【事件の表示】
　特許第６３６９４３６号発明「貫通電極基板および貫通電極基板の製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６３６９４３６号の請求項１ないし１５に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第６３６９４３６号（以下、「本件特許」という。）の請求項１ないし１５に係る特許についての出願は、平成２５年１１月１３日の出願である特願２０１３−２３４９９４の一部を、平成２７年９月２９日に新たな特許出願としたものであって、平成３０年７月２０日に特許権の設定登録がされ、平成３０年８月８日に特許掲載公報が発行された。その後、その特許に対して、平成３１年２月８日に特許異議申立人石井良夫により特許異議の申立てがなされたものである。
第２　本件特許発明
　本件特許の請求項１−１５の特許に係る発明（以下、「本件特許発明１」−「本件特許発明１５」という。）は、それぞれ、その特許請求の範囲の請求項１−１５に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　第１面と第２面とを貫通する貫通孔を有する基板と、
　前記貫通孔の側壁に沿って配置された貫通電極と、
を有し、
　前記貫通孔は、前記第１面及び前記第２面から前記基板の内部に向かって連続的に径が小さくなり、
　前記貫通電極は、第１導電層、第２導電層、第３導電層、及び第４導電層を有し、
　前記第１導電層は、前記貫通孔の側壁の前記第１面側の一部に配置され、
　前記第２導電層は、前記貫通孔の側壁の前記第２面側の一部に配置され、
　前記第３導電層は、前記第１導電層、前記第２導電層、並びに前記第１導電層及び前記第２導電層から露出された前記貫通孔の側壁に接して配置され、
　前記第４導電層は、前記第３導電層上に配置されることを特徴とする貫通電極基板。
　　【請求項２】
　前記基板は、ガラス基板又は石英基板であることを特徴とする請求項１に記載の貫通電極基板。
　　【請求項３】
　前記貫通孔における前記貫通電極の内側には、前記第１面側から前記第２面側につながる空洞が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の貫通電極基板。
　　【請求項４】
　前記貫通孔における前記貫通電極の内側において、前記第１面側から前記第２面側まで連続して配置された絶縁性材料をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の貫通電極基板。
　　【請求項５】
　前記第１導電層及び前記第２導電層と前記基板との密着性、並びに前記第１導電層及び前記第２導電層と前記第３導電層との密着性は、前記第３導電層と前記基板との密着性よりも強いことを特徴とする請求項１に記載の貫通電極基板。
　　【請求項６】
　前記基板と前記貫通電極との間に配置された下地絶縁層をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の貫通電極基板。
　　【請求項７】
　前記第１導電層及び前記第２導電層と前記下地絶縁層との密着性、並びに前記第１導電層及び前記第２導電層と前記第３導電層との密着性は、前記第３導電層と前記下地絶縁層との密着性よりも強いことを特徴とする請求項６に記載の貫通電極基板。
　　【請求項８】
　前記第１導電層及び前記第２導電層は、アルゴンを含有することを特徴とする請求項１
に記載の貫通電極基板。
　　【請求項９】
　基板の第１面と第２面とを貫通し、前記第１面及び前記第２面から前記基板の内部に向かって連続的に小さくなる形状の貫通孔を形成し、
　前記貫通孔の側壁に沿って貫通電極を形成する貫通電極基板の製造方法であって、
　前記貫通電極は、
　前記貫通孔の側壁の前記第１面側の一部に、スパッタリング法によって第１導電層を形成し、
　前記貫通孔の側壁の前記第２面側の一部に、スパッタリング法によって第２導電層を形成し、
　前記第１導電層、前記第２導電層、並びに前記第１導電層及び前記第２導電層から露出された前記貫通孔の側壁に接するように第３導電層を形成し、
　前記第３導電層上に、めっき法によって第４導電層を形成することで形成される貫通電極基板の製造方法。
　　【請求項１０】
　前記基板は、ガラス基板又は石英基板であることを特徴とする請求項９に記載の貫通電極基板の製造方法。
　　【請求項１１】
　前記貫通電極は、前記貫通孔における前記貫通電極の内側に前記第１面側から前記第２面側につながる空洞ができるように形成されることを特徴とする請求項９に記載の貫通電極基板の製造方法。
　　【請求項１２】
　前記貫通電極の内側に、前記第１面側から前記第２面側まで連続する絶縁性材料をさらに形成することを特徴とする請求項９に記載の貫通電極基板の製造方法。
　　【請求項１３】
　前記第３導電層は、斜め蒸着法によって形成されることを特徴とする請求項９に記載の貫通電極基板の製造方法。
　　【請求項１４】
　前記斜め蒸着法は、前記基板の前記第１面又は前記第２面に対する垂線が蒸着材料の飛行方向に対して５°以上２０°以下傾いた状態で行われることを特徴とする請求項１３に記載の貫通電極基板の製造方法。
　　【請求項１５】
　前記基板と前記貫通電極との間に下地絶縁層をさらに形成し、
　前記第１導電層及び前記第２導電層は、前記下地絶縁層上に形成されることを特徴とする請求項９に記載の貫通電極基板の製造方法。」
第３　申立理由の概要
理由１　特許異議申立人は、主たる証拠として甲第１号証及び従たる証拠として甲第２号証−甲第１３号証を提出し、請求項１−１５に係る特許は第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるため、同法第１１３条第２号により取り消されるべきである旨主張している。
理由２　特許異議申立人は、主たる証拠として甲第１４号証を提出し、請求項１−１５に係る特許は特許法第２９条第１項第３号及び第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるため、同法第１１３条第２号により取り消されるべきである旨主張している。
理由３　特許異議申立人は、本件特許発明１−１５は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たさないので、同法第１１３条第４号により取り消されるべきである旨主張している。 
＜証拠方法＞
甲第１号証：特開２００６−２８７０１９号公報
甲第２号証：特開平７−１９３２１４号公報
甲第３号証：特開平６−３４９９５２号公報
甲第４号証：特開２０００−１８３１６０号公報
甲第５号証：特開２００２−３５９４４６号公報
甲第６号証：特開２０１０−１８２７３４号公報
甲第７号証：特開２０１０−１２９９３４号公報
甲第８号証：特開２００３−２８９０７３号公報
甲第９号証：特開２００６−２６１５５３号公報
甲第１０号証：特開平９−９２６７５号公報
甲第１１号証：特開平５−１６７０６２号公報
甲第１２号証：特開昭５４−７５７２号公報
甲第１３号証：特開２００３−１５９７９７号公報
甲第１４号証：特開２０１５−９５５９０号公報
第４　理由１（第２９条第２項）について
１　甲第１号証−甲第１３号証の記載事項
（１）甲第１号証には、以下の事項が記載されている（下線は、当審で付与したものである。以下同様。）。
「【請求項１】
  
ガラス基板
の板厚方向に貫通する孔に、電極となる金属を充填した貫通電極付基板であって、貫通孔内壁面に
金属膜ａが形成され、貫通孔は銅（Ｃｕ）と錫（Ｓｎ）、銅と錫の合金から構成される電極材が充填されている
貫通電極付基板。
【請求項２】
  電極材はＣｕの表面がＣｕ３Ｓｎの合金層とＣｕ６Ｓｎ５の合金層で被覆構成された３層構造体で主構成され、３層構造体同士はＣｕ６Ｓｎ５合金層もしくはＣｕ３Ｓｎ合金層、Ｓｎで接合され、３層構造体と金属膜ａ間は金属膜ａとＣｕ６Ｓｎ５とで構成される合金層で接続されていることを特徴とする請求項１に記載の貫通電極付基板。」
「【請求項６】
  前記貫通孔の内壁面に設けられた
金属膜ａが、基板側と電極側で組成が異なる少なくとも２層以上の膜で構成され
【請求項７】
  前記
金属膜ａの基板側の層はクロム（Ｃｒ）であり、電極側の層はニッケル（Ｎｉ）を主成分とする金属である
【請求項８】
  貫通孔を有する基板の貫通孔内壁に金属膜ａを形成する工程、Ｃｕ粉とＳｎ粉、フラックスを混合し混合材を得る工程、混合材を貫通孔に充填する工程、６０℃〜１００℃で一次ベークする工程、２４０℃〜３００℃でニ次ベークする工程、３００℃〜５５０℃で三次ベークする工程、基板両面を研削もしくは研磨する工程を有することを特徴とする請求項１に記載の貫通電極付基板の製造方法。」
「【０００７】
  
貫通孔をめっきで金属充填する方法を用いると、
貫通孔にめっきで金属を均一に充填することは難しく、めっき金属の内部に空洞が発生してしまうことがあった。また、めっき金属の析出速度が遅く生産性に難があるという問題があった。
【０００８】
  本発明は上記問題を解決するもので、耐熱性を得るために貫通電極をＣｕとＳｎもしくはＣｕＳｎ合金の電極材で形成し、また、
電極材と貫通孔内壁に設けられた金属膜ａを合金化することで、貫通電極の強い密着力と安定した電極の電気抵抗が得られる
「【００１５】
  貫通孔は、レーザーやブラスト、エッチングなどの方法で基板に形成することができる。基板にフォトレジストなどでマスクを形成し、化学エッチングやブラストで貫通孔を形成する方法は、多数の貫通孔を同時に形成できるので好ましい方法である。貫通孔の平面形状は、円形や楕円形、多角形、矩形、不定な形状でも良く、深さ方向で形状が変化し、基板表裏で貫通孔の形状や大きさが異なっても良いものである。」
「【００１７】
  貫通孔内壁の貫通孔端近傍の領域に、金属膜ａが形成されており、充填された電極材と金属膜ａの接触部は合金化して結合されることが好ましい。金属膜ａは、少なくとも基板表面から孔の深さ方向に向かって、片側で基板厚の１／４以上形成されていることが好ましい。電極材と基板の面を同一にするための加工代より、大きく金属膜ａが形成されていること、言い換えると平坦化加工された後でも、金属膜ａは貫通孔内壁に残っていることが好ましいものである。より好ましくは、貫通孔内壁全面に金属膜ａが形成されていることである。金属膜ａを０．５μｍ厚以上とすることで、貫通孔内壁の面粗さの凹凸を埋め、緩やかな凹凸状態とすることができる。貫通孔内壁を緩やかな凹凸状態にすることで、電極材と貫通孔表面間に気泡の取り込みを少なくでき、結合面積が大きくなることで電極材の強固な接合が得られる。また、金属膜ａと電極材との接触部は合金化して結合されるため、熱が加わったときでも電極材が貫通孔から抜け出るようなことはない。
【００１８】
  貫通孔の内壁面に形成する金属膜ａは、単体の金属もしくは合金の単層膜か、基板側と電極側で組成が異なる少なくとも２層以上の金属膜で構成されていても良い。金属膜の形成方法は、蒸着法やスパッタ法、めっき法などを用いることができる。貫通孔内壁に接する第一層目の金属膜は、貫通孔内壁への付着強度が高い膜が得られるスパッタ法を用いるのが好ましい。貫通孔内壁への膜の付着強度が、電極材と貫通孔との接合強度を左右するものであり、高い付着強度が望まれるものである。
【００１９】
  貫通孔の内壁面に形成する金属膜ａの第一層目は、密着性に優れたＣｒ膜を用いることが好ましい。Ｃｒ膜厚は０．０２μｍより薄いと密着力を得る効果が小さいので、貫通孔の内壁面の凹凸表面を覆うことができる０．０２μｍ以上の膜厚とすることが好ましい。金属膜ａの最表面の膜は、ＮｉもしくはＮｉを主成分とする合金であることが好ましい。金属膜ａと電極材との界面に拡散反応によって合金層が形成されるので、金属膜ａを電極材と合金を作り易いＮｉ系とすることで、強固な結合が得られるものである。合金層が形成され金属膜ａと電極材が強固に結合されることで、金属膜ａと電極材の熱膨張率の差による応力や機械的な外力が加わっても、貫通孔から電極材が抜け出るようなことはない。」
「【発明の効果】
【００２４】
  電極材の主構成をＣｕとＳｎからなる３層構造体とすることで、低電気抵抗で３００℃以上の融点を有する電極材を得た。貫通孔に内壁に金属膜ａを形成し、電極材と一体化させることで、電極材は貫通孔に強固に保持され、信頼性の高い貫通電極付基板を得ることができた。」
「【実施例１】
【００２６】
  図１に、本発明の貫通電極付基板の斜視図を示す。基板１”の厚み方向に貫通した孔に金属が充填されて形成された電極６が所定の間隔で設けられている。図２は、本発明実施例１で用いた貫通電極付基板の製造方法を示す。図２ａ）〜図２ｊ）を用いて、製造方法（工程）を説明する。以降、電極６は電極材と称することもある。
【００２７】
  図２ａ）〜図２ｃ）は、基板１に貫通孔３を形成する工程である。
基板１は、
板厚４００μｍ
である。
貫通孔３は、砥粒を噴射した面側の直径がφ１８０μｍ、反対面側の直径がφ７０μｍの略円錐台状となった。
【００２８】
  図２ｄ）〜図２ｆ）は、貫通孔３の内壁に金属膜ａ４を形成する工程である。貫通孔３が形成された基板１’の両面に、フィルムレジスト３２を接着し、露光と現像を行った。貫通孔３の基板の周辺が露出するように、貫通孔３より数１０μｍ大きな孔径になるにフィルムレジスト３２をパターニングした（図２ｄ））。次に、貫通孔３の内壁に金属膜ａ４を形成した。
金属膜ａ４は、
基板１’の両面側から１００μｍ程度の深さまで、ＣｒとＮｉの２層膜を形成し、同２層膜上に
Ｎｉ膜を３μｍ形成した
【００２９】
  図２ｇ）〜図２ｉ）は、電極を形成する工程である。基板１’にスクリーンマスク３４を密着固定し、貫通孔３に混合材５をスクリーン印刷法を用い充填した（図２ｇ））。混合材５は、平均粒径１１μｍのＳｎ粉と平均粒径３０μｍのＣｕ粉、グリス状のフラックスを混練した。混合材の粘度は１５０Ｐａ・Ｓに調製した。Ｓｎ粉とＣｕ粉の配合比は、重量比で０．５：０．５とした。スクリーンマスク３４の開口ピッチは貫通孔３と同ピッチで、スクリーンマスク３４の開口径は貫通孔径より約３０μｍ大きくした。混合材５は貫通孔３にへら３３を矢印方向に動かしながら摺り込むように充填した。混合材５が基板１’表面から僅かにはみだすように充填した。スクリーンマスク３４を除去して、貫通孔３に混合材５が充填された基板１’を得た（図２ｈ））。
【００３０】
  貫通孔３に混合材５が充填された基板１’を窒素雰囲気のオーブンで、一次から三次ベークを行い混合材５を合金化し電極材６とした（図２ｉ））。一次ベークの加熱条件は、予め７０℃に昇温したオーブンに基板１”を投入し、２５分間保持した。加熱することで混合材５中のフラックスを流動化させ、混合材５を貫通孔３に充填した際に混合材５内に巻き込んだ気泡を、混合材５の表面に排出させた。二次ベークは、窒素雰囲気の電気炉を用いて行った。二次ベークの加熱条件は、室温から１５０℃まで昇温して５分間保持し、その後２７０℃まで昇温して３分間保持とした。Ｓｎの融点２３２℃より高温で保持することで、混合材５中のＳｎ粉は熔融して液状になり、Ｃｕ粉の隙間に浸透させた。熔融したＳｎはＣｕ粉と反応し、ＣｕをＣｕ３Ｓｎが覆い、Ｃｕ３ＳｎをＣｕ５Ｓｎ６が覆う３層構造体を作る。３層構造体は３層構造体同士もしくはＳｎと接合して電極材６を形成した。また、金属膜ａ４と３層構造体およびＳｎが接合して、貫通孔３に強固に電極材６を形成した。混合材５中のフラックス成分が加熱により、電極材６表面に析出してくるので、炉から取り出し室温まで冷却したのち、析出したフラックスを有機溶剤で洗浄除去した。三次ベークは、窒素雰囲気の電気炉を用いて行った。三次ベークの加熱条件は、室温から５００℃まで２時間かけて昇温し、５００℃で１時間保持した。
【００３１】
  基板１’の表裏両面にはみ出した電極材６を除去するために、基板表裏面を１０μｍずつ研磨し、電極材６と基板１”の面が同一の、貫通電極付基板５０を得た（図２ｊ））。
【００３２】
  一次べークから三次ベークにおける混合材５と金属膜ａ４の変化を、図２ｉ）のｗ部を拡大して図３ａ）から図３ｃ）に示すとともに、詳細に説明する。図３ａ）は、一次ベーク完了後、図３ｂ）は二次ベーク完了後、図３ｃ）は三次ベーク完了後のｗ部を模式的に示す。図３ａ）に示す一次ベーク完了後は、ベーク温度が７０℃とＳｎおよびＣｕの融点よりも低温であるため、Ｓｎ粉８とＣｕ粉９とも形状の外観的変化は見られない。Ｓｎ粉８とＣｕ粉９の隙間には、フラックス１０が充填されている。基板１’に設けられた貫通孔の内壁には、金属膜ａ４が形成されており、金属膜ａ４はＣｒ膜１２とＮｉ膜１１の２層となっている。」
　【請求項１】及び【請求項７】を参酌すると、図２（ｊ）より、電極材６は、金属膜ａの電極側の層上及び貫通孔内壁面に接して配置されていることが見て取れる。
　上記の記載事項を総合すると、甲第１号証には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる（括弧内は、甲第１号証の記載箇所を示す。）。
「ガラス基板の板厚方向に貫通する孔に、電極となる金属を充填した貫通電極付基板であって、貫通孔内壁面に金属膜ａが形成され、貫通孔は銅（Ｃｕ）と錫（Ｓｎ）、銅と錫の合金から構成される電極材が充填されており（【請求項１】）、
　基板は、板厚４００μｍであり、
　貫通孔は、砥粒を噴射した面側の直径がφ１８０μｍ、反対面側の直径がφ７０μｍの略円錐台状であり（【００２７】）、
　金属膜ａは、基板側と電極側で組成が異なる複数層の膜で構成され、基板側の層はクロム（Ｃｒ）であり、電極側の層はニッケル（Ｎｉ）を主成分とする金属であり（【請求項６】、【請求項７】）、基板の両面側から１００μｍ程度の深さまで、ＣｒとＮｉの２層膜が形成され、同２層膜上にＮｉ膜が３μｍ形成され（【００２８】）、
　電極材は、金属膜ａの電極側の層上及び貫通孔内壁面に接して配置された（図２（ｊ））
　貫通電極付基板。」
（２）甲第２号証−甲第４号証の記載事項及び周知技術
ア　甲第２号証には、以下の事項が記載されている。
「【００２４】このように本実施例では、
ＧａＡｓ基板１表面から凹状穴１ａの内面にかけて給電機能を有するスパッタ層８を形成した後、このスパッタ層８表面と凹状穴１ａの内面のスパッタ層８で被覆されなかった部分に、無電解Ｎｉ系合金メッキ層７を形成し、この後、
電解Ａｕメッキ層９を形成する
イ　甲第３号証には、以下の事項が記載されている。
「【００２４】次に、
コンタクトホール４０ａ内外の下地２９上に、気相成長法を用いて、第一のカレントフィルム４２を形成する。
気相成長法としてスパッタ法
「【００２７】次に、
第一のカレントフィルム４２上に、無電解めっき法を用いて、当該フィルム４２の切れ目４６から露出する領域を覆う第二のカレントフィルム４８を形成する。
「【００２９】次に、
第二のカレントフィルム４８上に、電解めっき法を用いて上層配線５０を形成する。
ウ　甲第４号証には、以下の事項が記載されている。
「【００４７】次に、
コンタクトホール２４を含む第２層の層間絶縁膜２３の上に全面に亘って、
バリア層２６を
スパッタリング法によって堆積する。
【００４８】次に、
バリア層２６の上にスパッタリング法によって、銅からな
るシード層２７を形成する。
【００４９】このようにすると、
コンタクトホール２４の下側部分の壁面においては、数ｎｍ程度の直径を有する銅の粒が島状に形成されたシード層２７が形成される。
【００５０】次に、
シード層２７の上に銅の無電解めっきを行なって、シード層２７を成長させることにより、
コンタクトホール２４の壁面の上側部分及び下側部分並びに底面において銅膜が連続しており且つ１０ｎｍ程度の厚さを有する、補強されたシード層２７Ａを形成する。
【００５１】次に、
補強されたシード層２７Ａの上に銅の電解めっきを行なって、
コンタクトホール２４の内部に銅膜２８を充填する。
　甲第２号証−甲第４号証の記載から、次のことが周知技術であるといえる。
「コンタクトホールの内面に、スパッタ法により導電性のスパッタ層を形成した後、このスパッタ層の表面とコンタクトホール内面のスパッタ層で被覆されなかった部分に、無電解メッキ法により導電性の無電解メッキ層を形成し、この後、電解メッキ法により導電性の電解メッキ層を形成する技術。」
（３）甲第５号証には、以下の事項が記載されている。
「【００３６】なお、図３２に示すように、両面からサンドブランドを行うことにより絶縁基板の中央から外部に向って貫通孔の径が広がっていく形状としてもよい。この場合、一方から貫通孔を開口する場合に比べ、貫通孔形成までの時間が短縮されるため、開口端での貫通孔の径は小さくすることができる。
また、図３３に示すように、貫通孔の形成開始面を異ならせることにより、テーパの向きが逆方向の貫通孔を有する絶縁基板を形成することができる。貫通孔のテーバの向きが全て同じ場合、応力により絶縁基板が反る場合があるが、貫通孔のテーパの向きを異ならせると、絶縁基板の反りを防止でき、その後絶縁基板上に微細配線を形成することができる。
本実施例にかかる多層配線基板は、例えばマルチチップモジュールのインターポーザとして用いることができる。図４は、絶縁基板１の貫通孔１００の開口径が小さい面（基板の１次側）には、半導体装置９を搭載し、開口径が大きい面（基板の２次側）は、半導体モジュールを実装する実装基板１０に実装したものを示している。これにより、基板の１次側では、半導体装置を狭ピッチに実装、接続できる。」
「【００４１】図１乃至図４では、絶縁基板１の両面において電気的接続を可能とする貫通孔１００の内面には、導電性材料（配線１０１）が存在している。例えば銅配線１０１は、貫通孔１００の内面にスパッタ等により給電膜、例えばＣｒ／Ｃｕを形成し、その後電気めっきにより形成する。なお、銅配線１０１が形成された後に、絶縁性の材料を充填してもよい。
また、絶縁基板１の両面間の電気的接続を取る方法として、貫通孔１００の内面に配線を形成する以外に、ペースト印刷等により貫通孔１００を導電性材料で充填する、又ははんだ材料を溶融させて流し込むようにしてもよい。適切に選択した導電性材料を絶縁基板１に充填した場合は、貫通孔１００を有する絶縁基板１の強度を高めることもできる。」
（４）甲第６号証には、以下の事項が記載されている。
「【００９５】
  図１１は第２変形例の半導体装置を示すものである。本変形例の貫通孔７は、内側面７ａの少なくとも一部が能動面１０Ａ側に向かって、該貫通孔７の内径を狭めるテーパー形状を有している。具体的に貫通孔７は、図１１に示すように、半導体基板１０の基板中央部から裏面１０Ｂ側に向かって内径が直線状に拡がるテーパー形状と、基板中央部から能動面１０Ａ側に向かって内径が直線状に拡がるテーパー形状とを連続させた略逆菱形形状から構成されている。」
（５）甲第７号証には、以下の事項が記載されている。
「【００５７】
図５に、本発明における貫通孔の形態を例示する。ガラス回路基板４０の厚さ方向を貫通する貫通孔３３としては、図５（Ａ）に示すようなストレート形状、図５（Ｂ）に示すようなテーパー形状、図５（Ｃ）に示すような鼓形状などを採用することができる。」
（６）甲第８号証には、以下の事項が記載されている。
「【００３６】図１は、本発明の第１の実施の形態に関わる基板に貫通孔が形成された半導体装置の断面部分を示す模式図である。図２はその上面図であり、説明を容易にするために一部透視した図になっている。１は半導体装置の基板である。基板１にはその表面から裏面へ貫通する貫通孔２が形成されている。３は基板１の表裏面に形成された保護層である。貫通孔２の内側表面、基板１の表裏面側の貫通孔２の開口部周辺には有機物からなる絶縁層４が形成されている。貫通孔２の内側表面に形成した絶縁層４の更に内側表面及び貫通孔２の表面側の開口部周辺には、絶縁層４を被うように導電層５が形成されている。また基板１の裏面側に形成した絶縁層４の表面には、貫通孔２の基板１の裏面側の開口部周辺に導電層５が形成されている。貫通孔２における導電層５の更に内側は埋め込み用材料６により埋め込まれている。１０は電気接続部となる電極パッドであり、貫通孔２の開口部を取り囲むように円環状に形成されている。１１は半導体素子である。１２は半導体素子１１と電極パッド１０を電気的に接続する配線であり電極パッド１０の一部から直線状に延びている。電極パッド１０、配線１２と基板１との間には不図示の絶縁膜が形成されている。電極パッド１０、半導体素子１１、配線１２は貫通孔２を形成する前に、あらかじめ半導体プロセス等により基板１の表面に形成されている。半導体素子１１及び配線１２は保護膜３により被われている。保護膜３は後述するレーザ加工、エッチング加工、メッキ、電着等のドライプロセスやウエットプロセスを行う上での化学的なダメージや汚染、半導体装置製造後のダイシング工程、実装工程、パッケージ工程時に生じる物理的な損傷から半導体素子１１及び配線１２を保護し、また電流の漏洩や配線の短絡等から生じる電気的な劣化を防止している。電極パッド１０は保護膜３から露出し、導電層５と電気的接続するように形成されている。従って、基板１の表面側の半導体素子１１は、配線１２、電極パッド１０、導電層５を介して裏面側と電気的に接続されている。」
（７）甲第９号証には、以下の事項が記載されている。
「【０００５】
  ここで、図５（ａ）〜（ｆ）を用いて、従来の貫通電極を有する半導体装置の製造方法について説明する。図５（ａ）〜（ｆ）は、この半導体装置の製造工程を示す断面図である。
  まず、図５（ａ）に示すように、半導体基板１０の上面に素子形成部１１を形成する。
  次に、図５（ｂ）に示すように、フォトレジストパターン１２を形成し、フォトレジストパターン１２をマスクとして用いて、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）等の方法により素子形成部１１及び半導体基板１０を順次エッチングし、基板表面から１００μｍ程度の孔１３を形成する。
  次に、図５（ｃ）に示すように、素子形成部１１上と孔１３の側壁面にＬＰＣＶＤ法を用いてシリコン酸化膜１４を形成する。
  次に、電気めっきの陰極となるシード膜１５をシリコン酸化膜１４上に堆積する。そして、これを陰極として孔１３の内部をＣｕ１６で充填する。さらに、ＣＭＰを用いて孔１３以外のＣｕ１６とシード膜１５とシリコン酸化膜１４を除去し、図５（ｄ）に示す構造を得る。
  次に、図５（ｅ）に示すように、半導体基板１０の裏面を研削し、Ｃｕ１６を裏面に露出させる。
  次に、図５（ｆ）に示すように、半導体基板１０の裏面にＳｉＮやＳｉＯ2等の裏面絶縁膜１７を形成する。
  以上の工程により、貫通電極を有する半導体装置が得られる。」
（８）甲第１０号証には、以下の事項が記載されている。
「【００１０】次に図６に示すように、基板１の裏面に化学的気相成長法若しくは物理的気相成長法を用いて絶縁膜８を形成する。次に図７に示すように、半導体基板１の表面の半導体素子２の形成部の保護膜３及び絶縁膜６に選択的に開孔部９を形成する。次に図８に示すように、化学的気相成長法若しくは物理的気相成長法若しくはメッキ法を用いて、基板表面に表面第一層配線膜10ａを形成する。次に図９に示すように、表面第一層配線膜10ａを選択的に腐食し、表面第一層配線10を形成する。次に図10に示すように、化学的気相成長法若しくは物理的気相成長法を用いて、表面第一層配線10上に表面第一層配線保護膜11を形成する。次に図11に示すように、半導体基板１の表面の半導体素子２及び導電体層７の上部の保護膜11に選択的に開孔部12を形成する。次に図12に示すように、化学的気相成長法若しくは物理的気相成長法若しくはメッキ法を用いて、基板表面上に表面第二層配線膜13ａを形成する。次に図13に示すように、表面第二層配線膜13ａを選択的に腐食し、表面第二層配線13を形成する。次に図14に示すように、化学的気相成長法若しくは物理的気相成長法を用いて、半導体基板１の表面上に表面第二層配線保護膜14を形成する。」
（９）甲第１１号証には、以下の事項が記載されている。
「【００１２】（ｃ）指向性のある膜形成法として斜め蒸着を用いることにより、ビアホール３の底部以外に、第２の金属層として厚さ約２０ｎｍのＴｉ層５を形成する。斜め蒸着は、蒸着源と基板１の角度θを保ち、基板１をその主面内で回転させながら蒸着する。ここで、角度θは、ビアホールの深さをＨ、ビアホールの直径をＤとしたとき、ｔａｎθ≒Ｈ／Ｄの値に設定される。」
（１０）甲第１２号証には、以下の事項が記載されている。
「本発明にかかる孔部内壁に導電性金属層を形成する方法としては、基板の導体層側から斜め蒸着、斜めスパッタリング又はイオンブレーティングなどの方法があり、これらの方法により孔部内壁に導電性金属層を形成することが出来る。」（第３頁左上欄第１３−１８行）
（１１）甲第１３号証には、以下の事項が記載されている。
「【００８７】図１１を参照して、インク室用溝２６ａの長手方向に対して垂直方向から０．１μｍの厚みでＡｌ電極を斜め蒸着する。この作業をインク室用溝２６ａの長手方向に対して左右２方向から行なうことで隔壁２９の表面に金属電極２７、２８が形成される。ドライフィルムレジスト７０および隔壁２９のシャドーイング効果により、金属電極２７、２８はインク室用溝２６ａの深さ方向の約１／２まで形成される。」
２　対比・判断
（１）本件特許発明１について
ア　対比
　本件特許発明１と引用発明を対比する。
（ア）引用発明の「板厚方向に貫通する孔」を有する「ガラス基板」は、本件特許発明１の「第１面と第２面とを貫通する貫通孔を有する基板」に相当する。
（イ）引用発明は「貫通孔内壁面に金属膜ａが形成され、貫通孔は」「電極材が充填されて」いるので、引用発明の「金属膜ａ」及び「電極材」と、本件特許発明１の「前記貫通孔の側壁に沿って配置された貫通電極」とは、「前記貫通孔に配置された貫通電極」である点で共通する。
　但し、貫通孔に配置された貫通電極が、本件特許発明１は、貫通孔の「側壁に沿って」配置されたのに対して、引用発明は、「貫通孔内壁面に金属膜ａが形成され、貫通孔は」「電極材が充填され」たものである点で相違する。
　また、貫通孔が、本件特許発明１が、「前記第１面及び前記第２面から前記基板の内部に向かって連続的に径が小さくな」るのに対して、引用発明は、「砥粒を噴射した面側の直径がφ１８０μｍ、反対面側の直径がφ７０μｍの略円錐台状であ」る点で相違する。
（ウ）引用発明の「基板は、板厚４００μｍであり」、「基板の両面側から１００μｍ程度の深さまで、ＣｒとＮｉの２層膜が形成され、同２層膜上にＮｉ膜が３μｍ形成され」るので、引用発明の「金属膜ａの基板側の層」及び「金属膜ａの」「電極側の層」は、それぞれ、「砥粒を噴射した面側」と「反対面側」に分断されている。
　そうすると、引用発明の「砥粒を噴射した面側」の「金属膜ａの基板側の層（Ｃｒ）」は、本件特許発明１の「前記貫通孔の側壁の前記第１面側の一部に配置され」た「前記第１導電層」に相当し、
　引用発明の「反対面側」の「金属膜ａの基板側の層（Ｃｒ）」は、本件特許発明１の「前記貫通孔の側壁の前記第２面側の一部に配置され」た「前記第２導電層」に相当し、
　引用発明の「砥粒を噴射した面側」の「金属膜ａの」「電極側の層（Ｎｉ）」及び「反対面側」の「金属膜ａの」「電極側の層（Ｎｉ）」と、本件特許発明１の「前記第１導電層、前記第２導電層、並びに前記第１導電層及び前記第２導電層から露出された前記貫通孔の側壁に接して配置され」た「前記第３導電層」とは、「前記第１導電層、前記第２導電層に接して配置され」た「前記第３導電層」である点で共通する。
　但し、本件特許発明１は、「前記第３導電層は、」「前記第１導電層及び前記第２導電層から露出された前記貫通孔の側壁に接して配置され」るのに対して、引用発明は、「金属膜ａの」「電極側の層（Ｎｉ）」が、「貫通孔内壁面」に接して配置されていない点で相違する。
（エ）上記（ウ）を踏まえると、引用発明の「金属膜ａの電極側の層上及び貫通孔内壁面に接して配置された」「電極材」と、本件特許発明１の「前記第３導電層上に配置される」「前記第４導電層」とは、「前記第４導電層」である点で共通する。
　但し、本件特許発明１は、「前記第４導電層は、前記第３導電層上に配置される」のに対して、引用発明は、「電極材は、金属膜ａの電極側の層上及び貫通孔内壁面に接して配置された」点で相違する。
（オ）上記（ウ）及び（エ）を踏まえると、引用発明の「金属膜ａ」及び「電極材」は、本件特許発明１の「第１導電層、第２導電層、第３導電層、及び第４導電層を有」する「前記貫通電極」に相当する。
（カ）引用発明の「貫通電極付基板」は、本件特許発明１の「貫通電極基板」に相当する。
　したがって、本件特許発明１と引用発明とは、次の一致点、相違点を有する。
（一致点）
「第１面と第２面とを貫通する貫通孔を有する基板と、
　前記貫通孔に配置された貫通電極と、
を有し、
　前記貫通電極は、第１導電層、第２導電層、第３導電層、及び第４導電層を有し、
　前記第１導電層は、前記貫通孔の側壁の前記第１面側の一部に配置され、
　前記第２導電層は、前記貫通孔の側壁の前記第２面側の一部に配置され、
　前記第３導電層は、前記第１導電層、前記第２導電層に接して配置される貫通電極基板。」
（相違点１）
　貫通孔に配置された貫通電極が、本件特許発明１は、貫通孔の「側壁に沿って」配置されたのに対して、引用発明は、「貫通孔内壁面に金属膜ａが形成され、貫通孔は」「電極材が充填され」たものである点
（相違点２）
　本件特許発明１は、「前記貫通孔は、前記第１面及び前記第２面から前記基板の内部に向かって連続的に径が小さくな」るのに対して、引用発明は、「貫通孔は、砥粒を噴射した面側の直径がφ１８０μｍ、反対面側の直径がφ７０μｍの略円錐台状であ」る点。
（相違点３）
　本件特許発明１は、「前記第３導電層は、」「前記第１導電層及び前記第２導電層から露出された前記貫通孔の側壁に接して配置され」るのに対して、引用発明は、「金属膜ａの」「電極側の層（Ｎｉ）」が、「貫通孔内壁面」に接して配置されていない点。
（相違点４）
　本件特許発明１は、「前記第４導電層は、前記第３導電層上に配置される」のに対して、引用発明は、「電極材は、金属膜ａの電極側の層上及び貫通孔内壁面に接して配置された」点。
イ　判断
（ア）まず、上記相違点１について検討する。
　上記相違点１に関して、本件特許発明１は、「非充填型」を前提とするといえるものであるのに対して、引用発明のものは、「充填型」である。
　ここで、引用発明は、貫通孔内壁面に金属膜ａを形成し、貫通孔に銅（Ｃｕ）と錫（Ｓｎ）、銅と錫の合金から構成される電極材を充填し、電極材と貫通孔内壁に設けられた金属膜ａを合金化することで、貫通電極の強い密着力が得られるものであり（【０００８】）、電極材を充填することにより、強い密着力を得ているといえるので、「充填型」の引用発明において、これをあえて「非充填型」とすることの動機付けがない。
　したがって、上記相違点１に係る本件特許発明１の構成は、引用発明、甲第２号証−甲１３号証に記載された技術に基づいて、当業者が容易になし得たこととはいえない。
（イ）次に、上記相違点３、４についてまとめて検討する。
　引用発明は、貫通孔内壁面に金属膜ａを形成し、貫通孔に銅（Ｃｕ）と錫（Ｓｎ）、銅と錫の合金から構成される電極材を充填し、電極材と貫通孔内壁に設けられた金属膜ａを合金化することで、貫通電極の強い密着力が得られるものであるので（【０００８】）、非充填型の貫通電極のように、貫通孔の側壁で導電層が剥離することを問題にする必要が無く、引用発明において、貫通孔内の導電層の密着性を高めるために、金属膜ａの電極側の層を、貫通孔内壁面に接して配置し、電極材を、貫通孔内壁面に接して配置せずに金属膜ａの電極側の層上に配置することの理由がない。
　また、コンタクトホールの内面に、スパッタ法により導電性のスパッタ層を形成した後、このスパッタ層の表面とコンタクトホール内面のスパッタ層で被覆されなかった部分に、無電解メッキ法により導電性の無電解メッキ層を形成し、この後、電解メッキ法により導電性の電解メッキ層を形成することは甲第２号証−甲第４号証に記載のように周知技術であるが（上記「第４　１（２）」）、引用発明は、貫通孔をめっきで金属充填する方法を用いると、貫通孔にめっきで金属を均一に充填することは難しく、めっき金属の内部に空洞が発生してしまうこと、めっき金属の析出速度が遅く生産性に難があるという問題を解決するために（【０００７】）、貫通孔内壁面に金属膜ａを形成し、貫通孔は銅（Ｃｕ）と錫（Ｓｎ）、銅と錫の合金から構成される電極材を充填するものであり、上記周知の無電解メッキ層を形成し、この後、電解メッキ層を形成する技術を適用することに、阻害要因が存在する。
　そして、甲第５号証−甲第１３号証には、第３導電層は、第１導電層及び第２導電層から露出された貫通孔の側壁に接して配置され、第４導電層は、第３導電層上に配置されることは、記載されていない。
　したがって、上記相違点３、４に係る本件特許発明１の構成は、引用発明、甲第２号証−甲１３号証に記載された技術に基づいて、当業者が容易になし得たこととはいえない。
（ウ）よって、本件特許発明１は、上記相違点２について検討するまでもなく、引用発明、甲第２号証−甲１３号証に記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
（２）本件特許発明２−８について
　本件特許発明１を直接又は間接的に引用する本件特許発明２−８は、本件特許発明１をさらに減縮したものであるから、上記本件特許発明１についての判断と同様の理由により、引用発明、甲第２号証−甲第１３号証に記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
（３）本件特許発明９について
　本件特許発明９は、本件特許発明１に対応する方法の発明であり、本件特許発明１の「前記第３導電層は、前記第１導電層、前記第２導電層、並びに前記第１導電層及び前記第２導電層から露出された前記貫通孔の側壁に接して配置され、前記第４導電層は、前記第３導電層上に配置される」に対応する構成を備えるものであるから、本件特許発明１についての判断と同様の理由により、引用発明、甲第２号証−甲第１３号証に記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
（４）本件特許発明１０−１５について
　本件特許発明９を直接又は間接的に引用する本件特許発明１０−１５は、本件特許発明９をさらに減縮したものであるから、上記本件特許発明１についての判断と同様の理由により、引用発明、甲第２号証−甲第１３号証に記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
３　まとめ
　以上のとおりであるから、本件特許発明１−１５は、いずれも、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるということができず、同法第１１３条第２号により取り消すことができない。
第５　理由２（特許法第２９条第１項第３号及び第２９条第２項）について
１　異議申立人の主張
　異議申立人は、異議申立書において、次のように主張している。
　本件特許請求の範囲の請求項５、７及び８は、新規事項を追加するものであり、本件特許は分割要件を満足しないために、出願日が遡及せず、本件特許の原出願の公開公報である甲第１４号証の記載に基づいて新規性及び進歩性を有しない。（異議申立書第６５頁）
２　当審の判断
（１）請求項５について
　異議申立人は、
　請求項５に記載された「前記第１導電層及び前記第２導電層と前記基板との密着性、並びに前記第１導電層及び前記第２導電層と前記第３導電層との密着性は、前記第３導電層と前記基板との密着性よりも強いこと」は、本件特許の原出願（特願２０１３−２３４９９４号）には、記載も示唆もなされておらず、また、周知の技術事項でもないから、新規事項を追加するものであると主張している。（異議申立書第６１頁）
　そこで、上記主張について検討する。
　本件特許の原出願の出願当初の明細書、特許請求の範囲又は図面（以下、「原出願の当初明細書等」という。）には、密着性に関して次の記載がある。
「【０００６】
　本発明は、貫通電極基板における
貫通孔内の導電層の密着性を高めることを目的とする。
「【００４６】
  本発明では、
成膜原子が高いエネルギーを有した状態で基板に到達するようなスパッタリング法によって、基板に達した成膜原子は余剰エネルギーで下地膜と反応するため、良好な密着性が得られる。
ミキシング層によって下地膜とスパッタリング膜とは良好な密着性が得られる
「【００５１】
  図８は、本発明の第１実施形態に係る貫通電極基板の製造方法において、他側面からシード層が形成された基板の断面を示す模式図である。ここでも、図７と同様の方法で、基板の第２面側から斜め蒸着によってシード層３０（シード層３２、３５）を形成する。続いて、第２面側からも斜め蒸着を行うことで、貫通孔内部には貫通孔の深さ方向に略一様な膜厚のシード層３５が形成される。ここで、第１実施形態においては、斜め蒸着によってシード層３０を形成する例を示したが、これに限定されることはなく、例えば、無電解めっきなどを使用することもできる。これにより、スパッタ法以外で成膜された
シード層３０の大部分が、貫通孔９０の側壁において第１導電性密着層１５および第２導電性密着層２５上に形成されることで、下層への密着性が向上する。
「【００７２】
  
第３導電性密着層４０および第４導電性密着層５０はシード層３０と密着性がよい材質であるとよく
　上記記載より、「スパッタリング膜」（請求項５の「第１導電層」及び「第２導電層」に対応する）と、「基板」の「下地膜」（請求項５の「基板」に対応する）の密着性が良好であること（【００４６】）、
　「シード層３０」（請求項５の「第３導電層」に対応する）の「第１導電性密着層１５および第２導電性密着層２５」（請求項５の「第１導電層」及び「第２導電層」に対応する）への密着性が向上すること（【００５１】）、
　「第３導電性密着層４０および第４導電性密着層５０」（請求項５の「第１導電層」及び「第２導電層」に対応する）は「シード層３０」（請求項５の「第３導電層」に対応する）と密着性がよいこと（【００７２】）が記載されている。
　そうすると、原出願の当初明細書等には、前記第１導電層及び前記第２導電層と前記基板との密着性、並びに前記第１導電層及び前記第２導電層と前記第３導電層との密着性が、良好であることが記載されているといえる。
　ここで、「前記第１導電層及び前記第２導電層と前記基板との密着性」及び「前記第１導電層及び前記第２導電層と前記第３導電層との密着性」と、「前記第３導電層と前記基板との密着性」の比較については記載されていないが、
　本件特許は、貫通孔内の導電層の密着性を高めるために（【０００６】）、基板と「シード層３０」（第３導電層）の間に、「第１導電性密着層１５」（第１導電層）及び「第２導電性密着層２５」（第２導電層）を設けているといえるものであり、「前記第１導電層及び前記第２導電層と前記基板との密着性」及び「前記第１導電層及び前記第２導電層と前記第３導電層との密着性」が、「前記第３導電層と前記基板との密着性」より弱くては、「第１導電性密着層１５」（第１導電層）及び「第２導電性密着層２５」（第２導電層）を設ける意味が無いので、「前記第１導電層及び前記第２導電層と前記基板との密着性」及び「前記第１導電層及び前記第２導電層と前記第３導電層との密着性」が、「前記第３導電層と前記基板との密着性」より強いことは自明な事項である。
　したがって、請求項５に記載された「前記第１導電層及び前記第２導電層と前記基板との密着性、並びに前記第１導電層及び前記第２導電層と前記第３導電層との密着性は、前記第３導電層と前記基板との密着性よりも強いこと」は、原出願の段落【０００６】、【００４６】、【００５１】及び【００７２】と、明細書等全体の記載を考慮すれば、原出願の当初明細書等に記載された事項の範囲内である。
（２）請求項７について
　異議申立人は、
　請求項７に記載された「前記第１導電層及び前記第２導電層と前記下地絶縁層との密着性、並びに前記第１導電層及び前記第２導電層と前記第３導電層との密着性は、前記第３導電層と前記下地絶縁層との密着性よりも強いことを」は、本件特許の原出願には、記載も示唆もなされておらず、また、周知の技術事項でもないから、新規事項を追加するものであると主張している。（異議申立書第６２頁）
　そこで、上記主張について検討する。
　原出願の当初明細書等の段落【００４６】（上記「（１）」参照）には、「スパッタリング膜」（請求項７の「第１導電層」及び「第２導電層」に対応する）と、「下地膜」（請求項７の「下地絶縁層」に対応する）の密着性が良好であることが記載されているので、請求項５で検討したように、請求項７に記載された「前記第１導電層及び前記第２導電層と前記下地絶縁層との密着性、並びに前記第１導電層及び前記第２導電層と前記第３導電層との密着性は、前記第３導電層と前記下地絶縁層との密着性よりも強いこと」は、原出願の段落【０００６】、【００４６】、【００５１】及び【００７２】と、明細書等全体の記載を考慮すれば、原出願の当初明細書等に記載された事項の範囲内である。
（３）請求項８について
　異議申立人は、
　請求項８に記載された「前記第１導電層及び前記第２導電層は、アルゴンを含有すること」は、本件特許の原出願には、記載も示唆もなされておらず、また、周知の技術的事項でもないから、新規事項を追加するものであると主張している。（異議申立書第６２頁）
　そこで、上記主張ついて検討する。
　原出願の当初明細書等には、次の記載がある。
「【００８５】
  次に、シリコン基板の第１面１０１側から、スパッタリング法により、第１導電性密着層１０として、シリコン基板上に形成された酸化シリコン膜との密着性の良いＴｉを１００ｎｍ形成した。続いて、シリコン基板の第２面１０２側から、上記と同様にスパッタリング法により、第２導電性密着層２０として、Ｔｉを１００ｎｍ形成した。ここで、スパッタリング法は、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、以下の条件で行った。
・ターゲット−基板間距離＝１００ｍｍ
・アルゴンガス流量＝３０ｓｃｃｍ
・チャンバ圧力＝０．５Ｐａ
・電力＝３ｋＷ
・成膜温度＝室温」
　上記記載より、段落【００８５】には、「第１導電性密着層１０」及び「第２導電性密着層２０」（請求項８の「第１導電層」及び「第２導電層」に対応する。）を、アルゴンガスをチャンバ内に導入して、スパッタリング法により形成することが記載されている。
　ここで、アルゴンガスをチャンバ内に導入して、スパッタリング法により形成した膜は、アルゴンを膜中に取り込むことがあることは周知である。
　そして、請求項８に記載された「前記第１導電層及び前記第２導電層は、アルゴンを含有すること」の構成は、第１導電層及び第２導電層が、アルゴンガスによるスパッタで成膜された以上の意味を持つものでないので、請求項８に記載された「前記第１導電層及び前記第２導電層は、アルゴンを含有すること」は、原出願の当初明細書等に記載された事項の範囲内である。
（４）以上のように、本件特許請求の範囲の請求項５、７及び８は、原出願の当初明細書等に記載された事項の範囲内であり、本件特許は分割要件を満たすため、異議申立人の新規性及び進歩性についての主張を採用することができない。
３　まとめ
　本件特許は分割要件を満たし、本件特許発明１−１５は、いずれも、特許法第２９条第１項第３号及び第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるということができず、同法第１１３条第２号により取り消すことができない。
第６　理由３（第３６条第６項第１号）について
１　異議申立人の主張
　異議申立人は、異議申立書において、
　「本件発明の課題を解決する（目的を達成する）ためには、第１導電層及び第２導電層と貫通孔の側壁との間の段差部を、課題解決手段として請求項１及び９に反映する必要がある。しかしながら、本件特許公報の請求項１及び９には、上記段差部の記載がなく反映がなされていない。そのため、発明の詳細な説明に記載した範囲を超えて特許が請求されていることになり、サポート要件を満足していない。」と主張している。（異議申立書第６５頁）
２　当審の判断
（１）請求項１及び請求項９に、第１導電層及び第２導電層と貫通孔の側壁との間の段差部を、発明の課題を解決するための手段として反映する必要があるかについて
　発明の詳細な説明には、次の記載がある。
「【０００６】
　本発明は、貫通電極基板における
貫通孔内の導電層の密着性を高めることを目的とする。
「【００４４】
  次に、図２に示すステップＳ２０２について図５を用いて説明する。図５は、本発明の第１実施形態に係る貫通電極基板の製造方法において、一側面から第１導電性密着層が形成された基板の断面を示す模式図である。図４に示す基板１００に対して、第１導電性密着層１０が形成される。この第１導電性密着層１０は、絶縁層７０上に、第１面１０１側から形成する。
第１導電性密着層１０はスパッタリング法により形成される。
「【００４６】
　本発明では、
成膜原子が高いエネルギーを有した状態で基板に到達するようなスパッタリング法によって、基板に達した成膜原子は余剰エネルギーで下地膜と反応するため、良好な密着性が得られる。
【００４７】
  次に、図２に示すステップＳ２０３について図６を用いて説明する。図６は、本発明の第１実施形態に係る貫通電極基板の製造方法において、他側面から第２導電性密着層が形成された基板の断面を示す模式図である。図５に示す基板１００に対して、第２導電性密着層２０（第２導電性密着層２２、２５）が形成される。この第２導電性密着層２０は、絶縁層７０上に、第１面１０１の反対側の第２面１０２側から形成する。
第２導電性密着層２０は第１導電性密着層１０と同様にスパッタリング法によって形成する。
【００４８】
  
第１導電性密着層１５および第２導電性密着層２５は、下地の絶縁層７５と密着性がよく、
【００４９】
  
第１実施形態では、スパッタリング法によって密着性が高い膜を形成した例を説明したが、これに限定されるものではない。例えば、下地膜との反応性を利用した材料を使用することで、良好な密着性を得ることができる。
「【００５１】
  図８は、本発明の第１実施形態に係る貫通電極基板の製造方法において、他側面からシード層が形成された基板の断面を示す模式図である。ここでも、図７と同様の方法で、基板の第２面側から斜め蒸着によってシード層３０（シード層３２、３５）を形成する。続いて、第２面側からも斜め蒸着を行うことで、貫通孔内部には貫通孔の深さ方向に略一様な膜厚のシード層３５が形成される。ここで、第１実施形態においては、斜め蒸着によってシード層３０を形成する例を示したが、これに限定されることはなく、例えば、無電解めっきなどを使用することもできる。これにより、スパッタ法以外で成膜された
シード層３０の大部分が、貫通孔９０の側壁において第１導電性密着層１５および第２導電性密着層２５上に形成されることで、下層への密着性が向上する。
　上記記載より、貫通孔の側壁に、第１導電性密着層１５および第２導電性密着層２５を形成し、第１導電性密着層１５および第２導電性密着層２５上にシード層３０の大部分を形成することにより密着性が向上して、貫通孔内の導電層の密着性を高められることが読み取れ、
貫通孔の側壁に、第１導電性密着層１５および第２導電性密着層２５を形成し、第１導電性密着層１５および第２導電性密着層２５上にシード層３０を形成すること
　そうすると、「第１導電性密着層１５」、「第２導電性密着層２５」及び「シード層３０」は、それぞれ、請求項１及び９の「第１導電層」、「第２導電層」及び「第３導電層」に対応するものであるから、請求項１及び９の記載は、発明の課題を解決するための手段が反映されていると認められる。
　したがって、請求項１及び請求項９の記載は、既に、発明の課題を解決するための手段が反映されているので、第１導電層及び第２導電層と貫通孔の側壁との間の段差部を、発明の課題を解決するための手段として反映する必要はない。
（２）請求項１及び請求項９には、段差部の記載がないかについて
　請求項１には「前記第１導電層は、前記貫通孔の側壁の前記第１面側の一部に配置され、前記第２導電層は、前記貫通孔の側壁の前記第２面側の一部に配置され、前記第３導電層は、前記第１導電層、前記第２導電層、並びに前記第１導電層及び前記第２導電層から露出された前記貫通孔の側壁に接して配置され」と、第１導電層及び第２導電層の上に形成された第３導電層が、第１導電層及び第２導電層が形成されていない部分で側壁に接して配置されることが記載されているので、第３導電層が、第１導電層及び第２導電層と貫通孔の側壁との間の段差部を乗り越えるように形成されていることが記載されているといえる。
　また、請求項９についても、同様である。
　したがって、請求項１及び請求項９には、実質的に段差部が記載されている。
（３）以上のとおりであるから、請求項１及び請求項９には、発明の課題を解決するための手段が反映されており、異議申立人の主張を採用することができない。
３　まとめ
　本件特許発明１−１５は、いずれも、特許法第３６条６項１号に規定する要件を満たしているから、特許法第１１３条第４号により取り消すことはできない。
第７　むすび
　したがって、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、請求項１ないし１５に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に請求項１ないし１５に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和１年５月８日（２０１９．５．８）