(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒドロキシルアミン水溶液を濃縮及び精製することにより、高純度のヒドロキシルアミン水溶液を製造する方法であって、上記濃縮を塔中において行い、塔底部において側面取り出し部から取り出すことによりヒドロキシルアミン含有蒸気を除去し、そしてこの蒸気を濃縮することにより高純度のヒドロキシルアミンを得ることを特徴とする製造方法。
【請求項２】
濃縮及び精製される上記ヒドロキシルアミン溶液を、
（ａ）水中においてヒドロキシルアンモニウム塩を適当な塩基で処理し、そして（ｂ）得られた溶液を、８０℃を超える水又は水蒸気流で処理することにより水性ヒドロキシルアミン留分と塩留分に分離することによって得る請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記（ａ）で得られた溶液を前記８０℃を超える水又は水蒸気流で処理する前に、前記溶液から、不溶性成分が除去される請求項２に記載の方法。
【請求項４】
高純度のヒドロキシルアミン溶液の濃縮を、凝縮器の下且つエバポレーターの上において側面取り出し部により除去されたヒドロキシルアミン含有蒸気を導入し、そして凝縮器内において濃縮されたヒドロキシルアミン溶液を、エバポレーター内にて再び部分的に蒸発させ、より高濃度、高純度のヒドロキシルアミン溶液を得ることにより行う請求項１〜３の何れかに記載の方法。
【請求項５】
塔の底部で側面取り出し部より取り出されたヒドロキシルアミン含有蒸気を側塔に導入し、この側塔の底部において高純度のヒドロキシルアミン溶液を得る請求項１〜３の何れかに記載の方法。
【請求項６】
側面取り出し部を、濃縮塔に気体側で接合する請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
金属イオンを含まず、また耐ヒドロキシルアミン性を示す材料を、側面取り出し部の部品に使用する請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【発明の詳細な説明】
本発明は、高純度の、ヒドロキシルアミンを遊離する水溶液の製造方法に関する。
高純度の、濃縮ヒドロキシルアミン水溶液は、特にエレクトロニクス産業において、例えば回路板の予備洗浄用としての他の物質と組み合わせて使用される。
エレクトロニクス産業で使用する場合、不純物、特に金属イオンの濃度が１ｐｐｍを大きく下まわること、即ち電子製品用仕様（electronic gradeproducts）であることが通常必要とされる。しかしながら、現在市販されているヒドロキシルアミン水溶液は、製造による不純物、例えば硫酸ナトリウム又は他の金属化合物をｐｐｍ単位で含む。
ヒドロキシルアミンは、ヒドロキシルアンモニウム塩、通常は硫酸ヒドロキシルアンモニウムとして大規模工業生産される。しかしながら、高濃度の、塩を含まない遊離ヒドロキシルアミン水溶液の使用がしばしば必要となる。上記問題を回避するため、また特にヒドロキシルアミンが不安定であるため、当該技術者等は、蒸留可能な物質を濃縮するために行う化学的に大規模な伝統的方法（例えば、蒸留）を、塩を含まないヒドロキシルアミン溶液の回収に使用してこなかった。ヒドロキシルアミンの蒸留は、実験室規模で行ったとしても、特に危険な操作であるとさえ言われている；例えば、Roth−Weller：Gefaehrliche Chemische Reaktionen，Stoffinformationen Hydroxylamin，3頁，1984，2，Ecomed−Verlag参照。従って、工業的規模でのヒドロキシルアミンの蒸留は、技術文献においても考察されてこなかった。その代わりに、重大な欠点があっても特定の方法が用いられてきた。
イオン交換体を用いて、遊離ヒドロキシルアミンを塩の水溶液から単離する試みがなされた；例えば、ＵＳ−Ａ４１４７６２３、ＥＰ−Ａ１７８７、ＥＰ−Ａ２３７０５２及びZ．Anorg．Ch．288，28〜35頁（1956）参照。しかしながら、このような方法では空時収量が低い希薄な溶液しか得られない。さらにヒドロキシルアミンは、多くのイオン交換体と反応するか、又はこれらイオン交換体によりヒドキシルアミンは分解する。
例えばＤＥ−Ａ３３４７２５９、ＪＰ−Ａ１２３７７１及びＪＰ−Ａ１２３７７２に記載されているように、他の方法としては、半透膜を用いる電解セルにおけるヒドロキシルアンモニウム塩水溶液の電気透析がある。しかしながら、このような方法は、技術的に複雑でしかも高価であり、またまだ工業的に確立されていない。
ＤＥ−Ａ３５２８４６３には、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム又は酸化バリウムで処理して、不溶性アルカリ土類金属硫酸塩を除去することにより硫酸ヒドロキシルアンモニウムから遊離ヒドロキシルアミンを製造する方法が開示されている。この方法において、微粉末状で得られる硫酸塩を除去することは、かなり困難である。さらに希薄な溶液のみが得られ、そして酸化カルシウム又は水酸化カルシウムを使用する場合、硫酸カルシウムは比較的溶解度が大きいため、遊離ヒドロキシルアミンは望まない程に多量のイオンを含んだままとなる。ストロンチウム化合物及びバリウム化合物を使用する場合、工業的製造工程において、比較的コストがかかり、また毒性があるという不利な状況がある。
ＤＥ−Ａ１２４７２８２には、遊離ヒドロキシルアミンのアルコール溶液を、溶剤としてのアルコール中で、硫酸ヒドロキシルアンモニウムをアンモニアと反応させ、硫酸アンモニウムを除去することにより得る方法が記載されている。類似の方法としては、ＥＰ−Ａ１０８２９４に記載されている。しかしながら、アルコール溶液は、様々な分野での使用に不適当であり、且つ望ましくない。例えば、アルコールには引火性があるため、取り扱いの間は特に防衛手段をとらなければならない。さらに、相当多量のアルコールを廃水処理設備又は河口へ排出することは禁止されているため、使用されるアルコールは一般にコストのかかる方法で回収しなければならない。
最後に、ＤＥ−Ａ３６０１８０３には、硫酸ヒドロキシルアンモニウムをアンモニアと低級アルコール中で反応させ、沈殿した硫酸アンモニウムを分離し、水を遊離ヒドロキシルアンモニウムのアルコール溶液に添加し、そしてこのアルコールをこのようにして得られた溶液から留去することにより、遊離ヒドロキシルアミンの水溶液を得る方法が記載されている。上述したアルコールを用いる作業の欠点は、この方法にもある。さらにヒドロキシルアミンが不安定であると共にアルコールには引火性があるため、蒸留の最終工程において特に注意を必要とする。
全ての従来技術での方法に共通していることは、これらが、工業的規模で行うことに不適当であり、又は無駄な高い安全コストをさらに必要とするという点である。
ヒドロキシルアミンの分解については、６５℃を超える温度が臨界と見なされる。示差熱解析法において、５０重量％濃度のヒドロキシルアミン水溶液（ガラスるつぼにおける）の初期設定温度（onset temperature）を、７０℃として測定した。放出した熱量、即ち５０重量％濃度の溶液に対して約２．２ｋＪ／ｇの熱量は材料の熱ポテンシャルが高いことを裏付けるものである。示差熱解析法とは、熱安定性及び熱ポテンシャルの評価のため、スクリーニング（選別）のために用いられる微量分析法である。初期設定温度は、加熱速度１Ｋ／分で３０℃から加熱し始めて、注目すべき発熱反応が試料中で進む場合における最も低い外界温度とする。安全上の理由から、反応温度は、初期設定温度より充分に低くなければならない。
硝酸ヒドロキシルアミンを製造することに関しては、ＵＳ−Ａ４９５６１６８に６５℃未満の温度で、アルコール中において硫酸ヒドロキシルアミンのスラリーを製造する方法の記載がある。次いで、このスラリーを６５℃以下で、アンモニアで処理し、ヒドロキシルアミンのアルコール溶液を製造する。
ＵＳ−Ａ５４７２６７９には、硝酸ヒドロキシルアミン溶液を適当な塩基で約６０℃までの温度で反応させることにより、アルコールを含まないヒドロキシルアミン水溶液を製造する方法が記載されている。次いで、得られた混合物を、減圧下に６５℃以下で蒸留する。これにより固体状の残留物（ヒドロキシルアミンの遊離により形成した塩）と留出液として１６〜２３重量％のヒドロキシルアミンを含むヒドキシルアミン水溶液が得られる。この方法には、減圧下に製造する必要があることと、温度を注意して制御しなければならないという欠点がある。
さらに上記方法は固体分と共に処理することを必要とする。従って、連続法において、この固体分は連続的に取り除かれるべきであろう。この固体分が、例えばＮａ2ＳＯ4ｘＨ2Ｏの場合ように、固化する傾向にある場合、この方法には技術的な点で極めて重大な問題が存在し得る。
さらに「蒸留」は乾燥に進み出し、もっと正確には、低沸点の水がまず蒸発するように、蒸発するように進む。高沸点のヒドロキシルアミンが蓄積する。ヒドロキシルアミンを濃縮すると共にヒドロキシルアミンの分解傾向が強くなり、これと共に製造の間にヒドロキシルアミンの損失も大きくなるということが知られている。ヒドロキシルアミンが高濃度であるため、爆発性の分解が起こり得るという大きなリスクがある。純粋なヒドロキシルアミン又は７０重量％を超えるヒドロキシルアミンは爆発的に分解することが知られている。従って、上記方法には適当な安全策を表現する必要がある。
最後に、残りの固体分には、まだヒドロキシルアミンの残留物が含まれている（表面上に吸収されるヒドロキシルアミン、固体分の隙間に存在するヒドロキシルアミン）。従って、この固体分を分離除去法により浄化すべきである。
ＤＥ１９５４７７５．８には、遊離ヒドロキシルアミンの水溶液の製造方法であって、ヒドロキシルアンモニウム塩を塩基で処理することによって得た溶液を、８０℃を超える水又は水蒸気流で処理することにより水性ヒドキシルアミン留分と塩留分に分離する製造方法が記載されている。得られたヒドロキシルアミン水溶液の所望の濃縮は、蒸留により、即ち精留塔において水を蒸発除去することにより行われる。ヒドロキシルアミンの他に、揮発性の不純物が塔底部に蓄積することも稀にある。塔底生成物を得る場合に一般的であるこの問題は、例えばさらに蒸留することにより工業的には解決する。しかしながら、ヒドロキシルアミンの場合、例えば５０％濃度溶液をさらに蒸留することにより、５０重量％以上にヒドロキシルアミンを濃縮することが不可避であるため、このことは問題となる。しかしながら、ヒドロキシルアミンを分解させる傾向も、非常に増大する。従って、蒸留は、低温で、またコストに見合った低圧で、そしてそれに対応する必要な時間で行われるべきであり、さらに通常小規模でのみ行うことができる。従って、塩を含まない、電子製品用純度のヒドロキシルアミン水溶液は、製造が複雑であり、比較的費用がかかるため、経済上の理由からその使用は幾つかの分野に限られる。
本発明の目的は、金属イオン含有量が１ｐｐｍ未満の高純度ヒドロキシルアミンを簡易に製造する方法を提供することにある。
希薄で、塩含有量の低いヒドロキシルアミン溶液から出発して、塔の底部の側面取り出し部からヒドロキシルアミン含有蒸気を除去する（取り出す）ことによって、金属イオン含有量が１ｐｐｍ未満の、濃縮された、高純度のヒドロキシルアミン溶液を得ることができ、そしてこれにより上記課題が解決されることが見出された。
従って、本発明は、ヒドロキシルアミン水溶液を濃縮し、そして精製することにより高純度の遊離ヒドロキシルアミンの水溶液を製造する方法であって、上記濃縮を塔（精留塔）中において行い、塔底部において側面取り出し部から取り出すことによりヒドロキシルアミン含有蒸気を除去し、そしてこの蒸気を濃縮することにより高純度のヒドロキシルアミンを得ることを特徴とする製造方法に関する。このように得られた高純度のヒドロキシルアミン溶液は、２０重量％以上、好ましくは４０重量％以上、特に５０重量％以上のヒドロキシルアミンと、１ｐｐｍ未満、特に０．１ｐｐｍ未満の金属イオン（特に、製造による又は製造及び単離に使用される材料からのもの）を含む。
新規方法に出発材料として使用されるヒドロキシルアミン水溶液は、任意の公知の方法、例えば冒頭に記載された方法の一法により得ることができる。特に好ましくは、希薄なヒドロキシルアミン溶液を、ドイツ特許出願第１９５４７７５．８号に記載されている方法、即ち、まず第１工程（ａ）において、ヒドロキシルアンモニウム塩を水中で適当な塩基で処理し、そして工程（ｂ）において、得られた溶液を、必要により不溶性成分除去後、８０℃を超える水又は水蒸気流で処理することにより水性ヒドロキシルアミン留分と塩留分に分離する方法によって得られる。
この製造工程（ａ）は、慣用法で行われる。一般に、ヒドロキシルアンモニウム塩としては、鉱酸のヒドロキシルアンモニウム塩、例えば硫酸、燐酸、塩酸の各ヒドロキシルアンモニウム塩の通常は水溶液が使用される。ヒドロキシルアンモニウム塩を、適当な無機塩基、例えばアンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、又は水酸化カルシウムの各水溶液と反応させる。塩基の量は、ヒドロキシルアンモニウム塩が完全に、又は少なくとも部分的に遊離ヒドロキシルアミンに転化するように選択される。この転化反応は、連続式又はバッチ式で、約０〜１００℃にて行う。得られた水溶液は、遊離ヒドロキシルアミンと、ヒドロキシルアンモニウム塩に存在する塩基性カチオン及び酸性アニオンから生じる塩とを含む。
ヒドロキシルアンモニウム塩の種類と濃度、ヒドロキシルアミンの遊離に使用する塩基、及び反応を行う場合の温度に依存して、形成した数種の塩が沈殿するであろう。必要により、多量の塩を沈殿させるために、溶液を冷却しても良い。このような不溶性成分、即ち塩沈殿が存在する場合、工程（ｂ）の前に慣用法により分離することが有利である。製造条件に依存して、例えば塩基としてアンモニア又は水酸化ナトリウム及び比較的低濃度の反応材料を使用することによって、沈殿は形成しない。
工程（ａ）で得られた溶液の工程（ｂ）における、水性ヒドロキシルアミン留分及び塩留分への分離は、ストリッピング塔中において水又は水蒸気流で処理することにより好ましく行われる。一般にストリッピング塔としては、慣用の段塔、例えば泡鐘トレイ塔又は網目プレート塔、或いは慣用の充填物、例えばラシヒリング、パールリング、サドル型充填物（saddle elements）等を装備する塔が使用される。塔には、好ましくは５〜７０段の理論段が備わっている。必要により他の安定剤を添加し得る、安定化させた溶液を、直接塔の頂部（充填物の上側部分又はプレート最上段）に給送する。
ストリッピング塔において、塩留分を塔の底部より取り出し、そして水性ヒドロキシルアミン留分を給送プレートの最上段又はその上側で、特に塔頂部から取り出すように上記溶液を分離する。この目的のために、水及び／又は水蒸気向流を塔の底部に導入することによりこの溶液を処理することが好ましい。給送溶液中のヒドロキシルアミン濃度が５〜４５重量％である場合、水又は水蒸気流の流速は、一般に給送速度の１〜８倍、特に１〜５倍である。
導入される水又は水蒸気流の温度は、一般に８０〜１８０℃である。必要により、塔の底部がさらに加熱される。ストリッピング塔の頂部における温度は、塔を稼動させる場合の圧力次第である。一般に、この圧力は５〜３００ｋＰａ（０．０５〜３バール）、好ましくは５０〜３００ｋＰａ（０．５〜３バール）、特に好ましくは５０〜１５０ｋＰａ（０．５〜１．５バール）である。ストリッピング塔の頂部での温度は、一般に８０〜１３０℃、好ましくは９０〜１２０℃である。導入される水蒸気流の温度は、実質的には高温、例えば１５０℃であろう。しかしながら、そうでない場合は、多量の水がさらに塩溶液から蒸発し、そしてこの塩が塔の底部に蓄積するので温度を高くするべきではない。
必要により、飛沫状の沈殿剤（デミスター）をさらに給送プレートの上側又は蒸気取り出し部に、飛沫による塩の飛沫同伴が妨げるように取り付ける。
新規方法において、ストリッピング塔の頂部から取り出され、通常１Ｌ（リットル）当たり１０〜２００ｇのヒドロキシルアミンを含む水性ヒドロキシルアミン留分は、所望の最終濃度約５０重量％に濃縮される。上述した充填物又は適当な段塔を装備する、慣用の充填塔は、この目的に有利に使用される。４〜３０段の理論段を有する塔が好ましい。流下薄膜型蒸発缶は塔底部加熱用として有利に使用されるが、他の慣用の塔底加熱器（bottom heaters）、例えば自然又は強制循環型エバポレーター、プレート熱交換器等も勿論使用することができる。
一般に、濃縮塔を１〜２００ｋＰａ（０．０１〜２バール）、好ましくは５〜１２０ｋＰａ（０．０５〜１．２バール）、特に好ましくは３０〜１１０ｋＰａ（０．３〜１．１バール）で稼動させる。
希薄なヒドロキシルアミン溶液は、適当な箇所、例えば１〜１０段目の棚の高さの位置で濃縮塔に給送される。同時に、ヒドロキシルアミン溶液をさらに安定させるために、安定剤を塔の頂部にさらに給送しても良い。ヒドロキシルアミン溶液から留去された水が、塔の頂部から取出され、そしてその水は通常０．０６％未満のヒドロキシルアミンを含んでいる。高濃度、高純度のヒドロキシルアミン溶液を得るためにヒドロキシルアミン含有蒸気を取り出す側面取り出し部は、好ましくは第１番目のプレートの下側に設置され、その際飛沫が伴出しないように設置される。このために、例えばデミスターが取り付けられる。塩による汚染が進んだヒドロキシルアミン溶液が、塔の底部において得られる。その純度は、側面取り出し部及び底部取り出し口により除去されるそれぞれの量次第で異なってくる。高純度ヒドロキシルアミン水溶液を得るための側面取り出し部によって取り出される量は、塔中において、流体力学的に安定な操作に必要な最小蒸気流量（minimum vapor flow）によりさらに制限される。新規方法における有利な態様において、塔の底部における蒸気は、塔底部加熱用として使用される流下薄膜型蒸発缶の取り出し口から除去される。
本発明により、側面取り出し部より塔の底部から取り出されるヒドロキシルアミン溶液は、凝縮器において濃縮された高純度の、不純物が１ｐｐｍ未満のヒドロキシルアミン水溶液とヒドロキシルアミン含有蒸気とに分離される。凝縮器の頂部より放出される蒸気は、なお存在するヒドロキシルアミンを回収するために、塔の適当な箇所、例えば１〜１０段目の棚で塔に再循環させることができる。
新規方法における特に有利な態様において、側面取り出し部から取り出される蒸気の凝縮器への給送口の下側に、高純度のヒドロキシルアミン水溶液に含まれる水を蒸発させて、その濃度が所望の最終濃度となるように、エバポレーターを設置する。得られた水蒸気が豊富な蒸気は、なお存在するヒドロキシルアミンを回収するために、塔の適当な箇所に再循環させることができる。
新規方法における他の極めて好ましい態様において、濃縮塔の底部より取り出される蒸気は、ボトムエバポレーター（bottom evaporator）を装備する側塔に導入される。これにより、濃縮塔に再循環される蒸気流のヒドロキシルアミン含有量をさらに低減させることが可能となり、且つ実質的に濃縮塔と電子製品用の側方の装置との間において循環させる蒸気の量を低減させることができる。側塔を使用することにより、さらに側面取り出し部を介して塔底部から電子製品用生成物としてのヒドロキシルアミンの９９％までを取り除くことができる一方、残りの、およそ１％の、汚染が進んだヒドロキシルアミン溶液が濃縮塔の底部より除去され得る。しかしながら、ＤＥ１９５４７７５．８による塩を分離する製造工程（ｂ）においてヒドロキシルアミンを回収するように、この少量のヒドロキシルアミン溶液は再循環させることができる。
ヒドロキシルアミン中の金属イオン濃度を特に低くするために、側面取り出し部の部品は、金属イオンを含まず、またヒドロキシルアミンに耐性を示す材料、例えばプラスチック（例えば、ポリプロピレン又はポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ））から製造することができる。
凝縮器／エバポレーター装置を高純度のヒドロキシルアミン溶液を得るために使用する場合、６０％までのヒドロキシルアミン溶液が塔底部から取り出される蒸気の流速の、側面取り出し部の底部から取り出される濃縮物の流速に対する比が１０：１で、濃縮塔蒸留に影響を与えずに、５０重量％濃度の電子製品用生成物として、取り出すことができる。残りの４０％は、５０％濃度の、標準塩を含むヒドロキシルアミン溶液として得られる。側塔を使用する場合、９９％までの濃縮ヒドロキシルアミン溶液が、取り出し蒸気の側塔へ給送する流速の、製造される電子製品用生成物の流速に対する比が６：１未満で、塔底部からの側面取り出し部を介して電子製品用生成物として得ることができる。
従って、新規方法は、市場の要求に素早く適用することができるようにするため、標準生成物と電子製品用生成物の量を同時に変えることができる。さらに工業的規模において連続条件下で、高純度の電子製品用ヒドロキシルアミン水溶液の製造を、経済的に且つ確実にはじめて行うことができるようになった。小規模製造では不可避の、高感受性ヒドロキシルアミン溶液を連続的に手動で行う操作が回避される。より高濃度の、例えば５０重量％を超える濃度のヒドロキシルアミン溶液の取り扱いも不要になる。これにより、製造中において本来あるべき高い安全性が確保される。
遊離ヒドロキシルアミンを含む溶液は、慣用の耐分解性安定剤を添加することにより安定させることができる。
図１〜３は、実施例として本発明による新規方法の態様の幾つかを示したものである。
図１は、高純度ヒドロキシルアミンを得るための濃縮設備の概略図を示したものである。
図２は、側面取り出し部の設備の概略図を示したものである。
図３は、側面取り出し部の設備の他の態様を表わす概略図を示したものである。
図１は、濃縮塔１を示す。希薄なヒドロキシルアミン水溶液２を塔１の中段付近に給送する。水を塔１の頂部で留去し、凝縮器４において濃縮し、水を設定還流速度に対応する速度でライン８により除去し、そしてライン７を通じて塔に再循環させる。塩含有ヒドロキシルアミン溶液６を、塔底部から取り出し、その一部を、エバポレーター３を介して塔底部に再循環させる。高純度のヒドロキシルアミン溶液を得るために、ヒドロキシルアミン含有蒸気９を塔底部に設置した側面取り出し部により除去し、次いで凝縮器１３において濃縮する。高純度のヒドロキシルアミン溶液１１を凝縮器１３の下方で除去し、そしてヒドロキシルアミン含有流１０を流量調速器１２により塔１に再循環させる。
図２は、新規方法における好ましい側面取り出し部の装置を示すものである。塔底部の側面取り出し部により濃縮塔１（概略のみ示す）から除去された蒸気９は、この装置において凝縮器１３の下側であってエバポレーター１４の上側の部分に導入される。エバポレーター１４において、高濃度のヒドロキシルアミン溶液１１のヒドロキシルアミン濃度は、凝縮器１３において濃縮されたヒドロキシルアミン溶液の部分蒸発により変化し得る。ヒドロキシルアミン中の豊富な蒸気１０は、流量調速器１２を介して濃縮塔１に再循環され得る。
図３に示された特に好ましい態様は、側面取り出し部の装置にさらに塔を装備したものである。濃縮塔１（概略のみ示す）の底部から取り出されるヒドロキシルアミン含有蒸気９は、塔底部近傍にある側塔１５に導入される。この側塔の頂部で、ヒドロキシルアミン含有水１０は凝縮器１３により濃縮され、濃縮塔１に再循環される。高純度のヒドロキシルアミン溶液１１が、側塔１５の底部から得られる。本発明の特に好ましい態様において、濃縮塔１に給送された９９％以下のヒドロキシルアミン２を、電子製品用生成物１１として得ることができる。
以下に本発明の図１に関する実施例を示すが、本発明を限定するものではない。
［実施例１］
１６００ｇ／ｈの３．２重量％濃度の、実質的に塩を含まない安定なヒドロキシルアミン水溶液２を、直径５０ｍｍ、３０段の泡鐘トレイを有するガラス泡鐘トレイ塔１の第８段目に給送した。この塔を、３００ミリバールの圧力で稼動させた。ヒドロキシルアミン溶液に溶解した少量の安定剤を、さらに塔内の最上段第３０番目のトレイに計量導入した。水８を塔１の頂部より還流速度０．５で留去した。留出液は、まだ残余量０．０６重量％のヒドロキシルアミンを含んでいた。約７５ｍｌ／ｈの５０重量％濃度のヒドロキシルアミン６を、ポンプを使用して塔底部から排出した。塔底部から排出した液は、４５ｐｐｍの硫酸ナトリウムを含んでいた。側方に配置された凝縮器１３への輸送部を、さらに塔底部の、且つ第１トレーの下側に設置した。網目プレートによる圧力損失によってもたらされた塔の背圧の結果、蒸気は濃縮塔１の底部から、側方に設置した凝縮器１３に送られた。この蒸気の流速を、凝縮器１３の頂部取り出し口で手動バルブ１２により制限した。凝縮器の頂部より除去される蒸気１０を、濃縮塔１の第８番目のトレーに導入した。約１８ｍｌ／ｈの約２０〜３５重量％濃度のヒドロキシルアミン溶液１１を、凝縮器１３にて濃縮し、実験室用ポンプを用いて分割受け器（separate receiver）に輸送した。安定剤を、この溶液に連続的に添加した。
金属イオンの濃度は、０．１ｐｐｍ未満であった。
［実施例２］
約１０重量％濃度のヒドロキシルアミン溶液を、高さ５ｍ、直径０．３ｍのガラス泡鐘トレイ塔において、約７７℃、０．３バールで５０重量％に濃縮した。蒸気を、ＰＴＦＥラインを介して塔の底部から除去し、二重ジャケット型冷却器を装備する側方に設置された５Ｌの貯蔵容器に導入した。蒸気の一部を、その中で濃縮した。濃縮しなかった蒸気を、ＰＴＦＥ蒸気ラインを通じて塔の第５番目のトレーに再循環させた。蒸気の量を、絞り弁により手動で制限した。次いで、冷却された受け器において濃縮蒸気を、５０重量％に濃縮した（極めて純粋な生成物）。
得られたヒドロキシルアミン溶液（この場合、５０重量％）は、以下の組成であった（１ｋｇの生成物に対する金属含有量［ｍｇ］；解析の正確性：０．１ｍｇ／ｋｇ）：
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極めて純粋な生成物中での全金属イオン濃度は、検出限度（０．１ｍｇ／ｋｇ）以下であった。１ｋｇの溶液に対して必要とされる０．１ｍｇ未満の純度が、確実に得られた。
別の実験において、ヒドロキシルアミン溶液が、側面口からの取り出しを行わない泡鐘トレイ塔において濃縮することにより得られる（標準生成物）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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