体」である点で共通しており、唯、次の（１）及び（２）の点で相違している。
（１）本願発明は、液体潤滑層を有しているのに対して、引用例には、液体潤滑層について記載されていない点、
（２）本願発明では、媒体の表面粗さが、中心線平均粗さＲａで４０Å以上５０Å以下の範囲内であるのに対して、引用例に記載された発明では、媒体の表面粗さが、中心線平均粗さＲａで１００Å以上２００Å以下の範囲内である点。
　そこで、これらの相違点について検討する。
（１）について
　磁気記録媒体（磁気ディスク）の表面に液体潤滑層を形成して磁気ヘッドとの接触時の摩擦を小さくすることは周知の技術であり、本願明細書にも、固定磁気ディスク装置では、通常、保護層の上に液体潤滑剤が塗布されている旨、の記載がある（第２ページ３〜１６行目）。
（２）について
　磁気ディスク表面の粗さを表す指標として中心線平均粗さＲａが一般的に使用されているから、上記▲３▼の事項は、磁気ディスク表面の中心線平均粗さＲａを小さくすれば磁気ヘッドの低浮上安定走行、高い記録密度が得られるが、Ｒａを小さくし過ぎると磁気ヘッドと磁気ディスクの接触時吸着が起きるようになり、また、ＣＳＳ時摩擦係数が大きくなり過ぎることを示唆している。
　そこで、引用例に記載された磁気ディスクよりもより高い記録密度の磁気ディスクが要求される場合には、磁気ディスクの表面の中心線平均粗さＲａを、磁気ヘッドとの接触時吸着が起きない範囲で、かつ、ＣＳＳ時摩擦係数の増大を許容し得る範囲で、小さくすることを、当業者であれば容易に考えつくものである。その際、Ｒａをいか程の範囲内（上限値、下限値）にするかは、要求される特性に応じて試験等によって適宜決められるべきことにすぎない。
　しかも、Ｒａを４０Å以上５０Å以下の範囲内に数値限定したことにより予測し得ない格別の作用効果を奏するとも認められないし、また、上記範囲内のＲａを有する磁気ディスクは、例えば、特開昭６１−２２０１１９号公報にも記載されているように周知である。
　したがって、本願発明は、引用例に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであると認められる。
ＩＶ　以上のとおりであるから、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　昭和６３年特許願第２１７８９４号「光ディスクメモリー」拒絶査定に対する審判事件（平成２年３月５日出願公開、特開平２−６４９３９）について、次のとおり審決する。
【結論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理由】
（手続の経緯、本願発明）
　本願は、昭和６３年８月３０日の出願であって、その請求項１に係る発明は、原審及び当審において補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。
　「反射膜と保護膜とを有する２枚の基板を、前記保護膜を向かい合わせて接着層にて貼り合わせてなる再生専用光ディスクメモリーであって、
　前記貼り合わされた基板には、前記接着層とは反対側となるそれぞれの面にアモルファス構造を有する炭素または炭素を主成分とする被膜が形成されていることを特徴とする再生専用光ディスクメモリー。」（以下、「本願発明」という。）
（引用例）
　これに対して、当審の平成１１年５月２８日付け拒絶理由通知における拒絶の理由に引用された特開昭５７−１７６５４８号公報（以下、「引用例１」という。）、及び実願昭６１−８９７９６号出願（実開昭６２−２０２６２９号）のマイクロフィルム（以下、「引用例２」という。）には、それぞれ次の発明が記載されている。
引用例１
　基板（１）の外側に無機物質からなる保護層（３）を形成することにより、情報形成層（２）の早期劣化等を防止し、長期に亘って安定した情報処理を行うことができるようにした「情報記憶媒体（５）」が記載されている。
　この情報記憶媒体（５）の情報形成層（２）には、ピット形成等により光学的情報を記録する記録層の他に、光反射層に形成された凹凸等によるものも含まれているから（１頁左下欄１５行〜同右下欄２行）、上記情報記憶媒体（５）には、情報形成層（２）が光反射層からなるビデオディスクのような「再生専用の情報記憶媒体」が含まれていることになる。
　してみれば、上記引用例１には次の発明が記載されている。
　「光反射層（２）と第２の中間保護層（７）とを有する２枚の基板（１）を、前記第２の中間保護層を向かい合わせて接着剤層（４）にて貼り合わせてなる再生専用の情報記憶媒体であって、
　前記貼り合わされた基板には、前記接着剤層とは反対側となるそれぞれの面に無機物質からなる保護層（３）が形成されている再生専用の情報記憶媒体。」（特に、第３図とその説明）
　また、上記引用例１には、保護層（３）を無機膜層（３ａ）とその上に形成された有機膜層（３ｂ）の２層構造として無機膜層（３ａ）がひっかき傷等の外傷で損なわれることがないよう有機膜層（３ｂ）で保護することについても記載されている。（３頁右上欄１５〜１９行及び第５図）
引用例２
「光ディスク（２０）」において、信号記憶層（５）や基板（１）を傷つけることなく長期間の高精度情報読取使用を保障し、また酸、アルカリ、有機溶剤等の薬品から保護するために、保護層（７）として、ダイヤモンド構造のカーボン薄膜やダイヤモンド状硬質炭素薄膜を用いることが記載されており、さらに基板（１）自体の保護のために、その裏面（１１）側に保護層（７）を設けることも記載されている。（特に、５頁１５行〜１１頁１５行及び第１〜４図）
（対比）
　そこで、本願発明（前者）と引用例１に記載された発明（後者）とを比較すると、後者における「光反射層」、「第２の中間保護層」、「接着剤層」及び「再生専用の情報記憶媒体」は、それぞれ前者における「反射膜」、「保護膜」、「接着層」及び「再生専用光ディスクメモリー」に相当するものであるから、両者は、
　「反射膜と保護膜とを有する２枚の基板を、前記保護膜を向かい合わせて接着層にて貼り合わせてなる再生専用光ディスクメモリーであって、
　前記貼り合わされた基板には、前記接着層とは反対側となるそれぞれの面に保護用の被膜が形成されている再生専用光ディスクメモリー。」である点において実質的に一致しており、次の点において相違する。
相違点
　保護用の被膜が、前者においては、アモルファス構造を有する炭素または炭素を主成分とする被膜であるのに対して、後者では無機物質からなる保護層である点。
（当審の判断）
　以下、上記相違点について検討する。
　上記引用例１には、光ディスクメモリーの外側表面に保護膜を形成してひっかき傷から保護することについても記載されている。
　また、上記引用例２には、光ディスクメモリーの保護用の被膜として、炭素または炭素を主成分とする被膜を用いることが記載されており、更にこの保護用の被膜としてダイヤモンド構造のものの他に、ダイヤモンド状硬質炭素薄膜（ｄｉａｍｏｎｄ−ｌｉｋｅ　ｃａｒｂｏｎ　ｆｉｌｍｓ，ＤＬＣ）を用いることも記載されている。
　そして、ディスクメモリーとして本願発明と同じ技術分野に属する磁気記録媒体において、その保護膜としてアモルファス構造を有する炭素被膜を用いることは、本願出願前に周知の技術事項である。（例えば、特開昭６１−２１０５１８号公報、特開昭６１−２５３６２２号公報及び特開昭６２−４６４２３号公報参照）
　これらのことを考慮すれば、上記引用例１に記載された発明において、貼り合わされた基板の接着層とは反対側となるそれぞれの面に形成された無機物質からなる保護層に替えて、アモルファス構造を有する炭素または炭素を主成分とする被膜を用いることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　また、本願発明を全体的にみても、上記引用例１及び２に記載された事項から当業者が当然予測できる範囲を超える格別の作用・効果を見出すことができない。
　なお、請求人は、当審の拒絶の理由に対する意見書において、基板に形成される炭素被膜の構造の違いによる作用・効果について、次のような主張をしている。
　「本願発明は、炭素または炭素を主成分とする被膜をアモルファス構造とすることによって、光ディスクメモリーの表面の平滑性を向上させると共に、レーザ光の不均一な屈折、散乱を防止することができる。
　一方、ダイヤモンドの結晶を有する炭素被膜は、その結晶の大きさや方位によってレーザー光が不均一に屈折、散乱しやすく、反射膜に記録された情報を誤って再生する虞が生じる。」
　しかしながら、請求人が主張する本願発明の作用・効果に関しては、炭素被膜がアモルファス構造のものとそうでないものとの差異を明確に理解できる具体的な説明がなされていない。
　また、本願明細書において、「問題点を解決しようとする手段」の項に「本発明で炭素または炭素を主成分とする被膜は、（中略）アモルファス構造または微結晶構造を有する被膜である。」（３頁９〜１２行）と記載されているだけで、アモルファス構造の炭素被膜を用いることに関する「技術的課題」や「作用・効果」については何も記載されていない。
　してみれば、意見書の主張のみをもって、本願発明が請求人の主張する作用・効果を生じるものであることを認めることができない。
（むすび）
　以上のとおりであって、本願発明は、引用例１及び２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成４年特許願第２８１９７５号「光ディスク及びその記録再生装置」拒絶査定に対する審判事件（平成６年５月１３日出願公開、特開平６−１３１７０１）について、次のとおり審決する。
【結論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願発明は、平成４年１０月２０日の出願であって、その請求項１に係る発明は、平成９年５月２０日付け、及び平成９年８月２０日付け手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。（以下、「本願発明」という。）
　「螺旋状又は同心円状に形成された深さ又は高さ一定のヘッド案内トラック（２１）と、相隣る該ヘッド案内トラック（２１）の間に形成された記録再生可能領域（２２）と、前記ヘッド案内トラック（２１）内に、該ヘッド案内トラック（２１）と異なる深さの凹部（３７）又は該ヘッド案内トラック（２１）と異なる高さの凸部（６７）の断続する列として再生専用情報が予め記録された記録済トラック（２３）とを夫々有し、前記ヘッド案内トラック（２１）の深さ又は高さと前記凹部（３７）又は凸部（６７）は、夫々前記ヘッド案内トラック（２１）からのトラッキングエラー信号振幅と前記記録済トラック（２３）からのトラッキングエラー信号振幅とが同等となり、かつ、トラッキングエラー信号振幅が最大となる深さ又は高さとは夫々異なる深さ又は高さに設定されて形成され、前記記録再生可能領域（２２）に所定周期毎に設定されたプリフォーマット領域（３２ｂ，６２ｂ）にセクタ番号及びトラック番号を含むＩＤ信号を記録したことを特徴とする光ディスク。」
２．引用刊行物記載の発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願の日前である昭和６０年９月３日に頒布された特開昭６０−１７００４２号公報（以下「引用刊行物」という。）には、次の事項が記載されている。
（１）「光ディスク等の光情報記録媒体は、情報の記録再生時に光ピックアップがトラッキング信号を得るための案内溝と、この溝のアドレス等を事前に記録したプレフォーマットを有しているが、この案内溝の光学的深さはλ／８であり、一般にこの溝中に小穴として記録されるプレフォーマットの光学的深さはλ／４である。」（第１頁左下欄第２０行目〜右下欄第６行目）
（２）「上記の光学系によるトラック信号と、透明基板の屈折率ｎと溝の深さｄの積ｎｄで表される光学的深さの関係を第３図に示す。すなわち光学的深さλ／８で信号出力はピークとなり、０とλ／４で信号出力は０となる対称的な分布を示す。…一方、反射光量は第４図に示すようになり、光学的深さがλ／４で最小となり、この反射光量減少分に対応する検出信号Ｒｆの出力レベルはλ／４で最大となる。」（第２頁左上欄第１２行目〜右上欄第１行目）
（３）「案内溝の深さをλ／１６に、プレフォーマットにおいてはλ／５．３としたものである。すなわち、第３図で見るように、トラック信号出力が最大のλ／８に対して案内溝８の光学的深さはλ／１６だけ浅くし、逆にプレフォーマットの深さはλ／１６だけ深くしてある。従って、第６図（ｃ）に示すように、トラック信号出力は案内溝部もプレフォーマット部も同一となる。」（第２頁左下欄第７〜１４行目）
３．対比
　本願発明と引用刊行物に記載された発明とを対比すると、引用刊行物に記載された「案内溝」、「プレフォーマット」、及び「トラック信号」はそれぞれ本願発明の「ヘッド案内トラック」、「凹部」、及び「トラッキングエラー信号」に相当し、引用刊行物に記載された光ディスクは情報の記録再生に用いられるので、相隣る案内溝の間に記録再生可能領域があること、および前記案内溝が螺旋状又は同心円状に形成されることは自明の事項であるから、両者は「螺旋状又は同心円状に形成された深さ一定のヘッド案内トラックと、相隣る該ヘッド案内トラックの間に形成された記録再生可能領域と、前記ヘッド案内トラック内に、該ヘッド案内トラックと異なる深さの凹部の断続する列として再生専用情報が予め記録された記録済トラックとを夫々有し、前記ヘッド案内トラックの深さと前記凹部は、夫々前記ヘッド案内トラックからのトラッキングエラー信号振幅と前記記録済トラックからのトラッキングエラー信号振幅とが同等となり、かつ、トラッキングエラー信号振幅が最大となる深さとは夫々異なる深さに設定されて形成された光ディスク。」である点で一致し、以下の点で相違している。
　相違点
　本願発明では、前記記録再生可能領域（２２）に所定周期毎に設定されたプリフォーマット領域（３２ｂ，６２ｂ）にセクタ番号及びトラック番号を含むＩＤ信号を記録した構成を有するのに対し、引用刊行物には、このようなプリフォーマット領域が記載されていない点。
（なお、本願発明では「…異なる深さの凹部（３７）又は…異なる高さの凸部（６７）…の深さ又は高さと前記凹部（３７）又は凸部（６７）は、…深さ又は高さとは夫々異なる深さ又は高さ」と記載されているのに対し、引用刊行物では「凹部の深さ」についてのみ言及している点でも一応相違しているが、「凹部」は「凹部又は凸部」に選択的事項として含まれるものであり、かつ、光ディスクにおいてはヘッド案内トラックを凹部で形成することも凸部で形成することも同一目的のための構成として周知の事項であるから、この点は実質的相違ではない。）
４．当審の判断
　光ディスクに情報を書き換え可能に記録し、再生する光ディスクは周知である。そしてこのようなデータ記録用の光ディスクにおいて、記録再生可能領域に所定周期毎に設定されたプリフォーマット領域にセクタ番号及びトラック番号を含むＩＤ信号を記録した構成は周知（例．特開平１−３１９１４０号公報，特開昭６２−２８５２３２号公報参照）である。
　このようなＩＤ信号は各セクタ毎に、該セクタを判別するために、トラックを所定周期毎に分割して形成された該セクタの先頭のプリフォーマット領域に形成することが普通に行われている事項であることから、引用刊行物に記載された様なへッド案内トラックに再生専用情報を有するとともにトラック間に記録再生可能領域を有する構成のものを、このようなデータの記録再生装置に用いることを考える場合、上記プリフォーマット領域にＩＤ信号を形成することは当然であるし、他の光ディスクとの共用を考慮すれば、このようにプリフォーマット領域にセクタ番号及びトラック番号を含むＩＤ信号を記録する構成とすることは当業者が容易になし得たことと認められる。
　以上のとおりであるから、引用刊行物に記載された発明において、上記周知の事項である、記録再生可能領域に所定周期毎に設定されたプリフォーマット領域にセクタ番号及びトラック番号を含むＩＤ信号を記録する構成を採用して本願発明の構成とすることは、当業者が容易になし得たことと認められる。
５．むすび
　したがって、本願発明は、引用刊行物に記載された発明及び上記周知の事項に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成５年特許願第２４３４３０号「磁気記録再生装置」拒絶査定に対する審判事件（平成７年４月１１日出願公開、特開平７−９８９３４）について、次のとおり審決する。
【結論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理由】
（１）手続の経緯・本願発明の要旨
　本願は、平成５年９月３０日の出願であって、その請求項１，２に係る発明は、平成９年２月２０日付の手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１，２に記載された事項により特定されるとおりのものと認めるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）は、以下のとおりである。
「【請求項１】磁気記録媒体から再生ＦＭ信号を取出すＦＭ信号再生手段と、前記再生ＦＭ信号のレベルを補正しＡＧＣＦＭ信号を出力する自動利得調整回路と、前記ＡＧＣＦＭ信号の周波数特性を補正し等化ＦＭ信号を出力する高周波イコライザ回路と、前記等価ＦＭ信号を復調し復調ビデオ信号を出力するＦＭ復調回路と、前記復調ビデオ信号の予め定めた高域強調特性を補正し平坦特性に復元した再生ビデオ信号を出力するディエンファシス回路と、前記再生ビデオ信号のノイズ成分を相殺しノイズキャンセルビデオ信号を出力するノイズキャンセラ回路と、前記ノイズキヤンセルビデオ信号の周波数特性および位相特性を補正するピクチャコントロール回路と、前記ＡＧＣＦＭ信号のエンベロープレベルを検出しこのエンベロープレベルに対応して直流電圧が変化する電圧制御信号を出力するエンベロープ検出回路とを備える磁気記録再生装置において、前記ノイズキャンセラ回路と前記ディエンファシス回路のうちの少なくとも１つが前記電圧制御信号の直流電圧に応答して周波数特性を制御される可変低域フィルタを備えることを特徴とする磁気記録再生装置。」
（２）引用例の記載
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、特開平３−７６４８２号公報（以下「引用例」という。）には、「磁気再生装置」に係る発明について以下の構成の記載がある。
　磁気テープ（１５）から再生されたＦＭ信号を取出すためのヘッド（１６）とビデオアンプ（１７）と、ビデオアンプの出力をＦＭ処理するＦＭＡＧＣ回路（１３）とＦＭイコライザ（１４）と、ＦＭ復調回路（１９）と、ディエンファシス回路（２１）と、前記ディエンファシス回路の出力信号のノイズ成分を除去した信号を出力するノイズキャンセラ回路（２２ｂ）と、ピクチャコントロール回路（２３）と、前記ビデオアンプの出力信号の再生レベルを検出しこの再生レベルに対応して直流電圧が変化する電圧制御信号を出力する再生レベル検出回路（１０）とを備える磁気再生装置において、前記ノイズキャンセラ回路が前記電圧制御信号の直流電圧に応答して周波数特性を制御される可変低域フィルタ（５１，５，９０，９１）を備える磁気再生装置。
（３）対比、判断
　本願発明１と引用例記載の発明とを対比する。
　引用例記載の「磁気テープ」、「ヘッドとビデオアンプ」、「磁気再生装置」は、それぞれ本願発明１の「磁気記録媒体」、「ＦＭ信号再生手段」、「磁気記録再生装置」に相当することは明らかである。
　また、引用例には、それぞれの構成要素の機能についての記載がないが、引用例記載の発明と本願発明１の基本構成は、再生ＦＭ信号からノイズを除去する回路である点で同様であるから、引用例記載の「ＦＭＡＧＣ回路」、「ＦＭイコライザ」、「ＦＭ復調回路」、「ディエンファシス回路」、「ノイズキャンセラ回路」、「ピクチャコントロール回路」は、それぞれ本願発明１の「再生ＦＭ信号のレベルを補正しＡＧＣＦＭ信号を出力する自動利得調整回路」、「ＡＧＣＦＭ信号の周波数特性を補正し等化ＦＭ信号を出力する高周波イコライザ回路」、「等価ＦＭ信号を復調し復調ビデオ信号を出力するＦＭ復調回路」、「復調ビデオ信号の予め定めた高域強調特性を補正し平坦特性に復元した再生ビデオ信号を出力するディエンフアシス回路」、「再生ビデオ信号のノイズ成分を相殺しノイズキャンセルビデオ信号を出力するノイズキャンセラ回路」、「ノイズキャンセルビデオ信号の周波数特性および位相特性を補正するピクチャコントロール回路」に相当するものと認められる。
　以上の対比により、本願発明１と引用例記載の発明は、
「磁気記録媒体から再生ＦＭ信号を取出すＦＭ信号再生手段と、前記再生ＦＭ信号のレベルを補正しＡＧＣＦＭ信号を出力する自動利得調整回路と、前記ＡＧＣＦＭ信号の周波数特性を補正し等化ＦＭ信号を出力する高周波イコライザ回路と、前記等価ＦＭ信号を復調し復調ビデオ信号を出力するＦＭ復調回路と、前記復調ビデオ信号の予め定めた高域強調特性を補正し平坦特性に復元した再生ビデオ信号を出力するディエンファシス回路と、前記再生ビデオ信号のノイズ成分を相殺しノイズキャンセルビデオ信号を出力するノイズキャンセラ回路と、前記ノイズキャンセルビデオ信号の周波数特性および位相特性を補正するピクチャコントロール回路とを備える磁気記録再生装置において、前記ノイズキャンセラ回路が電圧制御信号の直流電圧に応答して周波数特性を制御される可変低域フィルタを備えることを特徴とする磁気記録再生装置。」
である点で構成が一致し、以下の点で本願発明１と引用例記載の発明は相違するものと認められる。
即ち、
可変低域フィルタの周波数特性を制御する電圧制御信号の直流電圧を、本願発明１は、ＡＧＣＦＭ信号のエンベロープレベルを検出することで得ているのに対し、引用例記載の発明は、ビデオアンプの出力信号（ＦＭＡＧＣ回路の入力信号）の再生レベルを検出することで得ている点
　上記相違点について検討する。
　この相違は、具体的には本願発明１がＡＧＣ回路で強調された再生ＦＭ信号の高域ノイズ成分のレベルを検出して、このレベルに応じて可変低域フィルタで相殺用すべき高域ノイズ成分を制御しているのに対して、引用例記載のものは再生ＦＭ信号のシンクチップレベル、即ち高域での信号レベルを検出して、このレベルに応じて可変低域フイルタで相殺すべき高域ノイズ成分を制御している点につきる。
　しかしながら、本願発明１及び引用例記載の発明がともにヘッド、テープの経時変化に伴う高域再生の劣化に対応したものであること、また、ＡＧＣ回路の出力ＦＭ信号のエンベロープを検出し、この出力レベルに応じてノイズキャンセラ回路を制御するようにする技術は、本願の明細書の段落【０００８】〜【００１３】に第２の従来の磁気記録再生装置に係る技術として記載されており、出願人も認めるように普通に知られた技術である（必要があれば、特開平３−９７１６６号公報を参照されたい。）ことから、この普通に知られた技術を引用例記載の磁気再生装置に適用して、可変低域フィルタの周波数特性を制御する電圧制御信号の直流電圧を、ビデオアンプの出力信号（ＦＭＡＧＣ信号の入力信号）の再生レベルを検出することで得ることに替えて、ＡＧＣＦＭ信号のエンベロープレベルを検出することで得るようにすることは、当業者が適宜想到し得ることであると認められる。
（４）むすび
　以上のとおり、相違点は格別のものとは言えないので、本願発明１は、引用例に記載された発明に基いて当業者が容易に発明することができたものと認められるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。