(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
排気系を備えた処理チャンバーと、処理チャンバー内に被スパッタリング面が露出するように配置されたターゲットを有するカソードと、カソードに電力を与えてスパッタリング放電を生じさせるカソード電源と、スパッタリングされたターゲットの材料が到達する処理チャンバー内の所定位置に基板を配置するための基板ホルダーとを備えたスパッタリング装置であって、
前記基板ホルダーは、基板を加熱するヒータを内蔵した加熱ブロックと、加熱ブロックに接合された導熱ブロックと、導熱ブロックに対して熱伝導性及び気密性良く設けられた静電吸着ブロックとを有しており、
加熱ブロックはステンレス製であって、導熱ブロックは銅製であり、静電吸着ブロックは誘電体製であり、
加熱ブロックは溝を有し、この溝にはヒータが填め込まれていて、溝の壁面とヒータとは熱伝導性の良い材料でロー付けされており、
加熱ブロックと導熱ブロックとは、拡散接合によって熱伝導性及び気密性良く接合されていることを特徴とするスパッタリング装置。
【請求項２】
セパレーションチャンバーを介して加熱チャンバーとスパッタチャンバーとが気密に接続され、加熱チャンバーで基板を所定の温度に加熱した後、スパッタチャンバーで基板にスパッタリングによる成膜が行われるマルチチャンバータイプのスパッタリング装置であって、
前記加熱チャンバーは、基板が載置される加熱ステージを備え、この加熱チャンバーは、基板を加熱するヒータを内蔵した加熱ブロックと、加熱ブロックに接合された導熱ブロックと、導熱ブロックに対して熱伝導性及び気密性良く設けられた静電吸着ブロックとを有しており、
加熱ブロックはステンレス製であって、導熱ブロックは銅製であり、静電吸着ブロックは誘電体製であり、
加熱ブロックは溝を有し、この溝にはヒータが填め込まれていて、溝の壁面とヒータとは熱伝導性の良い材料でロー付けされており、
加熱ブロックと導熱ブロックとは、拡散接合によって熱伝導性及び気密性良く接合されていることを特徴とするスパッタリング装置。
【請求項３】
前記ヒータは、前記基板ホルダーの中心軸に対して同軸円周状に複数設けられていることを特徴とする請求項１又は２記載のスパッタリング装置。
【請求項４】
前記加熱ブロックの前記導熱ブロックが設けられた側とは反対側には冷却ブロックが設けられており、冷却ブロックには、基板を冷却する冷媒の通路が形成されており、前記加熱ブロックと冷却ブロックとは、拡散接合によって熱伝導性及び気密性良く接合されていることを特徴とする請求項１乃至３いずれかに記載のスパッタリング装置。
【請求項５】
前記冷媒通路は、前記基板ホルダーの中心軸を中心にした複数の同軸円周状の形状の部分を繋いだ形状であることを特徴とする請求項４記載のスパッタリング装置。
【請求項６】
前記基板ホルダーには前記基板の温度を測定する放射温度計が設けられており、この放射温度計は、前記基板ホルダーの中央部分を貫通するようにして設けられた計測管に接続されており、前記ヒータは、この計測管を取り囲む形状であることを特徴とする請求項１乃至３いずれかに記載のスパッタリング装置。
【請求項７】
前記基板ホルダーには前記基板の温度を測定する放射温度計が設けられており、この放射温度計は、前記基板ホルダーの中央部分を貫通するようにして設けられた計測管に接続されており、前記冷媒通路は、この計測管を取り囲む形状であることを特徴とする請求項４又は５記載のスパッタリング装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本願の発明は、各種半導体デバイスの製作において配線用金属材料の成膜等のために使用されるスパッタリング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
各種半導体デバイスの製作においては、配線用金属材料の成膜等のためにスパッタリング装置が使用されている。例えば、各種ＦＥＴ（電界効果トランジスタ）のコンタクト部に形成されたコンタクトホール内に金属材料を埋め込んで配線する工程では、スパッタリングによってコンタクトホール内にアルミニウム膜を堆積させながら基板を高温に加熱し、アルミニウムのリフローによってコンタクトホール内をアルミニウムで埋め込み配線している。また、コンタクトホールに埋め込まれる金属配線材料と下地半導体との相互拡散による汚損を防止するため、金属配線材料と下地半導体との間に拡散防止膜を薄く堆積させることも行われている。この拡散防止膜は、例えばチタン薄膜の上に窒化チタン薄膜を積層した構造が採用され、同じくスパッタリングによって作成される場合が多い。
【０００３】
図９は、このようなスパッタリングを行う従来のスパッタリング装置の概略構成を示した正面図である。図９に示すスパッタリング装置は、排気系２１を備えた処理チャンバー２と、処理チャンバー２内に被スパッタリング面が露出するように配置されたターゲット２２１を有するカソード２２と、カソード２２に電力を与えてスパッタリング放電を生じさせるカソード電源２２２と、カソード２２を臨む処理チャンバー２内の放電空間に所定のガスを導入するガス導入手段２３と、スパッタリングされたターゲット２２１の材料が到達する処理チャンバー２内の所定位置に基板Ｓを配置するための基板ホルダー２４と、基板ホルダー２４を加熱することで間接的に基板Ｓを加熱するヒータ２５と、基板ホルダー２４に高周波電圧を印加して基板Ｓに自己バイアス電圧を誘起させる高周波電源２６と、カソード２２と基板ホルダー２４との間のスパッタリング粒子飛行空間を取り囲むようにして設けられた筒状の防着シールド２７と、基板ホルダー２４に載置された基板Ｓを周縁を押圧して基板Ｓが動かないようにするクランプ９から主に構成されている。
【０００４】
図９に示す装置において、カソード２２は、前側（基板ホルダー２４の側）にターゲット２２１を備えている。ガス導入手段２３によって処理チャンバー２内に導入されたガスは、カソード電源２２２によって与えられた電力によって電離し、ターゲット２２１の前方の放電空間にスパッタリング放電が生じる。このスパッタリング放電によってターゲット２２１がスパッタリングされ、スパッタリングによって放出されたターゲット２２１の材料の粒子（通常は原子。以下、スパッタリング粒子と呼ぶ。）が基板Ｓに到達してターゲット２２１の材料の薄膜を堆積する。
【０００５】
また、ヒータ２５は、赤外線ランプ等の輻射加熱ヒータであり、処理チャンバー２内の基板ホルダー２４の下側の位置に配置されている。そして、高周波電源２６は、基板ホルダー２４に高周波電圧を印加し、放電によって形成されたプラズマと高周波との相互作用により、基板Ｓに負の自己バイアス電圧を与える。負の自己バイアス電圧によってプラズマ中から正イオンが効率よく引き出されて基板Ｓに入射し、成膜のエネルギーに利用される。
【０００６】
尚、カソード２２と基板ホルダー２４との間に設けられた防着シールド２７は、ターゲット２２１からのスパッタリング粒子が基板Ｓ以外の不必要な場所に付着するのを効果的に防止する。例えば、処理チャンバー２の内壁面等にスパッタリング粒子が付着すると、所定の厚さに成長した後、内部ストレスによって剥離し、処理チャンバー２内をパーティクルとなって浮遊する。このパーティクルが基板Ｓに付着すると、局所的な膜厚異常や配線のショート等の欠陥を招く恐れがある。
防着シールド２７は、上記のような問題を効果的に防止している。この防着シールド２７は、処理チャンバー２の不必要な場所へのスパッタリング粒子の付着を防止するため、カソード２２と基板ホルダー２４との間のスパッタリング粒子飛行空間をできるだけくまなく取り囲むことが好ましい。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上記構成に係る従来のスパッタリング装置において、品質の良い薄膜を作成するには、成膜中の基板の温度管理が重要であるが、従来の装置では、基板ホルダーの下側に配置されたヒータによって間接的に温度制御しているため、温度制御の精度が悪かった。また、ヒータが真空中に露出しているため、ヒータからの脱ガスが基板の汚損の原因となる場合があった。
本願の発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、品質の良いスパッタリング成膜が行える実用的なスパッタリング装置を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本願の請求項１記載の発明は、排気系を備えた処理チャンバーと、処理チャンバー内に被スパッタリング面が露出するように配置されたターゲットを有するカソードと、カソードに電力を与えてスパッタリング放電を生じさせるカソード電源と、スパッタリングされたターゲットの材料が到達する処理チャンバー内の所定位置に基板を配置するための基板ホルダーとを備えたスパッタリング装置であって、
前記基板ホルダーは、基板を加熱するヒータを内蔵した加熱ブロックと、加熱ブロックに接合された導熱ブロックと、導熱ブロックに対して熱伝導性及び気密性良く設けられた静電吸着ブロックとを有しており、
加熱ブロックはステンレス製であって、導熱ブロックは銅製であり、静電吸着ブロックは誘電体製であり、
加熱ブロックは溝を有し、この溝にはヒータが填め込まれていて、溝の壁面とヒータとは熱伝導性の良い材料でロー付けされており、
加熱ブロックと導熱ブロックとは、拡散接合によって熱伝導性及び気密性良く接合されているという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項２記載の発明は、セパレーションチャンバーを介して加熱チャンバーとスパッタチャンバーとが気密に接続され、加熱チャンバーで基板を所定の温度に加熱した後、スパッタチャンバーで基板にスパッタリングによる成膜が行われるマルチチャンバータイプのスパッタリング装置であって、
前記加熱チャンバーは、基板が載置される加熱ステージを備え、この加熱チャンバーは、基板を加熱するヒータを内蔵した加熱ブロックと、加熱ブロックに接合された導熱ブロックと、導熱ブロックに対して熱伝導性及び気密性良く設けられた静電吸着ブロックとを有しており、
加熱ブロックはステンレス製であって、導熱ブロックは銅製であり、静電吸着ブロックは誘電体製であり、
加熱ブロックは溝を有し、この溝にはヒータが填め込まれていて、溝の壁面とヒータとは熱伝導性の良い材料でロー付けされており、
加熱ブロックと導熱ブロックとは、拡散接合によって熱伝導性及び気密性良く接合されているという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項３記載の発明は、前記請求項１又は２の構成において、前記ヒータは、前記基板ホルダーの中心軸に対して同軸円周状に複数設けられているという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項４記載の発明は、前記請求項１乃至３いずれかの構成において、前記加熱ブロックの前記導熱ブロックが設けられた側とは反対側には冷却ブロックが設けられており、冷却ブロックには、基板を冷却する冷媒の通路が形成されており、前記加熱ブロックと冷却ブロックとは、拡散接合によって熱伝導性及び気密性良く接合されているという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項５記載の発明は、前記請求項４の構成において、前記冷媒通路は、前記基板ホルダーの中心軸を中心にした複数の同軸円周状の形状の部分を繋いだ形状であるという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項６記載の発明は、前記請求項１乃至３いずれかの構成において、前記基板ホルダーには前記基板の温度を測定する放射温度計が設けられており、この放射温度計は、前記基板ホルダーの中央部分を貫通するようにして設けられた計測管に接続されており、前記ヒータは、この計測管を取り囲む形状であるという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項７記載の発明は、前記請求項４又は５の構成において、前記基板ホルダーには前記基板の温度を測定する放射温度計が設けられており、この放射温度計は、前記基板ホルダーの中央部分を貫通するようにして設けられた計測管に接続されており、前記冷媒通路は、この計測管を取り囲む形状であるという構成を有する。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本願発明の実施の形態について説明する。
図１は、本願発明の実施形態に係るスパッタリング装置の概略構成の一例を示す平面図である。図１に示すスパッタリング装置は、マルチチャンバータイプの装置であり、中央に配置されたセパレーションチャンバー１と、セパレーションチャンバーの周囲に設けられた複数の処理チャンバー２，３，４及び二つのロードロックチャンバー５とからなるチャンバー配置になっている。各チャンバー１，２，３，４，５は、専用又は兼用の排気系によって排気される真空容器であり、各チャンバー１，２，３，４，５同士の接続個所には不図示のゲートバルブが設けられている。
セパレーションチャンバー１内には搬送ロボット１１が設けられている。搬送ロボット１１は、一方のロードロックチャンバー５から基板Ｓを一枚ずつ取り出し、各処理チャンバー２に送って順次処理を行うようになっている。そして、最後の処理を終了した後、他方のロードロックチャンバー５に戻すようになっている。
処理チャンバーの一つは、スパッタチャンバー２として構成される。また、他の処理チャンバーの一つは、スパッタリングの前に基板Ｓを加熱する加熱チャンバー３として構成され、さらに他の処理チャンバーの一つは、スパッタリング後に基板Ｓを冷却する冷却チャンバー４等として構成される。
図２は、図１に示すスパッタチャンバー２の概略構成を説明する正面図、図３は、図２に示すスパッタチャンバー２内に配置された基板ホルダー２４の概略構成を示す正面断面図、図４は図３に示す基板ホルダー２４内に埋設されたヒータ２５の構成を説明する平面図、図５は図３に示す基板ホルダー２４を構成する冷却ブロック２４４の構成を説明する平面図、図６は図３に示す基板ホルダー２４の詳細を示す部分断面概略図である。
【００１０】
図２に示すスパッタチャンバー２は、内部を排気する排気系２１と、スパッタチャンバー２内に被スパッタリング面が露出するように配置されたターゲット２２１を有するカソード２２と、カソード２２に電力を与えてスパッタリング放電を生じさせるカソード電源２２２と、カソード２２を臨むスパッタチャンバー２内の放電空間に所定のガスを導入するガス導入手段２３と、スパッタリングされたターゲット２２１の材料が到達するスパッタチャンバー２内の所定位置に基板Ｓを配置するための基板ホルダー２４と、基板ホルダー２４内に設けられた不図示ヒータ２５と、基板ホルダー２４に高周波電圧を印加して基板Ｓに自己バイアス電圧を誘起させる不図示高周波電源２６と、カソード２２と基板ホルダー２４との間のスパッタリング粒子飛行空間を取り囲むようにして設けられた筒状の防着シールド２７とを備えている。
【００１１】
カソード２２は、マグネトロン放電のための磁石機構２２３と、磁石機構２２３の前側に配置されたターゲット２２１とから構成されている。磁石機構２２３は、中心に配置された柱状の中心磁石２２４と、中心磁石２２４を取り囲むリング状の周辺磁石２２５と、中心磁石２２４と周辺磁石とを繋ぐヨーク２２６とから構成されている。中心磁石２２４の前面と周辺磁石２２５の前面とは互いに異なる磁極になっており、図２に示すようなアーチ状の磁力線２２７がターゲット２２１を貫いて設定されるようになっている。カソード電源２２２がカソード２２を介して放電空間に設定する電界は、アーチ状の磁力線２２７の頂点付近で磁界と直交する。このため、形成されるスパッタリング放電において、電子はマグネトロン運動を行うようになり、マグネトロン放電が達成される。
【００１２】
次に、本実施形態の装置の大きな特徴点を成す基板ホルダー２４の構成について、図３、図４、図５及び図６を使用して説明する。
図３に示す基板ホルダー２４は、上面に基板Ｓが載置される部材である静電吸着ブロック２４１と、静電吸着ブロック２４１の下側に設けられた導熱ブロック２４２と、導熱ブロック２４２の下側に設けられた加熱ブロック２４３と、加熱ブロック２４３の下側に設けられた冷却ブロック２４４とから主に構成されている。
【００１３】
静電吸着ブロック２４１は、後述する静電吸着機構２４６により上面に静電気を誘起して基板Ｓを静電吸着するものである。この静電吸着ブロック２４１は、アルミナ等の誘電体で形成されている。静電吸着ブロック２４１は、基板Ｓ（本実施形態ではほぼ円形の半導体ウェーハ）よりも少し径の小さい例えば円盤状である。
【００１４】
導熱ブロック２４２は、加熱ブロック２４３からの熱を効率よく基板Ｓに伝えるためのものであり、銅等の熱伝導効率の良い材料で形成されている。この導熱ブロック２４２は、基板Ｓよりも少し径の大きい例えば円盤状である。
【００１５】
加熱ブロック２４３は、導熱ブロック２４２と同じ径の例えば円盤状であり、材質的にはステンレス製である。そして、この導熱ブロック２４２の下端面には、ヒータ２５が埋設されている。
ヒータ２５は、本実施形態ではシースヒータが採用されている。即ち、内部に抵抗発熱電線を埋め込んだ棒状の発熱体をほぼ円環状に形成したヒータ２５が採用されている。ヒータ２５が設けられる部分には、ヒータ２５の形状に合わせて加熱ブロック２４３の下面に溝が形成されている。そして、ヒータ２５はこの溝の内部に填め込まれて設けられている。また、ヒータ２５と溝の壁面との間は熱伝導性の良いニッケル等の材料でロー付けされている。そして、発熱ブロックの下側には、蓋板２５０が設けられており、ヒータ２５が設けられた発熱ブロックの下端面を塞いでいる。このため、ヒータ２５は真空雰囲気に露出することはなくなっている。
【００１６】
また、図４に示す通り、上記ほぼ円環状のヒータ２５は、基板ホルダー２４の中心軸に対して同軸円周状に複数設けられている。この複数のヒータ２５は、中心軸よりに位置して直列につながれている第一の群のヒータ２５Ａと、中心軸から遠い位置に位置して直列につながれている第二の群のヒータ２５Ｂに分けられている。そして、第一の群のヒータ２５Ａにつながれた第一のヒータ電源２５１Ａと、第二の群のヒータ２５Ｂにつながれた第二のヒータ電源２５１Ｂとは、独立して制御されることが可能となっている。
【００１７】
具体的に説明すると、成膜中の基板Ｓの温度は、基板Ｓの中央部分において高くなり易く、基板Ｓの周辺部分で低くなり易い。このため、第二の群のヒータ２５Ｂへの供給電力を第一の群のヒータ２５Ａに比べて高くし、基板Ｓの面内温度分布がより均一になるように制御する。
【００１８】
また、図３に示す通り、冷却ブロック２４４は、上記蓋板２５０に対して接触して設けられている。冷却ブロック２４４も、導熱ブロック２４２と同じ径の円盤状であり、材質的にはステンレス製である。この冷却ブロック２４４内には、冷媒通路２４４１が形成されている。冷媒通路２４４１は、図５に示す通り、基板ホルダー２４の中心軸を中心にした複数の同心円周状の形状の部分を繋いだ形状である。図３に示すように、冷媒通路２４４１の一番中心軸よりの部分に冷媒導入口２４４２が設けられ、一番外側の部分に冷媒排出口２４４３が設けられている。従って、冷却ブロック２４４は、周辺部分よりも中央部分が比較的効率よく冷却される。これは、前述したように、基板Ｓの中央部分の温度が上がり易いためである。
【００１９】
尚、図３に示すように、上記冷媒導入口２４４２には、冷媒導入管２４４４が接続されている。また、冷媒排出口２４４３には、冷媒排出管２４４５が接続されている。そして、冷媒導入管２４４４と冷媒排出管２４４５とを繋ぐようにしてサーキューレータ２４４６が設けられている。サーキュレータ２４４６は、冷却ブロック２４４との熱交換により加熱された冷媒を再び冷却して冷媒導入管２４４４に送り出し、冷媒導入口２４４２に一定の低い温度の冷媒を供給するよう構成されている。
【００２０】
また、図３に示すように、基板ホルダー２４には、基板Ｓの温度を測定する放射温度計２４５が設けられている。具体的には、基板ホルダー２４の中央部分を気密に貫通させるようにして計測管２４５１が設けられている。計測管２４５１の先端は、静電吸着ブロック２４１の基板載置面の少し下方に位置している。また、計測管２４５１の下端には、放射温度計２４５が接続されている。放射温度計２４５は、基板Ｓの裏面からの放射のみを検出するよう、その計測の見込み角が充分小さく設定されている。
【００２１】
次に、基板Ｓを静電吸着ブロック２４１に吸着する静電吸着機構２４６について図６を使用して説明する。図６は、図３とは異なる方向での断面図である。
静電吸着機構２４６は、静電吸着ブロック２４１内に埋設された一対の吸着電極２４６１と、一対の吸着電極２４６１間に直流電圧を印加する吸着電源２４６２とから主に構成されている。一対の吸着電極２４６１は、基板Ｓと平行な面内に配置されている。一対の吸着電極２４６１は、中心部分を小さく円形にくりぬいて形成された円環状を二つに割ったような形状である。
【００２２】
また、基板ホルダー２４には、吸着電極２４６１に直流電圧を導入するための絶縁管２４６３が設けられている。絶縁管２４６３の先端は、静電吸着ブロック２４１内に達しており、その先端と吸着電極２４６１とを繋ぐ接続体２４６４が気密に設けられている。そして、絶縁管２４６３の内部には、接続体２４６４に繋がれた不図示の配線が設けられており、この配線が吸着電源２４６２に繋がっている。接続体２４６４を介して一対の吸着電極２４６１間に直流電圧が印加されると、静電吸着ブロック２４１が誘電分極して基板載置面に静電気が誘起し、基板Ｓが吸着されるようになっている。
【００２３】
尚、一対の吸着電極２４６１に同じ負の直流電圧を印加するようにしてもよい。吸着電極２４６１が負の電圧になると、静電吸着ブロック２４１の表面には正電荷が誘起される。一方、後述するように、スパッタリング放電により形成されたプラズマと高周波との相互作用により基板Ｓに負の自己バイアス電圧が与えられるから、静電吸着ブロック２４１の表面に正電荷を誘起することで、基板Ｓを静電的に吸着することができる。この場合は、一対の吸着電極２４６１でなく、一枚の吸着電極２４６１でも良い。
【００２４】
また、同様に図６を使用して、基板Ｓに自己バイアス電圧を誘起する高周波電源２６について説明する。本実施形態における高周波電源２６は、上記吸着電極２４６１に高周波電圧を印加するよう構成されている。即ち、従来のような基板ホルダー２４全体ではなく、静電吸着ブロック２４１内の吸着電極２４６１にのみ高周波電圧を印加するよう構成されている。
【００２５】
尚、高周波電源２６と基板ホルダー２４との間には、不図示のマッチングボックスが設けられる。マッチングボックスは、マッチングボックスから負荷側（基板ホルダー２４側）のインピーダンスを調整して、反射波等を抑制する。また、吸着電源２４６２と基板ホルダー２４との間には、高周波が吸着電源２４６２に到達するのを防止する高周波フィルタ回路等が設けられる。
【００２６】
上述した基板ホルダー２４の構成において、各導熱ブロック２４２と加熱ブロック２４３及び加熱ブロック２４３と冷却ブロック２４４の界面は、拡散接合の手法によって接触性良く接合されている。拡散接合は、二つの部材を当接させて数トン程度の圧力を加えるとともに両者を１０００℃程度まで加熱することで接合する手法である。この手法によると、両者の界面の接触性や気密性が向上する上、処理チャンバー内に設けた後の脱ガスが抑制される。このため、基板Ｓに対する温度制御の精度向上や基板Ｓの汚損防止の効果に優れている。
【００２７】
例えば導熱ブロック２４２と加熱ブロック２４３等をネジ止めによって固定する方法では、ネジ止めの僅かな締め付け力の違いから熱容量な熱伝導性等の熱的条件が変化する問題がある。例えば複数のネジでネジ止めしている場合には、各ネジの締め付け力の僅かな違いから熱伝導性にばらつきが生じて基板Ｓに対して均一な加熱ができなかった。
また、装置の運搬等の際にネジに僅かなゆるみが生じて締め付けが低下すると、熱的条件が変化するため、設定された加熱条件では予定された温度に加熱することができなくなり、加熱制御の再現性が低下する問題があった。
【００２８】
これに対し、拡散接合を行う本実施形態では、基板ホルダー２４が一つの固体として一体化するので、ネジ止めの方式で見られた上記問題は生じない。例えば、基板Ｓを４５０℃に加熱する場合、ネジ止めの場合には４５０℃±１０％の再現性であったのに対し、本実施形態では４５０℃±３％の再現性に改善される。
【００２９】
また、図３に示すように、静電吸着ブロック２４１と導熱ブロック２４２との間には、カーボンシート２４９が挟み込まれている。カーボンシート２４９は、静電吸着ブロック２４１と導熱ブロック２４２との間の熱伝導性及び気密性を向上させている。
【００３０】
さらに、図２に示すような、本実施形態の装置では、基板ホルダー２４を上下動させる移動機構２８が設けられている。移動機構２８の構成について、再び図２を使用して説明する。
まず、スパッタチャンバー２の底板部分２０１には、基板ホルダー２４の支柱部分２４８を挿通させた開口が設けられている。基板ホルダー２４の支柱部分２４８は開口を通して下方に延び、その下端部分が移動機構２８によって保持されている。
【００３１】
移動機構２８は、支柱部分２４８の下端を保持した保持アーム２８１と、保持アーム２８１を上下動させる直線運動源２８２と、直線運動源２８２による直線運動をガイドするリニアガイド２８３と、直線運動源２８２を制御する制御部２８４とから主に構成されている。制御部２８４によって直線運動源２８２が駆動されると、アーム２８１を介して基板ホルダー２４が上下動するようになっている。
【００３２】
尚、底板部分２０１の下方に延びる支柱部分２４８を取り囲むようにしてベローズ２８５が設けられている。ベローズ２８５は、底板部分２０１の開口の縁と保持アーム２８１とを気密に繋ぎ、基板ホルダー２４の上下動を許容しつつ、底板部分２０１の気密を保持している。
【００３３】
また、本実施形態において、カソード２２と基板ホルダー２４との間の空間を取り囲むようにして防着シールド２７が設けられている。防着シールド２７は、交換自在に配置されており、ターゲット２２１からのスパッタリング粒子が基板Ｓ以外の不必要な場所に付着するのを効果的に防止している。
【００３４】
次に、図１に示す加熱チャンバー３の構成について説明する。図７は、図１に示す加熱チャンバー３の概略構成を説明する正面図である。図７に示す加熱チャンバー３は、内部を排気する排気系３１と、基板Ｓが載置されて加熱される加熱ステージ３４とを備えている。
【００３５】
排気系３１は、加熱チャンバー３内で基板Ｓが汚損されることがないように、加熱チャンバー３内を排気するものである。排気系３１は、例えば１０-7Ｔｏｒｒ程度の圧力まで加熱チャンバー３内を排気することが可能に構成される。尚、加熱チャンバー３内に所定の不活性ガスを導入するガス導入手段が必要に応じて設けられる。
【００３６】
加熱ステージ３４は、基板ホルダー２４と同様の構成である。即ち、加熱ステージ３４上面に基板Ｓが載置される部材である静電吸着ブロック３４１と、静電吸着ブロック３４１の下側に設けられた導熱ブロック３４２と、導熱ブロック３４２の下側に設けられた加熱ブロック３４３とから構成されている。
【００３７】
次に、図１に示す冷却チャンバー４の構成について説明する。図８は、図１に示す冷却チャンバー４の概略構成を説明する正面図である。図８に示す冷却チャンバー４は、内部を排気する排気系４１と、基板Ｓが載置されて冷却される冷却ステージ４４とを備えている。
【００３８】
排気系４１は、冷却チャンバー４内で基板Ｓが汚損されることがないように、冷却チャンバー４内を排気するものである。排気系４１は、例えば１０-7Ｔｏｒｒ程度の圧力まで冷却チャンバー４内を排気することが可能に構成される。尚、冷却チャンバー４内に所定の不活性ガスを導入して対流等による熱放散を抑制するガス導入手段が必要に応じて設けられる。
【００３９】
冷却ステージ４４は、加熱のための構成が無いことを除いて図３に示す基板ホルダー２４と同様の構成である。即ち、上面に基板Ｓが載置される部材である静電吸着ブロック４４１と、静電吸着ブロック４４１の下側に設けられた導熱ブロック４４２と、導熱ブロック４４２に下側に設けられた冷却ブロック４４４とから構成されている。
【００４０】
上記構成に係る本実施形態のスパッタリング装置の動作について説明する。
まず、図１に示すロードロックチャンバー５内に収容されている未処理の一枚の基板Ｓをセパレーションチャンバー１内の搬送ロボット１１が取り出して加熱チャンバー３に搬送し、基板Ｓは図７に示す加熱ステージ３４に載置される。不図示のゲートバルブが閉じて、排気系３１によって加熱チャンバー３内の圧力が所定の圧力に維持される。加熱ステージ３４では、ヒータ３５が予め動作して加熱ステージ３４を所定温度に加熱している。基板Ｓが載置されて不図示の静電吸着機構が動作すると、基板Ｓが所定の温度まで急速に加熱される。この加熱温度は、例えば１５０〜４５０℃程度である。尚、加熱される基板Ｓの温度は、放射温度計３４５によって計測されて確認される。
【００４１】
上記加熱を所定時間行った後、基板Ｓは図１に示す搬送ロボット１１によってスパッタチャンバー２に送られ、基板Ｓは、図３に示す基板ホルダー２４上に載置される。この際、基板ホルダー２４は、所定の下方待機位置に位置している場合があり、この場合は、基板Ｓの載置動作の前又は後に移動機構によって基板ホルダー２４を上方の処理位置に移動させる。また、基板Ｓの載置後に図６に示す静電吸着機構２４６が動作し、基板Ｓを図３に示す基板ホルダー２４に静電吸着させる。尚、基板ホルダー２４内のヒータ２５及びサーキュレータ２４４６が予め動作しており、基板Ｓは基板ホルダー２４に吸着されることによってこの温度に温度制御される。
【００４２】
スパッタチャンバー２の内部は予め所定圧力まで排気されており、基板Ｓの載置してゲートバルブを閉じた後、図２に示すガス導入手段２３を動作させてアルゴン等のスパッタリング率の高い所定のガスを所定の流量で導入する。排気系２１を制御してスパッタチャンバー２の圧力を所定の値に保ちながら、カソード電源２２２を動作させ、カソード２２に所定の電圧を印加する。これによって、スパッタリング放電が生じてターゲット２２１がスパッタリングされ、放出されたスパッタリング粒子が基板Ｓに達して所定の薄膜が基板Ｓ上に堆積する。
【００４３】
並行して図６に示す高周波電源２６が動作しており、基板Ｓには負の自己バイアス電圧が誘起される。この負の自己バイアス電圧によってプラズマ中から正イオンが効率よく引き出されて基板Ｓに入射し、成膜のエネルギーに利用される。
また、成膜中の基板Ｓの温度は、図３に示す放射温度計２４５によって計測されている。この計測結果は、ヒータ２５を駆動するヒータ電源２５１Ａ，Ｂに送られ、基板Ｓの温度がフィードバック制御される。
尚、図２に示すターゲット２２１と基板Ｓとの距離は、予め最適な値に調整される。即ち、基板ホルダー２４が移動機構２８によって上下動し、ターゲット２２１とターゲット２２１との距離が最適な値に調整される。尚、ターゲット２２１が移動することで基板ホルダー２４とターゲット２２１の距離が変化する構成であっても良い。
【００４４】
上記成膜動作を所定時間行って所定の厚さの薄膜を作成した後、カソード電源２２２、ガス導入手段２３、静電吸着機構２４６、ガス供給手段２４７、高周波電源２６の動作をそれぞれ停止させた後、排気系２１によってスパッタチャンバー２内を再度排気する。その後、ゲートバルブを開けて搬送ロボット１１が基板Ｓをスパッタチャンバー２から搬出し、冷却チャンバー４に搬送する。
【００４５】
基板Ｓは、図８に示す冷却チャンバー４内の冷却ステージ４４に載置される。冷却ステージ４４は、冷媒通路４４１内への冷媒の流通によって予め所定の温度に冷却されている。基板Ｓが冷却ステージ４４に載置されて静電吸着機構４４６が動作すると、基板Ｓは急速に冷却される。放射温度計４４５によって基板Ｓの温度が所定の温度に低下したのを確認すると、基板Ｓは、冷却チャンバー４から搬出され、ロードロックチャンバー５に送られる。これで、一枚の基板に対する一連の成膜処理が終了する。
【００４６】
【発明の効果】
以上説明した通り、本願の請求項１の発明によれば、基板ホルダー内に設けられたヒータによって制御性よく基板の温度管理ができるので、この点で品質の良い薄膜の作成に貢献できる。
また、請求項２の発明によれば、加熱ステージ内に設けられたヒータによって制御性よく基板の温度管理ができるので、この点で品質の良い薄膜の作成に貢献できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願発明の実施形態に係るスパッタリング装置の概略構成を示す平面図である。
【図２】図１に示すスパッタチャンバーの概略構成を示す正面図である。
【図３】図２に示す基板ホルダー２４の概略構成を示す正面断面図である。
【図４】図３に示す基板ホルダー２４内に埋設されたヒータ２５の構成を説明する平面図である。
【図５】図３に示す基板ホルダー２４を構成する冷却ブロック２４４の構成を説明する平面図である。
【図６】図２に示す基板ホルダー２４の概略構成を示す断面図であり、図３とは異なる方向での断面図である。
【図７】図１に示す加熱チャンバー３の概略構成を説明する正面図である。
【図８】図１に示す冷却チャンバー４の概略構成を説明する正面図である。
【図９】従来のスパッタリング装置の概略構成を示した正面図である。
【符号の説明】
１  セパレーションチャンバー
１１  搬送ロボット
２  処理チャンバー
２１  排気系
２２  カソード
２２１  ターゲット
２２２  カソード電源
２２３  磁石機構
２３  ガス導入手段
２４  基板ホルダー
２４１  静電吸着ブロック
２４２  導熱ブロック
２４３  加熱ブロック
２４４  冷却ブロック
２４６  静電吸着機構
２５  ヒータ
２６  高周波電源
３  加熱チャンバー
３４  加熱ステージ
３４２  導熱ブロック
３４３  加熱ブロック
３５  ヒータ
４  冷却チャンバー
４４  冷却ステージ
４４２  導熱ブロック
４４４  冷却ブロック
５  ロードロックチャンバー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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