【事件の表示】
　平成６年特許願第３１２２２０号「液晶表示素子」拒絶査定に対する審判事件（平成８年６月２５日出願公開、特開平８−１６７６０８）について、次のとおり審決する。
【結論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理由】
　本願は平成６年１２月１５日の出願であって、その請求項にかかる発明の要旨は、平成９年８月２５日付手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲請求項１〜２に記載された次のとおりのものである。
　「【請求項１】基板上に走査電極線と該走査電極線に接続したゲート電極とが設けられ、これらを覆うように絶縁層が積層され、更に前記ゲート電極上方であって前記絶縁層上にシリコンからなる半導体層が設けられ、該半導体層にはソース電極とドレイン電極とが形成されており、前記ドレイン電極に接続するインジウム錫酸化物からなる画素電極を有する液晶表示素子であって、
　前記半導体層上の一側と他側に各々イオンをドープしたアモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層を介してドレイン電極とソース電極とが積層され、前記半導体層とドレイン電極とソース電極とこれら以外の部分の絶縁層を覆って更に別の絶縁層が積層され、この絶縁層上に画素電極が形成されるとともに、前記ドレイン電極上まで延びた前記画素電極の一部が前記ドレイン電極上の絶縁層に形成されたコンタクトホールを介してドレイン電極に接続される一方、前記ドレイン電極がＳｎＯ２の標準生成エンタルピーよりもマイナス側の標準生成エンタルピーの酸化物にならない導電体からなることを特徴とする液晶表示素子。
　【請求項２】前記導電体が、銅、銀、セレン、ゲルマニウム、テルル及び亜鉛のうちのいずれか、あるいはこれらの合金からなることを特徴とする請求項１記載の液晶表示素子。」
　一方、原査定において周知例として引用された特開平４−２５３３４２号公報（以下「第１引用例」という。）には、「本発明に係るＴＦＴアレイ基板は、透明の絶縁性基板と、上記絶縁性基板上に形成されたゲート電極と、上記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、上記ゲート絶縁膜上に形成された半導体膜と、上記半導体膜上に形成されたドレイン電極及びソース電極と、上記ドレイン電極及び上記ソース電極上に形成されたパッシベション膜と、上記ソース電極上のパッシベーション膜に形成されたコンタクトホールと、上記パッシベーション膜上に形成され、上記コンタクトホールを介して上記ソース電極に接続された画素電極とを有し、上記ゲート電極に所定の信号が印加されたときに、上記ドレイン電極に印加されるドレイン信号を上記半導体層と上記ソース電極とを介して上記画素電極に印加する薄膜トランジスタアレイ基板において、上記ソース電極が、Ａｌを含む層と、この層の上に形成されて上記画素電極に接続される酸化されにくい導電性の金属層とを有することを特徴としている。」（段落【０００５】）、「本実施例のＴＦＴアレイ基板には、ＳｉＮｘ膜上に形成された半導体膜としてのノンドープアモルファスシリコン（ｎ−ａ−Ｓｉ）膜４と、このｎ−ａ−Ｓｉ膜４上に形成されたリンドープアモルファスシリコン（ｎ＋ａ−Ｓｉ）膜５と、このｎ＋ｓ−Ｓｉ膜５上に形成されたドレイン電極６及びソース電極７とが備えられている。ここで、ドレイン電極６は、Ｃｒからなる第一層６ａとアルミニウム（Ａ１）からなる第二層６ｂとＣｒからなる第三層６ｃとを、下から順に積層させて形成されている。また、ソース電極７は、Ｃｒからなる第一層７ａとＡｌからなる第二層７ｂとＣｒからなる第三層７ｃとを、下から順に積層させて形成されている。」（段落【０００９】）、「コンタクトホール８ａ内でソース電極７に接続するＩＴＯからなる画素電極９が備えられている。」（段落【００１０】）という記載がなされ、これらの記載と図１によれば、同引用例には、「基板上にゲート電極が設けられ、これらを覆うように絶縁層が積層され、更にゲート電極上方であって前記絶縁層上にシリコンからなる半導体層が設けられ、該半導体層にはソース電極とドレイン電極とが形成されており、前記ドレイン電極に接続するインジウム錫酸化物からなる画素電極を有する液晶表示素子であって、前記半導体層上の一側と他側に各々イオンをドープしたアモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層を介してドレイン電極とソース電極とが積層され、前記半導体層とドレイン電極とソース電極とこれら以外の部分の絶縁層を覆って更に別の絶縁層が積層され、この絶縁層上に画素電極が形成されるとともに、前記ソース電極上まで延びた前記画素電極の一部が前記ソース電極上の絶縁層に形成されたコンタクトホールを介してソース電極に接続される一方、上記ソース電極が、Ａｌを含む層と酸化されにくい金属層とからなる液晶表示装置」が記載されているものと認められる。
　また、原査定の拒絶理由に引用された特開平１−１７１２８２号公報（以下「第２引用例」という。）には、「このような光起電力装置は、透明電極として用いられた金属酸化物の酸素原子および非晶質半導体層のパターン化により端面に生成される酸化物の酸素原子が使用中に裏面電極を構成する金属中に拡散し、接続界面において裏面電極が酸化されるという問題を生じる。………本発明は、上記のような問題点を改善するため、裏面電極が酸化されにくく、出力低下をおこさない光起電力素子を提供することを目的とする。」（第２頁左上欄第１３行〜右上欄第８行）、「本発明は、絶縁表面を有する透明基板上に透光性導電膜からなる透明の電極と、光照射により光起電力を発生する非晶質半導体層と、該非晶質半導体層上に形成される金属からなる裏面電極とを有する光起電力素子を複数個互いに電気的に直列接続されるように配設された光起電力装置に用いられる光起電力素子であって、裏面電極に用いられる金属の酸化物標準生成エネルギーが前記透明電極の主成分を構成する元素および前記非晶質半導体の主成分を構成する元素の少なくとも一方の酸化物標準エネルギーより小さいことを特徴とする光起電力素子に関する。」（第２頁右上欄第１０行〜同頁左下欄第２行）、「本発明に用いる透明電極（２）としては、たとえばＩＴＯ、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＣｄＳｎＯなどの金属酸化物が代表例としてあげられるが、これらにとくに限定されるものではない。」（第２頁左下欄下から第２行〜右下欄第２行）、「本発明に用いる裏面電極（４）を構成する金属としては、その金属の酸化物標準生成エネルギーが透明電極（２）の主成成分を構成する元素および非晶質半導体層（３）の主成分を構成する元素のうち少なくとも一方の酸化物標準生成エネルギーより小さい金属が選ばれる。」（第３頁左上欄下から第４行〜右上欄第２行）、「たとえば透明電極（２）の主成分を構成するＳｎやＩｎの酸化物標準生成エネルギーより小さい酸化物標準エネルギーをもつ金属としてはＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕなどの金属があげられ、また非晶質半導体層（３）の主成分を構成するＳｉの酸化物標準生成エネルギーより小さい酸化物標準生成エネルギーをもつ金属としては、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｖ、Ｃｏ、Ｗなどの金属があげられる。
　これらの金属のうちではＩｎ、Ｓｎ、Ｓｉの酸化物に対してより小さい酸化物標準生成エネルギーをもつという点ではＮｉなどが好ましいが、本発明においてはもとよりこれらにかぎられるものではない。」（第３頁右上欄下から第５行〜左下欄第８行）という記載がなされている。これらの記載によれば、同引用例には、光起電力素子において、ＩＴＯなどからなる透明電極と接する裏面電極の酸化を防止し、かつ非晶質半導体層と接する裏面電極の酸化を防止するために、裏面電極に用いられる金属の酸化物標準生成エネルギーが、透明電極の主成分を構成する元素及び非晶質半導体層の主成分を構成する元素の酸化物標準エネルギーより小さい、たとえば、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕなどの金属で裏面電極を構成するようにしたことが記載されている。
　本願請求項１〜２記載の発明と上記第１引用例記載の発明とを比較すると、本願請求項１〜２記載の発明における「ドレイン電極」は上記第１引用例記載の発明における「ソース電極」に相当するから、本願請求項１〜２記載の発明と上記第１引用例記載の発明とは、「基板上にゲート電極が設けられ、これらを覆うように絶縁層が積層され、更に前記ゲート電極上方であって前記絶縁層上にシリコンからなる半導体層が設けられ、該半導体層にはソース電極とドレイン電極とが形成されており、前記ドレイン電極に接続するインジウム錫酸化物からなる画素電極を有する液晶表示素子であって、前記半導体層上の一側と他側に各々イオンをドープしたアモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層を介してドレイン電極とソース電極とが積層され、前記半導体層とドレイン電極とソース電極とこれら以外の部分の絶縁層を覆って更に別の絶縁層が積層され、この絶縁層上に画素電極が形成されるとともに、前記ドレイン電極上まで延びた前記画素電極の一部が前記ドレイン電極上の絶縁層に形成されたコンタクトホールを介してドレイン電極に接続される一方、上記ドレイン電極が、酸化を受けにくい導電体からなる液晶表示素子」という点で一致する。しかしながら、本願請求項１〜２記載の発明と上記第１引用例記載の発明とは次の各点で相違する。
１，本願請求項１〜２に係る発明が、ゲート電極に接続された走査電極線を有するものであるのに対して、第１引用例記載の発明には、走査電極線は示されていない（第１相違点）。
２，本願請求項１〜２に係る発明における、酸化を受けにくい導電体からなるドレイン電極が、ＳｎＯ２の標準生成エンタルピーよりもマイナス側の標準生成エンタルピーの酸化物にならない導電体、たとえば、銅、銀、セレン、ゲルマニウム、テルル及び亜鉛のうちのいずれか、あるいはこれらの合金からなるものであるのに対して、第１引用例記載の発明における該ドレイン電極は、Ａｌ層と酸化されにくい金属層とからなっている（第２相違点）。
　よって、上記各相違点につき以下検討する。
１，第１相違点について
　通常、液晶表示装置においてはゲート電極に走査電極線が接続されており、したがって、第１引用例記載の液晶表示装置におけるＴＦＴアレイにおいても、ゲート電極には走査電極線が接続されることが技術常識であると認められるので、この点で本願発明請求項１〜２記載の発明と上記第１引用例記載の発明との間に差異はない。
２，第２相違点について
　上記第２引用例には、光起電力素子における透明電極と接する裏面電極の酸化を防止するために、裏面電極に用いられる金属の酸化物標準生成エネルギーが透明電極の主成分を構成する元素の酸化物標準エネルギーより小さい、たとえば、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕなどの金属で裏面電極を構成するようにしたことが記載されている。第２引用例における光起電力素子と本願発明における液晶表示素子とは対象物が異なるが、インジウム錫酸化物などからなる透明電極と金属電極との接触によって発生する酸化を防止するという点では、課題が共通するものであり、したがって、第１引用例記載の液晶表示装置において、第２引用例記載の技術内容を採用して、ドレイン電極（ソース電極）を、Ａｌ層と酸化されにくい金属層で構成することに代えて、同電極を、標準生成エネルギーが透明電極の主成分を構成する元素の酸化物標準エネルギーより小さい、即ち、金属の酸化物ＳｎＯ２の標準生成エンタルピーよりもマイナス側の標準生成エンタルピーの酸化物にならない導電体、たとえば、銅で構成するようにすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　以上のとおりであるから、本願請求項１〜２記載の発明は第１引用例〜第２引用例の技術内容に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。