【事件の表示】
　平成２年特許願第２１２２０５号「アライメント・マーク構造」拒絶査定に対する審判事件（平成４年３月２６日出願公開、特開平４−９４５２２）について、次のとおり審決する。
【結論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成２年８月１０日の出願であって、その請求項１に係る発明は、特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。（以下、「本願発明」という。）
「半導体基板上にパターンを転写する際に用いるアライメント・マーク構造において、前記半導体基板上に形成され、互いに直交する第１および第２の方向に格子状に配列された複数の開口部を有する反射率の低い膜と、前記第２の方向には互いに分離するとともに、前記第１の方向に延在し前記開口部を被覆して形成された反射率の高い膜とを備えたことを特徴とするアライメント・マーク構造。」
２．引用例
　これに対して、当審で平成１１年９月７日付で通知した拒絶の理由の概要は、
「本願発明は、その出願前に国内において頒布された下記の刊行物に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が、容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　記
引用例１．特開昭６３−１９４３３０号公報
引用例２．特開昭５６−６２３２４号公報
引用例３．特開昭６１−１０４６３７号公報」
というものである。
３．引用例の認定
　上記引用例１には、第２頁右上欄第１行〜同欄第６行に、「本発明の目的は、・・・マスクとウエハとをアライメントしてマスク上の回路パターンをウエハ上に露光する半導体露光方法を提供する」と記載されている。
　また、上記引用例１には、第２頁左下欄第１１行〜第２頁右下欄第２行に、「半導体集積回路を作るには、何種ものパターンをウエハに焼付け、・・・等の工程を経る。この重ね合わせ露光を精度良く行うにはマスク１上の合わせマーク１１とウエハ上の合わせマーク（ターゲットマーク）２１の相対位置を正確に求め、ウエハをテーブル７により所定の位置に追い込む必要がある。ウエハ２上のターゲットマークは第１図（ｂ）に示すように、幅６μｍ、ピッチ１．４μｍの繰り返しパターンとする。このパターンに対し第１図（ｃ）のウエハ断面図（側面図）に示すように・・・Ｐ偏光をターゲットに照射する。」と記載されている。
　上記引用例１記載の「ウエハ」及び「ウエハ上の合わせマーク」は、本願発明の「半導体基板」及び「アライメント・マーク」にそれぞれ相当し、上記引用例１記載の「繰り返しパターン」は、第１図（ｂ）及び（ｃ）を参照すると、本願発明の「複数の開口から成る格子状に配置されたアライメントマーク」に相当するので、上記引用例１には、「半導体基板上にパターンを転写する際に用いるアライメント・マーク構造において、複数の開口から成る格子状に配置されたアライメントマーク」の発明が記載されている。
　また、上記引用例２及び３には、半導体基板上にパターンを転写する際に用いるアライメント・マーク構造において、アライメントマークの反射強度を高めるため、アライメントマークを反射率の高い物質で覆うこと（引用例２においては、第２頁左欄第１３〜第２頁右欄第１７行、引用例３においては、特許請求の範囲参照。）が記載されている。
　さらに、上記引用例３には、アルミニウム層を上層とする位置決め用マーク（本願発明のアライメント・マークに相当する。）が記載され、当該マークは、上記アルミニウム層からの反射光を検出するものである。
４．対比
　本願発明と引用例１に記載された発明とを対比すると、両者は、「半導体基板上にパターンを転写する際に用いるアライメント・マーク構造において、前記半導体基板上に形成され、格子状に配列された複数の開口部を備えたアライメント・マーク構造」において一致し、本願発明が、「互いに直交する第１および第２の方向に格子状に配列された複数の開口部を有する反射率の低い膜と、前記第２の方向には互いに分離するとともに、前記第１の方向に延在し前記開口部を被覆して形成された反射率の高い膜とを備えたことを特徴とするアライメント・マーク構造」を有するのに対し、上記引用例１にはこの点の構成がない点で相違する。
５．当審の判断
　上記相違点について検討すると、上記相違点は、次の２点からなるものと認められる。
（１）「互いに直交する第１及び第２の方向に格子状に配列された複数の開口部を有するアライメント・マーク構造」
（２）「第２の方向には互いに分離するとともに、前記第１の方向に延在し前記開口部を被覆して形成された反射率の高い膜とを備えたアライメント・マーク構造」
　上記（１）について検討すると、アライメント・マークを直交する２方向に配列した半導体製造の技術分野において周知であり、この周知のアライメント・マークの配列（例えば、特開平１−２１８０１９号公報参照。以下、「周知のアライメント・マーク構造」という。）を、引用例１のアライメント・マークの配列に換えて、適用することは、単なる設計上の事項にすぎないので、上記（１）の点は格別のものとは認められない。
　上記（２）について検討すると、アライメントマークの反射強度を高めるため、アライメントマークを反射率の高い物質で覆うことは、上記引用例２及び３に記載されているように、周知手段（以下、単に、「周知手段」という。）にすぎない。
　そうすると、「互いに直交する第１及び第２の方向に格子状に配列された複数の開口部を有する反射率の低い膜」からなるアライメント・マークに対し、「開口部を被覆して形成された反射率の高い膜を備え」る構造とすることは、上記周知のアライメント・マーク構造に対し、上記周知手段を単に付加した程度のものと認める。
　「第２の方向には互いに分離するとともに、前記第１の方向に延在し前記開口部を被覆して形成された反射率の高い膜とを備えた」点については、本件明細書には、特にその目的、作用及び効果について記載がなく特段の意義を認めることができず、また、アライメント・マークを構成する部分以外を高反射率化することはノイズの発生を招くため、アライメント・マークを構成する部分を可及的に高反射率化することは、当業者の知得する事項（上記引用例３のアルミニウム層、及び特開平１−１３７６２７号公報参照）であることを考慮すると、反射率の高い膜を被覆する際、高反射化する必要のない部分には反射率の高い膜を設けない、すなわち「第２の方向」には「互いに分離する」ことは、当業者が容易に想到できたものである。
　また、上記本願発明の構成要件を総合的に考慮しても、前記（１）、（２）の構成による相乗効果を認めることができない。
　なお、平成１１年１１月１６日付意見書において、出願人は参考図１を添付し、「本発明は、半導体基板上に、互いに直交する第１および第２の方向に格子状に配列された複数の開口部を有する反射率の低い膜が形成され、前記第２の方向には互いに分離するとともに、前記第１の方向に延在し該開口部を被覆するように形成された反射率の高い膜とを備えたものであり（参考図１における上面図（ａ）参照）、これにより、反射率の低い膜上に傷等の段差が生じた場合でも、該段差によって生じる信号のノイズは、該開口部によって生じる信号のノイズに比べ無視できるほど小さくなり、コントラストの優れた信号波形を抽出でき（参考図１における信号波形図（ｅ）参照）、スループットの向上あるいは歩留まりの向上を達成することができるという効果を有するものであります。」と主張しているが、本件明細書には、その旨の記載及びその効果の示唆もなく、かつ、「第２の方向には互いに分離する」際の分離幅について何ら記載がないので、「第２の方向には互いに分離する」ことによって特段の効果が生ずるとは認められない。
６．むすび
　従って、本願発明は、その出願前に国内において頒布された刊行物１〜３及び当業者の知得する事項に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が、容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。