【事件の表示】
　特許第６１１７５４１号発明「紫外線発光素子」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６１１７５４１号の明細書及び特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正明細書及び特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１−２５〕について訂正することを認める。
　特許第６１１７５４１号の請求項１ないし２５に係る特許を維持する。
【理　由】
１　手続の経緯
　特許第６１１７５４１号の請求項１ないし２５に係る特許についての出願は、平成２４年１２月１３日に出願され、平成２９年３月３１日にその特許権の設定登録がされ、同年４月１９日に特許掲載公報が発行された。その後、その特許について、同年１０月１８日に特許異議申立人田島仁により特許異議の申立てがされ、同年１１月１６日に特許異議申立人田島仁により上申書が提出され、当審は、平成３０年２月２６日付け（３月１日発送）で取消理由を通知した。特許権者は、その指定期間内である同年５月２９日に意見書の提出及び訂正の請求を行い、当審は、同年６月１９日付け（６月２２日発送）で訂正拒絶理由を通知した。特許権者は、その指定期間内である同年８月３日に意見書及び手続補正書を提出した。
　なお、同年８月１４日付けで当審から特許異議申立人に特許法第１２０条の５第５項の規定に基づく書面等を送付し、期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが、特許異議申立人から応答はなかった。
２　訂正の適否についての判断
（１）訂正の趣旨及び訂正の内容
　平成３０年８月３日付け手続補正によって補正された、平成３０年５月２９日付けの本件訂正請求書における請求の趣旨は、「特許第６１１７５４１号の特許請求の範囲を、本訂正請求書に添付した訂正明細書及び特許請求の範囲とおり、訂正後の請求項１〜２５について訂正することを求める。」というものであり、その訂正（以下、「本件訂正」という。また、平成３０年８月３日付け手続補正によって補正された、平成３０年５月２９日付けの本件訂正請求書による訂正請求を「本件訂正請求」という。）の内容は以下のア〜サのとおりである（下線部は訂正箇所を示す。以下、同じ。）
ア　訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１に「前記第１導電型半導体層と前記第１電極層との間に配置されるオーミック層と、を含み」と記載されているのを、「前記第１導電型半導体層と前記第１電極層との間に配置されるオーミック層と、
前記第１電極層の上に配置される第１電極と、前記第２電極層の上に配置される第２電極と、
イ　訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項１に「前記第１及び第２電極層のうちの少なくとも１つは反射層を含み、前記オーミック層は、前記活性層の周りに沿って配置される閉ループ形状（closed-loop shape）であり」と記載されているのを、「前記第１及び第２電極層のうちの少なくとも１つは反射層を含み、
第１領域は、第２導電型半導体層及び前記活性層が順次に、前記第１導電型半導体層も部分的にメサエッチングされたことによって露出した前記第１導電型半導体層の領域であり、且つ、前記第１電極と前記第２電極の間の領域であって前記オーミック層が配置されている領域を含み、
ウ　訂正事項３
　特許請求の範囲の請求項１に「前記オーミック層は、前記第１導電型半導体層の側面に接するように配置され」と記載されているのを、「前記オーミック層は、前記第１導電型半導体層の
前記メサエッチングによって露出された
して
エ　訂正事項４
　特許請求の範囲の請求項１１に「前記第１導電型半導体層は前記活性層が接する中央領域と前記活性層が接しない周辺領域を含む」と記載されているのを、「前記第１導電型半導体層は前記活性層が接する中央領域
を含み、前記第１領域は
と
ない
第１
オ　訂正事項５
　特許請求の範囲の請求項１４に「前記オーミック層の面積は、前記第１電極層の面積と同一または小さい」と記載されているのを、「前記オーミック層の面積は、前記第１電極層の面積と同一または
前記第１電極層の面積より
カ　訂正事項６
　特許請求の範囲の請求項１６を削除する。
キ　訂正事項７
　特許請求の範囲の請求項１７を請求項１６の従属形式請求項から請求項１の従属請求項に変更する。
ク　訂正事項８
　特許請求の範囲の請求項２１を削除する。
ケ　訂正事項９
　特許請求の範囲の請求項２４に「前記第２反射層」及び「第１反射層」と記載されているのを、それぞれ「前記第２電極層」及び「前記第１電極層」に訂正する。
コ　訂正事項１０
　明細書の段落【００５６】に「メサエッチングされて露出した第１導電型半導体層１５の周辺領域を第１領域４１と命名し、メサエッチングされず、そのままに残った活性層１７と第２導電型半導体層１９またはメサエッチングによりされていない第１導電型半導体層１５だけでなく、上記露出していない第１導電型半導体層１５の中央領域に対応する活性層１７及び第２導電型半導体層１９が形成された領域を第２領域４３と命名する。」と記載されているのを、「メサエッチングされて露出した第１導電型半導体層１５の周辺領域を第１領域４１と命名し、メサエッチングされず、そのままに残った活性層１７と第２導電型半導体層１９またはメサエッチングにより
露出
サ　訂正事項１１
　明細書の段落【０１１７】に「このような場合、上記第１導電型半導体層１５の背面が上記活性層１７の側面から遠く離隔するように上記第１導電型半導体層１５をより深くエッチングしてくれることができる。」と記載されているのを、「このような場合、上記第１導電型半導体層１５の背面が上記活性層１７の側面か
ら離
（２）本件訂正請求は、一群の請求項〔１〜２５〕に対して請求されたものである。また、明細書に係る訂正は、一群の請求項〔１〜２５〕について請求されたものである。
　したがって、訂正前の請求項１〜２５は、特許法第１２０条の５第４項に規定する一群の請求項に該当する。
　よって、訂正事項１〜１１に係る訂正の請求は、特許法第１２０条の５第４項の規定に適合する。
（３）訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
ア　訂正事項１について
（ア）訂正の目的の適否
　訂正前の請求項１に係る特許発明では、「紫外線発光素子」が「第１電極」及び「第２電極」を含むことについては何ら特定されていない。
　これに対して、訂正事項１は、請求項１に、紫外線発光素子が「前記第１電極層の上に配置される第１電極と、前記第２電極層の上に配置される第２電極と、」を含むことを限定することで、特許請求の範囲を減縮しようとするものである。
　よって、訂正事項１は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
（イ）新規事項の有無
　訂正事項１は、明細書の段落【００９２】に基づいて導き出される構成であるから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。
（ウ）特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　訂正事項１は、訂正後の請求項１に係る発明並びに訂正後の請求項１を引用する訂正後の請求項２〜１５、１７〜２０及び２２〜２５に係る発明の技術的範囲を狭めるものであるにとどまり、それらのカテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。
イ　訂正事項２について
（ア）訂正の目的の適否
　訂正前の請求項１に係る特許発明では、「前記第１導電型半導体層の第１領域」については何ら特定されていない。
　これに対して、訂正事項２は、請求項１に、「前記第１領域は、前記第２導電型半導体層及び前記活性層が順次に、前記第１導電型半導体層も部分的にメサエッチングされたことによって露出した前記第１導電型半導体層の領域であり、且つ、前記第１電極と前記第２電極の間の領域であって前記オーミック層が配置されている領域を含み、」との記載を追加することにより、「第１領域」が、「前記第２導電型半導体層及び前記活性層が順次に、前記第１導電型半導体層も部分的にメサエッチングされたことによって露出した前記第１導電型半導体層の領域であり、且つ、前記第１電極と前記第２電極の間の領域であって前記オーミック層が配置されている領域を含」むことを限定することで、特許請求の範囲を減縮しようとするものである。
　よって、訂正事項２は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
（イ）新規事項の有無
　訂正事項２は、明細書の段落【００５３】〜【００５６】並びに図面の図４及び６に基づいて導き出される構成であるから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。
（ウ）特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　訂正事項２は、請求項１〜１５、１７〜２０及び２２〜２５に係る発明のカテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。
ウ　訂正事項３について
（ア）訂正の目的の適否
　訂正事項３は、訂正前の請求項１における「前記オーミック層は、前記第１導電型半導体層の側面に接するように配置され」との記載を「前記オーミック層は、前記第１導電型半導体層の前記メサエッチングによって露出された側面に接して配置され」との記載に訂正することにより、「オーミック層」が「接するように配置される」「第１導電型半導体層の側面」を限定しようとするものである。
　よって、訂正事項３は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
（イ）新規事項の有無
　訂正事項３は、明細書の段落【０１０９】及び【０１１７】に基づいて導き出される構成であるから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。
（ウ）特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　訂正事項３は、請求項１〜１５、１７〜２０及び２２〜２５に係る発明の技術的範囲を明確にするものであるにとどまり、それらのカテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。
エ　訂正事項４について
（ア）訂正の目的の適否
　訂正事項４は、訂正前の請求項１１における「前記第１導電型半導体層は前記活性層が接する中央領域と前記活性層が接しない周辺領域を含む」との記載を、「前記第１導電型半導体層は前記活性層が接する中央領域を含み、前記第１領域は前記活性層と接しない」との記載に訂正するとともに、特許請求の範囲の請求項１２における「前記中央領域は前記周辺領域に対して下方に突出する」との記載を、「前記中央領域は前記第１領域に対して下方に突出する」との記載に訂正することにより、訂正前の請求項１１及び１２における「周辺領域」が、訂正後の請求項１〜１５、１７〜２０及び２２〜２５に係る発明における「第１領域」と同一の構成であることを明確にするものである。
　よって、訂正事項４は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。
（イ）新規事項の有無
　訂正事項４は、明細書の段落【００５６】に基づいて導き出される構成であるから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。
（ウ）特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　訂正事項４は、請求項１１及び１２に係る発明の技術的範囲を明確にするものであるにとどまり、それらのカテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。
オ　訂正事項５について
（ア）訂正の目的の適否
　訂正事項５は、訂正前の請求項１４における「前記オーミック層の面積は、前記第１電極層の面積と同一または小さい」との記載を、「前記オーミック層の面積は、前記第１電極層の面積と同一または前記第１電極層の面積より小さい」との記載に訂正することにより、「オーミック層の面積」と比較されている対象が「第１電極層の面積」であることを明確にするものである。
　よって、訂正事項５は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。
（イ）新規事項の有無
　訂正事項５は、明細書の段落【０１２０】に基づいて導き出される構成であるから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。
（ウ）特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　訂正事項５は、請求項１４に係る発明の技術的範囲を明確にするものであるにとどまり、それらのカテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。
カ　訂正事項６について
（ア）訂正の目的の適否
　訂正事項６は、訂正前の請求項１６の記載を削除するものである。
　したがって、訂正事項６は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
（イ）新規事項の有無
　訂正事項６は、訂正前の請求項１６の記載を削除するものであるから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。
（ウ）特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　訂正事項６は、訂正前の請求項１６の記載を削除するのみであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
キ　訂正事項７について
（ア）訂正の目的の適否
　訂正事項７は、請求項１７を訂正前の請求項１６を引用する形式から請求項１を引用する形式に変更するものである。
　当該訂正事項は、上記カの訂正事項６に付随するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。
（イ）新規事項の有無
　訂正事項７は、実質的に見て、請求項１７に係る特許発明の技術的範囲を変更するものではないから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。
（ウ）特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　訂正事項７は、実質的に見て、請求項１７に係る特許発明の技術的範囲を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
ク　訂正事項８について
（ア）訂正の目的の適否
　訂正事項８は、訂正前の請求項２１の記載を削除するものである。
　したがって、訂正事項８は、特許法第１２０条の２第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
（イ）新規事項の有無
　訂正事項８は、訂正前の請求項２１の記載を削除するものであるから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。
（ウ）特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　訂正事項８は、訂正前の請求項２１の記載を削除するのみであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
ケ　訂正事項９について
（ア）訂正の目的の適否
　訂正事項９は、訂正前の請求項２４における「前記第２反射層」及び「第１反射層」との記載を、それぞれ「前記第２電極層」及び「前記第１電極層」との記載に訂正するものである。
　訂正前の請求項２４が引用する請求項１には「第２反射層」の語句は記載されていないところ、訂正事項９は、訂正前の請求項２４に存在した誤記又は誤訳を解消するとともに、訂正前の請求項２４における「前記第２反射層」及び「第１反射層」がそれぞれ訂正後の請求項１〜１５、１７〜２０及び２２〜２５に係る発明における「第２電極層」及び「第１電極層」と同一の構成であることを明確にするものである。
　よって、訂正事項９は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第２号に掲げる誤記又は誤訳の訂正、及び／又は、同第３号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。
（イ）新規事項の有無
　訂正事項９は、明細書の段落【００７７】に基づいて導き出される構成であるから、当該訂正事項６は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。
（ウ）特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　訂正事項９は、請求項２４に係る発明のカテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。
コ　訂正事項１０について
（ア）訂正の目的の適否
　訂正事項１０は、明細書の段落【００５６】における「メサエッチングによりされていない第１導電型半導体層１５」との記載を「メサエッチングにより露出されていない第１導電型半導体層１５」との記載に訂正することにより、段落【００５６】に存在した誤記又は誤訳を訂正するものである。
　よって、訂正事項１０は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第２号に掲げる誤記又は誤訳の訂正を目的とするものである。
（イ）新規事項の有無
　訂正事項１０は、明細書の段落【００５６】及び図面の図１〜７に基づいて導き出される構成であるから、当該訂正事項１０は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。
（ウ）特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　訂正事項１０は、請求項５〜１３及び２５に係る発明のカテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。
サ　訂正事項１１について
（ア）訂正の目的の適否
　訂正事項１１は、明細書の段落【０１１７】における「このような場合、上記第１導電型半導体層１５の背面が上記活性層１７の側面から遠く離隔するように上記第１導電型半導体層１５をより深くエッチングしてくれることができる」との記載を「このような場合、上記第１導電型半導体層１５の背面が上記活性隔するように上記第１導電型半導体層１５はより深くエッチングされる層１７の側面から離隔するように上記第１導電型半導体層１５はより深くエッチングされることがある。」との記載に訂正することにより、段落【０１１７】に存在した誤記又は誤訳を訂正するものである。
　よって、訂正事項１１は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第２号に掲げる誤記又は誤訳の訂正を目的とするものである。
（イ）新規事項の有無
　訂正事項１１は、明細書の段落【０１１７】及び図面の図１〜７に基づいて導き出される構成であるから、当該訂正事項１１は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。
（ウ）特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　訂正事項１１は、請求項１〜１５、１７〜２０及び２２〜２５に係る発明のカテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。
シ　特許出願の際に独立して特許を受けることができること
　本件においては、訂正前の全ての請求項１〜２５に係る特許が特許異議の申立ての対象とされているため、訂正事項１〜１１に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項に規定する独立特許要件は課されない。
（４）明細書又は図面の訂正と関係する請求項についての説明
　上記（３）コ（ア）に記載したとおり、訂正事項１０は、誤記又は誤訳の訂正を目的とするものであり、これは請求項５及び６並びに請求項５を引用する請求項７〜１３、１６、１７、２４及び２５に関係する訂正である。
　また、上記サ（ア）に記載したとおり、訂正事項１１は、誤記又は誤訳の訂正を目的とするものであり、これは請求項１及び請求項１を引用する請求項２〜２５に関係する訂正である。
　ここで訂正事項１０及び１１に係る請求項の全てを含む一群の請求項である請求項１〜２５が訂正請求の対象とされている。
　よって、訂正事項１０及び１１は、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第４項の規定に適合するものである。
（５）小括
　以上のとおりであるから、本件訂正請求による訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号ないし第３号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第４項、及び同条第９項において準用する同法第１２６条第４項ないし第６項の規定に適合し、また、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の規定に適合する。
　したがって、明細書、特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正明細書、特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１〜２５〕について訂正することを認める。
３　訂正後の本件発明
　本件訂正請求により訂正された請求項１ないし２５に係る発明（以下、順に「本件訂正発明１」ないし「本件訂正発明２５」という。）は、本件訂正により訂正された訂正特許請求の範囲の請求項１ないし２５に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
「　【請求項１】
　基板と、
　前記基板の上に配置され、多数の化合物半導体層を含み、前記化合物半導体層は少なくとも第１導電型半導体層、活性層、及び第２導電型半導体層を含む発光構造物と、
　前記第１導電型半導体層の第１領域の上に配置される第１電極層と、
　前記第２導電型半導体層の上に配置される第２電極層と、
　前記第１導電型半導体層と前記第１電極層との間に配置されるオーミック層と、
　前記第１電極層の上に配置される第１電極と、
　前記第２電極層の上に配置される第２電極と、を含み、
　前記第１電極層は前記活性層の側面から離隔するように配置され、
　前記第１電極層は前記活性層の周りに沿って配置され、
　前記第１及び第２電極層のうちの少なくとも１つは反射層を含み、
　前記第１領域は、前記第２導電型半導体層及び前記活性層が順次に、前記第１導電型半導体層も部分的にメサエッチングされたことによって露出した前記第１導電型半導体層の領域であり、且つ、前記第１電極と前記第２電極の間の領域であって前記オーミック層が配置されている領域を含み、
　前記オーミック層は、前記活性層の周りに沿って配置される閉ループ形状（ｃｌｏｓｅｄ−ｌｏｏｐ　ｓｈａｐｅ）であり、
　前記オーミック層は、前記第１導電型半導体層の前記メサエッチングによって露出された側面に接して配置されることを特徴とする、紫外線発光素子。
　　【請求項２】
　前記第１電極層は、１つまたは２つ以上の層を含むことを特徴とする、請求項１に記載の紫外線発光素子。
　　【請求項３】
　前記第１電極層は２４０ｎｍ乃至３６０ｎｍの波長を有する紫外線光を反射させる物質を含むことを特徴とする、請求項１に記載の紫外線発光素子。
　　【請求項４】
　前記物質は不透明な金属物質であることを特徴とする、請求項３に記載の紫外線発光素子。
　　【請求項５】
　前記活性層と前記第１導電型半導体層と前記第２導電型半導体層がオーバーラップする第２領域を含むことを特徴とする、請求項１に記載の紫外線発光素子。
　　【請求項６】
　前記第１領域に配置された前記第１電極層の上面を含む平面と、前記第２領域に配置された前記第２電極層の下面を含む平面との間の垂直距離は、少なくとも前記第２領域の前記活性層及び前記第２導電型半導体層の厚さより大きいことを特徴とする、請求項５に記載の紫外線発光素子。
　　【請求項７】
　前記第１導電型半導体層は前記活性層の側面を基準に外方に延びることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の紫外線発光素子。
　　【請求項８】
　少なくとも前記活性層と前記第２導電型半導体層の厚さに対応する深さを有するグルーブ（ｇｒｏｏｖｅ）をさらに含むことを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の紫外線発光素子。
　　【請求項９】
　前記グルーブは、前記活性層と前記第２導電型半導体層の周りに沿って前記第１導電型半導体層の背面の上に形成されることを特徴とする、請求項８に記載の紫外線発光素子。
　　【請求項１０】
　前記第１電極層の背面は前記活性層の上面より高い位置に配置されることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の紫外線発光素子。
　　【請求項１１】
　前記第１導電型半導体層は前記活性層が接する中央領域を含み、
　前記第１領域は前記活性層と接しないことを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の紫外線発光素子。
　　【請求項１２】
　前記中央領域は前記第１領域に対して下方に突出することを特徴とする、請求項１１に記載の紫外線発光素子。
　　【請求項１３】
　前記活性層及び前記第２導電型半導体層の側面の１つまたは２つ以上の領域は外方に突出することを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の紫外線発光素子。
　　【請求項１４】
　前記オーミック層の面積は、前記第１電極層の面積と同一または前記第１電極層の面積より小さいことを特徴とする、請求項１に記載の紫外線発光素子。
　　【請求項１５】
　前記発光構造物の側面上に配置される保護層をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の紫外線発光素子。
　　【請求項１６】（削除）
　　【請求項１７】
　前記第１電極は前記第１電極層より高い電気伝導度を有することを特徴とする、請求項１に記載の紫外線発光素子。
　　【請求項１８】
　前記保護層は、前記第１領域に配置された前記第１導電型半導体層上に配置されることを特徴とする、請求項１５に記載の紫外線発光素子。
　　【請求項１９】
　前記オーミック層は前記活性層の周りに沿って前記第１導電型半導体層の背面の上に配置されることを特徴とする、請求項１に記載の紫外線発光素子。
　　【請求項２０】
　前記オーミック層は前記第１電極層により囲まれることを特徴とする、請求項１に記載の紫外線発光素子。
　　【請求項２１】（削除）
　　【請求項２２】
　前記オーミック層の幅は前記第１電極層の幅と相異することを特徴とする、請求項１に記載の紫外線発光素子。
　　【請求項２３】
　前記第１電極層は前記オーミック層の側面と背面を両方ともカバーすることを特徴とする、請求項１に記載の紫外線発光素子。
　　【請求項２４】
　前記第２電極層と前記活性層との間の距離は前記第１電極層と前記活性層との間の距離より大きいことを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の紫外線発光素子。
　　【請求項２５】
　フリップ型に構成されたことを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の紫外線発光素子。」
４　取消理由通知に記載した取消理由について
（１）取消理由の概要
　訂正前の請求項１及び２に係る特許に対して、当審が平成３０年２月２６日に特許権者に通知した取消理由の要旨は、次のとおりである。
　＜取消理由１＞ 
　　本件特許は、明細書の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。
　＜取消理由２＞ 
　　本件特許は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。
　　　　　　　　　　　　　　　記
　１　取消理由２（特許法第３６条第６項第２号：明確性要件）
　　請求項１、１１及び請求項１、１１を直接的又は間接的に引用する請求項２〜１０、１２〜２５に係る発明が、明確でないから、本件特許発明１、１１及び請求項１、１１を直接的又は間接的に引用する本件特許発明２〜１０、１２〜２５の特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、取り消されるべきものである。
　２　取消理由１（特許法第３６条第４項第１号：実施可能要件） 
　（１）明細書の発明の詳細な説明の段落【０１１７】には、「図示してはいないが、上記活性層１７との電気的なショートが発生しなければ、上記オーミック層２５は上記第１導電型半導体層１５の側面に接するように形成されることもできる。このような場合、上記第１導電型半導体層１５の背面が上記活性層１７の側面から
遠く離隔するように上記第１導電型半導体層１５をより深くエッチングしてくれることができる
離隔するように上記第１導電型半導体層１５はより深くエッチングされることがある
　（２）明細書の発明の詳細な説明の段落【００５６】には、「メサエッチングされて露出した第１導電型半導体層１５の周辺領域を第１領域４１と命名し、メサエッチングされず、そのままに残った活性層１７と第２導電型半導体層１９または
メサエッチングによりされていない第１導電型半導体層１５
　　下線部の当該記載は、日本語として意味が不明である（「
メサエッチングにより露出されていない第１導電型半導体層１５
　　よって、本件は、明細書の発明の詳細な説明が、当業者が本願の請求項１、５及び請求項１、５を直接的又は間接的に引用する請求項２〜４、６〜２５に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されていない特許出願に対してされたものである。
（２）当審の判断
ア　取消理由１（特許法第３６条第４項第１号の違反）について
（ア）本件訂正により、訂正前の明細書の段落【０１１７】の「このような場合、上記第１導電型半導体層１５の背面が上記活性層１７の側面から
遠く離隔するように上記第１導電型半導体層１５をより深くエッチングしてくれることができる
離隔するように上記第１導電型半導体層１５はより深くエッチングされることがある
　また、訂正前の段落【００５６】の「
メサエッチングによりされていない第１導電型半導体層１５
メサエッチングにより露出されていない第１導電型半導体層１５
　それにより、発明の詳細な説明は、当業者が本願の請求項１、５及び請求項１、５を直接的又は間接的に引用する請求項２〜４、６〜２５に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されているものとなり、発明の詳細な説明の記載は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしている。
（イ）以上のとおりであるから、本件訂正発明１ないし２５に係る特許は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしている特許出願に対してされたものであり、取消理由１によっては、本件訂正発明１ないし２５に係る特許を取り消すことができない。
イ　取消理由２（特許法第３６条第６項第２号の違反）について
（ア）本件訂正の訂正事項４により、訂正前の特許請求の範囲の請求項１１の「前記第１導電型半導体層は前記活性層が接する中央領域と前記活性層が接しない周辺領域を含む」との記載は、「前記第１導電型半導体層は前記活性層が接する中央領域
を含み、前記第１領域は
と
ない
第１
　それにより、請求項１、１１及び請求項１、１１を直接的又は間接的に引用する請求項２〜１０、１２〜２５に係る発明は、明確となり、請求項１〜２５の記載は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしている。
（イ）以上のとおりであるから、本件訂正発明１ないし２５に係る特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしている特許出願に対してされたものであり、取消理由２によっては、本件訂正発明１ないし２５に係る特許を取り消すことができない。
５　取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由について
（１）申立ての理由１（特許法第２９条第２項違反）について
ア　特許異議申立人は、特許異議申立書において、本件特許発明１の発明特定事項ＡからＫは、甲１発明〜甲３発明と一致し、したがって、本件特許発明１は、甲１発明〜甲３発明から当業者にとって容易想到であり、進歩性があるとはいえない、また、本件特許発明２から２５は、甲１発明から甲１１発明に基づいて当業者が容易に想到できたものであり、進歩性があるとはいえない旨（申立ての理由１）を主張している。
イ（ア）甲第１号証（特開２００６−５２１５号公報）は、「基板と、該基板上に配置された半導体層とを有し、該半導体層は、前記基板側から順に積層された第１導電型の半導体層と、発光層と、第２導電型の半導体層と、前記第１および第２導電型の半導体層に接するようにそれぞれ配置された第１および第２の電極とを含み、前記基板は、発光層の放出光に対して透明であり、前記半導体層の端面は、前記第１導電型の半導体層の端面に設けられた、前記基板面に略平行な第１のテラスと、前記第１のテラスよりも前記基板側に設けられた、前記基板面に対して傾斜した端面領域とを含み、前記第１の電極は光反射性であり、前記傾斜した端面領域に配置され、前記発光層から放出された光を前記基板に向かって反射することを特徴とする半導体発光素子。」（請求項１参照）を開示している。
（イ）甲第１号証の図２、３、６、２０は、以下のとおりである。
（ウ）また、甲第１号証の図２、３を参照すると、図２０に示された発光素子において、発光層１０２は、ｐ型オーミック電極１０５の下方（基板側に）のｐ型窒化物半導体層１０３のさらに下方にあり、ｎ型オーミック電極１０４はｐ型オーミック電極の周りに沿って配置されていることが見てとれるから、甲第１号証には、ｎ型オーミック電極１０４は発光層の周りに沿って配置されていることが開示されているといえる。
（エ）さらに、甲第１号証には、図２０に示された発光素子において、ｎ形オーミック電極１０４の上にｎ型電極パッド１０７が配置されていることが見てとれる。
（オ）甲第１号証の段落【００２７】、【００３０】、【００３１】の第１の実施の形態についての記載、段落【００５０】〜【００５５】（特に段落【００５４】）、【００５９】〜【００６１】（特に段落【００６１】）及び段落【０１００】の記載並びに図２、３、６、１０を勘案すると、甲第１号証は、段落【００９６】及び図２０に示された第３の実施の形態について、以下の発明（以下「引用発明」という。）を開示していると認められる。
「基板と、該基板上に配置された半導体層とを有し、該半導体層は、前記基板側から順に積層された第１導電型の半導体層と、発光層と、第２導電型の半導体層と、前記第１および第２導電型の半導体層に接するようにそれぞれ配置された第１および第２の電極とを含み、前記基板は、発光層の放出光に対して透明であり、前記半導体層の端面は、前記第１導電型の半導体層の端面に設けられた、前記基板面に略平行な第１のテラスと、前記第１のテラスよりも前記基板側に設けられた、前記基板面に対して傾斜した端面領域とを含み、前記第１の電極は光反射性であり、前記傾斜した端面領域に配置され、前記発光層から放出された光を前記基板に向かって反射する半導体発光素子であって、
　予め前記半導体層が形成されたウエハ状の基板にレジスト層を形成した後、レジスト端部を傾斜させ、この基板を、ＲＩＥ装置で前記半導体層を所定の深さまでドライエッチングして、前記半導体層の端面を傾斜形状にし、最後にレジスト層を溶解除去、洗浄すると、第１のテラスまでの形状が前記予め形成された前記半導体層に加工されたものであり、
　第１の電極はｎ型オーミック電極であり、ｎ型オーミック電極は発光層の周りに沿って配置され、
　ｎ型オーミック電極の上にｎ型電極パッドが配置され、
　前記第１のテラスを設けることにより、ｎ型オーミック電極と発光層の端面と距離を基板面と略平行な方向について大きくとり、かつ、層厚方向には接近させ、
　波長３８０ｎｍから赤外光を発する、半導体発光素子。」
ウ　本件訂正発明１と引用発明とを対比する。
（ア）甲第１号証には、「半導体層」の具体例として、窒化物半導体層１１が記載されており、また、段落【０１００】の記載及び技術常識を勘案すると、引用発明の「第１導電型の半導体層」、「発光層」及び、「第２導電型の半導体層」は、本件訂正発明１の「多数の化合物半導体層」に相当するとともに、引用発明の「第１導電型の半導体層」、「発光層」、「第２導電型の半導体層」及び「半導体層」は、それぞれ、本件訂正発明１の「第１導電型半導体層」、「活性層」、「第２導電型半導体層」及び「発光構造物」に相当する。
（イ）引用発明の「第１の電極」、「第２の電極」、「ｎ型電極パッド」は、それぞれ本件訂正発明１の「第１電極層」、「第２電極層」、「第１電極」に相当する。また、引用発明１の「第１の電極は光反射性であり」、「前記発光層から放出された光を前記基板に向かって反射する」から、本件訂正発明１と引用発明とは「第１電極層は反射層を含」む点で共通する。
（ウ）引用発明は、「ｎ型オーミック電極は発光層の周りに沿って配置され」たものであるから、本件訂正発明１と引用発明とは、「前記第１電極層は前記活性層の周りに沿って配置され」たものである点で一致する。
　また、引用発明は、「ｎ型オーミック電極と発光層の端面と距離を基板面と略平行な方向について大きくとり、かつ、層厚方向には接近させ」たものであるから、ｎ型オーミック電極（第１電極層）は発光層の側面から離隔するように配置されたものであるといえる。
　したがって、本件訂正発明１と引用発明とは、「前記第１電極層は前記活性層の側面から離隔するように配置され」たものである点で一致する。
（エ）引用発明は、「前記半導体層の端面は、前記第１導電型の半導体層の端面に設けられた、前記基板面に略平行な第１のテラスと、前記第１のテラスよりも前記基板側に設けられた、前記基板面に対して傾斜した端面領域とを含み」、「予め前記半導体層が形成されたウエハ状の基板にレジスト層を形成した後、レジスト端部を傾斜させ、この基板を、ＲＩＥ装置で前記半導体層を所定の深さまでドライエッチングして、前記半導体層の端面を傾斜形状にし、最後にレジスト層を溶解除去、洗浄すると、第１のテラスまでの形状が前記予め形成された前記半導体層に加工されたものであり」、「この基板を、ＲＩＥ装置で前記半導体層を前記所定の深さまでドライエッチングして、前記半導体層の端面を傾斜形状」にすることは、本件訂正発明１の「前記第１導電型半導体層も部分的にメサエッチングされたことによって露出」することに相当する。引用発明の「第１のテラス」の領域が、本件訂正発明１の「第１領域」に相当する。
　したがって、本件訂正発明１と引用発明とは、「前記第１導電型半導体層の第１領域の上に配置される第１電極層」を含み、「前記第１領域は、前記第２導電型半導体層及び前記活性層が順次に、前記第１導電型半導体層も部分的にメサエッチングされたことによって露出した前記第１導電型半導体層の領域であ」る点で一致する。
（オ）引用発明の半導体発光素子は、「波長３８０ｎｍから赤外光を発する」から、本件訂正発明１の「紫外線発光素子」に相当する。
（カ）以上をまとめると、本件訂正発明１と引用発明の一致点及び相違点は次のとおりである。
＜一致点＞
「基板と、
　前記基板の上に配置され、多数の化合物半導体層を含み、前記化合物半導体層は少なくとも第１導電型半導体層、活性層、及び第２導電型半導体層を含む発光構造物と、
　前記第１導電型半導体層の第１領域の上に配置される第１電極層と、
　前記第２導電型半導体層の上に配置される第２電極層と、
　前記第１電極層の上に配置される第１電極と、を含み、
　前記第１電極層は前記活性層の側面から離隔するように配置され、
　前記第１電極層は前記活性層の周りに沿って配置され、
　前記第１及び第２電極層のうちの少なくとも１つは反射層を含み、
　前記第１領域は、前記第２導電型半導体層及び前記活性層が順次に、前記第１導電型半導体層も部分的にメサエッチングされたことによって露出した前記第１導電型半導体層の領域である、紫外線発光素子。」
＜相違点＞
＜相違点１＞
　本件訂正発明１は、「前記第２電極層の上に配置される第２電極」を含むのに対し、引用発明では、第２の電極の上に配置される「第２電極」を含むことは特定されていない点。
＜相違点２＞
　本件訂正発明１は、「前記第１導電型半導体層と前記第１電極層との間に配置されるオーミック層」を含み、（前記第１導電型半導体層の）「前記第１領域」は、「前記第１電極と前記第２電極の間の領域であって前記オーミック層が配置されている領域を含み」、「前記オーミック層は、前記活性層の周りに沿って配置される閉ループ形状（ｃｌｏｓｅｄ−ｌｏｏｐ　ｓｈａｐｅ）であり」、「前記オーミック層は、前記第１導電型半導体層の前記メサエッチングによって露出された側面に接して配置される」のに対し、引用発明では、そのようなオーミック層を含むことについて特定されていない点。
エ　次に、上記相違点について検討する。
（ア）事案に鑑み、まず、相違点２について検討する。
　引用発明において、「第１の電極」（本件訂正発明１の「第１電極層」に相当。）は「ｎ型オーミック電極」であるから、さらに「オーミック層」を配置する動機付けを見出すことはできない。
　しかも、引用発明は、「テラスを設けることにより、ｎ型オーミック電極と発光層の端面と距離を基板面と略平行な方向について大きくとり、かつ、層厚方向には接近させ」たものであり、さらに、甲第１号証の段落【００４３】には、図６について、「ｎ型オーミック電極１０４は、光強度が弱い領域１２９の傾斜端面上における最外側位置１０１ａから、サファイア基板１００までの傾斜端面の区間を被覆すればよい。…（略）…ｎ型窒化物半導体層１０１の傾斜端面のみをｎ型オーミック電極１０４で被覆することにより、横伝搬光をサファイア基板１００の裏面（出射面）１００１ａから効率よく取り出すことができる。」と記載されているところ、さらなる「オーミック層」を、「第１導電型の半導体層」（本件訂正発明１の「第１導電型半導体層」に相当。）とｎ型オーミック電極である「第１の電極」との間であって、ドライエッチングして、傾斜形状にされた「半導体層の端面」（本件訂正発明１の「前記メサエッチングされたことによって露出された側面」に相当。）に「接して配置」することを、当業者が容易になし得たとはいえない。
　したがって、引用発明において、相違点２に係る本件訂正発明１の構成を採用することは当業者が容易になし得たことではない。
（イ）よって、相違点１について検討するまでもなく、本件訂正発明１は、引用発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
オ　以上のとおりであるから、本件特許発明１ないし２５に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反していない特許出願に対してされたものであり、申立ての理由１によっては、本件特許発明１ないし２５に係る特許を取り消すことができない。
（２）申立ての理由２（特許法第３６条第４項第１号違反）及び申立ての理由４（特許法第３６条第６項第１号違反）について
ア（ア）特許異議申立人は、特許異議申立書において、本件特許発明１の「第１導電型半導体層」は、ｎ型半導体層であると認められる、一方、本件明細書段落【０１１０】に「オーミック層」に使用できるとして記載された素材には、例えば、ＩＴＯ等、ｐ型のオーミック層に用いられる材料が含まれており、ｐ型のオーミック層に用いられる材料を含むオーミック層を備える本件特許発明１は、当業者が製造できるように記載されたものではなく、使用できるように記載されたものでもない、したがって、本件明細書の発明の詳細な説明は、本件特許発明１を当業者が実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものとはいえない旨（申立ての理由２）を主張している。
（イ）また、「オーミック層が第１導電型半導体層の側面に接する」構成を示す実施例の記載がなく、かつ当該実施例と、「オーミック層が第１導電型半導体層の側面に接しない」構成を示す比較例との効果における差異が明らかにされていないので、当業者が本件特許発明１〜２５を実施できる程度に明確かつ十分に記載されているとはいえず、また、本件特許発明１〜２５は、発明の詳細な説明に記載された発明とはいえない旨（申立ての理由２、４）を主張している。
イ　上記ア（ア）について、本件明細書の段落【００２１】には、「前記発光構造物２０は多数の化合物半導体層を含むことができる。上記化合物半導体層のうちの１つの層は光を生成する活性層１７であり、他の層は上記活性層１７に供給してくれるための第１キャリア、即ち電子を生成する第１導電型半導体層１５であり、更に他の層は上記活性層１７に供給してくれるための第２キャリア、即ち正孔を生成する第２導電型半導体層１９であることがあるが、これに対して限定するものではない。上記電子と上記正孔との再結合により上記活性層で光が生成できる。」と記載されている。したがって、本件明細書には、第１導電型半導体層１５の供給キャリアと第２導電型半導体層の供給キャリアとの再結合により活性層で光が生成できれば、第１導電型半導体層１５の供給キャリアである第１キャリアは、電子ではなく正孔であってもよく、「第１導電型半導体層１５」は、ｎ型半導体層には限定されない構成が開示されていることと認められる。
　そして、本件明細書の段落【０１１０】には、第１導電型半導体層１５により定義された第１領域４１に形成されるオーミック層２５に用いられる物質として、ＩＴＯ等、ｐ型のオーミック層に用いられる材料（甲第１２〜１５号証を参照。）が挙げられている。
　よって、本件明細書の発明の詳細な説明は、本件訂正発明１を当業者が実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであるといえる。
ウ　上記ア（イ）について、本件訂正後の訂正明細書の段落【０１１７】には、「図示してはいないが、上記活性層１７との電気的なショートが発生しなければ、
上記オーミック層２５は上記第１導電型半導体層１５の側面に接するように形成される
　したがって、第１導電型半導体層１５の背面を、活性層１７の側面から離隔するように、第１導電型半導体層１５を十分深くエッチングしてから、オーミック層２５を第１導電型半導体層１５の側面に接するように形成することにより、本件訂正発明１の「前記オーミック層は、前記第１導電型半導体層の側面に接するように配置される」との構成を当業者であれば実施することができるものと認められる。
　よって、本件明細書の発明の詳細な説明は、本件訂正発明１を当業者が実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであり、また、本件訂正発明１の「オーミック層が第１導電型半導体層の側面に接する」構成は、発明の詳細な説明に記載されたものであるといえる。
エ　以上のとおりであるから、本件訂正発明１ないし２５に係る特許は、特許法第３６条第４項第１号及び同条第６項第１号に規定する要件を満たしている特許出願に対してされたものであり、申立ての理由２、４によっては、本件訂正発明１ないし２５に係る特許を取り消すことができない。
（３）申立ての理由３（特許法第３６条第６項第２号違反）について
ア　特許異議申立人は、特許異議申立書において、訂正前の特許請求の範囲に関し、請求項１に記載の「前記オーミック層は、前記第１導電型半導体層の側面に接するように配置される」は、本件明細書の段落【０１１６】に記載の「上記オーミック層２５は上記活性層１７と最大限近く形成される」ことを満たす種々の構成の中からあえて「オーミック層は、前記第１導電型半導体層の側面に接するように配置される」構成を選択して特定したことの技術的な理由が不明確であり（構成の不明確性）、また、本件特許発明１において、「オーミック層」が「第１導電型半導体層の側面に接するように配置される」ように構成することの技術的意義が不明である（技術的意義の不明確性）旨を主張している。
イ　しかしながら、本件訂正後の訂正明細書の段落【０１１７】には、「図示してはいないが、上記活性層１７との電気的なショートが発生しなければ、
上記オーミック層２５は上記第１導電型半導体層１５の側面に接するように形成される
　したがって、本件訂正発明１の「前記オーミック層は、前記第１導電型半導体層の側面に接するように配置される」の範囲は明確であり、本件訂正発明１を明確に把握できる。
　よって、本件訂正発明１ないし２５は、明確である。
ウ　以上のとおりであるから、本件訂正発明１ないし２５に係る特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしている特許出願に対してされたものであり、申立ての理由３によっては、本件訂正発明１ないし２５に係る特許を取り消すことができない。
６　むすび
　以上のとおりであるから、取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、本件請求項１ないし２５に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１ないし２５に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成３０年１１月８日（２０１８．１１．８）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
紫外線発光素子
　【技術分野】
　【０００１】
　本発明は、紫外線発光素子に関するものである。
　【背景技術】
　【０００２】
　発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ：ＬＥＤ）は電流を光に変換させる半導体発光素子である。
　【０００３】
　半導体発光素子は高輝度を有する光を得ることができるので、ディスプレイ用光源、自動車用光源、及び照明用光源に幅広く使われている。
　【０００４】
　近来、紫外線を出力できる紫外線発光素子が提案された。
　【０００５】
　紫外線光は紫外線発光素子の外部に射出することもあるが、多量の紫外線光が外部に射出できず、紫外線発光素子の内部で吸収または消滅されるので、光抽出効率が低いという問題がある。
　【発明の概要】
　【発明が解決しようとする課題】
　【０００６】
　本発明の目的は、光抽出効率が向上した紫外線発光素子を提供することにある。
　【課題を解決するための手段】
　【０００７】
　本発明の紫外線発光素子は、基板、上記基板の下に配置され、多数の化合物半導体層を含み、上記化合物半導体層は少なくとも第１導電型半導体層、活性層、及び第２導電型半導体層を含む発光構造物、上記第１導電型半導体層の下に配置される第１電極層、及び上記第２導電型半導体層の下に配置される第２電極層を含む。上記第１電極層は上記活性層の側面から離隔するように配置され、上記活性層の周りに沿って配置される。上記第１及び第２電極層のうちの少なくとも１つは反射層でありうる。
　【０００８】
　本発明の紫外線発光素子は、基板、上記基板の下に配置され、多数の化合物半導体層を含み、上記化合物半導体層は少なくとも第１導電型半導体層、活性層、及び第２導電型半導体層を含み、上記第１導電型半導体層の背面は中央領域及び上記中央領域を囲み、上記周辺領域に対して突出する周辺領域を含み、上記中央領域の上に上記活性層及び上記第２導電型半導体層が配置される発光構造物、上記第１導電型半導体層の周辺領域の下に配置される第１電極層、上記活性層の側面と上記第１電極層との間に配置される保護層、及び上記第２導電型半導体層の下に配置される第２電極層を含む。上記第１電極層は上記活性層の周りに沿って配置され、上記第１及び第２電極層のうち、少なくとも１つは反射層でありうる。
　【０００９】
　本発明の紫外線発光素子は、発光領域と上記発光領域を囲む非発光領域を含む基板、上記基板の下に配置され、多数の化合物半導体層を含み、上記化合物半導体層は少なくとも第１導電型半導体層、活性層、及び第２導電型半導体層を含み、上記発光領域の下に上記第１導電型半導体層、活性層、及び第２導電型半導体層が形成され、上記非発光領域の下に上記第１導電型半導体層が形成される発光構造物、上記非発光領域の上記第１導電型半導体層の背面に配置されるオーミック層、上記非発光領域の上記第１導電型半導体層と上記オーミック層の下に配置される第１電極層、及び上記第２導電型半導体層の下に配置される第２電極層を含む。上記オーミック層及び上記上記第１電極層は上記活性層の側面から離隔するように配置され、上記第１及び第２電極層のうちの少なくとも１つは反射層でありうる。
　【００１０】
　本発明の発光素子パッケージは、胴体、上記胴体の上に配置される第１及び第２リード電極、上記第１及び第２リード電極のうち、いずれか１つのリード電極の上に配置される紫外線発光素子、及び上記発光素子を囲んで配置されるモールディング部材を含む。上記紫外線発光素子は前述した技術的特徴を含むことができる。
　【発明の効果】
　【００１１】
　本発明によれば、光抽出効率が向上した紫外線発光素子を得ることができる。
　【図面の簡単な説明】
　【００１２】
　【図１】本発明の第１実施形態に従う紫外線発光素子を示す底面図である。
　【図２】図１の紫外線発光素子を示す断面図である。
　【図３】図１の紫外線発光素子で紫外線光が射出する形態を示す図である。
　【図４】本発明の第２実施形態に従う紫外線発光素子を示す底面図である。
　【図５】図４の紫外線発光素子を示す断面図である。
　【図６】本発明の第３実施形態に従う紫外線発光素子を示す底面図である。
　【図７】図６の紫外線発光素子を示す断面図である。
　【図８】本発明の第４実施形態に従う紫外線発光素子を示す底面図である。
　【図９】本発明の第５実施形態に従う紫外線発光素子を示す底面図である。
　【図１０】本発明の実施形態に従う発光素子パッケージを示す断面図であ
る。
　【発明を実施するための形態】
　【００１３】
　本発明を説明するに当たって、各層（膜）、領域、パターン、または構造物が、基板、各層（膜）、領域、パッド、またはパターンの“上（ｏｎ）”に、または“下（ｕｎｄｅｒ）”に形成されることと記載される場合において、“上（ｏｎ）”と“下（ｕｎｄｅｒ）”は、“直接（ｄｉｒｅｃｔｌｙ）”または“他の層を介して（ｉｎｄｉｒｅｃｔｌｙ）”の意味を全て含む。また、各層の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。
　【００１４】
　以下、添付された図面を参照して実施形態を説明すれば、次の通りである。図面において、各層の厚さやサイズは説明の便宜及び明確性のために誇張、省略、または概略的に図示された。また、各構成要素のサイズは実際のサイズを必ずしも全体的に反映するものではない。
　【００１５】
　以下の紫外線発光素子は、基板が上に配置され、第１及び第２電極２７、２９が下に配置されるフリップ型紫外線発光素子に限定して説明しているが、これに対しては限定するものではない。
　【００１６】
　以下の紫外線発光素子は２４０ｎｍ乃至３６０ｎｍの深紫外線（ｄｅｅｐ　ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光を生成するが、これに対しては限定するものではない。
　【００１７】
　図１は本発明の第１実施形態に従う紫外線発光素子を示す底面図であり、図２は図１の紫外線発光素子を示す断面図である。
　【００１８】
　図１及び図２を参照すると、第１実施形態に従う紫外線発光素子１０は、基板１１、第１導電型半導体層１５、活性層１７、第２導電型半導体層１９、第１及び第２電極層２１、２３、及び第１及び第２電極２７、２９を含む。
　【００１９】
　第１実施形態に従う紫外線発光素子１０はフリップ型発光素子であることがあるが、これに対しては限定するものではない。
　【００２０】
　上記第１導電型半導体層１５、上記活性層１７、及び上記第２導電型半導体層１９により発光構造物２０が形成される。
　【００２１】
　上記発光構造物２０は多数の化合物半導体層を含むことができる。上記化合物半導体層のうちの１つの層は光を生成する活性層１７であり、他の層は上記活性層１７に供給してくれるための第１キャリア、即ち電子を生成する第１導電型半導体層１５であり、更に他の層は上記活性層１７に供給してくれるための第２キャリア、即ち正孔を生成する第２導電型半導体層１９であることがあるが、これに対して限定するものではない。上記電子と上記正孔との再結合により上記活性層で光が生成できる。例えば、上記第１導電型半導体層１５は上記活性層１７の上に配置され、上記第２導電型半導体層１９は上記活性層１７の下に配置されることがあるが、これに対しては限定するものではない。
　【００２２】
　上記紫外線発光素子１０は、上記基板１１と上記第１導電型半導体層１５との間の格子定数差による格子不整合を緩和させてくれるために、上記基板１１と上記第１導電型半導体層１５との間にバッファ層１３をさらに含むことができるが、これに対しては限定する
ものではない。
　【００２３】
　上記バッファ層１３により上記基板１１の上に形成された上記第１導電型半導体層１５、上記活性層１７、及び上記第２導電型半導体層１９に欠陥、例えばクラック（ｃｒａｃｋｓ）、ボイド（ｖｏｉｄ）、グレーン（ｇｒａｉｎ）、及び屈曲（ｂｏｗｉｎｇ）が発生しない。
　【００２４】
　図示してはいないが、上記バッファ層１３と上記第１導電型半導体層１５との間にドーパントを含まないアンドープ半導体層がさらに含まれることができるが、これに対しては限定するものではない。
　【００２５】
　上記バッファ層１３、上記第１導電型半導体層１５、活性層１７、及び第２導電型半導体層１９は、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体材質で形成されることがあるが、これに対しては限定するものではない。
　【００２６】
　上記化合物半導体材質には、例えば、Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ、及びＮを含むことができるが、これに対しては限定するものではない。
　【００２７】
　上記基板１１は熱伝導性及び／または透過度に優れる材質で形成されることがあるが、これに対しては限定するものではない。例えば、上記基板１１はサファイア（Ａｌ２Ｏ３）、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＧａＮ、ＺｎＯ、Ｓｉ、ＧａＰ、ＩｎＰ、及びＧｅからなるグループから選択された少なくとも１つで形成されることがあるが、これに対しては限定するものではない。
　【００２８】
　上記基板１１または上記バッファ層１３の下に上記第１導電型半導体層１５が形成される。
　【００２９】
　上記第１導電型半導体層１５は、例えば、ｎ型ドーパントを含むｎ型半導体層であることがあるが、これに対しては限定するものではない。上記第１導電型半導体層１５は、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体材質、例えばＩｎＡｌＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、及びＡｌＩｎＮからなるグループから選択された少なくとも１つを含むことができるが、これに対しては限定するものではない。上記ｎ型ドーパントはＳｉ、Ｇｅ、またはＳｎを含むことができるが、これに対しては限定するものではない。
　【００３０】
　上記第１導電型半導体層１５は、例えば電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎｓ）を上記活性層１７に供給してくれるための導電層としての役割をし、上記第２導電型半導体層１９から上記活性層１７に供給された、例えば正孔（ｈｏｌｅｓ）が上記バッファ層１３に越えないようにする障壁層としての役割をすることができる。
　【００３１】
　上記第１導電型半導体層１５に高濃度のドーパントがドーピングされることで、電子が自由に移動できる導電層としての役割をすることができる。
　【００３２】
　上記第１導電型半導体層１５は、上記活性層１７と等しいか大きいバンドギャップを有する化合物半導体材質で形成することによって、活性層１７の正孔がバッファ層１３に越えないようにする障壁層としての役割をすることができる。
　【００３３】
　上記第１導電型半導体層１５の下に上記活性層１７が形成される。
　【００３４】
　上記活性層１７は、例えば上記第１導電型半導体層１５から供給された電子と上記第２導電型半導体層１９から供給された正孔とを再結合させて紫外線光を発光させることができる。紫外線光の生成のために上記活性層１７は少なくともワイドバンドギャップを有しなければならない。例えば、第１実施形態によれば、上記活性層１７は２４０ｎｍ乃至３６０ｎｍ以下の波長を有する深紫外線（ｄｅｅｐ　ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光を生成することができるが、これに対しては限定するものではない。
　【００３５】
　上記活性層１７は単一量子井戸構造（ＳＱＷ）、多重量子井戸構造（ＭＱＷ）、量子点構造、及び量子線構造のうち、いずれか１つを含むことができる。
　【００３６】
　上記活性層１７は紫外線光を生成するためのエネルギーバンドのバンドギャップを有するＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を井戸層と障壁層の周期で反復形成できるが、これに対しては限定するものではない。
　【００３７】
　例えば、ＩｎＧａＮ井戸層／ＧａＮ障壁層の周期、ＩｎＧａＮ井戸層／ＡｌＧａＮ障壁層の周期、ＩｎＧａＮ井戸層／ＩｎＧａＮ障壁層の周期などで形成される。上記障壁層のバンドギャップは上記井戸層のバンドギャップより大きく形成される。上記活性層１７の下に上記第２導電型半導体層１９が形成される。
　【００３８】
　上記第２導電型半導体層１９は、例えばｐ型ドーパントを含むｐ型半導体層であることがあるが、これに対しては限定するものではない。上記第２導電型半導体層１９は、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体材質、例えばＩｎＡｌＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、及びＡｌＩｎＮからなるグループから選択された少なくとも１つを含むことができるが、これに対しては限定するものではない。上記ｐ型ドーパントは、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｓｒ、またはＢａを含むことができるが、これに対しては限定するものではない。
　【００３９】
　上記第２導電型半導体層１９は、正孔を上記活性層１７に供給してくれるための導電層としての役割をすることができる。
　【００４０】
　上記第２導電型半導体層１９に高濃度のドーパントがドーピングされることで、正孔が自由に移動できる導電層としての役割をすることができる。
　【００４１】
　上記活性層１７の電子が上記第２導電型半導体層１９に越えて来ないようにするために上記活性層１７と上記第２導電型半導体層１９との間に第３導電型半導体層が形成されることがあるが、これに対しては限定するものではない。
　【００４２】
　より確実に、上記第３導電型半導体層とは別に、活性層１７の電子が上記第２導電型半導体層１９に越えないようにするために、上記活性層１７と上記第２導電型半導体層１９または上記第３導電型半導体層との間に電子遮断層が形成されることがあるが、これに対しては限定するものではない。
　【００４３】
　例えば、上記第３導電型半導体層と上記電子遮断層はＡｌＧａＮで形成されることがあるが、これに対しては限定するものではない。例えば、上記電子遮断層は少なくとも上記第２導電型半導体層または上記第３導電型半導体層のバンドギャップより大きいバンドギャップを有することができるが、これに対しては限定するものではない。
　【００４４】
　例えば、上記第３導電型半導体層と上記電子遮断層がＡｌＧａＮで形成される場合、上記電子遮断層が上記第３導電型半導体層より大きいバンドギャップを有するようにするために、上記電子遮断層が上記第３導電型半導体層より高いＡｌ含量を有することができるが、これに対しては限定するものではない。
　【００４５】
　上記活性層１７及び上記第２導電型半導体層１９の側面の１つまたは２つ以上の領域は外方に突出形成されることがあるが、これに対しては限定するものではない。
　【００４６】
　上記第１導電型半導体層１５の側面と上記活性層１７及び上記第２導電型半導体層１９の側面との間の距離は一定でないことがあるが、これに対しては限定するものではない。即ち、上記第１導電型半導体層１５の側面と上記活性層１７及び上記第２導電型半導体層１９の側面との間の距離は位置によって変わることができる。
　【００４７】
　フリップ型紫外線発光構造において、紫外線光が側方乃至上記基板１１側の前方に進行されることが好ましい。
　【００４８】
　フリップ型紫外線発光構造において、活性層１７で生成された紫外線光は全ての方向に進行される。
　【００４９】
　紫外線光の一部は基板１１がある上方または前方に進行されず、上記第２導電型半導体層１９がある下方に進行されることがある。下方に進行された光は前方に進行されるようにしなければ、結局、紫外線発光素子１０の内で吸収または消滅されて、光抽出効率が格段に低下する問題が発生する。
　【００５０】
　特に、図３に示すように、紫外線光が基板１１側の上方に進行されても基板１１の屈折率と空気の屈折率との差と紫外線光の波長により、紫外線光が基板１１の上面を通じて外部に射出することもあるが、紫外線光の一部は基板１１の上面で反射されて側方や下方に進行されて、結局、紫外線発光素子１０の内で吸収または消滅されたりする。
　【００５１】
　第１実施形態はこのような問題を解消するために第１及び第２電極層２１、２３を備えて、活性層１７から下方に進行された紫外線光を上方に反射させ、活性層１７から上方に進行されて基板１１の上面で反射された紫外線光をまた上方に反射させることができる。
　【００５２】
　上記第１電極層２１は上記第１導電型半導体層１５の背面の上に形成され、上記第２電極層２３は上記第２導電型半導体層１９の背面の上に形成される。
　【００５３】
　上記第１電極層２１を上記第１導電型半導体層１５の背面の上に形成できるようにするために、上記活性層１７と上記第２導電型半導体層１９で覆われた上記第１導電型半導体層１５を露出させなければならない。
　【００５４】
　即ち、上記第１導電型半導体層１５が露出するように上記第２導電型半導体層１９と上記活性層１７が順次にメサエッチングできる。
　【００５５】
　メサエッチングにより上記第１導電型半導体層１５も部分的にエッチングされることがあるが、これに対しては限定するものではない。上記第１導電型半導体層１５の中央領域は上記第１導電型半導体層１５の周辺領域に対して下方に突出形成される。上記周辺領域は、上記中央領域を囲むことがあるが、これに対しては限定するものではない。
　【００５６】
　メサエッチングされて露出した第１導電型半導体層１５の周辺領域を第１領域４１と命名し、メサエッチングされず、そのままに残った活性層１７と第２導電型半導体層１９またはメサエッチングにより
露出
　【００５７】
　上記第１領域４１は、上記第２導電型半導体層１９、上記活性層１７、及び上記第１導電型半導体層１５の一部領域が除去されたグルーブを含むことができる。即ち、上記グルーブは少なくとも上記活性層１７及び上記第２導電型半導体層１９の厚さ位の深さに形成される。したがって、上記グルーブは上記第２領域４３、即ち、発光領域の周りに沿って形成されることがあるが、これに対しては限定するものではない。言い換えると、上記グルーブは上記活性層１７及び上記第２導電型半導体層１９の周りに沿って形成される。上記グルーブは上記活性層１７及び上記第２導電型半導体層１９の側面の上に形成される。
　【００５８】
　上記第１導電型半導体層１５のサイズは上記活性層１７及び上記第２導電型半導体層１９のサイズより大きいことがあるが、これに対しては限定するものではない。上記第１導電型半導体層１５は上記活性層１７及び上記第２導電型半導体層１９の側面を基準に外方に延長形成される。このように延長形成された第１導電型半導体層１５の上にグルーブが形成される。
　【００５９】
　一方、上記第１及び第２領域４１、４３は上記基板１１の上に定義されることもできる。したがって、上記基板１１の第１領域４１の上に第１導電型半導体層１５が形成され、上記基板１１の第２領域４３の上に第１導電型半導体層１５、活性層１７、及び第２導電型半導体層１９が形成される。このような場合、上記第２領域４３の第１導電型半導体層１５の背面は上記第１領域４１の第１導電型半導体層１５の背面に対して下方に突出することがあるが、これに対しては限定するものではない。
　【００６０】
　上記第２領域４３は、図１に示すように、十字形状に形成されることがあるが、これに対しては限定するものではない。
　【００６１】
　例えば、第２領域４３は円形状（図８）または星形状（図９）に形成される。
　【００６２】
　通常的に、第２領域４３は四角形状を有する。このような四角形状に比べて、十字形状、円形状、及び星形状は、露出した外部に活性層１７の側面の面積がより拡大されて光抽出効率がより向上することができる。
　【００６３】
　上記第１電極層２１は、上記第１導電型半導体層１５の背面、即ち第１領域４１の上に形成される。
　【００６４】
　例えば、上記第１電極層２１は外部に露出した上記第１導電型半導体層１５の全領域に形成される。
　【００６５】
　また、上記第１電極層２１による上記第１及び第２導電型半導体層１５、１９の間の電気的なショートを避けるために、上記第１電極層２１の端部は第２領域４３の端部、即ち上記エッチングされた第１導電型半導体層１５または活性層１７の側面から離隔するように形成される。
　【００６６】
　上記第１電極層２１の背面は上記活性層１７の上面より高い位置に配置される。このために、上記活性層１７に接する上記第１導電型半導体層１５の中央領域は、上記活性層１７が接しない上記第１導電型半導体層１５の周辺領域に対して下方に突出することがあるが、これに対しては限定するものではない。
　【００６７】
　上記第１電極層２１による上記第１及び第２導電型半導体層１５、１９の間の電気的なショートを完全に除去するために、図７に示すように、第２領域４３の第１導電型半導体層１５の側面、活性層１７の側面、第２導電型半導体層１９の側面、及び第２電極層２３の側面に保護層３１が形成されることもあるが、これに対しては限定するものではない。
　【００６８】
　併せて、上記保護層３１は第１領域４１の上記第１導電型半導体層１５の背面の一部領域と上記第１電極層２１の背面の一部領域、そして第２領域４３の上記第２電極層２３の背面の一部領域に形成されることもあるが、これに対しては限定するものではない。
　【００６９】
　言い換えると、上記保護層３１は上記エッチングされた発光構造物、即ち第１導電型半導体層１５、活性層１７、及び第２導電型半導体層１９の側面の周りに沿って形成されることがあるが、これに対しては限定するものではない。
　【００７０】
　上記第１電極層２１は上記活性層１７から上記基板１１に進行され、上記基板１１の上面により反射されて下方に進行された紫外線光を反射させる役割をすることができるが、これに対しては限定するものではない。
　【００７１】
　上記活性層１７で生成された紫外線光は四方に進行され、上記紫外線光の一部は上記基板１１がある上方または前方に進行できる。上記基板１１に進行された紫外線光は上記基板１１の上面を通じて外部に射出することもあるが、紫外線光の一部は上記基板１１の上面により反射されて下方に進行できる。上記下方に進行された紫外線光は上記第１電極層２１によりまた反射されて上方に進行されて上記基板１１の上面を通じて、または側方を通じて外部に射出できる。
　【００７２】
　主波長帯の狭い紫外線光の場合、基板１１の上面により内部に反射される紫外線光が無視できない程度に大きい。また、上記第１導電型半導体層１５が露出した第１領域４１が上記第１導電型半導体層１５が露出しない第２領域４３より相対的に大きい面積を占めることができる。即ち、上記第１領域４１の面積は上記第２領域４３の面積より大きいことがある。このような場合、上記基板１１の上面により反射された紫外線光の消滅に従う光抽出効率の低下は深刻な問題となることができる。
　【００７３】
　第１実施形態は上記第１導電型半導体層１５の背面または第１領域４１に第１電極層２１を形成することによって、上記基板１１の上面により下方に反射された紫外線光をまた上方または側方に反射させて、光抽出効率を格段に向上させることができる。
　【００７４】
　一方、上記第２導電型半導体層１９の背面の上に第２電極層２３が形成される。言い換えると、メサエッチングにより露出していない第１導電型半導体層１５に対応する上記第２導電型半導体層１９の背面の上に第２電極層２３が形成される。
　【００７５】
　上記第２電極層２３は、図３に示すように、上記活性層１７から下方に進行された紫外線光を上方に反射させる役割をすることができる。
　【００７６】
　上記第２電極層２３は、上記基板１１の上面により反射されて下方に進行され、上記活性層１７と上記第２導電型半導体層１９を経由した紫外線光をまた上方に反射させる役割をすることができる。
　【００７７】
　併せて、上記第２電極層２３と上記活性層１７との間の距離は、上記第１電極層２１と上記活性層１７との間の距離より大きく形成されることがあるが、これに対しては限定するものではない。
　【００７８】
　図示してはいないが、上記第２導電型半導体層１９と上記第２電極層２３との間に透明導電層が形成されることがあるが、これに対しては限定するものではない。上記透明導電層は第２電極２９からの電流を側方に拡散させる電流スプレッディンフ機能と電流を上記第２導電型半導体層１９に容易に注入させるオーミックコンタクト機能を有することができるが、これに対しては限定するものではない。
　【００７９】
　上記透明導電層には、例えばＩＴＯ、ＩＺＯ（Ｉｎ−ＺｎＯ）、ＧＺＯ（Ｇａ−ＺｎＯ）、ＡＺＯ（Ａｌ−ＺｎＯ）、ＡＧＺＯ（Ａｌ−Ｇａ　ＺｎＯ）、ＩＧＺＯ（Ｉｎ−Ｇａ　ＺｎＯ）、ＩｒＯｘ、ＲｕＯｘ、ＲｕＯｘ／ＩＴＯ、Ｎｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ、及びＮｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ／ＩＴＯからなるグループから選択された少なくとも１つが使用できるが、これに対しては限定するものではない。
　【００８０】
　第１実施形態は第２導電型半導体層１９の背面の上に第２電極層２３を形成することによって、上記基板１１の上面により下方に反射された紫外線光や活性層１７から下方に進行された紫外線光をまた上方に反射させて、光抽出効率を格段に向上させることができる。
　【００８１】
　上記第１電極層２１と上記第２電極層２３は反射性に優れる材質で形成されることがあるが、これに対しては限定するものではない。
　【００８２】
　上記第１及び第２電極層２１、２３は互いに同一な材質で形成されるか、互いに相異する材質で形成される。
　【００８３】
　上記第１及び第２電極層２１、２３は単一層で形成されるか、多数の層で形成できる。
　【００８４】
　上記第１及び第２電極層２１、２３は、例えば、反射性と導電性に優れる不透明な金属物質で形成されるが、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｆからなるグループから選択された１つまたはこれらの合金を含むことができるが、これに対しては限定するものではない。
　【００８５】
　例えば、上記第１及び第２電極層２１、２３は紫外線光に対する反射特性に優れるアルミニウム（Ａｌ）で形成されることがあるが、これに対しては限定するものではない。
　【００８６】
　例えば、上記第１電極層２１はアルミニウム（Ａｌ）で形成され、上記第２電極層２３はＡｌ／Ｎｉの合金で形成されることがあるが、これに対しては限定するものではない。
　【００８７】
　実験結果、第１電極層２１にアルミニウム（Ａｌ）を使用する場合、第１実施形態に従う紫外線発光素子１０の光抽出効率は１６．４％であることに反して、第１電極層２１に銀（Ａｇ）を使用する場合、第１実施形態に従う紫外線発光素子１０の光抽出効率は１３．８％であることを確認することができる。したがって、銀（Ａｇ）を含む第１電極層２１よりはアルミニウム（Ａｌ）を含む第１電極層２１が２４０ｎｍ乃至３６０ｎｍの波長を有する紫外線光に対してより優れる反射率を有することが分かる。
　【００８８】
　図示してはいないが、上記活性層１７の周りに露出した第１導電型半導体層１５の背面と上記第２導電型半導体層１９の背面はラフネス構造（ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を有することができる。上記ラフネス構造は一定の凹凸を有するか、ランダムな凹凸を有することができるが、これに対しては限定するものではない。
　【００８９】
　上記第１導電型半導体層１５のラフネス構造の上に第１電極層２１が形成されることによって、上記第１電極層２１は強い接合力で第１導電型半導体層１５に付着されるので、上記第１電極層２１の離脱を遮断することができる。併せて、上記ラフネス構造により上記活性層で生成されて下方に進行される光が反射または散乱されることによって、光抽出効率がより向上できる。
　【００９０】
　上記第２導電型半導体層１５の背面の上に形成されたラフネス構造も前述した説明と同一な効果を得ることができる。
　【００９１】
　上記第１電極層２１と上記第２電極層２３は少なくとも上記活性層１７及び上記第２導電型半導体層１９の厚さだけ相異する位置に配置されることがあるが、これに対しては限定するものではない。
　【００９２】
　一方、上記第１電極層２１の一部領域の上に第１電極２７が形成され、上記第２電極層２３の一部領域の上に第２電極２９が形成される。
　【００９３】
　上記第１電極２７は上記第１電極層２１より高い電気伝導度を有し、上記第２電極２９は上記第２電極層２３より高い電気伝導度を有することができるが、これに対しては限定するものではない。
　【００９４】
　上記第１及び第２電極２７、２９は互いに同一な材質で形成されるか、互いに相異する材質で形成される。
　【００９５】
　上記第１及び第２電極２７、２９は単一層で形成されるか、多数の層で形成される。
　【００９６】
　上記第１及び第２電極２７、２９は、例えば電気伝導度に優れる金属材質で形成されるが、アルミニウム（Ａｌ）、チタニウム（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、及びモリブデン（Ｍｏ）からなるグループから選択された１つまたはこれらの合金を含むことができるが、これに限定するものではない。
　【００９７】
　上記第１電極２７は、上記第１領域４１の第１電極層２１の少なくとも１つ以上の領域に形成されることがあるが、これに対しては限定するものではない。
　【００９８】
　図示してはいないが、上記第１電極２７は上記第１領域４１の第１電極層２１の上面の全体領域に形成されることもあるが、これに対しては限定するものではない。
　【００９９】
　上記第１電極層２１は紫外線光を反射させる反射層としての役割だけでなく、電源を供給するための電極としての役割をすることもできる。このような場合、上記第１電極２７は形成されないこともあるが、これに対しては限定するものではない。
　【０１００】
　上記第２電極層２３は、紫外線光を反射させる反射層としての役割だけでなく、電源を供給するための電極としての役割をすることもできる。このような場合、上記第２電極２９は形成されないこともあるが、これに対しては限定するものではない。
　【０１０１】
　上記第１及び第２電極２７、２９は円形状を有することがあるが、これに対しては限定するものではない。
　【０１０２】
　図４は本発明の第２実施形態に従う紫外線発光素子を示す底面図であり、図５は図４の紫外線発光素子を示す断面図である。
　【０１０３】
　第２実施形態はオーミック層２５を除いては第１実施形態とほとんど同一である。
　【０１０４】
　第２実施形態で第１実施形態と同一な構成要素に対しては同一な図面符号を与えて、より詳細な説明は省略する。
　【０１０５】
　図４及び図５を参照すると、第２実施形態に従う紫外線発光素子１０Ａは、基板１１、第１導電型半導体層１５、活性層１７、第２導電型半導体層１９、オーミック層２５、第１及び第２電極層２１、２３、及び第１及び第２電極２７、２９を含むことができる。
　【０１０６】
　上記オーミック層２５は、上記第１導電型半導体層１５と上記第１電極層２１との間に形成される。
　【０１０７】
　上記第１電極層２１は上記オーミック層２５を完全にカバー（ｃｏｖｅｒ）したり部分的にカバーすることがあるが、これに対しては限定するものではない。即ち、上記第１電極層２１は上記オーミック層２５の外側面と背面の上に配置されるが、上記オーミック層２５の内側面の上に配置されないことがあるが、これに対しては限定するものではない。
　【０１０８】
　上記オーミック層２５は、上記活性層１７の周りに沿って配置されることがあるが、これに対しては限定するものではない。オーミック層２５は閉ループ形状（ｃｌｏｓｅｄ−ｌｏｏｐ　ｓｈａｐｅ）または開ループ形状（ｏｐｅｎ−ｌｏｏｐ　ｓｈａｐｅ）であることがあるが、これに対しては限定するものではない。
　【０１０９】
　上記オーミック層２５はメサエッチングにより外部に露出した第１導電型半導体層１５により定義された第１領域４１に形成される。
　【０１１０】
　上記オーミック層２５としては透明な導電物質が使用できるが、例えばＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ　ｔｉｎ　ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ　ｚｉｎｃ　ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ　ｚｉｎｃ　ｔｉｎ　ｏｘｉｄｅ）、ＩＡＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ　ａｌｕｍｉｎｕｍ　ｚｉｎｃ　ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ　ｇａｌｌｉｕｍ　ｚｉｎｃ　ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ　ｇａｌｌｉｕｍ　ｔｉｎ　ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（ａｌｕｍｉｎｕｍ　ｚｉｎｃ　ｏｘｉｄｅ）、ＡＴＯ（ａｎｔｉｍｏｎｙ　ｔｉｎ　ｏｘｉｄｅ）、ＧＺＯ（ｇａｌｌｉｕｍ　ｚｉｎｃ　ｏｘｉｄｅ）、ＩｒＯｘ、ＲｕＯｘ、ＲｕＯｘ／ＩＴＯ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｎｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ、及びＮｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ／ＩＴＯからなるグループから選択された少なくとも１つが使用できる。
　【０１１１】
　上記オーミック層２５はメサエッチングにより外部に露出しない第１導電型半導体層１５に対応する第２導電型半導体層１９により定義された第２領域４３の周りに沿って形成された閉ループ構造を有することがあるが、これに対しては限定するものではない。言い換えると、上記オーミック層２５は上記発光構造物２０の周りに沿って上記第１導電型半導体層１５の上に形成される。
　【０１１２】
　例えば、上記第２領域４３の活性層１７の側面に隣接して上記オーミック層２５が形成される。
　【０１１３】
　上記オーミック層２５は上記第２領域４３の活性層１７の側面から離隔するように形成される。
　【０１１４】
　上記オーミック層２５と第２領域４３との間の間隔（ｄ）は略１μｍ乃至略１０μｍであることがあるが、これに対しては限定するものではない。
　【０１１５】
　即ち、上記第２領域４３の上記第１導電型半導体層１５は上記第１領域４１の第１導電型半導体層１５より下方に突出する。上記第１領域４１の第１導電型半導体層１５の下に上記活性層１７及び上記第２導電型半導体層１９が配置される。したがって、上記第１領域４１の第１導電型半導体層１５の背面と上記第２領域４３の第１導電型半導体層１５の背面との間の厚さ位上記第１導電型半導体層１５の側面が存在する。このような場合、上記オーミック層２５の側面と上記第２領域４３の上記第１導電型半導体層１５の側面との間の間隔（ｄ）は略１μｍ乃至略１０μｍであることがあるが、これに対しては限定するものではない。
　【０１１６】
　電流を迅速に上記活性層に供給するためには上記オーミック層２５は上記活性層１７と最大限近く形成されることが好ましい。
　【０１１７】
　図示してはいないが、上記活性層１７との電気的なショートが発生しなければ、上記オーミック層２５は上記第１導電型半導体層１５の側面に接するように形成されることもできる。このような場合、上記第１導電型半導体層１５の背面が上記活性層１７の側面か
ら離
は
さ
あ
　【０１１８】
　上記オーミック層２５は上記第２領域４３の周りに沿ってバー形状に形成される。
　【０１１９】
　上記オーミック層２５の幅（ｗ）は略５μｍ乃至略３０μｍであることがあるが、これに対しては限定するものではない。
　【０１２０】
　上記オーミック層２５の面積は上記第１電極層２１の面積と等しいか小さいことがあるが、これに対しては限定するものではない。
　【０１２１】
　または、上記オーミック層２５は上記第１領域４１の上記第１導電型半導体層１５の全領域に形成されることもあるが、これに対しては限定するものではない。
　【０１２２】
　第２実施形態は、上記オーミック層２５が第１導電型半導体層１５の背面に形成して電源をより円滑に第１導電型半導体層１５に供給し、また上記第１導電型半導体層１５の内で側方に一層広く電流が流れるようにする電流スプレッディンフの機能を有することによって、発光効率を向上させ、均一な紫外線光を確保することができる。
　【０１２３】
　上記第１電極層２１は上記オーミック層２５の側面と背面を全て覆うように形成される。言い換えると、上記第１電極層２１を上記オーミック層２５を囲んで形成される。上記オーミック層２５が上記第１電極層２１に最大限面接触されるようにすることで、上記第１電極２７からの電源が第１電極層２１を通じて上記オーミック層２５の側面と背面に供給されて、電源がより円滑に第１導電型半導体層１５に供給できる。
　【０１２４】
　図示してはいないが、上記第１電極層２１は上記オーミック層２５の背面の一部領域と外側面にオーバーラップされるように形成されることもあるが、これに対しては限定するものではない。言い換えると、上記第１電極層２１は上記第２領域４３の第１導電型半導体層１５の側面に隣接した第１電極層２１の側面の上に形成されないこともある。
　【０１２５】
　図６は本発明の第３実施形態に従う紫外線発光素子を示す底面図であり、図７は図６の紫外線発光素子を示す断面図である。
　【０１２６】
　第３実施形態は保護層３１を除いては第２実施形態とほとんど同一である。
　【０１２７】
　第３実施形態において、第１及び第２実施形態と同一な構成要素に対しては同一な図面符号を与えて、より詳細な説明は省略する。
　【０１２８】
　図６及び図７を参照すると、第３実施形態に従う紫外線発光素子１０Ｂは、基板１１、第１導電型半導体層１５、活性層１７、第２導電型半導体層１９、オーミック層２５、第１及び第２電極層２１、２３、保護層３１、及び第１及び第２電極２７、２９を含むことができる。
　【０１２９】
　第１実施形態で前述したように、上記第１電極層２１による上記第１及び第２導電型半導体層１５、１９の間の電気的なショートを完全に除去するために、第２領域４３で外部に露出した第１導電型半導体層１５の側面、活性層１７の側面、及び第２導電型半導体層１９の側面に保護層３１が形成されることもあるが、これに対しては限定するものではない。
　【０１３０】
　上記第２領域４３は、メサエッチングによりエッチングされない第１導電型半導体層１５と上記第１導電型半導体層１５に対応する活性層１７と第２導電型半導体層１９とを意味する。
　【０１３１】
　第１領域４１は、メサエッチングによりエッチングされて外部に露出した第１導電型半導体層１５を意味する。
　【０１３２】
　上記第１領域４１は非発光領域であり、上記第２領域４３は発光領域でありうる。
　【０１３３】
　上記保護層３１は上記発光構造物２０の側面の上に配置される。上記保護層３１は少なくとも上記活性層１７の側面の上に配置されることがあるが、これに対しては限定するものではない。上記保護層３１は上記第２領域４３の第１導電型半導体層１５の側面、上記活性層１７の側面、及び上記第２導電型半導体層１９の側面の上に配置される。また、上記保護層３１は上記オーミック層２５と上記第２領域４３の第１導電型半導体層１５の側面との間に配置される。
　【０１３４】
　上記保護層３１は、上記第１電極層２１と上記第２領域４３の第１導電型半導体層１５の側面との間の上記第１領域４１の第１導電型半導体層１５の背面の上に形成される。
　【０１３５】
　上記保護膜３１は第１領域４１の第１導電型半導体層１５の背面の一部領域、上記第１電極層２１の一部領域、発光構造物２０の側面、即ち上記第２領域４３の第１導電型半導体層１５の側面、活性層１７の側面、第２導電型半導体層１９の側面、及び第２電極層２３の側面と共に上記第２電極層２３の背面の一部領域に形成される。
　【０１３６】
　上記保護層３１は透明性に優れて、伝導性の低い材質や絶縁性材質で形成されるが、例えばＳｉＯ２、ＳｉｘＯｙ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉｘＮｙ、Ａｌ２Ｏ３、及びＴｉＯ２からなるグループから選択された少なくとも１つで形成されることがあるが、これに対しては限定するものではない。
　【０１３７】
　実施形態は、第１導電型半導体層１５の背面または第１領域４１に第１電極層２１を形成することによって、基板１１の上面により下方に反射された紫外線光をまた上方に反射させて、光抽出効率を格段に向上させることができる。
　【０１３８】
　実施形態は、第２導電型半導体層１９の背面に第２電極層２３を形成することによって、上記基板１１の上面により下方に反射された紫外線光や活性層から下方に進行された紫外線光をまた上方に反射させて、光抽出効率を格段に向上させることができる。
　【０１３９】
　実施形態は、オーミック層２５を第１領域４１の第１導電型半導体層１５の背面に形成して電源をより円滑に第１導電型半導体層１５に供給し、また上記第１導電型半導体層１５の内で側方に一層広く電流が流れるようにすることによって、発光効率を向上させ、均一な紫外線光を確保することができる。
　【０１４０】
　図１０は、本発明の実施形態に従う発光素子パッケージを示す断面図である。
　【０１４１】
　図１０を参照すると、実施形態に従う発光素子パッケージは、胴体３３０と、上記胴体３３０に設置された第１リードフレーム３１０及び第２リードフレーム３２０と、上記胴体３３０に設置されて上記第１リードフレーム３１０及び第２リードフレーム３２０から電源の供給を受ける第１実施形態乃至第３実施形態に従う発光素子１０と、上記発光素子１０を囲むモールディング部材３４０とを含む。
　【０１４２】
　上記胴体３３０は、シリコン材質、合成樹脂材質、または金属材質を含んで形成され、上記発光素子１０の周囲に傾斜面が形成される。
　【０１４３】
　上記第１リードフレーム３１０及び第２リードフレーム３２０は、互いに電気的に分離され、上記発光素子１０に電源を提供する。
　【０１４４】
　また、上記第１及び第２リードフレーム３１０、３２０は、上記発光素子１０で発生した光を反射させて光効率を増加させることができ、上記発光素子１０で発生した熱を外部に排出させる役割をすることもできる。
　【０１４５】
　上記発光素子１０は、上記第１リードフレーム３１０、第２リードフレーム３２０、及び上記胴体３３０のうち、いずれか１つの上に設置され、ワイヤー方式、ダイボンディング方式などにより上記第１及び第２リードフレーム３１０、３２０に電気的に連結できるが、これに対して限定するものではない。
　【０１４６】
　実施形態では、第１実施形態に従う発光素子１０が例示されており、２つのワイヤー３５０を介して上記第１及び第２リードフレーム３１０、３２０と電気的に連結されたことが例示されているが、第２実施形態に従う発光素子１０の場合、上記ワイヤー３５０無しで上記第１及び第２リードフレーム３１０、３２０と電気的に連結されることができ、第３実施形態に従う発光素子１０の場合、１つのワイヤー３５０を用いて上記第１及び第２リードフレーム３１０、３２０と電気的に連結できる。
　【０１４７】
　上記モールディング部材３４０は、上記発光素子１０を囲んで上記発光素子１０を保護することができる。また、上記モールディング部材３４０には蛍光体が含まれて上記発光素子１０から放出された光の波長を変化させることができる。
　【０１４８】
　また、上記発光素子パッケージ２００は、ＣＯＢ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｂｏａｒｄ）タイプを含み、上記胴体３３０の上面は平らで、上記胴体３３０には複数の発光素子１０が設置されることもできる。
　【０１４９】
　以上、実施形態に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも１つの実施形態に含まれ、必ずしも１つの実施形態のみに限定されるものではない。延いては、各実施形態で例示された特徴、構造、効果などは、実施形態が属する分野の通常の知識を有する者により他の実施形態に対しても組合または変形されて実施可能である。したがって、このような組合と変形に関連した内容は本発明の範囲に含まれることと解釈されるべきである。
　【０１５０】
　以上、本発明を好ましい実施形態をもとに説明したが、これは単なる例示であり、本発明を限定するものでなく、本発明が属する分野の通常の知識を有する者であれば、本発明の本質的な特性を逸脱しない範囲内で、以上に例示されていない多様な変形及び応用が可能であることが分かる。例えば、実施形態に具体的に表れた各構成要素は変形して実施することができる。そして、このような変形及び応用にかかわる差異点は添付した特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。
　【０１５１】
　本特許出願は、２０１１年１２月１３日付で韓国に出願した特許出願番号第１０−２０１１−０１３４０１９号に対し、米国特許法１１９（ａ）条（３５Ｕ．Ｓ．Ｃ§１１９（ａ））により優先権を主張し、その全ての内容は参考文献として本特許出願に併合される。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　基板と、
　前記基板の上に配置され、多数の化合物半導体層を含み、前記化合物半導体層は少なくとも第１導電型半導体層、活性層、及び第２導電型半導体層を含む発光構造物と、
　前記第１導電型半導体層の第１領域の上に配置される第１電極層と、
　前記第２導電型半導体層の上に配置される第２電極層と、
　前記第１導電型半導体層と前記第１電極層との間に配置されるオーミック層と、
　
前記第１電極層の上に配置される第１電極と、
　
前記第２電極層の上に配置される第２電極と、
　前記第１電極層は前記活性層の側面から離隔するように配置され、
　前記第１電極層は前記活性層の周りに沿って配置され、
　前記第１及び第２電極層のうちの少なくとも１つは反射層を含み、
　
前記第１領域は、前記第２導電型半導体層及び前記活性層が順次に、前記第１導電型半導体層も部分的にメサエッチングされたことによって露出した前記第１導電型半導体層の領域であり、且つ、前記第１電極と前記第２電極の間の領域であって前記オーミック層が配置されている領域を含み、
　前記オーミック層は、前記活性層の周りに沿って配置される閉ループ形状（ｃｌｏｓｅｄ−ｌｏｏｐ　ｓｈａｐｅ）であり、
　前記オーミック層は、前記第１導電型半導体層の
前記メサエッチングによって露出された
して
　【請求項２】
　前記第１電極層は、１つまたは２つ以上の層を含むことを特徴とする、請求項１に記載の紫外線発光素子。
　【請求項３】
　前記第１電極層は２４０ｎｍ乃至３６０ｎｍの波長を有する紫外線光を反射させる物質を含むことを特徴とする、請求項１に記載の紫外線発光素子。
　【請求項４】
　前記物質は不透明な金属物質であることを特徴とする、請求項３に記載の紫外線発光素子。
　【請求項５】
　前記活性層と前記第１導電型半導体層と前記第２導電型半導体層がオーバーラップする第２領域を含むことを特徴とする、請求項１に記載の紫外線発光素子。
　【請求項６】
　前記第１領域に配置された前記第１電極層の上面を含む平面と、前記第２領域に配置された前記第２電極層の下面を含む平面との間の垂直距離は、少なくとも前記第２領域の前記活性層及び前記第２導電型半導体層の厚さより大きいことを特徴とする、請求項５に記載の紫外線発光素子。
　【請求項７】
　前記第１導電型半導体層は前記活性層の側面を基準に外方に延びることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の紫外線発光素子。
　【請求項８】
　少なくとも前記活性層と前記第２導電型半導体層の厚さに対応する深さを有するグルーブ（ｇｒｏｏｖｅ）をさらに含むことを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の紫外線発光素子。
　【請求項９】
　前記グルーブは、前記活性層と前記第２導電型半導体層の周りに沿って前記第１導電型半導体層の背面の上に形成されることを特徴とする、請求項８に記載の紫外線発光素子。
　【請求項１０】
　前記第１電極層の背面は前記活性層の上面より高い位置に配置されることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の紫外線発光素子。
　【請求項１１】
　前記第１導電型半導体層は前記活性層が接する中央領域
を含み、
　
前記第１領域は
と
いこ
　【請求項１２】
　前記中央領域は前記
第１
　【請求項１３】
　前記活性層及び前記第２導電型半導体層の側面の１つまたは２つ以上の領域は外方に突出することを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の紫外線発光素子。
　【請求項１４】
　前記オーミック層の面積は、前記第１電極層の面積と同一または
前記第１電極層の面積より
　【請求項１５】
　前記発光構造物の側面上に配置される保護層をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の紫外線発光素子。
　【請求項１６】
（削除）
　【請求項１７】
　前記第１電極は前記第１電極層より高い電気伝導度を有することを特徴とする、請求項
１
　【請求項１８】
　前記保護層は、前記第１領域に配置された前記第１導電型半導体層上に配置されることを特徴とする、請求項１５に記載の紫外線発光素子。
　【請求項１９】
　前記オーミック層は前記活性層の周りに沿って前記第１導電型半導体層の背面の上に配置されることを特徴とする、請求項１に記載の紫外線発光素子。
　【請求項２０】
　前記オーミック層は前記第１電極層により囲まれることを特徴とする、請求項１に記載の紫外線発光素子。
　【請求項２１】
（削除）
　【請求項２２】
　前記オーミック層の幅は前記第１電極層の幅と相異することを特徴とする、請求項１に記載の紫外線発光素子。
　【請求項２３】
　前記第１電極層は前記オーミック層の側面と背面を両方ともカバーすることを特徴とする、請求項１に記載の紫外線発光素子。
　【請求項２４】
　前記第２
電極
前記
電極
　【請求項２５】
　フリップ型に構成されたことを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の紫外線発光素子。