(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に光学記録層が形成された光学記録媒体において、該光学記録層に用いられ、下記一般式（Ｉ）で表されるポリメチン化合物を含有してなる光学記録材料。
【化１】
0004056295.tif 000022
【化２】
0004056295.tif 000023
【化３】
0004056295.tif 000024
【請求項２】
基体上に、請求項１記載の光学記録材料からなる薄膜を形成したことを特徴とする光学記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、情報をレーザ等による熱的情報パターンとして付与することにより記録する光学記録媒体に使用される光学記録材料に関し、詳しくは、レーザ等により高密度の光学記録及び再生が可能な光学記録媒体に使用される光学記録材料に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
光学記録媒体は、一般に記録容量が大きく、記録又は再生が非接触で行われる等、優れた特徴を有することから広く普及している。ＷＯＲＭ、ＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ−Ｒ等の追記型の光ディスクでは、記録層の微少面積にレーザを集光させ、記録層の性状を変えて記録し、未記録部分との反射光量の違いによって再生を行っている。
【０００３】
光ディスクに代表される光学記録媒体の記録層には、記録層を形成するのが容易なので、有機系の色素化合物が使用されており、特にポリメチン化合物が感度が高く、高速化に対応できることから検討されている。
【０００４】
ポリメチン化合物は、ポリメチン構造を有するカチオン及びその対イオンであるアニオンにより構成されており、対イオンであるアニオンとしては、ヨウ素、臭素、塩素等のハロゲンアニオン；過塩素酸アニオン、塩素酸アニオン、チオシアン酸アニオン、六フッ化リンアニオン、六フッ化アンチモンアニオン、四フッ化ホウ素アニオン等の無機系アニオン；ベンゼンスルホン酸アニオン、トルエンスルホン酸アニオン、トリフルオロメタンスルホン酸アニオン等の有機スルホン酸アニオン等が使用されており、これらは、特開２００１−２０９９６９号公報、特開２００１−３２２３５４号公報、特開２０００−１０８５１０号公報、特開２０００−１６８２３３号公報、特開平１０−２３５９９９号公報、特開平１０−３３７９５９号公報等に記載されている。
【０００５】
しかし、上記のアニオンを用いたポリメチン化合物は、日光や自然光に対する記録の保存安定性（以降光堅牢性と記載することもある）が不充分であるという問題点を有している。
【０００６】
従って、本発明の目的は、充分な光堅牢性を有する光学記録媒体用の光学記録材料を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、検討を重ねた結果、対イオンに特定の分子構造を有するアニオンを用いたポリメチン化合物が、上記課題を解決し得ることを知見し、本発明に到達した。
【０００８】
即ち、本発明は、基体上に光学記録層が形成された光学記録媒体において、該光学記録層に用いられ、下記一般式（II）で表されるアニオンとポリメチンカチオンとからなるポリメチン化合物、詳しくは後述の一般式（Ｉ）で表されるポリメチン化合物を含有してなる光学記録材料、及び、基体上に、該光学記録材料からなる薄膜を形成したことを特徴とする光学記録媒体を提供するものである。
【化４】
0004056295.tif 000002
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。
【００１０】
本発明に係るポリメチン化合物は、下記一般式（Ｉ）で表され、半導体レーザを用いる光学記録材料として、記録ピットを形成するのに適する光学特性及び熱的特性を有する。
【００１１】
【化５】
0004056295.tif 000003
【００１２】
上記一般式（I）及び（II）において、Ｙ0で表される炭素数１〜８のアルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、第二ブチル、第三ブチル、イソブチル、アミル、イソアミル、第三アミル、ヘキシル、シクロヘキシル、シクロヘキシルメチル、２−シクロヘキシルエチル、ヘプチル、イソヘプチル、第三ヘプチル、３−ヘプチル、ｎ−オクチル、イソオクチル、第三オクチル、２−エチルヘキシルが挙げられ、炭素数６〜３０のアリール基としては、フェニル、ナフチル、２−メチルフェニル、３−メチルフェニル、４−メチルフェニル、４−ビニルフェニル、３−イソプロピルフェニル、４−イソプロピルフェニル、４−ブチルフェニル、４−イソブチルフェニル、４−第三ブチルフェニル、４−ヘキシルフェニル、４−シクロヘキシルフェニル、４−オクチルフェニル、４−（２−エチルヘキシル）フェニル、４−ステアリルフェニル、２，３−ジメチルフェニル、２，４−ジメチルフェニル、２，５−ジメチルフェニル、２，６−ジメチルフェニル、３，４−ジメチルフェニル、３，５−ジメチルフェニル、２，４−ジ第三ブチルフェニル、２，５−ジ第三ブチルフェニル、２，６−ジ−第三ブチルフェニル、２，４−ジ第三ペンチルフェニル、２，５−ジ第三アミルフェニル、２，５−ジ第三オクチルフェニル、２，４−ジクミルフェニル、シクロヘキシルフェニル、ビフェニル、２，４，５−トリメチルフェニルが挙げられる。
【００１３】
上記一般式（Ｉ）において、Ｒ1及びＲ1'で表されるハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、炭素数６〜３０のアリール基及び炭素数１〜８のアルキル基としては、上記Ｙ0として例示したものが挙げられ、炭素数１〜８のアルコキシ基としては、メチルオキシ、エチルオキシ、イソプロピルオキシ、プロピルオキシ、ブチルオキシ、ペンチルオキシ、イソペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、２−エチルヘキシルオキシが挙げられる。Ｒ2及びＲ2'で表される炭素数６〜３０のアリール基及び炭素数１〜８のアルキル基としては、上記Ｒ1として例示したものが挙げられる。
【００１４】
Ｘ及びＸ’で表される炭素数３〜６のシクロアルカン−１，１−ジイルとしては、シクロプロパン−１，１−ジイル、シクロブタン−１，１−ジイル、２，４−ジメチルシクロブタン−１，１−ジイル、３−ジメチルシクロブタン−１，１−ジイル、シクロペンタン−１，１−ジイル、シクロヘキサン−１，１−ジイルが挙げられる。
【００１５】
Ｙ及びＹ'で表される炭素数１〜３０の有機基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、第二ブチル、第三ブチル、イソブチル、アミル、イソアミル、第三アミル、ヘキシル、シクロヘキシル、シクロヘキシルメチル、２−シクロヘキシルエチル、ヘプチル、イソヘプチル、第三ヘプチル、ｎ−オクチル、イソオクチル、第三オクチル、２−エチルヘキシル、ノニル、イソノニル、デシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ペプタデシル、オクタデシル等のアルキル基、ビニル、１−メチルエテニル、２−メチルエテニル、プロペニル、ブテニル、イソブテニル、ペンテニル、ヘキセニル、ヘプテニル、オクテニル、デセニル、ぺンタデセニル、１−フェニルプロペン−３−イル等のアルケニル基、フェニル、ナフチル、２−メチルフェニル、３−メチルフェニル、４−メチルフェニル、４−ビニルフェニル、３−イソプロピルフェニル、４−イソプロピルフェニル、４−ブチルフェニル、４−イソブチルフェニル、４−第三ブチルフェニル、４−ヘキシルフェニル、４−シクロヘキシルフェニル、４−オクチルフェニル、４−（２−エチルヘキシル）フェニル、４−ステアリルフェニル、２，３−ジメチルフェニル、２，４−ジメチルフェニル、２，５−ジメチルフェニル、２，６−ジメチルフェニル、３，４−ジメチルフェニル、３，５−ジメチルフェニル、２，４−ジ第三ブチルフェニル、シクロヘキシルフェニル等のアルキルアリール基、ベンジル、フェネチル、２−フェニルプロパン−２−イル、ジフェニルメチル、トリフェニルメチル、スチリル、シンナミル等のアリールアルキル基等、これらがエーテル結合、チオエーテル結合で中断されたもの、例えば、２−メトキシエチル、３−メトキシプロピル、４−メトキシブチル、２−ブトキシエチル、メトキシエトキシエチル、メトキシエトキシエトキシエチル、３−メトキシブチル、２−フェノキシエチル、３−フェノキシプロピル、２−メチルチオエチル、２−フェニルチオエチルが挙げられ、更にこれらの基は、アルコキシ基、アルケニル基、ニトロ基、シアノ基、ハロゲン原子等で置換されていてもよい。
【００１６】
本発明に係るポリメチン化合物は、感度がよく、環Ａが（ａ）で表され、環Ａ'が（ａ'）で表されるものがより好ましく、（ａ）中のＸ及び（ａ'）中のＸ'が、各々独立に、プロパン−２，２−ジイル、ブタン−２，２−ジイル、３−フェニルプロパン−１，１−ジイル又はシクロヘキサン−１，１−ジイルであるものが更に好ましい。
【００１７】
また、本発明に係るポリメチン化合物において、上記一般式（Ｉ）中の連結基Ｑは、使用する半導体レーザの波長に合わせて適宜選択されるものである。例えば、ＣＤ−Ｒに代表される７５０〜８３０ｎｍのレーザを用いる場合は、ヘプタメチン鎖又はペンタメチン鎖を構成するものが選択され、ＤＶＤ−Ｒに代表される６３０〜６７０ｎｍのレーザを用いる場合は、ペンタメチン鎖を構成するものが選択される。
【００１８】
上記連結基Ｑは、下記群IIIの（１）又は（２）で表される基である。
【００１９】
【化６】
0004056295.tif 000004
【００２１】
上記連結基Ｑとしての（１）又は（２）で表される基は、吸光係数が大きい。
【００２２】
上記一般式（Ｉ）におけるポリメチンカチオン部分の具体例としては、下記化合物Ｎｏ．１〜６１が挙げられる。
【００２３】
【化７】
0004056295.tif 000005
【００２４】
【化８】
0004056295.tif 000006
【００２５】
【化９】
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【００２６】
【化１０】
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【００２７】
【化１１】
0004056295.tif 000009
【００２８】
上記一般式（Ｉ）で表される本発明に係るポリメチン化合物は、その製造方法によって制限を受けるものではなく、従来周知の方法に準じて製造することができる。例えば、環構造を有する環状化合物と連結基鎖を導入するためのブリッジ剤化合物とを反応剤により反応させた後、アニオン交換を行うことで合成することができる。より具体的には、環Ａ及び環Ａ'が各々（ａ）及び（ａ'）であり、連結基Ｑが（１）又は（２）の場合は、下記のルート[1]で合成され、環Ａ及び環Ａ'が各々（ｂ）及び（ｂ'）であり、連結基Ｑが（１）又は（２）の場合は、下記のルート[2]で合成することができる。
【００２９】
【化１２】
0004056295.tif 000010
【００３０】
上記ポリメチン化合物を含有してなる本発明の光学記録材料は、光学記録媒体の光学記録層として適用されるが、該光学記録層の形成方法は特に制限を受けない。一般には、メタノール、エタノール等の低級アルコール類；メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、ブチルジグリコール等のエーテルアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、ジアセトンアルコール等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸メトキシエチル等のエステル類；アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル等のアクリル酸エステル類、２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール等のフッ化アルコール類；ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素類；メチレンジクロライド、ジクロロエタン、クロロホルム等の塩素化炭化水素類等の有機溶媒に本発明に係るポリメチン化合物を溶解した溶液を、基体上にスピンコート、スプレー、ディッピング等で塗布する湿式塗布法が用いられる。その他の方法としては、蒸着法、スパッタリング法等が挙げられる。
【００３１】
上記光学記録層の厚さは、通常、０．００１〜１０μｍであり、好ましくは０．０１〜５μｍである。
【００３２】
また、光学記録媒体の光学記録層中における本発明の光学記録材料の使用量は、好ましくは５０〜１００質量％である。
【００３３】
また、上記光学記録層は、本発明の光学記録材料の他に、必要に応じて、シアニン系化合物、アゾ系化合物、フタロシアニン系化合物等の、光学記録層に用いられる本発明に係るポリメチン化合物以外の化合物；ポリエチレン、ポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート等の樹脂類；界面活性剤；帯電防止剤；滑剤；難燃剤；ヒンダードアミン等のラジカル捕捉剤；フェロセン誘導体等のピット形成促進剤；分散剤；酸化防止剤；架橋剤；耐光性付与剤等を含有してもよい。
【００３４】
さらに、上記光学記録層は、一重項酸素等のクエンチャーとして芳香族ニトロソ化合物、アミニウム化合物、イミニウム化合物、ビスイミニウム化合物、遷移金属キレート化合物等を含有してもよく、クエンチャーアニオンを含有してもよい。これらは、上記光学記録層中において好ましくは０〜５０質量％の範囲で使用される。
【００３５】
上記のクエンチャーは、特開平５−１０４８６１号公報、特開平５−２９４０７０号公報、特開平６−１９９０４５号公報、特開平１１−２７７９０４号公報、特開２０００−１７７２４８号公報等に記載されており、例えば、下記一般式（Ａ）で表されるものが挙げられる。
【００３６】
【化１３】
0004056295.tif 000011
【００３７】
上記一般式（Ａ）において、Ａｎn-で表されるアニオンとしては、例えば、一価のものとして、塩素アニオン、臭素アニオン、ヨウ素アニオン、フッ素アニオン等のハロゲンアニオン；過塩素酸アニオン、塩素酸アニオン、チオシアン酸アニオン、六フッ化リンアニオン、六フッ化アンチモンアニオン、四フッ化ホウ素アニオン等の無機系アニオン；ベンゼンスルホン酸アニオン、トルエンスルホン酸アニオン、トリフルオロメタンスルホン酸アニオン等の有機スルホン酸アニオン；オクチルリン酸アニオン、ドデシルリン酸アニオン、オクタデシルリン酸アニオン、フェニルリン酸アニオン、ノニルフェニルリン酸アニオン、２，２’−メチレンビス（４，６−ジ第三ブチルフェニル）ホスホン酸アニオン等の有機リン酸系アニオン等が挙げられ、二価のものとして、ベンゼンジスルホン酸アニオン、ナフタレンジスルホン酸アニオン等が挙げられる。
【００３８】
上記のクエンチャーの具体例としては、下記のクエンチャーＮｏ．１〜３が挙げられる。なお、下記のクエンチャ−Ｎｏ．１〜３は、アニオンを省いたカチオンで表した。
【００３９】
【化１４】
0004056295.tif 000012
【００４０】
また、クエンチャーアニオンは、特開昭６０−２３４８９２号公報、特開平５−５７９号公報、特開平５−４３８１４号公報、特開平６−２３９０２８号公報、特開平９−３０９８８６号公報、特開平１０−４５７６７号、特開平１１−２２７３３１号公報等に記載されており、例えば、下記一般式（Ｂ）又は（Ｃ）で表されるものが挙げられる。
【００４１】
【化１５】
0004056295.tif 000013
【００４２】
上記のクエンチャーアニオンの具体例としては、下記のアニオンＮｏ．１〜２４が挙げられる。
【００４３】
【化１６】
0004056295.tif 000014
【００４４】
【化１７】
0004056295.tif 000015
【００４５】
【化１８】
0004056295.tif 000016
【００４６】
本発明に係る光学記録層を設層する上記基体の材質は、書き込み（記録）光及び読み出し（再生）光に対して実質的に透明なものであれば特に制限はなく、例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート等の樹脂、ガラス等が用いられる。また、その形状は、用途に応じ、テープ、ドラム、ベルト、ディスク等の任意の形状のものが使用できる。
【００４７】
また、上記光学記録層上に、金、銀、アルミニウム、銅等を用いて蒸着法あるいはスパッタリング法により反射膜を形成することもできるし、アクリル樹脂、紫外線硬化性樹脂等による保護層を形成することもできる。
【００４８】
本発明の光学記録材料は、記録、再生に半導体レーザを用いる光学記録媒体の光学記録層に好適であり、特にＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ−Ｒ等の光ディスクの光学記録層に好適である。
【００４９】
【実施例】
以下、製造例、実施例、比較例及び評価例をもって本発明を更に詳細に説明する。しかしながら、本発明は以下の実施例等によって何ら制限を受けるものではない。
【００５０】
［製造例１］化合物Ｎｏ．６のジフェニルアミン−４−スルホン酸塩の製造
窒素置換した反応フラスコにＮ−メチルニトロインドレニントルエンスルホン酸塩７．８１ｇ、ジフェニルホルムアミジン１．９６ｇ、ピリジン１５．８ｇ、無水酢酸３．０６ｇを仕込み、窒素気流下２５℃で３時間撹拌した。これにクロロホルム５０ｍｌ、ジフェニルアミン−４−スルホン酸ナトリウム８．１４ｇ、水５０ｍｌを加え３０分撹拌した後に、クロロホルム相を分離した。これを水洗した後、脱溶媒して得えられた残渣をメタノールで再結晶し、結晶を４．５２ｇ（収率６５．０％）を得た。これについて下記分析を行い、構造等を確認した。分析結果を以下に示す。
（分析結果）
▲１▼純度：ＨＰＬＣ測定；９９．５％
▲２▼構造解析：1Ｈ−ＮＭＲ測定
（ケミカルシフトｐｐｍ；多重度；プロトン数）
（１．７５；ｓ；１２）（３．７１；ｓ；６）（６．６３〜６．７２；ｄ；２）（６．７９〜６．８４；ｔ；１）（６．９５〜６．９７；ｄ；２）（７．０７〜７．０８；ｄ；２）（７．２０〜７．２４；ｔ；２）（７．４０〜７．４５；ｄ；２）（７．６７〜７．７０；ｄ；２）（８．２３；ｓ；１）（８．３７〜８．４５；ｍ；３）（８．５７；ｓ；２）
▲３▼光学的特性：メタノール溶媒でのＵＶスペクトル測定
λｍａｘ；５６２ｎｍ、ε；１．９５×１０5
▲４▼熱分解開始温度：窒素気流中、１０℃／分昇温での示差熱分析
２６９℃
【００５１】
［製造例２］化合物Ｎｏ．３１のジフェニルアミン−４−スルホン酸塩の製造
窒素置換した反応フラスコにＮ−イソアミルベンゾインドレニントルエンスルホン酸塩９．０３ｇ、マロンジアルデヒドジアニリン塩酸塩２．５９６ｇ、ピリジン１５．８ｇ、無水酢酸３．０６ｇを仕込み、窒素気流下２５℃で３時間撹拌した。これにクロロホルム５０ｍｌ、ジフェニルアミン−４−スルホン酸ナトリウム８．１４ｇ、水５０ｍｌを加え３０分撹拌した後に、クロロホルム相を分離した。これを水洗した後脱溶媒して得えられた残渣をメタノールで再結晶し、結晶を５．９９ｇ（収率７１．０％）を得た。これについて下記分析を行い、構造等を確認した。分析結果を以下に示す。
（分析結果）
▲１▼純度：ＨＰＬＣ測定；９９．６％
▲２▼構造解析：1Ｈ−ＮＭＲ測定
（ケミカルシフトｐｐｍ；多重度；プロトン数）
（０．９５〜１．０１；ｄ；１２）（１．５７〜１．６３；ｑ；４）（１．７３〜１．８４；ｍ；２）（１．９５；ｓ；１２）（４．１８〜４．２３；ｔ；４）（６．３１〜６．３５；ｄ；２）（６．６２〜６．６９；ｔ；１）（６．７９〜６．８３；ｔ；１）（６．９１〜６．９９；ｄ；２）（７．０２〜７．０７；ｄ；２）（７．１７〜７．２４；ｔ；２）（７．３９〜７．４５；ｄ；２）（７．４７〜７．５３；ｔ；２）（７．６５〜７．７４；ｍ；４）（８．００〜８．１０；ｔ；４）（８．２０〜８．２６；ｓ＋ｓ；３）（８．４３〜８．５０；ｔ；２）
▲３▼光学的特性：メタノール溶媒でのＵＶスペクトル測定
λｍａｘ；６８０ｎｍ、ε；２．３０×１０5
▲４▼熱分解開始温度：窒素気流中、１０℃／分昇温での示差熱分析
２４８℃
【００５２】
［製造例３］化合物Ｎｏ．７のジフェニルアミン−４−スルホン酸塩の合成
Ｎ−メチルニトロインドレニントルエンスルホン酸をＮ−［２−（４−イソプロポキシフェニル）エチル］ニトロインドレニントルエンスルホン酸に換えた以外は、上記の製造例１と同様の方法により、目的物を合成した。分析結果を以下に示す。
（分析結果）
▲１▼純度：ＨＰＬＣ測定；９９．７％
▲２▼構造解析：1Ｈ−ＮＭＲ測定
（ケミカルシフトｐｐｍ；多重度；プロトン数）
（１．０６〜１．１０；ｄ；１２）（１．６７；ｓ；１２）（３．０１〜３．０５；ｔ；４）（４．４２〜４．４９；ｍ；６）（６．４３〜６．４７；ｄ；２）（６．７３〜６．７７；ｄ；４）（６．７９〜６．８４；ｔ；１）（６．９４〜６．９７；ｄ；２）（７．０５〜７．０８；ｄ；２）（７．１７〜７．１８；ｄ；４）（７．２０〜７．２４；ｔ；２）（７．４１〜７．４４；ｄ；２）（７．５２〜７．５５；ｄ；２）（８．１８〜８．３１；ｍ；４）（８．５６；ｓ；２）
▲３▼光学的特性：メタノール溶媒でのＵＶスペクトル測定
λｍａｘ；５７３ｎｍ、ε；１．７６×１０5
▲４▼熱分解開始温度：窒素気流中、１０℃／分昇温での示差熱分析
２７１℃
【００５３】
［製造例４］化合物Ｎｏ．３６のジフェニルアミン−４−スルホン酸塩の合成
窒素置換した反応フラスコに２−ナフチルヒドラジン３０．１ｇ、エタノール９４．８ｇを仕込み、７０℃まで加温してから、アセチルシクロヘキサン４８．０ｇを５分で滴下した。更に硫酸３９．２ｇを加え３時間反応させた後、エタノールを留去し、トルエン５００ｍｌ、２０質量％水酸化ナトリウム水溶液２００ｇを加え、油水分離した。油相を洗浄水が中性になるまで水洗し、硫酸ナトリウムで乾燥後脱溶媒して得た残渣を６０℃のトルエン９４ｇで溶解させた溶液に、Ｎ−ヘキサン９４ｇを加えて晶析を行い、結晶を濾取、乾燥して中間体（Ａ）を２７．２ｇ得た。窒素置換した反応フラスコに、中間体（Ａ）２５．０ｇとヨウ化メチル１７．１ｇを仕込み、１１０℃で４時間反応させた後、酢酸エチル１０２．４ｇを滴下し３０分還流させ、冷却した。固相を濾取し、洗浄、乾燥を行い中間体（Ｂ）を２７．２ｇ得た。窒素置換した反応フラスコに中間体（Ｂ）１１．８ｇ、ピリジン２３．７ｇを仕込み５０℃まで加温した系に、無水酢酸３．１ｇに下記原料化合物５．００ｇを溶解させた溶液を３０分で滴下した後、７０℃で２時間反応させた。この系にジフェニルアミン−４−スルホン酸ナトリウム５．１０ｇ、メタノール３５．６ｇを加え１時間還流させた。反応系を冷却後、析出した結晶をメタノール、水で洗浄した後乾燥させて、目的物の結晶２．８４ｇ（収率３５．３％）を得た。これについて下記分析を行い、構造等を確認した。分析結果を以下に示す。
（分析結果）
▲１▼純度：ＨＰＬＣ測定；９９．６％
▲２▼構造解析：1Ｈ−ＮＭＲ測定
（ケミカルシフトｐｐｍ；多重度；プロトン数）
（１．７３〜１．９２；ｍ；６）（１．９５；ｓ；６）（１．９９〜２．０８；ｍ；２）（２．４５〜２，５８；ｍ；２）（３．６９；ｓ；３）（３．９６；ｓ；３）（６．２７〜６．３２；ｄ；１）（６．５８〜６．６３；ｄ；１）（６．６９〜６．７６；ｔ；１）（６．７９〜６．８４；ｔ；１）（６．９１〜６．９７；ｄ；２）（７．０５〜７．１１；ｄ；２）（７．１９〜７．２４；ｔ；２）（７．３９〜７．４５；ｄ；２）（７．４６〜７．５３；ｑ；２）（７．６２〜７．６９；ｑ；２）（７．７１〜７．７５；ｄ；１）（７．７８〜７．８２；ｄ；１）（８．０２〜８．１１；ｍ；４）（８．２１〜８．３３；ｍ；５）
▲３▼光学的特性：メタノール溶媒でのＵＶスペクトル測定
λｍａｘ；６７８ｎｍ、ε；１．９８×１０5
▲４▼熱分解開始温度：窒素気流中、１０℃／分昇温での示差熱分析
２２２℃
【００５４】
【化１９】
0004056295.tif 000017
【００５５】
［実施例１〜６］光学記録媒体の製造及び適正記録光波長評価
チタンキレート化合物（Ｔ−５０：日本曹達社製）を塗布、加水分解して下地層（０．０１μｍ）を設けた直径１２ｃｍのポリカーボネートディスク基板上に、化合物Ｎｏ．４、６、７、２２、３１又は３６のジフェニルアミン−４−スルホン酸塩の２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール溶液（濃度２.０質量％）をスピンコーティング法にて塗布して、厚さ１００ｎｍの光学記録層を形成し、光学記録媒体を得た。これらの光学記録媒体について、光学記録ディスクに現在用いられている記録光の波長について、ＵＶスペクトル吸収の測定を行い、適正記録光波長の評価を行った。各光学記録媒体のλｍａｘの強度を１として、これに対する相対強度が０．１５より小さいと記録及び再生の特性が悪化し、０．５０を超えると記録層の耐光性が悪くなり、記録の保存安定性が悪くなる。従って、上記相対強度が、好適な範囲である０．１５〜０．５０を示すものを適正記録光波長とした。結果を表１に記す。
【００５６】
【表１】
0004056295.tif 000018
【００５７】
［評価例１及び比較評価例１］耐光性評価
チタンキレート化合物（Ｔ−５０：日本曹達社製）を塗布、加水分解して下地層（０．０１μｍ）を設けた直径１２ｃｍのポリカーボネートディスク基板上に、表２に記載のポリメチン化合物の２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール溶液（濃度２．０質量％）をスピンコーティング法にて塗布して、厚さ１００ｎｍの光学記録層（薄膜）を形成し、光学記録媒体を得た。これらの光学記録媒体について、キセノン耐候性試験器（テーブルサン：スガ試験機（株）社製）を用いて、５５０００ルクスの光を２０時間照射し、薄膜のλmaxにおける塗布成膜直後の吸光度Ａ’と照射後の吸光度Ａとの比Ａ／Ａ’（％）を色素残存率として耐光性評価を行った。結果を表２に示す。
【００５８】
【表２】
0004056295.tif 000019
【００５９】
［評価例２及び比較評価例２］耐光性評価
下記表３及び４に記載の配合によりテトラフルオロプロパノール溶液（トータル濃度１．５質量％）を調製し、上記評価例１と同様に光学記録媒体を製造し、耐光性評価を行った。結果を表３及び４に示す。なお、表３及び４中のクエンチャーＮｏ．３のアニオンとしては、六フッ化アンチモンを用いた。
【００６０】
【表３】
0004056295.tif 000020
【００６１】
【表４】
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【００６２】
【発明の効果】
本発明は、充分な光堅牢性を有する光学記録媒体用の光学記録材料を提供できるものである。