【事件の表示】
　特許第６３０６４４３号発明「発光ダイオード及び発光ダイオードの製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６３０６４４３号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項［１〜３］、［４〜５］について訂正することを認める。
　特許第６３０６４４３号の請求項１，３及び４に係る特許を維持する。
　特許第６３０６４４３号の請求項２及び５に係る特許に対する特許異議の申立てを却下する。
【理　由】
第１　手続の経緯等
　１　特許第６３０６４４３号（以下「本件特許」という。）についての経緯は、次のとおりである。
　平成２６年　６月１１日　　：特許出願
　平成３０年　３月１６日　　：特許登録（請求項の数５）
　平成３０年　４月　４日　　：特許掲載公報の発行
　平成３０年１０月　４日　　：中野圭二による請求項１〜５に係る特許に　　　　　　　　　　　　　　　対する特許異議の申立て
　平成３１年　３月　１日付け：取消理由通知書
　平成３１年　４月２６日　　：訂正請求書・意見書（特許権者）
　令和　元年　７月１７日　　：意見書（特許異議申立人）
　２　特許異議申立人及び特許権者は、証拠方法として次のものを提出した。なお、以下、証拠番号の「第」及び「号証」は略して表記する。
（１）特許異議申立人が提出したもの
　甲１：特表２０１２−５１３６８１号公報
　甲２：国際公開第２０１３／１１４４８０号についての再公表公報（平成２７年５月１１日発行）
（２）特許権者が提出したもの
　乙１：Hongbo Xu, et al., “Biomimetic Antireflective Hierarchical Arrays”, Langmuir, 2011, Vol.27, p.4963-p.4967
　乙２：Ji-Myon Lee, et al., “Dry etch damage in n-type GaN and its recovery by treatment with an N2 plasma”, Journal of Applied Physics, 2000, Vol.87, No.11, p.7667-p.7670
　乙３：J. K. Sheu, et al., “Inductively coupled plasma etching of GaN using Cl2/Ar and Cl2/N2 gases”, Journal of Applied Physics 1999, Vol.85, No.3, p.1970-p.1974
　乙４：R. J. Shul, et al., “Inductively coupled plasma etching of GaN”, Appled Physics Letters, 1996, Vol.69, No.8, p.1119-p.1121
　乙５：R. J. Shul, et al., “Inductively coupled plasma-induced etch damage of GaN p-n junctions”, Journal of Vacuum Science  Technology A, 2000, Vol.18, No.4, p.1139-p.1143
　乙６：S. A. Smith, et al., “High rate and selective etching of GaN, AlGaN, and AlN using an inductively coupled plasma”, 1997, Vol.71, No.25, p.3631-p.3633
　乙７：化合物半導体の最新技術　大全集、第１版、技術情報協会、２００７年、４６６頁〜４７９頁
第２　訂正の適否についての判断
　１　訂正の内容
　平成３１年４月２６日付け訂正請求書による訂正（以下「本件訂正」という。）の内容は、次のとおりである（下線は、訂正箇所として特許権者が付したものである。）。
　なお、本件訂正は、一群の請求項［１〜３］、［４〜５］に対して請求されたものといえる。
（１）訂正事項１
　請求項１の
　「基板と、該基板の第１主面上に形成されたｎ型半導体層と、該ｎ型半導体層上に形成された発光層と、該発光層上に形成されたｐ型半導体層とからなる半導体積層部と、を備えた中心発光波長λの光を発光する発光ダイオードであって、前記発光ダイオードの光取り出し面に、錐台形状のパターンが形成されており、前記錐台形状のパターンの下底長が１．２λ以上１．７λ以下であり、傾斜角が６５度以上８０度以下であり、上底長が０．４λ以上１．２λ以下である発光ダイオード。」と記載されているのを、
　「基板と、該基板の第１主面上に形成されたｎ型半導体層と、該ｎ型半導体層上に形成された発光層と、該発光層上に形成されたｐ型半導体層とからなる半導体積層部と、を備えた中心発光波長λの光を発光する発光ダイオードであって、
前記発光ダイオードの光取り出し面が、前記基板の、第１主面の裏面である第２主面であり、
（２）訂正事項２
　請求項２を削除する。
（３）訂正事項３
　請求項３の
　「前記基板が、窒化物である請求項１又は２に記載の発光ダイオード。」と記載されているのを、
　「前記基板が、窒化物である請求項
１に
（４）訂正事項４
　請求項４の
　「基板の第１主面上に、ｎ型半導体層と発光層とｐ型半導体層とが積層された半導体積層部を備える発光ダイオード用半導体ウェハの発光ダイオードの光取り出し面となる領域上に、斜面が順テーパーの錐台形状又は錐体形状のマスクを形成するマスク工程と、」と記載されているのを、
　「基板の第１主面上
にｎ
、
、前記基板の前記第１主面の裏面である第２主面の
（５）訂正事項５
　請求項５を削除する。
　２　訂正要件の判断
（１）訂正事項１
　ア　訂正の目的
　訂正事項１は、本件訂正前の請求項１における「前記発光ダイオードの光取り出し面」との特定事項について、「前記基板の、第１主面の裏面である第２主面であ」ると限定するものである。
　よって、訂正事項１は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　イ　新規事項追加の有無
　本件特許の願書に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「本件明細書等」という。）における特許請求の範囲の請求項２には、「前記光取り出し面が、前記基板の第１主面の裏面である第２主面である」と記載されているから、訂正事項１は、新規事項を追加するものではない。
　ウ　特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　上記ア及びイに照らせば、訂正事項１は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（２）訂正事項２
　訂正事項２は、本件訂正前の請求項２を削除する訂正であるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、新規事項を追加するものではなく、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
（３）訂正事項３
　訂正事項３は、本件訂正前の請求項３が「請求項１又は２」を引用していたのを「請求項１」のみを引用するようにした訂正であるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、新規事項を追加するものではなく、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
（４）訂正事項４
　ア　訂正の目的
　訂正事項４は、「斜面が順テーパーの錐台形状又は錐体形状のマスクを形成するマスク工程」について、本件訂正前の請求項４が、「基板の第１主面上に、ｎ型半導体層と発光層とｐ型半導体層とが積層された半導体積層部を備える発光ダイオード用半導体ウェハの発光ダイオードの光取り出し面となる領域上に」マスクを形成するとしていたのを、「基板の第１主面上
にｎ
、
、前記基板の前記第１主面の裏面である第２主面の
　イ　新規事項追加の有無
　訂正事項４は、上記（１）イと同様の理由で、新規事項を追加しない。
　ウ　特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　上記ア及びイに照らせば、訂正事項４は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（５）訂正事項５
　訂正事項５は、本件訂正前の請求項５を削除する訂正であるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、新規事項を追加するものではなく、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
（６）訂正要件の判断についての小括
　上記（１）〜（５）のとおりであるから、本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
　３　訂正の適否についての判断の小括
　したがって、特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項［１〜３］、［４〜５］について訂正することを認める。
第３　本件訂正後の請求項に係る発明の認定
　上記第２のとおり、本件訂正は認められたから、本件訂正後の請求項１〜５に係る発明（以下「本件訂正発明１」〜「本件訂正発明５」という。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された次のとおりのものである。
［本件訂正発明１］
「基板と、
　該基板の第１主面上に形成されたｎ型半導体層と、該ｎ型半導体層上に形成された発光層と、該発光層上に形成されたｐ型半導体層とからなる半導体積層部と、
　を備えた中心発光波長λの光を発光する発光ダイオードであって、
　前記発光ダイオードの光取り出し面が、前記基板の、第１主面の裏面である第２主面であり、
　前記発光ダイオードの光取り出し面に、錐台形状のパターンが形成されており、前記錐台形状のパターンの下底長が１．２λ以上１．７λ以下であり、傾斜角が６５度以上８０度以下であり、上底長が０．４λ以上１．２λ以下である発光ダイオード。」
［本件訂正発明２］
　（削除）
［本件訂正発明３］
「前記基板が、窒化物である請求項１に記載の発光ダイオード。」
［本件訂正発明４］
「基板の第１主面上にｎ型半導体層と発光層とｐ型半導体層とが積層された半導体積層部を備える発光ダイオード用半導体ウェハの、発光ダイオードの光取り出し面となる、前記基板の前記第１主面の裏面である第２主面の領域上に、斜面が順テーパーの錐台形状又は錐体形状のマスクを形成するマスク工程と、
　前記マスク越しに光取り出し面をエッチングして錐台形状のパターンを形成するパターン形成工程と、
　を有し、
　前記錐台形状のパターンが、下底長が１．２λ以上１．７λ以下であり、傾斜角が６５度以上８０度以下であり、上底長が０．４λ以上１．２λ以下である発光ダイオードの製造方法。」
［本件訂正発明５］
　（削除）
第４　平成３１年３月１日付け取消理由通知書に記載した取消理由に対する判断
　１　上記取消理由（以下、単に「取消理由」という。）の概要
　取消理由の要旨は、次のとおりである。
（１）取消理由１（新規性欠如）
　本件訂正前の請求項１及び４に係る発明は、引用文献１に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、本件訂正前の請求項１及び４に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。
（２）取消理由２（進歩性欠如）
　ア　本件訂正前の請求項１、４及び５に係る発明は、引用文献１に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件訂正前の請求項１、４及び５に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
　イ　本件訂正前の請求項２及び３に係る発明は、引用文献１に記載された発明及び引用文献２に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件訂正前の請求項２及び３に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
（３）取消理由３（実施可能要件違反）
　本件特許は、発明の詳細な説明の記載が特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。
（４）取消理由４（サポート要件違反）
　本件特許は、本件訂正前の請求項１〜５の記載が特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。
［引用文献等一覧］
　引用文献１：特表２０１２−５１３６８１号公報（甲１）
　引用文献２：国際公開第２０１３／１１４４８０号（甲２に対応する国際公開公報）
　２　引用文献１及び引用文献２の記載事項の認定
（１）引用文献１
　ア　引用文献１（特表２０１２−５１３６８１号公報）には、次の記載がある（下線は、当審が付した。以下同じ。）。
（ア）「【特許請求の範囲】」、
「
電磁放射を発生させるための少なくとも１つの活性層（３）を有する半導体積層体（２）と、前記半導体積層体（２）の放射伝播エリア（２０）上に少なくとも間接的に設置された光取り出し構造（４）と、を備えたオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）であって、
　
−　前記光取り出し構造（４）の材料は前記半導体積層体（２）の材料と異なり、
　
−　前記光取り出し構造（４）の材料の屈折率と前記半導体積層体（２）の材料の屈折率とは、最大で３０％異なり、
　
−　前記光取り出し構造（４）の側面（４０）の合計面積は、前記放射伝播エリア（２０）の面積の少なくとも５％に達する、
　
オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
「
前記側面（４０）は、前記放射伝播エリア（２０）に対して少なくとも１５°、最大で７５°の角度（α）を成す、前記光取り出し構造（４）の境界エリア、または、当該境界エリアの部分である
「
前記放射伝播エリア（２０）に平行な方向の前記光取り出し構造（４）の横方向長さ（Ｌ）は０．２〜１０μｍであり、
　前記放射伝播エリア（２０）に垂直な方向の前記光取り出し構造（４）の高さ（Ｈ）は０．３〜１０μｍである
「前記光取り出し構造（４）の前記材料により島部（６）が形成され、隣接する前記島部（６）は互いに離間している、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。」（【請求項４】）、
「前記光取り出し構造（４）は、円角錐状、球セグメント状、ドーム状、および／または円錐台状に形成され、
　前記光取り出し構造（４）のベース面は前記放射伝播エリア（２０）に対向する、請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。」（【請求項５】）、
「
−　少なくとも１つの活性層（３）を有する半導体積層体（２）を成長基板（７）上に成長させるステップと、
　
−　前記半導体積層体（２）の放射伝播エリア（２０）に、感光性材料（１５）を塗布して、パターニングするステップと、
　
−　部分領域（１６）において前記感光性材料（１５）を除去するステップと、
　
−　光取り出し構造（４）を前記放射伝播エリア（２０）上の前記部分領域（１６）内に少なくとも間接的に形成するステップと、
　
−　前記感光性材料（１５）を除去するステップと、を含み、
　
前記光取り出し構造（４）の材料は前記半導体積層体（２）の材料と異なり、
　
前記光取り出し構造（４）の前記材料の屈折率と前記半導体積層体（２）の前記材料の屈折率とは、最大で３０％異なり、
　
前記光取り出し構造（４）の側面の合計面積は、前記放射伝播エリア（２０）の面積の少なくとも３０％に達する、オプトエレクトロニクス半導体チップの製造方法。
（イ）「オプトエレクトロニクス半導体チップの少なくとも１つの実施形態によれば、オプトエレクトロニクス半導体チップは、動作中に活性層で発生した放射を半導体チップから取り出す効率である、光取り出し効率（coupling-out efficiency）を向上させるよう設計された光取り出し構造を有する。」（【０００７】）、
「かかる場合、オプトエレクトロニクス半導体チップの放射伝播エリアは、特に製造誤差範囲内で平坦である領域であって、半導体積層体の成長方向に対して垂直な方向に配向し、成長方向に対して垂直な方向に半導体積層体の境界を定める領域であることが好ましい。つまり、
放射伝播エリアは、半導体積層体の一主面であ
放射伝播エリアは、
基板と反対方向に向く半導体積層体面に位置
放射伝播エリアは、半導体積層体で発生した放射の少なくとも一部が放射伝播エリアを通過して半導体積層体から出射するように設計され
「オプトエレクトロニクス半導体チップの少なくとも１つの実施形態によれば、光取り出し構造の材料は半導体積層体の材料と異なる。ここで「異なる」とは、光取り出し構造が半導体積層体とは異なる材料系をベースにしていることを意味する。したがって、特に「異なる」とは、光取り出し構造の材料と半導体積層体の材料とが単にドープ材や成分比率で異なることを意味しない。例えば、半導体積層体をＧａＮベースとする一方、光取り出し構造をＴｉＯ２ベースとする。」（【００１２】）、
「オプトエレクトロニクス半導体チップの少なくとも１つの実施形態によれば、光取り出し構造の材料と屈折率と半導体積層体の材料の屈折率とは、最大で３０％異なる。言い換えると、両材料の屈折率の差を半導体積層体材料の屈折率で割った商の絶対値は０．３０以下である。かかる場合、半導体積層体の材料は、特に、放射伝播エリアの形成に用いた半導体積層体材料を意味することを理解されたい。したがって、光取り出し構造および半導体積層体は、互いに異なる屈折率を有することができる。」（【００１３】）、
「ここで「屈折率」とは、特に、いずれの場合も関連波長または関連波長範囲における屈折率を意味するものと理解されたい。「関連波長」とは、特に、半導体積層体で発生する放射の波長である。」（【００１４】）、
「このような、特には半導体積層体材料との屈折率の差が小さい光取り出し構造により、半導体チップで発生した放射を取り出す際に、高い光取り出し効率を確保することができる。光取り出し構造の材料を半導体積層体とは異ならせているため、光取り出し構造の製造を簡素化することができ、またそのため、オプトエレクトロニクス半導体チップの製造も簡素化することができる。」（【００１９】）、
「オプトエレクトロニクス半導体チップの少なくとも１つの実施形態によれば、光取り出し構造は、半導体積層体から離れる方向に半導体積層体上方に伸びる。言い換えると、光取り出し構造は、半導体積層体の材料除去すなわち窪みにより形成するのではなく、半導体積層体の形成完了後、半導体積層体上に設置および／または成長させるものである。」（【００４７】）、
「オプトエレクトロニクス半導体チップの少なくとも１つの実施形態によれば、半導体積層体で発生する放射の波長は、紫外線、可視光線、および／または近赤外線のスペクトル
範囲内である。したがって、放射の波長は２００〜１５００ｎｍ、特に３４０〜１０８０ｎｍである。」（【００４８】）、
「オプトエレクトロニクス半導体チップの少なくとも１つの実施形態によれば、
半導体積層体で発生する放射の波長は、
６００ｎｍ以下である
（ウ）「図２はオプトエレクトロニクス半導体チップ１の更なる例示的な一実施形態を示す。
ｎ導電層８が基板７上に成長して
ｎ導電層８には、基板７と反対方向に向く面に活性層３が成長しており、基板７から離れる方向のｎ導電層８上方には、ｐ導電層９が配置されて
「放射伝播エリア２０に沿って電流を拡散させるための導電層５がｐ導電層９上に設けられている。導電層５は、例えば、インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、または、酸化亜鉛からなる。本実施形態において、放射伝播エリア２０に対して垂直方向の導電層５の厚さは、２５０ｎｍ以下である。導電層５は、光取り出し構造４が放射伝播エリア２０と直接接触するように、光取り出し構造４により完全に貫通されている。半導体積層体２と反対側を向く導電層５の面は、製造誤差範囲内において、平滑にされている。」（【００７８】）、
「光取り出し構造４が形成される導電層５の切り抜き部は、エッチング法および／またはフォトリソグラフィー法により形成することができる。放射伝播エリア２０は平坦面とされ、光取り出し構造４は、放射伝播エリア２０に対して垂直方向に半導体積層体２上方に伸びている。したがって、光取り出し構造４は半導体積層体２の材料除去により形成されたものではない。」（【００７９】）、
「半導体積層体２と電気的接触させるために、ｎ型コンタクト部１０がｎ導電層８上に配置されている。ｐ型コンタクト部１１が導電層５上に配置されている。両コンタクト部１０，１１は、例えば、金属で形成される。」（【００８０】）、
「光取り出し構造４の他の形成方法としては、半導体積層体２をエッチングすることが考えられる。したがって、かかる場合、特にｎ導電層８またはｐ導電層９からの材料除去により、光取り出し構造が形成される。このような手法による光取り出し構造４の形成を可能にするためには、ｎ導電層８またはｐ導電層９を厚くして、光取り出し構造の高さＨを効率的な光取り出しを行うために必要な高さにしなければならない。」（【００８１】）、
「ｎ導電層８およびｐ導電層９が厚い場合、熱負荷等により当該層内に材料歪みが生じ、オプトエレクトロニクス半導体チップ１の寿命が短くなる可能性がある。したがって、特に、ｎ導電層８およびｐ導電層９の厚さはできる限り小さくすることが好ましい、ｎ導電層８およびｐ導電層９の厚さは小さくすることが好ましいため、半導体積層体２からの材料除去による光取り出し構造４の形成はクリティカルな工程である。過度に材料除去を行った場合、活性層３が損傷して半導体チップ１が使用不能となるからである。」（【００８２】）、
「したがって、半導体積層体２の材料除去を行わず、光取り出し構造を半導体積層体２に設置することにより、まず第１に、導電層８およびｐ導電層９のエッチングというクリティカルな工程が不要になる。さらに、導電層８およびｐ導電層９の厚さを小さくすることができるため、オプトエレクトロニクス半導体チップ１の長寿命化を図ることができる。」（【００８３】）
（エ）「図８は、半導体積層体２で発生した放射の半導体チップ１からの取り出し効率である光取り出し効率Ｅを光取り出し構造４の材料の屈折率ｎの関数として表したプロファイルを示す。ここで、光取り出し効率Ｅの最大値は１としている。図示された曲線は、ＧａＮをベースとした、屈折率２．５の半導体積層体２についてのものである。半導体積層体２および光取り出し構造４は同様に、屈折率が約１．４〜１．５のエポキシド、シリコーン、またはエポキシド−シリコーン複合材料からなるポッティング材により囲まれている。」（【０１０２】）、
「
光取り出し構造４はＴｉＯ
２
からなり、また、ベース面外形が正方形の角錐台状である。光取り出し構造の高さＨは約７５０ｎｍ、横方向長さＬは約１μｍ、上面側の幅Ｗは約０．５μｍである
　イ　上記アによれば、引用文献１には、オプトエレクトロニクス半導体チップに係る次の発明（以下「引用文献１物発明」という。）が記載されていると認められる。なお、引用発明の認定に用いた段落番号等を、参考までに、括弧内に付していることがある（以下、同じ。）。
「電磁放射を発生させるための少なくとも１つの活性層（３）を有する半導体積層体（２）と、前記半導体積層体（２）の放射伝播エリア（２０）上に少なくとも間接的に設置された光取り出し構造（４）と、を備えたオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）であって、
　−　前記光取り出し構造（４）の材料は前記半導体積層体（２）の材料と異なり、
　−　前記光取り出し構造（４）の材料の屈折率と前記半導体積層体（２）の材料の屈折率とは、最大で３０％異なり、
　−　前記光取り出し構造（４）の側面（４０）の合計面積は、前記放射伝播エリア（２０）の面積の少なくとも５％に達する、
　オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）であって、（【請求項１】）
　前記側面（４０）は、前記放射伝播エリア（２０）に対して少なくとも１５°、最大で７５°の角度（α）を成す、前記光取り出し構造（４）の境界エリア、または、当該境界エリアの部分であり、（【請求項２】）
　前記放射伝播エリア（２０）に平行な方向の前記光取り出し構造（４）の横方向長さ（Ｌ）は０．２〜１０μｍであり、
　前記放射伝播エリア（２０）に垂直な方向の前記光取り出し構造（４）の高さ（Ｈ）は０．３〜１０μｍであり、（【請求項３】）
　放射伝播エリアは、半導体積層体の一主面であるとともに、基板と反対方向に向く半導体積層体面に位置し、さらに、半導体積層体で発生した放射の少なくとも一部が放射伝播エリアを通過して半導体積層体から出射するように設計され、（【０００９】）
　半導体積層体で発生する放射の波長は、６００ｎｍ以下であり、（【００４９】）
　ｎ導電層８が基板７上に成長しており、ｎ導電層８には、基板７と反対方向に向く面に活性層３が成長しており、基板７から離れる方向のｎ導電層８上方には、ｐ導電層９が配置されており、（【００７７】）
　光取り出し構造４はＴｉＯ２からなり、また、ベース面外形が正方形の角錐台状であり、光取り出し構造の高さＨは約７５０ｎｍ、横方向長さＬは約１μｍ、上面側の幅Ｗは約０．５μｍである、（【０１０３】）
　オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。」
　ウ　上記アによれば、引用文献１には、オプトエレクトロニクス半導体チップの製造方法に係る次の発明（以下「引用文献１製法発明」という。）が記載されていると認められる。
「−　少なくとも１つの活性層（３）を有する半導体積層体（２）を成長基板（７）上に成長させるステップと、
　−　前記半導体積層体（２）の放射伝播エリア（２０）に、感光性材料（１５）を塗布して、パターニングするステップと、
　−　部分領域（１６）において前記感光性材料（１５）を除去するステップと、
　−　光取り出し構造（４）を前記放射伝播エリア（２０）上の前記部分領域（１６）内に少なくとも間接的に形成するステップと、
　−　前記感光性材料（１５）を除去するステップと、を含み、
　前記光取り出し構造（４）の材料は前記半導体積層体（２）の材料と異なり、
　前記光取り出し構造（４）の前記材料の屈折率と前記半導体積層体（２）の前記材料の屈折率とは、最大で３０％異なり、
　前記光取り出し構造（４）の側面の合計面積は、前記放射伝播エリア（２０）の面積の少なくとも３０％に達する、オプトエレクトロニクス半導体チップの製造方法であって、（【請求項１３】）
　前記オプトエレクトロニクス半導体チップは、
　電磁放射を発生させるための少なくとも１つの活性層（３）を有する半導体積層体（２）と、前記半導体積層体（２）の放射伝播エリア（２０）上に少なくとも間接的に設置された光取り出し構造（４）と、を備えたオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）であって、
　−　前記光取り出し構造（４）の材料は前記半導体積層体（２）の材料と異なり、
　−　前記光取り出し構造（４）の材料の屈折率と前記半導体積層体（２）の材料の屈折率とは、最大で３０％異なり、
　−　前記光取り出し構造（４）の側面（４０）の合計面積は、前記放射伝播エリア（２０）の面積の少なくとも５％に達し、（【請求項１】）
　前記側面（４０）は、前記放射伝播エリア（２０）に対して少なくとも１５°、最大で７５°の角度（α）を成す、前記光取り出し構造（４）の境界エリア、または、当該境界エリアの部分であり、（【請求項２】）
　前記放射伝播エリア（２０）に平行な方向の前記光取り出し構造（４）の横方向長さ（Ｌ）は０．２〜１０μｍであり、
　前記放射伝播エリア（２０）に垂直な方向の前記光取り出し構造（４）の高さ（Ｈ）は０．３〜１０μｍであり、（【請求項３】）
　放射伝播エリアは、半導体積層体の一主面であるとともに、基板と反対方向に向く半導体積層体面に位置し、さらに、半導体積層体で発生した放射の少なくとも一部が放射伝播エリアを通過して半導体積層体から出射するように設計され、（【０００９】）
　半導体積層体で発生する放射の波長は、６００ｎｍ以下であり、（【００４９】）
　ｎ導電層８が基板７上に成長しており、ｎ導電層８には、基板７と反対方向に向く面に活性層３が成長しており、基板７から離れる方向のｎ導電層８上方には、ｐ導電層９が配置されており、（【００７７】）
　光取り出し構造４はＴｉＯ２からなり、また、ベース面外形が正方形の角錐台状であり、光取り出し構造の高さＨは約７５０ｎｍ、横方向長さＬは約１μｍ、上面側の幅Ｗは約０．５μｍである、（【０１０３】）
　オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）の製造方法。」
（２）引用文献２
　ア　引用文献２には、次の記載がある。
「第１の実施形態に係る半導体発光素子１０１は、窒化物系半導体の非極性面又は半極性面を主面とする活性層２２を含む半導体積層構造２０を有している。・・・（略）・・・」（【００５８】）、
「基板１０は、非極性面又は半極性面を主面とする半導体積層構造２０の形成に適した材料が選ばれる。具体的には、窒化ガリウム（ＧａＮ）を用いることができる。・・・（略）・・・
　基板１０は、互いに対向する第１主面及び第２主面を有し、第１主面は、半導体積層構造２０のｎ型窒化物半導体層２１と接している。第２主面は、活性層２２で発光した偏光光を取り出す出射面となる。本実施形態においては、光の出射面である第２主面に、複数の凸部と複数の凹部とが互いに並行してストライプ状に延びるストライプ構造５０が形成されている。」（【００６３】）
【図３】
　イ　上記アの記載によれば、引用文献２には次の技術的事項が記載されていると認められる。
「基板１０のｎ型窒化物半導体層２１と接している第１主面とは反対側の第２主面を、活性層２２で発光した偏光光を取り出す出射面とし、第２主面に、複数の凸部と複数の凹部とが互いに並行してストライプ状に延びるストライプ構造５０を設けること。」
　３　取消理由１及び２に対する判断
（１）本件訂正発明１について
　ア　対比
（ア）本件訂正発明１の「基板と、該基板の第１主面上に形成されたｎ型半導体層と、該ｎ型半導体層上に形成された発光層と、該発光層上に形成されたｐ型半導体層とからなる半導体積層部と、」との特定事項について
　ａ　引用文献１物発明の「基板７」は、本件訂正発明１の「基板」に相当する。
　ｂ　引用文献１物発明は、「ｎ導電層８が基板７上に成長して」いるから、本件訂正発明１の「該基板の第１主面上に形成されたｎ型半導体層」との特定事項を備える。
　ｃ　引用文献１物発明は、「ｎ導電層８には、基板７と反対方向に向く面に活性層３が成長して」いるから、本件訂正発明１の「該ｎ型半導体層上に形成された発光層」との特定事項を備える。
　ｄ　引用文献１物発明は、「基板７から離れる方向のｎ導電層８上方には、ｐ導電層９が配置されて」いるから、本件訂正発明１の「該発光層上に形成されたｐ型半導体層」との特定事項を備える。
　ｅ　引用文献１物発明の「半導体積層体（２）」は、「ｎ導電層８」、「活性層３」及び「ｐ導電層９」とからなると解されるから、本件訂正発明１の「半導体積層部」に相当する。
　ｆ　よって、引用文献１物発明は、本件訂正発明１の「基板と、該基板の第１主面上に形成されたｎ型半導体層と、該ｎ型半導体層上に形成された発光層と、該発光層上に形成されたｐ型半導体層とからなる半導体積層部と、」との特定事項を備える。
（イ）本件訂正発明１の「中心発光波長λの光を発光する発光ダイオードであって、」との特定事項について
　ａ　引用文献１物発明の「６００ｎｍ以下」である「半導体積層体で発生する放射の波長」は、本件訂正発明１の「中心発光波長λ」に相当する。
　ｂ　引用文献１物発明の「オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）」は、本件訂正発明１の「発光ダイオード」に相当する。
　ｃ　よって、上記（ア）も踏まえると、引用文献１物発明は、本件訂正発明１の「中心発光波長λの光を発光する発光ダイオードであって、」との特定事項を備える。
（ウ）本件訂正発明１の「前記発光ダイオードの光取り出し面が、前記基板の、第１主面の裏面である第２主面であり、」との特定事項について
　ａ　引用文献１物発明の「放射伝播エリア（２０）」は、「半導体積層体で発生した放射の少なくとも一部が放射伝播エリアを通過して半導体積層体から出射するように設計され」たものであるから、本件訂正発明１の「発光ダイオードの光取り出し面」に相当する。そして、引用文献１物発明の「放射伝播エリア」は、「半導体積層体の一主面であるとともに、基板と反対方向に向く半導体積層体面に位置」する。
　ｂ　このように、引用文献１物発明における（本件訂正発明１でいう）「光取り出し面」は、「前記半導体積層体（２）の一主面」であって、「基板と反対側に向く半導体積層体面」であることになり、よって、本件訂正発明１でいう「前記基板の、第１主面の裏面である第２主面」ではない。
　このように、引用文献１物発明は、本件訂正発明１の上記特定事項を備えない。
（エ）本件訂正発明１の「前記発光ダイオードの光取り出し面に、錐台形状のパターンが形成されており、前記錐台形状のパターンの下底長が１．２λ以上１．７λ以下であり、傾斜角が６５度以上８０度以下であり、上底長が０．４λ以上１．２λ以下である」との特定事項について
　ａ　引用文献１物発明の「光取り出し構造４」は、「ベース面外形が正方形の角錐台状」であるから、引用文献１物発明は、本件訂正発明１の「前記発光ダイオードの光取り出し面に、錐台形状のパターンが形成されて」いるとの特定事項を備える。
　ｂ　引用文献１物発明の「横方向長さＬ」は、本件訂正発明１の「下底長」に相当する。
　ｃ　引用文献１物発明の「上面側の幅Ｗ」は、本件訂正発明１の「上底長」に相当する。
　ｄ　引用文献１物発明の「光取り出し構造の高さＨは約７５０ｎｍ、横方向長さＬは約１μｍ、上面側の幅Ｗは約０．５μｍ」であるから、引用文献１物発明の（本件訂正発明１でいう）「傾斜角」は、約７２度であると認められる。
　よって、引用文献１物発明は、本件訂正発明１の「傾斜角が６５度以上８０度以下であ」るとの特定事項を備える。
　ｅ　したがって、引用文献１物発明は、本件訂正発明１の「前記発光ダイオードの光取り出し面に、錐台形状のパターンが形成されており、前記錐台形状のパターン」の「傾斜角が６５度以上８０度以下であ」るとの特定事項を備える。
　しかし、引用文献１物発明は、「前記錐台形状のパターン」の「下底長が１．２λ以上１．７λ以下であり、上底長が０．４λ以上１．２λ以下である」とは、特定されていない。
（オ）本件訂正発明１の「発光ダイオード」との特定事項について
　上記（イ）のとおり、引用文献１物発明は、本件訂正発明１の「発光ダイオード」との特定事項を備える。
　イ　一致点及び相違点の認定
　上記アによれば、本件訂正発明１と引用文献１物発明とは、
「基板と、
　該基板の第１主面上に形成されたｎ型半導体層と、該ｎ型半導体層上に形成された発光層と、該発光層上に形成されたｐ型半導体層とからなる半導体積層部と、
　を備えた中心発光波長λの光を発光する発光ダイオードであって、
　前記発光ダイオードの光取り出し面に、錐台形状のパターンが形成されており、前記錐台形状のパターンの傾斜角が６５度以上８０度以下である、発光ダイオード。」である点で一致し、次の点で相違する。
［相違点１］
　「前記発光ダイオードの光取り出し面」が、本件訂正発明１では、「前記基板の、第１主面の裏面である第２主面であ」るのに対し、引用文献１物発明では、そうではなく、「前記半導体積層体（２）の一主面」であって、「基板と反対側に向く半導体積層体面」である点。
［相違点２］
　「前記錐台形状のパターン」について、本件訂正発明１は、「下底長が１．２λ以上１．７λ以下であり、上底長が０．４λ以上１．２λ以下である」のに対し、引用文献１物発明は、そのように特定されておらず、波長が６００ｎｍ以下であって、下底長が約１μｍであり、上底長が約０．５μｍである点。
　ウ　相違点１の判断
（ア）相違点１は実質的であるから、本件訂正発明１は、引用文献１物発明ではない。
（イ）次に、相違点１が当業者にとって容易想到であるかについて検討する。
　まず、引用文献１物発明にいかなる変更を加えると相違点１に係る構成に至るのかについて確認すると、引用文献１物発明のオプトエレクトロニクス半導体チップ（本件訂正発明１の「発光ダイオード」に相当。）の放射伝播エリア（本件訂正発明１の「光取り出し面」に相当。）を、基板の主面のうち、半導体積層体が存在しない側の主面（甲１の図２（下図）でいえば、基板７の下側の面）にするとともに、光取り出し構造を当該主面上に設置するように構成変更すればよいことになる。
（ウ）しかしながら、引用文献１物発明に、上記（イ）で説示した変更を施すことは、次のとおり、当業者であっても困難であるというべきである。
　ａ　第一に、引用文献１物発明に上記（イ）で説示した変更を施すことは、引用文献１物発明がよってたつ前提に反する。
（ａ）すなわち、引用文献１物発明は、「光取り出し構造（４）」が、「半導体積層体（２）の放射伝播エリア（２０）上に少なくとも間接的に設置された」ものであるとともに、「前記光取り出し構造（４）の材料は前記半導体積層体（２）の材料と異なり」、「前記光取り出し構造（４）の材料の屈折率と前記半導体積層体（２）の材料の屈折率とは、最大で３０％異な」るとの構成を含むものである。
（ｂ）しかるに、引用文献１物発明が上記構成を採用した技術的意義は、引用文献１の【０００７】・【００１９】・【００８１】〜【００８３】によれば、次のとおりであると認められる。
　引用文献１物発明は、光取り出し効率を向上させるよう設計された光取り出し構造を有するものである。
　そして、光取り出し構造を、半導体積層体から材料除去（エッチングなど）をして形成する場合、ｎ導電層又はｐ導電層を厚くする必要があるけれども、これらの層を厚くしてしまうと、熱負荷等により材料歪みが生じ、オプトエレクトロニクス半導体チップの寿命が短くなる可能性がある。他方で、これらの層を薄くしてしまうと、材料除去がクリティカルな工程となり、活性層が損傷してオプトエレクトロニクス半導体チップが使用不能となったりする可能性がある。
　そこで、光取り出し構造の形成を、半導体積層体から材料除去することで行うのではなく、半導体積層体とは異なる材料であるが屈折率の差が小さい材料からなる光取り出し構造を半導体積層体の放射伝播エリア上に設置することで行うことにする。
　このように、光取り出し構造の材料を半導体積層体とは異ならせているため、光取り出し構造の製造を簡素化することができ、またそのため、オプトエレクトロニクス半導体チップの製造も簡素化することができる。
　さらに、半導体積層体材料との屈折率の差が小さい光取り出し構造により、半導体チップで発生した放射を取り出す際に、高い光取り出し効率を確保することができる。
（ｃ）上記（ｂ）によれば、引用文献１物発明は、半導体積層体の主面を放射伝播エリア（本件訂正発明１の「光取り出し面」に相当。）にするとともに、光取り出し構造を当該主面側に設けることを前提に、その前提を採用したことに伴って生じる課題（半導体積層体から材料除去をして光取り出し構造を形成すると、オプトエレクトロニクス半導体チップの寿命が短くなったり、使用不能となったりすること。）を解決するための発明であると解するのが相当である。
　このように、引用文献１物発明は、少なくとも、半導体積層体の主面が放射伝播エリアであるとの前提のもとでなされたものであるところ、引用文献１物発明に上記（イ）で説示した変更を施すことは、当該前提を崩すことにほかならない。したがって、かかる変更は、引用文献１物発明から出発した当業者にとっては、想定しがたいというべきである。
　ｂ　第二に、引用文献１物発明に上記（イ）で説示した変更を施すと、引用文献１物発明の目的に反することになる。
　すなわち、引用文献１物発明は、光取り出し効率を向上させることを目的とした発明であるけれども、引用文献１物発明に当該変更を施しても、光取り出し効率が向上するとはいえず、むしろ、低下するのである。なぜならば、引用文献１物発明に当該変更を施したときに光取り出し効率を向上させるためには、光取り出し構造の材料を基板の材料に屈折率整合させなければならないのであるが、引用文献１物発明では、光取り出し構造の材料の屈折率が半導体積層体の材料の屈折率と最大で３０％異なっていることからみて、光取り出し構造の材料が屈折率整合しているのは、（基板の材料ではなく）半導体積層体の材料であるからである。
　このように、引用文献１物発明において上記（イ）で説示した変更を施すことは、光取り出し効率を向上させるという引用文献１物発明の目的に反することになるのである。したがって、かかる変更は、引用文献１物発明から出発した当業者にとっては、想定しがたいことであるというべきである。
　ｃ　そして、上記ａ及びｂの判断は、引用文献２に記載された技術的事項を考慮しても左右されることはない。
　すなわち、上記２（２）イで認定した引用文献２に記載された技術的事項によれば、引用文献２には、上記（イ）で説示した構成が開示されていると認められるけれども、引用文献２には、上記ａ及びｂの観点を克服することについては何ら記載されていないから、当業者が、引用文献１物発明に引用文献２に記載された技術的事項を適用することはない。
　ｄ　このような次第で、引用文献１物発明に上記（イ）で説示した変更を施すことは、当業者であっても困難である。
（エ）ところで、取消理由は、相違点１に関して、要旨、次のとおりの判断を行った。
　すなわち、引用文献１の【００９１】及び図５（下図）には、ｎ型半導体層上に光取り出し構造４を設けた構造（以下「図５構造」という。）が記載されているところ、このような図５構造を踏まえると、引用文献１物発明に引用文献２に記載された技術的事項を適用して、相違点１に係る構成のようにすることは、当業者にとって容易である。
　しかしながら、図５構造は、半導体積層体の主面を放射伝播エリア（本件訂正発明１の「光取り出し面」に相当。）にするとともに、光取り出し構造を当該主面側に設けるという構成であるから、上記（ウ）ａ（ｃ）で説示した前提を満たすものなのであり、その意味では、引用文献１物発明と変わりない。
　よって、引用文献１に図５構造に関する記載があるからといって、その記載が引用文献１物発明に引用文献２に記載された技術的事項を適用するための動機付けとなることはない。
（オ）特許異議申立人は、令和元年７月１７日付け意見書（特許異議申立人）において、引用文献１の【００９６】及び図６（下図）に記載された構造（以下「図６構造」という。）につき、当業者であれば、図６構造には、絶縁性の成長用ベース基板（例えば、サファイア基板）が、光取り出し構造４と半導体積層体２との間に存在すると考える旨主張する。
　しかしながら、図６構造には、絶縁性の成長用ベース基板が記載されていない。そして、図６構造は、半導体積層体の主面を放射伝播エリア（本件訂正発明１の「光取り出し面」に相当。）にするとともに、光取り出し構造を当該主面側に設けるという構成であるから、上記（ウ）ａ（ｃ）で説示した前提を満たすものである。加えて、図６構造において、特許異議申立人が主張するように絶縁性の成長用ベース基板を光取り出し構造４と半導体積層体２との間に存在させてしまうと、上記の前提が崩れてしまう。
　そうすると、当業者は、図６構造を、図６に記載されたとおりに理解すると認められる。換言すれば、当業者が、図６構造を、特許異議申立人が主張するような構造、すなわち、絶縁性の成長用ベース基板が光取り出し構造４と半導体積層体２との間に存在する構造、と理解することはないと認められる。
　特許異議申立人の主張は採用できない。
（カ）相違点１の判断についての小括
　よって、引用文献１物発明から出発した当業者は、引用文献２に記載された技術的事項を考慮したとしても、相違点１に係る構成に至ることはない。
　エ　本件訂正発明１についての判断の小括
　このように、本件訂正発明１は、引用文献１物発明ではない。
　また、本件訂正発明１は、相違点２について判断するまでもなく、引用文献１物発明、引用文献１に記載された技術的事項及び引用文献２に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　よって、本件訂正発明１に対する取消理由１及び２は、成り立たない。
（２）本件訂正発明３について
　本件訂正発明３と引用文献１物発明とを対比すると、上記（１）イで認定した一致点で一致し、相違点１及び２で相違するほか、次の点で相違する。
［相違点３］
　「前記基板」について、本件訂正発明３は、「窒化物」であるのに対し、引用文献１物発明は、そうではない点。
　そして、本件訂正発明３は、相違点１に係る構成を含むのであるから、本件訂正発明１と同様の理由で、引用文献１物発明、引用文献１に記載された技術的事項及び引用文献２に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　よって、本件訂正発明３に対する取消理由２は、成り立たない。
（３）本件訂正発明４について
　ア　対比
（ア）本件訂正発明４の「基板の第１主面上にｎ型半導体層と発光層とｐ型半導体層とが積層された半導体積層部を備える発光ダイオード用半導体ウェハの、発光ダイオードの光取り出し面となる、前記基板の前記第１主面の裏面である第２主面の領域上に、」との特定事項について
　ａ　引用文献１製法発明の「半導体積層体（２）」は、本件訂正発明４の「半導体積層部」に相当する。
　そして、引用文献１製法発明の「半導体積層体（２）」は、「ｎ導電層８が基板７上に成長しており、ｎ導電層８には、基板７と反対方向に向く面に活性層３が成長しており、基板７から離れる方向のｎ導電層８上方には、ｐ導電層９が配置され」たものであるから、上記（１）ア（ア）も踏まえると、本件訂正発明４でいう「基板の第１主面上にｎ型半導体層と発光層とｐ型半導体層とが積層された」ものである。
　ｂ　引用文献１製法発明は、「少なくとも１つの活性層（３）を有する半導体積層体（２）を成長基板（７）上に成長させるステップ」と「前記半導体積層体（２）の放射伝播エリア（２０）に、感光性材料（１５）を塗布して、パターニングするステップ」とを有しているから、当該「半導体積層体（２）」は、本件訂正発明４でいう「発光ダイオード用半導体ウェハ」に備えられたものといえる。
　ｃ　引用文献１製法発明は、「前記半導体積層体（２）の放射伝播エリア（２０）に、感光性材料（１５）を塗布して、パターニングするステップ」を有しているところ、上記（１）ア（ウ）ａも踏まえると、引用文献１製法発明の「放射伝播エリア（２０）」は、本件訂正発明４の「発光ダイオードの光取り出し面」に相当する。
　ｄ　よって、引用文献１製法発明は、本件訂正発明４の「基板の第１主面上にｎ型半導体層と発光層とｐ型半導体層とが積層された半導体積層部を備える発光ダイオード用半導体ウェハの、発光ダイオードの光取り出し面となる」「領域上に」との特定事項を備える。
　しかし、引用文献１製法発明では、「発光ダイオードの光取り出し面」が、上記（１）ア（ウ）ａと同様に、半導体積層体の一主面であるとともに、基板と反対方向に向く半導体積層体面であって、「前記基板の前記第１主面の裏面である第２主面」ではない。
（イ）本件訂正発明４の「斜面が順テーパーの錐台形状又は錐体形状のマスクを形成するマスク工程と、前記マスク越しに光取り出し面をエッチングして錐台形状のパターンを形成するパターン形成工程と、」との特定事項について
　ａ　引用文献１製法発明は、「−　前記半導体積層体（２）の放射伝播エリア（２０）に、感光性材料（１５）を塗布して、パターニングするステップと、
　−　部分領域（１６）において前記感光性材料（１５）を除去するステップと、
　−　光取り出し構造（４）を前記放射伝播エリア（２０）上の前記部分領域（１６）内に少なくとも間接的に形成するステップと、
　−　前記感光性材料（１５）を除去するステップ」を含み、「光取り出し構造（４）」は、「ベース面外形が正方形の角錐台状」であるとされている。
　そうすると、引用文献１製法発明は、本件訂正発明４でいう「錐台形状のパターンを形成するパターン形成工程」を備えているといえる。
　ｂ　しかし、引用文献１製法発明は、本件訂正発明４の「斜面が順テーパーの錐台形状又は錐体形状のマスクを形成するマスク工程と、前記マスク越しに光取り出し面をエッチングして錐台形状のパターンを形成する」との特定事項を備えない。
（ウ）本件訂正発明４の「前記錐台形状のパターンが、下底長が１．２λ以上１．７λ以下であり、傾斜角が６５度以上８０度以下であり、上底長が０．４λ以上１．２λ以下である」との特定事項について
　上記（１）ア（エ）と同様の理由で、引用文献１製法発明は、本件訂正発明４の「前記錐台形状のパターン」の「傾斜角が６５度以上８０度以下であ」るとの特定事項を備える。
　しかし、引用文献１製法発明は、「前記錐台形状のパターン」の「下底長が１．２λ以上１．７λ以下であり、上底長が０．４λ以上１．２λ以下である」との特定事項を備えない。
（エ）本件訂正発明４の「発光ダイオードの製造方法。」との特定事項について
　引用文献１製法発明の「オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）の製造方法」は、本件訂正発明４の「発光ダイオードの製造方法」に相当する。
　イ　一致点及び相違点の認定
　上記アによれば、本件訂正発明４と引用文献１製法発明とは、
「基板の第１主面上にｎ型半導体層と発光層とｐ型半導体層とが積層された半導体積層部を備える発光ダイオード用半導体ウェハの、発光ダイオードの光取り出し面となる領域上に、錐台形状のパターンを形成するパターン形成工程と、
　を有し、
　前記錐台形状のパターンが、傾斜角が６５度以上８０度以下である発光ダイオードの製造方法。」である点で一致し、次の点で相違する。
［相違点４］
　「発光ダイオードの光取り出し面」が、本件訂正発明４では、「前記基板の、第１主面の裏面である第２主面であ」るのに対し、引用文献１製法発明では、そうではなく、半導体積層体の一主面であるとともに、基板と反対方向に向く半導体積層体面である点。
［相違点５］
　「パターン形成工程」について、本件訂正発明４は、「斜面が順テーパーの錐台形状又は錐体形状のマスクを形成するマスク工程と、前記マスク越しに光取り出し面をエッチング」する工程とからなるのに対し、引用文献１製法発明では、そうではない点。
［相違点６］
　「前記錐台形状のパターン」について、本件訂正発明４は、「下底長が１．２λ以上１．７λ以下であり、上底長が０．４λ以上１．２λ以下である」のに対し、甲４製法発明は、波長が６００ｎｍ以下であって、下底長が約１μｍであり、上底長が約０．５μｍである点。
　ウ　相違点４の判断
　まず、相違点４は実質的であるから、本件訂正発明４は、引用文献１製法発明ではない。
　次に、相違点４が当業者にとって容易想到であるかについて検討するに、相違点４の判断については、上記（１）ウで判断した相違点１の判断と同様の議論が成り立つから、引用文献１製法発明から出発した当業者は、引用文献２に記載された技術的事項を考慮したとしても、相違点４に係る構成に至ることはない。
　エ　本件訂正発明４についての判断の小括
　このように、本件訂正発明１は、引用文献１製法発明ではない。
　また、本件訂正発明４は、相違点５及び６について判断するまでもなく、引用文献１製法発明、引用文献１に記載された技術的事項及び引用文献２に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　よって、本件訂正発明４に対する取消理由１及び２は、成り立たない。
（４）取消理由１及び２に対する判断の小括
　以上のとおり、本件訂正発明１及び４に対する取消理由１は、成り立たない。
　本件訂正発明１，３及び４に対する取消理由２は、成り立たない。
　４　取消理由３に対する判断
（１）取消理由３の具体的内容
　取消理由３は、上記第４の１（３）のとおり、本件特許が、発明の詳細な説明の記載が特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるというものであるところ、より具体的には、要旨、次のとおりである。
　本件訂正前の請求項１〜５に係る発明で特定される数値範囲の下底長、傾斜角及び上底長を有する錘台形状のパターンを実現するために、どのような条件をどのような値に調整すればよいのかが、発明の詳細な説明の記載及び技術常識に照らしても理解できないから、本件訂正前の請求項１〜５に係る発明を実施することができない。
（２）判断
　ア　本件明細書等には次の記載がある。
（ア）「［発光ダイオードの製造方法］」、
「本実施形態の発光ダイオードの製造方法は、基板の第１主面上にｎ型半導体層と発光層とｐ型半導体層とが積層された半導体積層部を備える発光ダイオード用半導体ウェハの、発光ダイオードの光取り出し面となる領域上に、斜面が順テーパーの錐台形状又は錐体形状のマスクを形成するマスク工程と、マスク越しに光取り出し面をエッチングして錐台形状のパターンを形成するパターン形成工程と、を有している。」（【００２５】）、
「形成される錐台形状のパターンは、下底長が１．２λ以上１．７λ以下であり、傾斜角が６５度以上８０度以下であり、上底長が０．４λ以上１．２λ以下であることが好ましい。
　パターン形成工程におけるエッチングの方法は、加工面の材料により、ウェットエッチングやドライエッチングなどから適正なものを選択することができる。錐台形状に結晶面のエッチングレート差の影響が出にくく、形状の制御性が良好なドライエッチングでの加工が好ましい。ドライエッチングを用いる場合、ドライエッチングにおけるプラズマダメージにより、発光層へのダメージを低減させる観点から、発光層から加工底面までの距離が３００ｎｍ以上となっていることが望ましい。」（【００２６】）、
「マスク工程において、斜面が順テーパーの錐台形状又は錐体形状のマスクを形成する方法は、フォトリソグラフィやインプリントなどの、一般的な手法を用いることができる。マスク材料としては、フォトレジスト、インプリントレジスト、ＳｉＯ２膜などの誘電体材料及び各種メタル膜などを用いることができる。斜面が順テーパーの錐台形状又は錐体形状のマスクを用いることで、錐台形状のパターンを容易に形成することが可能になる。例えば、ＳｉＯ２膜をマスクとする場合、フッ酸などでフォトレジストをＳｉＯ２膜マスク形成用のマスクにしてウェットエッチングすることが好ましい。また、インプリントを用いる場合、インプリントレジストのインプリント時のモールド形状をあらかじめ順テーパー形状にしておくことも好適な例として挙げられる。」（【００２７】）、
「錐台形状のパターンを形成するため、マスクはパターン形成工程終了後においても残っている状態の方が好ましい。残ったマスクを除去した後には、錐台の上底部が、平坦面を保持しつつ、なおかつ傾斜面と上底部の交点がきれいな鈍角のパターン（すなわち、順テーパー形状の錐台形状又は錐体形状のパターン）を形成することが容易である。具体例としては、サファイア基板をウェットエッチングして得られた形状をモールドとして、インプリント技術によりマスクを形成する方法が挙げられる。」（【００２８】）
（イ）「【実施例１】」、
「図３（ａ）乃至図３（ｆ）は、本発明に係る発光ダイオードの製造方法の実施例１を説明するための断面工程図である。
　本発明の実施例１に係る発光ダイオードの製造方法は、基板１０１の第１主面上に、ｎ型半導体層１０３と発光層１０４とｐ型半導体層１０５とが積層された半導体積層部１００を備える発光ダイオード用半導体ウェハの発光ダイオードの光取り出し面となる領域上に、斜面が順テーパーの錐台形状又は錐体形状のマスク１１０を形成するマスク工程と、マスク越しに光取り出し面をエッチングして錐台形状のパターン１１１を形成するパターン形成工程とを有している。」（【００３６】）、
「次に、図３（ｂ）に示すように、半導体積層部１００上（すなわち、ｐ型半導体層表面）にプラズマＣＶＤ法を用いて厚さ２００ｎｍのＳｉＯ２膜を堆積させ、フォトリソグラフィ法を用いて、周期が１．０μｍ、径が０．６μｍの三角格子配列のドットパターン１１０ａのレジストマスク１１０を作製し、その後、バッファードフッ酸（ＢＨＦ）によるウェットエッチングを行い、ＳｉＯ２膜の錐台形状のドットパターンのマスクを作製した。」（【００３８】）、
「次に、図３（ｃ）に示すように、上述したＳｉＯ２膜の錐台形状のドットパターンをマスクとしてドライエッチング法を用いて、ｐ型半導体層１０５上に錐台形状のパターン１１１を作製した。ここで、ドライエッチング法の条件としては、ＩＣＰ型ドライエッチャー装置を用い、塩素ガスとアルゴンガスの混合ガスを用い、ガス圧が０．６Ｐａ、エッチングパワーがアンテナパワー：３００Ｗ／バイアスパワー：５０Ｗの条件でエッチングを行った。ドライエッチング後、残ったＳｉＯ２膜のマスクをバッファードフッ酸（ＢＨＦ）で除去した。得られた凹凸形状は、上底長が４３０ｎｍ、下底長が６８０ｎｍ、傾斜角が６７度の円錐台形状であった。」（【００３９】）
（ウ）「【実施例２】」、
「図３（ｃ）における錐台形状のパターン１１１を作成する工程において、レジストのドットパターンを、周期が１．０μｍ、径が０．５μｍの三角格子配列のドットパターンで作製した以外は、実施例１と同様の方法で発光ダイオードを作製した。得られた凹凸形状は、上底長が３８０ｎｍ、下底長が５７０ｎｍ、傾斜角が７７度の円錐台形状であった。」（【００４３】）
（エ）「【実施例３】」、
「図３（ｃ）における錐台形状のパターン１１１を作成する工程において、レジストのドットパターンを、周期が１．０μｍ、径が０．４μｍの三角格子配列のドットパターンで作製した以外は、実施例１と同様の方法で発光ダイオードを作製した。得られた凹凸形状は、上底長が２７０ｎｍ、下底長が５９０ｎｍ、傾斜角が６９度の円錐台形状であった。」（【００４４】）
（オ）「【実施例４】」、
「図３（ｃ）における錐台形状のパターン１１１を作成する工程において、レジストのドットパターンを、周期が１．０μｍ、径が０．６５μｍの三角格子配列のドットパターンで作製した以外は、実施例１と同様の方法で発光ダイオードを作製した。得られた凹凸形状は、上底長が４７０ｎｍ、下底長が７３０ｎｍ、傾斜角が７５度の円錐台形状であった。」（【００４５】）
（カ）「【実施例５】」、
「実施例１の記載と同様の方法で、ＭＯＣＶＤ法によりＧａＮ基板１０１の第１主面上に、ｎ−ＧａＮ半導体層１０３と、ＩｎＧａＮ量子井戸発光層１０４と、ｐ−ＡｌＧａＮ電子ブロック層１０９と、ｐ−ＡｌＧａＮ半導体層１０５との順で積層した。
　図４は、本発明に係る発光ダイオードの製造方法の実施例５を説明するための断面模式図である。本発明の実施例５に係る発光ダイオードの製造方法は、基板１０１の第１主面上に、ｎ型半導体層１０３と発光層１０４とｐ型半導体層１０４とが積層された半導体積層部１００を備える発光ダイオード用半導体ウェハの発光ダイオードの光取り出し面となる領域上に、斜面が順テーパーの錐台形状又は錐体形状のマスク１１０を形成するマスク工程と、マスク越しに光取り出し面をエッチングして錐台形状のパターン２１１を形成するパターン形成工程とを有している。」（【００４６】）、
「また、錐台形状のパターン２１１は、下底長が１．２λ以上１．７λ以下であり、傾斜角が６５度以上８０度以下であり、上底長が０．４λ以上１．２λ以下である。
　つまり、半導体積層部１００と対向する面である基板１０１の第２主面上にプラズマＣＶＤ法を用いて厚さ２００ｎｍのＳｉＯ２膜を堆積させ、フォトリソグラフィ法を用いて、周期が１．０μｍ、径が０．６μｍの三角格子配列のドットパターン２１０ａのレジストマスク２１０を作製し、その後、バッファードフッ酸（ＢＨＦ）によるウェットエッチングを行い、ＳｉＯ２膜の錐台形状のドットパターンのマスクを作製し、ＳｉＯ２膜の錐台形状のドットパターンをマスクとしてドライエッチング法を用いて、錐台形状のパターン２１１を基板１０１の第２主面上に作製した。」（【００４７】）、
「ドライエッチング法では、ＩＣＰ型ドライエッチャー装置を用い、塩素ガスとアルゴンガスの混合ガスを用い、ガス圧が０．６Ｐａ、エッチングパワーがアンテナパワー：３００Ｗ／バイアスパワー：５０Ｗの条件で、ＧａＮ基板表面を任意の凹凸形状になるようにエッチングを行った。ドライエッチング後、残ったＳｉＯ２膜のマスクをバッファードフッ酸（ＢＨＦ）で除去し、発光ダイオードを得た。得られた凹凸形状は、上底長が３６０ｎｍ、下底長が６８０ｎｍ、傾斜角７２度の円錐台形状であった。中心発光波長は４６０ｎｍであった。」（【００４８】）
（キ）「【実施例６】」、
「ＭＯＣＶＤ法によりＡｌＮ基板の第１主面上に、ｎ−ＡｌＧａＮ半導体層と、ＡｌＧａＮ量子井戸発光層と、ｐ−ＡｌＧａＮ半導体層と、ｐ−ＧａＮ半導体層とを順に積層した。
　次に、半導体積層部１００と対向する面、つまり、基板１０１の第２主面上にプラズマＣＶＤ法を用いて厚さ２００ｎｍのＳｉＯ２膜を堆積させ、フォトリソグラフィ法を用いて、周期が０．７μｍ、径が０．３５μｍの三角格子配列のドットパターンのレジストマスクを作製し、その後、バッファードフッ酸（ＢＨＦ）によるウェットエッチングを行い、ＳｉＯ２膜の錐台形状のドットパターンのマスクを作製した。」（【００５１】）、
「次に、上述したＳｉＯ２膜の錐台形状のドットパターンをマスクとしてドライエッチング法を用いて凹凸形状を作製した。ドライエッチング法ではＩＣＰ型ドライエッチャー装置を用い、三塩化ホウ素ガスとアルゴンガスの混合ガスを用い、ガス圧が０．６Ｐａ、エッチングパワーがアンテナパワー：３００Ｗ／バイアスパワー：５０Ｗの条件で、ＡｌＮ基板の第２主面のエッチングを行った。ドライエッチング後、残ったＳｉＯ２膜のマスクをバッファードフッ酸（ＢＨＦ）で除去した。得られた錐台形状のパターンは、上底長が２６０ｎｍ、下底長が４２０ｎｍ、傾斜角が７７度の円錐台形状であった。」（【００５２】）
　イ　上記アによれば、本件明細書等には、錘台形状のパターンの下底長、傾斜角及び上底角の制御に関して、次の事項が記載されていると認められる。
（ア）錘台形状のパターンの形成は、
　発光ダイオード用半導体ウェハの、発光ダイオードの光取り出し面となる領域上に、斜面が順テーパーの錘台形状のマスクを形成するマスク工程と、
　マスク越しに光取り出し面をエッチングして錐台形状のパターンを形成するパターン形成工程と、
　によって行われる。（【００２５】）
（イ）マスク工程において、斜面が順テーパーの錘台形状のマスクを形成する方法は、例えば、ＳｉＯ２膜をマスクとする場合、フッ酸などでフォトレジストをＳｉＯ２膜マスク形成用のマスクにしてウェットエッチングすることが好ましい。（【００２７】）
（ウ）パターン形成工程において、エッチングの方法は、錐台形状に結晶面のエッチングレート差の影響が出にくく、形状の制御性が良好なドライエッチングでの加工が好ましい。（【００２６】）
（エ）実施例１として、
　(i)　光取り出し面となる領域（半導体積層部１００に属するｐ型半導体層表面）上に、厚さ２００ｎｍのＳｉＯ２膜を堆積させ、
　(ii)　フォトリソグラフィ法を用いて、周期が１．０μｍ、径が０．６μｍの三角格子配列のドットパターンのレジストマスクを作製し、
　(iii)　バッファードフッ酸（ＢＨＦ）によるウェットエッチングを行い、ＳｉＯ２膜の錐台形状のドットパターンのマスクを作製し、
　(iv)　ドライエッチング法を用いて、光取り出し面となる領域（ｐ型半導体層１０５）上に錐台形状のパターン１１１を作製し（ドライエッチング法の条件としては、ＩＣＰ型ドライエッチャー装置を用い、塩素ガスとアルゴンガスの混合ガスを用い、ガス圧が０．６Ｐａ、エッチングパワーがアンテナパワー：３００Ｗ／バイアスパワー：５０Ｗの条件でエッチングを行った。）、
　(v)　ドライエッチング後、残ったＳｉＯ２膜のマスクをバッファードフッ酸（ＢＨＦ）で除去すると、
　(vi)　得られた凹凸形状は、上底長が４３０ｎｍ、下底長が６８０ｎｍ、傾斜角が６７度の円錐台形状であった。（【００３６】・【００３８】・【００３９】）
（オ）実施例２として、
　(ii)　レジストのドットパターンを、周期が１．０μｍ、径が０．５μｍの三角格子配列のドットパターンで作製した以外は、
　実施例１と同様の方法で発光ダイオードを作製すると、
　(vi)　得られた凹凸形状は、上底長が３８０ｎｍ、下底長が５７０ｎｍ、傾斜角が７７度の円錐台形状であった。（【００４３】）
（カ）実施例３として
　(ii)　レジストのドットパターンを、周期が１．０μｍ、径が０．４μｍの三角格子配列のドットパターンで作製した以外は、
　実施例１と同様の方法で発光ダイオードを作製すると、
　(vi)　得られた凹凸形状は、上底長が２７０ｎｍ、下底長が５９０ｎｍ、傾斜角が６９度の円錐台形状であった。（【００４４】）
（キ）実施例４として、
　(ii)　レジストのドットパターンを、周期が１．０μｍ、径が０．６５μｍの三角格子配列のドットパターンで作製した以外は、
　実施例１と同様の方法で発光ダイオードを作製すると、
　(vi)　得られた凹凸形状は、上底長が４７０ｎｍ、下底長が７３０ｎｍ、傾斜角が７５度の円錐台形状であった。（【００４５】）
（ク）実施例５として、
　(i)　光取り出し面となる領域（半導体積層部１００と対向する面である基板１０１の第２主面）上に、厚さ２００ｎｍのＳｉＯ２膜を堆積させ、
　(ii)　 フォトリソグラフィ法を用いて、周期が１．０μｍ、径が０．６μｍの三角格子配列のドットパターンのレジストマスクを作製し、
　(iii)　バッファードフッ酸（ＢＨＦ）によるウェットエッチングを行い、ＳｉＯ２膜の錐台形状のドットパターンのマスクを作製し、
　(iv)　ドライエッチング法を用いて、光取り出し面となる領域（基板１０１の第２主面）上に錐台形状のパターン２１１を作製し（ドライエッチング法の条件としては、ＩＣＰ型ドライエッチャー装置を用い、塩素ガスとアルゴンガスの混合ガスを用い、ガス圧が０．６Ｐａ、エッチングパワーがアンテナパワー：３００Ｗ／バイアスパワー：５０Ｗの条件で、ＧａＮ基板表面を任意の凹凸形状になるようにエッチングを行った。）、
　(v)　ドライエッチング後、残ったＳｉＯ２膜のマスクをバッファードフッ酸（ＢＨＦ）で除去すると、
　(vi)　得られた凹凸形状は、上底長が３６０ｎｍ、下底長が６８０ｎｍ、傾斜角７２度の円錐台形状であった。（【００４７】・【００４８】）
（ケ）実施例６として、
　(i)　光取り出し面となる領域（半導体積層部１００と対向する面である基板１０１の第２主面）上に、厚さ２００ｎｍのＳｉＯ２膜を堆積させ、
　(ii)　フォトリソグラフィ法を用いて、周期が０．７μｍ、径が０．３５μｍの三角格子配列のドットパターンのレジストマスクを作製し、
　(iii)　バッファードフッ酸（ＢＨＦ）によるウェットエッチングを行い、ＳｉＯ２膜の錐台形状のドットパターンのマスクを作製し、
　(iv)　ドライエッチング法を用いて、光取り出し面となる領域（半導体積層部１００と対向する面である基板１０１の第２主面）上に凹凸形状を作製し（ドライエッチング法の条件としては、ＩＣＰ型ドライエッチャー装置を用い、三塩化ホウ素ガスとアルゴンガスの混合ガスを用い、ガス圧が０．６Ｐａ、エッチングパワーがアンテナパワー：３００Ｗ／バイアスパワー：５０Ｗの条件で、ＡｌＮ基板の第２主面のエッチングを行った。）、
　(v)　ドライエッチング後、残ったＳｉＯ２膜のマスクをバッファードフッ酸（ＢＨＦ）で除去すると、
　(vi)　得られた錐台形状のパターンは、上底長が２６０ｎｍ、下底長が４２０ｎｍ、傾斜角が７７度の円錐台形状であった。（【００５１】・【００５２】）
　ウ　上記イの認定によれば、本件明細書等には、ＳｉＯ２膜の錐台形状のドットパターンのマスクを作製して、所定の条件でドライエッチングを行うことにより、光取り出し面となる領域上に様々な錘台形状が形成されることが記載されている。
　その一方で、本件明細書等には、マスク工程で作製されるＳｉＯ２膜の形状が、「錘台」であること以上に、具体的に、（すなわち、錘台の上底長、傾斜角及び下底長が、）どのようなものであるのかが記載されていない。さらに、本件明細書等には、パターン形成工程で得られる錘台形状のパターンであって、光取り出し面となる領域上における錘台形状のパターンが、マスク工程で作製されるＳｉＯ２膜の形状やドライエッチングの各種条件とどのように関係しているのかについても記載されていない。
　エ　そこで検討するに、まず、被加工表面上に、錘台形状のマスクを設けて、ドライエッチングを行うことにより、被加工表面に錘台形状の構造を転写できることは、明らかである（例えば、乙１（翻訳文３頁下から４行〜４頁４行、Figure 1）を参照。乙１には、シリコン基板上に半球形状のマスクを用いて反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を行うと、シリコン基板に半球が転写されることが記載されている。）。
　そして、ドライエッチングの技術分野において、塩素系ガスの流量やバイアスパワーなどによって、エッチング形状が変化することも技術常識である（乙７の４６７頁〜４７０頁）。
　しかるに、これらの技術的事項を踏まえれば、光取り出し面となる領域上に形成される錘台形状を制御するに当たり、一定の指針があるということができる。よって、本件明細書等に上記ウで指摘した点の記載がないとしても、当業者であれば、過度の試行錯誤を要することなく、請求項に係る発明を実施することができると解するのが相当である。
　したがって、本件明細書等の発明の詳細な説明は、特許法第３６条第４項第１号に適合している。
（３）取消理由３に対する判断についての小括
　よって、取消理由３は、成り立たない。
　５　取消理由４に対する判断
（１）取消理由４の具体的内容
　取消理由４は、上記第４の１（４）のとおり、本件特許が、本件訂正前の請求項１〜５の記載が特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるというものであるところ、より具体的には、本件訂正前の請求項１〜５に係る発明は、本件明細書等の発明の詳細な説明に当業者が実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載された発明ではないから、サポートされていないというものである。
（２）判断
　上記（１）のとおり、取消理由は、本件明細書等の発明の詳細な説明の記載に実施可能要件違反があることを前提としたサポート要件違反のみを指摘したところ、上記４のとおり、当該記載は実施可能要件を満たしている。そして、本件訂正発明１，３及び４が、本件明細書等の発明の詳細な説明に記載されていることは明らかである。
　したがって、本件訂正発明１，３及び４の記載は、特許法第３６条第６項第１号に適合している。
（３）取消理由４に対する判断についての小括
　よって、取消理由４は、成り立たない。
第５　取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由について
　特許異議申立人は、特許異議申立書において、本件訂正前の請求項５に係る発明が、引用文献１に記載された発明及び引用文献２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである旨主張する。
　しかしながら、本件訂正により、請求項５は削除された。
　特許異議申立人のかかる主張は採用できない。
　なお、特許異議申立人が提出した甲２は、国際公開第２０１３／１１４４８０号についての再公表公報であったけれども、この再公表公報は、本願の出願後に公開されたものであるので、当審は、国際公開第２０１３／１１４４８０号そのもの（記載内容は、甲２と同一である。）を引用文献２として、取消理由を通知したところである。
第６　むすび
　以上のとおりであるから、取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、本件請求項１、３及び４に係る特許を取り消すことはできない。加えて、本件請求項１、３及び４に係る特許を取り消すべき他の理由を発見しない。
　本件請求項２及び５に係る特許は、本件訂正により削除されたので、これらの特許に対する特許異議の申立ては、特許法第１２０条の８第１項で準用する同法第１３５条の規定により却下する。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和１年８月２１日（２０１９．８．２１）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　基板と、
　該基板の第１主面上に形成されたｎ型半導体層と、該ｎ型半導体層上に形成された発光層と、該発光層上に形成されたｐ型半導体層とからなる半導体積層部と、
　を備えた中心発光波長λの光を発光する発光ダイオードであって、
　前記発光ダイオードの光取り出し面が、前記基板の、前記第１主面の裏面である第２主面であり、
　前記発光ダイオードの光取り出し面に、錐台形状のパターンが形成されており、前記錐台形状のパターンの下底長が１．２λ以上１．７λ以下であり、傾斜角が６５度以上８０度以下であり、上底長が０．４λ以上１．２λ以下である発光ダイオード。
　【請求項２】
（削除）
　【請求項３】
　前記基板が、窒化物である請求項
１に
　【請求項４】
　基板の第１主面上
にｎ
、
、前記基板の前記第１主面の裏面である第２主面の
　前記マスク越しに光取り出し面をエッチングして錐台形状のパターンを形成するパターン形成工程と、
　を有し、
　前記錐台形状のパターンが、下底長が１．２λ以上１．７λ以下であり、傾斜角が６５度以上８０度以下であり、上底長が０．４λ以上１．２λ以下である発光ダイオードの製造方法。
　【請求項５】
（削除）