(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明高分子基板の少なくとも一方の面に透明導電層が配置され、かつ該透明導電層表面が微細な凹凸を有する透明導電性積層体において、
（１）該透明高分子基板から該透明導電層に向かって順に、微粒子を含有する架橋重合体層（Ａ）及び実質的に微粒子を含有しない架橋重合体層（Ｂ）を有し、
（２）架橋重合体層（Ｂ）は透明導電層と接し、金属アルコキシドが加水分解並びに縮合重合してなる架橋重合体層であり、
（３）該透明導電層の表面は、平均突起高さが０．３〜１μｍの範囲であり、かつ突起密度が３５０〜１８００個／ｍｍ２の範囲である透明導電性積層体。
【請求項２】
架橋重合体層（Ａ）における架橋重合体層（Ｂ）側の表面は、平均突起高さが０．３〜１μｍの範囲であり、かつ突起密度が３５０〜１８００個／ｍｍ２の範囲である請求項１記載の透明導電性積層体。
【請求項３】
架橋重合体層（Ｂ）の厚さは２０〜１１０ｎｍである、請求項１記載の透明導電性積層体。
【請求項４】
架橋重合体層（Ａ）は、アクリル樹脂からなる放射線硬化樹脂層である、請求項１記載の透明導電性積層体。
【請求項５】
微粒子の平均粒径が２〜４μｍである、請求項１記載の透明導電性積層体。
【請求項６】
透明高分子基板が、熱可塑性高分子のフィルムまたはシートである、請求項１記載の透明導電性積層体。
【請求項７】
透明導電層が金属酸化物から主としてなる、請求項１記載の透明導電性積層体。
【請求項８】
熱可塑性高分子のフィルムまたはシートを透明高分子基板とするその基板の一方の面に、金属酸化物より主としてなる透明導電層が配置され、かつ透明導電層表面が微細な凹凸を有する透明導電性積層体において、
（１）該透明高分子基板から該透明導電層に向かって順に、平均粒径２〜４μｍの微粒子を含有するアクリル樹脂からなる放射線硬化樹脂層（Ａ１）、微粒子を実質的に含有しない金属アルコキシドが加水分解並びに縮合重合してなる架橋重合体層（Ｂ１）を有し、
（２）該架橋重合体層（Ｂ１）は厚さが２０〜１１０ｎｍでありそして透明導電層と接し、
（３）該透明導電層の表面は、平均突起高さが０．３〜１μｍの範囲であり、かつ突起密度が３５０〜１８００個／ｍｍ２の範囲である透明導電性積層体。
【請求項９】
微粒子を含有する架橋重合体層（Ａ）と架橋重合体層（Ｂ）との間に、架橋重合体層（Ｂ）より屈折率が高い架橋重合体層（Ｃ）を有する、請求項１記載の透明導電性積層体。
【請求項１０】
該透明導電層表面における、波長４５０〜６５０ｎｍにおける平均反射率が５．５％以下であり、かつ透過光のｂ＊値が日本工業規格Ｚ８７２９号に定めるＬ＊ａ＊ｂ＊表色系のクロマティクネス指数ｂ＊値で−２〜＋３の範囲にある請求項９記載の透明導電性積層体。
【請求項１１】
架橋重合体層（Ｃ）はその屈折率が１．７以上で該透明導電層の屈折率＋０．３以下の範囲にありその膜厚が２０〜９０ｎｍの範囲にあり、該架橋重合体層（Ｂ）はその屈折率が１．３５〜１．５の範囲にありその膜厚が３０〜１１０ｎｍの範囲にあり、該透明導電層は膜厚が１２〜３０ｎｍの範囲にあり、そして架橋重合体層（Ｃ）、架橋重合体層（Ｂ）及び透明導電層の光学膜厚の和が１８０〜２３０ｎｍの範囲である、請求項１０記載の透明導電性積層体（ここで光学膜厚は層の屈折率に膜厚を乗じた値である）。
【請求項１２】
架橋重合体層（Ｃ）及び架橋重合体層（Ｂ）が、主として金属アルコキシドを加水分解並びに縮合重合してなる架橋重合体層である、請求項１１記載の透明導電性積層体。
【請求項１３】
該架橋重合体層（Ｃ）はその屈折率が１．７以上で該透明導電層の屈折率＋０．３以下の範囲にあり、該架橋重合体層（Ｂ）はその屈折率が１．３５〜１．５の範囲にあり、該透明導電層は膜厚が１２〜３０ｎｍの範囲にあり、該架橋重合体層（Ｂ）表面の反射率が波長２６０〜３９０ｎｍの範囲内に極小点を有する、請求項１０記載の透明導電性積層体。
【請求項１４】
架橋重合体層（Ｃ）及び架橋重合体層（Ｂ）が、主として金属アルコキシドを加水分解並びに縮合重合してなる架橋重合体層である、請求項１３記載の透明導電性積層体。
【請求項１５】
少なくとも片面に透明導電層が設けられた２枚の透明電極基板が、互いの透明導電層同士が向かい合う様に配置されて構成されたタッチパネルにおいて、少なくとも一方の透明電極基板として、請求項１記載の透明導電性積層体を用いたことを特徴とするタッチパネル。
【請求項１６】
透明導電性積層体の透明導電層が設けられた面と反対面に、透明高分子のフィルムまたはシートが積層された請求項１５記載のタッチパネル。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【技術分野】
本発明は、透明導電性積層体およびこの透明導電性積層体を用いた耐久性、視認性に優れたタッチパネルに関するものである。
【０００２】
【背景技術】
近年、情報表示用の液晶ディスプレイと情報入力用のタッチパネル（スイッチパネル、メンブレンスイッチ、タブレットとも称される。）を搭載した携帯型の情報機器が広く使用され始めている。タッチパネルとしては、抵抗膜方式のものが多い。抵抗膜方式のタッチパネルは、透明導電層が形成された二枚の透明電極基板をおよそ１０〜１００μｍの間隔で相対させて構成する。指、ペン等でタッチした部分でのみ両透明電極基板が接触してスイッチとして動作し、例えばディスプレイ画面上のメニューの選択あるいは手書き図形や手書き文字の入力等を行なうことができる。この様な透明電極基板としては、ガラス基板、各種の透明高分子基板等の基板上に、例えば酸化錫を含有するインジウム酸化物（ＩＴＯ）、アンチモン等を含有する酸化錫等の金属酸化物の透明導電層を積層したものが広く用いられている。
【０００３】
タッチパネルにおいて、指、ペン等でタッチする側の透明電極基板（可動電極基板）は、入力のし易さの点から可撓性があることが望ましい。可動電極基板として、通常透明高分子フィルム基板または透明高分子シート基板上に透明導電層を設けたものが用いられる。従来、可動電極基板として、可撓性のある透明電極基板を用いた場合、温度、湿度変化により可動電極基板に弛みが生じ、その結果可動電極基板と相対する固定電極基板との間で干渉縞が発生して画面が見にくくなる問題があった。また、可動電極基板表面および固定電極基板表面が極めて平坦である場合には、可動電極基板と固定電極基板の電極面同士が粘着して動作不良が生じる問題があった。
【０００４】
この様な問題を解決するために本発明者は、電極面に微細な凹凸を設ける方法を提案した。特開平８−２１６３２７号公報には、透明導電層表面の中心面平均粗さ（ＳＲａ）が０．０５〜０．４０μｍの透明導電性積層体を用いることにより、干渉縞の発生を抑えたタッチパネルが記載されている。特開平１０−２４５１６号公報には、平均粒子径が４．５μｍのシリコーン樹脂微粒子を用いて、透明導電層表面の中心面平均粗さ（ＳＲａ）が０．００３〜０．０４μｍである、滑り性に優れた透明導電性積層体が記載されている。これらにより、干渉縞発生、電極面同士の粘着の問題は解決されたが、筆記耐久性が不十分な場合があった。即ち、筆記耐久性試験を行なうと可動電極基板の電極面突起周辺部で透明導電層が剥離し、その結果筆記耐久性試験後にはタッチパネルの入力性能が低下（例えば誤入力の発生、位置検出精度の不良等）が起こる場合があることがわかった。
【０００５】
一方、この筆記耐久性を向上させる目的で、透明プラスチックフィルムと透明導電層との間に微粒子を含むコーティング層を設けた透明導電性積層体が提案されている（特開平１０−２４９９７５号公報）。同公報によれば、電極面に適当な密度で凸部が分布するため透明導電層のダメージは凸部の頂点周辺のごく一部に集中する。その結果、透明導電層にダメージが生じても透明導電層全体の抵抗には大きな変化はなく、位置検出精度の変化は小さいことが述べられている。そしてコーティング層中に含まれる微粒子の平均粒径がコーティング層の膜厚以上３倍以下であり、微粒子の密度が１０，０００〜５００，０００個／ｃｍ２（１００〜５，０００個／ｍｍ２）が良いとしている。しかしながら、本発明者の検討によれば、この様な範囲に微粒子密度を設定しても必ずしも筆記耐久性が向上しないことが分かった。
【０００６】
さらに、特開平１０−３２３９３１号公報には、透明プラスチックフィルム上に、平均粒径が１．０〜４μｍの微粒子を数平均密度５００〜３，０００個／ｍｍ２含むコーティング層及び透明導電層が順次形成された、干渉縞の発生を抑えた透明導電性積層体が記載されている。しかしながらかかる積層体の導電層表面は、１０点平均粗さ（Ｒｚ）が０．３〜１．０もしくはそれ以上であり、突起高さにばらつきがあってタッチパネルとして使用した場合の筆記耐久性が不十分である。
【０００７】
本発明の主要な目的は、筆記耐久性に優れたタッチパネルを与えるのに好適な透明導電性積層体を提供することにある。
【０００８】
本発明の他の目的は、筆記耐久性が良好で、視認性に優れるタッチパネルを提供することにある。
【０００９】
【発明の開示】
本発明者は、上記課題を解決し、干渉縞が少なく、文字が見やすい視認性に優れるタッチパネルであって、かつ筆記耐久性の優れたタッチパネルを得るために、透明導電層表面の突起高さに着目して研究を進めてきた。
【００１０】
その結果、筆記耐久性に関しては、微粒子の密度は本質では無いこと、タッチパネルの電極となる透明導電層の表面は、突起の高いものと低いものとが混在し、特に突起高さのばらつきが大きい場合、ある程度以上の高さの突起の存在が特に問題となることを突き止めた。
【００１１】
一方で、筆記耐久性という動的な機械的耐久性は、透明導電層と高分子フィルム等の基板との間の密着性も重要であり、この点からも本発明者らは検討を重ねた。その結果、透明導電層のすぐ下層に微粒子を含む層を、透明導電層と直接接するように配すると、透明導電層と微粒子を含む層との間で剥離を生ずることがわかった。この点についても検討した結果、微粒子を含む層表面の突起高さと突起密度をコントロールすることが重要で、かつその微粒子を含む層と透明導電層との間に、透明導電層と接して架橋重合体層を設けることが極めて有効であることを見出した。
【００１２】
本発明はこのような知見に基づいて研究を重ねた結果完成されたものである。つまり本発明は、透明導電層表面の突起高さ及び突起密度の制御、透明導電層と基板との間の微粒子を含む層の突起高さ及び突起密度の制御、ならびに透明導電層と接するように架橋重合体層を配することによって、タッチパネル用として特に有用な透明導電性積層体に係るものである。
【００１３】
すなわち本発明は次のとおりである。
１．透明高分子基板の少なくとも一方の面に透明導電層が配置され、かつ該透明導電層表面が微細な凹凸を有する透明導電性積層体において、
（１）該透明高分子基板から該透明導電層に向かって順に、微粒子を含有する架僑重合体層（Ａ）及び実質的に微粒子を含有しない架橋重合体層（Ｂ）を有し、
（２）架橋重合体層（Ｂ）は透明導電層と接し、金属アルコキシドが加水分解並びに縮合重合してなる架橋重合体層であり、
（３）該透明導電層の表面は、平均突起高さが０．３〜１μｍの範囲であり、かつ突起密度が３５０〜１８００個／ｍｍ２の範囲である透明導電性積層体。
２．架橋重合体層（Ａ）における架橋重合体層（Ｂ）側の表面は、平均突起高さが０．３〜１μｍの範囲であり、かつ突起密度が３５０〜１８００個／ｍｍ２の範囲である上記の透明導電性積層体。
３．架橋重合体層（Ｂ）の厚さは２０〜１１０ｎｍである、上記の透明導電性積層体。
４．架橋重合体層（Ａ）は、アクリル樹脂からなる放射線硬化樹脂層である、上記の透明導電性積層体。
５．微粒子の平均粒径が２〜４μｍである、上記の透明導電性積層体。
６．透明高分子基板が、熱可塑性高分子のフィルムまたはシートである、上記の透明導電性積層体。
７．透明導電層が金属酸化物から主としてなる、上記の透明導電性積層体。
８．熱可塑性高分子のフィルムまたはシートを透明高分子基板とするその基板の一方の面に、金属酸化物より主としてなる透明導電層が配置され、かつ透明導電層表面が微細な凹凸を有する透明導電性積層体において、
（１）該透明高分子基板から該透明導電層に向かって順に、平均粒径２〜４μｍの微粒子を含有するアクリル樹脂からなる放射線硬化樹脂層（Ａ１）、微粒子を実質的に含有しない金属アルコキシドが加水分解並びに縮合重合してなる架橋重合体層（Ｂ１）を有し、
（２）該架僑重合体層（Ｂ１）は厚さが２０〜１１０ｎｍでありそして透明導電層と接し、
（３）該透明導電層の表面は、平均突起高さが０．３〜１μｍの範囲であり、かつ突起密度が３５０〜１８００個／ｍｍ２の範囲である透明導電性積層体。
９．微粒子を含有する架橋重合体層（Ａ）と架橋重合体層（Ｂ）との間に、架橋重合体層（Ｂ）より屈折率が高い架僑重合体層（Ｃ）を有する、上記の透明導電性積層体。
１０．該透明導電層表面における、波長４５０〜６５０ｎｍにおける平均反射率が５．５％以下であり、かつ透過光のｂ＊値が日本工業規格Ｚ８７２９号に定めるＬ＊ａ＊ｂ＊表色系のクロマティクネス指数ｂ＊値で−２〜＋３の範囲にある上記９の透明導電性積層体。
１１．架橋重合体層（Ｃ）はその屈折率が１．７以上で該透明導電層の屈折率＋０．３以下の範囲にありその膜厚が２０〜９０ｎｍの範囲にあり、該架橋重合体層（Ｂ）はその屈折率が１．３５〜１．５の範囲にありその膜厚が３０〜１１０ｎｍの範囲にあり、該透明導電層は膜厚が１２〜３０ｎｍの範囲にあり、そして架橋重合体層（Ｃ）、架橋重合体層（Ｂ）及び透明導電層の光学膜厚の和が１８０〜２３０ｎｍの範囲である、上記１０の透明導電性積層体（ここで光学膜厚は層の屈折率に膜厚を乗じた値である）。
１２．架橋重合体層（Ｃ）及び架橋重合体層（Ｂ）が、主として金属アルコキシドを加水分解並びに縮合重合してなる架橋重合体層である、上記１１の透明導電性積層体。
１３．該架橋重合体層（Ｃ）はその屈折率が１．７以上で該透明導電層の屈折率＋０．３以下の範囲にあり、該架橋重合体層（Ｂ）はその屈折率が１．３５〜１．５の範囲にあり、該透明導電層は膜厚が１２〜３０ｎｍの範囲にあり、該架橋重合体層（Ｂ）表面の反射率が波長２６０〜３９０ｎｍの範囲内に極小点を有する、上記１０の透明導電性積層体。
１４．架橋重合体層（Ｃ）及び架橋重合体層（Ｂ）が、主として金属アルコキシドを加水分解並びに縮合重合してなる架橋重合体層である、請求項１３の透明導電性積層体。
１５．少なくとも片面に透明導電層が設けられた２枚の透明電極基板が、互いの透明導電層同士が向かい合う様に配置されて構成されたタッチパネルにおいて、少なくとも一方の透明電極基板として、上記１の透明導電性積層体を用いたことを特徴とするタッチパネル。
１６．透明導電性積層体の透明導電層が設けられた面と反対面に、透明高分子のフィルムまたはシートが積層された上記１５のタッチパネル。
【００１４】
本発明の透明導電性積層体は、透明高分子基板の少なくとも一方の面側に、表面が微細な凹凸を有する透明導電層をもつ。該表面は、平均突起高さが０．３〜１μｍの範囲であり、かつ突起密度が３５０〜１８００個／ｍｍ２の範囲であるという特徴を有する。
【００１５】
この平均突起高さは、２５０μｍ角内の突起を無作為に１０〜２０個を選び、突起高さを個別に測定した後、突起高さの平均値として算出した。
【００１６】
該平均突起高さが１μｍを超えた場合、微粒子の密度に関係なく突起周辺部で透明導電層が剥離し、タッチパネルの入力性能が低下する（例えば誤入力の発生、位置検出精度の不良等）。透明導電層表面の平均突起高さを０．３〜１μｍの範囲にすることにより、突起周辺部で透明導電層が剥離することが無く筆記耐久性が著しく向上する。なお、平均突起高さが０．３μｍ未満の場合には、可動電極基板と固定電極基板の電極面同士の粘着が発生してタッチパネルが正常に動作しない問題や可動電極基板と固定電極基板との間で干渉縞が発生してディスプレイ画面が見にくくなる問題がある。好ましい平均突起高さは０．３５〜１．００μｍ、より好ましい平均突起高さは０．４０〜１．００μｍの範囲内である。
【００１７】
もちろん、全ての突起高さが０．３〜１μｍの範囲にある必要はない。０．１〜０．３μｍの高さの突起や１．０〜１．５μｍの高さの突起が多少存在していても、平均突起高さが０．３〜１μｍの範囲にあれば本発明の効果には実質的に影響が無い。しかし、突起高さが高い突起が余り存在することは筆記耐久性の観点から好ましくないので、最大突起高さは好ましくは１．５μｍ以下更に好ましくは１．２μｍ以下である。
【００１８】
なお、可動電極基板と固定電極基板との間の干渉縞発生を防止するためには、透明導電層表面の突起密度を３５０〜１８００個／ｍｍ２にすることが重要である。突起密度が３５０個／ｍｍ２未満では干渉縞発生防止効果が小さい。一方、突起密度が１８００個／ｍｍ２を超えると、透明導電性積層体のヘーズが増加してディスプレイの文字がぼやけて見にくくなる問題があり好ましくない。好ましい突起密度は４００〜１６００個／ｍｍ２、より好ましい突起密度は４５０〜１５５０個／ｍｍ２の範囲内である。
【００１９】
透明導電層表面の平均突起高さが０．３〜１μｍ、でかつ透明導電層表面の突起密度が３５０〜１８００個／ｍｍ２の時、好ましくは透明導電層表面の平均突起高さが０．３５〜１μｍ、でかつ透明導電層表面の突起密度が４００〜１６００個／ｍｍ２の時、タッチパネルの筆記耐久性に優れ、かつ可動電極基板と固定電極基板との間で干渉縞の発生が無くかつディスプレイの文字がぼやけることがなく極めて読みやすい。
【００２０】
【発明を実施するための最良の形態】
以下、本発明の構成をさらに詳細に説明する。
【００２１】
＜透明高分子基板＞
まず、本発明の透明導電性積層体を構成する透明高分子基板について説明する。
【００２２】
本発明に好適に用いられる透明高分子基板については特に限定されるものではないが、基板の透明性は高い事が好ましく、具体的に４００〜７００ｎｍの波長領域における光線透過率の平均値が少なくとも８０％以上が好ましく、８５％以上がより好ましい。
【００２３】
本発明の透明導電性積層体を可動電極基板として用いる場合は、可撓性があることが好ましい。このような透明高分子基板としては、透明性が良好な熱可塑性高分子からなるフィルムまたはシートが好適に用いられる。具体的には、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、トリアセチルセルロース、ジアセチルセルロース、ポリオレフィンのフィルムまたはシートが挙げられる。これらフィルムまたはシート状の基板は一般的な溶融押出法もしくは溶液流延法等により好適に成形される。これらは必要に応じて一軸延伸もしくは二軸延伸を施して機械的強度を高めたり、光学的機能を高めたりしてもよい。また、これらの基板は、必要に応じて同種または異種の基板を粘着剤や接着剤を介して積層した構成で用いても良い。
【００２４】
このような透明高分子基板の厚みは、およそ１０〜４００μｍが好ましく、タッチパネルの動作特性、薄さ、軽さの観点等からは、２０〜２００μｍの範囲にある事がより好ましい。本発明の透明導電性積層体の透明導電層が設けられた面と反対面に透明高分子のフィルムまたはシートを粘着剤や接着剤を介して複数積層し、傷付き防止機能、アンチグレア機能、アンチリフレクション機能等を持たせた後にタッチパネルの可動電極基板として使用することも可能である。上記の透明導電性積層体の透明導電層が設けられた面と反対面に積層される透明高分子のフィルムまたはシートの厚さみは、２０〜４００μｍが好ましく、５０〜２００μｍがより好ましく、７０〜２００μｍの範囲にある事が最も好ましい。
【００２５】
本発明の透明導電性積層体を可動電極基板として用いた場合、固定電極基板としては、硝子電極基板を利用してもよい。
【００２６】
また本発明の透明導電性積層体を固定電極基板として用いる場合には、可撓性は必須ではなくタッチパネルの使用形態によってはむしろ外力に対する変形の少ない特性（剛直性）が必要となる場合もある。したがって、透明高分子基板としては、前記熱可塑性高分子からなるフィルムまたはシートの他に、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化樹脂のシートやアクリル樹脂等の紫外線硬化樹脂のシートを用いる事ができる。またこのような透明高分子基板の成形方法としては前記の方法の他、射出成形法、注型重合成形法等も用いる事が可能である。また、これらの透明高分子基板は、必要に応じて同種または異種の透明高分子のフィルムまたはシートを粘着剤や接着剤を介して積層した構成で用いても良い。こうして得られる基板の厚みはおよそ１０〜２０００μｍが好ましく、５０〜１１００μｍがより好ましく、７０〜１１００μｍの範囲にある事が最も好ましい。
【００２７】
携帯型の情報機器に適したタッチパネルを作製するためには、むしろ、本発明の透明導電性積層体の透明導電層が設けられた面と反対面に透明高分子のフィルムまたはシートを粘着剤や接着剤を介して複数積層し剛性を持たせた後にタッチパネルの固定電極基板として使用する方が好ましい。こうすることにより軽量で割れない携帯型の情報機器に適したタッチパネルが得られる。上記の透明導電性積層体の透明導電層が設けられた面と反対面に積層される透明高分子のフィルムまたはシートの厚さは、５０〜２０００μｍが好ましく、７０〜２０００μｍがより好ましく、７０〜１１００μｍの範囲にある事が最も好ましい。
【００２８】
また、最近ではタッチパネルの入力側（使用者側）の面に偏光板（または偏光板及び位相差板）を積層した構成の新しいタイプのタッチパネルが開発されてきている。この構成の利点は主として前記偏光板（または偏光板及び位相差板）の光学作用によって、タッチパネル内部における外来光の反射率を半分以下に低減し、タッチパネルを設置した状態でのディスプレイのコントラストを向上させることにある。
【００２９】
ここで、このようなタイプのタッチパネルを液晶表示装置（ＬＣＤ）上に取り付けた場合には電極基板を偏光が通過することから、透明高分子基板として光学等方性に優れた特性を有するものを用いる事が好ましい。具体的には透明高分子基板の遅相軸方向の屈折率をｎｘ、進相軸方向の屈折率をｎｙ、基板の厚みをｄ（ｎｍ）とした場合にＲｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ（ｎｍ）で表される面内リターデーション値Ｒｅが少なくとも３０ｎｍ以下であることが好ましく、２０ｎｍ以下であることがより好ましい。なお、ここで透明高分子基板の面内リターデーション値は多波長複屈折率測定装置（日本分光株式会社製  Ｍ−１５０）を用いて測定した波長５９０ｎｍでの値で代表している。
【００３０】
これらの光学等方性に優れた特性を示す透明高分子基板としては、上記の中でも、ポリカーボネート、非晶性ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、トリアセチルセルロース、ジアセチルセルロース、非晶性ポリオレフィンのフィルムまたはシート、エポキシ樹脂等の熱硬化樹脂やアクリル樹脂等の紫外線硬化樹脂からなるシートが好ましい。成形性や製造コスト、熱的安定性等の観点からは、ポリカーボネート、非晶性ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、非晶性ポリオレフィンのフィルム又はシートが最も好ましい。
【００３１】
ポリカーボネートとしては例えば、ビスフェノールＡ、１，１−ジ（４−フェノール）シクロヘキシリデン、３，３，５−トリメチル−１，１−ジ（４−フェノール）シクロヘキシリデン、フルオレン−９，９−ジ（４−フェノール）及びフルオレン−９，９−ジ（３−メチル−４−フェノール）等からなる群から選ばれる少なくとも一つのビスフェノール化合物をモノマー単位とする重合体、これらの共重合体またはこれらの混合物であり、平均分子量がおよそ１５０００〜１０００００の範囲のポリカーボネート（例えば「パンライト」（帝人化成株式会社製）、「Ａｐｅｃ  ＨＴ」（バイエル社製））が好ましく用いられる。
【００３２】
また非晶性ポリアリレートとしては、「エルメック」（鐘淵化学工業株式会社製）、「Ｕポリマー」（ユニチカ株式会社製）、「イサリル］（イソノバ社製）等が例示される。
また非晶性ポリオレフィンとしては、「ゼオノア」（日本ゼオン株式会社製）、「アートン」（ＪＳＲ株式会社製）が例示される。
【００３３】
透明高分子基板の製造方法としては、溶融押出法や溶液流延法、射出成型法等の方法が例示される。優れた光学等方性を得る観点からは、特に溶液流延法を用いて製造することが好ましい。
【００３４】
この様に例示した電極基板を偏光が通過するタイプのタッチパネルの用途においては、電極基板及び透明高分子基板の面内リターデーション値が非常に重要であるが、これに加えて電極基板及び透明高分子基板の三次元屈折率特性も重要である。すなわち電極基板及び透明高分子基板の膜厚方向の屈折率をｎｚとした時にＫ＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄで表されるＫ値が−２５０〜＋１５０ｎｍであることが好ましく、−２００〜＋１００ｎｍの範囲にある事がタッチパネルの優れた視野角特性を得る上でより好ましい。
【００３５】
＜架橋重合体（Ａ）＞
本発明の透明導電性積層体は、上記透明高分子基板の透明導電層が配置された側に、微粒子を含有する架僑重合体層（Ａ）を有する。
【００３６】
ここで微粒子としては、例えばシリカ微粒子、架橋アクリル微粒子、架橋ポリスチレン微粒子等が挙げられる。該微粒子の平均粒径は２〜４μｍであることが好ましい。平均粒径が４μｍを超える場合は架橋重合体層の膜厚も大にする必要があるため、結果として、微粒子の平均粒径のバラツキや架橋重合体層の膜厚のバラツキの影響により、平均突起高さが０．３〜１μｍの範囲に入る様に塗工条件を制御することは困難である。微粒子の好ましい平均粒径は２．０〜３．８μｍである。
【００３７】
本発明の微粒子を含有した架橋重合体層（Ａ）は、通常、モノマー及び／又はオリゴマー原料に微粒子を添加した層を紫外線や電子線等の放射線や熱による重合反応により硬化して得られる架橋型の重合体の層である。かかる架橋重合体としては、メチルトリエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン等のケイ素アルコキシドをモノマー及び／又はオリゴマー原料としたオルガノシラン重合体、エーテル化メチロールメラミン等をモノマー及び／又はオリゴマー原料としたメラミン熱硬化樹脂、フェノキシ樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化樹脂、ポリオールアクリレート、ポリエステルアクリレート、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート等の多官能アクリレートをモノマー及び／又はオリゴマー原料とした放射線硬化樹脂が挙げられる。これらの中でも、多官能アクリレート樹脂等を用いた放射線硬化樹脂は、放射線の照射により比較的短時間に架橋度の高い架橋重合体層が得られる事から、製造プロセスへの負荷が少なくまた重合体層としての強度が強い特徴があり、最も好ましく用いられる。該微粒子の粒径、該微粒子と該架橋重合体との混合比率、該架僑重合体層の膜厚等を調整することにより、平均突起高さが０．３〜１μｍの範囲に入る様に制御する。
【００３８】
放射線硬化樹脂は、紫外線や電子線等の放射線を照射する事によって重合が進行する樹脂を指し、単位構造内に２個以上のアクリロイル基を有する多官能アクリレート成分を樹脂組成中に含有するアクリル樹脂が挙げられる。例えばトリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパンエチレンオキサイド変性トリアクリレート、トリメチロールプロパンプロピレンオキサイド変性トリアクリレート、イソシアヌル酸エチレンオキサイド変性トリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジアクリレート等の各種アクリレートモノマーやポリエステル変性アクリレート、ウレタン変性アクリレート、エポキシ変性アクリレート等の多官能アクリレートオリゴマー等がタッチパネル用途に好ましい。これらのモノマー及び／又はオリゴマー原料は単独で用いても、数種を混合して用いても良く、また場合によっては、ケイ素アルコキシドの加水分解縮合物を組成中に適量添加することも好ましく行われる。
【００３９】
なお、紫外線照射によって樹脂層の重合を行なう場合には公知の光反応開始剤が適量添加される。光反応開始剤としては、例えばジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−｛４−（メチルチオ）フェニル｝−２−モルフォリノプロパン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のアセトフェノン系化合物；ベンゾイン、ベンジルジメチルケタール等のベンゾイン系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸等のベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２、４−ジクロロチオキサンソン等のチオキサンソン系化合物等が挙げられる。
【００４０】
フェノキシ熱硬化樹脂としては、例えば、下記式（１）で示されるフェノキシ樹脂、フェノキシエーテル樹脂、フェノキシエステル樹脂を多官能イソシアネート化合物で熱的に架橋させるものが挙げられる。
【００４１】
【化１】
0004183419.tif 000002
【００４２】
ここでＲ１〜Ｒ６は同一または異なる水素または炭素数１〜３のアルキル基、Ｒ７は炭素数２〜５のアルキレン基、Ｘはエーテル基、エステル基、ｍは０〜３の整数、ｎは２０〜３００の整数をそれぞれ意味する。そうした中でも特にＲ１、Ｒ２はメチル基、Ｒ３〜Ｒ６は水素、Ｒ７はペンチレン基のものが、合成が容易で生産性の面から好ましい。
【００４３】
また、多官能イソシアネート化合物としては、一分子中にイソシアネート基を二つ以上含有する化合物であれば良く、以下のものが例示される。２，６−トリレンジイソシアネート、２，４−トリレンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート−トリメチロールプロパンアダクト体、ｔ−シクロヘキサン−１，４−ジイソシアネート、ｍ−フェニレンジイソシアネート、ｐ−フェニレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、１，３，６−ヘキサメチレントリイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、１，５−ナフタレンジイソシアネート、トリジンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、水添キシリレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４′−ジイソシアネート、水添ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネート、リジンジイソシアネート、リジンエステルトリイソシアネート、トリフェニルメタントリイソシアネート、トリス（イソシアネートフェニル）チオホスフェート、ｍ−テトラメチルキシリレンジイソシアネート、ｐ−テトラメチルキシリレンジイソシアネート、１，６，１１−ウンデカントリイソシアネート、１，８−ジイソシアネート−４−イソシアネートメチルオクタン、ビシクロヘプタントリイソシアネート、２，２，４−トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、２，４，４−トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート等のポリイソシアネートおよびそれらの混合物あるいは多価アルコール付加体等。この中でも特に汎用性、反応性の観点から２，６−トリレンジイソシアネート、２，４−トリレンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート−トリメチロールプロパンアダクト体、ヘキサメチレンジイソシアネートが好ましい。
【００４４】
この他、反応促進剤として、公知のトリエチレンジアミン等の第三アミン、ジブチル錫ジラウレート等の有機錫化合物を適量添加する事で架橋速度を向上することが可能である。
【００４５】
また、エポキシ熱硬化樹脂としては、例えば下記式（２）で示されるノボラック型のエポキシ樹脂を熱的に架橋させたものが好ましい。
【００４６】
【化２】
0004183419.tif 000003
【００４７】
ここで、Ｒ８は水素またはメチル基、Ｒ９は水素またはグリシジルフェニルエーテル基を示す。また、ｑは１〜５０までの整数を示すが、実際の所、ｑの値は一般的に分布を持っていて特定しにくいが、平均の数として大きい方が好ましく、３以上さらには５以上が好ましい。
【００４８】
このようなエポキシ樹脂を架橋させる硬化剤としては、公知のものが適用される。例えば、アミン系ポリアミノアミド系、酸および酸無水物、イミダゾール、メルカプタン、フェノール樹脂等の硬化剤が用いられる。これらの中でも、酸無水物および脂環族アミン類が好ましく用いられ、さらに好ましくは酸無水物である。酸無水物としては、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸などの脂環族酸無水物、無水フタル酸等の芳香族酸無水物、ドデセニル無水フタル酸等の脂肪族酸無水物が挙げられるが、特にメチルヘキサヒドロ無水フタル酸が好ましい。尚、脂環族アミンとしては、ビス（４−アミノ−３−メチルジシクロヘキシル）メタン、ジアミノシクロヘキシルメタン、イソホロンジアミン等が挙げられ、特にビス（４−アミノ−３−メチルジシクロヘキシル）メタンが好ましい。
【００４９】
ここで、硬化剤として酸無水物を用いた場合、エポキシ樹脂と酸無水物との硬化反応を促進する反応促進剤を添加しても良い。反応促進剤としては、ベンジメチルアミン、２，４，６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、ピリジン、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−１等の公知の第二、第三アミン類やイミダゾール類等の硬化触媒が挙げられる。
【００５０】
また、ケイ素アルコキシドの重合体としては、２〜４官能性、さらに好ましくは３〜４官能性のケイ素アルコキシドを二種以上混合して用いることが好ましく、これらをあらかじめ溶液中で適度に加水分解ならびに脱水縮合を行なって適度にオリゴマー化させたものも好ましく用いられる。
【００５１】
ケイ素アルコキシドとしては、例えばテトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β−（３、４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシランが挙げられる。
【００５２】
これらのケイ素アルコキシドは、加熱により重合が進行するが、必要に応じて紫外線等の活性光線を塗工膜に照射することによって、架橋度をより高めることができる。
【００５３】
本発明の微粒子を含有する架橋重合体層（Ａ）は透明高分子基板上に直接、もしくは適当なアンカー層を介して形成される。かかるアンカー層としては例えば次のようなものを挙げることができる。（１）該重合体層と基板との密着性を向上させる機能を有する層、（２）Ｋ値が負の三次元屈折率特性を有する層等の各種の位相補償層、（３）基板に加わる応力（垂直応力、水平応力）を緩和する粘弾性特性を有する層、例えば室温付近での貯蔵弾性率がおよそ１ｋｇ／ｍｍ２以下であるような層、（４）水分や空気の透過を防止する機能もしくは水分や空気を吸収する機能を有する層、（５）紫外線や赤外線を吸収する機能を有する層、（６）基板の帯電性を低下させる機能を有する層等が好ましく挙げられる。
【００５４】
本発明の微粒子含有する架橋重合体層（Ａ）の形成方法としては、前記のモノマー及び／又はオリゴマー原料に微粒子を添加し、更に必要に応じて光反応開始剤、硬化剤、触媒等を添加後、各種有機溶剤に溶解して、濃度や粘度を調節した塗工液を調整する。これを、透明高分子基板上に塗工後、放射線照射や加熱処理等により層を硬化させる。塗工方式としては例えば、マイクログラビヤコート法、マイヤーバーコート法、ダイレクトグラビヤコート法、リバースロールコート法、カーテンコート法、スプレーコート法、コンマコート法、ダイコート法、ナイフコート法、スピンコート法等の各種塗工方法が用いられる。
【００５５】
＜架橋重合体（Ｂ）＞
本発明によれば、微粒子を含有する架橋重合体層（Ａ）上に、架僑重合体層（Ｂ）を介して透明導電層を設けることにより、透明導電性積層体の光学特性、機械的特性が向上する。ここで、架橋重合体層（Ｂ）は、金属アルコキシドを加水分解並びに縮合重合してなるものである。該金属アルコキシドの中でも、機械的強度や安定性、透明導電層や基板等との密着性等に優れているといった観点から、チタニウムアルコキシド、ジルコニウムアルコキシドならびにケイ素アルコキシドが好ましい。これらの金属アルコキシドの具体例と架橋重合体層（Ｂ）の形成方法については後述する。またこれらのモノマー及び／又はオリゴマー原料は２種類以上混合して用いることが出来る。
【００５６】
この架橋重合体層（Ｂ）は、透明導電層の表面の突起高さ及び突起密度を制御することが難しくなること、ならびに架橋重合体層（Ｂ）の層としての強度が弱くなるため、微粒子等の添加剤は実質的に含有しない。
【００５７】
微粒子を含有する架橋重合体層（Ａ）と透明導電層との間に架橋重合体層（Ｂ）のみを積層する場合には、架橋重合体層（Ｂ）の厚さは好ましくは２０以上、より好ましくは２５以上、さらに好ましくは３０以上である。膜厚が２０ｎｍ未満では、透明導電性積層体の光学特性や機械的特性の向上効果が小さい。また、膜厚の上限は好ましくは１１０ｎｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ以下である。１１０ｎｍを超えると、透明導電性積層体の光学特性、機械的特性が却って悪くなることがある。
【００５８】
＜架橋重合体層（Ｃ）＞
微粒子を含有する架橋重合体層（Ａ）と架橋重合体層（Ｂ）との間に、架橋重合体層（Ｂ）より屈折率が高い架橋重合体層（Ｃ）を設けることにより、透明導電性積層体の可視光領域の反射率が低下し透過率を向上することができる。かかる場合、特に、架橋重合体層（Ｃ）、架橋重合体層（Ｂ）、及び透明導電層の光学膜厚を調整することにより、透明導電層表面における、波長４５０〜６５０ｎｍにおける平均反射率が５．５％以下であり、透過光のｂ＊値を日本工業規格Ｚ８７２９号に定めるＬ＊ａ＊ｂ＊表色系のクロマティクネス指数ｂ＊値で−２〜＋３の範囲にすることが好ましい。平均反射率を５．５％以下、ｂ＊値を−２〜＋３にすることにより、タッチパネルをディスプレイ上に取り付けてもディスプレイの見易さを損なうことがほとんど無い。
【００５９】
上記平均反射率及びｂ＊値を実現するための条件は、以下の通りである。
即ち、（１）架橋重合体層（Ｃ）はその屈折率が１．７以上で該透明導電層の屈折率＋０．３以下の範囲にありその膜厚が２０〜９０ｎｍの範囲にあり、架橋重合体層（Ｂ）はその屈折率が１．３５〜１．５の範囲にありその膜厚が３０〜１１０ｎｍの範囲にあり、透明導電層は膜厚が１２〜３０ｎｍの範囲にあり、そして架橋重合体層（Ｃ）、架橋重合体層（Ｂ）及び透明導電層の光学膜厚の和が１８０〜２３０ｎｍの範囲である場合（ここで光学膜厚は層の屈折率に膜厚を乗じた値である）。
【００６０】
または、（２）架橋重合体層（Ｃ）はその屈折率が１．７以上で該透明導電層の屈折率＋０．３以下の範囲にあり、架橋重合体層（Ｂ）はその屈折率が１．３５〜１．５の範囲にあり、該透明導電層は膜厚が１２〜３０ｎｍの範囲にあり、該重合体層（Ｂ）表面の反射率が波長２６０〜３９０ｎｍの範囲内に極小点を有する場合。
架橋重合体層（Ｃ）及び架橋重合体層（Ｂ）は、主として金属アルコキシドを加水分解並びに縮合重合してなる架橋重合体層であることが好ましい。金属アルコキシドを加水分解並びに縮合重合してなる重合体層の中でも、機械的強度や安定性、透明導電層や架橋重合体層等との密着性等に優れているといった観点から、チタニウムアルコキシド、ジルコニウムアルコキシドならびにケイ素アルコキシドを加水分解並びに縮合重合してなる重合体層が好ましい。
【００６１】
チタニウムアルコキシドとしては、例えばチタニウムテトライソプロポキシド、テトラ−ｎ−プロピルオルトチタネート、チタニウムテトラ−ｎ−ブトキシド、テトラキス（２−エチルヘキシルオキシ）チタネート等が例示され、また、ジルコニウムアルコキシドとしては、例えばジルコニウムテトライソプロポキシド、ジルコニウムテトラ−ｎ−ブトキシド等が例示される。
【００６２】
ケイ素アルコキシドとしては、例えば、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β−（３、４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン等が例示される。これらのケイ素アルコキシドは必要に応じて、層の機械的強度や密着性および耐溶剤性等の観点から二種類以上を混合して用いることが好ましい場合が多く、特にケイ素アルコキシドの全組成中に重量比率０．５〜６０％の範囲で、分子内にアミノ基を有するケイ素アルコキシドが含有されていることが好ましい。
【００６３】
これらの金属アルコキシドは、モノマーとして用いても、あらかじめ加水分解と脱水縮合を行なって適度にオリゴマー化して用いても良い。通常、これらを適当な有機溶媒に溶解、希釈した塗液を基板上に塗工する。基板上に形成された塗工膜は、空気中の水分等により加水分解が進行し、続いて脱水縮合重合が進行する。一般に、縮合重合の促進には適当な加熱処理が必要であり、塗工法のプロセスにおいて１００℃以上の温度で数分以上の熱処理を施すことが好ましい。また、場合によっては、前記の熱処理と並行して、紫外線等の活性光線を塗膜に照射する事により、架橋度をより高めることができる。
希釈溶剤としては、アルコール系、炭化水素系の溶剤、例えば、エタノール、２−プロパノール、ブタノール、２−メチル−１−プロパノール、１−メトキシ−２−プロパノール、ヘキサン、シクロヘキサン、リグロイン等が好適であるが、この他にも、キシレン、トルエン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン、酢酸イソブチル等の極性溶媒も使用可能である。これらのものは単独あるいは二種以上の混合溶剤として用いることができる。
【００６４】
＜透明導電層＞
本発明における透明導電層は、上記架橋重合体層（Ｂ）の上に設けられる。かかる透明導電層としては、主として金属酸化物からなる層である。タッチパネルの消費電力の低減と回路処理上の必要等からは、膜厚１２〜３０ｎｍにおいて表面抵抗値が１００〜２０００Ω／□、より好ましくは１５０〜２０００Ω／□の範囲を示す透明導電層を用いることが好ましい。尚、透明導電層の膜厚が１２ｎｍ未満では抵抗値の経時安定性に劣る傾向があり、また３０ｎｍを超えると透明導電性積層体の透過率が低下するため好ましくない。
【００６５】
該金属酸化物としては、例えば、アンチモン等を添加した錫酸化物、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物を挙げることができる。また、かかる透明導電層中には、更に酸化珪素、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛等の金属酸化物を１種または２種以上含有してもよい。
【００６６】
これら透明導電層は、スパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等の公知の真空製膜プロセスを用いて形成することができる。中でも幅方向、長さ方向での膜厚均一性、組成均一性の面からはスパッタリング法が好ましい。
【００６７】
＜その他の架橋重合体層＞
タッチパネルの作製工程或いはタッチパネルがディスプレイ上に取り付けられた使用形態において、透明高分子基板の傷つきまたは溶剤ダメージを防止するため、該基板の透明導電層を設けた側と反対面にハードコート性及び／又は耐溶剤性を有する架橋重合体層を設けることが好ましい。この架橋重合体層中に微粒子を含有させることにより、滑り性、干渉縞防止性、アンチグレア性を付与してもよい。該架橋重合体としては前記したような、例えば、アクリル系樹脂等の放射線硬化樹脂層、フェノキシ樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化樹脂およびケイ素アルコキシドの重合体が挙げられる。これらの中でも、アクリル樹脂等の放射線硬化樹脂は、放射線の照射により比較的短時間に架橋度の高い層が得られる事から、製造プロセスへの負荷が少なくまた膜強度が強い特徴があり、最も好ましく用いられる。
【００６８】
この架橋重合体層は透明高分子基板上に直接、もしくは適当なアンカー層を介して積層される。こうしたアンカー層としては前記微粒子を含有する架橋重合体層（Ａ）に用いたとものと同様のものを挙げることができる。
【００６９】
この架橋重合体層の形成方法についても、前記微粒子を含有する架橋重合体層（Ａ）の形成方法と同様の方法を用いることができる。
実施例
以下、実施例にて本発明を更に詳細に説明するが、透明導電層表面の平均突起高さ、突起密度、１０点平均粗さ（Ｒｚ）、筆記耐久性の評価方法は以下の通りである。
【００７０】
平均突起高さ、突起密度
リアルタイム走査型レーザー顕微鏡（レーザーテックコーポレーション製、１ＬＭ２１Ｄ）を用いて、２５０μｍ角視野内の突起を無作為に１０〜２０個を選び、突起高さを個別に測定後、平均突起高さを算出した。また、同視野内の突起数より突起密度（単位面積当たりの突起数）を算出した。
【００７１】
１０点平均粗さ
触針式段差膜厚計（Ｓｌｏａｎ社製、Ｄｅｋｔａｋ３）を用いて、１０点平均粗さ（Ｒｚ）を測定した。測定条件は、測定長２ｍｍ、測定速度４．８ｍｍ／分、データ点数１０００、ハイパスフィルター２０μｍとした。
【００７２】
筆記耐久性
本発明の透明導電性積層体を可動電極基板とし、硝子電極基板を固定電極基板としたタッチパネルを作製した。但し、実施例１０では本発明の透明導電性積層体を固定電極基板として用いた。次に、先端が０．８Ｒのポリアセタール製ペンを用いて、タッチパネルの可動電極基板の外面中央２０ｍｍ角の範囲に、カタカナ文字を５０音順に筆記した。ペンの筆圧荷重は２５０ｇ。５万文字筆記毎にリニアリティを測定する。リニアリティが１．５％を超えるまでの筆記文字数を筆記耐久性と定義する。
【００７３】
なお、リニアリティの測定方法は、以下の通りである。
【００７４】
可動電極基板上又は固定電極基板上の平行電極間に直流電圧５Ｖを印加する。平行電極と垂直の方向に５ｍｍ間隔で電圧を測定する。測定開始位置Ａの電圧をＥＡ、測定終了位置Ｂの電圧をＥＢ、Ａからの距離Ｘにおける電圧実測値をＥＸ、理論値をＥＴ、リニアリティをＬとすると、
ＥＴ＝（ＥＢ−ＥＡ）・Ｘ／（Ｂ−Ａ）＋ＥＡ
Ｌ（％）＝（｜ＥＴ−ＥＸ｜）／（ＥＢ−ＥＡ）・１００
【００７５】
実施例１〜３、比較例１〜３
図１は、本発明の一実施例を示すタッチパネルである。図中１はガラス基板、２と８は透明導電層、３はドットスペーサ、４はポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、５は架僑重合体層、６は微粒子を含有する架橋重合体層、７は架橋重合体層を示す。そして、ガラス基板１、透明導電層２とドットスペーサ３とによって固定電極基板が構成され、ＰＥＴフィルム４、架橋重合体層５、微粒子を含有する架橋重合体層６、架橋重合体層７、透明導電層８とによって可動電極基板が構成される。
【００７６】
こうしたタッチパネルは次のようにして作製した。先ず、厚さ１．１ｍｍのガラス基板１の両面にディップコーティング法によりＳｉＯ２層を設けた後、スパッタリング法により厚さ１８ｎｍのＩＴＯ層を透明導電層２として設けた。次に、ＩＴＯ層上に高さ７μｍ、直径７０μｍ、ピッチ１．５ｍｍのドットスペーサ３を設けることにより、固定電極基板を作製した。
【００７７】
一方、透明高分子基板として厚さ１８８μｍのＰＥＴフィルム（帝人株式会社製ＯＦＷ）を用意した。
【００７８】
つづいて、架橋重合体層５を形成するために、ポリエステルアクリレート（東亜化学株式会社製  アロニックスＭ８０６０）５０重量部、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（日本化薬株式会社製  ＤＰＨＡ）５０重量部、光開始剤（チバガイギー社製  イルガキュア１８４）７重量部、希釈剤として１−メトキシ−２−プロパノール２００重量部からなる塗工液Ｌを用意した。ＰＥＴフィルムの片面にこの塗工液Ｌを塗付し、塗工膜を６０℃で１分間乾燥させた。その後、強度１６０ｗ／ｃｍの高圧水銀灯を用いて積算光量４５０ｍＪ／ｃｍ２の条件で光照射し、塗工膜を硬化させることにより架橋重合体層５（厚さ約３μｍ）を設けた。
【００７９】
次に、上記架橋重合体層５用塗工液Ｌに、微粒子として、平均粒径が約３μｍのシリコーン架橋微粒子（ＧＥ東芝シリコーン株式会社製  トスパール１３０）、平均粒径が約３．４μｍのアクリル架橋微粒子（根上工業株式会社製  アートパールＦ５Ｐ）、平均粒径が約４．５μｍのシリコーン架橋微粒子（ＧＥ東芝シリコーン株式会社製  トスパール１４５）のいずれかを所定量添加することにより微粒子を含有する種々の架僑重合体層６用の塗工液Ｌ’を得た。ＰＥＴフィルムの非塗工面（上記架橋重合体層５が設けられていない面）上に、上記いずれかの塗工液Ｌ’を、硬化後の厚さが約２〜３μｍになる様に塗付した。ついで、６０℃で１分間乾燥後、強度１６０ｗ／ｃｍの高圧水銀灯を用いて積算光量４５０ｍＪ／ｃｍ２の条件で光照射することにより微粒子を含有する架橋重合体層６を形成した。
【００８０】
このようにして、各実施例において、微粒子の粒径、添加量、微粒子を含有する架僑重合体層の膜厚を変化させることにより、平均突起高さ、突起密度の異なる微粒子を含有する種々の架橋重合体層６を形成した。
【００８１】
次に、架橋重合体層７用塗工液Ｍを以下の手順で準備した。即ち、水７２０重量部と２−プロパノール１０８０重量部と酢酸４６重量部を混合した後に、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業株式会社製  ＫＢＭ４０３）４８０重量部とメチルトリメトキシシラン（信越化学工業株式会社製  ＫＢＭ１３）２４０重量部とＮ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業株式会社製  ＫＢＭ６０３）１２０重量部とを順次混合し、３時間攪拌して前記アルコキシシラン混合液の加水分解、部分縮合を行った。さらにこれを２−プロパノールと１−メトキシ−２−プロパノールの重量比率１：１の混合溶媒で希釈することにより架橋重合体層７用塗工液Ｍとした。この塗工液Ｍを、上記の微粒子を含有する架橋重合体層６上に塗付し、１３０℃で５分間熱処理して、膜厚約３５ｎｍの架橋重合体層７を形成した。
【００８２】
次に、前記架橋重合体層７上に透明導電層８を積層した。透明導電層８として、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により膜厚が約２０ｎｍとなるようにインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）層を形成した。ターゲットとしては、酸化インジウムと酸化錫が重量比９５：５の組成で充填密度が９８％のＩＴＯターゲットを用いた。スパッタ装置内に前記フィルムをセットした後、１．３ｍＰａの圧力まで排気を行い、ついでＡｒとＯ２の体積比９８．５：１．５の混合ガスを導入し、雰囲気圧力が０．２７Ｐａになる様に調整した。そして基板温度が５０℃、投入電力密度が１Ｗ／ｃｍ２の条件でスパッタリングを行い、透明導電層８として前記架橋重合体層７上にＩＴＯ層を積層した。この透明導電層の表面抵抗は約３００Ω／□であった。
【００８３】
こうして得られた透明導電性積層体を可動電極基板とした。
【００８４】
また、比較例３として、架僑重合体層７を設けずに、微粒子を含有する架橋重合体層６上に直接ＩＴＯ層を積層することにより可動電極基板を作製した。
これらの可動電極基板、固定電極基板を用いて、図１に示すタッチパネルを作製した。なお、本図は構成の一部を示す概念図であり、周囲の絶縁層、粘着層、外部への引き出し回路は省略してある。
【００８５】
可動電極基板の透明導電層（ＩＴＯ層）表面の平均突起高さ、突起密度、１０点平均粗さ（Ｒｚ）、筆記耐久性試験結果を表１に示す。
【００８６】
【表１】
0004183419.tif 000004
【００８７】
実施例４〜８、比較例４〜６
実施例１〜３と同様にして、種々の透明導電性積層体を作成した。これを可動電極基板として図１のタッチパネルを作製した。可動電極基板外面を指で押して可動電極基板と固定電極接触させ、固定電極基板側から、３波長蛍光燈により干渉縞発生状況を観察した。評価結果を表２に示す。また、タッチパネルをＬＣＤ上に取り付け文字の見易さを観察した。評価結果を表３に示す。
【００８８】
【表２】
0004183419.tif 000005
【００８９】
【表３】
0004183419.tif 000006
【００９０】
実施例９、比較例７
図２は、本発明の一実施例を示すタッチパネルである。図中１はガラス基板、２と８は透明導電層、３はドットスペーサ、４はポリカーボネート（ＰＣ）フィルム、５は架橋重合体層、６は微粒子を含有する架僑重合体層、７、９は架橋重合体層、１０は偏光板を示す。そして、ガラス基板１、透明導電層２とドットスペーサ３とによって固定電極基板が構成され、偏光板１０、ＰＣフィルム４、架橋重合体層５、微粒子を含有する架橋重合体層６、架橋重合体層７、９、透明導電層８とによって可動電極基板が構成される。こうしたタッチパネルを作製するために、先ず実施例１〜３と同様な方法で固定電極基板を作製した。
【００９１】
実施例９では、透明高分子基板として、ＰＥＴフィルムの代わりに、厚さ１００μｍのＰＣフィルム（帝人株式会社製  ピュアエース）を用いた。それ以外は実施例２と同様にして平均粒径３μｍの微粒子を用いて、片面に架橋重合体層５（厚さ約３μｍ）、反対面に微粒子を含有する架橋重合体層６（厚さ約２．６μｍ）を設けた。
次に、架橋重合体層９用塗工液Ｎを以下の手順で準備した。即ち、テトラブトキシチタネート（日本曹達株式会社製  Ｂ−４）をリグロインとブタノールの混合溶媒で希釈して架橋重合体層９用の塗工液Ｎとした。微粒子を含有する架橋重合体層６上に、架橋重合体層９用塗工液Ｎを塗付し、１３０℃で２分間熱処理して、膜厚約４１ｎｍ、屈折率約１．８２の架橋重合体層９を形成した。
【００９２】
更に、架橋重合体層７用塗工液として、実施例１の塗工液Ｍを用いた。この塗工液Ｍを架橋重合体層９上に塗付し、１３０℃で５分間熱処理して、膜厚約５１ｎｍ、屈折率約１．４７の架橋重合体層７を形成した。架橋重合体層７の表面の反射率の極小波長は３００ｎｍであった。
【００９３】
引き続いて、架橋重合体層７上に実施例１と同様にして、透明導電層８を形成して積層体を作製した。実施例９用の電極基板の透明導電層の表面抵抗は約３００Ω／□であり、透明導電層表面の平均突起高さは０．６μｍ、突起密度は１１７０個／ｍｍ２であった。この積層体を実施例９の可動電極基板とした。
【００９４】
また、比較例７では、透明高分子基板として、ＰＥＴフィルムの代わりに、厚さ１００μｍのＰＣフィルム（帝人株式会社製  ピュアエース）を用い、それ以外は比較例２と同様にして平均粒径４．５μｍの微粒子を用いて、片面に架橋重合体層５（厚さ約３μｍ）、反対面に微粒子を含有する架橋重合体層６（厚さ約３．１μｍ）を設けた。次に、微粒子を含有する架橋重合体層６上に、架橋重合体層９用塗工液Ｎを塗付し、１３０℃で２分間熱処理して、膜厚約４１ｎｍ、屈折率約１．８２の架橋重合体層９を形成した。更に、架橋重合体層７用塗工液として、実施例１の塗工液Ｍを用いた。この塗工液Ｍを架橋重合体層９上に塗付し、１３０℃で５分間熱処理して、膜厚約５１ｎｍ、屈折率約１．４７の架橋重合体層７を形成した。架橋重合体層７の表面の反射率の極小波長は３００ｎｍであった。
【００９５】
引き続いて、架僑重合体層７上に実施例１と同様にして、透明導電層８を形成して積層体を作製した。この比較例７用の電極基板の透明導電層の表面抵抗は約３００Ω／□であり、透明導電層表面の平均突起高さは１．１５μｍ、突起密度は３００個／ｍｍ２であった。この積層体を比較例７の可動電極基板とした。
これらの電極基板、固定電極基板、および、偏光板（サンリッツ株式会社製  ＬＬＣ２−９２１８ＡＧＨＳＦ）を用いて、図２に示すタッチパネルを作製した。なお、本図は構成の一部を示す概念図であり、周囲の絶縁層、粘着層、外部への引き出し回路は省略してある。
【００９６】
実施例９のタッチパネルの筆記耐久性は、２０万回と極めて優れていた。
【００９７】
一方、比較例７のタッチパネルの筆記耐久性は、５万回と劣っていた。
実施例１０
図３は、本発明の一実施例を示すタッチパネルである。図中３はドットスペーサ、４はＰＥＴフィルム又はＰＣフィルム、５は架橋重合体層、６は微粒子を含有する架橋重合体層、７、９は架橋重合体層、８は透明導電層、１１はＰＣシートを示す。そして、ＰＣシート１１、ＰＣフィルム４、架橋重合体層５、微粒子を含有する架橋重合体層６、架橋重合体層７、９、透明導電層８とドットスペーサ３とによって固定電極基板が構成され、ＰＥＴフィルム４、架橋重合体層５、架橋重合体層７、透明導電層８とによって可動電極基板が構成される。
【００９８】
こうしたタッチパネルの可動電極基板は以下の様な方法で作製した。透明高分子基板として厚さ１８８μｍのＰＥＴフィルム（帝人株式会社製  ＯＦＷ）の片面に、実施例１で用いた塗工液Ｌを塗付し、塗工膜を６０℃で１分間乾燥させた。その後、強度１６０ｗ／ｃｍの高圧水銀灯を用いて積算光量４５０ｍＪ／ｃｍ２の条件で光照射し、塗工膜を硬化させることにより架橋重合体層５（厚さ約３μｍ）を設けた。同様にして反対面にも架橋重合体層５（厚さ約３μｍ）を設けた。
【００９９】
次に、実施例１で用いた塗工液Ｍを一方の架橋重合体層５上に塗付し、１３０℃で５分間熱処理して、膜厚約３５ｎｍの架橋重合体層７を形成した。
【０１００】
ついで、この架橋重合体層７上に実施例１と同様な方法で透明導電層８を積層して可動電極基板を作製した。この透明導電層８の表面抵抗は約３００Ω／□であった。
【０１０１】
次に、以下のようにして固定電極基板を作成した。
【０１０２】
実施例９と同様にして透明高分子基板として、厚さ１００μｍのＰＣフィルム（帝人株式会社製  ピュアエース）を用い、片面に架橋重合体層５（厚さ約３μｍ）、反対面に微粒子を含有する架橋重合体層６（厚さ約２．６μｍ）を設けた。
【０１０３】
次に、実施例９と同様な方法で、微粒子を含有する架橋重合体層６上に、膜厚約４１ｎｍ、屈折率約１．８２の架橋重合体層９を形成し、この架橋重合体層９上に膜厚約５１ｎｍ、屈折率約１．４７の架橋重合体層７を形成した。架橋重合体層７の表面の反射率の極小波長は３００ｎｍであった。
【０１０４】
引き続いて、前記架橋重合体層７上に実施例１と同様にして、膜厚約２２ｎｍ、屈折率約２．０の透明導電層８を積層し電極基板を作製した。この電極基板の透明導電層の表面抵抗は約３００Ω／□であり、また透明導電層表面の平均突起高さは０．６μｍ、突起密度は１１７０個／ｍｍ２であった。また、透過光のＬ＊ａ＊ｂ＊表色系のクロマティクネス指数ｂ＊値は＋０．６であった。
【０１０５】
次に、この電極基板の透明導電層８を設けた面と反対側の架橋重合体層５の面に厚さ１ｍｍのＰＣシート（帝人化成株式会社製  パンライト）１１を貼り合せた。更に、透明導電層８上に高さ７μｍ、直径７０μｍ、ピッチ１．５ｍｍのドットスペーサ３を設けることにより、固定電極基板とした。
【０１０６】
これらの可動電極基板、固定電極基板を用いて、図３に示すタッチパネルを作製した。なお、本図は構成の一部を示す概念図であり、周囲の絶縁層、粘着層、外部への引き出し回路は省略してある。
【０１０７】
タッチパネルの筆記耐久性は、１５万回と優れていた。更に、タッチパネルは軽量でかつ落としても割れないという特徴を有している。
【０１０８】
【産業上の利用可能性】
以上のように、本発明の透明導電性積層体は、透明導電層表面の平均突起高さを０．３〜１μｍでかつ突起密度を３５０〜１８００個／ｍｍ２であるので、これを電極基板として用いることによって、筆記耐久性に優れ、タッチパネルに干渉縞の発生が無くかつディスプレイの文字はぼやけることがなく極めて読みやすいタッチパネルを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  実施例１〜８及び比較例１〜６の具体的なタッチパネルを示す模式図である。
【図２】  実施例９及び比較例７の具体的なタッチパネルを示す模式図である。
【図３】  実施例１０の具体的なタッチパネルを示す模式図である。
【符号の説明】
１・・・ガラス基板
２・・・透明導電層
３・・・ドットスペーサ
４・・・ポリエチレンテレフタレートフィルム又はポリカーボネートフィルム
５・・・架橋重合体層
６・・・微粒子を含有する架橋重合体層
７・・・架橋重合体層
８・・・透明導電層
９・・・架橋重合体層
１０・・・偏光板
１１・・・ポリカーボネートシート
【図１】
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【図２】
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【図３】
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