(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも以下の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の工程を含むことを特徴とするパッケージ基板の製造方法：
（ａ）上面にＩＣチップへ接続するための端子を、下面に外部接続基板へ接続するための端子を備えた基板の表面に、熱硬化性樹脂又は熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との複合体からなるソルダーレジスト層を形成する工程、
（ｂ）前記上面側のソルダーレジスト層に、前記端子に対応する通孔を備えるマスクを介してエキシマレーザを照射し、前記端子に至る開口を形成する工程、
（ｃ）前記下面側のソルダーレジスト層にシングルモードの炭酸ガスレーザを照射し、前記上面側のソルダーレジスト層の開口よりも大径の前記端子に至る開口を形成する工程であって、炭酸ガスレーザをソルダーレジスト層下の前記端子に垂直に照射し、該端子からの反射波と入射波との干渉を生ぜしめることで、当該開口の側壁に縞状に凹凸を形成する工程。
【請求項２】
更に、上面側のソルダーレジスト層に炭酸ガスレーザを照射し、位置決めマークに至る開口を設ける工程を行う請求項１のパッケージ基板の製造方法。
【請求項３】
前記ソルダーレジスト層上に補強層を設ける工程を備える請求項１のパッケージ基板の製造方法。
【請求項４】
前記基板の表面の端子に粗化面を設ける工程を備える請求項１のパッケージ基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層してなり、表面にソルダーレジスト層を被覆したＩＣチップ搭載用のパッケージ基板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
パッケージ基板は、コア基板の両面に層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層することにより形成される。該パッケージ基板では、表面にソルダーレジスト層を配設し、該ソルダーレジスト層に設けた開口に外部接続用の半田バンプを設けている。ここで、ソルダーレジスト層の開口は、ソルダーレジストとして感光性樹脂を用い、開口に相当する位置に黒円の描かれたマスクを介してソルダーレジストを感光させ、黒円位置に相当する未感光部分を溶解することにより形成していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記フォトリソグラフィーによる方法では、微細な開口を狭ピッチで形成することができず、パッケージ基板の高集積化のために要求される性能を満たし得ないことがある。
【０００４】
このため、本発明者は、ソルダーレジスト層に炭酸ガスレーザを用いて開口を形成することを案出した。しかしながら、炭酸ガスレーザを用いてもＩＣチップ接続端子用の小径の開口を、正確な位置に形成することは困難であり、更に、炭酸ガスレーザを照射して微細な開口を１孔ずつ穿設すると、加工時間が長くなることが予想された。
【０００５】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的は、配線密度を高めたパッケージ基板の製造方法を提供することにある。
【０００９】
請求項１の発明では、ソルダーレジスト層が、熱硬化性樹脂又は熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との複合体からなるため、炭酸ガスレーザにより貫通孔側面に縞状の凹凸を形成し易い。なお、熱可塑性樹脂のみの場合は、樹脂が溶融してしまし、明確な凹凸形状の形成が困難である。
【００１０】
請求項１は、少なくとも以下の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の工程を含むことを特徴とするパッケージ基板の製造方法にある：
（ａ）上面にＩＣチップへ接続するための端子を、下面に外部接続基板へ接続するための端子を備えた基板の表面に、熱硬化性樹脂又は熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との複合体からなるソルダーレジスト層を形成する工程、
（ｂ）前記上面側のソルダーレジスト層に、前記端子に対応する通孔を備えるマスクを介してエキシマレーザを照射し、前記端子に至る開口を形成する工程、
（ｃ）前記下面側のソルダーレジスト層にシングルモードの炭酸ガスレーザを照射し、前記上面側のソルダーレジスト層の開口よりも大径の前記端子に至る開口を形成する工程であって、炭酸ガスレーザをソルダーレジスト層下の前記端子に垂直に照射し、該端子からの反射波と入射波との干渉を生ぜしめることで、当該開口の側壁に縞状に凹凸を形成する工程。
【００１１】
請求項１の発明では、ソルダーレジスト層にレーザで貫通孔を穿設するため、感光性樹脂に限定されることなく、ソルダーレジスト層として種々の材料を用いることが可能となる。また、ソルダーレジストの樹脂残りによる導通不良を低減させることができる。更に、ＩＣチップへの接続端子の開口をエキシマレーザで形成するため、当該端子に相当する通孔を備えるマスクを用いることで、微細な開口を狭ピッチで正確に形成することができる。一方、外部端子への接続端子の開口を炭酸ガスレーザで形成するため、大径の開口を容易に形成することができる。
【００１２】
請求項１の発明では、貫通孔を形成する工程において、炭酸ガスレーザの反射波と入射波との干渉を生ぜしめることで、当該貫通孔の側壁に縞状の凹凸を形成するため、該貫通孔に金属膜を形成する際に、当該貫通孔に密着させることができる。
【００１３】
請求項２の発明では、位置決めマークの開口を炭酸ガスレーザで形成するため、大径の開口を容易に形成することができる。
【００１４】
請求項１の発明では、ビーム径を大きくすることができるシングルモードのレーザを照射するため、他のプリント配線板（例えば、マザーボード）への接続用のバンプを形成するための大径の開口をソルダーレジスト層に形成することが可能になる。
【００１７】
なお、パッケージ基板の表面に付加するソルダーレジスト層としては、熱硬化性樹脂又は熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との複合体を使用でき、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂のアクリレート、ノボラック型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂のアクリレートをアミン系硬化剤やイミダゾール硬化剤などで硬化させた樹脂を使用できる。
また、１ＧＨｚにおける誘電率が３．０以下の樹脂も用いることができる。更に誘電正接が０．０１以下である樹脂が望ましい。その樹脂としては、ポリオレフィン系樹脂、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、フッ素樹脂の内のいずれか１種類以上含有したものがよい。それらを使用することによって、電子信号の遅延やエラーが発生しなくなる。
【００１８】
一方、このようなソルダーレジスト層は、剛直骨格を持つ樹脂で構成されるので剥離が生じることがある。このため、補強層を設けることでソルダーレジスト層の剥離を防止することもできる。
【００１９】
ここで、上記ノボラック型エポキシ樹脂のアクリレートとしては、フェノールノボラックやクレゾールノボラックのグリシジルエーテルを、アクリル酸やメタクリル酸などと反応させたエポキシ樹脂などを用いることができる。
【００２０】
上記イミダゾール硬化剤は、25℃で液状であることが望ましい。液状であれば均一混合できるからである。
このような液状イミダゾール硬化剤としては、1-ベンジル−2-メチルイミダゾール（品名：1B2MZ ）、1-シアノエチル−2-エチル−4-メチルイミダゾール（品名：2E4MZ-CN）、4-メチル−2-エチルイミダゾール（品名：2E4MZ ）を用いることができる。
【００２１】
このイミダゾール硬化剤の添加量は、上記ソルダーレジスト組成物の総固形分に対して１〜10重量％とすることが望ましい。この理由は、添加量がこの範囲内にあれば均一混合がしやすいからである。
【００２２】
上記ソルダーレジストの硬化前組成物は、溶媒としてグリコールエーテル系の溶剤を使用することが望ましい。
このような組成物を用いたソルダーレジスト層は、遊離酸が発生せず、銅パッド表面を酸化させない。また、人体に対する有害性も少ない。
【００２３】
このようなグリコールエーテル系溶媒としては、下記構造式のもの、特に望ましくは、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）およびトリエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＴＧ）から選ばれるいずれか少なくとも１種を用いる。これらの溶剤は、30〜50℃程度の加温により反応開始剤であるベンゾフェノンやミヒラーケトンを完全に溶解させることができるからである。
CH３ Ｏ  -  (CH２ CH２ Ｏ) ｎ  −CH３  （ｎ＝１〜５）
このグリコールエーテル系の溶媒は、ソルダーレジスト組成物の全重量に対して１０〜７０wt％がよい。
【００２４】
以上説明したようなソルダーレジスト組成物には、その他に、各種消泡剤やレベリング剤、耐熱性や耐塩基性の改善と可撓性付与のために熱硬化性樹脂、解像度改善のために感光性モノマーなどを添加することができる。
例えば、レベリング剤としてはアクリル酸エステルの重合体からなるものがよい。また、開始剤としては、チバガイギー製のイルガキュアＩ９０７、光増感剤としては日本化薬製のＤＥＴＸ−Ｓがよい。
さらに、ソルダーレジスト組成物には、色素や顔料を添加してもよい。配線パターンを隠蔽できるからである。この色素としてはフタロシアニングリーンを用いることが望ましい。
【００２５】
添加成分としての上記熱硬化性樹脂としては、ビスフェノール型エポキシ樹脂を用いることができる。このビスフェノール型エポキシ樹脂には、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂があり、耐塩基性を重視する場合には前者が、低粘度化が要求される場合（塗布性を重視する場合）には後者がよい。
【００２６】
添加成分としての上記感光性モノマーとしては、多価アクリル系モノマーを用いることができる。多価アクリル系モノマーは、解像度を向上させることができるからである。例えば、多価アクリル系モノマーとして、日本化薬製のＤＰＥ−６Ａ、共栄社化学製のＲ−６０４を用いることができる。
また、これらのソルダーレジスト組成物は、２５℃で０．５〜１０Ｐａ・ｓ、より望ましくは１〜１０Ｐａ・ｓがよい。ロールコータで塗布しやすい粘度だからである。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係るパッケージ基板及びその製造方法について図を参照して説明する。
先ず、本発明の第１実施形態に係るパッケージ基板１０の構成について、図６〜図８を参照して説明する。
図６は、ＩＣチップ搭載前のパッケージ基板１０の断面図を示し、図７（Ａ）は、図６に示すパッケージ基板の上面を、図７（Ｂ）は底面を示し、図８は、図６に示すパッケージ基板１０にＩＣチップ９０を載置し、ドータボード９４へ取り付けた状態を示している。
【００２８】
図６に示すようにパッケージ基板１０では、コア基板３０内にスルーホール３６が形成され、該コア基板３０の両面には導体回路３４が形成されている。また、該コア基板３０の上には、バイアホール６０及び導体回路５８の形成された下層側層間樹脂絶縁層５０が配設されている。該下層層間樹脂絶縁層５０の上には、バイアホール１６０及び導体回路１５８が形成された上層層間樹脂絶縁層１５０が配置されている。上層層間樹脂絶縁層１５０の上には、ソルダーレジスト層７０が配設されている。
【００２９】
図７（Ａ）に示すように、パッケージ基板１０の上面には、ソルダーレジスト層７０の開口７１Ｕに、ＩＣチップへの接続用の半田バンプ７６Ｕが配設され、開口７１Ｏにより位置決めマーク７９が露出されている。ここで、開口７１Ｕは、直径Φ１が８５μｍで、ピッチＰ１が２５０μｍで形成されている。
【００３０】
一方、図７（Ｂ）に示すようにパッケージ基板の底面には、ソルダーレジスト層７０の開口７１Ｄに、ドータボードへの接続用の半田バンプ７６Ｄが配設されている。ここで、開口７１Ｄは、直径Φ２が１５０μｍで、ピッチＰ１が６００μｍで形成されている。
【００３１】
図６に示すように該半田バンプ７６Ｕは、層間樹脂絶縁層１５０に形成されたバイアホール１６０及び層間樹脂絶縁層５０に形成されたバイアホール６０を介してスルーホール３６へ接続されている。一方、該半田バンプ７６Ｄは、層間樹脂絶縁層１５０に形成されたバイアホール１６０及び層間樹脂絶縁層５０に形成されたバイアホール６０を介してスルーホール３６へ接続されている。
【００３２】
半田バンプ７６Ｕ、７６Ｄは、ソルダーレジスト層７０に穿設した開口７１Ｕ、７１Ｄ下の導体回路１５８及びバイアホール１６０に、ニッケルめっき層７２及び金めっき層７４を介して配設される。ソルダーレジスト層７０のＩＣチップ側開口７１Ｕはエキシマレーザで、ドータボード側開口７１Ｄは、炭酸ガスレーザにより穿設されている。即ち、本実施形態では、ソルダーレジスト層７０にレーザで開口を穿設するため、感光性樹脂に限定されることなく、ソルダーレジスト層として電気特性に優れた種々の材料を用いることが可能となる。
【００３３】
ここで、エキシマレーザでＩＣチップ側の開口７１Ｕを形成する際に、後述するように開口形成位置に対応する通孔を設けたマスクを用いることで、開口７１Ｕを一括して形成することができる。一方、炭酸ガスレーザにてドータボード側の開口７１Ｄを穿設する際に、側壁にレーザ光干渉による縞状の凹凸を形成するため、ニッケルめっき層７２を密着させることができ、半田バンプ７６Ｄの接続信頼性を高めることができる。
【００３４】
以下、本発明の第１実施形態に係る多層パッケージ基板の製造方法について図を参照して説明する。
ここでは先ず、上面側のソルダーレジスト層７０に開口７１Ｕを穿設するエキシマレーザ装置の概略構成について、図１３を参照して説明する。
【００３５】
Ｘ−Ｙ方向に移動するテーブル１９０に取り付けられたパッケージ基板１０の上には、図６に示す開口形成位置に対応する通孔７８ａが穿設されたマスク７８が載置されている。レーザ発振器８０から出た光は、基板上の焦点を鮮明にするための転写用マスク８２を経由してマスク７８に照射され、通孔７８ａを通過してソルダーレジスト層７０に開口７１Ｕを形成する。
【００３６】
次に、底面側のソルダーレジスト層７０に開口７１Ｄを穿設する炭酸ガスレーザの概略構成について、図１４を参照して説明する。
実施態様に係るレーザ装置としては、三菱電機製のＭＬ５０５ＧＴを用いる。また、ＣＯ2レーザ発信器１８０としては、三菱電機製のＭＬ５００３Ｄ２を用いる。
【００３７】
レーザ発振器１８０から出た光は、基板上の焦点を鮮明にするための転写用マスク１８２を経由してガルバノヘッド１７０へ入射する。ガルバノヘッド１７０は、レーザ光をＸ方向にスキャンするガルバノミラー１７４ＸとＹ方向にスキャンするガルバノミラー１７４Ｙとの２枚で１組のガルバノミラーから構成されており、このミラー１７４Ｘ、１７４Ｙは制御用のモータ１７２Ｘ、１７２Ｙにより駆動される。モータ１７２Ｘ、１７２Ｙは図示しない制御装置からの制御指令に応じて、ミラー１７４Ｘ、１７４Ｙの角度を調整すると共に、内蔵しているエンコーダからの検出信号を該コンピュータ側へ送出するよう構成されている。
【００３８】
レーザ光は、ガルバノミラー１７４Ｘ、１７４Ｙを経由してそれぞれＸ−Ｙ方向にスキャンされてｆ−θレンズ１７６を通り、ソルダーレジスト層７０に半田バンプ用の開口（貫通孔）７１Ｄ及び位置決めマーク７９用の開口７１Ｏを形成する。基板１０は、Ｘ−Ｙ方向に移動するＸ−Ｙテーブル１９０に載置されている。
【００３９】
パッケージ基板の製造方法について説明を続ける。ここでは、第１実施形態の多層パッケージ基板の製造方法に用いるＡ．無電解めっき用接着剤、Ｂ．層間樹脂絶縁剤、Ｃ．樹脂充填剤、Ｄ．ソルダーレジスト組成物の組成について説明する。
【００４０】
Ａ．無電解めっき用接着剤調製用の原料組成物（上層用接着剤）
〔樹脂組成物▲１▼〕
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製、分子量2500）の25％アクリル化物を80wt％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を35重量部、感光性モノマ（東亜合成製、アロニックスＭ315 ）3.15重量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−65）0.5 重量部、ＮＭＰ 3.6重量部を攪拌混合して得た。必要に応じて感光性モノマーである多価アクリルモノマー（日本化薬製、Ｒ604 ）を混合する。
【００４１】
〔樹脂組成物▲２▼〕
ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）12重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、ポリマーポール）の平均粒径 1.0μｍのものを 7.2重量部、平均粒径 0.5μｍのものを3.09重量部、を混合した後、さらにＮＭＰ30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合して得た。
【００４２】
〔硬化剤組成物▲３▼〕
イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）２重量部、光開始剤（チバガイギー製、イルガキュア  Ｉ−907 ）２重量部、光増感剤（日本化薬製、DETX-S）0.2 重量部、ＮＭＰ 1.5重量部を攪拌混合して得た。
【００４３】
Ｂ．層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成物（下層用接着剤）
〔樹脂組成物▲１▼〕
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製、分子量2500）の25％アクリル化物を80wt％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を35重量部、感光性モノマー（東亜合成製、アロニックスＭ315 ）４重量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−65）0.5 重量部、ＮＭＰ 3.6重量部を攪拌混合して得た。
【００４４】
〔樹脂組成物▲２▼〕
ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）12重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、ポリマーポール）の平均粒径 0.5μｍのものを 14.49重量部、を混合した後、さらにＮＭＰ30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合して得た。
【００４５】
〔硬化剤組成物▲３▼〕
イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）２重量部、光開始剤（チバガイギー製、イルガキュア  Ｉ−907 ）２重量部、光増感剤（日本化薬製、DETX-S）0.2 重量部、ＮＭＰ1.5 重量部を攪拌混合して得た。
【００４６】
Ｃ．樹脂充填剤調製用の原料組成物
〔樹脂組成物▲１▼〕
ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル製、分子量310 、YL983U） 100重量部、表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒径 1.6μｍのSiＯ２  球状粒子（アドマテック製、CRS 1101−CE、ここで、最大粒子の大きさは後述する内層銅パターンの厚み（15μｍ）以下とする） 170重量部、レベリング剤（サンノプコ製、ペレノールＳ４）1.5 重量部を攪拌混合することにより、その混合物の粘度を23±１℃で45,000〜49,000cps に調整して得た。
〔硬化剤組成物▲２▼〕
イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）6.5 重量部。
【００４７】
Ｄ．ソルダーレジスト組成物
ＤＭＤＧに溶解させた60重量％のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製）のエポキシ基50％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量4000）を 46.67ｇ、メチルエチルケトンに溶解させた80重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル製、エピコート1001）15.0ｇ、イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）1.6 ｇ、感光性モノマーである多価アクリルモノマー（日本化薬製、Ｒ604 ）３ｇ、同じく多価アクリルモノマー（共栄社化学製、DPE6A ） 1.5ｇ、分散系消泡剤（サンノプコ社製、Ｓ−65）0.71ｇを混合し、さらにこの混合物に対して光開始剤としてのベンゾフェノン（関東化学製）を２ｇ、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学製）を 0.2ｇ加えて、粘度を25℃で 2.0Pa・ｓに調整したソルダーレジスト組成物を得た。
【００４８】
引き続き、本発明の第１実施形態に係るパッケージ基板の製造工程について図１乃至図６を参照して説明する。この第１実施形態では、パッケージ基板をセミアディティブ方により形成する。
【００４９】
（１）図１（Ａ）に示すように厚さ０．８mmのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板３０の両面に１２μｍの銅箔３２がラミネートされている銅張積層板３０Ａを出発材料とした。まず、この銅張積層板３０Ａをドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、パターン状にエッチングすることによりスルーホール３６及び導体回路３４を形成し、図１（Ｂ）に示すコア基板３０を形成する。
【００５０】
(2) プレーン層３４およびスルーホール３６を形成した基板３０を水洗いし、乾燥した後、酸化浴（黒化浴）として、NaOH（10ｇ／ｌ），NaClO ２  （40ｇ／ｌ），Na３  PO４  （６ｇ／ｌ）、還元浴として、NaOH（10ｇ／ｌ），NaBH４  （６ｇ／ｌ）を用いた酸化−還元処理により、導体回路３４およびスルーホール３６の表面に粗化層３８を設けた（図１（Ｃ）参照）。
【００５１】
(3) Ｃの樹脂充填剤調製用の原料組成物を混合混練して樹脂充填剤を得た。
【００５２】
(4) 前記(3) で得た樹脂充填剤４０を、調製後24時間以内に基板３０の両面にロールコータを用いて塗布することにより、導体回路３４と導体回路３４との間、及び、スルーホール３６内に充填し、70℃，20分間で乾燥させ、他方の面についても同様にして樹脂充填剤４０を導体回路３４間あるいはスルーホール３６内に充填し、70℃，20分間で加熱乾燥させた（図１（Ｄ）参照）。
【００５３】
(5) 前記(4) の処理を終えた基板３０の片面を、＃600 のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いたベルトサンダー研磨により、導体回路３４の表面やスルーホール３６のランド３６ａ表面に樹脂充填剤４０が残らないように研磨し、次いで、前記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った（図２（Ａ）参照）。
次いで、100 ℃で１時間、120 ℃で３時間、 150℃で１時間、 180℃で７時間の加熱処理を行って樹脂充填剤４０を硬化した。
【００５４】
(6) 導体回路３４を形成した基板３０にアルカリ脱脂してソフトエッチングして、次いで、塩化パラジウウムと有機酸からなる触媒溶液で処理して、Ｐｄ触媒を付与し、この触媒を活性化した後、硫酸銅３．２×１０−２ｍｏｌ／ｌ、硫酸ニッケル３．９×１０−３ｍｏｌ／ｌ、錯化剤５．４×１０−２ｍｏｌ／ｌ、次亜りん酸ナトリウム３．３×１０−１ｍｏｌ／ｌ、ホウ酸５．０×１０−１ｍｏｌ／ｌ、界面活性剤（日信化学工業製、サーフィール４６５）０．１ｇ／ｌ、ＰＨ＝９からなる無電解めっき液に浸積し、浸漬１分後に、４秒当たり１回に割合で縦、および、横振動させて、導体回路３４、スルーホール３６のランド３６ａ及びバイアホールの底部６０ａ表面にＣｕ−Ｎｉ−Ｐからなる針状合金の被覆層と粗化層４２を設けた（図２（Ｂ）参照）。
【００５５】
さらに、ホウフっ化スズ０．１ｍｏｌ／ｌ、チオ尿素１．０ｍｏｌ／ｌ、温度３５℃、ＰＨ＝１．２の条件でＣｕ−Ｓｎ置換反応させ、粗化層の表面に厚さ０．３μｍＳｎ層（図示せず）を設けた。
【００５６】
(7) Ｂの層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成物を攪拌混合し、粘度1.5 Pa・ｓに調整して層間樹脂絶縁剤（下層用）を得た。
次いで、Ａの無電解めっき用接着剤調製用の原料組成物を攪拌混合し、粘度７Pa・ｓに調整して無電解めっき用接着剤溶液（上層用）を得た。
【００５７】
(8) 前記(6) の基板の両面に、前記(7) で得られた粘度 1.5Pa・ｓの層間樹脂絶縁剤（下層用）４４を調製後24時間以内にロールコータで塗布し、水平状態で20分間放置してから、60℃で30分の乾燥（プリベーク）を行い、次いで、前記(7) で得られた粘度７Pa・ｓの感光性の接着剤溶液（上層用）４６を調製後24時間以内に塗布し、水平状態で20分間放置してから、60℃で30分の乾燥（指触乾燥）を行い、厚さ35μｍの接着剤層５０αを形成した（図２（Ｃ）参照）。
【００５８】
(9) 前記(8) で接着剤層を形成した基板３０の両面に、ＰＥＴフィルム５１を密着させ（図２（Ｄ））、超高圧水銀灯により 500mJ／cm２  で露光した。さらに、当該基板３０を超高圧水銀灯により3000mJ／cm２  で露光し、100 ℃で１時間、120 ℃で１時間、その後 150℃で３時間の加熱処理（ポストベーク）をすることにより、厚さ35μｍの層間樹脂絶縁層（２層構造）５０を形成した。その後、ＰＥＴフィルム５１を剥離した。
【００５９】
(10)引き続き、層間樹脂絶縁層５０を形成した基板３０に図１４を参照して上述したレーザ装置のＸ−Ｙテーブル９０に載置し、炭酸ガスレーザを照射することにより貫通孔４８を形成した（図３（Ａ））。なお、バイアホールとなる貫通孔４８には、スズめっき層（図示せず）を部分的に露出させた。
ここでは、直径６０μｍの貫通孔を形成するため、レーザ装置のレーザ発振器としてＭＬ５００３Ｄを用い、１パルスエネルギー０．３mＪ、パルス幅５０μsec、マスク径０．５mm、パルスモードとしてバーストで、マルチモードで、波長１０．６μｍの炭酸ガスレーザを３ショット照射した。
【００６０】
(11)引き続き、貫通孔４８が形成された基板３０を、クロム酸に19分間浸漬し、層間樹脂絶縁層５０の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、当該層間樹脂絶縁層５０の表面を粗化し（図３（Ｂ）参照）、その後、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。
【００６１】
(12)前記(10)の行程で表面を粗化した基盤３０の表面に、パラジウム触媒（アトテック製）を付与することにより、層間樹脂絶縁層５０の表面に触媒核を付ける。その後、以下に示す組成の無電解銅めっき水溶液中に基板３０を浸漬して、全体に厚さ０．６μｍの無電解めっき膜５２を形成する（図３（Ｃ）参照）。
〔無電解めっき水溶液〕
ＥＤＴＡ              150   ｇ／ｌ
硫酸銅                 20   ｇ／ｌ
ＨＣＨＯ               30   ml／ｌ
ＮａＯＨ               40   ｇ／ｌ
α、α’−ビピリジル   80   mg／ｌ
ＰＥＧ                0.1   ｇ／ｌ
〔無電解めっき条件〕
70℃の液温度で30分
【００６２】
(13)前記(11)で形成した無電解銅めっき膜５２上に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マスクを載置して、100 mJ／cm２  で露光、0.8 ％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ15μｍのめっきレジスト５４を設けた（図３（Ｄ）参照）。
【００６３】
(14)ついで、レジスト非形成部分に以下の条件で電解銅めっきを施し、厚さ15μｍの電解銅めっき膜５６を形成した（図４（Ａ）参照）。
0004127448.tif 000002
【００６４】
(15)めっきレジスト５４を５％ＫＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト下の無電解めっき膜５２を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して溶解除去し、無電解銅めっき膜５２と電解銅めっき膜５６からなる厚さ18μｍの導体回路５８及びバイアホール６０を形成した（図４（Ｂ））。
【００６５】
(16)(6) と同様の処理を行い、導体回路５８及びバイアホール６０の表面にCu-Ni-P からなる粗化面６２を形成し、さらにその表面にSn置換を行った（図４（Ｃ）参照）。
【００６６】
(17)(7) 〜(16)の工程を繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層１５０及びバイアホール１６０、導体回路１５８を形成することで、パッケージ基板を完成する（図４（Ｄ）参照）。なお、この上層の導体回路を形成する工程においては、Ｓｎ置換は行わなかった。
【００６７】
(18)そして、上述したパッケージ基板に半田バンプを形成する。前記(16)で得られた基板３０両面に、上記Ｄ．にて説明したソルダーレジスト組成物を４５μｍの厚さで塗布する。次いで、70℃で20分間、70℃で30分間の乾燥処理（指触乾燥）を行った後、ＰＥＴフィルムを（図示せず）を密着させ、1000mJ／cm２  の紫外線で露光し、そしてさらに、80℃で１時間、 100℃で１時間、 120℃で１時間、 150℃で３時間の条件で加熱処理してからＰＥＴフィルムを剥離して、ソルダーレジスト層（厚み20μｍ）７０を形成する（図５（Ａ））。
【００６８】
(19)その後、ソルダーレジスト層７０を形成したパッケージ基板１０に図１３を参照して上述したレーザ装置のＸ−Ｙテーブル９０に取り付け、パッケージ基板１０に通孔７８ａの形成されたマスク７８を載置する。そして、該マスク７８へエキシマレーザを照射することで、上面（ＩＣチップ側）のソルダーレジスト層７０に貫通孔（開口）７１Ｕを形成した（図５（Ｂ））。
【００６９】
ここで、図５（Ｂ）中のＡ部、即ち、ＩＣチップ接続側の開口１Ｕを拡大して図９に示す。本実施形態においては、図１３を参照して上述したように、端子位置に相当する通孔７８ａを備えるマスク７８を用いることで、エキシマレーザにより微細径（８５μｍ）の開口７１Ｕを狭ピッチ（２５０μｍ）で同時に形成することができる。
【００７０】
このエキシマレーザによる開口（上側）７１Ｕの拡大写真のスケッチを図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）に示す。ここで、図１０（Ａ）は、貫通孔を斜め上から見た状態を、図１０（Ｂ）は、真上から見た状態を示している。エキシマレーザによる開口７１Ｕは、後述する炭酸ガスレーザによるものと異なり、干渉縞が発生することがない。
【００７１】
(20)  パッケージ基板１０を図１４を参照して上述した炭酸ガスレーザ装置のＸ−Ｙテーブル１９０に載置し、底面（ドータボード）側のソルダーレジスト層７０へ炭酸ガスレーザを照射することにより貫通孔（開口）７１Ｄを形成した（図５（Ｃ））。同様に、上面のソルダーレジスト層７０に炭酸ガスレーザを照射し、位置決めマーク７９用の貫通孔（開口）７１Ｏを形成した。
【００７２】
ここで、図５（Ｂ）中のＢ部、即ち、下側（マザーボード接続側）の貫通孔７１Ｄを拡大して図１１に示す。この下面側に６００μｍピッチで直径１５０μｍの貫通孔７１Ｄを形成するため、レーザ装置に、（ＭＬ５０５ＧＴ）に、レーザ発振器としてＭＬ５００３Ｄ２を用い、１パルスエネルギー１４mJ、パルス幅１６μsec、マスク径１０．０mm、パルスモードとしてバーストでシングルモード、波長１０．６μｍの炭酸ガスレーザを５ショット照射した。
【００７３】
本実施形態のパッケージ基板においては、炭酸ガスレーザをソルダーレジスト層７０下の導体回路１５８に対して垂直に照射し、該導体回路からの反射波と入射波との干渉を生ぜしめることで、貫通孔７１Ｄの側壁７１ａに干渉による縞状の凹凸（干渉縞と称する）を形成してある。該干渉縞のえぐられている部分の深さは、０．１〜５μｍ程度である。本実施形態では、ビーム径を大きくできるシングルモードの炭酸ガスレーザを照射するため、マザーボードへの接続用のバンプを形成するための相対的に大径（１５０〜６５０μｍ）の開口７１Ｄを容易に形成することができる。
【００７４】
ソルダーレジスト層７０に炭酸ガスレーザで穿設した貫通孔７１Ｄ（下側）の拡大写真のスケッチを図１２（Ａ）、図１２（Ｂ）及び図１２（Ｃ）に示す。ここで、図１２（Ａ）は、真上から見た状態を、図１２（Ｂ）は、貫通孔の側壁を側方から見た状態を、図１２（Ｃ）は、貫通孔を斜め上から見た状態を示している。
【００７５】
本実施形態では、ソルダーレジスト層にレーザで貫通孔を穿設するため、ソルダーレジスト層として種々の材料を用いることが可能となる。即ち、従来技術においては、フォトリソグラフィーにより貫通孔を穿設するため、ソルダーレジストとして感光性樹脂しか使用できなかったが、本実施形態では、レーザを用いるため、電気特性に優れた種々の材質をソルダーレジストに用いることができる。更に、層間樹脂絶縁層と同じレーザ装置を用いて貫通孔を形成できるので、パッケージ基板を廉価に製造することができる。なお、ソルダーレジストとしては、熱硬化性樹脂又は熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との複合体を用いることが望ましい。これは、レーザ干渉による縞状の凹凸を容易に形成することができるからである。更に、フォトリソグラフと異なり、開口に樹脂残さが残らず、接続信頼性を高めることができる。
【００７６】
(21)次に、塩化ニッケル2.31×10−１ｍｏｌ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム2.8 ×10−１ｍｏｌ／ｌ、クエン酸ナトリウム1.85×10−１ｍｏｌ／ｌ、からなるｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に該基板３０を２０分間浸漬して、開口部７１Ｕ、７１Ｄに厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成した。さらに、その基板を、シアン化金カリウム4.1 ×10−２ｍｏｌ／ｌ、塩化アンモニウム1.87×10−１ｍｏｌ／ｌ、クエン酸ナトリウム1.16×10−１ｍｏｌ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム1.7 ×10−１ｍｏｌ／ｌからなる無電解金めっき液に80℃の条件で７分２０秒間浸漬して、ニッケルめっき層上に厚さ0.03μｍの金めっき層７４を形成することで、バイアホール１６０及び導体回路１５８に半田パッド７５を形成する（図５（Ｄ）参照）。
【００７７】
(22)そして、ソルダーレジスト層７０の開口部７１Ｕ、７１Ｄに、低融点金属として半田ペーストを印刷して 200℃でリフローすることにより、半田バンプ（半田体）７６Ｕ、７６Ｄを形成し、パッケージ基板１０を完成した（図６参照）。本実施形態では、ニッケルめっき層７２及び金めっき層７４を介して、半田を充填することで半田バンプ７６Ｕ、７６Ｄを形成するため、該ニッケルめっき層７２及び金めっき層７４を縞状の凹凸の形成された開口７１Ｄに密着させることで、半田バンプ７６Ｄを強固に導体回路１５８へ接続させることができる。
【００７８】
完成したパッケージ基板１０の半田バンプ７６Ｕに、ＩＣチップ９０のパッド９２が対応するように載置し、リフローを行いＩＣチップ９０を搭載する。このＩＣチップ９０を搭載したパッケージ基板１０を、ドータボード９４側のバンプ９６に対応するように載置してリフローを行い、ドータボード９４へ取り付ける（図８参照）。
【００７９】
引き続き、本発明の第２実施形態に係るパッケージ基板１１０について、図１５及び図１６を参照して説明する。上述した第１実施形態では、半田バンプを介してドータボードとの接続を取った。これに対して、第２実施形態では、図１５に示すように導電性接続ピン８４を介して接続を取るように構成されている。
【００８０】
また、上述した第１実施形態では、大径のドータボード側の開口７１Ｄ及び位置決めマーク７９用の開口７１Ｏが、炭酸ガスレーザにより形成された。これに対して、第２実施形態では、露光・現像処理により大径の開口７１Ｕ、７１Ｏが形成される。
【００８１】
このソルダーレジスト層への開口形成工程を図１６を参照して説明する。第１実施形態と同様のソルダーレジスト組成物７０αを20μｍの厚さで基板３０に塗布した。次いで、70℃で20分間、70℃で30分間の乾燥処理を行った後、位置決めマーク７９の形成位置に対応する円パターン（マスクパターン）８５ａが描画された厚さ５mmのフォトマスクフィルム８５を密着させて、1000mJ／cm２  の紫外線で露光する（図１６の工程（Ａ））。同様に、導電性接続ピン８４の配設位置に対応する円パターンが描画されたフォトマスクフィルムを介してソルダーレジスト組成物７０αを露光する
【００８２】
引き続き、DMTG現像処理を施す。そしてさらに、80℃で１時間、 100℃で１時間、 120℃で１時間、 150℃で３時間の条件で加熱処理し、導電性接続ピン８４の開口７１Ｕ、及び、位置決めマーク７９の開口７１Ｏを有するソルダーレジスト層（厚み20μｍ）７０を形成した（図１６の工程（Ｂ））。
【００８３】
引き続き、第１実施形態と同様に、エキシマレーザによりＩＣチップ側の開口７１Ｕを形成する（図１６（Ｃ））。
【００８４】
この第２実施形態においては、大径の開口７１Ｕ、７１Ｏを露光・現像処理で一括して形成でき、また、小径の開口７１Ｕもマスクを用いることで、一括して形成することができる。
【００８５】
引き続き、本発明の第３実施形態に係るパッケージ基板の製造方法について、図１７乃至図２４を参照して説明する。
（１）厚さ０．8ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）樹脂からなる基板３０の両面に１８μｍの銅箔３２がラミネートされている銅貼積層板３０Ａを出発材料とした（図１７の工程（Ａ））。まず、この銅貼積層板３０Ａをドリル削孔し、続いてめっきレジストを形成した後、この基板３０に無電解銅めっき処理を施してスルーホール３６を形成し、さらに、銅箔を常法に従いパターン状にエッチングすることにより、基板３０の両面に内層銅パターン（下層導体回路）３４を形成した（図１７の工程（Ｂ））。
【００８６】
（２）下層導体回路３４を形成した基板３０を水洗いし、乾燥した後、エッチング液を基板３０の両面にスプレイで吹きつけて、下層導体回路３４の表面とスルーホール３６のランド表面３６ａと内壁とをエッチングすることにより、下層導体回路３４の全表面に粗化面３８を形成した（図１７の工程（Ｃ））。エッチング液として、イミタゾール銅（II）錯体１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重量部およびイオン交換水７８重量部を混合したものを使用した。
【００８７】
（３）シクロオレフィン系樹脂を主成分とする樹脂充填剤４０を、基板３０の両面に印刷機を用いて塗布することにより、下層導体回路３４間またはスルーホール３６内に充填し、加熱乾燥を行った。すなわち、この工程により、樹脂充填剤４０が下層導体回路３４の間あるいはスルーホール３６内に充填される（図１７の工程（Ｄ））。
【００８８】
（４）上記（３）の処理を終えた基板３０の片面を、ベルト研磨紙（三共理化学社製）を用いたベルトサンダー研磨により、下層導体回路３４の表面やスルーホール３６のランド表面３６ａに樹脂充填剤４０が残らないように研磨し、ついで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨を基枚の他方の面についても同様に行った。そして、充填した樹脂充填剤４０を加熱硬化させた（図１８の工程（Ａ））。
【００８９】
このようにして、スルーホール３６等に充填された樹脂充填剤４０の表層部および下層導体回路３４上面の粗化層３８を除去して基板両面を平滑化し、樹脂充填剤４０と下層導体回路３４の側面とが粗化面３８を介して強固に密着し、またスルーホール３６の内壁面と樹脂充填剤４０とが粗化面３８を介して強固に密着した配線基板３０を得た。
【００９０】
（５）次に、上記工程を経た基板３０の両面に、厚さ５０μｍの熱硬化型シクロオレフィン系樹脂シートを温度５０〜１５０℃まで昇温しながら圧力５ｋｇ／ｃｍ2で真空圧着ラミネートし、シクロオレフィン系樹脂からなる層間樹脂絶縁層５０を設けた（図１８の工程（Ｂ））。真空圧着時の真空度は、１０ｍｍＨｇであった。
【００９１】
（６）次に、波長０．２４８μｍのエキシマレーザにて、熱硬化型シクロオレフィン系樹脂からなる層間樹脂絶縁層５０に直径８０μｍのバイアホール用開口４８を設けた（図１８の工程（Ｃ））。この後、酸素プラズマを用いてデスミア処理を行った。
【００９２】
（７）次に、日本真空技術株式会社製のＳＶ−４５４０を用い、Ｎｉをターゲットにしたスパッタリングを、ガス圧０．６Ｐａ、温度８０℃、電力２００Ｗ、時間５分間の条件で行い、Ｎｉ金属層５１を層間樹脂絶縁層５０の表面に形成した（図１８の工程（Ｄ））。このとき、形成されたＮｉ金属層５１の厚さ０．１μｍであった。
【００９３】
（８）次に、以下の組成の無電界銅めっき水溶液中に基板３０を浸漬して、Ｎｉ金属層５１の表面全体に厚さ０．６〜１．２μｍの無電界銅めっき膜５２を形成した（図１９の工程（Ａ））。
〔無電界銅めっき水溶液〕
ＥＤＴＡ                  ０．０８  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                    ０．０８  ｍｏｌ／ｌ
ＨＣＨＯ                  ０．０５  ｍｏｌ／ｌ
ＮａＯＨ                  ０．０５  ｍｏｌ／ｌ
ａ、ａ’−ビピリジル          ８０  ｍｇ／ｌ
ＰＥＧ                    ０．１０  ｇ／ｌ
（ポリエチレングリコール）
〔無電解めっき条件〕
６５℃の液温度で２０分
【００９４】
（９）上記処理を終えた基板３０の両面に、市販の感光性ドライフィルムを無電界銅めっき膜５２に熱圧着することにより貼り付け、フォトマスクフィルムを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ2で露光した後、０．８％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ１５μｍのめっきレジスト５４のパターンを形成した（図１９の工程（Ｂ））。
【００９５】
（１０）次に、以下の条件で電気めっきを施して、直さ１５μｍの電気めっき膜５６を形成した（図１９の工程（Ｃ））。なお、この電気めっき膜５６により、後述する工程で導体回路５８となる部分の厚付けおよびバイアホール６０となる部分のめっき充填等が行われたことになる。なお、電気めっき水溶液中の添加剤は、アトテックジャパン社製のカパラシドＨＬである。
【００９６】
〔電気めっき水溶液〕
硫酸                  ２．２４  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                ０．２６  ｍｏｌ／ｌ
添加剤                １９．５  ｍｌ／ｌ
〔電気めっき条件〕
電流密度                    １  Ａ／ｄｍ2
時間                      ６５  分
温度                  ２２±２  ℃
【００９７】
（１１）さらに、めっきレジスト５４を５％ＫＯＨで剥離除去した（図１９の工程（Ｄ））。その後、めっきレジスト５４下の無電解めっき膜５２を硫酸と過酸化水素との混合液でエッチング処理して溶解除去し、独立の上層導体回路５８（バイアホール６０を含む）とした（図２０の工程（Ａ））。
【００９８】
（１２）続いて、上記（５）〜（１１）の工程を、繰り返すことにより、さらに上層の導体回路１５８を形成した（図２０の工程（Ｂ））。
【００９９】
（１３）次に、上層導体回路１５８が形成された多層配線基板３０の両面に厚さ２０μｍの熱硬化型ポリオレフィン系樹脂シート（住友３Ｍ社製、商品名：１５９２）を温度５０℃〜１５０℃まで昇温しながら圧力５ｋｇ／ｃｍ2で真空圧着ラミネートし、ポリオレフィン系樹脂からなるソルダーレジスト層７０を設けた（図２１の工程（Ａ））。真空圧着時の真空度は、１０ｍｍＨｇであった。
【０１００】
（１４）次に、第１実施形態と同様にマスク７８を載置し、波長２４８μｍのエキシマレーザにて、熱硬化型ポリオレフィン系樹脂からなる上面のソルダーレジスト層７０に直径１８０μｍの開口７１を形成した（図２１の工程（Ｂ））。
【０１０１】
（１５）第１実施形態と同様に、パッケージ基板１０を炭酸ガスレーザ装置のＸ−Ｙテーブル１９０（図１４参照）に載置し、底面（ドータボード）側のソルダーレジスト層７０へ炭酸ガスレーザを照射することにより直径６５０μｍの貫通孔（開口）７１Ｄを形成した（図２２（Ａ））。同様に、上面のソルダーレジスト層７０に炭酸ガスレーザを照射し、位置決めマーク７９用の貫通孔（開口）７１Ｏを形成した。この後、酸素プラズマを用いてデスミア処理を行い、半田パッド部分が開口した、厚さ２０μｍのソルダーレジスト層（有機樹脂絶縁層）７０を形成した。
【０１０２】
（１６）次に、ソルダーレジスト層（有機樹脂絶縁層）７０を形成した基板３０を、塩化ニッケル（２．３×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部７１に厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成した。さらに、その基板３０をシアン化金カリウム（７．６×１０-3ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層７２上に、厚さ０．０３μｍの金めっき層７４を形成した（図２２の工程（Ｂ））。
【０１０３】
（１７）この後、ソルダーレジスト層７０の開口７１に半田ペーストを印刷して、２００℃でリフローすることにより半田バンプ（半田体）７６Ｕ、７６Ｄを形成し、半田パンプ７６Ｕ、７６Ｄを有する多層配線プリント基板１０を製造した（図２３参照）。
【０１０４】
（１８）上記方法により製造した多層配線プリント配線板１０の他の一部を用い、ＩＣチップ９０との接合を行った。すなわち、所定の取り付け装置を用い、フラックス洗浄後、ターゲットマークを基準として、プリント配線板１０の半田バンプ７６ＵとＩＣチップ９０に設けられたバンプ９２との位置合わせを行い、半田をリフローさせることによりプリント配線板１０の半田バンプ７６ＵとＩＣチップ９０のバンプ９２とを接合させた。そして、フラックス洗浄を行い、該ＩＣチップ９０と多層プリント配線板１０との間にアンダーフィル９８を充填し、これによりＩＣチップ９０が接続されたプリント配線板（半導体装置）１０を得た（図２４参照）。
【０１０５】
【発明の効果】
本発明では上述したように、エキシマレーザによりＩＣチップ側の開口７１Ｕを形成するため、マスクを用いることで、微細径の開口７１Ｕを狭ピッチで正確に形成できる。即ち、開口７１Ｕを相互の相対的な位置誤差を発生させることなく形成することができる。このためＩＣチップ側のバンプの密度を高めることができ、パッケージ基板の配線密度を上げることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係るパッケージ基板の製造工程図である。
【図２】図２（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係るパッケージ基板の製造工程図である。
【図３】図３（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係るパッケージ基板の製造工程図である。
【図４】図４（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係るパッケージ基板の製造工程図である。
【図５】図５（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係るパッケージ基板の製造工程図である。
【図６】本発明の第１実施形態に係るパッケージ基板の断面図である。
【図７】図７（Ａ）は、図６に示すパッケージ基板の平面図であり、図７（Ｂ）は、裏面図である。
【図８】本発明の第１実施形態に係るパッケージ基板の断面図である。
【図９】図５（Ｂ）のＡ部の拡大図である。
【図１０】ソルダーレジスト層に穿設した貫通孔（上側）の拡大写真のスケッチであって、図１０（Ａ）は貫通孔を斜め上から見た状態を、図１０（Ｂ）は真上から見た状態を示している。
【図１１】図５（Ｃ）のＢ部の拡大図である。
【図１２】ソルダーレジスト層に穿設した貫通孔（下側）の拡大写真のスケッチであって、図１２（Ａ）は真上から見た状態を、図１２（Ｂ）は貫通孔の側壁を側方から見た状態を、図１２（Ｃ）は貫通孔を斜め上から見た状態を示している。
【図１３】開口を形成するエキシマレーザ装置の説明図である。
【図１４】開口を形成する炭酸ガスレーザ装置の説明図である。
【図１５】本発明の第１実施形態に係るパッケージ基板の断面図である。
【図１６】図１６（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の第２実施形態に係るパッケージ基板の製造工程図である。
【図１７】図１７（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第３実施形態に係るパッケージ基板の製造工程図である。
【図１８】図１８（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係るパッケージ基板の製造工程図である。
【図１９】図１９（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係るパッケージ基板の製造工程図である。
【図２０】図２０（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第１実施形態に係るパッケージ基板の製造工程図である。
【図２１】図２１（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第３実施形態に係るパッケージ基板の製造工程図である。
【図２２】図２１（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第３実施形態に係るパッケージ基板の製造工程図である。
【図２３】本発明の第３実施形態に係るパッケージ基板の断面図である。
【図２４】本発明の第３実施形態に係るパッケージ基板の断面図である。
【符号の説明】
３０  コア基板
３４  導体回路
３６  バイアホール
４８  貫通孔
４８ａ  側壁
４９  縞状の凹凸
５０  層間樹脂絶縁層
５８  導体回路
６０  バイアホール
７０  ソルダーレジスト層
７１Ｕ、７１Ｄ  開口
７２  ニッケルめっき層
７６Ｕ、７６Ｄ  半田バンプ
７８  マスク
７８ａ  通孔
７９  位置決めマーク
１５０  層間樹脂絶縁層
１５８  導体回路（端子）
１６０  バイアホール（端子）
【図１】
0004127448.tif 000003
【図２】
0004127448.tif 000004
【図３】
0004127448.tif 000005
【図４】
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【図５】
0004127448.tif 000007
【図６】
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【図７】
0004127448.tif 000009
【図８】
0004127448.tif 000010
【図９】
0004127448.tif 000011
【図１０】
0004127448.tif 000012
【図１１】
0004127448.tif 000013
【図１２】
0004127448.tif 000014
【図１３】
0004127448.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
0004127448.tif 000017
【図１６】
0004127448.tif 000018
【図１７】
0004127448.tif 000019
【図１８】
0004127448.tif 000020
【図１９】
0004127448.tif 000021
【図２０】
0004127448.tif 000022
【図２１】
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【図２２】
0004127448.tif 000024
【図２３】
0004127448.tif 000025
【図２４】
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