(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面にゲート電極とカソード電極が形成され、裏面にアノード電極が形成された半導体基体と、
第１の主面が上記カソード電極に接触して配置されたカソード歪緩衝板と、
第１の主面が上記カソード歪緩衝板の上記第１の主面と対向する第２の主面に接して配置された外部カソード電極と、
第１の主面が上記アノード電極に接触して配置されたアノード歪緩衝板と、
第１の主面が上記アノード歪緩衝板の上記第１の主面と対向する第２の主面に接触して配置された外部アノード電極と、
少なくとも上記外部カソード電極及び上記外部アノード電極と共働し、上記半導体基体・カソード歪緩衝板・アノード歪緩衝板を密閉空間内に密閉する絶縁筒と、
上記絶縁筒を貫通して上記密閉空間の内側から外側に突出するとともに上記カソード歪み緩衝板を囲むように配置された環状の外部ゲート端子と、
上記カソード歪み緩衝板を囲むように上記密閉空間内に配置され、上記環状の外部ゲート端子と上記ゲート電極との間に介在する環状の内部ゲート端子と、
上記密閉空間内に配置され、上記外部カソード電極と上記環状の外部ゲート端子との間に介在され、上記外部ゲート端子を内部ゲート端子に圧接すると共に上記内部ゲート端子を上記ゲート電極に圧接する弾性体と、
上記環状の内部ゲート端子と上記カソード歪緩衝板との間に介在し、上記内部ゲート端子の内周面の内側に形成された空間を隙間無く仕切る環状の仕切り部材とを備えたことを特徴とする圧接型半導体装置。
【請求項２】
上記環状の仕切り部材を弾性体で構成したことを特徴とする請求項１に記載の圧接型半導体装置。
【請求項３】
表面にゲート電極とカソード電極が形成され、裏面にアノード電極が形成された半導体基体と、
第１の主面が上記カソード電極に接触して配置されたカソード歪緩衝板と、
第１の主面が上記カソード歪緩衝板の上記第１の主面と対向する第２の主面に接して配置された外部カソード電極と、
第１の主面が上記アノード電極に接触して配置されたアノード歪緩衝板と、
第１の主面が上記アノード歪緩衝板の上記第１の主面と対向する第２の主面に接触して配置された外部アノード電極と、
少なくとも上記外部カソード電極及び上記外部アノード電極と共働し、上記半導体基体・カソード歪緩衝板・アノード歪緩衝板を密閉空間内に密閉する絶縁筒と、
上記絶縁筒を貫通して上記密閉空間の内側から外側に突出するとともに上記カソード歪み緩衝板を囲むように配置された環状の外部ゲート端子と、
上記カソード歪み緩衝板を囲むように上記密閉空間内に配置され、上記環状の外部ゲート端子と上記ゲート電極との間に介在する環状の内部ゲート端子と、
上記密閉空間内に配置され、上記外部カソード電極と上記環状の外部ゲート端子との間に介在され、上記外部ゲート端子を内部ゲート端子に圧接すると共に上記内部ゲート端子を上記ゲート電極に圧接する弾性体と、
上記密閉空間内に配置され、外周面が上記環状の内部ゲート端子の内周面と対向するように配設された第１の環状絶縁体と、
上記第１の環状絶縁体の外周面を上記内部ゲート端子の内周面に圧接させるように上記第１の環状絶縁体の内周面に外周部が当接し、内周部が上記カソード歪緩衝板の外周面に保持された第２の環状絶縁体とを備えたことを特徴とする圧接型半導体装置。
【請求項４】
上記内部ゲート端子と第１の環状絶縁体との間に隙間無く配置された第３の環状絶縁体を備えたことを特徴とする請求項３に記載の圧接型半導体装置。
【請求項５】
上記弾性体と該弾性体に接触する部材の少なくともいずれか一方は無電界ニッケルめっき処理されていることを特徴とする請求項３又は４のいずれか一に記載の圧接型半導体装置。
【請求項６】
上記第２の環状絶縁体は上記カソード歪緩衝板に形成された凹部に保持されており、該凹部とカソード電極との間に位置する第１のカソード歪緩衝板部分の厚みが、該凹部を挟んで第１のカソード歪緩衝板部分の反対側にある第２のカソード歪緩衝板部分の厚みと同一又はそれ以上となるように形成されていることを特徴とする請求項３から５のいずれか一に記載の圧接型半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＧＣＴ（Gate Commuted Turn-off）サイリスタ（以下、「ＧＣＴ」と称す。）などの圧接型半導体装置に関し、例えば、電力用の装置としてはＢＴＢ、ＳＶＧ等、工業用の装置としては製鉄圧延機駆動用インバータ等、その他高電圧・大容量スイッチ等に適用されるものである。
【０００２】
【従来の技術】
図４は従来のＧＣＴの構成を示す断面図である。このＧＣＴ１０において、半導体基体１２の一方の表面（図面では上面）にはゲート電極１４とカソード電極１６が間隔をあけて形成されており、該半導体基体１２の他方の表面（図面では下面）にはアノード電極１８が形成されている。カソード電極１６の上にはカソード歪緩衝板２０と外部カソード電極２２が順次積層されており、これらカソード歪緩衝板２０と外部カソード電極２２が両者の間に設けた上部位置決めピン２４によって位置決めされている。他方、アノード電極１８の下にはアノード歪緩衝板２６と外部アノード電極２８が順次積層されており、これらアノード歪緩衝板２６と外部アノード電極２８が両者の間に設けた下部位置決めピン３０によって位置決めされている。
【０００３】
カソード歪緩衝板２０を囲む環状の内部ゲート端子３２はゲート電極１４に支持されている。また、環状の外部ゲート端子３４は内部ゲート端子３２に支持されている。外部ゲート端子３４と、外部カソード電極２２の一部であって半径方向外側に突出して外部ゲート端子３４に対向する部分との間には、皿ばねのような環状弾性体３６と、この環状弾性体３６の上下に配置され環状金属部材３８、３９と、下部環状金属部材３９の下に配置された環状絶縁部材４０が設けてあり、これにより内部ゲート端子３２と外部ゲート端子３４がゲート電極１４に押圧されている。
【０００４】
内部ゲート端子３２とカソード歪緩衝板２０及び外部カソード電極２２との間には環状絶縁体４１が配置されており、内部ゲート端子３２とカソード歪緩衝板２０及びカソード電極１６との間が絶縁されている。外部カソード電極２２と外部アノード電極２８の外周部にはそれぞれカソード側フランジ４２とアノード側フランジ４４が固定されている。カソード側フランジ４２とアノード側フランジ４４は、環状の外部ゲート端子３４によって分離されたカソード側絶縁筒４６とアノード側絶縁筒４８にそれぞれ連結されている。フランジ４２，４４と絶縁筒４６，４８との接触部はろう付けされ、また絶縁筒４６，４８と外部ゲート端子３４との接触部は溶接され、それらの内側に密閉空間５０が形成されており、この密閉空間５０に不活性ガスが充填されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
このように構成を有するＧＣＴ１０は、組立後、通常幾つかの電気的特性が検査され、基本的には検査の都度上下から圧力が加えられる。このとき、加えられた圧力の一部は環状弾性体３６の変形に吸収される。また、繰返し変形する環状弾性体３６とこれを囲む環状金属部材３８、３９との摩擦接触により、これら環状弾性体３６或は環状金属部材３８、３９の一部が削り取られて異物を生じる。そして、この異物は一つの検査工程から別の検査工程に搬送される際の振動等によってＧＣＴ１０の内部に入り、圧接時に本来絶縁されるべき２つの導電部材（例えば、ゲート電極１４とカソード電極１６）を電気的に短絡することがある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は上述の問題を解消するためになされたもので、圧接型半導体装置が、
表面にゲート電極とカソード電極が形成され、裏面にアノード電極が形成された半導体基体と、
第１の主面が上記カソード電極に接触して配置されたカソード歪緩衝板と、
第１の主面が上記カソード歪緩衝板の上記第１の主面と対向する第２の主面に接して配置された外部カソード電極と、
第１の主面が上記アノード電極に接触して配置されたアノード歪緩衝板と、
第１の主面が上記アノード歪緩衝板の上記第１の主面と対向する第２の主面に接触して配置された外部アノード電極と、
少なくとも上記外部カソード電極及び上記外部アノード電極と共働し、上記半導体基体・カソード歪緩衝板・アノード歪緩衝板を密閉空間内に密閉する絶縁筒と、
上記絶縁筒を貫通して上記密閉空間の内側から外側に突出するとともに上記カソード歪み緩衝板を囲むように配置された環状の外部ゲート端子と、
上記カソード歪み緩衝板を囲むように上記密閉空間内に配置され、上記環状の外部ゲート端子と上記ゲート電極との間に介在する環状の内部ゲート端子と、
上記密閉空間内に配置され、上記外部カソード電極と上記環状の外部ゲート端子との間に介在され、上記外部ゲート端子を内部ゲート端子に圧接すると共に上記内部ゲート端子を上記ゲート電極に圧接する弾性体と、
上記環状の内部ゲート端子と上記カソード歪緩衝板との間に介在し、上記内部ゲート端子の内周面の内側に形成された空間を隙間無く仕切る環状の仕切り部材とを備えたことを特徴とする。
【０００７】
本発明の他の形態は、上記環状の仕切り部材を弾性体で構成したことを特徴とする。
【０００８】
本発明の他の形態の圧接型半導体装置は、
表面にゲート電極とカソード電極が形成され、裏面にアノード電極が形成された半導体基体と、
第１の主面が上記カソード電極に接触して配置されたカソード歪緩衝板と、
第１の主面が上記カソード歪緩衝板の上記第１の主面と対向する第２の主面に接して配置された外部カソード電極と、
第１の主面が上記アノード電極に接触して配置されたアノード歪緩衝板と、
第１の主面が上記アノード歪緩衝板の上記第１の主面と対向する第２の主面に接触して配置された外部アノード電極と、
少なくとも上記外部カソード電極及び上記外部アノード電極と共働し、上記半導体基体・カソード歪緩衝板・アノード歪緩衝板を密閉空間内に密閉する絶縁筒と、
上記絶縁筒を貫通して上記密閉空間の内側から外側に突出するとともに上記カソード歪み緩衝板を囲むように配置された環状の外部ゲート端子と、
上記カソード歪み緩衝板を囲むように上記密閉空間内に配置され、上記環状の外部ゲート端子と上記ゲート電極との間に介在する環状の内部ゲート端子と、
上記密閉空間内に配置され、上記外部カソード電極と上記環状の外部ゲート端子との間に介在され、上記外部ゲート端子を内部ゲート端子に圧接すると共に上記内部ゲート端子を上記ゲート電極に圧接する弾性体と、
上記密閉空間内に配置され、外周面が上記環状の内部ゲート端子の内周面と対向するように配設された第１の環状絶縁体と、
上記第１の環状絶縁体の外周面を上記内部ゲート端子の内周面に圧接させるように上記第１の環状絶縁体の内周面に外周部が当接し、内周部が上記カソード歪緩衝板の外周面に保持された第２の環状絶縁体とを備えたことを特徴とする。
【０００９】
本発明の他の形態は、上記内部ゲート端子と第１の環状絶縁体との間に隙間無く配置された第３の環状絶縁体を備えたことを特徴とする。
【００１０】
本発明の他の形態は、上記弾性体と該弾性体に接触する部材の少なくともいずれか一方は無電界ニッケルめっき処理されていることを特徴とする。
【００１１】
本発明の他の形態は、上記第２の環状絶縁体は上記カソード歪緩衝板に形成された凹部に保持されており、該凹部とカソード電極との間に位置する第１のカソード歪緩衝板部分の厚みが、該凹部を挟んで第１のカソード歪緩衝板部分の反対側にある第２のカソード歪緩衝板部分の厚みと同一又はそれ以上となるように形成されていることを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明に係る圧接型半導体装置の複数の実施の形態を説明する。なお、以下に説明する圧接型半導体装置の構成部品において、上述した従来の半導体型圧接装置と同一又は類似の構成部分には同一の符号を付す。
【００１３】
〔実施の形態１〕
図１は本発明に係る圧接型半導体装置の一例であるＧＣＴの構成を示す断面図である。このＧＣＴ１００の基本的構成は上述した従来のＧＣＴ１０とほぼ同一である。具体的に説明すると、円形半導体基体１２の一方の表面（図面では上面）にはゲート電極１４とカソード電極１６が間隔をあけて形成されている。カソード電極１６はゲート電極１４よりも高い位置に形成されている。また、ゲート電極１４は半導体基体１２の外周部に沿って連続的に又は断続的に配置されている。半導体基体１２の他方の表面（図面では下面）にはアノード電極１８がほぼ一様に形成されている。
【００１４】
半導体基体１２をその板厚方向に貫通する中心軸（仮想軸）１０２の方向に関し、カソード電極１６の上にはカソード歪緩衝板２０がその下面（第１の主面）をカソード電極１６に接触させて配置されている。カソード歪緩衝板２０の上にはその上面（第２の主面）に接触して外部カソード電極２２が積層されており、これらカソード歪緩衝板２０と外部カソード電極２２が両者の間に設けた上部位置決めピン２４によって位置決めされている。同様に中心軸１０２の方向に関し、アノード電極１８の下にはアノード歪緩衝板２６がその上面（第１の主面）をアノード電極１８に接触させて配置されている。アノード歪緩衝板２６の下にはその下面（第２の主面）に接触して外部アノード電極２８が積層されており、これらアノード歪緩衝板２６と外部アノード電極２８が両者の間に設けた下部位置決めピン３０によって位置決めされている。
【００１５】
ゲート電極１４の上には、カソード歪緩衝板２０を囲む環状の内部ゲート端子（リングゲート電極）３２が配置されている。更に、内部ゲート端子３２の上には、カソード歪緩衝板２０を囲む環状の外部ゲート端子３４が配置されている。外部ゲート端子３４と、外部カソード電極２２の一部であって半径方向外側に突出して外部ゲート端子３４に対向する部分２３との間には、皿ばねのような環状弾性体３６と、この環状弾性体３６の上下に配置され環状金属部材（緩衝部材）３８、３９と、下部環状金属部材３９の下に配置された環状絶縁部材４０が設けてあり、環状弾性体３６の弾性に基づいて内部ゲート端子３２と外部ゲート端子３４がゲート電極１４に押圧されている。本実施の形態において、環状弾性体３６と該環状弾性体３６に接触してその上下に配置された環状金属部材３８，３９はいずれも無電界ニッケルめっきされ、両者の間の摩擦係数が小さくしてある。
【００１６】
中心軸１０２の半径方向に関し、内部ゲート端子３２の内側であって、該内部ゲート端子３２とカソード歪緩衝板２０及び外部カソード電極２２との間には第１の環状絶縁体１０４が配置され、内部ゲート端子３２とカソード歪緩衝板２０及びカソード電極１６との間が絶縁されている。特に、本実施の形態では、内部ゲート端子３２と第１の環状絶縁体１０４は、第１の環状絶縁体１０４が内部ゲート端子３２の内側に丁度はまり込む外径を有する。第１の環状絶縁体１０４とこれに対向するカソード歪緩衝板２０との間には、両者の間に断面略円形の第２の環状絶縁体（絶縁Ｏ−リング、仕切り部材）１０６が配置されている。この第２の環状絶縁体１０６は、弾性を有し、図示するように、カソード歪緩衝板２０の外周面に形成された環状凹部（凹溝）１０８に嵌め込まれて位置決めされている。
【００１７】
本実施の形態において、環状凹部１０８の位置及び大きさは、図２に示すように、環状凹部１０８とカソード電極１６との間に位置する第１のカソード歪緩衝板部分２０ａの厚み（ａ）が、該環状凹部１０８を挟んで第１のカソード歪緩衝板部分２０ａの反対側にある第２のカソード歪緩衝板部分２０ｂの厚み（ｂ）と同一又はそれ以上となるように、すなわちａ≧ｂの関係を有するように形成されている。
【００１８】
図１に戻り、外部カソード電極２２と外部アノード電極２８の外周部にはそれぞれカソード側フランジ４２とアノード側フランジ４４が固定されている。カソード側フランジ４２とアノード側フランジ４４は、環状の外部ゲート端子３４によって分離されたカソード側絶縁筒４６とアノード側絶縁筒４８にそれぞれ連結されている。フランジ４２，４４と絶縁筒４６，４８との接触部はろう付けされ、また絶縁筒４６，４８と外部ゲート端子３４との接触部は溶接され、それらの内側に密閉空間５０が形成されており、この密閉空間５０に不活性ガスが充填されている。
【００１９】
このように構成されたＧＣＴ１００によれば、環状弾性体３６とこれに接する環状金属部材３８，３９が共に無電界ニッケルめっきされているので、ＧＣＴ１００の電気的特性を検出するために繰返し圧接されても、環状弾性体３６と環状金属部材３８，３９との接触により金属屑又は金属粉が発生することは殆どない。ただし、弾性体３６と該弾性体３６に接触する部材３８，３９の少なくともいずれか一方に無電界ニッケルめっき処理を施すだけの形態も本件発明に含まれる。
【００２０】
また、第２の環状絶縁体１０６が第１の環状絶縁体１０４とその内側にあるカソード歪緩衝板２０との間に形成されている空間を隙間無く遮断しているので、たとえ環状弾性体３６と環状金属部材３８，３９との摩擦接触によって金属屑又は金属粉が発生しても、この金属屑等が半導体基体１２の表面に落下してカソード電極１６とゲート電極１４を電気的に接続（短絡）するということはない。
【００２１】
さらに、環状凹部１０８の大きさや位置は、該環状凹部１０８とカソード電極１６との間に位置する第１のカソード歪緩衝板部分２０ａの厚み（ａ）が、該環状凹部１０８を挟んで第１のカソード歪緩衝板部分２０ａの反対側にある第２のカソード歪緩衝板部分２０ｂの厚み（ｂ）と同一又はそれ以上となるように形成されていることにより、ＧＣＴ１００が動作する際に半導体基体１２から発生する熱が効率良く放出される。
【００２２】
さらにまた、第２の環状絶縁体１０６が弾性を有するので、関係部品の加工精度に高精度を要することがなく、当接すべき部品との当接（仕切り）を確実に行い得る効果がある。
【００２３】
〔実施の形態２〕
図３は本発明に係る圧接型半導体装置の実施の形態２に係るＧＣＴの構成を示す断面図である。このＧＣＴ１００’の基本的構成は上述した実施の形態１のＧＣＴ１００とほぼ同一である。具体的に説明すると、円形半導体基体１２の一方の表面（図面では上面）にはゲート電極１４とカソード電極１６が間隔をあけて形成されている。カソード電極１６はゲート電極１４よりも高い位置に形成されている。また、ゲート電極１４は半導体基体１２の外周部に沿って連続的に又は断続的に配置されている。半導体基体１２の他方の表面（図面では下面）にはアノード電極１８がほぼ一様に形成されている。
【００２４】
半導体基体１２をその板厚方向に貫通する中心軸（仮想軸）１０２の方向に関し、カソード電極１６の上にはカソード歪緩衝板２０と外部カソード電極２２が順次積層されており、これらカソード歪緩衝板２０と外部カソード電極２２が両者の間に設けた上部位置決めピン２４によって位置決めされている。また、中心軸１０２と平行な方向に関し、外部カソード電極２２と上部位置決めピン２４との間には弾性部材１０９が配置されている。同様に中心軸１０２の方向に関し、アノード電極１８の下にはアノード歪緩衝板２６と外部アノード電極２８が順次積層されており、これらアノード歪緩衝板２６と外部アノード電極２８が両者の間に設けた下部位置決めピン３０によって位置決めされている。
【００２５】
ゲート電極１４の上には、カソード歪緩衝板２０を囲む環状の内部ゲート端子（リングゲート電極）３２が配置されている。更に、内部ゲート端子３２の上には、カソード歪緩衝板２０を囲む環状の外部ゲート端子３４が配置されている。外部ゲート端子３４と、外部カソード電極２２の一部であって半径方向外側に突出して外部ゲート端子３４に対向する部分２３との間には、皿ばねのような環状弾性体３６と、この環状弾性体３６の上下に配置され環状金属部材（緩衝部材）３８，３９と、下部環状金属部材３９の下に配置された環状絶縁部材４０が設けてあり、環状弾性体３６の弾性に基づいて内部ゲート端子３２と外部ゲート端子３４がゲート電極１４に押圧されている。本実施の形態において、環状弾性体３６と該環状弾性体３６に接触してその上下に配置された環状金属部材３８，３９はいずれも無電界ニッケルめっきされ、両者の間の摩擦係数が小さくしてある。
【００２６】
中心軸１０２の半径方向に関し、内部ゲート端子３２の内側であって、該内部ゲート端子３２とカソード歪緩衝板２０及び外部カソード電極２２との間には第１の環状絶縁体１０４が配置され、内部ゲート端子３２とカソード歪緩衝板２０及びカソード電極１６との間が絶縁されている。第１の環状絶縁体１０４とこれに対向するカソード歪緩衝板２０との間には第２の環状絶縁体（絶縁リング）１０６が配置されている。また、第１の環状絶縁体１０４とこれに対向する内部ゲート端子３２との間には断面略円形第３の環状絶縁体（絶縁Ｏ−リング）１１０が配置されている。第２の環状絶縁体１０６は、図示するように、カソード歪緩衝板２０の外周面に形成された環状凹部（凹溝）１０８に嵌め込まれて位置決めされている。同様に、第３の環状絶縁体１１０は、内部ゲート端子３２の内周面に形成された環状凹部（凹溝）１１２に嵌め込まれて位置決めされている。
【００２７】
本実施の形態において、環状凹部１０８の位置及び大きさは、図２に示すように、環状凹部１０８とカソード電極１６との間に位置する第１のカソード歪緩衝板部分２０ａの厚み（ａ）が、該環状凹部１０８を挟んで第１のカソード歪緩衝板部分２０ａの反対側にある第２のカソード歪緩衝板部分２０ｂの厚み（ｂ）と同一又はそれ以上となるように、すなわちａ≧ｂの関係を有するように形成されている。
【００２８】
図３に戻り、外部カソード電極２２と外部アノード電極２８の外周部にはそれぞれカソード側フランジ４２とアノード側フランジ４４が固定されている。カソード側フランジ４２とアノード側フランジ４４は、環状の外部ゲート端子３４によって分離されたカソード側絶縁筒４６とアノード側絶縁筒４８にそれぞれ連結されている。フランジ４２，４４と絶縁筒４６，４８との接触部はろう付けされ、また絶縁筒４６，４８と外部ゲート端子３４との接触部は溶接され、それらの内側に密閉空間５０が形成されており、この密閉空間５０に不活性ガスが充填されている。
【００２９】
このように構成されたＧＣＴ１００によれば、環状弾性体３６とこれに接する環状金属部材３８，３９が共に無電界ニッケルめっきされているので、ＧＣＴ１００の電気的特性を検出するために繰返し圧接されても、環状弾性体３６と環状金属部材３８，３９との接触により金属屑又は金属粉が発生することは殆どない。
【００３０】
また、第２の環状絶縁体１０６が第１の環状絶縁体１０４とその内側にあるカソード歪緩衝板２０との間に形成されている空間を隙間無く遮断し、第３の環状絶縁体１１０が第１の環状絶縁体１０４とその外側にある内部ゲート端子３２との間に形成されている空間を隙間無く遮断している。したがって、たとえ環状弾性体３６と環状金属部材３８，３９との摩擦接触によって金属屑又は金属粉が発生しても、この金属屑等が半導体基体１２の表面に落下してカソード電極１６とゲート電極１４を電気的に接続（短絡）するということはない。
【００３１】
さらに、第１の絶縁体の内外側にそれぞれ弾性を有する第２の環状絶縁体と第３の環状絶縁体とを配設したので、関係部品の加工精度に高精度を要することなく、当接すべき部品との当接（仕切り）を更に確実に行い得る効果があり、結果的に信頼性の高い半導体装置を提供できる効果がある。
【００３２】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、半導体装置の内部構成部材に繰返し圧力が加えられたときに屑や粉が発生することは殆ど無いし、たとえ屑や粉が発生したとしてもそれが半導体基体上の電極間を短絡することもない。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施の形態１に係る圧接型半導体装置の断面図。
【図２】  図１に示す半導体装置の一部を取り出した断面図。
【図３】  本発明の実施の形態２に係る圧接型半導体装置の断面図。
【図４】従来の圧接型半導体装置の断面図。
【符号の説明】
１０、１００ 圧接型半導体装置（例えば、ＧＣＴ）、１２ 半導体基体、１４ゲート電極、１６ カソード電極、１８ アノード電極、２０ カソード電極歪緩衝板、２２ 外部カソード電極、２４ 上部位置決めピン、２６ アノード歪緩衝板、２８ 外部アノード電極、３０ 下部位置決めピン、３２ 内部ゲート端子、３４ 外部ゲート端子、３６ 環状弾性体、３８，３９ 金属部材、４２，４４ フランジ、４６，４８ 絶縁筒、５０ 空間、１０２ 中心軸（仮想軸）１０４ 第１の環状絶縁体、１０６ 第２の環状絶縁体、１０８ 環状凹部、１１０ 第３の環状絶縁体。
【図１】
0004125888.tif 000002
【図２】
0004125888.tif 000003
【図３】
0004125888.tif 000004
【図４】
0004125888.tif 000005