【事件の表示】
　平成２年特許願第３１５５５号「静電チャックの帯電除去方法」拒絶査定に対する審判事件〔平成７年１１月２２日出願公告（特公平７−１０９８５５号）、平成３年１０月２２日出願公開（特開平３−２３６２５５号）、請求項の数1〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１．[手続の経緯・本願発明]
　本願は、平成２年２月１４日の出願に係り、原審において、平成７年１１月２２日付で出願公告されたところ特許異議の申立があり、当該申立には理由があるとして、拒絶査定されたもので、その請求項に係る発明は、出願公告後の平成１０年８月５日付で補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項によって特定される、次のとおりのものと認める。
　【請求項１】「マイクロ波によるプラズマ形成手段を有し、真空容器内に設けられた電極にバイアス用の高周波電源と試料吸着用の直流電源とがそれぞれ印可可能に接続され、前記直流電源により前記電極に直流電圧を印可し、試料をプラズマ処理する処理装置の制御方法において、
　前記試料吸着用の電極の電気回路は電極から誘電体膜と試料をとおりプラズマを介してプラズマ処理装置のアース電位に接続されるモノポール方式であって、
　前記試料のプラズマ処理終了後、前記直流電圧の電源出力を停止させ前記マイクロ波のみで放電後、次に前記マイクロ波出力を停止させる制御を行うことを特徴とする静電チャックの帯電除去方法。」（以下、「本願発明」という）
２．[原査定の理由]
　原査定の理由とされた、特許異議の決定の理由の概要は、２件の特許異議申立のうち、上杉則亮のした異議申立において、甲第１及び甲第２号証として提出された、本願の出願より前に頒布された刊行物である、特開昭５８−１８５７７３号（以下、「第１引用例」という）及び特開平１−９８２１７号公報（以下、「第２引用例」という）を引用し、本願発明は、上記第１及び第２引用例に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明については、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
３．[当審の判断］
（１）引用例の記載事項
　上記第１引用例には、次のａ〜ｅの事項に関する記載がある。
　［発明の技術的背景について］
  ａ　集積回路等のための微細加工では、平行平板電極を有する反応容器内に、「反応性ガスを導入し、試料載置の電極に高周波電力（例えば、１３．５６ＭＨｚ）を印加することによりグロー放電を生じせしめプラズマ中の正イオンを陰極（高周波電力印加の電極）面に生じる陰極降下電圧」によって加速し、試料をエッチングする、所謂「反応性イオンエッチング」（ＲＩＥ）が用いられていたが、エッチング速度が遅いため、その高速化が望まれて、ＲＦ印加の電極下でマグネトロン放電を利用するドライエッチング装置が提案されたこと。（第１頁右下欄第１５行〜第２頁右上欄第１４行参照）
　ｂ「静電チャック機構において前記電極２２ａ、２２ｂ間に第３図に示す如く１［ＫＶ］程度の高電圧を印加すると、第２図ｂに示す如く電気力線は電極２２ａから真直ぐ出て試料２４内に入り、Ｓｉウエハの様に電気抵抗が低い材料の場合には、試料２４内には電界が発生せず電極２２ｂに対向する側から出て２２ｂに真直ぐ入る」「試料２４と電極２２ａ、２２ｂとの間の密着性が大きい程強い力でチャッキングされる」こと。（第３頁右上欄第８行〜同頁左下欄第１行参照）
　また、第３図には、チャッキング用の直流電源が示されている。
　［発明の概要］について
　ｃ　プラズマ内の実験により、高周波電力をオフしてから静電チャック電極に印加する高電圧をオフする場合には、試料が落下するまでに１〜２日必要とするが、逆に高周波電力オフのタイミングを高電圧オフよりも遅らせることにより試料が瞬間的に落下することが判明したこと。この瞬間的に落下する原因は、「恐らく１３．５６［ＭＨｚ］の周波数がマイラ等の絶縁層静電緩和周波数よりも充分低いために、前記絶縁膜を構成する配向分子の回転が容易に行われ、高周波電場に追随した分子回転の境界において瞬間的に試料が落下するものと」推察されること。（第４頁左上欄第７〜２０行参照）
  ｄ「高周波電力が印加されると共にその表面に試料が載置される陰極および該陰極の表面に対向配置された陽極を備えた真空容器と」「複数個の互いに絶縁された電極および該電極上に被着された絶縁膜よりなり、上記陰極の表面に取着された静電チャック機構とこの静電チャック機構の各電極間に高電圧を印加する手段とを具備したドライエッチング装置を用い、」「陰極と陽極との間に放電プラズマを生成すると共にマグネトロン放電を生起して」「試料をエッチングするドライエッチング方法において、前記試料のエッチングが終了した時点で、前記マグネトロン放電を維持した状態でまず前記静電チャック機構の電極に印加した高電圧をＯＦＦし、次いで前記陰極と陽極との間に印加した高周波電力をＯＦＦして前記試料を前記静電チャック機構から外すようにした」こと。（第４頁右上欄第１行〜同頁左下欄第５行）
  ［発明の効果］について
　ｅ「静電チャック機構の電極に印加した高電圧をＯＦＦしたのち、陰極と陽極との間に印加した高周波電力をＯＦＦすることにより、静電チャック機構にチャッキングした試料を該チャック機構から速やかに外すことができる」こと。（第４頁左下欄第７〜１１行）」
  上記第２引用例には、静電チャックを備え、ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）プラズマを用いて平板状試料にエッチングまたは成膜加工を施す「乾式薄膜加工装置」（第１頁右下欄第１３〜１６行参照）に関して、次の記載がある。
「半導体ウエハ上に高周波電圧を印加しつつ成膜する方法があり、」「この方法はＲＦバイアスＥＣＲプラズマ法と呼ばれる。基板にＲＦバイアス（ＲＦはラジオ周波数１３．５６ＭＨｚ）を印加する」（第２頁左上欄第３〜８行参照）
「プラズマ室４の内部に、外部に配した磁気ソレノイド３によって静磁場を発生させておき、導波管１により導いたマイクロ波をマイクロ波窓２を通して送りこむ。」「ガスを流すと、プラズマ室４内にプラズマが発生し、磁気拡散効果によってこのプラズマが反応槽８内に流出する。」「反応槽に」「成膜原料ガスを流すことにより、」「イオンや活性種がウエハ表面で反応して窒化膜や酸化膜等を形成することができる。」（第４頁右上欄第５〜１６行参照）
（２）発明の対比
　本願発明と、第１引用例に記載された発明とを対比すると、第１引用例に記載された「ドライエッチング装置」（上記ｄ）は、本願発明の「処理装置」に相当するものである。そして、第１引用例における上記ａ及びｄの記載からみて、上記ドライエッチング装置の陰極に印加される高周波電力は、放電プラズマを形成すると共に、当該プラズマに対するバイアス作用をも有するものと認められる。また、本願発明において「マイクロ波出力を停止させ」ることと、第１引用例記載の発明において「高周波電力をＯＦＦ」する（上記ｄ、ｅ）ことは、いずれもプラズマ形成を停止させる制御を行うことを意味するといえる。
　したがって、本願発明と第１引用例記載の発明との一致点と相違点とは、次のとおりである。
　[一致点]　プラズマ形成手段を有し、真空容器内に設けられた電極にバイアス用の高周波電源と試料吸着用の直流電源とがそれぞれ印可可能に接続され、前記直流電源により前記電極に直流電圧を印可し、試料をプラズマ処理する処理装置の制御方法において、　
　前記試料のプラズマ処理終了後、前記直流電圧の電源出力を停止させた状態で放電を維持し、次にプラズマ形成を停止させる制御を行う静電チャックの帯電除去方法である点。
　[相違点]
　イ　プラズマ形成手段が、本願発明では「マイクロ波による」ものであるのに対し、第１引用例記載の発明では、高周波電力によるものである点。
  ロ　試料吸着の方式が、本願発明では「電極の電気回路は電極から誘電体膜と試料をとおりプラズマを介してプラズマ処理装置のアース電位に接続されるモノポール方式」とされるのに対し、第１引用例記載の発明では「複数個の互いに絶縁された電極」を用いる、いわゆるダイポール方式である点。
　ハ　静電チャックの帯電除去のために、チャックのための直流電源出力を停止させた後、本願発明では「マイクロ波」を放電するのに対し、第１引用例記載の発明では、陰極と陽極との間に高周波電力を印加する点。
（３）相違点についての判断
　そこで、先ず、上記の相違点イについて検討すると、当該技術分野において、高周波電源をバイアス用とすると共に、プラズマをマイクロ波によって発生させることは、例えば上記第２引用例にも示されているように周知の技術事項であって、また、「短波長のマイクロ波（２．５４ＧＨｚ）の使用によって、放電部を局在化できると同時に、ｒｆ放電より１桁ほど高い電子密度のため効率のよい放電が行え、したがって、多量のエッチング種を生成する」こともよく知られているから（電子通信学会編「ＬＳＩハンドブック」（オーム社）第４２８〜４２９頁参照）、第１引用例記載のドライエッチング装置においても、作業の高密度化や高能率化の要請に対応すべく、プラズマ発生のためにマイクロ波を使用することは、当業者が容易にできる設計事項といえる。
  また、上記の相違点ロについて検討すると、例えば、実願昭６２−７１６３号（実開昭６３−１１５２２３号）のマイクロフィルムや、特開昭６３−１４２６５４号公報にも示されているように、当該技術分野においては、モノポール型の静電チャックを使用することも、通常行われており、第１引用例記載のドライエッチング装置においても、かかる静電チャックを使用することは格別困難とはいえない。
  次に、上記相違点ハについて検討すると、静電チャックの帯電除去のために、マイクロ波放電が有効であることはいずれの引用例にも記載されていないし、そのことを示唆するものもない。つまり、第１引用例では、上記ｃ及びｄとして指摘したところから明らかなように、静電チャックの帯電除去のためには、プラズマ放電を維持するのが有効であるとしているわけではなく、高周波電力を印加し続けるのが有効であることを示唆しているのであって、むしろ、上記ｃで、帯電除去の原因を、高周波電源の「１３．５６［ＭＨｚ］の周波数」が「絶縁層静電緩和周波数よりも充分低い」ことにあるとしているところから、第１引用例では、マイクロ波（上記のとおり、当該技術分野において通常使用される周波数は２．５４ＧＨｚである）による放電は、帯電除去のためには好ましくないことを示唆したものとみることも可能である。
　そうすると、上記相違点イについての検討で指摘したように、第１引用例記載のドライエッチング装置において、プラズマ発生のためにマイクロ波を使用することは当業者が必要に応じて容易にできるとしても、当該マイクロ波による放電を、静電チャックの帯電除去のために行うことを容易に想到できたとする根拠はないというべきである。
　また、上記相違点ハにおいて指摘した本件発明の構成（以下、「相違点の構成」という）により奏する作用効果は、上記いずれの引用例の記載からも予測できない格別のものといえる。
　したがって、本願発明が、上記各引用例に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　なお、原審において、特許異議の決定がされなかった他の特許異議申立に関して提出された証拠（上記の相違点ロについての検討で言及した、実願昭６２−７１６３号（実開昭６３−１１５２２３号）のマイクロフィルム）にも、上記相違点の構成についての記載や示唆等、上記判断を左右するものは示されていない。
４．[むすび]
　以上のとおりであるから、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。