(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御プログラムを実行するための制御ブロックがそれぞれ記憶され、動作時の消費電力がそれぞれ異なる複数の不揮発性メモリと、
前記制御ブロックを前記複数の不揮発性メモリから読み出して前記制御プログラムを実行する制御プログラム実行手段と、
前記複数の不揮発性メモリへの電力供給を制御する電力制御手段とを有し、
前記制御プログラム実行手段が前記制御プログラムを実行する際に、前記電力制御手段は、前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記憶されている不揮発性メモリには電力供給するように制御し、前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記憶されていない不揮発性メモリであって、動作時の消費電力が所定値以下の不揮発性メモリには、電力供給し、前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記憶されていない不揮発性メモリであって、動作時の消費電力が所定値より大きい不揮発性メモリには、電力供給しないように制御することを特徴とする制御装置。
【請求項２】
制御プログラムを実行するための制御ブロックがそれぞれ記憶される複数の不揮発性メモリと、
前記制御ブロックを前記複数の不揮発性メモリから順次読み出して前記制御プログラムを実行する制御プログラム実行手段と、
前記複数の不揮発性メモリへの電力供給を制御する電力制御手段と、
前記制御プログラムの処理時間が所定値以上かどうかを判断する処理時間判断手段とを有し、
前記処理時間判断手段によって前記制御プログラムの処理時間が所定値以上と判断される場合には、前記電力制御手段は、前記制御プログラム実行手段が前記制御プログラムを実行している間、前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記憶されているすべての不揮発性メモリに電力供給するように制御することを特徴とする制御装置。
【請求項３】
前記処理時間判断手段によって前記制御プログラムの処理時間が所定値未満と判断される場合には、前記電力制御手段は、前記制御プログラム実行手段が前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックを読み出すときにだけ、前記複数の不揮発性メモリのうち前記必要な制御ブロックが読み出される不揮発性メモリに電力供給するように制御することを特徴とする請求項２に記載の制御装置。
【請求項４】
前記複数の不揮発性メモリは動作時の消費電力がそれぞれ異なり、前記処理時間判断手段によって前記制御プログラムの処理時間が所定値未満と判断される場合には、前記電力制御手段は、前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記憶されている不揮発性メモリであって、動作時の消費電力が所定値以下の不揮発性メモリに対しては、前記制御プログラム実行手段が前記制御プログラムを実行している間、電力供給し、前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記憶されている不揮発性メモリであって、動作時の消費電力が所定値より大きい不揮発性メモリに対しては、前記動作時の消費電力が所定値より大きい不揮発性メモリから前記制御プログラム実行手段が前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックを読み出すときにだけ、電力供給するように制御することを特徴とする請求項２に記載の制御装置。
【請求項５】
前記制御プログラムの処理時間は、前記電力制御手段が前記不揮発性メモリに電力を供給させてから前記不揮発性メモリが適正に動作可能となるまでの時間を含むことを特徴とする請求項２ないし４のいずれか１項に記載の制御装置。
【請求項６】
制御プログラムを実行するための制御ブロックがそれぞれ記憶され、動作時の消費電力がそれぞれ異なる複数の不揮発性メモリと、前記複数の不揮発性メモリへの電力供給を制御する電力制御手段とを有する機器の制御方法であって、
前記制御プログラムの実行開始を指示する行程と、
前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記憶されている不揮発性メモリには、電力供給し、前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記憶されていない不揮発性メモリであって、動作時の消費電力が所定値以下の不揮発性メモリには、電力供給し、前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記憶されていない不揮発性メモリであって、動作時の消費電力が所定値より大きい不揮発性メモリには、電力供給しないように前記電力制御手段が制御する行程とを有することを特徴とする制御方法。
【請求項７】
制御プログラムを実行するための制御ブロックがそれぞれ記憶される複数の不揮発性メモリと、前記制御ブロックを前記複数の不揮発性メモリから順次読み出して前記制御プログラムを実行する制御プログラム実行手段と、前記制御プログラム実行手段による前記制御プログラムの処理時間が所定値以上かどうかを判断する処理時間判断手段と、前記複数の不揮発性メモリへの電力供給を制御する電力制御手段とを有する機器の制御方法であって、
前記制御プログラムの処理時間が所定値以上かどうかを判断する行程と、
前記制御プログラムの処理時間が所定値以上と判断される場合には、前記制御プログラムを実行している間、前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記憶されているすべての不揮発性メモリに電力供給するように前記電力制御手段が制御する行程とを有することを特徴とする制御方法。
【請求項８】
制御プログラムを実行するための制御ブロックがそれぞれ記憶される複数の不揮発性メモリと、前記制御ブロックを前記複数の不揮発性メモリから順次読み出して前記制御プログラムを実行する制御プログラム実行手段と、前記制御プログラム実行手段による前記制御プログラムの処理時間が所定値以上かどうかを判断する処理時間判断手段と、前記複数の不揮発性メモリへの電力供給を制御する電力制御手段とを有する機器の制御方法であって、
前記制御プログラムの処理時間が所定値以上かどうかを判断する行程と、
前記制御プログラムの処理時間が所定値未満と判断される場合には、前記制御プログラムを実行している間であって、前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックを読み出すときにだけ、前記複数の不揮発性メモリのうち前記必要な制御ブロックが読み出される不揮発性メモリに電力供給するように前記電力制御手段が制御する行程とを有することを特徴とする制御方法。
【請求項９】
制御プログラムを実行するための制御ブロックがそれぞれ記憶され、動作時の消費電力がそれぞれ異なる複数の不揮発性メモリと、前記制御ブロックを前記複数の不揮発性メモリから順次読み出して前記制御プログラムを実行する制御プログラム実行手段と、前記制御プログラム実行手段による前記制御プログラムの処理時間が所定値以上かどうかを判断する処理時間判断手段と、前記複数の不揮発性メモリへの電力供給を制御する電力制御手段とを有する機器の制御方法であって、
前記制御プログラムの処理時間が所定値以上かどうかを判断する行程と、
前記制御プログラムの処理時間が所定値未満と判断される場合には、前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記憶されている不揮発性メモリであって、動作時の消費電力が所定値以下の不揮発性メモリに対しては、前記制御プログラムを実行している間、電力供給し、前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記憶されている不揮発性メモリであって、動作時の消費電力が所定値より大きい不揮発性メモリに対しては、前記動作時の消費電力が所定値より大きい不揮発性メモリから前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックを読み出すときにだけ、電力供給するように前記電力制御手段が制御する行程とを有することを特徴とする制御方法。
【請求項１０】
前記制御プログラムの処理時間は、前記電力制御手段が前記不揮発性メモリに電力を供給させてから前記不揮発性メモリが適正に動作可能となるまでの時間を含むことを特徴とする請求項７ないし９のいずれか１項に記載の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数の不揮発性メモリを有する制御装置および制御方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、半導体記憶装置の分野において、様々な記憶装置（以下、メモリという）が提案されている。
【０００３】
カメラの制御に用いられるマイクロコンピュータ（以下、マイコンという）としては小型、省スペースであることが要求されることから、メモリ、周辺装置等を同一チップに取り込んだワンチップマイコンが多く用いられている。近年、カメラの多機能化、高機能化によるプログラム容量、データ容量の増大に伴い、大容量の電気的に書き換え可能なメモリが求められており、マスクＲＯＭ、ＲＡＭと共に電気的に書き換え可能なフラッシュメモリを内蔵したワンチップマイコンが使われるようになってきている。
【０００４】
このフラッシュメモリを含む複数のメモリを使用したカメラとしては、特開２０００−８９０９０号公報に開示されており、これによれば、フラッシュメモリとＥＥＰＲＯＭを使用し、フラッシュメモリには書き換えが少ない又は不要である大容量データを、ＥＥＰＲＯＭには書き換えが多い小容量データをそれぞれに格納させることで、複数のメモリを効率的に、且つ寿命を縮めることなく使用できることを可能にしている。
【０００５】
また、特開平８−２２７３５９号公報においては、フラッシュメモリを複数のブロックに分割し、その一部の特定ブロックのみに対して書き換える手段をもたせるようにすることで、書き換え時にフラッシュメモリの全領域の内容を書き換えることのない、プログラムの変更が容易なシステムが提案されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら上記提案においては、いずれもフラッシュメモリの書き換え時についての技術内容であり、制御プログラムを実行する際の各メモリでの消費電流、動作速度については何ら考慮していない。
【０００７】
また、特開平７−１９１３６５号公報においては、フラッシュメモリへの書き込み用電源の供給に関して、書き込み時のみ導通状態とするスイッチング手段を設けたカメラが提案されているが、フラッシュメモリ上に格納された制御プログラムを実行する際の電源制御については考慮されていない。また、フラッシュメモリは通電後、読み書き可能状態になるまでに一定の立ち上がり時間を必要とするが、通電後のメモリの立ち上がり時間についても前記各提案では考慮されていない。
【０００８】
フラッシュメモリは大容量且つ電気的に書き換え可能なメモリとしてその応用が期待されているが、カメラのように電源が電池である機器においては、フラッシュメモリの消費電流は常時通電しておくには許容されるレベルではなく、ユーザーの観点からも消費電流を極力抑えた制御をする必要がある。一方で、操作性の向上、レリーズタイムラグの短縮化という点においては、動作速度の向上も必要となり、低消費電流を実現しつつ、ユーザーの操作性を損なうことがないようカメラ制御を最適にする必要があった。
【０００９】
（発明の目的）
本発明の目的は、制御プログラムを実行するための制御ブロックがそれぞれ記憶される複数の不揮発性メモリにアクセスしながら動作する制御プログラムを実行する際に、不揮発性メモリへのアクセスのために生じる制御プログラムの処理時間の増大を防止するとともに、制御プログラム実行の時における不揮発性メモリ全体の消費電力を極力削減することのできる制御装置または制御方法を提供しようとするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、制御プログラムを実行するための制御ブロックがそれぞれ記憶され、動作時の消費電力がそれぞれ異なる複数の不揮発性メモリと、前記制御ブロックを前記複数の不揮発性メモリから読み出して前記制御プログラムを実行する制御プログラム実行手段と、前記複数の不揮発性メモリへの電力供給を制御する電力制御手段とを有し、前記制御プログラム実行手段が前記制御プログラムを実行する際に、前記電力制御手段が、前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記憶されている不揮発性メモリには電力供給するように制御し、前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記憶されていない不揮発性メモリであって、動作時の消費電力が所定値以下の不揮発性メモリには、電力供給し、前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記憶されていない不揮発性メモリであって、動作時の消費電力が所定値より大きい不揮発性メモリには、電力供給しないように制御する制御装置とするものである。
【００１１】
同じく上記目的を達成するために、請求項２に記載の発明は、制御プログラムを実行するための制御ブロックがそれぞれ記憶される複数の不揮発性メモリと、前記制御ブロックを前記複数の不揮発性メモリから順次読み出して前記制御プログラムを実行する制御プログラム実行手段と、前記複数の不揮発性メモリへの電力供給を制御する電力制御手段と、前記制御プログラムの処理時間が所定値以上かどうかを判断する処理時間判断手段とを有し、前記処理時間判断手段によって前記制御プログラムの処理時間が所定値以上と判断される場合には、前記電力制御手段が、前記制御プログラム実行手段が前記制御プログラムを実行している間、前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記憶されているすべての不揮発性メモリに電力供給するように制御する制御装置とするものである。
【００１２】
同じく上記目的を達成するために、請求項６に記載の発明は、制御プログラムを実行するための制御ブロックがそれぞれ記憶され、動作時の消費電力がそれぞれ異なる複数の不揮発性メモリと、前記複数の不揮発性メモリへの電力供給を制御する電力制御手段とを有する機器の制御方法であって、前記制御プログラムの実行開始を指示する行程と、前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記憶されている不揮発性メモリには、電力供給し、前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記憶されていない不揮発性メモリであって、動作時の消費電力が所定値以下の不揮発性メモリには、電力供給し、前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記憶されていない不揮発性メモリであって、動作時の消費電力が所定値より大きい不揮発性メモリには、電力供給しないように前記電力制御手段が制御する行程とを有する制御方法とするものである。
【００１３】
同じく上記目的を達成するために、請求項７に記載の発明は、制御プログラムを実行するための制御ブロックがそれぞれ記憶される複数の不揮発性メモリと、前記制御ブロックを前記複数の不揮発性メモリから順次読み出して前記制御プログラムを実行する制御プログラム実行手段と、前記制御プログラム実行手段による前記制御プログラムの処理時間が所定値以上かどうかを判断する処理時間判断手段と、前記複数の不揮発性メモリへの電力供給を制御する電力制御手段とを有する機器の制御方法であって、前記制御プログラムの処理時間が所定値以上かどうかを判断する行程と、前記制御プログラムの処理時間が所定値以上と判断される場合には、前記制御プログラムを実行している間、前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記憶されているすべての不揮発性メモリに電力供給するように前記電力制御手段が制御する行程とを有する制御方法とするものである。
【００１４】
同じく上記目的を達成するために、請求項８に記載の発明は、制御プログラムを実行するための制御ブロックがそれぞれ記憶される複数の不揮発性メモリと、前記制御ブロックを前記複数の不揮発性メモリから順次読み出して前記制御プログラムを実行する制御プログラム実行手段と、前記制御プログラム実行手段による前記制御プログラムの処理時間が所定値以上かどうかを判断する処理時間判断手段と、前記複数の不揮発性メモリへの電力供給を制御する電力制御手段とを有する機器の制御方法であって、前記制御プログラムの処理時間が所定値以上かどうかを判断する行程と、前記制御プログラムの処理時間が所定値未満と判断される場合には、前記制御プログラムを実行している間であって、前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックを読み出すときにだけ、前記複数の不揮発性メモリのうち前記必要な制御ブロックが読み出される不揮発性メモリに電力供給するように前記電力制御手段が制御する行程とを有する制御方法とするものである。
【００１５】
同じく上記目的を達成するために、請求項９に記載の発明は、制御プログラムを実行するための制御ブロックがそれぞれ記憶され、動作時の消費電力がそれぞれ異なる複数の不揮発性メモリと、前記制御ブロックを前記複数の不揮発性メモリから順次読み出して前記制御プログラムを実行する制御プログラム実行手段と、前記制御プログラム実行手段による前記制御プログラムの処理時間が所定値以上かどうかを判断する処理時間判断手段と、前記複数の不揮発性メモリへの電力供給を制御する電力制御手段とを有する機器の制御方法であって、前記制御プログラムの処理時間が所定値以上かどうかを判断する行程と、前記制御プログラムの処理時間が所定値未満と判断される場合には、前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記憶されている不揮発性メモリであって、動作時の消費電力が所定値以下の不揮発性メモリに対しては、前記制御プログラムを実行している間、電力供給し、前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記憶されている不揮発性メモリであって、動作時の消費電力が所定値より大きい不揮発性メモリに対しては、前記動作時の消費電力が所定値より大きい不揮発性メモリから前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックを読み出すときにだけ、電力供給するように前記電力制御手段が制御する行程とを有する制御方法とするものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図示の実施の形態に基づいて詳細に説明する。
【００１７】
図１は本発明の実施の各形態に係るカメラの主要部分の電気的構成を示すブロック図であり、カメラの他の要素については説明を簡単にする為に省いてある。
【００１８】
図１において、１はカメラの各種動作を制御する制御手段であるところのワンチップマイコンであり、ＣＰＵ（中央演算処理装置）、マスクＲＯＭ、フラッシュメモリ、ＲＡＭ、フラッシュメモリアクセス制御回路、フラッシュメモリ用電源、不図示の周辺回路により構成されている。前記フラッシュメモリ及びマスクＲＯＭ上には、操作スイッチの状態検出、測光、測距、給送、ストロボ充電など各種カメラ動作を制御する為の制御プログラム、および制御用データが格納されており、ＣＰＵにより読み込まれそれぞれの機能が実行される。
【００１９】
前記フラッシュメモリアクセス制御回路は、フラッシュメモリへの書き込み、読み込み動作を行う要求信号をＣＰＵから受け取り、それに応じてフラッシュメモリへの通電のオン、オフを制御するものである。また、フラッシュメモリアクセス制御回路は、フラッシュメモリへ通電してから該メモリの立ち上がり時間経過後にＣＰＵへフラッシュメモリへのアクセス許可信号の出力も行う。これは、フラッシュメモリは通電開始後、一定時間のウォームアップ時間が必要であり、通電直後にはアクセスすることができないために、通電後立ち上がり時間が経過するまでは、アクセス許可信号が出力されない構成となっているからである。
【００２０】
２は不図示の測距センサを用いて被写体までの距離情報を得る測距装置、３は不図示の測光センサを用いて被写体輝度情報を得る測光装置、４はシャッタの開閉の制御を行うシャッタ制御装置である。５は撮影準備動作や撮影動作を開始させる為の不図示のスイッチＳＷ１，ＳＷ２や各撮影モードを設定する為のスイッチ等、各種操作スイッチを含むスイッチ（ＳＷ）回路である。６は電源回路であり、電源電圧を所定電圧に変換し、各回路に供給する。７はストロボ制御装置であり、不図示のメインコンデンサへ充電を行い、ストロボ発光制御を行う。８は不図示のフィルムの巻き上げ、巻き戻し等を行う為の給送モータの駆動制御を行う給送制御回路である。
【００２１】
（実施の第１の形態）
上記構成のカメラにおいて、本発明の実施の第１の形態に係るカメラ制御動作について、図２のフローチャートにしたがって説明する。
【００２２】
まず、ステップ＃００１にて、マイコン１はマスクＲＯＭ上に格納されている操作スイッチの状態検出用の制御プログラムにより、レリーズボタンの第１ストロークが押されてスイッチＳＷ１がオンするまでこのステップに待機する。ここで、操作スイッチの状態検出用の制御プログラムは、図３（ａ）に示す通りマスクＲＯＭ上に格納（操作スイッチ検出ブロック）されているとする。したがって、フラッシュメモリへのアクセスは不要であるので、操作スイッチの状態検出プログラム実行中はフラッシュメモリへの通電は行わず、ここでの消費電流を無くすことが可能となる。図２に戻り、レリーズボタンの第１ストロークが押されてスイッチＳＷ１がオンするとステップ＃００２へ進み、被写体距離を測定する測距プログラムを実行し、測距装置２を用いて被写体距離を測定する。
【００２３】
ここで、上記測距プログラムの実行に関して詳細に説明する。
【００２４】
アクティブ測距システムの構成の一例を図４に示す。図４の構成を用いたアクティブ測距装置では、被写体４１に対してＩＲＥＤ（赤外発光ダイオード）４２を用いて赤外光を投射し、被写体４１からの反射光を一対の受光センサアレイであるＣＣＤ（半導体位置検出器）４３，４４に結像、蓄積させ、相関演算を用いて結像位置からのずれ量を算出し、被写体距離までの距離の算出を行う。
【００２５】
つまり、本構成でのアクティブ測距装置を用いた測距プログラムは、ＣＣＤ４３，４４を駆動する為の電源やクロックの確認を行う「初期化動作」、ＩＲＥＤ４２で投光を行いながら適正時間ＣＣＤ４３，４４への蓄積を行う「蓄積動作」、蓄積された像信号を読み出し、平均化等によるノイズの軽減、データ量削減の為の像データの圧縮等を行う「像データ処理（像データ読み出し制御）」、該像データ処理により得られた左右一対の像データの位相差を算出する「相関演算」、該相関演算により得られた位相差から被写体距離情報を算出する「距離情報算出」のようにその制御が進み、測距が行われることになる。
【００２６】
次に、図３（ｂ）により、測距プログラムがメモリ上にどのように格納されているかを示す。
【００２７】
本実施の形態では、「蓄積制御ブロック」、「相関演算ブロック」、「距離情報算出ブロック」等、ＣＣＤや光学系等のバラツキにより調整値を使用する必要がある制御プログラムに関しては、電気的に読み書き可能であるフラッシュメモリに格納されており、「初期化動作ブロック」、「像データ処理（像データ読み出し制御）ブロック」等に関してはマスクＲＯＭに格納されている。ただし、これらのメモリの使い分けについては、これに限られたものではなく、メモリ容量、メモリの動作条件に応じて適切に制御プログラムを配置すれば良い。
【００２８】
このように、測距動作を実現する為の各動作は、マスクＲＯＭ及びフラッシュメモリにアクセスしながら実行される。
【００２９】
次に、測距プログラムの実行時のフラッシュメモリへの電源制御に関して、図５のフローチャート及び図６のフラッシュメモリへの電源制御のタイミングチャートを用いて説明する。
【００３０】
測距プログラムは、「初期化動作」、「蓄積動作」、「像データ処理」、「相関演算」、「距離情報算出」の各動作ブロックにより構成されており、フラッシュメモリへのアクセスを必要とするのは、「蓄積制御」、「相関演算」、「距離情報算出」の制御プログラムである。
【００３１】
したがって、フラッシュメモリに対しての通電は各制御プログラム直前に通電を行えば良いように思えるが、フラッシュメモリは通電後適正にアクセス可能となるまでにはΔt （例えば５０μＳ）の立ち上がり時間を必要とするために、各ブロック実行毎にフラッシュメモリへの通電のオン、オフを制御したのではメモリの立ち上がりに要する時間だけ動作の実行が遅れることになり、結果として動作速度（処理速度）の悪化を招くことになる。
【００３２】
そこで、この実施の形態では、図６に示す通り、マスクＲＯＭ、フラッシュメモリの両方を使用して動作する測距プログラム（マスクＲＯＭとフラッシュメモリにアクセスしながら動作する制御プログラム）等の機能については、プログラムスタート時に通電を行い、各制御ブロック毎に通電をオフするのではなく測距プログラム終了後までフラッシュメモリをアクセス可能状態にしておく。これにより、動作速度を損なうことなく一連の測距動作を迅速に行うことが可能となる。
【００３３】
この測距動作について、図５のフローチャートを用いて説明する。
【００３４】
測距動作（測距プログラム）はフラッシュメモリとマスクＲＯＭにアクセスしながら実行される動作であることがわかっているので、まずステップ＃５０１にて、図１に示したフラッシュメモリアクセス制御回路を介してフラッシュメモリ用電源をオンにしてフラッシュメモリに対して通電を開始させ、アクセス可能状態としておく。そして、次のステップ＃５０２にて、マスクＲＯＭ上に格納された「初期化動作」を実行する。続くステップ＃５０３では、フラッシュメモリ上に格納された「蓄積動作」を実行する。ここで、図６に示すように、測距プログラム開始時にフラッシュメモリの電源は通電されていることから、該メモリの立ち上がり時間を待つことなく「蓄積動作」を直ちに実行することが可能である。
【００３５】
次にステップ＃５０４へ進み、マスクＲＯＭ上に格納されている「像データ処理」を実行し、続いて、ステップ＃５０５，＃５０６で立ち上がり時間を待つことなくフラッシュメモリ上に格納された「相関演算」及び「距離情報算出」を実行し、測距動作を完了する。そして、最後にステップ＃５０７にて、前記フラッシュメモリ用電源をオフし、測距プログラムのフローを終了する。
【００３６】
図２の撮影シーケンスのフローに戻り、上記のステップ＃００２での測距動作を完了した後はステップ＃００３へ進み、ここでは測光装置３により被写体の輝度測定（測光処理）を行う。そして、次のステップ＃００４にて、上記スイッチＳＷ１がオンされたままであるかの判定を行い、オンされたままであればステップ＃００５へ進み、オフされている場合はステップ＃００１へ戻る。
【００３７】
ステップ＃００５へ進むと、レリーズボタンの第２ストロークが押されてスイッチＳＷ２がオンしているかの判定を行い、オンしていなければ上記ステップ＃００４へ戻るが、オンしていればステップ＃００６へ進み、マイコン１は上記被写体輝度情報等を基に設定された露出情報により、シャッタ制御装置４および必要に応じてストロボ制御装置７を用いて露光動作を行う。その後はステップ＃００７へ進み、フィルムの巻上げを行う為に給送制御回路８を介して不図示の給送モータを駆動して給送動作（撮影駒の巻き上げ動作）を行い、一連の撮影シーケンスを終了する。
【００３８】
なお、本実施の形態においては、操作スイッチ状態検出動作、および測距動作時における、フラッシュメモリへの通電制御について説明を行ったが、これに限られることではなく、給送動作作など、他のカメラ動作の場合においても同様である。
【００３９】
例えば、１駒巻き上げ時の給送プログラムは、フィルムの位置を検出する為のフォトセンサへの通電を行う「センサ駆動動作」、フィルムを１駒駆動する為にモータへの通電制御を行う「モータ駆動動作」、モータ通電開始後、フォトセンサからの出力によりフィルム位置の検出を行う「フィルム位置検出動作」、該フィルム位置検出動作によりフィルムの停止位置が検出された際に、モータへの通電を禁止しフィルムを所定位置に停止させる「モータ停止動作」のように制御が進み、「センサ駆動動作ブロック」、「フィルム位置検出動作ブロック」等、センサのバラツキに応じて、調整を必要とするプログラムに関しては、電気的に読み書き可能であるフラッシュメモリに格納されており、「モータ駆動動作ブロック」、「モータ停止動作ブロック」等のプログラムに関してはマスクＲＯＭに格納されている。
【００４０】
また、フラッシュメモリの電源制御について説明を行ったが、その他の内蔵メモリについても同様の制御を行っても良い。
【００４１】
例えば、フラッシュメモリの代わりに、やはり立ち上げに時間を要するＥＥＰＲＯＭを使用した場合についても同様の制御を行うことが可能である。
【００４２】
つまり、電子機器が所定の動作を行う際に、その動作に必要なプログラムが書き換え可能なフラッシュメモリやＥＥＰＲＯＭに格納されていない場合は、これらフラッシュメモリやＥＥＰＲＯＭの電源を切っておくことで無駄な電力の消費を防止することができ、その動作に必要なプログラムがフラッシュメモリ等にも格納されている場合には、常にフラッシュメモリ等の電源を入れておくことでこれらメモリの立ち上げ時間を省略することができ、迅速に電子機器を作動させることができる。
【００４３】
さらに、複数のメモリについて、電源の制御を行う場合には、消費電流が大きいメモリについては上記実施の形態で述べた電源制御を行い、消費電流が小さいメモリについては常時通電を行うという制御にしても良い。
【００４４】
つまり、相対的に消費電力の大きな（もしくは消費電力が所定値より大きな）メモリに関しては、電子機器が所定の動作を行う際に、その動作に必要なプログラムが格納されている場合にのみ通電を行い、相対的に消費電力の小さな（もしくは消費電力が所定値より小さな）メモリに関しては、その動作に必要なプログラムが格納されているかどうかに関わらず通電を行う。
【００４５】
相対的に消費電力が小さいメモリであれば、その動作に必要なプログラムが格納されていない場合に通電を行っていても無駄な電力の消費は抑えられる。
【００４６】
相対的に消費電力が大きいメモリであれば、上述したフラッシュメモリと同様にその動作に必要なプログラムが格納されている場合にのみ通電を行うことで、無駄な電力の消費を防ぐことになる。
【００４７】
以上の実施の第１の形態によれば、測距動作のように複数の不揮発性記憶手段であるメモリにアクセスして実行されるカメラ動作の場合には、メモリのアクセス時に該アクセス先のメモリに通電を行うのではなく、一連の動作開始前に電源をオンしておく事により、不要なメモリ立ち上がり時間を削除することが可能となる。また、操作スイッチの状態検出動作など、複数のメモリにアクセスする必要がない機能を実行中には、アクセスする必要のないメモリの電源はオフしておくことにより、このメモリでの消費電流は無くすことが可能となる。
【００４８】
つまり、複数のメモリにアクセスしながら動作する制御プログラム（測距プログラム等）の実行時には、アクセス時に動作速度を損なうことを無くすことができ、アクセスせずに特定のメモリ上のみで動作可能な制御プログラム（操作スイッチ検出動作等）の実行時には、この制御プログラムの実行中にアクセスされないメモリでの消費電流を無くすことができるカメラ用制御装置を提供可能となる。
【００４９】
（実施の第２の形態）
上記実施の第１の形態で述べたフラッシュメモリの電源制御を行うことにより、測距動作時には該フラッシュメモリの立ち上がり時間の影響を取り除くことが可能となる。しかし、上記実施の第１の形態では、フラッシュメモリへのアクセスが不要である「初期化動作」、「像データ処理」の制御ブロック実行時においても該フラッシュメモリへの通電が行われている為に、その期間、フラッシュメモリでは不要な消費電流が生じることとなる。
【００５０】
本発明の実施の第２の形態では、メモリの立ち上がり時間がカメラ機能の実行上影響を与えないようなカメラ動作の場合には、その実行がフラッシュメモリにアクセスする直前に該フラッシュメモリに対して通電を行うようにして、省電化を図ろうとするものである。
【００５１】
また、カメラ機能上、フラッシュメモリの立ち上がり時間が影響を及ぼすようなカメラ動作の場合には、上記実施の第１の形態で述べた通り、各カメラ動作開始時にフラッシュメモリへの通電を行い、その動作中には該フラッシュメモリへ常時通電する電源制御を行うものである。
【００５２】
この実施の第２の形態においても、測距プログラムのメモリ上の配置は図３（ｂ）に示す通りである。
【００５３】
以下、本発明の実施の第２の形態における測距動作時のフラッシュメモリの電源制御の一例（該測距動作が、メモリの立ち上がり時間がカメラ機能の実行上影響を与えないようなものとした場合）について、図７のフローチャート及び図８のフラッシュメモリへの電源制御のタイミングチャートを用いて説明する。
【００５４】
測距動作の各制御ブロックの実行に要する時間をそれぞれ、図８に示す様に、「初期化」：ｔ１、「蓄積動作」：ｔ２、「像データ処理」：ｔ３、「相関演算」：ｔ４、「距離情報算出演算」：ｔ５であるとする。この時、フラッシュメモリへのアクセス時に該フラッシュメモリに対して通電を行うとすると、測距動作トータルで要する時間ｔＡＦ１は、各制御プログラムの実行に要する時間ｔ1 〜ｔ５の和に、フラッシュメモリの立ち上がり時間Δｔの２倍を加えた値となる。
【００５５】
ここで、カメラの各機能においてはそれぞれ要求される動作速度があり、測距動作においては、レリーズタイムラグを所定時間以内にする為に、例えば、ｔＡＦ１を２００ｍＳ以内で実現したいという要求がある。この時、「ｔＡＦ１＜２００ｍＳ」を満たしているとするならば、フラッシュメモリの立ち上がり時間を含めても、要求動作速度を満たすことが可能である。したがって、この場合には、測距開始時からフラッシュメモリへの電源を常時オンしておくのではなく、フラッシュメモリへのアクセス時、具体的には、「蓄積動作」及び「像データ処理」と「距離情報算出」ブロック実行前に、フラッシュメモリへの通電を行うことにより、要求動作速度を満たし、且つ、フラッシュメモリでの不要な消費電流を削減することが可能となる。
【００５６】
これを実現するための動作について、図７のフローチャートを用いて説明する。なお、測距プログラムのスタート時には、フラッシュメモリに対して通電の開始は行っていない。
【００５７】
まずステップ＃７０１にて、マスクＲＯＭ上に格納された「初期化動作」を実行する。そして、次のステップ＃７０２にて、フラッシュメモリ上に格納された「蓄積動作」を実行するために、図１に示したフラッシュメモリアクセス制御回路を介してフラッシュメモリ用電源をオンにしてフラッシュメモリに対して通電を行う。続くステップ＃７０３では、フラッシュメモリの立ち上がり時間（Δｔ）の経過後、該フラッシュメモリ上に格納された「蓄積動作」を実行する。
【００５８】
次のステップ＃７０４では、上記フラッシュメモリ用電源をオフし、続くステップ＃７０５にて、マスクＲＯＭ上に格納された「像データ処理」を実行する。そして、次のステップ＃７０６にて、フラッシュメモリ上に格納された「相関演算」及び「距離情報算出」をそれぞれ実行するのに先駆けて、上記フラッシュメモリに対して再度通電を行う。そして、ステップ＃７０７，＃７０８にて、上記フラッシュメモリの立ち上がり時間経過後、該フラッシュメモリ上に格納された「相関演算」及び「距離情報算出」を実行する。最後に、ステップ＃７０９にて、上記フラッシュメモリ用電源をオフし、測距プログラムのフローを終了する。
【００５９】
一方、ｔＡＦ１が「ｔＡＦ１＜２００ｍＳ」を満たしていないとするならば、すなわちフラッシュメモリへのアクセス直前に該フラッシュメモリへ通電を行った際に要求動作速度を満たさない場合には、図１０に示す通り、測距開始時からフラッシュメモリへの電源を常時オンしておく。これにより、図８と図１０の比較より明らかなように、上記の省電化は期待できないが、フラッシュメモリの立ち上がり時間２Δｔを削除することが可能となり、動作速度の短縮を実現することができる。
【００６０】
これを実現するための動作について、つまり該測距動作が、メモリの立ち上がり時間がカメラ機能の実行上影響を与えてしまうようなものとした場合の動作について、図９のフローチャートを用いて説明する。
【００６１】
ステップ＃８０１にて、図１に示したフラッシュメモリアクセス制御回路を介してフラッシュメモリ用電源をオンにしてフラッシュメモリに対して通電を開始し、アクセス可能状態としておく。そして、次のステップ＃８０２にて、マスクＲＯＭ上に格納された「初期化動作」を実行する。続くステップ＃８０３では、フラッシュメモリ上に格納された「蓄積動作」を実行する。ここで、測距プログラム開始時にフラッシュメモリの電源は通電されていることから、立ち上がり時間を待つことなく「蓄積動作」を直ちに実行することが可能である。
【００６２】
次のステップ＃８０４では、マスクＲＯＭ上に格納された「像データ処理」を実行し、続いてステップ＃８０５，＃８０６にて、フラッシュメモリの立ち上がり時間を待つことなく該フラッシュメモリ上に格納された「相関演算」及び「距離情報算出」を実行し、測距動作を完了する。最後に、ステップ＃８０７にて、上記フラッシュメモリ用電源をオフし、測距プログラムのフローを終了する。
【００６３】
なお、この実施の第２の形態においては、測距動作時におけるフラッシュメモリへの通電制御について説明を行ったが、これに限られることではなく、給送動作など、他のカメラ動作の場合においても同様である。
【００６４】
また、フラッシュメモリの電源制御について説明を行ったが、立ち上げに時間を要するその他の内蔵メモリ（例えばＥＥＰＲＯＭ）を使用した場合についても同様の制御を行うことが可能である。
【００６５】
以上の実施の第２の形態によれば、複数のメモリにアクセスしながら動作し、且つ、所定動作速度以上を要求される制御プログラムの実行時（図７及び図８参照）には、アクセス時に動作速度を損なうことを無くして前記所定動作速度以上の動作を保証し、一方、アクセスせずに特定のメモリ上のみで動作可能な制御プログラムを実行時（図９及び図１０参照）には、前記制御プログラムの実行中にアクセスされないメモリでの消費電流を極力削減することができるカメラ用制御装置を提供可能となる。
【００６６】
（実施の第３の形態）
本発明の実施の第３の形態では、フラッシュメモリの立ち上がり時間を正確に考慮して該フラッシュメモリの電源制御を行うことにより、消費電流を削減し、且つ、メモリの立ち上がり時間の影響による動作速度の低下を取り除く制御を可能にしようとするものである。マスクＲＯＭ上でのみ動作する制御プログラムについては、上記実施の第１の形態の場合と同様であるのでその説明は省略する。
【００６７】
また、この実施の第３の形態においても、測距プログラムのメモリ上の配置は図３（ｂ）に示す通りである。
【００６８】
以下、本発明の実施の第３の形態における測距動作時のフラッシュメモリの電源制御について、図１１のフラッシュメモリへの電源制御のタイミングチャートを用いて説明する。
【００６９】
フラッシュメモリは通電後、アクセス可能となるまでに所定期間、つまりΔｔの時間を要する。したがって、Δｔ以前に該フラッシュメモリに対する通電を開始しておくことにより、動作時間における該フラッシュメモリの立ち上がりに対する待ち時間を削除することが可能となる。
【００７０】
測距シーケンスが開始されると、まず「初期化動作」が行われ、この「初期化動作」はマスクＲＯＭ上で実行されるため、フラッシュメモリへのアクセスは不要である。しかしながら、次ステップの「蓄積動作」はフラッシュメモリ上で実行されるために該フラッシュメモリへのアクセスが必要である。
【００７１】
そこで、「蓄積動作」へ移行するΔｔ以前のステップ、すなわち「初期化動作」内の制御プログラム上でフラッシュメモリへの通電を開始する。これにより、「蓄積動作」への移行時には、該フラッシュメモリはアクセス可能状態となっており、メモリの立ち上がりに対する待ち時間を削除することが可能となる。
【００７２】
同様に、次のステップの「像データ処理」はマスクＲＯＭ上で実行されるので、はじめはフラッシュメモリの電源はオフしておき、該フラッシュメモリ上で実行される「相関演算」及び「距離情報算出」へ移行するΔｔ以前のステップ、すなわち「像データ処理」内の制御プログラム上で、該フラッシュメモリへの通電を開始する。これにより、「蓄積動作」への移行時には、フラッシュメモリはアクセス可能状態となっており、メモリの立ち上がりに対する待ち時間を削除することが可能となる。
【００７３】
なお、この実施の形態においても、測距動作時におけるフラッシュメモリへの通電制御について説明を行ったが、これに限られることではなく、給送動作など、他のカメラ動作の場合においても同様である。
【００７４】
また、フラッシュメモリの電源制御について説明を行ったが、立ち上げに時間を要するその他の内蔵メモリ（例えばＥＥＰＲＯＭ）を使用した場合についても同様の制御を行うことが可能である。
【００７５】
以上の実施の第３の形態によれば、複数のメモリにアクセスしながら動作する制御プログラムの実行時において、アクセス先のメモリに対して事前に（メモリ立ち上がり時間であるΔｔ以前）通電を開始しておく、つまりアクセス先のメモリが直ちに適正に使用可能である状態にしておくようにしているので、アクセス時に動作速度を損なうことを無くすことができ（メモリ立ち上がり時間Δｔを無くすことができるので）、しかもそのメモリの消費電流を極力削減することができるカメラ用制御装置を提供できるものである。
【００７６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、制御プログラムを実行するための制御ブロックがそれぞれ記憶される複数の不揮発性メモリにアクセスしながら動作する制御プログラムを実行する際に、不揮発性メモリへのアクセスのために生じる制御プログラムの処理時間の増大を防止するとともに、制御プログラム実行の時における不揮発性メモリ全体の消費電力を極力削減することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の各形態に係るカメラの主要部分の回路構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の実施の各形態に関わるカメラの撮影シーケンスの概略を示すフローチャートである。
【図３】本発明の実施の各形態に係るカメラに具備される複数のメモリと各制御プログラムの関係を示す図である。
【図４】本発明の実施の各形態に係るカメラに具備されるアクティブＡＦシステムの概略図である。
【図５】本発明の実施の第１の形態に関わるカメラの測距動作の概略を示すフローチャートである。
【図６】図５の測距動作時におけるフラッシュメモリに対する通電状態を示すタイミングチャートである。
【図７】本発明の実施の第２の形態に関わるカメラにおいて「ｔＡＦ１＜２００ｍＳ」を満たしている際の測距動作の概略を示すフローチャートである。
【図８】図７の測距動作時におけるフラッシュメモリに対する通電状態を示すタイミングチャートである。
【図９】本発明の実施の第２の形態に関わるカメラにおいて「ｔＡＦ１＜２００ｍＳ」を満たしていない際の測距動作の概略を示すフローチャートである。
【図１０】図９の測距動作時におけるフラッシュメモリに対する通電状態を示すタイミングチャートである。
【図１１】本発明の実施の第２の形態に関わるカメラの測距動作時におけるフラッシュメモリに対する通電状態を示すタイミングチャートである。
【符号の説明】
１      マイコン
２      測距装置
３      測光装置
４      シャッタ制御装置
６      電源回路
７      ストロボ制御装置
８      給送制御回路
【図１】
0004078107.tif 000002
【図２】
0004078107.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
0004078107.tif 000009
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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