【事件の表示】
　特許第６３０９２６９号発明「有機電子装置を調製するための配合物および方法」の特許異議申立事件について，次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６３０９２６９号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり，訂正後の請求項〔１，３−３９〕について訂正することを認める。
　特許第６３０９２６９号の請求項１ないし３９に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第６３０９２６９号（以下，「本件特許」という。）の請求項１−３９に係る特許についての出願は，平成２３年（２０１１年）４月２８日（パリ条約による優先権主張　欧州特許庁受理　２０１０年５月２７日，以下，「本件優先日」という。）を国際出願日として出願され，平成３０年３月２３日にその特許権の設定登録がされ，平成３０年４月１１日に特許掲載公報が発行された。
　その後，その特許について，平成３０年９月２１日に特許異議申立人矢部和夫により特許異議の申立てがされ，当審は，平成３０年１１月２９日付け取消理由を通知した。特許権者は，その指定期間内である平成３１年３月１日に意見書の提出及び訂正の請求（以下，「本件訂正請求」という。）を行い，本件訂正請求に対して，特許異議申立人は，平成３１年４月１１日に意見書を提出した。
　
第２　訂正の適否についての判断
１　訂正の内容
　本件訂正請求による訂正の内容は，次のとおりである。
（１）訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１に，
「前記配合物は２５℃において２．２３〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有し，」
とあるのを，
「前記配合物は２５℃において２．２３〜
５．０
に訂正する（請求項１の記載を直接または間接的に引用する請求項３，５〜８，１２，１５，１６，２１，２３，２４，３２，３３および３７〜３９も同様に訂正する）。
（２）訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項４に，
「前記配合物は，２２ｍＮ／ｍ〜５０ｍＮ／ｍの範囲内の表面張力を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。」
とあるうち，請求項１を引用するものについて独立形式に改め，
「
有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置を調製する方法であって，
　　
ａ）フィルムまたは層を形成するために，１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と，１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって，前記配合物は２５℃において２．２３〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有し，前記有機溶媒の沸点は最高で４００℃であることを特徴とする配合物を基板上に堆積する工程と，
　　
ｂ）前記有機溶媒（１種類または多種類）を除去する工程と
を含む方法であって，
　
グラビア印刷またはフレキソ印刷により前記配合物が塗工され，
る方
に訂正する（請求項４の記載を直接または間接的に引用する請求項５〜８，１２，１５，１６，２１，２３，２４，３２，３３および３７〜３９も同様に訂正する）。
（３）訂正事項３
　特許請求の範囲の請求項９に，
「前記芳香族炭化水素化合物は，シクロアルキル基を含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。」
とあるうち，請求項１を間接的に引用するものについて独立形式に改め，
「
有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置を調製する方法であって，
　　
ａ）フィルムまたは層を形成するために，１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と，１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって，前記配合物は２５℃において２．２３〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有し，前記有機溶媒の沸点は最高で４００℃であることを特徴とする配合物を基板上に堆積する工程と，
　　
ｂ）前記有機溶媒（１種類または多種類）を除去する工程と
を含む方法であって，
　
グラビア印刷またはフレキソ印刷により前記配合物が塗工され，前記有機溶媒は１種類以上の芳香族炭化水素化合物を含み，
る方
に訂正する（請求項９の記載を直接または間接的に引用する請求項１２，１５，１６，２１，２３，２４，３２，３３および３７〜３９も同様に訂正する）。
（４）訂正事項４
　特許請求の範囲の請求項１０に，
「前記芳香族炭化水素化合物は，１〜８個の炭素原子を有するアルキル基を含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。」
とあるうち，請求項１を間接的に引用するものについて独立形式に改め，
「
有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置を調製する方法であって，
　　
ａ）フィルムまたは層を形成するために，１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と，１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって，前記配合物は２５℃において２．２３〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有し，前記有機溶媒の沸点は最高で４００℃であることを特徴とする配合物を基板上に堆積する工程と，
　　
ｂ）前記有機溶媒（１種類または多種類）を除去する工程と
を含む方法であって，
　
グラビア印刷またはフレキソ印刷により前記配合物が塗工され，前記有機溶媒は１種類以上の芳香族炭化水素化合物を含み，
る方
に訂正する（請求項１０の記載を直接または間接的に引用する請求項１２，１５，１６，２１，２３，２４，３２，３３および３７〜３９も同様に訂正する）。
（５）訂正事項５
　特許請求の範囲の請求項１１に，
「前記有機溶媒または溶媒ブレンドは，炭化水素芳香族化合物の混合物であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。」
とあるうち，請求項１を間接的に引用するものについて独立形式に改め，
「
有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置を調製する方法であって，
　　
ａ）フィルムまたは層を形成するために，１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と，１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって，前記配合物は２５℃において２．２３〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有し，前記有機溶媒の沸点は最高で４００℃であることを特徴とする配合物を基板上に堆積する工程と，
　　
ｂ）前記有機溶媒（１種類または多種類）を除去する工程と
を含む方法であって，
　
グラビア印刷またはフレキソ印刷により前記配合物が塗工され，
る方
に訂正する（請求項１１の記載を直接または間接的に引用する請求項１２，１５，１６，２１，２３，２４，３２，３３および３７〜３９も同様に訂正する）。
（６）訂正事項６
　特許請求の範囲の請求項１３に，
「前記有機溶媒は異なる沸点を有する化合物の混合物であり，最低の沸点を有する化合物の沸点は，最高の沸点を有する化合物の沸点より少なくとも１０℃低いことを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。」
とあるうち，請求項１を引用するものについて独立形式に改め，
「
有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置を調製する方法であって，
　　
ａ）フィルムまたは層を形成するために，１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と，１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって，前記配合物は２５℃において２．２３〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有し，前記有機溶媒の沸点は最高で４００℃であることを特徴とする配合物を基板上に堆積する工程と，
　　
ｂ）前記有機溶媒（１種類または多種類）を除去する工程と
を含む方法であって，
　
グラビア印刷またはフレキソ印刷により前記配合物が塗工され，
る方
に訂正する（請求項１３の記載を直接または間接的に引用する請求項１５，１６，２１，２３，２４，３２，３３および３７〜３９も同様に訂正する）。
（７）訂正事項７
　特許請求の範囲の請求項１４に，
「前記有機溶媒は異なる沸点を有する化合物の混合物であり，最低の沸点を有する化合物の沸点は，最高の沸点を有する化合物の沸点より最大で１００℃低いことを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項に記載の方法。」
とあるうち，請求項１を引用するものについて独立形式に改め，
「
有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置を調製する方法であって，
　　
ａ）フィルムまたは層を形成するために，１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と，１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって，前記配合物は２５℃において２．２３〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有し，前記有機溶媒の沸点は最高で４００℃であることを特徴とする配合物を基板上に堆積する工程と，
　　
ｂ）前記有機溶媒（１種類または多種類）を除去する工程と
を含む方法であって，
　
グラビア印刷またはフレキソ印刷により前記配合物が塗工され，
る方
に訂正する（請求項１４の記載を直接または間接的に引用する請求項１５，１６，２１，２３，２４，３２，３３および３７〜３９も同様に訂正する）。
（８）訂正事項８
　特許請求の範囲の請求項１７に，
「前記配合物は，少なくとも１種類の不活性バインダーを含むことを特徴とする請求項１〜１６のいずれか１項に記載の方法。」
とあるうち，請求項１を引用するものについて独立形式に改め，
「
有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置を調製する方法であって，
　　
ａ）フィルムまたは層を形成するために，１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と，１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって，前記配合物は２５℃において２．２３〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有し，前記有機溶媒の沸点は最高で４００℃であることを特徴とする配合物を基板上に堆積する工程と，
　　
ｂ）前記有機溶媒（１種類または多種類）を除去する工程と
を含む方法であって，
　
グラビア印刷またはフレキソ印刷により前記配合物が塗工され，
る方
に訂正する（請求項１７の記載を直接または間接的に引用する請求項１８〜２１，２３，２４，３２，３３および３７〜３９も同様に訂正する）。
（９）訂正事項９
　特許請求の範囲の請求項２２に，
「有機半導体化合物は，５０００ｇ／ｍｏｌ以下の分子量を有することを特徴とする請求項１〜２１のいずれか１項に記載の方法。」
とあるうち，請求項１を引用するものについて独立形式に改め，
「
有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置を調製する方法であって，
　　
ａ）フィルムまたは層を形成するために，１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と，１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって，前記配合物は２５℃において２．２３〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有し，前記有機溶媒の沸点は最高で４００℃であることを特徴とする配合物を基板上に堆積する工程と，
　　
ｂ）前記有機溶媒（１種類または多種類）を除去する工程と
を含む方法であって，
　
グラビア印刷またはフレキソ印刷により前記配合物が塗工され，
る方
に訂正する（請求項２２の記載を直接または間接的に引用する請求項２３，２４，３２，３３および３７〜３９も同様に訂正する）。
（１０）訂正事項１０
　特許請求の範囲の請求項２５に，
「有機半導体化合物は，以下の式の化合物であることを特徴とする請求項１〜２２のいずれか１項に記載の方法。」
とあるうち，請求項１を引用するものについて独立形式に改め，
「
有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置を調製する方法であって，
　　
ａ）フィルムまたは層を形成するために，１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と，１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって，前記配合物は２５℃において２．２３〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有し，前記有機溶媒の沸点は最高で４００℃であることを特徴とする配合物を基板上に堆積する工程と，
　　
ｂ）前記有機溶媒（１種類または多種類）を除去する工程と
を含む方法であって，
　
グラビア印刷またはフレキソ印刷により前記配合物が塗工され，
る方
に訂正する（請求項２５の記載を直接または間接的に引用する請求項３２，３３および３７〜３９も同様に訂正する）。
（１１）訂正事項１１
　特許請求の範囲の請求項２６に，
「有機半導体化合物は，以下の式の化合物であることを特徴とする請求項１〜２２のいずれか１項に記載の方法。」
とあるうち，請求項１を引用するものについて独立形式に改め，
「
有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置を調製する方法であって，
　　
ａ）フィルムまたは層を形成するために，１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と，１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって，前記配合物は２５℃において２．２３〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有し，前記有機溶媒の沸点は最高で４００℃であることを特徴とする配合物を基板上に堆積する工程と，
　　
ｂ）前記有機溶媒（１種類または多種類）を除去する工程と
を含む方法であって，
　
グラビア印刷またはフレキソ印刷により前記配合物が塗工され，
る方
に訂正する（請求項２６の記載を直接または間接的に引用する請求項２７，３２，３３および３７〜３９も同様に訂正する）。
（１２）訂正事項１２
　特許請求の範囲の請求項２８に，
「有機半導体化合物は，光を発し，加えて，３８より大きい原子番号を有する少なくとも１個の原子を含有する有機リン光性化合物であることを特徴とする請求項１〜２２のいずれか１項に記載の方法。」
とあるうち，請求項１を引用するものについて独立形式に改め，
「
有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置を調製する方法であって，
　　
ａ）フィルムまたは層を形成するために，１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と，１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって，前記配合物は２５℃において２．２３〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有し，前記有機溶媒の沸点は最高で４００℃であることを特徴とする配合物を基板上に堆積する工程と，
　　
ｂ）前記有機溶媒（１種類または多種類）を除去する工程と
を含む方法であって，
　
グラビア印刷またはフレキソ印刷により前記配合物が塗工され，
る方
に訂正する（請求項２８の記載を直接または間接的に引用する請求項２９，３０，３２，３３および３７〜３９も同様に訂正する）。
（１３）訂正事項１３
　特許請求の範囲の請求項３１に，
「配合物は，ホスト材料を含むことを特徴とする請求項１〜３０のいずれか１項に記載の方法。」
とあるうち，請求項１を引用するものについて独立形式に改め，
「
有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置を調製する方法であって，
　　
ａ）フィルムまたは層を形成するために，１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と，１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって，前記配合物は２５℃において２．２３〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有し，前記有機溶媒の沸点は最高で４００℃であることを特徴とする配合物を基板上に堆積する工程と，
　　
ｂ）前記有機溶媒（１種類または多種類）を除去する工程と
を含む方法であって，
　
グラビア印刷またはフレキソ印刷により前記配合物が塗工され，
る方
に訂正する（請求項３１の記載を直接または間接的に引用する請求項３２，３３および３７〜３９も同様に訂正する）。
（１４）訂正事項１４
　特許請求の範囲の請求項３４に，
「配合物は，少なくとも１種類の湿潤剤を含むことを特徴とする請求項１〜３３のいずれか１項に記載の方法。」
とあるうち，請求項１を引用するものについて独立形式に改め，
「
有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置を調製する方法であって，
　　
ａ）フィルムまたは層を形成するために，１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と，１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって，前記配合物は２５℃において２．２３〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有し，前記有機溶媒の沸点は最高で４００℃であることを特徴とする配合物を基板上に堆積する工程と，
　　
ｂ）前記有機溶媒（１種類または多種類）を除去する工程と
を含む方法であって，
　
グラビア印刷またはフレキソ印刷により前記配合物が塗工され，
る方
に訂正する（請求項３４の記載を引用する請求項３５および３７〜３９も同様に訂正する）。
（１５）訂正事項１５
　特許請求の範囲の請求項３６に，
「印刷装置のセルエッチングは，４ｃｍ３／ｍ２〜１８ｃｍ３／ｍ２の範囲内であることを特徴とする請求項１〜３５のいずれか１項に記載の方法。」
とあるうち，請求項１を引用するものについて独立形式に改め，
「
有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置を調製する方法であって，
　　
ａ）フィルムまたは層を形成するために，１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と，１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって，前記配合物は２５℃において２．２３〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有し，前記有機溶媒の沸点は最高で４００℃であることを特徴とする配合物を基板上に堆積する工程と，
　　
ｂ）前記有機溶媒（１種類または多種類）を除去する工程と
を含む方法であって，
　
グラビア印刷またはフレキソ印刷により前記配合物が塗工され，
る方
に訂正する（請求項３６の記載を引用する請求項３７〜３９も同様に訂正する）。
　本件訂正請求は，一群の請求項〔１，３−３９〕に対して請求されたものである。
２　訂正の目的の適否，新規事項の有無，及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
（１）訂正事項１について
　訂正事項１は，請求項１に記載された粘度の数値範囲の上限を「９．５ｍＰａ秒」から「５．０ｍＰａ秒」に変更するものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。そして，粘度を「５．０ｍＰａ秒」とすることは，本件特許の願書に添付した明細書（以下，「本件特許明細書」という。）の段落【０２８９】に記載されているから，訂正事項１は本件特許明細書の範囲内のものであり，また，粘度の数値範囲を狭めるものであるから，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではないと認められる。
（２）訂正事項２ないし１５について
　訂正事項２ないし１５は，いずれも，それぞれの請求項について，その請求項１を引用する部分を，独立形式の請求項に改めるとともに，請求項１以外の請求項を引用する部分を削除するものであるから，特許請求の範囲の減縮及び他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすることを目的とするものであって，新規事項を追加するものではないし，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではないと認められる。
３　小括
　以上のとおりであるから，本件訂正請求による訂正は，特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第４号に掲げる事項を目的とするものであり，かつ，同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
　したがって，特許請求の範囲を，訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり，訂正後の請求項〔１，３−３９〕について訂正することを認める。
　
第３　訂正後の本件発明
　本件訂正請求により訂正された（ただし，請求項２は訂正されていない。）請求項１−３９に係る発明（以下，それぞれ「本件発明１」ないし「本件発明３９」という。）は，訂正特許請求の範囲の請求項１−３９に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
「【請求項１】
　有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置を調製する方法であって，
　　ａ）フィルムまたは層を形成するために，１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と，１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって，前記配合物は２５℃において２．２３〜５．０ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有し，前記有機溶媒の沸点は最高で４００℃であることを特徴とする配合物を基板上に堆積する工程と，
　　ｂ）前記有機溶媒（１種類または多種類）を除去する工程と
を含む方法であって，
　グラビア印刷またはフレキソ印刷により，前記配合物が塗工されることを特徴とする方法。
【請求項２】
　有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置を調製する方法であって，
　　ａ）フィルムまたは層を形成するために，１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と，１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって，前記配合物は２５℃において２．２３〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有し，前記有機溶媒の沸点は最高で４００℃であり，前記有機溶媒はシクロアルキル基を有する芳香族炭化水素化合物および芳香族アルコキシ化合物より選択されることを特徴とする配合物を基板上に堆積する工程と，
　　ｂ）前記有機溶媒（１種類または多種類）を除去する工程と
を含む方法であって，
　グラビア印刷またはフレキソ印刷により，前記配合物が塗工されることを特徴とする方法。
【請求項３】
　前記配合物は，溶液であることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
　有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置を調製する方法であって，
　　ａ）フィルムまたは層を形成するために，１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と，１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって，前記配合物は２５℃において２．２３〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有し，前記有機溶媒の沸点は最高で４００℃であることを特徴とする配合物を基板上に堆積する工程と，
　　ｂ）前記有機溶媒（１種類または多種類）を除去する工程と
を含む方法であって，
　グラビア印刷またはフレキソ印刷により前記配合物が塗工され，前記配合物は２２ｍＮ／ｍ〜５０ｍＮ／ｍの範囲内の表面張力を含むことを特徴とする方法。
【請求項５】
　前記有機溶媒は，１７．０〜２３．２ＭＰａ０．５の範囲内のＨｄ，０．２〜１２．５ＭＰａ０．５の範囲内のＨｐおよび０．０〜２０．０ＭＰａ０．５の範囲内のＨｈのハンセン溶解度パラメータを含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
　前記有機溶媒は，１７．０〜２３．２ＭＰａ０．５の範囲内のＨｄ，０．２〜１０．５ＭＰａ０．５の範囲内のＨｐおよび０．０〜５．０ＭＰａ０．５の範囲内のＨｈのハンセン溶解度パラメータを含むことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
　前記有機溶媒は，１種類以上の芳香族および／またはヘテロ芳香族化合物を含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
　前記有機溶媒は，１種類以上の芳香族炭化水素化合物を含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
　有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置を調製する方法であって，
　　ａ）フィルムまたは層を形成するために，１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と，１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって，前記配合物は２５℃において２．２３〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有し，前記有機溶媒の沸点は最高で４００℃であることを特徴とする配合物を基板上に堆積する工程と，
　　ｂ）前記有機溶媒（１種類または多種類）を除去する工程と
を含む方法であって，
　グラビア印刷またはフレキソ印刷により前記配合物が塗工され，前記有機溶媒は１種類以上の芳香族炭化水素化合物を含み，前記芳香族炭化水素化合物はシクロアルキル基を含むことを特徴とする方法。
【請求項１０】
　有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置を調製する方法であって，
　　ａ）フィルムまたは層を形成するために，１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と，１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって，前記配合物は２５℃において２．２３〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有し，前記有機溶媒の沸点は最高で４００℃であることを特徴とする配合物を基板上に堆積する工程と，
　　ｂ）前記有機溶媒（１種類または多種類）を除去する工程と
を含む方法であって，
　グラビア印刷またはフレキソ印刷により前記配合物が塗工され，前記有機溶媒は１種類以上の芳香族炭化水素化合物を含み，前記芳香族炭化水素化合物は１〜８個の炭素原子を有するアルキル基を含むことを特徴とする方法。
【請求項１１】
　有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置を調製する方法であって，
　　ａ）フィルムまたは層を形成するために，１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と，１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって，前記配合物は２５℃において２．２３〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有し，前記有機溶媒の沸点は最高で４００℃であることを特徴とする配合物を基板上に堆積する工程と，
　　ｂ）前記有機溶媒（１種類または多種類）を除去する工程と
を含む方法であって，
　グラビア印刷またはフレキソ印刷により前記配合物が塗工され，前記有機溶媒または溶媒ブレンドは炭化水素芳香族化合物の混合物であることを特徴とする方法。
【請求項１２】
　前記有機溶媒は，少なくとも１３０℃の沸点を含むことを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
　有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置を調製する方法であって，
　　ａ）フィルムまたは層を形成するために，１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と，１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって，前記配合物は２５℃において２．２３〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有し，前記有機溶媒の沸点は最高で４００℃であることを特徴とする配合物を基板上に堆積する工程と，
　　ｂ）前記有機溶媒（１種類または多種類）を除去する工程と
を含む方法であって，
　グラビア印刷またはフレキソ印刷により前記配合物が塗工され，前記有機溶媒は異なる沸点を有する化合物の混合物であり，最低の沸点を有する化合物の沸点は最高の沸点を有する化合物の沸点より少なくとも１０℃低いことを特徴とする方法。
【請求項１４】
　有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置を調製する方法であって，
　　ａ）フィルムまたは層を形成するために，１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と，１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって，前記配合物は２５℃において２．２３〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有し，前記有機溶媒の沸点は最高で４００℃であることを特徴とする配合物を基板上に堆積する工程と，
　　ｂ）前記有機溶媒（１種類または多種類）を除去する工程と
を含む方法であって，
　グラビア印刷またはフレキソ印刷により前記配合物が塗工され，前記有機溶媒は異なる沸点を有する化合物の混合物であり，最低の沸点を有する化合物の沸点は最高の沸点を有する化合物の沸点より最大で１００℃低いことを特徴とする方法。
【請求項１５】
　前記配合物は，少なくとも８０重量％の前記有機溶媒を含むことを特徴とする請求項１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
　前記溶媒は，少なくとも１．５の分配率ｌｏｇＰを含むことを特徴とする請求項１〜１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
　有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置を調製する方法であって，
　　ａ）フィルムまたは層を形成するために，１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と，１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって，前記配合物は２５℃において２．２３〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有し，前記有機溶媒の沸点は最高で４００℃であることを特徴とする配合物を基板上に堆積する工程と，
　　ｂ）前記有機溶媒（１種類または多種類）を除去する工程と
を含む方法であって，
　グラビア印刷またはフレキソ印刷により前記配合物が塗工され，前記配合物は少なくとも１種類の不活性バインダーを含むことを特徴とする方法。
【請求項１８】
　前記不活性バインダーは，スチレンモノマーおよび／またはオレフィンより誘導される繰返単位を含むポリマーであることを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
　前記不活性バインダーは，スチレンモノマーおよび／またはオレフィンより誘導される繰返単位を少なくとも８０重量％含むポリマーであることを特徴とする請求項１７または１８に記載の方法。
【請求項２０】
　前記不活性バインダーは，少なくとも２００，０００ｇ／ｍｏｌの重量平均分子量を有するポリマーであることを特徴とする請求項１７〜１９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２１】
　有機半導体化合物は，有機発光材料および／または電荷輸送材料であることを特徴とする請求項１〜２０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２２】
　有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置を調製する方法であって，
　　ａ）フィルムまたは層を形成するために，１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と，１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって，前記配合物は２５℃において２．２３〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有し，前記有機溶媒の沸点は最高で４００℃であることを特徴とする配合物を基板上に堆積する工程と，
　　ｂ）前記有機溶媒（１種類または多種類）を除去する工程と
を含む方法であって，
　グラビア印刷またはフレキソ印刷により前記配合物が塗工され，有機半導体化合物は５０００ｇ／ｍｏｌ以下の分子量を有することを特徴とする方法。
【請求項２３】
　有機半導体化合物は，以下の式から選択される化合物であることを特徴とする請求項１〜２２のいずれか１項に記載の方法。
　　【化１】
　
（式中，
　ｎは１より大きい整数であり，
　Ｒは，それぞれの出現において同一または異なって，Ｈ，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ，ＣＮ，直鎖状，分岐状または環状で１〜４０個のＣ原子を有するアルキル基（ただし，１個以上のＣ原子は，Ｏ−および／またはＳ−原子がそれぞれ互いに直接連結しないようにして，Ｏ，Ｓ，Ｏ−ＣＯ，ＣＯ−Ｏ，Ｏ−ＣＯ−Ｏ，ＣＲ０＝ＣＲ０またはＣ≡Ｃで置き換えられていてもよく，ただし，１個以上のＨ原子は，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，ＩまたはＣＮで置き換えられていてもよい。）を表すか，または，４〜２０個の環原子を有するアリールまたはヘテロアリール基（該基は無置換であるか，１個以上の非芳香族基ＲＳで置換されている。）を表し，ただし，また，１個以上の基Ｒは，互いと共に，および／または，基Ｒが連結されている環と共に，単環状または多環状の脂肪族または芳香族環系を形成していてもよく，
　ＲＳは，それぞれの出現において同一または異なって，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ，ＣＮ，Ｓｎ（Ｒ００）３，Ｓｉ（Ｒ００）３またはＢ（Ｒ００）２，直鎖状，分岐状または環状で１〜２５個のＣ原子を有するアルキル基（ただし，１個以上のＣ原子は，Ｏ−および／またはＳ−原子がそれぞれ互いに直接連結しないようにして，Ｏ，Ｓ，Ｏ−ＣＯ，ＣＯ−Ｏ，Ｏ−ＣＯ−Ｏ，ＣＲ０＝ＣＲ０，Ｃ≡Ｃで置き換えられていてもよく，ただし，１個以上のＨ原子は，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，ＩまたはＣＮで置き換えられていてもよい。）を表すか，または，ＲＳは，４〜２０個の環原子を有するアリールまたはヘテロアリール基（該基は無置換であるか，１個以上の非芳香族基ＲＳで置換されている。）を表し，ただし，また，１個以上の基ＲＳは，互いと共に，および／または，Ｒと共に，環系を形成していてもよく，
　Ｒ０は，それぞれの出現において同一または異なって，Ｈ，Ｆ，Ｃｌ，ＣＮ，１〜１２個のＣ原子を有するアルキル，または，４〜１０個の環原子を有するアリールまたはヘテロアリールを表し，
　Ｒ００は，それぞれの出現において同一または異なって，Ｈ，１〜２０個のＣ原子を有する脂肪族または芳香族炭化水素基を表し，ただし，また，２個の基Ｒ００は，それらが連結されているヘテロ原子（Ｓｎ，ＳｉまたはＢ）と共に環を形成していてもよく，
　ｒは，０，１，２，３または４であり，
　ｓは，０，１，２，３，４または５である。）
【請求項２４】
　ｎは，１０〜１，０００の整数であることを特徴とする請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
　有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置を調製する方法であって，
　　ａ）フィルムまたは層を形成するために，１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と，１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって，前記配合物は２５℃において２．２３〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有し，前記有機溶媒の沸点は最高で４００℃であることを特徴とする配合物を基板上に堆積する工程と，
　　ｂ）前記有機溶媒（１種類または多種類）を除去する工程と
を含む方法であって，
　グラビア印刷またはフレキソ印刷により前記配合物が塗工され，有機半導体化合物は以下の式の化合物であることを特徴とする方法。
　　【化２】
　
（式中，Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ７，Ｒ８，Ｒ９，Ｒ１０，Ｒ１５，Ｒ１６，Ｒ１７は，それぞれ独立に，同一または異なって，それぞれ独立に，Ｈ；置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４０のカルビルまたはヒドロカルビル基；置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４０のアルコキシ基；置換されていてもよいＣ６〜Ｃ４０のアリールオキシ基；置換されていてもよいＣ７〜Ｃ４０のアルキルアリールオキシ基；置換されていてもよいＣ２〜Ｃ４０のアルコキシカルボニル基；置換されていてもよいＣ７〜Ｃ４０のアリールオキシカルボニル基；シアノ基（−ＣＮ）；カルバモイル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ２）；ハロホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｘ，式中，Ｘはハロゲン原子を表す。）；ホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｈ）；イソシアノ基；イソシアネート基；チオシアネート基またはチオイソシアネート基；置換されていてもよいアミノ基；ヒドロキシ基；ニトロ基；ＣＦ３基；ハロ基（Ｃｌ，Ｂｒ，Ｆ）；置換されていてもよいシリル基を表し；および，Ａは，ケイ素またはゲルマニウムを表し，および，
　式中，組Ｒ１およびＲ２，Ｒ２およびＲ３，Ｒ３およびＲ４，Ｒ７およびＲ８，Ｒ８およびＲ９，Ｒ９およびＲ１０，Ｒ１５およびＲ１６，および，Ｒ１６およびＲ１７は，それぞれ，独立に，互いに架橋されてＣ４〜Ｃ４０の飽和または不飽和環を形成していてもよく，その飽和または不飽和環には，酸素原子，硫黄原子，または，式−Ｎ（Ｒａ）−（式中，Ｒａは，水素原子または炭化水素基である。）の基が介在していてもよく，また置換されていてもよく，および
　式中，ポリアセン骨格の１個以上の炭素原子は，Ｎ，Ｐ，Ａｓ，Ｏ，Ｓ，ＳｅおよびＴｅより選択されるヘテロ原子によって置換されていてもよい。）
【請求項２６】
　有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置を調製する方法であって，
　　ａ）フィルムまたは層を形成するために，１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と，１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって，前記配合物は２５℃において２．２３〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有し，前記有機溶媒の沸点は最高で４００℃であることを特徴とする配合物を基板上に堆積する工程と，
　　ｂ）前記有機溶媒（１種類または多種類）を除去する工程と
を含む方法であって，
　グラビア印刷またはフレキソ印刷により前記配合物が塗工され，有機半導体化合物は以下の式の化合物であることを特徴とする方法。
　　【化３】
　
（式中，
　Ｙ１およびＹ２の一方は−ＣＨ＝または＝ＣＨ−を表し，他方は−Ｘ−を表し，
　Ｙ３およびＹ４の一方は−ＣＨ＝または＝ＣＨ−を表し，他方は−Ｘ−を表し，
　Ｘは，−Ｏ−，−Ｓ−，−Ｓｅ−または−ＮＲ’’’−であり，
　Ｒ’は，Ｈ，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ，ＣＮ，直鎖状または分岐状のアルキルまたはアルコキシ（該基は，１〜２０個のＣ原子を有し，フッ素化またはペルフルオロ化されていてもよい。），６〜３０個のＣ原子を有するフッ素化またはペルフルオロ化されていてもよいアリール，または，ＣＯ２Ｒ””（式中，Ｒ””は，Ｈ，１〜２０個のＣ原子を有するフッ素化されていてもよいアルキル，または，２〜３０個のＣ原子を有するフッ素化されていてもよいアリールである。）であり，
　Ｒ”は，複数出現する場合は互いに独立に，１〜２０個のＣ原子を有する環状，直鎖状または分岐状のアルキルまたはアルコキシ，または，２〜３０個のＣ原子を有するアリールであり，それらは全てフッ素化またはペルフルオロ化されていてもよく，
　Ｒ’’’は，Ｈ，または，１〜１０個のＣ原子を有する環状，直鎖状または分岐状のアルキルであり，
　ｍは，０または１であり，
　ｏは，０または１である。）
【請求項２７】
　Ｒ”は，複数出現する場合は互いに独立に，１〜８個のＣ原子を有する環状，直鎖状または分岐状のアルキルまたはアルコキシ，または，２〜３０個のＣ原子を有するアリールであり，それらは全てフッ素化またはペルフルオロ化されていてもよいことを特徴とする請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
　有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置を調製する方法であって，
　　ａ）フィルムまたは層を形成するために，１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と，１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって，前記配合物は２５℃において２．２３〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有し，前記有機溶媒の沸点は最高で４００℃であることを特徴とする配合物を基板上に堆積する工程と，
　　ｂ）前記有機溶媒（１種類または多種類）を除去する工程と
を含む方法であって，
　グラビア印刷またはフレキソ印刷により前記配合物が塗工され，有機半導体化合物は光を発し，加えて３８より大きい原子番号を有する少なくとも１個の原子を含有する有機リン光性化合物であることを特徴とする方法。
【請求項２９】
　リン光性化合物は，式（１）〜（４）の化合物であることを特徴とする請求項２８に記載の方法。
　　【化４】
　
（式中，
　ＤＣｙは，それぞれの出現において同一または異なって，少なくとも１個のドナー原子，カルベンの形態の炭素またはリンを含有する環状基であり，これらを介して該環状基は金属に結合されており，これらは１個以上の置換基Ｒ１８を有していてもよく；基ＤＣｙおよびＣＣｙは，共有結合を介して互いに連結されており；
　ＣＣｙは，それぞれの出現において同一または異なって，炭素原子を含有する環状基であり，該炭素原子を介して該環状基は金属に結合されており，該炭素原子は順次に１個以上の置換基Ｒ１８を有していてもよく；
　Ａは，それぞれの出現において同一または異なって，モノアニオン性の二座キレート配位子であり；
　Ｒ１８は，それぞれの出現において同一または異なって，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ，ＮＯ２，ＣＮ，１〜２０個の炭素原子を有する直鎖状，分岐状または環状のアルキルまたはアルコキシ基（ただし，１個以上の隣接していないＣＨ２基は，−Ｏ−，−Ｓ−，−ＮＲ１９−，−ＣＯＮＲ１９−，−ＣＯ−Ｏ−，−Ｃ＝Ｏ−，−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられていてもよく，ただし，１個以上の水素原子は，Ｆで置き換えられていてもよい。），または，４〜１４個の炭素原子を有し，１個以上の非芳香族Ｒ１８基で置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリール基であり，複数の置換基Ｒ１８は，同一の環上または２個の異なる環上のいずれかにおいて，共に順次に単環または多環の脂肪族または芳香族の環系を形成していてもよく；および
　Ｒ１９は，それぞれの出現において同一または異なって，１〜２０個の炭素原子を有する直鎖状，分岐状または環状のアルキルまたはアルコキシ基（ここで，１個以上の隣接していないＣＨ２基は，−Ｏ−，−Ｓ−，−ＣＯ−Ｏ−，−Ｃ＝Ｏ−，−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられていてもよく，ただし，１個以上の水素原子は，Ｆで置き換えられていてもよい。），または，４〜１４個の炭素原子を有し，１個以上の非芳香族Ｒ１８基で置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリール基である。）
【請求項３０】
　・ドナー原子は，窒素であり，
　・二座キレート配位子は，ジケトナート配位子である
ことを特徴とする請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
　有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置を調製する方法であって，
　　ａ）フィルムまたは層を形成するために，１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と，１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって，前記配合物は２５℃において２．２３〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有し，前記有機溶媒の沸点は最高で４００℃であることを特徴とする配合物を基板上に堆積する工程と，
　　ｂ）前記有機溶媒（１種類または多種類）を除去する工程と
を含む方法であって，
　グラビア印刷またはフレキソ印刷により前記配合物が塗工され，配合物はホスト材料を含むことを特徴とする方法。
【請求項３２】
　配合物は，０．１〜５重量％の有機半導体化合物を含むことを特徴とする請求項１〜３１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３３】
　前記不活性バインダーに対する前記半導体化合物の重量比は，５：１〜１：１の範囲内であることを特徴とする請求項１７〜３２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３４】
　有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置を調製する方法であって，
　　ａ）フィルムまたは層を形成するために，１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と，１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって，前記配合物は２５℃において２．２３〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有し，前記有機溶媒の沸点は最高で４００℃であることを特徴とする配合物を基板上に堆積する工程と，
　　ｂ）前記有機溶媒（１種類または多種類）を除去する工程と
を含む方法であって，
　グラビア印刷またはフレキソ印刷により前記配合物が塗工され，配合物は少なくとも１種類の湿潤剤を含むことを特徴とする方法。
【請求項３５】
　前記湿潤剤は揮発性であり，前記半導体化合物とは化学的に反応できないことを特徴とする請求項３４に記載の方法。
【請求項３６】
　有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置を調製する方法であって，
　　ａ）フィルムまたは層を形成するために，１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と，１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって，前記配合物は２５℃において２．２３〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有し，前記有機溶媒の沸点は最高で４００℃であることを特徴とする配合物を基板上に堆積する工程と，
　　ｂ）前記有機溶媒（１種類または多種類）を除去する工程と
を含む方法であって，
　グラビア印刷またはフレキソ印刷により前記配合物が塗工され，印刷装置のセルエッチングは４ｃｍ３／ｍ２〜１８ｃｍ３／ｍ２の範囲内であることを特徴とする方法。
【請求項３７】
　印刷速度は，１００ｍ／分以下であることを特徴とする請求項１〜３６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３８】
　配合物が塗工される表面は，２５〜１３０ｍＮｍ−１の範囲内の表面エネルギーを含むことを特徴とする請求項１〜３７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３９】
　溶媒の蒸発は，溶媒の沸点未満で達成されることを特徴とする請求項１〜３８のいずれか１項に記載の方法。」
　
第４　取消理由通知に記載した取消理由について
１　取消理由の概要
　本件訂正請求による訂正前の請求項１，３，５−８，１２，１５，１６，２１，２３，２４，３２，３７−３９に係る特許に対して，当審が平成３０年１１月２９日付けで特許権者に通知した取消理由の概要は，次のとおりである。
（１）新規性
　請求項１，３，５−８，１２，１５，１６，２３，２４，３２，３７−３９に係る発明は，本件優先日前に日本国内又は外国において，電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明（下記甲第１号証）であって，特許法第２９条第１項第３号に該当するから，同請求項に係る特許は，特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。
（２）進歩性
　請求項２１に係る発明及び請求項２３，２４，３２，３７−３９に係る発明（ただし，請求項２１を引用する部分のみ。）は，本件優先日前に日本国内又は外国において，電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明（下記各甲号証）に基いて，本件特許出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，同請求項に係る特許は，特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　記
甲第１号証：Voigt et al.,Polymer Field-Effect Transistors Fabricated by the Sequential Gravure Printing of Polythiophene, Two Insulator Layers, and a Metal Ink Gate, Advanced Functional Materials, 2010, 20, WILEY-VCH Verlag GmbH  Co.,pp.239-246
甲第２号証：国際公開第２００９／１０９２７３号
甲第４号証：国際公開第２０１１／１４７５２３号
甲第７号証：Solid surface energy data (SFE) for common polymers，[online]，２０１７年２月２５日，URL:http://www.surface-tension.de/solid-surface-energy.htm
　
２　甲号証の記載
（１）甲第１号証について
　ア　甲第１号証
　甲第１号証は，その２４５頁右欄３２行に「Published online: December 16,2009」（訳：オンライン公開：２００９年１２月１６日）と記載されていることから，同日に電気通信回線を通じて公衆に利用可能となったと認められる。そして，同号証には，図面とともに，次の記載がある。（下線は当審で付加した。以下同じ。）
　ａ　「
The mass production technique of gravure contact printing is used to fabricate state-of-the art polymer field-effect transistors (FETs)
are sequentially gravure-printed: the semiconductor poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl)(P3HT)
Printing using low concentration, low viscosity ink formulations
is demonstrated
（訳：
グラビアコンタクト印刷における大量生産技術を使用して，最新式ポリマー電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を作成する。
半導体ポリ（３−ヘキシルチオフェン−２，５−ジイル）（Ｐ３ＨＴ）
を連続的にグラビア印刷する。
低濃度，低粘度のインク配合物，
を使用する印刷を実証する。
　ｂ　「2.1 Gravure Contact Pringing
The gravure contact printing process is illustrated in Figure 1i.
（中略）
During printing, the cliche moves from left to right in Figure 1i at a typical speed of about 1m s
-1
.
（中略）
For successful ink transfer,
the shear forces, dependent on the printing speed and ink shear behavior, must allow the ink to be pulled onto the substrate.
（中略）
The solvent then evaporates 
leaving behind a layer of material in the print pattern
 
For this work flexible polyethersulphone(PES)substrates were used
（訳：２．１．グラビアコンタクト印刷
グラビアコンタクト印刷プロセスを，図１ｉに示す。
（中略）
印刷の間，クリシェは図１ｉにおける左から右へと，通常は約１ｍ／秒の速度において移動する。
（中略）
インク転写の成功のために
剪断力は，印刷速度およびインク剪断挙動に依存して，インクが基板上に引っ張られることを可能にしなければならない。
（中略）
次いで溶媒が蒸発し
），その後に，印刷パターンにおける材料の層を残す
　
本研究のために，可撓性ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）基板を使用した。
（中略）
　ｃ　「
High concentrations of P3HT(SMW) in chlorobenzene(CB)at room temparature
showed a similar shear thinning and thixotropic behabior.
（中略）
 
To reduce film thickness and surface roughness, low concentrations of P3HT(SMW) in o-DCB, 1,2,3,4-tetrahydronaphthalene(THN), and other solvents and solvent blends were investigated. These follow Newtonian behavior and are at a much lower viscosity of 1-10 mPa s
This clearly shows that low viscosity formulations (atypical in standard gravure), with values similar to those used in other techniques, such as ink-jet and standard molecular weight polymer semiconductors can be successfully printed using gravure.
（訳：
室温におけるクロロベンゼン（ＣＢ）中の高濃度のＰ３ＨＴ（ＳＭＷ）は，類似したずり流動化およびチキソトロピー挙動を示した。
（中略）
　
膜厚さおよび表面粗さを低減させるために，ｏ−ＤＣＢ，１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン（ＴＨＮ），ならびに他の溶媒および溶媒ブレンド中における低濃度のＰ３ＨＴ（ＳＭＷ）を調べた。これらはニュートン挙動に従い，１〜１０ｍＰａ秒というはるかに低い粘度におけるものである
低粘度配合物（標準的なグラビアにおいては非典型的なもの）であって，インクジェットおよび標準分子量ポリマー半導体のような他の技術において使用されるものと類似した値を有するものが，グラビアを使用して成功裏に印刷することができることを明瞭に示す。
　ｄ　図２（ｉ）とその注釈は次のとおりである。
（訳：図２．ｉ）
異なるインクにおける粘度対時間剪断流測定。３〜６秒の間において，剪断速度は１２００／秒であった。３秒より前および６秒より後において，剪断速度は１０または５０／秒であった。
ＴＨＮ中における３質量％
Ｐ３ＨＴ配合物
　イ　引用発明
　前記アｄより，
ＴＨＮ中における３質量％のＰ３ＨＴ配合物は，時間１〜９秒の間，その粘度が５ないし６ｍＰａ秒でほぼ一定である
　そして，前記アより，甲第１号証には，次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　「半導体ポリ（３−ヘキシルチオフェン−２，５−ジイル）（Ｐ３ＨＴ）配合物であって，１，２，３，４−テトラヒドロ−ナフタレン（ＴＨＮ）溶媒のものは，粘度が５ないし６ｍＰａ秒であって，
　このＰ３ＨＴ配合物をグラビア印刷した膜を使用してＦＥＴを作製し，
　グラビア印刷プロセスでは，基板にインクが転写され，インク溶媒が蒸発すること。」
（２）甲第２号証について
　甲第２号証には，次の事項が記載されていると認められる。
　「１，２，３，４−テトラヒドロ−ナフタレン」は，分配率ｌｏｇＰが３．７１４であること。（表１のＮｏ２６（３２頁）及び１０頁６−１２行）
（３）甲第４号証について
　甲第４号証には，次の事項が記載されていると認められる。
　ア　「１，２，３，４−テトラヒドロ−ナフタレン」はその沸点が約２０７℃であること。（９頁表１の１行目）
　イ　「１，２，３，４−テトラヒドロ−ナフタレン」は，Ｈｄが１９．１ＭＰａ０．５，Ｈｐが４ＭＰａ０．５，Ｈｈが２．３ＭＰａ０．５のハンセン溶解度パラメータを持つこと。（９頁表１の１行目）
（４）甲第７号証について
　甲第７号証には，次の事項が記載されていると認められる。
　ポリエチレンの表面エネルギーは３５．３〜３５．７ｍＮ／ｍであること。（表中の１行目及び２行目）
３　当審の判断
（１）本件発明１について
　ア　本件発明１と引用発明との対比
　ａ　引用発明の「半導体ポリ（３−ヘキシルチオフェン−２，５−ジイル）（Ｐ３ＨＴ）」は，本件発明１の「有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ）」に相当するから，引用発明の「Ｐ３ＨＴ配合物をグラビア印刷した膜を使用してＦＥＴを作製し」は，本件発明１の「有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置を調製する方法であって」「グラビア印刷またはフレキソ印刷により，前記配合物が塗工されることを特徴とする方法」に相当する。
　ｂ　引用発明の「１，２，３，４−テトラヒドロ−ナフタレン（ＴＨＮ）」は，その沸点が約２０７℃である（前記２（３）ア）から，本件発明１の「有機溶媒の沸点は最高で４００℃であること」に相当し，すると，引用発明の「半導体ポリ（３−ヘキシルチオフェン−２，５−ジイル）（Ｐ３ＨＴ）配合物であって，１，２，３，４−テトラヒドロ−ナフタレン（ＴＨＮ）溶媒のもの」は，本件発明１の「フィルムまたは層を形成するために，１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と，１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって」「前記有機溶媒の沸点は最高で４００℃であること」に相当する。
　ｃ　引用発明の「基板にインクが転写され」は，本件発明１の「配合物を基板上に堆積する工程」に相当する。
　ｄ　引用発明の「インク溶媒が蒸発する」は，本件発明１の「前記有機溶媒（１種類または多種類）を除去する工程」に相当する。
　ｅ　すると，本件発明１と引用発明とは，下記ｆの点で一致し，下記ｇの点で相違する。
　ｆ　一致点
「有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置を調製する方法であって，
　　ａ）フィルムまたは層を形成するために，１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と，１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって，前記有機溶媒の沸点は最高で４００℃であることを特徴とする配合物を基板上に堆積する工程と，
　　ｂ）前記有機溶媒（１種類または多種類）を除去する工程と
を含む方法であって，
　グラビア印刷またはフレキソ印刷により，前記配合物が塗工されることを特徴とする方法。」
　ｇ　相違点
　本件発明１では，「前記配合物は２５℃において２．２３〜５．０ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有」するのに対し，引用発明では，「配合物」は「粘度が５ないし６ｍＰａ秒で」ある点。
　イ　判断
　本件発明１と引用発明とは，前記アｇの点で相違するから，本件発明１は引用発明ではない。
　すすんで，相違点について，本件発明１を引用発明に基づいて発明することが容易か否か判断する。
　本件発明１の「粘度」とは，「ＴＡ　Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製ＡＲ　Ｇ−２レオメータを使用して」「１０秒−１〜１０００秒−１の範囲の剪断速度にわたって粘度を測定し，ニュートン適合方程式を使用して粘度を外挿し，全ての測定は２５℃で行った」（本件特許明細書段落【０２２１】）ものである。すなわち，「１０秒−１〜１０００秒−１の範囲の剪断速度」における「粘度を外挿」することにより得られる，剪断速度０／秒における粘度である。そして，剪断速度０／秒における粘度を所定の範囲とすることにより，「フレキソおよびグラビア印刷に適切である」「驚くほど高いレベルのフィルム形成を提供する。特に，フィルムの均一性および品位を向上できる」「低コストで容易な印刷プロセスが可能となる。該印刷プロセスにより，高速において高品位の印刷を行える。」（本件特許明細書段落【００１７】及び【００１８】）という，格別に有利な効果を奏するものと認められる。
　一方，引用発明では，「剪断力は，印刷およびインク剪断挙動に依存して，インクが基板上に引っ張られることを可能にしなければならない」「グラビアコンタクト印刷」を前提とし（前記２（１）アｂ）て，「３〜６秒の間において，剪断速度は１２００／秒」「３秒より前および６秒より後において，剪断速度は１０または５０／秒」の下，「時間１〜９秒の間，その粘度が５ないし６ｍＰ秒でほぼ一定である」（前記２（１）アｄ）というものであり，時間１〜９秒の間，たまたま，粘度がほぼ一定であることから，剪断速度０／秒における粘度がわかるというにすぎない。
　つまり，引用発明では，グラビアコンタクト印刷においてインクが基板上に引っ張られる際に大きな剪断力が加わり，インク剪断挙動に依存することから，印刷の際のインク剪断速度を考慮してその剪断速度での粘度を調整するというものであり，剪断速度０／秒における粘度を調整するという思想はない。
　また，引用文献１には「膜厚さおよび表面粗さを低減させるために」「１〜１０ｍＰａ秒というはるかに低い粘度におけるもの」という記載がある（前記２（１）アｃ）が，その「粘度」は本件発明１にいう，剪断速度０／秒における「粘度」ではないから，相違点に係る構成とは関係がないというべきである。
　ウ　まとめ
　したがって，本件発明１は，引用発明ではないし，引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
（２）本件発明３，５−８，１２，１５，１６，２１，２３，２４，３２，３７−３９について
　本件発明３，５−８，１２，１５，１６，２１，２３，２４，３２，３７−３９は，それぞれ本件発明１を直接又は間接に引用するものであるから，前記（１）と同様の理由で，引用発明ではないし，引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
（３）特許異議申立人の意見について
　特許異議申立人は意見書において，訂正後の粘度範囲「２．２３〜５．０ｍＰａｓ」に技術的な意味はなく，この範囲外の粘度を有する配合物を使用した場合と比較して優れた効果を奏するものではない，甲第１号証には，低粘度の配合物（１〜１０ｍＰａｓ）を使用するとグラビア印刷が成功することを記載されている（２４２頁，左欄の第１段落），甲第１号証に記載された配合物の５〜６ｍＰａｓの粘度範囲を，例えば，ＴＨＮを更に加えるなどすることによって更に低くして，２．２３〜５．０ｍＰａｓの範囲内の粘度とすることは当業者が容易に想到できることである，本件特許の印刷の高速化という課題はありふれた課題にすぎず，印刷の速度には配合物の粘度が関係することは根拠を示すまでもなく技術常識であるところ，甲第１号証に記載された５〜６ｍＰａｓの粘度の配合物を，高速な印刷の実現を目的として，更に低い粘度として２．２３〜５．０ｍＰａｓの範囲内の粘度とすることは設計事項にすぎない旨を主張している。
　しかし，そもそも，甲第１号証に記載されている「粘度」は本件発明１にいう「粘度」とは異なるものであることは，前記（１）イのとおりであるから，特許異議申立人の主張はその前提において失当であり，採用することができない。
　
第５　取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由について
１　本件発明４について
　本件発明４と引用発明とを対比すると，本件発明４では「前記配合物は２２ｍＮ／ｍ〜５０ｍＮ／ｍの範囲内の表面張力を含む」のに対し，引用発明では配合物の表面張力が不明である点，で相違する。
　そして，配合物の表面張力を２２ｍＮ／ｍ〜５０ｍＮ／ｍの範囲内とすることについて，開示ないし示唆する証拠はない。
　異議申立人は，「１，２，３，４−テトラヒドロ−ナフタレン」の表面張力が３３．３ｍＮ／ｍであり，引用発明の配合物において，Ｐ３ＨＴの濃度は３％にすぎないから，その配合物の表面張力は３３．３３ｍＮ／ｍ付近であると考えられると主張する。しかし，界面活性剤のように，たとえ濃度が微量でも，それを溶解した際に表面張力が大きく変化するものは存在しうるから，異議申立人の主張する理由は根拠がない。
２　本件発明１７−２０について
　本件発明１７と引用発明とを対比すると，本件発明１７では「前記配合物は少なくとも１種類の不活性バインダーを含む」のに対し，引用発明では不活性バインダーを含まない点，で相違する。
　そして，甲第２号証（２６頁，１７−２２行）には「Optionally, 
the OSC formulation comprises one or more organic binders
to adjust the rheological properties
レオロジー特性を調整するために，ＯＳＣ配合物は，
１種類以上の有機バインダー，
含むことができる。
　よって，本願発明１７は，引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　本件発明１７を引用する本件発明１８−２０についても同様である。
３　甲第２号証に記載の発明に基づく新規性又は進歩性欠如について
　甲第２号証には，インクないし配合物の粘度についての記載は一切ない。
　異議申立人は，甲第２号証には，溶媒として，テトラリン（粘度２．０ｍＰａｓ），５０％テトラリンと５０％１，２，３，４−テトラヒドロ−１−ナフトールとの混合物（粘度７．０ｃＰ）が例示されており，甲第２号証の実施例２で記載された４０％ｏ−キシレンと６０％デカヒドロ−２−ナフトールとの混合物に代えて，同一文献内で溶媒として使用できることが記載されているテトラリンや，５０％テトラリンと５０％１，２，３，４−テトラヒドロ−１−ナフトールとの混合物を使用することは当業者であれば容易に想到できたことである旨（異議申立書３０頁１１−２５行）を主張している。同一文献内で記載されているとなぜ置換容易なのかその論理は不明であるが，これをおくとしても，甲第２号証に記載された溶媒の粘度がわかったとしても，その溶媒を用いたインクないし配合物の粘度は不明であるし，ましてや，インクないし配合物の粘度を一定の範囲とすることが容易に想到できるとはいえない。
　また，異議申立人は，甲第１号証で教示されている１〜１０ｍＰａｓの粘度を有する組成物を使用して成功裏にグラビア印刷できること，及び，甲第２号証自体に低粘度の溶媒（１，２，３，４−テトラヒドロナフタレンなど）を使用することの示唆もあることを踏まえると，甲第２号証に記載の発明において，甲第１号証に記載された構成を採用することは，当業者であれば容易に想到できる旨（異議申立書３０頁２７行−３１頁１５行）主張している。しかし，そもそも甲第１号証に記載された「粘度」は本件発明１にいう「粘度」とは異なるものであることは，前記第４の３（１）イのとおりであるから，異議申立人の主張はその前提において失当である。
　よって，本件発明１は，甲第２号証に記載された発明ではないし，甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものともいえない。
　本件発明３−８，１０−２３，２５−２７，３２−３４，３６，３７，３９についても同様である。
４　原文新規事項について
　異議申立人は，本件特許が特許法１１３条１号に該当する旨主張するが，本件特許は外国語特許出願によるものであるから，同法１８４条の１８の規定により読み替えて適用する同法１１３条５号に該当するか否か，すなわち，訂正特許請求の範囲に記載した事項が国際出願日における国際出願の明細書（以下，「原文明細書」という。），請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内にないかどうかを検討する。
（１）本件特許１−３９について
　本件特許１−３９は，いずれも配合物の粘度の範囲の下限を「２．２３ｍＰａ秒」とするものである。
　そして，原文明細書には次のとおりの記載がある。
「Preferably, the formulation has a viscosity in the range of 0.5 to 9.5 mPas, especially from 1 to 9 mPas and more preferably from 1 ,5 to 8.5 mPas. According to a further aspect of the present invention, the viscosity is preferably situated in the range of 2 to 6 mPas.」（４頁２４−２７行，国際公開第２０１１／１４７５２３号の記載箇所による。以下同じ。）
（訳：好ましくは，該配合物は，０．５〜９．５ｍＰａ秒，特には１〜９ｍＰａ秒，より好ましくは１．５〜８．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有する。本発明の更なる態様によれば，粘度は，好ましくは，２〜６ｍＰａ秒の範囲内にある。）
「Example 4 (Small molecule, gravure printed, top gate) 
An OFET device was prepared as follows: 
（中略）
Viscosity of 2.23cP as measured using an AR G-2 rheometer ex TA instruments. The viscosity was measured over a shear rate range of 10 sec -1  to 1000 sec -1  viscosity extrapolated using a Newtonian fit equation, all measurements taken at 25°C. 」（７９頁２５行−８０頁１０行）
（訳： ＜例４（小型分子，グラビア印刷，トップゲート）＞
　ＯＦＥＴ装置を以下の通り調製した。
（中略）
　ＴＡ　Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製ＡＲ　Ｇ−２レオメータを使用して，２．２３ｃＰの粘度が測定された。１０秒−１〜１０００秒−１の範囲の剪断速度にわたって粘度を測定し，ニュートン適合方程式を使用して粘度を外挿し，全ての測定は２５℃で行った。）
　よって，原文明細書には，配合物の粘度を一定の範囲内に限定すること，及び一例として，配合物の粘度を「２．２３ｃＰ（＝２．２３ｍＰａ秒）」としてＯＦＥＴ装置が調製されることが記載されているから，これらを総合すれば，配合物の粘度の下限を「２．２３ｍＰａ秒」とすることは，原文明細書に記載されているに等しい。
（２）本件発明２，３，５−８，１２，１５，１６，２１，２３，２４，３２，３３，３７−３９について
　本件発明２，３，５−８，１２，１５，１６，２１，２３，２４，３２，３３，３７−３９は，いずれも「前記有機溶媒」は「芳香族アルコキシ化合物」とするものである。
　そして，原文明細書には次のとおりの記載がある。
「The solvents can generally be selected from any chemical class that meets the physical criteria mentioned above, including, but not limited to, aliphatic or aromatic hydrocarbons, amines, thiols, amides, esters, ethers, polyethers, alcohols, diols and polyols. Preferably, the solvent comprises at least one aromatic and/or heteroaromatic compound.
（中略）
Preferably, these compounds include aromatic alkoxy compunds such as 3-methylanisol, 2-isopropylanisol, 5-methoxyindan, 2- ethoxynaphthalene, aromatic esters such as butylbenzoate, ethylbenzoate.」（６頁３１行−７頁１３行）
（訳：溶媒は，一般に，上述の物理的基準を満たす任意の化学物質類より選択することができ，限定することなく，脂肪族または芳香族炭化水素，アミン，チオール，アミド，エステル，エーテル，ポリエーテル，アルコール，ジオールおよびポリオールが挙げられる。好ましくは，溶媒は，少なくとも１種類の芳香族および／またはヘテロ芳香族化合物を含む。
（中略）
好ましくは，これらの化合物としては，３−メチルアニソール，２−イソプロピルアニソール，５−メトキシインダン，２−エトキシナフタレン，安息香酸ブチル，安息香酸エチルなどの芳香族エステルなどの芳香族アルコキシ化合物が挙げられる。）
　よって，原文明細書には，「前記有機溶媒」を「芳香族アルコキシ化合物」とすることが記載されている。
５　まとめ
　以上のとおりであるから，いずれの特許異議申立理由も成り立たない。
　
第６　むすび
　以上のとおりであるから，取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては，本件請求項１−３９に係る特許を取り消すことはできない。
　また，他に本件請求項１−３９に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
【異議決定日】
平成３１年４月２４日（２０１９．４．２４）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置を調製する方法であって、
　ａ）フィルムまたは層を形成するために、１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と、１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって、前記配合物は２５℃において２．２３〜
５．０
　ｂ）前記有機溶媒（１種類または多種類）を除去する工程と
を含む方法であって、
　グラビア印刷またはフレキソ印刷により、前記配合物が塗工されることを特徴とする方法。
　【請求項２】
　有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置を調製する方法であって、
　ａ）フィルムまたは層を形成するために、１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と、１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって、前記配合物は２５℃において２．２３〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有し、前記有機溶媒の沸点は最高で４００℃であり、前記有機溶媒はシクロアルキル基を有する芳香族炭化水素化合物および芳香族アルコキシ化合物より選択されることを特徴とする配合物を基板上に堆積する工程と、
　ｂ）前記有機溶媒（１種類または多種類）を除去する工程と
を含む方法であって、
　グラビア印刷またはフレキソ印刷により、前記配合物が塗工されることを特徴とする方法。
　【請求項３】
　前記配合物は、溶液であることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
　【請求項４】
　
有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置を調製する方法であって、
　
ａ）フィルムまたは層を形成するために、１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と、１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって、前記配合物は２５℃において２．２３〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有し、前記有機溶媒の沸点は最高で４００℃であることを特徴とする配合物を基板上に堆積する工程と、
　
ｂ）前記有機溶媒（１種類または多種類）を除去する工程と
を含む方法であって、
　
グラビア印刷またはフレキソ印刷により前記配合物が塗工され、
る方
　【請求項５】
　前記有機溶媒は、１７．０〜２３．２ＭＰａ０．５の範囲内のＨｄ、０．２〜１２．５ＭＰａ０．５の範囲内のＨｐおよび０．０〜２０．０ＭＰａ０．５の範囲内のＨｈのハンセン溶解度パラメータを含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
　【請求項６】
　前記有機溶媒は、１７．０〜２３．２ＭＰａ０．５の範囲内のＨｄ、０．２〜１０．５ＭＰａ０．５の範囲内のＨｐおよび０．０〜５．０ＭＰａ０．５の範囲内のＨｈのハンセン溶解度パラメータを含むことを特徴とする請求項５に記載の方法。
　【請求項７】
　前記有機溶媒は、１種類以上の芳香族および／またはヘテロ芳香族化合物を含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
　【請求項８】
　前記有機溶媒は、１種類以上の芳香族炭化水素化合物を含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。
　【請求項９】
　
有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置を調製する方法であって、
　
ａ）フィルムまたは層を形成するために、１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と、１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって、前記配合物は２５℃において２．２３〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有し、前記有機溶媒の沸点は最高で４００℃であることを特徴とする配合物を基板上に堆積する工程と、
　
ｂ）前記有機溶媒（１種類または多種類）を除去する工程と
を含む方法であって、
　
グラビア印刷またはフレキソ印刷により前記配合物が塗工され、前記有機溶媒は１種類以上の芳香族炭化水素化合物を含み、
る方
　【請求項１０】
　
有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置を調製する方法であって、
　
ａ）フィルムまたは層を形成するために、１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と、１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって、前記配合物は２５℃において２．２３〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有し、前記有機溶媒の沸点は最高で４００℃であることを特徴とする配合物を基板上に堆積する工程と、
　
ｂ）前記有機溶媒（１種類または多種類）を除去する工程と
を含む方法であって、
　
グラビア印刷またはフレキソ印刷により前記配合物が塗工され、前記有機溶媒は１種類以上の芳香族炭化水素化合物を含み、
る方
　【請求項１１】
　
有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置を調製する方法であって、
　
ａ）フィルムまたは層を形成するために、１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と、１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって、前記配合物は２５℃において２．２３〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有し、前記有機溶媒の沸点は最高で４００℃であることを特徴とする配合物を基板上に堆積する工程と、
　
ｂ）前記有機溶媒（１種類または多種類）を除去する工程と
を含む方法であって、
　
グラビア印刷またはフレキソ印刷により前記配合物が塗工され、
る方
　【請求項１２】
　前記有機溶媒は、少なくとも１３０℃の沸点を含むことを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
　【請求項１３】
　
有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置を調製する方法であって、
　
ａ）フィルムまたは層を形成するために、１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と、１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって、前記配合物は２５℃において２．２３〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有し、前記有機溶媒の沸点は最高で４００℃であることを特徴とする配合物を基板上に堆積する工程と、
　
ｂ）前記有機溶媒（１種類または多種類）を除去する工程と
を含む方法であって、
　
グラビア印刷またはフレキソ印刷により前記配合物が塗工され、
る方
　【請求項１４】
　
有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置を調製する方法であって、
　
ａ）フィルムまたは層を形成するために、１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と、１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって、前記配合物は２５℃において２．２３〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有し、前記有機溶媒の沸点は最高で４００℃であることを特徴とする配合物を基板上に堆積する工程と、
　
ｂ）前記有機溶媒（１種類または多種類）を除去する工程と
を含む方法であって、
　
グラビア印刷またはフレキソ印刷により前記配合物が塗工され、
る方
　【請求項１５】
　前記配合物は、少なくとも８０重量％の前記有機溶媒を含むことを特徴とする請求項１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
　【請求項１６】
　前記溶媒は、少なくとも１．５の分配率ｌｏｇＰを含むことを特徴とする請求項１〜１５のいずれか１項に記載の方法。
　【請求項１７】
　
有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置を調製する方法であって、
　
ａ）フィルムまたは層を形成するために、１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と、１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって、前記配合物は２５℃において２．２３〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有し、前記有機溶媒の沸点は最高で４００℃であることを特徴とする配合物を基板上に堆積する工程と、
　
ｂ）前記有機溶媒（１種類または多種類）を除去する工程と
を含む方法であって、
　
グラビア印刷またはフレキソ印刷により前記配合物が塗工され、
る方
　【請求項１８】
　前記不活性バインダーは、スチレンモノマーおよび／またはオレフィンより誘導される繰返単位を含むポリマーであることを特徴とする請求項１７に記載の方法。
　【請求項１９】
　前記不活性バインダーは、スチレンモノマーおよび／またはオレフィンより誘導される繰返単位を少なくとも８０重量％含むポリマーであることを特徴とする請求項１７または１８に記載の方法。
　【請求項２０】
　前記不活性バインダーは、少なくとも２００，０００ｇ／ｍｏｌの重量平均分子量を有するポリマーであることを特徴とする請求項１７〜１９のいずれか１項に記載の方法。
　【請求項２１】
　有機半導体化合物は、有機発光材料および／または電荷輸送材料であることを特徴とする請求項１〜２０のいずれか１項に記載の方法。
　【請求項２２】
　
有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置を調製する方法であって、
　
ａ）フィルムまたは層を形成するために、１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と、１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって、前記配合物は２５℃において２．２３〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有し、前記有機溶媒の沸点は最高で４００℃であることを特徴とする配合物を基板上に堆積する工程と、
　
ｂ）前記有機溶媒（１種類または多種類）を除去する工程と
を含む方法であって、
　
グラビア印刷またはフレキソ印刷により前記配合物が塗工され、
る方
　【請求項２３】
　有機半導体化合物は、以下の式から選択される化合物であることを特徴とする請求項１〜２２のいずれか１項に記載の方法。
　【化１】
（式中、
　ｎは１より大きい整数であり、
Ｒは、それぞれの出現において同一または異なって、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、直鎖状、分岐状または環状で１〜４０個のＣ原子を有するアルキル基（ただし、１個以上のＣ原子は、Ｏ−および／またはＳ−原子がそれぞれ互いに直接連結しないようにして、Ｏ、Ｓ、Ｏ−ＣＯ、ＣＯ−Ｏ、Ｏ−ＣＯ−Ｏ、ＣＲ０＝ＣＲ０またはＣ≡Ｃで置き換えられていてもよく、ただし、１個以上のＨ原子は、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、ＩまたはＣＮで置き換えられていてもよい。）を表すか、または、４〜２０個の環原子を有するアリールまたはヘテロアリール基（該基は無置換であるか、１個以上の非芳香族基ＲＳで置換されている。）を表し、ただし、また、１個以上の基Ｒは、互いと共に、および／または、基Ｒが連結されている環と共に、単環状または多環状の脂肪族または芳香族環系を形成していてもよく、
　ＲＳは、それぞれの出現において同一または異なって、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、Ｓｎ（Ｒ００）３、Ｓｉ（Ｒ００）３またはＢ（Ｒ００）２、直鎖状、分岐状または環状で１〜２５個のＣ原子を有するアルキル基（ただし、１個以上のＣ原子は、Ｏ−および／またはＳ−原子がそれぞれ互いに直接連結しないようにして、Ｏ、Ｓ、Ｏ−ＣＯ、ＣＯ−Ｏ、Ｏ−ＣＯ−Ｏ、ＣＲ０＝ＣＲ０、Ｃ≡Ｃで置き換えられていてもよく、ただし、１個以上のＨ原子は、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、ＩまたはＣＮで置き換えられていてもよい。）を表すか、または、ＲＳは、４〜２０個の環原子を有するアリールまたはヘテロアリール基（該基は無置換であるか、１個以上の非芳香族基ＲＳで置換されている。）を表し、ただし、また、１個以上の基ＲＳは、互いと共に、および／または、Ｒと共に、環系を形成していてもよく、
　Ｒ０は、それぞれの出現において同一または異なって、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、１〜１２個のＣ原子を有するアルキル、または、４〜１０個の環原子を有するアリールまたはヘテロアリールを表し、
　Ｒ００は、それぞれの出現において同一または異なって、Ｈ、１〜２０個のＣ原子を有する脂肪族または芳香族炭化水素基を表し、ただし、また、２個の基Ｒ００は、それらが連結されているヘテロ原子（Ｓｎ、ＳｉまたはＢ）と共に環を形成していてもよく、
　ｒは、０、１、２、３または４であり、
　ｓは、０、１、２、３、４または５である。）
　【請求項２４】
　ｎは、１０〜１，０００の整数であることを特徴とする請求項２３に記載の方法。
　【請求項２５】
　
有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置を調製する方法であって、
　
ａ）フィルムまたは層を形成するために、１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と、１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって、前記配合物は２５℃において２．２３〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有し、前記有機溶媒の沸点は最高で４００℃であることを特徴とする配合物を基板上に堆積する工程と、
　
ｂ）前記有機溶媒（１種類または多種類）を除去する工程と
を含む方法であって、
　
グラビア印刷またはフレキソ印刷により前記配合物が塗工され、
る方
　【化２】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７は、それぞれ独立に、同一または異なって、それぞれ独立に、Ｈ；置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４０のカルビルまたはヒドロカルビル基；置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４０のアルコキシ基；置換されていてもよいＣ６〜Ｃ４０のアリールオキシ基；置換されていてもよいＣ７〜Ｃ４０のアルキルアリールオキシ基；置換されていてもよいＣ２〜Ｃ４０のアルコキシカルボニル基；置換されていてもよいＣ７〜Ｃ４０のアリールオキシカルボニル基；シアノ基（−ＣＮ）；カルバモイル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ２）；ハロホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｘ、式中、Ｘはハロゲン原子を表す。）；ホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｈ）；イソシアノ基；イソシアネート基；チオシアネート基またはチオイソシアネート基；置換されていてもよいアミノ基；ヒドロキシ基；ニトロ基；ＣＦ３基；ハロ基（Ｃｌ、Ｂｒ、Ｆ）；置換されていてもよいシリル基を表し；および、Ａは、ケイ素またはゲルマニウムを表し、および、
　式中、組Ｒ１およびＲ２、Ｒ２およびＲ３、Ｒ３およびＲ４、Ｒ７およびＲ８、Ｒ８およびＲ９、Ｒ９およびＲ１０、Ｒ１５およびＲ１６、および、Ｒ１６およびＲ１７は、それぞれ、独立に、互いに架橋されてＣ４〜Ｃ４０の飽和または不飽和環を形成していてもよく、その飽和または不飽和環には、酸素原子、硫黄原子、または、式−Ｎ（Ｒａ）−（式中、Ｒａは、水素原子または炭化水素基である。）の基が介在していてもよく、また置換されていてもよく、および
　式中、ポリアセン骨格の１個以上の炭素原子は、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｏ、Ｓ、ＳｅおよびＴｅより選択されるヘテロ原子によって置換されていてもよい。）
　【請求項２６】
　
有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置を調製する方法であって、
　
ａ）フィルムまたは層を形成するために、１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と、１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって、前記配合物は２５℃において２．２３〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有し、前記有機溶媒の沸点は最高で４００℃であることを特徴とする配合物を基板上に堆積する工程と、
　
ｂ）前記有機溶媒（１種類または多種類）を除去する工程と
を含む方法であって、
　
グラビア印刷またはフレキソ印刷により前記配合物が塗工され、
る方
　【化３】
（式中、
　Ｙ１およびＹ２の一方は−ＣＨ＝または＝ＣＨ−を表し、他方は−Ｘ−を表し、
　Ｙ３およびＹ４の一方は−ＣＨ＝または＝ＣＨ−を表し、他方は−Ｘ−を表し、
　Ｘは、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓｅ−または−ＮＲ’’’−であり、
　Ｒ’は、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、直鎖状または分岐状のアルキルまたはアルコキシ（該基は、１〜２０個のＣ原子を有し、フッ素化またはペルフルオロ化されていてもよい。）、６〜３０個のＣ原子を有するフッ素化またはペルフルオロ化されていてもよいアリール、または、ＣＯ２Ｒ””（式中、Ｒ””は、Ｈ、１〜２０個のＣ原子を有するフッ素化されていてもよいアルキル、または、２〜３０個のＣ原子を有するフッ素化されていてもよいアリールである。）であり、
Ｒ”は、複数出現する場合は互いに独立に、１〜２０個のＣ原子を有する環状、直鎖状または分岐状のアルキルまたはアルコキシ、または、２〜３０個のＣ原子を有するアリールであり、それらは全てフッ素化またはペルフルオロ化されていてもよく、
　Ｒ’’’は、Ｈ、または、１〜１０個のＣ原子を有する環状、直鎖状または分岐状のアルキルであり、
　ｍは、０または１であり、
　ｏは、０または１である。）
　【請求項２７】
　Ｒ”は、複数出現する場合は互いに独立に、１〜８個のＣ原子を有する環状、直鎖状または分岐状のアルキルまたはアルコキシ、または、２〜３０個のＣ原子を有するアリールであり、それらは全てフッ素化またはペルフルオロ化されていてもよいことを特徴とする請求項２６に記載の方法。
　【請求項２８】
　
有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置を調製する方法であって、
　
ａ）フィルムまたは層を形成するために、１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と、１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって、前記配合物は２５℃において２．２３〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有し、前記有機溶媒の沸点は最高で４００℃であることを特徴とする配合物を基板上に堆積する工程と、
　
ｂ）前記有機溶媒（１種類または多種類）を除去する工程と
を含む方法であって、
　
グラビア印刷またはフレキソ印刷により前記配合物が塗工され、
る方
　【請求項２９】
　リン光性化合物は、式（１）〜（４）の化合物であることを特徴とする請求項２８に記載の方法。
　【化４】
（式中、
　ＤＣｙは、それぞれの出現において同一または異なって、少なくとも１個のドナー原子、カルベンの形態の炭素またはリンを含有する環状基であり、これらを介して該環状基は金属に結合されており、これらは１個以上の置換基Ｒ１８を有していてもよく；基ＤＣｙおよびＣＣｙは、共有結合を介して互いに連結されており；
　ＣＣｙは、それぞれの出現において同一または異なって、炭素原子を含有する環状基であり、該炭素原子を介して該環状基は金属に結合されており、該炭素原子は順次に１個以上の置換基Ｒ１８を有していてもよく；
　Ａは、それぞれの出現において同一または異なって、モノアニオン性の二座キレート配位子であり；
　Ｒ１８は、それぞれの出現において同一または異なって、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＮＯ２、ＣＮ、１〜２０個の炭素原子を有する直鎖状、分岐状または環状のアルキルまたはアルコキシ基（ただし、１個以上の隣接していないＣＨ２基は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ１９−、−ＣＯＮＲ１９−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｃ＝Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられていてもよく、ただし、１個以上の水素原子は、Ｆで置き換えられていてもよい。）、または、４〜１４個の炭素原子を有し、１個以上の非芳香族Ｒ１８基で置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリール基であり、複数の置換基Ｒ１８は、同一の環上または２個の異なる環上のいずれかにおいて、共に順次に単環または多環の脂肪族または芳香族の環系を形成していてもよく；および
　Ｒ１９は、それぞれの出現において同一または異なって、１〜２０個の炭素原子を有する直鎖状、分岐状または環状のアルキルまたはアルコキシ基（ここで、１個以上の隣接していないＣＨ２基は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｃ＝Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられていてもよく、ただし、１個以上の水素原子は、Ｆで置き換えられていてもよい。）、または、４〜１４個の炭素原子を有し、１個以上の非芳香族Ｒ１８基で置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリール基である。）
　【請求項３０】
　・ドナー原子は、窒素であり、
　・二座キレート配位子は、ジケトナート配位子である
ことを特徴とする請求項２９に記載の方法。
　【請求項３１】
　
有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置を調製する方法であって、
　
ａ）フィルムまたは層を形成するために、１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と、１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって、前記配合物は２５℃において２．２３〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有し、前記有機溶媒の沸点は最高で４００℃であることを特徴とする配合物を基板上に堆積する工程と、
　
ｂ）前記有機溶媒（１種類または多種類）を除去する工程と
を含む方法であって、
　
グラビア印刷またはフレキソ印刷により前記配合物が塗工され、
る方
　【請求項３２】
　配合物は、０．１〜５重量％の有機半導体化合物を含むことを特徴とする請求項１〜３１のいずれか１項に記載の方法。
　【請求項３３】
　前記不活性バインダーに対する前記半導体化合物の重量比は、５：１〜１：１の範囲内であることを特徴とする請求項１７〜３２のいずれか１項に記載の方法。
　【請求項３４】
　
有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置を調製する方法であって、
　
ａ）フィルムまたは層を形成するために、１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と、１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって、前記配合物は２５℃において２．２３〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有し、前記有機溶媒の沸点は最高で４００℃であることを特徴とする配合物を基板上に堆積する工程と、
　
ｂ）前記有機溶媒（１種類または多種類）を除去する工程と
を含む方法であって、
　
グラビア印刷またはフレキソ印刷により前記配合物が塗工され、
る方
　【請求項３５】
　前記湿潤剤は揮発性であり、前記半導体化合物とは化学的に反応できないことを特徴とする請求項３４に記載の方法。
　【請求項３６】
　
有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置を調製する方法であって、
　
ａ）フィルムまたは層を形成するために、１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と、１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって、前記配合物は２５℃において２．２３〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有し、前記有機溶媒の沸点は最高で４００℃であることを特徴とする配合物を基板上に堆積する工程と、
　
ｂ）前記有機溶媒（１種類または多種類）を除去する工程と
を含む方法であって、
　
グラビア印刷またはフレキソ印刷により前記配合物が塗工され、
る方
　【請求項３７】
　印刷速度は、１００ｍ／分以下であることを特徴とする請求項１〜３６のいずれか１項に記載の方法。
　【請求項３８】
　配合物が塗工される表面は、２５〜１３０ｍＮｍ−１の範囲内の表面エネルギーを含むことを特徴とする請求項１〜３７のいずれか１項に記載の方法。
　【請求項３９】
　溶媒の蒸発は、溶媒の沸点未満で達成されることを特徴とする請求項１〜３８のいずれか１項に記載の方法。