(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）下記一般式（Ｉ）で表される遷移金属化合物成分と、
ＭＬx …（Ｉ）
（式中、Ｍは遷移金属原子を示し、Ｌは遷移金属原子に配位する配位子を示し、ｘは遷移金属原子Ｍの原子価を満たす数であり、遷移金属原子Ｍに配位する配位子Ｌの個数を示す。）
（Ｂ）頻度分布で示す粒度分布のヒストグラムのピークが１つであり、粒度分布の以下の定義で示すスパン値が２．５以下である、結晶成長によるマクロ形状を有する結晶粒子からなる固体状イオン性ホウ素化合物成分とからなることを特徴とするオレフィン重合用触媒。
スパン値＝（９０％積算径−１０％積算径）／メジアン径
【請求項２】
前記（Ａ）遷移金属化合物成分が、シクロペンタジエニル骨格を有する配位子を含む周期表第４族の遷移金属化合物である請求項１に記載のオレフィン重合用触媒。
【請求項３】
請求項１または２に記載のオレフィン重合用触媒の存在下にオレフィンを重合または共重合することを特徴とするオレフィンの重合方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、オレフィン重合用触媒およびオレフィンの重合方法に関する。
【０００２】
【発明の技術的背景】
従来からエチレン重合体、エチレン・α−オレフィン共重合体、エチレン・α−オレフィン・ポリエン共重合体、α−オレフィン重合体などのオレフィン（共）重合体を製造するための触媒として、遷移金属化合物と、有機アルミニウムオキシ化合物（アルミノオキサン）またはイオン性ホウ素化合物と、必要に応じてアニオン性水素および／またはアニオン性炭化水素基を有する化合物とからなる遷移金属系触媒が知られている。
【０００３】
ところで上記遷移金属系触媒で用いられるイオン性ホウ素化合物は、通常トルエンなどの芳香族炭化水素の溶液として用いられる。しかしながら芳香族炭化水素を使用することは、作業環境衛生の面での問題が発生することがあり、得られたオレフィン重合体の臭気の問題が発生することもある。また、芳香族炭化水素を用いない場合には、充分な活性を発現しない。
【０００４】
このため芳香族炭化水素を含まず、しかも芳香族炭化水素を用いたときと同等の重合活性を発現するオレフィン重合用触媒が求められている。
また、イオン性ホウ素化合物を工業的に固体状またはスラリー状で用いる場合には、計量／濃度むらや、移送時の配管詰まり等を起こさない性状、例えば抗力係数分布の小さな固体状イオン性ホウ素化合物が求められている。
【０００５】
【発明の目的】
本発明は上記のような従来技術に鑑みてなされたものであって、形状の整った固体状イオン性ホウ素化合物であり、芳香族炭化水素を含まず、しかも芳香族炭化水素を用いたときと同等の重合活性を発現するイオン性ホウ素化合物を一成分とするオレフィン重合用触媒および該触媒を用いたオレフィンの重合方法を提供することを目的としている。
【０００６】
【発明の概要】
本発明に係るオレフィン重合用触媒は、
（Ａ）下記一般式（Ｉ）で表される遷移金属化合物成分と、
ＭＬx …（Ｉ）
（式中、Ｍは遷移金属原子を示し、Ｌは遷移金属原子に配位する配位子を示し、ｘは遷移金属原子Ｍの原子価を満たす数であり、遷移金属原子Ｍに配位する配位子Ｌの個数を示す。）
（Ｂ）頻度分布で示す粒度分布のヒストグラムのピークが１つであり、粒度分布の以下の定義で示すスパン値が２．５以下である、結晶成長によるマクロ形状を有する結晶粒子からなる固体状イオン性ホウ素化合物成分とからなることを特徴とするオレフィン重合用触媒。
スパン値＝（９０％積算径−１０％積算径）／メジアン径
【００１２】
前記（Ａ）遷移金属化合物成分としては、シクロペンタジエニル骨格を有する配位子を含む周期表第４族の遷移金属化合物が挙げられる。
本発明に係るオレフィンの重合方法は、前記オレフィン重合用触媒の存在下にオレフィンを重合または共重合することを特徴としている。
【００１３】
【発明の具体的説明】
以下、本発明に係るオレフィン重合用触媒およびオレフィンの重合方法について具体的に説明する。
【００１４】
なお、本明細書において「重合」という語は、単独重合だけでなく、共重合をも包含した意味で用いられることがあり、「重合体」という語は、単独重合体だけでなく、共重合体をも包含した意味で用いられることがある。
【００１５】
固体状イオン性ホウ素化合物
本発明に係る固体状イオン性ホウ素化合物は、カチオンとホウ素化合物アニオンとからなる塩である。ホウ素化合物アニオンは後述する遷移金属化合物と反応することにより遷移金属化合物をカチオン化し、イオン対を形成することにより遷移金属カチオン種を安定化させる働きがある。そのようなホウ素化合物アニオンとしては、有機ホウ素化合物アニオンなどの比較的嵩高で遷移金属カチオン種を安定化させるものが好ましい。カチオンとしては、金属カチオン、有機金属カチオン、カルボニウムカチオン、トリピウムカチオン、オキソニウムカチオン、スルホニウムカチオン、ホスホニウムカチオン、アンモニウムカチオンなどが挙げられる。さらに詳しくはトリフェニルカルベニウムカチオン、トリブチルアンモニウムカチオン、N,N-ジメチルアンモニウムカチオン、フェロセニウムカチオンなどである。
【００１６】
イオン性ホウ素化合物としては、ホウ素化合物アニオン部のホウ素に置換する基の炭素原子数が６以上のものが好ましく、カチオン部の炭素原子数が６以上のものが好ましい。
【００１７】
イオン性ホウ素化合物として具体的には、
トリエチルアンモニウムテトラ（フェニル）ホウ素、
トリプロピルアンモニウムテトラ（フェニル）ホウ素、
トリ（n-ブチル）アンモニウムテトラ（フェニル）ホウ素、
トリメチルアンモニウムテトラ（p-トリル）ホウ素、
トリメチルアンモニウムテトラ（o-トリル）ホウ素、
トリブチルアンモニウムテトラ（ペンタフルオロフェニル）ホウ素、
トリプロピルアンモニウムテトラ（o,p-ジメチルフェニル）ホウ素、
トリブチルアンモニウムテトラ（m,m-ジメチルフェニル）ホウ素、
トリブチルアンモニウムテトラ（p-トリフルオロメチルフェニル）ホウ素、
トリ（n-ブチル）アンモニウムテトラ（o-トリル）ホウ素、
トリ（n-ブチル）アンモニウムテトラ（4-フルオロフェニル）ホウ素などのトリアルキル置換アンモニウム塩；
N,N-ジメチルアニリニウムテトラ（フェニル）ホウ素、
N,N-ジエチルアニリニウムテトラ（フェニル）ホウ素、
N,N-2,4,6-ペンタメチルアニリニウムテトラ（フェニル）ホウ素などのN,N-ジアルキルアニリニウム塩；
ジ（n-プロピル）アンモニウムテトラ（ペンタフルオロフェニル）ホウ素、
ジシクロヘキシルアンモニウムテトラ（フェニル）ホウ素などのジアルキルアンモニウム塩；
トリフェニルホスフォニウムテトラ（フェニル）ホウ素、
トリ（メチルフェニル）ホスフォニウムテトラ（フェニル）ホウ素、
トリ（ジメチルフェニル）ホスフォニウムテトラ（フェニル）ホウ素などのトリアリールホスフォニウム塩などが挙げられる。
【００１８】
さらにイオン性ホウ素化合物として、
トリフェニルカルベニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、
N,N-ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、
フェロセニウムテトラ（ペンタフルオロフェニル）ボレートも挙げることができる。
【００１９】
またイオン性ホウ素化合物として、以下のような化合物も例示できる。（なお、以下に列挙するイオン性化合物において対向イオンはトリ（n-ブチル）アンモニウムであるがこれに限定されない。）
ビス［トリ（n-ブチル）アンモニウム］ノナボレート、
ビス［トリ（n-ブチル）アンモニウム］デカボレート、
ビス［トリ（n-ブチル）アンモニウム］ウンデカボレート、
ビス［トリ（n-ブチル）アンモニウム］ドデカボレート、
ビス［トリ（n-ブチル）アンモニウム］デカクロロデカボレート、
ビス［トリ（n-ブチル）アンモニウム］ドデカクロロドデカボレート、
トリ（n-ブチル）アンモニウム-1-カルバデカボレート、
トリ（n-ブチル）アンモニウム-1-カルバウンデカボレート、
トリ（n-ブチル）アンモニウム-1-カルバドデカボレート、
トリ（n-ブチル）アンモニウム-1-トリメチルシリル-1-カルバデカボレート、
トリ（n-ブチル）アンモニウムブロモ-1-カルバドデカボレート；
デカボラン（14）、
7,8-ジカルバウンデカボラン（13）、
2,7-ジカルバウンデカボラン（13）、
ウンデカハイドライド-7,8-ジメチル-7,8-ジカルバウンデカボラン、
ドデカハイドライド-11-メチル-2,7-ジカルバウンデカボラン、
トリ（n-ブチル）アンモニウム6-カルバデカボレート（14）、
トリ（n-ブチル）アンモニウム6-カルバデカボレート（12）、
トリ（n-ブチル）アンモニウム7-カルバウンデカボレート（13）、
トリ（n-ブチル）アンモニウム7,8-ジカルバウンデカボレート（12）、
トリ（n-ブチル）アンモニウム2,9-ジカルバウンデカボレート（12）、
トリ（n-ブチル）アンモニウムドデカハイドライド-8-メチル7,9-ジカルバウンデカボレート、
トリ（n-ブチル）アンモニウムウンデカハイドライド8-エチル-7,9-ジカルバウンデカボレート、
トリ（n-ブチル）アンモニウムウンデカハイドライド-8-ブチル-7,9-ジカルバウンデカボレート、
トリ（n-ブチル）アンモニウムウンデカハイドライド-8-アリル-7,9-ジカルバウンデカボレート、
トリ（n-ブチル）アンモニウムウンデカハイドライド-9-トリメチルシリル-7,8-ジカルバウンデカボレート、
トリ（n-ブチル）アンモニウムウンデカハイドライド-4,6-ジブロモ-7-カルバウンデカボレート；
4-カルバノナボラン（14）、
1,3-ジカルバノナボラン（13）、
6,9-ジカルバデカボラン（14）、
ドデカハイドライド-1-フェニル-1,3-ジカルバノナボラン、
ドデカハイドライド-1-メチル-1,3-ジカルバノナボラン、
ウンデカハイドライド-1,3-ジメチル-1,3-ジカルバノナボランなどが挙げられる。
【００２０】
さらにイオン性ホウ素化合物として、以下のような金属カルボランの塩、金属ボランアニオンなども例示できる。（なお、以下に列挙するイオン性化合物において対向イオンはトリ（n-ブチル）アンモニウムであるがこれに限定されない。）
トリ（n-ブチル）アンモニウムビス（ノナハイドライド-1,3-ジカルバノナボレート）コバルテート（III）、
トリ（n-ブチル）アンモニウムビス（ウンデカハイドライド-7,8-ジカルバウンデカボレート）フェレート（鉄酸塩）（III）、
トリ（n-ブチル）アンモニウムビス（ウンデカハイドライド-7,8-ジカルバウンデカボレート）コバルテート（III）、
トリ（n-ブチル）アンモニウムビス（ウンデカハイドライド-7,8-ジカルバウンデカボレート）ニッケレート（III）、
トリ（n-ブチル）アンモニウムビス（ウンデカハイドライド-7,8-ジカルバウンデカボレート）キュブレート（銅酸塩）（III）、
トリ（n-ブチル）アンモニウムビス（ウンデカハイドライド-7,8-ジカルバウンデカボレート）アウレート（金属塩）（III）、
トリ（n-ブチル）アンモニウムビス（ノナハイドライド-7,8-ジメチル-7,8-ジカルバウンデカボレート）フェレート（III）、
トリ（n-ブチル）アンモニウムビス（ノナハイドライド-7,8-ジメチル-7,8-ジカルバウンデカボレート）クロメート（クロム酸塩）（III）、
トリ（n-ブチル）アンモニウムビス（トリブロモオクタハイドライド-7,8-ジカルバウンデカボレート）コバルテート（III）、
トリ（n-ブチル）アンモニウムビス（ドデカハイドライドジカルバドデカボレート）コバルテート（III）、
ビス［トリ（n-ブチル）アンモニウム］ビス（ドデカハイドライドドデカボレート）ニッケレート（III）、
トリス［トリ（n-ブチル）アンモニウム］ビス（ウンデカハイドライド-7-カルバウンデカボレート）クロメート（III）、
ビス［トリ（n-ブチル）アンモニウム］ビス（ウンデカハイドライド-7-カルバウンデカボレート）マンガネート（IV）、
ビス［トリ（n-ブチル）アンモニウム］ビス（ウンデカハイドライド-7-カルバウンデカボレート）コバルテート（III）、
ビス［トリ（n-ブチル）アンモニウム］ビス（ウンデカハイドライド-7-カルバウンデカボレート）ニッケレート（IV）など。
【００２１】
本発明に係る固体状イオン性ホウ素化合物は、上記のようなイオン性ホウ素化合物であり結晶成長によるマクロ形状を有する結晶粒子からなる。
ここで結晶成長によるマクロ形状とは、実質１固体として扱われる固体単体の形状が結晶成長に由来する形状であることを意味し、結晶成長に由来する形状としては、正六面体、八面体、プリズム型、ピラミッド型、平たい板状、菱面体、棒状、針状、雪の結晶状およびこれらの形状を有し稜や頂点に小さな面を有する形状などがある。
【００２２】
本発明では、結晶成長によるマクロ形状は、無傷であることを必須としない。すなわち、原型が推測できそれが結晶成長によるマクロ形状であれば、結晶成長によるマクロ形状を有すると見なす。
【００２３】
本発明に係る固体状イオン性ホウ素化合物は、結晶成長によるマクロ形状を有する結晶粒子の割合が、固体個数の好ましくは５０％以上、より好ましくは７０％以上である。
【００２４】
また結晶成長によるマクロ形状を有する結晶粒子の最長部は、微粉の飛散等の取り扱いの面から、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上であり、このような最長部が０．１μｍ以上の結晶粒子の割合が固体個数の好ましくは５０％以上、より好ましくは７０％以上である。
【００２５】
このような結晶成長によるマクロ形状を有する固体状イオン性ホウ素化合物の製法としては、例えばイオン性ホウ素化合物を溶解し得る溶媒（ａ）にイオン性ホウ素化合物を溶解し、得られた溶液をイオン性ホウ素化合物の溶解度が前記溶媒（ａ）より低い溶媒（ｂ）と接触させて再結晶化させる方法がある。
【００２６】
ここで用いられる溶媒（ａ）に対するイオン性ホウ素化合物の溶解度は低くても問題ははく、またイオン性ホウ素化合物の種類による影響も大きいが、経済的には１ｍｇ／ｍｌ以上であることが好ましい。なお、本明細書において溶解度とは、再結晶条件下での溶解度を意味する。
【００２７】
溶媒（ａ）としては、芳香族炭化水素、アルコール、ハロゲン化炭化水素、カルボニル化合物、エーテル、ニトリル化合物、無機物などが挙げられ、これらのなかでは芳香族炭化水素が好ましい。
【００２８】
芳香族炭化水素としてはベンゼン、トルエン、キシレン等が挙げられ、これらの中ではトルエンが好ましい。アルコールとしては、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノールなどが挙げられる。ハロゲン化炭化水素としては、ジクロロメタン、クロロプロパン、ジクロロプロパン、クロロブタン、ジクロロブタン、クロロペンタン、クロロヘキサン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロトルエン、ジクロロトルエン等が挙げられる。カルボニル化合物としてはアセトアルデヒド、アセトン、メチルイソブチルケトン、ベンジルアルデヒド、酢酸メチル、酢酸エチル等が挙げられる。エーテルとしては、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、アニソール、テトラヒドロフランなどが挙げられる。ニトリル化合物としては、アセトニトリル、プロピオニトリル等が挙げられる。これらの化合物中に炭素−炭素二重結合、炭素−炭素三重結合が存在してもよく、さらに１種の化合物中に複数の官能基を有していてもよい。
【００２９】
これらの溶媒（ａ）は、１種単独でまたは２種以上組合わせて用いることができる。２種以上組み合わせる場合の量比は任意である。
また溶媒（ｂ）は、イオン性ホウ素化合物の溶解度が前記溶媒（ａ）より低い溶媒であれば特に限定されないが、溶媒（ｂ）に対するイオン性ホウ素化合物の溶解度は、好ましくは０．１ｍｇ／ｍｌ以下である。
【００３０】
溶媒（ｂ）としは、脂肪族炭化水素、脂環族炭化水素、無機物等が挙げられ、これらのなかでは脂肪族炭化水素が好ましい。脂肪族炭化水素としては、プロパン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、灯油等が挙げられ、これらは直鎖状でも分岐構造であっても構わず、さらにその分岐の長さ、数、位置等に制限を受けない。脂環族炭化水素としては、シクロプロパン、シクロブタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサンなどが挙げられる。これらのなかではヘキサンが好ましい。無機物としては水が挙げられる。
【００３１】
これらの溶媒（ｂ）は、１種単独でまたは２種以上組合わせて用いることができる。２種以上組み合わせる場合の量比は任意である。
溶媒（ａ）と溶媒（ｂ）との組合せは任意に行うことができ、いずれか一方または両方が２種以上の組合せでもよい。溶媒（ａ）と溶媒（ｂ）とは、相溶であっても、非相溶であってもよいが、好ましくは完全相溶である。たとえば、溶媒（ａ）としてアセトンまたはメタノールを用いる場合は溶媒（ｂ）として水が適している。
【００３２】
イオン性ホウ素化合物の溶媒（ａ）に対するイオン性ホウ素化合物の溶解度は、溶媒（ｂ）に対するイオン性ホウ素化合物の溶解度の２．５倍以上であること好ましい。
【００３３】
溶媒（ａ）に溶かしたイオン性ホウ素化合物の溶液と溶媒（ｂ）とを接触させて再結晶化させることについて、より詳細に説明する。
イオン性ホウ素化合物の溶解に用いる溶媒（ａ）の量については特に制限はないが操作上と経済的観点から、イオン性ホウ素化合物の濃度が飽和濃度の１／１．１〜１／２．０の範囲にあることが望ましい。
【００３４】
イオン性ホウ素化合物の溶液と溶媒（ｂ）の接触方法は、特に限定はなくバッチ式、セミバッチ式、連続式などが採用される。バッチ式の場合、イオン性ホウ素化合物の溶液に溶媒（ｂ）を滴下しても、溶媒（ｂ）にイオン性ホウ素化合物の溶液を滴下してもよい。連続式の場合、装置としては、管型装置、槽型装置などを使用することができる。またイオン性ホウ素化合物の溶液と溶媒（ｂ）との接触は多流体ノズルで行うこともでき、そのまま乾燥することも可能である。イオン性ホウ素化合物の溶液と溶媒（ｂ）との接触時に必要に応じて気体を供給することもできる。槽型装置を用いる場合、液供給は気相部でも液相部でもよく、スプレーノズルも用いることもできる。槽型装置を用いる場合、物質移動を促進させる装置を付加することが望ましい。
【００３５】
イオン性ホウ素化合物の溶液との接触に用いる溶媒（ｂ）の量は、通常イオン性ホウ素化合物の溶液の１〜１００倍であり、溶液中に溶解しているイオン性ホウ素化合物の９０重量％以上が固体状イオン性ホウ素化合物として析出する量であることが望ましい。イオン性ホウ素化合物溶液と溶媒（ｂ）の接触時の温度は通常−５０〜１５０℃、好ましくは０〜５０℃である。イオン性ホウ素化合物の溶液と溶媒（ｂ）とをバッチ式またはセミバッチ式で接触させる場合、原料供給時間は通常１０秒〜１２時間、好ましくは１０分〜１時間であり、先に記述したようにイオン性ホウ素化合物の溶液または溶媒（ｂ）のいずれを先に全量仕込んでも構わない。イオン性ホウ素化合物の溶液と溶媒（ｂ）との接触時間は、通常１０秒〜１２時間、好ましくは１０分〜１時間である。
【００３６】
再結晶化したイオン性ホウ素化合物は公知の手段、沈降機（重力、遠心）や濾過機（真空、加圧、重力、遠心）を用いて固液分離し、必要に応じて洗浄、乾燥して固体状イオン性ホウ素化合物として得る。
【００３７】
得られた固体状イオン性ホウ素化合物は、必要に応じて粉砕してもよい。
本発明の他の態様に係る固体状イオン性ホウ素化合物は、頻度分布で示した粒度分布のヒストグラムのピークが１つの固体状イオン性ホウ素化合物である。ここで粒度分布のヒストグラムは、隣あう粒径が下記式を満たす間隔で表示する。
【００３８】
ｌｏｇ（ａ）−ｌｏｇ（ｂ）＝０．０５８９
（但し、ａ，ｂは隣あう粒径を示す。）
なお市販されているイオン性ホウ素化合物は、頻度分布で示した粒度分布のヒストグラムのピークが通常２以上存在する。
【００３９】
本発明において粒度分布の測定は、堀場社製レーザー回折／散乱式粒度分布装置（ＬＡ−９１０）を用い次の条件で測定する。
光源：Ｈｅ−Ｎｅレーザ及びタングステンランプ
Ｈｅ−Ｎｅレーザ透過率：５０〜９０
タングステンランプ透過率：７０〜９０
方式：湿式バッチセル方式
攪拌：回転子（超音波無し）−３分
粒子径基準：体積
分散媒：デカン
相対屈折率：１．１４
また、本発明の他の態様に係る固体状イオン性ホウ素化合物は、下記定義で示す粒度分布のスパン値が２．５以下、好ましくは０．００１〜２．５、より好ましくは０．０１〜２．０、特に好ましくは０．１〜１．７である固体状イオン性ホウ素化合物である。
【００４０】
スパン値＝（９０％積算径−１０％積算径）／メジアン径
１０％積算径：積算体積が１０体積％となったときの粒径
９０％積算径：積算体積が９０体積％となったときの粒径
メジアン径  ：積算体積が５０体積％となったときの粒径
なお、市販されているイオン性ホウ素化合物は、粒度分布のスパン値が、通常３．０以上である。
【００４１】
本発明に係る固体状イオン性ホウ素化合物は、頻度分布で示した粒度分布のヒストグラムのピークが１つであり、粒度分布のスパン値が２．５以下であることが好ましい。
【００４２】
上記のような頻度分布で示した粒度分布のヒストグラムのピークが１つである固体状イオン性ホウ素化合物およびスパン値が２．５以下である固体状イオン性ホウ素化合物は、上述したようなイオン性ホウ素化合物を再結晶させる方法により製造することができる。
【００４３】
以上のような本発明に係る固体状イオン性ホウ素化合物は、オレフィン重合用触媒成分として有効である。
オレフィン重合用触媒
本発明に係るオレフィン重合用触媒は、
（Ａ）遷移金属化合物成分と、
（Ｂ）固体状イオン性ホウ素化合物成分とからなる。
【００４４】
なお、本発明に係るオレフィン重合用触媒には、必要に応じてアニオン性水素および／またはアニオン性炭化水素基を有する化合物を用いてもよい。
まず、本発明のオレフィン重合用触媒を形成する各触媒成分について説明する。
【００４５】
（Ａ）遷移金属化合物成分
本発明で用いられる（Ａ）遷移金属化合物成分は、下記一般式（Ｉ）で表される遷移金属化合物である。
【００４６】
ＭＬx       …  （Ｉ）
式中、Ｍは遷移金属原子を示す。
ｘは遷移金属原子Ｍの原子価を満たす数であり、遷移金属原子Ｍに配位する配位子Ｌの個数を示す。
【００４７】
Ｌは遷移金属原子に配位する配位子を示す。
このような一般式（Ｉ）で表される遷移金属化合物としては、後述するようなシクロペンタジエニル骨格を有する配位子を含む周期表第４族の遷移金属化合物、遷移金属アミド化合物などがある。
【００４８】
次に、シクロペンタジエニル骨格を有する配位子を含む周期表第４族の遷移金属化合物について説明する。
本発明で遷移金属化合物成分として用いられるシクロペンタジエニル骨格を有する配位子を含む周期表第４族の遷移金属化合物は、下記一般式（Ｉ）で表される遷移金属化合物である。
【００４９】
Ｍ1 Ｌ1x       …  （Ｉ-1）
式中、Ｍ1 は周期表第４族から選ばれる遷移金属原子を示し、具体的には、ジルコニウム、チタンまたはハフニウムであり、好ましくはチタンまたはハフニウムである。
【００５０】
ｘは遷移金属原子Ｍ1 の原子価を満たす数であり、遷移金属原子Ｍ1 に配位する配位子Ｌ1 の個数を示す。
Ｌ1 は遷移金属原子に配位する配位子を示し、少なくとも１個のＬ1 はシクロペンタジエニル骨格を有する配位子であり、シクロペンタジエニル骨格を有する配位子以外のＬ1 は、炭素原子数が１〜２０の炭化水素基、炭素原子数１〜２０のハロゲン化炭化水素基、酸素含有基、イオウ含有基、ケイ素含有基、ハロゲン原子、水素原子などである。
【００５１】
Ｌ1 が示すシクロペンタジエニル骨格を有する配位子としては、たとえばシクロペンタジエニル基、メチルシクロペンタジエニル基、ジメチルシクロペンタジエニル基、トリメチルシクロペンタジエニル基、テトラメチルシクロペンタジエニル基、ペンタメチルシクロペンタジエニル基、エチルシクロペンタジエニル基、メチルエチルシクロペンタジエニル基、プロピルシクロペンタジエニル基、メチルプロピルシクロペンタジエニル基、ブチルシクロペンタジエニル基、メチルブチルシクロペンタジエニル基、ヘキシルシクロペンタジエニル基などのアルキル置換シクロペンタジエニル基またはインデニル基、4,5,6,7-テトラヒドロインデニル基、フルオレニル基などを例示することができる。これらの基は、炭素原子数が１〜２０の（ハロゲン化）炭化水素基、酸素含有基、イオウ含有基、ケイ素含有基、ハロゲン原子などで置換されていてもよい。
【００５２】
上記一般式（Ｉ-1）で表される遷移金属化合物がシクロペンタジエニル骨格を有する配位子を２個以上含む場合には、そのうち２個のシクロペンタジエニル骨格を有する配位子同士は、（置換）アルキレン基、（置換）シリレン基などの２価の結合基を介して結合されていてもよい。このような２個のシクロペンタジエニル骨格を有する配位子が２価の結合基を介して結合されている遷移金属化合物としては後述するような一般式（Ｉ-3）で表される遷移金属化合物が挙げられる。
【００５３】
シクロペンタジエニル骨格を有する配位子以外の配位子Ｌ1 としては、具体的に下記のようなものが挙げられる。
炭素原子数が１〜２０の炭化水素基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリールアルキル基、アリール基などが挙げられ、より具体的には、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ヘキシル、オクチル、ノニル、ドデシル、アイコシルなどのアルキル基；シクロペンチル、シクロヘキシル、ノルボルニル、アダマンチルなどのシクロアルキル基；ビニル、プロペニル、シクロヘキセニルなどのアルケニル基；ベンジル、フェニルエチル、フェニルプロピルなどのアリールアルキル基；フェニル、トリル、ジメチルフェニル、トリメチルフェニル、エチルフェニル、プロピルフェニル、ビフェニル、ナフチル、メチルナフチル、アントリル、フェナントリルなどのアリール基が挙げられる。
【００５４】
炭素原子数が１〜２０のハロゲン化炭化水素基としては、前記炭素原子数が１〜２０の炭化水素基にハロゲンが置換した基が挙げられる。
酸素含有基としてはヒドロキシ基；メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシなどのアルコキシ基；フェノキシ、メチルフェノキシ、ジメチルフェノキシ、ナフトキシなどのアリーロキシ基；フェニルメトキシ、フェニルエトキシなどのアリールアルコキシ基などが挙げられる。
【００５５】
イオウ含有基としては前記酸素含有基の酸素がイオウに置換した置換基、ならびにメチルスルフォネート、トリフルオロメタンスルフォネート、フェニルスルフォネート、ベンジルスルフォネート、p-トルエンスルフォネート、トリメチルベンゼンスルフォネート、トリイソブチルベンゼンスルフォネート、p-クロルベンゼンスルフォネート、ペンタフルオロベンゼンスルフォネートなどのスルフォネート基；メチルスルフィネート、フェニルスルフィネート、ベンジルスルフィネート、p-トルエンスルフィネート、トリメチルベンゼンスルフィネート、ペンタフルオロベンゼンスルフィネートなどのスルフィネート基が挙げられる。
【００５６】
ケイ素含有基としてはメチルシリル、フェニルシリルなどのモノ炭化水素置換シリル；ジメチルシリル、ジフェニルシリルなどのジ炭化水素置換シリル；トリメチルシリル、トリエチルシリル、トリプロピルシリル、トリシクロヘキシルシリル、トリフェニルシリル、ジメチルフェニルシリル、メチルジフェニルシリル、トリトリルシリル、トリナフチルシリルなどのトリ炭化水素置換シリル；トリメチルシリルエーテルなどの炭化水素置換シリルのシリルエーテル；トリメチルシリルメチルなどのケイ素置換アルキル基；トリメチルシリルフェニルなどのケイ素置換アリール基などが挙げられる。
【００５７】
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられる。
このような遷移金属化合物は、たとえば遷移金属の原子価が４である場合、より具体的には下記一般式（Ｉ-2）で示される。
【００５８】
Ｒ1 Ｒ2 Ｒ3 Ｒ4 Ｍ1     …  （Ｉ-2)
式中、Ｍ1 は、前記と同様の周期表第４族から選ばれる遷移金属原子を示し、好ましくはチタンまたはハフニウムである。
【００５９】
Ｒ1 は、シクロペンタジエニル骨格を有する基（配位子）を示し、
Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ4 は、互いに同一でも異なっていてもよく、シクロペンタジエニル骨格を有する基（配位子）、炭素原子数が１〜２０の（ハロゲン化）炭化水素基、酸素含有基、イオウ含有基、ケイ素含有基、ハロゲン原子、水素原子などを示す。
【００６０】
本発明では上記一般式（Ｉ-2) で示される遷移金属化合物において、Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ4 のうち少なくとも１個がシクロペンタジエニル骨格を有する基（配位子）である化合物、たとえばＲ1 およびＲ2 がシクロペンタジエニル骨格を有する基（配位子）である化合物が好ましく用いられる。また、Ｒ1 およびＲ2 がシクロペンタジエニル骨格を有する基（配位子）である場合、Ｒ3 およびＲ4 はアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリールアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリーロキシ基、トリアルキルシリル基、スルフォネート基、ハロゲン原子または水素原子であることが好ましい。
【００６１】
以下に、前記一般式（Ｉ-2）で表され、Ｍ1 がジルコニウムである遷移金属化合物について具体的な化合物を例示する。
ビス（インデニル）ジルコニウムジクロリド、
ビス（インデニル）ジルコニウムジブロミド、
ビス（インデニル）ジルコニウムビス（p-トルエンスルフォネート）、
ビス（4,5,6,7-テトラヒドロインデニル）ジルコニウムジクロリド、
ビス（フルオレニル）ジルコニウムジクロリド、
ビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド、
ビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウムジブロミド、
ビス（シクロペンタジエニル）メチルジルコニウムモノクロリド、
ビス（シクロペンタジエニル）エチルジルコニウムモノクロリド、
ビス（シクロペンタジエニル）シクロヘキシルジルコニウムモノクロリド、
ビス（シクロペンタジエニル）フェニルジルコニウムモノクロリド、
ビス（シクロペンタジエニル）ベンジルジルコニウムモノクロリド、
ビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウムモノクロリドモノハイドライド、
ビス（シクロペンタジエニル）メチルジルコニウムモノハイドライド、
ビス（シクロペンタジエニル）ジメチルジルコニウム、
ビス（シクロペンタジエニル）ジフェニルジルコニウム、
ビス（シクロペンタジエニル）ジベンジルジルコニウム、
ビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウムメトキシクロリド、
ビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウムエトキシクロリド、
ビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウムビス（メタンスルフォネート）、
ビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウムビス（p-トルエンスルフォネート）、
ビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウムビス（トリフルオロメタンスルフォネート）、
ビス（メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド、
ビス（ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド、
ビス（ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムエトキシクロリド、
ビス（ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムビス（トリフルオロメタンスルフォネート）、
ビス（エチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド、
ビス（メチルエチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド、
ビス（プロピルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド、
ビス（メチルプロピルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド、
ビス（ブチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド、
ビス（メチルブチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド、
ビス（メチルブチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムビス（メタンスルフォネート）、
ビス（トリメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド、
ビス（テトラメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド、
ビス（ペンタメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド、
ビス（ヘキシルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド、
ビス（トリメチルシリルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリドなど。
【００６２】
なお上記例示において、シクロペンタジエニル環の二置換体は、1,2-および1,3-置換体を含み、三置換体は、1,2,3-および1,2,4-置換体を含む。またプロピル、ブチルなどのアルキル基は、n-、i-、sec-、tert-などの異性体を含む。
【００６３】
また上記のようなジルコニウム化合物において、ジルコニウムを、チタンまたはハフニウムに置換えた化合物を挙げることもできる。
２個のシクロペンタジエニル骨格を有する配位子が２価の結合基を介して結合されている遷移金属化合物としては、たとえば下記式（Ｉ-3）で表される化合物が挙げられる。
【００６４】
【化１】
0004093634.tif 000002
【００６５】
式中、Ｍ1 は、周期表第４族の遷移金属原子を示し、具体的には、ジルコニウム、チタンまたはハフニウムであり、好ましくはチタンまたはハフニウムである。
【００６６】
Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 およびＲ8 は、互いに同一でも異なっていてもよく、炭素原子数が１〜２０の炭化水素基、炭素原子数が１〜２０のハロゲン化炭化水素基、酸素含有基、イオウ含有基、ケイ素含有基、窒素含有基、リン含有基、ハロゲン原子または水素原子を示す。Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 およびＲ8 で示される基のうち、互いに隣接する基の一部が結合してそれらの基が結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。なお、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 およびＲ8 が各々２ヶ所に表示されているが、それぞれたとえばＲ5 とＲ5 などは、同一の基でもよくまた相異なる基でもよい。Ｒで示される基のうち同一の符号のものは、それらを継いで、環を形成する場合の好ましい組み合せを示している。
【００６７】
炭素原子数が１〜２０の炭化水素基としては、前記Ｌ1 と同様のアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリールアルキル基、アリール基などが挙げられる。
【００６８】
これらの炭化水素基が結合して形成する環としてはベンゼン環、ナフタレン環、アセナフテン環、インデン環などの縮環基、および前記縮環基上の水素原子がメチル、エチル、プロピル、ブチルなどのアルキル基で置換された基が挙げられる。
【００６９】
炭素原子数が１〜２０のハロゲン化炭化水素基としては、前記炭素原子数が１〜２０の炭化水素基にハロゲンが置換した基が挙げられる。
酸素含有基としてはヒドロキシ基および前記Ｌ1 と同様のアルコキシ基、アリーロキシ基、アリールアルコキシ基などが挙げられる。
【００７０】
イオウ含有基としては前記酸素含有基の酸素がイオウに置換した置換基などが挙げられる。
ケイ素含有基としては、前記Ｌ1 と同様のモノ炭化水素置換シリル、ジ炭化水素置換シリル、トリ炭化水素置換シリル、炭化水素置換シリルのシリルエーテル、ケイ素置換アルキル基、ケイ素置換アリール基などが挙げられる。
【００７１】
窒素含有基としてはアミノ基；メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ、ジブチルアミノ、ジシクロヘキシルアミノなどのアルキルアミノ基；フェニルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノ、ジナフチルアミノ、メチルフェニルアミノなどのアリールアミノ基またはアルキルアリールアミノ基などが挙げられる。
【００７２】
リン含有基としてはジメチルフォスフィノ、ジフェニルフォスフィノなどのフォスフィノ基などが挙げられる。
ハロゲン原子としては、前記Ｌ1 と同様のものが挙げられる。
【００７３】
これらのうち炭素原子数が１〜２０の炭化水素基または水素原子であることが好ましく、特にメチル、エチル、プロピル、ブチルの炭素原子数が１〜４の炭化水素基、炭化水素基が結合して形成されたベンゼン環、炭化水素基が結合して形成されたベンゼン環上の水素原子がメチル、エチル、n-プロピル、iso-プロピル、n-ブチル、iso-ブチル、tert-ブチルなどのアルキル基で置換された基であることが好ましい。
【００７４】
Ｘ1 およびＸ2 は、互いに同一でも異なっていてもよく、前記Ｌと同様の炭素原子数１〜２０の炭化水素基、炭素原子数１〜２０のハロゲン化炭化水素基、酸素含有基、イオウ含有基、ケイ素含有基、ハロゲン原子、または水素原子を示す。
【００７５】
これらのうち、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０の炭化水素基またはスルフォネート基であることが好ましい。
Ｙ1 は、炭素原子数が１〜２０の２価の炭化水素基、炭素原子数が１〜２０の２価のハロゲン化炭化水素基、２価のケイ素含有基、２価のゲルマニウム含有基、２価のスズ含有基、−Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−Ｇｅ−、−Ｓｎ−、−ＮＲ9−、−Ｐ（Ｒ9)−、−Ｐ（Ｏ)(Ｒ9)−、−ＢＲ9−または−ＡｌＲ9−〔ただし、Ｒ9 は、互いに同一でも異なっていてもよく、炭素原子数が１〜２０の炭化水素基、炭素原子数が１〜２０のハロゲン化炭化水素基、水素原子またはハロゲン原子である〕を示す。
【００７６】
Ｙ1 が示す炭素原子数が１〜２０の２価の炭化水素基として具体的には、メチレン、ジメチルメチレン、1,2-エチレン、ジメチル-1,2-エチレン、1,3-トリメチレン、1,4-テトラメチレン、1,2-シクロヘキシレン、1,4-シクロヘキシレンなどのアルキレン基；ジフェニルメチレン、ジフェニル-1,2-エチレンなどのアリールアルキレン基などが挙げられる。
【００７７】
炭素原子数が１〜２０の２価のハロゲン化炭化水素基として具体的には、クロロメチレンなどの上記炭素原子数が１〜２０の２価の炭化水素基をハロゲン化した基などが挙げられる。
【００７８】
２価のケイ素含有基としては、シリレン、メチルシリレン、ジメチルシリレン、ジエチルシリレン、ジ（n-プロピル）シリレン、ジ（i-プロピル）シリレン、ジ（シクロヘキシル）シリレン、メチルフェニルシリレン、ジフェニルシリレン、ジ（p-トリル）シリレン、ジ（p-クロロフェニル）シリレンなどのアルキルシリレン基；アルキルアリールシリレン基；アリールシリレン基；テトラメチル-1,2-ジシリレン、テトラフェニル-1,2-ジシリレンなどのアルキルジシリレン基；アルキルアリールジシリレン基；アリールジシリレン基などが挙げられる。
【００７９】
２価のゲルマニウム含有基としては、上記２価のケイ素含有基のケイ素をゲルマニウムに置換した基などが挙げられる。
２価のスズ含有基としては、上記２価のケイ素含有基のケイ素をスズに置換した基などが挙げられる。
【００８０】
また、Ｒ9 は、前記Ｌ1 と同様の炭素原子数が１〜２０の炭化水素基、炭素原子数が１〜２０のハロゲン化炭化水素基またはハロゲン原子である。
これらのうち、ジメチルシリレン、ジフェニルシリレン、メチルフェニルシリレンなどの置換シリレン基が特に好ましい。
【００８１】
以下に、前記式（Ｉ-3）で表される遷移金属化合物について具体的な化合物を例示する。
エチレン-ビス（インデニル）ジメチルジルコニウム、
エチレン-ビス（インデニル）ジルコニウムジクロリド、
エチレン-ビス（インデニル）ジルコニウムビス（トリフルオロメタンスルフォネート）、
エチレン-ビス（インデニル）ジルコニウムビス（メタンスルフォネート）、
エチレン-ビス（インデニル）ジルコニウムビス（p-トルエンスルフォネート）、
エチレン-ビス（インデニル）ジルコニウムビス（p-クロルベンゼンスルフォネート）、
エチレン-ビス（4,5,6,7-テトラヒドロインデニル）ジルコニウムジクロリド、
イソプロピリデン-ビス（シクロペンタジエニル)(フルオレニル）ジルコニウムジクロリド、
イソプロピリデン-ビス（シクロペンタジエニル)(メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド、
ジメチルシリレン-ビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド、
ジメチルシリレン-ビス（メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド、
ジメチルシリレン-ビス（ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド、
ジメチルシリレン-ビス（トリメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド、
ジメチルシリレン-ビス（インデニル）ジルコニウムジクロリド、
ジメチルシリレン-ビス（インデニル）ジルコニウムビス（トリフルオロメタンスルフォネート）、
ジメチルシリレン-ビス（4,5,6,7-テトラヒドロインデニル）ジルコニウムジクロリド、
ジメチルシリレン-ビス（シクロペンタジエニル)(フルオレニル）ジルコニウムジクロリド、
ジフェニルシリレン-ビス（インデニル）ジルコニウムジクロリド、
メチルフェニルシリレン-ビス（インデニル）ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス（2,3,5-トリメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス（2,4,7-トリメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス（2-メチル-4-tert-ブチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド、
イソプロピリデン-(シクロペンタジエニル)(フルオレニル）ジルコニウムジクロリド、
ジメチルシリレン-(3-tert-ブチルシクロペンタジエニル)(インデニル）ジルコニウムジクロリド、
イソプロピリデン-(4-メチルシクロペンタジエニル)(3-メチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、
イソプロピリデン-(4-tert-ブチルシクロペンタジエニル)(3-メチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、
イソプロピリデン-(4-tert-ブチルシクロペンタジエニル)(3-tert-ブチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、
ジメチルシリレン-(4-メチルシクロペンタジエニル)(3-メチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、
ジメチルシリレン-(4-tert-ブチルシクロペンタジエニル)(3-メチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、
ジメチルシリレン-(4-tert-ブチルシクロペンタジエニル)(3-tert-ブチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、
ジメチルシリレン-(3-tert-ブチルシクロペンタジエニル)(フルオレニル）ジルコニウムジクロリド、
イソプロピリデン-(3-tert-ブチルシクロペンタジエニル)(フルオレニル）ジルコニウムジクロリドなど。
【００８２】
また上記のような化合物中のジルコニウムを、チタニウムまたはハフニウムに代えた化合物を挙げることもできる。
本発明では、前記式（Ｉ-3）で表される遷移金属化合物としてより具体的には下記一般式（Ｉ-4）または（Ｉ-5）で表される遷移金属化合物が挙げられる。
【００８３】
【化２】
0004093634.tif 000003
【００８４】
式中、Ｍ1 は周期表第４族の遷移金属原子を示し、具体的にはジルコニウム、チタンまたはハフニウムであり、好ましくはチタンまたはハフニウムである。
Ｒ11は、互いに同一でも異なっていてもよく、炭素原子数が１〜６の炭化水素基を示し、具体的には、
メチル、エチル、n-プロピル、イソプロピル、n-ブチル、イソブチル、sec-ブチル、tert-ブチル、n-ペンチル、ネオペンチル、n-ヘキシル、シクロヘキシルなどのアルキル基；ビニル、プロペニルなどのアルケニル基などが挙げられる。
【００８５】
これらのうちインデニル基に結合した炭素原子が１級のアルキル基が好ましく、さらに炭素原子数が１〜４のアルキル基が好ましく、特にメチル基およびエチル基が好ましい。
【００８６】
Ｒ12、Ｒ14、Ｒ15およびＲ16は、互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子またはＲ11と同様の炭素原子数が１〜６の炭化水素基を示す。Ｒ13は、互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子または炭素原子数が６〜１６のアリール基を示し、具体的には、
フェニル、α-ナフチル、β-ナフチル、アントリル、フェナントリル、ピレニル、アセナフチル、フェナレニル、アセアントリレニル、テトラヒドロナフチル、インダニル、ビフェニリルなどが挙げられる。これらのうちフェニル、ナフチル、アントリル、フェナントリルであることが好ましい。
【００８７】
これらのアリール基は、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲン原子；メチル、エチル、プロピル、ブチル、ヘキシル、シクロヘキシル、オクチル、ノニル、ドデシル、アイコシル、ノルボルニル、アダマンチルなどのアルキル基；ビニル、プロペニル、シクロヘキセニルなどのアルケニル基；ベンジル、フェニルエチル、フェニルプロピルなどのアリールアルキル基；フェニル、トリル、ジメチルフェニル、トリメチルフェニル、エチルフェニル、プロピルフェニル、ビフェニル、α−またはβ−ナフチル、メチルナフチル、アントリル、フェナントリル、ベンジルフェニル、ピレニル、アセナフチル、フェナレニル、アセアントリレニル、テトラヒドロナフチル、インダニル、ビフェニリルなどのアリール基などの炭素原子数が１〜２０の炭化水素基；トリメチルシリル、トリエチルシリル、トリフェニルシリルなどの有機シリル基で置換されていてもよい。
【００８８】
Ｘ1 およびＸ2 は、互いに同一でも異なっていてもよく、前記一般式（Ｉ-3）中のＸ1 およびＸ2 と同様である。これらのうち、ハロゲン原子または炭素原子数が１〜２０の炭化水素基であることが好ましい。
【００８９】
Ｙ1 は、前記一般式（Ｉ-3）中のＹ1 と同様である。これらのうち、２価のケイ素含有基、２価のゲルマニウム含有基であることが好ましく、２価のケイ素含有基であることがより好ましく、アルキルシリレン、アルキルアリールシリレンまたはアリールシリレンであることがより好ましい。
【００９０】
以下に上記一般式（Ｉ-4）で表される遷移金属化合物の具体的な化合物を例示する。
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-フェニルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-(α-ナフチル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-(β-ナフチル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-(1-アントリル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-(2-アントリル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-(9-アントリル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-(9-フェナントリル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-(p-フルオロフェニル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-(ペンタフルオロフェニル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-(p-クロロフェニル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-(m-クロロフェニル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-(o-クロロフェニル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-(o,p-ジクロロフェニル) フェニルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-(p-ブロモフェニル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-(p-トリル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-(m-トリル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-(o-トリル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-(o,o'-ジメチルフェニル)-1-インデニル) ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-(p-エチルフェニル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-(p-i-プロピルフェニル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-(p-ベンジルフェニル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-(p-ビフェニル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-(m-ビフェニル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-(p-トリメチルシリレンフェニル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-(m-トリメチルシリレンフェニル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-フェニル-4-フェニルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジエチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-フェニルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジ-(i-プロピル）シリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-フェニルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジ-(n-ブチル）シリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-フェニルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジシクロヘキシルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-フェニルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-メチルフェニルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-フェニルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジフェニルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-フェニルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジ（p-トリル）シリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-フェニルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジ（p-クロロフェニル）シリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-フェニルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-メチレン-ビス｛1-（2-メチル-4-フェニルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-エチレン-ビス｛1-（2-メチル-4-フェニルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルゲルミレン-ビス｛1-（2-メチル-4-フェニルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルスタニレン-ビス｛1-（2-メチル-4-フェニルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-フェニルインデニル）｝ジルコニウムジブロミド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-フェニルインデニル）｝ジルコニウムジメチル、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-フェニルインデニル）｝ジルコニウムメチルクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-フェニルインデニル）｝ジルコニウムクロリドＳＯ2Ｍｅ、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-フェニルインデニル）｝ジルコニウムクロリドＯＳＯ2Ｍｅ、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-エチル-4-フェニルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-エチル-4-(α-ナフチル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-エチル-4-(β-ナフチル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-エチル-4-(2-メチル-1-ナフチル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-エチル-4-(5-アセナフチル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-エチル-4-(9-アントリル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-エチル-4-(9-フェナントリル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-エチル-4-(o-メチルフェニル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-エチル-4-(m-メチルフェニル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-エチル-4-(p-メチルフェニル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-エチル-4-(2,3-ジメチルフェニル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-エチル-4-(2,4-ジメチルフェニル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-エチル-4-(2,5-ジメチルフェニル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-エチル-4-(2,4,6-トリメチルフェニル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-エチル-4-(o-クロロフェニル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-エチル-4-(m-クロロフェニル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-エチル-4-(p-クロロフェニル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-エチル-4-(2,3-ジクロロフェニル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-エチル-4-(2,6-ジクロロフェニル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-エチル-4-(3,5-ジクロロフェニル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-エチル-4-(2-ブロモフェニル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-エチル-4-(3-ブロモフェニル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-エチル-4-(4-ブロモフェニル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-エチル-4-(4-ビフェニリル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-エチル-4-(4-トリメチルシリルフェニル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-n-プロピル-4-フェニルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-n-プロピル-4-(α-ナフチル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-n-プロピル-4-(β-ナフチル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-n-プロピル-4-(2-メチル-1-ナフチル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-n-プロピル-4-(5-アセナフチル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-n-プロピル-4-(9-アントリル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-n-プロピル-4-(9-フェナントリル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-i-プロピル-4-フェニルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-i-プロピル-4-(α-ナフチル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-i-プロピル-4-(β-ナフチル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-i-プロピル-4-(8-メチル-9-ナフチル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-i-プロピル-4-(5-アセナフチル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-i-プロピル-4-(9-アントリル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-i-プロピル-4-(9-フェナントリル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-s-ブチル-4-フェニルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-s-ブチル-4-(α-ナフチル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-s-ブチル-4-(β-ナフチル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-s-ブチル-4-(2-メチル-1-ナフチル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-s-ブチル-4-(5-アセナフチル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-s-ブチル-4-(9-アントリル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-s-ブチル-4-(9-フェナントリル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-n-ペンチル-4-フェニルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-n-ペンチル-4-(α-ナフチル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-n-ブチル-4-フェニルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-n-ブチル-4-(α-ナフチル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-n-ブチル-4-(β-ナフチル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-n-ブチル-4-(2-メチル-1-ナフチル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-n-ブチル-4-(5-アセナフチル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-n-ブチル-4-(9-アントリル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-n-ブチル-4-(9-フェナントリル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-i-ブチル-4-フェニルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-i-ブチル-4-(α-ナフチル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-i-ブチル-4-(β-ナフチル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-i-ブチル-4-(2-メチル-1-ナフチル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-i-ブチル-4-(5-アセナフチル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-i-ブチル-4-(9-アントリル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-i-ブチル-4-(9-フェナントリル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-ネオペンチル-4-フェニルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-ネオペンチル-4-(α-ナフチル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-n-ヘキシル-4-フェニルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-(2-n-ヘキシル-4-(α-ナフチル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-メチルフェニルシリレン-ビス｛1-(2-エチル-4-フェニルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-メチルフェニルシリレン-ビス｛1-(2-エチル-4-(α-ナフチル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-メチルフェニルシリレン-ビス｛1-(2-エチル-4-(9-アントリル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-メチルフェニルシリレン-ビス｛1-(2-エチル-4-(9-フェナントリル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジフェニルシリレン-ビス｛1-(2-エチル-4-フェニルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジフェニルシリレン-ビス｛1-(2-エチル-4-(α-ナフチル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジフェニルシリレン-ビス｛1-(2-エチル-4-(9-アントリル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジフェニルシリレン-ビス｛1-(2-エチル-4-(9-フェナントリル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジフェニルシリレン-ビス｛1-(2-エチル-4-(4-ビフェニリル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-メチレン-ビス｛1-(2-エチル-4-フェニルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-メチレン-ビス｛1-(2-エチル-4-(α-ナフチル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-エチレン-ビス｛1-(2-エチル-4-フェニルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-エチレン-ビス｛1-(2-エチル-4-(α-ナフチル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-エチレン-ビス｛1-(2-n-プロピル-4-(α-ナフチル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルゲルミル-ビス｛1-(2-エチル-4-フェニルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルゲルミル-ビス｛1-(2-エチル-4-(α-ナフチル）インデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルゲルミル-ビス｛1-(2-n-プロピル-4-フェニルインデニル）｝
ジルコニウムジクロリドなど。
【００９１】
また上記のような化合物中のジルコニウムをチタニウムまたはハフニウムに代えた化合物を挙げることもできる。
本発明では、通常前記一般式（Ｉ-4）で表される遷移金属化合物のラセミ体が触媒成分として用いられるが、Ｒ型またはＳ型を用いることもできる。
【００９２】
このような一般式（Ｉ-4）で表される遷移金属化合物は、Journal of Organometallic Chem.288(1985)、第63〜67頁、ヨーロッパ特許出願公開第0,320,762 号明細書および実施例に準じて製造することができる。
【００９３】
次に、一般式（Ｉ-5）で表される遷移金属化合物について説明する。
【００９４】
【化３】
0004093634.tif 000004
【００９５】
式中、Ｍ1 は周期表第４族の遷移金属原子を示し、具体的にはジルコニウム、チタンまたはハフニウムであり、好ましくはチタンまたはハフニウムである。
Ｒ21およびＲ22は、互いに同一でも異なっていてもよく、炭素原子数が１〜２０の炭化水素基、炭素原子数が１〜２０のハロゲン化炭化水素基、酸素含有基、イオウ含有基、ケイ素含有基、窒素含有基、リン含有基、ハロゲン原子または水素原子を示し、具体的には、前記Ｒ5 〜Ｒ8 と同様の原子または基が挙げられる。
【００９６】
これらのうちＲ21は、炭素原子数が１〜２０の炭化水素基であることが好ましく、特にメチル、エチル、プロピルの炭素原子数が１〜３の炭化水素基であることが好ましい。
【００９７】
Ｒ22は、水素原子または炭素原子数が１〜２０の炭化水素基であることが好ましく、特に水素原子または、メチル、エチル、プロピルの炭素原子数が１〜３の炭化水素基であることが好ましい。
【００９８】
Ｒ23およびＲ24は、互いに同一でも異なっていてもよく、炭素原子数が１〜２０のアルキル基を示し、具体的にはメチル、エチル、n-プロピル、イソプロピル、n-ブチル、イソブチル、sec-ブチル、tert-ブチル、n-ペンチル、ネオペンチル、n-ヘキシル、シクロヘキシル、オクチル、ノニル、ドデシル、アイコシルなどのアルキル基；、ノルボルニル、アダマンチルなどのシクロアルキル基などが挙げられる。
【００９９】
これらのうちＲ23は、２級または３級アルキル基であることが好ましい。
Ｘ1 およびＸ2 は、互いに同一でも異なっていてもよく、前記一般式（Ｉ-3）中のＸ1 およびＸ2 と同様である。
【０１００】
Ｙ1 は、前記一般式（Ｉ-3）中のＹ1 と同様である。
以下に上記一般式（Ｉ-5）で表される遷移金属化合物の具体的な化合物を例示する。
【０１０１】
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2,7-ジメチル-4-エチルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2,7-ジメチル-4-n-プロピルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2,7-ジメチル-4-i-プロピルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2,7-ジメチル-4-n-ブチルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2,7-ジメチル-4-sec-ブチルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2,7-ジメチル-4-t-ブチルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2,7-ジメチル-4-n-ペンチルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2,7-ジメチル-4-n-ヘキシルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2,7-ジメチル-4-シクロヘキシルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2,7-ジメチル-4-メチルシクロヘキシルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2,7-ジメチル-4-フェニルエチルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2,7-ジメチル-4-フェニルジクロロメチルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2,7-ジメチル-4-クロロメチルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2,7-ジメチル-4-トリメチルシリルメチルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2,7-ジメチル-4-トリメチルシロキシメチルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジエチルシリレン-ビス｛1-（2,7-ジメチル-4-i-プロピルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジ（i-プロピル）シリレン-ビス｛1-（2,7-ジメチル-4-i-プロピルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジ（n-ブチル）シリレン-ビス｛1-（2,7-ジメチル-4-i-プロピルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジ（シクロヘキシル）シリレン-ビス｛1-（2,7-ジメチル-4-i-プロピルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-メチルフェニルシリレン-ビス｛1-（2,7-ジメチル-4-i-プロピルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-メチルフェニルシリレン-ビス｛1-（2,7-ジメチル-4-t-ブチルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジフェニルシリレン-ビス｛1-（2,7-ジメチル-4-t-ブチルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジフェニルシリレン-ビス｛1-（2,7-ジメチル-4-i-プロピルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジフェニルシリレン-ビス｛1-（2,7-ジメチル-4-エチルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジ（p-トリル）シリレン-ビス｛1-（2,7-ジメチル-4-i-プロピルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジ（p-クロロフェニル）シリレン-ビス｛1-（2,7-ジメチル-4-i-プロピルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-i-プロピル-7-エチルインデニル）｝ジルコニウムジブロミド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2,3,7-トリメチル-4-エチルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2,3,7-トリメチル-4-n-プロピルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2,3,7-トリメチル-4-i-プロピルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2,3,7-トリメチル-4-n-ブチルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2,3,7-トリメチル-4-sec-ブチルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2,3,7-トリメチル-4-t-ブチルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2,3,7-トリメチル-4-n-ペンチルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2,3,7-トリメチル-4-n-ヘキシルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2,3,7-トリメチル-4-シクロヘキシルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2,3,7-トリメチル-4-メチルシクロヘキシルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2,3,7-トリメチル-4-トリメチルシリルメチルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2,3,7-トリメチル-4-トリメチルシロキシメチルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2,3,7-トリメチル-4-フェニルエチルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2,3,7-トリメチル-4-フェニルジクロロメチルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2,3,7-トリメチル-4-クロロメチルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジエチルシリレン-ビス｛1-（2,3,7-トリメチル-4-i-プロピルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジ（i-プロピル）シリレン-ビス｛1-（2,3,7-トリメチル-4-i-プロピルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジ（n-ブチル）シリレン-ビス｛1-（2,3,7-トリメチル-4-i-プロピルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジ（シクロヘキシル）シリレン-ビス｛1-（2,3,7-トリメチル-4-i-プロピルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-メチルフェニルシリレン-ビス｛1-（2,3,7-トリメチル-4-i-プロピルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-メチルフェニルシリレン-ビス｛1-（2,3,7-トリメチル-4-t-ブチルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジフェニルシリレン-ビス｛1-（2,3,7-トリメチル-4-t-ブチルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジフェニルシリレン-ビス｛1-（2,3,7-トリメチル-4-i-プロピルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジフェニルシリレン-ビス｛1-（2,3,7-トリメチル-4-エチルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジ（p-トリル）シリレン-ビス｛1-（2,3,7-トリメチル-4-i-プロピルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジ（p-クロロフェニル）シリレン-ビス｛1-（2,3,7-トリメチル-4-i-プロピルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-i-プロピル-7-メチルインデニル）｝ジルコニウムジメチル、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-i-プロピル-7-メチルインデニル）｝ジルコニウムメチルクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-i-プロピル-7-メチルインデニル）｝ジルコニウム-ビス（メタンスルフォネート）、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4-i-プロピル-7-メチルインデニル）｝ジルコニウム-ビス（p-フェニルスルフィナト）、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-3-メチル-4-i-プロピル-7-メチルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチル-4,6-ジ-i-プロピルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-エチル-4-i-プロピル-7-メチルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-フェニル-4-i-プロピル-7-メチルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-ジメチルシリレン-ビス｛1-（2-メチルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-エチレン-ビス｛1-（2,4,7-トリメチルインデニル）｝ジルコニウムジクロリド、
rac-イソプロピリデン-ビス｛1-（2,4,7-トリメチルインデニル）｝ジルコニウムジクロリドなど。
【０１０２】
また上記のような化合物中のジルコニウムをチタニウムまたはハフニウムに代えた化合物を挙げることもできる。
これらの中で、４位にi-プロピル，sec-ブチル，tert-ブチル基などの分岐アルキル基を有するものが、特に好ましい。
【０１０３】
本発明では、通常前記一般式（Ｉ-5）で表される遷移金属化合物のラセミ体が触媒成分として用いられるが、Ｒ型またはＳ型を用いることもできる。
上記のような一般式（Ｉ-5）で表される遷移金属化合物は、インデン誘導体から既知の方法たとえば特開平４−２６８３０７号公報に記載されている方法により合成することができる。
【０１０４】
また、本発明では、（Ａ）遷移金属化合物成分として下記式（II-1）で表される化合物を用いることもできる。
Ｌ2 Ｍ1 Ｘ32     …（II-1）
式中、Ｍ1 は周期表第４族の遷移金属原子を示す。
【０１０５】
Ｌ2 は、非局在化π結合基の誘導体であり、金属Ｍ1 活性サイトに拘束幾何形状を付与しており、
Ｘ3 は、互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子または２０個以下の炭素原子、ケイ素原子もしくはゲルマニウム原子を含有する炭化水素基、シリル基もしくはゲルミル基である。
【０１０６】
このような一般式（II-1）で表される化合物のうちでは、下記式（II-2）で表される化合物が好ましい。
【０１０７】
【化４】
0004093634.tif 000005
【０１０８】
式中、Ｍ1 は周期表第４族の遷移金属原子を示し、具体的にはジルコニウム、チタンまたはハフニウムであり、好ましくはチタンまたはハフニウムである。
Ｃｐは、Ｍ1 にπ結合しており、かつ置換基Ｚ1 を有する置換シクロペンタジエニル基またはその誘導体を示す。
【０１０９】
Ｚ1 は、酸素原子、イオウ原子、ホウ素原子または周期表第１４族の元素を含む配位子を示し、たとえば−Ｓｉ（Ｒ252)−、−Ｃ（Ｒ252)−、−Ｓｉ（Ｒ252)Ｓｉ（Ｒ252)−、−Ｃ（Ｒ252)Ｃ（Ｒ252)−、−Ｃ（Ｒ252)Ｃ（Ｒ252)Ｃ（Ｒ252)−、−Ｃ（Ｒ25）＝Ｃ（Ｒ25）−、−Ｃ（Ｒ252)Ｓｉ（Ｒ252)−、−Ｇｅ（Ｒ252)−などである。
【０１１０】
Ｙ2 は、窒素原子、リン原子、酸素原子またはイオウ原子を含む配位子を示し、たとえば−Ｎ（Ｒ26）−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｐ（Ｒ26）−などである。
またＺ1 とＹ2 とで縮合環を形成してもよい。
【０１１１】
上記Ｒ25は水素原子または２０個までの非水素原子をもつアルキル、アリール、シリル、ハロゲン化アルキル、ハロゲン化アリール基またびそれらの組合せから選ばれた基であり、Ｒ26は炭素原子数１〜１０のアルキル、炭素原子数６〜１０のアリール基若しくは炭素原子数７〜１０のアラルキル基であるか、または１個若しくはそれ以上のＲ25と３０個までの非水素原子の縮合環系を形成してもよい。
【０１１２】
以下に上記一般式（II-2）で表される遷移金属化合物の具体的な化合物を例示する。
(tert-ブチルアミド)(テトラメチル-η5-シクロペンタジエニル)-1,2-エタンジイルジルコニウムジクロリド、
(tert-ブチルアミド)(テトラメチル-η5-シクロペンタジエニル)-1,2-エタンジイルチタンジクロリド、
（メチルアミド)(テトラメチル-η5-シクロペンタジエニル)-1,2-エタンジイルジルコニウムジクロリド、
（メチルアミド)(テトラメチル-η5-シクロペンタジエニル)-1,2-エタンジイルチタンジクロリド、
（エチルアミド)(テトラメチル-η5-シクロペンタジエニル)-メチレンチタンジクロリド、
(tert-ブチルアミド）ジメチル（テトラメチル-η5-シクロペンタジエニル）シランチタンジクロリド、
(tert-ブチルアミド）ジメチル（テトラメチル-η5-シクロペンタジエニル）シランジルコニウムジクロリド、
（ベンジルアミド）ジメチル-(テトラメチル-η5-シクロペンタジエニル）シランチタンジクロリド、
（フェニルホスフィド）ジメチル（テトラメチル-η5-シクロペンタジエニル）シランジルコニウムジベンジルなど。
【０１１３】
本発明で遷移金属化合物成分として用いられる遷移金属アミド化合物は、下記一般式（III）で表される化合物である。
（Ｒ2 Ｎ）k Ｍ2 Ｘ4j-k     …（III）
式中、Ｍ2 は、周期表第３〜６族の遷移金属原子を示し、チタン、ジルコニウム、ハフニウムなどの周期表第４族の遷移金属原子であることが好ましい。
【０１１４】
ｊは遷移金属原子Ｍ2 の価数を表す。
ｋは１〜ｊの整数を表す。
Ｒは、互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭化水素基、ハロゲン化炭化水素基、有機シリル基または、窒素、酸素、リン、イオウおよびケイ素から選ばれる少なくとも１種の元素を有する置換基を示す。
【０１１５】
炭化水素基として具体的には、メチル、エチル、n-プロピル、イソプロピル、n-ブチル、イソブチル、sec-ブチル、tert-ブチル、ペンチル、ヘキシル、オクチル、デシル、オクタデシルなどの炭素原子数が１〜２０の直鎖または分岐状のアルキル基；フェニル、ナフチルなどの炭素原子数が６〜２０のアリール基；これらのアリール基に前記炭素原子数が１〜２０のアルキル基などの置換基が１〜５個置換した置換アリール基；シクロペンチル、シクロヘキシル、ノルボルニル、アダマンチルなどのシクロアルキル基；ビニル、プロペニル、シクロヘキセニルなどのアルケニル基；ベンジル、フェニルエチル、フェニルプロピルなどのアリールアルキル基などが挙げられる。
【０１１６】
ハロゲン化炭化水素基としては、前記炭化水素基にハロゲンが置換した基が挙げられる。
有機シリル基として具体的には、メチルシリル、ジメチルシリル、トリメチルシリル、エチルシリル、ジエチルシリル、トリエチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。
【０１１７】
窒素、酸素、リン、イオウおよびケイ素から選ばれる少なくとも１種の元素を有する置換基としては、前記炭化水素基に、−ＣＯＯＣＨ3 、−Ｎ（ＣＨ3 ）Ｃ（Ｏ）ＣＨ3 、−ＯＣ（Ｏ）ＣＨ3 、−ＣＮ、−Ｎ（Ｃ2 Ｈ5 ）2 、−Ｎ（ＣＨ3 ）Ｓ（Ｏ2 ）ＣＨ3 、−Ｐ（Ｃ6 Ｈ5 ）2 などの窒素、酸素、リン、イオウおよびケイ素から選ばれる少なくとも１種の元素を有する置換基が置換した基が挙げられる。
【０１１８】
これらのなかでは、有機シリル基が好ましく、特にトリメチルシリル、トリエチルシリル、トリフェニルシリルなどのトリ炭化水素置換シリル基が好ましい。同一の窒素原子に結合するＲで示される基は、互いに連結して脂肪族環などの環を形成していてもよい。
【０１１９】
ｋが２以上の場合、異なる窒素原子に結合するＲで示される基は、互いに同一でも異なっていてもよく、また互いに連結して２個の窒素原子を結合する結合基を形成していてもよい。
【０１２０】
Ｘ4 は、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０の炭化水素基、炭素原子数１〜２０のハロゲン化炭化水素基、酸素含有基、イオウ含有基、ケイ素含有基を示し、具体的には前記一般式（Ｉ-1）中のＸ1 およびＸ2 と同じである。これらのうち、ハロゲン原子またはスルフォネート基であることが好ましい。
【０１２１】
なお、ｊ−ｋが２以上の場合には、複数のＸ4 は互いに同一でも異なっていてもよい。
以下に、前記一般式（III）で表される遷移金属アミド化合物の具体的な例を示すが、これらに限定されるものではない。
ビス（ジメチルアミド）チタニウムジクロリド、
ビス（ジエチルアミド）チタニウムジクロリド、
ビス（ジプロピルアミド）チタニウムジクロリド、
ジイソプロピルアミドチタニウムトリクロリド、
ビス（ジイソプロピルアミド）チタニウムジクロリド、
トリス（ジイソプロピルアミド）チタニウムクロリド、
テトラキス（ジイソプロピルアミド）チタニウム、
ジブチルアミドチタニウムトリクロリド、
ビス（ジブチルアミド）チタニウムジクロリド、
トリス（ジブチルアミド）チタニウムクロリド、
テトラキス（ジブチルアミド）チタニウム、
ビス（ジイソブチルアミド）チタニウムジクロリド、
ビス（ジヘキシルアミド）チタニウムジクロリド、
ジオクチルアミドチタニウムトリクロリド、
ビス（ジオクチルアミド）チタニウムジクロリド、
トリス（ジオクチルアミド）チタニウムクロリド、
テトラキス（ジオクチルアミド）チタニウム、
ビス（ジデシルアミド）チタニウムジクロリド、
ビス（ジオクタデシルアミド）チタニウムジクロリド、
ビス（ジエチルアミド）ビス[ビス（トリメチルシリル）アミド]チタニウム、
ビス［ビス（トリメチルシリル）アミド］チタニウムジクロリド、
トリス［ビス（トリメチルシリル）アミド］チタニウムクロリド、
テトラキス［ビス（トリメチルシリル）アミド］チタニウムなど。
【０１２２】
上記以外にも、前記一般式（III）で表される遷移金属アミド化合物として、上記化合物中のチタンがジルコニウムまたはハフニウムに置き代わった化合物などが挙げられる。
【０１２３】
前記一般式（III）で表される遷移金属アミド化合物のうち、異なる窒素原子に結合する２個のＲが互いに結合して２個の窒素原子を結合する結合基を形成している化合物としては、下記一般式（III-1）で表される化合物を挙げることができる。
【０１２４】
【化５】
0004093634.tif 000006
【０１２５】
式中、Ｍ2 は、前記一般式（III）におけるＭ2 と同じであり、チタン、ジルコニウム、ハフニウムなどの周期表第４族の遷移金属原子であることが好ましく、特にチタンが好ましい。
【０１２６】
Ｒ’およびＲ''は、互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭化水素基、ハロゲン化炭化水素基、有機シリル基または、窒素、酸素、リン、イオウおよびケイ素から選ばれる少なくとも１種の元素を有する置換基を示し、具体的には、前記一般式（III）中のＲと同様の基が挙げられる。
【０１２７】
ｍは、０〜２の整数である。
ｎは、１〜５の整数である。
Ａは、周期表第１３〜１６族の原子を示し、具体的には、ホウ素原子、炭素原子、窒素原子、酸素原子、ケイ素原子、リン原子、イオウ原子、ゲルマニウム原子、セレン原子、スズ原子などが挙げられ、炭素原子またはケイ素原子であることが好ましい。ｎが２以上の場合には、複数のＡは、互いに同一でも異なっていてもよい。
【０１２８】
Ｅは、炭素、水素、酸素、ハロゲン、窒素、イオウ、リン、ホウ素およびケイ素から選ばれる少なくとも１種の元素を有する置換基である。Ｅで示される基が複数存在する場合は、Ｅで示される複数の基は、互いに同一でも異なっていてもよく、またＥで示される２個以上の基が互いに連結して環を形成していてもよい。
【０１２９】
このような−（（Ｅm ）Ａ）n −で示される２個の窒素原子を結合する結合基として具体的には以下のような基などが挙げられる。
−ＣＨ2 −、−Ｃ（Ｍｅ)2−、−Ｃ（Ｐｈ)2−、−Ｓｉ（Ｍｅ)2−、
−Ｓｉ（Ｐｈ)2−、−Ｓｉ（Ｍｅ)(Ｐｈ）−、−ＣＨ2 ＣＨ2 −、
−ＣＨ2 Ｓｉ（Ｍｅ)2−、−ＣＨ2 ＣＨ2 ＣＨ2 −、
−ＣＨ2 Ｃ（Ｍｅ)2ＣＨ2 −、−ＣＨ2 Ｃ（Ｅｔ)2ＣＨ2 −、
−ＣＨ2 Ｃ（nＰｒ)2ＣＨ2 −、−ＣＨ2 Ｃ（iＰｒ)2ＣＨ2 −、
−ＣＨ2 Ｃ（nＢｕ)2ＣＨ2 −、−ＣＨ2 Ｃ（iＢｕ)2ＣＨ2 −、
−ＣＨ2 Ｃ（sＢｕ)2ＣＨ2 −、−ＣＨ2 Ｃ（cＰｅｎ)2ＣＨ2 −、
−ＣＨ2 Ｃ（cＨｅｘ)2ＣＨ2 −、−ＣＨ2 Ｃ（Ｐｈ)2ＣＨ2 −、
−ＣＨ2 Ｃ（Ｍｅ)(Ｅｔ）ＣＨ2 −、−ＣＨ2 Ｃ（Ｍｅ)(iＰｒ）ＣＨ2 −、
−ＣＨ2 Ｃ（Ｍｅ)(iＢｕ）ＣＨ2 −、−ＣＨ2 Ｃ（Ｍｅ)(tＢｕ）ＣＨ2 −、
−ＣＨ2 Ｃ（Ｍｅ)(iＰｅｎ）ＣＨ2 −、−ＣＨ2 Ｃ（Ｍｅ)(Ｐｈ）ＣＨ2 −、
−ＣＨ2 Ｃ（Ｅｔ)(iＰｒ）ＣＨ2 −、−ＣＨ2 Ｃ（Ｅｔ)(iＢｕ）ＣＨ2 −、
−ＣＨ2Ｃ（Ｅｔ)(iＰｅｎ）ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｃ(iＰｒ)(iＢｕ）ＣＨ2−、
−ＣＨ2 Ｃ（i Ｐｒ)(i Ｐｅｎ）ＣＨ2 −、−ＣＨ2 Ｓｉ（Ｍｅ)2ＣＨ2 −、
−ＣＨ2 Ｓｉ（Ｅｔ)2ＣＨ2 −、−ＣＨ2 Ｓｉ（n-Ｂｕ)2ＣＨ2 −、
−ＣＨ2 Ｓｉ（Ｐｈ)2ＣＨ2 −、−ＣＨ（Ｍｅ）ＣＨ2 ＣＨ（Ｍｅ）−、
−ＣＨ（Ｐｈ）ＣＨ2 ＣＨ（Ｐｈ）−、−Ｓｉ（Ｍｅ)2ＯＳｉ（Ｍｅ)2−、
−ＣＨ2 ＣＨ2 ＣＨ2 ＣＨ2 −、−Ｓｉ（Ｍｅ)2ＣＨ2 ＣＨ2 Ｓｉ（Ｍｅ)2−、
【０１３０】
【化６】
0004093634.tif 000007
【０１３１】
【化７】
0004093634.tif 000008
【０１３２】
【化８】
0004093634.tif 000009
【０１３３】
【化９】
0004093634.tif 000010
【０１３４】
【化１０】
0004093634.tif 000011
【０１３５】
なお、上記例示中、Ｍｅはメチル基を示し、Ｅｔはエチル基を示し、ｎＰｒはn-プロピル基を示し、ｉＰｒはイソプロピル基を示し、ｎＢｕはn-ブチル基を示し、ｉＢｕはイソブチル基を示し、ｓＢｕはsec-ブチル基を示し、t-Ｂｕはtert-ブチル基を示し、ｉＰｅｎはイソペンチル基を示し、ｃＰｅｎはシクロペンチル基を示し、ｃＨｅｘはシクロヘキシル基を示し、Ｐｈはフェニル基を示す。
【０１３６】
ｐは、０〜４の整数である。
Ｘ4 は、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０の炭化水素基、炭素原子数１〜２０のハロゲン化炭化水素基、酸素含有基、イオウ含有基またはケイ素含有基を示し、具体的には、前記一般式（III）中のＸ4 と同じである。なお、ｐが２以上の場合には、Ｘ4 で示される複数の基は、互いに同一でも異なっていてもよい。
【０１３７】
これらのうち、ハロゲン原子またはスルフォネート基であることが好ましい。前記一般  以下に、上記一般式（III-1）で表される遷移金属アミド化合物の具体的な例を示すが、これらに限定されるものではない。
【０１３８】
【化１１】
0004093634.tif 000012
【０１３９】
【化１２】
0004093634.tif 000013
【０１４０】
【化１３】
0004093634.tif 000014
【０１４１】
【化１４】
0004093634.tif 000015
【０１４２】
【化１５】
0004093634.tif 000016
【０１４３】
なお、上記例示中、Ｍｅはメチル基を示し、Ｅｔはエチル基を示し、ｉＰｒはイソプロピル基を示し、ｔＢｕは tert-ブチル基を示す。
本発明では、上記のような化合物において、チタンをジルコニウム、ハフニウムに置き換えた遷移金属アミド化合物を用いることもできる。
【０１４４】
本発明では、前記一般式（II-1）で表される遷移金属アミド化合物のうち、Ｒ’とＲ''が、アルキル基などの置換基が１〜５個置換した置換アリール基である、下記一般式（II-2）で表される遷移金属アミド化合物を用いることが望ましい。
【０１４５】
【化１６】
0004093634.tif 000017
【０１４６】
式中、Ｍ2 は、前記一般式（III）におけるＭ2 と同じであり、チタン、ジルコニウム、ハフニウムなどの周期表第４族の遷移金属原子であることが好ましく、特にチタンが好ましい。
【０１４７】
Ｒ11〜Ｒ20は、互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、炭化水素基、ハロゲン化炭化水素基、有機シリル基、アルコキシ基、アリーロキシ基、−ＣＯＯＲ21、−Ｎ（Ｒ22）Ｃ（Ｏ）Ｒ23、−ＯＣ（Ｏ）Ｒ24、−ＣＮ、−ＮＲ252 または−Ｎ（Ｒ26）Ｓ（Ｏ2 ）Ｒ27（ただし、Ｒ21〜Ｒ27は炭素原子数が１〜５のアルキル基を示す。）を示す。ただし、Ｒ11〜Ｒ15のうち少なくとも１つは水素以外の基であり、かつＲ16〜Ｒ20のうち少なくとも１つは水素以外の基である。
【０１４８】
ハロゲン原子としては、前記一般式（III）中のＸ4 と同じであり、炭化水素基、ハロゲン化炭化水素基および有機シリル基としては、前記一般式（III-1）中のＲ’およびＲ''と同じである。
【０１４９】
アルコキシ基として具体的には、メトキシ、エトキシ、n-プロポキシ、イソプロポキシ、n-ブトキシ、イソブトキシ、tert-ブトキシなどが挙げられる。
アリーロキシ基として具体的には、フェノキシ、2,6-ジメチルフェノキシ、2,4,6-トリメチルフェノキシなどが挙げられる。
【０１５０】
−ＣＯＯＲ21、−Ｎ（Ｒ22）Ｃ（Ｏ）Ｒ23、−ＯＣ（Ｏ）Ｒ24、−ＣＮ、−ＮＲ252 または−Ｎ（Ｒ26）Ｓ（Ｏ2)Ｒ27（ただし、Ｒ21〜Ｒ27は炭素原子数が１〜５のアルキル基を示す。）で示される基としては、−ＣＯＯＣＨ3 、−Ｎ（ＣＨ3)Ｃ（Ｏ）ＣＨ3 、−ＯＣ（Ｏ）ＣＨ3 、−ＣＮ、−Ｎ（Ｃ2Ｈ5)2 、−Ｎ（ＣＨ3)Ｓ（Ｏ2)ＣＨ3 などが挙げられる。
【０１５１】
またＲ11〜Ｒ15で示される基のうちの２個以上の基、好ましくは隣接する基が互いに連結してそれぞれが結合する炭素原子とともに芳香族環、脂肪族環などの環を形成していてもよく、Ｒ16〜Ｒ20で示される基のうちの２個以上の基、好ましくは隣接する基が互いに連結してそれぞれが結合する炭素原子とともに芳香族環、脂肪族環などの環を形成していてもよい。
【０１５２】
ｍは、０〜２の整数である。
ｎは、１〜５の整数である。
Ａは、前記一般式（III-1）におけるＡと同じであり、炭素原子またはケイ素原子であることが好ましい。ｎが２以上の場合には、複数のＡは、互いに同一でも異なっていてもよい。
【０１５３】
Ｅは、前記一般式（III-1）におけるＥと同じであり、好ましくは炭素、水素、窒素およびケイ素から選ばれる少なくとも１種の元素を含有する置換基である。Ｅで示される基が複数存在する場合は、Ｅで示される複数の基は、互いに同一でも異なっていてもよく、またＥで示される２個以上の基が互いに連結して環を形成していてもよい。
【０１５４】
このような−（（Ｅm ）Ａ）n −で示される２個の窒素原子を結合する結合基として具体的には前記と同様の基などが挙げられる。
ｐは、０〜４の整数である。
【０１５５】
Ｘ4 は、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数が１〜２０の炭化水素基、炭素原子数が１〜２０のハロゲン化炭化水素基、酸素含有基、イオウ含有基またはケイ素含有基を示し、具体的には、前記一般式（III）におけるＸと同じである。
【０１５６】
これらのうち、ハロゲン原子またはスルフォネート基であることが好ましい。ｐが２以上の場合にはＸ4 で示される複数の基は、互いに同一でも異なっていてもよい。
【０１５７】
以下に、上記一般式（III-2）で表される遷移金属アミド化合物の具体的な例を示すが、これらに限定されるものではない。
【０１５８】
【化１７】
0004093634.tif 000018
【０１５９】
【化１８】
0004093634.tif 000019
【０１６０】
【化１９】
0004093634.tif 000020
【０１６１】
【化２０】
0004093634.tif 000021
【０１６２】
【化２１】
0004093634.tif 000022
【０１６３】
【化２２】
0004093634.tif 000023
【０１６４】
【化２３】
0004093634.tif 000024
【０１６５】
【化２４】
0004093634.tif 000025
【０１６６】
【化２５】
0004093634.tif 000026
【０１６７】
【化２６】
0004093634.tif 000027
【０１６８】
【化２７】
0004093634.tif 000028
【０１６９】
【化２８】
0004093634.tif 000029
【０１７０】
【化２９】
0004093634.tif 000030
【０１７１】
なお、上記例示中、Ｍｅはメチル基を示し、Ｅｔはエチル基を示し、ｉＰｒはiso-プロピル基を示し、ｎＰｒはn-プロピル基を示し、ｎＢｕはn-ブチル基、ｓＢｕはsec-ブチル基、t Ｂｕは tert-ブチル基、ｎＯctはn-オクチル基を示す。
【０１７２】
本発明では、上記のような化合物において、チタンをジルコニウム、ハフニウムに置き換えた遷移金属アミド化合物を用いることもできる。
これらの遷移金属アミド化合物の中では、前記一般式（III）において、Ｍ2 がジルコニウムであり、Ｒが有機シリル基である化合物または、前記一般式（III-2）において、Ｍ2 がチタンであり、２個の窒素原子を結合する基のＡが炭素またはケイ素であり、ｎが２または３である化合物が好ましい。
【０１７３】
上記の遷移金属化合物は、１種単独でまたは２種以上組合わせて用いることができる。また上記の遷移金属化合物は、脂肪族または脂環族炭化水素の溶液またはスラリーとして用いることができる。
【０１７４】
（Ｂ）固体状イオン性ホウ素化合物成分
本発明で用いられる（Ｂ）固体状イオン性ホウ素化合物成分は、上述したような特定の固体状イオン性ホウ素化合物であり、前記（Ａ）遷移金属化合物と反応してイオン対を形成する化合物を含む触媒成分である。
【０１７５】
固体状イオン性ホウ素化合物は、そのまま触媒成分として使用することができるが、脂肪族炭化水素のスラリーまたは脂環族炭化水素のスラリーとして触媒成分として使用することが好ましい。
【０１７６】
固体状イオン性ホウ素化合物は、１種単独でまたは２種以上組み合せて用いられる。
その他の成分
本発明に係るオレフィン重合用触媒は、上記（Ａ）遷移金属化合物と（Ｂ）固体状イオン性ホウ素化合物とから形成されるが、必要に応じてアニオン性水素および／またはアニオン性炭化水素基を有する化合物成分を用いることができる。
【０１７７】
アニオン性水素および／またはアニオン性炭化水素基を有する化合物成分の例としては、有機アルミニウム化合物、有機マグネシウム化合物、有機亜鉛化合物、有機ケイ素化合物、水酸化ホウ素化合物等、およびこれらの化合物中の有機基の一部または全てが水素である化合物が挙げられる。また、アニオン性水素および／またはアニオン性炭化水素基を有する化合物成分としてアート錯体を用いることもできる。
【０１７８】
アニオン性水素および／またはアニオン性炭化水素基を有する化合物成分として用いられる有機アルミニウム化合物成分は、たとえば下記一般式（ｉ）で表される有機アルミニウム化合物である。
【０１７９】
ＲanＡｌＸ3-n       …  （ｉ）
（式中、Ｒa は炭素原子数が１〜１２の炭化水素基であり、Ｘはハロゲン原子または水素原子であり、ｎは１〜３である。）
上記式（ｉ）において、Ｒa は炭素原子数が１〜１２の炭化水素基、たとえばアルキル基、シクロアルキル基またはアリ−ル基であるが、具体的には、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、イソブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、トリル基などである。
【０１８０】
このような有機アルミニウム化合物の具体例としては、以下のような化合物が挙げられる。
トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリイソプロピルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、トリオクチルアルミニウム、トリ2-エチルヘキシルアルミニウムなどのトリアルキルアルミニム；
イソプレニルアルミニウムなどのアルケニルアルミニウム；
ジメチルアルミニウムクロリド、ジエチルアルミニウムクロリド、ジイソプロピルアルミニウムクロリド、ジイソブチルアルミニウムクロリド、ジメチルアルミニウムブロミドなどのジアルキルアルミニウムハライド；
メチルアルミニウムセスキクロリド、エチルアルミニウムセスキクロリド、イソプロピルアルミニウムセスキクロリド、ブチルアルミニウムセスキクロリド、エチルアルミニウムセスキブロミドなどのアルキルアルミニウムセスキハライド；
メチルアルミニウムジクロリド、エチルアルミニウムジクロリド、イソプロピルアルミニウムジクロリド、エチルアルミニウムジブロミドなどのアルキルアルミニウムジハライド；
ジエチルアルミニウムハイドライド、ジイソブチルアルミニウムハイドライドなどのアルキルアルミニウムハイドライド。
【０１８１】
また有機アルミニウム化合物として、下記一般式（ii）で表わされる化合物を用いることもできる。
Ｒan ＡｌＹ3-n       …  （ii）
（式中、Ｒa は上記と同様であり、
Ｙは−ＯＲb 基、−ＯＳｉＲc3 基、−ＯＡｌＲd2 基、−ＮＲe2 基、−ＳｉＲf3 基または−Ｎ（Ｒg ）ＡｌＲh2 基であり、ｎは１〜２であり、
Ｒb 、Ｒc 、Ｒd およびＲh はメチル基、エチル基、イソプロピル基、イソブチル基、シクロヘキシル基、フェニル基などであり、
Ｒe は水素、メチル基、エチル基、イソプロピル基、フェニル基、トリメチルシリル基などであり、
Ｒf およびＲg はメチル基、エチル基などである。）
このような有機アルミニウム化合物としては、具体的には、以下のような化合物が挙げられる。
（１）Ｒan Ａｌ（ＯＲb)3-nで表わされる化合物、たとえば
ジメチルアルミニウムメトキシド、ジエチルアルミニウムエトキシド、ジイソブチルアルミニウムメトキシドなど。
（２）Ｒan Ａｌ（ＯＳｉＲc3)3-n で表わされる化合物、たとえば
（Ｃ2Ｈ5)2 Ａｌ（ＯＳｉ（ＣＨ3)3)、
（iso-Ｃ4Ｈ9)2 Ａｌ（ＯＳｉ（ＣＨ3)3)、
（iso-Ｃ4Ｈ9)2 Ａｌ（ＯＳｉ（Ｃ2Ｈ5)3) など。
（３）Ｒan Ａｌ（ＯＡｌＲd2)3-n で表わされる化合物、たとえば
（Ｃ2Ｈ5)2 Ａｌ（ＯＡｌ（Ｃ2Ｈ5)2)、
（iso-Ｃ4Ｈ9)2Ａｌ（ＯＡｌ（iso-Ｃ4Ｈ9)2) など。
（４）Ｒan Ａｌ（ＮＲe2)3-n で表わされる化合物、たとえば
（ＣＨ3)2 Ａｌ（Ｎ（Ｃ2Ｈ5)2)、
（Ｃ2Ｈ5)2 Ａｌ（ＮＨ（ＣＨ3)）、
（ＣＨ3)2 Ａｌ（ＮＨ（Ｃ2Ｈ5)）、
（Ｃ2Ｈ5)2 Ａｌ［Ｎ（Ｓｉ（ＣＨ3)3)2］、
（iso-Ｃ4Ｈ9)2 Ａｌ［Ｎ（Ｓｉ（ＣＨ3)3)2］など。
（５）Ｒan Ａｌ（ＳｉＲf3)3-n で表わされる化合物、たとえば
（iso-Ｃ4Ｈ9)2 Ａｌ（Ｓｉ（ＣＨ3)3) など。
【０１８２】
本発明では、これらのうちでもＲa3 Ａｌ、Ｒan Ａｌ（ＯＲb)3-n、Ｒan Ａｌ（ＯＡｌＲd2)3-n で表わされる有機アルミニウム化合物を好適な例として挙げることができ、Ｒa がイソアルキル基であり、ｎ＝２である化合物が特に好ましい。
【０１８３】
アニオン性水素および／またはアニオン性炭化水素基を有する化合物成分として用は、有機アルミニウムオキシ化合物を用いることもできる。有機アルミニウムオキシ化合物としては、従来公知のアルミノキサンであってもよく、また特開平２−７８６８７号公報に例示されているようなベンゼン不溶性の有機アルミニウムオキシ化合物であってもよい。
【０１８４】
従来公知のアルミノキサンは、たとえば下記のような方法によって製造することができ、通常、炭化水素溶媒の溶液として得られる。
（１）吸着水を含有する化合物または結晶水を含有する塩類、たとえば塩化マグネシウム水和物、硫酸銅水和物、硫酸アルミニウム水和物、硫酸ニッケル水和物、塩化第１セリウム水和物などの炭化水素媒体懸濁液に、トリアルキルアルミニウムなどの有機アルミニウム化合物を添加して、吸着水または結晶水と有機アルミニウム化合物とを反応させる方法。
（２）ベンゼン、トルエン、エチルエーテル、テトラヒドロフランなどの媒体中で、トリアルキルアルミニウムなどの有機アルミニウム化合物に直接水、氷または水蒸気を作用させる方法。
（３）デカン、ベンゼン、トルエンなどの媒体中でトリアルキルアルミニウムなどの有機アルミニウム化合物に、ジメチルスズオキシド、ジブチルスズオキシドなどの有機スズ酸化物を反応させる方法。
【０１８５】
なお該アルミノキサンは、少量の有機金属成分を含有してもよい。また回収された上記のアルミノキサンの溶液から溶媒または未反応有機アルミニウム化合物を蒸留して除去した後、溶媒に再溶解またはアルミノキサンの貧溶媒に懸濁させてもよい。
【０１８６】
アルミノキサンを調製する際に用いられる有機アルミニウム化合物として具体的には、上述した有機アルミニウム化合物を挙げることができる。
これらのうち、トリアルキルアルミニウム、トリシクロアルキルアルミニウムが好ましく、トリメチルアルミニウムが特に好ましい。
【０１８７】
上記のような有機アルミニウム化合物は、１種単独でまたは２種以上組み合せて用いられる。
アルミノキサンの調製に用いられる溶媒としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、クメン、シメンなどの芳香族炭化水素、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、ドデカン、ヘキサデカン、オクタデカンなどの脂肪族炭化水素、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロオクタン、メチルシクロペンタンなどの脂環族炭化水素、ガソリン、灯油、軽油などの石油留分または上記芳香族炭化水素、脂肪族炭化水素、脂環族炭化水素のハロゲン化物とりわけ、塩素化物、臭素化物などの炭化水素溶媒が挙げられる。さらにエチルエーテル、テトラヒドロフランなどのエーテル類を用いることもできる。これらの溶媒のうち特に芳香族炭化水素または脂肪族炭化水素が好ましい。
【０１８８】
また本発明で用いられるベンゼン不溶性の有機アルミニウムオキシ化合物は、６０℃のベンゼンに溶解するＡｌ成分がＡｌ原子換算で通常１０％以下、好ましくは５％以下、特に好ましくは２％以下であり、ベンゼンに対して不溶性または難溶性である。
【０１８９】
本発明で用いられる有機アルミニウムオキシ化合物としては、下記一般式（iii）で表されるボロンを含んだ有機アルミニウムオキシ化合物を挙げることもできる。
【０１９０】
【化３０】
0004093634.tif 000031
【０１９１】
式中、Ｒ31は炭素原子数が１〜１０の炭化水素基を示す。
Ｒ32は、互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子または炭素原子数が１〜１０の炭化水素基を示す。
【０１９２】
前記一般式（iii）で表されるボロンを含んだ有機アルミニウムオキシ化合物は、下記一般式（iv）で表されるアルキルボロン酸と
Ｒ31−Ｂ−（ＯＨ）2     …  （iv）
（式中、Ｒ31は前記と同じ基を示す。）
有機アルミニウム化合物とを、不活性ガス雰囲気下に不活性溶媒中で、−８０℃〜室温の温度で１分〜２４時間反応させることにより製造できる。
【０１９３】
前記一般式（iv）で表されるアルキルボロン酸の具体的なものとしては、メチルボロン酸、エチルボロン酸、イソプロピルボロン酸、n-プロピルボロン酸、n-ブチルボロン酸、イソブチルボロン酸、n-ヘキシルボロン酸、シクロヘキシルボロン酸、フェニルボロン酸、3,5-ジフルオロボロン酸、ペンタフルオロフェニルボロン酸、3,5-ビス（トリフルオロメチル）フェニルボロン酸などが挙げられる。これらの中では、メチルボロン酸、n-ブチルボロン酸、イソブチルボロン酸、3,5-ジフルオロフェニルボロン酸、ペンタフルオロフェニルボロン酸が好ましい。これらは１種単独でまたは２種以上組み合わせて用いられる。
【０１９４】
このようなアルキルボロン酸と反応させる有機アルミニウム化合物として具体的には、上述した有機アルミニウム化合物を挙げることができる。
これらのうち、トリアルキルアルミニウム、トリシクロアルキルアルミニウムが好ましく、特にトリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウムが好ましい。これらは１種単独でまたは２種以上組み合わせて用いられる。
【０１９５】
上記のような有機アルミニウムオキシ化合物は、１種単独でまたは２種以上組み合せて用いられる。
上記のアニオン性水素および／またはアニオン性炭化水素基を有する化合物成分は、２種以上組合わせて用いることもできる。また上記のアニオン性水素および／またはアニオン性炭化水素基を有する化合物成分は、脂肪族または脂環族炭化水素の溶液またはスラリーとして用いることができる。
【０１９６】
本発明に係るオレフィン重合用触媒は、上記のような遷移金属化合物成分（Ａ）と、固体状イオン性ホウ素化合物成分（Ｂ）と、必要に応じてアニオン性水素および／またはアニオン性炭化水素基を有する化合物成分とからなる。図１に本発明に係るオレフィン重合用触媒の調製工程の一例を示す。
【０１９７】
本発明に係るオレフィンの重合方法では、上記のようなオレフィン重合触媒の存在下に、オレフィンを重合または共重合することによりオレフィン重合体を得る。重合の際には、各成分の添加順序は任意に選ばれる。また、各成分は予め接触させてから重合系に添加してもよく、このときの接触順序は任意に選ばれる。
【０１９８】
本発明では、重合は溶解重合、懸濁重合などの液相重合法または気相重合法いずれにおいても実施できる。
液相重合法において用いられる不活性炭化水素媒体として具体的には、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、ドデカン、灯油などの脂肪族炭化水素；シクロヘキサン、シクロヘプタンなどの脂環族炭化水素などを好ましく挙げることができる。また、重合に用いるα−オレフィン、脂環族ビニル化合物、環状オレフィン自身を溶媒として用いることができる。
【０１９９】
上記のようなオレフィン重合用触媒を用いて、オレフィンを重合するに際して、成分（Ａ）は、反応容積１リットル当り、通常１０-8〜１０-3モル、好ましくは１０-7〜１０-4モルとなるような量で用いられる。
【０２００】
成分（Ｂ）は、成分（Ｂ）と成分（Ａ）中の遷移金属原子（Ｍ）とのモル比〔（Ｂ）／Ｍ〕が、通常１〜１０、好ましくは１〜５となるような量で用いられる。
【０２０１】
また、このようなオレフィン重合用触媒を用いたオレフィンの重合温度は、通常−５０〜２００℃、好ましくは０〜１７０℃の範囲である。重合圧力は、通常常圧〜１００ｋｇ／ｃｍ2 、好ましくは常圧〜５０ｋｇ／ｃｍ2 の条件下であり、重合反応は、回分式、半連続式、連続式のいずれの方法においても行うことができる。さらに重合を反応条件の異なる２段以上に分けて行うことも可能である。
【０２０２】
得られるオレフィン重合体の分子量は、重合系に水素を存在させるか、または重合温度を変化させることによって調節することができる。
このようなオレフィン重合用触媒により重合することができるオレフィンとしては、エチレン、プロピレン、1-ブテン、1-ペンテン、1-ヘキセン、3-メチル-1-ブテン、3-メチル-1-ペンテン、3-エチル-1-ペンテン、4-メチル-1-ペンテン、4-メチル-1-ヘキセン、4,4-ジメチル-1-ヘキセン、4,4-ジメチル-1-ペンテン、4-エチル-1-ヘキセン、3-エチル-1-ヘキセン、1-オクテン、1-デセン、1-ドデセン、1-テトラデセン、1-ヘキサデセン、1-オクタデセン、1-エイコセンなどの炭素原子数が２〜２０のα−オレフィン；
スチレン、ジメチルスチレン類、アリルベンゼン、アリルトルエン類、ビニルナフタレン類、アリルナフタレン類などの芳香族ビニル化合物；
ビニルシクロヘキサン、ビニルシクロペンタン、ビニルシクロヘプタン、アリルノルボルナンなどの脂環族ビニル化合物；
シクロペンテン、シクロヘプテン、ノルボルネン、5-メチル-2-ノルボルネン、テトラシクロドデセン、2-メチル-1,4,5,8-ジメタノ-1,2,3,4,4a,5,8,8a-オクタヒドロナフタレンンなどの環状オレフィン；
1,4-ペンタジエン、1,5-ヘキサジエン、1,4-ヘキサジエン、1,5,9-デカトリエンなどの炭素原子数が４〜２０の鎖状ポリエン；
5-エチリデンノルボルネン、ジシクロペンタジエンなどの環状ポリエンなどを挙げることができる。
【０２０３】
これらのオレフィンは、単独であるいは２種以上組み合わせて用いることができる。
【０２０４】
【発明の効果】
本発明に係るオレフィン重合用触媒は、芳香族炭化水素を含まない特定の固体状イオン性ホウ素化合物を用いているので、作業環境衛生の面での問題が少なく、かつ得られたオレフィン重合体は臭気が少ない。
【０２０５】
【実施例】
以下、実施例に基づいて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【０２０６】
なお、粒度分布の測定は上述した方法で行った。
【０２０７】
［合成例１］
操作はすべて２３℃で行った、３３３ｍｇの旭硝子社製Ｍｅ2 ＰｈＮＨＢ（Ｃ6Ｆ5 ）4 （粒子形状：不定形、粒子径：＜３０μｍ）を３３３ｍｌの脱水トルエンに溶解させた、充分に窒素置換した１５００ｍｌ攪拌機付きガラス製フラスコに脱水n-ヘキサンを６６７ｍｌ仕込み攪拌機を始動した。前述のＭｅ2 ＰｈＮＨＢ（Ｃ6Ｆ5 ）4 のトルエン溶液３３３ｍｌを１時間かけて滴下し、滴下後１時間攪拌を継続した。滴下終了１時間後攪拌を停止しＧ４グラスフィルターで濾過した。濾液を減圧乾燥したところ１４ｍｇの固形分があった（損失率４．２％）。濾物は１０ｍｌのヘキサンによる洗浄を２回行い、−７００ｍｍＨｇの減圧下２３℃で２時間乾燥した。
【０２０８】
得られた固形物（再結晶物１）の粒子形状は、棒状であり、粒子サイズは２〜３×１０〜３０μｍであった。顕微鏡写真による隣接した固体状イオン性ホウ素化合物１０固体中すべてに結晶成長によるマクロ形状が認められた。
【０２０９】
［合成例２］
操作はすべて２３℃で行った。１００ｍｇの旭硝子社製Ｍｅ2 ＰｈＮＨＢ（Ｃ6Ｆ5 ）4 （粒子形状：不定形、粒子径：＜３０μｍ）を１００ｍｌの脱水トルエンに溶解させた。充分に窒素置換した１５００ｍｌ攪拌機付きガラス製フラスコに脱水n-ヘキサンを９００ｍｌ仕込み攪拌機を始動した。前述のＭｅ2 ＰｈＮＨＢ（Ｃ6Ｆ5 ）4 のトルエン溶液１００ｍｌを１時間かけて滴下し、滴下後１時間攪拌を継続した。滴下終了１時間後攪拌を停止しＧ４グラスフィルターで濾過した。濾液中のＢ濃度は検出下限界以下であった（＞０．１μｇ／ｍｌ）。濾物は１０ｍｌのヘキサンによる洗浄を２回行い、−７００ｍｍＨｇの減圧下２３℃で２時間乾燥した。
【０２１０】
得られた固形物（再結晶物２）の粒子形状は、棒状であり、粒子サイズは２×１５μｍであった。顕微鏡写真による隣接した固体状イオン性ホウ素化合物１０固体中すべてに結晶成長によるマクロ形状が認められた。
【０２１１】
［合成例３］
操作はすべて２３℃で行った。１２５０ｍｇの旭硝子社製Ｐｈ3 ＣＢ（Ｃ6 Ｆ5 ）4 （粒子形状：不定形、粒子径：＜３０μｍ）を２５０ｍｌの脱水トルエンに溶解させた。充分に窒素置換した１５００ｍｌ攪拌機付きガラス製フラスコに脱水n-ヘキサンを７５０ｍ１仕込み攪拌機を始動した。前述のＰｈ3 ＣＢ（Ｃ6Ｆ5 ）4 のトルエン溶液２５０ｍｌを１時間かけて滴下し、滴下後１時間攪拌を継続した。滴下終了１時間後攪拌を停止しＧ４グラスフィルターで濾過した。濾液を減圧乾燥したところ２１ｍｇの固形分があった（損失率１．７％）。濾物は１０ｍｌのヘキサンによる洗浄を２回行い、−７００ｍｍＨｇの減圧下２３℃で２時間乾燥した。
【０２１２】
得られた固形物（再結晶物３）の形状は、四辺形平板状であり、粒子サイズは２０×２０μｍであった。顕微鏡写真による隣接した固体状イオン性ホウ素化合物１０固体中すべてに結晶成長によるマクロ形状が認められた。
【０２１３】
粒度分布のヒストグラムのピークは１つであり、粒度分布のスパン値は、１．４１であり、メジアン径は、２３μｍであった。なお、原料の粒度分布のヒストグラムのピークは２つであり、粒度分布のスパン値は、３．０１であり、メジアン径は、原料が５４μｍであった。
【０２１４】
【実施例１】
充分に窒素置換した２３℃の２リットルのステンレス製オートクレーブに、不純物を除去したヘプタン９５０ｍｌと1-オクテン５０ｍｌを仕込み、このオートクレーブを８０℃まで加熱し、８０℃となったところで全圧が８ｋｇ／ｃｍ2-Gとなるようエチレンで加圧した。次に先ず０．２ｍｍｏｌのトリイソブチルアルミニウムを圧入し、続いて、０．００２ｍｍｏｌ／ｍｌの（t-ブチルアミド）ジメチル（テトラメチル-η5-シクロペンタジエニル）シランチタンジクロライドのヘキサン溶液０．１５ｍｌ（０．０００３ｍｍｏｌ）と０．００２５ｍｍｏｌ／ｍｌの再結晶物１のヘキサンスラリー０．２４ｍｌ（０．０００６ｍｍｏｌ）をそれぞれ個別に圧入した。オートクレーブ中のトルエン濃度は０である、再結晶物１を圧入した後、１０分間重合を行った。圧力はエチレン加圧により圧入直後の圧力を維持した。温度は８４℃まで上昇した。規定時間後オートクレーブにメタノール３ｍｌを窒素で圧入し、重合を停止した。この結果、密度が０．８７３ｇ／ｍｌ、メルトフローレート（ＭＦＲ）が０．１９ｇ／10分であるエチレン・オクテン共童合体３３ｇが得られた。
【０２１５】
【比較例１】
充分に窒素置換した２３℃の２リットルのステンレス製オートクレーブに、不純物を除去したヘプタン９５０ｍｌと1-オクテン５０ｍｌを仕込み、このオートクレーブを８０℃まで加熱し、８０℃となったところで全圧が８ｋｇ／ｃｍ2-G となるようエチレンで加圧した。次に先ず０．２ｍｍｏｌのトリイソブチルアルミニウムを圧入し、続いて、０．００２ｍｍｏｌ／ｍｌの（t-ブチルアミド）ジメチル（テトラメチル-η5-シクロペンタジエニル）シランチタンジクロライドのヘキサン溶液０．１５ｍｌ（０．０００３ｍｍｏｌ）と０．００２５ｍｍｏｌ／ｍｌの旭硝子社製Ｍｅ2 ＰｈＮＨＢ（Ｃ6 Ｆ5 ）4 のヘキサンスラリー０．２４ｍｌ（０．０００６ｍｍｏｌ）をそれぞれ個別に圧入した。オートクレーブ中のトルエン濃度は０である。Ｍｅ2 ＰｈＮＨＢ（Ｃ6 Ｆ5 ）4 を圧入した後、１０分間重合を行った、圧力はエチレン加圧により圧入直後の圧力を維持した。温度は８１℃まで上昇した、規定時間後オートクレーブにメタノール３ｍｌを窒素で圧入し、重合を停止した。この結果、密度が０．８７３ｇ／ｍｌ、ＭＦＲが０．１３ｇ／10分であるエチレン・オクテン共童合体１５ｇが得られた。
【０２１６】
【比較例２】
充分に窒素置換した２３℃の２リットルのステンレス製オートクレーブに、不純物を除去したヘプタン９５０ｍｌと1-オクテン５０ｍｌを仕込み、このオートクレーブを８０℃まで加熱し、８０℃となったところで全圧が８ｋｇ／ｃｍ2-G となるようエチレンで加圧した。次に先ず０．２ｍｍｏｌのトリイソブチルアルミニウムを圧入し、続いて、０．００２ｍｍｏｌ／ｍｌの（t-ブチルアミド）ジメチル（テトラメチル-η5-シクロペンタジエニル）シランチタンジクロライドのヘキサン溶液０．１５ｍｌ（０．０００３ｍｍｏｌ）と０．００２５ｍｍｏｌ／ｍｌの旭硝子社製Ｍｅ2 ＰｈＮＨＢ（Ｃ6 Ｆ5 ）4 のトルエン溶液０．２４ｍｌ（０．０００６ｍｍｏｌ）をそれぞれ個別に圧入した。オートクレーブ中のトルエン濃度は２４０ｐｐｍである。Ｍｅ2 ＰｈＮＨＢ（Ｃ6 Ｆ5 ）4 圧入後１０分間、重合を行った。圧力はエチレン加圧により圧入直後の圧力を維持した。温度は８４℃まで上昇した。規定時間後オートクレーブにメタノール３ｍｌを窒素で圧入し、重合を停止した、この結果、密度が０．８７４ｇ／ｍｌ、ＭＦＲが０．１９ｇ／10分であるエチレン・オクテン共童合体２６ｇが得られた。
【０２１７】
【実施例２】
充分に窒素置換した２３℃の２リットルのステンレス製オートクレーブに、不純物を除去したヘプタン７５０ｍｌと1-オクテン２５０ｍｌを仕込み、このオートクレーブを８０℃まで加熱し、８５℃となったところで全圧が８ｋｇ／ｃｍ2-G となるようエチレンで加圧した。次に先ず０．２ｍｍｏｌのトリイソブチルアルミニウムを圧入し、続いて、０．００１ｍｍｏｌ／ｍｌのジメチルシリレン（（2-メチル-4,5-べンゾ）-1-インデニル-9-（2,7-ジｔブチル）フルオレニル）ジルコニウムジクロライドのヘキサン溶液０．５ｍｌ（０．０００５ｍｍｏｌ）と０．００２５ｍｍｏｌ／ｍｌの再結晶物１のヘキサンスラリー０．２４ｍｌ（０．０００６ｍｍｏｌ）をそれぞれ個別に圧入した。オートクレーブ中のトルエン濃度は０である、再結晶物１を圧入した後、１０分間重合を行った。圧力はエチレン加圧により圧入直後の圧力を維持した。温度は９１℃まで上昇した。規定時間後オートクレーブにメタノール３ｍｌを窒素で圧入し、重合を停止した、この結果、密度が０．８５３ｇ／ｍｌ、ＭＦＲが０．４２ｇ／10分であるエチレン・オクテン共重合体６１ｇが得られた。
【０２１８】
【実施例３】
充分に窒素置換した２３℃の２リットルのステンレス製オートクレーブに、不純物を除去したヘプタン８８４ｍｌとエチリデンノルボルネン（ＥＮＢ）１６ｍｌを仕込んだ。このオートクレーブにプロピレン１７N-リットルを仕込み、８０℃まで加熱し、８０℃となったところで全圧が８ｋｇ／ｃｍ2-G となるようエチレンで加圧した。次に先ず０．２ｍｍｏｌのトリイソブチルアルミニウムを圧入し、続いて、０．０１ｍｍｏｌ／ｍｌの（t-ブテルアミド）ジメチル（テトラメチル-η5-シクロペンタジエニル）シランチタンジクロライドのヘキサン溶液０．１ｍｌ（０．００１ｍｍｏｌ）と０．００５ｍｍｏｌ／ｍｌの再結晶物３のヘキサンスラリー０．２５ｍｌ（０．００２ｍｍｏｌ）をそれぞれ個別に圧入した。オートクレーブ中のトルエン濃度は０である。再結晶物３を圧入した後、２０分間重合を行った。圧力はエチレン加圧により圧入直後の圧力を維持し、温度は８０℃に維持した。規定時間後オートクレーブにメタノール３ｍｌを窒素で圧入し、重合を停止した。この結果、エチレン含量６４ｍｏｌ％、ヨウ素価２２ｇ／１００ｇ、極限粘度３．４ｄｌ／ｇであるエチレン・プロピレン・ＥＮＢ共重合体６３ｇが得られた。
【０２１９】
【比較例３】
充分に窒素置換した２３℃の２リットルのステンレス製オートクレーブに、不純物を除去したヘプタン８８４ｍｌとＥＮＢ１６ｍｌを仕込んだ。このオートクレーブにプロピレン１７N-リットルを仕込み、８０℃まで加熱し、８０℃となったところで全圧が８ｋｇ／ｃｍ2-G となるようエチレンで加圧した。次に先ず０．２ｍｍｏｌのトリイソブチルアルミニウムを圧入し、続いて、０．０１ｍｍｏｌ／ｍｌの（t-ブチルアミド）ジメチル（テトラメチル-η5-シクロペンタジエニル）シランチタンジクロライドのヘキサン溶液０．１ｍｌ（０．００１ｍｍｏｌ）と０．００５ｍｍｏｌ／ｍｌの旭硝子社製Ｐｈ3 ＣＢ（Ｃ6 Ｆ5 ）4 のヘキサンスラリー０．２５ｍｌ（０．００２ｍｍｏｌ）をそれぞれ個別に圧入した。オートクレーブ中のトルエン濃度は０である。Ｐｈ3 ＣＢ（Ｃ6 Ｆ5 ）4 を圧入した後２０分間、重合を行った。圧力はエチレン加圧により圧入直後の圧力を維持し、温度は８０℃に維持した。規定時間後オートクレーブにメタノール３ｍｌを窒素で圧入し、重合を停止した。この結果、エチレン含量５９ｍｏｌ％、ヨウ素価２５ｇ／１００ｇ、極限粘度２．７ｄｌ／ｇであるエチレン・プロピレン・ＥＮＢ共重合体３８ｇが得られた。
【０２２０】
【実施例４】
充分に窒素置換した２３℃の２リットルのステンレス製オートクレーブに、不純物を除去したヘプタン８８４ｍｌとＥＮＢ１６ｍｌを仕込んだ。このオートクレーブにプロピレン１７N-リットルを仕込み、８０℃まで加熱し、８０℃となったところで全圧が８ｋｇ／ｃｍ2-G となるようエチレンで加圧した。次に先ず０．２ｍｍｏｌのトリイソブチルアルミニウムを圧入し、続いて、０．０１ｍｍｏｌ／ｍｌの（t-ブチルアミド）ジメチル（テトラメチル-η5-シクロペンタジエニル）シランチタンジメチルのヘキサン溶液０．１ｍｌ（０．００１ｍｍｏｌ）と０．００５ｍｍｏｌ／ｍｌの再結晶物３のヘキサンスラリー０．２５ｍｌ（０．００２ｍｍｏｌ）をそれぞれ個別に圧入した。オートクレーブ中のトルエン濃度は０である。再結晶物３を圧入した後、２０分間重合を行った。圧力はエチレン加圧により圧入直後の圧力を維持し、温度は８０℃に維持した。規定時間後オートクレーブにメタノール３ｍｌを窒素で圧入し、重合を停止した。この結果、エチレン含量６３ｍｏｌ％、ヨウ素価２４ｇ／１００ｇ、極限粘度３．２ｄｌ／ｇであるエチレン・プロピレン・ＥＮＢ共重合体５９ｇが得られた。
【０２２１】
以上の結果を表１に示す。
【０２２２】
【表１】
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【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るオレフィン重合用触媒の調製工程を示す説明図である。
【図１】
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