【事件の表示】
　平成３年特許願第１８４８２７号「半導体ウエハ上のタングステン層をエッチングバックする方法」拒絶査定に対する審判事件〔（平成７年１１月１３日出願公告、特公平７−１０５３６０）、特許請求の範囲に記載された請求項の数（１６）〕について、次のとおり審決する。
【結論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許をすべきものとする。
【理由】
１．本願発明
　本願は平成３年７月２４日（優先権主張１９９０年７月２４日，米国）の出願であって、その請求項１ないし１６に係る発明は、出願公告後の平成１１年１０月２６日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１６に記載された次のとおりのものである。
　「【請求項１】　研磨すべきウエハを約３８℃（約１００°Ｆ）以上の予選択した温度でスラリー状ではない酸化液を供給し、該酸化液に暴露しながら機械的に酸化タングステンを研磨してウエハから取り除いて酸化液中に移すことを含む、研磨作業によって半導体ウエハ上のタングステン層をエッチングバックする方法であって：
　該酸化液はウエハ上のタングステンを酸化して酸化タングステンとするような酸化成分を含み、かつ、ＫＯＨ及びＮＨ４ＯＨからなる群又はそれらの混合物から選択した溶解成分を含むものであり、該酸化タングステンは溶液中の溶解成分によって大体において溶解するものである；
前記方法。
　【請求項２】　予選択した温度は約３８〜９３℃（約１００〜２００°Ｆ）である、請求項１に記載のタングステン層をエッチングバックする方法。
　【請求項３】　予選択した温度は約６６〜８２℃（約１５０〜１８０°Ｆ）である、請求項２に記載のタングステン層をエッチングバックする方法。
　【請求項４】　酸化成分はＨ２Ｏ２からなる、請求項１に記載のタングステン層をエッチングバックする方法。
　【請求項５】　予選択した温度は約３８〜９３℃（約１００〜２００°Ｆ）である、請求項４に記載のタングステン層をエッチングバックする方法。
　【請求項６】　予選択した温度は約６６〜８２℃（約１５０〜１８０°Ｆ）である、請求項５に記載のタングステン層をエッチングバックする方法。
　【請求項７】　プラナー化装置内に溶解成分を含む水溶液を与え；
　選択した速度で酸化成分を含む溶液の流れをプラナー化装置に供給し；そして、
　大体において選択した速度で研磨の間中プラナー化装置から酸化成分と溶解成分とを含む混合液を回収する；工程を更に含む、請求項１に記載のタングステン層をエッチングバックする方法。
　【請求項８】　選択した供給速度と回収速度は約７５〜３００ｍｌ／ｍｉｎである、請求項７に記載のタングステン層をエッチングバックする方法。
　【請求項９】　酸化成分はＨ２Ｏ２を含むものである、請求項７に記載のタングステン層をエッチングバックする方法。
　【請求項１０】　酸化成分はＨ２Ｏ２を含むものであり、且つ、選択した供給速度は約７５〜３００ｍｌ／ｍｉｎである、請求項７に記載のタングステン層をエッチングバックする方法。
　【請求項１１】　予選択した温度は約３８〜９３℃（約１００〜２００°Ｆ）であり：且つ、
　プラナー化装置に溶解成分を含む水溶液を与え；
選択した速度で酸化成分の溶液の流れをプラナー化装置に供給し；そして、
大体において選択した速度で研磨の間中プラナー化装置から酸化成分と溶解成分とを含む混合液を回収する；
工程を更に含む、請求項１に記載のタングステン層をエッチングバックする方法。
　【請求項１２】　選択した供給速度と回収速度は約７５〜３００ｍｌ／ｍｉｎである、請求項１１に記載のタングステン層をエッチングバックする方法。
　【請求項１３】　酸化成分はＨ２Ｏ２からなり、且つ、
　プラナー化装置内に溶解成分を含む水溶液を与え；
　選択した速度で酸化成分を含む溶液の流れをプラナー化装置に供給し；そして、大体において選択した速度で研磨の間中酸化成分と溶解成分とを含む混合液をプラナー化装置から回収する；
工程を更に含む、請求項１に記載のタングステン層をエッチングバックする方法。
　【請求項１４】　選択した供給速度と回収速度は約７５〜３００ｍｌ／ｍｉｎである、請求項１３に記載のタングステン層をエッチングバックする方法。
　【請求項１５】　酸化成分はＨ２Ｏ２を含み；予選択した温度は約３８〜９３℃（約１００〜２００°Ｆ）であり：かつ、
　プラナー化装置に溶解成分を含む水溶液をプラナー化装置内に与え；
　選択した速度で酸化成分を含む溶液の流れをプラナー化装置に提供し；そして、大体において選択した速度で研磨の間中プラナー化装置から酸化成分と溶解成分とを含む混合液を回収する；
工程を更に含む、請求項１に記載のタングステン層をエッチングバックする方法。
　【請求項１６】　選択した供給速度及び回収速度は約７５〜３００ｍｌ／ｍｉｎである、請求項１５に記載のタングステン層をエッチングバックする方法。」（以下、それぞれ、「本願発明１」、「本願発明２」・・・・「本願発明１６」という。）
２．原査定の理由
　これに対して原査定の拒絶の理由の概要は、「本願発明１は、特許異議申立人の提出した甲第１号証（特開昭６４−５５８４５号公報）、甲第４号証（米国特許第４０１１０９９号明細書）及び甲第５号証（米国特許第３９２２３９３号明細書）に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。」というものである。
３．甲各号証の記載内容
（１）．甲第１号証には、「導電性スタッドを形成する方法」が記載されており、かかる方法の実施例が、以下の各記載及び工程図（第６頁第１（Ａ）〜（Ｄ）図）とともに示されている。
　「第１図（Ａ）を参照するに、本発明の方法が半導体基板１上で遂行されている。」（第３頁右下欄第２〜３行）、
　「次に第１図（Ｃ）に示したように、第２の金属層５０がパターン化されたパッシベーション層４０上に付着される。第２の金属層５０は‥‥材料から形成されることが好ましい。化学的に蒸着される（ＣＶＤ）タングステンがこれ等の性質を与えることがわかっている。」（第４頁左下欄第１〜９行）、及び、
　「次に第１図（Ｄ）に示したように、金属層５０及びパッシベーション層４０を平坦化エッチングして、バイアの外側の金属層５０の部分を除去すると同時にパッシベーション層を平らにする。‥‥この平坦化エッチングは研摩スラリーを用いて層をポリッシングすることによって行われる。‥‥研摩用のスバ（ＳＵＢＡ）ＩＶ多孔性ポリッシング・パッドを使用した。‥‥Ａｌ２Ｏ３の微粒子、脱イオン水、塩基及び酸化剤より成る研摩スラリーが平坦な表面を形成するのに十分なＷ：ＢＰＳＧのエッチ速度を与える。Ａｌ２Ｏ３の微粒子４０ｇを脱イオン水１０ｌ及び過酸化水素（酸化剤）略１１と混合した。‥‥第３の実験では水酸化カリウムを加えてｐＨが約８．４のスラリーにした。‥‥ｐＨ８．４ではタングステンは略３００Å／分の速度及びＢＰＳＧは２００Å／分の速度で除去された。‥‥本発明では略７．５以上のｐＨを有するＡｌ２Ｏ３／水／酸化剤スラリーが平坦なタングステンＢＰＳＧ表面を与える。」（第４頁左下欄第１８行〜第５頁左上欄第１６行）。
　してみると、甲第１号証には、
　研摩すべき半導体基板１をＡｌ２Ｏ３の微粒子、脱イオン水、塩基及び酸化剤より成る研摩スラリーに暴露しながらポリッシング・パッドを使用して半導体基板１上のタングステン層５０を平坦化エッチングする方法であって、該研摩スラリーは酸化剤としての過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）を含み、かつ、塩基としての水酸化カリウム（ＫＯＨ）を含むものである前記方法
が、実質的に記載されている。
（２）．甲第４号証には、「アルファ−アルミナ上に損傷のない表面を形成する方法」（表題）において、研磨液の温度を６０〜１００℃に維持しながら（第３欄第７行）アルファ−アルミナ表面をケミカル・メカニカル・ポリッシング（ＣＭＰ）することが開示されている。研磨液としては、コロイダルシリカが用いられている（第４欄クレーム１）。
（３）．甲第５号証には、「シリコン及びゲルマニウム半導体のポリッシング法」（表題）として、研磨液の温度を８５〜１００℃に維持しながら（第３欄第２７〜２８行）シリコン及びゲルマニウム半導体表面をケミカル・メカニカル・ポリッシング（ＣＭＰ）することが開示されている。研磨液としては、コロイダルシリカが用いられている（第６欄クレーム１）。
４．対比・判断
［本願発明１について］
（１）．本願発明１を甲第１号証に記載のものと対比すると、両者は、半導体ウエハ（半導体基板）上のタングステン層を研磨液を用いる研磨作業によってエッチングする方法である点で一致するものの、以下の２点において相違する。
　研磨液として、本願発明１では「スラリー状ではない酸化液」を用いるのに対し、甲第１号証に記載のものでは「研摩スラリー」を用いる点。（以下「相違点１」という。）
　研磨作業の温度を、本願発明１が「約３８℃（約１００°Ｆ）以上の予選択した温度」とするのに対し、甲第１号証に記載のものでは、どの程度とするか不明な点。（以下「相違点２」という。）
（２）．まず、相違点１について検討する。
　甲第１号証に記載のものは、研磨液として「研摩スラリー」即ち「Ａｌ２Ｏ３の微粒子を含有するスラリー状の酸化液」を用いることのみを意図しており、「スラリー状でない酸化液」即ち「Ａｌ２Ｏ３の微粒子を含有しない酸化液」を用いることについては、記載も示唆もされていない。
　そして、Ａｌ２Ｏ３の微粒子を必須成分とする研磨液からＡｌ２Ｏ３の微粒子を外した場合でも、同様にタングステン層の研磨が可能であると予測できる根拠も存在しないから、甲第１号証に記載のものにおいて、Ａｌ２Ｏ３の微粒子を含有しない「スラリー状でない酸化液」を用いることが、当業者にとって容易に想到できるものとは認められない。
　また、甲第４号証及び甲第５号証に記載のものは、いずれも、コロイダルシリカというスラリーを用いるものであって、これら甲各号証には、「スラリー状でない酸化液」を用いることについては、記載も示唆もされていない。
　したがって、相違点１は、上記甲各号証に記載のものから当業者が容易に想到できたものとは認められない。
（３）．上述のとおり、相違点１が当業者にとって容易に想到し得ないものである以上、相違点２については検討するまでもないが、一応、以下を補足する。
　本願発明１は、Ａｌ２Ｏ３の微粒子による摩擦現象ではなく、酸化液による酸化及び溶解現象を利用して研磨を行うものであるが、かかる酸化及び溶解現象は、温度条件によって大きな影響を受けるものと解される。
　つまり、本願発明１で規定する「約３８℃（約１００°Ｆ）以上の予選択した温度」という温度条件は、「スラリー状でない酸化液」を用いることと相まって、所期の研磨効果を得るための重要不可欠の要件である。
　これに対して、Ａｌ２Ｏ３の微粒子を用いる甲第１号証に記載のものにおいては、具体的な温度範囲についても、温度が重要であるとの認識についても何ら開示がない。
　してみれば、甲第１号証に記載のものにおいて、「約３８℃（約１００°Ｆ）以上の予選択した温度に規定すること」はおろか「温度条件を規定すること」も、当業者が容易に想到できるものとは認めがたい。
　なお、甲第４号証及び甲第５号証には、「約３８℃（約１００°Ｆ）以上の温度」を包含する温度範囲が記載されているものの、これら甲各号証に記載の被研磨物はタングステン層ではないし、研磨液も本願発明１のものとは全く異っている。
　そして、被研磨物及び研磨液が異なれば、研磨に適する温度条件も異なってくるから、上記甲各号証に記載の温度条件を、「研磨液としてスラリー状でない酸化液を用いるタングステン層の研磨」に適用すべき根拠は全く存在しない。
　したがって、相違点２は、上記甲各号証に記載のものから当業者が容易に想到できたものとは認められない。
（４）．よって、本願発明１が上記甲各号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであるとすることはできない。
［本願発明２ないし１６について］
　本願発明２ないし１６の各発明は、本願発明１の構成要件を全て備えた上で、さらなる構成要件が付加されたものであるから、上記［本願発明１について］の項で述べた理由と同様な理由で、これらの各発明が上記甲各号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであるとすることはできない。
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明１は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、とした原査定は、維持することができない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。