【事件の表示】
　平成８年特許願第１５３２９８号「半導体装置の製造方法」拒絶査定に対する審判事件（平成９年１２月１２日出願公開、特開平９−３２１０４７）について、次のとおり審決する。
【結論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理由】
１．本願の経緯および本願発明の要旨
　本願は、平成８年５月２４日の出願であって、その請求項１に係る発明（以下、「本願第１発明」という。）は、平成１０年１月９日付けの手続補正書で補正された明細書及び図面からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。
「配線が形成された半導体基板上に、バイアスＣＶＤ酸化膜を形成した後、プラズマ酸化膜を形成し、化学機械研磨法を用いて配線上の前記酸化膜を研磨し、平坦化する半導体装置の製造方法。」
２．引用刊行物記載の発明
　これに対して、原審の拒絶の理由に引用された、本願出願日前に頒布された刊行物である特開平２−８９３４６号公報（以下、「引用例１」という）には、
「近年、半導体装置の高集積化に伴い多層配線構造には絶縁膜による平坦化技術が必須となってきた。この技術としては、現在、薄膜の形成時に基板側にも直流又は交流バイアスを加え、基板表面のスパッタリングを行いつつ薄膜を堆積する方法、すなわちバイアス・スパッタ法、バイアス・プラズマＣＶＤ法、バイアス・ＥＣＲプラズマＣＶＤ法などが知られている（以下、これらを総称して「基板バイアスを印加する方法」という。）。なお、これらの方法を利用する際においては、薄膜のリーク電流（通常のプラズマＣＶＤ法によるＳｉＯ２膜と比較した場合、リーク電流は１００倍以上になる（測定温度約２００℃）。）を低減させること及び生産性を良くすることを考慮に入れて、絶縁膜は、一般に生産性が良い通常のプラズマＣＶＤ法等によるＳｉＯ２膜又はＳｉＯＮ膜と基板バイアスを印加する方法による膜との積層膜構造にしている。従来、多層配線構造の一例としては第４図（ａ）、（ｂ）に示す、半導体基板４１上に熱酸化膜４２を介して形成された第１層金属配線４３上に、基板バイアスを印加する方法による第１の絶縁膜４４及び通常のプラズマＣＶＤ法による第２の絶縁膜４５が形成され（同図（ａ）参照）、この第２の絶縁膜４５上に第２層金属配線４６が形成されたもの（同図（ｂ）参照）がある。」（（従来の技術）第１頁左下欄第１９行〜第２頁左上欄第４行）が記載されており、また、第４図（ａ）、（ｂ）には、凹凸の表面を有する第２の絶縁膜４５と、その上に形成された第２層金属配線４６が記載されている。
　したがって、上記各記載から、引用例１には、「第１層金属配線が形成された半導体基板上に、バイアス・ＥＣＲプラズマＣＶＤ法などが知られている「基板バイアスを印加する方法」により第１のＳｉＯ２膜を形成した後、プラズマＣＶＤ法による第２のＳｉＯ２膜を形成する半導体装置の製造方法」という、絶縁膜による平坦化技術に係る発明が記載されているものと認められる。
　同じく原審の拒絶の理由に引用された、本願出願日前に頒布された刊行物である特開平８−４５８８２号公報（以下、「引用例２」という）には、「近年における半導体装置の高集積化に伴って配線構造が複雑化され、多層配線構造の必要性が求められている。この多層配線構造では、配線層と絶縁層とを積層するために、絶縁膜の表面の平坦性が悪いと上層の配線層に断切れ等が生じ易く、このために絶縁膜の表面の平坦化が求められている。このような要求に基づき、本発明者は種々の平坦化技術を開発しており、例えば、図４に示す方法について現在実用化の検討を行っている。即ち、この方法は、先ず図４（ａ）のように、半導体基板４０１にゲート電極やゲート配線４０２を含む素子が形成されており、その表面に絶縁膜４０３及び所要パターンの配線層４０４が形成されている半導体装置に対し、全面にプラズマＣＶＤシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）４０５を成膜し、続いて微細パターンの埋込性に優れるＯ３ＴＥＯＳＮＳＧ膜４０６を成膜し、更にその上にプラズマＣＶＤＳｉＯ２膜４０７を成膜する。続いて図４（ｂ）のように、ＣＭＰ法により最上層のプラズマＣＶＤＳｉＯ２膜４０７の表面を研磨し平坦化する。」（【従来の技術】【０００２】〜【０００４】）が、図４（ａ）、（ｂ）と共に記載されている。
　したがって、上記各記載から、引用例２には、「配線層４０４が形成された半導体基板に、プラズマＣＶＤシリコン酸化膜４０５を成膜し、続いてＯ３ＴＥＯＳＮＳＧ膜４０６を成膜し、更にその上にプラズマＣＶＤＳｉＯ２膜４０７を成膜し、続いてＣＭＰ法により最上層のプラズマＣＶＤＳｉＯ２膜４０７の表面を研磨して平坦化する方法。」が記載されているものと認められる。
３．対比
　本願第１発明と引用例１に記載された発明とを対比すると、本願第１発明の「配線」、「バイアスＣＶＤ酸化膜」、「プラズマ酸化膜」は、それぞれ、引用例１に記載された発明の「第１層金属配線」、「バイアス・ＥＣＲプラズマＣＶＤ法などが知られている「基板バイアスを印加する方法」により形成された第１のＳｉＯ２膜」、「プラズマＣＶＤ法による第２のＳｉＯ２膜」に相当する。
　従って、本願第１発明と引用例１に記載された発明は、「配線が形成された半導体基板上に、バイアスＣＶＤ酸化膜を形成した後、プラズマ酸化膜を形成する半導体装置の製造方法。」である点で一致し、本願第１発明は、プラズマ酸化膜を形成する工程の後に「化学機械研磨法を用いて配線上の前記酸化膜を研磨し、平坦化する」工程を有するのに対して、引用例１に記載された発明はこのような工程を有していない点で相違する。
　一方、本願第１発明と引用例２に記載された発明とを対比すると、本願第１発明の「配線」、「プラズマ酸化膜」、「化学機械研磨法」は、それぞれ、引用例２に記載された発明の「配線層」、「プラズマＣＶＤＳｉＯ２膜」、「ＣＭＰ法」に相当するから、引用例２には、「配線が形成された半導体基板上に、プラズマ酸化膜を形成し、化学機械研磨法を用いて配線上の前記酸化膜を研磨し、平坦化する半導体装置の製造方法。」という発明が記載されていると認められる。
４．当審の判断
　上記相違点について検討する。
　引用例１の「近年、半導体装置の高集積化に伴い多層配線構造には絶縁膜による平坦化技術が必須となってきた。」との記載、引用例２の「近年における半導体装置の高集積化に伴って配線構造が複雑化され、多層配線構造の必要性が求められている。この多層配線構造では、配線層と絶縁層とを積層するために、絶縁膜の表面の平坦性が悪いと上層の配線層に断切れ等が生じ易く、このために絶縁膜の表面の平坦化が求められている。」との記載からも明らかなように、両刊行物に記載された発明は、共に高集積化された多層配線構造を有する半導体装置における、配線が形成される絶縁膜の表面の平坦性の向上を目的としたものであると認められる。
　ところで、一般に、同様の効果を奏する複数の手段が存在する場合において、一の手段では十分な効果が得られない場合に、他の手段を併用してより良い効果を求めることは、通常おこなわれていることである。
　一方、引用例１の第４図（ｂ）によれば、第２層金属配線４６が形成される第２の絶縁膜４５の表面は凹凸形状を呈しており、引用例１に記載された発明によっては、絶縁膜を完全には平坦化し得ないことが窺われる。
　したがって、引用例１に記載された発明で得られる絶縁膜の平坦性よりも、より高度な平坦性が必要とされる場合に、引用例１に記載された発明の後に、更に「化学機械研磨法を用いて配線上の酸化膜を研磨し、平坦化する」という引用例２記載された発明に係る工程を追加することは当業者が容易になし得たことであり、また、このような組み合わせを阻害する要因も認められない。
したがって、上記相違点は当業者が容易に想到し得たことと認められる。
　そして、本願第１発明は、前記各引用例に記載されたものから予測し得ない効果を奏するということもできない。
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項１に係る発明は、上記引用例１及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。