【事件の表示】
　平成５年特許願第２４８７８６号「電荷転送装置」拒絶査定に対する審判事件（平成７年３月３１日出願公開、特開平７−８６５６８）について、次のとおり審決する。
【結論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理由】
１．手続の経緯・本願発明の要旨
本願は、平成５年９月９日の出願であって、その発明の要旨は特許請求の範囲請求項１から３に記載されたとおりであり、請求項１に係る発明は次のものである。
「電荷転送領域と電荷転送電極とを有する電荷転送レジスタと、前記電荷転送レジスタから信号電荷の転送を受ける浮遊拡散層と、前記浮遊拡散層から信号電荷を引き抜き該（「外」は誤記と認める）拡散層の電位を周期的に一定電位にリセットするリセット手段と、前記浮遊拡散層にゲート電極が接続されたＭＯＳＦＥＴと該ＭＯＳＦＥＴのソースに接続された負荷抵抗とを有するソースフォロワとを備える電荷転送装置であって、前記負荷抵抗は、第１導電型半導体層上に設けられ、上面全面を前記第１導電型半導体層より不純物濃度が高い高不純物濃度第１導電型半導体領域によって覆われた第２導電型拡散層によって構成され、前記負荷抵抗の近傍において、前記第１導電型半導体層表面から前記第１導電型半導体層に基準電圧をあたえていることを特徴とする電荷転送装置。」（以下、本願発明という）
２．引用例記載の発明
（引用例１記載の発明）
原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に公開された特開昭６３−２２４２５６号公報（以下、引用例１という）には、次のことが記載されている。
　「ＣＣＤの出力増幅器の一例を第２図をもって説明する。半導体基板上に絶縁膜を介し並列配置された複数の転送電極１−１、１−２、１−ｎに適当なパルス電圧を印加することにより転送電極下のチャネルを転送された信号電荷は、最終段電極である出力ゲート２の下のチャネルを通り検出容量３で電圧変換され、増幅トランジスタ４と負荷ＭＯＳトランジスタ５より構成されるソースホロワ回路でインピーダンス変換され出力端子６より出力される。検出容量３の信号電荷は、リセットトランジスタ７をＯＮすることにより一定電圧ＶＲＤにバイアスされたリセットドレイン８に排出される。」（第２頁右下欄２行から１５行）、
　「１／ｆ雑音の原因は、半導体基板と絶縁膜との界面を流れる電流の一部がそこにある電荷トラップで吸収及び放出されるからである。」（第２頁左上欄第３行〜第５行）、
　「第１図（ａ）に本発明に係るＭＯＳトランジスタの一実施例の断面構造を示す。このトランジスタにおいて、半導体基板１０（ｐ型）内に形成したソース５１とドレイン５２の間の基板表面上に絶縁膜１１を介してゲート電極９を形成し、このゲート電極９下の基板１０内に埋め込みチャネル層１７（ｎ型）を設けている。埋込チャネル層１７と基板一絶縁膜界面１２との間に、埋込チャネル層と反対導電形（ｐ型）のバリア層１８を有している。」（第２頁右下欄第８行から１９行）、
　「このトランジスタを第２図の増幅トランジスタ４に用いた場合のＸ−Ｙ方向のポテンシャル図を第１図（ｂ）に示す。」（第２頁右下欄第２０行〜第３頁左上欄第２行）、
　「このトランジスタを第２図の負荷ＭＯＳトランジスタ５に用いた場合のポテンシャル図を第１図（Ｃ）に示す。この場合にも、基板内ポテンシャル２０の最大値φａ’は埋め込みチャネル１７内にあるので電流はこの埋め込みチャネル１７内を流れ、かつバリア層１８がポテンシャル障害となっているため基板−絶縁膜界面１２から離れて流れる。従って、１／ｆ雑音が抑圧される。」（第３頁右上欄第５行から１３行）。
　そして、負荷ＭＯＳトランジスタ５の構造も、増幅トランジスタ４と同じであると認められる。
　即ち、引用例１には、半導体基板上に絶縁膜を介し並列配置された複数の転送電極１−１、１−２、１−ｎに適当なパルス電圧を印加することにより転送電極下のチャネルを転送された信号電荷は、最終段電極である出力ゲート２の下のチャネルを通り検出容量３で電圧変換され、増幅トランジスタ４と負荷ＭＯＳトランジスタ５より構成されるソースホロワ回路でインピーダンス変換され出力端子６より出力され、検出容量３の信号電荷は、リセットトランジスタ７をＯＮすることにより一定電圧ＶＲＤにバイアスされたリセットドレイン８に排出され、負荷ＭＯＳトランジスタ５は、半導体基板１０（ｐ型）内に形成したソース５１とドレイン５２の間の基板表面上に絶縁膜１１を介してゲート電極９を形成し、このゲート電極９下の基板１０内に埋め込みチャネル層１７（ｎ型）を設け、埋込チャネル層１７と基板−絶縁膜界面１２との間に、埋込チャネル層と反対導電形（ｐ型）のバリア層１８を有しているものであるＣＣＤの出力増幅器が記載されている。
（引用例２記載の発明）
原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に公開された特開昭６１−２２０３６８号公報（以下、引用例２という）には、次のことが記載されている。
　「この発明は、所謂１／ｆ雑音の低減を図り、例えばソースホロア回路の負荷素子として好適な半導体装置に関する。」（第１頁右下欄第１１行〜１３行）、
　「第７図において、１０１はｐ型の半導体基板（以下「基板」と呼ぶ。）であり、この基板１０は接地されている。また、この基板１０１には所定間隔だけ離れて一対のｎ＋型の領域１０３、１０５が形成され（以下１０３を「ソース領域」、１０５を「ドレイン領域」と呼ぶ。）、ソース領域１０３は接地され電流キャリアを供給する領域をなし、ドレイン領域１０５は電圧源１１１に接続され電流キャリアを流出する領域をなし、１０７はソース領域１０３からドレイン領域１０５へ流れる電流キャリアの通路としてｎ型のチャンネル領域となる。さらに、第８図の斜線で示す部分において、高濃度で電流キャリアと反対の導電型、即ちｐ＋型の不純物層１０９が、基板１０１の表面から内部へ向って所定の深さで形成され基板１０１に接合されている。したがって、チャンネル領域１０７の表面の電位は基板電位と同じになり、チャンネル領域１０７の表面は正孔で満たされることになる。」（第２頁左上欄第２０行〜右上欄第１８行）、
　「第１０図は、第７図に示した点線の矢印１２７に沿ったポテンシャルバンドを示すものである。同図において、上述したようにｐ＋型の不純物層１０９が基板１０１と同電位（接地電位）となっているために、正孔で満たされた表面層１１９がｐ＋型の不純物層１０９内に形成される。そのために、伝導帯の電位１２３及び価電子帯の電位１２５は、ｐ＋型の不純物層１０９からチャンネル領域１０７に向って高くなり、チャンネル領域１０７内で平衡状態となり、ｎ型のチャンネル領域１０７とｐ型の基板１０１のｐｎ接合により、チャンネル領域１０７から基板１０１に向って低くなり平衡状態となる。したがって、チャンネル領域１０７内を流れる電子はチャンネル領域１０７の表面から遠ざけられ、実質的にチャンネル領域１０７は狭められることとになり、１２１が新たなチャンネル領域となる。その結果、電子はチャンネル領域１０７の表面に触れることなくチャンネル領域１２１を流れることになり、チャンネル領域１０７の表面に多数存在するエネルギー準位による電流のじょう乱は起こらないことになる。」（第４頁左下欄第１３行〜右下欄第１４行）。即ち、引用例２には、ｎチャンネル領域の表面にｐ＋層を形成して、ｐ＋層を接地されているｐ型基板と同電位とすることで、電子をｎチャンネル表面から離れて流れるようにすることが示されている。
３．本願発明と引用例との対比
（一致点）
　本願発明と引用例１記載の発明とを対比すると、引用例１の「半導体基板上に絶縁膜を介し並列配置された複数の転送電極」を含む電荷転送レジスタ、
「最終段電極である出力ゲート２の下のチャネル」の領域、
「リセットトランジスタ７をＯＮすることにより一定電圧ＶＲＤにバイアスされたリセットドレイン８に排出される」手段、
「増幅トランジスタ４」、
「負荷ＭＯＳトランジスタ５」、
「ソースホロワ回路でインピーダンス変換され出力端子６より出力される」ＣＣＤ、
負荷ＭＯＳトランジスタ５に用いたときの「半導体基板１０」、「反対導電形（ｐ型）のバリア層１８」、「埋込チャネル層１７」の夫々は、
本願発明の「電荷転送領域と電荷転送電極とを有する電荷転送レジスタ」、
「前記電荷転送レジスタから信号電荷の転送を受ける浮遊拡散層」、
「前記浮遊拡散層から信号電荷を引き抜き該拡散層の電位を一定電位にリセットするリセット手段」、
「前記浮遊拡散層にゲート電極が接続されたＭＯＳＦＥＴ」、
「該ＭＯＳＦＥＴのソースに接続された負荷抵抗」、
「ソースフォロワとを備える電荷転送装置」、
負荷抵抗の「第１導電型半導体層」、「第１導電型半導体領域」、「第２導電型拡散層」
に対応するから、
両者は次の点で一致する。
「電荷転送領域と電荷転送電極とを有する電荷転送レジスタと、前記電荷転送レジスタから信号電荷の転送を受ける浮遊拡散層と、前記浮遊拡散層から信号電荷を引き抜き該拡散層の電位を一定電位にリセットするリセット手段と、前記浮遊拡散層にゲート電極が接続されたＭＯＳＦＥＴと該ＭＯＳＦＥＴのソースに接続された負荷抵抗とを有するソースフォロワとを備える電荷転送装置であって、前記負荷抵抗は、第１導電型半導体層上に設けられ、上面全面を第１導電型半導体領域によって覆われた第２導電型拡散層によって構成されていることを特徴とする電荷転送装置」。
（相違点）
　そして、次の点で両者は相違する。
▲１▼本願発明が第２導電型拡散層を覆う第１導電型半導体領域は「前記第１導電型半導体層より不純物濃度が高い高不純物濃度」を有するが、引用例１のものは、高濃度とは記載されていない点、
▲２▼本願発明が「前記負荷抵抗の近傍において、前記第１導電型半導体層表面から前記第１導電型半導体層に基準電圧をあたえている」のに対して引用例１のものは、基準電圧の記載がない点、
▲３▼本願発明が、「拡散層の電位を周期的に一定電位にリセットする」のに対して、引用例１のものは周期的かどうか記載がない点。
（相違点の検討）
相違点▲１▼について
引用例２には、ｎチャンネル領域の表面にｐ＋層を形成して、ｐ＋層をｐ型基板と同電位とすることで、電子をｎチャンネル表面から離れて流れるようにすることが示されている。
　そして、引用例１のものも引用例２のものも、ソースフォロワに接続する負荷抵抗であり、同じ技術分野である。そして、引用例２のｐ＋層はｎチャネル層の表面全面ではないが、引用例１のｐ層全部に対して、ｐ＋層とすることに格別の困難なことが認められないので、引用例１のｐ層を引用例２に示されるようにｐ＋層とすること、即ち「前記第１導電型半導体層より不純物濃度が高い高不純物濃度」とすることは容易にできたものと認められる。
　相違点▲２▼について
前審で示した引用例（特開昭５７−１３７６４号公報）の第３図（ｃ）では図示されるように接地電位を表面から与えている。基板に基準電圧を与えるのに、基板の裏面からか、側面からかあるいは表面から与えるのが通常であるから、特に半導体層表面から基準電圧を印加することに格別の工夫が必要であるとは認められないので、この相違点に格別のことが認められない。
　相違点▲３▼について
　リセットを周期的に行うことは、電荷転送装置では周知のことである。この相違点は当業者の設計的事項にすぎない。
４．まとめ
　したがって、いずれの相違点も格別のことではなく、総合的に見ても格別ではないから、本願発明は、引用例１及び引用例２記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。