【事件の表示】
　特許第６１９４１３８号発明「窒化物半導体紫外線発光素子」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６１９４１３８号の請求項１ないし１０に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　特許第６１９４１３８号の請求項１〜１０に係る特許についての出願は、平成２７年７月２１日を国際出願日とする出願であって、平成２９年８月１８日付けでその特許権の設定登録がされ、平成２９年９月６日に特許掲載公報が発行された。その後、平成３０年３月２日付けで特許異議申立人小松一枝、前田知子（以下「申立人」という。）より請求項１〜１０に対して特許異議の申立てがされ、平成３０年６月７日付けで取消理由（発送日平成３０年６月１２日）が通知され、平成３０年８月６日に特許権者より意見書が提出され、平成３０年１０月１７日付けで特許権者に審尋（発送日平成３０年１０月２２日）が通知され、平成３０年１２月１０日に特許権者より回答書が提出され、平成３１年１月２４日付けで取消理由（決定の予告）（発送日平成３１年１月２９日）が通知され、平成３１年３月２８日に特許権者より意見書が提出され、平成３１年４月９日付けで申立人に審尋（発送日平成３１年４月１１日）が通知され、令和元年６月１０日に申立人より回答書が提出されたものである。
第２　特許異議の申立てについて 
１　請求項１〜１０に係る発明 
　請求項１〜１０に係る発明（以下、「本件発明１」等、あるいはまとめて「本件発明」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１〜１０に記載された、以下のとおりのものである。 
「【請求項１】
　（０００１）面に対して傾斜することで多段状のテラスが形成された表面を有するサファイアから成る基板と、前記基板の表面上に形成されるＡｌＮ層と、を含む下地部と、
　前記下地部の表面上に形成される、ＡｌＧａＮ系半導体層を有する活性層を含む発光部と、を備え、
　少なくとも、前記下地部の前記ＡｌＮ層、前記発光部における前記活性層及びその間の各層が、多段状のテラスが形成された表面を有するエピタキシャル成長層であり、
　前記活性層が、ＡｌＸＧａ１−ＸＮ（０＜Ｘ＜１）で構成される井戸層を少なくとも１つ含む量子井戸構造を有し、
　前記活性層の表面において、２５μｍ四方の領域における平均粗さが、前記井戸層の厚さ以上かつ１０ｎｍ以下になることを特徴とする窒化物半導体紫外線発光素子。
【請求項２】
　前記発光部に含まれる前記活性層の表面において、２５μｍ四方の領域における平均粗さが、３ｎｍ以上になることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体紫外線発光素子。
【請求項３】
　前記発光部に含まれる前記活性層の表面において、２５μｍ四方の領域における平均粗さが、６ｎｍ以下になることを特徴とする請求項１または２に記載の窒化物半導体紫外線発光素子。
【請求項４】
　前記発光部に含まれる、前記活性層の直前に形成される層の表面において、２５μｍ四方の領域における平均粗さが、前記井戸層の厚さ以上かつ１０ｎｍ以下になることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の窒化物半導体紫外線発光素子。
【請求項５】
　前記活性層と前記発光部に含まれる前記活性層の直前に形成される層とのそれぞれの表面における２５μｍ四方の領域における平均粗さの差分の絶対値を、前記活性層の表面における２５μｍ四方の領域における平均粗さで除した割合が、１０％以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の窒化物半導体紫外線発光素子。
【請求項６】
　前記下地部に含まれる前記ＡｌＮ層の表面において、上面視で、前記基板の傾斜方向におけるテラスの平均的な幅が、０．３μｍ以上かつ１μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の窒化物半導体紫外線発光素子。
【請求項７】
　前記下地部に含まれる前記ＡｌＮ層の表面において、テラスが形成する段差の平均的な高さが、８ｎｍ以上かつ１４ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の窒化物半導体紫外線発光素子。
【請求項８】
　前記発光部に含まれる前記活性層の表面において、２５μｍ四方の領域における高さの度数分布が、高さが０から増大するにつれて、下に凸の曲線から上に凸の曲線に変曲しつつ単調増加して極大値をとった後、上に凸の曲線から下に凸の曲線に変曲しつつ単調減少する曲線状になることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の窒化物半導体紫外線発光素子。
【請求項９】
　ピーク発光波長が、２３０ｎｍ以上かつ３４０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の窒化物半導体紫外線発光素子。
【請求項１０】
　（０００１）面に対して傾斜することで多段状のテラスが形成された表面を有するサファイアから成る基板と、前記基板の表面上に形成されるＡｌＮ層と、を含む下地部を形成する工程と、
　前記下地部の表面上に形成される、ＡｌＧａＮ系半導体層を有する活性層を含む発光部を形成する工程と、を備え、
　ＡｌＸＧａ１−ＸＮ（０＜Ｘ＜１）で構成される井戸層を少なくとも１つ含む量子井戸構造を有する前記活性層の表面における、２５μｍ四方の領域における平均粗さが、前記井戸層の厚さ以上かつ１０ｎｍ以下になる条件で、少なくとも、前記下地部の前記ＡｌＮ層、前記発光部における前記活性層及びその間の各層を、多段状のテラスの側面が成長することで二次元成長するステップフロー成長によって形成することを特徴とする窒化物半導体紫外線発光素子の製造方法。」
２　取消理由の概要 
　請求項１〜１０に係る特許に対して平成３０年６月７日付け、及び平成３１年１月２４日付けで特許権者に通知した取消理由の要旨は、次のとおりである。 
（１）請求項１〜１０に係る特許は、特許請求の範囲の記載が不備のため、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。
（２）請求項１〜１０に係る特許は、発明の詳細な説明の記載が不備のため、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 
（３）請求項１〜１０に係る特許は、特許請求の範囲の記載が不備のため、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 
３　本件明細書の記載
　本件明細書には、以下の記載がある。（下線は当審で付与。以下同じ。）
（１）「【発明が解決しようとする課題】
【０００６】 
 上記の特許文献１〜４で提案されている方法は、いずれも基板または基板表面に形成されるバッファ層を最適化することによって、その上方に形成される窒化物半導体層の結晶性の改善を図るものである。 
【０００７】 
　確かに、
結晶成長の開始地点である基板やバッファ層を最適化すれば、その上方の窒化物半導体層の結晶性の改善を見込むことができる。しかしながら、このような方法で改善を見込むことができるのは、クラックや貫通転位などの下地から上方の各層に伝搬されるような、素子全体に生じる欠陥のみである。そのため、これらの方法を採用したところで、発光が生じる活性層が必ずしも最適化されるとは限らない
【０００８】 
　そこで、
本発明は、光出力が良好な活性層を有する窒化物半導体紫外線発光素子を提供することを目的とする
  
（２）「【課題を解決するための手段】 
【０００９】 
　上記目的を達成するため、本発明は、（０００１）面に対して傾斜することで多段状のテラスが形成された表面を有するサファイアから成る基板と、前記基板の表面上に形成されるＡｌＮ層と、を含む下地部と、前記下地部の表面上に形成される、ＡｌＧａＮ系半導体層を有する活性層を含む発光部と、を備え、少なくとも、前記下地部の前記ＡｌＮ層、前記発光部における前記活性層及びその間の各層が、多段状のテラスの側面が成長することで二次元成長するステップフロー成長によって形成されており、前記活性層が、ＡｌＸＧａ１−ＸＮ（０＜Ｘ＜１）で構成される井戸層を少なくとも１つ含む量子井戸構造を有し、前記活性層の表面において、２５μｍ四方の領域における平均粗さが、前記井戸層の厚さ以上かつ１０ｎｍ以下になることを特徴とする窒化物半導体紫外線発光素子を提供する。 
【００１０】 
　この窒化物半導体紫外線発光素子によれば、
活性層の表面における平均粗さが井戸層の厚さ以上かつ１０ｎｍ以下になるようなステップフロー成長によって、活性層（特に、井戸層）においてＧａの偏析を生じさせることで、活性層の光出力を増大させることができる
【００１１】〜【００２２】 
・・・（略）・・・ 
【発明の効果】 
【００２３】 
　上記特徴の窒化物半導体紫外線発光素子によれば、
活性層の表面における平均粗さが井戸層の厚さ以上かつ１０ｎｍ以下になるようなステップフロー成長によって、活性層（特に、井戸層）においてＧａの偏析を生じさせることで、活性層の光出力を増大させることができる
  
（３）「【００２７】 
　図１に示すように、本発明の実施形態に係る発光素子１は、下地部１０と、当該下地部１０の表面（図１中の上側の面。なお、図１中の下側の面は「裏面」と称する。以下同じ。）に形成される発光部２０と、発光素子１（特に、発光部２０）に電力を供給するためのｐ電極３０及びｎ電極４０と、を備える。下地部１０は、発光部２０を形成するための土台に相当する部分である。発光部２０は、発光に必要な各種の層によって構成される部分である。 
【００２８】 
　下地部１０は、サファイアから成る基板１１と、当該基板１１の表面上に形成されたＡｌＮで構成されるＡｌＮ層１２と、を備える。このＡｌＮ層１２は、約１１５０〜１３００℃となる高い温度で、基板１１の表面に対してＡｌＮをエピタキシャル成長させたものである。なお、図１に示す発光素子１では、下地部１０が、基板１１上にＡｌＮ層１２のみを備えているかのように図示しているが、必要に応じてＡｌＮ層１２以外の層を備えてもよい。例えば、ＡｌＮ層１２の上（発光部２０の下）に、ＡｌＧａＮまたはｎ型ＡｌＧａＮで構成されるＡｌＧａＮ層などを追加してもよい。 
【００２９】 
　発光部２０は、下地部１０側から順番に、ｎ型ＡｌＧａＮで構成されるｎ型クラッド層２１と、活性層２２と、ｐ型ＡｌＧａＮで構成されるｐ型クラッド層２３と、ｐ型ＧａＮで構成されるｐ型コンタクト層２４と、を備える。ｎ型クラッド層２１の上側に形成される活性層２２、ｐ型クラッド層２３及びｐ型コンタクト層２４は、それぞれの一部が反応性イオンエッチング等により除去されることで、ｎ型クラッド層２１の一部の表面が露出している。したがって、ｎ型クラッド層２１上の一部の領域（第１領域Ｒ１）の上側に、活性層２２からｐ型コンタクト層２４までが形成されていることになる。 
【００３０】 
　ｐ電極３０は、例えばＮｉ／Ａｕで構成され、ｐ型コンタクト層２４の表面に形成される。ｎ電極４０は、例えばＴｉ／Ａｌ／Ｔｉ／Ａｕで構成され、ｎ型クラッド層２１の第１領域Ｒ１以外の領域（第２領域Ｒ２）の表面の一部に形成される。 
【００３１】 
　発光素子１では、基板１１として、表面がサファイアの（０００１）面に対して微小な角度だけ傾斜したオフ基板を用いる。ここで、オフ基板の表面の状態について、図面を参照して説明する。図２は、原子レベルまで拡大したオフ基板の表面の状態を模式的に示した斜視図である。なお、図２では、説明の理解を容易にするために、要部を強調して発明内容を模式的に示しているため、各部の寸法比は必ずしも実際の素子と同じ寸法比とはなっていない。 
【００３２】 
　図２に示すように、オフ基板である基板１１の表面には多段状のテラスＴが形成される。これは、サファイアのバルク単結晶を、（０００１）面に対して微小に傾斜した角度（即ち、オフ角θ）で切り出した場合、切り出し方向に沿って（０００１）面が表出するからである。なお、オフ角θの大きさや、オフ角を設ける方向（具体的には、（０００１）面を傾ける方向であり、例えばｍ軸方向やａ軸方向など）は、基板１１上の各層において所望の成長が実現される限りにおいて、任意に決定してもよい。 
【００３３】 
　活性層２２は、ＡｌＸＧａ１−ＸＮ（０＜Ｘ＜１）で構成される井戸層２２ａを少なくとも１つ含む量子井戸構造を備えている。
井戸層２２ａの膜厚は、量子サイズ効果（量子閉じ込め効果）が発現する大きさであり、例えば１０ｎｍ以下である
また、例えば、井戸層２２ａの膜厚は２ｎｍ以上３ｎｍ以下であり、バリア層２２ｂの膜厚は６ｎｍ以上８ｎｍ以下である
【００３４】 
　さらに、活性層２２は、ｐ型クラッド層２３と接触する界面（最表面）において、ＡｌＮモル分率が井戸層２２ａ及びバリア層２２ｂよりも大きいｐ型ＡｌＧａＮで構成される電子ブロック層２２ｃを備える。電子ブロック層２２ｃは、活性層２２に注入された電子がｐ型クラッド層２３に入り込むことを抑制する層である。例えば、
電子ブロック層２２ｃの膜厚は１５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であり、典型的には２０ｎｍである
【００３５】 
　活性層２２において、バリア層２２ｂ及び電子ブロック層２２ｃは必須の構成ではない。ただし、バリア層２２ｂ及び電子ブロック層２２ｃを設けることで、井戸層２２ａ内に多数の電子及び正孔を閉じ込めて、電子及び正孔を効率良く再結合させる（即ち、発光させる）ことが可能になるため、好ましい。 
【００３６】 
　
上述した各層を構成するＡｌＧａＮは、有機金属化合物気相成長（ＭＯＶＰＥ）法、あるいは、分子線エピタキシ（ＭＢＥ）法等の周知のエピタキシャル成長法により形成されている
【００３７】 
　
ｎ型クラッド層２１、バリア層２２ｂ及びｐ型クラッド層２３におけるＡｌＮモル分率は、例えば３０％以上８０％以下（より好ましくは５０％以上８０％以下、さらに好ましくは５５％以上８０％以下）であり、井戸層２２ａのＡｌＮモル分率は、例えば５％以上８０％以下（より好ましくは、５％以上６０％以下）である
【００３８】 
　例えば、発光素子１のピーク発光波長は、２３０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下である。また、例えば、発光素子１は、活性層２２からの発光が基板１１側から取り出される裏面出射型の発光素子である。なお、下地部１０にＡｌＧａＮ層を追加する場合、当該ＡｌＧａＮ層におけるＡｌＮモル分率は、井戸層２２ａのＡｌＮモル分率よりも大きくなるように設定される。この場合、当該ＡｌＧａＮ層のＡｌＮモル分率は、ｎ型クラッド層２１のＡｌＮモル分率と同じになるように設定してもよいし、ｎ型クラッド層２１のＡｌＮモル分率よりも大きくなるように設定してもよい。 
【００３９】 
　
発光部２０における活性層２２を除いた各層を構成する各ＡｌＧａＮの膜厚は、例えば、ｎ型クラッド層２１が２０００ｎｍ以上４０００ｎｍ以下、ｐ型クラッド層２３が５００ｎｍ以上６００ｎｍ以下、ｐ型コンタクト層２４が１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下である。また、下地部１０は、例えば、ＡｌＮ層１２の膜厚は１５００ｎｍ以上４０００ｎｍ以下である。また、下地部１０にＡｌＧａＮ層を追加する場合、当該ＡｌＧａＮ層の膜厚は、例えば２００ｎｍ以上３００ｎｍ以下である
【００４０】 
　次に、ｐ電極３０及びｎ電極４０について、図面を参照して説明する。図３は、ｐ電極及びｎ電極側から見た発光素子を模式的に示した平面図である。 
【００４１】 
　図３に示すように、ｐ電極３０は第１領域Ｒ１のほぼ全面に、ｎ電極４０は第２領域Ｒ２のほぼ全面に、それぞれ形成される。また、発光素子１のチップサイズは縦横それぞれ８００μｍであり、ｐ電極３０が形成される第１領域Ｒ１の面積は約１６８０００μｍ２である。 
【００４２】 
　ｐ電極３０及びｎ電極４０のそれぞれは、例えば、電極の反転パターン（電極の形成位置以外の表面を覆うパターン）となるフォトレジストを形成した後に、電子ビーム蒸着法等により電極を構成する多層金属膜を蒸着し、当該フォトレジスト及び当該フォトレジスト上の多層金属膜をリフトオフにより除去することで形成される。なお、ｐ電極３０及びｎ電極４０の一方または両方の形成後に、ＲＴＡ（瞬間熱アニール）等により必要に応じて熱処理を行ってもよい。」 
  
（４）「【００４３】 
＜光出力が良好な活性層を得るための条件＞ 
［活性層の表面粗さ］ 
　
半導体発光素子の分野における通常の知識に従えば、光出力が良好な活性層２２を得るためには、活性層２２の結晶成長時において、発光の妨げとなる転位やクラックなどの欠陥の導入を抑制した成長、即ち、成長表面の平坦性を維持した二次元成長（一層ずつ丁寧に積層する成長）を行うべきである。特に、厚さが数ｎｍ程度という極めて薄い井戸層２２ａを、欠陥の導入を抑制しながら均一に成長させるためには、成長表面における粗さが、少なくとも井戸層２２ａの厚さよりも小さくなるように抑制するべきである
【００４４】 
　しかしながら、
本願出願人は、鋭意研究の結果、活性層２２（特に、井戸層２２ａ）の結晶成長時において、敢えて成長表面の粗さが大きい状態を維持した成長を行うことで、光出力が良好な活性層２２が得られることを見出した
【００４５】 
　活性層２２の結晶成長時における成長表面の粗さは、成長後の活性層２２の表面における平均粗さを用いて表現することができる。平均粗さとは、例えば、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Atomic Force Microscope）によって計測される高さ（被測定物における測定領域内の所定の高さを０とした相対的な高さ）を用いて、下記式（１）によって算出することができる。なお、下記式（１）において、Ｚ（ｉ）はＡＦＭで計測される各点の高さであり、Ｚｅは高さＺ（ｉ）の平均値であり、Ｒａは平均粗さである。 
【００４６】〜【００４８】 
・・・（略）・・・」 
  
（５）「【００４９】 
　図４及び図５に示す
試料１〜５では、オフ基板である基板１１の表面に形成されていたテラスＴ（図２参照）の影響が、活性層２２の表面まで引き継がれている。具体的には、少なくとも、下地部１０のＡｌＮ層１２、発光部２０における活性層２２及びその間の各層（本例の場合、ｎ型クラッド層２１）が、多段状のテラスの側面が成長することで二次元成長するステップフロー成長によって形成されている
【００５０】 
　また、
試料１〜５は、試料１、試料２、試料３、試料４、試料５の順番で、テラスの側面が選択成長し易い条件で作製されている。即ち、試料１〜５の中で、試料１が最もテラスの側面が選択成長し難い条件で作製されており、試料５が最もテラスの側面が選択成長し易い条件で作製されている
なお、テラスの側面が選択成長し易い条件とは、例えば、基板１１のオフ角が一定の範囲内（例えば、０°から数度程度まで）で大きいことや、テラスが表出し易い状態となる成長速度（具体的に例えば、成長温度、原料やキャリアガスの供給量や流速などの諸条件を適宜設定することで、当該成長速度を達成する）などである
【００５１】 
　
テラスの側面が選択成長し易い条件は、成膜装置の種類や構造によって異なり得る。そのため、成膜装置において現実にいくつかの試料を作製することで、この条件を特定すればよい。重要なのは、成膜装置に応じて無数の組み合わせが存在し得る諸条件ではなく、活性層２２がステップフロー成長で形成されるようにすることである
【００５２】 
　試料１〜５は、上述のように異なる条件で作製されたものであり、活性層２２の表面の状態、特に平均粗さが異なっている。具体的に、
試料１〜５のそれぞれの活性層２２の表面における平均粗さは、試料１が１０．９ｎｍ、試料２が５．０８ｎｍ、試料３が３．６６ｎｍ、試料４が３．９４ｎｍ、試料５が５．９４ｎｍである
【００５３】 
　さらに、試料１〜５は、上述のように下地部１０のＡｌＮ層１２から発光部２０の活性層２２までの各層を継続的にステップフロー成長で形成したものであるため、活性層２２の表面における平均粗さが大きくなる。具体的に、
試料１〜５の活性層２２の表面における平均粗さは、井戸層２２ａの厚さ以上であり、さらには３ｎｍ以上である。なお、上述のように、活性層２２の表面における平均粗さが井戸層２２ａの厚さを超えるように活性層２２を成長させることは、半導体発光素子の分野における通常の知識に反することである
（６）「【００５４】 
　図４に示すように、試料１では、ステップフロー成長と同時に、テラス上のランダムな位置に発生した核が成長して六角柱状のヒロック（hillock）Ｈが形成される三次元成長も生じている。さらに、図５に示すように、試料１の活性層２２の表面における高さの度数分布は、正規分布様（高さが０から増大するにつれて、下に凸の曲線から上に凸の曲線に変曲しつつ単調増加して極大値をとった後、上に凸の曲線から下に凸の曲線に変曲しつつ単調減少する曲線状）になっていないことから、高さの変動が不規則的である。したがって、
試料１では、高さが不規則的に変動する要因であるヒロックＨの影響が大きく、高さが規則的に変動する要因であるテラスの影響が小さいため、ステップフロー成長よりも三次元成長の方が支配的であると言える
【００５５】 
　また、図４に示すように、試料２の活性層２２の表面にも、試料１と同様にヒロックＨが混在している。ただし、試料２では、試料１と比較して、ヒロックＨが占める領域が大幅に減少している。さらに、図５に示すように、試料２の活性層２２の表面における高さの度数分布は、試料１とは異なり正規分布様であることから、高さの変動がある程度は規則的になっている。したがって、
試料２では、高さが不規則的に変動する要因であるヒロックＨの影響が小さく、高さが規則的に変動する要因であるテラスの影響が大きいため、三次元成長よりもステップフロー成長の方が支配的であると言える
【００５６】 
　また、図４に示すように、
試料３〜５では、大きなヒロックＨは生じておらず、全面的にステップフロー成長の痕跡（多段状となる三角形状のファセット）が認められる
試料３〜５では、高さが不規則的に変動する要因であるヒロックＨの影響が極めて小さく、高さが規則的に変動する要因であるテラスの影響が極めて大きいため、三次元成長よりもステップフロー成長の方が極めて支配的であると言える
【００５７】 
　ところで、
試料１の活性層２２の表面における平均粗さは１０．９ｎｍであり、他の試料２〜５と比較すると突出して大きくなっている。これは、試料１では三次元成長が支配的であり、ヒロックＨの影響が大きいからである。このように、三次元成長が支配的な試料では、活性層２２の表面に設定する平均粗さを求めるための２５μｍ四方の領域内にヒロックＨが不可避的に含まれるため、活性層２２の表面における平均粗さが１０ｎｍよりも大きくなり得る
【００５８】 
　また、
試料２の活性層２２の表面における平均粗さは５．０８ｎｍであり、試料３及び４と比較して大きくなっている。これは、試料２ではステップフロー成長が支配的ではあるものの、ヒロックＨの影響を少なからず受けているからである
【００５９】 
　また、
試料５の活性層２２の表面における平均粗さは５．９４ｎｍであり、試料３及び４と比較して大きくなっている。これは、ヒロックＨの影響ではなく、試料５ではテラスの段差が大きいため、これによって活性層２２の表面における平均粗さが大きくなっているからである
【００６０】 
　図６〜図８は、試料１、試料３及び試料４のそれぞれにおけるｎ型クラッド層及び活性層のそれぞれの表面の状態を比較して示す図である。図１に示したように、ｎ型クラッド層２１は、活性層２２の直前に形成される層である。即ち、図６〜図８は、活性層２２の表面及び裏面の状態を比較して示した図である。 
【００６１】 
・・・（略）・・・ 
【００６２】 
　図６（ａ）に示すように、
試料１において
活性層２２の表面における平均粗さは１０．９ｎｍである
試料３において
活性層２２の表面における平均粗さは３．６６ｎｍである
試料４において
活性層２２の表面における平均粗さは３．９４ｎｍである
【００６３】 
　このように、試料１、試料３及び試料４のそれぞれにおいて、ｎクラッド層２１及び活性層２２のそれぞれの表面における平均粗さは、略等しくなる。特に、活性層２２及びｎクラッド層２１のそれぞれの表面における平均粗さの差分の絶対値を、活性層２２の表面における平均粗さで除した割合が、１０％以内になっている。これは、活性層２２が、表面における平均粗さが維持された一様な成長によって形成されているからである。なお、ここでは試料１、試料３及び試料４についてのみ例示しているが、試料２及び試料５についても同様である。 
【００６４】 
・・・（略）・・・ 
【００６５】 
　一方、図７（ｃ）及び図８（ｃ）に示すように、
試料３及び４のそれぞれにおいて
ｎクラッド層２１の表面におけるテラスと比較して、角が丸みを帯びている
三次元成長が支配的である試料１については、このような傾向が明確には認められない
【００６６】 
・・・（略）・・・ 
【００６７】 
　図９に示すように、
三次元成長が支配的である試料１と比較して、ステップフロー成長が支配的である試料２〜５では、ピーク発光波長が長波長側にシフトするとともに、半値幅が大きくなる
【００６８】 
　この結果について、活性層２２（特に、井戸層２２ａ）を構成するＡｌＧａＮがＡｌＮとＧａＮの混晶であり、ＧａＮはＡｌＮよりも発光波長が長いことを踏まえると、
活性層２２（特に、井戸層２２ａ）を構成するＡｌＧａＮに含まれるＧａが偏析し、その偏析している領域にも電流が流れて発光が生じていると推測される。即ち、活性層２２の表面における平均粗さが井戸層２２ａの厚さを超えるようなステップフロー成長を行うことによって、活性層２２（特に、井戸層２２ａ）においてＧａの偏析が生じていると推測される
【００６９】 
　さらに、
上述したように、図７（ｃ）及び図８（ｃ）に示した活性層２２の表面におけるテラスが丸みを帯びていることも、Ｇａの偏析を示唆している。具体的には、活性層２２（特に、ＧａＮモル分率が大きい井戸層２２ａ）がステップフロー成長で形成される際に、Ａｌと比較してマイグレーションし易いＧａが、テラスの側面と次段のテラスの表面との境界に集まって段差を滑らかにすることで、テラスが丸みを帯びたと推測される
【００７０】 
　そして、図１０に示すように、
ステップフロー成長よりも三次元成長が支配的である（活性層２２の表面における平均粗さが１０ｎｍよりも大きい）試料１と比較して、ステップフロー成長が支配的である試料２〜５の方が、光出力が大きくなっている。このことから、活性層２２（特に、井戸層２２ａ）においてＧａを偏析させることによって、活性層２２の光出力を増大させることができることが分かる
【００７１】 
　以上のように、活性層２２の表面における平均粗さが井戸層２２ａの厚さ以上かつ１０ｎｍ以下になるようなステップフロー成長によって、活性層２２（特に、井戸層２２ａ）においてＧａの偏析を生じさせることで、活性層２２の光出力を増大させることができる。したがって、光出力が良好な活性層２２を有する発光素子１を得ることが可能になる。 
【００７２】 
　また、図１０に示すように、活性層２２の表面における平均粗さが３ｎｍ以上である試料２〜５では、活性層２２（特に、井戸層２２ａ）において、Ｇａの偏析が十分に生じる。そのため、活性層２２の光出力を十分に増大させることができる。 
【００７３】 
　また、図１０に示すように、活性層２２の表面における平均粗さが約６ｎｍとなる試料５と比較して、活性層２２の表面における平均粗さがそれ以下である試料２〜４は、光出力が顕著（例えば、１．５倍以上）に大きくなる。したがって、活性層２２の表面における平均粗さを６ｎｍ以下（好ましくは５．５ｎｍ以下）にすることで、活性層２２の光出力を顕著に増大させることができる。 
【００７４】 
　また、図７及び図８に示したように、発光部２０において、活性層２２とその直前に形成されるｎ型クラッド層２１とのそれぞれの表面における平均粗さは、略等しくなる。したがって、活性層２２だけでなく、ｎ型クラッド層２１も、表面における平均粗さが、井戸層２２ａの厚さ以上（さらには、３ｎｍ以上）かつ１０ｎｍ以下（さらには、６ｎｍ以下）になる。この場合、成長表面における平均粗さが維持された一様な成長によって活性層２２が形成されるため、活性層２２（特に、井戸層２２ａ）においてＧａの偏析を確実に生じさせることができる。したがって、活性層２２の光出力を増大させることができる。」 
  
（７）「【００７５】
［下地部のＡｌＮ層］
・・・（略）・・・ 
【００７６】〜【００７９】
・・・（略）・・・
【００８０】
　そして、上述のように活性層２２の光出力が良好な試料２〜５（図１０参照）は、試料１及び試料Ａと比較して、テラス幅が小さいとともに、テラス高さが大きくなっている。具体的に、試料２〜５では、テラス幅が０．３μｍ以上かつ１μｍ以下になり、テラス高さが８ｎｍ以上かつ１４ｎｍ以下になる。 
【００８１】
　したがって、このＡｌＮ層１２を有する下地部１０の表面上に発光部２０を形成することで、上述のようなステップフロー成長によってＧａの偏析を生じる光出力が良好な活性層２２を得ることができる。」 
（８）「【００８２】 
［井戸層のＡｌＮモル分率］ 
　これまでの説明において例示した試料１〜５は、図９に示すピーク発光波長が２６５ｎｍ±３ｎｍの範囲内に収まっていることから明らかなように、井戸層２２ａにおけるＡｌＮのモル分率が同程度の大きさである。しかしながら、試料１〜５とはＡｌＮモル分率が大きく異なる井戸層２２ａを有する発光素子１であっても、試料１〜５と同様にＧａの偏析は生じ得る。 
【００８３】 
　以下、井戸層２２ａのＡｌＮモル分率（ピーク発光波長）とＧａの偏析との関係について、図面を参照して説明する。図１７は、井戸層のＡｌＮモル分率（ピーク発光波長）が異なる複数の試料の発光スペクトルを示すスペクトル図である。また、図１８は、各試料のピーク発光波長と半値幅との関係を示すグラフである。なお、図１７及び図１８では、比較のために、井戸層２２ａがＧａＮによって構成されている試料についても併せて示している。また、図１７では、発光スペクトルの概形の見易さや比較などの便宜上、図１８に示す各試料の中から代表的な試料を選択するとともに、当該試料のそれぞれにおけるピーク発光波長の強度が１となるように規格化している。また、図１８では、各試料のピーク発光波長及び半値幅の測定結果に対する近似直線も併せて示している。 
【００８４】〜【００８６】 
・・・（略）・・・ 
【００８７】 
　ただし、図１７及び図１８に示すように、各試料の発光スペクトルにおける半値幅の大きさ（即ち、Ｇａの偏析の程度）は、一様ではない。
具体的に、ピーク発光波長が小さくなるほど、半値幅は小さくなる。これは、井戸層２２ａを構成するＡｌ
Ｘ
Ｇａ
１−Ｘ
ＮのＡｌＮのモル分率Ｘが１（即ち、単一のＡｌＮの結晶）に近づくほど、Ｇａの量が少なくなり偏析し難くなるからである
【００８８】 
　
この点、図１８に示すように、ピーク発光波長が２３０ｎｍ以上（好ましくは２４０ｎｍ以上、さらに好ましくは２５０ｎｍ以上）になるように、井戸層２２ａをＡｌ
Ｘ
Ｇａ
１−Ｘ
Ｎで構成すれば、発光スペクトルの半値幅を基準半値幅（図中の破線）よりも十分に大きくする（即ち、Ｇａの偏析を生じさせて光出力を増大させる）ことが可能になる
【００８９】 
　一方、図１７及び図１８に示すように、ピーク発光波長が大きくなるほど、半値幅は大きくなる。しかし、
井戸層２２ａを構成するＡｌ
Ｘ
Ｇａ
１−Ｘ
ＮのＡｌＮのモル分率Ｘが０（即ち、単一のＧａＮの結晶）に近づくと、Ｇａの量が多くなり過度に偏析することで、発光スペクトルの形状が崩れたり（例えば、ピークが分離して２つ以上できる）、発光強度が低下したりするなどの問題が生じる
【００９０】 
　この点、図１７及び図１８に示すように、
ピーク発光波長が３４０ｎｍ以下（好ましくは３３５ｎｍ以下）になるように、井戸層２２ａをＡｌ
Ｘ
Ｇａ
１−Ｘ
Ｎ（０＜Ｘ＜１）で構成すれば、上記の問題を発生し難くすることが可能になる
【００９１】 
　このように、
ピーク発光波長を２３０ｎｍ以上かつ３４０ｎｍ以下にすることで、活性層２２（特に、井戸層２２ａ）においてＧａの偏析を十分に生じさせて光出力を増大させるとともに、発光スペクトルの形状が崩れたり発光強度が低下したりするなどの問題を生じさせ難くすることが可能になる
（９）図５は、以下のとおりである。
（１０）図９は、以下のとおりである。
（１１）図１０は、以下のとおりである。
（１２）図１７、１８は、以下のとおりである。
４　第３６条第６項第１号（サポート要件違反）について 
（１）本件発明１について
　ア　判断
　（ア）本件発明１は、「結晶成長の開始地点である基板やバッファ層を最適化すれば、その上方の窒化物半導体層の結晶性の改善を見込むことができる」が、このような方法では、「発光が生じる活性層が必ずしも最適化されるとは限らない。」（段落０００７参照。）との認識に基づいて、「光出力が良好な活性層を有する窒化物半導体紫外線発光素子を提供する」（段落０００８参照。）ことを課題としている。
　（イ）本件発明１は、 
 　Ａ　「前記下地部の前記ＡｌＮ層、前記発光部における前記活性層及びその間の各層が、多段状のテラスが形成された表面を有するエピタキシャル成長層」とすること、 
 　Ｂ　「活性層の表面における平均粗さが井戸層の厚さ以上かつ１０ｎｍ以下」になるようにすること、との発明特定事項を採用することにより、上記（ア）の当該課題を解決していると解される。（段落００１０等参照。以下、それぞれ「構成Ａ」、「構成Ｂ」という。）。
　（ウ）本件明細書には、構成Ａ、Ｂと関係して、「井戸層２２ａの膜厚は２ｎｍ以上３ｎｍ以下」（段落００３３参照）としつつ、「オフ基板である基板１１の表面に形成されていたテラスＴ（図２参照）の影響が、活性層２２の表面まで引き継がれ・・・具体的には、少なくとも、下地部１０のＡｌＮ層１２、発光部２０における活性層２２及びその間の各層（本例の場合、ｎ型クラッド層２１）が、多段状のテラスの側面が成長することで二次元成長するステップフロー成長によって形成されている」（段落００４９参照）試料１〜５が記載されている。
　さらに、本件明細書では、試料１〜５について「試料１〜５のそれぞれの活性層２２の表面における平均粗さは、試料１が１０．９ｎｍ、試料２が５．０８ｎｍ、試料３が３．６６ｎｍ、試料４が３．９４ｎｍ、試料５が５．９４ｎｍである」（段落００５２参照）、「試料１では三次元成長が支配的であり、ヒロックＨの影響が大きい・・・このように、三次元成長が支配的な試料では、活性層２２の表面に設定する平均粗さを求めるための２５μｍ四方の領域内にヒロックＨが不可避的に含まれるため、活性層２２の表面における平均粗さが１０ｎｍよりも大きくなり得る」（段落００５７参照）、「三次元成長が支配的である試料１と比較して、ステップフロー成長が支配的である試料２〜５では、ピーク発光波長が長波長側にシフトするとともに、半値幅が大きくなる。」（段落００６７参照）、「この結果について、活性層２２（特に、井戸層２２ａ）を構成するＡｌＧａＮがＡｌＮとＧａＮの混晶であり、ＧａＮはＡｌＮよりも発光波長が長いことを踏まえると、活性層２２（特に、井戸層２２ａ）を構成するＡｌＧａＮに含まれるＧａが偏析し、その偏析している領域にも電流が流れて発光が生じていると推測される。即ち、活性層２２の表面における平均粗さが井戸層２２ａの厚さを超えるようなステップフロー成長を行うことによって、活性層２２（特に、井戸層２２ａ）においてＧａの偏析が生じていると推測される。」（段落００６８参照）、「ステップフロー成長よりも三次元成長が支配的である（活性層２２の表面における平均粗さが１０ｎｍよりも大きい）試料１と比較して、ステップフロー成長が支配的である試料２〜５の方が、光出力が大きくなっている。このことから、活性層２２（特に、井戸層２２ａ）においてＧａを偏析させることによって、活性層２２の光出力を増大させることができることが分かる。」（段落００７０参照）と記載されている。
　そして、これらの記載及び図５、図１０の記載から、試料１は、試料２〜５と比較して活性層の状態、及び発光性能に問題があり、試料２〜５が構成Ａ、Ｂを備える実施例であることなど、文字通り、理解でき、このような事情が起こり得る理由についても、発光素子の技術分野の技術常識から通常起こりえないような事象を示唆しているとも認められないことから、構成Ａ及びＢ、特に、構成Ｂにおける「平均粗さが井戸層の厚さ以上かつ１０ｎｍ以下」とする意義について、当業者が理解できる程度には記載されているといえる。
　また、「井戸層におけるＧａ偏析」については、本件明細書において「推測される」と記載されているように、構成Ａ及びＢを有することによる作用効果について、その発生理由を、推測して技術的に解説しているにすぎず、この解説内容が技術常識に明らかに反しているなどという証拠はなく、また、一定程度の蓋然性があると認められるから、「井戸層におけるＧａ偏析」についての記載があることにより、構成Ａ及びＢの技術的意義が不明になっているとはいえない。
　（エ）本件発明１の課題である「光出力が良好な活性層を有する」、「活性層の光出力を増大させる」について、本件明細書において、他の具体的な態様と比較して、「光出力が良好」、「光出力を増大させる」とする明示的な記載はない。
　また、本件明細書の「半導体発光素子の分野における通常の知識に従えば、光出力が良好な活性層２２を得るためには、・・・少なくとも井戸層２２ａの厚さよりも小さくなるように抑制するべきである。」（段落００４３参照）の記載において、本件発明に含まれない態様について「光出力が良好」という表現を用いていることからも、「光出力が良好」等の表現は、他の態様との比較を格別意識したものではなく、本件発明に含まれない態様についても使用される程度の「光出力が良好な活性層」を意味していると解することが自然である。
　さらに、本件明細書において、「良好」、「増大」について特別な定義はなされていないことから、これらの用語については、文字通り、解釈されるものであり、「光出力が良好」は通常使用される程度の「良好な」「光出力」を含んでいると解され、「光出力を増大させる」は「Ｇａの偏析を生じさせることで、活性層の光出力を増大させることができる」（段落００１０参照）との文脈で主に使用されていることから、「Ｇａの偏析」の有無における比較の下での「増大」であると解される。そして、このような解釈をすることにより、構成Ａ及びＢの技術的意義が不明になるものではない。
　イ　申立人の主張について
　（ア）申立人は、申立書において下記ａの主張をしている。
　ａ　「そこで、本件特許明細書の発明の詳細な説明に、「活性層の表面における平均粗さが井戸層の厚さ以上かつ１０ｎｍ以下」とする本件発明が、当業者が「活性層の光出力を増大させる」との本件発明の課題が解決することができると認識できるといえる程度の記載がされているかどうかについて検討する。
　本件特許明細書には、「活性層の表面における平均粗さが井戸層の厚さ以上かつ１０ｎｍ以下」とする本件発明が、当業者が「活性層の光出力を増大させる」との本件発明の課題を解決できるものであることを裏付けようとして図１０（ａ）、（ｂ）が添付されている。
　図１０（ａ）,（ｂ）を参照すると、活性層表面の平均粗さが１０ｎｍ以下である場合に光出力が向上することは把握できる。しかしながら、この実験事実からでは、本件特許明細書に記載される「通常の知識」（段落［００４３］）に従い、活性層表面の平均粗さを１０ｎｍ以下とし、平均粗さを小さくするにしたがって、高い光出力が得られるという従来の技術常識が確認できるに留まる。
・・・
　さらに、試料１〜試料５において、各試料の井戸層の厚さを特定することのできる具体的な記載はなく、各試料の井戸層の厚さは不明である。
　したがって、試料１〜５の平均粗さが「井戸層の厚さ以上」を満足しているか否かすら、当業者には判別できない。
　また、仮に、試料１〜５の井戸層の厚さが、活性層の平均粗さ未満であるとしても、段落［００４３］に記載の「通常の知識」に従う「成長表面における粗さが、少なくとも井戸層２２ａの厚さよりも小さくなるように抑制」された窒化物半導体紫外発光素子の光出力と、試料１〜５の窒化物半導体紫外発光素子の光出力との関係を示す結果は、本件特許明細書には何ら記載されていない。「成長表面における粗さが、少なくとも井戸層２２ａの厚さよりも小さくなるように抑制」された窒化物半導体紫外発光素子と比較して、実施例における試料１〜５の窒化物半導体紫外発光素子が、段落［０００８］に記載の「光出力が良好な活性層を有する窒化物半導体紫外線発光素子」であることを示すか否かは、本件特許明細書の記載からは不明というほかない。むしろ、前記参考図１の内容に基づき、試料１〜５の窒化物半導体紫外発光素子の光出力は、「成長表面における粗さが、少なくとも井戸層２２ａの厚さよりも小さくなるように抑制」された窒化物半導体紫外発光素子の光出力よりも低い蓋然性が高いと、本件特許明細書に接した当業者は認識する。」（申立書１４頁３行〜１６頁８行）
　ｂ　上記ａの主張について検討する。まず、「井戸層２２ａの膜厚は２ｎｍ以上３ｎｍ以下」（段落００３３参照）の記載から、試料１〜５の平均粗さが「井戸層の厚さ以上」を満足していることは読み取ることができる。そして、「「成長表面における粗さが、少なくとも井戸層２２ａの厚さよりも小さくなるように抑制」された窒化物半導体紫外発光素子と比較して、実施例における試料１〜５の窒化物半導体紫外発光素子が、段落［０００８］に記載の「光出力が良好な活性層を有する窒化物半導体紫外線発光素子」であることを示す」ことについては、上記アで説示したように、本件発明１は、何らかの他の具体的な態様と比較して「光出力が良好な活性層を有する窒化物半導体紫外線発光素子」を示したものではない。
　よって、申立人の主張は採用できない。
　（イ）申立人は、申立書において下記ａの主張をしている。
　ａ　「請求項１では、「少なくとも、前記下地部の前記ＡｌＮ層、前記発光部における前記活性層及びその間の各層が、多段状のテラスが形成された表面を有するエピタキシャル成長層であ」ることを発明特定事項とする。
　上記記載に基づけば、「多段状のテラス」が、各エピタキシャル成長層の表面に何らかの面積比率で存在すれば（すなわち、各層の表面全体である場合に限定されず）、「各層が、多段状のテラスが形成された表面を有する」に該当すると解される。仮に「多段状のテラス」がエピタキシャル成長層の表面のごく一部（例えば表面積の１％の領域）でも存在すればよいのであれば、本件特許明細書の実施例では所定のオフ角を有するサファイア基板上に各層をエピタキシヤル成長していることから、そのような場合にまで、請求項１の記載のみによって、発光出力向上という課題を解決できると当業者は認識することはできない。」（申立書１７頁１行〜１１行）
　ｂ　上記ａの主張について検討する。本件発明１は、「多段状のテラスが形成された表面」に係る構成Ａを有することにより、「光出力が良好な活性層を有する窒化物半導体紫外線発光素子を提供する」（段落０００８参照。）のであるから、、「多段状のテラスが形成された表面」は光出力に寄与する程度の面積比率を有することは当業者にとって自明な事項である。
　よって、申立人の主張は採用できない。
　（ウ）申立人は、下記ａ、ｂを主張するとともに、下記ｃの甲第１号証〜甲第１０号証を提示している。
　ａ　「異議申立人は、本件特許発明１ないし１０の課題は、活性層表面の平均粗さ（Ｒａ）が井戸層の厚さ以上かつ１０ｎｍ以下の場合において、「活性層の光出力」を得ることではなく、以下の（ア）、（イ）及び（ウ）のとおり、活性層表面の平均粗さが井戸層の厚さ以上かつ１０ｎｍ以下の場合において、「光出力が従来技術に比べて増大した活性層を有する窒化物半導体紫外線発光素子を提供すること」であると主張する。
　（ア）本件特許の出願時において、窒化物半導体発光素子の技術分野では表面が平坦でない活性層であっても「活性層の光出力」は得られることは公知であった。この点については、本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第１号証〜甲第２号証及び本願の出願時の技術常識を説明するための乙第２号証を参照して、後記「（５）本件特許出願時において活性層の光出力が得られたことは公知であったことについて」に詳述する。
　（イ）本件特許明細書には【発明が解決しようとする課題】の項目に「【０００８】　そこで、本発明は、光出力が良好な活性層を有する窒化物半導体紫外線発光素子を提供することを目的とする。」と明確に記載されている。
　ここで、「良好な」とは、同種の特性を有する比較対象物に比べて、さらに優れた特性を有するという意味である。
　本件発明者は、表面が平坦でない活性層であっても、ある程度の光出力は得られているが、従来技術に比べて、より大きな光出力を得ることを目指して研究開発を進めていたので、本件特許明細書に、「本発明は、光出力が良好な活性層を有する窒化物半導体紫外線素子を提供することを目的とする。」と記載したと理解される。
　仮に、従来技術では、表面が平坦でない活性層では、「活性層の光出力」は全く得られなかったのであれば、「本発明は、活性層の表面が平坦でなくても、光出力が得られる窒化物半導体紫外線発光素子を提供することを目的とする。」といったように記載され、「良好な」といっか記載は用いられないと考えるのが自然である。」（令和元年６月１０日付け回答書（以下「申立人回答書」という。）２頁下から２行〜３頁下から５行）
　ｂ　「特許権者は、本件特許発明１の課題について、上記のとおり「従来の技術常識に反して、活性層の結晶成長時に、敢えて成長表面の粗さが大きい状態を維持した成長を行っても、つまり、上記課題解決手段ア及びイで規定される成長を行っても、「活性層の光出力」が確認されたことに大きな意義があり、従来の技術常識に対する技術的革新と言える。」（第２回意見書の第６頁第２２行〜第２５行）などと述べる。
　ここで言う課題解決手段アは「『前記下地部の前記ＡｌＮ層、前記発光部における前記活性層及びその間の各層が、多段状のテラスが形成された表面を有するエピタキシャル成長層』とすること」（第２回意見書の第２頁第１９行〜第２１行）であり、課題解決手段イは「『活性層の表面における平均粗さが井戸層の厚さ以上かつ１０ｎｍ以下』になるようにすること」（第２回意見書の第２頁第２２行〜第２３行）である。
　そもそも以下に述べるとおり、上記課題解決手段ア、イ自体が本技術分野における周知な技術手段に過ぎない。」（申立人回答書４２頁１０行〜下から４行）
　ｃ　提示された文献は以下の通り。
　甲第１号証　特開２００５−２２５６９４号公報
　甲第２号証　国際公開２０１３／０２１４６４号
　甲第３号証　Ｍｉｃｈｉｋｏ Ｋａｎｅｄａ,ｅｔ.ａｌ.、Ｕｎｅｖｅｎ ＡｌＧａＮ ｍｕｌｔｉｐｌｅ ｑｕａｎｔｕｍ　ｗｅｌｌ　ｆｏｒ　ｄｅｅｐ ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ　ＬＥＤｓ　ｇｒｏｗｎ　ｏｎ　ｍａｃｒｏｓｔｅｐｓ　ａｎｄ　ｉｍｐａｃｔ　ｏｎ　ｅｌｅｃｔｒｏ　ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ　ｓｐｅｃｔｒａｌ　ｏｕｔｐｕｔ”、Ｊａｐａｎｅｓｅ　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ５６,０６１００２（２０１７）
　甲第４号証　Ｙｏｓｕｋｅ　Ｎａｇａｓａｗａ　ａｎｄ　Ａｋｉｒａ　Ｈｉｒａｎｏ、Ａ　Ｒｅｖｉｅｗ　ｏｆ　ＡｌＧａＮ−Ｂａｓｅｄ　Ｄｅｅｐ−Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ　Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅｓｏｎ　Ｓａｐｐｈｉｒｅ、Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｓｃｉｅｎｃｅ、２０１８,８,１２６４
　甲第５号証　特開２００６−６０１６４号公報
　甲第６号証　中島一雄編、「シリーズ：結晶成長のダイナミクス第３巻　エピタキシャル成長のメカニズム」、初版第２刷、共立出版株式会社、２００３年５月１５日、p.１３４〜p.１５３
　甲第７号証　特開平９−９７９２１号公報
　甲第８号証　Ｒｙａｎ Ｇ Ｂａｎａｌ,ｅｔａｌ.、“Ｉｎｉｔｉａｌ　ｎｕｃｌｅａｔｉｏｎ　ｏｆ　ＡｌＮ　ｇｒｏｗｎ　ｄｉｒｅｃｔｌｙ　ｏｎ　ｓａｐｐｈｉｒｅ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ　ｂｙ　ｍｅｔａｌ−ｏｒｇａｎｉｃ　ｖａｐｏｒ　ｐｈａｓｅ　ｅｐｉｔａｘｙ”、Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ　９２,２４１９０５、２００８年
　甲第９号証　Ｓ.Ｎｉｋｉｓｈｉｎ,ｅｔａｌ.、”Ｈｉｇｈ　ｑｕａｌｉｔｙ　ＡｌＮ　ｆｏｒ　ｄｅｅｐ　ＵＶ ｐｈｏｔｏｄｅｔｅｃｔｏｒｓ”、Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ　.Ｌｅｔｔｅｒｓ　９５,０５４１０１、２００９年
　甲第１０号証　特開２００８−２３５７６９号公報
　
　ｄ　上記主張ａ、ｂについて検討する。上記アで説示したように、構成Ａ、Ｂと「活性層の光出力」の技術的な関係が当業者が理解できる程度に開示されている以上、仮に、申立人が主張するように「窒化物半導体発光素子の技術分野では表面が平坦でない活性層であっても「活性層の光出力」は得られることは公知であ」り、「上記課題解決手段ア及びイ」（構成Ａ、Ｂに相当）が「本技術分野における周知な技術手段に過ぎな」かったとしても、そのことにより、構成Ａ、Ｂと「活性層の光出力」の技術的な関係が変わるわけではないので、本件発明１における構成Ａ、Ｂの技術的な意義が不明になることにはならない。
　よって、申立人の主張は採用できない。
　ウ　小括
　したがって、本件発明１は、発明の詳細な説明に記載したものである。
（２）本件発明２〜１０について
　本件発明２〜９は、本件発明１に従属し、本件発明１の発明特定事項をすべて含むものであり、本件発明１０は、方法の発明であるものの実質的に本件発明１と同様の構成を有しているから、本件発明１と同様の理由（上記（１）参照）により、本件発明２〜１０は、発明の詳細な説明に記載したものである。
（３）まとめ
　したがって、本件発明１〜１０は、発明の詳細な説明に記載したものであるから、それらの特許は特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしている。
５　第３６条第４項第１号（実施可能要件違反）について 
（１）本件発明１について
　ア　判断
　本件明細書において、試料１〜５について、「【００４９】・・・試料１〜５では、オフ基板である基板１１の表面に形成されていたテラスＴ（図２参照）の影響が、活性層２２の表面まで引き継がれている。具体的には、少なくとも、下地部１０のＡｌＮ層１２、発光部２０における活性層２２及びその間の各層（本例の場合、ｎ型クラッド層２１）が、多段状のテラスの側面が成長することで二次元成長するステップフロー成長によって形成されている。・・・【００５０】また、試料１〜５は、試料１、試料２、試料３、試料４、試料５の順番で、テラスの側面が選択成長し易い条件で作製されている。・・・なお、テラスの側面が選択成長し易い条件とは、例えば、基板１１のオフ角が一定の範囲内（例えば、０°から数度程度まで）で大きいことや、テラスが表出し易い状態となる成長速度（具体的に例えば、成長温度、原料やキャリアガスの供給量や流速などの諸条件を適宜設定することで、当該成長速度を達成する）などである。【００５１】テラスの側面が選択成長し易い条件は、成膜装置の種類や構造によって異なり得る。そのため、成膜装置において現実にいくつかの試料を作製することで、この条件を特定すればよい。重要なのは、成膜装置に応じて無数の組み合わせが存在し得る諸条件ではなく、活性層２２がステップフロー成長で形成されるようにすることである。【００５２】試料１〜５は、上述のように異なる条件で作製されたものであり、活性層２２の表面の状態、特に平均粗さが異なっている。具体的に、試料１〜５のそれぞれの活性層２２の表面における平均粗さは、試料１が１０．９ｎｍ、試料２が５．０８ｎｍ、試料３が３．６６ｎｍ、試料４が３．９４ｎｍ、試料５が５．９４ｎｍである。【００５３】・・・具体的に、試料１〜５の活性層２２の表面における平均粗さは、井戸層２２ａの厚さ以上であり、さらには３ｎｍ以上である。」と記載されている。
　そして、上記記載において、「ステップフロー成長」は当業者にとって実現可能な方法であるし、各試料の寸法等も開示されているわけであるから、詳細な諸条件が網羅的に記載されていなくとも、当業者が、上記の情報から、試料１〜５を製造することができると解される。
　イ　申立人の主張について
　申立人は、「ここで、本件特許明細書では、活性層表面の平均粗さを「井戸層の厚さ以上１０ｎｍ以下」とするための条件として、「テラスの側面が選択成長し易い条件」を言及しつつ、各エピタキキシャル成長層の成長速度を適宜調整すればよいと記載するに留まる（段落［００４９］−［００５０］）。
　しかしながら、本件特許明細書の図１０（ａ）、（ｂ）を参照すると、テラスの側面が選択成長し易い条件であることと、活性層表面の平均粗さとに相関関係があるとは読み取れない。上記図１０（ａ）、（ｂ）に注釈を付した図を参考図２として下記に示す。活性層表面の平均粗さとして所望の値を実現するためには「テラスの側面が選択成長し易い条件」の中から、さらに何らかの製造条件を調整する必要があると解される。
　そして、本件特許明細書では、テラスの側面が選択成長し易い条件としては、基板１１のオフ角の影響を受けること、さらには、テラスが表出し易い状態となる「成長速度」があることを開示する。そして、本件特許明細書では、成長速度を調整するためには、「成長温度、原料やキャリアガスの供給量や流速などの諸条件」を適宜設定すればよい（段落［００５０］）と言及するに留まる。
　なお、試料１〜５に関する、基板１１のオフ角およびテラスが表出し易い状態となる成長速度に関する具体的なパラメータに関する開示は、本件特許明細書には皆無である。本件特許明細書の実施例においては、何らかの成長条件により形成した後のＡｌＮ層１２、ｎ型クラッド層２１、活性層２２の表面状態のＡＦＭ画像が開示されるものの、これらＡＦＭ画像を得るために追試を行うための手がかりとなる「テラスの側面が選択成長し易い条件」および成長速度に関する製造条件は何ら開示されていない。
　そうすると、当業者の通常の知識に反して、活性層表面の平均粗さを敢えて「井戸層の厚さ以上１０ｎｍ以下」とするための具体的な手段が本件特許明細書に記載されているということはできない。そして、ＡＦＭ画像を得るために追試を行うための手がかりとなる製造条件の開示が本件特許明細書には存在しないため、活性層表面の平均粗さとして「井戸層の厚さ以上１０ｎｍ以下」を実現するためには、当業者に期待し得る程度を超える試行錯誤、複雑高度な実験等をする必要がある。」（申立書１９頁１行〜２１頁下から６行）と主張している。
　しかしながら、上記アで説示したとおり、本件明細書の記載から、当業者が試料１〜５を製造することは可能であると認められるから、申立人の主張は採用できない。
　ウ　小括
　したがって、本件発明１に係る発明の詳細な説明の記載は、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものである。
（２）本件発明２〜１０について
　本件発明２〜９は、本件発明１に従属し、本件発明１の発明特定事項をすべて含むものであり、本件発明１０は、方法の発明であるものの実質的に本件発明１と同様の構成を有しているから、本件発明１と同様の理由（上記（１）参照）により、本件発明２〜１０に係る発明の詳細な説明の記載は、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものである。
（３）まとめ
　したがって、本件発明１〜１０に係る発明の詳細な説明の記載は、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであるから、それらの特許は特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしている。
６　第３６条第６項第２号（明確性要件違反）について 
（１）本件発明１〜１０について
　ア　判断
　本件発明１〜１０の記載は、各構成について、それぞれの関連が明確に理解できるように記載されているから、明確である。
　イ　申立人の主張について
　申立人は、「サファイアから成る基板の表面に設けられる「多段状のテラス」と、各エピタキシャル成長層の表面に設けられる「多段状のテラス」とが、両者で一致する必要があるのか、異なってもよいのか、あるいは、どのような対応関係となっていればよいのか、いずれと解すべきかが不明である。各エピタキシャル成長層の表面が、どのような表面形状であれば、「多段状のテラスが形成された表面」に該当するのか、当業者に理解することはできない。さらには、一次元方向のみに多段のテラスが形成されるのか、二次元方向に多段のテラスが形成されるのか、いずれと解すべきかも、請求項１の記載からでは不明である。したがって、請求項１の記載では、特許を受けようとする発明が不明確となっている。」（申立書２２頁１０行〜１８行）と主張している。
　しかしながら、基板の「多段状のテラス」と各エピタキシャル成長層の表面に設けられる「多段状のテラス」の形状が一致するか、相違するか、あるいは「多段状のテラス」が一次元方向のみに多段のテラスが形成されるのか、二次元方向に多段のテラスが形成されるのかについて、本件発明１〜１０の作用効果を考慮しても、明らかでないといけない理由はなく、また、明らかでないことをもって、本件発明１〜１０が不明瞭であるということにもならない。
　よって、申立人の主張は採用できない。
（２）まとめ
　したがって、本件発明１〜１０は明確であるから、それらの特許は特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしている。
第３　むすび
　以上のとおりであるから、平成３０年６月７日付け、平成３１年１月２４日付け取消理由通知及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由、証拠によっては、本件請求項１〜１０に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１〜１０に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和１年９月３日（２０１９．９．３）