(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一基板上に第一及び第二電子部品を配置し、
上記第一電子部品の被転写面にレーザーを照射して、上記被転写面の付着力を高めるとともに、
上記第一電子部品の表面から発生した不純物を、上記第二電子部品の表面に堆積させて上記表面の付着力を抑え、
上記被転写面に粘着材を重ね合わせ、上記第一電子部品を上記第一基板から剥離し、
上記第二電子部品は、上記不純物が上記粘着材に接触することにより、上記第一基板上に残存させ、
上記第一基板から剥離した上記第一電子部品を、配線層が形成された第二基板上に転写することを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項２】
上記レーザーは紫外線レーザーであることを特徴とする請求項１記載の回路基板の製造方法。
【請求項３】
上記電子部品の上記レーザーが照射される面は、樹脂により構成されることを特徴とする請求項１記載の回路基板の製造方法。
【請求項４】
上記樹脂は、エポキシ樹脂又はアクリル樹脂からなることを特徴とする請求項３記載の回路基板の製造方法。
【請求項５】
上記樹脂中に電子素子が埋め込まれていることを特徴とする請求項３記載の回路基板の製造方法。
【請求項６】
上記電子素子は発光素子であることを特徴とする請求項５記載の回路基板の製造方法。
【請求項７】
上記発光素子は、先細り形状となる先端部を有することを特徴とする請求項６記載の回路基板の製造方法。
【請求項８】
上記先端部は、円錐形状又は多角錘形状であることを特徴とする請求項７記載の回路基板の製造方法。
【請求項９】
上記発光素子は、半導体素子であることを特徴とする請求項６記載の回路基板の製造方法。
【請求項１０】
上記発光素子は、窒化物半導体を用いた半導体素子であることを特徴とする請求項６記載の回路基板の製造方法。
【請求項１１】
上記発光素子は、半導体ＬＥＤ素子であることを特徴とする請求項６記載の回路基板の製造方法。
【請求項１２】
上記剥離工程において、転写対象となる上記第一電子部品に対して第一基板側からレーザーを照射することを特徴とする請求項１記載の回路基板の製造方法。
【請求項１３】
第一基板上に、発光素子が埋め込まれた第一及び第二電子部品を配置し、
上記第一電子部品の被転写面にレーザーを照射して、上記被転写面の付着力を高めるとともに、
上記第一電子部品の表面から発生した不純物を、上記第二電子部品の表面に堆積させ、
上記被転写面に粘着材を重ね合わせ、上記第一電子部品を上記第一基板から剥離し、
上記第二電子部品は、上記不純物が上記粘着材に接触することにより、上記第一基板上に残存させ、
上記第一基板から剥離した上記第一電子部品を、配線層が形成された第二基板上にマトリクス状に転写することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１４】
上記レーザーは紫外線レーザーであることを特徴とする請求項１３記載の表示装置の製造方法。
【請求項１５】
上記電子部品の上記レーザーが照射される面は、樹脂により構成されることを特徴とする請求項１３記載の表示装置の製造方法。
【請求項１６】
上記樹脂は、エポキシ樹脂又はアクリル樹脂からなることを特徴とする請求項１５記載の表示装置の製造方法。
【請求項１７】
上記発光素子は、先細り形状となる先端部を有することを特徴とする請求項１３記載の表示装置の製造方法。
【請求項１８】
上記先端部は、円錐形状又は多角錘形状であることを特徴とする請求項１７記載の表示装置の製造方法。
【請求項１９】
上記発光素子は、半導体素子であることを特徴とする請求項１３記載の表示装置の製造方法。
【請求項２０】
上記発光素子は、窒化物半導体を用いた半導体素子であることを特徴とする請求項１３記載の表示装置の製造方法。
【請求項２１】
上記発光素子は、半導体ＬＥＤ素子であることを特徴とする請求項１３記載の表示装置の製造方法。
【請求項２２】
上記剥離工程において、転写対象となる上記第一電子部品に対して第一基板側からレーザーを照射することを特徴とする請求項１３記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、粘着材を用いて転写される電子部品及びその転写方法、回路基板及びその製造方法、並びに表示装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ある基板上に配列された同一形状の複数のチップ部品を、これらの相対的な位置関係を保持しながら他の基板上に実装する場合に、転写が有効な方法として採用されることがある。
【０００３】
転写の中でも、ある基板上に配列されたチップ部品を直接他の基板上に転写せず、いったん粘着材に転写し保持させた後で、さらに他の基板上に転写する方法がある。この方法では粘着材を用いて転写を行うため、製造コストが廉価であり、また、大面積の転写に非常に有効である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この方法は、基板上の電子部品を一度に全て他の基板に転写する際には有効であるものの、レーザー剥離等を用いて選択的な転写を行う際には様々な不都合を伴う。
【０００５】
例えば、電子部品に対する粘着材の粘着力が強い場合には、転写対象となるチップ部品だけでなく転写対象でないチップ部品も粘着材に粘着するという問題が生じる。
【０００６】
また、上記問題を回避するために粘着材の粘着力を低下させると、本来転写したいチップ部品が粘着材に粘着しない場合がある。また、チップ部品が保持された粘着材と実装先の他の基板との押しつけ圧力が不均一である場合、粘着材とチップ部品との接着力の弱さに起因して、チップ部品を他の基板に転写する際に位置ずれを生じる等の不都合が生じるおそれがある。
【０００７】
このように、せん断力による位置ずれと所望のチップ部品のみを粘着させる粘着力との間にはトレードオフの関係があるため、最適な条件を適宜設定して転写を行う必要があるが、チップ部品の材料や形状、基板の大きさや平面度等の条件変更に追随できない場合が多々ある。
【０００８】
そこで本発明はこのような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、粘着材を用いて他の基板への選択的な転写を行う際に、転写対象となる電子部品のみを確実に粘着材へ粘着させることが可能な転写方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するために、本発明に係る電子部品は、表面にレーザーを照射することによって粘着材に対する付着力が調整されることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明に係る転写方法は、第一基板の主面上に配列された電子部品のうち転写対象となる電子部品の被転写面にレーザーを照射する付着力調整工程と、粘着材を上記電子部品の被転写面に重ね合わせ、上記レーザーが照射された電子部品を上記第一基板から剥離する剥離工程とを有することを特徴とする。
【００１１】
本発明では、転写対象となる電子部品の表面にレーザーを照射することにより、転写対象となる電子部品の被転写面の化学的な活性が向上し、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力が向上する。また、転写対象となる電子部品の表面にレーザーを照射することによって発生した塵が転写対象でない電子部品の表面に堆積するため、転写対象でない電子部品の粘着材に対する付着力が低下する。
【００１２】
以上のようにして、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力と転写対象でない電子部品の粘着材に対する付着力との差が拡大し、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力が相対的に高められる。
【００１３】
また、電子部品の被転写面に不純物が付着又は堆積している場合には、転写対象となる電子部品の表面にレーザーを照射することによりこの不純物が除去されるため、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力がさらに高められる。
【００１４】
また、本発明に係る回路基板は、表面にレーザーを照射することによって粘着材に対する付着力が調整されてなる電子部品が、粘着材による剥離工程を経て配線層が形成された配線基板上に転写されてなることを特徴とする。
【００１５】
また、本発明に係る回路基板の製造方法は、第一基板上に第一及び第二電子部品を配置し、上記第一電子部品の被転写面にレーザーを照射して、上記被転写面の付着力を高めるとともに、上記第一電子部品の表面から発生した不純物を、上記第二電子部品の表面に堆積させて上記表面の付着力を抑え、上記被転写面に粘着材を重ね合わせ、上記第一電子部品を上記第一基板から剥離し、上記第二電子部品は、上記不純物が上記粘着材に接触することにより、上記第一基板上に残存させ、上記第一基板から剥離した上記第一電子部品を、配線層が形成された第二基板上に転写することを特徴とする。
【００１６】
本発明では、転写対象となる電子部品の表面にレーザーを照射することにより、転写対象となる電子部品の被転写面の化学的な活性が向上し、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力が向上する。また、転写対象となる電子部品の表面にレーザーを照射することによって発生した塵が転写対象でない電子部品の表面に堆積するため、転写対象でない電子部品の粘着材に対する付着力が低下する。
【００１７】
以上のようにして、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力と転写対象でない電子部品の粘着材に対する付着力との差が拡大し、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力が相対的に高められる。
【００１８】
また、電子部品の被転写面に不純物が付着又は堆積している場合には、転写対象となる電子部品の表面にレーザーを照射することによりこの不純物が除去されるため、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力がさらに高められる。
【００１９】
また、本発明に係る表示装置は、発光素子が埋め込まれ、表面にレーザーを照射することによって粘着材に対する付着力が調整されてなる電子部品が、粘着材による剥離工程を経て配線層が形成された配線基板上にマトリクス状に配置されてなることを特徴とする。
【００２０】
また、本発明に係る表示装置の製造方法は、第一基板上に、発光素子が埋め込まれた第一及び第二電子部品を配置し、上記第一電子部品の被転写面にレーザーを照射して、上記被転写面の付着力を高めるとともに、上記第一電子部品の表面から発生した不純物を、上記第二電子部品の表面に堆積せ、上記被転写面に粘着材を重ね合わせ、上記第一電子部品を上記第一基板から剥離し、上記第二電子部品は、上記不純物が上記粘着材に接触することにより、上記第一基板上に残存させ、上記第一基板から剥離した上記第一電子部品を、配線層が形成された第二基板上にマトリクス状に転写することを特徴とする。
【００２１】
本発明では、転写対象となる電子部品の表面にレーザーを照射することにより、転写対象となる電子部品の被転写面の化学的な活性が向上し、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力が向上する。また、転写対象となる電子部品の表面にレーザーを照射することによって発生した塵が転写対象でない電子部品の表面に堆積するため、転写対象でない電子部品の粘着材に対する付着力が低下する。
【００２２】
以上のようにして、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力と転写対象でない電子部品の粘着材に対する付着力との差が拡大し、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力が相対的に高められる。
【００２３】
また、電子部品の被転写面に不純物が付着又は堆積している場合には、転写対象となる電子部品の表面にレーザーを照射することによりこの不純物が除去されるため、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力がさらに高められる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を適用した電子部品及びその転写方法、回路基板及びその製造方法、並びに表示装置及びその製造方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２５】
［第１の実施の形態］
本発明の転写方法は、粘着材を用いた転写方法、すなわち、先ず、第一基板の一主面上に複数配列された電子部品のうち、転写対象となる電子部品のみを粘着材に転写し、次に粘着材に保持された電子部品を第二基板に転写する方法に適用することができる。
【００２６】
本実施の形態においては、第一基板上に配列された電子部品の被転写面が清浄化されている場合を例に挙げて説明する。
【００２７】
図１は、第一基板１上に電子部品２が複数配列された状態を示す図である。このうち、転写対象となる電子部品２ａのみが最終的に第二基板上に転写され、それ以外の電子部品２は、第二基板上への転写を望まない電子部品であり、第一基板１上に残存する必要がある。
【００２８】
第一基板１としては特に限定されるものではなく、例えば半導体ウエハ、ガラス基板、石英ガラス基板、サファイア基板、プラスチック基板等を用いることができる。
【００２９】
第一基板１上の電子部品２のうち少なくとも転写対象となる電子部品２ａは、粘着材に対する付着力を調整可能な表面、すなわち後の工程でレーザーを照射されることによって粘着材に対する付着力を調整することが可能な表面を有するものである。具体的には、少なくとも電子部品２ａの表面の一部又は全部は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等の樹脂により形成されることが好ましい。また、電子部品２は、樹脂中に電子素子等が埋め込まれていてもよい。
【００３０】
具体的な電子素子としては、発光素子、液晶制御素子、光電変換素子、圧電素子、薄膜トランジスタ素子、薄膜ダイオード素子、抵抗素子、スイッチング素子、微小磁気素子、微小光学素子から選ばれた素子又はその部分、これらの組み合わせ等が挙げられる。
【００３１】
また、電子部品２は、全て同種類である必要はなく、異なる電子部品が混在していてもよい。また、各電子部品２は第一基板１上に直接形成したものであっても良く、他の基板上で形成されたものを配列したものであっても良い。
【００３２】
本発明の転写方法では、図２に示すように、このような状態の第一基板１のうち、転写対象となる電子部品２ａの被転写面に選択的にレーザー３を照射し、転写対象でない電子部品２の表面にはレーザー３を照射しないようにする。
【００３３】
第一基板１上に配列された転写対象となる電子部品２ａの被転写面に選択的にレーザー３を照射することにより、電子部品２ａのレーザー３を照射された表面は、表面改質されて化学的な活性が高められ、次工程において粘着材に対する付着力が向上する。
【００３４】
また、電子部品２ａのレーザー３を照射された表面は、アブレーションと呼ばれる分子分解反応を生じて０．２μｍ〜０．６μｍ程度削られることにより塵を発生させ、図２に示すように、この塵が、レーザー３を照射されない電子部品、すなわち転写対象でない電子部品２上に不純物４として堆積する。
【００３５】
ここで用いるレーザー３としては、例えばＹＡＧ３倍高調波レーザー（３３５ｎｍ）やＹＡＧ４倍高調波レーザー（２６６ｎｍ）等のＹＡＧ高調波レーザー、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）等のエキシマレーザー等が挙げられるが、特に限定されるものではなく、転写対象となる電子部品２ａの特性に応じて最適な波長を選択すればよい。例えば転写対象となる電子部品２ａが半透明体であって可視光レーザーやＩＲレーザーを透過する場合には、ＵＶレーザーを採用することが好ましい。また、転写対象となる電子部品２ａに電子素子が埋め込まれている場合は、この電子素子にダメージを与えない波長を選択する必要がある。また、転写対象となる電子部品２ａ上の不純物４の除去を目的とする場合には長波長のレーザーを採用し、転写対象となる電子部品２ａの表面上の化学的活性の向上を目的とする場合には短波長のレーザーを採用することが好ましい。
【００３６】
また、レーザー３の強度についても特に限定されることなく、転写対象となる電子部品２ａの特性に応じて適宜設定すればよい。ただし、転写対象となる電子部品２ａ上の不純物４の除去の度合いはレーザー３の強度に比例するものの、転写対象となる電子部品２ａの表面上の化学的活性は、ある程度までは向上するが強すぎると逆に低下する傾向があるため、これらを考慮して最適な範囲を選択することが好ましい。
【００３７】
次に、図３に示すように、レーザー３が照射された転写対象となる電子部品２ａ及びレーザー３が照射されていない電子部品２が配列された第一基板１と、粘着材５とを対向させて圧着する。ここで、被転写面に不純物４が堆積した転写対象でない電子部品２は、粘着材５に対して直接接触せずに上述した工程で堆積した不純物４が接触することになるため、粘着材５に対する付着力が相対的に低められる。
【００３８】
次に、図４に示すように、第一基板１から粘着材５を引き剥がし、粘着材５に保持された電子部品２ａを、第一基板１から剥離する。
【００３９】
次に、図５に示すように、電子部品２ａを保持した粘着材５と第二基板６とを圧着させるとともに、例えば粘着材５側から電子部品２ａに対してレーザー７等を照射することにより粘着材５と電子部品２ａとの界面でレーザーアブレーションを生じさせて剥離を行い、図６に示すように第二基板６に電子部品２ａを転写する。
【００４０】
以上のように、第一基板１上に配列された転写対象となる電子部品２ａの表面に選択的にレーザー３を照射することにより、電子部品２ａのレーザー３を照射された被転写面は、表面改質されて化学的な活性が高められるため、粘着材５に対する付着力が向上する。
【００４１】
また、レーザー３を照射された電子部品２ａの被転写面は、アブレーションと呼ばれる分子分解反応を生じて０．２μｍ〜０．６μｍ程度削られることにより塵を発生させ、図２に示すように、この塵が、レーザー３を照射されない電子部品、すなわち転写対象でない電子部品２上に不純物４として堆積する。この結果、転写対象でない電子部品２の粘着材５に対する付着力が低下する。第一基板１と粘着材５とを対向させる工程において、転写対象でない電子部品２自体は粘着材５に対して接触せずに不純物４が粘着材５に張り付くためである。
【００４２】
以上のように、転写対象となる電子部品２ａの表面に選択的にレーザー３を照射することにより、転写対象となる電子部品２ａの粘着材５に対する付着力と転写対象でない電子部品２の粘着材５に対する付着力との差が拡大する、すなわち、転写対象となる電子部品２ａの粘着材５に対する付着力が相対的に高められるため、転写対象となる電子部品２ａのみが確実に粘着材５に転写され、転写対象でない電子部品２が第一基板１上に残存される。すなわち、転写対象でない電子部品２が粘着材５に転写されることや、転写対象となる電子部品２ａが粘着材５に転写されないこと等のトラブルを確実に回避する。
【００４３】
したがって、本発明によれば、所望の転写対象となる電子部品２ａのみを確実に粘着材５に転写して、最終的に第二基板６へ転写することができる。
【００４４】
また、転写対象となる電子部品２ａの表面に選択的にレーザー３を照射することにより、被転写面が適度に荒らされ、粘着材５に対するせん断方向の付着力が向上するとともに、第二基板６に転写する際には粘着材５からの電子部品２ａの剥離が容易となる。また、粘着材５に対する付着力が転写対象となる電子部品２ａ間で均一化されるため、転写工程における条件設定が容易になるという利点もある。
【００４５】
なお、電子部品の表面改質を行う手法として、Ｏ２プラズマを用いたアッシングや、ＲＩＥ（イオン反応性エッチング）のような高速のエッチャントを用いること等が考えられるが、例えば前者の手法では異方性が小さいために電子部品に対して選択的な処理を行うことが不可能であること、後者の手法では異方性があるものの実際には電子部品を逆テーパー状にエッチングしてしまうこと等の不都合が生じる。このため、選択対象である電子部品の表面に対してレーザーを照射したときに、本発明の効果を得ることができる。
【００４６】
［第２の実施の形態］
つぎに、第一基板上に配列された電子部品の被転写面が汚染されている場合、すなわち、電子部品の被転写面に予め不純物が付着又は堆積している場合を例に挙げて説明する。
【００４７】
なお、本実施の形態においては、上述した第１の実施の形態で用いたものと同じ部材については同じ符号を付すこととし、説明を省略することがある。
【００４８】
図７は、第一基板１上に電子部品２が複数配列された状態を示す図である。このうち、転写対象となる電子部品２ａのみが最終的に第二基板上に転写され、それ以外の電子部品２は、第二基板上への転写を望まない電子部品であり、第一基板１上に残存する必要がある。
【００４９】
これら電子部品２は、例えば電子部品２に対応した位置に配列された素子を覆うように樹脂を一面に塗布した後でダイシングすることにより形成されるものである。本実施の形態においては、図７に示すように、ダイシング等の際に発生する塵等が、不純物４として電子部品２の被転写面に付着又は堆積している。
【００５０】
本発明の転写方法では、図７に示すように、このような状態の第一基板１のうち、転写対象となる電子部品２ａの被転写面に選択的にレーザー３を照射し、転写対象でない電子部品２の表面にはレーザー３を照射しないようにする。
【００５１】
第一基板１上に配列された転写対象となる電子部品２ａの被転写面に選択的にレーザー３を照射することにより、図８に示すように、転写対象となる電子部品２ａの被転写面に付着又は堆積した不純物４が除去され、転写対象となる電子部品２ａの被転写面が清浄化される。
【００５２】
また、電子部品２ａのレーザー３を照射された表面は、表面改質されて化学的な活性が高められ、次工程において粘着材に対する付着力が向上する。
【００５３】
また、電子部品２ａのレーザー３を照射された表面は、アブレーションと呼ばれる分子分解反応を生じて０．２μｍ〜０．６μｍ程度削られることにより塵を発生させ、図８に示すように、この塵が、レーザー３を照射されない電子部品、すなわち転写対象でない電子部品２上にさらに不純物４として堆積する。
【００５４】
次に、図９に示すように、レーザー３が照射された転写対象となる電子部品２ａ及びレーザー３が照射されていない電子部品２が配列された第一基板１と、粘着材５とを対向させて圧着する。ここで、被転写面に不純物４が堆積した転写対象でない電子部品２は、粘着材５に対して直接接触せずに上述した工程で堆積した不純物４が接触することになるため、粘着材５に対する付着力が相対的に低められる。
【００５５】
次に、図１０に示すように、第一基板１から粘着材５を引き剥がし、粘着材５に保持された電子部品２ａを、第一基板１から剥離する。
【００５６】
次に、図１１に示すように、電子部品２ａを保持した粘着材５と第二基板６とを圧着させるとともに、例えば粘着材５側から電子部品２ａに対してレーザー７等を照射することにより粘着材５と電子部品２ａとの界面でレーザーアブレーションを生じさせて剥離を行い、図１２に示すように第二基板６に電子部品２ａを転写する。
【００５７】
以上のように、第一基板１上に配列された転写対象となる電子部品２ａの表面に選択的にレーザー３を照射することにより、図８に示すように転写対象となる電子部品２ａの被転写面に付着又は堆積した不純物４が除去され、転写対象となる電子部品２ａの被転写面が清浄化される。
【００５８】
また、電子部品２ａのレーザー３を照射された被転写面は、表面改質されて化学的な活性が高められるため、粘着材５に対する付着力が向上する。
【００５９】
また、レーザー３を照射された電子部品２ａの被転写面は、アブレーションと呼ばれる分子分解反応を生じて０．２μｍ〜０．６μｍ程度削られることにより塵を発生させ、図８に示すように、この塵が、レーザー３を照射されない電子部品、すなわち転写対象でない電子部品２上に不純物４として堆積する。この結果、転写対象でない電子部品２の粘着材５に対する付着力が低下する。第一基板１と粘着材５とを対向させる工程において、転写対象でない電子部品２自体は粘着材５に対して接触せずに不純物４が粘着材５に張り付くためである。
【００６０】
以上のように、転写対象となる電子部品２ａの表面に選択的にレーザー３を照射することにより、転写対象となる電子部品２ａの粘着材５に対する付着力と転写対象でない電子部品２の粘着材５に対する付着力との差が拡大する、すなわち、転写対象となる電子部品２ａの粘着材５に対する付着力が相対的に高められるため、転写対象となる電子部品２ａのみが確実に粘着材５に転写され、転写対象でない電子部品２が第一基板１上に残存される。すなわち、転写対象でない電子部品２が粘着材５に転写されることや、転写対象となる電子部品２ａが粘着材５に転写されないこと等のトラブルを確実に回避する。
【００６１】
したがって、本発明によれば、電子部品２の被転写面が汚染された状態であったとしても、所望の転写対象となる電子部品２ａのみを確実に粘着材５に転写して、最終的に第二基板６へ転写することができる。
【００６２】
また、転写対象となる電子部品２ａの表面に選択的にレーザー３を照射することにより、被転写面が適度に荒らされ、粘着材５に対するせん断方向の付着力が向上するとともに、第二基板６に転写する際には粘着材５からの電子部品２ａの剥離が容易となる。また、粘着材５に対する付着力が転写対象となる電子部品２ａ間で均一化されるため、転写工程における条件設定が容易になるという利点もある。
【００６３】
［第３の実施の形態］
つぎに、上述したような本発明の転写方法を二段階の拡大転写法に応用し、発光ダイオードを用いて画像表示装置を作製する場合を例に挙げて説明する。
【００６４】
二段階の拡大転写法では、先ず、高集積度をもって第一基板上に作製された素子を第一基板上で素子が配列された状態よりは離間した状態となるように粘着材を塗布された一時保持用部材に転写し、次いで一時保持用部材に保持された上記素子をさらに離間して第二基板上に転写するものである。なお、以下の説明では、転写を二段階としているが、素子を離間して配置する拡大度に応じて転写を二段階やそれ以上の多段階とすることもできる。また、本発明の転写方法は、拡大転写法に限定されることなく通常の転写に適用することもできる。
【００６５】
図１３は二段階拡大転写法の基本的な工程を示す図である。まず、図１３（ａ）に示す第一基板２０上に、例えば発光素子のような素子２２を密に形成する。素子を密に形成することで、各基板当たりに生成される素子の数を多くすることができ、製品コストを下げることができる。第一基板２０は例えば半導体ウエハ、ガラス基板、石英ガラス基板、サファイア基板、プラスチック基板等の種々の素子形成可能な基板であるが、各素子２２は第一基板２０上に直接形成したものであっても良く、他の基板上で形成されたものを配列したものであっても良い。
【００６６】
なお、図１３（ａ）に示す複数の素子２２は、後の工程で粘着材に対する付着力を調整することが可能な表面を有することが好ましい。
【００６７】
次に図１３（ｂ）に示すように、第一転写工程を行う。すなわち、第一基板２０から各素子２２が図中破線で示す一時保持用部材２１に転写され、この一時保持用部材２１の上に各素子２２が保持される。ここで隣接する素子２２は離間され、図示のようにマトリクス状に配される。すなわち素子２２はｘ方向にもそれぞれ素子の間を広げるように転写されるが、ｘ方向に垂直なｙ方向にもそれぞれ素子の間を広げるように転写される。このとき離間される距離は、特に限定されず、一例として後続の工程での樹脂部形成や電極パッドの形成を考慮した距離とすることができる。一時保持用部材２１上に第一基板２０から転写した際に第一基板２０上の全部の素子が離間されて転写されるようにすることができる。この場合には、一時保持用部材２１のサイズはマトリクス状に配された素子２２の数（ｘ方向、ｙ方向にそれぞれ）に離間した距離を乗じたサイズ以上であれば良い。また、一時保持用部材２１上に第一基板２０上の一部の素子が離間されて転写されるようにすることも可能である。
【００６８】
本発明の転写方法は、上述した第一転写工程に適用する。この工程については詳細を後述する。
【００６９】
このような第一転写工程の後、図１３（ｃ）に示すように、一時保持用部材２１上に存在する素子２２は離間されていることから、各素子２２毎に素子周りの樹脂の被覆と電極パッドの形成が行われる。素子周りの樹脂の被覆は電極パッドを形成し易くし、次の第二転写工程での取り扱いを容易にする等のために形成される。電極パッドの形成は、後述するように、最終的な配線が続く第二転写工程の後に行われるため、その際に配線不良が生じないように比較的大き目のサイズに形成されるものである。なお、図１３（ｃ）には電極パッドは図示していない。各素子２２の周りを樹脂２３で覆うことで樹脂形成チップ２４が形成される。素子２２は平面上、樹脂形成チップ２４の略中央に位置するが、一方の辺や角側に偏った位置に存在するものであっても良い。
【００７０】
次に、図１３（ｄ）に示すように、第二転写工程が行われる。この第二転写工程では一時保持用部材２１上でマトリクス状に配される素子２２が樹脂形成チップ２４ごと更に離間するように第二基板２５上に転写される。第二転写工程においても、隣接する素子２２は樹脂形成チップ２４ごと離間され、図示のようにマトリクス状に配される。すなわち素子２２はｘ方向にもそれぞれ素子の間を広げるように転写されるが、ｘ方向に垂直なｙ方向にもそれぞれ素子の間を広げるように転写される。第二転写工程によって配置された素子の位置が画像表示装置等の最終製品の画素に対応する位置であるとすると、当初の素子２２間のピッチの略整数倍が第二転写工程によって配置された素子２２のピッチとなる。ここで第一基板２０から一時保持用部材２１での離間したピッチの拡大率をｎとし、一時保持用部材２１から第二基板２５での離間したピッチの拡大率をｍとすると、略整数倍の値ＥはＥ＝ｎ×ｍで表される。
【００７１】
第二基板２５上に樹脂形成チップ２４ごと離間された各素子２２には、配線が施される。この時、先に形成した電極パッド等を利用して接続不良を極力抑えながらの配線がなされる。この配線は例えば素子２２が発光ダイオード等の発光素子の場合には、ｐ電極、ｎ電極への配線を含む。
【００７２】
図１３に示した二段階拡大転写法においては、第一転写工程後の離間したスペースを利用して電極パッドの形成等を行うことができ、そして第二転写工程後に配線が施されるが、先に形成した電極パッド等を利用して接続不良を極力抑えながらの配線がなされる。従って、画像表示装置の歩留まりを向上させることができる。また、本例の二段階拡大転写法においては、素子間の距離を離間する工程が２工程であり、このような素子間の距離を離間する複数工程の拡大転写を行うことで、実際は転写回数が減ることになる。すなわち、例えば、ここで第一基板２０、２０ａから一時保持用部材２１、２１ａでの離間したピッチの拡大率を２（ｎ＝２）とし、一時保持用部材２１、２１ａから第二基板２５での離間したピッチの拡大率を２（ｍ＝２）とすると、仮に一度の転写で拡大した範囲に転写しようとしたときでは、最終拡大率が２×２の４倍で、その二乗の１６回の転写すなわち第一基板のアライメントを１６回行う必要が生ずるが、本例の二段階拡大転写法では、アライメントの回数は第一転写工程での拡大率２の二乗の４回と第二転写工程での拡大率２の二乗の４回を単純に加えただけの計８回で済むことになる。即ち、同じ転写倍率を意図する場合においては、（ｎ＋ｍ）２＝ｎ２＋２ｎｍ＋ｍ２であることから、必ず２ｎｍ回だけ転写回数を減らすことができることになる。従って、製造工程も回数分だけ時間や経費の節約となり、特に拡大率の大きい場合に有益となる。
【００７３】
なお、図１３に示した二段階拡大転写法においては、素子２２を例えば発光素子としているが、これに限定されず、他の素子例えば液晶制御素子、光電変換素子、圧電素子、薄膜トランジスタ素子、薄膜ダイオード素子、抵抗素子、スイッチング素子、微小磁気素子、微小光学素子から選ばれた素子若しくはその部分、これらの組み合わせ等であっても良い。
【００７４】
ところで、上述した二段階拡大転写法で使用される素子の一例としての発光素子の構造を図１４に示す。図１４（ａ）が素子断面図であり、図１４（ｂ）が平面図である。この発光素子はＧａＮ系の発光ダイオードであり、たとえばサファイア基板上に結晶成長される素子である。このようなＧａＮ系の発光ダイオードでは、基板を透過するレーザー照射によってレーザーアブレーションが生じ、ＧａＮの窒素が気化する現象にともなってサファイア基板とＧａＮ系の成長層の間の界面で膜剥がれが生じ、素子分離を容易なものにできる特徴を有している。
【００７５】
まず、その構造については、ＧａＮ系半導体層からなる下地成長層４１上に選択成長された六角錐形状のＧａＮ層４２が形成されている。なお、下地成長層４１上には図示しない絶縁膜が存在し、六角錐形状のＧａＮ層４２はその絶縁膜を開口した部分にＭＯＣＶＤ法等によって形成される。このＧａＮ層４２は、成長時に使用されるサファイア基板の主面をＣ面とした場合にＳ面（１−１０１面）で覆われたピラミッド型の成長層であり、シリコンをドープさせた領域である。このＧａＮ層４２の傾斜したＳ面の部分はダブルへテロ構造のクラッドとして機能する。ＧａＮ層４２の傾斜したＳ面を覆うように活性層であるＩｎＧａＮ層４３が形成されており、その外側にマグネシウムドープのＧａＮ層４４が形成される。このマグネシウムドープのＧａＮ層４４もクラッドとして機能する。
【００７６】
このような発光ダイオードには、ｐ電極４５とｎ電極４６が形成されている。ｐ電極４５はマグネシウムドープのＧａＮ層４４上に形成されるＮｉ／Ｐｔ／ＡｕまたはＮｉ（Ｐｄ）／Ｐｔ／Ａｕ等の金属材料を蒸着して形成される。ｎ電極４６は前述の図示しない絶縁膜を開口した部分でＴｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕ等の金属材料を蒸着して形成される。なお、下地成長層４１の裏面側からｎ電極取り出しを行う場合は、ｎ電極４６の形成は下地成長層４１の表面側には不要となる。
【００７７】
このような構造のＧａＮ系の発光ダイオードは、青色発光も可能な素子であって、特にレーザーアブレーションよって比較的簡単にサファイア基板から剥離することができ、レーザービームを選択的に照射することで選択的な剥離が実現される。なお、ＧａＮ系の発光ダイオードとしては、平板上や帯状に活性層が形成される構造であっても良く、上端部にＣ面が形成された角錐構造のものであっても良い。また、他の窒化物系発光素子や化合物半導体素子等であっても良い。
【００７８】
次に、本発明の転写方法を、上述した二段階拡大転写法の第一転写工程、すなわち樹脂チップ形成前の発光素子の拡大転写に応用した、画像表示装置の製造方法について詳細に説明する。発光素子は図１４に示したＧａＮ系の発光ダイオードを用いている。先ず、図１５に示すように、第一基板５１の主面上には複数の発光ダイオード５２が密な状態で形成されている。発光ダイオード５２の大きさは微小なものとすることができ、例えば一辺約２０μｍ程度とすることができる。第一基板５１の構成材料としてはサファイア基板等のように発光ダイオード５２に照射するレーザーの波長に対して透過率の高い材料が用いられる。発光ダイオード５２にはｐ電極等までは形成されているが最終的な配線は未だなされておらず、素子間分離の溝５２ｇが形成されていて、個々の発光ダイオード５２は分離できる状態にある。この溝５２ｇの形成は例えば反応性イオンエッチングで行う。
【００７９】
次いで、第一基板５１上の発光ダイオード５２を第１の一時保持用部材５３上に転写する。ここで第１の一時保持用部材５３の例としては、ガラス基板、石英ガラス基板、プラスチック基板等を用いることができ、本例では石英ガラス基板を用いた。また、第１の一時保持用部材５３の表面には、離型層として機能する剥離層５４が形成されている。剥離層５４には、フッ素コート、シリコーン樹脂、水溶性接着剤（例えばポリビニルアルコール：ＰＶＡ）、ポリイミド等を用いることができるが、ここではポリイミドを用いた。
【００８０】
転写に際しては、図１５に示すように、第一基板５１上に発光ダイオード５２を覆うに足る接着剤（例えば紫外線硬化型の接着剤）５５を塗布し、発光ダイオード５２で支持されるように第１の一時保持用部材５３を重ね合わせる。この状態で、図１６に示すように第１の一時保持用部材５３の裏面側から接着剤５５に紫外線（ＵＶ）を照射し、これを硬化する。第１の一時保持用部材５３は石英ガラス基板であり、上記紫外線はこれを透過して接着剤５５を速やかに硬化する。
【００８１】
このとき、第１の一時保持用部材５３は、発光ダイオード５２によって支持されていることから、第一基板５１と第１の一時保持用部材５３との間隔は、発光ダイオード５２の高さによって決まることになる。図１６に示すように発光ダイオード５２で支持されるように第１の一時保持用部材５３を重ね合わせた状態で接着剤５５を硬化すれば、当該接着剤５５の厚さｔは、第一基板５１と第１の一時保持用部材５３との間隔によって規制されることになり、発光ダイオード５２の高さによって規制される。すなわち、第一基板５１上の発光ダイオード５２がスペーサとしての役割を果たし、一定の厚さの接着剤層が第一基板５１と第１の一時保持用部材５３の間に形成されることになる。このように、上記の方法では、発光ダイオード５２の高さにより接着剤層の厚みが決まるため、厳密に圧力を制御しなくとも一定の厚みの接着剤層を形成することが可能である。
【００８２】
接着剤５５を硬化した後、図１７に示すように、発光ダイオード５２に対しレーザーを第一基板５１の裏面から照射し、当該発光ダイオード５２を第一基板５１からレーザーアブレーションを利用して剥離する。ＧａＮ系の発光ダイオード５２はサファイアとの界面で金属のＧａと窒素に分解することから、比較的簡単に剥離できる。照射するレーザーとしてはエキシマレーザー、高調波ＹＡＧレーザー等が用いられる。このレーザーアブレーションを利用した剥離によって、発光ダイオード５２は第一基板５１の界面で分離し、一時保持用部材５３上に接着剤５５に埋め込まれた状態で転写される。
【００８３】
図１８は、上記剥離により第一基板５１を取り除いた状態を示すものである。このとき、レーザーにてＧａＮ系発光ダイオードをサファイア基板からなる第一基板５１から剥離しており、その剥離面にＧａ５６が析出しているため、これをエッチングすることが必要である。そこで、ＮａＯＨ水溶液もしくは希硝酸等によりウエットエッチングを行い、図１９に示すように、Ｇａ５６を除去する。さらに、図２０に示すように、酸素プラズマ（Ｏ２プラズマ）により表面を清浄化し、ダイシングにより接着剤５５をダイシング溝５７によって切断し、発光ダイオード５２毎にダイシングし、チップ部品８０とする。ダイシングプロセスは通常のブレードを用いたダイシング、２０μｍ以下の幅の狭い切り込みが必要なときには上記レーザーを用いたレーザーによる加工を行う。その切り込み幅は画像表示装置の画素内の接着剤５５で覆われた発光ダイオード５２の大きさに依存するが、一例として、エキシマレーザーにて溝加工を行い、チップ部品８０の形状を形成する。
【００８４】
つぎに、第一転写工程、すなわち発光ダイオード５２の選択分離を行なって、拡大転写する。すなわち、図２１に示すように、ダイシングされたチップ部品８０のうち、転写対象となるチップ部品８０ａにのみ、レーザー８１を照射する。
【００８５】
転写対象となるチップ部品８０ａにレーザー８１を選択照射する際には、転写対象となるチップ部品８０ａに対応する領域が開口するとともに転写対象でないチップ部品８０を遮光するようなマスクを用いてもよい。
【００８６】
このとき、少なくともチップ部品８０ａを、粘着材に対する付着力を調整可能な表面とすること、すなわち、チップ部品８０ａの表面の一部又は全部をエポキシ樹脂、アクリル樹脂等の樹脂で被覆することが好ましい。
【００８７】
次に、図２２に示すように、粘着材として熱可塑性接着剤５８が塗布されてなる第２の一時保持用部材５９を、チップ部品８０が保持された第１の一時保持用部材５３と対向させて加圧する。この第２の一時保持用部材５９も、先の第１の一時保持用部材５３と同様、ガラス基板、石英ガラス基板、プラスチック基板等を用いることができ、本例では石英ガラス基板を用いた。また、この第２の一時保持用部材５９の表面にもポリイミド等からなる剥離層６０を形成しておく。
【００８８】
次いで、図２３に示すように、転写対象となるチップ部品８０ａに対応した位置にのみ第１の一時保持用部材５３の裏面側からレーザーを照射し、レーザーアブレーションによりこのチップ部品８０ａを第１の一時保持用部材５３から剥離する。それと同時に、やはり転写対象となるチップ部品８０ａに対応した位置に、第２の一時保持用部材５９の裏面側から可視または赤外レーザー光を照射して、この部分の熱可塑性接着剤５８を一旦溶融し硬化させる。その後、第２の一時保持用部材５９を第１の一時保持用部材５３から引き剥がすと、図２４に示すように、上記転写対象となるチップ部品８０ａのみが選択的に分離され、第２の一時保持用部材５９上に転写される。
【００８９】
上述した第一転写工程に本発明を適用すること、すなわち転写対象となるチップ部品８０の表面に選択的にレーザー８１を照射することにより、レーザー８１を照射されたチップ部品８０ａとそれ以外のチップ部品８０との間の、上述したような粘着材である熱可塑性接着剤５８に対する付着力が拡大し、引き続く工程で転写対象となるチップ部品８０ａのみが確実に粘着材に転写され、第１の一時保持用部材５３から剥離される。
【００９０】
ここで用いるレーザー８１としては、上述した第１の形態で用いるレーザー３と同様のものを採用することができる。
【００９１】
上記選択分離後、図２５に示すように、転写されたチップ部品８０ａを覆って樹脂を塗布し、樹脂層６１を形成する。さらに、図２６に示すように、酸素プラズマ等により樹脂層６１の厚さを削減し、図２７に示すように、発光ダイオード５２に対応した位置にレーザーの照射によりビアホール６２を形成する。ビアホール６２の形成には、エキシマレーザー、高調波ＹＡＧレーザー、炭酸ガスレーザー等を用いることができる。このとき、ビアホール６２は例えば約３〜７μｍの径を開けることになる。
【００９２】
次に、上記ビアホール６２を介して発光ダイオード５２のｐ電極と接続されるアノード側電極パッド６３を形成する。このアノード側電極パッド６３は、例えばＮｉ／Ｐｔ／Ａｕ等で形成する。図２８は、発光ダイオード５２を第２の一時保持用部材５９に転写して、アノード電極（ｐ電極）側のビアホール６２を形成した後、アノード側電極パッド６３を形成した状態を示している。この電極パッド６３となる金属層を成膜する前に、減圧下で加熱し、樹脂層６１に含まれる水分等を十分に脱ガスすることが好ましい。脱ガス後、金属層をスパッタ法等により成膜し、これをパターニングして電極パッド６３とすれば、電極パッド６３の膜剥がれ等を防止することができる。
【００９３】
上記アノード側電極パッド６３を形成した後、反対側の面にカソード側電極を形成するため、第３の一時保持用部材６４への転写を行う。第３の一時保持用部材６４も、例えば石英ガラス等からなる。転写に際しては、図２９に示すように、アノード側電極パッド６３を形成した発光ダイオード５２、さらには樹脂層６１上に接着剤６５を塗布し、この上に第３の一時保持用部材６４を貼り合せる。この状態で第２の一時保持用部材５９の裏面側からレーザーを照射すると、石英ガラスからなる第２の一時保持用部材５９と、当該第２の一時保持用部材５９上に形成されたポリイミドからなる剥離層６０の界面でレーザーアブレーションによる剥離が起き、剥離層６０上に形成されている発光ダイオード５２や樹脂層６１は、第３の一時保持用部材６４上に転写される。図３０は、第２の一時保持用部材５９を分離した状態を示すものである。
【００９４】
カソード側電極の形成に際しては、上記の転写工程を経た後、図３１に示すＯ２プラズマ処理により上記剥離層６０や余分な樹脂層６１を除去し、発光ダイオード５２のコンタクト半導体層（ｎ電極）を露出させる。発光ダイオード５２は一時保持用部材６４の接着剤６５によって保持された状態で、発光ダイオード５２の裏面がｎ電極側（カソード電極側）になっていて、図３２に示すように電極パッド６６を形成すれば、電極パッド６６は発光ダイオード５２の裏面と電気的に接続される。この電極パッド６６を形成する際にも、電極パッド６６となる金属層を成膜する前に、減圧下で加熱し、樹脂層６１に含まれる水分等を十分に脱ガスすることが好ましい。脱ガス後、金属層をスパッタ法等により成膜すれば、電極パッド６６の膜剥がれ等を防止することができる。
【００９５】
その後、電極パッド６６をパターニングする。このときのカソード側の電極パッドは、例えば約６０μｍ角とすることができる。電極パッド６６としては透明電極（ＩＴＯ、ＺｎＯ系等）もしくはＴｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕ等の材料を用いる。透明電極の場合は発光ダイオード５２の裏面を大きく覆っても発光をさえぎることがないので、パターニング精度が粗く、大きな電極形成ができ、パターニングプロセスが容易になる。
【００９６】
次に、上記樹脂層６１や接着剤６５によって固められた発光ダイオード５２を個別に切り出し、樹脂形成チップの状態にする。切り出しは、例えばレーザーダイシング、ブレードダイシング等により行われる。図３３は、レーザーダイシングによる切り出し工程を示すものである。レーザーダイシングは、レーザーのラインビームを照射することにより行われ、上記樹脂層６１及び接着剤６５を第３の一時保持用部材６４が露出するまで切断する。このレーザーダイシングにより各発光ダイオード５２は所定の大きさの樹脂形成チップ３０として切り出され、後述の実装工程へと移行される。
【００９７】
この樹脂形成チップについて図３４及び図３５を参照して説明する。樹脂形成チップ３０は、離間して配置されている発光素子３１の周りを樹脂３２で固めたものであり、このような樹脂形成チップ３０は、一時保持用部材から第二基板に発光素子３１を転写する場合に使用できるものである。樹脂形成チップ３０は略平板上でその主たる面が略正方形状とされる。この樹脂形成チップ３０の形状は樹脂３２を固めて形成された形状であり、具体的には未硬化の樹脂を各発光素子３１を含むように全面に塗布し、これを硬化した後で縁の部分をダイシング等で切断することで得られる形状である。
【００９８】
略平板状の樹脂３２の表面側と裏面側にはそれぞれ電極パッド３３，３４が形成される。これら電極パッド３３，３４の形成は全面に電極パッド３３，３４の材料となる金属層や多結晶シリコン層等の導電層を形成し、フォトリソグラフィー技術により所要の電極形状にパターンニングすることで形成される。これら電極パッド３３，３４は発光素子３１のｐ電極とｎ電極にそれぞれ接続するように形成されており、必要な場合には樹脂３２にビアホール等が形成される。電極パッド３３，３４を成膜する前に、樹脂３２を減圧下で加熱して水分等を十分に脱ガスすることが好ましい。
【００９９】
ここで電極パッド３３，３４は樹脂形成チップ３０の表面側と裏面側にそれぞれ形成されているが、一方の面に両方の電極パッドを形成することも可能であり、例えば薄膜トランジスタの場合ではソース、ゲート、ドレインの３つの電極があるため、電極パッドを３つ或いはそれ以上形成しても良い。電極パッド３３，３４の位置が平板上ずれているのは、最終的な配線形成時に上側からコンタクトをとっても重ならないようにするためである。電極パッド３３，３４の形状も正方形に限定されず他の形状としても良い。
【０１００】
このような樹脂形成チップ３０を構成することで、発光素子３１の周りが樹脂３２で被覆され平坦化によって精度良く電極パッド３３，３４を形成できるとともに発光素子３１に比べて広い領域に電極パッド３３，３４を延在でき、次の第二転写工程での転写を吸着治具で進める場合には取り扱いが容易になる。後述するように、最終的な配線が続く第二転写工程の後に行われるため、比較的大き目のサイズの電極パッド３３，３４を利用した配線を行うことで、配線不良が未然に防止される。
【０１０１】
実装工程では、機械的手段（真空吸引による素子吸着）とレーザーアブレーションの組み合わせにより樹脂形成チップ３０が第３の一時保持用部材６４から剥離される。図３６は、第３の一時保持用部材６４上に配列している樹脂形成チップ３０を吸着装置６７でピックアップするところを示した図である。このときの吸着孔６８は画像表示装置の画素ピッチにマトリクス状に開口していて、樹脂形成チップ３０を多数個、一括で吸着できるようになっている。このときの開口径は、例えば直径約１００μｍで６００μｍピッチのマトリクス状に開口されて、一括で約３００個を吸着できる。このときの吸着孔６８の部材は例えば、Ｎｉ電鋳により作製したもの、もしくはＳＵＳ等の金属板をエッチングで穴加工したものが使用され、吸着孔６８の奥には吸着チャンバ６９が形成されており、この吸着チャンバ６９を負圧に制御することで樹脂形成チップ３０の吸着が可能になる。樹脂形成チップ３０はこの段階で表面が樹脂層６１とされており、その上面は略平坦化されている。このために吸着装置６７による選択的な吸着を容易に進めることができる。
【０１０２】
なお、上記吸着装置６７には、真空吸引による素子吸着の際に、樹脂形成チップ３０を一定の位置に安定して保持できるように、素子位置ずれ防止手段を形成しておくことが好ましい。図３７は、素子位置ずれ防止手段７０を設けた吸着装置６７の一例を示すものである。本例では、素子位置ずれ防止手段７０は、樹脂形成チップの周面に当接する位置決めピンとして形成されており、これが樹脂形成チップ３０の周面（具体的にはレーザーダイシングにより切断された樹脂層６１の切断面）に当接することにより、吸着装置６７と樹脂形成チップ３０とが互いに正確に位置合わせされる。上記レーザーダイシングにより切断された樹脂層６１の切断面は、完全な垂直面ではなく、５°〜１０°程度のテーパーを有する。したがって、上記位置決めピン（素子位置ずれ防止手段６０）にも同様のテーパーを持たせておけば、吸着装置６７と樹脂形成チップ３０間に若干の位置ずれがあったとしても、速やかに矯正される。
【０１０３】
上記樹脂形成チップ３０の剥離に際しては、上記吸着装置６７による吸着と、レーザーアブレーションによる樹脂形成チップ３０の剥離を組み合わせ、剥離が円滑に進むようにしている。レーザーアブレーションは、第３の一時保持用部材６４の裏面側からレーザーを照射することにより行う。このレーザーアブレーションによって、第３の一時保持用部材６４と接着剤６５の界面で剥離が生ずる。
【０１０４】
図３８は樹脂形成チップ３０を第二基板７１に転写するところを示した図である。第二基板７１は、配線層７２を有する配線基板であり、樹脂形成チップ３０を装着する際に第二基板７１にあらかじめ接着剤層７３が塗布されており、その発光ダイオード５２下面の接着剤層７３を硬化させ、樹脂形成チップ３０を第二基板７１に固着して配列させることができる。この装着時には、吸着装置６７の吸着チャンバ６９が圧力の高い状態となり、吸着装置６７と樹脂形成チップ３０との吸着による結合状態は解放される。接着剤層７３はＵＶ硬化型接着剤、熱硬化性接着剤、熱可塑性接着剤等によって構成することができる。第二基板７１上で樹脂形成チップ３０が配置される位置は、一時保持用部材６４上での配列よりも離間したものとなる。接着剤層７３の樹脂を硬化させるエネルギーは第二基板７１の裏面から供給される。ＵＶ硬化型接着剤の場合はＵＶ照射装置にて、熱硬化性接着剤の場合は赤外線加熱等によって樹脂形成チップ３０の下面のみ硬化させ、熱可塑性接着剤場合は、赤外線やレーザーの照射によって接着剤を溶融させ接着を行う。
【０１０５】
図３９は、他の色の発光ダイオード７４を含む樹脂形成チップを第二基板７１に配列させるプロセスを示す図である。図３７又は図３８で用いた吸着装置６７をそのまま使用して、第二基板７１にマウントする位置をその色の位置にずらすだけでマウントすると、画素としてのピッチは一定のまま複数色からなる画素を形成できる。ここで、発光ダイオード５２と発光ダイオード７４は必ずしも同じ形状でなくとも良い。図３９では、赤色の発光ダイオード７４が六角錐のＧａＮ層を有しないプレーナ型構造とされ、他の発光ダイオード５２とその形状が異なっているが、この段階では各発光ダイオード５２、７４は既に樹脂形成チップとして樹脂層６１、接着剤６５で覆われており、素子構造の違いにもかかわらず同一の取り扱いが実現される。
【０１０６】
次いで、図４０に示すように、これら発光ダイオード５２，７４を含む樹脂形成チップを覆って絶縁層７５を形成する。絶縁層７５としては、透明エポキシ接着剤、ＵＶ硬化型接着剤、ポリイミド等を用いることができる。上記絶縁層７５を形成した後、配線形成工程を行なう。図４１は配線形成工程を示す図である。絶縁層７５に開口部７６、７７、７８、７９、８０、８１を形成し、発光ダイオード５２、７４のアノード、カソードの電極パッドと第二基板７１の配線層７２を接続する配線８２、８３、８４を形成した図である。このときに形成する開口部すなわちビアホールは発光ダイオード５２、７４の電極パッドの面積を大きくしているので大きくすることができ、ビアホールの位置精度も各発光ダイオードに直接形成するビアホールに比べて粗い精度で形成できる。例えば、このときのビアホールは、約６０μｍ角の電極パッドに対し、直径約２０μｍのものを形成できる。また、ビアホールの深さは配線基板と接続するもの、アノード電極と接続するもの、カソード電極と接続するものの３種類の深さがあるのでレーザーのパルス数で制御し、最適な深さを開口する。
【０１０７】
その後、図４２に示すように、保護層８５を形成し、ブラックマスク８６を形成して画像表示装置のパネルは完成する。このときの保護層８５は図３９の絶縁層７５と同様であり、透明エポキシ接着剤等の材料が使用できる。この保護層８５は加熱硬化し配線を完全に覆う。この後、パネル端部の配線からドライバーＩＣを接続して駆動パネルを製作することになる。
【０１０８】
以上のように、第一転写工程において、転写対象となるチップ部品８０ａの表面に選択的にレーザー８１を照射することにより、転写対象となるチップ部品８０ａの粘着材である熱可塑性接着剤５８に対する付着力と転写対象でないチップ部品８０の粘着材である熱可塑性接着剤５８に対する付着力との差が相対的に拡大するため、転写対象となるチップ部品８０ａのみを確実に粘着材である熱可塑性接着剤５８に転写し、転写対象でないチップ部品８０を第１の一時保持用部材５３上に残存させることができる。すなわち、第一転写工程において、転写対象でないチップ部品８０が粘着材である熱可塑性接着剤５８に転写されることや、転写対象となるチップ部品８０ａが粘着材である熱可塑性接着剤５８に転写されないこと等のトラブルを確実に回避する。
【０１０９】
したがって、本発明によれば、所望の転写対象となるチップ部品８０ａのみを確実に第１の一時保持用部材５３から剥離して、最終的に第二基板７１へ転写し、実装することができる。このため、例えば大画面の表示装置を製造するに際して歩留まりが向上し、製造コストの低減に貢献することができる。
【０１１０】
［第４の実施の形態］
次に、本発明の転写方法を上述した二段階拡大転写法の第二転写工程、すなわち樹脂形成チップの拡大転写に応用した、画像表示装置の製造方法について具体的に説明する。
【０１１１】
本実施の形態は、第３の実施の形態の画像表示装置の製造方法と同様に図１３に示すような二段階拡大転写法を用いて画像表示装置を製造する方法であり、第３の実施の形態と同様の材料を用いることができる。
【０１１２】
先ず、第３の実施の形態と同様に、図１４に示すような、複数の発光ダイオード５２が密な状態で一主面上に形成された第一基板１００を用意する。このような第一基板１００を第１の一時保持用部材１０１に対峙させて図４３に示すように選択的な転写を行う。
【０１１３】
第１の一時保持用部材１０１の第一基板１００に対峙する面には剥離層１０２と接着剤層１０３が２層になって形成されている。
【０１１４】
また、第１の一時保持用部材１０１の接着剤層１０３としては紫外線（ＵＶ）硬化型接着剤、熱硬化性接着剤、熱可塑性接着剤のいずれかからなる層を用いることができる。一例としては、第１の一時保持用部材１０１として石英ガラス基板を用い、剥離層１０２としてポリイミド膜４μｍを形成後、接着剤層１０３としてのＵＶ硬化型接着剤を約２０μｍ厚で塗布する。
【０１１５】
第１の一時保持用部材１０１の接着剤層１０３は、硬化した領域１０３ｓと未硬化領域１０３ｙが混在するように調整され、未硬化領域１０３ｙに選択転写にかかる発光ダイオード５２が位置するように位置合わせされる。硬化した領域１０３ｓと未硬化領域１０３ｙが混在するような調整は、例えばＵＶ硬化型接着剤を露光機にて選択的に２００μｍピッチでＵＶ露光し、発光ダイオード５２を転写するところは未硬化でそれ以外は硬化させてある状態にすれば良い。このようなアライメントの後、転写対象位置の発光ダイオード５２に対しレーザー光７３を第一基板１００の裏面から照射し、当該発光ダイオード５２を第一基板１００からレーザーアブレーションを利用して剥離する。ＧａＮ系の発光ダイオード５２はサファイヤとの界面で金属のＧａと窒素に分解することから、比較的簡単に剥離できる。照射するレーザー光１０４としてはエキシマレーザー、高調波ＹＡＧレーザー等が用いられる。
【０１１６】
このレーザーアブレーションを利用した剥離によって、選択照射にかかる発光ダイオード５２はＧａＮ層と第一基板１００の界面で分離し、反対側の接着剤層１０３にｐ電極部分を突き刺すようにして転写される。他のレーザー光１０４が照射されない領域の発光ダイオード５２は、接着剤層１０３の硬化した領域１０３ｓと接触し、レーザー光１０４も照射されていないために第１の一時保持用部材１０１側に転写されることはない。なお、図４３では１つの発光ダイオード５２だけが選択的にレーザー照射されているが、ｎピッチ分だけ離間した領域においても同様に発光ダイオード５２はレーザー照射されているものとする。このような選択的な転写によっては発光ダイオード５２第一基板１００上に配列されている時よりも離間して第１の一時保持用部材１０１上に配列される。
【０１１７】
発光ダイオード５２は第１の一時保持用部材１０１の接着剤層１０３に保持された状態で、発光ダイオード５２の裏面がｎ電極側（カソード電極側）になっていて、発光ダイオード５２の裏面には樹脂（接着剤）がないように除去、洗浄されているため、図４４に示すように電極パッド１０５を形成すれば、電極パッド１０５は発光ダイオード５２の裏面と電気的に接続される。
【０１１８】
接着剤層１０３の洗浄の例としては酸素プラズマで接着剤用樹脂をエッチング、ＵＶオゾン照射にて洗浄する。かつ、レーザーにてＧａＮ系発光ダイオードをサファイヤ基板からなる第一基板１００から剥離したときには、その剥離面にＧａが析出しているため、そのＧａをエッチングすることが必要であり、ＮａＯＨ水溶液もしくは希硝酸で行うことになる。その後、電極パッド１０５をパターニングする。このときのカソード側の電極パッドは約６０μｍ角とすることができる。電極パッド１０５としては透明電極（ＩＴＯ、ＺｎＯ系等）もしくはＴｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕ等の材料を用いる。透明電極の場合は発光ダイオードの裏面を大きく覆っても発光をさえぎることがないので、パターニング精度が粗く、大きな電極形成ができ、パターニングプロセスが容易になる。
【０１１９】
図４５は第１の一時保持用部材１０１から発光ダイオード５２を第２の一時保持用部材１０６に転写して、アノード電極（ｐ電極）側のビアホール１０７を形成した後、アノード側電極パッド１０８を形成し、樹脂からなる接着剤層１０３をダイシングした状態を示している。このダイシングの結果、素子分離溝１０１が形成され、発光ダイオード５２は素子ごとに区分けされて樹脂形成チップ１１０となる。素子分離溝１０１はマトリクス状の各発光ダイオード５２を分離するため、平面パターンとしては縦横に延長された複数の平行線からなる。素子分離溝１０９の底部では第２の一時保持用部材１０６の表面が臨む。第２の一時保持用部材１０６上には剥離層１１２が形成される。第２の一時保持用部材１０６は、一例としてプラスチック基板にＵＶ粘着材が塗布してある、いわゆるダイシングシートであり、ＵＶが照射されると粘着力が低下するものを利用できる。
【０１２０】
アノード側電極パッド１０８を形成するに際しては、接着剤層１０３の表面を酸素プラズマで発光ダイオード５２の表面が露出してくるまでエッチングする。まずビアホール１０７の形成はエキシマレーザー、高調波ＹＡＧレーザー、炭酸ガスレーザーを用いることができる。このとき、ビアホールは約３〜７μｍの径を開けることになる。アノード側電極パッド１０８はＮｉ／Ｐｔ／Ａｕ等で形成する。ダイシングプロセスは通常のブレードを用いたダイシング、２０μｍ以下の幅の狭い切り込みが必要なときには上記レーザーを用いたレーザーによる加工を行う。その切り込み幅は画像表示装置の画素内の樹脂からなる接着剤層１０３で覆われた発光ダイオード５２の大きさに依存する。
【０１２１】
次に、図４６に示すように、第２の一時保持用部材５９上に固定された複数の樹脂形成チップ１１０のうち、第二基板へ実装される転写対象となる樹脂形成チップ１１０ａにのみ、レーザー１１１を照射する。
【０１２２】
次に、転写対象となる樹脂形成チップ１１０ａを、第２の一時保持用部材１０６から第二基板に転写する。具体的には、図４７に示すように、第３の一時保持用部材１１３の主面に予め粘着材１１４を形成しておき、粘着材１１４と発光ダイオード５２の上面、すなわち、樹脂形成チップ１１０のアノード側電極パッド１０８がある側とが対向するように当接させる。そして、この状態で、第２の一時保持用部材１０６の裏面からマスク１１５を用いて転写対象となる樹脂形成チップ１１０ａに選択的にエキシマレーザー光１１６を照射する。これにより、例えば第２の一時保持用部材１０６を石英基板により形成し、剥離層１１２をポイリイミドにより形成した場合では、ポリイミドと石英基板の界面でポリイミドのアブレーションにより剥離が発生して転写対象となる樹脂形成チップ１１０ａは剥離可能な状態とされる。そして、第３の一時保持用部材１１３を第２の一時保持用部材１０６から剥がし取ることにより、転写対象となる樹脂形成チップ１１０ａは第２の一時保持用部材１０６から第３の一時保持用部材１１３上に形成された粘着材１１４に選択的に転写される。一方で、転写対象でない樹脂形成チップ１１０は転写されずに第２の一時保持用部材１０６上に残留する。
【０１２３】
次いで、図４８に示すように、第二基板１１７に予め例えば熱可塑性接着剤等からなる熱可塑性接着層１１８を形成しておき、樹脂形成チップ１１０ａと第二基板１１７とが所定の位置関係となるように樹脂形成チップ１１０ａと熱可塑性接着層１１８とを対向させて第三の一時保持部材１１３と第二基板１１７とを配置する。そして、図４８に示すように、第二基板１１７の裏面側からレーザー光１１９を照射し、転写する樹脂形成チップ１１０ａに対応する部分の熱可塑性接着層１１８のみを加熱する。このレーザー光１１９の照射により、熱可塑性接着層１１８の樹脂形成チップ１１０ａに対応した位置が軟化する。
【０１２４】
その後、熱可塑性接着層１１８を冷却硬化することにより、樹脂形成チップ１１０ａが、第二基板１１７上に固着される。このとき、粘着材１１４の粘着力を硬化させた際の熱可塑性接着層１１８の接着力よりも小さくしておき、第３の一時保持用部材１１３を第二基板１１７から剥がすことにより樹脂形成チップ１１０ａ、すなわち発光ダイオード５２が第二基板１１７に選択的に転写される。
【０１２５】
また、第二基板１１７上にシャドウマスクとしても機能する電極層１２０を配設し、この電極層１２０を、レーザー光１１９を照射することにより加熱し、間接的に熱可塑性接着層１１８を加熱するようにしても良い。特に、図４８に示すように、電極層１２０の画面側の表面すなわち当該画像表示装置を見る人がいる側の面に黒クロム層１２１を形成すれば、画像のコントラストを向上させることができると共に、黒クロム層１２１でのエネルギー吸収率を高くして、選択的に照射されるレーザー光１１９によって熱可塑性接着層１１８を効率的に加熱するようにすることができる。
【０１２６】
図４９は、ＲＧＢの３色の発光ダイオード５２、１２２、１２３を第二基板１１７に配列させ絶縁層１２４を塗布した状態を示す図である。上述した転写方法により、第二基板１１７にマウントする位置をその色の位置にずらしてマウントすると、画素としてのピッチは一定のまま３色からなる画素を形成できる。絶縁層１２４としては透明エポキシ接着剤、ＵＶ硬化型接着剤、ポリイミド等を用いることができる。３色の発光ダイオード５２、１２２、１２３は必ずしも同じ形状でなくとも良い。図４９では赤色の発光ダイオード１２２が六角錐のＧａＮ層を有しない構造とされ、他の発光ダイオード５２、１２３とその形状が異なっているが、この段階では各発光ダイオード５２、１２２、１２３は既に樹脂形成チップとして樹脂からなる接着剤層１０３で覆われており、素子構造の違いにもかかわらず同一の取り扱いが実現される。
【０１２７】
図５０は配線形成工程を示す図である。絶縁層１２４に開口部１２５、１２６、１２７、１２８、１２９、１３０を形成し、発光ダイオード５２、１１０、１１１のアノード、カソードの電極パッドと第二基板１１７の配線用の電極層１２０を接続する配線１３１、１３２、１３３を形成した図である。このときに形成する開口部すなわちビアホールは発光ダイオード５２、１１０、１１１の電極パッド１２６、６３の面積を大きくしているのでビアホール形状は大きく、ビアホールの位置精度も各発光ダイオードに直接形成するビアホールに比べて粗い精度で形成できる。このときのビアホールは約６０μｍ角の電極パッド１２６、６３に対し、約φ２０μｍのものを形成できる。また、ビアホールの深さは配線基板と接続するもの、アノード電極と接続するもの、カソード電極と接続するものの３種類の深さがあるのでレーザーのパルス数で制御し、最適な深さを開口する。その後、保護層を配線上に形成し、画像表示装置のパネルは完成する。このときの保護層は図４９の絶縁層１２４と同様、透明エポキシ接着剤等の材料が使用できる。この保護層は加熱硬化し配線を完全に覆う。この後、パネル端部の配線からドライバーＩＣを接続して駆動パネルを製作することになる。
【０１２８】
以上のように、第二転写工程において、転写対象となる樹脂形成チップ１１０ａの表面に選択的にレーザー１１１を照射することにより転写対象となる樹脂形成チップ１１０ａの粘着材１１４に対する付着力と転写対象でない樹脂形成チップ１１０の粘着材１１４に対する付着力との差が相対的に拡大するため、転写対象となる樹脂形成チップ１１０ａのみを確実に粘着材１１４に転写し、転写対象でない樹脂形成チップ１１０を第２の一時保持用部材１０６上に残存させることができる。すなわち、第二転写工程において、転写対象でない樹脂形成チップ１１０が粘着材１１４に転写されることや、転写対象となる樹脂形成チップ１１０ａが粘着材１１４に転写されないこと等のトラブルを確実に回避する。
【０１２９】
したがって、本発明によれば、所望の転写対象となる樹脂形成チップ１１０ａのみを確実に第２の一時保持用部材１０６から剥離して、最終的に第二基板１１７へ転写し、実装することができる。このため、例えば大画面の表示装置を製造するに際して歩留まりを向上し、製造コストの低減に貢献することができる。
【０１３０】
なお、上述の第３の実施の形態及び第４の実施の形態では、二段階の拡大転写法の第一転写工程、第二転写工程のいずれか一方に本発明の転写方法を応用した場合を例に挙げたが、本発明の転写方法は、二段階拡大転写法の第一転写工程及び第二転写工程の両方に応用してもよい。
【０１３１】
また、上述の説明では、本発明の転写方法を応用した例として、表示装置の製造方法について説明したが、例えば本発明を回路基板を製造する際に応用した場合も、同様の効果を得ることができる。
【０１３２】
【発明の効果】
以上の説明からも明らかなように、本発明に係る電子部品及び転写方法では、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力と転写対象でない電子部品の粘着材に対する付着力との差が拡大し、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力が相対的に高められる。
【０１３３】
また、電子部品の被転写面に不純物が付着又は堆積している場合には、転写対象となる電子部品の表面にレーザーを照射することによりこの不純物が除去されるため、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力がさらに高められる。
【０１３４】
したがって、本発明によれば、転写対象となる電子部品のみが確実に転写されることが可能な電子部品を提供できる。また、本発明によれば、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力と転写対象でない電子部品の粘着材に対する付着力との差を相対的に拡大することによって、転写対象となる電子部品のみを確実に粘着材に転写し、最終的に第二基板に転写することが可能な転写方法を提供できる。
【０１３５】
また、本発明によれば、転写対象となる電子部品の表面が均一化されるために転写の条件設定が容易となる。
【０１３６】
また、本発明に係る回路基板及びその製造方法では、以上のようにして、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力と転写対象でない電子部品の粘着材に対する付着力との差が拡大し、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力が相対的に高められる。
【０１３７】
また、電子部品の被転写面に不純物が付着又は堆積している場合には、転写対象となる電子部品の表面にレーザーを照射することによりこの不純物が除去されるため、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力がさらに高められる。
【０１３８】
したがって、本発明によれば、転写対象となる電子部品のみが確実に転写され、低コストにて回路基板を提供できる。また、本発明によれば、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力と転写対象でない電子部品の粘着材に対する付着力との差を相対的に拡大することによって、転写対象となる電子部品のみを確実に粘着材に転写し、最終的に回路基板に実装するため、低コストでの製造が可能な回路基板の製造方法を提供できる。
【０１３９】
また、本発明によれば、転写対象となる電子部品の表面が均一化されるために転写の条件設定が容易となる。
【０１４０】
また、本発明に係る表示装置及びその製造方法では、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力と転写対象でない電子部品の粘着材に対する付着力との差が拡大し、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力が相対的に高められる。
【０１４１】
また、電子部品の被転写面に不純物が付着又は堆積している場合には、転写対象となる電子部品の表面にレーザーを照射することによりこの不純物が除去されるため、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力がさらに高められる。
【０１４２】
したがって、本発明によれば、転写対象となる電子部品のみが確実に転写され、低コストにて表示装置を提供できる。また、本発明によれば、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力と転写対象でない電子部品の粘着材に対する付着力との差を相対的に拡大することによって、転写対象となる電子部品のみを確実に粘着材に転写して実装基板に配列し、低コストでの製造が可能な表示装置の製造方法を提供できる。
【０１４３】
また、本発明によれば、転写対象となる電子部品の表面が均一化されるために転写の条件設定が容易となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第一基板上に被転写面が清浄化されてなる電子部品が配列された状態を示す概略断面図である。
【図２】転写対象となる電子部品にレーザーを照射する状態を示す概略断面図である。
【図３】第一基板と粘着材とを対向させて転写対象となる電子部品を転写する状態を示す概略断面図である。
【図４】第一基板から粘着材を引き剥がした状態を示す概略断面図である。
【図５】電子部品を保持した粘着材と第二基板とを対向させた状態で、第二基板の裏側から電子部品に対してレーザーを照射する状態を示す概略断面図である。
【図６】第二基板上に電子部品が転写された状態を示す概略断面図である。
【図７】第一基板上に被転写面が汚染された電子部品が配列された状態を示す概略断面図である。
【図８】転写対象となる電子部品にレーザーを照射する状態を示す概略断面図である。
【図９】第一基板と粘着材とを対向させて転写対象となる電子部品を転写する状態を示す概略断面図である。
【図１０】第一基板から粘着材を引き剥がした状態を示す概略断面図である。
【図１１】電子部品を保持した粘着材と第二基板とを対向させた状態で、第二基板の裏側から電子部品に対してレーザーを照射する状態を示す概略断面図である。
【図１２】第二基板上に電子部品が転写された状態を示す概略断面図である。
【図１３】素子の配列方法を示す模式図である。
【図１４】発光素子の一例を示す図であって、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
【図１５】第１の一時保持用部材の接合工程を示す概略断面図である。
【図１６】ＵＶ接着剤硬化工程を示す概略断面図である。
【図１７】レーザーアブレーション工程を示す概略断面図である。
【図１８】第一基板の分離工程を示す概略断面図である。
【図１９】Ｇａ除去工程を示す概略断面図である。
【図２０】素子分離溝形成工程を示す概略断面図である。
【図２１】転写対象となる電子部品にレーザーを選択的に照射する状態を示す概略断面図である。
【図２２】第２の一時保持用部材の接合工程を示す概略断面図である。
【図２３】選択的なレーザーアブレーション及びＵＶ露光工程を示す概略断面図である。
【図２４】発光ダイオードの選択分離工程を示す概略断面図である。
【図２５】樹脂による埋め込み工程を示す概略断面図である。
【図２６】樹脂層厚削減工程を示す概略断面図である。
【図２７】ビア形成工程を示す概略断面図である。
【図２８】アノード側電極パッド形成工程を示す概略断面図である。
【図２９】レーザーアブレーション工程を示す概略断面図である。
【図３０】第２の一時保持用部材の分離工程を示す概略断面図である。
【図３１】コンタクト半導体層露出工程を示す概略断面図である。
【図３２】カソード側電極パッド形成工程を示す概略断面図である。
【図３３】レーザーダイシング工程を示す概略断面図である。
【図３４】樹脂形成チップの概略斜視図である。
【図３５】樹脂形成チップの概略平面図である。
【図３６】吸着装置による選択的ピックアップ工程を示す概略断面図である。
【図３７】素子位置ずれ防止手段を設けた吸着装置の一例を示す概略断面図である。
【図３８】第二基板への転写工程を示す概略断面図である。
【図３９】他の発光ダイオードの転写工程を示す概略断面図である。
【図４０】絶縁層形成工程を示す概略断面図である。
【図４１】配線形成工程を示す概略断面図である。
【図４２】保護層及びブラックマスク形成工程を示す概略断面図である。
【図４３】第１転写工程を示す概略断面図である。
【図４４】電極パッド形成工程を示す概略断面図である。
【図４５】第２の一時保持用部材への転写後の電極パッド形成工程を示す概略断面図である。
【図４６】転写対象となる樹脂形成チップの被転写面にレーザーを照射する状態を示す概略断面図である。
【図４７】第２転写工程を示す概略断面図である。
【図４８】第２転写工程の一応用例を示す概略断面図である。
【図４９】絶縁層の形成工程を示す概略断面図である。
【図５０】配線形成工程を示す概略断面図である。
【符号の説明】
１  第一基板、２  電子部品、３  不純物、４  レーザー、５  粘着材、６  第二基板、７  レーザー、２０  第一基板、２１  一時保持用部材、２２  素子、２３  樹脂、２４  樹脂形成チップ、２５  第二基板、３０  樹脂形成チップ、３１  発光素子、３２  樹脂、３３，３４  電極パッド、４１  下地成長層、４２  ＧａＮ層、４３  ＩｎＧａＮ層、４４  ＧａＮ層、４５  ｐ電極、４６  ｎ電極、５１  第一基板、５２  各発光ダイオード、５２ｇ  溝、５２  発光ダイオード、５３  第１の一時保持用部材、５４  剥離層、５５  接着剤、５６  Ｇａ、５７  ダイシング溝、５８  熱可塑性接着剤、５９  第２の一時保持用部材、６０  剥離層、６１  樹脂層、６２  ビアホール、６３  アノード側電極パッド、６４  第３の一時保持用部材、６５  接着剤、６６  電極パッド、６７  吸着装置、６８  吸着孔、６９  吸着チャンバ、７０  防止手段、７１  第二基板、７２  配線層、７３  レーザー光、７３  接着剤層、７４  発光ダイオード、７５  絶縁層、７６  開口部、８０  チップ部品、８１  レーザー、８２  配線、８５  保護層、８６  ラックマスク、１００  第一基板、１０１  第１の一時保持用部材、１０２  剥離層、１０３  接着剤層、１０４  レーザー光、１０５電極パッド、１０６  第２の一時保持用部材、１０７  ビアホール、１０８  アノード側電極パッド、１０９  素子分離溝、１１０  樹脂形成チップ、１１１レーザー、１１２  剥離層、１１３  第３の一時保持部材、１１４  粘着材、１１５  マスク、１１６  エキシマレーザー光、１１７  第二基板、１１８  熱可塑性接着層、１１９  レーザー光、１２０  電極層、１２１  黒クロム層、１２２  発光ダイオード、１２４  絶縁層、１２５  開口部、１２６  電極パッド、１３１  配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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