【事件の表示】
　平成２年　特　許　願　第２５４５１２号「半導体作製方法」拒絶査定に対する審判事件（平成４年５月７日出願公開、特開平　４−１３３３１３）について、次のとおり審決する。
【結論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成２年９月２５日の出願であって、その発明は、平成９年１１月１３日付手続補正書によって補正された平成８年３月５日付全文補正明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された「半導体作製方
法」にあるものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下「第１発明」という）は、次のとおりのものである。
「体積比が２０％以上の水素を含有した不活性気体雰囲気中における基板上へのマグネトロン型ＲＦスパッタ法による非単結晶半導体膜の成膜工程と、
　前記マグネトロン型ＲＦスパッタ法によって得た非単結晶半導体膜を６００℃以下の温度で熱再結晶化させる工程を有することを特徴とする半導体作製方法。」
２．引用刊行物記載の発明
　これに対して、原審の拒絶の理由に引用された、本願出願日前に頒布された刊行物である特開平２−１９４６２０号公報（公開公報発行日：平成２年８月１日。以下、「引用例１」という）には、
「非晶質絶縁基板上に、少なくとも水素ガスを含む雰囲気ガス中でのスパッタ法により非晶質半導体薄膜を堆積させる第１の工程と、該非晶質半導体薄膜を大気中に取り出すことなく前記堆積時と同一反応炉内で連続して３００℃〜４５０℃の熱
処理を行なうことにより、前記非晶質半導体薄膜を緻密化させる第２の工程と、５００℃〜７００℃の低温熱処理により前記緻密化された非晶質半導体薄膜を固相成長させる第３の工程とを少なくとも有することを特徴とする半導体薄膜の結晶成
長方法。」（特許請求の範囲）、「結晶シリコンをターゲット（カソード）とし、１０−３〜１０−１Ｔｏｒｒ程度の不活性ガス圧下で高電界を印加し、放電させる・・・前記不活性ガスに水素を混合しておくと水素化非晶質シリコン薄膜（ａ−Ｓｉ：Ｈ）が得られる。このような方法を反応性スパッタ法（Ｒｅａｃｔｉｖｅ　　Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ法）と言う。これには１３．５６ＭＨｚの高周波電界を用いた高周波スパッタ法、直流電界を用いた直流スパッタ法、あるいはイオンビームスパッタ法などが知られている。前記不活性ガスとしては通常アルゴンが用いられ、この
スパッタ雰囲気中の水素分圧ＰＨが膜特性に大きな影響を与える。・・・酸素などのような結晶成長を妨げるような不純物を少なくするために水素分圧ＰＨは１〜１０ｍＴｏｒｒ程度に設定する。」　（第２頁左下欄第１３行〜右下欄第１５）、
「６００℃以下の低温プロセスでも作製が可能なので、価格が安くて耐熱温度が低いガラス基板を用いることができる。」（第４頁右下欄第１〜３行）、
「従来に比べて、薄膜トランジスタのＯＮ電流は増大しＯＦＦ電流は小さくなる。またスレッシュホルド電圧も小さくなりトランジスタ特性が大きく改善される。」　（第４頁右下欄第８〜１１行）
と記載されている。
　したがって、上記各記載から、引用例１には、１１〜１０ｍＴｏｒｒ程度の分圧に設定された水素を含有した、１〜１００ｍＴｏｒｒ程度の不活性ガス圧下における基板上へのスパッタ法による非晶質半導体薄膜の成膜工程と、前記スパッタ法
によって得た非晶質半導体薄膜を５００℃〜６００℃の温度で固相成長させる工程を有することを特徴とする半導体作製方法。」が記載されているものと認められる。
　同じく原審の拒絶の理由に引用された、本願出願日前に頒布された刊行物である特開昭６４−３１４６６号公報（以下、「引用例２」という）には、
「１１〜５０モル％程度の水素ガスを添加した一種もしくは複数種を混合した不活性ガス中で放電することによりイオンを発生させる工程と、該イオンをシリコン、もしくは不純物を含んだシリコンから成るターゲットの表面に衝突させて放出されたシリコン原子を基板上に堆積させシリコン薄膜を形成する工程と、該シリコン薄膜に加熱時間１０秒以下の短時間のアニール処理を施す工程とを含むことを特徴とする薄膜トランジスタ用シリコン薄膜の形成方法。」　（特許請求の範囲第１項）、「上記水素ガスの添加量により薄膜トランジスタの閾値電圧を変化させることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜トランジスタ用シリコン薄膜の形成方法。」（特許請求の範囲第３項）、「高いキャリア移動度を有し、しかも閾値電圧が低く制御できるシリコン薄膜トランジスタを提供した。」　（第３頁右上欄第６〜８行）、「スパツタ時の不活性ガスに少量の水素ガスを混合するだけの簡単な方法により、キャリア移動度を損なうことなく、閾値電圧を変化させ得ることを見いだすことができた。」　（第３頁右下欄第１１〜１４行）、「第１図に示すように、閾値電圧は１モル％以上の混合率では水素ガス混合率と共に小さくなり、水素ガス混合率を変えることにより、その閾値電圧は明らかに希望の値に制御できていることが分かる。さらに、これらの場合のキャリア移動度はいずれも１５０ｃｍ２／Ｖ・ｓ以上であり、従来の高々１００ｃｍ２／Ｖ・ｓに比して、充分に優れたシリコン薄膜トランジスタが得られている。」（第４頁左上欄第１〜８行）が、第１図と共に記載されている。
３．対比
　本願第１発明と引用例１記載の発明を対比すると、両者は、「水素を含有した不活性気体雰囲気中における基板上へのスパッタ法による非単結晶半導体膜の成膜工程と、前記スパッタ法によって得た非単結晶半導体膜を６００℃以下の温度で熱
再結晶化させる工程を有することを特徴とする半導体作製方法。」である点で一致し、本願第１発明では水素の含有が体積比で２０％以上と規定されているのに対して、引用例１に記載された発明では含有量の下限値が特に明示されていない点
（相違点１）、本願第１発明のスパッタ法がマグネトロン型ＲＦスパッタ法であるのに対し、引用例１ではマグネトロン型ＲＦスパッタ法の使用についてふれるところがない点（相違点２）において相違する。
４．当審の判断
　上記相違点について検討する。
（相違点１について）
　引用例１に記載された発明と引用例２の請求項３に記載された発明は、いずれも水素を含有した不活性気体雰囲気中における基板上へのスパッタ法による非単結晶半導体膜の成膜工程と、前記スパッタ法によって得た非単結晶半導体膜を熱再結
晶化させる工程を有することを特徴とする半導体作製方法に関するものである点で共通する。
　そして、引用例２の第１図には、閾値電圧が水素ガスの混合率の増大と共に小さくなり、その閾値電圧が水素ガスの混合率を変えることにより希望の値に制御できることが示されている。
　してみれば、スパッタ雰囲気中の水素分圧が膜特性に大きな影響を与えるという認識を有する引用例１に記載された発明において、該水素分圧の設定にあたり、引用例２に開示された閾値電圧と水素ガスの混合率の相関関係を考慮して、水素の
含有量を体積比で２０％以上とすることは、当業者が必要とされる膜特性に応じて、適宜なし得たことであると認められる。また、水素の含有量の下限値を体積比で２０％以上と規定したことによる効果も当業者が予測し得た程度のものにすぎない。
（相違点２について）
　マグネトロン型ＲＦスパッタ法は半導体の作製に使用されるスパッタ法として本件の出願時において周知である。そして、引用例１には、スパッタ法として高周波スパッタ法、直流スパッタ法、イオンビームスパッタ法などが広く適用可能である旨示唆されているのであるから、スパッタ法としてマグネトロン型ＲＦスパッタ法を採用することは当業者が適宜なし得たことであると認められる。また、体積比が２０％以上の水素を含有した不活性気体雰囲気中における基板上へのスパッタ法による非単結晶半導体膜の成膜工程と前記スパッタ法によって得た非単結晶半導体膜を６００℃以下の温度で熱再結晶化させる工程を有することを特徴とする半導体作製方法におけるスパッタ法として、マグネトロン型ＲＦスパッタ法を採用したことによる格別の効果も認められない。
　したがって、上記各相違点は当業者が容易に想到し得たことと認められる。
　なお、審判請求人は審判理由補充書において、マグネトロン型ＲＦスパッタ法を利用することにより、高密度の水素プラズマを発生させ、非晶質半導体膜中のマイクロ構造の発生を防止し、熱再結晶化を容易とするという効果を主張する。しか
しながら、スパッタ法により成膜された非晶質半導体膜中のマイクロ構造、すなわち原子の存在の偏りが、ターゲットと基板の距離、圧力、不活性ガスの種類、周波数、ＲＦ出力、成膜温度等の種々の要素によって影響を受けることは明らかであ
る。してみれば、スパッタ法によって成膜された非晶質半導体膜中のマイクロ構造が、スパッタ法がマグネトロン型ＲＦスパッタ法であるというだけで、一概に引用例１に例示されるような他のスパッタ法によって成膜された非晶質半導体膜中のマイクロ構造に比べて顕著に少ないということはできない。また、マグネトロン型ＲＦスパッタ法によって成膜された非晶質半導体膜中のマイクロ構造が他のスパッタ法によって成膜された非晶質半導体薄膜中のマイクロ構造より少ないことを示
す実験データも示されていない。したがって、上記審判請求人の主張は採用できない。
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項１に係る発明は、上記引用例１及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。