(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電流値を可変できるカソードおよび水平に対し垂直方向の主面を有するアノードを備えるめっき槽中で、アノードの前記主面に対して、めっき対象物のめっき膜を形成する主面を５〜８５°の傾斜角度で対向させた状態で、所定時間、第１の電流密度にてめっき対象物にめっき膜を形成した後、前記第１の電流密度よりも低い第２の電流密度で、前記めっき対象物を保持することを特徴とするめっき膜の形成方法。
【請求項２】
めっき膜を形成した後に、めっき対象物を５〜１０重量％の濃度のリン酸三ナトリウム溶液に浸漬する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
カソードおよび水平に対し垂直方向の主面を有するアノードを備えるめっき槽中で、アノードの前記主面に対して、めっき対象物のめっき膜を形成する主面を５〜８５°の傾斜角度で対向させた状態で、所定時間、第１の電流密度にてめっき対象物にめっき膜を施した後、めっき対象物を５〜１０重量％の濃度のリン酸三ナトリウム溶液に浸漬することを特徴とするめっき膜の形成方法。
【請求項４】
第１の電流密度が、１〜５Ａ／ｄｍ2である請求項１〜３のいずれか１つに記載の方法。
【請求項５】
第２の電流密度が、０．５〜４．５Ａ／ｄｍ2である請求項１、２又は４に記載の方法。
【請求項６】
リン酸三ナトリウム溶液が、２５〜６５℃の液温である請求項２〜５のいずれか１つに記載の方法。
【請求項７】
めっき対象物を複数個隣接してアノードに対向させ、めっき対象物のアノードへの投影において、隣接するめっき対象物同士の重なりが１つのめっき対象物の全投影面積の１／３以下である請求項１〜６のいずれか１つに記載の方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１つのめっき膜の形成方法によりめっき膜が形成されてなる電子部品。
【請求項９】
めっき膜が、１〜５重量％のＣｕを含有するＳｎ−Ｃｕ合金からなる請求項８に記載の電子部品。
【請求項１０】
めっき膜が、粒径１μｍ以下の合金小粒を分散する膜厚８μｍ〜２０μｍの無光沢めっき膜である請求項８又は９に記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、めっき膜の形成方法及び該方法によりめっき膜が形成された電子部品に関し、より詳細には、鉛フリーで濡れ性に優れためっき膜の形成方法及び該方法によりめっき膜が形成された電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
電気、電子工業の分野においては、一般に、はんだ接合を利用して回路が形成されており、通常、錫−鉛系合金がろう材として用いられるとともに、はんだ接合を迅速かつ確実に行うために、はんだ接合の対象物に予め錫−鉛系合金のめっき膜が施されている。
【０００３】
例えば、図７に示すように、はんだ接合を利用した光結合半導体装置４０は、あらかじめ折り曲げ加工されたＣｕ合金、Ｆｅ合金等の金属材料からなるリードフレーム４１のヘッダーに発光素子４２及び受光素子４３が個別にダイボンドされており、各々の素子４２、４３と隣接するリードフレーム４１とが金線４８によってワイヤボンドされている。そして、発光素子４２は樹脂４４によってプリコートされ、各素子４２、４３がダイボンドされたリードフレーム４１をスポット溶接又はローディングフレームセットにより位置決め、対向させ、透光性エポキシ樹脂４５にて１次トランスファモールドによりインナーパッケージ形成がされている。さらに、遮光性エポキシ樹脂４６にて２次トランスファモールドによりアウターパッケージ形成され、アウターパッケージの外側に位置するリードフレームに、無光沢ＳｎＰｂめっき膜４７が施されて構成されている。
【０００４】
このように、従来においては、安価の上、低融点で加工性に優れたＳｎＰｂが、はんだ及びめっき膜の材料として使用されてきたが、近年の環境対策として、鉛を含有していない（鉛フリー）材料への切り替えが急がれている。例えば、はんだとしては錫を主成分として、他に銀、ビスマス、銅、亜鉛等の中から１種又は２種以上を選択した合金、めっき膜としては錫を主成分として、他に銀、ビスマス、銅、亜鉛等の中から１種又は２種以上を選択した合金、金、銀、パラジウム等が候補として挙げられる。
【０００５】
特開２０００−２６９９４号公報には、光沢又は半光沢状態まで表面の結晶を微細化したＳｎＣｕめっき皮膜が提案されている。
しかし、２７０℃のＳｎ−Ａｇ（３．５％）からなるはんだ合金のはんだ槽に、上記のようなめっき皮膜を施した部品を一定速度、一定深さに５秒間浸漬して引き上げることにより、メニスコグラフ法で濡れ性評価をしたところ、ゼロクロスタイムが５ｓ以上と、濡れ性及び外観上劣る点が示されている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、電流値を可変できるカソードおよび水平に対し垂直方向の主面を有するアノードを備えるめっき槽中で、アノードの前記主面に対して、めっき対象物のめっき膜を形成する主面を５〜８５°の傾斜角度で対向させた状態で、所定時間、第１の電流密度にてめっき対象物にめっき膜を形成した後、前記第１の電流密度よりも低い第２の電流密度で、前記めっき対象物を保持するか、あるいはめっき対象物を５〜１０重量％の濃度のリン酸三ナトリウム溶液に浸漬するめっき膜の形成方法が提供される。
また、本発明によれば、上記方法によりめっき膜が形成された電子部品が提供される。
【０００７】
【発明の実施の形態】
本発明のめっき膜の形成方法は、まず、電流値を可変できるカソードとアノードとを備えるめっき槽中で、所定時間、第１の電流密度にてめっき対象物にめっき膜を施す。
本発明におけるめっき対象物としては、特に限定されるものではなく、導電性の材料で形成されているものであれば、どのような種類の部材であってもよいし、どのような材料、大きさ、形状であってもよい。例えば、ＩＣ半導体装置、光結合半導体装置、発光素子、受光素子、ソリッドステートリレー、レギュレータ、抵抗器、コンデンサ、フォトインタラプタ等の電子デバイスや受動部品等、コネクタ、スイッチ、プリント配線板、樹脂積層半導体基板、リードフレーム等の接続部品等が挙げられる。また、これらの形状は、表面に凹凸が存在するか存在しない板状の形状であることが好ましい。
【０００８】
本発明におけるめっき槽中に含有されるめっき液は、特に限定されるものではなく、どのような組成のものでも使用できるが、鉛を含有しないものであることが好ましい。また、シアンを含有しないものであることが好ましい。例えば、公知の酸性浴又は錯化剤を添加した錯塩浴を構成するめっき液を利用することができる。
【０００９】
具体的には、硫酸、ハロゲン化水素酸、スルファミン酸、リン酸、ピロリン酸等の無機酸；酢酸、コハク酸、グリコール酸、クエン酸等のカルボン酸；ヒドロキシカルボン酸、アミノ酸又はそれらの誘導体等；エチレンジアミンテトラ酢酸、イミノジ酢酸等のアミンカルボン酸；１−ヒドロキシエタン−１，１−ビスホスホン酸等のヒドロキシアルカンビスホスホン酸；メタンスルホン酸、２−ヒドロキシプロパンスルホン酸等の脂肪族又は芳香族有機スルホン酸；チオグリコール酸、アセチルシステイン等のメルカプト化合物；チオ尿素、トリメチルチオ尿素等の含硫黄化合物等が挙げられる。
また、めっき液を構成する金属イオンの供給源としては、上記の酸又は錯化剤と、錫、銅、銀、ビスマス、インジウム、アンチモン、亜鉛、金、パラジウム等の塩又は錯体が挙げられる。なかでも錫及び銅の塩又は錯体が好ましい。
【００１０】
めっき液の金属濃度、遊離酸濃度、ｐＨ、温度、添加剤の種類及び濃度等の条件は適宜調整することができる。例えば、めっき液中の金属の濃度は１〜１００ｇ／ｌ程度が挙げられる。
めっき液の添加剤としては、めっき液の種類に応じて適宜選択することができ、例えば、非イオン系、カチオン系、アニオン系、両性界面活性剤を用いることができる。界面活性剤は公知のもののいずれをも使用することができる。
【００１１】
また、平滑化剤又は光沢剤として使用されている公知の物質を添加してもよい。例えば、ゼラチン、ペプトン、ポリエチレングリコール、ポリアクリルアミド等の高分子化合物；Ｎ−ブチリデンスルファニル酸、アルドール等のスルファニル酸誘導体及びその塩；ベンゾトリアゾール、４−ヒドロキシベンゾトリアゾール等のトリアゾール及びその誘導体；ベンゾチアゾール、２−メチルベンゾチアゾール等のベンゾチアゾール及びその誘導体；イミン類；２，４−ジアミノ−６−［２'−メチルイミダゾリル（１'）エチル−１，３，５−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２'−エチルイミダゾリル（１'）エチル−１，３，５−トリアジン等のトリアジン類；ｏ−（又はｍ−又はｐ−）安息香酸メチル、サリチル酸フェニル等の芳香族オキシカルボン酸のエステル類；ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド等のアルデヒド類；グリオキサール、ジアセチル等のジケトン類；アニリン、ｏ−又はｍ−又はｐ−）トルイジン等のアニリン誘導体；チオグリコール酸、メルカプトコハク酸等のメルカプトカルボン酸類；トリエタノールアミン、ジエタノールアミン等のアミンアルコール類；脂肪族一級又は二級アミン類；アクリル酸、メタクリル酸等の共役二重結合を有する化合物等が挙げられる。
さらに、レゾルシノール、ピロカテコール、ハイドロキノン、フロログリシノール、ピロガロール、ヒドラジン、アスコルビン酸等の酸化防止剤を添加してもよい。
【００１２】
めっき槽中には、一対又はそれぞれ複数個のカソードとアノードとを有する。カソード及びアノードの数、大きさ、形状等は特に限定されるものではなく、適宜調整することができる。なかでも、めっき槽中に、カソード及びアノードが複数個ずつ存在することが好ましい。アノードは、例えば、錫や錫銅等で形成された板状であることが適当である。また、カソードは、めっき対象物に効率よく通電し、めっき対象物とともにカソードとして機能しうる材料で形成され、板状、枠状のラック形態であることが適当である。また、カソードは、電流値を可変することができるように構成されていることが必要である。
【００１３】
めっき対象物は、上記のようなカソード及びアノードを備えるめっき槽中で、所定時間、第１の電流密度にて処理され、めっき膜が形成される。ここでの所定時間とは、特に限定されるものではなく、得ようとするめっき膜の膜厚、電流密度等に応じて適宜調整することができ、例えば、５〜１０分間程度、好ましくは７〜８分間程度が挙げられる。また、第１の電流密度は、得ようとするめっき膜の膜厚、めっき時間等に応じて適宜調整することができ、例えば、０．１〜２０Ａ／ｄｍ2程度、好ましくは１〜１０Ａ／ｄｍ2程度が挙げられる。具体的には、めっき膜の膜厚が８〜２０μｍ程度の場合には、第１の電流密度が１〜５Ａ／ｄｍ2程度、好ましくは１．５〜４．５Ａ／ｄｍ2程度で、７〜８分間程度が挙げられる。
【００１４】
本発明においては、どのような方式のめっき方法を採用してもよい。例えば、連続ライン方式や、キャリアオーバー方式（複数個の分割しためっき槽においてめっき対象物を持ち上げて隣の槽へ移動させ、これを繰り返す方式）等が挙げられる。なかでも、連続ライン方式を用いることが、生産効率や生産コストを考慮した場合に適当である。具体的には、所定の間隔で連続したアノード対を有しためっき槽において、複数のめっき対象物を縦および／又は横方向に載置した複数の、例えばラック状のカソードが、所定の間隔で連続し、各ラックがアノード対の間の決められた領域（カソード域）に給電浸漬の上、同所にて一定時間めっきを施し、近隣ラックのカソード域まで移動した後、再びめっきを施す形態が好適に利用される。キャリアオーバー方式の場合には、一定の速度で移動させる代わりに、一定の時間槽内で静置給電等することが適当である。めっき対象物は、めっき膜を施す主面が水平方向、垂直方向、ななめ方向のいずれの方向に並ぶように配置されていてもよく、アノードに対して、５〜８５°程度、好ましくは４５〜８５°程度の傾斜角度をもたせてカソードに載置することが好ましい。この場合の傾斜角度とは、めっき対象物のめっき膜を形成する主面が、アノードの主面に対して、垂直方向、平面方向又は斜め方向に対する傾斜角度を意味する（図５（ａ）、図６（ａ）及び（ｂ）参照）。また、めっき対象物を複数個隣接してアノードに対向させる場合には、めっき対象物のアノードへの投影において、隣接するめっき対象物同士の重なりが１つのめっき対象物の全投影面積の１／３以下であることが好ましい。
【００１５】
次いで、第１の電流密度よりも低い第２の電流密度でめっき対象物を保持する。第２の電流密度は、第１の電流密度よりも低ければ、特にその範囲は限定されないが、例えば、０．５〜４．５Ａ／ｄｍ2程度、好ましくは１．５〜２．５Ａ／ｄｍ2程度が挙げられる。この場合の保持する時間は、めっき膜の膜厚、めっき膜の材料、電流密度等により適宜調整することができ、例えば、５〜１０分間程度、好ましくは７〜８分間程度が挙げられる。なお、本発明のめっき膜の形成方法を、上述した連続ライン方式において行う場合には、複数のアノード対の間において、複数のめっき対象物を載置した複数のカソードを、めっき槽の長さに応じて、例えば、０．５〜５ｃｍ／秒程度、好ましくは１．０〜３．５ｃｍ／秒程度で移動させ、最終のカソード域、つまり、めっき対象物を載置したラックがめっき槽内の最終アノード対間を通過する領域において、カソードの電流密度を第２の電流密度に変更することが適当である。この第２の電流密度の印加により、めっき膜を若干厚膜化させながら、先に形成されためっき膜の膜表面を緻密化、均一化させることができる。
【００１６】
また、本発明においては、第１の電流密度よりも低い第２の電流密度でめっき対象物を保持することに代えて、めっき膜を形成した後、好ましくはめっき膜形成後にめっき液を水洗により洗浄した後、中和を行うことが好ましい。この場合の中和は、例えば、有機リン系後処理剤、具体的には、リン酸三ナトリウム溶液に浸漬等することにより行うことができる。この場合の有機リン系後処理剤の濃度は、５〜１０重量％程度が挙げられ、液温は２５〜６５℃程度、好ましくは５５〜６５℃程度が挙げられる。浸漬の時間は、例えば、１０〜６０秒間程度、好ましくは２０〜４０秒間程度が挙げられる。
なお、この中和は、第２の電流密度でめっき対象物を保持した後、好ましくは保持後にめっき液を水洗により洗浄した後に、上記と同様に行ってもよい。
【００１７】
また、本発明におけるめっき膜の形成方法は、上記工程の先又は後に、任意に公知の処理工程、例えば、下地膜の形成、脱脂、水洗、エッチング、酸活性、湯洗、水切り、乾燥、さらなる膜形成等の当該分野で公知のめっきの処理工程を行ってもよい。例えば、下地膜の形成とは上記のようなめっき膜を形成する前に、めっき対象物に電気めっき又は無電解めっきによってニッケル又はニッケル合金、銅又は銅合金等の膜を形成することを意味する。さらなる膜の形成とは、例えば、めっき膜を形成する上に、さらに、金、銀、パラジウム、ビスマス、アンチモン、インジウム又はこれら合金の単層又は積層膜を形成することを意味する。
【００１８】
本発明における電子部品は、上述のような導電性材料の表面に無光沢のめっき膜が形成されている。ここで、無光沢とは、めっき膜の表面における粒子の大きさや、個々の粒子表面の滑らかさ、めっき液に使用された光沢剤等によって、適宜調節できるものであり、一般には、０．１〜０．４程度、好ましくは０．１〜０．３５程度、さらに好ましくは０．２〜０．３３程度の光沢度（例えば、日本エレクトロプレイティング・エンジニヤース社製デンシトメータGAM Model  RD-144にて測定）を有するものを意味する。また、このめっき膜は、錫−銅の二元系の合金から形成されていることが好ましく、なかでも、銅が９０重量％以下、さらに１〜５重量％で含有されていることが好ましい。さらに、このめっき膜は、８〜２０μｍ程度の膜厚であることが好ましく、めっき膜中に１μｍ以下の粒径の銅又は錫−銅合金の粒子が均一に分散していることがより好ましい。
以下に、本発明のめっき膜の形成方法及びめっき膜が形成された電子部品の実施例を図面に基づいて、詳細に説明する。
【００１９】
実施の形態１
まず、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ｆｅ合金を基材とするリードフレームに、発光素子及び受光素子を別々にＡｇペーストでダイボンディングし、各素子と隣接するリードフレームとを金線によりワイヤボンドする。
次いで、発光素子を応力緩和用としてシリコーン樹脂でプリコートした後、各素子がダイボンドされたリードフレームをスポット溶接することにより、各素子を対向させて位置決めして、光学的に発光素子から受光素子へ光路形成するように、透光性エポキシ樹脂によって一次トランスファーモールドしてインナーパッケージを形成する。その後、図１に示したように、樹脂漏れした余分な樹脂バリをバリ取りし、外乱光の入射や内部からの光漏れなく発光素子から受光素子への光信号伝達ができるように遮光性エポキシ樹脂により二次トランスファーモールドしてアウターパッケージを形成する。
【００２０】
続いて、公知の方法により脱脂、水洗、エッチング、水洗、酸活性及び水洗して清浄した後、パッケージされた半導体装置のリードフレームに外装用のめっき膜を形成する。
めっき膜は、めっき槽内にメタンスルホン酸を構成主剤とするアルカノールスルホン酸浴ＳｎＣｕめっき液を建浴し、めっき槽中Ｃｕ比率が１〜５重量％になるよう、Ｓｎ濃度およびＣｕ濃度を調整するとともに、添加剤ＦＣＭ−１０（ユケン工業(株)製）を例えば３０〜５０ｍｌ／ｌ程度、好ましくは３５〜４５ｍｌ／ｌ程度と、建浴後の２価Ｃｕがアノ−ド置換するのを抑制するキレート剤（ユケン工業(株)製）とを添加する。得られためっき浴において、図２に示したように、一対のアノード１０の間において、カソードラック１１に掛けられたリードフレーム１３を有する半導体装置１２を、７〜８分間程度浸漬する。この間、カソードラック１１には４．０〜５．０Ａ／ｄｍ2程度の電流密度を印加する。これにより、リードフレーム表面に、膜厚約１５μｍ程度の無光沢めっき膜を形成する。
【００２１】
次に、水洗を経た後、中和を行う。ここでの中和液は、濃度１０重量％程度、液温５５〜６５℃程度のリン酸三ナトリウム（Ｎａ3ＰＯ4）溶液とし、その溶液中に、リードフレームを、２０〜４０秒間程度浸漬する。
その後、湯洗、水切り、乾燥を行い、リードフレームに外装用のめっき膜を施した半導体装置を得る。
このような方法によりリードフレームを被覆しためっき膜は、図３に示すように、表面の凹凸が緩和され、無光沢ＳｎＣｕ単めっき膜中に、１μｍ以下の銅又は錫−銅合金小粒が均一に分散している。
【００２２】
なお、比較として、めっき槽内にアルカノールスルホン酸浴ＳｎＣｕめっき液を建浴し、めっき槽内のＣｕ比率が１〜５重量％となるようにＳｎ濃度及びＣｕ濃度を調整するとともに、ＦＣＭ−１０と異なる添加剤、キレート剤を適宜添加しためっき液に、電流密度６．０〜７．０Ａ／ｄｍ2程度で７〜８分間程度浸漬し、２０〜２５℃程度の温度のリン酸三ナトリウムによる中和を行って、８〜２０μｍ程度の膜厚のめっき膜を形成した。
このような方法により形成されためっき膜は、図４に示すように、表面に凹凸があり、銅又は錫−銅合金の最大粒径が４μｍ程度の粒子が形成されていた。
【００２３】
また、このめっき膜と同様の方法によりめっき膜を施したリードフレームを有する半導体装置について、はんだ濡れ性を評価した。
はんだ濡れ性の評価は、基板実装タイプの試料（プリント基板の所定の孔にリードフレーム端子を挿入してはんだ接合可能な部品）及び面実装タイプの試料（プリント基板表面の配線にリフローはんだ付け等ではんだ接合可能なように端子を水平方向に曲げ加工した部品）に対して、前処理として、ＪＩＳ００５０の付属書Ａに記載されたように、加速水蒸気エージング装置で１００℃、１００％ＲＨにて８時間放置するか、ＰＣＴ（プレッシャ・クッカ・テスト）で１０５℃、１００％ＲＨにて８時間放置した後、２時間以上室温放置した。この前処理後の基板実装タイプの試料に対しては、ＥＩＡＪ  ＥＴ−７４０１の平衡法を、面実装タイプの試料に対しては、ＥＩＡＪ  ＥＴ−７４０４の急加熱法を採用した。
また、はんだとしては、Ｓｎ2.5Ａｇ0.5Ｃｕ1.0Ｂｉを用い、はんだの加熱温度を２４５℃とした。
その結果、ゼロクロスタイムは３秒以下であった。
【００２４】
実施の形態２
図５（ａ）に示すように、実施の形態１と同様のリードフレーム２３を有する半導体装置２２を、カソードラック２１に搭載し、図５（ｂ）に示すように、実施の形態１と同様のめっき槽２４に浸漬し、アノード２０間でカソードラック２１を給電浸漬の上、同所にて一定時間めっきを施し、近隣ラックのカソード域まで移動し、めっきを施す。
その後、カソードラック２１が、最終のカソード域に達した時に、カソードラック２１の電流密度を２．５Ａ／ｄｍ2程度に変更し、１〜２分間程度定速移動させて、約１５μｍ程度の膜厚の無光沢めっき膜をリードフレーム２３に形成する。
このようにして得られためっき膜においても、図３に示したように、１μｍ以下の銅又は錫−銅合金小粒が膜内において均一に分散されており、めっき膜表面が緻密となった。
【００２５】
実施の形態３
実施の形態１及び２において、リードフレーム３３を有する半導体装置３２を、図６（ａ）又は（ｂ）に示したように、アノード３０に対して、所定の角度α、例えば、５０°を保持した状態で重ねてカソードラック３１に搭載して、めっき膜を形成した。また、アノード３０側から見て隣接するリードフレーム同士で生じる重なり部位の約１／３以下、つまり、アノード３０に対するリードフレームの投影において、隣接するリードフレームとの重なりが、１つのリードフレームの全投影面積の約１／３以下とした。これにより、重なって見える部位へのめっきの回り込み電着効果により、大量生産性を考慮しながらも、所定の膜厚でのめっき膜の形成が可能となる。
【００２６】
つまり、一般的には、めっき対象物であるリードフレームはアノードに対して、略垂直又は略並行にカソードラックに搭載され、めっきされる。垂直に搭載する場合には、大量生産性を確保することができるが、一般に、めっき膜の膜厚が、アノードに近い部位（図２におけるＡ又はＡ″）は厚く、遠い部位（図２におけるＡ′）は薄くなる傾向があり、また、ＡからＡ″にかけての距離が長くなるほどめっき膜の膜厚のばらつきは大きくなる。一方、並行に搭載する場合には、処理数が減少するが、めっき膜の膜厚のばらつきを抑制することができる。
これに対して、この実施の形態においては、板状のめっき対象物であるリードフレームに対して、生産性を高め、膜厚のばらつきを最小限にとどめながら、さらに、はんだ濡れ性に優れた高品質ＳｎＣｕめっき膜を形成することができる。
【００２７】
【発明の効果】
本発明によれば、従来の鉛フリーのはんだに対する濡れ性を、簡便な方法により改善することができ、より生産性を向上させることが可能となり、製造コストを抑制しためっき膜を形成することが可能となる。特に、２段階の電流密度でめっき対象物にめっきを施すか、めっき膜を形成した後、めっき対象物を５〜１０重量％の濃度のリン酸三ナトリウム溶液に浸漬する場合には、より均一なめっき膜を得ることができ、めっき膜のはんだに対する濡れ性を向上させることが可能となる。
【００２８】
特に、めっき対象物を、アノードに対して５〜８５°の傾斜角度で対向させてめっき膜を施す場合又はめっき対象物を複数個隣接してアノードに対向させ、めっき対象物のアノードへの投影において、隣接するめっき対象物同士の重なりが１つのめっき対象物の投影面積の１／３以下である場合には、めっき膜の形成部位によりめっき膜の膜厚のばらつきを小さく抑えることができ、よりはんだ濡れ性を満足するめっき膜を形成することが可能となる。
【００２９】
また、鉛フリーのはんだについて、特にＳｎＣｕめっき膜において研究した結果、はんだ濡れ性に劣る無光沢ＳｎＣｕめっき膜においては、約２μｍ以上の粒径を有した銅又は錫−銅合金粒が不均一に点在（異常析出）しているため、同粒に濡れが阻害されることを見出したが、本発明によれば、銅又は錫−銅合金粒を約１μｍ以下とし、かつ、均一に分散析出させることで、ＳｎＣｕめっき膜が格段に濡れ性を改善させることができる。しかも、めっき厚が薄い（＜８μｍ）箇所を有する場合には、はんだ濡れ性がばらつくことを見出したが、本発明によれば、均一な膜厚のめっき膜を得ることができ、はんだ濡れ性をより改善することができる。さらに、めっき膜表面の起伏が小さく、緻密な場合には、はんだ濡れ性が良好となる傾向を見出したが、本発明によれば、緻密化しためっき膜を得ることができ、はんだ濡れ性をより改善することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のめっき膜の形成方法の実施の形態を示すフローチャートである。
【図２】本発明のめっき膜の形成方法におけるアノード、カソード及びめっき対象物の配置を説明するため要部の概略断面図である。
【図３】本発明のめっき膜の形成方法で形成されためっき膜の断面図である。
【図４】図３に対する比較のためのめっき膜の断面図である。
【図５】本発明のめっき膜の形成方法におけるアノード、カソード及びめっき対象物の配置を説明するため要部の概略断面図である。
【図６】本発明のめっき膜の形成方法におけるアノード、カソード及びめっき対象物との配置を説明するため要部の概略断面図である。
【図７】めっき膜が形成された電子部品の概略断面図である。
【符号の説明】
１０、２０、３０  アノード
１１、２１、３１  カソードラック
１２、２２、３２  半導体装置
２３、３３  リードフレーム
２４  めっき槽
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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