【事件の表示】
　平成４年　特　許　願　第３０９５８９号「半導体装置とその製法」において、平成ｌ０年８月１０日付けでした手続補正に対してされた補正の却下の決定に対する審判事件について、次のとおり審決する。
【結論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理由】
１．本件補正却下に係る出願（以下、「本願」という。）は、平成４年１０月２３日の特許出願であって、平成１０年８月１０日付けで願書に添付された明細書を補正する手続補正（以下、「本件補正」という。）がなされたところ、原審において、平成１０年１０月２２日に本件補正について、補正の却下の決定がなされた。
２．本件補正は、願書に添付された明細書の特許請求の範囲第１項を次のとおり補正するものである。
「少なくとも表面が光反射性を有する導電材層と、この導電材層の表面に被着された反射防止膜とを有する配線をそなえた半導体装置において、
　ポリシリコン層にチタン層を重ねた第１の積層と、ポリサイド層にチタン層を重ねた第２の積層と、タングステン層と、モリブデン層と、アルミニウム合金層にシリサイド層を重ねた第３の積層とのうちのいずれかの層で前記導電材層を構成すると共にシリコン膜で前記反射防止膜を構成し、前記配線の完成状態において前記導電材層の表面に前記シリコン膜が残存することを特徴とする半導体装置。」
３．前記補正却下の決定の理由は、次のとおりである。
「補正後の請求項１には「タングステン層と、モリブデン層と、アルミニウム合金層にシリサイド層を重ねた第３の積層とのうちのいずれかの層で前記導電材層を構成する。」と記載されている。
　しかしながら、願書に最初に添付した明細書又は図面には、タングステン層と、モリブデン層と、アルミニウム合金層にシリサイド層を重ねた積層で導電材層を構成することについては何ら記載されておらず、かつ、同明細書又は図面の記載からみて、自明のこととも認められない。したがって、この補正は、特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。」
４．当審で、平成１１年３月２５日付けでした審尋は、次のとおりである。
「平成１０年８月１０日付け手続補正書でした明細書についての補正は、特許請求の範囲第１項について、導電材層を構成する材料を「ポリシリコン層にチタン層を重ねた第１の積層と、ポリサイドにチタン層を重ねた第２の積層と、タングステン層と、モリブデン層と、アルミニウム合金層にシリサイド層を重ねた第３の積層とのうちのいずれかの層」に限定したものであるが、願書に最初に添付した明細書又は図面には、アルミニウム合金層に、ＷＳｉ２又はＭｏＳｉ２層を積層して配線層を構成したものは記載されているが、アルミニウム合金層に他のシリサイド層を積層したものは記載されていない。そして、願書に最初に添付された明細書又は図面には、アルミニウム合金層に、ＷＳｉ２又はＭｏＳｉ２層を積層して配線層を構成したものにおいて、ＷＳｉ２又はＭｏＳｉ２層がどのような機能を奏するものであるかについても何らの記載がないことからすれば、同明細書又は図面の記載からみて、アルミニウム合金層にＷＳｉ２又はＭｏＳｉ２以外のシリサイドを積層したものを導電体層に使用することが自明であったとすることもできない。
　したがって、導電材層を「アルミニウム合金層に（ＷＳｉ２又はＭｏＳｉ２層以外のシリサイド層を含む）シリサイド層を重ねた第３の積層」とする前記補正は、明細書の要旨を変更するものである。」
４．前記審尋に対する審判請求人の回答の概要は、以下のとおりである。
「（１）原明細書の段落【００１１】、【００１２】、【００２８】の記載によれば、本願発明において、導電材層は、少なくとも表面が光反射性を有するものであればよいことは明らかである。（２）段落【００２５】〜【００２７】の記載によれば、この発明は実施例に示したゲート電極・配線に限らず、他の配線、たとえばＷ、Ｍｏ、ＷＳｉ２／Ａｌ合金／ＷＳｉ２、ＭｏＳｉ２／Ａｌ合金／ＭｏＳｉ２等の配線にもこの発明を適用可能であることが明らかであり、ここに示される「Ｗ、Ｍｏ、ＷＳｉ２／Ａｌ合金／ＷＳｉ２、ＭｏＳｉ２／Ａｌ合金／ＭｏＳｉ２等」は「他の配線」の例示にすぎず、これらのみに限定する趣旨でないことは明らかである。してみると、Ａｌ合金層の上に積層する導電材料層をＷＳｉ２及びＭｏＳｉ２にのみ限定して解釈するのは、本願発明の開示内容に適合しているとはいえない。
（３）段落【００２６】には、配線用積層として、「ポリＳｉ層の上に例えばＭｏＳｉ２、ＷＳｉ２又はＴａＳｉ２等のシリサイド層を積層したもの」が示されている。また、原明細書には、ストイキオメトリックなチタンシリサイドＴｉＳｉ２の他に、ストイキオメトリックでないチタンシリサイドも示唆されている【００２０】。これらの記載に照らすと本願発明に係る配線用積層では、ＷＳｉ２、ＭｏＳｉ２以外のシリサイド層を使用可能であることが明らかであるから、Ａｌ合金層上に積層する導電材層としては、光反射性を有する限り、ＷＳｉ２、ＭｏＳｉ２に限らず、他のシリサイド層でもよいことは自明である。
（４）以上のように、少なくとも表面が光反射性を有する配線用導電材層として、アルミニウム合金層にＷＳｉ２、ＭｏＳｉ２以外のシリサイド層を用いることは自明であるから、該導電材層をアルミニウム合金層にシリサイド層を重ねた積層とする補正は、明細書の要旨を変更するものではない。」
６．そこで本件補正却下の適否について検討すると、本願の出願当初の明細書の段落【００２７】には、「（２）ゲート電極・配線以外の配線、例えばＷ、Ｍｏ、ＷＳｉ２／Ａｌ合金／ＷＳｉ２、ＭｏＳｉ２／Ａｌ合金／ＭｏＳｉ２等の配線にもこの発明を適用可能である。ここで、Ａ／Ｂ／Ｃなる表記は、下から順にＣ層、Ｂ層及びＡ層からなる積層を示す。配線構造によっては、図５で述べた熱処理が許されない場合もあるが、その場合でも反射防止効果は得られる。」と記載されているのみであって、「ＷＳｉ２／Ａｌ合金／ＷＳｉ２、ＭｏＳｉ２／Ａｌ合金／ＭｏＳｉ２」は、「ゲート電極・配線以外の配線」の例示として記載されたものであって、「アルミニウム合金層にシリサイド層を重ねた層」の例示として記載したものではないし、他に、「アルミニウム合金層にシリサイドを重ねた層］の例示であることを示唆する記載もない。そうすると、「アルミニウム合金層にシリサイド層を重ねた第３の積層」が本願の出願当初の明細書又は図面に技術思想として記載されていたとも、技術思想として示唆されていたとすることもできない。
　なお、審判請求人は、「導電材層は、少なくとも表面が光反射性を有するものであればよいことは明らかである。」、「Ｗ、Ｍｏ、ＷＳｉ２／Ａｌ合金／ＷＳｉ２、ＭｏＳｉ２／Ａｌ合金／ＭｏＳｉ２は、他の配線の例示にすぎず、これらのみに限定するものではない。」旨主張するが、本件補正後の請求項１に係る発明は、「表面が光反射性を有する導電材層」の全て、又は、「ゲート電極・配線以外の配線」の全てを包含するものではなく、それらの概念に含まれるもののうちの特定の配線材料・配線構造を限定した発明であるから、単にそのような配線材料、配線構造のものが出願当初の明細書の特許請求の範囲に包含されるからといって、発明の詳細な説明に記載されておらず、かつ、示唆もされていない、特定の配線材料・配線構造に特定することが、明細書の要旨を変更しないものに当たるとすることはできない。
　本願の出願当初の明細書又は図面には、「アルミニウム合金にシリサイド層を重ねた第３の積層」という概念のものが、特定の機能又は作用効果を奏するものであって、ＷＳｉ２、ＭｏＳｉ２は、そのシリサイド層の例示であるということを示唆する記載はない。
　また、審判請求人は、段落【００２６】及び段落【００２０】の記載をもって、「本願発明に係る配線用積層ではＷＳｉ２、ＭｏＳｉ２以外のシリサイド層を使用可能であることは明らかであるから、Ａｌ合金層に積層する導電材層としては、ＷＳｉ２、ＭｏＳｉ２に限らず、他のシリサイド層でもよいことは自明である。」と主張するが、段落　【００２６】は、配線として、ポリＳｉの上に積層させる材料層に関するものであり、かつ、その上には、直接反射防止膜であるシリコン膜が形成されるものでもなく、また、段落【００２０】は、配線層であるポリＳｉの上のＴｉ膜とＳｉ膜に関するものであって、配線材料に関するものではないから、ゲート電極・配線以外の配線の例示である「Ｗ、Ｍｏ、ＷＳｉ２／Ａｌ合金／ＷＳｉ２、ＭｏＳｉ２／Ａｌ合金／ＭｏＳｉ２」について何らかの示唆を与えるものではない。そうすると、
当該審判請求人の主張は根拠がない。
７．したがって、本件手続補正は、特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものとした原決定を取り消すべき理由はない。
　よって、結論のとおり審決する。