(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録可能な光ディスクに光を照射する光源と、
前記照射光をマルチパルス列にして前記光ディスクにマークを形成するマルチパルス列生成手段と、
前記マルチパルス列の一部を検出用パルスに置換して当該検出用パルスで前記マークを形成する検出用パルス生成手段と、
前記光ディスクの試し書き領域の所定領域である第２の試し書き領域に予め加熱パワーを段階的に複数回変えて前記検出用パルスの試し書きをする試書手段と、
この試し書きの際の反射光を受光した受光信号に基づいて前記検出用パルスの加熱パワーを制御する制御手段と、を備えている光ディスク装置。
【請求項２】
前記試書手段は、前記光ディスクの試し書き領域の所定領域である第１の試し書き領域に予め加熱パワーを段階的に複数回変えて前記マルチパルス列の試し書きも行い、
前記制御手段は、この試し書きの際の反射光を受光した受光信号に基づいて前記マルチパルス列の加熱パワーも制御するものである請求項１に記載の光ディスク装置。
【請求項３】
前記試書手段は、前記第１の試し書き領域を前記加熱パワーが段階的に異なる各記録単位が連続するように形成し、前記第２の試し書き領域も前記加熱パワーが段階的に異なる各記録単位が連続するように形成し、それぞれ複数の記録単位からなる前記第１と第２の試し書き領域が隣接するように形成するものである請求項２に記載の光ディスク装置。
【請求項４】
前記試書手段は、前記第１及び第２の試し書き領域とを形成する際には、この第１及び第２の試し書き領域を前記加熱パワーが段階的に異なる各記録単位が交互に並ぶように形成し、前記加熱パワーが段階的に異なる各記録単位が連続するようにするものである請求項２に記載の光ディスク装置。
【請求項５】
前記試書手段は、前記第２及び第１の試し書き領域のうち少なくとも前者に前記試し書きを行ったときの前記受光信号に基づいて前記加熱パワーを調節して前記検出用パルスを前記第２及び第１の試し書き領域に隣接する第３の試し書き領域に行うものである請求項１〜４のいずれかの一に記載の光ディスク装置。
【請求項６】
前記試書手段は、前記第２及び第３の試し書き領域に記録する前記マルチパルス列は一部を所望の頻度で前記検出用パルスに置換するか又は全部を検出用パルスに置換するものである請求項５に記載の光ディスク装置。
【請求項７】
前記試書手段は、前記光ディスクに対する１回の試し書きで前記第１、第２及び第３の試し書き領域に対する試し書きを行うものである請求項５又は６に記載の光ディスク装置。
【請求項８】
前記第３の試し書き領域に対する試し書きを行う際に前記受光信号に基づいて前記光ディスクに対する記録を行う際の前記受光信号の目標値を求める目標値取得手段を備えている請求項５〜７のいずれかの一に記載の光ディスク装置。
【請求項９】
前記第２及び第１の試し書き領域のうち少なくとも前者に前記試し書きを行ったときの前記受光信号に基づいて求めた加熱パワー又は前記マルチパルス列の加熱パワーと前記検出用パルスの加熱パワーとの比とを前記光ディスクに記録管理情報として記録する記録管理情報記録手段を備えている請求項２〜４のいずれかの一に記載の光ディスク装置。
【請求項１０】
記録可能な光ディスクに光を照射する光源と、
前記照射光をマルチパルス列にして前記光ディスクにマークを形成するマルチパルス列生成手段と、
前記マルチパルス列の一部を検出用パルスに置換して当該検出用パルスで前記マークを形成する検出用パルス生成手段と、
前記光ディスクの記録管理情報として記録されている前記検出用パルスの加熱パワーと前記マルチパルス列の加熱パワーとのうち少なくとも前者又は前記両加熱パワーの比とに基づいて前記検出用パルスの加熱パワー及び前記マルチパルス列の加熱パワーのうち少なくとも前者を制御する制御手段を備えている光ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、記録可能な光ディスクに対するマークの形成をマルチパルス列で行い、そのマルチパルス列の一部を検出用パルスに置換する光ディスク装置及び記録可能な光ディスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＣＤ−Ｒの一般的な記録波形として、図１１（ｃ）に示す光ディスクに照射されるレーザの光源であるＬＤの発光波形のような単一パルス記録が用いられる。この記録方式は、記録パワーレベルを２値化し、あるいは、最短データ長の加熱パルスの後エッジを補正するなどして、マークエッジ（ＰＷＭ）記録を実現している。このようなＰＷＭ記録では記録マークの両エッジに情報を持たせている。
【０００３】
しかし、図１１（ｃ）のような単一パルス記録をＤＶＤ−Ｒなどの大容量記録での記録波形として用いると、図１１（ｄ）のマーク形状のように、蓄熱のため記録マークが涙状に歪を生じ、あるいは、データ長に応じたエッジシフトが顕著となるため、単パルス記録はジッタ特性を良好にすることが困難となる。
【０００４】
このため、通常は、図１２（ｃ）に示す光ディスクに照射されるレーザの光源であるＬＤ（Laser Diode）の発光波形のようなマルチパルス記録が用いられる。これにより加熱パルスのデューティ（Duty）を調整して、図１２（ｄ）のマーク形状のように、適正な記録パワーを用いることができ、畜熱の影響を簡易に防止できて、記録マークの両エッジシフトが低減できる。
【０００５】
このようなデータ記録を行うとき、単パルス記録では、図１１（ｅ）に示す受光信号波形のように、記録中の単パルス区間における光ディスクからの反射光量を検出することで、記録中にマークの形成状態を知ることができる。よって、記録パワーが変動しながら記録されても、反射光量の変化を示す信号を得ることができ、この変化の状態により記録中でのＬＤパワー変動やチルトやメディア感度分布などによる記録パワーのずれを補正するように制御しながら、データ記録を行うことができる。このような制御方式を、一般にＲ−ＯＰＣ（Running-Optimum Power Control）と呼んでいる。
【０００６】
また、特公昭57-60696号公報には、光ディスクにデータの記録を行うとき、記録中の反射率の変化を検出し、その検出信号に基づいて光源の出力を制御する技術が開示されている。具体的には、試し書きにおける反射光量変化を示す検出信号を書き込んだ記録パワーと対応づけて保持しておき、試し書き後、再生信号の対称性などから最適パワーを算出すると同時に、それと対応づけられた反射光量変化を示す検出信号を制御目標値として逐次ＬＤ記録パワーを制御する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、大容量記録に適したマルチパルス記録では、図１２（ｅ）の受光信号波形のように、記録パワーによる反射光量の変化を検出する前に、遮断パルスにより反射光量が急減し、再び加熱パルスで反射光量が急増するような変化を示すようになり、ＬＤの発光状態が短時間に切り替わるため、マークの形成状態を認識するために必要な一定パワーでの光量変化を検出することができず、Ｒ−ＯＰＣにより適正なパワーに制御しながら記録することが困難であった。
【０００８】
そこで、図１２（ｆ）のＬＤの発光波形のように、通常のマルチパルス列を単一パルスからなる検出用パルスに置換して配置するようにすると、記録中の光ディスクからの反射光としては図１２（ｈ）の受光信号波形のような反射光量信号（反射信号ＲＦ）が得られる。この検出用パルスは前記したようなＣＤ−Ｒで用いられるＲ−ＯＰＣと同様に、マーク形成に伴う光量変化が現れる。
【０００９】
しかし、ＤＶＤ−Ｒに用いられるマルチパルス列による記録中に、マルチパルス列の場合と同一の加熱パワーの単一パルスに置換すると、マーク形成状態は過剰なパワーとなり、デフォーカスやチルトや加熱パワー変動などのドライブ装置の経時変化に対して感度が無くなってしまうという不具合がある。
【００１０】
すなわち、一般的な色素系光ディスクは、マルチパルス列を用いても単一パルス列を用いてもマークの形成は可能であるが、それぞれに適正な記録パワーは異なっているため、マルチパルス列によるＲ−ＯＰＣの感度を良好に設定することは困難であった。
【００１１】
この発明の目的は、検出用パルスを最適な加熱パワーで出力することである。
【００１２】
この発明の目的は、マルチパルス列も最適な加熱パワーで出力することである。
【００１３】
この発明の目的は、マルチパルス列の最適な加熱パワーと検出用パルスの最適な加熱パワーとを、小サイズの試し書きで高精度に求めることである。
【００１４】
この発明の目的は、マルチパルス列による記録でＲ−ＯＰＣを行うための記録状態の目標値を、検出用パルスの最適な加熱パワーを用いて高精度に取得することである。
【００１５】
この発明の目的は、検出用パルスの最適な加熱パワーと、マルチパルス列による記録でＲ−ＯＰＣを行うための記録状態の目標値を高精度に取得することである。
【００１６】
この発明の目的は、１回の試し書きによって、マルチパルス列と検出用パルスの最適な加熱パワーとＲ−ＯＰＣを行うための記録状態の目標値を取得することである。
【００１７】
この発明の目的は、マルチパルス列による記録でＲ−ＯＰＣのための記録状態情報の目標値を求めることである。
【００１８】
この発明の目的は、試し書きによって得られたＲ−ＯＰＣのための情報を次回からも利用できるように光ディスクに記録することである。
【００１９】
この発明の目的は、光ディスクに記録した、過去に試し書きによって得られたＲ−ＯＰＣ動作のための情報によって、容易に高感度なＲ−ＯＰＣを実施することである。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、記録可能な光ディスクに光を照射する光源と、前記照射光をマルチパルス列にして前記光ディスクにマークを形成するマルチパルス列生成手段と、前記マルチパルス列の一部を検出用パルスに置換して当該検出用パルスで前記マークを形成する検出用パルス生成手段と、前記光ディスクの試し書き領域の所定領域である第２の試し書き領域に予め加熱パワーを段階的に複数回変えて前記検出用パルスの試し書きをする試書手段と、この試し書きの際の反射光を受光した受光信号に基づいて前記検出用パルスの加熱パワーを制御する制御手段と、を備えている光ディスク装置である。
【００２１】
したがって、試し書きを行うことにより、検出用パルスを最適な加熱パワーで出力することができる。
【００２２】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の光ディスク装置において、前記試書手段は、前記光ディスクの試し書き領域の所定領域である第１の試し書き領域に予め加熱パワーを段階的に複数回変えて前記マルチパルス列の試し書きも行い、前記制御手段は、この試し書きの際の反射光を受光した受光信号に基づいて前記マルチパルス列の加熱パワーも制御するものである。
【００２３】
したがって、試し書きを行うことにより、マルチパルス列も最適な加熱パワーで出力することができる。
【００２４】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の光ディスク装置において、前記試書手段は、前記第１の試し書き領域を前記加熱パワーが段階的に異なる各記録単位が連続するように形成し、前記第２の試し書き領域も前記加熱パワーが段階的に異なる各記録単位が連続するように形成し、それぞれ複数の記録単位からなる前記第１と第２の試し書き領域が隣接するように形成するものである。
【００２５】
したがって、マルチパルス列の最適な加熱パワーと検出用パルスの最適な加熱パワーとを、小サイズの試し書きで高精度に求めることができる。
【００２６】
請求項４に記載の発明は、請求項２に記載の光ディスク装置において、前記試書手段は、前記第１及び第２の試し書き領域とを形成する際には、この第１及び第２の試し書き領域を前記加熱パワーが段階的に異なる各記録単位が交互に並ぶように形成し、前記加熱パワーが段階的に異なる各記録単位が連続するようにするものである。
【００２７】
したがって、マルチパルス列の最適な加熱パワーと検出用パルスの最適な加熱パワーとを、小サイズの試し書きで高精度に求めることができる。
【００２８】
請求項５に記載の発明は、請求項１〜４のいずれかの一に記載の光ディスク装置において、前記試書手段は、前記第２及び第１の試し書き領域のうち少なくとも前者に前記試し書きを行ったときの前記受光信号に基づいて前記加熱パワーを調節して前記検出用パルスを前記第２及び第１の試し書き領域に隣接する第３の試し書き領域に行うものである。
【００２９】
したがって、マルチパルス列による記録でＲ−ＯＰＣを行うための記録状態の目標値を、検出用パルスの最適な加熱パワーを用いて高精度に取得することができる。
【００３０】
請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の光ディスク装置において、前記試書手段は、前記第２及び第３の試し書き領域に記録する前記マルチパルス列は一部を所望の頻度で前記検出用パルスに置換するか又は全部を検出用パルスに置換するものである。
【００３１】
したがって、検出用パルスの最適な加熱パワーと、マルチパルス列による記録でＲ−ＯＰＣを行うための記録状態の目標値を高精度に取得することができる。
【００３２】
請求項７に記載の発明は、請求項５又は６に記載の光ディスク装置において、前記試書手段は、前記光ディスクに対する１回の試し書きで前記第１、第２及び第３の試し書き領域に対する試し書きを行うものである。
【００３３】
したがって、１回の試し書きによって、マルチパルス列と検出用パルスの最適な加熱パワーとＲ−ＯＰＣを行うための記録状態の目標値を取得することができる。
【００３４】
請求項８に記載の発明は、請求項５〜７のいずれかの一に記載の光ディスク装置において、前記第３の試し書き領域に対する試し書きを行う際に前記受光信号に基づいて前記光ディスクに対する記録を行う際の前記受光信号の目標値を求める目標値取得手段を備えている。
【００３５】
したがって、マルチパルス列による記録でＲ−ＯＰＣのための記録状態情報の目標値を求めることができる。
【００３６】
請求項９に記載の発明は、請求項２〜４のいずれかの一に記載の光ディスク装置において、前記第２及び第１の試し書き領域のうち少なくとも前者に前記試し書きを行ったときの前記受光信号に基づいて求めた加熱パワー又は前記マルチパルス列の加熱パワーと前記検出用パルスの加熱パワーとの比とを前記光ディスクに記録管理情報として記録する記録管理情報記録手段を備えている。
【００３７】
したがって、試し書きによって得られたＲ−ＯＰＣのための情報を次回からも利用できるように光ディスクに記録することができる。
【００３８】
請求項１０に記載の発明は、記録可能な光ディスクに光を照射する光源と、前記照射光をマルチパルス列にして前記光ディスクにマークを形成するマルチパルス列生成手段と、前記マルチパルス列の一部を検出用パルスに置換して当該検出用パルスで前記マークを形成する検出用パルス生成手段と、前記光ディスクの記録管理情報として記録されている前記検出用パルスの加熱パワーと前記マルチパルス列の加熱パワーとのうち少なくとも前者又は前記両加熱パワーの比とに基づいて前記検出用パルスの加熱パワー及び前記マルチパルス列の加熱パワーのうち少なくとも前者を制御する制御手段を備えている光ディスク装置である。
【００３９】
したがって、光ディスクに記録した、過去に試し書きによって得られたＲ−ＯＰＣ動作のための情報によって、容易に高感度なＲ−ＯＰＣを実施することができる。
【００４０】
請求項１１に記載の発明は、検出用パルスの加熱パワーとマルチパルス列の加熱パワーとのうち少なくとも前者又は前記両加熱パワーの比が記録管理情報として記録されている情報の記録が可能な光ディスクである。
【００４１】
したがって、光ディスクに記録した、過去に試し書きによって得られたＲ−ＯＰＣ動作のための情報によって、容易に高感度なＲ−ＯＰＣを実施することができる。
【００４２】
【発明の実施の形態】
この発明の一実施の形態について説明する。
【００４３】
まず、発明の一実施の形態である光ディスク装置で行う情報記録方式について説明する。
【００４４】
この情報記録方式では、例えばＤＶＤ−ＲＯＭフォーマットのコードデータを、記録層に色素材料を用いたＤＶＤ−Ｒに対して記録する。データ変調方式として、図１（ｂ）の記録データのようなＥＦＭ Plus（Eight to Fourteen Modulation Plus）変調コードを用いて、マークエッジ（ＰＷＭ：Pulse Width Modulation）記録を行っており、形成されるマークとスペースのデータ長は３〜１４Ｔとなる。この実施の形態１ではこのようなメディアと記録データを用いて、光源である半導体レーザ（ＬＤ：Laser Diode）をマルチパルス発光させて記録マークを形成することによりＤＶＤ−Ｒに情報の記録を行う。
【００４５】
色素系の光メディアに記録を行う場合の基本的な記録動作は、従来の技術で前記したとおりである。このときのマルチパルス列の最適な加熱パワーは、ＣＤ−Ｒで用いられる単一パルス列による記録波形の最適な加熱パワーよりも約２０〜３０％高いパワーが必要となる（図１（ｆ）参照）。また、図１（ａ）に示すように、記録チャネルクロック周期Ｔは約３８nsec、記録線速度は３．５ｍ／ｓである。
【００４６】
より具体的には、代表的なＤＶＤ−Ｒにマルチパルス列を用いて、その最適加熱パワーで記録すると良好なジッタ特性が得られる。このような記録を行うときに所望の間隔でマルチパルス列の一部を単一の検出用パルスに置換して記録をすると、前記のように良好な記録状態の検出および加熱パワーの補正が可能となる。
【００４７】
次に、Ｒ−ＯＰＣ動作で用いる光ディスクの記録状態の情報は、前記の検出パルスの期間における先端から３Ｔ後以降の領域で反射信号ＲＦの受光量が安定しているので、このレベルをサンプルホールド回路でサンプリングし、Ａ／ＤコンバータによりＲＦsmp値（反射信号ＲＦのサンプル値）を取得するようにする。この値は光ディスクからの反射光であるため、図２に示すように、出射光量である加熱パワーＰw2で正規化して、光ディスクの記録状態を示す記録状態情報“ＲＦopc＝ＲＦsmp／Ｐw2”を求めている。この記録状態情報ＲＦopcは、検出用パルスでの最適な加熱パワーＰw2o（optimum）の近傍で大きな負の傾きを示しており、各種のドライブ変動に対して高感度な変化を示すようになる。
【００４８】
すなわち、図１（ｈ）の受光信号波形や図２に示すように、記録パワーが適正から過大となるように変動すると、検出用加熱パルス部分のように反射光量の検出信号がより大きな勾配で変化をするため、マークの形成が進みすぎていると判断できる。逆に、記録パワーが適正から過小となるように変動すると、検出信号の変化は小さくなり、マークの形成が不十分であると判断できる。そこで、マルチパルス列による通常の記録での加熱パワーＰw1と、単一パルスによる検出パルスによる加熱パワーＰw2の最適値を用いることで、光ディスク全面に渡って良好な記録を行うことを可能となる。
【００４９】
詳細には、通常の記録を開始する直前、すなわちＲ−ＯＰＣ動作の前に、記録開始の準備として試し書き（ＯＰＣ）を行う。図３（ａ）に示すように、光ディスクには略最内周部にＰＣＡ（Power Calibration Area）領域が設けられており、多くの回数の試し書きを実施することができる。図３（ｂ）に示すように、例えば、記録データの単位である１ＥＣＣ＝１６セクタに、１回分の試し書きを割り当てるようにする。したがって、１ステップを最小単位の領域として１セクタ領域に割り当てると、加熱パワーを段階的に変化させて最大で１６ステップの試し書きを行うことが可能である。
【００５０】
そこで、図５（ａ）に示すように、まず、マルチパルス列の加熱パワーを例えば合計で６段階に変化させて６セクタに試し書きの記録を行う（これを第１の試し書き領域とする）。引き続いて、Ｒ−ＯＰＣ動作で用いている検出用パルスの加熱パワーも同様に合計で６段階に変化させて６セクタに試し書きの記録を行う（これを第２の試し書き領域とする）。ここまでの試し書きで１２セクタの領域を使用している。
【００５１】
次に、第１の試し書き領域の再生動作によって、図４（ｃ）に示すように、第１の試し書き領域の再生信号から、最大レベルIpkと、最小レベルIbtmと、平均レベルIdcを検出し、図４（ｅ）に示すように、最大振幅Ｉmaxの変調度“ｍ1＝（Ipk−Ibtm）／Ipk”を算出して保持し、かつ、図３（ｄ）のように、最大振幅Ｉmaxと平均値Idcの非対称性（Asymmetry）“β＝[(Ipk−Idc)−(Idc−Ibtm)]／(Ipk−Ibtm)”を算出して保持しておく。さらに、図３（ｄ）に示すように、これらのプロット点から近似式を算出し、β＝０となるマルチパルス列の最適な加熱パワーＰw1o（optimum）を求める。さらに、この時の変調度ｍ1も求めておく。
【００５２】
そして、図４（ｅ）に示すように、第２の試し書き領域の再生信号から、同様のレベル検出と演算手法を用いて、最大振幅Ｉmaxの変調度ｍ2を算出して保持しておく。そして、これらの変調度ｍ1，ｍ2から、最適な検出用パルスの加熱パワーＰw2o（optimum）を算出するようにする（より詳細な算出の手段は後述する）。
【００５３】
このような手段によれば、第１の試し書き領域と第２の試し書き領域は隣接してひとつの領域として扱うことができ、記録動作と再生動作もそれぞれ１回の動作で実施することができる。
【００５４】
試し書きによってマルチパルス列と検出用パルスのそれぞれの最適な加熱パワーを求める手段をより詳細に説明する。
【００５５】
まず、第１の手段として、ＤＶＤ−Ｒについては、マルチパルス列を用いてその最適加熱パワーで記録すると、変調度は概ね０．６〜０．７の範囲になり、単一パルス列を用いてその最適加熱パワーで記録すると、変調度は概ね０．７〜０．８の範囲になることから、前記の検出用パルスの変調度ｍ2が、マルチパルス列の最適加熱パワーから得られる変調度ｍ1より０．１程度大きい値か同等値となるような加熱パワーを最適加熱パワーすることができる。すなわち、規格で定めた光ディスクでは、検出用パルスでの複数の変調度ｍ2のうち、０．５〜０．８の範囲から、光ディスクの種類ごとや光ディスク装置の機種ごとに予め定められた所望の変調度となる加熱パワーを最適値として、予め設定しておく。
【００５６】
次に、第２の手段として、通常のマルチパルス列で記録を行うときの最適な加熱パワーを、前記の試し書きによって得られる変調度ｍ1及び非対称性（Asymmetry）βから、β＝０となるマルチパルス列の最適加熱パワーＰw1oを算出するとともに、その最適な加熱パワーでの変調度ｍ1oも算出しておく。また、検出用パルスについても同様の試し書きによって得られる変調度ｍ2から、前記のマルチパルス列の最適な加熱パワーにおける変調度ｍ1oとほぼ一致する変調度ｍ2での、検出用パルスの最適な加熱パワーＰw2oを算出する。
【００５７】
第３の手段として、図４（ｆ）に示すように、光ディスクの面ぶれ等の影響による変調度ｍ1，ｍ2の変動を抑制するため、変調度そのものではなく、試し書きによって得られた変調度と加熱パワーの特性から導かれる、変調度の加熱パワーに対する変化“γ＝（dｍ／dＰw）×（Ｐw／ｍ）”を用いることで、精度が向上する。すなわち、検出用パルスの試し書きから得られる変調度の変化γ2が適正範囲であれば検出感度がよく、目安としてはγ2＜１．０では検出感度が小さくなり、逆にγ2＞２．０では低い加熱パワーのためマークの形成が安定せず検出誤差が大きくなる。したがって、変調度の加熱パワーに対する変化γは１．０から２．０の範囲から所望のγ2値となる加熱パワーを最適な加熱パワーとすることができる。
【００５８】
第４の手段として、通常のマルチパルス列で記録を行うための、前記の試し書きによって得られる変調度ｍ1及び非対称性βから、β＝０となるマルチパルス列の最適加熱パワーＰw1oを算出し、さらに、それぞれの加熱パワーでの変調度ｍ1から、変調度と加熱パワーの近似式を導き、変調度の加熱パワーに対する変化γ1の、最適な加熱パワーＰw1oにおける変化γ1o（optimum）を算出しておく。また、検出用パルスについても同様の試し書きによって再生信号の変調度ｍ2を算出して保持しておき、変調度と加熱パワーの近似式から求まる変調度の加熱パワーに対する変化γ2が、前記のマルチパルス列での変調度の加熱パワーに対する変化γ1oとほぼ一致する変調度の変化γ2oにおける、検出用パルスの最適な加熱パワーＰw2oを算出する。この手段によれば、あらゆる色素系光ディスクに対して、記録時変動による検出誤差の小さい通常のマルチパルス列の記録とＲ−ＯＰＣの検出用パルスのそれぞれ最適な加熱パワーを得ることが可能である。
【００５９】
次に、第３と第４の手段における、具体的な変調度の変化γおよび目的のＰwの算出手段を説明する。まず、試し書きによって得られた変調度と加熱パワーの複数の特性データから、
ｍ＝ａ×Ｐw^2＋ｂ×Ｐw＋ｃ  （ａ，ｂ，ｃは定数）
なる２次近似式を算出する。近似方法は多項式近似などの一般的な近似手法を用いており、２次以上の近似式が測定値と良く一致する。
【００６０】
そして、前記の“γ＝dｍ／dＰw×ｍ／Ｐw”より、“dｍ／dＰw＝2×ａ×Ｐw＋ｂ”であるから、
Ｐw＝{−ｂ×(γ−1)±SQRT[ｂ^2×(γ-1)^2−4×ａ×(γ−2)×ｃ×γ]}／[2×ａ×(γ−2)]
が得られる。
【００６１】
これらの演算を行い、正の解Ｐw(+)を算出することで、目的のＰwを求めることができる。
【００６２】
なお、近似式については、それぞれのγ値を算出してγとＰwの２次近似式を算出してもよいが、測定値とずれが生じ易いため、変調度ｍを近似することが望ましい。
【００６３】
前記の説明では、図５に示すように、複数の段階的に増加させる加熱パワーの試し書きは、マルチパルス列も検出用パルスもそれぞれ６ステップで合計６セクタを使用して行っている。そして、第１と第２の試し書き領域は完全に分けている。しかし、図６に示すように、記録パルスの設定を切替えながら、１セクタごとに第１の試し書きと第２の試し書きとを交互に行い、合計１２セクタの試し書き領域を使用する。この場合、第１と第２のそれぞれの試し書き領域は１セクタ毎に入れ代わるように認識することで、再生の動作でも第１と第２の試し書き領域を容易に検出することができる。このとき、第１と第２の試し書き領域の全体では、変調度が急激な変化を示さなくなり、ほぼ単調な増加傾向となる。したがって、それぞれの最小領域の繋ぎ部分での変動を抑えることが可能となり、それぞれの最適な加熱パワーの算出精度は良好となる。光ディスクＰＣＡ領域は１６セクタあり、第１と第２の試し書き領域に試し書きを行っても４セクタ分残るが、図３（ｂ），図５，図６に示すように、この４セクタには実際のＲ−ＯＰＣ動作で用いる記録状態の情報の目標値ＲＦopcoを設定するための第３の試し書きを行う。これは、第１と第２の試し書き領域から得られる反射信号ＲＦから第２の検出用パルスの最適な加熱パワーＰw2oを求め、この加熱パワーＰw2oで第３の試し書き領域に記録を行うことで、目標値ＲＦopcoを求める。
【００６４】
すなわち、第３の試し書き領域では、第１と第２の試し書き領域を用いた試し書きによる結果を反映させるため、同時的に記録を行うことができない。しかしながら、１回の試し書き動作の一部として機能させるため、第１の試し書き領域と第２の試し書き領域との全体に隣接するように４セクタの領域に記録して、試し書き全体として１６セクタを使用する。この第３の試し書きは記録中の検出用パルス部分の検出が目的であるため、マルチパルス列を基本としてその一部を検出する頻度にあわせて検出用パルスに置換して構成することができる。また、全ての記録パルスを検出用パルスだけで構成することもでき、後述するサンプリングによって多数回の検出を行った結果を保持して、その平均値を求めることで、検出レベルおよび記録状態情報の目標値の精度が向上する。
【００６５】
また、実際の試し書き動作は、マルチパルス列を用いた第１の試し書き領域の記録に引き続いて、隣接するように検出用パルスでマルチパルス列の一部を置換した記録パルスを用いた第２の試し書き領域の記録を行うようにする。このあと、第１と第２の試し書き領域の再生動作を一度にまとめて行うことができる。したがって、１回の試し書きを短時間で、かつ、小サイズの領域によってマルチパルス列と検出用パルスの高精度な試し書きが可能となる。これらの再生信号から前記のようにマルチパルス列と検出用パルスの最適記録パワーを算出したのち、引き続いて検出用パルスを含む記録パルス列を用いて第３の試し書き領域に、第１と第２の試し書き領域に隣接するように記録を行う。
【００６６】
以上説明した情報記録方式を実現する光ディスク装置について説明する。
【００６７】
図７，図８は、この実施の形態１である光ディスク装置の回路構成を示すブロック図である。この光ディスク装置１は、光ディスク２への記録用の光源であるＬＤ（図示せず）を備えたピックアップ３と、記録データを生成するＥＦＭ plusエンコーダ４と、記録データに基づきＬＤの出射光を変調するための記録パルス列制御部５と、その記録パルス列制御部５が出力する記録パルス列制御信号に基づいてＬＤを所望の発光波形に発光させるＬＤ制御回路６とを備えている。
【００６８】
記録パルス列制御部５はＥＦＭ plusエンコーダ４が出力する記録データからＬＤを駆動するためのＬＤ制御信号を生成する。この記録パルス列制御部５は記録パルス列生成部７を備えており、記録パルス列生成部７はマルチパルス列を生成する。記録パルス列制御部５には、Ｒ−ＯＰＣ動作のための単一パルスからなる検出用パルスを生成する検出用パルス生成部８も設けられ、記録パルス列に含める検出用パルスを生成する。このようにして検出用パルスを含んだマルチパルス列としてＬＤ制御信号が生成され、そのＬＤ制御信号はＬＤ制御回路６に入力される。
【００６９】
次に、ＬＤ制御回路６は、ＬＤを駆動する電流源となるＬＤ駆動電流源９，１０，１１を備えている。ＬＤ駆動電流源９はマルチパルス列のパルスがＯＮのときの加熱パワーを出力し、ＬＤ駆動電流源１０はＲ−ＯＰＣ動作のための検出用パルスの加熱パワーを出力し、ＬＤ駆動電流源１１はパルスがＯＦＦのときのボトムパワーを設定するボトムパワーを出力する。ＬＤ制御回路６はＬＤ制御信号に基づいてＬＤ駆動電流源９又は１０とＬＤ駆動電流源１１との出力をスイッチングするか又は加算してＬＤに出力し、検出用パルスを含むマルチパルス列のＬＤ発光波形（図１（ｆ））にしている。
【００７０】
試し書きの動作は次のように行う。すなわち、光ディスク２のプリフォーマット情報として予め設定され、あるいは、マイコンなどで構成され光ディスク装置１の全体を制御するシステムコントローラ１２のＲＯＭなどに予め記憶された試し書きのための加熱パワー値等の必要なデータを読み出し、記録パルス列生成部７、検出用パルス生成部８でＬＤ制御信号を生成する。このＬＤ制御信号によりＬＤから出射されたビームは光ディスク２に照射されて前記のように試し書きが行われる。この試し書きの際の光ディスク２での反射光はピックアップ３の受光素子（図示せず）で受光されて反射信号ＲＦに変換され、サンプリング回路１３に出力される。
【００７１】
マルチパルス列で記録された第１の試し書き領域での反射信号ＲＦは再生信号として、サンプリング回路１３のピークホールド回路１４によって最大レベルIpkがホールドされ、ボトムホールド回路１５によって最小レベルIbtmがホールドされ、ローパスフィルタ１６によって高域をカットした平均レベルIdcが検出される。これらの信号は、第１のサンプルホールド回路１７においてサンプリング信号の検出位置にてそれぞれの信号をサンプルホールドし、得られたサンプルレベルを図示しないＡ／ＤコンバータでＡ／Ｄ変換する。
【００７２】
また、検出用パルスによって記録された第２の試し書き領域での反射信号ＲＦも、ピークホールド回路１４、ボトムホールド回路１５、ローパスフィルタ１６により、最大レベルIpk、最小レベルIbtm、平均レベルIdcがサンプルホールドされ、第２のサンプルホールド回路１８においてサンプリング信号の検出位置にてそれぞれの信号をサンプルホールドし、得られたサンプルレベルを図示しないＡ／ＤコンバータでＡ／Ｄ変換する。
【００７３】
第１のパワー演算回路２０、第２のパワー演算回路２１は、前記したような算出手段を用いて、それぞれマルチパルス列、検出用パルスの最適な加熱パワーw1o，Ｐw2oを算出する。試し書きにおいては、第２のパワー演算回路２１で算出した加熱パワーＰw2oで第３の試し書き領域に試し書きを行う。そして、その記録の際の反射光を図示しない受光素子で検出して、検出信号をサンプリング回路１３で前記のようにサンプルホールドする。
【００７４】
この検出信号レベルはその時点でのＬＤの出射光量によって異なるため、このときの信号ＲＦsmpは、記録状態情報演算回路２３の除算回路２５で、ＬＤの出射光量レベルＰw2で除算して正規化することにより、マークの形成状態が反映された記録状態情報値ＲＦopcが算出される。この試し書きの際に得られた記録状態情報値ＲＦopcは目標値ＲＦopcoとして、例えばシステムコントローラ１２のＲＡＭなどに記憶される。
【００７５】
比較器２４は、この目標値ＲＦopcoと所望の間隔で得られる記録状態情報値ＲＦopcとの大小を比較する。第２のパワー演算回路２１は、この比較の結果に応じて検出用パルスの最適な加熱パワーＰw2oを算出する。
【００７６】
加熱パワー補正回路２２は、第１のパワー演算回路２０、第２のパワー演算回路２１で求めた最適な加熱パワーＰw1o，Ｐw2oをＬＤ駆動電流源９，１０に出力して、ＬＤ駆動電流源９，１０が最適な加熱パワーＰw1o，Ｐw2oとなるように制御する。
【００７７】
ドライブコントローラ２６は、回転／サーボ機構２７を駆動して、スピンドルモータ２８及びピックアップ３を制御する。
【００７８】
なお、サンプリング回路１３、記録状態情報演算回路２３及び加熱パワー演算・補正回路１９の全部又は一部の機能をシステムコントローラ１２などのマイコンが行う処理で実施してもよい。
【００７９】
次に、図９のフローチャートを参照して、試し書き及びその後の通常の記録動作について整理して説明する。図９に示すように、まず、第１、第２の試し書き領域に前記のとおり試し書きを行う（ステップＳ１）。そして、その記録の際の反射信号ＲＦをサンプリング回路１３で前記のようにサンプルホールドする（ステップＳ２）。次に、このサンプルホールドした各値を用いて、第１、第２のパワー演算回路２０，２１で最適な加熱パワーＰw1o，Ｐw2oを算出し（ステップＳ３）、ここで求めた加熱パワーＰw2oで第３の試し書き領域に試し書きを行う（ステップＳ４）。そして、前記のように、この記録の際の記録状態情報値ＲＦopcを目標値ＲＦopcoとして設定し（ステップＳ５）、一連の試し書きを終了する。ステップＳ１〜Ｓ５により試書手段を、ステップＳ５により目標値取得手段を実現している。
【００８０】
試し書き終了後に、光ディスク２に対する通常の記録を開始した直後からＲ−ＯＰＣ動作をスタートさせ、所望の間隔で前記と同様に記録状態情報値ＲＦopcを算出する（ステップＳ６）。そして、比較器２４で、目標値ＲＦopcoと現在の録状態情報値ＲＦopcとを比較する（ステップＳ７）。
【００８１】
ステップＳ７の判断で、現在の記録状態情報値ＲＦopcが目標値ＲＦopcoより大きい場合は（ＲＦopc＞ＲＦopco）、記録マークが理想的な大きさより小さくなっているため、検出用パルスの加熱パワーを拡大するように補正する（ステップＳ８）。逆に、現在の記録状態情報値ＲＦopcが目標値ＲＦopcoより小さい場合は（ＲＦopc＜ＲＦopco）、記録マークが理想的な大きさより大きくなっているため、検出用パルスの加熱パワーを小さくなるように補正する（ステップＳ９）。現在の記録状態情報値ＲＦopcが目標値ＲＦopcoと等しい場合は（ＲＦopc＝ＲＦopco）、検出用パルスの加熱パワーを現在のものに維持する（ステップＳ１０）。
【００８２】
これだけでは、検出用パルスだけがマーク形成の状態に応じて適正に制御されてしまうので、第１のパワー演算回路２０では、補正された検出用パルスの加熱パワーＰw2'を予め設定された加熱パワー比αで除する演算を行うことで、通常のマルチパルス列の加熱パワーを補正する。すなわち、通常の記録中においては、検出用パルスによって記録状態の過不足を検出し、その結果から検出用パルスの加熱パワーをＰw2'に補正すると共に、マルチパルス列の加熱パワーをＰw1'に補正している（ステップＳ１１）。この修正手段として前記のように“Ｐw1'＝Ｐw2'／α”によって検出用パルスの加熱パワーを補正する度に、マルチパルス列の加熱パワーを算出し直すようにしている。
【００８３】
以上のステップＳ６以下の処理は、記録データの終了アドレスに達するまで行う（ステップＳ１２）。
【００８４】
このように、Ｒ−ＯＰＣ動作によって、マルチパルス列と検出パルスのそれぞれの加熱パワーを常に補正しながら光ディスク２に記録することで、記録中に各種変動があった場合でも常に最適な記録パワーに保つことができ、光ディスク２の全面に渡って均一で低ジッタな記録が可能となる。
【００８５】
次に、試し書きによって得られたＲ−ＯＰＣ動作の情報の利用手段について説明する。
【００８６】
図１０に示すように、ＤＶＤ−Ｒなどの記録可能な光ディスク２は、試し書き領域領域（ＰＣＡ）の他に、試し書きで得られた記録管理情報を記録しておく記録管理領域（ＲＭＡ：Recording Management Area）を備えている。このＲＭＡに記録される情報（ＲＭＤ：Recording Management Data）は、ディスクＩＤ、ドライブＩＤ、記録ストラテジ設定、記録日時、試し書きのアドレス、最適加熱パワーなどの多様な記録に関する情報を書き込むことができる。
【００８７】
一般的に、Ｒ−ＯＰＣは光ディスク装置１側で任意に設計し動作させるため、ＲＭＡにＲ−ＯＰＣ動作の情報は記録されていない。したがって、前記のマルチパルス列と検出用パルスとの最適な加熱パワー及び記録状態情報を求めるための試し書きは、光ディスク２に対して毎回行う必要が生じる。
【００８８】
そこで、前記のような試し書きによって得られた、マルチパルス列の最適な加熱パワーと検出用パルスの最適な加熱パワーをＲＭＡの情報として書き込むようにする。書き込む位置は既に定められたドライブのシリアルＮｏ．やモデルＮｏ．などのドライブＩＤデータの一部を利用し、あるいは、リザーブされたデータを新たに割り当てることで利用することができる。
【００８９】
このように試し書きを実施した光ディスク２と特定の光ディスク装置１を指定して、その固有の組み合わせを認識できるように前記のＲ−ＯＰＣ動作の情報を書き込んでおけばよい。また、ＲＭＡに書き込むマルチパルス列と検出用パルスの最適な加熱パワーの代わりに、試し書きによって算出した検出用パルスの最適加熱パワーの、マルチパルス列の最適加熱パワーに対する比Pw2o／Pw1oを書き込んでおいてもよい。以上のような処理により記録管理情報記録手段を実現している。
【００９０】
次に、前記のＲＭＡ領域に記録された情報を用いて行うＲ−ＯＰＣの動作例を説明する。
【００９１】
すなわち、光ディスク装置１は光ディスク２を認識し、情報の記録の準備段階として過去に実施した試し書き領域であるＲＭＡ領域の最新の記録管理情報を読み取る。この記録管理情報の中から、あらかじめ割り当てられたデータ位置にあるＲ−ＯＰＣ動作のための情報を選択する。次に、光ディスク装置１は光ディスク２が、過去にこのＲ−ＯＰＣ動作の情報を書き込んでいるかどうかを判定する。書き込んでいない場合、新たに前記の試し書きを行って、マルチパルス列と検出用パルスの最適パワーと、記録状態情報値を取得することで、Ｒ−ＯＰＣ動作を行うことができる。
【００９２】
逆に、ＲＭＡにＲ−ＯＰＣ動作の情報を書き込んでいる場合、読み出した検出用パルスの最適パワーとマルチパルス列の最適な加熱パワーの比Pw2o／Pw1oを算出するか、又は、読み出した最適な加熱パワーの比Pw2o／Pw1oをシステムコントローラ１２にＲＡＭなどに保持しておく。新たな試し書きは、マルチパルス列の最適な加熱パワーを求める動作を行い、ＲＡＭなどに保持しておいた最適な加熱パワーの比を乗算することで、新たな検出用パルスの最適な加熱パワーを算出することができ、この最適な加熱パワーを用いて記録状態情報値を取得する試し書きを行うことで、Ｒ−ＯＰＣ動作のための情報がすべて取得される。すなわち、ＲＭＡからＲ−ＯＰＣ動作の情報を読み出すことで、検出用パルスの試し書きを省略することができ、ＰＣＡ領域の使用領域を小サイズにすることができる。以上のような処理により制御手段を実現している。
【００９３】
また、ＲＭＡから読み出されたＲ−ＯＰＣ動作の情報を用いて、記録状態情報値ＲＦopcを取得する試し書きだけを行うことも可能となり、さらに試し書きを簡略化することもできる。
【００９４】
【発明の効果】
請求項１に記載の発明は、試し書きを行うことにより、検出用パルスを最適な加熱パワーで出力することができる。
【００９５】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の光ディスク装置において、試し書きを行うことにより、マルチパルス列も最適な加熱パワーで出力することができる。
【００９６】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の光ディスク装置において、マルチパルス列の最適な加熱パワーと検出用パルスの最適な加熱パワーとを、小サイズの試し書きで高精度に求めることができる。
【００９７】
請求項４に記載の発明は、請求項２に記載の光ディスク装置において、マルチパルス列の最適な加熱パワーと検出用パルスの最適な加熱パワーとを、小サイズの試し書きで高精度に求めることができる。
【００９８】
請求項５に記載の発明は、請求項１〜４のいずれかの一に記載の光ディスク装置において、マルチパルス列による記録でＲ−ＯＰＣを行うための記録状態の目標値を、検出用パルスの最適な加熱パワーを用いて高精度に取得することができる。
【００９９】
請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の光ディスク装置において、検出用パルスの最適な加熱パワーと、マルチパルス列による記録でＲ−ＯＰＣを行うための記録状態の目標値を高精度に取得することができる。
【０１００】
請求項７に記載の発明は、請求項５又は６に記載の光ディスク装置において、１回の試し書きによって、マルチパルス列と検出用パルスの最適な加熱パワーとＲ−ＯＰＣを行うための記録状態の目標値を取得することができる。
【０１０１】
請求項８に記載の発明は、請求項５〜７のいずれかの一に記載の光ディスク装置において、マルチパルス列による記録でＲ−ＯＰＣのための記録状態情報の目標値を求めることができる。
【０１０２】
請求項９に記載の発明は、請求項２〜４のいずれかの一に記載の光ディスク装置において、試し書きによって得られたＲ−ＯＰＣのための情報を次回からも利用できるように光ディスクに記録することができる。
【０１０３】
請求項１０に記載の発明は、光ディスクに記録した、過去に試し書きによって得られたＲ−ＯＰＣ動作のための情報によって、容易に高感度なＲ−ＯＰＣを実施することができる。
【０１０４】
請求項１１に記載の発明は、光ディスクに記録した、過去に試し書きによって得られたＲ−ＯＰＣ動作のための情報によって、容易に高感度なＲ−ＯＰＣを実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施の形態である光ディスク装置に関する各信号などのタイミングチャートである。
【図２】記録状態情報値と加熱パワーとの関係などを説明するグラフである。
【図３】光ディスクのＰＣＡ領域について説明する説明図である。
【図４】同説明図である。
【図５】前記光ディスクに対する試し書きについて説明する説明図である。
【図６】同説明図である。
【図７】前記光ディスク装置の回路構成を説明するブロック図である。
【図８】同ブロック図である。
【図９】前記光ディスク装置の動作を説明するフローチャートである。
【図１０】光ディスクのＲＭＡ領域について説明する説明図である。
【図１１】従来の単一パルス列による記録マークの形成を説明するタイミングチャートである。
【図１２】従来のマルチパルス列と検出用パルスとを併用した記録マークの形成を説明するタイミングチャートである。
【符号の説明】
１      光ディスク装置
２      光ディスク
７      マルチパルス列生成手段
８      検出用パルス生成手段
９      マルチパルス列生成手段
１０    検出用パルス生成手段
１３    制御手段
１９    制御手段
２３    制御手段
【図１】
0004046468.tif 000002
【図２】
0004046468.tif 000003
【図３】
0004046468.tif 000004
【図４】
0004046468.tif 000005
【図５】
0004046468.tif 000006
【図６】
0004046468.tif 000007
【図７】
0004046468.tif 000008
【図８】
0004046468.tif 000009
【図９】
0004046468.tif 000010
【図１０】
0004046468.tif 000011
【図１１】
0004046468.tif 000012
【図１２】
0004046468.tif 000013