【事件の表示】
　昭和６３年特許願第７１２８２号「半導体装置の製造方法」拒絶査定に対する審判事件（平成１年９月２８日出願公開、特開平１−２４３５５３）について、次のとおり審決する。
【結論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理由】
Ｉ．手続の経緯・本願発明の要旨
　本願は、昭和６３年３月２５日の出願であって、その請求項に係る発明は、平成７年３月１３日付け及び平成９年８月２５日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至請求項３に記載されたとおりのものと認められるところ、請求項３に係る発明（以下、「本願第３発明」という）は下記のとおりである。
「多層配線構造を有する半導体装置の製造方法において、半導体基板上方に狭い配線間隔を有する複数の第１配線を形成後、少なくとも有機シランと酸素を含んだガスを反応させた第１気相成長絶縁膜を積層させる工程、前記第１気相成長絶縁膜上に塗布ガラス膜を被着しアニールする工程、前記塗布ガラスを一定量エッチバックする工程、しかる後に第２気相成長絶縁膜を堆積する工程、前記第２気相成長絶縁膜上に第２配線を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
ＩＩ．引用例
　これに対して、原査定の拒絶の理由で引用された、本願出願前に頒布された刊行物である、特開昭６２−２９５４３７号公報（以下、「引用例１」という。）には、次の技術事項が記載されている。
　「この発明は、・・・接続部における導通不良の発生を防止したものである。」（同公報１頁右下欄７〜１３行）
　「従来、多層配線形成法としては、・・・平坦化技術を採用したものが知られている。」（同公報１頁右下欄１５〜１７行）
　「第１図乃至第５図は、この発明の一実施例による多層配線形成法を示すもので、各々の図番に対応する工程（１）〜（５）を順次に説明する。
（１）まず、シリコン等の半導体基板１０の表面にシリコンオキサイド等の絶縁膜１２を形成した後、・・・１層目の配線層１４Ａ及び１４Ｂを形成する。そして、ＣＶＤ法等により配線層１４Ａ及び１４Ｂをおおって第１のＰＳＧ膜１６を形成した後、このＰＳＧ膜１６上に回転塗布法等によりＳＯＧのような液状ガラスを塗布して配線段差軽減用のガラス膜１８を形成する。（２）次に、ドライエッチングによりガラス膜１８を全面的にエッチバックする。このエッチングはガラス膜１８が配線層１４Ａ及び１４Ｂに対応する部分でなくなる（ＰＳＧ膜１６が配線層１４Ａ及び１４Ｂの上方で露呈する）程度に行なう。（３）次に、ＣＶＤ法等によりＰＳＧ膜１６露呈部及び残存ガラス膜１８をおおって第２のＰＳＧ膜２０を形成する。・・・。（５）この後、基板上面に例えばアルミニウムを被着して適宜パターニングすることにより２層目の配線層２６を形成する。」（同公報２頁左下欄１１〜右下欄２０行）
　「上記のように、ガラス膜１８を形成した後エッチバックを行なうことで平坦化効果を損うことなく配線層１４Ａ及び２６問に良好な導通状態を確保することができる。」（同公報３頁左上欄３〜６行）
　「上記実施例では、層間絶縁膜として第１及び第２のＰＳＧ膜１６及び２０を用い、これらのＰＳＧ膜の間にガラス膜１８を形成（中塗り）したが、層間絶縁膜としては第１のＰＳＧ膜１６のみを用い、その上にガラス膜１８を形成（上塗り）したり、・・・することも可能である。また、層間絶縁膜の材料としては、ＰＳＧに限らず、シリコンオキサイド等の適宜のものを用いることができる。」（同公報３頁左上欄７〜１６行）
　以上構成について纏めると、引用例１には次の発明が記載されている。
　「多層配線構造を有する半導体装置の製造方法において、シリコン等の半導体基板１０の上方に１層目の配線層１４Ａ及び１４Ｂを形成後、配線，層１４Ａ及び１４Ｂをおおって第１のシリコンオキサイド絶縁膜を形成する工程、この第１のシリコンオキサイド絶縁膜上に回転塗布法等によりＳＯＧのような液状ガラスを塗布して配線段差軽減用のガラス膜１８を形成する工程、ドライエッチングによりガラス膜１８をエッチバックする工程（このエッチングはガラス膜１８が配線層１４Ａ及び１４Ｂに対応する部分でなくなる（第１のシリコンオキサイドからなる膜１６が配線層１４Ａ及び１４Ｂの上方で露呈する）程度に行なう。）、第１のシリコンオキサイド絶縁膜１６露呈部及び残存ガラス膜１８をおおって第２のシリコンオキサイド絶縁膜２０を形成する工程、この後、基板上面に例えばアルミニウムを被着して適宜パターニングすることにより２層目の配線層２６を形成する工程を有する半導体装置の製造方法。」
　同じく引用された本願出願前に頒布された刊行物である、日経マイクロデバイス１９８７年８月号第１２５〜１３１頁（以下、「引用例２」という。）には、次の技術事項が記載されている。
　「０．６μｍ間隔のＡ１配線上でも平坦なＳｉＯ２を高速に堆積」（１２５頁の表題部）
　「酸化膜の原料にはプラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤともＴＥＯＳ（ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌｏｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ）を使う。その理由は、下地の段差に忠実に均一な厚さの膜を堆積できる１）〜３）ためである。」（１２６頁左欄１８〜２１行）
　「一方、プラズマＣＶＤにはＴＥＯＳとＯ２を使う。ＲＦパワーでＴＥＯＳを分解できるため、Ｏ３にする必要はない。」（１２６頁右欄８〜１０行）
　同じく引用された本願出願前に頒布された刊行物である、特開昭６１−２７２９５１号公報（以下、「引用例３」という。）には、次の技術事項が記載されている。
　「この発明は、配線段差を埋めるべく形成されたシリコンオキサイド等の無機絶縁膜の表面に液状ガラスを塗布して熱処理することによりほぼ平坦状にガラス被膜を形成し、・・・配線面の平坦化を図るようにしたものである。」（同公報１頁右下欄８〜１４行）
ＩＩＩ．対比、判断
　引用例１の発明の目的と本願第３発明の目的とを対比すると、引用例１の発明の直接の目的は、接続部における導通不良の発生を防止したものであるが多層配線構造を有する半導体装置の平坦化の点で両者は共通している。
　次に引用例１の発明の構成と本願第３発明の構成とを対比すると、引用例１の発明における「１層目の配線層１４Ａ及び１４Ｂ」、「第１のシリコンオキサイド絶縁膜」、「ガラス膜１８」及び「第２のシリコンオキサイド絶縁膜２０」は、それぞれ本願第３発明の「配線間隔を有する複数の第１配線」、「第１絶縁膜」、「塗布ガラス膜」及び「第２絶縁膜」に相当するから両者は「多層配線構造を有する半導体装置の製造方法において、半導体基板上方に配線間隔を有する複数の第１配線を形成後、少なくとも第１絶縁膜を積層させる工程、第１絶縁膜上に塗布ガラス膜を被着する工程、塗布ガラスを一定量エッチバックする工程、しかる後に第２絶縁膜を積層させる工程、前記第２絶縁膜上に第２配線を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」の点で一致し、次の４点で一応相違している。
１．本願第３発明における第１配線の配線間隔が狭い配線間隔であるのに対し、引用例１には複数の第１配線の配線間隔が狭い配線間隔であるかどうか明記されていない点。
２．本願第３発明における第１気相成長絶縁膜が少なくとも有機シランと酸素を含んだガスを反応させて製造するのに対し、引用例１にはシリコンオキサイド絶縁膜の製造方法が明記されていない点。
３．本願第３発明における塗布ガラス膜は被着しアニールする工程を有するのに対し、引用例１には回転塗布法等によりＳＯＧのような液状ガラスを塗布して配線段差軽減用のガラス膜１８を形成するとのみ記載があるだけで被着してアニールすることが明記されていない点。
４．本願第３発明における第２絶縁膜が気相成長絶縁膜であるのに対し、引用例１にはシリコンオキサイド絶縁膜を気相成長法により堆積するものかどうか明記されていない点。
　以下上記相違点について検討する。
＜第１の相違点について＞
　配線の間隔は、集積化の進展に伴い狭くなってきており、引用例１の発明の配線間隔が狭いと不都合である理由も存在しないからこの点に格別の技術的意義は認められない。
＜第２の相違点について＞
　引用例２には、０．６μｍ間隔のＡ１配線上でも平坦なＳｉＯ２を高速に堆積でき下地の段差に忠実に均一な厚さの膜を堆積できる酸化膜の製造方法として、ＴＥＯＳ（ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌｏｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ）とＯ２を使うプラズマＣＶＤ技術が開示されており、引用例１におけるシリコンオキサイドからなる絶縁膜の製造に当たりＴＥＯＳ（ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌｏｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ）とＯ２を使うプラズマＣＶＤ技術即ち少なくとも有機シランと酸素を含んだガスを反応させて製造する技術を採用することは、当業者であれば容易になし得たものと認められる。
＜第３の相違点について＞
　液状ガラスを塗布した後熱処理（アニール）することは、引用例３にも記載されているように周知の技術であるからこの点に格別の技術的意義は認められない。
＜第４の相違点について＞
　引用例１には第２シリコンオキサイド絶縁膜に代わる絶縁膜としてＣＶＤ法により第２のＰＳＧ膜２０を形成する技術が開示されており、またシリコンオキサイド絶縁膜を気相成長により堆積することは、引用例２にも示されているように当業者にとって周知の技術事項であるから、第２シリコンオキサイド絶縁膜を気相成長法により堆積することは、当業者にとって格別の困難性なくなし得たものと認められる。
ＩＶ．結論
以上のとおりであるから、本願第３発明は、引用例１、２及び３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものと認められ、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることはできない。
　したがって、本願は、特許請求の範囲の請求項１及び２に記載の発明に言及するまでもなく、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。