【事件の表示】
　平成１年特許願第２８７５６６号「薄膜トランジスタの製造方法」拒絶査定に対する審判事件（平成３年６月２５日出願公開、特開平３−１４８８３６）について、次のとおり審決する。
【結論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理由】
１．本件出願の手続の経緯及び要旨
　本件出願は、平成元年１１月６日の出願されたものであって、その発明は手続補正書の特許請求の範囲に記載されたとおりの次のものである。「素子が形成された準導体基板上に、絶縁膜を介して薄膜トランジスタを形成する工程を有する薄膜トランジスタの製造方法であって、
　前記絶縁膜上の多結晶シリコン層を形成後、該多結晶シリコン層の表面にゲート電極を形成し、該ゲート電極を不純物導入に対するマスクとして、不純物ガスの雰囲気中で短波長のパルスレーザを照射することによって、ソース領域およびドレイン領域を形成する工程を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。」（以下、本願発明という）
２．引用例記載の発明
　前審の拒絶の理由に引用された特開昭６２−１４４７２号公報（以下、引用例１という）には、「本発明は半導体装置の製造方法に関するものであって、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の製造に適用して最適なものである。」（第１頁左下欄　　第１８行〜第２０行）、
「まず本発明をプレーナ型ＴＦＴの製造に適用した第１実施例につき図面を参照しながら説明する。第１Ａ図に示すように、まず例えばガラス基板１上に従来公知の方法と同様にしてａ−Ｓｉ膜２、ＳｉＯ２から成るゲート絶縁膜３及び多結晶Ｓｉから成るゲート電極４を形成した後、…例えばＰＨ３とＮ２Ｏ（またはＯ２）との混合ガスを反応ガスとして用いたプラズマＣＶＤ法により全面にＰＯｘ膜５を形成する。
　次に第１Ｂ図に示すように、室温において例えばエキシマーレーザーによるレーザービーム６を上方より照射する。この際、ゲート電極４がａ−Ｓｉ膜２へのエネルギー供給のマスクとして働く結果、ＰＯｘ膜５がａ−Ｓｉ膜２中に拡散されて、ゲート電極４とセルフアラインにｎ＋型のソース領域７及びドレイン領域８が形成される。
　次に上述のＰＯｘ膜を水洗により除去」（第２頁右下欄第１１行〜第３頁左上欄第１０行）すると記載され、
「実施例において用いたａ−Ｓｉ膜２の代わりに多結晶Ｓｉ膜、単結晶Ｓｉ膜、…を用いることも可能である。」（第４頁左上欄第８行〜第１１行）と記載されている。
　ガラス基板は絶縁基板であり、半導体膜の上のゲート絶縁膜の上にゲート電極を形成しているので、半導体膜の上にゲート膜があることになるから、引用例１には、絶縁基板上に薄膜トランジスタを形成する工程を有する薄膜トランジスタの製造方法であって、絶縁基板土に多結晶Ｓｉ膜を形成後、該多結晶Ｓｉ層上にゲート電極を形成し、該ゲート電極をマスクとして、エキシマーレーザーを照射して、ＰＯｘ膜から不純物を導入し、ソース領域およびドレイン領域を形成することが示されている。
　前審の拒絶の理由に引用された特開昭６４−８４６７３号公報（以下、引用例２という）には、
「１　ＰＮ接合を有する半導体光検出素子の製造方法において、該ＰＮ接合をレーザ・ドーピングにより形成することを特徴とする半導体検出素子の製造方法
２　レーザードーピングはエキシマ・レーザ・ドーピングである…」（特許請求の範囲）、
「例えばＮ型シリコン基板をシボラン（Ｂ２Ｈ５）の雰囲気中に置き、ＸｅＣｌエキシマ・レーザ（波長３０８ｎｍ）を照射して該基板表面にボロンを拡散し、第１図に示すように、該基板１の表面に数百Å程度の薄いＰ＋層（レーザ・ドーピング層）を作り、表面から浅い位置にＰＮ接合３を形成した。」（第２頁左上欄第１３行〜第１９行）と記載されている。
　即ち、シボラン（Ｂ２Ｈ５）は不純物ガスであり、ＸｅＣｌエキシマ・レーザは短波長のパルスレーザであるから、引用例２には、シリコン基板を不純物ガスの雰囲気中で短波長のパルスレーザを照射することによって、表面から浅い位置に不純物層を形成することが示されている。
　前審の拒絶の理由に引用された特開昭６３−１１５３８４号公報（以下、引用例３という）には、
「異種の半導体、もしくは不純物濃度の異なる半導体層が１０ｎｍ以下の急峻な境界層を介したエピタキシャル成長層を有する半導体基板主表面に選択的に活性層を分離形成する工程と、前記島状の活性層上にショットキ性のゲート電極を形成する工程と、前記ショットキ性のゲート電極を有する島状の活性層が形成された所定の不純物原子を含むガス雰囲気中で前記島状の活性層状に選択的にレーザ光を照射し高濃度不純物混入領域を形成する工程と、前記高濃度不純物混入領域上にオーミック性の電極を選択的に形成する工程を少なくとも含む半導体装置の製造方法」（特許請求の範囲（２））、
「作用
　本発明によればイオン注入の換わりに、不純物原子を含むガス雰囲気中で前記島状の活性層上に選択的にレーザ光を照射し高濃度不純物混入層を形成する方法（以下略してレーザドーピングと呼ぶ）用いるものである。このため、第１に不純物濃度分布は浅く、しかも急峻な分布が得られること、また半導体表面付近においても十分に高い不純物濃度が得られる。第２に、レーザの波長を選択することによって、ゲート電極金属と半導体との界面を加熱することなしに半導体表面にドーピングが可能であるために通常のゲート電極金属に対して自己整合的に半導体表面に高濃度不純物混合領域を形成することができる。」（第２頁右下欄第１５行〜第３頁左上欄第８行）、
「本実施例においてはＧａＡＳＦＥＴとＧａＡｓＨＥＭＴの製造例を示したが、この他のＳｉやＩｎＰなどの半導体を用いたＦＥＴやＨＥＭＴの製造においても本発明による効果は全く同様である」（第４頁左上欄第３行〜第７行）と記載されている。
　第３頁右上欄から右下欄に、活性層と基板との間にノンドープＧａＡｓバッファ層を有することが示され、該バッファ層は絶縁層である。また、エキシマレーザ光を照射することが示されておりエキシマレーザ光は短波長のパルスレーザであり、島状活性層は層状でありるから、引用例３には、絶縁膜上の多結晶半導体層を形成後、該多結晶半導体層の表面にゲート電極を形成し、該ゲート電極を不純物導入に対するマスクとして、不純物ガスの雰囲気中で短波長のパルスレーザを照射することによって、ソース領域およびドレイン領域を形成することが示されている。
３．　本願発明と引用例記載の発明との対比
３．１　本願発明と引用例１との対比
　本願発明と引用例１記載の発明とを対比すると、次の点で一致する。
（一致点）
　薄膜トランジスタを形成する工程を有する薄膜トランジスタの製造方法であって、
　多結晶シリコン層を形成後、該多結晶シリコン層の表面にゲート電極を形成し、該ゲート電極を不純物導入に対するマスクとして、ソース領域およびドレイン領域を形成する工程を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
（相違点）
　そして、本願発明と引用例１記載の発明とは次の点で相違している。
▲１▼本願発明は「素子が形成された半導体基板土に、絶縁膜を介して薄膜トランジスタを形成する工程を有する」のに対して、引用例１は「絶縁基板上に薄膜トランジスタを形成する工程を有する」点、
▲２▼本願発明は「不純物ガスの雰囲気中で短波長のパルスレーザを照射することによって、ソース領域およびドレイン領域を形成する」のに対して、引用例１は「エキシマーレーザーを照射して、ＰＯｘ膜から不純物を導入し、ソース領域およびドレイン領域を形成する」点。
（相違点の判断）
（相違点▲１▼について）
　素子が形成された半導体基板上に、絶縁膜を介して薄膜トランジスタを形成する工程を有する薄膜トランジスタの製造方法は、ＳＯＩとして周知の方法であって、引用例１のような絶縁体基板上に形成することに代えて、素子が形成された半導体基板上に、絶縁膜を介して、薄膜トランジスタを形成することは当業者が任意に適用できた事項である。
　したがって、相違点▲１▼は格別のことではない。
（相違点▲２▼について）
　引用例２には、シリコン基板を不純物ガスの雰囲気中で短波長のパルスレーザを照射することによって、表面から浅い位置に不純物層を形成することが示され、引用例３には、イオン注入の換わりに、不純物原子を含むガス雰囲気中で前記島状の活性層上に選択的にレーザ光を照射し高濃度不純物混入層を形成する方法が示されている。
　してみると、不純物ガスの雰囲気中で短波長のパルスレーザを照射することによって、多結晶半導体層に対してソース領域およびドレイン領域を形成することはレーザドーピング法として、周知の方法であると認められる。
　引用例１のＰＯｘ膜から不純物を導入しることに代えて、不純物ガスの雰囲気中で短波長のパルスレーザを照射する方法を用いることに格別の困難は認められない。
　したがって、相違点▲２▼は格別のことではない。
４．まとめ
　相違点▲１▼、▲２▼は格別のことでない。しかも、素子が形成された半導体基板上に、絶縁膜を介して、薄膜トランジスタを形成し、その層に不純物ガスの雰囲気中で短波長のパルスレーザを照射することによって、多結晶半導体層に対してソース領域およびドレイン領域を形成するレーザドーピング法を適用することに格別のことが認められないので、本願発明は引用例１ないし３記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　よって、上記結論のとおり審決する。