(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射光に含まれる可視領域光を選択的に検出する半導体光検出装置において、前記可視領域光及び長波長側の可視領域外光にそれぞれ感度を有する半導体結晶からなる単一の基板と、前記可視領域光を遮光し、前記可視領域外光を透過させるために、前記基板の光入射面側に形成された光学フィルタと、前記可視領域光及び前記可視領域外光を遮光するために、前記基板の光入射面側に形成された遮光膜と、を備え、前記基板は、入射光を電気信号に変換してそれぞれ出力するように、互いに隣接して、形成された第１及び第２の光検出領域と、前記第１及び第２の光検出領域の信号出力に基づき、前記可視領域光に対応した検出信号を出力する信号処理回路と、を前記光入射面側に含み、前記第２の光検出領域は、前記第１の光検出領域を囲うように形成され、前記遮光膜は、前記第１の光検出領域の外縁部と前記第２の光検出領域の内縁部を臨むように環状に形成され、前記光学フィルタは、前記第１の光検出領域の全域を覆い、かつ環状の前記遮光膜の内縁部を臨むように形成され、前記基板の下層部にｐ型基層、前記ｐ型基層の上にｎ型不純物を高濃度に含むｎ＋型埋め込み層、前記ｎ＋型埋め込み層上にｎ型エピタキシャル層、前記ｎ型エピタキシャル層の上部に第１及び第２のｐ型不純物領域が形成され、前記第１及び第２のｐ型不純物領域がそれぞれ前記第１及び第２の光検出領域を構成し、前記信号処理回路は、前記第１の光検出領域の出力を増幅する増幅回路と、前記第２の光検出領域の出力から前記増幅回路の出力を減じることにより前記可視領域光に対応した検出信号を出力する演算回路とを有し、前記第１の光検出領域の光入射面の面積と前記光学フィルタの前記可視領域外光に対する透過率との積をＡとし、前記第２の光検出領域の光入射面の面積をＢとしたとき、前記増幅回路が前記第１の光検出領域の出力をＢ／Ａ倍に増幅して出力することを特徴とする半導体光検出装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、可視領域光を検出する半導体光検出装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
カメラの自動露出計などに用いられる半導体光検出装置であって、視感度に近い分光感度を有し、かつ安価なものとしてＣｄＳ光導電セルが知られているが、Ｃｄを含むＣｄＳ光導電セルは、製造、回収等の点で取り扱いが難しい。そこで、ＣｄＳ光導電セルの代用品となる半導体光検出装置として、視感度に近い分光感度を有し、かつ安価である、フォトダイオードを適用した半導体光検出装置の開発が要求されている。
【０００３】
フォトダイオードを用いて可視領域光を選択的に検出する従来技術として、例えば、特開平8-330621に開示される光学センサがあった。特開平8-330621の光学センサでは、周波数特性が同一である二つの光検出手段のうちの一つ光検出手段のみが光学フィルタを具備し、減算手段がそれぞれの光検出手段の出力を減算処理する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
特開平8-330621の光学センサでは、二つの光検出手段各々が検出すべき光を正確に分離して各々の光検出手段の光入射面に入射させることが困難であり、二つの光検出手段の出力を減算処理することにより得られる検出波長帯の光に対する出力が不正確になるという問題点があり、また二つの光検出手段と信号処理回路とを備えるため装置が大型化するという問題点があった。
【０００５】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、二つの光検出手段各々が検出すべき光を正確に分離して各々の光検出手段の光入射面に入射させることを可能にするフォトダイオードを適用した半導体光検出装置であって、装置の小型化が可能であるものを提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の半導体光検出装置は、入射光に含まれる可視領域光を選択的に検出する半導体光検出装置において、前記可視領域光及び長波長側の可視領域外光にそれぞれ感度を有する半導体結晶からなる単一の基板と、前記可視領域光を遮光し、前記可視領域外光を透過させるために、前記基板の光入射面側に形成された光学フィルタと、前記可視領域光及び前記可視領域外光を遮光するために、前記基板の光入射面側に形成された遮光膜と、を備え、前記基板は、入射光を電気信号に変換してそれぞれ出力するように、互いに隣接して、形成された第１及び第２の光検出領域と、前記第１及び第２の光検出領域の信号出力に基づき、前記可視領域光に対応した検出信号を出力する信号処理回路と、を前記光入射面側に含み、前記第２の光検出領域は、前記第１の光検出領域を囲うように形成され、前記遮光膜は、前記第１の光検出領域の外縁部と前記第２の光検出領域の内縁部を臨むように環状に形成され、前記光学フィルタは、前記第１の光検出領域の全域を覆い、かつ環状の前記遮光膜の内縁部を臨むように形成され、前記基板の下層部にｐ型基層、前記ｐ型基層の上にｎ型不純物を高濃度に含むｎ＋型埋め込み層、前記ｎ＋型埋め込み層上にｎ型エピタキシャル層、前記ｎ型エピタキシャル層の上部に第１及び第２のｐ型不純物領域が形成され、前記第１及び第２のｐ型不純物領域がそれぞれ前記第１及び第２の光検出領域を構成し、前記信号処理回路は、前記第１の光検出領域の出力を増幅する増幅回路と、前記第２の光検出領域の出力から前記増幅回路の出力を減じることにより前記可視領域光に対応した検出信号を出力する演算回路とを有し、前記第１の光検出領域の光入射面の面積と前記光学フィルタの前記可視領域外光に対する透過率との積をＡとし、前記第２の光検出領域の光入射面の面積をＢとしたとき、前記増幅回路が前記第１の光検出領域の出力をＢ／Ａ倍に増幅して出力することを特徴とする。
【０００７】
光学フィルタは、光入射面全体に加えて、遮光膜の内縁部を臨むので、光入射面に外側から斜めに入射してくる光も光学フィルタを通過することになる。また、光入射面に外側から大きな入射角度で入射してくる光は、光学フィルタを通過しないで光入射面に入射することになるが、酸化膜を通過する距離が長くなるので、ｐｎ接合面から離れた位置でシリコン結晶に吸収され、第１の光検出領域の電流信号には寄与しない。そのため、第１の光検出領域は、検出光のうち可視領域外光に対してのみ感度を有することになる。
【０００８】
本発明の半導体光検出装置は、信号処理回路は、第１の光検出領域の出力を増幅する増幅回路と、第２の光検出領域の出力から増幅回路の出力を減じることにより可視領域光に対応した検出信号を出力する演算回路と、を有することが好適である。
【０００９】
増幅回路が第１の光検出領域の出力を増幅させるので、演算回路により処理される第１の光検出領域の出力を維持しつつ、第１の光検出領域の光入射面の面積を小さくすることができる。これにより、装置の更なる小型化が可能となる。
【００１０】
本発明の半導体光検出装置は、第１の光検出領域の光入射面の面積と光学フィルタの長波長側の可視領域外光に対する透過率との積をＡとし、第２の光検出領域の光入射面の面積をＢとしたとき、増幅回路が第１の光検出領域の出力をＢ／Ａ倍に増幅して出力することが好適である。
【００１１】
第１の光検出領域の光入射面の面積と光学フィルタの長波長側の可視領域外光に対する透過率との積（Ａ）が、第２の光検出領域の光入射面の面積（Ｂ）のＡ／Ｂ倍であるときには、光学フィルタを透過した後の第１の光検出領域の光入射面への長波長側の可視領域外光の入射光量は、第２の光検出領域の光入射面への長波長側の可視領域外光の入射光量のＡ／Ｂ倍になる。したがって、増幅回路が、第１の光検出領域の出力をＢ／Ａ倍に増幅させた上で、演算回路が、第２の光検出領域の出力から増幅回路の出力を減じることにより、検出波長帯から長波長側の可視領域外光を除外することができる。その結果、検出波長帯から長波長側の可視領域外光を除外する精度を維持しつつ、第１の光検出領域の光入射面の面積を小さくすることにより、装置を更に小型化させることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して、本発明の半導体光検出装置の好適な実施形態について詳細に説明する。
【００１３】
まず、本実施形態の半導体光検出装置１の構造を説明する。図１は、半導体光検出装置１の平面図である。図２は、図１に示す半導体光検出装置１のII−II線に沿った断面部分拡大図である。
【００１４】
図１に示すように、半導体光検出装置１は、平面の形状が長方形であり、光入射面側（以下では、半導体検出装置１においてフォトダイオードが形成される側を「光入射面側」又は「上」側という。）の平面中央部に第１フォトダイオード１５の光入射面１５２が形成されている。さらに、第１フォトダイオード１５の光入射面１５２を囲うように第２フォトダイオード１７の光入射面１７２が形成され、第２フォトダイオード１７の光入射面１７２を囲うように信号処理回路３０が形成されている。以下に、主として図２を参照して、第１フォトダイオード１５及び第２フォトダイオード１７の構造を具体的に説明する。
【００１５】
シリコン単結晶により構成される基板が、下層部にｐ型の不純物を含むｐ型基層１１を有し、さらに、ｐ型基層１１の上方に形成された、ｐ型又はｎ型の不純物を含む結晶膜、酸化膜、アルミ膜等を有する。
【００１６】
ｐ型基層１１の上面中央部からｎ型不純物がドーピングされることにより、ｐ型基層１１の上部に、高濃度のｎ型不純物を含むｎ+型埋め込み層１２が形成されている。ｎ+型埋め込み層１２の上に、ｎ型の不純物を含み、エピタキシャル結晶成長されたｎ型エピタキシャル層１３が形成されている。
【００１７】
ｎ型エピタキシャル層１３の上面中央部からｐ型不純物がドーピングされることにより、ｎ型エピタキシャル層１３の上部に、高濃度のｐ型不純物を含むｐ+型不純物層１５０が形成されている。さらに、ｎ型エピタキシャル層１３上部に、ｐ+型不純物層１５０を囲うように、高濃度のｐ型不純物がドーピングされた環状のｐ+型不純物層１７０が形成されている。
【００１８】
ｎ+型埋め込み層１２上のｎ型エピタキシャル層１３に隣接する部分に、高濃度のｎ型不純物を含むｎ+型不純物層１４が形成されている。ｎ+型不純物層１４は適用フォトダイオード（以下では、第１フォトダイオード１５と第２フォトダイオード１７とを総称して「適用フォトダイオード」という。）のカソードコンタクトとして機能する。
【００１９】
ｎ型エピタキシャル層１３及びｎ+型不純物層１４等の上面には、熱酸化により、絶縁層として機能する酸化膜（熱酸化膜２１）が形成されている。
【００２０】
熱酸化膜２１を貫き、ｐ+型不純物層１５０と接触するように、アノード電極１５１が形成されている。また、熱酸化膜２１を貫き、ｐ+型不純物層１７０と接触するように、アノード電極１７１が形成されている。熱酸化膜２１を貫き、ｎ+型不純物層１４と接触するように、カソード電極２２が形成されている。アノード電極１５１、アノード電極１７１及びカソード電極２２は、それぞれ、信号処理回路３０に配線されている。
【００２１】
熱酸化膜２１、アノード電極１５１、アノード電極１７１及びカソード電極２２の上に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）により、絶縁層として機能するＳｉO2薄膜（酸化膜２３）が形成されている。
【００２２】
酸化膜２３の上に、アノード電極１５１と、ｐ+型不純物層１５０の外縁部と、ｐ+型不純物層１７０の内縁部と、を臨むように、環状のＡｌ遮光膜１６が形成されている。また、酸化膜２３の上に、アノード電極１７１とｐ+型不純物層１７０の外縁部とを臨むように、Ａｌ遮光膜１８が形成されている。
【００２３】
酸化膜２３、Ａｌ遮光膜１６及びＡｌ遮光膜１８の上に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）により、絶縁層として機能するＳｉO2薄膜（酸化膜２４）が形成されている。
【００２４】
アノード電極１５１、ｐ+型不純物層１５０、ｎ型エピタキシャル層１３、ｎ+型埋め込み層１２、ｎ+型不純物層１４及びカソード電極２２により、第１フォトダイオード１５が構成される。酸化膜２３の上面のうちＡｌ遮光膜１６によって囲まれる領域が、第１フォトダイオード１５の光入射面１５２になる。光入射面１５２の面積は、後述する光入射面１７２の面積の４分の１である。
【００２５】
アノード電極１７１、ｐ+型不純物層１７０、ｎ型エピタキシャル層１３、ｎ+型埋め込み層１２、ｎ+型不純物層１４及びカソード電極２２により、第２フォトダイオード１７が構成される。酸化膜２３の上面のうちＡｌ遮光膜１６とＡｌ遮光膜１８とに挟まれる領域が、第２フォトダイオード１７の光入射面１７２になる。
【００２６】
酸化膜２４の上に、光入射面１５２全体とＡｌ遮光膜１６の内縁部とを臨むように、赤外光（波長約８００ｎｍ以上の光）を選択して透過させる赤外光透過樹脂膜１５４が形成されている。赤外光透過樹脂膜１５４は、原料である樹脂製レジストをスピンナー上で回転するウェハ上の酸化膜２４に滴下し表面全体に塗布した後、フォトリソグラフィーにより所望の部分のみを残して除去することにより形成される。
【００２７】
次に、第１フォトダイオード１５、第２フォトダイオード１７、赤外光透過樹脂膜１５４、Ａｌ遮光膜１６及びアルミ遮光膜１８並びに信号処理回路３０の機能を詳細に説明する。
【００２８】
第２フォトダイオード１７は、特定の波長の光について、光入射面１７２に入射する検出光の強度に比例する電流（電流信号）を発する。ただし、第２フォトダイオード１７の感度は検出光の波長によって異なる。一般に、フォトダイオードにおいては、光入射面に入射する光の波長が短いほど、表面から浅い位置で、光が半導体結晶に吸収され電子―正孔対を誘起させる。表面から浅い位置で発生した電子―正孔対は、空乏層の電界域に達する前に再結合するものが多いので、電流信号に寄与しにくくなる。そのため、短波長光に対するフォトダイオードの感度は小さくなる。特に、適用フォトダイオードにおいては、シリコン結晶が表面付近で短波長側の可視領域外光を吸収する。また、視感度に準じて短波長側の可視領域外光に対する感度が小さくなるように、ｐｎ接合面（ｐ+型不純物層１５０及びｐ+型不純物層１７０の下面とｎ型エピタキシャル層１３との接合面）の深さが調整される。
【００２９】
第１フォトダイオード１５は、第２フォトダイオード１７と同質のものであるが、光入射面１５２の上方に赤外光を選択して透過させる赤外光透過樹脂膜１５４を備える。赤外光透過樹脂膜１５４は、光入射面１５２全体に加えて、Ａｌ遮光膜１６の内縁部を臨むので、光入射面１５２に外側から斜めに入射してくる光も赤外光透過樹脂膜１５４を通過することになる。また、光入射面１５２に外側から大きな入射角度で入射してくる光は、赤外光透過樹脂膜１５４を通過しないで光入射面１５２に入射することになるが、酸化膜２４を通過する距離が長くなるので、ｐｎ接合面から離れた位置でシリコン結晶に吸収され、第１フォトダイオード１５の電流信号には寄与しない。そのため、第１フォトダイオード１５は、検出光のうち赤外光に対してのみ感度を有することになる。
【００３０】
図３に、赤外光透過樹脂膜が光入射面のみを臨むように形成される場合において、光が光入射面に外側から斜めに入射する様子を示す。図３に示されるように、赤外光透過樹脂膜が光入射面のみを臨むように形成される場合、光入射面に外側から斜めに入射する光は、赤外光透過樹脂膜を通過しないで、光入射面に入射することになる。
【００３１】
酸化膜２３の上面のうち光入射面１５２及び光入射面１７２の周辺部は、Ａｌ遮光膜１６及びＡｌ遮光膜１８で覆われる。Ａｌ遮光膜１６及びＡｌ遮光膜１８は、光を透過させないので、酸化膜２３の上面のうち光入射面１５２及び光入射面１７２の周辺部に入射する光が、電流信号に変換されるのを防止する。そのため、光入射面１５２及び光入射面１７２とそれらの周辺部との境界が明確になるので、光入射面１５２及び光入射面１７２への入射光量を正確に制御することができる。
【００３２】
図４は、信号処理回路３０のブロック図である。信号処理回路３０は、第１フォトダイオード１５の電流信号を４倍に増幅させる増幅回路３２を備える。また、信号処理回路３０は、増幅回路３２の出力と第２フォトダイオード１７のアノードとを接続している。このため、第２フォトダイオード１７の信号から、増幅回路３２により増幅された第１フォトダイオード１５の信号を電流信号の状態で減算処理をすることができる。そのため、演算回路の回路面積が小さくなり、装置を小型化できる。
【００３３】
次に、半導体光検出装置１の作用を説明する。
【００３４】
検出光が半導体光検出装置１の検出領域（Ａｌ遮光膜１８で囲われる領域）全体に照射されると、第１フォトダイオード１５は、光入射面１５２に入射する検出光のうち赤外光の強度に比例する電流Ｉ１を出力する。他方、第２フォトダイオード１７は、光入射面１７２に入射する検出光のうち感度領域の光の強度に比例する電流Ｉ２を出力する。
【００３５】
増幅回路３２が第１フォトダイオード１５から出力される電流Ｉ１を４倍に増幅し、増幅回路３２の出力と第２フォトダイオード１７のアノードとを接続することにより、演算回路が第２フォトダイオード１７から出力される電流Ｉ２と、電流Ｉ１の４倍に増幅された電流との差に応じた出力を演算する。
【００３６】
第１フォトダイオード１５の光入射面１５２の面積は、第２フォトダイオード１７の光入射面１７２の面積の４分の１であるので、赤外光が赤外光透過樹脂膜１５４を透過する際の光量の吸収を無視できるとき、すなわち赤外光透過樹脂膜１５４の赤外光に対する透過率を１とみなせるとき、光入射面１５２に入射する赤外光の強度は、光入射面１７２に入射する赤外光の強度のほぼ４分の１になる。したがって、増幅回路３２によって４倍に増幅される電流Ｉ１の電流と、検出光のうち赤外光の光起電力によって第２フォトダイオード１７から出力される電流Ｉ２とは、ほぼ同一の値になる。そこで、増幅回路３２の出力と第２フォトダイオード１７のアノードとを接続することにより、第２フォトダイオード１７から出力される電流Ｉ２と、４倍に増幅された電流Ｉ１の電流との差に応じた出力を電流信号のままで演算することができ、検出光から赤外光を除外した光に対応する適用フォトダイオードの出力を得ることができる。
【００３７】
また、前述のように、適用フォトダイオードにおいては、視感度に準じて短波長側の可視領域外光に対する感度が小さくなる。そのため、半導体光検出装置１は、視感度に準じて短波長側の可視領域外光に対する感度が小さく、かつ赤外光に対する感度を有しないものとなる。
【００３８】
このように、半導体光検出装置１では、第１フォトダイオード１５の光入射面１５２の面積を、第２フォトダイオード１７の光入射面１７２の面積の４分の１に縮小することにより、半導体光検出装置１の表面の面積を小さくしつつ、増幅回路３２が第１フォトダイオード１５の出力を４倍にすることにより、高い精度で検出波長帯から赤外光を除外することができる。
【００３９】
半導体光検出装置１では、単一の基板に第１フォトダイオード１５、第２フォトダイオード１７及び信号処理回路３０が集積され、また第１フォトダイオード１５と第２フォトダイオード１７とが互いに隣接するように形成されるので、装置が小型化される。
【００４０】
第１の光検出領域（第１フォトダイオード）と第２の光検出領域（第２フォトダイオード）との位置関係は、上述の配置に限定されるものではない。例えば、別の実施形態として、半導体光検出装置４が考えられる。図５は、半導体光検出装置４の平面図を示す。図５に示されるとおり、半導体光検出装置４は、半導体光検出装置１と同じく平面の形状が長方形であり、光入射面側の平面内に、第１フォトダイオード（赤外光透過フィルタを備えるフォトダイオード）の光入射面４１と第２フォトダイオード（赤外光透過フィルタを備えないフォトダイオード）の光入射面４２とが長方形の領域を占めるように形成されている。当該長方形の領域の一角に、正方形の第１フォトダイオードの光入射面４１が形成され、当該長方形の領域のその他の部分に、光入射面４１の二辺を囲うように、第２フォトダイオードの光入射面４２が形成されている。さらに、第１フォトダイオード及び第２フォトダイオードを囲うように、信号処理回路４３が形成されている。
【００４１】
検出光が赤外光透過樹脂膜１５４を透過する際の光量の吸収を無視できない場合には、第１フォトダイオード１５の光入射面１５２の面積を拡大させるか、第２フォトダイオード１７の光入射面１７２の面積を縮小させることが好適である。特に、赤外光透過樹脂膜１５４の赤外光に対する透過率と光入射面１５２の面積との積を、光入射面１７２の面積の１／４倍にするのが望ましい。このようにして光入射面１５２の面積と光入射面１７２の面積との比率を調整することにより、より高い精度で、検出波長帯から赤外光を除外できる。
【００４２】
本発明者が、二つの光入射面の面積比率の調整について実験した結果、以下に述べる結果が得られた。
【００４３】
図６は、ｎ+型埋め込み層１２のあるフォトダイオードを適用した本発明の半導体光検出装置（実施例１）、ｎ+型埋め込み層のないフォトダイオードを適用した本発明の半導体光検出装置（実施例２）、実施例１の半導体光検出装置において第１の光検出領域に赤外光透過フィルタが形成されず、その出力は第２の光検出領域の出力に単純に結線された半導体光検出装置（比較例１）及び実施例２の半導体光検出装置において第１の光検出領域に赤外光透過フィルタが形成されず、その出力は第２の光検出領域の出力に単純に結線された半導体光検出装置（比較例２）の分光感度特性を示すスペクトルである。ただし、実施例１及び実施例２においては、第１の光検出領域（赤外光透過フィルタを備えるフォトダイオード）の光入射面と第２の光検出領域（赤外光透過フィルタを備えないフォトダイオード）の光入射面との面積比を１．０７：４とした。また、第１の光検出領域の出力は増幅回路により４倍に増幅される。図７は、図６に示すスペクトルにおいて、各実施例及び比較例の最も強い感度を基準とする相対感度を縦軸にとったものである。
【００４４】
図６及び図７に示すように、比較例１及び比較例２では、半導体光検出装置が赤外光（波長８００ｎｍ以上の光）に対して高い感度を有するが、実施例１及び実施例２では、赤外光に対する感度が非常に小さい。実施例２では、深い部分で発生したキャリアが基板側に吸い取られ、信号に寄与しないため長波長側での感度が更に減少する。
【００４５】
図８は、面積比１．０７：４のｎ+型埋め込み層１２のある本発明の半導体光検出装置（実施例１）、面積比１．００：４のｎ+型埋め込み層１２のある本発明の半導体光検出装置（実施例３）及び実施例１の半導体光検出装置において第１の光検出領域に赤外光透過フィルタが形成されず、その出力は第２の光検出領域の出力に単純に結線された半導体光検出装置（比較例１）の赤外光領域における分光感度特性（相対感度）を示すスペクトルである。ただし、面積比とは、第１の光検出領域（赤外光透過フィルタを備えるフォトダイオード）の光入射面と第２の光検出領域（赤外光透過フィルタを備えないフォトダイオード）の光入射面との面積比を指すものとする。
【００４６】
図８に示すように、実施例１では、赤外光が赤外光透過フィルタを透過する際の光量の吸収を考慮して面積比を１．０７：４とすることにより、赤外光透過フィルタを透過した後の第１の光検出領域の光入射面への赤外光の入射強度と、第２の光検出領域の光入射面への赤外光の入射強度との比が１：４に近くなり、実施例３よりも良好に赤外光を検出波長帯から除外することができた。
【００４７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の半導体光検出装置によれば、二つの光検出手段各々が検出すべき光を正確に分離して各々の光検出手段の光入射面に入射させることが可能なので、高い精度で検出波長帯から赤外光を除外することができる。また、単一の基板に、第１及び第２の光検出領域と信号処理回路とが含まれ、第１及び第２の光検出領域が互いに隣接するように形成されるので、装置の小型化が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】半導体光検出装置１の平面図である。
【図２】図１に示す半導体光検出装置１のII−II線に沿った断面部分拡大図である。
【図３】赤外光透過樹脂膜が光入射面のみを臨むように形成される場合において、光が光入射面に外側から斜めに入射する様子を示す図である。
【図４】信号処理回路３０のブロック図である。
【図５】半導体光検出装置４の平面図である。
【図６】実施例１及び２並びに比較例１及び２の半導体光検出装置の分光感度特性を示すスペクトルである。
【図７】図６に示すスペクトルにおいて、各実施例及び比較例の最も高い感度を基準とする相対感度を縦軸にとったものである。
【図８】実施例１及び３並びに比較例１の半導体光検出装置の赤外光領域における分光感度特性（相対感度）を示すスペクトルである。
【符号の説明】
１…半導体光検出装置、１１…ｐ型基層、１２…ｎ+型埋め込み層、１３…ｎ型エピタキシャル層、１４…ｎ+不純物層、１５…第１フォトダイオード、１５０…ｐ+型不純物層、１５１…アノード電極、１５２…光入射面、１５４…赤外光透過樹脂膜、１７…第２フォトダイオード、１７０…ｐ+型不純物層、１７１…アノード電極、１７２…光入射面、１６、１８…Ａｌ遮光膜、２１…熱酸化膜、２２…カソード電極、２３、２４…酸化膜、３０…信号処理回路、３２…増幅回路、３４…演算回路、３６…電流アンプ、４…半導体光検出装置、４１、４２…光入射面、４３…信号処理回路。
【図１】
0004105440.tif 000002
【図２】
0004105440.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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