【事件の表示】
　昭和６２年特許願第１０８７４２号「圧力センサ」拒絶査定に対する審判事件（昭和６２年１１月２０日出願公開、特開昭６２−２６７６３６）について、次のとおり審決する。
【結論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理由】
１．本願発明
　本願は、昭和６２年５月１日（パリ条約による優先権主張昭和６１年５月５日）の出願であって、その発明の要旨は、願書に添付した明細書又は図面の記載からみて、平成１０年７月３０日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲に記載された下記のとおりのものである。
　監視されるべき領域の特定の状態に応答して初期電気信号を提供する状態応答手段と、予め定められた制御機能を実行するためにセンサから電気出力信号を提供するよう前記初期電気信号を処理する信号処理手段と、センサの較正を調整する手段とを有し、前記状態応答手段、信号処理手段及び調整手段のすべてが共通の支持体上に搭載される圧力センサにおいて、前記状態応答手段によって提供される初期電気信号は、第１の所定のレンジ内にあり、前記調整手段は、前記支持体上に前記状態応答手段、信号処理手段及び調整手段を含むセンサの必要部品の組立後に、前記信号処理手段によって前記状態応答手段からの初期電気信号に印加されるバイアス及びゲインの調整を実行するために、前記支持体上において電気的に作動可能であり、外部から独立して入力された較正用データに基づき第２の所定のレンジ内にある前記出力信号を提供するようセンサを較正し、前記特定の状態に対する制御機能を行うようにすることを特徴とする圧力センサ。
２．当審でした拒絶理由
　平成１０年１月１９日付けで当審がした拒絶理由通知の概要は、本願発明は、特開昭５８−５５７３２号公報（以下、「引用例１」という。）及び特開昭５７−５９１１５号公報（以下、「引用例２」という。）に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというにある。
３．引用例の記載事項
（１）引用例１について
「本発明は容量式圧力センサに係わり、特に半導体単結晶上にセンサ部と信号変換部とを具備した半導体容量式圧力センサに関する。」（第１頁左下欄１５行〜１７行）
「第３図（ａ），（ｂ）は静電容量型センサの一実施例を示す構成図である。・・・・同図において、シリコン単結晶からなる半導体基板２１があり、この半導体基板２１上にはこの半導体基板２１とは異なる導電型のエピタキシャル成長層２３が形成されている。このエピタキシャル成長層２３面には拡散層が形成され、ＩＣ化された増幅器２４が形成されている。この増幅器２４は、静電容量を電圧あるいは電流信号、あるいは周波数信号等に変換増幅する回路である。・・・前記保護膜３２面における前記増幅器２４上には円形状の電極９１が形成され、この電極９１は前記保護膜３２のスルホールを通して前記増幅器２４の一拡散層に接続されている。また前記保護膜３２面には、前記円形状の電極９１を囲むようにして円環状の電極９２が形成され、この電極９２においても前記保護膜３２のスルホールを通して前記増幅器２４の一拡散層に接続されている。一方、導電性の半導体基板２２があり、この半導体基板２２はガラス層２０を介して前記保護膜３２上に載置され、前記電極９１，９２上に位置づけられている。前記半導体２２の下面と前記電極９１，９２との間には、若干の間隙部７１が形成され、前記半導体基板２２と電極９１，９２とで可変容量を構成している。半導体基板２２と電極９１間において可変容量が形成され、また半導体基板２２と電極９２間において不変容量が形成されるようになっている。」（第２頁右下欄９行〜第３頁右上欄２行）
「前記半導体基板２２には電極２６が形成されているとともに、前記保護膜２０面の前記半導体基板２２載置領域以外の領域には電極４１，４２が形成され、この電極４１，４２間に抵抗網を形成することにより、半導体基板２２と電極９１，および半導体基板２２と電極９２間に生ずる容量差に原因するオフセットや感度を調整できるようになっている。」（第３頁右上欄１６行〜左下欄３行）
（２）引用例２について
「可変抵抗ＶＲ１，ＶＲ２を用いてブリッジ回路２１の線形化出力の振幅とゼロ点との２つのファクタを調整することにより特性を標準化することが行われている。しかしながらこの方法では、回路も複雑となるばかりでなく調整も煩雑となる。この発明は、上述のような事情に鑑みなされたものであって、その目的は、簡単な方法でデータの較正が可能な、情報測定装置に外部から適用される較正用データ書き込み方法および較正データを内蔵する情報測定装置を提供することである。」（第３頁左上欄２０行〜右上欄１１行）
「被測定情報を第１のセンサ３２で測定し、被測定情報に基いた電気的パラメータに変換する。この電気的パラメータを第１の変換回路３３に入力し、電気信号に変換する。この電気信号を記憶手段を含んだ第２の変換回路３４に入力すると共に、センサ３２と第１，第２の変換回路（図示せず）とから成る情報測定装置３５の外部にあるデータ処理回路３８に入力する。ところで、センサは必ずしも線形特性を有しているわけではなく、非線形特性を有していたり、あるいは生産される多量の情報測定装置に組込まれる個々のセンサには特性上のばらつきがあるのが一般的である。このため、第１の変換回路３３で変換された電気信号は誤差を含むものとなってしまう。一方同時に、被測定情報３１を外部の第２のセンサ３６を用いて測定し、その電気的パラメータを測定回路３７を通して被測定情報の正しい値を示す信号に変換し前記データ処理回路３８に入力する。データ処理回路３８により、第１の変換回路３３の出力と測定回路３７からの正しい値を示す電気信号が比較演算され、これら信号相互間の較正用データとしての変換情報が求められる。この変換情報を書込み回路３９を介して情報測定装置３５に内蔵された第２の変換回路３４の記憶手段に書込む。変換情報書込み後は、第２のセンサ３６，測定回路３７，データ処理回路３８，書込み回路３９を、情報測定装置から切離す。以後、情報測定装置３５では、第１のセンサ３２で被測定情報３１を測定すればすでに書込まれている較正用データに基づいて第２の変換回路３４において較正され、被測定情報の測定を同時に行い、データ処理回路を用いてオンラインで変換情報すなわち較正用データを速やかに求め、この変換情報を書込み回路を介して第２の変換回路の記憶手段に書込むので人手を介さず、途中のデータ管理も必要とせず、信頼性の高い情報測定装置が容易な手順で有られる。」（第３頁右上欄１４行〜右下欄１５行）
「本発明の較正用データ書込み方法および較正用データを内蔵する電子温度計では組立後調整することなく直ちにコーティングやモールドによる一体成型ができその後に接続端子から較正用データを書き込めばよく」（第６頁右上欄１０行〜１４行）
４，一致点、相違点の認定
　上記３（１）の記載及び図面第３図の記載によれば、引用例１には、「半導体基板２２と電極９１とで可変容量が形成され、半導体基板２２と電極９２とで不変容量が形成される静電容量型圧力センサにおいて、静電容量を電圧あるいは電流信号、あるいは周波数信号に変換増幅するＩＣ化された増幅器２４と、半導体基板２２と電極９１，および半導体基板２２と電極９２間に生ずる容量差に原因するオフセットや感度を調整できる電極４１，４２間に形成された抵抗網とを有し、これらのすべてが半導体基板２４あるいはエピタキシャル成長層に搭載された静電容量型圧力センサ。」が記載されている。
　ここで引用例１の「半導体基板２２と電極９１，９２」、「ＩＣ化された増幅器２４」、「抵抗網」および「半導体基板２４あるいはエピタキシャル成長層」は、本願発明の「状態応答手段」、「信号処理手段」、「センサの較正を調整する手段」および「共通の支持体」にそれぞれ相当し、静電容量型圧力センサが予め定められた制御機能を実行するためのものであることは技術常識であるから、本願発明は、引用例１に記載された発明と下記の一致点で一致し、下記の相違点で相違する。
　一致点
「監視されるべき領域の特定の状態に応答して初期電気信号を提供する状態応答手段と、予め定められた制御機能を実行するためにセンサから電気出力信号を提供するよう前記初期電気信号を処理する信号処理手段と、センサの較正を調整する手段とを有し、前記状態応答手段、信号処理手段及び調整手段のすべてが共通の支持体上に搭載される圧力センサにおいて、センサを較正し、前記特定の状態に対する制御機能を行うようにする圧力センサ。」の点
　相違点
　本願発明は、「状態応答手段によって提供される初期電気信号は、第１の所定のレンジ内にあり、調整手段は前記支持体上に前記状態応答手段、信号処理手段及び調整手段を含むセンサの必要部品の組立後に、前記信号処理手段によって前記状態応答手段からの初期電気信号に印可されるバイアス及びゲインの調整を実行するために、前記支持体上において電気的に作動可能であり、外部から独立して入力された較正用データに基づき第２の所定のレンジ内にある出力信号を提供するようにセンサを較正する」ものであるのに対し、引用例１記載の発明は、調整手段による調整をセンサの必要部品の組立後に行う旨の記載がなく、また較正が外部から独立して入力された較正用データに基づき第２の所定のレンジ内にある出力信号を較正するものではない点で構成が相違する。
５．相違点の判断
　引用例２に記載の発明が、振幅とゼロ点との２つのファクタを調整することは明らかであり、ゼロ点調整がバイアスの調整に相当し、振幅の調整がゲインの調整に相当することも明らかである。
　そして、センサ３２で測定し、被測定情報に基づき変換された電気的パラメータが「初期電気信号」に相当し、第２のセンサからの被測定情報の正しい値と較正すべきセンサ１からの変換回路３３の出力とを比較演算し較正用データを求め、較正用データに基づいて第１のセンサの被測定情報に基づいた電気信号を第２の変換回路３４において較正しているのであるから、外部から入力された較正用データに基づき電気信号を提供するようセンサ３２からの出力を較正しているものである。
　更に、引用例２のセンサ３２の初期電気信号による出力範囲が第１のレンジ内にあるとすれば、較正後の出力信号は、ゼロ点及び振幅を調整しているのであるから、前記第１のレンジとは異なるレンジ、即ち第２のレンジ内にあるといえる。
　更にまた、引用例２のセンサの較正は、情報測定装置のコーティングやモールドの一体成型後に行うものであるから、情報測定装置の必要部品の組立後に行われるものである。
　以上の検討を踏まえれば、引用例２には「第１のセンサ３２によって提供される初期電気信号は、第１の所定のレンジ内にあり、変換回路３４は、基材上にセンサ３２、変換器３３、及び変換器３４を含む情報測定装置の必要部品の組立後に、変換器３３によってセンサ３２からの初期電気信号に印加されるバイアス及びゲインの調整を実行するために、基材上において電気的に作動可能であり、外部から入力された較正用データに基づき第２の所定のレンジ内にある出力信号を提供するよう情報測定装置を較正する情報測定装置。」が記載されている。
　すると、引用例２に記載の発明は、外部から入力された較正用データが、「独立して」いることを除き、本願発明の上記相違点にかかる構成を備えていることになる。
　この点に関し、請求人は、「この較正用データは、監視すべき圧力に応じて選択可能であり、それ故、圧力センサの外部から独立して入力されます。」（平成１０年７月３０日付け意見書第２頁２１行〜２２行）と主張している。
　しかし、「独立して」の意味が「監視すべき圧力に対して選択的である」ためであるとしたところで、ゲイン（引用例１の「感度」、引用例２の「振幅」に相当）の調整を行うことによってレンジの調整を行うことは本出願前周知の技術手段である。
　よって、前記周知技術を踏まえれば、相違点は、引用例１に記載の圧力センサに引用例２に記載の発明を適用することにより、当業者が容易に想到しうる程度のことにすぎない。
　そして、本願発明の作用効果は、前記引用例１及び引用例２に記載された事項に基いて、当業者が予測しうる程度のものにすぎない。
　むすび
　したがって、本願発明は、引用例１及び引用例２に記載された発明に基いて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に該当し特許を受けることができない。