(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
加圧した容器内でＧａＡｓ多結晶を合成した後に融解し，所定圧力下で液体封止引き上げ法により結晶成長をおこなうＧａＡｓ単結晶の製造方法において：
前記容器内を純Ａｒガスで所定圧力に加圧し，原料Ｇａと原料Ａｓを加熱してＧａＡｓ多結晶を合成する工程と；
前記ＧａＡｓ多結晶を加熱して融解する工程と；
前記容器内を減圧して液体封止材中の気泡を放出させる工程と；
前記容器内の純Ａｒガス雰囲気中に純Ｎ２ガスを所定の混合比で混合して，所定の圧力に加圧する工程と；
前記純Ａｒガスおよび純Ｎ２ガスの混合ガス雰囲気中の加圧された所定圧力下で，液体封止引き上げ法により結晶成長をおこなう工程と；
を有することを特徴とするＧａＡｓ単結晶の製造方法。
【請求項２】
前記容器内の純Ａｒガス雰囲気中に純Ｎ２ガスを所定の混合比で混合して，所定の圧力に加圧する工程は：
前記容器内のガスを，少なくとも一回以上，前記容器外部に放出して前記容器内を減圧する工程と；
前記減圧した容器内に純Ｎ２ガスを導入する工程と；
からなることを特徴とする請求項１に記載のＧａＡｓ単結晶の製造方法。
【請求項３】
前記純Ａｒガスと前記純Ｎ２ガスの混合比（Ａｒ／Ｎ２）は，１／２〜１／１００であることを特徴とする請求項１または２に記載のＧａＡｓ単結晶の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は，ＧａＡｓ単結晶の製造方法に係り，さらに詳細には，液体封止引上法（以下，ＬＥＣ法という）によるＧａＡｓ単結晶の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年において，ＬＳＩ，レーザ，ＬＥＤなどの各種半導体デバイスが高密度化，高性能化したことにより，各種電子部品，電気製品の高機能化，小型化が実現している。特に，シリコンに比較して５倍程度動作速度が速く，消費電力も少なく，雑音に強いという特長を有するＧａＡｓ基板が，ＦＥＴ，ＩＣ等の高速，高周波素子などに多用されるようになってきた。このＧａＡｓ基板は，チョクラルスキー法，水平ブリッジマン法，垂直ブリッジマン法，ＶＧＦ法などの方法で成長した単結晶インゴットをスライス加工し種々の加工処理を経て作製される。かかるＧａＡｓ単結晶の一般的な製造方法であるＬＥＣ法（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｅｎｃａｐｕｓｕｌａｔｅｄ  Ｃｚｏｃｒａｌｓｋｉ法）を図２に基づいて説明する。
【０００３】
図２は，ＧａＡｓ単結晶を製造するための結晶成長装置の概略構成を示した断面図である。ＧａＡｓ単結晶成長装置は，圧力容器１，ヒータ３，下軸４，上軸８などから構成されている。そして，圧力容器１の内部には原料Ｇａ５，原料Ａｓ６，液体封止剤（Ｂ２Ｏ３）７を収容するためのＰＢＮ製ルツボ２が設置され，その周囲にはヒータ３が設けられている。下軸４は，圧力容器１内に下側から挿入され，その先端には，ＰＢＮ製ルツボ２が固定されている。この下軸４は，回転昇降機構（図示せず）が接続されているので，ＰＢＮ製ルツボ２を一定の速度で回転しながら所定の速度で昇降することができる。
【０００４】
一方，上軸８は，圧力容器１の上側から下軸４と同軸になるように挿入され，その下端にはＧａＡｓ単結晶から所定方位に切り出した種結晶９が取り付けられている。この上軸８は，回転昇降機構（図示せず）が接続されているので，種結晶９を一定速度で回転しながら所定速度で昇降することができる。
【０００５】
また，圧力容器１の上側部にはガス導入管１０が接続され，下側部にはガス排出管１１が接続されている。ガス導入配管１０は，純Ａｒガス導入配管１２もしくは純Ｎ２ガス導入配管１３のいずれかの単独配管となっている。また，ガス排出管１１にはバルブ１６が取付られており，バルブ１６を開けて炉内ガスを外部に放出し，容器内圧力の調整をおこなう。
【０００６】
以下に，この結晶成長装置を用いて，ＧａＡｓ単結晶の成長方法について説明する。
【０００７】
まず，ＰＢＮ製ルツボ２内に，原料Ｇａ５，原料Ａｓ６，液体封止材（Ｂ２Ｏ３）７を入れ，圧力容器１内の所定の位置に設置する。次いで，例えば純Ｎ２ガスにより圧力容器１内を加圧し，ヒータ３でＰＢＮ製ルツボ２内の原料Ｇａ５，原料Ａｓ６を加熱してＧａＡｓ多結晶を直接合成する。その後さらに加熱を続け，ＧａＡｓ多結晶を溶解してＧａＡｓ融液を形成する。このとき，液体封止材（Ｂ２Ｏ３）７は，ＧａＡｓ融液の表面を覆うかたちで融解しており，ＧａＡｓ融液中からＡｓが揮発するのを防止している。
【０００８】
このとき，容器内圧力はＧａＡｓ多結晶の溶解加熱のため炉内温度が上昇するため，上昇する。このとき，粘性の高いＢ２Ｏ３７に気体が融解していると，ＧａＡｓ単結晶育成中に気泡を巻き込むおそれがあるので，容器内を減圧し，一定時間放置して，Ｂ２Ｏ３７中の気泡を発泡，放出させる。
【０００９】
次いで，ガス導入配管１０を通して圧力容器１内に純Ｎ２ガスを導入し，加圧し，一定時間放置する。その後，上軸８の下端に取り付けた種結晶９を３〜１０ｒｐｍで回転させながら徐々に降下してＧａＡｓ融液の表面に接触させる。このとき，ＧａＡｓ融液の入っているＰＢＮ製ルツボ２は，１０〜４０ｒｐｍの回転速度で回転している。
【００１０】
そして，ＧａＡｓ融液と種結晶９の種付けが完了したら，種結晶９を回転させながら所定の速度で引き上げ，徐々に結晶径を大きくしてコーン部を形成する。その後，種結晶９を３〜１０ｒｐｍで回転させながら４〜１５ｍｍ／ｈｒの速度で結晶径がほぼ均一な直胴部を形成した後，テイル部を形成してＧａＡｓ結晶を育成する。引き上げ終了後，所定の条件で冷却をおこない，所望のＧａＡｓ結晶を得ることができる。このような方法により，例えば４インチのＧａＡｓ結晶を得ることができる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら，ＧａＡｓ多結晶を純Ｎ２ガス雰囲気下で直接合成すると，直接合成前あるいは直接合成中に，原料がＮ２ガスと反応し窒化してしまうという問題がある。この窒化物は，ＧａＡｓ多結晶を融解したときにＧａＡｓ融液表面上（すなわち，Ｂ２Ｏ３とＧａＡｓ融液との界面）に浮遊することになる。このＧａＡｓ融液中に浮遊している窒化物は，ＧａＡｓ単結晶の成長中に入り込んで正規の原子配列を乱すため，双晶や多結晶の発生原因となる。このため，ＧａＡｓ多結晶を純Ｎ２ガス雰囲気下で直接合成をおこなうと，ＧａＡｓ単結晶成長の際に双晶や多結晶の発生頻度が高くなり，ＧａＡｓ単結晶の歩留まりが低下するなどの問題が生じる。
【００１２】
一方，純Ａｒガス雰囲気下でＧａＡｓ多結晶を直接合成し，さらに純Ａｒガス雰囲気下でＧａＡｓ単結晶成長をおこなうと，ＧａＡｓ単結晶に不純物であるホウ素が混入し易くなるという問題がある。また，純Ａｒガス雰囲気下でＧａＡｓ単結晶の成長をおこなうと純Ｎ２ガス雰囲気下で結晶成長する方法に比べ単結晶が得られ易いという利点があるものの，純Ｎ２ガスを使用した場合と比較してコストが高くなるという問題もある。
【００１３】
また，ＧａＡｓ多結晶を他の方法で予め合成し，ＧａＡｓ単結晶成長用の出発原料とする場合には，ＧａＡｓ多結晶を合成するための新たな工程が必要となり，余計なコストがかかってしまうという問題もある。
【００１４】
したがって，本発明は，上記のような問題点に鑑みてなされたものであり，本発明の目的は，ＧａＡｓ多結晶を合成する際に窒化物の形成を抑制して双晶や多結晶の発生率を低減し，高品質のＧａＡｓ単結晶を再現性良くかつ低コストで製造することが可能な，新規かつ改良されたＧａＡｓ単結晶の製造方法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために，本発明の第１の観点によれば，請求項１に記載の発明のように，加圧した容器内でＧａＡｓ多結晶を合成したのち融解し，所定圧力下で液体封止引き上げ法により結晶成長をおこなうＧａＡｓ単結晶の製造方法において，前記容器内を純Ａｒガスで所定圧力に加圧し，原料Ｇａと原料Ａｓを加熱してＧａＡｓ多結晶を合成する工程と，前記ＧａＡｓ多結晶を加熱して融解する工程と，前記容器内を減圧して液体封止材中の気泡を放出させる工程と，前記容器内の純Ａｒガス雰囲気中に純Ｎ２ガスを所定の混合比で混合して，所定の圧力に加圧する工程と，前記純Ａｒガスおよび純Ｎ２ガスの混合ガス雰囲気中の加圧された所定圧力下で，液体封止引き上げ法により結晶成長をおこなう工程とを有することを特徴とするＧａＡｓ単結晶の製造方法が提供される。
【００１６】
かかる構成によれば，純Ａｒガス雰囲気下でＧａＡｓ多結晶を直接合成し，純Ａｒガスに純Ｎ２ガスの混合雰囲気下でＧａＡｓ単結晶を成長することができるので，ＧａＡｓ単結晶を再現性よく成長することができる。また，純Ａｒガス雰囲気中でＧａＡｓ単結晶を成長する方法と比較して，不純物であるホウ素が混入しにくくなり，品質の高いＧａＡｓ単結晶を得ることができる。また，純Ａｒガスの一部を純Ｎ２ガスで置換しているため，高価格の純Ａｒガスの消費量を減らすことができ，製造コストを低減することができる。
【００１７】
また，請求項２に記載の発明のように，前記容器内の純Ａｒガス雰囲気中に純Ｎ２ガスを所定の混合比で混合して，所定の圧力に加圧する工程は，前記容器内のガスを，少なくとも一回以上，前記容器外部に放出して前記容器内を減圧する工程と，前記減圧した容器内に純Ｎ２ガスを導入する工程とからなることを含めれば，炉内の純Ａｒガスと純Ｎ２ガスの混合比や炉内の圧力を容易に実現することができる。
【００１８】
また，請求項３に記載の発明のように，前記純Ａｒガスと前記純Ｎ２ガスの混合比（Ａｒ／Ｎ２）は，１／２〜１／１００であることあることを含めれば，ＧａＡｓ単結晶中に混入するホウ素の濃度を低く押さえることができる。また，純Ａｒガスと純Ｎ２ガスの混合比の調整に要する時間も短くリードタイムが長くなることもない。
【００１９】
また，本発明の第２の観点によれば，請求項４に記載の発明のように，ＧａＡｓ単結晶中のホウ素の含有濃度が５×１０１６ｃｍ−３以下であり，実質的に双晶や多結晶を含有しないことを特徴とするＧａＡｓ単結晶が提供される。
【００２０】
【本発明の実施の形態】
以下に，本発明の実施の形態について図１に基づいて説明をおこなう。図１は，本実施形態にかかるＧａＡｓ単結晶を製造するための結晶成長装置の概略構成を示した断面図である。
【００２１】
本実施形態にかかるＧａＡｓ単結晶成長装置は，圧力容器１，ヒータ３，下軸４，上軸８などから構成されている。圧力容器１の内部には原料Ｇａ５，原料Ａｓ６，液体封止剤（Ｂ２Ｏ３）７を収容するためのＰＢＮ製ルツボ２が設置され，その周囲にはヒータ３が設けられている。下軸４は，圧力容器１内に下側から挿入され，その先端には，ＰＢＮ製ルツボ２が固定されている。この下軸４は，回転昇降機構（図示せず）が接続されているので，ＰＢＮ製ルツボ２を一定の速度で回転しながら所定の速度で昇降することができる。
【００２２】
一方，上軸８は，圧力容器１の上側から下軸４と同軸になるように挿入され，その下端にはＧａＡｓ単結晶から所定方位に切り出した種結晶９が取り付けられている。この上軸８は，回転昇降機構（図示せず）が接続されているので，種結晶９を一定速度で回転しながら所定速度で昇降することができる。
【００２３】
また，圧力容器１の上側部にはガス導入管１０が接続され，下側部にはガス排出管１１が接続されている。ガス導入管１０は，純Ａｒガス導入配管１２もしくは純Ｎ２ガス導入配管１３が接続されており，それぞれのガス導入配管１２，１３には，バルブ１４，１５が取り付けられている。このバルブ１４，１５を開閉することによって，炉内に導入するガスを切替えることができる。また，ガス排出管１１にはバルブ１６が取付られており，バルブ１６を開けて炉内ガスを外部に放出し，圧力容器１内の圧力調整をおこなう。
【００２４】
以下に，この結晶成長装置を用いて，本実施形態にかかるＧａＡｓ単結晶の成長方法について説明する。
【００２５】
まず，ＰＢＮ製ルツボ２内に，原料Ｇａ５，原料Ａｓ６，例えば含有水分量１００〜５００ｐｐｍのＢ２Ｏ３７を入れ，圧力容器１内の所定の位置に設置する。次いで，例えば純Ａｒガスにより圧力容器１内を例えば２５〜４５ｋｇｆ／ｃｍ２に加圧し，ヒータ３でＰＢＮ製ルツボ２内の原料Ｇａ５，原料Ａｓ６を加熱してＧａＡｓ多結晶を直接合成する。その後さらに加熱を続け，ＧａＡｓ多結晶を溶解してＧａＡｓ融液を形成する。このとき，液体封止材（Ｂ２Ｏ３）７は，ＧａＡｓ融液の表面を覆うかたちで融解しており，ＧａＡｓ融液中からＡｓが揮発するのを防止している。
【００２６】
このとき，加熱前に２５〜４５ｋｇｆ／ｃｍ２であった容器内圧力はＧａＡｓ多結晶の溶解加熱のため炉内温度が上昇し，圧力容器が例えば６０〜７０ｋｇｆ／ｃｍ２程度になっている。このとき，粘性の高いＢ２Ｏ３７に気体が融解していると，ＧａＡｓ単結晶育成中に気泡を巻き込むおそれがあるので，容器内を例えば３〜１０ｋｇｆ／ｃｍ２まで減圧し例えば０．５〜３時間放置して，Ｂ２Ｏ３７中の気泡を発泡，放出させる。
【００２７】
次いで，バルブ１４を開き純Ｎ２ガス導入配管１３，ガス導入配管１０を通して圧力容器１内に純Ｎ２ガスを導入する。この純Ｎ２ガスの導入は，例えば容器内圧力が１０〜３０ｋｇｆ／ｃｍ２になるまで加圧し，例えばガス混合比（Ａｒ／Ｎ２）が１／２〜１／１００となるようにおこなう。また，一回の純Ｎ２ガスの導入だけでは，所望のガス混合比（Ａｒ／Ｎ２）を得ることができない場合には，この混合ガスを外部に放出して圧力容器１内を減圧してから，再度純Ｎ２ガスを圧力容器１内に導入して加圧する。このように，ガス混合比に応じて，圧力容器１内の減圧や加圧の回数を決めて，圧力容器１内のガス混合比を調節する。
【００２８】
なお，圧力容器１内の純Ａｒガスと純Ｎ２ガスの混合比（Ａｒ／Ｎ２）は，１／２〜１／１００であることが望ましい。すなわち，このガス混合比よりもＮ２の含有率が高い場合には，純Ａｒガスと純Ｎ２ガスの混合比の調整に要する時間が長くなり，リードタイムが長くなってしまうからである。一方，このガス混合比よりもＮ２の含有率が低い場合には，ＧａＡｓ単結晶中に混入するホウ素の濃度が高くなってしまうからである。すなわち，純Ａｒガス雰囲気中でＧａＡｓ単結晶を成長すると，不純物であるホウ素が混入しやすかったが，この純Ａｒガス雰囲気中に純Ｎ２ガスを混合すると，ＧａＡｓ融液中に混入したホウ素がＢ２Ｏ３７を経由して純Ｎ２ガスと反応し窒化ホウ素（ＢＮ）となるため，ＧａＡｓ融液の外部に排出されるためであると考えられる。
【００２９】
その後，上軸８の下端に取り付けた種結晶を３〜１０ｒｐｍで回転させながら徐々に降下してＧａＡｓ融液の表面に接触させる。このとき，ＧａＡｓ融液の入っているＰＢＮ製ルツボ２は，１０〜４０ｒｐｍの回転速度で回転している。
【００３０】
そして，ＧａＡｓ融液と種結晶９の種付けが完了したら，種結晶９を回転させながら所定の速度で引き上げ，徐々に結晶径を大きくしてコーン部を形成する。その後，種結晶９を３〜１０ｒｐｍで回転させながら４〜１５ｍｍ／ｈｒの速度で結晶径が均一な直胴部を形成した後，テイル部を形成してＧａＡｓ単結晶を育成する。引き上げ終了後，所定の条件で冷却をおこない，所望のＧａＡＳ単結晶を得ることができる。このような方法により，例えば直径４インチのＧａＡｓ単結晶を得ることができる。
【００３１】
本実施形態は，以上のように構成されており，純Ａｒガス雰囲気下でＧａＡｓ多結晶を直接合成し，純Ａｒガスに純Ｎ２ガスの混合雰囲気下でＧａＡｓ単結晶を成長することができるので，ＧａＡｓ単結晶を再現性よく成長することができる。また，純Ａｒガス雰囲気中でＧａＡｓ単結晶を成長する方法と比較して，不純物であるホウ素が混入しにくくなり，品質の高いＧａＡｓ単結晶を得ることができる。また，純Ａｒガスの一部を純Ｎ２ガスで置換しているため，高価格の純Ａｒガスの消費量を減らすことができ，製造コストを低減することができる。
【００３２】
（実施例１）
上記実施形態に示した方法に基づいてＧａＡｓ単結晶を作製したので，この結果を以下に説明する。
【００３３】
まず，ＰＢＮ製ルツボ内に，出発原料として，原料Ｇａを５０００ｇ，原料Ａｓを５５００ｇ，含有水分量２００重量ｐｐｍの液体封止材（Ｂ２Ｏ３）を入れ，圧力容器内の所定の位置に設置した。次いで，純Ａｒガスを炉内に導入して３７ｋｇｆ／ｃｍ２に加圧し，ヒータでＰＢＮ製ルツボ内の原料Ｇａ，原料Ａｓを加熱してＧａＡｓ多結晶を直接合成した。このとき，圧力容器内の圧力は６５ｋｇｆ／ｃｍ２であった。
【００３４】
次いで，ヒータでＰＢＮ製ルツボ内の多結晶ＧａＡｓを加熱し，ＧａＡｓ融液を形成した。このとき，圧力容器１内の圧力は６５ｋｇｆ／ｃｍ２であった。
【００３５】
そして，ＧａＡｓ融液を形成した後，圧力容器の圧力を４ｋｇｆ／ｃｍ２まで減圧して１時間放置してＢ２Ｏ３中の気泡を脱泡した。次いで，純Ｎ２ガス導入配管を通して圧力容器内に純Ｎ２ガスを導入し，ガス混合比（Ａｒ／Ｎ２）を１／６となるように２４ｋｇｆ／ｃｍ２まで加圧した後，３０分間放置した。そして，この混合ガスを４ｋｇｆ／ｃｍ２まで減圧して３０分間放置した。次いで，純Ｎ２ガス導入配管を通して圧力容器内に純Ｎ２ガスを導入し，ガス混合比（Ａｒ／Ｎ２）を１／３６として２４ｋｇｆ／ｃｍ２まで加圧した後，３０分間放置した。
【００３６】
その後，上軸の下端に取り付けたＧａＡｓ種結晶を３〜１０ｒｐｍの回転速度で回転させながら徐々に降下してＧａＡｓ融液表面に接触させた。このとき，ＧａＡ融液の入っているＰＢＮ製ルツボは，１０〜４０ｒｐｍの回転速度で回転させていた。
【００３７】
そして，ＧａＡｓ融液と種結晶の種付けが完了した後，種結晶を３〜１０ｒｐｍの回転速度で回転させながら４〜１５ｍｍ／ｈｒの速度で引き上げて，直径４インチのＧａＡｓ単結晶を成長させた。
【００３８】
この方法によって得られたＧａＡｓ結晶はホウ素の含有量が５×１０１６ｃｍ−３以下で，実質的に双晶や多結晶を含有しない単結晶であった。
【００３９】
（比較例１）
次に，比較例１に基づいてＧａＡｓ単結晶を作製したので，この結果を以下に説明する。
【００４０】
まず，ＰＢＮ製ルツボ内に，出発原料として，原料Ｇａを５０００ｇ，原料Ａｓを５５００ｇ，含有水分量２００重量ｐｐｍの液体封止材（Ｂ２Ｏ３）を入れ，圧力容器内の所定の位置に設置した。次いで，純Ｎ２ガスを炉内に導入して３７ｋｇｆ／ｃｍ２に加圧し，ヒータでＰＢＮ製ルツボ内の原料Ｇａ，原料Ａｓを加熱してＧａＡｓ多結晶を直接合成した。このとき，圧力容器内の圧力は６５ｋｇｆ／ｃｍ２であった。
【００４１】
次いで，ヒータでＰＢＮ製ルツボ内の多結晶ＧａＡｓを加熱し，ＧａＡｓ融液を形成した。このとき，圧力容器１内の圧力は６５ｋｇｆ／ｃｍ２であった。
【００４２】
そして，ＧａＡｓ融液を形成した後，圧力容器の圧力を４ｋｇｆ／ｃｍ２まで減圧して１時間放置してＢ２Ｏ３中の気泡を脱泡した。次いで，ガス導入配管を通して圧力容器内に純Ｎ２ガスを導入し，２４ｋｇｆ／ｃｍ２まで加圧した後，３０分間放置した。
【００４３】
その後，上軸の下端に取り付けたＧａＡｓ種結晶を３〜１０ｒｐｍの回転速度で回転させながら徐々に降下してＧａＡｓ融液表面に接触させた。このとき，ＧａＡｓ融液の入っているＰＢＮ製ルツボは，１０〜４０ｒｐｍの回転速度で回転させていた。
【００４４】
そして，ＧａＡｓ融液と種結晶の種付けが完了した後，種結晶を３〜１０ｒｐｍの回転速度で回転させながら４〜１５ｍｍ／ｈｒの速度で引き上げて，直径４インチのＧａＡｓの結晶を成長させた。
【００４５】
この方法によって得られたＧａＡｓ結晶は双晶であり，単結晶を得ることができなかった。
【００４６】
以上，添付図面を参照しながら本発明にかかるＧａＡｓ単結晶の製造方法の好適な実施形態について説明したが，本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において各種の変更例または修正例に想到することは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００４７】
例えば，上記実施形態においては，原料投入量，圧力，時間，昇降速度，引き上げ速度，ＧａＡｓの径などについて具体的な数値を挙げて説明したが，本発明はかかる構成に限定されるものではなく，ＧａＡｓウェハの仕様，所望の結晶径や長さ，所望の結晶品位などに応じて適宜成長条件を設定することができる。
【００４８】
【発明の効果】
純Ａｒガス雰囲気下でＧａＡｓ多結晶を直接合成し，純Ａｒガスに純Ｎ２ガスの混合雰囲気下でＧａＡｓ単結晶を成長することができるので，ＧａＡｓ単結晶を再現性よく成長することができる。また，純Ａｒガス雰囲気中でＧａＡｓ単結晶を成長する方法と比較して，不純物であるホウ素が混入しにくくなり，ホウ素含有量５×１０１６ｃｍ−３以下で実質的に双晶や多結晶を含有しない品質の高いＧａＡｓ単結晶を再現性よく成長することができる。また，純Ａｒガスの一部を純Ｎ２ガスで置換しているため，高価格の純Ａｒガスの消費量を減らすことができ，製造コストを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本実施形態にかかるＧａＡｓ単結晶を製造するための結晶成長装置の概略構成を示した断面図である。
【図２】  ＧａＡｓ単結晶を製造するための結晶成長装置の概略構成を示した断面図である。
【図１】
0004100812.tif 000002
【図２】
0004100812.tif 000003