【事件の表示】
　平成２年特許願第２７７１３５号「半導体装置」拒絶査定に対する審判事件（平成４年５月２５日出願公開、特開平４−１５１８２０）について、次のとおり審決する。
【結論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理由】
１．本願は平成２年１０月１５日の出願であって、その請求項１ないし３に係る発明は、平成８年７月２４日付け手続補正書及びその他の手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項（１）ないし（３）に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項（１）に記載された発明は次のとおりである。
　「不純物としての酸素濃度が７×１０１９ｃｍ−３以下であり且つ平均結晶粒径が５〜４００Åであり且つラマンスペクトルが５２０ｃｍ−１より低波数側にずれた微結晶から成る半導体が、用いられたことを特徴とする半導体装置。」（以下「本願発明」という。）
２−１．当審において平成１１年５月２１日付け拒絶理由通知書で引用した本願の出願前に頒布された特開昭５９−１４１２７１号公報（以下「引用例１」という。）には、
　「‥‥微結晶又はその一部が微結晶化した非晶質の半導体層と、を具備して成る薄膜トランジスタ」（特許請求の範囲１）、「‥‥粒径５０Å以上の微結晶を有するシリコン層で構成された特許請求の範囲第１項記載の薄膜トランジスタ」（特許請求の範囲２）が記載されており、また、「微結晶シリコンの粒径は５０Å程度から数百Å程度に設定される。‥‥その粒径は一般的に５０〜１００Å程度である。」（第３頁左上欄第８〜１３行）とも記載されている。
　してみれば、この引用例１には、「結晶粒径」が５０〜１００Å程度の微結晶を有するシリコン層で構成された薄膜トランジスタが記載されているものと認められる。
２−２．同じく引用した「Ｊａｐａｎｅｓｅ　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｖｏｌ．２９，Ｎｏ．３，Ｍａｒｃｈ，１９９０，ｐｐ．Ｌ３８５−Ｌ３８７」（以下「引用例２」という。）には、「Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ　ｏｆ　μ　ｃ−Ｓｉ：Ｈ　Ｆｉｌｍｓ　Ｐｒｅｐａｒｅｄ　ｂｙ　Ｈ２　Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ（Ｈ２スパッタリングにより成膜されたμｃ−Ｓｉ：Ｈフィルムの特性）」の表題のもとに以下のことが記載されている。
　「Ｆｉｇｕｒｅ３　ａｎｄ　４　ｓｈｏｗ　ｔｈｅ　Ｒａｍａｎ　ｓｐｅｃｔｒａ　ｆｒ−ｏｍ　ｔｈｅ　ｆｉｌｍｓ　ｐｒｅｐａｒｅｄ　ｏｎ　ｔｈｅ　ｆｕｓｅｄ　ｑｕａｒｔｚ　ａｎｄ　ｔｈｅ　Ｓｉ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ　ｗｈｅｎ　ｔｈｅ　ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ　ｐｏｗｅｒ　Ｐｓ　ｗａｓ　ｖａｒｉｅｄ．　Ｏｎ　ｆｕｓｅｄ　ｑｕａｒｔｚ，ｔｈｅ　Ｒａ−ｍａｎ　ｐｅａｋ　ａｔ　５１７ｃｍ−１　ｓｈｉｆｔｅｄ　ｔｏ　ｔｈｅ　ｐｏｓｉｔｉｏｎ　ａｔ　４８０ｃｍ−１　ｗｈｅｎ　ｔｈｅ　ｍａｇｎｉｔｕｄｅ　ｏｆ　Ｐｓ　ｗａｓ　ｍａｉｎ−ｔａｉｎｅｄ　ｂｅｌｏｗ　２００Ｗ．　Ｔｈｉｓ　ｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄｓ　ｔｏ　ｔｈｅ　ｃｈａｎｇｅ　ｆｒｏｍ　ｔｈｅ　ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚｅｄ　ｐｈａｓｅ　ｔｏ　ｔｈｅ　ａｍｏｒｐｈｏｕｓ　ｐｈａｓｅ．‥‥‥Ｎａｍｅｌｙ，ｔｈｅ　ｂｒｏａｄ　Ｒａｍａｎ　ｓｐｅｃｔｒａ　ａｔ　ａｎｄ　ａｒｏｕｎｄ　４８０ｃｍ−１　ａｒｅ　ｏｎｅｓ　ｆｒｏｍ　ｔｈｅ　ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚｅｄ　Ｓｉ　ｐｈａｓｅ．　Ｉｔ　ｗａｓ　ｒｅｐｏｒｔｅｄ　ｔｈａｔ　ｔｈｅ　Ｒａｍａｎ　ｓｐｅｃｔｒａ　ｏｆ　ｔｈｅ　μ　ｃ−Ｓｉ　ｓｙｓｔｅｍ　ｓｈｉｆｔｅｄ　ｆｒｏｍ　ｔｈｅ　ｃ−Ｓｉ　ｐｈａｓｅ　ｔｏ　ｔｈｅ　ａｍｏｒｐｈｏｕｓ　ｏｎｅ　ｗｉｔｈ　ｄｅｃｒｅａｓｉｎｇ　ｇｒａｉｎ　ｓｉｚｅ　ｔｏ　ｔｈｅ　ｃｒｙｓｔ−ａｌｌｉｎｅ　ｄｉｓｔｏｒｔｉｏｎ．（Ｆｉｇ．３及びＦｉｇ．４は、スパッタリングパワーＰｓを様々に変化させたときの、溶融石英基板及びＳｉ基板上に成膜したフィルムのラマンスペクトルを示すものである。溶融石英上では、Ｐｓの大きさを２００Ｗよりも小さく保持したとき、５１７ｃｍ−１の位置のラマンピークが４８０ｃｍ−１の位置にシフトする。これは、結晶相からアモルファス相への変化に相当するものである。‥‥‥つまり、４８０ｃｍ−１部位及びその付近のブロードなラマンスペクトルは結晶化したＳｉ相からくるものである。μｃ−Ｓｉ系のラマンスペクトルは、結晶歪をもたらす粒径の減少とともに、ｃ−Ｓｉ相からアモルファス相へとシフトすると報告されている。）」（Ｌ３８６頁左欄本文第１９行〜右欄本文第８行）
　また、上記記載にしたがってＦｉｇ．３及びＦｉｇ．４をみると、ラマンスペクトルがピークを示す波数の位置は、最も高波数側にある場合でもせいぜい５１７ｃｍ−１であって、その他の場合は５１７ｃｍ−１よりも低波数側にシフトしていることを読みとることができる。
　してみれば、この引用例２には、μｃ−Ｓｉ：Ｈ（微結晶シリコン）が、最も高波数側にある場合でもせいぜい５１７ｃｍ−１の波数のラマンスペクトルを、その他の場合はさらに低波数側にずれたラマンスペクトルを示すことが開示されている。
２−３．同じく引用した「Ｊａｐａｎｅｓｅ　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｖｏｌ．２９，Ｎｏ．７，Ｊｕｌｙ，１９９０，ｐｐ．Ｌ１０２９−Ｌ１０３２」（以下「引用例３」という。）には、「Ｇｒｏｗｔｈ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｄｅｐｅｎｄｅｎｃｅ　ｏｆ　μ　ｃ−Ｓｉ：Ｈ　Ｆｉｌｍｓ　Ｓｐｕｔｔｅｒｅｄ　ｗｉｔｈ　Ｈｙｄｒｏｇｅｎ　Ｇａｓ（水素ガスを用いてスパッタされたμｃ−Ｓｉ：Ｈフィルムの成長温度依存性）」の表題のもとに以下のことが記載されている。
　「Ｆｉｇｕｒｅ　５　ｓｈｏｗｓ　ｔｈｅ　ｔｙｐｉｃａｌ　Ｒａｍａｎ　ｓｐｅｃｔｒａ　ｏｂｔａｉｎｅｄ　ｆｒｏｍ　ｔｈｅ　ｐｒｅｐａｒｅｄ　ｆｉｌｍｓ．Ｔｈｅ　Ｒａｍａｎ　ｓｈｉｆｔ　ａｔ　５１８ｃｍ−１ｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄｓ　ｔｏ　ｔｈａｔ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｓｉ　ｃｒｙｓｔａｌ；ｔｈｅ　ｓｐｅｃｔｒａｌ　ｔａｉｌ　ａｔ　ａｎｄ　ａｒｏｕｎｄ　４８０ｃｍ−１ｉｓ　ｅｘｐｌａｉｎｅｄ　ｂｙ　ｔｈｅ　ａｍｏｒｐｈｏｕｓ　ｐｈａｓｅ　ａｎｄ　ｔｈｅ　ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ　ｄｅｇｒａｄａｔｉｏｎ　ａｔ　ａｎｄ　ｎｅａｒ　ｔｈｅ　ｇｒａｉｎ　ｂｏｕｎｄａｒｙ．　Ｔｈｅ　ｓｐｅｃｔｒｕｍ（ａ）ｉｎ　Ｆｉｇ．５　ｉｎｄｉｃａｔｅｓ　ｔｈａｔ　ｔｈｅ　ｆｉｌｍｓ　ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ　ａｔ　Ｔｓｕｂ＝４００℃　ｃｏｎｓｉｓｔ　ｏｆ　ｈｉｇｈｌｙ　ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚｅｄ　Ｓｉ　ｇｒａｉｎｓ．Ｔｈｅ　Ｒａｍａｎ　ｓｈｉｆｔ　ｉｓ，ｈｏｗｅｖｅｒ，　１ｃｍ−１ｓｍａｌｌｅｒ　ｔｈａｎ　ｔｈａｔ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｃ−Ｓｉ，ｓｏ　ｔｈａｔ　ｔｈｅ　ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ　ｄｉｓｔｏｒｔｉｏｎ　ｓｔｉｌｌ　ｅｘｉｓｔｓ　ｉｎ　ｔｈｅ　ｆｉｌｍｓ．　Ｔｈｅ　Ｒａｍａｎ　ｓｈｉｆｔ　ａｓ　ａ　ｆｕｎｃｔｉｏｎ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｔｓｕｂ　ｉｓ　ｇｉｖｅｎ　ｉｎ　Ｆｉｇ．６．Ｔｈｅ　Ｒａｍａｎ　ｓｈｉｆｔ　ｉｎｃ−ｒｅａｓｅｄ　ｃｏｎｓｉｓｔｅｎｔｌｙ　ｗｉｔｈ　ｔｈｅ　Ｔｓｕｂ，ａｐｐｒｏａｃｈ−ｉｎｇ　ｔｏ　ｔｈｅ　ｖａｌｕｅ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｃ−Ｓｉ．（成膜されたフィルムから得られた典型的なラマンスペクトルをＦｉｇ．５に示す。５１８ｃｍ−１部位のラマンシフトはＳｉ結晶のそれに相当する。４８０ｃｍ−１部位及びその付近のスペクトル尾部は、アモルファス相及び粒界部ないしはその近傍における結晶退化として説明づけられる。Ｆｉｇ．５中のスペクトル（ａ）は、Ｔｓｕｂ＝４００℃で堆積させたフィルムが高度に結晶化したＳｉ粒子からなることを示している。しかしながら、ラマンシフトはｃ−Ｓｉのそれよりも１ｃｍ−１小さく、したがってフィルム中にはやはり結晶歪が存在する。Ｔｓｕｂの関数としてのラマンシフトをＦｉｇ．６に示す。ラマンシフトはＴｓｕｂの上昇とともに着実に増加し、ｃ−Ｓｉの持つ値に近づいてくる。）」（Ｌ１０３０頁右欄第２〜１４行）
　また、上記記載にしたがってＦｉｇ．６をみると、５２０ｃｍ−１よりも低波数側にずれた位置（５１９．５ｃｍ−１付近）に白丸で図示されるｃ−Ｓｉのラマンシフトを、これよりもさらに低波数側にずれた位置（５１５．５〜５１８．５ｃｍ−１付近）に黒丸で図示されるμｃ−Ｓｉ：Ｈフィルムのラマンシフトを、それぞれ、読みとることができる。
　２−４．同じく引用した特開昭５９−３５４２３号公報（以下「引用例４」という。）には、「活性半導体層であるＩ層において、その酸素濃度を従来の２〜４×１０１７ｃｍ−３より‥‥」（第２頁右上欄第１３〜１４行））と記載されており、この引用例４には、半導体の技術分野においては、酸素濃度２〜４×１０１７ｃｍ−３程度の半導体が従来から用いられていることが開示されている。
２−５．同じく引用した特開昭６０−２４５１７４号公報（以下「引用例５」という。）には、「チャネル形成領域の非単結晶半導体の酸素、炭素および窒素のいずれもが５×１０１８ｃｍ−３以下の不純物濃度であることが好ましい。」（第４頁右上欄第５〜８行）と記載されており、この引用例５には、チャネル形成領域の半導体の不純物酸素濃度は５×１０１８ｃｍ−３以下が好ましいことが開示されている。
３．本願発明を上記引用例１に記載のものと対比すると、引用例１に記載のものにおける「シリコン」及び「薄膜トランジスタ」は、それぞれ、本願発明における「半導体」及び「半導体装置」に相当する。
　また、引用例１に記載の「結晶粒径」とは、平均粒径を意味するのか全粒子が属する粒径範囲を意味するのか不明ではあるが、仮に全粒子が属する粒径範囲を意味するとしても、本願発明の「平均結晶粒径が５〜４００Å」の範囲内には、引用例１に記載された「結晶粒径が５０〜１００Å程度」が包含されることになる。
　してみると、両者は、結晶粒径が５０〜１００Å程度である微結晶から成る半導体が用いられた半導体装置である点で一致し、以下の２点で一応相違する。
　本願発明では、不純物としての酸素濃度が７×１０１９ｃｍ−３以下である旨規定しているのに対し、引用例１に記載のものでは、酸素濃度について触れるところがない点。（以下「相違点１」という。）
　本願発明では、ラマンスペクトルが５２０ｃｍ−１より低波数側にずれている旨規定しているのに対し、引用例１に記載のものでは、ラマンスペクトルについて触れるところがない点。（以下「相違点２」という。）
（なお、上記相違点２については、拒絶理由では一致点と認定したが、請求人は意見書においてこの認定を誤りである旨主張しているので、ここでは、一応相違点として抽出した上で検討し判断することとした。）
４−１．まず、相違点１について検討する。
　引用例４及び引用例５には、酸素濃度２〜４×１０１７ｃｍ−３程度の半導体が従来から用いられていること（引用例４）、及び、チャネル形成領域の半導体の不純物酸素濃度は５×１０１８ｃｍ−３以下が好ましいこと（引用例５）が、それぞれ、開示されており、このことからも明らかなように、半導体の技術分野においては、特に意識的に添加する場合でない限り、できるだけ不純物酸素の少ない、具体的には２〜４×１０１７ｃｍ−３程度ないしは５×１０１８ｃｍ−３以下の酸素濃度（以下「通常の酸素濃度」という。）の半導体が用いられているから、引用例１に記載のものにおいても、微結晶半導体中の不純物酸素濃度を上記通常の酸素濃度に近似し且つかかる濃度を包含するような数値範囲に規定することは、当業者が容易に想到し得る程度のことにすぎない。
　したがって、相違点１は、当業者が容易に想起できたものと認められる。
４−２．次に、相違点２について検討する。
　引用例３（特に、Ｆｉｇ．６）には、結晶シリコンのラマンスペクトルが、５２０ｃｍ−１より低波数の５１９．５ｃｍ−１であることが開示されている。
　一方、ラマンスペクトルは、物質固有のものであるから（必要ならば、化学大辞典編集委員会編「化学大辞典９」共立出版（１９８７−２−１５）第５５３頁「ラマン分析法」の項を参照されたい。）、結晶シリコンのラマンスペクトルは上記５１９．５ｃｍ−１という固有値であるといえる。
　ところで、引用例３によれば、微結晶シリコンのラマンスペクトルは、結晶性が高くなるほど結晶シリコンのラマンスペクトルに近づくものの、結晶シリコンの波数を越えることはできないものであり、このことは、微結晶シリコンのラマンスペクトルが５１７ｃｍ−１以下（引用例２）ないしは５１５．５〜５１８．５ｃｍ−１付近（引用例３）として示されていることからも裏付けられる。
　してみれば、微結晶シリコンのラマンスペクトルは、５２０ｃｍ−１より低波数の結晶シリコンのラマンスペクトルよりもさらに低波数側にずれたものであって、結局、「微結晶シリコンは、その属性として５２０ｃｍ−１よりも低波数側にずれたラマンスペクトルを有する」ということができる。
　したがって、相違点２は、微結晶半導体の属性を明記したか否かの表現上の差異にすぎず、実質的な相違点ということはできない。
５．以上のとおりであるから、本願発明は、上記引用例１に記載のものに基いて当業者が容易に発明をすることができたものと認められるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。