【事件の表示】
　平成５年特許願第２５８８４号「マイクロ波集積回路装置」拒絶査定に対する審判事件〔（平成８年１月３１日出願公告、特公平８−１０７４５）、特許請求の範囲に記載された請求項の数（３）〕について、次のとおり審決する。
【結論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許をすべきものとする。
【理由】
Ｉ、手続きの経緯及び本願発明
　本願は、平成５年２月１６日に出願されたものであり、原審において平成７年９月１８日に出願公告の決定がされたところ、特許異議の申立があり、その特許異議の申立は理由があると決定され、その決定に記載された理由により拒絶査定されたものである。
　そして、本願発明は、出願公告時の明細書及び図面の記載並びに平成９年１２月８日付けと平成１１年９月３日付けの手続補正書の記載よりみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至３に記載された次のとおりのものと認める。
「【請求項１】接地面となる金属膜が裏面に形成された単一の絶縁性基板と、マイクロ波集積回路が形成され、前記単一の絶縁性基板の表面に配置されたチップと、前記単一の絶縁性基板上の前記チップの周囲を覆うパッケージと、前記パッケージ内の前記単一の絶縁性基板の表面に形成され、前記チップのマイクロ波集積回路に接続する整合回路を含む回路パターンと、前記単一の絶縁性基板の側面に形成され、前記回路パターンに接続する端子とを具備したマイクロ波集積回路装置。」
「【請求項２】接地面となる金属膜が裏面に形成された単一の絶縁性基板と、マイクロ波集積回路が形成され、前記単一の絶縁性基板の表面に配置されたチップと、前記単一の絶縁性基板上の前記チップの周囲を覆うパッケージと、前記パッケージ内の前記単一の絶縁性基板の表面に形成され、前記チップのマイクロ波集積回路に接続する整合回路を含む回路パターンと、前記単一の絶縁性基板の側面に形成され、前記回路パターンに接続する端子とを具備し、前記チップがマウントされるランドパターンが前記単一の絶縁性基板の表面に形成され、そのランドパターンが、前記単一の絶縁性基板に形成された前記チップ直下のスルーホールを通して前記単一の絶縁性基板裏面の接地面に接続されたことを特徴とするマイクロ波集積回路装置。」
「【請求項３】接地面となる金属膜が裏面に形成された単一の絶縁性基板と、能動素子を含むマイクロ波集積回路が形成され、前記単一の絶縁性基板の表面に配置されたチップと、前記単一の絶縁性基板上の前記チップの周囲を覆うパッケージと、前記パッケージ内の前記単一の絶縁性基板の表面に形成され、前記チップのマイクロ波集積回路に接続する整合回路を含む回路パターンと、前記単一の絶縁性基板の側面に形成され、前記回路パターンに接続する端子とを具備し、前記単一の絶縁性基板上の前記回路パターンと前記チップのマイクロ波集積回路とを接続する金属ワイヤーを設けたことを特徴とするマイクロ波集積回路装置。」（以下では、それぞれの請求項に係る発明を、順に、本願第１発明、本願第２発明、本願第３発明という。）
　なお、原審において、出願公告後の平成９年１月２７日付けでした手続補正において、「単一の絶縁性基板の側面に形成され、回路パターンに接続する端子」を具備する点を特許請求の範囲の各請求項に付加する補正は、特許請求の範囲を変更するものであるとして補正却下されているが、絶縁性基板に回路パターンに接続する端子が形成されていることは自明のことであり、絶縁性基板の側面に端子が形成されていることも出願公告時の明細書に記載されているから（公報第３頁段落【００２２】参照。）、上記の点を含む補正は、特許請求の範囲の減縮に該当し、かつ、実質上特許請求の範囲を変更するものではないから、上記の点を含む補正を認めて、本願発明の要旨を上記のとおり認定した。
ＩＩ、原査定の拒絶の理由
　これに対し、原査定の拒絶の理由となった特許異議の決定の理由の概要は、本願発明は、特許異議申立人株式会社日立製作所の提出した甲第１号証「ＭＯＮＯＬＩＴＨＩＣ　ＭＩＣＲＯＷＡＶＥ　ＩＮＴＥＧＲＡＴＥＤ　ＣＩＲＣＵＩＴ：　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　＆　Ｄｅｓｉｇｎ、ＡＲＴＥＣＨ　ＨＯＵＳＥ，ＩＮＣ．１９８９年発行」（以下、引用例という。）に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものである。
ＩＩＩ、引用例
　引用例には、つぎの技術的事項が記載されている。
　７５９頁の表１０．３には、付録の表のデータを、周波数範囲、適用範囲、コストの３つのキーとなる領域において要約したものが記載され、付録において、７６８頁には、Ｆｉｇ．１０．Ａ２　Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ　Ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ　Ｐａｃｋａｇｅとして、ポリイミドよりなる絶縁性多層基板と、その表面に配置された半導体チップであるＧａＡｓ　ＩＣと、その裏面に配置され、スルーホール及び基板の各層間に形成された配線パターンを介してＧａＡｓ　ＩＣと直接接続される信号線（Ｓｉｇｎａｌ　ｌｉｎｅ）用と、接地・出力（Ｂｏｔｔｏｍ　ｇｒｏｕｎｄ／ｏｕｔｐｕｔ）用の接合突起（Ｓｏｌｄｅｒ　ｂｕｍｐ）と、基板上の前記チップの周囲を覆うパッケージであるＭｅｔａｌ　ｌｉｄと、Ｍｅｔａｌ　ｌｉｄ内の絶縁性基板の表面に配置されたＢｙｐａｓｓ　ｃａｐａｃｉｔｏｒとを有する集積回路装置が記載され、また、７７８頁には、Ｆｉｇ．１０．Ａ１２　Ｈｅｒｍｅｔｉｃ　ｍｅｔａｌ−ｔｒａｙ　ｐａｃｋａｇｅとして、マイクロ波集積回路が形成され、絶縁性基板の切り抜き部分（ＣＵＴＯＵＴ）にキャリア（ＣＡＲＲＩＲ）とともに配置されたＧａＡｓチップ（ＧａＡｓ　ＣＨＩＰ）と、前記絶縁性基板上の前記チップの周囲を覆うパッケージ（ＣＥＲＡＭＩＣ　ＷＡＬＬ）と、前記パッケージ内の前記絶縁性基板の表面に形成され、前記チップのマイクロ波集積回路に接続する回路パターン（ＯＵＴＰＵＴ　ＭＡＴＣＨＩＮＧ／ＣＯＭＢＩＮＩＮＧ　ＣＩＲＣＵＩＴ）と、ベースプレート（ＢＡＳＥ）上に配置されたリードリング（ＬＥＡＤ　ＲＩＮＧ）とを具備したマイクロ波集積回路装置が記載されている。
ＩＶ、対比・判断
１、本願第１発明について
　本願第１発明が、▲１▼接地面となる金属膜が単一の絶縁性基板裏面に形成され、▲２▼単一の絶縁性基板の表面にチップと整合回路を含む回路パターンとを具備し、▲３▼絶縁性基板の側面に回路パターンに接続する端子を具備するものであるのに対し、引用例のＦｉｇ．１０．Ａ２に記載されたものは、多層基板であって、その裏面には信号線用や接地用の接合突起が形成され、また、基板の各層間に配線パターンが形成され、表面には、Ｂｙｐａｓｓ　ｃａｐａｃｉｔｏｒが配置されているが、ＩＣと多層基板裏面の信号線用や接地用の接合突起とはスルーホールを介して直接接続されたものであり、基板裏面に接地面となる金属膜が形成されたものではなく、かつ、表面に回路パターンを、側面に回路パターンに接続する端子をそれぞれ具備するものではない点で本願第１発明と相違している。また、引用例のＦｉｇ．１０．Ａ１２に記載されたものは、ベースプレート上にリードリングと絶縁性基板を配置し、絶縁性基板に切り抜きを設け、その切り抜き部分にキャリアとともにチップを配置しており、単一の絶縁性基板の表面にチップを配置し、裏面に接地面となる金属膜を形成したものではなく、かつ基板の側面に回路パターンに接続する端子を具備するものでない点で本願第１発明と相違している。
　そして、引用例のＦｉｇ．１０．Ａ２とＦｉｇ．１０．Ａ１２に記載されたものは、それぞれ種類の異なるパッケージであって、引用例には、それらのパッケージを組み合わせて前記▲１▼〜▲３▼の構成のようにすることについては示唆するところもないから、そのような組合せになる本願第１発明のようにすることは、引用例から当業者が容易に想到することはできない。
　しかも、本願第１発明は、前記▲１▼〜▲３▼の構成を組み合わせることにより、チップと回路パターンとを別に構成でき、かつ回路パターンと端子とを基板に直接形成できることにより、小型で、軽量、そして安価なマイクロ波集積回路装置を提供できるという明細書に記載された格別の効果を奏するものである。
　したがって、本願第１発明が、引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
２、本願第２、３発明について
　本願第２発明は、本願第１発明の構成において、さらに、チップがマウントされるランドパターンが単一の絶縁性基板の表面に形成され、そのランドパターンが、前記単一の絶縁性基板に形成された前記チップ直下のスルーホールを通して前記単一の絶縁性基板裏面の接地面に接続された構成を追加したものであり、本願第３発明は、同様に、能動素子を含むマイクロ波集積回路と限定するとともに、さらに、単一の絶縁性基板上の前記回路パターンと前記チップのマイクロ波集積回路とを接続する金属ワイヤーを設けた構成を追加したものであるから、本願第１発明が、当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない以上、これらの本願第２、３発明も当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
Ｖ、むすび
　以上のとおりであるから、原査定の理由によっては本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。